【事件の表示】
　特願２０１７−１５３９５２「接合構造部」拒絶査定不服審判事件〔平成３１年　２月２１日出願公開、特開２０１９−　２５５４０、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２９年　８月　９日（優先権主張　平成２９年　７月２５日）の出願であって、平成３０年　３月１６日付けで拒絶理由通知がされ、同年　４月２３日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年　６月１８日付けで拒絶査定（原査定）がされ、これに対し、同年　９月２０日に拒絶査定不服審判の請求がされ、同年１１月　２日付けで当審より拒絶理由通知がされ、同年１２月２５日付けで意見書（以下「意見書１」という。）及び手続補正書が提出され、平成３１年　３月１１日付けで当審より拒絶理由通知がされ、同年４月１６日付けで意見書（以下「意見書２」という。）及び手続補正書が提出されたものである。
第２　本願発明
　本願請求項１〜５に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明５」といい、これらをまとめて「本願発明」ということがある。）は、平成３１年４月１６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定される以下のとおりの発明である。
「　　【請求項１】
　ＳｎおよびＣｕからなる金属間化合物結晶、並びに、ＳｎおよびＣｕからなるＳｎ合金母相を含み、金属体または合金体を接合する接合構造部であって、
　前記金属間化合物結晶がＳｎ合金母相とエンドタキシャル接合した結晶構造を有し、
　前記Ｓｎ合金母相及び／または金属間化合物結晶が、前記金属体または合金体とエピタキシャル接合している、
ことを特徴とする接合構造部。
　　【請求項２】
　前記金属間化合物結晶が単斜晶系、立方晶系または六方晶系である請求項１に記載の接合構造部。
　　【請求項３】
　前記Ｓｎ合金母相と前記金属体または合金体との接合が、エピタキシャル接合であることを特徴とする請求項１または２に記載の接合構造部。
　　【請求項４】
　前記金属体または合金体が、Ｓｎ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｂ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｚｎ、ＣｒおよびＣｏから選択された少なくとも１種の金属、合金体または金属間化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の接合構造部。
　　【請求項５】
　前記接合構造部は、前記金属間化合物結晶を３〜８５体積％含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の接合構造部。」
第３　拒絶理由について
　１　原査定（平成３０年　６月１８日付け拒絶査定）の概要（特許法第２９条第２項）
　ア　本願請求項１〜９に係る発明は、下記の引用文献１〜３に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
＜引用文献＞
　引用文献１：特開２００９−１４１１９７号公報
　引用文献２：特開２００１−３４２５４９号公報
　引用文献３：特開２０１３−１４３２４３号公報
　２　当審拒絶理由の概要
（１）平成３０年１１月　２日付け拒絶理由通知（特許法第３６条第６項第１号及び第２号、同法第３９条）の概要
　ア　本願請求項１〜９に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでないから、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　イ　本願請求項１〜９に係る発明は明確でないから、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　ウ　本願請求項１に係る発明は、その出願日前の出願である特願２０１７−３１８４１号（特許第６１７４８３０号公報）に係る発明と同一であるから、特許法第３９条第１項の規定により特許を受けることができない。
（２）平成３１年　３月１１日付け拒絶理由通知（特許法第３６条第４項第１号）の概要
　ア　本願の発明の詳細な説明は、当業者が本願請求項３〜７に係る発明を実施することができる程度に記載されたものでないから、発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
第４　当審の判断
　１　特許法第２９条第２項（進歩性）について
（１）引用文献の記載事項及び引用発明
　ア　引用文献１について
　本願の優先日前に日本国内において頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献１には、次の事項が記載されている（下線は当審が付与した。「・・・」は記載の省略を表す。）。
（１ａ）「【請求項１】
はんだ合金が鉛フリーの接合用材料であって、元素Ａと元素Ｂからなり、かつ常温平衡状態で安定相であるＡｍＢｎと、元素Ｂからなる組成であって
急冷凝固により元素Ａを元素Ｂからなる常温安定相中に過飽和固溶させる
合金を用いてはんだ付けする
鉛フリー接合用材料を用いてはんだ付けしてなる電子機器
【請求項２】
請求項１に記載の
元素ＡがＣｕ
元素ＢがＳｎ
（１ｂ）「【００１３】
　そこで、本発明に係る一例であるＳｎ−Ｃｕ系はんだ合金を用いてはんだ付けする回路について詳細に説明する。発明者らは平衡状態図的には存在し得ないＳｎ固溶体が急冷プロセスによって製造できることに着目して鋭意検討を重ねた結果、アトマイズ法やメルトスパン法などの急冷プロセスによって合金を作製することにより、本来Ｃｕ６Ｓｎ５金属間化合物を生成するはずのＣｕがＳｎ中に強制固溶され、結果的にＳｎ固溶体としてＳｎと同様の相を構成し、急冷された合金中では高融点相である
Ｃｕ
６
Ｓｎ
５
金属間化合物
Ｓｎ相はＳｎ固溶体相として存在
　イ　引用発明について
　上記記載事項（１ａ）及び（１ｂ）から、引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
＜引用発明＞
「はんだ合金が鉛フリーの接合用材料であって、ＣｕとＳｎからなり、かつ常温平衡状態で安定相であるＣｕ６Ｓｎ５金属間化合物と、Ｓｎからなる組成であって、急冷凝固によりＣｕをＳｎからなる常温安定相中に過飽和固溶させてＳｎ固溶体相として存在する合金を用いてはんだ付けする鉛フリー接合用材料を用いてはんだ付けしてなる電子機器。」
　ウ　引用文献２について
　本願の優先日前に日本国内において頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献２には、次の事項が記載されている。
（２ａ）「【請求項１４】質量％で、Ｃ：０．０１〜０．２５％、Ｃｒ：０．５〜８％、Ｖ：０．０５〜０．５％、Ｓｉ：０．７％以下、Ｍｎ：１％以下を含み、残部はＦｅ及び不純物からなり、透過電子顕微鏡を用いて加速電圧１００ｋｖ以上で鋼の断面を観察した場合に確認される
直径３０ｎｍ以下の整合析出物
低・中Ｃｒ系耐熱鋼
（２ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ボイラ、化学工業、原子力などの分野で使用される
熱交換器や配管用鋼管、耐熱バルブ及び溶接が必要な部材といった用途に好適な
特に４００℃以上の高温におけるクリープ強度と高温強度に優れるとともに靱性にも優れた低・中Ｃｒ系耐熱鋼
（２ｃ）「【００４７】本発明の
「整合析出物」とは、金属元素をＭとし、Ｃ又はＮをＸとした場合にＭＸで表され、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｔａなどを主成分とするＶＣ、ＶＮ、ＮｂＣ、ＮｂＮ、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＴａＣ、ＴａＮなどと、Ｍ
２
Ｘ で表され、Ｍｏ、Ｃｒを主成分とするＭｏ
２
Ｃ 、Ｃｒ
２
Ｎ などの、結晶粒内に析出する微細な炭化物、窒化物又は炭窒化物及びこれらの複合析出物を総称するものである。
素地（以下、母相ともいう）と析出物との界面が部分的に整合であって、そこに界面転位が存在する場合の析出物も整合析出物に含むものとする。
（２ｄ）「【００７１】
・・・
（Ｂ）析出物
（Ｂ−１）結晶粒内の析出物
結晶粒内に微細な析出物が存在すると析出強化に寄与し、
高温強度及びクリープ強度の向上が可能となる。
（２ｅ）「【００７７】
・・・
ここで、結晶粒内には、平均直径で３０ｎｍを超える析出物が存在していてもよいことはいうまでもないが、これはできるだけ少ない方がよい。なお、前記
結晶粒内における平均直径３０ｎｍ以下の析出物が整合析出物（すなわちＭＸ型の析出物やＭ
２
Ｘ型の析出物）であれば一層大きなクリープ強度が得られるので、結晶粒内の析出物は整合析出物であることが好ましい。
【００７８】既に述べたように、本発明の
「整合析出物」は、素地と完全整合の状態にある析出物に限らず、析出物との界面が部分的に整合であって、そこに界面転位が存在する場合の析出物も含むものである。
【００７９】なお、
整合析出物の周りには整合歪みが生じているので、析出物が整合析出物であるか否かは、透過電子顕微鏡観察により整合歪の有無を調べることにより判定できる。具体的には、透過電子顕微鏡を用いて倍率が２００００倍以上の高倍率で二波近似回折条件になるように電子線の入射方向を選ぶことで整合歪コントラストが現れて、整合歪の有無が確認できる
（２ｆ）「【００８７】既に（Ａ）の項で述べた化学組成を有する鋼を素材鋼とする
鍛鋼及び鋳鋼に
熱処理を施すことによって、比較的容易に、結晶粒内析出物
を所定のサイズ、存在密度、組成、形状にすることができる。
（Ｄ）熱処理
（Ｄ−１）焼ならし：オーステナイト変態開始温度以上で、しかも、結晶粒内析出物が固溶する温度と、結晶粒の粗大化を生じない温度との間の温度で焼ならしを行い、焼ならし後は、２００℃／時間以上の冷却速度で冷却すればよい。
焼ならしの温度は
９００〜１１００℃
【００８８】（Ｄ−２）焼戻し：結晶粒内に所定の析出物を析出させるために、上記焼ならし後の冷却に続いて焼戻しを行えばよい。焼戻しによって、結晶粒界析出物中にＶが固溶する（つまり、結晶粒界析出物を構成する金属元素中にＶが含まれる）ようにもなる。この
焼戻しの温度は
５５０℃〜Ａ
C1
変態点
　エ　引用文献３について
　本願の優先日前に日本国内において頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献３には、次の事項が記載されている。
（３ａ）「【００１８】
　また上記目的を解決する他の側面として、ここに開示される発明は、セラミック電子デバイスを提供する。かかるセラミック電子デバイスは、セラミック電子材料を含む少なくとも二つの電子材料が、上記のいずれか１つに記載の導電性接合材の焼成物（接合部）によって相互に接合されていることを特徴としている。上記のナノ導電性粒子を含む導電性接合材によると、上記接合部には有機物の保護膜等が残存し難く、典型的にはナノ導電性粒子同士が金属結合により接合するため、接合部は高い導電性を有し、さらに高耐熱性および高放熱性を備え得る。また、導電性接合材中のナノ導電性粒子は互いの凝集が抑制されて被接合材である電子材料の表面に特定の方位を以て緻密に配列し得るため、得られる接合部は緻密で高強度となり得る。さらに、被接合材である電子材料の構成材料によっては、例えば、該構成材料に対して
エピタキシャルな接合界面を形成
（３ｂ）「【００２９】
  このようなナノ導電性粒子としては、導電性を示す各種の材料の粉末を用いることができる。このような導電性粒子については、その組成等に特に制限はなく各種の導電性材料から構成されてよい。例えば、代表的には、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、または白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）に代表される白金族元素、チタニウム（Ｔｉ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、コバルト（Ｃｏ）等の各種の金属およびこれらの金属間化合物あるいは複合体、ないしはこれらの混合物であってよい。なかでも、ここに開示する導電性ナノ粒子としては、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）または白金族元素からなることが好ましく、例えば、これらのいずれかの単体からなることが好ましい。なお、かかるナノ導電性粒子が、上記導電性を示す材料以外の不純物等を微量に含むものであっても、全体として導電性を示す材料の粉末であれば、ここでいう導電性粒子とすることができる。また、このような金属材料からなるナノ導電性粒子は、焼成により互いに金属結合するため、より導電性等に優れた接合部を形成することが可能となる。また、ナノ導電性粒子と被接合材である電子材料との組み合わせによっては、ナノ導電性粒子は電子材料の表面に特定の方位を以て緻密に配列し得るため、この接合部を電子材料に対して
エピタキシャルな構造
（２）対比・判断
　ア　本願発明１について
（ア）対比・相違点
　本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「Ｃｕ６Ｓｎ５金属間化合物」及び「Ｓｎ固溶体相」は、本願発明１における「ＳｎおよびＣｕからなる金属間化合物結晶」及び「ＳｎおよびＣｕからなるＳｎ合金母相」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明は、「はんだ付けしてなる電子機器」であるところ、はんだ付けは、電子機器の電極である金属体または合金体に対して行われることが技術常識であるから、引用発明も、当然に「金属体または合金体を接合する接合構造部」を有するものといえる。
　してみると、本願発明１と引用発明とは、「ＳｎおよびＣｕからなる金属間化合物結晶、並びに、Ｓｎ合金母相を含み、金属体または合金体を接合する接合構造部。」である点で一致し、次の相違点１及び２で相違する。
＜相違点１＞
　本願発明１は、「金属間化合物結晶がＳｎ合金母相とエンドタキシャル接合した結晶構造を有」するものであるのに対し、引用発明は、当該結晶構造を有しているのか不明である点。
＜相違点２＞
　本願発明１は、「Ｓｎ合金母相及び／または金属間化合物結晶が、前記金属体または合金体とエピタキシャル接合している」ものであるのに対し、引用発明は、当該接合をしているのか不明である点。
（イ）相違点についての判断
　Ａ　上記記載事項（２ａ）〜（２ｅ）のとおり、引用文献２には、熱交換器や配管用鋼管、耐熱バルブ及び溶接が必要な部材といった用途に好適な低・中Ｃｒ系耐熱鋼（以下「耐熱鋼」という。）において、Ｖ等の金属元素の炭化物等（以下「炭化物等」という。）を直径３０ｎｍ以下の整合析出物として存在させて析出強化し、特に４００℃以上の高温における強度及びクリープ強度の向上が可能となること、整合析出物は、素地（母相）と析出物の界面が完全整合の状態にある析出物に限らず、析出物との界面が部分的に整合であって、そこに界面転位が存在する場合の析出物も含むこと及び整合析出物であるか否かは、透過電子顕微鏡観察により整合歪の有無を調べることにより判定できることが記載されている。
　Ｂ　しかしながら、引用発明において、電子機器のはんだ付け用の鉛フリー接合用材料は、はんだ付け温度が高々３００℃であり、大きな外力がかかることもないのであるから、引用文献２に耐熱鋼において炭化物等が整合析出する技術が記載されているとしても、熱交換器や配管用鋼管等の４００℃以上の高温における強度及びクリープ強度に優れた耐熱鋼に関するものである引用文献２に記載の技術を引用発明に採用しようとする動機付けは認められない。
　Ｃ　なお、引用発明に引用文献２に記載の整合析出に係る技術を採用すべきとする動機付けがあると仮定した場合について、予備的に検討する。
　Ｄ　本願発明の詳細な説明には、以下の記載がある。
（Ａ）「【００１１】
　以下、本発明をさらに詳しく説明する。
　先に、本明細書における用語法は、特に説明がない場合であっても、以下による。
・・・
　（３）エント゛タキシャル接合とは、金属・合金となる物質中に他（金属間化合物）の物質を析出させた、対象となる物質間との結晶格子レベルでの接合状態にて結晶粒を構成する構造（例えば合金間、金属間、金属間化合物間）である。」
（Ｂ）「　【００１３】
　本発明の金属粒子は、例えば、８質量％Ｃｕおよび９２質量％Ｓｎを組み合わせた原材料（以下８Ｃｕ・９２Ｓｎと称する）から製造することができる。例えば、８Ｃｕ・９２Ｓｎを溶融し、これを窒素ガス雰囲気中で高速回転する皿形ディスク上に供給し、遠心力により該溶融金属を小滴として飛散させ、減圧下で冷却固化させる等、析出単斜晶系、六方晶系等の金属間化合物等の結晶構造を呈してＳｎ合金母相とエンドタキシャル接合構造で固化するよう環境条件を適切に制御することによって、本発明の金属粒子を得ることができる。」
　Ｅ　本願発明１における「エンドタキシャル接合」の定義についての上記Ｄ（Ａ）の記載によれば、そもそも、これが引用文献２に記載の「整合析出」に相当するものであるのか直ちには明らかでない。
　Ｆ　そこで、本願発明１における「エンドタキシャル接合」と引用文献２に記載の「整合析出」について、それぞれの製造方法を検討すると、本願発明１は、上記Ｄ（Ｂ）に記載のとおり、溶融金属を「窒素ガス雰囲気中で高速回転する皿形ディスク上に供給し、遠心力により該溶融金属を小滴として飛散させ、減圧下で冷却固化させる」ものであるのに対し、引用文献２に記載のものは、上記記載事項（２ｆ）のとおり、鋼が溶融しない温度範囲である９００〜１１００℃、５５０℃〜ＡＣ１変態点における熱処理によるものである点で異なっていることから、「エンドタキシャル接合」が引用文献２に記載の「整合析出」に相当するものでないことは明らかである。
　Ｇ　また、仮に、「エンドタキシャル接合」が「整合析出」に相当するものであるとしても、引用発明とは合金組成が全く異なる引用文献２に記載の技術を、どのような熱処理条件とすれば引用発明の合金組成に対して適用できるのかが不明であるから、直ちに「整合析出」を引用発明に適用することができるものではない。
　Ｈ　そして、引用文献２には「整合析出」とすることにより、カーケンダルボイドの発生を防ぐことができるという効果を奏する点について、何ら記載も示唆もされていないので、本願発明は、いずれの引用文献にも記載のない異質な効果を奏するものである。
（ウ）小括
　以上のとおりであるから、相違点２について検討するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用文献１〜３に記載された技術的事項に基づいて、容易に発明できたものであるとはいえない。
　イ　本願発明２〜５について
　本願発明２〜５は、本願発明１を引用するものであるから、上記Ｅと同様に、本願発明２〜５は、当業者であっても、引用文献１〜３に記載された技術的事項に基づいて、容易に発明できたものであるとはいえない。
　２　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
　ア　本願発明の詳細な説明における【０００６】の記載から、本願発明が解決しようとする課題は、「従来技術よりも高い耐熱性、接合強度および機械的強度を有する接合構造部を提供すること」であると理解できる。 
　イ　そして、当該課題を解決する手段は、同【０００７】の記載から、「高温相の金属間化合物である単斜晶系、六方晶系等の結晶構造を金属粒子中に析出させ亦析出界面は母相金属とエンドタキシャル接合にて構成された粒子」「を用いて形成される接合構造部」とすることであると認められる。 
  
 　ウ　ここで、同【００１３】及び【００２３】には、金属粒子の原材料について、「本発明の金属粒子は、例えば、８質量％Ｃｕおよび９２質量％Ｓｎを組み合わせた原材料（以下８Ｃｕ・９２Ｓｎと称する）から製造することができる。」及び「実施例１ 
 　原材料として８Ｃｕ・９２Ｓｎを用い、図３に示す製造装置により、直径約３〜１３μｍの金属粒子を製造した。」とそれぞれ記載され、さらに、同【００１９】には、「接合構造部３００は、金属間化合物結晶およびＳｎ合金母相とを含み、前記金属間化合物結晶がＳｎ合金母相とエンドタキシャル接合した結晶構造を有し、前記Ｓｎ合金母相が、前記金属体または合金体１０１、５０１と接合している。金属間化合物は、例えばＣｕ６Ｓｎ５（その他Ｃｕ３Ｓｎ）である。」と記載され、具体的に本件発明の課題を解決することができるものとして実証されているのは、ＣｕとＳｎからなる合金及び金属間化合物であると認められる。 
　エ　そして、本願発明も、「Ｓｎ合金母相」及び「金属間化合物結晶」は、ＣｕとＳｎからなるものであることが特定されていることから、本願発明が、発明の詳細な説明において「発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲」を超えているということはできない。
　３　特許法第３６条第６項第２号（明確性）について
　ア　本願請求項１には、「金属間化合物結晶がＳｎ合金母相とエンドタキシャル接合した結晶構造」と記載されている。 
　イ　ここで、前記１（２）ア（イ）Ｄで摘示したとおり、本願発明の詳細な説明の【００１１】において、「エント゛タキシャル接合とは、金属・合金となる物質中に他（金属間化合物）の物質を析出させた、対象となる物質間との結晶格子レベルでの接合状態にて結晶粒を構成する構造（例えば合金間、金属間、金属間化合物間）である。」と定義されているところ、意見書１の第３頁第１〜７行の記載により、図２Ｂ（ｂ）が示すエンドタキシャル接合について、０．３０ｎｍの格子定数で整合していることが理解できる。
　ウ　そして、意見書１において、エンドタキシャル接合とエピタキシャル接合とは、結晶格子レベルで接合していることは同じであると説明しつつ、同意見書１の第５頁図５において、エンドタキシャルについて「合金内で、金属結晶格子と金属間化合物結晶格子が格子整合を取りながら金属間化合物結晶が金属結晶に沿って界面成長を形成する（接合界面：エンドタキシャル接合）」とされ、また、同第７頁図７において、エピタキシャルについて「結晶面上で格子整合を取りながら成長面を形成する（接合界面：エピタキシャル接合）」とされていることから、エンドタキシャル接合とエピタキシャル接合は区別されていると認められる。
　エ　また、金属間化合物とＳｎ合金母相の界面における「エンドタキシャル接合」の存在割合について、一義的には、一定量の存在で足りると解されるところ、意見書１の第５頁下から１４行〜７行における「エンドタキシャル接合とは、Ｓｎ合金母相中に金属間化合物が析出し、この析出の最中にＳｎ合金母相と金属間化合物とが結晶格子レベルで接合し、結晶粒を構成するものでありますから、理論的にはエンドタキシャル接合は両者の界面全体にわたり形成され得ますが、実際にはエンドタキシャル接合を形成しないアモルファスな接合面が僅かに観察され得るものであって、【００１４】〜【００１５】に記載の製造条件によれば、金属粒子の内部でＳｎ合金母相と金属間化合物とが再現性良くエンドタキシャル接合が形成され、前記アモルファスな接合面はＳＥＭ像の観察から１０％以下程度である」との記載からも、上記存在割合について理解できる。
　オ　以上のとおりであるから、本願発明が明確でないということはできない。
　４　特許法第３９条第１項（先願）について
　ア　本願出願前の出願である特願２０１７−３１８４１号（特許第６１７４８３０号公報）には、以下の発明が記載されている（以下「先願発明」という。）。 
  
 「【請求項１】 
 　ＣｕおよびＳｎからなる金属粒子であって、 
 　前記金属粒子は、ＳｎおよびＣｕからなる金属間化合物とＳｎ−Ｃｕ合金を含む金属マトリクスとを有し、 
 　前記Ｓｎ−Ｃｕ合金は、γ−斜方晶を含み、 
 　前記γ−斜方晶であるＳｎ−Ｃｕ合金は、前記金属間化合物と接合し、かつ 
 　前記γ−斜方晶であるＳｎ−Ｃｕ合金と前記金属間化合物との接合が、エンドタキシャル接合である 
 　ことを特徴とする金属粒子。」 
　イ　本願発明１と先願発明とを対比すると、先願発明が「金属粒子」に係るものであるのに対し、本願発明１が「接合構造部」に係るものであって、両者はまったく相違するものである。
　ウ　したがって、本願発明１と先願発明が同一であるということはできない。 
　５　特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）について
　ア　本願発明１〜５は、接合構造部において、「ＳｎおよびＣｕからなる金属間化合物結晶」が「ＳｎおよびＣｕからなるＳｎ合金母相」と「エンドタキシャル接合した結晶構造を有」するものである。 
　イ　そして、本件の発明の詳細な説明における接合構造部の製造については、「ＳｎおよびＣｕからなる金属間化合物結晶がＳｎおよびＣｕからなるＳｎ合金母相とエンドタキシャル接合した結晶構造を有する金属粒子」を用いて、具体的には「８質量％Ｃｕおよび９２質量％Ｓｎを組み合わせた原材料（以下８Ｃｕ・９２Ｓｎと称する）」により、「製造された金属粒子は、シート状あるいはペースト状に加工し、これを接合対象物に接した状態で不完全に溶融させた上で固化させることにより、良好な接合を形成する」（【００１６】）として、「上記シートを金属体としてのＣｕ電極間に挟み溶解接合を行った。上記本発明の金属粒子を用い、Ｓｎのもつ融点（231.9℃）で初期融解させ、接合構造部を形成した。」（【００２９】）とされている。
　ウ　ここで、周知のＣｕ−Ｓｎの平衡状態図によれば、８Ｃｕ・９２Ｓｎの２３１．９℃における固溶体ηと液相の量比は、液相が約８割を占めることになるものと認められる。このように、多くが液相状態になる場合には、「窒素ガス雰囲気中で高速回転する皿形ディスク上に供給し、遠心力により該溶融金属を小滴として飛散させ、減圧下で冷却固化させる」ことによって得られた金属粒子のエンドタキシャル接合が、接合構造部を溶融・固化によって形成した後においても、その構造を維持し続けることができるのかについて検討を加える。
　エ　この点に関し、意見書２の第４頁第３３〜３４頁において、「接合構造部の製造においては、・・・接合工程での加熱が平衡状態ではなく、平衡状態図のとおりに多くの割合が液相となるものではありません。」と補足的に説明がなされたところ、本願発明の詳細な説明の【０００９】において、「金属粒子を含む接合材を接合工程で加熱する際に、当該接合材を完全には溶融させない半溶融状態」と記載されていることに鑑みれば、「ＳｎおよびＣｕからなる金属間化合物結晶」周囲の「ＳｎおよびＣｕからなるＳｎ合金母相」の少なくとも一部は溶融せず、金属粒子が有していたエンドタキシャル接合をそのまま維持する部分があるものと理解することができる。
　オ　なお、意見書２の第４頁第３４〜４０頁において、「例えば本願明細書段落００２９に記載のようにＳｎのもつ融点（231.9℃）で初期融解させた場合、金属間化合物の融点が３５０〜４１５℃程度であるため金属間化合物は溶融しません。一方、金属間化合物とエンドタキシャル接合したＳｎ合金母相は溶融します。しかし、金属間化合物は、金属粒子のときの結晶格子を維持していますので、再凝固の際にＳｎ合金母相は再度、金属粒子と同様のエンドタキシャル接合を形成します。したがいまして、接合構造部においても金属粒子誕生時の結晶格子の整合接合を維持できます。」と説明しているが、溶融・再凝固における結晶格子の整合接合は、前記３ウのとおり、意見書１の記載に基づいて、エピタキシャル接合と解されるものであることから、この説明は採用しない。
　カ　したがって、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明１〜５に係る発明を実施することができる程度に記載されたものでないとまでは認められない。
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明１〜５は、当業者が引用文献１〜３に記載された技術的事項に基づいて、容易に発明をすることができたものではないし、発明の詳細な説明に記載したものでないとも、明確でないとも、先願発明と同一であるとも認めることはできない。さらに、発明の詳細な説明が、実施可能要件に違反するとも認めることはできない。
　したがって、原査定の理由及び当審が通知した拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。