【事件の表示】
　特願２００１−　２１１１３「半導体装置およびその製法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月４日出願公開、特開２００２−２８９７６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯 
　本願は、平成１３年１月３０日（優先権主張　平成１２年７月１７日、平成１２年１０月２３日、平成１３年１月２２日）の出願であって、平成１４年３月１９日付で拒絶理由通知がなされ、同年６月１７日付で意見書及び手続補正書が提出され、平成１４年３月１９日付拒絶理由通知書に記載した理由によって、平成１５年７月２３日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月２０日付で手続補正書が提出されたものである。 
 　　 
［２］平成１５年１０月２０日付手続補正についての補正却下の決定 
 　　 
＜補正却下の決定の結論＞ 
　平成１５年１０月２０日付手続補正を却下する。 
 　　 
＜理由＞ 
［２−１］補正の内容 
　平成１５年１０月２０日付手続補正は、特許請求の範囲を、
「【請求項１】第１の半導体チップと、第２の半導体チップとがそれぞれの半導体チップに設けられるバンプを介して接合されることにより形成される半導体装置であって、前記バンプが第１の金属からなり、前記第１および第２の半導体チップのそれぞれに設けられるバンプの接合部は、該第１の金属と、前記第１および第２の半導体チップの少なくとも一方のバンプ表面に設けられ、前記第１の金属の溶融温度より低い温度で溶融して前記第１の金属と合金化し得る材料からなる第２の金属との合金層、または前記第１および第２の半導体チップの少なくとも一方のバンプに設けられる前記第１の金属より融点の低い第３の金属層からなり、かつ、前記合金層または第３の金属層は前記第１および第２の半導体チップのそれぞれに設けられるバンプの少なくとも一方のバンプ側面まで付着してなる半導体装置。
【請求項２】第１の半導体チップの電極端子上に設けられるバンプと、第２の半導体チップの電極端子または該電極端子と接続した配線とが接合されることにより形成される半導体装置であって、前記バンプが第１の金属からなり、該バンプの接合部は、該第１の金属と、前記バンプもしくは前記第２の半導体チップの電極端子または配線上に設けられ、前記第１の金属の溶融温度より低い温度で溶融して前記第１の金属と合金化し得る材料からなる第２の金属との合金層、または前記バンプもしくは前記第２の半導体チップの電極端子または配線上に設けられる前記第１の金属より融点の低い第３の金属層からなり、かつ、前記接合部の合金層または第３の金属層が前記バンプの側面までフィレットを形成して付着してなる半導体装置。
【請求項３】第１の半導体チップと、第２の半導体チップとがバンプを介して接合されることにより形成される半導体装置であって、前記バンプが第１の金属からなり、該バンプを介した前記第１および第２の半導体チップの接合部が該第１の金属と該第１の金属より融点の低い第２の金属との合金層、または前記第１の金属より融点の低い第３の金属層からなり、該接合部に合金化しなかった前記第２の金属の層もしくは第３の金属層が残存し、または前記合金層の前記第２の金属の割合が大きい層を有するように前記第１および第２の半導体チップが接合されることにより、２８０〜５００℃で該接合部が溶融することにより前記第１および第２の半導体チップを分離し得る半導体装置。
【請求項４】第１の半導体チップと、第２の半導体チップとが、該第１および第２の半導体チップの両方にそれぞれ形成されるバンプを介して接合されることにより形成される半導体装置であって、前記バンプを介した前記第１および第２の半導体チップのバンプ同士の接合部が、２８０〜５００℃で溶融することにより前記第１および第２の半導体チップを分離し得る構造に形成されてなる半導体装置。
【請求項５】前記第１および第２の半導体チップの一方に前記バンプが形成され、他方の半導体チップに前記第１の金属からなる金属膜が形成され、該バンプと前記金属膜とが接合されてなる請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】前記第１および第２の半導体チップの接合部に、前記第１の金属と第２の金属との合金層または前記第３の金属層からなるフィレットが形成されてなる請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】前記第１の金属がＡｕからなり、前記第２の金属がＳｎからなり、前記接合部がＡｕ-Ｓｎ合金を有する請求項１、２または６記載の半導体装置。
【請求項８】前記第３の金属がＡｕ-Ｓｎ合金からなる請求項１、２または６記載の半導体装置。
【請求項９】第１の半導体チップと、第２の半導体チップとが、それぞれの電極端子および配線が形成される側が向き合されて電気的に接続されると共に接合される半導体装置であって、前記第１の半導体チップと第２の半導体チップとの接合が配線同士の接合で、該配線同士の接合部に低融点金属層が設けられ、該接合部以外の前記第１の半導体チップと第２の半導体チップの配線の間隙部に、第１の絶縁層が設けられ、前記低融点金属層により接合されてなる半導体装置。
【請求項１０】前記配線の表面が平坦化されるように、前記半導体チップ表面のパシベーション膜上に第２の絶縁層を介して前記配線が形成されてなる請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】前記配線が、電極端子に接続して設けられるバリアメタル層を介したＡｕ配線であり、前記低融点金属層がＡｕ-Ｓｎ合金からなる請求項９または１０記載の半導体装置。
【請求項１２】前記配線が、電極端子と同時に形成されるＣｕからなり、該配線上にバリアメタル層およびＡｕ層を介してＡｕ-Ｓｎ合金からなる前記低融点金属層により接合されてなる請求項９または１０記載の半導体装置。
【請求項１３】前記配線が、電極端子と同時に形成されるＡｕからなり、該配線上でＡｕ-Ｓｎ合金からなる前記低融点金属層により接合されてなる請求項９または１０記載の半導体装置。
【請求項１４】前記接合部を構成するＡｕ-Ｓｎ合金が、Ａｕを６５ｗｔ％以上含有するＡｕリッチの合金を有する請求項７、８、１１、１２または１３記載の半導体装置。
【請求項１５】前記接合部のＡｕ-Ｓｎ合金層が０.８μｍ以上５μｍ以下である請求項７、８、１１、１２、１３または１４記載の半導体装置。
【請求項１６】前記第１の半導体チップと第２の半導体チップとの接合部の間隙部に、弾性率が前記バンプとほぼ同じ弾性率を有する絶縁性樹脂が充填されてなる請求項１ないし８のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項１７】前記第１の半導体チップと第２の半導体チップとの接合部の間隙部に、熱収縮率が５％以下の絶縁性樹脂が充填されてなる請求項１ないし８のいずれか１項または１６記載の半導体装置。
【請求項１８】前記第１の半導体チップおよび第２の半導体チップの少なくとも一方の前記接合部における半導体層に回路素子が形成されてなる請求項１ないし１７のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項１９】第１の半導体チップまたは基板と、第２の半導体チップとを向き合せて、前記第１の半導体チップまたは基板と第２の半導体チップのそれぞれに設けられるバンプ間で接合する半導体装置の製法であって、前記バンプの少なくとも一方に、該バンプの金属より低融点の低融点金属層を設け、前記第１の半導体チップまたは基板と前記第２の半導体チップとを完全には位置合せをすることなく接合部が向き合うように重ね、前記低融点金属層が溶融する温度まで上げることにより、セルフアラインで位置合せをして前記第１の半導体チップまたは基板と第２の半導体チップとを接合することを特徴とする半導体装置の製法。」とする補正を含むものである。
 　　 
［２−２］補正の目的 
　上記補正前の請求項１に記載される「該バンプの接合部は、該第１の金属と前記バンプの少なくとも一方に設けられ、」を「前記第１および第２の半導体チップのそれぞれに設けられるバンプの接合部は、該第１の金属と、前記第１および第２の半導体チップの少なくとも一方のバンプ表面に設けられ、」と限定し、同「前記バンプの少なくとも一方に設けられる前記第１の金属より融点の低い第３の金属」を「前記第１および第２の半導体チップの少なくとも一方のバンプに設けられる前記第１の金属より融点の低い第３の金属層」と限定し、同「前記バンプの少なくとも一方の側面まで前記合金層または第３の金属層が充分に付着して接合されてなる」を「前記合金層または第３の金属層は前記第１および第２の半導体チップのそれぞれに設けられるバンプの少なくとも一方のバンプ側面まで付着してなる」と限定し、
　同請求項２に記載される「前記バンプもしくはその相手方」（２箇所）を「前記バンプもしくは前記第２の半導体チップの電極端子または配線上」（２箇所）と限定し、同「第３の金属からなり、かつ、前記バンプの側面まで前記合金層または第３の金属層が充分に付着して接合されてなる」を「第３の金属層からなり、かつ、前記接合部の合金層または第３の金属層が前記バンプの側面までフィレットを形成して付着してなる」と限定し、
　同請求項３に記載される「前記バンプを介した前記第１および第２の半導体チップの接合部が２８０〜５００℃で前記第１および第２の半導体チップを容易に分離し得る構造からなる」を「前記バンプが第１の金属からなり、該バンプを介した前記第１および第２の半導体チップの接合部が該第１の金属と該第１の金属より融点の低い第２の金属との合金層、または前記第１の金属より融点の低い第３の金属層からなり、該接合部に合金化しなかった前記第２の金属の層もしくは第３の金属層が残存し、または前記合金層の前記第２の金属の割合が大きい層を有するように前記第１および第２の半導体チップが接合されることにより、２８０〜５００℃で該接合部が溶融することにより前記第１および第２の半導体チップを分離し得る」と限定し、
　同請求項４に記載される「前記第１および第２の半導体チップの両方にそれぞれ前記バンプが形成され、該バンプ同士が接合されてなる請求項３記載の半導体装置。」を「第１の半導体チップと、第２の半導体チップとが、該第１および第２の半導体チップの両方にそれぞれ形成されるバンプを介して接合されることにより形成される半導体装置であって、前記バンプを介した前記第１および第２の半導体チップのバンプ同士の接合部が、２８０〜５００℃で溶融することにより前記第１および第２の半導体チップを分離し得る構造に形成されてなる半導体装置。」と限定し、
　同請求項１２、１３に記載される「請求項９、１０または１１記載の」、「請求項９、１０または１１項記載の」を共に「請求項９または１０記載の」と限定し、
　同請求項１９に記載される「接合部が向き合うように重ね、」を「完全には位置合せをすることなく接合部が向き合うように重ね、」と限定する補正は、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
 　　 
［２−３］独立特許要件 
　次いで、上記の特許請求の範囲の減縮を目的とする補正後の請求項１〜４、１２、１３、１９に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。 
 　　 
（１）補正後の本願発明 
　上記補正後の請求項１〜４、１２、１３、１９に係る発明（以下、夫々「本願補正発明１」〜「本願補正発明４」、「本願補正発明１２」、「本願補正発明１３」、「本願補正発明１９」という。）は、平成１５年１０月２０日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜４、１２、１３、１９に記載された事項により特定される、上記［２−１］の【請求項１】〜【請求項４】、【請求項１２】、【請求項１３】、【請求項１９】に記載したとおりのものと認める。
　　 
（２）引用刊行物の記載事項 
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された下記刊行物には、以下の事項が記載されている。 
　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：特開平９−３２６４６５号公報
刊行物２：特開平９−２１３７０２号公報
　　
（２−１）刊行物１：特開平９−３２６４６５号公報
　刊行物１には、
「【請求項１】第１の電極を有する第１の半導体素子と、前記第１の半導体素子上の保護膜上に形成された第２の電極と、前記保護膜上に形成されるとともに前記第１の電極と前記第２の電極とを接続する配線層と、前記第２の電極及び前記配線層を介して前記第１の電極との電気的な接続を行う第３の電極を有するとともに前記第１の半導体素子に積層された第２の半導体素子とを有する半導体装置。
【請求項３】第２の電極と第３の電極とが突起電極を介して接続されたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。」（【特許請求の範囲】【請求項１】、【請求項３】）、
　実施の態様として、図５〜７が示されるとともに、「【００３１】まず図５（ａ）に示すように、拡散まで終了したウエハの保護膜３５上からフォトレジスト５１を塗付し配線層３６に対応した部分のみが抜けたパターン５２を形成する。次に図５（ｂ）に示すように最上層に形成されたＡｌ電極５３の自然酸化膜５４を除去する・・・そして図５（ｃ）に示すようにパターン５２内のＡｌ電極５３、および保護膜３５上に無電解めっきで金属膜を析出させるための下地処理を行い、置換反応膜５５を形成する。・・・
【００３２】次に図５（ｄ）に示すように置換反応膜５５上に無電解めっき法でＮｉめっき膜５６を析出させる。・・・この後Ｎｉめっき膜５６上からさらに無電解Ａｕめっきを行い、Ａｕ膜５７を得る。このＡｕ膜５７を形成する目的はＮｉ表面が酸化するのを防ぐためと、電気的に安定した接触抵抗を得るためである。この後図５（ｅ）に示すようにフォトレジスト５１を除去して、配線層３６付の第１の半導体素子３１を得る。・・・
【００３３】次に第２の半導体素子３２上の第２の電極３４に突起電極３８を形成する方法を説明する。形成方法は上記の図５で示した方法とほぼ同様の方法で形成する。ただしこの場合は、配線層は形成しないためフォトレジストは不要となる。すなわちＡｌ電極上に選択的にジンケート処理またはアクチベート処理を行い、無電解Ｎｉめっき、ついで無電解Ａｕめっきで突起電極を得るのである。高さは３〜１０μｍ程度であり、このうちＡｕめっき膜厚は０．１〜０．３μｍ程度で十分である。
【００３４】次に上記のようにして形成された第１及び第２の半導体素子（ＬＳＩチップ）の２つのチップ同士を張合せて、積層化する方法について説明する。
【００３５】まずは図６を用いてその一例について説明する。各々のチップには配線層３６や第３の電極３７、突起電極３８が前述した方法ですでに形成されている。これら２つのチップの第３の電極３７と突起電極３８を位置合わせする。次に両者のチップを張合せて熱と圧力を加える。このことにより第３の電極３７表面のＡｕと突起電極３８表面のＡｕを反応させて金属的な接合を行う。そして最終的には機械的強度を得るために両者のチップの間に樹脂６１を流し込んで補強を行い、図６に示した最終構造を得る。
【００３６】また、異なるメタラジーでの接合も可能である。その一例を図７を用いて説明する。第１の半導体素子３１上に形成された配線層３６と第３の電極３７の最表面の処理をＡｕまたはＳｎなどの低融点金属と簡単に共晶合金を作り易い金属７１としておく。この処理もまた無電解めっきにて形成することが可能である。一方第２の半導体素子３２上の突起電極３８の最表面処理はＳｎや半田の低融点金属７２とする。このような材料組み合わせで行うと図５に示した構造より、さらに低温で両者のチップ同士を張合せて、積層化することができる。また、必要に応じて機械的強度をもたすために図５と同様な方法で樹脂を介在させても良い。」（段落【００３１】〜【００３６】）が記載されている。
　　
（２−２）刊行物２：特開平９−２１３７０２号公報
　刊行物２には、
「【００３２】・・・図３（Ａ）に示すように、ＩＣチツプ１の各パツド２上にめつき法又はワイヤーボンデイング法により金塊３２を形成した後、当該金塊３２の表面上にめつき法等により錫からなる錫層３３を積層形成するようにしてバンプ３４を形成する。次いで図３（Ｂ）に示すように、このＩＣチツプ１を位置決めしてプリント配線基板６上にマウントし、この後当該ＩＣチツプ１を、210 〜350 〔℃〕程度に加熱されたツール３１を用いて所定圧力でプリント配線基板６に押しつけることによりＩＣチツプ１の各バンプ３４を加圧し、加熱する。
【００３３】この結果ＩＣチツプ１の各バンプ３４では、金塊３２を形成する金が錫層３３へ急速に拡散し、融点217〔℃〕の低温共晶組成が次々に反応し、かくして形成された溶融した低温共晶組成物（錫の含有量が90〔％〕のＡｕ−Ｓｎ合金）がバンプ３４の外に流れ出す。これにより図３（Ｃ）に示すように、ＩＣチツプ１の各バンプ３４とプリント配線基板６の対応するランド７との接合部に金の含有量が60〜90〔％〕のＡｕ−Ｓｎ合金層３５が形成され、かくしてＩＣチツプ１の各パツド２がプリント配線基板６の対応するランド７とそれぞれ金塊３４及びＡｕ−Ｓｎ合金層３５を順次介して接合される。」（段落【００３２】、【００３３】）、
「【００３５】以上の構成によれば、・・・ＩＣチップ１の各バンプ３４をそれぞれプリント配線基板６の対応するランド７にフラックスを用いることなく確実に接合することができ、かくしてＩＣチップ１及びプリント配線基板６間を高品質にかつ信頼性高く接合することができる。」（段落【００３５】）、
「【００３７】・・・まず図４（Ａ）に示すように、ＩＣチツプ１の各パツド２上にめつき法又はワイヤーボンデイング法等を用いて金塊４０を形成すると共に、図４（Ｂ）に示すように、プリント配線基板６の対応するランド上にめつき法等により錫からなる錫層４１を形成する（錫を皮膜する）。次いでＩＣチツプ１をプリント配線基板６上に位置決めマウントし、この後このＩＣチツプ１を、210 〜350 〔℃〕程度に加熱されたツール３１を用いてプリント配線基板６上にパツド当たり０〜数十〔ｇ〕程度の圧力で押し当てることにより、ＩＣチツプ１及びプリント配線基板６の接合部を加熱及び加圧する。
【００３８】この結果第２実施例と同様に、特にＩＣチツプ１の各バンプ４０の先端部に錫の含有量が60〜90〔％〕のＡｕ−Ｓｎ合金でなるＡｕ−Ｓｎ合金層４３が生成され、当該Ａｕ−Ｓｎ合金層４３を介してＩＣチツプ１の各バンプ４０がそれぞれプリント配線基板６の対応するランド７と接合される。これによりＩＣチツプ１をプリント配線基板６上に実装することができる。
【００３９】以上の構成によれば、・・・ＩＣチップ１の各バンプ４０をそれぞれプリント配線基板６の対応するランド７にフラックスを用いることなく確実に接合することができ、かくしてＩＣチップ１及びプリント配線基板６間を高品質にかつ信頼性高く接合することができる。」（段落【００３７】〜【００３９】）が記載されている。
　また、図２には、Ｓｎ１００〜６０％のＳｎ及びＡｕ−Ｓｎ合金の融点が示されており、また、図３（Ａ）〜（Ｃ）、図４（Ａ）〜（Ｃ）には、上記段落に記載された実装手順が図示され、同図３（Ｃ）、図４（Ｃ）には更に、接合部のＳｎ層乃至Ａｕ−Ｓｎ合金層が、バンプ側面までフィレットを形成して付着している点も示されている。
　　
（３）対比・判断
（３−１）本願補正発明２について
　上記（２−１）に摘記した事項を総合すると、刊行物１には、「第２の半導体素子の第２の電極上の突起電極と、第１の半導体素子の電極及び配線層とが接合される半導体装置であって、前記突起電極は電極上に無電解Ｎｉめっき、ついで無電解Ａｕめっきを行って形成され、該突起電極の最表面処理はＳｎや半田の低融点金属とし、前記第１の半導体素子の電極及び配線層は無電解Ｎｉめっき、その後無電解Ａｕめっきを行って形成され、その最表面処理はＡｕまたはＳｎなどの低融点金属と簡単に共晶合金を作り易い金属とし、両半導体素子を位置合わせし、張合わせて熱と圧力を加えて接合した半導体装置」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　そして、本願補正発明２と引用発明とを対比すると、引用発明における「第２の半導体素子」、「第２の半導体素子の第２の電極上の突起電極」、「第１の半導体素子」、「第１の半導体素子の電極及び配線層」は夫々、本願補正発明２における「第１の半導体チップ」、「第１の半導体チップの電極上に設けられるバンプ」、「第２の半導体チップ」、「第２の半導体チップの電極端子または該電極端子と接続した配線」に相当し、また、引用発明では、「前記突起電極は電極上に無電解Ｎｉめっき、ついで無電解Ａｕめっきを行って形成され」るのであるから、該突起電極の「Ｎｉ」又は「Ａｕ」は本願補正発明２における「第１の金属」に相当する。
　また、引用発明における「該突起電極の最表面処理はＳｎや半田の低融点金属とし、」の「Ｓｎや半田の低融点金属」は、該突起電極の「Ｎｉ」、「Ａｕ」よりも低融点であり、また、該低融点金属と該突起電極の「Ａｕ」との合金化により、又は該低融点金属と引用発明における「第１の半導体素子の電極及び配線層」上の「ＡｕまたはＳｎなどの低融点金属と簡単に共晶合金を作り易い金属」との接合後の合金化により、該突起電極の「Ｎｉ」、「Ａｕ」よりも低融点の合金を接合部に生成し得るものである。一方、本願明細書の「なお、第３の金属層も、前述の第１および第２の金属と同様に、単独の金属のみならず、合金などを含む意味であり、とくに接合後には第１の金属および第２の金属との化合、合金化により均一な組成とは限らない。」（段落【００１２】）との記載によれば、本願補正発明２における「第３の金属層」は、接合に伴って接合部に生成する低融点の合金をも含み、均一な組成とは限らないものと理解できるので、引用発明における突起電極上の「Ｓｎや半田の低融点金属」、及び上記合金化によって突起電極上又は「第１の半導体素子の電極及び配線層」上に生成する低融点の合金は、本願補正発明２における「前記バンプもしくは前記第２の半導体チップの電極端子または配線上に設けられる前記第１の金属より融点の低い第３の金属層」に相当する。
　そうすると、両発明は、「第１の半導体チップの電極端子上に設けられるバンプと、第２の半導体チップの電極端子または該電極端子と接続した配線とが接合されることにより形成される半導体装置であって、前記バンプが第１の金属からなり、該バンプの接合部は、前記バンプもしくは前記第２の半導体チップの電極端子または配線上に設けられる前記第１の金属より融点の低い第３の金属層からなる半導体装置」の点で一致し、次の点で相違する。（イ）本願補正発明２では、バンプの接合部の第３の金属層が該バンプの側面までフィレットを形成して付着してなるのに対し、引用発明では、それが明記されていない点。 
　　
　そこで、上記相違点（イ）について検討するに、刊行物２には、ＩＣチップのバンプと配線基板のランドとの接合部にＳｎ層乃至Ａｕ−Ｓｎ合金層を該バンプ側面までフィレットを形成して付着させ、確実に信頼性高く接合することができる旨記載されているので、引用発明におけるバンプの接合部のＳｎや半田の低融点金属、及び該接合部に上記合金化によって生成する低融点の合金を該バンプ側面までフィレットを形成して付着させることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、本願補正発明２の上記相違点（イ）に係る発明特定事項によってもたらされる、低温で強固に接合でき、半導体層にダメージが殆どかからないという効果も、引用発明及び刊行物１、２の記載から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。 
 　　 
　したがって、本願補正発明２は、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
 　　 
（４）むすび 
　以上のとおり、本願補正発明２が特許出願の際独立して特許を受けることができないため、本願補正発明１、３、４、１２、１３、１９について検討するまでもなく、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
 　　 
［３］本願発明 
　平成１５年１０月２０日付手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１〜１９に係る発明は、平成１４年６月１７日付手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜１９に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項２に係る発明（以下、「本願発明２」という。）は以下のとおりである。
「【請求項２】第１の半導体チップの電極端子上に設けられるバンプと、第２の半導体チップの電極端子または該電極端子と接続した配線とが接合されることにより形成される半導体装置であって、前記バンプが第１の金属からなり、該バンプの接合部は、該第１の金属と前記バンプもしくはその相手方に設けられ、前記第１の金属の溶融温度より低い温度で溶融して前記第１の金属と合金化し得る材料からなる第２の金属との合金層、または前記バンプもしくはその相手方に設けられる前記第１の金属より融点の低い第３の金属からなり、かつ、前記バンプの側面まで前記合金層または第３の金属層が充分に付着して接合されてなる半導体装置。」
 　　 
［４］引用刊行物の記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１（特開平９−３２６４６５号公報）、同刊行物２（特開平９−２１３７０２号公報）には、夫々上記［２−３］（２−１）、（２−２）に摘記した事項が記載されている。 
 　　 
［５］対比・判断 
　本願発明２における「前記バンプもしくはその相手方に設けられ」の「相手方」には、本願補正発明２における「前記第２の半導体チップの電極端子または配線上」が含まれ、また、本願発明２における「前記バンプの側面まで前記合金層または第３の金属層が充分に付着して接合されてなる」には、本願補正発明２における「前記接合部の合金層または第３の金属層が前記バンプの側面までフィレットを形成して付着してなる」が含まれるので、本願発明２は、本願補正発明２を包含するものといえる。
　そして、本願発明２は、引用発明に対し、上記相違点（イ）の「バンプの接合部の第３の金属層が前記バンプの側面までフィレットを形成して付着してなる」を「前記バンプの側面まで第３の金属層が充分に付着して接合されてなる」と読み替えた相違点を有するものの、上記［２−３］（３−１）で説示したとおり、本願補正発明２が、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明２も、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［６］むすび 
　以上のとおり、本願発明２は、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　また、上記のとおり本願発明２が特許を受けることができないため、本願の請求項１、３〜１９に係る発明ついて検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。