【事件の表示】
　平成　５年特許願第１６０９１９号「半導体レーザ」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　１月２４日出願公開、特開平　７−　２２６９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年６月３０日に特許出願したものであって、その請求項１に係る発明は、平成１５年５月２７日付及び平成１５年７月２８日付手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】ｐ型半導体基板上に、第１のｐ型クラッド層、活性層、及び第２のｎ型クラッド層が順次積層されたメサストライプ構造を有し、前記メサストライプ構造の両側面に接して積層されたｐ型の第１の埋込層と、前記メサストライプ構造の両側面に接しないで形成されたｎ型の第２埋込層を有し、
　前記ｐ型の第１の埋込層により前記第２のｎ型クラッド層側面が埋め込まれ、
　前記第２のｎ型クラッド層と前記ｎ型の第２埋込層とが前記ｐ型の第１の埋込層の介在により分離しており、
　前記ｎ型の第２埋込層の導電型不純物がＳｉであり、
　前記両側面が変曲点の無い滑らかな曲面で形成され、
　前記メサストライプ構造近傍の前記第２埋込層の先端部の位置が前記活性層の上面よりも下であることを特徴とする半導体レーザ。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．刊行物の記載事項
　原審における拒絶理由に引用したこの出願前公知の刊行物である特開平５−３７０８４号公報には、下記の記載が認められる。
「【００２３】【実施例】
　本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置の断面図を図１に示す。また、この半導体レーザ装置の製造工程を図２に示す。本実施例においては、長波長系材料である燐化インジウム（ＩｎＰ）系材料の例を用いて説明する。（１００）面の出たＺｎドーピングｐ型ＩｎＰ基板２１（Ｐ＝２×１０１８ｃｍ−３）上にＭＯＣＶＤ法を用いてＺｎドーピングｐ型ＩｎＰ層２２（ｐ＝１．５×１０１８ｃｍ−３）を厚さ０．５μｍになるように積層し、次いでＩｎＰ層２２上に発光波長１．３μｍまたは１．５５μｍのバンドギャップを有するＩｎＧａＡｓＰ活性層２３を厚さ０．１μｍになるように積層する。更に活性層２３上にＳｉドーピングｎ型ＩｎＰ層２４（ｎ＝１×１０１８ｃｍ−３）を厚さ０．１μｍになるように積層する。ＩｎＰ層２２，活性層２３，及びＩｎＰ層２４はそれぞれ連続的にエピタキシャル成長により形成される。
【００２４】次に、ＣＶＤ技術によりＳｉＯ２薄膜を約２０００Å堆積し、フォトリソグラフィー技術により（１１０）方向に幅約５μｍのＳｉＯ２ストライプ状マスクを３００μｍ間隔で形成する。次に、化学的エッチングによりｎ型ＩｎＰ層２４、ＩｎＧａＡｓＰ層２３、及びｐ型ＩｎＰ層２２をメサストライプの高さが２〜３μｍとなるように、また活性層のストライプ幅が約１μｍとなるようにエッチングして活性領域を形成する（図２（ａ）参照）。しかる後、少なくともメサストライプ頂部にＳｉＯ２ストライプ状マスクを残したまま、メサストライプ以外の凹部分に、Ｚｎドーピングｐ型ＩｎＰ層２５（ｐ＝０．５〜×１０１８ｃｍ−３）を厚さ０．５μｍでメサストライプ側面を覆うように埋め込み成長させる。さらに、ＩｎＰ層２５上にＳｉドーピングｎ型ＩｎＰ層２６（ｎ＝１×１０１８ｃｍ−３）を厚さ０．５μｍになるよう成長させ（図２（ｂ）参照）、またＩｎＰ層２６上に鉄（Ｆｅ）あるいはコバルト（Ｃｏ）等の電子を捕獲する深い準位を形成する金属をドーピング（例えばＦｅを５×１０１６ｃｍ−３）した高抵抗ＩｎＰ２７を厚み３μｍになるように成長させる（図２（ｃ）参照）。ＩｎＰ層２５，２６，２７は順次ＭＯＣＶＤ成長法等により選択的なエピタキシャル成長により形成される。ここで、ＭＯＣＶＤ法により埋め込み成長を行う場合、ｎ型ＩｎＰ層２６の成長時において成長温度、成長速度などの成長条件を最適化し、あるいは成長後にアニール等の熱処理を施すことで、活性領域近傍のｎ型ＩｎＰ層２６をその周囲にあるｐ型ＩｎＰ層２５からのＺｎ拡散によってｐ型に反転させ、ｎ型ＩｎＰ層２６とｎ型ＩｎＰクラッド層２４との接続を切る操作を行う。
【００２５】具体的には、ｐ型ＩｎＰ層２５のドーパントＺｎとｎ型ＩｎＰ層２６のドーパントＳｉのそれぞれの拡散定数の違いにより、Ｚｎは６００℃で、ＳｉはＺｎよりも１００℃以上高い温度にならないと熱拡散が生じにくい。それで、結晶成長温度を６００℃程度に制御してＳｉの熱拡散を押え込みつつｐ型ＩｎＰ層２５からのｎ型ＩｎＰ層２６へのＺｎ拡散を利用して活性領域２２，２３，２４近傍のｎ型ＩｎＰ層２６をｐ型に反転させる。」
　また、図１には、メサストライプの両側面が変曲点のない滑らかな曲面で形成されたものが示されている。
　
３．対比・判断
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）と上記刊行物記載のものとを対比する。
（イ）上記刊行物記載のものの「ｐ型ＩｎＰ基板２１」、「Ｚｎドーピングｐ型ＩｎＰ層２２」、「ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３」、「Ｓｉドーピングｎ型ＩｎＰクラッド層２４」及び「半導体レーザ装置」は、それぞれ、本願発明の「ｐ型半導体基板」、「第１のｐ型クラッド層」、「活性層」、「第２のｎ型クラッド層」及び「半導体レーザ」に相当する。
（ロ）上記刊行物記載のものの「Ｚｎドーピングｐ型ＩｎＰ層２５」は、本願発明の「ｐ型の第１の埋込層」に相当し、刊行物記載のものの「Ｓｉドーピングｎ型ＩｎＰ層２６」は、本願発明の「ｎ型の第２の埋込層の導電型不純物がＳｉ」に相当する。
（ハ）上記刊行物記載のものは、「Ｚｎドーピングｐ型ＩｎＰ層２５でメサストライプ側面を覆うように埋め込み成長させる。さらに、ＩｎＰ層２５上にＳｉドーピングｎ型ＩｎＰ層２６・・・成長させる」（前掲の【００２４】参照。）のであるから、メサストライプに含まれる「Ｓｉドーピングｎ型ＩｎＰクラッド層２４」の側面が「Ｚｎドーピングｐ型ＩｎＰ層２５」で覆われているということができる。
　また、上記刊行物記載のものは、「ｐ型ＩｎＰ層２５からのｎ型ＩｎＰ層２６へのＺｎ拡散を利用して活性領域２２，２３，２４近傍のｎ型ＩｎＰ層２６をｐ型に反転させる」（前掲の【００２５】参照。）のであるから、製造された半導体レーザ装置が、本願発明の「前記メサストライプ構造の両側面に接して積層されたｐ型の第１の埋込層と、前記メサストライプ構造の両側面に接しないで形成されたｎ型の第２埋込層を有し、前記ｐ型の第１の埋込層により前記第２のｎ型クラッド層側面が埋め込まれ、前記第２のｎ型クラッド層と前記ｎ型の第２埋込層とが前記ｐ型の第１の埋込層の介在により分離して」いる構成を実質的に備えていることは明らかである。
（ニ）上記刊行物には、ｎ型ＩｎＰ層２６（ｎ型の第２埋込層）の先端部の位置についての記載はない。しかし、「活性領域近傍のｎ型ＩｎＰ層２６をその周囲にあるｐ型ＩｎＰ層２５からのＺｎ拡散によってｐ型に反転させ、ｎ型ＩｎＰ層２６とｎ型ＩｎＰクラッド層２４との接続を切る」（前掲の【００２４】参照。）のであるから、ｎ型ＩｎＰ層２６の先端部の位置が活性層の上面、すなわち、ｎ型ＩｎＰクラッド層２４の下面より下になっていることは明らかである。
（なお、ｎ型の第２埋込層の先端部の位置については、原査定の拒絶理由に引用した引用文献４：IEEE .Photo. Tech. Lett.，１９９２年，Vol.4  No.9，p.954-957 のＦｉｇ．１にも同様のものが記載されていることから見ても上記の判断の妥当なことが理解できる。）
　以上のとおり、上記刊行物には本願発明の構成が実質的に全て記載されている。
　
　よって、両者は、構成要件のすべての点で一致し、相違するところはない。
　
　なお、請求人は、審判請求書等で、上記刊行物と本願発明との相違点について言及しており、その中で特許法第２９条第１項第３号の同一性を含めて検討していることは明らかである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。