【事件の表示】
　特許第３３８１６５７号「均一深さのトンネル状ピットを有する電解箔、それを電極とする電解コンデンサー並びに該箔の製造方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３８１６５７号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３３８１６５７号（以下「本件特許」という。）は、平成１１年３月２９日に特許出願され、平成１４年１２月２０日に請求項１〜６に係る発明につき特許権の設定登録がなされた。
　その後、平成１５年９月４日に特許異議申立人：児玉喜博より、その請求項１〜６に係る特許について本件特許異議の申立がなされ、平成１６年５月１３日付けで特許異議申立人に対して審尋がなされ、これに対し平成１６年７月２６日付けで特許異議申立人から回答書が提出され、平成１６年１２月９日付けで請求項１〜５に係る特許について特許取消理由が通知され、これに対し平成１７年２月２１日付けで特許権者より特許異議意見書及び訂正請求書が提出され、平成１７年４月２６日付けで特許異議申立人に対して審尋がなされ、これに対し特許異議申立人からは何らの応答がなされなかった。
　　
ＩＩ．訂正の適否
　上記平成１７年２月２１日付けの訂正請求書による訂正は、以下のとおりである。
(II-1)訂正の内容
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
　請求項１〜５を削除し、請求項６を請求項１に繰り上げて、特許請求の範囲を次のとおりに訂正する。
「【請求項１】初期電流密度を１５００ｍＡ／ｃｍ2以上の最大電流密度とし、その後１０〜３０秒で１００ｍＡ／ｃｍ2以下まで低下させる水溶液中における直流電解により、箔厚７０〜１５０μｍのアルミニウム箔の両表面に深さが箔厚の３０％以上であるピットが全ピット数の８０％以上である均一深さのトンネル状ピットを持ち、かつその中心部に層厚が箔厚の５〜２５％であるピット非貫通層を有するアルミニウム直流電解箔を製造する方法。」
　　
（II-2）訂正の適否判断
　訂正事項ａは、訂正前の請求項１〜５を削除し、これに伴い訂正前の請求項６を形式上請求項１とする訂正であるので、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。そして当該訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正と認められ、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものということはできない。そして、他に本訂正を認めないものとすべき理由は見当たらない。
　したがって、本訂正は特許法第１２０条の４第２項、及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２〜４項の規定に適合し、よって本訂正を認める。
　　
ＩＩＩ．本件発明
　上記訂正後の本件発明は、訂正後の明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されたとおりの次のものである。（以下、「訂正発明」という。）
「【請求項１】初期電流密度を１５００ｍＡ／ｃｍ2以上の最大電流密度とし、その後１０〜３０秒で１００ｍＡ／ｃｍ2以下まで低下させる水溶液中における直流電解により、箔厚７０〜１５０μｍのアルミニウム箔の両表面に深さが箔厚の３０％以上であるピットが全ピット数の８０％以上である均一深さのトンネル状ピットを持ち、かつその中心部に層厚が箔厚の５〜２５％であるピット非貫通層を有するアルミニウム直流電解箔を製造する方法。」
　　
ＩＶ．特許取消理由の概要
　上記平成１６年１２月９日付けで通知した特許取消理由の概要は、以下のとおりである。
『１）本件特許の請求項１、３、４に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定に違反して特許されたものである。
 ２）本件特許の請求項１〜５に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記引用例１〜５に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
  　　　　　　　　　　　　　　　　記
引用例１：特開平９−１４８２００号公報（特許異議申立の甲第１号証）
引用例２：特開昭６０−３１２１７号公報
引用例３：特開平４−２０６８１０号公報（同上、甲第２号証）
引用例４：特開昭６１−２４４０１３号公報（同上、甲第３号証）
引用例５：特開平７−２４９５５０号公報（同上、甲第４号証）』
　　
Ｖ．引用例の記載事実
（１）引用例１（特開平９−１４８２００号公報）
(1-1)「アルミニウム箔の表面積を電気化学的エッチングによる粗面化処理によって拡大して電解コンデンサ用の電極箔を製造する方法において、前記アルミニウム箔として、厚さが１３０〜２５０μｍのアルミニウム箔を用い、２０〜３０μｍの厚さの地金が中芯として残るように前記エッチングを行うことを特徴とする電解コンデンサ用電極箔の製造方法。」（第２頁左欄：請求項１）
(1-2)「アルミニウム箔を所定の濃度の塩酸と硫酸とを含む水溶液中に浸漬させ、その状態で、アルミニウム箔に直流電流を与える直流電解エッチングを行う。そして、所定の濃度の硫酸を含む水溶液中に、上記アルミニウム箔を浸漬させる化学エッチングを行う。」（段落【0012】）
(1-3)「図１に、本発明による製造方法によってエッチングされたアルミニウム箔の概略正断面図を示す。同図に示すように、本発明では１３０〜２５０μｍのアルミニウム箔を用いてエッチングを行い、２０〜３０μｍの厚さの地金を残して、エッチングピットＥＰが形成されるようにする。」（段落【0016】）
　　
引用例２（特開昭６０−３１２１７号公報）
(2-1)「アルミニウム・・の箔を電解エッチングすることにより電解コンデンサ用電極を製造する場合、いわゆる“貫通タイプ”と“芯残りタイプ”の２つの型式のものが得られる。・・・後者は、電解エッチング条件（温度、時間、電流密度等）を調節することによりＡｌ箔断面の中心部近傍に箔厚さの１０〜２０％程度のピットの存在しない“芯”部分を残存させたものである。」（第１頁右下欄第６行〜第２頁左上欄第２行）
(2-2)「実施例１」において、「厚さ１００μｍ」のＡｌ焼鈍箔を用いたことが示されている。（第３頁右上欄第３行）
　　
引用例３（特開平４−２０６８１０号公報）
(3-1)「肉厚内に未エッチング部を残してエッチング処理されたエッチング箔において、縁部側の前記未エッチング部を中間部側の未エッチング部より厚く設定するとともに、箔厚を均一化したことを特徴とするエッチング箔。」（第１頁左下欄：特許請求の範囲１）
(3-2)「アルミニウム電解コンデンサのコンデンサ素子を形成するために用いられるアルミニウム箔は、厚さ約０．１ｍ・・の高純度アルミニウム箔で形成され、このアルミニウム箔には表面積の倍率を高めるためにエッチング処理が施される。
　このアルミニウム箔のエッチング処理は、例えば、第４図に示すように塩酸などの電解液２の中にカーボン等の電極４と、エッチング処理をすべきアルミニウム箔６とを対向させて浸漬させるとともに、電極４とアルミニウム箔６との間に・・電流を流す。」（第１頁右下欄第２〜１３行）
(3-3)「このようなエッチング処理で形成されたエッチング箔６０は、第６図に示すように、未エッチング部６１、即ち、アルミニウム箔６の地金を中心部に残し、その両面側にエッチング部６２が形成されている。エッチング部６２は、エッチング箔６０の厚み方向に垂直の無数のエッチング穴があけられ機械的強度が小さくなるので、特殊な用途以外では、エッチング箔６０の機械的強度を確保するために中心部に未エッチング部６１を残すことが行われている。」（第２頁左上欄第９〜１８行）
（3-4)「実験によれば、厚み約０．１ｍｍ・・のアルミニウム箔６にシールド２２を被せてエッチング処理したところ・・中間部の未エッチング部６１ｂの厚みが約０．０１２５ｍｍ（即ち、箔厚の１２．５％）、全厚みが同等のアルミニウムエッチング箔６０が得られた。」（第３頁右下欄第１〜７行）
　　
引用例４（特開昭６１−２４４０１３号公報）
(4-1)「塩素イオンを含む水溶液を電解液として、アルミニウム箔を陽極として、アルミニウム箔と陰極との間に直流電流を流し、電解エッチングを行なう際に、エッチング開始時に１〜３Ａ／ｃｍ2の電流密度の電流を流し、その後電流を遮断させずに連続して０．４〜０．６Ａ／ｃｍ2の電流密度でエッチングを行なうことを特徴とするアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法。」（第１頁左下欄：特許請求の範囲(1)）
　　
引用例５（特開平７−２４９５５０号公報）
(5-1)「【請求項１】高立方組織を有する電解コンデンサ用アルミニウム原箔を塩化物を含む電解液中で電解エッチングするピット形成工程と、該工程により形成されたピットをエッチングにより拡大するピット拡大工程とから成る電解コンデンサ用アルミニウム電極箔のエッチング方法において、ピット形成工程における電解電流密度を最大値から漸次減少することを特徴とした電解コンデンサ用アルミニウム電極箔のエッチング方法。
【請求項２】高立方組織を有する電解コンデンサ用アルミニウム原箔を塩化物を含む電解液中で電解エッチングするピット形成工程と、該工程により形成されたピットをエッチングにより拡大するピット拡大工程から成る電解コンデンサ用アルミニウム電極箔のエッチング方法において、ピット形成工程における電解電流密度を最大値から段階的に減少することを特徴とした電解コンデンサ用アルミニウム電極箔のエッチング方法。
【請求項３】電解電流密度を最大値から段階的に減少する工程における各ステップ間の電解電流密度の変化量を０〜２００mA/cm2に、かつ、一つのステップの一定電解電流密度の値の保持時間を０〜１５秒とした請求項２記載の電解コンデンサ用アルミニウム電極箔のエッチング方法。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 
【請求項５】ピット拡大工程を電解エッチングにより行う請求項１，２または３記載の電解コンデンサ用アルミニウム電極箔のエッチング方法。
【請求項６】ピット形成工程で印加する電解電流密度をゼロから急速に最大値まで上昇させて成る請求項１，２，３，４または５記載の電解コンデンサ用アルミニウム電極箔のエッチング方法。
【請求項７】ピット形成工程での電解電流密度の最大値に至る時間Ａと最大値から終値に至るまでの時間Ｂとの比Ａ／Ｂを０〜０．４の範囲とする請求項１，２，３，４，５または６記載の電解コンデンサ用アルミニウム電極箔のエッチング方法。
【請求項８】ピット形成工程での電解電流密度の最大値を３５０〜１０００mA/cm2の範囲とし、かつ、終期の電解電流密度が０〜３００mA/cm2の範囲としたことを特徴とする請求項請求項１，２，３，４，５，６または７記載の電解コンデンサ用アルミニウム電極箔のエッチング方法。」（特許請求の範囲）
　　
ＶＩ．対比・判断
　前記訂正の結果、上記特許取消理由通知が対象とした請求項１〜５は削除され、当該特許取消理由通知が対象とした特許はなくなった。
　　
　なお、特許異議申立人の、特許法第２９条第１、２項、及び同法第３６条第４項の規定に係る主張について、以下のとおり判断する。
（ｉ）特許法第２９条第１、２項の規定に係る主張について
　訂正発明（訂正前の請求項６に係る発明に対応。）と、特許異議申立の甲第１〜４号証（特許取消理由通知に引用した引用例１、３〜５に順次対応。）に記載されたものとを対比すると、甲第１〜４号証のいずれにも、アルミニウム直流電解箔を製造する方法において、初期電流密度を１５００ｍＡ／ｃｍ2以上の最大電流密度とし、その後１０〜３０秒で１００ｍＡ／ｃｍ2以下まで低下させる水溶液中における直流電解を行なうという、訂正発明の特定事項を開示する記載はない。
　そして訂正発明は、この点を含む前記認定のとおりの特定事項を具備することにより、電解箔のトンネル状ピットは内部深くまで高密度でかつ深さが揃ったものが形成され、そのため箔の中心部にはトンネル状ピット不存在の非貫通層を存在させることができ、その結果、機械的強度を低減させることなく高静電容量の電解箔を提供可能とするという（段落【0028】参照）、明細書に記載された効果を奏すると認めることができる。
　したがって、訂正発明は、甲第１〜４号証に記載された発明とも、またそれら各甲号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とも、いうことはできない。
　　
（ii）特許法第３６条第４項の規定に係る主張について
　特許異議申立人は、訂正後の請求項１（訂正前の請求項６）に係る発明を、「ピットが全ピット数の８０％以上である」との必須の特定事項を欠落して認定し、これに基づき明細書の記載不備を主張している。特許異議申立人は、これにつき、平成１６年５月１３日付けの審尋に対する、平成１６年７月２６日付けの回答書で、誤記である旨主張するが、上記の点を含めて、特許異議申立書には誤った発明の認定及びそれに基く主張が一貫してなされおり、してみれば、上記の点が単なる誤記との主張は採用できない。
　そして、特許異議申立人が主張する各数値の導出根拠については、これが明確に説明されていないとしても、これにより、訂正発明を実施をすることができない程度に、発明の詳細な説明が明確かつ十分でないとすることはできない。
　　
ＶＩＩ．むすび
　以上のとおり、特許取消理由通知が対象とした訂正前の請求項１〜５は訂正の結果削除され、そして、訂正後の請求項１は特許取消理由通知の対象外である。
　そして、訂正後の請求項１に係る特許については、特許異議申立人の提示した証拠及び主張をみても、これを取り消すべき理由を発見せず、また、他にこれを取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年８月２９日（２００５．８．２９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
均一深さのトンネル状ピットを有する電解箔、それを電極とする電解コンデンサー並びに該箔の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項
１
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は、電解コンデンサーの電極箔等として利用されるアルミニウム電解箔、その製造方法及びその箔を電極箔とする電解コンデンサーに関する。より詳細にはアルミニウム箔の両表面に均一深さのトンネル状ピットを持ち中心部に非貫通層を有するアルミニウム電解箔、それを水溶液中における直流電解により製造する方法及び電極箔とする電解コンデンサーに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　アルミ電解コンデンサーは、近年の電子機器の小型化に伴いますますサイズの小さいものが求められている。このアルミ電解コンデンサーには、アルミニウムの電解箔が電極箔として従来より使用されており、中高圧用電解コンデンサー用の電解箔の製造では、単位面積当たりの静電容量を大きくするために高密度の立方晶組織を有するアルミニウム原箔を塩素イオンを含む酸性電解液等の水溶液で直流電解によってエッチングして、結晶方位の（１００）方向にトンネル状のピットを形成している。
　【０００３】
　このトンネル状ピットの形成においては、腐蝕開始点のピット数は、そこに印加される電流密度の大きさに関係すると共に箔の溶解量は電気量にほぼ比例するものであり、その結果アルミニウム箔の静電容量を大きくするためには、電解電流密度を大きく設定して高密度にトンネル状ピットを形成し、かつ印加する電気量を増大させることにより溶解量を増加させ、箔の表面積の拡大を図っていた。
　【０００４】
　そして、そのトンネル状ピットの形成過程については、該ピットの形成は高密度のピットがアルミニウム箔の全面にわたって同時に進行するのではなく、当初はピットが箔に粗く発生して成長し、その成長が停止すると別のピットの成長が始まり次第に箔の全面に密にトンネル状のピットが形成されることが観察されている。
　【０００５】
　この電解箔については、所定の強度を有すると共により大きな静電容量を有するものが高性能で望ましいものであり、そのためには中央部に強度を保持させる可能な限り薄い未エッチング部分を残存させ、しかもトンネル状ピットについては高密度でかつ深く形成することが必要であると従来考えられていた。そのトンネル状ピットの形成については、従来法では箔に対する直流電流の印加は図１（ａ）に図示するように時間に対し一定電流密度の条件でなされていた。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　この従来法によって、より静電容量の大きな電解箔を得ようとすると、印加電気量を可能な限り増大しようとするあまりエッチングによる腐蝕が過度になる。その結果箔の機械的強度の低下した電解箔が形成されることになり、それを回避することは困難であった。また、これを改善する電解箔の製造技術も提案されており、それには例えば図１（ｂ）及び（ｃ）に図示するように電解電流密度を最大値から漸次減少させる方法（特開平７−２４９５５０号公報）がある。この方法においては、最大電流密度は１０００ｍＡ／ｃｍ２未満であり、電流印加時間は前記従来法と同様に８０秒程度となっている。
　【０００７】
　この方法によっても静電容量の大きなものを得ようとすると前記した従来法と同様の短所が発現し、それを完全に回避することは困難であり、その強度の低下した箔の断面を切断して電子顕微鏡で観察すると図２（ｂ）のようになっており、この図から、強度の低下した電解箔のトンネル状ピットは、深さが不揃いで内側端部はジグザクになっており、所々で両端面から延びるトンネル状ピットが内通してアルミニウム箔を貫通し中央部に非貫通層が存在しないことがわかる。
　【０００８】
　以上のとおりであるから、本発明は、このような問題のない電解箔、その製造方法及びその箔を使用したアルミニウム電解コンデンサーの発明を提供するものである。すなわち、アルミニウム電解箔の機械的強度を低減させる貫通トンネル状ピットは存在させることなく、かつ静電容量を可能な限りより大きくすることのできるトンネル状ピットを形成した電解箔、その製造方法及びその箔を電極箔とする電解コンデンサーの各発明を提供することを解決すべき課題とするものであり、目的とするものである。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　本発明が上記目的を達成するために採用した手段は、アルミニウム直流電解箔、その製造方法およびその箔を電極箔とする電解コンデンサーの各発明であり、その内のアルミニウム直流電解箔は、アルミニウム箔の両表面に深さが箔厚の３０％以上であるピットが全ピット数の８０％以上である深さの揃った、すなわち均一深さのトンネル状ピットを持ち、かつその中心部に層厚が箔厚の５〜２５％であるピット非貫通層を有する箔の厚さが７０〜１５０μｍであるとするものである。また電解コンデンサーは該アルミニウム直流電解箔を電極箔とするものである。
　【００１０】
　そして、アルミニウム電解箔を製造する方法は、初期電流密度を１５００ｍＡ／ｃｍ２以上の最大電流密度とし、その後急激に１００ｍＡ／ｃｍ２以下まで低下させる水溶液中における直流電解により、箔厚７０〜１５０μｍのアルミニウム箔の両表面に均一深さのトンネル状ピットを持ち、その中心部に層厚が箔厚の５〜２５％であるピット非貫通層を有するとするものである。
　【００１１】
　【発明の実施の形態】
　本発明では、前記した手段、特に製造方法を採用することにより、直流電解時のエッチング時間を従来法に比し極端に短縮すると同時に、初期電流密度を過大な最大電流密度とし、そこから急激に１００ｍＡ／ｃｍ２以下まで低下させ、それによって優れた特性を発現する新規な構造の電解箔を提供するものである。その結果得られる新規な構造の電解箔は、図２（ａ）（実施例１の電解箔）に図示するように深さが揃った、すなわち均一深さのトンネル状ピットを有し、箔の厚さ方向の中心部にトンネル状ピットが存在しない非貫通層を持つ構造となっている。
　【００１２】
　使用するアルミニウム箔については従前の電解箔材料と同様でよく、その純度は９９．９％以上のものが好ましく使用できる。またその箔の厚さについても従前の電解箔と同様でよく、それは７０〜１５０μｍであり、好ましくは８０〜１２０μｍがよい。そして製造された電解箔の非貫通層の層厚は箔厚の５〜２５％であることが必要であり、好ましくは５〜１５％がよい。またその非貫通層の厚さは具体的には５〜２５μｍが必要であり、好ましくは５〜１５μｍがよい。
　この電解箔をエッチングする際に用いる水溶液としては、塩酸、又は塩素イオンを含む硫酸、硝酸もしくはリン酸等が単独あるいは混合して使用でき、従前のものが制限されることなく使用できる。
　【００１３】
　エッチングの際の電流密度については、前記したとおり初期電流密度を最大電流密度とし、その後急激に１００ｍＡ／ｃｍ２まで低減させることが必要である。その際には前記の優れた性質を有する新規な構造の電解箔を得るには初期電流密度は１５００〜７０００ｍＡ／ｃｍ２とすることが必要であり、好ましくは３０００〜６０００ｍＡ／ｃｍ２とするのがよい。この初期電流密度を７０００ｍＡ／ｃｍ２以下とするのは、それを超えると箔の腐蝕表面の脱落が生じるので、それを避けるためである。また初期電流密度が１５００ｍＡ以下であるとピット数の不足を招き、静電容量が極端に低下するためである。なお、ここにおける初期電流密度とは、エッチング槽内で原箔に電流を印加し電解が開始する時点での電流密度である
　【００１４】
　そして、急激に１００ｍＡ／ｃｍ２以下までに低減させるに要する時間は１０〜３０秒がよく、好ましくは１５〜２０秒がよい。このようにエッチング終了時に電流密度を急激に１００ｍＡ／ｃｍ２以下とするのは、このようにしないと短いピットが形成されやすいためである。また電解時間を先の範囲とするのは、それが３０秒を超えると貫通孔を形成する長いピットが形成されやすく、電解箔の機械的強度が低下するためである。
　【００１５】
　さらに、印加する電流密度の減衰形態については、初期の最大電流密度から急激に１００ｍＡ／ｃｍ２以下まで低減する形態であれば特に制約はない。なお従前の電解箔製造用のエッチングにおいて印加する電流密度の形態は、図１（ａ）に示す一定電流密度となっており、本発明で印加するそれとは非常に異なったものとなっている。またその際のエッチングに要する時間は８０秒程度であり、本発明と比較するとはるかに長い時間を要するものとなっている。
　【００１６】
　本発明の電解箔製造における電流印加時間の調節については、箔のエッチングが水溶液中で対向する電極間を通過する間に行われるものであるから、その電極の長さあるいは箔の通過速度等を調節することにより１０〜３０秒以内とすることが可能である。また電流密度の調節については、対向する電極間に箔が存在する間にエッチングが実施されることから、対向する電極の表面積や距離を調節することによって行うことが可能である。電極の表面積を調節する方法としては、各種の手段が採用でき特に制限されることはなく、例えば電極の一部を打ち抜き対向する電極の表面積を変化させる構造や電極表面形状を変える方法等がある。
　【００１７】
　【実施例】
　以下に、本発明の実施例及び比較例を記載し、本発明の特徴点及び卓越した効果を具体的に示すが、本発明は、この実施例に限定されるものではなく特許請求の範囲の記載に基づいて把握されるものであることはいうまでもない。
　【００１８】
（実施例１及び従来例）
　純度９９．９８％及び厚さ１０６μｍのアルミニウム原箔を、塩酸濃度１ｍｏｌ／Ｌ、硫酸濃度３ｍｏｌ／Ｌの溶液中で表１に示す条件によってエッチングを行った。すなわち、本発明に該当する実施例１では初期電流密度４０００ｍＡ／ｃｍ２、最終電流密度１００ｍＡ／ｃｍ２、エッチング時間２０秒で電解を行った。また従来技術に該当する従来例では初期電流密度３５０ｍＡ／ｃｍ２一定、エッチング時間８０秒で電解を行った。
　【００１９】
　そして、得られた電解箔の性質及び断面構造は表１及び図２（ａ）．（ｂ）に示すとおりである。この結果から、本発明においては、従来技術に比し形成されたトンネル状ピットは深さが深く、かつ揃っており、また箔の中心部に薄いピット非貫通層が形成されており機械的強度も高いことがわかる。さらに静電容量も実施例の電解箔の方が従来例の電解箔に比し優れていることがわかる。
　【００２０】
　また、得られた電解箔のピットの深さの詳細な分布状態については、表３に記載するとおりであり、この表から従来例ではピットの深さが０〜５０μｍを越えた範囲の広範囲に分布しているのがわかる。それに対し、実施例１では４０〜５０μｍの範囲に８８％が存在し、きわめて限られた範囲にほとんどが存在しており、そのピットのほとんどはいずれも深くて、かつ深さが揃ってるいることがわかる。
　【００２１】
　なお、深さ分布の測定法については、エポキシ樹脂に埋め込まれた電解箔試料をウルトラマイクロトーム（ＲＭＣ社製）で電解箔の表面を深さ方向にμｍ単位でダイヤモンドナイフにより研削し、そのときの研削面の表面をＳＥＭに取り、それを画像解析装置（東洋紡社製Ｖ１０）にかけトンネル密度を算出する。ついでその箔表面からの研削深さとトンネル密度との関係からトンネル深さの分布を算出する。
　【００２２】
　【表１】
　【００２３】
（実施例２及び比較例）
　純度９９．９８％及び厚さ１０６μｍのアルミニウム原箔を、塩酸濃度１ｍｏｌ／Ｌ、硫酸濃度３ｍｏｌ／Ｌの水溶液中で、初期電流密度４０００ｍＡ／ｃｍ２、最終電流密度１００ｍＡ／ｃｍ２で、表２に示すように電解時間を変化させて、実施例１と同様にエッチングを行った。得られた電解箔の特性及び断面構造は、表３及び図３、４に示すとおりである。この結果からエッチング時間が２０秒以下で特に良好な特性を示していることがわかる。またエッチング時間が３０秒を越えるとピット深さが深くなり、両面からのピットがつながってしまい非貫通層がなくなることから電解箔の機械的強度が低下する。
　【００２４】
　そして、得られた電解箔のピットの深さの詳細な分布状態については、実施例１と同様に表３に記載しており、実施例２ではピットの深さが２０〜３０μｍと３０〜４０μｍの範囲にそれぞれ約４５％のピットが存在し、この両範囲に合わせて約９０％のピットが存在している。それに対し、比較例では５０μｍ以上の深さのピットが５０％以上存在し、ピットが深くなり過ぎており、図４に示す非貫通層が存在しない結果と一致している。
　【００２５】
　【表２】
　【００２６】
　【表３】
　【００２７】
（実施例３）
　純度９９．９８％及び厚さ１０６μｍのアルミニウム原箔を、塩酸濃度１ｍｏｌ／ｌ、硫酸濃度３ｍｏｌ／ｌの溶液中で、図５に図示する各種初期電流密度で実施例１と同様にエッチングを行った。得られた電解箔の３８５Ｖ化成時の静電容量は図５に示すとおりであり、初期電流密度が３０００〜６０００ｍＡ／ｃｍ２の範囲で高性能の静電容量の電解箔が取得できることがわかる。
　【００２８】
　【発明の効果】
　本発明では、電解箔におけるトンネル状ピットは内部深くまで高密度で、かつ深さが揃ったものが形成されており、そのため箔の中心部にはトンネル状ピット不存在の非貫通層を存在させることができる。その結果本発明においては、機械的強度を低減させることなく高静電容量の電解箔を提供可能とするという卓越した効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　従来技術及び改良先行技術におけるエッチング時の電流密度と印加時間との関係を示す図。
　【図２】
　本発明等の電解箔断面の電子顕微鏡写真であり、（ａ）は実施例１の電解箔、（ｂ）は従来例の電解箔である。
　【図３】
　実施例２で得た電解箔断面の電子顕微鏡写真。
　【図４】
　比較例で得た電解箔断面の電子顕微鏡写真。
　【図５】
　実施例３の実験の結果等を示す図。