(57)【要約】【課題】電子機器の内蔵電源の充電時に、充電制御回路の温度上昇を所定の温度範囲に抑制することが可能な充電システムを提供する。【解決手段】充電システム１００は、充電可能な内蔵電源２４を内蔵する電子機器１と、内蔵電源２４に対して少なくとも充電電流Ｉが一定になるように充電を行う定電流充電を行い、電子機器１の内蔵電源２４への充電を制御する充電制御回路８０と、充電制御回路８０を介して電子機器１の内蔵電源２４に電力を供給する充電装置６０とを備え、充電制御回路８０は、温度検出手段９４により検出された充電制御回路８０内での発熱部８７ａ、８７ｂ、８９の温度の情報ＶＴと、内蔵電源２４に充電されている充電電圧Ｖの情報とに応じて、内蔵電源２４に供給される充電電流Ｉを制御する充電制御部８２を備え、充電制御部８２は、発熱部の温度が所定の温度範囲を越えて上昇すると内蔵電源２４に供給する充電電流Ｉを下げるように制御する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
充電可能な内蔵電源を内蔵する電子機器と、
前記内蔵電源に対して、少なくとも充電電流が一定になるように充電を行う定電流充電を行い、前記電子機器の前記内蔵電源への充電を制御する充電制御回路と、
前記充電制御回路を介して前記電子機器の前記内蔵電源に電力を供給する充電装置と、
を備え、
前記充電制御回路は、温度検出手段により検出された前記充電制御回路内での発熱部の温度の情報と、前記内蔵電源に充電されている充電電圧の情報とに応じて、前記内蔵電源に供給される前記充電電流を制御する充電制御部を備え、
前記充電制御部は、前記発熱部の温度が所定の温度範囲を越えて上昇すると、前記内蔵電源に供給する前記充電電流を下げるように制御することを特徴とする充電システム。
【請求項２】
前記充電制御回路の前記充電制御部は、前記温度検出手段としてＰＴＣサーミスタを備え、
前記温度検出手段は、前記充電制御回路上で前記発熱部の近傍に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の充電システム。
【請求項３】
前記充電制御回路上の前記発熱部は複数箇所存在し、
前記温度検出手段としての前記ＰＴＣサーミスタは、前記各発熱部についてそれぞれその近傍に配置されており、
前記各ＰＴＣサーミスタが直列に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の充電システム。
【請求項４】
前記充電制御回路の前記充電制御部は、前記温度検出手段としてＮＴＣサーミスタを備え、
前記温度検出手段は、前記充電制御回路上で前記発熱部の近傍に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の充電システム。
【請求項５】
前記温度検出手段は、所定の抵抗値を有する抵抗器と直列に接続されており、
前記抵抗器の、前記温度検出手段と接続された端子とは反対側の端子からリファレンス電圧が印加され、
前記温度検出手段の、前記抵抗器と接続された端子とは反対側の端子は基準電位に接続されており、
前記温度検出手段と前記抵抗器とが接続されている部分の電圧値が、前記発熱部の温度の情報として前記充電制御部に入力されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の充電システム。
【請求項６】
前記発熱部は、前記充電制御回路内の前記内蔵電源への充電電流経路上に設けられ、前記充電制御部によりオン／オフ動作が制御されるスイッチ素子であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の充電システム。
【請求項７】
前記発熱部は、前記充電制御回路内の前記内蔵電源への充電電流経路上に設けられたインダクタであることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の充電システム。
【請求項８】
前記発熱部は、前記充電制御回路内の前記内蔵電源への充電電流経路上に設けられ、前記充電電流経路を流れる電流を両極間の電位差として検出する充電電流検出用の抵抗部であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の充電システム。
【請求項９】
前記充電制御回路は、前記電子機器に設けられていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の充電システム。
【請求項１０】
前記充電制御回路は、前記充電装置に設けられていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の充電システム。
【請求項１１】
前記内蔵電源は、リチウムイオンキャパシタであることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の充電システム。
【請求項１２】
前記電子機器は放射線画像撮影装置であることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の充電システム。
【請求項１３】
前記充電装置はクレードルであることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の充電システム。
【請求項１４】
充電可能な内蔵電源を内蔵するとともに、前記内蔵電源に対して、少なくとも充電電流が一定になるように充電を行う定電流充電を行い、前記電子機器の前記内蔵電源への充電を制御する充電制御回路を備える電子機器であって、
前記充電制御回路は、温度検出手段により検出された前記充電制御回路内での発熱部の温度の情報と、前記内蔵電源に充電されている充電電圧の情報とに応じて、前記内蔵電源に供給される前記充電電流を制御する充電制御部を備え、
前記充電制御部は、前記発熱部の温度が所定の温度範囲を越えて上昇すると、前記内蔵電源に供給する前記充電電流を下げるように制御することを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
電子機器に内蔵された充電可能な内蔵電源に対して、少なくとも充電電流が一定になるように充電を行う定電流充電を行い、前記電子機器の前記内蔵電源への充電を制御する充電制御回路を備える充電装置であって、
前記充電制御回路は、温度検出手段により検出された前記充電制御回路内での発熱部の温度の情報と、前記内蔵電源に充電されている充電電圧の情報とに応じて、前記内蔵電源に供給される前記充電電流を制御する充電制御部を備え、
前記充電制御部は、前記発熱部の温度が所定の温度範囲を越えて上昇すると、前記内蔵電源に供給する前記充電電流を下げるように制御することを特徴とする充電装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、充電システム、電子機器および充電装置に係り、特に充電装置で電子機器の内蔵電源を充電する充電システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に内蔵された充電可能な内蔵電源（バッテリや２次電池、蓄電デバイス等ともいう。）を充電するための充電装置や充電制御装置等が種々開発されている（例えば特許文献１〜４等参照）。
【０００３】
このような充電装置等は、内蔵電源に充電されている充電電圧を検出する充電電圧検出部や、電子機器の内蔵電源に電力を供給する配線（以下、充電電流経路という。）中を流れる電流を検出する充電電流検出部等が設けられた充電制御回路を備えるように構成されている場合がある。或いは、電子機器側に、このような充電制御回路が設けられている場合もある。
【０００４】
そして、充電制御回路では、充電電圧検出部が検出した内蔵電源に充電されている充電電圧の情報や充電電流検出部が検出した充電電流経路中を流れる電流の情報をスイッチング制御部にフィードバックし、それに応じて、スイッチング制御部が外部電源から供給される電力の内蔵電源への供給を制御しながら、電子機器の内蔵電源の充電が行われる。
【０００５】
このような電子機器の内蔵電源としては、例えばリチウムイオンバッテリ（リチウムイオン２次電池等ともいう。）が知られている。リチウムイオンバッテリの場合、充電中にバッテリ本体の温度が上昇するという問題がある。
【０００６】
そこで、例えば特許文献５には、バッテリの表面温度を測定し、その表面温度に応じて充電の仕方を切り替え、特に表面温度が高温度域にある場合には温度上昇を抑制するように充電の仕方を切り替える電池パックや充電方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−７７５０１号公報
【特許文献２】特開２００８−１０４２７０号公報
【特許文献３】特開２００７−３０６６５４号公報
【特許文献４】特開２００６−３３９１７号公報
【特許文献５】特開２００９−５５７２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、近年、電子機器の新たな内蔵電源として、リチウムイオンキャパシタ（ＬＩＣ）が開発されている。リチウムイオンキャパシタは、従来の電気二重層キャパシタの電圧が３［Ｖ］程度であったのに対し、電圧を４［Ｖ］程度まで向上させることが可能となる等の優れた性能を有している。
【０００９】
また、リチウムイオンキャパシタは、上記のリチウムイオンバッテリとは異なり、充電時に、キャパシタ自体の温度が下がる傾向を有するといった特徴がある。そのため、充電時におけるリチウムイオンキャパシタ自体の温度上昇をさほど気にする必要がなくなるといった特性を有している。
【００１０】
一方、リチウムイオンキャパシタのように、内部抵抗が小さくリチウムイオン２次電池よりも大電流での急速充電が可能となると、特に定電流充電の際に、比較的大きな電流（例えば１０［Ａ］等）を流して、より短時間で充電を行うようにすることが望まれている。
【００１１】
しかし、このように大電流を流すと、今度は、充電制御回路側での発熱が大きくなるといった新たな問題が生じることが分かってきた。このように充電制御回路が加熱すると、充電制御回路が高温になり、充電制御回路が電子機器に内蔵されている場合には電子機器が、また、充電制御回路が充電装置に内蔵されている場合には充電装置がそれぞれ高温になり、ユーザが火傷したり、電子機器や充電装置が燃焼したり損傷したりする。
【００１２】
また、例えば、電子機器が放射線画像撮影装置であり、充電制御回路が放射線画像撮影装置内に設けられている場合、ケーブル等を介して放射線画像撮影装置と外部の充電装置とを接続し、その状態で放射線画像撮影装置をブッキー撮影台等に装填する。そして、放射線画像撮影装置の内蔵電源を充電しながら、放射線画像撮影装置に被写体を介して放射線を照射して放射線画像撮影を行う場合がある。
【００１３】
このような場合に充電制御回路が加熱すると、複数の放射線検出素子が二次元状（マトリクス状）に配列された放射線画像撮影装置のセンサパネルの充電制御回路に近い部分が充電制御回路の加熱により温度が上昇し、その部分の放射線検出素子の中に、低い温度では異常な動作を示さないが高温になることで異常な動作を行う放射線検出素子が発生する場合がある。このような場合、その放射線検出素子の部分にいわゆる画欠が生じてしまったり、その異常な放射線検出素子から読み出された画像データにより画像上にアーチファクトが生じたりする場合がある。
【００１４】
また、高温になっても放射線検出素子が正常に動作する場合であっても、温度が上昇した部分の各放射線検出素子では、その内部で発生するいわゆる暗電荷の量が他の部分の放射線検出素子よりも多くなる等の問題が生じ得る。そのため、２次元状の各放射線検出素子から読み出された各画像データに濃度ムラ（すなわち画像データの大きさのムラ）が生じる場合もある。
【００１５】
このような画欠やアーチファクト、濃度ムラ等を生じると、放射線画像撮影により得られた画像データに基づく放射線画像の画質が低下してしまうといった問題が生じる。また、上記のような充電制御回路の加熱によるユーザの火傷や、電子機器や充電装置の燃焼、損傷等が発生することを防止するためにも、放射線画像撮影装置を含む電子機器の内蔵電源の充電時における充電制御回路の温度上昇があまり大きくならないようにすることが必要となる。
【００１６】
本発明は、上記の各問題点を鑑みてなされたものであり、電子機器の内蔵電源の充電時に、充電制御回路の温度上昇を所定の温度範囲に抑制することが可能な充電システム、電子機器および充電装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記の問題を解決するために、本発明の充電システムは、
充電可能な内蔵電源を内蔵する電子機器と、
前記内蔵電源に対して、少なくとも充電電流が一定になるように充電を行う定電流充電を行い、前記電子機器の前記内蔵電源への充電を制御する充電制御回路と、
前記充電制御回路を介して前記電子機器の前記内蔵電源に電力を供給する充電装置と、
を備え、
前記充電制御回路は、温度検出手段により検出された前記充電制御回路内での発熱部の温度の情報と、前記内蔵電源に充電されている充電電圧の情報とに応じて、前記内蔵電源に供給される前記充電電流を制御する充電制御部を備え、
前記充電制御部は、前記発熱部の温度が所定の温度範囲を越えて上昇すると、前記内蔵電源に供給する前記充電電流を下げるように制御することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の電子機器は、
充電可能な内蔵電源を内蔵するとともに、前記内蔵電源に対して、少なくとも充電電流が一定になるように充電を行う定電流充電を行い、前記電子機器の前記内蔵電源への充電を制御する充電制御回路を備える電子機器であって、
前記充電制御回路は、温度検出手段により検出された前記充電制御回路内での発熱部の温度の情報と、前記内蔵電源に充電されている充電電圧の情報とに応じて、前記内蔵電源に供給される前記充電電流を制御する充電制御部を備え、
前記充電制御部は、前記発熱部の温度が所定の温度範囲を越えて上昇すると、前記内蔵電源に供給する前記充電電流を下げるように制御することを特徴とする。
【００１９】
さらに、本発明の充電装置は、
電子機器に内蔵された充電可能な内蔵電源に対して、少なくとも充電電流が一定になるように充電を行う定電流充電を行い、前記電子機器の前記内蔵電源への充電を制御する充電制御回路を備える充電装置であって、
前記充電制御回路は、温度検出手段により検出された前記充電制御回路内での発熱部の温度の情報と、前記内蔵電源に充電されている充電電圧の情報とに応じて、前記内蔵電源に供給される前記充電電流を制御する充電制御部を備え、
前記充電制御部は、前記発熱部の温度が所定の温度範囲を越えて上昇すると、前記内蔵電源に供給する前記充電電流を下げるように制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のような方式の充電システム、電子機器および充電装置によれば、発熱部の温度が所定の温度範囲を越えて上昇した場合に、内蔵電源に供給する充電電流を下げるように制御するため、充電電流経路中を流れる充電電流を低下させて電流値がほぼ一定の状態に収束させることが可能となる。そして、各発熱部の温度をほぼ一定の温度に維持することが可能となり、充電制御回路の温度上昇を所定の温度範囲に抑制することが可能となる。
【００２１】
そのため、充電制御回路が加熱して電子機器が高温になってユーザが火傷したり電子機器が燃焼したり損傷したりすることを的確に防止することが可能となる。また、電子機器が放射線画像撮影装置である場合に、放射線画像撮影装置の内蔵電源を充電しながら放射線画像撮影を行う場合でも、放射線検出素子の部分に画欠が生じたり放射線画像上にアーチファクトや濃度ムラが生じたりすることを的確に防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】電子機器の例としての放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図３】図１の放射線画像撮影装置の回路構成を表すブロック図である。
【図４】充電装置の例としてのクレードルの外観を示す斜視図である。
【図５】図４に示すクレードルに放射線画像撮影装置が挿入された状態を示した斜視図である。
【図６】図４のクレードルの内部構成を模式的に示した図であり、クレードルに放射線画像撮影装置を挿入しようとする状態を示している。
【図７】図４のクレードルの内部構成を模式的に示した図であり、クレードルに放射線画像撮影装置が挿入された状態を示している。
【図８】充電制御回路の回路構成および充電制御回路とクレードル、放射線画像撮影装置の関係等を概略的に表すブロック図である。
【図９】コネクタを接続した状態の放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。
【図１０】発熱部の温度が所定の温度以下の場合に行われる定電流充電および定電圧充電における充電電流および充電電圧の値の時間的な変化等を表すグラフである。
【図１１】定電流充電において（Ａ）発熱部の温度が低い状態では予め設定された充電電流を流し、（Ｂ）発熱部の温度が所定の温度以上の温度になると充電電流を下げることを表すグラフである。
【図１２】充電電流がほぼ一定の電流値に収束する状態になることを表すグラフである。
【図１３】図８の場合において充電制御回路を充電装置であるクレードルに設けた場合の充電制御回路とクレードル、放射線画像撮影装置の関係を概略的に表すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明に係る充電システム、電子機器および充電装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２４】
なお、以下では、電子機器が放射線画像撮影装置（Flat Panel Detector：ＦＰＤ）であり、充電装置がクレードルである場合について説明するが、本発明は、この形態に限定されない。
【００２５】
本実施形態では、充電制御回路８０（後述する図８参照）が、電子機器としての放射線画像撮影装置１に設けられている場合について説明する。
【００２６】
［電子機器の例としての放射線画像撮影装置の構成例について］
ここで、まず、電子機器の例として、放射線画像撮影装置１の構成例について簡単に説明する。図１は、放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図であり、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【００２７】
放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体状のハウジング２内にシンチレータ３や基板４等で構成されるセンサパネルＳＰが収納されて構成されている。本実施形態では、筐体２は、放射線入射面Ｒを有する中空の角筒状のハウジング本体部２Ａの両側の開口部を蓋部材２Ｂ、２Ｃで閉塞することで形成されている。
【００２８】
図１に示すように、筐体２の一方側の蓋部材２Ｂには、電源スイッチ３７や切替スイッチ３８、コネクタ３９、内蔵電源２４（図２や後述する図３参照）の状態や放射線画像撮影装置１の稼働状態等を表示するＬＥＤ等で構成されたインジケータ４０等が配置されている。なお、後述するように、本実施形態では、コネクタ３９が後述するクレードル６０のコネクタ７１（後述する図６や図７参照）と接続することで、充電装置としてのクレードル６０から放射線画像撮影装置１に電力が供給されて充電が行われるようになっている。
【００２９】
また、図示を省略するが、本実施形態では、筐体２の反対側の蓋部材２Ｃに、放射線画像撮影装置１が外部装置と信号等の送受信を無線方式で行うためのアンテナ装置４１（後述する図３参照）が、例えば蓋部材２Ｃに埋め込まれるようにして設けられている。
【００３０】
図２に示すように、筐体２の内部には、基板４の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置され、基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３や内蔵電源２４等が取り付けられている。また、基板４やシンチレータ３の放射線入射面Ｒには、それらを保護するためのガラス基板３４が配設されており、センサパネルＳＰと筐体２の側面との間に緩衝材３５が設けられている。
【００３１】
図示を省略するが、基板４の検出部Ｐ上には、フォトダイオード等からなる複数の放射線検出素子７が二次元状（マトリクス状）に配列されており、各放射線検出素子７にスイッチ手段としての薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下、ＴＦＴという。）８や走査線５、信号線６、バイアス線９等が接続されている。また、シンチレータ３が、基板４の検出部Ｐに対向するように設けられるようになっている。
【００３２】
放射線画像撮影装置１の回路構成を、図３に示すブロック図を用いて説明する。本実施形態では、複数の放射線検出素子７が基板４上に二次元状に配列されて検出部Ｐが形成されている。また、各放射線検出素子７の第２電極７ｂにはそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９は結線１０に結束されてバイアス電源１４に接続されている。そして、バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７ｂにそれぞれ逆バイアス電圧を印加するようになっている。
【００３３】
走査駆動手段１５では、電源回路１５ａからゲートドライバ１５ｂに配線１５ｃを介してオン電圧やオフ電圧が供給され、ゲートドライバ１５ｂで走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えて、各ＴＦＴ８のオン状態とオフ状態とを切り替えることで、各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理等を行うようになっている。
【００３４】
各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されており、読み出し回路１７は、増幅回路１８と相関二重サンプリング回路１９等で構成されている。読み出しＩＣ１６内には、さらに、アナログマルチプレクサ２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とが設けられている。
【００３５】
そして、例えば、各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理の際には、ゲートドライバ１５ｂからオン電圧が印加された走査線５に接続されているＴＦＴ８がオン状態になり、オン状態になったＴＦＴ８に接続されている放射線検出素子７から信号線６に電荷が放出され、放出された電荷が読み出し回路１７の増幅回路１８で電荷電圧変換される。
【００３６】
そして、増幅回路１８の出力側に設けられた相関二重サンプリング回路１９で、放射線検出素子７から電荷が放出される前後の増幅回路１８からの出力値の差分を算出し、算出した差分をアナログ値の画像データとして出力する。そして、出力されたアナログ値の画像データが、アナログマルチプレクサ２１を介して順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信され、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データに変換されて出力され、記憶手段２３に順次保存される。このようにして、各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理が順次行われる。
【００３７】
制御手段２２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。そして、制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各部材の動作等を制御するようになっている。
【００３８】
また、制御手段２２には、ＳＲＡＭ（Static ＲＡＭ）やＳＤＲＡＭ（Synchronous ＤＲＡＭ）等で構成される記憶手段２３が接続されている。また、本実施形態では、制御手段２２には、前述したアンテナ装置４１が接続されており、さらに、前述した電源スイッチ３７や切替スイッチ３８、コネクタ３９、インジケータ４０（図１参照）等も接続されている。
【００３９】
また、本実施形態では、制御手段２２には、制御手段２２や走査駆動手段１５、読み出し回路１７、記憶手段２３、バイアス電源１４等の各部材に電力を供給するための内蔵電源２４が接続されている。本実施形態では、内蔵電源２４として、リチウムイオンキャパシタ（ＬＩＣ）が用いられているが、本発明はこれに限定されず、充電可能な内蔵電源であれば、電気二重層キャパシタ等の蓄電デバイスやリチウムイオンバッテリ等のバッテリやリチウムイオン２次電池等であってもよい。
【００４０】
なお、図３では図示を省略したが、本実施形態では、内蔵電源２４には、内蔵電源２４への充電を制御する充電制御回路８０（後述する図８参照）が接続されている。これについては、後で詳しく説明する。
【００４１】
［充電装置の例としてのクレードルの構成例について］
次に、充電装置の例として、クレードル６０の構成例について簡単に説明する。図４は、クレードル６０の外観を示す斜視図であり、図５は、図４に示すクレードル６０に放射線画像撮影装置１が挿入された状態を示した斜視図である。また、図６および図７は、クレードル６０の内部構成を模式的に示した図であり、図６はクレードル６０に放射線画像撮影装置１を挿入しようとする状態を示しており、図７はクレードル６０に放射線画像撮影装置１が挿入された状態を示している。
【００４２】
図４や図５に示すように、クレードル６０はほぼ直方体形状に形成され上面に開口部６１ａを有する筐体６１と、この筐体６１の開口部６１ａを被覆する被覆部材６２とを備えている。また、筐体６１の一端部には、クレードル６０を動作させる各種のスイッチ６３が設けられている。
【００４３】
図６や図７に示すように、筐体６１の内部には、筐体６１の長手方向に延在し、放射線画像撮影装置１を鉛直方向に収容する装置収容部６４が設けられている。また、筐体６１には基板６５上に配置された各種電子部品６６が収納されている。電子部品６６には、例えば後述する放射線画像撮影装置１の充電制御回路８０に一定の電圧の直流電圧を供給するために外部の交流電源から供給された交流電圧を直流電圧に変換するＡＣ／ＤＣコンバータ等を備えた定電圧電源６６ａ（後述する図８参照）等が含まれている。
【００４４】
また、装置収容部６４は、装置収容部６４の側壁を構成する前側壁部材６７と奥側壁部材６８とを備えており、前側壁部材６７の上端部と奥側壁部材６８の上端部とによって放射線画像撮影装置１が挿入される挿入口６９（図６参照）が形成されている。放射線画像撮影装置１は、挿入口６９から前側壁部材６７と奥側壁部材６８の間に挿入されるようになっている。
【００４５】
前側壁部材６７の内側部には、放射線画像撮影装置１を装置収容部６４内部に案内する案内部材６７ａが取り付けられており、奥側壁部材６８の内側面には、緩衝部材６８ａが長手方向の全面に亘って設けられている。
【００４６】
装置収容部６４は、その厚み方向の内寸法が放射線画像撮影装置１の厚み方向の外寸法に合わせた寸法となっている。また、装置収容部６４内の挿入口６９付近には、挿入口６９から挿入された放射線画像撮影装置１を一時的に保持する装置保持手段７０が配置されている。
【００４７】
装置収容部６４内の底部には、放射線画像撮影装置１側のコネクタ３９と接続可能なクレードル６０側のコネクタ７１が配置されている。クレードル６０側のコネクタ７１は、図示しないケーブルを介して前述した電子部品６６と電気的に接続されている。
【００４８】
本実施形態では、図６に示すように、放射線画像撮影装置１がクレードル６０に斜めに挿入されると、放射線画像撮影装置１に押されて挿入口６９を被覆する蓋部材７２が、被覆部材６２に沿って奥側（図中では左側）に退避する。
【００４９】
そして、略鉛直方向に向けられた放射線画像撮影装置１が挿入口６９から挿入されると、放射線画像撮影装置１のコネクタ３９が設けられた側の蓋部材２Ｂが一旦装置保持手段７０に当接して保持された後、図７に示すように装置保持手段７０が下方に回動することで、放射線画像撮影装置１が装置収容部６４内に収容される。
【００５０】
そして、前述したように、装置収容部６４の厚み方向の内寸法が放射線画像撮影装置１の厚み方向の外寸法に合わせた寸法となっているため、装置収容部６４内に収容された放射線画像撮影装置１側のコネクタ３９が、自動的にクレードル側のコネクタ７１に接続可能な位置に適切に位置決めされた状態で接続されるようになっている。
【００５１】
［充電制御回路の構成等について］
次に、本実施形態では放射線画像撮影装置１側に設けられている充電制御回路８０の構成等について説明する。図８は、充電制御回路８０の回路構成を概略的に表すブロック図である。
【００５２】
なお、図８では、図７に示したように、電子機器である放射線画像撮影装置１が充電装置であるクレードル６０に挿入された状態で内蔵電源２４の充電を行う場合が示されている。しかし、この他にも、例えば図９に示すように、放射線画像撮影装置１のコネクタ３９に、ケーブルＣａの先端に設けられたコネクタＣを接続し、ケーブルＣａやコネクタＣ、３９を介して図示しない外部の充電装置から放射線画像撮影装置１内の充電制御回路８０に電力を供給する場合等も同様に説明される。
【００５３】
図８に示すように、本実施形態では、充電制御回路８０は、主に、接続されたコネクタ３９、７１を介してクレードル６０の定電圧電源６６ａから供給された電力を放射線画像撮影装置１の内蔵電源２４に供給する配線としての充電電流経路８１と、内蔵電源２４への充電を制御する充電制御部８２とを備えて構成されている。
【００５４】
また、本実施形態では、充電制御部８２には、少なくとも充電電圧検出部８３と、充電電流検出部８４と、温度検出部８５と、スイッチング制御部８６とが設けられている。なお、充電制御部８２におけるこれらの各部は、充電制御部８２の各機能を分離して表記するものである。すなわち、各部に相当する各部材が組み合わされて充電制御部８２が形成されていることを表すものではない。
【００５５】
充電制御回路８０では、充電電流経路８１上には第１スイッチ素子８７ａが、充電電流経路８１から分岐してグランド（ＧＮＤ）に接続されている配線８８上には第２スイッチ素子８７ｂがそれぞれ設けられている。そして、第１スイッチ素子８７ａおよび第２スイッチ素子８７ｂは、それぞれ充電制御部８２のスイッチング制御部８６に接続されている。
【００５６】
本実施形態では、第１スイッチ素子８７ａと第２スイッチ素子８７ｂはそれぞれ電界効果トランジスタ（Field effect transistor：ＦＥＴ）で構成されており、スイッチング制御部８６によりそれらのオン／オフ動作が制御されるようになっている。
【００５７】
また、充電電流経路８１にはインダクタ（コイルともいう。）８９が挿入されており、また、充電電流経路８１とグランド（ＧＮＤ）との間にコンデンサ９０が設けられている。
【００５８】
そして、スイッチング制御部８６による第１スイッチ素子８７ａや第２スイッチ素子８７ｂのオン／オフにインダクタ８９のインダクタンス（inductance）成分により蓄えられるエネルギを制御することにより、充電電流Ｉおよび充電電圧Ｖを制御する。コンデンサ９０は、内蔵電源２４への出力に対してローパスフィルタ状に機能して、充電電圧Ｖを平滑化するようになっている。
【００５９】
充電電流経路８１には、さらに充電電流検出用の抵抗部９１が挿入されている。また、充電電流検出用の抵抗部９１は、その両極が充電電流検出部８４に接続されており、充電電流検出部８４によって充電電流検出用の抵抗部９１の両極間の電位差Δｖが検出されるようになっている。そして、この電位差Δｖが、Δｖ＝ＩＲの関係により充電電流経路８１を流れる充電電流Ｉに相当する値として検出されるようになっている。
【００６０】
また、充電電流経路８１は、放射線画像撮影装置１の内蔵電源２４の一方の充電端子に接続されており、内蔵電源２４の他方の充電端子は、充電制御回路８０のグランド（ＧＮＤ）に接続されている。また、充電制御回路８０内では、充電電流経路８１とグランド（ＧＮＤ）とが２つの抵抗９２ａ、９２ｂを介して接続されており、２つの抵抗９２ａ、９２ｂの間に接続された配線９３が充電電圧検出部８３に接続されている。そして、充電制御部８２の充電電圧検出部８３で、放射線画像撮影装置１の内蔵電源２４に充電されている充電電圧Ｖが検出されるようになっている。
【００６１】
そして、充電電圧検出部８３で検出された内蔵電源２４に充電されている充電電圧Ｖの情報や、充電電流検出部８４で検出された充電電流検出用の抵抗部９１の両極間の電位差Δｖの情報（すなわち充電電流経路８１を流れる充電電流Ｉの情報）が、充電制御部８２のスイッチング制御部８６に送られるようになっている。
【００６２】
一方、上記のような構成の充電制御回路８０において、充電電流経路８１に充電電流Ｉを流した際に発熱して高温になる可能性がある部材（以下、発熱部という。）が、第１スイッチ素子８７ａと第２スイッチ素子８７ｂやインダクタ８９であることから、本実施形態では、図８に示すように、第１スイッチ素子８７ａや第２スイッチ素子８７ｂ、インダクタ８９の近傍に、それらの温度の情報を検出するための温度検出手段９４がそれぞれ配置されている。
【００６３】
なお、図１では図示を省略したが、充電電流経路８１に充電電流Ｉを流した場合に充電電流検出用の抵抗部９１が発熱して高温になる場合には、抵抗部９１の温度の情報を検出するための温度検出手段を抵抗部９１の近傍に配置することも可能である。
【００６４】
本実施形態では、各温度検出手段９４が直列に接続されており、直列に接続された各温度検出手段９４の一端側（本実施形態では第２スイッチ素子８７ｂの近傍に配置された温度検出手段９４の一端側）に、さらに所定の抵抗値を有する抵抗器９５が直列に接続されている。
【００６５】
そして、抵抗器９５の、温度検出手段９４と接続された端子とは反対側の端子からリファレンス電圧ＶＲが印加されるようになっている。また、直列に接続された各温度検出手段９４の他端側（本実施形態ではインダクタ８９の近傍に配置された温度検出手段９４の他端側）は、基準電位に接続されている。本実施形態ではグランド（ＧＮＤ）に接続されている。
【００６６】
また、第２スイッチ素子８７ｂの近傍に配置された温度検出手段９４と抵抗器９５とが接続されている部分の電圧値ＶＴが、発熱部である第１スイッチ素子８７ａや第２スイッチ素子８７ｂ、インダクタ８９（或いは充電電流検出用の抵抗部９１）の温度の情報として充電制御部８２の温度検出部８５に入力されるようになっている。
【００６７】
そして、温度検出部８５に入力された発熱部の温度の情報ＶＴが、充電制御部８２のスイッチング制御部８６に送られるようになっている。
【００６８】
本実施形態では、温度検出手段９４として、ＰＴＣ（positive temperature coefficient）サーミスタが用いられている。ＰＴＣサーミスタは、よく知られているように、所定の温度以下の温度ではその抵抗値が温度変化にほとんど依存しない低い値を示すが、所定の温度以上の温度ではその抵抗値が急激に高くなるという特徴を有する。
【００６９】
また、本実施形態では、上記のように、発熱部である第１スイッチ素子８７ａや第２スイッチ素子８７ｂ、インダクタ８９（或いは充電電流検出用の抵抗部９１）の近傍に配置された温度検出手段９４である各ＰＴＣサーミスタが直列に接続されている。
【００７０】
各発熱部の温度が所定の温度以下の温度で、各ＰＴＣサーミスタの抵抗値が低い状態では、リファレンス電圧ＶＲ側から抵抗器９５および各ＰＴＣサーミスタを介してＧＮＤ電位に向けて電流が流れる状態になる。そのため、温度検出部８５に入力される電圧値ＶＴとしては、リファレンス電圧ＶＲから抵抗器９５の部分での電圧降下分を減算した値が入力される。すなわち、温度検出部８５に入力される電圧値ＶＴは、リファレンス電圧ＶＲよりも低い値になる。
【００７１】
また、発熱部である第１スイッチ素子８７ａや第２スイッチ素子８７ｂ、インダクタ８９（或いは充電電流検出用の抵抗部９１）のうちの少なくとも１つの温度が上昇して所定の温度以上の温度になると、その発熱部の近傍に配置された温度検出手段９４であるＰＴＣサーミスタの抵抗値が急激に上昇する。
【００７２】
そのため、リファレンス電圧ＶＲとグランド（ＧＮＤ）間を、抵抗器９５と各ＰＴＣサーミスタによって分圧された電圧値ＶＴが、ＰＴＣサーミスタの抵抗値上昇に伴い、上昇する。
【００７３】
このように、発熱部である第１スイッチ素子８７ａや第２スイッチ素子８７ｂ、インダクタ８９（或いは充電電流検出用の抵抗部９１）のうちの少なくとも１つの温度が上昇して所定の温度以上の温度になると、温度検出部８５に入力される電圧値ＶＴが上昇する。
【００７４】
充電制御部８２は、このようにして、入力される電圧値ＶＴ（すなわち発熱部の温度の情報）に基づいて、各発熱部のうちの少なくとも１つの温度が所定の温度以上の温度になったことを検出するようになっている。
【００７５】
なお、本実施形態のように、温度検出手段９４としてＰＴＣサーミスタを用いる代わりに、例えばＮＴＣ（negative temperature coefficient）サーミスタを用いるように構成することが可能である。ＮＴＣサーミスタは、よく知られているように、上記のＰＴＣサーミスタの場合とは逆に、所定の温度以下の温度ではその抵抗値が非常に高い値を示すが、所定の温度以上の温度になるとその抵抗値が急激に低下するという特徴を有する。
【００７６】
そして、この場合、ＮＴＣサーミスタと抵抗器９５との接続部分の電圧値ＶＴが、発熱部の温度の情報として充電制御部８２の温度検出部８５に入力されるようになる。そして、発熱部の温度上昇に伴い、ＮＴＣサーミスタの抵抗値が低くなると、リファレンス電圧ＶＲとグランド（ＧＮＤ）間を、抵抗器９５と各ＰＴＣサーミスタによって分圧された電圧値ＶＴが低下する。
【００７７】
このように、温度検出手段９４としてＮＴＣサーミスタを用いる場合においても、充電制御部８２は、入力される電圧値ＶＴ（すなわち発熱部の温度の情報）に基づいて、発熱部の温度が所定の温度以上の温度になったことを検出することができる。なお、この場合は、ＰＴＣサーミスタの場合とは逆に、温度検出部８５が検出する電圧値ＶＴが、所定電圧以下の値に低下した場合が、発熱部の温度が所定の温度以上の温度になったことに対応することになる。
【００７８】
しかし、ＮＴＣサーミスタの場合、ＰＴＣサーミスタのように所定温度を越えた領域で急激な抵抗値の変化がない。そのため、本実施形態と同様に各発熱部の近傍に配置された各ＮＴＣサーミスタを直列に接続すると、１つの発熱部で温度が上昇し、当該発熱部の近傍に配置されたＮＴＣサーミスタの抵抗値が低下しても、抵抗値の変化量が少なく、他のＮＴＣサーミスタの抵抗値が高いままとなる。
【００７９】
そのため、リファレンス電圧ＶＲとグランド（ＧＮＤ）間を、抵抗器９５と各ＮＴＣサーミスタによって分圧された電圧値ＶＴは変化が少なく、温度検出部８５に入力される電圧値ＶＴに基づいて、発熱部の温度が所定の温度以上になったことを適切に検出することができない。
【００８０】
そこで、温度検出手段９４としてＮＴＣサーミスタを用いる場合には、発熱部である第１スイッチ素子８７ａや第２スイッチ素子８７ｂ、インダクタ８９（或いは充電電流検出用の抵抗部９１）の近傍に配置する各ＮＴＣサーミスタを直列に接続せず、個別に充電制御部８２に接続するように構成される。
【００８１】
そして、充電制御部８２の温度検出部８５では、各ＮＴＣサーミスタについて入力される各電圧値ＶＴ（すなわち発熱部の温度の情報）のうちの少なくとも１つの値がリファレンス電圧ＶＲとほぼ等しい値から低下した場合に、発熱部の温度が所定の温度以上の温度になったことを検出するように構成される。
【００８２】
なお、温度検出手段９４としてＰＴＣサーミスタを用いる場合もＮＴＣサーミスタを用いる場合も、リファレンス電圧ＶＲとグランド（ＧＮＤ）間の分圧の仕方は、抵抗器９５とＰＴＣサーミスタ或いはＮＴＣサーミスタとの位置を入れ替えて構成してもよい。この場合は、分圧される電圧値ＶＴの温度変化に対する変化の仕方が、上記の例の場合とそれぞれ逆になる。
【００８３】
充電制御部８２のスイッチング制御部８６は、図８に示すように、充電電圧検出部８３からもたらされる内蔵電源２４に充電されている充電電圧Ｖの情報や、充電電流検出部８４からもたらされる充電電流検出用の抵抗部９１の両極間の電位差Δｖの情報（すなわち充電電流経路８１を流れる充電電流Ｉの情報）、温度検出部８５からもたらされる電圧値ＶＴ（すなわち発熱部の温度の情報）に応じて、充電電流経路８１を介して内蔵電源２４に供給される充電電流Ｉおよび充電電圧Ｖを制御するようになっている。
【００８４】
そして、スイッチング制御部８６は、フィードバックされたそれらの情報に応じて第１スイッチ素子８７ａおよび第２スイッチ素子８７ｂのオン／オフ動作を制御して、充電装置であるクレードル６０の定電圧電源６６ａから供給される電力の内蔵電源２４への供給を制御するようになっている。
【００８５】
［充電制御回路における内蔵電源の充電制御等について］
以下、充電制御回路８０における放射線画像撮影装置１の内蔵電源２４の充電制御等について説明する。また、それとあわせて、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１（電子機器）、クレードル６０（充電装置）および充電制御回路８０や、それらで構成される充電システム１００（図８や図５等参照）の作用について説明する。
【００８６】
本実施形態では、充電制御回路８０のスイッチング制御部８６は、電子機器である放射線画像撮影装置１の内蔵電源２４に対する充電の仕方を、充電電流Ｉが一定になるように充電を行う定電流充電を行った後、充電電圧が一定になるように充電を行う定電圧充電に切り替えるようになっている。
【００８７】
具体的には、スイッチング制御部８６は、各発熱部の温度が所定の温度以上の温度になることがなければ、図１０に示すように、充電電圧検出部８３が検出した内蔵電源２４の充電電圧Ｖ（図１０の右側の目盛りおよび破線参照）が予め設定された目標電圧Ｖ０よりも小さい場合には、定電流充電を行う。
【００８８】
本実施形態では、スイッチング制御部８６は、定電流充電を行う場合には、充電電流経路８１に例えば１０［Ａ］等の比較的大きな一定の充電電流Ｉを流すように構成されており、充電電流検出部８４が検出した充電電流検出用の抵抗部９１の両極間の電位差Δｖが、設定された電流値（すなわち例えば１０［Ａ］）に相当する電位差になるように、第１スイッチ素子８７ａと第２スイッチ素子８７ｂのオン／オフ動作を制御する。
【００８９】
このように、定電流充電時に、充電電流経路８１に例えば１０［Ａ］等の比較的大きな充電電流Ｉを流すように構成することで、充電電流経路８１に例えば１［Ａ］等の比較的小さな充電電流Ｉを流して充電を行う従来の充電方法の場合に比べて、定電流充電時の充電時間を短縮することが可能となる。
【００９０】
そして、上記のようにして定電流充電を行い、充電電圧検出部８３が検出した内蔵電源２４の充電電圧Ｖが目標電圧Ｖ０に達すると、図１０に示すように、スイッチング制御部８６は、今度は、内蔵電源２４に対する充電の仕方を定電圧充電に切り替えるようになっている。
【００９１】
上記のように定電流充電を行って、充電電圧検出部８３が検出した内蔵電源２４の充電電圧Ｖが目標電圧Ｖ０に達したとしても、内蔵電源２４内部や充電電流経路８１等の抵抗による電圧降下が存在するため、内蔵電源２４の充電電圧Ｖは、実際には目標電圧Ｖ０には達していない。
【００９２】
そこで、スイッチング制御部８６は、充電の仕方を切り替えた後の定電圧充電時には、充電電圧検出部８３が検出する内蔵電源２４の充電電圧Ｖが目標電圧Ｖ０を越えずに目標電圧Ｖ０を維持するように第１スイッチ素子８７ａと第２スイッチ素子８７ｂのオン／オフ動作を制御しながら、充電電流経路８１を介して内蔵電源２４に電力を供給して、引き続き内蔵電源２４の充電（定電圧充電）を行う。
【００９３】
そして、スイッチング制御部８６は、充電電流検出部８４が検出する充電電流検出用の抵抗部９１の両極間の電位差Δｖが次第に減少し、充電電流経路８１中を流れる充電電流Ｉが非常に小さくなってそれに対応する電位差Δｖが予め設定された閾値Δｖth以下になった時点で、内蔵電源２４の充電を終了するようになっている（図１０の時刻ｔ１参照）。
【００９４】
充電制御回路８０における内蔵電源２４の充電の基本的な制御は、以上のように構成されているが、特に定電流充電の際に上記のように充電電流経路８１に大きな充電電流Ｉを流すような場合には、第１スイッチ素子８７ａや第２スイッチ素子８７ｂ、インダクタ８９等の発熱部の温度が上昇する。
【００９５】
そして、それらの発熱部の温度が上昇し過ぎると、前述したように、ユーザが火傷したり、電子機器や充電装置が燃焼したり損傷したりする場合がある。また、放射線検出素子の部分にいわゆる画欠が生じてしまったり、異常な放射線検出素子から読み出された画像データにより画像上にアーチファクトが生じたり、画像に濃度ムラが生じたりする等の問題が生じ得る。
【００９６】
そこで、本実施形態では、充電制御部８２のスイッチング制御部８６は、図８に示すように、充電電圧検出部８３からもたらされる充電電圧Ｖの情報や、充電電流検出部８４からもたらされる電位差Δｖの情報だけでなく、温度検出部８５からもたらされる電圧値ＶＴ（すなわち発熱部の温度の情報）に応じて、充電電流経路８１を介して内蔵電源２４に供給される充電電流Ｉを制御する。
【００９７】
そして、スイッチング制御部８６は、各発熱部のうちの少なくとも１つの温度が上記の所定の温度範囲を越えて上昇すると、内蔵電源２４に供給する充電電流Ｉを下げるように制御するようになっている。
【００９８】
なお、各発熱部の温度がどの程度の温度になった場合に充電電流Ｉを下げるか等については、充電制御回路８０やそれが搭載された電子機器（本実施形態では放射線画像撮影装置１）における温度上昇の影響やそれにより問題が生じるか否か等に基づいて適宜設定される。また、その温度設定は、温度検出手段９４として用いられるＰＴＣサーミスタ等の抵抗値の特性等によって設定される。
【００９９】
また、本実施形態では、スイッチング制御部８６は、回路的な構成（すなわちいわゆるハードウエア的な構成）によって温度検出部８５からもたらされる電圧値ＶＴにいわば反比例する状態で充電電流Ｉを下げるように制御するように構成されている。しかし、スイッチング制御部８６にＣＰＵを備えさせる等して、この処理をソフトウエア的に行うように構成することも可能である。
【０１００】
さらに、本実施形態では、前述したように、温度検出手段９４としてＰＴＣサーミスタを用いており、発熱部の温度が所定の温度範囲を越えて上昇すると温度検出部８５に入力される電圧値ＶＴが上昇するため、発熱部の温度が所定の温度範囲を越えて上昇した場合には、上記のように電圧値ＶＴにいわば反比例するように充電電流Ｉを下げる。すなわち、電圧値ＶＴが上昇するほど充電電流Ｉを下げるように制御する。
【０１０１】
しかし、温度検出手段９４としてＮＴＣサーミスタを用いる場合には、前述したように発熱部の温度が所定の温度範囲を越えて上昇すると温度検出部８５に入力される電圧値ＶＴが低下する。そのため、この場合は、スイッチング制御部８６は、発熱部の温度が所定の温度範囲を越えて上昇した場合には、電圧値ＶＴが低下するほど充電電流Ｉを下げる、すなわち電圧値ＶＴにいわば比例して充電電流Ｉを下げるように制御するように構成される。
【０１０２】
以下、温度検出手段９４としてＰＴＣサーミスタを用いた本実施形態に基づいて説明するが、ＮＴＣサーミスタを用いる場合も、スイッチング制御部８６は同様に機能する。
【０１０３】
前述したように、温度検出手段９４としてＰＴＣサーミスタを用いる場合、第１スイッチ素子８７ａや第２スイッチ素子８７ｂ、インダクタ８９（或いは充電電流検出用の抵抗部９１）等の各発熱部の温度がいずれも所定の温度以下の状態では、充電制御部８２の温度検出部８５に入力される電圧値ＶＴはリファレンス電圧ＶＲよりも低い値になる。そして、この状態は、いずれかの発熱部の温度が所定の温度以上になるまで続く。
【０１０４】
そのため、内蔵電源２４に対して定電流充電を開始した当初の各発熱部の温度がまだ低い状態では、スイッチング制御部８６は、上記の通常の定電流充電を行う。そして、この状態では、図１１（Ａ）に示すように、充電電流経路８１中を流れる充電電流Ｉは、予め設定された例えば１０［Ａ］等の電流値になる。そして、内蔵電源２４に充電されている充電電圧Ｖも内蔵電源２４への充電に伴って上昇していく。
【０１０５】
このように定電流充電を行う際に、大電流のオン／オフ動作が繰り返されることで第１スイッチ素子８７ａや第２スイッチ素子８７ｂが発熱し、インダクタ８９も大きな充電電流Ｉが流れることで発熱する。充電電流検出用の抵抗部９１も発熱する場合がある。
【０１０６】
そして、それらの発熱部のうちの少なくとも１つが上記の所定の温度以上の温度になると、その近傍に設けられたＰＴＣサーミスタの抵抗値が急激に上昇する。そのため、充電制御部８２の温度検出部８５に入力される電圧値ＶＴが上昇していく。
【０１０７】
そのため、スイッチング制御部８６は、前述したように温度検出部８５からもたらされる電圧値ＶＴにいわば反比例するように充電電流Ｉを下げる。そのため、図１１（Ｂ）に示すように、充電電流経路８１中を流れる充電電流Ｉが低下する。なお、そのため、内蔵電源２４に充電されている充電電圧Ｖの上昇率は、図１０に示した通常の状態の定電流充電の場合よりも鈍化する。
【０１０８】
しかし、一方で、スイッチング制御部８６は、もともと定電流充電を行う場合には充電電流Ｉが予め設定された電流値（例えば１０［Ａ］）になるように、すなわち充電電流Ｉに対応する充電電流検出用の抵抗部９１の両極間の電位差Δｖが予め設定された電位差になるように、充電電流経路８１中に充電電流Ｉを流すように構成されている。
【０１０９】
そのため、スイッチング制御部８６は、温度検出部８５に入力される電圧値ＶＴすなわち各発熱部の温度が上昇すると充電電流経路８１中を流れる充電電流Ｉを下げ、各発熱部の温度が下降すると充電電流Ｉを上昇させて予め設定された電流値（例えば１０［Ａ］）に戻そうとするように作用するようになる。
【０１１０】
その結果、図１２に示すように、充電電流経路８１中を流れる充電電流Ｉが、予め設定された電流値よりも低いほぼ一定の電流値に収束する状態になる。また、各発熱部の温度もほぼ一定の温度が維持される状態になる。
【０１１１】
そのため、この状態の各発熱部の温度が、上記のような問題を引き起こす温度以下の温度になるように、スイッチング制御部８６を調整し、或いはＰＴＣサーミスタを選択することで、充電制御回路８０における各発熱部の温度が上昇しても、上記のような種々の問題が生じることを的確に防止することが可能となる。
【０１１２】
このような状態になった後は、充電制御回路８０のスイッチング制御部８６は、上記と同様に、充電電圧検出部８３が検出した内蔵電源２４の充電電圧Ｖが予め設定された目標電圧Ｖ０になるまで、図１２に示すように、上記のようにほぼ一定の電流値に収束した充電電圧Ｉで定電流充電を行う。
【０１１３】
そして、図示を省略するが、本実施形態では、スイッチング制御部８６は、充電電圧検出部８３が検出した内蔵電源２４の充電電圧Ｖが目標電圧Ｖ０に達すると、図１０に示した場合と同様に、内蔵電源２４に対する充電の仕方を定電圧充電に切り替える。
【０１１４】
定電圧充電では、図１０に示したように、充電電流経路８１中を流れる充電電流Ｉの電流値は定電流充電の場合よりも低くなるため、各発熱部における発熱が低減する。そのため、通常の場合には、上記のように各発熱部の温度が上昇して充電電流Ｉを下げる処理を行う必要はなくなる。しかし、何らかの原因で発熱部の温度が上昇した場合には、スイッチング制御部８６は、上記と同様にして充電電流経路８１中を流れる充電電流Ｉを下げるように機能する。
【０１１５】
以上のように、本実施形態に係る充電システム１００や、充電制御回路８０を備える電子機器（すなわち放射線画像撮影装置１）によれば、充電制御回路８０の充電制御部８２は、内蔵電源２４の充電中に、第１スイッチ素子８７ａや第２スイッチ素子８７ｂ、インダクタ８９（或いは充電電流検出用の抵抗部９１）等の発熱部の温度が所定の温度範囲を越えて上昇した場合には、内蔵電源２４に供給する充電電流Ｉを下げるように制御する。
【０１１６】
そのため、充電電流経路８１中を流れる充電電流Ｉを第１スイッチ素子８７ａや第２スイッチ素子８７ｂ、インダクタ８９（或いは充電電流検出用の抵抗部９１）等の発熱部の温度が過度な発熱とならない範囲に制限して電流値がほぼ一定の状態に収束させることが可能となり、各発熱部の温度をほぼ一定の温度に維持することが可能となる。このように、本実施形態に係る充電システム１００や、充電制御回路８０を備える電子機器によれば、電子機器の内蔵電源２４の充電時に、充電制御回路８０の温度上昇を所定の温度範囲に抑制することが可能となる。
【０１１７】
そして、そのため、充電制御回路８０が加熱して電子機器が高温になってユーザが火傷したり電子機器が燃焼したり損傷したりすることを的確に防止することが可能となる。また、本実施形態のように電子機器が放射線画像撮影装置１である場合に、放射線画像撮影装置１の内蔵電源２４を充電しながら放射線画像撮影を行う場合でも、放射線検出素子の部分にいわゆる画欠が生じてしまったり、異常な放射線検出素子から読み出された画像データにより放射線画像上にアーチファクトが生じたり、放射線画像に濃度ムラが生じたりすることを的確に防止することが可能となる。
【０１１８】
なお、上記の実施形態では、充電制御回路８０を電子機器である放射線画像撮影装置１に設ける場合について説明したが、例えば図１３に示すように、充電制御回路８０を充電装置であるクレードル６０に設けるように構成することも可能である。例えば、クレードル６０の筐体６１（図７等参照）内部の基板６５上の、各種電子部品６６が収納されている部分に、充電制御回路８０を設けることが可能である。
【０１１９】
この場合、通常、クレードル６０に放射線画像撮影装置１を挿入して放射線画像撮影装置１の内蔵電源２４を充電している間に放射線画像撮影は行われないが、放射線画像撮影装置１が高温状態となるような場合には、放射線画像撮影装置１自体の温度変化により、濃度ムラ等の画像異常が生じる可能性がある。また、クレードル６０が高温になってユーザが火傷したり電子機器である放射線画像撮影装置１が損傷する可能性がある。
【０１２０】
しかし、充電制御回路８０を上記のように構成すれば、クレードル６０で放射線画像撮影装置１の内蔵電源２４を充電する際に、充電制御回路８０の温度上昇を所定の温度範囲に抑制することが可能となる。そのため、上記の問題が生じることを的確に防止することが可能となる。
【０１２１】
また、上記の実施形態では、電子機器が放射線画像撮影装置１であり、充電装置がクレードル６０である場合について説明したが、この他にも、充電可能な内蔵電源２４を内蔵する電子機器であれば、ノート型パソコンや携帯電話、携帯情報端末等についても本発明を適用することが可能である。また、それらの充電装置についても本発明を適用することが可能である。
【符号の説明】
【０１２２】
１  放射線画像撮影装置（電子機器）
２４  内蔵電源
６０  クレードル（充電装置）
８０  充電制御回路
８１  充電電流経路
８２  充電制御部
８７ａ  第１スイッチ素子（発熱部）
８７ｂ  第２スイッチ素子（発熱部）
８９  インダクタ（発熱部）
９１  充電電流検出用の抵抗部（発熱部）
９４  温度検出手段
９５  抵抗器
１００  充電システム
Ｉ  充電電流
Ｖ  充電電圧
ＶＲ  リファレンス電圧
ＶＴ  電圧値（発熱部の温度の情報）
【図１】
2012227983.tif 000003
【図２】
2012227983.tif 000004
【図３】
2012227983.tif 000005
【図４】
2012227983.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2012227983.tif 000009
【図８】
2012227983.tif 000010
【図９】
2012227983.tif 000011
【図１０】
2012227983.tif 000012
【図１１】
2012227983.tif 000013
【図１２】
2012227983.tif 000014
【図１３】
2012227983.tif 000015