【事件の表示】
　平成１０年特許願第　　　６１４号「窒化物半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　７月２１日出願公開、特開平１１−１９５８４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年１月６日に出願された特許出願であって、原審において平成１５年９月１１日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月２５日付けで手続補正がなされた後、平成１６年１月２０日付けで拒絶査定がなされたものであり、これに対し、同年２月２６日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月２９日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年３月２９日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年３月２９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
　「第１の主面と第２の主面とを有し、アンドープ若しくはｎ型不純物濃度が１×１０17／ｃｍ3以下で、膜厚１０μｍ以上の窒化物半導体よりなる窒化物半導体基板の第１の主面上に、その窒化物半導体基板よりもｎ型不純物濃度が大きいｎ型窒化物半導体よりなるｎ側コンタクト層と、Ａｌを含む窒化物半導体層を含む超格子構造よりなるｎ側クラッド層を有し、さらにそのｎ側クラッド層の上に、活性層と、ｐ型窒化物半導体よりなるｐ側コンタクト層とを少なくとも有しており、前記活性層とｐ側コンタクト層との間に設けられたｐ側クラッド層がｎ側クラッド層よりも膜厚が小さく、前記ｎ側コンタクト層と、前記ｐ側コンタクト層とにはそれぞれ電極が設けられて、それらの電極が第１の主面側にあると共に、前記第２の主面が研磨されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。」と補正された。
　上記補正は、ｐ側クラッド層の位置を「活性層とｐ側コンタクト層との間に設けられた」と規定し、基板の第２の主面が「研磨されている」と規定する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項の規定による特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
（２）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である、Japanese Journal of Applied Physics Vol.36(1997) Part2 No.12A pp.L1568-L1571（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。 
　ア．「The selective growth of GaN was performed on a 2-μm-thick GaN layer grown on a (0001) C-face sapphire substrate. The 1-μm-thick silicon dioxide (SiO2) mask was patterned to form 4-μm-wide stripe windows with a periodicity of 11μm in the GaN<1-100> direction. After 20-μm-thick GaN layer growth on the SiO2 mask pattern, the coalescence of the selectively grown GaN made it possible to achieve a flat GaN surface over the entire substrate, as shown in Fig. 1. We call this coalesced GaN the ELOG. The growth condition and the SiO2 mask pattern of the ELOG were almost the same as those previously reported by Kato et al.12) By using the ELOG substrate, the number of threading dislocations is reduced, as reported by Usui et al.10) Figure 1 shows the cross section of the LD structure grown on the ELOG substrate.」（第１頁右欄第１０〜２５行）
　イ．「The InGaN MQW LD structure was grown on the above-mentioned ELOG substrate, as shown in Figs. 1 and 2. The InGaN MQW LD device consisted of a 3-μm-thick layer of n-type GaN:Si, a 0.1-μm-thick layer of n-type In0.1Ga0.9N:Si, a Al0.14Ga0.86N/GaN MD-SLS cladding layer consisting of 120 25-Å-thick Si-doped GaN separated by 25-Å-thick undoped Al0.14Ga0.86N layers, a 0.1-μm-thick layer of Si-doped GaN, an In0.15Ga0.85N/In0.02Ga0.98N MQW structure consisting of four 35-Å-thick Si-doped In0.15Ga0.85N well layers forming a gain medium separated by 105-Å-thick Si-doped In0.02Ga0.98N barriers layers, a 200-Å-thick layer of p-type Al0.2Ga0.8N:Mg, a 0.1-μm-thick layer of Mg-doped GaN, a Al0.14Ga0.86N/GaN MD-SLS cladding layer consisting of 120 25-Å-thick Mg-doped GaN separated by 25-Å-thick undoped Al0.14Ga0.86N layers and a 0.05-μm-thick layer of p-type GaN:Mg. The 0.1-μm-thick n-type and p-type GaN layers were light-guiding layers. The n-type and p-type Al0.14Ga0.86N/GaN MDSLS layers acted as cladding layers for confinement of the carriers and the light emitted from the active region of the InGaN MQW structure. The structure of the ridge-geometry InGaN MQW LD was almost the same as that described previously.1) The LD structure is shown in Fig: 2.」（第１頁右欄第３６行〜第２頁右欄第７行）
　ウ．「A Ni/Au contact was evaporated onto the p-type GaN layer, and a Ti/Al contact was evaporated onto the n-type GaN layer. The electrical characteristics of the LDs fabricated in this way ware measured under a direct current (DC) or pulsed current. 」（第２頁右欄第１８〜２２行）
　エ．Fig.2から、p-GaN及びn-GaNにはp-electrode及びn-electrodeが設けられ、それぞれの電極（electrode）が基板の一方側に配置された構成がみてとれる。
　
　そして、「ELOG substrate」，「MD-SLS」，「MQW structure」は、それぞれ「ＥＬＯＧ基板」，「変調ドープ歪超格子」，「多重量子井戸構造」を意味している。
　また、「a Al0.14Ga0.86N/GaN MD-SLS cladding layer consisting of 120 25-Å-thick Si-doped GaN separated by 25-Å-thick undoped Al0.14Ga0.86N layers」、「a Al0.14Ga0.86N/GaN MD-SLS cladding layer consisting of 120 25-Å-thick Mg-doped GaN separated by 25-Å-thick undoped Al0.14Ga0.86N layers」（上記イ．）の記載から、各「MD-SLS cladding layer」は同じ膜厚である。
　したがって、上記ア．〜エ．の記載事項からみて、引用例には以下の発明が記載されていると認められる。 
　「ＥＬＯＧ基板、ＥＬＯＧ基板上に、ｎ型ＧａＮ層と、Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ（アンドープ）／ＧａＮ（Ｓｉドープ）変調ドープ歪超格子クラッド層とを有し、Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ／ＧａＮクラッド層の上に、Ｉｎ0.18ＧａＮ0.85／Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ多重量子井戸構造と、Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ（アンドープ）／ＧａＮ（Ｍｇドープ）変調ドープ歪超格子クラッド層と、ｐ型ＧａＮ層を有しており、Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ（アンドープ）／ＧａＮ（Ｓｉドープ）変調ドープ歪超格子クラッド層とＡｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ（アンドープ）／ＧａＮ（Ｍｇドープ）変調ドープ歪超格子クラッド層とは同じ膜厚であり、ｎ型ＧａＮ層とｐ型ＧａＮ層とにはそれぞれＴｉ／Ａｌ電極とＮｉ／Ａｕ電極が設けられているレーザダイオード。」（以下、「引用発明」という。）
　
（３）対比
　次に、本願補正発明と引用発明とを対比すると、  
　ア．引用発明の「ＥＬＯＧ基板」はサファイア基板上にＧａＮ層を形成し、一体として「ＥＬＯＧ基板」とするものであり、当該基板が「第１の主面と第２の主面」とを有していることは明らかであって、ＥＬＯＧ基板の上部層であるＧａＮ層は「After 20-μm-thick GaN layer growth on the SiO2 mask pattern, the coalescence of the selectively grown GaN made it possible to achieve a flat GaN surface over the entire substrate」（上記「（２）ア」）と記載されるとおりであるから、引用発明における「ＥＬＯＧ基板」は、本願補正発明における「アンドープで、膜厚２０μｍの窒化物半導体よりなる」との構成を有している。
　イ．引用発明の「ｎ型ＧａＮ層」は「ＥＬＯＧ基板」よりも「ｎ型不純物濃度が大きい」ものであって、「n-electrode」が設けられていることから、本願補正発明における「ｎ側コンタクト層」に相当することは明らかである。
　ウ．引用発明における「Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ（アンドープ）／ＧａＮ（Ｓｉドープ）変調ドープ歪超格子クラッド層」はＡｌを含み、Ｓｉドープであることから、本願補正発明の「Ａｌを含む窒化物半導体層を含む超格子構造よりなるｎ側クラッド層」に相当する。
　エ．引用発明の「Ｉｎ0.18ＧａＮ0.85／Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ多重量子井戸構造」が本願補正発明の「活性層」に相当することは明らかである。
　オ．引用発明における「Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ（アンドープ）／ＧａＮ（Ｍｇドープ）変調ドープ歪超格子クラッド層」は、本願補正発明における「ｐ側クラッド層」に相当する。
　カ．引用発明における「ｐ型ＧａＮ層」には「p-electrode」が設けられていることから、本願補正発明の「ｐ側コンタクト層」に相当するものである。
　キ．引用発明は、ＧａＮ系の材料で構成された「レーザダイオード」であるから、本願補正発明の「窒化物半導体発光素子」に相当するものである。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、
　「第１の主面と第２の主面とを有し、アンドープで、膜厚２０μｍの窒化物半導体よりなる基板の第１の主面上に、その基板よりもｎ型不純物濃度が大きいｎ型窒化物半導体よりなるｎ側コンタクト層と、Ａｌを含む窒化物半導体層を含む超格子構造よりなるｎ側クラッド層を有し、さらにそのｎ側クラッド層の上に、活性層と、ｐ型窒化物半導体よりなるｐ側コンタクト層とを少なくとも有しており、前記活性層とｐ側コンタクト層との間に設けられたｐ側クラッド層と、前記ｎ側コンタクト層と、前記ｐ側コンタクト層とにはそれぞれ電極が設けられて、それらの電極が第１の主面側にある窒化物半導体発光素子。」である点で一致し、次の点で相違している。  
　
　［相違点］  
・相違点１
　本願補正発明は「窒化物半導体基板」であるのに対して、引用発明は「ＥＬＯＧ基板」である点。
・相違点２
　本願補正発明は「ｐ側クラッド層がｎ側クラッド層よりも膜厚が小さく」なっているのに対して、引用発明では同じ膜厚である点。
・相違点３
　本願補正発明は「第２の主面が研磨されている」のに対して、引用発明では不明である点。
　
（４）判断
　以下、上記相違点について検討する。
　ア．相違点１について
　上記「（２）ア」に記載のとおり、引用発明の「ＥＬＯＧ基板」はサファイア基板上にＧａＮを２０μｍ成長させたものであって、厚いＧａＮ層を成長させることにより擬似的なＧａＮ基板として用いているものであるが、異種基板（サファイア等）上に窒化物半導体（ＧａＮ系）を形成した後に異種基板を研磨により除去して窒化物半導体基板を得ることは本願出願時には周知な技術（例えば、特開平８−１１６０９０号公報、特開平９−３１２４１７号公報参照）であることから、引用発明における「ＥＬＯＧ基板」に代えて、当該ＥＬＯＧ基板におけるサファイア基板を研磨により除去した厚いＧａＮ層（窒化物半導体）を基板として用い、相違点１に係る構成とすることは当業者であれば容易に想到し得ることである。
　イ．相違点２について
　クラッド層の膜厚は当業者が適宜設計し得るものであって、ｎ側クラッド層とｐ側クラッド層との膜厚を異ならせる構成も周知（例えば、特開平９−３３１１１６号公報【００２２】，【００２７】参照）であるから、引用発明に当該周知技術を適用して相違点２に係る構成とすることは当業者が適宜なし得る設計事項である。
　ウ．相違点３について
　上記ア．のとおり、研磨によりサファイア基板を除去した窒化物半導体基板を用いることにより、引用発明は、必然的に基板の「第２の主面が研磨されている」との相違点３に係る構成を有するものとなる。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知技術から、当業者が予測し得る程度のものであり、格別とはいえない。  
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１６年３月２９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年１１月２５日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は、以下のものである。 
　「第１の主面と第２の主面とを有し、アンドープ若しくはｎ型不純物濃度が１×１０17／ｃｍ3以下で、膜厚１０μｍ以上の窒化物半導体よりなる窒化物半導体基板の第１の主面上に、その窒化物半導体基板よりもｎ型不純物濃度が大きいｎ型窒化物半導体よりなるｎ側コンタクト層と、Ａｌを含む窒化物半導体層を含む超格子構造よりなるｎ側クラッド層を有し、さらにそのｎ側クラッド層の上に、活性層と、ｐ型窒化物半導体よりなるｐ側コンタクト層とを少なくとも有しており、前記ｐ側クラッド層がｎ側クラッド層よりも膜厚が小さく、前記ｎ側コンタクト層と、前記ｐ側コンタクト層とにはそれぞれ電極が設けられて、それらの電極が第１の主面側にあることを特徴とする窒化物半導体発光素子。」（以下、「本願発明」という。）
　
（１）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、および、その記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。  
　
（２）対比・判断
　本願発明は、上記「２．」で検討した本願補正発明から、ｐ側クラッド層が「活性層とｐ側コンタクト層との間に設けられた」との規定、及び、基板の第２の主面が「研磨されている」との規定を省いたものである。
　したがって、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を限定したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。