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【手続補正書】
【提出日】平成22年3月26日(2010.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽エネルギーを変換するための装置であって、
入射太陽放射のための入射面と、レンズの射出面から反射面に入射した太陽放射を太陽放射集光ユニットの少なくとも１つの目標領域へ反射するための反射面を備える前記太陽放射集光ユニットに太陽放射を屈折形式で射出するための射出面とを有する少なくとも１つのレンズを備える太陽放射捕獲ユニットを備え、前記装置は、前記レンズにより形成される平面に対し特に垂直な、少なくとも１つの軸のまわりの回転によって前記太陽放射捕獲ユニットと前記太陽放射集光ユニットを太陽の位置によって互いに対し方向づけするための位置決め手段を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
太陽放射捕獲ユニットと太陽放射集光ユニットの回転軸は２つの異なる軸であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
太陽放射捕獲ユニットと太陽放射集光ユニットの回転軸は一致することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
太陽放射捕獲ユニットと太陽放射集光ユニットは位置決め手段によって互いに対して異なる平面において方向づけられることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
位置決め手段は、太陽放射捕獲ユニットと太陽放射集光ユニットを空での太陽の現在位置、装置の光学特性、装置の向きに基づいて互いに対して方向づけるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
位置決め手段は、地球上での地理的位置と向きのほか、日にちと時刻に基づいて空での太陽の現在位置を決定するように構成されている演算装置を備えることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
装置は、太陽放射捕獲ユニットと太陽放射集光ユニットが回転自在に取り付けられるフレームを備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
シュートとして機能するガイドがフレームに取り付けられており、そのガイド上で太陽放射捕獲ユニットと太陽放射集光ユニットは位置決め手段によって移動させられることを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
太陽放射捕獲ユニットと太陽放射集光ユニットを支持するいくつかのローラーがフレームに取り付けられることを特徴とする請求項７又は８に記載の装置。
【請求項１０】
前記ローラーのうちの少なくとも１つは位置決め手段によって駆動されることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記ローラーは位置決め手段により制御できるモータによって駆動されることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
太陽放射捕獲ユニットと太陽放射集光ユニットは位置決め手段により制御できるベルト伝動手段によってフレームにおいて移動可能であることを特徴とする請求項７乃至１１のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】
レンズの入射面は平坦な面であることを特徴とする上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
レンズの射出面はステップ状レンズとして構成されていることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の装置。
【請求項１５】
レンズの射出面はステップ状ストレートプリズムレンズとして構成されていることを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
プリズムレンズ角度は１５°ないし５０°の範囲であり、特にそれは３６°であることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の装置。
【請求項１７】
太陽放射捕獲ユニットは、１５°ないし５５°の範囲である一定の射出角で、特に３６°の射出角で、太陽放射を太陽放射集光ユニットに射出するように構成されていることを特徴とする請求項１４、１５又は１６に記載の装置。
【請求項１８】
装置は水平に対してある角度で配置できることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載の装置。
【請求項１９】
前記角度は装置が位置する場所の緯度に依存して調整可能であることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
反射面は少なくとも１つの凹面湾曲を備えることを特徴とする請求項１乃至１９のいずれかに記載の装置。
【請求項２１】
反射面の第１のくぼんだ湾曲は関係する目標領域の近傍の点で前記第１の湾曲と異なる第２のくぼんだ湾曲に一体とされ、その第２の湾曲は同様に関係する目標領域を形成することを特徴とする請求項１乃至２０のいずれかに記載の装置。
【請求項２２】
１つの太陽放射集光セルが各目標領域に存在することを特徴とする請求項１乃至２１のいずれかに記載の装置。
【請求項２３】
太陽放射集光セルは反射体の縁端に配設されることを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャル膜を形成する方法において、
エピタキシャル膜を形成する前に、第１のガスを使用して第１の処理チャンバー内で基板を前クリーニングするステップと、
上記第１の処理チャンバーから真空下で移送チャンバーを通して第２の処理チャンバーへ基板を移送するステップと、
上記第１のガスを使用せずに上記第２の処理チャンバー内で基板上にエピタキシャル層を形成するステップと、
を備えた方法。
【請求項２】
真空を維持しながら上記移送チャンバーを通して上記第２の処理チャンバーから第３の処理チャンバーへ基板を移送するステップと、
上記第１のガスを使用せずに上記第３の処理チャンバー内で基板上にエピタキシャル層を形成するステップと、
を更に備えた請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記第１のガスは水素であり、基板上にエピタキシャル層を形成する上記ステップは、窒素キャリヤガスを使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記第１のガスは窒素であり、基板上にエピタキシャル層を形成する上記ステップは、水素を使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
エピタキシャル膜を形成する方法において、
エピタキシャル膜を形成する前に、水素ガスを使用して、第１の処理チャンバー内で基板を前クリーニングするステップと、
上記第１の処理チャンバーから真空下で移送チャンバーを通して第２の処理チャンバーへ基板を移送するステップと、
水素以外のキャリヤガスを使用して上記第２の処理チャンバー内で基板上にエピタキシャル層を形成するステップと、
を備えた方法。
【請求項６】
真空を維持しながら上記移送チャンバーを通して上記第２の処理チャンバーから第３の処理チャンバーへ基板を移送するステップと、
水素以外のキャリヤガスを使用して上記第３の処理チャンバー内で基板上にエピタキシャル層を形成するステップと、
を更に備えた請求項５に記載の方法。
【請求項７】
エピタキシャル膜を形成する方法において、
エピタキシャル膜形成の前にＣｌ２を使用して第１の処理チャンバー内で基板を前クリーニングするステップと、
上記第１の処理チャンバーから真空下で移送チャンバーを通して第２の処理チャンバーへ基板を移送するステップと、
水素キャリヤガスを使用して上記第２の処理チャンバー内で基板上にエピタキシャル層を形成するステップと、
を備えた方法。
【請求項８】
真空を維持しながら上記移送チャンバーを通して上記第２の処理チャンバーから第３の処理チャンバーへ基板を移送するステップと、
水素キャリヤガスを使用して上記第３の処理チャンバー内で基板上にエピタキシャル層を形成するステップと、
を更に備えた請求項７に記載の方法。
【請求項９】
エピタキシャル膜の形成に使用するためのクラスターツールにおいて、
エピタキシャル膜を形成する前に第１のガスを使用して基板をクリーニングするように適応される第１の処理チャンバーと、
上記第１のガスを使用せずに基板上にエピタキシャル層を形成するよう適応される第２の処理チャンバーと、
上記第１及び第２の処理チャンバーに結合され、クラスターツール全体に真空を維持しながら上記第１の処理チャンバーと第２の処理チャンバーとの間で基板を移送するように適応される移送チャンバーと、
を備えたクラスターツール。
【請求項１０】
上記移送チャンバーに結合され、且つ基板上にエピタキシャル層を形成するように適応される第３の処理チャンバーを更に備えた、請求項９に記載のクラスターツール。
【請求項１１】
上記第２の処理チャンバー内で反応性の種を活性化するように適応される紫外線装置を更に備えた、請求項９に記載のクラスターツール。
【請求項１２】
上記第１の処理チャンバーは、前クリーニングチャンバーである、請求項９に記載のクラスターツール。
【請求項１３】
エピタキシャル膜の形成に使用するためのクラスターツールにおいて、
エピタキシャル膜を形成する前に水素を使用して基板をクリーニングするように適応される第１の処理チャンバーと、
水素以外のキャリヤガスを使用して基板上にエピタキシャル層を形成するよう適応される第２の処理チャンバーと、
上記第１及び第２の処理チャンバーに結合され、クラスターツール全体に真空を維持しながら上記第１の処理チャンバーと第２の処理チャンバーとの間で基板を移送するように適応される移送チャンバーと、
を備えたクラスターツール。
【請求項１４】
上記移送チャンバーに結合され、且つ基板上にエピタキシャル層を形成するように適応される第３の処理チャンバーを更に備えた、請求項１３に記載のクラスターツール。
【請求項１５】
エピタキシャル膜の形成に使用するためのクラスターツールにおいて、
エピタキシャル膜を形成する前にＣｌ２を使用して基板をクリーニングするように適応される第１の処理チャンバーと、
水素キャリヤガスを使用して基板上にエピタキシャル層を形成するよう適応される第２の処理チャンバーと、
上記第１及び第２の処理チャンバーに結合され、クラスターツール全体に真空を維持しながら上記第１の処理チャンバーと第２の処理チャンバーとの間で基板を移送するように適応される移送チャンバーと、
を備えたクラスターツール。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月20日(2010.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを形成する方法であって、
主面を有する基板を設けることと、
外面を有するようになされている半導体層を、前記基板の前記主面上に形成することと、
前記外面上に第一のパッシベーション層を設けることと、
上面が依然として前記第一のパッシベーション層により覆われ、かつその側端部が露出されているデバイス・メサを、前記主面上方に形成するように、前記第一のパッシベーション層の一部及び前記半導体層の一部を局所的にエッチングすることと、
少なくとも前記デバイス・メサの前記上面上の前記第一のパッシベーション層及び前記デバイス・メサの前記露出側端部を覆って、第二のパッシベーション層を形成することと、
前記第一及び第二のパッシベーション層を貫通して前記デバイス・メサ上の前記半導体層の前記上面まで、ソース−ドレイン・ビア及びゲート・ビアを設けることと、
前記ソース−ドレイン・ビア内の半導体へのオーミック接続及び前記ゲート・ビア内の半導体へのショットキー接続が得られるように、前記ビア内に導体を形成することと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第一のパッシベーション層の一部及び前記半導体層の一部を局所的にエッチングする前記工程は、前記デバイス・メサから所定距離だけ離間して位置する１つ以上のアラインメント・メサも同時に形成することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第二のパッシベーション層を形成する前記工程の前に、前記１つ以上のアラインメント・メサの少なくとも一部の上に光学的に不透明な材料のアラインメント領域を設けることを更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ソース−ドレイン・ビア及びゲート・ビアを設ける前記工程は、前記１つ以上のアラインメント・メサの少なくとも１つ内に、前記ソース−ドレイン・ビア又は前記ゲート・ビアを開けるのと同時に、アラインメントパターンを形成することを更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
支持基板と、
位置合わせに用いられる波長において光学的に透明で、前記支持基板上に位置し、かつ前記基板から離間した外面及び前記外面から前記支持基板の方向に延長する側端部を有する半導体と、
前記外面を保護するための、前記外面上の、第一の材料でできた第一の絶縁パッシベーション性薄膜層と、
前記第一の薄膜層の上にあり、かつ前記外面から前記側端部の前記部分に亘って延長する絶縁経路を提供するように前記側端部の一部を覆って延長する、第二の材料でできた第二の絶縁パッシベーション性薄膜層と、
前記第一及び第二の薄膜層を貫通し、前記外面にまで延長するビア開口と、
前記ビア開口内に延長して前記半導体の前記外面への電気的接触を形成し、その上にソース−ドレイン接続部及びゲート接続部を形成する導体と、
前記接続部の一部又は全部から前記第二の薄膜層によって形成された前記絶縁経路上の前記側端部を覆って延長する相互接続部と、
を備える半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月7日(2010.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１電極および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間にある再結合層と、
前記第１電極と前記再結合層の間にある第１光活性層と、
前記第２電極と前記再結合層の間にある第２光活性層とを備えるシステムであって、
前記第１光活性層または前記第２光活性層は、電子供与体材料および電子受容体材料を含み、
前記電子供与体材料または前記電子受容体材料は、第１のコモノマー繰り返し単位と、第１のコモノマー繰り返し単位とは異なる第２のコモノマー繰り返し単位とを有するポリマーを含み、
前記第１のコモノマー繰り返し単位は、シクロペンタジチオフェン部分、シラシクロペンタジチオフェン部分、シクロペンタジチアゾール部分、チアゾロチアゾール部分、チアゾール部分、ベンゾチアジアゾール部分、チオフェンオキシド部分、シクロペンタジチオフェンオキシド部分、ポリチアジアゾロキノキサリン部分、ベンゾイソチアゾール部分、ベンゾチアゾール部分、チエノチオフェン部分、チエノチオフェンオキシド部分、ジチエノチオフェン部分、ジチエノチオフェンオキシド部分、またはテトラヒドロイソインドール部分を含み、
前記再結合層は第３、第４および第５の層を含み、
前記第５の層は前記第３の層と前記第４の層の間にあり、
前記システムは光起電力システムとして構成されているシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
第１電極および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間にある第１光活性層と、
前記第２電極と前記第１光活性層の間にある第２光活性層と、
前記第１光活性層と前記第２光活性層の間にある第３、第４および第５の層とを備えるシステムであって、前記第５の層は前記第３の層と前記第４の層の間にあり、
前記第１光活性層または前記第２光活性層は、電子供与体材料および電子受容体材料を含み、
前記電子供与体材料または前記電子受容体材料は、第１のコモノマー繰り返し単位と、第１のコモノマー繰り返し単位とは異なる第２のコモノマー繰り返し単位とを有するポリマーを含み、
前記第１のコモノマー繰り返し単位は、シクロペンタジチオフェン部分、シラシクロペンタジチオフェン部分、シクロペンタジチアゾール部分、チアゾロチアゾール部分、チアゾール部分、ベンゾチアジアゾール部分、チオフェンオキシド部分、シクロペンタジチオフェンオキシド部分、ポリチアジアゾロキノキサリン部分、ベンゾイソチアゾール部分、ベンゾチアゾール部分、チエノチオフェン部分、チエノチオフェンオキシド部分、ジチエノチオフェン部分、ジチエノチオフェンオキシド部分、またはテトラヒドロイソインドール部分を含み、
前記システムは光起電力システムとして構成され、
前記第３、第４および第５の層は、使用時、前記第１光活性層と前記第２光活性層のうち一方で生成する電子と、前記第１光活性層と前記第２光活性層のうち他方で生成する正孔とが、前記第５の層で再結合するように構成されているシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月1日(2010.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）少なくとも１つの燃料電池であって、
ｉ）膜電極接合体と、
ｉｉ）該膜電極接合体の第１の側面に近接して配置されて、前記燃料電池の周辺部に延びる還元剤流路を含む還元剤流動場と、
ｉｉｉ）前記膜電極接合体の第１の側面に近接して配置されて、前記燃料電池の周辺部に延びる酸化剤流路を含む酸化剤流動場とを含む、前記少なくとも１つの燃料電池、および
ｂ）前記燃料電池の周辺部のまわりに形成された単体プレナムハウジングであって、
ｉ）前記還元剤流路と流体連通するとともに、前記還元剤流路と協働して還元剤プレナムを形成する還元剤マニホルドと、
ｉｉ）前記酸化剤流路と流体連通するとともに、前記酸化剤流路と協働して酸化剤プレナムを形成する酸化剤マニホルドとを少なくとも部分的に画定する、前記単体プレナムハウジング
を含む、燃料電池スタック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
用語「ランナー（runners）」、例えば図１におけるランナー１２８は、反応物および／または冷却剤を個々のセル／流動場（例えば、図１２に示す流動場１２０８および図１１に示す場１１０８）に配送するマニホルドの区間である。ある態様においては、ランナーは、燃料電池スタック（例えば、図１におけるスタック１００）のバイポーラプレート中に一体化されている（例えば、図６におけるバイポーラプレート６０２内の一体ランナー６０４）。別の態様においては、ランナーは、成形の後で取り除かれる、１つまたは２つ以上のインサート（例えば、図２におけるランナーインサート２０２）によって所定位置に成形される。両方の態様に対して、プレナムは、成形後に取り除かれる、インサートによって所定位置に成形される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに隣接し相対する面を各々が有する第１の平坦プレート及び第２の平坦プレートを含み、前記第２のプレートが前記第１のプレートに対して移動して開閉するようにする、前記流体の通過速度を調節するためのバルブと、
前記バルブを開放するための第１の形状記憶合金構成部品及び前記バルブを閉鎖するための第２の形状記憶合金構成部品を有する、前記バルブを動作させるためのアクチュエータと、
を備える流体調整システム。
【請求項２】
前記第１の形状記憶合金構成部品が、形状記憶合金を含むワイヤ、または形状記憶合金を含む複数のワイヤを有する、
請求項１に記載の流体調整システム。
【請求項３】
前記第２の形状記憶合金構成部品が、形状記憶合金を含むワイヤ、または形状記憶合金を含む複数のワイヤを有する、
請求項１に記載の流体調整システム。
【請求項４】
前記第１のプレートが固定されている、請求項１に記載の流体調整システム。
【請求項５】
前記第１の形状記憶合金構成部品が、第１の温度で前記バルブを作動させて前記バルブを開放し、前記第２の形状記憶合金構成部品が、第２の温度で前記バルブを作動させて前記バルブを閉鎖し、前記第２の温度は前記第１の温度よりも低温であり、前記第２の形状記憶合金構成部品が前記第２の温度に達したときに前記バルブを閉鎖するようにする、
請求項１に記載の流体調整システム。
【請求項６】
前記第２の温度が４５°Ｃよりも高く好ましくは、６０°Ｃである、請求項５に記載の流体調整システム。
【請求項７】
前記第１の温度が９０°Ｃである、請求項６に記載の電池。
【請求項８】
前記アクチュエータが、前記第１のプレートに対して前記第２のプレートを回転させて前記バルブを開閉する、
請求項６に記載の流体調整システム。
【請求項９】
前記第１及び第２のプレートが、前記バルブが開放したときに整列する複数のアパーチャを含む、
請求項１に記載の流体調整システム。
【請求項１０】
シャーシを更に備え、前記第１及び第２の形状記憶合金構成部品が前記シャーシに取付けられている、
請求項１に記載の流体調整システム。
【請求項１１】
前記アクチュエータが、固定枢動点に取り付けられ且つ前記第２のプレートに取り付けられて該第２のプレートを前記第１のプレートに対して移動させるようにするレバーアームを含み、前記第１及び第２の形状記憶合金構成部品が前記レバーアームに取り付けられて前記レバーアームを移動させる、
請求項１に記載の流体調整システム。
【請求項１２】
前記第１及び第２の形状記憶合金構成部品が、互いに平行に延びる、
請求項１に記載の流体調整システム。
【請求項１３】
内部に流体を通すための１つまたはそれ以上の流体流入ポートを有するセルハウジング、前記セルハウジング内に配置された第１の流体消費電極、及び前記セルハウジング内に配置された第２の電極を含む少なくとも１つの流体消費セルと、
前記請求項１ないし１２のいずれか１つの請求項に記載した流体調整システムと、
を含むことを特徴とする電池。
【請求項１４】
前記第１のプレートが、前記流体消費セルに対して固定されている、
請求項１３に記載の電池。
【請求項１５】
前記流体調整システムが前記セルハウジングの内部に取り付けられる、
請求項１３に記載の電池。
【請求項１６】
内部に流体を通すための１つ又はそれ以上の流体流入ポートを有するセルハウジング、前記セルハウジング内に配置された第１の流体消費電極、及び前記セルハウジング内に配置された第２の電極を含む少なくとも１つの流体消費セルと、
前記セルハウジング内部に位置付けられた流体調整システムと、
を備えた電池であって、
前記流体調整システムが、
前記流体消費電極内への前記流体の通過速度を調節するためのバルブと、
前記バルブを開放するための第１の形状記憶合金構成部品及び前記バルブを閉鎖するための第２の形状記憶合金構成部品を有し、前記第１及び第２の形状記憶合金構成部品が互いに平行に延びている、前記バルブを動作させるためのアクチュエータと、
を含むことを特徴とする電池。
【請求項１７】
前記バルブが、互いに隣接し相対する面を各々が有する第１のプレート及び第２のプレートを含み、前記第２のプレートが前記第１のプレートに対して移動して前記バルブを開閉するようにする、
請求項１６に記載の電池。
【請求項１８】
前記第１及び第２の形状記憶合金構成部品は、前記第２のプレートが移動する方向に平行に、または前記第２のプレートが移動する方向に垂直に延びる、
請求項１７に記載の電池。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組立てられた燃料電池内において、流路の一部を形成するように適合されている面を有する基板と、
前記面を覆って配置されたルテニウム含有層と、
を備える燃料電池用電極。
【請求項２】
前記基板が、シリコン、アルミニウム、チタン及びステンレス鋼からなる群から選択された材料を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ルテニウム含有層の下に配置された第１の層をさらに備え、前記第１の層が、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、イリジウム（Ｉｒ）、モリブデン（Ｍｏ）オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｈ）及びコバルト（Ｃｏ）からなる群から選択された材料を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記ルテニウム含有層を覆って配置された接触層をさらに備え、前記接触層が、金、銀、プラチナ、パラジウム、イリジウム、オスミウム、ロジウム及びレニウムからなる群から選択された材料を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記燃料電池の陽極領域の一部を形成する触媒面を有するイオン交換膜をさらに備え、前記陽極領域が、前記ルテニウム含有層と電気的に連通している、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記組立てられた燃料電池における流路の一部を形成するように適合されている面を有する第２の基板と、
前記第２の基板の表面を覆って配置された第２のルテニウム含有層であって、前記燃料電池の作動中の、前記第２の基板の表面の腐食を防ぐように適合されており、および前記イオン交換膜の一部に配置された第２の触媒面と電気的に連通している、第２のルテニウム含有層と、
をさらに備える、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
第１の触媒面と、第２の触媒面とを有する膜を備える膜電極アセンブリと、
第１のコーティングが上に配置されている１つ以上の面を有する第１の導電性プレートであって、前記第１のコーティングが、前記第１の触媒面と電気的に連通している、第１の導電性プレートと、
第２のコーティングが上に配置されている１つ以上の面を有する第２の導電性プレートであって、前記第２のコーティングが、前記第２の触媒面と電気的に連通しており、前記第２の導電性プレートの１つ以上の面に配置されたルテニウム含有層を備える、第２の導電性プレートと、
を備える燃料電池。
【請求項８】
前記第２の導電性プレートの表面を覆って、かつ前記ルテニウム含有層の下に配置された第１の層をさらに備える、請求項７に記載の燃料電池。
【請求項９】
前記第１の層が、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、イリジウム（Ｉｒ）、モリブデン（Ｍｏ）オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｈ）及びコバルト（Ｃｏ）からなる群から選択された材料を備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１の導電性プレート及び第２の導電性プレートが、アルミニウム、チタン及びステンレス鋼からなる群から選択された材料を備える、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記ルテニウム含有接触層を覆って配置された接触層をさらに備え、前記層が、金、銀、プラチナ、パラジウム、イリジウム、オスミウム、ロジウム及びレニウムからなる群から選択された材料を備える、請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
燃料電池を形成する方法であって、
基板の表面に形成された１つ以上の流路の少なくとも一部を覆って第１の層を堆積するステップであって、前記１つ以上の流路が、形成された燃料電池の活性領域に燃料を供給するように適合されているステップと、
前記第１の層の少なくとも一部を覆ってルテニウム含有層を堆積するステップと、
を備える方法。
【請求項１３】
前記第１の層が、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、ニッケル、ルテニウム、コバルト、プラチナ、パラジウム、イリジウム、モリブデン、オスミウム、ロジウム及びレニウムからなる群から選択された材料を備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の層を覆って第３の層を堆積するステップをさらに備え、前記第３の層が、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、プラチナ、銀、タンタル及び金からなる群から選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の層が、前記第１の層の少なくとも一部を、四酸化ルテニウムを備えるガスに曝すことによって形成される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記ルテニウム含有層を、前記第１の層の少なくとも一部を覆って堆積するステップが、
次亜リン酸を備える溶液を、前記第１の層の少なくとも一部を覆って配置する工程と、
前記第１の層の少なくとも一部及び前記溶液を、四酸化ルテニウムを備えるガスに曝す工程と、
を備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
燃料電池を形成するのに用いられる基板の表面を処理する方法であって、
前記燃料電池の電極領域の触媒面と連通している少なくとも１つの流路を有する燃料電池を組立てるステップと、
四酸化ルテニウムを備えるガスを、前記燃料電池の前記流路及び前記電極領域の触媒面に供給して、前記流路または触媒領域の一部にルテニウム含有層を堆積するステップと、
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月14日(2010.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性筐体；
筐体内に含まれるリチウム移動性イオンを含有する電解質；
布基材及び電子伝導性材料を含む集電体と、該集電体上に支持されているアノード材料とを含み、電子伝導性材料が空隙を含んで、集電体の電解質による浸透を可能とするアノード；並びに
布基材及び電子伝導性材料を含む集電体と、該集電体上に支持されているアノード材料とを含み、電子伝導性材料が空隙を含んで、集電体の電解質による浸透を可能とするカソード
を含む、可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項２】
アノードおよびカソードの布基材が電子伝導性材料の存在しない場合に非伝導性である、請求項１に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項３】
アノードとカソードの電子伝導性材料が金属、金属合金、導電性炭素材料、導電性炭素ヤーン、導電性セラミック、および導電性酸化物からなる群より選択される、請求項１または請求項２に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項４】
集電体が
（ａ）被覆繊維を前記布に形成する前に、電子伝導性材料により被覆されている繊維を含むか、もしくは
（ｂ）布を通って延びる電子伝導性材料の糸のアレイを含む、
請求項１から３のいずれか一項に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項５】
集電体がタイプ（ｂ）のものであり、ならびに隣接する糸の間の間隔が０．１ｍｍから２０ｍｍの間にある、請求項４に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項６】
カソードとアノードの各々に対する集電体が同一の材料および構成のものである、請求項１から５のいずれか一項に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項７】
アノードとカソードの各々に対する集電体が連続する布シートの領域である、請求項１から６のいずれか一項に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項８】
アノードとカソードを構成する布シートの区分が相互に重なる、請求項７に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項９】
セパレータが相互に重なるアノードとカソード区分の間に設置される、請求項８に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項１０】
セパレータを含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項１１】
セパレータが布セパレータである、請求項９または請求項１０に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項１２】
アノード材料がリチウム金属、リチウム化炭素質材料、リチウムインターカレーション型金属酸化物をベースとする材料、金属合金、および導電性ポリマーからなる群より選択される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項１３】
カソード材料がリチウムインターカレーション型金属酸化物材料、リチウムインターカレーション型導電性ポリマー、レドックス導電性ポリマー、キャパシタカソード材料、およびこれらの組み合わせ物からなる群より選択される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項１４】
アノード材料がリチウム金属である、請求項１２または請求項１３に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項１５】
イオン性液体電解質がピロリジニウムベースもしくはピペリジニウムベースとするカチオンの塩である、請求項１から１４のいずれか一項に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項１６】
電解質のリチウム濃度が０．０１から２．０モル／ｋｇである、請求項１から１５のいずれか一項に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項１７】
素子の布層を一緒に縫い合わせるか、もしくは編んで、セルにかかるスタック圧力を維持することを含む、請求項１から１６のいずれか一項に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれか一項に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子を含む物品。
【請求項１９】
請求項１から１７のいずれか一項に記載の可撓性エネルギー貯蔵素子を含む、衣服、ジャケット、医療用品、モニター素子、包帯、創傷被覆材、軍用物品、携帯用電子素子、携帯用電話またはラジオ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エキシマー形成剤を含む放電維持性組成物を含むガス充填物を含むガス放電容器を備え、該放電容器の壁の少なくとも一部が、式La1-xMgAl11O19：Lnx (式中、ランタニドLnは、Ce(III)、Pr(III)、Nd(III)およびGd(III)の群から選ばれ；0.001 ≦ x ≦ 0.5である)のランタニド活性化アルミン酸ランタンマグネシウムを第１のUV-蛍光体として含む発光材料を備えているエキシマー放電ランプであって、ガス放電を発生させ維持する手段をさらに備えており、エキシマー線を発生する、エキシマー放電ランプ。
【請求項２】
キセノンエキシマー放電ランプである、請求項１記載のエキシマー放電ランプ。
【請求項３】
前記放電維持性組成物が、水銀を含む、請求項１記載のエキシマー放電ランプ。
【請求項４】
前記発光材料が、第２のUV-蛍光体も含む、請求項１記載のエキシマー放電ランプ。
【請求項５】
前記第２のUV-蛍光体が、SrAl12O19：Ce、(La1-xGdx)PO4：Ceまたはこれらのブレンドの群から選ばれる、請求項４記載のエキシマー放電ランプ。
【請求項６】
前記発光材料が、Al2O3、MgO、MgAl2O4およびY2O3の群から選ばれる添加剤をさらに含む、請求項１記載のエキシマー放電ランプ。
【請求項７】
請求項１記載のエキシマー放電ランプの、化粧、医療および殺菌目的並びに光化学プロセスにおける使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月7日(2010.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイ装置を照明する照明システムであって、
光源軸線上に配置された光源と、
前記光源軸線にほぼ垂直に配置され前記光源によって生成された光を放出させる光出口窓と、
前記光源と関連し、前記光源によって放出された光を反射させてこの光を前記光出口窓に差し向けるよう前記光源周りに配置された円錐形のレフレクタとを備え、
前記レフレクタは、前記光出口窓から前記光源に向かってテーパし、
前記レフレクタは、複数個のレフレクタ−コーンセグメントに半径方向に分割され、
前記光出口窓は、多角形の形状を呈し、前記複数個のレフレクタ−コーンセグメントは、複数個の凸コーンセグメントを備え、
前記各凸コーンセグメントは、前記光源軸線に関して横方向で凸形状を有し、前記光源軸線と交差すると共に前記光源軸線によって定められ且つ前記光出口窓のエッジラインと交差する第１の仮想平面内に配置された凸セグメント軸線を有し、前記エッジラインは、前記光出口窓にわたって前記光源によって放出された光が横方向に分配されるように前記光出口窓の前記多角形の２つの隣り合う角を結んでいる、
ことを特徴とする照明システム。
【請求項２】
前記複数個のレフレクタ−コーンセグメントは、光源軸線に関して側方に見て凹の形状の少なくとも１つの凹コーンセグメントを有し、各前記凹コーンセグメントは、前記光源軸線と交差すると共に前記光源軸線及び前記光出口窓の前記多角形の角によって定められた第２の仮想平面内に配置された凹セグメント軸線を有する、
請求項１に記載の照明システム。
【請求項３】
各前記凹コーンセグメントは、２つの凸コーンセグメント相互間に配置されている、
請求項２に記載の照明システム。
【請求項４】
前記レフレクタは、前記レフレクタ−コーンセグメントで構成された反射面を有し、前記反射面は、滑らかな表面である、
請求項２又は３に記載の照明システム。
【請求項５】
前記レフレクタ−コーンセグメントの少なくとも１つは、前記光出口窓に関して半径方向に見て凸の形状になっている、
請求項１又は２記載の照明システム。
【請求項６】
前記光源は、発光ダイオード、レーザダイオード、又は光導波路の光放出窓である、
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項７】
ディスプレイ装置を照明するバックライト照明システムであって、請求項１に記載の前記照明システムのアレイを有する、
ことを特徴とするバックライト照明システム。
【請求項８】
各前記照明システムの前記光出口窓は、多角形の形状を呈し、各前記照明システムは、複数個の凸コーンセグメントを備えたレフレクタを有し、各前記凸コーンセグメントは、前記光源軸線と交差すると共に前記光源軸線によって定められ且つ前記光出口窓のエッジラインと交差する第１の仮想平面内に配置された凸セグメント軸線を有し、前記エッジラインは、前記光出口窓の前記多角形の２つの隣り合う角を結んでいる、
請求項７に記載のバックライト照明システム。
【請求項９】
各前記照明システムの前記光出口窓は、多角形の形状を呈し、前記多角形の１つの多角形の角は、前記照明システムの前記アレイの前記照明システムの複数個の光源によって照明され、各前記照明システムは、複数個の凸コーンセグメントを備えたレフレクタを有し、各前記凸コーンセグメントは、前記光源軸線と交差すると共に第１の仮想平面内に配置された凸セグメント軸線を有し、前記照明システムの少なくとも１つの照明システムの少なくとも１つの第１の仮想平面は、前記光源軸線及び前記光出口窓の前記多角形の前記角によって定められている、
請求項７に記載のバックライト照明システム。
【請求項１０】
請求項７に記載の前記バックライト照明システムを有することを特徴とするディスプレイシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学キャビティの正面に入射する光を反射して偏光を解消するための光学キャビティと、
複数の層からなる多層偏光子とを備え、
前記多層偏光子は、前記光学キャビティの正面に面し、
前記層は、前記多層偏光子の透過軸にほぼ平行な偏光を実質的に透過させ、かつほぼ直交する偏光を可視波長範囲のうちの少なくとも１つの所定の部分的な波長範囲内で前記多層偏光子によって実質的に反射させるように配置され、
前記層の少なくとも１つは、前記層内に少なくとも部分的に３次元構造を形成する棒状の超分子を含むバックライト・モジュール。
【請求項２】
請求項１記載のバックライト・モジュールにおいて、
前記棒状の超分子が、共役π系と前記超分子間に非共有結合を形成可能な官能基とを有する少なくとも１種の多環式有機化合物からなるバックライト・モジュール。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のバックライト・モジュールにおいて、
前記層の少なくとも１つが光学的に２軸性であるバックライト・モジュール。
【請求項４】
請求項２又は３に記載のバックライト・モジュールにおいて、
前記非共有結合の少なくとも１つがＨ結合又は配位結合であるバックライト・モジュール。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれか一項に記載のバックライト・モジュールにおいて、
前記有機化合物が下記一般構造式Ｉを有するバックライト・モジュール。
【化１】
2009533811.tif 000001
（式中、Ｈｅｔは、少なくとも部分的に共役したほぼ平面状の複素環分子系であり、
Ｘは、カルボキシル基−ＣＯＯＨであり、
ｍは、０、１、２、３、又は４であり、
Ｙは、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈであり、
ｎは、０、１、２、３、又は４であり、
Ｚは、カルボン酸基のアミドであり、
ｐは、０、１、２、３、又は４であり、
Ｑは、スルホン酸基のアミドであり、
ｖは、０、１、２、３、又は４であり、
Ｋは、対イオンであり、
ｓは、分子の中性状態をもたらす対イオンの数であり、
Ｒは、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ＮＯ２、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ、ＣＦ３、ＣＮ、ＯＨ、ＯＣＨ３、ＯＣ２Ｈ５、ＯＣＯＣＨ３、ＯＣＮ、ＳＣＮ、ＮＨ２、及びＮＨＣＯＣＨ３からなる群より選択された置換基であり、
ｗは、０、１、２、３、又は４であり、
整数ｍが０である場合、ｎ及びｐの両方は０ではなく、整数ｎが０である場合、整数ｍは１以上であり、Ｈｅｔが、可視スペクトル範囲で実質的に透過性である。）
【請求項６】
請求項５記載のバックライト・モジュールにおいて、
Ｈｅｔが、構造ＩＩからＸＬＩＩからなる群より選択される下記一般構造式を有するバックライト・モジュール。
【化２】
2009533811.tif 000002
2009533811.tif 000003
2009533811.tif 000004
2009533811.tif 000005
2009533811.tif 000006
2009533811.tif 000007
【請求項７】
請求項５又は６に記載のバックライト・モジュールにおいて、
前記対イオンが、Ｈ＋、ＮＨ４＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｌｉ＋、Ｂａ＋＋、Ｃａ＋＋、Ｍｇ＋＋、Ｓｒ＋＋、Ｚｎ＋＋からなる群より選択されるバックライト・モジュール。
【請求項８】
請求項２〜７のいずれか一項に記載のバックライト・モジュールにおいて、
前記有機化合物が、アセナフトキノキサリン誘導体であり、構造１から１９のうちの１つに対応する下記一般構造式を有するバックライト・モジュール。
【化３】
2009533811.tif 000008
2009533811.tif 000009
2009533811.tif 000010
【請求項９】
請求項２〜７のいずれか一項に記載のバックライト・モジュールにおいて、
前記有機化合物が、６，７−ジヒドロベンズイミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−６−オン誘導体であり、構造２０から４１の１つに対応する下記一般構造式を有するバックライト・モジュール。
【化４】
2009533811.tif 000011
2009533811.tif 000012
2009533811.tif 000013
【請求項１０】
請求項９記載のバックライト・モジュールにおいて、
前記６，７−ジヒドロベンズイミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−６−オン誘導体が、少なくとも１個の酸アミド基を含み、前記少なくとも１個の酸アミド基が、カルボキシアミド基（ＣＯＮＨ２）及びスルホンアミド基（ＳＯ２ＮＨ２）からなる群より選択されるバックライト・モジュール。
【請求項１１】
請求項３〜１０のいずれか一項に記載のバックライト・モジュールにおいて、
前記複数の層が、光学的に２軸性及び等方性の層を交互に配置してなるバックライト・モジュール。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載のバックライト・モジュールにおいて、
各層の厚さが４分の１波長にほぼ等しく、複数の層の全体の厚さが約５マイクロメートルを超えず、複数の層における層の数が２０を超えないバックライト・モジュール。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載のバックライト・モジュールにおいて、
前記多層偏光子の少なくとも１つの層が、紫外線を可視光に変換する蛍光材料からなるバックライト・モジュール。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載のバックライト・モジュールにおいて、
前記多層偏光子の少なくとも１つの層が、４００ｎｍ以下の基礎吸収端を有するバックライト・モジュール。
【請求項１５】
機能層を含む正面パネル、液晶層、及び機能層を含む裏面パネルからなる液晶セルと、前記正面パネルに面する正面偏光子と、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のバックライト・モジュールとからなる液晶ディスプレイであって、
前記バックライト・モジュールの多層偏光子が裏面パネルに面し、前記液晶ディスプレイの裏面偏光子として機能する液晶ディスプレイ。
【請求項１６】
請求項１５記載の液晶ディスプレイは、更に
裏面パネルとバックライト・モジュールとの間に位置付けられた偏光子を含み、多層偏光子の透過軸にほぼ平行な透過軸を有する液晶ディスプレイ。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載の液晶ディスプレイにおいて、
垂直配列型の液晶セル、面内切替型の液晶セル、超ねじれモードの液晶セル及びねじれモードの液晶セルからなる群より選択される液晶セルを含む液晶ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図７において、８０は駆動トランジスタ（即ち、図２の２４）の閾値電圧のシフトの測定結果を示す。この結果は、上記方法が９０日間の動作後も非常に安定したピクセル電流を生ずることを示している。ここでは、図２のピクセルを、緩和サイクル中に失われた輝度を補償するのが２.５μＡであるとしてプログラミングされている。Δ(ＶOLED＋ＶT）は、ピクセル動作を乱さないように長いタイミング間隔（数日）後に一旦抜き出される。ＯＬＥＤ電流が１５００時間の動作後も著しく安定であることは図８から明らかである。これは、図７に示すように駆動ＴＦＴ（即ち、図２の２４）の経時劣化が抑制された結果である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図８において、９０は該ピクセル（即ち、図２の２０）のＯＬＥＤ電流の測定結果を示す。図８に示された結果は、増強されたタイミング・ダイアグラムが経時劣化を著しく抑制し、より長い寿命を生ずることを確認するものである。図７では、Δ(ＶOLED＋ＶT）が９０日間の動作後も１.８Ｖであるのに対し、より短い時間後に緩和サイクルを持たない補償型駆動スキームでは３.６Ｖである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月29日(2010.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子装置における統合に適した統合型フォトニクスモジュールであって、
第１の整列フレームと、
前記第１の整列フレームに取り付けられ、第１の軸に沿って赤色光の変調ビームを発するように動作可能である変調可能な赤色レーザダイオードと、
前記第１の整列フレームに取り付けられ、前記第１の軸に平行な第２の軸に沿って変調した緑色光のビームを発するように動作可能である変調可能な緑色ＳＨＧレーザと、
前記第１の整列フレームに取り付けられ、前記第１の軸および前記第２の軸に平行な第３の軸に沿って青色光の変調ビームを発するように動作可能である変調可能な青色レーザダイオードと、
前記第１の整列フレームに取り付けられ、赤色光、緑色光および青色光の前記変調ビームを受信し、前記受信したビームを変調合成ビームに結合し、第４の軸に沿って前記合成ビームを放つように整列されるビーム結合器と、
前記第１の整列フレームに取り付けられ、第５の軸に沿って前記合成ビームを受信するように整列され、周期的な走査パターンにおいて変調走査ビームとして前記合成ビームを偏向するように動作可能であるビームスキャナと、
を備える、統合型フォトニクスモジュール。
【請求項２】
前記変調合成ビームおよび前記変調走査ビームを受信し、前記変調走査ビームの少なくとも一部分を視野に向かって通過させることを可能にするように整列される選択性反射体をさらに備える、請求項１に記載の統合型フォトニクスモジュール。
【請求項３】
前記選択性反射体は、部分反射体を含む、請求項２に記載の統合型フォトニクスモジュール。
【請求項４】
前記選択性反射体は、前記第４の軸に沿って前記変調合成ビームを受信し、前記第５の軸に沿ってその少なくとも一部分を偏向するように構成され、前記第５の軸は、前記第４の軸に対して平行でない、請求項２に記載の統合型フォトニクスモジュール。
【請求項５】
前記変調合成ビームは、偏光であり、
前記選択性反射体は、前記変調合成ビームの少なくとも一部分を反射するように構成される偏光感応性反射体を含み、
前記第５の軸に沿って前記変調合成ビームを受信するように整列され、前記変調走査ビームを受信するように整列され、前記変調走査ビームの前記偏光を前記受信された変調合成ビームに対して実質的に９０°回転させるように構成される偏光回転子をさらに備え、
前記選択性反射体が、前記視野にわたって前記走査合成ビームの大部分を通過させるように構成される、請求項４に記載の統合型フォトニクスモジュール。
【請求項６】
前記第５の軸は、前記第４の軸に対して実質的に平行であり、前記選択性反射体は、前記受信された変調合成ビームの少なくとも一部分を前記ビームスキャナに向かって通過させ、前記変調走査ビームの少なくとも一部分を前記視野に向かって反射するように構成される、請求項２に記載の統合型フォトニクスモジュール。
【請求項７】
前記変調合成ビームおよび前記走査ビームを受信し、前記走査ビームの前記偏光を前記受信された変調合成ビームから実質的に９０°の配向に回転するように整列される偏光回転子をさらに備える、請求項６に記載の統合型フォトニクスモジュール。
【請求項８】
前記選択性反射体は、偏光選択性反射体を備える、請求項７に記載の統合型フォトニクスモジュール。
【請求項９】
走査ビームディスプレイエンジンであって、
ホストシステムに機械的に取り付けるように構成される光学フレームと、
前記ハウジングに連結され、変調光のビームを発するように動作可能である少なくとも１つの光源と、
変調光の前記ビームを受信するように整列される前記ハウジングに連結され、走査ビームとして視野にわたって変調光の前記ビームを周期的に走査し、投影される映像画像を生成するように動作可能であるＭＥＭＳスキャナと、
を備える、走査ビームディスプレイエンジン。
【請求項１０】
前記光源は、少なくとも２つの光源を含み、
前記光学フレームに機械的に連結され、それによって整列するように保持され、前記少なくとも２つの光ビームからの変調光のビームを変調光の合成ビームに結合するように構成されるビーム結合器をさらに備え、
前記ＭＥＭＳスキャナが受信するように整列される変調光の前記ビームは、変調光の前記合成ビームを含む、請求項９に記載の走査ビームディスプレイエンジン。
【請求項１１】
変調光の前記ビームを受信して、変調光の前記ビームを前記ＭＥＭＳスキャナに向かって指向するように整列される選択性折り畳みミラーをさらに備える、請求項９に記載の走査ビームディスプレイエンジン。
【請求項１２】
前記選択性折り畳みミラーは、偏光の１つの平面を前記ＭＥＭＳスキャナに向かって実質的に指向するように構成される、請求項１１に記載の走査ビームディスプレイエンジン。
【請求項１３】
前記選択性折り畳みミラーから変調光の前記ビームを受信するように整列され、平面偏光された変調光の前記ビームを前記ＭＥＭＳスキャナに向かって指向される円偏光ビームに変換するように動作可能である偏光回転子をさらに備える、請求項１２に記載の走査ビームディスプレイエンジン。
【請求項１４】
前記偏光回転子は、前記ＭＥＭＳスキャナからの前記円偏光走査ビームを受信するようにさらに整列され、前記走査ビームの前記円偏光を前記選択性折り畳みミラーから受信された前記光の偏光の前記平面に対して実質的に直角に向けられる平面偏光に変換するように構成される、請求項１３に記載の走査ビームディスプレイエンジン。
【請求項１５】
前記ＭＥＭＳスキャナは、前記偏光回転子からの前記円偏光ビームを前記ＭＥＭＳスキャナのミラー表面に対して実質的に垂直な方向から受信するように整列される、請求項１４に記載の走査ビームディスプレイエンジン。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月22日(2010.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱画像形成後にアルカリ性現像液により現像可能なポジ型の画像形成可能な要素であって、赤外線吸収性化合物と基材とを含み、前記基材上に、順に、
第１のポリマーバインダーを含む内層；および
前記第１のポリマーバインダーとは異なる第２のポリマーバインダーを含むインク受容性の外層；
を有し、前記第２のポリマーバインダーは、下記構造（Ｉ）または（II）：
【化１】
2009533719.tif 000001
（式中、ｎは１〜３であり、Ｒs およびＲt は独立に水素又はアルキルもしくはハロ基であり、Ｘは多価連結基であり、Ｙはオキシまたは−ＮＲ−（Ｒは水素又はアルキルもしくはアリール基である）であり、Ｚは一価の有機基である）
により表わされる反復単位を含み、当該反復単位は前記第２のポリマーバインダー中の全反復単位の少なくとも３％を構成する、ポジ型の画像形成可能な要素。
【請求項２】
Ｒs およびＲt が独立に水素またはメチル基であり、Ｙがオキシであり、Ｚが−ＣＨ2ＣＨ2ＮＨＣ（＝Ｏ）−フェニル基であるかまたは炭素原子数１〜８のアルキル基である、請求項１に記載の要素。
【請求項３】
前記第２のポリマーバインダーが下記の構造（III）：
【化２】
2009533719.tif 000002
（式中、Ａは、構造（Ｉ）または（II）のいずれかにより定義されるか、あるいは構造（Ｉ）および（II）の両方により定義され、Ｂは構造（Ｉ）および（II）の両方とは異なる反復単位を表わし、ｘは３〜１５モル％であり、ｙは８５〜９７モル％である）
により表わされる、請求項１または２に記載の要素。
【請求項４】
Ｂが、１または２以上の、（メタ）アクリレート類、（メタ）アクリルアミド類、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、ビニルケトン類、オレフィン類、不飽和イミド類、不飽和酸無水物類、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカルバゾール、４−ビニルピリジン、（メタ）アクリロニトリル類、スチレンモノマー類、またはこれらの組み合わせから誘導された反復単位を表す、請求項３に記載の要素。
【請求項５】
前記第１のポリマーバインダーが、カルボキシ基を含む（メタ）アクリル樹脂、マレイン酸化ウッドロジン、スチレン−無水マレイン酸コポリマー、（メタ）アクリルアミドポリマー、（メタ）アクリロニトリルポリマー、Ｎ−置換環状イミドから誘導されたポリマー、ペンダント環状尿素基を有するポリマー、およびＮ−アルコキシアルキル−メタクリルアミドから誘導されたポリマーである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の要素。
【請求項６】
Ａ）請求項１〜５のいずれか一項に記載のポジ型の画像形成可能な要素を熱的に画像形成することにより、画像形成領域と非画像形成領域を有する画像形成済み要素を形成する工程、
Ｂ）前記画像形成済み要素にアルカリ性現像液を接触させて、前記画像形成領域のみ除去する工程、および
Ｃ）任意選択的に、画像形成され現像された前記要素をベーキングする工程、
を含む画像形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９３】
９８９ Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒへのコポリマー２の溶解性を、３０ｍｌの当該現像液中で０．３ｇのコポリマー２を攪拌することにより評価した。コポリマー２は、残渣を残さずに完全に溶解した。