【事件の表示】
　特許第３３５７５２１号「基板洗浄装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３５７５２１号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
第１．手続きの経緯
　特許３３５７５２１号の請求項１ないし３に係る発明についての特許出願は、平成７年１２月２６日に出願され、平成１４年１０月４日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、請求項１ないし３に係る特許について、申立人坂本典子より、特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年７月８日に特許異議意見書の提出及び訂正請求がなされたものである。 
　
第２．訂正の適否
（１）訂正の内容
　上記訂正請求の内容は、以下の通りである。
　（ａ）特許請求の範囲の請求項１において、「前記吐出ノズルから吐出されるべき洗浄液の吐出圧力を含む基板の洗浄条件を基板の種類ごとに設定するための設定手段と、前記設定手段により設定された洗浄条件のうち洗浄すべき基板の種類に応じた洗浄条件を選択するための選択手段と」を、
　「前記吐出ノズルから吐出されるべき洗浄液の吐出圧力を含む基板の洗浄条件を基板の種類ごとに設定し、予め設定された複数の洗浄条件を基板の複数の種類ごとに記憶するための設定手段と、前記設定手段により記憶された複数の洗浄条件のうち洗浄すべき基板の種類に応じた洗浄条件を選択するための選択手段と」と訂正する。
　（ｂ）特許請求の範囲の請求項２において、「前記洗浄液供給手段は、供給される流体の圧力に応じた圧力で洗浄液を駆動する高圧発生手段を含み、」を、
　「前記洗浄液供給手段は、供給される流体の圧力に応じた圧力で洗浄液を駆動する高圧発生手段を含み、前記吐出ノズルは、前記高圧発生手段により駆動された洗浄液を吐出しつつ回転する基板上で走査され、」と訂正する。
　（ｃ）明細書の段落００１０において、
　「吐出ノズルから吐出されるべき洗浄液の吐出圧力を含む基板の洗浄条件を基板の種類ごとに設定するための設定手段と、設定手段により設定された洗浄条件のうち洗浄すべき基板の種類に応じた洗浄条件を選択するための選択手段と」を、
　「吐出ノズルから吐出されるべき洗浄液の吐出圧力を含む基板の洗浄条件を基板の種類ごとに設定し、予め設定された複数の洗浄条件を基板の複数の種類ごとに記憶するための設定手段と、設定手段により記憶された複数の洗浄条件のうち洗浄すべき基板の種類に応じた洗浄条件を選択するための選択手段と」と訂正する。
　（ｄ）明細書の段落００１１において、
　「洗浄液供給手段が、供給される流体の圧力に応じた圧力で洗浄液を駆動する高圧発生手段を含み、」を、
　「洗浄液供給手段が、供給される流体の圧力に応じた圧力で洗浄液を駆動する高圧発生手段を含み、吐出ノズルは、高圧発生手段により駆動された洗浄液を吐出しつつ回転する基板上で走査され、」と訂正する。
　（ｅ）明細書の段落００１３において、
　「第１〜第３の発明に係る基板洗浄装置においては、設定手段により基板の種類ごとに設定された洗浄条件のうち洗浄すべき基板の種類に応じた洗浄条件が選択手段により選択され、」を、
　「第１〜第３の発明に係る基板洗浄装置においては、設定手段により基板の複数の種類ごとに予め設定され記憶された複数の洗浄条件のうち洗浄すべき基板の種類に応じた洗浄条件が選択手段により選択され、」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項（ａ）についてみると、この訂正は、特許請求の範囲の請求項１の発明特定事項である「設定手段」について、「前記吐出ノズルから吐出されるべき洗浄液の吐出圧力を含む基板の洗浄条件を基板の種類ごとに設定するための設定手段」とあるのを、「前記吐出ノズルから吐出されるべき洗浄液の吐出圧力を含む基板の洗浄条件を基板の種類ごとに設定し、予め設定された複数の洗浄条件を基板の複数の種類ごとに記憶するための設定手段」と限定し、同じく、「選択手段」について、「前記設定手段により設定された洗浄条件のうち洗浄すべき基板の種類に応じた洗浄条件を選択するための選択手段」とあるのを、「前記設定手段により記憶された複数の洗浄条件のうち洗浄すべき基板の種類に応じた洗浄条件を選択するための選択手段」と限定するものであり、それぞれ、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記訂正事項（ｂ）についてみると、この訂正は、特許請求の範囲の請求項２の発明特定事項である「洗浄液供給手段」について、「前記洗浄液供給手段は、供給される流体の圧力に応じた圧力で洗浄液を駆動する高圧発生手段を含み、」とあるのを、「前記洗浄液供給手段は、供給される流体の圧力に応じた圧力で洗浄液を駆動する高圧発生手段を含み、前記吐出ノズルは、前記高圧発生手段により駆動された洗浄液を吐出しつつ回転する基板上で走査され、」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記訂正事項（ｃ）についてみると、この訂正は、発明の詳細な説明の記載と、上記訂正事項（ａ）による請求項１の記載との整合を図るものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　上記訂正事項（ｄ）についてみると、この訂正は、発明の詳細な説明の記載と、上記訂正事項（ｂ）による請求項２の記載との整合を図るものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　上記訂正事項（ｅ）についてみると、この訂正は、発明の詳細な説明の記載と、上記訂正事項（ａ）による請求項１の記載との整合を図るものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、いずれの訂正事項も、願書に添付した明細書の記載の範囲内のものであるから新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（３）むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書きの規定、及び、第１２０条の４第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３．特許異議の申立てについて
（１）特許異議の申立ての概要
　申立人は、甲第１号証乃至甲第４号証を提出し、請求項１ないし３に係る発明は、甲第１号証乃至甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、上記各請求項に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるり、取り消されるべきであると主張している。
　
（２）本件発明
　上記第２．（３）で述べたとおり、上記訂正が認められるから、本件特許の請求項１ないし３に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明３」という。）は、上記訂正請求による訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「【請求項１】　洗浄液を洗浄液供給手段により吐出ノズルヘ供給しその吐出ノズルから基板の表面へ高圧で吐出することにより基板の表面を洗浄する基板洗浄装置であって、
　前記吐出ノズルから吐出されるべき洗浄液の吐出圧力を含む基板の洗浄条件を基板の種類ごとに設定し、予め設定された複数の洗浄条件を基板の複数の種類ごとに記憶するための設定手段と、
　前記設定手段により記憶された複数の洗浄条件のうち洗浄すべき基板の種類に応じた洗浄条件を選択するための選択手段と、
　前記選択手段により選択された前記洗浄条件に応じて前記洗浄液供給手段による洗浄液の供給圧力を可変制御する制御手段とを備えたことを特徴とする基板洗浄装置。
　【請求項２】　前記洗浄液供給手段は、供給される流体の圧力に応じた圧力で洗浄液を駆動する高圧発生手段を含み、前記吐出ノズルは、前記高圧発生手段により駆動された洗浄液を吐出しつつ回転する基板上で走査され、
　前記制御手段は、前記選択手段により選択された前記洗浄条件に基づく制御信号を発生する制御信号発生手段と、前記制御信号発生手段により発生された前記制御信号に応答して前記高圧発生手段に供給する前記流体の圧力を調整する圧力調整手段とを含むことを特徴とする請求項１記載の基板洗浄装置。
　【請求項３】　前記流体は気体からなり、前記圧力調整手段は電気信号に応答して気体の圧力を調整するレギュレ−タからなることを特徴とする請求項１または２記載の基板洗浄装置。」
　
（３）引用刊行物
　上記取消理由通知において引用された刊行物は以下の通りである。
刊行物１：実願昭５９−８２５９５号（実開昭６０−１９４３３４号）のマイクロフィルム（甲第１号証）
刊行物２：特開平７−２３５４８３号公報（甲第２号証）
刊行物３：特開平２−２４４７０９号公報（甲第３号証）
刊行物４：特開平７−１５３６７１号公報（甲第４号証）
　
（４）刊行物に記載された発明
　上記刊行物１ないし４には、下記の事項が記載されていると認められる。
（４−１）
　刊行物１には、以下のとおり記載されている。
「半導体ウエハを水平方向に回転させる回転手段と、上記回転手段によって回転される半導体ウエハの表面に洗浄液を噴射しながら半導体ウエハ上を移動する噴射部を有する洗浄液噴射手段と、この洗浄液噴射手段から噴射される洗浄液の噴射圧力を、上記噴射部の半導体ウエハの中心からの距離に応じて調節する噴射圧力調節手段とを具備したことを特徴とする半導体ウエハの洗浄装置。」（実用新案登録請求の範囲）
「[考案の技術分野]この考案は、半導体ウエハたとえばシリコンウエハの表面に純水を噴射して洗浄する半導体ウエハの洗浄装置に関する。」（明細書第１頁第１４〜１７行）
「[考案の実施例]　以下、図面を参照してこの考案の一実施例を説明する。
　第２国はこの考案に係る半導体ウエハの洗浄装置の機構部分の構成を示す図である。図において１１は、その上に洗浄を行なうべきシリコン　ウエハ１２が載置され、かつ載置されたウエハ１２を真空圧により吸引して固定するとともに水平方向に回転させる真空チャックである。この真空チャック１１の上部には、ウエハ１２の表面に洗浄用の純水を噴射するノズル１３が設けられている。このノズル１３には洗浄用の純水が一定圧力たとえば１００Ｋｇ／ｃｍ２で供給されている。さらにノズル１３には圧力抜き用電磁弁１４、内部に圧力センサー(図示せず)が設けられている。電磁弁１４は上記ノズル１３の先端から噴射される洗浄用の純水の噴射圧力を調節するためのものであり、弁が開かれることによってその圧力が低下できるようになっている。また圧力センサはノズル１３の先端から噴射される純水の圧力を検出するものである。
　第３図はこの考案に係る半導体ウエハの洗浄装置の電気回路部分の構成を示す回路図である。図において１５はノズル１３内に設けられる上記圧力センサーである。この圧力センサ１５で検出された圧力は電圧変換回路部１６で電圧に変換され、ＣＰＵボード、キーボード等からなる演算装置１７に供給される。１８は上記ノズル１３の移動速度、洗浄を行なうウエハの径、ノズル１３から噴射される純水の圧力を変更する地点のデータおよび変更後の圧力等が上記演算装置１７のキーボードから予め入力され、これらのデータを記憶するメモリ回路である。上記演算装置１７はメモリ回路１８で記憶されている各種データ、圧力センサー１５における検出圧力デー夕に基づいて演算処理を行ない、上記電磁弁１４を制御するためのデータを発生する。このデータは電圧変換回路１９で電圧に変換され、上記電磁弁１４に供給される。なお、図示しないが、ノズル１３の移動動作もこの演算装置１７の制御に基づいて行われるようになっている。
　このような構成において、始めのウエハ１２が真空チャック１１上に載置され、その後、チャッキングされると、ノズル１３に供給される純水の圧力が順次高められる。そしてこの圧力が所定の値たとえば１００Ｋｇ／ｃｍ２に達すると、演算装置１７の制御の下にノズル１３がウエハ１２上を移動開始する。ノズル１３がウエハ１２上を円弧状に移動開始後、ノズル１３の位置はまずウエハ１２の周辺部から順次中心部に向かう。このとき、演算装置１７はノズル１３の先端とウエハ１２の中心との間の距離を、単位時間の計測等の方法によって計測する。そして、ノズル１３の先端がウエハ１２の中心から所定の距離、たとえばウエハ径が１００ｍｍのものの場合に、中心から２０ｍｍだけ離れた位置に達すると、演算装置１７の制御の下に上記圧力抜き用電磁弁１４が開かれて、ノズル１３からの純水の噴射圧力が低下される。このときの圧力は圧力センサー１５で検出されており、この圧力が予め上記メモリ回路１８で記憶されている変更後の圧力に一致するように電磁弁１４が制御される。」（明細書第４頁第９行〜第７頁第７行）
　以上の記載によれば、刊行物１には以下の事項が記載されていると認められる。
「洗浄液を洗浄液供給手段により吐出ノズルへ供給しその吐出ノズルから基板の表面へ高圧で吐出することにより基板の表面を洗浄する基板洗浄装置であって、
　前記洗浄液供給手段による洗浄液の供給圧力を可変制御する制御手段とを備えた基板洗浄装置。」
（４−２）
　刊行物２には、以下のとおり記載されている。
「【請求項１】　フィルタが介挿された配管を通して送られる処理液を配管先端の吐出口から吐出し基板の表面へ供給するようにした基板への処理液供給装置において、
　前記配管を、前記吐出口と最も吐出口寄りに配設されたフィルタとの間で分岐させ、その分岐された分岐配管に検出計を配設したことを特徴とする基板への処理液供給装置。
　【請求項２】　処理液が洗浄液であり、その洗浄液が流体圧送手段により加圧され配管を通して送られ、
　検出計が、洗浄液の供給圧を測定する圧力計である請求項１記載の基板への処理液供給装置。」【特許請求の範囲】
「【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用或いは液晶表示装置用のガラス基板等の基板の表面に洗浄液、感光液、現像液等の処理液を供給する基板への処理液装置に関する。」【０００１】
「【従来の技術】例えば、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板等の基板を水平姿勢に保持し鉛直軸回りに回転させながら、その基板の表面に高圧純水等の洗浄液、感光液、現像液などの処理液を供給して洗浄、レジスト塗布、現像などの処理を行なう装置においては、処理液の供給圧や温度などを測定する必要がある。この場合、配管を通して処理液を送給する際に配管内での圧力損失や処理液の温度降下などがあるので、基板表面に供給される処理液の供給圧や温度などのパラメータを正確に測定するためには、出来るだけ配管先端の吐出口に近い個所に圧力計や温度計などの検出計を配設したいといった要求がある。」【０００２】
「この発明は、以上説明したような事情に鑑みてなされたものであり、実際に基板表面に供給される処理液の供給圧や温度などのパラメータを正確に測定することができ、かつ、配管先端の吐出口付近にフィルタを追加して設置しなくても、配管の吐出口から清浄な処理液を基板表面へ吐出することができるような基板への処理液供給装置を提供することを目的とする。」【０００５】
「図１は、この発明の１実施例を示し、回転式基板洗浄装置（スピンスクラバー）における基板への洗浄液供給装置の配管図である。スピンスクラバー１では、カップ２に包囲され回転保持機構３によって水平姿勢に保持され鉛直軸回りに高速回転させられるウエハＷの表面に、洗浄液、例えば純水の供給装置１０によって供給される高圧、例えば５０〜１５０ｋｇ／ｃｍ２の高圧純水を吐出することにより、ウエハＷの表面の洗浄が行なわれる。尚、高圧純水洗浄に回転ブラシ洗浄或いは超音波洗浄が組み合わされる場合もある。」【００１１】
「スピンスクラバー１へ高圧純水を供給する高圧純水供給装置１０は、純水源に流路接続された純水供給配管１２に、フィルタ１４、高圧ポンプ１６、アキュムレータ１８、フィルタ２０、圧力調整用レギュレータ２２、エアーバルブ２４及びフィルタ２６、２８、３０を順次介挿し、その配管１２を、先端の吐出口がウエハＷの表面に対向するように配設された吐出管３２に接続して構成されている。そして、従来の高圧純水供給装置では、レギュレータ２２とエアーバルブ２４との間に圧力計が配設されていたが、この装置では、レギュレータ２２に圧力計２３を設け、それに加えて、配管１２の最も下流側に設けられたフィルタ３０と吐出管３２との間で配管１２を分岐させてドレン配管３４を付設し、そのドレン配管３４に圧力計３６を配設している。」【００１２】
「【発明の効果】この発明は以上説明したように構成されかつ作用するので、この発明に係る基板への処理液供給装置を使用すれば、実際に基板表面に供給される処理液の供給圧や温度などのパラメータを正確に測定することができ、かつ、配管先端の吐出口付近にフィルタを追加して設置しなくても、配管の吐出口から清浄な処理液を基板表面へ吐出することができる。さらに、基板の表面へ高圧の洗浄液を供給して基板表面を洗浄する装置においては、実際に配管先端の吐出口から吐出されて基板表面へ供給される高圧洗浄液の圧力を正確に測定することができ、フィルタの目詰りなどの配管内のトラブルのために基板表面に供給される高圧洗浄液の圧力が低下したまま基板表面の洗浄が行なわれて洗浄品質の低下を来たす心配が全く無くなる。」【００１５】
　以上の記載によれば、刊行物２には以下の事項が記載されていると認められる。
「実際に基板表面に供給される処理液の供給圧や温度などのパラメータを正確に測定するため、フィルタが介挿された配管を通して送られる処理液を配管先端の吐出口から吐出し基板の表面へ供給するようにした基板への処理液供給装置において、前記配管を、前記吐出口と最も吐出口寄りに配設されたフィルタとの間で分岐させ、その分岐された分岐配管に検出計を配設した基板への処理液供給装置。」
（４−３）
　刊行物３には、以下のとおり記載されている。
「複数の処理条件からなる処理プログラムに基づいて自動的に被処理体を塗布現像処理する塗布現像装置において、
　予め設定された前記処理プログラムを記憶する第１の記憶手段と、
　前記処理プログラムの少なくとも１つの前記処理条件を変更する変更手段と、
　変更後の前記処理プログラムを記憶する第２の記憶手段と
　を具備することを特徴とする塗布現像装置。」（特許請求の範囲）
「〔従来の技術〕
　半導体製造工程に利用される塗布現像装置例えばレジスト塗布装置では、次のようなレジスト塗布処理が自動的に行われる。
　すなわち、ウエハチャック上に水平に吸着保持された半導体ウエハ表面上に、レジスト滴下ノズルから「所定滴下量」のフォトレジストが滴下され、回転機構によりウエハチャックが、「所定回転加速度」で加速され、「所定回転速度」で「所定回転時間」回転され、滴下されたフォトレジストを遠心力の作用により、半導体ウエハ全表面上に均一に塗布している。
　上記の「所定滴下量」・「所定回転加速度」・「所定回転速度」・「所定回転時間」は、処理される半導体ウエハの種類等に固有の処理条件（レシピ）として設定されている。そしてレシピに基づいて自動制御機構が各処理機構の動作を自動制御することにより、自動的にレジスト塗布処理が行われる。
　上記のようなレシピは、半導体ウエハの種類等に応じて最適な処理条件として予め設定される。
〔発明が解決しようとする課題〕
　しかしながら、半導体ウエハの種類により必要とされる複数のレシピ間で一部分のみが異なる場合、例えば「所定回転時間」の処理条件のみが異なり他の処理条件が同一という場合でも、従来は各レシピ毎に、そのレシピを構成するすべての処理条件を新たに入力し、自動化のためのプログラムを設定していたので、レシピの設定に多大な労力、時間を要し、また、人為的入力ミス等も生じ易かった。
　本発明はこのような問題を解決すべくなされたもので、その目的とするところは、レシピ設定に要する労力、時間を軽減可能な塗布現像装置を提供することにある。」（公報第１頁左下欄第１９行〜第２頁左上欄第１３行）
「第１図に示すように、半導体ウエハ１を真空チャックするウエハチャック２を、回転装置３の回転軸５に連結する。この回転装置３の回転制御は回転コントローラ７により行われる。一方、ウエハチャック２の上方に、半導体ウエハ１表面と所定距離を隔ててレジスト滴下ノズル９を配置する。このレジスト滴下ノズル９を、レジスト供給管１１を介してレジスト供給装置１３に連結し、レジスト供給装置１３から供給する所定量のレジストを半導体ウエハ１上に滴下せしめる。このレジスト供給装置１３からのレジスト供給量は、レジスト供給コントローラ１５により制御する。上記回転コントローラ７およびレジスト供給コントローラ１５の制御は中央制御部１７にて行う。
　上記中央制御部１７は、第２図に示すように、所定のデータを入力可能なキーボード２１と、複数の処理条件からなる処理プログラム例えばレシピ等を記憶するＲＡＭ（随時書込読出可能メモリ）２３と、この装置全体の基本的動作プログラムを記憶したＲＯＭ（読出専用メモリ）２５と、この装置の各構成要素の動作を制御するとともに、キーボード２１から入力された情報からＲＡＭ２３に記憶された上記レシピの少なくとも１つの処理条件を変更する演算機能を有するＣＰＵ（中央処理装置）２７と、記憶されているレシピ等を適宜表示可能なＣＲＴディスプレイ２９とから構成される。
　次にこのレジスト塗布装置の動作について説明する。なお、このレジスト塗布に適用されるレシピを構成する各処理条件は、「所定滴下量」・「所定回転加速度」・「所定回転速度」・「所定回転時間」であり、処理すべき半導体ウエハの種類等に応じて予め設定する。
　ここで、予め設定され記憶されているレシピの各処理条件に対して例えば「所定回転時間」のみが異なるレシピに従ってレジスト塗布処理を行う場合、まず、キーボード２１から新たな「所定回転時間」のデータを入力する。
　入力した新たな「所定回転時間」のデータと、予めＲＡＭ２３に記憶されているレシピを構成するその他の各処理条件（「所定滴下量」・「所定回転加速度」・「所定回転速度」）のデータは、ＣＰＵ２７によって一括されて新たなレシピとしてＲＡＭ２３に書込まれ、レシピ設定が終了する。なお、ＣＲＴディスプレイ２９によって、設定したレシピの各処理条件を適宜表示することもできる。」（公報第２頁右上欄第１５行〜第３頁左上欄第１行）
「〔発明の効果〕
　以上詳細に説明したように本発明によれば、変更処理によって、第１の記憶手段に記憶されている処理プログラムの少なくとも１つの処理条件が変更され、第２の記憶手段によって、変更後の前記処理プログラムが記憶されるので、レシピ設定に要する労力、時間を軽減可能な塗布現像装置を提供することができる。」（公報第３頁右上欄第１６行〜左下欄第３行）
　以上の記載によれば、刊行物３には以下の事項が記載されていると認められる。
「塗布現像装置のレジスト塗布装置であって、
　レジスト滴下ノズルから「所定滴下量」のフォトレジストが滴下され、
　処理すべき半導体ウエハの種類に応じて、「所定滴下量」・「所定回転加速度」・「所定回転速度」・「所定回転時間」の処理条件を予め設定し、記憶するための設定手段と、
　前記設定手段により記憶された複数の処理条件のうちレジスト塗布すべき基板の種類に応じて変更すべきレジスト塗布条件を選択して変更し、
　前記変更されたレジスト塗布条件に応じて前記レジスト塗布の処理条件を可変制御する制御手段とを備えること。」
（４−４）
　刊行物４には、以下のとおり記載されている。
「【請求項１】　容器内に入れられた液体に気体圧力を加え、前記容器に接続された導管内に前記液体を導入し、該導管の噴出口より前記液体を噴出させる気体圧力式液体噴出方法において、
前記導管内の所定位置における液体の流量を検出し、該検出値に基づき前記気体圧力を調整し、前記液体の流量をフィードバック制御することを特徴とする気体圧力式液体噴出方法。
　【請求項２】　前記請求項１に記載の気体圧力式液体噴出方法であって、前記液体の噴出を行わないときは、前記液体に気体圧力を加えないことを特徴とする気体圧力式液体噴出方法。
　【請求項３】　前記請求項１乃至２に記載の気体圧力調整式液体噴出方法を実施する気体圧力式液体噴出装置であって、液体を収容する容器と、気体供給源と、該気体供給源から送り出された気体を前記容器内へ導く気体供給管と、前記容器内に入れられた液体を導く導管と、該導管の所定位置における前記液体の流量を検出する流量計と、該流量計の検出値が入力され且つ該検出値に基づき前記気体圧力を調整する気体圧力調整手段とを備えたことを特徴とする気体圧力式液体噴出装置。」【特許請求の範囲】
「【産業上の利用分野】　本発明は、気体圧力で液体を導管の噴出口より噴出させる技術に関し、特に、半導体製造において感光液、現像液、洗浄液を半導体ウエハに塗布する工程で、気体圧力で導管の噴出口より塗布液（感光液、現像液、洗浄液）を噴出させる技術に適用して有効なものである。」【０００１】
「本実施例の気体圧力式液体噴出方法を実施する装置は、容器１，気体供給源２，気体供給管３，レギュレータ４，導管５，オリフィス流量計６，ＰＩＤ付コントローラ７より構成されている。また、レギュレータ４とＰＩＤ付コントローラ７とから気体圧力調整手段が構成されている。この気体圧力調整手段は、オリフィス流量計６で検出した流量の検出値が電気信号としてＰＩＤ付コントローラ７に入力されると、この検出値を予め設定された目標値と比較し、目標値と検出値の偏差に基づきレギュレータ４の操作量を算定し、レギュレータ４を操作して容器１内の気体圧力を調整する仕組みとなっている。
　また、オリフィス流量計６は、その詳細な構成は特に図示しないが、浮子に取り付けられた磁石の位置を磁気センサで読み取り、この位置から流量を算定し、この算定値を電気信号としてＰＩＤ付コントローラ７に送っている。
　また、ＰＩＤ付コントローラ７は、その詳細な構成は特に図示しないが、オリフィス流量計６から送られてきた電気信号にＰ（比例），Ｉ（積分），Ｄ（微分）の３動作を行うことで、レギュレータ４に設けられた弁（図示は省略する）の開閉に対する操作量を算定している。」【００１８】〜【００２０】
　以上の記載によれば、刊行物４には以下の事項が記載されていると認められる。
「洗浄液供給手段は、供給される流体の圧力に応じた圧力で洗浄液を駆動する高圧発生手段を含み、
　制御手段は、選択手段により選択された条件に基づく制御信号を発生する制御信号発生手段と、
　前記制御信号発生手段により発生された前記制御信号に応答して前記高圧発生手段に供給する前記流体の圧力を調整する圧力調整手段とを含み、
　前記流体は気体からなり、前記圧力調整手段は電気信号に応答して気体の圧力を調整するレギュレ−タからなる気体圧力式洗浄液噴出装置。」
　
（５）対比・判断
（５−１）本件発明１について
　本件発明１は発明特定事項として、「吐出ノズルから吐出されるべき洗浄液の吐出圧力を含む基板の洗浄条件を基板の種類ごとに設定し、予め設定された複数の洗浄条件を基板の複数の種類ごとに記憶するための設定手段と、前記設定手段により記憶された複数の洗浄条件のうち洗浄すべき基板の種類に応じた洗浄条件を選択するための選択手段と、前記選択手段により選択された前記洗浄条件に応じて前記洗浄液供給手段による洗浄液の供給圧力を可変制御する制御手段」を備えることにより、選択手段により基板の種類に応じた洗浄条件を選択することで洗浄液の供給圧力を可変制御をすることができるものであり、これにより、「作業者は、基板の種類または洗浄条件を変更するごとに吐出圧力を設定する必要がなくなる。その結果、吐出圧力の設定忘れや誤設定がなくなり、基板の種類に応じて基板の表面を最適な条件で自動的に洗浄することが可能となる。」という、明細書記載の、格別顕著な作用効果を奏するものと認められる。
　しかしながら、上記刊行物１ないし４には、上記の「設定手段」、「選択手段」、「制御手段」は記載されていないし、それを示唆する記載もない。
　なお、刊行物３に記載の設定手段は、上記のとおり、「処理すべき半導体ウエハの種類に応じて、処理条件を予め設定し、記憶するための設定手段」であり、「洗浄条件を基板の複数の種類ごとに記憶する」ものではないから、刊行物３に本件発明１の「設定手段」が記載されているとすることはできない。
　したがって、本件発明１は、上記刊行物１ないし４に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（５−２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１の構成をすべて含み、さらに、「前記洗浄液供給手段は、供給される流体の圧力に応じた圧力で洗浄液を駆動する高圧発生手段を含み、前記吐出ノズルは、前記高圧発生手段により駆動された洗浄液を吐出しつつ回転する基板上で走査され、
　前記制御手段は、前記選択手段により選択された前記洗浄条件に基づく制御信号を発生する制御信号発生手段と、前記制御信号発生手段により発生された前記制御信号に応答して前記高圧発生手段に供給する前記流体の圧力を調整する圧力調整手段とを含む」との事項を備えることにより、本件発明１と同様の格別顕著な作用効果を奏するものと認められる。
　そして、本件発明２は、本件発明１の構成をすべて含むのであるから、本件発明１と同様に、上記刊行物１ないし４に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（５−３）本件発明３について
　本件発明３は、本件発明１または２の構成をすべて含み、さらに、「前記流体は気体からなり、前記圧力調整手段は電気信号に応答して気体の圧力を調整するレギュレ−タからなる」との事項を備えることにより、本件発明１と同様の格別顕著な作用効果を奏するものと認められる。
　そして、本件発明３は、本件発明１の構成をすべて含むのであるから、本件発明１と同様に、上記刊行物１ないし４に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし３に係る発明についての特許を取り消すことはできない。 
　また、他に本件請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年８月４日（２００５．８．４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
基板洗浄装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】洗浄液を洗浄液供給手段により吐出ノズルへ供給しその吐出ノズルから基板の表面へ高圧で吐出することにより基板の表面を洗浄する基板洗浄装置であって、
　前記吐出ノズルから吐出されるべき洗浄液の吐出圧力を含む基板の洗浄条件を基板の種類ごとに設定
し、予め設定された複数の洗浄条件を基板の複数の種類ごとに記憶
　前記設定手段により
記憶
複数の
　前記選択手段により選択された前記洗浄条件に応じて前記洗浄液供給手段による洗浄液の供給圧力を可変制御する制御手段とを備えたことを特徴とする基板洗浄装置。
　【請求項２】前記洗浄液供給手段は、供給される流体の圧力に応じた圧力で洗浄液を駆動する高圧発生手段を含み、
前記吐出ノズルは、前記高圧発生手段により駆動された洗浄液を吐出しつつ回転する基板上で走査され、
　前記制御手段は、前記選択手段により選択された前記洗浄条件に基づく制御信号を発生する制御信号発生手段と、前記制御信号発生手段により発生された前記制御信号に応答して前記高圧発生手段に供給する前記流体の圧力を調整する圧力調整手段とを含むことを特徴とする請求項１記載の基板洗浄装置。
　【請求項３】前記流体は気体からなり、前記圧力調整手段は電気信号に応答して気体の圧力を調整するレギュレータからなることを特徴とする請求項１または２記載の基板洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、基板の表面に洗浄液を高圧で吐出して基板の表面を洗浄する基板洗浄装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、マスク基板等の基板の表面を洗浄するために、基板の表面に純水等の洗浄液を高圧で吐出することにより基板の表面を洗浄する基板洗浄装置が用いられている。
　【０００３】
　図４は従来の基板洗浄装置の一例を示す概略図である。図４において、基板１００は、回転保持機構の保持台１０１に水平姿勢で吸引保持され、水平面内において鉛直軸の周りで回転駆動される。基板１００の上方に吐出ノズル１０２が配設されている。吐出ノズル１０２には基板１００の表面に対向するノズルチップ１０３が設けられている。このノズルチップ１０３は、孔径が例えば０．１ｍｍ程度の吐出口を有する。
　【０００４】
　吐出ノズル１０２は、供給配管１０４を介して純水の供給源１０５に接続されている。供給配管１０４には、設定された圧力で純水を吐出する高圧圧縮ポンプ１０６およびフィルタ１０７が介挿されている。フィルタ１０７の出口側には純水の吐出圧力の管理に用いる圧力計１０８が取り付けられている。
　【０００５】
　この基板洗浄装置では、基板１００を所定の回転数で回転させ、予め設定された圧力で吐出ノズル１０２から純水を基板１００の表面に吐出しつつ吐出ノズル１０２を基板１００の一方の外周部から中心部を通って他方の外周部まで走査させたり、中心部から外周部まで走査する間のみ吐出する動作を繰り返させる。これにより、基板１００の表面の全域が洗浄される。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記の従来の基板洗浄装置では、洗浄する基板の種類によって純水の吐出圧力を変更する必要がある。例えば、軟質の基板やパターンが形成された基板を洗浄する場合には、純水の吐出圧力を低く設定し、硬質の基板やパターン未形成の基板を洗浄する場合には、吐出圧力を高く設定する。
　【０００７】
　また、基板の回転数、洗浄時間、吐出ノズルの走査速度、吐出ノズルの走査回数等の洗浄条件によっても純水の吐出圧力を変更する必要がある。そのため、従来の基板洗浄装置では、洗浄する基板の種類や洗浄条件を変更するごとに、手動操作で純水の吐出圧力を再設定している。
　【０００８】
　しかしながら、多くの種類の基板を順次洗浄する場合や基板の種類を頻繁に変更する場合には、設定圧力を変更し忘れたり、設定圧力を戻し忘れたりすることがある。それにより、基板の表面を十分に洗浄することができなかったり、あるいは基板の表面を傷めるという問題が生じる。
　【０００９】
　本発明の目的は、基板の種類および洗浄条件に応じて洗浄液の吐出圧力を自動的に変更することができる基板洗浄装置を提供することである。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段および発明の効果】
　第１の発明に係る基板洗浄装置は、洗浄液を洗浄液供給手段により吐出ノズルに供給しその吐出ノズルから基板の表面へ高圧で吐出することにより基板の表面を洗浄する基板洗浄装置であって、吐出ノズルから吐出されるべき洗浄液の吐出圧力を含む基板の洗浄条件を基板の種類ごとに設定
し、予め設定された複数の洗浄条件を基板の複数の種類ごとに記憶
記憶
複数の
　【００１１】
　第２の発明に係る基板洗浄装置は、第１の発明に係る基板洗浄装置の構成において、洗浄液供給手段が、供給される流体の圧力に応じた圧力で洗浄液を駆動する高圧発生手段を含み、
吐出ノズルは、高圧発生手段により駆動された洗浄液を吐出しつつ回転する基板上で走査され、
　【００１２】
　第３の発明に係る基板洗浄装置は、第１または第２の発明に係る基板洗浄装置の構成において、流体が気体からなり、圧力調整手段が電気信号に応答して気体の圧力を調整するレギュレータからなるものである。
　【００１３】
　第１〜第３の発明に係る基板洗浄装置においては、設定手段により基板の
複数の
予め設定され記憶
複数の
　【００１４】
　特に、第２の発明に係る基板洗浄装置においては、選択手段により選択された洗浄条件に基づく制御信号が発生され、その制御信号に応答して高圧発生手段に供給する流体の圧力が自動的に調整される。それにより、高圧発生手段により流体の圧力に応じた圧力で洗浄液が駆動され、吐出ノズルから洗浄液が高圧で吐出される。したがって、吐出ノズルから吐出される洗浄液の圧力を基板の種類および洗浄条件に応じて電気的に可変制御することが可能となる。
　【００１５】
　また、第３の発明に係る基板洗浄装置においては、圧力調整手段が電気信号に応答して気体の圧力を調整するレギュレータからなるので、簡単な構成により高圧発生手段の吐出圧力を可変制御することが可能となる。
　【００１６】
　【発明の実施の形態】
　図１は本発明の一実施例における基板洗浄装置の主として高圧発生ユニットの構成を示す図である。
　【００１７】
　図１において、プランジャポンプ（昇圧ポンプ）１は、シリンダ２内に摺動自在に挿入されたプランジャ３を有する。プランジャ３の前方側（矢印Ｘの方向）には、洗浄液として純水が供給される純水室４が形成され、プランジャ３の後方側には空気が供給される空気室５が形成されている。プランジャ３の後端部には、空気室５内に摺動自在に設けられた摺動部材３ａが取り付けられている。プランジャポンプ１の空気室５の外部には、ポンプの動作状態確認用のオートスイッチ５ｃが設けられている。
　【００１８】
　空気源６の空気は、電空レギュレータ７、空気供給管Ｌ１および電磁弁８を介してプランジャポンプ１の第１の空気供給口５ａまたは第２の空気供給口５ｂに供給される。
　【００１９】
　電空レギュレータ７は、与えられる電流値に応じて空気の圧力を可変に調整するものである。この電空レギュレータ７および電磁弁８は、後述する制御部１１により制御される。電磁弁８には、プランジャポンプ１の動作回数を計数するカウンタ８ａが接続されている。また、電空レギュレータ７の出口側には、第１の圧力計９および第２の圧力計１０が取り付けられている。
　【００２０】
　ポンプ吸い込み時には、第１の空気供給口５ａから摺動部材３ａの前方側に空気が供給されるように電磁弁８が切り換えられる。それにより、摺動部材３ａがプランジャ３とともに矢印Ｙの方向に移動する。このとき、摺動部材３ａの後方側の空気は第２の空気供給口５ｂから電磁弁８を介して排出される。ポンプ吐出時には、第２の空気供給口５ｂから摺動部材３ａの後方側に空気が供給されるように電磁弁８が切り換えられる。それにより、摺動部材３ａがプランジャ３とともに矢印Ｘの方向に移動する。このとき、摺動部材３ａの前方側の空気は第１の空気供給口５ａから電磁弁８を介して排出される。
　【００２１】
　プランジャポンプ１内のプランジャ３が矢印Ｙの方向に移動すると、純水源１２の純水が純水供給管Ｌ２、吐出弁１３、純水供給口４ａおよび逆止弁１４を介してプランジャポンプ１の純水室４内に吸い込まれる。純水供給管Ｌ２内の圧力が所定値を越えると、純水の一部がリリーフ弁１５を介して排出される。
　【００２２】
　プランジャポンプ１内のプランジャ３が矢印Ｘの方向に移動すると、純水室４内の純水が純水吐出口４ｂから純水供給管Ｌ３、吐出弁１３およびフィルタ１６を介して吐出ノズル１７に供給される。吐出ノズル１７は、基板１００の表面に対向するノズルチップを有する。このノズルチップは、例えば孔径０．１ｍｍ程度の吐出口を有する。吐出ノズル１７に供給された純水は、ノズルチップの吐出口から基板１００の表面に高圧で吐出される。基板１００は、回転保持機構の保持台１８に水平姿勢で吸引保持され、水平面内において鉛直軸の周りで回転駆動される。
　【００２３】
　基板１００の洗浄時には、基板１００を所定の回転数で回転させ、吐出ノズル１７から純水を基板１００の表面に高圧で吐出しつつ吐出ノズル１７を基板１００の一方の外周部から中心部を通って他方の外周部まで走査させたり、中心部から外周部まで走査する間のみ吐出する動作を繰り返させる。
　【００２４】
　図２は図１の電空レギュレータ７および制御部１１の構成を示すブロック図である。図２に示すように、制御部１１は、洗浄条件設定パネル３１、ＣＰＵ（中央演算処理装置）３２、メモリ３３および操作パネル３４を含む。
　【００２５】
　洗浄条件設定パネル３１は、基板１００の回転数、洗浄時間、吐出ノズル１７の走査速度、吐出ノズル１７の走査回数、吐出ノズル１７の移動範囲、吐出ノズル１７の移動方向等の洗浄条件（レシピ）を設定するために用いられる。本実施例では、この洗浄条件に純水の吐出圧力が含められる。基板の種類に応じて複数の洗浄条件を設定することができる。洗浄条件設定パネル３１により設定された洗浄条件はＣＰＵ３２を介してメモリ３３に記憶される。
　【００２６】
　ＣＰＵ３２は、メモリ３３に記憶された洗浄条件に従って電空レギュレータ７に制御信号ＣＴを与えるとともに、図１の電磁弁８、回転保持機構（図示せず）等の各部分に種々の制御信号を与える。操作パネル３４は、基板１００の洗浄時に作業者が洗浄条件を選択するために用いられる。
　【００２７】
　電空レギュレータ７は、弁７ａおよび弁駆動部７ｂからなり、ＣＰＵ３２から与えられる制御信号ＣＴに応答して空気の供給圧力を調整する。第１の圧力計９は、電空レギュレータ７による空気の供給圧力（１次圧力）を表示する。第２の圧力計１０は、１次圧力をプランジャポンプ１の面積比率（空気室５と純水室４の横断面の面積比率）に換算した圧力（２次圧力）を表示する。
　【００２８】
　本実施例では、プランジャポンプ１が洗浄液供給手段を構成し、洗浄条件設定パネル３１およびメモリ３３が設定手段を構成する。また、ＣＰＵ３２および電空レギュレータ７が制御手段を構成する。ＣＰＵ３２が制御信号発生手段に相当し、電空レギュレータ７が圧力調整手段に相当する。
　【００２９】
　次に、図３のフローチャートを参照しながら本実施例の基板洗浄装置の動作を説明する。なお、予め洗浄条件設定パネル３１を用いて基板の種類に応じた複数の洗浄条件がメモリ３３に設定されているものとする。この洗浄条件には、基板の回転数、洗浄時間、吐出ノズル１７の走査速度、吐出ノズル１７の走査回数等の通常の洗浄条件とともに、吐出ノズル１７からの純水の吐出圧力も含まれる。
　【００３０】
　基板１００の洗浄時には、作業者が、操作パネル３４を用いてその基板１００の種類に応じた洗浄条件を選択する（ステップＳ１）。ＣＰＵ３２は、選択された洗浄条件をメモリ３３から読み出し、その洗浄条件に基づいて基板１００の回転数、洗浄時間、吐出ノズル１７の走査速度、吐出ノズル１７の走査回数等を設定するとともに、高圧発生ユニットの発生圧力（プランジャポンプ１の吐出圧力）を設定された純水の吐出圧力に応じた圧力（設定圧力）に設定する。
　【００３１】
　そして、高圧発生ユニットの発生圧力が設定圧力になったかどうかを判別する（ステップＳ２）。高圧発生ユニットの発生圧力が設定圧力になった場合には、吐出ノズル１７を動作させるとともに、プランジャポンプ１から吐出ノズル１７に純水を供給して基板１００の表面に吐出させる（ステップＳ３）。
　【００３２】
　故障や空気の未供給等により高圧発生ユニットの発生圧力が設定圧力にならない場合には、所定のエラー処理を行う（ステップＳ４）。
　本実施例の基板洗浄装置においては、作業者が選択した洗浄条件に応じて純水の吐出圧力が自動的に可変制御される。したがって、作業者は、基板の種類または洗浄条件を変更するごとに吐出圧力を設定する必要がなくなる。その結果、吐出圧力の設定忘れや誤設定がなくなり、基板の種類に応じて基板の表面を最適な条件で自動的に洗浄することが可能となる。
　【００３３】
　なお、上記実施例では、高圧発生手段を駆動するために空気を用いているが、空気の代わりに油等の液体を用いてもよい。この場合には、圧力調整手段として例えば可変入力液体レギュレータを用いる。
　【００３４】
　また、上記実施例では、洗浄条件設定パネル３１を用いて洗浄条件を設定する際に、通常の洗浄条件とともに吐出圧力も設定しているが、通常の洗浄条件を設定することによりその洗浄条件に応じた吐出圧力が自動的に設定されるように構成してもよい。
　【００３５】
　また、上記実施例における洗浄条件設定パネル３１を、操作パネル３４で兼用させるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例における基板洗浄装置の構成を示す図である。
　【図２】
　図１の電空レギュレータおよび制御部の構成を示すブロック図である。
　【図３】
　図１の基板洗浄装置の動作を示すフローチャートである。
　【図４】
　従来の基板洗浄装置の一例を示す概略図である。
　【符号の説明】
　１　プランジャポンプ
　６　空気源
　７　電空レギュレータ
　１１　制御部
　１２　純水源
　１７　吐出ノズル
　３１　洗浄条件設定パネル
　３２　ＣＰＵ
　３３　メモリ
　３４　操作パネル