【事件の表示】
　平成１０年特許願第　６５７７５号「ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　９月２４日出願公開、特開平１１−２５８７７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１０年３月１６日の出願であって、平成１５年１２月２６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年２月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月５日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年３月５日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年３月５日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、平成１５年７月２８日付の手続補正による「透明基板上に半透明膜が形成されたハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスにおいて、該半透明膜はジルコニウムもしくはジルコニウム及び珪素を含んだ化合物の多層膜であって、該半透明膜の最表面層の最表面に８０Å以上の厚さの酸化膜層を設けたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス。」を、「透明基板上に半透明膜が形成されたハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスにおいて、該半透明膜はジルコニウムもしくはジルコニウム及び珪素を含んだ化合物の２層膜であって、透明基板側の半透明膜の消衰係数が、表面側の半透明膜の消衰係数よりも大きく設けられ、表面側の半透明膜上に８０Å以上の厚さの酸化膜層を設けたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス。」と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「多層膜」を「２層膜」と限定し、「該半透明膜の最表面層の最表面に」を「透明基板側の半透明膜の消衰係数が、表面側の半透明膜の消衰係数よりも大きく設けられ、表面側の半透明膜上に」と限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）原審の拒絶の理由において引用した引用例
１.特開平０９−２１１８３９号公報
２.特開平７−２６１３７０号公報
３.国際公開第９７／４４７１０号パンフレット（特表２０００−５１１３０１号公報参照）
４.特開平７−４３８８７号公報
５.特開平１０−００３１６２号公報
６.特開平０８−１２３００８号公報
７.特開平１０−０２０４７１号公報
８.特開平０６−０７５３５９号公報
９.特開平０８−２２０７３１号公報
　
（２）．１　引用例５の記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−３１６２号公報（以下、引用例５という。）の【０００６】ないし【０００８】段落には、
 「【０００６】図６に、多層型のハーフトーン位相シフトマスクの断面図を示す。このような多層構造は、主にハーフトーン位相シフト膜の透過率制御の観点から用いられている。この多層型のハーフトーン位相シフトマスクは、石英などのガラス基板（１０）の表面に主として透過率制御用のハーフトーン薄膜（６１）を薄く成膜し、その上層に主として位相制御用の位相シフト膜（６２）を形成している。…
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】…
【０００８】…化学的・組成的に不安定なハーフトーン位相シフト膜は、その膜質が変質してしまう。…」
と記載されている。
　また、【００１２】ないし【００１４】段落には、
「【００１２】そこで本発明の目的は、ハーフトーン位相シフト膜の透過率および位相差の制御性を向上させ、良好な微細パターンの形成が可能であり且つ耐久性の向上したフォトマスク、及び該フォトマスクの製造方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】…
【００１４】第１の発明は、透明基板上に、エキシマ露光光源からの発振光に対して半透明な単層あるいは多層構造の位相シフト膜を有するフォトマスクであって、少なくとも該位相シフト膜の表面に、露光中に発生するオゾンに対して化学的に安定な保護膜を有することを特徴とするフォトマスクに関する。…」
と記載されている。
　また、【００３１】及び【００３３】段落には、
「【００３１】
　実施形態４
図４に、半透明なハーフトーン位相シフト膜が２層構造を有し且つその両層とも化学的に不安定な材質からなるハーフトーン位相シフトマスクの製造工程図を示す。まず、石英などからなるガラス基板（１０）上に、位相差制御用位相シフト膜（６２）を所定の方法により成膜する（図４（ａ））。この上層に透過率制御用ハーフトーン薄膜（６１）を所定の方法で成膜する（図４（ｂ））。なお、これら工程の順序は逆になっても差し支えない。これらは所望の位相差および透過率が得られる膜厚になるようにスパッタ、ＣＶＤ、メッキ法または塗布法などによって成膜する。さらにその上層に、紫外真空領域において高い透過率を有する化学的に安定な保護膜であるＳｉＯ2膜（５０）を、位相が大きく変化しないように薄く、例えば１０ｎｍにスパッタ等により成膜する（図４（ｃ））。次に、その上層に電子線露光用フォトレジスト（４０）を塗布する（図４（ｄ））。
続いて、このフォトレジストをパターニングし、レジストパターン（４１）を形成する（図４（ｅ））。このレジストパターンをマスクとしてドライエッチング又はウエットエッチングにより、前記３層の薄膜を食刻し、次いでレジストパターン（４１）を酸素によるアッシング等により剥離する（図４（ｆ））。」
【００３２】
　このように、２層型のハーフトーン位相シフト膜の両層ともオゾンに対して不安定な材料からなる場合は、その上層に安定な薄膜（保護膜）を追加成膜することで、エキシマレーザ光が大気中の酸素を分解して生成するオゾンとの反応が抑制され、透過率および位相差が安定なハーフトーン位相シフトマスクを作製することができた。」
と記載されている。
　
（２）．２　引用例５に記載された発明
　引用例５には、「ガラス基板の表面に透過率制御用のハーフトーン薄膜を薄く成膜し、その上層に主として位相制御用の位相シフト膜を形成して２層型のハーフトーン位相シフト膜とし、さらにその上層に、紫外真空領域において高い透過率を有する化学的に安定な保護膜であるＳｉＯ2膜を、位相が大きく変化しないように薄く、例えば１０ｎｍに成膜し、次に、２層のハーフトーン位相シフト膜及びＳｉＯ2膜からなる３層をパターニングしてハーフトーン位相シフトマスクを作成する」発明が記載されているところ、ガラス基板の表面に、２層型のハーフトーン位相シフト膜を形成し、さらにその上層に、保護膜であるＳｉＯ2膜を成膜したものは、ハーフトーン位相シフトマスクブランクスであるから、引用例５には、「ガラス基板の表面に透過率制御用のハーフトーン薄膜を薄く成膜し、その上層に主として位相制御用の位相シフト膜を形成して２層型のハーフトーン位相シフト膜とし、さらにその上層に、紫外真空領域において高い透過率を有する化学的に安定な保護膜であるＳｉＯ2膜を、位相が大きく変化しないように薄く、例えば１０ｎｍに成膜し、次に、２層のハーフトーン位相シフト膜及びＳｉＯ2膜からなる３層を有するハーフトーン位相シフトマスクブランクス」の発明が記載されている。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例５に記載された発明とを比較する。
　引用例５に記載された発明の、「ガラス基板」及び「ＳｉＯ2膜」は、それぞれ、本願補正発明の、「透明基板」及び「酸化膜層」に相当する。
　引用例５に記載された発明は、ガラス基板の表面に透過率制御用のハーフトーン薄膜を成膜し、その上層に主として位相制御用の位相シフト膜を形成したものであり、透過率制御用のハーフトーン薄膜は、主として位相制御用の位相シフト膜より消衰係数が大きいものであるから、引用例５に記載された発明は、ガラス基板側の半透明膜の消衰係数が、表面側の位相シフト膜の消衰係数よりも大きくされていることは明らかである。
　さらに、位相シフト膜は、「主として位相制御用」であるから、消衰係数が０ではない、即ち半透明膜であることは明らかであり、従って、引用例５に記載された発明の、「ハーフトーン薄膜」及び「位相シフト膜」は、いずれも、本願補正発明の「半透明膜」に相当する。
　そうすると両者は、
「透明基板上に半透明膜が形成されたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、該半透明膜は２層膜であって、透明基板側の半透明膜の消衰係数が、表面側の半透明膜の消衰係数よりも大きく設けられ、表面側の半透明膜上に酸化膜層を設けたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクス。」
において一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点
・本願補正発明が、半透明膜はジルコニウムもしくはジルコニウム及び珪素を含んだ化合物の２層膜であるのに対し、引用例５に記載された発明は、半透明膜が２層膜であるものの、半透明膜はジルコニウムもしくはジルコニウム及び珪素を含んだ化合物の膜である記載がない点で相違（以下、「相違点１」という。）する。
・本願補正発明は、８０Å以上の厚さの酸化膜層であるのに対し、引用例５に記載された発明は、１０ｎｍの酸化膜層である点で一応相違（以下、「相違点２」という。）する。
　
（４）判断
　相違点１について検討する。
　半透明膜をジルコニウム化合物から構成することは、原審で引用した引用例２ないし４に記載されているように周知手段であるから、相違点２に係る構成については、当業者が容易に想到できたことである。
　
　相違点２について検討する。
　本願補正発明は、８０Å以上の厚さの酸化膜層であるが、当該８０Åの厚さについては、詳細な説明を参照しても臨界的意義は認められず、単に目安程度のものにすぎないところ、引用例５に記載された発明は、１０ｎｍの酸化膜層であり、これは１００Åであるから、８０Å以上の厚さの酸化膜層であることを満たしている。
　そうすると、相違点２に係る構成については、当業者が容易に想到できたことである。
　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例５記載の発明及び周知・慣用手段から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　なお、審判請求理由書【００１０】段落において、請求人は、
「「ジルコニウムもしくはジルコニウム及び珪素を含んだ化合物の多層膜」という構成を、「該半透明膜はジルコニウムもしくはジルコニウム及び珪素を含んだ化合物の２層膜であって、透明基板側の半透明膜の消衰係数が、表面側の半透明膜の消衰係数よりも大きく設けられ、」と補正し、本願補正発明の半透過膜の構成を減縮するとともに、より明確にしました。こような構成にするということは、透明基板側に遮光性の高い膜を設け、表面側に透光性の膜を設けるということになります。これは、半透明膜全体の位相差などを検査する際に、透明基板とのコントラストがとれるという点で有利である。また、表面側の半透明膜層上に酸化膜層を設ける場合も、表面側の半透明膜が透光性の膜であれば、酸化膜との屈折率差を抑えることができることから、酸化膜を透光性の半透過膜の一部と考えることができ、位相差などの設計上で有利であるというものです。」
と主張するが、「該半透明膜は」「２層膜であって、透明基板側の半透明膜の消衰係数が、表面側の半透明膜の消衰係数よりも大きく設けられ」る構成は、引用例５に記載された発明に示されており、当該構成に基づく上記審判請求理由書記載の有利性の主張は、単に効果の追認をしたものにすぎない。
　また、ジルコニウムもしくはジルコニウム及び珪素を含んだ化合物の多層膜の構成において、上記審判請求理由書記載の有利性との相乗的効果は認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例５記載の発明及び周知・慣用手段に基づいて当業者が容易に想到しえたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１６年３月５日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１５年７月２８日付けで補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例５及びその記載事項は、前記「２．（１）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断      
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスの限定事項である「２層膜」及び「透明基板側の半透明膜の消衰係数が、表面側の半透明膜の消衰係数よりも大きく設けられ、表面側の半透明膜上に」との構成を省くものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例５記載の発明及び周知・慣用手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例５記載の発明及び周知・慣用手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例５記載の発明及び周知・慣用手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
よって、結論のとおり審決する。