【手続補正書】
【提出日】平成22年9月15日(2010.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に表面特徴を形成するための方法であって、該方法は、
（ａ）コーティングされた基板を形成するために、ペーストを基板表面に均一に塗布することと、
（ｂ）該コーティングされた基盤表面の領域を、エラストマースタンプの表面と接触させることであって、該スタンプの該表面は、少なくとも１つの凹部を該表面内に含み、該凹部は、該エラストマースタンプの該表面内のパターンに隣接し、該エラストマースタンプの該表面内のパターンを画定し、該接触させることは、該エラストマースタンプの該表面内の該パターンによって画定される基板上にペーストのパターンを生成する、ことと、
（ｄ）該基板の裏側および該エラストマースタンプの裏側のうちの少なくとも１つに、圧力または真空を適用することであって、該適用することは、該エラストマースタンプの表面および該基板がコンフォーマルに接触するように、該スタンプの表面と該基板との間に存在するペーストを除去する、ことと、
（ｅ）該基板上に該表面特徴を生成するために、該ペーストを反応させることと、
を包含し、
該エラストマースタンプの該表面の該パターンは、該表面特徴の横方向寸法を画定し、該横方向寸法は、該表面基板の面に存在し、
該表面特徴の該横方向寸法は、約４０ｎｍから約１００μｍまでである、方法。
【請求項２】
基板表面上に表面特徴を形成するための方法であって、該方法は、
（ａ）コーティングされたエラストマースタンプを提供するために、少なくとも１つの凹部を有するエラストマースタンプの表面にペーストを塗布することであって、該凹部は、該エラストマースタンプの該表面内のパターンに隣接し、該エラストマースタンプの該表面内のパターンを画定する、ことと、
（ｂ）該ペーストを該基板表面のある領域に接着させるために、該コーティングされたエラストマースタンプの表面を基板表面と接触させることと、
（ｃ）該基板の裏側および該エラストマースタンプの裏側のうちの少なくとも１つに、圧力または真空を適用することであって、該適用することは、該エラストマースタンプの表面および該基板がコンフォーマルに接触するように、該エラストマースタンプの表面と該基板との間に存在するペーストを除去する、ことと、
（ｄ）該基板上に該表面特徴を生成するために、該基板の該領域に接着された該ペーストを反応させることと
を包含し、該エラストマースタンプの該表面のパターンは、該特徴の横方向寸法を画定し、該横方向寸法は、該表面基板の面に存在し、
該表面特徴の該横方向寸法は、約４０ｎｍから約１００μｍまでである、方法。
【請求項３】
前記表面特徴はサブトラクティブ特徴である、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ペーストは、エッチング剤を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記表面特徴はアディティブ特徴である、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記ペーストが接着される前記基板の前記範囲は、前記エラストマースタンプの表面の前記少なくとも１つの凹部と接触している、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記ペーストを反応させた後、前記基板から前記エラストマースタンプを除去することをさらに包含する、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項８】
洗浄、酸化、還元、誘導体化、官能化、反応性ガスへの暴露、プラズマへの暴露、熱エネルギーへの暴露、電磁放射への暴露、およびそれらの組み合わせ、のうちから選択されるプロセスで、前記エラストマースタンプと前記基板とのうちの少なくとも１つを前処理することをさらに包含する、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記ペーストを塗布することは、５０ｃＰ〜７５０ｃＰの粘度を有するペーストを含み、前記エラストマースタンプの表面上の前記パターンは、５μｍ〜１００μｍの横方向寸法を有する、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
前記ペーストを塗布することは、リン酸、水、およびポリビニルピロリドンを含むペーストを含み、前記基板はＩＴＯである、請求項１または請求項２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本明細書に組み込まれ、かつ本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明の１つ以上の実施形態を示し、また、説明と合わせて、本発明の原理を説明しかつ当業者が本発明を実施および使用できるようにするために役立つ。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
基板上に特徴を形成するための方法であって、該方法は、
（ａ）少なくとも１つの凹部をそこに含む、表面を有するスタンプを提供するステップであって、該凹部は、該スタンプの該表面のパターンに隣接し、かつ該スタンプの該表面のパターンを画定する、ステップと、
（ｂ）コーティングされたスタンプを提供するために、該スタンプの該表面にペーストを塗布するステップと、
（ｃ）該ペーストを該基板のある範囲に接着させるために、該コーティングされたスタンプの該表面を、基板と接触させるステップと、
（ｄ）該基板上に特徴を生成するために、該基板の該範囲に接着された該ペーストを反応させるステップと、
を包含し、
該スタンプの該表面上の該パターンは、該表面特徴の横方向寸法を画定し、
該表面特徴の該横方向寸法は、約４０ｎｍから約１００μｍまでである、
方法。
（項目２）
上記ペーストが接着される上記表面の上記範囲は、上記スタンプの上記表面と接触する、項目１に記載の方法。
（項目３）
上記ペーストが接着される上記基板の上記範囲は、上記スタンプの上記表面の上記少なくとも１つの凹部と接触する、項目１に記載の方法。
（項目４）
上記ペーストを反応させるステップの前に、上記基板から上記スタンプを除去するステップをさらに包含する、項目１に記載の方法。
（項目５）
上記ペーストを反応させるステップの後に、上記基板から上記スタンプを除去するステップをさらに包含する、項目１に記載の方法。
（項目６）
洗浄、酸化、還元、誘導体化、官能化、反応性ガスへの暴露、プラズマへの暴露、熱エネルギーへの暴露、電磁放射への暴露、およびそれらの組み合わせ、のうちから選択されるプロセスで、上記スタンプと上記基板とのうちの少なくとも１つを、前処理するステップをさらに包含する、項目１に記載の方法。
（項目７）
上記表面特徴は、サブトラクティブ非浸透表面特徴である、項目１に記載の方法。
（項目８）
基板上に特徴を形成するための方法であって、該方法は、
（ａ）コーティングされた基板を形成するために、ペーストを基板に均一に塗布するステップと、
（ｂ）少なくとも１つの凹部をそこに含む、表面を有するスタンプを提供するステップであって、該凹部は、該スタンプの該表面のパターンに隣接し、かつ該スタンプの該表面のパターンを画定する、ステップと、
（ｃ）該スタンプの該表面の該パターンによって画定される、該基板上のペーストのパターンを生成するために、該スタンプの該表面を該コーティングされた基板のある範囲と接触させるステップと、
（ｄ）該基板上に特徴を生成するために、該ペーストを反応させるステップと、
を包含し、
該スタンプの該表面の該パターンは、該表面特徴の横方向寸法を画定し、
該表面特徴の該横方向寸法は、約４０ｎｍから約１００μｍまでである、
方法。
（項目９）
上記ペーストを反応させるステップの前に、上記基板から上記スタンプを除去するステップをさらに包含する、項目８に記載の方法。
（項目１０）
上記ペーストを反応させるステップの後に、上記基板から上記スタンプを除去するステップをさらに包含する、項目８に記載の方法。
（項目１１）
洗浄、酸化、還元、誘導体化、官能化、反応性ガスへの暴露、プラズマへの暴露、熱エネルギーへの暴露、電磁放射への暴露、およびそれらの組み合わせ、のうちから選択されるプロセスで、上記スタンプと上記基板とのうちの少なくとも１つを、前処理するステップをさらに包含する、項目８に記載の方法。
（項目１２）
上記表面特徴は、サブトラクティブ非浸透表面特徴である、項目８に記載の方法。
（項目１３）
基板上に特徴を形成するための方法であって、該方法は、
（ａ）開口部をそこに含む、表面を有する弾性ステンシルを提供するステップと、
（ｂ）該弾性ステンシルの該表面を、基板と接触させるステップであって、該弾性ステンシルの該開口部は、該基板のある範囲を暴露する、ステップと、
（ｃ）該基板の該暴露された範囲に、ペーストを塗布するステップと、
（ｄ）該基板上に特徴を生成するために、該基板の該暴露された範囲に塗布された該ペーストを反応させるステップと、
を包含し、
該弾性ステンシルの該開口部の横方向寸法が、該ペーストを反応させることによって生成される該表面特徴の横方向寸法を画定し、
該表面特徴の該横方向寸法は、約４０ｎｍから約１００μｍまでである、
方法。
（項目１４）
洗浄、酸化、還元、誘導体化、官能化、反応性ガスへの暴露、プラズマへの暴露、熱エネルギーへの暴露、電磁放射への暴露、およびそれらの組み合わせ、のうちから選択されるプロセスで、上記スタンプおよび上記基板のうちの少なくとも１つを、前処理するステップをさらに包含する、項目１３に記載の方法。
（項目１５）
上記ペーストを反応させるステップの前に、上記基板から上記弾性ステンシルを除去するステップをさらに包含する、項目１３に記載の方法。
（項目１６）
上記ペーストを反応させるステップの後に、上記基板から上記弾性ステンシルを除去するステップをさらに包含する、項目１３に記載の方法。
（項目１７）
上記接触させるステップは、上記弾性ステンシルの上記表面の少なくとも１つの範囲を、上記基板の少なくとも１つの範囲とコンフォーマルに接触するように、配置するステップを包含する、項目１３に記載の方法。
（項目１８）
基板上に特徴を形成するための方法であって、該方法は、
（ａ）少なくとも１つの凹部をそこに含む、表面を有する弾性スタンプを提供するステップであって、該凹部は、該弾性スタンプの該表面のパターンに隣接し、かつ該弾性スタンプの該表面のパターンを画定する、ステップと、
（ｂ）コーティングされた弾性スタンプを形成するために、該弾性スタンプの該表面にインクを塗布するステップと、
（ｃ）該弾性スタンプの該表面の該パターンによって画定されるパターンで、該インクを該弾性スタンプの該表面から基板のある範囲へと転写するのに十分な時間のあいだ、該コーティングされた弾性スタンプの該表面を基板と接触させるステップと、
（ｃ）該基板から該弾性スタンプを除去するステップと、
（ｄ）インクの該パターンによってコーティングされない該基板の範囲に、ペーストを塗布するステップと、
（ｅ）該基板の上に特徴を生成するために、該ペーストを、インクの該パターンによってコーティングされない該基板の該範囲と、反応させるステップと、
を包含し、
該インクの該パターンは、該表面特徴の横方向寸法を画定し、
該表面特徴の該横方向寸法は、約４０ｎｍから約１００μｍまでである、
方法。
（項目１９）
上記接触させるステップは、上記弾性スタンプの上記表面の少なくとも１つの範囲を、上記基板の少なくとも１つの範囲とコンフォーマルに接触するように、配置するステップを包含する、項目１８に記載の方法。
（項目２０）
上記表面特徴は、サブトラクティブ非浸透表面特徴である、項目１８に記載の方法。