【手続補正書】
【提出日】平成22年1月8日(2010.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式
ＭＹｎＺ
（上式中：
ｎは、１、２、または３であり；
Ｍは、＋２、＋３、または＋４の酸化状態にある金属であり；
Ｙは、存在ごとに同じまたは異なるものであり、８−ヒドロキシキノレートおよび置換８−ヒドロキシキノレートからなる群から選択され；
Ｚはフェノレートであり；
少なくとも１つのＹが、次式を有する置換８−ヒドロキシキノレートであり
【化１】
2009524661.tif 000001
上式中：
Ｒ１およびＲ２は、存在ごとに同じまたは異なるものであり、それぞれが、Ｈ、アルキル、フルオロアルキル、アリール、フルオロアリール、アルキルアリール、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリールオキシ、ヘテロアルキル、フルオロヘテロアルキル、ヘテロアリール、フルオロヘテロアリール、ヘテロアルキルアリール、ヘテロアルコキシ、ヘテロアリールオキシ、フルオロヘテロアルコキシ、フルオロヘテロアリールオキシ、シアノ、ジアルキルアミン、ジアリールアミン、ハライド、溶媒可溶化基、およびＴｇ上昇基からなる群から選択される１つまたは複数の置換基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つが、溶媒可溶化基またはＴｇ上昇基であり；
Ｒ３は、Ｈ、アルキル基、および置換アルキル基からなる群から選択される）
を有することを特徴とする有機金属錯体。
【請求項２】
Ｍが、Ａｌ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｉｎ、およびＧａからなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の錯体。
【請求項３】
ＭがＡｌであることを特徴とする請求項１に記載の錯体。
【請求項４】
Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つが１〜６個の炭素を有するアルキル基であることを特徴とする請求項１に記載の錯体。
【請求項５】
Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つがアルキルアリール基であることを特徴とする請求項１に記載の錯体。
【請求項６】
Ｚが以下の式ＩまたはＩＩ
【化２】
2009524661.tif 000002
（上式中、Ｒ４およびＲ５は、独立に選択され、それぞれが、Ｈ、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、Ｆ、ＣＮ、溶媒可溶化基、およびＴｇ上昇基からなる群から選択される１つまたは複数の置換基である）
を有することを特徴とする請求項１に記載の錯体。
【請求項７】
Ｒ４が、１〜６個の炭素を有するアルキルであることを特徴とする請求項６に記載の錯体。
【請求項８】
次式を有する少なくとも１つの錯体
ＭＹｎＺ
（上式中：
ｎは、１、２、または３であり；
Ｍは、＋２、＋３、または＋４の酸化状態にある金属であり；
Ｙは、存在ごとに同じまたは異なるものであり、８−ヒドロキシキノレートおよび置換８−ヒドロキシキノレートからなる群から選択され；
Ｚはフェノレートであり；
少なくとも１つのＹが、次式を有する置換８−ヒドロキシキノレートであり
【化３】
2009524661.tif 000003
上式中：
Ｒ１およびＲ２は、存在ごとに同じまたは異なるものであり、それぞれが、Ｈ、アルキル、フルオロアルキル、アリール、フルオロアリール、アルキルアリール、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリールオキシ、ヘテロアルキル、フルオロヘテロアルキル、ヘテロアリール、フルオロヘテロアリール、ヘテロアルキルアリール、ヘテロアルコキシ、ヘテロアリールオキシ、フルオロヘテロアルコキシ、フルオロヘテロアリールオキシ、シアノ、ジアルキルアミン、ジアリールアミン、ハライド、溶媒可溶化基、およびＴｇ上昇基からなる群から選択される１つまたは複数の置換基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つが、溶媒可溶化基またはＴｇ上昇基であり；
Ｒ３は、Ｈ、アルキル基、および置換アルキル基からなる群から選択される）
を含むことを特徴とする組成物。
【請求項９】
Ｍが、Ａｌ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｉｎ、およびＧａからなる群から選択されることを特徴とする請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つがアルキル基であることを特徴とする請求項８に記載の組成物。
【請求項１１】
ベンゼン、アルキル置換ベンゼン、フルオロアルキル置換ベンゼン、アルコキシ置換ベンゼン、ハロ置換ベンゼン、ハロアルカン、アルキルまたはアリールエステル、テトラヒドロフラン、Ｎ−メチルピロリドン、アルコール、ハロベンゼン、アルキルまたはアリールケトン、およびそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの有機溶媒をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の組成物。
【請求項１２】
トリアリールアミン、トリアリールメタンおよびＮ−置換カルバゾールからなる群から選択される電荷輸送材料をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の組成物。
【請求項１３】
光活性材料をさらに含み、前記光活性材料が有機金属錯体であることを特徴とする請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
次式を有する有機金属錯体
ＭＹｎＺ
（上式中：
ｎは、１、２、または３であり；
Ｍは、＋２、＋３、または＋４の酸化状態にある金属であり；
Ｙは、存在ごとに同じまたは異なるものであり、８−ヒドロキシキノレートおよび置換８−ヒドロキシキノレートからなる群から選択され；
Ｚはフェノレートであり；
少なくとも１つのＹが、次式を有する置換８−ヒドロキシキノレートであり
【化４】
2009524661.tif 000004
上式中：
Ｒ１およびＲ２は、存在ごとに同じまたは異なるものであり、それぞれが、Ｈ、アルキル、フルオロアルキル、アリール、フルオロアリール、アルキルアリール、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリールオキシ、ヘテロアルキル、フルオロヘテロアルキル、ヘテロアリール、フルオロヘテロアリール、ヘテロアルキルアリール、ヘテロアルコキシ、ヘテロアリールオキシ、フルオロヘテロアルコキシ、フルオロヘテロアリールオキシ、シアノ、ジアルキルアミン、ジアリールアミン、ハライド、溶媒可溶化基、およびＴｇ上昇基からなる群から選択される１つまたは複数の置換基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つが、溶媒可溶化基またはＴｇ上昇基であり；
Ｒ３は、Ｈ、アルキル基、および置換アルキル基からなる群から選択される）
を含む活性層を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項１５】
前記活性層が光活性層および電子輸送層からなる群から選択されることを特徴とする請求項１４に記載の電子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５４】
明確にするため、別々の実施態様の状況で、前述または後述される本発明の特定の特徴は、１つの実施態様において組み合わせて提供することもできることを理解されたい。逆に、簡潔にするため、１つの実施態様の状況で説明される本発明の種々の特徴を、別々に提供したり、あらゆる小さな組み合わせで提供したりすることもできる。さらに、ある範囲内にあると記載される値への言及は、その範囲内にあるすべての値を含んでいる。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  次式を有することを特徴とする有機金属錯体。
ＭＹｎＺ
（上式中：
ｎは、１、２、または３であり；
Ｍは、＋２、＋３、または＋４の酸化状態にある金属であり；
Ｙは、存在ごとに同じまたは異なるものであり、８−ヒドロキシキノレートおよび置換８−ヒドロキシキノレートからなる群から選択され；
Ｚはフェノレートであり；
少なくとも１つのＹが、次式を有する置換８−ヒドロキシキノレートであり
【化５】
2009524661.tif 000005
上式中：
Ｒ１およびＲ２は、存在ごとに同じまたは異なるものであり、それぞれが、Ｈ、アルキル、フルオロアルキル、アリール、フルオロアリール、アルキルアリール、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリールオキシ、ヘテロアルキル、フルオロヘテロアルキル、ヘテロアリール、フルオロヘテロアリール、ヘテロアルキルアリール、ヘテロアルコキシ、ヘテロアリールオキシ、フルオロヘテロアルコキシ、フルオロヘテロアリールオキシ、シアノ、ジアルキルアミン、ジアリールアミン、ハライド、溶媒可溶化基、およびＴｇ上昇基からなる群から選択される１つまたは複数の置換基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つが、溶媒可溶化基またはＴｇ上昇基であり；
Ｒ３は、Ｈ、アルキル基、および置換アルキル基からなる群から選択される）
［２］  Ｍが、Ａｌ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｉｎ、およびＧａからなる群から選択されることを特徴とする［１］に記載の錯体。
［３］  ＭがＡｌであることを特徴とする［１］に記載の錯体。
［４］  Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つがアルキル基であることを特徴とする［１］に記載の錯体。
［５］  Ｒ１およびＲ２のそれぞれが、１〜６個の炭素を有するアルキルであることを特徴とする［４］に記載の錯体。
［６］  Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つがアルキルアリール基であることを特徴とする［１］に記載の錯体。
［７］  Ｒ１およびＲ２のそれぞれが、アルキルが１〜６個の炭素を有するアルキルアリールであることを特徴とする［６］に記載の錯体。
［８］  Ｚが以下の式ＩまたはＩＩを有することを特徴とする［１］に記載の錯体。
【化６】
2009524661.tif 000006
（上式中、Ｒ４およびＲ５は、独立に選択され、それぞれが、Ｈ、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、Ｆ、ＣＮ、溶媒可溶化基、およびＴｇ上昇基からなる群から選択される１つまたは複数の置換基である）
［９］  Ｒ４が、１〜６個の炭素を有するアルキルであることを特徴とする［８］に記載の錯体。
［１０］  次式を有する少なくとも１つの錯体を含むことを特徴とする組成物。
ＭＹｎＺ
（上式中：
ｎは、１、２、または３であり；
Ｍは、＋２、＋３、または＋４の酸化状態にある金属であり；
Ｙは、存在ごとに同じまたは異なるものであり、８−ヒドロキシキノレートおよび置換８−ヒドロキシキノレートからなる群から選択され；
Ｚはフェノレートであり；
少なくとも１つのＹが、次式を有する置換８−ヒドロキシキノレートであり
【化７】
2009524661.tif 000007
上式中：
Ｒ１およびＲ２は、存在ごとに同じまたは異なるものであり、それぞれが、Ｈ、アルキル、フルオロアルキル、アリール、フルオロアリール、アルキルアリール、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリールオキシ、ヘテロアルキル、フルオロヘテロアルキル、ヘテロアリール、フルオロヘテロアリール、ヘテロアルキルアリール、ヘテロアルコキシ、ヘテロアリールオキシ、フルオロヘテロアルコキシ、フルオロヘテロアリールオキシ、シアノ、ジアルキルアミン、ジアリールアミン、ハライド、溶媒可溶化基、およびＴｇ上昇基からなる群から選択される１つまたは複数の置換基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つが、溶媒可溶化基またはＴｇ上昇基であり；
Ｒ３は、Ｈ、アルキル基、および置換アルキル基からなる群から選択される）
［１１］  Ｍが、Ａｌ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｉｎ、およびＧａからなる群から選択されることを特徴とする［１０］に記載の組成物。
［１２］  Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つがアルキル基であることを特徴とする［１０］に記載の組成物。
［１３］  少なくとも１つの有機溶媒をさらに含むことを特徴とする［１０］に記載の組成物。
［１４］  前記溶媒が、からなる群から選択されることを特徴とする［１３］に記載の組成物。
［１５］  電荷輸送材料をさらに含むことを特徴とする［１０］に記載の組成物。
［１６］  前記電荷輸送材料が、から選択されることを特徴とする［１０］に記載の組成物
［１７］  光活性材料をさらに含むことを特徴とする［１５］に記載の組成物。
［１８］  前記光活性材料が有機金属錯体であることを特徴とする［１７］に記載の組成物。
［１９］  次式を有する有機金属錯体を含む活性層を含むことを特徴とする電子デバイス。
ＭＹｎＺ
（上式中：
ｎは、１、２、または３であり；
Ｍは、＋２、＋３、または＋４の酸化状態にある金属であり；
Ｙは、存在ごとに同じまたは異なるものであり、８−ヒドロキシキノレートおよび置換８−ヒドロキシキノレートからなる群から選択され；
Ｚはフェノレートであり；
少なくとも１つのＹが、次式を有する置換８−ヒドロキシキノレートであり
【化８】
2009524661.tif 000008
上式中：
Ｒ１およびＲ２は、存在ごとに同じまたは異なるものであり、それぞれが、Ｈ、アルキル、フルオロアルキル、アリール、フルオロアリール、アルキルアリール、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、フルオロアリールオキシ、ヘテロアルキル、フルオロヘテロアルキル、ヘテロアリール、フルオロヘテロアリール、ヘテロアルキルアリール、ヘテロアルコキシ、ヘテロアリールオキシ、フルオロヘテロアルコキシ、フルオロヘテロアリールオキシ、シアノ、ジアルキルアミン、ジアリールアミン、ハライド、溶媒可溶化基、およびＴｇ上昇基からなる群から選択される１つまたは複数の置換基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つが、溶媒可溶化基またはＴｇ上昇基であり；
Ｒ３は、Ｈ、アルキル基、および置換アルキル基からなる群から選択される）
［２０］  前記活性層が光活性層であることを特徴とする［１９］に記載の電子デバイス。
［２１］  前記活性層が電子輸送層であることを特徴とする［１９］に記載の電子デバイス。