【手続補正書】
【提出日】平成22年8月4日(2010.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タキソゲンをテロゲンにさらしてテロマーを生成させることを含むテロメル化方法であって、前記タキソゲンがＶＤＦ、ＴＦＰおよびエチレンの１つまたは複数であり、前記テロゲンがＣ３Ｆ６（ＲＴ）ｎＸまたはＣ３Ｆ７（ＲＴ）ｎＸ（式中、Ｘはハロゲンであり、ＲＴは−ＣＨ２ＣＦ２−と−ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）Ｈ−との一方または両方であり、ｎは１〜４である）の一方を含むことを特徴とするテロメル化方法。
【請求項２】
前記タキソゲンがＶＤＦであり、前記テロゲンが（ＣＦ３）２ＣＦＣＨ２ＣＨ（ＣＦ３）Ｉであることを特徴とする請求項１に記載のテロメル化方法。
【請求項３】
前記タキソゲンがＴＦＰであり、前記テロゲンが（ＣＦ３）２ＣＦＣＨ２ＣＦ２Ｉであることを特徴とする請求項１に記載のテロメル化方法。
【請求項４】
前記タキソゲンがＴＦＰであり、前記テロゲンが（ＣＦ３）２ＣＦＣＨ２ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２Ｉであることを特徴とする請求項１に記載のテロメル化方法。
【請求項５】
前記タキソゲンがＴＦＰであり、前記テロゲンが（ＣＦ３）２ＣＦＣＨ２ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＦ３）Ｉであることを特徴とする請求項１に記載のテロメル化方法。
【請求項６】
前記タキソゲンがＴＦＰであり、前記テロゲンが（ＣＦ３）２ＣＦＣＨ２ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＦ３）ＣＨ２ＣＨ（ＣＦ３）Ｉであることを特徴とする請求項１に記載のテロメル化方法。
【請求項７】
前記タキソゲンがエチレンであり、前記テロゲンが（ＣＦ３）２ＣＦＣＨ２ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＦ３）ＣＨ２ＣＨ（ＣＦ３）ＣＨ２ＣＨ（ＣＦ３）Ｉであることを特徴とする請求項１に記載のテロメル化方法。
【請求項８】
前記タキソゲンがエチレンであり、前記テロゲンが（ＣＦ３）３ＣＣＨ２ＣＨ（ＣＦ３）Ｉであることを特徴とする請求項１に記載のテロメル化方法。
【請求項９】
タキソゲンをテロゲンにさらしてテロマーを生成させることを含むテロメル化方法であって、前記タキソゲンが２個を上回る炭素原子を有するオレフィンを含み、前記テロゲンが少なくとも５個の炭素原子を含み、かつ少なくとも２個の−ＣＦ３基を有することを特徴とするテロメル化方法。
【請求項１０】
前記タキソゲンがエチレン、ＶＤＦ、ＴＦＰ、ＶＤＦ、４，５，５，５−テトラフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ペンタ−１−エンおよび／または６，７，７，７−テトラフルオロ−６−（トリフルオロメチル）ヘプタ−１−エンの１つであることを特徴とする請求項１に記載のテロメル化方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法によって得られることを特徴とする製品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５７】
【表１】
2010502783.tif 000001
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  ＲF（ＲT）nＱs（式中、ＲF基は少なくとも１個の−ＣＦ3基を含み、ＲT基は−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含み、ｎは少なくとも１であり、Ｑs基は元素の周期律表の少なくとも１個の原子である）を含む界面活性剤組成物であって、ＲF基とＲT基の少なくとも一部がＱs基に比較して疎水性であり、Ｑs基の少なくとも一部がＲF基とＲT基に比較して親水性であることを特徴とする界面活性剤組成物。
［２］  ＲF基が−Ｃ3Ｆ6または−Ｃ3Ｆ7の１つであることを特徴とする［１］に記載の界面活性剤。
［３］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［１］に記載の界面活性剤。
［４］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［１］に記載の界面活性剤。
［５］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［１］に記載の界面活性剤。
［６］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2−を含むことを特徴とする［１］に記載の界面活性剤。
［７］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［１］に記載の界面活性剤。
［８］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2−を含むことを特徴とする［１］に記載の界面活性剤。
［９］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［１］に記載の界面活性剤。
［１０］  ＲF（ＲT）nＱFS（式中、ＲF基は少なくとも１個の−ＣＦ3基を含み、ＲT基は−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含み、ｎは少なくとも１であり、ＱFS基は元素の周期律表の少なくとも１個の原子である）を含む気泡安定剤組成物であって、ＲF基とＲT基の少なくとも一部がＱFS基に比較として疎水性であり、ＱFS基の少なくとも一部がＲF基とＲT基に比較して親水性であることを特徴とする気泡安定剤組成物。
［１１］  ＲF基が−Ｃ3Ｆ6または−Ｃ3Ｆ7の１つであることを特徴とする［１０］に記載の気泡安定剤。
［１２］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［１０］に記載の気泡安定剤。
［１３］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［１０］に記載の気泡安定剤。
［１４］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［１０］に記載の気泡安定剤。
［１５］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2−を含むことを特徴とする［１０］に記載の気泡安定剤。
［１６］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［１０］に記載の気泡安定剤。
［１７］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2−を含むことを特徴とする［１０］に記載の気泡安定剤。
［１８］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［１０］に記載の気泡安定剤。
［１９］  ＲF（ＲT）nＱM（式中、ＲF基は少なくとも１個の−ＣＦ3基を含み、ＲT基は−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含み、ｎは少なくとも１であり、ＱM基は元素の周期律表の少なくとも１個の原子である）を含むことを特徴とするモノマー。
［２０］  ＲF基が−Ｃ3Ｆ6または−Ｃ3Ｆ7の１つであることを特徴とする［１９］に記載のモノマー。
［２１］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［１９］に記載のモノマー。
［２２］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［１９］に記載のモノマー。
［２３］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［１９］に記載のモノマー。
［２４］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2−を含むことを特徴とする［１９］に記載のモノマー。
［２５］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［１９］に記載のモノマー。
［２６］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2−を含むことを特徴とする［１９］に記載のモノマー。
［２７］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［１９］に記載のモノマー。
［２８］  ＲF（ＲT）nＱMU（式中、ＲF基は少なくとも１個の−ＣＦ3基を含み、ＲT基は−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含み、ｎは少なくとも１であり、ＱMU基はポリマー鎖主鎖の一部である）を含むことを特徴とするポリマー。
［２９］  ＲF基が−Ｃ3Ｆ6または−Ｃ3Ｆ7の１つであることを特徴とする［２８］に記載のポリマー。
［３０］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［２８］に記載のポリマー。
［３１］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［２８］に記載のポリマー。
［３２］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［２８］に記載のポリマー。
［３３］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2−を含むことを特徴とする［２８］に記載のポリマー。
［３４］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［２８］に記載のポリマー。
［３５］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2−を含むことを特徴とする［２８］に記載のポリマー。
［３６］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［２８］に記載のポリマー。
［３７］  ＲF（ＲT）nＱU（式中、ＲF基は少なくとも１個の−ＣＦ3基を含み、ＲT基は−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含み、ｎは少なくとも１であり、ＱU基は元素の周期律表の少なくとも１個の原子である）を含むことを特徴とするウレタン。
［３８］  ＲF基が−Ｃ3Ｆ6または−Ｃ3Ｆ7の１つであることを特徴とする［３７］に記載のウレタン。
［３９］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［３７］に記載のウレタン。
［４０］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［３７］に記載のウレタン。
［４１］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［３７］に記載のウレタン。
［４２］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2−を含むことを特徴とする［３７］に記載のウレタン。
［４３］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［３７］に記載のウレタン。
［４４］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2−を含むことを特徴とする［３７］に記載のウレタン。
［４５］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［３７］に記載のウレタン。
［４６］  ＲF（ＲT）nＱH（式中、ＲF基は少なくとも１個の−ＣＦ3基を含み、ＲT基は−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含み、ｎは少なくとも１であり、ＱH基はグリコール鎖主鎖の一部である）を含むことを特徴とするグリコール。
［４７］  ＲF基が−Ｃ3Ｆ6または−Ｃ3Ｆ7の１つであることを特徴とする［４６］に記載のグリコール。
［４８］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［４６］に記載のグリコール。
［４９］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［４６］に記載のグリコール。
［５０］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［４６］に記載のグリコール。
［５１］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2−を含むことを特徴とする［４６］に記載のグリコール。
［５２］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［４６］に記載のグリコール。
［５３］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2−を含むことを特徴とする［４６］に記載のグリコール。
［５４］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［４６］に記載のグリコール。
［５５］  ＲF（ＲT）nＱMC（式中、ＲF基は少なくとも１個の−ＣＦ3基を含み、ＲT基は−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含み、ｎは少なくとも１であり、ＱMC基は１つまたは複数の金属イオンを錯化するように設計された帯電基を含む）を含むことを特徴とする金属錯体。
［５６］  ＲF基が−Ｃ3Ｆ6または−Ｃ3Ｆ7の１つであることを特徴とする［５５］に記載の金属錯体。
［５７］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［５５］に記載の金属錯体。
［５８］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［５５］に記載の金属錯体。
［５９］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［５５］に記載の金属錯体。
［６０］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2−を含むことを特徴とする［５５］に記載の金属錯体。
［６１］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［５５］に記載の金属錯体。
［６２］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2−を含むことを特徴とする［５５］に記載の金属錯体。
［６３］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［５５］に記載の金属錯体。
［６４］  ＲF（ＲT）nＱPE（式中、ＲF基は少なくとも２個の−ＣＦ3基を含み、ＲT基は少なくとも２個の炭素を有する基を含み、ｎは少なくとも１であり、ＱPE基はホスフェートエステルの一部である）を含むことを特徴とするホスフェートエステル組成物。
［６５］  ＲF基が−Ｃ3Ｆ6または−Ｃ3Ｆ7の１つであることを特徴とする［６４］に記載のホスフェートエステル。
［６６］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［６４］に記載のホスフェートエステル。
［６７］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［６４］に記載のホスフェートエステル。
［６８］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［６４］に記載のホスフェートエステル。
［６９］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2−を含むことを特徴とする［６４］に記載のホスフェートエステル。
［７０］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［６４］に記載のホスフェートエステル。
［７１］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2−を含むことを特徴とする［６４］に記載のホスフェートエステル。
［７２］  ＲT基が−ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［６４］に記載のホスフェートエステル。
［７３］  ＲF（ＲT）nＱg（式中、ＲF基はＣ５より大きい炭素量、および少なくとも１個の末端−ＣＸ3基および少なくとも１個の−ＣＸ3側基を有し、ＸはＨとＦの一方または両方であり、ＲT基は−ＣＨ2ＣＸ2−を含み、ｎは１より大きく、Ｑg基は元素の周期律表の少なくとも１個の原子である）を含むことを特徴とする組成物。
［７４］  ＲF基がＣ５〜Ｃ１７の間の炭素量を有することを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［７５］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＨ2−を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［７６］  ＲT基が−ＣＨ2ＣＦ2−を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［７７］  ＲF基が（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）−を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［７８］  ＲF基が（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2Ｃ（ＣＦ3）ＨＣＨ2−を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［７９］  ＲF基が（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2Ｃ（ＣＦ3）ＨＣＨ2ＣＦ2−を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［８０］  ＲF基が（ＣＦ3）3ＣＣＨ2Ｃ（ＣＦ3）Ｈ−を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［８１］  ＲF基が（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2ＣＦ2−を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［８２］  ＲF基が（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2−を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［８３］  ＲF基が（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2−を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［８４］  ＲF基が（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2−を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［８５］  ＲF基が（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2Ｃ（ＣＦ3）Ｈ−を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［８６］  ＲF基が（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2Ｃ（ＣＦ3）ＨＣＨ2Ｃ（ＣＦ3）Ｈ−を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［８７］  ＲF基が（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2Ｃ（ＣＦ3）ＨＣＨ2Ｃ（ＣＦ3）Ｈ−を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［８８］  ＲF基が（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2Ｃ（ＣＦ3）ＨＣＨ2Ｃ（ＣＦ3）ＨＣＨ2Ｃ（ＣＦ3）Ｈ−を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［８９］  ＲF基が（ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＨ2ＣＦ2）l−（式中、ｌは１〜２である）を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［９０］  ＲF基が（ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＨ2Ｃ（ＣＦ3）Ｈ）m−（式中、ｍは１〜３である）を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［９１］  ＲF基が（ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＨ2ＣＦ2）l（ＣＨ2Ｃ（ＣＦ3）Ｈ）m−（式中、ｌは１〜２であり、ｍは１〜３である）を含むことを特徴とする［７３］に記載の組成物。
［９２］  タキソゲンをテロゲンにさらしてテロマーを生成させることを含むテロメル化方法であって、前記タキソゲンがＶＤＦ、ＴＦＰおよびエチレンの１つまたは複数であり、前記テロゲンがＣ3Ｆ6（ＲT）nＸまたはＣ3Ｆ7（ＲT）nＸ（式中、Ｘはハロゲンであり、ＲTは−ＣＨ2ＣＦ2−と−ＣＨ2Ｃ（ＣＦ3）Ｈ−との一方または両方であり、ｎは１〜４である）の一方を含むことを特徴とするテロメル化方法。
［９３］  前記タキソゲンがＶＤＦであり、前記テロゲンが（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）Ｉであることを特徴とする［９２］に記載のテロメル化方法。
［９４］  前記タキソゲンがＴＦＰであり、前記テロゲンが（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2ＣＦ2Ｉであることを特徴とする［９２］に記載のテロメル化方法。
［９５］  前記タキソゲンがＴＦＰであり、前記テロゲンが（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2Ｉであることを特徴とする［９２］に記載のテロメル化方法。
［９６］  前記タキソゲンがＴＦＰであり、前記テロゲンが（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）Ｉであることを特徴とする［９２］に記載のテロメル化方法。
［９７］  前記タキソゲンがＴＦＰであり、前記テロゲンが（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）Ｉであることを特徴とする［９２］に記載のテロメル化方法。
［９８］  前記タキソゲンがエチレンであり、前記テロゲンが（ＣＦ3）2ＣＦＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）Ｉであることを特徴とする［９２］に記載のテロメル化方法。
［９９］  前記タキソゲンがエチレンであり、前記テロゲンが（ＣＦ3）3ＣＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）Ｉであることを特徴とする［９２］に記載のテロメル化方法。
［１００］  タキソゲンをテロゲンにさらしてテロマーを生成させることを含むテロメル化方法であって、前記タキソゲンが２個を上回る炭素原子を有するオレフィンを含み、前記テロゲンが少なくとも５個の炭素原子を含み、かつ少なくとも２個の−ＣＦ3基を有することを特徴とするテロメル化方法。
［１０１］  前記タキソゲンがエチレン、ＶＤＦ、ＴＦＰ、ＶＤＦ、４，５，５，５−テトラフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ペンタ−１−エンおよび／または６，７，７，７−テトラフルオロ−６−（トリフルオロメチル）ヘプタ−１−エンの１つであることを特徴とする［１００］に記載のテロメル化方法。