【事件の表示】
　特願２０１３−２３０９６５「投影露光システム用の少なくとも１つの磁石を有するアクチュエータ」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　４月１０日出願公開、特開２０１４−　６４０１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１０年２月２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００９年２月１０日、ドイツ国）を国際出願日とする出願である特願２０１１−５４８６６１号の一部を、平成２５年１１月７日に新たな特許出願としたものであって、平成２６年１０月８日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年２月１２日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、同年６月１９日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年１２月１７日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたが、平成２８年５月１０日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これに対して、平成２８年９月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正書が提出されたものである。
　その後、当審において、平成２９年５月１１日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由１」という。）が通知され、同年１１月１６日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１２月１３日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由２」という。）が通知され、平成３０年６月１４日付けで意見書及び手続補正書が提出された。
第２　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１〜１４に係る発明は、平成３０年６月１４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（これら請求項１〜１４に係る発明を、それぞれ、以下、「本願発明１」〜「本願発明１４」という。）
「　【請求項１】
　投影露光システム用のアクチュエータであって、可動である少なくとも１つのマニピュレータ表面（２３）と、前記マニピュレータ表面を作動させる少なくとも１つの磁石及びコイルとを備えるアクチュエータにおいて、
　前記アクチュエータは、前記コイル（１５）を収容するコイル板（１１）と、前記磁石を取り付けるための磁石保持板（１２）を含み、前記磁石保持板（１２）は、前記マニピュレータ表面を備え、前記磁石は前記マニピュレータ表面に取り付けられ、前記コイル板（１１）と前記磁石保持板（１２）とは、電流が前記コイルを流れると、前記磁石を、したがって前記マニピュレータ表面を動かすことができるように、互いに接続され、
　前記磁石保持板は渦巻きばねをさらに備え、
　前記マニピュレータ表面は、前記渦巻きばねの一端に対して接続されており、
　前記渦巻きばねの他端が、前記磁石保持板（１２）の取付領域に対して接続されており、
　前記マニピュレータ表面、前記渦巻きばね、および、前記取付領域は、一体的に形成されているか、または、追加の接続材料なしで材料の連続性を保った接続により強固に結合される、
ことを特徴とするアクチュエータ。
　　【請求項２】
　投影露光システム用のアクチュエータであって、可動である少なくとも１つのマニピュレータ表面（２３）と、前記マニピュレータ表面を作動させる少なくとも１つの磁石及びコイルとを備えるアクチュエータにおいて、
　前記アクチュエータは、前記コイル（１５）を収容するコイル板（１１）と、前記磁石を取り付けるための磁石保持板（１２）を含み、前記磁石保持板（１２）は、前記マニピュレータ表面および磁石ハウジングを備え、前記磁石は前記磁石ハウジングにより収容されており、前記コイル板（１１）と前記磁石保持板（１２）とは、電流が前記コイルを流れると、前記磁石を、したがって前記マニピュレータ表面を動かすことができるように、互いに接続され、
　前記磁石保持板は渦巻きばねをさらに備え、
　前記磁石ハウジングは、前記渦巻きばねの一端に対して接続されており、
　前記渦巻きばねの他端が、前記磁石保持板（１２）の取付領域に対して接続されており、
　前記磁石ハウジング、前記渦巻きばね、および、前記取付領域は、一体的に形成されているか、または、追加の接続材料なしで材料の連続性を保った接続により強固に結合される、
ことを特徴とするアクチュエータ。
　　【請求項３】
　請求項１又は２に記載のアクチュエータにおいて、
　前記マニピュレータ表面を前記磁石に対向するよう構成したことを特徴とする、アクチュエータ。
　　【請求項４】
　請求項１から３のいずれか１項に記載のアクチュエータにおいて、
　作動対象コンポーネントがスペーサ及びミラーであることを特徴とする、アクチュエータ。
　　【請求項５】
　請求項１〜４のいずれか１項に記載のアクチュエータにおいて、
　複数の磁石を設け、該磁石の全部を完全に封入したことを特徴とする、アクチュエータ。
　　【請求項６】
　請求項２に記載のアクチュエータにおいて、
　前記マニピュレータ表面はコーティングにより形成されてなり、
　１つ又は複数の前記磁石を前記磁石ハウジング及び前記コーティングにより封入したことを特徴とする、アクチュエータ。
　　【請求項７】
　請求項６に記載のアクチュエータにおいて、
　前記コーティングは耐水素拡散性であることを特徴とする、アクチュエータ。
　　【請求項８】
　請求項６又は７に記載のアクチュエータにおいて、
　前記コーティングを複数の層で形成したことを特徴とする、アクチュエータ。
　　【請求項９】
　請求項６〜８のいずれか１項に記載のアクチュエータにおいて、
　前記コーティングは、ニッケル、亜鉛、及び銅からなる群からの少なくとも１つの元素を含むことを特徴とする、アクチュエータ。
　　【請求項１０】
　請求項６に記載のアクチュエータにおいて、
　前記磁石ハウジング（２）を、金属、ステンレス鋼、アルミニウム、及びアルミニウム合金からなる群からの少なくとも１つの成分から形成したことを特徴とする、アクチュエータ。
　　【請求項１１】
　請求項６に記載のアクチュエータにおいて、
　前記磁石ハウジング（２１）を、半導体材料、ケイ素、ケイ素合金、二酸化ケイ素、ゲルマニウム、ゲルマニウム合金、及び酸化ゲルマニウムからなる群からの少なくとも１つの成分から形成したことを特徴とする、アクチュエータ。
　　【請求項１２】
　請求項６又は１０に記載のアクチュエータにおいて、
　前記磁石ハウジングの壁は、０．１ｍｍ〜４ｍｍの厚さを有することを特徴とする、アクチュエータ。
　　【請求項１３】
　請求項６、１０〜１２のいずれか１項に記載のアクチュエータにおいて、　前記磁石ハウジングは、前記磁石に加えて閉じ込めガス体積を含むことを特徴とする、アクチュエータ。
　　【請求項１４】
　請求項１〜１３のいずれか１項に記載のアクチュエータにおいて、
　前記取付領域の材料は、シリコンであることを特徴とする、
アクチュエータ。」
第３　当審拒絶理由
１　当審拒絶理由１は以下のとおりである。
「第１　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された発明（以下、それぞれ、順に「本願発明１」ないし「本願発明１４」という。）は、平成２８年９月１６日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された次のとおりのものである。 
・・・略・・・
第２　特許法第３６条第６項第１号違反及び２号違反の拒絶理由
・・・略・・・
第３　特許法第３６条第４項第１号違反の拒絶理由
（１）・・・略・・・
（２）発明の詳細な説明の【００５２】に「ＤＲＩＥドライエッチングによる環状の自由空間２７の形成時に、ポット形のハウジング構造２１を磁石又は磁粉２２の周りに残す」としているが、【図３】をみても、ハウジング構造２１の側面を残す方法は理解できるが、ハウジング構造２１の底面を残す方法が明らかでない。
（３）・・・略・・・
（４）小活
　よって、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明１を実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものということができず、本願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないから、拒絶すべきものである。」
２　当審拒絶理由２は以下のとおりである。
「１．（サポート要件）本件出願は、明細書の特許請求の範囲の下記の請求項の記載が 下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
２．（明確性要件）本件出願は、明細書の特許請求の範囲の下記の請求項の記載が 下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
３．（実施可能要件）この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
 　　　　　　　　　　　　　　記
●理由１（サポート要件）について 
・請求項　１−１３ 
・備考 
・・・略・・・
●理由２（明確性要件）について 
・請求項　１−１３ 
・備考 
・・・略・・・
●理由３（実施可能要件）について 
・請求項２−１３ 
・備考 
　本願明細書の発明の詳細な説明の【００４８】〜【００５３】及び【図２】〜【図４】に、本願の請求項２に係る発明のアクチュエータを製造する方法について記載されている。
　上記の製造方法の記載において、磁石保持板１２を、保護層１７を設けた裏側からドライエッチング法（ディープ反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ））により処理して、ばね棒構造１９の領域の材料を、ばね棒構造１９の下にあるＳｉＯ２保護層１８まで除去することにより、自由空間２７を形成する時に、ポット形のハウジング構造２１を磁石又は磁粉２２の周りに残すことで、封入磁石ユニット２０（請求項２の「磁石ハウジング」に対応する）を形成することが記載されている。
　しかしながら、上記【００４８】〜【００５３】の記載では、上記「封入磁石ユニット２０」の底部の製造方法（底部をどのように残すのか）については何ら記載がない。よって、本願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項２−１３に係る発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものではない。
　なお、平成２９年１１月１６日付けで提出された意見書においては、「２−３　特許法第３６条第４項第１号違反の拒絶理由について」において「ＤＲＩＥ等の既知の方途により、所望の領域をエッチングして除去することができます。この際、目的とする形状に応じて、例えば、エッチング速度を調節することや、エッチングのオンオフを切り替えること、さらには、ハウジング構造２１の底部に該当する構造部のエッチングの際には、側壁保護膜が堆積し難いエッチング条件として、側壁をあえて「えぐる」ことができるような条件とすること等、当業者であれば実施可能な各種制御を適宜実行することで、ハウジング構造２１の底部を残しつつ、エッチングを進行させることができます。」と主張されている。
　しかしながら、上記の主張において「側壁保護膜」とは何か不明であり、「側壁保護膜が堆積し難いエッチング条件」、「側壁をあえて「えぐる」ことができるような条件」とは具体的にどのような条件であるのか不明である。
　ドライエッチング等によって上記の「封入磁石ユニット２０（磁石ハウジング）」の底部の形成をすることが可能であることが当業者にとって自明であるのならば、証拠を提示して、その点を説明する必要がある。」
第４　当審拒絶理由２について
１　当審拒絶理由２の理由３について
　当審拒絶理由２の理由３は、当審拒絶理由１の「第３　特許法第３６条第４項第１号違反の拒絶理由」（２）と同趣旨の拒絶理由であるところ、本願の発明の詳細な説明は、平成２９年１１月１６日付けの手続補正により補正された請求項２〜１３に係る発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものではないというものである。
　そこで、本願の発明の詳細な説明が、平成２９年１１月１６日付けの手続補正により補正した請求項２〜１３に係る発明を、さらに、平成３０年６月１４日付けの手続補正により補正した本願発明２〜１３を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものであるか否かを以下、検討する。
　より詳細には、本願発明２の「前記磁石を取り付けるための磁石保持板（１２）」を構成する「磁石ハウジング」であって、「前記磁石は前記磁石ハウジングにより収容されており、」「前記磁石ハウジングは、前記渦巻きばねの一端に対して接続されており、」「前記磁石ハウジング、前記渦巻きばね、および、前記取付領域は、一体的に形成されているか、または、追加の接続材料なしで材料の連続性を保った接続により強固に結合される」「磁石ハウジング」について、その具体的な製造方法、特に、「磁石保持板１２を、保護層１７を設けた裏側からドライエッチング法（ディープ反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ））により処理して、ばね棒構造１９の領域の材料を、ばね棒構造１９の下にあるＳｉＯ２保護層１８まで除去する」（段落【００５１】）ことにより、「自由空間２７の形成時に、ポット形のハウジング構造２１を磁石又は磁粉２２の周りに残すことで、封入磁石ユニット２０ができる」（段落【００５２】：「ポット型のハウジング構造２１」が本願発明２の「磁石ハウジング」に対応する。）と記載される製造方法について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものであるか否かを以下、検討する。
２　本願の明細書及び図面の記載
　本願発明２の「磁石ハウジング」に対応する「ポット型のハウジング構造２１」の製造方法に関する本願の明細書及び図面の記載は以下のとおりである。（特に、関連する箇所に当審で下線を付した。）
（１）「【００２９】
　
マニピュレータ表面及び／又は磁石ハウジング、ばね棒及び／又は磁石保持板の取付領域は、磁石取付板の固体材料、例えばシリコンウェーハから、マイクロシステム技術に従った材料パターニング技法により加工することができる。
（２）「【００４１】
　図２〜図４は、別の実施形態に従った投影露光システム、特にＥＵＶ投影露光システムで用いるアクチュエータの製造の断面図を示す。製造プロセスを図２〜図４に示すアクチュエータは、マイクロパターニングプロセスにより、特にリソグラフィ法により製造し、アクチュエータの寸法は、マイクロ技術的大きさに限定するのではなくより大きな寸法で確実に実現することができる。例えば、アクチュエータ１０により作動するミラー１３のサイズは、直径又は辺長に関して最大４ｍｍの大きさである。
　【００４２】
　図４から明らかなように、アクチュエータ１０は、４つの平面に分割することができ、第１平面をコイル板１１により形成する。図示の実施形態のコイル板１１は、シリコン半導体材料から形成し、マイクロ電子コイル１５の取付けに用いる。マイクロ電子コイル１５は、リソグラフィ堆積法によりコイル板１１の表面に堆積することができる。
　【００４３】
　コイル板１１の上には、いわゆる磁石保持板１２を配置し、これは、コイル１５と協働してミラー１３を動かすことができる、特に傾斜させることができる磁石２２を備える。磁石保持板１２の設計及び製造は、図２及び図３を参照して以下で詳述する。
　【００４４】
　アクチュエータ１０の第２平面を形成する磁石保持板１２の上には、スペーサ１４を第３平面として磁石２２の反対側でマニピュレータ表面２３上に設け、その上にさらに、傾斜させる移動ミラー１３を配置する。
　【００４５】
　すでに上述したように、コイル１５を通る電流の流れは磁界を発生させることができ、この磁界が磁石２２の磁界と相互作用して、ミラー１３を傾斜させる。
　【００４６】
　マニピュレータ表面２３及びその上に配置したスペーサ１４の移動度を高めるために、マニピュレータ表面２３及び磁石２２を、磁石保持板１２の取付領域２５にばね棒１９を介して接続することで、ばね棒１９の変形がマニピュレータ表面２３及びその上に配置したスペーサ１４の傾斜、及び接続したミラー１３の傾斜も可能にする。
　【００４７】
　図示の実施形態のばね棒１９は、マニピュレータ表面の領域の周りで渦巻ばねとして実施する。
　【００４８】
　アクチュエータ１０のマイクロ技術製造を、図２及び図３に部分的に示す。
　【００４９】
　図２は、初期製造段階における磁石保持板１２の断面図である。この製造段階で、磁石保持板１２は、ばね棒１９に対応する微細構造をすでに有している。これは例えば、気相堆積による材料の対応の堆積を用いたリソグラフィ堆積法によっても製造することができる。図示の実施形態の磁石保持板１２をシリコン製にすることで、ばね棒１９の微細構造もシリコンから形成することができる。
　【００５０】
　ばね棒１９のパターニング層の堆積前に、不動態酸化物（passivation oxide）、例えば二酸化ケイ素を、磁石保持板１２を形成するシリコンウェーハの表面上に形成して、後続のパターニングプロセスのための保護層としての役割を果たすようにすることができる。それに応じて、
二酸化ケイ素保護層１７を下側の特定の領域にも設けることができ、このとき後続の材料除去領域用の凹部を二酸化ケイ素領域にすでに設けておく。同様に、凹部を二酸化ケイ素層１８の中央に設けることで、シリコンウェーハに空洞２６を形成することができるようにし、この空洞２６は、磁石又は磁粉２２を収容する役割を果たす。
　【００５１】
　
続いて、磁石保持板１２を、保護層１７を設けた裏側からドライエッチング法により処理して、ばね棒構造１９の領域の材料を除去する。この目的で、例えば、ディープ反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）を用いて、シリコンをばね棒構造１９の下にあるＳｉＯ
２
保護層１８まで除去することができる。これにより、自由空間２７ができる。
　【００５２】
　
ＤＲＩＥドライエッチングによる環状の自由空間２７の形成時に、ポット形のハウジング構造２１を磁石又は磁粉２２の周りに残すことで、封入磁石ユニット２０ができる。
　【００５３】
　上側では、磁石ハウジング２１をカバー要素２３でシールすることができ、カバー要素２３は、コーティングの形態で堆積するか又は他のハウジング部分に同様に母材の連続性を保って結合する。カバー要素２３の代替として、スペーサ１４を直接用いて、接続層２４により、例えば共晶金属結合により得られるいわゆる結合部位を介して、カプセルハウジング２１をシールすることができる。
　【００５４】
　スペーサ１４の上には、再び対応の接続層を介してミラー１３を配置することができる一方で、磁石保持板１２の下側には、接続層１６を介して、例えば共晶金属結合によりコイル板１１を配置することができる。
　【００５５】
　マイクロ技術製造を通して、封入磁石２０は、磁石保持板１２に直接母材の連続性を保って結合して可動に取付けることができ、これは、磁石及びそれに接続したマニピュレータ表面を保持するための対応の接続層、例えば接着剤層等を必要とせずに行われる。こうした接続層は、特に極端紫外光の波長域で動作させる投影露光システムでは耐用寿命に関して問題となり得る。さらに、このような接続層は、剪断力の適応に関して問題となり得る。本発明の製造技法ではこれが回避されるが、それは、ばね棒及び磁石２２のハウジング２１を、接続手段を一切介在させずに取付領域２５に母材の連続性を保って結合するからである。特に、取付領域２５の領域における酸化層１８を省くことができ、その結果として、気相堆積によりシリコン上に堆積したばね棒構造１９のシリコンは、シリコンウェーハのシリコンに直接堆積して最適な付着状態となる。」
（３）「【図２】
【図３】
【図４】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
３　本願の明細書及び図面に記載された技術事項
　上記本願の明細書及び図面の記載事項（特に、段落【００５０】〜【００５２】の下線部及び図２〜４）において、当業者の技術常識をも考慮すると、「保護層１７」を「ディープ反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）」のエッチングレジストとして使用して、図４に示される「自由空間２７」をエッチングすると解される。すなわち、下記の図（本願の図３に、当審で、矢印と塗りつぶしを追加した図であり、以下「図３’」という。）に示されるように、「保護層１７」は黒く塗りつぶした部分に形成され、「磁石保持板１２を形成するシリコンウェーハ」のうちの「保護層１７」が形成されていない部分が「ディープ反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）」でエッチングされ（ＤＲＩＥは、異方性エッチングであるので、矢印が示す方向にエッチングされ、矢印に直交する方向にはほとんどエッチングされない。）、その結果、図３’に濃い灰色で塗りつぶした部分のみがエッチングされると解される。（なお、このことについては、請求人も、平成３０年６月１４日付けの意見書の【意見の内容】４．３において、「二酸化ケイ素保護層１７は、シリコン製板の取付領域２５および磁石ハウジング２１に対応する底部に形成されます。これによって、構造化プロセス（すなわち、ドライエッチングプロセス）によりシリコン板の取付領域２５および磁石ハウジング２１の底部を形成するシリコン板の中央領域が除去されないようにします。」と説明している。）
　すると、図４の「ポット型のハウジング構造２１」の底面と「コイル板１１」の上面との間の空間部分（図３’で、薄い灰色で塗りつぶした部分）は、「保護層１７」がエッチングレジストとして存在しているので、上記「ディープ反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）」ではエッチングされないと解するの相当である。
【図３’】
４　判断
　上記３での検討のとおり、図４の「ポット型のハウジング構造２１」の底面と「コイル板１１」の上面との間の空間部分は、「ディープ反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）」ではエッチングされないところ、本願の明細書及び図面には、この部分を具体的にどのように除去するかについての記載がないことは明らかである。
　請求人は、この部分の（エッチングによる）除去について、
　まず、平成２９年１１月１６日付けの意見書の【意見の内容】２−３において、
「・・・この際、目的とする形状に応じて、例えば、エッチング速度を調節することや、エッチングのオンオフを切り替えること、さらには、ハウジング構造２１の底部に該当する構造部のエッチングの際には、側壁保護膜が堆積し難いエッチング条件として、側壁をあえて「えぐる」ことができるような条件とすること等、当業者であれば実施可能な各種制御を適宜実行することで、ハウジング構造２１の底部を残しつつ、エッチングを進行させることができます。その結果、段落［００５２］にて、「ＲＩＥドライエッチングによる環状の自由空間２７の形成時に、ポット形のハウジング構造２１を磁石又は磁粉２２の周りに残すことで、封入磁石ユニット２０ができる。」と記載されておりますように、所望形状のハウジング構造２１を形成することができます。」
と説明しているが、「ハウジング構造２１の底部に該当する構造部のエッチングの際には、側壁保護膜が堆積し難いエッチング条件として、側壁をあえて「えぐる」ことができるような条件とすること等、当業者であれば実施可能な各種制御を適宜実行すること」において、「側壁保護膜が堆積し難いエッチング条件として、側壁をあえて「えぐる」ことができるような条件とすること」が、具体的にどのようなエッチング方法を記載しようとしているのかは理解できない。
　次に、平成３０年６月１４日付けの意見書の【意見の内容】４．３において、
「さらに、渦巻ばねの下の領域の材料を除去するための構造化プロセスは、意図された構造（例えば、取付領域２５および磁石ハウジング２１を残す構造）を形成するために、いくつかのプロセスステップにより実行することができることは、当業者には明らかです。以上のように、本願明細書の記載及び図面に基づき、磁石ハウジング２１の領域に設けられた二酸化ケイ素保護層１７により、磁石ハウジング２１の底部を形成できることは、当業者に容易に理解できることです。」
と説明するが、「いくつかのプロセスステップ」が具体的にどのようなステップであるのかが当業者に理解できるとする主張の根拠は全く示されていない。
　なお、明細書及び図面には、上記記載事項のほかに、段落【００３５】〜【００４０】及び図１に、「カプセルハウジング２」の内部に「リング磁石１」を密封した「封入リング磁石」が記載されているが、この「封入リング磁石」を、具体的にどのようにして、「磁石保持板１２」や「渦巻きばね」（「ばね棒１９」）と一体的に形成するか、または、追加の接続材料なしで材料の連続性を保った接続により強固に結合して、アクチュエータを形成するのかが、本願の明細書又は図面には記載も示唆もされていないことは明らかである。
　してみると、本願の明細書及び図面の記載事項並びに当業者の技術常識、さらに、請求人の意見書での主張を勘案しても、本願発明２の「前記磁石を取り付けるための磁石保持板（１２）」を構成する「磁石ハウジング」であって、「前記磁石は前記磁石ハウジングにより収容されており、」「前記磁石ハウジングは、前記渦巻きばねの一端に対して接続されており、」「前記磁石ハウジング、前記渦巻きばね、および、前記取付領域は、一体的に形成されているか、または、追加の接続材料なしで材料の連続性を保った接続により強固に結合される」「磁石ハウジング」の具体的な製造方法は不明であるといわざるを得ない。
５　結論
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明２〜１３を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない。
第５　むすび
　以上のとおり、本願は、その発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないから、本願は拒絶されるべきものである。
　よって結論のとおり審決する。