【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年3月31日(2010.3.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面および裏面；ならびに第１および第２平面を持つ外周部を含む単結晶スピネルウェハであって、該ウェハが＜１１１＞結晶学的配向を有しており、第１平面は｛２２−４｝および｛１１−２｝面群の１つにおける面に沿って延び、また第２平面は｛０２−２｝、｛０１−１｝、｛２２−４｝および｛１１−２｝面群の１つの面に沿って延び、そして第２平面は第１平面の面に平行でない単結晶スピネルウェハ。
【請求項２】
ウェハの前面および裏面が｛１１１｝結晶面に沿って延びる請求項１記載の単結晶スピネルウェハ。
【請求項３】
第１平面がウェハのへき開面の配向を示す請求項１記載の単結晶スピネルウェハ。
【請求項４】
ウェハのへき開面が線に沿って延びる点の軌跡で前面と交差し、その線は第１平面に平行である請求項３記載の単結晶スピネルウェハ。
【請求項５】
第２平面がへき開面のへき開伝播の方向を示す請求項４記載の単結晶スピネルウェハ。
【請求項６】
第２平面がウェハの前表面および裏表面を識別させる請求項４記載の単結晶スピネルウェハ。
【請求項７】
へき開面が前面に対し５５度の角度をなす請求項４記載の単結晶スピネルウェハ。
【請求項８】
ウェハが非化学量論的スピネルを含む請求項１記載の単結晶スピネルウェハ。
【請求項９】
さらに活性層を含み、活性層は窒化物半導体層を含む請求項１記載の単結晶スピネルウェハ。
【請求項１０】
窒化物半導体層がＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（ここで、０≦ｘ≦０．２５および０≦ｙ≦０．５）を含む請求項９記載の単結晶スピネルウェハ。
【請求項１１】
ウェハのへき開面が線に沿って延びる点の軌跡で前面と交差し、その線は第１平面に平行であり、かつ活性層のへき開面に平行である請求項９記載の単結晶スピネルウェハ。
【請求項１２】
第１平面が大きいほうの平面であり、そして第２平面が小さいほうの平面である請求項１記載の単結晶スピネルウェハ。
【請求項１３】
請求項１記載のウェハの上に設けられる能動デバイス。
【請求項１４】
デバイスがレーザーダイオードおよびLEDよりなる群から選ばれる光電子デバイスである請求項１３記載のデバイス。
【請求項１５】
前面および裏面ならびに第１および第２平面をもつ外周部を有する単結晶スピネルウェハを用意すること（ここで該ウェハは＜１１１＞結晶学的配向を有しており、第１平面は｛２２−４｝および｛１１−２｝面群の１つにおける面に沿って延び、また第２平面は｛０２−２｝、｛０１−１｝、｛２２−４｝および｛１１−２｝面群の１つの面に沿って延び、そして第２平面は第１平面の面に平行でない）；第１および第２平面の位置に基づいてウェハを配向させること；
ウェハに重ねて少なくとも１つの活性層を形成すること；ならびに能動デバイスを作製するためにウェハをへき開させること；を含む能動デバイスの製造方法。
【請求項１６】
＜１１１＞配向を有する単結晶ブールを形成すること；ブールに第１および第２平面を形成すること；ブールをウェハにスライシングすること；ならびにブールの第１および第２端部に第１および第２の対向する平面表面を形成すること；を含み、第１および第２平面はウェハのへき開面の配向を示し、ウェハの前面および裏面を識別させ、該平面表面は、該第１および第２の平面表面に垂直に延びるブール中心軸が＜１１１＞方向の５度以内に調整されるように形成される、ウェハの製造方法の方法であって、
該ウェハが＜１１１＞結晶学的配向を有しており、第１平面は｛２２−４｝および｛１１−２｝面群の１つにおける面に沿って延び、また第２平面は｛０２−２｝、｛０１−１｝、｛２２−４｝および｛１１−２｝面群の１つの面に沿って延び、そして第２平面は第１平面の面に平行でないウェハの製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
もう1つの態様によれば、ウェハの製造方法は、＜１１１＞配向を有する単結晶ブールを形成すること、ならびにブールに第１および第２平面を形成することを含み、第１および第２平面はウェハのへき開面の配向を示し、ウェハの前面および裏面を識別させる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
１つの態様において、平面（通常面の表面）が｛２２−４｝面群１３３の１つに沿って機械加工操作により形成されるのが通常である。ブールのスピネル構造において、｛２２−４｝面群の面は｛００１｝へき開面群の面がウェハの前面もしくは表面で形成する点の軌跡（直線を形成）に実質的に平行である（約５度以内）。このように、この平面は｛００１｝へき開面群がウェハの表面で形成する線に平行である。したがって、｛２２−４｝面群の面における平面はウェハのへき開面の配向と一致している。
また、単結晶スピネルウェハは、ウェハの前面および裏面が｛１１１｝結晶面に沿って延びることが好ましい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
単結晶スピネルウェハにおける｛２２−４｝面群の面と｛００１｝へき開面群との関係は、図２に示される。＜１１１＞配向基板ウェハ２００は、前面２１０、裏面２２０および面２１０、２２０の間に外周端２３０を有する。１つの態様において、大きいほうの平面２４０は｛２２−４｝面群の面に沿って外周端２３０に研削される。大きいほうの平面２４０はウェハ２００がブールからスライシングされる前に、ブールに研削されるのが通常であるが、所望ならばスライシング後に研削されうる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
図２に示されるように、へき開面２６０と前面２１０の交点により形成される点の軌跡は平面２４０に平行な線を形成する。その態様に示されるように、前面および主たる平面に沿って張り出された線は互いに平行であり、異なる配向が使用され得、たとえば大きいほうの平面と張り出された線の間の、零度でない所定角度である。｛００１｝へき開面２６０に沿ってウェハ２００において開始されるへき開は、ウェハ２００の前面２１０と、大きいほうの平面２４０に平行に交差する。これは特に有利である。なぜなら、＜１１１＞スピネルウェハ２００上に成長した（０００１）AlｘGa１-ｘ-ｙInｙNのエピタキシャル層の（１０−１０）へき開面はウェハ２００において｛００１｝へき開面２６０と並んでいるからである。すなわち、AlｘGa１-ｘ-ｙInｙNエピタキシャル層の（１０−１０）へき開面の端部はウェハへき開面−前面交点で形成される点の軌跡に実質的に平行である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
図２および３に示されるように、第２の、小さいほうの平面２５０は外周端２３０に研削され、第１の平面の面に平行でない面、たとえば｛０２−２｝および ｛０１−１｝面群における面、に沿って延びるのが通常であり、そしてさらに大きいほうの面に平行でない｛２２−４｝および ｛１１−２｝面群の面を含む。好適には、小さいほうの平面２５０はウェハ２００がブールからスライシングされる前に、ブールに研削される。しかし、所望ならば小さいほうの平面２５０は、スライシング後にウェハ２００に研削されうる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
図２に示されるように、ウェハはへき開面が大きいほうの平面から勾配をつけられるように配向される。もっと正確には、各へき開面は線を形成する点の軌跡に沿って裏面と交差し、裏面に沿う線は前面と大きいほうの平面に沿う線間の間隔よりも大きい距離で大きいほうの平面から間隔を置いている。この配向、前面から大きいほうの平面に対する下方への勾配、はここでは「負」の勾配と考えられる。各面は、図２に示されるように、約４０〜６０度、測定すると通常約５５度、の範囲で、前面と角度をなす。
スピネル構造において、大きいほうの平面への法線(垂直線)および第２平面への法線は同一面にあるので、これらの法線は互いに交差し、たとえば互いに６０，９０、１２０もしくは１５０度の角度をなす。たとえば、（０２−２）/（０１−１）面に沿って延びる小さいほうの平面への法線は、｛２２−４｝/｛１１−２｝面群の面に沿って延びる大きいほうの平面への法線に３０，９０および１５０度の角度をなす。（２２−４）/（１１−２）面に沿って延びる小さいほうの平面への法線は、たとえば｛１１−２｝/｛２２−４｝面群の面に沿って延びる大きいほうの平面への法線に６０度の角度をなしうる。ここに述べるように配向された、大きいほうおよび小さいほうの平面を用いることにより、ウェハ２００は正確に配向されうる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
例
チョクラルスキー法により成長したブール（インゴット）は２つの平らな表面を製造するために頂部とテール部分を除去された。ブール端部（２つの平らな表面）はラウエ後方散乱法を用いてX線解析により、配向を確認し、さらに次の点を確認した。１）（１００）へき開面を確実にするために、得られるであろうウェハのための前面が得られるウェハの底面から頂面にへき開するであろうこと（ここで底面の交線は頂面の交線よりも、形成されるべき大きい方の平面から離れている）、ならびに２）大きい方の平面（１１−２）（もしくは（２２−４））および小さいほうの平面（０１−１）（もしくは（０２−２））のほぼ正確な位置。ついで、ブール端部はX線解析により、配向を測定され、ブールの軸を＜１１１＞方向に調整された。