【事件の表示】
　特願２０１４−１７３４９８「半導体パッケージおよび方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　３月２６日出願公開、特開２０１５−　５７８２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１０年（平成２２年）１２月７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年１月１９日（ＵＳ）米国、２０１０年３月２４日（ＵＳ）米国）を国際出願日とする特願２０１２−５４８９４０号の一部を平成２６年８月２８日に新たな特許出願としたものであって、平成２６年９月１６日に手続補正がなされ、平成２７年１１月１６日付けで拒絶理由が通知され、平成２８年３月１８日に手続補正がなされ、同年５月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月７日に手続補正がなされ、平成２９年２月１０日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年８月２３日に手続補正がなされたが、同年９月１５日付けで拒絶査定がなされた。これに対して、平成３０年１月２２日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに手続補正がなされたものである。
第２　平成３０年１月２２日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成３０年１月２２日にされた手続補正を却下する。
［理由］
１．補正の内容
　平成３０年１月２２日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするものであり、請求項１については、
　本件補正前に、
　「　　【請求項１】
　半導体パッケージであって、
　ダイと、
　第１の下側リードと第２の下側リードとを含む下側リードフレームであって、前記第１の下側リードは、ダイの第１の面上のダイ接点に電気的に接続されている、前記下側リードフレームと、
　上側リードを含む上側リードフレームであって、
　前記上側リードの一部はＬ字状に屈曲されており、
　前記Ｌ字状の上側リードは、前記ダイとの関係で所望の位置で前記下側リードフレームから前記上側リードフレームを支持し
　前記Ｌ字状の上側リードは、前記ダイの第２の面上のダイ接点と前記第２の下側リードとの間で電気的に接続されており、かつ、前記ダイの前記第２の下側リードの反対側においては別の下側リードと電気的に接続されておらず、それによりパッケージの接点は前記半導体パッケージの第１の面上にある、前記上側リードフレームと、
　を含む、半導体パッケージ。」
とあったところを、
　本件補正により、
　「　　【請求項１】
　半導体パッケージであって、
　ダイと、
　第１の下側リードと第２の下側リードとを含む下側リードフレームであって、前記第１の下側リードは、ダイの第１の面上のダイ接点に電気的に接続されている、前記下側リードフレームと、
　上側リードを含む上側リードフレームであって、
　前記上側リードの一部はＬ字状に屈曲されており、
　前記Ｌ字状の上側リードは、前記ダイとの関係で所望の位置で前記下側リードフレームから前記上側リードフレームを支持し
　前記Ｌ字状の上側リードは、前記ダイの第２の面上のダイ接点と前記第２の下側リードとの間で電気的に接続されており、かつ、前記ダイの前記第２の下側リードの反対側においては別の下側リードと電気的に接続されておらず、それによりパッケージの接点は前記半導体パッケージの第１の面上にあ
り、
　
前記下側リードフレームに対向する面上に１つ以上の溝部が形成されている
　を含む、半導体パッケージ。」
とするものである。なお、下線は補正箇所を示す。
２．補正の適否
　請求項１についての本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「上側リードフレーム」について、「前記下側リードフレームに対向する面上に１つ以上の溝部が形成されている」との限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、上記「１．」に本件補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
（２）引用例
ア．引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−２２２８９０号公報（以下「引用例１」という。）には、「半導体装置」に関して、図面とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
（ａ）「【０００９】すなわち、
本願発明の
半導体装置は、
一面および他面のそれぞれに電極が形成された半導体チップと、
第１導体と、
第２導体と、を備えた半導体装置において、
上記第１導体は、
第３導体を介して上記一面の電極と導通接続されており、上記第２導体は、直接的に上記他面の電極と導通接続されている
（ｂ）「【００２１】
図１ないし図３は、本願発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示している。
【００２２】
図１ないし図３に示した半導体装置Ｘ１は、
第１導体１、第２導体２、第３導体３、半導体チップ４、および樹脂パッケージ５を有している
【００２３】
第１導体１は、
凸部１２が設けられてい
凸部１２の表面１２ａは、樹脂パッケージ５の底面５０から露出しており、この表面１２ａが第１端子部を構成している
【００２４】
第２導体２は、
凸部２２が設けられている
凸部２２の表面２２ａは、樹脂パッケージ５の底面５０から露出しており、この表面２２ａが第２端子部を構成している
【００２５】なお、凸部１２，２２は、たとえば他面１１，２１における凸部１２，２２を形成する領域以外をハーフエッチング処理を施すことにより形成されている。
【００２６】
第３導体３は、第１部分としての基部３０と第２部分としての折り曲げ部３１とを有する断面Ｌ字状の形態とされている。折り曲げ部３１の先端面３１ａは、ハンダなどにより第１導体１の一面１０と接合されている。
【００２７】
半導体チップ４は、
一面４０および他面４１のそれぞれに電極
が設けられている
（ｃ）「【００２９】一方、
半導体チップ４の一面４０は、第３導体３の基部３０の他面３０ａに対して、ハンダなどにより接合されており、基部３０により半導体チップ４の一面４０の全体が覆われている
【００３０】
樹脂パッケージ５は、第１ないし第３導体１〜３および半導体チップ４を封止する
（ｄ）「【００３３】この
リードフレーム６には、
半導体装置Ｘ１の第１導体１および第２導体２となるべき第１ないし第３領域６１〜６３が複数形成されている
（ｅ）「【００３７】このような形態を有する
リードフレーム６は、
金属板
（ｆ）「【００４１】最後に、
リードフレーム６における各半導体装置形成領域ｘの外周に沿って、
樹脂パッケージ８および各橋絡部６４〜６７を切断することにより、
個別の半導体装置Ｘ１が得られる
　上記（ａ）ないし（ｆ）、図１ないし図３から、引用例１には以下の事項が記載されている。
・上記（ｂ）の段落【００２１】及び【００２２】によれば、引用例１の第１の実施の形態に係る半導体装置Ｘ１は、第１導体１、第２導体２、第３導体３、半導体チップ４、および樹脂パッケージ５を有するものである。
・上記（ｂ）の段落【００２７】によれば、半導体チップ４は、一面４０および他面４１のそれぞれに電極が設けられているものである。
　また、上記（ａ）によれば、引用例１の半導体装置は、一面および他面のそれぞれに電極が形成された半導体チップと、第１導体と、第２導体と、を備えた半導体装置において、上記第１導体は、第３導体を介して上記一面の電極と導通接続されており、上記第２導体は、直接的に上記他面の電極と導通接続されているものである。
　したがって、引用例１の第１の実施の形態に係る半導体装置Ｘ１において、半導体チップ４は、一面４０および他面４１のそれぞれに電極が設けられており、第１導体１は、第３導体３を介して半導体チップ４の一面４０の電極と導通接続されており、第２導体２は、直接的に半導体チップ４の他面４１の電極と導通接続されているものである。
・上記（ｄ）によれば、リードフレーム６には、半導体装置Ｘ１の第１導体１および第２導体２となるべき第１ないし第３領域６１〜６３が複数形成されているものであり、上記（ｅ）によれば、リードフレーム６は金属板である。また、上記（ｆ）によれば、リードフレーム６における各半導体装置形成領域ｘの外周に沿って、樹脂パッケージ８および各橋絡部６４〜６７を切断することにより、個別の半導体装置Ｘ１が得られるものである。
　したがって、第１導体１および第２導体２は、金属板であるリードフレーム６を、リードフレーム６における各半導体装置形成領域ｘの外周に沿って切断することにより得られるものである。
・図１及び図３によれば、半導体装置Ｘ１において、符号「５０」で示される樹脂パッケージ５の底面が存在する方向を下方向とした場合に、第３導体３は、第１導体１及び第２導体２の上方に存在するものである。
・上記（ｂ）の段落【００２６】によれば、第３導体３は、第１部分としての基部３０と第２部分としての折り曲げ部３１とを有する断面Ｌ字状の形態とされており、折り曲げ部３１の先端面３１ａは、ハンダなどにより第１導体１の一面１０と接合されているものである。また、図１ないし図３によれば、半導体装置Ｘ１において、第３導体３は板状の部材が断面Ｌ字状に折り曲げられた形状のものであり、第３導体３は、折り曲げ部３１が第１導体１と接続される部分に対して、半導体チップ４を介した反対側では、第１導体１や第２導体２に接続するものではない。
　したがって、第３導体３は、板状の部材が断面Ｌ字状に折り曲げられた形状であって、第１部分としての基部３０と第２部分としての折り曲げ部３１とを有する断面Ｌ字状の形態とされており、折り曲げ部３１の先端面３１ａは、ハンダなどにより第１導体１の一面１０と接合されているものであり、第３導体３は、折り曲げ部３１が第１導体１と接続される部分に対して、半導体チップ４を介した反対側では、第１導体１や第２導体２に接続するものではない。
・上記（ｂ）の段落【００２３】によれば、第１導体１は凸部１２が設けられており、凸部１２の表面１２ａは、樹脂パッケージ５の底面５０から露出しており、この表面１２ａが第１端子部を構成しているものである。したがって、第１導体１に設けられた凸部１２の表面１２ａは、樹脂パッケージ５の底面５０から露出しており、この表面１２ａが第１端子部を構成しているものである。
・上記（ｂ）の段落【００２４】によれば、第２導体２は凸部２２が設けられており、凸部２２の表面２２ａは、樹脂パッケージ５の底面５０から露出しており、この表面２２ａが第２端子部を構成しているものである。したがって、第２導体２に設けられた凸部２２の表面２２ａは、樹脂パッケージ５の底面５０から露出しており、この表面２２ａが第２端子部を構成しているものである。
・上記（ｃ）によれば、樹脂パッケージ５は、第１ないし第３導体１〜３および半導体チップ４を封止するものである。
・上記（ｃ）によれば、半導体チップ４の一面４０は、第３導体３の基部３０の他面３０ａに対して、ハンダなどにより接合されており、基部３０により半導体チップ４の一面４０の全体が覆われているものである。
　そうすると、上記摘示事項、図１ないし図３を総合勘案すると、引用例１には、第１の実施の形態に係る半導体装置Ｘ１として、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　「第１導体１、第２導体２、第３導体３、半導体チップ４、および樹脂パッケージ５を有する半導体装置Ｘ１であって、
　半導体チップ４は、一面４０および他面４１のそれぞれに電極が設けられており、
　第１導体１は、第３導体３を介して半導体チップ４の一面４０の電極と導通接続されており、
　第２導体２は、直接的に半導体チップ４の他面４１の電極と導通接続されており、
　第１導体１および第２導体２は、金属板であるリードフレーム６を、リードフレーム６における各半導体装置形成領域ｘの外周に沿って切断することにより得られるものであり、
　第３導体３は、第１導体１及び第２導体２の上方に存在するものであり、
　第３導体３は、板状の部材が断面Ｌ字状に折り曲げられた形状であって、第１部分としての基部３０と第２部分としての折り曲げ部３１とを有する断面Ｌ字状の形態とされており、折り曲げ部３１の先端面３１ａは、ハンダなどにより第１導体１の一面１０と接合されており、第３導体３は、折り曲げ部３１が第１導体１と接続される部分に対して、半導体チップ４を介した反対側では、第１導体１や第２導体２に接続するものではなく、
　第１導体１に設けられた凸部１２の表面１２ａは、樹脂パッケージ５の底面５０から露出しており、この表面１２ａが第１端子部を構成しており、
　第２導体２に設けられた凸部２２の表面２２ａは、樹脂パッケージ５の底面５０から露出しており、この表面２２ａが第２端子部を構成しており、
　樹脂パッケージ５は、第１ないし第３導体１〜３および半導体チップ４を封止し、
　半導体チップ４の一面４０は、第３導体３の基部３０の他面３０ａに対して、ハンダなどにより接合されており、基部３０により半導体チップ４の一面４０の全体が覆われている、
　半導体装置Ｘ１。」
イ．引用例２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された特表２００８−５３３６９４号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
（ｇ）「【００１７】
　図３および図４は、上部リードフレーム１０の下側および下部リードフレーム１２の上側をそれぞれ示す図である。図３に示すように、
上部リードフレーム１０の下面を部分的にエッチング処理することで、十字形の溝１０５が形成されている
溝１０５によって、熱サイクル時の半導体ダイを伴なう上部リードフレーム１０のコンプライアンスが向上する。溝１０５によって、熱サイクル時の応力の蓄積が減少する。溝１０５は、上部リードフレーム１０を厚さ０．００２インチから０．００６インチにエッチング処理することで形成してもよい。
（ｈ）「【００１９】
　図５は、
上部リードフレーム１０および下部リードフレーム１２を含む半導体パッケージ２０
パッケージ２０は、上部リードフレーム１０と下部リードフレーム１２との間に置かれた半導体ダイ１４を含む。
半導体ダイ１４は、ダイ１４の上面にドレイン端子
とダイ１４の下面にソース端子およびゲート端子
とを有する垂直トレンチＭＯＳＦＥＴを含む
【００２０】
　
ダイ１４の上面のドレイン端子は、上部はんだ層１６によって上部リードフレーム１０に電気的かつ熱的に接続されており、
（ｉ）「【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１Ａ】上部リードフレームの斜視図である。
【図１Ｂ】上部リードフレームの代替の実施例の斜視図である。
【図２】下部リードフレームの斜視図である。
【図３】上部リードフレームを下から見た図である。
【図４】下部リードフレームを上から見た平面図である。
【図５】この発明に従う半導体パッケージの断面図である。
（ｊ）【図１Ａ】
（ｋ）【図３】
（ｌ）【図５】
　上記（ｇ）ないし（ｈ）から、引用例２には以下の事項が記載されている。
・上記（ｈ）によれば、上部リードフレーム１０および下部リードフレーム１２を含む半導体パッケージ２０に関するものである。
・上記（ｈ）によれば、パッケージ２０は、上部リードフレーム１０と下部リードフレーム１２との間に置かれた半導体ダイ１４を含むものである。
・上記（ｈ）によれば、半導体ダイ１４は、ダイ１４の上面にドレイン端子とダイ１４の下面にソース端子およびゲート端子とを有する垂直トレンチＭＯＳＦＥＴを含むものである。
・上記（ｈ）によれば、ダイ１４の上面のドレイン端子は、上部はんだ層１６によって上部リードフレーム１０に電気的かつ熱的に接続されているものである。
・上記（ｇ）によれば、上部リードフレーム１０の下面を部分的にエッチング処理することで、十字形の溝１０５が形成されているものであり、溝１０５によって、熱サイクル時の半導体ダイを伴なう上部リードフレーム１０のコンプライアンスが向上し、熱サイクル時の応力の蓄積が減少するものである。そして、熱サイクル時の半導体ダイを伴なう上部リードフレーム１０のコンプライアンスが向上するということは、熱サイクル時の半導体ダイと上部リードフレームとの間の適合性が向上することと解される。
　そうすると、上記摘示事項を総合勘案すると、引用例２には、上部リードフレームと、下部リードフレームと、上部リードフレームと下部リードフレームとの間に置かれた半導体ダイを含み、半導体ダイは上面と下面に端子を有し、半導体ダイの上面の端子は、上部はんだ層によって上部リードフレームに電気的かつ熱的に接続されている半導体パッケージにおいて、上部リードフレームの下面に溝を形成することで、熱サイクル時の半導体ダイと上部リードフレームとの間の適合性が向上し、熱サイクル時の応力の蓄積が減少するという技術事項（以下「引用例２に記載された技術事項」という。）が示されている。
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「半導体装置Ｘ１」は、樹脂パッケージ５を有するものであり、樹脂パッケージ５は、第１ないし第３導体１〜３および半導体チップ４を封止するものであるから、引用発明の「半導体装置Ｘ１」はパッケージであるといえる。したがって、引用発明の「半導体装置Ｘ１」は本願補正発明の「半導体パッケージ」に相当する。
（イ）引用発明の「半導体チップ４」は本願補正発明の「ダイ」に相当する。
（ウ）引用発明の「半導体チップ４の他面４１の電極」及び「半導体チップ４の一面４０の電極」は、それぞれ、本願補正発明の「ダイの第１の面上のダイ接点」及び「ダイの第２の面上のダイ接点」に相当するものである。
（エ）引用発明の「第２導体２」は、半導体チップ４の他面４１の電極と導通接続されており、金属板であるリードフレーム６を、リードフレーム６における各半導体装置形成領域ｘの外周に沿って切断することにより得られるものであるから、リードであるといえる。また、引用発明において、第３導体３は、第１導体１及び第２導体２の上方に存在するものであるから、第２導体２は相対的に下方に存在するものである。したがって、引用発明の「第２導体２」は本願補正発明の「第１の下側リード」に相当する。
　また、引用発明の「第２導体２は、直接的に半導体チップ４の他面４１の電極と導通接続されて」いることは、本願補正発明の「前記第１の下側リードは、ダイの第１の面上のダイ接点に電気的に接続されている、」ことに相当する。
（オ）引用発明の「第１導体１」は、第３導体３を介して半導体チップ４の一面４０の電極と導通接続されており、金属板であるリードフレーム６を、リードフレーム６における各半導体装置形成領域ｘの外周に沿って切断することにより得られるものであるから、リードであるといえる。また、引用発明において、第３導体３は、第１導体１及び第２導体２の上方に存在するものであるから、第１導体１は相対的に下方に存在するものである。したがって、引用発明の「第１導体１」は本願補正発明の「第２の下側リード」に相当する。
（カ）引用発明の「第２導体２」及び「第１導体１」の集合体は、下側リードで構成されるものであるから、下側リードフレームであるといえる。したがって、引用発明の「第２導体２」及び「第１導体１」の集合体は、本願補正発明の「第１の下側リードと第２の下側リードとを含む下側リードフレーム」に相当する。
（キ）引用発明において、「第１導体１は、第３導体３を介して半導体チップ４の一面４０の電極と導通接続されて」いるものであるから、引用発明の「第３導体３」は、半導体チップ４の一面４０の電極と導通接続されているものである。また、引用発明の「第３導体３」は、板状の部材が断面Ｌ字状に折り曲げられた形状のものである。したがって、引用発明の「第３導体３」はリードであるといえる。さらに、引用発明において、第３導体３は、第１導体１及び第２導体２の上方に存在するものであるから、第３導体３は相対的に上方に存在するものである。したがって、引用発明の「第３導体３」は本願補正発明の「上側リード」に相当する。
（ク）引用発明の「第３導体３」は、上側リードで構成されるものであるから、上側リードフレームであるといえる。したがって、引用発明の「第３導体３」は本願補正発明の「上側リードを含む上側リードフレーム」に相当する。
（ケ）引用発明の「第３導体３は、・・・第１部分としての基部３０と第２部分としての折り曲げ部３１とを有する断面Ｌ字状の形態とされて」いることは、本願補正発明の「前記上側リードの一部はＬ字状に屈曲されて」いることに相当する。
（コ）引用発明の「第３導体３」は、「第１部分としての基部３０と第２部分としての折り曲げ部３１とを有する断面Ｌ字状の形態とされており、折り曲げ部３１の先端面３１ａは、ハンダなどにより第１導体１の一面１０と接合されて」いるものであるから、ハンダなどにより第１導体１の一面１０と接合することで、第１導体１（本願補正発明の「下側リードフレーム」の一部に対応）から第３導体３を支持しているものであるといえる。そして、第１導体１と第３導体３との接合は、第１導体１と第３導体３と半導体チップ４とが所望の位置関係になるように行われていることは明らかである。
　したがって、引用発明の「第３導体３は、・・・第１部分としての基部３０と第２部分としての折り曲げ部３１とを有する断面Ｌ字状の形態とされており、折り曲げ部３１の先端面３１ａは、ハンダなどにより第１導体１の一面１０と接合されて」いることは、本願補正発明の「前記Ｌ字状の上側リードは、前記ダイとの関係で所望の位置で前記下側リードフレームから前記上側リードフレームを支持」することに相当する。
（サ）引用発明の「第１導体１は、第３導体３を介して半導体チップ４の一面４０の電極と導通接続されて」いることは、第３導体３が半導体チップ４の一面４０の電極（本願補正発明の「ダイの第２の面上のダイ接点」に相当）及び第１導体１（本願補正発明の「第２の下側リード」に相当）と電気的に接続されていることになるので、本願補正発明の「前記Ｌ字状の上側リードは、前記ダイの第２の面上のダイ接点と前記第２の下側リードとの間で電気的に接続されて」いることに相当する。
（シ）引用発明の「樹脂パッケージ５の底面５０」は、半導体装置Ｘ１の面となるものであるから、本願補正発明の「半導体パッケージの第１の面」に相当する。また、引用発明の「第１導体１に設けられた凸部１２の表面１２ａ」及び「第２導体２に設けられた凸部２２の表面２２ａ」は、樹脂パッケージ５の底面５０から露出して、それぞれ第１端子部及び第２端子部を構成するものであるから、本願補正発明の「パッケージの接点」に相当する。
　そして、引用発明において、「第１導体１は、第３導体３を介して半導体チップ４の一面４０の電極と導通接続されて」いるものであるから、第３導体３は、半導体チップ４の一面４０の電極及び第１導体１と電気的に接続されていることにより、第１導体１に設けられた凸部１２の表面１２ａを、半導体チップ４の一面４０の電極に導通接続された第１端子部として機能させるものである。
　したがって、引用発明の「第３導体３」（本願補正発明の「上側リード」に相当）は、本願補正発明の「パッケージの接点は前記半導体パッケージの第１の面上にあ」るものとするものであるといえる。
（ス）引用発明の「第３導体３は、折り曲げ部３１が第１導体１と接続される部分に対して、半導体チップ４を介した反対側では、第１導体１や第２導体２に接続するものではなく、」ということは、本願補正発明の「前記Ｌ字状の上側リードは、・・・前記ダイの前記第２の下側リードの反対側においては別の下側リードと電気的に接続されておらず、」ということに相当する。
（セ）「上側リードフレーム」について、本願補正発明では「前記下側リードフレームに対向する面上に１つ以上の溝部が形成されている」のに対し、引用発明ではその旨の特定はされていない。
（ソ）引用発明の「第１導体１、第２導体２、第３導体３、半導体チップ４・・・を有する半導体装置Ｘ１」は、本願補正発明の「ダイと、・・・前記下側リードフレームと、・・・前記上側リードフレームと、を含む、半導体パッケージ」に相当する。
　そうすると、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
＜一致点＞
「半導体パッケージであって、
　ダイと、
　第１の下側リードと第２の下側リードとを含む下側リードフレームであって、前記第１の下側リードは、ダイの第１の面上のダイ接点に電気的に接続されている、前記下側リードフレームと、
　上側リードを含む上側リードフレームであって、
　前記上側リードの一部はＬ字状に屈曲されており、
　前記Ｌ字状の上側リードは、前記ダイとの関係で所望の位置で前記下側リードフレームから前記上側リードフレームを支持し
　前記Ｌ字状の上側リードは、前記ダイの第２の面上のダイ接点と前記第２の下側リードとの間で電気的に接続されており、かつ、前記ダイの前記第２の下側リードの反対側においては別の下側リードと電気的に接続されておらず、それによりパッケージの接点は前記半導体パッケージの第１の面上にある前記上側リードフレームと、
　を含む、半導体パッケージ。」
＜相違点＞
　「上側リードフレーム」について、本願補正発明では「前記下側リードフレームに対向する面上に１つ以上の溝部が形成されている」のに対し、引用発明ではその旨の特定はされていない点。
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　リードフレームとダイとを含む半導体パッケージにおいて、熱サイクル時のリードフレームとダイの接合部分における適合性の悪化や応力の蓄積が問題となることは、周知の課題であるから、引用発明において、当該周知の課題を解決するために、引用例２に記載された技術事項を適用することで、半導体チップ４の一面４０とハンダなどにより接合される第３導体３の基部３０の他面３０ａに溝を形成することは、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、引用発明における第３導体３の基部３０の他面３０ａは、第３導体３の基部３０の両面のうち、第１導体１及び第２導体２が存在する方の面であるから、第３導体３（本願補正発明の「上側リードフレーム」に相当）の面のうち、第１導体１及び第２導体２（本願補正発明の「下側リードフレーム」に相当）に対向する面であるといえる。
　また、本願補正発明の作用効果も、引用発明と引用例２に記載された技術事項から当業者が十分に予測できたものであって格別なものとはいえない。
　なお、審判請求人は、審判請求書において、「また、引用文献２の段落［００１７］では、『図３に示すように、上部リードフレーム１０の下面を部分的にエッチング処理することで、十字形の溝１０５が形成されている。』との記載があるが、図３を参照すると、この溝１０５は上部リードフレーム１０を貫通する貫通孔であることが分かる。溝１０５が貫通孔であることから、本願発明における溝部とは構成が全く異なり、本願発明のように、熱サイクル時における上側リードと半導体ダイとの間の適合性を向上させることができるという効果を奏することはできない。」との主張をしている。
　しかし、上記「（２）イ．（ｇ）」によれば、引用例２における溝１０５は、上部リードフレーム１０を厚さ０．００２インチから０．００６インチにエッチング処理することで形成されるものであるから、エッチング処理後の溝１０５の厚さが０．００２インチから０．００６インチであることになり、溝１０５は貫通孔ではない。
　また、引用例２において、上部リードフレームを下から見た図である図３に記載される十字形の溝１０５が貫通孔であれば、引用例２の上部リードフレームの斜視図を表す図１Ａにおいて、上部リードフレームの上面側に十字形の溝１０５が記載されているはずであるところ、上記「（２）イ．（ｊ）」によれば、図１Ａには十字形の溝１０５が記載されていないことからも、溝１０５は貫通孔ではない。
　さらに、引用例２において、十字形の溝１０５が貫通孔であれば、半導体パッケージの断面図を表す図５において、溝１０５は上部リードフレームの両面を貫通するものとして記載されているはずであるところ、上記「（２）イ．（ｌ）」によれば、図５において、溝１０５は上部リードフレームの両面を貫通するものとして記載されていないことからも、溝１０５は貫通孔ではない。
　そして、引用例２に記載された技術事項は、上部リードフレームの下面に溝を形成することで、熱サイクル時の半導体ダイと上部リードフレームとの間の適合性が向上するものである以上、熱サイクル時における上側リードと半導体ダイとの間の適合性を向上させることができるという効果を奏することは、当業者が十分に予測できたものである。
　したがって、審判請求人の上記主張を採用することはできない。
　よって、本願補正発明は、引用発明及び引用例２に記載された技術事項により当業者が容易になし得たものである。
（５）補正の適否についてのむすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３．本件補正についてのむすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成３０年１月２２日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２９年８月２３日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２　１．」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例１及びその記載事項は、上記「第２　２．（２）ア．」に記載したとおりである。
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２」で検討した本願補正発明において、「上側リードフレーム」について、「前記下側リードフレームに対向する面上に１つ以上の溝部が形成されている」との限定（上記相違点に対応）を削除したものに相当する。
　そうすると、本願発明の発明特定事項は、上記「第２　２．（３）」に記載したとおり、引用例１に記載された発明と全て一致し相違する点はないので、本願発明は引用例１に記載された発明である。
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。