【手続補正書】
【提出日】平成22年2月5日(2010.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２００】
【表１０】
2009544169.tif 000001
以上、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．ａ）基板；
ｂ）ゲート電極；
ｃ）誘電体層；
ｄ）ソース電極；
ｅ）ドレイン電極；および
ｆ）半導体層；
を含む薄膜トランジスタであって、ここでゲート電極、ソース電極およびドレイン電極のうちの少なくとも１つが、
（１）約５ｎｍ〜約１５００ｎｍの平均最長寸法を有する複数の金属粒子を有する、Ａｇ、Ｃｕおよびそれらの合金からなる群から選択される金属粉末を、金属組成物の総質量
を基準にして約６５〜約９５質量％；および
（２）ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリ複素芳香族ビニレン、およびそれらの誘導体からなる群から選択される導電性ポリマー；アクリルおよびスチレン−アクリルラテックス、および溶液ベースのアクリルおよびスチレン−アクリル（コ）ポリマー、およびそれらの組合せ；エチレンと、（メタ）アクリレート、酢酸ビニル、一酸化炭素および（メタ）アクリル酸からなる群から選択される１種または複数のモノマーとのコポリマー；およびポリ酢酸ビニルおよびそのコポリマーからなる群から選択される非導電性ポリマーからなる群から選択される１つまたは複数の樹脂を含む分散剤を約５〜約３５重量％
を含む金属組成物（Ａ）を含む薄膜トランジスタ。
２．ゲート電極が金属組成物（Ａ）を含む上記１に記載の薄膜トランジスタ。
３．ソース電極およびドレイン電極が両方とも金属組成物（Ａ）を含む上記１に記載の薄膜トランジスタ。
４．ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極がそれぞれ金属組成物（Ａ）を含む上記１に記載の薄膜トランジスタ。
５．誘電体層がゲート電極と半導体層との間に介挿され、ソース電極およびドレイン電極が両方とも半導体層に接触し、かつ電極が互いに接触しない上記１に記載の薄膜トランジスタ。
６．誘電体層が、約１０１４オーム-ｃｍ以上の抵抗率を有し、かつ
（１）アクリル、スチレンおよびスチレン−アクリルラテックス、溶液ベースのアクリル、スチレンおよびスチレン−アクリルポリマー、およびそれらの組合せからなる群から選択されるアクリルおよびスチレンポリマー；部分的に水素化されたポリ（４−ヒドロキシスチレン）、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）、および、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、アルキル（メタ）アクリレート、スチレン、およびアルキル−置換されたスチレンとのコポリマー（ここで、アルキル基がＣ１〜Ｃ１８の直鎖または分岐鎖アルキル基である）からなる群から選択されるヘテロ原子−置換されたスチレンポリマー；フェノール−アルデヒド（コ）ポリマーおよび（コ）オリゴマー、およびそれらの組合せ；およびポリ（酢酸ビニル）からなる群から選択される１種または複数の誘電性ポリマー；および
（２）層Ａ内で約６００〜約１２００ｎｍの範囲の吸収極大を特徴とする１種または複数の近赤外染料を、層Ａの乾燥質量を基準にして約０．５質量％〜約１０質量％；
を含む少なくとも１つの層Ａを含む上記１に記載の薄膜トランジスタ。
７．誘電体層が、約１０１４オーム-ｃｍ以上の抵抗率を有し、かつアルキル（メタ）アクリレート、スチレン、およびアルキル−置換されたスチレンからなる群から選択されるモノマー（ここで、アルキル基がＣ１〜Ｃ１８の直鎖または分岐鎖アルキル基である）を少なくとも約８５質量％含む；アクリル、スチレンおよびスチレン−アクリルラテックスからなる群から選択される１種または複数の誘電性ポリマーを含む少なくとも１つの層Ｃを含む上記１に記載の薄膜トランジスタ。
８．半導体層がペンタセンである上記１に記載の薄膜トランジスタ。
９．半導体層が、式（ＩＩＩ）：
【化３９】
2009544169.tif 000002
（式中、Ａｒが、下記のもの、
【化４０】
2009544169.tif 000003
およびそれらの組合せからなる群から選択され、
ここで、
Ａｒ’およびＡｒ”が、アリール基からなる群から独立して選択され；
ｍおよびｎが、０〜５の値をそれぞれ独立して有する整数であり；
Ｑが、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｏ、およびＮＲ０からなる群から選択され；Ｑ１が、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｏ、およびＮＲ０からなる群から選択され；
ｑおよびｒが、０、１、２、３、４、および５からなる群から独立して選択され；
ｓが、１〜５の値を有する整数であり；
ｔが、２〜５の値を有する整数であり；
Ｒ０が、水素、アルキル、およびアリールからなる群から選択され；
Ｒ１〜Ｒ１０が、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２、およびＣＮからなる群から独立して選択され；そして
Ｒが、水素、アルキル、アリール、アルケニル、およびアルキニルからなる群から選択され；
ここで、Ｒ５〜Ｒ１０のうちの任意の２個の隣接基が一緒になって環を形成することができる）
の化合物を含む上記１に記載の薄膜トランジスタ。
１０．ｒ≠０であり、ｓ≠１である上記９に記載の薄膜トランジスタ。
１１．Ａｒが、
【化４１】
2009544169.tif 000004
およびそれらの組合せからなる群から選択され、ここで、ｒ≠０である上記９に記載の薄膜トランジスタ。
１２．Ａｒが、
【化４２】
2009544169.tif 000005
であり、ここでｒ＝２または３であり、ｍおよびｎ＝１である上記９に記載の薄膜トランジスタ。
１３．半導体化合物が、化合物３および７７：
【化４３】
2009544169.tif 000006
から選択される上記９に記載のトランジスタ。
１４．Ａｒが、
【化４４】
2009544169.tif 000007
であり、ここでｒ＝２であり、ｍおよびｎ＝０であり、Ａｒ’およびＡｒ”が独立して、
【化４５】
2009544169.tif 000008
に等しく、ここでｕが、０〜１０から独立して選択される整数であり；Ｑが、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｏ、およびＮＲ０からなる群から選択され；Ｒ１１〜Ｒ１５が、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２、およびＣＮからなる群から独立して選択され；そして
Ｒが、水素、アルキル、アリール、アルケニル、およびアルキニルからなる群から選択され；ここで、Ｒ１１〜Ｒ１５のうちの任意の２個の隣接基が一緒になって環を形成することができる上記９に記載の薄膜トランジスタ。
１５．基板が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、ガラスおよびポリイミドからなる群から選択される上記１に記載の薄膜トランジスタ。
１６．ａ）基板；
ｂ）ゲート電極；
ｃ）誘電体層；
ｄ）ソース電極；
ｅ）ドレイン電極；および
ｆ）半導体層；
を含む薄膜トランジスタであって、
ここで誘電体層が、約１０１４オーム-ｃｍ以上の抵抗率を有し、かつ
（１）アクリル、スチレンおよびスチレン−アクリルラテックス、溶液ベースのアクリル、スチレンおよびスチレン−アクリルポリマー、およびそれらの組合せからなる群から選択されるアクリルおよびスチレンポリマー；部分的に水素化されたポリ（４−ヒドロキシスチレン）、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）、および、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、アルキル（メタ）アクリレート、スチレン、およびアルキル−置換されたスチレンとのコポリマー（ここで、アルキル基がＣ１〜Ｃ１８の直鎖または分岐鎖アルキル基である）からなる群から選択されるヘテロ原子−置換されたスチレンポリマー；フェノール−アルデヒド（コ）ポリマーおよび（コ）オリゴマー、およびそれらの組合せ；およびポリ（酢酸ビニル）からなる群から選択される１
種または複数の誘電性ポリマー；および
（２）層Ａ内で約６００〜約１２００ｎｍの範囲の吸収極大を有する１種または複数の近赤外染料を、層Ａの乾燥質量を基準にして約０．５質量％〜約１０質量％；
を含む少なくとも１つの層Ａを含む薄膜トランジスタ。
１７．ゲート誘電体層がゲート電極と半導体層との間に介挿され、ソース電極およびドレイン電極が両方とも半導体層に接触し、かつ電極が互いに接触しない上記１６に記載の薄膜トランジスタ。
１８．層Ａ内の、１つまたは複数の誘電性ポリマーが、アクリル、スチレンおよびスチレン−アクリルラテックス、溶液ベースのアクリル、スチレンおよびスチレン−アクリルポリマー、およびそれらの組合せからなる群から選択されるアクリルおよびスチレンポリマーから選択され；かつアルキル（メタ）アクリレート、スチレン、およびアルキル−置換されたスチレンからなる群から選択されるモノマー（ここで、アルキル基がＣ１〜Ｃ１８の直鎖または分岐鎖アルキル基である）を少なくとも約８５質量％含む１種または複数のラテックスを含む上記１６に記載の薄膜トランジスタ。
１９．層Ａ内の、１種または複数の近赤外染料が、インドシアニン染料を含む上記１６に記載の薄膜トランジスタ。
２０．誘電体層が、勾配染料層である２つ又はそれを超える層Ａを含み、それぞれの勾配染料層は独立して乾燥質量％で約０．５〜約１０質量％の近赤外染料を有し；ここで、少なくとも１つの勾配染料層がより低い質量％の近赤外染料を有し、少なくとも１つの勾配染料層が、より高い質量％の近赤外染料を有し、そして近赤線染料のより高い質量％が、近赤外染料のより低い質量％の値より少なくとも２０％高い値である上記１６に記載の薄膜トランジスタ。
２１．層Ａが、さらに、高誘電率ナノ粒子画分を層Ａの約９０質量％以下含み、含まれるナノ粒子画分が約２０を超える誘電定数および約５ｎｍ〜約５００ｎｍの平均粒子径を有し；ただし、ナノ粒子画分が８０質量％を超える場合、近赤外染料が材料の層の６質量％未満である上記１６に記載の薄膜トランジスタ。
２２．誘電体層が、勾配ナノ粒子層である２つ又はそれを超える層Ａを含み、それぞれの勾配ナノ粒子層が独立して約９０質量％以下の乾燥質量％の高誘電率ナノ粒子画分を有し；ここで、少なくとも１つの勾配ナノ粒子層が、より低い質量％の高誘電率ナノ粒子画分を有し、少なくとも１つの勾配ナノ粒子層が、より高い質量％の高誘電率ナノ粒子画分を有し、そしてより高い質量％が、より低い質量％の値より少なくとも２０％高い値である上記２１に記載の薄膜トランジスタ。
２３．誘電体層が、１つまたは複数の誘電性ポリマーを含む層Ｂをさらに含み、約１０１４オーム-ｃｍ以上の抵抗率を有する上記１６に記載の薄膜トランジスタ。
２４．半導体層が、ペンタセン、化合物３および化合物７７：
【化４６】
2009544169.tif 000009
から選択される上記１６に記載の薄膜トランジスタ。
２５．半導体層が、式（ＩＩＩ）：
【化４７】
2009544169.tif 000010
（式中、Ａｒが、
【化４８】
2009544169.tif 000011
およびそれらの組合せからなる群から選択され、
ここで、
Ａｒ’およびＡｒ”が、アリール基からなる群から独立して選択され；
ｍおよびｎが、０〜５の値をそれぞれ独立して有する整数であり；
Ｑが、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｏ、およびＮＲ０からなる群から選択され；
Ｑ１が、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｏ、およびＮＲ０からなる群から選択され；
ｑおよびｒが、０、１、２、３、４、および５からなる群から独立して選択され；
ｓが、１〜５の値を有する整数であり；
ｔが、２〜５の値を有する整数であり；
Ｒ０が、水素、アルキル、およびアリールからなる群から選択され；
Ｒ１〜Ｒ１０が、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２、およびＣＮからなる群から独立して選択され；そして
Ｒが、水素、アルキル、アリール、アルケニル、およびアルキニルからなる群から選択され；
ここで、Ｒ５〜Ｒ１０のうちの任意の２個の隣接基が一緒になって環を形成することが
できる）
の化合物を含む上記１６に記載の薄膜トランジスタ。
２６．ｒ≠０であり、ｓ≠１である上記２５に記載の薄膜トランジスタ。
２７．Ａｒが、
【化４９】
2009544169.tif 000012
およびそれらの組合せからなる群から選択され、ここで、ｒ≠０である上記２５に記載の薄膜トランジスタ。
２８．Ａｒが、
【化５０】
2009544169.tif 000013
であり、ここで、ｒ＝２または３であり、ｍおよびｎ＝１である上記２５に記載の薄膜トランジスタ。
２９．基板が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、ガラスおよびポリイミドの群から選択される上記１６に記載の薄膜トランジスタ。
３０．ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のうちの少なくとも１つが、ポリマー主鎖中の窒素または硫黄原子の存在を特徴とした；ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリ複素芳香族ビニレンおよびそれらの誘導体の群から選択される導電性ポリマーを含み；かつ０．１〜１２質量％の単層カーボンナノチューブ、およびポリマー主鎖中の窒素または硫黄原子の約２５％〜約１００％のモル当量で、１〜３０個の炭素を有する有機プロトン酸をさらに含む上記１６に記載の薄膜トランジスタ。
３１．ａ）基板；
ｂ）ゲート電極；
ｃ）誘電体層；
ｄ）ソース電極；
ｅ）ドレイン電極；および
ｆ）半導体層；
を含む薄膜トランジスタであって、
ここで誘電体層が、約１０１４オーム-ｃｍ以上の抵抗率を有し、かつアルキル（メタ
）アクリレート、スチレン、およびアルキル−置換されたスチレンからなる群から選択されるモノマー（ここで、アルキル基がＣ１〜Ｃ１８の直鎖または分岐鎖アルキル基である）を少なくとも約８５質量％含む、アクリル、スチレンおよびスチレン−アクリルラテックスからなる群から選択される１つまたは複数の誘電性ポリマーを含む少なくとも１つの層Ｃを含む薄膜トランジスタ。
３２．ゲート電極および半導体層が両方とも誘電体層に接触し、ソース電極およびドレイン電極が両方とも半導体層に接触し、電極が互いに接触しない上記３１に記載の薄膜トランジスタ。
３３．層Ｃが、さらに高誘電率ナノ粒子画分を層Ｃの約９０質量％以下含み、含まれるナノ粒子画分が約２０を超える誘電定数および約５ｎｍ〜約５００ｎｍの平均粒子径を有する上記３１に記載の薄膜トランジスタ。
３４．半導体層が、ペンタセン、化合物３および化合物７７：
【化５１】
2009544169.tif 000014
からなる群から選択される上記３１に記載の薄膜トランジスタ。
３５．半導体層が、式（ＩＩＩ）：
【化５２】
2009544169.tif 000015
（式中、Ａｒが、
【化５３】
2009544169.tif 000016
およびそれらの組合せからなる群から選択され、
ここで、
Ａｒ’およびＡｒ”が、アリール基からなる群から独立して選択され；
ｍおよびｎが、０〜５の値をそれぞれ独立して有する整数であり；
Ｑが、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｏ、およびＮＲ０からなる群から選択され；
Ｑ１が、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｏ、およびＮＲ０からなる群から選択され；
ｑおよびｒが、０、１、２、３、４、および５からなる群から独立して選択され；
ｓが、１〜５の値を有する整数であり；
ｔが、２〜５の値を有する整数であり；
Ｒ０が、水素、アルキル、およびアリールからなる群から選択され；
Ｒ１〜Ｒ１０が、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２、およびＣＮからなる群から独立して選択され；そして
Ｒが、水素、アルキル、アリール、アルケニル、およびアルキニルからなる群から選択され；
ここで、Ｒ５〜Ｒ１０のうちの任意の２個の隣接基が一緒になって環を形成することが
できる）
の化合物を含む上記３１に記載の薄膜トランジスタ。
３６．ｒ≠０であり、ｓ≠１である上記３５に記載の薄膜トランジスタ。
３７．Ａｒが、
【化５４】
2009544169.tif 000017
およびそれらの組合せからなる群から選択され、ここで、ｒ≠０である上記３５に記載の薄膜トランジスタ。
３８．Ａｒが、
【化５５】
2009544169.tif 000018
であり、ここで、ｒ＝２または３であり、およびｍおよびｎ＝１である上記３５に記載の薄膜トランジスタ。
３９．基板が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、ガラスおよびポリイミドの群から選択される上記３１に記載の薄膜トランジスタ。
４０．ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のうちの少なくとも１つが、ポリマー主鎖中の窒素または硫黄原子の存在を特徴とした；ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリ複素芳香族ビニレンおよびそれらの誘導体の群から選択される導電性ポリマーを含み；かつ０．１〜１２質量％の単層カーボンナノチューブ、およびポリマー主鎖中の窒素または硫黄原子の約２５％〜約１００％のモル当量で、１〜３０個の炭素を有する有機プロトン酸をさらに含む上記３１に記載の薄膜トランジスタ。
４１．約１Ｅ＋０５以上のＩｏｎ／ｏｆｆを特徴とする上記１に記載の薄膜トランジスタ。
４２．機能性トランジスタの収率が約９８％以上である、上記１に記載の複数のトランジスタを含む薄膜トランジスタアレイ。
４３．約１Ｅ＋０５以上のＩｏｎ／ｏｆｆを有する上記１６に記載の薄膜トランジスタ。４４．機能性トランジスタの収率が約９８％以上である、上記１６に記載の複数のトランジスタを含む薄膜トランジスタアレイ。
４５．約０．５ｃｍ２Ｖ−１秒−１以上の移動度を有する上記１６に記載の薄膜トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）基板；
ｂ）ゲート電極；
ｃ）誘電体層；
ｄ）ソース電極；
ｅ）ドレイン電極；および
ｆ）半導体層；
を含む薄膜トランジスタであって、ここでゲート電極、ソース電極およびドレイン電極のうちの少なくとも１つが、
（１）５ｎｍ〜１５００ｎｍの平均最長寸法を有する複数の金属粒子を有する、Ａｇ、Ｃｕおよびそれらの合金からなる群から選択される金属粉末を、金属組成物の総質量を基準にして６５〜９５質量％；および
（２）ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリ複素芳香族ビニレン、およびそれらの誘導体からなる群から選択される導電性ポリマー；アクリルおよびスチレン−アクリルラテックス、および溶液ベースのアクリルおよびスチレン−アクリル（コ）ポリマー、およびそれらの組合せ；エチレンと、（メタ）アクリレート、酢酸ビニル、一酸化炭素および（メタ）アクリル酸からなる群から選択される１種または複数のモノマーとのコポリマー；およびポリ酢酸ビニルおよびそのコポリマーからなる群から選択される非導電性ポリマーからなる群から選択される１つまたは複数の樹脂を含む分散剤を５〜３５重量％
を含む金属組成物（Ａ）を含む薄膜トランジスタ。
【請求項２】
ａ）基板；
ｂ）ゲート電極；
ｃ）誘電体層；
ｄ）ソース電極；
ｅ）ドレイン電極；および
ｆ）半導体層；
を含む薄膜トランジスタであって、
ここで誘電体層が、１０１４オーム-ｃｍ以上の抵抗率を有し、かつ
（１）アクリル、スチレンおよびスチレン−アクリルラテックス、溶液ベースのアクリル、スチレンおよびスチレン−アクリルポリマー、およびそれらの組合せからなる群から選択されるアクリルおよびスチレンポリマー；部分的に水素化されたポリ（４−ヒドロキシスチレン）、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）、および、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、アルキル（メタ）アクリレート、スチレン、およびアルキル−置換されたスチレンとのコポリマー（ここで、アルキル基がＣ１〜Ｃ１８の直鎖または分岐鎖アルキル基である）からなる群から選択されるヘテロ原子−置換されたスチレンポリマー；フェノール−アルデヒド（コ）ポリマーおよび（コ）オリゴマー、およびそれらの組合せ；およびポリ（酢酸ビニル）からなる群から選択される１種または複数の誘電性ポリマー；および
（２）層Ａ内で６００〜１２００ｎｍの範囲の吸収極大を有する１種または複数の近赤外染料を、層Ａの乾燥質量を基準にして０．５質量％〜１０質量％；
を含む少なくとも１つの層Ａを含む薄膜トランジスタ。
【請求項３】
ａ）基板；
ｂ）ゲート電極；
ｃ）誘電体層；
ｄ）ソース電極；
ｅ）ドレイン電極；および
ｆ）半導体層；
を含む薄膜トランジスタであって、
ここで誘電体層が、１０１４オーム-ｃｍ以上の抵抗率を有し、かつアルキル（メタ
）アクリレート、スチレン、およびアルキル−置換されたスチレンからなる群から選択されるモノマー（ここで、アルキル基がＣ１〜Ｃ１８の直鎖または分岐鎖アルキル基である）を少なくとも８５質量％含む、アクリル、スチレンおよびスチレン−アクリルラテックスからなる群から選択される１つまたは複数の誘電性ポリマーを含む少なくとも１つの層Ｃを含む薄膜トランジスタ。