【事件の表示】
　平成１０年特許願第５０３０３号「プラズマ処理方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年９月１７日出願公開、特開平１１−２５１２９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１０年３月３日の出願であって、その請求項１〜６に係る発明は、平成１５年１１月１７日付の手続補正書に記載された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】内部にガスを供給するとともに所定圧力に減圧排気して、前記ガスをプラズマ化し、該プラズマを用いて被処理材を処理するプラズマ処理方法において、
前記被処理材に入射するプラズマ中のイオン量が０．４〜４ｍＡ／ｃｍ２となるＴＭ０ｎモード（ｎは正の整数）の低イオン電流プラズマを発生させ、該プラズマにより被処理材を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の出願前に国内に頒布された下記の刊行物１、２、及び周知例１には、次の事項が記載されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　記　
　刊行物１：特開平９−８２６８２号公報
　刊行物２：特開平１０−１２５９４号公報
　周知例１：特開平３−１５８４７１号公報
　
（１）刊行物１（特開平９−８２６８２号公報）
（１ａ）「【請求項１】真空処理室に処理ガスを導入し放電によってプラズマを発生させ、該真空処理室内の被処理物載置ステージにイオンを加速するためのバイアス電圧を印加し、該ステージ上に載置された被処理物を処理するプラズマ処理方法において、該バイアス電圧の波形が、プラズマ中のイオンを被処理基板に向かって加速する電圧波形の部分とプラズマ中の電子を被処理基板に向かって加速する電圧波形の部分を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
　・・・
【請求項５】プラズマ中の電子密度が５×１０１０／ｃｍ３以上、かつ被処理基板への飽和イオン電流が１ｍＡ／ｃｍ２以上であるような高密度プラズマを用いる処理において、請求項１のバイアス印加法を用いることを特徴とするプラズマ処理方法。」
（１ｂ）実施例として、「【００１１】【実施例】（実施例１）図１はゲート用ポリシリコン加工用マイクロ波エッチング装置に本発明の電子加速パルスバイアスを適用した装置の例である。この装置では、マグネトロン２０で発生したマイクロ波を導波管２１を通して放電管２２に導入し、導入されたマイクロ波とコイル２３で作られる磁場の電子サイクロトロン共鳴によって高密度のプラズマを生成できる構造になっている。・・・
　・・・・・・
【００１４】この時のプラズマの電子密度（プラズマ密度）は約１×１０１１／ｃｍ３、飽和イオン電流は３ｍＡ／ｃｍ２であった。また、プラズマ電位は＋２０Ｖであった。エッチングの結果を図６に示す。ノッチングの大きさは、パルス電圧の増加とともに減少する。また、ノッチング抑制の効果はパルス電圧の大きさが５０Ｖ以上で飽和する。したがって、パルス電圧の大きさとしては最低でも５０Ｖ以上あれば良いことがわかる。一方、従来のＲＦバイアス（８００ＫＨｚ，５Ｗ）を印加した場合、大きなノッチングが見られた。」が記載されている。
　
（２）刊行物２（特開平１０−１２５９４号公報）
（２ａ）「【請求項１】真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、前記処理室内へのガス供給装置と、スロットアンテナから放射されたマイクロ波を利用して前記処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とから成るプラズマ処理装置において、前記プラズマ発生手段がマイクロ波の同軸型空洞共振器を有し、該同軸型空洞共振器の底部にスロットアンテナを設けたことを特徴とするスロットアンテナを有するプラズマ処理装置。
　・・・
【請求項３】請求項１・・・に記載のプラズマ処理装置において、ＴＥ０ｍモードとＴＭ０ｎモード（ｍ，ｎは正の整数）の混在したマイクロ波によりプラズマを生成することを特徴とするスロットアンテナを有するプラズマ処理装置。」
（２ｂ）「【０００２】【従来の技術】従来のスロットアンテナを用いた装置は、例えば、特開平６−４８２８７号公報に記載のように、円筒型の空洞共振器を用い、空洞共振器の底部に流れる表面電流と垂直の方向にスロットアンテナを配置していた。このことにより、空洞共振器内のマイクロ波モードと同じモードのマイクロ波をスロットアンテナにより放射し、プラズマを生成するよう構成されていた。
【０００３】【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、プラズマの均一性を制御しやすいスロットアンテナを有するプラズマ処理装置を提供することにある。
【０００４】【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、ＴＥＭモードのマイクロ波を同軸型空洞共振器内に励振し、そして空洞共振器底部に設けたスロットアンテナを、空洞共振器底部に流れる表面電流の方向と平行でも垂直でもない角度で、リング状に配置したものである。
【０００５】ＴＥＭモードの空洞共振器の底部壁面には放射状に、つまり径方向に表面電流が流れる。スロットアンテナを表面電流の方向と平行でも垂直でもないある一定の角度で交わるように、そしてリング状に配置するようにすると、径方向および周方向のマイクロ波電界がスロットアンテナより放射される。すなわち、ＴＥ０ｎモードとＴＭ０ｍモード（ｍ，ｎは正の整数）の混在したマイクロ波が放射される。したがって、スロットアンテナと前記表面電流の交わる角度を変更することにより、ＴＥ０ｎモードとＴＭ０ｍモード（ｍ，ｎは正の整数）の比を変更できるので、生成されるマイクロ波プラズマの均一性を容易に制御できる。」
（２ｃ）実施例として、「【０００８】ＴＥＭモードの同軸型空洞共振器８の底部には、図２に示すように、中心から径方向に、放射状の表面電流が流れる。図４に示すように、表面電流の方向に対し直角にスロットアンテナ９長手方向を配置した場合には、径方向の電界がスロットアンテナ９内に生じるため、処理室１へは、ＴＭ０１モードのマイクロ波が放射される。・・・図２に示すように、スロットアンテナ９を表面電流に対し、直角でも平行でもない角度で配置した場合には、スロットアンテナ９内には、径方向の電界Ｅｒと周方向の電界Ｅθが、スロットアンテナ９と表面電流との角度に応じた割合で生じる。したがって、処理室１へは、ＴＭ０１モードとＴＥ０１モードの混在したマイクロ波が放射される。ＴＥ０１モードのマイクロ波、導波管径の約１／２の箇所で最も電界強度が大きくなるため、図２に示すようにスロットアンテナ９をリング状に配置するリング径φｃを処理室１の内径の約１／２にすると効率良く、ＴＥ０１モードのマイクロ波が放射される。スロットアンテナ９と表面電流との角度４５度とし、前記φｃを処理室１の内径の約１／２とすると処理室１へはＴＭ０１モードおよびＴＥ０１モードはともに軸対称の電界強度分布を有しており、前述のようにこれらモードの混在したマイクロ波を処理室１に投入することにより、軸対称分布をしたプラズマを容易に生成できるという効果がある。生成されるプラズマは、外周部である処理室１の壁面では大きく損失するが、中央部中心軸上では損失は少ない。したがって、リング状にプラズマ生成領域を設けることにより、広範囲で均一なプラズマが容易に生成される。ＴＭ０１モードとＴＥ０１モードの混在したマイクロ波を投入することにより、リング状にプラズマ生成領域を設けることができ、またＴＭ０１モードとＴＥ０１モードの比率を変更することにより、リング状プラズマ生成領域のリング径を変更でき、プラズマ均一性を制御できる。前述のように、ＴＭ０１モードとＴＥ０１モードの比率の変更は、スロットアンテナ９と表面電流との交わる角度の変更、あるいはスロットアンテナ９の形状、あるいはスロットアンテナ９の位置により変更できる。」
　
（３）周知例１（特開平３−１５８４７１号公報）
（３ａ）「本発明は・・・大口径のプラズマを高密度、かつ均一に、しかも安定した状態で形成して、大口径半導体基板を高速かつ均一に処理し得るマイクロ波プラズマ処理装置を提供することを目的とする。」（２頁右下欄１４〜１８行）
（３ｂ）「上記の目的は、プラズマ処理室へマイクロ波を導入する直前で該マイクロ波の電磁界強度を強める空胴共振器、および該空胴共振器からプラズマ処理室へマイクロ波を放射するスロット、ならびに該プラズマ処理室の内壁近傍に磁場を形成する複数個の磁石を設け、かつ上記複数個の磁石のプラズマ処理室内に向けられた磁極が、隣接磁石ごとに極性が反対となるように配置することによって達成される。」（２頁右下欄末行〜３頁左上欄８行）
（３ｃ）実施例として、「空胴共振器１はある特定の共振モードになるように設計されており、円形空胴共振器がＴＭ０１モードの場合、スロット４は、第２図に示す様に電界を横切る方向に同心円弧状に構成する。」（３頁右下欄４〜８行）
（３ｄ）第６図には、横軸：電極中心からの距離（ｍｍ）に対する、縦軸：電極流入イオン電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）が記載され、実施例では電極流入イオン電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）が電極中心から距離によらず略２ｍＡ／ｃｍ２ の値となっていることが示されている。
　
３．対比・判断
　上記摘記事項（１ａ）の【請求項５】によれば、被処理基板への飽和イオン電流が１ｍＡ／ｃｍ２以上であるような高密度プラズマを用いるプラズマ処理が記載され、上記摘記事項（１ｂ）によれば、実施例１では、飽和イオン電流は３ｍＡ／ｃｍ２であることが記載されている。また、上記周知例１には、マイクロ波によるプラズマ処理において、処理室内の電極周辺部における電極流入イオン電流密度は、電極中心からの距離にかかわらず略２ｍＡ／ｃｍ２であることが実施例として記載されているから、刊行物１に記載の被処理基板に入射するプラズマ中の飽和イオン電流が１ｍＡ／ｃｍ２以上であることと、実施例での飽和イオン電流を３ｍＡ／ｃｍ２としていることとを合わせてみると、刊行物１には、プラズマ中のイオン電流が１〜３ｍＡ／ｃｍ２であることが実質的に記載されているといえる。
　そこで、上記刊行物１の摘記事項を総合すると、刊行物１には、「真空処理室に処理ガスを導入するとともに真空排気して、該ガスをプラズマ化し、このプラズマを用いて被処理基板を処理するマイクロ波によるプラズマ処理方法において、被処理基板に入射するプラズマ中の飽和イオン電流が１〜３ｍＡ／ｃｍ２の高密度プラズマを発生させ、該プラズマにより被処理基板を処理する方法。」（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているといえる。
　　
　そこで、本願発明１と刊行物１記載の発明とを対比すると、両者は、「内部にガスを供給するとともに所定圧力に減圧排気して、前記ガスをプラズマ化し、該プラズマを用いて被処理材を処理するプラズマ処理方法において、
前記被処理材に入射するプラズマ中のイオン量が１〜３ｍＡ／ｃｍ２となる低イオン電流プラズマを発生させ、該プラズマにより被処理材を処理するプラズマ処理方法。」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点：本願発明１は、ＴＭ０ｎモード（ｎは正の整数）の低イオン電流プラズマを発生させるのに対し、刊行物１記載の発明は、この点の記載がなく、どのようなモードのマイクロ波によりプラズマを生成させているのか不明である点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　本願発明１は、「ＴＭ０ｎモード（ｎは正の整数）の低イオン電流プラズマを発生させ」るとしているが、「ＴＭ０ｎモード（ｎは正の整数）」は磁気的横波、ＴＭ波のことであるから、「ＴＭ０ｎモード（ｎは正の整数）のマイクロ波により低イオン電流プラズマを発生させ」ることを意味するものであることは明らかである。
　上記刊行物２には、プラズマの均一性を制御しやすいスロットアンテナを有するプラズマ処理装置を提供することを目的として（摘記事項（２ｂ）【０００３】）、スロットアンテナと前記表面電流の交わる角度を変更することにより、ＴＥ０ｎモードとＴＭ０ｍモード（ｍ，ｎは正の整数）の比を変更できるので、生成されるマイクロ波プラズマの均一性を容易に制御できること（摘記事項（２ｂ）【０００５】）が記載され、実施例には、図４に示すように、表面電流の方向に対し直角にスロットアンテナ９長手方向を配置した場合には、径方向の電界がスロットアンテナ９内に生じるため、処理室１へは、ＴＭ０１モードのマイクロ波が放射されること、及びスロットアンテナ９を表面電流に対し、直角でも平行でもない角度で配置した場合には、スロットアンテナ９内には、径方向の電界Ｅｒと周方向の電界Ｅθが、スロットアンテナ９と表面電流との角度に応じた割合で生じ、したがって、処理室１へは、ＴＭ０１モードとＴＥ０１モードの混在したマイクロ波が放射されること（摘記事項（２ｃ））が記載されている。
　即ち、刊行物２には、スロットアンテナと前記表面電流の交わる角度を変更することにより、ＴＥ０ｎモードとＴＭ０ｍモード（ｍ，ｎは正の整数）の比を変更できるので、生成されるマイクロ波プラズマの均一性を容易に制御できることだけでなく、空胴共振器の底部に中心から径方向に放射状の表面電流が流れることにより、この底部に設けたスロットアンテナ内に径方向の電界が生じ、処理室へＴＭ０１モードのマイクロ波が放射されることが記載されているものである。
　更に、刊行物２の従来の技術の記載によれば、スロットアンテナを用いた装置は、円筒型の空洞共振器を用い、空洞共振器の底部に流れる表面電流と垂直の方向にスロットアンテナを配置していたので、空洞共振器内のマイクロ波モードと同じモードのマイクロ波をスロットアンテナにより放射し、プラズマを生成できるもの（摘記事項（２ｂ））である。ここで、上記周知例１において、マイクロ波プラズマ処理装置でプラズマ円形空胴共振器がＴＭ０１モードの場合、スロット４は、電界を横切る方向に同心円弧状に構成すること（摘記事項（３ｃ））により、プラズマ処理室へはＴＭ０１モードのマイクロ波が放射されプラズマを生成し、この場合は、電極流入イオン電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）が電極中心から距離によらず略２ｍＡ／ｃｍ２ （摘記事項（３ｄ））という低イオン電流密度でプラズマを発生している。即ち上記周知例１は、プラズマ処理室へはＴＭ０１モードのマイクロ波を放射した場合に、適当なスロットを用いることにより、略２ｍＡ／ｃｍ２ という低イオン電流密度でプラズマを発生し得る一例を示しているものである。
　そうすると、刊行物１記載の発明もプラズマ中の飽和イオン電流が１〜３ｍＡ／ｃｍ２のプラズマを発生させるものであって、しかも、マイクロ波はＴＥモード、ＴＭモード等の特定のモードを有するものであるから、刊行物１記載の発明において、刊行物２に記載された、特定のモードのうち処理室へＴＭ０１モードのマイクロ波を放射させ、プラズマを生成するように限定することは当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願発明１による効果も刊行物１、２の記載、および周知技術から予測することができる程度のことであって格別なものとは認められない。
　
　したがって、本願発明１は、刊行物１、２に記載された発明、および周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項２〜６に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。