【事件の表示】
　上記当事者間の特許第５３８５１４２号発明「オニウム含有ＣＭＰ組成物、およびそれらの使用方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第５３８５１４２号の明細書、特許請求の範囲及び図面を訂正請求書に添付された訂正明細書、特許請求の範囲及び図面のとおり訂正することを認める。
　特許第５３８５１４２号の請求項１−３、５−８、１０、１１、１３−１７、１９に記載された発明についての審判の請求は、成り立たない。
　特許第５３８５１４２号の請求項４、９、１２及び１８に係る発明についての審判請求を却下する。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本件特許第５３８５１４２号の請求項１ないし１９に係る発明についての出願（以下、「本件特許出願」という。）は、２００７年（平成１９年）９月７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００６年９月８日アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年１０月１１日にその発明についての特許権の設定登録（請求項の数１９）がなされたものでる。 
　
　以後の本件に係る手続の経緯は以下のとおりである。 
１．平成２９年６月１５日　本件無効審判の請求
２．平成２９年１０月１０日　審判事件答弁書
３．平成２９年１０月１０日　訂正請求
４．平成２９年１２月６日　審判事件弁駁書
５．平成３０年２月２１日　審理事項通知書
６．平成３０年４月１０日　口頭審理陳述要領書（請求人） 
７．平成３０年４月１０日　口頭審理陳述要領書（被請求人） 
８．平成３０年４月２４日　口頭審理 
　
第２．平成２９年１０月１０日付け訂正請求について
　平成２９年１０月１０日付け訂正請求による訂正（以下、「本件訂正」という。）によれば、請求の趣旨及び内容は、それぞれ以下のとおりである。
 　 
１．本件訂正の趣旨 
　特許第５３８５１４２号の明細書、特許請求の範囲及び図面を本訂正請求書に添付した訂正明細書、特許請求の範囲及び図面のとおり、訂正後の請求項１ないし１９について訂正することを求める。 
 　 
２．本件訂正の内容 
　本件訂正における訂正事項は、以下のとおりである。なお、下線は訂正箇所を示す。
（１）訂正事項１ 
　特許請求の範囲の請求項１の「（ｂ）ホスホニウム塩、スルホニウム塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１種のオニウム化合物と、」を、「（ｂ）
臭化テトラフェニルホスホニウム（Ｐｈ
４
ＰＢｒ）、臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化エチルトリフェニルホスホニウム（ＥｔＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅｘＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム（ＢｚＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ
４
ＰＢｒ）、水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ
４
ＰＯＨ）
【化１】
　（式中、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、直鎖Ｃ１〜Ｃ１６アルキル、分枝鎖Ｃ３〜Ｃ１６アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、直鎖Ｃ１〜Ｃ１６アルキル置換Ｃ６〜Ｃ１０アリール、および分枝鎖Ｃ３〜Ｃ１６アルキル置換Ｃ６〜Ｃ１０アリールから成る群から選択された置換または非置換炭化水素基である、該炭化水素基は、ヒドロキシル置換基、ハロ置換基、エーテル置換基、エステル置換基、カルボキシ置換基、およびアミノ置換基から成る群から選択された１種または２種以上の官能性置換基で置換されていることができる；Ｒ１およびＲ２は、複素環が芳香族である場合、Ｒ４がないという条件で、リン、Ｐを有する飽和、不飽和、または芳香族複素環を共に形成することができる；そしてＸ−は、ヒドロキシルイオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸水素イオン、リン酸二水素イオン、リン酸水素イオン、スルファミン酸イオン、および過塩素酸塩イオンからなる群から選択される。）を有し、そして、
　該スルホニウム塩が、以下の式：
【化２】
　（式中、各Ｒ５、Ｒ６、およびＲ７は、独立して、直鎖Ｃ１〜Ｃ１６アルキル、分枝鎖Ｃ３〜Ｃ１６アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、直鎖Ｃ１〜Ｃ１６アルキル置換Ｃ６〜Ｃ１０アリール、および分枝鎖Ｃ３〜Ｃ１６アルキル置換Ｃ６〜Ｃ１０アリールから成る群から選択された置換または非置換炭化水素基であり、該炭化水素基は、ヒドロキシル置換基、ハロ置換基、エーテル置換基、エステル置換基、カルボキシ置換基、およびアミノ置換基から成る群から選択された１種または２種以上の官能性置換基で置換されていることができる；Ｒ５およびＲ６は、複素環が芳香族である場合、Ｒ７がないという条件で、硫黄、Ｓを有する飽和、不飽和、または芳香族複素環を共に形成することができる；そしてＸ−は、ヒドロキシルイオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸水素イオン、リン酸二水素イオン、リン酸水素イオン、スルファミン酸イオン、および過塩素酸塩イオンからなる群から選択される。）を有する、ＣＭＰ組成物。」を、 「該組成物は５以下のｐＨを有
する、
　
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項４を削除する。
　
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項６の「（ｂ）１グラム当たり０.４〜２０マイクロモルの少なくとも１種のホスホニウム塩と、」を、 「（ｂ）
臭化テトラフェニルホスホニウム（Ｐｈ
４
ＰＢｒ）、臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化エチルトリフェニルホスホニウム（ＥｔＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅｘＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム（ＢｚＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ
４
ＰＢｒ）、水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ
４
ＰＯＨ）、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された、
【化３】
　（式中、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、直鎖Ｃ１〜Ｃ１６アルキル、分枝鎖Ｃ３〜Ｃ１６アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、直鎖Ｃ１〜Ｃ１６アルキル置換Ｃ６〜Ｃ１０アリール、および分枝鎖Ｃ３〜Ｃ１６アルキル置換Ｃ６〜Ｃ１０アリールから成る群から選択された置換または非置換炭化水素基である、該炭化水素基は、ヒドロキシル置換基、ハロ置換基、エーテル置換基、エステル置換基、カルボキシ置換基、およびアミノ置換基から成る群から選択された１種または２種以上の官能性置換基で置換されていることができる；Ｒ１およびＲ２は、複素環が芳香族である場合、Ｒ４がないという条件で、リン、Ｐを有する飽和、不飽和、または芳香族複素環を共に形成することができる；そしてＸ−は、ヒドロキシルイオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸水素イオン、リン酸二水素イオン、リン酸水素イオン、スルファミン酸イオン、および過塩素酸塩イオンからなる群から選択される。）を有する、ＣＭＰ組成物。」を、「該組成物は、５以下のｐＨを有
する、
　
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項９を削除する。
　
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項１１の「該基材の表面を、請求項１のＣＭＰ組成物で磨耗させることを含む、基材を研磨するための化学的機械的研磨（ＣＭＰ）方法。」を、 「
半導体
該
　
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項１２を削除する。
　
（７）訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項１３の「該基材の表面を、請求項６のＣＭＰ組成物で磨耗させることを含む、基材を研磨するための化学的機械的研磨（ＣＭＰ）方法。」を、 「
半導体
該
　
（８）訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項１４の「（ａ）半導体基材の表面と、研磨パッドおよび水性ＣＭＰ組成物とを接触させる工程であって、 該ＣＭＰ組成物は、５以下のｐＨを有し、そしてコロイドシリカと、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された、少なくとも１種のオニウム化合物と、それらの水性キャリアーとを含む工程と、」を、 「（ａ）半導体基材の表面と、研磨パッドおよび水性ＣＭＰ組成物とを接触させる工程であって、 該ＣＭＰ組成物は、５以下のｐＨを有し、そしてコロイドシリカと、
臭化テトラフェニルホスホニウム（Ｐｈ
４
ＰＢｒ）、臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化エチルトリフェニルホスホニウム（ＥｔＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅｘＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム（ＢｚＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ
４
ＰＢｒ）、水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ
４
ＰＯＨ）
ホスホニウム塩
【化４】
　（式中、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、直鎖Ｃ１〜Ｃ１６アルキル、分枝鎖Ｃ３〜Ｃ１６アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、直鎖Ｃ１〜Ｃ１６アルキル置換Ｃ６〜Ｃ１０アリール、および分枝鎖Ｃ３〜Ｃ１６アルキル置換Ｃ６〜Ｃ１０アリールから成る群から選択された置換または非置換炭化水素基である、該炭化水素基は、ヒドロキシル置換基、ハロ置換基、エーテル置換基、エステル置換基、カルボキシ置換基、およびアミノ置換基から成る群から選択された１種または２種以上の官能性置換基で置換されていることができる；Ｒ１およびＲ２は、複素環が芳香族である場合、Ｒ４がないという条件で、リン、Ｐを有する飽和、不飽和、または芳香族複素環を共に形成することができる；そしてＸ−は、ヒドロキシルイオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸水素イオン、リン酸二水素イオン、リン酸水素イオン、スルファミン酸イオン、および過塩素酸塩イオンからなる群から選択される。）を有し、そして、
　該スルホニウム塩が、以下の式：
【化５】
　（式中、各Ｒ５、Ｒ６、およびＲ７は、独立して、直鎖Ｃ１〜Ｃ１６アルキル、分枝鎖Ｃ３〜Ｃ１６アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、直鎖Ｃ１〜Ｃ１６アルキル置換Ｃ６〜Ｃ１０アリール、および分枝鎖Ｃ３〜Ｃ１６アルキル置換Ｃ６〜Ｃ１０アリールから成る群から選択された置換または非置換炭化水素基であり、該炭化水素基は、ヒドロキシル置換基、ハロ置換基、エーテル置換基、エステル置換基、カルボキシ置換基、およびアミノ置換基から成る群から選択された１種または２種以上の官能性置換基で置換されていることができる；Ｒ５およびＲ６は、複素環が芳香族である場合、Ｒ７がないという条件で、硫黄、Ｓを有する飽和、不飽和、または芳香族複素環を共に形成することができる；そしてＸ−は、ヒドロキシルイオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸水素イオン、リン酸二水素イオン、リン酸水素イオン、スルファミン酸イオン、および過塩素酸塩イオンからなる群から選択される。）、ＣＭＰ法。」を、 「の各ステップを含んで成
る、
　
（９）訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項１８を削除する。
　
（１０）訂正事項１０
　明細書の段落【００２２】に記載された「硫酸イオン」、「リン酸イオン」及び「リン酸水素イオン」を削除する。 
　
（１１）訂正事項１１
　明細書の段落【００２３】に記載された「臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭＰｈ３ＰＢｒ）、「臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ３Ｂｒ）」及び「臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅＸＰｈ３ＰＢｒ）」を、それぞれ「臭化メチルトリフェニルホスホニウム（Ｍ
ｅ
Ｐ
ｘ
　
（１２）訂正事項１２
　明細書の段落【００４５】に記載された「臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ３Ｂｒ）」及び「臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ３Ｂｒ）」を、それぞれ「臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ３
Ｐ
Ｐ
　
（１３）訂正事項１３
　訂正前の図４を図５に訂正し、同様に訂正前の図５を図４に訂正する。
　
３．訂正請求の適否（訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更、及び、一群の請求項）
（１）訂正事項１について  
　訂正前の請求項１に係る特許発明は、「少なくとも１種のオニウム化合物」について、「ホスホニウム塩、スルホニウム塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された」ものであることを特定し、さらに「該ホスホニウム塩が、以下の式：
　【化１】
（式中、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、直鎖Ｃ１〜Ｃ１６アルキル、分枝鎖Ｃ３〜Ｃ１６アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、直鎖Ｃ１〜Ｃ１６アルキル置換Ｃ６〜Ｃ１０アリール、および分枝鎖Ｃ３〜Ｃ１６アルキル置換Ｃ６〜Ｃ１０アリールから成る群から選択された置換または非置換炭化水素基である、該炭化水素基は、ヒドロキシル置換基、ハロ置換基、エーテル置換基、エステル置換基、カルボキシ置換基、およびアミノ置換基から成る群から選択された１種または２種以上の官能性置換基で置換されていることができる；Ｒ１およびＲ２は、複素環が芳香族である場合、Ｒ４がないという条件で、リン、Ｐを有する飽和、不飽和、または芳香族複素環を共に形成することができる；そしてＸ−は、ヒドロキシルイオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸水素イオン、リン酸二水素イオン、リン酸水素イオン、スルファミン酸イオン、および過塩素酸塩イオンからなる群から選択される。）を有」することを特定している。
　これに対して、訂正後の請求項１は、「
臭化テトラフェニルホスホニウム（Ｐｈ
４
ＰＢｒ）、臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化エチルトリフェニルホスホニウム（ＥｔＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅｘＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム（ＢｚＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ
４
ＰＢｒ）、水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ
４
ＰＯＨ）
　また、訂正事項１は、一般式で特定されている「少なくとも１種のオニウム化合物」という発明特定事項を概念的により下位の具体的な「オニウム化合物」にするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　さらに、訂正事項１は、訂正前の請求項４、明細書の段落【００２３】及び実施例の例１〜３に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　
（２）訂正事項２について  
　訂正事項２は、請求項４を削除するものであるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、訂正事項２は、請求項４を削除するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　さらに、訂正事項２は、請求項４を削除するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　
（３）訂正事項３について
　訂正前の請求項６に係る特許発明は、「少なくとも１種のホスホニウム塩」について、「該ホスホニウム塩が、以下の式：
　　【化３】
　（式中、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、直鎖Ｃ１〜Ｃ１６アルキル、分枝鎖Ｃ３〜Ｃ１６アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、直鎖Ｃ１〜Ｃ１６アルキル置換Ｃ６〜Ｃ１０アリール、および分枝鎖Ｃ３〜Ｃ１６アルキル置換Ｃ６〜Ｃ１０アリールから成る群から選択された置換または非置換炭化水素基である、該炭化水素基は、ヒドロキシル置換基、ハロ置換基、エーテル置換基、エステル置換基、カルボキシ置換基、およびアミノ置換基から成る群から選択された１種または２種以上の官能性置換基で置換されていることができる；Ｒ１およびＲ２は、複素環が芳香族である場合、Ｒ４がないという条件で、リン、Ｐを有する飽和、不飽和、または芳香族複素環を共に形成することができる；そしてＸ−は、ヒドロキシルイオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸水素イオン、リン酸二水素イオン、リン酸水素イオン、スルファミン酸イオン、および過塩素酸塩イオンからなる群から選択される。）を有」することを特定している。
　これに対して、訂正後の請求項６は、「
臭化テトラフェニルホスホニウム（Ｐｈ
４
ＰＢｒ）、臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化エチルトリフェニルホスホニウム（ＥｔＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅｘＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム（ＢｚＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ
４
ＰＢｒ）、水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ
４
ＰＯＨ）、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された
　また、訂正事項３は、一般式で特定されている「少なくとも１種のホスホニウム塩」という発明特定事項を概念的により下位の具体的なホスホニウム塩にするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　さらに、訂正事項３は、訂正前の請求項９、明細書の段落【００２３】及び実施例の例１〜３に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
 　  
（４）訂正事項４について  
　訂正事項４は、請求項９を削除するものであるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、訂正事項４は、請求項９を削除するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　さらに、訂正事項４は、請求項９を削除するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　
（５）訂正事項５について  
　訂正後の請求項１１は、訂正前の請求項１１に「基材」と記載されていたのを、「
半導体
　また、訂正事項５は、「基材」という発明特定事項を概念的により下位の「
半導体
　さらに、訂正事項５は、訂正前の請求項１４、明細書の段落【００１４】【００１６】及び【００３６】に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　
（６）訂正事項６について  
　訂正事項６は、請求項１２を削除するものであるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、訂正事項６は、請求項１２を削除するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　さらに、訂正事項６は、請求項１２を削除するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　
 （７）訂正事項７について  
　訂正後の請求項１３は、訂正前の請求項１３に「基材」と記載されていたのを、「
半導体
　また、訂正事項７は、「基材」という発明特定事項を概念的により下位の「
半導体
　さらに、訂正事項７は、訂正前の請求項１４、明細書の段落【００１４】【００１６】及び【００３６】に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　
（８）訂正事項８について  
　訂正前の請求項１４に係る特許発明は、「少なくとも１種のオニウム化合物」について、「ホスホニウム塩、スルホニウム塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された」ものであることを特定し、さらに「該ホスホニウム塩が、以下の式：
　　【化４】
　（式中、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、直鎖Ｃ１〜Ｃ１６アルキル、分枝鎖Ｃ３〜Ｃ１６アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、直鎖Ｃ１〜Ｃ１６アルキル置換Ｃ６〜Ｃ１０アリール、および分枝鎖Ｃ３〜Ｃ１６アルキル置換Ｃ６〜Ｃ１０アリールから成る群から選択された置換または非置換炭化水素基である、該炭化水素基は、ヒドロキシル置換基、ハロ置換基、エーテル置換基、エステル置換基、カルボキシ置換基、およびアミノ置換基から成る群から選択された１種または２種以上の官能性置換基で置換されていることができる；Ｒ１およびＲ２は、複素環が芳香族である場合、Ｒ４がないという条件で、リン、Ｐを有する飽和、不飽和、または芳香族複素環を共に形成することができる；そしてＸ−は、ヒドロキシルイオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸水素イオン、リン酸二水素イオン、リン酸水素イオン、スルファミン酸イオン、および過塩素酸塩イオンからなる群から選択される。）を有」することを特定している。
　これに対して、訂正後の請求項１４は、「
臭化テトラフェニルホスホニウム（Ｐｈ
４
ＰＢｒ）、臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化エチルトリフェニルホスホニウム（ＥｔＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅｘＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム（ＢｚＰｈ
３
ＰＢｒ）、臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ
４
ＰＢｒ）、水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ
４
ＰＯＨ）
　また、訂正事項８は、一般式で特定されている「少なくとも１種のオニウム化合物」という発明特定事項を概念的により下位の具体的な「ホスホニウム塩」にするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　さらに、訂正事項８は、訂正前の請求項１８、明細書の段落【００２３】及び実施例の例１〜３に基づいて導き出される構成であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
（９）訂正事項９について  
　訂正事項９は、請求項１８を削除するものであるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、訂正事項９は、請求項１８を削除するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　さらに、訂正事項９は、請求項１８を削除するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　
（１０）訂正事項１０について  
　訂正事項１０は、明細書の段落【００２２】に記載された「Ｘ-」の選択肢から２価又は３価のイオンである「硫酸イオン」、「リン酸イオン」及び「リン酸水素イオン」を削除するものであるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項１０は、明細書の段落【００２２】に記載された「Ｘ-」の選択肢から２価又は３価のイオンである「硫酸イオン」、「リン酸イオン」及び「リン酸水素イオン」を削除するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　さらに、訂正事項１０は、明細書の段落【００２２】に記載された「Ｘ-」の選択肢から２価又は３価のイオンである「硫酸イオン」、「リン酸イオン」及び「リン酸水素イオン」を削除するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　
（１１）訂正事項１１について  
　訂正前の明細書の段落【００２３】に記載された「臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭＰｈ３ＰＢｒ）」、「臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ３Ｂｒ）」及び「臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅＸＰｈ３ＰＢｒ）」は、図１及び２の記載から、それぞれ「臭化メチルトリフェニルホスホニウム（Ｍ
ｅ
Ｐ
ｘ
　また、訂正事項１１は、単に明細書中の誤記を訂正するものであり、実質的に記載の意味を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　さらに、訂正事項１１は、図１及び２の正しい記載に基づいて誤記を訂正するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　
（１２）訂正事項１２について  
　訂正前の明細書の段落【００４５】に記載された「臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ３Ｂｒ）」及び「臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ３Ｂｒ）」は、図１及び２の記載から、それぞれ「臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ３
Ｐ
Ｐ
　また、訂正事項１２は、単に明細書中の誤記を訂正するものであり、実質的に記載の意味を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　さらに、訂正事項１２は、図１及び２の正しい記載に基づいて誤記を訂正するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　
（１３）訂正事項１３について  
　訂正前の明細書の段落【００１５】、【００５０】及び【００５１】の記載から、訂正前の図４及び５がそれぞれ図５及び４の誤記であることは明らかであり、よって訂正事項１３は特許法第１３４条の２第１項ただし書第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものである。
　また、訂正事項１３は、単に図面の誤記を訂正するものであり、実質的に記載の意味を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　さらに、訂正事項１３は、単に図面の誤記を訂正するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　
（１４）一群の請求項  
　訂正前の請求項１の記載を請求項２−５、１１及び１２は直接的または間接的に引用する関係にあるから、上記訂正事項１、２、５及び６に係る訂正は、一群の請求項〔１−５、１１、１２〕に対して請求されたものであり、訂正前の請求項６の記載を請求項７−１０及び１３は直接的または間接的に引用する関係にあるから、上記訂正事項３、４及び７に係る訂正は、一群の請求項〔６−１０、１３〕に対して請求されたものであり、また、訂正前の請求項１４の記載を請求項１５−１９は直接的に引用する関係にあるから、上記訂正事項８及び９に係る訂正は、一群の請求項〔１４−１９〕に対して請求されたものである。
　また、訂正事項１０ないし１２に係る訂正は、明細書の記載に関する訂正であり、訂正事項１３に係る訂正は、図面の記載に関する訂正であるから、これらの訂正事項は、一群の請求項〔１−５、１１、１２〕、一群の請求項〔６−１０、１３〕及び一群の請求項〔１４−１９〕に対して請求されたものである。
　
４．訂正請求に対する結論  
　以上のとおり、本件訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書き第１号ないし第３号に掲げる事項を目的とするものであり、同法同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項に適合するものである。 
　よって、本件訂正を認める。  
 　 
第３．本件特許発明  
　本件訂正により訂正された請求項１ないし１９に係る発明は、次のとおりのものである（以下、請求項の項番に従って、それぞれ「本件特許発明１」ないし「本件特許発明１９」という。）。  
 　 
「【請求項１】
　（ａ）コロイドシリカと、
　（ｂ）臭化テトラフェニルホスホニウム（Ｐｈ４ＰＢｒ）、臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ３ＰＢｒ）、臭化エチルトリフェニルホスホニウム（ＥｔＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅｘＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム（ＢｚＰｈ３ＰＢｒ）、臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＢｒ）、水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１種のオニウム化合物と、
　（ｃ）（ａ）および（ｂ）の水性キャリアーと、
を含んで成る、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）組成物であって、
　該組成物は５以下のｐＨを有する、ＣＭＰ組成物。
【請求項２】
　該コロイドシリカが、組成物中に０．０５〜３５ｗｔ％の範囲の量で存在する、請求項１のＣＭＰ組成物。
【請求項３】
　少なくとも１種のオニウム塩が、組成物１グラム当たり、０．０４〜２００マイクロモルの範囲の量で、該組成物中に存在する、請求項１のＣＭＰ組成物。
【請求項４】
　（削除）
【請求項５】
　該ｐＨが２〜５の範囲にある、請求項１のＣＭＰ組成物。
【請求項６】
　（ａ）０．１〜１０ｗｔ％のコロイドシリカと、
　（ｂ）臭化テトラフェニルホスホニウム（Ｐｈ４ＰＢｒ）、臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ３ＰＢｒ）、臭化エチルトリフェニルホスホニウム（ＥｔＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅｘＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム（ＢｚＰｈ３ＰＢｒ）、臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＢｒ）、水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された、１グラム当たり０．４〜２０マイクロモルの少なくとも１種のホスホニウム塩と、
　（ｃ）（ａ）および（ｂ）の水性キャリアーと、
を含んで成る、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）組成物であって、
　該組成物は、５以下のｐＨを有する、ＣＭＰ組成物。
【請求項７】
　該コロイドシリカが、１〜６ｗｔ％の範囲の量で、該組成物中に存在する、請求項６のＣＭＰ組成物。
【請求項８】
　少なくとも１種のホスホニウム塩が、組成物１グラム当たり、１〜１０マイクロモルの範囲の量で、該組成物中に存在する、請求項６のＣＭＰ組成物。
【請求項９】
　（削除）
【請求項１０】
　該ｐＨが、２〜５の範囲である、請求項６のＣＭＰ組成物。
【請求項１１】
　半導体基材の表面を、請求項１のＣＭＰ組成物で磨耗させることを含む、該基材を研磨するための化学的機械的研磨（ＣＭＰ）方法。
【請求項１２】
　（削除）
【請求項１３】
　半導体基材の表面を、請求項６のＣＭＰ組成物で磨耗させることを含む、該基材を研磨するための化学的機械的研磨（ＣＭＰ）方法。
【請求項１４】
　半導体基材を研磨するための化学的機械的研磨（ＣＭＰ）方法であって、
　該方法は：
　（ａ）半導体基材の表面と、研磨パッドおよび水性ＣＭＰ組成物とを接触させる工程であって、該ＣＭＰ組成物は、５以下のｐＨを有し、そしてコロイドシリカと、臭化テトラフェニルホスホニウム（Ｐｈ４ＰＢｒ）、臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ３ＰＢｒ）、臭化エチルトリフェニルホスホニウム（ＥｔＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅｘＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム（ＢｚＰｈ３ＰＢｒ）、臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＢｒ）、水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された、少なくとも１種のホスホニウム塩と、それらの水性キャリアーとを含む工程と、
　（ｂ）少なくとも該半導体表面の一部分を磨耗させるのに充分な時間の間、該ＣＭＰ組成物の一部分と、該パッドと該基材との間の該表面との接触を維持しながら、該研磨パッドと該基材との間で、相対的な動きを生じさせる工程と、
の各ステップを含んで成る、ＣＭＰ法。
【請求項１５】
　該コロイドシリカが０．０５〜３５ｗｔ％の範囲の量で、組成物中に存在する、請求項１４のＣＭＰ法。
【請求項１６】
　少なくとも１種のホスホニウム塩が、組成物１グラム当たり、０．０４〜２００マイクロモルの範囲の量で該組成物中に存在する、請求項１４のＣＭＰ法。
【請求項１７】
　該ＣＭＰ組成物のｐＨが、２〜５の範囲である、請求項１４のＣＭＰ法。
【請求項１８】
　（削除）
【請求項１９】
　該基材が、二酸化ケイ素を含む、請求項１４のＣＭＰ法。」
　
第４．請求人の主張の概要  
　請求人は、審判請求書において、「特許第５３８５１４２号の請求項１ないし請求項１９に係る特許は、これを無効とする」との審決を求め、審判請求書、弁駁書、口頭審理陳述要領書、口頭審理を総合すると、請求人が主張する無効理由は、概略、次のとおりのものである。  
１．無効理由１（特許法第２９条第１項第３号） 
　本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０ないし１３は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
　
２．無効理由２（特許法第２９条第２項） 
（１）本件特許発明１ないし１３は、甲第１号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その特許は同法１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
（２）本件特許発明１４ないし１９は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載されている技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その特許は同法１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
　
３．無効理由３（特許法第３６条第４項第１号）
　発明の詳細な説明の記載が、マーカッシュ形式で特定された選択肢の陰イオンのすべてについて、本件特許発明１ないし１９を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に説明したものではないから、特許法第３６条第４項第１号の規定に違反するものである。したがって、その特許は同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。 
４．無効理由４（特許法第３６条第６項第１号）
　本件特許の請求項１に関し、ＣＭＰ組成物に含まれるオニウム塩の陰イオンＸ−は、「ヒドロキシルイオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸水素イオン、リン酸二水素イオン、リン酸水素イオン、スルファミン酸イオン、および過塩素酸塩イオンからなる群から選択される。」と特定されているが、オニウム塩の陰イオンの開示を本件特許発明１まで拡張できないから、特許法第３６条第６項第１号の規定に違反するものである。したがって、その特許は同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。
　本件特許の請求項２ないし１９も同様に、特許法第３６条第６項第１号の規定に違反するものであるから、その特許は同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。 
　
５．無効理由５（特許法第３６条第６項第２号）
（１）本件特許の請求項１に関し、本件特許発明１の発明特定事項として、オニウム塩の陰イオンＸ−のマーカッシュ形式の選択肢として二価のイオンを含んでいるため、明確でないから、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反するものである。したがって、その特許は同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。
　本件特許の請求項２ないし１９も同様に、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反するものであるから、その特許は同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。
　
（２）本件特許の請求項１１及び１３に関し、本件特許発明１１及び１３の発明特定事項と記載された「該基材」が何を指すのか明確でないから、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反するものである。したがって、その特許は同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。
　
［証拠方法］
　甲第１号証：特開２０００−１４４１０９号公報
　オニウム塩を含む水性ＣＭＰ組成物及びこれを用いたＣＭＰ方法の発明が優先日前に公知であったことを立証するためのもの。
　甲第２号証：特開２００２−１６４３０８号公報
　ＣＭＰ方法を実施する目的、手順、対象物及び効果が優先日前に公知であったことを立証するためのもの。
　甲第３号証：化学大辞典、株式会社東京化学同人発行、平成元年１０月２０日、第８２３ページ
　コロイダルシリカとコロイドシリカが同一物を指すことが優先日前に公知であったことを立証するためのもの。
　甲第４号証：化学大辞典９、共立出版株式会社発行、平成元年８月１５日、第７０８ページ、第８０２ないし８０５ページ
　硫酸水素塩、リン酸二水素塩が水溶液中において酸性乃至弱酸性を示すこと及び燐酸水素塩が水溶液中において弱アルカリ性乃至中性を示すことが優先日前に公知であったことを立証するためのもの。
　甲第５号証：カーク・オスマー、エンサイクロペディアオブケミカルテクノロジー、ジョンワイリー・アンド・サンズ発行、昭和５７年、第５２７ないし５２９ページ
　水酸化ホスホニウムは強塩基であって、水中では本質的に１００％イオン化していることが優先日前に公知であったことを立証するためのもの。
　甲第６号証：特表２００５−５０１７５９号公報
　水酸化ホスホニウムはホスホニウムイオンとヒドロキシドイオンとが完全にイオン化した化学構造を有することが優先日前に公知であったことを立証するためのもの。
　甲第７号証：ケミカル・コミュニケーション２００６、アールエスシー・パブリッシング発行、平成１８年６月４日、第２２５４ないし２２５６ページ
　水酸化ホスホニウムは非常に安定で、酸との混合により対応する塩が容易に得られることが優先日前に公知であったことを立証するためのもの。
　甲第８号証：特公平７−５６１８号公報
　水酸化ホスホニウムに弗化水素酸を反応させることにより、弗化ホスホニウム塩が得られることが優先日前に公知であったことを立証するためのもの。
　甲第９号証：オーストラリアン・ジャーナル・オブ・ケミストリー２０１１、６４、シーエスアイアールオー・パブリッシング発行、２０１１年１１月２３日、第１５６０ないし１５６７ページ
　ホスホニウムヒドロキシドの水溶液を対応する無機酸と中和させることにより、各種のホスホニウム無機塩が得られることが事実であることを立証するためのもの。
　甲第１０号証：分析証明書（Ｉ）、２０１７年６月５日、ゴドフリー・ウェイド、ワン・ホンギュ
　ホスホニウム塩が、弱酸性水溶液中、硼酸の存在下においても変化を受けることなく、解離したイオンとして安定に存在することを立証するためのもの。
　甲第１１号証：分析証明書（II）、２０１７年６月５日、ゴドフリー・ウェイド、ワン・ホンギュ
　ホスホニウムヒドロキシドと硼酸によるホスホニウム塩が、幅広いｐＨの弱酸性水溶液中、解離したイオンとして安定に存在することを立証するためのもの。
　甲第１２号証：オーガニック・ケミカルズ、カタログ２００４−２００５、Ｎｏ．３７の抜粋、東京化成工業株式会社発行、平成１６年
　優先日直前に市販され入手可能なホスホニウム塩試薬のうち、およそ半分（５３％）を占める数のホスホニウム塩が臭化物塩であることが優先日前に公知であったことを立証するためのもの。
　甲第１３号証：オーガニック・ケミカルズ、カタログ２００６−２００７、Ｎｏ．３８の抜粋、東京化成工業株式会社発行、平成１８年
　優先日直前に市販され入手可能なホスホニウム塩試薬のうち、およそ半分（４８％）を占める数のホスホニウム塩が臭化物塩であることが優先日前に公知であったことを立証するためのもの。
　甲第１４号証：特開平１１−１１６９４８号公報
　優先日前にカチオン系のアルキル化合物とアニオン系のシリカ粒子とを組み合わせて使用することは技術常識であったことを立証するためのもの。
　
第５．被請求人の主張の概要  
　被請求人は、審判事件答弁書において「本件審判請求は成り立たない。審判費用は請求人の負担とする」との審決を求め、審判事件答弁書、口頭審理陳述要領書、口頭審理を総合すると、概略次のとおり主張している。 
 　 
１．請求人の主張する無効理由１（特許法第２９条第１項第３号） について  
　本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０ないし１３は、甲第１号証に記載された発明ではない。
　
２．請求人の主張する無効理由２（特許法第２９条第２項） について
（１）本件特許発明１ないし１３は、甲第１号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）本件特許発明１４ないし１９は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載されている技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。　
　
３．請求人の主張する無効理由３（特許法第３６条第４項第１号）について
　発明の詳細な説明の記載は、本件特許発明１ないし１９を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に説明したものであるから、特許法第３６条第４項第１号の規定に違反するものではない。 
４．請求人の主張する無効理由４（特許法第３６条第６項第１号）について
　本件特許の請求項１ないし１９は、特定のホスホニウム塩に限定されているものであるから、特許法第３６条第６項第１号の規定に違反するものではない。
　
５．請求人の主張する無効理由５（特許法第３６条第６項第２号）について
（１）本件特許の請求項１ないし１９は、特定のホスホニウム塩に限定され、明確なものであるから、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反するものではない。
　
（２）本件特許の請求項１１に関し、本件特許発明１１の発明特定事項と記載された「該基材」は「半導体基材」と限定され、明確なものであるから、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反するものではない。
　
［証拠方法］
　乙第１号証：特公平５−６５４４５号公報
　オニウム塩はシリカとは組み合わせて使用すべきではないことが優先日前に公知であったことを立証するためのもの。
　乙第２号証：特開２００５−１０１５４５号公報
　オニウム塩はシリカとは組み合わせて使用すべきではないことが優先日前に公知であったことを立証するためのもの。
　
第６．当審の判断 
　事案に鑑み無効理由３、無効理由４，無効理由５、無効理由２、無効理由１の順に判断する。
１．無効理由３（特許法第３６条第４項第１号）
　発明の詳細な説明の記載が、マーカッシュ形式で特定された選択肢の陰イオンのすべてについて、本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０、１１、１３ないし１７及び１９を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に説明したものではないことについて
（１）判断
　本件訂正により、本件特許発明１に係るオニウム化合物は、実質的に実施例において具体的に開示された「臭化テトラフェニルホスホニウム（Ｐｈ４ＰＢｒ）、臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ３ＰＢｒ）、臭化エチルトリフェニルホスホニウム（ＥｔＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅｘＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム（ＢｚＰｈ３ＰＢｒ）、臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＢｒ）、水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１種」のホスホニウム化合物を意味することとなった。
　また、本件特許発明６及び１４に係るホスホニウム塩は、実施例において具体的に開示された「臭化テトラフェニルホスホニウム（Ｐｈ４ＰＢｒ）、臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ３ＰＢｒ）、臭化エチルトリフェニルホスホニウム（ＥｔＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅｘＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム（ＢｚＰｈ３ＰＢｒ）、臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＢｒ）、水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１種のホスホニウム塩」に限定された。
　したがって、発明の詳細な説明の記載が、本件特許発明１、本件特許発明１を引用する本件特許発明２、３、５及び１１、また、本件特許発明６、本件特許発明６を引用する本件特許発明７、８、１０及び１３、並びに、本件特許発明１４、本件特許発明１４を引用する本件特許発明１５ないし１７及び１９を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に説明したものではないとはいえない。
　
（２）請求人の主張
　請求人は、「本件特許明細書段落[００４５]〜［００５５］の実施例の例１〜３には、水酸化テトラブチルホスホニウムの記載があるが、前記した理由によりヒドロキシルイオンが実質的に存在し得ないことに鑑みれば、これはＣＭＰ組成物を調製するための原料を記載したものにすぎず、酸性のＣＭＰ組成物に含まれる成分としての実施の態様を示すものとは認識できないことを指摘しておく。」（審判請求書第８ページ第８ないし１２行）旨の主張をする。
　しかしながら、明細書の段落【００４５】及び【００５３】には、水酸化テトラブチルホスホニウムが実施例の原料として記載されていることは明らかであって、発明の詳細な説明の記載が、本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０、１１、１３ないし１７及び１９を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に説明したものではないとはいえないから、請求人の主張を採用することはできない。
　
（３）まとめ
　以上のとおり、発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たすものである。
　したがって、無効理由３によって、本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０、１１、１３ないし１７及び１９についての特許を無効とすることはできない。 
　
２．無効理由４（特許法第３６条第６項第１号）
　本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０、１１、１３ないし１７及び１９に関し、ＣＭＰ組成物に含まれるオニウム塩の陰イオンＸ−は、「ヒドロキシルイオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸水素イオン、リン酸二水素イオン、リン酸水素イオン、スルファミン酸イオン、および過塩素酸塩イオンからなる群から選択される。」と特定されているが、オニウム塩の陰イオンの開示を本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０、１１、１３ないし１７及び１９まで拡張できないことについて
（１）判断
　本件訂正により、本件特許発明１に係るオニウム化合物は、実質的に実施例において具体的に開示された「臭化テトラフェニルホスホニウム（Ｐｈ４ＰＢｒ）、臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ３ＰＢｒ）、臭化エチルトリフェニルホスホニウム（ＥｔＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅｘＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム（ＢｚＰｈ３ＰＢｒ）、臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＢｒ）、水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１種」のホスホニウム化合物を意味することとなった。
　また、本件特許発明６及び１４に係るホスホニウム塩は、実施例において具体的に開示された「臭化テトラフェニルホスホニウム（Ｐｈ４ＰＢｒ）、臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ３ＰＢｒ）、臭化エチルトリフェニルホスホニウム（ＥｔＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅｘＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム（ＢｚＰｈ３ＰＢｒ）、臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＢｒ）、水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１種のホスホニウム塩」に限定された。
　そして、「ホスホニウム化合物」や「ホスホニウム塩」を「臭化テトラフェニルホスホニウム（Ｐｈ４ＰＢｒ）、臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ３ＰＢｒ）、臭化エチルトリフェニルホスホニウム（ＥｔＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅｘＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム（ＢｚＰｈ３ＰＢｒ）、臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＢｒ）、水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１種」のものとすることにより、本件特許明細書の段落【００４６】並びに【図１】及び【図２】に示されるような熱酸化物に対する高い除去速度を得ることができるものであるから、同段落【０００８】に記載されるような「二酸化ケイ素等の半導体材料で、有用な除去速度を示す」という課題を解決することができるものである。
　したがって、本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０、１１、１３ないし１７及び１９のオニウム化合物やホスホニウム塩は、実施例に記載された特定のホスホニウム化合物やホスホニウム塩に限定され、熱酸化物に対する高い除去速度を得るという課題を解決できるのであるから、本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０、１１、１３ないし１７及び１９が、発明の詳細な説明に記載されたものではないとはいえない。
　
（２）請求人の主張
　請求人は、「また、図１及び図２より、本件特許発明のＣＭＰ組成物は、従来のＣＭＰ組成物といえる『アンモニウム塩』を含有するＣＭＰ組成物の『熱酸化物（二酸化ケイ素）の除去速度』と同等であるから、『従来のＣＭＰ組成物と比較して、二酸化ケイ素の急速な除去までもを提供する。』とは言えないから、図１からは、『実施例において水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）が臭化物イオンを有するホスホニウム塩と同様の発明の効果を奏することについても明確に示されている（図１）。』とは言えない。したがって、本件特許発明１、６及び１４に係るホスホニウム塩は、『本件特許の実施例において具体的に開示され、その作用効果がサポートされている特定のホスホニウム塩に限定』されているとは言えない。」（口頭審理陳述要領書第２０ページ第１行ないし第１０行）旨の主張をする。
　しかしながら、図１及び図２から、実施例に記載された特定のホスホニウム化合物やホスホニウム塩が酸化物に対する高い除去速度を得ていることが理解できるから、「『従来のＣＭＰ組成物と比較して、二酸化ケイ素の急速な除去までもを提供する。』とは言えない」旨の請求人の主張を採用することはできない。
　
（３）まとめ
　以上のとおり、本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０、１１、１３ないし１７及び１９は、発明の詳細な説明に記載されたものであるから、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たすものである。
　したがって、無効理由４によって、本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０、１１、１３ないし１７及び１９についての特許を無効とすることはできない。 
　
３．無効理由５（特許法第３６条第６項第２号）
３−１．本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０、１１、１３ないし１７及び１９の発明特定事項として、オニウム塩の陰イオンＸ−のマーカッシュ形式の選択肢として二価のイオンを含んでいるため、明確でないことについて
（１）判断
　本件訂正により、本件特許発明１に係るオニウム化合物は、実質的に実施例において具体的に開示された「臭化テトラフェニルホスホニウム（Ｐｈ４ＰＢｒ）、臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ３ＰＢｒ）、臭化エチルトリフェニルホスホニウム（ＥｔＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅｘＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム（ＢｚＰｈ３ＰＢｒ）、臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＢｒ）、水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１種」のホスホニウム化合物を意味するものとなった。
　また、本件特許発明６及び１４に係るホスホニウム塩は、実施例において具体的に開示された「臭化テトラフェニルホスホニウム（Ｐｈ４ＰＢｒ）、臭化メチルトリフェニルホスホニウム（ＭｅＰｈ３ＰＢｒ）、臭化エチルトリフェニルホスホニウム（ＥｔＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ブチルトリフェニルホスホニウム（ＢｕＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ヘキシルトリフェニルホスホニウム（ＨｅｘＰｈ３ＰＢｒ）、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム（ＢｚＰｈ３ＰＢｒ）、臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＢｒ）、水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１種のホスホニウム塩」に限定された。
　したがって、本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０、１１、１３ないし１７及び１９において、オニウム塩の陰イオンＸ−のマーカッシュ形式の記載はなくなったので、本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０、１１、１３ないし１７及び１９が明確でないとはいえない。
　
（２）請求人の主張
　請求人は、「また、本件特許明細書には、『陰イオン』である『ヒドロキシルイオン』と『臭化物イオン』に関する効果の相違が示されておらず、ＣＭＰ組成物の原料として、『水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）』及び『臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＢｒ）』を異なる選択肢とすることの技術的意義が不明である。」（口頭審理陳述要領書第２１ページ第５行ないし第９行）旨の主張をする。
　しかしながら、「水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）」及び「臭化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＢｒ）」を異なる選択肢とすることの技術的意義と、本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０、１１、１３ないし１７及び１９が明確であるか否かとは無関係であるから、請求人の主張を採用することはできない。
　
３−２．本件特許発明１１及び１３の発明特定事項として記載された「該基材」が何を指すのか明確でないことについて
（１）判断
　本件特許発明１１の発明特定事項である「該基材」は、本件訂正により、「半導体基材」と限定され、基材が何であるかが明確となり、本件特許発明１１の記載及び本件特許発明１１を引用する本件特許発明１３の記載も明確となった。
　
３−３．まとめ
　以上のとおり、本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０、１１、１３ないし１７及び１９は、明確でないとはいえず、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たすものである。
　したがって、無効理由５によって、本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０、１１、１３ないし１７及び１９についての特許を無効とすることはできない。
　
４．無効理由２（特許法第２９条第２項）
４−１．本件特許発明１に対して
（１）甲第１号証
　甲第１号証（特開２０００−１４４１０９号公報）には、次の事項が図面と共に記載されている。  　
ア．「【請求項１】（ａ）粒径が０．００１〜１μｍの砥粒０．１〜１５重量％、（ｂ）酸化剤０．５〜１５重量％、（ｃ）テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、テトラアリールアンモニウムヒドロキシド、テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドおよびテトラアリールホスホニウムヒドロキシドより選ばれた水酸基を有する化合物と無機酸とを反応させて得られたオニウム塩０．１〜１０重量％、および（ｄ）無機酸または有機酸、を含有するｐＨ１〜６の水性研磨剤スラリー。
【請求項２】　オニウム塩が、弗酸塩、硼酸塩、硫酸塩および燐酸塩より選ばれたオニウム化合物である、請求項１に記載の研磨剤スラリー。」
　
イ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路や半導体の製造の際に、単一工程で金属膜や絶縁層膜を研磨するに用いる化学機械研磨（ＣＭＰ）用スラリーに関する。」
　
ウ．「【０００３】この半導体ウエハを製造する過程において、絶縁層を削除し、金属層を表面に平坦に露出させるためにウエハ表面を化学機械研磨（ＣＭＰ研磨）することが行われる。例えば、窒化チタン層およびタングステン膜の金属層、二酸化珪素、窒化珪素等の絶縁膜を有し、銅、アルミニウム等の配線を有するウエハの化学機械研磨においては、通常、アルミナ、シリカ、酸化セリウム等の砥粒、酸化剤、例えば過酸化水素、硝酸鉄、アンモニウムセリウムナイトレート、酸および純水を含有するｐＨが１〜６の研磨剤スラリーが使用される。」
　
エ．「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、保存安定性に優れ、研磨速度の速い水性研磨剤スラリーの提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、（ａ）粒径が０．００１μｍの砥粒０．１〜１５重量％、（ｂ）酸化剤０．５〜１５重量％、（ｃ）テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、テトラアリールアンモニウムヒドロキシド、テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドおよびテトラアリールホスホニウムヒドロキシドより選ばれた水酸基を有する化合物と無機酸とを反応させて得られたオニウム塩０．１〜１０重量％、および（ｄ）無機酸または有機酸、を含有するｐＨ１〜６の水性研磨剤スラリーを提供するものである。」
　
オ．「【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
砥粒（ａ）：研磨剤スラリ−中の砥粒としては、コロイダルシリカ、ヒュ−ムドシリカ等の二酸化ケイ素、ベ−マイト、アルミナ、アルミナゾル、ヒュ−ムドアルミナ等のアルミニウム酸化物、酸化セリウム、炭化珪素および酸化クロミウムが挙げられる。これら砥粒は平均粒径が０．００１〜１．０μｍ 、好ましくは０．０２〜０．５μｍの粒子であり、ニッケルイオン、銅イオン等で表面が変成されていてもよい。好ましくは、コロイダルシリカ、ヒュ−ムドシリカ、ベ−マイト、アルミナが使用される。
【００１１】研磨剤スラリ−中に占める（ａ）成分の砥粒の固形分含有量は、砥粒の種類、用途により異なるが、０．１〜２０重量％、好ましくは０．５〜１０重量％、より好ましくは１〜３重量％である。０．１重量％未満では実用的な研磨速度が得られない。２０重量％を超えても効果のより向上は望めず、多く用いるのは経済的に不利である。」
　
カ．「【００１３】オニウム塩（ｃ）：オニウム塩は、研磨速度を向上させるとともに、研磨剤スラリ−の貯蔵安定性に寄与する。オニウム塩は、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、テトラアリ−ルアンモニウムヒドロキシド、テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドおよびテトラアリ−ルホスホニウムヒドロキシドより選ばれた水酸基を有する化合物と無機酸とを反応させて得られる。原料の無機酸としては、弗酸、硼酸、硫酸および燐酸が挙げられる。」
　
キ．「【００１５】同じく、原料のテトラアリ−ルアンモニウムヒドロキシドとしては、テトラフェニルアンモニウムヒドロキシド、テトラナフチルアンモニウムヒドロキシド、テトラクロロフェニルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルフェニルアンモニウムヒドロキシドが挙げられる。同様に、オニウム塩を構成するテトラアルキルホスホニウムヒドロキシドとしては、テトラメチルホスホニウムヒドロキシド、テトラエチルホスホニウムヒドロキシド、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド、ジメチルジエチルホスホニウムヒドロキシド、トリメチルエチルホスホニウムニウムヒドロキシド、トリエチルメチルホスホニウムヒドロキシド、トリメチルブチルホスホニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルホスホニウムヒドロキシド、トリメチルブチルホスホニウムヒドロキシド、ジエチルメチルブチルホスホニウムヒドロキシドおよびトリエチルベンジルホスホニウムヒドロキシドが挙げられ、テトラアリールホスホニウムヒドロキシドとしては、テトラフェニルホスホニウムヒドロキシド、テトラナフチルホスホニウムヒドロキシド、テトラクロロフェニルホスホニウムヒドロキシド、トリメチルフェニルホスホニウムヒドロキシドが挙げられる。このオニウム塩は、研磨剤スラリー中、０．１〜１０重量％用いられる。通常、砥粒（ａ）１重量部に対し、０．０４〜５重量部、好ましくは０．１〜２重量部の割合で用いられる。
【００１６】無機酸、有機酸（ｄ）：無機酸、有機酸は、研磨剤スラリーを等電点から遠ざけるためにスラリーのｐＨを１〜６に調整するために加えられるとともに、金属の酸化物を形成させて研磨速度を向上させる作用をする。かかる無機酸としては、研磨速度向上の面からフッ化水素酸、硫酸、硝酸、燐酸、硼酸、フルオロ珪酸、塩酸等の強酸が好ましい。
【００１７】水性媒体：分散媒としては、水単独、または水を主成分（分散媒中、７０〜９９重量％）とし、アルコール、グリコール等の水溶性有機溶媒を副成分（１〜３０重量％）として配合したものが使用できる。」
　
ク．「【００２７】実施例２
０．１μｍカ−トリッジフィルタを通過した水　８８重量部に、平均粒径０．３μｍのアルミナ　３重量部、硝酸第二鉄　５重量部、硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシド　０．４重量部、テトラメチルアンモニウム水素マレエ−ト　０．３重量部、ラウリルアルコ−ルポリオキシエチレンエ−テル　１重量部、ポリエチレングリコ−ル（分子量　３００）　２重量部、二フッ化水素アンモニウム　０．２重量部の混合物をホモジナイザ−で混合し、さらに弗化水素水素酸を加えてｐＨ　１．５の研磨剤スラリ−を調製した。
【００２８】このようにして得た研磨剤スラリ−を３時間放置した後、厚み６０００オングストロ−ムのタングステンとチタンブランケットのウエハ、およびテトラエチルオルトシリケ−トをプラズマ放電にて二酸化珪素（ＳｉＯ２）膜を形成させたパイロットテストピ−スを、実施例１と同じ条件で化学機械研磨を行った。タングステンの研磨速度は、２３００オングストロ−ム、チタンの研磨速度は１２４０オングストロ−ム、二酸化珪素（ＳｉＯ２）の研磨速度は１１０オングストロ−ムであった。」
　
ケ．「【００３３】本発明の研磨剤スラリーは貯蔵安定性に優れ、半導体デバイスウエハの研磨剤スラリーとして用いたときは、向上したタングステン対二酸化珪素除去選択性を有し、かつ、タングステン、チタンの研磨速度が向上する。」
　
　上記記載事項を総合し、技術常識を踏まえて整理すると、甲第１号証には、以下の発明が記載されている。 
　「（ａ）アルミナと、
（ｂ）硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシドと、
（ｃ）０．１μｍカ−トリッジフィルタを通過した水と、
を含んで成る、化学機械研磨用研磨剤スラリーであって、
　該スラリーは１．５のｐＨを有する、化学機械研磨用研磨剤スラリー。」（以下、「甲第１号証に記載された発明１」という。）
　
（２）対比  
　本件特許発明１と甲第１号証に記載された発明１とを対比すると、甲第１号証に記載された発明１における「０．１μｍカ−トリッジフィルタを通過した水」は、本件特許発明１における「（ａ）および（ｂ）の水性キャリアー」に相当する。
　また、甲第１号証に記載された発明１における「アルミナ」は、本件特許発明１における「コロイドシリカ」と同様に「砥粒」の一種である。
　さらに甲第１号証に記載された発明１における「硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシド」は、本件特許発明１における「オニウム化合物」に相当し、甲第１号証に記載された発明１における「テトラメチルフォスホニウムヒドロキシド」は、本件特許発明１における「水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）」と同様に「テトラアルキルホスホニウムヒドロキシド」の一種である。
　そして、甲第１号証に記載された発明１における「１．５のｐＨ」は、本件特許発明１における「５以下のｐＨ」に相当する。
　また、甲第１号証に記載された発明１における「化学機械研磨用研磨剤スラリー」は、本件特許発明１における「化学的機械的研磨（ＣＭＰ）組成物」に相当する。
　そうすると、本件特許発明１と甲第１号証に記載された発明１の一致点及び相違点は次のとおりである。 
 　 
＜一致点＞ 
　「（ａ）砥粒と、
（ｂ）テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドからなるオニウム化合物と、
（ｃ）（ａ）および（ｂ）の水性キャリアーと、
を含んで成る、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）組成物であって、
　該組成物は５以下のｐＨを有する、ＣＭＰ組成物。」  
 　  
＜相違点１＞  
　「砥粒」が、本件特許発明１においては、「コロイドシリカ」であるのに対し、甲第１号証に記載された発明１においては、「アルミナ」である点。
　
＜相違点２＞ 
　「テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドからなるオニウム化合物」が、本件特許発明１においては「水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）からなるオニウム化合物」であるのに対し、甲第１号証に記載された発明１においては、「硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシド」である点。
　
（３）相違点の判断 
　まず、相違点１について検討する。 
　甲第１号証には、段落【００１０】に「研磨剤スラリ−中の砥粒としては、コロイダルシリカ、ヒュ−ムドシリカ等の二酸化ケイ素、ベ−マイト、アルミナ、アルミナゾル、ヒュ−ムドアルミナ等のアルミニウム酸化物、酸化セリウム、炭化珪素および酸化クロミウムが挙げられる。・・・中略・・・好ましくは、コロイダルシリカ、ヒュ−ムドシリカ、ベ−マイト、アルミナが使用される。」というように「砥粒」の一種として、「コロイダルシリカ（本件特許発明における「コロイドシリカ」に相当。）」が記載されている。しかしながら、甲第１号証には、実施例として具体的に示された化学機械研磨用研磨剤スラリー（本件特許発明における「ＣＭＰ組成物」に相当。）について、「砥粒」として「コロイダルシリカ」を用いることは全く示されていない以上、「アルミナ」に代えて、単に多数例示されているだけの砥粒の中から、「コロイダルシリカ」だけを選択することは、その動機も不明であるから、当業者にとり容易であるとまではいえない。
　そうすると、甲第１号証に記載された発明１から相違点１に係る本件特許発明１における発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得るとはいえない。
　
　次に、相違点２について検討する。
　甲第１号証には、段落【００１３】に「オニウム塩は、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、テトラアリ−ルアンモニウムヒドロキシド、テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドおよびテトラアリ−ルホスホニウムヒドロキシドより選ばれた水酸基を有する化合物と無機酸とを反応させて得られる。原料の無機酸としては、弗酸、硼酸、硫酸および燐酸が挙げられる。」と記載されている。また、段落【００１５】に「同様に、オニウム塩を構成するテトラアルキルホスホニウムヒドロキシドとしては、テトラメチルホスホニウムヒドロキシド、テトラエチルホスホニウムヒドロキシド、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド、ジメチルジエチルホスホニウムヒドロキシド、トリメチルエチルホスホニウムニウムヒドロキシド、トリエチルメチルホスホニウムヒドロキシド、トリメチルブチルホスホニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルホスホニウムヒドロキシド、トリメチルブチルホスホニウムヒドロキシド、ジエチルメチルブチルホスホニウムヒドロキシドおよびトリエチルベンジルホスホニウムヒドロキシドが挙げられ」というように「テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドからなるオニウム化合物」として、「テトラブチルホスホニウムヒドロキシド（本件特許発明における「水酸化テトラブチルホスホニウム」に相当。）からなるオニウム化合物」を使用することが記載されている。しかしながら、甲第１号証には、実施例として具体的に示された化学機械研磨用研磨剤スラリーについて、「テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドからなるオニウム化合物」として「テトラブチルホスホニウムヒドロキシド」を用いることは全く示されていない以上、「硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシド」に代えて、単に多数例示されているだけの「テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドからなるオニウム化合物」の中から、「テトラブチルホスホニウムヒドロキシドからなるオニウム化合物」だけを選択することは、その動機も不明であるから、当業者にとり容易であるとまではいえない。
　そうすると、甲第１号証に記載された発明１から相違点２に係る本件特許発明１における発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得るとはいえない。
　
　そして、さらに検討すると、ここでは相違点１と相違点２を分けて検討したが、そもそも相違点１における「砥粒」と、相違点２における「テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドからなるオニウム化合物」の組み合わせの総数を考えると、組み合わせの候補となる「砥粒」の数と、組み合わせの候補となる「テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドからなるオニウム化合物」の数との積で表わされる多数の組み合わせが存在するから、その多数の組み合わせの中から、相違点１に係る「コロイダルシリカ」と相違点２に係る「テトラブチルホスホニウムヒドロキシドからなるオニウム化合物」との組み合わせを選択することは、当業者といえども容易であるとはいえない。
　
　また、請求人が提出した甲第１４号証（特開平１１−１１６９４８号公報）の段落【００６８】の「〔例１〕　スラリーのタングステンに対する性能を評価するため、化学機械的ポリシングスラリーを準備した。５．３重量％のシリカの水溶液、硝酸第２鉄の形態での５３ｐｐｍの鉄、３．７５重量％の過酸化水素及び０．０５重量％のマロン酸から成る標準化学機械的ポリシングスラリーを準備した。シリカは、例３に記載されているスラリー成分と混ぜ合わす前に、事前に分散した。」との記載、同段落【００７１】の【表１】のスラリー番号１７の添加剤が「cetyltrimethyl ammoniumu hydroxide」(セチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド）であることによれば、シリカとアンモニウム塩とを同時に使用することは従来から知られていたともいえるが、コロイドシリカとホスホニウム塩とを同時に使用することが従来から知られていたとまではいえない。
　そして、本件特許発明１は、相違点１及び相違点２に係る発明特定事項を有することにより段落【０００８】に記載されるような「二酸化ケイ素等の半導体材料で、有用な除去速度を示す」という課題を解決することができるものである。
　そうすると、甲第１号証に記載された発明１から相違点１及び相違点２に係る本件特許発明１における発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得るとはいえない。
　したがって、本件特許発明１は、甲第１号証に記載された発明１に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 
 　 
（４）請求人の主張
　請求人は、「オニウム塩」が「臭化テトラブチルホスホニウム」等の「臭化物」である場合について、「そして、甲第１号証には、『無機酸』が記載されており、『臭化水素酸』をＣＭＰ組成物の原料として用いることが容易であることは、審判請求書第３３頁第１１行〜第３４頁第１３行の『(ii) 陰イオンＸ−が臭化物イオン又はヨウ化物イオンである場合』において述べたとおりである。本件特許の図１及び図２の結果に基づけば、スルホニウム塩の陰イオンを具体的な『臭化物イオン』とすることによる効果は、当業者の予測を超えた顕著なものであるとは言えない。よって、甲第１号証において、シリカと、臭化物であるオニウム塩とを組み合わせて使用することは当業者が適宜なし得る事項である。」（口頭審理陳述要領書第８ページ第８ないし１２行）旨の主張をする。
　しかしながら、甲第１号証には、ＣＭＰ組成物の原料として「臭化水素酸」を使用することの記載や示唆はなく、甲第１号証において、「オニウム塩」を「臭化テトラブチルホスホニウム」等の「臭化物」とすることが当業者にとって容易であるとはいえないから、請求人の主張を採用することはできない。
　
（５）まとめ  
　以上のとおり、本件特許発明１は、甲第１号証に記載された発明１に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから、本件特許発明１についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものではない。
　したがって、無効理由２によって、本件特許発明１についての特許を無効とすることはできない。　
　
４−２．本件特許発明２、３、５及び１１に対して
　本件特許発明２、３、５及び１１は、本件特許発明１に対して、さらなる発明特定事項を付加したものである。
　上記４−１．のとおり、本件特許発明１が、甲第１号証に記載された発明１に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、本件特許発明１に対してさらなる発明特定事項を付加した本件特許発明２、３、５及び１１もまた、甲第１号証に記載された発明１に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　したがって、本件特許発明２、３、５及び１１についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものではない。  
　よって、無効理由２によって、本件特許発明２、３、５及び１１についての特許を無効とすることはできない。
　
４−３．本件特許発明６に対して
（１）甲第１号証
　上記４−１．（１）の甲第１号証の記載事項を総合し、技術常識を踏まえて整理すると、甲第１号証には、以下の発明が記載されている。
　「（ａ）３重量部のアルミナと、
（ｂ）０．４重量部の硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシドと、
（ｃ）０．１μｍカ−トリッジフィルタを通過した水と、
を含んで成る、化学機械研磨用研磨剤スラリーであって、
　該スラリーは１．５のｐＨを有する、化学機械研磨用研磨剤スラリー。」（以下、「甲第１号証に記載された発明２」という。）
　
（２）対比  
　本件特許発明６と甲第１号証に記載された発明２とを対比すると、甲第１号証に記載された発明２における「０．１μｍカ−トリッジフィルタを通過した水」は、本件特許発明６における「（ａ）および（ｂ）の水性キャリアー」に相当する。
　また、甲第１号証に記載された発明２における「アルミナ」は、本件特許発明６における「コロイドシリカ」と同様に「砥粒」の一種である。
　ここで、甲第１号証に記載された発明２における「３重量部のアルミナ」は、「砥粒」の一種であるアルミナを「３重量部」含有するものであるが、化学機械研磨用研磨剤スラリー全体からみれば、「３重量部のアルミナ」は「約３ｗｔ％のアルミナ」であるといえる。
　そうすると、砥粒の含有量に関し、甲第１号証に記載された発明２における「３重量部」は、本件特許発明６における「０．１〜１０ｗｔ％」に相当する。
　また、甲第１号証に記載された発明２における「硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシド」は、本件特許発明６における「ホスホニウム塩」に相当し、甲第１号証に記載された発明２における「テトラメチルフォスホニウムヒドロキシド」は、本件特許発明６における「水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）」と同様に「テトラアルキルホスホニウムヒドロキシド」の一種である。
　ここで、甲第１号証に記載された発明２における「０．４重量部の硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシド」は、「テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドからなるホスホニウム塩」の一種である硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシドを「０．４重量部」含有するものであるが、化学機械研磨用研磨剤スラリー全体からみれば、「０．４重量部の硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシド」は「約０．４ｗｔ％の硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシド」であるといえる。
　更に検討すると、硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシドの分子量に関し、硼酸の分子量が６１．８であり、テトラメチルフォスホニウムヒドロキシドの分子量が１０８．１２１であることから、硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシドの分子量は１６９．１２１であるとする。
　そうすると、分子量１６９．１２１の硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシドは、１グラム当たり２３．７マイクロモル存在すれば０．４ｗｔ％という含有量を満たすといえるから、「テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドからなるホスホニウム塩」の含有量に関し、甲第１号証に記載された発明２における「０．４重量部」は、本件特許発明６と同様に換算すれば「２３．７マイクロモル」となる。
　そして、甲第１号証に記載された発明２における「１．５のｐＨ」は、本件特許発明６における「５以下のｐＨ」に相当する。
　また、甲第１号証に記載された発明２における「化学機械研磨用研磨剤スラリー」は、本件特許発明６における「化学的機械的研磨（ＣＭＰ）組成物」に相当する。
　そうすると、本件特許発明６と甲第１号証に記載された発明２の一致点及び相違点は次のとおりである。 
　
＜一致点＞ 
　「（ａ）０．１〜１０ｗｔ％の砥粒と、
（ｂ）テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドからなるホスホニウム塩と、
（ｃ）（ａ）および（ｂ）の水性キャリアーと、
を含んで成る、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）組成物であって、
　該組成物は５以下のｐＨを有する、ＣＭＰ組成物。」  
 　  
＜相違点３＞  
　「砥粒」が、本件特許発明６においては、「コロイドシリカ」であるのに対し、甲第１号証に記載された発明２においては、「アルミナ」である点。
　
＜相違点４＞ 
　「テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドからなるホスホニウム塩」が、本件特許発明６においては「水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）からなるホスホニウム塩」であるのに対し、甲第１号証に記載された発明２においては、「硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシド」である点。
　
＜相違点５＞
　本件特許発明６においては、「ホスホニウム塩」の含有量が「１グラム当たり０．４〜２０マイクロモル」であるのに対し、甲第１号証に記載された発明２においては、「ホスホニウム塩」がの含有量が「１グラム当たり０．４〜２０マイクロモル」ではない点。
　
（３）相違点の判断 
　相違点３及び相違点４について検討すると、上記４−１．（３）で検討した相違点１及び相違点２の判断と同様の理由により、甲第１号証に記載された発明２から相違点３及び相違点４に係る本件特許発明６における発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得るとはいえない。 
　したがって、相違点５について検討するまでもなく、本件特許発明６は、甲第１号証に記載された発明２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　
（４）まとめ  
　以上のとおり、本件特許発明６は、甲第１号証に記載された発明２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから、本件特許発明６についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものではない。
　したがって、無効理由２によって、請求項６に係る発明についての特許を無効とすることはできない。　
　
４−４．本件特許発明７、８、１０及び１３に対して
　本件特許発明７、８、１０及び１３は、本件特許発明６に対して、さらなる発明特定事項を付加したものである。
　上記４−３．のとおり、本件特許発明６が、甲第１号証に記載された発明２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、本件特許発明６に対してさらなる発明特定事項を付加した本件特許発明７、８、１０及び１３もまた、甲第１号証に記載された発明２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　したがって、本件特許発明７、８、１０及び１３についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものではない。  
　よって、無効理由２によって、本件特許発明７、８、１０及び１３についての特許を無効とすることはできない。
　
４−５．本件特許発明１４に対して
（１）甲第１号証
　上記４−１．（１）の甲第１号証の記載事項を総合し、技術常識を踏まえて整理すると、甲第１号証には、以下の発明が記載されている。 
「半導体デバイスウエハを研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）方法であって、
　該方法は：
　半導体デバイスウエハの表面と、化学機械研磨用研磨剤スラリーとを接触させる工程であって、該化学機械研磨用研磨剤スラリーは、１．５のｐＨを有し、そしてアルミナと、硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシドと、０．１μｍカ−トリッジフィルタを通過した水とを含む工程を含んで成る、化学機械研磨法。」（以下、「甲第１号証に記載された発明３」という。）
　
（２）甲第２号証
　甲第２号証（特開２００２−１６４３０８号公報）には、次の事項が図面と共に記載されている。
ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学的機械的研磨用スラリーに関し、特に半導体装置の製造において、埋め込み金属配線の形成時に用いる研磨液として好適な化学的機械的研磨用スラリーに関する。に半導体装置の製造において、埋め込み金属配線の形成時に用いる研磨液として好適な化学的機械的研磨用スラリーに関する。」
　
イ．「【００５４】本発明の研磨用スラリーを用いたＣＭＰは、例えば次のようにして行うことができる。絶縁膜が形成され、その絶縁膜に所定のパターン形状を持つ凹部が形成され、その上に金属膜が成膜された基板を容易する。この基板をスピンドル等のウェハキャリアに設置する。この基板の金属膜表面を、回転プレート等の定盤上に貼り付けられた研磨パッドに所定の圧力をかけて接触させ、基板と研磨パッドの間に研磨用スラリーを供給しながら、ウェハと研磨パッドを相対的に動かして（例えば両方を回転させて）研磨する。研磨用スラリーの供給は、別途に設けた供給管から研磨パッド上へ供給してもよいし、定盤側から研磨パッド表面へ供給してもよい。必要により、パッドコンディショナーを研磨パッドの表面に接触させて研磨パッド表面のコンディショニングを行ってもよい。
【００５５】以上に説明した本発明の研磨用スラリーは、バリア金属膜が溝や接続孔等の凹部を有する絶縁膜上に形成され、その上にこの凹部を埋め込むように全面に導電性金属膜が形成された基板をＣＭＰ法により研磨して、埋め込み配線やビアプラグ、コンタクトプラグ等の電気的接続部を形成する場合に最も効果的に用いることができる。絶縁膜としては、シリコン酸化膜、ＢＰＳＧ膜、ＳＯＧ膜が挙げられる。導電性金属膜としては、銅、銀、金、白金、チタン、タングテン、アルミニウム、これらの合金からなる膜を挙げることができる。バリア金属膜としては、タンタル（Ｔａ）やタンタル窒化物、タンタル窒化シリコン等のタンタル系金属膜、チタン（Ｔｉ）やチタン窒化物等のチタン系金属膜、タングステン（Ｗ）やタングステン窒化物、タングステン窒化シリコン等のタングステン系金属膜を挙げることができる。中でも、本発明の研磨用スラリーは、導電性金属膜が銅系金属膜（銅膜又は銅を主成分とする銅合金膜）である場合においてより効果的に用いることができ、特に、導電性金属膜が銅系金属膜であり且つバリア金属膜がタンタル系金属膜である場合に効果的に用いることができる。」
　
ウ．「【００７４】
【発明の効果】　以上の説明から明らかなように、本発明の研磨用スラリーを用いてＣＭＰを行うことにより、高い研磨速度で、すなわち高スループットで、且つディッシングやエロージョンを抑制し、信頼性の高い電気的特性に優れた埋め込み型の電気的接続部を形成することができる。」
　
（３）対比  
　本件特許発明１４と甲第１号証に記載された発明３とを対比すると、本件特許発明６と甲第１号証に記載された発明２との対比と同様の相当関係を有する。
　これに加えて、甲第１号証に記載された発明３における「半導体デバイスウエハ」は、本件特許発明１４における「半導体基材」に相当し、また、甲第１号証に記載された発明３における「化学機械研磨（ＣＭＰ）方法」は、本件特許発明１４における「化学的機械的研磨（ＣＭＰ）方法」に相当し、さらに、甲第１号証に記載された発明３における「化学機械研磨用研磨剤スラリー」は、本件特許発明１４における「水性ＣＭＰ組成物」に相当する。
　そうすると、本件特許発明１４と甲第１号証に記載された発明３の一致点及び相違点は次のとおりである。 
　
＜一致点＞ 
　「半導体基材を研磨するための化学的機械的研磨（ＣＭＰ）方法であって、
　該方法は：
　半導体基材の表面と、水性ＣＭＰ組成物とを接触させる工程であって、該水性ＣＭＰ組成物は、５以下のｐＨを有し、そして砥粒と、テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドからなるホスホニウム塩と、それらの水性キャリアーとを含む工程
を含んで成る、ＣＭＰ法。」  
 　  
＜相違点６＞  
　「砥粒」が、本件特許発明１４においては、「コロイドシリカ」であるのに対し、甲第１号証に記載された発明３においては、「アルミナ」である点。
　
＜相違点７＞ 
　「テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドからなるホスホニウム塩」が、本件特許発明１４においては「水酸化テトラブチルホスホニウム（Ｂｕ４ＰＯＨ）からなるホスホニウム塩」であるのに対し、甲第１号証に記載された発明３においては、「硼酸テトラメチルフォスホニウムヒドロキシド」である点。
　
＜相違点８＞  
　本件特許発明１４においては「半導体基材の表面と、研磨パッドおよび水性ＣＭＰ組成物とを接触させることを含む工程と、少なくとも該半導体表面の一部分を磨耗させるのに充分な時間の間、該ＣＭＰ組成物の一部分と、該パッドと該基材との間の該表面との接触を維持しながら、該研磨パッドと該基材との間で、相対的な動きを生じさせる工程との各ステップを含んで成る」のに対して、甲第１号証に記載された発明３においては、これらのステップを含むかどうか明らかでない点。
　
（４）相違点の判断 
　相違点６及び相違点７について検討すると、上記４−１．（３）で検討した相違点１及び相違点２の判断と同様の理由により、甲第１号証に記載された発明３から相違点６及び相違点７に係る本件特許発明１４における発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得るとはいえない。 
　したがって、相違点８について検討するまでもなく、本件特許発明１４は、甲第１号証に記載された発明３及び甲第２号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　
（５）まとめ  
　以上のとおり、本件特許発明１４は、甲第１号証に記載された発明３及び甲第２号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから、本件特許発明１４についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものではない。  
　したがって、無効理由２によって、本件特許発明１４についての特許を無効とすることはできない。　
　
４−６．本件特許発明１５ないし１７及び１９に対して
　本件特許発明１５ないし１７及び１９は、本件特許発明１４に対して、さらなる発明特定事項を付加したものである。
　上記４−５．のとおり、本件特許発明１４が、甲第１号証に記載された発明３及び甲第２号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、本件特許発明１４に対してさらなる発明特定事項を付加した本件特許発明１５ないし１７及び１９もまた、甲第１号証に記載された発明３及び甲第２号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　したがって、本件特許発明１５ないし１７及び１９についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものではない。
 よって、無効理由２によって、本件特許発明１５ないし１７及び１９についての特許を無効とすることはできない。
　
５．無効理由１（特許法第２９条第１項第３号）  
５−１．本件特許発明１に対して
（１）甲第１号証
　甲第１号証の記載事項及び甲第１号証に記載された発明１は、前記４．４−１．（１）のとおりである。 
 　 
（２）対比  
 　本件特許発明１と甲第１号証に記載された発明１とを対比すると、前記４．４−１．（２）のとおりの相違点１及び相違点２がある。  
 　 
（３）相違点の判断 
　本件特許発明１と甲第１号証に記載された発明１とは相違点１及び相違点２を有するから、本件特許発明１は、甲第１号証に記載された発明１ではない。 
 　 
（４）請求人の主張
　請求人は、「しかしながら、甲第１号証の段落００１０には『・・・研磨剤スラリー中の砥粒としては、・・・好ましくは、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、ベーマイト、アルミナが使用される。』と記載され、これらが均等に使用可能である旨が教示されている。」（審判事件弁駁書第３ページ第１３ないし１６行）及び「平成２９年６月１５日付け提出の無効審判請求書第３７乃至３８頁等において指摘したようにテトラアルキルホスホニウムヒドロキシドは甲第１号証に記載されている。テトラアルキルホスホニウムヒドロキシドは水酸化テトラアルキルホスホニウムと同義であり、水酸化テトラブチルホスホニウムを包含するものである。」（審判事件弁駁書第３ページ第２３ないし２７行）と主張している。
　しかしながら、コロイダルシリカとテトラブチルホスホニウム（ヒドロキシド水酸化テトラブチルホスホニウム）とを同時に使用する実施例や比較例が甲第１号証に記載されていない以上、本件特許発明１が甲第１号証に記載されているとはいえないから請求人の主張は採用できない。  
 　 
（５）まとめ  
　以上のとおり、本件特許発明１は、甲第１号証に記載された発明１ではないから、本件特許発明１についての特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反するものではない。 
　したがって、無効理由１によって、本件特許発明１についての特許を無効とすることはできない。
 　 
５−２．本件特許発明２、３、５及び１１に対して
　本件特許発明２、３、５及び１１は、本件特許発明１に対して、さらなる発明特定事項を付加したものである。
　したがって、本件特許発明２、３、５及び１１と甲第１号証に記載された発明１とを対比すると、前記４．４−１．（２）のとおりの相違点１及び相違点２があるから、本件特許発明２、３、５及び１１は、甲第１号証に記載された発明１ではない。 
　よって、本件特許発明２、３、５及び１１についての特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反するものではない。 
　したがって、無効理由１によって、本件特許発明２、３、５及び１１についての特許を無効とすることはできない。
　
５−３．本件特許発明６に対して
（１）甲第１号証
　甲第１号証の記載事項及び甲第１号証に記載された発明２は、前記４．４−１．（１）及び４−３．（１）のとおりである。 
 　 
（２）対比  
 　本件特許発明６と甲第１号証に記載された発明２とを対比すると、前記４．４−３．（２）のとおりの相違点３ないし相違点５がある。  
 　 
（３）相違点の判断 
　本件特許発明６と甲第１号証に記載された発明２とは相違点３ないし相違点５を有するから、本件特許発明６は、甲第１号証に記載された発明２ではない。 
 　 
（４）まとめ  
　以上のとおり、本件特許発明６は、甲第１号証に記載された発明２ではないから、本件特許発明６についての特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反するものではない。 
　したがって、無効理由１によって、本件特許発明６についての特許を無効とすることはできない。
　
５−４．本件特許発明７、８、１０及び１３に対して
　本件特許発明７、８、１０及び１３には、本件特許発明６に対して、さらなる発明特定事項を付加したものである。
　したがって、本件特許発明７、８、１０及び１３と甲第１号証に記載された発明２とを対比すると、前記４．４−３．（２）のとおりの相違点３ないし相違点５があるから、本件特許発明７、８、１０及び１３は、甲第１号証に記載された発明２ではない。 
　よって、本件特許発明７、８、１０及び１３についての特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反するものではない。 
　したがって、無効理由１によって、本件特許発明７、８、１０及び１３についての特許を無効とすることはできない。
　
第７．むすび 
　以上のとおり、無効理由１ないし５によって、本件特許発明１ないし３、５ないし８、１０、１１、１３ないし１７及び１９についての特許を無効とすることはできない。
　また、本件特許発明４、９、１２及び１８は、訂正により削除されたので、本件特許発明４、９、１２及び１８についての特許に対する無効審判請求は不適法な請求であり、その補正をすることができないものであるから、特許法第１３５条の規定により却下する。
　
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。 
　
　よって、結論のとおり審決する。