【事件の表示】
　特願２００１−４００３７８「ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月　９日出願公開、特開２００３−１９５４７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年１２月２８日に出願された特願２００１−４００３７８号であって、平成１７年３月１日付で拒絶査定がなされ、これに対して、平成１７年４月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成１７年２月７日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのもの（以下、「本願発明」という。）と認める。
「透光性基板上に、ハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に形成された遮光膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
前記遮光膜が、炭素、酸素、及び窒素のうち少なくとも１つの元素と、クロムとの化合物を含んで構成されると共に、表面がクロムと、酸素及び窒素の少なくとも何れか一方との化合物を含むことにより、反射防止機能を発揮するように構成されているとともに、前記遮光膜が以下の条件を満たしているものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
ａ．膜厚が７７ナノメートル以下（「７７μｍ以下」は誤記と認める。）であること。
ｂ．この遮光膜と前記ハーフトーン材料膜とを積層したときの遮光性であってＫｒＦエキシマレーザからなる露光光又はその露光光の波長より短い波長の露光光に対する遮光性が光学濃度３．０以上を確保できるものであること。
ｃ．このハーフトーン型位相シフトマスクブランクの周辺領域を残して前記遮光膜を除去した場合において、この遮光膜の除去前後における膜応力差に起因する平坦度変化量が０．２μｍより小さい値となるようなものであること。」
　
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開平１１−２４９２８３号公報（以下、引用例１という。）には、次の事項が記載されている。
【０００１】【発明の属する技術分野】
　本発明は、ハーフトーン型位相シフトマスク及びその素材としてのハーフトーン型位相シフトマスクブランクに係り、特に、半透光部に設けた遮光膜の反射低減を図ったハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクに関する。
　
【００１４】
　また、遮光膜の金属材料としては、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）等の金属、あるいは、前記金属の酸化物、窒化物、酸化窒化物、炭化物、フッ化物等が挙げられる。これら金属の酸化物（例えばＣｒｘＯｙなど）や酸化窒化物（例えばＣｒｘＯｙＮｚなど）やフッ化物（例えばＣｒｘＦｙなど）には表面反射防止の作用がある。尚、遮光膜を設けた遮光領域における露光波長の透過率は０．５％以下、好ましくは０．１％以下とするのがよい。したがって、この遮光膜の組成や膜厚等は、遮光機能をより完全にするものに選定する。なお、反射防止機能を有する遮光膜の膜厚は、３００オングストローム以上で、１０００オングストローム以下程度が好ましく、遮光性の高い材料を用いて、５００〜８００オングストローム程度にすることが好ましい。
　
【００２３】
　図１において、１は石英ガラスからなる透明基板であり、透明基板１上には窒化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＮ）の半透光膜２が適宜パターンで形成されている。・・・転写領域Ｉ内の、透光部６と半透光膜２との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与しない半透光膜２上に、反射防止機能を有する遮光膜５が形成されている。遮光膜５は、半透光膜２側から順次積層された窒化クロム（ＣｒＮ）膜３と酸化窒化クロム（ＣｒＯＮ）膜４とからなる。・・・
【００２５】
　ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、図２に示すように、透明基板１上に半透光膜２ａと、低反射の遮光膜５ａとを形成したものであり、その製造工程を図３に従って説明する。
【００２６】
　透明基板１は、主表面を鏡面研磨した石英ガラス基板（縦６インチ×横６インチ×厚さ０．２５インチ）であり、その平坦度は＋１．５μｍであった（図３（ａ））。まず、この透明基板１上にモリブデンシリサイドのターゲットを用い、Ａｒ＋Ｎ２ガスを用いた反応性スパッタリング法により、窒化モリブデンシリサイドからなる透過率及び位相差を同時に調整する単層の半透光膜２ａを製膜した（図３（ｂ））。このときの平坦度は＋２．５μｍと増加した。次に、光半透光膜２ａ上に、スパッタリング法により、窒化クロム膜３ａ、酸化窒化クロム膜４ａを積層して、低反射の遮光膜５ａを得る。・・・
　
　したがって、上記記載事項及び【図１】、【図３】等を参照すれば、引用例１には、
「透明基板１上に、半透光膜２ａと、この半透光膜２ａ上に形成された遮光膜５ａとを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記遮光膜５ａが、半透光膜２ａ側から順次、窒化クロム（ＣｒＮ）膜３ａと酸化窒化クロム（ＣｒＯＮ）膜４ａからなり、反射防止機能を有するとともに、前記遮光膜５ａが以下の条件を満たしているものであることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
ａ．好ましくは膜厚を５００〜８００オングストローム程度にすること。
ｂ．遮光膜５ａと前記半透光膜２ａとを積層したときの遮光領域における露光波長の透過率を好ましくは０．１％以下にすること。」（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　また、同じく原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開２０００−１８１０４９号公報（以下、引用例２という。）には、次の事項が記載されている。
【００７７】
　図６に示す例は、マスクパターン形成領域以外の領域である周辺領域において、ハーフトーン材料膜上に金属膜及びその反射防止膜を形成したものである。この金属膜は遮光する機能を受け持つ。すなわち、この周辺領域を露光光が通過できないようにするものである。・・・
　
　また、原査定に引用され、本願の出願前に頒布された特開２００１−２０３１６０号公報（以下、周知例１という。）には、次の事項が記載されている。
【０００３】
　図２に示すのは、従来のこの種の露光マスクの製造工程である。例えば２．３ｍｍ厚程度の透明基板１０、例えば図２（ａ）に示すような石英基板１０を用い、この片面に図２（ｂ）に示す如く遮光材料膜２０を形成する。例えば、Ｃｒを７００〜８００Å厚で形成する。このとき、金属膜（ここではＣｒ膜）による収縮により、図２（ｂ）に極端に示すように、石英基板１が反る。この状態で遮光材料膜２０がＥＢ描画等によりパターニングされることになる。パターン形成後、反りは解放され、図２（ｃ）のような状態になる。よって、反りが戻った分、形成されたパターン２１に位置ずれが起こることになる。・・・
　
【０００４】
　上記のような反りの発生に伴うパターンの位置ずれを防止するため、例えば遮光材料膜２０としてＣｒ単独ではなく、Ｃｒ膜上に酸化クロムＣｒｘＯｙを１００〜３００Å厚で形成したものを用いることも行われている。これにより、反りを低減し、かつ反射率を低くして、パターン精度を高めるようにできる。しかしこの手法でも、反りの或る程度の軽減は可能であるが、必要精度以下にまで反りを抑制することは困難である。
　
４．対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「透明基板１」は、本願発明の「透光性基板」に相当する。以下、同様に、「半透光膜２ａ」は「ハーフトーン材料膜」に、「遮光膜５ａ」は「遮光膜」に、「遮光膜５ａが、半透光膜２ａ側から順次、窒化クロム（ＣｒＮ）膜３ａと酸化窒化クロム（ＣｒＯＮ）膜４ａからなり」は、「遮光膜が、炭素、酸素、及び窒素のうち少なくとも１つの元素と、クロムとの化合物を含んで構成されると共に、表面がクロムと、酸素及び窒素の少なくとも何れか一方との化合物を含むことにより」に、「反射防止機能を有する」は「反射防止機能を発揮する」に、それぞれ相当する。
　また、引用発明の「ａ．好ましくは膜厚を５００〜８００オングストローム程度にすること」と、本願発明の「ａ．膜厚が７７ナノメートル以下であること」とは、「ａ．膜厚が所定範囲の厚さであること」の点で一致する。
　また、引用発明の「ｂ．遮光膜５ａと前記半透光膜２ａとを積層したときの遮光領域における露光波長の透過率を好ましくは０．１％以下にすること」と、本願発明の「ｂ．この遮光膜と前記ハーフトーン材料膜とを積層したときの遮光性であってＫｒＦエキシマレーザからなる露光光又はその露光光の波長より短い波長の露光光に対する遮光性が光学濃度３．０以上を確保できるものであること」とは、「ｂ．この遮光膜と前記ハーフトーン材料膜とを積層したときの透過遮光特性であって露光光波長の露光光に対する透過遮光特性が所定範囲であること」の点で一致する。
　
　したがって、両者は、「透光性基板上に、ハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に形成された遮光膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前期遮光膜が、炭素、酸素、及び窒素のうち少なくとも１つの元素と、クロムとの化合物を含んで構成されると共に、表面がクロムと、酸素及び窒素の少なくとも何れか一方との化合物を含むことにより、反射防止機能を発揮するように構成されているとともに、前記遮光膜が以下の条件を満たしているものである位相シフトマスクブランク。
ａ．膜厚が所定範囲の厚さであること。
ｂ．この遮光膜と前記ハーフトーン材料膜とを積層したときの透過遮光特性であって露光光波長の露光光に対する透過遮光特性が所定範囲であること。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１；
　遮光膜の膜厚が、本願発明では、７７ナノメートル以下であるのに対し、引用発明では、好ましくは５００〜８００オングストローム程度にする点。
　
相違点２；
　透過遮光特性が、本願発明では、遮光膜とハーフトーン材料膜とを積層したときの遮光性であってＫｒＦエキシマレーザからなる露光光又はその露光光の波長より短い波長の露光光に対する遮光性が光学濃度３．０以上を確保できるのに対し、引用発明では、遮光膜５ａと半透光膜２ａとを積層したときの遮光領域における露光波長の透過率が好ましくは０．１％以下である点。
　
相違点３；
　本願発明では、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの周辺領域を残して前記遮光膜を除去した場合において、この遮光膜の除去前後における膜応力差に起因する平坦度変化量が０．２μｍより小さい値となるのに対し、引用発明では、そのような限定がない点。
　
５．当審の判断
相違点１について；
　引用発明の「５００〜８００オングストローム」は５０〜８０ナノメートルであるから、本願発明の７７ナノメートル以下と相当部分で重複し、７７ナノメートルに臨界的意義も認められないことから、引用発明において、上記相違点１に係る本願発明の構成を限定することは、当業者にとって容易である。
　
相違点２について；
　光学濃度は、透過率の逆数を１０を底とした対数で表す値であるから、引用発明の「透過率０．１％以下」は、本願発明の「光学濃度３．０以上」を満たす。また、露光光としてＫｒＦエキシマレーザや、より短い波長の光を用いることは当業者にとって周知であるから、引用発明において、露光光としてＫｒＦエキシマレーザ或いはそれよりも波長の短い光を用いた上で光学濃度３．０以上を確保すると限定することは、当業者にとって容易である。
　
相違点３について；
　ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの周辺領域を残して遮光膜を除去することは、引用例２に開示されているとおり公知であり、当該構成を採用することは、当業者ならば適宜なし得たことである。その際、周知例１に記載されているように、遮光膜の除去前後における反りの発生は周知の課題であり、反りが小さいことが望ましいことは当業者にとって自明であり、さらに遮光膜の除去前後における膜応力差に起因する平坦度変化量の上限値を０．２μｍとした点に臨界的意義も無いので、上記の平坦度変化量を０．２μｍより小さい値とすることも、当業者にとって容易である。
　
　そして、本願発明の効果も、引用発明、引用例２に記載された発明及び従来周知の技術事項から予測される範囲のものである。
　
６．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１、２に記載された発明及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。