【事件の表示】
　平成１０年特許願第３３８０４７号「有機光導波路の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月１６日出願公開、特開２０００−１６２４６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年１１月２７日に出願された特許出願であって、原審において、平成１５年６月２４日付で拒絶理由が通知され、同年８月２７日に手続補正がなされたところ、同年１０月１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月８日に手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１５年１２月８日付手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
平成１５年１２月８日付手続補正を却下する。
[理由]
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　基板上のコア部に加工された有機ポリマ層上に、該コア部を該コア部が形成されている側の基板表面を含めて覆うように、クラッド部となる該コア部より低い屈折率を有する無機誘電体層を、ＣＶＤ法、スパッタ法、或いは蒸着法にて、上記コア部よりも薄く形成する工程を有することを特徴とする有機光導波路の製造方法。」
と補正された。
　　
　上記補正は、請求項１１に記載した発明を特定するために必要な事項である「該コア部を覆うように」について、さらに「該コア部を該コア部が形成されている側の基板表面を含めて覆うように」との技術的限定を付加したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定された“特許請求の範囲の減縮”を目的とするものに該当する。
（なお、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１０に係る「有機導波路」の発明は本件補正により削除されたので、本件補正の請求項１は本件補正前の請求項１１に該当する。）
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−９２３３７号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、
　ａ．「【請求項９】　基板表面に順次にＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のバッファ層、ポリマ材料のコア層、ＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のマスク層を形成する工程、該ＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層の上にフォトリソグラフィ工程によりフォトレジストパターンを形成する工程、該フォトレジストパターンをマスクにして該ＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層をドライエッチング工程によりパターニングする工程、該ＳｉＯｘＮｙＨｚマスクパターンをマスクにしてドライエッチング工程によりポリマコア層をドライエッチングする工程、該ドライエッチングしたポリマコア表面をクラッド層で覆う工程からなることを特徴とするポリマコア光導波路の製造方法。」、
　ｂ．「【０００１】　【産業上の利用分野】
　本発明は、光導波路のコアにポリマ材料を用いた低損失で安定な光導波路構造とその製造方法に関するものである。」、
　ｃ．「【００３８】　図６は本発明のポリマコア光導波路の製造方法の実施例を示したものである。この製造方法の特徴は、ポリマコア層の上面に設けたＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層１０がポリマコア層３を略矩形状にドライエッチングするときのマスクとして作用することの他に、ポリマコア層３の汚染による損失増大を抑制する保護層としても作用する。また、ポリマコア層を大きな選択比でエッチングすることができるので、ポリマコア層を垂直性良く、かつ高寸法精度で加工することができる。この製造方法を図を用いて説明する。まず図６（ａ）に示すように、基板１表面にＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のバッファ層６を形成する。このＳｉＯｘＮｙＨｚバッファ層６は、前述したように、ＳｉＨ４とＮ２ＯとＮ２ガスを用いたプラズマＣＶＤ法の他に、金属アルコシド液（例えば、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）とＮ２ＯとＮ２を用いたプラズマＣＶＤ法、ＳｉＯ２とＳｉ３Ｎ４の混合タブレットを用いた電子ビーム蒸着法などを用いて形成することができる。次に図６（ｂ）に示すように、そのＳｉＯｘＮｙＨｚバッファ層６の上にポリマコア層３を形成する。その後、図６（ｃ）に示すように上記ポリマコア層３の上にＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層１０を形成する。このＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層１０の屈折率は後で形成するＳｉＯｘＮｙＨｚクラッド層７の屈折率と等しいかそれよりも低い値に設定する。このＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層１０も低温（３００℃以下）の前記プラズマＣＶＤ法によって形成する。次に図６（ｄ）に示すように、このＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層１０の上にフォトリソグラフィ工程を用いてフォトレジストパターン４を形成する。次いで図６（ｅ）に示すように、フォトレジストパターン４を用いて、ドライエッチングプロセスによりＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層１０をマスクパターン加工する。この場合、エッチングガスにはＣＨＦ３ガスを用い、ガス圧が０．０５〜０．０１Ｔｏｒｒの低ガス圧でエッチングを行なう。その後、図６（ｆ）に示すように上記ＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層１０を用いてポリマコア層３を略矩形状にドライエッチング加工する。この場合のエッチングガスには、Ｏ２あるいはＯ２にＣＦ４を添加したガスを用いて行なう。最後に、図６（ｇ）に示すように、図６（ｆ）でドライエッチング加工した表面全体をＳｉＯｘＮｙＨｚクラッド層７で被覆することにより、ポリマコア光導波路を作ることができる。」、
が記載されている。
　　
　上記ａ〜ｃの記載事項からみて引用例には、
「基板表面に順次にＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のバッファ層、ポリマ材料のコア層、ＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のマスク層を形成する工程、該ＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層の上にフォトリソグラフィ工程によりフォトレジストパターンを形成する工程、該フォトレジストパターンをマスクにして該ＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層をドライエッチング工程によりパターニングする工程、該ＳｉＯｘＮｙＨｚマスクパターンをマスクにしてドライエッチング工程によりポリマ材料のコア層をドライエッチングしてポリマコアを形成する工程、該ドライエッチングした表面全体をプラズマＣＶＤ法ないしは電子ビーム蒸着法にてＳｉＯｘＮｙＨｚクラッド層で覆う工程からなるポリマコア光導波路の製造方法。」
との事項が開示されていると認めることができる（以下、「引用例発明」という。）。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例発明とを以下に対比する。
　ア．引用例発明の「基板」、「ポリマ材料のコア層」、「ポリマコア」、「ポリマコア光導波路」は、それぞれ本願補正発明の「基板」、「有機ポリマ層」、「コア部」、「有機光導波路」に相当する。
　イ．引用例発明の「ドライエッチングした表面全体をプラズマＣＶＤ法ないしは電子ビーム蒸着法にてＳｉＯｘＮｙＨｚクラッド層で覆う工程」は、上記「表面全体」がドライエッチング加工により露出した基板表面およびコア部を指すことは明らかであり、また、上記「ＳｉＯｘＮｙＨｚクラッド層」がコア部よりも屈折率の低い無機誘電体材料であることは、その組成、機能からみて自明の事項であるから、「基板上のコア部に加工された有機ポリマ層上に、該コア部を該コア部が形成されている側の基板表面を含めて覆うように、クラッド部となる該コア部より低い屈折率を有する無機誘電体層を、ＣＶＤ法、スパッタ法、或いは蒸着法にて形成する工程」である点で本願補正発明と一致する。
　
　したがって両者は、
「基板上のコア部に加工された有機ポリマ層上に、該コア部を該コア部が形成されている側の基板表面を含めて覆うように、クラッド部となる該コア部より低い屈折率を有する無機誘電体層を、ＣＶＤ法、スパッタ法、或いは蒸着法にて形成する工程を有する有機光導波路の製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点］本願補正発明のクラッド部を形成する工程は、「コア部よりも薄く形成する」ものであるのに対して、引用例発明の同工程は、クラッド部の厚さについて特に規定するものではない点。
　　
（４）判断
　ＣＶＤ法などにより、無機誘電体層からなるクラッド層をコア部および基板表面を覆うように「コア部よりも薄く形成する」点は、本願出願前より周知の技術事項にすぎない。
　必要であれば、特開平５−２２６７３３号公報（段落【００２４】〜【００２７】、【図２】の（ａ）〜（ｃ））、特開平９−１９７１５０号公報（段落【００１６】〜【００１８】、【図４】，【図５】）、特開平９−３１１２３５号公報（段落【００１７】，【００１８】、【図３】，【図４】）などを参照されたい。
　また、これらの刊行物には、本願補正発明のクラッド部の如く「コア部よりも薄く形成する」場合と、これと異なり、コア部よりも厚く形成する場合の両者が並記して開示（上記刊行物の摘記図等を参照）されており、これら厚みの異なるクラッド部が適宜選択可能であることを示唆している。
　
　そうすると、本願補正発明は、引用例発明のクラッド層に適宜選択可能な上記周知技術を採用したものにすぎないから、当業者が容易に想到し得たものである。
　                             
　よって、本願補正発明は、引用例発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年１２月８日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年８月２７日付手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、次のものである。
「【請求項１１】　基板上のコア部に加工された有機ポリマ層上に、該コア部を覆うようにクラッド部となる該コア部より低い屈折率を有する無機誘電体層を、ＣＶＤ法、スパッタ法、或いは蒸着法にて、上記コア部より薄く形成する工程を有することを特徴とする有機光導波路の製造方法。」
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。
　　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明の「該コア部が形成されている側の基板表面を含めて」との構成を削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。