【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年3月30日(2010.3.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
また、電気光学変調器でコレステリック材料を使用する試みがなされたが、この期間中、この領域の研究の主な目的には、ネマチック材料があった。初期の装置は、ネマチック動的散乱効果などの効果を用い、そして、徐々に表面誘起整列配向などの特性、分極された光に与える効果、および細長い染料分子またはその他の細長い分子／粒子の共立移行を用いたますます高性能な装置が誕生した。
一部のこのような装置は、適当に表面整列配向を行なうか、または、液晶相に光学的に活性材料を組み込むかのいずれかにによってネマチック相に撚り構造が採用されたセルを使用した。このような材料はコレステリック材料に類似している感覚があるが、これは、しばしばネマチック相の特別な形態とみなされる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
スメクチック液晶電気光学セル
それでも、後になって、スメクチック液晶の使用においてかなりの開発が行われた。これらには、それらの切り換え速度が著しく速い限り、ネマチック相より潜在的利点があり、適切な表面安定化があれば、強誘電性スメクチックＣ相は、２つの安定した整列配向状態、すなわち、メモリ機能を有する装置を実現するはずである。
このような装置の液晶材料層の厚みは、一般的に、対応するネマチック装置よりもはるかに小さく、通常、せいぜい、数ミクロン程度である。潜在的切り換え速度を変えるばかりでなく、これによって、画素の単位キャパシタンスが大きくなり、次のアドレス指定が起こるまで画素で切り換え後の状態を保持するに際してＤＲＡＭ能動バックプレインの機能が楽になる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
スメクチック材料の一般的な整列配向は、整列配向が電界がセル厚み方向に適用されることを可能にするので、セルの平面に垂直なスメクチック層と面（分子は一般的に大半のセル表面と平行）を合わせる。セル平面内でスメクチック層とのホメオトロピック整列配向が得られ、このような装置によって、高速の屈折インデックス変調器が実現できるであろう。しかしながら、切り換え用の電界を適用するためには、非常に小さい電極間の隙間が必要であり、従って、このような装置は、能動領域が非常に小さい傾向があり、その結果、このタイプの装置は、相対的に一般的ではない。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
安定性／弛緩
自然発生的な分極の存在、および、電界の影響を受けて液晶分子が再度整列配向されるときの再整列配向は、再整列配向の間、例えばスメクチック層の両側の電極間で発生する、電流および電荷流量の大幅な追加につながる。領域Ａの画素は切り換え中には２ＡＰ５の電荷を消費する。画素の切り換えが能動バックプレインのＤＲＡＭタイプによって制御されるとき、画素キャパシタンスとＰ３が重要なデザインパラメータになると、この因数は特に重要である。また、本発明の好ましい実施形態におけるように、アドレス指定パルスの長さが画素切り換えに対応するには不十分である場合、電荷消費によってこのような装置の電極全体にわたる電界が小さくなることに注意されたい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
（発明の開示）
１つの解決策は、アドレス指定パルス中に急速に充電され、その結果、容量性要素が切り替わる時間が長くなっている間に電荷リザーバとなり得る「スラグ」キャパシタンスを増設することである。
第１の態様では、本発明は、半導体基板上のアドレス指定可能な能動素子の配列を含み、それぞれの第１の電極に通電する半導体能動バックプレイン（特許請求の範囲の記載における「半導体能動背面回路基板」に対応する。）であって、前記第１の電極の下の領域の少なくとも一部は、コンデンサとして機能するようになっている半導体能動バックプレインを提供する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
第１の態様の本発明は、さらに、半導体基板上のアドレス指定可能な能動素子の配列を含み、それぞれの第１の電極に通電する半導体能動バックプレインであって、前記第１の電極の下の基板の領域の少なくとも一部は、コンデンサとして機能するようになっている空乏領域であり、電荷担体が空乏領域と基板の残りの間を行き交うのを防止または阻止するために、防護リングが前記空乏領域の周辺部上にまたは周辺部の周りに設置される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
図４に概略的に示すように、能動バックプレインはｐ型シリコン基板５１を基本とする。配列４の領域では、能動バックプレインは、ＮＭＯＳトランジスタ５２、画素鏡５３、および絶縁スペーサコラム２５を備え、基板５１は、最初に下部の実質的に連続するシリコン酸化物層５７によって覆われ、次に、上部の実質的に連続するシリコン酸化物層５８によって覆われる。図４は、単に、バックプレインで遭遇する高さの違いを示すために含められるものであり、しかも、要素の他の空間的な配置は実際に認められるものに対応していないことに注意されたい。図５は、トランジスタと鏡電極の実際の配置の平面図を示すが、概して図４のものに類似するが絶縁スペーサコラム２５が図示されていない。トランジスタ５２は、回路自体の最も高い位置にある部分である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
これらの層に加えて、トランジスタ５２はさらに、層５７上の金属ゲート電極５９および層５８上の金属ドレイン電極６０によって構成される。電極５９および６０は、それぞれ、横列導体６１と縦列導体６２の一部である（図５を参照）。トランジスタ５２の部分では、層５７は、非常に薄いゲート酸化物層５５によって基板５１から隔てられた多結晶シリコン領域５６を含むように変更されている。
トランジスタのソースは、層５８内の大きな拡散領域６３の形をとっており、画素鏡５３の電極６５に接続されている。ゲート領域６４が、本質的には縦列導体および横列導体６１、６２の交差領域の下に位置しているので、充填係数が最大限にされると伴にゲート領域６４が入射光から保護される。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
画素鏡は、層５８上の画素電極６５によって形成され、この電極は、ドレイン電極６０と同じ金属でできており、ドレイン電極６０と同時に形成される。鏡電極６５の大部分の下には、基板５１においてｎ−タイプの空乏領域６６が形成される。組立てられた装置では、画素電極は、挿入されているスメクチック液晶材料２０で２ミクロンよりいくらか小さい距離ほど、対向する前部電極６から間隔を置いている。
画素鏡は、下方に位置する別個の回路要素がないことから本質的には平坦であり、画素面積の約６５％の割合（充填係数）を占める。充填係数を最大にする必要性がある場合には、考えられる一つの解決法として、２個のトランジスタと関連要素専用のスペースを増やす必要があるＳＲＡＭタイプよりむしろＤＲＡＭタイプバックプレインを使う。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
各画素と関連がある絶縁スペースコラム２５は、バックプレインの残りの形状の上に延在するが、基板５１上の層５７、５８から構成され、層５７、５８の間に第１の金属フィルム６７及び層５８と前部電極６の間に第２の金属フィルム６８を備えている。第１と第２の金属フィルム６７、６８は、同一の金属でできており、トランジスタ５２の電極５９、６０として同時に堆積する。スペーサの領域では、基板はフィールド酸化物層６９を備えるように変更され、層５７の底部は、薄い酸化物層７１によって隔てられた２つの多結晶シリコン層７０、７２を備えるように変更されている。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
スペーサは、金属層を含むが、前部電極と能動バックプレインの間で良好な絶縁を行う。この様にして絶縁スペーサを形成することによって、バックプレイン上の他の要素に対して絶縁スペーサを正確に配置させることが可能であり、その結果、光学的または電気的特性に対する干渉が回避される。同一の製造方法を使用してバックプレインの能動要素およびその他の要素としてスペーサを製作することによって、費用と効率に関して利点がある。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
上記のように、このようにして形成される画素セルは、キャパシタンスを有する。キラルスメクチック液晶材料は強誘電体であるので、分子の再整列配向を引き起こすことができるくらいの電界の印加は、電荷の追加移動と関連がある。この効果は、液晶材料を再整列配向するのに時間が掛かる限り、時定数と関連する。
再整列配向中に電荷が流れる条件および関連時定数は幾つかの重要性を有する。特に、再整列配向が比較的短時間に行うことができると、装置の高速走査に必要とされる量よりもはるか少なくなる可能性がある。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
ＳＲＡＭタイプバックプレインでは、画素の状態は次のアドレス指定まで保持されて、バス電流から供給される電力は、再整列配向が終了するまで供給されることができる。しかしながら、ＤＲＡＭタイプバックプレインにおいては、電力はアドレス指定期間中のみ各画素に供給される。セルのキャパシタンスは相対的に小さく、再整列配向を終了させるだけの充分な電荷を保持することはできない。
この問題に対処する１つの方法は、画素をアドレス指定するときに素早く充電される追加の「スラグ」キャパシタンスを各画素に与えることであり、その電荷は、その後、液晶分子が再整列配向されてその後の画素がアドレス指定されるときに消費される。従って、スラグキャパシタンスによって、再整列配向時間のみならずアドレス指定パルスの必要性が効果的に回避される。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
図５では、拡散層６６によって、使用中に、逆バイアスダイオードが形成され、その空乏領域がスラグキャパシタンスとして作用する。図６は、空乏層６６が２つの多結晶シリコン領域８０（図４の絶縁縦列内の領域７０、７２に類似であり、望ましくは、領域７０、７２で形成される）に形成される平行なプレートによって置きかえられた変形を示す。下部多結晶シリコン領域は、場所を取る金属ストラップ８１によって基板５１に接続され、その結果、この配置は逆バイアスダイオードと類似のキャパシタンスを有するが、鏡電極の充填係数を大幅に低減させ、こういう理由から好ましくない。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
実施形態で使用されるスメクチック液晶は単安定の整列配向を有し、その結果、ＤＲＡＭタイプ画素が次にアドレス指定されるまでＤＲＡＭタイプ画素が切り換えられた状態のままであるためには、電荷漏出を制限することが不可欠である。ある意味で、元の状態への弛緩を可能にする電荷漏出量が相対的に大きいという点で、再整列配向中に追加の電荷の移動があることが助けとなる。
従来の閉じ込め式コンピュータＤＲＡＭと違って、照射光はバックプレインまで侵入することができる。照射光が敏感な要素に達した場合、光伝導率によって、走査期間より少ない時間で画素が弛緩できる可能性があるので、これは発生させるべきではない。従って、（ａ）できるだけ敏感な要素まで侵入する光の量を減らし、（ｂ）それでも依然として侵入してくる光の影響を緩和させる段階を採用する必要がある。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
図４から図６では、段階（ａ）は、トランジスタ５２、特にそのゲート領域が実質的に金属導体６０、６１の下に位置していて、且つ領域６６によってもたらされる特に感光性であるダイオードが鏡層６５によって大部分は隠されることによって実施される。しかしながら、直接、間接を問わず、依然として光の侵入を許すギャップがある。
先に暗示したように、ダイオード領域に関する特定の懸念がある。スラグキャパシタンスが図８に示す一般的な形態であるときは、その懸念が小さいが、これでは、充填係数が小さくなる。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
図７は、図５の配置の変更例を示す。ここでは、ｎ−タイプの電荷補足用イオン注入領域６６ａが画素鏡５３の端縁部に隣接するシリコン基板の露出した領域に形成され、その結果、光誘導キャリアが空乏領域６６に入るのが防止される。
図８は別の変更例を示す。ここでは、ｎ−タイプ防護リング１００が拡散領域６６の周辺領域上に形成される。この配置の方が、図６の配置よりも効果的であるが、また、この配置の方がスラグキャパシタンスの減少の程度が大きい。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
図１から図５までの配置における６５％の充填係数は、容認できるほどの高い値であるが、その材料がバックプレインの能動素子を製造する際に使用されるものと同一であるので、鏡電極の反射率は最適化されていない。
バックプレイン全体にわたって堆積した連続頂部絶縁層をバックプレインに設置し、前出の図の配置を製造するのは、半導体製造時の通常の慣行であり、この絶縁層を取り除くか、または、該絶縁層をそもそも適用するのを回避することが必要であろう。
しかしながら、バックプレインの部分的または完全な平担化の使用によって、鏡電極の充填係数と反射率を増加させることができる。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
この構造には、とりわけ、６５％を超え、一般に少なくとも８０％であり、可能なら最大９０％以上となると考えら得る高い充填係数、反射性が高い電極、および、下方に位置する半導体材料に侵入する光の低減をいう利点がある。バックプレインに対して前部電極を支持してスペースを与えるために、絶縁スペーサコラム（および接着剤用通路２１、２２における類似の構造を有する隆起部）を保持することが好ましく、その結果、充填係数が若干低減されるが、これらは、ここで追加の頂部絶縁層を備える。唯一の製造後の段階は、反射鏡の材料の堆積である。反射鏡は、バックプレインの基本的な構造のために、先のものほど平坦ではないことに注意されたい。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
完全な平担化は、バックプレインの形状を絶縁材、例えばポリマーを充填することによって有効に取り除く既知の方法である。やはり、これは、製造時に導入される絶縁層の有無を問わず、本バックプレインに実施することができ、非常に平坦な、反射性が非常に高い鏡電極が高い充填係数を伴って各画素の上に堆積する。しかしながら、製品は部分的な平担化と同じ利点を有し、性能が優れる可能性があるが、その現在の技術による生産は、幾つかの製造後の段階を伴い、その一部の実施（絶縁材料の平坦性の確保など）は容易ではなく、または、能率的ではなく、それで、現時点では好ましくない。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
キラルスメクチック液晶材料には、本質的に知られている手段によって１つまたは両方の基板で所望の整列配向が行われる。能動半導体バックプレインの場合では、処理が行われる場合は部分的か完全な平坦な層である。
本実施形態は、キラルスメクチック液晶空間光変調器に関して説明しているが、本発明は、いずれかの半導体バックプレインの構造に関するものであり、特に、電気的に動作可能な光変調器での使用に適したいずれかのかかる構造に関するものであるということを理解されたい。