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【手続補正書】
【提出日】平成22年4月2日(2010.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソードと、
セパレーターと、
複合粒子を有するアノードであって、該複合粒子が空隙容積を画定するマトリックスを有し、該空隙容積が複数の気孔経路および膨張調節孔からなる、アノードと、
リチウム合金化粒子であって、該リチウム合金化粒子が該アノードの該膨張調節孔中に含まれる、リチウム合金化粒子と、
から成る、電池。
【請求項２】
該リチウム合金化粒子が、未リチオ化粒子である、請求項１の電池。
【請求項３】
該リチウム合金化粒子が、リチオ化された粒子である、請求項１の電池。
【請求項４】
該マトリックスが、伝導度向上剤を含む、請求項１の電池。
【請求項５】
該伝導度向上剤が、電気活性材料である、請求項４の電池。
【請求項６】
該伝導度向上剤が、イオン伝導性材料である、請求項４の電池。
【請求項７】
該マトリックスが、結合要素を含む、請求項１の電池。
【請求項８】
該マトリックスが、接着促進剤を含む、請求項１の電池。
【請求項９】
該マトリックスが、有機ポリマーである、請求項１の電池。
【請求項１０】
該ポリマーが、ロッドコイル型ポリマー、高分岐ポリマー、ＵＶ架橋ポリマー、熱架橋ポリマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項９の電池。
【請求項１１】
該マトリックスが、無機セラミックである、請求項１の電池。
【請求項１２】
該セラミックが、ＩＶ〜ＶＩ族の遷移金属化合物であり、該化合物が、窒化物、炭化物、酸化物、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１１の電池。
【請求項１３】
該マトリックスが、ハイブリッドマトリックスであり、該ハイブリッドマトリックスが、有機ポリマーと無機セラミックの混合物である、請求項１の電池。
【請求項１４】
該リチウム合金化粒子が、スズ、ケイ素、ゲルマニウム、鉛、アンチモン、アルミニウム、スズ合金およびケイ素合金からなる群から選択される組成物を有する、請求項１の電池。
【請求項１５】
該リチウム合金化粒子が、１〜９９９ｎｍの平均線寸法を有するナノ粒子である、請求項１の電池。
【請求項１６】
該リチウム合金化粒子が、５〜５００ｎｍの平均線寸法を有するナノ粒子である、請求項１の電池。
【請求項１７】
該リチウム合金化粒子が、５〜５０ｎｍの平均線寸法を有するナノ粒子である、請求項１の電池。
【請求項１８】
該リチウム合金化粒子が、５〜２０ｎｍの平均線寸法を有するナノ粒子である、請求項１の電池。
【請求項１９】
該膨張調節孔が、２ｎｍ〜５μｍの平均線寸法を有する、請求項１５の電池。
【請求項２０】
該膨張調節孔が、１０ｎｍ〜２.５μｍの平均線寸法を有する、請求項１６の電池。
【請求項２１】
該膨張調節孔が、１０〜２５０ｎｍの平均線寸法を有する、請求項１７の電池。
【請求項２２】
該膨張調節孔が、１０〜１００ｎｍの平均線寸法を有する、請求項１８の電池。
【請求項２３】
電極マトリックス中で、共に結合された複数の該複合粒子をさらに含む、請求項１の電池。
【請求項２４】
該複数の複合粒子が、カプセル化、絡み合い、化学的結合およびそれらの組み合わせからなる群から選択される方法を使用して、該電極マトリックス中で共に結合されている、請求項２３の電池。
【請求項２５】
該リチウム合金化粒子が、カプセル化、絡み合い、化学的結合およびそれらの組み合わせからなる群から選択される方法を使用して、該膨張調節孔中に結合されている、請求項１の電池。
【請求項２６】
該膨張調節孔の平均線寸法が、該未リチオ化リチウム合金化粒子の平均線寸法の２〜５倍である、請求項２の電池。
【請求項２７】
該膨張調節孔の平均線寸法が、該未リチオ化リチウム合金化粒子の平均線寸法の２〜４倍である、請求項２の電池。
【請求項２８】
該膨張調節孔の平均線寸法が、該未リチオ化リチウム合金化粒子の平均線寸法の２〜３倍である、請求項２の電池。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月9日(2010.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリアミド又はポリテレフタレートからなる特に多極ピンソケットコネクタである電気又は電子部品を構成する複数の樹脂部品を結合する方法において、
結合される樹脂部品は、接着工程において接着剤によってお互いに接続され、
前記接着剤が、接着される樹脂部品に接触面に塗布された後、お互いに圧接され、且つ
接着剤として使用される溶剤又は分散接着剤が、物理的に結合され且つ結合される樹脂部品を形成する樹脂と適合するように形成されるとともに、接着剤の溶剤又は分散剤において、２〜５０重量％の定量濃度を有する接着剤ポリマーとして、ポリアミド又はポリテレフタレートを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記結合される樹脂部品は、鋳造行程又は射出成形行程において製造されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
物理的結合接着剤が、接着剤として使用されることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記接着剤は、１５〜４０重量％、特に２０〜３５重量％の定量濃度で、接着ポリマーを含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
前記溶剤又は分散剤は、無機又は有機酸、好ましくはカルボン酸、特に蟻酸、オルト−ジヒドロキシベンゼンであるレゾルシノールのような有機、芳香族溶剤、且つヘキサフルオリプロパノールのようなアルコール及びそれらの混合物から選択されること、且つ／又は、溶剤又は分散剤は、０〜１１０℃の沸点を有する揮発性であること、且つ／又は、２５℃の接着剤は、５００〜４０，０００ｍＰａ・ｓ、好ましくは８０００〜２５，０００ｍＰａ・ｓの動的粘度を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか1つに記載の方法。
【請求項６】
前記接着剤は、接着剤の添加直前に、接着剤構成要素、特に接着剤ポリマーと、溶剤又は分散剤とを混合することによって製造され、特に０．１〜５０μｍの範囲内の粒子サイズまで冷凍粉砕された接着剤ポリマーを、溶剤又は分散剤と接触させて混合することを特徴とする請求項１〜５のいずれか1つに記載の方法。
【請求項７】
フィラー、顔料、難燃剤、安定剤、スリップ剤、可塑剤及びそれらの混合物から選択される添加剤及び／若しくは補助剤が、他の成分として接着剤に添加され、接着剤の付加的な成分は、結合される樹脂部品と適合するように選択され、さらに、前記添加剤及び／若しくは補助剤が、結合される樹脂部品の成分と同一又は類似するように付加されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか1つに記載の方法。
【請求項８】
該方法は、特に室温で、且つ／又は、０〜５０℃、特に１５〜３０℃の加工温度で実行されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
結合される樹脂部品の接触面が、接着作業の前及び／若しくは間、５０〜１５０℃、好ましくは８０〜１１０℃の範囲内の温度まで加熱されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか1つに記載の方法。
【請求項１０】
前記接着剤が、スポット塗布、注入、噴射、噴霧、又はナイフ塗布によって、結合される樹脂部品の接触面上に塗布され、且つ該接触面が、１〜２０N/cm2の圧力で圧接されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか1つに記載の方法。
【請求項１１】
前記接着剤が、結果として生じる接着層の厚さが０．０００１〜５ｍｍ、特に０．０５〜０．３ｍｍとなるような量で塗布されること、且つ／又は、結合された製品の寸法又は寸法精度が、製品に対する要求、ノルマ、基準等に関して、接着層の選択された厚さによって調整されることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
硬化した接着層と、結合された樹脂部品は、同一及び／若しくは類似する結晶性及び／若しくは形態及び／若しくはガラス転移温度を有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
結合される樹脂部品は、モジュールの個々の部品であり、個々のモジュールであり、電気又は電子部品のハウジング部品であり、多極ピンソケットコネクタであることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】
それぞれがポリアミドからなり、お互いに結合される樹脂部品を有する電気又は電子部品、特に多極ピンソケットコネクタ、複数のハウジング部品を有する部品において、前記樹脂部品の結合が、請求項１〜１３のいずれか１つに記載の方法によって形成されることを特徴とする電気又は電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気部品又は電子部品の樹脂部品を結合する方法及び電気又は電子部品
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月27日(2010.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性金属層または誘電体回路基板層と、
前記導電性金属層または前記誘電体基板層上に配置されている接着剤層と、を備える回路材料であって、前記接着剤が、
ポリ（アリーレンエーテル）と、
ブタジエン、イソプレン、または、ブタジエン及びイソプレン単位と、０から５０重量％未満の共硬化可能なモノマー単位とを含むポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマーとを含む回路材料。
【請求項２】
前記ポリ（アリーレンエーテル）がカルボキシ官能化されている、請求項１に記載の回路材料。
【請求項３】
前記ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマーがカルボキシ官能化されている、請求項１に記載の回路材料。
【請求項４】
前記ポリ（アリーレンエーテル）と、前記ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマーとの総合重量にそれぞれ基づいて、前記ポリ（アリーレンエーテル）２０ｗｔ％〜９９ｗｔ％と、前記ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマー１ｗｔ％〜８０ｗｔ％とを含み、
前記接着剤組成物が、接着剤組成物のポリマー部分の総重量に基づいて、２０ｗｔ％〜７０ｗｔ％のポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマーを含む、請求項１に記載の回路材料。
【請求項５】
アルケニル芳香族化合物と共役ジエンとから得られる単位を含むエラストマーブロックコポリマーをさらに含む、請求項１に記載の回路材料。
【請求項６】
前記ブロックコポリマーが、スチレン−ブタジエンジブロックコポリマー、スチレン−ブタジエン−スチレントリブロックコポリマー、または上記コポリマーの少なくとも１つを含む組合せである、請求項５に記載の回路材料。
【請求項７】
請求項１に記載の回路材料を含む回路。
【請求項８】
請求項１に記載の回路材料を含む多層回路積層板。
【請求項９】
前記接着剤層が導電層と誘電体回路基板層との間に配置されている、請求項８に記載の回路積層板。
【請求項１０】
前記誘電体回路基板層が非極性である、請求項９に記載の回路積層板。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月6日(2010.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a) 少なくとも一つの発光ダイオード10及び少なくとも一つの光学要素13を用意する工程、
(b) 液体媒体中に分散された、4nmから80nmまでの平均粒径を有する金属酸化物又はＢ若しくはSiの酸化物の無機ナノ粒子の安定なコロイドゾルを含む、結合材料12を前記少なくとも一つの発光ダイオード10の発光表面11及び／又は前記少なくとも一つの光学要素13の表面に配置する工程、
(c) 前記少なくとも一つの光学要素13を前記少なくとも一つの発光ダイオード10の発光表面11にそれらの間の前記結合材料12とともに置いて少なくとも一つの組立体を形成する工程、及び
(d) 前記結合材料12を加熱により硬化して無機結合を形成する工程を含む、発光装置１の製造方法。
【請求項２】
前記硬化が前記少なくとも一つの組立体を300℃より低い温度で加熱することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記硬化が
(d1)  前記液体媒体の少なくとも一部を除去することを減圧下で行ない、そして
(d2)  前記少なくとも一つの組立体を300℃より低い温度で加熱することを含む、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記金属酸化物がZr、Ti、Hf、Zn、Nb、Ta、Al、Ga、Ge、Ｙ、Sn、Pbの酸化物及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる、請求項１から３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記安定なコロイドゾル中の前記金属酸化物の濃度が20質量％から30質量％までの範囲である、請求項１から４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
工程(b)が、結合材料を前記表面に配置した後に、
(b2)  前記液体媒体の一部を除去して前記結合材料の粘度を増大することを更に含む、請求項１から５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記液体媒体が前記金属酸化物ナノ粒子の分散剤かつ表面活性剤である、請求項１から６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記液体媒体が少なくとも一種のエチレングリコールエーテルを含む、請求項１から７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記光学要素13が無機材料のものである、請求項１から８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
前記結合材料が、硬化後に、約1.45から約2.1までの範囲の屈折率を有する、請求項１から９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも一つの発光ダイオード10及び結合材料12により前記発光ダイオード10の発光表面11に結合された光学要素13を含む発光装置１であって、
前記結合材料が、4nmから80nmまでの平均粒径を有する金属酸化物又はＢ若しくはSiの酸化物のナノ粒子からなることを特徴とする、発光装置。
【請求項１２】
請求項１記載の方法により得ることができる、請求項１１記載の発光装置。
【請求項１３】
光学要素を発光ダイオードの発光表面に結合するための結合材料としての、液体媒体中の、4nmから80nmまでの平均粒径を有する金属酸化物又はＢ若しくはSiの酸化物のナノ粒子の安定なコロイドゾルの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月13日(2010.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
前記混合物が、電極スラリーとして、あるいは粉末混合物として製造されることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
電極材料と、造孔材と、模り材料とは、当業者に既知の方法で、一緒に電極スラリーに加工することができる。しかしながら、模り材料で造孔材を囲むのを単純化するため、前述のように、造孔材と模り材料とを有利に予め相互に混合することもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月10日(2010.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
金属マトリックス複合体（ＭＭＣ）基板（ニッケルめっきまたはＡｌおよびニッケルめっきされたベアＡｌ）でのさらなる例
アルミニウムとカーボンファイバーのこの複合体もまた、他のアルミニウムとはＴＣＥが異なるが、さらに粗い表面を有する。表面粗さは、マッドクラッキングに影響する。上記の誘電体も全て、ＭＭＣについて試験したところ、全てマッドクラッキングの問題を有していた。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．チップキャリアを製造する方法であって、
対向する上面および下面を有するベース材料を準備し、
誘電性厚膜組成物を準備し、
前記誘電性厚膜組成物を、前記ベース材料の前記上面に適用し、
前記誘電性厚膜組成物および前記ベース材料を焼成して、焼成されたベース層と焼成された誘電性層とを含む構造を形成し、
前記誘電性層を少なくとも部分的に被覆する導電性層を適用すること
を含むことを特徴とする方法。
２．前記ベース材料が、アルミニウム、酸化アルミニウム、アルミニウムの合金、ダイヤモンドライクカーボン／アルミニウム、銅、アルミニウムの金属マトリックス、銅、アルミニウムの金属マトリックス／カーボン／ファイバー複合体からなる群から選択されることを特徴とする前記１に記載の方法。
３．前記ベース材料が上面および下面を有し、前記上面が酸化されていることを特徴とする前記１に記載の方法。
４．前記誘電性厚膜組成物が、厚膜ペースト組成物および厚膜テープ組成物を含む群から選択されることを特徴とする前記１に記載の方法。
５．焼成の前に、前記誘電性厚膜組成物を乾燥させることをさらに含むことを特徴とする前記１に記載の方法。
６．前記導電性層が厚膜ペースト組成物であることを特徴とする前記１に記載の方法。
７．前記上面が、アルミニウム、チタン、タンタルおよびジルコニウムからなる群から選択される酸化金属を含むことを特徴とする前記２に記載の方法。
８．前記チップキャリアが、発光ダイオードチップキャリアであることを特徴とする前記１に記載の方法。
９．チップキャリアを製造する方法であって、
対向する上面および下面を有するベース材料を準備し、
誘電性厚膜組成物を準備し、
前記誘電性厚膜組成物を、前記ベース材料の前記上面に適用し、
前記誘電性厚膜組成物および前記ベース材料を焼成して、焼成されたベース層と焼成された誘電性層とを含む構造を形成し、
前記誘電性層を少なくとも部分的に被覆する導電性層を適用し、
前記導電性層を焼成し、
少なくとも１つのコンポーネントを準備し、
前記誘電性層にコンポーネント取付け材料を適用し、
前記コンポーネントを前記コンポーネント取付け材料に配置し、
前記コンポーネントを前記導電性層に接続すること
を含むことを特徴とする方法。
１０．焼成の前に、前記誘電性厚膜組成物を乾燥させることをさらに含むことを特徴とする前記９に記載の方法。
１１．前記コンポーネントが、２つ以上のワイヤボンドと、はんだ材料と、導電性エポキシ材料を含むがこれに限定されない導電性ダイ取付け材料とからなる群から選択される材料で前記導電性層に接続されていることを特徴とする前記９に記載の方法。
１２．前記コンポーネント取付け材料が、前記導電性層に接触していないことを特徴とする前記９に記載の方法。
１３．前記導電性層がＡｇを含むことを特徴とする前記９に記載の方法。
１４．封入剤を適用して、前記導電性層を部分的に被覆することをさらに含むことを特徴とする前記９に記載の方法。
１５．前記導電性層が、Ｎｉ−Ａｕ層でめっきされていることを特徴とする前記９に記載の方法。
１６．前記誘電性厚膜組成物および前記導電性層が、１つの工程で焼成されることを特徴とする前記９に記載の方法。
１７．前記チップモジュールが、発光ダイオードチップモジュールであることを特徴とする前記９に記載の方法。
１８．前記１に記載の方法により製造されることを特徴とする発光ダイオードチップキャリア。
１９．前記９に記載の方法により製造されることを特徴とする発光ダイオードチップモジュール。
２０．前記１８に記載のモジュールを含むことを特徴とするデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップキャリアを製造する方法であって、
対向する上面および下面を有するベース材料を準備し、
誘電性厚膜組成物を準備し、
前記誘電性厚膜組成物を、前記ベース材料の前記上面に適用し、
前記誘電性厚膜組成物および前記ベース材料を焼成して、焼成されたベース層と焼成された誘電性層とを含む構造を形成し、
前記誘電性層を少なくとも部分的に被覆する導電性層を適用すること
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
チップキャリアを製造する方法であって、
対向する上面および下面を有するベース材料を準備し、
誘電性厚膜組成物を準備し、
前記誘電性厚膜組成物を、前記ベース材料の前記上面に適用し、
前記誘電性厚膜組成物および前記ベース材料を焼成して、焼成されたベース層と焼成された誘電性層とを含む構造を形成し、
前記誘電性層を少なくとも部分的に被覆する導電性層を適用し、
前記導電性層を焼成し、
少なくとも１つのコンポーネントを準備し、
前記誘電性層にコンポーネント取付け材料を適用し、
前記コンポーネントを前記コンポーネント取付け材料に配置し、
前記コンポーネントを前記導電性層に接続すること
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法により製造されることを特徴とする発光ダイオードチップキャリア。
【請求項４】
請求項２に記載の方法により製造されることを特徴とする発光ダイオードチップモジュール。
【請求項５】
請求項３に記載のモジュールを含むことを特徴とするデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月10日(2010.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
半製品および／またはその被膜が、異なる金属および／または金属イオンで、および／または１つあるいはそれより多くのリン、窒素、ケイ素あるいはホウ素の元素でドープされていることを特徴とする、請求項１および２のいずれか１項に記載の半製品。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月26日(2010.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ光源ミラーを製造する方法であって、
複数の個別の基体を準備する段階と、
前記基体を各基体が共通焦点に向けられた配置に固定する段階と、
その後、前記基体の少なくとも１つを研磨する段階と、
各前記基体をそれぞれのＥＵＶ反射多層コーティングで被覆する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
ＥＵＶ光と共に使用するための光学器械であって、
基体と、
Ｓｉ、Ｃ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃ、ＳｉＣ、及びＣｒから成る材料の群から選択され、この材料が高エネルギ堆積条件を用いて堆積された平滑化層と、
前記平滑化層の上に重なる多層ＥＵＶコーティングと、
を含むことを特徴とする光学器械。
【請求項３】
前記平滑化層は、３ｎｍから１００ｎｍの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項２に記載の光学器械。
【請求項４】
前記平滑化層は、非晶質材料を含むことを特徴とする請求項２に記載の光学器械。
【請求項５】
ＥＵＶ光と共に使用するための光学器械を生成する方法であって、
基体を準備する段階と、
前記基体上に平滑化層を堆積させる段階と、
前記平滑化層を研磨する段階と、
多層ＥＵＶコーティングを前記平滑化層の上に重ねる段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記平滑化層は、Ｓｉ、Ｃ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃ、ＳｉＣ、及びＣｒから成る材料の群から選択されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
垂直入射ＥＵＶ光源ミラーを製造する方法であって、
少なくとも１つがマスターパターンからの複製によって製作される複数の個別の基体を準備する段階と、
各前記基体をそれぞれの垂直入射ＥＵＶ反射多層コーティングで被覆する段階と、
前記被覆した基体を互いに固定して単一ミラーを形成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
各前記基体は、ニッケルを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
支持構造体と、
各々がそれぞれのＥＵＶ反射多層コーティングで被覆され、少なくとも１つが前記支持構造物に対する基体の調節を可能にするために該支持構造物上に移動可能に取り付けられた複数の個別の基体と、
を含むことを特徴とするＥＵＶ光源ミラーアセンブリ。
【請求項１０】
前記基体を前記支持構造体に移動可能に取り付けるためのアクチュエータを更に含むことを特徴とする請求項９に記載のミラーアセンブリ。
【請求項１１】
ＥＵＶミラーのための耐食多層コーティングであって、
複数の２層、
を含み、
各２層は、
Ｓｉを含む層と、
窒素と第５周期遷移金属とを有する複合材料を含む層と、
を含む、
ことを特徴とするコーティング。
【請求項１２】
前記第５周期遷移金属は、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、及びＰｄから成る金属の群から選択されることを特徴とする請求項１１に記載のコーティング。
【請求項１３】
前記複合材料は、窒化物であることを特徴とする請求項１１に記載のコーティング。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月10日(2010.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影対物器械の物体面に配置された物体視野から該投影対物器械の像面に配置された像視野上にパターンを結像するための反射屈折投影対物器械であって、
物体面からのパターンを第１の中間像内に結像させるように構成され、第１の瞳表面を有する第１の対物器械部と、
前記第１の中間像を第２の中間像内に結像させるように構成され、前記第１の瞳表面と光学的に共役な第２の瞳表面を有する第２の対物器械部と、
前記第２の中間像を像面内に結像させるように構成され、前記第１及び第２の瞳表面と光学的に共役な第３の瞳表面を有する第３の対物器械部と、
前記第１、第２、及び第３の瞳表面のうちの１つに又はその近くに位置決めされた反射瞳ミラー表面を有する瞳ミラーと、
前記瞳ミラーに作動的に接続され、前記瞳ミラー表面の形状を変更するように構成された瞳ミラーマニピュレータと、
を含むことを特徴とする投影対物器械。
【請求項２】
少なくとも１つの中間像が、前記物体面と前記瞳ミラーの間に形成され、
前記瞳ミラーは、前記第２の瞳表面に又はその近くで前記第２の対物器械部に配置され、
前記第２の対物器械部は、純反射性である
ことを特徴とする請求項１に記載の投影対物器械。
【請求項３】
放射光が反対方向に少なくとも２回通過する二重通過領域が、幾何学的に第１の偏向ミラーと前記瞳ミラーの間に形成されるように、放射光を前記物体面から該瞳ミラーに向けて偏向するか又は放射光を該瞳ミラーから前記像面に向けて偏向するように配置された第１の偏向ミラーを更に含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の投影対物器械。
【請求項４】
前記物体面と前記像面が平行になるように前記第１の偏向ミラーに対して９０°に配置された第２の偏向ミラーを更に含み、
前記第１の偏向ミラーは、前記瞳ミラーによって反射された放射光を前記第２の偏向ミラーに向けて偏向するように該瞳ミラーの光学的下流に配置され、該第２の偏向ミラーは、該第１の偏向ミラーからの放射光を前記像面に向けて偏向するように配置される
ことを特徴とする請求項３に記載の投影対物器械。
【請求項５】
投影対物器械の全ての光学要素が、投影対物器械の全ての光学要素に共通の真っ直ぐな光軸に沿って整列していることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の投影対物器械。
【請求項６】
前記第１の対物器械部は、倍率比｜β｜＞１を有する拡大結像システムとして設計されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の投影対物器械。
【請求項７】
必要に応じて開口の直径を調節するように構成された開口絞りを有し、該開口絞りの該開口の最大直径は、前記瞳ミラーの直径ＤPMの少なくとも２倍大きいことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の投影対物器械。
【請求項８】
前記瞳ミラーマニピュレータと作動的に接続した前記瞳ミラーに追加の少なくとも１つの更に別のミラーを含み、
この更に別のミラーは、該更に別のミラーの反射面の形状を変更するように構成された更に別のミラーマニピュレータに作動的に接続されている、
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の投影対物器械。
【請求項９】
放射光が負の群を通じて反対方向に少なくとも２回通過するような二重通過領域において前記瞳ミラーの反射側の前に配置された少なくとも１つの負のレンズを有する負の群を更に含むことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の投影対物器械。
【請求項１０】
前記瞳ミラーは、前記瞳表面のうちの１つに又はその近くに配置され、１つ又はそれよりも多くの透過光学要素が、光線高さ比ＲＨＲ＝ＭＲＨ／ＣＲＨ＞１であるように周辺光線高さＭＲＨが前記主光線高さＣＲＨよりも大きい位置において、前記光学的に共役な瞳表面の少なくとも１つに又はその近くに配置されることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の投影対物器械。
【請求項１１】
投影対物器械の全てのレンズが、溶融シリカから作られることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の投影対物器械。
【請求項１２】
投影対物器械の出射表面と前記像面の間の像空間が１に近い屈折率を有するガスで満たされる乾式処理に結像収差に関して適応していることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の投影対物器械。
【請求項１３】
投影対物器械の少なくとも１つの光学要素が、投影対物器械の作動波長で屈折率ｎ≧１．６を有する高屈折率材料から作られる高屈折率光学要素であることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の投影対物器械。
【請求項１４】
前記像面の最も近くに最終光学要素を有し、
前記最終光学要素の出射表面が、前記像面の直近にあり、投影対物器械の前記出射表面を形成し、
前記最終光学要素は、投影対物器械の作動波長で屈折率ｎ＞１．６を有する高屈折率材料で少なくとも部分的に作られる、
ことを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の投影対物器械。
【請求項１５】
反射屈折投影対物器械を利用して半導体素子及び他の種類のマイクロデバイスを製作する方法であって、
請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の投影対物器械を準備する段階と、
規定パターンを与えるマスクを前記投影対物器械の物体面に配置する段階と、
前記マスクを規定波長を有する紫外線で照明する段階と、
前記パターンの像を感光基板上に投影する段階と、
前記投影対物器械の瞳表面に又はその近くに位置決めされた反射瞳ミラー表面を有する瞳ミラーの表面形状を変更することにより、該投影対物器械の結像特性を調節する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月29日(2010.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
界面結合エネルギーを促進するための方法において、
酸化シリコン層が形成され且つ劈開面が画成されたような第１の基板及び第２の基板を準備するステップと、
上記第１の基板の上記酸化シリコン層及び上記第２の基板の表面に対してドライクリーニング処理を行うステップと、
上記クリーニングされた酸化シリコン表面を上記第２の基板の上記クリーニングされた表面に対して結合するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
プラズマ浸漬イオン注入処理を行う段階、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
上記基板をハロゲン含有ガスに曝す段階、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記ハロゲン含有ガスは、Ｃｌ２、Ｆ２、Ｂｒ２、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＳＦ６及びＮＦ３のうちの少なくとも１つを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
約５００ボルトより低い高周波バイアス電力を維持する段階、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
上記基板表面から５０Åより浅い深さに上記ドライクリーニング処理を制御する段階、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
上記基板を、Ａｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｘｅ及びＮ２のうちの少なくとも１つを含む不活性ガスに曝す段階、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
上記第１の基板及び上記第２の基板の表面から粒子及び／又は汚染物質を除去する段階、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
上記第１の基板及び上記第２の基板の表面を活性化する段階、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
上記ドライクリーニング処理を行うステップは、更に、
上記基板を酸素ガスに曝す段階、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
上記基板を酸素ガスに曝す段階は、更に、
上記第１の基板及び上記第２の基板の表面を酸化する手順と、
上記第１の基板及び上記第２の基板の表面を親水性状態へと変更する手順と、
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
上記クリーニングされた表面を結合するステップは、更に、
上記結合される基板を約８００℃より高い温度まで加熱する段階、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
上記第１の基板を上記劈開面に沿って分離するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
上記第２の基板にシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）構造を形成するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
界面結合エネルギーを促進するための方法において、
酸化シリコン層が形成され且つ劈開面が画成されたような第１の基板及び第２の基板を準備するステップと、
プラズマ浸漬イオン注入リアクタにおいてハロゲン含有ガスを供給することにより、上記酸化シリコン層の表面及び上記第２の基板の表面に対してドライクリーニング処理を行うステップと、
上記第１の基板及び上記第２の基板の表面を活性化するステップと、
上記酸化シリコン表面を上記第２の基板の表面に対して結合するステップと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月2日(2010.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ又は式ＩＩ：
【化１】
2010500293.tif 000001
［式中、
Ｘ及びＹは、独立して、Ｎ及びＣ（Ｒ１１）からなる群より選択され、ここで、各Ｒ１１は、独立して、水素、ハロ及びＣ１−４アルキルからなる群より選択され；
Ｂは、−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）−、−ＳＯ２−、−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−Ｃ（Ｒ７）（Ｒ８）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−、−Ｓ−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−、−Ｓ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−及び−ＳＯ２−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−からなる群より選択され；
Ｃは、アリール及びヘテロアリールからなる群より選択されるか、又はアリール若しくはヘテロアリールの縮合類似体であり、各々は、Ｒ１０から独立して選択される１から３個の置換基で置換されていてもよく；
Ｅは、−Ｃ（Ｏ）ＯＨ、−Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−４アルキル、テトラゾリル及び
【化２】
2010500293.tif 000002
からなる群より選択され、ここで、Ｒは、Ｃ１−４アルキル、アリール及びヘテロアリールからなる群より選択されるか、又はアリール若しくはヘテロアリールの縮合類似体であり、ここで、アリール及びヘテロアリール、又はその縮合類似体は、Ｒ１０から独立して選択される１から３個の置換基で置換されていてもよく；
Ｒ１からＲ８は、独立して、Ｈ、ハロ、−Ｏ−Ｒ１２、Ｃ１−６アルキル及びＣ３−６シクロアルキルからなる群より選択され、かつ、Ｒ１とＲ２、Ｒ５とＲ６、及びＲ７とＲ８の１つ以上のペアは、それらが結合する炭素原子と一緒になって３から５員の単環式シクロアルキル環を形成してもよく、そして、Ｒ５とＲ６、又はＲ７とＲ８が一緒になって、カルボニルを形成してもよく；
Ｒ９は、ハロ、ヒドロキシ及びＣ１−４アルキルからなる群より選択され、
Ｒ１０は、ハロ、シアノ、Ｃ１−４アルキル、Ｃ１−４フルオロアルキル、Ｃ１−４アルコキシ、Ｃ１−４チオアルコキシ及びＣ１−４フルオロアルコキシからなる群より選択され、そして
各Ｒ１２は、Ｈ、Ｃ１−４アルキル、Ｃ３−６シクロアルキル及びヘテロシクリルからなる群より選択される］の化合物、又は式Ｉ若しくは式ＩＩの化合物の薬学的に許容され得る塩。
【請求項２】
式ＩＩである請求項１記載の化合物、又はその化合物の薬学的に許容され得る塩。
【請求項３】
Ｂが−ＣＨ２−であり；
ＣがＲ１０で置換されていてもよいフェニルであり；
Ｅが−Ｃ（Ｏ）ＯＨ、−Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−４アルキル及びテトラゾリルからなる群より選択され；
Ｒ１がＨ又はメチルであり；
Ｒ３がハロであり；
Ｒ２及びＲ４がＨであり；
Ｒ９が存在せず；かつ
Ｒ１０がクロロ及びＣＦ３からなる群より選択される、請求項２記載の化合物、又はその化合物の薬学的に許容され得る塩。
【請求項４】
式Ｉである請求項１記載の化合物、又はその化合物の薬学的に許容され得る塩。
【請求項５】
Ｘ及びＹがＣ（Ｒ１１）であり、ここで、各Ｒ１１が独立して、水素、ハロ及びＣ１−４アルキルからなる群より選択される、請求項４記載の化合物、又はその化合物の薬学的に許容され得る塩。
【請求項６】
Ｂが−ＣＨ２−であり；
ＣがＲ１０で置換されていてもよいフェニルであり；
Ｅが−Ｃ（Ｏ）ＯＨ、−Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−４アルキル及びテトラゾリルからなる群より選択され；
Ｒ１がＨ又はメチルであり、かつＲ２がＨであるか、又はＲ１及びＲ２が、それらが結合する炭素原子と一緒になってシクロプロピル環を形成し；
Ｒ９が存在せず；かつ
Ｒ１０がクロロ及びＣＦ３からなる群より選択される、請求項５記載の化合物、又はその化合物の薬学的に許容され得る塩。
【請求項７】
各Ｒ１１がクロロである、請求項５記載の化合物、又はその化合物の薬学的に許容され得る塩。
【請求項８】
Ｂが−ＣＨ２−であり；
ＣがＲ１０で置換されていてもよいフェニルであり；
Ｅが−Ｃ（Ｏ）ＯＨ、−Ｃ（Ｏ）ＯＣ１−４アルキル及びテトラゾリルからなる群より選択され；
Ｒ１がＨ又はメチルであり、かつＲ２がＨであるか、又はＲ１及びＲ２が、それらが結合する炭素原子と一緒になってシクロプロピル環を形成し；
Ｒ９が存在せず；
Ｒ１０がクロロ及びＣＦ３からなる群より選択される、請求項７記載の化合物、又はその化合物の薬学的に許容され得る塩。
【請求項９】
Ｒ１０が、Ｂの結合に対しメタ−又はパラ−位においてフェニル基上に置換されている、請求項８記載の化合物、又はその化合物の薬学的に許容され得る塩。
【請求項１０】
各Ｒ１１がメチルである、請求項５記載の化合物、又はその化合物の薬学的に許容され得る塩。
【請求項１１】
Ｂが−ＣＨ２−であり；
ＣがＲ１０で置換されていてもよいフェニルであり；
Ｅが−Ｃ（Ｏ）ＯＨ及びテトラゾリルからなる群より選択され；
Ｒ１がＨ又はメチルであり、かつＲ２がＨであるか、又はＲ１及びＲ２が、それらが結合する炭素原子と一緒になってシクロプロピル環を形成し；
Ｒ９が存在せず；かつ
Ｒ１０がクロロ及びＣＦ３からなる群より選択される、請求項１０記載の化合物、又はその化合物の薬学的に許容され得る塩。
【請求項１２】
Ｒ１０が、Ｂの結合に対しメタ−又はパラ−位においてフェニル基上に置換されている、請求項１１記載の化合物、又はその化合物の薬学的に許容され得る塩。
【請求項１３】
Ｒ１０が、ＣＦ３であり、かつＢの結合に対しパラ−位においてフェニル基上に置換されている、請求項１２記載の化合物、又はその化合物の薬学的に許容され得る塩。
【請求項１４】
以下の表：
【化３】
2010500293.tif 000003
【化４】
2010500293.tif 000004
【化５】
2010500293.tif 000005
【化６】
2010500293.tif 000006
【化７】
2010500293.tif 000007
【化８】
2010500293.tif 000008
【化９】
2010500293.tif 000009
から選択される、請求項１記載の化合物、又は上記化合物のいずれかの薬学的に許容され得る塩。
【請求項１５】
請求項１４記載の化合物、又はその化合物の薬学的に許容され得る塩（ここで、薬学的に許容され得る塩がナトリウム塩である）。
【請求項１６】
以下の表：
【化１０】
2010500293.tif 000010
【化１１】
2010500293.tif 000011
から選択される、請求項１５記載の化合物。
【請求項１７】
請求項１記載の化合物又はその化合物の薬学的に許容され得る塩を、１つ以上の生理学的に許容され得る担体又は賦形剤と混合してなる医薬組成物。
【請求項１８】
ヒト又は霊長類の医薬における使用のための請求項１記載の化合物、又はその薬学的に許容され得る誘導体。
【請求項１９】
ＥＰ４受容体により媒介される症状を治療するための医薬組成物であって、請求項１記載の化合物又はその化合物の薬学的に許容され得る塩を、１つ以上の生理学的に許容され得る担体又は賦形剤と混合してなる医薬組成物。
【請求項２０】
ＥＰ４受容体により媒介される症状の治療用の治療薬製造のための、請求項１記載の化合物又はその化合物の薬学的に許容され得る塩の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月6日(2010.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カンフォライティックアルデヒドの製造方法であって、
（ａ）  カンフォレニックアルデヒドを式（Ｉ）のアミンと反応させること
【化１】
2010500294.tif 000001
式中、
Ｒ１およびＲ２は、独立して、Ｃ１〜Ｃ６のアルキルまたはベンジルから選択され；または
Ｒ１およびＲ２は、結合する窒素原子とともに、４〜７個の炭素原子ならびに窒素および酸素から選択される０個または１個のさらなるヘテロ原子を含有する環状環を形成し；
（ｂ） （ａ）の生成物を酸素とともに、銅触媒および溶媒の存在下で処理する、ただし溶媒は塩素系溶媒でない、
を含む、前記製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の群から選択される化合物：
【化１】
2010500284.tif 000001
2010500284.tif 000002
又は、薬学的に許容されるそれらの塩。
【請求項２】
請求項１に記載の化合物であって、該化合物は：
2010500284.tif 000003
であるか、又は、薬学的に許容されるそれらの塩。
【請求項３】
請求項１に記載の化合物であって、該化合物は：
2010500284.tif 000004
であるか、又は、薬学的に許容されるそれらの塩。
【請求項４】
請求項１に記載の化合物であって、該化合物は：
2010500284.tif 000005
であるか、又は、薬学的に許容されるそれらの塩。
【請求項５】
請求項１に記載の化合物であって、該化合物は：
2010500284.tif 000006
であるか、又は、薬学的に許容されるそれらの塩。
【請求項６】
請求項１に記載の化合物であって、該化合物は：
2010500284.tif 000007
であるか、又は、薬学的に許容されるそれらの塩。
【請求項７】
請求項１に記載の化合物であって、該化合物は：
2010500284.tif 000008
であるか、又は、薬学的に許容されるそれらの塩。
【請求項８】
請求項１に記載の化合物であって、該化合物は：
2010500284.tif 000009
であるか、又は、薬学的に許容されるそれらの塩。
【請求項９】
請求項１に記載の化合物であって、該化合物は：
2010500284.tif 000010
であるか、又は、薬学的に許容されるそれらの塩。
【請求項１０】
請求項１に記載の化合物であって、該化合物は：
2010500284.tif 000011
であるか、又は、薬学的に許容されるそれらの塩。
【請求項１１】
請求項１に記載の化合物であって、該化合物は：
2010500284.tif 000012
であるか、又は、薬学的に許容されるそれらの塩。
【請求項１２】
請求項１に記載の化合物であって、該化合物は：
2010500284.tif 000013
であるか、又は、薬学的に許容されるそれらの塩。
【請求項１３】
請求項１に記載の化合物であって、該化合物は：
2010500284.tif 000014
であるか、又は、薬学的に許容されるそれらの塩。
【請求項１４】
請求項１に記載の化合物であって、該化合物は：
2010500284.tif 000015
であるか、又は、薬学的に許容されるそれらの塩。
【請求項１５】
請求項１に記載の化合物であって、該化合物は：
2010500284.tif 000016
であるか、又は、薬学的に許容されるそれらの塩。
【請求項１６】
請求項１に記載の化合物であって、該化合物は：
2010500284.tif 000017
であるか、又は、薬学的に許容されるそれらの塩。
【請求項１７】
（ａ）治療上有効量の請求項１〜１６のいずれかに記載の化合物；及び
（ｂ）薬学的に許容できる賦形剤、
を含む薬学的組成物。
【請求項１８】
薬物療法に使用するための請求項１〜１６のいずれかに記載の化合物。
【請求項１９】
ヒトなどのほ乳類における疾病の治療に有用な薬物の製造のための請求項１〜１６のいずれかに記載の化合物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月20日(2010.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶形態のラパマイシン類似体を含むラパマイシン類似体組成物。
【請求項２】
ラパマイシン類似体が式１：
【化１】
2010500286.tif 000001
の構造を有し、場合によってプロドラッグ、塩、誘導体、又はそれらの組合せである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
ラパマイシン類似体が式２：
【化２】
2010500286.tif 000002
の構造を有する、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
ラパマイシン類似体が式３：
【化３】
2010500286.tif 000003
の構造を有する、請求項２に記載の組成物。
【請求項５】
結晶が溶媒和物である、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
ラパマイシン類似体溶媒和物が、アセトン、酢酸エチル、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、イソブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、２−ブタノール、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、酢酸イソブチル、酢酸ｎ−ブチル、ギ酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、メチルエチルケトン、トルエン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アニソール、メチルイソプロピルケトン、ニトロメタン、プロピオニトリル、２−ブタノン（すなわち、メチルエチルケトン又はＭＥＫ）、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、酢酸イソプロピル、及びそれらの任意の組合せからなる群から選択される、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
結晶が脱溶媒和物である、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
結晶が、アセトン、酢酸エチル、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、イソブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、２−ブタノール、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、酢酸イソブチル、酢酸ｎ−ブチル、ギ酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、メチルエチルケトン、トルエン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アニソール、メチルイソプロピルケトン、ニトロメタン、プロピオニトリル、２−ブタノン（すなわち、メチルエチルケトン又はＭＥＫ）、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、及びそれらの任意の組合せからなる群から選択される有機溶媒の脱溶媒和物である、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
結晶ラパマイシン類似体が、約５．２、９．１、及び／又は１３．２にピークを有する粉末Ｘ線回折パターンを有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
粉末Ｘ線回折パターンが、実質的に図２Ａにおけるようである、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
結晶ラパマイシン類似体が、約５．３、５．５、１０．６、１３．３、及び／又は１６．０にピークを有する粉末Ｘ線回折パターンを有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
粉末Ｘ線回折パターンが、実質的に図２Ｂにおけるようである、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
結晶ラパマイシン類似体が、約５．３、１０．２、１０．５、及び／又は１３．３にピークを有する粉末Ｘ線回折パターンを有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１４】
粉末Ｘ線回折パターンが、実質的に図３Ａにおけるようである、請求項１３に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月6日(2010.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
６価クロムを含有する水和可能なセメントに、少なくとも２つの窒素−含有部分がアルキル基、少なくとも１つの芳香族環構造またはそれらの混合物により離れて配置された分子構造を有する配位された金属化合物を導入する、ただし、該離れて配置された少なくとも２つの窒素−含有部分はクロムＶＩ還元性金属と配位することができ、該配位された金属化合物は鉄、錫、マンガン、コバルト、ニッケル、スカンジウム、チタン、ニッケル、銅、モリブデンまたはジルコニウムをより低い酸化状態で含むクロムＶＩ還元性金属からなるものである、ことを特徴とするセメント組成物中でクロムを還元する方法。
【請求項２】
該配位された金属化合物が式 ＭｅＳＯ4・（ＮＨ4）2ＳＯ4・６Ｈ2Ｏまたは式 Ｒｎ・ＭｅＸ・ｍＨ2Ｏ［式中、ＭｅはクロムＶＩ還元性金属を表し、Ｒは同じクロムＶＩ還元性金属に結合するための少なくとも２つのアミン基を有するポリデンテートポリアミンを表し、「ｎ」は１〜３の整数を表し、Ｘはアニオンを表し、そして「ｍ」は０より大きいかまたはそれに等しい整数を表す］により表わされる請求項１の方法。
【請求項３】
該配位された金属化合物がエチレンジアミン硫酸第一鉄である請求項２の方法。
【請求項４】
該配位された金属化合物がクロムＶＩ還元性金属を式 1ＮＲ3Ｒ4−Ａ−2ＮＲ1Ｒ2［式中、1Ｎおよび2Ｎは各々が同じクロムＶＩ還元性金属に結合または会合するための一対の電子を有するアミン基の窒素原子を表し、ＡはＣ2〜Ｃ3アルキル基を表し、そしてＲ1、Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4の各々は水素、アルキル基、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ、アセテート、またはそれらのホスホノメチル誘導体を表す］を有する分子に結合または会合させることにより製造される請求項１の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月27日(2010.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ねじ付き牽引アイレット用のねじ付き取り付けソケット（２２）を有するバンパー・ビームであって、バンパー・ビームが、少なくともその取り付け領域（１７）において、外向きのクラウン（１１〜１３）を有するほぼＵ字形の横断面となっており、また、クラウンの側部（１２、１３）間に取り付けた横方向隔壁（２３）を有し、そして取り付けソケット（２２）が隔壁に対して平行であって、隔壁に溶接してあることを特徴とするバンパー・ビーム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月6日(2010.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置された第1の複数の無機ナノ粒子を含む、超親水性表面。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月22日(2010.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中間転写部材の製造方法であって、
継ぎ目を形成するために基体材料の２つの端部を継ぎ合わせることによって、エンドレスベルトを形成し；
回転リボン流延法を用いて該エンドレスベルトの上側に平滑化層を適用することを含み、前記中間転写部材が連続的な継ぎ目無し上面を有する、
中間転写部材の製造方法。
【請求項２】
該継ぎ目から遠い該部材の厚さが、該継ぎ目における該部材の厚さにほぼ等しい請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該平滑化層の上側にリリース層を適用することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該平滑化層がポリウレタンを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
該平滑化層の厚さが０．０３ｍｍ〜５ｍｍであり、ヤング率が５０ＭＰａ未満である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
該エンドレスベルトが、内側及び外側の継ぎ目を有するベルトを形成するために基体の少なくとも２つの層を接着し、回転流延法を用いて該エンドレスベルトの上側に平滑化層を適用することにより形成され、前記中間転写部材が連続的な継ぎ目無し上面を有する、請求項１に記載の方法。