【事件の表示】
　特願２０００−１３７７５４「薄膜コイルおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月１６日出願公開、特開２００１−３１９３１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１２年５月１０日の出願であって、平成１５年５月２３日付け拒絶理由通知に対して、同年７月３１日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年９月５日付けで拒絶すべき旨の査定がされ、これに対し、同年１０月１７日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに、同年１１月１１日に明細書について手続補正書が提出された。
　更に、当審において、平成１８年６月１５日付けで、前記平成１５年１１月１１日付け手続補正を決定を以て却下するとともに、最後の拒絶理由を通知したところ、平成１８年７月２８日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２　平成１８年７月２８日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１８年７月２８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
〔理　由〕
１．本件補正の目的、及び本件補正後の請求項に係る発明
　本件補正は、特許請求の範囲についてするもので、請求項１，２，４，及び６のそれぞれにおいて、補正前に「前記第２の絶縁層の上に配置されたコイル形状の第２の導体パターン」とあった記載を、それぞれ「前記第２の絶縁層の上であって平坦な面の上に配置されたコイル形状の第２の導体パターン」とするものである。すると、本件補正は、補正前の上記各請求項にあった、コイル形状の第２の導体パターンの配置を限定するものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認める。
　
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項に規定する要件を満たすか）否かを、請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）について以下に検討する。
　
　本願補正発明を摘記すると次のとおりのものである。
「【請求項１】　コイル形状の第１の導体パターンと、
　前記第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、上面が平坦化された第１の絶縁層と、
　前記第１の絶縁層の上に配置された第２の絶縁層と、
　前記第２の絶縁層の上であって平坦な面の上に配置されたコイル形状の第２の導体パターンと、
　前記第１および第２の導体パターンの一方の端部同士を接続する第１の接続部と、
　前記第１および第２の導体パターンの他方の端部同士を接続する第２の接続部と
を備えたことを特徴とする薄膜コイル。」
　
２．引用例
（１）第１引用例
　当審における平成１８年６月１５日付け拒絶理由通知で引用した、本願出願前に頒布された刊行物である特開平５−８２３４９号公報（以下、「第１引用例」という）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
　
（ａ）
「絶縁基板上に複数の薄膜コイル導体をその厚み方向に絶縁層を介し重ねて多層化して設け、少なくとも前記薄膜コイル導体の巻き始め端部と巻き終わり端部でそれぞれ各薄膜コイル導体を電気的に接続したことを特徴とする渦巻状薄膜コイル。」（特許請求の範囲）
　
（ｂ）
「図１及び図２において、１は低誘電率の絶縁材のガラス、又はアルミナ等のセラミックで形成されている０.５mm厚の絶縁基板であり、その絶縁基板１上には、４ターンの渦巻状の薄膜コイル導体２Ａ,２Ｂ,２Ｃが絶縁層３Ａ,３Ｂを介して３層に積層されて設けられており、各層の薄膜コイル導体２Ａ,２Ｂ,２Ｃの巻き始め端部と巻き終わりが入出力端部４を構成している。前記薄膜コイル導体２Ａ,２Ｂ,２Ｃは、真空蒸着やスパッタ等により形成した厚さ２μｍのＣｕ導体薄膜をホトリソグラフィ技術によって幅６８μｍの渦巻状に形成したものであり、その薄膜コイル導体を含む面上に低誘電率で耐熱性に優れたポリイミド樹脂を塗布して厚さ２μｍの絶縁層を形成し、さらにその絶縁層上に薄膜コイル導体を同様に形成することを繰り返して積層することで多層化されている。この際、前記絶縁層３Ａ，３Ｂの少なくとも巻き始め端部と巻き終わり端部の部分はエッチング等の手段で穴をあけ、それら巻き始め端部及び巻き終わり端部では絶縁層を介さずに薄膜コイル導体２Ａ,２Ｂ,２Ｃのみを直接積層することで薄膜コイル導体２Ａ,２Ｂ,２Ｃ相互を電気的に接続した前記入出力端部４を構成している。」（第１２段落）
　
　以上の記載事項及び図面を総合勘案すると、第１引用例には次の発明が記載されているとすることができる（以下、「引用発明」という。）
「絶縁基板上に複数の渦巻状の薄膜コイル導体をその厚み方向に絶縁層を介し重ねて多層化して設け、少なくとも前記薄膜コイル導体の巻き始め端部と巻き終わり端部でそれぞれ各薄膜コイル導体を電気的に接続して入出力端部を構成したことを特徴とする渦巻状薄膜コイル。」
　
（２）第２引用例
　同じく当審における前記拒絶理由通知で引用した特開２０００−７６６２０号公報（以下、「第２引用例」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
　
（ｃ）
「【００７６】次に、図４に示したように、下部磁極先端部１９ａと下部接続部１９ｂとの間に形成された凹部領域に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の１層目の薄膜コイル２１を１．５〜２．５μｍの厚みで形成する。
【００７７】次に、図５に示したように、全面に、スパッタ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚３．０〜４．０μｍの絶縁層２０ｂを形成した後、例えばＣＭＰ法により表面を平坦化し、下部磁極先端部１９ａの表面を露出させる。このとき、本実施の形態では、薄膜コイル２１の表面も同時に露出するが、薄膜コイル２１の後述する２層目の薄膜コイル２４との接続部以外の表面部分は露出しなくてもよい。
【００７８】次に、図６に示したように、スパッタ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚０．２〜０．３μｍの記録ギャップ層２２を形成する。記録ギャップ層２２は、アルミナの他、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコン酸化物系、シリコン窒化物系の材料などにより形成するようにしてもよい。続いて、この記録ギャップ層２２をフォトリソグラフィーによりパターニングし、上部磁極と下部磁極との接続用の開口２２ａを形成する。」
　
（ｄ）
「【００８２】続いて、全面に、例えばスパッタ法またはＣＶＤ法により、膜厚約０．３〜０．６μｍの例えばアルミナからなる絶縁層２０ｃを形成する。続いて、この絶縁層２０ｃ上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の２層目の薄膜コイル２４を１．５〜２．５μｍの厚みで形成する。」
　
３．対比
　本願補正発明を、引用発明と比較すると、両者は「薄膜コイル」である点で共通している。
　更に、引用発明における「薄膜コイル導体」、並びに「巻き始め端部」及び「巻き終わり端部」は、それぞれ本願補正発明における「コイル形状の導体パターン」、並びに「第１の接続部」及び「第２の接続部」に相当する。
　引用発明の「絶縁層」は、薄膜コイル導体を絶縁するためのものである点に限り、本願補正発明の「第１の絶縁層」及び「第２の絶縁層」と共通するものである。
　又、引用発明において、多層化された薄膜コイル導体を単に表記の都合上「第１」及び「第２」として区別しうることは自明な事項にすぎない。
　
　すると、本願補正発明と、引用発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
　コイル形状の第１の導体パターンと、
　前記第１の導体パターンの巻線間を絶縁する絶縁層と、
　前記絶縁層の上に配置されたコイル形状の第２の導体パターンと、
　前記第１および第２の導体パターンの一方の端部同士を接続する第１の接続部と、
　前記第１および第２の導体パターンの他方の端部同士を接続する第２の接続部とを備えたことを特徴とする薄膜コイル。
　
　一方で以下の点において相違する。
＜相違点＞
　本願補正発明では、絶縁層が、
「前記第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、上面が平坦化された第１の絶縁層と、
　前記第１の絶縁層の上に配置された第２の絶縁層と」からなり、コイル形状の第２の導体パターンの配置について、「前記第２の絶縁層の上であって平坦な面の上に配置された」としているのに対し、引用発明では絶縁層、及び薄膜コイル導体の配置について特にそのような開示がない点。
　
４．判断
　２層構造の薄膜コイルにおいて、１層目のコイルパターンの巻線間に充填される絶縁層を導体パターンとともに平坦化することは、第２引用例（第７７段落、上記摘記部分（ｃ）参照）に記載されている事項である。
　第２引用例には、更に、第７８段落（上記摘記部分（ｃ）参照）及び第８２段落（上記摘記部分（ｄ）参照）に、平坦化された絶縁層２０ｂ及び１層目の薄膜コイルの上に、明らかに絶縁層であるギャップ層２２及び絶縁層２０ｃが形成され、その上に２層目の薄膜コイル２４が形成されることが記載されている。
　すると、第２引用例における、前記平坦化された絶縁層２０ｂは、本願補正発明における「第１の絶縁層」と比較して、「第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、上面が平坦化された」ものである点で共通する。
　同様に、第２引用例における「ギャップ層２２」及び「絶縁層２０ｃ」は、個別にまたは両者併せて、本願補正発明における「第２の絶縁層」と比較して、「上面が平坦化された・・・前記第１の絶縁層の上に配置された・・・絶縁層」である点で共通する。
　平坦化された絶縁層２０ｂの上にスパッタ法またはＣＶＤ法により形成されたこれら「ギャップ層２２」及び「絶縁層２０ｃ」の層は、当然、平坦な面となすことができるから、第２引用例における、「２層目の薄膜コイル２４」の配置については、本願補正発明の「前記第２の絶縁層の上であって平坦な面の上に配置された」ことと共通している。
　意見書において審判請求人は、本願補正発明の構成による作用効果として、概略、精度のよいパターン形成、及び、２層目のコイルパターンの位置及びデザインに関する自由度について主張しているが、一般に、平坦な面上のほうがより精度よくパターンを形成しうることは当業者であれば通常予測しうることにすぎない。２層目のコイルパターンの位置やデザインについては、請求項に記載のない事項に基づく主張であるから、本来検討の必要を認めないが、第２引用例において、２層のコイルが形成された後の状態を見れば（図５乃至図７）当業者が当然想到しうる構成または作用効果にすぎないことを指摘しておく。
　第２引用例は、薄膜コイルを有する薄膜磁気ヘッドの構造及び製造方法に関するものであるから、引用発明と同一の技術分野に属するものであり、引用発明に、前記第２引用例に開示されている事項を適用することは当業者が容易に想到しうるものであり、その作用効果も当業者が予測しうるものにすぎない。
　
５．本件補正についての結び
　以上のとおり、本願補正発明は、各引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１８年７月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至８に係る発明は、平成１５年７月３１日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至８に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　コイル形状の第１の導体パターンと、
　前記第１の導体パターンの巻線間を絶縁すると共に、上面が平坦化された第１の絶縁層と、
　前記第１の絶縁層の上に配置された第２の絶縁層と、
　前記第２の絶縁層の上に配置されたコイル形状の第２の導体パターンと、
　前記第１および第２の導体パターンの一方の端部同士を接続する第１の接続部と、
　前記第１および第２の導体パターンの他方の端部同士を接続する第２の接続部と
を備えたことを特徴とする薄膜コイル。」
　
２．引用例
　当審における拒絶理由通知で引用した引用例及びその記載事項は、前記「第２　〔理由〕　２．引用例」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２　〔理由〕」で検討した本願補正発明から、コイル形状の第２の導体パターンの配置について、「であって平坦な面の上」と限定のあるところを削除したものに相当する。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、更に他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２　〔理由〕４．」で検討したとおり、各引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、各引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。