【事件の表示】
　特許第３４１６８７６号「化学増幅型ポジ型レジスト用基材樹脂及びそれを用いたレジストパターン形成用溶液」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４１６８７６号の請求項１、２に係る特許を取り消す。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第３４１６８７６号に係る発明は、平成７年１０月３０日に出願された特願平７−３０５１１３号出願の一部を新たな特許出願として出願された特願２０００−９１９２１号の一部を、さらに新たな特許出願として平成１３年５月７日に出願されたものであって、平成１５年４月１１日に特許の設定登録がなされた。
　本件特許公報は、平成１５年６月１６日に発行され、その特許に対して、浜田一美より特許異議の申立があり、当審において、本件の請求項１及び２に係る特許に対して、平成１７年１月５日付けで取消理由を通知したところ、同年３月１５日付けで訂正請求がなされた。
　
第２　訂正の適否
１　訂正事項
　本件訂正請求は、本件明細書を、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正することを求めるものであり、その訂正の内容は、次のとおりである。
訂正事項ａ　
　特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に「Ｒ２はメチル基又はエチル基、Ｒ３は炭素数１〜４の低級アルキル基である」とあるのを、「Ｒ２及びＲ３はメチル基又はエチル基である」と訂正する。
　
訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に「化学増幅型ポジ型レジスト用基材樹脂」とあるのを、「ＫｒＦエキシマレーザーのための化学増幅型ポジ型レジスト用基材樹脂」と訂正する。
　
訂正事項ｃ
　段落【０００１】及び【０００９】に「紫外線、遠紫外線、ＫｒＦ、ＡｒＦなどのエキシマレーザー、Ｘ線、及び電子線などの放射線に感応する」とあるのを、「ＫｒＦエキシマレーザーに感応する」と訂正する。
　
訂正事項ｄ
　段落【０００６】に「化学増幅型レジスト」とあるのを、「ＫｒＦエキシマレーザー用化学増幅型レジスト」と訂正する。
　
訂正事項ｅ
　段落【００１４】、段落【００１６】、段落【００５８】、段落【００５９】、段落【００６０】、段落【００６２】及び段落【００７６】に「化学増幅型ポジ型レジスト組成物」とあるのを、「ＫｒＦエキシマレーザー用化学増幅型ポジ型レジスト組成物」と訂正する。
　
訂正事項ｆ
　段落【００１０】に「式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基、Ｒ２はメチル基又はエチル基、Ｒ３は炭素数１〜４の低級アルキル基である」とあるのを、「式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基、Ｒ２及びＲ３はメチル基又はエチル基である」と訂正する。
　
訂正事項ｇ
　段落【００１０】及び段落【００１１】に「化学増幅型ポジ型レジスト用基材樹脂」とあるのを、「ＫｒＦエキシマレーザーのための化学増幅型ポジ型レジスト用基材樹脂」と訂正する。
　
訂正事項ｈ
　段落【００１２】に「例えば１−メトキシエトキシ基、１−エトキシエトキシ基、１−ｎ−プロポキシエトキシ基、１−イソプロポキシエトキシ基、１−ｎ−ブトキシエトキシ基、１−イソブトキシエトキシ基、１−（１，１−ジメチルエトキシ）−１−メチルエトキシ基、１−メトキシ−１−メチルエトキシ基、１−エトキシ−１−メチルエトキシ基、１−ｎ−プロポキシ−１−メチルエトキシ基、１−イソブトキシ−１−メチルエトキシ基、１−メトキシ−ｎ−プロポキシ基、１−エトキシ−ｎ−プロポキシ基などが挙げられる。」とあるのを、「例えば１−メトキシエトキシ基、１−エトキシエトキシ基、１−メトキシ−１−メチルエトキシ基、１−エトキシ−１−メチルエトキシ基、１−メトキシ−ｎ−プロポキシ基、１−エトキシ−ｎ−プロポキシ基などが挙げられる。」と訂正する。
　
訂正事項ｉ
　段落【００５０】に「また、電子線用レジスト系酸発生剤としては、（ｄ）のニトロベンジル誘導体、中でもｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベンジル、（ｅ）のポリヒドロキシ化合物の脂肪族又は芳香族スルホン酸エステル類、中でもピロガロールトリメシレート、（ｆ）のオニウム塩系酸発生剤、中でもビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート及び（ｇ）のベンゾイントシレート系酸発生剤が好ましい。」とあるのを削除する。
　
訂正事項ｊ
　段落【００６２】に「ｄｅｅｐ−ＵＶ光、エキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して照射するか、電子線により描画し、」とあるのを、「ＫｒＦエキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して照射し、」と訂正する。
　
訂正事項ｋ
　段落【００６５】、段落【００６７】及び段落【００６８】に「参考例２」とあるのを、「実施例１」と訂正する。
　
訂正事項ｌ
　段落【００６６】及び段落【００７１】に「参考例３」とあるのを、「参考例２」と訂正する。
　
訂正事項ｍ
　段落【００６７】及び段落【００７１】に「参考例４」とあるのを、「参考例３」と訂正する。
　
訂正事項ｎ
　段落【００６８】、段落【００７２】、段落【００７３】、段落【００７４】及び段落【００７５】に「実施例１」とあるのを、「参考例４」と訂正する。
　
訂正事項ｏ
　段落【００７１】に「比較例１」とあるのを、「参考例５」と訂正する。
　
訂正事項ｐ
　段落【００７４】に「実施例２」とあるのを、「参考例６」と訂正する。
　
訂正事項ｑ
　段落【００７５】に「実施例３」とあるのを、「参考例７」と訂正する。
　
２　訂正の目的の適否、新規事項追加の有無及び拡張・変更の存否
(１)　訂正事項ａは、願書に添付された明細書の段落【００１２】の「前記一般式（ＩＩＩ）の置換基としては、・・・中でも、特に１‐エトキシエトキシ基及び１‐メトキシ‐ｎ‐プロポキシ基が感度、解像力がバランス良く向上するので好ましい。」という記載に基づき、特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された一般式【化１】における保護基を形成する原子団のうちのＲ３について、その定義を「炭素数１〜４の低級アルキル」から、「メチル基又はエチル基」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当するものであって、願書に添付された明細書又は図面に記載されていた事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
(２)　訂正事項ｂは、願書に添付された明細書の段落【００６９】の「この膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ（ニコン社製）を用い、１ｍＪずつドーズ量を加え露光したのち、」という記載に基づき、特許請求の範囲の請求項１及び２における「化学増幅型ポジ型レジスト用基材樹脂」の適用対象を、「ＫｒＦエキシマレーザー」によってパターン露光するもののみに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当するものであって、願書に添付された明細書又は図面に記載されていた事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
(３)　訂正事項ｃないしｊは、訂正事項ａ及び訂正事項ｂにより減縮された特許請求の範囲の記載に合わせて、発明の詳細な説明の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当するものであって、願書に添付された明細書又は図面に記載されていた事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
(４)　訂正事項ｋないしｑは、特許請求の範囲の請求項１及び２で特定する「基材樹脂」に関する例を「実施例１」とし、それ以外の例を「参考例」とすると共に、参考例の番号を順に整理するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当するものであって、願書に添付された明細書又は図面に記載されていた事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
３　訂正の適否についての結論
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項の規定、及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　本件発明
　前項に記載したとおり、訂正の請求は認められるから、本件特許に係る発明は、平成１７年３月１５日付け訂正請求書に添付した全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された以下のとおりのものと認める（「訂正事項ａ」参照。以下、「本件発明１」及び「本件発明２」という。）。
「【請求項１】　一般式【化１】
（式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基、Ｒ２及びＲ３はメチル基又はエチル基である）で表わされる構成単位１０〜６０モル％と、式【化２】
で表わされる構成単位９０〜４０モル％で構成され、かつ重量平均分子量８，０００〜２５，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．５以下を有するポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体からなるＫｒＦエキシマレーザーのための化学増幅型ポジ型レジスト用基材樹脂。
【請求項２】　請求項１記載のＫｒＦエキシマレーザーのためのポジ型レジスト用基材樹脂を含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含む溶剤に溶解してなるレジストパターン形成用溶液。」
　
第４　取消理由の概要
　平成１７年１月５日付けで通知した取消理由の理由（２）の概要は、以下のとおりである。
理由（２） 
　請求項１及び２に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物１ないし９に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　　　　　　　　　　　　　　　　記 
１．特開平８−２５３５２８号公報 
２．特開平９−１２７６９８号公報（特願平７−３０５１１３号の特許公開　　公報） 
３．特開平５−２４９６８２号公報（特許異議申立人が提出した甲第２号証　　） 
４．特開平６−１９４８４２号公報 
５．特開平６−２８７１６３号公報 
６．特開平６−２１４４０２号公報 
７．特開平６−３３２１８０号公報 
８．滝川忠宏他編「ＵＬＳＩリソグラフィ技術の革新」株式会社サイエンス　　フォーラム（1994年11月10日発行）308〜317頁
９．Japanese Journal of Applied Physics,31(1992)p.4316〜4320
　
第５　当審の判断
１　本件の出願日
(１)　本件発明１は、前項「第３　本件発明」に記載したとおりのものであって、該記載から明らかなように、「一般式【化１】（式及び式中の説明の記載を省略）で表わされる構成単位１０〜６０モル％と、式【化２】（式の記載を省略）で表わされる構成単位９０〜４０モル％で構成され、かつ重量平均分子量８，０００〜２５，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．５以下を有するポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体からなるＫｒＦエキシマレーザーのための化学増幅型ポジ型レジスト用基材樹脂。」をその特定事項とするものである。
　また、本件発明２は、「請求項１記載のＫｒＦエキシマレーザーのための化学増幅型ポジ型レジスト用基材樹脂を含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含む溶剤に溶解してなるレジストパターン形成用溶液。」をその特定事項とするものである。
　これらの記載から明らかなように、本件発明１及び本件発明２には、ＫｒＦエキシマレーザーのための化学増幅型ポジ型レジスト組成物において、基材樹脂として、上記の「式【化１】で表わされる構成単位１０〜６０モル％と、式【化２】で表わされる構成単位９０〜４０モル％で構成され、かつ重量平均分子量８，０００〜２５，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．５以下を有するポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体」（以下、「本件発明のポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体」という。）のみを用いる場合が包含されることは明らかである。
　
(２)　本件に係る出願は、特願２０００−９１９２１号の一部を新たな特許出願として出願されたものであって、さらに該特願２０００−９１９２１号は、特願平７−３０５１１３号出願の一部を新たな特許出願として出願されたものである。
　本件に係る出願が、特許法第４４条第２項の規定により、特願平７−３０５１１３号の出願の時に出願したものとみなされるためには、本件発明１及び本件発明２において特定する技術的事項のすべてが、もとの出願の願書に最初に添付された明細書の発明の詳細な説明又は同図面に記載されていなければならないものであるところ、該特願平７−３０５１１３号の願書に最初に添付された明細書（以下、「原明細書」という。特開平９−１２７６９８号公報参照。）には、以下のとおり記載されている。
ア　「【０００９】こうした現状に鑑み、本発明者等は、鋭意研究を重ねた　結果、酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分　として、異なる２種の置換基を特定の割合でそれぞれ置換し、かつ特定の　分子量と特定の分子量分布（Ｍw／Ｍn）を有するポリヒドロキシスチレン
　の混合物及び放射線の照射により酸を発生する化合物を使用し、さらに有　機カルボン酸化合物を配合することで、高感度、高解像性で、耐熱性、引　置き経時安定性、焦点深度幅特性及びレジスト溶液の保存安定性に優れる　とともに、基板依存性がなくプロファイル形状の優れたレジストパターン　を形成できる紫外線、遠紫外線、ＫｒＦ、ＡｒＦなどのエキシマレーザー　、Ｘ線、及び電子線などの放射線に感応する化学増幅型のポジ型レジスト　組成物が得られることを見出し、本発明を完成したものである。」
イ　「【００１２】【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発　明は、（Ａ）酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹　脂成分、（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物、及び（Ｃ）有機　カルボン酸化合物を含むポジ型レジスト組成物において、（Ａ）成分が（　ａ）水酸基の１０〜６０モル％が一般式化２
　【００１３】
　【化２】
　（式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基であり、Ｒ２はメチル基又はエチル
　基であり、Ｒ３は炭素数１〜４の低級アルキル基である。）で表わされる
　残基で置換された重量平均分子量８，０００〜２５，０００、分子量分布　（Ｍw／Ｍn）１．５以下のポリヒドロキシスチレンと（ｂ）水酸基の１０
　〜６０モル％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換された重量　平均分子量８，０００〜２５，０００、分子量分布（Ｍw／Ｍn）１．５以
　下のポリヒドロキシスチレンとの混合物であることを特徴とするポジ型レ　ジスト組成物に係る。」
　【００１４】上記（Ａ）樹脂成分の混合割合は、（ａ）成分が３０〜９０　重量％、（ｂ）成分が１０〜７０重量％、好ましくは（ａ）成分が５０〜　８０重量％、（ｂ）成分が２０〜５０重量％の範囲がよい。」
ウ　「【００７０】製造例１
　　重量平均分子量１３，０００、分子量分布（Ｍw／Ｍn）１．５のポリヒ
　ドロキシスチレン１２０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド６８０ｇに溶　解し、この溶液の中にジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−カーボネート８５．０　ｇを加え、かき混ぜながら完全に溶解したのち、トリエチルアミン５９ｇ　を約１５分間かけて滴下した。滴下終了後、そのまま約３時間かき混ぜた　。次いで、得られた溶液に対して２０倍量の純水を加え、水酸基がｔｅｒ　ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレンを　析出させた。該析出物を純水で洗浄、脱水、乾燥して、水酸基の３９モル　％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシ　スチレン（重量平均分子量１３，０００、分子量分布（Ｍw／Ｍn）１．５
　）１５０ｇを得た。」
エ　「【００７１】製造例２
　　重量平均分子量１３，０００、分子量分布（Ｍw／Ｍn）１．５のポリヒ
　ドロキシスチレン１２０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド６８０ｇに溶　解し、この溶液の中に１−クロロ−エトキシエタン４２．３を加え、かき　混ぜながら完全に溶解したのち、トリエチルアミン７８．８ｇを約３０分　間かけて滴下した。滴下終了後、そのまま約３時間かき混ぜた。次いで、　得られた溶液に対して２０倍量の純水を加え、水酸基が１−エトキシエト　キシ基で置換されたポリヒドロキシスチレンを析出させた。該析出物を純　水で洗浄、脱水、乾燥して、水酸基の３９モル％が１−エトキシエトキシ　基で置換されたポリヒドロキシスチレン（重量平均分子量１３，０００、　分子量分布（Ｍw／Ｍn）１．５）１３０ｇを得た。」
オ　「【００７４】実施例１
　　製造例１で得られたポリヒドロキシスチレン３ｇと製造例２で得られた　ポリヒドロキシスチレン７ｇ、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾ　メタン０．４ｇ、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメ　タン０．１ｇ、ピロガロールトリメシレート０．２ｇ、サルチル酸０．０　２ｇ及びベンゾフェノン０．１ｇをプロピレングリコールモノメチルエー　テルアセテート４５ｇに溶解したのち、さらにトリエチルアミン０．０３　ｇ及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド０．５ｇを加えて溶解して得られた　溶液を孔径０．２μｍのメンブレンフイルターでろ過したものをポジ型レ　ジストの塗布液として調製した。」
カ　「【００７５】
　　次に調製された塗布液をスピンナーを使用してシリコンウエ−ハ上に塗　布し、ホットプレート上で８０℃、９０秒間乾燥して膜厚０．７μｍのレ　ジスト膜を得た。この膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ（　ニコン社製）を用い、１ｍＪづつドーズ量を加え露光したのち、１０５℃　、９０秒間加熱し、次いで２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒド　ロキシド水溶液で２３℃にて６５秒間現像処理し、３０秒間水洗、乾燥し　てレジストパターンを形成した。」
キ　「【００８０】実施例２
　　実施例１において、基板をＴｉＮの金属膜が形成されたシリコンウェハ　ーとした以外は、実施例１と同様にしてレジストパターンを形成した。形　成されたレジストパターン断面は定在波の影響はなく矩形に近い良好なも　のであり、０．２３μｍのラインアンドスペースパターンが形成された。　」
ケ　「【００８１】実施例３
　　実施例１において、基板をＢＰＳＧの絶縁膜が形成されたシリコンウェ　ハーとした以外は、実施例１と同様にしてレジストパターンを形成した。　形成されたレジストパターン断面は定在波の影響はなく矩形に近い良好な　ものであり、０．２３μｍのラインアンドスペースパターンが形成された　。」
　これらの記載から明らかなように、原明細書に記載された上記（ａ）成分は、本件発明のポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体に相当するものである。
　しかしながら、原明細書には、樹脂成分（基材樹脂）として、（ａ）成分と（ｂ）成分の混合物を用いることが記載されているだけで、（ａ）成分からなる樹脂成分、すなわち（ａ）成分のみを樹脂成分（基材樹脂）として用いることについては、何ら記載されておらず、示唆する記載もない。
　
(３)　この点について、特許権者は、訂正請求書と同日付で提出した意見書　において、以下のように主張している。
「一般に所定の成分を混合して用いるという技術的思想の創作が生じる場合、最初から突如として混合してもちいることが発想されることはなく、その前提として必ず混合する前の個々の成分を用いることが発想され、次いで混合して用いることが発想されるのでありますから、実施例１ないし３で用いている基材樹脂については、それぞれ製造例１で得られたポリヒドロキシスチレンを基材樹脂として用いた場合と製造例２で得られたポリヒドロキシスチレンを基材樹脂として用いた場合が潜在的に示されると考えるのが至当であり、当業者であれば、これらの場合から各成分を単独で用いる基材樹脂を想到することは極めて容易でありますので、原明細書には、本件請求項１の特定発明が示唆されているということができるのであります。」
　しかしながら、実際の発想の順序がどうであれ、分割出願の発明が、特許法４４条１項の「二以上の発明を包含する特許出願の一部」であるためには、分割出願の発明において特定する技術的事項のすべてが、もとの出願の当初明細書（原明細書）の発明の詳細な説明に記載されていなければならないものであるところ、原明細書においては、ＫｒＦエキシマレーザーのための化学増幅型ポジ型レジスト組成物における樹脂成分として使用できることが確認されているのは、（ａ）成分と（ｂ）成分とを混合した場合だけであって、原明細書の記載からでは、樹脂成分として（ａ）成分のみを単独で使用した場合についても、（ａ）成分と（ｂ）成分と混合して用いた場合に匹敵する作用効果を有することを示す根拠は全く見いだせず、原明細書から自明であるとすることはできない。
　
(４)　以上のとおり、原明細書には、本件発明のポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体のみを樹脂成分（基材樹脂）として用いることについては、何ら記載されておらず、また、自明であるとすることもできないから、本件発明１及び本館発明２は、原明細書に記載された発明であるとすることはできない。
　したがって、本件に係る特許出願は、特許法第４４条第１項に規定する特許出願であるとは認められず、その出願日は、現実の出願日である平成１３年５月７日である。
　
２　引用する刊行物及び各刊行物に記載された発明
　上記刊行物１ないし刊行物９は、いずれも本件の現実の出願日である平成１３年５月７日の前に頒布された刊行物であって、それぞれ以下のことが記載されている。
刊行物１：特開平８−２５３５２８号公報
(1a)「【請求項１】フェノール性ヒドロキシル基の１０〜９０％が、式Ｉ
【化１】
〔式中、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ互いに独立してＣ１〜Ｃ６アルキル、・・・〕の保護基によって置換されているが、但し重量平均分子量対数平均分子量の比率Ｍw／Ｍnは１.０３〜１.８０の範囲である、フェノール樹脂」
【請求項２】式ＩＩおよびＩＩＩ：
【化２】
 （Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は請求項１に定義したとおりであり、そしてＲ４およびＲ５は互いにそれぞれ独立して水素、メチル、ハロゲンであり、そしてＲ６およびＲ７は互いにそれぞれ独立して水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシまたはハロゲンである）の構造反復単位を含む、請求項１記載のフェノール樹脂。
・・・・
【請求項５】Ｒ１およびＲ２が、それぞれ互いに独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、tert−ブチルもしくはシクロヘキシルであるか、またはＲ１およびＲ２は、結合している酸素および炭素と一緒にテトラヒドロピラニル環を形成する、式ＩＩおよびＩＩＩの構造反復単位を含む、請求項２記載のフェノール樹脂。
【請求項６】Ｒ３が水素またはメチルである、式ＩＩおよびＩＩＩの構造反復単位を含む、請求項２記載のフェノール樹脂。
【請求項７】フェノール性ヒドロキシル基の１５〜７０％が、式Ｉの保護基で置換されている、請求項１記載のフェノール樹脂。
【請求項８】重量平均対数平均分子量の比率、Ｍw／Ｍnは１.０３〜１.５である、請求項１記載のフェノール樹脂。
【請求項９】（Ａ）および（Ｂ）の全量を基準にして、
（Ａ）請求項１のフェノール樹脂８０.０〜９９.９重量％
（Ｂ）活性線に露光すると酸を発生する物質を０.１〜２０.０重量％
からなる、放射線感受性組成物。
　【請求項１０】成分（Ａ）および（Ｂ）に加えて、成分（Ｃ）として有機
溶媒を含む、請求項９記載の放射線感受性組成物。」
に関し、
(1b)「【０００１】【発明の分野】本発明は、実質的に単分散性の狭い分子量分布を有し、酸に不安定なアセタールおよびケタール側鎖基を有するフェノール樹脂、これらのフェノール樹脂を含む放射線感受性組成物、これらの組成物を使用する像形成の方法、およびポジフォトレジストにおけるポリマーの使用に関する。」
(1c)「【０００７】ＥＰ Ａ ５２０ ６４２には、アセタールまたはケタール基によって部分的に保護されているポリ（ヒドロキシスチレン）ポリマーが提案されており、このポリマーは、上記のような欠点を有していないとしている。しかしながら、遊離フェノールモノマー単位を有するコポリマーは、熱安定性が著しく失われ易いことが知られている。熱に誘発された分解（自触媒作用）は、弱酸性のフェノールヒドロキシル基の触媒効果による部分的な脱保護に帰することができる。先行技術のレジストでは、特に非常に酸に不安定な保護基、例えばアセタールおよびケタール保護基の場合には、この問題を解決するのが不可能であった。しかしながら、好ましいのはまさにこれらの保護基であり、それはこれらが酸にあまり不安定でない保護基、例えばtert−ブトキシカルボニルオキシ（ＴＢＯＣ）基またはtert−ブチルエステル保護基よりも、露光と後露光ベークとの間の間隔を比較的長くできる（従って、処理性がより大きくなる）からである。」
(1d)前記フェノール樹脂について、「【００１５】・・・特に好ましいフェノール樹脂は、Ｒ１およびＲ２がそれぞれ互いに独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、tert−ブチルまたはシクロヘキシルであるか、またはＲ１およびＲ２はこれらの基が結合している酸素または炭素原子と一緒にテトラヒドロフラニルまたはテトラヒドロピラニル環を形成する、式ＩＩおよびＩＩＩの構造反復単位からなるものである。式ＩＩおよびＩＩＩの構造単位では、Ｒ３は水素またはメチルが好ましい。」
(1e)溶媒について、「【００２９】成分（Ｃ）としての有機溶媒およびその濃度の選択は、主にレジスト処方物の組成の性質および塗布方法に依存している。・・・このような溶媒の例は、メチルエチルケトン、イソブチルメチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、Ｎ−メチルピロリドン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール；アセテート、例えば酢酸ブチル；１−メトキシ−２−プロパノール、１,２−ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ブチルグリコール、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、例えばエチルセロソルブ、エチレングリコールモノブチルエーテルおよびメチルセロソルブ；アルキレングリコールアルキルエーテルエステル、例えば酢酸メチルセロソルブ、酢酸エチルセロソルブ、酢酸プロピレングリコールエチルエーテル、酢酸メトキシプロピル；酢酸エチル、ｎ−ブチルアセテート、エチル３−エトキシプロピオネートおよびメトキシメチルプロピオネート、乳酸エチル、トルエンおよびキシレンである。好ましい有機溶媒は、乳酸エチル、エトキシエチルプロピオネートであり、特に酢酸メトキシプロピルである。」
(1f)露光光源について、「【００３９】一般に、露光は、好ましくは約１９０〜１０００ｎｍの間、特に１９０〜３００ｎｍ、そして特に２５０ｎｍの波長を有するＵＶおよび／またはＶＩＳ放射線を用いて実施する。照射は、主にすべての知られている放射線源、例えば高圧水銀ランプまたはＵＶ／ＶＩＳレーザー、そして特にエキシマーレーザー（２４８ｎｍの波長を有するＫｒＦエキシマーレーザー光）を用いて実施することができる。」
と記載され、
(1g)「合成実施例１」として、単分散性のポリ−４−ヒドロキシスチレン（Ｍｗ＝８３００、Ｍｗ／Ｍｎ＝ｌ．１２）にtert−ブチルビニルエーテルを反応させることによって、３０モル％のＯＨ基が１−tert−ブトキシエトキシ基で保護された、Ｍｗ＝８５３０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１８である単分散性のポリ（４−（ｌ−tert−ブトキシエトキシ）スチレン／４−ヒドロキシスチレン）コポリマーを得たこと（【００４７】参照）
(1h)「合成実施例２」として、単分散性のポリ−４−ヒドロキシスチレン（Ｍｗ＝６４６０、Ｍｗ／Ｍｎ＝ｌ．１８）にtert−ブチルビニルエーテルを反応させることによって、３０モル％のＯＨ基が１−tert−ブトキシエトキシ基で保護された、Ｍｗ＝８３９０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１６である単分散性のポリ（４−（ｌ−tert−ブトキシエトキシ）スチレン／４−ヒドロキシスチレン）コポリマーを得たこと（【００４８】参照）
(1i)「応用実施例１」及び「応用実施例２」として、それぞれ「合成実験例１」及び「合成実験例２」で製造したコポリマーを、他の所用成分と共に、溶媒として、ｌ−メトキシ−２−プロピルアセテートを用いてレジスト組成物を作成したこと、該レジスト組成物をシリコンウェファー上ににスピンコートし、ＫｒＦエキシマレーザーで露光したこと（【００５０】、【００５１】参照）
が記載されている。
　
刊行物３：特開平５−２４９６８２号公報
(3a)「【０００１】・・・【産業上の利用分野】本発明は半導体素子等の製造に於いて用いられるレジスト材料に関する。詳しくは露光エネルギー源として300 nm以下の遠紫外光、例えば248.4 nmのＫｒＦエキシマレーザ光等を用いてポジ型のパターンを形成する際のレジスト材料に関する。」
(3b)「【０００３】例えば、ＫｒＦエキシマレーザ光や遠紫外光を光源とするレジスト材料として248.4nm付近の光に対する透過性が高い樹脂と分子内にジアゾジケト基を有する感光性化合物より成る溶解阻害型のレジスト材料が開発されている・・・。しかし、これ等の溶解阻害型レジスト材料は共通して感度が低く、高感度レジスト材料が要求される遠紫外光、ＫｒＦエキシマレーザ光用途には使用出来ない。又、近年、露光エネルギー量を低減させる方法（高感度化）として露光により発生した酸を媒体とする化学増幅型のレジスト材料が提案され・・・、これに関して種々の報告がなされている・・・。」
(3c)「【０００５】更に、最近になって上記の欠点を改良したレジスト材料としてｐ−tert−ブトキシカルボニルオキシスチレンとｐ−ヒドロキシスチレンとの共重合体を用いたレジスト材料、・・・・等が報告されている。しかしながら、これ等・・・・の共重合体をレジスト材料の樹脂成分として用いた場合、高感度を保ち、且つtert−ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、tert−ブチル基等の保護基を脱離させてアルカリ可溶性にする為には強い酸を存在させる必要がある。・・・・等が使用されているが、このように強い酸の存在下でパターン形成を行った場合、露光から加熱処理までの時間経過に伴って、パターン寸法が著しく変化したり、全くパターン形成出来なくなったりするので、極めて短い時間ではパターン形成が可能であっても、露光から加熱処理までに時間を要する実際の操作に於いては良好なパターン形成は出来ない。」
(3d)「【０００９】【発明の目的】本発明は上記した如き状況に鑑みなされたもので、遠紫外光、ＫｒＦエキシマレーザ光等に対し高い透過性を有し、これ等光源による露光や電子線、Ｘ線照射に対して高い感度を有し、耐熱性及び基板との密着性が極めて優れ、高解像性能を有し、且つパターン寸法が経時変化せずに精度の高いパターンが得られる実用的なポジ型レジスト材料を提供する事を目的とする。」
(3e)「【００２８】一般式［Ｉ］で示される本発明に係る重合体に於て、ｍ＝０の場合は即ち、第三の成分を含まない場合は必然的に下記一般式［ＩＩ］
【００２９】
【化１４】
【００３０】
［式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２及びＲ３は夫々独立して水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し（但し、Ｒ２及びＲ３が共に水素原子の場合は除く。）、又、Ｒ２とＲ３とで炭素数２〜５のメチレン鎖を形成していても良く、Ｒ４は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のハロアルキル基、又はアラルキル基を表し、ｋとｌは夫々独立して自然数を表す｛但し、０．１≦ｋ／（ｋ＋ｌ）≦０．９である。｝。］で示される重合体となる。
【００３１】一般式［Ｉ］又は［ＩＩ］で示される本発明に係る重合体に於いて、上記一般式［IＸ］で示されるモノマー単位と、一般式［Ｘ］で示されるモノマー単位の構成比は通常１：９乃至９：１であり、何れの場合も本発明のレジスト材料として使用可能であるが重合体の耐熱性及び基板との密着性を極めて良好にする２：８乃至７：３がより好ましい。」
(3f)「【００４２】本発明に係る重合体の平均分子量としてはレジスト材料として利用可能なものであれば特に限定することなく挙げられるが、好ましい範囲としては、ポリスチレンを標準とするＧＰＣ測定法により求めた重量平均分子量が通常１０００〜４００００程度、より好ましくは３０００〜２５０００程度である。」
(3g)「【００５６】本発明で用いられる溶剤としては、・・・プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、・・・等が挙げられるが、勿論これ等に限定されるものではない。」
と記載され、
(3h)製造例１のポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］の合成では、得られた重合体のｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は約１：１であり、重量平均分子量が約８５００、Ｍｗ／Ｍｎ≒１．８であったこと（【００７４】）
(3i)製造例２のポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］の合成では、重量平均分子量が９０００で、Ｍｗ／Ｍｎ≒２．９であること（【００７５】）、
(3j)製造例３ないし製造例５のポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］の合成では、重量平均分子量が、それぞれ「１００００」、「１１０００」及び「１００００」であること（【００７６】〜【００８０】）
(3k)製造例６のポリ［ｐ−（１−メトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］の合成では、得られた重合体のｐ−（１−メトキシエトキシ）スチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は約４５：５５であり、重量平均分子量が９０００、Ｍｗ／Ｍｎ≒１．８であったこと（【００８１】）
(3l)表３の実施例２３では、ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］と、ジアゾ系酸発生剤の組合せに、溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを使用したこと（【０１２５】）
(3m)同じく実施例２６では、ポリ［ｐ−（１−メトキシ−１−メチルエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］と、ジアゾ系酸発生剤の組合せに、溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを使用したこと（【０１２５】）
が記載され、
(3n)発明の効果について、「本発明のレジスト材料を３００ｎｍ以下の光源、例えば遠紫外光（Deep　ＵＶ）、例えばＫｒＦエキシマレーザ光（２４８．４ｎｍ）等の露光用レジスト材料として用いた場合には、極めて高い解像性能を有し、且つ露光から加熱処理（ポストベーク）迄の時間経過に対して安定したパターン寸法の維持が可能な、実用的なクオーターミクロンオーダーの形状の良い微細なパターンが容易に得られる。従って本発明は、半導体産業に於ける超微細パターンの形成にとって大きな価値を有するものである。」（【０１３５】）
と記載されている。
　
刊行物４：特開平６−１９４８４２号公報
(4a)「【０００７】【発明の目的】本発明は、上記した如き状況に鑑みなされたもので、高感度、高解像度、高耐ドライエッチ性を有し、又、安定したパターン寸法を維持可能な化学増幅型ポジ型電子線レジスト及びこれを用いた微細パターン形成方法を提供する事を目的とする。」
(4b)「【００２３】本発明に係る一般式［Ｉ］で示される重合体は、酸で脱離し得る一般式［ＩＶ］
【００２４】【化１７】
【００２５】（式中、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は前記と同じ。）で示される官能基、即ちアルコキシアルキル基、ハロアルコキシアルキル基又はアラルキルオキシアルキル基を有するモノマー単位、即ち、一般式［ＩＩＩ］
【００２６】
【化１８】
【００２７】（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は前記と同じ。）で示されるモノマー単位を含んで成る点に最大の特徴を有する。特に一般式［IＶ］で示される官能基は既存のtert−ブトキシカルボニル基、tert−ブチル基、トリメチルシリル基や類似したテトラヒドロピラニル基等の官能基に比較して、アルコキシ基の電子供与性に起因して官能基部位の電子密度が高くなっている為、少量の酸により極めて容易に分解反応が進行する。従って、少ないドーズ量で化学増幅が進行するので従来のポジ型レジストに比して感度が高くなり、大幅な生産性向上が可能になる。又、解像度の向上及びパターン寸法維持の点で大幅に有利である。」
(4c)「【００３６】本発明に係る重合体の具体例としては例えばポリ（ｐ−１−メトキシ−１−メチルエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）、・・・、ポリ（ｐ−１−エトキシエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ−１−メトキシエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ［ｐ−１−（１，１−ジメチルエトキシ）−１−メチルエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］、・・・・、ポリ（ｐ−１−エトキシ−１−メチルエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）、・・・・等が挙げられるが、勿論これ等に限定されるものではない。」
(4d)「【００４５】本発明に係る重合体の平均分子量としてはレジスト材料として利用可能なものであれば特に限定することなく挙げられるが、好ましい範囲としては、ポリスチレンを標準とするＧＰＣ測定法により求めた重量平均分子量が通常１０００〜５００００程度、より好ましくは３０００〜４００００程度である。」
(4e)「【００６８】一般式［Ｖ］、［ＶＩ］、［ＶＩＩ］、［ＶＩＩＩ］、［Ｘ］又は［ＸＩ］で示される酸発生剤を含んで成る本発明のレジスト材料は電子線照射はもとより、ＫｒＦエキシマレーザ光（248.4ｎｍ)露光やＸ線照射でも酸が発生し、化学増幅作用することが確認されている。従って、本発明のレジスト材料は化学増幅法を利用して低ドーズ量の電子線照射やＫｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外光露光或いはＸ線照射法によりパターン形成可能なレジスト材料である。」
と記載され、
(4f)製造例１のポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］の合成では、ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比が約１：１であり、重量平均分子量が８５００、Ｍｗ／Ｍｎ≒１．８であるものが合成されたこと（【００７９】〜【００８２】）
(4g)製造例２のポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］の合成では、重量平均分子量が９０００で、Ｍｗ／Ｍｎ≒２．０であこと（【００８３】）
(4h)製造例３ないし製造例５のポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］の合成では、重量平均分子量が、それぞれ「１００００」、「１１０００」及び「１００００」であること（【００８４】〜【００８８】）
(4i)製造例６のポリ［ｐ−（１−メトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］の合成では、得られた重合体のｐ−（１−メトキシエトキシ）スチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は約４５：５５であり、重量平均分子量が９０００、Ｍｗ／Ｍｎ≒１．８であること（【００８９】〜【００９２】）
が記載されている。
　
(５)　刊行物５：特開平６−２８７１６３号公報
(5a)「【請求項３】一部の水酸基の水素原子がｔ−ブトキシカルボニル基で置換されたポリ（ヒドロキシスチレン）樹脂（ａ）、溶解阻害剤（ｂ）及び酸発生剤（ｃ）をそれぞれ重量百分率で０．５５≦ａ、０．０７≦ｂ≦０．４０、０．００５≦ｃ≦０．１５並びにａ＋ｂ＋ｃ＝１となるように含有すると共に、アルカリ水溶液で現像することが可能な、高エネルギー線に感応するポジ型レジスト材料であって、前記溶解阻害剤（ｂ）が請求項１に記載された第三級ブチルエステル誘導体であることを特徴とするポジ型レジスト材料。
【請求項４】ポリ（ヒドロキシスチレン）が、リビング重合反応により得られる単分散性ポリ（ヒドロキシスチレン）である、請求項３に記載のポジ型レジスト材料。」（特許請求の範囲）に関し、
(5b)【００３４】ポリ（ヒドロキシスチレン）樹脂の重量平均分子量は、耐熱性のレジスト膜を得るという観点から、１万以上であることが好ましく、又精度の高いパタンを形成させるという観点から分子量分布は単分散性であることが好ましい。ラジカル重合で得られるような、分子量分布の広いポリ（ヒドロキシスチレン）系樹脂を用いた場合には、レジスト材料中に、アルカリ水溶液に溶解し難い大きい分子量のものまで含まれることとなるため、これがパタン形成後の裾ひきの原因となる。従って、リビング重合によって得られるような単分散性のポリ（ヒドロキシスチレン）樹脂を使用することが好ましい。」
(5c)「【００３７】尚、単分散性とは分子量分布がＭｗ／Ｍｎ＝１．０５〜１．５０であることを意味する。
(5d)「【００４９】本発明においては、オニウム塩以外の化合物を酸発生剤として単独で或いは併用して用いることができる。上記化合物としては、例えば、置換又は非置換のジ（フェニルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾ化合物、２，６─ジニトロベンジルトシレート等のベンジルトシレート類、ベンゾイントシレート及びトリアジン誘導体等を挙げることができる。」
と記載され、
(5e)実施例５では、「ベース樹脂には、分子量が１０，０００で分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０５のポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）を２０モル％ｔ−ブトキシカルボニル化した樹脂を用いた。」（【００６９】参照）
(5e)表３には、５つのベース樹脂の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が、それぞれ「１．１０」、「１．１３」、「１．１１」、「１．００」及び「１．３１」であること（段落【００７８】）
が記載されている。
　
刊行物８：「ＵＬＳＩリソグラフィ技術の革新」３０８〜３１７頁
　「化学増幅型レジスト」に関し、
(8a)「ノボラック樹脂はＫｒＦリソグラフィには光吸収が大きく使用できないので、ポリヒドロキシスチレン（ＰＨＳ）をベースにした材料が別に開発されている」（第３１０頁左欄第１０〜１２行）
(8b)「ＮＴＴはイオン重合で得られる狭分散ＰＨＳを用い、部分的にｔＢＯＣ化したレジストを検討し、解像性が改善されることを報告している。」（第３１１頁右欄第８〜１１行）
と記載されている。
　
刊行物９：Japanese Journal of Applied Physics,31(1992)p.4316〜4320
(9a)「新しい単分散ＰＨＳ（決定注：ポリヒドロキシスチレンの略）をベース樹脂とした化学増幅型ポジレジスト（ＭＤＰＲ）がＫｒＦエキシマレーザリソグラフィー用に開発された。ＭＤＰＲは、アルカリ現像可能な単層レジストで、部分的にｔ−ＢＯＣ（決定注：ｔ−ブトキシカルボニルの略）で保護された単分散のＰＨＳ、溶解抑止剤、及び光酸発生剤から構成されている。リビング重合により合成されたほぼ単分散のＰＨＳを使用することにより、微細パターンを得ることができること。ＭＤＰＲは、γ値が４の高いコントラストを示し、これが高解像度をもたらしている。」（第４３１６頁の要約部分）
(9b)「tＢＯＣ−ＰＨＳは、重量平均分子量（Ｍｗ）が１３０００、３００００、７００００で、各々の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．２９、１．０２、１．０３のものを信越化学工業(株)から入手した。」（第４３１６頁左欄第２３〜２６行）
(9c)「この実験の中では、分子量が１３０００、分散度が１．２９のほぼ単分散であるＰＨＳをベースとしたレジストを使用した。」（第４３１６頁右欄下から第１５〜１８行）
(9d)「Ｍｗ／Ｍｎの効果を確かめるため、Ｍｗが３６４００、Ｍｗ／Ｍｎが１．７６及びｔＢＯＣ保護化率が１３％である多分散のＰＨＳをベースとしたレジストはについても検討した。分子量分布のみの効果を評価するため、多分散のＰＨＳをベースとしたレジストは、３種類の異なったＭｗ（１３０００、３００００、７００００）を有するほぼ単分散のｔＢＯＣ−ＰＨＳを混合することにより調整することができる。」（第４３１８頁右欄第８〜１４行）
と記載され、
(9e)「結論」の項には、「新しい単分散のＰＨＳをベース樹脂とした化学増幅型ポジレジスト（ＭＤＰＲ）が開発された。ＭＤＰＲは、部分的にｔ−ＢＯＣで保護されたＰＨＳ、溶解抑止剤、及び光酸発生剤から構成されているいる。ほぼ単分散のＰＨＳを使用することにより、微細パターンを得ることができる。」（第４３２０頁左欄第３〜８行）
と記載されている。
　
３　刊行物１に記載された発明との対比・判断
(１)　本件発明１について
ア　対比
　そこで、本件発明１と刊行物１に記載された発明とを対比する。
(ア)　刊行物１に記載された式ＩＩと式ＩＩＩの構造反復単位を含むフェノ　ール樹脂は、「活性線に露光すると酸を発生する物質」及び「有機溶媒」　と共に、ポジ型レジスト組成物を構成するものであること（摘記事項(1b)　、及び露光光源としてＫｒＦエキシマレーザーを用いること（摘記事項(1　f)）が記載されているから、刊行物１に記載された発明におけるフェノー　ル樹脂は、本件発明と同様に、「ＫｒＦエキシマレーザーのためのポジ型　レジスト用基材樹脂」であるといえる。
(イ)　刊行物１に記載された前記式ＩＩ及び式ＩＩＩは、それぞれ本件発明　１における【化２】及び【化１】に対応するものであって、刊行物１に記　載された式ＩＩＩにおけるＲ３、Ｒ２及びＲ１が、それぞれ本件発明１に
　おけるＲ１、Ｒ２及びＲ３に相当し、刊行物１に記載された発明において
　、「Ｒ３は水素またはメチルが好ましい」（請求項６、摘記事項(1d)参
　照）としていることから、「Ｒ１」が表す基は同じである。
(ウ)　刊行物１に記載された発明では、「フェノール性ヒドロキシル基の１　５〜７０％が、式Ｉの保護基で置換されている」としており、これは、本　件発明１における【化２】で表される構成単位式が１５〜７０モル％であ　ることに相当するものである。
(エ)  刊行物１における合成実施例１及び合成実施例２では、得られた樹脂　の重量平均分子量が、「８５３０」及び「８３９０」であったことが記載　されており（摘記事項(1g)、(1h））、いずれも本件発明１における「８　、０００〜２５，０００」に包含されるものである。
(オ)　刊行物１に記載された発明では、フェノール樹脂の重量平均対数平均　分子量の比率、Ｍw／Ｍnは「１.０３〜１.５」であるとしており（請求項　６等）、これは、本件発明１における「分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．５　以下」に相当するものである。
　　
　以上の認定を踏まえると、両者は、
「一般式【化１】
（式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基）で表わされる構成単位１０〜６０モル％と、式【化２】
で表わされる構成単位９０〜４０モル％で構成され、かつ重量平均分子量８、０００〜２５，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．５以下を有するポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体からなるＫｒＦエキシマレーザーのためのポジ型レジスト用基材樹脂。」
である点で一致しており、以下の点で相違しているといえる。
相違点ａ：
　本件発明１では、「化学増幅型」であるとしているのに対して、刊行物１には、ポジ型レジストが「化学増幅型」であることは明記されていない点。
相違点ｂ：
　一般式【化１】におけるＲ２及びＲ３について、本件発明１では、メチル基又はエチル基としているのに対して、刊行物１に記載された発明では、「それぞれ互いに独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、tert−ブチルまたはシクロヘキシルであるか、またはＲ１およびＲ２はこれらの基が結合している酸素または炭素原子と一緒にテトラヒドロフラニルまたはテトラヒドロピラニル環を形成する」としているだけで、メチル基又はエチル基に限定するものではない点。
　
イ　相違点について
　以下、これらの相違点について検討する。
(ア）　相違点ａについて
　相違点ａについて検討するに、刊行物３及び刊行物４にも記載されているとおり、刊行物１に記載されたポジ型レジストが「化学増幅型」のレジスト組成物であることは、本件出願前に既によく知られているところである。 
　よって、相違点ａは、実質的な相違点ではないか、あるいは、相違点であったとしても当業者が容易に想到しうるものである。
　
(イ)　相違点ｂについて
　刊行物１に記載された発明では、摘記事項(1d)から明らかなように、メチル基も、エチル基も例示されているが、合成実施例１、２では、いずれも、ポリ（４−（ｌ−tert−ブトキシエトキシ）スチレン／４−ヒドロキシスチレン）コポリマー、すなわち、本件発明におけるＲ３に相当する基が「tert−ブチル基」であって、メチル基及びエチル基とする具体的な記載はない。
　しかしながら、刊行物３及び刊行物４には、いずれも刊行物１と同様なＫｒＦ用のポジ型レジストに関する発明が記載されており、刊行物３に記載された製造例１ないし製造例６、及び刊行物４の製造例１ないし製造例６で合成されているヒドロキシスチレン誘導体は、本件発明におけるＲ２及びＲ３がに相当する基が、メチル基またはエチル基であるヒドロキシスチレン誘導体に相当するものである。
　してみれば、当業者であれば、刊行物１に記載された発明において例示されている置換基において、メチル基又はエチル基を特定することに困難性があるとすることはできない。
　
ハ　まとめ
　以上のとおり、刊行物１に記載された発明において、相違点ａ及び相違点ｂに係る構成を採用することは当業者が容易になしうることであり、また、本件発明１が、相違点ａ及び相違点ｂを組み合わせてことにより予期し得ない効果を奏しているとすることもできない。
　したがって、本件発明１は、刊行物１、３及び４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
　
(２)　本件発明２について
　本件発明２は、「請求項１記載のＫｒＦエキシマレーザーのためのポジ型レジスト用基材樹脂を含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含む溶剤に溶解してなるレジストパターン形成用溶液。」というものであるが、刊行物１（摘記事項(1e)）には、特に好ましい溶媒の例として「酢酸メトキシプロピルである」と記載され、特に、応用実施例１では、溶媒として、「ｌ−メトキシ−２−プロピルアセテート」を用いたことが記載されており、これは、本件発明２における「プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート」に相当するものである。
　してみれば、本件発明１と刊行物１に記載された発明との相違点は、上記相違点だけであり、該相違点については前項に記載したとおりである。
　よって、本件発明２も、本件発明１と同様の理由により、刊行物１、３、及び４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
　
４　刊行物３に記載された発明との対比判断
(１)　引用する刊行物及び刊行物３に記載された発明
　刊行物３ないし９は、いずれも前項１に記載した原出願の出願日である平成７年１０月３０日の前に頒布されたものであるところ、刊行物３には、前項２に記載した摘記事項(3d)ないし(3f)からみて、以下の発明が記載されているといえる。
　下記一般式［ＩＩ］     
 ［式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２及びＲ３は夫々独立して水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し（但し、Ｒ２及びＲ３が共に水素原子の場合は除く。）、又、Ｒ２とＲ３とで炭素数２〜５のメチレン鎖を形成していても良く、Ｒ４は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のハロアルキル基、又はアラルキル基を表し、ｋとｌは夫々独立して自然数を表す｛但し、０．１≦ｋ／（ｋ＋ｌ）≦０．９である。｝。］で示される、重量平均量が３０００〜２５０００程度である重合体と、露光により酸を発生する感光性化合物と、これらを溶解可能な溶剤を含んで成るＫｒＦエキシマレーザ用化学増幅型ポジ型レジスト組成物。」
　　
(２)　本件発明１について
ア　対比
　そこで、本件発明１と刊行物３に記載された発明とを対比する。
(ア)　刊行物１に記載された製造例１ないし製造例５で合成された、ポリ［　ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］及び　製造例６で合成された、ポリ［ｐ−（１−メトキシエトキシ）スチレン−　ｐ−ヒドロキシスチレン］は、本件発明１における、一般式【化１】（式　中、Ｒ１は水素原子又はメチル基、Ｒ２及びＲ３はメチル基又はエチル基
　である）で表わされる構成単位及び一般式【化２】で表わされる構成単位　とからなる（ヒドロキシスチレン）誘導体に相当するものである。
(イ)　摘記事項(3e)の「本発明のレジスト材料として使用可能であるが重合　体の耐熱性及び基板との密着性を極めて良好にする２：８乃至７：３がよ　り好ましい。」という記載からみて、刊行物３に記載された発明の（ヒド　ロキシスチレン）重合体の構成比は、その殆どが、本件発明１における一　般式【化１】で表わされる構成単位１０〜６０モル％と一般式【化２】で　表わされる構成単位９０〜４０モル％と重複するものである。
　
　以上の認定を踏まえると、両者は、
「一般式【化１】
（式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基、Ｒ２及びＲ３はメチル基又はエチル基である）で表わされる構成単位１０〜６０モル％と、式【化２】
で表わされる構成単位９０〜４０モル％で構成され、かつ重量平均分子量８，０００〜２５，０００を有するポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体からなるＫｒＦエキシマレーザーのための化学増幅型ポジ型レジスト用基材樹脂）」
である点で一致し、以下の点で相違している。
相違点ｃ：
　分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）について、本件発明１では、１．５以下と規定するのに対して、刊行物３に記載された発明では、最小でも「１．８」である点。
　
イ　相違点ｃに係る構成の容易想到性ついて
　刊行物５には、樹脂成分として、一部の水酸基の水素原子がｔ−ブトキシカルボニル基で置換されたポリ（ヒドロキシスチレン）樹脂を用いたポジ型レジスト組成物（摘記事項(5a)参照）に関し、「ポリ（ヒドロキシスチレン）樹脂の重量平均分子量は、耐熱性のレジスト膜を得るという観点から、１万以上であることが好ましく、又精度の高いパタンを形成させるという観点から分子量分布は単分散性であることが好ましい。ラジカル重合で得られるような、分子量分布の広いポリ（ヒドロキシスチレン）系樹脂を用いた場合には、レジスト材料中に、アルカリ水溶液に溶解し難い大きい分子量のものまで含まれることとなるため、これがパタン形成後の裾ひきの原因となる。従って、リビング重合によって得られるような単分散性のポリ（ヒドロキシスチレン）樹脂を使用することが好ましい。」及び「尚、単分散性とは分子量分布がＭｗ／Ｍｎ＝１．０５〜１．５０であることを意味する。」と記載されている。
　また、刊行物９には、「新しい単分散のＰＨＳをベース樹脂とした化学増幅型ポジレジスト（ＭＤＰＲ）が開発された。ＭＤＰＲは、部分的にｔ−ＢＯＣで保護されたＰＨＳ、溶解抑止剤、及び光酸発生剤から構成されているいる。ほぼ単分散のＰＨＳを使用することにより、微細パターンを得ることができる。」と記載され、実験では、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．２９のものを使用するとともに、Ｍｗ／Ｍｎの効果を確かめるために、Ｍｗ／Ｍｎ）が１．７６のものを用いたことが記載されている。
　さらに、刊行物８には、「ノボラック樹脂はＫｒＦリソグラフィには光吸収が大きく使用できないので、ポリヒドロキシスチレン（ＰＨＳ）をベースにした材料が別に開発されている」及び「ＮＴＴはイオン重合で得られる狭分散ＰＨＳを用い、部分的にｔＢＯＣ化したレジストを検討し、解像性が改善されることを報告している。」と記載されている。
  これらの刊行物の記載から明らかなように、本件の原出願の出願日である平成７年１０月３０日の前に、ポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体からなるＫｒＦエキシマレーザーのための化学増幅型のポジ型レジストにおいて、単分散であること、すなわち、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５以下であることが望ましいことは、既に知られているところである。
　
　これらの刊行物の記載は、いずれも、一部の水酸基の水素原子がｔ−ブトキシカルボニル基で置換されたポリ（ヒドロキシスチレン）樹脂に関するものであるが、ポリヒドロキシスチレン誘導体をベース樹脂としたＫｒＦエキシマレーザーのための化学増幅型ポジレジストである点では、本件発明１と共通するものであるから、当業者であれば、刊行物３に記載された発明において、レジスト用基材樹脂（重合体）として、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５以下である、単分散のものを用いることに格別な創意を要するものとは認められない。
　
ウ　特許権者の主張について
　特許権者は、意見書（第１１頁下から第６行〜第１２頁第３行）において、「このように、分子量分布を１．５以下にした場合、感度、解像度、限界解像度、レジストパターントップビュウ及び耐熱性などの特性が改善するのは、ヒドロキシル基がエトキシエチルオキシのようなアルコキシアルキルオキシ基で置換された場合のみであり、それ以外の酸解離性基で置換された場合には、これらの改善は認められないのでありますから、本件請求項１の特許発明とは別異の置換基によりより水酸基の一部が置換されたポリヒドロキシスチレン誘導体について、分子量分布が１．５以下のものが記載されている刊行物５、８ないし９を参考にして、本件請求項１の特許発明を想到ことは当業者といえども全く不可能なのであります。」と主張している。
　しかしながら、本件明細書には、「さらに、耐熱性を高めるには、質量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）の比で表わされる分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５以下であることが必要である。」（段落【００１３】）と記載されているのみで、具体的なレジスト組成物については、本件発明のアルコキシアルキルオキシ基で置換されたヒドロキシスチレン誘導体と、それ以外の酸解離基に相当するｔ−ブトキシカルボニル基で置換されたヒドロキシシチレン誘導体の混合物、すなわち、１−エトキシエトキシ基で置換されたヒドロキシスチレン誘導体とｔ−ブトキシカルボニル基で置換されたヒドロキシシチレン誘導体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が共に「１．５」である混合物（参考例４、６、７）と「４」である混合物（参考例５）だけであるから、特許権者の上記主張の根拠となる記載は、本件明細書中には見いだせない。
　
　これに対し、特許権者は、「ポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部を置換する置換基の種類により、分子量分布の寄与度が異なり、本件請求項１の特許発明が決して刊行物３ないし刊行物９に記載された発明の基づいて当業者が容易に発明をすることができないことを明らかにするため、・・」（意見書第１２頁第４〜８行）として、追試の実験成績報告書（疎第１号証）を提出し、この実験結果をもとに、「以上のように、ポリヒドロキシスチレンについて、その水酸基の一部を置換している酸解離性保護基の種類により、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の大小すなわち、単分散か多分散かの影響は著しく異なるのでありますから、特定の化学増幅型のポジ型レジストにおいて重合体の分子量分布が小さいことすなわち単分散であることが好ましいことが知られているとしても、それに基づいて本件請求項１の特許発明において分子量分布を１．５以下に選ぶことにより奏される効果を予測することはできないのであります。」（意見書第１３頁第４〜１０行）と主張している。
　
　しかしながら、上記刊行物５、８及び９に記載されたものは、いずれも一部の水酸基の水素原子がｔ−ブトキシカルボニル基で置換されたポリ（ヒドロキシスチレン）樹脂に関するものであるが、特許権者も同意見書でも認めているとおり、例えば、特開平６−２７３９３５号公報（請求項２参照）、特開平６−２７３９３４号公報（請求項２参照）、特開平６−２３６０３７号公報（請求項２参照）及び特開平２−１６１４３６号公報（実施例１のベース樹脂の合成例参照）等に記載されているように、ｔ−ブトキシカルボニル基で置換されたポリ（ヒドロキシスチレン）樹脂に限らず、その他の酸解離性保護基で置換されたポリヒドロキシスチレン誘導体をベース樹脂としたＫｒＦエキシマレーザー用化学増幅型ポジレジストにおいても、該ベース樹脂の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の小さい方が好ましいことは、本件の原出願の出願日前に既によく知られているところであって、これらの刊行物には、感度、解像度に優れ、しかも、レジストパターンの耐熱性が優れており、微細で基板に対して垂直なパターンが形成できることが記載されている。（特開平６−２７３９３５号公報、特開平６−２７３９３４号公報及び特開平６−２３６０３７号公報の【効果】参照）
　一方、摘記事項(3c)に摘記するとおり、刊行物３には、ＫｒＦエキシマレーザー用化学増幅型ポジ型レジストにおける従来技術として、これらのtert−ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、tert−ブチル基等の酸解離性保護基で置換したヒドロキシスチレン誘導体を基材樹脂とするレジスト材料を挙げると共に、刊行物３に記載された発明の目的が、これらの従来技術における「このように強い酸の存在下でパターン形成を行った場合、露光から加熱処理までの時間経過に伴って、パターン寸法が著しく変化したり、全くパターン形成出来なくなったりするので、極めて短い時間ではパターン形成が可能であっても、露光から加熱処理までに時間を要する実際の操作に於いては良好なパターン形成は出来ない。」という問題点を解決することにあること、及び刊行物３に記載された発明が、「極めて高い解像性能を有し、且つ露光から加熱処理（ポストベーク）迄の時間経過に対して安定したパターン寸法の維持が可能な、実用的なクオーターミクロンオーダーの形状の良い微細なパターンが容易に得られる。」（摘記事項(3n)参照）という効果を有することが記載されている。
　
　してみれば、当業者であれば、刊行物３に記載された発明においても、レジスト用基材樹脂（重合体）として、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５以下である、単分散のものを用いてみることに、格別な創意を要するものとは認められない。
　そして、アルコキシアルキルオキシ基を酸解離性保護基としたことによる効果については、上述のとおり刊行物３に記載されており、特に、刊行物３に記載された「露光から加熱処理（ポストベーク）迄の時間経過に対して安定したパターン寸法の維持が可能」という記載は、本件発明１の効果である「引置き経時安定性」に該当するものであり、一方、基材樹脂の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を１．５以下としたことによる効果については、刊行物５に「精度の高いパターンを形成させるという観点から分子量分布は単分散であることが好ましい。」（摘記事項（5b））と記載され、刊行物８に「解像性が改善される」（摘記事項(8b)）と記載され、さらに、刊行物９に「微細パターンを得ることができる。ＭＤＲＰは、γ値が４の高いコントラストを示し、これが高解像性をもたらしている。」（摘記事項(9e)）と記載されているのであるから、特許権者の主張する本件発明１の効果である、エトキシエチルオキシのようなアルコキシアルキルオキシ基を酸解離性保護基とするポリヒドロキシスチレン誘導体を用いた場合に、その分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を１．５以下としたことによる効果については、これらの刊行物の記載に基づいて、当業者が当然に確認する程度のものであって、予測し得ない格別な効果とまではいえないものである。
　
エ　まとめ
　したがって、本件に係る特許出願が特許法第４４条第１項の規定に基づく適法な特許出願であるか否かに拘わらず、本件発明１は、本願出願前に頒布された刊行物である刊行物３に記載された発明及び刊行物５、刊行物８及び刊行物９等に記載された当該分野における周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
(３)　本件発明２について 
　本件発明２は、溶剤として「プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート」を使用することを規定するものであるが、刊行物３には、実施例においても用いられているので、実質的な相違ではない。また、化学増幅型のポジ型レジストの溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートは、本件出願前にすでによく知られているものである。 
　したがって、本件発明２も、本件発明１と同様の理由により、本願出願前に頒布された刊行物である刊行物３に記載された発明及び刊行物５、刊行物８及び刊行物９等に記載された当該分野における周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
  　
第６　結び
　以上のとおり、本件発明１は、本願出願前に頒布された刊行物である刊行物１、３及び４に記載された発明に基づいて、あるいは、本願出願前に頒布された刊行物である刊行物３に記載された発明及び刊行物５、８及び９等に記載された当該分野における周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１及び請求項２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであって、同法第１１３条第２号の規定により、取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年６月２０日（２００５．６．２０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
化学増幅型ポジ型レジスト用基材樹脂及びそれを用いたレジストパターン形成用溶液
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】一般式
　【化１】
（式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基、Ｒ２
及びＲ３
で
で表わされる構成単位１０〜６０モル％と、式
　【化２】
で表わされる構成単位９０〜４０モル％で構成され、かつ重量平均分子量８，０００〜２５，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．５以下を有するポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体からなる
ＫｒＦエキシマレーザーのための
　【請求項２】請求項１記載の
ＫｒＦエキシマレーザーのための
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、新規なポジ型レジスト用基材樹脂、さらに詳しくは、高感度、高解像性を有し、かつ耐熱性、焦点深度幅特性、引置き経時安定性及びレジスト溶液の保存安定性がよく、基板依存性がなくプロファイル形状の優れたレジストパターンを形成できる
ＫｒＦエキシマレーザー
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子は、ホトレジスト組成物を用いたホトリソグラフィー、エッチング、不純物拡散及び配線形成などの工程を数回繰り返し製造されているが、このホトリソグラフィーにおいては、ホトレジスト組成物をシリコンウエーハ上に回転塗布などにより塗布し薄膜を形成し、それをマスクパターンを介して、紫外線などの放射線を照射し、現像してレジストパターンを形成したのち、前記レジストパターンを保護膜としてエッチングが行われる。
　【０００３】
　そして、これまで、前記ホトリソグラフィーで使用されているホトレジスト組成物は、それに要求される解像性が、サブミクロン（ｌμｍ以下）、ハーフミクロン（０．５μｍ以下）程度であり、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）などの紫外線を利用したアルカリ可溶性ノボラック樹脂とキノンジアジド基含有化合物を基本成分としたポジ型ホトレジストで十分実用に供することができた。
　【０００４】
　ところで、近年、半導体素子の微細化が益々高まり、今日ではクオーターミクロン（０．２５μｍ以下）の超微細パターンを用いた超ＬＳＩの量産が開始されようとしている。しかし、このようなクオーターミクロンの超微細パターンを得るには、従来のアルカリ可溶性ノボラック樹脂とキノンジアジド基含有化合物を基本成分としたポジ型ホトレジストでは困難なことから、より短波長の遠紫外線（２００〜３００ｎｍ）、ＫｒＦ、ＡｒＦなどのエキシマレーザー、電子線及びＸ線のためのレジストとして、高解像性が達成される上に、放射線の照射により発生した酸の触媒反応、連鎖反応を利用でき、量子収率が１以上で、しかも高感度が達成できる化学増幅型レジストが注目され、盛んに開発が行われ、既にポリ（ヒドロキシスチレン）の水酸基をｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換した樹脂成分とオニウム塩などの酸発生剤を組み合わせたレジスト組成物（米国特許４，４９１，６２８号明細書）が提案されている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記レジスト組成物は、解像度、焦点深度幅特性において十分なものでない上に、露光後一定時間放置した後、現像した場合、化学増幅型レジストに特有の露光により発生した酸の失活に起因するパターン形状劣化、いわゆる引置き安定性の不良（レジストパターン上部が庇状に連なってしまうブリッジング）を生じるという欠点がある。このようなブリッジングを生じると所望の配線パターンが得られないため、半導体素子製造において致命的なものとなる。このような欠点を克服する方法として、レジスト層上に露光により発生した酸の失活を防止するためトップコート層を設ける方法があるが、このような方法は、製造工程が増えスループットが悪くなる上に、コスト高となるため好ましくない。そこで、トップコート層を設ける必要のない引置き安定性に優れたレジストの出現が強く望まれている。
　【０００６】
　また、これまでの
ＫｒＦエキシマレーザー用
　【０００７】
　さらに、アルミニウム−ケイ素−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）の合金、タングステン（Ｗ）などの金属膜を設けた基板を使用すると定在波の影響を受けパターン断面形状が波形となるという欠点がある。これらの基板依存性と定在波の欠点を改善する方法としては、基板とレジスト層との間に反射防止層を設ける方法があるが、この方法は上述トップコート層と同様に製造工程が増えスループットが悪くなる上に、コスト高となるため好ましくない。そこで、基板依存性がなく反射防止層を設ける必要がない上に、定在波の影響を受けにくくプロファイル形状の優れたレジストパターンを形成できるレジストの出現が強く望まれている。
　【０００８】
　そのほか、従来のレジスト組成物は、熱に対して十分な耐性がない上に、それを溶液としたとき、しばしばその保存中に異物が発生するなど保存安定性に欠けるという欠点がある。そのため、耐熱性に優れるとともに、前記異物の発生のない保存安定性に優れたレジスト溶液が得られるレジスト組成物に対する要望も強くなっている。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　このような現状に鑑み、本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、上記問題点が酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大するポジ型レジスト用基材樹脂成分として、水酸基の特定の割合が特定の置換基で置換され、かつ、特定の重量平均分子量及び分子量分布を有する新規なポリ（ヒドロキシスチレン）を用いることにより、又はこれと前記置換基と異なる置換基で水酸基の特定割合が置換され、かつ、特定の重量平均分子量及び分子量分布を有するポリヒドロキシスチレンとの混合物を用いることにより解決でき、高感度、高解像性で、かつ耐熱性、焦点深度幅特性、引置き経時安定性及びレジスト溶液の保存安定性に優れるとともに、基板依存性がなくプロファイル形状の優れたレジストパターンが形成でき、
ＫｒＦエキシマレーザー
　【００１０】
　すなわち、本発明は、一般式
　【化３】
（式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基、Ｒ２
及びＲ３
で
で表わされる構成単位１０〜６０モル％と、式
　【化４】
で表わされる構成単位９０〜４０モル％で構成され、かつ重量平均分子量８，０００〜２５，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．５以下を有するポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体からなる
ＫｒＦエキシマレーザーのための
　【００１１】
　【発明の実施の形態】
　本発明の
ＫｒＦエキシマレーザーのための
　【化５】
（式中のＲ１、Ｒ２及びＲ３は前記と同じ意味をもつ）
で表わされる残基で置換することにより得られる新規なポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体であって、本発明においては、重量平均分子量が８，０００〜２５，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５以下のものを用いることが必要である。このポリ（ヒドロキシスチレン）の水酸基の置換率が１０％未満では形状の優れたパターンが得られず、６０％を超えるとレジストの感度が低下するため好ましくなく、実用的には２０〜５０％が好適である。
　【００１２】
　前記一般式（ＩＩＩ）の置換基としては、例えば１−メトキシエトキシ基、１−エトキシエトキシ基
、
、
　この基材樹脂は、上記重量平均分子量と上記分子量分布を有するポリ（ヒドロキシスチレン）の水酸基を、例えば１−クロロ−１−エトキシエタンや１−クロロ−１−メトキシプロパンなどにより、公知の置換反応に従い前記一般式（ＩＩＩ）の残基で置換することにより製造することができる。
　【００１３】
　このポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体の重量平均分子量は、前記したように、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ法（ＧＰＣ法）に基づき、ポリスチレン基準で８，０００〜２５，０００の範囲にあることが必要である。これよりも小さいと被膜性が不十分になるし、また、これよりも大きいとアルカリ水溶液に対する溶解性が低下する。
　さらに、耐熱性を高めるには、重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）の比で表わされる分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５以下であることが必要である。
　【００１４】
　また、前記の一般式（Ｉ）で表わされる構成単位と一般式（ＩＩ）で表わされる構成単位からなるポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体（以下ポリヒドロキシスチレンＡという）は、水酸基の１０〜６０％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリ（ヒドロキシスチレン）、すなわち一般式
　【化６】
で表わされる構成単位１０〜６０モル％と、前記一般式（ＩＩ）で表わされる構成単位９０〜４０モル％とから構成され、かつ重量平均分子量８，０００〜２５，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．５以下を有するポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体（以下ポリヒドロキシスチレンＢという）と混合してポジ型レジスト用基材樹脂として用いることもできる。このような基材樹脂を用いると、解像性、耐熱性及びプロファイル形状がより優れた
ＫｒＦエキシマレーザー用
　【００１５】
　このポリヒドロキシスチレンＢは、例えば重量平均分子量８，０００〜２５，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．５以下のポリ（ヒドロキシスチレン）の水酸基を、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジカーボネートとの反応により、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換することにより得られる。この際、水酸基の置換率が１０％未満では、プロファイル形状の優れたレジストパターンを与えることができないし、またこれが６０％を超えると感度が低下する。水酸基の置換率の好ましい範囲は２０〜５０％である。
　ポリヒドロキシスチレンＡとポリヒドロキシスチレンＢとを混合して用いる場合の混合割合は、前者が３０〜９０重量％、後者が７０〜１０重量％、好ましくは前者が５０〜８０重量％、後者が５０〜２０重量％の範囲内で選ぶのが好ましい。
　【００１６】
　本発明の基材樹脂は、これに放射線の照射により酸を発生する化合物（以下酸発生剤という）及び有機カルボン酸を配合することにより、高感度、高解像性を有し、溶液として良好な保存安定性を示す
ＫｒＦエキシマレーザー用
　【００１７】
　次に、本発明の基材樹脂とともに用いられる酸発生剤としては、従来より化学増幅型ポジ型レジスト組成物の酸発生剤として公知のものの中から任意に選んで使用することができ、特に制限はない。このようなものとしては、例えば（ａ）ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−エチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（３−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−フルオロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタンなどのビススルホニルジアゾメタン類、（ｂ）２−メチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロピオフェノン、２−（シクロヘキシルカルボニル）−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、２−メタンスルホニル−２−メチル−（４−メチルチオ）プロピオフェノン、２，４−ジメチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）ペンタン−３−オンなどのスルホニルカルボニルアルカン類、（ｃ）１−ｐ−トルエンスルホニル−１−シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−メチルスルホニル−４−フェニル−２−ブタノン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−シクロヘキシルスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−アセチル−１−（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエンスルホニル）−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−ベンゼンスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエンスルホニル）−３−メチル−２−ブタノン、２−ジアゾ−２−（ｐ−トルエンスルホニル）酢酸シクロヘキシル、２−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニル酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、２−ジアゾ−２−メタンスルホニル酢酸イソプロピル、２−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニル酢酸シクロヘキシル、２−ジアゾ−２−（ｐ−トルエンスルホニル）酢酸ｔｅｒｔ−ブチルなどのスルホニルカルボニルジアゾメタン類、（ｄ）ｐ−トルエンスルホン酸２−ニトロベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベンジル、ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸２，４−ジニトロベンジルなどのニトロベンジル誘導体、（ｅ）ピロガロールのメタンスルホン酸エステル（ピロガロールトリメシレート）、ピロガロールのベンゼンスルホン酸エステル、ピロガロールのｐ−トルエンスルホン酸エステル、ピロガロールのｐ−メトキシベンゼンスルホン酸エステル、ピロガロールのメシチレンスルホン酸エステル、ピロガロールのベンジルスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのメタンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのベンゼンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのｐ−トルエンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのｐ−メトキシベンゼンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのメシチレンスルホン酸エステル、没食子酸アルキルのベンジルスルホン酸エステルなどのポリヒドロキシ化合物と脂肪族又は芳香族スルホン酸エステル類などを挙げることができる。前記没食子酸アルキルにおけるアルキル基は、炭素数１〜１５のアルキル基、特にオクチル基及びラウリル基が好ましい。
　【００１８】
　また、（ｆ）一般式
　　Ｒ４−Ｉ＋−Ｒ５Ｘ−（Ｖ）
（式中、Ｒ４及びＲ５は、アリール基、置換基を有するアリール基であり、それぞれ同一であっても異なってもよく、Ｘ−はＡｓＦ−６、ＰＦ−６、ＢＦ−４、ＳｂＦ−６、ＣＦ３ＳＯ−３のいずれかである）
又は一般式
　【化７】
（式中、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、アリール基、置換基を有するアリール基であり、それぞれ同一であっても異なってもよく、Ｘ−はＡｓＦ−６、ＰＦ−６、ＢＦ−４、ＳｂＦ−６，ＣＦ３ＳＯ−３のいずれかである）
で表わされるオニウム塩系酸発生剤や、（ｇ）一般式
　【化８】
（式中、Ｒ９、Ｒ１０はアリール基、置換基を有するアリール基であり同一でも異なっていてもよく、Ｒ１１、Ｒ１２は水素原子、低級アルキル基、水酸基、アリール基であり同一でも異なってもよい。ｎは０又は１である）
で表わされるベンゾイントシレート系酸発生剤も用いることができる。
　【００１９】
　上記一般式（Ｖ）又は（ＶＩ）で表わされるオニウム塩の例としては、以下の化合物を挙げることができる。
　【００２０】
　【化９】
　ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート
　【００２１】
　【化１０】
　ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート
　【００２２】
　【化１１】
　ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート
　【００２３】
　【化１２】
　ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００２４】
　【化１３】
（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート
　【００２５】
　【化１４】
（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００２６】
　【化１５】
　ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート
　【００２７】
　【化１６】
　ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート
　【００２８】
　【化１７】
　ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート
　【００２９】
　【化１８】
　ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００３０】
　【化１９】
　トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート
　【００３１】
　【化２０】
　トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート
　【００３２】
　【化２１】
　トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００３３】
　【化２２】
（４−メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート
　【００３４】
　【化２３】
（４−メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００３５】
　【化２４】
（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００３６】
　【化２５】
　ビス（４−メチルフェニル）フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００３７】
　【化２６】
（２，４，６−トリメチルフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００３８】
　【化２７】
（４−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−フェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００３９】
　【化２８】
　トリス（４−メチルフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
　【００４０】
　【化２９】
　ジフェニル［４−（フェニルチオ）フェニル］スルホニウムヘキサフルオロホスフェート
　【００４１】
　【化３０】
　ジフェニル［４−（フェニルチオ）フェニル］スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート
　【００４２】
　上記オニウム塩の中でトリフルオロメタンスルホネートを陰イオンとするオニウム塩が半導体素子製造の際に使用されるリン、ホウ素、アンチモンなどの拡散剤として用いられる原子を含まないため好ましい。
　【００４３】
　前記一段式（ＶＩＩ）で表わされるベンゾイントシレート系酸発生剤の例としては以下の化合物を挙げることができる。
　【００４４】
　【化３１】
　【００４５】
　【化３２】
　【００４６】
　【化３３】
　【００４７】
　【化３４】
　【００４８】
　【化３５】
　【００４９】
　これらの酸発生剤は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合せて用いてもよい。前記酸発生剤の中で、エキシマレーザ用のレジストに好適なものは（ａ）のビススルホニルジアゾメタン類、中でもビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン又はビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタンや（ｅ）のポリヒドロキシ化合物の脂肪族又は芳香族スルホン酸エステル類、中でもピロガロールトリメシレートであり、特にこれらの酸発生剤の混合物が高感度を達成できるので好ましい。
　【００５０】
　
前記
　【００５１】
　本発明の基材樹脂を用いるポジ型レジスト組成物については、さらに有機カルボン酸を含有させることにより、感度、解像度、レジストパターンの断面形状、露光後の引置き経時安定性が優れているとともに、種々の基板に対しても断面形状の良好なレジストパターンを与えるレジストとすることができる。
　【００５２】
　この有機カルボン酸としては、飽和又は不飽和脂肪族カルボン酸、脂環式カルボン酸、オキシカルボン酸、アルコキシカルボン酸、ケトカルボン酸、芳香族カルボン酸などいずれも使用でき、特に制限はない。このような有機カルボン酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸などの一価又は多価脂肪族カルボン酸、１，１−シクロヘキサンジカルボン酸、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロヘキサンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、１，１−シクロヘキシルジ酢酸などの脂環式カルボン酸、アクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、３−ブテン酸、メタクリル酸、４−ペンテン酸、プロピオール酸、２−ブチン酸、マレイン酸、フマル酸、アセチレンカルボン酸などの不飽和脂肪族カルボン酸、オキシ酢酸などのオキシカルボン酸、メトキシ酢酸、エトキシ酢酸などのアルコキシカルボン酸、ピルビン酸などのケトカルボン酸や一般式
　【化３６】
［式中、Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立して水素原子、水酸基、ニトロ基、カルボキシル基、ビニル基を表す（ただし、Ｒ１３及びＲ１４が共に水素原子の場合は除く）］
及び一般式
　【化３７】
（式中、ｎは０又は１〜１０の整数を示す）
で表わされる芳香族カルボン酸などを挙げることができるが、特に脂環式カルボン酸、不飽和脂肪族カルボン酸、及び芳香族カルボン酸が好ましい。
　【００５３】
　上記一般式（ＸＸＸＶ）で表わされる芳香族カルボン酸としては、例えばｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安息香酸、２−ヒドロキシ−３−ニトロ安息香酸、３，５−ジニトロ安息香酸、２−ニトロ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、２−ビニル安息香酸、４−ビニル安息香酸、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸などを挙げることができ、特にｏ−位に置換基を有する安息香酸、例えばｏ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ニトロ安息香酸、フタル酸などが好適である。
　【００５４】
　また、一般式（ＸＸＸＶＩ）で表わされる芳香族カルボン酸としては、式中のｎが単一のもののみ、または異種のものを組み合わせても使用することができるが、実用的にはフェノール化合物として市販されているＳＡＸ（商品名、三井東圧化学社製）が好ましい。
　【００５５】
　上記一般式（ＸＸＸＶ）及び（ＸＸＸＶＩ）で表わされる芳香族カルボン酸は、それぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。これらの芳香族カルボン酸の配合により断面形状の良好なレジストパターンを形成することができるとともに、露光後の引置き経時安定性が優れ、露光後に施される加熱処理までの時間の長さに関係なく、良好なプロファイル形状が形成できる。特に一般式（ＸＸＸＶＩ）で表わされる芳香族カルボン酸は矩形の断面形状が形成できるため好適である。
　【００５６】
　この有機カルボン酸の配合量としては、基材樹脂と酸発生剤の合計量に対して０．０１〜１重量％、好ましくは０．０５〜０．５重量％の範囲で用いられる。有機カルボン酸の配合量が０．０１重量％未満では断面形状の良好なレジストパターンが得られず、また１重量％を超えると現像性が低下するため好ましくない。
　【００５７】
　本発明の基材樹脂に酸発生剤及び有機カルボン酸を配合したポジ型レジスト組成物には、さらに放射線の照射により発生した酸の必要以上の拡散を防止し、マスクパターンに忠実なレジストパターンを形成でき、かつ解像度、引置き経時安定性を高めるために、アミンを基材樹脂に基づき０．０１〜１重量％、好ましくは０．０５〜０．５重量％の範囲で含有させることができる。このアミンとしては脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミンなどが用いられる。この脂肪族アミンとしては、例えばメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミンなどを挙げることができる。また、芳香族アミンとしては、例えばベンジルアミン、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ｏ−メチルアニリン、ｍ−メチルアニリン、ｐ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、ジフェニルアミン、ジ−ｐ−トリルアミンなどを挙げることができる。さらに複素環式アミンとしては、例えばピリジン、ｏ−メチルピリジン、ｏ−エチルピリジン、２，３−ジメチルピリジン、４−エチル−２−メチルピリジン、３−エチル−４−メチルピリジンなどを挙げることができる。これらの中で、特に強塩基性で低沸点のアミン、例えばメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミンのような脂肪族アミンが好ましい。これらは単独で用いてもよいし、２種以上組み合わせて用いてもよい。
　【００５８】
　本発明の基材樹脂を用いた
ＫｒＦエキシマレーザー用
　【００５９】
　本発明の基材樹脂を用いた
ＫｒＦエキシマレーザー用
　【００６０】
　上記各成分を含有する
ＫｒＦエキシマレーザー用
　【００６１】
　また、この際、所望によりポジ型レジスト組成物と混和性のある添加物、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤、着色剤、界面活性剤などの慣用されているものを添加含有させることができる。
　【００６２】
　上記
ＫｒＦエキシマレーザー用
ＫｒＦ
し、
　【００６３】
　【実施例】
　次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
　【００６４】
参考例１
　重量平均分子量１３，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．５のホリ（ヒドロキシスチレン）１２０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド６８０ｇに溶解し、この溶液の中にジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−カーボネート８５．０ｇを加え、かき混ぜながら完全に溶解したのち、トリエチルアミン５９ｇを約１５分間かけて滴下した。滴下終了後、そのまま約３時間かき混ぜた。次いで、得られた溶液に対して２０倍量の純水を加え、水酸基がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリ（ヒドロキシスチレン）を析出させた。該析出物を純水で洗浄、脱水、乾燥することにより、水酸基の３９％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリ（ヒドロキシスチレン）［重量平均分子量１３，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．５］１５０ｇを得た。
　【００６５】
実施例１
　重量平均分子量１３，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．５のポリ（ヒドロキシスチレン）１２０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド６８０ｇに溶解し、この溶液の中に１−クロロ−１−エトキシエタン４２．３ｇを加え、かき混ぜながら完全に溶解したのち、トリエチルアミン７８．８ｇを約３０分間かけて滴下した。滴下終了後、そのまま約３時間かき混ぜた。次いで、得られた溶液に対して２０倍量の純水を加え、水酸基が１−エトキシエトキシ基で置換されたポリ（ヒドロキシスチレン）を析出させた。該析出物を純水で洗浄、脱水、乾燥することにより、水酸基の３９％が１−エトキシエトキシ基で置換されたポリ（ヒドロキシスチレン）［重量平均分子量１３，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．５］１３０ｇを得た。
　【００６６】
参考例２
　参考例１においてポリ（ヒドロキシスチレン）を重量平均分子量１３，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）４．０のポリ（ヒドロキシスチレン）に代えた以外は、参考例１と同様にして、水酸基の３９％がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリ（ヒドロキシスチレン）［重量平均分子量１３，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）４．０］１５０ｇを得た。
　【００６７】
参考例３
　
実施例１
実施例１
　【００６８】
参考例４
　参考例１で得られたポリ（ヒドロキシスチレン）３ｇと
実施例１
　【００６９】
　次に調製された塗布液をスピンナーを使用してシリコンウエーハ上に塗布し、ホットプレート上で８０℃、９０秒間乾燥して膜厚０．７μｍのレジスト膜を得た。この膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ（ニコン社製）を用い、１ｍＪずつドーズ量を加え露光したのち、１０５℃、９０秒間加熱し、次いで２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃において６５秒間現像処理し、３０秒間水洗、乾燥してレジストパターンを形成した。形成されたレジストパターン断面は、定在波の影響はなく矩形に近い良好なものであり、０．２１μｍのラインアンドスペースパターンが形成された。また、目視で確認できる大面積のレジストパターンがパターニングされ基板表面が現れる最小露光量を感度として測定した結果、１１ｍＪ／ｃｍ２であった。さらに、形成されたレジストパターンの耐熱性（熱によるフローが生じる温度）を調べた結果、１３５℃であった。焦点深度幅として０．２５μｍのラインアンドスペースパターンが１：１に形成される焦点の最大幅（μｍ）を求めたところ２．０μｍであった。このレジスト溶液を褐色ビン中２５℃で保存し保存安定性を調べたところ、６か月間異物の発生がなかった。
　【００７０】
　また、引置き経時安定性として、上記と同様にしてレジストパターンを形成し、側面が垂直で良好なプロファイル形状の０．２５μｍのラインアンドスペースパターンが形成される露光から露光後加熱処理までの時間を測定したところ、９０分間であった。
　【００７１】
参考例５
　
参考例２
参考施３
　【００７２】
　次に調製された塗布液を
参考例４
　【００７３】
　また、引置き経時安定性として、露光後加熱処理を１１０℃、９０秒間とした以外は
参考例４
　【００７４】
参考例６
　
参考例４
参考例４
　【００７５】
参考例７
　
参考例４
参考例４
　【００７６】
　【発明の効果】
　本発明のポジ型レジスト用基材樹脂は、
ＫｒＦエキシマレーザー用