【事件の表示】
　平成　８年特許願第１７４４８０号「フォトレジストのパターン計測方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　１月２３日出願公開、特開平１０−　１９５３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成８年７月４日の出願であって、平成１６年７月１５日付け（発送日：同月２０日）で拒絶査定がなされ、これに対して、同年８月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認められる。　
　「【請求項１】　金属板にフォトレジストを塗布し、パターンを露光し現像してパターンの形状となったフォトレジストに対して紫外線を照射し、フォトレジストの発光する蛍光による蛍光画像を撮像し、この蛍光画像によりフォトレジストのパターンを計測することを特徴とするフォトレジストのパターン計測方法。」
　
第２　刊行物に記載された発明
　１．原査定の拒絶の理由で引用した本願の出願前に頒布された刊行物である特開平６−４３１１０号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　（１）「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は半導体製造プロセス上の半導体チップの検査方法に係り、特にレジストパターン欠陥の検査方法に関する。
　（２）「【０００９】【実施例】図１は本発明のレジストパターン欠陥の検出方法の実施例を示す断面図であり、図１（ａ）はレジストパターンの形状を検査する一実施例を、図１（ｂ）はポジフォトマスクを利用しレジストパターン以外の部分を検査する他の一実施例である。また図２は図１（ｂ）の場合のレジストパターンの欠陥検出方法の具体例を示した断面図である。なお図中の同一部には同一符号が付されている。
【００１０】（実施例１）図１（ａ）において、１はシリコンウェハ、２はその上面に形成された酸化皮膜、３は酸化皮膜２上に塗布されたフォトレジストで、レジストパターンが形成されている状態にある。ここで形成されたレジストパターンの全面にレジストだけから蛍光を発生させる光、例えばＵ励起光１０を上部より垂直に照射することにより、検査をする前段階としてレジストパターンだけが特定される。つまり酸化皮膜２等の画像情報をあらかじめキャンセルすることができる。
【００１１】そしてＵ励起光１０によってフォトレジスト３から発生した蛍光中の最も強い波長（ポジレジストの場合、６００ｎｍ付近にスペクトルのピークがある）を捕獲し、これによって形成された画像を検査対象として得、正常の場合のレジストパターンの形状と比較することによりその欠陥を検出する。」
　
　上記摘記事項（１）及び（２）から、刊行物１には、次の発明（以下、「刊行物１に記載された発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「酸化被膜が形成されたシリコンウェハにフォトレジストを塗布してレジストパターンを形成し、該形成されたレジストパターンの全面にＵ励起光を照射し、フォトレジストから発生した蛍光を捕獲し、これによって形成された画像を検査対象として得、正常の場合のレジストパターンの形状と比較することによりその欠陥を検出するレジストパターン欠陥の検出方法。」
　　
　２．原査定の拒絶の理由で引用した本願の出願前に頒布された刊行物である特開平７−３４２０１号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　「【０００２】シャドウマスクやＩＣリードフレームに用いられるＦｅ−Ｎｉ系合金薄板にはフォトエッチング加工が施される」
　
第３　対比・判断  
　１．本願発明と刊行物１に記載された発明との対比
　（１）刊行物１に記載された発明における「フォトレジスト」、「Ｕ励起光」は、それぞれ、本願発明における「フォトレジスト」、「紫外線」に相当する。
　（２）刊行物１に記載された発明における「酸化被膜が形成されたシリコンウェハ」と本願発明における「金属板」は、ともに、フォトエッチング法により加工を行う対象物である。
　（３）レジストパターンは、通常、塗布されたフォトレジストに対してパターンを露光し現像することにより形成されるから、刊行物１に記載された発明における「レジストパターン」は、本願発明における「パターンを露光し現像してパターンの形状となったフォトレジスト」、「フォトレジストのパターン」に相当する。
　（４）画像を得る場合は、通常、撮像によるから、刊行物１に記載された発明における「フォトレジストから発生した蛍光を捕獲し、これによって形成された画像を検査対象として得」は、本願発明における「フォトレジストの発光する蛍光による蛍光画像を撮像し」に相当する。
　（５）検査対象のパターンの画像を取得して、これを正常なパターンの形状と比較してその欠陥を検出する場合には様々な方法を採ることができるが、その中の一つとして、取得したパターンの画像に基づいて検査対象のパターンを計測し、その計測データと正常なパターンの形状データとを比較してその欠陥を検出する方法が含まれることは明らかであるから、刊行物１に記載された発明における「正常の場合のレジストパターンの形状と比較することによりその欠陥を検出する」は、取得したレジストパターンの画像に基づいてレジストパターンを計測し、その計測データと正常な場合のレジストパターンの形状データとを比較してその欠陥を検出することを含むということができる。
　したがって、刊行物１に記載された発明における「正常の場合のレジストパターンの形状と比較することによりその欠陥を検出する」と、本願発明における「この蛍光画像によりフォトレジストのパターンを計測する」とは、ともに蛍光画像によりフォトレジストのパターンを計測する点で共通する。
　同様に、刊行物１に記載された発明における「レジストパターン欠陥の検出方法」と、本願発明における「フォトレジストのパターン計測方法」とは、ともにフォトレジストのパターン計測方法である点で共通する。
　
　したがって、本願発明と刊行物１に記載された発明とは、
　「フォトエッチング法により加工する対象物にフォトレジストを塗布し、パターンを露光し現像してパターンの形状となったフォトレジストに対して紫外線を照射し、フォトレジストの発光する蛍光による蛍光画像を撮像し、この蛍光画像によりフォトレジストのパターンを計測することを特徴とするフォトレジストのパターン計測方法。」である点で一致し、次の相違点で相違する。
　
　相違点　フォトエッチング法により加工する対象物が、本願発明では金属板であるのに対し、刊行物１に記載された発明では酸化被膜が形成されたシリコンウェハである点
　
　２．判断
　上記相違点について検討する。
　フォトエッチング法による加工が、シリコンウェハ等の半導体製造プロセスのみならず、シャドウマスク、ＩＣリードフレーム、プリント基板の銅薄板等の金属板加工プロセスにおいても広く用いられていることは、例えば、上記刊行物２、特開平１−２９４８７８号公報、特開昭６２−１３５７０９号公報、特開平４−１５２３４３号公報、特開平５−１９８９２１号公報に示されるように本願出願前周知の事項であるから、刊行物１に記載された発明を金属板を加工対象とする場合にも適用しようとすることは容易に着想し得るところであって、当業者が格別の推考力を要することとは認められない。そして、その場合、金属板はシリコンウェハと同様Ｕ励起光の照射により蛍光を発するものではなく、レジストパターンのみの良好な蛍光画像が得られることになるから、上記適用を妨げる阻害要因も存在しない。
　したがって、刊行物１に記載された発明において、フォトエッチング法により加工する対象物を金属板とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
　そして、本願発明による「従来目視により行っていたフォトレジストパターンの検査を画像処理により計測し、自動化が可能となる。」という効果も、引用刊行物の「【０００３】【発明が解決しようとする課題】・・・・通常の可視光を用いるとレジストパターン以外の欠陥（下層の酸化皮膜等の欠陥）についても検出されるため、これらを分離する作業に膨大な時間を要し、ある程度の経験がないと分離判断が難しかった。・・・・これらレジストパターン検査における検査時間は、ほとんどが欠陥の分類作業に費やされており、作業者の経験により分類の精度が左右されることが多かった。」、「【００１８】【発明の効果】以上実施例で詳述したように、本発明はレジストパターンの欠陥を検出するために、まずレジストのみから蛍光を発生させる波長の光を照射してレジストパターンを特定するので、従来の検査で問題となった酸化被膜等のレジストパターン以外の欠陥情報を分離する作業に費やされた膨大な時間を短縮することが可能となる。また分離作業が作業者の経験に左右されることも低減される。」という記載及び周知技術から当業者が予測し得る範囲内のものであり、格別のものではない。  
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  よって、結論のとおり審決する。