【事件の表示】
　特願２０１６−１５７７２３「半導体処理チャンバーのための銀リフレクタ」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　１月１２日出願公開、特開２０１７−　１１２８２、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２１年（２００９年）２月２０日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００８年２月２２日　米国，以下「本願優先日」という。）を国際出願日とする特願２０１０−５４７７８１号の一部を平成２６年１０月１０日に新たな出願である特願２０１４−２０８８７１号とし，さらに，その一部を平成２８年８月１０日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２８年　８月１９日　　　翻訳文提出・手続補正
平成２９年　４月２１日付け　拒絶理由通知
平成２９年　７月２５日　　　意見書・手続補正
平成２９年１２月２７日付け　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成３０年　５月　７日　　　審判請求・手続補正
平成３０年１０月２４日　　　上申書
平成３１年　１月２３日付け　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という。）
平成３１年　４月　９日　　　意見書・手続補正（以下，「当審補正」という。）
　
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
　本願の請求項１−９に係る発明は，本願優先日前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，本願優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
　１．特表２００４−５３６４５７号公報
　２．特開２００２−１９８３１９号公報
　３．特開平１０−１１６７９３号公報
　４．特開２００５−２５８０５０号公報
　５．特開２００２−２６１０３８号公報
　６．特表２００６−５０５１２３号公報
　７．米国特許第６２３２５８０号明細書
　８．特開平１０−０５６００８号公報
　９．特開２０００−０１９３１３号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は次のとおりである。
　本願の請求項１−９に係る発明は，本願優先日前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，本願優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞ 
　１．特表２００４−５３６４５７号公報
　４．特開２００５−２５８０５０号公報
　Ａ．特開２００４−０１２８９２号公報
　Ｂ．特開２００５−０１５８９３号公報
　７．米国特許第６２３２５８０号明細書
　８．特開平１０−０５６００８号公報
　２．特開２００２−１９８３１９号公報
第４　本願発明
　本願の請求項１−８に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明８」という。）は，当審補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−８に記載された事項により特定される次のとおりのものと認められる。
「【請求項１】
　半導体処理チャンバー内での使用のためのリフレクタであって，
　前記半導体処理チャンバー（１２）内に取り付けられた加熱ランプ（３６，２１２）から生じる放射を反射するために，前記処理チャンバー（１２）内に配置されたリフレクタ基板（８８，６０１，７０１）と，
　前記リフレクタ基板（８８，６０１，７０１）上に配置された，銀を含む反射層（６０２，７０２）と，
　前記反射層（６０２，７０２）を前記リフレクタ基板（８８，６０１，７０１）に接着する接着層と，
　前記反射層（６０２，７０２）と前記リフレクタ基板（８８，６０１，７０１）との間の拡散障壁であって，ニッケル，ニッケル−クロム合金，および窒化クロム合金から選択された拡散障壁と
を備え，
　前記反射層は，９９．９９％を越える銀含有量を含み，
　前記反射層を被覆する透光性被覆層は形成されていない，リフレクタ。
　　【請求項２】
　前記リフレクタ基板は，その中にランプを受け入れるように適合された，複数の空洞を有する一体型ランプヘッドの一部を備える，請求項１に記載のリフレクタ。
　　【請求項３】
　前記リフレクタ基板は，半導体処理チャンバーのライトパイプ内に配置されるように適合されたスリーブを備える，請求項１または２に記載のリフレクタ。
　　【請求項４】
　前記半導体処理チャンバーは，急速熱処理チャンバーである，請求項１から３のいずれか一項に記載のリフレクタ。
　　【請求項５】
　前記半導体処理チャンバーは，エピタキシャル処理チャンバーである，請求項１から４のいずれか一項に記載のリフレクタ。
　　【請求項６】
　基板の処理中に基板がその上に位置決めされる支持部を有する処理チャンバーと，
　放射エネルギーを放射する加熱ランプと，
　前記ランプからの放射を反射するように位置決めされた請求項１から５のいずれか一項に記載のリフレクタとを備える，半導体処理装置。
　　【請求項７】
　前記リフレクタ基板は，その中にランプを受け入れるように適合された，複数の空洞を有する一体型ランプヘッドの一部を備える，請求項６に記載の半導体処理装置。
　　【請求項８】
　ランプヘッドと流体が連通するチャネルをさらに備え，前記ランプヘッドは，硫化物形成または硫化物触媒材料の量を最小限にするように制御される雰囲気によって囲まれる，請求項６に記載の半導体処理装置。」
　
第５　引用文献及び引用発明
１　引用文献１について
（１）引用文献１
　当審拒絶理由及び原査定に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
　ア　「【０００２】
（発明の所属する分野）
本発明は半導体製造装置に関し，さらに詳しくは半導体ウエハの高速熱処理システム及び方法に関する。」
「【００３７】
図５Ａは本発明の原理に基づく
ＲＴＰ反応装置システム
反応システム５００は処理室５０２及びリフレクタアセンブリ５０４を有する。リフレクタアセンブリ５０４はリフレクタ５０６及び放射エネルギー源５０８を含んで良い。
放射エネルギー源５０８はランプ加熱操作において従来用いられてきたタイプの高輝度ランプであってよい。
【００３８】
図５Ｂは別の実施例の簡略図であり，複数のランプ５０８がリフレクタ５０６に近接して配置されている。特定の処理に要求される所望の過熱レベルを達成するため，これらランプ５０８の数は任意である。
【００３９】
図５Ａを再び参照すると
リフレクタ５０６は内部表面５１４を有し，ある波長に高い反射性を有し，
内部表面５１４は金もしくは銀によってコーティングされても良く，ここで銀は更にＳｉＮまたは透明なコーティングによって保護コーティングされて良く，そのことで銀の酸化を妨げる。
【００４０】
リフレクタ５０６はどのような好適な形状で形成されても良い。例えばリフレクタ５０６は，平面，円形，楕円形，または放射型の形状であっても良い。ランプ５０８よりの光エネルギーはリフレクタ５０６の中心又は焦点で焦点合わせされ，ウエハ５１０へと配向される。ランプ５０８より発光され，リフレクタ５０６の内部表面５１４より反射された放射はウエハ５１０に衝当し，光線５１６，５１８，及び５２０で簡潔かつ代表的に図示されているが，それによってウエハのアクティブ層２２４が加熱される（図２Ｄで参照された通りである）。」
　イ　図５Ａには，
リフレクタ５０６が板状であること
　ウ　「For example,
 inner surface 514 may be coated with gold or silver, where the silver is further coated with a protection coating, such as SiN or any transparent coating, which prohibits oxidation of the silver
（２）引用発明
　前記（１）ウは「国際公開パンフレット」（引用文献１の１９頁参照）の内容であり，同アの日本語翻訳文の原文である。すると，「
内部表面５１４は金もしくは銀によってコーティングされても良く，ここで銀は更にＳｉＮまたは透明なコーティングによって保護コーティングされて良く，そのことで銀の酸化を妨げる。
内部表面５１４は金もしくは銀によってコーティングされても良く，ここで銀は更に，ＳｉＮまたは透明なコーティング膜のような，保護コーティング膜でコーティングされ，そのことで銀の酸化を妨げる。
　すると，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「処理室及びリフレクタアセンブリを有するＲＴＰ反応装置システムのリフレクタアセンブリに含まれるリフレクタであって，リフレクタアセンブリの放射エネルギー源は高輝度ランプであり，リフレクタは板状であり，リフレクタは内部表面を有し，ある波長に高い反射性を有し，内部表面は銀によってコーティングされ，ここで銀は更に，保護コーティング膜でコーティングされ，そのことで銀の酸化を妨げること。」
２　引用文献２の記載
　当審拒絶理由及び原査定に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，単結晶基板，ガラス基板などの被処理体を加熱処理する熱処理装置に関する。本発明は，例えば，メモリやＩＣなどの
半導体装置の製造に適した急速熱処理（ＲＴＰ：Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）装置
「【００３９】以下，図１，図２，図１２乃至図１４を参照して，本発明の加熱部１４０を説明する。
加熱部１４０は，ランプ１３０と，リフレクタ１６０と，これらを収納するランプハウス１４２とを含む。
「【００４４】
リフレクタ１６０はランプ１３０から出射した光を石英ウインドウ１２０を介して被処理体Ｗに反射する機能を有する。
基部１６２の上に形成された反射部１６４とを有する。
「【００４６】
反射部１６４は，例えば，金，銀などの高反射率膜から構成され
「【０１２０】アニールであればガス源はＮ2，Ａｒなど，酸化処理であればＯ2，Ｈ2，Ｈ2Ｏ，ＮＯ2，窒化処理であればＮ2，ＮＨ3など，
成膜処理であれば
３　引用文献３の記載
　原査定に引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，
半導体プロセスチャンバに配置されるリフレクタ
「【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明は，
半導体プロセスチャンバ内に配置されるリフレクタに関し
接着層をアルミニウム層と基板と反射増強層との間に配置してもよい。
「【００２７】図３に示されるように，
リフレクタ１０はリフレクタ基板２０を有しており，このリフレクタ基板２０は，例えばアルミニウム製である。この基板の上には，随意，ニッケル層２１を配置してもよい。
【００２８】
ニッケル層２１の上には，接着層２２を随意配置させてもよい
【００２９】
接着層２２の上には，アルミニウム層２３が配置されている。アルミニウム層２３により，リフレクタ１０が高い反射率の面を有するようになる。
【００３０】アルミニウム層２３の上には，随意，接着層２４が配置されてもよいが，接着層は用いない方が好ましい。接着層により，反射増強コーティング２５のアルミニウム層への接着が改善され，アルミニウム層の酸化が抑止される。この接着層は，弗化アルミニウムや弗化マグネシウム等の弗化物，窒化アルミニウムや窒化珪素等の窒化物，あるいは酸化アルミニウムや二酸化チタン等の酸化物から成っていてもよい。
【００３１】
反射増強コーティング２５は，アルミニウム層２３の上に配置されてもよく，あるいは，接着層２４があればその上でもよい。反射増強コーティング２５により，アルミニウム層２３の反射率を上げる一方，更にアルミニウム層を酸化から保護する。
【００３２】反射増強コーティング２５はアルミニウム層２３に対し，この両者の間でアルミニウムの酸化物に対する親和力により形成された機械的結合によって，強力に接着される。その結果，反射増強コーティング２５は，ＲＴＰチャンバ等の半導体処理チャンバ内に存在し得る厳しい熱サイクルの下であっても，リフレクタ１０から剥離することに対して耐性を有する。」
４　引用文献４の記載
　当審拒絶理由及び原査定に引用された引用文献４には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
光学機器に使用される反射鏡
「【００１３】
　また，
基体とＡｇ膜またはＡｇを主成分とする合金膜との間に接着層を設けること
５　引用文献５の記載
　原査定に引用された引用文献５には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は，単結晶基板，ガラス基板などの被処理体を加熱処理する加熱装置及び熱処理装置に関する。本発明は，例えば，メモリやＩＣなどの
半導体装置の製造に適した急速熱処理（ＲＴＰ：Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）装置
「【００３９】
（中略）一方，
溝１４３に反射膜が設けられる場合，溝１４６に設けられる反射膜はコートされたコーティングの材料分子には高温になると下地金属と相互に拡散しあって合金を作る性質がある。これが反射膜の反射率の低下につながるため，リフレクタ１４１を所定の温度以下に維持する必要がある（例えば，Ｎｉメッキが施されている場合，３００℃以下が好ましい）。
６　引用文献６の記載
　原査定に引用された引用文献６には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
急速熱処理用装置の加熱モジュール
「【００１３】
　
加熱炉１００は，その下側に複数の反射体１１０が刻まれており，複数の第１ガス流路１２０が形成されている。
７　引用文献７の記載
　当審拒絶理由及び原査定に引用された引用文献７には，図面とともに次の事項が記載されている。
「1. Field of the Invention
The present invention is directed generally to 
rapid thermal processing devices
 an apparatus used in the fabrication of solid state devices
（訳：発明の分野
　本発明は，一般的に
急速加熱処理装置
半導体デバイスの製造に使用する装置
「A housing 62 is in good thermal contact with the light sources 28 and reflectors 60, and fixes their position within lamp openings 61, which are formed in the housing 62. 
The housing 62 includes a coolant passageway 64 which is adjacent to the reflectors 60 and the light sources 28
（訳：ハウジング62は，光源28及び反射器60と良好な熱接触状態にあり，ハウジング62に形成された，ランプ開口部61の内部でのそれらの位置を固定する。
ハウジング62は，反射器60及び光源28に隣接する冷媒通路64を備えている
８　引用文献８の記載
　当審拒絶理由及び原査定に引用された引用文献８には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，一般に
急速加熱装置及び基板を急速に加熱する方法
「【００１３】水のような冷却剤が，入口４７を介してチャンバ４６に導かれ，出口４８で除去される。
この流体は，様々な光パイプ４１の間の空間を動き，これらを冷却する。
正反射性リフレクタが，光パイプ４１の構成部分であってもよい。正反射性リフレクタ１５９が，アルミニウムから構成されることができる。
「【００１８】代わりに，ランプ囲い１６２が光パイプ４１の端を超えて延びるように，
ランプ３９が光パイプ４１に取りつけられてもよい。
光パイプ４１は，フレア正反射性リフレクタスリーブ２００を備えてもよい。
９　引用文献９の記載
　原査定に引用された引用文献９には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は
反射率の高い銀を用いた反射体
【０００２】
【従来の技術】
銀は
一般に，大気中で酸化することはないが，大気中の亜硫酸ガス，硫黄と反応し黒色の硫化銀を生成する。
【０００３】
大気による銀の硫化を防止する方法としては，銀を合金化する方法が知られている。
【０００４】
その他の硫化防止方法としては，銀を金属層または金属酸化物層，金属硫化物層，合金層，下塗り樹脂層，保護樹脂層により被覆する方法が知られている。
１０　引用文献Ａの記載
　当審拒絶理由に引用された引用文献Ａには，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，
高分子フィルム上に設けた光拡散層の上に銀を主体とする反射層を積層した反射体に関するものであり，
「【００１７】
本発明の反射体は，例えば上記のような特殊な表面形状を有する高分子フィルム上に，反射層を形成することにより得られる。反射層は特殊な形状を有する高分子フィルムすなわち光拡散層（Ｂ）側から
順に，下地層（Ｃ），銀反射層（Ｄ），
【００１８】
下地層（Ｃ）には，金，銅，ニッケル，鉄，コバルト，タングステン，モリブデン，タンタル，クロム，インジウム，マンガン，チタン，パラジウムなどの金属単体，もしくは２種以上からなる合金，または，酸化アルミニウムが５重量％以下ドープされた酸化亜鉛，ガリウムが１０重量％以下ドープされた酸化亜鉛，インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）またはニ酸化珪素等の透明酸化物が好ましく用いられる。
銀反射層（Ｄ）には，銀単体或いは銀を主体とした，銅やパラジウムあるいは白金などとの合金が好ましく用いられる。
銀あるいは銀を主体とする合金の純度は１００％であることが好ましい
保護層（Ｆ）には，金，銅，ニッケル，鉄，コバルト，タングステン，モリブデン，タンタル，クロム，インジウム，マンガン，チタン，パラジウムなどの金属単体，もしくは２種以上からなる合金，または，酸化アルミニウムが５重量％以下ドープされた酸化亜鉛，ガリウムが１０重量％以下ドープされた酸化亜鉛，インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）またはニ酸化珪素等の透明酸化物が好ましく用いられる。
【００１９】
金属薄膜層の形成法は，湿式法及び乾式法がある。湿式法とはメッキ法の総称であり，溶液から金属を析出させ膜を形成する方法である。具体例をあげるとすれば銀鏡反応などがある。一方，乾式法とは，真空成膜法の総称であり，具体的に例示するとすれば，抵抗加熱式真空蒸着法，電子ビーム加熱式真空蒸着法，イオンプレーティング法，イオンビームアシスト真空蒸着法，スパッタ法などがある。とりわけ，本発明には連続的に成膜するロール・ツー・ロール方式が可能な真空成膜法が好ましく用いられる。
【００２０】
本発明の反射層における各層の厚みは，以下のようにすることが好ましい。
下地層（Ｃ）の厚みは１〜２０ｎｍが好ましく，さらに好ましくは５〜１０ｎｍである。かかる層の厚みが１ｎｍより薄い場合は，所望のバリヤー効果が得られず，銀反射層（Ｄ）に凝集が生じ反射率を低下せしめるため好ましくない。
１１　引用文献Ｂの記載
　当審拒絶理由に引用された引用文献Ｂには，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，リフレクター用Ａｇ合金反射膜，及び，この
Ａｇ合金反射膜を用いたリフレクター
【０００２】
【従来の技術】
従来からＡｇ膜は反射率に優れていることから各種光学ミラー用途に用いられている。ここでの光学ミラーとは，自動車に搭載されるランプ類のリフレクター，照明機器のリフレクター，液晶パネルのバックライトを示す。さらに，カメラ，ビデオ等の民生機器や各種露光機などデバイス製造装置に用いられる光学機器部品を示している。
【０００３】
これらの用途で，自動車用ランプや照明機器は，発光体から放出される熱により１００　〜２００　℃程度の温度環境にさらされる為に，高い耐熱性が必要とされる。さらに，高温高湿環境下での耐食性が要求される。一方，液晶用バックライトや光学部品では，高温環境下にはさらされないものの，
高い反射率が要求されることから，保護膜を用いないことがより望ましく，一層の耐環境性が要求される。
【０００４】
しかしながら，Ａｇ膜は環境に対する耐久性が十分でないため，湿気などによって劣化して長期間使用することが難しかった。そのため，
Ａｇ薄膜上にＵＶ硬化樹脂やアクリル系樹脂，セラミックス系の保護膜を形成することでＡｇの劣化を防止しているが，
Ａｇ膜は加熱により容易に凝集が発生し，反射率が劣化することから，高い温度環境下での使用は困難であった。
「【００２８】
（２）　
Ｂｉを含有するＡｇ合金薄膜は，純Ａｇ膜に近い高反射率を持ちながら，純Ａｇ膜に比較して化学的安定性（特に耐塩水性）に優れる
ＡｇへのＢｉ添加は，反射率の大幅な低下を招くことなく，純Ａｇ膜に近い高反射率を確保しながら，耐候性（化学的安定性）を向上させる。特に，Ｂｉを０．０１ａｔ％（原子％）以上含有するＡｇ合金薄膜は，その効果が大きい。
「【００３４】
ＢｉはＡｇへの固溶限が極めて低く，さらに容易に拡散するため，Ａｇ合金薄膜の表面やＡｇ合金薄膜と他層との界面（Ａｇ合金薄膜上に他層がある場合）にＢｉ層を形成し，あるいは更に酸化されてＢｉ層およびＢｉ酸化物層からなる層，あるいは，Ｂｉ酸化物層を形成する。このため，
Ｂｉは０．０１原子％程度の微量な添加量（含有量）でも，前述のようなバリア効果を発揮する。
Ｂｉ量が多くなり過ぎると反射率が低下して高反射率が維持できなくなる。かかる点からＢｉの含有量は０．０１〜３．０　原子％とすることが望ましい。
　
第６　対比及び判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明との対比
　ア　引用発明の「処理室及びリフレクタアセンブリを有するＲＴＰ反応装置システムのリフレクタアセンブリに含まれるリフレクタ」は本願発明１の「半導体処理チャンバー内での使用のためのリフレクタ」に相当する。
　イ　引用発明において「リフレクタアセンブリの放射エネルギー源は高輝度ランプであり，リフレクタは板状であ」るから，引用発明の「リフレクタ」は，本願発明１の「前記半導体処理チャンバー内に取り付けられた加熱ランプから生じる放射を反射するために，前記処理チャンバー内に配置されたリフレクタ基板」に相当する。
　ウ　引用発明において「リフレクタは内部表面を有し，ある波長に高い反射性を有し，内部表面は銀によってコーティングされ」ているから，引用発明の「銀によってコーティングされ」は，本願発明の「前記リフレクタ基板上に配置された，銀を含む反射層」に相当する。
　エ　そして，本願発明１と引用発明１とは，下記オの点で一致し，下記カの点で相違する。
　オ　一致点
「半導体処理チャンバー内での使用のためのリフレクタであって，
　前記半導体処理チャンバー内に取り付けられた加熱ランプから生じる放射を反射するために，前記処理チャンバー内に配置されたリフレクタ基板と，
　前記リフレクタ基板上に配置された，銀を含む反射層と，
を備える，
　リフレクタ。」
　カ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１では「前記反射層を前記リフレクタ基板に接着する接着層」を備えるのに対し，引用発明では接着層が明示されていない点。
（イ）相違点２
　本願発明１では「前記反射層と前記リフレクタ基板との間の拡散障壁であって，ニッケル，ニッケル−クロム合金，および窒化クロム合金から選択された拡散障壁」を備えるのに対し，引用発明では拡散障壁が明示されていない点。
（ウ）相違点３
　本願発明１では「前記反射層は，９９．９９％を越える銀含有量を含み，前記反射層を被覆する透光性被覆層は形成されていない」のに対し，引用発明では「銀は更に，保護コーティング膜でコーティングされ，そのことで銀の酸化を妨げる」ものである点。
（２）判断
　相違点３について検討する。
　引用発明では「銀の酸化を妨げる」ために銀を「保護コーティング膜でコーティング」することを必要としており，「保護コーディング膜でコーティング」しないことは動機づけがない。
　そして，何れの引用文献にも「反射層に９９．９９％を越える銀含有量」を含ませることで「銀の酸化を防げる」という技術的思想が開示されていないから，引用発明における「銀の酸化を防げる」ための「保護コーティング膜」に代えて「反射層に９９．９９％を越える銀含有量」を含ませることは，当業者が容易になしうることではない。
（３）まとめ
　よって，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明１は，引用文献１−９，Ａ及びＢに記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
２　本願発明２−８について
　本願発明２−８は，本願発明１を引用するものであり，本願発明１の発明特定事項をすべて備え，さらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，前記１と同様の理由により，引用文献１−９，Ａ及びＢに記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
第７　原査定についての判断
　前記第６のとおり，本願発明１−８は，引用文献１−９に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
　
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。