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　特願２０１４−　５７２６０「歪検出素子，圧力センサ，マイクロフォン，血圧センサ及びタッチパネル」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１０月　８日出願公開，特開２０１５−１７９７７９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２６年３月１９日の出願であって，その手続の経緯は，概略，以下のとおりである。 
　平成２９年　５月１２日付け：拒絶理由通知 
　平成２９年　６月１４日　　：意見書 
　平成２９年　６月１４日　　：手続補正書
　平成２９年　９月１５日付け：拒絶査定
　平成２９年１１月　８日　　：審判請求
　平成２９年１１月　８日　　：手続補正書（以下，この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。）
　平成３１年　１月　７日付け：拒絶理由通知
　なお，当審において通知した拒絶理由に対して，請求人からは何らの応答もなかったものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　支持部と，
　前記支持部に支持された変形可能な膜部と，
　前記膜部に設けられた歪検出素子と
　を有し，
　前記歪検出素子は，
　磁化方向が可変な第１の磁性層と，
　前記膜部と前記第１の磁性層との間に設けられた第２の磁性層と，
　前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられた中間層と，
　前記第１の磁性層の第１方向に配置され，前記第１の磁性層に接する絶縁層と
　を備え，
　前記第１方向は，前記第２の磁性層，前記中間層及び前記第１の磁性層の積層方向と交差し，
　前記膜部の変形に応じて，前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間の電気抵抗値が変化し，
　前記第１の磁性層の面積は，前記第２の磁性層の面積よりも大きく，
　前記中間層の面積は，前記第２の磁性層の面積よりも大きく，
　前記中間層はマグネシウム（Ｍｇ）及び酸素（Ｏ）を含む
　圧力センサ。」
第３　拒絶の理由
　平成３１年１月７日付けで当審が通知した拒絶理由は，概略，次のとおりのものである。
 １（明確性要件）本願の請求項１及び請求項１を引用する請求項２ないし８に係る発明の「支持部」及び「支持部に支持された変形可能な膜部」は，発明の詳細な説明を参酌しても明確に理解することができないから，この出願の特許請求の範囲の記載は，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
 ２（進歩性）この出願の請求項１−８に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１−３に記載された発明に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　１．特開２０１３−７２７１２号公報 
　２．特開２００３−２９８１４５号公報 
　３．特開２０１１−２４４９３８号公報 
第４　明確性要件（特許法第３６条第６項第２号）について
　「圧力センサ」に係る発明である本願の請求項１に係る発明は，「支持部」及び「支持部に支持された変形可能な膜部」を発明特定事項として含むところ，「圧力センサ」における，どのような部材までを，前記「支持部」及び「支持部に支持された変形可能な膜部」として，認定することができるのか，発明の詳細な説明の記載からは，その外縁を明確に理解することができない。
　すなわち，本願の請求項１の「支持部」及び「支持部に支持された変形可能な膜部」は，発明の詳細な説明を参酌しても明確に理解することができない。 
 　 
　例えば，本願明細書の【０１１０】−【０１２７】及び図１８−図１９には，「歪検出素子２００」の製造方法として，「歪検出素子２００Ａ」の製造方法が説明されており，前記記載から，「歪検出素子２００」が，基板１１０，膜部１２０，絶縁層１２５，下部電極２０４，下地層２０５，ピニング層２０６，第２磁化固定層２０７，磁気結合層２０８，第１磁化固定層２０９，中間キャップ層２６０，中間層２０３，磁化自由層２１０，キャップ層２１１，キャップ層２１１，上部電極２１２，及び，保護層２１５等を備えた構造を有することが理解される。 
　一方，本願の請求項１には，「圧力センサ」が，支持部と，支持部に支持された変形可能な膜部と，前記膜部に設けられた「歪検出素子」とを有することが記載されている。 
　そうすると，前記【０１１０】−【０１２７】及び図１８−図１９の記載を前提とすれば，本願の請求項１の「圧力センサ」に係る発明は，支持部と，支持部に支持された変形可能な膜部と，前記膜部に設けられる【０１１０】−【０１２７】の方法によって製造された「基板１１０，膜部１２０，・・・第２磁化固定層２０７，磁気結合層２０８，第１磁化固定層２０９・・・保護層２１５等を備えた歪検出素子」とを有する構造を備えることとなり，本願の請求項１に係る発明は，前記「基板１１０」及び「膜部１２０」とは別に，「支持部」と「支持部に支持された変形可能な膜部」を有することを要するものと解されるが，このような理解で正しいのか不明である。
　あるいは，本願明細書の【０１１０】−【０１２７】及び図１８−図１９に記載された説明の「基板１１０」及び「膜部１２０」が，それ自体として，本願の請求項１に記載された発明の「支持部」及び「支持部に支持された変形可能な膜部」に該当すると理解すべきか不明である。 
 　 
　さらに，本願明細書の【０１１１】には，歪検出素子２００の製造に際して，「基板１１０自体を最終的に変形可能とする場合，基板１１０と別に膜部１２０を必ずしも設けなくともよい。」と記載されているところ，このように「膜部１２０」を設けない圧力センサにおいては，「基板１１０」と，「第１磁化固定層２０９」との間に存在する，「絶縁層１２５」，「下部電極２０４」，「下地層２０５」，「ピニング層２０６」，「第２磁化固定層２０７」，「磁気結合層２０８」のうちの任意の層（例えば，「下部電極２０４」）が，本願の請求項１に係る発明の「支持部に支持された変形可能な膜部」に相当すると理解すべきであるのか明確に理解することができない。
 
　また，単純に，圧力センサにおいて，「第１磁化固定層２０９」に「中間層２０３，磁化自由層２１０」が形成される方向とは反対側の方向に形成される複数の層のうち，「第１磁化固定層２０９」に遠い側の層を「支持部」と呼び，近い側の層を「支持部に支持された変形可能な膜部」と呼ぶことができるのか，明確に理解することができない。 
　以上のとおり，この出願の特許請求の範囲の請求項１の記載は，特許を受けようとする発明を明確に記載したものではないから，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
第５　引用文献の記載及び引用発明
１　引用文献１の記載
（１）引用文献１には，図面とともに以下の事項が記載されている。（下線は，当審で付した。以下同じ。）
「【技術分野】
【０００１】
　
本発明の実施形態は，歪検知装置
【背景技術】
【０００２】
　
微小領域でも高感度に歪を測定することができる歪センサが必要とされている。例えば，圧力変動を振動により検出する音響検出部を有する半導体センサチップと制御回路チップとをボンディングワイヤで電気的に接続する構成がある
「【０００８】
　（第１の実施形態）
　図１は，第１の実施形態に係る歪検知装置の構成を例示する模式的斜視図である。
　
図１では，図を見やすくするために，絶縁部分を省略し，導電部分が主に描かれている
【０００９】
　図１に表したように，
本実施形態に係る歪検知装置３１０は，半導体回路部１１０と，検知部１２０と，を含む
【００１０】
　
半導体回路部１１０は，半導体基板１１１と，トランジスタ１１２と，を有する
・・・
【００１２】
　
検知部１２０は，半導体回路部１１０の上に設けられる
【００１３】
　
検知部１２０は，空洞部７０と，非空洞部７１と，を有する
・・・
【００１７】
　
検知部１２０は，可動梁６０と，歪検知素子部５０と，第１埋め込み配線６１ｃと，第２埋め込み配線６２ｃと，を含む
【００１８】
　
可動梁６０は，固定部分６３と，可動部分６４と，を有する。可動梁６０は，第１配線層６１と，第２配線層６２と，を含む
【００１９】
　
固定部分６３は，非空洞部７１に固定される。可動部分６４は，固定部分６３から空洞部７０に延びる
【００２０】
　この例では，可動梁６０は，Ｘ軸方向（Ｘ−Ｙ平面内の１つの方向）に沿って延びる。すなわち，固定部分６３から可動部分６４に向かう方向は，Ｘ軸方向に沿っている。Ｘ軸方向に対して垂直でＺ軸方向に対して垂直な軸をＹ軸方向とする。
【００２１】
　
歪検知素子部５０は，可動部分６４に固定されている。歪検知素子部５０の一端は，第１配線層６１と電気的に接続されている。歪検知素子部５０の他端は，第２配線層６２と電気的に接続されている。歪検知素子部５０は，後述する第１磁性層を含む
【００２２】
　第１埋め込み配線６１ｃは，非空洞部７１に設けられる。第１埋め込み配線６１ｃは，第１配線層６１の固定部分６３側の端と半導体回路部１１０とを電気的に接続する。
【００２３】
　第２埋め込み配線６２ｃは，非空洞部７１に設けられる。第２埋め込み配線６２ｃは，第２配線層６２の固定部分６３側の端と半導体回路部１１０とを電気的に接続する。
【００２４】
　例えば，第１埋め込み配線６１ｃと第２埋め込み配線６２ｃとは，Ｚ軸方向に沿う部分を有する。
【００２５】
　
本実施形態に係る歪検知装置３１０においては，可動部分６４とトランジスタ１１２との間の距離が変化可能である。この距離の変化に応じて，歪検知素子部５０に加わる歪の量が変化し，その歪量の変化に応じて，第１磁性層の磁化方向が変化する。この磁化方向の変化に伴って，歪検知素子部５０の一端と他端との間の電気抵抗が変化する
【００２６】
　この例では，
可動部分６４は，第１配線層６１と積層されたダイアフラム部６１ｂを有している。この例では，ダイアフラム部６１ｂの一部の上に第１配線層６１が延びている
【００２７】
　本願明細書において，積層されている状態は，直接重ねられる状態に加え，間に別の要素が挿入された状態で重ねられる状態を含む。また，上に設けられている状態は，接して上に配置される状態に加え，間に別の要素が挿入されて上に配置される状態を含む。
【００２８】
　ダイアフラム部６１ｂの面積は，第１配線層６１の面積よりも大きい。ダイアフラム部６１ｂを設けることで，外部からの外力が効率よく歪検知素子部５０に伝わる。これにより，歪検知の感度が高くなる。また，ダイアフラム部６１ｂを設けることで，形状が規定された構造物の上での歪検知が可能になるので，外力と歪との関係が一定となる。例えば，歪量から外力への換算が一意となり，使い易くなる。
【００２９】
　また，この例では，歪検知素子部５０に，歪抵抗変化部５０ｓと，バイアス磁界を歪抵抗変化部５０ｓに印加するバイアス層５５ａ及び５５ｂ（例えばハードバイアス層）と，が設けられている。バイアス層５５ａ及び５５ｂは，必要に応じて設けられ，場合によっては省略できる。バイアス層５５ａ及び５５ｂについては後述する。以下，歪抵抗変化部５０ｓについて説明する。
【００３０】
　図２は，第１の実施形態に係る歪検知装置の一部の構成を例示する模式的斜視図である。
　図２に表したように，
歪抵抗変化部５０ｓ（歪検知素子部５０）は，例えば，第１磁性層１０と，第２磁性層２０と，第１磁性層１０と第２磁性層２０との間に設けられた中間層３０と，を含む。中間層３０は，非磁性層である
【００３１】
　この例では，
第１磁性層１０は，磁化自由層である。第２磁性層２０は，例えば，磁化固定層
である
【００３２】
　
以下では，歪検知素子部５０の動作の例について，第２磁性層２０が磁化固定層であり，第１磁性層１０が磁化自由層である場合について説明する
【００３３】
　「ＭＲ効果」は，磁性体を有する積層膜において，外部磁界が印加されたときに，磁性体の磁化の変化によって積層膜の電気抵抗の値が変化する現象である。ＧＭＲ（Giant magnetoresistance）効果，ＴＭＲ(Tunneling magnetoresistance)効果などがある。歪抵抗変化部５０ｓに電流を流すことで，磁化の向きの相対角度の変化を電気抵抗変化として読み取ることで，ＭＲ効果は発現する。例えば，歪検知素子部５０に加わる応力に基づいて，歪抵抗変化部５０ｓに引っ張り応力が加わる。第１磁性層１０（磁化自由層）の磁化の向きと，第２磁性層２０に加わる引っ張り応力の方向と，が異なるときに，逆磁歪効果によりＭＲ効果が発現する。低抵抗状態の抵抗をＲとし，ＭＲ効果によって変化する電気抵抗の変化量をΔＲとしたときに，ΔＲ／Ｒを「ＭＲ変化率」という。
【００３４】
　図３（ａ）〜図３（ｃ）は，第１の実施形態に係る歪検知装置の動作を例示する模式的斜視図である。　
　これらの図は，歪検知素子部５０の状態を例示している。これらの図は，歪検知素子部５０における磁化の方向と，引っ張り応力の方向と，の関係を例示している。
【００３５】
　図３（ａ）は，引っ張り応力が印加されていない状態を示す。このとき，この例では，第２磁性層２０（磁化固定層）の磁化の向きは，第１磁性層１０（磁化自由層）の磁化の向きと，同じである。
【００３６】
　図３（ｂ）は，引っ張り応力が印加された状態を示している。この例では，Ｘ軸方向に沿って引っ張り応力が印加されている。例えば，可動部分６４の変形により，例えばＸ軸方向に沿った引っ張り応力が印加される。すなわち，引っ張り応力は，第２磁性層２０（磁化固定層）及び第１磁性層１０（磁化自由層）の磁化の向き（この例では，Ｙ軸方向）に対して直交方向に印加される。このとき，引っ張り応力の方向と同じ方向になるように，第１磁性層１０（磁化自由層）の磁化が回転する。これを「逆磁歪効果」という。このとき，第２磁性層２０（磁化固定層）の磁化は固定されている。よって，第１磁性層１０（磁化自由層）の磁化が回転することで，第２磁性層２０（磁化固定層）の磁化の向きと，第１磁性層１０（磁化自由層）の磁化の向きと，の相対角度が変化する。
【００３７】
　この図には，第２磁性層２０（磁化固定層）の磁化の方向が一例として図示されており，磁化の方向は，この図に示した方向でなくても良い。
【００３８】
　逆磁歪効果においては，強磁性体の磁歪定数の符号によって磁化の容易軸が変化する。大きな逆磁歪効果を示す多くの材料は，磁歪定数が正の符号を持つ。磁歪定数が正の符号である場合には，上述のように引っ張り応力が加わる方向が磁化容易軸となる。このときには，上記のように，第１磁性層１０（磁化自由層）の磁化は，磁化容易軸の方向に回転する。
【００３９】
　例えば，第１磁性層１０（磁化自由層）の磁歪定数が正である場合には，第１磁性層１０（磁化自由層）の磁化の方向は，引っ張り応力が加わる方向とは異なる方向に設定する。
【００４０】
　一方，磁歪定数が負である場合には，引っ張り応力が加わる方向に垂直な方向が磁化容易軸となる。　
　図３（ｃ）は，磁歪定数が負である場合の状態を例示している。この場合には，第１磁性層１０（磁化自由層）の磁化の方向は，引っ張り応力が加わる方向（この例ではＸ軸方向）に対して垂直な方向とは異なる方向に設定する。　
　この図には，第２磁性層２０（磁化固定層）の磁化の方向が一例として図示されており，磁化の方向は，この図に示した方向でなくても良い。
【００４１】
　第１磁性層１０の磁化と第２磁性層２０の磁化との間の角度に応じて，歪検知素子部５０（歪抵抗変化部５０ｓ）の電気抵抗が，例えば，ＭＲ効果によって変化する。
【００４２】
　磁歪定数（λｓ）は，外部磁界を印加して強磁性層をある方向に飽和磁化させたときの形状変化の大きさを示す。外部磁界がない状態で長さＬであるときに，外部磁界が印加されたときにΔＬだけ変化したとすると，磁歪定数λｓは，ΔＬ／Ｌで表される。この変化量は磁界の大きさによって変わるが，磁歪定数λｓは十分な磁界が印加され，磁化が飽和された状態のΔＬ／Ｌとしてあらわす。
【００４３】
　例えば，第２磁性層２０が磁化固定層である場合，第２磁性層２０には，例えば，ＣｏＦｅ合金，ＣｏＦｅＢ合金及びＮｉＦｅ合金等を用いることができる。第２磁性層２０の厚さは，例えば２ナノメートル（ｎｍ）以上６ｎｍ以下である。
【００４４】
　
中間層３０には
絶縁体を用いることができる
絶縁体としては，例えば，マグネシウム酸化物（ＭｇＯ等）
を用いることができる
・・・
【００４７】
　例えば，中間層３０が金属の場合は，ＧＭＲ（Giant Magnetoresistance）効果が発現する。
中間層３０が絶縁体の場合は，ＴＭＲ（Tunneling Magnetoresistance）効果が発現する
・・・
【００５４】
　例えば，
中間層３０としてＭｇＯのような酸化物が用いられる
ＭｇＯ層上の磁性層は，一般的にプラスの磁歪定数を有する
中間層３０の上に第１磁性層１０を形成する場合，第１磁性層１０として，ＣｏＦｅＢ／ＣｏＦｅ／ＮｉＦｅの積層構成の磁化自由層を用いる
最上層のＮｉＦｅ層をＮｉリッチにすると，ＮｉＦｅ層の磁歪定数はマイナスでその絶対値が大きくなる。酸化物層上のプラスの磁歪が打ち消されることを抑制するために，最上層のＮｉＦｅ層のＮｉ組成は，一般的に用いられるＮｉ
８１
Ｆｅ
１９
のパーマロイ組成と比較して，Ｎｉリッチにしない。具体的には，最上層のＮｉＦｅ層におけるＮｉの比率は，８０原子パーセント（ａｔｏｍｉｃ％）未満とすることが好ましい。
【００５５】
　第１磁性層１０が磁化自由層である場合において，第２磁性層２０は，磁化固定層でも磁化自由層でも良い。第２磁性層２０が磁化固定層である場合，外部から歪が加えられても第２磁性層２０の磁化の方向は実質的に変化しない。そして，
第１磁性層１０と第２磁性層２０との間での相対的な磁化の角度によって電気抵抗が変化する。電気抵抗の違いによって歪の有無が検知される
・・・
【００６３】
　
歪検知素子部５０のＸ軸方向に沿った長さは，歪検知素子部５０のＹ軸方向に沿った長さと
異なっても良い
・・・
【００６５】
　図５は，第１の実施形態に係る歪検知装置の一部の構成を例示する模式的斜視図である。
　図５に表したように，この例では，
歪検知素子部５０は，バイアス層５５ａ及び５５ｂ（ハードバイアス層）をさらに含む。バイアス層５５ａ及び５５ｂは，歪抵抗変化部５０ｓに対向して設けられる
【００６６】
　この例では，第２磁性層２０が磁化固定層である。
バイアス層５５ａ及び５５ｂは，第２磁性層２０に並置される。バイアス層５５ａ及び５５ｂの間に，歪抵抗変化部５０ｓが配置される。バイアス層５５ａと歪抵抗変化部５０ｓとの間に絶縁層５４ａが設けられる。バイアス層５５ｂと歪抵抗変化部５０ｓとの間に絶縁層５４ｂが設けられる
・・・
【００７８】
　
本実施形態によれば，スピン歪センサ技術を用いることで，高い歪感度が得られ，例えば，演算回路を混載した歪・圧力センサの実現が可能となる
「【００９４】
　図６（ｃ）に表したように，
第１配線層６１と第２配線層６２との間には，絶縁層６５（例えばＳｉＯ
２
層など）が設けられる
第１配線層６１の可動部分６４側の端部と，第２配線層６２の可動部分６４側の端部とに接して絶縁層６６（例えばＳｉＯ
２
層など）が設けられる
「【０１０４】
　本実施形態に係る歪検知装置３１０においては，外部から何らかの作用が可動部分６４（例えばダイアフラム部６１ｂ）に与えられ，可動部分６４（例えばダイアフラム部６１ｂ）の形状が変化する。この形状の変化に伴って歪検知素子部５０に歪みが発生し，この歪みを電気抵抗の変化として検知する。
歪検知装置３１０は，例えば圧力センサとして用いることができる
（２）　したがって，上記記載から，引用文献１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「半導体回路部１１０と，検知部１２０と，を含む，圧力センサとして用いることができる歪検知装置３１０であって，
　前記半導体回路部１１０は，半導体基板１１１と，トランジスタ１１２と，を有し，
　前記検知部１２０は，前記半導体回路部１１０の上に設けられ，
　前記検知部１２０は，空洞部７０と，非空洞部７１と，を有し，
　前記検知部１２０は，可動梁６０と，歪検知素子部５０と，を含み，
　前記可動梁６０は，固定部分６３と，可動部分６４と，を有し，前記可動梁６０は，第１配線層６１と，第２配線層６２と，を含むものであり，
　前記固定部分６３は，前記非空洞部７１に固定され，前記可動部分６４は，前記固定部分６３から前記空洞部７０に延びるものであり，
　前記歪検知素子部５０は，前記可動部分６４に固定されており，前記歪検知素子部５０の一端は，前記第１配線層６１と電気的に接続され，前記歪検知素子部５０の他端は，前記第２配線層６２と電気的に接続され，さらに前記歪検知素子部５０は，第１磁性層を含むものであり，
　前記歪検知素子部５０のＸ軸方向に沿った長さは，歪検知素子部５０のＹ軸方向に沿った長さと異なっており，
　前記歪検知装置３１０においては，前記可動部分６４と前記トランジスタ１１２との間の距離が変化可能であり，この距離の変化に応じて，前記歪検知素子部５０に加わる歪の量が変化し，その歪量の変化に応じて，前記第１磁性層の磁化方向が変化し，この磁化方向の変化に伴って，歪検知素子部５０の一端と他端との間の電気抵抗が変化するものであり，
　前記可動部分６４は，前記第１配線層６１と積層されたダイアフラム部６１ｂを有しており，前記ダイアフラム部６１ｂの一部の上に前記第１配線層６１が延びているものであり，
　前記歪抵抗変化部５０ｓ（歪検知素子部５０）は，前記第１磁性層１０と，第２磁性層２０と，前記第１磁性層１０と前記第２磁性層２０との間に設けられた中間層３０と，を含むものであり，前記中間層３０は，非磁性層であり，
　前記第１磁性層１０は，磁化自由層であり，前記第２磁性層２０は，磁化固定層であり，
　前記中間層３０には，絶縁体を用いることができ，前記絶縁体としては，マグネシウム酸化物（ＭｇＯ等）を用いることができるものであり，
　前記中間層３０としてＭｇＯのような酸化物を用いた場合，ＭｇＯ層上の磁性層は，一般的にプラスの磁歪定数を有するので，中間層３０の上に第１磁性層１０を形成する場合，第１磁性層１０として，ＣｏＦｅＢ／ＣｏＦｅ／ＮｉＦｅの積層構成の磁化自由層を用いるものであり，
　ここで，最上層のＮｉＦｅ層をＮｉリッチにすると，ＮｉＦｅ層の磁歪定数はマイナスでその絶対値が大きくなるので，酸化物層上のプラスの磁歪が打ち消されることを抑制するために，最上層のＮｉＦｅ層のＮｉ組成は，一般的に用いられるＮｉ８１Ｆｅ１９のパーマロイ組成と比較して，Ｎｉリッチにせず，具体的には，最上層のＮｉＦｅ層におけるＮｉの比率は，８０原子パーセント（ａｔｏｍｉｃ％）未満とすることが好ましいものであり，
　前記歪検知素子部５０は，バイアス層５５ａ及び５５ｂ（ハードバイアス層）をさらに含み，前記バイアス層５５ａ及び５５ｂは，歪抵抗変化部５０ｓに対向して設けられるものであり，前記バイアス層５５ａ及び５５ｂは，前記第２磁性層２０に並置され，前記バイアス層５５ａ及び５５ｂの間に，前記歪抵抗変化部５０ｓが配置されるものであり，
　前記バイアス層５５ａと前記歪抵抗変化部５０ｓとの間に絶縁層５４ａが設けられ，前記バイアス層５５ｂと前記歪抵抗変化部５０ｓとの間に絶縁層５４ｂが設けられ，
　前記第１配線層６１と前記第２配線層６２との間には，絶縁層６５（例えばＳｉＯ２層など）が設けられ，また，前記第１配線層６１の可動部分６４側の端部と，前記第２配線層６２の可動部分６４側の端部とに接して絶縁層６６（例えばＳｉＯ２層など）が設けられる，
　圧力センサとして用いることができる歪検知装置３１０。」 
２　引用文献２の記載
（１）引用文献２には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「【請求項１】
磁化自由層と，この磁化自由層に接して積層された絶縁体層と，この絶縁体層に接して積層された磁化固着層の積層構造を含む強磁性トンネル接合部を１重または２重以上有し，
前記磁化固着層の平面積が前記磁化自由層の平面積より小さい
  
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のような記憶原理上，ＴＭＲ素子をＭＲＡＭに用いる場合には，出力となる磁気抵抗変化率が大きいということはもちろん，書き込む際の反転磁場（スイッチング磁場）と比例関係にある磁化自由層の保磁力が小さいということが望まれる。しかし，保磁力すなわちスイッチング磁場は，素子サイズ，形状，強磁性材料の磁化，膜厚などに依存しており，一般に記憶セルのサイズが小さくなるとスイッチング磁場は大きくなる。このことはＭＲＡＭの書き込みに大きな電流磁場を必要とし，消費電力が大きくなるということを意味する。さらに，ＭＲＡＭの高集積化を考えた場合は，消費電力の増大がより一層顕著になるという点で大きな問題である。従って，ＭＲＡＭの記憶セルに用いられる磁化自由層の保磁力を低減することは，高集積化ＭＲＡＭを実現する上で重要な課題である。
【０００７】現在，ＭＲＡＭの記憶セルにＴＭＲ素子を用いる場合，
素子の平面形状を長方形にすることが考えられている
ＴＭＲ素子を長方形にすると，形状異方性のために磁化自由層の長手方向が磁化容易軸となり，読み出し時の磁化状態を安定化できるためである。すなわち，長方形の磁化自由層の内部磁化は，中央付近で磁気異方性と交換相互作用の効果から，磁化容易軸方向に沿って平行に揃っている状態が最も安定である
【０００８】
しかし，素子サイズが小さくなると，長方形の磁化自由層では，両端に生じた磁極による反磁場の影響により，短辺の長さの逆数に比例してスイッチング磁場が増大することが知られている
また，長方形の磁化自由層の両端部には，磁極発生に伴う静磁エネルギーを減少させようとして，中央部と異なる磁化方向を持つ磁区（エッジドメイン）が形成される。このエッジドメインは磁化反転の引き金の役割を果たし，残留磁化すなわち出力となる磁気抵抗変化率を低下させる。エッジドメインの大きさは，素子サイズが小さくなっても，長方形のアスペクト比（短辺：長辺）が同じであれば，それほど変化しない。このため，エッジドメインの影響は，素子サイズが小さくなると相対的に大きくなり，出力を低下させる
「【００２２】本発明の実施形態においては，
エッジドメインの影響を低減するために，磁化固着層の平面積を磁化自由層の平面積より小さく設計し，ＴＭＲ素子のセンシング部（磁化自由層と磁化固着層との重なり部分）がエッジドメインに重ならないようにする
【００２３】上記のシミュレーションによれば，エッジドメインの影響による出力の低下を抑制するには，磁化固着層の平面積を磁化自由層の平面積の８７％より小さくすることが好ましいことがわかる。さらに，磁化自由層の長辺端部に生じる形状の揺らぎを考慮して，エッジドメインの影響を避けるには，磁化固着層の平面積を磁化自由層の平面積の７０％より小さくするのがより好ましい。このような条件を満たしていれば，無磁場での出力の低下が少なく，安定した出力を示すＴＭＲ素子を得ることができる。
【００２４】図３（ａ）および（ｂ）に，本発明の一実施形態に係る磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子の断面図および平面図を示す。図３（ａ）に示すように，このＴＭＲ素子は，下部電極層１１上に，バッファ層１２，磁化自由層１３，トンネルバリア層１４，磁化固着層１５，反強磁性層１６，表面保護層１７を積層した構造を有する。このＴＭＲ素子では，トンネルバリア層１４より下の各層の面積よりも，磁化固着層１５より上の各層の面積を小さくしている。
このように磁化自由層１３と磁化固着層１５との間に，磁化固着層１５よりも面積の大きく磁化自由層１３とほぼ同じ面積でトンネルバリア層１４を残すようにすると，側面におけるエッチング残渣の付着によるリークの問題を確実に防止できる
（２）したがって，上記記載から，引用文献２には，次の技術的事項が記載されていると認められる。
・素子の平面形状が長方形の場合，素子サイズが小さくなると，エッジドメインの影響が相対的に大きくなり，出力を低下させる方向に作用すること。
・磁化固着層の平面積を磁化自由層の平面積より小さく設計し，ＴＭＲ素子のセンシング部（磁化自由層と磁化固着層との重なり部分）がエッジドメインに重ならないようにすることで，エッジドメインの影響が低減されること。
・磁化自由層と磁化固着層との間に，磁化固着層よりも面積の大きく磁化自由層とほぼ同じ面積でトンネルバリア層を残すようにすると，側面におけるエッチング残渣の付着によるリークの問題を確実に防止できること。
３　引用文献３の記載
（１）引用文献３には，図面とともに，以下の記載がある。
「【００１３】
図１は，第１の実施形態に係る血圧センサ１０を用いた図である
「【００１８】
血圧センサ１０は，基板２０上に電極３０が設けられ，電極３０上に磁化が一方向に向いている磁化固着層４０が設けられている。磁化固着層４０上には非磁性層５０が設けられ，非磁性層５０上には磁化の向きが可変な磁化自由層６０が設けられている。磁化自由層６０上には電極７０が設けられている。磁化固着層４０と磁化自由層６０との配置が入れ替わっても良い。磁化固着層４０と磁化自由層６０は強磁性体である。
電極３０，磁化固着層４０，非磁性層５０，磁化自由層６０，電極７０を含む構成を磁気抵抗効果素子
  
（２）したがって，上記記載から，引用文献３には，次の技術的事項が記載されていると認められる。
・磁気抵抗効果素子が，血圧センサに用いられること。 
 
第６　対比 
　本願発明と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
１　引用発明の「非空洞部７１」，「『ダイアフラム部６１ｂを有』する『可動部分６４』」，「歪検知素子部５０」は，それぞれ，本願発明の「支持部」，「変形可能な膜部」，「歪検出素子」に相当する。
２　引用発明の「『磁化自由層であ』る『第１磁性層１０』」，「第２磁性層２０」，「『マグネシウム酸化物（ＭｇＯ等）を用い』た『中間層３０』」は，それぞれ，本願発明の「磁化方向が可変な第１の磁性層」，「第２の磁性層」，「『マグネシウム（Ｍｇ）及び酸素（Ｏ）を含む』『中間層』」に相当する。
　そして，引用発明において，「第１磁性層１０」は，「中間層３０の上に」形成されるのであり，かつ，前記「中間層３０」は「前記第１磁性層１０と前記第２磁性層２０との間に設けられ」るのであるから，引用発明の「第２磁性層２０」は，「第１磁性層１０」及び「中間層３０」の下に設けられていること，すなわち，引用発明の「第２磁性層２０」が，「第１磁性層１０」と「可動部分６４」との間に設けられていることは明らかである。
３　引用発明の「絶縁層５４ａ」，「絶縁層５４ｂ」，「絶縁層６５（例えばＳｉＯ２層など）」及び「絶縁層６６（例えばＳｉＯ２層など）」は，いずれも，本願発明の「前記第１の磁性層の第１方向に配置され，前記第１の磁性層に接する絶縁層」に相当する。
　そうすると，引用文献１には，以下の範囲で，本願発明と，一致及び相違する発明が記載されている。
  
＜一致点＞ 
「支持部と，
　前記支持部に支持された変形可能な膜部と，
　前記膜部に設けられた歪検出素子と
　を有し，
　前記歪検出素子は，
　磁化方向が可変な第１の磁性層と，
　前記膜部と前記第１の磁性層との間に設けられた第２の磁性層と，
　前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられた中間層と，
　前記第１の磁性層の第１方向に配置され，前記第１の磁性層に接する絶縁層と
　を備え，
　前記第１方向は，前記第２の磁性層，前記中間層及び前記第１の磁性層の積層方向と交差し，
　前記膜部の変形に応じて，前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間の電気抵抗値が変化し，
　前記中間層はマグネシウム（Ｍｇ）及び酸素（Ｏ）を含む
　圧力センサ。」 
＜相違点＞ 
　本願発明が，「前記第１の磁性層の面積は，前記第２の磁性層の面積よりも大きく，前記中間層の面積は，前記第２の磁性層の面積よりも大きく」という構成を備えるのに対して，引用発明は，そのような構成を備えていない点。
第７　判断 
　上記相違点について，判断する。
　上記第５の２（２）のとおり，引用文献２には，素子の平面形状が長方形の場合，素子サイズが小さくなると，エッジドメインの影響が相対的に大きくなり，出力を低下させる方向に作用すること。
　磁化固着層の平面積を磁化自由層の平面積より小さく設計し，ＴＭＲ素子のセンシング部（磁化自由層と磁化固着層との重なり部分）がエッジドメインに重ならないようにすることで，エッジドメインの影響が低減されること。及び，
　磁化自由層と磁化固着層との間に，磁化固着層よりも面積の大きく磁化自由層とほぼ同じ面積でトンネルバリア層を残すようにすると，側面におけるエッチング残渣の付着によるリークの問題を確実に防止できることが記載されている。
　
　一方，引用文献１の【０００２】に，「微小領域でも高感度に歪を測定することができる歪センサが必要とされている。」と記載されているように，素子の微細化は一般的な課題である。
　そうすると，「Ｘ軸方向に沿った長さは，歪検知素子部５０のＹ軸方向に沿った長さと異なって」いる「歪検知素子部５０」を備えた引用発明に係る「圧力センサとして用いることができる歪検知装置」を微細化するにあたり，出力の低下を抑制するために，引用発明の「磁化自由層」である「第１磁性層１０」の面積を，「磁化固定層」である「第２磁性層２０」の面積よりも大きくするとともに，「絶縁体を用いる」「中間層３０」の面積を，「磁化固定層」である「第２磁性層２０」の面積よりも大きくすること，すなわち，上記相違点について本願発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことであり，その効果も当業者が予測する範囲内のものといえる。
  
第８　むすび
　以上のとおり，この出願の特許請求の範囲の請求項１の記載は，特許を受けようとする発明を明確に記載したものではないから，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　さらに，本願の請求項１に係る発明は，この出願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１−３に記載された発明に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。