【事件の表示】
　特願２０１５−　４５２５９「接合方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　９月　８日出願公開，特開２０１６−１６４９５０，請求項の数（４）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２７年３月６日を出願日とする特許出願であって，平成３０年８月３日付けで拒絶理由通知がされ，同年９月２８日に意見書と手続補正書が提出され，同年１１月２１日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，平成３１年２月２０日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされ，令和元年６月１４日に上申書が提出されたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（平成３０年１１月２１日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
１．（進歩性）この出願の請求項１−４に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の文献１または２のいずれかに記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明と，下記の文献１ないし４に記載された技術的事項に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．特開２００９−２３８８０６号公報
２．特開２００２−２９９３７１号公報
３．特開２００６−６０１９４号公報
４．特開２００７−５９５３８号公報
第３　本願発明
　本願の請求項１−４に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明４」という。）は，平成３１年２月２０日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−４に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　第１部材に配置された第１電極上に第１のワイヤボンディングバンプを形成する工程と，
　第２部材に配置された第２電極上に，前記第１のワイヤボンディングバンプと同じ材料で第２のワイヤボンディングバンプを形成する工程と，
　前記第２のワイヤボンディングバンプの先端部を平坦化して，バンプ平坦面を形成する工程と，
　前記第２のワイヤボンディングバンプが前記第１のワイヤボンディングバンプよりも高温となるように，前記第１のワイヤボンディングバンプを加熱せずに前記第２のワイヤボンディングバンプを加熱する加熱工程と，
　前記第１のワイヤボンディングバンプの先端部と，前記加熱工程により軟化した前記第２のワイヤボンディングバンプの前記バンプ平坦面とを互いに圧着する圧着工程と
　を具備し，
　前記圧着工程より前に，前記第１のワイヤボンディングバンプの先端部は，平坦化されない
　接合方法。
【請求項２】
　前記バンプ平坦面を形成する工程は，前記第２のワイヤボンディングバンプの先端部を押圧部材の平坦面に接触させることにより，前記第２のワイヤボンディングバンプの先端部を平坦化する工程を含み，
　前記押圧部材の平坦面は，シリコン板の表面である
　請求項１に記載の接合方法。
【請求項３】
　前記第１部材に配置された第３電極上に第３のワイヤボンディングバンプを形成する工程を更に備え，
　前記第１のワイヤボンディングバンプを形成する工程によって形成される前記第１のワイヤボンディングバンプの先端部と，前記第３のワイヤボンディングバンプを形成する工程によって形成される前記第３のワイヤボンディングバンプの先端部とは，互いに向かい合う方向に傾いている
　請求項１または２に記載の接合方法。
【請求項４】
　前記第１部材に配置された第３電極上に第３のワイヤボンディングバンプを形成する工程を更に備え，
　前記第１のワイヤボンディングバンプを形成する工程によって形成される前記第１のワイヤボンディングバンプの先端部と，前記第３のワイヤボンディングバンプを形成する工程によって形成される前記第３のワイヤボンディングバンプの先端部とは，互いに離間する方向に傾いている
　請求項１または２に記載の接合方法。」
第４　引用文献，引用発明等
１．引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２６】
　
これら第１および第２のバンプ３１，３２は，この種の一般的なバンプであり，たとえば，ワイヤボンディング装置を用いて形成されるスタッドバンプ
「【００４８】
　（第２実施形態）
　本発明の第２実施形態は，上記第１実施形態に比べてバンプ３１，３２の接合形態および接合方法を変更したものであり，この第１実施形態との相違点を中心に述べる。図３は，本第２実施形態に係るバンプの接合構造体Ｓ２の概略断面図である。
【００４９】
　図３に示される本実施形態の接合構造体Ｓ２では，上記図１とは逆に，図中の上側に第１の半導体チップ１０が位置し，下側に第２の半導体チップ２０が位置している。そして，本接合構造体Ｓ２においても，第１のバンプ３１の先端部には，第２のバンプ３２側へ向かって突出する突起４１が設けられており，両バンプ３１，３２の接合部では，突起４１は第２のバンプ３２の先端部に突き刺さっている。
【００５０】
　それにより，本実施形態においても，両バンプ３１，３２の先端部同士の機械的な接触状態が，突起４１の第２のバンプ３２への食い込みによって機械的に保持されるため，バンプサイズを大きくすることなく，当該接触時における両バンプ３１，３２の相対的な位置ずれが規制される。
【００５１】
　ここで，上記第１実施形態では，突起４０は第１のバンプ３１とは別体であったが，本実施形態においては，図４に示されるように，
突起４１は第１のバンプ３１と一体に成形されたものであり，第１のバンプ３１の先端部が突起４１として構成されている
【００５２】
　
本実施形態では，第１のバンプ３１は第２のバンプ３２よりも硬い材料により構成されている。両バンプ３１，３２は金よりなるが，この金の純度を変えることにより硬さを変更できる。具体的には，第２のバンプ３２の金の純度を４Ｎとすれば，ほぼ純金であり軟らかく，一方，第１のバンプ３１をＰｄを１％含有する金の合金とすれば，第２のバンプ３２よりも硬くなる
【００５３】
　
そして，この硬い第１のバンプ３１の先端部を鋭利形状とすることにより，当該鋭利形状をなす先端部が突起４１として構成されている。具体的には，第１のバンプ３１は，第２のバンプ３２側に頂部を持つ円錐状，ピラミッド状の形状とできる。そして，両バンプ３１，３２の接合部では，この鋭利な突起４１が，平坦面となっている第２のバンプ３２の先端部に突き刺さった状態となっている
【００５４】
　
ここで，第１のバンプ３１の先端部を鋭利な突起４１として成形することは，一般のバンプ形成用の治具を用いて型成形すればよい。また，第２のバンプ３２の先端部を平坦面とすることは，通常の方法で形成されたバンプの先端部に対して一般的なレベリング処理を施すことにより可能である
【００５５】
　
このレベリング処理は，バンプの先端部を塑性変形させ平坦化さるもので，第２のバンプ３２の先端部に対して，シリコンやガラスなどからなるプレートを介して荷重を加えることにより，当該先端部を塑性変形させ，平坦化するものである
【００５６】
　次に，本実施形態の接合構造体Ｓ２の製造方法について，図４を参照して述べる。図４は，本製造方法における両半導体チップ１０，２０の接合工程をワーク断面にて示す工程図である。
【００５７】
　本製造方法では，まず，
第１の半導体チップ１０の一面１１に，上記形成方法によって突起４１が設けられた第１のバンプ３１を形成
第２の半導体チップ２０の一面２１に，先端部が上記平坦面となっている第２のバンプ３２を形成する
【００５８】
　そして，
これら両半導体チップ１０，２０を，図４（ａ）に示されるように，互いの一面１１，２１を対向させて配置し，両バンプ３１，３２の位置あわせを行う。そして，図４（ｂ）に示されるように，支持台Ｋ２上にて，両半導体チップ１０，２０を重ね荷重を加えることにより，第１のバンプ３１の先端部としての突起４１を第２のバンプ３２の先端部に突き刺して両バンプ３１，３２の先端部同士を接触させる
【００５９】
　
これにより，両バンプ３１，３２同士が機械的に接触するとともに，突起４１の食い込みによって，この接触状態が保持されるため，両バンプ３１，３２は機械的・電気的に接合される。なお，本実施形態においても，両バンプ３１，３２の先端部同士の接触は，加熱しない状態で行っても，加熱した状態で行ってもよい。こうして，本実施形態の接合構造体Ｓ２ができあがる
　したがって，上記引用文献１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「第１の半導体チップ１０の一面１１に，ワイヤボンディング装置を用いて形成されるスタッドバンプを形成し，その後，一般のバンプ形成用の治具を用いて型成形することで，前記バンプの先端部を鋭利な突起４１として成形して，該突起４１が設けられた第１のバンプ３１を形成する工程であって，前記第１のバンプ３１は第２のバンプ３２よりも硬い材料である，Ｐｄを１％含有する金の合金により形成されている工程と，
　第２の半導体チップ２０の一面２１に，ワイヤボンディング装置を用いて形成されるスタッドバンプを形成し，その後，前記バンプの先端部に対して，シリコンやガラスなどからなるプレートを介して荷重を加えることにより，当該先端部を塑性変形させ，平坦化することで，先端部が上記平坦面となっている第２のバンプ３２を形成する工程であって，前記第２のバンプ３２は，金の純度が４Ｎである，軟らかい，ほぼ純金により形成されている工程と，
　これら両半導体チップ１０，２０を，互いの一面１１，２１を対向させて配置し，両バンプ３１，３２の位置あわせを行い，その後，両半導体チップ１０，２０を重ね荷重を加えることにより，第１のバンプ３１の先端部としての突起４１を第２のバンプ３２の先端部に突き刺して両バンプ３１，３２の先端部同士を接触させ，これにより，両バンプ３１，３２同士が機械的に接触するとともに，突起４１の食い込みによって，この接触状態が保持されるため，両バンプ３１，３２は機械的・電気的に接合される工程と，
　を含む，電極の接合方法。」
２．引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００３６】実施の形態２．図３，図４はこの実施の形態２による電子装置の製造方法を示す図である。図において，７は突起電極４ａの先端に形成した平坦部，８は平板である。なお，他の符号は図１と同じであるので説明は省略する。
【００３７】電子装置を製造するには，まず，図３（ａ）に示すように，
金ワイヤ３の先端に形成した金ボール３ａを超音波振動６を印加しながら第１の電子部品１の金属電極１ａに熱圧着し，金ワイヤを切断することで，図３（ｂ）に示すように第１の電子部品１の金属電極１ａ上に金の突起電極４ａを形成する
【００３８】この突起電極４ａの形成は，実施の形態１と同様にして，実施の形態１と同様のアルミナ配線基板１の金属電極１ａ上に最大部の径が８０μｍの金の突起電極４ａを形成すようにすればよい。なお，ここでも突起電極を８個形成することにした。
【００３９】一方，図３（ｃ）に示すように，
金ワイヤ３の先端に形成した金ボール３ａを超音波振動６を印加しながら第２の電子部品２の金属電極２ａに熱圧着し，金ワイヤを切断することで，図３（ｄ）に示すように第２の電子部品２の金属電極２ａ上に金の突起電極４ｂを形成する
【００４０】この突起電極４ｂの形成は，実施の形態１と同様にして，実施の形態１と同様のＧａＡｓ半導体素子２の金属電極２ａ上に最大部の径が８０μｍの金の突起電極４ｂを形成すようにすればよい。なお，ここでも突起電極を８個形成することにした。
【００４１】ワイヤ，第１の電子部品，第２の電子部品は，実施の形態１で説明したものを用いてもよく，金属電極の表面はアルミやアルミの合金，銀や銀の合金，銅や銅の合金でもよい。
【００４２】また，
第１の電子部品１に突起電極４ａを形成した後，図４（ａ）に示すように，第１の電子部品１に形成した突起電極４ａの先端に平板８を押しつけ，突起電極４ａの先端に平坦部７を形成する
【００４３】このように，第１の電子部品１の突起電極４ａの先端に平坦部７を，第２の電子部品２上に突起電極４ｂを形成した後，図４（ｂ）に示すように，
第１の電子部品１の突起電極４ａと第２の電子部品２の突起電極４ｂとを位置合わせする
【００４４】そして，図４（ｃ）に示すように，
第１の電子部品１と第２の電子部品２とを加熱した状態で押し付け，先端に平坦部７を形成した金の突起電極４ａと第２の電子部品２の金の突起電極４ｂとを固相接合する
【００４５】この実施の形態では，アルミナ配線基板上の突起電極の先端をあらかじめ平坦にしているので，アルミナ配線基板にＧａＡｓ半導体素子を押し付ける際に，アルミナ配線基板上の突起電極とＧａＡｓ半導体素子上の突起電極の位置がずれても，アルミナ配線基板上の突起電極からＧａＡｓ半導体素子上の突起電極がすべり落ちにくくなる。その結果，高精度な位置合わせが不要となる。
【００４６】この実施の形態では，３σで±１５μｍ以内の位置合わせ精度で十分であり，ＧａＡｓ半導体素子，アルミナ配線基板ともに，それぞれ２箇所づつ設置した認識用のパターンを各１回づつ認識するだけで達成できた。この位置合わせに要した時間は４．５秒であり，実施の形態１に比べて生産タクトが６秒短縮できた。
【００４７】さらに，アルミナ配線基板上の金の突起電極の先端をあらかじめ平坦にしておくとＧａＡｓ半導体素子上の金の突起電極がくさびのようにアルミナ配線基板上の金の突起電極に食込んで接合強度が向上する効果も生じる。
【００４８】先端を平坦にしない場合，突起電極あたりのシア破断強度は平均で約７５ｇであったが，先端を平坦にした場合は突起電極あたりのシア破断強度は平均で約９２ｇに向上した。もちろん，アルミナ配線基板の突起電極ではなくＧａＡｓ半導体素子の突起電極の先端部を平坦にしておいても同様の効果が得られる。
【００４９】また，この実施の形態では，第１の電子部品（アルミナ配線基板）に形成された突起電極の先端に平坦部を形成するようにしているが，逆に，第２の電子部品（ＧａＡｓ半導体素子）に形成された突起電極の先端に平坦部を形成してもよい。
【００５０】また，第１の電子部品と第２の電子部品の両方の突起電極の先端部を平坦にしておいてもよい。この場合，突起電極はさらにすべり落ちにくくなり，その時，第１の電子部品または第２の電子部品の突起電極のどちらか一方の平坦部の径が他方より大きくなるように変形させておくと，平坦部径の小さい金の突起電極がくさびのように食込んで接合強度が向上する効果が生じる。」
　したがって，上記引用文献２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「金ワイヤ３の先端に形成した金ボール３ａを超音波振動６を印加しながら第１の電子部品１の金属電極１ａに熱圧着し，金ワイヤを切断することで，第１の電子部品１の金属電極１ａ上に金の突起電極４ａを形成する工程と，
　金ワイヤ３の先端に形成した金ボール３ａを超音波振動６を印加しながら第２の電子部品２の金属電極２ａに熱圧着し，金ワイヤを切断することで，第２の電子部品２の金属電極２ａ上に金の突起電極４ｂを形成する工程と，
　第１の電子部品１に突起電極４ａを形成した後，第１の電子部品１に形成した突起電極４ａの先端に平板８を押しつけ，突起電極４ａの先端に平坦部７を形成する工程と，
　第１の電子部品１の突起電極４ａと第２の電子部品２の突起電極４ｂとを位置合わせする工程と，
　第１の電子部品１と第２の電子部品２とを加熱した状態で押し付け，先端に平坦部７を形成した金の突起電極４ａと第２の電子部品２の金の突起電極４ｂとを固相接合する工程と，
　を含む電極の接合方法。」
３．引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
　
Ａｕスタッドバンプを半導体チップの電極表面に形成する第１の工程と，該第１の工程を経た前記半導体チップをアニールする第２の工程
「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　ところで，
従来の常温におけるフリップチップ接合では，金メッキバンプを介して行うため，実装基板側の平面度のばらつきやバンプ高さのばらつきがあった場合，接合不良が発生するという問題があった
【０００６】
　
この問題を解決するためにバンプ変形量の大きいＡｕスタッドバンプを用いれば接合不良を解決することが可能であるが，Ａｕスタッドバンプの
先部の硬度増加のために接合強度が低いという問題があった
【０００７】
　本発明は，上記の問題に鑑みて為されたもので，その目的とするところは接合不良の発生がなく，且つ接合強度も高い常温下におけるフリップチップ実装方法を提供することにある。」
「【０００９】
　請求項１のフリップチップ実装方法の発明によれば，変形量の大きなＡｕスタッドバンプを用いることで，実装基板の板厚のばらつきを吸収してその影響を無くすことができ，加えて，
ＡｕスタッドバンプをアニールすることによりＡｕスタッドバンプの先部の硬度を低下させているので，圧接時にＡｕスタッドバンプが容易に変形するようになり，これにより半導体チップのＡｕスタッドバンプと実装基板の電極との接合面積を増加できる。そのため，高い接合強度を確保しつつ常温下での実装基板側電極と半導体チップ側のＡｕスタッドバンプの接合面との圧接接合ができ，その結果電気的接続の信頼性が高い所望のフリップチップ実装が行える
「【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
　以下本発明を実施形態により説明する。
【００３２】
　（実施形態１）
　本実施形態のフリップチップ実装方法は，図１に示すように第１工程（Ｉ）から第４工程（IV）までの４つの工程からなり，第１工程（Ｉ）はＳｉチップからなる半導体チップ１の表面に形成した薄膜の電極２の表面にＡｕスタッドバンプ３を形成するスタッドバンプ形成工程である。
【００３３】
　
ここでＡｕスタッドバンプ３は切断性を保つために若干の不純物を含むが，９９％以上，望ましくは９９．９９％以上のＡｕを含むワイヤを用いて形成する
【００３４】
　
次の第２工程(II)では，Ａｕスタッドバンプ３を形成した半導体チップ１を窒素ガス（Ｎ
２
）等不活性ガス８が満たされているチャンバー９内に入れ，３００℃に３０分間加熱してアニール処理を行い，その後徐々に冷却し，Ａｕの硬度の軟化，特にＡｕスタッドバンプ３の先端部（先部）３ａの軟化を図る
【００３５】
　
この第２工程(II)では３００℃にＡｕスタッドバンプ３が加熱されるため，Ａｕが電極２へ拡散して電極２と半導体チップ１との密着強度が低下する恐れがある場合には，電極２の材料をＣｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｗ等Ａｕの拡散を抑制する金属材料から形成するか，或いは電極２と半導体チップ１との間にＣｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｗ等Ａｕの拡散を抑制する金属材料を介在させる
「【００４８】
　（実施形態３）
　本実施形態の方法は，図４に示すように第１工程（Ｉ）から第５工程（Ｖ）までの５つの工程からなり，第1工程（Ｉ）はＳｉチップからなる半導体チップ１の表面に形成した薄膜の電極２の表面にＡｕスタッドバンプ３を形成するスタッドバンプ形成工程である。ここで，Ａｕスタッドバンプ３は，実施形態１と同様に形成している。
【００４９】
　
次の第２工程（II）は第１工程で形成した各Ａｕスタッドバンプ３の先端部３ａを押圧材たるレベリング材４によって押圧することで押潰し，高さが揃い且つ面積が増加した平坦な接合面５を形成する
【００５０】
　ここでレベリング材４のＡｕスタッドバンプ３の先端部３ａを押圧する押圧面の表面粗さ（Ｒａ）を数１０ｎｍ以下とすることで，該押圧面の粗さが転写される接合面５の表面の粗さを減少させることができ，そのため接合面積を増加させることで，後述する実装基板６の電極７との接合強度を増加させることができる。
【００５１】
　またレベリング材４でＡｕスタッドバンプ３の先端部３ａを押圧する際に超音波発振器のホーンをレベリング材４に当てて超音波を印加すれば超音波振動によるＡｕスタッドバンプ３の接合面５の表面粗さを減少させることができ，上述のレベリング材４の押圧面の表面粗さ（Ｒａ）を数１０ｎｍ以下とすることと併せることで，実装基板６の電極７との接合強度を更に増加させることができる。
【００５２】
　
さて，次の第３工程(III)では，Ａｕスタッドバンプ３に上述のように接合面５を形成した半導体チップ１を窒素ガス（Ｎ
２
）等不活性ガス８が満たされているチャンバー９内に入れ，３００℃に３０分間加熱してアニール処理を行い，その後徐々に冷却し，Ａｕの高度の軟化を図る
【００５３】
　この第３工程(III)では３００℃にＡｕスタッドバンプ３が加熱されるため，Ａｕが電極２へ拡散して電極２と半導体チップ１との密着強度が低下する恐れがある場合には，電極２の材料をＣｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｗ等Ａｕの拡散を抑制する金属材料から形成するか，或いは電極２と半導体チップ１との間にＣｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｗ等Ａｕの拡散を抑制する金属材料を介在させる。
【００５４】
　次の第４工程（IV)では，上述のようにアニール処理が施された半導体チップ１及び実装基板６を減圧雰囲気に配置してＡｒプラズマ若しくは高速原子ビームの様なエネルギー波を矢印で示すように照射する。この場合（ａ）に示す半導体チップ１ではＡｕスタッドバンプ３の接合面５に向けて照射し，接合面５の活性化（清浄化）を図る。また（ｂ）に示す実装基板６の場合には表面にＡｕメッキ層７ａを形成した薄膜の電極７側に向けて照射し，Ａｕメッキ層７ａの表面の活性化（清浄化）を図る。
【００５５】
　第５工程（Ｖ）では上述のように活性化処理された半導体チップ１のＡｕスタッドバンプ３の接合面５を活性化処理された実装基板６の電極７表面のＡｕメッキ層７ａに（ａ）のように当接して矢印の方向に加圧（例えば１バンプ当りの荷重１００〜３００ｇｆ／ｂｕｍｐ）すると，（ｂ）のようにＡｕメッキ層７ａに対しＡｕスタッドバンプ３の接合面が圧接して接合されることになる。つまり半導体チップ１がフリップチップ接合により実装基板６に実装されることになる。」
４．引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２７】
　まず，バンプ形成方法について述べる。なお，図２では，第１の接合部材１１の一面１１ａに対して，第１のバンプ２１を形成する場合を示しているが，第２の接合部材１２に対する第２のバンプ２２の形成方法も，これと同様である。
【００２８】
　図２（ａ）に示されるように，ボンディング装置におけるキャピラリ１００の内部に挿入されたワイヤ１１０において，キャピラリ１００の先端から導出された部分の先端に，放電加工などによりボール部１１１を形成する。
【００２９】
　次に，図２（ｂ）に示されるように，このボール部１１１を，キャピラリ１００を介して，第１の接合部材１１の一面１１ａ上の第１のパッド３１に押し当てて変形させるとともに，熱や超音波振動を加えながら接合する。
【００３０】
　そして，キャピラリ１００の先端部を引き上げて（図２（ｃ）参照），キャピラリ１００の先端部を，変形したボール部１１１の先端部に沿って，やや斜め下方に向けて動かすことにより（図２（ｄ）参照），ワイヤ１１０をカットする（図２（ｅ）参照）。
【００３１】
　こうして，図２（ｅ）に示されるように，第１のバンプ２１が作られる。このとき，バンプ２１の先端面２１ａは，ワイヤ１１０をカットするときにキヤピラリ１００が移動する方向に傾斜した傾斜面となる。
【００３２】
　第２のバンプ２２も同様の方法によって，第２の接合部材２２の一面２２ａに形成されるが，このようにして形成される両バンプ２１，２２の個々の形状は，一般的なものであり，たとえば，根元部すなわちパッド３１，３２側の部位から先端面２１ａ，２２ａに向かって次第に細くなった円柱形状をなすものになる。
【００３３】
　このようなバンプ形成方法によって，第１の接合部材１１の一面１１ａに複数個の第１のバンプ２１を設け，第１の接合部材１１の一面１１ａに対向させるべき第２の接合部材１２の一面１２ａのうちそれぞれの第１のバンプ２１と対向する位置に第２のバンプ２２を設ける。」
「【００３６】
　本実施形態では，図３，図４に示されるように，複数個の第１のバンプ２１からなるバンプ群において，個々の第１のバンプ２１の先端面２１ａを，複数個の第１のバンプ２１の重心Ｇと当該個々の第１のバンプ２１とを結ぶ方向に沿って傾斜した傾斜面としている。そして，
個々の傾斜面は，その傾斜の方向が各第１のバンプ２１間で重心Ｇに向かって同じとなっている
【００３７】
　本例では，図４（ａ）に示されるように，個々の第１のバンプ２１の先端面２１ａについては，その傾斜の方向は，各先端面２１ａにおける重心Ｇ側の端部が，それとは反対側の端部よりも高くなる方向となっている。つまり，傾斜面としての各第１のバンプ２１の先端面２１ａは，複数個の第１のバンプ２１の重心Ｇとは反対方向を向いた外向きの傾斜構成となっている。
【００３８】
　一方，本実施形態では，図４（ａ）に示されるように，複数個の第２のバンプ２２からなるバンプ群においても，個々の第２のバンプ２２の先端面２２ａを，複数個の第２のバンプ２２の重心Ｇと当該個々の第２のバンプ２２とを結ぶ方向に沿って傾斜した傾斜面としている。そして，個々の傾斜面は，その傾斜の方向が各第２のバンプ２２間で重心Ｇに向かって同じとなっている。
【００３９】
　つまり，本実施形態では，複数個の第１のバンプ２１からなるバンプ群，複数個の第２のバンプ２２からなるバンプ群のそれぞれにおいて，個々のバンプ２１，２２の先端面２１ａ，２２ａは，その重心Ｇを中心として対称的な形状にて重心Ｇに向かって傾斜したものとなっている。以下，このようなバンプ群の構成を，「重心Ｇに対称な傾斜面構成」ということにする。
【００４０】
　
ここで，本例では，個々の第２のバンプ２２の先端面２２ａについては，その傾斜の方向は，各先端面２２ａにおける重心Ｇ側の端部が，それとは反対側の端部よりも低くなる方向となっている。つまり，第２のバンプ２２における傾斜面としての各先端面２２ａは，本例の第１のバンプ２１とは反対に，複数個の第２のバンプ２２の重心Ｇの方を向いた内向きの傾斜構成となっている
第５　対比・判断
１．本願発明１について
（１）引用発明１を主引用発明とした検討
　ア　対比
　本願発明１と引用発明１とを対比すると，次のことがいえる。
　引用発明１における「第１の半導体チップ１０」，「第１のバンプ３１」，「第２の半導体チップ２０」及び「第２のバンプ３２」は，本願発明１における「第１部材」，「第１のワイヤボンディングバンプ」，「第２部材」及び「第２のワイヤボンディングバンプ」に相当する。
　したがって，本願発明１と引用発明１との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
＜一致点＞
「第１部材に第１のワイヤボンディングバンプを形成する工程と，
　第２部材に第２のワイヤボンディングバンプを形成する工程と，
　前記第２のワイヤボンディングバンプの先端部を平坦化して，バンプ平坦面を形成する工程と，
　前記第１のワイヤボンディングバンプの先端部と，前記第２のワイヤボンディングバンプの前記バンプ平坦面とを互いに圧着する圧着工程と
　を具備し，
　前記圧着工程より前に，前記第１のワイヤボンディングバンプの先端部は，平坦化されない
　接合方法。」
＜相違点＞
（相違点１）本願発明１の「第１のワイヤボンディングバンプ」及び「第２のワイヤボンディングバンプ」は，いずれも「第１電極上」及び「第２電極上」に形成されているのに対して，引用発明１には，その旨の特定がないこと。
（相違点２）本願発明１では，「第１のワイヤボンディングバンプ」と「第２のワイヤボンディングバンプ」は，「同じ材料」で形成されるのに対して，引用発明１では，第１のバンプ３１が第２のバンプ３２よりも硬い材料である，Ｐｄを１％含有する金の合金により形成されるとともに，第２のバンプ３２は，金の純度が４Ｎである，軟らかい，ほぼ純金により形成されていること。
（相違点３）本願発明１が，「前記第２のワイヤボンディングバンプが前記第１のワイヤボンディングバンプよりも高温となるように，前記第１のワイヤボンディングバンプを加熱せずに前記第２のワイヤボンディングバンプを加熱する加熱工程」であって，前記加熱工程は，前記第２のワイヤボンディングバンプを「軟化」するものである工程を備えるのに対して，引用発明１は，そのような工程を備えないこと。
　イ　相違点についての判断
　上記相違点２及び３を，まとめて検討する。
　引用発明１において，上記相違点２及び３について，本願発明１の構成とするためには，引用発明１の「第２のバンプ３２」を「金の純度が４Ｎである，軟らかい，ほぼ純金」で形成することに替えて，「第１のバンプ３１」の形成に用いられている「硬い材料である，Ｐｄを１％含有する金の合金」を用いて形成するとともに，引用発明１の工程に，「前記第２のワイヤボンディングバンプが前記第１のワイヤボンディングバンプよりも高温となるように，前記第１のワイヤボンディングバンプを加熱せずに前記第２のワイヤボンディングバンプを加熱する加熱工程」であって，前記加熱工程は，前記第２のワイヤボンディングバンプを「軟化」するものである工程を追加することを要するといえる。
　しかしながら，引用文献１ないし４のいずれにも，「金の純度が４Ｎである，軟らかい，ほぼ純金」を，わざわざ「硬い材料である，Ｐｄを１％含有する金の合金」に変更した上で，再び「軟らかい」ものとするために，「前記第２のワイヤボンディングバンプが前記第１のワイヤボンディングバンプよりも高温となるように，前記第１のワイヤボンディングバンプを加熱せずに前記第２のワイヤボンディングバンプを加熱する加熱工程」であって，前記加熱工程は，前記第２のワイヤボンディングバンプを「軟化」するものである工程を施すようにする技術的事項は記載されておらず，また，このような置き換えを採用する動機を見い出すこともできない。
　なお，引用文献３には，９９％以上，望ましくは９９．９９％以上のＡｕを含むワイヤを用いて形成するＡｕスタッドバンプ３を形成した半導体チップ１を窒素ガス（Ｎ２）等不活性ガス８が満たされているチャンバー９内に入れ，３００℃に３０分間加熱してアニール処理を行い，その後徐々に冷却し，Ａｕの硬度の軟化，特にＡｕスタッドバンプ３の先端部（先部）３ａの軟化を図ることが記載されているが，前記記載からは，「硬い材料である，Ｐｄを１％含有する金の合金」にアニール処理を行うことで，「金の純度が４Ｎである，軟らかい，ほぼ純金」よりも軟らかくなるかは明らかではない。
　しかも，引用文献３の記載からも明らかなように，アニール処理には，「窒素ガス（Ｎ２）等不活性ガス８が満たされているチャンバー９」等の新たな設備，「３００℃に３０分間加熱してアニール処理を行い，その後徐々に冷却し」等に要する時間，更に，「この第２工程(II)では３００℃にＡｕスタッドバンプ３が加熱されるため，Ａｕが電極２へ拡散して電極２と半導体チップ１との密着強度が低下する恐れがある場合には，電極２の材料をＣｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｗ等Ａｕの拡散を抑制する金属材料から形成するか，或いは電極２と半導体チップ１との間にＣｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｗ等Ａｕの拡散を抑制する金属材料を介在させる」等の新たな制約が生じることを鑑みれば，引用発明１において，上記相違点２及び３に係る構成を採用することには阻害事由が存在するものと認められる。
　したがって，他の相違点については検討するまでもなく，本願発明１は当業者であっても引用発明１と引用文献１ないし４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）引用発明２を主引用発明とした検討
　ア　対比
　本願発明１と引用発明２とを対比すると，次のことがいえる。
　引用発明２における「第１の電子部品１」，「金属電極１ａ」，「金の突起電極４ａ」，「第２の電子部品２」，「金属電極２ａ」及び「金の突起電極４ｂ」は，本願発明１における「第２部材」，「第２電極」，「第２のワイヤボンディングバンプ」，「第１部材」，「第１電極」及び「第１のワイヤボンディングバンプ」に相当する。
　したがって，本願発明１と引用発明２との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
＜一致点＞
「第１部材に配置された第１電極上に第１のワイヤボンディングバンプを形成する工程と，
　第２部材に配置された第２電極上に第２のワイヤボンディングバンプを形成する工程と，
　前記第２のワイヤボンディングバンプの先端部を平坦化して，バンプ平坦面を形成する工程と，
　前記第１のワイヤボンディングバンプの先端部と，前記加熱工程により軟化した前記第２のワイヤボンディングバンプの前記バンプ平坦面とを互いに圧着する圧着工程と
　を具備し，
　前記圧着工程より前に，前記第１のワイヤボンディングバンプの先端部は，平坦化されない
　接合方法。」
＜相違点＞
（相違点４）本願発明１では，「第１のワイヤボンディングバンプ」と「第２のワイヤボンディングバンプ」は，「同じ材料」で形成されるのに対して，引用発明２では，この点が特定されていない点。
（相違点５）本願発明１が，「前記第２のワイヤボンディングバンプが前記第１のワイヤボンディングバンプよりも高温となるように，前記第１のワイヤボンディングバンプを加熱せずに前記第２のワイヤボンディングバンプを加熱する加熱工程」であって，前記加熱工程は，前記第２のワイヤボンディングバンプを「軟化」するものである工程を備えるのに対して，引用発明２は，そのような工程を備えないこと。
　イ　相違点についての判断
　相違点５について検討する。
　引用文献１ないし４のいずれにも，引用発明２において，相違点５に係る構成を採用する動機を見い出すことができない。そして，本願発明１は，上記構成を採用したことにより，発明の詳細な説明に記載した格別の効果を奏するものと認められる。
　したがって，本願発明１は，当業者であっても引用発明２と，引用文献１ないし４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２．本願発明２−４について
　本願発明２−４も，本願発明１と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明１又は２，及び引用文献１ないし４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第６　原査定について
　理由２（特許法第２９条第２項）について
　審判請求時の補正により，本願発明１−４は「第１のワイヤボンディングバンプと同じ材料で第２のワイヤボンディングバンプを形成」および「前記第１のワイヤボンディングバンプを加熱せずに前記第２のワイヤボンディングバンプを加熱する」という事項を有するものとなっており，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用文献１−４に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定の理由２を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。