【事件の表示】
　平成３年特許願第３００７５１号「厚膜多層セラミックス基板」拒絶査定不服審判事件〔平成５年６月１日出願公開、特開平５−１３６５６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．
　本願は、平成３年１１月１５日付の特許出願であって、その請求項に係る発明は、平成１７年１２月５日付の手続補正に係る明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。                 
【請求項１】
　セラミックス基体上に厚膜導体層、厚膜誘電体および半田接合用導体層を、それぞれに対応した各ペーストを順次印刷、焼成することによって形成し、前記半田接合用導体層上に形成した半田層を介して該半田接合用導体層と機能部品とが電気接続される厚膜多層セラミックス基板であって、さらに前記半田接合用導体層の周縁に沿って周縁から少なくとも１００μｍ以上の幅で半田接合用導体層表面を覆う半田に濡れない材料からなる被覆層を有し、前記半田接合用導体層は銀、銅、金、パラジウムおよび白金からなる軟質金属から選択される少なくとも１つの金属で構成された厚さ５μｍ以上の層からなり、前記半田層が半田接合用導体層表面の前記被覆層によって囲まれた領域内に設けられ、該領域内においてのみ前記機能部品が半田接合されることを特徴とする厚膜多層セラミックス基板。
　（以下、「本願発明」という。）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．
　これに対し、当審で、平成１７年５月３１日付の拒絶理由通知において引用した、本願の出願前に頒布された刊行物とその主要な記載事項は、次のとおりである。
　　　＜引用刊行物＞ 
　　特開昭５９−４０９５号公報（以下、「第１引用例」という） 
　　特開平３−２０９７９３号公報（以下、「第２引用例」という） 
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　［第１引用例］
　混成集積回路の製造方法に関して、下記（イ）〜（ハ）の記載がある。 
　（イ）　「第１図は、・・・多層厚膜混成集積回路の一断面図であり、アルミナ基板１の上に導体２と抵抗体４を誘電体３でサンドイッチにした多層構造を示し、誘電体上に形成した最上層の導体２にチップコンデンサ６ダイオード７等をはんだ５ではんだ接続したことを示している。
　第２図は、アルミナ基板１上に誘電体３を形成した一断面図で、第３図はさらに誘電体３上に導体２を形成した一断面図を示している。第２図，第３図は、本発明による製造方法の基本的なプロセスと各種特性を評価するために形成した代表的なパターンの断面図である。」（第２頁右下欄第８〜２０行） 
　（ロ）　「本発明の実施例で使用した材料は、導体ペーストとして銀粉末とパラジウム粉末の割合を８０：２０で混合した導電粉末８０ｗｔ％と、・・・ガラスフリット２０ｗｔ％との混合物をビヒクルに混ぜたペーストである。また誘電体ペーストとしては、ＳｉＯ２・・・からなる結晶化ガラス粉末をビヒクルに混ぜたペーストである。」（第３頁左上欄第５〜１５行） 
　（ハ）　「この誘電体上に形成した導体の特性を評価するための試験条件および評価方法は、つぎのとうりである。 
　すなわち、半田ぬれ性評価方法は、Ｓｎ−Ｐｂ系はんだ箔・・・のぬれ広がり径で評価した。・・・ 
　接着強度（ピーリング強度）測定用パターンは、導体２のパターンとして、幅３ｍｍ，長さ１０ｍｍ，厚さ約１０μｍとした。・・・ 
 　抵抗測定はパターンとして・・・厚さ約１０μｍの導体を形成し・・・四端子法によりおこなった。」（第４頁左上欄第２行〜同右上欄第１行） 
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　［第２引用例］
　ガラス基板の半田接続構造に関して、次の（ニ）〜（ト）の記載がある。　（ニ）　「ガラス基板上に形成した薄膜電極上に半田層により部品を接続する接続構造において、上記半田層の、上記薄膜電極との接合面端縁を、薄膜電極とガラス基板との接合面端縁よりも一定距離以上内方に位置せしめたことを特徴とするガラス基板の半田接続構造。」（第１頁左下欄第５〜１０行）
　（ホ）　「［発明が解決しようとする課題］ 
　上記接続構造において、ガラス基板１は熱膨張率が極めて小さい上に、薄膜電極２を構成するアルミニウム（Ａｌ）膜２１およびニッケル（Ｎｉ）膜２２とは熱膨張率が異なり、これらは更に、半田層３とは熱膨張率が異なるために、雰囲気温度の急変により各接合面の端縁に熱応力が生じ、これら熱応力が全てガラス基板１と薄膜電極２の接合面端縁２ａに集中してガラス基板１にクラックを生じることが往々にしてあった。」（第１頁右下欄第８〜１７行） 
　（ヘ）　「［作用］ 
　上記構造において、雰囲気温度が急変すると、ガラス基板１と薄膜電極２の接合面端縁２ａ、および半田層３と薄膜電極２の接合面端縁３ａにはそれぞれ熱応力が生じる。ここにおいて、上記端縁３ａを端縁２ａよりも一定距離ｌ以上内方に位置せしめて離隔したことにより、ガラス基板に及ぶ熱応力は分散されて一部に集中することはない。これによりガラス基板１のクラック発生は有効に防止される。」（第２頁左上欄第１０〜１９行） 
　（ト）　「［第６実施例］ 
　ところで、本発明の適用に当たっては、既述の如く薄膜電極２と半田層３の接合面端縁３ａを、薄膜電極２・・・の端縁２ａよりも０．０５ｍｍ以上の距離ｌだけ内方へ位置せしめる必要があるが、・・・上記距離ｌを確保しつつ半田付け作業することが困難である。 
　かかる困難を防止する構造を第８図および第９図に示す。・・・すなわち、ソルダマスク層６は第１０図に示す如く、ガラス基板１と薄膜電極２の大部分を覆って形成され、薄膜電極２の端部ではその端縁より上記距離ｌだけ小さい長方形領域２４を除いてあって、この領域２４でのみ薄膜電極２が露出している。 
 　・・・ 
　なお、上記ソルダマスク層６を十分厚く形成し、あるいはＳｉＯ２ないしガラスの如く、より剛性の大きい材料でソルダマスク層６を形成すれば、・・・応力集中をさらに分散緩和せしめることができる。」（第３頁左上欄第７行〜同右上欄第１３行）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．
（１）本願発明の構成事項と上記第１引用例の記載事項（イ）〜（ハ）とを対比すると、第１引用例記載の「アルミナ基板」は、本願発明でいう「セラミックス基体」に相当し、「アルミナ基板１の上に導体２と抵抗体４を誘電体３でサンドイッチにした多層構造」を示す「多層厚膜混成集積回路」は、「厚膜多層セラミックス基板」を含むものといえる。 
　そして、第１引用例（イ）で、「第２図は、アルミナ基板１上に誘電体３を形成した一断面図で、第３図はさらに誘電体３上に導体２を形成した一断面図を示している。第２図、第３図は、本発明による製造方法の基本的なプロセス・・・である。」とし、更に、同（ロ）で、「導体ペースト」や「誘電体ペースト」に言及しているところから、「厚膜導体層」及び「厚膜誘電体層」が「それぞれに対応した各ペーストを順次印刷、焼成することによって形成」されることが明らかである。
　また、同じく（イ）で、「最上層の導体２にチップコンデンサ６ダイオード７等をはんだ５ではんだ接続」としていることや、（ハ）で導体の「はんだぬれ性」に言及しているところから、本願発明と同様に「半田接合用導体層上に形成した半田層を介して該半田接合用導体層と機能部品とが電気接続される」ことが認められる。 
　更に、第１引用例記載の多層厚膜混成集積回路では、「銀粉末とパラジウム粉末の割合を８０：２０で混合した導電粉末８０ｗｔ％」と、ガラスフリット２０ｗｔ％との混合物をビヒクルに混ぜたペースト（ロ）で、半田接合用の導体層が形成されると認められるが、この導体層は「銀、銅、金、パラジウムおよび白金からなる軟質金属から選択される少なくとも１つの金属で構成」されているといえる。 
（２）以上の対比関係から、本願発明と第１引用例記載の発明との一致点と相違点を次のとおりに認定できる。 
　【一致点】
「セラミックス基体上に厚膜導体層、厚膜誘電体および半田接合用導体層を、それぞれに対応した各ペーストを順次印刷、焼成することによって形成し、前記半田接合用導体層上に形成した半田層を介して該半田接合用導体層と機能部品とが電気接続される厚膜多層セラミックス基板であって、前記半田接合用導体層は銀、銅、金、パラジウムおよび白金からなる軟質金属から選択される少なくとも１つの金属で構成された層からなり、前記機能部品が半田接合される厚膜多層セラミックス基板」に係る発明である点
　【相違点１】
　本願発明では、「前記半田接合用導体層の周縁に沿って周縁から少なくとも１００μｍ以上の幅で半田接合用導体層表面を覆う半田に濡れない材料からなる被覆層」を有すると共に、「前記半田層が半田接合用導体層表面の前記被覆層によって囲まれた領域内に設けられ、該領域内においてのみ」前記機能部品が半田接合されるという構成を備えるのに対して、第１引用例では、そのような被覆層に係る構成について言及がない点 
　【相違点２】
　半田接合用導体層の厚さに関して、本願発明では「厚さ５μｍ以上」とするのに対し、第１引用例では、「厚さ約１０μｍ」（ハ）としている点 
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４．
（１）相違点１について 
　上記第２引用例の記載事項（ホ）では、「ガラス基板１は熱膨張率が極めて小さい上に、薄膜電極２を構成するアルミニウム（Ａｌ）膜２１およびニッケル（Ｎｉ）膜２２とは熱膨張率が異なり、これらは更に、半田層３とは熱膨張率が異なるために、・・・各接合面の端縁に熱応力が生じ、これら熱応力が全てガラス基板１と薄膜電極２の接合面端縁２ａに集中してガラス基板１にクラックを生じることが往々にしてあった」という、従来技術に係る問題点が指摘されており、同（ト）では、次のような解決手法が示されている。
「ソルダマスク層６」が「ガラス基板１と薄膜電極２の大部分を覆って形成され」、「薄膜電極２の端部ではその端縁より上記距離ｌだけ小さい長方形領域２４を除いてあって、この領域２４でのみ薄膜電極２が露出」するようにし、また、上記ソルダマスク層６を十分厚く形成し、あるいはより剛性の大きい材料で形成することによって、「応力集中をさらに分散緩和せしめることができる」というものである。
　上記の「薄膜電極２の端部ではその端縁より上記距離ｌだけ小さい長方形領域２４を除い」て形成された「ソルダマスク層６」は、「半田接合用導体層の周縁に沿って周縁から」所定の幅で「半田接合用導体層表面を覆う半田に濡れない材料からなる被覆層」といえるし、「領域２４でのみ薄膜電極２が露出」することにより、「半田層が半田接合用導体層表面の前記被覆層によって囲まれた領域内に設けられ、該領域内においてのみ」機能部品が半田接合されることになる。
　そうすると、第２引用例の上記記載は、従来のガラス基板に係る問題点と共に、その解決手法として、上記相違点１の被覆層に係る、本願発明の主要な構成を示唆したものといえる。 
　もっとも第２引用例の記載事項（ニ）〜（ヘ）では、「ガラス基板」と「（アルミニウムやニッケル膜による）薄膜電極」（半田接合用導体層）と半田層との各熱膨張率が異なることに起因する応力集中を問題としているから、上記第２引用例に開示された構成を、第１引用例に開示された、結晶化ガラス粉末をビヒクルに混ぜたペーストで「誘電体層」を形成すると共に、（銀粉末とパラジウム粉末の）導体ペーストで「厚膜電極」（半田接合用導体層）を形成する多層セラミックス基板について、直ちに適用できるというわけではない。
　しかし、「ガラス基板」はガラスを誘電体層とする基板とみることができるし、上記の「薄膜電極」と「厚膜電極」との間で、半田や基板に対する熱膨張率の相違による応力集中に関して、基本的なメカニズムの相違があるとは考え難いから、第２引用例記載の上記問題点とその解決手法を、第１引用例に開示された多層セラミックス基板についても適用しようとすることは、当業者であれば容易に類推できる程度の技術事項というべきである。
　また、第２引用例（ト）では、ソルダマスク層により覆われる薄膜電極の周縁からの「距離ｌ」について、「０．０５ｍｍ」（＝５０μｍ）以上としており、本願発明の「１００μｍ以上の幅」とは数値が異なるが、５０μｍ以上というのなら、１００μｍあるいはそれより大とすることが排除されるわけではないし、また、このような数値は、基板等の材料や電極の寸法等に対応して、当業者が適宜設定するべき設計事項である。
　そうすると、第１引用例記載の発明において、第２引用例に示唆された上記構成を採用して相違点１でいう本願発明の構成とするのは、格別困難なこととはいえない。 
（２）相違点２について 
　半田接合用導体層に関して、第１引用例では、「厚さ約１０μｍ」という数値を例示しているが、このような数値に格別の技術的意義があるとは認められず、また、これより小さい値も当然想到できるのであるから、これを必要に応じて、例えば、本願発明のように「厚さ５μｍ以上」とするのは、当業者が容易に設定できる設計事項である。
（３）請求人の主張する作用効果について
　請求人は、本願当初明細書中の表７によれば、被覆幅「５０μｍ」であっても絶縁不良品の発生個数が改善されているようにも見受けられるが、この表７における耐熱ストレス負荷試験は、電気接続する対象物が、単なる「銅ワイヤー」に限られているもので、先の表３〜６に示されたタンタルコンデンサーチップ部品（「Ｔａ−Ｃ」）、トランジスター（「Ｔｒ」）、多層セラミックスコンデンサー（「Ｃ３２１６」）等の、いわゆる、電気接続構造に起因してストレスが極めて大きく作用する機能部品に係るものとは絶縁不良品の発生において大きく異なり、「表７の試験結果は、表３〜６の試験結果と同列に評価されるべきものでは」なく、「本発明は、被覆幅を１００μｍ以上とすることで、少なくとも、ストレスが極めて大きく作用する機能部品を接続した際にあっても、絶縁不良品の発生を極力改善し得る」ものであるから、被覆幅「少なくとも１００μｍ以上」の特定に技術的臨界的意義が認められるべきである旨主張している。（平成１７年１２月５日付意見書第２頁第２１〜３４行参照）
　しかし、被覆幅を「５０μｍ」とする場合に比較して、「少なくとも１００μｍ以上」とすればそれなりの作用効果が得られるというのは、当業者であれば通常予測しうるところというべきであるから、請求人の上記指摘する試験結果は、「少なくとも１００μｍ以上」という数値限定についての「技術的臨界的意義」を認めるべき根拠となりうるものではない。
　請求人はまた、半田接合用導体層については、その材料を「銀、銅、金、パラジウムおよび白金からなる軟質金属から選択される少なくとも１つの金属」とし、かつ、その厚さを「５μｍ以上」としたうえで、更に、半田接合用導体層表面をその周縁に沿って覆う被覆層の被覆幅を該周縁から「少なくとも１００μｍ以上」とすることで、「初めて、過酷な熱ストレスに耐えることのできる高信頼性の厚膜多層セラッミックス基板」を提供することができた旨も主張している。（同意見書第５頁第１６〜２１行参照）
　しかし、半田接合用導体層の材料を「銀、銅、金、パラジウムおよび白金からなる軟質金属から選択される少なくとも１つの金属」とすることは、第１引用例に開示があるし、その厚さを「５μｍ以上」とすることや、被覆層の被覆幅を接合用導体層の周縁から「少なくとも１００μｍ以上」とすることが格別困難とはいえないことは、既に上述したとおりである。
　そして、それらの構成を併せ備えることによって、請求人がいうように「初めて、過酷な熱ストレスに耐えることのできる高信頼性の厚膜多層セラミックス基板」を提供することができるとしても、そのような効果は、上記第１及び第２引用例の記載から当業者が容易に予測しうる域を出るものではない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
５．
　以上のとおり、本願発明は第１引用例に記載された発明及び第２引用例に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。