【事件の表示】
　特願２０１６−５１００３９「半導体基板の凹部の角部を丸める方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１０月　１日国際公開，ＷＯ２０１５／１４６１６２，請求項の数（６）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１５年（平成２７年）３月２４日（パリ条約による優先権主張　平成２６年３月２４日，日本国）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は，概略，以下のとおりである。
平成２８年　９月２０日：手続補正書
平成２９年　５月１６日：拒絶理由通知（起案日）
平成２９年　７月１２日：意見書
平成２９年　７月１２日：手続補正書
平成２９年１２月２８日：拒絶査定（起案日）（以下「原査定」という。）
平成３０年　３月２８日：審判請求
平成３０年１２月１８日：拒絶理由通知（起案日）
平成３１年　２月１８日：意見書
平成３１年　２月１８日：手続補正書（以下，この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。）
第２　原査定の概要
　原査定（平成２９年１２月２８日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　本願請求項１，３−６に係る発明は，本願優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献Ａ，Ｂに記載された発明に基づいて，本願優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり，本願請求項２，７に係る発明は，本願優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献ＡないしＣに記載された発明に基づいて，本願優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
Ａ．国際公開第２０１３／０４２３３３号
Ｂ．特開２００９−１４７１１８号公報
Ｃ．国際公開第２０１３／０９９０６３号
第３　当審拒絶理由の概要
　平成３０年１２月１８日付け拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は次のとおりである。
１　この出願は，請求項１ないし７に係る特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
２　この出願は，請求項１ないし７に係る特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
３　この出願は，発明の詳細な説明の記載が，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
４　本願請求項１，３−６に係る発明は，本願優先日前に頒布された以下の引用文献１または引用文献２に記載された発明に基づいて，本願優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり，本願請求項２，７に係る発明は，本願優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１または２と，引用文献３に記載された発明に基づいて，本願優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１.特開２００１−３０８０２９号公報
２.特開２００４−１５２９６５号公報
３.国際公開第２０１３／０９９０６３号（拒絶査定時の引用文献Ｃ）
第４　本願発明
１　本願請求項１ないし６に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明６」という。）は，本件補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１は以下のとおりの発明である（下線は補正箇所である。）。
「【請求項１】
　処理室内の排気を停止又は極めて低速にし
た状態であって
　分子流領域の圧力を超える圧力
の
であって
　
前記凹部は角部を有しており，
　
前記半導体基板の熱処理の温度は１５００℃以上２０００℃以下であって，
　
前記半導体基板は，ＳｉＣ基板であって，
　
前記封止した状態は，前記処理室内へのガスの導入が完全に行われておらず，かつ，排気が完全に行われていない状態又は極めて低速に排気した状態であって，
　
前記半導体基板に対向する基板対向面を有した状態であって，
　
前記半導体基板と前記基板対向面が近接した状態であって，
　
前記近接した状態は，１〜２５ｍｍの距離範囲である，状態で，
　前記半導体基板に対して
前記
凹部の角部を丸める
２　なお，本願発明２ないし６の概要は以下のとおりである。
（１）本願発明２ないし４は，本願発明１を減縮した発明である。
（２）本願発明５，６は，それぞれ本願発明１，２に対応する装置の発明であり，本願発明１，２とカテゴリ表現が異なるだけの発明である。
第５　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　当審拒絶理由に引用された引用文献１（特開２００１−３０８０２９号公報，平成１３年１１月２日出願公開）には，図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審で付した。以下，同じ。）。
「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ＵＬＳＩに代表される半導体の製造工程における配線膜の形成と平滑化に関するものであり，特に，物理蒸着法（ＰＶＤ法），化学気相蒸着法（ＣＶＤ法），と電解メッキ法を組合わせて配線材料被膜を形成する方法に関するものであって，より具体的にはこれら金属配線膜の下層である高融点金属又は，高融点金属の窒化物・炭化物からなるバリア膜層との密着性を改善する方法に関するものである。
＜＜途中省略＞＞
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで，電極層の厚さと形成方法は非常に重要で，必要十分な厚さでかつ一様に設けられ，絶縁膜に耐して十分な密着性をもっていることが好ましいが，実際にはそのような形で電極層を形成することは困難なことが多い。また，実際に電解メッキ法による成膜を行うと，被処理物であるウェーハを電解メッキ浴に浸漬した時点で，電極層の一部が溶出して消滅するという現象が生じることが多い。特に，孔や溝の側面部に付着した電極層は極めて薄くなっており，容易に消失される。特に，ＣＶＤ法によりこの電極層を形成した場合，密着性が弱くて少し消失すると全体が剥離を生じてしまうという問題を持っている。」
「【０００９】
【発明の実施の形態】以下，図を参照しつつ，本発明の作用について説明する。図１に，本発明で対象としている細くて深い穴に電解メッキ法により銅配線膜を形成した場合の断面形状を模式的に示す。
図１において，Ｓｉ基板で例示する半導体の基板１には，孔・溝２Ａを形成した絶縁膜２を有し，この絶縁膜２上にバリア膜層３を介して電極層（シード層）４を備え，このシード層４の表面に金属材料が被覆され，この被覆層５の材料が孔・溝２Ａに充填されている
【００１０】本例では，絶縁膜２と銅配線膜５の反応・拡散防止のためのバリア膜層３及び銅電極層４は，ＰＶＤ法で形成したものを示した。バリア膜層３の材料として最も代表的なものはＴａＮで，Ｔａをターゲットとして，窒素雰囲気下でアルゴン雰囲気でスパッタリング法によりＴａＮ膜として成膜するのが最も一般的である。一方，銅電極（シード）層４は，銅をターゲットとして通常のアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下で行う。このスパッタリング法の場合，上述の説明から明らかなように，孔の寸法が直径が小さくて深いような場合，成膜される材料の原子がターゲットから直線的に飛び出してきて基材に衝突して付着していくが，孔の側面や穴の底部では，斜めの方向から飛来してきた原子の付着が少なくなり，側面の底部近傍で最も膜厚が薄くなる。孔の底について孔の深さと直径の比（Ａｓｐｅｃｔ  Ｒａｔｉｏ：アスペクトレシオ）が４くらいになると，底部での膜厚は，上表面の３０％程度とされている。
＜＜途中省略＞＞
【００１２】このように，メッキ成膜処理の初期工程でのＳｉウェーハの浸漬には，多くのノウハウが必要である。前述のように電極層４の薄い部分が消失していく場合，これに伴い，十分な厚さのある部分でも剥離を生じることが多く，特に，ＣＶＤ法で銅電極層を形成した場合，銅電極層とバリア膜層との密着性は極めて悪く，容易にこのような状態となる。
本発明では，この電極形成後，図２に示したような状態で，高温高圧ガス雰囲気下で熱処理を施して，電極層４と下のバリア膜層３との密着性を向上させるものである
＜＜途中省略＞＞
【００１４】
なお，上記において高温高圧ガス雰囲気下で熱処理を行う温度と圧力は，銅の場合，温度は２５０〜４５０℃，圧力は５０〜２００ＭＰａ，保持時間１〜１２０分程度である
【００１５】
一方，白金やルテニウムの場合，温度は５００〜８００℃，圧力は５０〜２００ＭＰａ，保持時間１〜１２０分程度である
「【００１６】
【実施例】以下に，実施例を参照しつつ，本発明を更に詳細に説明する。表１は，配線膜材料にＣｕ，Ｐｔ（白金），Ｒｕ（ルテニウム）を用いて，直径２００ｍｍのＳｉウェーハに形成されたコンタクトホールもしくは更にダマシン法による配線溝の上にスパッタリング法により電極層を形成した後，高圧ガス雰囲気下において高温で熱処理を行い，その後，電解メッキ法によりそれぞれＣｕ，Ｐｔ，Ｒｕ膜を形成した結果を，高圧ガス雰囲気処理をして電解メッキしたものと比較しつつ示したものである。
＜＜途中省略＞＞
【００１８】バリア膜層及び電極層の成膜にはスパッタリング装置を用い，バリア膜層成膜後はそのままＳｉウェーハを真空中で搬送して電極層成膜を行っている。
高圧処理時のガスには，この種の処理で用いられているアルゴンを，装置には，最高圧力２００ＭＰａ，最高処理温度１０００℃のＨＩＰ装置を用いた
（２）引用発明１
　上記（１）の記載から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「高温高圧ガス雰囲気下で熱処理を施して，電極層４と下のバリア膜層３との密着性を向上させる方法であって，
　Ｓｉ基板で例示する半導体の基板１には，孔・溝２Ａを形成した絶縁膜２を有し，この絶縁膜２上にバリア膜層３を介して電極層（シード層）４を備え，このシード層４の表面に金属材料が被覆され，この被覆層５の材料が孔・溝２Ａに充填されており，
　高温高圧ガス雰囲気下で熱処理を行う温度と圧力は，銅の場合，温度は２５０〜４５０℃，圧力は５０〜２００ＭＰａ，保持時間１〜１２０分程度であり，
　白金やルテニウムの場合，温度は５００〜８００℃，圧力は５０〜２００ＭＰａ，保持時間１〜１２０分程度であり，
　高圧処理時のガスには，この種の処理で用いられているアルゴンを，装置には，最高圧力２００ＭＰａ，最高処理温度１０００℃のＨＩＰ装置を用いる，
　熱処理を施す方法。」
２　引用文献２について
（１）引用文献２の記載
　当審拒絶理由に引用された引用文献２（特開２００４−１５２９６５号公報，平成１６年５月２７日出願公開）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体装置の製造方法および半導体装置に関し，特にキャリア輸送領域が浅い半導体装置の製造方法および半導体装置に関する。
＜＜途中省略＞＞
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は，シリコン基板表面のマイクロラフネスを減少させる技術を提供することである
「【００１６】
【発明の実施の形態】
以下，図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図１は，本発明の実施例による半導体装置の製造方法の主要工程を示すフローチャートである。図２〜５の断面図を参照しながら，半導体装置の製造方法を説明する。まず，ステップＳ１において，シリコン基板の表面に初期酸化を行ない，続いて窒化シリコン膜のマスク層を形成する。
＜＜途中省略＞＞
【００２８】
図１において，活性領域表面を露出した後，ゲート酸化前に，ステップＳ６，Ｓ７の水素アニール及び不活性ガスアニールを行う。
図４（Ｈ）は，水素アニールを示す。例えば１５０ｔｏｒｒ以下の水素雰囲気中で，シリコン基板１を９００℃〜１０５０℃に加熱し，６０秒以下の有限時間のアニールを行う。薬液処理によりシリコン基板１表面に形成された自然酸化膜は，この水素アニールによりエッチングされて除去される。シリコン基板１表面には，結晶面のテラスとステップの形状が表出されると考えられる。
【００２９】
図４（Ｉ）は，水素アニールに続く不活性ガスアニールを示す。例えば，常圧又は減圧状態のＨｅ雰囲気中でシリコン基板１を５００℃〜１０５０℃で６０秒以下の有限時間アニールする
【００３０】
不活性ガスアニールは，Ｈｅ雰囲気の他，Ａｒ等他の不活性ガス雰囲気で行ってもよい
　また，引用文献２の図４（Ｉ）から，
シリコン基板表面に酸化シリコン膜９とウェル１０とで構成された凹部
（２）引用発明２
　上記（１）の記載から，引用文献２には，次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
「水素アニールに続く不活性ガスアニールであって，
　例えば，常圧又は減圧状態のＨｅ雰囲気中でシリコン基板１を５００℃〜１０５０℃で６０秒以下の有限時間アニールすること，
　ここで，シリコン基板表面に酸化シリコン膜９とウェル１０とで構成された凹部を有し，不活性ガスアニールは，Ｈｅ雰囲気の他，Ａｒ等他の不活性ガス雰囲気で行ってもよい，
　不活性ガスアニール。」
３　引用文献Ａについて
（１）引用文献Ａの記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献Ａ（国際公開第２０１３／０４２３３３号，２０１３年３月２８日国際公開）には，図面とともに以下の記載がある。
「技術分野
［０００１］　本願は，ＳｉＣを用いた半導体素子及びその製造方法に関する。特に，高耐圧，大電流用に使用される，炭化珪素半導体素子（パワー半導体デバイス）に関する。
＜＜途中省略＞＞
［００１８］　しかしながら，トレンチゲート構造のＭＩＳＦＥＴ１０００には，次のような問題が生じ得る。トレンチ５の内部のダメージや汚染などによりトレンチ５の内壁に形成したゲート絶縁膜６の信頼性が低下する可能性がある。また，トレンチ５の開口部におけるコーナー部５Ａやトレンチ５の底部におけるコーナー部５Ｂに電界集中が生じやすいために，デバイス耐圧の低下を引き起こしたりする可能性がある。
［００１９］　このような問題に対し，ドライエッチングにより炭化珪素層にトレンチを形成した後，熱処理を行うことにより，トレンチ５のコーナー部を平滑化およびラウンド化する方法（例えば，特許文献１参照）が提案されている。「ラウンド化」とは，コーナー部（角部やエッジ部）を丸みを帯びた形状にすることをいう。また，トレンチ底部の耐圧をさらに確保するために，トレンチ底部へＳｉＯ2膜の埋め込む方法も提案されている（例えば，特許文献２参照）。
＜＜途中省略＞＞
発明の概要
発明が解決しようとする課題
［００２１］　特許文献１および２に提案された方法では，トレンチの内壁の平滑化，トレンチのコーナー部のラウンド化，あるいは，トレンチ底部へのＳｉＯ2膜の埋め込み等によって，トレンチのコーナー部およびトレンチ底部への電界集中を緩和でき，ゲート絶縁膜の信頼性を高めることが可能である。しかしながら，本発明者が検討したところ，上述した従来技術では，半導体素子の耐圧低下を十分に抑制できない場合があることが分かった。詳細は後述する。従って，トレンチゲート構造を有する半導体素子のさらなる耐圧の向上が求められていた。
［００２２］　本願の，限定的ではない例示的なある実施形態は，ゲート電極の幅を確保しつつ，ゲート耐圧を高めることの可能なトレンチゲート構造を有する炭化珪素半導体素子を提供する。
＜＜途中省略＞＞
発明の効果
［００２４］　本発明の一態様にかかる炭化珪素半導体素子は，（０００１）Ｓｉ面に配置されたトレンチを備え，トレンチは，側壁の上方に，Ｓｉ面ともトレンチの側壁を構成する面とも異なる面から構成された上部コーナー領域を有している。このため，上部コーナー領域上におけるゲート絶縁膜の厚さを，炭化珪素層上面（Ｓｉ面）上におけるゲート絶縁膜の厚さよりも大きくできる。さらに，ゲート電極の端部が上部コーナー領域上に位置しているので，ゲート電極がゲート絶縁膜とＳｉ面上で接することを抑制できる。従って，炭化珪素層の上面，および，トレンチの側壁上部のコーナー部に生じる電界集中を緩和することができ，従来よりも高いゲート耐圧を確保できる。」
「［００４５］　（実施の形態１）
　図１を参照しながら，本実施形態の炭化珪素半導体素子の構造を具体的に説明する。本実施形態の炭化珪素半導体素子は，トレンチゲート構造を有する炭化珪素ＭＩＳＦＥＴである。
＜＜途中省略＞＞
［００５７］　次に，図２を参照しながら，本実施形態の半導体素子の製造方法を具体的に説明する。図２は，本発明の実施の形態１の炭化珪素半導体素子の製造方法を説明するための工程断面図である。
［００５８］　まず，図２（ａ）に示すように，ドリフト領域２ｄ，ボディ領域３およびソース領域４を有する炭化珪素層２が表面に形成された炭化珪素基板１を用意する。この炭化珪素層２に，トレンチ５を形成する。
＜＜途中省略＞＞
［００６３］　次に，図２（ｂ）に示すように，
トレンチ５の開口部におけるコーナー部に上部コーナー領域５１を形成する。ここでは，丸みを帯びたラウンド領域を形成する
［００６４］　
具体的には，炭化珪素層２が形成された炭化珪素基板１を，例えばアルゴンガス（Ａｒ）雰囲気中において，例えば１５３０℃，２００ｍｂａｒの条件でアニール処理を実施する。アニール処理の時間は例えば１０分間とする。このアニール処理によって，ＳｉＣの表面拡散の現象が生じ，トレンチ５の開口部コーナーがラウンド化し，上部コーナー領域５１が得られる
さらに，トレンチ底部のコーナー部５Ｂも，アニール処理によってラウンド化される
［００６５］　なお，
アニール処理条件については，上記に限定されない。ガス雰囲気はアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気，水素雰囲気，塩素系ガス雰囲気，またはそれらの混合ガス雰囲気を使用することができる。例えばアルゴン不活性ガス雰囲気を用いる
アニール温度も特に限定しないが，例えば１５００℃以上１６００℃以下であることが好ましい
トレンチ深さとトレンチ幅がデバイス設計上の許容範囲を保つことなどを考慮して，アニール処理条件を適宜調整してもよい
（２）引用発明Ａ
　上記（１）の記載から，引用文献Ａには，次の発明（以下「引用発明Ａ」という。）が記載されているものと認められる。
「トレンチ５の開口部におけるコーナー部に上部コーナー領域５１，ここでは，丸みを帯びたラウンド領域を形成することであって，
　具体的には，炭化珪素層２が形成された炭化珪素基板１を，例えばアルゴンガス（Ａｒ）雰囲気中において，例えば１５３０℃，２００ｍｂａｒの条件でアニール処理を実施し，ここでアニール処理の時間は例えば１０分間とし，このアニール処理によって，ＳｉＣの表面拡散の現象が生じ，トレンチ５の開口部コーナーがラウンド化し，上部コーナー領域５１が得られること，
　さらに，トレンチ底部のコーナー部５Ｂも，アニール処理によってラウンド化されること，
　ここでアニール処理条件については，上記に限定されず，ガス雰囲気はアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気，水素雰囲気，塩素系ガス雰囲気，またはそれらの混合ガス雰囲気を使用することができ，例えばアルゴン不活性ガス雰囲気を用いること，
　アニール温度も特に限定しないが，例えば１５００℃以上１６００℃以下であることが好ましい，
　アニール処理を実施することによるトレンチ５の開口部コーナーとトレンチ底部のコーナー部５Ｂとをラウンド化する方法。」
４　その他の引用文献について
（１）引用文献３（引用文献Ｃ）について
　当審拒絶理由に引用された引用文献３（拒絶査定に引用された引用文献Ｃ）（国際公開第２０１３／０９９０６３号，２０１３年７月４日国際公開）には，図面とともに以下の記載がある。
「［００１５］　図１〜図３にそれぞれ示されるように，本実施形態に係る基板熱処理装置は，基板ホルダユニットＡと，加熱ユニットＢと，シャッタ装置Ｃとを真空チャンバＤ内に設けたものとなっている。
［００１６］　基板ホルダユニットＡは，最上段に基板ステージ１を備えている。加熱ユニットＢは，基板ステージ１の上方に配置され，基板を載置可能な載置部６２（第２の基板載置部）と対向する位置に放熱面２を備えている。加熱ユニットＢは，載置部６２（第２の基板載置部）に載置された基板３を放熱面２からの熱で加熱する。
［００１７］　基板ホルダユニットＡは，昇降装置Ｅにより昇降可能なもので，基板ステージ１と加熱ユニットＢの放熱面２との近接と離間は，昇降装置Ｅの動作により制御することが可能である。昇降装置Ｅ（移動部）は，載置部６２（第２の基板載置部）が放熱面２に対して所定の離間位置になるよう，基板ステージ１を移動させる。載置部６２に基板３が載置されている場合，基板３の厚さを考慮して，基板３の表面と放熱面２との間の離間位置が昇降装置Ｅの動作により制御される。加熱ユニットＢは，基板ホルダユニットＡが図２に示されるように上昇し，基板ステージ１上の基板３と放熱面２が近接された時に，基板３と非接触状態で，放熱面２からの輻射熱で基板３を加熱するものとなっている。」
（２）引用文献Ｂについて
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献Ｂ（特開２００９−１４７１１８号公報，平成２１年７月２日出願公開）には，図面とともに以下の記載がある。
「【００２６】
　また，隣接する炭素粒子２と炭化珪素半導体基板１との間には，図７に示されているように，微細な空隙が形成されている。アルゴンガスなどのガス雰囲気中では固体−固体および固体−気体−固体の２つの熱伝導機構により，加熱された炭素粒子２から炭化珪素半導体基板１へと熱が伝達される。この空隙も粒子径が小さくなればなるほどに，その隙間が小さくなり，気体中の熱伝達性能が向上し，より早く加熱処理を終えることに役立つ。」
「【００３２】
　また，本実施の形態では，サセプタ１３には，上記の通り２段の掘り込み１３１が形成されている。そして，下段の掘り込みの上部を閉蓋するように，上段の掘り込みの底部に炭化珪素半導体基板１が載置されている。したがって，炭化珪素半導体基板１が下段の埋め込みの蓋の役目を果たし，当該下段の埋め込みと当該基板１とにより，準密閉空間が形成される。これにより，デバイス形成面５から昇華した珪素原子や炭素原子を，当該準密閉空間に閉じ込めることができる。つまり，当該準密閉空間において珪素原子等の昇華を飽和状態にすることができる。このように，昇華が飽和状態となるとデバイス形成面５からの昇華は起こらなくなる。以上により，炭化珪素半導体基板１が下段の埋め込みの蓋の役目を果たすことにより，デバイス形成面からの昇華を抑制することができる。つまり，複雑や困難性を有する工程を踏まえずに，また外力等も与えないので炭化珪素半導体基板１のデバイス形成面５に損傷を与えること無く，当該昇華抑制機能を発揮できる。なお当該昇華が抑制されると，デバイス形成面の表面状態が変化することを抑制できる。ここで，準密閉空間の体積を小さくすれば，より早い時期に昇華が飽和状態となるので，より昇華の抑制効果が発揮される。」
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）引用文献１を主引例とした対比・判断
　ア　対比
　本願発明１（上記第４の１）と，引用発明１（上記第５の１（２））とを対比すると，以下のとおりとなる。
（ア）引用発明１の「Ｓｉ基板」は本願発明１の「半導体基板は，ＳｉＣ基板であ」ることと，「半導体基板」である点で共通する。
（イ）引用発明１の「孔・溝２Ａ」は本願発明１の「半導体基板に形成された」「角部を有」する「凹部」に相当する。
（ウ）引用発明１の「高圧処理時のガス」としての「アルゴン」は本願発明１の「不活性ガス」に相当するので，引用発明１の「高温高圧ガス雰囲気下」は，本願発明１の「分子流領域の圧力を超える圧力の不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を封止した状態」と，「不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を」覆った「状態」という点で共通する。
（エ）引用発明１の「高温高圧ガス雰囲気下で熱処理を行う」ことは本願発明１の「前記半導体基板に対して前記熱処理を行うこと」に相当する。
（オ）上記（ア）ないし（エ）より，引用発明１の「ＨＩＰ装置を用いる熱処理を施す方法」は，本願発明１の「半導体基板の凹部の角部を丸める方法」と，「半導体基板」に熱処理を行う方法であるという点で共通する。
　したがって，本願発明１と，引用発明１とは，以下の点で一致し，相違する。
＜一致点＞
「不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を覆った状態であって，
　前記凹部は角部を有しており，
　半導体基板に対して熱処理を行うことを特徴とする方法。」
＜相違点＞
・相違点１：本願発明１においては，「半導体基板は，ＳｉＣ基板であ」るという前提において「半導体基板の凹部の角部を丸める」ために，「処理室内の排気を停止又は極めて低速にした状態であって，分子流領域の圧力を超える圧力の不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を封止した状態であって，前記半導体基板の熱処理の温度は１５００℃以上２０００℃以下であって，前記封止した状態は，前記処理室内へのガスの導入が完全に行われておらず，かつ，排気が完全に行われていない状態又は極めて低速に排気した状態であって，前記半導体基板に対向する基板対向面を有した状態であって，前記半導体基板と前記基板対向面が近接した状態であって，前記近接した状態は，１〜２５ｍｍの距離範囲である，状態で」熱処理を行っているのに対して，引用発明１においては，Ｓｉ基板を熱処理の対象とし，その高温高圧ガス雰囲気下で熱処理を行う温度と圧力は，銅の場合，温度は２５０〜４５０℃，圧力は５０〜２００ＭＰａ，白金やルテニウムの場合，温度は５００〜８００℃，圧力は５０〜２００ＭＰａであり，高圧処理時のガスには，この種の処理で用いられているアルゴンを，装置には，最高圧力２００ＭＰａ，最高処理温度１０００℃のＨＩＰ装置を用いて熱処理を施しており，その熱処理の態様が異なる点。
　イ　相違点についての判断
　上記相違点について，判断する。
・相違点１について
（ア）引用文献１においては，「高温高圧ガス雰囲気下で熱処理を施して，
電極層４と下のバリア膜層３との密着性を向上させる
（イ）そして，引用発明１においては，上記（ア）の課題を解決するために，「高温高圧ガス雰囲気下で熱処理を行う温度と圧力は，銅の場合，温度は２５０〜４５０℃，圧力は５０〜２００ＭＰａ，保持時間１〜１２０分程度であり，白金やルテニウムの場合，温度は５００〜８００℃，圧力は５０〜２００ＭＰａ，保持時間１〜１２０分程度」という熱処理プロファイルを採用しているものと認められる。
（ウ）してみれば，本願発明１のような「半導体基板は，ＳｉＣ基板であ」るという前提において「半導体基板の凹部の角部を丸める」ために採用される熱処理の態様とは，その目的を異にするものであり，本願発明１のような「処理室内の排気を停止又は極めて低速にした状態であって，分子流領域の圧力を超える圧力の不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を封止した状態であって，前記半導体基板の熱処理の温度は１５００℃以上２０００℃以下であって，前記封止した状態は，前記処理室内へのガスの導入が完全に行われておらず，かつ，排気が完全に行われていない状態又は極めて低速に排気した状態であって，前記半導体基板に対向する基板対向面を有した状態であって，前記半導体基板と前記基板対向面が近接した状態であって，前記近接した状態は，１〜２５ｍｍの距離範囲である，状態で」熱処理を施す態様を直ちに想起することはできない。
　また，引用文献２，３や，引用文献Ａ，Ｂの記載を検討しても，上記技術的事項が周知な設計変更とも認められない。
（エ）してみれば，引用発明１において，本願発明１のように「半導体基板は，ＳｉＣ基板であ」るという前提において「半導体基板の凹部の角部を丸める」ために，「処理室内の排気を停止又は極めて低速にした状態であって，分子流領域の圧力を超える圧力の不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を封止した状態であって，前記半導体基板の熱処理の温度は１５００℃以上２０００℃以下であって，前記封止した状態は，前記処理室内へのガスの導入が完全に行われておらず，かつ，排気が完全に行われていない状態又は極めて低速に排気した状態であって，前記半導体基板に対向する基板対向面を有した状態であって，前記半導体基板と前記基板対向面が近接した状態であって，前記近接した状態は，１〜２５ｍｍの距離範囲である，状態で」熱処理を行うことは，当業者が容易になし得たこととはいえない。
（オ）そして，本願発明１は，上記相違点１に係る構成を備えることによって，本願の発明の詳細な説明に記載された，「このように半導体基板３と基板対向面２とを近接させた状態で熱処理を行うことによって，Ｓｉ原子の脱離を最小限に抑えることができ，処理前のトレンチの開口幅を大幅に広げることなく，トレンチの開口部及び底部の角張った角部を丸くすることができる。」という利点（本願明細書段落【００８１】）を有するという顕著な効果を奏するものと認められる。
　したがって，本願発明１は，引用発明１，引用文献２，３，Ａ，Ｂに記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）引用文献２を主引例とした対比・判断
　ア　対比
　本願発明１（上記第４の１）と，引用発明２（上記第５の２（２））とを対比すると，以下のとおりとなる。
（ア）引用発明２の「シリコン基板１」は本願発明１の「半導体基板は，ＳｉＣ基板であ」ることと，「半導体基板」である点で共通する。
（イ）引用発明２の「シリコン基板表面に酸化シリコン膜９とウェル１０とで構成された凹部」は本願発明１の「半導体基板に形成された」「角部を有」する「凹部」に相当する。
（ウ）引用発明２の「不活性ガス」は本願発明１の「不活性ガス」に相当するので，引用発明２の「常圧又は減圧状態のＨｅ雰囲気中」は，本願発明１の「分子流領域の圧力を超える圧力の不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を封止した状態」と，「不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を」覆った「状態」という点で共通する。
（エ）引用発明２の「常圧又は減圧状態のＨｅ雰囲気中でシリコン基板１を５００℃〜１０５０℃で６０秒以下の有限時間アニールすること」は本願発明１の「前記半導体基板に対して前記熱処理を行うこと」に相当する。
（オ）上記（ア）ないし（エ）より，引用発明２の「不活性ガスアニール」は，本願発明１の「半導体基板の凹部の角部を丸める方法」と，「半導体基板」に熱処理を行う方法であるという点で共通する。
　したがって，本願発明１と，引用発明２とは，以下の点で一致し，相違する。
＜一致点＞
「不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を覆った状態であって，
　前記凹部は角部を有しており，
　半導体基板に対して熱処理を行うことを特徴とする方法。」
＜相違点＞
・相違点２：本願発明１においては，「半導体基板は，ＳｉＣ基板であ」るという前提において「半導体基板の凹部の角部を丸める」ために，「処理室内の排気を停止又は極めて低速にした状態であって，分子流領域の圧力を超える圧力の不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を封止した状態であって，前記半導体基板の熱処理の温度は１５００℃以上２０００℃以下であって，前記封止した状態は，前記処理室内へのガスの導入が完全に行われておらず，かつ，排気が完全に行われていない状態又は極めて低速に排気した状態であって，前記半導体基板に対向する基板対向面を有した状態であって，前記半導体基板と前記基板対向面が近接した状態であって，前記近接した状態は，１〜２５ｍｍの距離範囲である，状態で」熱処理を行っているのに対して，引用発明２においては，シリコン基板を熱処理の対象とし，常圧又は減圧状態のＨｅ雰囲気，その他Ａｒ等他の不活性ガス雰囲気中でシリコン基板を５００℃〜１０５０℃で６０秒以下の有限時間アニールしており，その熱処理の態様が異なる点。
　イ　相違点についての判断
　上記相違点について，判断する。
・相違点２について
（ア）引用文献２においては，「シリコン基板表面のマイクロラフネスを減少させる技術を提供すること」（【００１１】）を目的としている。
（イ）そして，引用発明２においては，上記（ア）の課題を解決するために，「常圧又は減圧状態のＨｅ雰囲気中でシリコン基板１を５００℃〜１０５０℃で６０秒以下の有限時間アニールする」という熱処理プロファイルを採用しているものと認められる。
（ウ）してみれば，本願発明１のような「半導体基板は，ＳｉＣ基板であ」るという前提において「半導体基板の凹部の角部を丸める」ために採用される熱処理の態様とは，その目的を異にするものであり，本願発明１のような「処理室内の排気を停止又は極めて低速にした状態であって，分子流領域の圧力を超える圧力の不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を封止した状態であって，前記半導体基板の熱処理の温度は１５００℃以上２０００℃以下であって，前記封止した状態は，前記処理室内へのガスの導入が完全に行われておらず，かつ，排気が完全に行われていない状態又は極めて低速に排気した状態であって，前記半導体基板に対向する基板対向面を有した状態であって，前記半導体基板と前記基板対向面が近接した状態であって，前記近接した状態は，１〜２５ｍｍの距離範囲である，状態で」熱処理を施す態様を直ちに想起することはできない。
　また，引用文献１，３や，引用文献Ａ，Ｂの記載を検討しても，上記技術的事項が周知な設計変更とも認められない。
（エ）してみれば，引用発明２において，本願発明１のように「半導体基板は，ＳｉＣ基板であ」るという前提において「半導体基板の凹部の角部を丸める」ために，「処理室内の排気を停止又は極めて低速にした状態であって，分子流領域の圧力を超える圧力の不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を封止した状態であって，前記半導体基板の熱処理の温度は１５００℃以上２０００℃以下であって，前記封止した状態は，前記処理室内へのガスの導入が完全に行われておらず，かつ，排気が完全に行われていない状態又は極めて低速に排気した状態であって，前記半導体基板に対向する基板対向面を有した状態であって，前記半導体基板と前記基板対向面が近接した状態であって，前記近接した状態は，１〜２５ｍｍの距離範囲である，状態で」熱処理を行うことは，当業者が容易になし得たこととはいえない。
（オ）そして，本願発明１は，上記相違点２に係る構成を備えることによって，上記（１）イ（オ）にて説示した顕著な効果を奏するものと認められる。
　したがって，本願発明１は，引用発明２，引用文献１，３，Ａ，Ｂに記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（３）引用文献Ａを主引例とした対比・判断
　ア　対比
　本願発明１（上記第４の１）と，引用発明Ａ（上記第５の３（２））とを対比すると，以下のとおりとなる。
（ア）引用発明Ａの「炭化珪素基板１」は本願発明１の「半導体基板は，ＳｉＣ基板であ」ることに相当する。
（イ）引用発明Ａの「開口部におけるコーナー部」と「底部のコーナー部５Ｂ」とを有する「トレンチ５」は本願発明１の「半導体基板に形成された」「角部を有」する「凹部」に相当する。
（ウ）引用発明Ａの「アルゴンガス（Ａｒ）」は本願発明１の「不活性ガス」に相当するので，引用発明Ａの「アルゴンガス（Ａｒ）雰囲気中」は，本願発明１の「分子流領域の圧力を超える圧力の不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を封止した状態」と，「不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を」覆った「状態」という点で共通する。
（エ）引用発明Ａでは「アルゴンガス（Ａｒ）雰囲気中において，例えば１５３０℃，２００ｍｂａｒの条件でアニール処理を実施」するので，引用発明Ａの「炭化珪素基板１」の「アニール処理を実施」するときの温度は「１５３０℃」であり，本願発明１の「前記半導体基板の熱処理の温度は１５００℃以上２０００℃以下であって」を満たす。
（オ）引用発明Ａの「アルゴンガス（Ａｒ）雰囲気中において，例えば１５３０℃，２００ｍｂａｒの条件でアニール処理を実施」することは本願発明１の「前記半導体基板に対して前記熱処理を行うこと」に相当する。
（カ）上記（ア）ないし（オ）より，引用発明Ａの「アニール処理を実施することによるトレンチ５の開口部コーナーとトレンチ底部のコーナー部５Ｂとをラウンド化する方法」は，本願発明１の「半導体基板の凹部の角部を丸める方法」に相当する。
　したがって，本願発明１と，引用発明Ａとは，以下の点で一致し，相違する。
＜一致点＞
「不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を覆った状態であって，
　前記凹部は角部を有しており，
　前記半導体基板の熱処理の温度は１５００℃以上２０００℃以下であって，
　前記半導体基板は，ＳｉＣ基板であって，
　前記半導体基板に対して前記熱処理を行うことを特徴とする半導体基板の凹部の角部を丸める方法。」
＜相違点＞
・相違点３：本願発明１においては，「半導体基板の凹部の角部を丸める」ために，「処理室内の排気を停止又は極めて低速にした状態であって，分子流領域の圧力を超える圧力の不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を封止した状態であって，前記半導体基板の熱処理の温度は１５００℃以上２０００℃以下であって，前記封止した状態は，前記処理室内へのガスの導入が完全に行われておらず，かつ，排気が完全に行われていない状態又は極めて低速に排気した状態であって，前記半導体基板に対向する基板対向面を有した状態であって，前記半導体基板と前記基板対向面が近接した状態であって，前記近接した状態は，１〜２５ｍｍの距離範囲である，状態で」熱処理を行っているのに対して，引用発明Ａにおいては，炭化珪素基板１を，例えばアルゴンガス（Ａｒ）雰囲気中において，例えば１５３０℃，２００ｍｂａｒの条件でアニール処理を実施し，ここでアニール処理の時間は例えば１０分間アニール処理をしており，その熱処理の態様が異なる点。
　イ　相違点についての判断
　上記相違点について，判断する。
・相違点３について
（ア）引用文献Ａにおいては，「トレンチ５の開口部におけるコーナー部に上部コーナー領域５１を形成する。ここでは，丸みを帯びたラウンド領域を形成する」（段落［００６３］）ことを目的としたアニール処理の条件につき，「なお，
アニール処理条件については，上記に限定されない。ガス雰囲気はアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気，水素雰囲気，塩素系ガス雰囲気，またはそれらの混合ガス雰囲気を使用することができる。例えばアルゴン不活性ガス雰囲気を用いる
アニール温度も特に限定しないが，例えば１５００℃以上１６００℃以下であることが好ましい
トレンチ深さとトレンチ幅がデバイス設計上の許容範囲を保つことなどを考慮して，アニール処理条件を適宜調整してもよい
（イ）しかしながら，本願発明１のように「半導体基板の凹部の角部を丸める」ために，「処理室内の排気を停止又は極めて低速にした状態であって，分子流領域の圧力を超える圧力の不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を封止した状態であって，前記半導体基板の熱処理の温度は１５００℃以上２０００℃以下であって，前記封止した状態は，前記処理室内へのガスの導入が完全に行われておらず，かつ，排気が完全に行われていない状態又は極めて低速に排気した状態であって，前記半導体基板に対向する基板対向面を有した状態であって，前記半導体基板と前記基板対向面が近接した状態であって，前記近接した状態は，１〜２５ｍｍの距離範囲である，状態で」熱処理を行うことは記載されていない。
　また，引用文献１ないし３や，引用文献Ｂの記載を検討しても，上記技術的事項が周知な設計変更とも認められない。
（ウ）してみれば，引用発明Ａにおいて，本願発明１のように「半導体基板の凹部の角部を丸める」ために，「処理室内の排気を停止又は極めて低速にした状態であって，分子流領域の圧力を超える圧力の不活性ガスが半導体基板に形成された凹部の表面を封止した状態であって，前記半導体基板の熱処理の温度は１５００℃以上２０００℃以下であって，前記封止した状態は，前記処理室内へのガスの導入が完全に行われておらず，かつ，排気が完全に行われていない状態又は極めて低速に排気した状態であって，前記半導体基板に対向する基板対向面を有した状態であって，前記半導体基板と前記基板対向面が近接した状態であって，前記近接した状態は，１〜２５ｍｍの距離範囲である，状態で」熱処理を行うことは，当業者が容易になし得たこととはいえない。
（エ）そして，本願発明１は，上記相違点３に係る構成を備えることによって，上記（１）イ（オ）にて説示した顕著な効果を奏するものと認められる。
　したがって，本願発明１は，引用発明Ａ，引用文献１ないし３，Ｂに記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２ないし６について
　本願の請求項２ないし４は直接に請求項１を引用するものであり（上記第４の２（１）），本願発明５，６は，それぞれ本願発明１，２に対応する装置の発明であり，本願の請求項１，２とカテゴリ表現が異なるだけであり（上記第４の２（２）），本願発明１の発明特定事項に対応する構成を全て含むから，本願発明２ないし６もまた，本願発明１と同じ理由により，引用発明１，引用文献２，３，Ａ，Ｂに記載された技術的事項に基づいて，または，引用発明２，引用文献１，３，Ａ，Ｂに記載された技術的事項に基づいて，または，引用発明Ａ，引用文献１ないし３，Ｂに記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　当審拒絶理由について
１　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
　当審では，当審拒絶理由において特許請求の範囲の請求項１ないし７の記載が，明細書のサポート要件に適合しない旨の拒絶の理由を通知しているが，本件補正により，「処理室内の排気を停止又は極めて低速にし
た状態であって
の
であって
前記凹部は角部を有しており，前記半導体基板の熱処理の温度は１５００℃以上２０００℃以下であって，前記半導体基板は，ＳｉＣ基板であって，前記封止した状態は，前記処理室内へのガスの導入が完全に行われておらず，かつ，排気が完全に行われていない状態又は極めて低速に排気した状態であって，前記半導体基板に対向する基板対向面を有した状態であって，前記半導体基板と前記基板対向面が近接した状態であって，前記近接した状態は，１〜２５ｍｍの距離範囲である，状態で，
前記
凹部の角部を丸める
２　特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）について
　当審では，当審拒絶理由においてこの出願は，請求項１ないし７に係る特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない旨の拒絶の理由を通知しているが，本件補正により，「処理室内の排気を停止又は極めて低速にし
た状態であって
の
であって
前記凹部は角部を有しており，前記半導体基板の熱処理の温度は１５００℃以上２０００℃以下であって
前記封止した状態は，前記処理室内へのガスの導入が完全に行われておらず，かつ，排気が完全に行われていない状態又は極めて低速に排気した状態であって，前記半導体基板に対向する基板対向面を有した状態であって，前記半導体基板と前記基板対向面が近接した状態であって，前記近接した状態は，１〜２５ｍｍの距離範囲である，状態で，
前記
３　特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）について
　この出願は，発明の詳細な説明の記載が，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない旨の拒絶の理由を通知しているが，本件補正により，「処理室内の排気を停止又は極めて低速にし
た状態であって
の
であって
前記凹部は角部を有しており，前記半導体基板の熱処理の温度は１５００℃以上２０００℃以下であって，前記半導体基板は，ＳｉＣ基板であって，前記封止した状態は，前記処理室内へのガスの導入が完全に行われておらず，かつ，排気が完全に行われていない状態又は極めて低速に排気した状態であって，前記半導体基板に対向する基板対向面を有した状態であって，前記半導体基板と前記基板対向面が近接した状態であって，前記近接した状態は，１〜２５ｍｍの距離範囲である，状態で，
前記
凹部の角部を丸める
４　本願発明１，３−６は，上記引用文献１または２に記載された発明に基づいて，本願優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであり，本願発明２，７は，上記引用文献１または２と，引用文献３に記載された発明に基づいて，本願優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものである旨の拒絶の理由を通知しているが，本件補正により，この拒絶の理由は解消した。
第８　原査定についての判断
　原査定は，請求項１，３−６について上記引用文献Ａ，Ｂに記載された発明に基づいて，請求項２，７について上記引用文献ＡないしＣに記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかしながら，本件補正後の請求項１ないし６はそれぞれ，上記第６の１（３）にて検討したように，引用文献Ａに記載された発明および，引用文献１，２，３（Ｃ），Ｂに記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえないものであるので，本願発明１ないし６は，上記引用文献ＡないしＣに記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであったとは認められない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第９　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。