【事件の表示】
　平成　７年特許願第１５０３０９号「３−５族化合物半導体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　１月１０日出願公開、特開平　９−　　８３５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 　  
　本願は、平成７年６月１６日の出願であって、平成１５年１２月２日付で拒絶査定がなされ、これに対し平成１６年１月６日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同年１月７日付で特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。　  
　  
２．平成１６年１月７日付の手続補正についての補正却下の決定 　  
［補正却下の決定の結論］  
　平成１６年１月７日付の手続補正を却下する。  
　 
［理由］  
（１）補正の内容  
　本件補正は、補正前の請求項１を、下記のように補正することを含むものである。  
　 
「【請求項１】　  
　一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体層からなる３−５族化合物半導体を、ドライエッチングすることによりｎ型層及び／又はｐ型層を露出せしめた後、電極の形成工程の前に、不活性ガス雰囲気中６００℃以上で熱処理する工程を有することを特徴とするエッチングダメージの回復された３−５族化合物半導体の製造方法。」 　  
　  
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である、３−５族化合物半導体について、「３−５族化合物半導体層からなる」との限定、同じく、ドライエッチングについて、「ドライエッチングすることによりｎ型層及び／又はｐ型層を露出せしめた」との限定、同じく、熱処理する工程について、「電極の形成工程の前に」との限定、同じく、３−５族化合物半導体の製造方法について、「エッチングダメージの回復された」との限定をそれぞれ行うものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。　 
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について検討する。  
　
（２）引用刊行物記載の発明　 
　原査定において引用された刊行物である特開平５−１９０９００号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、図面とともに下記の事項が記載されている。　  
　  
（ア）「【請求項１】 基板上に少なくとも１種類のＩＩＩ族元素を含む窒化物系半導体からなるｎ型層とｉ型層またはｐ型層を具備してなる発光層を形成する工程、該発光層の所要の部位をドライエッチングする工程、ドライエッチング後に該発光層を熱処理する工程、および該発光層の所要の部位に少なくとも２つ以上の電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 　 
【請求項２】 真空中において、あらかじめ加熱した窒素を含有するガス状化合物と、少なくとも１種のＩＩＩ族元素金属または該元素を含む金属塩の蒸気を基板面に供給して反応させることにより、基板上に結晶成長させることを特徴とする請求項１記載の窒化物系半導体薄膜の製造方法。　 
【請求項３】 ドライエッチングの方法としてイオンミリング、反応性イオンエッチング、集束イオンビームエッチング、ＥＣＲエッチング、ビームアシストエッチングを用いることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置の製造方法。　 
【請求項４】 ドライエッチング後に発光層を熱処理する雰囲気としてアンモニア、三弗化窒素、ジメチルアンモニウム、ジメチルヒドラジン等の窒化化合物、アルゴン、窒素等の不活性ガスを用いることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置の製造方法。」　  
　  
（イ）「【０００１】　 
【産業上の利用分野】本発明は，特にディスプレー、光通信、ＯＡ機器の光源として最適な可視領域における発光ダイオードおよびレーザーダイオード等に用いることができる薄膜発光装置の製造方法に関するものである。」　
　  
（ウ）「【００１２】本発明における窒化物半導体薄膜とは，例えばＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮの他にＧａ1ーx Ａｌx Ｎ、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ、Ｇａ1-x Ｂx ＮなどのＧａＮを主体とした混晶化合物半導体薄膜のことである。さらに、窒化物系半導体薄膜を作製するときに不純物をドーピングして、キャリア密度制御、ｉ型、ｐ型あるいはｎ型制御を行うこともできる。ｉ型、ｐ型の半導体薄膜を作製するためにドーピングする不純物の例としてはＭｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｓｒ等があり、ｎ型半導体薄膜を作製するためにドーピングする不純物としてはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ，Ｓｅ、Ｔｅ等がある。これらのドーパントの種類とドーピング量を変えることによって窒化物系半導体のキャリアの種類の制御やキャリア密度を変えることが可能となる。本発明では、基板上にｉ型あるいはｐ型の窒化物系半導体を成膜した上にｎ型の窒化物系半導体を成膜して発光層を形成した構造、あるいは基板上にｎ型の窒化物系半導体を成膜した上にｉ型あるいはｐ型の窒化物系半導体を成膜して発光層を形成した構造をとるが、このようなｐｎ接合、ＭＩＳ構造だけではなく、窒化物系半導体を組み合わせた、シングルヘテロ構造、ダブルヘテロ構造、量子井戸構造、超格子構造としてもよい。これらの積層構造の膜厚は、素子作製工程で使用するレジストの厚さに限界があるために、なるべく薄くすることが必要であり３μｍ以下とするのがよいが、好ましくは２μｍ以下とするのがよく、さらに好ましくは１μｍ以下とするのがよい。」　 
　 
（エ）「【００１３】本発明におけるドライエッチングの方法としては、イオンミリング、反応性イオンエッチング、集束イオンビームエッチング、ビームアシストエッチング、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｃｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）エッチングを用いることができる。ドライエッチング法として、イオンミリングではＡｒ、窒素（Ｎ2 ）等の不活性ガスを、集束イオンビームエッチングではＢ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ａｕ等を金属イオン源として用いることができる。ビームアシストエッチングではＸｅＦ2 、Ｃｌ2 等のガス雰囲気中で電子線あるいはＡｒ、Ｎ2 等のビームを照射してエッチングを行う。反応性イオンエッチング、ＥＣＲエッチングではＣＦ4 、ＣＣｌ4 、ＣＣＬ2 Ｆ2 、ＣＣｌＦ3 、ＳＦ6 、ＰＣｌ3 、ＳｉＣｌ4 等のガスを用いる。また、集束イオンビームエッチングを用いた場合にはレジストを用いなくても、薄膜表面に直接エッチングを行うことができ、素子作製工程を簡略化することができる。これらのドライエッチング法を窒化物系半導体のエッチング方法として用いることができる理由としては、上記したように、素子の総膜厚を３μｍ以下で良質な単結晶薄膜を作製することができるからである。もし窒化物系半導体の膜厚が厚い場合にはレジストの厚みも厚くする必要がある。たとえば窒化物系半導体の膜厚が１０μｍであるとき、レジストの厚みは１０μｍ以上とする必要があり、レジスト塗布時に非常に困難を有することになる。実際に、窒化物系半導体薄膜を用いて発光素子（ＬＥＤ）やレーザーダイオードを作製する場合においては、これらのドライエッチング法が必要となる。」　 
　 
（オ）「【００１４】本発明においては、発光特性を向上させるためにドライエッチング後に熱処理することが必要である。この熱処理を行うことによりドライエッチングにより受けた膜質の劣化を回復することができ、界面抵抗を下げて低電圧で発光に必要な電流を得ることができる。熱処理を行う装置としては管状炉、ランプアニ−ル炉等の雰囲気を制御できる炉であればよい。雰囲気としてはアンモニア、三弗化窒素、ジメチルアンモニウム、ジメチルヒドラジン等を単独であるいはＡｒ，Ｎ2 等の不活性ガスとの混合物として用いることができる。熱処理する温度は窒化物半導体の成膜温度以下であればよく、熱処理時間と同様に使用するガスの種類によって適宜変えることができる。例えばアンモニアでは３００〜７００℃、三弗化窒素では３００〜５００℃、不活性ガスを用いた場合には３００〜７００℃で熱処理を行う。」　 
　 
（カ）「【００１５】本発明における電極の形成方法としては、ＭＢＥ法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法等がある。電極としては、Ａｌ、Ｉｎ等の金属が好ましいが、Ａｌ、Ｉｎ等を混合した合金、またＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧａＮ等の透明導電膜を用いてもよい。さらに、電極形成後にＡｒ、Ｎ2 、Ｈｅ等の不活性ガス流中で熱処理することも好ましい。これにより電極と窒素物系半導体との界面抵抗を下げることが可能になり、良好なダイオ−ド特性とする事ができる。」　 
　  
（キ）「【００２６】以下、図に従って素子作製工程を説明する。成膜した薄膜上にスピンコーターを用いて２５００ｒｐｍ、３０ｓｅｃの条件でレジストを塗布し、９０℃のクリーンオーブン中で３０分間プレベークした（図２）。ベーク後、素子パターン形成用のマスクを用いてＵＶ露光し、現像した。この膜を加速電圧５００Ｖ、圧力２×１０ー4Ｔｏｒｒの条件のＡｒ中で２０分間イオンミリングを行い素子パターン形成を行った。その後、アセトンを用いてレジストを除去した。次に、再度スピンコーターを用いて２５００ｒｐｍ、３０ｓｅｃの条件でレジストを塗布し、９０℃のクリーンオーブン中で３０分間プレベークした。ベーク後、ｉ層除去用のマスクを用いてＵＶ露光し、現像した（図３）。この膜を加速電圧５００Ｖ、圧力２×１０ー4Ｔｏｒｒの条件のＡｒ雰囲気中で１分間イオンミリングを行い不必要なｉ層を除去した（図４）。その後、アセトンでレジストを除去した。この素子チップを管状炉にセットして１０ｃｃ／ｍｉｎのアンモニアガス流中で５００℃、３０分間の熱処理を行った。さらに、スピンコーターを用いて２５００ｒｐｍ、３０ｓｅｃの条件でレジストを塗布し、９０℃のクリーンオーブン中で３０分間プレベークした。ベーク後、電極形成用のマスクを用いてＵＶ露光し、現像した（図５）。この膜を真空蒸着機に装着し２×１０ー6Ｔｏｒｒの真空中でＡｌ金属を０．２μｍの厚さで真空蒸着した。その後、アセトンでリフトオフして電極パターンを形成し、ついで、Ａｒ流中で３００℃で１時間加熱処理を行ない、素子チップの構造を完成させた（図６）。」
　
（ク）「【００３２】　 
【実施例３】ＭＢＥ法により，ＧａＮ薄膜を成膜し、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置を用いて素子作製を行った例について説明する。装置としては，実施例１と同様の装置を用いて，ＧａＮ薄膜を作製した。蒸発用ルツボ２にはＧａ金属を入れ，１０５０℃に加熱した。ガスとしてはアンモニアを使用し，ガス導入管８を通してガスセル７に５ｃｃ／ｍｉｎの速度で基板表面に供給した。　 
【００３３】基板６としては，オフ角が０．５度のサファイアＲ面を使用する。真空容器内の圧力は，成膜時において２×１０-6Ｔｏｒｒであった。まず，基板６を９００℃で３０分間加熱し，ついで７５０℃の温度に保持し成膜を行う。成膜はアンモニアを３００℃の加熱したガスセル７から供給しながらＧａのルツボのシャッターを開いて行い，１．５オングストローム／ｓｅｃの成膜速度で膜厚０．８μｍのＧａＮ薄膜を作製した。さらにＭｇをチャージして３００℃に保たれた蒸発用ルツボ４のシャッターを開き、ＭｇドープのＧａＮ薄膜を１．５オングストローム／ｓｅｃの成膜速度で膜厚０．０５μｍの厚さで成膜して発光層を形成した。この薄膜のＲＨＥＥＤパターンはストリーク状で平坦性、結晶性は良好であり、表面の抵抗を測定したところ、１０ＭΩ以上の抵抗があり絶縁状態であった。 以上の様にして成膜した薄膜上にスピンコーターを用いて２５００ｒｐｍ、３０ｓｅｃの条件でレジストを塗布し、９０℃のクリーンオーブン中で３０分間プレベークした。ベーク後、素子パターン形成用のマスクを用いてＵＶ露光し、現像した。この膜をＲＩＥを用いて高周波出力２００Ｗ、ＣＦ4 流量２５ｃｃ／ｍｉｎの条件で２５分間エッチング行い素子パターン形成を行った。その後、アセトンを用いてレジストを除去した。次に、再度スピンコーターを用いて２５００ｒｐｍ、３０ｓｅｃの条件でレジストを塗布し、９０℃のクリーンオーブン中で３０分間プレベークした。ベーク後、ｉ層除去用のマスクを用いてＵＶ露光し、現像した。この膜を ２００Ｗ，ＣＦ4 ２５ｃｃ／ｍｉｎの条件で１分間エッチングを行い不必要なｉ層を除去した。その後、アセトンでレジストを除去した。ついで管状炉内に素子チップをセットして１０ｃｃ／ｍｉｎのＮ2 流中５００℃で３０分間熱処理した。さらに、スピンコーターを用いて２５００ｒｐｍ、３０ｓｅｃの条件でレジストを塗布し、９０℃のクリーンオーブン中で３０分間プレベークした。ベーク後、電極形成用のマスクを用いてＵＶ露光し、現像した。この膜を真空蒸着機に装着し２×１０ー6Ｔｏｒｒの真空中でＡｌ金属を０．２μｍの厚さで真空蒸着した。その後、アセトンでリフトオフして電極を形成し、ついで、Ｎ2 流中で３００℃で１時間の加熱処理を行ない、素子チップの構造を完成させた。」  
　
　図４から以下の事項が見て取れる。　
（ケ）ｎ型窒化物系半導体層１５が露出していること。　
　
　摘記（キ）の　「【００２６】　・・・　この膜を加速電圧５００Ｖ、圧力２×１０ー4Ｔｏｒｒの条件のＡｒ雰囲気中で１分間イオンミリングを行い不必要なｉ層を除去した（図４）。・・・」の記載、摘記（ク）の「・・・　【実施例３】　・・・　この膜を ２００Ｗ，ＣＦ4 ２５ｃｃ／ｍｉｎの条件で１分間エッチングを行い不必要なｉ層を除去した。　・・・」の記載、及び摘記（ケ）の記載より、実施例３においても、ドライエッチングすることによりｉ層を除去し、ｎ型窒化物系半導体層を露出させていると認める。
　
　これらの記載並びに図面に示された内容を総合すると、引用刊行物には、主として実施例３に記載された次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　　
　
「ＧａＮからなる窒化物半導体薄膜を、ドライエッチングすることによりｎ型層を露出せしめた後、電極の形成工程の前に、Ｎ2流中５００℃で熱処理する工程を有する窒化物半導体薄膜の製造方法。」　
　　
（３）対比　
　本願補正発明と引用発明を対比する。　  
　  
（ａ）引用発明の「ＧａＮからなる窒化物半導体薄膜」が、本願発明の「一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体層からなる３−５族化合物半導体」に相当することは明らかである。　 
　 
（ｂ）引用刊行物の摘記（オ）には、ドライエッチング後の熱処理の「ガス雰囲気」として、「アンモニア、三弗化窒素、ジメチルアンモニウム、ジメチルヒドラジン等を単独であるいはＡｒ，Ｎ2 等の不活性ガスとの混合物」が記載されているが、実施例３には、Ｎ2ガス（不活性ガス）単独の場合が記載されているから（摘記（ク））、引用刊行物の「ガス雰囲気」は、Ｎ2ガス（不活性ガス）単独の場合を含むものである。  
　  
（ｃ）引用刊行物には「【００１４】本発明においては、発光特性を向上させるためにドライエッチング後に熱処理することが必要である。この熱処理を行うことによりドライエッチングにより受けた膜質の劣化を回復することができ、界面抵抗を下げて低電圧で発光に必要な電流を得ることができる。　・・・」（摘記（オ））と記載されており、引用発明は本願発明の「エッチングダメージの回復された３−５族化合物半導体の製造方法」との技術的事項を有することは明らかである。
　
　したがって、両者は、　  
「一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体層からなる３−５族化合物半導体を、ドライエッチングすることによりｎ型層を露出せしめた後、電極の形成工程の前に、不活性ガス雰囲気中で熱処理する工程を有するエッチングダメージの回復された３−５族化合物半導体の製造方法。」　  
である点で一致し、次の点で相違する。　 
　  
相違点：　  
　本願補正発明が、「不活性ガス雰囲気中６００℃以上で熱処理」するのに対し、引用発明は不活性ガス雰囲気中５００℃の温度で熱処理されている点。 
　  
（４）判断　　
　上記相違点につき検討すると、引用刊行物においても、「熱処理する温度は窒化物半導体の成膜温度以下であればよく、熱処理時間と同様に使用するガスの種類によって適宜変えることができる。例えばアンモニアでは３００〜７００℃、三弗化窒素では３００〜５００℃、不活性ガスを用いた場合には３００〜７００℃で熱処理を行う。」（摘記（オ））の記載がある。 
　そして、ガスの種類を勘案して、熱処理温度を６００℃以上とすることは、上記記載から、当業者が適宜選択し得る事項である。　
　しかも、本願発明によってもたされる効果は、引用発明から当業者が予測し得る程度のものにすぎない。　 
　なお、本件請求人は、本願発明の効果を説明するものとして、実験成績証明書を提出しているが、その試験に供された熱処理温度の数値範囲は引用刊行物にも開示されている範囲であり、その開示された数値範囲を含んだ効果を確認したものにすぎない。　 
　  
（５）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　 
　 
３．本願発明について 
（１）本願発明 　 
　平成１６年１月７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年８月２９日付手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。  
　 
「【請求項１】　  
　一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表されるｎ型またはｐ型の３−５族化合物半導体を、ドライエッチングした後、不活性ガス雰囲気中６００℃以上で熱処理する工程を有することを特徴とする３−５族化合物半導体の製造方法。」（以下、「本願発明」という。） 　  
　 
（２）引用刊行物記載の発明　  
　原査定において引用された特開平５−１９０９００号公報には、上記２．（２）引用刊行物記載の発明において摘記した事項が記載されている。 　 
　
（３）対比・判断 　
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、３−５族化合物半導体について、「３−５族化合物半導体層からなる」との限定、同じく、ドライエッチングについて、「ドライエッチングすることによりｎ型層及び／又はｐ型層を露出せしめた」との限定、同じく、熱処理する工程について、「電極の形成工程の前に」との限定、同じく、３−５族化合物半導体の製造方法について、「エッチングダメージの回復された」との限定を省いたものである。 
　そうすると、本願発明の構成要件の全てが含まれる本願補正発明が、前記２．（４）に記載したとおり、上記引用刊行物記載の発明から、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、上記引用刊行物記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　 
（４）むすび 　 
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
　よって、結論のとおり審決する。