【事件の表示】
　特願２００４−　３９８０６「端子、それを有する部品および製品」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月　２日出願公開、特開２００５−２３２４８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１６年２月１７日に出願されたものであって、平成１６年５月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年６月２２日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされると共に、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
ＩＩ．平成１６年６月２２日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年６月２２日付け手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、請求項１〜１２のうち、請求項１は次のように補正された。
「【請求項１】　導電性基体上の全面または部分にＳｎ層を形成し、そのＳｎ層上にＳｎ合金層を形成してなる端子であって、
　前記Ｓｎ層は、電気めっきにより形成される厚み０．１〜２０μｍのＳｎからなる層であり、かつ前記導電性基体をめっき浴に浸漬し、Ｓｎを陽極として電気めっきすることにより形成されるものであり、
　前記Ｓｎ合金層は、電気めっきにより形成される厚み０．１〜２０μｍであってその融点が２３０℃以下のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金からなる層であり、かつ前記Ｓｎ層を形成した導電性基体をキレート剤を含むめっき浴に浸漬し、ＳｎおよびＳｎ合金以外の金属を陽極とするとともにＳｎ合金を構成する各元素を塩として供給することにより電気めっきすることによって形成されるものであることを特徴とする端子。」
　
　上記補正は、選択的な発明特定事項の「Ｓｎ−Ａｇ二元合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金、またはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ四元合金のいずれか」を、選択肢の削除と融点の限定の付加により、「その融点が２３０℃以下のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金」と限定するとともに、発明特定事項の「めっき浴」を「キレート剤を含むめっき浴」と限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本出願前に頒布された刊行物である引用文献１、２には、それぞれ次の事項が記載されている。
（１）引用文献１：特開平１０−２２９１５２号公報
（１ａ）「【請求項１】　導電性基体の表面に、第１めっき層と第２めっき層とがこの順序で積層されている電子部品用リード材であって、前記第２めっき層の溶融温度が前記第１めっき層の溶融温度よりも低いことを特徴とする電子部品用リード材。
【請求項２】　前記第１めっき層がＳｎ単体から成り、前記第２めっき層が、Ａｇ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｚｎの群から選ばれる少なくとも１種を含有するＳｎ合金から成る請求項１の電子部品用リード材。」（特許請求の範囲の請求項１，２）
（１ｂ）「【従来の技術】Ｃｕ単体またはＣｕ合金のような導電性基体の表面を、Ｓｎ単体または半田に代表されるＳｎ合金のめっき層で被覆したリード材は、前記Ｃｕ単体またはＣｕ合金が備えている優れた導電性と機械的強度を有し、かつ、Ｓｎ単体またはＳｎ合金が備えている耐食性と良好な半田付け性をも併有する高性能導体であって、各種の端子，コネクタ，リードのような電気・電子機器分野や電力ケーブルの分野などで多用されている。
　・・・・・・。ところで、上記したリード材において、導電性基体を被覆するめっき層がＳｎ単体から成る場合には次のような問題がある。
　まず、形成されたＳｎめっき層にはＳｎのウイスカー（針状単結晶）が発生し、これが短絡事故の原因になることがあるということである。・・・Ｓｎめっき層はその半田付け性が劣化するという問題がある。
　・・・一方、めっき層をＳｎ合金で形成すれば、Ｓｎめっき層の場合のようなウイスカーは発生しない。このようなＳｎ合金の代表例は半田（Ｓｎ−Ｐｂ合金）であり、従来から広く用いられている。
　しかしながら、半田に含まれているＰｂは人体に悪影響を与える虞があるとのことから、最近では、その優れた性質を備えているにもかかわらず使用が敬遠されている。
　・・・（中略）・・・
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半田めっき層を用いない従来のリード材における上記した問題を解決し、Ｐｂの悪影響が排除されていることは勿論のこと、半田付け性に優れ、アルミ線などとの溶接部の溶接強度が高く、まためっき層の全体を厚肉化してリフロー処理を行っても偏肉の発生を抑制することができる電子部品用リード材と、それを用いたリードおよび半導体装置の提供を目的とする。」（段落【０００２】〜【０００９】）
（１ｃ）「このような第１のリード材，第２のリード材のいずれにおいても、第１めっき層２の厚みｔ１は、１〜１５μｍ，第２めっき層の厚みｔ２は０．５〜５μｍに設定し、かつ、ｔ１とｔ２の間ではｔ２／ｔ１≦１の関係が成立するように設定することが好ましい。第１めっき層２の厚みｔ１が１μｍより薄くなると、半田付け時に導電性基体１から熱拡散してくるＣｕなどに対しバリヤとしての機能が有効に発揮されず、また厚みｔ１を１５μｍより厚くしても無駄であるばかりではなく、形成しためっき層に蓄積されるめっき歪みが大きくなって基体との剥離やクラックなどが発生しやすくなるからである。」（段落【００２６】）
（１ｄ）「・・・本発明のリード材は、導電性基体１の表面に例えば電気めっきや溶融めっきを行って製造することができる。そのとき、Ｓｎや前記Ｓｎ合金（Ｉ），（ＩＩ）のめっきに先立ち、導電性基体１の表面に予めＮｉやＣｏを下地めっきしておくと、これらの下地めっき層が導電性基体のＣｕなどの熱拡散を抑制するためのバリアとして有効に機能し、この上に形成された２層構造のめっき層の耐熱性が向上し、得られたリード材は優れた半田付け性を具備するようになるので好適である。とくに、第２めっき層３が低融点のＳｎ−Ｂｉ系で形成される場合には有効である。」（段落【００３１】）
（１ｅ）「なお、各リード線を大気中に長時間放置しておいたところ、比較例１のリード線の場合には、ウイスカーが発生した。しかし、表面層がＳｎ合金で形成されている他のリード線の全てにはウイスカーの発生は認められなかった。また、各リード線に温度７５０℃、送り速度５０〜７０ｍ／分でリフロー処理を行ったところ、めっき層全体の厚みが１０μｍを超えているもの（実施例４，７，１０）には偏肉の発生は全く認められなかった。しかし、比較例１は偏肉の発生が認められた・・・」（段落【００４３】）
（１ｆ）「そして、第１のリード材にあっては、第２めっき層をＳｎ−Ａｇ系やＳｎ−Ｉｎ系などの高価な合金で形成する場合でも、第１めっき層（Ｓｎめっき層）の厚みを厚くして当該第２めっき層を薄くすればよいのでコスト低減を実現することができる。しかも、第２めっき層を薄くすることにより、リフロー処理後の偏肉を小さくすることができる。」（段落【００５６】）
（２）引用文献２：特開２００３−３４２７８４号公報
（２ａ）「【発明の属する技術分野】　本発明は、すず−銀−銅はんだ合金の形成方法並びに当該合金を使用する鉛フリーバンプおよび半導体素子の製造方法に関し、更に詳細には、電気めっき法によって多層合金めっき層を形成し、これをリフローさせることにより得られるすず−銀−銅はんだ合金の形成方法並びに当該合金を使用する鉛フリーバンプおよび半導体素子の製造方法に関する。」（段落【０００１】）
（２ｂ）「上記のような合金がはんだとして用いられる第１の理由は、強度や耐食性もさることながら、単体成分より融点が低くなることである。一般に合金は、固溶体（ｓｏｌｉｄ　ｓｏｌｕｔｉｏｎ）、共晶（ｅｕｔｅｃｔｉｃ）、金属間化合物（ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）に大別される。現在、ＪＩＳ　Ｚ　３２８２に規定されているはんだには、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系の他、Ｂｉ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｐｂ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ａｇ−Ｓｎ系等がある。」（段落【０００３】）
（２ｃ）「ところで、Ｐｂ系はんだに代わるはんだ材料としては、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系がもっとも有望視されている。しかし、電気めっき法による、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだの形成には数多くの問題があった。すなわち、Ｓｎ、ＡｇおよびＣｕの析出電位が大きく異なるため、同時に析出されることが困難であり、無理に共析させるとめっき時に異常成長が起きたり、添加剤の影響によりボイドが発生したりする問題があった。また、めっき液の濡れ性によっては、レジスト開口部にめっきをすることが困難であるといった問題があった。更に、一般に、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ではＳｎ量が多い傾向にあるため、高温で放置するとバリアメタルの劣化が早いという問題がある。更にまた、特にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ共晶では、Ａｇ量が３．２４％、Ｃｕ量が０．５７％であるため、めっき時の組成制御が困難であるという問題があった。」（段落【０００６】）
（２ｄ）「かくすることにより、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金が形成されるが、この合金の融点は、後記するように２１７℃程度であり、すず−銀合金の２２０℃およびすず−銅合金の２２７℃より低いものである。」（段落【００２５】）
　
３．対比・判断
３−１．引用文献１記載の発明
（ア）引用文献１の上記（１ａ）には、「導電性基体の表面に、第１めっき層と第２めっき層とがこの順序で積層されている電子部品用リード材であって、前記第２めっき層の溶融温度が前記第１めっき層の溶融温度よりも低いことを特徴とする電子部品用リード材」であって、「前記第１めっき層がＳｎ単体から成り、前記第２めっき層が、Ａｇ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｚｎの群から選ばれる少なくとも１種を含有するＳｎ合金から成る」ものが記載されている。
（イ）引用文献１の上記（１ｂ）には、「【従来の技術】Ｃｕ単体またはＣｕ合金のような導電性基体の表面を、Ｓｎ単体または半田に代表されるＳｎ合金のめっき層で被覆したリード材は、・・・各種の端子，コネクタ，リードのような電気・電子機器分野や電力ケーブルの分野などで多用されている。・・・（中略）・・・【発明が解決しようとする課題】本発明は、・・・従来のリード材における上記した問題を解決し、・・・電子部品用リード材と、それを用いたリードおよび半導体装置の提供を目的とする。」と記載され、従来技術のリード材は端子等に用いられるものであり、しかも、前記電子部品用リード材は、そのような従来技術のリード材における問題を解決するものといえるから、引用文献１には、前記電子部品用リード材を用いた端子も記載されているといえる。
（ウ）引用文献１の上記（１ｄ）には、「本発明のリード材は、導電性基体１の表面に例えば電気めっきや溶融めっきを行って製造することができる。」と記載されているから、前記電子部品用リード材は、導電性基体の表面に電気めっきを行って製造されるといえる。
（エ）引用文献１の上記（１ｃ）には、「このような第１のリード材，第２のリード材のいずれにおいても、第１めっき層２の厚みｔ１は、１〜１５μｍ，第２めっき層の厚みｔ２は０．５〜５μｍに設定・・・することが好ましい。」と記載されているから、前記電子部品用リード材は、第１めっき層２の厚みが１〜１５μｍ，第２めっき層の厚みが０．５〜５μｍであるといえる。
　以上の（ア）〜（エ）の事項を総合すると、引用文献１には、
　　「導電性基体の表面に、Ｓｎ単体層とＳｎ合金層とがこの順序で積層されている電子部品用リード材を用いた端子であって、Ｓｎ合金層の溶融温度がＳｎ単体層の溶融温度よりも低く、前記Ｓｎ単体層は、電気めっきにより形成される厚み１〜１５μｍのＳｎ単体からなり、前記Ｓｎ合金層は、電気めっきにより形成される厚み０．５〜５μｍの、Ａｇ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｚｎの群から選ばれる少なくとも１種を含有するＳｎ合金からなる端子。」という発明（以下、「引用文献１発明」という）が記載されていると認められる。
　
３−２．本願補正発明１と引用文献１発明との対比
　本願補正発明１と引用文献１発明を対比すると、引用文献１発明における「Ｓｎ単体」は、本願補正発明１における「Ｓｎ」に他ならないから、両者は、
　「導電性基体上にＳｎ層を形成し、そのＳｎ層上にＳｎ合金層を形成してなる端子であって、
　前記Ｓｎ層は、電気めっきにより形成される厚み１〜１５μｍのＳｎからなる層であり、
　前記Ｓｎ合金層は、電気めっきにより形成される厚み０．５〜５μｍであってＳｎ合金からなる層である端子。」の点で一致するが、次の点で相違する。
相違点：
（イ）本願補正発明１では、Ｓｎ層を形成する電気めっきが、「導電性基体をめっき浴に浸漬し、Ｓｎを陽極として」なされるのに対し、引用文献１発明では、そのような事項が規定されていない点。
（ロ）Ｓｎ合金層のＳｎ合金が、本願補正発明１では、「融点が、２３０℃以下のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金」であるのに対し、引用文献１発明では、溶融温度がＳｎよりも低い、「Ａｇ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｚｎの群から選ばれる少なくとも１種を含有するＳｎ合金」である点。
（ハ）本願補正発明１では、Ｓｎ合金層を形成する電気めっきが、「Ｓｎ層を形成した導電性基体をキレート剤を含むめっき浴に浸漬し、ＳｎおよびＳｎ合金以外の金属を陽極とするとともにＳｎ合金を構成する各元素を塩として供給することにより」なされるのに対し、引用文献１発明では、そのような事項が規定されていない点。
　
３−３．相違点の検討
（ｉ）相違点（イ）について
　Ｓｎ層を形成する電気めっきを、導電性基体をめっき浴に浸漬し、Ｓｎを陽極として（すなわち、可溶性陽極を用いて）行うことは、例えば、特開平１１−２０００９８号公報の特許請求の範囲の請求項１等や特開２０００−３２８２８６号公報の段落【００３５】の記載に見られるように、本出願前に周知の事項である。
　してみれば、引用文献１発明において、Ｓｎ層を形成する電気めっきを、「導電性基体をめっき浴に浸漬し、Ｓｎを陽極として」行うことは、前示の周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
（ｉｉ）相違点（ロ）について
　本願補正発明１は、「Ｓｎを単独で電気めっきした場合、そのような表面被覆層中において巨大な柱状の単結晶が発生し、これが原因となってウィスカの発生が助長されていた。ウィスカが発生すると電気的短絡の原因となるため、その発生を防止することが要求される。このようなウィスカの発生を防止する一つの手段として、従来、Ｓｎを合金化すること、すなわちＳｎ−Ｐｂ合金等の使用が試みられてきたが、Ｐｂは周知の通り有毒金属であるため、環境的配慮からその使用が制限されている。そこで、Ｓｎ−Ｐｂ合金に代わる種々のＳｎ系合金を電気めっきにより形成する方法の開発が試みられている。たとえば、Ｓｎ−Ｃｕ合金は、・・・良好なはんだ付性を示すが、Ｃｕの含有量が少ないため、ウィスカ（柱状結晶）の発生を有効に防止することができない。これに対して、Ｃｕの含有量を増加させると、融点が急激に上昇するためはんだ付性が悪化することになる。」（段落【０００４】〜【０００６】）等の従来技術を背景とし、「ウィスカの発生防止と低温での良好なはんだ付性を両立させ」（段落【００１３】）ること等を目的として、前記相違点（ロ）で示される本願補正発明１の特定事項を採用したものと認められる。
　これに対し、引用文献１発明は、「Ｓｎめっき層にはＳｎのウイスカー（針状単結晶）が発生し、これが短絡事故の原因になることがあるということである。・・・Ｓｎめっき層はその半田付け性が劣化するという問題がある。・・・一方、めっき層をＳｎ合金で形成すれば、Ｓｎめっき層の場合のようなウイスカーは発生しない。このようなＳｎ合金の代表例は半田（Ｓｎ−Ｐｂ合金）であり、従来から広く用いられている。しかしながら、半田に含まれているＰｂは人体に悪影響を与える虞があるとのことから、最近では、その優れた性質を備えているにもかかわらず使用が敬遠されている。」〔上記（１ｂ）〕等の従来技術を背景とし、「上記した問題を解決し、Ｐｂの悪影響が排除されていることは勿論のこと、半田付け性に優れ、アルミ線などとの溶接部の溶接強度が高く、まためっき層の全体を厚肉化してリフロー処理を行っても偏肉の発生を抑制することができる電子部品用リード材と、それを用いたリードおよび半導体装置の提供を目的とする」〔上記（１ｂ）〕ものであるから、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性の両立を目的として所定のＳｎ合金を採用する点で、本願補正発明１と共通しているといえる。
　そして、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ合金は、引用文献２の上記（２ｂ）及び（２ｃ）の記載に見られるように、良好なはんだ付性を有するはんだ用Ｓｎ合金として本出願前に周知のものであり、その融点も上記（２ｄ）に記載されるように、２３０℃を下回る２１７℃程度である。
　してみれば、引用文献１発明において、溶融温度がＳｎよりも低い、「Ａｇ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｚｎの群から選ばれる少なくとも１種を含有するＳｎ合金」として、本出願前に周知の低融点のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ合金である「融点が、２３０℃以下のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金」を選択することは、良好なはんだ付性などを課題とし、引用文献２の前示の記載や周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得た事項というべきである。
　
（ｉｉｉ）相違点（ハ）について
　本願補正発明１は、「表面被覆層の厚みを薄くかつ均一なものとするとともにコスト的にも安価な端子を提供すること」（段落【００１３】）等を目的として、前記相違点（ハ）で示される本願補正発明１の特定事項を採用したものと認められる。
　これに対し、Ｓｎ合金を形成する電気めっきを、キレート剤を含むめっき浴を用い、ＳｎおよびＳｎ合金以外の金属を陽極とするとともにＳｎ合金を構成する各元素を塩として供給することにより行うことは、例えば、特開２０００−３２８２８６号公報の段落【００３５】、【００３９】〜【００４８】や、特開平９−２９６２８９号公報の段落【００１５】、【００１６】の記載に見られるように、本出願前に周知の事項である。
　してみれば、引用文献１発明において、Ｓｎ層上にＳｎ合金層を電気めっきにより形成する際に、該電気めっきを、「Ｓｎ層を形成した導電性基体をキレート剤を含むめっき浴に浸漬し、ＳｎおよびＳｎ合金以外の金属を陽極とするとともにＳｎ合金を構成する各元素を塩として供給することにより」行うことは、周知の電気めっき法の長所、短所、コスト等を比較考量し当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
（ｉｖ）相違点の検討のまとめ
　上記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の相違点の検討のとおり、上記相違点（イ）〜（ハ）は、いずれも、当業者が容易に想到し得たものである。
　しかも、上記相違点（イ）〜（ハ）により格別に顕著な相乗効果が得られるとも認められない。
　したがって、本願補正発明１は、引用文献１、２に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、特許法１５９条第１項の規定によって読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明
　平成１６年６月２２日付け手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１４に係る発明は、平成１６年５月１０日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という）は次のとおりである。
「【請求項１】　導電性基体上の全面または部分にＳｎ層を形成し、そのＳｎ層上にＳｎ合金層を形成してなる端子であって、
　前記Ｓｎ層は、電気めっきにより形成される厚み０．１〜２０μｍのＳｎからなる層であり、かつ前記導電性基体をめっき浴に浸漬し、Ｓｎを陽極として電気めっきすることにより形成されるものであり、
　前記Ｓｎ合金層は、電気めっきにより形成される厚み０．１〜２０μｍの、Ｓｎ−Ａｇ二元合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金、またはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ四元合金のいずれかからなる層であり、かつ前記Ｓｎ層を形成した導電性基体をめっき浴に浸漬し、ＳｎおよびＳｎ合金以外の金属を陽極とするとともにＳｎ合金を構成する各元素を塩として供給することにより電気めっきすることによって形成されるものであることを特徴とする端子。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である引用文献１、２とその主な記載事項は、上記ＩＩ．２．に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、「Ｓｎ−Ａｇ二元合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金、またはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ四元合金のいずれか」として「Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金」を採用した態様を包含するから、そのような態様の本願発明１と引用文献１発明を対比すると、両者は、
　「導電性基体上にＳｎ層を形成し、そのＳｎ層上にＳｎ合金層を形成してなる端子であって、
　前記Ｓｎ層は、電気めっきにより形成される厚み１〜１５μｍのＳｎからなる層であり、
　前記Ｓｎ合金層は、電気めっきにより形成される厚み０．５〜５μｍの、Ｓｎ合金からなる層である端子。」の点で一致するが、次の点で相違する。
相違点：
（イ’）本願発明１では、Ｓｎ層を形成する電気めっきが、「導電性基体をめっき浴に浸漬し、Ｓｎを陽極として」なされるのに対し、引用文献１発明では、そのような事項が規定されていない点。
（ロ’）Ｓｎ合金層のＳｎ合金が、本願発明１では、「Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金」であるのに対し、引用文献１発明では、溶融温度がＳｎよりも低い、「Ａｇ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｚｎの群から選ばれる少なくとも１種を含有するＳｎ合金」である点。
（ハ’）本願発明１では、Ｓｎ合金層を形成する電気めっきが、「Ｓｎ層を形成した導電性基体をめっき浴に浸漬し、ＳｎおよびＳｎ合金以外の金属を陽極とするとともにＳｎ合金を構成する各元素を塩として供給することにより」なされるのに対し、引用文献１発明では、そのような事項が規定されていない点。
　
　これらの相違点について検討するに、これらの相違点は、上記ＩＩ．３−３．で検討したとおり、引用文献２の記載や周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　しかも、上記相違点（イ’）〜（ハ’）により格別に顕著な相乗効果が得られるとも認められない。
　したがって、本願発明１は、引用文献１、２に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の発明について検討するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。