【事件の表示】
　特許第３４４２２９９号「インクジェット式記録ヘッド及びその製造方法」の請求項１ないし１３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４４２２９９号の請求項１ないし１２に係る特許を取り消す。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成１０年１１月１６日（優先日平成９年１１月２５日）に出願したものであって（以下、平成９年１１月２５日を「本件優先日」という。）、その出願から本決定に至るまでの主だった経緯を箇条書きにすると次のとおりである。
・平成１０年１１月１６日　　　本件出願
・平成１５年　６月２０日　　　特許第３４４２２９９号として設定登録（請求項１〜１３）
・平成１５年１２月２６日付け　特許異議申立人山口雅行より全請求項に係る特許について特許異議の申立て
・平成１６年　８月３１日付け　当審にて取消理由の通知
・平成１６年１１月　８日付け　特許権者より特許異議意見書及び訂正請求書の提出
・平成１７年　４月２０日付け　特許異議申立人山口雅行宛て審尋
・平成１７年　７月　５日付け　特許異議申立人山口雅行より回答書の提出
・平成１７年　７月　６日付け　特許異議申立人山口雅行より上申書の提出
　
第２　訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
　平成１６年１１月８日付け訂正請求書により特許権者が求めている訂正（以下、「本件訂正」という。）の内容は、以下のとおりである。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１の記載を、
「【請求項１】　インクを吐出させるための圧力室が形成された圧力室基板と、この圧力室基板上に形成され、上記圧力室を加圧する振動板と、上記振動板の加圧源となり、上部電極及び下部電極に挟まれた圧電体膜から構成され、上記振動板の圧力室に対応する領域に設けられた圧電体素子と、を備えるインクジェット式記録ヘッドにおいて、上記下部電極と上記圧電体膜の間に、上記下部電極とは異なる材質からなり、ＩrＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を備えるインクジェット式記録ヘッド。」
から、
「【請求項１】　インクを吐出させるための圧力室が形成された圧力室基板と、この圧力室基板上に形成され、上記圧力室を加圧する振動板と、上記振動板の加圧源となり、上部電極及び下部電極に挟まれた圧電体膜から構成され、上記振動板の圧力室に対応する領域に設けられた圧電体素子と、を備えるインクジェット式記録ヘッドにおいて、前記下部電極が白金電極であり、上記下部電極と上記圧電体膜の間に、上記下部電極とは異なる材質からなり、ＩrＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を備えるインクジェット式記録ヘッド。」
に訂正する。
　
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項３の記載を、
「【請求項３】  上記導電性の膜は上記圧電体膜と同一のパターンに形成されている、請求項１又は請求項２に記載のインクジェット式記録ヘッド。」
から、
「【請求項３】  上記導電性の膜は上記圧電体膜と同一のパターンに形成されており、上記下部電極は上記圧電体膜及び上記上部電極とは同一のパターンに形成されていない、請求項１又は請求項２に記載のインクジェット式記録ヘッド。」
に訂正する。
　
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項６乃至請求項１２の記載を、
「【請求項６】  上記第１の導電性の膜が圧縮性の応力を受ける膜である、請求項４又は請求項５に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項７】  上記下部電極が引張性の応力を受ける膜である、請求項１乃至請求項６のうち何れか１項に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項８】  上部電極及び下部電極に挟まれる圧電体膜から構成される圧電体薄膜素子により振動板を加圧してインクを吐出するインジェット式記録ヘッドの製造方法において、上記下部電極と上記圧電体膜の間に、上記下部電極とは異なる材質からなり、ＩrＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を形成する工程を備える、インクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項９】  上記導電性の膜を形成する工程は、上記下部電極の上にＩrＯＸを主成分とする膜である第１の導電性の膜を形成する工程と、上記第１の導電性の膜の上に第２の導電性の膜を形成する工程を備える請求項８に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項１０】  上記第１の導電性の膜を形成する工程は、上記下部電極上にＩrを主成分とする金属膜を形成する工程と、この金属膜を熱酸化してＩrＯＸを主成分とする金属酸化膜とする工程と、を備える請求項９に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項１１】  上記振動板上に上記下部電極、導電性の膜、圧電体膜及び上部電極となる層を順次積層後、上記下部電極が露出するまで上記導電性の膜、圧電体膜及び上部電極とからなる層をエッチングする工程を備える、請求項８乃至請求項１０のうち何れか１項に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項１２】  上記圧電体膜を形成する工程は、上記導電性膜上に圧電体膜前駆体を形成する工程と、この圧電体膜前駆体を圧電特性の高い圧電体膜に焼成する工程と、を備える請求項８乃至請求項１１のうち何れか１項に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。」
から、
「【請求項６】　インクを吐出させるための圧力室が形成された圧力室基板と、この圧力室基板上に形成され、上記圧力室を加圧する振動板と、上記振動板の加圧源となり、上部電極及び下部電極に挟まれた圧電体膜から構成され、上記振動板の圧力室に対応する領域に設けられた圧電体素子と、を備えるインクジェット式記録ヘッドにおいて、前記下部電極が白金電極であり、上記下部電極と上記圧電体膜の間に、上記下部電極とは異なる材質からなり、ＩrＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を備え、上記導電性の膜は上記下部電極上に形成される第１の導電性の膜と、この第１の導電性の膜上に形成された第２の導電性の膜とから構成され、上記第１の導電性の膜はＩrＯＸを主成分とする膜であり、上記第２の導電性の膜が白金、イリジウムのうち何れか１つを主成分とする膜であり、上記第１の導電性の膜が圧縮性の応力を受ける膜であり、上記下部電極が引張性の応力を受ける膜である、インクジェット式記録ヘッド。
【請求項７】  上部電極及び下部電極に挟まれる圧電体膜から構成される圧電体薄膜素子により振動板を加圧してインクを吐出するインジェット式記録ヘッドの製造方法において、前記下部電極が白金電極であり、上記下部電極と上記圧電体膜の間に、上記下部電極とは異なる材質からなり、ＩrＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を形成する工程を備える、インクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項８】  上記導電性の膜を形成する工程は、上記下部電極の上にＩrＯＸを主成分とする膜である第１の導電性の膜を形成する工程と、上記第１の導電性の膜の上に第２の導電性の膜を形成する工程を備える請求項７に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項９】  上記第１の導電性の膜を形成する工程は、上記下部電極上にＩrを主成分とする金属膜を形成する工程と、この金属膜を熱酸化してＩrＯＸを主成分とする金属酸化膜とする工程と、を備える請求項８に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項１０】  上記振動板上に上記下部電極、導電性の膜、圧電体膜及び上部電極となる層を順次積層後、上記下部電極が露出するまで上記導電性の膜、圧電体膜及び上部電極とからなる層をエッチングする工程を備える、請求項７乃至請求項９のうち何れか１項に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項１１】  上記圧電体膜を形成する工程は、上記導電性膜上に圧電体膜前駆体を形成する工程と、この圧電体膜前駆体を圧電特性の高い圧電体膜に焼成する工程と、を備える請求項７乃至請求項１０のうち何れか１項に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。」
に訂正する。
　
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項１３の記載を、
「【請求項１３】  前記導電性の膜は、圧電体膜に接する部分の膜厚が接しない部分より厚くなっている、請求項１に記載のインクジェット式記録ヘッド。」
から、
「【請求項１２】  インクを吐出させるための圧力室が形成された圧力室基板と、この圧力室基板上に形成され、上記圧力室を加圧する振動板と、上記振動板の加圧源となり、上部電極及び下部電極に挟まれた圧電体膜から構成され、上記振動板の圧力室に対応する領域に設けられた圧電体素子と、を備えるインクジェット式記録ヘッドにおいて、上記下部電極と上記圧電体膜の間に、上記下部電極とは異なる材質からなり、ＩrＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を備え、前記導電性の膜は、圧電体膜に接する部分の膜厚が接しない部分より厚くなっている、インクジェット式記録ヘッド。」
に訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項１について
　上記訂正事項１は、訂正前の請求項１に記載された「下部電極」を、「下部電極が白金電極であり」と下位概念に限定するものである。また、これに関連する記載として、本件の願書に添付した明細書又は図面の段落【００２１】には「下部電極（例えば、白金）」、段落【００２８】には「下部電極は白金で成膜する」、段落【００３３】には「下部電極１２は白金電極からなり」、段落【００３８】には「下部電極１２となる白金」、段落【００４８】「下部電極１２となる白金電極」と記載されている。
　したがって、上記訂正事項１は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内において、「下部電極」を「下部電極が白金電極であり」と技術的に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とし、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　　
（２）訂正事項２について
　上記訂正事項２は、訂正前の請求項３で引用する請求項１に記載された「下部電極」を、「上記下部電極は上記圧電体膜及び上記上部電極とは同一のパターンに形成されていない」と下位概念に限定するものである。また、これに関連する記載として、本件の願書に添付した明細書又は図面の段落【００４９】には「この工程では、第１の導電性膜１３ａが表面に露出するまで上部電極１５、圧電体膜１４及び第１の導電性膜１３ｂをエッチングする。」、段落【００５１】には「この工程では、第２の導電性膜１３ｂが表面に露出するまで上部電極１５及び圧電体膜１４をエッチングする。」と記載され、上部電極及び圧電体膜がエッチングによりされるのに対し、下部電極はエッチングされないことが明らかである。さらに、本件の願書に添付した明細書又は図面の【図２】、【図３】、【図６】及び【図８】には圧電体膜及び上部電極の平面方向において圧電体膜及び上部電極とは異なる平面方向領域を有していることが看取できる。
　したがって、上記訂正事項２は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内において、「下部電極」を「上記下部電極は上記圧電体膜及び上記上部電極とは同一のパターンに形成されていない」と技術的に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とし、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
（３）訂正事項３について
　上記訂正事項３は、訂正前の請求項６を削除し、以下項数を繰り上げ、訂正前の請求項５に従属する訂正前の請求項６に更に従属する訂正前の請求項７の「下部電極」を「下部電極が白金電極であり」と限定した上で独立請求項（繰上げ後、すなわち訂正後の請求項６）に訂正し、訂正前の請求項８に記載された「下部電極」を「下部電極が白金電極であり」と下位概念に限定し、繰上げ後、すなわち、訂正後の請求項７とするものである。
　訂正後の請求項６及び請求項７における「下部電極」を「下部電極が白金電極であり」と訂正することは、上記「（１）訂正事項１について」で述べたとおり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内において、特許請求の範囲の減縮に該当するものである。
　したがって、上記訂正事項３について、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内において、特許請求の範囲の減縮を目的とし、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
（４）訂正事項４について
　上記訂正事項４は、訂正前の請求項１３が引用する請求項１の内容が、上記訂正事項１により減縮されたことによって新たな請求項１となり、引用できなくなったため、訂正前の請求項１３を従属請求項から独立請求項に訂正しようとするものである。
　したがって、上記訂正事項４は、訂正事項１に伴う訂正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とし、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
３．むすび
　したがって、本件訂正は、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議の申立てについての判断
１．本件発明の認定
　上述したように、本件訂正が認められるから、本件の請求項１乃至請求項１２に係る発明（以下、請求項順に「本件発明１」乃至「本件発明１２」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至請求項１２に記載されたとおりの次のものと認める。
「【請求項１】　インクを吐出させるための圧力室が形成された圧力室基板と、この圧力室基板上に形成され、上記圧力室を加圧する振動板と、上記振動板の加圧源となり、上部電極及び下部電極に挟まれた圧電体膜から構成され、上記振動板の圧力室に対応する領域に設けられた圧電体素子と、を備えるインクジェット式記録ヘッドにおいて、前記下部電極が白金電極であり、上記下部電極と上記圧電体膜の間に、上記下部電極とは異なる材質からなり、ＩrＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を備えるインクジェット式記録ヘッド。
【請求項２】  前記導電性の膜は、膜を形成するべき面において全面的に所定の膜厚を有する膜である、請求項１に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項３】  上記導電性の膜は上記圧電体膜と同一のパターンに形成されており、上記下部電極は上記圧電体膜及び上記上部電極とは同一のパターンに形成されていない、請求項１又は請求項２に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項４】  上記導電性の膜は上記下部電極上に形成される第１の導電性の膜と、この第１の導電性の膜上に形成された第２の導電性の膜とから構成され、上記第１の導電性の膜はＩrＯＸを主成分とする膜である、請求項１乃至請求項３のうち何れか１項に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項５】  上記第２の導電性の膜が白金、イリジウムのうち何れか１つを主成分とする膜である、請求項４に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項６】　インクを吐出させるための圧力室が形成された圧力室基板と、この圧力室基板上に形成され、上記圧力室を加圧する振動板と、上記振動板の加圧源となり、上部電極及び下部電極に挟まれた圧電体膜から構成され、上記振動板の圧力室に対応する領域に設けられた圧電体素子と、を備えるインクジェット式記録ヘッドにおいて、前記下部電極が白金電極であり、上記下部電極と上記圧電体膜の間に、上記下部電極とは異なる材質からなり、ＩrＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を備え、上記導電性の膜は上記下部電極上に形成される第１の導電性の膜と、この第１の導電性の膜上に形成された第２の導電性の膜とから構成され、上記第１の導電性の膜はＩrＯＸを主成分とする膜であり、上記第２の導電性の膜が白金、イリジウムのうち何れか１つを主成分とする膜であり、上記第１の導電性の膜が圧縮性の応力を受ける膜であり、上記下部電極が引張性の応力を受ける膜である、インクジェット式記録ヘッド。
【請求項７】  上部電極及び下部電極に挟まれる圧電体膜から構成される圧電体薄膜素子により振動板を加圧してインクを吐出するインジェット式記録ヘッドの製造方法において、前記下部電極が白金電極であり、上記下部電極と上記圧電体膜の間に、上記下部電極とは異なる材質からなり、ＩrＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を形成する工程を備える、インクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項８】  上記導電性の膜を形成する工程は、上記下部電極の上にＩrＯＸを主成分とする膜である第１の導電性の膜を形成する工程と、上記第１の導電性の膜の上に第２の導電性の膜を形成する工程を備える請求項７に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項９】  上記第１の導電性の膜を形成する工程は、上記下部電極上にＩrを主成分とする金属膜を形成する工程と、この金属膜を熱酸化してＩrＯＸを主成分とする金属酸化膜とする工程と、を備える請求項８に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項１０】  上記振動板上に上記下部電極、導電性の膜、圧電体膜及び上部電極となる層を順次積層後、上記下部電極が露出するまで上記導電性の膜、圧電体膜及び上部電極とからなる層をエッチングする工程を備える、請求項７乃至請求項９のうち何れか１項に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項１１】  上記圧電体膜を形成する工程は、上記導電性膜上に圧電体膜前駆体を形成する工程と、この圧電体膜前駆体を圧電特性の高い圧電体膜に焼成する工程と、を備える請求項７乃至請求項１０のうち何れか１項に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項１２】  インクを吐出させるための圧力室が形成された圧力室基板と、この圧力室基板上に形成され、上記圧力室を加圧する振動板と、上記振動板の加圧源となり、上部電極及び下部電極に挟まれた圧電体膜から構成され、上記振動板の圧力室に対応する領域に設けられた圧電体素子と、を備えるインクジェット式記録ヘッドにおいて、上記下部電極と上記圧電体膜の間に、上記下部電極とは異なる材質からなり、ＩrＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を備え、前記導電性の膜は、圧電体膜に接する部分の膜厚が接しない部分より厚くなっている、インクジェット式記録ヘッド。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　当審が平成１６年８月３１日付けで通知した取消理由に引用した刊行物１乃至刊行物５には、以下の記載事項が認められると共に、以下の発明が把握できる。
（１）刊行物１（特開平９−２３２６４４号公報）
　記載事項１−ａ：「【請求項１】基板上に形成された二酸化シリコン膜と、当該二酸化シリコン膜上に形成された白金下部電極と、当該白金下部電極上に形成された圧電体膜と、当該圧電体膜上に形成された上部電極と、を備えてなる圧電体薄膜素子であって、前記白金下部電極の膜厚（Ｘ）と、前記二酸化シリコン膜の膜厚（Ｙ）との関係が、０．５≦Ｘ／Ｙ≦４であり、かつ３０００Å≦Ｘ≦２μｍである圧電体薄膜素子。」
　記載事項１−ｂ：「【請求項９】インク室が形成された基板と、当該インク室の一方を封止するとともに、表面にたわみ振動モードの圧電体薄膜素子が固定された振動板と、前記インク室の他方の面を封止するとともに、インク吐出用のノズル口が形成されたノズル板と、を備えてなるインクジェット式記録ヘッドであって、前記圧電体薄膜素子が、請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の圧電体破棄膜素子からなるインクジェット式記録ヘッド。」
　記載事項１−ｃ：「【００１５】ここで、前記Ｘ／Ｙが４を超える（Ｘ／Ｙ＞４）と、圧電体膜の焼結後における白金下部電極膜の引っ張り応力と、二酸化シリコン膜の圧縮応力とのバランスが崩れ、白金下部電極膜の引っ張り応力によって、白金下部電極膜が剥離しやすくなる。」
　記載事項１−ｄ：「【００２１】また、前記圧電体膜は、チタン酸ジルコン酸鉛から構成することができる。さらにまた、前記圧電体膜の化学式は、ＰｂＴｉαＺｒβ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）γＯ３＋δＰｂＯ但し、α＋β＋γ＝１であり、前記化学式中の α、β、γ及びδは、０．３５≦α≦０．５５、０．２５≦β≦０．５５、０．１≦γ≦０．４、０≦δ≦０．３の範囲内であることができる。このようにすることで、この圧電体薄膜素子の圧電歪み定数を大きくすることができる。したがって、これをインクジェット式記録ヘッドに用いた場合、インクを高密度で吐出させることができる。また、前記圧電体膜はゾルゲル法により形成することができる。」
　記載事項１−ｅ：「【００３０】ここで、実施の形態１に係るインクジェット式記録ヘッドは、圧電体膜１０５が、インク室１０２に対応する領域のみに形成されており、配列方向のインク室１０２が形成されていない領域には、圧電体膜１０５が形成されていない構造を備えている。この構造を備えたインクジェット式記録ヘッドは、電圧を印加してインク室１０２を変形させる際に、インク室が形成されていない領域にも圧電体膜が形成されているインクジェット式記録ヘッドに比べ、印加される電圧が小さくても大きな変位量が得られることになる。」
　記載事項１−ｆ：「【００３１】次に、このインクジェット式記録ヘッドの製造方法を図２に示す工程に沿って説明する。…【００４１】次に、図２(b)に示す工程では、上部電極形成用膜１０６上の、上部電極が形成される領域に対応する部分に、フォトマスク（図示せず）を形成する。次いで、このフォトマスクをマスクとして、イオンミリングにより上部電極形成用膜１０６Ａ及び圧電体膜形成用膜１０５Ａをエッチングし、上部電極１０６及び圧電体膜１０５を形成する。次に、下部白電極形成用膜１０４Ａをパターニングして白金下部電極１０４を得る。このようにして、上部電極１０６、圧電体膜１０５及び白金下部電極１０４からなる圧電体薄膜素子１１０を形成した。」
　記載事項１−ｇ：「【００４６】次に、二酸化シリコン膜２０１及び２０２の膜厚と、白金下部電極１０４の膜厚を変化させて、圧電体膜１０５の浮きや剥離、白金下部電極１０４の剥離について、各々の発生頻度について評価した。この結果を表１に示す。」
　記載事項１−ｈ：「【００５４】（白金下部電極の膜厚）／（二酸化シリコン膜の膜厚）＞４である場合には、圧電体膜の焼成後における白金膜の引っ張り応力と、二酸化シリコン膜の圧縮応力のバランスが崩れ、白金膜の引っ張り応力によって、白金下部電極が剥離してしまう傾向にある。」
　記載事項１−ｉ：「【００６０】なお、実施の形態１では、インク室１０２に露出した二酸化シリコン膜２０１をエッチングにより全て除去したが、これに限らず、インク室１０２に露出した二酸化シリコン膜２０１の一部を除去してもよく、または除去しないで全てを残してもよい。この場合であっても、インク室１０２を形成する際に二酸化シリコン膜の圧縮応力を支えていた単結晶シリコン膜が除去されるのは同じなので、同等の効果が得られるのは、いうまでもない。」
　記載事項１−ｊ：「【図１】及び【図２】（ｃ）　図１及び図２（ｃ）からは、上部電極及び圧電体膜とは同一のパターンに形成されていない下部電極が看取できる。」
　したがって、上記記載事項１−ａから１−ｊを含む刊行物１の全記載及び図示によれば、上記刊行物１には、次の発明が記載されていると認めることができる。
「インク吐出用のノズル口１０８が形成されたノズル板１０７と、インク室１０２が形成された単結晶シリコン基板１０１と、この単結晶シリコン基板１０１上に形成された振動板と、上記振動板の表面に固定され、上部電極１０６及び白金下部電極１０４に挟まれた圧電体膜１０５から構成され、上記振動板のインク室１０２に対応する領域に設けられ、上記インク室１０２を加圧する圧電体薄膜素子１１０と、を備えるインクジェット式記録ヘッド。」（以下、「引用発明」という。）
　
（２）刊行物２（特開平７−２４５２３７号公報）
　記載事項２−ａ：「【請求項１】　少なくとも酸化イリジウム層を有する下部電極、下部電極の上に形成され、強誘電体または高誘電率を有する誘電体によって構成される誘電体層、誘電体層の上に形成された上部電極、を備えた誘電体キャパシタ。」
　記載事項２−ｂ：「【請求項８】　請求項１の誘電体キャパシタにおいて、前記下部電極は、イリジウム層およびその上に形成された酸化イリジウム層によって構成されていることを特徴とするもの。」
　記載事項２−ｃ：「【０００４】【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記のような従来の強誘電体キャパシタには、次のような問題点があった。…【０００８】【課題を解決するための手段】なお、この発明において、「キャパシタ」とは絶縁体の両側に電極が設けられた構造を指すものであり、電気の蓄積に用いられると否とにかかわらず、この構造を有するものを含む概念である。」
　記載事項２−ｄ：「【００４０】従来例の図３０に示すように、白金は柱状の結晶であるため、強誘電体膜８中の酸素を透過してしまう。この実施例では、酸化イリジウムを下部電極１２として用いている。この酸化イリジウム層１２は、柱状結晶でないため酸素を透過しにくい。したがって、強誘電体膜８の酸素の欠乏を防ぐことができる。上部電極１５についても同様である。これにより、強誘電体膜８の強誘電性が向上した。この点については、後に実験データとともに詳述する。」
　記載事項２−ｅ：「【００４４】次に、この下部電極１２の上に、ゾルゲル法によって、強誘電体層８としてＰＺＴ膜を形成する（図４Ｃ）。出発原料として、Ｐｂ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・３Ｈ２Ｏ，Ｚｒ（ｔーＯＣ４Ｈ９）４、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４の混合溶液を用いた。この混合溶液をスピンコートした後、１５０度（摂氏、以下同じ）で乾燥させ、ドライエアー雰囲気において４００度で３０秒の仮焼成を行った。これを５回繰り返した後、Ｏ２雰囲気中で、７００度以上の熱処理を施した。このようにして、２５０ｎｍの強誘電体層８を形成した。なお、ここでは、ＰｂＺｒｘＴｉ１−ｘＯ３において、ｘを０．５２として（以下ＰＺＴ（５２・４８）と表わす）、ＰＺＴ膜を形成している。」
　記載事項２−ｆ：「【００５７】なお、酸化イリジウム層の上に、白金を設けた場合と、イリジウムを設けた場合とでは、上記のような残留分極Ｐｒ、抗電界Ｅｃの経年変化特性に違いはなかった。しかしながら、強誘電体層８に一定方向のパルスを連続的に印加したり、一定方向の分極状態のまま長時間保持すると分極特性がかたよってしまうインプリント特性において差が生じた。」
　記載事項２−ｇ：「【００６３】図１９に、上記の実験に用いた強誘電体キャパシタの各層における元素の含有量を分析した結果を示す。図１９Ａが酸化イリジウムの上に白金を形成した場合であり、図１９Ｂが酸化イリジウムの上にイリジウムを形成した場合である。横軸は上部電極の表面からの深さを示し、縦軸は各元素の含有量を示している。…【００６６】なお、上記実施例では、接合層３０としてチタン層を用いたが、接合性を改善する材料であれば、どのようなものでもよい。例えば、白金層を用いてもよい。」
　記載事項２−ｈ：「【００７２】図２４に、この強誘電体キャパシタの製造工程を示す。シリコン基板２の表面を熱酸化し、酸化シリコン層４を形成する（図２４Ａ）。ここでは、酸化シリコン層４の厚さを６００ｎｍとした。次に、イリジウムをターゲットとして用いて、イリジウム層１１を、酸化シリコン層４の上に形成する（図２４Ｂ）。次に、Ｏ２雰囲気中で８００度、１分の熱処理を行い、イリジウム層１１の表面に酸化イリジウム層１３を形成する。このイリジウム層１１と酸化イリジウム層１３を、下部電極１２とする。ここでは、下部電極を、２００ｎｍの厚さに形成した。」
　記載事項２−ｉ：「【図１９】図１９からは、ＩｒＯ２層上にＰｔ層、ＰＺＴが形成されている構成及びＩｒＯ２層上にＩｒ層、ＰＺＴが形成されている構成が看取できる。」
　
（３）刊行物３：特開平９−１１６１１１号公報
　記載事項３−ａ：「【００１１】【発明の実施の形態】（第一の実施の形態）図１に、本発明の第一の実施の形態に係る半導体装置である強誘電体薄膜キャパシタの断面図を示す。図１において基板１はシリコンあるいはガラスからなり、その表面には、熱酸化して形成したＳｉＯ２ 、もしくはＣＶＤによるＢＰＳＧ，ＰＳＧ，ＮＳＧ，Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁膜、あるいはＰｏｌｙ−Ｓｉが形成されている。その上に、低抵抗金属もしくは低抵抗金属を含有した合金で形成された第二電極２２と、第一電極２１の順で下部電極２を成膜する。…【００１４】さらに、その上に第一電極４１、第二電極４２の順で上部電極４を成膜する。ここで、第一電極４１と第二電極４２は、それぞれ下部電極２の第一電極２１と第二電極２２と同じ構成で良い。次に、半導体工程で一般的に用いられる、フォトリソグラフィ技術と、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）あるいはイオンミリングとによって、上部電極４、強誘電体薄膜３、下部電極２の順に所定の形状を形成し、最後に６００℃以上の熱処理を行う。」
　記載事項３−ｂ：「【００１７】第一の実施の形態との違いは、第二電極２２，４２が、第一電極２１，４１と接する反応防止導電層２２２，４２２と、低抵抗金属もしくは低抵抗金属を含有した低抵抗金属層２２１，４２１との二層からなること、及び第一電極２１，４１が、強誘電体薄膜の熱処理温度において反応を起こさない、例えばＰｔ、あるいはＲｈ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｉｒのうち少なくとも一種の元素を含有するＰｔからなることである。その他、基板１、強誘電体薄膜３は、第一の実施の形態と同様なので説明は省略する。また、低抵抗金属層２２１，４２１は第一の実施の形態の第二電極２２，４２と同様の材料で形成される。…【００１９】次に、強誘電体薄膜３を成膜し、その後、６００〜８００℃の熱処理を行う。さらに、その上に第一電極４１、反応防止導電層４２２、低抵抗金属層４２１の順で上部電極４を成膜する。ここで、第一電極４１、反応防止導電層４２２、低抵抗金属層４２１は、それぞれ下部電極２の第一電極２１、反応防止導電層２２２、低抵抗金属層２２１と同様に構成する。次に、半導体工程で一般的に用いられるフォトリソグラフィ技術と、ＲＩＥまたはイオンミリングとを用いて上部電極４、強誘電体薄膜３、下部電極２の順に所定の形状を成膜し、最後に６００℃以上の熱処理を行う。」
　
（４）刊行物４（特開平８−１５３８５４号公報）
　記載事項４−ａ：「【００３９】以上の結果から本発明の効果が明らかであることが示される。（比較例２）従来プロセスによるＰｂ（Ｚｒ０．４ Ｔｉ０．６ ）Ｏ３薄膜を形成してキャパシタを構成しこれを比較例２とした。」
　記載事項４−ｂ：「【００４１】上記比較例２と同じ溶液を用いて以下の実施例を作成した。特に記載されていないプロセスパラメータは比較例２と同一である。（実施例５）急速昇温熱処理を１２５℃／秒の昇温速度、保持温度７５０℃、保持時間３０秒間の条件で行い膜厚３００ｎｍの３層膜を作成し、酸素気流中で７５０℃、６０分間のアニールを行った。上部白金電極を成膜しイオンミルを用いてエッチングを行ってキャパシタを形成した。最後に基板全体を酸素気流中で７５０℃、３０分間の２次アニールを施してこれを実施例５とした。」
　記載事項４−ｃ：「【００４３】なお、本実施例５中では下部電極層及び上部電極層を構成する電気伝導性金属が白金である場合について説明したが、強誘電体薄膜の仮焼、焼成温度に耐える高融点を有し、かつ強誘電体構成元素と相互に合金化反応などの化学的相互作用を有しないロジウム、パラジウム、ルテニウム、ルビジウム、イリジウム、オスミウムなどの貴金属元素のいずれかまたはそれらの合金であってもよく、さらには酸化性雰囲気中で安定であり、かつそれ自体が酸素の規則的配列を結晶構造中に有して酸化物強誘電体との界面整合性を優れる酸化インジウム−酸化錫の複合化合物または酸化ルテニウム、酸化ルビジウム、酸化イリジウム、酸化オスミウムの貴金属元素の酸化物のいずれかであってもよい。またこれら金属と酸化物の積層構造で構成されてもよい。」
　記載事項４−ｄ：「【００７６】（構成）前記内容に準ずる。（作用）本発明に係わる仮焼処理を施す対象の薄膜は０．０５〜１μｍの膜厚であることが好ましい。０．０５μｍ未満の膜厚では、積層による工程が長くなり、薄過ぎて連続膜を形成しにくく膜欠陥も増加して高品質な薄膜が得られない。また、１層が１μｍを越えると、乾燥及び急速昇温加熱処理過程での膜体積の収縮によって基板からの剥離現象が発生したり、クラッキングが起こりやすく、溶媒が蒸発する際に形成される細孔が焼成によっても縮潰せず多孔質膜になり易い。さらに、膜厚が１μｍを越えると通常の半導体デバイスの駆動電圧である５Ｖ以下では強誘電体の分極反転に有効な電界が印加できない。」
　記載事項４−ｅ：「【００８０】（効果）薄膜を多層形成して本発明の成膜プロセスに適用することで１μｍ以上の厚膜でも容易に形成することが可能となる。１２．多層膜を形成する各層の構成元素比が異なることを特徴とする前記第11項の強誘電体薄膜キャパシタの製造方法。」
　
（５）刊行物５（特開平６−２９３９９９号公報）
　記載事項５−ａ：「【００２９】そこでチタン基材表面に真空中でイリジウムを被覆し、その上に酸化イリジウムを被覆することとした。」
　記載事項５−ｂ：「【００３４】イオンプレーティング法により酸化イリジウム皮膜を成膜する場合、酸化イリジウムは圧縮応力に、また、金属イリジウムは引っ張り応力を生ずることが本発明者らの研究の結果判明した。」
　記載事項５−ｃ：「【００３６】そこで、基材表面に、引っ張り／圧縮／引っ張り／圧縮の順番に応力を分布させ全皮膜の内部応力を緩和をさせ、密着力を向上させた。」
　
３．本件訂正後の請求項１に係る特許についての当審の判断
（１）本件発明１と引用発明との一致点及び相違点の認定
　引用発明の「インク室１０２」、「単結晶シリコン基板１０１」、「振動板」、「上部電極１０６」、「白金下部電極１０４」、「圧電体膜１０５」、「圧電体薄膜素子１１０」及び「インクジェット式記録ヘッド」は、本件発明１の「圧力室」、「圧力室基板」、「振動板」、「上部電極」、「下部電極」、「圧電体膜」、「圧電体素子」及び「インクジェット式記録ヘッド」に相当する。
　また、上記記載事項１−ｅより、引用発明の圧電体薄膜素子１１０は振動板の加圧源となって、結果として振動板が圧力室を加圧していることは、明らかである。
　したがって、本件発明１と、引用発明とを比較すると、両者は、
「インクを吐出させるための圧力室が形成された圧力室基板と、この圧力室基板上に形成され、上記圧力室を加圧する振動板と、上記振動板の加圧源となり、上部電極及び下部電極に挟まれた圧電体膜から構成され、上記振動板の圧力室に対応する領域に設けられた圧電体素子と、を備えるインクジェット式記録ヘッドにおいて、前記下部電極が白金電極であるインクジェット式記録ヘッド。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
＜相違点１＞
　本件発明１が、下部電極と圧電体膜の間に、下部電極とは異なる材質からなり、ＩrＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を備えているのに対し、引用発明は、該導電性の膜を備えていない点。
　
（２）相違点についての判断及び本件発明１の進歩性の判断
　上記「２．引用刊行物記載の発明（２）刊行物２」で認定したとおり、刊行物２には、圧電体素子を包含する上部及び下部電極間に強誘電体膜を配した誘電体「キャパシタ」において、白金下部電極は酸素を透過しやすいために、強誘電体(P Z T)内の酸素の抜け出し、経年変化および分極反転の繰り返しによって強誘電性が低下する点（上記記載事項２−ｃ参照。）及び強誘電体層中の鉛成分が下部電極の白金に浸透することにより分極特性がかたよってしまう点（上記記載事項２−ｆ及び記載事項２−ｇ参照。）を問題点とし、下部電極として酸化イリジウムまたはイリジウム層上に酸化イリジウム層を形成し、強誘電体膜に酸化イリジウム膜を接触させることにより解決を図っている点が記載されている（上記記載事項２−ｄ及び記載事項２−ｇ参照。）。
　してみると、本件発明（段落【００１０】参照。）と同一の課題である圧電体膜の鉛の下部電極への拡散及び圧電体膜からの酸素の抜け出し防止の為に、酸化イリジウム層上に強誘電体層を設けた点が刊行物２に記載されているから、刊行物２の圧電体技術と同じ技術分野の引用発明において、白金下部電極と圧電体膜との間に、酸化イリジウム層を設けることにより、相違点１に係る本件発明１の発明特定事項を採用することは、当業者が容易に想到しうるものである。
　　
（３）むすび
　以上のとおり、引用発明において、相違点１に係る本件発明１の発明特定事項を採用することは、当業者が容易に想到したことである。
　また、その技術的効果は、当業者が容易に予測できる程度のものである。
　したがって、本件発明１は、上記刊行物１及び刊行物２に基づいて当業者が容易に発明することができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
４．本件訂正後の請求項２に係る特許についての当審の判断
　本件発明２は、本件発明１の発明特定事項のすべてを、その発明特定事項の一部とすると共に、導電性の膜は、膜を形成するべき面において全面的に所定の膜厚を有する膜であることを、その発明特定事項の残余の部分としているものである。
　上記「２．引用刊行物記載の発明（２）刊行物２」で認定したとおり、刊行物２の酸化イリジウムは全面に所定の厚さで形成されていることが明らかである（上記記載事項記載事項２−ｈ参照。）。
　したがって、引用発明において、白金下部電極と圧電体膜との間にＩｒＯＸを主成分とする導電性の膜を設ける際に、上記全面的に所定の膜厚を有する膜を引用発明に付加することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、その技術的効果は、当業者が容易に予測できる程度のものである。
　したがって、本件発明２は、上記刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
５．本件訂正後の請求項３に係る特許についての当審の判断
　本件発明３は、本件発明１又は本件発明２の発明特定事項のすべてを、その発明特定事項の一部とすると共に、導電性の膜は圧電体膜と同一のパターンに形成されており、下部電極は圧電体膜及び上部電極とは同一のパターンに形成されていないことを、その発明特定事項の残余の部分としているものである。
　上記「２．引用刊行物記載の発明（１）刊行物１」で認定したとおり、刊行物１には白金下部電極は圧電体膜及び上部電極とは同一のパターンに形成されていないこと記載されている（上記記載事項１−ｊ参照。）。
　したがって、本件発明３は、上記刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
６．本件訂正後の請求項４及び請求項５に係る特許についての当審の判断
　本件発明４は、本件発明１乃至本件発明３の何れかの発明特定事項のすべてを、その発明特定事項の一部とすると共に、導電性の膜は下部電極上に形成される第１の導電性の膜と、この第１の導電性の膜上に形成された第２の導電性の膜とから構成され、第１の導電性の膜はＩrＯＸを主成分とする膜であることを、その発明特定事項の残余の部分としているものである。
　また、本件発明５は、本件発明４の発明特定事項のすべてを、その発明特定事項の一部とすると共に、第２の導電性の膜が白金、イリジウムのうち何れか１つを主成分とする膜であることを、その発明特定事項の残余の部分としているものである。
　上記「２．引用刊行物記載の発明（２）刊行物２」で認定したとおり、刊行物２には、下部電極として、酸化イリジウムの上にイリジウムを設け、その上に強誘電体膜を形成した点が記載されている（上記記載事項２−ｇ及び記載事項２−ｈ参照。）。したがって、引用発明において、白金下部電極と圧電体膜との間に導電性の膜を設ける際に、酸化イリジウムを主成分とする膜の上に導電性膜を引用発明に付加することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、その技術的効果は、当業者が容易に予測できる程度のものである。
　したがって、本件発明４及び本件発明５は、上記刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
７．本件訂正後の請求項６に係る特許についての当審の判断
　上記「２．引用刊行物記載の発明（５）刊行物５」で認定したとおり、刊行物５には、多層膜において引っ張り／圧縮の順番に応力を分布させて内部応力を緩和させ、密着力を向上させる点及び圧縮応力を生ずる膜として酸化イリジウム膜を採用している点が記載され（上記記載事項５−ｂ及び５−ｃ参照。）、また、上記「２．引用刊行物記載の発明（１）刊行物１」で認定したとおり、引用発明の白金下部電極は引っ張り応力を受ける点が記載されている（上記記載事項１−ｃ参照。）。
　してみると、引用発明において、引っ張り応力を受ける白金下部電極と、白金下部電極上に形成された圧電体膜との間に、導電性の膜を設けるに際し、刊行物５を参酌して、刊行物２の酸化イリジウム層とその上に形成されたイリジウム層から成る導電性の層を設けることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、その技術的効果は、当業者が容易に予測できる程度のものである。
　したがって、本件発明６は、上記刊行物１、刊行物２及び刊行物５に基づいて当業者が容易に発明することができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
８．本件訂正後の請求項７及び請求項８に係る特許についての判断
　引用発明において、下部電極と圧電体膜の間に、下部電極とは異なる材質からなり、ＩｒＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を備えること（請求項１）、また、上記導電性の膜は上記下部電極上に形成される第１の導電性の膜と、この第１の導電性の膜上に形成された第２の導電性の膜とから構成され、上記第１の導電性の膜はＩｒＯＸを主成分とする膜であること（請求項４）、いずれも、当業者が容易に想到し得たことは、上述したとおりであるから、その製造方法に、上記下部電極と上記圧電体膜の間に、上記下部電極とは異なる材質からなり、ＩｒＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を形成する工程を備えること（請求項７）、また、上記導電性の膜を形成する工程は、上記下部電極上にＩｒＯＸを主成分とする膜である第１の導電性の膜を形成する工程と、上記第１の導電性の膜の上に第２の導電性の膜を形成する工程を備えること（請求項８）、いずれも、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、その技術的効果は、当業者が容易に予測できる程度のものである。
　したがって、本件発明７及び本件発明８は、上記刊行物１及び刊行物２に基づいて当業者が容易に発明することができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　　
９．本件訂正後の請求項９に係る特許についての判断
　本件発明９は、本件発明８の発明特定事項のすべてを、その発明特定事項の一部とすると共に、第１の導電層の膜を形成する工程は、下部電極上にＩｒを主成分とする金属膜を形成する工程と、この金属膜を熱酸化してＩｒＯＸを主成分とする金属酸化膜とする工程と、を備えることを、その発明特定事項の残余の部分としているものである。
　上記「２．引用刊行物記載の発明（２）刊行物２」で認定したとおり、刊行物２には、イリジウム層１１を、酸化シリコン層４の上に形成し、次に、Ｏ２雰囲気中で８００度、１分の熱処理を行い、イリジウム層１１の表面に酸化イリジウム層１３を形成する点が記載されている（上記記載事項２−ｈ参照。）。したがって、引用発明において、白金下部電極と圧電体膜との間の導電性の膜のうち、白金下部電極上の第１の導電性の膜を設ける際に、Ｉｒを主成分とする金属膜を形成し、この金属膜を熱酸化してＩｒＯＸを主成分とする金属膜化することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、その技術的効果は、当業者が容易に予測できる程度のものである。
　したがって、本件発明９は、上記刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
１０．本件訂正後の請求項１０に係る特許についての判断
　本件発明１０は、本件発明７乃至本件発明９のうち何れかの発明特定事項のすべてを、その発明特定事項の一部とすると共に、振動板上に下部電極、導電性の膜、圧電体膜及び上部電極となる層を順次積層後、下部電極が露出するまで導電性の膜、圧電体膜及び上部電極とからなる層をエッチングする工程を備えることを、その発明特定事項の残余の部分としているものである。
　上記「２．引用刊行物記載の発明（１）刊行物１」で認定したとおり、刊行物１には、上部電極形成用膜１０６Ａ及び圧電体膜形成用膜１０５Ａを下部白金電極１０４が露出するまでエッチングし、上部電極１０６及び圧電体膜１０５を形成する点が記載されている（上記記載事項１−ｆ参照。）。ここで、導電性の膜をエッチングすることにつき、上記「２．引用刊行物記載の発明（１）刊行物１」で認定したとおり、刊行物１には、エッチング対象は種々選択可能なこと（上記記載事項１−ｊ参照。）及びエッチングの制御が容易なこと（上記記載事項１−ｆ参照。）が記載されている。したがって、引用発明において、白金下部電極と圧電体膜との間に、刊行物２の酸化イリジウムとイリジウムから成る導電性層を設けるに際し、白金下部電極が露出するまでエッチングを行うことは、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、その技術的効果は、当業者が容易に予測できる程度のものである。
　したがって、本件発明１０は、上記刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
１１．本件訂正後の請求項１１に係る特許についての判断
　本件発明１１は、本件発明７乃至本件発明１０のうち何れかの発明特定事項のすべてを、その発明特定事項の一部とすると共に、圧電体膜を形成する工程は、導電性膜上に圧電体膜前駆体を形成する工程と、この圧電体膜前駆体を圧電特性の高い圧電体膜に焼成する工程を備えることを、その発明特定事項の残余の部分としているものである。
　上記「２．引用刊行物記載の発明（１）刊行物１」で認定したとおり、刊行物１には、圧電体膜形成用膜を白金下部電極形成用膜上に形成後、圧電体膜を焼成により形成する点が記載されている（上記記載事項１−ｆ参照。）。したがって、引用発明において、圧電体膜の形成に際し、圧電体膜前駆体を形成し、焼成することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、その技術的効果は、当業者が容易に予測できる程度のものである。
　したがって、本件発明１１は、上記刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
１２．本件訂正後の請求項１２に係る特許についての判断
　インクを噴射するノズルと、このノズルと連通するインク溜まりと、このインク溜まり内のインクを加圧する振動板と、この振動板上に圧電体薄膜と、この圧電体薄膜に対する電極と、を備えたインクジェット式記録ヘッドにおいて、共通電極の圧電体薄膜に被着されていない部分の厚みが、圧電体薄膜に被着されている部分の厚みより小さいインクジェット式記録ヘッドは、特開平９−２８６１０４号公報にみられるように、本件優先日前に周知の技術（以下、「周知技術」という。）である。
　してみると、引用発明において、白金下部電極と圧電体膜との間に、刊行物２の酸化イリジウムから成る導電性層を設けるに際し、圧電体膜に接する部分の膜圧が接しない部分より厚くすることは、上記周知技術を熟知した当業者が容易に想到し得たことである。
　また、その技術的効果は、当業者が容易に予測できる程度のものである。
　したがって、本件発明１２は、上記刊行物１、刊行物２及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本件発明１から本件発明１２は、上記刊行物１、刊行物２、刊行物５、及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件発明１から本件発明１２についての特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年９月１日（２００５．９．１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
インクジェット式記録ヘッド及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】インクを吐出させるための圧力室が形成された圧力室基板と、この圧力室基板上に形成され、上記圧力室を加圧する振動板と、上記振動板の加圧源となり、上部電極及び下部電極に挟まれた圧電体膜から構成され、上記振動板の圧力室に対応する領域に設けられた圧電体素子と、を備えるインクジェット式記録ヘッドにおいて、
前記下部電極が白金電極であり、
　【請求項２】前記導電性の膜は、膜を形成するべき面において全面的に所定の膜厚を有する膜である、請求項１に記載のインクジェット式記録ヘッド。
　【請求項３】上記導電性の膜は上記圧電体膜と同一のパターンに形成されて
おり、上記下部電極は上記圧電体膜及び上記上部電極とは同一のパターンに形成されていない、
　【請求項４】上記導電性の膜は上記下部電極上に形成される第１の導電性の膜と、この第１の導電性の膜上に形成された第２の導電性の膜とから構成され、上記第１の導電性の膜はＩｒＯＸを主成分とする膜である、請求項１乃至請求項３のうち何れか１項に記載のインクジェット式記録ヘッド。
　【請求項５】上記第２の導電性の膜が白金、イリジウムのうち何れか１つを主成分とする膜である、請求項４に記載のインクジェット式記録ヘッド。
　【請求項６】
インクを吐出させるための圧力室が形成された圧力室基板と、この圧力室基板上に形成され、上記圧力室を加圧する振動板と、上記振動板の加圧源となり、上部電極及び下部電極に挟まれた圧電体膜から構成され、上記振動板の圧力室に対応する領域に設けられた圧電体素子と、を備えるインクジェット式記録ヘッドにおいて、
　
前記下部電極が白金電極であり、上記下部電極と上記圧電体膜の間に、上記下部電極とは異なる材質からなり、ＩｒＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を備え、
　
上記導電性の膜は上記下部電極上に形成される第１の導電性の膜と、この第１の導電性の膜上に形成された第２の導電性の膜とから構成され、上記第１の導電性の膜はＩｒＯＸを主成分とする膜であり、
　
上記第２の導電性の膜が白金、イリジウムのうち何れか１つを主成分とする膜であり、
　上記第１の導電性の膜が圧縮性の応力を受ける膜であ
り、上記下部電極が引張性の応力を受ける膜である、
　【請求項
７
前記下部電極が白金電極であり、
　【請求項
８
請求項７
　【請求項
９
請求項８
　【請求項
１０
請求項７乃至請求項９
　【請求項
１１
請求項７乃至請求項１０
　【請求項
１２
インクを吐出させるための圧力室が形成された圧力室基板と、この圧力室基板上に形成され、上記圧力室を加圧する振動板と、上記振動板の加圧源となり、上部電極及び下部電極に挟まれた圧電体膜から構成され、上記振動板の圧力室に対応する領域に設けられた圧電体素子と、を備えるインクジェット式記録ヘッドにおいて、上記下部電極と上記圧電体膜の間に、上記下部電極とは異なる材質からなり、ＩｒＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を備え、
、
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明はインク吐出の駆動源に圧電体膜を用いたインクジェット式記録ヘッド、及びその製造方法に関する。具体的には、製造工程において生じる各層間の残留応力を低減することができ、且つ、製造工程が容易なインクジェット式記録ヘッド、及びその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】インク吐出の駆動源である電気・機械変換素子としてＰＺＴ（ジルコン酸チタン酸鉛）からなる圧電体素子がインクジェット式記録ヘッドに使用されている。
　【０００３】この従来技術を図１３を参照して説明する。同図はインクジェット式記録ヘッドの主要部断面図である。この断面図は細長い形状の圧力室の幅方向に切断した状態を図示している。
　【０００４】インクジェット式記録ヘッドの主要部は圧力室基板ＰＳとノズルプレートＮＰを貼り合わせた構造となっている。圧力室基板ＰＳはシリコン単結晶基板ＳＩ上に振動板膜ＶＰ、下部電極ＢＥ、圧電体膜ＰＺ及び上部電極ＴＥが順次形成されている。シリコン単結晶基板ＳＩには圧力室ＰＣがシリコン単結晶基板ＳＩの厚み方向に貫通するようにエッチング加工されて形成されている。ノズルプレートＮＰの圧力室ＰＣに対応する位置にはノズルＮＨが形成されている。
　【０００５】次に、このインクジェット式記録ヘッドの動作原理を説明する。インクを吐出させたいときには上部電極ＴＥ及び下部電極ＢＥ間に電圧が印加される。この電圧は圧電体膜ＰＺの分極方向と同じ方向である。これにより圧電体膜ＰＺは厚み方向に膨張するとともに、幅方向に収縮する。この収縮で圧電体膜ＰＺと振動板膜ＶＰの界面に圧縮応力が働き、振動板膜ＶＰ及び圧電体膜ＰＺは体積変化を起こす。この体積変化より圧力室ＰＣの体積が変化し、ノズルＮＨからインク滴が吐出する。これにより印字が可能となる。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従来技術ではインクジェット式記録ヘッドを製造する際に各層間に残留応力が生じるおそれがあるため、構造上不安定になるおそれがあった。
　【０００７】この点を図１４を参照して説明する。同図は二酸化珪素膜及び白金電極がシリコン単結晶基板から受ける応力を模式的に図示したものである。同図（Ａ）に示すようにシリコン単結晶基板上に形成された二酸化珪素膜はシリコン単結晶基板から圧縮応力を受けることが経験的に知られている。この圧縮応力は二酸化珪素膜を形成する際の製造過程において受ける力を表したものである。同様に、シリコン単結晶基板上に形成された白金電極は引張応力を受ける（同図（Ｂ））。このように、一般的に振動板ＶＰは圧縮応力を受け、下部電極ＢＥ、圧電体膜ＰＺ及び上部電極ＴＥは引張応力を受ける傾向にある。
　【０００８】このため、図１３に示す構造では、振動板ＶＰの領域Ｄ（圧電体膜ＰＺとシリコン単結晶基板ＳＩの間に位置する領域：以下、「腕部」という場合がある。）においてはそれぞれの膜厚を調整することにより残留応力を低減することができるものの、圧電体素子の部分では残留応力が生じていた。特に、下部電極ＢＥ上に圧電体膜ＰＺを形成する過程において圧電体膜ＰＺに応力が働き、製造過程においてクラックが生じる等の不都合が生じるおそれがあった。
　【０００９】また、図１３に示す構造を改良した従来技術として、下部電極のうち、圧電体素子の位置する領域の厚みを異なるように形成することもあった。かかる構成により振動板のコンプライアンスが一定値になるように設計した場合に、同駆動電圧にて変位量を向上させることができるのであるが、下部電極の製造工程が複雑となり、歩留まりが低下する欠点があった。
　【００１０】さらに、図１３に示す構造では、下部電極ＢＥ上に形成された圧電体膜ＰＺの前駆体を焼成する際に圧電体膜ＰＺの鉛が下部電極ＢＥに拡散し、下部電極ＢＥと振動板ＶＰ間の密着力を低下させるおそれがあった。また、下部電極ＢＥとして白金電極を用いた場合、白金電極は酸素を透過しやすいため、圧電体膜ＰＺから酸素が抜け出し、圧電体膜ＰＺの強誘電性を低下させるおそれがあった。
　【００１１】また、本発明者が下部電極ＢＥ内のεＹ分布を調べたところ、図１１、図１２に示す結果が得られた。ここで、εは膜の残留歪みであり、Ｙは膜のヤング率である。残留応力をσ、ポアソン比をνとすると、εＹ＝σ（１−ν）の関係がある。図１１に示すεＹ分布は、図１３に示すように下部電極ＢＥと圧電体膜ＰＺの界面を原点とし、振動板方向を深さ方向として測定したものである。測定に用いた下部電極ＢＥの材料は膜厚５００ｎｍ、７５０ｎｍ、９００ｎｍの白金であり、それぞれのεＹ分布は同図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示される。また、測定は約１００ｎｍの膜厚を単位とし、この膜厚内のεＹ分布の平均値を採った。例えば、同図（Ａ）に示すεＹ分布では、０〜９４．５ｎｍの平均値、９４．５ｎｍ〜１９１．３ｎｍの平均値、１９１．３ｎｍ〜２８６．２ｎｍの平均値を測定し、この値をそれぞれ、９４．５ｎｍ、１９１．３ｎｍ、２８６．２ｎｍの値としている。これらの図から、圧電体膜ＰＺとの界面付近における下部電極ＢＥには高い残留応力が生じていることがわかる。
　【００１２】下部電極ＢＥ内のεＹ分布をより詳細に測定した結果を図１２に示す。測定に用いた下部電極ＢＥは膜厚５００ｎｍの白金である。圧電体膜ＰＺと下部電極ＢＥとの界面から２０ｎｍ付近までの距離において特にεＹの値が大きいことがわかる。下部電極ＢＥにこのような残留応力が生じていると、インクジェット式記録ヘッドの駆動特性上好ましくない。
　【００１３】本発明はこのような問題点に鑑み、製造工程において各層間に生じる残留応力を低減するインクジェット式記録ヘッド及びその製造方法を提案することを第１の目的とする。
　【００１４】また、製造が容易で、振動板のコンプライアンスが一定値になるように設計した場合に、同駆動電圧にて変位量を向上させることができるインクジェット式記録ヘッド及びその製造方法を提案することを第２の目的とする。
　【００１５】さらに、圧電体膜から下部電極への鉛の拡散を防止し、下部電極と振動板間の密着力を向上させるインクジェット式記録ヘッド及びその製造方法を提案することを第３の目的とする。
　【００１６】さらに、下部電極に生じる残留応力を除去し、駆動特性に優れたインクジェット式記録ヘッドを提供することを第４の課題とする。
　【００１７】
　【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するべく、本発明のインクジェット式記録ヘッドは、ノズルからインクを吐出させるための圧力室が形成された圧力室基板と、この圧力室基板上に形成され、上記圧力室を加圧する振動板と、上記振動板の加圧源となり、上部電極及び下部電極に挟まれた圧電体膜から構成され、上記振動板の圧力室に対応する領域に設けられた圧電体素子と、を備えるインクジェット式記録ヘッドにおいて、上記下部電極と上記圧電体膜の間に、上記下部電極とは異なる材質からなり、ＩｒＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を備える。
　【００１８】この導電性の膜は連続した膜であることが好ましい。連続した膜とは、膜を形成するべき面において全面的に所定の膜厚を有する膜のことをいい、部分的に厚みをもたない膜を除くことを意味する。部分的に厚みをもたない膜とは、例えば、１５０Å（０．０１５μｍ）程度の膜厚を有する膜のように、膜が薄いために部分的に膜が形成されていない領域をもつ膜のことをいう。このため、導電性の膜は、膜厚０．０２μｍ乃至１．０μｍの範囲で成膜することが好ましい。この範囲で成膜することで、導電性の膜を連続した膜とすることができる。さらに、この導電性の膜は上記圧電体膜と同じパターンで形成することが望ましい。または、この導電性の膜は上記圧電体膜に接する部分の膜厚が接しない部分より厚くなっていることが望ましい。
　【００１９】特に、この導電性の膜は上記下部電極上に形成される第１の導電性の膜と、この第１の導電性の膜上に形成された第２の導電性の膜とから構成され、上記第１の導電性の膜はＩｒＯＸを主成分とする膜であることが望ましい。また、上記第２の導電性の膜は白金、イリジウムのうち何れか１つを主成分とする膜であることが望ましい。
　【００２０】本発明の好適な形態として、上記第１の導電性の膜は圧縮性の応力を受ける膜であることが望ましく、特に、酸化金属膜であることが望ましい。更には、上記圧電体膜に含まれる鉛の拡散を防止する材質から構成される膜であることが望ましい。具体的には、ＩｒＯＸ、ＲｅＯＸ、ＲｕＯＸのうち何れか１つを主成分とする膜であることが望ましい。また、上記下部電極は引張性の応力を受ける膜であることが望ましい。
　【００２１】特に、第１の導電性の膜をＩｒＯＸ層とすることで、ＰＺＴ（ＰｂＺｒＸＴｉ１−ＸＯ３）を焼成する際にＰＺＴから第１の導電性の膜を介して鉛が下部電極へ拡散するのを防止することができる。これにより、下部電極（例えば、白金）と振動板（例えば、二酸化珪素膜）の界面における両者の密着力の低下を防止することができる。また、ＰＺＴと下部電極の間にＩｒＯＸ層を介在させることで、ＰＺＴから下部電極への酸素の抜け出しを防止することができ、ＰＺＴの強誘電性の低下を防止することができる。
　【００２２】第１及び第２の導電性層を上記の組成とすることで、製造工程において各層間に生じる残留応力を低減するインクジェット式記録ヘッドを提供することができる。また、上記導電性の膜を下部電極と圧電体膜の間に挿入することにより振動板のコンプライアンスが一定値になるように設計した場合に、同駆動電圧にて変位量を向上させることができるインクジェット式記録ヘッドを提供することができる。さらに、本発明によれば、製造過程において生じる残留応力を低減することができるため、歩留まりが向上し、コストを下げることができる。
　【００２３】本発明に係わるインクジェット式記録ヘッドの製造方法は、上部電極及び下部電極に挟まれる圧電体膜から構成される圧電体薄膜素子により振動板を加圧してインクを吐出するインジェット式記録ヘッドの製造方法において、上記下部電極と上記圧電体膜の間に、上記下部電極とは異なる材質からなり、ＩｒＯＸを主成分とする膜を少なくとも含む導電性の膜を形成する工程を備えるものである。
　【００２４】この導電性の膜を形成する工程は、上記下部電極の上にＩｒＯＸを主成分とする膜である第１の導電性の膜を形成する工程と、上記第１の導電性の膜の上に第２の導電性の膜を形成する工程を備える工程であることが望ましい。
　【００２５】また、上記第１の導電性の膜を形成する工程は、上記下部電極上にＩｒを主成分とする金属膜を形成する工程と、この金属膜を熱酸化してＩｒＯＸを主成分とする金属酸化膜とする工程と、を備える工程であることが望ましい。
　【００２６】また、本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造方法は、上記振動板上に上記下部電極、導電性の膜、圧電体膜及び上部電極となる層を順次積層後、上記下部電極が露出するまで上記導電性の膜、圧電体膜及び上部電極とからなる層をエッチングする工程を備えることが望ましい。かかる工程により、複雑な工程を経なくても容易にインクジェット式記録ヘッドを製造することができるため、歩留まりが向上する。
　【００２７】また、上記圧電体膜を形成する工程は、圧電体膜前駆体を形成する工程と、この圧電体膜前駆体を圧電特性の高い圧電体膜に焼成する工程と、を備える工程であることが望ましい。この場合、ゾル・ゲル法で圧電体膜前駆体を成膜し、この成膜した圧電体膜前駆体を焼成して圧電体膜としてもよい。この工程は、圧電体膜を金属成分の水酸化物の水和錯体、即ち、ゾルを脱水処理してゲルとし、このゲルを加熱焼成して無機物酸化物を調整する工程である。この他、スパッタ成膜法、ＣＶＤ法、ＭＯＤ法、レーザアブレーション法等で圧電体膜を形成してもよい。
　【００２８】本発明のインクジェット式記録ヘッドは、圧力室が形成された圧力室基板の少なくとも一方の面に、上部電極と下部電極に挟まれた圧電体膜から成る圧電体薄膜素子をインク吐出駆動源として配置したインクジェット式記録ヘッドにおいて、表面に露出している下部電極の表面近傍を、下部電極の圧力室側に存在する残留応力の２倍の残留応力を有する範囲を深さ方向に所定量エッチングしたものである。このような構成により、下部電極内に生じる残留応力を低減することができるため、インクジェット式記録ヘッドの駆動特性が向上する。また、下部電極は白金で成膜することが好ましい。また、上記所定量は深さ方向に約２０ｎｍ程度が好ましい。
　【００２９】本発明のインクジェット式記録ヘッドは、圧力室が形成された圧力室基板の少なくとも一方の面に、上部電極と下部電極に挟まれた圧電体膜から成る圧電体薄膜素子をインク吐出駆動源として配置したインクジェット式記録ヘッドにおいて、下部電極は圧電体膜側に成膜される第１の導電性膜と、圧力室側に成膜される第２の導電性膜とから構成されており、表面に露出している第１の導電性膜の表面近傍を所定の深さにエッチングしたものである。
　【００３０】本発明のインクジェット式記録ヘッドは、圧力室が形成された圧力室基板の少なくとも一方の面に、上部電極と下部電極に挟まれた圧電体膜から成る圧電体薄膜素子をインク吐出駆動源として配置したインクジェット式記録ヘッドにおいて、下部電極は圧電体膜側に成膜される第１の導電性膜と、圧力室側に成膜される第２の導電性膜とから構成されており、表面に露出している第２の導電性膜の表面近傍を所定の深さにエッチングしたものである。この第１の導電性膜はＩｒＯＸ、ＲｅＯＸ、ＲｕＯＸ、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）のうち何れか１つを主成分とすることが好ましい。また、上記第２の導電性膜は、白金又はイリジウムのうち何れか１つを主成分とすることが好ましい。また、上記所定の深さは膜内部の圧力室側の残留応力の２倍の残留応力を有する範囲に相当する深さが好ましい。
　【００３１】
　【発明の実施の形態】発明の実施の形態１．次に、本発明の最良の実施の形態を図面を参照しながら説明する。本実施の形態は下部電極と圧電体膜の間に圧縮応力を受ける膜を少なくとも１層設けることによって圧電体素子全体に生じる残留応力の低減を図るものである。図１乃至図３を参考にインクジェット式記録ヘッドの構成を説明した後、図４乃至図６を参考にその製造工程を説明する。尚、以下の説明においては同一の参照番号は同一の名称を表すものとする。
　【００３２】＜インクジェット式記録ヘッドの構成＞図１に、本発明に係わるインクジェット式記録ヘッドの全体構成の斜視図を示す。ここではインクの共通通路が圧力室基板内に設けられるタイプを示す。同図に示すように、インクジェット式記録ヘッドは圧力室基板２００、ノズルプレート１００及び基体３００からなる。圧力室基板２００は本発明に係わる製造方法によりシリコン単結晶基板上に形成された後、各々に分離される。圧力室基板２００の製造方法の詳細については後述する。圧力室基板２００は複数の短冊状の圧力室２０１が設けられ、全ての圧力室２０１にインクを供給するための共通通路２０３を備える。圧力室２０１の間は側壁２０２により隔てられている。圧力室基板２００の基体３００側には振動板膜及び圧電体薄膜素子が設けられている（詳細については後述する）。また、各圧電体薄膜素子からの配線はフレキシブルケーブルである配線基板４００に収束され、基体３００の外部回路と接続される。ノズルプレート１００は圧力室基板２００に貼り合わされる。ノズルプレート１００における圧力室基板２００の対応する位置にはインク滴を摘出するためのノズル１０１が形成されている。基体３００は金属等の鋼体であり、圧力室基板２００の取付台となる。
　【００３３】図２は、本実施の形態のインクジェット式記録ヘッドにおける主要部の断面図である。この図は圧力室の長手方向に直角な面で当該主要部を切断した断面形状を示している。同図中、図１と同一構造については同一記号で示し、その説明を省略する。シリコン単結晶基板から構成される側壁２０２上には振動板１１及び下部電極１２が形成されている。振動板１１は二酸化珪素膜からなり、シリコン単結晶基板を熱酸化処理することにより形成する。また、下部電極１２は白金電極からなり、スパッタ装置を用いて成膜した。下部電極１２上には圧電体薄膜素子が薄膜プロセスにより一体的に形成されている。符号１５，１４及び１３はそれぞれ上部電極、圧電体膜及び導電性膜であり、具体的な成膜工程については後述する。
　【００３４】導電性膜１３は本発明に係わり、下部電極１２とは異なる導電性の膜である。この膜は、図１０で示したように、圧縮応力を受ける膜であることが望ましい。また、圧電体膜１４と反応性に乏しい膜（好ましくは、ＰＺＴの鉛が拡散しないような膜）であることが望ましい。これらの事情を考慮すると、導電性膜１３は酸化金属膜であることが好ましく、具体的には、ＩｒＯＸ、ＲｅＯＸ、ＲｕＯＸのうち何れか１つを主成分とする膜であることが望ましい。
　【００３５】このような構成によるインクジェット式記録ヘッドの各層間に生じる応力関係を図３に示す。上部電極１５、圧電体膜１４、下部電極１２には引張応力が働くが、導電性膜１３、振動板１１には圧縮応力が働く。かかる応力関係により、インクジェット式記録ヘッド全体としては各応力が相殺されるため、残留応力による全体的歪みを低減することができる。
　【００３６】このような理由により、本実施の形態によれば、インクジェット式記録ヘッドの振動板を駆動したときの耐久性が向上する。また、本実施の形態によれば、下部電極と圧電体膜の間に導電性膜を介在した構造であるため、インクジェット式記録ヘッドの製造工程において、下部電極が露出するまで導電性膜をエッチングする場合には、導電性膜と下部電極のエッチング選択比の大きいエッチングガスを適当に選択すれば、制御性よくエッチング停止をすることができる。例えば、プラズマモニターを用いてエッチングする場合には、エッチング終点制御が容易になる。従って、インクジェット式記録ヘッドの製造の歩留まりが向上し、大量生産に好適なインクジェット式記録ヘッドを提供することができるため、コストを下げることができる。
　【００３７】＜インクジェット式記録ヘッドの製造工程＞以下に本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造方法について図面を参考に説明する。図４乃至図６の（ａ）〜（ｉ）は圧電体薄膜素子を備えた加圧室基板の製造工程における断面図を示している。
　【００３８】下部電極形成工程（図４（ａ））
所定の大きさと厚さ（直径１５０ｍｍ、厚さ６００μｍ）のシリコン単結晶基板１０上にその全面に熱酸化法により二酸化珪素からなる酸化膜１１を形成する。後述する圧電体膜１４側に形成された酸化膜１１は振動板として機能するものである。この酸化膜１１の表面上にスパッタ成膜法等の薄膜形成法により下部電極１２となる白金を、例えば、０．１μｍ乃至０．５μｍの厚さで成膜する。
　【００３９】導電性膜形成工程（図４（ｂ））
下部電極１２の表面上にＩｒＯＸからなる導電性膜１３をスパッタ法等の成膜法を用いて０．０２μｍ乃至１．０μｍ形成する。この範囲の膜厚で導電性膜１３を成膜することで、導電性膜１３を連続した膜とすることができる。ＩｒＯＸに圧縮応力を残留させるめにＩｒ金属膜をスパッタ成膜後、酸素中でアニール処理をするとより好ましい。
　【００４０】圧電体膜形成工程（図４（ｃ））
導電性膜１３の表面上に圧電体膜前駆体を積層する。この工程はチタン酸鉛とジルコン酸鉛のモル混合比が４８％：５２％となるようなＰＺＴ系圧電体膜の前駆体をゾル・ゲル法にて０．８μｍ乃至２．０μｍの厚みとなるまで１０回の塗工／乾燥／脱脂を繰り返すことにより成膜する。但し、この方法に限られず、高周波スパッタ成膜法やＣＶＤ法、ＭＯＤ法、レーザアブレーション法等を用いてもよい。この圧電体膜前駆体を成膜後、圧電体膜前駆体を結晶化させるために５回目と１０回目の脱脂後に基板全体を加熱する。この工程は赤外線輻射光源を用いて基板の両面から酸素雰囲気中で６５０℃で５分保持した後、９００℃で１分加熱し、その後自然降温させることにより圧電体膜前駆体の結晶化を行う。この工程により圧電体膜前駆体は圧電体膜１４となる。
　【００４１】上部電極形成工程（図５（ｄ））
圧電体膜１４上に上部電極１５を形成する。この工程では０．１μｍの白金をスパッタ法成膜法により形成する。
　【００４２】ドライエッチング工程（図５（ｅ））
上部電極１５、圧電体膜１４及び導電性膜１３に対し、圧力室２０１が形成されるべき位置に合わせて適当なエッチングマスク（図示せず）を施す。その後、所定の分離形状にドライエッチング法を用いて形成する。この工程により、従来のように圧電体素子部分の下部電極の膜厚を、他の部分と異ならせる必要がない。即ち、制御性の悪いエッチング工程を経なくても、下部電極１２と圧電体膜１４の間に導電性の膜を形成するだけで本発明のインクジェット式記録ヘッドを形成することができるため、製造が容易となり、歩留まりが向上する。したがって、従来のように、時間で管理しながらエッチングをストップさせる必要がなくなった。また、ドライエッチング法を用いれば、選択性のあるガスを用いて容易にエッチング選択比を制御することができる。また、プラズマモニターでモニターし、終点を決定すればなお、制御性に優れる。次いで、下部電極１２に対して適当なエッチングマスク（図示せず）を施し、イオンミリングを用いて所定の形状に形成する。更に、この基板１０の圧電体膜１４が形成されている側に後述の工程で浸される種々の薬液に対する保護膜（図示せず）を形成後、基板１０の圧力室側の面の、少なくとも圧力室２０１或いは側壁２０２を含む面に酸化膜１１を弗化水素によりエッチングし、窓１６を形成する。
　【００４３】ウエットエッチング工程（図５（ｆ））
その後、異方性エッチング液、例えば８０℃に保温された濃度１０％の水酸化カリウム水溶液を用いて窓１６の領域のシリコン単結晶基板１０を所定の深さまでエッチングする。この工程は平行平板型イオンエッチング等の活性気体を用いた異方性エッチング方法を用いてもよい。この工程により基板１０に凹部１７が形成される。
　【００４４】酸化膜形成工程（図６（ｇ））
次に、凹部１７を形成した基板１０の圧力室側にＣＶＤ等の化学的気相成長法により酸化膜１１ａをエッチング保護層として形成する。
　【００４５】圧力室形成工程（図６（ｈ））
次いで、異方性エッチング液、例えば８０℃に保温された濃度１０％の水酸化カリウム水溶液を用いて基板１０を圧力室側から能動素子側に向けて異方性エッチングし、圧力室２０１及び側壁２０２を形成する。
　【００４６】ノズルプレート接合工程（図６（ｉ））
以上の工程により形成された圧力室基板にノズルプレート１００を接合する。尚、上記の説明では、図５（ｅ）に図示したように、下部電極が表面に露出するまでエッチングする例を説明したが、本発明は上記の構造に限られるものではなく、酸化膜又は第１の導電性膜或いは第２の導電性膜が表面に露出するまでエッチングしてもよい。以下、この点を説明する。
　【００４７】（１）下部電極が表面に露出するまでエッチングする場合主に、図７を参照して説明する。図４（ａ）乃至図５（ｄ）に示したように、基板１０の表面に酸化膜１１を形成した後、この酸化膜１１上に下部電極１２、導電性膜１３、圧電体膜１４及び上部電極１５を順次形成する。次いで、圧力室２０１が形成されるべき位置に合わせて適当なエッチングマスク（図示せず）を施す。その後、ドライエッチング法を用いて所定の分離形状に形成する（図７）。この工程では、酸化膜１１が表面に露出するまで上部電極１５、圧電体膜１４、導電性膜１３及び下部電極１２をエッチングする。更に、この基板１０の圧電体膜１４が形成されている側に後述の工程で浸される種々の薬液に対する保護膜（図示せず）を形成後、基板１０の圧力室側の面の、少なくとも圧力室２０１或いは側壁２０２を含む面に酸化膜１１を弗化水素によりエッチングし、窓１６を形成する。以下、図５（ｆ）乃至図６（ｉ）に示す如く、基板１０に圧力室を形成し、ノズルプレート１００を接合してインクジェット式記録ヘッドの主要部を製造する。インクジェット式記録ヘッド主要部の構成を上記の構造とすることで、振動板のコンプライアンスが一定値になるようにした場合に同駆動電圧における変位量を向上させることができる。
　【００４８】（２）第１の導電性膜が表面に露出するまでエッチングする場合主に、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）を参照して説明する。図８（Ａ）に示したように、基板１０の表面に酸化膜１１を形成した後、この酸化膜１１上に下部電極１２、第１の導電性膜１３ａ、第２の導電性膜１３ｂ、圧電体膜１４及び上部電極１５を順次形成する。この工程では、シリコン単結晶基板１０の前面に熱酸化法等により二酸化珪素からなる酸化膜１１を形成した後、スパッタ法等の成膜法で下部電極１２となる白金電極を、例えば、０．２μｍの厚さで形成する。次いで、下部電極１２上にＩｒＯＸからなる第１の導電性膜１３ａをスパッタ法等の成膜法で、例えば、０．５μｍの厚さで成膜する。この工程は上述の工程の他、下部電極１２上にイリジウムをスパッタ法等の成膜法で形成した後、熱酸化法等で処理してＩｒＯＸを形成してもよい。次いで、第１の導電性膜１３ａ上にスパッタ法等の成膜法で第２の導電性膜１３ｂとなる白金を例えば、０．２μｍの厚さで形成する。この第２の導電性膜１３ｂ上に圧電体膜１４を上述のゾル・ゲル法にて膜厚１．５μｍで形成し、この上に上部電極１５となる白金を膜厚０．１μｍで形成する。
　【００４９】次いで、圧力室２０１が形成されるべき位置に合わせて適当なエッチングマスク（図示せず）を施す。その後、ドライエッチング法を用いて所定の分離形状に形成する（図８（Ｂ））。この工程では、第１の導電性膜１３ａが表面に露出するまで上部電極１５、圧電体膜１４及び第１の導電性膜１３ｂをエッチングする。
　【００５０】更に、この基板１０の圧電体膜１４が形成されている側に後述の工程で浸される種々の薬液に対する保護膜（図示せず）を形成後、基板１０の圧力室側の面の、少なくとも圧力室２０１或いは側壁２０２を含む面に酸化膜１１を弗化水素によりエッチングし、窓１６を形成する。以下、図５（ｆ）乃至図６（ｉ）に示す如く、基板１０に圧力室を形成し、ノズルプレート１００を接合してインクジェット式記録ヘッドの主要部を製造する。
　【００５１】（３）第２の導電性膜が表面に露出するまでエッチングする場合主に、図８（Ａ）及び図８（Ｃ）を参照して説明する。上述のように、基板１０の表面に酸化膜１１を形成した後、この酸化膜１１上に下部電極１２、第１の導電性膜１３ａ、第２の導電性膜１３ｂ、圧電体膜１４及び上部電極１５を順次形成する（図８（Ａ））。次いで、圧力室２０１が形成されるべき位置に合わせて適当なエッチングマスク（図示せず）を施す。その後、ドライエッチング法を用いて所定の分離形状に形成する（図８（Ｃ））。この工程では、第２の導電性膜１３ｂが表面に露出するまで上部電極１５及び圧電体膜１４をエッチングする。更に、この基板１０の圧電体膜１４が形成されている側に後述の工程で浸される種々の薬液に対する保護膜（図示せず）を形成後、基板１０の圧力室側の面の、少なくとも圧力室２０１或いは側壁２０２を含む面に酸化膜１１を弗化水素によりエッチングし、窓１６を形成する。以下、図５（ｆ）乃至図６（ｉ）に示す如く、基板１０に圧力室を形成し、ノズルプレート１００を接合してインクジェット式記録ヘッドの主要部を製造する。
　【００５２】［実施例］図２に示す構造のインクジェット式記録ヘッドの実施例を従来のインクジェット式記録ヘッドと比較した。本実施例におけるインクジェット式記録ヘッドの各層におけるパラメータは以下のものである。上部電極１５の材質は白金で、厚みは１００ｎｍである。圧電体膜１４の圧電歪定数は１５０ｐＣ／Ｎで厚みは１０００ｎｍである。上部電極１５と圧電体膜１４の幅は４０μｍである。導電性膜１３の材質はＩｒＯＸであり、膜厚は０．７μｍである。下部電極１２の材質は白金であり、膜厚は０．２μｍである。酸化膜１１の厚さは１．０μｍである。圧電体膜１４に印加される電圧は２５Ｖである。この条件下で酸化膜１１の最大変位量は１９５ｎｍであった。
　【００５３】上記と同じ条件での従来技術（導電性膜１３を設けない場合）ではコンプライアンスを同じにしたとき、最大変位量は１５０ｎｍであった。これにより、本実施の形態の構成では従来技術と比べて３０％も大きな変位を得ることがわかる。
　【００５４】従って、下部電極１２と圧電体膜１４の間に圧縮応力を受ける導電性膜１３を入れることにより、圧電体膜１４自体の圧電特性が良くなり、振動板の変位量が増加する。故に、コンプライアンス一定の下で圧力室の体積変化が大きくなるので変位効率が上がり、従来より多くのインクを吐出させることができ、より鮮明な印字品質を可能とする。
　【００５５】また、振動板の変位量が増加するため、単位体積あたりの圧力室の体積変化が大きくなるのでインク吐出量が同じならば、従来より小さな体積の圧力室を設ければよいのでコンパクトなインクジェット式記録ヘッドを提供することができる。
　【００５６】発明の実施の形態２．本実施の形態は圧電体膜との界面付近における下部電極の表面をエッチングすることで、圧電体薄膜素子の成膜時にいて下部電極内に生じる残留応力の低減を図るものである。本実施の形態のインク式記録ヘッドの製造工程について実施の形態１と異なる点を中心に説明する。まず、基板１０上に酸化膜１１、下部電極１２、圧電体膜１４及び上部電極１５を成膜する。次いで、図９（Ａ）に示すように、上部電極１５上に所定のパターンにレジスト（図示せず）を塗布し、これをマスクとして上部電極１５、圧電体膜１４を深さ方向に全てエッチングする。下部電極１２を表面に露出させた後、下部電極１２を所定の深さｄ１だけエッチングする。このとき、下部電極１２のエッチングの深さは、下部電極１２の圧力室側のεＹの値の２倍の値を有する深さまでエッチング除去することが好ましい。例えば、白金を材料として下部電極１２を成膜する場合、下部電極１２のエッチングの深さｄ１は、２０ｎｍ程度が好ましい。図１２に示すように、下部電極１２の表面から２０ｎｍ付近で膜内部の残留応力が特に強いからである。但し、エッチング量が多すぎると、強度がもたなくなるので圧電体膜側の表面層のみエッチング除去することが望ましい。
　【００５７】次いで、図９（Ｂ）に示すように、圧力室２０１を形成し、これにノズルプレート１００を貼り合わせてインクジェット式記録ヘッドの主要部を得る。インクジェット式記録ヘッドをこのような構成にすることで、腕部の残留応力を低減することができる。従がって、腕部が見かけ上柔らかくなり、インクジェット式記録ヘッドの変位量を向上させることができる。
　【００５８】また、本実施の形態のインクジェット式記録ヘッドの主要部は下部電極１２と圧電体膜１４の間に導電性膜１３を介在させてもよい。この導電性膜１３は実施の形態１で既述したものであり、ＩｒＯＸ、ＲｅＯＸ、ＲｕＯＸ、イリジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、レニウムのうち何れか１つを主成分とするものである。この導電性膜１３と下部電極１２の金属薄膜が圧電体薄膜素子の下部電極として機能する。１０（Ａ）に示すように、基板１０上に酸化膜１１、下部電極１２、導電性膜１３、圧電体膜１４及び上部電極１５を成膜し、上部電極１５上に所定のパターンにレジスト（図示せず）を形成する。このレジストをマスクとして上部電極１５、圧電体膜１４を深さ方向に全てエッチングし、導電性膜１３を表面に露出させた後に、導電性膜１３の表面を所定の深さｄ２だけエッチングする。深さｄ２は導電性膜１３の表面における残留応力が強い範囲（例えば、導電性膜１３の圧力室側のεＹの２倍の値をもつ範囲）をエッチングするために必要な深さとする。また、同図（Ｂ）に示すように、基板１０上に酸化膜１１、下部電極１２、導電性膜１３、圧電体膜１４及び上部電極１５を成膜した後、上部電極１５、圧電体膜１４及び導電性膜１３を深さ方向に全てエッチングし、下部電極１２を表面に露出させた後、下部電極１２の表面を所定の深さｄ２だけエッチングする。この深さｄ２は導電性膜１３の表面から測定した値である。深さｄ２は導電性膜１３と下部電極１２内に生じる残留応力の強さを考慮し、例えば、下部電極１２の圧力室側のεＹの２倍の値をもつ範囲をエッチングするために必要な深さとする。
　【００５９】以上、説明したように本実施の形態によれば、表面に露出した下部電極１２又は導電性膜１３の表面近傍をエッチングすることで、下部電極１２又は導電性膜１３内に生じる残留応力を低減することができる。この結果、腕部が柔らかくなり、インクジェット式記録ヘッドの駆動特性が向上する。
　【００６０】
　【発明の効果】本発明によれば、製造工程において各層間に生じる残留応力を低減するインクジェット式記録ヘッド及びその製造方法を提供することができる。従って、製造工程において各層に生じるクラック等の発生を防止することができるため、歩留まりが向上し、コストを下げることができる。
　【００６１】また、残留応力を低減することにより圧電歪定数を向上させることができるため、振動板のコンプライアンスが一定値になるように設計した場合に、同駆動電圧にて変位量を向上させることができる。特に、制御性の悪いエッチング工程を経なくても、下部電極と圧電体膜の間に導電性の膜を形成するだけで本発明のインクジェット式記録ヘッドを形成することができるため、製造が容易となり、歩留まりが向上する。
　【００６２】さらに、圧電体膜と下部電極の間にＩｒＯＸ層を介在させることで、圧電体膜から下部電極への鉛の拡散を防止し、下部電極と振動板間の密着力を向上させることができる。また、圧電体膜から酸素の抜け出しを防止することができるため、圧電体膜の経年変化を防止することができる。
　【００６３】また、下部電極や導電性膜を構成する金属層の表面近傍をエッチングすることで、これら金属層内に生じる応力を低減することができ、インクジェット式記録ヘッドの駆動特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】実施の形態１におけるインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図である。
　【図２】図１におけるインクジェット式記録ヘッドの主要部の断面図である。
　【図３】実施の形態１におけるインクジェット式記録ヘッドの各層間における応力の状態を図示したものである。
　【図４】実施の形態１におけるインクジェット式記録ヘッドの製造工程図である。
　【図５】実施の形態１におけるインクジェット式記録ヘッドの製造工程図である。
　【図６】実施の形態１におけるインクジェット式記録ヘッドの製造工程図である。
　【図７】酸化膜が表面に露出するまでエッチングする工程を示した製造工程図である。
　【図８】図８（Ａ）は下部電極上に第１及び第２の導電性膜等を順次積層する製造工程断面図である。図８（Ｂ）は、第１の導電性膜が表面に露出するまでエッチングする工程を示した製造工程図である。図８（Ｃ）は、第２の導電性膜が表面に露出するまでエッチングする工程を示した製造工程図である。
　【図９】実施の形態２におけるインクジェット式記録ヘッドの主要部の断面図である。
　【図１０】実施の形態２におけるインクジェット式記録ヘッドの主要部の断面図である。
　【図１１】下部電極内に生じるεＹ分布のグラフである。
　【図１２】下部電極内に生じるεＹ分布のグラフである。
　【図１３】従来技術におけるインクジェット式記録ヘッドの主要部の断面図である。
　【図１４】基板から受ける応力を図示したものである。
　【符号の説明】
　１０　基板
　１１　酸化膜
　１２　下部電極
　１３　導電性膜
　１４　圧電体膜
　１５　上部電極
　１００　ノズルプレート
　１０１　ノズル
　２００　圧力室基板
　２０１　圧力室
　２０２　側壁
　２０３　共通流路
　３００　基台
　４００　配線基板