【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年4月16日(2010.4.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図２】
2006508798.tif 000001
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図３】
2006508798.tif 000002
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造プロセスによって得られる廃棄物流からの少なくとも１つの有毒なガス成分又はその副生成物を除去する装置であって、
前記少なくとも１つの有毒なガス成分又は前記副生成物に関して親和力を有する緩速吸収基盤層と、
前記少なくとも１つの有毒なガス成分又は前記副生成物に関して親和力を有する高速吸収基盤層と、
廃棄物流が前記緩速吸収基盤層と接触した後に前記高速吸収基盤層と接触することにより前記少なくとも１つの有毒なガス成分が前記廃棄物流から少なくとも部分的に除去されるように、ガス流を前記緩速吸収基盤層及び前記高速吸収基盤層に通じさせる状態で前記プロセスと接合する流路と、を備え、
前記緩速吸収基盤層の物質移動領域の厚さは、前記緩速吸収基盤層全体の厚さの１０〜１００％であり、
前記高速吸収基盤層の物質移動領域の厚さは、前記緩速吸収基盤層の前記物質移動領域の厚さより薄く、
前記緩速吸収基盤層の前記物質移動領域又は前記高速吸収基盤層の前記物質移動領域は、対象の汚染物質を流入濃度から破過レベルとして規定されるレベルまで除去するために必要な前記緩速吸収基盤層の長さ又は前記高速吸収基盤層の長さとして、それぞれ規定される装置。
【請求項２】
前記半導体製造プロセスが、周期表のIII−Ｖ族の元素を含む化合物に関連付けられる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記半導体製造プロセスが、イオン注入、有機金属化学気相堆積法、プラズマ化学気相堆積法から成るグループから選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記有毒なガス成分が、ＡｓＨ３、ＰＨ３、ＳｂＨ３、ＢｉＨ３、ＧｅＨ４、ＳｉＨ４、ＮＨ３、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｃｌ２、Ｆ２、Ｂｒ２、ＢＣｌ３、ＢＦ３、ＡｓＣｌ３、ＰＣｌ３、ＰＦ３、ＧｅＦ４、ＡｓＦ５、ＷＦ６、ＳｉＦ４、ＳｉＢｒ４、ＣＯＦ２、ＯＦ２、ＳＯ２Ｆ２、ＳＯＦ２、ＷＯＦ４、ＣｌＦ３（ｈｆａｃ）Ｉｎ（ＣＨ３）２Ｈ２Ａｓ（ｔ−ブチル）、Ｈ２Ｐ（ｔ−ブチル）、Ｂｒ２Ｓｂ（ＣＨ３）、ＳｉＨＣｌ３、及びＳｉＨ２Ｃｌ２から成るグループから選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記有毒なガス成分が、ＡｓＨ３、ＰＨ３、ＳｂＨ３、ＢｉＨ３、ＧｅＨ４、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｈ２Ａｓ（ｔ−ブチル）、Ｈ２Ｐ（ｔ−ブチル）、Ｂｒ２Ｓｂ（ＣＨ３）、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２から成るグループから選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記有毒なガス成分が、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｃｌ２、Ｆ２、Ｂｒ２、ＢＣｌ３、ＢＦ３、ＡｓＣｌ３、ＰＣｌ３、ＰＦ３、ＧｅＦ４、ＡｓＦ５、ＷＦ６、ＳｉＦ４、ＳｉＢｒ４、ＣＯＦ２、ＯＦ２、ＳＯ２、ＳＯ２Ｆ２、ＳＯＦ２、ＷＯＦ４、ＣｌＦ３（ｈｆａｃ）Ｉｎ（ＣＨ３）２、及びＢｒ２Ｓｂ（ＣＨ３）から成るグループから選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
半導体製造プロセスによって得られる廃棄物流からの少なくとも１つの酸性ガス、水素化物ガス、又はこれらの副生成物を除去する装置であって、
前記少なくとも１つの酸性ガス、水素化物ガス、又はこれらの副生成物に関して親和力を有する緩速吸収基盤層と、
前記少なくとも１つの酸性ガス、水素化物ガス、又はこれらの副生成物に関して親和力を有する高速吸収基盤層と、
廃棄物流が前記緩速吸収基盤層と接触した後に前記高速吸収基盤層と接触することにより前記少なくとも１つの酸性ガス、水素化物ガス、又はこれらの副生成物が前記廃棄物流から少なくとも部分的に除去されるように、ガス流を前記緩速吸収基盤層及び前記高速吸収基盤層に通じさせる状態で前記プロセスと接合する流路と、を備え、
前記緩速吸収基盤層の物質移動領域の厚さは、前記緩速吸収基盤層全体の厚さの１０〜１００％であり、
前記高速吸収基盤層の物質移動領域の厚さは、前記緩速吸収基盤層の前記物質移動領域の厚さより薄く、
前記緩速吸収基盤層の前記物質移動領域又は前記高速吸収基盤層の前記物質移動領域は、対象の汚染物質を流入濃度から破過レベルとして規定されるレベルまで除去するために必要な前記緩速吸収基盤層の長さ又は前記高速吸収基盤層の長さとして、それぞれ規定される装置。
【請求項８】
酸性ガス又は水素化物ガス又はこれらの副生成物を除去するための積層乾式樹脂吸収システムであって、
少なくとも１つの酸性ガス成分又は水素化物ガス成分に関して親和力を有する緩速吸収基盤層と、
前記少なくとも１つの酸性ガス成分又は水素化物ガス成分に関して親和力を有する高速吸収基盤層と、
廃棄物流が前記緩速吸収基盤層と接触した後に前記高速吸収基盤層と接触することにより前記少なくとも１つの酸性ガス、水素化物ガス、又はこれらの副生成物が廃棄物流から少なくとも部分的に除去されるように、ガス流を前記緩速吸収基盤層及び前記高速吸収基盤層に通じさせる状態で前記プロセスと接合する流路と、を備え、
前記緩速吸収基盤層の物質移動領域の厚さは、前記緩速吸収基盤層全体の厚さの１０〜１００％であり、
前記高速吸収基盤層の物質移動領域の厚さは、前記緩速吸収基盤層の前記物質移動領域の厚さより薄く、
前記緩速吸収基盤層の前記物質移動領域又は前記高速吸収基盤層の前記物質移動領域は、対象の汚染物質を流入濃度から破過レベルとして規定されるレベルまで除去するために必要な前記緩速吸収基盤層の長さ又は前記高速吸収基盤層の長さとして、それぞれ規定される積層乾式樹脂吸収システム。
【請求項９】
前記水素化物成分が、ＡｓＨ３、ＰＨ３、ＳｂＨ３、ＢｉＨ３、ＧｅＨ４、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｈ２Ａｓ（ｔ−ブチル）、Ｈ２Ｐ（ｔ−ブチル）、Ｂｒ２Ｓｂ（ＣＨ３）、ＳｉＨＣｌ３、及びＳｉＨ２Ｃｌ２から成るグループから選択される、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記酸性ガス成分が、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｃｌ２、Ｆ２、Ｂｒ２、ＢＣｌ３、ＢＦ３、ＡｓＣｌ３、ＰＣｌ３、ＰＦ３、ＧｅＦ４、ＡｓＦ５、ＷＦ６、ＳｉＦ４、ＳｉＢｒ４、ＣＯＦ２、ＯＦ２、ＳＯ２、ＳＯ２Ｆ２、ＳＯＦ２、ＷＯＦ４、ＣｌＦ３（ｈｆａｃ）Ｉｎ（ＣＨ３）２、及びＢｒ２Ｓｂ（ＣＨ３）から成るグループから選択される、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記緩速吸収基盤層及び前記高速吸収基盤層が、還元水素化が自動触媒となる温度が異なる、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記高速吸収基盤層が、前記緩速吸収基盤層よりも高い捕捉速度を有する、請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
前記緩速吸収基盤層及び前記高速吸収基盤層が、ビード、球、リング、トロイダル形状、不規則形状、ロッド、シリンダ、フレーク、膜、立方体、多角形の幾何学的形状、シート、繊維、コイル、螺旋形、メッシュ、焼結多孔性物質、顆粒、ペレット、タブレット、粉、粒子、押出体、布形状材料、ウェブ形状材料、ハニカムマトリクスモノリス、マトリクスモノリス、混合物（他の成分を有する吸収物質の混合物）、又は前記構造の細かく砕かれた或いは破砕された形状から成るグループから選択される物質を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
前記緩速吸収基盤層及び前記高速吸収基盤層が、約０．１ｍｍ〜１．５ｃｍのサイズ範囲を有する粒子を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１５】
前記緩速吸収基盤層及び前記高速吸収基盤層が、物理吸収材と化学吸収材とから成るグループから選択される、請求項８に記載の装置。
【請求項１６】
前記緩速吸収基盤層及び前記高速吸収基盤層が、１つの格納システム内に収容されている、請求項８に記載の装置。
【請求項１７】
前記緩速吸収基盤層及び前記高速吸収基盤層が、別個の格納システム内に収容されている、請求項８に記載の装置。
【請求項１８】
前記緩速吸収基盤層及び前記高速吸収基盤層が、吸収材料を混合して成る混合物を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１９】
前記緩速吸収基盤層に対する前記高速吸収基盤層の容積比率が約１：２０〜１：１である、請求項８に記載の装置。
【請求項２０】
前記緩速吸収基盤層が、銅の酸化された形態を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項２１】
前記緩速吸収基盤層が、水酸化銅Ｃｕ（ＯＨ２）；酸化銅ＣｕＯ；炭酸銅ＣｕＣｏ３、塩基性炭酸銅ＣｕＣＯ３・Ｃｕ（ＯＨ）２及びこれらの組み合わせから成るグループから選択される、請求項８に記載の装置。
【請求項２２】
前記緩速吸収基盤層がＣｕＣＯ３・Ｃｕ（ＯＨ）２を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項２３】
前記緩速吸収基盤層が、１８０℃を超える温度までＨ２還元反応に侵されない、請求項８に記載の装置。
【請求項２４】
前記緩速吸収基盤層が、約２０〜１００重量％の活性成分を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項２５】
前記高速吸収基盤層が、カーボン、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＭｎＯｘ（ｘが１〜２の全てを含む）、ＡｇＯ、Ａｇ２Ｏ、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｒＯ３、ＭｏＯ２、ＭｏＯ３、ＴｉＯ２、ＮｉＯ、ＬｉＯＨ、Ｃａ（ＯＨ）２、ＣａＯ、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｋ２ＣＯ３、ＫＨＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＮａＨＣＯ３、ＮＨ４ＯＨ、Ｓｒ（ＯＨ）２、ＨＣＯＯＮａ、ＢａＯＨ、ＫＭｎＯ４、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ（ＯＨ）２、Ｎａ２Ｏ３Ｓ２、トリエチレンジアミン（ＴＥＤＡ）及びこれらの混合物から成るグループから選択される少なくとも１つの成分を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項２６】
前記高速吸収基盤層が、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｖ、Ｍo、Ｃo、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、及び、これらの酸化物、水素化物、炭酸水素塩、硫酸水素塩、リン酸水素、硫化物、過酸化物、ハロゲン化物、カルボン酸塩、及び酸素酸から成るグループから選択される安定材を更に含む、請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
前記高速吸収基盤層が、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、ＬｉＯＨ、Ｃａ（ＯＨ）２、及びＮＨ４ＯＨから成るグループから選択される少なくとも１つの成分を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項２８】
前記高速吸収基盤層が、
１．酸化銅（Ｃｕ６％）；酸化銀（Ａｇ０．１％）；酸化亜鉛（Ｚｎ６．０％）；酸化モリブデン（Ｍｏ２．５％）；トリエチレンジアミン（ＴＥＤＡ３．５％）、活性炭、及び
２．酸化マンガン（Ｍｎ２２％）；酸化銅（Ｃｕ２３％）；酸化コバルト（Ｃｏ１０％）；酸化銀（Ａｇ３．５％）、及び酸化アルミニウム（Ａｌ２．６％）
から成るグループから選択される組成を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項２９】
前記高速吸収基盤層が、酸化銅（Ｃｕ６％）；酸化銀（Ａｇ０．１％）；酸化亜鉛（Ｚｎ６．０％）；酸化モリブデン（Ｍｏ２．５％）；トリエチレンジアミン（ＴＥＤＡ３．５％）、及び活性炭を含み、前記吸収システムが、１ｃｍ／秒におけるヒ化水素に関して、３．６７モル／リットル樹脂又は１０２リットルＡｓＨ３／ｋｇ樹脂のＴＬＶ吸収容量を有する、請求項８に記載の装置。
【請求項３０】
１ｃｍ／秒におけるヒ化水素に関して、３．６７モル／リットル樹脂又は１０２リットルＡｓＨ３／ｋｇ樹脂のＴＬＶ吸収容量を有する、請求項８に記載の装置。
【請求項３１】
１ｃｍ／秒におけるヒ化水素に関して、３．６７モル／リットル樹脂又は１０２リットルＡｓＨ３／ｋｇ樹脂のＴＬＶ吸収容量を有する、請求項２８に記載の装置。
【請求項３２】
前記緩速吸収基盤層及び前記高速吸収基盤層の消耗を監視するための手段を更に備える、請求項８に記載の装置。
【請求項３３】
少なくとも１つの有毒ガス成分を含む半導体プロセス廃棄物流からの少なくとも１つの有毒ガス成分の濃度を減少するためのプロセスであって、
前記半導体プロセス廃棄物を緩速吸収層組成と接触させることにより、廃棄物中の有毒ガス成分の少なくとも一部を保持する工程と、
前記半導体プロセス廃棄物を前記緩速吸収層組成と接触させた後、前記プロセス廃棄物を高速吸収層組成と接触させることにより、廃棄物中の有毒ガス成分の第２の部分を保持する工程とを含み、
前記緩速吸収層が前記有毒成分に関して吸収容量を有し、前記高速吸収層が前記有毒成分に関して吸収容量を有し、
前記緩速吸収層の物質移動領域の厚さは、前記緩速吸収層全体の厚さの１０〜１００％であり、
前記高速吸収層の物質移動領域の厚さは、前記緩速吸収層の前記物質移動領域の厚さより薄く、
前記緩速吸収層の前記物質移動領域又は前記高速吸収層の前記物質移動領域は、対象の汚染物質を流入濃度から破過レベルとして規定されるレベルまで除去するために必要な前記緩速吸収層の長さ又は前記高速吸収層の長さとして、それぞれ規定されるプロセス。
【請求項３４】
前記半導体製造プロセスが、イオン注入、有機金属化学気相堆積法、プラズマ化学気相堆積法から成るグループから選択される、請求項３３に記載のプロセス。
【請求項３５】
前記有毒なガス成分が、ＡｓＨ３、ＰＨ３、ＳｂＨ３、ＢｉＨ３、ＧｅＨ４、ＳｉＨ４、ＮＨ３、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｃｌ２、Ｆ２、Ｂｒ２、ＢＣｌ３、ＢＦ３、ＡｓＣｌ３、ＰＣｌ３、ＰＦ３、ＧｅＦ４、ＡｓＦ５、ＷＦ６、ＳｉＦ４、ＳｉＢｒ４、ＣＯＦ２、ＯＦ２、ＳＯ２Ｆ２、ＳＯＦ２、ＷＯＦ４、ＣｌＦ３（ｈｆａｃ）Ｉｎ（ＣＨ３）２Ｈ２Ａｓ（ｔ−ブチル）、Ｈ２Ｐ（ｔ−ブチル）、Ｂｒ２Ｓｂ（ＣＨ３）、ＳｉＨＣｌ３、及びＳｉＨ２Ｃｌ２から成るグループから選択される、請求項３３に記載のプロセス。
【請求項３６】
前記有毒なガス成分が、ＡｓＨ３、ＰＨ３、ＳｂＨ３、ＢｉＨ３、ＧｅＨ４、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｈ２Ａｓ（ｔ−ブチル）、Ｈ２Ｐ（ｔ−ブチル）、Ｂｒ２Ｓｂ（ＣＨ３）、ＳｉＨＣｌ３、及びＳｉＨ２Ｃｌ２から成るグループから選択される、請求項３３に記載のプロセス。
【請求項３７】
前記有毒なガス成分が、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｃｌ２、Ｆ２、Ｂｒ２、ＢＣｌ３、ＢＦ３、ＡｓＣｌ３、ＰＣｌ３、ＰＦ３、ＧｅＦ４、ＡｓＦ５、ＷＦ６、ＳｉＦ４、ＳｉＢｒ４、ＣＯＦ２、ＯＦ２、ＳＯ２、ＳＯ２Ｆ２、ＳＯＦ２、ＷＯＦ４、ＣｌＦ３（ｈｆａｃ）Ｉｎ（ＣＨ３）２、及びＢｒ２Ｓｂ（ＣＨ３）から成るグループから選択される、請求項３３に記載の装置。
【請求項３８】
前記緩速吸収層及び前記高速吸収層の前記吸収容量の合計よりも大きい全吸収容量を有する、請求項３３に記載のプロセス。
【請求項３９】
前記緩速吸収層組成が、酸化銅、水酸化銅、炭酸銅、及び塩基性炭酸銅のうちの少なくとも１つを含む、請求項３３に記載のプロセス。
【請求項４０】
前記高速吸収層組成が、カーボン、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＭｎＯｘ（ｘが１〜２の全てを含む）、ＡｇＯ、Ａｇ２Ｏ、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｒＯ３、ＭｏＯ２、ＭｏＯ３、ＴｉＯ２、ＮｉＯ、ＬｉＯＨ、Ｃａ（ＯＨ）２、ＣａＯ、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｋ２ＣＯ３、ＫＨＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＮａＨＣＯ３、ＮＨ４ＯＨ、Ｓｒ（ＯＨ）２、ＨＣＯＯＮａ、ＢａＯＨ、ＫＭｎＯ４、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ（ＯＨ）２、Ｎａ２Ｏ３Ｓ２、トリエチレンジアミン（ＴＥＤＡ）及びこれらの混合物から成るグループから選択される少なくとも１つの成分を含む、請求項３３に記載のプロセス。
【請求項４１】
前記高速吸収層組成が、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｖ、Ｍo、Ｃo、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、及び、これらの酸化物、水素化物、炭酸水素塩、硫酸水素塩、リン酸水素、硫化物、過酸化物、ハロゲン化物、カルボン酸塩、酸素酸から成るグループから選択される安定材を更に含む、請求項３３に記載のプロセス。
【請求項４２】
前記高速吸収層組成が、カーボン、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、ＬｉＯＨ、Ｃａ（ＯＨ）２、及びＮＨ４ＯＨから成るグループから選択される少なくとも１つの成分を含む、請求項３３に記載のプロセス。
【請求項４３】
前記有毒なガスの前記濃度が、ヒ化水素においては、５０ｐｐｂ未満まで減少される、請求項３３に記載のプロセス。