【事件の表示】
　特願２００３−３４６３６０「可溶性半導体性高分子から製造した可視光発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月１２日出願公開、特開２００４−　４７４９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年２月１４日に出願した特願平４−５０６７７４号（パリ条約による優先権主張１９９１年２月２７日、米国）の一部を新たな特許出願とした特願２００２−０１７７６７号の一部を更に新たな特許出願（パリ条約による優先権主張１９９１年２月２７日、米国）としたものであって、平成１６年１０月２５日付けで拒絶査定がなされ、平成１７年１月２５日付けで審判請求がなされたものである。
　本願の請求項１に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
　「可視光を発光し、５Ｖより低い電圧でオンとなる発光ダイオードの製造方法であって、
　ｉ）高い仕事関数を有し、ホール注入電極として作用する透明な導電性の第１層を用いて基板をプレコートする工程と、
　ｉｉ）可溶性の半導体性発光性共役系高分子の透明層を、該第１層の上に溶液から直接キャストする工程と、
　ｉｉｉ）電子注入コンタクトを、該半導体性発光性共役系高分子層上に仕事関数の低い金属から形成する工程と
　を包含し、
　該仕事関数の低い金属は、カルシウム、または、カルシウムより低い仕事関数を有する金属もしくは合金である、方法。」
　
２．刊行物 
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第９０／１３１４８号パンフレット（以下、「刊行物１」という。）には、 
＜記載事項１＞ 
「1. An 
electroluminescent device comprising
semiconductor layer
conjugated polymer
first contact layer
second contact layer
radiation is emitted from the semiconducor layer
2. An electroluminescent device as claimed in claim 1, wherein the 
conjugated polymer is poly(p-phenylenevinylene) [PPV]
　　　　（−−−分子構造式が示されているが省略する−−−） 
wherein the phenylene ring may optionally carry one or more substituents each independently selected from alkyl (preferably methyl), alkoxy (preferably methoxy or ethoxy), halogen (preferably chlorine or bromine), or nitro.」（第２５頁CLAIMS欄） 
と、第１接触層と第２接触層の間に半導体層を形成する共役高分子を配置し、共役高分子で構成された半導体層から発光するエレクトロルミネッセンス装置および共役高分子としてポリ（ｐ−フェニレンビニレン）［ＰＰＶ］を使用することが記載されている。 
＜記載事項２＞ 
「It is believed that the mechanism underlying the present invention is such that the positive contact layer injects positive charge carriers into the polymer film and the negative contact layer injects negative charge carriers into the polymer film, these charge carriers combining to form charge carrier pairs which decay radiatively. 
To achieve this, preferably the positive contact layer is selected to have a high work function and the negative contact layer to have a low work function
と、陽極は高い仕事関数、陰極は低い仕事関数の接触層であることが記載されている。 
＜記載事項３＞ 
「A further category of materials which can be used to form the required film of conjugated polymer is a conjugated polymer which is itself either solution processible or melt processible by virtue of the presence of bulky pendant side groups attached to the main conjugated chain or by virtue of the inclusion of the conjugated polymer into a copolymer structure of which one or more components are non-conjugated. Examples of the former include:- 
(a) Poly(4,4'-diphenylenediphenylvinylene) [PDPV] is an arylene vinylene polymer in which both vinylene carbons are substituted by phenyl rings. It is soluble in common organic solvents thus enabling the preparation of thin films. 
(b) Poly(1,4-phenylene-1-phenylvinylene) and poly(1,4-phenylenediphenylvinylene) polymers are analogues of PPV in which respectively one and both vinylene carbons are substituted with phenyl groups. They are both soluble in organic solvents and may be cast or spun into thin film form.
(c) Poly(3-alkylthiophene) polymers (alkyl is one of propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, decyl, undecyl, dodecyl etc) which are solution processible in common organic solvents and which for longer alkyl sequences (alkyl greater than or equal to octyl) are also melt processible. 
(d) Poly(3-alkylpyrrole) polymers which are expected to be similar to the poly(3-alkylthiophene) polymers. 
(e) Poly(2,5-dialkoxy-p-phenylenevinylene) polymers with alkyl greater than butyl are solution processible. 
(f) Poly(phenylacetylene) is a derivative of polyacetylene in which the hydrogen atoms along the chain are replaced by phenyl groups. This substitution renders the material soluble.」（第１２〜１３頁） 
と、有機溶媒に可溶なＰＰＶに類似の共役高分子を使うとキャストできることが記載されている。 
＜記載事項４＞ 
「Example 2 
The structure for this example is built up as a series of layers on a glass substrate. First, 
a layer of conducting but transparent indium oxide was deposited onto the substrate by a process involving ion-beam sputtering from an indium target in the presence of oxygen
These films have an amorphous structure, as determined from X-ray and electron diffraction measurements. 
A layer of PPV is next deposited onto the indium oxide layer, using the procedure described in example 1 above. A top contact of aluminium is finally deposited by evaporation
the indium oxide contact layer functioning as the positive contact, and the aluminium contact as the negative contact
」（第１７〜１８頁の例２） 
と、基板上の陽極として透明導電酸化インジウム層を作成すること、透明導電酸化インジウム層上にＰＰＶ層を形成すること、（ＰＰＶ層の上に）トップコンタクトを形成し陰極とすること、が記載されている。 
＜記載事項５＞ 
「Example 3 
The fabrication of this structure is as for Example 2 above up to the top metal contact. Here, we deposit by evaporation an alloy of silver and magnesium to form the top contact which acts as the negative contact. The evaporation is performed by heating a mixture of silver and magnesium powders in a molar ration of 1 to 10 in a boat, and film thicknesses of typically 50 nm were deposited. 
Magnesium is desirable as a material for the negative electrode as it has a low work function
と、マグネシウムは仕事関数が低いので負極として適すること（例３）が記載されている。（なお、英文の下線は当審が付加したものである。） 
　 
　ここで、ＰＰＶは共役高分子であり、記載事項３から（共役高分子層を）キャストにより作成することができることが記載されているので、刊行物１には、 
　「ルミネッセンス装置の製造方法であって、 
　ｉ）高い仕事関数を有し、陽極として作用する透明な導電性層を基板に形成する工程、 
　ｉｉ）有機溶媒に可溶な共役高分子層を陽極上に直接キャストして作成する工程、 
　ｉｉｉ）陰極として共役高分子層上に仕事関数の低い金属から形成する工程、 
を有し、該仕事関数の低い金属はマグネシウムを含むものである、 
方法。」 
の発明が記載されている。 
　 
　また、「有機発光媒体をもつ電場発光デバイス」の発明が記載され、原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６３−２９５６９５号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。 
＜記載事項６＞ 
　「有機質ＥＬデバイス構造の分野における最も最近の発見は、アノードとカソードとを分離する二つの極度に薄い層（組合せた厚さで＜１．０μｍ）であって一方の層がホールを注入および輸送するように特定的に選ばれ他方が電子を注入および輸送するように特定的に選ばれるる二層から成り、かつ、デバイスの有機質発光帯としても作用する、有機質発光性媒体をもつＥＬデバイス構造体からもたらされた。この極度に薄い有機質発光性媒体は軽減された抵抗を提供し、電気的バイアス（ｂｉａｓｉｎｇ）の与えられた水準についてより高い電流密度を可能にする。光放出は有機質発光媒体を通る電流密度に直接関係するので、電荷注入輸送効率の増大と結合したこれらの薄層は、電界効果トランジスタのような集積回路ドライバー（ｄｒｉｖｅｒ）と矛盾しない範囲にある低付与電圧で以て、許容し得る光放出水準（例えば、周辺光中で肉眼的に検出することができる光輝度水準）が達成されることを可能にした。」（第２頁左上欄第８行〜右上欄第６行） 
＜記載事項７＞ 
　「カソード用の利用できる低仕事関数金属の選択（アルカリ金属以外の）は元素周期表の周期により以下に列記されており、０．５ｅＶ仕事関数のグループの中に分類される。与えられる仕事関数はすべて、セ（sze)の
Physics of Semiconductor Devices
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
仕事関数
　
周期
　元　素　　　　　　　　
ｅＶグループによる
　　２　　ベリリウム　　　　　　　　　３．５−４．０　 
　　３　　マグネシウム　　　　　　　　３．５−４．０　 
　　４　　カルシウム　　　　　　　　　２．５−３．０　 
　　　　　スカンジウム　　　　　　　　３．０−３．５　 
　　　　　チタニウム　　　　　　　　　３．５−４．０　 
　　　　　マンガン　　　　　　　　　　３．５−４．０　 
　　　　　カリウム　　　　　　　　　　３．５−４．０　 
　　５　　ストロンチウム　　　　　　　２．０−２．５　 
　 
　　　　　　　　（−−−途中略−−−） 
　 
　　７　　ラジウム　　　　　　　　　　３．０−３．５ 
　　　　　アクチニウム　　　　　　　　２．５−３．０ 
　　　　　トリウム　　　　　　　　　　３．０−３．５ 
　　　　　ウラニウム　　　　　　　　　３．０−３．５ 
前記の列記から、利用できる低仕事関数金属は主として第ＩＩａ族すなわちアルカリ土類群の金属、第ＩＩＩ族金属群（稀土類金属すなわちイットリウムおよびランタニドを含み、ただし硼素とアルミニウムを排除する）、およびアクチニド金属群に属することが明らかである。アルカリ土類金属は、それらの入手の容易さ、低コスト、取扱いの容易さ、および最小のエンバイロンメンタル・インパクト電位（menimal adverse environmental impactpotential),のゆえに、本発明のＥＬデバイスのカソード中で用いるための低仕事関数金属の好ましい種類を構成する。マグネシウムとカルシウムが特に好ましい。」（第１１頁右上欄第３行〜同頁右下欄第１２行）　　　　　　 
　 
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−２５１４２８号公報（以下、「刊行物３」という。）には、以下の記載がある。 
＜記載事項８＞ 
　「なお、本発明の導電性フィルムを利用してＥＬ素子を形成する場合の対向電極には上記透明電極あるいは一般の金属酸化物電極のみならず金属、合金、金属シリサイドなどの金属化合物等の薄膜、またはそれらの１種類または２種類以上の積層薄膜が用いられる。よりこの好ましくは、接触している有機発光層への電子の注入効率のよい材料を用いるとよい。この電極材料として、より具体的に説明すると、一般的に電子の仕事関数の小さな金属や合金薄膜、それらの積層薄膜などが用いられる、さらにより具体的にはＭｇ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｅなどの金属、Ｍｇ−Ａｇなどの合金、Ｃｓ−Ｏ−Ａｇ、Ｃｓ３Ｓｂ、Ｎａ３ＫＳｂ、（Ｃｓ）Ｎａ３ＫＳｂなどの金属化合物薄膜、またそれらの積層薄膜などが好適である。」（第３頁左下欄第３〜１８行） 
　 
３．対比 
　本願発明と刊行物１記載の発明（以下、「引用発明」という。）を比較すると、引用発明における「ルミネッセンス装置」、「陽極」、「透明な導電性層」、「有機溶媒に可溶な」及び「陰極」はそれぞれ、本願発明における「可視光を発光する発光ダイオード」、「ホール注入電極」、「透明な導電性の第１層」、「可溶性の」及び「電子注入コンタクト」に相当する。そして引用発明における「共役系高分子層」に電極を付けて作成されたものは極性を有して発光し、光を透過するものであること、そして、引用発明が記載された刊行物１及び本願明細書の双方において具体的な共役系高分子としてＰＰＶが記載されていることからみても、引用発明における「共役系高分子層」は、本願発明における「半導体性発光性共役系高分子の透明層」に相当する。 
　とすれば、引用発明と本願発明とは、 
　「可視光を発光する発光ダイオードの製造方法であって、 
　ｉ）ホール注入電極として作用する透明な導電性の第１層を基板に形成する工程、 
　ｉｉ）可溶性の半導体性発光性共役系高分子の透明層を、第１層の上に直接キャストする工程、 
　ｉｉｉ）電子注入コンタクトを、半導体性発光性共役系高分子層上に仕事関数の低い金属から形成する工程、 
を有する方法。」で一致し、以下の点で相違する。 
［相違点１］ 
　仕事関数の低い金属が、本願発明では、カルシウム、または、カルシウムより低い仕事関数を有する金属もしくは合金、と限定しているのに対し、引用発明では、マグネシウムである点。 
［相違点２］ 
　本願発明は、「５Ｖより低い電圧でオン」となる発光ダイオードの製造方法であるのに対し、引用発明はそのような構成を有しない点。 
　 
４．当審の判断 
　上記相違点について検討する。 
［相違点１］について 
　引用発明では陰極としてマグネシウムを使用しているが、それはマグネシウムが仕事関数が低いからであると記載されている（記載事項５）。 
　また、刊行物２には、カソード（陰極）として使用できる金属の一覧表が掲げられ、その中にはカルシウムが記載されるとともに、「マグネシウムとカルシウムが特に好ましい。」と記載されている（記載事項７）。 
　さらには、刊行物３には、ＥＬ素子を形成する場合に、仕事関数の小さな金属として、Ｃａが例示されている（記載事項８）。 
　そして、刊行物１ないし３の記載からみて、引用発明における仕事関数の低い金属として「マグネシウム」に替えて、刊行物２に記載の「カルシウム」を使用することに何ら阻害要因はない。 
　また、刊行物２に記載された具体的な仕事関数の値、「マグネシウム　３．５−４．０」、「カルシウム　２．５−３．０」から、カルシウムをカソード（陰極）として使用した場合の作用効果は、マグネシウムを使用するよりも低電圧で「オン」するであろうことは当業者が容易に予想し得るものである。 
　とするならば、カルシウムを仕事関数の低い金属として使用することは、当業者が容易に想到し得たものであり、格別のものではない。 
　 
［相違点２］について 
　本願発明の発光ダイオードの製造方法において「５Ｖより低い電圧でオン」なる限定は、製造されたものの性能・特性を表現する構成とみることができる。 
　一方、刊行物２の記載事項６にあるように、有機質発光性媒体をもつＥＬデバイスの開発時から、集積回路とともに使用できる低電圧で動作可能な素子が求められており、「５Ｖより低い電圧でオン」なる構成は周知の技術的要請を表現したものに過ぎず、格別の構成ではない。 
　 
　なお、念のため、上記限定と他の発明特定事項との関連を検討する。 
　本願明細書【００２９】段落には、 
　「驚くべきことに、カルシウムを仕事関数の低いコンタクトとして用い、そしてＩＴＯ被覆されたＰＥＴ膜を基板として用いると、可撓性のＬＥＤ構造が作成され、それらのＬＥＤ構造は、高分子基板と共役系高分子半導体層との両方の優れた機械的特性の恩恵を被り、動作する時の電圧が３−４ボルトに低減する（すなわち、ＴＴＬと互換性）という有利な特性を示し、そして、量子効率は、１桁以上大きい、約１％の値まで改善される。」との記載がある。また、実施例３ないし実施例５には発光する電圧に関して、以下の記載がある。 
（実施例３） 
　ガラス基板にＭＥＨ−ＰＰＶ膜を形成し、ホール注入電極にインジウム／スズ酸化層を、電子注入コンタクトにインジウムコンタクトを使用。 
「丁度９Ｖ未満の順方向バイアスで、黄橙光が可視状態になる（逆方向バイアス下では光は観察されない）。」（【００６１】段落） 
（実施例４） 
　ガラス基板にＭＥＨ−ＰＰＶ膜を形成し、ホール注入電極にインジウム／スズ酸化層を、電子注入コンタクトに整流カルシウムコンタクトを使用。 
「丁度３Ｖを上回る順方向バイアスで、黄橙光が可視状態になる（逆方向バイアス下では光は観察されない）。」（【００６４】段落） 
（実施例５） 
　ＰＥＴ基板にＭＥＨ−ＰＰＶ膜を形成し、ホール注入電極にインジウム／スズ酸化層を、電子注入コンタクトに整流カルシウムコンタクトを使用。 
「４Ｖを下回る順方向バイアスで、黄橙光が可視状態になる（逆方向バイアス下では光は観察されない）。」（【００６６】段落） 
「カルシウム／ＭＥＨ−ＰＰＶ　ＬＥＤからの発光は、明るく、明りをつけた部屋では、４Ｖの順方向バイアスで容易に見える。」（【００６６】段落） 
　本願明細書全体の記載から、上記発光する電圧が「オン」の電圧と考えられ、上記実施例のうち、少なくとも５V以下で発光が認められる実施例４および５では電子注入コンタクトに使用する仕事関数の低い金属はカルシウムが使用されている。 
　したがって、上記【００２９】段落の記載および実施例からみて、本願発明における「５Ｖより低い電圧でオン」なる限定は、「仕事関数の低い金属は、カルシウム、または、カルシウムより低い仕事関数を有する金属もしくは合金」なる限定に基づく作用効果と考えられ、上記相違点１で示したように仕事関数の低い金属としてカルシウムを使用することが格別のものではないので、相違点２に係る発明の構成要件も格別のものではない。 
　 
　よって、相違点１および２に係る本願発明の構成要件は、当業者が刊行物２および刊行物３記載の発明に基づき容易に想到し得たものであるし、上記相違点１および２に係る本願発明の構成要件に基づく作用効果も予測できる範囲のものであり、格別のものではない。 
　 
５．むすび 
　したがって、本願発明は、刊行物１ないし刊行物３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。