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　特願２０００−　３３９５８「薄膜磁気ヘッドの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　８月２４日出願公開、特開２００１−２２９５１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１２年２月１０日の出願であって、その請求項１〜２０に係る発明は、平成１５年１０月２７日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１６に係る発明（以下、「本願発明」という）は、次のとおりである。
　
「【請求項１６】　互いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、前記薄膜コイルの線間を絶縁するコイル絶縁層とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　前記第１の磁性層を形成する工程と、
　前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
　前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程と、
　前記薄膜コイルを形成する工程と、
　前記コイル絶縁層を形成する工程とを含み、
　前記コイル絶縁層は、化学的気相成長法を用いて、薄膜形成に用いられる材料が断続的に噴射されることにより形成される複数の絶縁膜を積層することによって構成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
　
　
２．引用例
（１）第１引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開平１１−３５３６１６号公報（以下、「第１引用例」という）には、図面とともに次の技術事項が記載されている。
　
（ａ）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。」
　
（ｂ）
「【００４７】記録ヘッド部１Ｂは、この読み出しヘッド部１Ａ上に、ＭＲ膜１５に対する上部シールド層を兼ねる下部磁極（下部ポール）１８および記録ギャップ層１９を介して上部磁極を形成したものである。本実施の形態では、上部磁極は２分割されており、トラック面側において記録ギャップ層１９上に形成された磁極先端部（ポールチップ）２０と、この磁極先端部２０に接触すると共にエイペックス部の上面に沿って形成され、ヨーク部を兼ねた上部磁極層（上部ポール）２５とにより構成されている。これら下部磁極１８、磁極先端部２０および上部磁極層２５はそれぞれ例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）により形成されている。この記録ヘッド部１Ｂでは、磁極先端部２０に対向する下部磁極１８は、その表面部分を一部突状に加工したトリム（Trim）構造となっている。これにより、実効書き込みトラック幅の広がり、すなわち、データの書き込み時において、下部磁極１８における磁束の広がりが抑制される。
【００４８】本実施の形態においては、下部磁極１８が本発明の第１の磁極および第１の磁性層に対応し、また、磁極先端部２０が本発明の第２の磁極、上部磁極層２５が本発明の第２の磁性層にそれぞれ対応している。
【００４９】本実施の形態では、磁極先端部２０、記録ギャップ層１９および下部磁極１８の突状加工部に隣接した領域をコイル形成領域２６と称する。すなわち、このコイル形成領域２６は、磁極先端部２０をマスクにして記録ギャップ層１９および下部磁極１８の表面をエッチングして形成された凹部１８ａを含む領域に対応している。このコイル形成領域２６の内壁面（底面および側壁面）には絶縁層２１ａが形成されている。この絶縁層２１ａ上に１層目の薄膜コイル２２が形成されている。薄膜コイル２２のコイル間、および薄膜コイル２２と絶縁層２１ａとの間は絶縁層２１ｂにより埋め込まれており、この絶縁層２１ｂの表面と磁極先端部２０の表面とが同一面を構成するように平坦化されている。よって、この薄膜コイル２２の分だけ、後述の薄膜コイル２３を含むエイペックス部の段差が低くなっている。なお、絶縁層２１ａが本発明の第１の絶縁層、絶縁層２１ｂが本発明の第２の絶縁層にそれぞれ対応している。
【００５０】平坦化された絶縁層２１ｂ上には２層目の薄膜コイル２３が形成されており、この薄膜コイル２３は例えばフォトレジストからなる絶縁層２４により覆われている。この絶縁層２４が本発明の他の絶縁層に対応している。絶縁層２４上にはヨーク部を兼ねる上部磁極層２５が形成されている。上部磁極層２５は、薄膜コイル２２，２３よりも後方の位置において、磁極先端部２０と同一工程において形成された後述の接続部パターン２０ａを介して下部磁極１８と接触している。上部磁極層２５はオーバーコート層（図示せず）により覆われている。なお、薄膜コイル２２，２３は絶縁層２１ｂと絶縁層２４との境界面において電気的に接続されている。」
　
（ｃ）
「【００５５】続いて、シールドギャップ膜１７上に、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる上部シールドを兼ねた下部磁極１８を、約３〜４μｍの厚みで形成する。
【００５６】次に、図３に示したように、下部磁極１８上に、例えば、スパッタ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚０．２〜０．３μｍの記録ギャップ層１９を形成する。記録ギャップ層１９は、アルミナの他、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコン酸化物系、シリコン窒化物系の材料などにより形成するようにしてもよい。続いて、この記録ギャップ層１９をフォトリソグラフィーによりパターニングし、上部磁極と下部磁極との接続用の開口１９ａを形成する。続いて、記録ギャップ層１９上に記録ヘッドのトラック幅を決定するための磁極先端部（ポールチップ）２０をフォトリソグラフィーにより形成する。すなわち、記録ギャップ層１９上に、例えばスパッタ法により高飽和磁束密度材料（Ｈｉ−Ｂｓ材）、例えばＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％），ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％），ＦｅＮ，ＦｅＺｒＮＰ，ＣｏＦｅＮなどからなる、膜厚２〜４μｍの磁極層を形成する。続いて、この磁極層を、フォトレジストマスクを用いた例えばＡｒ（アルゴン）のイオンミリングによって選択的に除去し、磁極先端部２０を形成すると共に、上部磁極と下部磁極の接続用の接続部パターン２０ａを形成する。この接続部パターン２０ａにより下部磁極１８と後述の上部磁極層２５とが接続され、後述のＣＭＰ工程後の開口（スルーホール）の形成が容易になる。この磁極先端部２０はフォトレジストマスクの代わりにアルミナ等の無機系絶縁層によるマスクを用いてエッチングするようにしてもよく、また、このようなフォトリソグラフィーによらず、その他、めっき法、スパッタ法などによって形成するようにしてもよい。
【００５７】続いて、図４に示したように、磁極先端部２０をマスクとして、その周辺の記録ギャップ層１９を自己整合的にエッチングする。すなわち、磁極先端部２０をマスクとした塩素系ガス（Ｃｌ２，ＣＦ4，ＢＣｌ2，ＳＦ6等）によるＲＩＥ（Reactive Ion Etching) により、記録ギャップ層１９を選択的に除去した後、露出した下部磁極１８を、再び、例えばＡｒのイオンミリングによって約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、トリム構造の記録トラックを形成すると共に凹部１８ａを形成する。
【００５８】次に、図５に示したように、下部磁極１８の凹部１８ａを含む全面に、例えばスパッタ法またはＣＶＤ法により、膜厚約０．５〜１．５μｍの例えばアルミナからなる絶縁層２１ａを形成する。続いて、凹部１８ａ内の絶縁層２１ａ上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の１層目の薄膜コイル２２を２〜３μｍの厚みで形成する。
【００５９】次に、図６に示したように、凹部１８ａ内の薄膜コイル２２を含む全面に、例えばスパッタ法またはＣＶＤ法により、膜厚約３〜４μｍの例えばアルミナからなる絶縁層２１ｂを形成する。なお、この絶縁層２１ａや絶縁層２１ｂは、アルミナに限らず、二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）や、窒化珪素（ＳｉＮ）等の他の絶縁材料により形成してもよい。」
　
（ｄ）
「【００６２】次に、図９に示したように、例えば磁極先端部２０と同じ材料を用いて、フォトリソグラフィーにより、上部磁極層２５を約３〜４μｍの厚みに形成する。なお、上部磁極層２５も、例えば、電解めっき法やスパッタ法などの他の方法によって形成するようにしてもよい。この上部磁極層２５は、薄膜コイル２２，２３よりも後方の位置において、接続パターン２０ａを介して、下部磁極１８と接触し、磁気的に連結される。最後に、図示しないが、上部磁極層２５上に、例えばスパッタ法によりアルミナよりなる膜厚約３０μｍのオーバーコート層を形成する。その後、スライダの機械加工を行い、記録ヘッドおよび再生ヘッドのトラック面（ＡＢＳ）２７を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。」
　
　上記記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、上記第１引用例には、結局、次の発明が記載されている（以下、「引用発明」という）。
　
「ＭＲ膜１５に対する上部シールド層を兼ねる下部磁極（下部ポール）１８、
記録ギャップ層１９、
トラック面側において記録ギャップ層１９上に形成された磁極先端部（ポールチップ）２０と、この磁極先端部２０に接触すると共にエイペックス部の上面に沿って形成され、ヨーク部を兼ねた上部磁極層（上部ポール）２５とにより構成されている上部磁極、
コイル形成領域２６の内壁面（底面および側壁面）には絶縁層２１ａが形成され、この絶縁層２１ａ上に１層目の薄膜コイル２２が形成され、薄膜コイル２２のコイル間、および薄膜コイル２２と絶縁層２１ａとの間は絶縁層２１ｂが形成される薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　シールドギャップ膜１７上に、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる上部シールドを兼ねた下部磁極１８を、約３〜４μｍの厚みで形成し、
　下部磁極１８上に、例えば、スパッタ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚０．２〜０．３μｍの記録ギャップ層１９を形成し、
　記録ギャップ層１９上に磁極層を形成し、続いて、この磁極層を、選択的に除去し、磁極先端部２０を形成すると共に、上部磁極と下部磁極の接続用の接続部パターン２０ａを形成し、この接続部パターン２０ａにより下部磁極１８と後述の上部磁極層２５とが接続され、
　下部磁極１８の凹部１８ａを含む全面に、例えばスパッタ法またはＣＶＤ法により、膜厚約０．５〜１．５μｍの例えばアルミナからなる絶縁層２１ａを形成し、続いて、凹部１８ａ内の絶縁層２１ａ上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の１層目の薄膜コイル２２を２〜３μｍの厚みで形成し、次に、凹部１８ａ内の薄膜コイル２２を含む全面に、例えばスパッタ法またはＣＶＤ法により、膜厚約３〜４μｍの例えばアルミナからなる絶縁層２１ｂを形成し、
　例えば磁極先端部２０と同じ材料を用いて上部磁極層２５を形成し、この上部磁極層２５は、薄膜コイル２２，２３よりも後方の位置において、接続パターン２０ａを介して、下部磁極１８と接触し、磁気的に連結される、
　工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
　
（２）第２引用例
　また、同じく、原査定で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平４−２３２２５０号公報（以下、「第２引用例」という）には、図面とともに次の技術事項が記載されている。
　
（ｄ）
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、物体の表面に、良質な酸化アルミの均一な薄膜を、低い加熱温度で形成し、酸、アルカリ、ハロゲンガスなどに対する耐食性を大幅に向上させることのできる酸化アルミニウム保護膜の製造方法および製造装置に関するものである。」
　
（ｅ）
「【０００３】
【発明の解決しようとする問題点】しかしながら、テフロンの被膜を形成する場合には、膜厚が大きくなりすぎるという欠点があり、陽極酸化法による場合は、被覆すべき物体が、アルミニウムに限られるという問題があり、スパッタリング法あるいは化学気相堆積法などによって、耐食性の物質を被覆する場合には、被覆厚が均一をすることが困難であり、また、陰になる部分は被覆できないという問題があり、さらには、トリメチルアルミニウムと水の蒸気を用いて、酸化アルミの被膜を形成する場合には、良質な被膜を形成するためには、たとえば、４５０℃程度にまで、加熱しなければならないという問題があった。
【０００４】
【発明の目的】本発明の第１の目的は、物体の形状のいかんを問わず、物体の表面に、均一で、かつ、膜厚の薄い酸化アルミ保護膜を、室温でも、形成することのできる酸化アルミニウム保護膜の製造方法を提供することを目的とするものである。（後略）」
　
（ｆ）
「【００１１】
【発明の作用】本件第１発明および本件第２発明によれば、室温においても、交互に、真空容器内に導入されたトリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、イソプロプルアルミニウムおよびイソブチルアルミニウムからなる群より選ばれる１または２以上の有機アルミニウム化合物蒸気と、過酸化水素蒸気が、それぞれ、物体の表面に吸着し、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、イソプロプルアルミニウムおよびイソブチルアルミニウムからなる群より選ばれる１または２以上の有機アルミニウム化合物蒸気と過酸化水素蒸気に含まれる水酸基が、式〔１〕、〔２〕、〔３〕または〔４〕に示されるように、反応し、物体の表面に、酸化アルミニウム保護膜が形成される。
（当審注：式の番号〔１〕〜〔４〕は、原文は丸付き数字、以下同様）
【００１２】
　　　　　2Al2(CH3)6＋6H2O2 ＝ 2Al2O3 ＋12CH4 ＋3O2 ・・・・・〔１〕
　　　　　4Al(C2H5)3＋6H2O2 ＝ 2Al2O3 ＋12C2H6＋3O2 ・・・・・〔２〕
　　　　　4Al(C3H7)3＋6H2O2 ＝ 2Al2O3 ＋12C3H8＋3O2 ・・・・・〔３〕
　　　　　4Al(C4H9)3＋6H2O2 ＝ 2Al2O3 ＋12C4H10 ＋3O2 ・・・・〔４〕」
　
（ｇ）
「【００３２】実施例１
　直径１５０mm、高さ１５０mmのアルミニウム合金製円筒容器内に、アセトン、メタノール、純水の順で、超音波洗浄し、乾燥窒素を用いて、乾燥させたＳＵＳ３０４からなるステンレスピンセットを、真空容器内にセットし、１５０リットル／秒の真空ポンプを用いて、室温で、酸化アルミニウム保護膜を形成した。
【００３３】まず、真空ポンプにより、真空容器内を、６×１０−３Ｐａにまで減圧し、その後、トリメチルアルミニウム蒸気を０．５秒間導入して、真空容器内の圧力を、２Ｐａに上昇させた後、真空ポンプにより、２秒間、排気して、真空容器内の圧して、真空容器内の圧力を、２Ｐａに上昇させ、その後、３秒間、排気するサイクルを、繰り返したところ、１分間に、最大１０サイクルの保護膜形成がなし得ることが判明した。
【００３４】図２は、真空容器内の圧力変化を示すグラフであり、図３は、形成された酸化アルミニウム保護膜の膜厚とサイクル数との関係を示すグラフである。図３より、１サイクルで、０．１１３nmの酸化アルミニウム保護膜が形成され、１０００サイクル繰り返したところ、ピンセット表面に、１１３nmの酸化アルミニウム保護膜が形成されたことが判明した。
【００３５】こうして、酸化アルミニウム保護膜が形成されたピンセットを、３６重量％の塩酸溶液中に、４時間、浸して、その耐食性を調べたところ、気泡の発生は、全く認められず、ステンレス鋼の耐食性が大幅に向上したことが判明した。」
　
（ｈ）
「【００４０】実施例３
【００４１】実施例１と同一の真空容器内に、アセトン、メタノール、純水の順で、超音波洗浄し、乾燥窒素を用いて、乾燥させた１mm×１cm×１cmの銅板をセットし、実施例と１と全く同様にして、減圧、トリメチルアルミニウム蒸気の導入、排気、過酸化水素蒸気の導入、排気のサイクルを、１０００サイクル繰り返したところ、銅板の表面に、１１３nmの酸化アルミニウム保護膜が形成された。
【００４２】このようにして形成された酸化アルミニウム保護膜上に、真空蒸着法により、直径５００μｍの銀電極を形成し、銅板と銀電極との間に、電圧を印加して、酸化アルミニウム保護膜を通る電流を測定し、この測定結果に基づき、電気強度および電界強度を求めたところ、得られた酸化アルミニウム保護膜は、２×１０１６の電気抵抗率および６．６MV／cmの電界強度を有していることが判明した。このことは、得られた酸化アルミニウム保護膜が、優れた電気絶縁性を備え、電気的にも、優れた耐食性を有していることを示している。」
　
　
３．対　比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明における「下部磁極（下部ポール）１８」と、「磁極先端部２０」及び「上部磁極層（上部ポール）２５」とは、「薄膜コイル２２，２３よりも後方の位置において、接続パターン２０ａを介して・・・磁気的に連結される」構造をなすから、前記「下部磁極（下部ポール）１８」は本願発明における「第１の磁性層」に、「「磁極先端部２０」及び「上部磁極層（上部ポール）２５」は本願発明の「第２の磁性層」に相当する。
　引用発明における「記録ギャップ層１９」 は、本願発明における「ギャップ層」に相当する。
　引用発明における「薄膜コイル２２」は、本願発明における「薄膜コイル」に相当する。
　引用発明における「絶縁層２１ａ」及び「絶縁層２１ｂ」は、本願発明における「コイル絶縁層」に相当する。
　引用発明における「例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる上部シールドを兼ねた下部磁極１８を、約３〜４μｍの厚みで形成し」は、本願発明における「前記第１の磁性層を形成する工程」に相当する。
　引用発明における「下部磁極１８上に、例えば、スパッタ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚０．２〜０．３μｍの記録ギャップ層１９を形成し」は、本願発明における「前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程」に相当する。
　引用発明における「記録ギャップ層１９上に磁極層を形成し、続いて、この磁極層を、選択的に除去し、磁極先端部２０を形成すると共に、上部磁極と下部磁極の接続用の接続部パターン２０ａを形成し」及び「磁極先端部２０と同じ材料を用いて上部磁極層２５を形成し、この上部磁極層２５は、薄膜コイル２２，２３よりも後方の位置において、接続パターン２０ａを介して、下部磁極１８と接触し、磁気的に連結される」 は、本願発明における「前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程」に相当する。
　引用発明において「例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の１層目の薄膜コイル２２を２〜３μｍの厚みで形成し」は、本願発明における「前記薄膜コイルを形成する工程」に相当する。
　引用発明において「例えば・・・ＣＶＤ法により、例えばアルミナからなる絶縁層２１ａを形成し、・・・次に、凹部１８ａ内の薄膜コイル２２を含む全面に、例えば・・・ＣＶＤ法により、例えばアルミナからなる絶縁層２１ｂを形成し」は、本願発明における「前記コイル絶縁層を形成する工程」である限りにおいては共通しており、さらに、「前記コイル絶縁層は、化学的気相成長法を用いて・・・形成される・・・絶縁膜・・・によって構成される」点でも共通している。
　引用発明と本願発明とは、ともに「薄膜磁気ヘッドの製造方法」に関するものである点で共通している。
　そうすると、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
　一致点
「互いに磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、前記薄膜コイルの線間を絶縁するコイル絶縁層とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　前記第１の磁性層を形成する工程と、
　前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
　前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程と、
　前記薄膜コイルを形成する工程と、
　前記コイル絶縁層を形成する工程とを含み、
　前記コイル絶縁層は、化学的気相成長法を用いて形成される絶縁膜によって構成される薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
　
　一方、次の点で相違する。
　相違点
　本願発明においては、前記コイル絶縁層は、「薄膜形成に用いられる材料が断続的に噴射されることにより形成される複数の絶縁膜を積層すること」によって構成される化学的気相成長法を用いるのに対し、引用発明においては、特にそのようには記載されていない点。
　
　
４．判　断
　そこで、上記相違点について検討する。
　第２引用例には、例えば酸化アルミニウムのような薄膜の形成方法において、トリメチルアルミニウム等の蒸気を、０．５秒導入し、その後排気し、さらに過酸化水素蒸気の導入、排気等の「サイクル」を例えば１０００サイクル繰り返すこと薄膜を形成する方法が開示されている。
　前記トリメチルアルミニウム等は、式〔１〕〜〔４〕から明らかなように、薄膜の材料となるものである。
　また、「１サイクルで、０．１１３nmの酸化アルミニウム保護膜が形成され」とのサイクルを「１０００サイクル繰り返したところ、・・・１１３nmの酸化アルミニウム保護膜が形成された」ことから、前記保護膜は、複数の膜が積層されたものである。
　すると、第２引用例には、前記式〔１〕〜〔４〕に示されるように、化学反応を利用して基板表面に薄膜を形成する方法である点でＣＶＤ（化学的気相成長）法といえるものにおいて、「薄膜形成に用いられる材料が断続的に噴射されることにより形成される複数の絶縁膜を積層すること」が開示されているものである。
　なお、「薄膜形成に用いられる材料が断続的に噴射されることにより形成される複数の絶縁膜を積層すること」は、第２引用例の他にも例えば特開平７−２５２６６０号公報（以下、「周知例」という。図８に本願明細書中に開示された材料の組み合わせ、すなわちＡｌ（ＣＨ３）３、Ｈ２Ｏ２、及び金属基板が含まれている）があり、先に相違点としてあげた事項は周知にすぎないことが明らかである。
　請求人は、第２引用例に開示された方法は、絶縁層の用途、特性において本願発明と異なる旨主張しているが、ＣＶＤ法により絶縁層を形成すること自体は引用発明に開示されていることであるから、第２引用例に用途に関して特段明記がなくとも、引用発明に第２引用例開示事項を適用することに格別の困難があるとすることができない。また、特性については、第２引用例第４２段落（上記摘記部分（ｈ）参照）に、優れた絶縁特性を有することが確認された旨開示されており、絶縁膜としての使用が示唆されていると解することができるから、当業者にとっては、薄膜磁気ヘッドの絶縁膜に適用することは容易に想到しうるものである。
　
　以上の検討を総合すると、第２引用例及び周知例に開示された技術事項に基づいて、上記相違点について本願発明のようにすることは当業者が容易に想到しうるものであり、その作用効果も当業者が予測しうるものにすぎない。
　
　
５．むすび
　以上のとおりであって、本願の請求項１６に係る発明は、引用発明及び第２引用例等に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。