【事件の表示】
　特許第３３５６５２２号「洗浄方法、かかる洗浄方法を使った半導体装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法」の請求項１ないし５、９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３５６５２２号の請求項１ないし５、９に係る特許を維持する。
【理　由】
第１．手続きの経緯
　特許第３３５６５２２号の請求項１ないし１０に係る特許についての特許出願は、平成６年１月１９日に出願され、平成１４年１０月４日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、請求項１ないし５、９に係る特許について、申立人山口雅行より、平成１５年６月１６日に特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年７月２０日に特許異議意見書の提出及び訂正請求がなされたものである。
　
第２．訂正の適否
（１）訂正の内容
　上記訂正請求の内容は、以下の通りである。
（ａ）特許請求の範囲の請求項１の記載である
「　【請求項１】　被洗浄物を薬液に浸漬することにより処理する工程と；
　前記薬液で処理した被洗浄物を、純水よりなる第１の温度の洗浄液で洗浄し、塵埃粒子を前記被洗浄物から除去する第１の洗浄工程と；
　前記第１の洗浄工程で洗浄した被洗浄物を、純水よりなり前記第１の温度よりも高い第２の温度の洗浄液で洗浄し、前記被洗浄物から薬液を除去する第２の洗浄工程とよりなり、
　前記第１の温度は洗浄液中で塵埃粒子の氷結が生じないような温度に設定されることを特徴とする洗浄方法。」を、
「　【請求項１】　
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
　前記薬液で処理した
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
　前記第１の洗浄工程で洗浄した
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
　前記第１の温度は洗浄液中で塵埃粒子の氷結が．生じないような温度に設定されることを特徴とする洗浄方法。」と訂正する。
（ｂ）特許請求の範囲の請求項４の記載である
「　【請求項４】　前記被洗浄物の表面は親水性であることを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。」を、
「　【請求項４】　
前記薬液がＨ
２
ＳＯ
４
を含み
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
（ｃ）特許請求の範囲の請求項７の記載である
「　【請求項７】　被洗浄物を処理する薬液を保持する薬液槽と；
　前記薬液で処理された被洗浄物を洗浄する洗浄液を保持する洗浄液槽と；
　前記洗浄液槽に前記洗浄液を第１の温度で供給する第１の温度制御手段と；
前記洗浄液槽に前記洗浄液を、前記第１の温度よりも実質的に高い第２の温度で供給する第２の温度制御手段と；
　前記第１の温度制御手段と前記第２の温度制御手段とを、前記洗浄液が前記洗浄液槽にまず第１の温度で供給されついて前記第２の温度で供給されるように制御する制御手段とよりなることを特徴とする洗浄装置。」を、
「　【請求項７】　被洗浄物を処理する薬液を保持する薬液槽と；
　前記薬液で処理された被洗浄物を洗浄する洗浄液を保持する洗浄液槽と；
　前記洗浄液槽に前記洗浄液を第１の温度で供給する第１の温度制御手段と；
　前記洗浄液槽に前記洗浄液を、前記第１の温度よりも実質的に高い第２の温度で供給する第２の温度制御手段と；
　前記第１の温度制御手段と前記第２の温度制御手段とを、前記洗浄液が前記洗浄液槽にまず第１の温度で供給されつい
で
（ｄ）特許請求の範囲の請求項９の記載である
「　【請求項９】　被洗浄物を処理する薬液を保持する薬液槽と；
　純水よりなる第１の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第１の洗浄槽と；
　純水よりなり前記第１の温度よりも高い第２の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第２の洗浄槽と；
　前記第１の洗浄槽中の洗浄液の温度を前記第１の温度に設定する第１の温度制御手段と；
　前記第２の洗浄槽中の洗浄液の温度を前記第２の温度に設定する第２の温度制御手段とよりなる洗浄装置。」を、
「　【請求項９】　
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
　純水よりなる第１の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第１の洗浄槽と；
　純水よりなり前記第１の温度よりも高い第２の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第２の洗浄槽と；
　前記第１の洗浄槽中の洗浄液の温度を前記第１の温度に設定する第１の温度制御手段と；
　前記第２の洗浄槽中の洗浄液の温度を前記第２の温度に設定する第２の温度制御手段とよりなる洗浄装置。」と訂正する。
（ｅ）明細書の第００１７段落の記載である
「　【課題を解決するための手段】
　本発明は、上記の課題を、
　被洗浄物を薬液に浸漬することにより処理する工程と；
　前記薬液で処理した被洗浄物を第１の温度の洗浄液で洗浄し、塵埃粒子を前記被洗浄物から除去する第１の洗浄工程と；
　前記第１の洗浄工程で洗浄した被洗浄物を前記第１の温度よりも高い第２の温度の洗浄液で洗浄し、前記被洗浄物から薬液を除去する第２の洗浄工程とよりなり、
　前記第１の温度は洗浄液中で塵埃粒子の氷結が生じないような温度に設定されることを特徴とする洗浄方法及びかかる洗浄方法を使った半導体装置あるいは液晶表示装置の製造方法により、または
　被洗浄物を処理する薬液を保持する薬液槽と；
　前記薬液で処理された被洗浄物を洗浄する洗浄液を保持する洗浄液槽と；
　前記洗浄液槽に前記洗浄液を第１の温度で供給する第１の温度制御手段と；
　前記洗浄液槽に前記洗浄液を、前記第１の温度よりも実質的に高い第２の温度で供給する第２の温度制御手段と；
　前記第１の温度制御手段と前記第２の温度制御手段とを、前記洗浄液が前記洗浄液槽にまず第１の温度で供給されついて前記第２の温度で供給されるように制御する制御手段とよりなることを特徴と
する洗浄装置により、または
　被洗浄物を処理する薬液を保持する薬液槽と；
　第１の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第１の洗浄槽と；
　前記第１の温度よりも高い第２の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第２の洗浄槽と；
　前記第１の洗浄槽中の洗浄液の温度を前記第１の温度に設定する第１の温度制御手段と；
　前記第２の洗浄槽中の洗浄液の温度を前記第２の温度に設定する第２の温度制御手段とよりなる洗浄装置により解決する。」を、
「　【課題を解決するための手段】
　本発明は、上記の課題を、
　半導体装置の基板または液晶表示装置の基板を薬液に浸漬することにより処理する工程と；
　前記薬液で処理した半導体装置の基板または液晶表示装置の基板を純水よりなる第１の温度の洗浄液で洗浄し、塵埃粒子を前記半導体装置の基板または液晶表示装置の基板から除去する第１の洗浄工程と；
　　前記第１の洗浄工程で洗浄した半導体装置の基板または液晶表示装置の基板を、純水よりなり前記第１の温度よりも高い第２の温度の洗浄液で洗浄し、前記半導体装置の基板または液晶表示装置の基板から薬液を除去する第２の洗浄工程とよりなり、
　前記第１の温度は洗浄液中で塵埃粒子の氷結が生じないような温度に設定されることを特徴とする洗浄方法及びかかる洗浄方法を使った半導体装置あるいは液晶表示装置の製造方法により、
　または被洗浄物を処理する薬液を保持する薬液槽と；
　前記薬液で処理された被洗浄物を洗浄する洗浄液を保持する洗浄液槽と；
　前記洗浄液槽に前記洗浄液を第１の温度で供給する第１の温度制御手段と；
　前記洗浄液槽に前記洗浄液を、前記第１の温度よりも実質的に高い第２の温度で供給する第２の温度制御手段と；
　前記第１の温度制御手段と前記第２の温度制御手段とを、前記洗浄液が前記洗浄液槽にまず第１の温度で供給されつい
で
　半導体装置の基板または液晶表示装置の基板を処理する薬液を保持する薬液槽と；
　純水よりなる第１の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第１の洗浄槽と；
　純水よりなり前記第１の温度よりも高い第２の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第２の洗浄槽と；
　前記第１の洗浄槽中の洗浄液の温度を前記第１の温度に設定する第１の温度制御手段と；
　前記第２の洗浄槽中の洗浄液の温度を前記第２の温度に設定する第２の温度制御手段とよりなる洗浄装置により解決する。」と訂正する。
（ｆ）明細書の第０００７段落の記載である
「　図１を参照するに、まず直径が８インチのシリコンウェハ上に付着している塵粒子のうち、粒径が０．２μｍ以上のものの数を測定した。次いで、ウェハを、３２％の濃度のＨ２Ｏ２と９８％の濃度のＨ２ＳＯ４とを体積比で２：１００の割合で含む薬液中に１１０゜Ｃで１５分間浸漬した。次いで、ウェハを薬液から引き上げ、様々な温度の純水中で約３０秒間リンスした。この工程の後、さらに純水ををオーバーフローさせながら２０分間リンスし、２０分間乾燥させた後、再び粒径が０．２μｍ以上の粒子の数を測定した。」を、
「　図１を参照するに、まず直径が８インチのシリコンウェハ上に付着している塵粒子のうち、粒径が０．２μｍ以上のものの数を測定した。次いで、ウェハを、３２％の濃度のＨ２Ｏ２と９８％の濃度のＨ２ＳＯ４とを体積比で２：１００の割合で含む薬液中に１１０°Ｃで１５分間浸潰した。次いで、ウェハを薬液から引き上げ、様々な温度の純水中で約３０秒間リンスした。この工程の後、さらに純水
をオ
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項（ａ）についてみると、この訂正は、特許請求の範囲の請求項１の発明の構成である「被洗浄物」について、「半導体装置の基板または液晶表示装置の基板」と限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記訂正事項（ｂ）についてみると、この訂正は、特許請求の範囲の請求項４の発明が、請求項１を引用することによって備える構成である「薬液」について、「薬液がＨ２ＳＯ４を含む」ことを限定し、また、上記訂正事項（ａ）による、請求項１の訂正との整合を図るものであり、特許請求の範囲の減縮、及び、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　上記訂正事項（ｃ）についてみると、この訂正は、特許請求の範囲の請求項７の記載である「第１の温度で供給されついて前記第２の温度で供給される」を、「第１の温度で供給されついで前記第２の温度で供給される」と訂正するものであり、これは、誤記の訂正に該当する。
　上記訂正事項（ｄ）についてみると、この訂正は、特許請求の範囲の請求項９の発明の構成である「被洗浄物」について、「半導体装置の基板または液晶表示装置の基板」と限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記訂正事項（ｅ）についてみると、この訂正は、発明の詳細な説明の記載と、上記訂正事項（ａ）による請求項の記載との整合を図るものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　上記訂正事項（ｆ）についてみると、この訂正は、「純水ををオーバーフローさせながら」を「純水をオーバーフローさせながら」と訂正するものであり、これは、誤記の訂正に該当する。
　そして、いずれの訂正事項も、願書に添付した明細書の記載の範囲内のものであるから新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（３）独立特許要件
（３−１）請求項６について
　請求項６は、特許異議の申立てがされていない請求項であって、訂正請求もされていないが、これは従属形式の請求項であって、その引用元の請求項１ないし４の訂正によって、その特許請求の範囲が減縮しているから、訂正明細書の請求項６に係る発明の独立特許要件について検討する。
　明細書の請求項６に係る発明は、明細書の特許請求の範囲の請求項６に記載されたとおりのものであり、訂正明細書の請求項１ないし４に係る発明の構成をすべて含むものである。
　そして、当該請求項１ないし４に係る発明が、下記第３．（６）のように、申立人が提出した甲第１号証に係る特許出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一と認めることができないし、また、同じく申立人が提出した甲第２号証ないし甲第３号証に係る刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認めることもできないので、同様の理由により、明細書の請求項６に係る発明は、申立人が提出した甲第１号証に係る特許出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一と認めることができないし、また、同じく申立人が提出した甲第２号証ないし甲第３号証に係る刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認めることもできない。
（３−２）請求項７について
　上記請求項７に係る訂正は、特許異議の申立てがされていない請求項についての訂正であって、誤記の訂正を目的としたものに該当するから、訂正明細書の請求項７に係る発明の独立特許要件について検討する。
　訂正明細書の請求項７に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項７に記載されたとおりのものである。（上記（１）訂正の内容参照。）
　そして、当該請求項７に係る発明は、洗浄装置が、薬液で処理された被洗浄物を洗浄する洗浄液を保持する洗浄液槽を備え、その洗浄液槽に洗浄液を供給する制御手段として、
「前記洗浄液槽に前記洗浄液を第１の温度で供給する第１の温度制御手段と；
　前記洗浄液槽に前記洗浄液を、前記第１の温度よりも実質的に高い第２の温度で供給する第２の温度制御手段と；
　前記第１の温度制御手段と前記第２の温度制御手段とを、前記洗浄液が前記洗浄液槽にまず第１の温度で供給されついで前記第２の温度で供給されるように制御する制御手段」
　という、甲第１号証に係る特許出願の願書に最初に添付した明細書又は図面及び甲第２、３号証に記載されていない独自の構成を備えることにより、明細書記載の特有の効果を奏するものであるから、申立人が提出した甲第１号証に係る特許出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一と認めることができないし、また、同じく申立人が提出した甲第２号証ないし甲第３号証に係る刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認めることもできない。
（３−３）請求項８について
　請求項８は、特許異議の申立てがされていない請求項であって訂正請求もされていないが、これは従属形式の請求項であって、その引用元の請求項７の訂正によって、その特許請求の範囲が減縮しているから、訂正明細書の請求項８に係る発明の独立特許要件について検討する。
　明細書の請求項８に係る発明は、明細書の特許請求の範囲の請求項８に記載されたとおりのものであり、訂正明細書の請求項７に係る発明の構成をすべて含むものである。
　そして、当該請求項７に係る発明が、上記（３−２）のように、申立人が提出した甲第１号証に係る特許出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一と認めることができないし、また、同じく申立人が提出した甲第２号証ないし甲第３号証に係る刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認めることもできないので、同様の理由により、明細書の請求項８に係る発明は、申立人が提出した甲第１号証に係る特許出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一と認めることができないし、また、同じく申立人が提出した甲第２号証ないし甲第３号証に係る刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認めることもできない。
（３−４）請求項１０について
　請求項１０は、特許異議の申立てがされていない請求項であって訂正請求もされていないが、これは従属形式の請求項であって、その引用元の請求項９の訂正によって、その特許請求の範囲が減縮しているから、訂正明細書の請求項１０に係る発明の独立特許要件について検討する。
　明細書の請求項１０に係る発明は、明細書の特許請求の範囲の請求項１０に記載されたとおりのものであり、訂正明細書の請求項９に係る発明の構成をすべて含むものである。
　そして、当該請求項９に係る発明が、下記第３．（６）のように、申立人が提出した甲第１号証に係る特許出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一と認めることができないし、また、同じく申立人が提出した甲第２号証ないし甲第３号証に係る刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認めることもできないので、同様の理由により、明細書の請求項１０に係る発明は、申立人が提出した甲第１号証に係る特許出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一と認めることができないし、また、同じく申立人が提出した甲第２号証ないし甲第３号証に係る刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認めることもできない。
　
（４）むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法改正前の特許法第１２６条第１項ただし書きの規定、及び、第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３．特許異議の申立てについて
（１）特許異議の申立ての概要
　申立人は、甲第１号証ないし甲第４号証を提出し、請求項１ないし５、９に係る発明は、甲第１号証に係る特許出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であるから、上記各請求項に係る発明の特許は特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり、また、請求項１ないし５、９に係る発明は、甲第２号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、上記各請求項に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、また、請求項４の記載は、「親水性」とはどの程度の範囲のレベルのものを意味しているか、きわめて不明確であるから、上記請求項４に係る発明の特許は特許法第３６条第５項及び第６項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきであると主張している。
　なお、甲第４号証は、特許権者が平成１４年１月２５日付けで提出した意見書である。
　
（２）記載不備について
　明細書の特許請求の範囲の請求項４の記載は、「半導体装置の基板または液晶表示装置の基板の表面は親水性である」限りにおいて明りょうであり、申立人の主張するような記載不備はない。
　
（３）本件発明
　上記第２．（４）で述べたとおり、上記訂正が認められるから、本件特許の請求項１ないし５、９に係る発明（以下、「本件発明１ないし５、９」という。）は、上記訂正請求による訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし５、９に記載された、次のとおりのものである。
「　【請求項１】　半導体装置の基板または液晶表示装置の基板を薬液に浸漬することにより処理する工程と；
　前記薬液で処理した半導体装置の基板または液晶表示装置の基板を、純水よりなる第１の温度の洗浄液で洗浄し、塵埃粒子を前記半導体装置の基板または液晶表示装置の基板から除去する第１の洗浄工程と；
　前記第１の洗浄工程で洗浄した半導体装置の基板または液晶表示装置の基板を、純水よりなり前記第１の温度よりも高い第２の温度の洗浄液で洗浄し、前記半導体装置の基板または液晶表示装置の基板から薬液を除去する第２の洗浄工程とよりなり、
　前記第１の温度は洗浄液中で塵埃粒子の氷結が生じないような温度に設定されることを特徴とする洗浄方法。
　【請求項２】　前記第１の温度は２５゜Ｃ以下であることを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。
　【請求項３】　前記第２の温度は６０゜Ｃ以下であることを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。
　【請求項４】　前記薬液がＨ２ＳＯ４を含み、前記半導体装置の基板または液晶表示装置の基板の表面は親水性であることを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。
　【請求項５】　前記請求項１から４のいずれか一項記載の洗浄方法を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項９】　半導体装置の基板または液晶表示装置の基板を処理する薬液を保持する薬液槽と；
　純水よりなる第１の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第１の洗浄槽と；
　純水よりなり前記第１の温度よりも高い第２の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第２の洗浄槽と；
　前記第１の洗浄槽中の洗浄液の温度を前記第１の温度に設定する第１の温度制御手段と；
　前記第２の洗浄槽中の洗浄液の温度を前記第２の温度に設定する第２の温度制御手段とよりなる洗浄装置。」
　
（３）引用出願及び引用刊行物
　上記取消理由通知において引用された出願及び刊行物は以下の通りである。
引用出願　　：特願平５−３１８０４４号（特開平　７−１７５２４７号、甲第１号証）
引用刊行物１：特開平　４−３６９６５４号公報（甲第２号証）
引用刊行物２：特開平　４−　２９７８７号公報（甲第３号証）
　
（４）引用出願の願書に最初に添付した明細書又は図面の記載
　上記引用出願の願書に最初に添付した明細書又は図面には、下記の事項が記載されていると認められる。
「アルミニウム基体上に機能性膜を形成する工程を含む電子写真感光体の製造方法において、機能性膜を形成する工程の前に、基体の表面を二酸化炭素を溶解した水による洗浄および二酸化炭素を溶解した温水による引き上げ乾燥を行うことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】）
「二酸化炭素を溶解した水の温度が２０°Ｃ以上４０°Ｃ以下であり、二酸化炭素を溶解した温水の温度が４０°Ｃ以上７０°Ｃ以下である請求項５記載の方法。」（【特許請求の範囲】の【請求項６】）
「【産業上の利用分野】
　本発明は、アルミニウム基体上に機能性膜を形成した電子写真感光体の製造方法に関し、特に、珪素原子を含有したアルミニウム基体上にプラズマＣＶＤ法により珪素原子と水素原子を含む非単結晶堆積膜を機能性膜として形成した電子写真感光体の製造方法に関する。」（段落【０００１】）
「本発明者らは堆積膜形成に先立ち、塵などの付着物を除去するために行なう洗浄工程で用いる水に何らかの改良を加えることで上記のような欠陥発生を抑制することができないかと考え、鋭意研究した結果、本発明を完成させるに至った。本発明の方法のようにＣＯ２水を用いることで良好な結果が得られる理由（メカニズム）については、未だ解明されていない点が多いが、本発明者らは現在、次のように考えている。
　アルミニウム基体表面に部分的に露出した珪素原子が多い部分は、周囲の通常のアルミニウムの部分と局部的な電池を形成して腐食を促進する。
　一方、水に溶解した二酸化炭素は水中で炭酸イオンとなり、これらの局部電池の部分に引き寄せられ周囲を覆うことにより水中の酸素等の接近を防ぎ、効果的に腐食を防止する。さらに炭酸イオンは、珪素原子の多い部分表面に何らかの変質を生じさせ、それにより堆積膜形成時にこの部分から異常成長が発生することを防止する。」（段落【００４４】〜【００４６】）
「さらに本発明の方法では、切削工程後、ＣＯ２水による洗浄工程の前に前洗浄工程を設けることにより、洗浄工程の効果を低減させる油脂およびハロゲン系の残流物の除去を完全に行なって効果を高めることもできる。特に、前洗浄工程で水または界面活性剤を加えた水による超音波洗浄を行なうことにより、本発明の方法の効果を大幅に向上させることができる。」（段落【００５３】）
「切削後、投入台１１１上に置かれた基体１０１は、搬送機構１０３により洗浄槽１２１に搬送される。前洗浄槽１２１中の界面活性剤水溶液１２２中で超音波処理することにより表面に付着している切削油および切り粉の洗浄を行なう。
　次に、搬送機構１０３により基体１０１をＣＯ２水による洗浄槽１３１に運び、２５°Ｃの温度に保たれたＣＯ２水によりさらに洗浄を行なう。ＣＯ２水については、工業用導電率計（商品名：α９００Ｒ／Ｃ、堀場製作所製）により随時導電率を測定し、必要に応じて二酸化炭素を溶解することにより、導電率がほぼ１０μＳ／ｃｍに維持されるように制御する。ＣＯ２水による洗浄の終了した基体１０１は、搬送機構１０３によりＣＯ２温水による乾燥槽１４１に移動し、昇降装置（図示せず）を用い、６０°Ｃの温度に保たれたＣＯ２温水にて引き上げ乾燥に付す。ＣＯ２温水については、工業用導電率計（商品名α９００Ｒ／Ｃ、堀場製作所製）により随時導電率を測定し、必要により二酸化炭素を溶解することにより、導電率がほぼ２０μＳ／ｃｍに維持されるように制御する。乾燥工程の終了した基体１０１は、搬送機構１０３により搬送台１５１に運ぶ。」（段落【００５７】〜【００５８】）
「本発明の方法の前洗浄工程で用いられる界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両性界面活性剤またはそれらの混合したもの等いずれのものでも可能である。中でも、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸モノエステル塩、燐酸エステル塩等の陰イオン性界面活性剤または脂肪酸エステル等の非イオン性界面活性剤が特に効果的である。ビルダーとしては、燐酸塩、炭酸塩、珪酸塩、ホウ酸塩等が有効である。キレート剤としては、グルコン酸塩、ＥＤＴＡ、ＮＴＡ、燐酸塩等が有効である。」（段落【００６７】）
「本発明において、二酸化炭素を溶解した水による洗浄工程に使用される水の水質は非常に重要であり、二酸化炭素溶解前の状態では半導体グレードの純水、特に超ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的には、水温２５°Ｃの時の抵抗率として、１ＭΩ・ｃｍ、好ましくは３ＭΩ・ｃｍ、最適には５ＭΩ・ｃｍを下限とする水である。その抵抗値の上限は、理論抵抗値（１８．２５ＭΩ・ｃｍ）以下であれば良いが、コストおよび生産性の面から１７ＭΩ・ｃｍ、好ましくは１５ＭΩ・ｃｍ、最適には１３ＭΩ・ｃｍである。
　微粒子量としては、０．２μｍ以上のものが１ｍｌ中に１００００個以下、好ましくは１０００個以下、最適には１００個以下である。微生物量としては、総生菌数が１ｍｌ中に１００個以下、好ましくは１０個以下、最適には１個以下である。有機物量（ＴＯＣ）は１リットル中に１０ｍｇ以下、好ましくは１ｍｇ以下、最適には０．２ｍｇ以下である。
　上記の水質の水を得る方法としては、活性炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルターろ過法、逆浸透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組み合わせて用い、所望の水質を達成することが望ましい。」（段落【００６９】〜【００７１】）
「本発明の方法において、ＣＯ２温水による温水乾燥を行なう場合、使用される水の水質は非常に重要であり、二酸化炭素溶解前の状態では半導体グレードの純水、特に超ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的には、水温２５°Ｃでの抵抗率として、１ＭΩ・ｃｍ、好ましくは３ＭΩ・ｃｍ、最適には５ＭΩ・ｃｍを下限とする水である。抵抗値の上限は、理論抵抗値（１８．２５ＭΩ・ｃｍ）以下の値であれば良いが、コストおよび生産性の面から１７ＭΩ・ｃｍ、好ましくは１５ＭΩ・ｃｍ、最適には１３ＭΩ・ｃｍである。
　微粒子量としては、０．２μｍ以上のものが１ｍｌ中に１００００個以下、好ましくは１０００個以下、最適には１００個以下である。微生物量としては、総生菌数が１ｍｌ中に１００個以下、好ましくは１０個以下、最適には１個以下である。有機物量（ＴＯＣ）は１リットル中に１０ｍｇ以下、好ましくは１ｍｇ以下、最適には０．２ｍｇ以下である。
　上記の水質の水を得る方法としては、活性炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルターろ過法、逆浸透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組み合わせて用い、所望の水質を達成することが望ましい。」（段落【００８５】〜【００８７】）
「（比較実験例２）
　実験例１と同様に珪素原子の含有量が１００ｐｐｍのアルミニウム基体を同様の手順で切削後、切削工程終了１５分後に表７に示す条件によって洗剤（非イオン性界面活性剤）による洗浄、純水による洗浄および引き上げ乾燥を行なった。表面処理装置としては図１のものを用い、但し洗浄槽１３１および乾燥槽１４１では、二酸化炭素を溶解していない純水を使用した。」（段落【０１４８】）
「【発明の効果】
　以上説明した通り、本発明の方法では、機能性膜形成の工程の前に基体の表面を二酸化炭素を溶解した水により洗浄する工程および二酸化炭素を溶解した温水により乾燥する工程を行なってから、アルミニウム基体上に機能性膜、特に、プラズマＣＶＤ法によって水素原子および／または弗素原子と珪素原子とを含む非単結晶堆積膜を形成して電子写真感光体を作製することから、均一な高品位の画像を与える電子写真感光体を安価に、しかも安定的に提供することができる。」（段落【０１９５】）
　
（５）引用刊行物の記載事項
（５−１）引用刊行物１
　上記引用刊行物１には、以下のとおり記載されている。
「電子写真用感光体の感光層表面を粗面化後、水溶性弱アルカリ系洗浄剤で洗浄し、続いて純水で洗浄し、温純水に浸漬し引き上げて乾燥させることを特徴とする電子写真用感光体の製造方法。」（【特許請求の範囲】【請求項１】）
「温純水の温度が６０°Ｃ以上８０°Ｃ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１または７記載の電子写真用感光体の製造方法。」【特許請求の範囲】【請求項８】）
「【産業上の利用分野】
　この発明は、電子写真用感光体の製造方法、特にＳｅ−Ａｓ系，Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｓ系の電子写真用感光体の感光層表面を粗面化後、水溶性弱アルカリ系洗浄剤，純水および温純水を用いて洗浄，乾燥する方法に関する。」（段落【０００１】）
「【作用】
　感光層表面を粗面化する際に汚染された感光体は、水溶性弱アルカリ系洗浄剤で洗浄することにより研削剤，研削屑が除去され、続いて純水で洗浄することにより水溶性弱アルカリ系洗浄剤および残存する研削剤，研削屑などが洗浄除去され、最後に温純水に浸漬して引き上げることにより乾燥されて、清浄化される。水溶性弱アルカリ系洗浄剤は有機溶剤に比べると研削剤などの油分に対する洗浄力は小さい。これを補うためには、水溶性弱アルカリ系洗浄剤による洗浄を二段階に分けて行い、かつ、第一段階の洗浄を感光層表面を機械的に拭いながら行い、さらに残存する汚れを第二段階で超音波洗浄するとよい。また、純水による洗浄を三段階に分けて行うことにより、水溶性弱アルカリ系洗浄剤および残存する研削剤，研削屑などを充分に除去することができる。
　また、粗面化後の感光層表面を洗浄した水溶性弱アルカリ系洗浄剤を静電フィルタあるいは限外濾過フィルタで濾過することにより、研削屑，研削剤などの汚れを除去して洗浄剤のかなりの繰り返し使用を可能とし洗浄剤の寿命を長くすることができる。また、洗浄に用いた純水を逆浸透膜フィルタで濾過することにより、感光体に付着して純水中に持ち込まれる洗浄剤および洗浄剤に溶解していて持ち込まれるＳｅが除去され、純水のかなりの繰り返し使用が可能となり、さらに最終洗浄に用いた純水をそのまま排水することが可能となる。また、乾燥のために使用する温純水の温度を６０°Ｃ以上８０°Ｃ以下の範囲内とし、その中に感光体をその温度が少なくとも温純水の温度−３°Ｃ以上となるまでの時間浸漬した後、１０ｍｍ／秒以上１５ｍｍ／秒以下の速度で引き上げるとムラなく良好に乾燥することができて好適であり、また、感光体基体としてアルミニウムが用いられている場合でもアルミニウムが変色することもない。また、乾燥のために使用する温純水の電気伝導度を１μＳ／ｃｍ以下とすることにより、感光体の電気特性を有機溶剤による洗浄の場合と同様に良好にすることができて好ましい。」（段落【０００８】）
　
（５−２）引用刊行物２
　上記引用刊行物２には、以下のとおり記載されている。
「１．洗浄籠に入れた部品を洗浄する方法において、純水に界面活性剤を添加した溶液中に超音波が伝播するようにし、その温度を３５〜４５°Ｃに保った第一槽に洗浄籠を水没し、部品の汚れを剥離する第１の工程と、
　４５〜５５°Ｃに保った純水を満たした第二槽で洗浄籠の上下動を繰り返し、汚れの離脱を促進する第二の工程と、
　５５〜６５°Ｃに保った純水を満たした第三槽に洗浄籠を水没して、仕上げの濯ぎをする第三の工程と、
　第三の工程を経て真空槽に挿入し水分を除去する第四の工程とからなることを特徴とする部品の洗浄方法。
２．部品は複雑形状で細孔あることを特徴とする請求項１記載の部品の洗浄方法。」（特許請求の範囲）
「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、精密な部品の洗浄方法に関するものである。
〔従来の技術〕
　メッキやコーティング等、表面処理した細孔を持つ精密な部品を、クリーンルーム内で組立を行う際に、クリーンルーム内に持込む前に、部品を洗浄籠に整列し、表面に付着しているほこり、綿ゴミ、指紋等を洗浄する、特に部品の表面を亜鉛メッキやアルミ・アロジンで処理した場合には洗浄温度が、６０°Ｃ以上では、表面処理した被膜が劣化する。」（公報第１頁右下欄第２〜１３行）
「本発明は、細孔をもつ精密な部品を低温下で洗浄する方法を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
　洗浄籠に入れた部品を洗浄する方法において、純水に界面活性剤を添加した溶液中に超音波が伝播するようにし、その温度を３５〜４５°Ｃに保った第一槽に洗浄籠を水没し、部品の汚れを剥離する第１の工程と、
　４５〜５５°Ｃに保った純水を満たした第二槽で洗浄籠の上下動を繰り返し、汚れの離脱を促進する第二の工程と、
　５５〜６５°Ｃに保った純水を満たした第三槽に洗浄籠を水没して、仕上げの濯ぎをする第三の工程と、
　第三の工程を経て真空槽に挿入し水分を除去する第四の工程で水分を除去するのである。
　即ち、第一の工程から順に徐々に水温を高め、第三の工程を経た部品を直ちに真空槽へ挿入して水切りをすることを特徴とする。」（公報第２頁左上欄第１８行〜右上欄第１７行）
「〔発明の効果〕
　本発明によれば、細孔があり、許容温度が６０°Ｃの被洗浄物でも、形状、大きさに関係なく、環境問題のない純水を使用した洗浄ができる。」（公報第３頁左下欄第３〜６行）
　
（６）対比・判断
（６−１）本件発明１について
　本件発明１は、「半導体装置の基板または液晶表示装置の基板」を対象とした洗浄方法（以下、「構成Ａ」という。）であって、その構成として、前記基板を、「純水よりなる第１の温度の洗浄液で洗浄し、塵埃粒子を前記半導体装置の基板または液晶表示装置の基板から除去する第１の洗浄工程」（以下、「構成Ｂ」という。）、及び、第１の洗浄工程で洗浄した基板を、「純水よりなり前記第１の温度よりも高い第２の温度の洗浄液で洗浄し、前記半導体装置の基板または液晶表示装置の基板から薬液を除去する第２の洗浄工程」（以下、「構成Ｃ」という。）を備える点で特有のものである。
　しかしながら、上記引用出願の願書に最初に添付した明細書又は図面には、半導体装置の基板または液晶表示装置の基板の洗浄方法は記載されていないし、上記の構成Ｂ，Ｃも記載されていない。
　また、構成Ａ〜Ｃは、同明細書又は図面に記載された発明から自明の事項でもない。
　本件発明１は、この構成Ａ〜Ｃにより、「本発明によれば、基板を薬液により処理し引続きリンスする際、基板に付着する粒子を最少化出来、また基板表面から薬液を完全に除去することが可能である。」という、明細書記載の、格別顕著な作用効果を奏する洗浄方法であるものと認められる。
　したがって、本件発明１は、上記引用出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一と認めることができない。
　また、上記刊行物１ないし２にも、上記の構成Ａ〜Ｃは記載されていないし、それを示唆する記載もない。
　したがって、本件発明１は、上記刊行物１及び２に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　
（６−２）本件発明２ないし５について
　本件発明２ないし５は、本件発明１の構成をすべて含み、さらに限定を加えたものであるので、本件発明１と同様の理由により、上記引用出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一と認めることができないし、また、上記刊行物１及び２にに記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認めることもできない
（６−３）本件発明９について
　本件発明９は、「半導体装置の基板または液晶表示装置の基板」を対象とした洗浄装置であって、その構成として、「純水よりなる第１の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第１の洗浄槽と、純水よりなり前記第１の温度よりも高い第２の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第２の洗浄槽と、前記第１の洗浄槽中の洗浄液の温度を前記第１の温度に設定する第１の温度制御手段と、前記第２の洗浄槽中の洗浄液の温度を前記第２の温度に設定する第２の温度制御手段」を備える点で特有のものである。
　しかしながら、上記引用出願の願書に最初に添付した明細書又は図面には、半導体装置の基板または液晶表示装置の基板の洗浄装置は記載されていないし、上記の構成Ｂ，Ｃも記載されていない。
　また、構成Ａ〜Ｃは、同明細書又は図面に記載された発明から自明の事項でもない。
　本件発明９は、この構成Ａ〜Ｃにより明細書記載の、格別顕著な作用効果を奏する洗浄方法であるものと認められる。
　したがって、本件発明９は、上記引用出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一と認めることができない。
　また、上記刊行物１ないし２にも、上記の点は記載されていないし、それを示唆する記載もない。
　したがって、本件発明９は、上記刊行物１及び２に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　
（７）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし５、９に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし５、９に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１ないし５、９に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める法令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年１２月１３日（２００５．１２．１３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
洗浄方法、かかる洗浄方法を使った半導体装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
　前記薬液で処理した
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
　前記第１の洗浄工程で洗浄した
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
　前記第１の温度は洗浄液中で塵埃粒子の氷結が生じないような温度に設定されることを特徴とする洗浄方法。
　【請求項２】前記第１の温度は２５°Ｃ以下であることを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。
　【請求項３】前記第２の温度は６０°Ｃ以下であることを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。
　【請求項４】
前記薬液がＨ２ＳＯ４を含み
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
　【請求項５】前記請求項１から４のいずれか一項記載の洗浄方法を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項６】前記請求項１から４のいずれか一項記載の洗浄方法を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項７】被洗浄物を処理する薬液を保持する薬液槽と；
　前記薬液で処理された被洗浄物を洗浄する洗浄液を保持する洗浄液槽と；
　前記洗浄液槽に前記洗浄液を第１の温度で供給する第１の温度制御手段と；
　前記洗浄液槽に前記洗浄液を、前記第１の温度よりも実質的に高い第２の温度で供給する第２の温度制御手段と；
　前記第１の温度制御手段と前記第２の温度制御手段とを、前記洗浄液が前記洗浄液槽にまず第１の温度で供給されつい
で
　【請求項８】さらに、前記第１および第２の温度を、前記第１の温度と第２の温度の中間の温度の洗浄液を前記洗浄液に混合することにより調整する温度調整手段を備えたことを特徴とする請求項７記載の洗浄装置。
　【請求項９】
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
　純水よりなる第１の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第１の洗浄槽と；
　純水よりなり前記第１の温度よりも高い第２の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第２の洗浄槽と；
　前記第１の洗浄槽中の洗浄液の温度を前記第１の温度に設定する第１の温度制御手段と；
　前記第２の洗浄槽中の洗浄液の温度を前記第２の温度に設定する第２の温度制御手段とよりなる洗浄装置。
　【請求項１０】さらに、前記第１の温度と第２の温度の中間の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第３の洗浄槽を備えたことを特徴とする請求項９記載の洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は一般に半導体装置の製造に関し、特に半導体装置あるいは液晶表示装置の製造工程において使われる基板の洗浄方法および装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体装置あるいは液晶表示装置の製造工程は、一般に半導体基板あるいはガラス基板等の基板を洗浄する工程を含む。かかる洗浄工程には、基板を薬液に浸漬する処理工程と、薬液に浸漬した基板を引き上げ、基板上に残留している薬液の膜を多量の純水で洗い流すリンス工程が含まれる。
　【０００３】
　従来より、かかるリンス工程においては加熱した温純水を使うことでリンス効果を高めることができることが知られていた。一方、リンス工程では、薬液が完全に除去できると同時に、洗浄した基板上に塵の粒子が付着しないことが特に肝要である。
　【０００４】
　リンス工程において、塵粒子の付着を回避するために、特開昭６３−１５５７２９はリンスに使われる純水の温度を５°Ｃ程度に維持し、液化窒素ガス等の低温ガスを純水中に導入し、純水中の塵粒子を氷結させて基板から除去する方法を提案している。この方法では、塵粒子は氷結の核として作用する。しかし、かかる方法は大がかりな設備を必要とし、しかも純水の温度が非常に低いため、十分なリンス効果が得られない問題点を有する。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明の出願人は、温純水による基板のリンス効果について実験を行っていたところ、リンスに使われる純水の温度と基板上に付着する塵粒子の数との間に興味深い関係を見いだした。以下、本出願人による実験およびその結果について説明する。
　【０００６】
　図１は本出願人が行った実験の手順を示す図である。
　【０００７】
　図１を参照するに、まず直径が８インチのシリコンウェハ上に付着している塵粒子のうち、粒径が０．２μｍ以上のものの数を測定した。次いで、ウェハを、３２％の濃度のＨ２Ｏ２と９８％の濃度のＨ２ＳＯ４とを体積比で２：１００の割合で含む薬液中に１１０°Ｃで１５分間浸漬した。次いで、ウェハを薬液から引き上げ、様々な温度の純水中で約３０秒間リンスした。この工程の後、さらに純水
をオ
　【０００８】
　図２は図１の実験の結果を示す。
　【０００９】
　図２を参照するに、リンス後に基板上に残留する粒子の数は、リンスに使われた純水の温度と共に増加することが発見された。付着粒子の数が温度とともに増加する理由は明確ではないが、特にサブミクロンパターンを有する半導体装置の場合、許容される残留付着粒子数は８インチ径のウェハの場合１５個以下であることを考えると、リンスに使われる純水の温度を２５°Ｃ以上にすると基板上に付着する粒子の数が許容範囲を超えてしまうことがわかる。
　【００１０】
　一方、塵粒子の付着を最少化すべく低温の純水を使って薬液で処理されたウェハをリンスすると、基板表面からの薬液の除去が不完全になることが知られている。
　【００１１】
　図３は、本出願人が行った、純水の温度とリンス効果の間の関係を検証する実験を示す。
　【００１２】
　図３を参照するに、この実験では８インチ径のシリコンウェハを前記Ｈ２Ｏ２とＨ２ＳＯ４の混合液よりなる薬液中に浸漬した後、常温から６０°Ｃまでの純水オーバーフロー中で１０秒間リンスし、基板表面の比抵抗を測定した。
　【００１３】
　図４はかかる比抵抗の測定結果を示す。図４中、縦軸は純水の比抵抗が回復するまでの時間を示し、基板上に残留する酸の割合に対応する。図４よりわかるように、比抵抗はリンスに使った純水の温度が高くなるにつれて低下する傾向を示す。図４の傾向は、リンスに使う純水の温度が低いと十分なリンス効果が得られないという公知の知識を確認するものである。
　【００１４】
　このように、薬液による処理の後でリンスに使われる薬液の温度が高いと基板表面への塵粒子の付着量が多くなり、一方塵粒子の付着を最少にするために純水の温度を低くすると薬液が基板表面に残留してしまい、洗浄工程の後でなされる半導体装置の製造工程に悪影響を与える。
　【００１５】
　そこで、本発明は上記の課題を解決した、新規で有用な基板洗浄方法およびかかる基板洗浄方法を使った半導体装置の製造方法を提供することを、概括的目的とする。
　【００１６】
　本発明の他のより具体的な目的は、薬液処理後の基板表面に残留する塵粒子の数を最少化し、同時に基板表面に残留する薬液を最少化する基板洗浄方法およびかかる基板洗浄方法を使った半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
　【００１７】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、上記の課題を、
　
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
　前記薬液で処理した
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
　前記第１の洗浄工程で洗浄した
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
　前記第１の温度は洗浄液中で塵埃粒子の氷結が生じないような温度に設定されることを特徴とする洗浄方法およびかかる洗浄方法を使った半導体装置あるいは液晶表示装置の製造方法により、または
　被洗浄物を処理する薬液を保持する薬液槽と；
　前記薬液で処理された被洗浄物を洗浄する洗浄液を保持する洗浄液槽と；
　前記洗浄液槽に前記洗浄液を第１の温度で供給する第１の温度制御手段と；
　前記洗浄液槽に前記洗浄液を、前記第１の温度よりも実質的に高い第２の温度で供給する第２の温度制御手段と；
　前記第１の温度制御手段と前記第２の温度制御手段とを、前記洗浄液が前記洗浄液槽にまず第１の温度で供給されつい
で
　
半導体装置の基板または液晶表示装置の基板
　純水よりなる第１の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第１の洗浄槽と；
　純水よりなり前記第１の温度よりも高い第２の温度の洗浄液を供給されてこれを保持する第２の洗浄槽と；
　前記第１の洗浄槽中の洗浄液の温度を前記第１の温度に設定する第１の温度制御手段と；
　前記第２の洗浄槽中の洗浄液の温度を前記第２の温度に設定する第２の温度制御手段とよりなる洗浄装置により解決する。
　【００１８】
　好ましい一実施例によれば、前記第１の洗浄工程の温度は２５°Ｃ以下に設定される。
　【００１９】
　好ましい別の実施例によれば、前記第２の洗浄工程の温度は６０°Ｃ以下に設定される。
　【００２０】
　好ましいさらに別の実施例によれば、洗浄方法は、前記被洗浄物表面を親水性にする工程を含む。
　【００２１】
　【作用】
　本発明によれば、薬液で処理された被洗浄物を、純水よりなる第１の、低温の洗浄液で処理することにより、被洗浄物に塵粒子が付着することなく効果的な洗浄ができる。その際、前記第１の温度を、洗浄液中で塵埃粒子の氷結が生じないような温度に設定してあるため、洗浄の際に被洗浄物表面が結氷するような問題は生じない。また、前記洗浄液を冷却するのに液体窒素を導入する等、特殊な設備は必要でなく、通常の熱交換器を使うことが出来る。従って、本発明の方法および装置は半導体装置や液晶表示装置等の量産を行うのに適している。また、本発明では、前記第１の温度における第１の洗浄工程に引き続いて第２の、より高い温度での第１の洗浄工程を行うことにより、第１の洗浄工程の後に被洗浄物表面に残留する薬液を実質的に完全に除去することが可能である。
　【００２２】
　図２は先に説明した本出願人による発見を示す図であるが、この図よりわかるように、前記第１の洗浄工程の温度を２５°Ｃ以下に設定することにより、８インチウェハ上の塵埃粒子の数を、０．２μｍ以上の粒径のものについて１５個以下に抑制することが出来る。
　【００２３】
　一方、本出願人は、前記第２の洗浄工程において使われる洗浄液すなわち純水の温度を様々に変化させて、被洗浄物すなわち基板上に吸着される種々の金属不純物の量を測定した。図５はかかる測定に関わる実験の手順を、また図６は測定結果を示す。この実験では、図５に示すように６インチ径のシリコンウェハを用意し、これを様々な温度の純水中に３０分間浸漬した。ついで前記純水から引き上げたウェハを２０分間乾燥し、ＨＦに浸漬することにより基板表面に形成されていた自然酸化膜を溶解させた。さらにこのように溶解した自然酸化膜を白金皿上で蒸発乾固させＨＮＯ３で溶解した後フレームレス原子吸光装置により前記自然酸化膜上に残留していた金属不純物元素を定量分析した。
　【００２４】
　図６を参照するに、測定した金属元素はＮａおよびＫ等のアルカリ金属，ＣａやＭｇ等のアルカリ土類金属、およびＦｅ，Ｃｒ，Ｃｕ，ＭｎおよびＺｎ等の遷移金属元素であるが、いずれのグループの元素においても、吸着量が洗浄液の温度が６０°Ｃを超えると急激に増加するのがわかる。これらの金属元素は環境中に一般的に存在しており、基板の汚染を生じる機会の多いものであり、従って、図６の関係より、前記第２の洗浄工程における洗浄液の温度、すなわち第２の温度は６０°Ｃ以下に設定するのが好ましいことがわかる。
　【００２５】
　更に、図７は、本出願人が基板表面の性質と洗浄効果との関係を調べるために行った実験を示す。
　【００２６】
　図７を参照するに、まず４インチ径のシリコンウェハを用意し、その表面上の粒子の数を０．２μｍ径以上のものについて測定した。次いで、前記シリコンウェハを１５０°Ｃの熱燐酸Ｈ３ＰＯ４中で５分間処理し、ウェハ表面のシリコン酸化膜を除去した。次いで、このようにシリコン表面が露出したウェハを、様々な温度の純水中に３０秒間浸漬した。ついで基板を純水オーバーフロー中で１０分間リンスし、１５分間乾燥させ、基板上に残留している径が０．２μｍ以上の粒子の数を測定した。
　【００２７】
　図８はかかる測定の結果を、洗浄に使った純水の温度の関数として示す図である。
　【００２８】
　図８を参照するに、基板表面に疎水性のシリコン表面が露出している場合、純水の温度が高ければ高いほど付着粒子数は減少し、図２に示した傾向と逆転することがわかる。換言すると、本発明の基板洗浄方法は、洗浄される基板表面が親水性である場合に特に有効であることがわかる。
　【００２９】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
　【００３０】
　図９は本発明の第１実施例による基板洗浄装置の構成を示す図である。
　【００３１】
　図９を参照するに、基板洗浄装置は例えば先に説明したＨ２Ｏ２とＨ２ＳＯ４の混合液等よりなる薬液を保持する薬液槽１と、純水を保持する洗浄液槽２と、洗浄液槽２でリンスされた基板を乾燥させる乾燥部３とを含み、洗浄液槽２にはライン４から純水が供給される。ライン４はライン４ａ，４ｂおよび４ｃに分岐し、ライン４ａには供給された純水を冷却する熱交換器１０が形成されている。熱交換器１０は駆動装置１１により駆動され、供給された純水を冷却する。一方、ライン４ｂは供給された純水をそのまま通過させる経路を形成する。さらに、ライン４ｃは供給された純水を加熱する熱交換器１３を含み、熱交換器１３は駆動装置１４により駆動されて供給された純水を加熱する。ライン４ａ，４ｂおよび４ｃはそれぞれ弁９，９１および９２を経て単一のライン４ｄに合流し、ライン４ｄは純水を純水槽２へ供給する。供給された純水は純水槽２においてオーバーフローし、純水槽２中に浸漬された基板がリンスされる。さらに、ライン４ｄには純水の温度を測定する温度センサ８が設けられ、制御装置１５が温度センサ８の出力に基づいて駆動装置１１および１４、および弁９，９１および９２を制御する。
　【００３２】
　次ぎに、制御装置１５による図９の基板洗浄装置の動作を説明する。
　【００３３】
　まず、表面に親水性の自然酸化膜を有するシリコン基板７が薬液槽１に浸漬され、処理される。この処理では、薬液の温度は例えば先に説明したように１１０°Ｃに設定され、１０分間程度処理が継続される。その結果、基板７の表面に付着していた不純物や粒子が基板から分離する。このように薬液槽１において処理された基板７は次いで洗浄槽２に移され、純水中でリンスされる。その際、制御装置１５はまず弁９１および９２を閉鎖し、温度センサ８の出力信号をモニタしながら駆動装置１１を駆動してライン４ａ中の純水を２５°Ｃ以下の第１の温度に冷却する。前記２５°Ｃでのリンスは例えばまず３０秒間継続され、次いで純水をオーバーフローさせながら約２０分間継続される。その際、必要に応じてライン４ｂ中の純水を混合し、温度を調整してもよい。その結果、基板７の表面から塵粒子が効果的に除去される。図２を参照。
　【００３４】
　次ぎに、制御装置１５は弁９および９１を閉鎖し、温度センサ８の出力信号をモニタしながら駆動装置１４を駆動してライン４ｃ中の純水を前記第１の温度よりも高いが６０°Ｃ以下に設定された第２の温度に加熱する。その結果、基板７の表面に残留していた薬液が効果的に除去される。図４を参照。その際、第２の温度を６０°Ｃ以下に設定することで、基板表面における金属不純物元素の吸着を最少化することが出来る。図６を参照。この工程において、必要に応じて弁９１を開き、ライン４ｂ中の純水をライン４ｃ中の純水に混合して温度を調整してもよい。
　【００３５】
　前記第２の温度におけるリンスが終了すると、基板７は乾燥部３に移され、乾燥される。
　【００３６】
　以上の工程において、基板７は表面に親水性の酸化膜が形成されているため、図８に示した関係は成立せず、基板７を低温の前記第１の温度の純水でリンスすることにより、効果的に粒子を除去することが可能になる。また、前記薬液処理工程において、基板７をＨＮＯ３等の酸化剤中に浸漬し、表面に自然酸化膜を意図的に形成してもよい。
　【００３７】
　図１０は本発明の第２実施例による基板洗浄装置の構成を示す。
　【００３８】
　図１０を参照するに、本実施例では薬液を保持する薬液槽１２の他に、純水を保持する洗浄槽２１〜２３を含み、第１の洗浄槽２１には図１のライン４ａから前記第１の温度の純水が供給される。一方、第２の洗浄槽２２には前記ライン４ｂより温度制御されていない常温の純水が供給され、さらに第３の洗浄槽２３には前記ライン４ｃより加熱された、第２の温度の温純水が供給される。処理したい基板１１はまず薬液槽１２において処理された後、まず洗浄槽２１において第１の温度の純水で洗浄され、ついで第２の洗浄槽２２に移され、さらに第３の洗浄槽２３において第２の温度の純水で洗浄される。基板１１は洗浄槽２３における処理の後、乾燥部３１で乾燥される。
　【００３９】
　本発明は、半導体装置の製造において有用であるのみならず、液晶表示装置の製造においても有用である。
　【００４０】
　また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨内において様々な変形・変更が可能である。
　【００４１】
　【発明の効果】
　本発明によれば、基板を薬液により処理し引続きリンスする際、基板に付着する粒子を最少化出来、また基板表面から薬液を完全に除去することが可能である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　純水洗浄における純水温度と粒子付着との関係を求める実験を示す図である。
　【図２】
　図１の実験結果を示す図である。
　【図３】
　純水洗浄における純水温度と比抵抗値の関係を求める実験を示す図である。
　【図４】
　図３の実験結果を示す図である。
　【図５】
　純水洗浄における純水温度と金属不純物の吸着量との関係を求める実験を示す図である。
　【図６】
　図５の実験結果を示す図である。
　【図７】
　純水洗浄における純水温度と粒子付着との関係を求める別の実験を示す図である。
　【図８】
　図７の実験結果を示す図である。
　【図９】
　本発明の第１実施例による基板洗浄装置の構成を示す図である。
　【図１０】
　本発明の第２実施例による基板洗浄装置の構成を示す図である。
　【符号の説明】
　１，１１　薬液槽
　２，２１〜２３　洗浄槽
　３，３１　乾燥部
　４，４ａ〜４ｃ　洗浄水供給ライン
　８　温度センサ
　９，９１，９２　弁
　１０，１３　熱交換器
　１１，１４　駆動装置
　１５　制御装置