【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年11月30日(2009.11.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルタエレメントを製造するための方法であって、
Ｓ１）キャリア基板にメンブレン層を被着するステップと、
Ｓ２）前記キャリア基板の、前記メンブレン層と反対側に、前記キャリア基板の残留層が依然として残されるように膜チャンバをエッチングするステップと、
Ｓ３）孔あけされた膜を形成するべく、リソグラフィ及びエッチング工程によって、前記メンブレン層内に細孔を形成するステップと、
Ｓ４）前記膜チャンバの前記メンブレン層を露出させるべく、エッチングによって前記膜チャンバの前記残留層を除去するステップと、
Ｓ５）前記ステップＳ１中に、又は後続のステップの１つにおいて、前記メンブレン層をさらに処理して、機械的強度を高めるステップと
を備え、
前記ステップＳ５は、
Ｓ５１）前記ステップＳ１において、前記メンブレン層内に結晶核を形成するステップ、
Ｓ５２）前記ステップＳ１及び／又はＳ５において、前記メンブレン層内の結晶性の小部分を増やすべく、キャリア層及びメンブレン層から成る構造を温度処理する（詳細には加熱する）ステップ、
Ｓ５３）前記ステップＳ５において、前記メンブレン層内の前記結晶性の小部分を増やすべく、キャリア層及びメンブレン層から成る構造を等方圧ホットプレスするステップ、および、
Ｓ５４）前記ステップＳ１において、前記メンブレン層をＣＶＤ法又はＰＶＤ法にて被着することにより、前記メンブレン層の内部にプレストレスを発生させるステップ
のうちの少なくとも一つを含むフィルタエレメントを製造するための方法。
【請求項２】
前記処理されたメンブレン層は少なくとも２５％の結晶性の小部分を有することを特徴とする、請求項１に記載のフィルタエレメントを製造するための方法。
【請求項３】
前記メンブレン層はセラミック材料から成ることを特徴とする、請求項１または２に記載のフィルタエレメントを製造するための方法。
【請求項４】
前記メンブレン層は非酸化物セラミックから成ることを特徴とする、請求項３に記載のフィルタエレメントを製造するための方法。
【請求項５】
前記メンブレン層は窒化非酸化物セラミック（nitride non-oxide ceramic）から成ることを特徴とする、請求項４に記載のフィルタエレメントを製造するための方法。
【請求項６】
前記メンブレン層はＳｉ３Ｎ４から成ることを特徴とする、請求項５に記載のフィルタエレメントを製造するための方法。
【請求項７】
前記メンブレン層は炭化非酸化物セラミックから成ることを特徴とする、請求項４に記載のフィルタエレメントを製造するための方法。
【請求項８】
前記メンブレン層はＳｉＣから成ることを特徴とする、請求項７に記載のフィルタエレメントを製造するための方法。
【請求項９】
前記温度処理は、前記メンブレン層を５ないし１００Ｐａの処理圧において２００℃ないし２０００℃までの温度範囲に保持することによって実行される、請求項１に記載のフィルタエレメントを製造するための方法。
【請求項１０】
前記温度処理するステップは９００℃以上の温度における焼結であることを特徴とする、請求項１に記載のフィルタエレメントを製造するための方法。
【請求項１１】
前記温度処理はラジオ波又はマイクロ波範囲内の電磁放射によって実行されることを特徴とする、請求項１に記載のフィルタエレメントを製造するための方法。
【請求項１２】
前記マイクロ波範囲内の電磁放射は、２５ＧＨｚ以上の周波数範囲、 前記メンブレン層の材料がその吸収曲線においてピークを有する周波数範囲内にあることを特徴とする、請求項１１に記載のフィルタエレメントを製造するための方法。
【請求項１３】
前記等方圧ホットプレスは、７５０℃以上の温度及び１００バール以上の圧力においてなされることを特徴とする、請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記等方圧ホットプレスするステップは、請求項１に記載のステップＳ３の前に実行されることを特徴とする、請求項１から１３のいずれかに記載のフィルタエレメントを製造するための方法。
【請求項１５】
前記メンブレン層は、請求項１に記載のステップＳ３の後にエッチング剤に対してエッチング被膜を用いることによって保護されることを特徴とする、請求項１から１４のいずれか一項に記載のフィルタエレメントを製造するための方法。
【請求項１６】
前記メンブレン層はハードマスクによって保護されることを特徴とする、請求項１から１５のいずれか一項に記載のフィルタエレメントを製造するための方法。
【請求項１７】
前記メンブレン層は、請求項１のステップＳ４の後に再び除去されるコーティング材料によって保護されることを特徴とする、請求項１から１５のいずれか一項に記載のフィルタエレメントを製造するための方法。
【請求項１８】
複数の穿孔（６）を有するメンブレン層（１）とキャリア層（２）とを有するフィルタエレメントであって、前記キャリア層（２）において、膜チャンバ（３）が露出し、前記メンブレン層（１）は前記膜チャンバ（３）上に広がり、前記メンブレン層（１）は、処理前の強度よりも高められた強度を有する、圧縮され、且つ少なくとも部分的に結晶性の構造を有し、前記メンブレン層（１）の前記高められた強度は、前記メンブレン層をＣＶＤ法又はＰＶＤ法にて前記キャリア層に被着することにより、内部機械的プレストレスによって生み出されることを特徴とする、フィルタエレメント。
【請求項１９】
前記メンブレン層（１）はマイクロ結晶及び／又はナノ結晶構造を有し、且つ／又は圧縮されていることを特徴とする、請求項１８に記載のフィルタエレメント。
【請求項２０】
前記キャリア層（２）は複数の膜チャンバ（３）を有し、該膜チャンバはそれぞれ、１つの同じ前記メンブレン層（１）によって覆われることを特徴とする、請求項１８または１９に記載のフィルタエレメント。
【請求項２１】
前記膜チャンバ（３）は平面図において長方形であることを特徴とする、請求項１８ないし２０のいずれか一項に記載のフィルタエレメント。
【請求項２２】
前記膜チャンバ（３）は平面図においてスロットの形状を有し、その長さはその幅の少なくとも２倍であることを特徴とする、請求項２１に記載のフィルタエレメント。
【請求項２３】
前記膜チャンバ（３）の２つの対向して位置する側面（４）は、前記膜の平面に対して９０°未満の角度をなすことを特徴とする、請求項１８ないし２２のいずれか一項に記載のフィルタエレメント。
【請求項２４】
前記メンブレン層の厚みＤ及び穿孔直径Ｐの細孔比は、０．０１＜Ｄ／Ｐ＜１００の関係であり、前記膜の厚みＤには、０．０１μｍ＜Ｄ＜１００μｍが当てはまることを特徴とする、請求項１８ないし２３のいずれか一項に記載のフィルタエレメント。
【請求項２５】
前記複数の穿孔は概ね円形であり、０．０１μｍないし１００μｍの範囲内の直径を有することを特徴とする、請求項１８ないし２４のいずれか一項に記載のフィルタエレメント。
【請求項２６】
前記膜チャンバ（３）の方に向いた側にある前記メンブレン層（１）は少なくとも１つの中間支持体（８）上に存在し、該中間支持体（８）の厚みは前記キャリア層の厚みよりも薄いことを特徴とする、請求項１８ないし２５のいずれか一項に記載のフィルタエレメント。
【請求項２７】
前記膜チャンバ（３）は、前記フィルタエレメントのエリア全体にわたって延在することを特徴とする、請求項１８ないし２６のいずれか一項に記載のフィルタエレメント。
【請求項２８】
前記キャリア層は、Ｓｉ、ＳｉＣ、酸化チタン及び他のチタン化合物、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、ニッケル、クロム、Ｎｉ−クロム化合物、Ａｌ２Ｏ３、イットリウム化合物のグループから選択され、前記メンブレン層はＳｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、該２つの物質の組み合わせ、又は別のシリコンセラミックから成ることを特徴とする、請求項１８ないし２７のいずれか一項に記載のフィルタエレメント。