【手続補正書】
【提出日】平成22年7月16日(2010.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型ゲルマニウム（Ｇｅ）層と、
前記ｐ型ゲルマニウム層上に形成された核形成層であり、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＡｌＮ、ＢＡｓ、ＢＳｂ、ＧａＮ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ及びＩｎＡｓからなる群から選択される、２元のＩＩＩ−Ｖ化合物を含む前記核形成層と、
前記核形成層上に形成された第１のＩＩＩ−Ｖ化合物層であり、ＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、及びＡｌＧａＩｎＰのうちの少なくとも一種を含む、前記第１のＩＩＩ−Ｖ化合物層と、を備え、
前記ｐ型ゲルマニウム層は、前記核形成層に隣接したｎ型ドープ領域を有しており、
前記ｎ型ドープ領域は、前記第１のＩＩＩ−Ｖ化合物層から拡散されたＶ族原子を含んでおり、
前記第１のＩＩＩ−Ｖ化合物層から拡散された前記Ｖ族原子の濃度は、前記核形成層の厚さの関数であり、
前記第１のＩＩＩ−Ｖ化合物層は、前記ｐ型ゲルマニウム層から拡散されたゲルマニウム原子を含む前記核形成層に隣接した領域を有しており、
ゲルマニウム原子を含む前記核形成層に隣接した前記領域は、前記核形成層の厚さに依存するゲルマニウム原子濃度を有している、
実質上欠陥が存在しない形態を有する半導体デバイス。
【請求項２】
前記ゲルマニウム原子濃度は、前記核形成層から実質上１５０ｎｍの距離で、１×１０１８ｃｍ−３未満である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第１のＩＩＩ−Ｖ化合物層から前記ｐ型ゲルマニウム層中へと拡散された前記Ｖ族原子の前記濃度は、前記核形成層から実質上６００ｎｍの距離で、１×１０１８ｃｍ−３未満であるか、実質上１×１０１８ｃｍ−３に等しい、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第１のＩＩＩ／Ｖ化合物層上に形成された第２のＩＩＩ−Ｖ化合物層をさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第２のＩＩＩ−Ｖ化合物層がＧａＡｓを含む、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記ｐ型ゲルマニウム層が、前記核形成層に隣接したｐ−ｎ接合を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記デバイスが電子デバイスである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記電子デバイスが光電子デバイスである、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記光電子デバイスが太陽電池又は発光ダイオードである、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記ｐ型ゲルマニウム層がｐ型ＩＶ族ゲルマニウム基板である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記ｐ型ＩＶ族基板が微傾斜基板である、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記微傾斜基板が０°〜２０°の範囲の角度を有する、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記核形成層、前記第１のＩＩＩ／Ｖ化合物層及び前記第２のＩＩＩ／Ｖ化合物層のうちの少なくとも１つが、エピタキシャル成長プロセスによって形成される、請求項４に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記核形成層の厚さが１〜２０単分子層の範囲にある、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１５】
ｐ型ＩＶ族層上に半導体構造を製作する方法であって、
前記ｐ型ＩＶ族層上に核形成層を形成するステップであり、前記核形成層が、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＡｌＮ、ＢＡｓ、ＢＳｂ、ＧａＮ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ及びＩｎＡｓからなる群から選択されるＩＩＩ−Ｖ化合物を含む、ステップと、
前記核形成層上に第１のＩＩＩ−Ｖ化合物層を形成するステップであり、前記第１のＩＩＩ−Ｖ化合物層が、ＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、及びＡｌＧａＩｎＰのうちの少なくとも一種を含む、ステップと、を備え、
前記ｐ型ゲルマニウム層は、前記核形成層に隣接したｎ型ドープ領域を有しており、
前記ｎ型ドープ領域は、前記第１のＩＩＩ−Ｖ化合物層から拡散されたＶ族原子を含んでおり、
前記第１のＩＩＩ−Ｖ化合物層から拡散された前記Ｖ族原子の濃度は、前記核形成層の厚さの関数であり、
前記第１のＩＩＩ−Ｖ化合物層は、前記ｐ型ゲルマニウム層から拡散されたゲルマニウム原子を含む、前記核形成層に隣接した領域を有しており、
ゲルマニウム原子を含む、前記核形成層に隣接した前記領域は、前記核形成層の厚さに依存するゲルマニウム原子濃度を有しており、
前記半導体構造は、実質上欠陥が存在しない形態を有している、方法。
【請求項１６】
前記第１のＩＩＩ／Ｖ化合物層上に第２のＩＩＩ／Ｖ化合物層構造を形成するステップをさらに備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
基板内に形成されたｐ−ｎ接合のドーピングプロファイルを制御する方法であって、
ＩＶ族基板上に、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＡｌＮ、ＢＡｓ、ＢＳｂ、ＧａＮ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ及びＩｎＡｓからなる群から選択される、２元のＩＩＩ−Ｖ化合物を含む核形成層を形成するステップと、
前記ＩＶ族基板中への複数のＶ族元素の拡散を制御し、且つ前記ＩＶ族基板からの複数のＩＶ族元素の拡散を制御するための前記核形成層上に、ＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、及びＡｌＧａＩｎＰのうちの少なくとも一種を含むＩＩＩ−Ｖ化合物層を形成するステップと、
を備える、方法。
【請求項１８】
シリコン（Ｓｉ）及びシリコンカーバイド（ＳｉＣ）のうちの一種を含むＩＶ族層と、
前記ＩＶ族層上に形成された核形成層であり、ＩＩＩ属元素として少なくともアルミニウム（Ａｌ）と、Ｖ族元素としてヒ素（Ａｓ）及びアンチモン（Ｓｂ）のうちの少なくとも一種とを有する、ＩＩＩ−Ｖ化合物を含む前記核形成層と、
を備える半導体デバイス。
【請求項１９】
前記ＩＩＩ−Ｖ化合物が、ＩＩＩ族元素としてガリウム（Ｇａ）及びインジウム（Ｉｎ）のうちの少なくとも一種をさらに含む、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記核形成層上に形成された第１のＩＩＩ−Ｖ化合物層をさらに備える、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記第１のＩＩＩ／Ｖ化合物層が、ＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、及びＡｌＧａＩｎＰのうちの少なくとも一種を含む、請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記第１のＩＩＩ／Ｖ化合物層上に形成された第２のＩＩＩ−Ｖ化合物層をさらに備える、請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記第２のＩＩＩ−Ｖ化合物層がＧａＡｓを含む、請求項２２に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記ＩＶ族層が、前記核形成層に隣接したｐ−ｎ接合を有する、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２５】
前記ＩＶ族層が、ｐ型層、ｎ型層及び非ドープ層のうちの１つである、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２６】
前記デバイスが電子デバイスである、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２７】
前記電子デバイスが光電子デバイスである、請求項２６に記載のデバイス。
【請求項２８】
前記光電子デバイスが太陽電池又は発光ダイオードである、請求項２７に記載のデバイス。
【請求項２９】
前記ＩＶ族層がＩＶ族基板である、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項３０】
前記ＩＶ族基板が微傾斜基板である、請求項２９に記載のデバイス。
【請求項３１】
前記微傾斜基板が０°〜２０°の範囲の角度を有する、請求項３０に記載のデバイス。
【請求項３２】
前記核形成層、前記第１のＩＩＩ／Ｖ化合物層及び前記第２のＩＩＩ／Ｖ化合物層のうちの少なくとも１つが、エピタキシャル成長プロセスによって形成される、請求項２２に記載のデバイス。
【請求項３３】
前記核形成層の厚さが１〜２０単分子層の範囲にある、請求項１８に記載の方法。
【請求項３４】
半導体構造を製作する方法であって、
ＩＶ族層上に核形成層を形成するステップと、
前記核形成層上に第１のＩＩＩ−Ｖ化合物層を形成するステップと、
を備え、
前記ＩＶ族層がシリコン（Ｓｉ）及びシリコンカーバイド（ＳｉＣ）のうちの一種を含み、前記核形成層が、ＩＩＩ族元素として少なくともアルミニウム（Ａｌ）と、Ｖ族元素としてヒ素（Ａｓ）及びアンチモン（Ｓｂ）のうちの少なくとも一種とを有するＩＩＩ−Ｖ化合物を含む、方法。
【請求項３５】
前記第１のＩＩＩ／Ｖ化合物層上に第２のＩＩＩ／Ｖ化合物層構造を形成するステップをさらに備える、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
基板内に形成されたｐ−ｎ接合のドーピングプロファイルを制御する方法であって、
シリコン（Ｓｉ）及びシリコンカーバイド（ＳｉＣ）のうちの一種を含むＩＶ族基板上に、ＩＩＩ族元素として少なくともアルミニウム（Ａｌ）と、Ｖ族元素としてヒ素（Ａｓ）及びアンチモン（Ｓｂ）のうちの少なくとも一種とを有するＩＩＩ−Ｖ化合物を含む核形成層を形成するステップと、
前記ＩＶ族基板中への複数のＶ族元素の拡散を制御し、且つ前記ＩＶ族基板からの複数のＩＶ族元素の拡散を制御するための前記核形成層上に、ＩＩＩ−Ｖ化合物層を形成するステップと、
を備える、方法。