【事件の表示】
　特願２００３−　８８０６４「電気光学装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１０月２１日出願公開、特開２００４−２９６３０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年３月２７日の出願であって、平成１７年６月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年７月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１７年８月４日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１７年８月４日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１７年８月４日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
　「透明基板上に複数の有機ＥＬ発光素子が配列形成された表示部と、前記表示部と前記透明基板との間に形成された窒化ケイ素膜と、を有する電気光学装置の製造方法であって、
　前記透明基板の前記表示部側に、窒化ケイ素膜を形成する工程と、
　前記有機ＥＬ発光素子の形成位置に対応した開口部を、前記窒化ケイ素膜に形成する工程と、
　前記窒化ケイ素膜の前記表示部側に、前記開口部の形成位置に対応した凹部を有する絶縁膜を積層形成する工程と、
　前記絶縁膜の前記表示部側に、前記凹部の形成位置に対応した凹部を有する画素電極を形成する工程と、
　前記画素電極の表面に親液処理を施す工程と、
　前記画素電極の凹部に、液滴吐出法により前記有機ＥＬ発光素子を形成する工程と、
　を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。」
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「電気光学装置の製造方法」について、「絶縁膜を積層形成する工程と、前記絶縁膜の前記表示部側に、前記凹部の形成位置に対応した凹部を有する」との限定を付加し、同じく「有機ＥＬ発光素子を形成する工程」について、「液相プロセス」を「液滴吐出法」と減縮するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−２４２８０３号公報（以下、「引用例１」という。）には、
　「本発明は液晶ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンスディスプレイなどの表示装置及びその製造方法に関する。より詳しくは、透明な基板の上にマトリクス状に配列した画素を有し、各画素は液晶セルや有機エレクトロルミネッセンス素子などの電気光学素子が形成された開口領域と、この電気光学素子を駆動する薄膜トランジスタが形成された非開口領域とを有する表示装置において、開口領域の光学的な特性を改善する技術に関する。」（段落【０００１】）、
　
　「【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課題を解決する為に以下の手段を講じた。即ち、本発明にかかる表示装置は、透明な基板の上にマトリクス状に配列した画素を有し、各画素は、該基板を通して光を出射する電気光学素子が形成された開口領域と、該電気光学素子を駆動する薄膜トランジスタが形成された非開口領域とを有し、前記非開口領域は、該薄膜トランジスタを包含する第一の膜構成を有し、前記開口領域は、該第一の膜構成から延在し且つ該電気光学素子と該基板との間に介在する第二の膜構成を有し、前記第二の膜構成は、該開口領域を通る光を調整するため、該第一の膜構成から変化していることを特徴とする。この場合、前記第二の膜構成は一又は二以上の膜を含んでおり、該開口領域を通る光の透過率又は色温度を調整するために、膜の数、厚み、屈折率及び光吸収率の少なくとも一つが、該第一の膜構成とは異なることを特徴とする。又、前記第二の膜構成は、その屈折率が該第一の膜構成に比べて該基板の屈折率に近づくように、該第一の膜構成から変化していることを特徴とする。又、前記基板はガラスからなり、前記第一の膜構成はガラスと屈折率が異なる窒化シリコンの膜を含み、前記第二の膜構成は該窒化シリコンの膜が除かれていることを特徴とする。又、前記第一の膜構成は、少なくとも該薄膜トランジスタの能動層とゲート電極との間に介在するゲート絶縁膜、該薄膜トランジスタとその配線との間に介在する層間絶縁膜及び該薄膜トランジスタを被覆する保護膜を含んでおり、前記第二の膜構成は、該ゲート絶縁膜、層間絶縁膜及び保護膜のうち少なくとも一つが除かれていることを特徴とする。この場合、該ゲート電極又は該配線に対するコンタクトホールを形成する過程で、該ゲート絶縁膜又は層間絶縁膜が前記第二の膜構成から除かれていることを特徴とする。一態様では、前記薄膜トランジスタは、ゲート電極の上にゲート絶縁膜を介して能動層を重ね、且つ能動層の上に層間絶縁膜を介して配線を形成したボトムゲート構造を有し、前記第二の膜構成から、少なくともゲート絶縁膜又は層間絶縁膜が除かれていることを特徴とする。他の態様では、前記薄膜トランジスタは、能動層の上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を重ね、且つ能動層の上に層間絶縁膜を介して配線を形成したトップゲート構造を有し、前記第二の膜構成から、少なくともゲート絶縁膜又は層間絶縁膜が除かれていることを特徴とする。加えてに、前記能動層は、多結晶シリコンからなることを特徴とする。更に、前記保護膜は透明な有機樹脂膜からなり、前記第二の膜構成は該有機樹脂膜をそのまま含むことを特徴とする。」（段落【００１１】）、
　
　「【００２７】図１２及び図１３は本発明に係る表示装置の製造方法の別の例を示す工程図である。この例では、トップゲート構造のＴＦＴを形成している。まず工程（ａ）で、透明なガラス基板１上に、例えば窒化シリコン膜を１００ｎｍ、酸化シリコン膜を３００ｎｍ積層し、それぞれ下地膜１２Ｎ，１２Ｏとした後、連続でアモルファスシリコンを５０ｎｍ成膜する。その後、赤外線ランプを用いた熱アニールやレーザアニールなどの手段を用いて結晶化し、ポリシリコンからなる半導体薄膜４Ｐとする。又、他の熱ＣＶＤ法などを用いて直接多結晶半導体薄膜４Ｐを成膜してもよい。その後、多結晶半導体薄膜４Ｐを薄膜トランジスタの素子領域の形状に合わせてパタニングする。工程（ｂ）に進み、半導体薄膜４Ｐの上にゲート絶縁膜３Ｏとして例えば酸化シリコン膜を１５０ｎｍ積層し、その後ゲート電極２として例えばタングステンやモリブデン、アルミニウムなどを３００ｎｍ積層する。その後で所定の形状にパタニングする。工程（ｃ）に進み、ゲート電極２をマスクとしてＬＤＤ領域を形成する為に燐又は砒素などを比較的低濃度でイオン注入する。工程（ｄ）に進み、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを形成する為、マスクＭをレジストなどで形成し、高濃度の燐又は砒素などを注入する。その後、適宜注入した不純物を活性化する為に、熱アニールやレーザアニールを行なう。工程（ｅ）に進み、層間絶縁膜７Ｎとして窒化シリコン膜を４００ｎｍ成膜する。この場合、層間絶縁膜は酸化シリコン膜を用いても、又窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層構造としてもよい。
【００２８】図１３の工程（ｆ）に進み、多結晶半導体薄膜４Ｐ上のコンタクトホールＣＯＮ形成部分及びゲート電極２上のコンタクトホール形成部分（図示せず）及び開口領域の部分において、下地膜１２Ｎ，１２Ｏ、ゲート絶縁膜３Ｏ、層間絶縁膜７Ｎをエッチング除去する。工程（ｇ）に進み、画素電極とのコンタクトホールＣＯＮを形成する部分やパッド形成部分（図示せず）などを除いた全ての領域に有機樹脂からなる平坦化膜９を形成する。工程（ｈ）に進み、平坦化膜９で埋め込まれた開口領域を覆う様に、ＩＴＯなどからなる画素電極１０を形成する。その後、液晶を配向させる為に配向膜１６を形成し、配向処理を行なう。この様にして作成したＴＦＴ基板１は、カラーフィルタ、対向電極、配向膜を形成した対向ガラス基板と貼り合わせ、その後両基板の間に液晶を注入することにより液晶パネルが完成する。」（段落【００２７】、【００２８】）、
　
　「【００３０】図１５は、本発明に係る表示装置の別の実施形態を示す模式的な部分断面図であり、一画素のみを表わしている。本実施形態は、電気光学素子として液晶セルに代えて有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤを用いている。ＯＬＥＤはＩＴＯなどの透明導電膜などからなる陽極Ａ、有機層１１０及び金属の陰極Ｋを順に重ねたものである。陽極Ａは画素毎に分離しており、基本的に透明である。陰極Ｋは画素間で共通接続されており、基本的に光反射性である。係る構成を有するＯＬＥＤの陽極Ａ／陰極Ｋ間に順方向の電圧（１０Ｖ程度）を印加すると、電子や正孔などのキャリアの注入が起こり、発光が観測される。ＯＬＥＤの動作は、陽極Ａから注入さた正孔と陰極Ｋから注入された電子により形成された励起子による発光と考えられる。ＯＬＥＤは自ら発した光をガラスなどからなる基板１の表面側から裏面側に出射する。
【００３１】一方、ＯＬＥＤを駆動する薄膜トランジスタは、ゲート電極２と、その上に重ねられたゲート絶縁膜３Ｏと、このゲート絶縁膜３Ｏを介してゲート電極２の上方に重ねられた半導体薄膜４とからなる。この半導体薄膜４は例えばレーザアニールにより結晶化されたシリコン薄膜からなる。薄膜トランジスタはＯＬＥＤに供給される電流の通路となるソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃｈ及びドレイン領域Ｄを備えている。チャネル領域Ｃｈは丁度ゲート電極２の直上に位置する。このボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタは窒化シリコンからなる第一の層間絶縁膜７１Ｎにより被覆されており、その上には電極５Ｓ，５Ｄが形成されている。これらの上には酸化シリコンからなる第二の層間絶縁膜７２Ｏを介して前述したＯＬＥＤが成膜されている。このＯＬＥＤの陽極Ａは電極５Ｄを介して薄膜トランジスタに電気接続されている。この実施形態では、ＯＬＥＤが配される開口領域から、窒化シリコンの層間絶縁膜７１Ｎが除かれる一方、酸化シリコンからなるゲート絶縁膜３Ｏ及び同じく酸化シリコンからなる第二層間絶縁膜７２Ｏはそのまま残されている。」（段落【００３０】、【００３１】）、
　
　「特に、低温ポリシリコンを能動層とするＴＦＴを形成する場合、酸化シリコン膜をゲート絶縁膜に用いる一方、窒化シリコン膜をガラスからの汚染を防止する下地膜やパシベーション膜（保護膜）に用いる為、屈折率の異なる積層構造が生じ易い。その場合、本発明に従って開口領域から窒化シリコン膜を選択的に除去することは透過率を高くし色付きを防止する上で顕著な効果がある。」（段落【００３２】）
　
との記載が認められ、これらの記載及び図１５によれば、第二の層間絶縁膜７２Ｏの電気光学素子側及び陽極Ａの電気光学素子側に、有機エレクトロルミネッセンス素子が配される開口領域に対応した凹部が形成されていることは自明であるから、引用例１には、
　「透明なガラス基板１上にマトリクス状に配列された画素を有し、各画素は有機エレクトロルミネッセンス素子などの電気光学素子を有し、前記電気光学素子と前記透明基板１との間に形成された窒化ケイ素膜とを有する表示装置及びその製造方法であって、
　透明なガラス基板１上にゲート絶縁膜３Ｏとして酸化シリコン膜を積層する工程と、
　前記ゲート絶縁膜の電気光学素子側に、窒化シリコンからなる第一の層間絶縁膜７１Ｎを積層する工程と、
　前記有機エレクトロルミネッセンス素子が配される開口領域から、前記窒化シリコン膜からなる第一の層間絶縁膜７１Ｎを除く工程と、
　前記第一の層間絶縁膜７１Ｎの電気光学素子側に、前記開口領域に対応した凹部を有する第二の層間絶縁膜７２Ｏを積層する工程と、
　前記第二の層間絶縁膜７２Ｏの電気光学素子側に、前記開口領域に対応した凹部を有する陽極Ａを積層する工程と、
　前記陽極Ａの凹部に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、
　を有する製造方法及びそれにより製造された表示装置。」
との発明（以下、「引用例１発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　
（３）対比・判断
　本願補正発明と引用例１発明とを比較すると、引用例１発明の「透明なガラス基板１」は、本願補正発明の「透明基板」に相当し、以下同様に、「有機エレクトロルミネッセンス素子」は「有機ＥＬ発光素子」に、「電気光学素子」は「表示部」に、「第一の層間絶縁膜７１Ｎ」は「窒化ケイ素膜」に、「開口領域」は「開口部」に、「第二の層間絶縁膜７２Ｏ」は「絶縁膜」に、「陽極Ａ」は「画素電極」に、それぞれ相当するから、両者は、
「透明基板上に複数の有機ＥＬ発光素子が配列形成された表示部と、前記表示部と前記透明基板との間に形成された窒化ケイ素膜と、を有する電気光学装置の製造方法であって、
　前記表示部と前記透明基板との間に、窒化ケイ素膜を形成する工程と、前記有機ＥＬ発光素子の形成位置に対応した開口部を、前記窒化ケイ素膜に形成する工程と、前記窒化ケイ素膜の前記表示部側に、前記開口部の形成位置に対応した凹部を有する絶縁膜を積層形成する工程と、前記絶縁膜の前記表示部側に、前記凹部の形成位置に対応した凹部を有する画素電極を形成する工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
　
［相違点１］
　窒化ケイ素膜が、本願補正発明では、「透明基板の表示部側に」形成されているのに対して、引用例１発明では、「ゲート絶縁膜の電気光学素子側に」形成されている点。
［相違点２］
　有機ＥＬ発光素子を形成するために、本願補正発明では、「画素電極の表面に親液処理を施す工程と前記画素電極の凹部に液滴吐出法により前記有機ＥＬ発光素子を形成する工程」を備えているのに対して、引用例１発明では、そのような構成を備えていない点。
　次に相違点について検討する。
　
［相違点１］について
　引用例１の図１２、図１３やそれに関する記載を記した段落【００２７】、【００２８】には、液晶パネルに係る実施例ではあるが、窒化シリコン膜（窒化ケイ素膜）を下地膜として透明なガラス基板上に積層することが示されている。ところで、引用例１の段落【００３２】に「本発明によれば、・・・、窒化シリコン膜をガラスからの汚染を防止する下地膜やパシベーション膜（保護膜）に用いる為、屈折率の異なる積層構造が生じ易い。その場合、本発明に従って開口領域から窒化シリコン膜を選択的に除去することは透過率を高くし色付きを防止する上で顕著な効果がある。」と記載されるように、液晶ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンスディスプレイなどの表示装置に共通な技術的事項として、窒化シリコン膜（窒化ケイ素膜）を下地膜として用いた場合の作用効果が記載されている。また、本願の発明の詳細な説明の段落【０００７】〜【０００９】にも、
「本発明に係る電気光学装置は、透明基板上に複数の表示素子が配列形成された表示部と、前記表示部と前記透明基板との間に形成された窒化ケイ素膜とを有する電気光学装置であって、前記窒化ケイ素膜に、前記各表示素子の形成位置に対応した複数の開口部が形成されていることを特徴とする。
・・・。
また、前記窒化ケイ素膜は、前記各表示素子のスイッチング素子が形成された駆動素子部と前記透明基板との間に形成された、下地保護膜であってもよい。
・・・。
また、前記窒化ケイ素膜は、前記各表示素子のスイッチング素子が形成された駆動素子部と前記表示部との間に形成された、層間絶縁膜であってもよい。」と記載されているように、窒化ケイ素膜が下地保護膜又は層間絶縁膜として選択的に用いることが示されている。してみると、引用例１発明の窒化ケイ素膜を透明基板上に直接設けることにより本願発明のように構成することは、当業者が困難性を要することなく想到しえたものと認められる。
　
［相違点２］について
　有機ＥＬ素子の製造技術としてインクジェット方式を用いるものにおいて、液体材料を凹部へ充填する前に予め親液性となるように表面処理することは、周知（特許第３３２８２９７号公報、特開２０００−２２３２７０号公報等を参照）であるから、この周知技術を引用例１発明に適用して本願発明のように構成することは、当業者が困難性を要することなく想到しえたものと認められる。
　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定で準用する同法第１２６条第５項に規定される独立特許要件を満たしていないものであり、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定によって却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１７年８月４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至３に係る発明は、平成１７年４月１２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】　透明基板上に複数の有機ＥＬ発光素子が配列形成された表示部と、前記表示部と前記透明基板との間に形成された窒化ケイ素膜と、を有する電気光学装置の製造方法であって、
　前記透明基板の前記表示部側に、窒化ケイ素膜を形成する工程と、
　前記有機ＥＬ発光素子の形成位置に対応した開口部を、前記窒化ケイ素膜に形成する工程と、
　前記窒化ケイ素膜の前記表示部側に、前記開口部の形成位置に対応した凹部を有する画素電極を形成する工程と、
　前記画素電極の表面に親液処理を施す工程と、
　前記画素電極の表面に、液相プロセスにより前記有機ＥＬ発光素子を形成する工程と、
　を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
　【請求項２】　請求項１に記載の電気光学装置の製造方法を使用して製造したことを特徴とする電気光学装置。
　【請求項３】　請求項２に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、および、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本件の前記請求項２に記載された発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）と引用例１発明とを比較すると、引用例１発明の「透明なガラス基板１」は、本願発明の「透明基板」に相当し、以下同様に、「有機エレクトロルミネッセンス素子」は「有機ＥＬ発光素子」に、「電気光学素子」は「表示部」に、「第一の層間絶縁膜７１Ｎ」は「窒化ケイ素膜」に、「開口領域」は「開口部」に、「陽極Ａ」は「画素電極」に、それぞれ相当するから、両者は、
「透明基板上に複数の有機ＥＬ発光素子が配列形成された表示部と、前記表示部と前記透明基板との間に形成された窒化ケイ素膜と、を有する電気光学装置の製造方法であって、前記表示部と前記透明基板との間に、窒化ケイ素膜を形成する工程と、前記有機ＥＬ発光素子の形成位置に対応した開口部を、前記窒化ケイ素膜に形成する工程と、前記窒化ケイ素膜の前記表示部側に、前記開口部の形成位置に対応した凹部を有する画素電極を形成する工程と、を有する電気光学装置の製造方法を使用して製造したことを特徴とする電気光学装置。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
　
［相違点１］
　窒化ケイ素膜が、本願補正発明では、「透明基板の表示部側に」形成されているのに対して、引用例１発明では、「ゲート絶縁膜の電気光学素子側に」形成されている点。
　
［相違点２］
　有機ＥＬ発光素子を形成するために、本願補正発明では、「画素電極の表面に親液処理を施す工程と前記画素電極の表面に液相プロセスにより前記有機ＥＬ発光素子を形成する工程」を備えているのに対して、引用例１発明では、そのような構成を備えていない点。
　次に相違点について検討する。
　
［相違点１］について
　この相違点は、前記「２．（３）対比・判断」における本願補正発明の［相違点１］と同じであるから、同「［相違点１］について」において検討したものと同じ理由により、当業者が困難性を要することなく想到しえたものと認められる。
　
［相違点２］について
　有機ＥＬ素子の製造技術としてインクジェット方式やディップ法等を用いるものにおいて、液体材料を凹部へ充填する前に予め親液性となるように表面処理することは、周知（特許第３３２８２９７号公報、特開２０００−２２３２７０号公報等を参照）であるから、この周知技術を引用例１発明に適用して本願発明のように構成することは、当業者が困難性を要することなく想到しえたものと認められる。
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用例１及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。