【事件の表示】
　平成　８年特許願第　２１７３３号「プラズマエッチング装置」拒絶査定不服審判事件〔平成９年７月３１日出願公開、特開平９−１９９４８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．本願は、平成８年１月１３日の出願であって、平成１５年１２月２５日付で拒絶の査定がなされ、これに対し、平成１６年２月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付の手続補正により、請求項１が補正されたものである。
　
II．平成１６年２月１０日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年２月１０日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜５のうち、請求項１は次のとおり補正された。
　「【請求項１】 被エッチング物を局部的にエッチングするプラズマエッチング装置において、
　０．５〜１．３Ｔｏｒｒの減圧状態に保持され、エッチングガスを供給するための石英反応管に気密に結合されたプラズマ反応室と、
　該プラズマ反応室の該石英反応管に結合され、発生したマイクロ波が導波管を通して該石英反応管に導かれるマグネトロンからなる電磁波発生手段と、
　前記プラズマ反応室内に設けた被エッチング物保持手段と、
　被エッチング物を局部的に貫く磁場を発生させ、永久磁石あるいは電磁石からなる磁場発生手段と、
　該磁場発生手段を被エッチング物の予め調べた厚さ分布に基づいて移動する移動手段とを備えることを特徴とするプラズマエッチング装置。」
　
　上記補正は、補正前の出願当初の明細書の請求項１において、「減圧状態」を「０．５〜１．３Ｔｏｒｒの減圧状態」と、「プラズマ反応室」を「エッチングガスを供給するための石英反応管に気密に結合されたプラズマ反応室」と、「該プラズマ反応室に結合した電磁波発生手段」を「該プラズマ反応室の該石英反応管に結合され、発生したマイクロ波が導波管を通して該石英反応管に導かれるマグネトロンからなる電磁波発生手段」と、及び「磁場発生手段」を「永久磁石あるいは電磁石からなる磁場発生手段」と限定し、さらに、「該磁場発生手段を被エッチング物の予め調べた厚さ分布に基づいて移動する移動手段と」の点を付加したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか（同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるか否か）について検討する。
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された特開平６−２１００１号公報（以下、「刊行物１」という。）、及び周知例１〜６には次の事項が記載されている。
　周知例１：特開平２−２５６２３５号公報
　周知例２：特開平４−１７００２４号公報
　周知例３：特開平５−２７５３９０号公報
　周知例４：特開平５−３３５３９５号公報
　周知例５：特開平４−１９６５５９号公報
　周知例６：特開平５−１９０４９９号公報
　
（１）刊行物１（特開平６−２１００１号公報）
（１ａ）「【請求項１】エッチング室内に磁束密度が除々に変化する磁場を形成し，該磁場内に反応ガスのプラズマを発生させ，該プラズマ内の荷電粒子を磁束密度の高い部分に向かって移動する電場を与え，この磁束密度の高い部分の中で該荷電粒子の磁力線方向の速度が実質的に０になる位置に被加工物を置いてエッチングすることを特徴とするエッチング方法。」
（１ｂ）「【０００９】【作用】図１は本発明の原理説明図である。図において，１は被加工物，２は磁極，３，４は電極，１１はプラズマを発生させるエッチング室である。破線は磁力線で磁極に向かって磁束密度が連続的に変化していることを示している。螺旋状の実線は荷電粒子の磁場内での運動の軌跡を表している。ここでは，プラズマの生成方法は問わないが，磁場を大きく乱さないものが適当である。」
（１ｃ）「【００１６】次に，より詳細に本発明の原理を説明する。
（１）まず，簡単のために電極に印加する電圧が０の場合について考える。Ａ点での磁束密度をＢ０，被加工物の表面でのそれをＢ１とし，中心線に平行な荷電粒子の速度をｖＰ，中心線に垂直な荷電粒子の速度をｖＱとする・・・
・・・・
いま，Ａ点での荷電粒子の方向を
　　ｔａｎθ＝ＶＱ０／ＶＰ０と定義すると，　
　　ｓｉｎθ＝（Ｂ０／Ｂ１）１／２従って，被加工物表面に到達する荷電粒子は，
　　ｓｉｎθ≦（Ｂ０／Ｂ１）１／２を満足することになる。
 【００１７】・・・
従って，被加工物表面に荷電粒子の表面に垂直方向のエネルギーは上式のファクタで小さくなり，被加工物の表面に平行方向のエネルギーになる。
 【００１８】いま，Ｂ１＝２Ｂ０とすると，
　　θ＝４５°以内のものが被加工物に到達する。
　　θ＝４０°のものは垂直方向のエネルギーは約３０％
　　θ＝３０°のものは垂直方向のエネルギーは約６７％
になる。
　・・・・・
（３）エッチング制御
（Ａ）装置内部の磁束密度分布に応じて，被加工物と磁極の相対位置を変える，即ち磁束密度の比Ｂ０／Ｂ１を変えることにより到達する荷電粒子と垂直方向のエネルギーを制御する。」
（１ｄ）「【００２０】【実施例】図２は本発明の実施例の構成図である。図において，６はプラズマ生成用熱電子放出フィラメント，７は被加工物で半導体ウエハ，８は反応ガス導入口，９は排気口，１０は絶縁板である。
　【００２１】反応ガス・・・を放電させるとフッ素（Ｆ）イオンが生ずる。ウエハ７に負電位を与えてＦイオンを加速し，磁力線の回りを旋回運動させながらウエハに接近させる。磁束密度が大きくなりイオンが跳ね返される点にウエハを置いて，その表面の例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ２）と反応させてエッチングを行う。
　【００２２】この際，加速電圧，電極間距離，磁極の位置，磁場の強さを制御してエッチング条件を最適化して決める。また，磁場の発生に電磁石を用いてもよいが，永久磁石を用いて電力消費を抑えることもできる。」
（１ｅ）「【００２４】図３（Ａ），（Ｂ）は本発明の他の実施例の構成図である。図３（Ａ）はウエハを可動式にした例，図３（Ｂ）は磁極を可動式にした例である。ウエハと磁極の相対位置を変化させながらエッチングすることにより，エッチングの均一性を図ることができる。
　【００２５】実施例では磁極付近の磁場の強い部分に荷電粒子が集中する・・・」
　
（２）周知例１（特開平２−２５６２３５号公報）
　「第３図に示すのは本発明による実施例装置を説明するための概略図である。この装置は、半導体素子の製造に用いられる酸化装置に前処理として酸化膜をエッチングあるいは除去するための手段を具備した表面処理装置である。・・・更に、反応容器３００には石英製放電管３０６が接続されており、放電管３０６はマイクロ波導波管３０７と結合し、マイクロ波電源３０８からのマイクロ波により、前記放電管３０６内で放電が生起できるようになっている。また、石英製放電管３０６の他端からは前記被処理基体３０１の酸化膜をエッチングあるいは除去するためのガスがガス導入口３０９導入され、更に、反応容器のガス導入口３１０からは、塩基性ガスが具備されている。ここでガス導入口３１０より導入される塩基性ガスは、被処理基体３０１全体にガスが供給され、均一に反応を起こすように多数の開孔を有するガスの分散器３１１により分散され、反応容器３００内に導入される。３１１は、反応容器と放電部を分離するバルブである。
　前記本願第２の発明の実施例装置を用いて被処理基体３０１シリコンの単結晶基体に酸化を行う本願第３の発明の実施例方法について述べる。まず反応容器３００内に真空引きし、ガス導入口３０９から、ＮＦ３ガスとＮＨ３ガスをそれぞれ・・・導入し、反応容器３００内の圧力を０．５Ｔｏｒｒに保持する。この場合反応容器３００内にはシリコン単結晶基体が設置されており、その表面には・・・自然酸化膜が形成されている。ここでＮＦ３ガスとＮＦ３ガスに対してマイクロ波放電を１０分間行うことにより、前記基体上の自然酸化膜は完全に除去される。」（８頁右上欄１０行〜右下欄１１行）が記載され、第１図には、エッチングガスを供給するガス導入口１３ａを有する石英製の放電管１４と真空容器１１とが気密に結合されていること、第３図には、エッチングガスを供給するガス導入口３０９を有する石英製の放電管３０６と真空容器１１とが気密に結合されていることが示されている。
　
（３）周知例２（特開平４−１７００２４号公報）
（３ａ）「最近では、ドライエッチングの一手法として、プラズマ励起部と処理室とを分離して構成した装置が開発されており、実用に供されている。この種の装置として、第４図に示した原理構成の装置がある。１は直立したマイクロ波の導波管で、図の左端から導入されるガスを石英管２の中心部でプラズマ化し、輸送管３を経て、処理室であるエッチング室４に導かれる。」（１頁右下欄９〜１６行）
（３ｂ）「本発明の実施例として、第２図に示したプラズマエッチング装置正面図を用いて説明する。
　・・・
　この実施例は、ポリシリコンとシリコンナイトライドをエッチングするための装置の例であり、石英管１１を上下に配置する形式のものである。
反応処理室１２は家庭用電子レンジを用い、石英管の端部に設けたステンレスの分散管１９の先端は一つ以上の孔を持ち、差圧により、反応ガスが、処理室１３に導入され、ウエハーの上面に当たる様になっている。処理室１３は０．５Ｔｏｒｒ、石英管１１の内部は１Ｔｏｒｒの内部圧力となっている。この例では、ウエハー１枚が置かれている枚葉式である。」（３頁右上欄１〜１５行）が記載され、第１図、第２図には、反応ガスを供給するマスフロー系１０に接続される石英管１１と処理室１３とが気密に結合されていることが示されている。
　
（４）周知例３（特開平５−２７５３９０号公報）
　「【００１１】第１実施例（アルミナ窓を有するプラズマ処理装置使用）
　・・・
図１はアルミナ窓を有するマイクロ波プラズマ処理装置の構成図を示す。図において、１はプラズマ反応室であり、２は真空ポンプ（図示せず。）に接続される排気口であり、３はガス供給口であり、４はアルミナ窓であり、５はマイクロ波導波路であり、６は水素原子濃度測定に使用されるモノクロメータ接続口である。
 【００１２】ガス供給口３から水素ガス・・・と水蒸気・・・との混合ガスを反応室１に供給して反応室圧力を１Ｔｏｒｒとする。マイクロ波導波路５とアルミナ窓４とを介して２．４５ＧＨｚ、１．５ＫＷのマイクロ波を反応室１に導入して前記の混合ガスを励起してプラズマ化し、プラズマ中の水素原子濃度の変化を測定する。」
　
（５）周知例４（特開平５−３３５３９５号公報）
　「【０００９】従って、本発明のようにＳＯＩ基板面の各区画のＳＯＩ膜厚を・・・測定して膜厚マップを作成し、この膜厚マップに基づいて各区画におけるＳＯＩ膜のエッチング代を計算し、ドライエッチング装置によって各区画のＳＯＩ膜をエッチング代だけエッチング処理すれば、１０μｍ以上の厚さのＳＯＩ膜であっても、その厚さを±０．３μｍ以下のバラツキに抑えて均一化することができる。」
　
（６）周知例５（特開平４−１９６５５９号公報）
　「紫外光の光源にレーザー光を用いた第１実施例の場合につき、第１図、および第２図を参照して述べる。
　・・・
　腐食加工の開始に先立って、ボンドウエーハの表面の全面を・・・微小区画に区分し、当該各微小区画毎に、その中心部における単結晶シリコン層の層厚を測定して、必要腐食量を求め、かつこれらの各データを装置制御のためのＣＰＵに蓄えた。
　この実施例方法に適用した気相化学腐食反応装置の概要構成を第１図に模式的に示す。
　・・・
　また、前記ハーフミラー１７の下方には、反応容器としての透明石英製の試料セル１９を設けると共に、当該試料セル１９内の試料台２０上にあって被加工処理対象の単結晶シリコン層、こゝでは、前記微小区画ｂを設定したボンドウエーハＢ面をもつ半導体ウエーハＡが載置保持されており、・・・エキシマレーザー光を所期通りに照射し得るようになっている。
　そして、前記試料セル１９に対しては、・・・排気系がそれぞれに接続され、当該セル１９内を真空排気可能にさせ、かつ同時に、ガスボンベ２４からの反応ガス、この場合には、ＮＦ３ガスを・・・当該セル１９内に供給可能にさせてあり、さらに、温度調節器３１により半導体ウエーハＡの処理温度を調整可能にさせてある。
　・・・
　しかして、この実施例方法の場合、ウエーハ雰囲気を真空置換によって１ａｔｍのＮＦ３ガスとし、かつウエーハ温度を１００±５℃に保持した。・・・
　こゝで、前記半導体ウエーハＡにおけるボンドウエーハＢ面、ひいては微小区画ｂ面に対する気相化学腐食反応は、第２図に示されている通り、・・・当該ボンドウエーハＢ面をスキャニングして行なう。
　続いて、この第１実施例方法の場合における単結晶シリコン層の超薄層化腐食加工の実例について述べる。
　・・・まず最初に、ウエーハ端の１区画（第１区画）にのみ紫外光照射を行なう。そして、このときの照射パルス数は、前記したＣＰＵ１３に蓄えた各微小区画ｂに対応する必要腐食量から、その照射時間によって制御する。ついで、照射対象の微小区画ｂ部分を１個分対応に移動させて、同様に紫外光照射を行なうことにより、第１、第２の各区画が気相化学腐食反応を受けるもので、この場合、第１区画の単結晶シリコン層厚が設定値となるように照射パルス数を調節する。その後、紫外光照射部を第２、および第３区画とし、以下、同様にして気相化学腐食反応を続け、１ライン終了後、次のラインに移動させ、以上の操作を繰り返して全面の気相化学腐食反応を実施した。」（７頁右上欄７行〜８頁右上欄９行）
　
（７）周知例６（特開平５−１９０４９９号公報）
　「【００１１】【実施例】〈実施例１〉図１は本発明によるエッチング装置を模式的に示す断面図である。図において・・・マイクロ波で励起された・・・プラズマを・・・石英製プラズマ引出し窓２より試料室１に導入した。試料室１は排気系および反応ガス導入系に接続されている。局所エッチングすべき半導体層４と絶縁膜５および支持基板３よりなる半導体基板３０は所望エッチング領域をプラズマ引出し窓２直下に制御する試料台６上に設置されている。試料台６は水平面（Ｘ，Ｙ）および高さＺ方向の所望位置に移動するように試料室１外部の基板位置制御装置に接続されている。エッチング領域の制御は試料台６の高さ、すなわち、半導体基板３０とプラズマ引出し窓２間の距離を制御して行った。所望時間の局所エッチングを施したのち、半導体基板３０は膜厚測定器の直下Ａの位置に移動され、エッチング量を測定した。測定結果に基づき半導体層４の設計膜厚より厚い領域部分のみに再び局所エッチングを施し、半導体基板３０全面において所望膜厚の半導体層４を得た。・・・」
　
３．対比・判断
　上記摘記（１ａ）によれば、刊行物１には、エッチング室内に磁束密度が除々に変化する磁場を形成し、磁場内に反応ガスのプラズマを発生させ、プラズマ内の荷電粒子を磁束密度の高い部分に向かって移動するように、電極間に形成される電場を与え、この磁束密度の高い部分の中で荷電粒子の磁力線方向の速度が実質的に０になる位置に被加工物を置いてエッチングすることが記載されている。又摘記（１ｂ）（１ｃ）によれば、電場を形成する電極に印加する電圧を０とした場合についても触れており、この場合には、図１において、被加工物表面の磁束密度がＡ点の磁束密度の２倍とすると、θ＝４５°以内のものが被加工物に到達すること（摘記（１ｃ）段落【００１８】）が記載されているから、電極間に形成される電場を与えない態様も実質的に記載されているに等しいといえる。
　さらに、摘記（１ｅ）によれば、磁極を可動式にして、ウエハと磁極の相対位置を変化させながらエッチングすることにより、エッチングの均一性を図ることも記載されている。
　そして、摘記（１ａ）〜（１ｅ）を総合すると、刊行物１には、「被加工物を局部的にエッチングするプラズマエッチング装置において、エッチング室と、エッチング室内に設けた被加工物を載せる電極と、被加工物を局部的に貫く磁場を発生させる、永久磁石あるいは電磁石からなる磁極と、磁極を可動式とした可動手段とを備えるプラズマエッチング装置。」（以下、「刊行物発明」という。）が記載されていることになる。
　そこで、本願補正発明と刊行物発明とを対比すると、刊行物発明の「被加工物」、「エッチング室」、「電極」、「磁極」は、それぞれ本願補正発明の「被エッチング物」、「プラズマ反応室」、「被エッチング物保持手段」、「磁場発生手段」に相当するから、両者は、「被エッチング物を局部的にエッチングするプラズマエッチング装置において、プラズマ反応室と、前記プラズマ反応室内に設けた被エッチング物保持手段と、被エッチング物を局部的に貫く磁場を発生させ、永久磁石あるいは電磁石からなる磁場発生手段と、該磁場発生手段を移動する移動手段とを備えるプラズマエッチング装置。」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点１：本願補正発明のプラズマ反応室は、０．５〜１．３Ｔｏｒｒの減圧状態に保持され、エッチングガスを供給するための石英反応管に気密に結合されているのに対し、刊行物発明ではいかなる減圧状態かの記載がなく、プラズマ反応室はそのようなものではない点。
　相違点２：本願補正発明の電磁波発生手段は、プラズマ反応室の該石英反応管に結合され、発生したマイクロ波が導波管を通して該石英反応管に導かれるマグネトロンからなるのに対し、刊行物発明ではこの点が記載されていない点。
　相違点３：本願補正発明の移動手段は、磁場発生手段を被エッチング物の予め調べた厚さ分布に基づいて移動するのに対し、刊行物発明ではこの点が記載されていない点。
　
　そこで、上記相違点１〜３について次に検討する。
（１）相違点１について
　エッチングガスを、石英反応管に導くようにしてプラズマ反応室へ供給するようにしたプラズマエッチング装置において、プラズマ反応室をエッチングガスを供給するための石英反応管に気密に結合されている構成は周知の技術である（周知例１、周知例２（３ａ））。そして、プラズマ反応室の圧力を０．５〜１Ｔｏｒｒの減圧状態に保持することも周知の技術にすぎない（周知例１記載の０．５Ｔｏｒｒ、周知例２記載の０．５Ｔｏｒｒ、周知例３記載の１Ｔｏｒｒ参照。）から、刊行物発明のエッチング室を石英反応管に気密に結合する構成とし、該エッチング室の圧力を０．５〜１．０Ｔｏｒｒの減圧状態に保持することは、当業者ならば容易に想到し得るものである。
　
（２）相違点２について
　刊行物発明では、プラズマを発生させるプラズマ生成方法は問わない（摘記（１ｂ））として、具体的に触れていないが、マグネトロンにより発生したマイクロ波を導波管を通して石英反応管に導くようにしたプラズマ生成手段は周知の技術にすぎない（周知例１、周知例２（３ａ）参照。）から、刊行物発明のプラズマ生成手段として周知の技術を適用することは単なる設計的事項にすぎない。
　
（３）相違点３について
　被エッチング物の予め調べた厚さ分布に基づいてエッチングし、均一な厚さの被エッチング物とすることは周知の技術にすぎない（周知例４：各区画のＳＯＩ膜をエッチング代だけエッチング処理する記載、周知例５：照射対象の微小区画部分を１個分対応に移動させて、各区画が気相化学腐食反応を受ける記載、周知例６：測定結果に基づき半導体層の設計膜厚より厚い領域部分のみに再び局所エッチングを施す記載。）。
　そして、上記周知の技術は、刊行物発明のように被エッチング物を局所エッチングする場合においても、被エッチング物全体を効率的に平坦化するために適用できないとする理由はないから、刊行物発明の可動式の磁極を、被エッチング物の予め調べた厚さ分布に基づいて移動させることは、当業者ならば容易に想到し得るものである。
　
　そして、本願補正発明による効果も刊行物１に記載された発明及び上記周知技術に基いて予測し得る程度のもので格別顕著なものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について 
１．本願発明 
　平成１６年２月１０日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜５に係る発明は、本願の出願当初の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】被エッチング物を局部的にエッチングするプラズマエッチング装置において、減圧状態に保持されたプラズマ反応室と、該プラズマ反応室に結合した電磁波発生手段と、前記プラズマ反応室内に設けた被エッチング物保持手段と、被エッチング物を局部的に貫く磁場を発生させる磁場発生手段とを備えることを特徴とするプラズマエッチング装置。」
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物１、及び周知例１〜６、その摘記事項は、上記「II．２．引用刊行物とその摘記事項」に記載されたとおりである。
　
３．対比・判断
 　本願発明は、上記「II．３．対比・判断」において検討した本願補正発明の、刊行物発明との相違点１である、「０．５〜１．３Ｔｏｒｒの減圧状態に保持され、エッチングガスを供給するための石英反応管に気密に結合されたプラズマ反応室」のうち、「０．５〜１．３Ｔｏｒｒの」及び「、エッチングガスを供給するための石英反応管に気密に結合され」との具体的な限定事項を削除し、同じく相違点２である、「該プラズマ反応室の該石英反応管に結合され、発生したマイクロ波が導波管を通して該石英反応管に導かれるマグネトロンからなる電磁波発生手段」のうち、「の該石英反応管」及び「され、発生したマイクロ波が導波管を通して該石英反応管に導かれるマグネトロンからなる」との具体的事項を削除し、同じく相違点３である、「該磁場発生手段を被エッチング物の予め調べた厚さ分布に基づいて移動する移動手段」を削除し、さらに、本願補正発明の「被エッチング物を局部的に貫く磁場を発生させ、永久磁石あるいは電磁石からなる磁場発生手段」のうち、「、永久磁石あるいは電磁石からな」との具体的事項を削除したものである。
　
　そうすると、本願発明の構成を全て含み、さらに他の構成を限定・付加したものに相当する本願補正発明が、前記「II．３．対比・判断」に記載したとおり、刊行物１に記載された発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明についても、同様の理由により、刊行物１に記載された発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜５に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。