【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年12月1日(2009.12.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ｉ）で示される金属錯体。
【化１】
2005534695.tif 000001
式中、
Ｍは＋２、＋３又は＋４の酸化状態のチタニウム、ジルコニウム又はハフニウムであり、
Ｒ’はそれぞれ独立して存在するハイドライド基、ヒドロカルビル基、シリル基、ゲルミル基、ハライド基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルシロキシ基、ヒドロカルビルシリルアミノ基、ジヒドロカルビルアミノ基、ヒドロカルビレンアミノ基、ジヒドロカルビルフォスフィノ基、ヒドロカルビレンフォスフィノ基、ヒドロカルビルスルフィド基、ハロ置換ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル基、シリル置換ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルシロキシ置換ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルシリルアミノ置換ヒドロカルビル基、ジヒドロカルビルアミノ置換ヒドロカルビル基、ヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル基、ジヒドロカルビルフォスフィノ置換ヒドロカルビル基、ヒドロカルビレンフォスフィノ置換ヒドロカルビル基又はヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビル基であり、当該Ｒ’基は最大４０の非水素原子を有し、場合によっては前記の基が２個以上一緒になって２価の誘導体を形成してもよい。
Ｒ’’は炭素数６〜１２を有するアリール基であり、
Ｒ’’’は炭素数１〜６のアルキル基又はシクロアルキル基で置換されていてもよい２価のヒドロカルビレン基である。
Ｙは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ＊−、−ＰＲ＊−、−ＮＲ２＊又は−ＰＲ２＊であり、Ｚ＊はＳｉＲ＊２、ＣＲ＊２、ＳｉＲ＊２ＳｉＲ＊２、ＣＲ＊２ＣＲ＊２、ＣＲ＊＝ＣＲ＊、ＣＲ＊２ＳｉＲ＊２又はＧｅＲ＊２であり、Ｒ＊はそれぞれ独立して存在する水素又はヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、シリル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基及びそれらの組み合わせから選ばれるものであり、最大２４の非水素原子を有し、場合によっては、Ｚ由来の２個のＲ＊基（Ｒ＊は水素でない）又はＺ由来の１個のＲ＊基とＹ由来の１個のＲ＊基によって環システムを形成しうる。
Ｘは１価のアニオン配位子基であり、環状の非局在化π結合配位子基を除き最大６０の原子を有する。
Ｘ’はそれぞれ独立して存在する最大２０の原子を有する中性配位化合物であり、
Ｘ’’は最大６０の原子を有する２価アニオン配位子基である。
ｐは０、１、２又は３、
ｑは０、１又は２、
ｒは０又は１である。
【請求項２】
下記式（ＩＩ）で示される請求項１記載の金属錯体。
【化２】
2005534695.tif 000002
式中、
Ｍは＋２、＋３又は＋４の酸化状態のチタニウム、ジルコニウム又はハフニウムであり、
Ｒａはそれぞれ独立して存在する水素、炭素数１〜１０のアルキル基、アラルキル基又はシクロアルキル基であり、
Ｒｂは炭素数６〜１２のアリール基、
Ｒｃはそれぞれ独立して存在する水素、炭素数１〜６のアルキル基又はシクロアルキル基である。
Ｙは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ＊−、−ＰＲ＊−、−ＮＲ２＊又は−ＰＲ２＊であり、Ｚ＊はＳｉＲ＊２、ＣＲ＊２、ＳｉＲ＊２ＳｉＲ＊２、ＣＲ＊２ＣＲ＊２、ＣＲ＊＝ＣＲ＊、ＣＲ＊２ＳｉＲ＊２又はＧｅＲ＊２であり、Ｒ＊はそれぞれ独立して存在する水素又はヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、シリル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基及びそれらの組み合わせから選ばれるものであり、最大２４の非水素原子を有し、場合によっては、Ｚ由来の２個のＲ＊基（Ｒ＊は水素でない）又はＺ由来の１個のＲ＊基とＹ由来の１個のＲ＊基によって環システムを形成しうる。
Ｘは１価のアニオン配位子基であり、環状の非局在化π結合配位子基を除き最大６０の原子を有する。
Ｘ’はそれぞれ独立して存在する最大２０の原子を有する中性配位化合物であり、
Ｘ’’は最大６０の原子を有する２価アニオン配位子基である。
ｐは０、１、２又は３、
ｑは０、１又は２、
ｒは０又は１である。
【請求項３】
下記式（ＩＩＩ）で示される請求項２記載の金属錯体。
【化３】
2005534695.tif 000003
式中、
ＡＲはフェニル基又はナフタレニル基、
Ｒａはメチル基又はベンジル基、
Ｍはチタニウム、
Ｙは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ＊−、−ＰＲ＊−、−ＮＲ２＊又は−ＰＲ２＊であり、Ｚ＊はＳｉＲ＊２、ＣＲ＊２、ＳｉＲ＊２ＳｉＲ＊２、ＣＲ＊２ＣＲ＊２、ＣＲ＊＝ＣＲ＊、ＣＲ＊２ＳｉＲ＊２又はＧｅＲ＊２であり、Ｒ＊はそれぞれ独立して存在する水素又はヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、シリル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基及びそれらの組み合わせから選ばれるものであり、最大２４の非水素原子を有し、場合によっては、Ｚ由来の２個のＲ＊基（Ｒ＊は水素でない）又はＺ由来の１個のＲ＊基とＹ由来の１個のＲ＊基によって環システムを形成しうる。
Ｘ、Ｘ’及びＸ’’は請求項２で定義した通りであり、
ｐは０、１又は２、
ｑは０又は１、
ｒは０又は１であり、
ｐ＝２、ｑ＝ｒ＝０のとき、Ｍは＋４の酸化状態にあり（但し、Ｙが−ＮＲ２＊又は−ＰＲ２＊のときはＭの酸化状態は＋３）、Ｘはハライド基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ジヒドロカルビルアミド基、ジヒドロカルビルフォスフィド基、ヒドロカルビルスルフィド基及びシリル基、さらには、それらのハロ−置換、ジヒドロカルビルアミノ−置換、ヒドロカルビルオキシ−置換及びジヒドロカルビルフォスフィノ−置換誘導体からなる群から選ばれるアニオン配位子であり、当該Ｘ基は最大３０の非水素原子を有する。
ｐ＝ｑ＝０、ｒ＝１のとき、Ｍは＋４の酸化状態にあり、且つ、Ｘ’’はヒドロカルバジイル基、オキシヒドロカルビル基及びヒドロカルビレンジオキシ基からなる群から選ばれるジアニオン配位子であり、当該Ｘ基は最大３０の非水素原子を有する。
ｐ＝１、ｑ＝ｒ＝０のとき、Ｍは＋３の酸化状態であり、Ｘはアリル基、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル基、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル）フェニル基及び２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンジル基からなる群から選ばれる安定化アニオン配位子基である。
ｐ＝ｒ＝０、ｑ＝１のとき、Ｍは＋２の酸化状態であり、Ｘ’は中性の共役又は非共役ジエン（場合によっては、少なくとも１つのヒドロカルビル基で置換されているものを含む）であり、最大４０の炭素原子を有し、Ｍとπ錯体を形成しうる。
【請求項４】
金属錯体が、ジクロロ［Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）−１，１−ジメチル−［（１，２，３，３ａ，８ａ−η）−１，５，６，７−テトラヒドロ−２−メチル−４−フェニル−ｓ−インダセン−１−イル］シラナミネート（２−）−Ｎ］チタニウム、［Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）−１，１−ジメチル−［（１，２，３，３ａ，８ａ−η）−１，５，６，７−テトラヒドロ−２−メチル−４−フェニル−ｓ−インダセン−１−イル］シラナミネート（２−）−Ｎ］チタニウム・ジメチル、ジクロロ［Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）−１，１−ジメチル−［（１，２，３，３ａ，８ａ−η）−１，５，６，７−テトラヒドロ−２−メチル−４−（１−ナフタレニル）−ｓ−インダセン−１−イル］シラナミネート（２−）−Ｎ］チタニウム又は［Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）−１，１−ジメチル−［（１，２，３，３ａ，８ａ−η）−１，５，６，７−テトラヒドロ−２−メチル−４−（１−ナフタレニル）−ｓ−インダセン−１−イル］シラナミネート（２−）−Ｎ］チタニウム・ジメチルである請求項３記載の金属錯体。
【請求項５】
請求項１乃至４記載のいずれかに記載の金属錯体を少なくとも１種含有してなる触媒組成物を用いる重合条件下で少なくとも１種のオレフィンを接触させてなるオレフィン重合法。
【請求項６】
エチレンと少なくとも１種の炭素数３〜８のα−オレフィン又はスチレンあるいは共役又は非共役ジエンを重合する請求項５記載の重合法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
本発明は下記式（Ｉ）で示される金属錯体を提供する。
【化１】
2005534695.tif 000004
式中、Ｍは＋２、＋３又は＋４の酸化状態のチタニウム、ジルコニウム又はハフニウムであり、Ｒ’はそれぞれ独立して存在するハイドライド基、ヒドロカルビル基、シリル基、ゲルミル基、ハライド基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルシロキシ基、ヒドロカルビルシリルアミノ基、ジヒドロカルビルアミノ基、ヒドロカルビレンアミノ基、ジヒドロカルビルフォスフィノ基、ヒドロカルビレンフォスフィノ基、ヒドロカルビルスルフィド基、ハロ置換ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル基、シリル置換ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルシロキシ置換ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルシリルアミノ置換ヒドロカルビル基、ジヒドロカルビルアミノ置換ヒドロカルビル基、ヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル基、ジヒドロカルビルフォスフィノ置換ヒドロカルビル基、ヒドロカルビレンフォスフィノ置換ヒドロカルビル基又はヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビル基であり、当該Ｒ’基は最大４０の非水素原子を有し、場合によっては前記の基が２個以上一緒になって２価の誘導体を形成してもよい。Ｒ’’はそれぞれ独立して存在する炭素数６〜１２を有するアリール基であり、Ｒ’’’は２価のヒドロカルビレン基又は置換ヒドロカルビレン基であり、１〜３０の非水素原子を有し、金属錯体の残基と縮合環を形成しうる。Ｚは２価の基又は1個のσ結合とＭに対して配位共有結合性能を有する中性の２個の電子対を有する基であり、ホウ素又は周期律表の第１４族金属を有しており且つ窒素、リン、イオウ又は酸素を有している。Ｘは１価のアニオン配位子基であり、環状の非局在化π結合配位子基を除き最大６０の原子を有する。Ｘ’はそれぞれ独立して存在する最大２０の原子を有する中性配位化合物であり、Ｘ’’は最大６０の原子を有する２価アニオン配位子基である。ｐは０、１、２又は３、ｑは０、１又は２、ｒは０又は１である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
本発明で推奨される金属錯体は下記式（ＩＩ）で示される。
【化２】
2005534695.tif 000005
式中、Ｍは＋２、＋３又は＋４の酸化状態のチタニウム、ジルコニウム又はハフニウムであり、Ｒａはそれぞれ独立して存在する水素、炭素数１〜１０のアルキル基、アラルキル基又はシクロアルキル基、好ましくはメチル基又はベンジル基であり、Ｒｂは炭素数６〜１２のアリール基、Ｒｃはそれぞれ独立して存在する水素、炭素数１〜６のアルキル基又はシクロアルキル基、好ましくは水素である。Ｚは２価の基又は１個のσ結合とＭに対して配位共有結合性能を有する中性の２個の電子対を有する基であり、ホウ素又は周期律表の第１４族金属を有しており且つ窒素、リン、イオウ又は酸素を有している。Ｘは１価のアニオン配位子基であり、環状の非局在化π結合配位子基を除き最大６０の原子を有する。Ｘ’はそれぞれ独立して存在する最大２０の原子を有する中性配位化合物であり、Ｘ’’は最大６０の原子を有する２価アニオン配位子基である。ｐは０、１、２又は３、ｑは０、１又は２、ｒは０又は１である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
置換インデニル配位子の第４位の位置が置換されてアリール基が存在しない錯体に比べて、本発明の錯体は活性が大であり、α−オレフィン又はその他のコモノマーをエチレン共重合体中に多量に導入できる。従って、本発明の金属錯体を含有する触媒組成物によれば、エチレン・α−オレフィン共重合体をより高効率に製造することができるし、あるいは、α−オレフィンコモノマーの導入レベルが増大した結果、より低密度の共重合体を製造することができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
本発明において用いられるモノビニル芳香族モノマーとしては、下記式で示される炭素数８〜２０含有アリール置換エチレン化合物が含まれる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
式中、ＡＲはフェニル基又はナフタレニル基、Ｒａはメチル基又はベンジル基、Ｍはチタニウム、Ｙは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ＊−、−ＰＲ＊−、−ＮＲ２＊又は−ＰＲ２＊であり、Ｚ＊はＳｉＲ＊２、ＣＲ＊２、ＳｉＲ＊２ＳｉＲ＊２、ＣＲ＊２ＣＲ＊２、ＣＲ＊＝ＣＲ＊、ＣＲ＊２ＳｉＲ＊２又はＧｅＲ＊２であり、Ｒ＊はそれぞれ独立して存在する水素又はヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、シリル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基及びそれらの組み合わせから選ばれるものであり、最大２４の非水素原子を有し、場合によっては、Ｚ由来の２個のＲ＊基（Ｒ＊は水素でない）又はＺ由来の１個のＲ＊基とＹ由来の１個のＲ＊基によって環システムを形成しうる。Ｘ、Ｘ’及びＸ’’は既に定義した通りであり、ｐは０、１又は２、ｑは０又は１、ｒは０又は１であり、ｐ＝２、ｑ＝ｒ＝０のとき、Ｍは＋４の酸化状態にあり（但し、Ｙが−ＮＲ２＊又は−ＰＲ２＊のときはＭの酸化状態は＋３）、Ｘはハライド基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ジヒドロカルビルアミド基、ジヒドロカルビルフォスフィド基、ヒドロカルビルスルフィド基及びシリル基、さらには、それらのハロ−置換、ジヒドロカルビルアミノ−置換、ヒドロカルビルオキシ−置換及びジヒドロカルビルフォスフィノ−置換誘導体からなる群から選ばれるアニオン配位子であり、当該Ｘ基は最大３０の非水素原子を有する。ｐ＝ｑ＝０、ｒ＝１のとき、Ｍは＋４の酸化状態にあり、且つ、Ｘ’’はヒドロカルバジイル基、オキシヒドロカルビル基及びヒドロカルビレンジオキシ基からなる群から選ばれるジアニオン配位子であり、当該Ｘ基は最大３０の非水素原子を有する。ｐ=１、ｑ＝ｒ＝０のとき、Ｍは＋３の酸化状態であり、Ｘはアリル基、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル基、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル）フェニル基及び２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンジル基からなる群から選ばれる安定化アニオン配位子基である。ｐ＝ｒ＝０、ｑ＝１のとき、Ｍは＋２の酸化状態であり、Ｘ’は中性の共役又は非共役ジエン（場合によっては、少なくとも１つのヒドロカルビル基で置換されているものを含む）であり、最大４０の炭素原子を有し、Ｍとπ錯体を形成しうる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
本発明で用いられる好ましいアルモキサン類としては、例えば、メチルアルモキサン、トリイソブチルアルミニウム変性メチルアルモキサンあるいはイソブチルアルモキサン；炭素数１〜３０含有ヒドロカルビル置換第１３族化合物の添加によって変性された前記アルキルアルモキサンのような中性ルイス酸変性ポリメリック又はオリゴマーアルモキサン類などが挙げられる。かかる炭素数１〜３０含有ヒドロカルビル置換第１３族化合物としては、好ましくは、例えば、各ヒドロカルビル基又はハロゲン化ヒドロカルビル基に炭素を１〜１０含有するトリ（ヒドロカルビル）アルミニウム化合物又はトリ（ヒドロカルビル）ボロン化合物又はそれらのハロゲン化（パーハロゲン化を含む）誘導体などが挙げられ、より好ましくは、パーフルオロ化トリ（アリール）ボロン化合物又はパーフルオロ化トリ（アリール）アルミニウム化合物などが挙げられる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
第４族金属錯体は、例えば、第４族金属オレフィン重合錯体に用いられる従来公知のカチオン形成共触媒と組み合わせることにより触媒活性を持たせることもできる。本発明で用いられる好ましいカチオン形成共触媒としては、例えば、炭素数１〜３０含有ヒドロカルビル置換第１３族化合物（好ましくは、各ヒドロカルビル基又はハロゲン化ヒドロカルビル基に炭素を１〜１０含有するトリ（ヒドロカルビル）アルミニウム化合物又はトリ（ヒドロカルビル）ボロン化合物又はそれらのハロゲン化（パーハロゲン化を含む）誘導体などが挙げられ、より好ましくは、パーフルオロ化トリ（アリール）ボロン化合物などが挙げられ、最も好ましくは、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン）のような中性ルイス酸；非ポリメリックで相溶性の非配位イオン形成化合物（酸化条件下でのかかる化合物の使用を含む、特に、相溶性非配位アニオン類のアンモニウム塩、フォスフォニウム塩、オキソウム塩、カルボニウム塩、シリリウム塩又はスルフォニウム塩、あるいは、相溶性非配位アニオン類の鉄塩、鉛塩又は銀塩など）；及び前記カチオン形成共触媒と技術手法の組み合わせなどが挙げられる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】４−アリール−置換三環状インデニル誘導体含有第４族金属錯体