【事件の表示】
　特願２０００−３８３０７８「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　７月２７日出願公開、特開２００１−２０３２７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本件出願は、平成６年３月２９日に出願した特願平６−５８４０６号の一部を平成１２年１２月１８日に新たな出願としたものであって、平成１６年８月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。 
 
　 
２．本願発明の認定
　本願の請求項１及び２に係る発明（以下、それぞれ「本願第１発明」及び「本願第２発明」という。）は、平成１６年６月２８日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりのものであるところ、その本願第１発明は、次のとおりである。 
 　 
「メモリセル部となるトランジスタの閾値電圧をイオン注入で相違させることによりデータを書き込むマスクＲＯＭを有する半導体装置の製造方法において、半導体基板上に上記トランジスタを形成し、層間絶縁膜を形成し、上記半導体基板に形成された不純物拡散層上にコンタクト孔を形成した後、上記コンタクト孔を覆うように、データ書き込みイオン注入用レジストパターンを形成し、イオン注入により、上記データの書き込みを行う工程と、アニール処理温度を７００〜８００℃とし、不活性ガス雰囲気中で注入イオンの活性化アニールを行った後、上記コンタクト孔内で露出した上記半導体基板を所定量だけ除去し、その後、配線形成を行うことを特徴とする、半導体装置の製造方法。」
　
　
３．引用例
３−１．引用例１ 
　これに対して、当審の拒絶の理由に引用された、本願の原出願の出願前に頒布された刊行物である特開平５−３２６８８９号公報（以下、「引用例１」という。）は、「マスクＲＯＭの製造方法」（発明の名称）に関するものであり、図１（ａ）〜（ｅ）と共に、次のとおり記載されている。 
「【請求項１】　半導体基板上にＭＯＳトランジスタを形成し、所望のチャネル領域に選択的に不純物イオンを注入し、データを書き込むマスクＲＯＭの製造方法において、・・・」（請求項１） 
「【０００２】
【従来の技術】従来、マスクＲＯＭのデータの書き込みは、イオン注入方法、・・・などによって行なわれてきた。イオン注入方法は、ウエハプロセスの比較的初期の段階、すなわち、層間絶縁膜を形成する前の段階で、トランジスタのチャネル領域に選択的にイオン注入し、しきい値電圧の大きいトランジスタと小さいトランジスタを作ることで書き込む方法である。・・・」（０００２段落） 
「【０００７】
・・・シリコン基板１上にゲート絶縁膜２を形成し、ゲート絶縁膜２上にポリシリコンゲート電極３を形成し、ソース、ドレインのＮ＋拡散層４を形成し、層間絶縁膜５を形成し、コンタクトホールを形成する〔図１（ａ）〕。・・・」（０００７段落）
「【０００８】次に、リソグラフィー法により、所定のトランジスタのチャネル領域上に開口をもつホトレジスト層６を形成し、通常のミディアム型イオンプランタで所定のトランジスタのチャネル領域にボロン又はフッ化ボロンのイオン７を１８０ｋｅＶ程度で注入し〔図１（ｃ）〕、ホトレジスト層を除去した後、Ｎ２雰囲気，９００℃の条件で１０分間熱処理を行なう。以上の工程でエンハンスメント型トランジスタがデプレッション化する。続いて、Ａｌ配線８を行ない〔図１（ｄ）〕、パッシベーション膜９を形成すると〔図１（ｅ）〕、ウエハプロセスが終了する。同様に、デプレッション型トランジスタを、リンあるいはヒ素のイオン注入によってエンハンスメント化することも可能である。」（０００８段落） 
　
　以上の記載事項によれば、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「ＭＯＳトランジスタを形成し、不純物イオンを注入し、データを書き込むマスクＲＯＭの製造方法において、 
 シリコン基板上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にポリシリコンゲート電極を形成し、ソース、ドレインのＮ＋拡散層を形成し、層間絶縁膜を形成し、コンタクトホールを形成し、
　次に、リソグラフィー法により、所定のトランジスタのチャネル領域上に開口をもつホトレジスト層を形成し、イオン注入し、ホトレジスト層を除去した後、Ｎ２雰囲気，９００℃の条件で熱処理を行ない、デプレッション化し、続いて、配線を行ない、ウエハプロセスが終了する。」 
　
３−２．引用例２ 
　同じく、当審の拒絶の理由に引用された、本願の原出願の出願前に頒布された刊行物である特開昭５８−２１５０７３号公報（以下、「引用例２」という。）は、「絶縁ゲート型電界効果半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関するものであり、次のとおり記載されている。
「以下、本発明をマスクＲＯＭに関する実施例について詳細に説明する。」（第２頁左下欄第１２行〜第１３行） 
「例えばゲート酸化膜の加熱によつてゲート酸化膜−基板の界面が約６００〜８００℃に加熱されることになる。この加熱温度は、上記チヤネル部２２に打込まれている不純物２３を活性化するのに充分である。」（第３頁左上欄第１３行〜第１７行）
　
３−３．引用例３ 
　当審の拒絶の理由に引用された、本願の原出願の出願前に頒布された刊行物である特開平５−１０２４０１号公報（以下、「引用例３」という。）は、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関するものであり、図２〜３と共に、次のとおり記載されている。 
「【００１７】図２に示すように、エミッタを除いてアルミニウム系配線層に接続する部分にコンタクトホール１１を形成する。・・・コンタクトホール１１はＢＰＳＧ膜１０及び層間絶縁膜６を開口して形成され、底部ではＭＯＳトランジスタの拡散層４が露出する。」（００１７段落）
「【００１８】次に、ＢＰＳＧ膜１０のリフローが行われる。このリフローは熱処理によりＢＰＳＧ膜１０を流動化して、全体の平坦化を図る工程である。このリフロー時にコンタクトホール１１内では、リンのオートドープが発生する・・・」（００１８段落）
「【００１９】リフロー工程の後、拡散層４に対して補償イオン注入を行う。ＭＯＳ構造がＣＭＯＳであるため、ｎ＋型及びｐ＋型の両方のドーパントが各拡散層に打ち込まれる。」（００１９段落）
「【００２０】この補償イオン注入の後、特に、ｐ＋型の拡散層に於ける安定した電気的接続を図るために、図３に示すように、シリコンエッチングによって露出している拡散層４の表面１２をわずかに削る。このシリコンエッチングは、コンタクトホール１１が形成された領域の全ての基板表面やポリシリコン膜に対して行われる・・・」（００２０段落）
　
　
４．対比・判断 
　引用発明の「ＭＯＳトランジスタ」、「シリコン基板」、「Ｎ＋拡散層」、「コンタクトホール」は、それぞれ、本願第１発明の「トランジスタ」、「半導体基板」、「不純物拡散層」、「コンタクト孔」に相当する。 
　引用発明の「ＭＯＳトランジスタ」は、イオン注入によりデータが書き込まれ、記憶素子の最小単位を構成しているので、本願第１発明の「メモリセル部となるトランジスタ」に相当する。
　引用発明の「不純物イオンを注入し、データを書き込むマスクＲＯＭの製造方法」は、本願第１発明の「イオン注入で」「データを書き込むマスクＲＯＭを有する半導体装置の製造方法」に相当する。 
　引用発明の「イオン注入」は、引用発明における従来技術と同様の「しきい値電圧の大きいトランジスタと小さいトランジスタを作る」ものであることは明らかであるので、引用発明の「イオン注入」は、本願第１発明の「トランジスタの閾値電圧をイオン注入で相違させる」イオン注入に相当する。
　引用発明の「ゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にポリシリコンゲート電極を形成し、ソース、ドレインのＮ＋拡散層を形成し、層間絶縁膜を形成」することは、本願第１発明の「トランジスタを形成し、層間絶縁膜を形成」することに相当する。
　引用発明の「ソース、ドレインのＮ＋拡散層を形成し、層間絶縁膜を形成し、コンタクトホールを形成し、次に、リソグラフィー法により、所定のトランジスタのチャネル領域上に開口をもつホトレジスト層を形成し、イオン注入」することは、本願第１発明の「半導体基板に形成された不純物拡散層上にコンタクト孔を形成した後、」「コンタクト孔を覆うように、」「データ書き込みイオン注入用レジストパターンを形成し、イオン注入」「を行う工程」に相当する。
　また、引用例１には「Ｎ２雰囲気」で「熱処理を行なう。以上の工程でエンハンスメント型トランジスタがデプレッション化する。」「同様に、デプレッション型トランジスタを、リンあるいはヒ素のイオン注入によってエンハンスメント化することも可能である。」と記載されている。「Ｎ２」は「不活性ガス」であり、熱処理によってチャネル領域にイオン注入されたトランジスタがデプレッション化しているので、引用発明の「Ｎ２雰囲気」での「熱処理」は、本願第１発明の「不活性ガス雰囲気中での注入イオンの活性化アニール」に相当する。
　よって、本願第１発明と引用発明とは、
「メモリセル部となるトランジスタの閾値電圧をイオン注入で相違させることによりデータを書き込むマスクＲＯＭを有する半導体装置の製造方法において、半導体基板上に上記トランジスタを形成し、層間絶縁膜を形成し、上記半導体基板に形成された不純物拡散層上にコンタクト孔を形成した後、上記コンタクト孔を覆うように、データ書き込みイオン注入用レジストパターンを形成し、イオン注入により、上記データの書き込みを行う工程と、不活性ガス雰囲気中で注入イオンの活性化アニールを行った後、その後、配線形成を行うことを特徴とする、半導体装置の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願第１発明が「アニール処理温度を７００〜８００℃とし」ているのに対し、引用発明では、「９００℃」の条件で熱処理を行なう点
　
（相違点２） 
　本願第１発明が「上記コンタクト孔内で露出した半導体基板を所定量だけ除去」するのに対し、引用発明ではこのような構成を有していない点 
 　 
　以下、これらの相違点について検討する。
 　
（相違点１について） 
　引用例２には、不純物を活性化するために「約６００〜８００℃に加熱」することが記載されている。 
　したがって、引用発明において、不純物を活性化するための熱処理温度として「９００℃」とすることに代えて、引用例２に記載された「約６００〜８００℃」を採用し、本願第１発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得る程度のものである。
　なお、請求人は、平成１７年１１月１１日付の意見書にて、実験的な裏づけがないので活性化が十分に行われるかどうか明らかでない旨主張しているが、引用例２に記載の発明の温度範囲６００〜８００℃の内、７００〜８００℃の範囲は、本願第１発明と重なっており、十分な不純物の活性化が行われると認められる。また、７００℃という温度に当業者の予測を超える臨界的な意義も認められない。
 　　 
（相違点２について） 
　引用例３には、半導体装置の製造方法であって、「熱処理」により「コンタクトホール１１内では、リンのオートドープが発生する」が、「特に、ｐ＋型の拡散層に於ける安定した電気的接続を図るため」に、「エッチングによって露出している拡散層４の表面１２をわずかに削る。このシリコンエッチングは、コンタクトホール１１が形成された領域の全ての基板表面やポリシリコン膜に対して行われる」ことが記載されている。
　一般に、層間絶縁膜にＢＰＳＧなどの不純物を含んだ絶縁膜を用いることは、周知慣用技術であるから、引用発明において、その層間絶縁膜部分に不純物を含んだ絶縁膜を用いることは、単に、周知慣用技術を用いたにすぎず、その場合、引用発明においても、必然的に「熱処理」によって、「層間絶縁膜」から「コンタクトホール」への「オートドープが発生する」ものである。さらに、引用例３に記載の「拡散層に於ける安定した電気的接続を図る」ことは、半導体装置の製造方法において一般的に求められる課題であり、引用発明においても求められる課題である。
　したがって、引用発明において、拡散層に於ける安定した電気的接続を図るという課題解決のために、引用例３に記載された露出している全ての拡散層の表面をわずかに削ることを採用し、本願第１発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得る程度のものである。
　
　よって、本願第１発明は、上記引用例１乃至引用例３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　 
 　 
５．むすび 
　以上のとおりであるから、本願第２発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。