【手続補正書】
【提出日】平成22年7月14日(2010.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、上記の問題の１つまたはいくつかを克服することに関する。要約すると、本発明の１つの態様によれば、本発明は、（ａ）入射光子を電荷に変換するための複数の画素と、（ｂ）１以上の画素からの余剰電荷を排出するためのオーバーフロードレインと、（ｃ）２以上の画素からの電荷を加算するためのメカニズムと、（ｄ）第一の最適基板電圧を発生するための第一の抵抗素子ネットワークであって、抵抗素子の少なくとも１つが、並列して、伝導リンクまたは開放リンクを有し、当該伝導リンクまたは当該開放リンクは、それぞれ、外的刺激に応答して開放リンクまたは伝導リンクとなる、第一の抵抗素子ネットワークと、（ｅ）第一の抵抗素子ネットワークに接続され、第二の最適基板電圧を生成する第二の抵抗素子ネットワークであって、第二の最適基板電圧は第一のオーバーフロードレイン電圧の何分の一かである、第二の抵抗素子ネットワークを備えるイメージセンサである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図１５は、本発明によるオーバーフロードレイン電圧基準回路を組み込んだイメージセンサ４７０を用いるカメライメージングシステム４７１（好ましくは、デジタルカメラ）を示す。本発明により、デジタルカメラシステム４７１は、フル解像度撮影モードのほか、最適なアンチブルーミング保護と飽和信号レベルを用いたより低解像度の画素加算動画ビデオ撮影モードでの動作が可能となる。なお、以下に、付記として本発明の構成の例を示す。
（付記１）
イメージセンサであって、
（ａ）入射光子を電荷に変換するための複数の画素と、
（ｂ）少なくとも１以上の前記画素からの余剰電荷を排出するオーバーフロードレインと、
（ｃ）２以上の前記画素からの電荷を加算するためのメカニズムと、
（ｄ）第一のオーバーフロードレイン電圧を生成する第一の抵抗素子ネットワークであって、抵抗素子の少なくとも１つは、外的刺激に応答して、複数の画素が加算されたときの画素アンチブルーミング保護と飽和信号レベルのための最適なオーバーフロードレイン電圧を供給するように開くことのできるヒューズを並列して有する第一の抵抗素子ネットワークと、
（ｅ）前記第一の抵抗素子ネットワークに接続され、第二のオーバーフロードレイン電圧を生成する第二の抵抗素子ネットワークであって、第二のオーバーフロードレイン電圧は前記第一のオーバーフロードレイン電圧の何分の一かであり、第二のオーバーフロードレイン電圧は、複数の画素がまったく、またはほとんど加算されない場合の画素アンチブルーミングおよび飽和信号レベルのための最適なオーバーフロードレイン電圧を供給する第二の抵抗素子ネットワークと、
を備えることを特徴とするイメージセンサ。
（付記２）
付記１に記載のイメージセンサであって、
さらに、複数の追加の抵抗素子ネットワークを備えることを特徴とするイメージセンサ。
（付記３）
付記１に記載のイメージセンサであって、
前記抵抗素子の少なくとも１つは抵抗器であることを特徴とするイメージセンサ。
（付記４）
付記１に記載のイメージセンサであって、
前記抵抗素子の少なくとも１つは電界効果トランジスタであることを特徴とするイメージセンサ。
（付記５）
付記１に記載のイメージセンサであって、
前記ヒューズの少なくとも１つの代わりにアンチヒューズを用いることを特徴とするイメージセンサ。
（付記６）
付記１に記載のイメージセンサであって、
前記複数の画素は電荷結合素子を形成することを特徴とするイメージセンサ。
（付記７）
付記１に記載のイメージセンサであって、
前記複数の画素はそれぞれ、電界効果トランジスタのゲートに直接接続されるか、あるいは転送ゲートとフローティングディフュージョンを通じて電界効果トランジスタのゲートに間接的に接続されることを特徴とするイメージセンサ。
（付記８）
付記１に記載のイメージセンサであって、
加算される複数の画素の数は２であることを特徴とするイメージセンサ。
（付記９）
付記１に記載のイメージセンサであって、
加算される複数の画素の数は３であることを特徴とするイメージセンサ。
（付記１０）
付記１に記載のイメージセンサであって、
加算される複数の画素の数は４であることを特徴とするイメージセンサ。
（付記１１）
付記２に記載のイメージセンサであって、
前記抵抗素子の少なくとも１つは抵抗器であることを特徴とするイメージセンサ。
（付記１２）
付記２に記載のイメージセンサであって、
前記抵抗素子の少なくとも１つは電界効果トランジスタであることを特徴とするイメージセンサ。
（付記１３）
付記２に記載のイメージセンサであって、
前記ヒューズの少なくとも１つの代わりにアンチヒューズが使用されることを特徴とするイメージセンサ。
（付記１４）
付記２に記載のイメージセンサであって、
前記複数の画素は電荷結合素子を形成することを特徴とするイメージセンサ。
（付記１５）
付記２に記載のイメージセンサであって、
前記複数の画素はそれぞれ、電界効果トランジスタのゲートに直接接続されるか、あるいは転送ゲートとフローティングディフュージョンを通じて電界効果トランジスタのゲートに間接的に接続されることを特徴とするイメージセンサ。
（付記１６）
付記２に記載のイメージセンサであって、
加算される複数の画素の数は２であることを特徴とするイメージセンサ。
（付記１７）
付記２に記載のイメージセンサであって、
加算される複数の画素の数は３であることを特徴とするイメージセンサ。
（付記１８）
付記２に記載のイメージセンサであって、
加算される複数の画素の数は４であることを特徴とするイメージセンサ。
（付記１９）
イメージセンサを備えるカメラであって、
イメージセンサは、
（ａ）入射光子を電荷に変換するための複数の画素と、
（ｂ）少なくとも１以上の前記画素からの余剰電荷を排出するオーバーフロードレインと、
（ｃ）２以上の前記画素からの電荷を加算するためのメカニズムと、
（ｄ）第一のオーバーフロードレイン電圧を生成する第一の抵抗素子ネットワークであって、抵抗素子の少なくとも１つは、外的刺激に応答して、複数の画素が加算された場合の画素アンチブルーミング保護と飽和信号レベルのための最適なオーバーフロードレイン電圧を供給するように開くことのできるヒューズを並列して有する第一の抵抗素子ネットワークと、
（ｅ）前記第一の抵抗素子ネットワークに接続され、第二のオーバーフロードレイン電圧を生成する第二の抵抗素子ネットワークであって、第二のオーバーフロードレイン電圧は前記第一のオーバーフロードレイン電圧の何分の一かであり、第二のオーバーフロードレイン電圧は、複数の画素がまったく、または略まったく加算されない場合の画素アンチブルーミングおよび飽和信号レベルのための最適なオーバーフロードレイン電圧を供給する第二の抵抗素子ネットワークと、
を備えることを特徴とするカメラ。
（付記２０）
付記１９に記載のカメラであって、
さらに、複数の追加の抵抗素子ネットワークを備えることを特徴とするカメラ。
（付記２１）
付記１９に記載のカメラであって、
前記抵抗素子の少なくとも１つは抵抗器であることを特徴とするカメラ。
（付記２２）
付記１９に記載のカメラであって、
前記抵抗素子の少なくとも１つは電界効果トランジスタであることを特徴とするカメラ。
（付記２３）
付記１９に記載のカメラであって、
前記ヒューズの少なくとも１つの代わりにアンチヒューズが用いられることを特徴とするカメラ。
（付記２４）
付記１９に記載のカメラであって、
前記複数の画素は電荷結合素子を形成することを特徴とするカメラ。
（付記２５）
付記１９に記載のカメラであって、
前記複数の画素はそれぞれ、電界効果トランジスタのゲートに直接接続されるか、あるいは転送ゲートとフローティングディフュージョンを通じて電界効果トランジスタのゲートに間接的に接続されることを特徴とするカメラ。
（付記２６）
付記１９に記載のカメラであって、
加算される複数の画素の数は２であることを特徴とするカメラ。
（付記２７）
付記１９に記載のカメラであって、
加算される複数の画素の数は３であることを特徴とするカメラ。
（付記２８）
付記１９に記載のカメラであって、
加算される複数の画素の数は４であることを特徴とするカメラ。
（付記２９）
付記２０に記載のカメラであって、
さらに、複数の追加の抵抗素子ネットワークを備えることを特徴とするカメラ。
（付記３０）
付記２０に記載のカメラであって、
前記抵抗素子の少なくとも１つは抵抗器であることを特徴とするカメラ。
（付記３１）
付記２０に記載のカメラであって、
前記抵抗素子の少なくとも１つは電界効果トランジスタであることを特徴とするカメラ。
（付記３２）
付記２０に記載のカメラであって、
前記ヒューズの少なくとも１つの代わりにアンチヒューズが用いられることを特徴とするカメラ。
（付記３３）
付記２０に記載のカメラであって、
前記複数の画素は電荷結合素子を形成することを特徴とするカメラ。
（付記３４）
付記２０に記載のカメラであって、
前記複数の画素はそれぞれ、電界効果トランジスタのゲートに直接接続されるか、あるいは転送ゲートとフローティングディフュージョンを通じて電界効果トランジスタのゲートに間接的に接続されることを特徴とするカメラ。
（付記３５）
付記２０に記載のカメラであって、
加算される複数の画素の数は２であることを特徴とするカメラ。
（付記３６）
付記２０に記載のカメラであって、
加算される複数の画素の数は３であることを特徴とするカメラ。
（付記３７）
付記２０に記載のカメラであって、
加算される複数の画素の数は４であることを特徴とするカメラ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージセンサであって、
（ａ）入射光子を電荷に変換するための複数の画素と、
（ｂ）少なくとも１以上の前記画素からの余剰電荷を排出するオーバーフロードレインと、
（ｃ）２以上の前記画素からの電荷を加算するためのメカニズムと、
（ｄ）第一の最適基板電圧を生成する第一の抵抗素子ネットワークであって、抵抗素子の少なくとも１つは、並列して、伝導リンクまたは開放リンクを有し、当該伝導リンクまたは当該開放リンクは、それぞれ、外的刺激に応答して開放リンクまたは伝導リンクとなる、第一の抵抗素子ネットワークと、
（ｅ）前記第一の抵抗素子ネットワークに接続され、第二の最適基板電圧を生成する第二の抵抗素子ネットワークであって、前記第二の最適基板電圧は前記第一のオーバーフロードレイン電圧の何分の一かである、第二の抵抗素子ネットワークと、
を備えることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載のイメージセンサであって、
さらに、複数の追加の抵抗素子ネットワークを備えることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項３】
請求項１に記載のイメージセンサであって、
カメラ内に配置されることを特徴とするイメージセンサ。