【手続補正書】
【提出日】平成22年1月19日(2010.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
【数１】
2007534159.tif 000001
方向からなる群から選択される方向に主に向かう＜０００１＞方向から、２．５〜１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされたＧａＮ（０００１）表面を含み、前記表面が５０×５０μｍ２ＡＦＭ走査により測定された１ｎｍ未満のＲＭＳ粗さと、３Ｅ６ｃｍ−２未満の転位密度とを有するＧａＮ基板。
【請求項２】
前記ＧａＮ（０００１）表面が、主に前記
【数２】
2007534159.tif 000002
方向に向かってオフカットされている、請求項１に記載のＧａＮ基板。
【請求項３】
前記ＧａＮ（０００１）表面が、主に前記
【数３】
2007534159.tif 000003
方向に向かってオフカットされている、請求項１に記載のＧａＮ基板。
【請求項４】
前記ＧａＮ（０００１）表面が、５〜８度の範囲のオフカット角度でオフカットされている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＧａＮ基板。
【請求項５】
前記表面が、５０×５０μｍ２ＡＦＭ走査により測定された０．９ｎｍ未満のＲＭＳ粗さを有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＧａＮ基板。
【請求項６】
前記表面が、５０×５０μｍ２ＡＦＭ走査により測定された０．５ｎｍ未満のＲＭＳ粗さを有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＧａＮ基板。
【請求項７】
前記表面が、１Ｅ６ｃｍ−２未満の転移密度を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のＧａＮ基板。
【請求項８】
前記表面が、５Ｅ５ｃｍ−２未満の転移密度を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のＧａＮ基板。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のＧａＮ基板と、前記表面上に蒸着したホモエピタキシャルＧａＮ層を含む超小型電子または光電子デバイス構造とを備える、超小型電子または光電子デバイス物品。
【請求項１０】
前記超小型電子または光電子デバイス構造がレーザダイオードと、発光デバイスと、トランジスタと、ダイオードと検出器とからなる群から選択されるデバイスを備える、請求項９に記載の超小型電子または光電子デバイス物品。
【請求項１１】
前記超小型電子または光電子デバイス構造が、青色以下の波長のレーザダイオード、またはＨＥＭＴデバイスを備える、請求項９に記載の超小型電子または光電子デバイス物品。
【請求項１２】
【数４】
2007534159.tif 000004
方向からなる群から選択される方向に主に向かう＜０００１＞方向から、２．５〜１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされたＧａＮ（０００１）表面を含み、前記表面が５０×５０μｍ２ＡＦＭ走査により測定された１ｎｍ未満のＲＭＳ粗さと、３Ｅ６ｃｍ−２未満の転位密度とを有するＧａＮ基板を形成する方法であって、バルクＧａＮ単一結晶体を成長させるステップと、前記バルクＧａＮ単一結晶体を処理してそこから少なくとも１つのウェハを形成するステップとを含み、前記処理ステップが、
（ｉ）前記
【数５】
2007534159.tif 000005
方向からなる群から選択される前記方向に前記オフカット角度でｃ面から離れるように傾斜したスライス面で行われるスライスステップと、
（ｉｉ）前記
【数６】
2007534159.tif 000006
方向からなる群から選択される前記方向に前記オフカット角度でｃ面から離れるように傾斜したラッピング面で行われる角度付きラッピングステップと、
（ｉｉｉ）前記
【数７】
2007534159.tif 000007
方向からなる群から選択される方向に主に向かう前記＜０００１＞方向から、２．５〜１０度の前記範囲のオフカット角度でオフカットされた（０００１）表面を含む微傾斜へテロエピタキシャル基板上で前記バルクＧａＮ単一結晶体を成長させるステップ後に前記バルクＧａＮ単一結晶体を分離するステップとからなる群から選択されるステップを含む方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのウェハが、ラッピング、研磨および化学機械研磨からなる群から選択される少なくとも１つの仕上げステップにより仕上げられる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記処理ステップが、ステップ（ｉ）を含む、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記処理ステップが、ステップ（ｉｉ）を含む、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記処理ステップが、ステップ（ｉｉｉ）を含む、請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記微傾斜へテロエピタキシャル基板が、サファイアおよびＧａＡｓからなる群から選択される材料を備える、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記オフカット角度の範囲は、５〜８度である、請求項１２〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
（ａ）請求項１２〜１８のいずれか一項に記載の方法によりＧａＮ基板を形成するステップと、
（ｂ）前記ＧａＮ基板上にホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を蒸着するステップと、
からなるステップを含む、超小型電子または光電子デバイスを作製する方法。
【請求項２０】
前記ホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を蒸着するステップが、ＭＯＶＰＥを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記蒸着ステップが、１１００〜１２２５℃の範囲の温度で行われる、請求項１９または２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記蒸着ステップが、１１２０〜１１７０℃の範囲の温度で行われる、請求項１９または２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記蒸着ステップが、７００〜１２２０℃の範囲の温度で行われる、請求項１９または２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記蒸着ステップが、０．１μｍ／時〜５０μｍ／時の範囲の成長速度で行われる、請求項１９〜２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記蒸着ステップが、１μｍ／時〜４μｍ／時の範囲の成長速度で行われる、請求項１９〜２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記蒸着ステップが、約２μｍ／時〜約４μｍ／時の範囲の成長速度で行われる、請求項１９〜２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
前記ホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料が、ＧａＮを含む、請求項１９〜２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
ＡｌＧａＮ材料を前記ＧａＮ含有ホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料上に蒸着してＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＨＥＭＴを形成するステップをさらに含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
【数８】
2007534159.tif 000008
方向からなる群から選択される方向に主に向かう＜０００１＞方向から、０．２〜１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされたＧａＮ（０００１）表面を含むＧａＮ基板を含み、前記表面が５０×５０μｍ２ＡＦＭ走査により測定された１ｎｍ未満のＲＭＳ粗さと、３Ｅ６ｃｍ−２未満の転位密度とを有する、非発光電子デバイス構造。
【請求項３０】
請求項２９に記載の前記構造を備えるトランジスタ、ダイオード、および検出器からなる群から選択される非発光超小型電子デバイス物品。
【請求項３１】
【数９】
2007534159.tif 000009
方向からなる群から選択される方向に主に向かう＜０００１＞方向から、０．２〜１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされたＧａＮ（０００１）表面を含むＧａＮ基板を含み、前記表面が５０×５０μｍ２ＡＦＭ走査により測定された１ｎｍ未満のＲＭＳ粗さと、３Ｅ６ｃｍ−２未満の転位密度とを有する、トランジスタおよび検出器からなる群から選択される電子デバイス構造。
【請求項３２】
前記ＧａＮ（０００１）表面が２〜４度の範囲のオフカット角度でオフカットされている、請求項２９〜３１のいずれか一項に記載の構造。
【請求項３３】
前記ＧａＮ（０００１）表面が２．５〜１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされている、請求項２９〜３１のいずれか一項に記載の構造。
【請求項３４】
前記ＧａＮ（０００１）表面が５〜８度の範囲のオフカット角度でオフカットされている、請求項２９〜３１のいずれか一項に記載の構造。
【請求項３５】
請求項２９〜３１のいずれか一項に記載の構造を備える超小型電子または光電子デバイス物品。
【請求項３６】
請求項２９〜３４のいずれか一項に記載の前記構造を含む高電子移動度トランジスタ。