【手続補正書】
【提出日】平成22年10月8日(2010.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にナノワイヤネットワークを形成することであって、前記ナノワイヤネットワークは、複数のナノワイヤを備える、ことと、
パターンに従って、前記ナノワイヤネットワーク上にマトリクスを形成することであって、前記パターンは、前記ナノワイヤネットワークの第１の領域および第２の領域を画定し、前記第１の領域内の前記ナノワイヤネットワークは、マトリクス保護ナノワイヤを備え、前記第２の領域内の前記ナノワイヤネットワークは、非保護ナノワイヤを備える、ことと、
前記ナノワイヤネットワークをエッチングすることであって、それによって、前記第２の領域内の前記非保護ナノワイヤは、溶解される、ことと
を含む、方法。
【請求項２】
前記マトリクスは、光学的に透明である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
導電層をパターン化するための方法であって、
前記導電層を基板上に形成することであって、前記導電層は、マトリクスと、前記マトリクス内に埋め込まれる複数の導電性ナノワイヤとを備える、ことと、
マスクを前記導電層上に載置し、マスク領域および非マスク領域を画定することと、
前記非マスク領域をエッチングすることと
を含む、方法。
【請求項４】
前記非マスク領域を除去し、パターン化された導電層を提供することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記マトリクスは、部分的に硬化される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記非マスク領域をエッチングすることは、前記非マスク領域を酸性エッチング液と接触させることを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記非マスク領域をエッチングすることは、前記マトリクスを第１のエッチング液によってエッチングし、前記非マスク領域内の前記ナノワイヤを暴露することと、前記非マスク領域内の前記ナノワイヤを第２のエッチング液によってエッチングすることとを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のエッチング液は、過酸化水素であり、前記第２のエッチング液は、硝酸および過マンガン酸カリウムを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
エッチング前に、前記非マスク領域を表面処理することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
前記表面処理することは、酸素プラズマまたは紫外オゾンによって処理することを含む、請求項９に記載の方法
【請求項１１】
基板と、
前記基板上の導電層であって、複数の金属ナノワイヤと、マトリクスとを含み、前記マトリクスは、部分的に硬化されるポリマー材料を備える、導電層と
を備える、透明導電体。
【請求項１２】
前記部分的に硬化されるポリマー材料は、部分的に硬化されるアクリレート、シリコーン・エポキシ、シロキサン、ノボラック、エポキシ、ウレタン、シルセスキオキサン、またはポリイミドである、請求項１１に記載の透明導電体。
【請求項１３】
透明電極と、
基板と、ゲート電極と、半導体活性層と、ソース電極と、ドレイン電極とを含む薄膜トランジスタであって、前記透明電極は、複数の導電性ナノワイヤを含む、薄膜トランジスタと
を備える、スイッチングデバイス。
【請求項１４】
前記透明電極は、液晶表示装置内の画素電極である、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記半導体活性層は、シリコンまたは有機半導体材料である、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１６】
透明基板と、
前記透明基板上に配列される複数の着色画素と、
前記複数の着色画素を覆う導電層であって、複数の導電性ナノワイヤを含む、導電層と
を備える、カラーフィルタ。
【請求項１７】
複数の薄膜トランジスタを備える下パネルであって、各薄膜トランジスタは、画素電極に接続される、下パネルと、
複数のカラー画素を備える上パネルであって、前記複数のカラー画素は、共通電極に接続される、上パネルと、
第１のパネルと第２のパネルとの間に配置される液晶層と
を備え、前記画素電極および前記共通電極のうちの少なくとも１つは、複数の導電性ナノワイヤを含む、液晶表示装置。
【請求項１８】
アドレス電極を含む下パネルと、
表示電極を含む上パネルと、
前記下パネルと前記上パネルとの間の複数のプラズマ放電セルと
を備え、前記表示電極は、複数の導電性ナノワイヤを含む、プラズマ表示パネル。
【請求項１９】
下接触子と、
前記下接触子上の半導体ダイオードと、
前記半導体ダイオード上の上接触子と
を備え、前記下接触子および前記上接触子のうちの少なくとも１つは、複数の導電性ナノワイヤを含む、単一接合太陽電池セル構造。
【請求項２０】
前記半導体ダイオードは、Ｎドープシリコン層およびＰドープシリコン層を備える、請求項１９に記載の単一接合太陽電池セル構造。
【請求項２１】
前記Ｎドープシリコン層とＰドープシリコン層との間に位置付けられる非ドープシリコン層をさらに備える、請求項２０に記載の単一接合太陽電池セル構造。
【請求項２２】
非ドープ半導体層をさらに備える、請求項２１に記載の単一接合太陽電池セル構造。
【請求項２３】
下接触子と、
前記下接触子上の第１のセルであって、第１の半導体ダイオードを備える、第１のセルと、
前記第１のセル上のトンネルダイオードと、
前記トンネルダイオード上の第２のセルであって、第２の半導体ダイオードを備える、第２のセルと、
上接触子と
を備え、前記下接触子および前記上接触子のうちの少なくとも１つは、複数の導電性ナノワイヤを含み、前記第１の半導体ダイオードは、前記第２の半導体ダイオードよりも低いバンドギャップを有する、多接合太陽電池セル。
【請求項２４】
下電極と、
前記下電極を覆うエレクトロルミネセント材料層と、
前記エレクトロルミネセント材料層を覆う上電極と
を備え、前記上電極は、光学的に透明であって、複数の導電性ナノワイヤを含む、エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項２５】
前記上電極は、スクリーン印刷される、請求項２４に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項２６】
少なくとも１つの表面起伏特徴を有する基板と、
前記基板を覆う透明導電層であって、複数の導電性ナノワイヤを含み、１つ以上のナノワイヤは、前記基板の前記少なくとも１つの表面起伏特徴に少なくとも部分的に成形される、透明導電層と
を含む、電子デバイス。
【請求項２７】
基板と、
前記基板上の導電層であって、複数の金属ナノワイヤを含む、導電層と、
を備え、前記透明導電体の表面の第１の領域が、導電性であり、前記透明導電体の表面の第２の領域が、非導電性であり、前記導電性と非導電性領域との間の線幅が、５μｍ〜５０μｍであるように、前記導電層がパターン化される、透明導電体。
【請求項２８】
基板と、
前記基板上の導電層であって、複数の金属ナノワイヤを含む、導電層と
を備え、前記透明導電体の表面の第１の領域が、導電性であり、前記透明導電体の表面の第２の領域が、非導電性であり、前記導電性領域と非導電性領域との間の界面における前記ナノワイヤの少なくとも一部が、分断されるように、前記導電層が、パターン化される、透明導電体。
【請求項２９】
基板と、
前記基板上に形成される導電層であって、第１の複数の金属ナノワイヤを備え、前記第１の複数の金属ナノワイヤは、電気的パーコレーションレベルに達する、導電層と、
前記導電層上に形成されるオーバーコートであって、第２の複数の導電性粒子を内包し、前記第２の複数の導電性粒子は、前記電気的パーコレーションレベルを下回る、オーバーコートと
を備える、多層構造。
【請求項３０】
前記導電性粒子は、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ドープＺｎＯ、金属ナノワイヤ、金属ナノチューブ、カーボンナノチューブ、またはその混合物である、請求項２９に記載の多層構造。
【請求項３１】
前記導電層および前記オーバーコートは、光学的に透明である、請求項２９に記載の多層構造。
【請求項３２】
表面抵抗率１０６Ω／□未満を有する、請求項２９に記載の多層構造。
【請求項３３】
電磁遮蔽を提供するための方法であって、
複数の金属ナノワイヤと、マトリクス材料とを含む複合材料を提供することと、
前記複合材料を、電磁遮蔽を必要とする基板に適用することと、
前記マトリクス材料内に分散される前記複数の金属ナノワイヤを含む導電層を形成することであって、前記導電層は、１０８Ω／□以下の表面伝導率を有する、ことと
を含む、方法。
【請求項３４】
基板と、
導電層であって、マトリクスに埋め込まれたナノワイヤを備える第１の領域と、前記マトリクスに埋め込まれる処理されたナノワイヤを備える第２の領域とを含み、前記第２の領域は、前記第１の領域よりも高い抵抗率を有し、前記第１の領域および前記第２の領域は、実質的に同一の光学特性を有する、導電層と
を備える、透明導電体。
【請求項３５】
前記第１の領域の前記ナノワイヤは金属ナノワイヤである、請求項３４に記載の透明導電体。
【請求項３６】
前記第２の領域の前記処理されたナノワイヤは、酸化された金属ナノワイヤを含む、請求項３５に記載の透明導電体。
【請求項３７】
前記第２の領域の前記処理されたナノワイヤは、硫化された金属ナノワイヤを含む、請求項３５に記載の透明導電体。
【請求項３８】
前記第２の領域の前記処理されたナノワイヤは、前記第１の領域の前記なのワイヤよりも短い、請求項３４に記載の透明導電体。
【請求項３９】
前記第２の領域は、少なくとも約１５００Ω／□だけ前記第１の領域よりも抵抗性が高い、請求項３４に記載の透明導電体。
【請求項４０】
前記第２の領域および前記第１の領域は、実質的に同一の光学透過および曇り度を有する、請求項３４に記載の透明導電体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図面において、同一の参照番号は、同様の要素または作用を示す。図面における要素のサイズおよび相対位置は、必ずしも一定の縮尺で描かれてはいない。例えば、さまざまな要素の形状および角度は一定の縮尺で描かれず、これらの要素のいくつかは、図面を見やすくするために、任意で拡大および配置されている。さらに、描かれる要素の特定の形状は、特定の要素の実際の形状に関するいかなる情報も伝えることを意図せず、単に、図面が認識し易いように選択されただけである。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
基板上にナノワイヤネットワークを形成するステップであって、上記ナノワイヤネットワークは、複数のナノワイヤを備える、ステップと、
パターンに従って、上記ナノワイヤネットワーク上にマトリクスを形成するステップであって、上記パターンは、上記ナノワイヤネットワークの第１の領域および第２の領域を画定し、上記第１の領域内の上記ナノワイヤネットワークは、マトリクス保護ナノワイヤを備え、上記第２の領域内の上記ナノワイヤネットワークは、非保護ナノワイヤを備える、ステップと、
上記ナノワイヤネットワークをエッチングするステップであって、それによって、上記第２の領域内の上記非保護ナノワイヤは、溶解される、ステップと
を含む、方法。
（項目２）
上記マトリクスは、１つ以上のポリマーを備える、項目１に記載の方法。
（項目３）
上記マトリクスは、完全に硬化される、項目１に記載の方法。
（項目４）
上記マトリクスは、部分的に硬化される、項目１に記載の方法。
（項目５）
上記非保護ナノワイヤをエッチングおよび除去後、上記マトリクスをさらに硬化するステップをさらに含む、項目４に記載の方法。
（項目６）
上記マトリクスは、光学的に透明である、項目１に記載の方法。
（項目７）
上記ナノワイヤは、導電性である、項目１に記載の方法。
（項目８）
上記導電性ナノワイヤは、金属ナノワイヤである、項目７に記載の方法。
（項目９）
上記ナノワイヤネットワークは、光学的に透明である、項目１に記載の方法。
（項目１０）
上記非保護ナノワイヤは、硝酸を含む酸性エッチング液によってエッチングされる、項目１に記載の方法。
（項目１１）
上記酸性エッチング液は、過マンガン酸カリウムをさらに備える、項目１０に記載の方法。
（項目１２）
上記酸性エッチング液は、約０．１−４０％硝酸および約１−１００ｐｐｍ過マンガン酸カリウムを含む、項目１１に記載の方法。
（項目１３）
導電層をパターン化するための方法であって、
上記導電層を基板上に形成するステップであって、上記導電層は、マトリクスと、その中に内蔵される複数の導電性ナノワイヤとを備える、ステップと、
マスクを上記導電層上に載置し、マスク領域および非マスク領域を画定するステップと、
上記非マスク領域をエッチングステップと
を含む、方法。
（項目１４）
上記非マスク領域を除去し、パターン化された導電層を提供するステップをさらに含む、項目１３に記載の方法。
（項目１５）
上記マトリクスは、完全に硬化される、項目１３に記載の方法
（項目１６）
上記マトリクスは、部分的に硬化される、項目１３に記載の方法。
（項目１７）
上記非保護ナノワイヤをエッチングおよび除去後、上記マトリクスをさらに硬化するステップをさらに含む、項目１６に記載の方法。
（項目１８）
上記導電性ナノワイヤは、金属ナノワイヤである、項目１３に記載の方法。
（項目１９）
上記非マスク領域をエッチングステップは、上記非マスク領域を酸性エッチング液と接触させるステップを含む、項目１３に記載の方法。
（項目２０）
上記酸性エッチング液は、上記マトリクス内に拡散し、上記ナノワイヤを溶解する、項目１９に記載の方法。
（項目２１）
上記酸性エッチング液は、硝酸を含む、項目２０に記載の方法。
（項目２２）
上記酸性エッチング液は、過マンガン酸カリウムをさらに含む、項目２１に記載の方法。
（項目２３）
上記非マスク領域をエッチングするステップは、上記マトリクスを第１のエッチング液によってエッチングし、上記非マスク領域内の上記ナノワイヤを暴露するステップと、上記非マスク領域内の上記ナノワイヤを第２のエッチング液によってエッチングするステップとを含む、項目１３に記載の方法。
（項目２４）
上記第１のエッチング液は、過酸化水素であり、上記第２のエッチング液は、硝酸および過マンガン酸カリウムを含む、項目２３に記載の方法。
（項目２５）
上記導電層は、光学的に透明である、項目２３に記載の方法。
（項目２６）
エッチング前に、上記非マスク領域を表面処理するステップをさらに含む、項目１３に記載の方法。
（項目２７）
上記表面処理するステップは、酸素プラズマまたは紫外オゾンによって処理するステップを含む、項目２６に記載の方法
（項目２８）
基板と、
上記基板上の導電層であって、複数の金属ナノワイヤと、マトリクスとを含み、上記マトリクスは、部分的に硬化されるポリマー材料を備える、導電層と
を備える、透明導電体。
（項目２９）
上記部分的に硬化されるポリマー材料は、部分的に硬化されるアクリレート、シリコーン・エポキシ、シロキサン、ノボラック、エポキシ、ウレタン、シルセスキオキサン、またはポリイミドである、項目２８に記載の透明導電体。
（項目３０）
上記金属ナノワイヤは、銀ナノワイヤである、項目２８に記載の透明導電体。
（項目３１）
上記導電層は、表面抵抗率約１０００Ω／□未満を有する、項目２８に記載の透明導電体。
（項目３２）
上記導電層は、光学的に透明である、項目２８に記載の透明導電体。
（項目３３）
透明電極と、
基板と、ゲート電極と、半導体活性層と、ソース電極と、ドレイン電極とを含み、上記透明電極は、複数の導電性ナノワイヤを含む、薄膜トランジスタと
を備える、スイッチングデバイス。
（項目３４）
上記透明電極は、液晶表示装置内の画素電極である、項目３３に記載のデバイス。
（項目３５）
上記半導体活性層は、シリコンまたは有機半導体材料である、項目３３に記載のデバイス。
（項目３６）
透明基板と、
上記透明基板上に配列される複数の着色画素と、
上記複数の着色画素を覆う導電層であって、複数の導電性ナノワイヤを含む、導電層と
を備える、カラーフィルタ。
（項目３７）
各着色画素の周囲のグリッドを画定する黒色マトリクスを、さらに備える、項目３６に記載のカラーフィルタ。
（項目３８）
各着色画素は、色と関連付けられる、項目３７に記載のカラーフィルタ。
（項目３９）
各着色画素は、赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）、および緑色（Ｇ）から選択される原色と関連付けられる、項目３８に記載のカラーフィルタ。
（項目４０）
各着色画素は、２つ以上のサブ画素にさらに分割され、各サブ画素は、色に関連付けられる、項目３７に記載のカラーフィルタ。
（項目４１）
各サブ画素は、赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）、および緑色（Ｇ）から選択される原色と関連付けられる、項目４０に記載のカラーフィルタ。
（項目４２）
上記導電性ナノワイヤは、銀ナノワイヤである、項目３６に記載のカラーフィルタ。
（項目４３）
上記黒色マトリクスは、金属または有機物である、項目３７に記載のカラーフィルタ。
（項目４４）
複数の薄膜トランジスタを備える下パネルであって、各薄膜トランジスタは、画素電極に接続される、下パネルと、
複数のカラー画素を備える上パネルであって、上記複数のカラー画素は、共通電極に接続される、上パネルと、
第１のパネルと第２のパネルとの間に配置される液晶層と
を備え、上記画素電極および上記共通電極のうちの少なくとも１つは、複数の導電性ナノワイヤを含む、液晶表示装置。
（項目４５）
上記下パネルおよび上記上パネルのうちの少なくとも１つは、可撓性基板を備える、項目４４に記載の液晶表示装置。
（項目４６）
上記導電性ナノワイヤは、銀ナノワイヤである、項目４４に記載の液晶表示装置。
（項目４７）
上記画素電極および上記共通電極のうちの上記少なくとも１つは、光学的に透明である、項目４４に記載の液晶表示装置。
（項目４８）
アドレス電極を含む下パネルと、
表示電極を含む上パネルと、
上記下パネルと上記上パネルとの間の複数のプラズマ放電セルと
を備え、上記表示電極は、複数の導電性ナノワイヤを含む、プラズマ表示パネル。
（項目４９）
上記上パネルは、バス電極をさらに備え、上記バス電極は、複数の導電性ナノワイヤを含む、項目４８に記載のプラズマ表示パネル。
（項目５０）
上記導電性ナノワイヤは、銀ナノワイヤである、項目４８に記載のプラズマ表示パネル。
（項目５１）
表示電極は、光学的に透明である、項目４８に記載の液晶表示装置。
（項目５２）
下接触子と、
上記下接触子上の半導体ダイオードと、
上記半導体ダイオード上の上接触子と
を備え、上記下接触子および上記上接触子のうちの少なくとも１つは、複数の導電性ナノワイヤを含む、単一接合太陽電池セル構造。
（項目５３）
上記上接触子は、光学的に透明であり、光入射表面を備える、項目５２に記載の単一接合太陽電池セル構造。
（項目５４）
上記半導体ダイオードは、Ｎドープシリコン層およびＰドープシリコン層を備える、項目５２に記載の単一接合太陽電池セル構造。
（項目５５）
上記Ｎドープシリコン層とＰドープシリコン層との間に位置付けられる非ドープシリコン層をさらに備える、項目５４に記載の単一接合太陽電池セル構造。
（項目５６）
上記半導体ダイオードは、Ｎドープされた第１の半導体層およびＰドープされた第２の半導体層を備え、上記第１の半導体層は、上記第２の半導体層よりも高いバンドギャップを有する、項目５２に記載の単一接合太陽電池セル構造。
（項目５７）
非ドープ半導体層をさらに備える、項目５６に記載の単一接合太陽電池セル構造。
（項目５８）
下接触子と、
上記下接触子上の第１のセルであって、第１の半導体ダイオードを備える、第１のセルと、
上記第１のセル上のトンネルダイオードと、
上記トンネルダイオード上の第２のセルであって、第２の半導体ダイオードを備える、第２のセルと、
上接触子と
を備え、上記下接触子および上記上接触子のうちの少なくとも１つは、複数の導電性ナノワイヤを含み、上記第１の半導体ダイオードは、上記第２の半導体ダイオードよりも低いバンドギャップを有する、多接合太陽電池セル。
（項目５９）
上記上接触子は、光学的に透明であり、光入射表面を備える、項目５８に記載の多接合太陽電池セル。
（項目６０）
上記第２のセル上および上記上接触子下方に連続的に積層される１つ以上のセルと、
各２つの隣接セル間に形成される１つ以上のトンネルダイオードと
をさらに備え、各セルは、半導体ダイオードを備える、項目５８に記載の多接合太陽電池セル
（項目６１）
下電極と、
上記下電極を覆うエレクトロルミネセント材料層と、
上記エレクトロルミネセント材料層を覆う上電極と
を備え、上記上電極は、光学的に透明であって、複数の導電性ナノワイヤを含む、エレクトロルミネセントデバイス。
（項目６２）
上記エレクトロルミネセント材料層は、蛍光体を備える、項目６１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目６３）
上記上電極は、パターン化される、項目６１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目６４）
上記上電極は、スクリーン印刷される、項目６１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目６５）
導電層をパターン化するための方法であって、
基板上に上記導電層を形成するステップであって、上記導電層は、マトリクスと、その中に内蔵される導電性ナノワイヤのネットワークとを備える、ステップと、
上記導電層の領域を処理して、上記領域内の上記導電性ナノワイヤを非導電ナノワイヤに変換し、それによって、第１の抵抗率を有する処理領域と、第２の抵抗率を有する非処理領域とを含む、パターン化された導電層を形成するステップと
を含む、方法。
（項目６６）
上記導電層は、光学的に透明である、項目６５に記載の方法。
（項目６７）
上記処理領域および上記非処理領域は、略同一光学特性を有する、項目６６に記載の方法。
（項目６８）
上記光学特性は、光透過率およびヘイズを含む、項目６７に記載の方法。
（項目６９）
上記処理領域内の上記第１の抵抗率は、上記非処理領域の上記第２の抵抗率よりも少なくとも約１５００Ω／□高い、項目６５に記載の方法。
（項目７０）
上記導電層を処理するステップは、上記導電性ナノワイヤを電気的絶縁ナノワイヤに化学的に形質転換するステップを含む、項目６５に記載の方法。
（項目７１）
上記導電層を処理するステップは、上記導電性ナノワイヤを酸化させるステップを含む、項目７０に記載の方法。
（項目７２）
少なくとも１つの表面起伏特徴を有する基板と、
上記基板を覆う透明導電層であって、複数の導電性ナノワイヤを含み、１つ以上のナノワイヤは、上記基板の上記少なくとも１つの表面起伏特徴に少なくとも部分的に成形される、透明導電層と
を含む、電子デバイス。
（項目７３）
上記基板は、その間に溝を有する複数のカラーフィルタ画素を含む、項目７２に記載の電子デバイス。
（項目７４）
上記導電性ナノワイヤは、金属である、項目７２に記載の電子デバイス。
（項目７５）
上記基板は、ＴＦＴ平面であり、上記起伏特徴は、上記ＴＦＴ平面内に形成されるビアであり、上記透明導電層は、共形的に上記ビアを被膜し、上記ＴＦＴ平面との電気接触を提供する、項目７２に記載の電子デバイス。
（項目７６）
基板と、
上記基板上の導電層であって、複数の金属ナノワイヤを含む、導電層と、
を備え、上記透明導電体の表面の第１の領域が、導電性であり、上記透明導電体の表面の第２の領域が、非導電性であり、上記導電性と非導電性領域との間の線幅が、５μｍ〜５０μｍであるように、上記導電層がパターン化される、透明導電体。
（項目７７）
上記金属ナノワイヤを少なくとも部分的に囲繞するマトリクス材料を含む、項目７６に記載の透明導電体。
（項目７８）
上記金属ナノワイヤは、銀ナノワイヤである、項目７７に記載の透明導電体。
（項目７９）
基板と、
上記基板上の導電層であって、複数の金属ナノワイヤを含む、導電層と
を備え、上記透明導電体の表面の第１の領域が、導電性であり、上記透明導電体の表面の第２の領域が、非導電性であり、上記導電性領域と非導電性領域との間の界面における上記ナノワイヤの少なくとも一部が、分断されるように、上記導電層が、パターン化される、透明導電体。
（項目８０）
上記金属ナノワイヤを少なくとも部分的に囲繞するマトリクス材料を含む、項目７９に記載の透明導電体。
（項目８１）
上記金属ナノワイヤは、銀ナノワイヤである、項目８０に記載の透明導電体。
（項目８２）
金属ナノワイヤを含む第１の透明導電層であって、上記金属ナノワイヤは、電気的パーコレーションレベル以上である、第１の透明導電層と、
上記第１の透明導電層の上方に位置付けられ、スペーサによって、そこから分離される第２の透明導電層であって、金属ナノワイヤを含み、上記金属ナノワイヤは、上記電気的パーコレーションレベル以上である、第２の透明導電層と
を備え、上記第１の透明導電層および上記第２の透明導電層のうちの少なくとも１つは、透明オーバーコートによってさらに被膜され、上記透明オーバーコートは、上記電気的パーコレーションレベルを下回る複数の導電性粒子を含む、タッチスクリーンデバイス。
（項目８３）
上記導電性粒子は、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ドープＺｎＯ、金属ナノワイヤ、金属ナノチューブ、カーボンナノチューブ、またはその混合物である、項目８２に記載のタッチスクリーンデバイス。
（項目８４）
上記透明オーバーコートは、表面抵抗率少なくとも１０６Ω／□を有する、項目８２に記載のタッチスクリーンデバイス。
（項目８５）
基板と、
上記基板上に形成される導電層であって、第１の複数の金属ナノワイヤを備え、上記第１の複数の金属ナノワイヤは、電気的パーコレーションレベルに達する、導電層と、
上記導電層上に形成されるオーバーコートであって、第２の複数の導電性粒子を内包し、上記第２の複数の導電性粒子は、上記電気的パーコレーションレベルを下回る、オーバーコートと
を備える、多層構造。
（項目８６）
上記導電性粒子は、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ドープＺｎＯ、金属ナノワイヤ、金属ナノチューブ、カーボンナノチューブ、またはその混合物である、項目８５に記載の多層構造。
（項目８７）
上記導電層および上記オーバーコートは、光学的に透明である、項目８５に記載の多層構造。
（項目８８）
表面抵抗率１０６Ω／□以下を有する、項目８５に記載の多層構造。
（項目８９）
電磁遮蔽を提供するための方法であって、
複数の金属ナノワイヤと、マトリクス材料とを含む、合成物を提供するステップと、
上記合成物を電磁遮蔽を必要とする基板に塗布するステップと、
上記マトリクス材料内に分散される上記複数の金属ナノワイヤを含む導電層を形成するステップであって、上記導電層は、表面導電率１０８Ω／□以下を有する、ステップと
を含む、方法。
（項目９０）
上記導電層は、光学的に透明である、項目８９に記載の方法。