【事件の表示】
　特許第３４５４７４３号「フォトマスク、ＴＦＴ基板の製造方法および表示装置の製造方法。」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４５４７４３号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３４５４７４３号の請求項１乃至６に係る発明についての出願は、平成１１年３月２日に特許出願され、平成１５年７月２５日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、その請求項１乃至６に係る特許について、異議申立人株式会社メルス技研より平成１５年１２月２６日に特許異議の申立てがなされ、平成１７年６月１６日付で取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１７年８月１０日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
（１）請求項の削除及びそれに伴う請求項の項番の繰り上げ
　訂正前本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１−６において、もとの請求項２を削除し、以下項数を繰り上げ請求項２−５と訂正する。
　
（２）訂正事項ａ
ａ−１：
　訂正前本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された
「表示装置を製造するために使用されるフォトマスクであって、」
という記載を、
「表示装置を製造するために使用される
等倍露光用
と訂正する。
ａ−２：
　訂正前本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項５に記載された
「前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記半導体層および前記画素電極のうちの少なくとも１つは、フォトマスクを用いて形成され、」
という記載を、訂正により繰り上げられた請求項４において、
「前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記半導体層および前記画素電極のうちの少なくとも１つは、フォトマスクを用いて
等倍露光により
と訂正する。
ａ−３：
　訂正前本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項６に記載された
「前記ＴＦＴを形成する工程は、フォトマスクを用いて前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記半導体層および前記画素電極のうちの少なくとも１つを形成する工程を包含し、」
という記載を、訂正により繰り上げられた請求項５において、
「前記ＴＦＴを形成する工程は、フォトマスクを用いて前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記半導体層および前記画素電極のうちの少なくとも１つを
等倍露光により
と訂正する。
　
（３）訂正事項ｂ
ｂ−１：
　訂正前本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された
「前記パターンが形成されるピッチ」
という記載を、
「前記パターン
の
と訂正する。
ｂ−２：
　訂正前本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項５に記載された
「前記パターンが形成されるピッチ」
という記載を、訂正により繰り上げられた請求項４において、
「前記パターン
の
と訂正する。
ｂ−３：
　訂正前本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項６に記載された
「前記パターンが形成されるピッチ」
という記載を、訂正により繰り上げられた請求項５において、
「前記パターン
の
と訂正する。
　
（４）訂正事項ｃ
ｃ−１：
　訂正前本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された
「・・・の比が３：４または２：３である、フォトマスク。」
という記載を、
「・・・の比が３：４または２：３である
ことにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となる
と訂正する。
ｃ−２：
　訂正前本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項５に記載された
「・・・の比が３：４または２：３である、ＴＦＴ基板の製造方法。」
という記載を、訂正により繰り上げられた請求項４において、
「・・・の比が３：４または２：３である
ことにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となる
ｃ−３：
　訂正前本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項６に記載された
「・・・の比が３：４または２：３である、表示装置の製造方法。」
という記載を、訂正により繰り上げられた請求項５において、
「・・・の比が３：４または２：３である
ことにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となる
と訂正する。
　
（５）訂正事項ｄ
　訂正前本件特許明細書の【００２８】の記載を以下のとおり訂正する。
「【００２８】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明の表示装置を製造するために使用される
等倍露光用
の
ることにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となり
。前
等倍露光により
の
ることにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下とな
等倍露光により
の
ることにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下とな
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）請求項の削除及びそれに伴う請求項の項番の繰り上げについて
　当該請求項の削除及びそれに伴う請求項の項番の繰り上げは、訂正前の特許請求の範囲の請求項２を削除、及び請求項２の削除に伴って請求項の項番を繰り上げるものであり、特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明に相当する。
　
（２）訂正事項ａについて
　訂正事項ａ−１は、訂正前の「表示装置を製造するために使用されるフォトマスク」について、「表示装置を製造するために使用される
等倍露光用
　訂正事項ａ−２は、訂正前の「前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記半導体層および前記画素電極のうちの少なくとも１つは、フォトマスクを用いて形成」される点について、「前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記半導体層および前記画素電極のうちの少なくとも１つは、フォトマスクを用いて
等倍露光により
　訂正事項ａ−３は、訂正前の「フォトマスクを用いて前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記半導体層および前記画素電極のうちの少なくとも１つを形成する工程」について、「フォトマスクを用いて前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記半導体層および前記画素電極のうちの少なくとも１つを
等倍露光により
　いずれも特許請求の範囲の減縮に相当する。
　
（３）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂ−１〜ｂ−３は、（パターンが形成される）「ピッチ」が、「パターン
の
　
（４）訂正事項ｃについて
　訂正事項ｃ−１は、訂正前の「・・・の比が３：４または２：３である、フォトマスク」を、「・・・の比が３：４または２：３である
ことにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となる
　訂正事項ｃ−２は、訂正前の「・・・の比が３：４または２：３である、ＴＦＴ基板の製造方法」を、「・・・の比が３：４または２：３である
ことにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となる
　訂正事項ｃ−３は、訂正前の「・・・の比が３：４または２：３である、表示装置の製造方法」を、「・・・の比が３：４または２：３である
ことにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となる
　いずれも特許請求の範囲の減縮に相当する。
　
（５）訂正事項ｄについて
　訂正事項ｄは、上記訂正に伴い、発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載に適合させようとするものであり、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　
　そして上記（１）〜（５）は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
　
２−３．むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
３−１．平成１７年６月１６日付取消理由の概要
（１）平成１７年６月１６日付取消理由の概要
　訂正前の請求項１乃至６（全請求項）に係る発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に成し得た発明であるから、訂正前の請求項１乃至６に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
（２）取消理由で引用された刊行物
 刊行物１：特開昭６０−１１９７２０号公報（異議申立人が提示した甲第１号証） 
　
３−２．取消理由についての判断
（１）本件発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１乃至５にかかる発明（以下「本件発明１乃至５」という。）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】
　表示装置を製造するために使用される等倍露光用フォトマスクであって、
　フォトマスクの表面には複数の描画領域と、前記複数の描画領域のうち隣接する描画領域の間に形成される描画継ぎ部とが定義されており、前記描画領域の少なくとも一つの上にはパターンが形成されており、
　前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの比が３：４または２：３であることにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となる、フォトマスク。
【請求項２】
　前記パターンのピッチは前記表示装置のドットピッチに対応する、請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
　前記継ぎ部のピッチは、前記フォトマスクを描画するためのマスク描画機のヘッドのスキャン幅、およびステージの送りピッチを制御することにより決定される、請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項４】
　基板上にゲートバスラインを形成する工程と、
　前記基板上に半導体層を形成する工程と、
　前記ゲートバスラインと交差し、前記半導体層と電気的に接続するようにソースバスラインを形成する工程と、
　前記半導体層と電気的に接続するように画素電極を形成する工程とを包含し、
　前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記半導体層および前記画素電極のうちの少なくとも１つは、フォトマスクを用いて等倍露光により形成され、
　前記フォトマスクの表面には複数の描画領域と、前記複数の描画領域のうち隣接する描画領域の間に形成される描画継ぎ部とが定義されており、
　前記描画領域の少なくとも一つの上にはパターンが形成されており、
　前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの比が３：４または２：３であることにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となる、ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項５】
　基板上にゲートバスライン、ソースバスライン、半導体層および画素電極を含むＴＦＴを形成する工程と、
　前記基板に対向する表面を有する対向基板の前記対向する表面上に対向電極を形成する工程と、
　前記基板と前記対向基板との間に表示媒体層を設ける工程と、を包含し、
　前記ＴＦＴを形成する工程は、フォトマスクを用いて前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記半導体層および前記画素電極のうちの少なくとも１つを等倍露光により形成する工程を包含し、
　前記フォトマスクの表面には複数の描画領域と、前記複数の描画領域のうち隣接する描画領域の間に形成される描画継ぎ部とが定義されており、
　前記描画領域の少なくとも一つの上にはパターンが形成されており、
　前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの比が３：４または２：３であることにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となる、表示装置の製造方法。」
　
（２）対比・判断
［本件発明１について］
　刊行物１には、ある周期で発生する「バッティングエラー」による「スジムラ」を回避するための、露光用フォトマスクに関する発明が記載されている。具体的には、第３頁左上欄９〜１７行に「また、この実施例では基本パターンの繰り返しピッチａが例えば２４０μｍの如く比較的長いため、例えば・・・微小区画１４、１５の２つ区画でこの基本パターンの１つを描画するようにした例が記載されているが、繰り返しピッチａが十分に小さい場合は１つの微小区画の電子ビームの走査方向の寸法と基本パターンのピッチとが一致するように微小区画を設定しても良い。」との実施例が記載されており、ここで、「１つの微小区画の電子ビームの走査方向の寸法と基本パターンのピッチとが一致する」ということは、基本パターンのピッチと隣り合う微小区画の境界線のピッチとの比が１：１ということに等しい。また、基本パターンのピッチと境界線のピッチとの比が１：１であって、かつ、基本パターンの繰り返しピッチａが２４０μｍより長くないならば、基本パターンのピッチと前記境界線のピッチとの最小公倍数は、２４０μｍより長くなく、すなわち１ｍｍ以下になる。してみれば刊行物１には、
　露光用フォトマスクであって、
　フォトマスクの表面には複数の、露光描画される微小区画と、前記複数の微小区画のうち隣接する微小区画の間に形成される境界線とが定義されており、前記微小区画の少なくとも一つの上には基本パターンが形成されており、
　前記基本パターンのピッチと境界線のピッチとの比が１：１であり、前記基本パターンのピッチと前記境界線のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となる、フォトマスク
　が記載されている。
　刊行物１のフォトマスクは、イメージセンサとして用いられる電荷転送デバイスを製造するために使用されるフォトマスクであり、本件発明１のような、表示装置を製造するために使用される等倍露光用のフォトマスクではない。しかし、表示装置を製造するために使用される等倍露光用のフォトマスクは本願出願時に周知技術（実願平５−３９８１７号（実開平７−１０９３０号）のＣＤ−ＲＯＭ、【０００１】〜【０００３】段落（従来技術）参照）であり、かつ、視認されるムラの性質（ムラのピッチの大きさに依存して視認される）、及び、そのムラを視認されなくするためのアプローチ（ムラのピッチが小さければ視認されない）も、刊行物１と本件発明１との間に格別の相違はない。
　加えて、パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの比を、描画継ぎ部のピッチがパターンのピッチの整数倍な比、言い換えれば１：１、１：２、１：３・・・という比とすることも、本願出願時に周知技術（平成１５年４月１５日付拒絶理由通知で引用された、特開平１−２２３７３０号公報参照）である。
　さらに刊行物１には、先に示した実施例とは別の実施例として、第２頁右下欄１１〜２０行「第２図に示されている実施例においては、基本パターン１１、１２の繰り返しピッチをａとし、微小区画１４、１５の各々の電子ビーム走査方向の寸法をｂ、ｃとすると、ａ＝ｂ＋ｃの関係となるように微小区画１４、１５の大きさを決定する。これにより、隣り合う微小区間の境界線１７が常に基本パターンの一定位置に存在することになり、従って常にこの位置にバッティングエラー１３が現れ、他にはバッティングエラーは現れない。」、及び第３頁左上欄９〜１３行「また、この実施例では基本パターンの繰り返しピッチａが例えば２４０μｍの如く比較的長いため、例えばｂ＝１２８μｍ、ｃ＝１１２μｍの如くに設定して微小区画１４、１５の２つ区画でこの基本パターンの１つを描画するようにした例が記載されている」に記載された実施例があり、この実施例において、基本パターン上に境界線がバッティングするような微小区間の設定を行っても、（上記「隣り合う微小区間の境界線１７が常に基本パターンの一定位置に存在することになり、従って常にこの位置にバッティングエラー１３が現れ」るので）「バッティングエラー間の間隔を基本パターンのピッチと同じか或いはそれ以下の非常に微小なものとすることができ、目視でバッティングエラーによる悪影響を判別することが不可能」（刊行物１第３頁左上欄２０行〜右上欄４行）とし得ることが開示されている。
　
　しかしながら、本件発明１の、「パターンのピッチと描画継ぎ部のピッチとの比が３：４または２：３であること」によって「パターンのピッチと描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下」となされていることについては、刊行物１には記載も示唆もなく、本願出願時に周知技術でもない。
　
　そして、本件発明１は上記構成を有することにより、パターンのピッチに対する前記描画継ぎ部のピッチの比について、スループット向上の観点からは好ましい１：２、（あるいはさらに１：３、１：４・・・）という大きな比まで描画ストロークを上げることが困難な場合（フォトマスクを描画する実際の描画機の上限ストロークと、露光描画される実際のパターンのピッチからして、このような場合は実際にあり得る）であっても、パターンと描画継ぎ部が重なることを避けるためスループット向上の観点からは好ましくない１：１という小さな比まで描画ストロークを落としてしまうことなく、ムラの視認を回避できる、という顕著な作用効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明１は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に成し得た発明であるとはいえない。
　
［本件発明２及び３について］
　本件発明２及び３は本件発明１を引用する発明であり、本件発明１の構成のすべてを包含する発明であるから、上記［本件発明１について］の項で述べた理由と同様の理由により、本件発明２及び３は刊行物１に記載された各発明に基づいて当業者が容易に成し得た発明であるとはいえない。
　
　したがって、本件発明２及び３は、刊行物１に記載された各発明に基づいて当業者が容易に成し得た発明であるとはいえない
　
［本件発明４について］
　刊行物１に記載されている事項、及び本願出願時の周知技術については、上記本件発明１についての検討の中で述べたのと同様であって、本件発明４の、「前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの比が３：４または２：３であることにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となる」ことについては、刊行物１には記載も示唆もなく、本願出願時に周知技術でもない。
　
　そして、本件発明４は上記構成を有することにより、上記本件発明１についての検討の中で述べたのと同様の顕著な作用効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明４は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に成し得た発明であるとはいえない。
　
［本件発明５について］
　刊行物１に記載されている事項、及び本願出願時の周知技術については、上記本件発明１についての検討の中で述べたのと同様であって、本件発明５の、「前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの比が３：４または２：３であることにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となる」ことについては、刊行物１には記載も示唆もなく、本願出願時に周知技術でもない。
　
　そして、本件発明５は上記構成を有することにより、上記本件発明１についての検討の中で述べたのと同様の顕著な作用効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明５は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に成し得た発明であるとはいえない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由、その証拠及び平成１７年６月１６日付取消理由、その証拠によっては、本件発明１乃至５の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明１乃至５についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年９月２９日（２００５．９．２９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
フォトマスク、ＴＦＴ基板の製造方法および表示装置の製造方法。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　表示装置を製造するために使用される
等倍露光用
　フォトマスクの表面には複数の描画領域と、前記複数の描画領域のうち隣接する描画領域の間に形成される描画継ぎ部とが定義されており、前記描画領域の少なくとも一つの上にはパターンが形成されており、
　前記パターン
の
ことにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となる
　【請求項２】
　
前記パターンのピッチは前記表示装置のドットピッチに対応する、請求項１に記載のフォトマスク。
　【請求項３】
　
前記継ぎ部のピッチは、前記フォトマスクを描画するためのマスク描画機のヘッドのスキャン幅、およびステージの送りピッチを制御することにより決定される、請求項１に記載のフォトマスク。
　【請求項４】
　基板上にゲートバスラインを形成する工程と、
　前記基板上に半導体層を形成する工程と、
　前記ゲートバスラインと交差し、前記半導体層と電気的に接続するようにソースバスラインを形成する工程と、
　前記半導体層と電気的に接続するように画素電極を形成する工程とを包含し、
　前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記半導体層および前記画素電極のうちの少なくとも１つは、フォトマスクを用いて等倍露光により形成され、
　前記フォトマスクの表面には複数の描画領域と、前記複数の描画領域のうち隣接する描画領域の間に形成される描画継ぎ部とが定義されており、
　前記描画領域の少なくとも一つの上にはパターンが形成されており、
　前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの比が３：４または２：３であることにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となる、ＴＦＴ基板の製造方法。
　【請求項５】
　基板上にゲートバスライン、ソースバスライン、半導体層および画素電極を含むＴＦＴを形成する工程と、
　前記基板に対向する表面を有する対向基板の前記対向する表面上に対向電極を形成する工程と、
　前記基板と前記対向基板との間に表示媒体層を設ける工程と、を包含し、
　前記ＴＦＴを形成する工程は、フォトマスクを用いて前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記半導体層および前記画素電極のうちの少なくとも１つを等倍露光により形成する工程を包含し、
　前記フォトマスクの表面には複数の描画領域と、前記複数の描画領域のうち隣接する描画領域の間に形成される描画継ぎ部とが定義されており、
　前記描画領域の少なくとも一つの上にはパターンが形成されており、
　前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの比が３：４または２：３であることにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となる、表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明はフォトマスクに関し、より具体的にはノート型パソコン、デスクトップ型パソコンおよびカーナビゲーションシステム用のモニターならびに壁掛けＴＶなどに利用されている液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造のために用いられるフォトマスクに関する。また、本発明はフォトマスクを用いたＴＦＴ基板の製造方法および表示装置の製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）が、パーソナルコンピュータや薄型テレビ等の表示装置として広く利用されている。これらの表示装置の大面積化を実現するために、ＦＰＤ基板の大面積化が進められている。これに伴い、ＦＰＤ基板を作製するために用いられるフォトマスクも大面積化の傾向をたどっている。
　【０００３】
　このような大面積を有するフォトマスクを製造するために、大面積描画対応の高速処理可能なマスク描画機の開発が進められている。このようなマスク描画機としてラスタスキャン型パターン描画装置が、例えば、特許第２６９６３６４号または特開平５−３２６３５６号公報に開示されている。以下、従来の大面積描画対応のマスク描画機を説明する。
　【０００４】
　図１は、従来のマスク描画機１００を示す。図１に示されるマスク描画機１００は、パターン描画用のレーザ光源１０１、入力電圧によって光源からのビームの回折角を変化させスキャンさせる音響光学変調器（ＡＯ変調器）１０２、ズームレンズ１０３、ビームの繰り返しスキャンにより広範囲の露光を可能にするポリゴンミラーおよび被描画物にビームＬ１を入射させる対物レンズ等が格納される光学ヘッド１０４、光学ヘッド１０４を図上Ｘ軸方向で可動とするための光学ヘッド支持ガイド１０５、被描画物１０６を設置するための光学ステージ１０７、および光学ステージ１０７を設置するための設置台１０８を備えている。光学ステージ１０７は、図上Ｙ軸方向で可動となるように設置台１０８に取り付けられている。なお、図１に示される描画機の光学ヘッド１０４および光学ステージ１０７は、Ｘ軸方向可動光学ヘッドおよびＹ軸方向可動光学ステージで構成されているが、光学ヘッドおよび光学ステージの構成はこれに限られず、例えば、固定式光学ヘッドおよびＸ−Ｙ軸方向可動光学ステージで構成されていてもよい。いずれの場合にも、被描画物１０６上の所望の位置に光学ヘッド１０４を位置させることが可能である。
　【０００５】
　一般に光学ヘッド１０４および光学ステージ１０７には、レーザ光源１０９からの光線Ｌ２を利用するレーザ測長器１１０および１１１が設置されている。これにより、光学ヘッド１０４の高精度の位置決めが可能な構成とされている。
　【０００６】
　次に、上記のように構成されたマスク描画機１００を用いたマスク描画方法の概要を説明する。
　【０００７】
　まず、光学ヘッド１０４が被描画物１０６上の所望の位置（例えば、被描画物１０６の左下の角）に位置決めされる。
　【０００８】
　光学ヘッド１０４は次にＡＯ変調器１０２により偏向されたビームＬ１を被描画物１０６上でＹ軸方向に一定区間走査するように動作される。さらに、光学ヘッド内に設けられたポリゴンミラーの回転と同期して光学ヘッド１０４（場合によっては光学ステージ）がＸ軸方向に走査される。これにより、Ｙ軸方向に一定の幅Ｄ１を有する帯状部分１１２が描画される。幅Ｄ１は光学ヘッド１０４のＹ軸方向一定走査区間に相当する。
　【０００９】
　次に、描画機の描画ピッチを適切に選択することにより、光学ステージ１０７は、描画された帯状部分の幅Ｄ１分だけＹ軸方向にステッピングされる。これにより、光学ヘッド１０４が、直前に描画された帯状部分に隣接する被描画物１０６上の位置に配置される。その後、上述の工程と同様の工程によって、既に描画された帯状部分に隣接する一定の幅を持った別の帯状部分が描画される。これを繰り返すことにより被描画物１０６全面のパターン描画がラスタスキャン式で行われ得る。
　【００１０】
　ここで、帯状部分１１２の幅Ｄ１は、一般に数十〜数千μｍであり得る。例えば液晶ディスプレイの分野において、実際に実用領域にある幅は数百μｍである。このような隣り合うレーザ描画領域（帯状部分）の位置精度差および寸法精度差を極小にすることは、被描画物全面に対して所望のパターンを描画するために重要である。このため、これらレーザ描画領域間の位置精度差および寸法精度差を極小にするためのさまざまな工夫がなされてきた。以下、そのうちの２つ手法について説明する。
　【００１１】
　第１の手法は、隣り合う露光領域（レーザ描画領域）を十分に重ね合わせ、多重露光を行う手法である。この手法では、ある露光領域をレジストの露光感度の例えば１／４の露光量で露光し、その露光領域の面積の１／４分の変位をかけて次の露光領域をまた露光感度の１／４の露光量で露光するという手順を繰り返す。この手法では、１つの露光領域に対するオーバーラップ量が多い（合計４回露光される）。このようにすることで、露光感度の１／４の露光量での１回の露光によって生じ得るパターンの位置ずれおよび寸法ずれは全体として補償され、結果的にずれを低減することができる。従って、極めて高い位置精度および寸法精度での描画が可能である。
　【００１２】
　しかしながら、この手法では露光領域間のオーバーラップ量が多いことから、マスク製造のスループットは極めて低くなる。このため、大面積のマスク描画に適用するにはコスト的にほぼ実現不可能な手法であった。実際、この手法は、ステッパーのマスク（レチクル）などの比較的小面積のパターンの描画に限定的に用いられている。
　【００１３】
　第２の手法として、描画継ぎ部でのオーバーラップ量を最小限にとどめ、これによりスループットを改善した大面積マスク用の描画方法が知られている。
　【００１４】
　なお、本明細書中において「描画継ぎ部」とは、被描画物上の隣り合う２つの描画領域（露光領域）間の部分を意味する。「描画継ぎ部」は、隣り合う２つの描画領域がオーバーラップする領域であってもよい。また、隣り合う２つの描画領域間に間隙が形成されている場合、この間隙であってもよい。さらに、隣り合う２つの描画領域が丁度隣接している場合、これらの境界線であってもよい。
　【００１５】
　以下、第２の手法を説明する。
　【００１６】
　図２は、第２の手法により製造されるフォトマスクの描画継ぎ部における露光状態を示す。図２において、互いに隣り合う第１描画領域（第１露光領域）２０１および第２描画領域（第２露光領域）２０２は、描画継ぎ部２１０においてオーバーラップしている。
　【００１７】
　第２の手法によれば、各描画領域における露光量は三角鋸波状に４段階（２５、５０、７５、１００％）の階段状に制御される。描画継ぎ部では、隣り合う描画領域のそれぞれに対する描画パターンの合成パターンが描画される。このため、描画継ぎ部２１０においては、第１描画領域露光量プロファイル２０３と第２描画領域露光量プロファイル２０４とを合成した合成露光量プロファイル２０５または２０６に応じた露光量で露光される。合成露光量プロファイル２０５または２０６は、理想的には直線となるが、実際の継ぎ位置２０８および２０９が適正継ぎ位置２０７に対して微少位置変化量（±△ｄ）だけずれている場合に微少位置変化量（±△ｄ）に対応した矩形状を呈する。
　【００１８】
　図２に示される座標系において、第２露光領域２０２の微少位置変化量が正（△ｄ）の変位の場合（例えば、実際の継ぎ位置が破線２０８で示される位置にある場合）、合成露光量プロファイル２０５で示されるように局部的に最適露光量の１２５％のオーバー露光が発生する。反対に、第２露光エリアの微少位置変化量が負（−△ｄ）の変位の場合（例えば、実際の継ぎ位置が破線２０９で示される位置にある場合）、合成露光量プロファイル２０６で示されるように局部的に最適露光量の７５％のアンダー露光が発生する。
　【００１９】
　このように第２の手法によれば、マスク描画継ぎ部でのオーバーラップ量を最小限にとどめながら、隣り合う描画領域間の位置精度差および寸法精度差を小さくすることができる。隣り合う各描画領域は、継ぎ部において、それぞれに対する露光量が平均化された形（合成露光量プロファイル）に基づいて露光されるからである。また、第２の手法によれば、露光量が１段階（１００％のみ）で制御される場合に比較して、微少位置変化量±Δｄに対応する合成露光量プロファイル中の矩形形成部の高さまたは深さ（振幅）が緩和される。
　【００２０】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上述したように、描画継ぎ部での微少位置変化、または照射されるビームのパワーの誤差（例えば、１００％の露光量で露光されるべき領域が９８％の露光量で露光され得る）等による変化に対応した露光量の変位が発生する。このことにより、第１の手法と比較して描画パターンの精度を１桁程度低下せざるを得ないのが現状である。また、図２には、露光量プロファイルを示す三角鋸波が理想的な形状の場合が示されているが、実際には、ＡＯ変調器の入力電圧により制御される偏向ビーム強度にばらつきが発生することがある。これによっても描画パターンの乱れが生じ得る。また、隣り合う露光領域間での極端な位置精度および寸法精度の変化を回避するために、継ぎ部は数十μｍの幅を持った帯状の領域として形成される。
　【００２１】
　さらに、上述の第２の手法を用いてＦＰＤ基板用マスクの描画を行う場合、以下に示す問題が生じることを本願発明者は見出した。
　【００２２】
　マスク描画時に形成される帯状継ぎ部（描画継ぎ部）のピッチとマスクのパターンのピッチとが特定の周期で調和するようにＦＰＤ基板が形成されている場合、マスク上の帯状継ぎ部とＦＰＤ基板上に形成されるパターンとが重なる。このとき、ＦＰＤ基板上のパターンに、あるピッチを持った線状のパターンムラが発現する。このパターンムラは、ＦＰＤをモジュールの状態にして中間調表示を行わせた場合に、ディスプレイパネル上の輝度ムラとなって観察され得る。
　【００２３】
　この輝度ムラは、２つの要因が複合することにより現れる現象である。１つ目の要因は、マスク描画継ぎ部での寸法精度及び位置精度がそれほど高くなく（±０．１μｍ程度）、この継ぎ部において基板に対する残しパターン（例えば、ポジレジストについてはマスクのクロム膜付き部に対応し、ネガレジストについてはマスクの開口部に対応する）が形成される場合、±０．１μｍ程度の形成パターンの変位による光の回折現象が生じることである。このような光の回折現象はディスプレイパネル上で濃淡ムラして視認され、この結果、表示ムラが発生する。
　【００２４】
　２つ目の要因は、輝度ムラのピッチである。例えば、上記濃淡ムラ（輝度ムラ）は、そのピッチにより視認性が大きく異なる。約２ｍｍ以上のピッチの場合、ディスプレイパネル上で縦横に縞状の濃淡ムラが視認される。しかし、約１ｍｍ以下のピッチであれば、濃淡ムラは概ね視認されない。濃淡ムラのピッチが大きくなる原因としては、マスク描画継ぎ部のピッチと表示装置のドットピッチとの最小公倍数によって決まるパターンムラのピッチが比較的長くなることが挙げられる。描画継ぎ部のピッチとドットピッチとの比が、例えば５６対４１の場合、表示装置の画素の５６ドット毎に描画継ぎ部とマスクパターンとが重なることになる。この場合において、例えばドットピッチが３０７．５μｍであるとすると１７．２２ｍｍ周期の濃淡ムラが発生する。この濃淡ムラは長周期であるので、非常に視認性が高く、ディスプレイパネル上の表示ムラとなって視認される。
　【００２５】
　ただし、上述のようなマスクパターンの位置精度および寸法精度に起因した表示ムラに関する問題は、マスクのパターン精度を向上させることができれば解決し得る。しかし、音響光学変調素子は温度により偏向角にゆらぎを生じることが確認されており、ポリゴンミラーの回転軸の微少な傾きや回転のムラなどがパターン精度に影響を与えることも周知の事実であることから、よりパターン精度を向上させることは現実的には容易ではない。パターン精度を落とす要因としては他にも、光学ステージおよび光学ヘッドのスキャン及びステッピングの位置精度はレーザー測長器を用いているものの測長機自体の位置精度が描画ビームの光学系と常に同期しているとは限らず、何らかのゆらぎがそこに介在していると考えられることが挙げられる。さらに、パターン精度を向上させるためには、ステージのステッピング間隔を常に一定にする必要があり、このためにはステージ駆動系のボールネジやリニアモーターに非常に高い精度が要求される。
　【００２６】
　このように、マスクのパターン精度自体を向上させることは、高品位の表示装置を得るために極めて重要かつ効果的である反面、非常に煩雑かつ困難なことである。このためには、描画装置に例えば非常に高価な補正機構を設置する必要が生じる。その結果、高精度なマスクを得るために莫大な時間とコストがかかり、これらがマスクのコストに跳ね返ってくるという新たな問題が生じてしまう。
　【００２７】
　本発明は上述したような問題を鑑みてなされたものであり、パターンの位置精度および寸法精度を向上させることなくディスプレイの表示ムラの発生を抑制することが可能な大画面表示装置を製造するためのフォトマスクを提供することを目的とする。また、本発明は、このようなフォトマスクを用いた、ＴＦＴ基板および表示装置の製造方法を提供することを他の目的とする。
　【００２８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の表示装置を製造するために使用される
等倍露光用
の
ることにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となり
。前
等倍露光により
の
ることにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下とな
等倍露光により
の
ることにより、前記パターンのピッチと前記描画継ぎ部のピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下とな
　【００２９】
　【００３０】
　【００３１】
　【００３２】
　【００３３】
　【００３４】
　【００３５】
　【００３６】
　以下に本発明の作用を説明する。
　【００３７】
　本発明のフォトマスクは、パターンが形成されるピッチと描画継ぎ部のピッチとの比が、描画継ぎ部のピッチとパターンのピッチとの最小公倍数が１ｍｍ以下となるような整数比であるので、マスクの描画継ぎ部において生じ得るマスクのパターンムラは、必ず１ｍｍ以下の周期で発生する。このように比較的ピッチの短いパターンムラを有し得るフォトマスクを用いて形成された基板上のゲート配線パターン、ソース配線パターン、または絶縁体パターンなどのパターンは、マスクと同様に比較的ピッチの短いパターンムラを有し得る。ＴＦＴ基板上のパターンをこのようなフォトマスクを用いて形成し、このＴＦＴ基板を表示装置に用いれば、例えパターンムラが回折格子として機能した場合にも、そのピッチが短いのでディスプレイパネル上で観察者に視認されるような輝度ムラは発生しない。
　【００３８】
　また、パターンが形成されるピッチと描画継ぎ部のピッチとの比を１：１にすることにより、描画継ぎ部においてパターンの位置ずれが生じた場合にも、周期的なパターンムラが発生することを抑制できる。このフォトマスクを用いて形成された基板上のパターンは、周期的なパターンムラを有していないので、表示装置に適応した場合、より輝度ムラ等の発生を抑止することができる。
　【００３９】
　また、パターンが形成されるピッチと描画継ぎ部のピッチとの比を３：４、２：３、１：２、１：３または１：４にすることにより、描画継ぎ部のピッチが大きくなるので、一つの描画領域を大きくすることができる。従って、描画機がマスクを描画する描画ピッチを大きくすることができるので、マスク製造時間を短縮することができる。
　【００４０】
　パターンと描画継ぎ部とを実質的にオーバーラップしないようにすることにより、描画継ぎ部においてパターンの位置ずれおよび寸法ずれが生じることを抑制することができる。
　【００４１】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明のフォトマスクを説明する。以下に示す実施形態では、例として、ＦＰＤ基板上にゲートバスラインを形成するためのフォトマスクを説明する。
　【００４２】
　図３は、本実施形態のフォトマスク１０を示す。フォトマスク１０は、大画面ＦＰＤ基板に対応するように、例えば、縦横６２０ｍｍ×７２０ｍｍ、３９０ｍｍ×６１０ｍｍまたは５００ｍｍ×７５０ｍｍ等の大きさを有していてよい。
　【００４３】
　フォトマスク１０は、フォトマスク基板２上にゲートバスライン形成用の連続パターン４を有している。連続パターン４の形状は、形成しようとしているゲートバスラインの形状と同じである。連続パターン４のピッチＰ１は、ＦＰＤの画素サイズに対応している。
　【００４４】
　また、フォトマスク１０表面上には、描画継ぎ部１４が定義される。描画継ぎ部１４は、マスク描画機によって描画された所定の領域（露光領域）である第１描画領域１４ａと、これに隣接して第１描画領域１４ａとその一部が重なるように描画された第２描画領域１４ｂとのオーバーラップ領域である。上述したように、描画継ぎ部１４においては、第１描画領域１４ａおよび第２描画領域１４ｂのそれぞれに対する位置精度および寸法精度の違いにより、パターン精度が低下し得る。
　【００４５】
　図３からわかるように、第２描画領域１４ｂと第３描画領域１４ｃとの間にも同様にマスク描画継ぎ部１４が形成されている。
　【００４６】
　本実施形態において、描画継ぎ部１４のピッチＰ２は、パターンピッチＰ１と描画継ぎ部１４のピッチＰ２との比が簡単な整数の比になるように選択されている。図３に示されるように、１つの好適な実施形態においてピッチＰ１とピッチＰ２との比は１対１である。
　【００４７】
　以下、ピッチＰ１とピッチＰ２との比をどのように選択するかについて説明する。
　【００４８】
　本実施形態において、パターンピッチＰ１は、ＦＰＤのドットピッチと同じであり、描画継ぎ部１４のピッチＰ２は、描画機が所定領域を描画した後にステッピングする幅（描画ピッチ）と同じである。従って、ピッチＰ１とピッチＰ２との比を選択することは、ＦＰＤのドットピッチと描画機の描画ピッチとの比を選択するのと同じことである。本実施形態では、ＦＰＤ基板上でのパターンムラの発生を防止するため、もしくはパターンムラが発生した場合にもパターンムラのピッチを比較的短くすることでディスプレイパネル上での輝度ムラ（濃淡ムラ）が観察者によって視認されないようにするために、ＦＰＤのドットピッチと描画機の描画ピッチとの比が簡単な整数比で表されるように選択されている。
　【００４９】
　ＦＰＤ基板上でのパターンムラは、ＦＰＤのドットピッチと描画機の描画ピッチとの最小公倍数となるピッチで発生し得る。これは、マスクのパターンのピッチＰ１と描画継ぎ部ピッチＰ２とが同じ位置に存在する（即ちオーバーラップする）場合にのみ、約±０．１μｍの位置誤差に従うパターンムラが出現するからである。このパターンムラのピッチが約１ｍｍ以下のピッチであれば、濃淡ムラは人間の視覚で認識されないことは既に説明したとおりである。これらを考慮して、ドットピッチと描画ピッチとの比は下記に示すようにして決定される。
　【００５０】
　ドットピッチ：描画ピッチ＝ｘ：ｙとすると、２つのピッチの最小公倍数が１ｍｍ以下となる条件は以下の式（１）で表わされる。
　【００５１】
　【数１】Ｄｐ・ｙ≦１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　……（１）
式（１）で、Ｄｐは実際のドットピッチ（ｍｍ）である。通常、スループットの観点から、ｘ≦ｙに設定されることが多い。この条件下で式（１）を満たす（ｘ，ｙ）はＤｐ≦２５０μｍの場合、（１，１）、（３，４）、（２，３）、（１，２）、（１，３）、および（１，４）であり、Ｄｐ＞２５０μｍの場合、（１，１）、（２，３）、（１，２）、および（１，３）である。代表的な液晶表示装置のドットピッチを表１に示す。
　【００５２】
　【表１】
　【００５３】
　このように、例えば、ＦＰＤのドットピッチ（すなわちパターンピッチ）と描画ピッチ（すなわち描画継ぎ部ピッチ）とを同一（１：１）にすれば、全てのゲートバスラインが±０．１μｍ程度の位置および寸法誤差を有するように形成される。このため、周期的なパターンムラの発生は抑制され、原理的に輝度ムラは解消される。また、ＦＰＤのドットピッチと描画ピッチとの比を、２：３、１：２などの簡単な整数比に設定した場合にも、パターンムラは非常に細かい（１ｍｍ以下程度の）ピッチとなり、このようなパターンムラにより発生するディスプレイパネル上の輝度ムラは人間の視覚では認知できないレベルとなる。
　【００５４】
　なお、上記にはマスク上でゲートバスライン用パターンの位置と描画継ぎ部の位置とが周期的に重なるように描画機の描画原点を調節して描画した場合を示したが、残しパターンであるゲートバスライン用パターンの位置と描画継ぎ部の位置とが重ならないように描画原点をずらしてもよい。この場合には、描画継ぎ部におけるゲートバスライン用パターンの乱れをなくすことができるので、ムラ抑制の効果はさらに向上する。
　【００５５】
　本実施形態のフォトマスクは、例えば図１に示される従来のマスク描画機１００を用いて作製することができる。以下、本実施形態のフォトマスクの製造方法を説明する。
　【００５６】
　マスク基板２が図１に示されるマスク描画機１００の光学ステージ１０７上に被描画物１０６として設置される。マスク基板２は、例えば厚さ５〜１０ｍｍの合成石英からなる基板であり得る。
　【００５７】
　マスク基板２は、光学ヘッドからの偏向ビーム（例えば、ビーム径が０．１μｍ〜１０μｍのオーダー、ビーム強度が数１０ｍＪ／ｃｍ２の条件下）により一定区間Ｙ軸方向に走査されかつＸ軸方向に走査される。こうして、Ｙ軸方向に例えば幅４２０μｍを有する第１描画領域１４ａにおいて、所望のパターンが描画される。
　【００５８】
　次に、光学ヘッドをマスク基板２に対して相対的に移動させ、位置決めした後、描画された第１描画領域１４ａに隣接する第２描画領域１４ｂが描画される。このとき、第１描画領域１４ａと第２描画領域１４ｂとの間に描画継ぎ部１４が形成される。本実施形態において、描画継ぎ部１４は第１描画領域１４ａと第２描画領域１４ｂとがオーバーラップする領域である。
　【００５９】
　なお、上記の描画ピッチの制御を実現する手段としては、レーザのスキャン長を可変とすることが考えられる。しかしこの場合、レーザの最大スキャン長が大きくなると、パターン精度を下げる要因となる場合がある。従って、精度を維持するためには最大スキャン長を固定とし（ｍｍ以下程度）、この範囲内でスキャン長可変とするのが望ましい場合がある。いずれにせよ、描画ピッチ（継ぎ部ピッチ）の制御は、マスク描画機１００のヘッドのスキャン幅、およびステージの送りピッチを制御することにより達成され得る。
　【００６０】
　その後、上述の工程と同様の工程によって、第３描画領域１４ｃがさらに描画される。これを繰り返すことにより被描画物１０６全面のパターニングが行われ得る。
　【００６１】
　このように、本発明のフォトマスクは、パターン精度を向上することが極めて困難であるという前提に基づいて製造されているので、描画機のビーム位置精度およびパワーの精度の向上を必要としない。
　【００６２】
　上述の本発明のフォトマスクを用いて、ＴＦＴ基板が製造され得る。たとえば、ガラスなどからなる基板上に、例えば従来のスパッタリング法でＴａ等の金属膜を堆積し、これを本発明のフォトマスクを用いて従来のフォトリソグラフィ法でパターニングすることによりゲートバスラインが形成される。この上に、例えばゲート絶縁膜を介して半導体層を部分的に形成し、その後、例えばスパッタリング法でＴａ等の金属膜を形成し、これをフォトリソグラフィ法によりパターニングすることによりソースバスラインおよび／または画素電極が形成される。透過型表示装置の場合、画素電極は例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等からなる透明電極で形成され得る。ソースバスラインおよび画素電極はそれぞれ、半導体層に接続され、かつ、半導体層上で分断されるようにパターニングされる。この工程においても、本発明のフォトマスクが用いられ得る。このようにして、ＴＦＴ基板が製造される。
　【００６３】
　さらに、本発明のフォトマスクを用いて形成されたＴＦＴ基板（アクティブマトリクス基板）を用いて、表示装置が製造され得る。例えば、上述のように本発明のフォトマスクを用いて基板上にゲートバスライン、ソースバスライン、半導体層、層間絶縁層および画素電極を有するＴＦＴを形成することによりＴＦＴ基板が形成される。さらに、ＴＦＴ基板に対向する対向基板（例えば、ガラス基板）を設け、ＴＦＴ基板の対向する面上に例えばＩＴＯからなる対向電極が形成される。これら両基板がスペーサなどを用いて間隙を設けて張り合わされ、この間隙に例えば液晶材料などからなる表示媒体層が形成されることによって表示装置が製造される。
　【００６４】
　このように製造された表示装置は、輝度ムラが視認されない高品位の表示装置であり得る。なお、製造される表示装置は、透過型であっても反射型であってもよい。いずれの場合にせよ、配線パターンによる回折現象に起因する輝度ムラを抑制する効果が得られる。また、表示媒体層として液晶材料以外の材料が用いられ得る。
　【００６５】
　以下、本発明のフォトマスクをより具体的に示す。
　【００６６】
　図４Ａ、図４Ｂおよび図４Ｃは、バスラインピッチ（ドットピッチ）：描画継ぎ部ピッチ（描画ピッチ）をそれぞれ１：１、２：３、および１：２の整数比としたフォトマスクを拡大して示す。下記に示す実施例において、ゲートバスライン形成用のフォトマスクを作成した。このフォトマスクを作成する際、描画ヘッド（光学ヘッド）の１回のＹ軸方向スキャン長さを４５３μｍで固定とした。
　【００６７】
　図４Ａ〜図４Ｃに示されるフォトマスクにおいて、ゲートバスラインピッチ３０３は、それぞれ４２０μｍ、２８０μｍ、２１０μｍであり、バスライン幅３０４は約２１．５μｍであり、描画継ぎ部ピッチ３０５は４２０μｍ、描画継ぎ部帯状部分３０６の幅は３３μｍである。
　【００６８】
　また、図４Ｄに示すように、従来例として、バスラインピッチ（ドットピッチ）：描画継ぎ部ピッチ（描画ピッチ）を４１：５６としたマスク（ゲートバスラインピッチ３０７．５μｍおよび描画継ぎ部ピッチ４２０μｍ）を作成し、図４Ａ〜図４Ｃに示されるマスクと比較した。
　【００６９】
　これらのマスクを用いてＦＰＤを製造し観察したところ、図４Ａ〜図４Ｃに示されるドットピッチ：描画ピッチ＝１：１、２：３、および１：２のマスクを用いたＦＰＤでは濃淡ムラは確認されず、従来例である４１：５６のマスクを用いたＦＰＤでは１７．２２ｍｍ周期のピッチ状濃淡ムラが確認された。下記表２にこの結果をまとめた。
　【００７０】
　【表２】
　【００７１】
　ここで、ドットピッチ：描画ピッチ＝４１：５６のマスクを用いた場合に発生するパターンムラのメカニズムは、バスラインの最近傍の描画継ぎ部の位置と、その距離とによって表される。図４Ａ〜図４Ｄには、ゲートバスラインの最近傍のマスク描画継ぎ部とゲートバスラインとの距離３０７を示している。なお、ゲートバスラインとその最近傍の描画継ぎ部との距離とは、ゲートバスラインの長さ方向に延びる中心線と最近傍の描画継ぎ部の長さ方向に延びる中心線との間の距離を指す。
　【００７２】
　以下、ゲートバスラインピッチを３０７．５μｍとし、描画継ぎ部のピッチをそれぞれ３０７．５μｍ（ドットピッチ：描画ピッチ＝１：１）、４６１．２５μｍ（ドットピッチ：描画ピッチ＝２：３）、６１５μｍ（ドットピッチ：描画ピッチ＝１：２）とした場合について考察する。なお、この場合も、ドットピッチと描画ピッチとの比は図４Ａ〜図Ｃに示される場合と同じである。
　【００７３】
　これらのマスクを観察した結果、描画継ぎ部と描画パターン（本実施例ではゲートバスラインパターン）とがオーバーラップする部分では描画パターンの乱れが生じたものの、マスク描画継ぎ部と描画パターンとがオーバーラップしない部分ではパターンの乱れはほとんど観察されないことがわかった。
　【００７４】
　描画継ぎ部と描画パターンとのオーバーラップの度合いの目安として、ゲートバスラインの最近傍のマスク描画継ぎ部とゲートバスライン（ゲート配線）との距離を図５Ａ〜図５Ｄに示した。図５Ａ〜図５Ｃはそれぞれ、ドットピッチ：描画ピッチ＝１：１、２：３、１：２の場合を示し、図５Ｄは、ドットピッチ：描画ピッチ＝４１：５６の場合を示している。
　【００７５】
　図５Ａ〜図５Ｄにおいて、グラフの縦軸はゲート配線（ゲートバスライン）とその最近傍の描画継ぎ部との距離（μｍ）を示し、横軸はゲート配線（ゲートバスライン）の一本目の座標を０μｍとしたときの各ゲート配線の相対座標（μｍ）を示す。上述したように、ゲートバスラインとその最近傍の描画継ぎ部との距離とは、ゲートバスラインの長さ方向に延びる中心線と最近傍の描画継ぎ部の長さ方向に延びる中心線との間の距離を指す。
　【００７６】
　図５Ａ〜図５Ｃからわかるように、ドットピッチ：描画ピッチ＝１：１、２：３、１：２の場合には、ゲートバスラインパターンとマスク描画継ぎ部とが完全にオーバーラップする（すなわち、配線パターンとその最近傍継ぎ部との間の距離が０となる）状況が、それぞれゲートバスラインパターンの１ライン毎、３ライン毎、および２ライン毎に生じる。このような状況にあるゲートバスラインパターンのピッチは、それぞれ３０７．５μｍ（ピッチ４０１）、９２２．５μｍ（ピッチ４０２）、および６１５μｍ（ピッチ４０３）である。これらのピッチは１ｍｍ以下であるため、観察者には輝度ムラとして視認されない。
　【００７７】
　一方、図５Ｄからわかるように、ドットピッチ：描画ピッチ＝４１：５６の場合は、ゲートバスラインパターンとマスク描画継ぎ部とが完全にオーバーラップする状況がゲートバスラインパターンの５６ライン毎に現れる。このような状況にあるゲートバスラインパターンのピッチは１７．２２ｍｍ（ピッチ４０４）である。
　【００７８】
　さらに、ドットピッチ：描画ピッチ＝４１：５６の場合、ゲートバスラインパターンおよびマスク描画継ぎ部は所定の幅を有しているので、ピッチ４０４の間にゲートバスラインパターンとマスク描画継ぎ部とが完全にではないが部分的にオーバーラップする箇所が存在する。例えば、ゲートバスラインパターンとマスク描画継ぎ部とが部分的にオーバーラップする状況として、配線パターンとその最近傍継ぎ部と間の距離が７．５μｍの場合が６ｍｍ程度のピッチで現れる。この場合、濃線が４．６ｍｍピッチ４０５で３本視認される。また、ゲートバスラインパターンとその最近傍継ぎ部との距離が１５μｍの場合が１．６ｍｍ程度のピッチで現れる。この場合、淡線が１．６ｍｍ程度のピッチ４０６で２本視認される。これらの濃淡線は、トータル１７．２２ｍｍピッチのムラとして視認できる。
　【００７９】
　例えば、ゲートバスライン幅３０４が約２１．５μｍ、描画継ぎ部幅３０６が３３μｍの場合、図２Ｒ＞２に示される描画継ぎ部での露光強度プロファイルに示した露光領域の微少な位置変位がパターン寸法や位置変位をもたらす結果、ゲート配線とその最近傍継ぎ部との距離がゲート配線幅の１／２と描画継ぎ部幅との和である約４５μｍ程度以下の距離になるとゲート配線と描画継ぎ部とが重なるためパターンの乱れが生じる。それがムラとなって視認される。
　【００８０】
　また、ムラ発現位置およびムラの輝度と、線幅寸法の変化との間に強い相関関係が確認された。
　【００８１】
　濃いムラの見える位置で線幅（ゲートバスライン幅）寸法を測定すると、ムラ部分にのみ他の線幅に比較して０．１μｍ程度大きく線幅寸法の変化が見られた。また、薄いムラの部分でも、０．０３〜０．０７μｍ程度寸法変化が大きくなっており、寸法変化が大きいほどムラとしては濃く見える現象となった。これは、周期配列パターンが回折格子として働いた場合、ドットピッチを格子定数ｄとし、パターン線幅を２ａ（すなわちａはパターン線幅の１／２）として、回折光強度が以下の式（２）で表わされることにより生じる現象であると考えられる。
　【００８２】
　【数２】
　【００８３】
　ここで、Ｉは回折光強度、Ｉ０は入射光強度、２ａはパターン線幅、αは入射角、βは散乱角、ψはテーパー角、ｄはドットピッチ、Ｎは格子本数、ｋは比例係数（整数）である。右辺第２項は散乱光の干渉の寄与を表し、右辺第３項は格子全体にわたる回折の寄与を表している。上記式（２）からわかるように、パターン線幅２ａが変化するとテーパー角も変化し、これらの変化に伴い回折光強度も変化する。この結果、輝度ムラが生じるものと考えられる。
　【００８４】
　一方、ドットピッチと描画ピッチとの比が１：１の場合、上述したようなゲートバスラインパターンの線幅変化およびドットピッチ変化はほとんど観察されなかった。また、２：３、１：２の場合、若干の変化は見られたものの、ムラピッチとしては１ｍｍ以下となり、人間の目では確認できないものとなった。
　【００８５】
　以上の実験および考察は、ドットピッチ：描画ピッチを単純な整数比とし、ムラのピッチを数ドットオーダー（トータル１ｍｍ以下程度）とすることにより、ディスプレイパネル上の表示ムラが抑制されることを示している。このように、本発明によるフォトマスクが濃淡ムラの解消に非常に有効となることが示された。
　【００８６】
　以上、ＦＰＤ基板のゲートバスライン作成用のマスクについて説明したが、本発明のマスクは、例えばＴＦＴ基板のソース配線、半導体パターン、画素電極パターン、および絶縁体パターン形成用マスク、ならびに、カラーフィルターのブラックマトリクスパターン、ＲＧＢ画素パターン形成用マスクとして用いられてもよい。この場合にも同様にムラが解消される。
　【００８７】
　また、液晶表示装置の任意のドットピッチに対応する描画パターン（例えば表１に示されるドットピッチ）は以下のようにして形成される。例えばマスク描画装置に十分な大きさを持つ対物レンズおよびポリゴンミラーを設け、さらに、描画パターン命令部から▲１▼適切なビームスキャン幅をマスク描画装置の光学ヘッド１０４内のＡＯ変調器制御機構に指示する機構、および▲２▼適切なステージ送りピッチを光学ステージ１０６の駆動制御機構に指示する機構を設けることにより、最大ステージ送りピッチの範囲内で任意のスキャン幅でパターン描画をすることが出来る。
　【００８８】
　上記手法によリ、描画ピッチとパターンのドットピッチをこれらの最小公倍数が１ｍｍ以下となるような簡単な整数比に設定することが可能となり、ディスプレイパネル上で視認される濃淡ムラの問題は解消される。
　【００８９】
　以上、本発明によれば、フォトマスク上のパターンとマスク描画継ぎ部とを強制的に短い周期で一致させることにより、マスク上のムラを消滅あるいは低減することが可能になる。実施例では、便宜的にスキャン長固定でパターンの位置をずらしてパターン描画させる場合を説明したが、描画ヘッドのスキャン長を可変とするか、または描画ステージの送りピッチを可変とすることで、描画ピッチを所定のパターンピッチと強制調和させても同様の効果が得られる。このようなフォトマスクは、高性能のマスク描画機を用いることなく、従来の精度のマスク描画機を用いて製造することが可能である。
　【００９０】
　【発明の効果】
　本発明によれば、ラスタスキャン型パターン描画装置などによってマスク描画時にマスク上に形成される描画継ぎ部において、その他の描画領域とはパターン精度が異なることによりパターンムラが発生した場合にも、１ｍｍ以下の周期でパターンムラが発生するように製造されたフォトマスクが提供される。このフォトマスクは比較的精度の低い描画機を用いて比較的高速に製造することができる。このようなフォトマスクを用いて形成されたパターン基板を表示装置の例えばＴＦＴ基板、あるいはカラーフィルタ基板として用いた場合、表示パネル上で濃淡ムラなどの表示ムラは視認されない。従って、表示装置の表示品位を向上することが可能である。このようにして、安価で高品位なフォトマスクを用いて、輝度ムラが視認されない高品位の表示装置の製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　従来のマスク描画機を示す図である。
　【図２】
　マスク描画継ぎ部を示す図であり、マスク描画継ぎ部における露光強度プロファイル、および合成露光強度プロファイルもまた示される。
　【図３】
　本発明によるフォトマスクを示す図である。
　【図４Ａ】
　ドットピッチ：描画ピッチ＝１：１の場合のパターンピッチと描画継ぎ部ピッチとを示す図である。
　【図４Ｂ】
　ドットピッチ：描画ピッチ＝２：３の場合のパターンピッチと描画継ぎ部ピッチとを示す図である。
　【図４Ｃ】
　ドットピッチ：描画ピッチ＝１：２の場合のパターンピッチと描画継ぎ部ピッチとを示す図である。
　【図４Ｄ】
　ドットピッチ：描画ピッチ＝４１：５６の場合のパターンピッチと描画継ぎ部ピッチとを示す図である。
　【図５Ａ】
　ドットピッチ：描画ピッチ＝１：１の場合のゲートバスラインとその最近傍継ぎ部との距離を示す図である。
　【図５Ｂ】
　ドットピッチ：描画ピッチ＝２：３の場合のゲートバスラインとその最近傍継ぎ部との距離を示す図である。
　【図５Ｃ】
　ドットピッチ：描画ピッチ＝１：２の場合のゲートバスラインとその最近傍継ぎ部との距離を示す図である。
　【図５Ｄ】
　ドットピッチ：描画ピッチ＝４１：５６の場合のゲートバスラインとその最近傍継ぎ部との距離を示す図である。
　【符号の説明】
　　２　マスク基板
　　４　パターン
　１０　フォトマスク
　１４　継ぎ部
　１４ａ　第１描画領域
　１４ｂ　第２描画領域
　１４ｃ　第３描画領域