【手続補正書】
【提出日】平成22年4月19日(2010.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光誘導転写用ドナー要素であって、
（ａ）支持体層、
（ｂ）前記支持体層の一つの面に隣接して配置された光吸収剤を含む光−熱変換層、
及び
（ｃ）前記光−熱変換層の反対側で前記支持体層に隣接して配置された転写層であって、前記光−熱変換層を選択的に光に曝露するときに前記ドナー要素から隣接する受容体要素に画像態様で転写可能な材料を含む転写層、
を含み、前記光熱変換層が無水マレイン酸系ポリマーを含む、光誘導転写用ドナー要素。
【請求項２】
前記支持体層と前記光熱変換層が、いかなる金属層も、いかなる金属酸化物層も含まず、
前記光−熱変換層の厚さが約２０〜約３００ｎｍまでの範囲であり、カーボンブラックもグラファイトも含まず、約７５０ｎｍ〜約１２００ｎｍまでの範囲の波長において約０．２より大きい局所的な吸収極大を有し、
前記光吸収剤が近赤外線染料を含み、
前記スチレンと無水マレイン酸とに基づくコポリマーが、前記光−熱変換層内に配置されており、及び
前記転写層が顔料を含む、請求項１に記載のドナー要素。
【請求項３】
ドナー要素の製造方法であって、
（ａ）支持体層を提供すること、
（ｂ）前記支持体層の１つの面に隣接して配置された光吸収剤を含む光熱変換層を提供すること、
及び
（ｃ）前記支持体層の反対側で前記光−熱変換層に隣接して配置される転写層を提供することであって、前記転写層が、前記光熱変換層を選択的に光に曝露するときに前記ドナー要素から隣接する受容体要素に画像態様で転写可能な材料を含む転写層を提供すること、
前記光−熱変換層が無水マレイン酸系ポリマーを含む、前記方法。
【請求項４】
画像を形成するための熱転写方法におけるドナー要素の使用方法であって、
（Ｉ）ドナー要素の集合体を提供することであって、前記ドナー要素が：
（ａ）支持体層、
（ｂ）前記支持体層の一つの面に隣接して配置された光吸収剤を含む光熱変換層、
及び
（ｃ）前記支持体層の反対側で前記光熱変換層に隣接して配置された転写層であって、前記転写層が、前記光熱変換層を選択的に光に曝露するときに前記ドナー要素から隣接する受容体要素に画像態様で転写可能な材料を含む転写層、を含み、
前記光−熱変換層が無水マレイン酸系ポリマーを含むこと、
（ＩＩ）前記集合体を画像態様で光に曝露することによって、前記画像態様で曝露された転写層の少なくとも一部が、前記受容体要素へ転写されて画像を形成すること、及び    （ＩＩＩ）前記受容体要素から前記ドナー要素を分離することによって、前記受容体要素上に前記画像を露呈させることを含む、前記方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７４】
例えば、ブラックマトリックス規定ピクセルウィンドウを、熱転写画像形成によってガラス板上に形成した後、別個のウィンドウに複数の色を連続熱転写して、カラーフィルター要素をブラックマトリックスのウィンドウの中に形成してもよい。別の例として、ブラックマトリックスを形成した後、液晶ディスプレイ内の透明性を切り替えるのに用いる薄膜トランジスタの１つ以上の層を熱転写してもよい。もう１つの例として、多層装置は、別個の層又は別個の層のスタックを別々の熱転写ドナー要素から転写することによって形成できる。また、多層スタックは、単一のドナー要素から単一転写単位として転写もできる。多層装置の例は、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）などのトランジスタ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を包含する有機エレクトロルミネッセントピクセル及び／又は装置を含む。更に、多層ドナーシートを使用して、受容体上の同じ層に別個の成分を形成できる。例えば、３つの異なるカラードナーを用いて、カラー電子ディスプレイ用のカラーフィルターを形成できる。更に、別個のドナーシートであって、それぞれが多層転写層を有するものを用いて、異なる多層装置（例えば、様々な色を発光するＯＬＥＤ、アドレス指定可能なピクセルを形成するために連結されるＯＬＥＤ及びＯＦＥＴ等）をパターニングすることもできる。２つ以上の熱転写ドナー要素の様々な他の組合せを用いて装置を形成して、各熱転写ドナー要素がその装置の１つ以上の部分を形成することもできる。これら装置の他の部分、又は受容体上の他の装置の全体又は一部を、フォトリソグラフィー法、インクジェット法、及び様々な他の印刷法又はマスクに基づく方法を包含する任意の適した方法によって形成してよいことが判かる。
なお、本発明は、特許請求の範囲を含め、以下の発明を包含する。
１．光誘導転写用ドナー要素であって、
（ａ）支持体層、
（ｂ）前記支持体層の一つの面に隣接して配置された光吸収剤を含む光−熱変換層、
及び
（ｃ）前記光−熱変換層の反対側で前記支持体層に隣接して配置された転写層であって、前記光−熱変換層を選択的に光に曝露するときに前記ドナー要素から隣接する受容体要素に画像態様で転写可能な材料を含む転写層、
を含み、前記光熱変換層が無水マレイン酸系ポリマーを含む、光誘導転写用ドナー要素。
２．前記無水マレイン酸系ポリマーが、
（ｉ）無水マレイン酸ホモポリマー、
（ｉｉ）マレイン酸ホモポリマー、
（ｉｉｉ）フマル酸ホモポリマー、
（ｉｖ）マレイン酸モノエステルのホモポリマー、
（ｖ）フマル酸モノエステルのホモポリマー、
（ｖｉ）無水マレイン酸コポリマー、
（ｖｉｉ）マレイン酸コポリマー、
（ｖｉｉｉ）フマル酸コポリマー、
（ｉｘ）マレイン酸モノエステルのコポリマー、
（ｘ）フマル酸モノエステルのコポリマー、
（ｘｉ）これらの化学的組合せ、
（ｘｉｉ）これらの物理的混合物、及び
（ｘｉｉｉ）これらの組合せから成る群より選択されるポリマーを含み、
前記無水マレイン酸繰り返し単位が、
【化１】
2009534223.tif 000001
で表される３つの配置のうち少なくとも１つから選択され、
前記マレイン酸繰り返し単位が、
【化２】
2009534223.tif 000002
で表される３つの配置のうち少なくとも１つから選択され、
前記フマル酸繰り返し単位が、
【化３】
2009534223.tif 000003
で表される３つの配置のうち少なくとも１つから選択され、
前記マレイン酸モノエステルの前記繰り返し単位が、
【化４】
2009534223.tif 000004
で表される３つの配置のうち少なくとも１つから選択され、
並びに前記フマル酸モノエステルの繰り返し単位が、
【化５】
2009534223.tif 000005
で表される３つの配置のうち少なくとも１つから選択され：
式中、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43は同一又は異なる基であり、水素原子又は炭素原子数１〜約５のアルキルであることができ、
さらに、
Ｒ50は、
（ａ）１〜約２０個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカル、
（ｂ）各オキシアルキレン基中に約２〜約４個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカルのオキシアルキル化誘導体であって、１〜約２０個の繰り返し単位となりうるオキシアルキル化誘導体、
（ｃ）各オキシアルキレン基中に約２から約４個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカルのオキシアルキル化誘導体であって、１〜約６個の繰り返し単位となりうるオキシアルキル化誘導体、
（ｄ）少なくとも１つの不飽和部分、
（ｅ）少なくとも１つのヘテロ原子部分、
（ｆ）Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ及びＮＨ4+から選択される塩を形成することが可能なアルカリ分子、及び
（ｇ）これらの組合せから選択される官能基である、１に記載のドナー要素。
３．前記無水マレイン酸系ポリマーが、少なくとも１つのエチレン性不飽和モノマーの付加重合によって提供されるものと同等の少なくとも１種の繰り返し単位を更に含む、２に記載のドナー要素。
４．前記少なくとも１つのエチレン性不飽和モノマーが、ビニルアルキルエーテル、スチレン、酢酸ビニル、エチレン、プロピレン、１，３−ブタジエン、イソブチレン、これらの誘導体及びこれらの組合せから成る群より選択され、前記アルキル前記ビニルアルキルエーテルの炭素原子数が１〜１０である、３に記載のドナー要素。
５．前記無水マレイン酸系ポリマーが、スチレン−無水マレイン酸ポリマーである、４に記載のドナー要素。
６．前記無水マレイン酸系ポリマーが、マレイン酸のアルキルモノエステル、フマル酸のアルキルモノエステル、及びこれらの組合せから成る群より選択されるモノマーの付加重合によって提供されるものと同等の繰り返し単位を含み、前記アルキルモノエステルが１〜１０個の炭素原子を含む、５に記載のドナー要素。
７．前記無水マレイン酸系ポリマーが、無水マレイン酸の付加重合によって提供されるものと同等の繰り返し単位を更に含む、６に記載のドナー要素。
８．前記無水マレイン酸系ポリマーが、次の式Ｉで表される構造を含み、
【化６】
2009534223.tif 000006
式中、ｘ及びｚは任意の正の整数であり、
式中、ｙはゼロ又は任意の正の整数であり、
Ｒ21及びＲ22のうち一方が芳香族基であるという条件で、Ｒ21及びＲ22は同一又は異なってもよく、独立して、水素、アルキル、アリール、アラルキル、シクロアルキル、及びハロゲンであり、
Ｒ31、Ｒ32、Ｒ41及びＲ42は、水素又は炭素原子数１〜約５のアルキルになりうる同一又は異なる基であり、
及び
Ｒ50は、
（ａ）１〜約２０個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカル、
（ｂ）各オキシアルキレン基中に約２〜約４個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカルのオキシアルキル化誘導体であって、１〜約２０個の繰り返し単位となりうるオキシアルキル化誘導体、
（ｃ）各オキシアルキレン基中に約２〜約４個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカルのオキシアルキル化誘導体であって、１〜約６個の繰り返し単位となりうるオキシアルキル化誘導体：
（ｄ）少なくとも１つの不飽和部分、
（ｅ）少なくとも１つのヘテロ原子部分、
（ｆ）Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ及びＮＨ4+から選択される塩を形成することができるアルカリ分子、及び
（ｇ）これらの組合せから選択される官能基である、７に記載のドナー要素。
９．Ｒ21及びＲ22が独立して、水素、メチル、フェニル、ベンジル、又は炭素原子数４〜６個のシクロアルキルである、８に記載のドナー要素。
１０．Ｒ21、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43が独立して水素であり、Ｒ22がフェニルであり、及びＲ50がｎ−ブトキシエチレン（ｎＣＨ3−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2−）である、９に記載のドナー要素。
１１．前記光吸収剤が顔料を含む、１に記載のドナー要素。
１２．前記光吸収剤が、カーボンブラック及びグラファイトのうち少なくとも１つを含む、１に記載のドナー要素。
１３．前記光吸収剤が近赤外線染料を含む、１に記載のドナー要素。
１４．前記光吸収剤が、約７５０ｎｍ〜約１２００ｎｍまでの波長において少なくとも１つの局所的な吸収極大を有することを特徴とする、１に記載のドナー要素。
１５．前記光−熱変換層が、約６５０ｎｍ〜約１２００ｎｍまでの波長における吸収極大が、約４００ｎｍ〜約６５０ｎｍまでの波長における前記光熱−変換層の吸収極大よりも少なくとも３倍大きいことを特徴とする、１に記載のドナー要素。
１６．前記光−熱変換層がカーボンブラック及びグラファイトの両方を含まない、１に記載のドナー要素。
１７．前記光−熱変換層の７５０ｎｍ〜１２００ｎｍまでの波長における吸収極大が０．２より大きいことを特徴とする、１に記載のドナー要素。
１８．前記光−熱変換層が、約２０ｎｍ〜約３００ｎｍまでの範囲の厚さを特徴とする、１に記載のドナー要素。
１９．前記光吸収剤が、
ａ）２−（２−（２−クロロ−３−（２−（１，３−ジヒドロ−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−２Ｈ−ベンズ［ｅ］インドール−２−イリデン）エチリデン）−１−シクロヘキセン−１−イル）エテニル）−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−１Ｈ−ベンズ［ｅ］インドリウム、分子内塩、遊離酸であって、ＣＡＳ番号［１６２４１１−２８−１］であるもの、
ｂ）２−［２−［２−（２−ピリミジノチオ）−３−［２−（１，３−ジヒドロ−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−２Ｈ−ベンズ［ｅ］インドール−２−イリデン）］エチリデン−１−シクロペンテン−１−イル］エテニル］−１，１ジメチル−３−（４−スルホブチル）−１Ｈ−ベンズ［ｅ］インドリウム、分子内塩、ナトリウム塩であって、分子式Ｃ４１Ｈ４７Ｎ４Ｎａ１Ｏ６Ｓ３及び分子量約８１１グラム／モルであるもの、
ｃ）インドシアニングリーンであって、ＣＡＳ番号［３５９９−３２−４］であるもの、
ｄ）３Ｈ−インドリウム、２−［２−［２−クロロ−３−［（１，３−ジヒドロ−１，３，３−トリメチル−２Ｈ−インドール−２−イリデン）エチリデン］−１−シクロペンテン−１−イル］エテニル］−１，３，３−トリメチル−であり、トリフルオロメタンスルホン酸との塩（１：１）であって、ＣＡＳ番号が［１２８４３３−６８−１］であるもの、及び
ｅ）これらの組合せから成る群より選択される、１に記載のドナー要素。
２０．前記支持体層と前記光熱変換層が、いかなる金属層も、いかなる金属酸化物層も含まず、
前記光−熱変換層の厚さが約２０〜約３００ｎｍまでの範囲であり、カーボンブラックもグラファイトも含まず、約７５０ｎｍ〜約１２００ｎｍまでの範囲の波長において約０．２より大きい局所的な吸収極大を有し、
前記光吸収剤が近赤外線染料を含み、
前記スチレンと無水マレイン酸とに基づくコポリマーが、前記光−熱変換層内に配置されており、及び
前記転写層が顔料を含む、１に記載のドナー要素。
２１．ドナー要素の製造方法であって、
（ａ）支持体層を提供すること、
（ｂ）前記支持体層の１つの面に隣接して配置された光吸収剤を含む光熱変換層を提供すること、
及び
（ｃ）前記支持体層の反対側で前記光−熱変換層に隣接して配置される転写層を提供することであって、前記転写層が、前記光熱変換層を選択的に光に曝露するときに前記ドナー要素から隣接する受容体要素に画像態様で転写可能な材料を含む転写層を提供すること、
前記光−熱変換層が無水マレイン酸系ポリマーを含む、前記方法。
２２．前記無水マレイン酸系ポリマーが、
（ｉ）無水マレイン酸ホモポリマー、
（ｉｉ）マレイン酸ホモポリマー、
（ｉｉｉ）フマル酸ホモポリマー、
（ｉｖ）マレイン酸モノエステルのホモポリマー、
（ｖ）フマル酸モノエステルのホモポリマー、
（ｖｉ）無水マレイン酸コポリマー、
（ｖｉｉ）マレイン酸コポリマー、
（ｖｉｉｉ）フマル酸コポリマー、
（ｉｘ）マレイン酸モノエステルのコポリマー、
（ｘ）フマル酸モノエステルのコポリマー、
（ｘｉ）これらの化学的組合せ、
（ｘｉｉ）これらの物理的な混合物、及び
（ｘｉｉｉ）これらの組合せから成る群より選択されるポリマーを含み：
前記無水マレイン酸繰り返し単位が、
【化７】
2009534223.tif 000007
で表わされる３つの配置のうち少なくとも１つから選択され、
前記マレイン酸繰り返し単位が、
【化８】
2009534223.tif 000008
で表される３つの配置のうち少なくとも１つから選択され、
前記フマル酸繰り返し単位が、
【化９】
2009534223.tif 000009
で表される３つの配置のうち少なくとも１つから選択され、
前記マレイン酸モノエステルの繰り返し単位が、
【化１０】
2009534223.tif 000010
で表わされる３つの配置のうち少なくとも１つから選択され、
さらに前記フマル酸モノエステルの繰り返し単位が、
【化１１】
2009534223.tif 000011
で表わされる３つの配置のうち少なくとも１つから選択され：
式中、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43は、水素又は炭素原子数１〜約５のアルキルとなりうる同一又は異なる基であり、
及び
Ｒ50は、
（ａ）１〜約２０個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカル、
（ｂ）各オキシアルキレン基中に約２〜約４個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカルのオキシアルキル化誘導体であって、１〜約２０個の繰り返し単位となりうるオキシアルキル化誘導体、
（ｃ）各オキシアルキレン基中に約２〜約４個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカルのオキシアルキル化誘導体であって、１〜約６個の繰り返し単位となりうるオキシアルキル化誘導体、
（ｄ）少なくとも１つの不飽和部分、
（ｅ）少なくとも１つのヘテロ原子部分、
（ｆ）Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ及びＮＨ4+から選択される塩を形成することが可能なアルカリ分子、及び
（ｇ）これらの組合せ：から選択される官能基である、２１に記載の方法。
２３．前記無水マレイン酸系ポリマーが、少なくとも１つのエチレン性不飽和モノマーの付加重合によって提供されるものと同等の少なくとも１種の繰り返し単位を更に含む、２２に記載の方法。
２４．前記少なくとも１つのエチレン性不飽和モノマーが、ビニルアルキルエーテル、スチレン、酢酸ビニル、エチレン、プロピレン、１，３−ブタジエン、イソブチレン、これらの誘導体及びこれらの組合せから成る群より選択され、前記アルキル前記ビニルアルキルエーテルの炭素原子数が１〜１０である、２３に記載の方法。
２５．前記無水マレイン酸系ポリマーが、スチレン−無水マレイン酸ポリマーである、２４に記載の方法。
２６．前記無水マレイン酸系ポリマーが、マレイン酸のアルキルモノエステル、フマル酸のアルキルモノエステル、及びこれらの組合せから成る群より選択されるモノマーの付加重合によって提供されるものと同等の繰り返し単位を含み、前記アルキルモノエステルの炭素原子数が１〜１０である、２５に記載の方法。
２７．前記無水マレイン酸系ポリマーが、無水マレイン酸の付加重合によって提供されるものと同等の繰り返し単位を更に含む、２６に記載の方法。
２８．前記無水マレイン酸系ポリマーが、次の式Ｉ：
【化１２】
2009534223.tif 000012
で表される構造体を含み、式中、ｘ及びｚは任意の正の整数であり、
式中、ｙは、ゼロ又は任意の正の整数であり、
Ｒ21及びＲ22のうち一方が芳香族基であるという条件で、Ｒ21及びＲ22は、同一又は異なることができ、独立して水素、アルキル、アリール、アラルキル、シクロアルキル、及びハロゲンであり、
Ｒ31、Ｒ32、Ｒ41、及びＲ42は、水素又は炭素原子数１〜約５のアルキルとなりうる同一又は異なる基であり、
及び
Ｒ50は、次の成分：
（ａ）１〜約２０個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカル、
（ｂ）各オキシアルキレン基中に２〜約４個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカルのオキシアルキル化誘導体であって、１〜約２０個の繰り返し単位となりうるオキシアルキル化誘導体、
（ｃ）各オキシアルキレン基中に２〜約４個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカルのオキシアルキル化誘導体であって、１〜約６個の繰り返し単位となりうるオキシアルキル化誘導体、
（ｄ）少なくとも１つの不飽和部分、
（ｅ）少なくとも１つのヘテロ原子部分、
（ｆ）Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ及びＮＨ4+から選択される塩を形成することが可能なアルカリ分子、及び
（ｇ）これらの組合せから選択される官能基である、２７に記載の方法。
２９．Ｒ21及びＲ22が独立して、水素、メチル、フェニル、ベンジル、又は炭素原子数４〜６のシクロアルキルである、２８に記載の方法。
３０．Ｒ21、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43が独立して水素であり、Ｒ22がフェニルであり、及びＲ50がｎ−ブトキシエチレン（ｎＣＨ3−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2−）である、２９に記載の方法。
３１．前記光吸収剤が顔料を含む、２１に記載の方法。
３２．前記光吸収剤が、カーボンブラック及びグラファイトの少なくとも１つを含む、２１に記載の方法。
３３．前記光吸収剤が近赤外線染料を含む、２１に記載の方法。
３４．前記光吸収剤が、約７５０ｎｍ〜約１２００ｎｍまでの波長において少なくとも１つの局所的な最大吸光度を有することを特徴とする、２１に記載の方法。
３５．前記光熱変換層は、約６５０〜約１２００ｎｍまでの波長における吸収極大が、約４００〜約６５０ｎｍまでの波長における前記光−熱変換層の吸収極大よりも少なくとも３倍大きいことを特徴とする、２１に記載の方法。
３６．前記光−熱変換層が、カーボンブラック及びグラファイトの両方を含まない、２１に記載の方法。
３７．前記光−熱変換層が、７５０〜１２００ｎｍまでの波長における吸収極大が０．２よりも大きいことを特徴とする、２１に記載の方法。
３８．前記光−熱変換層が、約２０ｎｍ〜約３００ｎｍまでの範囲の厚さを特徴とする、２１に記載の方法。
３９．前記光吸収剤が、
ａ）２−（２−（２−クロロ−３−（２−（１，３−ジヒドロ−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−２Ｈ−ベンズ［ｅ］インドール−２−イリデン）エチリデン）−１−シクロヘキセン−１−イル）エテニル）−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−１Ｈ−ベンズ［ｅ］インドリウム、分子内塩、遊離酸であって、ＣＡＳ番号［１６２４１１−２８−１］であるもの、
ｂ）２−［２−［２−（２−ピリミジノチオ）−３−［２−（１，３−ジヒドロ−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−２Ｈ−ベンズ［ｅ］インドール−２−イリデン）］エチリデン−１−シクロペンテン−１−イル］エテニル］−１，１ジメチル−３−（４−スルホブチル）−１Ｈ−ベンズ［ｅ］インドリウム、分子内塩、ナトリウム塩であって、分子式Ｃ４１Ｈ４７Ｎ４Ｎａ１Ｏ６Ｓ３及び分子量約８１１グラム／モルであるもの、
ｃ）インドシアニングリーンであって、ＣＡＳ番号［３５９９−３２−４］であるもの、
ｄ）３Ｈ−インドリウム、２−［２−［２−クロロ−３−［（１，３−ジヒドロ−１，３，３−トリメチル−２Ｈ−インドール−２−イリデン）エチリデン］−１−シクロペンテン−１−イル］エテニル］−１，３，３−トリメチル−であり、トリフルオロメタンスルホン酸との塩（１：１）であって、ＣＡＳ番号が［１２８４３３−６８−１］であるもの、及び
ｅ）これらの組合せから成る群より選択される、２１に記載の方法。
４０．前記支持体層及び前記光熱変換層が、いかなる金属層も、いかなる金属酸化物層も含まず、
前記光熱変換層の厚さが約２０〜約３００ｎｍまでの範囲であり、カーボンブラックもグラファイトも含まず、約７５０ｎｍ〜約１２００ｎｍまでの範囲の波長において約０．２よりも大きな局所的な吸収極大を有し、
前記光吸収剤が近赤外線染料を含み、
前記スチレンと無水マレイン酸とに基づくコポリマーが、前記光熱変換層内に配置され、及び
前記転写層が顔料を含む、２１に記載の方法。
４１．画像を形成するための熱転写方法におけるドナー要素の使用方法であって、
（Ｉ）ドナー要素の集合体を提供することであって、前記ドナー要素が：
（ａ）支持体層、
（ｂ）前記支持体層の一つの面に隣接して配置された光吸収剤を含む光熱変換層、
及び
（ｃ）前記支持体層の反対側で前記光熱変換層に隣接して配置された転写層であって、前記転写層が、前記光熱変換層を選択的に光に曝露するときに前記ドナー要素から隣接する受容体要素に画像態様で転写可能な材料を含む転写層、を含み、
前記光−熱変換層が無水マレイン酸系ポリマーを含むこと、
（ＩＩ）前記集合体を画像態様で光に曝露することによって、前記画像態様で曝露された転写層の少なくとも一部が、前記受容体要素へ転写されて画像を形成すること、及び    （ＩＩＩ）前記受容体要素から前記ドナー要素を分離することによって、前記受容体要素上に前記画像を露呈させることを含む、前記方法。
４２．前記無水マレイン酸系ポリマーが、
（ｉ）無水マレイン酸ホモポリマー、
（ｉｉ）マレイン酸ホモポリマー、
（ｉｉｉ）フマル酸ホモポリマー、
（ｉｖ）マレイン酸モノエステルのホモポリマー、
（ｖ）フマル酸モノエステルのホモポリマー、
（ｖｉ）無水マレイン酸コポリマー、
（ｖｉｉ）マレイン酸コポリマー、
（ｖｉｉｉ）フマル酸コポリマー、
（ｉｘ）マレイン酸モノエステルのコポリマー、
（ｘ）フマル酸モノエステルのコポリマー、
（ｘｉ）これらの化学的組合せ、
（ｘｉｉ）これらの物理的混合物、及び
（ｘｉｉｉ）これらの組合せから選択されるポリマーを含み：
前記無水マレイン酸繰り返し単位が、
【化１３】
2009534223.tif 000013
で表される３つの配置のうち少なくとも１つから選択され、
前記マレイン酸繰り返し単位が、
【化１４】
2009534223.tif 000014
で表される３つの配置のうち少なくとも１つから選択され、
前記フマル酸繰り返し単位が、
【化１５】
2009534223.tif 000015
で表される３つの配置のうち少なくとも１つから選択され、
前記マレイン酸モノエステルの繰り返し単位が、
【化１６】
2009534223.tif 000016
で表される３つの配置のうち少なくとも１つから選択され、
さらに前記フマル酸モノエステルの繰り返し単位が、
【化１７】
2009534223.tif 000017
で表される３つの配置のうち少なくとも１つから選択され：
式中、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43は、水素又は炭素原子数１〜約５のアルキルとなりうる同一又は異なる基であり、
及び
Ｒ50は、
（ａ）１〜約２０個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカル、
（ｂ）各オキシアルキレン基中に約２〜約４個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカルのオキシアルキル化誘導体であって、１〜約２０個の繰り返し単位となりうるオキシアルキル化誘導体、
（ｃ）各オキシアルキレン基中に約２から約４個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカルのオキシアルキル化誘導体であって、１〜約６個の繰り返し単位オキシアルキル化誘導体、
（ｄ）少なくとも１つの不飽和部分、
（ｅ）少なくとも１つのヘテロ原子部分、
（ｆ）Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ及びＮＨ4+から選択される塩を形成することが可能なアルカリ分子、及び
（ｇ）これらの組合せ：から選択される官能基である、４１に記載の方法。
４３．前記無水マレイン酸系ポリマーが、少なくとも１つのエチレン性不飽和モノマーの付加重合によって提供されるものと同等の少なくとも１種の繰り返し単位を更に含む、４２に記載の方法。
４４．前記少なくとも１つのエチレン性不飽和モノマーが、ビニルアルキルエーテル、スチレン、酢酸ビニル、エチレン、プロピレン、１，３−ブタジエン、イソブチレン、これらの誘導体、及びこれらの組合せから成る群より選択され、前記アルキル前記ビニルアルキルエーテルの炭素原子数が１〜１０である、４３に記載の方法。
４５．前記無水マレイン酸系ポリマーが、スチレン−無水マレイン酸ポリマーである、４４に記載の方法。
４６．前記無水マレイン酸系ポリマーが、マレイン酸のアルキルモノエステル、フマル酸のアルキルモノエステル、及びこれらの組合せから成る群より選択されるモノマーの付加重合によって提供されるものと同等の繰り返し単位を含み、前記アルキルモノエステルの炭素原子数が１〜１０である、４５に記載の方法。
４７．前記無水マレイン酸系ポリマーが、無水マレイン酸の付加重合によって提供されるものと同等の繰り返し単位を更に含む、４６に記載の方法。
４８．前記無水マレイン酸系ポリマーが式Ｉ：
【化１８】
2009534223.tif 000018
で表される構造を含み、式中、ｘ及びｚは任意の正の整数であり、
式中、ｙはゼロ又は任意の正の整数であり、
Ｒ21及びＲ22のうち一方が芳香族基という条件で、Ｒ21及びＲ22は同一又は異なることができ、独立して水素、アルキル、アリール、アラルキル、シクロアルキル、及びハロゲンであり、
Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43は、水素又は炭素原子数１〜約５のアルキルとなりうる同一又は異なる基であり、
及び
Ｒ50は、次の構成要素：
（ａ）１〜約２０個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカル、
（ｂ）各オキシアルキレン基中に約２から約４個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカルのオキシアルキル化誘導体であって、１〜約２０個の繰り返し単位となりうるオキシアルキル化誘導体、
（ｃ）各オキシアルキレン基中に約２から約４個の炭素原子を含有するアルキルラジカル、アラルキルラジカル、アルキル置換アラルキルラジカルのオキシアルキル化誘導体であって、１〜約６個の繰り返し単位となりうるオキシアルキル化誘導体、
（ｄ）少なくとも１つの不飽和部分、
（ｅ）少なくとも１つのヘテロ原子部分、
（ｆ）Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ及びＮＨ4+から選択される塩を形成することが可能なアルカリ分子、及び
（ｇ）これらの組合せから選択される官能基である、４７に記載の方法。
４９．Ｒ21及びＲ22が独立して、水素、メチル、フェニル、ベンジル、又は炭素原子数４〜６のシクロアルキルである、４８に記載の方法。
５０．Ｒ21、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43が独立して水素であり、Ｒ22がフェニルであり、Ｒ５０がｎ−ブトキシエチレン（ｎＣＨ3−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2−）である、４９に記載の方法。
５１．前記光吸収剤が顔料を含む、４１に記載の方法。
５２．前記光吸収剤が、カーボンブラック及びグラファイトのうち少なくとも１つを含む、４１に記載の方法。
５３．前記光吸収剤が近赤外線染料を含む、４１に記載の方法。
５４．前記光吸収剤が、約７５０ｎｍ〜約１２００ｎｍまでの波長において少なくとも１つの局所的な吸収極大有することを特徴とする、４１に記載の方法。
５５．前記光−熱変換層は、約６５０〜約１２００ｎｍまでの波長における吸収極大が、約４００〜約６５０ｎｍまでの波長における前記光−熱変換層の吸収極大よりも少なくとも３倍大きいことを特徴とする、４１に記載の方法。
５６．前記光−熱変換層がカーボンブラック及びグラファイトの両方を含まない、４１に記載の方法。
５７．前記光熱変換層が、７５０〜１２００ｎｍまでの波長における吸収極大が０．２より大きいことを特徴とする、４１に記載の方法。
５８．前記光熱変換層が約２０ｎｍ〜約３００ｎｍまでの範囲の厚さを特徴とする、４１に記載の方法。
５９．前記光吸収剤が、
ｆ）２−（２−（２−クロロ−３−（２−（１，３−ジヒドロ−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−２Ｈ−ベンズ［ｅ］インドール−２−イリデン）エチリデン）−１−シクロヘキセン−１−イル）エテニル）−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−１Ｈ−ベンズ［ｅ］インドリウム、分子内塩、遊離酸であって、ＣＡＳ番号［１６２４１１−２８−１］であるもの、
ｇ）２−［２−［２−（２−ピリミジノチオ）−３−［２−（１，３−ジヒドロ−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−２Ｈ−ベンズ［ｅ］インドール−２−イリデン）］エチリデン−１−シクロペンテン−１−イル］エテニル］−１，１ジメチル−３−（４−スルホブチル）−１Ｈ−ベンズ［ｅ］インドリウム、分子内塩、ナトリウム塩であって、分子式Ｃ４１Ｈ４７Ｎ４Ｎａ１Ｏ６Ｓ３及び分子量約８１１グラム／モルであるもの、
ｈ）インドシアニングリーンであって、ＣＡＳ番号［３５９９−３２−４］であるもの、
ｉ）３Ｈ−インドリウム、２−［２−［２−クロロ−３−［（１，３−ジヒドロ−１，３，３−トリメチル−２Ｈ−インドール−２−イリデン）エチリデン］−１−シクロペンテン−１−イル］エテニル］−１，３，３−トリメチル−であり、トリフルオロメタンスルホン酸との塩（１：１）であって、ＣＡＳ番号が［１２８４３３−６８−１］であるもの、及び
ｊ）これらの組合せから成る群より選択される、４１に記載の方法。
６０．前記支持体層と前記光熱変換層が、いかなる金属層も、いかなる金属酸化物層も含まず、
前記光−熱変換層の厚さが約２０〜約３００ｎｍまでの範囲であって、カーボンブラックもグラファイトも含まず、約７５０ｎｍ〜約１２００ｎｍまでの範囲の波長において約０．２よりも大きな局所的な吸収極大を有し、
前記光吸収剤が近赤外線染料を含み、
前記スチレンと無水マレイン酸とに基づくコポリマーが、前記光−熱変換層内に配置されており、及び
前記転写層が顔料を含む、４１に記載の方法。
６１．前記光が、約６５０ｎｍ〜約１２００ｎｍまでの波長に最大エネルギー出力を有するレーザによって提供される、４１に記載の方法。
６２．前記光が、約６５０ｎｍ〜約８００ｎｍまでの波長に最大エネルギー出力を有するレーザによって提供される、４１に記載の方法。
６３．前記光が、約８００ｎｍ〜約９００ｎｍまでの波長に最大エネルギー出力を有するレーザによって提供される、４１に記載の方法。
６４．前記光が、約９００ｎｍ〜約１２００ｎｍまでの波長に最大エネルギー出力を有するレーザによって提供される、４１に記載の方法。
６５．前記転写部分が、前記転写層の元のままの体積を含む、４１に記載の方法。
６６．前記転写部分が、前記転写層の元のままの体積を含み、前記光が、約６５０ｎｍ〜約１２００ｎｍまでの波長に最大エネルギー出力を有するレーザによって提供され、前記転写層が顔料を含む、４１に記載の方法。
６７．前記光が、画像形成露光中に前記光熱変換層によって約４０％〜約８０％透過される、４１に記載の方法。