【事件の表示】
　特願２０１４−５３３９７３「集積回路のためのモノリシックセルおよび特にモノリシック転流セル」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　４月１８日国際公開、ＷＯ２０１３／０５４０３３、平成２６年１２月１８日国内公表、特表２０１４−５３４６２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年（２０１２年）１０月９日を国際出願日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１１年１０月１０日（以下，「本願優先日」という。）仏国）とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２８年　８月２５日付け　拒絶理由通知
平成２９年　１月　５日　　　意見書・手続補正
平成２９年　６月１９日付け　拒絶査定
平成２９年１０月２７日　　　審判請求
平成３０年　８月３０日付け　拒絶理由通知（以下，その理由を「当審拒絶理由」という。）
　そして，当審拒絶理由を通知し，期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが，請求人からは何らの応答もない。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２９年１月５日に補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項で特定される次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　電圧および電流において単方向の同じタイプの少なくとも２つの半導体構造を有する，集積回路モノリシックセルであって，前記少なくとも２つの半導体構造の各半導体構造は，アノード，カソードおよびオプションとしてゲートを有し，
　前記少なくとも２つの半導体構造は，一塊の同一の半導体基板に集積され，
　前記半導体基板の第１の面上に，前記各半導体構造の前記カソードと，オプションとして前記ゲートと，が，前記各半導体構造の第１の予め定められたゾーンに配置され，
　前記各半導体構造の前記アノードは，前記半導体基板の前記第１の面と反対の第２の面上で，前記各半導体構造の第２のゾーンに配置され，前記各半導体構造の前記第２のゾーンは，前記各半導体構造の前記第１のゾーンの反対にあり，
　前記少なくとも２つの半導体構造のうち同じタイプで別々の半導体構造の，前記アノードおよび前記カソードを有するグループから選択された電極は，電気的に互いに接続され，
　前記各半導体構造は，ダイオードと結晶中で結合されて逆導通が可能になり，
　Ｐ＋型およびＮ＋型の拡散は，前記各半導体構造の各アノードに配置されることを特徴とする，集積回路モノリシックセル。」
　
第３　当審拒絶理由
　当審拒絶理由は，本願発明は，本願優先日前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，本願優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２００８−１６６７０５号公報
２．特開平５−１５２５７４号公報
　
第４　引用文献及び引用発明
１　引用文献１の記載
（１）引用文献１
　当審拒絶理由で引用された引用文献１には，図面とともに次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
能動素子または受動素子が一つの半導体基板に複数個形成されてなる半導体装置
「【００２１】
　上記半導体装置は，半導体基板を貫通する絶縁分離トレンチにより絶縁分離された縦型ＭＯＳトランジスタ素子やＩＧＢＴ素子のような両面電極素子が二個以上形成されるため，電力用途の半導体装置として好適である。後述するように，上記半導体装置は，バルク単結晶シリコン基板を用いることができるため，縦型ＭＯＳトランジスタ素子やＩＧＢＴ素子のような両面電極素子を形成する場合，大電流化やＥＳＤ等のサージに対する耐量増加が容易である。また，埋め込み酸化膜がないため，ＳＯＩ基板を用いた半導体装置に較べて放熱性を高めることができる。」
「【００４８】
　図１の半導体装置１００では，
半導体基板２０が，当該半導体基板２０を貫通する絶縁分離トレンチＴに取り囲まれて，複数のフィールド領域Ｆ１〜Ｆ８に分割されている。
「【００６５】
　最後に，基板研磨工程後の図３（ｅ）に示す第２面側素子形成工程において，
半導体基板２０の第２面Ｓ２側で，不純物拡散層２１，２２を形成するためのイオン注入工程を実施する
「【００９３】
　
図１１は
半導体装置１１５
【００９４】
　図１１（ａ）に示すように，半導体装置１１５の等価回路図は，図９（ａ）に示した半導体装置１１３の等価回路図と基本的に同じものとなっている。一方，図９に示した半導体装置１１３では一枚の半導体基板２０にＨブリッジ回路が形成されていたのに対し，図１１に示す半導体装置１１５は，２個一組でＨブリッジ回路を構成するため，それぞれ，
半導体基板２２，
に形成された半導体装置１１５Ｈ
で構成されている。
【００９５】
　
半導体装置１１５Ｈ
半導体基板２２
に両面電極素子として２個ずつの同一構造を有するＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂ
が形成されている。また，各ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂ
に対して，別の両面電極素子であるダイオード素子４３Ｈａ，４３Ｈｂ
が並列接続されている。
【００９６】
　尚，図１０や図１１に示した半導体装置１１４，１１５と同様にして，ハーフブリッジ回路が形成されてなる半導体装置や３相インバータのパワーモジュールを構成するための半導体装置を，２個一組の半導体装置で構成できることはいうまでもない。」
　図１１（ａ）には，
ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂが，それぞれＶＣＣに接続される正極，ＧＮＤに接続される負極及びゲートを有すること，
ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂがダイオード素子４３Ｈａ，４３Ｈｂに接続されて逆導通が可能であること
　図１１（ｂ）には，
基板２２の表面上に，ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂの負極と，ゲートが配置されること，基板２２の裏面上に，ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂの正極が配置されること，ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂの正極が電気的に互いに接続されること，ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂとダイオード素子４３Ｈａ，４３Ｈｂとは絶縁分離トレンチで分離されていること，ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂの正極側にｐ＋領域及びｎ＋領域が配置されること
（２）引用発明
　前記（１）より，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「半導体装置１１５Ｈであって，半導体基板２２に両面電極素子として２個の同一構造を有するＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂが形成されており，別の両面電極素子であるダイオード素子４３Ｈａ，４３Ｈｂが並列接続されて，逆導通が可能であり，
　ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂが，それぞれ正極，負極及びゲートを有すること，
　基板２２の表面上に，ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂの負極と，ゲートが配置されること，
　基板２２の裏面上に，ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂの正極が配置されること，
　ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂの正極が電気的に互いに接続されること，
　ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂとダイオード素子４３Ｈａ，４３Ｈｂとは絶縁分離トレンチで分離されていること，
　ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂの正極側にｐ＋領域及びｎ＋領域が配置されること。」
２　引用文献２の記載
　当審拒絶理由で引用された引用文献２には，図面とともに次の記載がある。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，インバータなどの電力変換装置に用いられる電圧駆動可能な絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ (以下ＩＧＢＴと略す) を含む半導体装置に関する。」
「【０００７】
【作用】半導体素体とそれに形成された第一領域，第二領域，表面上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極，第四領域ならびに第一電極，第三電極によりＩＧＢＴが構成され，半導体基体とそれに形成される第三領域，第五領域ならびに第二電極，第三電極によりダイオードが形成され，第一電極と第二電極が接続されるので，
一つの半導体基体にＩＧＢＴとＦＷＤが集積され
「【００１１】図３は本発明の別の実施例の逆導通ＩＧＢＴを示す。ＦＷＤ部20のライフタイムが小さくできない場合には，式(1) からもわかるようにＬを大きくする必要がある。この場合もＦＷＤ部20のｐ+アノード領域14をＩＧＢＴ部10のｐウエル２の端部Ａより遠く離した方が干渉効果の低減に効果がある。しかし，この距離が長くなると，空乏層の限界が表面に出て耐圧が低下するおそれがあるため，ｐウエル２の端部Ａとｐ+ 領域14の間に図示のようにｐ+ ガードリング領域13をもける。
【００１２】前述のようにアノード電極16はエミッタ電極７と一体に形成されているので，エミッタ端子Ｅとの接続は，アノード電極16をパッド部としてのAl線のボンディングによって行うことができる。より低インダクタンス化を図るためには，アノード電極16に電極板を融着あるいは圧着することが有効であり，同時に基体の他面側のコレクタ電極９にも電極板を接続するとよい。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば，
ＩＧＢＴとＦＷＤを１チップ化して逆導通ＩＧＢＴとすることによりチップ間間隙が不要となり
ＩＧＢＴ部とＦＷＤ部の間に非干渉領域を設ける
　図３には，
半導体基体１のコレクタ電極９側に，ｐエミッタ層８及びｎ
＋
カソード領域１５が配置される
　
第５　対比及び判断
（１）本願発明と引用発明との対比
　ア　ＩＧＢＴ素子が「電圧および電流において単方向」であることは技術常識であるから，引用発明の「半導体装置１１５Ｈであって，半導体基板２２に両面電極素子として２個の同一構造を有するＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂが形成されて」いるものは，本願発明の「電圧および電流において単方向の同じタイプの少なくとも２つの半導体構造を有する，集積回路モノリシックセル」に相当する。
　イ　引用発明において「ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂが，それぞれ正極，負極及びゲートを有すること」は，本願発明において「前記少なくとも２つの半導体構造の各半導体構造は，アノード，カソードおよびオプションとしてゲートを有し」に相当する。
　ウ　引用発明において「半導体基板２２に両面電極素子として２個の同一構造を有するＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂが形成されて」いるから，「前記少なくとも２つの半導体構造は，一塊の同一の半導体基板に集積され」ている。
　エ　引用発明において「基板２２の表面上に，ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂの負極と，ゲートが配置されること」から，「前記半導体基板の第１の面上に，前記各半導体構造の前記カソードと，オプションとして前記ゲートと，が，前記各半導体構造の第１の予め定められたゾーンに配置され」ている。
　オ　引用発明において「基板２２の裏面上に，ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂの正極が配置されること」から，「前記各半導体構造の前記アノードは，前記半導体基板の前記第１の面と反対の第２の面上で，前記各半導体構造の第２のゾーンに配置され，前記各半導体構造の前記第２のゾーンは，前記各半導体構造の前記第１のゾーンの反対にあ」る。
　カ　引用発明において「ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂの正極が電気的に互いに接続されること」から，「前記少なくとも２つの半導体構造のうち同じタイプで別々の半導体構造の，前記アノードおよび前記カソードを有するグループから選択された電極は，電気的に互いに接続され」ている。
　キ　引用発明において「２個の同一構造を有するＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂが形成されており，別の両面電極素子であるダイオード素子４３Ｈａ，４３Ｈｂが並列接続されて，逆導通が可能であ」るから，「前記各半導体構造は，ダイオードと」「逆導通が可能にな」っている。
　ク　引用発明において「ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂの正極側にｐ＋領域及びｎ＋領域が配置される」ことは，本願発明において「Ｐ＋型およびＮ＋型の拡散は，前記各半導体構造の各アノードに配置されること」に相当する。
　ケ　すると，本願発明と引用発明とは，下記コの点で一致し，下記サの点で相違する。
　コ　一致点
「電圧および電流において単方向の同じタイプの少なくとも２つの半導体構造を有する，集積回路モノリシックセルであって，前記少なくとも２つの半導体構造の各半導体構造は，アノード，カソードおよびオプションとしてゲートを有し，
　前記少なくとも２つの半導体構造は，一塊の同一の半導体基板に集積され，
　前記半導体基板の第１の面上に，前記各半導体構造の前記カソードと，オプションとして前記ゲートと，が，前記各半導体構造の第１の予め定められたゾーンに配置され，
　前記各半導体構造の前記アノードは，前記半導体基板の前記第１の面と反対の第２の面上で，前記各半導体構造の第２のゾーンに配置され，前記各半導体構造の前記第２のゾーンは，前記各半導体構造の前記第１のゾーンの反対にあり，
　前記少なくとも２つの半導体構造のうち同じタイプで別々の半導体構造の，前記アノードおよび前記カソードを有するグループから選択された電極は，電気的に互いに接続され，
　前記各半導体構造は，ダイオードと逆導通が可能になり，
　Ｐ＋型およびＮ＋型の拡散は，前記各半導体構造の各アノードに配置されることを特徴とする，集積回路モノリシックセル。」
　サ　相違点
　本願発明では，「前記各半導体構造は，ダイオードと結晶中で結合されて」いるのに対し，引用発明では，「ＩＧＢＴ素子４２Ｈａ，４２Ｈｂとダイオード素子４３Ｈａ，４３Ｈｂとは絶縁分離トレンチで分離されている」点。
（２）判断
　上記相違点について検討すると，引用文献２（前記第４の２【０００７】，【００１１】−【００１３】，図３）には，「一つの半導体基体にＩＧＢＴとＦＷＤが集積され」た「逆導通ＩＧＢＴとすることによりチップ間間隙が不要とな」り，半導体基体のコレクタ電極側に，ｐエミッタ層及びｎ＋カソード領域が配置される技術が開示されており，引用発明に引用文献２記載の技術を採用して「絶縁分離トレンチ」を不要とすることは，当業者が容易になし得ることである。
（３）まとめ
　よって，本願発明は，引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　結言
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明については，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。