【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年7月20日(2010.7.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質第１セラミック材料；及び
多孔質第１セラミック材料の孔の内壁の少なくとも一部に沿って被覆された電子伝導性材料
を含み、電子伝導性材料が第２セラミック材料からなる、アノードであって、
アノードは、
多孔質第１セラミック材料に第２セラミック材料の塩を添加し；そして
結果生じた構造物を加熱することにより、多孔質第１セラミック材料の孔の内壁に沿って被覆された電子伝導性材料を含む多孔質アノードを生じさせることにより生成される、
上記アノード。
【請求項２】
第１セラミック材料が、ＹＳＺ，Ｇｄ−及びＳｍ−ドープされたセリア、Ｓｃ−ドープされたＺｒＯ２、ＬａＧａＭｎＯｘ、Ｇｄ，Ｓｍ，Ｓｃもしくはそれらの何れかの混合物をドープされたＬａＧａＭｎＯｘ、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１記載のアノード。
【請求項３】
第１セラミック材料がＹＳＺである、請求項１記載のアノード。
【請求項４】
アノードが金属を含まない、請求項１記載のアノード。
【請求項５】
金属の量がアノードの全重量の５％未満である、請求項４記載のアノード。
【請求項６】
第２セラミック材料が、セリア、Ｇｄ又はＳｍ−をドープされたセリア、ＬａＣｒＯ３，ＳｒＴｉＯ３，Ｙ−ドープされたＳｒＴｉＯ３，Ｓｒ−ドープされたＬａＣｒＯ３，及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１記載のアノード。
【請求項７】
第２セラミック材料がセリアである、請求項６記載のアノード。
【請求項８】
第２セラミック材料がＬａＣｒＯ３である、請求項６記載のアノード。
【請求項９】
第２セラミック材料がＳｒ−ドープされたＬａＣｒＯ３である、請求項８記載のアノード。
【請求項１０】
さらに炭素質の化合物を含む、請求項１記載のアノード。
【請求項１１】
アノードを作製する方法であって、
第１セラミック材料から多孔質セラミック材料を作製し；
第２セラミック材料の塩を上記多孔質セラミックマトリックスに添加し；そして
結果生じた構造を加熱することにより多孔質第１セラミック材料の孔中の少なくとも一部に被覆された第２セラミック材料を有する多孔質アノードを形成させ、金属がアノードに加えられないこと
を含む方法。
【請求項１２】
加熱を３００から７００℃の範囲の温度において実施する、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
多孔質セラミック材料が、
第１セラミック材料を含む２層のグリーンテープを作製し；そして
グリーンテープを１，３５０から１，６５０℃の範囲の温度において焼結させることにより製造される、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
多孔質第１セラミック材料と第２セラミック材料の混合物を炭化水素へ６００から８００℃にて１分から２４時間接触させることをさらに含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
固形酸化物燃料セルであって、
請求項１記載のアノード；
カソード；及び
カソードとアノードの間の少なくとも一部に被覆された電解質
を含む固形酸化物燃料セル。
【請求項１６】
カソードが、Ｓｒ−ドープされたＬａＭｎＯ３，ＬａＦｅＯ３，ＬａＣｏＯ３からなる群から選択される材料、Ｆｅ及びＡｇからなる群から選択される金属、及びそれらの混合物からなる、請求項１５記載の固形酸化物燃料セル。
【請求項１７】
電解質が、ＹＳＺ，Ｓｃ−ドープされたＺｒＯ２、Ｇｄ−及びＳｍ−ドープされたＣｅＯ２，ＬａＧａＭｎＯｘ、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１５記載の固形酸化物燃料セル。
【請求項１８】
アノードの第１セラミック材料が、ＹＳＺ，Ｇｄ−及びＳｍ−ドープされたセリア、Ｓｃ−ドープされたＺｒＯ２、ＬａＧａＭｎＯｘ、Ｇｄ，Ｓｍ，Ｓｃもしくはそれらの何れかの混合物をドープされたＬａＧａＭｎＯｘ、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１５記載の固形酸化物燃料セル。
【請求項１９】
第１セラミック材料がＹＳＺである、請求項１８記載の固形酸化物燃料セル。
【請求項２０】
アノードが金属を含まない、請求項１５記載の固形酸化物燃料セル。
【請求項２１】
アノードを作製する際に金属を用いない、請求項１５記載の固形酸化物燃料セル。
【請求項２２】
アノード中に使用される第２セラミック材料が、セリア、Ｇｄ又はＳｍ−をドープされたセリア、ＬａＣｒＯ３，ＳｒＴｉＯ３，Ｙ−ドープされたＳｒＴｉＯ３，Ｓｒ−ドープされたＬａＣｒＯ３，及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１５載の固形酸化物燃料セル。
【請求項２３】
第２セラミック材料がセリアである、請求項２２記載の固形酸化物燃料セル。
【請求項２４】
第２セラミック材料がＳｒ−ドープされたＬａＣｒＯ３である、請求項２３記載の固形酸化物燃料セル。
【請求項２５】
固形酸化物燃料セルを作製する方法であって、
電解質材料を含む２層のグリーンテープを作製し；
グリーンテープを１，３５０から１，６５０℃の範囲の温度において焼結させることにより稠密なサイドと多孔質のサイドを有する電解質材料の多孔質材料を形成させ；
カソード組成物を稠密なサイドに適用して焼成することにより電解質材料の稠密なサイド上にカソードを作製し；
電解質材料の多孔質材料の多孔質サイドを第２セラミック材料に浸すことによりアノードを作製し；そして
アノードを加熱して固形酸化物燃料セルを作製すること
を含み、
金属がアノードに加えられない方法。
【請求項２６】
さらに、アノード上の炭素質の被覆を形成させるのに十分な時間、結果生じたアノードを炭化水素に接触させることを含む、請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
カソード材料の焼成を１，０００から１，６００℃の範囲の温度にて実施する、請求項２５記載の方法。
【請求項２８】
３００から７００℃の範囲の温度においてアノードを加熱して生じる、請求項２５記載の方法。
【請求項２９】
グリーンテープを１，５００から１，５５０℃の範囲の温度において焼結する、請求項２５記載の方法。
【請求項３０】
アノードと炭化水素の接触が、アノードをｎ−ブタンと６００から８００℃において１分から２４時間接触させることを含む、請求項２６記載の方法。
【請求項３１】
電解質材料がＹＳＺである、請求項２５記載の方法。
【請求項３２】
アノード中に使用される第２セラミック材料が、セリア、Ｇｄ又はＳｍ−をドープされたセリア、ＬａＣｒＯ３，ＳｒＴｉＯ３，Ｙ−ドープされたＳｒＴｉＯ３，Ｓｒ−ドープされたＬａＣｒＯ３，及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項２５載の方法。
【請求項３３】
第２セラミック材料がセリアである、請求項３２記載の方法。
【請求項３４】
第２セラミック材料がＳｒ−ドープされたＬａＣｒＯ３である、請求項３３記載の方法。
【請求項３５】
第１多孔質セラミック材料；及び
第１多孔質セラミック材料の孔の壁の少なくとも一部に少なくとも一部被覆された電子伝導性材料の薄いフィルムであって、当該電子伝導性材料は第２セラミック材料からなる薄いフィルム、
を含むアノード。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
Ｃｕ２Ｏ及びＣｕＯはＹＳＺ電解質の稠密化（ｄｅｎｓｉｆｉｃａｔｉｏｎ）に必要な温度より下の温度である、それぞれ１２３５℃及び１３２６℃において融解するため、Ｎｉ−ＹＳＺサーメットを生成する第１の工程として通常使用されるのと類似の方法、ＣｕＯとＹＳＺの混合された粉末の高温焼成により、Ｃｕ−ＹＳＺサーメットを製造することができない。Ｃｕ−ＹＳＺサーメットの製造のための別法は、よって、多孔質ＹＳＺマトリックスを最初に製造して次にＣｕと酸化触媒を次の加工工程において添加することが開発された（Ｒ．Ｊ．Ｇｏｒｔｅ，ｅｔａｌ．，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，１２，１４６５（２０００）；Ｓ．Ｐａｒｋ，ｅｔａｌ．，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１４８，Ａ４４３（２００１））。最終的なサーメット中のＣｕ相は高度に連結してなければならないので、高金属負荷が必要であり；そしてそのときでさえ、アノード構造中の全てのＣｕ粒子間の伝導性は保証されない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明の様々な態様のこれらの特徴及び他の特徴に従うと、第１のセラミック材料を含む多孔質セラミックマトリックス、及び上記多孔質セラミックマトリックスの孔中に少なくとも一部被覆された（ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ）第２のセラミック材料からなる電子伝導性セラミック材料を含むアノードが提供される。当該アノードは電子伝導性材料を実質上含まないことが好ましい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
発明の態様の追加の特徴によれば、第１のセラミック材料から多孔質マトリックスを形成させ、第２のセラミック材料からなる電子伝導性セラミック材料を上記多孔質マトリックスに添加し、そしてその結果の多孔質構造を加熱してアノードを形成させることを含む、アノードの作成方法が提供される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
発明の態様の別の特徴によれば、固形電解質、カソード材料、及び第１のセラミック材料を含む多孔質セラミックマトリックス、及び上記多孔質セラミックマトリックスの孔の中に少なくとも一部被覆された第２のセラミック材料からなる電子伝導性セラミック材料を含むアノードが提供される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
発明の態様のまた別の特徴によれば、固形酸化物燃料セルを作成する方法が提供され、第１セル材料からなり且つ少なくとも２つの向かい合った表面を有する多孔質セラミックマトリックス材料を形成させ、表面のうちの一つをカソード材料に接触させ、そして反対の表面をアノード材料に接触させることを含む。アノード材料は、第２セラミック材料からなる電子伝導性セラミック材料を含む。そうして形成されたアノード材料は、接触後に、加熱されて、アノードを形成する。好ましい態様のこれら及び他の特徴及び利点は、好ましい態様の以下の詳細な説明を読んだ際に、より容易に明らかになる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
一般に、ＳＯＦＣは、空気電極（カソード）、燃料電極（アノード）、及びこれらの２つの電極間に被覆された固形酸化物電解質から構成される。ＳＯＦＣ中で、電解質は固形形態にある。一般に、当該電解質は非金属セラミック、例えば稠密なイットリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）セラミックから作成され、電子の非伝導体であり、有用な仕事を行うための外部回路を通して電子が通過するに違いないということを保証する。そうして、電解質は電解質の反対側で電位差の蓄積（ｂｕｉｌｄｕｐ）を提供し、他方から燃料及びオキシダントガスを単離する。アノードとカソードは一般に多孔質であり、カソードはしばしばドープされた亜マンガン酸ランタンから作成される。固形の酸化物燃料セルにおいて、水素又は炭化水素は燃料として一般に使用され、そして酸素又は空気はオキシダントとして使用される。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
管状デザインは、通常、電極及び電解質の層により外側をコートされた閉塞末端多孔質ジルコニア管を含む。このデザインの性能は多孔質の管にオキシダントを拡散させる要求により、いくらか制限される。ウエスチングハウスは、ジルコニア電解質膜を有する多孔質ジルコニア又は亜マンガン酸ランタンストロンチウムのカソード管及びジルコニア電解質の厚さを貫通するクロム酸ランタンの内部連絡を有する燃料セル要素を記載する多数の米国特許を有する。アノードが電解質上にコートされることにより、役立つ（ｗｏｒｋｉｎｇ）燃料セル３層を形成し、多孔質ジルコニア支持体上の、不可欠な（ｉｎｔｅｇｒａｌ）多孔質カソード支持体又は多孔質カソードの先端に、電解質膜を含む。セグメント化されたデザインが１９６０年代初期に提案され（Ｍｉｎｈｅｔ ａｌ．，Ｓｃｉｅｎｃｅａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ Ｃｅｒａｍｉｃ ＦｕｅｌＣｅｌｌｓ，Ｅｌｓｖｉｅｒ，ｐ．２５５（１９９５））、支持体上の薄いバンド状構造に被覆されたセル又は鐘と栓（ｂｅｌｌ−ａｎｄ−ｓｐｉｇｏｔ）デザインにおけるような自己支持構造としてのセルからなる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
本発明は、好ましくは、アノード、アノード作成方法、アノードを含む固形酸化物燃料セルを含む。本発明のアノードは、第１のセラミック材料からなる多孔質セラミックマトリックス、及び当該セラミックマトリックスの孔内の少なくとも一部に被覆された第２のセラミック材料からなる電子伝導性セラミック材料を含む。実質上電子伝導性のない金属を上記アノードにおいて用いることが好ましい。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
本発明のアノード材料は、安定化されたＹＳＺ又は第２のセラミック材料を含浸された他の電解質材料からなるのが好ましい。本発明における使用のための好ましい第２のセラミック材料は、限定ではないが、ドープされたセリア、例えばＧｄ又はＳｍ−をドープされたセリア、ＬａＣｒＯ３，ＳｒＴｉＯ３，Ｙ−ドープされたＳｒＴｉＯ３，Ｓｒ−ドープされたＬａＣｒＯ３，（ＬＳＣ），タングステンカーバイド（ＷＣ）、及びそれらの混合物を含む。多孔質ＹＳＺと共に上記アノードに製剤化される（ｆｏｒｍｕｌａｔｅｄ）場合に、第２のセラミック材料ＬＳＣは、式Ｌａ０．７Ｓｒ０．３ＣｒＯ３−δ／ＹＳＺを有することが好ましい。本発明はこれらの特定のセラミック材料に限定されないこと、及び他のセラミック材料を上記アノード中で単独又は前記のセラミック材料と共に使用してよいことが、認識される。さらに、安定化されたＹＳＺ以外の材料を第１セラミック材料として使用してよく、Ｇｄ−及びＳｍ−ドープされたセリア（１０から１００重量％），Ｓｃ−ドープされたＺｒＯ２（１００重量％まで）、ドープされたＬａＧａＭｎＯｘ、及び他の電解質材料を含む。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
発明の一つの好ましい態様において、ＳＯＦＣのアノードは、炭化水素へアノードを暴露することにより形成される炭素質被覆物も含む。好ましくは、アノードを、１より多い炭素原子を有する炭化水素に、より好ましくはブタンに暴露する。アノード材料は、好ましくは、炭化水素へ、約５００から約９００℃の範囲内、より好ましくは約６００から約８００℃の範囲内、そしてもっとも好ましくは約７００℃の温度において暴露される。炭化水素への暴露は、概して、約１分から２４時間、好ましくは約５分から約３時間、そしてもっとも好ましくは約１０分から約１時間３０分、続けることができる。アノード材料は、一度又は数回、炭化水素へ暴露することができる。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
本発明者らは、驚くことに、アノード上に形成された炭素の量が平衡に達し、そして結果として形成された炭素が完全にアノードをコートしないことによりそれの効果を失わせることを発見した。あらゆる理論に拘束されることを意図しないが、本発明者らは、マイナーな量の炭化水素残渣がアノードの表面上に被覆されて、伝導性酸化物がアノード組成物内に含まれた場合に、電子伝導粒子の間の隙間を埋めると信じる。１より多い炭素を有する炭化水素、例えばブタンによる処理後に、形成された炭化水素残渣が隙間を埋めて伝導性を改善することにより、アノード表面からの電子の伝導性粒子への流れを可能にさせる。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
電極上に任意に形成することができる炭素質被覆物は、好ましくは、多環芳香族化合物、より好ましくは概して互いに融合された２から６の環を含む融合されたベンゼン環である。これらの多環芳香族化合物は、アノード中でＮｉ，Ｃｏ，及びＦｅを使用する時に一般に形成されるグラファイト炭素繊維とは異なる（Ｔｏｅｂｅｓ，Ｍ．Ｌ．，ｅｔａｌ．，Ｃａｔａｌｙｓｉｓ Ｔｏｄａｙ，２００２）。多環芳香族化合物は７００℃において低いが限定された蒸気圧を有する。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
ほんの少量の炭素質残渣は、明らかに伝導性を実質上増加させるのに十分である。本発明者らは、残渣の化学形態が何であるかもしれないことを正確には知らないが、性能を顕著に増強させるために必要な量は、電極の全重量の、約１０重量％未満、好ましくは約５重量％未満、そしてもっとも好ましくは約２重量％未満に相当するらしい。残渣の密度が約１ｇ／ｃｍ３、炭化水素に関して典型的な値、と見積もられたら、この残渣の体積のフラクションは電極の全重量の５％未満である。残渣の密度がグラファイトの密度により近いと見積もられたら、当該残渣により占められる体積はさらに低くなるはずである。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
炭素質被覆を形成するために電極を炭化水素で処理することの別の利点は、より低い量のイオン又は電子伝導性材料しか必要としないことである。比較すると、金属含有サーメットのアノード及びカソードのための最小金属含有率は約３０体積％であると報告されている（Ｄｅｅｓ，Ｄ．Ｗ．，ｅｔａｌ．，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１３４，２１４１（１９８７））。発明の様々な態様の一つの特徴は、実質上金属を含有しないで直接の酸化燃料セルを操作して（例えば、約５重量％未満の金属から金属無しまで様々）、なおも無理のない性能を得ることが可能なことである。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
発明の態様の別の特徴は、上記のアノードを作成する方法を含む。当該方法によると、最初にイットリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、又は他の電解質材料（以後、便宜上「ＹＳＺ」と呼ぶ）の粉末及びテープキャスティングを形成することにより、２つの層、グリーンテープのＹＳＺを形成することが好ましい（一方の層がアノード用、そして他方が電解質用）。２層のグリーンテープは、次に、約１，２００から約１，８００℃、好ましくは約１，３５０から約１，６５０℃、そしてもっとも好ましくは約１，５００から約１，５５０℃の範囲内の温度にて焼結されることにより、ＹＳＺの多孔質マトリックスを形成させる。多孔質マトリックスの孔度は、水取込み測定により（Ｋｉｍ，Ｈ．，ｅｔａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．，８５，１４７３（２００２））、約４５％から約９０％の範囲内、より好ましくは約５０％から約８０％の範囲内、そしてもっとも好ましくは約７０％である。この様式にて２つの層のテープを焼結することにより、約４００から約８００μｍ厚、より好ましくは約６００μｍ厚の、多孔質層により支持された、約４０から約８０μｍ厚、より好ましくは約６０μＭ厚の稠密な側面を有するＹＳＺウエファーがもたらされる。ＹＳＺウエファーの稠密な側が、電解質として機能する。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
アノードは、上記ウエファーの多孔質ＹＳＺ部分に第２セラミック材料又はそれらの前駆体を含浸することにより形成させる。例えば、多孔質ＹＳＺ部分は、Ｌａ，Ｓｒ，及びＣｒ（ＬＳＣに関して）の硝酸塩を適度な濃度で含む水性溶液に含浸させることができる。例えば、当該多孔質アノードを形成するために有用な好ましい塩は、Ｌａ（ＮＯ３）３，Ｓｒ（ＮＯ３）３の少なくとも飽和した水性溶液を含む。含浸した多孔質セラミック材料は、次に、硝酸イオンを分解させて伝導性ペロブスカイト相を形成するのに十分な温度にて焼成する。焼成温度は、電子伝導性材料の酸化物と多孔質セラミックマトリックスの間において固形状態の反応が生じるような温度よりも低い温度が好ましい。例えば、ＬＳＣをアノードの材料として使用するとき、焼成は、好ましくは約８００℃から約１，２００℃、より好ましくは約１，０００℃から約１，２００℃、そしてもっとも好ましくは約１，１００℃において実施する。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
本発明のアノードの伝導相は、よって、相対的に低い温度；固体状態の反応が生じるはずの温度より低い温度において形成することができる。即ち、多孔質セラミックマトリックスは上記の硝酸塩溶液により含浸されて、次に燃料セルがその操作温度に加熱されたときに伝導相が形成されてよい。これは、明らかな利点であり、製造コストを顕著に削減する。これらの低温は、第２相の出現も避けるが、それにもかかわらず、はるかに高い温度において焼結することが慣用的に要求される伝導相を有するアノードを提供する。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
さらに、本明細書において記載された低温においてこの様式にて第２のセラミック材料を形成することは、Ｌａ２Ｚｒ２Ｏ７及びＳｒＺｒＯ３のような不所望な有害相（ｉｎｓｕｌｔｉｎｇｐｈａｓｅ）の形成を回避することができる。上記の方法は、好ましくは、電子伝導性の第２の酸化物材料がコンポジットアノードにおいてイオン伝導性の第１セラミック酸化物のＣＴＥと調和する特性を修飾する必要性を回避するか又は打ち消す。即ち、電子伝導性の第２セラミック酸化物材料は上記電解質と同じＣＴＥを有する必要がなく、何故ならば、アノードの物理的構造が主に多孔質材料を構成するイオン伝導性の第１セラミック酸化物材料により定義されるからである。これは、第２セラミック材料として使用可能な材料の選択において、顕著に、より柔軟性を可能にさせる。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
多孔質第１セラミック材料の孔内に少なくとも部分的に第２セラミック材料を被覆するための別の方法は、孔を、第２セラミック材料、例えばＬａＣｒＯ３のコロイド粒子に浸すことを含む。当該コロイド粒子が多孔質第１セラミック材料の孔に適合するのに十分小さい限り、当該コロイド含浸技術は第１セラミック材料の孔を被覆するのに有効であり得る。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
アノード中に用いられる第２セラミック材料の量は、好ましくは、アノードの全重量の、約１から７５重量％、より好ましくは約１０から約６０重量％、そしてもっとも好ましくは約２５から約５０重量％の範囲である。追加の触媒材料及び電子工学材料を多孔質コンポジットに浸してよい。例えば、セリアは、炭化水素の直接の酸化のためにアノードの酸化活性を増強することが知られている。セリウムは、Ｃｅ（ＮＯ３）２の水溶液の添加により第１及び第２セラミック材料を含むコンポジットアノード材料に添加することができる。同様に、少量のＣｕをアノードコンポジット材料に添加することにより、電子伝導性を増強することができる。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
本発明のアノードは、慣用の電極に比べて、はるかに低い量の電子伝導性材料にて増加した電子伝導性を有する。さらに、発明のアノードは慣用のアノードに比べてはるかに低い量にて浸透性挙動を呈するが、伝導性相がランダムではないが、酸化物マトリックスの孔を被覆するという事実によると信じられている。慣用の方法（例えば、粉末を一緒に混合して焼結する−方法ａ）に従い製造されたＬＳＣ／ＹＳＺ、及び本発明（例えば、多孔質ＹＳＺ層を形成させ、当該層をカソード材料の溶液に浸し、そして加熱する−方法ｂ）に従い製造されたＬＳＣ／ＹＳＺの破断面のマイクロ構造を図７及び８に示す。ＹＳＺとＬＳＣの粒子は、慣用の方法ａに関して互いに完全に分散したことが観察できる。これらの電極に関しては、伝導性は低イオン伝導性粒子負荷においてＹＳＺのそれとほとんど同じであり、そして浸透に関する挙動は、相対的に高い濃度のイオン伝導性材料においてのみ生じる。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
如何なる理論にも拘束されることを意図しないが、発明者らは、コンポジット電極を通した２つの伝導機構の存在：（ｉ）アノードとしてのＬＳＣを通した電子の通路；及び（ｉｉ）ＹＳＺ及びＬＳＣの両方を通したイオン通路、により浸透に関する挙動が説明できる。浸透閾値より下においては、コンポジットの伝導性はＹＳＺの伝導性と類似していたことから、ＹＳＺ相を通したイオン伝導通路のみを示唆する。浸透閾値を超えると、伝導性は大きく増強されて、ＬＳＣペロブスカイトを通したイオン伝導性から電子伝導性への機構の変化に対応する。発明の電極（方法ｂ）に関しては、ＬＳＣに対する前駆体の塩を含む溶液が多孔質ＹＳＺの界面を通して吸着され得る。第２セラミック材料を含む伝導性酸化物相のナノメーター粒子層又は薄いフィルムが焼結後にＹＳＺの表面に沿って相対的に均一に形成され得るから、低濃度においてさえも改善されたＬＳＣ粒子対粒子の接触がもたらされる。よって、第２セラミック材料の連続伝導性ペロブスカイト相は伝導性を増加させることができ、そして伝導性に関する浸透閾値が低負荷において見いだされ得る。慣用の電極（方法ａ）に関しては、浸透閾値ははるかに高い濃度のイオン伝導性材料においてであり、そのＹＳＺとの混合のためである。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
発明のアノードは、好ましくは、約０．５μｍよりも大きな孔サイズを有する多数の孔を有する多孔質構造を有する。全ての孔が約０．５μｍを超える孔サイズを有する必要はないが、５０％を超える孔、より好ましくは６０％を超える孔、そしてもっとも好ましくは７５％を超える孔が０．５μｍを超える孔サイズを有することが好ましい。孔サイズは、孔の主な寸法に沿った距離を測定することにより決定することができる。本発明においては、多数の孔が約０．７５μｍ、より好ましくは１μｍ、そしてもっとも好ましくは約１．５μｍを超える孔サイズを有することが好ましい。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
発明は、今、以下の非限定実施例を参照して説明される。
実施例
ＬＳＣ−ＹＳＺ後コンポジット電極を２つの方法により製造した：（ａ）方法Ａは慣用の酸化物粉末の物理的混合を含んだ；及び（ｂ）方法Ｂは多孔質ＹＳＺマトリックスの金属塩による含浸を含んだ。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
発明の方法（ｂ）
含浸（ｉｍｐｒｅｇｎａｔｉｏｎ）によりコンポジットを製造するため、方法Ｂでは、例えば、Ｇｏｒｔｅ，Ｒ．Ｊ．，ｅｔａｌ．，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，１２，１４６５（２０００），及びＰａｒｋ，Ｓ．，ｅｔａｌ．，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１４８，Ａ４４３（２００１）に記載された方法を用いて、多孔質ＹＳＺマトリックスを最初に製造した。ＹＳＺ粉末（８ｍｏｌ％のＹ２Ｏ３を含むＺｒＯ２、ＴｏｓｏｈＴＺ−８４）を標準（ｒｅｃｅｉｖｅｄ）として使用し、そして蒸留水、分散剤（Ｄｕｒａｍａｘ３００５，Ｒｏｈｍ ＆ Ｈａａｓ）、結合剤（ＨＡ１２及びＢ１０００，Ｒｏｈｍ ＆ Ｈａｓｓ）、及び孔形成剤（グラファイト及びポリメチルメタクリレート）と混合した。このスラリーを、約６００μｍの厚さを有する多孔質セラミックウエファーをもたらすはずのテープに型取った（ｃａｓｔ）。１５５０℃において焼成した後、水の含浸後のサンプルの重量の変化により示されるとおり、ＹＳＺウエファー及び長方形の断片が６０％の孔度を有することがわかった。Ｋｉｍ，Ｈ．，ｅｔａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．，８５，１４７３（２００２）。適当な濃度のＬａ，Ｓｒ，及びＣｒの可溶性塩を含む溶液へのＹＳＺの含浸により、ＬＳＣを次に多孔質ＹＳＺへ添加した。十分な量のＬａ（ＮＯ３）３，Ｓｒ（ＮＯ３）３及びＣｒ（ＮＯ３）３を用いて、約３０から約４０ｖｏｌ％の範囲のＬＳＣ濃度を有するコンポジットを製造した。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
実施例１
一連の多孔質コンポジットを上記の方法ｂを用いて製造することにより、電子伝導性酸化物材料が多孔質マトリックス中に分散されたか否かを決定した。ＬＳＣの量を増加させた一連の材料の孔度を測定し、結果を図１に示す。この図面の中のＬＳＣ−ＹＳＺコンポジットは、１，１００℃において焼成された。これらのデータに関して、伝導性酸化物の容量をその質量及び塊の密度から測定した。図面の中の線は、第２酸化物が孔を満たすと仮定しての、コンポジットの孔度の予測される変化である。孔度が予測どおりに低下するとの事実は、電子伝導性酸化物材料が焼成処理後の孔構造中に存在することを証明する。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
実施例２
アノード材料として有用なＬＳＣ−ＹＳＺコンポジットを上記の方法ｂに従い製造した。最適な焼成温度を決定するため、方法ｂを異なる温度において反復し、その結果を図２に示す。図２は、温度をだんだん増加させた焼成後の、約３０体積重量％のＬＳＣに相当するはずの負荷に対する、多孔質ＹＳＺのＬａ，Ｓｒ及びＣｒ塩への含浸後のＸＲＤパターンを示す。ＬＳＣに相当するピーク、ペロブスカイト相（注目すべきは、４１、４６、５８、６８、及び７８度２θにおけるそれら）が約８００℃において開始することが明らかになった。これらのピークは１，１００℃までの焼成後に、より鋭くなるが、さらに高い焼成温度には新たな相が出現する。１，２００℃まで、ピークは３１度において出現し、ＳｒＺｒＯ３の形成によると信じられる。１，４００℃を下回る焼成温度に関しては、４１度の近辺の領域において幾つかの重複するピークも存在し、おそらくは、クロム化合物、例えばＣｒＯ，ＣｒＯ２（ＯＨ）ｙ及びＣｒ（ＯＨ）ｙに関連する。コンポジットの性能に逆効果を有するかもしれない不所望の成分の形成を防ぐためには、固体状態の反応が生じるよりも低い焼成温度においてコンポジットを製造することが好ましい。この場合、約１，２００℃を下回る焼成温度においてコンポジットを製造することがもっとも好ましい。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
ＳＯＦＣの作成
アノードを上記のとおりに製造した。セリア含有セラミックアノードを以下のとおりに製造した。稠密な電解質層及び多孔質ＹＳＺマトリックスを、同時に、テープ鋳型法により製造した。孔形成剤のないグリーンテープ上にグラファイト及びポリ−メチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）孔形成剤によりテープを型取る（ｃａｓｔ）ことにより、２つの層、ＹＳＺのグリーンテープ（イットリウム安定化ジルコニア、Ｔｏｓｏｈ，８ｍｏｌ％のＹ２Ｏ３，ＴＺ−８４）を作成した。２層のテープを１８００Ｋに焼成する（ｆｉｒｉｎｇ）ことで、６００μｍ厚の多孔質層により支持された６０μｍ厚の稠密サイドを有するＹＳＺウエファーをもたらした。多孔質層の孔度は、水取込み測定により５０〜７０％であると決定された、Ｋｉｍ，Ｈ．，ｅｔａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．，８５，１４７３（２００２）。次に、ＹＳＺとＬＳＭ（Ｌａ０．８Ｓｒ０．２ＭｎＯ３、ＰｒａｘａｉｒＳｕｒｆａｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）の５０：５０の混合物の粉末をペーストとしてウエファーの稠密サイドに塗布し、次に、１４００Ｋに焼成することによりカソードを作成した。三番目に、多孔質ＹＳＺ層をＣｅ（ＮＯ３）３・６Ｈ２Ｏの水溶液に含浸し、そして７２３Ｋに焼成することにより硝酸イオンを分解してＣｅＯ２を形成させた。多孔質層を次にＣｕ（ＮＯ３）２・３Ｈ２Ｏの水溶液に含浸し、そして再び空気中で７２３Ｋに焼成することにより、硝酸塩を分解した。これらの実施例において使用されたセルの全部は、１０重量％のＣｅＯ２を含み、金属を含まなかった。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
実施例６
多孔質ＹＳＺをＳｒドープされたＬａＣｒＯ３に含浸することにより上で製造されたＳＯＦＣも、上記のとおりにしてｎ−ブタンへの暴露の前と後に、流れるＨ２中で試験し、結果を図６に示す。図６に示すとおり、優秀な性能は、セラミックアノードをブタンに接触させ、即ち炭化水素被覆をアノード上に形成させることにより達成された。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
【図１】図１は、電子伝導性材料を濃度を変化させて含む本発明により製造されたコンポジットの多孔質を示すグラフである。
【図２】図２は、異なる焼成温度におけるＬＳＣ／ＹＳＺコンポジットのＸＲＤパターンを示す。
【図３】図３は、焼成温度によるＬＳＣ／ＹＳＺコンポジットの電子伝導性の変化を示すグラフである。
【図４】図４は、ＬＳＣ濃度によるＬＳＣ／ＹＳＺコンポジットの電子伝導性の変化を示すグラフである。
【図５】図５は、発明のセラミックアノードに対する炭素の被覆の効果を示すグラフである。
【図６】図６は、発明のセラミックアノードに対する炭素の被覆の効果を示すグラフである。
【図７】図７は、慣用の方法を用いて製造されたＬＳＣ／ＹＳＺコンポジットのＳＥＭマイクロ構造を示すグラフである。
【図８】図８は、発明の方法を用いて製造されたＬＳＣ／ＹＳＺコンポジットのＳＥＭマイクロ構造を示すグラフである。
【誤訳訂正３２】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図５】
2005529464.tif 000001
【誤訳訂正３３】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図６】
2005529464.tif 000002