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【手続補正書】
【提出日】平成22年10月19日(2010.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に薄膜材料を堆積させるためのガス状材料を供給するための出力面を有する供給装置であって、
（ａ）第１ガス状材料、第２ガス状材料及び第３ガス状材料のための共通供給をそれぞれ受容することができる、少なくとも第１流入ポート、第２流入ポート及び第３流入ポートを含む複数の流入ポートと；
（ｂ）１つ又は２つ以上の第１の細長い放出チャネルを含む第１群、１つ又は２つ以上の第２の細長い放出チャネルを含む第２群、及び少なくとも２つの第３の細長い放出チャネルを含む第３群を含む少なくとも３つの細長い放出チャネル群；
を含み、第１、第２及び第３の細長い放出チャネルの各々が、対応する第１流入ポート、第２流入ポート及び第３流入ポートのうちの１つとガス流体連通可能であり；
各第１の細長い放出チャネルが、その少なくとも１つの細長い側において、第３の細長い放出チャネルによって、最も近い第２の細長い放出チャネルから分離されており；
各第１の細長い放出チャネルおよび各第２の細長い放出チャネルが、第３の細長い放出チャネル間に位置しており；
第１、第２及び第３の細長い放出チャネルの各々が、長さ方向に延びており、かつ、実質的に平行であり；
細長い放出チャネルの上記３つの群のうちの少なくとも１つの細長い放出チャネル群内の細長い放出チャネルの各々が、それぞれ、第１ガス状材料、第２ガス状材料及び第３ガス状材料のうちの少なくとも１つの流れを供給装置の出力面に対して実質的に垂直に案内することができ、ガス状材料のこの流れを、基体の表面に対して実質的に垂直に、前記少なくとも１つの群内の細長い放出チャネルの各々から直接的又は間接的に供給することができ；
当該供給装置の少なくとも一部が複数のアパーチャ付きプレートとして形成されており、当該複数のアパーチャ付きプレートは重なり合って、第１、第２及び第３のガス状材料の各々をそれらの対応する流入ポートからそれらの対応する細長い放出チャネルに送るための、相互接続供給チャンバ及び案内チャネルの網状構造を規定している、供給装置。
【請求項２】
基体上に薄膜材料を堆積させるためのガス状材料を供給する出力面を有する供給装置であって、
（ａ）第１、第２及び第３ガス状材料の共通供給をそれぞれ受容することができる、少なくとも第１、第２及び第３流入ポートを含む複数の流入ポートと；
（ｂ）第１の複数の細長い放出チャネルと、第２の複数の細長い放出チャネルと、第３の複数の細長い放出チャネル；
を含み、第１、第２及び第３の細長い放出チャネルの各々により、対応する第１、第２及び第３流入ポートのうちの１つとガス流体連通させ；
第１、第２及び第３の複数の細長い放出チャネルの各々が、長さ方向に延びており、かつ、実質的に平行であり；
各第１の細長い放出チャネルが、その各細長い側において、第３の細長い放出チャネルによって、最も近い第２の細長い放出チャネルから分離されており；
各第１の細長い放出チャネル及び各第２の細長い放出チャネルが、第３の細長い放出チャネルの間に位置しており；
第１、第２及び第３の複数の細長い放出チャネルのうちの少なくとも１つの群内の細長い放出チャネルの各々が、それぞれ、第１、第２及び第３ガス状材料のうちの少なくとも１つの流れを当該供給装置の出力面に対して実質的に垂直に案内することができ、ガス状材料のこの流れを、基体の表面に対して実質的に垂直に、前記少なくとも１つの群内の細長い放出チャネルの各々から直接的又は間接的に供給することができ、当該供給装置の少なくとも一部は、複数のアパーチャ付きプレートとして形成されており、当該複数のアパーチャ付きプレートは、重なり合って第１、第２及び第３のガス状材料の各々をそれらの対応する流入ポートからそれらの対応する複数の細長い放出チャネルに送るための相互接続供給チャンバ及び案内チャネルの網状構造を規定しており、当該複数のアパーチャ付きプレートは、出力面に対して実質的に垂直に配置されており；
第１、第２及び第３の複数の細長い放出チャネルの各々について、各個々の細長い放出チャネルが、
（ｉ）中央プレートの各側に１枚ずつあり、個々の細長い放出チャネルの長さ方向に沿う側壁を規定する２枚のセパレータプレートと、（ii）個々の細長い放出チャネルの幅を規定する中央プレートであって、上記の２枚のセパレータプレートの間に挟まれた中央プレート；
を含み、上記の２枚のセパレータプレートと中央プレートのアパーチャの位置合わせにより第１ガス状材料、第２ガス状材料又は第３ガス状材料のうちの１つの供給との流体連通がもたらされ、第１ガス状材料、第２ガス状材料又は第３ガス状材料のうちの１つだけが個々の細長い放出チャネルに流入することが可能となる、供給装置。
【請求項３】
基体上に薄膜材料を堆積させるためのガス状材料を供給する出力面を有する供給装置であって、
（ａ）第１、第２及び第３ガス状材料の共通供給をそれぞれ受容することができる、少なくとも第１、第２及び第３流入ポートを含む複数の流入ポートと；
（ｂ）第１の複数の細長い放出チャネルと、第２の複数の細長い放出チャネルと、第３の複数の細長い放出チャネル；
を含み、第１、第２及び第３の細長い放出チャネルの各々により、対応する第１、第２及び第３流入ポートのうちの１つとガス流体連通させ；
第１、第２及び第３の複数の細長い放出チャネルの各々が、長さ方向に延びており、かつ、実質的に平行であり；
各第１の細長い放出チャネルが、その各細長い側において、第３の細長い放出チャネルによって、最も近い第２の細長い放出チャネルから分離されており；
各第１の細長い放出チャネル及び各第２の細長い放出チャネルが、第３の細長い放出チャネルの間に位置しており；
第１、第２及び第３の複数の細長い放出チャネルのうちの少なくとも１つの群内の細長い放出チャネルの各々が、それぞれ、第１、第２及び第３ガス状材料のうちの少なくとも１つの流れを当該供給装置の出力面に対して実質的に垂直に案内することができ、ガス状材料のこの流れを、基体の表面に対して実質的に垂直に、前記少なくとも１つの群内の細長い放出チャネルの各々から直接的又は間接的に供給することができ、当該供給装置の少なくとも一部は、複数のアパーチャ付きプレートとして形成されており、当該複数のアパーチャ付きプレートは、重なり合って第１、第２及び第３のガス状材料の各々をそれらの対応する流入ポートからそれらの対応する複数の細長い放出チャネルに送るための相互接続供給チャンバ及び案内チャネルの網状構造を規定しており、当該複数のアパーチャ付きプレートは、出力面に対して実質的に垂直に配置されている、供給装置。
【請求項４】
基体上に薄膜材料を堆積させるための方法であって、請求項１に記載の供給装置の出力面から一連のガス流を基体の表面に同時に案内することを含み、前記一連のガス流が、少なくとも第１の反応性ガス状材料、第２の反応性ガス状材料及び第３のガス状材料、不活性パージガスを含み、第１の反応性ガス状材料は、基体が第２の反応性ガス状材料により処理された場合に、基体表面と反応することができる、基体上に薄膜材料を堆積させるための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月1日(2010.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
-リング本体（２）と；
-リング本体（２）の接触面に溶射するによって形成されたＮｉ合金から成る接合剤層（４）と；
-接合剤層（４）上に溶射することによって形成されたＣｒＣ、ＷＣ、ＭｏＣとのＭｏ合金から成る耐摩耗層（６）と；
-耐摩耗層（６）上に溶射することによって形成されたＡｌＣｕ合金またはＮｉ黒鉛合金から成る慣らし層（８）
を含むことを特徴とするピストンリング。
【請求項２】
接合剤層（４）、耐摩耗層（６）および慣らし層（８）を重ねスプレーの形で形成したことを特徴とする請求項１に記載のピストンリング。
【請求項３】
リング本体の側面が縁端に面取り部分を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のピストンリング。
【請求項４】
リング本体が縁端に面取り部分を有するガス逃しスリットを有することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のピストンリング。
【請求項５】
面取り部分が３０°乃至７０°の角度を有することを特徴とする請求項３または請求項４に記載のピストンリング。
【請求項６】
面取り部分が０．５乃至２．０ｍｍの幅を有することを特徴とする請求項３から請求項５までのいずれか１項に記載のピストンリング。
【請求項７】
ピストンリングの製法において、
-リング本体を用意し；
-リング本体の接触面にＮｉ合金から成る接合剤層を溶射し；
-接合剤層上にＣｒＣ、ＷＣ、ＭｏＣとのＭｏ合金から成る耐摩耗層を溶射し；
-耐摩耗層上にＡｌＣｕ合金またはＮｉ黒鉛合金から成る慣らし層を溶射する
工程を含むことを特徴とする製法。
【請求項８】
接合剤層（４）、耐摩耗層（６）および慣らし層（８）を重ねスプレーの形で形成することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
溶射が
-アーク溶線式層形成；
-溶線フレーム溶射式層形法；
-常圧プラズマスプレー、ＡＰＳ；
および
-高速オキシ燃料フレームスプレー、ＨＯＶＦ
を含むことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
接合剤層をスプレーする前にリング本体の側面縁端に面取り部分を設ける工程をも含むことを特徴とする請求項７から請求項９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
リング本体がガス逃がしスリットを含み、さらに
-接合剤層をスプレーする前にガス逃がしスリットの側面に面取り部分を設ける工程をも含むことを特徴とする請求項７から請求項１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
面取り部分が３０°乃至７０°の角度を有することを特徴とする請求項７または請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
面取り部分が０．５乃至２．０ｍｍの幅を有することを特徴とする請求項９から請求項１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
リング本体と、リング本体の接触面に形成した耐摩耗層および耐摩耗層上に形成した慣らし層を含むピストンリングにおいて、慣らし層がニッケル-黒鉛を含むことを特徴とするピストンリング。
【請求項１５】
耐摩耗層が硬質クロム、酸化アルミニウムセラミックを含むクロムまたはミクロダイヤモンドを含むことを特徴とする請求項１４に記載のピストンリング。
【請求項１６】
慣らし層が２０乃至４００μｍの層厚を有することを特徴とする請求項１４または請求項１５に記載のピストンリング。
【請求項１７】
慣らし層が１０乃至４０容積％の黒鉛を含有することを特徴とする請求項１４から請求項１６までのいずれか１項に記載のピストンリング。
【請求項１８】
ピストンリングの製法において、
-リング本体を用意し；
-リング本体の接触面に耐摩耗層を形成し；
-耐摩耗層を活性化し；
-耐摩耗層上に慣らし層を形成する
工程を含み、
慣らし層がニッケル−黒鉛を含むことを特徴とする製法。
【請求項１９】
溶射によって耐摩耗層を形成することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
常圧プラズマスプレーまたは高速オキシ燃料フレームスプレーによって耐摩耗層を形成することを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
耐摩耗層が硬質クロム、酸化アルミニウムセラミックを含むクロムまたはミクロダイヤモンドを含むクロムを有することを特徴とする請求項１８から請求項２０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
耐摩耗層を照射処理または熱処理によって活性化することを特徴とする請求項１８から請求項２１までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
熱的な層形成方法によって慣らし層を形成することを特徴とする請求項１８から請求項２２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
プラズマスプレーまたは粉末式フレーム溶射によって慣らし層を形成することを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
慣らし層が２０乃至４００μｍの層厚を有することを特徴とする請求項１８から請求項２４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
慣らし層が１０乃至４０容積％の黒鉛を含有することを特徴とする請求項１８から請求項２５までのいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月23日(2010.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加入コントリビューション認識ピアのピアツーピアネットワークへの加入を許可する方法であって、
システムリソースインデックスを含む複数のシステムパラメータを、前記加入ピアで受信するステップと、
前記加入ピアの有権利着信度数の値を決定するステップであって、決定された前記有権利着信度数の値は、前記システムリソースインデックスの値を反映する、決定するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記システムリソースインデックスは、前記ピアツーピアネットワーク内でリソースフロアを提供するように適合され、さらに前記システムリソースインデックスは、式
【数１】
2010515113.tif 000001
に従って決定されることを特徴とする請求項１に記載の加入コントリビューション認識ピアのピアツーピアネットワークへの加入を許可する方法。
【請求項３】
前記加入ピアの前記有権利着信度数の値を決定するステップは、式
【数２】
2010515113.tif 000002
に従って実行されることを特徴とする請求項２に記載の加入コントリビューション認識ピアのピアツーピアネットワークへの加入を許可する方法。
【請求項４】
前記加入ピアの処理デバイスを使用して前記有権利着信度数の値を決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の加入コントリビューション認識ピアのピアツーピアネットワークへの加入を許可する方法。
【請求項５】
確立されたローカルプリエンプションポリシーを遵守する前記加入ピアを信用するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の加入コントリビューション認識ピアのピアツーピアネットワークへの加入を許可する方法。
【請求項６】
前記ピアツーピアネットワークのピアデバイスから意欲情報を定期的に受信するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の加入コントリビューション認識ピアのピアツーピアネットワークへの加入を許可する方法。
【請求項７】
前記ピアツーピアネットワークのピアデバイスにハートビートメッセージを定期的に送信するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の加入コントリビューション認識ピアのピアツーピアネットワークへの加入を許可する方法。
【請求項８】
前記加入ピアは、帯域幅を有する信号を受信するように適合され、前記帯域幅は、前記ピアツーピアネットワークにリソースを提供する前記加入ピアの意欲に関係することを特徴とする請求項１に記載の加入コントリビューション認識ピアのピアツーピアネットワークへの加入を許可する方法。
【請求項９】
前記加入ピアは、信号を受信するように適合され、前記信号は、多重記述符号化信号として構成されることを特徴とする請求項１に記載の加入コントリビューション認識ピアのピアツーピアネットワークへの加入を許可する方法。
【請求項１０】
コントリビューション認識ピアツーピアネットワークのためのブートストラップノードであって、
プロセッサデバイスと、
前記プロセッサデバイスに結合されたネットワークインタフェースデバイスであって、前記ネットワークインタフェースデバイスは、通信ネットワークに結合されるように適合され、前記プロセッサデバイスは、潜在的な親ピアの識別情報を求める要求を前記通信ネットワークから前記ネットワークインタフェースデバイスを介して受信するように適合され、その一方で、前記プロセッサデバイスは、複数のデバイス識別値およびシステムパラメータを用いて応答するように適合される、ネットワークインタフェースデバイスと
を備えることを特徴とするブートストラップノード。
【請求項１１】
前記システムパラメータは、システムリソースインデックスを含むことを特徴とする請求項１０に記載のコントリビューション認識ピアツーピアネットワークのためのブートストラップノード。
【請求項１２】
前記システムリソースインデックスは、式
【数３】
2010515113.tif 000003
に従って決定されることを特徴とする請求項１１に記載のコントリビューション認識ピアツーピアネットワークのためのブートストラップノード。
【請求項１３】
前記ブートストラップノードは、ハートビートメッセージに応答して意欲パラメータの値を定期的に受信することを特徴とする請求項１２に記載のコントリビューション認識ピアツーピアネットワークのためのブートストラップノード。
【請求項１４】
前記ブートストラップノードは、ハートビートメッセージに応答して複数のピアデバイスからパラメータ値を定期的に受信することを特徴とする請求項１０に記載のコントリビューション認識ピアツーピアネットワークのためのブートストラップノード。
【請求項１５】
前記複数のデバイス識別値および前記システムパラメータは、意欲の値、発信度数の実際の貢献、着信接続の実際の数、計算された有権利着信度数、および参加ピアの親のリストを含むことを特徴とする請求項１０に記載のコントリビューション認識ピアツーピアネットワークのためのブートストラップノード。
【請求項１６】
前記潜在的ピア識別情報は、飽和した潜在的な親ピアを識別することを特徴とする請求項１０に記載のコントリビューション認識ピアツーピアネットワークのためのブートストラップノード。
【請求項１７】
潜在的な親ピアの識別情報を求める前記要求は、受信ピアによる要求に応答して前記通信ネットワークから受信され、前記受信ピアは、指数的バックオフ戦略を利用するように適合されることを特徴とする請求項１０に記載のコントリビューション認識ピアツーピアネットワークのためのブートストラップノード。
【請求項１８】
前記指数的バックオフ戦略は、式ｔwait＝ｔminＫ（ｅi＋βret）によって規定されることを特徴とする請求項１７に記載のコントリビューション認識ピアツーピアネットワークのためのブートストラップノード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
一実施形態では、参加ピア（ｐａｒｔｉｃｉｐａｔｉｎｇ  ｐｅｅｒ）は、子ピア（ｃｈｉｌｄ  ｐｅｅｒ）がその必要パケットを１つまたは複数の親ピアからプル（ｐｕｌｌ）する、スウォーミング型コンテンツ配信（ｓｗａｒｍｉｎｇ  ｃｏｎｔｅｎｔ  ｄｅｌｉｖｅｒｙ）を組み込む。オーバレイを形成するため、各ピアは、その必要なコンテンツをそこからプルする、ある数の親ピアを維持する。各ピアは、特定の数の子ピアの親としても機能し、それらにコンテンツを提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
親発見プロセスは、有権利親ピアの数Ｒiが決定された後に起こる。各ピアは、接続する（接続を形成する）親ピアを少なくともＲi個見つけるべきである。親発見プロセスは、帯域幅を公平かつタイムリーな方法で分散させるべきである。本明細書では、ピアが適切な親ピアを発見することを可能にする、集中（ｃｅｎｔｒａｌｉｚｅｄ）、分散（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ）、および半分散（ｓｅｍｉ−ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ）の３つの異なるアプローチを説明する。また本明細書では、加入／要求ピアの適切な親ピアを見つけることができるデバイスも説明される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
好ましくは、ＲＦＩＤ装置の配備を最適化する上記方法は、別々のスポットの観点から少なくとも１次元において交信領域の分析結果をグラフィックに表示するステップＤをさらに含む。さらに好ましくは、交信領域の分析結果は、交信領域のサイズ／形状および／または交信領域の最良／最悪の配備スポットを詳細に示すために等高線図の形態で表示されるか、または、交信領域の前記結果は、交信領域のサイズ／形状および／または交信領域の最良／最悪の配備スポットを詳細に示すために表面図(surface diagram)の形態で表示される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
図１に示されるように、本発明によって提供される発明は次のステップを含む。
Ａ．ＲＦＩＤ装置が配備される交信領域（または、読取ゾーン、読取フィールド、リーダフィールド等とも呼ばれる）を分析するステップ。
Ｄ．別々のスポットの観点から少なくとも１次元において交信領域の分析結果をグラフィックに表示するステップ。
Ｂ．交信領域内の目標物体上の種々の配置セットと関連したＲＦＩＤタグの判読率を確認するステップ。
Ｅ．各配置セットと関連したＲＦＩＤタグの判読率をグラフィックに表示するステップ。
Ｃ．ステップＡで達成された交信領域の分析結果およびステップＢで確認されたＲＦＩＤタグのすべての判読率に基づいて最良の配備選択肢を選択するステップ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月7日(2010.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂またはロジンの第１成分と、堆積後に柔軟性をもたらすのに有効な量の第２成分とを含むフラックス。
【請求項２】
第２成分が、ポリマーであるか、またはポリアミド、アクリル系、エチレンアクリル系コポリマー、およびその混合物からなる群より選択される重合可能な物質である、請求項１に記載のフラックス。
【請求項３】
さらに、表面上での化学種の形成を低減するのに有効な量で存在する第３成分を含む、請求項１に記載のフラックス。
【請求項４】
さらに、表面上への堆積前または堆積後にフラックスを軟性にするのに有効な量で存在する第４成分を含む、請求項３に記載のフラックス。
【請求項５】
第３成分の量および第４成分の量が各々、フラックスの粘着性の度合いが制御されるように選択される、請求項４に記載のフラックス。
【請求項６】
第１成分の量および第２成分の量が、独立して、接着性のフラックスがもたらされるように選択される、請求項１に記載のフラックス。
【請求項７】
温度表示薬として構成される着色剤をさらに含む、請求項１に記載のフラックス。
【請求項８】
さらに、フラックスが感光性となるように選択される第５成分を含む、請求項４に記載のフラックス。
【請求項９】
請求項１に記載のフラックスでプレコートされた部品。
【請求項１０】
請求項１に記載のフラックスを含む、プリント回路基板、光起電性リボン、または導電体。
【請求項１１】
上面にフラックスがプレコートされた部分を有する非環状断面を含む、請求項９に記載の部品または請求項１０に記載の導電体。
【請求項１２】
ロジンと、
堆積後にロジンフラックスを柔軟性にするのに有効な量のポリマー成分とを含む、ロジンフラックス。
【請求項１３】
さらに活性化剤、可塑剤、および着色剤の少なくとも１つを含む、請求項１２に記載のロジンフラックス。
【請求項１４】
柔軟性のフラックスを基材上に配設することを含み、該柔軟性のフラックスが第１成分と、堆積後に柔軟性をもたらすのに有効な量の第２成分とを含む、基材上へのフラックスの塗布方法。
【請求項１５】
所望のレベルの粘着性をフラックスに付与するためにフラックスに添加される有効量の第３成分を選択することを含む、第１成分と第２成分を含むフラックスの粘着性を制御する方法。
【請求項１６】
さらに、樹脂またはロジンを第１成分として選択すること、ポリアミド、アクリル系、エチレンアクリル系コポリマーおよびその混合物の１種類以上を第２成分として選択すること、ならびに活性化剤を第３成分として選択することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
さらに、所望のレベルの粘着性をフラックスに付与するためにフラックスに添加される有効量の第４成分を選択することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
さらに、樹脂またはロジンを第１成分として選択すること、ポリアミド、アクリル系、エチレンアクリル系コポリマーおよびその混合物の１種類以上を第２成分として選択すること、活性化剤を第３成分として選択すること、ならびに可塑剤を第４成分として選択することを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
第２成分は、フラックスの堆積後に該フラックスに柔軟性をもたらすのに有効な量のポリマー成分を含み、さらに、
活性化剤と、
表面上への堆積前または堆積後にフラックスを軟性にするのに有効な量の可塑剤とを含む、請求項１に記載のフラックス。
【請求項２０】
フラックスは粘着性のフラックスであり、
第２成分は、ポリマー成分を含み、さらに、
粘着性のフラックスに粘着性をもたらすのに有効な量の活性化剤と、
粘着性のフラックスに粘着性をもたらすのに有効な量の可塑剤とを含む、請求項１に記載のフラックス。
【請求項２１】
フラックスは接着性のフラックスであり、
第２成分は、ポリマー成分を含み、該樹脂および該ポリマー成分は各々、接着性のフラックスをもたらすのに有効な量で存在し、さらに、
活性化剤と、
可塑剤とを含む、請求項１に記載のフラックス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月14日(2010.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｙ−８５または修飾ＬＺ−２１０のゼオライトを含む触媒であって、触媒が、
揮発性物質を含まない基準で、ゼオライト６０〜９０重量％を含み、残りのアルミナが、結合剤であり、
触媒が、Ｘ線回折（ＸＲＤ）で測定して少なくとも５０の絶対強度を有し、ゼオライトが、ゼオライトのバルクアルミニウム含量の少なくとも６０％の骨格アルミニウム含量をさらに有する触媒。
【請求項２】
（ａ）第１のゼオライトを水性イオン溶液で処理して、第１の単位格子サイズを有する第２のゼオライトを得るステップと；
（ｂ）第２のゼオライトを５５０℃〜８５０℃の範囲の温度で熱水的に処理して、第１のバルクＳｉ／Ａｌ２モル比を有し、第１の単位格子サイズ未満の第２の単位格子サイズを有する第３のゼオライトを生成するステップと；
（ｃ）第３のゼオライトを４未満のｐＨを有するアンモニウムイオン水溶液の十分な量と、第３のゼオライトのナトリウムカチオンの少なくとも一部をアンモニウムイオンで交換するのに十分な時間接触させて、第１のバルクＳｉ／Ａｌ２モル比を超え、６．５〜２７の範囲の第２のバルクＳｉ／Ａｌ２モル比を有するＹ−８５または修飾ＬＺ−２１０ゼオライトを生成するステップであって、Ｙ−８５または修飾ＬＺ−２１０ゼオライトが、Ｙ−８５または修飾ＬＺ−２１０ゼオライト中のすべてのアルミニウムの少なくとも６０％を占める骨格アルミニウム含量、およびＸ線回折によって測定して少なくとも５０の絶対強度をさらに有するステップと
を含むＹ−８５または修飾ＬＺ−２１０ゼオライト触媒を調製する方法。
【請求項３】
芳香族化合物および芳香族基質を請求項１に記載の触媒と接触させるステップを含む、芳香族化合物のアルキル交換のための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月28日(2010.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
2010515715.tif 000001
［式中、
Ｒ１は、水素又はフッ素であり；かつ
Ｒ２は、水素又はフッ素である］
で示される化合物、又はその薬学的に許容される塩、立体異性体、又は互変異性体。
【請求項２】
式ＩＩ：
【化２】
2010515715.tif 000002
［式中、Ｒ１及びＲ２は、上記に定義された通りである］
で示される請求項１記載の化合物、又はその薬学的に許容される塩、立体異性体、又は互変異性体。
【請求項３】
式ＩＩＩ：
【化３】
2010515715.tif 000003
［式中、Ｒ１及びＲ２は、上記に定義された通りである］
で示される請求項１記載の化合物、又はその薬学的に許容される塩、又は互変異性体。
【請求項４】
式ＩＶ：
【化４】
2010515715.tif 000004
［式中、Ｒ１及びＲ２は、上記に定義された通りである］
で示される請求項１記載の化合物、又はその薬学的に許容される塩、又は互変異性体。
【請求項５】
Ｒ１が水素であり、かつＲ２が水素又はフッ素である、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の化合物、又はその薬学的に許容される塩、又は互変異性体。
【請求項６】
２−（４−ピペリジン−３−イルフェニル）−２Ｈ−インダゾール−７−カルボキサミド；
２−｛４−［（３Ｒ）−ピペリジン−３−イル］フェニル｝−２Ｈ−インダゾール−７−カルボキサミド；
２−｛４−［（３Ｓ）−ピペリジン−３−イル］フェニル｝−２Ｈ−インダゾール−７−カルボキサミド；
５−フルオロ−２−（４−ピペリジン−３−イルフェニル）−２Ｈ−インダゾール−７−カルボキサミド；
５−フルオロ−２−｛４−［（３Ｓ）−ピペリジン−３−イル］フェニル｝−２Ｈ−インダゾール−７−カルボキサミド；
５−フルオロ−２−｛４−［（３Ｒ）−ピペリジン−３−イル］フェニル｝−２Ｈ−インダゾール−７−カルボキサミド；
５−フルオロ−２−（３−フルオロ−４−ピペリジン−３−イルフェニル）−２Ｈ−インダゾール−７−カルボキサミド；
５−フルオロ−２−｛３−フルオロ−４−［（３Ｒ）−ピペリジン−３−イル］フェニル｝−２Ｈ−インダゾール−７−カルボキサミド；及び
５−フルオロ−２−｛３−フルオロ−４−［（３Ｓ）−ピペリジン−３−イル］フェニル｝−２Ｈ−インダゾール−７−カルボキサミド；
から選択される、請求項１記載の化合物、又はその薬学的に許容される塩、互変異性体、又は立体異性体。
【請求項７】
２−｛４−［（３Ｒ）−ピペリジン−３−イル］フェニル｝−２Ｈ−インダゾール−７−カルボキサミド；及び
２−｛４−［（３Ｓ）−ピペリジン−３−イル］フェニル｝−２Ｈ−インダゾール−７−カルボキサミド；
から選択される、請求項６記載の化合物、又は、その薬学的に許容される塩、又は互変異性体。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の化合物、又はその薬学的に許容される塩、互変異性体、又は立体異性体を、薬学的に許容される担体とともに含んでなる医薬組成物。
【請求項９】
同時の、別々の、又は連続した投与のための組み合わせ製剤であって、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の化合物、又はその薬学的に許容される塩、立体異性体、又は互変異性体、及び抗癌剤を含んでなる、前記製剤。
【請求項１０】
治療において使用するための医薬組成物であって、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の化合物、又はその薬学的に許容される塩、立体異性体、又は互変異性体を含んでなる、前記医薬組成物。
【請求項１１】
ポリ（ＡＤＰ−リボース）ポリメラーゼ（ＰＡＲＰ）の阻害により改善可能な症状の、治療又は予防用医薬組成物であって、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の化合物、又はその薬学的に許容される塩、立体異性体、又は互変異性体を含んでなる、前記医薬組成物。
【請求項１２】
癌、炎症性疾患、再灌流損傷、虚血性症状、卒中、腎不全、心臓血管疾患、心臓血管疾患以外の血管疾患、糖尿病、神経変性疾患、レトロウイルス感染、網膜損傷、又は皮膚老化及びＵＶ誘導性皮膚損傷の、治療又は予防用医薬組成物であって、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の化合物、又はその薬学的に許容される塩、立体異性体、又は互変異性体を含んでなる、前記医薬組成物。
【請求項１３】
癌治療用医薬組成物であって、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の化合物、又はその薬学的に許容される塩、立体異性体、又は互変異性体を含んでなる、前記医薬組成物。
【請求項１４】
化学増感剤及び／又は放射線増感剤としての癌治療用医薬組成物であって、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の化合物、又はその薬学的に許容される塩、立体異性体、又は互変異性体を含んでなる、前記医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月25日(2010.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
殺生剤と；
式（Ｉ）の第一級アミノアルコール化合物：
【化１】
2010515731.tif 000001
（式中、
Ｒ1及びＲ3は、各々独立に、Ｈ、直鎖もしくは分枝鎖のアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、又はアリールであるか、あるいはＲ1、Ｒ3及びそれらと結合している炭素はシクロアルキル環を形成し、
Ｒ2及びＲ4は、各々独立に、Ｈ又はアルキルであり、但し、Ｒ2及びＲ4はともに２又はそれ以下の炭素原子を含み；かつ Ｒ5は存在しないか、又はＣ1−Ｃ10アルキレン、アリーレン、−アリーレン−アルキレン−、又は−アルキレン−アリーレン−であり；
ここで、アルキル、シクロアルキル、アルキレン、アリール、及びアリーレンは、アルキル又はフェニルで置換されていてもよく、かつ、式（Ｉ）の化合物は少なくとも６個の炭素原子を含む）と、を含む殺生物組成物。
【請求項２】
前記アミノアルコール化合物が、式（ＩＩ）：
【化２】
2010515731.tif 000002
（式中、
Ｒ1は、Ｃ2−Ｃ6アルキルであり；かつ
Ｒ2及びＲ4は、各々独立に、Ｈ又はＣ1−Ｃ2アルキルであり、
Ｒ2及びＲ4は、ともに２又はそれ以下の炭素原子を含み、かつ、前記式（ＩＩ）の化合物は少なくとも６個の炭素原子を含む）、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記アミノアルコール化合物が、２−アミノ−３−ヘキサノール、２−アミノ−２−メチル−３−ヘキサノール、３−アミノ−４−オクタノール、２−アミノ−２−メチル−３−ヘプタノール、２−アミノ−４−エチル−３−オクタノール、２−アミノ−３−ヘプタノール、２−アミノ−１−フェニルブタノール、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
水性系；及び請求項１から３のいずれか一項に記載の殺生物組成物を含む、微生物増殖が阻害される組成物。
【請求項５】
２−アミノ−４−エチル−３−オクタノール、２−アミノ−２−メチル−３−ヘプタノール、及びそれらの塩からなる群より選択される化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月13日(2010.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脂肪及び／または油並びにアルコールのエステル交換により脂肪酸エステルを製造する方法において：
−  脂肪及び／または油並びにアルコールを反応器に供給する、
−  ２４０℃〜４５０℃の範囲の温度でかつ０．５ＭＰａ〜２５ＭＰａの範囲の圧力で脂肪及び／または油をアルコールと反応させ、未反応アルコールを含む反応混合物を得る、
−  反応混合物を分離して第一流れと第二流れを得る、ここで第一流れは少なくとも９０重量％の未反応アルコールを含み、第二流れは第一流れより少ない未反応アルコールの画分を含む、及び
−  前記第一流れを反応器に連続的に再循環する、
工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
分離工程が反応混合物を０．１ＭＰａに等しいかまたはそれより高い圧力に減圧する工程を含み、反応混合物の分離が減圧工程の圧力で実施されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
減圧工程において、反応混合物が０．１ＭＰａ〜１．２ＭＰａの範囲の圧力に減圧されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記減圧工程において、反応混合物が０．２ＭＰａ〜３ＭＰａの範囲の圧力に減圧されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
分離工程が反応混合物を１２０℃〜３００℃の範囲の温度に冷却する工程を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項６】
反応混合物を部分冷却する工程が減圧工程の前に実施されることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項７】
部分冷却工程において、反応混合物が２００℃〜２８０℃の範囲の温度に冷却されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
反応工程において、脂肪及び／または油がＭｇＯ触媒の存在下でアルコールと反応させられることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の方法。
【請求項９】
分離工程が反応混合物をフラッシュ分離により分離することを含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１０】
分離工程が反応混合物を蒸留により分離することを含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１１】
分離工程が次の工程：
−  反応混合物を分離して第三流れと第二流れを得る、ここで第三流れは第二流れより大きい未反応アルコールの画分を含む、及び
−  第三流れを分離して第一流れと第四流れを得る、ここで第一流れは第三流れの未反応アルコールの画分より大きい未反応アルコールの画分を含む、
を含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１２】
反応混合物が水を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月6日(2010.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
一様態において、本発明は、インスリン分泌ペプチドと両末端に反応基を有する非ペプチド性重合体とが相互共有結合によって連結されている持続型インスリン分泌ペプチド結合体に関する。
本発明で使用されるインスリン分泌ペプチドは、インスリン分泌機能を保有したペプチドであって、膵臓ベータ細胞のインスリンの合成および発現を刺激する。このようなペプチドは、前駆物質(precursors)、アゴニスト(agonist)、誘導体(derivatives)、断片(fragments)および変異体(variants)を含み、好ましくはＧＬＰ(Glucagon like peptide)−１、エキセンディン３(exendin 3)およびエキセンディン４(exendin 4)である。
ＧＬＰ−１は、小腸で分泌されるホルモンであって、一般に、インスリンの生合成および分泌を促進し、グルカゴン分泌を抑制し、細胞内のグルコース吸収を促進する。グルカゴン前駆体は小腸で３つのペプチド、すなわちグルカゴン、ＧＬＰ−１およびＧＬＰ−２に分解される。ここで、ＧＬＰ−１はＧＬＰ−１（１−３７）を意味し、元々インスリン分泌機能のない形態であるが、ＧＬＰ−１（７−３７）の形態でプロセスされて活性型ＧＬＰ−１（７−３７）になる。ＧＬＰ−１（７−３７）アミノ酸配列は、次のとおりである：
ＧＬＰ−１（７−３７）
ＨＡＥＧＴ ＦＴＳＤＶ ＳＳＹＬＥ ＧＱＡＡＫ ＥＦＩＡＷ ＬＶＫＧＲ Ｇ
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月5日(2010.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端と、第２の端と、それらの間の複数の継ぎ合わせアームセグメントと、を有する関節付きアームであって、各アームセグメントは、少なくとも１つの位置トランスデューサを含む、関節付きアームと、
前記アームの前記第２の端に結合される測定プローブアセンブリと、を備える座標測定機器であって、
前記プローブアセンブリは、
前記アームの前記第２の端と前記測定プローブアセンブリのボディとの間に第１の回転軸を提供する第１の継ぎ手と、
読み取りヘッド、および第２の軸を中心に前記読み取りヘッドに対して回転するように構成されるエンコーダディスクと、
前記第２の回転軸を囲み、回転可能式に前記ボディに対して固定される第１のプローブと、
前記第２の軸を中心に前記第１のプローブに対して回転するように前記ボディに結合される第２のプローブと、
を含む、座標測定機器。
【請求項２】
前記アームは、７本の回転軸を含み、前記第１および第２の軸は、それぞれ６番目および７番目の回転軸を含む、請求項１に記載の座標測定機器。
【請求項３】
前記継ぎ合わせアームセグメントは、２−２−３継ぎ手構成に配置される、請求項２に記載の座標測定機器。
【請求項４】
前記第２のプローブは、レーザスキャナである、請求項１に記載の座標測定機器。
【請求項５】
前記第１のプローブは、タッチプローブである、請求項１に記載の座標測定機器。
【請求項６】
前記第１のプローブは、剛性プローブである、請求項１に記載の座標測定機器。
【請求項７】
前記読み取りヘッドと前記第２のプローブとの間に提供されるスリップリングを更に備える、請求項１に記載の座標測定機器。
【請求項８】
前記ボディに結合されるハンドルを更に備える、請求項１に記載の座標測定機器。
【請求項９】
前記測定プローブアセンブリは、前記関節付きアームに取り外し可能式に結合される、請求項１に記載の座標測定機器。
【請求項１０】
第１の端と、第２の端と、それらの間の複数の継ぎ合わせアームセグメントと、を有する関節付きアームであって、各アームセグメントは、少なくとも１つの位置トランスデューサを含む、関節付きアームと、
前記アームの前記第２の端に結合される測定アセンブリと、を備える座標測定装置であって、
前記測定アセンブリは、
前記アームの前記第２の端と前記測定アセンブリのボディとの間に第１の回転軸を提供する第１の継ぎ手と、
前記第１の継ぎ手に剛結合されるプローブと、
前記プローブを中心に回転するように構成される測定機器と、
を含む、座標測定装置。
【請求項１１】
被選択容積内における物体の位置を測定するための携帯型座標測定機（ＣＭＭ）であって、
相対する第１および第２の端を有し手動で位置決め可能な関節付きアームであって、複数の回転継ぎ手を含む関節付きアームと、
前記アームの前記第２の端に結合される測定アセンブリであって、第１の回転軸を提供する第１の回転継ぎ手と、前記第１の継ぎ手に剛結合されるプローブと、前記プローブを中心に回転するように構成される測定機器と、前記測定機器を前記プローブを中心に第２の回転軸に沿って回転させるための手段と、を含む測定アセンブリと、
を備える携帯型座標測定機。
【請求項１２】
前記アームは、７本の回転軸を含み、前記第１および第２の軸は、それぞれ６番目および７番目の回転軸を含む、請求項１１に記載の携帯型座標測定機。
【請求項１３】
前記アームは、２−２−３継ぎ手構成に配置される、請求項１２に記載の携帯型座標測定機。
【請求項１４】
前記測定機器は、レーザスキャナである、請求項１１に記載の携帯型座標測定機。
【請求項１５】
前記プローブは、タッチプローブである、請求項１１に記載の携帯型座標測定機。
【請求項１６】
前記プローブは、剛性プローブである、請求項１１に記載の携帯型座標測定機。
【請求項１７】
前記測定機器に結合されるハンドルを更に備える、請求項１１に記載の携帯型座標測定機。
【請求項１８】
スリップリングを更に備える、請求項１１に記載の携帯型座標測定機。
【請求項１９】
座標測定装置のための継ぎ手であって、
座標測定装置に接続可能である継ぎ手ボディと、
前記継ぎ手の回転軸を定める回転継ぎ手部分と、
前記継ぎ手の前記回転軸を囲み、回転可能式に前記継ぎ手ボディに対して固定される第１のプローブコネクタと、
前記継ぎ手ボディに対して前記継ぎ手の回転軸を中心に回転可能である第２のプローブ
コネクタと、
を備える継ぎ手。
【請求項２０】
前記第１のプローブコネクタに結合される第１のプローブを更に備える、請求項１９に記載の継ぎ手。
【請求項２１】
前記第１のプローブは、剛性プローブ、電気接触プローブ、タッチトリガプローブ、歪み感知式プローブ、レーザポイントプローブ、レーザラインプローブ、および光プローブのうち１つを含む、請求項２０に記載の継ぎ手。
【請求項２２】
前記第２のプローブコネクタに結合される第２のプローブを更に備える、請求項１９に記載の継ぎ手。
【請求項２３】
前記第２のプローブは、剛性プローブ、電気接触プローブ、タッチトリガプローブ、歪み感知式プローブ、レーザポイントプローブ、レーザラインプローブ、および光プローブのうち１つを含む、請求項２２に記載の継ぎ手。
【請求項２４】
前記継ぎ手は、前記座標測定装置に取り外し可能式に結合可能であるように構成される、請求項１９に記載の継ぎ手。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月16日(2010.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に取り付けるよう構成され且つ配置される第１の部分を有し、前記基板に電気的に接続する相互接続エレメントと、
前記相互接続エレメントに取り付けられ、半導体デバイス上のパッドに接触するよう構成されるコンタクトエレメントと、を含み、
前記コンタクトエレメントは、前記相互接続エレメントに取り付けられる導電性のベースと、前記ベースの表面に連結され、前記ベースの表面から離れるように延在する複数のカーボンナノチューブと、を含むコンタクト構造。
【請求項２】
前記相互接続エレメントは、ワイヤを含む、請求項１に記載のコンタクト構造。
【請求項３】
前記相互接続エレメントは、梁を含む、請求項１に記載のコンタクト構造。
【請求項４】
前記コンタクトエレメントは、前記ベースの表面に配置され、前記複数のカーボンナノチューブ間に分散された複数の金属構造をさらに含み、
前記金属構造は、前記ベースから離れるように前記ベースの表面から延在する、請求項１に記載のコンタクト構造。
【請求項５】
前記複数の金属構造は、スパッタ金属である、請求項４に記載のコンタクト構造。
【請求項６】
前記複数のカーボンナノチューブは、カーボンナノチューブフィルムであり、
前記カーボンナノチューブフィルムの前記ベース側の表面は、前記ベースの表面に配置され、
前記カーボンナノチューブフィルムの先端側の表面は、前記ベースの表面から離れて配置され、
金属層は、前記カーボンナノチューブフィルムの先端側の表面に配置される、請求項１に記載のコンタクト構造。
【請求項７】
前記コンタクトエレメントは、前記カーボンナノチューブフィルム内の穴と、前記カーボンナノチューブフィルム内の前記穴に配置される金属と、をさらに含む請求項６に記載のコンタクト構造。
【請求項８】
前記金属は、前記ベースの表面に配置され、前記カーボンナノチューブフィルムの先端側の表面に延在する、請求項７に記載のコンタクト構造。
【請求項９】
コンタクトパッドを有する半導体デバイスを試験するプローブカードアセンブリであって、
基板と、
前記基板上に取り付けられ、前記基板から延在する複数の相互接続エレメントと、
各相互接続エレメントと前記基板内の導体との間に形成される電気接続と、
前記基板から離れて配置され、各相互接続エレメントに電気的に接続されるコンタクトエレメントと、を含み、
前記コンタクトエレメントは、前記相互接続エレメントの１つに取り付けられる導電性のベースと、前記ベースの表面に連結され、前記ベースの表面から離れるように延在する複数のカーボンナノチューブと、を含む、プローブカードアセンブリ。
【請求項１０】
表面を有する導電性のベースと、
前記ベースの表面に取り付けられ、前記ベースの表面から離れるように延在する複数のカーボンナノチューブと、
前記ベースの表面に取り付けられ、前記複数のカーボンナノチューブ間で分散される複数の金属構造と、を含み、
前記金属構造は、前記ベースから離れるように前記ベースの表面から延在する、コンタクト構造。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月5日(2010.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランプ用のバラスト回路の自動停止及び再始動を促進するシステムであって、
インバータ回路内の第一のトランジスタ用のベース駆動巻線と並列配向で位置決めされたコンデンサと、
前記バラストに電圧を供給する電圧源に結合された制御線と、
インバータの発振の無効化と、前記インバータに結合されたトリガ回路への電圧の供給とを同時に行うために操作される前記制御線内のスイッチと、を備えるシステム。
【請求項２】
前記スイッチは、前記ランプにより照明される領域を監視する運動センサが監視領域内の在居者の存在を検出しない時に閉鎖される、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記スイッチが閉鎖された時、前記トリガ回路内の第二のトランジスタは、高ゲート−ソース間電圧を受ける、請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記第一のトランジスタは、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）であり、前記第二のトランジスタは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）である、請求項３記載のシステム。
【請求項５】
前記第二のトランジスタの前記高ゲート−ソース間電圧状態により、前記コンデンサは、前記ベース駆動巻線を通る電流を前記第一のトランジスタの前記ベースから離して迂回させる、請求項３記載のシステム。
【請求項６】
前記スイッチが開放された時、前記インバータ回路は動作中の発振状態に復帰し、前記第二のトランジスタの前記ゲート−ソース間電圧は低下する、請求項４記載のシステム。
【請求項７】
ランプ用のバラスト回路を自動的に停止及び再始動する方法であって、
インバータ回路内のバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）用のベース駆動巻線と並列なコンデンサを利用するステップと、
電圧源から、前記インバータ回路に結合されたトリガ回路へのスイッチ付き制御線を利用するステップと、
前記トリガ回路へ電圧を供給して前記インバータ回路を停止するために前記スイッチを選択的に閉鎖するステップと、を備える方法。
【請求項８】
更に、前記ランプが照明する領域内に在居者が検出された時、前記スイッチを開状態に維持するステップを備える、請求項７記載の方法。
【請求項９】
更に、前記ランプが照明する領域内に在居者が存在しない時、前記スイッチを閉鎖するステップを備える、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記スイッチの閉鎖により、前記トリガ回路内の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）においてゲート−ソース間電圧が増加する、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記トリガ回路トランジスタにおける前記ゲート−ソース間電圧により、前記コンデンサは、前記ベース駆動巻線から電流を引き出して前記ＢＪＴのベースから引き離す、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
更に、前記制御線を前記電圧源のニュートラル端子に接続するステップを備える、請求項７記載の方法。
【請求項１３】
更に、前記制御線を前記電圧源の通電端子に接続するステップを備える、請求項７記載の方法。
【請求項１４】
前記インバータ回路は、前記スイッチが開いている時に発振状態にある、請求項７記載の方法。
【請求項１５】
ランプ用のバラスト回路内のインバータを選択的に停止及び再始動することを促進するシステムであって、
前記バラスト回路内のインバータに結合されたトリガ回路へ制御信号を提供する手段と、
制御線内のスイッチが閉鎖した時に前記インバータを停止するために、前記インバータ内のトランジスタのベース駆動巻線と並列にコンデンサを設置する手段と、
前記スイッチが開放された時に前記インバータを発振状態にする手段と、を備えるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月9日(2010.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハに複数のバイアを形成する工程と；
前記複数のバイアのうちの少なくとも幾つかを導電性にする工程と；
前記複数のバイアのうち少なくとも幾つかを導電性にするために用いた同じプロセスを用いて前記複数のバイア上にメタライズ層を形成する工程とを備える：
半導体ウェハ処理方法。
【請求項２】
前記複数のバイアのうち少なくとも幾つかを導電性にする工程は、バイア内に金属、金属合金、ポリシリコンのうちの１つを配置する工程を備え、前記配置する工程は、前記メタライズ層を形成する工程と実質的に同時に実行される、請求項１の方法。
【請求項３】
前記配置する工程は、
前記半導体ウェハに固体フォトレジストを塗布する工程と；
前記固体フォトレジストにパターン形成する工程と；
前記パターン形成によって露出した領域にシード層を塗布する工程と；
前記バイア内にメッキ材料を配置しかつ前記メタライズ層を形成するために前記シード層をメッキする工程とを備える：
請求項２の方法。
【請求項４】
前記固体フォトレジストを塗布する工程は、少なくとも１つのバイア上に固体フォトレジストを、前記シード層をメッキする工程の間前記バイアが前記メッキ材料で充填されないように塗布する工程を備える：
請求項３の方法。
【請求項５】
前記複数のバイアを形成する工程は、環状バイアを形成する工程を備える：
請求項１の方法。
【請求項６】
前記環状バイアを形成する工程は、前記半導体ウェハを部分的に通る前記環状バイアを形成する工程を備える：
請求項５の方法。
【請求項７】
前記環状バイアに導電性材料を充填する工程を更に備える：
請求項６の方法。
【請求項８】
前記環状バイアによって囲まれた中央ポストを除去する工程を更に備える：
請求項７の方法。
【請求項９】
前記複数のバイアのうちの少なくとも幾つかを導電性にする工程は、
前記環状バイアに絶縁体を充填する工程と；
前記環状バイアによって囲まれた中央ポストに、前記中央ポストを導電性にするために、ドーピングする工程とを備える：
請求項６の方法。
【請求項１０】
前記ドーピングする工程は、フロントエンドプロセスで実行され、前記方法は、前記半導体ウェハの底部を除去する工程を更に備える：
請求項９の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つのメタライズ層の形成の後でバイアを充填する工程を更に備える：
請求項１の方法。
【請求項１２】
前記半導体ウェハはブランクウェハであり、前記方法は、前記複数のバイアを形成する工程、及び、前記複数のバイアの少なくとも幾つかを導電性にする工程の後に、前記半導体ウェハ上にデバイスを形成する工程を更に備える：
請求項１の方法。
【請求項１３】
前記半導体ウェハはデバイス搭載半導体ウェハであって、前記方法は、前記複数のバイアの少なくとも幾つかを導電性にする工程の後に、前記デバイス搭載半導体ウェハにバックエンドプロセスを実行する工程を更に備える：
請求項１の方法。
【請求項１４】
前記バックエンドプロセスを実行する工程は、メッキプロセスを経て、金属−Ｘ層を形成する工程を備え、Ｘは整数である：
請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記バックエンドプロセスを実行する工程を、中間デバイス検査のために中止する工程を更に備える：
請求項１３の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図３は、図２のバイア２０２、２０４、２０６を略図で示し、単純バイア２０２は金属２０８で充填され、環状バイア２０４、２０６のうちの（その中央ポストが除去された）一方および除去で残った空間も金属２０８で充填されている。環状バイア２０４、２０６は両方とも、適切な絶縁体２１０で充填されていることに留意されたい。しかし、第２の環状バイア２０６内の中央ポスト２１２は除去されていないので、それはフロントエンドプロセスの間、導体になることが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2010515275.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2010515275.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2010515275.tif 000003