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　平成　７年特許願第　８５１０６号「ＧａＡｓ系発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年１１月　１日出願公開、特開平　８−２８８５４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成７年４月１１日の出願であって、平成１４年７月１７日付けで拒絶理由が通知され、これに対して平成１４年９月２４日付けで意見書及び手続補正書が提出された。その後、平成１５年６月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１５年７月３１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１５年９月１日付けで手続補正がなされたものである。 
　 
２．平成１５年９月１日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１５年９月１日付けの手続補正を却下する。 
　 
［理由］独立特許要件違反 
（１）補正後の本願発明 
　平成１５年９月１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、平成１４年９月２４日付け手続補正の特許請求の範囲の請求項１の 
「ｎ−ＧａＡｓ層とｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ（０＜ｘ≦１）層からなるヘテロ２重層を所定の数だけ積層した反射層を有する発光ダイオードであって、
　前記ｎ−ＧａＡｓ層と前記ｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ層の不純物密度が互いに異なることを特徴とするＧａＡｓ系発光ダイオード。」から 
「ｎ−ＧａＡｓ層と不純物密度１×１０１８ｃｍ−３以上のｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ（０＜ｘ≦１）層からなるヘテロ２重層を所定の数だけ積層した反射層の上方に活性層を積層した発光ダイオードであって、
　前記ｎ−ＧａＡｓ層の不純物密度が前記ｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ層の不純物密度より低いことを特徴とするＧａＡｓ系発光ダイオード。」と補正された。 
　 
　この補正は、補正前の「ｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ（０＜ｘ≦１）層」を「不純物密度１×１０１８ｃｍ−３以上のｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ（０＜ｘ≦１）層」と限定するとともに、同「ｎ−ＧａＡｓ層とｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ層の不純物密度が互いに異なること」を「ｎ−ＧａＡｓ層の不純物密度がｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ層の不純物密度より低いこと」と限定したものである。
　したがって、この補正は、特許法第１７条の２第３項第２号の限定的減縮に該当する。 
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成６年改正前特許法第１７条の２第４項において準用する同法第１２６条第３項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　 
（２）引用例 
　拒絶の理由に引用された特開平７−９４７８１号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。 
ア．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体材料を用いた面発光型半導体発光ダイオードに関する。」 
イ．「【０００８】
【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。先ず、図１は本発明の第１の実施例に係わるＬＥＤの概略構成を説明するためのものである。図中１１はｎ−ＧａＡｓ基板（１００）面を［０１１］方向に１５°傾斜させたもの）であり、この基板１１上にはｎ−ＧａＡｓバッファ層１２、ｎ−Ｉｎ０．５ Ａｌ０．５Ｐ（Ｓｉドープ、５×１０１７ｃｍ−３）とｎ−ＧａＡｓ（Ｓｉドープ、３×１０１７ｃｍ−３）の１０対から構成される第１のブラッグ反射層１３が形成されている。さらに、この層上にはｎ−Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐクラッド層１４（Ｓｉドープ、５×１０１７ｃｍ−３）、Ｉｎ０．３５（Ｇａ０．９Ａｌ０．１）０．６５Ｐ活性層１５（アンドープ、１２０Ａ）、ｐ−Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐクラッド層１６（Ｚｎドープ、５×１０１７ｃｍ−３）からなるダブルヘテロ接合構造が形成されている。」
ウ．「【００２１】本実施例では緑色光に対して１０ｃｄの高輝度特性が得られた。これは無歪のＡｌを含むＩｎＧａＡｌＰを活性層とした時の約５倍の明るさであった。なお、本発明は本実施例に限られるものではなく、発光層として活性層単層から構成されるもののほか、単層や多重等の量子井戸構造としても良い。また、発光層は、他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体例えばＩｎＧａＡｓ、や緑色発光〜青色発光が可能な例えばＺｎＳＳｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いても良い。化合物半導体基板は、ＧａＡｓに限るものではなく、発光層に歪みを入れることができる他の材料例えばＩｎＰであっても良い。」 
エ．図１には、第１のブラッグ反射層１３の上方にＩｎＧａＡｌＰ活性層１５を積層した点が記載されている。
　
　これらの記載により、引用例１には、「Ｓｉドープが３×１０１７ｃｍ−３のｎ−ＧａＡｓとＳｉドープが５×１０１７ｃｍ−３のｎ−Ｉｎ０．５ Ａｌ０．５Ｐの１０対から構成される反射層の上方に活性層を積層した発光ダイオードであって、
　発光層がＩｎＧａＡｓである発光ダイオード。」の発明（以下、「引用発明」という。）が開示されている。（発光層がＩｎＧａＡｓである点については、上記ウ．を参照されたい。）
　 
（３）対比 
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「ｎ−ＧａＡｓ」、「ｎ−Ｉｎ０．５ Ａｌ０．５Ｐ」、「１０対から構成される反射層」及び「発光層がＩｎＧａＡｓである発光ダイオード」は、本願補正発明の「ｎ−ＧａＡｓ層」、「ｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ（０＜ｘ≦１）層」、「所定の数だけ積層した反射層」及び「ＧａＡｓ系発光ダイオード」に、それぞれ相当する。そして、引用発明の反射層がヘテロ２重層を積層したものであることは明らかであるとともに、引用発明のｎ−ＧａＡｓ層とｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ層のＳｉドープ量を比較すると、前者は後者より低いので、引用発明のｎ−ＧａＡｓ層の不純物密度がｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ層の不純物密度より低いことも明らかである。
　したがって、本願補正発明と引用発明は、 
「ｎ−ＧａＡｓ層とｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ（０＜ｘ≦１）層からなるヘテロ２重層を所定の数だけ積層した反射層の上方に活性層を積層した発光ダイオードであって、
　前記ｎ−ＧａＡｓ層の不純物密度が前記ｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ層の不純物密度より低いことを特徴とするＧａＡｓ系発光ダイオード。」
である点で一致し、以下の点で相違している。 
［相違点］ｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ（０＜ｘ≦１）層に関して、本願補正発明が、不純物密度１×１０１８ｃｍ−３以上であるのに対して、引用発明は、Ｓｉドープが５×１０１７ｃｍ−３である点。 
　
（４）判断 
　相違点について検討する。
　本願の発明の詳細な説明の【００１１】には、「ｎ−ＧａＡｓ層１０ｂはＳｉドープの不純物密度５×１０１７ｃｍ−３の層で、その厚さはλ／４ｎ１である。ここでλは発光波長、ｎ１はＧａＡｓの屈折率である。またｎ−Ｉｎ（Ｇａ０．５Ａｌ０．５ ）Ｐ層１０ａは、Ｓｉドープの不純物密度ｎ≧１×１０１８ｃｍ−３、厚さλ／４ｎ２の層である。」と記載されている。
　そして、ヘテロ２重層を所定の数だけ積層した反射層の不純物密度を１×１０１８ｃｍ−３程度とすることは、周知の事項（例えば、特開平４−３６１５７２号公報、特開平７−１５０３５号公報参照。）である。
　さらに、本願の発明の詳細な説明の【００１７】、図２、３をみても、ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｌＰ対の不純物密度（キャリア密度）と素子電圧ＶＦとの関係、不純物密度（キャリア密度）と光出力Ｐ０との関係を示したにすぎず、不純物密度を１×１０１８ｃｍ−３以上とすることによる臨界的意義が格別のものであるとは認められない。
　したがって、引用発明のｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ（０＜ｘ≦１）層の不純物密度を１×１０１８ｃｍ−３以上とすることは、周知の事項を勘案して当業者が容易に想到し得たものである。 
　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明及び周知の事項に基づいて当業者が予測できる範囲のものである。 
　 
　したがって、本件補正発明は、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
　
（５）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成６年改正前特許法第１７条の２第４項において読み替えて準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
  
３．本願発明について 
（１）本願発明 
　平成１５年９月１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１４年９月２４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。 
「ｎ−ＧａＡｓ層とｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ（０＜ｘ≦１）層からなるヘテロ２重層を所定の数だけ積層した反射層を有する発光ダイオードであって、
　前記ｎ−ＧａＡｓ層と前記ｎ−Ｉｎ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ ）Ｐ層の不純物密度が互いに異なることを特徴とするＧａＡｓ系発光ダイオード。」 
　 
（２）引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１の記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。 
　 
（３）対比・判断 
　本願発明は、本願補正発明から、前記「２．（１）」で述べた構成の限定を省いたものである。 
　 
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらにその構成を限定したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１に記載の発明及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
（４）むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。