【手続補正書】
【提出日】平成21年9月25日(2009.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックハニカム物品において、
総気孔率（％Ｐ）、４２％＜％Ｐ＜５６％、および
前記総気孔率の１５％未満しか１０μｍ未満の細孔径を有さず、該総気孔率の２０％未満しか３０μｍより大きい細孔径を有さず、ｄ幅＝（ｄ90−ｄ10）／ｄ50であるｄ幅≦１．５０を有する細孔径分布、
を有する、コージエライトを含有する多孔質セラミックからなるセラミックハニカム物品。
【請求項２】
％Ｐ＜５４％であることを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
【請求項３】
％Ｐ＜５２％であることを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
【請求項４】
４４％＜％Ｐ＜５２％であることを特徴とする請求項３記載のセラミックハニカム物品。
【請求項５】
前記総気孔率の１０％未満しか１０μｍ未満の細孔径を有さないことを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
【請求項６】
前記総気孔率の２５％未満しか３０μｍより大きい細孔径を有さないことを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
【請求項７】
前記総気孔率の６０％より多くが、１０μｍ以上かつ３０μｍ以下の細孔径を有することを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
【請求項８】
前記総気孔率の７０％より多くが、１０μｍ以上かつ３０μｍ以下の細孔径を有することを特徴とする請求項７記載のセラミックハニカム物品。
【請求項９】
前記総気孔率の８０％より多くが、１０μｍ以上かつ３０μｍ以下の細孔径を有することを特徴とする請求項７記載のセラミックハニカム物品。
【請求項１０】
前記総気孔率が、１３μｍ≦ｄ50≦２２μｍのメジアン細孔径（ｄ50）を含むことを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
【請求項１１】
１４μｍ≦ｄ50≦２１μｍであることを特徴とする請求項１０記載のセラミックハニカム物品。
【請求項１２】
２５℃から８００℃の温度範囲に亘りＣＴＥ≦８．０×１０-7／℃の熱膨張係数（ＣＴＥ）をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
【請求項１３】
ＣＴＥ≦６．０×１０-7／℃（２５℃から８００℃）であることを特徴とする請求項１２記載のセラミックハニカム物品。
【請求項１４】
ＣＴＥ≦５．０×１０-7／℃（２５℃から８００℃）であることを特徴とする請求項１２記載のセラミックハニカム物品。
【請求項１５】
ＣＴＥ≦４．０×１０-7／℃（２５℃から８００℃）であることを特徴とする請求項１２記載のセラミックハニカム物品。
【請求項１６】
ＣＴＥ≦３．０×１０-7／℃（２５℃から８００℃）であることを特徴とする請求項１２記載のセラミックハニカム物品。
【請求項１７】
前記細孔径分布が、ｄ因子＝（ｄ50−ｄ10）／ｄ50であるｄ因子≦０．４５をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
【請求項１８】
ｄ因子≦０．４０であることを特徴とする請求項１７記載のセラミックハニカム物品。
【請求項１９】
ｄ因子≦０．３５であることを特徴とする請求項１７記載のセラミックハニカム物品。
【請求項２０】
ｄ因子≦０．３３であることを特徴とする請求項１７記載のセラミックハニカム物品
【請求項２１】
前記細孔径分布が、ｄ幅＝（ｄ90−ｄ10）／ｄ50であるｄ幅≦１．３５をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
【請求項２２】
ｄ幅≦１．２０であることを特徴とする請求項２１記載のセラミックハニカム物品。
【請求項２３】
ｄ幅≦１．１０であることを特徴とする請求項２１記載のセラミックハニカム物品。
【請求項２４】
４４％＜％Ｐ＜５２％、
１４μｍ≦ｄ50≦２１μｍ、
ＣＴＥ≦６．０×１０-7／℃（２５℃から８００℃）、および
ｄ因子＝（ｄ50−ｄ10）／ｄ50であるｄ因子≦０．４５
をさらに有することを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
【請求項２５】
４２％＜％Ｐ＜５６％、
１３μｍ≦ｄ50≦２２μｍ、
ＣＴＥ≦６．０×１０-7／℃（２５℃から８００℃）、および
ｄ幅≦１．３５
をさらに有することを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
【請求項２６】
ｄ因子＝（ｄ50−ｄ10）／ｄ50であるｄ因子≦０．４５、および
ｄ幅≦１．３５
をさらに有することを特徴とする請求項１記載のセラミックハニカム物品。
【請求項２７】
セラミックハニカム物品を製造する方法であって、
酸化マグネシウム源、アルミナ形成源、およびシリカ形成源から選択される無機バッチ成分、
４０μｍより大きいメジアン粒径を有する細孔形成剤、
液体ビヒクル、および
結合剤、
を含有する可塑化コージエライト前駆体バッチ組成物を提供し、
前記可塑化コージエライト前駆体バッチ組成物からハニカム未焼成体を成形し、
前記ハニカム未焼成体を、コージエライトを含有し、４２％より大きくかつ５６％未満の総気孔率および該総気孔率の１５％未満しか１０μｍ未満の細孔径を有さずかつ該総気孔率の２０％未満しか３０μｍより大きい細孔径を有さない細孔径分布を有するセラミックハニカム物品に転化するのに効果的な焼成条件下で、前記ハニカム未焼成体を焼成する、
各工程を有してなる方法。
【請求項２８】
前記細孔形成剤がバレイショデンプンを含むことを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記細孔形成剤が、前記無機バッチ成分の総質量に対して５質量％から２０質量％の量で存在することを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３０】
前記細孔形成剤が、４５μｍから５５μｍの範囲のメジアン粒径を有するバレイショデンプンを含むことを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３１】
前記無機バッチ成分が、
酸化物の質量基準で、
約４９から約５３質量パーセントのＳｉＯ2、
約３３から約３８質量パーセントのＡｌ2Ｏ3、および
約１２から約１６質量パーセントのＭｇＯ、
からなる群より選択される焼結相コージエライト組成を提供するように選択されることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３２】
前記効果的な焼成条件が、前記ハニカム未焼成体を１３５０℃から１４５０℃の範囲の最高浸漬温度で焼成し、続いて、該最高浸漬温度を、前記ハニカム未焼成体を、コージエライトを含有するセラミックハニカム物品に転化するのに十分な期間に亘り保持することを含むことを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３３】
前記最高浸漬温度が約１４１５℃から約１４３５℃の範囲にあることを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３４】
前記最高浸漬温度が、温度を、６０℃／時以下の平均上昇速度で、約１３００℃より高くから該最高浸漬温度に上昇させることにより達成されることを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３５】
前記最高浸漬温度が、温度を、１０℃／時から７０℃／時の間の平均上昇速度で、約１３００℃に上昇させることにより達成されることを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３６】
セラミックハニカム物品において、
総気孔率（％Ｐ）、４２％＜％Ｐ＜５６％、および
ｄ幅＝（ｄ90−ｄ10）／ｄ50であるｄ幅≦１．５０とｄ因子＝（ｄ50−ｄ10）／ｄ50であるｄ因子≦０．４５を有する細孔径分布、
を有する、コージエライトを含有する多孔質セラミックからなるセラミックハニカム物品。