【事件の表示】
　特願２０００−１６８９４５「光エレクトロニクス装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１２月２１日出願公開、特開２００１−３５００３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年６月６日の出願であって、平成１５年２月２１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年３月２７日付で拒絶査定に対する審判請求がなされると共に、同日付で特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年３月２７日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年３月２７日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を下記のように補正することを含むものである。
「【請求項１】基板上に結晶成長した半導体又は基板上に結晶成長した半導体の酸化物によって形成され、屈折率が該基板よりも小さい下クラッド層と、
　前記下クラッド層が形成された基板上に設けられ、結晶成長した半導体材料を用いて形成され、入射光から同振幅で同位相に分岐した光波を伝搬させた後に該光波を再結合するように構成された第１の導波路及び第２の導波路を有する導波層と、
　前記導波層上に磁気光学材料を用いて形成され、前記第１及び第２の導波路を伝搬する光波の少なくとも一方に対して非相反な位相変化を生じさせることにより、第１及び第２の導波路を伝搬する光波どうしに位相差を生じさせる上クラッド層と、
　を有する光アイソレータと、
　前記光アイソレータが形成された基板と同一基板上に形成され、前記光アイソレータに入射光を供給する半導体光素子と、
　を備えた光エレクトロニクス装置であって、
　前記結晶成長した半導体材料を前記半導体光素子を構成する半導体材料に用いたことを特徴とする光エレクトロニクス装置。」
　
　上記補正は、「半導体の酸化物」が基板上に結晶成長したことなどを限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（２）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶理由に引用したこの出願前公知の「電子情報通信学会技術研究報告」　ＯＰＥ９８，　Ｖｏｌ．９８　Ｎｏ．４３　（１９９８年５月１４日発行）　ｐｐ．４３−４８，　水本哲弥　ｅｔ．ａｌ．，（以下、「刊行物１」という。）には、集積型アイソレータに関して、下記の記載が認められる。
　
「異種結晶の接合技術を用いれば、半導体導波路上に磁性ガーネットをクラッド層として装荷することも可能であり、これを利用した光アイソレータ集積形半導体レーザの構造（図５）も提案されている［１５］。プロセスの概略は次のようになる。
（ａ）レーザウエーハを成長（選択成長の場合はアイソレータ導波層も同時形成）、
（ｂ）アイソレータ導波層の形成、
（ｃ）フォトリソグラフィーとエッチングによるデバイス化、
（ｄ）必要な領域にダイレクトボンディングによって磁性ガーネットを装荷。
　・・・
　ガーネットより屈折率の高い半導体を導波層に用いる場合、クラッド層の磁性ガーネットにはエバネッセント光が存在するだけなので隙間のない接合面を形成する必用がある。このような接合を形成するためには、ダイレクトボンディングの利用は本質的に不可欠なものとなる。
　
　４−２．非相反移相効果を利用したアイソレータ
　　非相反移相効果を利用したアイソレータにおける問題は、必要な非相反移相量を得るための伝搬長が長くなることである。導波路構造をＳｉＯ２／ＬＮＢ／ＧＧＧとした場合、波長１．５５μｍにおいて非相反移相器の長さは約７．６ｍｍにも達する（ＬＮＢのファラデー回転係数は５００ｄｅｇ／ｃｍ）。ＧａＩｎＡｓＰ（λｇ＝１．２５μｍ）を導波層とした場合に、非相反移相部分に必要な導波路長を計算した結果を図６に示す。ＩｎＰ基板を下部クラッド層としてそのまま用いると、磁性ガーネットがＬＮＢでは非現実的なデバイス長になる。しかし、導波路直下だけＩｎＰ基板を除去し、クラッド層を空気にすることによって、ＬＮＢを用いても約４ｍｍ、Ｃｅ：ＹＡＧ（ファラデー回転係数４５００ｄｅｇ／ｃｍ［１７］）を用いれば５００μｍ程度の長さで非相反移相器部分を構成することが可能になる。」（４７頁左欄下から９行〜４８頁左欄３行）。
　
　また、図５の記載から、基板上に、入射光から同振幅で同位相に分岐した光波を伝搬させた後に該光波を再結合するように構成された第１の導波路及び第２の導波路を有する半導体導波層が形成され、その上に磁性ガーネットを用いて形成された上クラッド層を有する光アイソレータと、前記光アイソレータが形成された基板上の半導体導波層と同一基板上に形成され、前記光アイソレータに入射光を供給する半導体レーザと、を備えたアイソレータ集積形半導体レーザが見て取れる。
　
　上記によれば、刊行物１には、
「基板上に、入射光から同振幅で同位相に分岐した光波を伝搬させた後に該光波を再結合するように構成された第１の導波路及び第２の導波路を有する半導体導波層が形成され、その上に磁性ガーネットを用いて形成された上クラッド層をダイレクトボンディングすると共に、導波路直下だけＩｎＰ基板を除去し、クラッド層を空気とした非相反移相効果を利用した光アイソレータと、前記光アイソレータが形成された基板と同一基板上に形成され、前記光アイソレータに入射光を供給する半導体レーザと、を備えたアイソレータ集積形半導体レーザ」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（３）対比
　上記引用発明と本願補正発明とを対比する。
（イ）引用発明は「クラッド層を空気」としているが、これは、前掲の刊行物１の記載から見て、クラッド層として基板に比べて屈折率の低いものの１例として空気層を用い、非相反移相部分に必要な導波路長を計算したものと解されるから、本願補正発明の「屈折率が該基板よりも小さい下クラッド層」に相当することは明らかである。
（ロ）引用発明の「磁性ガーネット」は、本願補正発明の「磁気光学材料」に相当し、第１及び第２の導波路を伝搬する光波の少なくとも一方に対して非相反な位相変化を生じさせることにより、第１及び第２の導波路を伝搬する光波どうしに位相差を生じさせるものであることは当業者に明らかである。
（ハ）引用発明の「半導体レーザ」及び「アイソレータ集積形半導体レーザ」は、それぞれ本願補正発明の「半導体光素子」及び「光エレクトロニクス装置」に相当する。
　よって、両者は、
「基板上に設けた屈折率が該基板よりも小さい下クラッド層と、
　前記基板上に設けられ、結晶成長した半導体材料を用いて形成され、入射光から同振幅で同位相に分岐した光波を伝搬させた後に該光波を再結合するように構成された第１の導波路及び第２の導波路を有する導波層と、
　前記導波層上に磁気光学材料を用いて形成され、前記第１及び第２の導波路を伝搬する光波の少なくとも一方に対して非相反な位相変化を生じさせることにより、第１及び第２の導波路を伝搬する光波どうしに位相差を生じさせる上クラッド層と、
　を有する光アイソレータと、
　前記光アイソレータが形成された基板と同一基板上に形成され、前記光アイソレータに入射光を供給する半導体光素子と、
　を備えた光エレクトロニクス装置であって、
　前記結晶成長した半導体材料を前記半導体光素子を構成する半導体材料に用いた光エレクトロニクス装置」である点で一致し、下記の点で相違する。
　
（相違点）
　本願補正発明は、下クラッド層が「結晶成長した半導体又は基板上に結晶成長した半導体の酸化物によって形成」され、「下クラッド層が形成された基板上に」導波層が形成されているのに対して、引用発明は、この構成を有しない点。
　
（４）判断
　上記相違点につき検討する。
　この種の光装置において、導波路の下部に結晶成長したクラッド層を設けること及び前記クラッド層が形成された基板上に導波層を形成し、クラッド層を形成した基板上に光素子等を一体的に設けることは周知技術である（例えば、特開平４−４２５８６号公報、特開平２−２８４４９０号公報及び特開平１１−６８１２５号公報参照。）から、引用発明の下部クラッド層として、上記周知技術を採用することは、実施化に際して当業者が容易になし得る設計事項にすぎない。
　
　したがって、本願補正発明は刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年３月２７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年１月２４日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
「【請求項１】基板上に結晶成長した半導体又はその酸化物によって形成され、屈折率が該基板よりも小さい下クラッド層と、
　前記下クラッド層が形成された基板上に結晶成長した半導体材料を用いて形成され、入射光から同振幅で同位相に分岐した光波を伝搬させた後に該光波を再結合するように構成された第１の導波路及び第２の導波路を有する導波層と、
　前記導波層上に磁気光学材料を用いて形成され、前記第１及び第２の導波路を伝搬する光波の少なくとも一方に対して非相反な位相変化を生じさせることにより、第１及び第２の導波路を伝搬する光波どうしに位相差を生じさせる上クラッド層と、
　を有する光アイソレータと、
　前記光アイソレータが形成された基板と同一基板上に形成され、前記光アイソレータに入射光を供給する半導体光素子と、
　を備えた光エレクトロニクス装置であって、
　前記導波層の半導体材料に前記半導体光素子を構成する半導体材料を用いたことを特徴とする光エレクトロニクス装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用した刊行物１である「電子情報通信学会技術研究報告」　ＯＰＥ９８，　Ｖｏｌ．９８　Ｎｏ．４３　（１９９８年５月１４日発行）　ｐｐ．４３−４８，　水本哲弥　ｅｔ．ａｌ．，　には、上記２．（２）刊行物記載の発明に摘記した事項が記載されている。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明の「基板上に結晶成長した半導体又は基板上に結晶成長した半導体の酸化物」及び「前記結晶成長した半導体材料」を「基板上に結晶成長した半導体又はその酸化物」及び「前記導波層の半導体材料」としたものである。
　したがって、本願発明は、上記本願補正発明に対するとほぼ同様の理由により、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　
（４）むすび
　　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。