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　特願２００２−２９０３４１「電子ビーム検査方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年７月１８日出願公開、特開２００３−２０２３０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本件出願は、平成１１年６月２３日に出願した特願平１１−１７６７８１号（１９９１年５月３０日にアメリカ合衆国でされた特許出願（優先権主張番号第７１０３５１号）による優先権を主張して平成４年５月１８日に特許出願がされた特願平４−１２４９５１号の一部を新たな特許出願としたもの）の一部を平成１４年１０月２日に新たな特許出願としたものであり、平成１６年７月２３日付けで拒絶査定がされ、同月２７日に発送されたところ、同年１０月２５日に拒絶査定に対する審判が請求され、同年１１月２４日に手続補正書が提出されたものである。
　そして、その特許を受けようとする発明は、平成１６年５月１８日に提出した手続補正書及び同年１１月２４日に提出した手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１には以下のとおり記載されている。 
 「【請求項１】　フィールドエミッション電子源を用いて電子ビームを供給するステップと、荷電粒子ビームコラムを用いて、前記フィールドエミッション電子源からの電子ビームを基板表面に送りスキャンするステップと、少なくとも１つの荷電粒子検出器を使用して、前記基板の上面或いは底面から生じる、二次荷電粒子、後方散乱荷電粒子及び透過荷電粒子の３タイプの荷電粒子のうちの少なくとも一つの荷電粒子を検出するステップと、前記基板を保持するｘ−ｙステージを連続的に移動して、前記基板が前記荷電粒子ビームによりスキャンされている間に、前記基板に少なくとも一自由度の動きを与えるステップと、前記ステージの連続的な移動において生ずる高周波誤差を、干渉計からの位置データに基づき電子ビームを偏向することにより修正するステップと、を具備することを特徴とする基板の自動検査方法。」（以下、「本願発明」という。） 
　
２．刊行物に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開昭６３−１７５２３号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　ア．「（１）設計データに基づいてブランキング制御されたビームを試料に照射して、その試料上に所定パターンを描画する電子ビーム描画装置において、前記試料に代えて取り付けられたマスクからの反射電子を検出してマスク上のパターンを撮像する像検出手段と、この像検出手段の出力から前記設計データに基づく設計パターンに対応させた撮像パターンデータを創成するための撮像パターンデータ発生手段と、該設計パターンデータと撮像パターンデータとを比較して該マスクのパターンの欠陥を検出する比較検査手段とを設け、前記電子ビームを走査しながら前記マスクの検査ができるよう構成したことを特徴とする電子ビーム描画装置。」（１頁左下欄５〜１８行）
　イ．「測長システム２０は、Ｙテーブル１６上に固定されＸ反射ミラー２３と、このＸ反射ミラー２３に向けてレーザ光を照射するための光源を含みＸ反射ミラー２３からの反射光を受けてこれと基準光とを干渉することによってＸテーブル１２の移動変位ないし現在値を検出するレーザ干渉計２４とから形成されている。なお、Ｙ位置検出についても同様である（図示省略）。」（４頁左上欄５〜１２行）
　ウ．「電子光学系３０はフレーム１の上部に設けられた電子銃３から射出された電子ビーム４を試料５上に所定のビーム径をもって所定の位置に照射できるようビームコントロールするための第１コンデンサレンズ３１と第２コンデンサレンズ３２と対物レンズ３３とをこの順で上方から下方側に配置させて形成されている。電子銃３は電子を放出するカソードとビームを加速するアノードとからなる。また、第１コンデンサレンズ３１と第２コンデンサレンズ３２との間にはブランキング制御するためのブランキング電極３５およびアパーチャ３６が設けられ、第２コンデンサレンズ３２と対物レンズ３３との間にはビームをＸ軸方向に偏向させるための偏向電極３７が設けられている。偏向電極３７は印加する電圧を制御して試料５上に照射するビーム位置を移動させるものである。偏向電極３７と対峙するＹ軸方向用の偏向電極は図示省略している。Ｙテーブル１６の上方側に設けられた像検出手段である反射電子検出器３９は試料５からの反射電子を検出し撮像パターンデータ発生手段を形成する校正ユニット９０にその情報を出力するためのものである。」（４頁左上欄１２行〜右上欄１５行）
　エ．「偏向制御ユニット８０は、第５図（Ａ）に示すようにＣＰＵ５０から指令される偏向幅相当デジタル信号をアナログ信号に変換する偏向用Ｄ／Ａ変換器８１と、変換された信号を積分し鋸刃状波形信号を発生させる積分器８３と、同様にＣＰＵ５０の指令される偏向開始位置相当デジタル信号をアナログ信号に変換する偏向開始位置用Ｄ／Ａ変換器８２と、積分器８３および偏向開始位置用Ｄ／Ａ変換器８２の両アナログ信号を加算してブランキング電極３５（当審注：偏向電極３７の誤記と認める）へ偏向制御信号を出力するための加算器８５とを含み形成されている。なお、第１図に示される上記偏向電極３７はＸ偏向用であり、Ｙ偏向用の偏向電極を図示省略しているが、この偏向制御ユニット８０は第５図に示した加算器８５等々の２系列を設け形成されている。・・・また、偏向制御ユニット８０は、テーブル１２，１６移動時の水平方向の蛇行や振動をリアルタイムで検出した測長システム２０からの信号を受けてパターン位置の変動を補正する機能をも備えている。従って、描画および検査の精度を一層向上させることができる。」（５頁左下欄１２行〜右下欄１８行）
　オ．「スキャン制御ユニット６２は、測長システム２０（第１図においてはＹ軸方向の測長システムは図示省略している）からＸテーブル１２およびＹテーブル１６の移動に伴って発生されるアップ／ダウンパルス信号をカウントして両テーブル１２，１６の現在値を求めＣＰＵ５０がいつでも読み取れるようするとともにＣＰＵ５０から指令されるスキャン開始位置Ｐｓ、スキャンピッチＰ、スキャン本数等の指令信号を受けて、スキャン開始位置Ｐｓに達するとビット変換ユニット７０、偏向制御ユニット８０にタイミング信号を送出でき、かつ指定された走査本数が完了するとこれを停止するよう形成されている。ここに、本装置の描画方法は第８図に示すようにＸ偏向電極３７によって電子ビームをＸ軸方向に走査しつつＹテーブル１６をＹ軸方向に連続移動させるとともにＸテーブル１２を間歇的に移動させて第８図の点線で示したように帯状の領域毎にジグザグ走行させながら実線の方向に順次行われるものとされている。」（６頁左上欄２０行〜右上欄１８行）
　カ．「テーブル制御ユニット６４は、ＣＰＵ５０からの速度、方向および移動距離指定に基づき、内蔵したドライバ（図示省略）を介しモータ１３，１７を駆動させてＸおよびＹテーブル１２，１６を制御するものである。」（６頁右上欄１９行〜左下欄３行）
　キ．「（描画作業）・・・従って、スキャン制御ユニット６２、テーブル制御ユニット６４とを協働させ第８図で示すようにＹテーブル１６を移動させつつ偏向制御ユニット８０によって一列目のＸ走査を行い、この一列目が完了したときにはＸテーブル１２を二列目の位置に移動させ、Ｙテーブル１６を逆方向に移動し、図で点線で示すようにジグザグに試料５の所定領域に所定のパターンを描画することができる。」（８頁右上欄２行〜左下欄１７行）
　ク．「（マスク形成）描画作業完了後、描画された試料５をＹテーブル１６から取り外し、別個の装置によって試料５を現像し、エッチングを行う等所定の公知手順によってマスクを形成する。このようにして製造したマスクまたは別個の描画装置で製造したマスクをＹテーブル１６上の所定位置にセットする。」（８頁左下欄１８〜右下欄５行）
　ケ．「（検査作業）・・・次いで、先の設計データ・・・に基づきビット変換ユニット７０、偏向制御ユニット８０、スキャン制御ユニット６２およびテーブル制御ユニット６４を協働させて描画作業の場合と同様な手順によりマスク上に区画されたパターンをスキャンする。・・・（２）このデータセットが終了するころに移動させつつあったＹテーブル１６がスキャン開始位置Ｐｓ（第８図）に到達すると偏向制御ユニット８０が行うビームスキャンに同期させるスキャン制御ユニット６２のタイミング信号を基準としたシフトクロックＳＣ１が発せられシフトレジスタ１０７にはコンパレータ１０８で２値化した撮像データが校正ユニット９０からロードされる。」（８頁右下欄６行〜９頁右上欄１９行）
　
　コ．マスクの検査作業における電子ビームの走査に関し、上記摘記事項ケに「先の設計データ・・・に基づきビット変換ユニット７０、偏向制御ユニット８０、スキャン制御ユニット６２およびテーブル制御ユニット６４を協働させて描画作業の場合と同様な手順によりマスク上に区画されたパターンをスキャンする。」と記載されている。そして、描画作業におけるスキャンに関し、上記摘記事項キには「スキャン制御ユニット６２、テーブル制御ユニット６４とを協働させ第８図で示すようにＹテーブル１６を移動させつつ偏向制御ユニット８０によって一列目のＸ走査を行い、この一列目が完了したときにはＸテーブル１２を二列目の位置に移動させ、Ｙテーブル１６を逆方向に移動し、図で点線で示すようにジグザグに試料５の所定領域に所定のパターンを描画することができる。」と記載され、また、スキャン制御ユニット６２に関し、上記摘記事項オに「ここに、本装置の描画方法は第８図に示すようにＸ偏向電極３７によって電子ビームをＸ軸方向に走査しつつＹテーブル１６をＹ軸方向に連続移動させるとともにＸテーブル１２を間歇的に移動させて第８図の点線で示したように帯状の領域毎にジグザグ走行させながら実線の方向に順次行われるものとされている。」と記載されている。そして、上記摘記事項クに「このようにして製造したマスク・・・をＹテーブル１６上の所定位置にセットする。」と記載されていることからみて、刊行物１に記載された電子ビーム描画装置は、マスクの検査作業において、偏向制御ユニット８０、スキャン制御ユニット６２およびテーブル制御ユニット６４を協働させてＸ偏向電極３７によって電子ビームをＸ軸方向に走査しつつ、マスクが所定位置にセットされているＹテーブル１６をＹ軸方向に連続移動させるとともにＸテーブル１２を間歇的に移動させマスク上に区画されたパターンをスキャンすることが読み取れる。
　サ．偏向制御ユニット８０に関し、上記摘記事項エに「偏向制御ユニット８０は、テーブル１２，１６移動時の水平方向の蛇行や振動をリアルタイムで検出した測長システム２０からの信号を受けてパターン位置の変動を補正する機能をも備えている。」と記載されている。そして、マスクの検査作業についての上記摘記事項ケに「ビット変換ユニット７０、偏向制御ユニット８０、スキャン制御ユニット６２およびテーブル制御ユニット６４を協働させて・・・マスク上に区画されたパターンをスキャンする。」と記載され、上記摘記事項イに「測長システム２０は、・・・移動変位ないし現在値を検出するレーザ干渉計２４とから形成されている。なお、Ｙ位置検出についても同様である」と記載されていることからみて、刊行物１に記載された電子ビーム描画装置は、マスクの検査作業において、偏向制御ユニット８０によりＸテーブル１２及びＹテーブル１６移動時の水平方向の蛇行や振動をリアルタイムで検出したレーザ干渉計２４からの信号を受けてパターン位置の変動を補正するものであることが読み取れる。
　シ．電子ビームの走査をするための装置に関する上記摘記事項ウからみて、マスクの検査作業において、第１及び第２のコンデンサレンズ３１、３２、対物レンズ３３、ブランキング電極３５、アパーチャ３６、偏向電極３７により、電子銃３から射出された電子ビーム４を所定のビーム径をもってマスクの所定の位置にスキャンしており、また、反射電子検出器３９によりマスクからの反射電子を検出するものであることが読み取れる。
　
　そして、上記コ〜シの考察から、刊行物１には、電子ビーム描画装置によるマスクの検査方法に関して、次の発明が記載されているものと認められる。
「電子銃３から電子ビーム４を射出し、
　第１及び第２のコンデンサレンズ３１、３２、対物レンズ３３、ブランキング電極３５、アパーチャ３６、偏向電極３７により、電子銃３からのの電子ビーム４をマスクの所定の位置にスキャンし、
　反射電子検出器３９によりマスクからの反射電子を検出し、
　偏向制御ユニット８０、スキャン制御ユニット６２およびテーブル制御ユニット６４を協働させてＸ偏向電極３７によって電子ビームをＸ軸方向に走査しつつ、マスクが所定位置にセットされているＹテーブル１６をＹ軸方向に連続移動させるとともにＸテーブル１２を間歇的に移動させマスク上に区画されたパターンをスキャンし、
　偏向制御ユニット８０によって、Ｘテーブル１２及びＹテーブル１６移動時の水平方向の蛇行や振動をリアルタイムで検出したレーザ干渉計２４からの信号を受けてパターン位置の変動を補正するものであるマスクの検査方法。」（以下、「引用発明」という。）
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開昭５９−１５５９４１号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面ととも次の事項が記載されている。 
　ス．「本発明は、電子ビームを用いて、金属または半導体からなる基板上に絶縁膜を有する試料、あるいは該絶縁膜上に任意の形状の金属または半導体が孤立して形成された試料の、前記絶縁膜の欠陥を検査する電子ビーム検査装置に関する。」（１頁左下欄１５〜１９行）
　セ．「第６図は、本発明の第１の実施例の電子ビーム検査装置の概略ブロック図である。この図において、１１は電子ビーム源となる電界放射陰極で、尖針１１ａとこれに接続されたＷフィラメント１１ｂからなる。１８は−１ｋＶ程度の直流高電圧の電源で、電界放射陰極１１に電界放射のための電位を与える。１９はフィラメント１１ｂを通電加熱し１１００℃近傍に保つための電源である。１２はアノード、１２ａはアノード１２の絞り孔で、電界放射陰極１１からは電子が放射角１／４ｒａｄ程度で絞り孔１２ａに放射される。」（４頁左下欄１０行〜右下欄９行）
　
３．対比・判断
（１）引用発明の「電子ビーム４」、「マスク」、「反射電子検出器３９」、「マスクからの反射電子」、「Ｘテーブル１２及びＹテーブル１６」、「レーザ干渉計２４」は、それぞれ本願発明の「電子ビーム」、「基板」、「少なくとも１つの荷電粒子検出器」、「基板の上面或いは底面から生じる、二次荷電粒子、後方散乱荷電粒子及び透過荷電粒子の３タイプの荷電粒子のうちの少なくとも一つの荷電粒子」、「ｘ−ｙステージ」、「干渉計」に相当する。
（２）引用発明の「電子銃３」と本願発明の「フィールドエミッション電子源」とは、ともに「電子源」といえる。してみると、引用発明の「電子銃３から電子ビーム４を射出し」と本願発明の「フィールドエミッション電子源を用いて電子ビームを供給するステップ」とは、ともに「電子源を用いて電子ビームを供給するステップ」である点で共通する。
（３）引用発明において、電子ビームをスキャンするために用いられる、第１及び第２のコンデンサレンズ３１、３２、対物レンズ３３、ブランキング電極３５、アパーチャ３６及び偏向電極３７は、本願発明の「荷電粒子ビームコラム」に相当するものといえるから、引用発明の「第１及び第２のコンデンサレンズ３１、３２、対物レンズ３３、ブランキング電極３５、アパーチャ３６、偏向電極３７により、電子銃３からのの電子ビーム４をマスクの所定の位置にスキャンし」と本願発明の「荷電粒子ビームコラムを用いて、前記フィールドエミッション電子源からの電子ビームを基板表面に送りスキャンするステップ」とは、「電子源からの電子ビームを基板表面に送りスキャンするステップ」である点で共通する。
（４）引用発明の「反射電子検出器３９によりマスクからの反射電子を検出し」は、本願発明の「少なくとも１つの荷電粒子検出器を使用して、前記基板の上面或いは底面から生じる、二次荷電粒子、後方散乱荷電粒子及び透過荷電粒子の３タイプの荷電粒子のうちの少なくとも一つの荷電粒子を検出するステップ」に相当する。
（５）引用発明は、Ｘテーブル１２及びＹテーブル１６のうち、Ｙテーブル１６が連続的に移動することで、そのＹテーブル１６の所定位置にセットされたマスクに一自由度の動きを与えるものであるから、引用発明の「電子ビームをＸ軸方向に走査しつつ、マスクが所定位置にセットされているＹテーブル１６をＹ軸方向に連続移動させるとともにＸテーブル１２を間歇的に移動させマスク上に区画されたパターンをスキャンし」は、本願発明の「前記基板を保持するｘ−ｙステージを連続的に移動して、前記基板が前記荷電粒子ビームによりスキャンされている間に、前記基板に少なくとも一自由度の動きを与えるステップ」に相当する。
（６）引用発明の検査方法においてＹテーブルは連続移動していることから、Ｘテーブル１２及びＹテーブル１６移動時の水平方向の蛇行や振動のうち、Ｙテーブル移動時の水平方向の振動は、その連続的な移動において生ずるものであって、本願発明の「ステージの連続的な移動において生ずる高周波誤差」と実質的な意味において異なるものではない。そして、刊行物１の第５図（Ａ）及び上記摘記事項エに示されているように、偏向制御ユニット８０は偏向電極３７に偏向制御信号を出力し、電子ビーム４の偏向を制御するものであるから、引用発明の「パターン位置の変動を補正する」とは、電子ビームの偏向を制御してＸテーブル１２及びＹテーブル１６移動時の水平方向の蛇行や振動による変動を修正することを意味することは明らかである。したがって、引用発明の「Ｙテーブル１６移動時の水平方向の振動をリアルタイムで検出したレーザ干渉計２４からの信号を受けてパターン位置の変動を補正する」は、「ステージの連続的な移動において生ずる高周波誤差を、干渉計からの位置データに基づき電子ビームを偏向することにより修正するステップ」に相当する。
（７）引用発明のマスクを検査する方法は、偏向制御ユニット８０、スキャン制御ユニット６２およびテーブル制御ユニット６４を協働させることで、Ｘテーブル１２及びＹテーブル１６を移動させつつ電子ビームをＸ軸方向に走査させるものであるが、上記摘記事項エないしカに示されているように、偏向制御ユニット８０、スキャン制御ユニット６２およびテーブル制御ユニット６４は、ＣＰＵからの指令のもとに動作するものであることからみて、引用発明の「マスクの検査方法」が自動でなされることは明らかである。したがって、引用発明の「マスクの検査方法」は本願発明の「基板の自動検査方法」に相当する。
　　
　以上（１）〜（７）から、本願発明と引用発明とは、以下の【一致点】で一致し、【相違点】で相違する。
　
【一致点】
　電子源を用いて電子ビームを供給するステップと、荷電粒子ビームコラムを用いて、
前記電子源からの電子ビームを基板表面に送りスキャンするステップと、
少なくとも１つの荷電粒子検出器を使用して、前記基板の上面或いは底面から生じる、二次荷電粒子、後方散乱荷電粒子及び透過荷電粒子の３タイプの荷電粒子のうちの少なくとも一つの荷電粒子を検出するステップと、
前記基板を保持するｘ−ｙステージを連続的に移動して、前記基板が前記荷電粒子ビームによりスキャンされている間に、前記基板に少なくとも一自由度の動きを与えるステップと、
前記ステージの連続的な移動において生ずる高周波誤差を、干渉計からの位置データに基づき電子ビームを偏向することにより修正するステップと、
を具備することを特徴とする基板の自動検査方法。
　
【相違点】
　本願発明が、電子源としてフィールドエミッション電子源を用いているのに対して、引用発明は、電子源について電子銃としか記載されていない点。
　
　そこで、上記【相違点】について検討する。電子ビームを用いた検査装置に用いる電子源としてフィールドエミッション電子源を用いることは、上記刊行物２にも示されているとおり周知であり、引用発明の電子銃として、このような周知のフィールドエミッション電子源を用いることに格別の困難性はない。　
　
　そして、本願発明の奏する効果も、引用発明及び周知技術から容易に予測し得る程度のものである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  そして、本願発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２ないし１６に係る発明について審理するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。