【事件の表示】
　特願２０１５−１７２７９４「高周波パワーダイオードおよび高周波パワーダイオードを製造するための製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　４月２５日出願公開，特開２０１６−　６３２２０，請求項の数（１４）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２７年（２０１５年）９月２日（パリ条約に基づく優先権主張　２０１４年９月１５日（以下，「優先権主張日」という。），欧州特許庁）の出願であって，平成２９年４月２８日付け拒絶理由通知に対し，同年８月７日に意見書が提出されるとともに手続補正がされたが，同年８月２３日付けで拒絶査定（以下，「原査定」という。）がされ，これに対し，同年１２月２８日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定の理由の概要は以下のとおりである。
（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その優先権主張日前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その優先権主張日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項　１〜１５
・引用文献　１〜３
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開平１０−２７０７２０号公報
２．特開昭５３−２１５７２号公報
３．特開平７−２２６４０５号公報
第３　審判請求時の補正について
　審判請求時の補正は，特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
　審判請求時の補正によって請求項１に「ドーピング濃度プロファイルは，第１の主側（１０１）の中への第１の導電型のドーパントおよび前記第２の主側（１０２）の中への第２の導電型のドーパントの同時拡散によって生成され，前記同時拡散は，気体源，固体源または液体源の任意の組合せを用いて行われる」という事項を追加する補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，また，当該事項は，出願当初明細書の【請求項７】，【００３６】及び【００４４】に記載されているから，当該補正は新規事項を追加するものではない。
　そして，「第４　本願発明」から「第６　対比及び判断」までに示すように，補正後の請求項１ないし１４に係る発明は，独立特許要件を満たすものである。
第４　本願発明
　本願請求項１ないし１４に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１４」という。）は，審判請求時の手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１ないし１４は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　高周波パワーダイオードであって，
　第１の主側（１０１）および前記第１の主側（１０１）とは反対の第２の主側（１０２）を有する半導体ウェハと，
　前記第１の主側（１０１）に隣接して前記半導体ウェハ中に形成される第１の層（１０３）とを備え，前記第１の層（１０３）は，ｎまたはｐ導電型である第１の導電型を有し，さらに
　前記第２の主側（１０２）に隣接して前記半導体ウェハ中に形成される第２の層（１０５）を備え，前記第２の層（１０５）は，ｎまたはｐ導電型であるが前記第１の導電型とは異なる第２の導電型を有し，さらに
　前記第１の層（１０３）と前記第２の層（１０５）との間に前記半導体ウェハ中に形成される第３の層（１０４）を備え，前記第３の層（１０４）は前記第２の導電型を有し，
　前記第１の層（１０３）の第１の導電型のドーパントの濃度は，前記ウェハの前記第１の主側（１０１）に隣接しての１０19ｃｍ-3以上から第３の層（１０４）との前記第１の層（１０３）の界面での１．５・１０15ｃｍ-3以下へと減少し，
　前記第２の層（１０５）の第２の導電型のドーパントの濃度は，前記ウェハの前記第２の主側（１０２）に隣接しての１０19ｃｍ-3以上から前記第３の層（１０４）との前記第２の層（１０５）の界面での１．５・１０15ｃｍ-3へと減少し，
　前記第３の層（１０４）の第２の導電型のドーパントの濃度は１．５・１０15ｃｍ-3以下であり，
　前記第１の主側（１０１）から５０μｍの距離での前記第１の層（１０３）中の前記第１の導電型のドーパントの濃度および前記第２の主側（１０２）から５０μｍの距離での前記第２の層（１０５）中の前記第２の導電型のドーパントの濃度はそれぞれ１０17ｃｍ-3以上であり，
　前記第３の層（１０４）の厚みは，６０μｍ未満であり，かつ前記第１の層（１０３）および前記第２の層（１０５）の厚みより短く，
　ドーピング濃度プロファイルは，第１の主側（１０１）の中への第１の導電型のドーパントおよび前記第２の主側（１０２）の中への第２の導電型のドーパントの同時拡散によって生成され，前記同時拡散は，気体源，固体源または液体源の任意の組合せを用いて行われることを特徴とする，高周波パワーダイオード。
【請求項２】
　前記第１の層（１０３）および前記第２の層（１０５）は各々，少なくとも７・１０19ｃｍ-3の表面ドーピング濃度を有する，請求項１に記載の高周波パワーダイオード。
【請求項３】
　リンは，前記第２の層（１０５）中の第２の導電型のドーパントである，請求項１および２のいずれか１項に記載の高周波パワーダイオード。
【請求項４】
　ホウ素は，前記第１の層（１０３）中の第１の導電型のドーパントである，請求項１から３のいずれか１項に記載の高周波パワーダイオード。
【請求項５】
　前記半導体ウェハはシリコンウェハである，請求項１から４のいずれか１項に記載の高周波パワーダイオード。
【請求項６】
　前記半導体ウェハの厚みは１５０μｍ以上である，請求項１から５のいずれか１項に記載の高周波パワーダイオード。
【請求項７】
　キャリア寿命を短縮する再結合中心を備える，請求項１から６のいずれか１項に記載の高周波パワーダイオード。
【請求項８】
　電子照射誘導トラップを備える，請求項１から７のいずれか１項に記載の高周波パワーダイオード。
【請求項９】
　前記第３の層（１０４）の厚みは２つの同時二極性拡散長さ未満である，請求項１から８のいずれかに記載の高周波パワーダイオード。
【請求項１０】
　請求項１から９のいずれか１項に記載の前記高周波パワーダイオードを製造するための製造方法であって，
　（ａ）　前記半導体ウェハ（１１４）を設けるステップと，
　（ｂ）　第１の主側（１０１）から前記半導体ウェハ（１１４）の中への第１の導電型のドーパントおよび第２の主側（１０２）から前記半導体ウェハの中への第２の導電型のドーパントの同時拡散のステップとを備える，製造方法。
【請求項１１】
　前記第１の主側（１０１）での前記第１の導電型のドーパントの前記表面濃度および前記第２の主側（１０２）での前記第２の導電型のドーパントの前記表面濃度は，前記拡散のステップ（ｂ）の間，一定に保たれる，請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
　前記拡散のステップ（ｂ）の前に，前記半導体ウェハ（１１０）を１５０〜２５０μｍの間の厚みに薄肉化するステップをさらに備える，請求項１０または１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
　前記半導体ウェハ中に再結合中心を形成するステップをさらに備える，請求項１０から１２のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１４】
　前記再結合中心は前記半導体ウェハの電子照射によって誘導される，請求項１３に記載の製造方法。」
第５　引用文献，引用発明等
　１　引用文献１について
（１）　引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審で加筆した。以下，同様。）。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は
ｎまたはｐベース層をはさんで表面に向けて濃度が高くなる高不純物濃度のｐ
+
 層およびｎ
+
 層を有するダイオードチップを複数個積層した高圧シリコンダイオードに関する
イ　「【０００２】
【従来の技術】テレビジョンを始めとする
陰極管ディスプレーや電子レンジ，レントゲン装置などの数ｋＶ〜２０ｋＶの高圧電源整流用等には，ダイオードチップを積層した高圧シリコンダイオードが用いられている
ダイオードチップを積層するのは，数ｋＶ〜２０ｋＶの耐圧のダイオードを１チップで作ることが素材のシリコン，表面処理等の点で殆ど不可能に近く困難なためである
【０００３】
図３は，高圧シリコンダイオードの一例の断面図である
メサ型のダイオードチップ１が鉛−錫系の半田２を介して積層され，両端にリード４が半田３でろう付けされている
図では，１２枚のダイオードチップが積層されているが，１個のダイオードチップ１の耐圧を例えば８００Ｖとすれば，高圧シリコンダイオードとしては９．６ｋＶの耐圧をもつことになり，高圧電源整流用のダイオードが容易に実現できる
【０００４】図２は，ダイオードチップ１の不純物濃度プロフィルの例である。横軸はダイオードチップの厚さ，縦軸は不純物濃度で，対数目盛りとしてある。比抵抗１５〜４０Ωｃｍ，厚さ２８５μｍのｎ型シリコンの両側から，それぞれほう素と燐とが約６０μｍ拡散されて，ｐ+ アノード層とｎ+ カソード層とが形成されている。両拡散層の表面不純物濃度は１０19〜１０20ｃｍ-3である。中間の拡散されないｎベース層は１６５μｍであり，８００Ｖ印加したとき，空乏層はｎベース層内に止まりｎ+ カソード層にはかからないように設計がなされている。もちろんｐ型のシリコン基板を用いることもでき，その場合はｐベース層となる。
【０００５】
一定の定格電圧に対し，ダイオードチップの耐圧を高くすれば，積層するチップ数は減らせるが，耐圧の高いダイオードチップを作るのに困難性があり，また，ダイオードチップの耐圧を低くすれば，ダイオードチップは作りやすいが，積層する枚数を増やさねばならない
ウ　「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
近年，前記のような高電圧整流回路に使用される高耐圧シリコンダイオードについて，電源周波数の高周波化，およびコンデンサ放電等による装置内部あるいは外部放電発生時に対応するため，破壊耐量の向上の要求が強まってきている
・・・
【０００９】このように高周波性能と逆電圧に対する耐量とは，一方の例えば高周波性能を向上させようとすると，他方の逆電圧に対する耐量が低下してしまうというトレードオフ関係にある。
本発明の課題は，かかるトレードオフ関係を克服し，高周波性能を向上させ，かつ急峻な逆電圧に対する耐量を低下させない高圧シリコンダイオードを提供することにある
エ　「【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題解決のため，本発明はｎ型シリコン基板に拡散によりｐ
+
 アノード層およびｎ
+
 カソード層を形成したｐ
+
 ｎｎ
+
 型ダイオードチップを積層した高圧シリコンダイオードにおいて，ｎベース層の比抵抗を１５〜４０Ωｃｍとし，ｎベース層の厚さを３０〜１００μｍとし，ｐ
+
 アノード層の厚さを６０μｍ以上としてダイオードチップ１枚当たりの降伏電圧を８００Ｖ以上とする
・・・
【００１２】・・・ｎベース層（ｐベース層）の厚さを薄くすれば，急峻な電圧が加わった時も空乏層の広がりに要する時間は短くなるため，高周波性能が向上する。しかしｎベース層（ｐベース層）の厚さを極端に薄く
例えば３０μｍより薄くすると，ｎベース層（ｐベース層）側の空乏層の広がりが少なく，電界強度が低くならない
オ　「【００１５】
【発明の実施の形態】
比抵抗１５〜４０Ωｃｍ，厚さ２４０μｍのｎ型シリコンウェハに，一面からほう素を拡散してｐ
+
 アノード層を，他面から燐を拡散してｎ
+
 カソード層を形成する
この時，予め一面にアクセプタ不純物を含んだソースを塗布し，他面にドナー不純物を含んだソースを塗布し，その後熱拡散を行うことにより，ほぼ等しい厚さのｐ
+
 アノード層およびｎ
+
 カソード層が得られ，工程時間が短縮できる
そのシリコンウェハにニツケルメツキをし，熱処理後，鉛を主成分とした半田層により複数枚（例えば１２枚）積層し，次いで両端にろう材を接着し，ワイヤーソー等により切断して柱状体を形成する
【００１６】
図１は，本発明によるダイオードチップの不純物濃度プロフィルである
横軸はダイオードチップの厚さ，縦軸は不純物濃度で，対数目盛りとしてある
ｐ
+
 アノード層の拡散深さは，７０〜７５μｍ，ｎ
+
 カソード層の拡散深さは，７０〜９０μｍである
両拡散層の表面不純物濃度は１０
19
〜１０
20
ｃｍ
-3
である
【００１７】
従来１４０μｍ以上あったｎベース層が１００μｍ以下となったので，全体の空乏層幅は薄くなり，広がりは速く，高周波性能は大幅に向上する
【００１８】本発明の高圧シリコンダイオードは，図２に示した不純物濃度プロフィルをもつ従来の高圧シリコンダイオードに比べて，高周波駆動性能が向上した上更に，逆サージ耐量が２０％以上増大した。
上の実施例では，ｐ
+
 アノード層とｎ
+
 カソード層とが同時に形成されてほぼ厚さが等しい例を示したが，ｎ
+
 カソード層を例えば２０μｍ以下に薄くすることもできる
カ　「【００２２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば，ｐ
+
 ｎｎ
+
 型またはｐ
+
 ｐｎ
+
 型ダイオードチップを積層した高圧シリコンダイオード
高周波駆動性能が向上した高圧シリコンダイオード
　また，【図１】は，「本発明の一実施例のダイオードチップの不純物濃度分布図」であって，アクセプタ不純物が拡散されたｐ+ アノード層とドナー不純物が拡散されたｎ+ カソード層とが同時に形成された際に生成される不純物濃度プロフィルであり，【図３】は，「高圧シリコンダイオードの断面図」である。
（２）　引用発明
　上記（１）によれば，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「高周波駆動性能が向上した高圧シリコンダイオードを構成するために積層して用いられるダイオードチップであって，
　ｎ型シリコン基板に，拡散によってｐ+アノード層及びｎ+カソード層が形成されたものであり，
　予め前記ｎ型シリコン基板の一面にアクセプタ不純物を含んだソースを塗布し，また，前記ｎ型シリコン基板の他面にドナー不純物を含んだソースを塗布し，その後，熱拡散を行うことにより，拡散深さ７０〜７５μｍの前記ｐ+ アノード層と，拡散深さ７０〜９０μｍの前記ｎ+ カソード層が同時に形成されるものであり，
　前記ｐ+アノード層及び前記ｎ+カソード層の両拡散層の表面不純物濃度は１０１９〜１０２０ｃｍ−３であり，
　前記ｐ+アノード層と前記ｎ+カソード層の間のｎベース層の厚さは３０〜１００μｍであり，
　不純物濃度プロフィルは，アクセプタ不純物が拡散された前記ｐ+ アノード層と，ドナー不純物が拡散された前記ｎ+ カソード層とが同時に形成された際に生成される，ダイオードチップ。」
　２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「一方，半導体に電子線，γ線等放射線を照射すると半導体結晶格子に欠陥が生じ，これが再結合中心として作用するためにライフタイムが短縮されることも知られていた。」（第２頁左上欄第８行ないし同欄第１１行）
「次いで，装置１０に対して電子線１６を照射する。ペレット１の内部に均一な照射効果を得るためには電子線のエネルギーは約２ＭｅＶが必要であった。なお電子線を照射する前の状態では装置１０の漏洩電流は約７×１０−９Ａ（逆バイアス４００Ｖ），オン電圧は約１．０Ｖ（順電流４Ａ），逆方向回復時間は約７μｓ，キャリアのライフタイムは約８μｓ，耐圧は約９００Ｖであった。この装置１０に対してエネルギー２ＭｅＶで照射量４×１０１３〜５×１０１４ｅｌｅｃｔｒｏｎｓ／ｃｍ２の電子線照射を実行したところ，キャリアのライフタイム，及び逆方向回復時間は期待通り短縮されたが，漏洩電流が最大１００倍を著しく増大した。第２図，第３図はこれら試料の０．５ｈｒの等時間アニールの結果である。両図から明らかな如く，逆方向回復時間は電子線照射後，照射量に応じて照射前の値の１／３〜１／１５に短縮され，且つこの照射効果を完全に消失するには４５０℃，０．５ｈｒ以上熱処理しなければならない。特に３５０℃，０．５ｈｒ以下で逆回復時間は熱処理前，即ち電子線照射直後とほぼ同一である。図示していないが，キャリアのライフタイムもこの逆方向回復時間と全く同一の傾向を示すことが確認されている。一方漏洩電流は例えば照射量４×１０１３ｅｌｅｃｔｒｏｎｓ／ｃｍ２の場合には２００℃，０．５ｈｒ以上の熱処理で回復し始め，２５０℃，０．５ｈｒの熱処理で照射前のレベルにもどる。照射量が多い場合には漏洩電流が回復し始める熱処理条件はほぼ同じであるが，完全に回復する熱処理条件は高くなる。但し照射量５×１０１４ｅｌｅｃｔｒｏｎｓ／ｃｍ２の場合でもライフタイム等が回復し始める３５０℃，０．５ｈｒの熱処理で既に漏洩電流は完全に回復する。従って電子線照射と３５０℃，０．５ｈｒ相当以下，２５０℃，０．５ｈｒ相当以上の熱処理とを組合わせると，電子線照射条件のみによって定まる安定で短いキャリアのライフタイム及びそれによって決まる短い逆方向回復時間特性を有するとともに，電子線照射前と同一レベルまで低減された小さい漏洩電流を有するダイオード装置１０が得られる。」（第３頁左下欄第５行ないし第４頁左上欄第３行）
　３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２０】注入された電子や正孔の密度が熱平衡状態の密度になるまでの時間，すなわち逆バイアスをかけた後に導通状態が継続する時間を蓄積時間(strage time)という。さらに，逆電圧をかけた後の過渡的な逆方向電流がほとんど定常的逆電流に等しくなるまでの時間を逆回復時間(tr:reverse recovery time)という。したがって，蓄積時間や逆回復時間が短いことが望ましい。」
「【００２５】少数キャリヤーのライフタイム制御の方法として，金やプラチナ等の重（貴）金属を素子に拡散し，深い準位を形成したり，電子線やプロトン等の荷電子を照射して欠陥を形成することがなされている。」
「【００５４】図１に示した装置を用いて，縦型バイポーラ半導体に，電子線照射を行う。電子線を，通常５００μｍ前後の厚さのシリコンウェハーに照射すると，ウェハーの縦方向全体にほぼ均一に欠陥が生じることになり，図６（ａ）のような欠陥密度になる。さらに，電子線照射後の縦型バイポーラ半導体を，図２に示したような装置でランプアニールあるいはレーザーアニールする。」
第６　対比及び判断
　１　本願発明１について
（１）　対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
ア　引用発明の「高周波駆動性能が向上した高圧シリコンダイオード」は，「高圧電源整流用」である（前記第５の１（１）イ【０００２】）から，「高周波パワーダイオード」ということができる。また，引用発明の「ダイオードチップ」は，「高周波パワーダイオード（高周波駆動性能が向上した高圧シリコンダイオード）を構成するために積層して用いられる」ものであるから，本願発明１の「高周波パワーダイオード」とは，「高周波パワーダイオード構成体」である点で共通する。
イ　引用発明の「ｎ型シリコン基板」は，「半導体ウェハ」ということができ，その「一面」及び「他面」は，それぞれ「第１の主側（１０１）」及び「第２の主側（１０２）」ということができる。
ウ　引用発明の「ｐ+アノード層」及び「ｎ+カソード層」は，それぞれ，本願発明１の「第１の導電型」を有する「第１の層（１０３）」及び「第２の導電型」を有する「第２の層（１０５）」に相当する。
エ　引用発明の「ｎベース層」は，本願発明１の「第２の導電型」を有する「第３の層（１０４）」に相当する。
オ　引用発明における「前記ｐ+アノード層及び前記ｎ+カソード層の両拡散層の表面不純物濃度は１０１９〜１０２０ｃｍ−３」であることと，本願発明１における「前記第１の層（１０３）の第１の導電型のドーパントの濃度は，前記ウェハの前記第１の主側（１０１）に隣接しての１０19ｃｍ-3以上から第３の層（１０４）との前記第１の層（１０３）の界面での１．５・１０15ｃｍ-3以下へと減少」すること，及び，「前記第２の層（１０５）の第２の導電型のドーパントの濃度は，前記ウェハの前記第２の主側（１０２）に隣接しての１０19ｃｍ-3以上から前記第３の層（１０４）との前記第２の層（１０５）の界面での１．５・１０15ｃｍ-3へと減少」することととは，「前記第１の層（１０３）の第１の導電型のドーパントの濃度は，前記ウェハの前記第１の主側（１０１）に隣接する部分が１０19ｃｍ-3」である点，及び，「前記第２の層（１０５）の第２の導電型のドーパントの濃度は，前記ウェハの前記第２の主側（１０２）に隣接する部分が１０19ｃｍ-3」である点で共通する。
カ　引用発明における「不純物濃度プロフィルは，アクセプタ不純物が拡散された前記ｐ+ アノード層と，ドナー不純物が拡散された前記ｎ+ カソード層とが同時に形成された際に生成される」ことは，本願発明１の「ドーピング濃度プロファイルは，第１の主側（１０１）の中への第１の導電型のドーパントおよび前記第２の主側（１０２）の中への第２の導電型のドーパントの同時拡散によって生成され」ることに相当する。
　したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「高周波パワーダイオード構成体であって，
　第１の主側（１０１）および前記第１の主側（１０１）とは反対の第２の主側（１０２）を有する半導体ウェハと，
　前記第１の主側（１０１）に隣接して前記半導体ウェハ中に形成される第１の層（１０３）とを備え，前記第１の層（１０３）は，ｎまたはｐ導電型である第１の導電型を有し，さらに
　前記第２の主側（１０２）に隣接して前記半導体ウェハ中に形成される第２の層（１０５）を備え，前記第２の層（１０５）は，ｎまたはｐ導電型であるが前記第１の導電型とは異なる第２の導電型を有し，さらに
　前記第１の層（１０３）と前記第２の層（１０５）との間に前記半導体ウェハ中に形成される第３の層（１０４）を備え，前記第３の層（１０４）は前記第２の導電型を有し，
　前記第１の層（１０３）の第１の導電型のドーパントの濃度は，前記ウェハの前記第１の主側（１０１）に隣接する部分が１０19ｃｍ-3であり，
　前記第２の層（１０５）の第２の導電型のドーパントの濃度は，前記ウェハの前記第２の主側（１０２）に隣接する部分が１０19ｃｍ-3であり，
　ドーピング濃度プロファイルは，第１の主側（１０１）の中への第１の導電型のドーパントおよび前記第２の主側（１０２）の中への第２の導電型のドーパントの同時拡散によって生成される，高周波パワーダイオード構成体。」
（相違点）
（相違点１）
　「高周波パワーダイオード構成体」について，本願発明１は，「高周波パワーダイオード」であるのに対し，引用発明は，「高周波パワーダイオード（高周波駆動性能が向上した高圧シリコンダイオード）を構成するために積層して用いられるダイオードチップ」である点。
（相違点２）
　「第１の層（１０３）の第１の導電型のドーパントの濃度」について，本願発明１は，「前記ウェハの前記第１の主側（１０１）に隣接しての１０19ｃｍ-3以上から第３の層（１０４）との前記第１の層（１０３）の界面での１．５・１０15ｃｍ-3以下へと減少」するのに対し，引用発明は，「前記ウェハの前記第１の主側（１０１）に隣接する部分が１０19ｃｍ-3」であるものの，「第３の層（１０４）との前記第１の層（１０３）の界面での１．５・１０15ｃｍ-3以下へと減少」することは明示されていない点。
（相違点３）
　「第２の層（１０５）の第２の導電型のドーパントの濃度」について，本願発明１は，「前記ウェハの前記第２の主側（１０２）に隣接しての１０19ｃｍ-3以上から前記第３の層（１０４）との前記第２の層（１０５）の界面での１．５・１０15ｃｍ-3へと減少」するのに対し，引用発明は，「前記ウェハの前記第２の主側（１０２）に隣接する部分がの１０19ｃｍ-3」であるものの，「前記第３の層（１０４）との前記第２の層（１０５）の界面での１．５・１０15ｃｍ-3へと減少」することは明示されていない点。
（相違点４）
　「第３の層（１０４）の第２の導電型のドーパントの濃度」について，本願発明１は，「１．５・１０15ｃｍ-3以下」であるのに対し，引用発明は，明示されていない点。
（相違点５）
　本願発明１では，「前記第１の主側（１０１）から５０μｍの距離での前記第１の層（１０３）中の前記第１の導電型のドーパントの濃度および前記第２の主側（１０２）から５０μｍの距離での前記第２の層（１０５）中の前記第２の導電型のドーパントの濃度はそれぞれ１０17ｃｍ-3以上」であるのに対し，引用発明では，明示されていない点。
（相違点６）
　「第３の層（１０４）の厚み」について，本願発明１は，「６０μｍ未満であり，かつ前記第１の層（１０３）および前記第２の層（１０５）の厚みより短」いのに対し，引用発明は，明示されていない点。
（相違点７）
　「同時拡散」について，本願発明１は，「気体源，固体源または液体源の任意の組合せを用いて行われる」のに対し，引用発明は，明示されていない点。
（２）　相違点についての判断
　上記相違点１について検討すると，引用発明の「ダイオードチップ」は，高周波パワーダイオード（高周波駆動性能が向上した高圧シリコンダイオード）を構成するために積層して用いられるものであって，当該「ダイオードチップ」単体で，高周波パワーダイオードを構成するものではない。
　そして，引用文献１の【発明の詳細な説明】の【発明の属する技術分野】には，「・・・ｎまたはｐベース層をはさんで表面に向けて濃度が高くなる高不純物濃度のｐ+ 層およびｎ+ 層を有するダイオードチップを複数個積層した高圧シリコンダイオードに関する」（前記第５の１（１）ア）と記載されており，【従来の技術】（同イ）をみても，「ダイオードチップの耐圧を高くすれば，積層するチップ数は減らせるが，耐圧の高いダイオードチップを作るのに困難性があり，また，ダイオードチップの耐圧を低くすれば，ダイオードチップは作りやすいが，積層する枚数を増やさねばならない」という問題が記載されているから，引用文献１に開示された「高圧シリコンダイオード」は，「ダイオードチップ」を複数個積層して構成することを前提としたものであるといえる。
　また，引用文献１の【発明が解決しようとする課題】（同ウ），【課題を解決するための手段】（同エ）及び【発明の実施形態】（同オ）をみても，「ダイオードチップ」を複数個積層して構成した「高圧シリコンダイオード」についての記載しかなく，「ダイオードチップ」単体で，「高圧シリコンダイオード」を構成することは記載も示唆もされていない（例えば，「高圧シリコンダイオード」の断面図である【図３】には，１２枚のダイオードチップ１が半田２を介して積層されるとともに，パッシベーション層５でダイオードチップ１が保護され，両端にリード４が半田３でろう付けされて構成されていることが記載されている。）。
　そうすると，引用文献１に接した当業者が，引用文献１に開示された「ダイオードチップ」を積層することなく，「ダイオードチップ」単体で，「高圧シリコンダイオード」を構成しようと想起し得るとはいえない。
　そして，本願発明１は，「低いオン状態電圧および高い電流能力を有する，１０ｋＨｚ以上の高い周波数で用いることができる抵抗溶接のための高周波パワーダイオード（すなわち溶接ダイオード）を提供する」（本願明細書【００１５】）という格別の有利な効果を奏するものである。
　したがって，上記相違点２ないし７について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明，引用文献２及び３に記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　２　本願発明２ないし１４について
　本願発明２ないし１４も，本願発明１の「高周波パワーダイオード」と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明，引用文献２及び３に記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　原査定について
　審判請求時の手続補正で補正された本願発明１ないし１４は，前記第４のとおり，上述の「高周波パワーダイオード」と同一の構成を有するものであって，前記第６のとおり，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用文献１ないし３に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定の理由を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。