【手続補正書】
【提出日】平成22年10月22日(2010.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タイルサブアレイであって、
第１の表面を有する下側多層アセンブリ（ＬＭＬＡ）であって、該第１の表面には複数のパッケージレスＴ／Ｒモジュールが電気的に結合される、下側多層アセンブリ（ＬＭＬＡ）と、
前記複数のＴ／Ｒモジュール上に配置される第１の相互接続基板と、
前記相互接続基板上に配置されるサーキュレータ基板と、
前記サーキュレータ基板上に配置される第２の相互接続基板と、
前記第２の相互接続基板上に配置される上側多層アセンブリ（ＵＭＬＡ）と、
を備えたタイルサブアレイ。
【請求項２】
前記相互接続基板は、ファズボタンエッグクレート基板として設けられる、請求項１に記載のタイルサブアレイ。
【請求項３】
前記ＵＭＬＡは、ＲＦ信号分配、インピーダンス整合、及び偏波ダイバーシティ信号の生成を実行する層状のＲＦ伝送線路として設けられる、請求項１に記載のタイルサブアレイ。
【請求項４】
前記ＬＭＬＡは、パッケージレス送信／受信（Ｔ／Ｒ）チャネル及び埋込サーキュレータ層サブアセンブリを集積する、請求項１に記載のタイルサブアレイ。
【請求項５】
前記ＬＭＬＡは、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）相互接続を用いて、前記ＵＭＬＡに接着される、請求項１に記載のタイルサブアレイ。
【請求項６】
前記ＬＭＬＡは下側多層基板（ＬＭＬＢ）を含み、該下側多層基板は、ＲＦ、ＤＣ及び論理信号分配を集積する、請求項１に記載のタイルサブアレイ。
【請求項７】
タイルサブアレイであって、
第１の複数のプリント回路基板から構成される上側多層アセンブリ（ＵＭＬＡ）と、
前記ＵＭＬＡに結合される下側多層アセンブリ（ＬＭＬＡ）であって、該ＬＭＬＡは第２の複数のプリント回路基板から構成される、下側多層アセンブリ（ＬＭＬＡ）と、を備え、
前記ＵＭＬＡ及び前記ＬＭＬＡのそれぞれは、１つ又は複数のＲＦ相互接続を備え、該１つ又は複数のＲＦ相互接続のそれぞれは、前記第１の複数のプリント回路基板及び前記第２の複数のプリント回路基板のうちの１つの第１の層上の第１の伝送線路と、前記第１の複数のプリント回路基板及び前記第２の複数のプリント回路基板のうちの１つの第２の異なる層上の第２の伝送線路との間に少なくとも１つのＲＦ信号経路を設け、前記ＲＦ相互接続のそれぞれは、１つ又は複数のＲＦ整合パッドを含み、該ＲＦ整合パッドは前記ＲＦ相互接続内に形成されるＲＦスタブの１つ又は複数の電気的特性を電気的に整合させる、タイルサブアレイ。
【請求項８】
前記ＲＦ整合パッドのそれぞれは、導電性領域及びリリーフ領域を有するように設けられる、請求項７に記載のタイルサブアレイ。
【請求項９】
前記導電性領域のうちの少なくとも１つは、円板形を有するように設けられる、請求項８に記載のタイルサブアレイ。
【請求項１０】
前記リリーフ領域のうちの少なくとも１つは、アニュラリング形状を有するように設けられる、請求項８に記載のタイルサブアレイ。
【請求項１１】
プリント回路基板アセンブリであって、
複数の回路基板であって、該複数の回路基板のうちの少なくとも２つは、その上に配置される１つ又は複数の回路層を有する、複数の回路基板と、
前記複数の回路基板のうちの第１の回路基板上の少なくとも１つの回路層に電気的に結合される第１の部分を有すると共に、前記複数の回路基板のうちの第２の異なる回路基板上の少なくとも１つの回路層に電気的に結合される第２の部分を有する無線周波数（ＲＦ）相互接続であって、該ＲＦ相互接続は第１のＲＦスタブを有する、無線周波数（ＲＦ相互接続と、
前記第１のＲＦ相互接続に電気的に結合される第１のＲＦ整合パッドであって、該第１のＲＦ整合パッドは、前記第１のＲＦスタブのインピーダンス特性を調整する、第１のＲＦ整合パッドと、
を備えたプリント回路基板アセンブリ。
【請求項１２】
前記第１のＲＦ整合パッドは、第１の前記ＲＦ相互接続に結合される複数のＲＦ整合パッドのうちの第１のＲＦ整合パッドである、請求項１１に記載のプリント回路基板アセンブリ。
【請求項１３】
前記ＲＦ相互接続に結合される前記複数のＲＦ整合パッドのうちの少なくとも２つは、異なる回路基板の異なる層上に配置される、請求項１２に記載のプリント回路基板アセンブリ。
【請求項１４】
前記第１のＲＦ整合パッドは、
前記ＲＦ相互接続の周囲に配置される導電性円板と、
前記導電性円板の周囲に配置され、且つ該導電性円板から電気的に分離される導体と、を含む、請求項１１に記載のプリント回路基板アセンブリ。
【請求項１５】
前記導体は、該導体と前記導電性円板との間に非導電性のアニュラリング・リリーフ領域が設けられるように、前記導電性円板の周囲に配置される、請求項１４に記載のプリント回路基板アセンブリ。
【請求項１６】
前記第１のＲＦ相互接続は、複数のＲＦ相互接続のうちの第１のＲＦ相互接続である、請求項１１に記載のプリント回路基板アセンブリ。
【請求項１７】
前記複数のＲＦ相互接続のうちの第２の異なるＲＦ相互接続は、該第２の異なるＲＦ相互接続に電気的に結合される第１のＲＦ整合パッドを有する、請求項１６に記載のプリント回路基板アセンブリ。
【請求項１８】
前記第２のＲＦ相互接続は、該第２のＲＦ相互接続に電気的に結合される第２のＲＦ整合パッドを有する、請求項１７に記載のプリント回路基板アセンブリ。
【請求項１９】
プリント回路基板アセンブリであって、
複数の回路基板であって、該複数の回路基板のそれぞれは、１つ又は複数の回路層を有する、複数の回路基板と、
前記複数の回路基板のうちの第１の回路基板上の少なくとも１つの回路層に電気的に結合される第１の部分を有すると共に、前記複数の回路基板のうちの第２の異なる回路基板上の少なくとも１つの回路層に電気的に結合される第２の部分を有する第１の無線周波数（ＲＦ）相互接続であって、該第１のＲＦ相互接続は第１のＲＦスタブを有する、第１の無線周波数（ＲＦ）相互接続と、
前記第１のＲＦ相互接続に結合される第１のＲＦ整合パッドであって、該第１のＲＦ整
合パッドは、前記第１のＲＦ相互接続に結合される前記第１のＲＦスタブのインピーダンス特性を整合させるためのものである、第１のＲＦ整合パッドと、
を備えたプリント回路基板アセンブリ。
【請求項２０】
前記第１のＲＦスタブは、該第１のＲＦ相互接続の第１の端部の近くに配置される、請求項１９に記載のプリント回路基板アセンブリ。
【請求項２１】
前記第１のＲＦ相互接続は、前記第１のＲＦ相互接続の第２の反対側にある端部の近くに配置される第２のＲＦスタブを有するように設けられる、請求項２０に記載のプリント回路基板アセンブリ。
【請求項２２】
前記第１のＲＦ相互接続に結合される第２のＲＦ整合パッドをさらに含み、該第２のＲＦ整合パッドは、前記第２のＲＦスタブのインピーダンス特性を整合させる、請求項２１に記載のプリント回路基板アセンブリ。
【請求項２３】
前記第１のＲＦ整合パッドは、
前記ＲＦ相互接続の周囲に配置される導電性円板と、
前記導電性円板の周囲に配置され、且つ該導電性円板から電気的に分離される導体と、を含む、請求項１９に記載のプリント回路基板アセンブリ。
【請求項２４】
前記導体は、該導体と前記導電性円板との間に非導電性のアニュラリング・リリーフ領域が設けられるように、前記導電性円板の周囲に配置される、請求項２３に記載のプリント回路基板アセンブリ。
【請求項２５】
複数のプリント回路基板から設けられ、多層回路基板アセンブリの第１の層上の第１の回路と、該多層回路基板アセンブリの第２の異なる層上の第１の回路との間の少なくとも１つの電気信号経路を有する、多層回路基板アセンブリの製造方法であって、該方法は、
前記多層回路基板アセンブリが最上層及び最下層を有するよう設けられるよう、前記多層回路基板アセンブリを設けるために、前記複数のプリント回路基板のそれぞれを結合することであって、前記多層回路基板アセンブリの少なくともいくつかの層はその上に設けられた１又は複数のＲＦ適合パッドを有する、結合すること、
複数のバイアホールがそれぞれ前記多層回路基板アセンブリの前記最上層及び最下層の両方を通じて延在するよう、前記多層回路基板アセンブリを通じて複数のバイアホールを開けることであって、前記複数のバイアホールの少なくとも１つは、前記複数のプリント回路基板の第１のプリント回路基板のうち第１の層上の第１の回路部分と、前記複数のプリント回路基板の第２の異なるプリント回路基板のうち第１の層上の第１の回路部分とを交差する、複数のバイアホールを開けること、および
前記複数のバイアホールのうち少なくとも１つが、前記第１のプリント回路基板のうち前記第１の層上の前記第１の回路と、前記第２の異なるプリント回路基板のうち前記第１の層上の前記第１の回路との間のＲＦ信号経路を形成するよう、前記複数のバイアホールのそれぞれをメッキすることであって、前記複数のバイアホールのうち少なくとも１つは、前記複数のプリント回路基板のうち前記第１のプリント回路基板の前記第１の層上の前記第１の回路部分と、前記複数のプリント回路基板のうち前記第２のプリント回路基板の前記第１の層上の前記第１の回路部分とを交差しており、前記１又は複数のＲＦ適合パッドは、１又は複数のＲＦ信号経路のインピーダンス特性を調整する、メッキすること、
を含む方法。
【請求項２６】
前記第１の回路基板のうち前記第１の層上の第１の回路と、前記第２の異なる回路基板のうち前記第１の層上の第１の回路との間の前記ＲＦ信号経路を形成するために、前記複数のバイアホールのそれぞれをメッキすることは、ＲＦスタブで前記ＲＦ信号経路を形成することを含み、前記ＲＦ適合パッドのサイズ及び形状は前記ＲＦ信号経路のインピーダンス特性を前記ＲＦスタブに従って調整する、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
ＲＦ適合パッドを設けることは、前記複数のプリント回路基板のうち前記第１のプリント回路基板の前記第１の層上の前記第１の回路、又は前記複数のプリント回路基板のうち前記第２の異なるプリント回路基板のうち前記第１の層上の前記第１の回路のうち、少なくとも１つの上に円盤形状の導体を設けることを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
ＲＦ適合パッドを設けることは、グランドプレーンからのＲＦ信号経路を電気的に分離するために、バイアホールの回りに該グランドプレーン内にリリーフ領域を設けることを含み、該リリーフ領域のサイズ及び形状は前記ＲＦ信号経路のインピーダンス特性を調整するように選択される、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記バイアホールの回りに前記グランドプレーン内に前記リリーフ領域を設けることは、アニュラリング形状を有するリリーフ領域を設けることを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記複数のバイアホールのそれぞれをメッキすることは、前記多層回路基板アセンブリにおいて１又は複数のモード抑圧バイアホールを形成するために、バイアホールをメッキすることを含み、前記１又は複数のモード抑圧バイアホールは、前記多層回路基板アセンブリの最上層から最下層へ延在する、請求項２９に記載の方法。