【手続補正書】
【提出日】平成22年1月26日(2010.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体を加工するための方法であって、
プロセス・チャンバーにおいて基体を提供すること、前記基体がそれに形成された酸化物の層を有すること；並びに
前記基体から部分的に前記酸化物の層を取り除くためにＦ２を具備する第一のエッチング・ガスの流動へ４００℃以下である第一の基体温度において前記基体を露出させること、
前記第一の基体温度から９００℃未満である第二の基体温度まで前記基体の温度を上昇させること、及び
さらに水素アニールにおいて前記酸化物の層及び前記基体に残留するいずれのＦを含有する不純物をも取り除くためにＨ２を具備する第二のエッチング・ガスの流動へ前記第二の温度において前記基体を露出させること
：を具備する、順次の酸化物の取り除きのプロセスを行うこと
：を具備する、方法において、
前記Ｆ２を具備する第一のエッチング・ガスの流動は、前記基体から部分的に前記酸化物の層を取り除くことに追加して、残留する酸化物の層を変更すると共に、それによって前記Ｈ２を具備すると共にＦ２を具備するものではない第二のエッチング・ガスによる前記残留する酸化物の層のさらなる取り除きを容易にするものである、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記第一の基体温度は、約２０℃及び約４００℃の間にある、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、
前記第一の基体温度は、約２００℃及び約４００℃の間にある、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、
前記第二の基体温度は、少なくとも約２００℃及び９００℃未満である、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法において、
前記第二の基体温度は、少なくとも約８００℃及び９００℃未満である、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、
前記第一の基体温度は、約２００℃及び約４００℃の間にあると共に、
前記第二の基体温度は、少なくとも約８００℃及び９００℃未満である、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、
前記第一のエッチング・ガスは、Ｆ２及びＮ２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、若しくはＸｅ又はそれらの二つの若しくはより多いものの組み合わせを含有する不活性なガスを具備する、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法において、
前記第一のエッチング・ガスは、前記エッチング・ガスの残余のものがＮ２であることを備えたおおよそ３％−２０％のＦ２を具備する、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法において、
前記第一のエッチング・ガスは、Ｆ２及びＨ２、Ｈ、又はＮＨ３を含有する還元するガスを具備する、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法において、
前記露出させるステップは、約０．１トール及び約１００トールの間におけるプロセス・チャンバーの圧力で行われる、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記順次の酸化物の取り除きのプロセスの後に続くものである前記基体にフィルムを形成すること
：を具備する、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、
前記順次の酸化物の取り除きのプロセス及び前記形成することは、周囲の空気へ前記基体を露出させることなしに同じプロセス・チャンバーにおいて行われる、方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法において、
前記形成することは、Ｓｉを含有するフィルムを堆積させるためにＳｉを含有するガスへ前記基体を露出させることを具備する、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法において、
前記Ｓｉを含有するフィルムは、ポリＳｉ、非晶質のＳｉ、エピタキシャルＳｉ、又はＳｉＧｅを具備する、方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法において、
前記Ｓｉを含有するガスは、ＳｉＨ４、ＳｉＣｌ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、若しくはＳｉ２Ｃｌ６、又はそれらの二つの若しくはより多いものの組み合わせを具備する、方法。
【請求項１６】
請求項１１に記載の方法において、
前記形成することは、（１）ＳｉＨ４、ＳｉＣｌ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、若しくはＳｉ２Ｃｌ６、又はそれらの二つの若しくはより多いものの組み合わせを含有する、Ｓｉを含有するガス、及び、（２）ＧｅＨ４若しくはＧｅＣｌ４又はそれらの組み合わせを含有する、ゲルマニウムを含有するガスへ前記基体を露出させることを具備する、方法。
【請求項１７】
請求項１１に記載の方法において、
前記フィルムは、Ｇｅフィルム又は高いｋのフィルムを具備する、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法において、
前記フィルムは、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＳｉＯｘ、ＨｆＯ２、ＨｆＳｉＯｘＮｙ、ＺｒＯ２、ＺｒＳｉＯｘ、ＴａＳｉＯｘ、ＺｒＳｉＯｘＮｙ、ＳｒＯｘ、ＳｒＳｉＯｘ、ＬａＯｘ、ＬａＳｉＯｘ、ＹＯｘ、若しくはＹＳｉＯｘ、又はそれらの二つの若しくはより多いものの組み合わせを具備する高いｋのフィルムを具備する、方法。
【請求項１９】
請求項１１に記載の方法において、
前記フィルムは、前記基体のＳｉを含有する表面に選択的に形成される、方法。
【請求項２０】
請求項１１に記載の方法において、
前記フィルムは、ＳｉＧｅの基体に形成された引っ張られたＳｉフィルムである、方法。
【請求項２１】
Ｓｉの基体を加工するための方法であって、
プロセス・チャンバーにおいてＳｉの基体を提供すること、前記Ｓｉの基体がそれに形成された酸化物の層を有すること；
前記Ｓｉの基体から部分的に前記酸化物の層を取り除くために約２０℃及び約４００℃の間における第一の基体温度においてＦ２を具備する第一のエッチング・ガスの流動へ前記Ｓｉの基体を露出させること、
前記第一の基体温度から９００℃と比べてより低い第二の基体温度まで前記基体の温度を上昇させること、及び
さらに水素アニールにおいて前記酸化物の層及び前記基体に残留するいずれのＦを含有する不純物をも取り除くためにＨ２を具備する第二のエッチング・ガスの流動へ前記第二の基体温度において前記基体を露出させること
：を具備する、順次の酸化物の取り除きのプロセスを行うこと；並びに
前記順次の酸化物の取り除きのプロセスの後に続くものである前記Ｓｉの基体にエピタキシャルＳｉフィルムを形成すること
：を具備する、方法において、
前記Ｆ２を具備する第一のエッチング・ガスの流動は、前記基体から部分的に前記酸化物の層を取り除くことに追加して、残留する酸化物の層を変更すると共に、それによって前記Ｈ２を具備すると共にＦ２を具備するものではない第二のエッチング・ガスによる前記残留する酸化物の層のさらなる取り除きを容易にするものである、方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、さらに、
前記提供するステップに先立つ前記基体のＨ２Ｏ：ＨＦクリーニングを行うことを具備する、方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法において、
前記第一のエッチング・ガスは、約１トールのプロセス・チャンバーの圧力において８ｓｌｍのＮ２＋Ｎ２における１ｓｌｍの２０％のＦ２を含有すると共に、前記第一の基体温度は、約３００℃である、方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法において、
前記第二の基体温度は、約８５０℃である、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
本発明は、“フッ素を使用する低い温度の酸化物の取り除き”と題された、米国特許出願第１１／２０６，０５６号に関係付けられるが、それの全体の内容は、これにより、参照によって組み込まれる。
［付記］
付記（１）：
基体を加工するための方法であって、
プロセス・チャンバーにおいて基体を提供すること、前記基体がそれに形成された酸化物の層を有すること；及び
前記基体から前記酸化物の層を部分的に取り除くためにＦ２を具備する第一のエッチング・ガスの流動へ第一の基体温度において前記基体を露出させること、
前記第一の基体温度から第二の基体温度まで前記基体の温度を上昇させること、及び
前記基体から前記酸化物の層をさらに取り除くためにＨ２を具備する第二のエッチング・ガスの流動へ前記第二の温度において前記基体を露出させること
：を具備する、順次の酸化物の取り除きのプロセスを行うこと
：を具備する、方法。
付記（２）：
付記（１）に記載の方法において、
前記第一の基体温度は、約２０℃及び約４００℃の間にある、方法。
付記（３）：
付記（２）に記載の方法において、
前記第一の基体温度は、約２００℃及び約４００℃の間にある、方法。
付記（４）：
付記（１）に記載の方法において、
前記第二の基体温度は、少なくとも約２００℃及び９００℃未満である、方法。
付記（５）：
付記（４）に記載の方法において、
前記第二の基体温度は、少なくとも約８００℃及び９００℃未満である、方法。
付記（６）：
付記（１）に記載の方法において、
前記第一の基体温度は、約２００℃及び約４００℃の間にあると共に、
前記第二の基体温度は、少なくとも約８００℃及び９００℃未満である、方法。
付記（７）：
付記（１）に記載の方法において、
前記第一のエッチング・ガスは、Ｆ２及びＮ２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、若しくはＸｅ又はそれらの二つの若しくはより多くのものの組み合わせを含有する不活性なガスを具備する、方法。
付記（８）：
付記（７）に記載の方法において、
前記第一のエッチング・ガスは、前記エッチング・ガスの残余のものがＮ２であることを備えたおおよそ３％−２０％のＦ２を具備する、方法。
付記（９）：
付記（１）に記載の方法において、
前記第一のエッチング・ガスは、Ｆ２及びＨ２、Ｈ、又はＮＨ３を含有する還元するガスを具備する、方法。
付記（１０）：
付記（１）に記載の方法において、
前記露出させるステップは、約０．１トール及び約１００トールの間におけるプロセス・チャンバーの圧力で行われる、方法。
付記（１１）：
付記（１）に記載の方法であって、
前記順次の酸化物の取り除きのプロセスの後に続くことで前記基体にフィルムを形成すること
：をさらに具備する、方法。
付記（１２）：
付記（１１）に記載の方法において、
前記順次の酸化物の取り除きのプロセス及び前記形成することは、周囲の空気へ前記基体を露出させることなしに同じプロセス・チャンバーにおいて行われる、方法。
付記（１３）：
付記（１１）に記載の方法において、
前記形成することは、Ｓｉを含有するフィルムを堆積させるためにＳｉを含有するガスへ前記基体を露出させることを具備する、方法。
付記（１４）：
付記（１３）に記載の方法において、
前記Ｓｉを含有するフィルムは、ポリＳｉ、非晶質のＳｉ、エピタキシャルＳｉ、又はＳｉＧｅを具備する、方法。
付記（１５）：
付記（１３）に記載の方法において、
前記Ｓｉを含有するガスは、ＳｉＨ４、ＳｉＣｌ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、若しくはＳｉ２Ｃｌ６、又はそれらの二つの若しくはより多くのものの組み合わせを具備する、方法。
付記（１６）：
付記（１１）に記載の方法において、
前記形成することは、（１）ＳｉＨ４、ＳｉＣｌ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、若しくはＳｉ２Ｃｌ６、又はそれらの二つの若しくはより多くのものの組み合わせを含有する、Ｓｉを含有するガス、及び、（２）ＧｅＨ４若しくはＧｅＣｌ４又はそれらの組み合わせを含有する、ゲルマニウムを含有するガスへ前記基体を露出させることを具備する、方法。
付記（１７）：
付記（１１）に記載の方法において、
前記フィルムは、Ｇｅフィルム又は高いｋのフィルムを含有する、方法。
付記（１８）：
付記（１７）に記載の方法において、
前記フィルムは、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＳｉＯｘ、ＨｆＯ２、ＨｆＳｉＯｘＮｙ、ＺｒＯ２、ＺｒＳｉＯｘ、ＴａＳｉＯｘ、ＺｒＳｉＯｘＮｙ、ＳｒＯｘ、ＳｒＳｉＯｘ、ＬａＯｘ、ＬａＳｉＯｘ、ＹＯｘ、若しくはＹＳｉＯｘ、又はそれらの二つの若しくはより多くのものの組み合わせを具備する高いｋのフィルムを具備する、方法。
付記（１９）：
付記（１１）に記載の方法において、
前記フィルムは、前記基体のＳｉを含有する表面に選択的に形成される、方法。
付記（２０）：
付記（１１）に記載の方法において、
前記フィルムは、ＳｉＧｅの基体に形成された引っ張られたＳｉフィルムである、方法。
付記（２１）：
Ｓｉの基体を加工するための方法であって、
プロセス・チャンバーにおいてＳｉの基体を提供すること、前記Ｓｉの基体がそれに形成された酸化物の層を有すること；
前記Ｓｉの基体から前記酸化物の層を部分的に取り除くために約２０℃及び約４００℃の間における第一の基体温度においてＦ２を具備する第一のエッチング・ガスの流動へ前記Ｓｉの基体を露出させること、
前記第一の基体温度から９００℃と比べてより低い第二の基体温度まで前記基体の温度を上昇させること、及び
前記基体から前記酸化物の層をさらに取り除くためにＨ２を具備する第二のエッチング・ガスの流動へ前記第二の基体温度において前記基体を露出させること
：を具備する、順次の酸化物の取り除きのプロセスを行うこと；並びに
前記順次の酸化物の取り除きのプロセスの後に続くことで前記Ｓｉの基体にエピタキシャルＳｉフィルムを形成すること
：を具備する、方法。
付記（２２）：
付記（２１）に記載の方法であって、
前記提供するステップに先立ち前記基体のＨ２Ｏ：ＨＦクリーニングを行うことをさらに具備する、方法。
付記（２３）：
付記（２２）に記載の方法において、
前記第一のエッチング・ガスは、約１トールのプロセス・チャンバーの圧力において８ｓｌｍのＮ２＋Ｎ２における１ｓｌｍの２０％Ｆ２を含有すると共に、前記第一の基体温度は、約３００℃である、方法。
付記（２４）：
付記（２３）に記載の方法において、
前記第二の基体温度は、約８５０℃である、方法。
【図面の簡単な説明】