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　特願２０１５−２５５４６７「発光素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　６月２９日出願公開，特開２０１７−１１８０８０，請求項の数（２５）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２７年１２月２６日の出願であって，その手続の経緯は次のとおりである。
平成２９年１２月１８日　拒絶理由通知（同年同月２６日発送）
平成３０年　２月２３日　手続補正・意見書提出
　　　同年　３月３０日　拒絶理由通知（同年４月３日発送）
　　　同年　６月　４日　手続補正・意見書提出
　　　同年　７月　９日　拒絶査定（同年同月１７日送達）
　　　同年１０月１６日　手続補正・審判請求
第２　原査定の拒絶の理由について
　原査定の拒絶の理由は，本願に係る発明は，引用例１に記載された発明並びに引用例２及び引用例３に記載された事項から当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
引用例１：特開２００７−１３４４１５号公報
引用例２：特開２０１５−１４４２４５号公報
引用例３：特開２０１５−１０６６４２号公報
第３　平成３０年１０月１６日にされた手続補正について
　平成３０年１０月１６日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）については，特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，補正前後の特許請求の範囲は以下のものである。
〈補正前〉
「【請求項１】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体と，
　前記半導体積層体の第１導電型半導体層の上に設けられた第１電極部と，
　前記第１電極部の上に設けられた酸化物膜と，
　前記酸化物膜に接して設けられた反射膜と，
　前記第１電極部と電気的に接続される第２電極部と，を備え，
　前記反射膜は，銀を主成分とし，前記銀の結晶粒及び酸化物のナノ粒子を含み，
　前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され，
　前記第２電極部と前記反射膜とは電気的に接続されている発光素子。
　　【請求項２】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体と，
　前記半導体積層体の前記第２導電型半導体層の上に設けられた酸化物膜と，
　前記酸化物膜に接して設けられた反射膜と，
　前記半導体積層体の前記第２導電型半導体層と電気的に接続され，外部との接続に適した第２電極部と，を備え，
　前記反射膜は，銀を主成分とし，前記銀の結晶粒及び酸化物のナノ粒子を含み，
　前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され，
　前記第２電極部と前記反射膜とは電気的に接続されている発光素子。
　　【請求項３】
　前記酸化物膜は，酸化珪素，酸化アルミニウム，酸化ジルコニウム，酸化チタン，酸化亜鉛，酸化マグネシウム，酸化ガリウム，酸化タンタル，酸化ニオブ，酸化ビスマス，酸化イットリウム，酸化イリジウム，酸化インジウム，酸化スズ，酸化ニッケル，酸化ハフニウム，ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＡＺＯ，ＧＺＯ，ＦＴＯの中から選択される少なくとも１つの物質である請求項１又は２に記載の発光素子。
　　【請求項４】
　前記ナノ粒子は，酸化珪素，酸化アルミニウム，酸化ジルコニウム，酸化チタン，酸化亜鉛，酸化マグネシウム，酸化ガリウム，酸化タンタル，酸化ニオブ，酸化ビスマス，酸化イットリウム，酸化イリジウム，酸化インジウム，酸化スズ，酸化ニッケル，酸化ハフニウム，ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＡＺＯ，ＧＺＯ，ＦＴＯの中から選択される少なくとも１つの物質である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項５】
　前記ナノ粒子は，前記反射膜中において，前記酸化物膜側に多く存在している請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項６】
　前記反射膜中の前記ナノ粒子の含有量は，０．２ｗｔ％以上５ｗｔ％以下である請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項７】
　前記ナノ粒子の平均粒径は，０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項８】
　前記酸化物は，透光性を有する請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項９】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体と，
　前記半導体積層体の第１導電型半導体層の上に設けられた第１電極部と，
　前記第１電極部の上に設けられた窒化物膜と，
　前記窒化物膜に接して設けられた反射膜と，
　前記第１電極部と電気的に接続される第２電極部と，を備え，
　前記反射膜は，銀を主成分とし，前記銀の結晶粒及び窒化物のナノ粒子を含み，
　前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され，
　前記第２電極部と前記反射膜とは電気的に接続されている発光素子。
　　【請求項１０】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体と，　前記半導体積層体の前記第２導電型半導体層の上に設けられた窒化物膜と，
　前記窒化物膜に接して設けられた反射膜と，
　前記半導体積層体の前記第２導電型半導体層と電気的に接続され，外部との接続に適した第２電極部と，を備え，
　前記反射膜は，銀を主成分とし，前記銀の結晶粒及び窒化物のナノ粒子を含み，
　前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され，
　前記第２電極部と前記反射膜とは電気的に接続されている発光素子。
　　【請求項１１】
　前記窒化物膜は，窒化珪素，窒化アルミニウム，窒化ジルコニウム，窒化チタン，窒化亜鉛，窒化マグネシウム，窒化ガリウム，窒化タンタル，窒化ニオブ，窒化ビスマス，窒化イットリウム，窒化イリジウム，窒化インジウム，窒化スズ，窒化ニッケル，窒化ハフニウムの中から選択される少なくとも１つの物質である請求項９又は１０に記載の発光素子。
　　【請求項１２】
　前記ナノ粒子は，窒化珪素，窒化アルミニウム，窒化ジルコニウム，窒化チタン，窒化亜鉛，窒化マグネシウム，窒化ガリウム，窒化タンタル，窒化ニオブ，窒化ビスマス，窒化イットリウム，窒化イリジウム，窒化インジウム，窒化スズ，窒化ニッケル，窒化ハフニウムの中から選択される少なくとも１つの物質である請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項１３】
　前記ナノ粒子は，前記反射膜中において，前記窒化物膜側に多く存在している請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項１４】
　前記反射膜中の前記ナノ粒子の含有量は，０．２ｗｔ％以上５ｗｔ％以下である請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項１５】
　前記ナノ粒子の平均粒径は，０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である請求項９乃至１４のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項１６】
　前記ナノ粒子は，前記反射膜の銀の結晶粒界に存在している請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項１７】
　前記反射膜中の前記ナノ粒子の含有量は，１ｗｔ％以下である請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項１８】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体の前記第１導電型半導体層の上に設けられた第１電極部を形成する工程と，
　前記第１電極部の上に酸化物膜を形成する工程と，
　銀と酸化物の同時スパッタ若しくは同時蒸着により，前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され，前記酸化物膜に接する反射膜を形成する工程と，
　前記第１電極部，及び，前記反射膜，を電気的に接続する第２電極部を形成する工程と，を含む発光素子の製造方法。
　　【請求項１９】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体の前記第２導電型半導体層の上に設けられた酸化物膜を形成する工程と，
　銀と酸化物の同時スパッタ若しくは同時蒸着により，前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され，前記酸化物膜に接する反射膜を形成する工程と，
　前記反射膜を電気的に接続する第２電極部を形成する工程と，を含む発光素子の製造方法。
　　【請求項２０】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体の前記第１導電型半導体層の上に設けられた第１電極部を形成する工程と，
　前記第１電極部の上に酸化物膜を形成する工程と，
　スパッタ若しくは蒸着により，前記酸化物膜の表面に酸化物のナノ粒子を離散的に付着させた後，該ナノ粒子を覆って銀を成膜することによって，前記酸化物膜に接する反射膜を形成する工程と，
　前記第１電極部，及び，前記反射膜，を電気的に接続する第２電極部を形成する工程と，を含む発光素子の製造方法。
　　【請求項２１】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体の前記第２導電型半導体層の上に設けられた酸化物膜を形成する工程と，
　スパッタ若しくは蒸着により，前記酸化物膜の表面に酸化物のナノ粒子を離散的に付着させた後，該ナノ粒子を覆って銀を成膜することによって，前記酸化物膜に接する反射膜を形成する工程と，
　前記反射膜を電気的に接続する第２電極部を形成する工程と，を含む発光素子の製造方法。
　　【請求項２２】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体の前記第１導電型半導体層の上に設けられた第１電極部を形成する工程と，
　前記第１電極部の上に窒化物膜を形成する工程と，
　銀と窒化物の同時スパッタ若しくは同時蒸着により，前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され，前記窒化物膜に接する反射膜を形成する工程と，
　前記第１電極部，及び，前記反射膜，を電気的に接続する第２電極部を形成する工程と，を含む発光素子の製造方法。
　　【請求項２３】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体の前記第２導電型半導体層の上に設けられた窒化物膜を形成する工程と，
　銀と窒化物の同時スパッタ若しくは同時蒸着により，前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され，前記窒化物膜に接する反射膜を形成する工程と，
　前記反射膜を電気的に接続する第２電極部を形成する工程と，を含む発光素子の製造方法。
　　【請求項２４】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体の前記第１導電型半導体層の上に設けられた第１電極部を形成する工程と，
　前記第１電極部の上に窒化物膜を形成する工程と，
　スパッタ若しくは蒸着により，前記窒化物膜の表面に窒化物のナノ粒子を離散的に付着させた後，該ナノ粒子を覆って銀を成膜することによって，前記窒化物膜に接する反射膜を形成する工程と，
　前記第１電極部，及び，前記反射膜，を電気的に接続する第２電極部を形成する工程と，を含む発光素子の製造方法。
　　【請求項２５】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体の前記第２導電型半導体層の上に設けられた窒化物膜を形成する工程と，
　スパッタ若しくは蒸着により，前記窒化物膜の表面に窒化物のナノ粒子を離散的に付着させた後，該ナノ粒子を覆って銀を成膜することによって，前記窒化物膜に接する反射膜を形成する工程と，
　前記反射膜を電気的に接続する第２電極部を形成する工程と，を含む発光素子の製造方法。」
〈補正後〉
「【請求項１】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体と，
　前記半導体積層体の第１導電型半導体層の上に設けられた第１電極部と，
　前記第１電極部の上にのみ設けられた酸化物膜と，
　前記酸化物膜に接して設けられた反射膜と，
　前記第１電極部と電気的に接続される第２電極部と，を備え，
　前記反射膜は，銀を主成分とし，前記銀の結晶粒及び酸化物のナノ粒子を含み，
　前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され，
　前記第２電極部と前記反射膜とは電気的に接続されている発光素子。
　　【請求項２】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体と，
　前記半導体積層体の前記第２導電型半導体層の上にのみ設けられた酸化物膜と，
　前記酸化物膜に接して設けられた反射膜と，
　前記半導体積層体の前記第２導電型半導体層と電気的に接続され，外部との接続に適した第２電極部と，を備え，
　前記反射膜は，銀を主成分とし，前記銀の結晶粒及び酸化物のナノ粒子を含み，
　前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され，
　前記第２電極部と前記反射膜とは電気的に接続されている発光素子。
　　【請求項３】
　前記酸化物膜は，酸化珪素，酸化アルミニウム，酸化ジルコニウム，酸化チタン，酸化亜鉛，酸化マグネシウム，酸化ガリウム，酸化タンタル，酸化ニオブ，酸化ビスマス，酸化イットリウム，酸化イリジウム，酸化インジウム，酸化スズ，酸化ニッケル，酸化ハフニウム，ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＡＺＯ，ＧＺＯ，ＦＴＯの中から選択される少なくとも１つの物質である請求項１又は２に記載の発光素子。
　　【請求項４】
　前記ナノ粒子は，酸化珪素，酸化アルミニウム，酸化ジルコニウム，酸化チタン，酸化亜鉛，酸化マグネシウム，酸化ガリウム，酸化タンタル，酸化ニオブ，酸化ビスマス，酸化イットリウム，酸化イリジウム，酸化インジウム，酸化スズ，酸化ニッケル，酸化ハフニウム，ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＡＺＯ，ＧＺＯ，ＦＴＯの中から選択される少なくとも１つの物質である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項５】
　前記ナノ粒子は，前記反射膜中において，前記酸化物膜側に多く存在している請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項６】
　前記反射膜中の前記ナノ粒子の含有量は，０．２ｗｔ％以上５ｗｔ％以下である請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項７】
　前記ナノ粒子の平均粒径は，０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項８】
　前記酸化物は，透光性を有する請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項９】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体と，
　前記半導体積層体の第１導電型半導体層の上に設けられた第１電極部と，
　前記第１電極部の上にのみ設けられた窒化物膜と，
　前記窒化物膜に接して設けられた反射膜と，
　前記第１電極部と電気的に接続される第２電極部と，を備え，
　前記反射膜は，銀を主成分とし，前記銀の結晶粒及び窒化物のナノ粒子を含み，
　前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され，
　前記第２電極部と前記反射膜とは電気的に接続されている発光素子。
　　【請求項１０】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体と，
　前記半導体積層体の前記第２導電型半導体層の上にのみ設けられた窒化物膜と，
　前記窒化物膜に接して設けられた反射膜と，
　前記半導体積層体の前記第２導電型半導体層と電気的に接続され，外部との接続に適した第２電極部と，を備え，
　前記反射膜は，銀を主成分とし，前記銀の結晶粒及び窒化物のナノ粒子を含み，
　前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され，
　前記第２電極部と前記反射膜とは電気的に接続されている発光素子。
　　【請求項１１】
　前記窒化物膜は，窒化珪素，窒化アルミニウム，窒化ジルコニウム，窒化チタン，窒化亜鉛，窒化マグネシウム，窒化ガリウム，窒化タンタル，窒化ニオブ，窒化ビスマス，窒化イットリウム，窒化イリジウム，窒化インジウム，窒化スズ，窒化ニッケル，窒化ハフニウムの中から選択される少なくとも１つの物質である請求項９又は１０に記載の発光素子。
　　【請求項１２】
　前記ナノ粒子は，窒化珪素，窒化アルミニウム，窒化ジルコニウム，窒化チタン，窒化亜鉛，窒化マグネシウム，窒化ガリウム，窒化タンタル，窒化ニオブ，窒化ビスマス，窒化イットリウム，窒化イリジウム，窒化インジウム，窒化スズ，窒化ニッケル，窒化ハフニウムの中から選択される少なくとも１つの物質である請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項１３】
　前記ナノ粒子は，前記反射膜中において，前記窒化物膜側に多く存在している請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項１４】
　前記反射膜中の前記ナノ粒子の含有量は，０．２ｗｔ％以上５ｗｔ％以下である請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項１５】
　前記ナノ粒子の平均粒径は，０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である請求項９乃至１４のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項１６】
　前記ナノ粒子は，前記反射膜の銀の結晶粒界に存在している請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項１７】
　前記反射膜中の前記ナノ粒子の含有量は，１ｗｔ％以下である請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の発光素子。
　　【請求項１８】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体の前記第１導電型半導体層の上に設けられた第１電極部を形成する工程と，
　前記第１電極部の上にのみ酸化物膜を形成する工程と，
　銀を主成分とし，前記銀の結晶粒及び酸化物のナノ粒子を含み，前記銀と前記酸化物の同時スパッタ若しくは同時蒸着により，前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され，前記酸化物膜に接する反射膜を形成する工程と，
　前記第１電極部，及び，前記反射膜，を電気的に接続する第２電極部を形成する工程と，を含む発光素子の製造方法。
　　【請求項１９】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体の前記第２導電型半導体層の上にのみ設けられた酸化物膜を形成する工程と，
　銀を主成分とし，前記銀の結晶粒及び酸化物のナノ粒子を含み，前記銀と前記酸化物の同時スパッタ若しくは同時蒸着により，前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され，前記酸化物膜に接する反射膜を形成する工程と，
　前記反射膜を電気的に接続する第２電極部を形成する工程と，を含む発光素子の製造方法。
　　【請求項２０】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体の前記第１導電型半導体層の上に設けられた第１電極部を形成する工程と，
　前記第１電極部の上にのみ酸化物膜を形成する工程と，
　スパッタ若しくは蒸着により，前記酸化物膜の表面に酸化物のナノ粒子を離散的に付着させた後，該ナノ粒子を覆って銀を成膜することによって，前記酸化物膜に接する反射膜を形成する工程と，
　前記第１電極部，及び，前記反射膜，を電気的に接続する第２電極部を形成する工程と，を含む発光素子の製造方法。
　　【請求項２１】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体の前記第２導電型半導体層の上にのみ設けられた酸化物膜を形成する工程と，
　スパッタ若しくは蒸着により，前記酸化物膜の表面に酸化物のナノ粒子を離散的に付着させた後，該ナノ粒子を覆って銀を成膜することによって，前記酸化物膜に接する反射膜を形成する工程と，
　前記反射膜を電気的に接続する第２電極部を形成する工程と，を含む発光素子の製造方法。
　　【請求項２２】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体の前記第１導電型半導体層の上に設けられた第１電極部を形成する工程と，
　前記第１電極部の上にのみ窒化物膜を形成する工程と，
　銀を主成分とし，前記銀の結晶粒及び窒化物のナノ粒子を含み，前記銀と前記窒化物の同時スパッタ若しくは同時蒸着により，前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され，前記窒化物膜に接する反射膜を形成する工程と，
　前記第１電極部，及び，前記反射膜，を電気的に接続する第２電極部を形成する工程と，を含む発光素子の製造方法。
　　【請求項２３】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体の前記第２導電型半導体層の上にのみ設けられた窒化物膜を形成する工程と，
　銀を主成分とし，前記銀の結晶粒及び窒化物のナノ粒子を含み，前記銀と前記窒化物の同時スパッタ若しくは同時蒸着により，前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され，前記窒化物膜に接する反射膜を形成する工程と，
　前記反射膜を電気的に接続する第２電極部を形成する工程と，を含む発光素子の製造方法。
　　【請求項２４】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体の前記第１導電型半導体層の上に設けられた第１電極部を形成する工程と，
　前記第１電極部の上にのみ窒化物膜を形成する工程と，
　スパッタ若しくは蒸着により，前記窒化物膜の表面に窒化物のナノ粒子を離散的に付着させた後，該ナノ粒子を覆って銀を成膜することによって，前記窒化物膜に接する反射膜を形成する工程と，
　前記第１電極部，及び，前記反射膜，を電気的に接続する第２電極部を形成する工程と，を含む発光素子の製造方法。
　　【請求項２５】
　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体の前記第２導電型半導体層の上にのみ設けられた窒化物膜を形成する工程と，
　スパッタ若しくは蒸着により，前記窒化物膜の表面に窒化物のナノ粒子を離散的に付着させた後，該ナノ粒子を覆って銀を成膜することによって，前記窒化物膜に接する反射膜を形成する工程と，
　前記反射膜を電気的に接続する第２電極部を形成する工程と，を含む発光素子の製造方法。」
２　補正事項の整理
　請求項１についての補正事項は次のとおりである（下線は当審で付加。以下同様。）。
《補正事項》
　補正前の請求項１の「前記第１電極部の上に設けられた酸化物膜と，」を補正後の請求項１の「前記第１電極部の上に
のみ
　なお，独立形式で記載された，請求項１以外の各請求項（請求項２，９，１０及び１８〜２５）についての補正も，上記《補正事項》と同様に「のみ」を加入して，「前記第２導電型半導体層の上にのみ設けられた酸化物と，」，「前記第１電極部の上にのみ設けられた窒化物膜と，」，「前記第２導電型半導体層の上にのみ設けられた窒化物膜と，」，「前記第１電極部の上にのみ酸化物膜を形成する工程と，」，「前記第２導電型半導体層の上にのみ設けられた酸化物膜を形成する工程と，」，「前記第１電極部の上にのみ窒化物膜を形成する工程と，」または「前記第２導電型半導体層の上にのみ設けられた窒化物膜を形成する工程と，」とする補正事項を含むものである。
３　前記補正事項の新規事項の追加の有無についての検討
　前記補正事項に係る，「前記第１電極部の上にのみ設けられた酸化物膜」は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００１７】及び図１に記載されている。よって，前記補正事項は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　ここで，当初明細書等の段落【００１７】には，
「第１電極部４１上には，開口部を有する光反射構造体２５が接して設けられている。光反射構造体２５は，開口部が規則的に点在する，例えば格子状等に設けられる。電極４０ａの第２電極部４２は，光反射構造体２５上に接して設けられ，また光反射構造体２５の開口部を通じて第１電極部４１に接して設けられている。この光反射構造体２５は，酸化物膜２０を含む誘電体多層膜（ＤＢＲ；Distributed Bragg Reflector），反射膜３０，酸化物膜２１がこの順に積層されてなる。誘電体多層膜の一例としては，酸化珪素の膜と酸化ニオブの膜の積層体が挙げられる。
第２導電型半導体層１５の上面領域の上にも，第１導電型と同様の開口部を有する光反射構造体２５が接して設けられている。電極（第２導電型電極）４０ｂは，光反射構造体２５上に接して設けられ，また光反射構造体２５の開口部を通じて第２導電型半導体層１５の上面領域に接して設けられている
と記載されており，第２導電型半導体層１５の上面領域の上にも，第１導電型と同様の開口部を有する光反射構造体２５（の酸化物膜）が接して設けられていることが記載されてはいる。
　しかしながら，第１電極部４１上に接して設けられている光反射構造体２５，及び，第２導電型半導体層１５の上面に接して設けられている光反射構造体２５の各々が，個々に光を反射し，また，前記各光反射構造体２５において，個々に銀の結晶粒の成長が抑制され，平滑性が維持されるものであって，当該各作用効果は，前記各光反射構造体２５のうちのいずれかがあれば奏されることは明らかである。そして，当初明細書等の全記載を見ても，第１電極部４１上及び第２導電型半導体層の上の双方に光反射構造体２５を設けることが，本願発明についての必須の構成であるとはいえない。
　よって，前記段落【００１７】の記載は，単に，第１電極部４１上及び第２導電型半導体層の上の双方に酸化物膜を設けたものを説明するものであって，当初明細書等に記載された発明が，第１電極部４１上のみに酸化膜を設けることを排除していることを表すものとはいえない。
　また，独立形式で記載された，請求項１以外の各請求項（請求項２，９，１０及び１８〜２５）における前記各補正事項についても，同様の理由により，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
４　独立特許要件について
　下記第４に示すように，本件補正後の請求項１〜２５に係る発明は独立特許要件を満たすものである。
第４　本件発明について
１　本件発明
　本件の請求項１〜２５に記載された発明は，前記第３　１に〈補正後〉として記載したとおりのものである。（以下においては，請求項１〜２５に係る発明を，それぞれ「本件発明１」〜「本件発明２５」という。）
２　検討
（１）刊行物に記載された発明
ア　引用例１：特開２００７−１３４４１５号公報
（ア）原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００７−１３４４１５号公報（以下「引用例１」という。）には，図とともに，以下の記載がある。
ａ　「【０００１】
　
本発明は，電極が対向して設けられている窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法に関する
ｂ　「【００１２】
　本発明は，上述した課題を解決するために創案されたものであり，電極が対向して設けられるとともに，チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝をエッチングにより形成する窒化物半導体発光素子であっても，発光領域に損傷が加わらず，劣化のない高輝度な窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
　上記目的を達成するために，請求項１記載の発明は，
少なくともｎ側電極，ｎ型窒化物半導体層，発光領域，ｐ型窒化物半導体層，ｐ側電極とを順に備えた窒化物半導体発光素子において，前記発光領域よりもｎ側電極側に段差を有し，前記ｐ側電極から段差位置まで積層方向に沿って第１保護絶縁膜が形成されている
ｃ　「【００２０】
　以下，図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。図１は本発明による第１の窒化物半導体発光素子の断面構造を示す。
【００２１】
　III−V族半導体としても知られる窒化物半導体は，周期表のIII族から選択されるＡｌ，Ｇａ及びＩｎ等の元素と，V族の元素Ｎとを有する。窒化物半導体は，窒化ガリウム（ＧａＮ）等の２元混晶であってもよく，窒化ガリウムアルミニウム（ＡｌＧａＮ）または窒化アルミニウムインジウム（ＩｎＧａＮ）等の３元混晶，及び窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＮ）等の４元混晶であってもよい。これらの材料を基板上に付着させて，光電子デバイス用途の発光素子として使用可能な積層半導体構造を製造する。窒化物半導体は，緑−青−紫−紫外スペクトルの短波長の可視光の発光に必要な広いバンドギャップを有する。
【００２２】
　本実施例では，ＩｎＧａＮの３元混晶系を用いているが，上述したようにＩｎＧａＮに限定されるものではない。発光領域としての活性層３を挟むようにしてｎ型窒化物半導体層２とｐ型窒化物半導体層４が形成されており，ダブルへテロ構造を有する。活性層３は，例えば，ＩｎＧａＮ／ＧａＮで構成された多重量子井戸構造を有するもので，井戸層としてＩｎＧａＮ，バリア層（障壁層）としてアンドープＧａＮを交互に積層しているが，バリア層は，０．５〜２％のＩｎ組成からなるＩｎＧａＮを用いることもできる。ところで，発光領域として活性層３を設けるようにしているが，この活性層３を設けずに，ｎ型窒化物半導体層２とｐ型窒化物半導体層４とを直接ｐｎ接合するようにしても良い。この場合，発光領域はｐｎ接合界面部分となる。
【００２３】
　ｎ型窒化物半導体層２は，例えば，ｎ型不純物ＳｉドープのＧａＮコンタクト層とこの上に積層されたｎ型不純物ＳｉドープのＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子層とで構成される。この超格子層は，格子定数差の大きいＩｎＧａＮとＧａＮの応力を緩和し，活性層のＩｎＧａＮを成長させやすくするものである。一方，ｐ型窒化物半導体層４は，例えば，ｐ型不純物ＭｇドープのＧａＮコンタクト層で構成される。ｎ型窒化物半導体層２の下側にはｎ電極１が形成され，ｐ型窒化物半導体層４の上にはｐ電極５が形成されている。ｎ電極１は，ＴｉとＡｌの積層体又はＡｌ等で構成されており，ｎ型窒化物半導体層２にオーミック接触している。ｐ電極５はＮｉとＡｕの積層体等を用いることができるが，光の取出効率を考えた構造とする場合には，透明電極とすることが望ましく，例えばＺｎＯを用いてオーミック接触させた電極とすることができる。
　・・・（中略）・・・
【００２５】
　ところで，ｎ型窒化物半導体層２には，ｐ側から見て活性層３を越えた領域に段差Ａが形成されている。この段差Ａの部分まで，第１保護絶縁膜としての保護絶縁膜６によりｎ型窒化物半導体層２の一部，活性層３，ｐ型窒化物半導体層４，ｐ電極５の側面とｐ電極５の上側一部（コンタクトホールを除いた部分）にかけて覆われており，例えば，発光ダイオード素子の場合，保護絶縁膜６はチップの周縁部に環状に形成され，半導体レーザーの場合には，共振器構造を得るためにチップの両側面に形成される。保護絶縁膜６には，ＳｉＮやＳＯＧ（Spin On Glass）等が用いられる。
【００２６】
　このように，
段差Ａの位置から上側のチップ側面を保護絶縁膜６で覆う構造とすることで，素子毎に分離するための分離溝をエッチングで形成する場合や，ＬＬＯによって発生するＮ
２
ガスを排気するための分離溝をエッチングで形成する場合に，ｎ型窒化物半導体層２の一部，発光領域である活性層３，ｐ型窒化物半導体層４は保護絶縁膜６により保護されるので，長時間エッチングガス（プラズマ）に曝されることがなく，素子の劣化を防止することができる
【００２７】
　図１の構成による窒化物半導体発光素子の活性層３で発生した光は，ｎ電極１の方向（図の下側方向）に取り出されるが，保護絶縁膜６の屈折率をｎ型窒化物半導体層２，活性層３，ｐ型窒化物半導体層４のいずれの屈折率よりも小さくすることによって，素子内部から側面に向かって放射される光の一部が各半導体層と保護絶縁膜６との境界面で全反射するため，光の取出効率が向上する。上述したように，保護絶縁膜６をＳｉＮやＳＯＧとすると，ＧａＮを含む各半導体層よりも保護絶縁膜６の屈折率が小さくなる。」
ｄ　「【００２８】
　以下，図６〜図１２を用いて，本発明の窒化物半導体発光素子製造方法を説明する。・・・
　・・・（中略）・・・
【００３３】
　次に，図７に示すように，ＩＣＰなどを用いてメサエッチングを行って第１分離溝を形成する。メサエッチングは活性層３を通過し，ｎ型窒化物半導体層２中のｎ型ＧａＮコンタクト層が露出するところまで行い，一旦エッチングを停止する。
【００３４】
　図８に示すように，Ｐ−ＣＶＤやスパッタリングで保護絶縁膜６をｐ電極５上面から第１分離溝の下端まですべて覆うように形成し，第１分離溝内を埋めつくさないように，隣接する素子間の隙間は十分に開けておく。保護絶縁膜６は，発光ダイオード素子の場合，チップの周縁部に環状に形成され，半導体レーザーの場合には，共振器構造を得るためにチップの両側面に形成される。そして，図９に示すように，ＳｉＯ２のような誘導体膜やレジストによるマスク１４のパターニングをコンタクトホール形状に合わせて行い形成する。」
ｅ　「【００４７】
　図５は，２重に保護絶縁膜を設けた場合で，さらに，光の取出効率を高めた構成を示す。図３と同様に，
屈折率の異なる２重の保護絶縁膜が設けられているが，反射膜１０が設けられており，側面の保護絶縁膜からの全反射だけでなく，この反射膜１０により上方向に向かった光を反射させてｎ電極１の方向に取り出そうとするものである。この場合，ｐ電極５は透明電極でなければならず，上述したＧａドープＺｎＯ電極を用いる
【００４８】
　ｐ型窒化物半導体層にｐ型ＧａＮコンタクト層を用いた場合，ＧａをドープしたＺｎＯは，ＧａＮと格子定数が近似しており，事後のアニ−ルをすることなく，ｐ型ＧａＮコンタクト層との間に良好なオーミック接触を形成する。また，
反射膜１０には，ＡｌやＡｇなどの銀白色系の反射ミラーとして働く金属が用いられる。保護絶縁膜６１としては，透明絶縁膜であるＳｉＮやＺｒＯ
２
が，保護絶縁膜９２としては，透明絶縁膜であるアルミナ（Ａｌ
２
Ｏ
３
）が用いられる
【００４９】
　
保護絶縁膜９に用いられるアルミナは，反射膜１０と保護絶縁膜６１との間の密着性を高めて反射膜１０の剥離を防ぐ接着層として作用するとともに，屈折率がＧａＮを含む半導体層，保護絶縁膜６１，保護絶縁膜９２の順に小さくなっていくので，全反射による光の取出効率が高くなるという働きがある
【００５０】
　
反射膜１０は，ｐ電極５上に直接全面に積層されておらず，小さなコンタクトホール１８Ａ，１８Ｂを介して反射膜１０の一部がｐ電極５に直接接触するように形成され，その他の領域には保護絶縁膜６１，９２を間に挟んで反射膜１０が形成されている
【００５１】
　したがって，図５のように，コンタクトホール１８Ａ，１８Ｂでのみ接触させるようにすれば，光の吸収はコンタクトホール１８Ａ，１８Ｂのみでしか発生せず，高い反射率を維持することができる。また，前述したように，
屈折率がＧａＮを含む半導体層，保護絶縁膜６１，保護絶縁膜９２の順に小さくなるので，全反射による光の取出効率の向上はあるものの，光の入射角が小さいもの，例えば，ほぼ直進に近いような光は全反射しないので，これらの光も反射膜１０で反射させてｎ電極１側に取り出すようにしている
ｆ　ここで，図５は以下のものである。
ｇ　図５とともに，上記段落【００５０】の記載を参照すると，「反射膜１０」には，「ｐ電極５に直接接触するように形成され」た部分と，「保護絶縁膜６１，９２を間に挟んで」反射膜として作用する部分からなること，及び「反射膜１０」自体が電極としても作用することがわかる。
ｈ　上記段落【００４７】〜【００５１】の記載とともに図５を参照すると，保護絶縁膜６１，保護絶縁膜９２はｐ電極５の上にも形成されていることがわかる。
（イ）以上を総合すると，引用例１には，図５に示されたものに関して，次の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明」という。）。
「電極が対向して設けられている窒化物半導体発光素子であって，少なくともｎ側電極１，ｎ型窒化物半導体層２，発光領域３，ｐ型窒化物半導体層４，ｐ側電極５とを順に備えた窒化物半導体発光素子において，
　前記発光領域３よりもｎ側電極１側に段差Ａを有し，前記ｐ電極５上及び前記ｐ側電極５から段差Ａの位置まで積層方向に沿って，保護絶縁膜（保護絶縁膜６１及び保護絶縁膜９２）が形成されており，
　さらに，反射膜１０が設けられており，
　反射膜１０は，ｐ電極５上に直接全面に積層されておらず，小さなコンタクトホール１８Ａ，１８Ｂを介して反射膜１０の一部がｐ電極５に直接接触するように形成された部分と，保護絶縁膜６１，９２を間に挟んで反射膜として作用する部分とからなり，電極としても作用し，
　反射膜１０には，ＡｌやＡｇなどの銀白色系の反射ミラーとして働く金属が用いられ，保護絶縁膜６１としては，透明絶縁膜であるＳｉＮやＺｒＯ２が，保護絶縁膜９２としては，透明絶縁膜であるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）が用いられ，
　保護絶縁膜９２に用いられるアルミナは，反射膜１０と保護絶縁膜６１との間の密着性を高めて反射膜１０の剥離を防ぐ接着層として作用するとともに，屈折率がＧａＮを含む半導体層，保護絶縁膜６１，保護絶縁膜９２の順に小さくなっていくので，全反射による光の取出効率が高くなるという働きがあり，
　屈折率がＧａＮを含む半導体層，保護絶縁膜６１，保護絶縁膜９２の順に小さくなるので，全反射による光の取出効率の向上はあるものの，光の入射角が小さいもの，例えば，ほぼ直進に近いような光は全反射しないので，これらの光も反射膜１０で反射させてｎ電極１側に取り出すようにできるものであり，
　段差Ａの位置から上側のチップ側面を保護絶縁膜（保護絶縁膜６１及び保護絶縁膜９２）で覆う構造とすることで，素子毎に分離するための分離溝をエッチングで形成する場合や，ＬＬＯによって発生するＮ２ガスを排気するための分離溝をエッチングで形成する場合に，ｎ型窒化物半導体層２の一部，発光領域である活性層３，ｐ型窒化物半導体層４は保護絶縁膜により保護されるので，長時間エッチングガス（プラズマ）に曝されることがなく，素子の劣化を防止することができるものである，
窒化物半導体発光素子，及びその製造方法。」
イ　引用例２：特開２０１５−１４４２４５号公報
（ア）原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１５−１４４２４５号公報（以下「引用例２」という。）には，図とともに，以下の記載がある。
ａ「【０００１】
　本発明は，半導体素子及びそれを備える半導体装置，並びに半導体素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　従来，サファイアなど酸化物等の基板の裏面に銀などの金属からなる反射層が形成された半導体発光素子において，基板と反射層との密着性に関する検討がなされてきた（例えば特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
　・・・（中略）・・・
【０００４】
　しかしながら，今尚，酸化物等の基板と金属膜との密着性においては改善の余地がある。
【０００５】
　そこで，本発明は，かかる事情に鑑みてなされたものであり，酸化物等の基板と金属膜との高い密着性が得られる半導体素子及び／若しくはそれを備える半導体装置，並びに／又は半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
　上記課題を解決するために，
本発明の半導体素子は，酸化物の基板と，前記基板の上面に設けられた半導体素子構造と，前記基板の下面に設けられた金属膜と，を備え，前記金属膜は，酸化物のナノ粒子を含むことを特徴とする
ｂ「【００１９】
＜実施の形態１＞
　図１（ａ）は実施の形態１に係る半導体装置の概略上面図であり，図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面を示す概略断面図である。図２（ａ）は図１に示す半導体装置に実装された半導体素子の概略上面図であり，図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＢ−Ｂ断面を示す概略断面図（ｂ）である。
【００２０】
　図１に示すように，実施の形態１に係る半導体装置２００は，半導体素子１００と，基体１１０と，を備えている。半導体素子１００の下面側は，基体１１０に接合されている。
【００２１】
　より詳細には，半導体装置２００は，表面実装型ＬＥＤである。半導体装置２００は，ＬＥＤ素子である半導体素子１００と，半導体素子１００を収納する凹部が設けられた基体１１０と，凹部の内側において半導体素子１００を覆うように設けられた封止部材１３０と，を備える。基体１１０は，正負一対のリード電極と，このリード電極を一体的に保持する樹脂の成形体と，を有するパッケージである。基体１１０の凹部の底面の一部は，リード電極の表面により構成されている。半導体素子１００は，基体１１０の凹部の底面（より具体的には一方のリード電極）に接合部材１２０で接合され，リード電極にワイヤで接続されている。なお，封止部材１３０は，蛍光体や充填剤を含んでいてもよい。
【００２２】
　図２に示すように，実施の形態１に係る半導体素子１００は，酸化物の基板１０と，基板１０の上面に設けられた半導体素子構造２０と，基板１０の下面に設けられた金属膜３０と，を備える。そして，金属膜３０は，酸化物のナノ粒子３５を含む。
【００２３】
　このように，
金属膜３０中にナノ粒子３５が存在することにより，金属膜３０の基板１０との密着性を高めることができ，信頼性の高い半導体素子が得られる
【００２４】
　また，
金属膜３０中にナノ粒子３５が存在することにより，ピンニング効果を発現し，金属膜３０の主成分となる金属（元素）の結晶粒３１（以下，単に「結晶粒３１」と略記する）の成長を抑制することができる。これにより，半導体装置のアッセンブリ工程の熱履歴による結晶粒３１の成長が抑えられ，金属膜３０の表面の平滑性を維持したり，金属膜３０内の空隙（ボイド）の発生を抑えたり，することができる。したがって，金属膜３０は，高い反射率や放熱性を維持しやすい
【００２５】
　図３（ａ）は，基材と薄膜の接合について説明するための模式図である。また，図３（ｂ）及び（ｃ）は，実施の形態１に係る基板と金属膜の接合について説明するための模式図である。図３（ａ）に示すように，一般的に，基材上に薄膜を成膜した場合，その界面近傍に，化合物生成による反応領域や原子拡散による拡散領域が形成されることによって，基材と薄膜の密着性が高められる。例えば，酸化物の基材上に酸化しやすい金属の薄膜を成膜した場合には，その界面近傍に薄膜成分の金属の酸化物が生成された反応領域が形成されやすいため，密着性は得られやすい。一方，酸化物の基材上に酸化しにくい金属の薄膜を成膜した場合には，このような反応領域が形成されにくいため，密着性は得られにくかった。
【００２６】
　そこで，図３（ｂ）に示すように，金属膜３０に酸化物のナノ粒子３５を含有させることを考える。これにより，基板１０と金属膜３０の界面近傍において，擬似的に上記反応領域を形成することができ，金属膜３０の酸化物の基板１０との密着性が高められると推測することができる。
【００２７】
　金属膜３０の基板１０との密着性を高める観点においては，ナノ粒子３５は，少なくとも基板１０と金属膜３０の界面近傍に存在していることが好ましい。図３（ｂ）に示すように，ナノ粒子３５が金属膜３０の全域に亘って分散されていれば，金属膜３０の全域に亘って結晶成長を抑制しやすい。一方，図３（ｃ）に示すように，ナノ粒子３５が，金属膜３０中において上方即ち基板１０側に多く存在していれば，ナノ粒子３５を効率良く利用して基板１０と金属膜３０の密着性を高めることができる。また特に，ナノ粒子３５が金属膜３０中において基板１０と金属膜３０の界面近傍に偏在又は局在していれば，基板１０と金属膜３０の密着性を高めながら，金属膜３０の反射率の低下や電気抵抗の上昇を抑えることができる。
【００２８】
　図４（ａ）及び（ｂ）は，実施の形態１に係る半導体素子及びその製造方法の一例を説明するための模式図である。図４（ａ）に示すように，実施の形態１に係る半導体素子１００の製造方法の一例は，酸化物の基板１０の上面に半導体素子構造を備える半導体素子の製造方法であって，基板１０の下面に，金属と酸化物の同時スパッタ若しくは同時蒸着により，酸化物のナノ粒子３５を含有する金属の膜を成膜する工程を含む。基板１０の下面に金属の原料３１ａとナノ粒子の原料３５ａを同時に供給することで，金属膜３０中の全域にナノ粒子３５を分散させることができる。この場合，ナノ粒子３５は，基板１０の下面に付着した粒子のほか，金属の結晶粒３１中，及び金属の結晶粒界に存在する粒子を含む。
【００２９】
　図４（ｂ）に示すように，実施の形態１に係る半導体素子１００の製造方法の別の一例は，酸化物の基板１０の上面に半導体素子構造を備える半導体素子の製造方法であって，基板１０の下面に，スパッタ若しくは蒸着により，酸化物のナノ粒子３５を散り散りに付着させた後，そのナノ粒子３５を覆って金属の膜を成膜する工程を含む。基板１０の下面に，先にナノ粒子の原料３５ａを，後で金属の原料３１ａを，それぞれ別個に供給することで，金属膜３０中のナノ粒子３５を基板１０の下面に散り散りに付着した粒子にすることができる。これは，上記のように金属膜３０中のナノ粒子３５が基板１０との界面近傍に局在する形態の一例である。このとき，基板１０の下面にナノ粒子３５を散り散りに付着させるには，例えば１０ｎｍ未満，好ましくは５ｎｍ未満の厚さに成膜することで，基板下面全域を覆う膜状（層状）ではなく，ナノ粒子３５を散り散りに，すなわち複数の粒状に形成することができる。
【００３０】
　以下，金属膜３０の好ましい形態について説明する。
【００３１】
　図２に示すように，ナノ粒子３５は，金属膜３０の結晶粒界に少なくとも存在していることが好ましい。ナノ粒子３５が金属膜３０の結晶粒界に存在することで，ピンニング効果により粒界移動を抑制しやすく，結晶粒３１の成長を効果的に抑制することができる。また，銅など他の金属原子が金属膜３０の結晶粒界を拡散することを抑制することができる。さらに，空気中の酸素が金属膜３０中に浸入し結晶粒界を拡散するのを抑制することができる。したがって，金属膜３０は，半導体装置のアッセンブリ工程や連続駆動を経ても，高い反射率を維持し且つ基板１０からの剥離を抑制でき，信頼性に優れた光反射膜を得られる。また，金属膜３０は，別途バリア層を形成するよりも，このような効果を安価に得られると共に，金属膜３０の下の層構成を簡素にすることができる。
【００３２】
　ナノ粒子３５は，酸化珪素，酸化アルミニウム，酸化ジルコニウム，酸化チタン，酸化亜鉛，酸化マグネシウム，酸化ガリウム，酸化タンタル，酸化ニオブ，酸化ビスマス，酸化イットリウム，酸化イリジウム，酸化インジウム，酸化スズ，酸化ニッケル，ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＡＺＯ，ＧＺＯ，ＦＴＯの中から選択される少なくとも１つの物質であることが好ましい。酸化ハフニウムも好ましい。また，ナノ粒子３５は，第４族元素，第１０族元素，第１２族元素，第１３族元素，第１４族元素の中から選択される少なくとも１つの元素の酸化物であることも好ましい。なかでも，酸化珪素，酸化アルミニウム，酸化ジルコニウム，酸化チタンは，入手しやすく，比較的安価である。
【００３３】
　金属膜３０中のナノ粒子３５の含有量は，基板１０との密着性の観点からは，０ｗｔ％より大きければ良く，上限値は限定されず，例えば０．２ｗｔ％以上であり，０．５ｗｔ％以上であることが好ましく，１ｗｔ％以上であることがより好ましい。また，金属膜３０中のナノ粒子３５の含有量は，金属膜３０の反射率（初期反射率）の観点からは，例えば５ｗｔ％以下であり，４ｗｔ％以下であることが好ましく，２．５ｗｔ％以下であることがより好ましい。
【００３４】
　ナノ粒子３５の平均粒径は，特に限定されないが，０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましく，更には０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満であっても良い。このように，ナノ粒子３５は，少量の添加で，多くの粒子を金属膜３０に分散させることができ，結晶粒３１の成長を抑制しやすい。なお，ナノ粒子３５の平均粒径は，Ｄ５０により定義することができる。また，ナノ粒子３５の平均粒径は，レーザ回折・散乱法，画像解析法（走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ），透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）），動的光散乱法，Ｘ線小角散乱法などにより測定することができ，なかでも画像解析法が好ましい。画像解析法は，例えばＪＩＳ Ｚ ８８２７−１：２００８に準ずる。
【００３５】
　ナノ粒子３５の形状は，特に限定されないが，球状，不定形破砕状，針状，柱状，板状（鱗片状を含む），繊維状，又は樹枝状などが挙げられる。中でも，ナノ粒子３５が球状であることにより，可視光と干渉するレベルの比較的大きいナノ粒子３５中へ光が進入しても，全反射を抑制し速やかに光を取り出すことができ，反射率に優れる金属膜３０を得やすい。
【００３６】
　基板１０が透光性を有することで，金属膜３０を光反射膜として機能させることができる。さらに，ナノ粒子３５が透光性を有することが好ましい。熱履歴による金属膜の結晶成長の抑制手段として，ソリュートドラッグ効果を狙って異種金属を添加することも考えられるが，異種金属は光吸収性が比較的高く，半導体装置内の光散乱を考慮すれば無視できない光損失を生じる。しかしながら，ナノ粒子３５が透光性を有するものであれば，そのような光損失を小さく抑えることができる。
【００３７】
　基板１０が導電性を有することで，半導体素子１００を上下電極（対向電極）構造とすることができ，また半導体素子構造２０に面内均一に給電しやすく電力効率を高めやすい。さらに，ナノ粒子３５が導電性を有するものであれば，金属膜３０の電気抵抗の上昇を抑えることができる。
【００３８】
　金属膜３０の形成方法は，特に限定されないが，スパッタ，蒸着などが挙げられる。金属膜３０の厚さは，任意に選択できるが，例えば０．０３μｍ以上５．０μｍ以下であり，０．０５μｍ以上３．０μｍ以下であることが好ましく，０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることがより好ましい。
【００３９】
　金属膜３０の主成分となる金属（元素）は，特に限定されないが，上述のように，酸化物の基板１０との密着性の得られにくさの観点から，酸化しにくい金属が好ましい。具体的には，銀，金，プラチナ，パラジウム，ロジウム，イリジウム，ルテニウム，オスミウム，銅，錫などが挙げられる。なかでも，銀，及び金は特に，酸化物の基板１０との密着性が得られにくい。銀は，光反射性に優れ，なかでも可視波長域の反射率が金属中で最大であり，また熱伝導率，電気抵抗においても金属中最高の性能を有している。このため，金属膜３０は，銀を主成分とする膜であることが好ましい。
【００４０】
　・・・（中略）・・・
【００４２】
＜実施の形態２＞
　実施の形態２に係る半導体素子及びその製造方法は，
実施の形態１に係る半導体素子及びその製造方法における基板１０及びナノ粒子３５を窒化物に変えたものである
【００４３】
　実施の形態２におけるナノ粒子３５は，窒化珪素，窒化アルミニウム，窒化ジルコニウム，窒化チタン，窒化亜鉛，窒化マグネシウム，窒化ガリウム，窒化タンタル，窒化ニオブ，窒化ビスマス，窒化イットリウム，窒化イリジウム，窒化インジウム，窒化スズ，窒化ニッケル，窒化ハフニウムの中から選択される少なくとも１つの物質であることが好ましい。また，ナノ粒子３５は，第４族元素，第１０族元素，第１２族元素，第１３族元素，第１４族元素の中から選択される少なくとも１つの元素の窒化物であることも好ましい。」
（イ）以上から，引用例２には以下の技術事項が記載されているものと認められる。
「本発明の半導体素子は，酸化物の基板と，前記基板の上面に設けられた半導体素子構造と，前記基板の下面に設けられた金属膜と，を備え，前記金属膜は，酸化物のナノ粒子を含むこと，あるいは，窒化物の基板と，前記基板の上面に設けられた半導体素子構造と，前記基板の下面に設けられた金属膜と，を備え，前記金属膜は，窒化物のナノ粒子を含むことにより，金属膜の基板との密着性を高めることができ，信頼性の高い半導体素子が得られるとともに，半導体装置のアッセンブリ工程の熱履歴による結晶粒の成長が抑えられ，金属膜の表面の平滑性を維持したり，金属膜内の空隙（ボイド）の発生を抑えたりすることができ，金属膜は高い反射率や放熱性を維持しやすいものとなる。」
ウ　引用例３：特開２０１５−１０６６４２号公報
（ア）原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１５−１０６６４２号公報（以下「引用例３」という。）には，図とともに，以下の記載がある。
ａ「【０００１】
　
本発明は，発光装置用反射膜，並びに，それを備えるリードフレーム，配線基板，ワイヤ，及び発光装置に関するものである
【背景技術】
【０００２】
　従来，例えば特許文献１に記載されているように，発光ダイオード（ＬＥＤ）など，発光素子を光源とする発光装置には，表面にＡｇまたはＡｇ合金めっきの反射膜を設けたリードフレームが利用されている。
【先行技術文献】
　・・・（中略）・・・
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　しかしながら，このような反射膜には，発光装置のアッセンブリ工程の熱履歴により，銀の結晶粒が成長し表面に凹凸化を生じて，反射率が低下する問題があった。
【０００５】
　なお，特許文献２には，Ｃｕ又はＣｕを含んだ合金により構成された本体上にＡｇめっき膜が設けられたリードフレームであり，Ａｇめっき膜のＡｇ結晶粒の結晶粒間にナノ粒子が配置されたものが記載されているが，このＡｇめっき膜は発光装置用反射膜として検討されたものではない。
【０００６】
　そこで，本発明は，かかる事情に鑑みてなされたものであり，
熱履歴による表面の凹凸化が抑制された銀を主成分とする発光装置用反射膜，並びに／若しくは，その反射膜を備え光取り出し効率に優れたリードフレーム及び／又は配線基板及び／又はワイヤ及び／又は発光装置を提供することを目的とする
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　上記課題を解決するために，
本発明の反射膜は，発光装置に用いられる反射膜であって，銀を主成分とし，透光性酸化物のナノ粒子を含むことを特徴とする
【発明の効果】
【０００８】
　本発明によれば，
反射膜中に存在するナノ粒子により，熱履歴による銀の結晶粒の成長を抑え，反射膜の表面の凹凸化を抑制することができる
ｂ「【００１１】
＜実施の形態１＞
　図１（ａ）は実施の形態１に係る発光装置の概略上面図であり，図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面を示す概略断面図である。図１に示すように，実施の形態１に係る発光装置１００は，発光素子１０と，発光素子１０の光を反射させる反射膜２０と，を備えている。
【００１２】
　より詳細には，発光装置１００は，表面実装型ＬＥＤである。発光装置１００は，発光素子１０と，発光素子１０を収納する凹部が設けられたパッケージと，凹部の内側において発光素子１０を覆うように設けられた封止部材と，を備える。パッケージは，正負一対のリード電極３０と，このリード電極３０を一体的に保持する樹脂の成形体と，を有する。パッケージの凹部の底面の一部は，リード電極３０の表面により構成されている。発光素子１０は，ＬＥＤ素子であり，パッケージの凹部の底面に接着剤で接着され，リード電極３０にワイヤ５０で接続されている。なお，封止部材は，蛍光体や充填剤を含んでいてもよい。
【００１３】
　
反射膜２０は，このような発光装置に用いられるものである。本実施の形態１では，反射膜２０は，リード電極３０の表面に設けられている。反射膜２０は，銀を主成分とする。そして，反射膜２０は，透光性酸化物のナノ粒子２５を含んでいる
【００１４】
　ナノ粒子２５を構成する透光性酸化物は，酸化珪素，酸化アルミニウム，酸化ジルコニウム，酸化チタン，酸化亜鉛，酸化マグネシウム，酸化ガリウム，酸化タンタル，酸化ニオブ，酸化ビスマス，酸化イットリウム，酸化イリジウム，酸化インジウム，酸化スズ，ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＡＺＯ，ＧＺＯ，ＦＴＯの中から選択される少なくとも１つの物質であることが好ましい。なかでも，酸化珪素，酸化アルミニウム，酸化ジルコニウム，酸化チタンは，入手しやすく，比較的安価である。また，導電性を有するものであれば，反射膜２０の電気抵抗の上昇を抑えることができる。
【００１５】
　このように，
反射膜２０中にナノ粒子２５が存在することにより，ピンニング効果を発現し，銀の結晶粒２１の成長を抑制することができる
【００１６】
　なお，熱履歴による銀反射膜の表面の凹凸化の抑制手段として，ソリュートドラッグ効果を狙って銀に異種金属を添加することも提案されているが，異種金属は光吸収性が比較的高く，発光装置内の光散乱を考慮すれば無視できない光損失を生じる。しかしながら，本実施の形態におけるナノ粒子２５を構成する物質は，透光性に優れ，光損失を極めて小さく抑えることができる。
【００１７】
　以下，反射膜２０の好ましい形態について説明する。
【００１８】
　図１に示すように，ナノ粒子２５は，銀の結晶粒界に少なくとも存在していることが好ましい。ナノ粒子２５が銀の結晶粒界に存在することで，ピンニング効果により粒界移動を抑制しやすく，銀の結晶粒２１の成長を効果的に抑制することができる。また，反射膜２０の下地に存在する銅などの金属原子が反射膜２０の銀の結晶粒界を拡散することを抑制し，反射膜２０の表面に着色した酸化被膜が形成されることを抑制できる。さらに，空気中の酸素が反射膜２０中に浸入し銀の結晶粒界を拡散するのを抑制し，下地金属の酸化を防止でき，反射膜２０と下地金属との密着性を長期に維持することができる。したがって，反射膜２０は，発光装置のアッセンブリ工程や連続駆動を経ても，高い光取り出し効率を維持し且つ下地金属との層間剥離を抑制でき，信頼性に優れた反射膜を得られる。また，反射膜２０は，下地金属との間に別途バリア層を形成するよりも，このような効果を安価に得られると共に，本反射膜の上下の層構成を簡素にすることができる。
【００１９】
　ナノ粒子２５の平均粒径は，０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましく，更には０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満であっても良い。このようにナノ粒子２５の粒径が小さければ，少量の添加で，多くのナノ粒子２５を反射膜２０中に分散でき，銀の結晶粒２１の成長を抑制しやすい。
【００２０】
　反射膜２０のナノ粒子２５の含有量は，反射膜２０の反射率（初期反射率）の観点からは５ｗｔ％以下であることが好ましく，一方，銀の結晶成長の抑制の観点からは０ｗｔ％より大きければ良いが，０．２ｗｔ％以上であることが好ましい。また，反射膜２０のより好ましいナノ粒子２５の含有量は，反射膜２０の反射率（初期反射率）の観点からは１．５ｗｔ％以上，銀の結晶成長の抑制の観点からは４ｗｔ％以下である。
【００２１】
　ナノ粒子２５の形状は，球状，不定形破砕状，針状，柱状，板状（鱗片状を含む），繊維状，又は樹枝状などが挙げられる。中でも，ナノ粒子２５が球状であることにより，可視光と干渉するレベルの比較的大きいナノ粒子２５中へ光が進入しても，全反射を抑制し速やかに光を取り出すことができ，反射率に優れる反射膜２０を得やすい。
【００２２】
　ナノ粒子２５には，セレン化合物，硫黄化合物のいずれか一方又は両方が付着していることが好ましい。セレン化合物，硫黄化合物は，銀との化学親和力が高く，ナノ粒子２５と銀との密着力を高めることができる。また，電解銀めっき，無電解銀めっき等の湿式法により銀膜を形成する場合には，ナノ粒子２５を反射膜２０中へ取り込みやすくすることができる。
【００２３】
　・・・（中略）・・・
【００２５】
＜実施の形態２＞
　図３（ａ）は実施の形態２に係る発光装置の概略上面図であり，図３（ｂ）は図３（ａ）におけるＢ−Ｂ断面を示す概略断面図である。図３に示すように，実施の形態２に係る発光装置２００は，発光素子１０と，発光素子１０の光を反射させる反射膜２０と，を備えている。
【００２６】
　より詳細には，発光装置２００は，表面実装型ＬＥＤである。発光装置２００は，発光素子１０と，発光素子１０が載置される配線基板４０と，配線基板４０上において発光素子１０を覆うように設けられた封止部材と，を備える。配線基板４０は，正負一対の配線と，この配線を保持する母体と，を有する。発光素子１０は，ＬＥＤ素子であり，配線基板４０の配線に導電性接着剤で接続されている。なお，封止部材は，蛍光体や充填剤を含んでいてもよい。
【００２７】
　
反射膜２０は，このような発光装置にも用いられるものである。本実施の形態２では，反射膜２０は，配線基板４０の配線の表面に設けられている
【００２８】
　このような発光装置２００及び配線基板４０の反射膜２０においても，実施の形態１の発光装置１００とリード電極３０と同様に，上述のような効果を奏することができる。」
（イ）以上から，引用例３には以下の技術事項が記載されているものと認められる。
「発光装置に用いられる反射膜であって，銀を主成分とし，透光性酸化物のナノ粒子を含み，反射膜中に存在するナノ粒子により，熱履歴による銀の結晶粒の成長を抑え，反射膜の表面の凹凸化を抑制することができるものであり，反射膜は，リード電極，あるいは，配線基板の配線の表面に設けられる。」
（２）対比
　前記引用発明と本件発明１とを対比する。
ア　引用発明は，「少なくともｎ側電極１，ｎ型窒化物半導体層２，発光領域３，ｐ型窒化物半導体層４，ｐ側電極５とを順に備えた窒化物半導体発光素子」であるところ，当該「ｎ型窒化物半導体層２，発光領域３，ｐ型窒化物半導体層４，」「とを順に備えた」部分は，本件発明１の「第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体」に相当する。
イ　引用発明は，「少なくともｎ側電極１，ｎ型窒化物半導体層２，発光領域３，ｐ型窒化物半導体層４，ｐ側電極５とを順に備えた窒化物半導体発光素子」であるところ，当該「ｐ側電極５」は，本件発明１の「前記半導体積層体の第１導電型半導体層の上に設けられた第１電極部」に相当する。
ウ　引用発明は「前記ｐ電極５上及び前記ｐ側電極５から段差Ａの位置まで積層方向に沿って，保護絶縁膜（保護絶縁膜６１及び保護絶縁膜９２）が形成されて」いる構成を備えるところ，「保護絶縁膜９２としては，透明絶縁膜であるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）が用いられ」ているから，当該「保護絶縁膜９２」は本件発明１の「酸化物膜」に相当し，引用発明の前記構成と，本件発明１の「前記第１電極部の上にのみ設けられた酸化物膜」とは，「前記第１電極部の上に設けられた酸化物膜」である点で一致する。
エ　引用発明の「反射膜１０は，ｐ電極５上に直接全面に積層されておらず，小さなコンタクトホール１８Ａ，１８Ｂを介して反射膜１０の一部がｐ電極５に直接接触するように形成された部分と，保護絶縁膜６１，９２を間に挟んで反射膜として作用する部分とからな」るところ，当該「ｐ電極５上に直接全面に積層されておらず，」「保護絶縁膜６１，９２を間に挟んで反射膜として作用する部分」は，本件発明１の「前記酸化物膜に接して設けられた反射膜」に相当する。
オ　引用発明の「反射膜１０は，ｐ電極５上に直接全面に積層されておらず，小さなコンタクトホール１８Ａ，１８Ｂを介して反射膜１０の一部がｐ電極５に直接接触するように形成された部分と，保護絶縁膜６１，９２を間に挟んで反射膜として作用する部分とからな」るところ，当該「小さなコンタクトホール１８Ａ，１８Ｂを介」する「反射膜１０の一部」は，本件発明１の「第２電極部」に相当するとともに，当該「小さなコンタクトホール１８Ａ，１８Ｂを介して反射膜１０の一部がｐ電極５に直接接触するように形成された部分」は，本件発明１の「前記第１電極部と電気的に接続される第２電極部」に相当する。
カ　引用発明の「反射膜１０には，ＡｌやＡｇなどの銀白色系の反射ミラーとして働く金属が用いられ」ることと，本件発明１の「前記反射膜は，銀を主成分とし，前記銀の結晶粒及び酸化物のナノ粒子を含」むこととは，「前記反射膜は，銀を主成分とする」点で一致する。
キ　引用発明の「反射膜１０は，」「小さなコンタクトホール１８Ａ，１８Ｂを介して反射膜１０の一部がｐ電極５に直接接触するように形成された部分と，保護絶縁膜６１，９２を間に挟んで反射膜として作用する部分とからなり，電極としても作用」する構成について，「反射膜１０」は一体のものとして構成され，前記各「部分」は電気的に接続されていると言えるから，当該構成は，本件発明１の「前記第２電極部と前記反射膜とは電気的に接続されている」ことに相当する。
ク　引用発明の「窒化物半導体発光素子」は，本件発明１の「発光素子」に相当する。
ケ　よって，引用発明と本件発明１とは，
「　第２導電型半導体層，活性層，第１導電型半導体層が積層されてなる半導体積層体と，
　前記半導体積層体の第１導電型半導体層の上に設けられた第１電極部と，
　前記第１電極部の上に設けられた酸化物膜と，
　前記酸化物膜に接して設けられた反射膜と，
　前記第１電極部と電気的に接続される第２電極部と，を備え，
　前記反射膜は，銀を主成分とし，
　前記第２電極部と前記反射膜とは電気的に接続されている発光素子。」
である点で一致する。
コ　一方，両者は以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本件発明１は，「前記第１電極部の上にのみ設けられた酸化物膜」との構成を備えるが，引用発明は「前記第１電極部の上に設けられた酸化物膜」は備えるものの，「酸化物膜」が「前記第１電極部の上にのみ設けられ」る点までは特定されていない点。
《相違点２》
　本件発明１は，「前記反射膜は，銀を主成分とし，前記銀の結晶粒及び酸化物のナノ粒子を含み，前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され」るとの構成を備えるのに対して，引用発明は「前記反射膜は，銀を主成分と」するとの構成は備えるものの，「前記銀の結晶粒及び酸化物のナノ粒子を含み，前記ナノ粒子は前記銀の結晶粒間に離散的に配置され」る構成までは備えない点。
（３）判断
　まず相違点１について検討する。
ア　《相違点１》について
（ア）引用発明においては，「反射膜１０は，ｐ電極５上に直接全面に積層されておらず，小さなコンタクトホール１８Ａ，１８Ｂを介して反射膜１０の一部がｐ電極５に直接接触するように形成された部分と，保護絶縁膜６１，９２を間に挟んで反射膜として作用する部分」を有し，「保護絶縁膜９２に用いられるアルミナは，反射膜１０と保護絶縁膜６１との間の密着性を高めて反射膜１０の剥離を防ぐ接着層として作用するとともに，屈折率がＧａＮを含む半導体層，保護絶縁膜６１，保護絶縁膜９２の順に小さくなっていくので，全反射による光の取出効率が高くなるという働きがあ」るものである。
（イ）ところで，引用発明は，「チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝をエッチングにより形成する窒化物半導体発光素子であっても，発光領域に損傷が加わらず，劣化のない高輝度な窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法を提供することを目的としている」（引用例１の段落【００１２】）ものであり，そのために，「発光領域３よりもｎ側電極１側に段差Ａを有し，前記ｐ電極５上及び前記ｐ側電極５から段差Ａの位置まで積層方向に沿って，保護絶縁膜（保護絶縁膜６１及び保護絶縁膜９２）が形成されており」，これにより，「段差Ａの位置から上側のチップ側面を保護絶縁膜（保護絶縁膜６１及び保護絶縁膜９２）で覆う構造とすることで，素子毎に分離するための分離溝をエッチングで形成する場合や，ＬＬＯによって発生するＮ２ガスを排気するための分離溝をエッチングで形成する場合に，ｎ型窒化物半導体層２の一部，発光領域である活性層３，ｐ型窒化物半導体層４は保護絶縁膜により保護されるので，長時間エッチングガス（プラズマ）に曝されることがなく，素子の劣化を防止することができるもの」とされている。
（ウ）それゆえ，保護絶縁膜（保護絶縁膜６１及び保護絶縁膜９２）は，反射膜１０の密着性，及び光の取出効率の観点から，ｐ電極５上に設けられているとともに，上記各分離溝をエッチングで形成する際の，ｎ型窒化物半導体層２の一部，発光領域である活性層３及びｐ型窒化物半導体層４の保護のために，ｐ側電極５から段差Ａの位置まで積層方向に沿って設けられているものであるから，前記保護絶縁膜（保護絶縁膜６１及び保護絶縁膜９２）をｐ電極５上のみに設けて，ｐ側電極５から段差Ａの位置まで積層方向に沿った部分には設けないようにすると，前記引用発明に係る目的が達成されないことになるから，そのような構成を採ることには阻害要因があるといえる。
（エ）よって，前記（１）イ（イ）及び同ウ（イ）に摘示した，引用例２及び３に記載された技術事項を勘案しても，引用発明において相違点１に係る構成を備えることは，当業者が容易に想到することができないものである。
イ　したがって，《相違点２》について検討するまでもなく，本件発明１は引用発明並びに引用例２及び引用例３に記載された技術事項から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（４）請求項１を引用する請求項３〜８，１６及び１７に係る発明は，本件発明１に係る構成を全て含むものであるから，上記（３）アの検討と同様に，引用発明並びに引用例２及び引用例３に記載された技術事項から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（５）請求項２，９及び１０，並びにこれらの請求項を引用する請求項３〜８，及び１１〜１７に係る発明は，第２導電型半導体層の上にのみ酸化物膜を設けるか，若しくは，第１電極部の上にのみ窒化物膜または酸化物膜を設ける構成を備えるから，上記（３）アの検討と同様に，引用発明並びに引用例２及び引用例３に記載された技術事項から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（６）請求項１８〜２５に係る製造方法の発明は，第１電極部の上にのみ窒化物膜または酸化物膜を設けるか，若しくは，第２導電型半導体層の上にのみ酸化物膜または窒化物膜を設ける工程を備える。
　一方，前記（１）ア（ア）ｄ及び同ｅ（段落【００４９】）に摘記したとおり，引用例１に記載された製造方法においては，各保護絶縁膜の形成に際しては，ｐ電極上面から第１分離溝の下端まですべて覆うようにＰ−ＣＶＤやスパッタリングで形成しており，前記（３）ア（イ）及び同（ウ）で説示した事項も考慮すると，当該各保護絶縁膜を形成する段階について，ｐ電極上面にのみ各保護絶縁膜を設ける工程を含むものとする動機は見いだせない。
　よって，請求項１８〜２５に係る製造方法の発明は，引用発明（製造方法）並びに引用例２及び引用例３に記載された技術事項から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
３　まとめ
　よって，本件発明１〜２５は，引用発明並びに引用例２及び引用例３に記載された技術事項から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
第５　むすび
　以上のとおりであるから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。