【事件の表示】
　平成　６年特許願第２１５９５９号「光記録媒体及びその作製方法並びにその記録方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　３月２６日出願公開、特開平　８−　８３４４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成６年９月９日の出願であって、その請求項１〜１５に係る発明は、平成１３年８月９日付け及び平成１４年８月７日付けの手続補正で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載されたとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　【請求項１１】「ガラス原盤上にフォトレジストを塗布して熱処理する工程と、記録情報に応じて強度変調されたレーザにて前記フォトレジスト面を露光するカッティング工程と、カッティング後に現像液で現像する工程と、現像後に前記フォトレジスト面側からＣＦ4ガスとＮｅガスの混合ガスあるいはＣＦ4ガスとＡｒガスの混合ガスを用いてプラズマイオンエッチングにより前記現像によって露出したガラス原盤部分の面を粗らす工程と、プラズマイオンエッチング後に前記ガラス原盤上に形成されたフォトレジストを全て除去する工程と、フォトレジスト除去後に前記ガラス原盤上に電鋳を行ってスタンパを形成する工程と、前記スタンパをガラス原盤から剥離する工程と、前記スタンパを用いて記録情報に対応して面粗さの異なる部分が形成された基板を成形する工程と、前記基板上に記録膜である磁性膜を成膜する工程とから構成されることを特徴とする光記録媒体の作製方法。」
　
ＩＩ．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前の刊行物である特開平５−２６６５２３号公報（以下、「引用例」という。）、及び周知例として提示する特開平１−２０５７４４号公報、特開昭６４−８６３４４号公報には、次のように記載されている。
　引用例には、図面とともに、
　（1-i）「【請求項１】情報を表す凹凸が形成された表面を有する基体と、
前記
基体上に形成された磁性材料からなる記録層
基体表面の凹凸が前記記録層内の保磁力の場所による違いに反映さており、それにより、前記情報が前記記録層内の保磁力の場所による違いとして記録されている前記記録層
光磁気記録媒体
　【請求項２】請求項１記載の媒体において、
前記
基体の表面はマークの領域とマーク外の領域とから構成され、前記マーク領域は微小凹凸の集まりであり、前記マーク外領域は平滑面であり、それにより、前記記録層の前記マーク領域上の部分は、前記マーク外領域上の部分に比較して、より大きい保磁力を有する
　（1-ii）「【０００４】【発明が解決しようとする課題】上記の熱磁気超解像法によれば、ビームスポットの大きさを決める光の波長や集光レンズの開口数を変えずに、これまでの限界を上回る記録密度での記録・再生が可能である。しかし、この技術が適用可能な範囲は、記録・再生の両方が可能な光磁気記録媒体に限られている。つまり、再生専用の光磁気記録媒体にはこの超解像法が適用できない。
【０００５】
再生専用の光学式情報記録媒体の製造は、通常、凹凸により情報を記録した原盤を用い、その凹凸をプラスチック基板に転写するという方式で行われ、これは大量生産に非常に適している
【０００６】従って、本発明の目的は、超解像法によって記録密度を高めることのできる再生専用の光磁気記録媒体を提供すること、及び、そのような光磁気記録媒体からの記録情報の再生に適した超解像法を提供することにある。」（段落【０００４】〜【０００６】参照）こと、
　（1-iii）「【０００７】【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体は、情報を表す凹凸が形成された表面を有する基体を備える。この基体上に磁性材料からなる記録層が形成される。そして、基体表面の凹凸が記録層内の保磁力の場所による違いに反映される。つまり、
この媒体では、情報が記録層内の保磁力の違いとして記録されている
【０００８】好適な実施例では、基体は透明基板と第１の誘電体層とから構成され、その上に記録層が形成されている。さらにその上には、第２の誘電体層と反射層が順に形成されている。透明基板の表面には微小凹凸の集合であるマーク、又は他の表面領域から陥没したピットが形成されており、それらマーク又はピットにより情報が表されている。
基板表面のマーク又はピットは、その上の第１誘電体層の表面形状に継承されている。そして、第１誘電体層の表面形状は、その上の記録層の保磁力の変化に反映されており、例えば、記録層のうち、マーク又はピット上に位置する部分は保磁力が比較的大きく、他の部分は保磁力が比較的小さくなっている
【０００９】【作用】本発明の媒体の製造に際しては、原盤の凹凸を型押しにより基板に転写するという方法を用いることができるので、本発明の媒体は大量生産が容易であり、再生専用の媒体として好適である。
【００１０】本発明の媒体では、記録層の保磁力の違いを利用して、記録層を場所により異なる方向に磁化することができる。つまり、基体の凹凸情報を記録層に磁化方向情報として転写できる。このように情報が記録層の磁化方向として表されると、この情報は超解像法を用いて再生することが可能である。」（段落【０００７】〜【００１０】参照）こと、
　（1-iv）「【００１１】【実施例】図１は、本発明の光磁気記録媒体の一実施例の断面構造を示す。
【００１２】図１において、
透明基板２の表面に、第１誘電体層４、記録層６、第２誘電体層８および反射層１０が順に積層されている
基板２はポリカーボネート（ＰＣ）基板
種々の希土類−遷移金属合金が使用できる
【００１３】この光磁気記録媒体では、ＰＣ基板２の表面に情報が凹凸として記録されている。すなわち、図２（Ａ）はＰＣ基板２の表面の状態を示すものであるが、同図においてハッチングの領域２０が記録マークであり、
この記録マーク２０は図２（Ｂ）のＡ−Ａ´断面図に示すように微小な凹凸の集まりから形成されている
記録マーク２０以外の部分は平滑な面から構成されている
このようなＰＣ基板２の作成は、
再生専用の媒体の生産に多用されている大量生産に適した方式を用いて行うことができる
【００１４】このようなＰＣ基板２の上に第１誘電体層４、記録層６、第２誘電体層８および反射層１０が順に積層形成することによって光磁気記録媒体が製造されるのであるが、その具体的手順は例えば次の通りである。
【００１５】（１）まず、上記のような型押しにより記録マーク２０が形成されたＰＣ基板２を用意し、その表面にＲＦスパッタリング法によりＳｉＮ層（第１誘電体層）４を蒸着させる。このときのスパッタ条件としては、完成したＳｉＮ層４の表面状態が下地のＰＣ基板２の表面状態を反映して、記録マーク２０の領域は微小凹凸の集まりとなり、それ以外の領域は平滑面となるような条件が選ばれる。
【００１６】（２）次に、ＳｉＮ層４上に、直流スパッタリング法によりＮｄＤｙＦｅＣｏ層（記録層）６を蒸着させる。
このとき、下地のＳｉＮ層４の表面状態の相違、つまり微小凹凸表面か平滑表面かによって、ＮｄＤｙＦｅＣｏ層６の成長様式が後述するように相違する。このときのスパッタ条件としては、その成長様式の相違が顕著に生じるような条件が選ばれる
【００１７】（３）次に、ＮｄＤｙＦｅＣｏ層６上に、ＲＦスパッタリング法によりＳｉＮ層（第２誘電体層）８を蒸着させる。このときのスパッタ条件は、公知の光磁気記録媒体の第２誘電体層の形成に使用されている条件と同じでよい。
【００１８】（４）最後に、直流スパッタリング法によりＡｌ層（反射層）１０を形成する。このときのスパッタ条件も、公知の光磁気記録媒体の反射層の形成に使用されている条件と同じでよい。
【００１９】このような製法を用いることにより、
記録層６のうち、基板２の記録マーク２０に対応する部分（以下、マーク部という）は、それ以外の部分（以下、非マーク部という）に比較して、磁壁エネルギーのゆらぎが大きく形成される。その結果、マーク部は、非マーク部に比較して、磁壁が移動しにくい性質をもつ、つまり、保磁力が大きい
【００２０】その理由は、次のように推測される。
【００２１】上述のように、記録マーク２０を有する基板表面上に形成された第１誘電体層４の表面は、図３（Ａ）に示すように、
記録マーク２０に対応する領域Ｓ１は微小な凹凸の集まりとなり、それ以外の領域Ｓ２は平坦面となる
【００２２】このような表面Ｓ１，Ｓ２上にＮｄＤｙＦｅＣｏのような
希土類−遷移金属合金の記録層６をスパッタ形成すると、凹凸表面Ｓ１上と平滑表面Ｓ２上とでは図３（Ｂ）に示すように結晶粒（結晶核）の成長様式が異なってくる
【００２３】すなわち、凹凸表面Ｓ１上では、結晶粒は基板面に対して一様に垂直な方向には成長せず、表面の凹凸の斜度に応じた方向に各結晶粒が成長する。この成長の過程で結晶粒の成長方向が互いに衝突する結果、結晶粒の大きさが制限され、ランダムな成長方向をもった微小な結晶粒の集まりとして記録層６（マーク部）が形成される。
【００２４】一方、平滑表面Ｓ２上では、その結晶粒は基板面に対して一様に垂直な方向に成長し、垂直な成長方向をもった比較的大きな結晶粒の集まりとして記録層６（非マーク部）が形成される。
【００２５】ところで、
記録層６たる希土類−遷移金属合金の薄膜は、大きな垂直磁気異方性をもつ
成長方向の分布（ゆらぎ）が大きければ、垂直磁気異方性エネルギーにも大きなゆらぎが生じる。磁壁エネルギーは垂直磁気異方性エネルギーの２分に１乗に比例するので、垂直磁気異方性エネルギーのゆらぎは磁壁エネルギーのゆらぎに反映される
【００２６】したがって、図４に示すように、成長方向のゆらぎの大きいマーク部は磁壁エネルギーのゆらぎが大きく、成長方向のゆらぎの小さい非マーク部は磁壁エネルギーのゆらぎが小さい。
【００２７】このような磁壁エネルギーのゆらぎの相違は、マーク部と非マーク部の保磁力に相違を生じさせる。すなわち、
磁壁エネルギーのゆらぎが大きいマーク部では、一旦磁区が形成されると、その磁壁が移動するためには、磁壁エネルギーのゆらぎの高い山（図４参照）を越えていかなくてはならない。そのため、マーク部は、磁壁エネルギーのゆらぎが小さい非マーク部に比較して、磁壁が移動にくい、つまり、磁区の変形や消滅が起きにくい。換言すれば、マーク部は非マーク部よりも保磁力が大きい
【００２８】この保磁力の相違を利用して、マーク部と非マーク部とを逆方向に磁化することが可能である。つまり、基板２に記録されている凹凸の情報を、記録層６に磁化方向の情報として転写することができる。そして、
カー効果を利用した光磁気的方法によって、磁化方向情報を再生する
　
　これらの記載からみて、また、記録層は、その材質に希土類−遷移金属合金などが用いられ、垂直磁気異方性を有し、カー効果を利用した光磁気的方法により再生されることから、磁性膜と認められることを勘案して、
　引用例には、保磁力の大小の関係を記録層に有し、超解像法によって記録密度を高めることができる再生専用の光磁気記録媒体の製造方法において、
　「情報を凹凸で記録した原盤を用いその凹凸をプラスチック基板に転写するという再生専用の媒体の生産に多用されている大量生産に適した方式を用い、保磁力が比較的大きい微小凹凸の集合であるマーク部に対応する微小凹凸の集まりであるマーク領域と、保磁力の比較的小さい平滑面の非マーク部に対応する平滑面であるマーク外領域とを形成した基板を形成する工程と、前記基板上に第１誘電体層、記録層（磁性膜）、第２誘電体層、および反射層を順に成膜する工程とから構成される光磁気記録媒体の製造方法。」
の発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　特開平１−２０５７４４号公報には、
　「従来の技術
　一般に、光ディスク、
光磁気ディスク
スタンパ複製用原盤に
電鋳処理等を行なって、スタンパを作成し
このスタンパより圧縮成形、射出成形、２Ｐ（photo　polymarization）法等により所定パターンの溝を有するプラスチックのディスクが作成され、これに記録膜や保護膜を付けて形成されている
　この種の円盤状情報記録担体のスタンパを作成するためのスタンパ複製用原盤は、従来、石英原盤が用いられていた。また、その製造方法は第２図に示すように
高精度に研磨された石英基盤５の表面上にフォトレジスト６を均一に塗布し
このフォトレジスト６上から所定のパターンとなるようレーザ光７を照射し
現像処理を行ない
ＣＦ
４
などのガスプラズマ８中でドライエッチングを行ない
ピットを形成した後
残存するフォトレジスト６を
除去して作成されていた
　発明が解決しようとする課題
　しかるに、従来の石英基盤を用いたスタンパ複製用原盤を電子顕微鏡で観察すると、
エッチングされた溝の底面に面荒れが生じている
　
　特開昭６４−８６３４４号公報には、
　「このドライエッチング技術を利用して石英基盤上にガイド溝又はピットを形成する従来例を第２図によって説明する。これは、高精度に研磨された石英基盤１の表面にフォトレジスト２を均一に塗布し、このフォトレジスト２上に第２図（Ａ）で示すようにレーザ光によってガイド溝（又はピット）３を形成する。次に、この石英基盤１にＣＦ４等のガスプラズマ４の雰囲気中でドライエッチングを行う。このガスプラズマ４は石英を高い選択性をもってエッチングし、フオトレジスト２が被覆された部分をエッチングしない。第２図（Ｂ）で示すようにエッチングが所定の深さまで進行した後は、残存するフォトレジスト２をＯ２でアッシングして除去し、第２図（Ｃ）で示す光ディスク基盤を得ていた。
［発明が解決しようとする課題］
　しかながら、従来方法で製造されたディスク基盤は、記録膜及び保護膜を付与して記録、再生を行ったところ、紫外線硬化樹脂基盤に比較してＳ／Ｎが悪かった。それは、光ディスク基盤のガイド溝３を電子顕微鏡で観察することによって判明したが、第２図（Ｃ）で示すように
ガイド溝３の底面３ａに面荒れ５が生じ
この面荒れ５を生ぜしめることなくエッチングを行なうことは不可能であった
　
ＩＩＩ．対比、判断
　そこで、本願発明と引用例発明とを対比する。
　（ａ）引用例発明の「情報を凹凸で記録した原盤を用いその凹凸をプラスチック基板に転写するという再生専用の媒体の生産に多用されている大量生産に適した方式を用い」は、転写用の原盤即ちスタンパを形成する工程を包含していることが明らかであるから、本願発明の「スタンパを形成する工程」に相当する。
　（ｂ）引用例発明の「保磁力が比較的大きい微小凹凸の集合であるマーク部に対応する微小凹凸の集まりであるマーク領域と、保磁力の比較的小さい平滑面の非マーク部に対応する平滑面であるマーク外領域とを形成した基板を形成する工程」は、マーク領域の微少凹凸の集まりとはその面が粗面であることを意味し、マーク外領域の平滑面とは面粗さが異なることが明らかであり、その基板の形成が前記（ａ）で検討の如くスタンパを利用しているものと認められることから、本願発明の「前記スタンパを用いて記録情報に対応して面粗さの異なる部分が形成された基板を成形する工程」に相当する。
　（ｃ）引用例発明の「前記基板上に第１誘電体層、記録層（磁性膜）、第２誘電体層、および反射層を順に成膜する工程」は、記録膜である磁性膜を成膜する工程に他ならず、また、本願発明でもその実施例において基板上に第１保護膜、記録膜、第２保護膜、反射膜を順に形成（本願明細書段落【００４１】〜【００４２】参照）していて実質的に同じであることを勘案すれば、本願発明の「前記基板上に記録膜である磁性膜を成膜する工程」に相当する。
　（ｄ）引用例発明の「光磁気録媒体の製造方法。」は、本願発明の光記録媒体も実質的には光磁気記録媒体に他ならないから、本願発明の「光記録媒体の作製方法。」に相当する。
　（ｅ）引用例発明が、保磁力の大小の関係を記録層に有し、超解像法によって記録密度を高めることができる再生専用の光（磁気）記録媒体の製造方法であるのに対し、本願発明もまた、同じ目的を有する光（磁気）記録媒体の製造方法である点で、軌を一にしている。
　
　してみると、両発明は、保磁力の大小の関係を記録層に有し、超解像法によって記録密度を高めることができる再生専用の光（磁気）記録媒体の製造方法であって、
　「スタンパを形成する工程と、前記スタンパを用いて記録情報に対応して面粗さの異なる部分が形成された基板を成形する工程と、前記基板上に記録膜である磁性膜を成膜する工程とから構成されることを特徴とする光記録媒体の作製方法。」
の発明で一致する。
　しかし、スタンパを形成する工程に関し、本願発明では「ガラス原盤上にフォトレジストを塗布して熱処理する工程と、記録情報に応じて強度変調されたレーザにて前記フォトレジスト面を露光するカッティング工程と、カッティング後に現像液で現像する工程と、現像後に前記フォトレジスト面側からＣＦ4ガスとＮｅガスの混合ガスあるいはＣＦ4ガスとＡｒガスの混合ガスを用いてプラズマイオンエッチングにより前記現像によって露出したガラス原盤部分の面を粗らす工程と、プラズマイオンエッチング後に前記ガラス原盤上に形成されたフォトレジストを全て除去する工程と、フォトレジスト除去後に前記ガラス原盤上に電鋳を行ってスタンパを形成する工程と、前記スタンパをガラス原盤から剥離する工程」と規定しているのに対し、引用例発明では、「情報を凹凸で記録した原盤を用いその凹凸をプラスチック基板に転写するという再生専用の媒体の生産に多用されている大量生産に適した方式を用い」とされているだけで、その具体的手段について明示されていない点で相違する。
　
　この相違について検討する。
　引用例発明では、スタンパを形成する工程に関して具体的な説明が欠けているものの、記録媒体の生産方式として「再生専用の媒体の生産に多用されている大量生産に適した方式を用い」ることが記載（摘示の段落【００１３】【０００５】参照）されていることから、スタンパを形成する工程も従来の大量生産に適した手段を用いることが示唆されているものと認められる。
　そして、従来の大量生産に適した手段としては、フォトレジストと電鋳処理を利用してスタンパを作成することが知られているから、そのような手段（乃至はそれを変形した手段）を引用例発明で採用することは当業者が容易に思い至ることと認められる。例えば、フォトレジストと電鋳処理を行ってスタンパを製造するためのスタンパ複製用原盤の製造手段として、「高精度に研磨された石英基盤の表面上にフォトレジストを均一に塗布し、このフォトレジスト上から所定のパターンとなるようレーザ光を照射して、現像処理を行ない、ＣＦ４などのガスプラズマ中でドライエッチングを行ない、ピットを形成した後、残存するフォトレジストを除去して作成されていた」ことも知られ（例えば、上記周知例として提示した刊行物特開平１−２０５７４４号公報参照）ていて、「ＣＦ４などのガスプラズマ中でドライエッチング」とは、不活性ガスを併用することも知られていることに鑑みれば、本願発明にいう「ＣＦ4ガスとＮｅガスの混合ガスあるいはＣＦ4ガスとＡｒガスの混合ガスを用いてプラズマイオンエッチング」することは単なる設計変更にすぎず、また、形成されたスタンパを石英基盤（ガラス基盤）から剥離することは当然のことである。更に、ＣＦ４等のガスプラズマの雰囲気中でドライエッチングすれば、そのエッチング箇所に面荒れが生じること、及びそれが避けられないことも普通に知られているのである（例えば、上記周知例として提示した刊行物特開平１−２０５７４４号公報、特開昭６４−８６３４４号公報参照）。
　なお、上記周知例として提示した刊行物では、プラズマエッチングで生じた面荒れによってＳ／Ｎが劣化することが言及されているけれども、従来（その面荒れの状態でも）使用されるのであるから、その言及は、何らの阻害事由といえるものではなく、むしろ、引用例発明では積極的に微小凹凸の集合、即ち面荒れを形成することが意図されているのであるから、面荒れを生じさせる手段として前記プラズマエッチングを採用する動機付けとなり得るものと言って過言ではない。
　そうであるから、引用例発明の「情報を凹凸で記録した原盤を用いその凹凸をプラスチック基板に転写するという再生専用の媒体の生産に多用されている大量生産のに適した方式を用い」る具体的手段として、「ガラス原盤上にフォトレジストを塗布して熱処理する工程と、記録情報に応じて強度変調されたレーザにて前記フォトレジスト面を露光するカッティング工程と、カッティング後に現像液で現像する工程と、現像後に前記フォトレジスト面側からＣＦ4ガスとＮｅガスの混合ガスあるいはＣＦ4ガスとＡｒガスの混合ガスを用いてプラズマイオンエッチングにより前記現像によって露出したガラス原盤部分の面を粗らす工程と、プラズマイオンエッチング後に前記ガラス原盤上に形成されたフォトレジストを全て除去する工程と、フォトレジスト除去後に前記ガラス原盤上に電鋳を行ってスタンパを形成する工程と、前記スタンパをガラス原盤から剥離する工程」とを採用し、その有効性を確認することは、当業者が容易に想い到り成し得たことにすぎない。そして、上記相違する手段を採用したことによって格別予想外の作用効果を奏しているとも認められない。
　よって、本願発明は、周知技術を勘案し引用例発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものといえる。
　
ＩＶ．むすび
　したがって、本願請求項１１にかかる発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　それ故、本願はその余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。