【手続補正書】
【提出日】平成21年12月1日(2009.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドープされたＡｌＮ結晶を形成する方法であって、
ａ．ＡｌＮ及び複数の異なる不純物種を含む混晶を形成し、該複数の異なる不純物種が、ソース化合物によって提供され、
ｂ．前記混晶の少なくとも一部中で１つの不純物種を電気的に優先的に活性化し、ドープされたＡｌＮ結晶を形成する
ステップを含む、方法。
【請求項２】
前記電気的な活性化のステップの前に、前記混晶をウェハにスライシングするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電気的な活性化のステップの後、前記ドープされたＡｌＮ結晶が、室温で約１０−５Ω−１ｃｍ−１より大きな導電率を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電気的な活性化のステップの後、前記ドープされたＡｌＮ結晶が、室温で約３×１０−３Ω−１ｃｍ−１より大きな導電率を有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記電気的な活性化のステップの後、前記ドープされたＡｌＮ結晶が、室温で約２５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きな移動度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記電気的な活性化のステップの後、前記ドープされたＡｌＮ結晶が、室温で約１０−２Ω−１ｃｍ−１より大きな導電率を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記電気的な活性化のステップの後、前記ドープされたＡｌＮ結晶がｎ型となっている、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記電気的な活性化のステップの後、前記ドープされたＡｌＮ結晶がｐ型となっている、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記複数の不純物種が、置換型ドーパントを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数の不純物種が、Ｃ、Ｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ及びＳｉからなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記複数の不純物種が、侵入型ドーパントを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記侵入型ドーパントがＬｉを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記電気的な活性化のステップが、前記混晶の少なくとも一部に対するアニール、溶融金属への浸漬及び電圧の印加の少なくとも１つを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記電気的なのステップが、侵入型ドーパントを、前記混晶の少なくとも一部から抽出する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の不純物種が、少なくとも１つのドナー及び少なくとも１つのアクセプタを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのドナー及び少なくとも１つのアクセプタが、カチオン格子サイトを占有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つのドナーがＳｉを含み、前記少なくとも１つのアクセプタがＢｅ、Ｍｇ又はＺｎを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つのドナー及び前記少なくとも１つのアクセプタが、アニオン格子サイトを占有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つのドナーがＯを含み、前記少なくとも１つのアクセプタがＣを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記電気的な活性化のステップがアニールを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
ｐ型ＡｌＮ結晶を形成する方法であって、
ａ．ＡｌＮ及び置換型不純物のソースを含む混晶を形成し、
ｂ．前記置換型不純物の少なくとも一部を電気的に活性化し、ｐ型ＡｌＮ結晶を形成する
ステップを含む、方法。
【請求項２２】
前記置換型不純物のソースがＢｅ３Ｎ２を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記電気的な活性化のステップが、Ｂｅ３Ｎ２をＢｅ３Ｎ３に変換する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記電気的な活性化のステップが、混晶を、窒素雰囲気中で、約１００ＭＰａより低い圧力及び約２３００℃より低い温度に曝す、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記置換型不純物のソースが、Ｍｇ３Ｎ２、Ｚｎ３Ｎ２、Ｌｉ３Ｎ、ＢｅＯ、ＢｅＳｉＮ２、ＬｉＢｅＮ、Ｂｅ２Ｃ、ＢｅＳｉＮ２、ＭｇＳｉＮ２、ＬｉＳｉ２Ｎ３、ＬｉＭｇＮ又はＬｉＺｎＮの少なくとも１つを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
少なくとも約０．１ｍｍの厚み、少なくとも約１ｃｍの直径及び室温で約１０−５Ω−１ｃｍ−１より大きい導電率を有し、複数の異なる不純物種を含むソース化合物によってドープされている、ドープされたＡｌＮ結晶。
【請求項２７】
前記導電率が、室温で約３×１０−３Ω−１ｃｍ−１より大きい、請求項２６に記載のＡｌＮ結晶。
【請求項２８】
移動度が、室温で約２５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい、請求項２６に記載のＡｌＮ結晶。
【請求項２９】
直径が、室温で少なくとも約２ｃｍである、請求項２６に記載のＡｌＮ結晶。
【請求項３０】
前記化合物が、Ｃ、Ｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ及びＳｉからなる群から選択される少なくとも２つの置換型ドーパントを含む、請求項２６に記載のＡｌＮ結晶。
【請求項３１】
室温で約２５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きな移動度を有し、複数の異なる不純物種を含むソース化合物によってドープされている、ドープされたｐ型ＡｌＮ結晶。
【請求項３２】
前記化合物が、少なくとも、Ｃ、Ｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ及びＳｉからなる群から選択される少なくとも２つの置換型ドーパントをさらに含む、請求項３１に記載のＡｌＮ結晶。
【請求項３３】
少なくとも約０．１ｍｍの厚み及び少なくとも約１ｃｍの直径を有し、複数の異なる不純物種を含むソース化合物によってドープされている、ドープされたｎ型単結晶ＡｌＮ構造。
【請求項３４】
移動度が、室温で約２５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい、請求項３３に記載のＡｌＮ構造。
【請求項３５】
前記化合物が、少なくとも、Ｃ、Ｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ及びＳｉからなる群から選択された少なくとも２つの置換型ドーパントをさらに含む、請求項３３に記載のＡｌＮ構造。
【請求項３６】
少なくとも２ｍｍ×２ｍｍ×１ｍｍの寸法並びに室温で約１０−５Ω−１ｃｍ−１より大きな導電率を有し、複数の異なる不純物種を含むソース化合物によってドープされている、ドープされた単結晶ＡｌＮ構造。
【請求項３７】
前記化合物が、少なくとも、Ｃ、Ｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ及びＳｉからなる群から選択される少なくとも２つの置換型ドーパントをさらにをさらに含む、請求項３６に記載のＡｌＮ構造。
【請求項３８】
約５０％より大きいＡｌ濃度並びに室温で約１０−５Ω−１ｃｍ−１より大きい導電率を有し、複数の異なる不純物種を含むソース化合物によってドープされている、ドープされたｐ型ＡｌＧａＮエピタキシャル層。
【請求項３９】
前記導電率が、室温で約３×１０−３Ω−１ｃｍ−１より大きい、請求項３８に記載のエピタキシャル層。
【請求項４０】
移動度が、室温で約２５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい、請求項３８に記載のエピタキシャル層。
【請求項４１】
前記化合物が、少なくとも、Ｃ、Ｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ及びＳｉからなる群から選択される少なくとも２つの置換型ドーパントをさらに含む、請求項３８に記載のエピタキシャル層。
【請求項４２】
前記ソース化合物が、前記異なる不純物種のそれぞれにほぼ等しい濃度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４３】
追加の不純物種を含む雰囲気中でアニールを行う、請求項２０に記載の方法。
【請求項４４】
前記追加の不純物種が、前記化合物中の複数の異なる不純物種の少なくとも１つと異なる、請求項４３に記載の方法。