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　特願２０１２−２１３７３４「一体的ファラデーシールドを備えた多層電子構造体」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１２月１２日出願公開、特開２０１３−２５１５２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　
　本願は、平成２４年９月２７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２０１２年５月３０日　米国）の出願であって、平成２８年８月１５日付けで拒絶理由が通知なされ、これに対し、同年１１月４日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされ、平成２９年４月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１９日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされた。
　
第２．平成２９年９月１９日にされた手続補正についての補正却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２９年９月１９日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正における特許請求の範囲の請求項１
　平成２９年９月１９日にされた手続補正により、補正前の特許請求の範囲の請求項１について、
　
「【請求項１】
誘電材料内に封入される少なくとも１個の機能金属構成要素を含み、かつ外部電磁場からの干渉から前記少なくとも１個の機能金属構成要素をシールドするための、かつ前記少なくとも１個の機能金属構成要素からの電磁放出を防ぐための、前記誘電材料内に少なくとも１個のファラデーバリアを更に備える多層電子支持構造体であって、
前記少なくとも１個の機能金属構成要素が、上下に隣接するフィーチャ層を連結するビア柱を備え、前記ビア柱の層内に位置し、
前記ビア柱の直流抵抗は、前記少なくとも１個の機能金属構成要素の直流抵抗より低いことを特徴とする、多層電子支持構造体。」
　
とあったものが、
　
「【請求項１】
ポリマー
複数
信号キャリア
と前記信号キャリア
にファラデー
を提供するため
複数の面内
シールド
と
含み、電気メッキされたビア柱を含むビア柱の層と電気メッキされたフィーチャを含むフィーチャ層とが交互に配置され
少なくとも１個の
前記信号キャリア
前記
前記
前記ビア柱の直流抵抗は、前記
信号キャリア
く、
前記信号キャリア要素、及び前記面内ファラデーシールドバリアは、ラミネーション加工の前に、電気メッキによって同時に堆積された
　
と補正された。（下線は補正事項を示している。）
　
２．補正の適否
（１）補正事項
　上記補正は、
ア．請求項１に記載された「誘電材料」について、「
ポリマー
イ．請求項１に記載された「少なくとも１個の機能金属構成要素」について、個数を「複数」に限定し、さらに、機能金属構成要素の機能を「
信号キャリア
ウ．請求項１に記載された「少なくとも１個のファラデーバリア」について、個数を「複数」に限定し、また、「
面内
シールド
面内
シールド
前記信号キャリア
にファラデー
を提供するため
　
エ．請求項１に記載された「多層電子支持構造体」について、「
電気メッキされたビア柱を含むビア柱の層と電気メッキされたフィーチャを含むフィーチャ層とが交互に配置され
前記信号キャリア要素、及び前記面内ファラデーシールドバリアは、ラミネーション加工の前に、電気メッキによって同時に堆積され
（２）新規事項について
　上記「ウ．」の、「ファラデーバリア」を「
面内
シールド
　まず、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「当初明細書等」という。）には、シールドに関して「ファラデーシールド」、「ファラデーバリア」、「ファラデーケージ」なる記載が認められるが、これらは同一のシールドに関して用いられている（以下、まとめて「ファラデーシールド」という）。しかしながら、「
面内
シールド
　この点について審判請求人は、審判請求書において「（ｂ）補正の内容及び根拠の明示」の「Ａ）補正後請求項１について」の項において「
面内
シールド
　しかしながら、図３（及び段落【００５８】）を参照すると、導体３０１、３０２、３０３、３０４、３０５、３０６、３０７、３０８が３層サブ回路（請求項１における「信号キャリア要素」）を形成することは記載されているが、導体３０１、３０３、３０７が、導体３０２、３０４、３０５、３０６、３０８にシールドを提供することは記載されていない。
　したがって、上記主張は認められない。
　よって、当初明細書等に、「
面内
シールド
　したがって、本件補正における請求項１の補正は、当初明細書等に記載された事項、又は当初明細書等の記載から自明な事項であるとはいえないから、本件補正は、当初明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術事項を導入しないものであるとはいえず、特許法第１７条の２第３項に規定に違反するものである。
（３）補正の目的要件について
　上記「ア．」「イ．」及び上記「エ．」については、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　しかしながら、上記「ウ．」についての、「外部電磁場からの干渉から前記少なくとも１個の機能金属構成要素をシールドするための、かつ前記少なくとも１個の機能金属構成要素からの電磁放出を防ぐため」のものであったのを、「
前記信号キャリア
にファラデー
を提供するため
　前者では、ファラデーバリアが、外部電磁場からの干渉と金属構成要素からの電磁放出の両方のためのものであったものを、後者では、
面内
シールド
　また、第１号に掲げる請求項の削除、第３号に掲げる誤記の訂正、第４号に掲げる拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことも明らかである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の各号に掲げるいずれの目的とするものにも該当しない。
３．結語
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反し、また、特許法第１７条の２第５項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当せず、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成２９年９月１９日にされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２０に係る発明は、平成２８年１１月４日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載された事項により特定されたものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、上記「第２．１．」に本件補正前の請求項１として記載した以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
誘電材料内に封入される少なくとも１個の機能金属構成要素を含み、かつ外部電磁場からの干渉から前記少なくとも１個の機能金属構成要素をシールドするための、かつ前記少なくとも１個の機能金属構成要素からの電磁放出を防ぐための、前記誘電材料内に少なくとも１個のファラデーバリアを更に備える多層電子支持構造体であって、
前記少なくとも１個の機能金属構成要素が、上下に隣接するフィーチャ層を連結するビア柱を備え、前記ビア柱の層内に位置し、
前記ビア柱の直流抵抗は、前記少なくとも１個の機能金属構成要素の直流抵抗より低いことを特徴とする、多層電子支持構造体。」
２．引用文献・引用発明
　原査定の拒絶の理由において引用された、国際公開９８／４７３３１号（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。（下線部は、当審において付加した。）
　
ア．「技術分野 
　本発明は複数の配線層を有する配線基板に関し、特に電磁障害の小さな配線基板に関する。また生産性が高く、高密度実装に的した構造を有する配線基板に関する。 
　また本発明は配線基板の製造方法に関し、特に高密度実装に適した配線基板を高い生産性で製造することができる配線基板の製造方法に関する。 
　さらに本発明は半導体パッケージに関し、特に電磁障害が小さな半導体パッケージに関する。また集積度の高い半導体素子を搭載した半導体パッケージに関する。」（１頁４〜１３行）
　
イ．「（実施例２） 
　図３は本発明の配線基板の構成の別の例を概略的に示す断面図であり、図４、図５、図６は図３の配線基板の別の方向の断面構造を概略的に示す図である。図４では図３のＢＢ方向の断面を、図５では図３のＣＣ方向の断面を、図６では図５のＤＤ方向の断面をそれぞれ概略的に示している。なお図３は図６のＥＥ方向の断面構造に対応している。
　
この配線基板は、異なる配線層に形成された線路１１Ｌと線路１３Ｌとを導電性ピラー７Ｌにより層間接続するとともに、その周囲を導体層１０Ｓ、１４Ｓ、シールドパターン１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓおよび導電性ピラー７Ｓとによりシールドしたものである
ウ．「
各配線層はプリプレグなどの絶縁層２１により絶縁されており
導電性ピラー７Ｌ、７Ｓは絶縁層を貫通して各導体層の層間接続を行っている
線路１１Ｌと線路１３Ｌとは、絶縁層２１を貫通して配設された導電性ピラー７Ｌとビアランド１２Ｖとにより層間接続されている
導体層１０Ｓと導体層１４Ｓとは、導電性ピラー７Ｓとシールドパターン１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓとにより層間接続されている
　本発明ではこのような構成を採用することにより、多層配線基板内で複数の配線層にわたって配設された線路についても効果的に遮蔽することができる。 
　また、線路１１Ｌと線路１３Ｌとの層間接続を行う導電性ピラー７Ｌとビアランド１２Ｖからなる線路の伸長方向に対しては、シールドのための導電性ピラー１２Ｓはその中心軸がほぼ平行になっている。このような配線基板の層間接続を行う線路の周囲を導電性ピラー７Ｓにより取り囲むことにより、配線基板の表面と平行な線路のみならず層間接続部も遮蔽することができるようになる。導電性ピラー７Ｌを用いて配線基板表面の半導体素子等の電子部品への接続端子への層間接続を行うとともに、この層間接続部の遮蔽を前述のように行うことにより、配線基板の線路を、搭載する電子部品の端子の近傍まで遮蔽することができる。したがって半導体パッケージ、ＭＣＭ等の電磁障害を効果的に防止する ことができる。」（３３頁１０行〜３４頁４行）
　
エ．「産業上の利用可能性 
　以上説明したように、本発明の配線基板によれば
配線基板の内層の配線層の線路の周囲を３６０°にわたって効果的にシールドすることができる。これにより、例えば線路からの不要な輻射に起因する悪影響が、配線基板内の他の線路、配線基板に搭載された電子部品、あるいは配線基板の外側へ及ぶのを防ぐことができる。また線路Ｌへの、これらの部分からの悪影響も排除することができる
　
オ．図３（注：図における「１２Ｌ」は「１２Ｖ」の誤記と認められる。）
　
　
カ．図４
キ．図５　
　
　上記引用文献の記載及び関連する図面には以下の事項が記載されている。
　
ａ．上記イ．、ウ．の記載及び、図３〜５によれば、引用文献には、異なる配線層に形成された線路１１Ｌと線路１３Ｌとを導電性ピラー７Ｌとビアランド１２Ｖにより層間接続された線路が、記載されている。
　また、上記イ．には、配線基板が、上記線路と、その線路をシールドする、導体層１０Ｓ、１４Ｓ、シールドパターン１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓおよび導電性ピラー７Ｓとよりなるシールドからなる、ことが記載されている。
　したがって、引用文献には、異なる配線層に形成された線路１１Ｌと線路１３Ｌとを導電性ピラー７Ｌと導電性ピラー７Ｌ間のビアランド１２Ｖにより層間接続された線路と、その線路をシールドする、絶縁層２１内の導体層１０Ｓ、１４Ｓ、シールドパターン１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓおよび導電性ピラー７Ｓとよりなるシールドと、からなる配線基板、が記載されているといえる。
ｂ．上記ウ．には、各配線層はプリプレグなどの絶縁層２１により絶縁されること、及び、線路１１Ｌと線路１３Ｌとは、絶縁層２１を貫通して配設された導電性ピラー７Ｌとビアランド１２Ｖとにより層間接続される、ことが記載されている。
　また、図３〜図５から、線路１１Ｌと線路１３Ｌの間の絶縁層中にビアランド１２Ｖが配置されること、さらに、ピラー７Ｌは、絶縁層２１を貫通して線路１１Ｌとビアランド１２Ｖ、ビアランド１２Ｖと線路１３Ｌ、を各々連結する、ことが読み取れる。
　してみれば、引用文献には、上記線路は、プリプレグなどの絶縁層２１により絶縁された線路１１Ｌと線路１３Ｌと、線路１１Ｌと線路１３Ｌの間の絶縁層中のビアランド１２Ｖと、絶縁層２１を貫通して線路１１Ｌとビアランド１２Ｖ、ビアランド１２Ｖと線路１３Ｌ、の各々を連結するピラー７Ｌとからなる、ことが記載されているといえる。
　　　
ｃ．上記ウ．には、導電性ピラー７Ｓは絶縁層を貫通して各導体層の層間接続を行うこと、及び、導体層１０Ｓと導体層１４Ｓとは、導電性ピラー７Ｓとシールドパターン１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓとにより層間接続される、ことが記載されている。
　また、図３〜図５から、導体層１０Ｓは線路１１Ｌの上の絶縁層２１中に配置され、導体層１４Ｓは線路１３Ｌの下の絶縁層２１中に配置され、シールドパターン１１Ｓは線路１１Ｌと同じ層に配置され、シールドパターン１２Ｓはビアランド１２Ｖと同じ層に配置され、シールドパターン１３Ｓは線路１３Ｌと同じ層に配置され、ピラー７Ｓは絶縁層２１を貫通して、導体層１０Ｓとシールドパターン１１Ｓ、シールドパターン１１Ｓとシールドパターン１２Ｓ、シールドパターン１２Ｓとシールドパターン１３Ｓ、シールドパターン１３Ｓと導体層１４Ｓ、を各々連結している、ことが読み取れる。
　してみれば、引用文献には、上記シールドは、線路１１Ｌの上の絶縁層２１中に配置される導体層１０Ｓと、線路１３Ｌの下の絶縁層２１中に配置される導体層１４Ｓと、線路１１Ｌと同じ層に配置されるシールドパターン１１Ｓと、ビアランド１２Ｖと同じ層に配置されるシールドパターン１２Ｓと、線路１３Ｌと同じ層に配置されるシールドパターン１３Ｓと、絶縁層２１を貫通して、導体層１０Ｓとシールドパターン１１Ｓ、シールドパターン１１Ｓとシールドパターン１２Ｓ、シールドパターン１２Ｓとシールドパターン１３Ｓ、シールドパターン１３Ｓと導体層１４Ｓ、の各々を連結するピラー７Ｓとからなる、ことが記載されているといえる。
ｄ．上記エ．には、配線基板は、シールドが配線基板の内層の配線層の線路の周囲を３６０°にわたって効果的にシールドすることができ、線路からの不要な輻射に起因する悪影響が、配線基板内の他の線路、配線基板に搭載された電子部品、あるいは配線基板の外側へ及ぶのを防ぐことができ、また線路への、これらの部分からの悪影響も排除することができる、ことが記載されている。
　
　以上総合すると、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
　
「異なる配線層に形成された線路１１Ｌと線路１３Ｌとを導電性ピラー７Ｌとビアランド１２Ｖにより層間接続された線路と、その線路をシールドする導体層１０Ｓ、１４Ｓ、シールドパターン１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓおよび導電性ピラー７Ｓとよりなるシールドと、からなる配線基板において、
　上記線路は、
　　プリプレグなどの絶縁層２１により絶縁された線路１１Ｌと線路１３Ｌ　　と、
　　線路１１Ｌと線路１３Ｌの間の絶縁層中のビアランド１２Ｖと、
　　絶縁層２１を貫通して、線路１１Ｌとビアランド１２Ｖ、ビアランド１　　２Ｖと線路１３Ｌ、の各々を連結するピラー７Ｌとからなり、
　上記シールドは、
　　線路１１Ｌの上の絶縁層２１中に配置される導体層１０Ｓと、
　　線路１３Ｌの下の絶縁層２１中に配置される導体層１４Ｓと、
　　線路１１Ｌと同じ層に配置されるシールドパターン１１Ｓと、
　　ビアランド１２Ｖと同じ層に配置されるシールドパターン１２Ｓと、
　　線路１３Ｌと同じ層に配置されるシールドパターン１３Ｓと、
　　絶縁層２１を貫通して、導体層１０Ｓとシールドパターン１１Ｓ、シー　　ルドパターン１１Ｓとシールドパターン１２Ｓ、シールドパターン１２　　Ｓとシールドパターン１３Ｓ、シールドパターン１３Ｓと導体層１４Ｓ　　、の各々を連結するピラー７Ｓとからなっており、
　上記シールドが配線基板の内層の配線層の上記線路の周囲を３６０°にわたって効果的にシールドすることができ、上記線路からの不要な輻射に起因する悪影響が、配線基板内の他の線路、配線基板に搭載された電子部品、あるいは配線基板の外側へ及ぶのを防ぐことができ、また、上記線路への、これらの部分からの悪影響も排除することができる、
　配線基板。」
３．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
ア．配線基板における絶縁層を誘電材料で構成することは技術常識であるから、引用発明の「絶縁層２１」は、本願発明の「誘電材料」に相当する。
　また、引用発明の「線路」は、電流のための線路であって金属から構成されていることは明らかである。また、線路１１Ｌと線路１３Ｌとはプリプレグなどの絶縁層２１により絶縁され、導電性ピラー７Ｓは絶縁層２１を貫通するものであって、ビアランド１２Ｖは絶縁層２１中にあるものである。
　したがって、引用発明の「線路」を構成する「プリプレグなどの絶縁層２１により絶縁された線路１１Ｌと線路１３Ｌ」、「線路１１Ｌと線路１３Ｌの間の絶縁層中のビアランド１２Ｖ」、「絶縁層２１を貫通して、線路１１Ｌとビアランド１２Ｖ、ビアランド１２Ｖと線路１３Ｌ、の各々を連結するピラー７Ｌ」は、本願発明の「誘電材料内に封入される少なくとも１個の機能金属構成要素」に相当する。
イ．引用発明の「シールド」は、導体である導体層１０Ｓ、１４Ｓ、シールドパターン１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓおよび導電性ピラー７Ｓによって、線路を構成する線路１１Ｌ、線路１３Ｌ、ビアランド１２Ｖ、ピラー７Ｌの周囲を３６０°にわたってシールドしており、導体によって線路を囲っているものと認められ、いわゆるファラデーバリアといえる。
　また、引用発明のシールドを構成する「導体層１０Ｓ、１４Ｓ、シールドパターン１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓおよび導電性ピラー７Ｓ」は、絶縁層内にあり、また、シールドは線路からの不要な輻射に起因する悪影響が、配線基板内の他の線路、配線基板に搭載された電子部品、あるいは配線基板の外側へ及ぶのを防ぐことができ、また線路Ｌへの、これらの部分からの悪影響も排除することができるものである。
　したがって、引用発明の「その線路をシールドする絶縁層２１内の導体層１０Ｓ、１４Ｓ、シールドパターン１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓおよび導電性ピラー７Ｓとによりなるシールド」は、本願発明の「外部電磁場からの干渉から前記少なくとも１個の機能金属構成要素をシールドするための、かつ前記少なくとも１個の機能金属構成要素からの電磁放出を防ぐための、前記誘電材料内に少なくとも１個のファラデーバリア」に相当する。
ウ．引用発明の「配線基板」は、異なる層からなる線路とシールドからなり、多層の配線基板と認められ、また、配線基板は電子部品を支持する構造体といえるから、本願発明の「多層電子支持構造体」に相当する
　したがって、引用発明の「異なる配線層に形成された線路１１Ｌと線路１３Ｌとを導電性ピラー７Ｌとビアランド１２Ｖにより層間接続された線路と、その線路をシールドする、絶縁層２１内の導体層１０Ｓ、１４Ｓ、シールドパターン１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓおよび導電性ピラー７Ｓとよりなるシールドからなる、配線基板」は、本願発明の「誘電材料内に封入される少なくとも１個の機能金属構成要素を含み、かつ外部電磁場からの干渉から前記少なくとも１個の機能金属構成要素をシールドするための、かつ前記少なくとも１個の機能金属構成要素からの電磁放出を防ぐための、前記誘電材料内に少なくとも１個のファラデーバリアを更に備える多層電子支持構造体」に相当する。
エ．また、引用発明の線路の「ピラー７Ｌ」は、本願発明の「ビア柱」に相当する。
　そして、引用発明において「線路１１Ｌ」と「ビアランド１２Ｖ」、「ビアランド１２Ｖ」と「線路１３Ｌ」は、上下に隣接し、「ピラー７Ｌ」で連結しているといえるから、引用発明の線路における「線路１１Ｌ」、「ビアランド１２Ｖ」、「線路１３Ｌ」は、本願発明の「フィーチャ層」に相当し、また、「ピラー７Ｌ」が、「ピラー７Ｌ」がある層内にあることは明らかである。
　したがって、引用発明の「上記線路は、プリプレグなどの絶縁層２１により絶縁された線路１１Ｌと線路１３Ｌと、線路１１Ｌと線路１３Ｌの間の絶縁層中のビアランド１２Ｖと、絶縁層２１を貫通して、線路１１Ｌとビアランド１２Ｖ、ビアランド１２Ｖと線路１３Ｌ、の各々を連結するピラー７Ｌとからな」ることは、本願発明の「前記少なくとも１個の機能金属構成要素が、上下に隣接するフィーチャ層を連結するビア柱を備え、前記ビア柱の層内に位置する」に相当する。
　　
　但し、本願発明では、「前記ビア柱の直流抵抗は、前記少なくとも１個の機能金属構成要素の直流抵抗より低い」ものであるの対して、引用発明では、「ピラー７Ｌ」に関してその旨の特定がされていない点で相違する。
　したがって、本願発明と引用発明は、以下の点で一致ないし相違する。
　
（一致点）  　
「誘電材料内に封入される少なくとも１個の機能金属構成要素を含み、かつ外部電磁場からの干渉から前記少なくとも１個の機能金属構成要素をシールドするための、かつ前記少なくとも１個の機能金属構成要素からの電磁放出を防ぐための、前記誘電材料内に少なくとも１個のファラデーバリアを更に備える多層電子支持構造体であって、
前記少なくとも１個の機能金属構成要素が、上下に隣接するフィーチャ層を連結するビア柱を備え、前記ビア柱の層内に位置する、
　多層電子支持構造体。」
　
　
（相違点）
　本願発明では、「前記ビア柱の直流抵抗は、前記少なくとも１個の機能金属構成要素の直流抵抗より低い」ものであるの対して、引用発明では、その旨の特定がされていない点。　　
　
　以下、上記相違点について検討する。
　多層基板における、線路、ピラーの抵抗をどのように設定するかは設計的事項に過ぎない。
　そして、層間接続を行う際に、層間接続部分の抵抗が低い方が層間での伝送損失等を減らせるのは明らかである。
　してみれば、引用発明において層間接続部分の抵抗を低くするために、線路１１Ｌと線路１３Ｌとの層間接続部分であるピラーの抵抗を線路１１Ｌと線路１３Ｌより低く設定することで、本願発明における相違点の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。　
　
　そして、本願発明の効果も、引用発明から当業者が予測できる範囲のものである。
　　
　したがって、本願発明は、上記引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである。　
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。