【事件の表示】
　平成　９年特許願第３５０５９３号「磁気ヘッドの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　１月１２日出願公開、特開平１１−　　７６０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成９年１２月１９日（国内優先権主張平成９年４月２５日）の出願であって、平成１５年８月２７日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成１５年１０月２３日に審判請求がされるとともに、平成１５年１１月２５日付けで手続補正がなされたものである。
　平成１５年１１月２５日付け手続補正は、補正前の請求項１の「前記非磁性絶縁層」を「前記非磁性ギャップ層」と補正して誤記を訂正し、補正前の請求項１の「集束イオンビームを該ポールティップの外から側部に向けて移動しながら膜厚方向に照射することにより」を「
選択的に
　本願の請求項１乃至１０に係る発明は、平成１５年１１月２５日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、それぞれ本願特許請求の範囲の請求項１乃至１０に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】　ウェハの上に下部磁極を形成する工程と、
　前記下部磁極の上に非磁性ギャップ層を形成する工程と、
　前記非磁性ギャップ層の上で、非磁性絶縁層に挟まれるコイルを形成する工程と、
　先端が細く且つ前記非磁性ギャップ層上でポールティップを有する上部磁極を前記非磁性絶縁層の上に形成する工程と、
　前記ポールティップの側部とその直下の前記非磁性ギャップ層及び前記下部磁極に選択的に集束イオンビームを該ポールティップの外から側部に向けて移動しながら膜厚方向に照射することにより、前記ポールティップの幅を狭くするとともに、前記ポールティップの側面直下から外側への領域の前記下部磁極に凹部を形成して該凹部に挟まれた前記下部磁極の幅を前記ポールティップの幅に揃える工程と、
　前記凹部に充填するとともに、前記上部磁極及び前記下部磁極を覆う非磁性絶縁材よりなる保護層を形成する工程と
　を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。」
　
２　引用例
（１）　原査定の拒絶の理由で引用された特開平７−２９６３３１号公報（以下「引用例１」という。）には、「シールド付き書き込みポール構造を持つ磁気ヘッドアセンブリ」に関して次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付加したものである。）
　（ア）「【０００８】【課題を解決するための手段】この発明によれば、
薄膜読み取り／書き込み磁気ヘッドアセンブリは、誘導型書き込みヘッドとＭＲセンサ素子で形成された磁気抵抗効果型読み取りヘッドを含んでいる
誘導型ヘッドは、パーマロイのような強磁性材料で出来たそれぞれＰ１およびＰ２層と称する第一および第二のポールを含んでおり、書き込み用変換ギャップを持つ磁気回路を形成する
Ｐ１ポール層およびＰ１ポールの下部から張り出し
シールド部分とを含んで、一体の段付き構造が提供される
　（イ）【０００９】【発明の作用】
書き込みはみ出し磁界が、Ｐ１層と第二のデポジットされたＰ２ポール層との間に形成された書き込み変換ギャップの領域におけるＰ１層の上表面によって定まること
　（ウ）「【００１４】ポールとシールドの一体結合構造により、書き込みモード時に発現するはみ出し磁界の大きさが顕著に減少する。ポール／シールド構造体が段付き形状をなし、
書き込みギャップの領域でＰ１層の幅が狭くＰ１ポールの頂面が小さくなっているので、はみ出し磁界の量が減じられる
【００１５】（前略）Ｐ１ポール層部分４２は、底面シールド部分４４より狭く、その幅は、製造誤差の許す限りＰ２ポール層４８の幅に近づける。」
　（エ）「【００１７】図３を参照して、読み取り書き込みヘッドアセンブリは、例えば、アルミナ−チタン−カーバイドの複合材料のような絶縁材料の基板８２を有して出来ている。（後略）」（実施例の項）
　（オ）「【００１９】（前略）次いで、パーマロイのような適当な軟磁性材料で出来た書き込みポール／磁気シールド一体結合構造９８がスパッタリング、蒸着、めっき、その他適宜な手段で第二アルミナ絶縁層８８Ｂの上に形成される。シールド付きＰ１ポール構造体９８の段付き形状は、後述するように、適宜の順次処理工程により形成される。Ａｌ２Ｏ３のような第三絶縁層１００が、十分な厚さのシールド付きＰ１ポール９８の上にデポジットされ、書き込み変換ギャップ１００を形成する。それから、
導電コイル１０２
絶縁材料の層１０４、１０６の中に埋設される
書き込み用Ｐ２ポール層１０８は
Ｐ２ポール層１０８の上には、絶縁保護外皮（図示せず）が設けられる
　（カ）「【００２３】
段付きの書き込みポール／シールド一体結合構造体の構造を形成するための
方法を
強磁性体層４６（後にＰ１ポール層部分４２と張り出し磁気シールド部分４４になる）が絶縁基板
の上に
デポジットされる
書き込みギャップを形成するために、強磁性体層４６の上に
絶縁層１００がデポジットされる
コイル１０２、絶縁層１０４、１０６、そしてＰ２ポール層４８とＰ１ポール層４２の間の後端結合部が形成される
最終マスク層１４０が、ホトレジストまたはチタンその他の適当な材料を使ってデポジットされパターン取りされる
例えば、イオンビームエッチングまたはリアクティブイオンエッチングにより、Ｐ２ポール層４８、書き込みギャップ絶縁材料１００、Ｐ１ポール層４２の一部を除去する。
エッチングは、層４８および１００が完全に突き抜けるまで続けられる。エッチングは、層４６の半ばで中止し、厚さｄ
１
の書き込みポール部分４２と厚さｄ
２
のシールド部分４４を有し書き込みギャップのところで定義される幅ｗの延長体を有する異形断面のシールド４４付きＰ１ポール４２を残す
　
（２）　同じく引用された特開平３−２９６９０７号公報（以下「引用例２」という。）には、「磁気ヘッドおよびその製造方法」に関して次の事項が記載されている。
　（サ）「磁気記録媒体への磁気情報の記録、再生動作を行なう磁気ヘッドにおいて、媒体との摺動面の一部に一つ以上の溝が設けられており、この溝は
収束イオンビームエッチングにより加工されている
　（シ）「上記第一の目的は磁気ヘッドの媒体との摺動面の一部に一以上の溝を設けることにより達成される。より具体的には、磁気ヘッドの磁気ギャップあるいは感磁部近傍に、局所的な凹部を設け、これらの幅を規定する。本発明の好ましい状様では
これらの溝あるいは凹部は収束イオンビーム（ＦＩＢと言う）により加工される
　（ス）「摺動面の一部のみに溝を形成する際に、
収束イオンビームを用いれば、
　（セ）「
スライダーレール上にレジストを塗布することなく、収束されたエネルギーを有するビームを用いて磁気ヘッドの形状を加工すれば、所望の形状を歩留まり良く加工することができる
　（ソ）「第１図は
フォーカスドイオンビームエッチング法（以下ＦＩＢと略す）
　
３　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、上記２（ア）（オ）（カ）（下線部参照）に摘示した記載事項によれば、
　「薄膜読み取り／書き込み磁気ヘッドアセンブリの形成方法であって、
　書き込みヘッドは、強磁性材料で出来たそれぞれＰ１ポール層およびＰ２ポール層と称する第一および第二のポールを備え、Ｐ１ポール層部分およびＰ１ポールの下部から張り出したシールド部分とを含む段付きの書き込みポール／シールド一体結合構造体を備え、Ｐ２ポール層の上には絶縁保護外皮が設けられるものであり、
　上記書き込みポール／シールド一体結合構造体を形成するための工程は、
　強磁性体層（後にＰ１ポール層部分と張り出し磁気シールド部分になる）が絶縁基板の上にデポジットされる工程と、
　書き込みギャップを形成するために、強磁性体層の上に絶縁層がデポジットされる工程と、
　コイル、コイルを埋設する絶縁材料の層、そしてＰ２ポール層とＰ１ポール層の間の後端結合部が形成される工程と、
　最終マスク層が、デポジットされパターン取りされる工程と、
　イオンビームエッチングにより、Ｐ２ポール層、書き込みギャップ絶縁層、Ｐ１ポール層の一部を除去する工程であって、上記エッチングは、Ｐ２ポール層および書き込みギャップ絶縁層が完全に突き抜けるまで続けられ、強磁性体層の半ばで中止し、厚さｄ１の書き込みポール部分と厚さｄ２のシールド部分を有し書き込みギャップのところで定義される幅の延長体を有する異形断面のシールド付きＰ１ポールを残す工程と、
　を有する方法。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「薄膜読み取り／書き込み磁気ヘッドアセンブリの形成方法」「絶縁基板」「Ｐ１ポール層、Ｐ１ポール層部分およびＰ１ポールの下部から張り出したシールド部分とを含む段付きの書き込みポール／シールド一体結合構造体」「書き込みギャップ絶縁層、絶縁層」「Ｐ２ポール層」「絶縁保護外皮」は、それぞれ本願発明の「磁気ヘッドの製造方法」「ウェハ」「下部磁極」「非磁性ギャップ層」「上部磁極」「保護層」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「コイルを埋設する絶縁材料の層」は、本願発明の「非磁性絶縁層」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「デポジット」とは、「堆積」の意味であるから、引用例１の「強磁性体層（後にＰ１ポール層部分と張り出し磁気シールド部分になる）が絶縁基板の上にデポジットされる工程」は、本願発明の「ウェハの上に下部磁極を形成する工程」に相当している。
　同様に、引用例１の「書き込みギャップを形成するために、強磁性体層の上に絶縁層がデポジットされる工程」は、本願発明の「下部磁極の上に非磁性ギャップ層を形成する工程」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「Ｐ２ポール層」は、媒体摺動面側のギャップ近傍では、先端部を構成しているから、Ｐ２ポール層の先端部はポールティップといえる。
　引用例１の発明は、「コイル、コイルを埋設する絶縁材料の層、そしてＰ２ポール層とＰ１ポール層の間の後端結合部が形成される工程」を有しているから、本願発明の「非磁性ギャップ層の上で、非磁性絶縁層に挟まれるコイルを形成する工程と、先端が細く且つ前記非磁性ギャップ層上でポールティップを有する上部磁極を前記非磁性絶縁層の上に形成する工程」に相当する工程を有している。
　引用例１に記載された発明は、「イオンビームエッチングにより、Ｐ２ポール層、書き込みギャップ絶縁層、Ｐ１ポール層の一部を除去する工程であって、上記エッチングは、Ｐ２ポール層および書き込みギャップ絶縁層が完全に突き抜けるまで続けられ、強磁性体層の半ばで中止し、厚さｄ１の書き込みポール部分と厚さｄ２のシールド部分を有し書き込みギャップのところで定義される幅の延長体を有する異形断面のシールド付きＰ１ポールを残す工程」を有しており、ここでイオンビームによるエッチングはマスク等を用いて選択的にイオンビームを照射するものであることは明らかであるから、「ポールティップの側部とその直下の前記非磁性ギャップ層及び前記下部磁極に選択的に、イオンビームを、膜厚方向に照射することにより、ポールティップの幅を狭くするとともに、前記ポールティップの側面直下から外側への領域の下部磁極に、膜厚の薄い部分を形成して、該膜厚の薄い部分に挟まれた前記下部磁極の幅を前記ポールティップの幅に揃える工程」を有しているといえる。
　引用例１に記載された発明は、「Ｐ２ポール層の上には絶縁保護外皮が設けられるもの」であるから、「上部磁極を覆う非磁性絶縁材よりなる保護層を形成する工程」を有しているといえる。
　してみると、本願発明と引用例１に記載された発明は、
　「ウェハの上に下部磁極を形成する工程と、
　前記下部磁極の上に非磁性ギャップ層を形成する工程と、
　前記非磁性ギャップ層の上で、非磁性絶縁層に挟まれるコイルを形成する工程と、
　先端が細く且つ前記非磁性ギャップ層上でポールティップを有する上部磁極を前記非磁性絶縁層の上に形成する工程と、
　前記ポールティップの側部とその直下の前記非磁性ギャップ層及び前記下部磁極に選択的にイオンビームを膜厚方向に照射することにより、前記ポールティップの幅を狭くするとともに、前記ポールティップの側面直下から外側への領域の前記下部磁極に膜厚の薄い部分を形成して膜厚の薄い部分に挟まれた前記下部磁極の幅を前記ポールティップの幅に揃える工程と、
　前記上部磁極を覆う非磁性絶縁材よりなる保護層を形成する工程と
　を有する磁気ヘッドの製造方法。」
　である点で一致しており、以下の点で相違している。
　（相違点１）　イオンビームについて、本願発明では、「集束イオンビーム」を用いて「ポールティップの外から側部に向けて移動しながら」膜厚方向に照射することにより、「凹部」を形成すると特定しているのに対し、引用例１に記載された発明では、そのように特定されていない点。
　（相違点２）　保護層の形成について、本願発明では、「凹部に充填するとともに、上部磁極及び下部磁極を覆う非磁性絶縁材よりなる保護層を形成する」と特定しているのに対し、引用例１に記載された発明では、そのように特定されていない点。
　
（２）相違点についての判断
（相違点１について）
　引用例１に記載された発明は、書き込みはみ出し磁界が、ギャップの領域における下部磁極の上表面の幅によって定まるので、膜厚の薄い部分に挟まれた下部磁極の幅を、上部磁極のポールティップの幅に揃えることにより、はみ出し磁界の量を減少させようとする目的（上記段落９，１４，１５）で、ギャップ領域における下部磁極の幅を規定するためにその周辺に膜厚の薄い部分を設けている。そうすると、引用例１の発明において、ギャップの領域近傍で膜厚の薄い部分が形成されていれば足り、ギャップの領域近傍から離れた領域では、膜厚が薄くなくてよいことが明らかであるから、引用例１に記載された膜厚の薄い部分の例は、段と記載されているが、これを凹部とすることは当業者が必要に応じ適宜なし得ることである。
　また、磁気ヘッドの技術分野において、磁極の一部を選択的に除去して溝あるいは凹部を形成するために、集束イオンビームを用いて加工することは、引用例２に記載されている。なお、引用例２では、「収束イオンビーム」と記載されているが、「収束イオンビーム（ＦＩＢと言う）」「フォーカスドイオンビームエッチング法（以下ＦＩＢと略す）」と記載されているように、本願発明でいう「集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｓｅｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ：ＦＩＢ）」のことであることは明らかである。
　引用例１にイオンビームによるエッチングが例示されているのであるから、さらに精度の向上等のために上記集束イオンビームによる加工を採用することは当業者が必要に応じ適宜なし得ることであって、集束イオンビームを用いて凹部を形成することは、当業者が必要に応じ適宜なし得ることである。
　そして、集束イオンビームの技術において、集束イオンビームを用いると除去された物質が、すでに集束イオンビームの線走査を行った部分に再付着していくことが、従来より周知の事項であって、最後に集束イオンビームが照射される箇所には再付着がないことが技術常識ともいえるから（必要とあれば、例えば特開昭６０−１９３３４１号公報（従来技術の項の記載）等参照）、引用例１に記載された発明において、集束イオンビームを採用した際、下部磁極の幅を精度よく形成するように、ポールティップの外から側部に向けて移動しながら照射することは、当業者であれば最も普通に採用する方向にすぎない。
　
（相違点２について）
　引用例１には、保護層について上部磁極を覆うことが明記されているのみで他の部分についての詳しい記載はないものの、薄膜読み取り／書き込み磁気ヘッドの誘導型磁気ヘッドの素子部分全体を覆うように保護層を設けることは常套手段であるから、引用例１に記載された発明において、膜厚の薄い部分に挟まれた下部磁極の幅をポールティップの幅に揃える工程の後に、膜厚の薄い部分を含む下部磁極及び上部磁極を覆う保護層を形成することは当業者が適宜なし得ることにすぎない。
　
　上記相違点１及び２を総合的に検討しても、本願発明の効果は、引用例１、２に記載された発明及び周知の事項から当業者であれば予測される範囲内であり、格別顕著なものではない。
　なお、請求人は、本願発明は、集束イオンビームを使用しているため部分的に照射できマスクを介してエッチングする必要がない効果を主張しているが、当該効果は、集束イオンビーム技術自体の特長として周知のことであり、引用例２から予測しうる作用効果にすぎない。
　また、請求人は、本願発明と引用例２の発明とは集束イオンビームの照射する方向が異なる旨等を主張しているが、磁気ヘッドの磁極の加工形態及びイオンビームを膜厚方向に照射することは引用例１に示されているとおりであって、引用例１に記載された発明のイオンビームによる加工に、引用例２の集束イオンビーム技術を採用することは、上述のように当業者が容易になし得ることであるから、請求人の主張は採用することができない。しかも、効果として主張する、集束イオンビームの照射による磁気抵抗効果素子の破壊を防止する効果について検討するに、その前提となる接地や磁気抵抗効果素子は本願発明を特定する事項でもないので、請求人の主張は当を得ていない。
　また、請求人は、磁極をトリミングする前に上部磁極の先端部分がポールティップの形状にパターニングされているので、集束イオンビームにより磁極をトリミングする時間が下部磁極の幅をポールティップの幅に揃えるだけであるから短時間で済む旨主張している。しかしながら、「トリミングする前に上部磁極の先端部分がポールティップの形状にパターニングされている」ことは、請求項１に明確に記載されてないから、請求項の記載に基づかない主張であり、また引用例１に記載された発明が「先端が細く且つ前記非磁性ギャップ層上でポールティップを有する上部磁極」を形成する工程を備えていることは、上記（１）のとおりであるから、請求人の主張は採用することができない。
  
４　むすび
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１、２に記載された発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。