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　特願２０１３−　３１１６５「相分離構造を含む構造体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　９月　４日出願公開、特開２０１４−１６０７７０、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
　１　手続の経緯
　本願は、平成２５年２月２０日の出願であって、その手続の経緯は次のとおりである。
　平成２８年　８月２２日付け：拒絶理由通知
　平成２８年１０月３１日　　：意見書・手続補正書
　平成２９年　３月１０日付け：拒絶理由通知（最初）
　平成２９年　５月１９日　　：意見書・手続補正書
　平成２９年１０月　２日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。）
　平成３０年　１月　９日　　：審判請求書
　２　原査定の概要
　原査定の理由の概要は次のとおりである。
　本願請求項１〜２に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた特願２０１３−２８０１３号（以下「先願」という。特開２０１４−１５７９２９号公報参照。）の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本願請求項１〜２に係る発明をした者が先願に係る上記の発明をした者と同一でなく、また、本願の出願の時において、本願の出願人が先願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
　３　本願発明の認定
　本願請求項１〜２に係る発明（以下「本願発明１」〜「本願発明２」という。）は、平成２９年５月１９日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定される発明であるところ、本願発明１は以下のとおりである。
「基板上に、ブロックコポリマーを構成するいずれのポリマーとも親和性を有する表面処理剤を含む中性化膜を形成する工程と、
　前記中性化膜の上に、露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する感光性樹脂組成物を用いて感光性樹脂膜を形成し、露光し、現像して感光性樹脂パターンを形成する工程と、
　前記感光性樹脂パターン上に、前記感光性樹脂パターン及び中性化膜を被覆するように、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層を形成する工程と、
　当該感光性樹脂パターン及び中性化膜上の、当該ブロックコポリマーを含む層を相分離させ、当該感光性樹脂パターン上及び中性化膜上に相分離構造を形成する工程と、
を有し、前記感光性樹脂パターンは、基板表面からの高さが２２ｎｍ未満であることを特徴とする相分離構造を含む構造体の製造方法。」
　なお、本願発明２は、本願発明１を減縮した発明である。
　４　先願明細書等の記載事項及び先願明細書等発明の認定
（１）先願（上記２）の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面（以下「先願明細書等」という。）には、次の事項が記載されていると認められる（下線は、当審が付した。以下同じ。）。
　ア　「次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。図９は、かかるウェハ処理の主な工程の例を示すフローチャートである。」（【００７９】）、
「先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、基板処理システム１のカセットステーション１０に搬入され、ウェハ搬送装置２３によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次処理ステーション１１の受け渡し装置５３に搬送される。」（【００８０】）、
「次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、温度調節される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって反射防止膜形成装置３２に搬送され、図１０に示すように
ウェハＷ上に反射防止膜４００が形成される
「次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって中性層形成装置３３に搬送される。中性層形成装置３３では、図１０に示すように
ウェハＷの反射防止膜４００上に中性剤が塗布されて、中性層４０１が形成される
「次にウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって受け渡し装置５４に搬送される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によってアドヒージョン装置４２に搬送され、アドヒージョン処理される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によってレジスト塗布装置３４に搬送され、
ウェハＷの中性層４０１上にレジスト液が塗布されて、レジスト膜が形成される
「次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって周辺露光装置４３に搬送され、周辺露光処理される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって受け渡し装置５６に搬送される。次にウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって受け渡し装置５２に搬送され、シャトル搬送装置８０によって受け渡し装置６２に搬送される。」（【００８４】）、
「その後ウェハＷは、インターフェイスステーション１３のウェハ搬送装置１１０によって露光装置１２に搬送され、
露光処理される
「次にウェハＷは、ウェハ搬送装置１１０によって露光装置１２から受け渡し装置６０に搬送される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、
露光後ベーク処理される
現像される
ウェハＷの中性層４０１上に所定のレジストパターン４０２が形成される
「その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２に搬送される。そして、ウェハＷはウェハ搬送装置１００によって検査ユニット６３に搬送され、ウェハＷの検査が行われる。ここでは、例えばレジストパターン４０２の寸法の検査が行われる。検査ユニット６３で検査結果は制御部３００に入力される。」（【００８７】）、
「次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によってブロック共重合体塗布装置３５に搬送される。ブロック共重合体塗布装置３５では、ミキサー１９０により所定量の溶剤が混合されたブロック共重合体がウェハＷに供給され、図１２に示すように、
レジストパターン４０２の
にブロック共重合体４０３が塗布される
「次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によってポリマー分離装置４１に搬送され、熱板２０２に載置される。それ共に、ポリマー分離装置４１の処理容器２００内に処理ガスとしてブロック共重合体４０３の溶剤の蒸気が供給される。この際、制御部３００により供給機器群２２３が制御され、処理容器２００内の溶剤濃度が所定の値に設定される。なお、処理容器２００内の溶剤濃度の設定値の決定方法については後述する。」（【００８９】）、
「処理容器２００内の溶剤濃度が所定の濃度に調整されると、次にポリマー分離装置４１では、まず熱板２０２によりウェハＷが熱処理される。この熱処理においては、例えば図１３に示すパターンでウェハＷが加熱される。図１３の縦軸は熱板２０２の温度、横軸はウェハＷの加熱時間である。図１３に示すように、熱処理においては熱板２０２を第１の温度Ｔ１まで昇温し一定時間保持する。この第１の温度Ｔ１で加熱処理することで、ブロック共重合体４０３の親水性ポリマーと疎水性ポリマーを拡散させる。本実施の形態における第１の温度Ｔ１は、例えば３５０℃である。このように所定濃度の溶剤雰囲気内でウェハＷを加熱処理することで、ウェハＷ上のブロック共重合体４０３からの溶剤の蒸発を抑えられる。換言すれば、ウェハＷを溶剤雰囲気内で加熱処理することで、ウェハＷのブロック共重合体４０３に含まれる当該ブロック共重合体の溶剤の濃度が所定の濃度に維持される。なお、本発明者らによれば、処理容器２００内の溶剤はブロック共重合体４０３の表面から内部に徐々に浸透するため、処理容器２００内の溶剤濃度や熱板２０２での加熱時間を調整することで、ブロック共重合体４０３に含まれる溶剤の濃度を調整することもできる。」（【００９０】）、
「ウェハＷが第１の温度Ｔ１で所定時間熱処理されると、図１３に示すように熱板２０２が第１の温度Ｔ１より低い第２の温度Ｔ２に降温され、一定時間維持される。この第２の温度Ｔ２で所定の期間Ｙ１の間加熱処理することで、図１４及び図１５に示すように
ウェハＷ上のブロック共重合体４０３が親水性ポリマー４０４と疎水性ポリマー４０５に相分離される
　イ　「なお、以上の実施の形態では、親水性ポリマー４０４と疎水性ポリマー４０５を、同心円状に分離したパターンを例にして説明したが、本発明は様々な場面で適用が可能であり、例えば相分離後の親水性ポリマー４０４と疎水性ポリマー４０５が直線状に交互に配列する、いわゆるラメラ構造である場合に、ブロック共重合体４０３の溶剤の濃度を調整することで、親水性ポリマー４０４と疎水性ポリマー４０５のパターンの寸法を調整してもよい。ラメラ構造の場合は、ブロック共重合体４０３において、親水性ポリマー４０４の分子量の比率は４０％〜６０％であり、疎水性ポリマー４０５の分子量の比率は６０％〜４０％である。」（【０１０８】）、
「例えば、図１８に示すように、ブロック共重合体４０３によりラメラ構造を形成する場合も、シリンダー状に相分離させる場合と同様に、レジストパターン４０２に沿って親水性ポリマー４０４と疎水性ポリマー４０５が配列する。この際のレジストパターン４０２は、平面視において直線状のライン部と直線状のスペース部を有する、いわゆるラインアンドスペースのレジストパターンである。かかるラメラ構造のパターンにおいても、ピッチサイズＰ０はχパラメータの値に依存して変化する。そして、ブロック共重合体４０３をラメラ構造に相分離させる場合は、スペース部の幅は、当該スペース部に親水性ポリマー４０４と疎水性ポリマー４０５が交互に奇数層に配置されるように設定される。」（【０１０９】）、
「しかしながら、何らかの不具合によりレジストパターン４０２のスペース部の幅が所望の値より小さくなり、例えば親水性ポリマー４０４と疎水性ポリマー４０５が交互に３層に配置されるべきところが２層分のスペースとなってしまった場合は、スペース部に親水性ポリマー４０４と疎水性ポリマー４０５が適正に配列しなくなる。その結果、所望のパターンを得ることができなくなる。かかる場合も、加熱処理の所定期間Ｙ１終了時においてブロック共重合体４０３に含まれる溶剤の濃度を調整し、親水性ポリマー４０４と疎水性ポリマー４０５によるパターンのピッチサイズＰ０を小さくすることで、レジストパターン４０２のスペース部に親水性ポリマー４０４と疎水性ポリマー４０５を交互に３層配置させることができる。」（【０１１０】）
　ウ　図１８からは、【０１０８】の「相分離後の親水性ポリマー４０４と疎水性ポリマー４０５が直線状に交互に配列する、いわゆるラメラ構造である場合」との記載を併せれば、
相分離後のラメラ構造が、レジストパターン４０２上及び中性層４０１上に形成される
（２）上記（１）の各事項によれば、先願明細書等には、次の発明（以下「先願明細書等発明」という。）が記載されていると認められる。なお、参考のため、先願明細書等発明の認定に使用した先願明細書等の段落番号等を、括弧内に付記してある。
「ウェハＷ上に反射防止膜４００が形成され、ウェハＷの反射防止膜４００上に中性剤が塗布されて、中性層４０１が形成される工程と、（【００８１】・【００８２】）
　ウェハＷの中性層４０１上にレジスト液が塗布されて、レジスト膜が形成され、露光処理され、露光後ベーク処理され、現像され、ウェハＷ上の中性層４０１上に所定のレジストパターン４０２が形成される工程と、（【００８３】・【００８５】・【００８６】）
　ウェハＷに、ブロック共重合体４０３が塗布される工程と、（【００８８】）
　ウェハＷ上のブロック共重合体４０３が親水性ポリマー４０４と疎水性ポリマー４０５に相分離され、相分離後のラメラ構造が、レジストパターン４０２上及び中性層４０１上に形成される工程と、（【００９１】・上記（１）ウ）
　を有する、
　相分離構造の製造方法。」
　５　対比・判断
（１）本願発明１について
　ア　本願発明１と先願明細書等発明とを対比する。
（ア）本願発明１の「基板上に、ブロックコポリマーを構成するいずれのポリマーとも親和性を有する表面処理剤を含む中性化膜を形成する工程」との特定事項について
　ａ　先願明細書等発明の「ウェハＷ」は、本願発明１の「基板」に相当する。
　ｂ　先願明細書等発明の「『中性剤』を含む『中性層４０１』」は、本願発明１の「ブロックコポリマーを構成するいずれのポリマーとも親和性を有する表面処理剤を含む中性化膜」に相当する。
　ｃ　よって、先願明細書等発明は、本願発明１の「基板上に、ブロックコポリマーを構成するいずれのポリマーとも親和性を有する表面処理剤を含む中性化膜を形成する工程」との特定事項を備える。
（イ）本願発明１の「前記中性化膜の上に、露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する感光性樹脂組成物を用いて感光性樹脂膜を形成し、露光し、現像して感光性樹脂パターンを形成する工程」との特定事項について
　ａ　先願明細書等発明の「レジスト液」、「レジスト膜」及び「レジストパターン４０２」は、それぞれ、本願発明１の「感光性樹脂組成物」、「感光性樹脂膜」及び「感光性樹脂パターン」に相当する。
　ｂ　よって、先願明細書等発明は、本願発明１の上記特定事項のうち、「前記中性化膜の上に、」「感光性樹脂組成物を用いて感光性樹脂膜を形成し、露光し、現像して感光性樹脂パターンを形成する工程」を備える。
　ｃ　しかし、先願明細書等発明は、「レジスト液」（本願発明１の「感光性樹脂組成物」に相当。）が「露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する」ことを、特定しない。
（ウ）本願発明１の「前記感光性樹脂パターン上に、前記感光性樹脂パターン及び中性化膜を被覆するように、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層を形成する工程」との特定事項について
　ａ　先願明細書等発明の「ブロック共重合体４０３」は、本願発明１の「複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマー」に相当する。
　ｂ　先願明細書等発明では、「相分離後のラメラ構造が、レジストパターン４０２上及び中性層４０１上に形成される」ところ、このことと上記ａとを併せれば、先願明細書等発明が、本願発明１の「前記感光性樹脂パターン上に、前記感光性樹脂パターン及び中性化膜を被覆するように、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層を形成する工程」との特定事項を備えることは、明らかである。
（エ）本願発明１の「当該感光性樹脂パターン及び中性化膜上の、当該ブロックコポリマーを含む層を相分離させ、当該感光性樹脂パターン上及び中性化膜上に相分離構造を形成する工程」との特定事項について
　先願明細書等発明は、「ウェハＷ上のブロック共重合体４０３が親水性ポリマー４０４と疎水性ポリマー４０５に相分離され、相分離後のラメラ構造が、レジストパターン４０２上及び中性層４０１上に形成される」から、本願発明１の「当該感光性樹脂パターン及び中性化膜上の、当該ブロックコポリマーを含む層を相分離させ、当該感光性樹脂パターン上及び中性化膜上に相分離構造を形成する工程」との特定事項を備える。
（オ）本願発明１の「前記感光性樹脂パターンは、基板表面からの高さが２２ｎｍ未満である」との特定事項について
　先願明細書等発明は、「前記感光性樹脂パターンは、基板表面からの高さが２２ｎｍ未満である」との特定事項を備えない。
（カ）本願発明１の「相分離構造を含む構造体の製造方法」との特定事項について
　先願明細書等発明の「相分離構造の製造方法」は、本願発明１の「相分離構造を含む構造体の製造方法」に相当する。
　イ　上記アによれば、本願発明１と先願明細書等発明とは、
「基板上に、ブロックコポリマーを構成するいずれのポリマーとも親和性を有する表面処理剤を含む中性化膜を形成する工程と、
　前記中性化膜の上に、感光性樹脂組成物を用いて感光性樹脂膜を形成し、露光し、現像して感光性樹脂パターンを形成する工程と、
　前記感光性樹脂パターン上に、前記感光性樹脂パターン及び中性化膜を被覆するように、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層を形成する工程と、
　当該感光性樹脂パターン及び中性化膜上の、当該ブロックコポリマーを含む層を相分離させ、当該感光性樹脂パターン上及び中性化膜上に相分離構造を形成する工程と、
　を有し、相分離構造を含む構造体の製造方法。」
　である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］「感光性樹脂組成物」について、本願発明１は、「露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する」ものであるのに対し、先願明細書等発明は、そのような特定を備えない点。
［相違点２］本願発明１は、「前記感光性樹脂パターンは、基板表面からの高さが２２ｎｍ未満である」のに対し、先願明細書等発明は、そのような特定を備えない点。
　ウ　相違点の判断
　上記各相違点が実質的かどうかについて判断する。
（ア）相違点１について
　先願明細書等発明の「レジスト膜」（本願発明１の「感光性樹脂組成膜」に相当。）は、露光処理された後、現像される前に、「露光後ベーク処理」がされるものである。そして、「露光後ベーク処理」される「レジスト膜」として、「露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する感光性樹脂組成物」を用いるものがあることは、例示するまでもなく技術常識であると認められる。
　したがって、相違点１は、実質的なものではない。
（イ）相違点２について
　ａ　先願明細書等は、「レジストパターン４０２」（本願発明１の「感光性樹脂パターン」に相当する。）の「基板表面からの高さが２２ｎｍ未満」であることを何ら記載しない。加えて、先願明細書等発明を実施するに当たり、「レジストパターン４０２」の「基板表面からの高さ」を「２２ｎｍ未満」とすることが技術常識であることを示す証拠がなく、さらにいえば、「２２ｎｍ未満」という具体的数値のみならず、「レジストパターン４０２」の「基板表面からの高さ」に「上限値」を設けることでさえ、これが技術常識であることを示す証拠がない。
　したがって、相違点２は、実質的であるというべきである。
　ｂ　これに対し、原査定は、先願明細書等の図１８において「レジストパターン４０２をブロック共重合体４０３で完全に被覆した上で相分離させている様子が認められる」ことから、「レジストパターン４０２の基板表面からの高さの上限を２２ｎｍと設定することの有無は、レジストパターン４０２をブロック共重合体４０３で完全に被覆するための具体化手段における微差にすぎない」旨判断する。
　しかしながら、先願明細書等発明が「レジストパターン４０２をブロック共重合体４０３で完全に被覆」している状態であるとしても、その状態を実現するための具体的手段は、「レジストパターン４０２の基板表面からの高さ」に上限値を設けることに限られるものではなく、ブロック共重合体４０３の厚さを大きくすることもあり得るところであり、むしろ、後者の方が自然であるとも解される。そうすると、「レジストパターン４０２をブロック共重合体４０３で完全に被覆した上で相分離させている様子が認められる」ことは、上記ａの判断を左右しない。
　ｃ　なお、原査定は、本願発明２に対する判断において、ポストベーク処理を１８０℃以上で行うことが周知技術であることを立証するための周知例として特開昭６０−２１０８４２号公報及び国際公開第２００５／００８３３７号を提示するが、これらの証拠をもって、上記ａの判断が左右されることはない。
（ウ）小括
　したがって、本願発明１は、先願明細書等発明と同一とはいえない。
（２）本願発明２について
　本願発明２は、本願発明１を減縮したものであるから、上記（１）と同様の理由で、先願明細書等発明と同一とはいえない。
　６　むすび
　以上のとおりであるから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。