【事件の表示】
　平成１０年特許願第　５９３７８号「半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　９月２４日出願公開、特開平１１−２６１１０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年３月１１日に出願された特許出願であって、原審において、平成１４年９月３０日付で拒絶理由が通知され、同年１１月２９日付で手続補正がなされたところ、平成１５年１１月２５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年１月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月４日に手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１６年２月４日付手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　　平成１６年２月４日付手続補正を却下する。
[理由]
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　サファイア基板と、前記サファイア基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成された第１導電型のクラッド層と、前記第１導電型のクラッド層上に形成され、ＢとＩｎとＧａとＮとを少なくとも含む活性層と、前記活性層上に形成された第２導電型のクラッド層と、を備え、前記活性層は、３．４２エレクトロンボルトよりも小さいエネルギー・ギャップを有することを特徴とする半導体発光素子。」
と補正された。
　
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「活性層」について、さらに「３．４２エレクトロンボルトよりも小さいエネルギー・ギャップを有する」との技術的限定を付加したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定された“特許請求の範囲の減縮”を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　　
（２）引用例
　原審の拒絶査定時に引用された特開平１０−３２３４９号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、
　ａ．「【０００１】　【発明の属する技術分野】
  この発明は、半導体の成長方法に関し、特に、ＧａＩｎＮ層などのＩｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上にその成長温度よりも高い成長温度で別の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる必要のある半導体装置、例えば半導体発光素子の製造に適用して好適なものである。」
　ｂ．「【０００２】　【従来の技術】
　ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮなどの窒化物（ナイトライド）系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、その禁制帯幅が１．８ｅＶから６．２ｅＶに亘っており、赤色から紫外線の発光が可能な発光素子の実現が理論上可能であるため、近年、注目を集めている。」
　ｃ．「【００１４】　この発明において、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層は、具体的には、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎおよびＢからなる群より選ばれた少なくとも一種のＩＩＩ族元素とＮとからなる。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のうちＩｎを含むものの具体例を挙げるとＧａＩｎＮ層であり、Ｉｎを含まないものの具体例を挙げるとＧａＮ、ＡｌＧａＮなどである。」
　ｄ．「【００３４】
　図９は、この発明の第３の実施形態による半導体発光素子の製造方法を説明するための断面図である。
　図９に示すように、この第３の実施形態による半導体発光素子の製造方法においては、第１および第２の実施形態と同様に、ｃ面サファイア基板１１のサーマルクリーニングを行った後、このｃ面サファイア基板１１上に例えば５１０℃の成長温度でＧａＮバッファ層（図示せず）を成長させる。次に、成長温度を例えば約１０００℃まで上昇させ、このＧａＮバッファ層上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層１２、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１３およびｎ型ＧａＮ光導波層１４を順次成長させる。次に、成長温度を例えば７００〜８５０℃に下げ、ＧａＩｎＮ活性層１５およびｐ型ＧａＮキャップ層１６を順次成長させる。次に、成長温度を例えば約１０００℃まで上昇させ、ｐ型ＧａＮ光導波層１７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＧａＮコンタクト層１９を順次成長させる。ここで、ｎ型ＧａＮコンタクト層１２、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１３およびｎ型ＧａＮ光導波層１４のｎ型不純物（ドナー不純物）としては例えばＳｉを用い、ｐ型ＧａＮキャップ層１６、ｐ型ＧａＮ光導波層１７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＧａＮコンタクト層１９のｐ型不純物（アクセプタ不純物）としては例えばＭｇやＺｎを用いる。」
が記載されている。
　なお、上記ｂの「窒化物（ナイトライド）系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、その禁制帯幅が１．８ｅＶから６．２ｅＶに亘っており」は従来技術に関する記載であるが、本願明細書の全趣旨からみて、当該事項が本願発明にも当てはまることは明らかである。
　　
　したがって、上記ａ〜ｄの記載事項からみて引用例には、
「サファイア基板上にバッファ層、ｎ型コンタクト層、ｎ型クラッド層、ｎ型光導波路層、活性層、ｐ型キャップ層、ｐ型光導波路層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層を順次成長させた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子において、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、具体的には、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎおよびＢからなる群より選ばれた少なくとも一種のＩＩＩ族元素とＮとからなり、その禁制帯幅が１．８ｅＶから６．２ｅＶに亘っている窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子。」
との事項が開示されていると認めることができる（以下、「引用例発明」という。）。
　　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例発明とを以下に対比する。
　ア．引用例発明の「サファイア基板」、「バッファ層」、「ｎ型クラッド層」、「ｐ型クラッド層」、「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子」は、それぞれ本願補正発明の「サファイア基板」、「バッファ層」、「第１導電型のクラッド層」、「第２導電型のクラッド層」、「半導体発光素子」に相当し、
　イ．引用例発明の「活性層」は、「Ａｌ、Ｇａ、ＩｎおよびＢからなる群より選ばれた少なくとも一種のＩＩＩ族元素とＮとからなり」、構成元素としてＧａ、ＩｎおよびＢとＮとが例示されている点で、本願補正発明の「ＢとＩｎとＧａとＮとを少なくとも含む活性層」に一致し、
　ウ．引用例発明の「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」は、「その禁制帯幅が１．８ｅＶから６．２ｅＶに亘っている」のであるから、本願補正発明の「前記活性層は、３．４２エレクトロンボルトよりも小さいエネルギー・ギャップを有する」なる事項を含むことは明らかであるから、
　両者は、
「サファイア基板と、前記サファイア基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成された第１導電型のクラッド層と、前記第１導電型のクラッド層上に形成され、構成元素としてＧａ、ＩｎおよびＢとＮとが例示されている活性層と、前記活性層上に形成された第２導電型のクラッド層と、を備え、前記活性層は、３．４２エレクトロンボルトよりも小さいエネルギー・ギャップを有する半導体発光素子。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点］本願補正発明の活性層は、具体的な「ＢとＩｎとＧａとＮとを少なくとも含む活性層」であるのに対して、引用例発明の活性層には、「Ａｌ、Ｇａ、ＩｎおよびＢからなる群より選ばれた少なくとも一種のＩＩＩ族元素とＮとからなり」との例示はあるものの、当該活性層が、具体的な「ＢとＩｎとＧａとＮとを少なくとも含む活性層」であるか明らかではない点。
　　
（４）判断
　請求人は上記相違点に関し、
「また、新たに引用された引用文献６に関し、審査官殿が御指摘の段落〔００１４〕には、『窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層は、具体的には、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＢからなる群より選ばれた少なくとも一種のＩＩＩ族元素とＮとからなる。』と記載されている。
　しかし、この段落〔００１４〕には、『この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のうちＩｎを含むものの具体例を挙げるとＧａＩｎＮ層であり、Ｉｎを含まないものの具体例を挙げるとＧａＮ、ＡｌＧａＮなどである。』と記載されている。
　さらに引用文献６において、半導体発光素子として構成された第３の実施の形態における活性層１５は、ＧａＩｎＮ層から成っている。
　従って、引用文献６は、本願発明における『Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｎを少なくとも含む活性層』を開示するものではない。」（平成１６年２月４日付手続補正（方式）【請求の理由】（３）（ｄ）３頁３０〜４０行）
と主張している。
　しかしながら、サファイア基板上に具体的なＢＩｎＧａＮ層を形成することは、本願出願前に周知の技術事項にすぎない。
　例えば、
　ア．特開平９−８２５８７号公報には、「日本国特許願平成７年第２３４５２号の明細書に記載のＩｎＧａＮ，ＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＢＧａＮ，ＢＡｌＮ，
ＢＧａＩｎＮ
Ａｌ
２
Ｏ
３
（サファイア）基板
　イ．また、上記公報が引用する特願平７−２３４５２号（特開平８−２２２７９７号公報）には、その段落【００２５】の【表１】に、活性層として
ＢＧａＩｎＮ
　ウ．さらに、特開平８−２７４３７０号公報の段落【００１７】，【００１８】，【００３３】には、サファイア基板上に含窒素４元ＩＩＩ−Ｖ属化合物混晶の
ＢＧａＩｎＮ
　
　そして、引用例発明には、「窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、具体的には、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎおよびＢからなる群より選ばれた少なくとも一種のＩＩＩ族元素とＮとからなり」と、Ｂを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が例示されているのであるから、サファイア基板に形成される活性層として周知の、具体的な「ＢとＩｎとＧａとＮとを少なくとも含む活性層」を採用することに格別の困難性があるとはいえない。
　                             
　よって、本願補正発明は、引用例に記載された発明および上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１６年２月４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年１１月２９日付手続補正の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、次のものである。
「【請求項１】　サファイア基板と、前記サファイア基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成された第１導電型のクラッド層と、前記第１導電型のクラッド層上に形成され、ＢとＩｎとＧａとＮとを少なくとも含む活性層と、前記活性層上に形成された第２導電型のクラッド層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。」
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。
　　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明の「前記活性層は、３．４２エレクトロンボルトよりも小さいエネルギー・ギャップを有する」との構成を削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。