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特願２００２−１５４２３６「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１２月５日出願公開、特開２００３−３４７３３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成１４年５月２８日の出願であって、平成１６年７月２日付けで拒絶理由が通知されたが、その指定期間内に何等の応答もなかったので、平成１６年１１月５日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、平成１６年１２月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされたものである。
　　　
【２】補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年１２月９日の手続補正を却下する。
［理由］
［１］補正後の発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項２に係る発明は、
「【請求項１】電極パッドに金属バンプを有する半導体装置の製造方法において、半導体基板にアルミニウム、アルミニウムを主成分とする合金、銅、又は銅を主成分とする合金からなる電極パッドを形成する工程と、前記電極パッド上に、その電極パッドと電気的に接続する金層を形成する工程と、前記プローブ針を接触させた前記金層上に半田バンプを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記金属パンプは半田バンプであり、
前記電極パッドと前記金層との間に半田成分の前記電極パッドへの拡散を抑制するバリアメタル層を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。」であり、これを一つの請求項とし、かつ誤記等を正して記載すると、
「電極パッドに半田バンプを有する半導体装置の製造方法において、半導体基板にアルミニウム、アルミニウムを主成分とする合金、銅、又は銅を主成分とする合金からなる電極パッドを形成する工程と、前記電極パッドと金層との間に半田成分の前記電極パッドへの拡散を抑制するバリアメタル層を形成する工程と、前記電極パッド上に、その電極パッドと電気的に接続する前記金層を形成する工程と、プローブ針を接触させた前記金層上に半田バンプを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」(以下、「本件発明」という)となる。
　そしてこの補正は、その補正前の請求項１に記載した「電極パッド」の材料をアルミニウム等に特定したものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか(特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか)について以下に検討する。
　　　
［２］刊行物の記載事項および、その開示内容
　刊行物１；特開２０００−３１１９１３号公報・・・原審の拒絶理由で提示された引用刊行物１である。
［２-1］刊行物１の記載事項
　段落【0005】に、
(刊1a)「バリアメタル１０は、第１乃至第３の導電性金属層１１〜１３を積層した構造とされている。このバリアメタル１０は、バンプ４が電極５に拡散するのを防止するために設けられている」と記載され、
　段落【0010】に、
(刊1b)「一方、バンプ４に直接プローブ１４をプロービングした場合、錫（Ｓｎ），鉛（Ｐｂ）等のバンプ材料がプロープ４の先端に付着してしまう。一般にプロープ４の先端にはメッキ部１５が形成されている」と記載され、
　段落【0012】の【課題を解決するための手段】に、
(刊1c)「上記の課題を解決するために本発明では、・・・・・半導体基板上に形成された電極上に突起電極が配設される半導体装置を製造するのに用いられ、前記半導体基板上に形成された複数の電極上に、前記電極との接合性の良好な最下部導電性金属層と、少なくとも前記突起電極の前記電極への拡散を防止するバリア層を含むと共に前記最上部導電性金属層と前記最下部導電性金属層との間に形成される中間部導電性金属層とを積層形成することによりバリアメタルを形成するバリアメタル形成工程と、該バリアメタル形成工程の終了後に、形成された前記バリアメタル上に突起電極を形成する突起電極形成工程と、前記半導体基板に信号供給を行なうことにより、該半導体基板に対し所定の試験を行なう試験工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記バリアメタル形成工程の終了後で、かつ前記突起電極形成工程の実施前に、前記試験工程を実施することを特徴とするものである」と記載され、
　段落【0016】，【0017】に、
(刊1d)「請求項１及び請求項２記載の発明によれば、バリアメタル形成工程の終了後でかつ突起電極形成工程の実施前に試験工程を実施することにより、試験はバリアメタル形成工程で形成されたバリアメタルを介して行なうことができる。即ち、試験工程で用いられる試験用接続端子（例えば、プローブ）は、略球状を有した突起電極ではなく、表面が略平面とされたバリアメタルに接続されて試験が行なわれる。よって、従来のように球状の突起電極に試験用接続端子を接続していた方法に比べ、確実に試験用接続端子をバリアメタルに接続することができ、電気的試験及びバーンイン等の信頼性試験を確実に高い信頼性を持って実施することができる」と記載され、
　段落【0025】〜【0027】に、
(刊1e)「尚、第３の導電性金属層３３としては、銅（Ｃｕ）に代えて、ニッケル（Ｎｉ）またはパラジウム（Ｐｄ）のいずれか一の金属、または銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びパラジウム（Ｐｄ）のいずれか一の金属を含む合金を用いることも可能である。上記した第２及び第３の導電性金属層３２，３３は、最下部に位置する第１の導電性金属層３１と最上部に位置する第４の導電性金属層３４との中間に位置する中間部導電性金属層を構成する。また、第４の導電性金属層３４は最上部に位置するもの（最上部導電性金属層）であり、バンプ３５の材質（本実施例では、半田を用いている）と合金化し易く、かつ耐酸化性を有する材質を材質が選定されている。具体的には、本実施例では第３の導電性金属層３３Ａの材質として金（Ａｕ）を用いており、その厚さは０．１μｍとされている。尚、第４の導電性金属層３４としては、金（Ａｕ）に代えて、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、及びロジウム（Ｒｈ）のいずれか一の金属、または、金（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、及びロジウム（Ｒｈ）のいずれか一の金属を含む合金を用いることができる」と記載され、
　段落【0028】に、
(刊1f)「一方、バンプ３５は外部端子として機能するものであり、略球形状を有している。このバンプ３５の材質としては、半導体装置２０の実装時において実装基板との接合性を向上させる点を考慮して、錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）の合金である半田を用いてる」と記載され、
　段落【0030】，【0031】に、
(刊1g)「ここで、第４の導電性金属層３４に注目すると、前記のように第４の導電性金属層３４は、バンプ３５の材質となる半田と合金化し易い金（Ａｕ）が選定されている。このように、第４の導電性金属層３４の材質としてバンプ３５との接合性の良好な金属を選定することにより、第４の導電性金属層３４とバンプ３５との接合性を向上させることができる。また、第４の導電性金属層３４は、耐酸化性を有する材質が選定されている。このため、バリアメタル３０Ａを形成した後に加熱処理等を実施し、その後にバンプ３５をバリアメタル３０Ａ上に形成しても、上記の加熱処理時に第４の導電性金属層３４の表面にバンプ接合に不利となる酸化膜等は形成されることはない。よって、バンプ３５をバリアメタル３０Ａ上に確実に接合させることができ、半導体装置２０の信頼性を向上させることができる」と記載され、
　段落【0037】に、
(刊1h)「本実施例では、第３の導電性金属層３３としてニッケル（Ｎｉ）を用い、第４の導電性金属層３４として金（Ａｕ）を用いている。また、前記したように第４の導電性金属層３４は０．１μｍの厚さとされており薄い金属膜とされているが、この第４の導電性金属層３４の重量は後述する突起電極形成工程で形成されるバンプ３５の重量に対し、重量％にて２％未満となるようにしている。この第４の導電性金属層３４の重量制御は、例えば電解メッキ時における通電時間及びメッキ電流を制御することにより容易に行なうことができる」と記載され、
　段落【0041】に、
(刊1i)「ここで、プローブ１４の接続先に注目すると、図１１及び図１２に示されるように、本実施例ではプローブ１４はバリアメタル３０Ａの最上部に接続されている。即ち、本実施例では、バリアメタル形成工程が終了した後で、かつバンプ３５を形成する突起電極形成工程の実施前に試験工程を実施するため、試験工程実施時にバリアメタル３０Ａにバンプ３５は形成されていない。よって、このバリアメタル３０Ａにプローブ１４を直接接続することにより、半導体チップ２７の試験を行なうことができる」と記載され、
　段落【0049】，【0050】に、
(刊1j)「以上説明した試験工程が終了すると、続いてバンプ３５を形成する突起電極形成工程が実施される。この突起電極形成工程では、前記のようにＰｂ：Ｓｎ＝９５：５の半田よりなる半田ボールをバリアメタル３０Ａ上に転写し、フラックスを用いて３５０℃，窒素雰囲気でリフロー処理を行なうことにより高さ約１００μｍのバンプ３５を形成した。その後、フラックスの洗浄処理等を実施することにより、図１４に示す半導体装置２０が製造される。ところで、突起電極形成工程では上記のようにリフロー処理（加熱処理）が行なわれるが、本実施例では第４の導電性金属層３４の材質としてバンプ３５と合金化し易い材料を用いているため、このリフロー処理時に第４の導電性金属層３４がバンプ３５に溶け込み合金化するおそれがある。しかるに、本実施例では第４の導電性金属層３４の重量をバンプ３５重量に対し重量％にて２％未満と少なくしているため、第４の導電性金属層３４の全てがバンプ３５と合金化しても、バンプ３５全体に占める第４の導電性金属層３４の量はなくないため、バンプ３５の劣化を防止することができる」と記載されている。
　　　
［２-2］刊行物１の開示内容
　前記(刊1c)〜(刊1j)の記載事項から、刊行物１には、
「電極に半田バンプを有する半導体装置の製造方法において、半導体基板に電極を形成する工程と、前記電極とバリアメタルの最上部導電性金属層としての(０．１μｍ厚の)金層との間に半田バンプの前記電極への拡散を防止するバリア層を含むバリアメタルを形成する工程と、前記電極上に、その電極とバリア層を介して電気的に接続する前記金層を形成する工程と、プローブを接続させた最上部導電性金属層である前記金層上に半田バンプを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法」の発明(以下、「刊行物発明」という)が開示されている。
　　　
［３］本件発明と刊行物発明との対比
　本件発明と刊行物発明とを対比すると、
　刊行物発明の「電極」，「半田バンプの前記電極への拡散を防止するバリア層を含むバリアメタル」，「プローブを接続させた」は、
　本件発明の「電極パッド」，「半田成分の前記電極パッドへの拡散を抑制するバリアメタル層」，「プローブ針を接触させた」に、それぞれ相当すると認められる。
　したがって、両者は「電極パッドに半田バンプを有する半導体装置の製造方法において、半導体基板に電極パッドを形成する工程と、前記電極パッドと金層との間に半田成分の前記電極パッドへの拡散を抑制するバリアメタル層を形成する工程と、前記電極パッド上に、その電極パッドと電気的に接続する前記金層を形成する工程と、プローブ針を接触させた前記金層上に半田バンプを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法」であることで一致する。
　一方、本件発明では「電極パッドがアルミニウム等」の材料からなるのに対して、刊行物発明では「電極パッド」の材料についての記載がない点(相違点１)と、本件発明では「金層はバリアメタル層を覆う被覆層」であるのに対して、刊行物発明では「金層はバリアメタルの最上部導電性金属層」である点(相違点２)とで両者は相違する。
　　　
［４］判断
　相違点１の検討
　一般的に、バンプが形成される半導体素子や半導体チップの電極パッドをアルミニウムで形成することは、「ＴＡＢ技術入門」畑田賢造　著，株式会社工業調査会，１９９０年１月２５日発行，第７３〜７７頁、「ＣＳＰ技術のすべて」萩本英二　著，株式会社工業調査会，１９９８年８月１８日発行，第１４９及び１５０頁にも記載の如く、この出願前に周知であるとともに、アルミニウムの電極パッドは最もポピュラーなものである。
　したがって、この相違点１は、当業者が周知事項に基づいて適宜容易に想到できたものと認められる。
　　　
　相違点２の検討
　一般に、刊行物発明の如くバリアメタルの最上部層として、バンプとの接合性が良く、耐酸化性を有する材質である金(Ａｕ)の薄膜層を形成していることは、その積層構造上、この金層はバリア層の被覆層といえるから、本件発明の金層を刊行物発明の構造から想起することは、当業者において容易な事項であったものと認められる。
　　　
［５］まとめ
　以上のとおりであるから、本件発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　　
【３】この出願の発明
　平成１６年１２月９日の手続補正は上述のとおり却下したので、本願の請求項２に係る発明は、出願当初の明細書の特許請求の範囲の請求項２に記載された事項により特定されるとおりの、
「【請求項１】電極パッドに金属バンプを有する半導体装置の製造方法において、半導体基板に電極パッドを形成する工程と、前記電極パッド上に、その電極パッドと電気的に接続する金層を形成する工程と、前記金層にプローブ針を接触させる工程と、前記プローブ針を接触させた前記金層上に金属バンプを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項２】前記金属バンプは半田バンプであり、
前記電極パッドと前記金層との間に半田成分の前記電極パッドへの拡散を抑制するバリアメタル層を形成する工程とを有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。」であり、これを一つの請求項として記載すると、
「電極パッドに半田バンプを有する半導体装置の製造方法において、半導体基板に電極パッドを形成する工程と、前記電極パッドと金層との間に半田成分の前記電極パッドへの拡散を抑制するバリアメタル層を形成する工程と、前記電極パッド上に、その電極パッドと電気的に接続する前記金層を形成する工程と、前記金層にプローブ針を接触させる工程と、前記プローブ針を接触させた前記金層上に半田バンプを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」(以下、「本願発明」という)となる。
　　　
【４】原審における拒絶理由の概要
　原審における拒絶理由の概要は、
「１．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　２．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　請求項２、３（理由１，２）
　引用刊行物１の特に第７図及び【００３４】〜【００３７】を参照。
　電極パッドがアルミニウムからなることは普通のことである。
　　　　　　　　　　　 引用文献等一覧
引用刊行物１：特開２０００−３１１９１３号公報(以下、「引用例」という)
引用刊行物２：特開平１１−０６７７７５号公報
引用刊行物３：特開２００１−３０８１３９号公報」というものである。
　　　
【５】引用例の記載事項および、その開示内容
【５-1】引用例の記載事項
　段落【0012】の【課題を解決するための手段】に、
(引ａ)「上記の課題を解決するために本発明では、・・・・・半導体基板上に形成された電極上に突起電極が配設される半導体装置を製造するのに用いられ、前記半導体基板上に形成された複数の電極上に、前記電極との接合性の良好な最下部導電性金属層と、少なくとも前記突起電極の前記電極への拡散を防止するバリア層を含むと共に前記最上部導電性金属層と前記最下部導電性金属層との間に形成される中間部導電性金属層とを積層形成することによりバリアメタルを形成するバリアメタル形成工程と、該バリアメタル形成工程の終了後に、形成された前記バリアメタル上に突起電極を形成する突起電極形成工程と、前記半導体基板に信号供給を行なうことにより、該半導体基板に対し所定の試験を行なう試験工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記バリアメタル形成工程の終了後で、かつ前記突起電極形成工程の実施前に、前記試験工程を実施することを特徴とするものである」と記載され、
　段落【0016】，【0017】に、
(引ｂ)「請求項１及び請求項２記載の発明によれば、バリアメタル形成工程の終了後でかつ突起電極形成工程の実施前に試験工程を実施することにより、試験はバリアメタル形成工程で形成されたバリアメタルを介して行なうことができる。即ち、試験工程で用いられる試験用接続端子（例えば、プローブ）は、略球状を有した突起電極ではなく、表面が略平面とされたバリアメタルに接続されて試験が行なわれる。よって、従来のように球状の突起電極に試験用接続端子を接続していた方法に比べ、確実に試験用接続端子をバリアメタルに接続することができ、電気的試験及びバーンイン等の信頼性試験を確実に高い信頼性を持って実施することができる」と記載され、
　段落【0025】〜【0027】に、
(引ｃ)「尚、第３の導電性金属層３３としては、銅（Ｃｕ）に代えて、ニッケル（Ｎｉ）またはパラジウム（Ｐｄ）のいずれか一の金属、または銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びパラジウム（Ｐｄ）のいずれか一の金属を含む合金を用いることも可能である。上記した第２及び第３の導電性金属層３２，３３は、最下部に位置する第１の導電性金属層３１と最上部に位置する第４の導電性金属層３４との中間に位置する中間部導電性金属層を構成する。また、第４の導電性金属層３４は最上部に位置するもの（最上部導電性金属層）であり、バンプ３５の材質（本実施例では、半田を用いている）と合金化し易く、かつ耐酸化性を有する材質を材質が選定されている。具体的には、本実施例では第３の導電性金属層３３Ａの材質として金（Ａｕ）を用いており、その厚さは０．１μｍとされている。尚、第４の導電性金属層３４としては、金（Ａｕ）に代えて、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、及びロジウム（Ｒｈ）のいずれか一の金属、または、金（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、及びロジウム（Ｒｈ）のいずれか一の金属を含む合金を用いることができる」と記載され、
　段落【0028】に、
(引ｄ)「一方、バンプ３５は外部端子として機能するものであり、略球形状を有している。このバンプ３５の材質としては、半導体装置２０の実装時において実装基板との接合性を向上させる点を考慮して、錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）の合金である半田を用いてる」と記載され、
　段落【0030】，【0031】に、
(引ｅ)「ここで、第４の導電性金属層３４に注目すると、前記のように第４の導電性金属層３４は、バンプ３５の材質となる半田と合金化し易い金（Ａｕ）が選定されている。このように、第４の導電性金属層３４の材質としてバンプ３５との接合性の良好な金属を選定することにより、第４の導電性金属層３４とバンプ３５との接合性を向上させることができる。また、第４の導電性金属層３４は、耐酸化性を有する材質が選定されている。このため、バリアメタル３０Ａを形成した後に加熱処理等を実施し、その後にバンプ３５をバリアメタル３０Ａ上に形成しても、上記の加熱処理時に第４の導電性金属層３４の表面にバンプ接合に不利となる酸化膜等は形成されることはない。よって、バンプ３５をバリアメタル３０Ａ上に確実に接合させることができ、半導体装置２０の信頼性を向上させることができる」と記載され、
　段落【0037】に、
(引ｆ)「本実施例では、第３の導電性金属層３３としてニッケル（Ｎｉ）を用い、第４の導電性金属層３４として金（Ａｕ）を用いている。また、前記したように第４の導電性金属層３４は０．１μｍの厚さとされており薄い金属膜とされているが、この第４の導電性金属層３４の重量は後述する突起電極形成工程で形成されるバンプ３５の重量に対し、重量％にて２％未満となるようにしている。この第４の導電性金属層３４の重量制御は、例えば電解メッキ時における通電時間及びメッキ電流を制御することにより容易に行なうことができる」と記載され、
　段落【0041】に、
(引ｇ)「ここで、プローブ１４の接続先に注目すると、図１１及び図１２に示されるように、本実施例ではプローブ１４はバリアメタル３０Ａの最上部に接続されている。即ち、本実施例では、バリアメタル形成工程が終了した後で、かつバンプ３５を形成する突起電極形成工程の実施前に試験工程を実施するため、試験工程実施時にバリアメタル３０Ａにバンプ３５は形成されていない。よって、このバリアメタル３０Ａにプローブ１４を直接接続することにより、半導体チップ２７の試験を行なうことができる」と記載され、
　段落【0049】，【0050】に、
(引ｈ)「以上説明した試験工程が終了すると、続いてバンプ３５を形成する突起電極形成工程が実施される。この突起電極形成工程では、前記のようにＰｂ：Ｓｎ＝９５：５の半田よりなる半田ボールをバリアメタル３０Ａ上に転写し、フラックスを用いて３５０℃，窒素雰囲気でリフロー処理を行なうことにより高さ約１００μｍのバンプ３５を形成した。その後、フラックスの洗浄処理等を実施することにより、図１４に示す半導体装置２０が製造される。ところで、突起電極形成工程では上記のようにリフロー処理（加熱処理）が行なわれるが、本実施例では第４の導電性金属層３４の材質としてバンプ３５と合金化し易い材料を用いているため、このリフロー処理時に第４の導電性金属層３４がバンプ３５に溶け込み合金化するおそれがある。しかるに、本実施例では第４の導電性金属層３４の重量をバンプ３５重量に対し重量％にて２％未満と少なくしているため、第４の導電性金属層３４の全てがバンプ３５と合金化しても、バンプ３５全体に占める第４の導電性金属層３４の量はなくないため、バンプ３５の劣化を防止することができる」と記載されている。
　　　
【５-2】引用例の開示内容
　前記(引ａ)〜(引ｈ)の記載事項から、引用例には、
「電極に半田バンプを有する半導体装置の製造方法において、半導体基板に電極を形成する工程と、前記電極とバリアメタルの最上部導電性金属層としての(０．１μｍ厚の)金層との間に半田バンプの前記電極への拡散を防止するバリア層を含むバリアメタルを形成する工程と、前記電極上に、その電極とバリア層を介して電気的に接続する前記金層を形成する工程と、前記金層にプローブを接続する工程と、前記プローブを接続させた最上部導電性金属層である前記金層上に半田バンプを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法」の発明(以下、「引用発明」という)が開示されている。
　　　
【６】本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明の「電極」，「半田バンプの前記電極への拡散を防止するバリア層を含むバリアメタル」，「前記金層にプローブを接続する」，「プローブを接続させた」は、
　本願発明の「電極パッド」，「半田成分の前記電極パッドへの拡散を抑制するバリアメタル層」，「前記金層にプローブ針を接触させる」，「プローブ針を接触させた」に、それぞれ相当すると認められる。
　したがって、両者は「電極パッドに半田バンプを有する半導体装置の製造方法において、半導体基板に電極パッドを形成する工程と、前記電極パッドと金層との間に半田成分の前記電極パッドへの拡散を抑制するバリアメタル層を形成する工程と、前記電極パッド上に、その電極パッドと電気的に接続する前記金層を形成する工程と、前記金層にプローブ針を接触させる工程と、前記プローブ針を接触させた前記金層上に半田バンプを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法」であることで一致する。
　一方、本願発明では「金層はバリアメタル層を覆う被覆層」であるのに対して、引用発明では「金層はバリアメタルの最上部導電性金属層」である点(相違点)で両者は相違する。
　　　
【７】判断
　相違点の検討
　一般に、引用発明の如くバリアメタルの最上部層として、バンプとの接合性が良く、耐酸化性を有する材質である金(Ａｕ)の薄膜層を形成していることは、その積層構造上、この金層はバリア層の被覆層といえるから、本願発明の金層を引用発明の構造から想起することは、当業者において容易な事項であったものと認められる。
　　　
【８】むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、上記の引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。