【事件の表示】
　平成　８年特許願第２６７２８６号「アクティブマトリックス型液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　４月２８日出願公開、特開平１０−１１１５１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　平成　８年１０月　８日　特許出願
　平成１４年　７月３１日　拒絶理由通知
　平成１４年１０月　４日　手続補正
　平成１５年　４月１０日　拒絶査定
　平成１５年　５月２２日　審判請求
　
２．本願の請求項に係る発明
　本願の請求項に係る発明は、平成１４年１０月４日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は下記のものである(以下、「本願発明」という。)。
　
　　　　　　　　　　　　　　　記
　
【請求項１】　対向する上部ガラス基板と下部ガラス基板との間に液晶を封入し、該液晶を局部的に配向させて文字や図形等を表示するアクティブマトリックス型液晶表示装置であって、
　前記下部ガラス基板の一面側に互いに交差するように格子状に布線された走査信号線及びデータ信号線と、
　前記走査信号線と前記データ信号線との交差点に対応づけて前記一面側にマトリックス状に形成された画素電極と、
　ソース及びドレインが前記データ信号線及び前記画素電極にそれぞれ電気的に接続されると共にゲートが前記走査信号線に電気的に接続された薄膜トランジスタとを備えて構成され、
　前記薄膜トランジスタは前記ドレインと電気的に接続された非透光性のドレイン電極を有し、該ドレイン電極は前記ドレインの全体を覆うと共に絶縁層を介して前記ゲートの上に延在するように該ゲートとの間に所定の重なりを設けて形成され、
　前記ゲートは、非透光性を有する導電性部材からなり、
　前記薄膜トランジスタは前記ソースと電気的に接続された非透光性のソース電極を有し、該ソース電極は前記ソースの全体を覆うと共に絶縁層を介して前記ゲートの上に延在するように該ゲートとの間に所定の重なりを設けて形成されたことを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置。
　
３．引用例の記載等
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−３０１２０号公報(以下、「引用例」という。)には、以下の記載がある。
　
(1)　「【請求項２】　マトリクス状に配置される複数本の信号線及び走査線と、
　これらの信号線及び走査線の各交点部分に配置され、絶縁基板上に形成され、チャネル領域、ソース領域、ドレイン領域からなる半導体薄膜と、この半導体薄膜のチャネル領域上に形成されるゲート電極膜と、上記半導体薄膜のソース領域上の一部に接触した状態で形成され、端部がソース領域の端部から少数キャリア拡散長分、チャネル領域上に延長して遮光するソース電極膜と、上記半導体薄膜のドレイン領域上の一部に接触した状態で形成され、端部がドレイン領域の端部から少数キャリア拡散長分、チャネル領域上に延長して遮光するドレイン電極膜と、少なくとも上記ゲート電極膜上に形成され、上記ゲート電極膜と上記ソース電極膜、上記ゲート電極膜とドレイン電極膜とを絶縁するゲート絶縁膜とからなる薄膜トランジスタと、
　この薄膜トランジスタにより作動される液晶と、
　を具備したことを特徴とする液晶表示装置。」
　
(2)　「【０００１】【産業上の利用分野】　この発明は、テレビやディスプレイに使用されるアクティブマトリクス型の液晶表示装置に用いられる薄膜トランジスタおよびそれを用いた液晶表示装置に関する。」
　
(3)　「【０００４】　一般に、薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置は、上側の対向基板と、下側の薄膜トランジスタ基板と、その間に封入された液晶とから構成されている。
　上記薄膜トランジスタ基板上にマトリクス状に配置された液晶駆動素子を外部選択回路により選択し、上記液晶駆動素子に接続された液晶駆動電極に電圧を印加することにより、任意の文字、図形、あるいは画像の表示を行うものである。
【０００５】　上記薄膜トランジスタ基板と液晶駆動素子の一般的な回路図を図２、図３に示す。
　図２は、薄膜トランジスタ基板（石英等の絶縁性透明基板；絶縁基板）１上の液晶駆動素子２、…のマトリクス状配置図である。薄膜トランジスタ基板１上には、表示領域１ａが設けられている。この表示領域１ａ内に、液晶駆動素子２、…がマトリクス状に配置されている。液晶駆動素子２、…には、データ信号ライン３、…とタイミング信号ライン４、…が接続されている。
【０００６】　各液晶駆動素子２、…は、それぞれ、図３に示すように、データ信号ライン３からのデータ信号とタイミング信号ライン４からのタイミング信号とに応じてオン−オフするスイッチング素子としての多結晶の薄膜トランジスタ５、薄膜トランジスタ５のオンに応じたデータ信号の保持用の補助容量として用いられるコンデンサ６、薄膜トランジスタ５のオンに応じて作動する液晶画素（画素電極）（自己容量を有する）７、…によって構成されている。
【０００７】　上記液晶画素７の自己容量のみでデータ信号の保持が可能な場合、コンデンサ６は省略するようにしても良い。
　上記したように、薄膜トランジスタ５は、液晶に印加する電圧のデータをスイッチングするために用いられ、このとき薄膜トランジスタ５に要求される特性は大きく次の２つに分割される。
【０００８】　（１）薄膜トランジスタ５をオン状態にしたとき、ある一定時間内でコンデンサ６を充電するために十分な電流を流すことができること。
　（２）薄膜トランジスタ５をオフ状態にしたとき、極力、電流が流れないこと。
【０００９】　（１）はコンデンサ６へのデータの書き込み特性に関するものである。液晶画素７の表示はコンデンサ６の電位により決定されるため、一つの薄膜トランジスタ５をオンする時間内でデータを完璧に書き込むことができるように、薄膜トランジスタ５は十分大きい電流を流すことができなくてはならない。
【００１０】　このときの電流（以下、オン電流という）は、コンデンサ６の容量と、書き込み時間とから定まり、そのオン電流をクリアできるように薄膜トランジスタ５を設計・製作しなくてはならない。薄膜トランジスタ５のオン電流は、トランジスタのサイズ（チャネル長とチャネル幅）、構造、製造プロセス、ゲート電圧、ドレイン電圧等に大きく依存する。
【００１１】　（２）は、コンデンサ６に書き込まれたデータの保持特性に関するものである。アクティブマトリクスの液晶パネルの場合、各液晶駆動素子２にデータをマトリクス状に順次書き込んで行くため、薄膜トランジスタ５がオフ状態である時間はオン状態である時間よりはるかに長く、その間データは保持されなくてはならない。
【００１２】　コンデンサ６の容量は通常１ｐＦ程度の小さな値であるため、薄膜トランジスタ５がオフ状態でわずかでも電流（以下オフリーク電流という）が流れるとドレインの電位つまり液晶画素７に印加されている電圧が急激にソースの電圧に近づき、書き込まれたデータが保持されなくなってしまう。したがって、オフ電流はできる限り小さくしなくてはならない。
【００１３】　以上述べた内容からわかるように、薄膜トランジスタ５のオフリーク電流を低減させることは重要な意義を有する。
　そのためにこれまで、オフリーク電流を低減するために特開昭６３−２０４７６９号公報（ＬＤＤ構造）、特開昭５８−１８００６３号公報（ゲートを共通にした複数トランジスタの直列接続）、などが提案されている。
【００１４】　ところが、薄膜トランジスタ５では光を照射するとキャリアが励起され、電流が流れることが分かっている（以下、光電流という）。
　この光電流はオン状態では電流量を増やす方向であり、またオン電流自体がもともと大きいため光電流が発生しても無視できるが、オフ状態では（２）の理由により無視できない。さらにこの光電流は光強度に比例し、光強度が大きいほど増加する。
【００１５】　一般に、液晶表示装置は光源からの透過光を利用しているため、現在では薄膜トランジスタ５に直接光があたらないように薄膜トランジスタ基板に対向するガラス基板に遮光層をマトリクス状に形成し（以下、ブラックマトリクスという）、このガラス基板側から光を照射している。
【００１６】　しかし、このブラックマトリクスは、薄膜トランジスタ５と対向するガラス基板上に有るため、薄膜トランジスタ基板と張り合わせるときのズレ及び光の回折等を考え、遮光面積が広くなるように設計するため、光の利用率が著しく下がる。このことは一つの画素面積が小さくなるほど大きく効き、高精細な液晶表示装置の製品化を妨げる一つの要因となっている。
【００１７】　上記理由により、ブラックマトリクスを薄膜トランジスタ５上に形成する開発が盛んに行われるようになった。
　ところが、遮光層を薄膜トランジスタ５上に形成するためには、層構造を増やさなければならず、技術的にもコスト的にも負担が増大し、実用に至ってはいない。
【００１８】　また、ソース電極またはドレイン電極のどちらか一方を延長し、遮光層とするものも提案されている（特開昭５９−２１０６４号公報）。
　したがって、光を効率良く遮光できるものが望まれている。
【００１９】【発明が解決しようとする課題】　上記のように、薄膜トランジスタでは、光を効率良く遮光できるものが望まれている。
　そのため、この発明では、新たに遮光膜層を設けることなく、光を効率良く遮光でき、光電流の発生を防止することができる薄膜トランジスタおよびそれを用いた液晶表示装置を提供することを目的とする。」
　
(4)　「【００２３】【実施例】　　以下、この発明の一実施例について図面を参照しながら説明する。
　なお、液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板上の回路構成は、上述した図２、図３と同じであるため、詳細な説明は省略する。
【００２４】　上記薄膜トランジスタ５は、図１、図４に示すように、活性層（半導体薄膜）１１、シリコン酸化膜１２、ゲート電極１３、層間絶縁膜１４、１５、ソース電極１６、ドレイン電極１７、および保護膜１８によって構成されている。
【００２５】　活性層１１は低温プラズマＣＶＤ法によって上記薄膜トランジスタ基板１上に形成された２００nmの膜厚の多結晶シリコンからなっている。そして、活性層１１はチャネル部（チャネル領域）１１ａと不純物が添加されて成るソース領域（ｎ+−ｐ−Ｓｉ）１１ｂ及びドレイン領域（ｎ+−ｐ−Ｓｉ）１１ｃから構成されている。
【００２６】　上記活性層１１のチャネル部１１ａ上にはゲート絶縁膜としてのシリコン酸化膜１２を介してＮ+ 多結晶シリコンから成るゲート電極（ゲート電極膜）１３が形成されている。このゲート電極１３は、タイミング信号ライン４と接続されている。
【００２７】　上記ゲート電極１３の上に、活性層１１のソース領域１１ｂ、ドレイン領域１１ｃをも覆うようにして酸化シリコンからなる層間絶縁膜１４が形成されている。
【００２８】　上記層間絶縁膜１４の上部には、アルミニュウムからなるソース電極（ソース電極膜）１６、ドレイン電極（ドレイン電極膜）１７が形成されている。ソース電極１６、ドレイン電極１７は、それぞれ層間絶縁膜１４に設けられているコンタクトホール１４ａ、１４ｂを介して活性層１１のソース領域１１ｂ、ドレイン領域１１ｃと導通するように設置されている。
【００２９】　さらに、その上に酸化シリコンからなる層間絶縁膜１５が形成されている。この層間絶縁膜１５の上部には、ＩＴＯ（インジウム、すず）からなる画素電極１９が形成されている。画素電極１９は層間絶縁膜１５のコンタクトホール１５ａを介してドレイン電極１７と導通するように設置されている。
【００３０】　ソース電極１６はデータ信号ライン３に接続され、ドレイン電極１７はデータ保持用のコンデンサ６の電極６ａと接続されている。コンデンサ６は、図４に示すように、電極６ａ、６ｂにより構成されている。
【００３１】　さらに、層間絶縁膜１５と画素電極１９との上部に窒化シリコンからなる保護膜１８が形成されている。
　ソース電極１６及びドレイン電極１７は、それぞれ、図１、図４に示すように、チャネル部１１ａの上部に２μｍ分内側まで（それぞれソース領域１１ｂの端部、ドレイン領域１１ｃの端部より少数キャリア拡散長だけ離れた領域まで）延長され、活性層１１のチャネル部１１ａの一部を遮光している。
【００３２】　次に、上記ソース電極１６の端部とドレイン電極１７の端部とを、それぞれ少数キャリア拡散長だけ離れた領域まで（２μｍ分）延長している理由について説明する。
【００３３】　すなわち、薄膜トランジスタ５においてゲート電圧ＶGSとして、負バイアスを印加したオフ状態では、チャネル部１１ａの表面に誘起されるＰ型層とソース領域１１ｂ、ドレイン領域１１ｃのＮ型層とでそれぞれのＰＮ接合が形成され、ソース・ゲート間は順バイアス、ゲート・ドレイン間は逆バイアスが印加されている。
【００３４】　このため、オフリーク電流はドレイン領域１１ｃ近傍のＰＮ接合を流れる電流に支配されている。薄膜トランジスタ５の基体である活性層１１の内部には多くのトラップが存在してＰＮ接合が不完全であるために、接合リーク電流が流れる。
【００３５】　ところで、薄膜トランジスタ５に光を照射した場合、光が照射された活性層１１の全ての部分でキャリアが発生し、拡散する。しかし、薄膜トランジスタ５がオフの場合、ドレイン領域１１ｃ近傍のＰＮ接合まで到達しないキャリアはオフリーク電流とはならずに消滅してしまう。
【００３６】　図５に示すように、ドレイン領域１１ｃの端部より少数キャリア拡散長Ｌだけ離れた領域までのみを遮光すれば、薄膜トランジスタ５のオフ領域での光電流の発生を抑えることができる。図５は図１の断面図から層間絶縁膜１５と画素電極１９とを除き、ソース電極１６の端部とドレイン電極１７の端部とを延長せずに、保護膜１８上に遮光層２１が形成されるようになっている。
【００３７】　このことを測定した実験結果が、図６(当審注：引用例では図６と図７を取り違えているので、以下、図面の「図６」を「図７」に置き換えて説示する。)である。図５に示した断面構造の薄膜トランジスタ５において、図中に示した遮光層２１が遮光する部分のドレイン領域１１ｃの端部からの距離Ｌを横軸に、薄膜トランジスタ５の上面から３０万ｌｘの照度の光を照射した場合の光電流を縦軸にとったグラフである。
【００３８】　このグラフよりドレイン領域１１ｃの端部を含み、ドレイン領域１１ｃの端部より約２μｍ離れたチャネル領域までを遮光すれば光電流の発生を抑えることができる。
【００３９】　この２μｍという長さは、この薄膜トランジスタ５の活性層１１のキャリア移動度をホール測定にて測定した値１５０cm2/v・secと、予想されるキャリアのライフタイム１０nsecから計算されるキャリアの拡散長にほぼ等しい。
【００４０】　このことは上述したように、オフ領域での光電流は光により発生した少数キャリアが拡散でドレイン領域１１ｃの端部のＰＮ接合まで到達して流れているものであるということを示している。
【００４１】　そして、光により発生した少数キャリアがドレイン領域１１ｃの端部のＰＮ接合まで到達しなければ光電流は発生しないので、チャネル部１１ａの上部であってもドレイン領域１１ｃの端部より少数キャリア拡散長より離れていれば遮光する必要はないことがわかる。
【００４２】　ところで、薄膜トランジスタ５を液晶表示装置の駆動素子に用いた場合、その駆動方法によりソース電極１６とドレイン電極１７が反転するために、上記効果を得るためにはドレイン領域１１ｃの端部近傍と、ソース領域１１ｂの端部近傍の両方を遮光する必要がある。
【００４３】　この遮光機能を従来例（特開昭５９−２１０６４号公報）のようにソース電極６もしくはドレイン電極７のどちらか一方に持たせた場合、活性層１１のソース領域１１ｂの端部もしくはドレイン領域１１ｃの端部から少数キャリア拡散長だけ離れた領域まで遮光する必要があり、１素子当たりの面積が広くなり開口率が問題となるアクティブマトリクス型の液晶表示装置に用いられるスイッチング素子に向いていない。
【００４４】　上記理由により、液晶表示装置において、光電流を抑えるためにソース電極１６とドレイン電極１７を利用するには双方をチャネル部１１ａの上部で、それぞれソース領域１１ｂの端部、ドレイン領域１１ｃの端部より少数キャリア拡散長だけ離れた領域まで延長し、遮光しなくてはならないことがわかる。」
　
(5)　「【００５０】【発明の効果】　以上詳述したように、この発明によれば、新たに遮光膜層を設けることなく、光を効率良く遮光でき、光電流の発生を防止することができる薄膜トランジスタおよびそれを用いた液晶表示装置を提供できる。」
(6)　摘記事項(3)(4)とともに、図１ないし図４からは、「下側の薄膜トランジスタ基板の一面側に互いに交差するように格子状に布線されたタイミング信号ライン４及びデータ信号ライン３と、前記タイミング信号ライン４と前記データ信号ライン３との交差点に対応づけて前記一面側にマトリックス状に形成された液晶画素７と、ソース領域１１ｂ及びドレイン領域１１ｃが前記データ信号ライン３及び前記液晶画素７にそれぞれ電気的に接続されるとともにゲート電極１３が前記タイミング信号ライン４に電気的に接続された薄膜トランジスタ５」が見てとれる。
(7)　摘記事項(4)とともに図１及び４からは、「ソース電極１６はソース領域１１ｂの全体を覆うように形成され、ドレイン電極１７はドレイン領域１１ｃの一部を覆うように形成され」ている構成が見てとれる。
　
　したがって、引用例には下記の発明が記載されている(以下、「引用発明」という。)。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　上側の対向基板と、下側の薄膜トランジスタ基板と、その間に封入された液晶とから構成され、薄膜トランジスタ基板上にマトリクス状に配置された液晶駆動素子を外部選択回路により選択し、上記液晶駆動素子に接続された液晶駆動電極に電圧を印加することにより、任意の文字、図形、あるいは画像の表示を行う薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置であって、
　前記下側の薄膜トランジスタ基板の一面側に互いに交差するように格子状に布線されたタイミング信号ライン４及びデータ信号ライン３と、
　前記タイミング信号ライン４と前記データ信号ライン３との交差点に対応づけて前記一面側にマトリックス状に形成された液晶画素７と、
　ソース領域１１ｂ及びドレイン領域１１ｃが前記データ信号ライン３及び前記液晶画素７にそれぞれ電気的に接続されるとともにゲート電極１３が前記タイミング信号ライン４に電気的に接続された薄膜トランジスタ５とを備えて構成され、
　前記ゲート電極１３はＮ+多結晶シリコンからなり、
　ゲート電極１３の上に、ソース領域１１ｂ、ドレイン領域１１ｃをも覆うようにして酸化シリコンからなる層間絶縁膜１４が形成され、
　層間絶縁膜１４の上部に、アルミニュウムからなるソース電極１６、ドレイン電極１７が形成され、
　ソース電極１６、ドレイン電極１７は、それぞれ活性層１１のソース領域１１ｂ、ドレイン領域１１ｃと導通するように設置され、
　ソース電極１６はソース領域１１ｂの全体を覆うように形成され、ドレイン電極１７はドレイン領域１１ｃの一部を覆うように形成され、
　ソース電極１６及びドレイン電極１７は、それぞれ、チャネル部１１ａの上部に２μｍ分内側まで（それぞれソース領域１１ｂの端部、ドレイン領域１１ｃの端部より少数キャリア拡散長だけ離れた領域まで）延長され、活性層１１のチャネル部１１ａの一部を遮光している、薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置。
　
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明を比較すると、以下のとおりである。
(1)　引用発明の「上側の対向基板」及び「下側の薄膜トランジスタ基板」と、本願発明の「上部ガラス基板」及び「下部ガラス基板」はともに、「上部基板」及び「下部基板」という点で対応する。また、引用発明において「上側の対向基板」と「下側の薄膜トランジスタ基板」が対向するものであることは、自明である。
(2)　引用発明は「薄膜トランジスタ基板上にマトリクス状に配置された液晶駆動素子を外部選択回路により選択し、上記液晶駆動素子に接続された液晶駆動電極に電圧を印加することにより、任意の文字、図形、あるいは画像の表示を行う」ものであるから、「液晶を局部的に配向させて文字や図形等を表示する」ものといえる。
(3)　引用発明の「液晶」「タイミング信号ライン４」「データ信号ライン３」「液晶画素７」「ソース領域１１ｂ」「ドレイン領域１１ｃ」「ゲート電極１３」「導通するように設置」「薄膜トランジスタ５」「ドレイン電極１７」「層間絶縁膜１４」「Ｎ+多結晶シリコン」「ソース電極１６」及び「薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置」は、それぞれ本願発明の「液晶」「走査信号線」「データ信号線」「画素電極」「ソース」「ドレイン」「ゲート」「電気的に接続」「薄膜トランジスタ」「ドレイン電極」「絶縁層」「導電性部材」「ソース電極」及び「アクティブマトリックス型液晶表示装置」に相当する。
(4)　引用発明は「ゲート電極１３の上に、ソース領域１１ｂ、ドレイン領域１１ｃをも覆うようにして酸化シリコンからなる層間絶縁膜１４が形成され、上記層間絶縁膜１４の上部に、アルミニュウムからなるソース電極１６、ドレイン電極１７が形成され、ソース電極１６、ドレイン電極１７は、それぞれ活性層１１のソース領域１１ｂ、ドレイン領域１１ｃと導通するように設置され、ソース電極１６はソース領域１１ｂの全体を覆うように形成され、ドレイン電極１７はドレイン領域１１ｃの一部を覆うように形成され、ソース電極１６及びドレイン電極１７は、それぞれ、チャネル部１１ａの上部に２μｍ分内側まで（それぞれソース領域１１ｂの端部、ドレイン領域１１ｃの端部より少数キャリア拡散長だけ離れた領域まで）延長され、活性層１１のチャネル部１１ａの一部を遮光している」構成を有するから、引用発明は「薄膜トランジスタ５はドレイン領域１１ｃと導通するように設置された非透光性のドレイン電極１７を有し、該ドレイン電極１７は前記ドレイン領域の一部を覆うと共に層間絶縁膜１４を介してゲート電極１３の上に延在するように該ゲート電極１３との間に所定の重なりを設けて形成され、」「薄膜トランジスタ５はソース領域１１ｂと導通するように設置された非透光性のソース電極１６を有し、該ソース電極１６は前記ソース領域１１ｂの全体を覆うと共に層間絶縁膜１４を介してゲート電極１３の上に延在するように該ゲート電極１３との間に所定の重なりを設けて形成された」構成を有するといえる。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「　対向する上部基板と下部基板との間に液晶を封入し、該液晶を局部的に配向させて文字や図形等を表示するアクティブマトリックス型液晶表示装置であって、
　前記下部基板の一面側に互いに交差するように格子状に布線された走査信号線及びデータ信号線と、
　前記走査信号線と前記データ信号線との交差点に対応づけて前記一面側にマトリックス状に形成された画素電極と、
　ソース及びドレインが前記データ信号線及び前記画素電極にそれぞれ電気的に接続されると共にゲートが前記走査信号線に電気的に接続された薄膜トランジスタとを備えて構成され、
　前記薄膜トランジスタは前記ドレインと電気的に接続された非透光性のドレイン電極を有し、該ドレイン電極は前記ドレインを覆うと共に絶縁層を介して前記ゲートの上に延在するように該ゲートとの間に所定の重なりを設けて形成され、
　前記ゲートは、導電性部材からなり、
　前記薄膜トランジスタは前記ソースと電気的に接続された非透光性のソース電極を有し、該ソース電極は前記ソースの全体を覆うと共に絶縁層を介して前記ゲートの上に延在するように該ゲートとの間に所定の重なりを設けて形成されたアクティブマトリックス型液晶表示装置。」
　の点で一致し、以下の点で相違している。
　
(相違点１)
　「上部基板」及び「下部基板」の材質について、本願発明は「ガラス」と特定されているのに対して、引用発明は「ガラス」とは特定されていない点。
　
(相違点２)
　「ゲート」について、本願発明は「非透光性を有する」とされているのに対して、引用発明は「非透光性を有する」か不明である点。
　
(相違点３)
　「ドレイン電極」について、本願発明は「ドレインの全体を覆う」とされているのに対して、引用発明は、図面からみてドレインの過半を覆うものではあっても「ドレインの全体を覆う」ものではない点。
　
５．判断
(相違点１について)
　少なくとも本願出願時点において、上部基板及び下部基板の材質として「ガラス」を用いることはアクティブマトリックス型液晶表示装置の技術分野において例を挙げるまでもなく周知であるから、上部基板及び下部基板の材質を「ガラス」とすることは単なる設計事項に過ぎない。
　
(相違点２及び相違点３について)
　摘記事項(4)に記載されているとおり、引用発明は段落【００３２】ないし【００４１】並びに図５及び図６のような知見に基づきドレインの端部より少数キャリアの拡散長だけ離れた領域までのみを遮光すれば光電流の発生を抑えることができるとしたものであって、最低限必要な遮光領域を開示するものと見ることができ、その際、光電流の発生をどの程度まで抑えるかを考慮してチャネル領域やドレイン領域など活性層全体を遮光して万全を期すことは必要に応じて適宜なし得ることといえる。
　あるいは、本願明細書の従来例としても記載されているような、薄膜トランジスタの全体の上部を覆い遮光するように上部ガラス基板にブラックマトリックスを設ける構成は、例を挙げるまでもなく周知であったのだから、これに倣って、チャネル領域やドレイン領域など活性層全体を遮光すべく創意工夫することは、当業者において当然のことともいえる。
　そして、遮光するための具体的手段として、非透光性を有するゲート電極を用いること、及び、ドレイン領域の全体を覆うドレイン電極を用いることは、いずれも周知であって、例えば、特開昭５６−１０７２８７号公報、特開昭５６−１５０８７１号公報、特開平７−１９９１５０号公報に記載されている。
　そうしてみれば、引用発明においてこのような周知の構成を採用して、相違点２ないし３の本願発明の構成とすることは、当業者が容易に出来ることである。
　
　また、本願発明の効果は、当業者が引用発明及び周知技術から予測できる範囲の効果に過ぎないものであって、格段のものとはいえない。
　
　
　この点に関し、審判請求人は、補正された審判請求書において以下のとおり主張している。
　
「一般に、非透光性のドレイン電極及び非透光性のソース電極は、それぞれドレイン及びソース領域の全体を覆うように形成すれば、薄膜トランジスタのドレイン及びソースに入射する光に起因するリーク電流の発生を阻止することができます。しかし、ドレイン領域全体を覆うようにドレイン電極を形成すると、開口率の低下や寄生容量の増加の問題を生じます。このため、通常、ドレイン電極は面積が小さくなるようにします。そこで、本願発明は、ドレイン領域に光が照射されることによる光リーク電流の発生を確実に防止するため、あえてドレイン領域全体を覆うようにドレイン電極を形成しています。このため、より一層の光リーク電流防止の効果を得ることができます。一方、引用文献２(当審注：本審決の「引用例」に対応)では、図１に示すように、ドレイン領域全体が、ドレイン電極で覆われておりません。このため、対向電極側から入射する光を遮光することはできません。ドレイン領域に到達し、リーク電流を生じさせます。故に、ドレイン領域に照射される光に対して、本願のような効果が奏しえないものであります。」
　
　これに対する当審の判断は以下のとおりである。
(1)　既に述べたとおり、引用発明は段落【００３２】ないし【００４１】並びに図５及び図６のような知見に基づきドレインの端部より少数キャリアの拡散長だけ離れた領域までのみを遮光すれば光電流の発生を抑えることができるとしたものである。したがって、小数キャリアの拡散長が例えば１０μｍ程度の結晶品質ならばドレイン領域全体を遮光しなければならず、この点において引用発明はドレイン領域全体を遮光する構成をも示唆するものといえる。
(2)　あるいは、図６を見てのとおり、ＩｄはＬに対して長い裾野を持って漸減するものであるから、どの領域まで遮光するかは、当業者がどの程度のＩｄまでを許容値として是認するかの決めの問題に過ぎない。
(3)　そもそも「拡散長」は、少数キャリアが拡散する距離の指標値であって限界値ではないから、拡散長を超えて拡散する少数キャリアを考慮してドレイン領域全体を遮光する構成とすることは当業者が容易に想到しうる事項である。
　以上(1)ないし(3)のいずれの理由にせよ、引用発明と周知技術の組み合わせて本願発明の構成とすることは、当業者ならば容易に出来ることである。
　また、本願発明は、出願当初の明細書に記載されているとおり、図４のような構成を従来技術とし、各電極を用いて遮光した発明であり、この点を考慮すれば「あえて」ドレイン領域全体を覆うようにしたという主張及びその効果は出願当初の明細書の記載からかけ離れたものである。
　したがって、審判請求人の主張は採用できない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。