【事件の表示】
　特願２０００−５６５７０５「ハンダバンプの形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　２月２４日国際公開、ＷＯ００／１０３６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、１９９９年８月６日（優先権主張１９９８年８月１０日，日本国）を国際出願日とする出願であって、原審において、平成１７年５月２６日付けで拒絶査定がなされたところ、これを不服として、平成１７年７月７日に本件審判請求がなされるとともに、平成１７年８月８日付けで手続補正がなされたものである。
　
【２】平成１７年８月８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年８月８日付けの手続補正を却下する。
　
［補正却下の決定の理由］
１．手続補正後の請求項１に係る発明
　本件手続補正により、特許請求の範囲の請求項１は以下のように補正された。
「基板の表層部に設けられている複数の凹部内にハンダを充填する工程と、このハンダを溶融・固化させることにより、上記各凹部内にハンダバンプを形成する工程とを含む、ハンダバンプの形成方法であって、上記複数の凹部内にハンダを充填する以前の工程として、
　感光性を有する第１のレジスト層を上記基板上に形成した後、上記基板上に予め設けられている電極パターンに対応したマスクパターンを有するマスクを使用して行う露光処理と、現像処理とを上記第１のレジスト層に施すことにより、当該第１のレジスト層に複数の凹部を形成する工程と、
　凹部が形成された上記第１のレジスト層上に、第２のレジスト層となる感光性を有するフィルムを熱圧着させる工程と、
　上記マスクパターンと実質的に同じマスクパターンのマスクを使用して行う露光処理と、現像処理とを上記フィルムに施すことにより、上記第１のレジスト層の上記複数の凹部に連通した複数の窓部を当該フィルムに設ける工程と、を含み、
　上記フィルムは、上記基板を構成する材料とは主成分が異なる材料で構成され、ハンダを上記第２のレジスト層となるフィルムの窓部を通して凹部に充填してから溶融・固化する工程の後にエッチング除去される、ことを特徴とする、ハンダバンプの形成方法。」（以下、「本願補正発明」という。）
　
　上記補正は、請求項１に係る発明を特定するための事項である「複数の凹部内にハンダを充填する以前の工程」及び「上記フィルム」の構成を更に限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当する。
　そこで、上記の本願補正発明が、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する独立特許要件を備えているかどうかについて、以下に検討する。
　
２．引用例とその記載事項
（１）本件特許出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平７−２７３４３９号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の事項（イ）〜（チ）が記載されている。
（イ）「導体配線が形成されているＩＣチップ実装用基板上に半田バンプを形成するに当たり、
　基板の導体配線が形成されている表面上に感光性の第１のソルダレジスト層を形成し、
　フォトエッチングにより、第１のソルダレジスト層の半田バンプを形成すべき位置に第１の開口を形成し、
　次に、第１のソルダレジスト層上に第２のソルダレジスト層を形成し、
　フォトエッチングにより、第２のソルダレジスト層の前記第１の開口と対応する位置に第１の開口と連通する第２の開口を形成し、
　前記第１及び第２の開口内に半田を埋め込み、
　リフロー処理した後、前記第１のソルダレジスト層の少なくとも一部が残存するようにエッチング処理を行なうことを特徴とする半田バンプ形成方法。」（特許請求の範囲請求項１）
（ロ）「【実施例】図１〜図８は本発明による半田バンプ形成方法を説明するための一連の工程を示す図である。はじめに、内部に必要な配線が形成されているＩＣチップ実装用基板１を用意する。この基板１は樹脂材料やセラミック材料のプリント基板とすることができ、本例では低温焼成基板を用いる。」（段落［００１０］）
（ハ）「図２に示すように、基板１の配線パターン２が形成されている表面上に液状の第１のソルダレジスト層３を形成する。このソルダレジスト層３は感光性ソルダレジスト層とし、…通常のスクリーン印刷法により全面印刷を行ない、その後７５℃で２５分間乾燥する。」（段落［００１１］）
（ニ）「次に、フォトエッチングにより、第１のソルダレジスト層３の半田バンプを形成すべき位置に開口１を形成する。まず、フォトマスクを用いて第１のソルダレジスト層３を露光する。…その後、１％の炭酸ナトリウム水溶液を用いてスプレイ現像を行ない、第１のソルダレジスト層３の半田バンプを形成すべき区域を除去して第１の開口３ａを形成する。」（段落［００１２］）
（ホ）「次に、図３に示す基板上に第２のソルダレジスト層４を形成する。本例では、第２のソルダレジスト層として厚さ３８μm の感光性でシート状のドライフィルムを用いる。このドライフィルムとして、例えばデュポン社製のドライフィルム、商品名「ＲＩＳＴＯＮ」を用いる。この第２のソルダレジスト層４をラミネータを用いて第１のソールダレジスト層３上に積層する。…このシート状の第２のソルダレジスト層４にフォトエッチングにより第２の開口を形成する。この際、第１の開口の形成に用いたフォトマスクを用いる。露光は、５００Ｗの超高圧水銀灯を用い、露光量は５０ｍＪ／cm2 とする。次に、１％の炭酸ナトリウム水溶液を用いてスプレー現像し、半田バンプ形成領域に第１の開口３ａと連通する第２の開口４ａを形成し、水洗及び乾燥工程を経て図５に示すパターンを得る。」（段落［００１３］）
（ヘ）「次に、図６に示すように、0.03mmの厚さのメタルマスクを用いて第１及び第２の開口内に半田ペーストを印刷により供給する。尚、メタルマスクを用いず、スキージ等により直接半田５を開口内に埋め込むこともできる。」（段落［００１４］）
（ト）「次に、図７に示すように、上記基板を２３０℃にセットされたリフロー炉内に導入してリフロー処理を行なう。」（段落［００１５］）
（チ）「その後、基板を２％水酸化ナトリウム水溶液内に５分間浸漬して第２のソルダレジスト層だけを除去する。」（段落［００１６］）
　
  上記記載事項（ホ）から、引用発明１におけるドライフィルムは樹脂を材料とするものでセラミック基板と主成分が異なることは明らかだから、上記各記載事項と図面の記載から、引用例１には、「導体配線が形成されている基板上に半田バンプを形成する半田バンプの形成方法であって、
　基板の導体配線が形成されている表面上に感光性の第１のソルダレジスト層を形成した後、フォトマスクを使用して露光処理を行い、次いで現像処理を行うことにより、第１のソルダレジスト層の半田バンプを形成すべき位置に複数の第１の開口を形成する工程と、
　該開口が形成された第１のソルダレジスト層上に、第２のソルダレジスト層となる感光性を有するドライフィルムをラミネータを用いて積層する工程と、
　上記第１の開口の形成に用いたフォトマスクを用いて露光処理と現像処理を上記ドライフィルムに施すことにより、第２のソルダレジスト層の前記複数の第１の開口と対応する位置に第１の開口と連通する第２の開口を形成する工程と、を含み、
　上記ドライフィルムは、上記基板を構成する材料とは主成分が異なる材料で構成され、半田を第２の開口を通して第１の開口に充填してから、リフロー処理する工程の後にエッチング除去される、半田バンプ形成方法」の発明（以下、「引用発明１」という）が開示されていると認めることができる。
　
３．本願補正発明と引用例記載の発明の対比・判断
（１）本願補正発明と上記引用発明１とを対比する。
　引用発明１における「半田」、「ソルダレジスト」、「フォトマスク」、「ドライフィルム」、「第１の開口」、「第２の開口」は、本願発明におけるそれぞれ「ハンダ」、「レジスト」、「マスク」、「フィルム」、「凹部」、「窓部」に相当し、「リフロー処理」はハンダを「溶融・固化」する処理を意味するから、本願補正発明と引用発明１の一致点、相違点は以下のとおりである。
＜一致点＞
「基板の表層部に設けられている複数の凹部内にハンダを充填する工程と、このハンダを溶融・固化させることにより、上記各凹部内にハンダバンプを形成する工程とを含む、ハンダバンプの形成方法であって、上記複数の凹部内にハンダを充填する以前の工程として、
　感光性を有する第１のレジスト層を上記基板上に形成した後、マスクを使用して行う露光処理と、現像処理とを上記第１のレジスト層に施すことにより、当該第１のレジスト層に複数の凹部を形成する工程と、
　凹部が形成された上記第１のレジスト層上に、第２のレジスト層となる感光性を有するフィルムを積層する工程と、
　上記マスクパターンと実質的に同じマスクパターンのマスクを使用して行う露光処理と、現像処理とを上記フィルムに施すことにより、上記第１のレジスト層の上記複数の凹部に連通した複数の窓部を当該フィルムに設ける工程と、を含み、
　上記フィルムは、上記基板を構成する材料とは主成分が異なる材料で構成され、ハンダを上記第２のレジスト層となるフィルムの窓部を通して凹部に充填してから溶融・固化する工程の後にエッチング除去される、ハンダバンプの形成方法。」
＜相違点＞
Ａ．本願補正発明におけるマスクは、「基板上に予め設けられている電極パターンに対応したマスクパターンを有する」のに対して、引用発明１におけるフォトマスクのマスクパターンの構成は、不明である点。
Ｂ．第２のレジスト層となる感光性フィルムを積層するにあたって、本願補正発明は「熱圧着させる」のに対して、引用発明１はラミネータを用いている点。
　
（２）そこで、上記各相違点について以下に検討する。
＜相違点Ａについて＞
　引用例１には、フォトマスクのマスクパターンの構成について格別の言及はないが、引用発明１が「基板の導体配線が形成されている表面上に感光性の第１のソルダレジスト層を形成」していること、「第１のソルダレジスト層の半田バンプを形成すべき位置に複数の第１の開口を形成」していることから、該「半田バンプを形成すべき位置」が本願補正発明における「基板上に予め設けられている電極パターン」に対応することは明らかであるから、相違点Ａはこれら記載事項から自明な事項を明示的に限定したにすぎず、実質的な相違とは言えない。
＜相違点Ｂについて＞
　樹脂フィルムを積層するためのラミネータとして、フィルムを「熱圧着させる」ものは普通に用いられているものであるから、相違点Ｂに係る構成は、当業者が適宜選択し得た設計的事項にすぎないことと認められる。
　また、本願補正発明が奏する作用効果も、上記引用発明１から予測される程度以上のものでもない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１記載の発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、その特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものである。
　したがって、本件手続補正は、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
【３】本願発明について
１．本願発明
　平成１７年８月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の各請求項に係る発明は、平成１７年３月２３日付けの手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
「基板の表層部に設けられている複数の凹部内にハンダを充填する工程と、このハンダを溶融・固化させることにより、上記各凹部内にハンダバンプを形成する工程とを含む、ハンダバンプの形成方法であって、上記複数の凹部内にハンダを充填する以前の工程として、上記表層部上にフィルムを供給する工程と、上記フィルムを上記表層部に熱圧着させる工程と、このフィルムに上記複数の凹部に連通した複数の窓部を設ける工程と、を有しており、
　上記フィルムは上記基板を構成する材料とは主成分が異なる材料で構成されていることを特徴とする、ハンダバンプの形成方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．引用例とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、いずれも本件特許出願前に日本国内において頒布された刊行物である引用例とその記載事項は、以下のとおりである。
＜引用例＞
・特開平８−１８６３６１号公報（以下、「引用例２」という）
・特開平８−１７２２５９号公報（以下、「引用例３」という）
＜引用例の記載事項＞
（１）引用例２には、「はんだレジスト及びその形成方法並びにはんだ供給方法」に関し、図面とともに次の事項（リ）〜（ル）が記載されている。
（リ）「　図１（Ａ）及び（Ｂ）において、１０は全体として本発明を適用した配線基板を示し、配線基板１０を構成する基板１１のパターン面１１Ａ上に第１及び第２のレジスト層１２、１３からなるはんだレジスト１４が積層形成されて構成されている。この場合第１のレジスト層１２には、基板１１のパターン面１１Ａ上に形成された各電極１５とそれぞれ対応させて、これら各電極１５上面の一部が露出するように開口部１２Ａが設けられている。
　また第２のレジスト層１３には、第１のレジスト層１２の各開口部１２Ａとそれぞれ対応する位置に、第１のレジスト層１２の対応する開口部１２Ａがそれぞれ露出するようにこれら各開口部１２Ａよりも一回り大きな開口部１３Ａが形成されている。」（段落［００１６］〜［００１７］）
（ヌ）「ここで実際上このはんだレジスト１４は図２（Ａ）〜図３（Ａ）のような工程により形成することができる。すなわち、まず図２（Ａ）に示すように、電極１５が形成された基板１１のパターン面１１Ａ上に、感光性レジストをラミネート又は塗布することにより第１の感光性レジスト層２０を形成する。続いて図２（Ｂ）に示すように、当該第１の感光性レジスト層２０を現像後に電極５と対向する所定部分に所定形状の開口部を形成し得るようにフオトマスク２１を用いて紫外線等により露光する。
　次いで図２（Ｃ）に示すように、第１の感光性レジスト層２０上に再び感光性レジストをラミネート又は塗布することにより第２の感光性レジスト層２２を形成した後、当該第２の感光性レジスト層２２をフオトマスク２３を用いて紫外線等により現像後に第１の感光性レジスト層２０に形成される開口部との対向部分に当該開口部よりも一回り大きな開口部が形成されるように露光し、この後第１及び第２の感光性レジスト層２０、２２をそれぞれ現像する。
　これにより図３（Ａ）に示すように、基板１１の各電極５にそれぞれ対応させて、当該各電極５上面の一部が露出するように２段構成の開口部１４Ａが形成されたはんだレジスト１４を基板１１のパターン面１１Ａ上に積層形成することができる。因に、この配線基板１０の電極１５上にはんだコートを形成する場合には、図３（Ｂ）に示すように、はんだレジスト１４の開口部１４Ａにはんだペースト３０を充填した後、このはんだペースト２２を加熱溶融すれば良く、この際第２のレジスト層１３の開口部１３Ａの形状を選定することによつて図３（Ｃ）のように、所望する電極１５上にはんだコート３１を第２のレジスト層１３の上面位置よりも先端位置を高く形成することができる。」（段落［００１９］〜［００２１］）
（ル）図１〜３の記載によれば、基板のパターン面上に形成された第１，第２のレジスト層に設けられた開口部は複数あることが認められる。
　
　以上の記載事項から、引用例２には、「基板のパターン面上に形成された第１のレジスト層に設けられている複数の開口部内にはんだを充填する工程と、このはんだを加熱溶融させることにより、上記各開口部内にはんだコートを形成する工程とを含む、はんだコートの形成方法であって、上記複数の開口部内にはんだを充填する以前の工程として、上記第１のレジスト層上に第２のレジスト層をラミネートする工程と、この第２のレジスト層に上記複数の開口部に連通した複数の開口部を設ける工程と、を有するはんだコートの形成方法。」の発明（以下、「引用発明２」という）が開示されていると認めることができる。
　
（２）引用例３には、「ＣＰＤによる基板へのバンプ形成方法」に関し、図面とともに次の事項（ヲ）が記載されている。
（ヲ）「図５および図６は本発明のプロセスを示すものである。図５はフリップチップのバンプ形成を示し、図６はフリップチップの組み立てを示している。選択された基板320は、湿潤性(wettable)領域若しくははんだ可能領域322またははんだ可能なバンプ制限金属（ＢＬＭ）領域が取り付けられた電気相互接続部を形成するために選択された表面321または活動面を有している。好適実施例では、選択された基板は、堆積させるべき合金により湿潤性ＢＬＭを備えたシリコンウェハである。亜鉛酸塩パッド（無電子のZnめっき、Niめっき、Auめっきで処理されたAlパッド）を有しSiN（窒化ケイ素）で不動態化されたシリコンウェハが、好適実施例の基板／ＢＬＭ組み合わせ体となる。…
　基板表面321の残りの領域は、非湿潤性領域324（例えば、ポリイミド、窒化ケイ素、二酸化ケイ素等の非湿潤材料で覆われた基板の領域）でなければならない。63Sn-37Pbのバンプに関する好適実施例では、シリコンウェハは、Ni-Auの湿潤性領域と窒化ケイ素の非湿潤性領域とを有している。」（段落［００２０］〜［００２１］）
（ワ）「図５(b)に示すように、マスク326は基板320の表面321上に配置される。好適実施例では、マスク326は、金属で作製され、詳細には、厚さ75〜100μmの張力一様化シート(tension-leveled and sheeted)合金42で作製される。マスク材料には、フォトイメージ可能なポリイミド、乾燥薄膜フォトマスク、液体のフォトイメージ可能なフォトマスク、シリコン、セラミックが含まれる。マスクアパーチャ330の構成および位置は、基板320の湿潤性領域322の構成および位置に対応す
る。」（段落［００４２］）
　
３．本願発明と引用例記載の発明との対比・判断
（１）本願発明と、上記引用発明２とを対比すると、引用発明２の「はんだコート」は本願発明の「ハンダバンプ」に相当し、「ラミネート」とは通常フィルム状ないしはシート状のものを積層接着することを意味するから、引用発明２における「第１のレジスト層」、「第１のレジスト層の開口部」、「第２のレジスト層」、「第２のレジスト層の開口部」は、本願発明におけるそれぞれ「表層部」、「凹部」、「フィルム」、「窓部」に相当する。そして、はんだコートを形成する以上、加熱溶融したはんだを固化することは当然のことであるから、本願発明と引用発明２との一致点と相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「基板の表層部に設けられている複数の凹部内にハンダを充填する工程と、このハンダを溶融・固化させることにより、上記各凹部内にハンダバンプを形成する工程とを含む、ハンダバンプの形成方法であって、上記複数の凹部内にハンダを充填する以前の工程として、上記表層部上にフィルムを供給して積層接着する工程と、このフィルムに上記複数の凹部に連通した複数の窓部を設ける工程と、を有するハンダバンプの形成方法。」
＜相違点＞
Ａ．本願発明は、フィルムを積層接着する際に「フィルムを上記表層部に熱圧着させる」のに対して、引用発明２はどのように積層接着（ラミネート）しているか不明である点。
　
Ｂ．本願発明は、「フィルムは上記基板を構成する材料とは主成分が異なる材料で構成されている」のに対して、引用発明２はフィルム（第２のレジスト層）と基板材料の主成分が異なるかどうか不明である点。　
　
（２）上記各相違点について、以下に検討する。
＜相違点Ａについて＞
　感光性レジストのような樹脂フィルムをラミネートする場合、熱圧着することは周知の技術であるから、相違点Ａに係る構成は、当業者が必要に応じて適宜採用し得た設計的事項にすぎない。
＜相違点Ｂについて＞
　上記記載事項（ヲ）、（ワ）から、引用例３には、マスクを金属とし基板表面（の非湿潤領域）を窒化ケイ素とする好適実施例が記載されているように、マスクと基板表面の材料の主成分を異ならせたハンダバンプの形成方法は周知のものである。そして、引用例３記載の「マスク」は本願発明における「フィルム」と同様にレジスト層として機能するものであり、本願発明における「基板を構成する材料」は実質的に「基板の表面を構成する材料」を意味するものと言えるから、引用発明２に引用例３記載の上記周知技術を適用して相違点Ｂに係る構成のようになしたことは、当業者の容易に想到しえたことである。
　なお、請求人は平成１７年３月２３日付意見書において、「補正後の請求項１に記載のハンダバンプ形成方法では、フィルムは、基板を構成する材料とは異なる材料からなるため、フィルム材料および基板材料の組合せを適宜選択することにより、フィルムを溶解液で溶解除去する際に不用意に基板が侵されることを回避することが可能である。」と主張しているが、本願発明（当該補正後の請求項１に記載の発明）には「フィルムを溶解液で溶解除去する」構成はないから、根拠のない主張である。
　
　以上の通りであるから、本願発明は、上記引用例２及び３記載の発明及び上記周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
【４】むすび
　したがって、本願発明（請求項１に係る発明）は、上記引用例２及び３記載の発明及び上記周知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。