【事件の表示】
　特願２０１５−５３９２６８「保護デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　４月　２日国際公開、ＷＯ２０１５／０４６２５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２０１４年（平成２６年）９月２４日（優先権主張平成２５年９月２５日）を国際出願日とする出願であって、平成２９年１１月７日付けの拒絶理由の通知に対して、平成３０年１月１１日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年１月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年４月２６日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
第２．平成３０年４月２６日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成３０年４月２６日にされた手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正について（補正の内容）
　平成３０年４月２６日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするもので、
　本件補正前に、
「【請求項１】
　ＰＴＣ素子、
　抵抗素子、ならびに
　第１端子および第２端子
を含んで成る保護デバイスであって、第１端子、ＰＴＣ素子、抵抗素子および第２端子が、この順番で電気的に直列に接続されていることを特徴とし、
　抵抗素子の抵抗値が、室温でのＰＴＣ素子の抵抗値の１０〜５０倍であり、かつ
　抵抗素子の抵抗値が、２〜５０Ωである、保護デバイス。
　【請求項２】
　抵抗素子が巻線抵抗またはセメント抵抗であることを特徴とする、請求項１に記載の保護デバイス。
　【請求項３】
　ＰＴＣ素子の保持電流が、０．１〜５Ａであることを特徴とする、請求項１または２に記載の保護デバイス。
　【請求項４】
　ＰＴＣ素子の耐電圧が、１００Ｖａｃ以上であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の保護デバイス。
　【請求項５】
　ＰＴＣ素子がポリマーＰＴＣ素子であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の保護デバイス。
　【請求項６】
　ＰＴＣ素子が、抵抗素子の熱影響下にあることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の保護デバイス。
　【請求項７】
　請求項１〜６のいずれかに記載の保護デバイスを含む、保護回路。
　【請求項８】
　請求項１〜６のいずれかに記載の保護デバイス、または請求項７に記載の保護回路を有して成る電気装置。」
　とあったところを、
　本件補正により、
「【請求項１】
　ＰＴＣ素子、
　抵抗素子、ならびに
　第１端子および第２端子
を含んで成る保護デバイスであって、第１端子、ＰＴＣ素子、抵抗素子および第２端子が、この順番で電気的に直列に接続されていることを特徴とし、
　抵抗素子の抵抗値が、室温でのＰＴＣ素子の抵抗値の１０〜５０倍であり、かつ
　抵抗素子の抵抗値が、２〜５０Ωであ
り、
　ＰＴＣ素子が、抵抗素子の熱影響下にあることを特徴とする
　【請求項２】
　抵抗素子が巻線抵抗またはセメント抵抗であることを特徴とする、請求項１に記載の保護デバイス。
　【請求項３】
　ＰＴＣ素子の保持電流が、０．１〜５Ａであることを特徴とする、請求項１または２に記載の保護デバイス。
　【請求項４】
　ＰＴＣ素子の耐電圧が、１００Ｖａｃ以上であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の保護デバイス。
　【請求項５】
　ＰＴＣ素子がポリマーＰＴＣ素子であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の保護デバイス。
　【請求項６】
　請求項１〜５のいずれかに記載の保護デバイスを含む、保護回路。
　【請求項７】
　請求項１〜５のいずれかに記載の保護デバイス、または請求項６に記載の保護回路を有して成る電気装置。」
とするものである。（下線部は、補正箇所である。）
　　
２．補正の適否
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明の発明特定事項である「ＰＴＣ素子」が「
抵抗素子の熱影響下にある
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか否か（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否か）を検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記１．に本件補正による請求項１として記載したとおりのものである。
　
（２）引用文献、引用発明
（ア）引用文献１
　原査定の拒絶の理由において引用された、実願平２−８７７４９号（実開平４−４６５０２号）のマイクロフィルム（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。（下線は、当審において付加した。以下、同じ。）
　　
ａ．「産業上の利用分野
　本考案は、電話局交換機の電話回線を商用線との混線や雷等による過電流から保護するために適用される正特性サーミスタに関する。」 （明細書１頁１０−１３行）
ｂ．「作用
　以上の構成において、正特性サーミスタ素子と固定抵抗体とを組み合わせ、正特性サーミスタ素子の抵抗値と固定抵抗体の抵抗値の比を１：５以上としたため、正特性サーミスタ素子と固定抵抗体とを組み合わせた合成抵抗値の偏差は小さくなる。即ち、
抵抗値偏差の小さい固定抵抗体が正特性サーミスタ素子の大きい抵抗値偏差を吸収することとなる
　さらに、
正特性サーミスタ素子と固定抵抗体との合成抵抗値は
電話局交換機等とのインピーダンスマッチングをとるためである
ｃ．「実施例
　以下、本考案に係る正特性サーミスタの実施例を添付図面を参照して説明する。
［第１実施例、第１図〜第３図］
　第１図及び第２図はそれぞれ正特性サーミスタの正面図、背面図を示す。第１図に示すように、
アルミナ等からなる絶縁性基板１の表面中央部には正特性サーミスタ素子取付け用電極２が設けられている
基板１の下部にはリード端子取付け用電極４ａ，４ｂ
基板１の裏面下部にはリード端子取付け用電極６ａ，６ｂ
固定抵抗体８は印刷等の手段により基板１の裏面に広範囲に設けられ
ｄ．「
１０は円形板の正特性サーミスタ素子であり
ＢａＴｉＯ
３
等の材料からなり
基板１の電極２に半田付け等の手段により接合し
ｅ．「以上の構成の
正特性サーミスタの等価電気回路を第３図に示す
正特性サーミスタ素子１０と固定抵抗体８とが直列接続している
２５℃の常温、以下抵抗値は常温時のものである
偏差の小さい固定抵抗体８の抵抗値が合成抵抗値に対して占める割合が大きくなる。従って、正特性サーミスタ素子１０と固定抵抗体８とを組み合わせた合成抵抗値の偏差は小さくなる。即ち、固定抵抗体８が正特性サーミスタ素子１０の大きい抵抗値偏差を吸収することとなる
ｆ．「表１
」（明細書７頁）
ｇ．「
表１から、正特性サーミスタ素子１０と固定抵抗体８との抵抗値比を１：５以上にすれば、合成抵抗値の偏差は約３％以内になる
正特性サーミスタ素子１０と固定抵抗体８との合成抵抗値を５０Ω以上５００Ω以下とすることにより、電話局交換機や伝送装置等とのインピーダンスマッチングが図れる
ｈ．「図１
」
ｉ．「図２
」
ｊ．「図３
  
」　
・上記ａによれば、引用文献１には、電話局交換機の電話回線を商用線との混線や雷等による過電流から保護するために適用される正特性サーミスタが記載されている。
・上記ｃ、図１（上記ｈ）、図２（上記ｉ）には、アルミナ等からなる絶縁性基板１の表面中央部には正特性サーミスタ素子取付け用電極２が設けられること、また、固定抵抗体８は印刷等の手段により基板１の裏面に広範囲に設けられること、さらに、基板１の下部にリード端子が取り付けられることが記載されている。
　してみると、引用文献１には、アルミナ等からなり表面中央部には正特性サーミスタ素子取付け用電極２が設けられ、裏面の広範囲に固定抵抗体８が印刷等の手段により設けられ、下部にリード端子が取り付けられる絶縁性基板１が記載されているといえる。
・上記ｄには、ＢａＴｉＯ３等の材料からなり基板１の電極２に半田付け等の手段により接合した円形板の正特性サーミスタ素子１０が記載されている。
・上記ｅ及び図３（上記ｊ）によれば、リード端子１３、正特性サーミスタ素子１０、固定抵抗体８、リード端子１４がこの順番で直列接続されていることが記載されている。
・上記ｇ、表１（上記ｆ）には、固定抵抗体８の抵抗値が固定抵抗体８と正特性サーミスタ素子１０の中心抵抗値を合わせた合成抵抗値に対して占める割合が大きくすることで、合成抵抗値の偏差を３％以下としたものが記載されている。
　また、上記ｅには、抵抗値が２５℃の常温時のものであることが記載されている。
　さらに、上記ｂ及びｅには、固定抵抗体８の抵抗値が合成抵抗値に対して占める割合が大きくすることで、固定抵抗体８が正特性サーミスタ素子１０の大きい抵抗値偏差を吸収することができること、また、上記ｂ及びｇには、正特性サーミスタ素子と固定抵抗体との合成抵抗値は、電話局交換機や伝送装置とのインピーダンスマッチングがとられるように５０Ω以上５００Ω以下としていることが記載されている。
　してみると、引用文献１には、２５℃の常温時において固定抵抗体８の抵抗値と正特性サーミスタ素子１０の中心抵抗値を合わせた合成抵抗値の偏差を３％以下とし、固定抵抗体８が正特性サーミスタ素子１０の大きい抵抗値偏差を吸収し、また、正特性サーミスタ素子１０と固定抵抗体８との合成抵抗値は、電話局交換機や伝送装置とインピーダンスマッチングがとられるように５０Ω以上５００Ω以下としていることが記載されているといえる。
　したがって、表１の例１の実施形態に着目し、上記引用文献１の記載及び図面並びにこの分野の技術常識を考慮すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
　
「電話局交換機の電話回線を商用線との混線や雷等による過電流から保護するために適用される正特性サーミスタであって、
   アルミナ等からなり表面中央部には正特性サーミスタ素子取付け用電極２が設けられ、裏面の広範囲に固定抵抗体８が印刷等の手段により設けられ、下部にリード端子１３、１４が取り付けられる絶縁性基板１と、
　ＢａＴｉＯ３等の材料からなり絶縁性基板１の電極２に半田付け等の手段により接合した円形板の正特性サーミスタ素子１０とからなり、
　リード端子１３、正特性サーミスタ素子１０、固定抵抗体８、リード端子１４がこの順番で直列接続されており、
　２５℃の常温時において固定抵抗体８の抵抗値と正特性サーミスタ素子１０の中心抵抗値を合わせた合成抵抗値の偏差を３％以下とし、固定抵抗体８が正特性サーミスタ素子１０の大きい抵抗値偏差を吸収し、また、正特性サーミスタ素子１０と固定抵抗体８との合成抵抗値は、電話局交換機や伝送装置とインピーダンスマッチングがとられるように５０Ω以上５００Ω以下としている、
　正特性サーミスタ。」
（イ）引用文献２
　原査定の拒絶の理由において引用された、特開平３−１１８４３３号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
ａ．「［実施例３］
　第５図（ａ）は本発明に係る感温素子のさらに別の実施例を示した断面図であって、ＰＴＣサーミスタ２の下面に、上述と同様、ＣＴＲ１が熱的に結合されると共に、
ＰＴＣサーミスタ２の上面には断面略楕円形状の抵抗体１５が接着剤を介して密接して配設されている
ｂ．「［実施例４］
　第７図（ａ）は本発明に係る感温素子のさらに別の実施例を示した断面図であって、ＰＴＣサーミスタ２の一方の端面にＣＴＲ１が熱的に結合されると共に、
接着剤を介してＰＴＣサーミスタ２の他方の端面に抵抗体１５が熱的に結合されている
　ＣＴＲ１とＰＴＣサーミスタ２の構成等は［実施例１］と同様であるので省略する。
　このように形成された感温素子は、第７図（ｂ）に示すように、ＣＴＲ１とＰＴＣサーミスタ２と抵抗体１５とが並列的に接続とされることとなる。しかも、ＣＴＲ１と
ＰＴＣサーミスタ２と抵抗体１５とが密接して熱的に結合されているので、熱の移動を円滑に行なうことができる
　上記引用文献２の記載及び図面、並びにこの分野の技術常識を考慮すると、引用文献２には以下の技術事項（以下、「引用文献２に記載の技術事項」という。）が開示されていると認められる。
「ＰＴＣサーミスタ２と抵抗体１５が密接して熱的に結合されると、熱の移動を円滑に行なうことができること。」
（ウ）引用文献３
　原査定の拒絶の理由において引用された、特開昭６３−２５７４１６号公報（以下、「引用文献３」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
ａ．「次に商用線混触時に於ける防護を説明する。商用線混触はアダプタ６で防護する。アダプタ６は第２−３図で示す特性を持つ（温度が上昇するとキューリ点で急激にそのインピーダンスが増加する）ＰＴＣと呼ばれるサーミスタ抵抗素子５と抵抗４とがシリーズに接続される構成である。本構成の特徴であるサーミスタ抵抗素子５の特性を充分に発揮させるために抵抗４とサーミスタ抵抗素子５とを熱的に密接に一体化実装する事が重要である。この構造は第２−１図に示すように
抵抗体８とサーミスタ抵抗素子体７を密着はり合わせる事により実現できる
異常時には
電流が抵抗４及びサーミスタ抵抗素子５に流れる事により発生する熱でサーミスタ抵抗素子５が働き
　上記引用文献３の記載及び図面、並びにこの分野の技術常識を考慮すると、引用文献３には以下の技術事項（以下、「引用文献３に記載の技術事項」という。）が開示されていると認められる。
「抵抗体８とサーミスタ抵抗素子体７を密着はり合わせ、異常時に電流が抵抗４及びサーミスタ抵抗素子５に流れる事により、発生する熱でサーミスタ抵抗素子５を働かせること。」
（３）対比
　本件補正発明と引用発明とを対比する。
　
ａ．引用発明「正特性サーミスタ素子１０」、「固定抵抗体８」、「リード端子１３」、及び「リード端子１４」は、各々、本件補正発明の「ＰＴＣ素子」、「抵抗素子」、「第１端子」、及び「第２端子」に相当する。
　そして、引用発明の「リード端子１３、正特性サーミスタ素子１０、固定抵抗体８、リード端子１４がこの順番で直列接続されて」いることは、本件補正発明の「第１端子、ＰＴＣ素子、抵抗素子および第２端子が、この順番で電気的に直列に接続されていること」に相当する。
　
ｂ．引用発明の「正特性サーミスタ」は、「正特性サーミスタ素子１０」、「固定抵抗体８」、「リード端子１３、１４」からなり、また、電話局交換機の電話回線を商用線との混線や雷等による過電流から保護するためのものであるから、本件補正発明の「保護デバイス」に相当する。
ｃ．引用発明の「中心抵抗値」とは、引用文献１（明細書６頁１−２行）に「正特性サーミスタ素子１０の抵抗値の偏差は中心値の±２０％である。」と記載されているように、「正特性サーミスタ素子１０」の抵抗値にばらつきがあるために、引用文献１において計算等を行う際にばらつきの中心の抵抗値を「正特性サーミスタ素子１０」の抵抗値としたものである。よって、引用発明の「２５℃の常温時」の「正特性サーミスタ素子１０の中心抵抗値」は、本件補正発明の「室温でのＰＴＣ素子の抵抗値」に相当する。
　しかしながら、引用発明では、「固定抵抗体８」及び「正特性サーミスタ素子１０」の抵抗値は特定されていない。
　したがって、本件補正発明は、「抵抗素子の抵抗値が、室温でのＰＴＣ素子の抵抗値の１０〜５０倍であり、かつ抵抗素子の抵抗値が、２〜５０Ωであ」るのに対して、引用発明は、その旨の特定がされていない点で相違する。
　さらに、本件補正発明は、「ＰＴＣ素子が、抵抗素子の熱影響下にある」のに対して、引用発明は、その旨の特定がされていない点で相違する。
　
　したがって、本件補正発明と引用発明とを対比すると、両者は、以下の点で一致し、また、相違している。
　
（一致点）
「ＰＴＣ素子、
　抵抗素子、ならびに
　第１端子および第２端子
を含んで成る保護デバイスであって、第１端子、ＰＴＣ素子、抵抗素子および第２端子が
、この順番で電気的に直列に接続される、
　保護デバイス。」
 　　
（相違点１）
　本件補正発明は、「抵抗素子の抵抗値が、室温でのＰＴＣ素子の抵抗値の１０〜５０倍であり、かつ抵抗素子の抵抗値が、２〜５０Ωであ」るのに対して、引用発明は、その旨の特定がされていない点。
（相違点２）
　本件補正発明は、「ＰＴＣ素子が、抵抗素子の熱影響下にある」のに対して、引用発明は、その旨の特定がされていない点。
（４）判断
　上記各相違点について検討する。
（相違点１）について
　引用発明は、固定抵抗体の抵抗値と正特性サーミスタ素子の中心抵抗値を合わせた合成抵抗値の偏差を３％以下とし、固定抵抗体が正特性サーミスタ素子の大きい抵抗値偏差を吸収するものであるから、合成抵抗値の偏差を１％とするものを含むものである。
　ここで、合成抵抗値の偏差を、固定抵抗体の抵抗値ＲＫ、正特性サーミスタ素子の中心抵抗値ＲＳとして求めると（但し、上記「（３）ｃ．」で記したように正特性サーミスタ素子の抵抗値の偏差は中心値の±２０％である。）、
　合成抵抗の偏差＝（１．２×ＲＳ+ＲＫ）／（ＲＳ+ＲＫ）
となる。
　そして、合成抵抗値の偏差を１％とすると、
　　　　（１．２×ＲＳ+ＲＫ）／（ＲＳ+ＲＫ）＝１．０１
　であって、これより固定抵抗体の抵抗値と正特性サーミスタ素子の中心抵抗値の比であるＲＫ／ＲＳをもとめると、
　　　　　　　  ＲＫ／ＲＳ＝１９
　となり、本件補正発明の範囲（抵抗素子の抵抗値が、室温でのＰＴＣ素子の抵抗値の１０〜５０倍）を含むものである。
　更に、引用発明は、合成抵抗値を５０Ω以上５００Ω以下として電話局交換機や伝送装置とのインピーダンスマッチングがとれるようにしたものである。
　してみると、合成抵抗値が５０Ωであって、上記合成抵抗値の偏差が１％、抵抗値の比が１９倍となる際には（固定抵抗体の抵抗値が４７．５Ω、正特性サーミスタ素子の中心抵抗値が２．５Ω）、当該固定抵抗体の抵抗値は、本件補正発明の範囲（２〜５０Ω）を満たすものである。
　したがって、引用発明において固定抵抗体の抵抗値を正特性サーミスタ素子の大きい抵抗値偏差を吸収でき、接続される電話局交換機や伝送等値とインピーダンスマッチングがとれるように適宜選択することで、本件補正発明の相違点１の範囲内の値とすることは当業者が容易になし得たことである。
　　
（相違点２）について
　引用発明において「正特性サーミスタ素子１０」と「固定抵抗体８」は、アルミナの基板の表裏に設けられるものであり、また、一般にアルミナは熱伝導性に優れるものである。
　してみると、引用発明においても「固定抵抗体８」に電流が流れることによって生じた熱の影響が、基板を介して「正特性サーミスタ素子１０」側に伝わるものであるから、「正特性サーミスタ素子１０」は「固定抵抗体８」の熱影響下にあるものと認められる。
　したがって、相違点２は実質的な相違点とは認められない。
　なお、「熱影響下にある」ということが、抵抗素子で発生した熱を利用してＰＴＣ素子が動作することを規定していたとしても、例えば引用文献２、３にも記載されるように、抵抗素子とＰＴＣ素子を隣接して配置して抵抗素子の熱を利用することが周知の技術に過ぎないことから（上記「（２）（イ）及び（ウ）を参照）、引用発明において、該周知の技術を適用して、「正特性サーミスタ素子１０」が 「固定抵抗体８」の熱を利用することによって、本件補正発明の上記相違点２の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　そして、本件補正発明の作用効果も、引用発明、及び周知の技術に基づいて当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本件補正発明は、引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　
　
（５）結語
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成３０年４月２６日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成３０年１月１１日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は上記「第２　１．」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
２．引用文献、引用発明
　引用発明等は、上記「第２　２．（２）（ア）引用文献１」の項で記載したとおりである。
　 　
３．対比・判断
　そこで、本願発明と引用発明を対比するに、本願発明は上記本件補正発明から「ＰＴＣ素子が、抵抗素子の熱影響下にあること」を省いたものである。
　そうすると、本願発明と引用発明は、上記「第２　２．（３）対比」における相違点１で相違する。
　しかしながら、上記「第２　２．（４）判断」で検討したように、相違点１の構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は引用発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。