【事件の表示】
　特願２０００−３８６０５０「グレートーンマスク及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　７月　５日出願公開、特開２００２−１８９２８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年１２月１９日の出願であって、平成１５年１１月４日付け及び平成１６年１０月１日付けで手続補正がなされ、上記平成１６年１０月１日付けの手続補正を却下する決定がなされた後、平成１７年６月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成１７年７月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１７年８月２２日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１７年８月２２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］平成１７年８月２２日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、補正後の特許請求の範囲の請求項１乃至７のうちの請求項１に係る発明は、
　「遮光部と、該遮光部と隣接する透光部と、露光光の一部を透過するグレートーン部とを有するグレートーンマスクであって、該グレートーン部を透過する光の透過量を低減し、このグレートーン部を介して露光したフォトレジストの膜厚を選択的に変えることを目的としたＬＣＤ用マスク又はＰＤＰ用大型グレートーンマスクにおいて、前記遮光部を構成する膜が、透明基板側から主にグレートーン部における透過率を制御する透過率制御膜と遮光部における透過率を低減する透過率低減膜とにより少なくとも構成されており、前記グレートーン部が、前記遮光部を構成する膜がその厚さ方向に一部除去されてなり、前記遮光部と隣接する透光部は、前記透過率低減膜と透過率制御膜とを透光部形成用レジストパターンをマスクとしてエッチングすることにより形成されたものであり、前記透過率制御膜と前記透過率低減膜とを合わせた膜厚が１４００〜２０００オングストロームの範囲であることを特徴とするグレートーンマスク。」
と補正された。
（以下、この発明を「本願補正発明」という。）
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「遮光部と隣接する透光部」について「前記透過率低減膜と透過率制御膜とを透光部形成用レジストパターンをマスクとしてエッチングすることにより形成されたものであり、」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本願補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−４９４１０号公報（以下、「引用例１」という。）、同じく特開２０００−７５４６６号公報（以下、「引用例２」という。）にはそれぞれ、次の発明が記載されている。
　引用例１；
ア．【０００１】欄に、「【産業上の利用分野】本発明は、透過率が段階的に変化する階調マスク及びその製造方法に関し、特に、カラーフィルター製造に用いられる階調マスク及びその製造方法に関する。」の記載。
　
イ．【０００２】欄に、「【従来の技術】最近、カラー液晶表示装置等のカラーフィルターの製造方法として、透過率が段階的に変化する階調マスクを用いて露光回数を減らし、歩留りを向上させる方法が提案されている（特開平５−１１１０６号）。」の記載。
　
ウ．【００２０】欄に、「図２は、第２実施例の製造工程を説明するための図であり、同図（ａ）に示すように、透明基板１１上に、膜厚が所定以上になると透過率が０％になるＣｒＯｘ、ＣｒＮｘ、ＣｒＯｘＮｙ、ＣｒＯｘＮｙＣｚ等のクロム化合物の膜１２を透過率が０％になるように成膜する。そして、その上に電子線レジスト又はフォトレジスト１３を成膜し、レジスト１３上の透過率を１００％にする部分ｃと中間透過率にする部分ｂ（同図（ｅ）参照）に電子線、レーザー光又はその他の光による露光１７を行う。ただし、この場合は、部分ｃにはより強い露光量の露光１８を、また、部分ｂにはより弱い露光量の露光１９を同時に行う。」の記載。
　
エ．【００２１】欄に、「次に、同図（ｂ）に示すように、レジスト１３のより強い露光量部分を完全に除去する濃度の現像液で現像するか、現像時間をより強い露光量部分を完全に除去する時間に選んで現像し、部分ｃに対応する位置のみのレジスト１３を完全に除去して、そのレジストパターンをマスクとして露出したクロム化合物の膜１２部分をドライエッチング又はウエットエッチングにより完全に除去する。」の記載。
　
オ．【００２２】欄に、「次に、同図（ｃ）に示すように、レジスト１３のより弱い露光量部分を完全に除去する濃度の現像で現像するか、さらに現像を続けて、部分ｂに対応する位置のレジスト１３を完全に除去する。」の記載。
　
カ．【００２３】欄に、「次に、同図（ｄ）に示すように、残ったレジストパターンをマスクとして新たに露出したクロム化合物の膜１２部分をドライエッチング又はウエットエッチングにより、全部は除去しないで、今度は中間の厚さまでエッチングする。」の記載。
　
キ．【００２４】欄に、「最後に、残ったレジストを剥離して、同図（ｅ）に示すような階調マスクが完成する。この階調マスクの最初にエッチングした部分ｃは、クロム化合物の膜１２が残っていないので透過率は１００％となり、次にエッチングした部分ｂは、クロム化合物の膜１２が中間の厚さであるので透過率は例えば１０％の半透過状態になる。さらに、何らエッチングしなかった部分ａは、クロム化合物の膜１２が完全に残っているので透過率は０％の遮光状態である。」の記載。
　
ク．【００３１】欄に、「・・、本発明による階調マスクは、図４のカラーフィルターの製造用のみならず、他の用途に用いることもできる。」の記載。
ケ．図３に、クロム化合物膜の膜厚と透過率の関係を示す図。
　
　したがって、引用例１には、図面を含めて、「クロム化合物の膜１２による遮光部ａと、該遮光部ａと隣接する透光部ｃと、クロム化合物の膜１２が中間の厚さである透過率が例えば１０％の半透過状態膜部ｂとを有する透過率が段階的に変化する階調マスクであって、カラー液晶表示装置等のカラーフィルター製造に用いられる階調マスクであり、前記遮光部ａと隣接する透光部ｃは、クロム化合物の膜１２を透光部ｃ形成用レジストパターンをマスクとしてエッチングすることにより形成されたものであり、前記遮光部ａの膜厚が３５００オングストローム以上の範囲（図３）である、階調マスク。」（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
　引用例２；
　ハーフトーンマスクの製造方法に関するもので、
ア．【０００２】欄に、「【従来の技術】以下、ハーフトーンマスク作製工程を示す図である。図２を用いて、本発明のハーフトーンマスク作製工程を説明する。」の記載。
イ．【０００３】欄に、「ハーフトーンマスクに使用される透明基板２１の材料は主に石英、半透明膜の材料は主にモリブデンシリサイド膜２２、また、遮光膜の材料は主にクロム膜２３が用いられている。モリブデンシリサイド膜厚はＫｒＦエキシマ露光光で約９３ｎｍ、クロム膜厚は約７０ｎｍであり、真空蒸着やスパッタリング法により形成されている。ハーフトーンマスクの加工に必要な保護膜材料は主に電子ビーム（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ）（以下、「ＥＢ」という）レジスト２４が用いられている。」の記載。
　
ウ．【０００４】欄に、「また、ＥＢレジスト２４の膜厚は約４５０〜５５０ｎｍであり、スピン・オン法により塗布される（図２（ａ））。ＥＢレジストはＥＢ描画と現像によりパターニングされる（図２（ｂ））。遮光膜パターンと半透明膜パターンとのアライメント精度を向上させることとＥＢ描画工程数を最小限に抑えることを目的として、ＥＢ描画は中間調レジスト膜厚となる第１描画領域２４ａとレジストが現像により完全に除去される第２描画領域２４ｂとに分けて行われる。」の記載。
　
エ．【０００５】欄に、「次に、露出されたクロム膜２３は、上記ＥＢレジスト２４をマスクに用いて、ＣＣｌ４＋Ｏ２のガスプラズマによりドライエッチングされる（図２（ｃ））。」の記載。
　
オ．【０００６】欄に、「次に、露出されたモリブデンシリサイド膜２２はＣＦ４＋Ｏ２＋Ｎ２プラズマにより連続的にドライエッチングされる（図２（ｄ））。その後、第１描画領域２４ａのＥＢレジスト２４はＯ２プラズマによりアッシング除去される（図２（ｅ））。」
　
カ．【０００７】欄に、「次に、露出されたクロム膜２３は、残存するＥＢレジスト２４をマスクに、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合液を用いて、ウエットエッチングされる（図２（ｆ））。残ったＥＢレジスト２４はジメチルホルムアミド、アセトン、硫酸過水の順に浸漬し、除去される（図２（ｇ））。以上の工程により、ハーフトーンマスクは作製されていた。」の記載。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「クロム化合物の膜１２が中間の厚さである透過率が例えば１０％の半透過状態膜部ｂ」は、本願補正発明の「露光光の一部を透過するグレートーン部」及び本願補正発明の「前記遮光部を構成する膜がその厚さ方向に一部除去されてなるグレートーン部」に相当することは、明らかである。
　引用発明の「透過率が段階的に変化する階調マスク」は、本願補正発明の「グレートーンマスク」に相当し、また、前記半透過状態膜部ｂを透過する光の透過量を低減し、この半透過状態膜部ｂを介して露光したフォトレジストの膜厚を選択的に変えることを目的としたマスクであることは、明らかである。（図２（ｂ）、【００２１】欄参照。）
　よって、両者は、「遮光部と、該遮光部と隣接する透光部と、露光光の一部を透過するグレートーン部とを有するグレートーンマスクであって、該グレートーン部を透過する光の透過量を低減し、このグレートーン部を介して露光したフォトレジストの膜厚を選択的に変えることを目的としたグレートーンマスクにおいて、前記グレートーン部が、前記遮光部を構成する膜がその厚さ方向に一部除去されてなり、前記遮光部と隣接する透光部は、前記透過率低減膜と透過率制御膜とを透光部形成用レジストパターンをマスクとしてエッチングすることにより形成されたものであることを特徴とするグレートーンマスク。」である点で一致し、（Ａ）グレートーンマスクの使用目的が、本願補正発明はＬＣＤ用であるのに対して、引用発明は、カラー液晶表示装置等のカラーフィルター製造用である点、（Ｂ）遮光部を構成する膜が、本願補正発明は、透明基板側から主にグレートーン部における透過率を制御する透過率制御膜と遮光部における透過率を低減する透過率低減膜とにより少なくとも構成されているのに対して、引用発明は、クロム化合物膜１２のみで構成されている点、（Ｃ）遮光部の膜厚が、本願補正発明は、１４００〜２０００オングストロームの範囲であるのに対して、引用発明は、３５００オングストローム以上の範囲である点、で相違する。
　
（４）判断
　上記相違点（Ａ）乃至（Ｃ）について検討する。
　相違点（Ａ）について
　引用発明のグレートーンマスクの使用目的は、カラー液晶表示装置のカラーフィルター製造用である。そして、「カラー液晶表示装置のカラーフィルター製造用」であるということは、「液晶表示装置（ＬＣＤ）用」の範疇に包含されることは明らかである。
　したがって、相違点（Ａ）に実質的な相違はない。
　なお、本願補正発明は、「ＬＣＤ用マスク又はＰＤＰ用大型グレートーンマスク」におけるものであって、必ずしも大型のものに特定されているわけではないが、たとえ、大型のものに特定されるものと仮定したとしても、引用発明のＬＣＤ用マスクを大型のマスクの構成とすることは当業者にとって格別の困難性はない。
　
　相違点（Ｂ）について
　引用例２に示されるように、遮光部を構成する膜が、透明基板側から「ハーフトーン部（本願補正発明の「グレートーン部」に相当）における透過率を制御するモリブデンシリサイド半透明膜２２（本願補正発明の「透過率制御膜」に相当）」と「遮光部における透過率を低減するクロム遮光膜２３（本願補正発明の「透過率低減膜」に相当）」とにより構成されており、前記ハーフトーン部は、前記遮光部を構成する膜がその厚さ方向に一部除去されてなるハーフトーン（グレートーン）マスクは、本願出願前知られたものである。
　そして、引用発明及び引用例２に記載された発明はいずれもグレートーンマスクに関するものであるから、引用発明のグレートーンマスクにおいて、遮光部を構成する膜を、クロム化合物膜のみで構成することに換えて、前記透過率制御膜と前記透過率低減クロム膜とにより構成することは、引用例２に記載された発明を基に当業者が容易になし得ることである。もっとも、引用例２の具体例では、透光部と隣接するのは遮光部ではなくグレートーン部としているが、透光部と隣接する部位を、グレートーン部とするか、或いは遮光部とするかは、グレートーンマスクの使用目的に応じて適宜選択し得る技術的事項に過ぎず、この点は、引用例２に記載された発明を引用発明に適用することを何ら阻害するものではない。
　
　相違点（Ｃ）について
　透過率制御膜と透過率低減クロム膜との光の透過特性を勘案すれば、引用発明の遮光部を構成する膜を、クロム化合物膜のみで構成することに換えて、前記透過率制御膜と前記透過率低減クロム膜とにより構成した場合、遮光部の膜厚をより薄くすることが可能であろうことは、当業者が容易に想起し得ることである。そして、エッチングによる膜厚制御性、パターン精度などを考慮して、遮光部の膜厚の実用的な下限値、上限値の範囲を定めることは、容易になし得る設計的事項である。
　引用例２の【０００３】欄には、実際に、遮光部膜厚が１６３０オングストロームの例が記載されている。
　したがって、相違点（Ｃ）は格別なものではない。
　
　よって、本願補正発明は、引用発明と引用例２に記載された発明とに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１７年８月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下され、また、平成１６年１０月１日付けの手続補正も却下されたので、本願の請求項１乃至７に係る発明は、平成１５年１１月４日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１乃至７に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　「遮光部と、該遮光部と隣接する透光部と、露光光の一部を透過するグレートーン部とを有するグレートーンマスクであって、該グレートーン部を透過する光の透過量を低減し、このグレートーン部を介して露光したフォトレジストの膜厚を選択的に変えることを目的としたＬＣＤ用マスク又はＰＤＰ用大型グレートーンマスクにおいて、前記遮光部を構成する膜が、透明基板側から主にグレートーン部における透過率を制御する透過率制御膜と遮光部における透過率を低減する透過率低減膜とにより少なくとも構成されており、前記グレートーン部が、前記遮光部を構成する膜がその厚さ方向に一部除去されてなり、前記透過率制御膜と前記透過率低減膜とを合わせた膜厚が１４００〜２０００オングストロームの範囲であることを特徴とするグレートーンマスク。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。
　　
（２）対比・判断
　本願発明は、上記２．項で検討した本願補正発明から「前記遮光部と隣接する透光部は、前記透過率低減膜と透過率制御膜とを透光部形成用レジストパターンをマスクとしてエッチングすることにより形成されたものであり、」の構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用発明と引用例２に記載された発明とに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明と引用例２に記載された発明とに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、請求人は、審判請求書の請求理由の中で、補正の用意があり、補正の機会が欲しい旨、記載しているが、特許庁では、審判段階では明細書等の補正の機会は安易には認められず、補正に関する制度趣旨に沿って厳正に審理手続を進める運用を行っており、本件についても、直ちに審決することとした。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明と引用例２に記載された発明とに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。