【事件の表示】
　特願２０１４−　７４２４５「光導波路素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１１月　９日出願公開，特開２０１５−１９７４９９，請求項の数（７）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成２６年３月３１日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２９年　６月２７日　拒絶理由通知（同年７月４日発送）
　　　同年　８月２８日　手続補正・意見書提出
平成３０年　１月２９日　拒絶査定（同年２月６日謄本送達）
　　　同年　４月２７日　審判請求・手続補正
　　（同年　７月　３日　前置報告書）
　　　同年　９月　６日　上申書提出
２　本願発明
　本願の請求項１〜７に係る発明は，平成３０年４月２７日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである（以下，請求項１〜７の各請求項に係る発明を，それぞれ「本願発明１」〜「本願発明７」という。）。
「【請求項１】
　基板と，
　前記基板上に形成された第１の電極と，
　前記基板上の外縁部に形成され，前記第１の電極に隣接して，かつ前記第１の電極の外縁全周を囲むように形成された高さ調整部と，
　前記第１の電極および前記高さ調整部上に形成され，ポリマーからなる下部クラッドおよび上部クラッド，並びにポリマーからなるコアで構成される光導波路と，
　前記光導波路上に形成された第２の電極と，
を備え，
　前記第２の電極の端部の下方に位置する前記第１の電極は，前記第２の電極と重ならない領域を有し，
　前記高さ調整部は，絶縁性であり，かつ，前記下部クラッドのガラス転移点よりも高いガラス転移点を有する材料からなることを特徴とする光導波路素子。
　　【請求項２】
　前記高さ調整部の高さと前記第１の電極の高さとの差が０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の光導波路素子。
　　【請求項３】
　前記基板と前記高さ調整部は，一体で形成されてなることを特徴とする請求項１または２に記載の光導波路素子。
　　【請求項４】
　基板上に第１の電極を形成する第１の電極形成工程と，
　前記基板上の外縁部において，前記第１の電極に隣接するとともに，前記第１の電極の外縁全周を囲むように高さ調整部を形成する高さ調整部形成工程と，
　前記第１の電極および前記高さ調整部上に，ポリマーからなる下部クラッドおよび上部クラッド，並びにポリマーからなるコアで構成される光導波路を形成する光導波路形成工程と，
　前記光導波路上に，第２の電極を形成する第２の電極形成工程と，
を有し，
　前記光導波路形成工程において，前記高さ調整部を，絶縁性であり，かつ，前記下部クラッドのガラス転移点よりも高いガラス転移点を有する材料で形成することを特徴とする光導波路素子の製造方法。
　　【請求項５】
　前記高さ調整部形成工程において，前記高さ調整部の高さと前記第１の電極の高さとの差が０．２μｍ以下となるように，前記高さ調整部を形成することを特徴とする請求項４に記載の光導波路素子の製造方法。
　　【請求項６】
　基板の表面に，凹部を形成する凹部形成工程と，
　前記凹部内に，第１の電極を形成する第１の電極形成工程と，
　前記第１の電極および前記基板上に，ポリマーからなる下部クラッドおよび上部クラッド，並びにポリマーからなるコアで構成される光導波路を形成する光導波路形成工程と，
　前記光導波路上に，第２の電極を形成する第２の電極形成工程と，
を有する光導波路素子の製造方法において，
　前記凹部の側壁部は高さ調整部であり，
　前記光導波路形成工程において，前記高さ調整部を，絶縁性であり，かつ，前記下部クラッドのガラス転移点よりも高いガラス転移点を有する材料で形成することを特徴とする光導波路素子の製造方法。
　　【請求項７】
　前記第１の電極形成工程において，前記第１の電極の高さが前記基板の表面と略等しくなるように，前記第１の電極を形成することを特徴とする請求項６に記載の光導波路素子の製造方法。」
３　原査定の理由の概要
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１　特開２００３−９８３７１号公報
２　特開２００９−９８１９７号公報
３　特開２００３−１０１０４４号公報
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（１）原査定の理由の概要は次のとおりである。
ア　請求項１−３について
　請求項１−３に係る発明に対する理由は，引用例１には，基板１１上に配線層３３を形成し、高さを調節するように隣接して平坦化絶縁層３７を形成し、配線層と平坦化絶縁層の上にポリマーからなるクラッド、コアを有する光導波路を備えた素子が記載されており，また，引用例１には，基板１１と高さ調整部が一体化されており、凹部に埋込導電層１７を形成し、その上にポリマーからなる光導波路を備えた素子も記載されており，さらに，前記下部クラッドのガラス転移点よりも高いガラス転移点を有する材料からなるものとすることは，当業者が適宜に行うことであるから，請求項１−３に係る発明は，引用例１に記載された発明であり，また，引用例１に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである，というものである。
イ　請求項４及び５について
　請求項４及び５に係る発明に対する理由は，引用例２には，基板上の下部電極・下部電極非形成領域上に光導波路層を形成した光導波路素子の製造方法が記載されており，引用例２には，さらに，電極層の上に，光導波路層の下部クラッド層の形成前に，何らかの下引層を形成してもよいことが記載されており，一方，当業者であれば，引用例２に係る製造方法において，下部電極非形成領域も含めて凹凸を平坦化することは当然考慮することであり，その際，前記引用例１に記載された発明を採用することは容易になし得たことである，というものである。
ウ　請求項６及び７について
　請求項６及び７に係る発明に対する理由は，引用例２には，上記イに記載したとおりの光導波路素子の製造方法が記載されており，当該製造方法において，電極を設ける位置は当業者が適宜に選択できるものであり，その際，引用例３に記載された基板の表面に凹部を設け，電極配線を埋め込み，その上に光導波路を形成する方法や，引用例１に記載された基板の凹部に埋込層伝送を形成する方法を採用することは，当業者が容易になし得たことである，というものである。
４　引用例に記載された発明
（１）引用例１に記載された発明
ア　本願の出願前に日本国内において頒布された文献である引用例１（特開２００３−９８３７１号公報）には，図とともに以下の記載がある（下線は当審で付した。以下同様。）。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は平坦化電気配線を有する光配線基板に関するものであり，光通信システムのネットワーク網のクロスポイントに配置する，光信号の交換機（切換え装置，
光クロスコネクト）に用いられる導波路形態の光スイッチ基板における電気配線による光結合効率の低下を低減するための電気配線構造に特徴のある平坦化電気配線を有する光配線基板に関するものである
【０００２】
　・・・（中略）・・・
【００２４】図１１（ｅ）及び（ｅ′）参照
次いで，配線層８０のパッド部８１に接続するように，例えば，ＬｉＮｂＯ3からなる下部クラッド層８７，ＴｉドープＬｉＮｂＯ3 からなるコア層８８，及び，ＳｉＯ2 からなる上部クラッド層８９によって構成された光偏向素子７４を実装することによって光スイッチ基板の基本構成が完成する。なお，図示を省略しているが，光偏向素子７４の上側にプリズム型電極を設ける。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】しかし，図１０及び図１１に示した様に，通常の方法で配線を基板上に形成すると，配線層８０が数μｍ以上盛り上がるため，光の結合効率が著しく低下してしまうという問題がある。
【００２６】即ち，一般にシングルモード導波路のコア径は１０μｍ程度であるため，偏向部や光導波路を同一基板上に形成しても，高さ位置は配線層８０の厚さに起因して数μｍずれて光の結合効率が著しく低下してしまうためである。
【００２７】したがって，本発明は配線層を含む基板の表面を平坦化して光導波路と光学能動素子との高さ合わせを容易にして光結合効率を向上することを目的とする。」
「【００２８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構成の説明図であり，この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明するが，図１（ａ）は光配線基板の入力側の要部平面図であり，図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図である。
図１（ａ）及び（ｂ）参照
上記の目的を達成するために，
本発明は，平坦化電気配線２を有する光配線基板において，少なくとも光学能動素子３及び光導波路４，５を実装する基板として，電気配線２を含む表面が平坦な基板を用いたことを特徴とする
【００２９】
この様に，電気配線２を含む表面が平坦な基板を用いることによって，光導波路４，５と光学能動素子３との高さ合わせを容易にして光結合効率を向上することができる
【００３０】この場合，光学能動素子３を電気配線２の上表面の少なくとも一部に接するように実装された構造において，光導波路４，５と光学能動素子３とのシングルモードの光結合効率を向上するためには，電気配線２を含む表面が平坦な基板の表面粗さを，３μｍ以下，より，好適には，１μｍ以下であることが望ましい。なお，この場合の表面粗さとは，ＪＩＳ規格Ｂ０１６６０−１９９４規定による算術平均表面粗さである。
【００３１】
この様な表面が平坦な基板としては，絶縁性基板１に設けた溝に電気配線２を埋め込んだ基板を用いても良いし，或いは，絶縁性基板１上に設けた電気配線２の周囲に平坦化絶縁層を設けた基板を用いても良い
「【００３３】
【発明の実施の形態】ここで，図２乃至図４を参照して，本発明の第１の実施の形態の光スイッチ基板の製造工程を説明する。なお，「′」の伴なわない図がある場合には入射側の要部断面図であり，「′」の伴う図がある場合には「′」の付かない図は入射側の要部平面図であり，「′」付きの図は「′」の付かない図におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図であり，出射側は入射側と対称的に構成される。
【００３４】図２（ａ）及び（ａ′）参照
まず，表面が平坦な石英基板１１上に，厚さが，例えば，０．５μｍのＡｌ膜をスパッタ法によって堆積させたのち，レジストパターンを用いた通常のフォトエッチング工程によって所定配線形状の開口部を有する形状にエッチングすることによってＡｌマスク１２を形成する。
【００３５】次いで，このＡｌマスク１２をマスクとして，フッ素系の原料ガスを用いた反応性イオンエッチングを施すことによって，石英基板１１を例えば，５μｍの深さのパッド部１４及び配線部１５からなるｎ本の溝１３を形成する。
【００３６】図２（ｂ）参照
次いで，Ａｌマスク１２をウェット・エッチングによって除去したのち，全面に密着性改善層となるＣｒ膜及びメッキ下地層となるＣｕ膜をスパッタ法によって堆積させたのち，電解メッキ法を用いて厚さが，例えば，６μｍのＣｕメッキ膜を堆積させて導電層１６を形成する。
【００３７】図３（ｃ）及び（ｃ′）参照
次いで，ＣＭＰ（化学機械研磨）法によって，表面を１μｍ程度研磨して石英基板１１の表面を露出させることによって，埋込パッド部１８及び埋込配線部１９とからなる埋込導電層１７を形成する。なお，この場合の埋込導電層１７を含む全表面の表面粗さを３μｍ以下，より好適には１μｍ以下にする。
【００３８】図３（ｄ）参照
以降は，従来と同様に，スパッタ法によって，
全面に例えば，ＳｉＯ
2
 からなる下部クラッド層２１，ＧｅドープＳｉＯ
2
 からなるコア層２２，及び，ＳｉＯ
2
 からなる上部クラッド層２３を順次堆積させることによって光導波路２０を形成する
【００３９】図４（ｅ）及び（ｅ′）参照
次いで，所定のパターンのマスクを用いてドライエッチングを施すことによって光導波路２０をエッチングして，ｎ本の入射側光導波路となるチャネル光導波路２４，このチャネル光導波路２４と一体になったマイクロレンズアレイ状の二次元レンズ２５，及び，埋込導電層１７の埋込配線部１９の一部を覆うスラブ光導波路２６を形成する。
【００４０】図４（ｆ）及び（ｆ′）参照
次いで，埋込導電層１７の埋込パッド部１８に接続するように，例えば，ＬｉＮｂＯ3 からなる下部クラッド層２８，ＴｉドープＬｉＮｂＯ3 からなるコア層２９，及び，ＳｉＯ2 からなる上部クラッド層３０によって構成された光偏向素子２７を実装することによって光スイッチ基板の基本構成が完成する。
なお，図示を省略しているが，光偏向素子２７の上側にプリズム型電極を設ける
【００４１】この様に，
本発明の第１の実施の形態においては，ＣＭＰ法を利用して埋込導電層１７を形成して基板の表面を平坦化しているので，その上に設けるチャネル光導波路２４，二次元レンズ２５，光偏向素子２７，及び，スラブ光導波路２６の相互間で，コアの中心軸がずれることがなく良好な光結合を実現することができる
「【００４３】次に，図５乃至図７を参照して，本発明の第２の実施の形態の光スイッチ基板の製造工程を説明する。なお，「′」の伴なわない図がある場合には入射側の要部断面図であり，「′」の伴う図がある場合には「′」の付かない図は入射側の要部平面図であり，「′」付きの図は「′」の付かない図におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図であり，出射側は入射側と対称的に構成される。
【００４４】図５（ａ）参照
まず，表面が平坦な石英基板３１上に，密着性改善層となるＣｒ膜及びメッキ下地層となるＣｕ膜をスパッタ法によって堆積させたのち，電解メッキ法を用いて厚さが，例えば，５μｍのＣｕメッキ膜を堆積させて導電層３２を形成する。
【００４５】図５（ｂ）及び（ｂ′）参照
次いで，通常のフォトエッチ工程によって導電層３２をエッチングして，パッド部３４と配線部３５とからなるｎ本の配線層３３を形成する。
【００４６】図５（ｃ）参照
次いで，配線層３３上の厚さが少なくとも１μｍになるように，全面にポリイミドを塗布して，配線層３３を覆うポリイミド膜３６を形成する。
【００４７】図６（ｄ）及び（ｄ′）参照
次いで，ＣＭＰ（化学機械研磨）法によって，ポリイミド膜３６を１μｍ程度研磨して配線層３３の表面を露出させることによって，平坦化絶縁層３７を形成する。なお，この場合も配線層３３及び平坦化絶縁層３７からなる全表面の表面粗さを３μｍ以下，より好適には１μｍ以下にする。
【００４８】図６（ｅ）参照
以降は，従来と同様に，スパッタ法によって，全面に
例えば，ＳｉＯ
2
 からなる下部クラッド層３９，ＧｅドープＳｉＯ
2
 からなるコア層４０，及び，ＳｉＯ
2
 からなる上部クラッド層４１を順次堆積させることによって光導波路３８を形成する
【００４９】図７（ｆ）及び（ｆ′）参照
次いで，所定のパターンのマスクを用いてドライエッチングを施すことによって光導波路３８をエッチングして，ｎ本の入射側光導波路となるチャネル光導波路４２，このチャネル光導波路４２と一体になった二次元レンズ４４，及び，配線層３３の配線部３５の一部を覆うスラブ光導波路４３を形成する。
【００５０】図７（ｇ）及び（ｇ′）参照
次いで，配線層３３のパッド部３４に接続するように，例えば，ＬｉＮｂＯ3からなる下部クラッド層４６，ＴｉドープＬｉＮｂＯ3 からなるコア層４７，及び，ＳｉＯ2 からなる上部クラッド層４８によって構成された光偏向素子４５を実装することによって光スイッチ基板の基本構成が完成する。
なお，図示を省略しているが，光偏向素子４５の上側にプリズム型電極を設ける
【００５１】この様に，
本発明の第２の実施の形態においては，ＣＭＰ法を利用して平坦化絶縁層３７を形成して配線層３３を埋め込んで基板の表面を平坦化しているので，その上に設けるチャネル光導波路４２，二次元レンズ４４，光偏向素子４５，及び，スラブ光導波路４３の相互間で，コアの中心軸がずれることがなく良好な光結合を実現することができる
【００５２】なお，この第２の実施の形態においては，基板の平坦化のために，ポリイミド膜を用いているので，光導波路の形成工程において，堆積温度に制限があるため，光導波路を構成する材料に制限がある。」
「【００５３】以上，本発明の各実施の形態を説明したが，本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく，各種の変更が可能である。
例えば，上記の各実施の形態においては，チャネル光導波路，スラブ光導波路，或いは，二次元レンズを構成する光導波路を，ＳｉＯ
2
 系によって構成しているが，クラッド層及びコア層の両方をポリマによって構成しても良いものである
　以上を総合すると，引用例１には，光配線基板上にチャネル光導波路，二次元レンズ，光偏向素子，及び，スラブ光導波路が設けられた光スイッチ基板として，次の各発明が記載されているものと認められる。（ここで，下線は，両発明間で相違する箇所である。）
「光クロスコネクトに用いられる導波路形態の光スイッチ基板であって，
　電気配線による光結合効率の低下を低減するための電気配線構造に平坦化電気配線１７を有する光配線基板を備え，
　電気配線１７を含む表面が平坦な光配線基板が，
絶縁性基板１１に設けた溝に電気配線１７を埋め込んだ基板
　平坦化電気配線１７を有する光配線基板上に，チャネル光導波路２４，二次元レンズ２５，光偏向素子２７，及び，スラブ光導波路２６が設けられ，光偏向素子２７の上側にプリズム型電極が設られ，
　チャネル光導波路２４及びスラブ光導波路２６は，ともに下部クラッド層２１，コア層２２，及び，上部クラッド層２３からなるものであり，ポリマによって構成しても良いものである，
光スイッチ基板。」
（以下「引用発明１−１」という。）
「光クロスコネクトに用いられる導波路形態の光スイッチ基板であって，
　電気配線による光結合効率の低下を低減するための電気配線構造に平坦化電気配線３３を有する光配線基板を備え，
　電気配線３３を含む表面が平坦な光配線基板が，
絶縁性基板３１上に設けた電気配線３３の周囲に平坦化絶縁層３７を設けた基板
　平坦化電気配線３３を有する光配線基板上に，チャネル光導波路４２，二次元レンズ４４，光偏向素子４５，及び，スラブ光導波路４３が設けられ，光偏向素子４５の上側にプリズム型電極が設られ，
　チャネル光導波路４２及びスラブ光導波路４３は，ともに下部クラッド層３９，コア層４０，及び，上部クラッド層４１からなるものであり，ポリマによって構成しても良いものである，
光スイッチ基板。」
（以下「引用発明１−２」という。）
（２）引用例２に記載された事項
ア　本願の出願前に日本国内において頒布された文献である引用例２（特開２００９−９８１９７号公報）には，図とともに以下の記載がある。
「【０００１】
　本発明は，光導波路素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　・・・（中略）・・・
【０００８】
　このような有機材料の有する電気光学効果を用いて光を制御する上記光導波路素子においては，ポーリング処理と呼ばれる電界の印加による，分子の配向を一定の方向にそろえてやるための工程が不可欠である（例えば，特許文献１）。
【特許文献１】特開２００３−８４３２３号公報
【非特許文献１】APPLIED PHYSICS LETTERS VOLUME 77, NUMBER 1, PAGE 1
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　・・・（中略）・・・
【００１０】
　このポーリング処理においては，例えば，８０℃以上１５０℃以下の温度において，数１００Ｖの電圧を印加することにより行われるが，高温高電圧の条件では，素子の静電破壊が起こりやすくなるとともに，素子表面を流れる放電が生じやすくなることにより，制御用の電極が破壊されるという問題があった。このため，非線形光学分子の電気化学効果をより高く引き出すためには，より高い電圧によりポーリング処理を行うことが好ましいが，上限電圧が，制限されてしまい，素子の性能を十分に引き出すことができないという問題があった。
【００１１】
　本発明の課題は，静電破壊や放電を抑制しつつより高い電圧でポーリング処理を行うことが可能であり，より高い有機非線形光学材料の電気光学効果が引き出された光導波路素子及びその製造方法を提供することである。」
「【００２３】
　以下，本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお，実質的に同一の機能・作用を有する部材には，全図面を通して同じ符合を付与し，重複する説明は省略する場合がある。
【００２４】
　図１は，実施形態に係る光導波路素子の斜視図を示す。図２は，実施形態に係る光導波路素子の断面図を示し，図１のＡ−Ａ断面図である。図３は，他の実施形態に係る光導波路素子の断面図であり，図１のＡ−Ａ断面図に相当する。
【００２５】
　
本実施形態に係る光導波路素子１００は，図１及び図２に示すように，基板１０上に，下部電極層１２，下部クラッド層１４，光を伝播する導波路１６Ａを有する導波路層１６，上部クラッド層１８，及び上部電極層２０が順次備える。そして，実施形態に係る光導波路素子１００は，下部電極層１２は，２つの光の入出力端面Ｘ１，Ｘ２と，該入出力端面Ｘ１，Ｘ２と交わる２つの側端面Ｙ１，Ｙ２とを有しており，当該各面における下部電極層１２の全部が下部クラッド層１４で覆われている。即ち，下部電極層１２が下部クラッド層１４により完全に覆われて，下部クラッド層１４内に埋設されている
「【００２７】
　以下，本実施形態に係る光導波路素子１００を，その製造方法に従って際に説明する。図４及び図５は，実施形態に係る光導波路素子の製造方法を示す工程図である。
【００２８】
　まず，
本実施形態に係る光導波路素子１００の製造方法では，基板１０を準備し，図４（Ａ）に示すように，当該基板１０上の全面に下部電極層１２を形成する
【００２９】
　・・・（中略）・・・
【００３１】
　
次に，図４（Ｂ）に示すように，あらかじめ決められた素子の形状にしたがって，後述する切断工程（図５（Ｈ）参照）による切断により形成される切断面と交わる領域における下部電極層１２の全部を除去して，下部電極層非形成領域１２Ａを設ける
【００３２】
　・・・（中略）・・・
【００３４】
　
次に，図４（Ｃ）に示すように，下部電極層１２が形成された基板１０上に下部クラッド層１４を形成する
【００３５】
　下部クラッド層１４としては，導波路層よりも屈折率の低い材料を選択することがよい。下部クラッド層を構成する材料としては，導波路層の形成時にインターミキシングを起こさない材料が好ましく，一般的に知られている熱硬化型の架橋樹脂，紫外線硬化型の架橋樹脂，無機材料，導電性高分子，フッ素化ポリマーなどを用いることができる。
【００３６】
　・・・（中略）・・・
【００３９】
　
次に，図４（Ｄ）に示すように，下部クラッド層１４上に，有機非線形光学材料（非線形効果を付与したポリマー）を含む導波路層１６を形成する。
【００４０】
　・・・（中略）・・・
【００４１】
　導波路層１６を構成する材料としては，光導波路が形成可能なものであり，下部クラッド層１４よりも屈折率の高い材料である有機非線形光学材料（非線形光学ポリマー）を用いることが好ましく，前記のように，高分子の側鎖又は主鎖に，ポリマーに非線形性を付与する目的でクロモフォア構造を導入したものを用いることができる。
【００４２】
　・・・（中略）・・・
【００５０】
　
次に，図４（Ｅ）に示すように，例えば，ドライエッチング法により導波路層１６に加工を施し，リッジ型（導波路１６Ａが上部クラッド層１８側へ凸状に突出した形状）の導波路１６Ａを形成する。
【００５１】
　・・・（中略）・・・
【００５４】
　次に，図５（Ｆ）に示すように，導波路１６Ａが形成された導波路層１６上に，上部クラッド層１８を形成する。上部クラッド層１８を構成する材料としては，導波路層１６よりも屈折率の低い材料であり，上部クラッド層１８形成時に，導波路層とインターミキシングを起こさない材料が好ましく，下部クラッド層１４に用いた材料等を用いることができる。また，上部クラッド層１８を形成する手段としても，下部クラッド層１４の形成に用いた手段を同様に使用することができる。なお，上部クラッド層１８の膜厚としては，１μｍ以上２０μｍ以下の範囲が好ましく，１．５μｍ以上１０．０μｍ以下の範囲がより好ましい。
【００５５】
　・・・（中略）・・・
【００５６】
　
次に，図５（Ｇ）に示すように，上部クラッド層１８の表面に，上部電極層２０を形成する。
【００５７】
　
ここで，下部電極層１２と下部クラッド層１４との間，及び上部クラッド層１８と上部電極層２０との間には，必要に応じて他の層が形成されていてもよく，接着性を向上させるための接着層，表面の凹凸を平滑化するための下引層，あるいはこれらの機能を一括して提供する何らかの中間層，が形成されていてもよい
【００５８】
　・・・（中略）・・・
【００６０】
　
次に，図５（Ｈ）に示すように，上記の工程により作製された光導波路素子基板（積層体）を，素子状に切断し，素子を完成する
【００６１】
　ここで，上記光導波路素子１００の導波路１６Ａに，非線形光学効果（電気光学効果）を発現させるためには，ポーリング処理により分子の配向を揃える必要がある。
【００６２】
　
上部電極を形成した後，必要に応じてポーリング処理を行う
【００６３】
　・・・（中略）・・・
【００６７】
　このように構成された光導波路素子１００は，光の変調を行う光変調素子や，スイッチングを行う光スイッチとして用いられる。
【００６８】
　以上説明した本実施の形態の光導波路素子１００では，素子作製時に，素子状に切削するときの切断面と交わる領域の一部又は全部に下部電極層非形成領域１２Ａを設けて下部電極層１２することで，素子端面において，下部電極層１２の全部（又は一部）が下部クラッド層１４により覆われている，即ち，下部クラッド層１４により下部電極層１２が埋設された構造となっている。このため，ポーリング処理の際，下部電極層１２が素子端面に全て露出している場合に比べ，電圧の印加による電極の放電や静電破壊が抑制されつつ，高い電圧の印加によるポーリング処理が実現される。その結果，有機非線形光学材料の配向度が向上し，より高い有機非線形光学材料の電気光学効果が引き出される。」
　ここで，上記段落【００３４】〜【００５４】の記載から，下部クラッド層，導波路層及び上部クラッド層は，いずれも樹脂により形成できることがわかる。
　以上を総合すると，引用例２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
「基板１０上に，下部電極層１２，下部クラッド層１４，光を伝播する導波路１６Ａを有する導波路層１６，上部クラッド層１８，及び上部電極層２０を順次備え，２つの光の入出力端面Ｘ１，Ｘ２と，該入出力端面Ｘ１，Ｘ２と交わる２つの側端面Ｙ１，Ｙ２とを有しており，当該各面における下部電極層１２の全部が下部クラッド層１４で覆われ，即ち，下部電極層１２が下部クラッド層１４により完全に覆われて，下部クラッド層１４内に埋設されているものである，光導波路素子１００の製造方法であって，
　基板１０を準備し，基板１０上の全面に下部電極層１２を形成する工程，
　あらかじめ決められた素子の形状にしたがって，後の切断工程による切断により形成される切断面と交わる領域における下部電極層１２の全部を除去して，下部電極層非形成領域１２Ａを設ける工程，
　次いで，下部電極層１２が形成された基板１０上に下部クラッド層１４を形成する工程，
　次いで，下部クラッド層１４上に，有機非線形光学材料（非線形効果を付与したポリマー）を含む導波路層１６を形成する工程，
　次いで，例えば，ドライエッチング法により導波路層１６に加工を施し，リッジ型（導波路１６Ａが上部クラッド層１８側へ凸状に突出した形状）の導波路１６Ａを形成する工程，
　次いで，導波路１６Ａが形成された導波路層１６上に，上部クラッド層１８を形成する工程，
　次いで，上部クラッド層１８の表面に，上部電極層２０を形成する工程，
　次いで，必要に応じてポーリング処理を行う工程，
　次いで，光導波路素子基板（積層体）を，素子状に切断する切断工程の，各工程からなり，
　ここで，下部クラッド層１４，導波路層１６及び上部クラッド層１８は，いずれも樹脂により形成できるものであり，
　また，下部電極層１２と下部クラッド層１４との間，及び上部クラッド層１８と上部電極層２０との間には，必要に応じて他の層が形成されてもよく，接着性を向上させるための接着層，表面の凹凸を平滑化するための下引層，あるいはこれらの機能を一括して提供する何らかの中間層，が形成されてもよい，
光導波路素子１００の製造方法。」
（３）引用例３に記載された事項
ア　本願の出願前に日本国内において頒布された文献である引用例３（特開２００３−１０１０４４号公報）には，図とともに以下の記載がある
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板上に形成された光導波路によって伝搬させる伝搬光を同じ基板上に配置された半導体受光素子で受光・検出するための，高い信頼性を有する光導波路と半導体受光素子との接続構造に関するものである
【０００２】
　・・・（中略）・・・
【０００７】本発明は上記従来の技術における問題点に鑑みてなされたものであり，その目的は，基板上に形成された光導波路を伝搬する伝搬光をこの基板上の光導波路の近傍に配置された半導体受光素子によって受光・検出することができる高い信頼性を有した光導波路と半導体受光素子との接続構造を提供することにある。」
「【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の光導波路と半導体受光素子との接続構造は，基板上に形成されたクラッド部およびこのクラッド部中のコア部を有する光導波路を伝搬する伝搬光を，前記基板上の前記コア部の近傍に受光面を前記コア部に略平行にして配置された半導体受光素子で検出するための光導波路と半導体受光素子との接続構造であって，前記半導体受光素子は，半導体受光素子設置用の電極配線を前記基板の上面に埋設することによって表面が略平坦に形成された設置部に設置されていることを特徴とするものである
【０００９】
　・・・（中略）・・・
【００１３】
【発明の実施の形態】以下，図面に基づいて本発明の光導波路と半導体受光素子との接続構造を詳細に説明する。
【００１４】図１および図２は，それぞれ本発明の光導波路と半導体受光素子との接続構造の実施の形態の例を示す断面図である。
【００１５】図１に示す例では，
基板11上に半導体受光素子設置用の電極配線18を基板11の上面に埋設することによって表面が略平坦に形成された設置部に半導体受光素子12が配置固定されて設置されており，その上に下部クラッド部13・コア部14・上部クラッド部15から構成される光導波路16が形成されている。また，半導体受光素子12の下面に電圧印加用や光電流検出用の電極配線18が形成されている
【００１６】
　・・・（中略）・・・
【００２０】本発明の接続構造に用いられる
光導波路16の形成材料としては，光導波路を形成できる種々の光学材料を用いることができるが，中でもシロキサン系ポリマを用いることが望ましい
下地の表面状態によらず膜表面の平坦化性・平滑化性に優れており，半導体受光素子12・22を埋設するように光導波路16を形成する場合に，散乱損失を招来する表面の凹凸を緩和することができる
　以上を総合すると，引用例３には，次の技術事項が記載されていると認められる。
「基板11上に形成されたクラッド部13,15およびクラッド部13,15中のコア部14を有する光導波路16を伝搬する伝搬光を，基板11上のコア部14の近傍に受光面をコア部14に略平行にして配置された半導体受光素子12で検出するための光導波路16と半導体受光素子12との接続構造であって，
　基板11上に半導体受光素子設置用の電極配線18を基板11の上面に埋設することによって表面が略平坦に形成された設置部に半導体受光素子12が配置固定されて設置されており，その上に下部クラッド部13・コア部14・上部クラッド部15から構成される光導波路16が形成されており，半導体受光素子12の下面に電圧印加用や光電流検出用の電極配線18が形成されており，
　光導波路16の形成材料としては，光導波路を形成できる光学材料としてシロキサン系ポリマを用いることが望ましいものである，
　光導波路16と半導体受光素子12との接続構造。」
５　当審の判断
（１）本願発明１について
ア　対比
　本願発明１と引用発明１−１とを対比する。
・引用発明１-１の「基板」は，本願発明１の「光配線基板」に相当する。
・引用発明１-１の「絶縁性基板１１に設けた溝に」「埋め込んだ」「電気配線１７」は，本願発明１の「前記基板上に形成された第１の電極」に相当する。
・引用発明１-１の「電気配線１７を含む表面が平坦な光配線基板が，絶縁性基板１１に設けた溝に電気配線１７を埋め込んだ基板」においては，「電気配線１７」を「埋め込んだ基板」の，「電気配線１７」の周囲部分は，平坦にするための構成といえるから，当該部分と，本願発明１の「前記基板上の外縁部に形成され，前記第１の電極に隣接して，かつ前記第１の電極の外縁全周を囲むように形成された高さ調整部」とは，「前記第１の電極に隣接して，かつ前記第１の電極の外縁を囲むように形成された高さ調整部」である点で一致する。
・引用発明１-１の，「平坦化電気配線１７を有する光配線基板上に」「設けられ」た「チャネル光導波路２４及びスラブ光導波路２６」であって，「ともに下部クラッド層２１，コア層２２，及び，上部クラッド層２３からなるもの」は，「ポリマによって構成しても良いもの」であるから，本願発明１の「前記第１の電極および前記高さ調整部上に形成され，ポリマーからなる下部クラッドおよび上部クラッド，並びにポリマーからなるコアで構成される光導波路」に相当する。
・引用発明１-１の「光偏向素子２７の上側に」設けられた「プリズム型電極」は，本願発明１の「前記光導波路上に形成された第２の電極」に相当する。
・引用発明１-１の「電気配線１７を含む表面が平坦な光配線基板が，絶縁性基板１１に設けた溝に電気配線１７を埋め込んだ基板」における，「電気配線１７」を「埋め込んだ基板」の，「電気配線１７」の周囲部分は，本願発明１の「前記高さ調整部は，絶縁性であり，かつ，前記下部クラッドのガラス転移点よりも高いガラス転移点を有する材料からなること」とは，「前記高さ調整部は，絶縁性であ」る点で一致する。
・引用発明１-１の「光スイッチ基板」は，本願発明１の「光導波路素子」に相当する。
イ　よって，両者は以下の点で一致する。
「基板と，
　前記基板上に形成された第１の電極と，
　前記第１の電極に隣接して，かつ前記第１の電極の外縁を囲むように形成された高さ調整部と，
　前記第１の電極および前記高さ調整部上に形成され，ポリマーからなる下部クラッドおよび上部クラッド，並びにポリマーからなるコアで構成される光導波路と，
　前記光導波路上に形成された第２の電極と，
を備え，
　前記高さ調整部は，絶縁性である，光導波路素子。」
ウ　一方，両者は以下の点で相違する。
《相違点１》
　本願発明１は，「前記基板上の外縁部に形成され，前記第１の電極に隣接して，かつ前記第１の電極の外縁全周を囲むように形成された高さ調整部」を備えるが，引用発明１-１においては，「前記第１の電極に隣接して，かつ前記第１の電極の外縁を囲むように形成された高さ調整部」に対応する構成は備えるものの，「高さ調整部」が，「前記基板上の外縁部に形成され，かつ前記第１の電極の外縁
全周
《相違点２》
　本願発明１は「前記第２の電極の端部の下方に位置する前記第１の電極は，前記第２の電極と重ならない領域を有し」との発明特定事項を備えるのに対し，引用発明１-１がそのような構成を備えるのか不明である点。
《相違点３》
　本願発明１は「前記高さ調整部は，前記下部クラッドのガラス転移点よりも高いガラス転移点を有する材料からなること」との発明特定事項を備えるのに対し，引用発明１-１がそのような構成を備えるのか不明である点。
エ　判断
（ア）上記ウのとおり，本願発明１と引用発明１-１との間には相違点１ないし相違点３が存在するから，本願発明１は引用発明１-１とはいえない。
（イ）次に，相違点１について検討する。
　引用発明１−１は，「絶縁性基板１１に設けた溝に電気配線１７を埋め込んだ」構成を備えるところ，引用例１の図３及び図４（更に図６，７をも）参照しても，電極配線１７（３３）の全周（特に基板端において）が，「高さ調整部」に対応するものによって囲まれているとはいえず，また，「高さ調整部」に対応するものによって，電極配線１７（３３）の全周を囲むように構成することが，当業者にとって容易になし得たこととはいえない。
　従って，相違点１は，周知技術を勘案しても，当業者が引用発明１-１に基づいて容易になし得たこととはいえない。
（ウ）まとめ
　よって，相違点２及び３について検討するまでもなく，本願発明１は，周知技術を勘案しても，引用発明１−１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　さらに，引用発明１-２は，引用発明１-１と同じく，「前記第１の電極に隣接して，かつ前記第１の電極の外縁を囲むように形成された高さ調整部」に対応する構成を備える一方，本願発明１に係る「高さ調整部」が，「前記基板上の外縁部に形成され，かつ前記第１の電極の外縁
全周
　したがって，本願発明１は，引用例１に記載された発明とはいえず，また，周知技術を勘案しても，引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（エ）前置報告書において提示された引用例４について
　前置報告書において提示され，上申書においても言及されている引用例４（特開２０１２−７８４８９号公報）を見ても，その図２（ｃ）には，第２の接地電極２２の図示上下方向端部が，素子基板１１の同方向端部と一致していると見て取れることから，相違点１に係る「高さ調整部」が，「前記基板上の外縁部に形成され，かつ前記第１の電極の外縁
全周
　よって，引用例４を参照しても，本願発明１は，周知技術を勘案して，引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
オ　本願発明２及び３について
　本願の請求項２及び３は，請求項１を引用するものであるから，本願発明２及び本願発明３は，本願発明１に係る発明特定事項を含むものである。
　そして，前記ア〜エで検討したとおり，本願発明１は，引用例１に記載された発明とはいえず，また，周知技術を勘案しても，引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえないから，本願発明２及び本願発明３についても，引用例１に記載された発明とはいえず，また，周知技術を勘案しても，引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（２）本願発明４について
ア　対比
　本願発明４と引用発明２とを対比する。
・引用発明２の「基板１０」，「下部電極層１２」，「下部クラッド層１４」，「導波路層１６」，「上部クラッド層１８」，及び「上部電極層２０」は，それぞれ本願発明４の「基板」，「第１の電極」，「下部クラッド」，「コア」，「上部クラッド」，及び「第２の電極」に相当する。
・引用発明２の「基板１０上の全面に下部電極層１２を形成する工程」は，本願発明４の「基板上に第１の電極を形成する第１の電極形成工程」に相当する。
・引用発明２においては，「２つの光の入出力端面Ｘ１，Ｘ２と，該入出力端面Ｘ１，Ｘ２と交わる２つの側端面Ｙ１，Ｙ２とを有しており，当該各面における下部電極層１２の全部が下部クラッド層１４で覆われ，即ち，下部電極層１２が下部クラッド層１４により完全に覆われて，下部クラッド層１４内に埋設されているもの」であって，「あらかじめ決められた素子の形状にしたがって，後の切断工程による切断により形成される切断面と交わる領域における下部電極層１２の全部を除去して」いるから，当該引用発明２の構成と，本願発明４の「前記基板上の外縁部において，前記第１の電極に隣接するとともに，前記第１の電極の外縁全周を囲むように高さ調整部を形成する高さ調整部形成工程」とは，「前記基板上の外縁部において，前記第１の電極が露出しないようにする」点で共通する。
・引用発明２の，「下部電極層１２が形成された基板１０上に下部クラッド層１４を形成する工程，次いで，下部クラッド層１４上に，有機非線形光学材料（非線形効果を付与したポリマー）を含む導波路層１６を形成する工程，次いで，例えば，ドライエッチング法により導波路層１６に加工を施し，リッジ型（導波路１６Ａが上部クラッド層１８側へ凸状に突出した形状）の導波路１６Ａを形成する工程，次いで，導波路１６Ａが形成された導波路層１６上に，上部クラッド層１８を形成する工程」の各工程にあっては，「ここで，下部クラッド層，導波路層及び上部クラッド層は，いずれも樹脂により形成できるものであ」るから，当該引用発明２の各工程を合わせた工程と，本願発明４の「前記第１の電極および前記高さ調整部上に，ポリマーからなる下部クラッドおよび上部クラッド，並びにポリマーからなるコアで構成される光導波路を形成する光導波路形成工程」とは，「前記第１の電極を含む部分上に，ポリマーからなる下部クラッドおよび上部クラッド，並びにポリマーからなるコアで構成される光導波路を形成する光導波路形成工程」である点で一致する。
・引用発明２の「上部クラッド層１８の表面に，上部電極層２０を形成する工程」が行われる時点において，「下部クラッド層１４，光を伝播する導波路１６Ａを有する導波路層１６，上部クラッド層１８」を含む部分，すなわち本願発明４の「光導波路」に相当する部分は既に形成されているから，引用発明２の当該工程は，本願発明４の「前記光導波路上に，第２の電極を形成する第２の電極形成工程」に相当する。
・引用発明２の「光導波路素子１００の製造方法」は，本願発明４の「光導波路素子の製造方法」に相当する。
イ　よって，両者は次の点で一致する。
「基板上に第１の電極を形成する第１の電極形成工程と，
　前記第１の電極を含む部分上に，ポリマーからなる下部クラッドおよび上部クラッド，並びにポリマーからなるコアで構成される光導波路を形成する光導波路形成工程と，
　前記光導波路上に，第２の電極を形成する第２の電極形成工程と，
を有し，
　前記基板上の外縁部において，前記第１の電極が露出しないようにする，光導波路素子の製造方法。」
ウ　一方，両者は次の各点で相違する。
《相違点４》
　本願発明４は，「前記基板上の外縁部において，前記第１の電極に隣接するとともに，前記第１の電極の外縁全周を囲むように高さ調整部を形成する高さ調整部形成工程」を備えるのに対し，引用発明２は，「前記基板上の外縁部において，前記第１の電極が露出しないように」してはいるものの，前記「高さ調整部を形成する高さ調整部形成工程」自体を備えない点。
《相違点５》
　本願発明４は，「前記第１の電極および前記高さ調整部上に，ポリマーからなる下部クラッドおよび上部クラッド，並びにポリマーからなるコアで構成される光導波路を形成する光導波路形成工程」を備えるのに対して，引用発明２は，「前記第１の電極を含む部分上に，ポリマーからなる下部クラッドおよび上部クラッド，並びにポリマーからなるコアで構成される光導波路を形成する光導波路形成工程」に対応する構成は備えるものの，前記《相違点４》のとおり「高さ調整部」自体が形成されないから，「前記高さ調整部上に，…光導波路を形成する光導波路形成工程」する構成までは備えない点。
《相違点６》
　本願発明４は，前記光導波路形成工程において，前記高さ調整部を，絶縁性であり，かつ，前記下部クラッドのガラス転移点よりも高いガラス転移点を有する材料で形成すること
エ　判断
（ア）上記相違点４について検討する。
　引用発明２は，「ここで，下部電極層１２と下部クラッド層１４との間，及び上部クラッド層１８と上部電極層２０との間には，必要に応じて他の層が形成されてもよく，接着性を向上させるための接着層，表面の凹凸を平滑化するための下引層，あるいはこれらの機能を一括して提供する何らかの中間層，が形成されてもよい」との構成を有するが，当該「表面の凹凸を平滑化するための下引層」が形成されるのは，「下部電極層１２と下部クラッド層１４との間，及び上部クラッド層１８と上部電極層２０との間」であって，「下部電極層１２と下部クラッド層１４との間，及び上部クラッド層１８と上部電極層２０との間」以外に形成するものではなく，また，引用例２の他の記載から見ても，例えば「基板１０」と「下部クラッド層１４」との間に「何らかの層」等を形成する旨は読み取れない。
　一方，前記４（１）のとおり，引用例１には，引用発明１-２として「電気配線による光結合効率の低下を低減するための電気配線構造に平坦化電気配線３３を有する光配線基板を備え，　電気配線３３を含む表面が平坦な光配線基板が，絶縁性基板３１上に設けた電気配線３３の周囲に平坦化絶縁層３７を設けた基板」を備える発明が記載されてはいるが，当該発明に係る「平坦化絶縁層３７」は，「絶縁性基板３１上に設けた電気配線３３の周囲に」設けられるものである。
　それゆえ，引用発明２に係る「表面の凹凸を平滑化するための下引層」と，引用発明１-２に係る「平坦化絶縁層３７」とは，形成される箇所が異なるものであるから，引用発明２において，引用発明１-２に係る「平坦化絶縁層３７」を形成する技術を適用すること自体，当業者が容易になし得たこととはいえず，当該適用によって，相違点４に係る「前記基板上の外縁部において，前記第１の電極に隣接するとともに，前記第１の電極の外縁全周を囲むように高さ調整部を形成する高さ調整部形成工程」を備えることもまた，当業者が容易になし得たこととはいえない。
（イ）まとめ
　よって，相違点５及び６について検討するまでもなく，本願発明４は，周知技術を勘案しても，引用発明２及び引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
オ　本願発明５について
　本願の請求項５は，請求項４を引用するものであるから，本願発明５は，本願発明４に係る発明特定事項を含むものである。
　そして，前記ア〜エで検討したとおり，本願発明４は当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから，本願発明５についても，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（３）本願発明６について
ア　対比
　本願発明６と引用発明２とを対比する。
・引用発明２の「基板１０」，「下部電極層１２」，「下部クラッド層１４」，「導波路層１６」，「上部クラッド層１８」，及び「上部電極層２０」は，それぞれ本願発明６の「基板」，「第１の電極」，「下部クラッド」，「コア」，「上部クラッド」，及び「第２の電極」に相当する。
・引用発明２の「基板１０上の全面に下部電極層１２を形成する工程」は，本願発明６の「前記凹部内に，第１の電極を形成する第１の電極形成工程」とは，「第１の電極を形成する第１の電極形成工程」である点で一致する。
・引用発明２の，「下部電極層１２が形成された基板１０上に下部クラッド層１４を形成する工程，次いで，下部クラッド層１４上に，有機非線形光学材料（非線形効果を付与したポリマー）を含む導波路層１６を形成する工程，次いで，例えば，ドライエッチング法により導波路層１６に加工を施し，リッジ型（導波路１６Ａが上部クラッド層１８側へ凸状に突出した形状）の導波路１６Ａを形成する工程，次いで，導波路１６Ａが形成された導波路層１６上に，上部クラッド層１８を形成する工程」の各工程にあっては，「ここで，下部クラッド層，導波路層及び上部クラッド層は，いずれも樹脂により形成できるものであ」るから，当該引用発明２の各工程を合わせた工程は，本願発明６の「前記第１の電極および前記基板上に，ポリマーからなる下部クラッドおよび上部クラッド，並びにポリマーからなるコアで構成される光導波路を形成する光導波路形成工程」に相当する。
・引用発明２の「上部クラッド層１８の表面に，上部電極層２０を形成する工程」が行われる時点において，「下部クラッド層１４，光を伝播する導波路１６Ａを有する導波路層１６，上部クラッド層１８」を含む部分，すなわち本願発明４の「光導波路」に相当する部分は既に形成されているから，引用発明２の当該工程は，本願発明６の「前記光導波路上に，第２の電極を形成する第２の電極形成工程」に相当する。
・引用発明２の「光導波路素子１００の製造方法」は，本願発明６の「光導波路素子の製造方法」に相当する。
イ　よって，両者は次の点で一致する。
「第１の電極を形成する第１の電極形成工程と，
　前記第１の電極および前記基板上に，ポリマーからなる下部クラッドおよび上部クラッド，並びにポリマーからなるコアで構成される光導波路を形成する光導波路形成工程と，
　前記光導波路上に，第２の電極を形成する第２の電極形成工程と，
を有する光導波路素子の製造方法。」
ウ　一方，両者は次の各点で相違する。
《相違点７》
　本願発明６は「基板の表面に，凹部を形成する凹部形成工程」であって，
「前記凹部の側壁部は高さ調整部であ」る構成を備えるが，引用発明２はそのような構成を備えない点。
《相違点８》
　本願発明６は「前記凹部内に，第１の電極を形成する第１の電極形成工程」を備えるのに対して，引用発明２は「第１の電極を形成する第１の電極形成工程」に対応する構成は備えるものの，「第１の電極を」「前記凹部内に」形成する点までは備えない点
《相違点９》
　本願発明６は「前記光導波路形成工程において，前記高さ調整部を，絶縁性であり，かつ，前記下部クラッドのガラス転移点よりも高いガラス転移点を有する材料で形成する」構成を備えるが，引用発明２はそのような構成を備えない点。
エ　判断
（ア）上記相違点７及び８を併せて検討する。
　前記４（１）のとおり，引用例１には，引用発明１-１として，「電気配線による光結合効率の低下を低減するための電気配線構造に平坦化電気配線１７を有する光配線基板を備え，　電気配線１７を含む表面が平坦な光配線基板が，絶縁性基板１１に設けた溝に電気配線１７を埋め込んだ基板」を備える発明が記載されており，また，前記４（３）のとおり，引用例３には「基板11上に半導体受光素子設置用の電極配線18を基板11の上面に埋設することによって表面が略平坦に形成された設置部に半導体受光素子12が配置固定され」る技術が記載されている。
　ここで，引用発明２においては，基板１０の表面に下部電極層１２を形成した上に，下部クラッド層１４，光を伝播する導波路１６Ａを有する導波路層１６，及び上部クラッド層１８を形成するものであるところ，引用例２には，当該形成にあたり，下部電極層１２が形成された基板１０に形成された凹凸について特段の指摘はされていないから，特に前記凹凸に対応する動機が生ずるとはいえない。
　特に，引用例３における「【００２０】本発明の接続構造に用いられる光導波路16の形成材料としては，
光導波路を形成できる種々の光学材料を用いることができるが，中でもシロキサン系ポリマを用いることが望ましい
下地の表面状態によらず膜表面の平坦化性・平滑化性に優れており，半導体受光素子12・22を埋設するように光導波路16を形成する場合に，散乱損失を招来する表面の凹凸を緩和することができるので好適である
　よって，引用発明２において，引用例１または引用例３に記載された技術を適用することは，当業者が容易になし得たこととはいえず，また，当該適用により相違点７及び８に係る構成を備えることもまた，当業者が容易になし得たこととはいえない。
（イ）まとめ
　よって，相違点９について検討するまでもなく，本願発明６は，周知技術を勘案しても，引用発明２並びに引用例１及び３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
エ　本願発明７について
　本願の請求項７は，請求項６を引用するものであるから，本願発明７は，本願発明６に係る発明特定事項を含むものである。
　そして，前記ア〜ウで検討したとおり，本願発明６は当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから，本願発明７についても，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
６　むすび
　以上のとおり，本願の請求項１〜７に係る発明は，周知技術を勘案して引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできないから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。