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【手続補正書】
【提出日】平成22年6月2日(2010.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクアセンブリ(１０)用の前額部サポート(１２)であって、
マスクフレーム(１４)に対して設けられたフレームコネクター(２０)と、
前記フレームコネクター(２０)に対する後退ポジションと突出ポジションとの間での略直線移動のために、動作可能に前記フレームコネクター(２０)に配設された前額部クッションサポート(６０)と、
前記フレームコネクター(２０)に移動可能に配設され、かつ、前記前額部クッションサポート(６０)と螺合させられた調整ノブ(４０)であって、この調整ノブ(４０)の回転動作によって前記前額部クッションサポート(６０)が後退ポジションと突出ポジションとの間で移動させられるようになっている調整ノブ(４０)と、
を具備してなり、
前記調整ノブ(４０)、前額部クッションサポート(６０)およびフレームコネクター(２０)は、前記前額部クッションサポート(６０)の前記突出ポジションを越える前記調整ノブ(４０)の過回転によって、前記前額部クッションサポート(６０)および前記フレームコネクター(２０)から前記調整ノブ(４０)が分離するよう配置構成されていることを特徴とする前額部サポート(１２)。
【請求項２】
前記調整ノブ(４０)は、前記前額部クッションサポート(６０)から前記調整ノブ(４０)を分離させるために、調整のためのトルクを超える過大なトルクが加えられることを特徴とする請求項１に記載の前額部サポート。
【請求項３】
前記調整ノブ(４０)は、スナップ式嵌合によって、前記フレームコネクター(２０)に取り付けられることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の前額部サポート。
【請求項４】
前記調整ノブ(４０)は、前記フレームコネクター(２０)に設けられた保持機構部(２４)と係合する環状リム(５０)を有するセグメント(４８)を備えることを特徴とする請求項３に記載の前額部サポート。
【請求項５】
前記セグメント(４８)は、このセグメントを二つの弾性アーム(５２)に分割する二つの割れ目(４９)を備え、前記弾性アームは、スナップ式嵌合によって、リム(５０)が前記保持機構部(２４)と係合することを可能とするために撓むことが可能となっていることを特徴とする請求項４に記載の前額部サポート。
【請求項６】
前記フレームコネクター(２０)は、少なくとも二つの保持機構部(２４)を備えることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の前額部サポート。
【請求項７】
前記セグメント(４８)は、前記保持機構部を受けるよう構成されたリムに隣接する環状リセス(１７５１)を備えることを特徴とする請求項４ないし請求項６のいずれか１項に記載の前額部サポート。
【請求項８】
前記調整ノブ(４０)は、前記前額部クッションサポート(６０)に対して設けられた雌ネジ付きチューブ(６２)と螺合するネジ付きシャフト(４２)を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の前額部サポート。
【請求項９】
前記チューブ(６２)は、前額部クッション(９０)を支持するよう構成された前額部クッションサポートプレート(６４)に対して連結されていることを特徴とする請求項８に記載の前額部サポート。
【請求項１０】
前記チューブ(６２)は、前記前額部クッションサポート(６０)の回転を阻止するために、前記フレームコネクター(２０)に設けられた、それぞれの突出部(２２)を受け入れるキー溝(７２)を備えることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の前額部サポート。
【請求項１１】
前記チューブ(６２)は、前記フレームコネクター(２０)内への前記チューブ(６２)の挿入を可能とするために撓むことが可能な二つの弾性アーム(７０)へと前記チューブ(６２)を分割する、二つの割れ目(６８)を備えることを特徴とする請求項８ないし請求項１０のいずれか１項に記載の前額部サポート。
【請求項１２】
前記チューブ(６２)にはポジションマーキングが設けられていることを特徴とする請求項８ないし請求項１１のいずれか１項に記載の前額部サポート。
【請求項１３】
前記チューブ(６２)は、前記調整ノブ(４０)、前額部クッションサポート(６０)およびフレームコネクター(２０)の意図しない分離を阻止するためのストッパーを備えることを特徴とする請求項８ないし請求項１２のいずれか１項に記載の前額部サポート。
【請求項１４】
前記調整ノブ(４０)は、ラチェットバンプ(５６)を有する弾性プロング(５４)を具備し、前記ラチェットバンプ(５６)は、指標付き増分調整を実現するために、前記フレームコネクター(２０)に設けられた一連のリッジ(２６)と選択的に係合するよう構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の前額部サポート。
【請求項１５】
着用者に呼吸に適したガスを供給するためのマスクアセンブリ(１０)であって、
マスクフレーム(１４)と、
前記マスクフレーム(１４)に対して配設されたクッション(１６)と、
請求項１ないし請求項１４のいずれか１項に記載の前額部サポート(１２)と、
を具備してなることを特徴とするマスクアセンブリ(１０)。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月22日(2010.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合膜の製造方法であって、ＭＦＩ型ゼオライトを含む一種以上の微孔性分離層が、多孔性基板上での熱水合成により製造され、線状の（Ｃ1−Ｃ4）−アルコール類、アンモニア、それぞれ（Ｃ1−Ｃ4）−アルキル基を有する第一級、第二級および第三級アミン、エタノールアミン、および（Ｃ3−Ｃ4）−ケトンからなる群から選ばれる一種以上の添加物が該熱水合成の合成溶液に添加され、該合成溶液が次のモル組成を持ち、Ａが次の添加物であり：
ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3／Ｎａ2Ｏ／ＴＰＡＯＨ／ＴＰＡＢｒ／Ｈ2Ｏ／Ａ＝１／５×１０-5〜５×１０-2／０〜０．２／０〜０．１／０〜０．１／（１０−ｙ）〜（１００−ｙ）／ｙ
また、０＜ｙ＜５０、
式中、合成溶液中のＨ2Ｏと添加物Ａのモル比が１００〜１：１である
ことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、（Ｃ1−Ｃ4）−アルキル基を持つ第一級アミン、アンモニア、及びアセトンからなる群から選ばれる一種以上の化合物が添加物として添加される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、およびｎ−プロピルアミンからなる群から選ばれる一種以上の化合物が添加物として添加される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ｙの値が１５〜３５である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
複数のゼオライト層が基板上に形成される請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法により得られた複合膜。
【請求項７】
蒸気透過、ガス透過、またはパーペーパレーションによる物質の選別、及び液体の濾過のための請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法により得られた複合膜の使用方法。
【請求項８】
ブタン／イソブタンまたはブテン／イソブテン混合物の分離のための請求項７に記載の使用方法。
【請求項９】
エタノール／水混合物の分離のための請求項７に記載の使用方法。
【請求項１０】
イソプロパノール／水混合物の分離のための請求項７に記載の使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月28日(2010.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、導電性の構造化された表面又はほぼ平坦な表面を製造する方法であって、以下の工程、
ａ）マトリックス材料中に鉄粒子を含む分散物を使用して、構造化された基礎層、又はほぼ平坦な基礎層を支持体上に施す工程、
ｂ）マトリックス材料を、少なくとも部分的に硬化、及び／又は乾燥させる工程、
ｃ）硬化または乾燥したマトリックスを少なくとも部分的に壊すことにより、鉄粒子を少なくとも部分的に露出させる工程、
ｄ）無電解及び／又は電解での被覆により、構造化された基礎層又はほぼ平坦な基礎層上に金属層を形成する工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
工程ｃ）での鉄粒子の露出が、化学的、物理的又は機械的に行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程ｃ）での鉄粒子の露出が、酸化剤を使用して行われることを特徴とする請求項１又は２の何れかに記載の方法。
【請求項４】
工程ｃ）での鉄粒子の露出が、マトリックス材料を溶解、エッチング及び／又はふやかすことが可能な物質の作用によって行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
マトリックス材料を溶解、エッチング及び／又はふやかすことが可能な物質が、酸性又はアルカリ性の化学物質又は化学物質混合物又は溶媒であることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
支持体上に、導電性の構造化された表面又はほぼ平坦な表面を製造する方法であって、以下の工程、
ａ）マトリックス材料中に導電性の粒子を含む分散物を使用して、構造化された基礎層、又はほぼ平坦な基礎層を支持体上に施す工程、
ｂ）マトリックス材料を、少なくとも部分的に硬化、及び／又は乾燥させる工程、
ｃ）硬化または乾燥したマトリックスを、酸化剤を使用して少なくとも部分的に壊すことにより、導電性の粒子を少なくとも部分的に露出させる工程、
ｄ）無電解及び／又は電解での被覆により、構造化された基礎層又はほぼ平坦な基礎層上に金属層を形成する工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
酸化剤が、過マンガン酸カリウム、マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム、マンガン酸ナトリウム、過酸化水素、又はその付加化合物、過ホウ酸塩、過炭酸塩、過硫酸塩、ペルオキソ二硫酸、次亜塩素酸ナトリウム、又は過塩素酸塩であることを特徴とする請求項３又は６の何れかに記載の方法。
【請求項８】
導電性の粒子又は鉄粒子に酸化層が存在する場合には、構造化された基礎層又はほぼ平坦な基礎層に無電解及び／又は電解での被覆を施す前に、前記粒子から前記酸化層が除去されることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の方法。
【請求項９】
分散物を使用して構造化された表面又はほぼ平坦な表面に被覆を施す前に、乾式法、湿式化学法及び／又は機械的方法で、支持体が洗浄されることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
乾式法が、ブラシ及び／又は脱イオン化した空気、低圧プラズマ、コロナ放電を使用したダスト除去、又は粘着層が設けられたロール又はローラーを使用した粒子除去であり、湿式化学法が、酸性又はアルカリ性の化学物質又は化学物質混合物又は溶媒での洗浄であり、そして機械的方法が、ブラッシング、研削、研磨又は任意に粒子を含んでも良い空気又はウォータージェットジェットでの圧力噴射であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
構造化された基礎層又はほぼ平坦な基礎層が被覆法によって施されることを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
被覆法が、印刷法、キャスティング法、ローリング法、液浸法又は噴射法であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
分散物の供給を行う前に、分散物を貯蔵容器内で攪拌又はポンプ流動させることを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
構造化された基礎層又はほぼ平坦な基礎層が、支持体の上側及び下側に施されることを特徴とする請求項１〜１３の何れか１項に記載の方法。
【請求項１５】
支持体の上側と下側の構造化された基礎層及び／又はほぼ平坦な基礎層が、少なくとも一つの貫通接触により相互に接続されていることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
貫通接触のために、支持体の少なくとも１つの孔の壁部に導電性の表面が施されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
構造化された基礎層又はほぼ平坦な基礎層が、分散物を施された後に、少なくとも部分的に硬化又は乾燥されることを特徴とする請求項１〜１６の何れか１項に記載の方法。
【請求項１８】
硬化又は乾燥が、マトリックス材料に依存して、化学的又は物理的方法又はこれらの方法の組合せによって行われることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
支持体を構成する電気的に非導電性の材料が、圧縮されてプレート又はロールを形成する樹脂含浸ファブリック又は無補強のプラスチックフィルムであることを特徴とする請求項１〜１８の何れか１項に記載の方法。
【請求項２０】
印刷回路基板に導体路を製造するため、ＲＦＩＤアンテナ、トランスポンダーアンテナ、又は他のアンテナ構造物、マイクロチップ付きカードモジュール、フラットケーブル、シートヒーター、ホイルコンダクターを製造するため、太陽電池又はＬＣＤ／プラズマディスプレースクリーンに導体路を製造するため、又は電解で被覆された製品を任意の状態で製造するための請求項１〜１９の何れか１項に記載の方法。
【請求項２１】
電磁気の放射を遮蔽するために、熱伝導のために使用されるか、又は包装として使用される製品に装飾表面又は機能表面を製造するための請求項１〜１９の何れか１項に記載の方法。
【請求項２２】
薄い金属ホイル又は一面又は二面が金属で被覆されたポリマー支持体を製造するための請求項１〜１９の何れか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月24日(2010.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パネルの一部分に光透過性の領域を形成するための方法であって、
前記パネルにおいて前記パネルの第１表面から前記パネルの反対側の第２表面にかけてごく小さな孔のパターンを穿孔するステップであって、レーザのレーザスポットを前記パネルに適用することによって前記光透過性の領域を画定して前記孔の各々を形成し、前記孔は、前記パネルの前記第２表面において小径端を有し前記パネルの前記第１表面において大径端を有するように、円錐形状をなし、各孔の前記小径端は、所望の前記光透過性の領域が裸眼に対して連続的なパネル表面を形成するように、寸法設定され、前記パネルの材料は非光透過性であるステップと、
前記パターンを穿孔した後に、光透過性材料で前記孔を充填するステップであって、前記光透過性材料が硬化可能なポリマーを備えるステップと、
前記孔を充填した後に、前記光透過性材料を硬化するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
各孔が、６０〜２００マイクロメートルの第１径を有する第１端および１０〜５０マイクロメートルの第２径を有する第２端を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
穿孔の後および充填の前に、ＣＯ２スノージェット、超音波洗浄、および高圧空気のうちの少なくとも１つを使用して前記孔を清浄するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記材料は、前記パネルの前記第１表面をＵＶ光に暴露することによって硬化されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記孔を充填するステップは、前記孔の前記第２表面のみから前記孔を充填するステップを含み、
前記パネルの前記第１表面及び前記パネルの前記第２表面の少なくとも１つを清浄する清浄ステップを備え、前記光透過性材料を硬化するステップは、前記清浄ステップの後に、前記材料を硬化することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記レーザは、前記小径端の直径よりも小さいスポットサイズを有するダイオード励起固体パルスレーザであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１表面から前記第２表面にいたるまでの前記パネルの前記材料の厚さは、前記孔の各々に関連した前記第１表面及び前記第２表面の各々における開口の直径よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記パネルの前記第１表面における隣接する前記孔間のスペースから前記大径端の直径を引いた残りは、前記大径端の直径よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法を用いて製造されたパネルを有することを特徴とするハウジング。
【請求項１０】
光源が前記ハウジング内に位置するとともに各孔の前記大径端に面しており、各孔の前記小径端は前記ハウジングの外部に面していることを特徴とする請求項９に記載のハウジング。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光透過性部分を有するパネルの製造方法及びその方法を用いて製造されたパネル
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明のうち請求項１に係る方法は、パネルの一部分に光透過性の領域を形成するための方法であって、前記パネルにおいて前記パネルの第１表面から前記パネルの反対側の第２表面にかけてごく小さな孔のパターンを穿孔するステップであって、レーザのレーザスポットを前記パネルに適用することによって前記光透過性の領域を画定して前記孔の各々を形成し、前記孔は、前記パネルの前記第２表面において小径端を有し前記パネルの前記第１表面において大径端を有するように、円錐形状をなし、各孔の前記小径端は、所望の前記光透過性の領域が裸眼に対して連続的なパネル表面を形成するように、寸法設定され、前記パネルの材料は非光透過性であるステップと、前記パターンを穿孔した後に、光透過性材料で前記孔を充填するステップであって、前記光透過性材料が硬化可能なポリマーを備えるステップと、前記孔を充填した後に、前記光透過性材料を硬化するステップとを含むことを特徴とする。
また、本発明のうち請求項２に係る方法は、請求項１に記載の方法において、各孔が、６０〜２００マイクロメートルの第１径を有する第１端および１０〜５０マイクロメートルの第２径を有する第２端を含むことを特徴とする。
本発明のうち請求項３に係る方法は、請求項１に記載の方法において、穿孔の後および充填の前に、ＣＯ２スノージェット、超音波洗浄、および高圧空気のうちの少なくとも１つを使用して前記孔を清浄するステップをさらに含むことを特徴とする。
本発明のうち請求項４に係る方法は、請求項１に記載の方法において、前記材料は、前記パネルの前記第１表面をＵＶ光に暴露することによって硬化されることを特徴とする。
本発明のうち請求項５に係る方法は、請求項１に記載の方法において、前記孔を充填するステップは、前記孔の前記第２表面のみから前記孔を充填するステップを含み、前記パネルの前記第１表面及び前記パネルの前記第２表面の少なくとも１つを清浄する清浄ステップを備え、前記光透過性材料を硬化するステップは、前記清浄ステップの後に、前記材料を硬化することを特徴とする。
本発明のうち請求項６に係る方法は、請求項１に記載の方法において、前記レーザは、前記小径端の直径よりも小さいスポットサイズを有するダイオード励起固体パルスレーザであることを特徴とする。
本発明のうち請求項７に係る方法は、請求項１に記載の方法において、前記第１表面から前記第２表面にいたるまでの前記パネルの前記材料の厚さは、前記孔の各々に関連した前記第１表面及び前記第２表面の各々における開口の直径よりも大きいことを特徴とする。
本発明のうち請求項８に係る方法は、請求項１記載の方法において、前記パネルの前記第１表面における隣接する前記孔間のスペースから前記大径端の直径を引いた残りは、前記大径端の直径よりも小さいことを特徴とする。
また、本発明のうち請求項９に係るパネルは、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法を用いて製造されたパネルを有することを特徴とする。
更に、本発明のうち請求項１０に係るハウジングは、請求項９に記載のハウジングにおいて、光源が前記ハウジング内に位置するとともに各孔の前記大径端に面しており、各孔の前記小径端は前記ハウジングの外部に面していることを特徴とする。
本明細書で教示される、光透過性材料によって充填ビアを形成する方法の一実施形態によれば、方法は、パネル内でビアを穴開けすること、および、ビアを光透過性材料で充填することを含む。
本明細書に開示される方法に従って作られるパネルもまた開示される。たとえば、光透過性パネルであって、パネル内の少なくとも１つのビアによって取り込まれた光透過性ポリマである、光透過性パネルを有するハウジングが、本明細書で教示される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月18日(2010.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
第１のサウンド出力ユニット（２４）と第２のサウンド出力ユニット（２６）とを備えたアクセサリ（１８）に関連して、携帯電子装置（１０）のアプリケーション（３８）用サウンドの出力先を決定する方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、該プログラムが前記携帯電子装置にロードされた場合に、
前記第１のサウンド出力ユニット（２４）または前記第２のサウンド出力ユニット（２６）のいずれか一方または両方がユーザの耳に装着されているか否かを判定工程と、
前記第１のサウンド出力ユニット（２４）及び前記第２のサウンド出力ユニット（２６）のいずれか一方または両方が、前記ユーザの耳に装着されている場合に、前記アクセサリの少なくとも１つのサウンド出力ユニット（２４、２６）が選択されるように、前記第１のサウンド出力ユニット（２４）または前記第２のサウンド出力ユニット（２６）のいずれか一方または両方が前記ユーザの耳に装着されているか否かの判定に基づいて、前記アプリケーション用として用いられる少なくとも１つのサウンド出力ユニット（２４、２６；１７）を選択する工程と、
前記アプリケーション用サウンドを出力するために前記選択したサウンド出力ユニットを用いる工程と、を前記携帯電子装置のコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月31日(2010.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工チャンバ内で膜を堆積させる方法であって、
（ａ）基板表面上の前駆体の第１の組の間の反応又は前駆体の前記第１の組の分解により薄膜が生成される堆積プロセスにより、薄層を堆積させるように前記前駆体の第１の組を導入するステップと、
（ｂ）前記堆積させた層を変更するための熱エネルギーを生成するフラッシュ・ランプをトリガするか、及び
前記堆積させた層を変更するためのプラズマ・エネルギーを生成するプラズマ・ソースをトリガするか、
の一方又は両方のステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
加工チャンバ内で膜を堆積させる方法であって、
（ａ）基板表面上の前駆体の第１の組の間の反応又は前駆体の前記第１の組の分解により薄膜が生成される堆積プロセスにより、薄層を堆積させるように前記前駆体の第１の組を導入するステップと、
（ｂ）前記堆積させた層を変更するための、熱エネルギーを生成するフラッシュ・ランプをトリガするステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
加工チャンバ内で膜を堆積させる方法であって、
（ａ）基板表面上の前駆体の第１の組の間の反応又は前駆体の前記第１の組の分解により薄膜が生成される堆積プロセスにより、薄層を堆積させるように前記前駆体の第１の組を導入するステップと、
（ｂ）前記堆積させた層を変更するためのプラズマ・エネルギーを生成するプラズマ・ソースをトリガするステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
前記堆積プロセスが非自己制限的であり、前記堆積厚が堆積時間と共に増加することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記ステップ（ａ）の後に、（ａ１）前記前駆体の第１の組をパージするステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記ステップ（ｂ）は、前駆体の第２の組を導入するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記ステップ（ｂ）の後に、（ｂ１）前記前駆体の第２の組をパージするステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
所望の膜厚が達成されるまで、前記ステップ（ａ）及び（ｂ）を繰り返し行うステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
所望の膜厚が達成されるまで、前記ステップ（ａ）、（ａ１）及び（ｂ１）を繰り返し行うステップをさらに含むことを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
所望の膜厚が達成されるまで、前記ステップ（ａ）乃至（ｂ１）を繰り返し行うステップをさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記ステップ（ａ）は堆積プロセスにおいてプラズマ・エネルギーを用いるステップを含むことを特徴とする、請求項１又は３に記載の方法。
【請求項１２】
前記前駆体の第１の組はＣＶＤ前駆体を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記前駆体の第２の組は、窒素、酸素、水素、アンモニア、ＮＦ3、シラン、オゾン、アルゴンから成る群から選択されるプロセス気体を含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項１４】
前記前駆体の第２の組はＣＶＤ前駆体を含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月17日(2010.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属パターンを作成する方法であって、
基板上にフォトレジストの層を成膜し、
前記フォトレジストにパターンを形成し、
前記フォトレジスト及びパターン上に金属ナノ粒子の層を成膜し、
前記フォトレジスト及び前記フォトレジスト上の上層の金属ナノ粒子を除去し、
残りの前記ナノ粒子を焼結して金属パターンを形成することを含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記パターンが、マスクを介して前記フォトレジスト上に投影された紫外線又は可視光によって形成され、その後に現像が行われる方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、紫外線レーザ又は可視レーザが、前記フォトレジスト上に走査及び変調され、その後に現像が行われる方法。
【請求項４】
金属パターンを作成する方法であって、
基板上にサーマルレジストの層を成膜し、
前記サーマルレジストにパターンを形成し、
前記サーマルレジスト及びパターン上に金属ナノ粒子の層を成膜し、
前記サーマルレジスト及び前記サーマルレジスト上の上層の金属ナノ粒子を除去し、
残りの前記ナノ粒子を焼結して金属パターンを形成することを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月10日(2010.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト材料の第１の層を基板上にコーティングするステップと、前記第１のレジスト材料のイメージワイズ放射線誘導熱除去によって前記基板材料上にパターンを形成するステップとを含む、マイクロ構造デバイスを製造する方法。
【請求項２】
前記放射線が５２５ｎｍを超える波長を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の層が有機固体および光熱転換物質を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記有機固体がポリマーバインダー、モノマーガラス、またはこれらの混合物からなる群より選択される、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月28日(2010.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記工程（II）において、前記剥離膜の内の少なくとも１００ｎｍ厚部分が実質的に損傷を受けないことを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月13日(2010.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）研磨剤、
（ｂ）金酸化剤、
（ｃ）シアン化物なしの金可溶化剤、及び
（ｄ）それらのための水性キャリヤー
を含む、基材の金含有表面を研磨するためのシアン化物なしの化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物。
【請求項２】
前記シアン化物なしの金可溶化剤がホスホン酸キレート剤、その塩、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項３】
前記ホスホン酸キレート剤が、アミノ−トリス（メチレンホスホン酸）、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、又はそれらの組み合わせを含む、請求項２に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項４】
前記組成物が塩基性のｐＨを有し、前記金酸化剤が過硫酸塩を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項５】
前記組成物が酸性のｐＨを有し、前記金酸化剤がオキシハロゲン化合物とハロゲン化物塩の反応性混合物を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項６】
オキシハロゲン化合物とハロゲン化物塩の前記混合物が、
（ａ）ヨウ化物塩と混合されたヨウ素酸塩化合物、
（ｂ）臭化物塩と混合された臭素酸塩化合物、及び
（ｃ）塩化物塩と混合された塩素酸塩化合物
からなる群より選択される、請求項５に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項７】
前記研磨剤がα−アルミナを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項８】
（ａ）基材の金含有表面を、基材表面上の金を酸化するのに十分な時間にわたって研磨パッド及び請求項１〜７のいずれか１項に記載のシアン化物なしのＣＭＰ組成物と接触させる工程、及び
（ｂ）該ＣＭＰ組成物により表面の酸化された部分を削るのに十分な時間にわたり、該ＣＭＰ組成物の一部を該パッドと該基材の間の表面と接触させて保持しながら、該パッドと表面の間の相対的な運動を引き起こす工程
を含む、金基材を研磨するための方法。
【請求項９】
（ａ）基材の金含有表面を、基材表面上の金を酸化するのに十分な時間にわたって研磨パッド及びシアン化物なしのＣＭＰ組成物と接触させる工程であって、該ＣＭＰ組成物が研磨剤、オキシハロゲン化合物、ハロゲン化物塩、及び水性キャリヤーを含む工程、及び
（ｂ）該ＣＭＰ組成物により表面の酸化された部分を削るのに十分な時間にわたり、該ＣＭＰ組成物の一部を該パッドと該基材の間の表面と接触させて保持しながら、該パッドと表面の間の相対的な運動を引き起こす工程
を含み、該オキシハロゲン化合物と該ハロゲン化物塩が互いに別々に保持され、そして該基材の表面に接触させる直前に混合されるか、又は該基材の表面上で混合される、金基材を研磨するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月9日(2010.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
請求項１３に記載の統合システムであって、
前記基板表面の酸素への曝露を制限することは、堆積反応の導入時間を短縮させ、前記銅表面上に選択的に堆積される前記コバルト合金材料の薄い層の質を高める、統合システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月10日(2010.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハーに半導体接合部を形成する方法であり、
ウエハーの表面にドーパント不純物原子をイオン注入すること、
下記のステップ、即ち
（ａ）リアクタチャンバにウエハーを導入し、チャンバ内に炭化水素処理ガスを導入するステップ、
（ｂ）ＲＦプラズマ動力源をチャンバに誘導的に結合させ、ウエハーにＲＦプラズマバイアス電力を印加するステップ、及び
（ｃ）前記バイアス電力を約２〜３ｋＷの範囲に設定し、前記チャンバ内の圧力を３ｍＴｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒの範囲に維持しながら前記動力源の総量を約４ｋＷを中心とする範囲に設定し、レーザー波長を含む波長範囲の光に対して０．３を超える吸光係数を有する非晶質の炭素層を前記ウエハーに堆積させるステップ、
により前記ウエハーに非晶質の炭素層を堆積させること、並びに
前記レーザー波長において動作するＣＷレーザーアレイからラインビームを発生させ、ラインビームをウエハー表面全体に亘ってラインビームに対して横方向に走査することにより、ウエハー表面の注入ドーパント原子をアニールし、前記ラインビームが、前記ラインビームの区域のウエハー表面温度を、５０マイクロ秒〜３ミリ秒の間１１５０〜１３５０℃を越える温度に上昇させるのに充分な電力を有していること
を含む、ウエハーに半導体接合部を形成する方法。
【請求項２】
さらに、ウエハー表面温度を５０マイクロ秒〜３ミリ秒の間１１５０〜１３５０℃を越える温度に上昇させるのに充分な電力を用いて、前記波長範囲を含む放射線スペクトルを有する広帯域光源で前記ウエハー表面を露光することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記レーザー波長が８１０ｎｍである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記広帯域光源が、３００〜１１００ｎｍの範囲の放射線スペクトルを有する広帯域放射線源フラッシュランプを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも約１０１０イオン／ｃｍ３のイオン密度を有する前記チャンバ内での高密度プラズマの使用を可能にするのに、前記チャンバ圧力が充分に低く、前記ＲＦ動力源が充分に大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記バイアス電力が約２〜３ｋＷである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
処理ガスが、（ａ）アセチレン、（ｂ）プロピレンまたは（ｃ）トルエンのなかのいずれか１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
処理ガスが、トルエンと、（ａ）メタンまたは（ｂ）窒素のなかのいずれか１つとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記処理ガスに窒素ガスを加えることにより、更に、前記非晶質炭素層に窒素を含ませることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記処理ガスが、約９７％の炭化水素ガスと約３％の窒素を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
更に、堆積過程の間にウエハーを４７５℃未満に加熱することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
非晶質炭素層を堆積させるステップが更に、前記層の最終的な厚さを、前記ラインビームを１００％吸収するのに必要な最小限の厚さに制限することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記吸光係数が約０．５５であり、前記非晶質炭素層の厚さが約５４００オングストロームに制限される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
更に、前記バイアス出力を制御することにより、前記非晶質炭素層の応力を引張応力と圧縮応力との間で調節することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
更に、処理ガス中の炭素に対する水素の割合を最小化することを含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月24日(2010.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応チャンバ内に、上を覆うマスキング層を持つ層間誘電体（ILD）層を提供するステップであって、前記マスキング層は前記ILD層の一部分を露出する開口部を持つ、ステップと、
炭素化合物から生成されたプラズマ励起種を含む化学エッチングで、前記ILD層の前記露出部分をエッチングするステップと、
その後、ケイ素化合物を含むガスから生成されたプラズマ励起種を前記化学エッチングに加えることによって前記ILD層をエッチングし続けるステップと、
を含む、半導体処理のための方法。
【請求項２】
前記ケイ素化合物を含む前記ガスからプラズマ励起種を生成するステップは、SixMyHzからプラズマ励起種を生成するステップを含み、Siはケイ素、Hは水素、Mはフッ素（F）、臭素（Br）、塩素（Cl）、およびヨウ素（I）からなる群から選択される一つ以上のハロゲンであり、x≧1、y≧0、z≧0である、請求項１の方法。
【請求項３】
前記ケイ素化合物を含む前記ガスからプラズマ励起種を生成するステップは、x≧1、y≧1、z≧0であるSixMyHzからプラズマ励起種を生成するステップを含む、請求項２の方法。
【請求項４】
前記炭素化合物から生成されたプラズマ励起種で、前記ILD層の前記露出部分をエッチングするステップは、CαMβHγからプラズマ励起種を生成するステップを含み、Cは炭素、Hは水素、Mはフッ素（F）、臭素（Br）、塩素（Cl）、およびヨウ素（I）からなる群から選択される一つ以上のハロゲンであり、α≧1、β≧0、γ≧0である、請求項２の方法。
【請求項５】
CαMβHγからプラズマ励起種を生成するステップは、α≧1、β≧1、γ≧0であるCαMβHγからプラズマ励起種を生成するステップを含む、請求項４の方法。
【請求項６】
前記ILD層の前記露出部分に、酸素化合物から生成されたプラズマ励起種を接触させるステップをさらに含む、請求項３の方法。
【請求項７】
前記ILD層の前記露出部分に前記酸素化合物から生成されたプラズマ励起種を接触させるステップは、分子酸素（O2）からプラズマ励起種を生成するステップを含む、請求項６の方法。
【請求項８】
前記ILD層の前記露出部分に前記ケイ素化合物から生成された前記プラズマ励起種を接触させるステップは断続的に行われ、前記ILD層の前記露出部分は、前記炭素化合物から生成された前記プラズマ励起種と連続的に接触する、請求項１の方法。
【請求項９】
前記炭素化合物から生成されたプラズマ励起種を含む前記化学エッチングで、前記ILD層の前記露出部分をエッチングするステップは、前記化学エッチングによって前記誘電体層内にエッチングされる開口部の深さを増加しながら、前記開口部の側壁の少なくとも一部上に不動態化層を同時に形成するステップを含む、請求項１の方法。
【請求項１０】
前記誘電体層内にエッチングされる前記開口部は、80 nm以下の幅と、15:1以上のアスペクト比を持つ、請求項９の方法。
【請求項１１】
前記誘電体層内にエッチングされる開口部の幅のばらつきが、3シグマ以内、10 nm RMS未満である、請求項１０の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月3日(2010.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）砥材、
（ｂ）標準水素電極に対して０．３４Ｖより低い標準還元電位を有する第一の金属研磨速度調整剤であり、ここではキノンである第一の金属研磨速度調整剤、
（ｃ）標準水素電極に対して０．３４Ｖより高い標準還元電位を有する第二の金属研磨速度調整剤、
及び
（ｄ）液体キャリア
を含む、化学機械研磨組成物。
【請求項２】
（ａ）砥材、
（ｂ）キノン部分を含む有機酸化剤である第一の金属研磨速度調整剤、
（ｃ）ヨウ化物、ヨウ素、Ｉ2・マロンアミド3、及び三ヨウ化物からなる群から選択される第二の金属研磨速度調整剤、
及び
（ｄ）液体キャリア
を含む、化学機械研磨組成物。
【請求項３】
（ａ）砥材、
（ｂ）キノン部分を含む有機酸化剤である第一の金属研磨速度調整剤、
（ｃ）該第一の調整剤の濃度よりも低い濃度で存在する酸化剤である第二の金属研磨速度調整剤、
及び
（ｄ）液体キャリア
を含む、化学機械研磨組成物。
【請求項４】
該第一の調整剤が１つ以上の官能基を有するアントラキノンである請求項１〜３のいずれか一項の化学機械研磨組成物。
【請求項５】
アントラキノンが、９，１０−アントラキノン−１，８−ジスルホン酸、９，１０−アントラキノン−１，５−ジスルホン酸、９，１０−アントラキノン−２，６−ジスルホン酸、及びそれらの塩からなる群から選択される請求項４の化学機械研磨組成物。
【請求項６】
該第二の調整剤が有機物の調整剤である請求項１または３の化学機械研磨組成物。
【請求項７】
該第二の調整剤がジヒドロキシベンゾキノン、ナフトキノン、クロラニル酸、及びジクロロインドフェノールからなる群から選択される請求項６の化学機械研磨組成物。
【請求項８】
該第二の調整剤がｎ−メチルモルホリン−Ｎ−オキシドとｔ−ブチルペルオキシドからなる群から選択される請求項６の化学機械研磨組成物。
【請求項９】
該第二の調整剤が無機物の調整剤である請求項１または３の化学機械研磨組成物。
【請求項１０】
該第二の調整剤が過酸化水素、ヨウ素酸塩、過硫酸塩、過マンガン酸塩、Ｉ2、鉄（III ）の無機塩、鉄（III ）の有機塩、及び過酸化モノ硫酸カリウムからなる群から選択される請求項９の化学機械研磨組成物。
【請求項１１】
該第二の調整剤が過塩素酸塩、臭素酸塩、及び硫酸セリウム（IV）からなる群から選択される請求項９の化学機械研磨組成物。
【請求項１２】
塩化物と臭化物からなる群から選ばれるハロゲン化物をさらに含む請求項１または３の化学機械研磨組成物。
【請求項１３】
ヨウ化物をさらに含む請求項１または３の化学機械研磨組成物。
【請求項１４】
該第二の調整剤がＩ2・マロンアミド3である請求項２の化学機械研磨組成物。
【請求項１５】
該第二の調整剤がヨウ化物である請求項２の化学機械研磨組成物。
【請求項１６】
過酸化水素、ヨウ素酸塩、過硫酸塩、過マンガン酸塩、臭素酸塩、過酸化モノ硫酸カリウム、クロラニル酸、及びｎ−メチルモルホリン−Ｎ−オキシドからなる群から選択される酸化剤をさらに含む請求項２の化学機械研磨組成物。
【請求項１７】
該第一の調整剤の濃度が１〜６０ｍｍｏｌである請求項３の化学機械研磨組成物。
【請求項１８】
該第二の調整剤がジヒドロキシベンゾキノン、ナフトキノン、クロラニル酸、ジクロロインドフェノール、及びＩ2・マロンアミド3からなる群から選択される請求項３の化学機械研磨組成物。
【請求項１９】
（ａ）砥材、
（ｂ）１，２−ナフトキノン−４スルホン酸、アミノアントラキノンスルホン酸、又はハイドロキノンスルホン酸ではないことを条件するキノン部分を含む有機酸化剤である第一の酸化剤、
（ｃ）第一の酸化剤と同じでなく、ヨウ素酸カリウム、又は硝酸ではないことを条件とする第二の酸化剤、
及び
（ｄ）液体キャリア
を含む、化学機械研磨組成物。
【請求項２０】
（ｉ）少なくとも２つの金属を有する基材を用意すること、
（ii）請求項１〜１９のいずれか一項の化学機械研磨組成物を用意すること、
（iii ）研磨パッドと該研磨組成物を該基材に接触させること、
（iv）該研磨パッドと該研磨組成物に対して、該基材を動かすこと、
（ｖ）少なくとも該基材の一部を磨り減らして該基材を研磨すること、
を含む、化学機械研磨の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月24日(2010.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に分離領域を形成して前記基板に形成された素子を分離する方法であって、
第１のハードマスク層の開口部を介して第１のドーパントを注入することによって前記半導体基板の一部分に浅い注入領域を形成し、
前記半導体基板の前記一部分と前記第１のハードマスク層の上に第２のハードマスク層を形成し、
前記第２のハードマスク層をエッチングして前記第１のハードマスク層の前記側面に沿った側壁スペーサを形成し、各側壁スペーサが、前記半導体基板内の前記浅い注入領域の一部分に重なり、
前記側壁スペーサ間の前記半導体基板にエッチングして分離トレンチを形成することを含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、さらに、
前記半導体基板表面の上にエッチング停止層を形成し、
前記エッチング停止層の上に前記第１のハードマスク層を形成し、
前記第１のハードマスク層の上にフォトレジスト・マスク層を提供し、
前記フォトレジスト・マスク層をパターニングして前記フォトレジスト・マスク層に開口部を形成し、
前記フォトレジスト・マスク層の前記開口部を介して前記第１のハードマスク層をエッチングして前記第１のハードマスク層に前記開口部を形成する、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、さらに、前記分離トレンチの前記側壁と底壁に第２のドーパントを注入し、さらに、前記分離トレンチの前記側壁と底壁の上に等角絶縁層を形成する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月11日(2010.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
稠密化コア材料及び少なくとも１つの電磁導電性材料を含む電磁導電性物品であって、前記稠密化コア材料が不織布を含み、前記不織布が熱可塑性高分子材料を含み、前記稠密化コア材料がＲＦＩＤデバイスと近接して配置される、電磁導電性物品。
【請求項２】
前記不織布が、ポリエステル、ポリエチレンテレフタラート、ポリアルキレン、ポリアミド、ポリスチレン、及びポリアリールスルホンから選択される溶融加工が可能な高分子材料から作成される、請求項１に記載の物品。
【請求項３】
前記電磁導電性材料が、貴金属、非貴金属、貴金属でメッキされた貴金属又は非貴金属、非貴金属でメッキされた貴金属又は非貴金属、貴金属又は非貴金属でメッキされた非金属、導電性非金属、導電性ポリマー金、銀、白金、ニッケル、銅、スズ、アルミニウム、銀でメッキされた銅、ニッケル、アルミニウム、スズ、又は金、ニッケルでメッキされた銅又は銀、銀又はニッケルでメッキされたグラファイト、ガラス、セラミックス、プラスチック、エラストマー、又は雲母、カーボンブラック又はカーボンファイバー、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリサルファーニトリド（polysulfurnitride）、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（フェニレンスルフィド）又はポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、及びこれらの混合物から選択される１つ以上の材料を含む、請求項１に記載の物品。
【請求項４】
前記電磁導電性材料が銅及びニッケルを含む、請求項１に記載の物品。
【請求項５】
前記稠密化コア材料がカレンダー仕上げ又は加圧される、請求項１に記載の物品。
【請求項６】
前記物品の少なくとも１つの表面の少なくとも一部分に配置される接着剤の層を更に含み、前記接着剤がニッケルを含有する、請求項１に記載の物品。
【請求項７】
少なくとも１つの表面の少なくとも一部分が１つ以上の電磁導電性粒子材料でメッキされた、少なくとも１つの稠密化織物材料の層を含む、請求項１に記載の電磁導電性物品。
【請求項８】
少なくとも１つの電磁導電性材料でメッキされた織物を含み、その最小幅にわたって前記織物を切断する平面に沿って測定される前記織物の空気透過率が約０．５ｍ３／分以下である、請求項１に記載の電磁導電性材料。
【請求項９】
織物を稠密化する工程と、
１つ以上の電磁導電性材料で前記織物をメッキする工程と、を含み、
要すれば、前記稠密化する工程がカレンダー仕上げを含み、要すれば、前記電磁導電性材料が銅及びニッケルを含み、要すれば、ＲＦＩＤデバイスに近接して前記織物を配置する工程を更に含む、請求項１に記載の電磁誘電性物品の作成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月3日(2010.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を化学的機械的に研磨する方法、該方法は、
（ｉ）少なくとも１層の単結晶炭化ケイ素を含む基材と、
（ａ）液体キャリアー、
（ｂ）該液体キャリアー中に懸濁された研削剤、
該研削剤は、４０ｎｍ〜１３０ｎｍの平均粒径を有する実質的に球状の縮重合された
シリカ粒子である、および
（ｃ）過酸化水素、オキソン、硝酸アンモニウムセリウム、過ヨウ素酸塩、ヨウ素酸塩、過硫酸塩、およびそれらの混合物からなる群から選択された酸化剤、
を含む化学的機械的研磨組成物と、
を接触させること、そして、
（ｉｉ）該基材に対して、該研磨組成物を動かすこと、そして、
（ｉｉｉ）該基材の該炭化ケイ素の少なくとも一部分を摩耗させて、該基材を磨くこと、
を含んで成る。
【請求項２】
該研削剤が、該液体キャリアーおよび該液体キャリアーに溶解されまたは懸濁された全ての成分の重量に基づいて、５ｗｔ％〜４０ｗｔ％の量で存在する、請求項１の方法。
【請求項３】
該液体キャリアーが、水を含む、請求項１の方法。
【請求項４】
該酸化剤が、該液体キャリアーおよび該液体キャリアーに溶解されまたは懸濁された全ての成分の重量に基づいて、０.００１ｗｔ％〜２ｗｔ％の量で存在する、請求項１の方法。
【請求項５】
該液体キャリアーに溶解されまたは懸濁された全ての成分を有する、該液体キャリアーが、９以上のｐＨを有する、請求項１の方法。
【請求項６】
該液体キャリアーに溶解されまたは懸濁された全ての成分を有する、該液体キャリアーが、３以下のｐＨを有する、請求項１の方法。
【請求項７】
該炭化ケイ素が、２０ｎｍ/時間〜１８０ｎｍ/時間の速度で、該基材から除去される、請求項１の方法。
【請求項８】
該酸化剤が、過ヨウ素酸カリウム、ヨウ素酸カリウム、過硫酸アンモニウム、または過硫酸カリウムである、請求項１の方法。
【請求項９】
化学的機械的に基材を研磨する方法、該方法は、
（ｉ）少なくとも１層の単結晶炭化ケイ素を含む基材と、
（ａ）液体キャリアー、
（ｂ）該液体キャリアー中に懸濁された研削剤、
該研削剤は、アルミナであり、そして該液体キャリアーおよび該液体キャリアーに溶
解されまたは懸濁された全ての成分の重量に基づいて、３ｗｔ％以下の量で存在する、および、
（ｃ）酸化剤、
該酸化剤は、該液体キャリアーおよび該液体キャリアーに溶解されまたは懸濁された
全ての成分の重量に基づいて、０.００１ｗｔ％〜０.５ｗｔ％の量で存在し、そして
、過酸化水素、オキソン、硝酸アンモニウムセリウム、過ヨウ素酸塩、ヨウ素酸塩、
過硫酸塩、およびそれらの混合物からなる群から選択される、
を含む化学的機械的研磨組成物と、
を接触させること、そして、
（ｉｉ）該基材に対して、該研磨組成物を動かすこと、そして、
（ｉｉｉ）該基材の該炭化ケイ素の少なくとも一部分を摩耗させて、該基材を研磨すること、
を含んで成る。
【請求項１０】
該研削剤が、該液体キャリアーおよび該液体キャリアーに溶解されまたは懸濁された全ての成分の重量に基づいて、１ｗｔ％以下の量で存在する、請求項９の方法。
【請求項１１】
該研削剤が、１３０ｎｍ以下の平均粒径を有する粒子を含む、請求項９の方法。
【請求項１２】
該液体キャリアーが、水を含む、請求項９の方法。
【請求項１３】
該酸化剤が、該液体キャリアーおよび該液体キャリアーに溶解されまたは懸濁された全ての成分の重量に基づいて、０.００１ｗｔ％〜０.１ｗｔ％の量で存在する、請求項９の方法。
【請求項１４】
該液体キャリアーに溶解されまたは懸濁された全ての成分を有する、該液体キャリアーが、５以下のｐＨを有する、請求項９の方法。
【請求項１５】
該酸化剤が、過ヨウ素酸カリウム、ヨウ素酸カリウム、過硫酸アンモニウム、または過硫酸カリウムである、請求項９の方法。
【請求項１６】
該アルミナが、種結晶を用いたゲル法のαアルミナである、請求項９の方法。
【請求項１７】
該炭化ケイ素が、３０ｎｍ/時間〜１０００ｎｍ/時間の速度で、該基材から除去される、請求項９の方法。
【請求項１８】
基材を化学的機械的に研磨する方法、該方法は、
（ｉ）少なくとも１層の炭化ケイ素を含む基材と、
（ａ）液体キャリアー、
（ｂ）該液体キャリアー中に懸濁された研削剤、および、
（ｃ）酸化剤
該酸化剤は、該液体キャリアーおよび該液体キャリアーに溶解されまたは懸濁された
全ての成分の重量に基づいて、０.００１ｗｔ％〜０.０５ｗｔ％の量で存在し、そし
てオキソン、過硫酸カリウム、およびそれらの混合物からなる群から選択される、
を含む化学的機械的研磨組成物と、
を接触させること、そして、
（ｉｉ）該基材に対して、該研磨組成物を動かすこと、そして、
（ｉｉｉ）該基材の該炭化ケイ素の少なくとも一部分を摩耗させて、該基材を研磨すること、
を含んで成る。
【請求項１９】
該研削剤が、４０ｎｍ〜１３０ｎｍの平均粒径を有するアルミナまたは実質的に球状のシリカである、請求項１８の方法。
【請求項２０】
該炭化ケイ素が、単結晶炭化ケイ素である、請求項１８の方法。
【請求項２１】
該液体キャリアーが、水を含む、請求項１８の方法。
【請求項２２】
該液体キャリアーに溶解されまたは懸濁された全ての成分を有する、該液体キャリアーが、５以下のｐＨを有する、請求項１８の方法。
【請求項２３】
該酸化剤が、過硫酸カリウムである、請求項１８の方法。
【請求項２４】
該炭化ケイ素が、３０ｎｍ/時間〜１０００ｎｍ/時間の速度で、該基材から除去される、請求項１８の方法。