【手続補正書】
【提出日】平成21年12月14日(2009.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタであって、
基材、
ゲート電極、
前記基材と前記ゲート電極との間に位置しない半導体材料、
前記半導体材料と接触するソース電極、
前記導半導体材料と接触するドレイン電極、及び
前記ゲート電極及び前記半導体材料と接触する誘電体材料、
を含み、前記半導体材料が、
１〜９９．９重量％の、１ｋＨｚにおいて３．３を超える誘電率を有するポリマー、
０．１〜９９重量％の、式Ｉに従う化合物を含み、
【化１】
2009522781.tif 000001
式中、各Ｒ１はＨ及びＣＨ３から独立して選択され、各Ｒ２は分岐状又は非分岐状Ｃ２〜Ｃ１８アルカン類、分岐状又は非分岐状Ｃ１〜Ｃ１８アルキルアルコール類、分岐状又は非分岐状Ｃ２〜Ｃ１８アルケン類、Ｃ４〜Ｃ８アリール類又はヘテロアリール類、Ｃ５〜Ｃ３２アルキルアリール又はアルキル−ヘテロアリール、フェロセニル、又はＳｉＲ３３から独立して選択され、その際、各Ｒ３が水素、分岐状又は非分岐状Ｃ１〜Ｃ１０アルカン類、分岐状又は非分岐状Ｃ１〜Ｃ１０アルキルアルコール類又は分岐状又は非分岐状Ｃ２〜Ｃ１０アルケン類から独立して選択される、トランジスタ。
【請求項２】
式Ｉに従う化合物が６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ−ペンタセン）である、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
１ｋＨｚにて３．３を超える誘電率を有する前記ポリマーが、ポリ（４−シアノメチルスチレン）及びポリ（４−ビニルフェノール）から成る群から選択される、請求項１又は２に記載のトランジスタ。
【請求項４】
１ｋＨｚにて３．３を超える誘電率を有する前記ポリマーが、次式の繰返し単位を有する実質的にフッ素化されていない有機ポリマーであり、
【化２】
2009522781.tif 000002
式中：
各Ｒ１は、独立して、Ｈ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、アリール基、又は架橋性基を包含する有機基であり、
各Ｒ２は、独立して、Ｈ、アリール基、又はＲ４であり、
各Ｒ３は、独立して、Ｈ又はメチルであり、
各Ｒ５は、独立して、アルキル基、ハロゲン、又はＲ４であり、
各Ｒ４は、独立して、少なくとも１つのＣＮ基を含み、そしてＣＮ基１個当たり約３０〜約２００の分子量を有する有機基であり、及び
ｎ＝０〜３であり、
但し、前記ポリマー中の少なくとも１つの繰返し単位がＲ４を包含することを条件とする、請求項１又は２に記載のトランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明の様々な修正及び変更は、本発明の範囲及び原理から逸脱することなく当業者に明白となり、本発明が、上記で説明した例示的な実施形態に過度に限定するものではないことを理解すべきである。
以下に、本願発明に関連する発明の実施の形態を列挙する。
実施形態１
トランジスタであって、
基材、
ゲート電極、
前記基材と前記ゲート電極との間に位置しない半導体材料、
前記半導体材料と接触するソース電極、
前記導半導体材料と接触するドレイン電極、及び
前記ゲート電極及び前記半導体材料と接触する誘電体材料、
を含み、前記半導体材料が、
１〜９９．９重量％の、１ｋＨｚにおいて３．３を超える誘電率を有するポリマー、
０．１〜９９重量％の、式Ｉに従う化合物を含み、
【化３】
2009522781.tif 000003
式中、各Ｒ１はＨ及びＣＨ３から独立して選択され、各Ｒ２は分岐状又は非分岐状Ｃ２〜Ｃ１８アルカン類、分岐状又は非分岐状Ｃ１〜Ｃ１８アルキルアルコール類、分岐状又は非分岐状Ｃ２〜Ｃ１８アルケン類、Ｃ４〜Ｃ８アリール類又はヘテロアリール類、Ｃ５〜Ｃ３２アルキルアリール又はアルキル−ヘテロアリール、フェロセニル、又はＳｉＲ３３から独立して選択され、その際、各Ｒ３が水素、分岐状又は非分岐状Ｃ１〜Ｃ１０アルカン類、分岐状又は非分岐状Ｃ１〜Ｃ１０アルキルアルコール類又は分岐状又は非分岐状Ｃ２〜Ｃ１０アルケン類から独立して選択される、トランジスタ。
実施形態２
式中、各Ｒ１がＨであり、各Ｒ２がＳｉＲ３３であり、その際、各Ｒ３が水素、分岐状又は非分岐状Ｃ１〜Ｃ１０アルカン類、分岐状又は非分岐状Ｃ１〜Ｃ１０アルキルアルコール類又は分岐状又は非分岐状Ｃ２〜Ｃ１０アルケン類から独立して選択される、実施形態１に記載のトランジスタ。
実施形態３
式中、各Ｒ１がＨであり、各Ｒ２がＳｉＲ３３であり、その際、各Ｒ３が分岐状又は非分岐状Ｃ１〜Ｃ１０アルカン類から独立して選択される、実施形態１に記載のトランジスタ。
実施形態４
式Ｉに従う化合物が６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ−ペンタセン）である、実施形態１に記載のトランジスタ。
実施形態５
１ｋＨｚにて３．３を超える誘電率を有する前記ポリマーが、ポリ（４−シアノメチルスチレン）及びポリ（４−ビニルフェノール）から成る群から選択される、実施形態１に記載のトランジスタ。
実施形態６
１ｋＨｚにて３．３を超える誘電率を有する前記ポリマーが、ポリ（４−シアノメチルスチレン）及びポリ（４−ビニルフェノール）から成る群から選択される、実施形態４に記載のトランジスタ。
実施形態７
１ｋＨｚにて３．３を超える誘電率を有する前記ポリマーが、ポリ（４−ビニルフェノール）である、実施形態１に記載のトランジスタ。
実施形態８
１ｋＨｚにて３．３を超える誘電率を有する前記ポリマーが、ポリ（４−ビニルフェノール）である、実施形態４に記載のトランジスタ。
実施形態９
１ｋＨｚにて３．３を超える誘電率を有する前記ポリマーが、シアノ基を含むポリマーである、実施形態１に記載のトランジスタ。
実施形態１０
１ｋＨｚにて３．３を超える誘電率を有する前記ポリマーが、シアノ基を含むポリマーである、実施形態４に記載のトランジスタ。
実施形態１１
１ｋＨｚにて３．３を超える誘電率を有する前記ポリマーが、次式の繰返し単位を有する実質的にフッ素化されていない有機ポリマーであり、
【化４】
2009522781.tif 000004
式中：
各Ｒ１は、独立して、Ｈ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、アリール基、又は架橋性基を包含する有機基であり、
各Ｒ２は、独立して、Ｈ、アリール基、又はＲ４であり、
各Ｒ３は、独立して、Ｈ又はメチルであり、
各Ｒ５は、独立して、アルキル基、ハロゲン、又はＲ４であり、
各Ｒ４は、独立して、少なくとも１つのＣＮ基を含み、そしてＣＮ基１個当たり約３０〜約２００の分子量を有する有機基であり、及び
ｎ＝０〜３であり、
但し、前記ポリマー中の少なくとも１つの繰返し単位がＲ４を包含することを条件とする、実施形態１に記載のトランジスタ。
実施形態１２
１ｋＨｚにて３．３を超える誘電率を有する前記ポリマーが、次式の繰返し単位を有する実質的にフッ素化されていない有機ポリマーであり、
【化５】
2009522781.tif 000005
式中：
各Ｒ１は、独立して、Ｈ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、アリール基、又は架橋性基を包含する有機基であり、
各Ｒ２は、独立して、Ｈ、アリール基、又はＲ４であり、
各Ｒ３は、独立して、Ｈ又はメチルであり、
各Ｒ５は、独立して、アルキル基、ハロゲン、又はＲ４であり、
各Ｒ４は、独立して、少なくとも１つのＣＮ基を含み、そしてＣＮ基１個当たり約３０〜約２００の分子量を有する有機基であり、及び
ｎ＝０〜３であり、
但し、前記ポリマー中の少なくとも１つの繰返し単位がＲ４を包含することを条件とする、実施形態４に記載のトランジスタ。
実施形態１３
前記ソース及びドレイン電極が誘電体材料と接触する、実施形態１に記載のトランジスタ。
実施形態１４
前記ソース及びドレイン電極が誘電体材料と接触しない、実施形態１に記載のトランジスタ。