【手続補正書】
【提出日】平成22年5月27日(2010.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気環境と真空環境との間で基板を移送する方法であって、
第１の未処理基板を大気環境から、ロードロックチャンバ本体に形成されている第１の基板移送キャビティに配置されている第１の基板サポートに移送するステップであって、前記第１の移送キャビティは第１の処理済み基板が第２の基板サポート上に位置決めされているステップと、
前記第１の未処理基板と前記第１の処理済み基板を含む前記第１の移送キャビティを真空にするステップと、
前記第１の未処理基板を前記第１の基板サポートから真空環境に移送するステップと、
第２の処理済み基板を前記真空環境から前記第１の基板サポートに移送するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記第１の基板移送キャビティを換気するステップと、
前記第１の処理済み基板を前記第２の基板サポートから前記大気環境に移送するステップと、
第２の未処理基板を前記大気環境から前記第２の基板サポートに移送するステップと、
前記第２の未処理基板および前記第２の処理済み基板を含む前記第１の基板移送キャビティを真空にするステップと、
前記第２の未処理基板を前記第２の基板サポートから前記真空環境に移送するステップと、
第３の処理済み基板を前記真空環境から前記第２の基板サポートに移送するステップと、
前記第３の処理済み基板および前記第２の処理済み基板を含む前記第１の基板移送キャビティを換気するステップと、
前記第２の処理済み基板を前記第１の基板サポートから前記周囲環境に移送するステップと、
第３の未処理基板を前記周囲環境から前記第１の基板サポートに移送するステップと、
前記第３の未処理基板および前記第３の処理済み基板を含む前記第１の基板移送キャビティを真空にするステップと、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第２の未処理基板を前記大気環境から、前記ロードロックチャンバ本体に形成されている第２の基板移送キャビティに配置されている第３の基板サポートに移送するステップであって、前記第２の移送キャビティは第３の処理済み基板が第４の基板サポート上に位置決めされているステップと、
前記第２の移送キャビティを真空にするステップと、
前記第２の未処理基板を前記第３の基板サポートから前記真空環境に移送するステップと、
第４の処理済み基板を前記真空環境から、前記第３の基板サポートに移送するステップと、
前記第２の基板移送キャビティを換気するステップと、
前記第３の処理済み基板を前記第４の基板サポートから前記大気環境に移送するステップと、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第３の未処理基板を前記大気環境から前記第４の基板サポートに移送するステップと、
前記第３の未処理基板および前記第４の処理済み基板を含む前記第２の基板移送キャビティを真空にするステップと、
前記第３の未処理基板を前記第４の基板サポートから前記真空環境に移送するステップと、
第５の処理済み基板を前記真空環境から前記第４の基板サポートに移送するステップと、
前記第４および第５の処理済み基板を含む前記第２の基板移送キャビティを換気するステップと、
前記第４の処理済み基板を前記第３の基板サポートから前記周囲環境に移送するステップと、
第３の未処理基板を前記周囲環境から前記第３の基板サポートに移送するステップと、
前記第３の未処理基板および前記第５の処理済み基板を含む前記第２の基板移送キャビティを真空にするステップと、
をさらに備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の未処理基板を前記真空環境から、前記チャンバ本体に形成されている加熱チャンバに移送するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記加熱ステップがさらに、
前記基板を真空条件下で加熱する工程を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記加熱ステップがさらに、
前記加熱チャンバを移送チャンバからシールする工程と、
前記加熱チャンバ内の圧力を上昇させる工程と、
を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記加熱された未処理基板を前記加熱チャンバから前記真空環境に移送するステップをさらに備える、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
大気環境と真空環境との間で基板を移送する方法であって、
第１の未処理基板を大気環境から、ロードロックチャンバ本体に形成されている第１の基板移送キャビティに配置されている第１の基板サポートに移送するステップであって、前記第１の基板移送キャビティは第１の処理済み基板が第２の基板サポートに位置決めされているステップと、
前記第１の未処理基板と前記第１の処理済み基板を含む前記第１の基板移送キャビティを真空にするステップと、
前記第１の未処理基板を前記第１の基板サポートから真空環境に移送するステップと、
第２の処理済み基板を前記真空環境から前記第１の基板サポートに移送するステップと、
を備え、
前記第１の処理済み基板が相対的に冷却される場合に、前記第１の基板サポートを用いて前記ロードロックチャンバ本体の近傍に移動され、それによって、前記第１の処理済み基板および前記ロードロックチャンバ本体間の熱交換を促進する方法。
【請求項１０】
前記第１の処理済み基板が移動されて前記ロードロックチャンバ本体と接触する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の基板サポートと前記第２の基板サポートが前記第１の基板移送キャビティ内で垂直に整列される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の基板サポートと前記第２の基板サポートとの垂直配列を選択的に調整するステップであって、前記第１の基板サポートと前記第２の基板サポートが独立して移動可能である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の基板サポートと前記第２の基板サポートは、前記第１の基板移送キャビティ内で互いに相対的に垂直に移動可能である、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
第１の基板移送キャビティを中に画成しているチャンバ本体と、
前記第１の基板移送キャビティに配置され、かつ第１の高さと第２の高さとの間で移動可能な基板サポートと、
前記第１の基板移送キャビティの天井に形成されており、かつ前記第２の高さで配置される場合に前記基板サポートの少なくとも一部を受けるように構成されている複数の溝と、
前記第１の基板移送キャビティの下方の前記チャンバ本体に形成されている第２の基板移送キャビティであって、基板サポートを中に配置しており、かつ第１の高さと第２の高さとの間で移動可能な第２の基板移送キャビティと、
前記第２の基板移送キャビティの前記天井に形成されており、かつ前記第２の高さで配置される場合に前記基板サポートの少なくとも一部を受けるように構成されている複数の溝と、
前記チャンバ本体に形成されている加熱キャビティであって、前記加熱チャンバが前記第１および第２の基板移送キャビティ間に配置される加熱キャビティと、
前記本体に配置されている熱移送流体を前記加熱キャビティと前記第１の移送キャビティとの間で循環させるように適合されている複数の通路と、
を備える、ロードロックチャンバ。
【請求項１５】
複数の基板移送スロットを有する第１の移送キャビティと、
複数の基板移送スロットを有する第２の移送キャビティと、
複数の基板移送スロット間の少なくとも一つの移送キャビティ内に配置された分離プレートであって、前記分離プレートは、前記移送キャビティ内で冷却領域及び加熱領域に各移送キャビティを分岐させる、前記分離プレートと、
熱移送流体源に結合された前記分離プレートに配置された複数のチャネルと、
を備える、ロードロックチャンバ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
[0032]一実施形態では、スペーサ３１２、３１４はディスクである。このディスクは、組み立てを容易にするために本体アセンブリ２０２を固定するのに利用されるボルト２８２周辺に配置されているワッシャであってもよい。スライディングコンポーネント（例えば、スペーサ３１２、３１４）が本体２４８の上部表面３０４に比べて小さな接触面積を有しているので、運動を開始するのに必要な力は削減される。加えて、スペーサ３１２、３１４の接触表面がガスケット３８６の外側にあるので、スペーサ３１２、３１４のスライディング時に発生されるいかなる粒子も、ロードロックチャンバ１０４の内部容積２２０に入るのを有効に防止される。スペーサ３１６はリブまたは他の特徴の形態であってもよく、プレートと本体との間に延びて、これらの間のギャップを維持することが想定されている。スペーサがプレートまたは本体のいずれかに組み込まれてもよいことも想定されている。スペーサ３１６は、プレートと本体との間に延びて、これらの間のギャップを維持するリブまたは他の特徴の形態であってもよい点が想定されている。スペーサはプレートまたは本体のいずれかに組み込まれ（つまり、一体型構造を有し）てもよい点も想定されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
[0034]ロードロックチャンバ１０４の上部プレート２０４に印加された力の影響をさらに最小化するために、少なくとも１つのスロット３１８が上部プレート２０４の中に形成される。スロット３１８によって上部プレート２０４の中央領域は移動、偏向および／または膨張することができ、上部プレートの縁部への運動の影響を最小化する。シールアセンブリ３２０が、ロードロックチャンバ１０４の内部容積２２０への漏洩を防止するために、スロット３１８に配置されている。図３に描かれている実施形態では、シールアセンブリ３２０は、クランプブロック３２４によって上部プレート２０４に留めつけられているガスケットやベローズ３２２を含む。同様に、底部プレート２０６は、上記のように、シールアセンブリ３２０によってシールされている少なくとも１つのスロット３３０を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
[0045]図４Ｂは、ロードロックチャンバの内部の別の実施形態の部分当尺図である。図４Ｂに描かれている実施形態では、下部基板サポート４４４の高さをコントロールするアクチュエータ４０４は、上部基板サポート４４２に形成されている特徴部４４０を通過することによって、アクチュエータ４０２、４０６の整列を可能にする。したがって、基板サポート４４２、４４４は、ロードロックチャンバの内部容積内の同一の投影表面積（例えば、底面積）を有するように構成されてもよく、これによってロードロックチャンバ本体の壁は基板サポート４４２、４４４の近くに配置されることが可能になり、これはロードロックチャンバの内部容積を削減して、ポンピングおよび換気の回数の削減を効果的にもたらす。図４Ｂに描かれている実施形態では、特徴部４４０は、上部基板サポート４４２を通って形成された孔である。特徴部４４０は代替的に、下部基板サポート４４４の高さをコントロールするアクチュエータ４０２が、上部基板サポート４４２による妨げなしで下部サポートプレート４４４に結合されるようにする上部および下部基板サポート４４２、４４４間の刻み目、溝、スロット、切欠きまたは他の幾何学的差であってもよいことが想定されている。複数対のアクチュエータ４０２、４０４は、図４Ｃに示されているように、上部アクチュエータ４０２のロッド４６２および上部基板サポート４４２の特徴部４４０に入れ子にされた（ｔｅｌｅｓｃｏｐｉｎｇ）下部アクチュエータの起動ロッド４６４と同心円状に整列されてもよいことが想定されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
[0052]コントローラ２８０がロードロックチャンバ１０４に結合されて、ロードロックチャンバ１０４の動作をコントロールする。コントローラ２８０は中央演算処理装置（ＣＰＵ）２８２と、サポート回路２８６とメモリ２８４とを含む。ＣＰＵ２８２は、種々のチャンバおよびサブプロセッサをコントロールするための工業設定で使用可能な任意の形態のコンピュータプロセッサのうちの１つであってもよい。サポート回路２８６は、従来のようにプロセッサをサポートするためにＣＰＵ２８２に結合される。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路、サブシステムなどを含む。メモリ２８４はＣＰＵ２８２に結合される。メモリ２８４やコンピュータ読み取り可能な媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、あるいは他の形態のローカルまたはリモートのディジタル記憶装置などの容易に入手可能なメモリの１つ以上であってもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
[0060]図７は、大気環境と真空環境との間で基板を移送する方法７００の別の実施形態の流れ図である。一実施形態では、方法７００は、未処理基板を大気環境から、ロードロックチャンバ本体アセンブリ２０２の第１の移送キャビティ２０８に配置されている第１の基板サポートに移送することによってステップ７０２から開始する。ステップ７０２において、第１の基板移送キャビティは、第１の未処理基板を第１の基板移送キャビティの中に配置している間に真空にされる。ステップ７０６において、第１の未処理基板は第１の基板サポートから真空環境に移送される。ステップ７０８において、未処理基板は、ロードロックチャンバ本体アセンブリ２０２の加熱キャビティ２１２に配置されている第２の基板サポートに移送される。ステップ７０８において、未処理基板は任意に、加熱されたキャビティ２１２への移送前に１つ以上のプロセスを受けてもよい。ステップ７１０において、第１の未処理基板は加熱キャビティ２１２で加熱される。この方法は、加熱キャビティ２１２に配置されている第２の基板サポートから真空環境に加熱された第１の未処理基板を移送して、この基板を処理することによってステップ７１２で継続する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
[0066]上部移送キャビティ８０６の冷却領域にサポートされている基板は、上部および下部移送キャビティ８０６、８０８を分離する分離プレート８３０および／または熱調節内部壁８２８によって冷却される。壁８２８は一般的に１つ以上の通路８２４を含んでおり、これを介して、源８２６によって提供された熱移送流体が循環される。冷却領域が分離プレート８３０上に定義されることもあるのに対して、加熱領域は分離プレート８３０の下方に定義されることが想定されている。熱移送キャビティ８０８は同様に構築される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
[0067]圧力調節システム２５０が、上記のように移送キャビティ８０８、８０６内の圧力をコントロールするために提供される。各キャビティ８０６、８０８は、ファクトリインタフェース１０２に面する基板アクセスポート８１６を１つと、移送チャンバ１０６に面する単一の第２の基板アクセスポート８１６とを含む。したがって、移送キャビティ８０６、８０８に画成されている基板格納スロット８１０、８１２、８２０、８２２の各々は単一ポート８１６を介してロボット制御でアクセス可能である。各基板アクセスポートは、アクチュエータ８０４によって選択的に開閉される単一のバルブドア８１４によって選択的にシールされる。スリットバルブドア８１４は上記のように構築されてもよい。