【事件の表示】
　平成　７年特許願第２９５５５０号「半導体レーザ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　５月２７日出願公開、特開平　９−１３９５４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年１１月１４日の出願であって、平成１４年９月３０日付け拒絶理由通知に対して平成１４年１１月１９日付けで手続補正書が提出され、次いで、平成１５年１０月１０日付けの最後の拒絶理由通知に対しては手続補正書の提出がなく、平成１６年１月８日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成１６年２月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月８日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年３月８日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
[補正却下の決定の結論]
　平成１６年３月８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
[理由]
（１）本件補正の内容
　本件補正は、請求項１を次のとおりに補正することを含むものである。
　
「【請求項１】  第一導電型のＧａＡｓ基板と、第二導電型のＧａＡｓキャップ層と、上記第一導電型のＧａＡｓ基板と第二導電型のＧａＡｓキャップ層との間に２つ以上の横モードが許容されるアレイ状に形成された複数のマルチモード活性領域と、この複数のマルチモード活性領域からレーザ光が出射されるように設けられた前端面及び後端面を有する半導体レーザ、
この半導体レーザの複数のマルチモード活性領域の一つから出射されたレーザ光の一部が他のマルチモード活性領域に入射されるように、上記後端面の後方に配置された反射ミラーを備え、隣接する二つの活性領域間の距離をＷ１とし、上記隣接する二つの活性領域の幅の和に上記Ｗ１を加えたものをＷ２とし、出射光の広がり角をθとするとき、上記半導体レーザの後端面と反射ミラーとの距離Ｌは、Ｗ１＜２Ｌ・ｔａｎθ＜ｗ２を満たすように設定されていることを特徴とする半導体レーザ装置。」
（２）本件補正の適否についての判断
　　本件補正は、活性領域が「２つ以上の横モードが許容されるマルチモード活性領域」であるとの事項を含んでいる。なお一般に、モードには、縦モードと呼ばれるものと横モードと呼ばれるものとが存在するが、請求項１の記載、意見書および審判請求書の主張から、前記「マルチモード」は、「横マルチモード」を表現するものとして認定した。
　そこで、これらの事項が、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書」という。）に記載した事項の範囲内のものであるか否かについて、以下に検討する。
　
　当初明細書には、「横マルチモード」に関連する記載はない。しかし請求人は、審判請求書において、段落【０００２】、【０００８】および【００１０】の記載を本件補正の根拠としているので、念のため、これらの記載について検討する。
「【０００２】  【従来の技術】
  図１０は、Ｍ．Ｓａｋａｍｏｔｏ  ｅｔ．ａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５２（２６）、２２２０（１９８８）で開示された従来のアレイ型半導体レーザ装置を示す斜視図であり、図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はアレイ状活性領域、３はｐ−ＧａＡｓキャップ層、４ａは前端面、４ｂは後端面である。」
「【０００８】
    【発明の実施の形態】
実施の形態１．
  図１は、この発明の実施の形態１によるアレイ型半導体レーザ装置を示す斜視図、図２は、この発明の実施の形態１によるアレイ型半導体レーザ装置の動作を具体的に説明するための上面図である。図において、１〜４ｂは従来装置と同じものであり、その説明を省略する。５は反射ミラーである。」
「【００１０】光がストライプ内に良く閉じ込められているとすると、
　ｗ0 ＝（ｗ2 −ｗ1 ）／４　　　　　　・・・・（３）
と近似できる。よって、ｗ1 、ｗ2 、Ｌ＞０であるため、ｔａｎ［４λ／π（ｗ2 −ｗ1 ］＞０であることを考慮すると、半導体レーザ後端面４ｂと反射ミラー５の距離Ｌは、
　ｗ1 ／ｔａｎ［４λ／π（ｗ2 −ｗ1 ）］＜Ｌ＜ｗ2 ／ｔａｎ［４λ／
　π（ｗ2 −ｗ1 ）］　　　　　　　　　・・・・（４）
となる。
  ストライプ幅と非注入領域幅が等しい場合（ｗ2 ＝３ｗ1 ）には、
　ｗ1 ／ｔａｎ［２λ／πｗ1 ］＜Ｌ＜３ｗ1 ／ｔａｎ［２λ／πｗ1 ］
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・・（５）
となる。
  更に、スポットサイズが大きい時は
　πｗ1 2 ／２λ＜Ｌ＜３πｗ1 2 ／２λ  ・・・（６）
の範囲にＬを設定すれば良い。
  一例として、ｗ1 ＝１０μｍのときは、（λ＝０．８１μｍ）
　１９４μｍ＜Ｌ＜５８２μｍ
となる。
  反射ミラー５を設けることによって、反射ミラー５で反射される光によって、各アレイ状活性領域２が光学的に同期する。」
　
　段落【０００２】、段落【０００８】の記載をあわせ読めば、図１および図２における符号「１」、「２」、「３」、「４ａ」、「４ｂ」がそれぞれ、ｎ−ＧａＡｓ基板、アレイ状活性領域、ｐ−ＧａＡｓキャップ層、前端面、後端面を示すものであることは理解できる。しかし、これらの記載からは、活性領域が「２つ以上の横モードが許容されるマルチモード活性領域」であるとの技術的事項は読み取れない。よって、段落【０００２】および【０００８】の記載からは、上記本件補正を導き出すことはできない。
　また、段落【００１０】には、本願発明の一例として、活性領域のストライプ幅を１０μｍとしたものが記載されている。しかし、この記載は、ストライプ幅が１０μｍ未満のものが本願発明から除外される根拠とはなり得ないし、ましてやこの記載から、活性領域が「２つ以上の横モードが許容されるマルチモード活性領域」であるとの技術的事項は到底読み取れない。
　
　したがって、本件補正に含まれる、活性領域が「２つ以上の横モードが許容されるマルチモード活性領域」であるとの技術的事項は、当初明細書に記載した範囲内のものではない。
　
　上述のとおり、本件補正が当初明細書に記載した範囲内のものではないことは明らかであり、この判断は、請求人の下記（Ａ）、（Ｂ）の主張によって影響を受けるものではないが、念のため、請求人が平成１５年１１月２５日付け意見書および審判請求書において行った主張について、以下に検討する。
　
（Ａ）平成１５年１１月２５日付け意見書による請求人の主張
　請求人は、平成１５年１１月２５日付け意見書において、下記のとおり主張している。
　
「すなわち、出願当初明細書の段落番号〔０００２〕の２〜５行目に『図１０は、Ｍ．Ｓａｋａｍｏｔｏ　ｅｔ．ａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５２（２６），２２２０（１９８８）で開示された従来のアレイ型半導体レーザ装置を示す斜視図であり、図において、１はｎ−ＧｎＡｓ基板、２はアレイ状活性領域、３はｐ−ＧｎＡｓキャップ層、４ａは前端面、４ｂは後端面である。』と記載されているように、従来技術は、参考文献１そのものであります。この参考文献１には、Ｆｉｇ．１に記載されているように、活性領域の幅は、１００μｍ（本文中では100μm of the facet lengthと記載）であり、これは横マルチモードを示唆しております。因みに、この参考文献１に引用されている参考文献２は、同じ著者群により書かれたものですが、この参考文献２の活性領域の幅は、参考文献１と同様に１００μｍであり、この参考文献２にはマルチモード（文脈から横マルチモード）であることが記載されています。
　このことから、従来技術は、横マルチモードの活性領域を有する半導体レーザの例について述べたものと理解されます。
　また、出願当初明細書の実施の形態１の段落番号〔０００８〕の５〜６行目には『図において、１〜４ｂは従来装置と同じものであり、その説明を省略する。』との記載があり、これは、本願発明は、反射ミラー以外の構成が従来技術と同じであることを示しています。すなわち、本願発明は、従来技術を元にして改良を加え、反射ミラーを設けたもので、この改良により横マルチモードの半導体レーザについて各アレイ部の発振波長を同期させるようにしたものです。
　このように、本願発明は、従来技術で述べた横マルチモードの半導体レーザでは、各アレイ部の発振波長が、各アレイの部分で異なり、全体として波長が広がってしまうのを防ぐために、改良を加え、各アレイ部の発振波長を同期させた横マルチモードの半導体レーザとしたものです。
　したがって、本願発明は、参考文献に基づき横マルチモードである従来技術を元にして発明された横マルチモードの半導体レーザについてのものであることは、明白であります。」
　
　そこで、出願人が参考文献１として提示する「Ｍ．Ｓａｋａｍｏｔｏ　ｅｔ．ａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５２（２６），２２２０（１９８８）」（以下「参考文献１」という。）について検討するに、当初明細書において、参考文献１は、発振波長が同期せずに全体として広がってしまうという問題を有する本願図１０に示される構造が引用されているにすぎず、活性領域のストライプ幅や横モードの状態についての引用がされているものではない。しかも、参考文献１には、横モードに関する記載はない。また、段落【０００８】で「１〜４ｂは従来装置と同じものであり」と記載されているものの、参考文献１では、ストライプ幅が１００μｍであるのに対して、当初明細書の段落【００１０】ではストライプ幅は１０μｍのものが例示されており、そのストライプ幅は相互に異なっている。したがって、本願発明を認定するにあたり、参考文献１のストライプ幅に関する記載を参酌することは到底できず、ましてや、参考文献１を参酌することにより、当初明細書に活性領域が「２つ以上の横モードが許容されるマルチモード活性領域」であるとの技術的事項が記載されていたものと認めることはできない。
　また、請求人が参考文献２として提示する「Ｍ．Ｓａｋａｍｏｔｏ　ｅｔ　ａｌ．Ｏｐｔｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　１３（５），３７８（１９８８）」（以下「参考文献２」という。）について検討するに、前記参考文献２は、当初明細書に記載されていない。しかも、参考文献１に記載の素子構造と、参考文献２に記載の素子構造が完全に同一であるという証拠もない。
　したがって、上記主張は採用するに足りないものである。
　
（Ｂ）審判請求書の主張
　請求人は、審判請求書において、下記のとおり主張している。
　
「平成１４年１１月１９日付け意見書及び平成１５年１１月２５日付け意見書で述べたように、本願発明は、横マルチモードの活性領域を有するものであり、これを補充する資料として、参考文献Ａを添付します。
 この参考文献Ａによると、図１８−１０（ｂ）のストライプ幅が２μｍ以下のものは、単一モードを示す単峰のビームプロファイルであり、図１８−１０（ａ）のストライプ幅１３μｍは、マルチモードを示す多峰のビームプロファイルが示されています。
　また、同参考文献Ａの１８．２．２〔３〕発振モードの説明では、「横モード不安定性を制御するためにストライプ幅をキャリアの拡散長（数μｍ）以下とするとともに接合面に平行な方向にも屈折率ステップを形成するべく種々のストライプ構造が開発されています。図１８・９のＢＨ構造はその典型であり、活性層の周囲全体を低屈折率のＡｌＧａＡｓで埋め込んでいるため、図１８・１０（ｂ）のビームプロファイル（遠視野パターン）のように横モードは２０ｍＷまで非常に安定している。」との記載があり、この横モード不安定性は、すなわち、横マルチモード発振を示しており、ストライプ幅を数μｍ以下とすることによって図１８・１０（ｂ）の単峰のビームプロファイルが得られるとしています。
　このことから、平成１４年１１月１９日付け意見書で述べた活性領域幅１０μｍ及び平成１５年１１月２５日付け意見書で述べた参考文献Ａの活性領域幅１００μｍは、キャリアの拡散長（数μｍ）以下の条件を満足せず、したがって、図１８−１０（ａ）のような横マルチモードであることは明白です。」
　
　しかし、請求人が参考文献Ａとして提示する「レーザーハンドブック」第１版、レーザー学会編、株式会社オーム社（１９８２）（以下、「参考文献Ａ」という。）の１８．２．２［３］には、（ａ）酸化膜ストライプレーザにおいてストライプ幅が１３μｍである例では、レーザー出力が数ｍＷ以上になると横モードの不安定性を原因とする”kink”が現れること、（ｂ）横モードの不安定性を抑制するためにストライプ幅をキャリアの拡散長（数μｍ）以下とするとともに接合面に平行な方向にも屈折率ステップを形成するという技術思想が存在すること、（ｃ）ＢＨレーザにおいてストライプ幅が２μｍ以下である例では、２０ｍＷまで横モードが安定していたことが記載されるだけであって、参考文献Ａは、ストライプ幅が１０μｍ以上であれば必然的に横モードがマルチモードになることを記載するものではない。そもそも、横モードが単一モードとなるかマルチモードとなるかがストライプ幅のみに依存するものでないことは、当業者にとって技術常識であり、ストライプ幅が１０μｍ以上であっても、横モードが単一モードとなる場合があることは周知である（例えば、特開平７−２９７４９８号公報ではストライプ幅が１００〜２５０μｍ、特開平６−１９６８２０号公報ではストライプ幅が１０μｍ、特開平０３−７６２８７号公報ではストライプ幅が１５０μｍ、特開平５−１４５１８０号公報ではストライプ幅が３０μｍであるが、いずれも横モードは単一モードとなっている。）。
　したがって、上記主張は採用するに足りないものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願明細書について
　
（１）本願明細書
　平成１６年３月８日付け手続補正は上記のとおり却下された。したがって、本願明細書は、平成１４年１１月１９日付け手続補正（以下、「手続補正１」という。）により補正されたものとなるが、その補正後の特許請求の範囲の請求項１は次のとおりである。
　
「 【請求項１】  第一導電型のＧａＡｓ基板と、第二導電型のＧａＡｓキャップ層と、上記第一導電型のＧａＡｓ基板と第二導電型のＧａＡｓキャップ層との間に２つ以上の横モードが許容されるアレイ状に形成された複数のマルチモード活性領域と、この複数のマルチモード活性領域からレーザ光が出射されるように設けられた前端面及び後端面を有する半導体レーザ、この半導体レーザの複数のマルチモード活性領域の一つから出射されたレーザ光の一部が他のマルチモード活性領域に入射されるように、上記後端面の後方に配置された反射ミラーを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。」
　
（２）原査定の拒絶の理由の概要
　平成１５年１０月１０日付けで通知された原査定の拒絶の理由は、本願明細書についてした手続補正１が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないとするものであり、次のとおりの指摘をしたものである。
「本願の出願当初明細書には、縦多モード発振については記載されている（第１１段落参照。）ものの、横多モード発振については何ら記載がなく、段落１０の記載も単にストライプの幅を規定しているにすぎず、横モードと関係する形でこの幅の記載がなされているとは認められない。したがって、横多モード発振についての記載を請求項１に加えている平成１４年１１月１９日付けの手続補正書による補正は新規事項を追加するものである。」
　
（３）判断
　当初明細書に、「２つ以上の横モードが許容されるマルチモード活性領域」との技術的事項が記載されていたかどうかについて検討するに、該事項は当初明細書に記載がなく、またそれを示唆する記載もないことは、上記　２．（２）で検討したとおりである。
　したがって、上記「２つ以上の横モードが許容されるマルチモード活性領域」との技術的事項は、当初明細書に記載した事項の範囲内のものではない。
　
（４）むすび
　以上のとおり、平成１４年１１月１９日付けで明細書についてした補正が、当初明細書に記載された事項の範囲内のものとはいえず、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないから、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。