【事件の表示】
　特願２０１７−５４８２３９「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年１２月　６日国際公開、ＷＯ２０１８／２２０７９６、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　平成２９年　６月　１日　国際特許出願 
　平成２９年１０月　５日　拒絶理由通知書（同年１０月１７日発送） 
　平成２９年１１月３０日　意見書・手続補正書 
　平成３０年　１月　５日　拒絶査定（同年１月１６日送達） 
　平成３０年　２月２１日　審判請求書
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
　本願の請求項１−２に係る発明は、下記引用例１に記載された発明と引用例２−４に記載された周知技術に基づいて、また、本願の請求項３−６に係る発明は、引用例１に記載された発明と引用例２−５に記載された周知技術に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　記
・国際公開第２００５／０４５９１１号（以下「引用例１」という。）
・特開２００８−１８０８１３号公報（以下「引用例２」という。）
・HAH Jung Hwan、et.al.，Most Efficient Alternative Manner of Patterning sub-80nm Con　tact Holes and Trenches with 193nm Litho，Japanese Journal of Applied Physics，日本　，応用物理学会，２００４年　６月２９日，Vol.43、No.6B，pp.3663〜3667　（以下「引用例３」という。）
・CHEN Wei-Su、et.al.，Sub-10nm Contact Holes with Aspect Ratio over Sixty Formed by　E-beam Resist Shrinkage Techniques，Proc. Of SPIE，米国，SPIE，２００７年　　３月２２日，Vol.6519，pp651945-1〜651945-12（以下「引用例４」という。　）
・特開２０１３−１３３４７１号公報（以下「引用例５」という。）
第３　本願発明
　本願の請求項１−６に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明６」という。）は、平成２９年１１月３０日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−６に記載された事項により特定される発明であり、それぞれ以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　基板の上面にレジストを塗布する工程と、
　前記レジストに開口部を形成する工程と、
　前記レジストの上に熱収縮するシュリンク剤を塗布し、前記開口部を埋め込むシュリンク剤塗布工程と、
　前記シュリンク剤を加熱し熱収縮させることで、前記開口部の幅を狭める収縮工程と、
　前記収縮工程の後に前記シュリンク剤を除去する除去工程と、
　前記除去工程の後に、前記レジストの上と前記開口部にメタル層を形成するメタル層形成工程と、
　前記メタル層のうち前記レジストの上の部分と、前記レジストと、を除去する工程と、
　を備え、
　前記収縮工程では、前記開口部を形成する前記レジストの側面が、前記レジストの厚さ方向の中央部において前記開口部の中心部に向かって突出した曲面を形成し、
　前記除去工程では、水洗処理により前記シュリンク剤を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項２】
　前記シュリンク剤は、前記レジストと反応しないことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項３】
　前記メタル層形成工程の前に、前記シュリンク剤塗布工程と、前記収縮工程と、前記除去工程と、を繰り返し実施することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項４】
　前記レジストの厚さは前記メタル層の厚さの２倍以上であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項５】
　前記メタル層形成工程では、前記メタル層の材料を前記基板の上面に垂直な方向から堆積させることで、前記メタル層が形成されることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項６】
　前記開口部に形成されたメタル層の底面の幅は、前記開口部の前記基板上の幅よりも狭いことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。」
第４　引用例、引用発明等
１　引用例１
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例１には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
ア　「請求の範囲
［１］　
基板上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、
　
上記マスク層に開口部を形成する開口部形成工程と、
　
上記基板上およびマスク層上に薄膜層を形成する薄膜層形成工程と、
　
上記マスク層および／または該マスク層上に形成された薄膜層を基板から剥離する剥離工程とを含むパターン形成方法であって、
　
上記開口部形成工程は、乾式条件下で行われる
パターン形成方法。
…
［１６］　上記
マスク層は、
液状のレジストを塗布する、または、基板上にフィルム状のレジストを積層することにより形成される
…
［２４］　上記
薄膜層は、金属
である
イ　「技術分野
［０００１］　本発明は、パターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路、並びにこれを用いたＰＤＰ等の電子機器に関するものである。より詳しくは、例えば、
半導体集積回路
に用いられる薄膜からなる回路パターン
ウ　「 ［０００４］　しかしながら、このフォトリソグラフィ・エッチングプロセスを用いた方法は、図１５および図１６に示すように、多数の工程を繰り返して電子回路の回路パターンを完成させていくものである。図１５および図１６に示す方法では、基板５０上に金属薄膜５１を形成した後に、マスク層５２を形成し、露光・現像処理・エッチング・マスク層５２剥離を行い、さらに、絶縁層５３を形成した後に、マスク層５４の形成・露光・現像・エッチング・マスク層５４剥離を行っている。 
［０００５］　すなわち、この方法では、金属薄膜と絶縁層とからなる回路パターンを形成する度に、成膜・レジスト塗布・乾燥・露光・現像・エッチング・マスク層剥離等からなる約２２工程の非常に多数の工程数を必要とする。このため、製造コストが非常に高くなるという問題があった。さらに、この方法では、上記多数の工程の度に大量の現像液や、エッチング剤等の薬液および洗浄液を使用することとなる。これは、単に歩留まりが悪く製造コストが非常に高くなるということのみならず、昨今、重大な関心事となってきた廃液の処理などの環境負荷が非常に大きいという問題があった。」
エ　「発明を実施するための最良の形態
…
［００５５］　また、マスク層を乾式条件によって逆テーパ形状またはオーバーハング形状に加工する方法は、上記マスク層を２層形成する方法の他に、第１のレーザ光の焦点を変えて２回照射する方法によって行うこともできる。この工程を図４に示し、具体的に説明する。まず、基板１上に液状のレジストを塗布する、またはフィルム状のレジストを積層してマスク層２を形成する（図４（ａ））。そして、マスク層２側から第１のレーザ光を照射することにより、マスク層２は順テーパ形状に加工される（図４（ｂ））。その後、第1のレーザ光の焦点を基板１側に移動させて再度レーザ光を照射する。これにより、マスク層２の開口パターンの断面形状は、順テーパ形状の途中から逆テーパ形状に加工された形状となる（図４（ｃ））。これは、１回目のレーザ光照射にて順テーパ形状に加工されているため、２回目のレーザ光照射の際にはレーザ光のエネルギーを吸収するレジストがなく、基板１面に近い焦点近傍で横方向のレジストにエネルギーが加えられるためである。そして、回路パターンを形成するための薄膜３を成膜する（図１（ｄ）・図４（ｄ））。
［００５６］　したがって、例えば、基板１とマスク層２との間に、第１のレーザ光を透過しない無機材料薄膜（レーザ光無透過薄膜）、特に反射性の薄膜材料(反射性薄膜)が形成されているような場合には、上記原理を効率的に利用することができる。すなわち、基板１とマスク層２との間にこのようなレーザ光無透過薄膜がある場合には、第１のレーザ光の焦点位置をあらかじめ基板１側にずらしておけば、照射した第１のレーザ光は、レーザ光無透過膜によってマスク層２の基板側部分で横方向のレジストにエネルギーを加えることができる。さらに、反射性薄膜がある場合には、反射の効果でマスク層２をより一層加工することができ、マスク層２はその裾野がより大きくなるように加工される。その結果、第１のレーザ光を１回照射するだけで、
開口パターンの断面形状が
順テーパ形状の途中から逆テーパ形状となる
オ　図１、図２、図４は以下のとおりである。
（２）上記（１）の記載によれば、引用例１には、以下の発明が記載されている。
「基板上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、 
　上記マスク層に開口部を形成する開口部形成工程と、 
　上記基板上およびマスク層上に薄膜層を形成する薄膜層形成工程と、
　上記マスク層および／または該マスク層上に形成された薄膜層を基板から剥離する剥離工程とを含むパターン形成方法であって、 
　上記マスク層は、液状のレジストを塗布する、または、基板上にフィルム状のレジストを積層することにより形成され、
　上記薄膜層は、金属であり、
　上記パターンは、半導体集積回路に用いられる薄膜からなる回路パターンであり、
　上記マスク層の開口部は、その断面形状が順テーパ形状の途中から逆テーパ形状となり、
　上記開口部形成工程は、乾式条件下で行われるパターン形成方法。」（以下「引用発明」という。
２　引用例２について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例２には、以下の事項が記載されている。
ア　「【技術分野】
【０００１】
  本発明は、ホトリソグラフィ技術分野におけるパターン微細化用被覆形成剤及びそれを用いた微細パターンの形成方法に関する。さらに詳しくは、近年の半導体デバイスの高集積化、微小化に対応し得るパターン微細化用被覆形成剤及びそれを用いた微細パターンの形成方法に関する。」　
イ　「【背景技術】
…
【００１１】
  さらに、本出願人は、特許文献７〜１２（特開２００３-０８４４５９号公報、特開２００３-０８４４６０号公報、特開２００３-１０７７５２号公報、特開２００３-１４２３８１号公報、特開２００３-１９５５２７号公報、特開２００３-２０２６７９号公報）等において、パターン微細化用被覆形成剤及び微細パターンの形成方法に関する技術を提案している。これら特許文献７〜１２等に示す技術により、パターン寸法の制御性を向上し、微細化処理後のレジストパターンを良好な矩形形状とするなど、半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることが可能となった。
【００１２】
  これらのパターン微細化用被覆形成剤を用いた微細パターン形成技術では、まず、
基板上にホトレジスト層を設け、これを露光・現像してホトレジストパターンを形成する。次いで、基板全面に亘ってパターン微細化用被覆形成剤を被覆した後、加熱し、該パターン微細化用被覆形成剤の熱収縮作用を利用して、ホトレジストパターンを幅広とする
【００１３】
  すなわち上記パターン微細化では、ホトレジストパターン形成段階（第１段階）と、パターン微細化用被覆形成剤の熱収縮段階（第２段階）の、２つの段階でのレジストパターン寸法制御の影響を受ける。このような手法を用いたレジストパターンの形成においては、第１段階で形成したレジストパターン形状を、第２段階の熱収縮工程において、その形状を維持したまま均一な熱収縮率で収縮させることが必要である。
【００１４】
  しかしながら、パターンサイズが１００ｎｍ以下というオーダーの超微細化、高アスペクト比化したレジストパターンの微細化処理においては、微細化処理後のレジストパターン形状のより厳密な制御、及び微細化量のより厳密な管理が求められており、こうした状況下では、これらのパターン微細化用被覆形成剤を用いた微細パターン形成技術を用いた場合であっても、微細化処理後に、
レジストパターンのトップ部とボトム部の形状が僅かにラウンディングする（丸まる）等の形状の劣化が発生
ウ　「【発明を実施するための最良の形態】
…
【０１１４】
ｃ．被覆形成剤除去工程
  この後、ホトレジストパターンを有する基板上に
残留する被覆形成剤からなる塗膜は、水系溶剤、好ましくは純水により１０〜６０秒間洗浄することにより除去する
（２）引用例２には、以下の技術事項が開示されている。
「基板上にホトレジスト層を設け、これを露光・現像してホトレジストパターンを形成し、基板全面に亘ってパターン微細化用被覆形成剤を被覆した後、加熱し、該パターン微細化用被覆形成剤の熱収縮作用を利用して、ホトレジストパターンを幅広とすると、レジストパターンのトップ部とボトム部の形状が僅かにラウンディングする（丸まる）形状となること。」（以下「引用例２の技術事項」という。）
３　引用例３について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例３には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア
（当審訳）これらのプロセスは、予めパターニングされたものを化学的に縮小することにより、小さなコンタクトホールを形成するが、図２に示されるように、各プロセスのメカニズムは互いに異なる。サーマルフローでは、フォトレジストは、ガラス転位温度（Ｔｇ）より高い温度で、それ自身が縮小するが、他方、他の２つのプロセスは、被覆材料を用いる。ＲＥＬＡＣＳでは、フォトレジストのホールパターン中の追加的な材料が、フォトレジストと直接反応し、及び／又は、それ自体がフォトレジスト間の狭いギャップをクロスリンクする。ＳＡＦＩＥＲ材料は、フォトレジストと反応しないが、しかしそれを柔軟にする。穴を小さくするために、取り囲むフォトレジストが相互に近づくように、高い温度で、ＳＡＦＩＥＲ材料は熱収縮する。それ故、各プロセスは、固有の利点と欠点がある。
イ
（当審訳）図２　サーマルフロー、ＲＥＬＡＣＳ、ＳＡＦＩＥＲの縮小メカニズム
（２）上記（１）アの記載を踏まえて上記（１）イの図２を見ると、「ＳＡＦＩＥＲ材料の熱収縮を利用してフォトレジスト間のギャップを狭めるＳＡＦＩＥＲの技術を用いると、形成したコンタクトホールの断面形状は、トップ部とボトム部の形状が僅かにラウンディングすること。」（以下「引用例３の技術事項」という。）が看て取れる、
４　引用例４について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例４の図７及びその説明には、以下の事項が記載されている。
ア　　
（当審訳）図７　ＳＥＭプロファイルの断面　（ａ）はサンプルＰ１である現像後検査、（ｂ）はサンプルＰ２である１度のリフロー後検査、（ｃ）はサンプルＰ３である２度のリフロー後検査、（ｄ）はサンプルＰ４である１度のＳＡＦＩＲ後検査、（ｅ）はサンプルＰ５である２度のＳＡＦＩＲ後検査、（ｆ）はサンプルＰ６である３回のＳＡＦＩＲ後検査、コンタクトホールの初期のＣＤ（限界寸法）は、Ｌ／Ｓ＝１／３で１００ｎｍである。
（２）引用例４には、以下の技術事項が開示されている。
　図７の（ｄ）〜（ｆ）を見ると、「ＳＡＦＩＲにより形成したコンタクトホールの断面形状は、トップ部とボトム部がラウンディングすること」（以下「引用例４の技術事項」という。）が看て取れる。
５　引用例５について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された上記引用例５には、以下の事項が記載されている。
ア　「【技術分野】
【０００１】
  本技術は、微細化パターンを形成するための樹脂組成物に関する技術および樹脂組成物をフォトレジストのコーティング膜に用いることによって、半導体工程などで微細パターンを安定に形成する方法に関する。」
イ　「【背景技術】
…
【０００６】
一方、形成されたフォトレジストコンタクトホールパターンにＲＥＬＡＣＳ（クラリアント社製）、
ＳＡＦＩＥＲ（東京応化工業社製）などの機能性物質を用い、パターンのサイズを減少させる方法
充分に小さいコンタクトホールを獲得するためには数回工程を繰り返さないといけない
ウ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、半導体工程のフォトレジストのコンタクトホールパターンのサイズを効率よく減少することによって、微細なフォトレジストパターンを形成することのできる
水溶性樹脂組成物を提供すること
  また、本発明は、エッチング耐性が優れた前記水溶性樹脂組成物を用い、サイズが微細、かつ形状が安定したパターンの構造を有するフォトレジスト微細パターンを形成する方法を提供することにある。」
エ　「【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る微細パターン形成用の水溶性樹脂組成物は、コンタクトホールパターンが形成されているフォトレジスト膜上にノルボルネン基を含むモノマーおよび末端の酸素の部位に互いに異なる作用基を有する２種の（メタ）アクリレート基を含有するモノマーを含む溶液を重合し形成された共重合体を塗布した後、 
熱処理することによって前記コンタクトホールのサイズを減少させる
オ　「【発明を実施するための形態】
…
【００４５】
前述した水溶性樹脂組成物は、複数のコンタクトホールを含むフォトレジストパターンが形成されたウェハー基板上に塗布して乾燥することによって被膜を形成してもよい。前記水溶性樹脂組成物を製造して濾過した後、濾過された溶液を回転塗布、流し塗布、またはロール塗布などの方法でパターン上に塗布してもよい。このような方法によって塗布された水溶性樹脂組成物は、熱処理、すなわち、フォトレジストベイクをして架橋膜を形成し、コンタクトホールのサイズを縮小させる。一方、架橋されない水溶性樹脂組成物を水溶性溶媒、例えば、水で除去してもよい。」
オ　「【００８３】
［実施形態２］
  前記合成例１で獲得された（式２）の樹脂３．０ｇを蒸留水９５．０ｇとイソプロピルアルコール（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌａｌｃｏｈｏｌ）５ｇの混合溶媒に十分に溶解させた後、０．２μｍの膜フィルタで濾過して水溶性樹脂組成物（フォトレジストパターンコーティング用の組成物）を製造した。前記水溶性樹脂組成物をコンタクトホールパターンの形成されたウェハー上にスピンコーティングして薄膜を形成した後、１５０℃のオーブンで６０秒間熱処理して架橋反応を促進させた。続いて、
脱イオン水で６０秒間リンスして回転させながら架橋反応が行われない水溶性樹脂組成物を除去した
（２）引用例５には、以下の２つの技術事項が開示されている。
　「ＳＡＦＩＥＲの技術を用いて十分に小さなコンタクトホールを形成するには、数回繰り返す必要があること。」（以下「引用例５の技術事項１」という。）
　「コンタクトホールパターンが形成されているフォトレジスト膜上にノルボルネン基を含むモノマーおよび末端の酸素の部位に互いに異なる作用基を有する２種の（メタ）アクリレート基を含有するモノマーを含む溶液を重合し形成された共重合体（水溶性樹脂組成物）を塗布した後、 熱処理することによって架橋反応を促進させて前記コンタクトホールのサイズを減少させ、架橋反応が行われない水溶性樹脂組成物は脱イオン水でリンスして回転させながら除去すること。」（以下「引用例５の技術事項２」という。）
　
第５　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
ア　本願発明１の「基板の上面にレジストを塗布する工程」と、引用発明の「基板上にマスク層を形成するマスク層形成工程」であって、「上記マスク層は、液状のレジストを塗布する、または、基板上にフィルム状のレジストを積層することにより形成され」る「マスク層形成工程」を対比する。
　引用発明の「基板」は本願発明１の「基板」に相当し、引用発明の「マスク層を形成する」ことは本願発明１の「レジストを塗布する」ことに相当する。
　してみると、両者は相当関係にある。
イ　本願発明１の「前記レジストに開口部を形成する工程」と、引用発明の「上記マスク層に開口部を形成する開口部形成工程」であって、「上記マスク層は、液状のレジストを塗布する、または、基板上にフィルム状のレジストを積層することにより形成され」る「開口部形成工程」を対比する。
　引用発明の「マスク層」は、本願発明１の「レジスト」に相当する。してみると、両者は相当関係にある。
ウ　本願発明１の「前記除去工程の後に、前記レジストの上と前記開口部にメタル層を形成するメタル層形成工程」と、引用発明の「上記基板上およびマスク層上に薄膜層を形成する薄膜層形成工程」であって、「上記薄膜層は、金属であ」る「薄膜層形成工程」を対比する。
　引用発明の「マスク層上」は本願発明１の「レジストの上」に相当し、以下同様に、「基板上」は「開口部」に、「薄膜層」は「メタル層」に、それぞれ相当する。
　してみると、両者は、「前記レジストの上と前記開口部にメタル層を形成するメタル層形成工程」の点で一致する。
エ　本願発明１の「前記メタル層のうち前記レジストの上の部分と、前記レジストと、を除去する工程」と、引用発明の「上記マスク層および／または該マスク層上に形成された薄膜層を基板から剥離する剥離工程」を対比する。
　引用発明の「マスク層」は本願発明１の「レジスト」に相当し、以下同様に「マスク層上に形成された薄膜層」は「メタル層のうち前記レジストの上の部分」に、「基板から剥離する」ことは「除去する」ことに、それぞれ相当する。
　してみると、両者は相当関係にある。
オ　本願発明１の「前記収縮工程では、前記開口部を形成する前記レジストの側面が、前記レジストの厚さ方向の中央部において前記開口部の中心部に向かって突出した曲面を形成」することと、引用発明の「上記マスク層の開口部は、その断面形状が順テーパ形状の途中から逆テーパ形状」であることを対比する。
　引用発明の「断面形状が順テーパ形状の途中から逆テーパ形状」であることは、本願発明１の「厚さ方向の中央部において前記開口部の中心部に向かって突出した極面」であることに相当する。
　してみると、両者は、「前記開口部を形成する前記レジストの側面が、前記レジストの厚さ方向の中央部において前記開口部の中心部に向かって突出した曲面」である点で一致する。
カ　本願発明１の「半導体装置の製造方法」と、引用発明の「半導体集積回路に用いられる薄膜からなる回路パターン」「形成方法」を対比する。
　半導体集積回路に用いられる薄膜からなる回路パターンを形成する方法は、半導体装置を製造する方法に相当する。してみると、両者は相当関係にある。
キ　以上によれば、本願発明１と引用発明は、
「基板の上面にレジストを塗布する工程と、
　前記レジストに開口部を形成する工程と、
　前記レジストの上と前記開口部にメタル層を形成するメタル層形成工程と、
　前記メタル層のうち前記レジストの上の部分と、前記レジストと、を除去する工程と、
　を備え、
　前記開口部を形成する前記レジストの側面が、前記レジストの厚さ方向の中央部において前記開口部の中心部に向かって突出した曲面を形成する、
　半導体装置の製造方法。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
相違点：本願発明１は、「前記レジストの上に熱収縮するシュリンク剤を塗布し、前記開口部を埋め込むシュリンク剤塗布工程と、前記シュリンク剤を加熱し熱収縮させることで、前記開口部の幅を狭める収縮工程と、前記収縮工程の後に前記シュリンク剤を除去する除去工程と、」を有し、前記収縮工程で「前記開口部を形成する前記レジストの側面が、前記レジストの厚さ方向の中央部において前記開口部の中心部に向かって突出した曲面を形成する」を形成し、「前記除去工程では、水洗処理により前記シュリンク剤を除去する」のに対し、引用発明は、「前記開口部を形成する前記レジストの側面が、前記レジストの厚さ方向の中央部において前記開口部の中心部に向かって突出した曲面を形成する」ものの、「シュリンク剤塗布工程」、「収縮工程」、「水洗処理により前記シュリンク剤を除去する」「除去工程」を有するものではない点。
（２）相違点についての判断
　ＳＡＦＩＥＲの技術は、ＳＡＦＩＥＲ材料の熱収縮を利用してフォトレジスト間のギャップを狭める技術である（引用例３の技術事項参照。）ところ、「パターン微細化用被覆形成剤の熱収縮作用を利用」する引用例２の技術事項もまた、ＳＡＦＩＥＲの技術を用いるものである。そして、引用例２の背景技術を説明する【００１１】に記載された特許文献によれば、ＳＡＦＩＥＲの技術は湿式条件下で行う処理を含む技術である（例えば、
ア　特開２００３-０８４４５９号公報の【請求項４】には、「水溶性樹脂被膜を水洗除去する工程」が記載され、
イ　特開２００３-０８４４６０号公報の【請求項４】には、「水溶性樹脂被膜を水洗除去する工程」が記載され、
ウ　特開２００３-１０７７５２号公報には、「【０００７】【課題を解決するための手段】…収縮後の水洗により残留分を生じることなく水溶性樹脂被覆を除去しうる」ことが記載され、
エ　特開２００３-１４２３８１号公報には、「【００６０】この後、パターン上に残留する被覆形成剤からなる塗膜は、水系溶剤、好ましくは純水により１０〜６０秒間洗浄することにより除去する」ことが記載され、
オ　特開２００３-１９５５２７号公報には、「【００６２】この後、パターン上に残留する被覆形成剤からなる塗膜は、水系溶剤、好ましくは純水により１０〜６０秒間洗浄することにより除去する」ことが記載され、
カ　特開２００３-２０２６７９号公報には、「【００６３】この後、パターン上に残留する被覆形成剤からなる塗膜は、水系溶剤、好ましくは純水により１０〜６０秒間洗浄することにより除去する」ことが記載されている。）。してみると、引用例２の技術事項〜引用例４の技術事項、引用例５の技術事項１は、何れも湿式条件下で行う処理を含むものと解される。
　また、引用例５の技術事項２は、「架橋反応が行われない水溶性樹脂組成物は脱イオン水でリンスして回転させながら除去する」であるから、湿式条件下で行う処理含むものと解される。
　他方、引用例１は「［０００５］…廃液の処理などの環境負荷が非常に大きいという問題」を解決するものであって、引用発明は「乾式条件下で行われる」ことを特定事項として含むものである。そうすると、乾式条件下で行う引用発明において、湿式条件下で行う引用例２の技術事項〜引用例４の技術事項、引用例５の技術事項１、あるいは引用例５の技術事項２を採用することは、阻害要因があって当業者が容易に為し得るものではない。したがって、本願発明１は、当業者であっても引用発明と引用例２の技術事項〜引用例４の技術事項、引用例５の技術事項１、あるいは、引用例５の技術事項２に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
                
２　本願発明２−６について
　本願発明２−６は、本願発明１の発明特定事項を全て備えるものであるから、本願発明１と同様の理由により、引用発明と引用例２の技術事項〜引用例４の技術事項、引用例５の技術事項１、あるいは、引用例５の技術事項２に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明１−６は、当業者が引用発明と引用例２の技術事項〜引用例４の技術事項、引用例５の技術事項１、あるいは、引用例５の技術事項２に基づいて容易に発明をすることができたものではない。したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。