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　特願２００１−１９４２４３「有機ＥＬ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　１月１７日出願公開、特開２００３−　１７２７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年６月２７日の出願であって、平成１７年３月１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年４月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１７年５月１３日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１７年５月１３日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１７年５月１３日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「有機ＥＬ層が第１の電極と第２の電極との間に挟まれた積層構造の有機ＥＬ素子であって、前記第１の電極が透明導電層によって形成され、前記第２の電極が、有機ＥＬ層側から順に第１の金属層、第１の透明導電層、第２の金属層、第２の透明導電層からなる積層構造を有することを特徴とする有機ＥＬ素子。」と補正された。
　上記補正は、補正前の発明の第２の電極について、「６５％〜３０％の光反射率を有する」との限定を削除すると共に、「有機ＥＬ層側から順に第１の金属層、第１の透明導電層、第２の金属層、第２の透明導電層からなる」との限定を付加するものであるが、当該補正全体として見れば、特許法第１７条の２第４項第１〜４号のいずれにも該当しない。
　
（２）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１７年５月１３日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１７年２月７日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「有機ＥＬ層が第１の電極と第２の電極との間に挟まれた積層構造の有機ＥＬ素子であって、前記第１の電極が透明導電層によって形成され、前記第２の電極が６５％〜３０％の光反射率を有する多層膜によって形成され、前記多層膜を金属層と透明導電層の積層構造とし、前記第２の電極の光透過側に第２の電極全体の抵抗を下げるための金属層が積層形成されたことを特徴とする有機ＥＬ素子。」
（２）刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第００／３５０２８号パンフレット（以下、刊行物１という。）には、
ア．「Figure 1 shows the typical cross-sectional structure of an organic light-emissive device (OLED). The OLED is typically fabricated on a glass or plastic substrate 1 coated with a transparent first electrode 2 such as indium-tin-oxide (ITO).Such coated substrates are commercially available. This ITO-coated substrate is covered with at least a layer of a thin film of an electroluminescent organic material 3 and a final layer forming a second electrode 4, which is typically a metal or alloy. Other layers can be added to the device, for example to improve charge transport between the electrodes and the electroluminescent material.
If light that is incident on the display can be reflected back towards a viewer, especially from the region of pixels that are intended to appear dark, then the apparent contrast between the pixels of the display can be reduced. This reduces the effectiveness of the display. 
Many display devices are used in applications where power consumption is a crucial consideration-examples are battery-powered devices such as portable computers and mobile phones. There is therefore a drive to improve the efficiency of display devices.（図１に、有機発光デバイス（「ＯＬＥＤ」）の典型的な断面構造を示す。ＯＬＥＤは、典型的には、インジウム−スズ酸化物（「ＩＴＯ」）のような透明な第１電極２が被覆されたガラスまたはプラスチック基板１の上に作製される。この種の被覆された基板は市販されている。このＩＴＯ被覆基板は、少なくともエレクトロルミネッセント有機材料の薄膜３と、典型的には金属または合金からなりかつ第２の電極４を形成する最終層とで被覆されている。なお、例えば、電極とエレクトロルミネッセント材料との間の電荷輸送を向上させるために、他の層をデバイスに付加することもできる。
　ディスプレイに入射した光が視聴者に向かって反射されるような場合、特に本来暗くしなければならない画素から反射が起こると、ディスプレイの画素間の見かけ上のコントラストが低減する。このことは、ディスプレイとしての効率性を低減させてしまう。
　多くのディスプレイデバイスは、省電力性が非常に重要となる用途において使用されている。例としては、移動電話およびポータブルコンピュータのような電池を電源とするデバイスが挙げられる。したがって、ディスプレイデバイスの効率を向上させる駆動部が存在する。）」（１頁１６行〜２頁４行、日本語訳は当審による。）
イ．「According to a second aspect of the present invention there is provided a lightemissive device comprising: a light-emissive region; a first electrode located on a viewing side of the light-emissive region for injecting charge carriers of a first type; and a second electrode located on a non-viewing side of the light-emissive region for injecting charge carriers of a second type ; and wherein there is a reflectivityinfluencing structure located on the non-viewing side of the light-emissive region and including a light-reflective layer and a light-transmissive spacing layer between the second electrode and the light-reflective layer, the thickness of the spacing layer being such as to space a reflective plane of the light-reflective layer by approximately half the wavelength of the optical mode of the device from at least part of the light-emissive region.（また、本発明の第２の観点によれば、発光領域と、前記発光領域における視聴者側に配置されて第１のタイプの電荷担体を注入する第１の電極と、前記発光領域における視聴者側とは反対側に配置されて第２のタイプの電荷担体を注入する第２の電極とを備える発光デバイスであって、前記発光領域における視聴者側とは反対側に反射率調整構造体が配置され、さらに、光反射層と、前記第２の電極と前記光反射層との間に配置された光透過性のスペーサ層とを備え、前記スペーサ層は、前記光反射層の反射面を、少なくとも前記発光領域の一部から前記デバイスの光学的モードの約半波長だけ離間させるような厚みであることを特徴とする発光デバイスが提供される。）」（２頁１３行〜２３行、日本語訳は当審による。）
ウ．「The device of figure 2 may be formed starting with a commercially-available glass sheet coated with ITO. The glass sheet (14 in figure 2) forms the substrate for subsequent deposition steps. The glass sheet could be a sheet of sodalime or borosilicate glass of a thickness of, for instance, 1mm. Instead of glass other materials such as Perspex could be used. The thickness of the ITO coating is suitably around 100 to 150nm and the ITO suitably has a sheet resistance of between 10 and 30 */0. Over the ITO anode is deposited a hole transport or injecting layer 15. The hole transport layer is formed from a solution containing
PEDOT: PSS with a ratio of PEDOT to PSS of around 1 to 5. The thickness of the hole transport layer is suitably around 50nm. The hole transport layer is spincoated from solution and then baked typically at 200 C for 1 hour in a nitrogen environment. Then an electroluminescent layer 12 comprising 20% TFB in 5BTF8 is coated over the hole transport layer by spin-coating typically to a thickness of 90nm. The term 5BTF8 refers to poly (2,7-(9, 9-di-n-octylfluorene) (F8) doped with 5% poly- (2, 7- (9, 9-di-n-octylfluorene)-3, 6-benzothiadiazole) (F8BT). Then a transparent or semitransparent layer of a low work function material such as calcium is thermally evaporated on to the electroluminescent layer in vacuo at a base pressure of less than 10-8bar to form the cathode layer 11. The thickness of this layer is preferably greater than around 1 nm but less than the thickness at which the calcium layer would be non-transparent-typically around 20nm. Over this layer is deposited by electron beam evaporation a layer 13 of carbon with a thickness of between 100 and 500nm at base pressures less than 10-8bar. On this layer is deposited by sputter deposition a layer 16 of aluminium with a thickness of between 100 and 1000nm at base pressures less than 10-8mbar. In this embodiment the low work function layer 11 is chosen to act as an efficient electron injector for injecting electrons into the light-emissive region. The carbon layer 13 acts as a light-absorbing layer yet has a conductivity that is low enough not to significantly increase the drive voltage of the device. The sputtered aluminium layer 16 acts as an encapsulant, having a compact morphology with low pinhole density and small grain size. Contacts can be attached to the device (between layers 16 and 10) and it can finally be sealed in epoxy resin for environmental protection.（　図２に示すデバイスは、市販品のＩＴＯ被覆ガラスシートを出発材料として製造することが可能である。ガラスシート（図２中、１４で示す）は、後述する各成膜工程において積層される各層の基板として使用される。ガラスシートとしては、例えば、１ｍｍの厚みを有するソーダライムガラスまたはホウケイ酸ガラスのシートを用いることができる。ガラスを用いる代わりに、パースペックス（Perspex）を用いるようにしてもよい。ＩＴＯ被覆層の厚みは、約１００〜約１５０ｎｍとすることが好適であり、ＩＴＯのシート抵抗は、１０〜３０Ω／□とすることが好適である。ＩＴＯアノード上には、正孔輸送層または注入層１５が成膜されている。正孔輸送層は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを含有する溶液から成膜される。ここで、ＰＥＤＯＴとＰＳＳの比は約１：５である。正孔輸送層の厚みは、約５０ｎｍとするのが好適である。正孔輸送層は、典型的には、溶液がスピンコートされた後、窒素雰囲気中において２００℃、１時間の熱処理が施されることによって形成される。５ＢＴＦ８中に２０％のＴＦＢを含むエレクトロルミネッセント層（ＥＬ層）１２は、溶液を正孔輸送層上にスピンコートすることによって成膜され、通常は、９０ｎｍの厚みを有する。ここで、５ＢＴＦ８とは、５％のポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−３，６−ベンゾチアジアゾール）（「Ｆ８ＢＴ」）がドープされたポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）（「Ｆ８」）を意味する。さらに、カルシウム等の仕事関数が低い透明または半透明の層を真空中（基準圧力１０-8ｍｂａｒ未満）でＥＬ層に熱蒸着してカソード層１１が形成される。この層の厚みは、１ｎｍを超えていることが好ましいが、カルシウム層が不透明になるような���み（通常、約２０ｎｍ）よりも薄くする。この層の上には、１００〜５００ｎｍの厚みのカーボン層１３が基準圧力１０-8ｍｂａｒの電子ビーム蒸着によって成膜されている。また、この層の上には、１００〜１０００ｎｍの厚みのアルミニウム層１３が基準圧力１０-8ｍｂａｒのスパッタ蒸着によって成膜されている。本実施の形態においては、層１１の仕事関数は、発光領域に効果的に電子を注入させることが可能な程度に低く設定されている。カーボン層１３は、光吸収層として機能するとともに、デバイスの駆動電圧を大幅に増加させるようなことがない低い導電率を有する。スパッタ蒸着されたアルミニウム層１６は、ピンホール密度が低く、粒径が小さな小型の封止材として機能する。デバイスには、接点が設けられている（層１６と層１０との間）。最終的に、デバイスは、周囲を補強するためにエポキシ樹脂内に封止される。）」（８頁１２行〜９頁１２行、日本語訳は当審による。）
エ．「Figure 5 shows another display device. The device of figure 5 comprises an anode electrode layer 40, and a cathode electrode 41. Located between the electrode layers is a layer 42 of light-emissive material. The anode electrode and the cathode electrode are formed of transparent ITO. Alternatively, for example, the electrodes could be formed from a thin layer of a low work function metal such as calcium adjacent to an transparent spacing layer formed from a material such as ITO, ZnSe, ZnS etc.). When a suitable voltage is applied across the electrodes light is emitted from the light-emissive material substantially omnidirectionally.
Some of the light is emitted forwards towards the anode and passes directly out of the device through the anode. Some of the light is emitted backwards towards the cathode, through which it passes into a reflection structure indicated generally at 43. The reflection structure comprises a reflective layer 44 and a transparent spacing layer 46. The spacing layer lies between the cathode 41 and the reflective layer 44 and spaces the reflective layer from the light-emissive region 42. The reflective layer reflects backwardly emitted light forwards so that it can pass back through the cathode electrode 41, the light-emissive layer 42 the anode electrode 40 and the glass substrate 47 and out of the device (see ray 48).（図５に別の形態に係るディスプレイデバイスを示す。図５のデバイスは、アノード電極層４０とカソード電極層４１とを有する。両電極層の間には、発光性材料からなる層４２が設けられる。アノード電極およびカソード電極は、透明ＩＴＯで形成される。また、例えば、カルシウム等の仕事関数が低い金属からなる薄層として各電極を形成し、該電極を、ＩＴＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ等の材料から形成された透明スペーサ層に隣接させてもよい。両電極間に適切な電圧が印加されると、発光材料から概ね全方向に光が発せられる。光の幾らかは前方のアノードに向かって発せられ、このアノードを通過してデバイスから直接外部に発せられる。光の幾らかは、後方のカソードに向かって発せられ、このカソードを通過して４３として示す反射構造体に入射する。反射構造体は、反射層４４と透明スペーサ層４６とからなる。スペーサ層は、カソード４１と反射層４４との間に配置され、発光領域４２から反射層を離間させる。反射層は、後方に発せられた光を前方に反射する。その結果、この光は、再びカソード電極４１を通過して、発光層４２、アノード電極４０およびガラス基板４７を通過した後、デバイスの外部に発せられる（光線４８参照）。）」（１１頁１行〜１７行、日本語訳は当審による。）
オ．「The device of figure 5 may be formed by a similar route to that described above for the device of figure 2 up to the formation of the cathode electrode. Then for the device of figure 5 the spacing layer 46 is formed by depositing ITO, ZnSe, ZnS or the like to the required thickness, preferably on top of a thin layer of a low workfunction metal such as calcium. Over the ITO spacing layer the reflective layer 44 is formed from reflective material such as aluminium. In an alternative embodiment a conducting dielectric stack next to or spaced from the cathode could be used as the reflector. Such a stack could be formed, for example, of alternating layers of ITO and NiO.（図５のデバイスは、カソード電極の形成に至るまで、図２のデバイスと概ね同様の手順で作製することができる。図５のデバイスにおいては、さらに、ＩＴＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ等を、好ましくは、カルシウム等の仕事関数が低い金属の薄膜上に必要な厚みで成膜することによってスペーサ層４６が形成される。ＩＴＯスペーサ層上には、アルミニウムなどの反射性材料によって反射層４４が成膜される。代替的な実施の形態においては、反射部として、導電性の誘電積層体を設けるようにしてもよい。この誘電積層体は、カソードに隣接させてもよいし、カソードから離間させてもよい。このような積層体は、例えば、ＩＴＯおよびＮｉＯを交互に積層させることによって形成することができる。）」（１２頁５行〜１３行、日本語訳は当審による。）
との記載が認められる。
　してみれば、刊行物１には、Ｆｉｇ．５も参酌すれば、
「エレクトロルミネッセント有機材料からなる層４２がアノード電極層４０とカソード電極層４１の間に設けられた有機発光デバイスであって、アノード電極４０が透明ＩＴＯで形成され、カソード電極層４１がカルシウムで形成され、カソード電極層４１上にＩＴＯからなるスペーサ層４６、アルミニウムからなる反射層４４が形成された有機発光デバイス。」
の発明（以下「刊行物１発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　
（３）対比
　そこで、本願発明と刊行物１発明とを比較すると、刊行物１発明の「エレクトロルミネッセント有機材料からなる層４２」、「アノード電極層４０」、「カソード電極層４１」、「有機発光デバイス」、は、それぞれ、本願発明の「有機ＥＬ層」、「第１の電極」、「第２の電極」、「有機ＥＬ素子」に相当する。また、刊行物１発明におけるアノード電極４０は透明ＩＴＯで形成されているから、「透明導電層によって形成され」ているといえる。
　してみれば、両者は、
「有機ＥＬ層が第１の電極と第２の電極との間に挟まれた積層構造の有機ＥＬ素子であって、前記第１の電極が透明導電層によって形成された有機ＥＬ素子。」
である点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］
　第２の電極を、本願発明は、６５％〜３０％の光反射率を有する多層膜によって形成し、多層膜を金属層と透明導電層の積層構造としたのに対し、刊行物１発明には、かかる限定が付されていない点。
［相違点２］
　本願発明が、第２の電極の光透過側に第２の電極全体の抵抗を下げるための金属層を積層形成したのに対し、刊行物１発明には、かかる限定が付されていない点。
　
（４）判断
［相違点１］について
　まず、第２の電極を多層膜によって形成し、多層膜を金属層と透明導電層の積層構造とした点について検討すると、刊行物１の図２のデバイスは、アルミニウム層１６とＩＴＯアノード１０との間に電圧がかかるようように構成されており、図５のデバイスは電圧をどのようにかけているのか明示されていないものの、図２のデバイスと同様、アルミニウムからなる反射層４４とＩＴＯアノードとの間に電圧をかけていると解するのが自然である。そして、そのように解すれば、刊行物１発明においては、「カルシウムからなるカソード電極層４１、ＩＴＯからなるスペーサ層４６、アルミニウムからなる反射層４４」の３層が実質的にカソード電極であるといえ、ここで、「ＩＴＯからなるスペーサ層」は「透明導電層」であり、「カルシウムからなるカソード電極層４１」と「アルミニウムからなる反射層４４」は「金属層」であるといえるから、刊行物１発明も「第２の電極を、多層膜によって形成し、多層膜を金属層と透明導電層の積層構造とした」といえ、この点については、実質的な相違であるとはいえない。
　次に、第２電極を６５％〜３０％の光反射率を有するものとした点について検討すると、刊行物１発明は「ディスプレイに入射した光が視聴者に向かって反射されるような場合、特に本来暗くしなければならない画素から反射が起こると、ディスプレイの画素間の見かけ上のコントラストが低減する。」（上記３．（２）の記載事項ア．）という課題を解決するべく、「カルシウムからなるカソード電極層４１、ＩＴＯからなるスペーサ層４６、アルミニウムからなる反射層４４」の３層により、光の反射率を調整しているものと認められる。そして、第２電極における光の反射率を６５％〜３０％とした点に格別の臨界的意義を見いだすこともできないから、このような限定をすることは何ら格別のことではない。
　
［相違点２］について
　まず、本願の明細書の段落２９の記載と、図３（Ａ）によると、「第２の電極の光透過側」とは、第２電極の有機ＥＬ層側とは反対側のことであることが読み取れる。また、本願発明の「第２の電極の光透過側に第２の電極全体の抵抗を下げるための金属層が積層形成された」とは、「第２電極」と「電極全体の抵抗を下げるための金属層」とが別のものであると解することもできるが、本願明細書の段落２９の「多層陰極１８の保護層２０側に金属層３０を追加形成し、この金属層３０を陰極の一部としてもよい。このようにすることで、陰極全体の低抵抗化を図ることができる。」の記載も参酌すれば、電極全体の抵抗を下げるための金属層を陰極の一部とすることで、陰極全体の低抵抗化が図れることが読み取れ、「電極全体の抵抗を下げるための金属層」とは「第２電極」の一部であると解するのが相当である。そして、刊行物１発明においては、カソード電極のエレクトロルミネッセント有機材料から最も離れた位置にアルミニウムからなる反射層４４が配設されており、アルミニウムからなる反射層４４がカソード電極を構成する他の層（カルシウムからなるカソード電極層４１、ＩＴＯからなるスペーサ層４６）よりも電気抵抗が小さいことは明らかであり、その結果、アルミニウムからなる反射層４４が電極全体の抵抗を下げていることは当業者にとって自明ともいえる事項である。してみれば、相違点２に係る本願発明の発明特定事項は、何ら格別のものではない。
　
　そして、本願発明の作用効果も、刊行物１に記載された発明から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
　
  なお、審判請求人は、平成１８年３月６日付の審尋に対し、平成１８年５月１２日付で回答書を提出し、補正案を提示し、補正の機会を求めているが、補正案に示された請求項１に係る発明についても、刊行物１に記載された発明から当業者が容易に発明することができたものと認められるので、審決することとした。