【事件の表示】
　特願２００２−５３３７８「マスクパターンの補正方法、フォトマスク、露光方法、半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年９月１０日出願公開、特開２００３−２５５５０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１４年２月２８日の出願であって、平成１５年１０月２８日付けで拒絶査定がなされ、平成１５年１２月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後、当審からの審尋に対し、平成１７年１０月７日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１５年１２月８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年１２月８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　所望のメインマスクパターンを補正し、前記メインマスクパターンを用いて形成される
、複数の短辺と複数の長辺とを有するとともに、各々の該短辺と該長辺との境界部分には角部が設けられてなる
　前記メインマスクパターンが光透過領域となる場合、前記メインマスクパターンの、
短辺を挟んで
に設けられたインナーセリフに挟まれた
部分
するとともに、長辺部分は直線状とし
　前記メインマスクパターンが遮光領域となる場合、前記メインマスクパターンの、短辺を挟んで隣り合う２つの角部の夫々にアウターセリフを付加し、且つ前記２つの角部に設けられたアウターセリフに挟まれた短辺部分にインナーセリフを付加するとともに、長辺部分は直線状とし、
　前記２つの
角部に設けられるセリフ
部分
　上記補正は、本件補正前の請求項１の構成要件である「レジストパターン」について、「複数の短辺と複数の長辺とを有するとともに、各々の該短辺と該長辺との境界部分には角部が設けられてなる」との構成を付加し、同様に本件補正前の請求項１の構成要件である「任意の隣り合う」を「短辺を挟んで隣り合う」と限定し、また、アウターセリフを付加する部分を「２つの角部に設けられたインナーセリフに挟まれた短辺部分」に限定するとともに「長辺部分は直線状」とする構成を付加し、さらに、本件補正前の請求項１の構成要件である「２つの角部に挟まれた短辺」を「２つの角部に設けられるセリフに挟まれた短辺部分」に限定するもので、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−１６２７５８号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の（ａ１）〜（ａ６）の事項が記載されている。
（ａ１）「【０００３】先進的な半導体集積回路の性能向上には、マスクパターンの寸法の微細化が必須である。しかしながら、微細な寸法のマスクパターンを素子基板上に形成する場合において、一連の光学的リソグラフィ工程、およびＲＩＥ工程におけるマスクパターンのイメージからの変形や素子寸法の変動があると、所期通りのパターンを形成するのが困難になる。
【０００４】このような、一連の光学的リソグラフィ工程、およびＲＩＥ工程におけるマスクパターンのイメージからの変形や素子寸法の変動を低減させる方法の一つとして、近年、マスクパターンのイメージからの変形や素子寸法の変動を補正する様に、予めマスクパターンの形状を選択的にバイアスしてマスクパターンのエッジをシフトする、すなわちマスクパターンの形状を変形させるＯＰＣが用いられている。」
（ａ２）「【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を達成するために、半導体集積回路のマスクパターンに対する光学的近接効果補正方法において、各々のマスクパターンの形状、および前記各々のマスクパターンの近傍に位置するマスクパターンとの位置関係によりマスクパターンを分類するマスクパターン分類ステップと、このマスクパターン分類ステップで分類したマスクパターンの形状に対して光学的近接効果補正（以下、ＯＰＣ）を実施するＯＰＣ実施ステップと、から構成されている。」
（ａ３）「【００４２】図２は、この実施形態１において光学的近接効果補正方法の対象となる半導体集積回路のマスクパターンの一例を示す説明図である。
【００４３】図２において、２０１〜２０６はマスクパターン、２０７〜２１８は各々のマスクパターン２０１〜２０６の幅を示している。また、２１９〜２２５は、各々のスクパターン２０１〜２０６同士の間隔を示している。[また、２１９はマスクパターン２０１，２０２間の間隔、２２０はマスクパターン２０２，２０３間の間隔、２２１はマスクパターン２０３，２０４間の間隔、２２２はマスクパターン２０１，２０５間の間隔、２２３はマスクパターン２０２，２０５間の間隔、２２４はマスクパターン２０３，２０６間の間隔、２２５はマスクパターン２０４，２０６間の間隔をそれぞれ示している。]図３は、図２のマスクパターンを図１のフロー図に従ってＯＰＣ処理して得られるマスクパターンの一例を示す説明図である。
【００４４】図３において、３０１〜３０６の各マスクパターンは、図２の各マスクパターン２０１〜２０６にそれぞれ対応している。」
（ａ４）「【００８９】図９は、この実施形態２において図８のマスクパターンを図７のフロー図に従ってＯＰＣ処理て得られたマスクパターンの一例を示す説明図である。
【００９０】図９において、９０１〜９０４はＯＰＣ処理後の各マスクパターンで、各々のマスクパターン９０１〜９０４は、図８の各マスクパターン８０１〜８０４にそれぞれ対応している。」
（ａ５）図３には、複数の短辺と長辺からなる補正マスクパターン３０１〜３０６が図示され、そのうちの３０３及び３０４は、短辺を挟む角部が階段状の拡大部を有し、さらに長辺部分が略直線状である補正マスクパターンが記載されている。
（ａ６）図９には、９０１〜９０４の補正マスクパターンが図示され、そのうちの９０３はＬ字状のパターンで、短辺部の２つの角部には拡大部が形成されるとともに短辺部には凹みが形成され、さらに、短辺部から伸びる長辺部は略直線状である補正マスクパターンが記載されている。
　以上の（ａ１）〜（ａ６）及び図面の記載から、刊行物１には、「マスクパターンのイメージからの変形や素子寸法の変動を防ぐための光学的近接効果補正によるマスクパターンの補正方法において、複数の短辺と長辺とを有する矩形状のマスクパターンの短辺部の２つの角部には拡大部又は階段状の拡大部が形成され、短辺部には凹部が設けられているとともに、長辺部分は略直線状に形成されている補正マスクパターンの形成方法」についての発明が記載されている。
　
（３）本願補正発明と刊行物１に記載された発明との対比
　本願補正発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載の補正マスクパターンの形成方法もレジストパターンの角部の形状劣化を抑制するものであることは明らかであり、また、刊行物１に記載の発明に係る「マスクパターン」、「拡大部」及び「補正マスクパターン」は、メインマスクパターンが遮光領域となる場合における本願補正発明に係る「メインマスクパターン」、「アウターセリフ」及び「マスクパターン」にそれぞれ実質的に相当する。そして、本願補正発明に係るインナーセリフは凹部状をなしているから、両者は、「所望のメインマスクパターンを補正し、前記メインマスクパターンを用いて形成される、複数の短辺と複数の長辺とを有するとともに、各々の該短辺と該長辺との境界部分には角部が設けられてなるレジストパターンの角部の形状劣化を抑制するマスクパターンの補正方法であって、
　前記メインマスクパターンが遮光領域となる場合、前記メインマスクパターンの、短辺を挟んで隣り合う２つの角部の夫々にアウターセリフを付加し、且つ前記２つの角部に設けられたアウターセリフに挟まれた短辺部分に凹部を付加するとともに、長辺部分は直線状とし、
　前記２つの角部に設けられるセリフに挟まれた短辺部分に付加される前記凹部又は前記アウターセリフを、多段状にすることを特徴とするマスクパターンの補正方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　本願補正発明は、２つの角部に設けられたアウターセリフに挟まれた短辺部分にはインナーセリフが付加されているが、刊行物１に記載の発明では凹部が付加されているものの、インナーセリフとの文言はない点。
［相違点２］
　本願補正発明では、メインマスクパターンが光透過領域となる場合、前記メインマスクパターンの、短辺を挟んで隣り合う２つの角部の夫々にインナーセリフを付加し、且つ前記２つの角部に設けられたインナーセリフに挟まれた短辺部分にアウターセリフを付加するとともに、長辺部分は直線状とし、と規定されているが、刊行物１に記載の発明では、メインマスクパターンが光透過領域となる場合について記載がない点。
　
（４）当審の判断
［相違点１］について；
　本願明細書の段落【０００８】の記載によれば、インナーセリフは、光透過領域の大きさを部分的に広げる補正用パターン（言いかえれば、遮光領域の大きさを部分的に縮める補正用パターン）を意味するもとされているが、そうであれば、刊行物１の図９の補正マスクパターン９０３の短辺部の凹部も、遮光領域を部分的に縮めているものであるからインナーセリフといえるものである。また、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−１２６９８０号公報の図１７にも、補正マスクパターンの短辺部に凹部が設けられ、長辺部が略直線状である補正マスクパターンが開示されている。
　以上から、本願発明の相違点１に係る構成は、当業者が容易に想到することができたものである。
［相違点２］について；
　刊行物１は、実質的にメインマスクパターンが遮光領域である場合のマスクパターンの補正方法の発明を開示しているものであるが、これをメインマスクパターンが光透過領域の場合に応用することは、基本的な光学的近接効果補正手段に差異はないものであるから、当業者が刊行物１に記載の発明に基づいて容易に想到することができたものである。
　したがって、本願補正発明に係る相違点２の構成は、刊行物１に記載の発明に基づいて当業者が容易に想到することができたものである。
　
　そして、本願補正発明の作用効果も上記刊行物１から当業者が予測できる範囲のものである。
  
　したがって、本願補正発明は刊行物１に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年１２月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１５年１０月６日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　所望のメインマスクパターンを補正し、前記メインマスクパターンを用いて形成されるレジストパターンの角部の形状劣化を抑制するマスクパターンの補正方法であって、
　前記メインマスクパターンが光透過領域となる場合、前記メインマスクパターンの任意の隣り合う２つの角部の夫々にインナーセリフを付加し、且つ前記２つの角部に挟まれた短辺にアウターセリフを付加し、また、
　前記メインマスクパターンが遮光領域となる場合、前記メインマスクパターンの任意の隣り合う２つの角部の夫々にアウターセリフを付加し、且つ前記２つの角部に挟まれた短辺にインナーセリフを付加し、
　前記２つの角部に挟まれた短辺に付加される前記インナーセリフ又は前記アウターセリフを、多段状にすることを特徴とするマスクパターンの補正方法。」
　
（２）刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１の記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、前記２．で認定した本願補正発明に係る限定部分を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、上記刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  よって、結論のとおり審決する。