【事件の表示】
　特願２０１６−５５６１７７「半導体装置の製造方法及びレジストガラス」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　５月　６日国際公開、ＷＯ２０１６／０６７４７７、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２６年（２０１４年）１０月３１日を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２９年　１月１９日　　　手続補正
平成２９年　８月　９日付け　拒絶理由通知
平成２９年１０月２３日　　　意見書・手続補正
平成２９年１２月２８日付け　最後の拒絶理由通知
平成３０年　３月　５日　　　意見書・手続補正
平成３０年　４月２７日付け　補正却下決定・拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成３０年　６月２８日　　　審判請求・手続補正
平成３０年１０月　３日　　　上申書
平成３１年　４月１６日付け　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という。）
令和　１年　６月　６日　　　意見書・手続補正
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，令和１年６月６日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認められる。
「【請求項１】
　半導体基板の表面に形成された酸化膜を部分的に除去する酸化膜除去工程を含む半導体装置の製造方法であって，
　前記酸化膜除去工程は，
　露光工程を用いることなく前記酸化膜の上面にレジストガラス層を選択的に形成する第１工程と，
　前記レジストガラス層を焼成して当該レジストガラス層を緻密化する第２工程と，
　前記レジストガラス層をマスクとして前記酸化膜を部分的に除去する第３工程とを含み，
　前記レジストガラス層は，少なくともＳｉＯ２と，Ｂ２Ｏ３と，Ａｌ２Ｏ３と，ＺｎＯと，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＢａＯのうち少なくとも２つのアルカリ土類金属の酸化物とを含有し，かつ，Ｐｂと，Ａｓと，Ｓｂと，Ｌｉと，Ｎａと，Ｋとを実質的に含有せず，
　ＳｉＯ２の含有量が５０ｍｏｌ％〜６５ｍｏｌ％の範囲内にあり，
　Ｂ２Ｏ３の含有量が８ｍｏｌ％〜１８ｍｏｌ％の範囲内にあり，
　Ａｌ２Ｏ３の含有量が４ｍｏｌ％〜１５ｍｏｌ％の範囲内にあり，
　ＺｎＯの含有量が４ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％の範囲内にあり，
　アルカリ土類金属の酸化物の含有量が６ｍｏｌ％〜１６ｍｏｌ％の範囲内にあるレジストガラスからなり，
　前記第３工程においては，バッファードフッ酸を用いて前記酸化膜を除去し，
　前記酸化膜除去工程の前には，
　主面に平行なｐｎ接合を有し，かつ，主面が酸化膜で覆われた半導体基板を準備する半導体基板準備工程と，
　前記半導体基板の一方の主面からｐｎ接合を超える深さの溝を形成することにより，前記溝の内部にｐｎ接合露出部を形成する溝形成工程とをこの順で含み，
　前記第１工程においては，電気泳動法によって，前記酸化膜の上面のうち前記溝の周囲の領域及び前記溝の内面にＰｂを実質的に含有しない前記レジストガラス層を前記溝の内面で前記ｐｎ接合露出部が被覆されるように形成し，
　前記第３工程においては，前記レジストガラス層をマスクとしてバッファードフッ酸を用いて前記酸化膜を除去し，
　前記酸化膜除去工程の後には，
　前記酸化膜除去工程において酸化膜が除去されたＮｉめっきを形成する領域における前記半導体基板の表面の粗面化処理を，前記マスクとして用いた前記レジストガラス層が残存する状態で行って，Ｎｉめっき電極と前記半導体基板との密着性を高くするための粗面化領域を形成する粗面化領域形成工程と，
　前記マスクとして用いた前記レジストガラス層が残存する状態で，前記半導体基板にＮｉめっきを行って，前記粗面化領域上にＮｉめっき電極を形成する電極形成工程と，を含み，
　前記酸化膜除去工程の後には，前記マスクとして用いた前記レジストガラス層を除去する工程を含まないものであり，
　前記半導体基板の前記粗面化領域の上面に形成された前記Ｎｉめっき電極に隣接し且つ前記半導体基板の上面と前記レジストガラス層の端部との間に位置し，前記第３工程において除去されずに残存する前記酸化膜の一部である，シリコン酸化膜の厚さは，５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり，
　前記残存する前記酸化膜の一部は，前記溝の周囲の領域において，前記溝の内面に形成された前記レジストガラス層と前記粗面化領域上に形成された前記Ｎｉめっき電極とに，挟まれている，ことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
第３　原査定の理由の概要
　原査定の理由の概要は次のとおりである。
　この出願の請求項１−４に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
　１．特開２００４−２９６７７０号公報
　２．国際公開第２０１３／１６８３１４号
　３．国際公開第２０１３／０３０９２２号
　４．国際公開第２０１２／１６０７０４号
　５．国際公開第２０１４／０８０９３５号
　６．特開２０１２−００４４４４号公報
　７．特開２０１０−２６３１２９号公報
　
第４　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は次のとおりである。
　この出願の請求項１−２に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
　２．国際公開第２０１３／１６８３１４号
　Ａ．特公昭４９−１１７９２号公報
　
第５　引用文献及び引用発明
１　引用文献１について
（１）引用文献１
　原査定で引用された引用文献１には，図面とともに次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造技術に関し，特に，半導体装置の絶縁膜を除去するエッチング技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図５（ａ）の符号１１９は
従来技術の半導体装置の製造方法
処理対象物１１９は基板１１５と，絶縁膜１１４とを有している。基板１１５は
第一，第二の半導体層１１２，１１３とを有しており
絶縁膜１１４は第二の半導体層１１３の表面に配置されている。
【０００３】
処理対象物１１９の絶縁膜１１４が配置された側の面には溝１１６が形成されており，溝１１６の内部にガラスを付着させた後，全体を所定温度で加熱すると付着したガラスが焼成され，溝１１６の内部に露出する基板１１５を覆うガラス部材１１８が形成される
【０００４】
ガラス部材１１８が形成された状態では，ガラス部材１１８の間に絶縁膜１１４の表面が露出しており，その状態の処理対象物１１９をエッチング液に浸漬すると，絶縁膜１１４がエッチング除去され，ガラス部材１１８の間に基板１１５の表面が露出する
【０００５】
次いで，
ガラス部材１１８の間に露出する基板１１５表面と，オーミック接続層１１１の表面に電極１２５，１２６を形成する（図５（ｄ）
【０００６】
電極１２５，１２６が形成された状態の処理対象物１１９を，各溝１１６を二分するように切断すると，処理対象物１１９が複数に分割され，ダイオード素子が得られる。
【０００７】
ところで，
基板１１５の構成材料と，ガラス部材１１８の構成材料とは熱膨張係数が異なるため，ガラスの焼成後，処理対象物１１９が冷却されるときに熱膨張係数の差によって処理対象物１１９に反りが生じることがある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり，
その目的は，反り等の変形を軽減する半導体装置の製造方法を提供するもの
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，請求項１記載の発明は，基板と，前記基板の表面に配置された絶縁膜とを有する処理対象物であって，前記処理対象物の前記絶縁膜が配置された面に位置し，側面に前記基板が露出し，互いに交差された複数本の溝を有する処理対象物の，前記各溝内に露出する前記基板表面にガラス部材をそれぞれ形成し，前記ガラス部材間に位置する前記絶縁膜を除去して前記基板を露出させ，前記基板の露出した部分に電極膜を形成する半導体装置の製造方法であって，
前記絶縁膜の除去は，前記絶縁膜の表面に微小粒子を吹き付け，前記絶縁膜を研磨除去する半導体装置の製造方法
請求項２記載の発明は，請求項１記載の半導体装置の製造方法であって，前記絶縁膜の除去は，前記基板の表面を露出させた後も，前記微小粒子の吹き付けを続け，前記基板の表面部分を研磨除去する半導体装置の製造方法である。
請求項３記載の発明は，請求項２記載の半導体装置の製造方法であって，前記絶縁膜の除去は，前記基板を０．１μｍ以上１．０μｍ以下の所定深さ研磨除去する請求項２記載の半導体装置の製造方法。
請求項４記載の発明は，請求項２記載の半導体装置の製造方法であって，前記絶縁膜の除去は，前記基板の表面を露出させてから，１秒以上１０秒以下の所定時間の間研磨除去する半導体装置の製造方法である。」
「【００１７】
この処理対象物１９を用いて半導体装置を製造するには，先ず，ガラスパウダーを有機溶媒に分散させて分散液を作製し，オーミック接続層１１をマスクで覆った状態で分散液に浸漬して
電気泳動を行うと，オーミック接続層１１にはガラスが付着しないが，各溝１６の側面に露出する基板１５の表面と，各溝１６の開口部の縁部分に露出する絶縁膜１４の表面にガラスが付着する。
　図５（ｄ）は次のとおり。
　
（２）引用発明１
　前記（１）より，引用文献１には，「従来技術」として次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「半導体装置の製造方法であって，
　処理対象物は，第一，第二の半導体層を有する基板と，第二の半導体層の表面に配置された絶縁膜とを有しており，
　処理対象物の絶縁膜が配置された側の面には溝が形成されており，溝の内部にガラスを付着させた後，全体を所定温度で加熱すると付着したガラスが焼成され，溝の内部に露出する基板を覆うガラス部材が形成され，
　ガラス部材が形成された状態では，ガラス部材の間に絶縁膜の表面が露出しており，その状態の処理物をエッチング液に浸漬すると，絶縁膜がエッチング除去され，ガラス部材の間に基板の表面が露出し，
　ガラス部材の間に露出する基板表面に電極を形成すること。」
２　引用文献２について
（１）引用文献２
　当審拒絶理由及び原査定で引用された引用文献２には，図面とともに次の記載がある。
「技術分野
[0001]　本発明は，
半導体装置の製造方法
「発明が解決しようとする課題
[0014]　ところで，パッシベーション用のガラス層に用いるガラス材料としては，（ａ）適正な温度で焼成できること，（ｂ）工程で使用する薬品に耐えること，（ｃ）工程中におけるウェーハの反りを防止するためシリコンの線膨張率に近い線膨張率を有すること（特に５０℃〜５５０℃における平均線膨張率がシリコンの線膨張率に近いこと），及び，（ｄ）優れた絶縁性を有することという条件をすべて満たす必要があることから，従来より「珪酸鉛を主成分としたガラス材料」が広く用いられている。
[0015]　
しかしながら，「珪酸鉛を主成分としたガラス材料」には環境負荷の大きい鉛が含まれており
[0016]　そこで，鉛を含まないガラス材料を用いてパッシベーション用のガラス層を形成することが考えられるが，（ａ）適正な温度で焼成できること，（ｂ）工程で使用する薬品に耐えること，（ｃ）工程中におけるウェーハの反りを防止するためシリコンの線膨張率に近い線膨張率を有すること（特に５０℃〜５５０℃における平均線膨張率がシリコンの線膨張率に近いこと），及び，（ｄ）優れた絶縁性を有することという条件をすべて満たすのは難しく，
鉛を含まないガラス材料を用いてパッシベーション用のガラス層を形成することは，パワー用半導体装置の量産プロセスにおいてはまだ適用されていない
[0017]　また，本発明の発明者らの研究により，
鉛を含まないガラス材料を用いて，パッシベーション用のガラス層を形成した場合に
半導体基体とガラス層との境界面から泡が発生し易くなるという問題があることが判明した。
[0018]　また，本発明の発明者らの研究により，
鉛を含まないガラス材料を用いてパッシベーション用のガラス層を形成した場合に
逆方向リーク電流が増大してしまうという問題があることが判明した。
[0019]　そこで，本発明は，上記した事情に鑑みてなされたもので，
鉛を含まないガラス材料を用いて，従来の「珪酸鉛を主成分としたガラス材料」を用いた場合と同様に，高耐圧の半導体装置を製造することを可能とする半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
[0020]　また，本発明は，ガラス層の組成や焼成条件によらず，ガラス組成物からなる層を焼成してガラス層を形成する過程で
半導体基体とガラス層との境界面から発生することがある泡の発生を，ニッケル酸化物等の脱泡作用のある成分を添加することなく又は添加するとしても少ない添加量（例えば２．０ｍｏｌ％以下）で，抑制することが可能な，半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
[0021]　また，本発明は，ガラス層の組成や焼成条件によらず，
逆方向リーク電流の低い半導体装置を安定して製造することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
「[0056]［実施形態１］
　
実施形態１に係る半導体装置の製造方法は，ｐｎ接合が露出するｐｎ接合露出部を有する半導体素子を準備する第１工程と，ｐｎ接合露出部を覆うように絶縁層を形成する第２工程と，絶縁層上に半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を形成した後，当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することにより絶縁層上にガラス層を形成する第３工程とをこの順序で含む半導体装置の製造方法である。
[0057]　図１及び図２は，実施形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図１（ａ）〜図１（ｄ）及び図２（ａ）〜図２（ｄ）は各工程図である。
　実施形態１に係る半導体装置の製造方法は，図１及び図２に示すように，「半導体基体準備工程」，「溝形成工程」，「絶縁層形成工程」，「ガラス層形成工程」，「フォトレジスト形成工程」，「酸化膜除去工程」，「粗面化領域形成工程」，「電極形成工程」及び「半導体基体切断工程」をこの順序で実施する。以下，実施形態１に係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。
[0058]（ａ）半導体基体準備工程
　まず，ｎ−型半導体基板（ｎ−型シリコン基板）１１０の一方の表面からのｐ型不純物の拡散によりｐ＋型拡散層１１２，他方の表面からのｎ型不純物の拡散によりｎ＋型拡散層１１４を形成して，
主面に平行なｐｎ接合が形成された半導体基体を準備する。その後，熱酸化により
表面に酸化膜１１６，１１８を形成する
[0059]（ｂ）溝形成工程
　次に，フォトエッチング法によって，酸化膜１１６の所定部位に所定の開口部を形成する。酸化膜のエッチング後，引き続いて半導体基体のエッチングを行い，
半導体基体の一方の表面からｐｎ接合を超える深さの溝１２０を形成する
このとき，溝の内面にｐｎ接合露出部Ａが形成される。
[0060]（ｃ）絶縁層形成工程
　
次に，
熱酸化法によって，溝１２０の内面にシリコン酸化膜からなる絶縁層１２１を形成する
絶縁層１２１の厚さは，５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内（例えば２０ｎｍ）とする
[0061]（ｄ）ガラス層形成工程
　
次に，電気泳動法により溝１２０の内面及びその近傍の半導体基体表面に半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を形成するとともに，当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することにより，パッシベーション用のガラス層１２４を形成する
溝１２０の内面を絶縁層１２１を介して被覆するように半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を形成する。従って，溝１２０の内部におけるｐｎ接合露出部Ａは絶縁層１２１を介してガラス層１２４により覆われた状態となる。
[0062]　
半導体接合保護用ガラス組成物としては，
Ｐｂと，Ａｓと，Ｓｂと，Ｌｉと，Ｎａと，Ｋとを実質的に含有しない原料
半導体接合保護用ガラス組成物を用いる
[0063]　そのような半導体接合保護用ガラス組成物としては，ＳｉＯ２の含有量が４１．１ｍｏｌ％〜６１．１ｍｏｌ％の範囲内にあり，Ａｌ２Ｏ３の含有量が７．４ｍｏｌ％〜１７．４ｍｏｌ％の範囲内にあり，Ｂ２Ｏ３の含有量が５．８ｍｏｌ％〜１５．８ｍｏｌ％の範囲内にあり，ＺｎＯの含有量が３．０ｍｏｌ％〜２４．８ｍｏｌ％の範囲内にあり，アルカリ土類金属の酸化物の含有量が５．５ｍｏｌ％〜１５．５ｍｏｌ％の範囲内にあり，ニッケル酸化物の含有量が０．０１ｍｏｌ％〜２．０ｍｏｌ％の範囲内にあるものを好適に用いることができる。また，アルカリ土類金属の酸化物として，ＣａＯ含有量が２．８ｍｏｌ％〜７．８ｍｏｌ％の範囲内にあり，ＭｇＯ含有量が１．１ｍｏｌ％〜３．１ｍｏｌ％の範囲内にあり，ＢａＯ含有量が１．７ｍｏｌ％〜４．７ｍｏｌ％の範囲内にあるものを好適に用いることができる。
（中略）
[0077]（ｅ）酸化膜除去工程
　
次に，ガラス層１２４の表面を覆うようにフォトレジスト１２６を形成した後，当該フォトレジスト１２６をマスクとして酸化膜１１６のエッチングを行い，Ｎｉめっき電極膜を形成する部位１３０における酸化膜１１６を除去する
[0078]（ｆ）粗面化領域形成工程
　
次に，Ｎｉめっき電極膜を形成する部位１３０における半導体基体表面の粗面化処理を行い
[0079]（ｇ）電極形成工程
　
次に，半導体基体にＮｉめっきを行い，粗面化領域１３２上にアノード電極１３４を形成する
図２（ｃ）参照。
「[0084]　また，実施形態１に係る半導体装置の製造方法及び半導体装置によれば，
半導体基体とガラス層１２４との間に半導体基体よりも濡れ性の高い絶縁層１２１が介在するようになることから，ガラス組成物からなる層を焼成してガラス層を形成する過程で半導体基体とガラス層１２４との境界面から泡が発生し難くなる。
[0085]　また，実施形態１に係る半導体装置の製造方法及び半導体装置によれば，
半導体基体とガラス層１２４との間に絶縁層１２１が介在することになることから，絶縁性が向上し，
逆方向リーク電流の低い半導体装置を安定して製造することが可能となる。
「[0121]［実施例］
１．試料の調整
　図５は，実施例の条件及び結果を示す図表である。実施例１〜１１及び比較例１〜６に示す
組成比（図５参照。）になるように原料を調合し，
粉末状のガラス組成物を得た。
　図５には，
「実施例１１」として，「組成比（モル比）」が「ＳｉＯ
２
：５５．３，Ａｌ
２
Ｏ
３
：４．５，Ｂ
２
Ｏ
３
：１３．８，ＺｎＯ：１３．５，ＣａＯ：７．３，ＢａＯ：５．０，ＮｉＯ：０．６」であるガラス組成物の原料
　図２（ｃ）は次のとおり。
（２）引用発明２
　前記（１）より，引用文献２には，「実施例１１」の組成比の原料を用いた「実施形態１」に係る半導体装置の製造方法として，次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「半導体装置の製造方法であって，
　主面に平行なｐｎ接合が形成された半導体基体を準備し，その後，熱酸化により表面に酸化膜を形成し，
　半導体基体の一方の表面からｐｎ接合を超える深さの溝を形成し，
　次に，熱酸化法によって，溝の内面にシリコン酸化膜から成る絶縁層を形成し，絶縁層の厚さは５ｎｍから６０ｎｍの範囲内とし，
　次に，電気泳動法により，溝の内面及びその近傍の半導体表面に半導体接合保護用ガラス組成物から成る層を形成するとともに，当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することにより，パッシベーション用のガラス層を形成し，溝の内面を絶縁層を介して被覆し，
　半導体接合保護用ガラス組成物としては，Ｐｂと，Ａｓと，Ｓｂと，Ｌｉと，Ｎａと，Ｋとを実質的に含有しない原料で，組成比がＳｉＯ２：５５．３，Ａｌ２Ｏ３：４．５，Ｂ２Ｏ３：１３．８，ＺｎＯ：１３．５，ＣａＯ：７．３，ＢａＯ：５．０，ＮｉＯ：０．６であるものを用い，
　次に，ガラス層の表面を覆うようにフォトレジストを形成した後，当該フォトレジストをマスクとして酸化膜のエッチングを行い，Ｎｉめっき電極膜を形成する部位における酸化膜を除去し，
　次に，Ｎｉめっき電極膜を形成する部位１３０における半導体基体表面の粗面化処理を行い，
　次に，半導体基体にＮｉめっきを行い，粗面化領域上にアノード電極を形成すること。」
３　引用文献３について
　原査定で引用された引用文献３には，図面とともに次の記載がある。
「[0063]　また，ＺｎＯの含有量を１８ｍｏｌ％〜２８ｍｏｌ％の範囲内としたのは，ＺｎＯの含有量が１８ｍｏｌ％未満である場合には，焼成温度が高くなる傾向にあるからであり，
ＺｎＯの含有量が２８ｍｏｌ％を超える場合には，耐薬品性が低下したり，絶縁性が低下したり，ガラス層の内部で泡が発生する場合がある
「[0094]（３）評価項目３（耐薬品性）
　ガラス組成物が王水，めっき液及びフッ酸のすべてに対して難溶性を示す場合に「○」の評価を与え，王水，めっき液及びフッ酸のいずれかに対して溶解性を示す場合に「×」の評価を与えた。」
「[0100]３．評価結果
　図５からも分かるように，比較例１に係るガラス組成物及び比較例２に係るガラス組成物は，評価項目６で「△」の評価が得られた。また，比較例３に係るガラス組成物は，評価項目１で「×」の評価が得られた。また，比較例４に係るガラス組成物は，評価項目３で「×」の評価が得られた。これに対して，実施例１に係るガラス組成物及び実施例２に係るガラス組成物はいずれも，すべての評価項目（評価項目１〜６）について「○」の評価が得られた。その結果，実施形１に係るガラス組成物及び実施例２に係るガラス組成物はいずれも，鉛を含まないガラス材料でありながら，（ａ）適正な温度（例えば１１００℃以下）で焼成できること，（ｂ）工程で使用する薬品に耐えること，（ｃ）シリコンに近い熱膨張係数を有すること（特に５０℃〜５００℃における平均熱膨張率がシリコンに近いこと）及び（ｄ）優れた絶縁性を有することという条件をすべて満たし，さらには，電気泳動法により形成した「半導体接合保護用ガラス組成物からなる層」を焼成する過程で半導体基体（シリコン）との境界面から発生することがある泡の発生を抑制して，半導体装置の逆方向耐圧特性が劣化するという事態の発生を抑制することを可能とする，ガラス組成物であることが分かった。」
４　引用文献４について
　原査定で引用された引用文献４には，図面とともに次の記載がある。
「[0044]　また，ＺｎＯの含有量を１８ｍｏｌ％〜２８ｍｏｌ％の範囲内としたのは，ＺｎＯの含有量が１８ｍｏｌ％未満である場合には，焼成温度が高くなる傾向にあるからであり，
ＺｎＯの含有量が２８ｍｏｌ％を超える場合には，耐薬品性が低下したり，絶縁性が低下したりする場合がある
「[0075]（３）評価方法３（耐薬品性）
　ガラス組成物が王水，めっき液及びフッ酸のすべてに対して難溶性を示す場合に「○」の評価を与え，王水，めっき液及びフッ酸のいずれかに対して溶解性を示す場合に「×」の評価を与えた。」
「[0079]３．評価結果
　図５からも分かるように，比較例１に係るガラス組成物は，評価項目１で「×」の評価が得られた。また，比較例２に係るガラス組成物は，評価項目３で「×」の評価が得られた。これに対して，実施例１に係るガラス組成物は，いずれの評価項目（評価項目１〜５）についても「○」の評価が得られた。その結果，実施形１に係るガラス組成物は，鉛を含まないガラス材料でありながら，（ａ）適正な温度（例えば９００℃以下）で焼成できること，（ｂ）工程で使用する薬品に耐えること，（ｃ）シリコンに近い熱膨張係数を有すること（特に５０℃〜５００℃における平均熱膨張率がシリコンに近いこと）及び（ｄ）優れた絶縁性を有することという条件をすべて満たすガラス組成物であることが分かった。」
５　引用文献５について
　原査定で引用された引用文献５には，図面とともに次の記載がある。
「【００４４】
　次いで，図２Ｂに示すように，クロムマスク１１越しにガラス基板１０をウェットエッチングする（ガラスエッチング工程）。エッチング液としては，フッ酸系のエッチング液を用いることができる。また，ガラス基板１０の材料や所望するエッチングレートに合わせて，希釈したフッ酸，
バッファードフッ酸（ＢＨＦ）
を用いることができる
６　引用文献６について
　原査定で引用された引用文献６には，図面とともに次の記載がある。
「【００２６】
　図２（ｃ）に示すように，ＧａＮ系半導体層を成長させる工程の後に，
保護膜２２を除去する工程を行う。
ＢＨＦ（バッファードフッ酸）等をエッチャントとして使用するエッチング
７　引用文献７について
　原査定で引用された引用文献７には，図面とともに次の記載がある。
「【００２９】
　次に，図５に示すように，希フッ酸（希ＨＦ），あるいは，
バッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いたウェットエッチング処理を施すことにより，シリコン酸化膜９がエッチングされる。
８　引用文献Ａについて
　当審拒絶理由で引用された引用文献Ａには，図面とともに次の記載がある。
「本発明はガラス被膜を絶縁あるいは安定化の目的で被着した半導体装置の製造法に関するものである。
　従来，半導体装置の絶縁あるいは安定化のため，熱膨張係数が半導体装置のそれと近接したガラス状物質を半導体表面に被着する方法がとられているが，殊に高耐圧を要する半導体装置においては，そのガラス状被膜を数１０ミクロンにする必要のある場合が多い。したがって酸化鉛，酸化亜鉛等を主成分とするガラス粉末を付着し，焼成融合してガラス被膜を形成する方法が提案されている。しかしながら従来は，このような
ガラス被膜を形成した半導体装置に電極取出し用の電極窓を形成するため
　またあるいは
パッシベイテッド・メサ型半導体装置において酸化被膜をマスクとしてメサエッチを行ない，その酸化被膜を再びマスクとして電気泳動法によるガラス粉末の付着焼成を行う選択被着の場合
　本発明の目的は上記の欠点を除去し，
極めて簡単に電極窓を化学的に形成する方法を提供するもの
　以下，図面を参照して本発明を詳細に説明する。
電極窓形成法として最も簡単な方法は酸化被膜を電極窓を要する部分に形成して，電気泳動法によりガラス被膜を電極窓以外の半導体表面に形成し，その後酸化被膜のエッチング速度が大きく，ガラス被膜のエッチング速度が小さいエッチング液で酸化被膜のみ除去すればよい。この目的に適するエッチング液
弗酸とアンモニウム塩による緩衡溶液がこの目的に適していることを実証した。
「同図ｃのように上記
ガラス被膜を形成した後，弗酸１容にアンモニウム飽和水溶液１０容以上の混合比の緩衡溶液でエッチングを行い，酸化けい素被膜のみ除去し，電極窓７を形成する。
　
第６　対比及び判断
１　引用発明１を主引用発明とする理由について
（１）本願発明と引用発明１との対比（「／」は改行を表す。以下同じ。）
　ア　引用発明１では「処理対象物は，第一，第二の半導体層を有する基板と，第二の半導体層の表面に配置された絶縁膜とを有しており」「絶縁膜がエッチング除去され」る工程を含む「半導体装置の製造方法」であるから，引用発明１の「半導体装置の製造方法」は，本願発明の「半導体基板の表面に形成された酸化膜を部分的に除去する酸化膜除去工程を含む半導体装置の製造方法」に相当する。
　イ　引用発明１の「処理対象物の絶縁膜が配置された側の面には溝が形成されており，溝の内部にガラスを付着させた後，全体を所定温度で加熱すると付着したガラスが焼成され，溝の内部に露出する基板を覆うガラス部材が形成され，／　ガラス部材が形成された状態では，ガラス部材の間に絶縁膜の表面が露出しており，その状態の処理物をエッチング液に浸漬すると，絶縁膜がエッチング除去され，ガラス部材の間に基板の表面が露出すること」は，本願発明の「前記酸化膜除去工程は，／　露光工程を用いることなく前記酸化膜の上面にレジストガラス層を選択的に形成する第１工程と，／　前記レジストガラス層を焼成して当該レジストガラス層を緻密化する第２工程と，／　前記レジストガラス層をマスクとして前記酸化膜を部分的に除去する第３工程とを含み」に相当する。
　ウ　引用発明１の「処理対象物は，第一，第二の半導体層を有する基板と，第二の半導体層の表面に配置された絶縁膜とを有しており，／　処理対象物の絶縁膜が配置された側の面には溝が形成されており」は，本願発明の「前記酸化膜除去工程の前には，／　主面に平行なｐｎ接合を有し，かつ，主面が酸化膜で覆われた半導体基板を準備する半導体基板準備工程と，／　前記半導体基板の一方の主面からｐｎ接合を超える深さの溝を形成することにより，前記溝の内部にｐｎ接合露出部を形成する溝形成工程とをこの順で含み」に相当する。
　エ　引用発明１の「処理対象物の絶縁膜が配置された側の面には溝が形成されており，溝の内部にガラスを付着させ」は，電気泳動を行ってガラスを付着させている（前記第５の１（１）【００１７】）から，本願発明の「前記第１工程においては，電気泳動法によって，前記酸化膜の上面のうち前記溝の周囲の領域及び前記溝の内面に」「前記レジストガラス層を前記溝の内面で前記ｐｎ接合露出部が被覆されるように形成し」に相当する。
　オ　引用発明１の「ガラス部材の間に露出する基板表面に電極を形成する」は，本願発明の「前記酸化膜除去工程の後には，／　前記マスクとして用いた前記レジストガラス層が残存する状態で，」「電極を形成する電極形成工程と，を含み，／　前記酸化膜除去工程の後には，前記マスクとして用いた前記レジストガラス層を除去する工程を含まないものであり」に相当する。
　カ　引用発明１では，「絶縁膜がエッチング除去され」る際に，ガラス部材１１８の周囲の絶縁膜１１４は残存している（前記第５の１（１）図５（ｄ））から，「前記残存する前記酸化膜の一部は，前記溝の周囲の領域において，前記溝の内面に形成された前記レジストガラス層と前記粗面化領域上に形成された前記電極とに，挟まれている」といえる。
　キ　すると，本願発明と引用発明１とは，下記クの点で一致し，下記ケの点で相違する。
　ク　一致点
「半導体基板の表面に形成された酸化膜を部分的に除去する酸化膜除去工程を含む半導体装置の製造方法であって，
　前記酸化膜除去工程は，
　露光工程を用いることなく前記酸化膜の上面にレジストガラス層を選択的に形成する第１工程と，
　前記レジストガラス層を焼成して当該レジストガラス層を緻密化する第２工程と，
　前記レジストガラス層をマスクとして前記酸化膜を部分的に除去する第３工程とを含み，
　前記酸化膜除去工程の前には，
　主面に平行なｐｎ接合を有し，かつ，主面が酸化膜で覆われた半導体基板を準備する半導体基板準備工程と，
　前記半導体基板の一方の主面からｐｎ接合を超える深さの溝を形成することにより，前記溝の内部にｐｎ接合露出部を形成する溝形成工程とをこの順で含み，
　前記第１工程においては，電気泳動法によって，前記酸化膜の上面のうち前記溝の周囲の領域及び前記溝の内面に前記レジストガラス層を前記溝の内面で前記ｐｎ接合露出部が被覆されるように形成し，
　前記酸化膜除去工程の後には，
　前記マスクとして用いた前記レジストガラス層が残存する状態で，電極を形成する電極形成工程と，を含み，
　前記酸化膜除去工程の後には，前記マスクとして用いた前記レジストガラス層を除去する工程を含まないものであり，
　前記残存する前記酸化膜の一部は，前記溝の周囲の領域において，前記溝の内面に形成された前記レジストガラス層と前記粗面化領域上に形成された前記電極とに，挟まれている，ことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　ケ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明では，「前記レジストガラス層は，少なくともＳｉＯ２と，Ｂ２Ｏ３と，Ａｌ２Ｏ３と，ＺｎＯと，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＢａＯのうち少なくとも２つのアルカリ土類金属の酸化物とを含有し，かつ，Ｐｂと，Ａｓと，Ｓｂと，Ｌｉと，Ｎａと，Ｋとを実質的に含有せず，／　ＳｉＯ２の含有量が５０ｍｏｌ％〜６５ｍｏｌ％の範囲内にあり，／　Ｂ２Ｏ３の含有量が８ｍｏｌ％〜１８ｍｏｌ％の範囲内にあり，／　Ａｌ２Ｏ３の含有量が４ｍｏｌ％〜１５ｍｏｌ％の範囲内にあり，／　ＺｎＯの含有量が４ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％の範囲内にあり，／　アルカリ土類金属の酸化物の含有量が６ｍｏｌ％〜１６ｍｏｌ％の範囲内にあるレジストガラスからな」るのに対し，引用発明１では「ガラス部材」の組成や濃度範囲が不明である点。
（イ）相違点２
　本願発明では，「前記第３工程においては，前記レジストガラス層をマスクとしてバッファードフッ酸を用いて前記酸化膜を除去」するのに対し，引用発明１では「絶縁膜がエッチング除去され」るときのエッチャントが不明である点。
（ウ）相違点３
　本願発明では，「前記酸化膜除去工程において酸化膜が除去されたＮｉめっきを形成する領域における前記半導体基板の表面の粗面化処理を，前記マスクとして用いた前記レジストガラス層が残存する状態で行って，Ｎｉめっき電極と前記半導体基板との密着性を高くするための粗面化領域を形成する粗面化領域形成工程」を有するのに対し，引用発明１では「粗面化領域形成工程」を有するか不明である点。
（エ）相違点４
　本願発明では，「前記半導体基板にＮｉめっきを行って，前記粗面化領域上にＮｉめっき電極を形成」するのに対し，引用発明１では，「電極を形成する」の電極の材料や製法が不明である点。
（オ）相違点５
　本願発明では，「前記半導体基板の前記粗面化領域の上面に形成された前記Ｎｉめっき電極に隣接し且つ前記半導体基板の上面と前記レジストガラス層の端部との間に位置し，前記第３工程において除去されずに残存する前記酸化膜の一部である，シリコン酸化膜の厚さは，５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であ」るのに対し，引用発明１では，残存する絶縁膜の厚さが不明である点。
（２）相違点についての判断
　相違点２及び３について検討する。
　ア　引用文献１（前記第５の１（１）【０００７】−【０００９】）には，従来技術の引用発明１では，基板とガラス部材との熱膨張係数の差によって処理対象物に反りが生じるところ，反り等の変形を軽減する目的で，「絶縁膜の除去は，絶縁膜の表面に微小粒子を吹き付け，前記絶縁膜を研摩除去する」ことが記載されている。よって，この示唆に従い，「絶縁膜の表面に微小粒子を吹き付け」ることの延長で「粗面化領域形成工程」を採用すること自体は，当業者にとって容易といえる。しかし，そうすると「絶縁膜の除去」が同時に行われることになるから，相違点２に係る「絶縁膜がエッチング除去され」ることが不要となり，相違点２に係る構成を採用することはその前提を欠くことになる。
　イ　一方，酸化膜をエッチングするためにバッファードフッ酸をエッチャントとして用いることは，引用文献６，７及び引用文献Ａに記載されている（前記第５の６，同７及び同８）から，まず，相違点２に係るエッチャントとして「バッファードフッ酸」を採用した上で，相違点３に係る「粗面化領域形成工程」を，前記アのとおり引用文献１の示唆に従い採用しようとすると，「絶縁膜の除去は，絶縁膜の表面に微小粒子を吹き付け」除去するという引用文献１に記載された教示のうち後半部分の「微小粒子を吹き付け」だけを取り出して採用することになって，不合理である。
　ウ　いずれにせよ，引用文献１に従来技術として記載された引用発明１に基づいて，引用文献１に記載された目的に沿うようにして，相違点２及び３に係る構成を得ることは困難であり，引用発明１において相違点２及び３に係る構成を得ることには阻害要因がある。
（３）小括
　したがって，本願発明は，引用発明１及び引用文献２−７に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２　引用発明２を主引用発明とする理由について
（１）本願発明と引用発明２との対比
　ア　引用発明２の「半導体装置の製造方法」は「Ｎｉめっき電極膜を形成する部位における酸化膜を除去」する工程を有するから，本願発明の「半導体基板の表面に形成された酸化膜を部分的に除去する酸化膜除去工程を含む半導体装置の製造方法」に相当する。
　イ　引用発明２の「次に，電気泳動法により，溝の内面及びその近傍の半導体表面に半導体接合保護用ガラス組成物から成る層を形成する」は，本願発明の「露光工程を用いることなく前記酸化膜の上面に」「ガラス層を選択的に形成する第１工程」に相当する。
　ウ　引用発明２の「当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することにより，パッシベーション用のガラス層を形成」するは，本願発明の「ガラス層を焼成して当該ガラス層を緻密化する第２工程」に相当する。
　エ　引用発明２の「酸化膜のエッチングを行い，Ｎｉめっき電極膜を形成する部位における酸化膜を除去し」は，本願発明の「前記酸化膜除去工程は，」「前記酸化膜を部分的に除去する第３工程」に相当する。
　オ　引用発明２の「半導体接合保護用ガラス組成物としては，Ｐｂと，Ａｓと，Ｓｂと，Ｌｉと，Ｎａと，Ｋとを実質的に含有しない原料で，組成比がＳｉＯ２：５５．３，Ａｌ２Ｏ３：４．５，Ｂ２Ｏ３：１３．８，ＺｎＯ：１３．５，ＣａＯ：７．３，ＢａＯ：５．０，ＮｉＯ：０．６であるものを用い」は，本願発明の「ガラス層は，少なくともＳｉＯ２と，Ｂ２Ｏ３と，Ａｌ２Ｏ３と，ＺｎＯと，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＢａＯのうち少なくとも２つのアルカリ土類金属の酸化物とを含有し，かつ，Ｐｂと，Ａｓと，Ｓｂと，Ｌｉと，Ｎａと，Ｋとを実質的に含有せず，／　ＳｉＯ２の含有量が５０ｍｏｌ％〜６５ｍｏｌ％の範囲内にあり，／　Ｂ２Ｏ３の含有量が８ｍｏｌ％〜１８ｍｏｌ％の範囲内にあり，／　Ａｌ２Ｏ３の含有量が４ｍｏｌ％〜１５ｍｏｌ％の範囲内にあり，／　ＺｎＯの含有量が４ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％の範囲内にあり，／　アルカリ土類金属の酸化物の含有量が６ｍｏｌ％〜１６ｍｏｌ％の範囲内にある」「ガラスからなり」に相当する。
　カ　引用発明２の「主面に平行なｐｎ接合が形成された半導体基体を準備し，その後，熱酸化により表面に酸化膜を形成し，／　半導体基体の一方の表面からｐｎ接合を超える深さの溝を形成し」は，本願発明の「前記酸化膜除去工程の前には，／　主面に平行なｐｎ接合を有し，かつ，主面が酸化膜で覆われた半導体基板を準備する半導体基板準備工程と，／　前記半導体基板の一方の主面からｐｎ接合を超える深さの溝を形成することにより，前記溝の内部にｐｎ接合露出部を形成する溝形成工程とをこの順で含み」に相当する。
　キ　引用発明２の「次に，電気泳動法により，溝の内面及びその近傍の半導体表面に半導体接合保護用ガラス組成物から成る層を形成する」は，本願発明の「前記第１工程においては，電気泳動法によって，前記酸化膜の上面のうち前記溝の周囲の領域及び前記溝の内面にＰｂを実質的に含有しない前記」「ガラス層を前記溝の内面で」「形成し」に相当する。
　ク　引用発明２の「次に，Ｎｉめっき電極膜を形成する部位１３０における半導体基体表面の粗面化処理を行い，／　次に，半導体基体にＮｉめっきを行い，粗面化領域上にアノード電極を形成する」は，本願発明の「前記酸化膜除去工程の後には，／　前記酸化膜除去工程において酸化膜が除去されたＮｉめっきを形成する領域における前記半導体基板の表面の粗面化処理を，」「ガラス層が残存する状態で行って，Ｎｉめっき電極と前記半導体基板との密着性を高くするための粗面化領域を形成する粗面化領域形成工程と，／　前記」「ガラス層が残存する状態で，前記半導体基板にＮｉめっきを行って，前記粗面化領域上にＮｉめっき電極を形成する電極形成工程と，を含み，／　前記酸化膜除去工程の後には，前記」「ガラス層を除去する工程を含まないものであり」に相当する。
　ケ　引用発明２では「絶縁層の厚さは５ｎｍから６０ｎｍの範囲内」であり，「Ｎｉめっき電極膜を形成する部位における酸化膜を除去」する際に酸化膜が残存する（前記第５の２図２（ｃ））から，「前記半導体基板の前記粗面化領域の上面に形成された前記Ｎｉめっき電極に隣接し且つ前記半導体基板の上面と前記」「ガラス層の端部との間に位置し，前記第３工程において除去されずに残存する前記酸化膜の一部である，シリコン酸化膜の厚さは，５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり，／　前記残存する前記酸化膜の一部は，前記溝の周囲の領域において，前記溝の内面に形成された前記」「ガラス層と前記粗面化領域上に形成された前記Ｎｉめっき電極とに，挟まれている」といえる。
　コ　すると，本願発明と引用発明２とは，下記サの点で一致し，下記シの点で相違する。
　サ　一致点
「半導体基板の表面に形成された酸化膜を部分的に除去する酸化膜除去工程を含む半導体装置の製造方法であって，
　前記酸化膜除去工程は，
　露光工程を用いることなく前記酸化膜の上面にガラス層を選択的に形成する第１工程と，
　前記ガラス層を焼成して当該ガラス層を緻密化する第２工程と，
　前記酸化膜を部分的に除去する第３工程とを含み，
　前記ガラス層は，少なくともＳｉＯ２と，Ｂ２Ｏ３と，Ａｌ２Ｏ３と，ＺｎＯと，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＢａＯのうち少なくとも２つのアルカリ土類金属の酸化物とを含有し，かつ，Ｐｂと，Ａｓと，Ｓｂと，Ｌｉと，Ｎａと，Ｋとを実質的に含有せず，
　ＳｉＯ２の含有量が５０ｍｏｌ％〜６５ｍｏｌ％の範囲内にあり，
　Ｂ２Ｏ３の含有量が８ｍｏｌ％〜１８ｍｏｌ％の範囲内にあり，
　Ａｌ２Ｏ３の含有量が４ｍｏｌ％〜１５ｍｏｌ％の範囲内にあり，
　ＺｎＯの含有量が４ｍｏｌ％〜１４ｍｏｌ％の範囲内にあり，
　アルカリ土類金属の酸化物の含有量が６ｍｏｌ％〜１６ｍｏｌ％の範囲内にあるガラスからなり，
　前記酸化膜除去工程の前には，
　主面に平行なｐｎ接合を有し，かつ，主面が酸化膜で覆われた半導体基板を準備する半導体基板準備工程と，
　前記半導体基板の一方の主面からｐｎ接合を超える深さの溝を形成することにより，前記溝の内部にｐｎ接合露出部を形成する溝形成工程とをこの順で含み，
　前記第１工程においては，電気泳動法によって，前記酸化膜の上面のうち前記溝の周囲の領域及び前記溝の内面にＰｂを実質的に含有しない前記ガラス層を前記溝の内面で形成し，
　前記酸化膜除去工程の後には，
　前記酸化膜除去工程において酸化膜が除去されたＮｉめっきを形成する領域における前記半導体基板の表面の粗面化処理を，前記ガラス層が残存する状態で行って，Ｎｉめっき電極と前記半導体基板との密着性を高くするための粗面化領域を形成する粗面化領域形成工程と，
　前記ガラス層が残存する状態で，前記半導体基板にＮｉめっきを行って，前記粗面化領域上にＮｉめっき電極を形成する電極形成工程と，を含み，
　前記酸化膜除去工程の後には，前記ガラス層を除去する工程を含まないものであり，
　前記半導体基板の前記粗面化領域の上面に形成された前記Ｎｉめっき電極に隣接し且つ前記半導体基板の上面と前記ガラス層の端部との間に位置し，前記第３工程において除去されずに残存する前記酸化膜の一部である，シリコン酸化膜の厚さは，５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり，
　前記残存する前記酸化膜の一部は，前記溝の周囲の領域において，前記溝の内面に形成された前記ガラス層と前記粗面化領域上に形成された前記Ｎｉめっき電極とに，挟まれている，ことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　シ　相違点
（ア）相違点６
　本願発明では「ガラス」は「レジストガラス」であり，「前記レジストガラス層をマスクとして」酸化膜を除去するのに対し，引用発明２では「ガラス層の表面を覆うようにフォトレジストを形成した後，当該フォトレジストをマスクとして」酸化膜のエッチングを行う点。
（イ）相違点７
　本願発明では，「前記第３工程においては，バッファードフッ酸を用いて前記酸化膜を除去」するのに対し，引用発明２では，酸化膜のエッチングを行う際のエッチャントが不明である点。
（ウ）相違点８
　本願発明では，ガラス層を「前記ｐｎ接合露出部が被覆されるように」形成するのに対し，引用発明２ではガラス層は「溝の内面を絶縁層を介して被覆」する点。
（２）相違点についての判断
　相違点８について検討する。
　引用発明２の目的は「鉛を含まないガラス材料を用いて」「高耐圧の半導体装置を製造すること」また，「半導体基体とガラス層との境界面から発生することがある泡の発生を」「抑制すること」また，「逆方向リーク電流の低い半導体装置を安定して製造すること」（前記第５の２（１）[0019]−[0021]）であると認められる。
　そして，この目的を達成するために「熱酸化法によって，溝の内面にシリコン酸化膜から成る絶縁層を形成」し半導体基体とガラス層との間に絶縁層を介在させる（前記第５の２（１）[0084]，[0085]）ものである。
　すると，引用発明２において溝の内面を絶縁層を介して被覆するところ，絶縁層を介在させずにそれを除いてガラス層を「前記ｐｎ接合露出部が被覆されるように」形成することは，引用発明２の目的に反することとなり，相違点８に係る構成を採用することには阻害要因があると認められる。
（３）小括
　したがって，本願発明は，引用発明２に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
　
第７　原査定についての判断
　前記第６の１のとおり，本願発明は，引用文献１に記載された発明及び引用文献２−７に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
　
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。