【事件の表示】
　特願２０１８−　９７８７７「ウェハ加工方法及びウェハ加工システム」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　８月２３日出願公開，特開２０１８−１３３５９３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年６月１３日に出願された特願２０１１−１３１４９１号（以下，「原出願」という。）の一部を平成２７年１０月１３日に新たな特許出願（特願２０１５−２０２０３２号）とし，さらに，その一部を平成２８年７月４日に新たな特許出願（特願２０１６−１３２２６４号）とし，さらに，その一部を平成２９年２月１６日に新たな特許出願（特願２０１７−２６９３９号）とし，さらに，その一部を同年６月２７日に新たな特許出願（特願２０１７−１２５５２６号）とし，さらに，その一部を平成３０年５月２２日に新たな特許出願としたものであって，同年６月１１日付け拒絶理由通知に対し，同年６月２８日に意見書が提出されるとともに手続補正がされたが，同年７月５日付けで拒絶査定（以下，「原査定」という。）がされ，これに対し，同年１０月５日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされ，その後，同年１１月１９日付け拒絶理由通知に対し，平成３１年１月１８日に意見書が提出されるとともに手続補正（以下，「本件補正」という。）がされたものである。
第２　本願発明
　本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　ウェハをチップに分割するための切断ラインに沿って，前記ウェハのデバイス面とは反対側の裏面側からレーザ光を照射して前記ウェハの内部に設定した目標面と前記ウェハの裏面との間にレーザ改質領域を形成する改質領域形成工程と，
　前記ウェハのデバイス面の略全面を吸着するチャックに保持した状態で，前記ウェハをチップ毎に分割することなく，前記ウェハの裏面から前記目標面まで研削砥石を用いて研削して前記ウェハを薄化する研削工程と，
　前記研削が行われた後，前記ウェハに新たな分割起点を形成することなく，前記ウェハに外力を加えることにより前記ウェハをチップ毎に分割する分割工程と，
　を備えるウェハ加工方法。」
第３　拒絶の理由
　平成３０年１１月１９日付け拒絶理由（以下，「当審拒絶理由」という。）の概要は以下のとおりである。
１．（新規性）この出願の下記の請求項に係る発明は，原出願の前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
２．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，原出願の前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，原出願の前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項　１−４
・引用文献等　１−４
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞ 
１．特開２００９−２９００５２号公報 
２．特開２０００−２６０７３８号公報 
３．特開２０００−２５４８５７号公報 
４．特開２００７−２３５０６９号公報 
第４　引用文献の記載，引用発明及び周知技術
１　引用文献１の記載及び引用発明
（１）　当審拒絶理由で引用された引用文献１（特開２００９−２９００５２号公報）には，図面とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で加筆した。以下，同じ。）。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを，ストリートに沿って分割するウエーハの分割方法に関する。」
イ　「【背景技術】
【０００２】
　半導体デバイス製造工程においては，略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され，この区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ，液晶ドライバー，フラッシュメモリ等のデバイスを形成する。そして，ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
【０００３】
　上述したウエーハのストリートに沿って分割する方法として，ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い，分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。
このレーザー加工方法を用いた分割方法は，ウエーハの一方の面側から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し，ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を連続的に形成し，この変質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加えることにより，ウエーハを破断して分割するものであり，ストリートの幅を狭くすることが可能となる
例えば，特許文献１参照
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
ウ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　而して，
ストリートの表面に金属膜，フッ化シリケートグラス膜，シリコン酸化膜系パシベーション膜(SiO2,SiON)，ポリイミド(PI)系高分子化合物膜，フッ素系高分子化合物膜，フッ素化アモルファスカーボン系化合物膜が被覆されているウエーハにおいては，内部に集光点を合わせてウエーハ基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し，ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成することにより，ウエーハ基板を分割することはできるが，ストリートの表面に被覆された膜は分割できないという問題がある
【０００５】
　本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり，
その主たる技術的課題は，ストリートの表面に膜が被覆されたウエーハを，膜を残すことなく分割することができるウエーハの分割方法を提供すること
・・・
【発明の効果】
【０００８】
　本発明におけるウエーハの分割方法によれば，基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程とウエーハの基板に形成されたストリートの表面に被覆された膜をストリートに沿って分断する膜分断工程を実施し後に，ウエーハに外力を付与してウエーハをストリートに沿って破断するので，ウエーハをストリートに沿って破断する際には膜はストリートに沿って分断されているため，膜が破断されずに残ることはない。」
エ　「【００１０】
　図１には本発明によるウエーハの分割方法によって分割されるウエーハの斜視図が示されており，図２には図１に示すウエーハの要部を拡大した断面図が示されている。図１および図２に示す
ウエーハ２は，例えば厚さが６００μmのシリコン基板２１の表面２１ａに格子状に形成された複数のストリート２２によって複数の領域が区画され，この区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ，液晶ドライバー，フラッシュメモリ等のデバイス２３が形成されている
このウエーハ２には，図２に示すようにストリート２２およびデバイス２３を含む表面２１ａに図示の実施形態においてはポリイミド(PI)系高分子化合物膜２４が被覆されている
【００１１】
　上述したウエーハ２を個々のデバイス２３に分割するウエーハの分割方法の
第１の実施形態
　
第１の実施形態においては，先ずウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１bを研削し，ウエーハ２を所定の厚さに形成する裏面研削工程を実施する
【００１２】
　裏面研削工程は，図４の(a)に示す研削装置４を用いて実施する。図４の（ａ）に示す研削装置４は，被加工物を保持するチャックテーブル４１と，該チャックテーブル４１に保持された被加工物を研削するための研削砥石４２を備えた研削手段４３を具備している。
この研削装置４を用いて上記裏面研削工程を実施するには，チャックテーブル４１上にウエーハ２の保護テープ３側を載置し，図示しない吸引手段を作動することによりウエーハ２をチャックテーブル４１上に保持する
研削手段４３の研削砥石４２を
回転しつつ半導体ウエーハ２の裏面２ｂ（審決注；「裏面２１ｂ」の誤記であると認められる。）に接触せしめて研削する
【００１３】
　
次に，上述した裏面研削工程が実施されたウエーハ２の基板２１に対して
変質層を形成する変質層形成工程を実施する
【００１８】
　・・・この変質層形成工程においては，パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の厚さ方向中間部に位置付ける。この結果，ウエーハ２の基板２１には，図６の（b）および図７に示すようにストリート２２に沿って厚さ方向中間部に変質層２１０が形成される。
このようにウエーハ２の基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層２１０が形成されると，基板２１には図７に示すように変質層２１０から表面２１aおよび裏面２１bに向けてストリート２２に沿ってクラック２１１が発生する
・・・
【００２２】
　以上のようにしてウエーハ支持工程および保護テープ剥離工程を実施したならば，
上記ウエーハ２を構成する基板２１の表面２１ａに被覆された高分子化合物膜２４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側からストリート２２に沿って高分子化合物膜２４に照射してレーザー加工溝を形成し，高分子化合物膜２４をストリートに沿って分断する膜分断工程を実施する
なお，レーザー光線照射手段５２は，高分子化合物膜２４に対して吸収性を有する波長（例えば，３５５ｎｍ）のパルスレーザー光線を発振するパルスレーザー光線発振手段を備えている
・・・
【００２５】
　・・・次に，レーザー光線照射手段５２の集光器５２２からウエーハ２の高分子化合物膜２４に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５１を図１０の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして，図１０の（ｂ）で示すようにストリート２２の他端（図１０の（ｂ）において右端）が集光器５２２の直下位置に達したら，パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の移動を停止する。
この膜分断工程においては，パルスレーザー光線の集光点Ｐをウエーハ２の表面に被覆された高分子化合物膜２４の表面（上面）付近に合わせる
【００２６】
　
上述した膜分断工程を実施することにより，図１１に示すように高分子化合物膜２４にはストリート２２に沿って基板２１に達するレーザー加工溝２４０が形成される
この結果，ストリート２２に被覆された高分子化合物膜２４は，レーザー加工溝２４０によってストリート２２に沿って分断される
この膜分断工程においては，高分子化合物膜２４はレーザー加工するが直ちに昇華され，シリコンからなる基板２１は加工しないので，レーザー加工によるデブリの発生が抑制される
【００２７】
　なお，上記膜分断工程は，例えば以下の加工条件で行われる。
　レーザー光線の光源　：LD励起QスイッチNd:YVO4レーザー
　
波長　　　　　　　　：３５５ｎｍ
　平均出力　　　　　　：１Ｗ
　パルス幅　　　　　　：４０ns
　繰り返し周波数　　　：５０ｋＨｚ
　
集光スポット径　　　：φ５μｍ
　加工送り速度　　　　：１００ｍｍ／秒」
オ　「【００３１】
　以上のように構成されたテープ拡張装置６を用いて実施するウエーハ破断工程について図１３を参照して説明する。即ち，ウエーハ２（ストリート２２に沿って基板２１にクラック２１１が形成されているとともに高分子化合物膜２４にレーザー加工溝２４０が形成されている）の裏面２１ｂが貼着されているダイシングテープTが装着された環状のフレームFを，図１３の（ａ）に示すようにフレーム保持手段６１を構成するフレーム保持部材６１１の載置面６１１ａ上に載置し，クランプ６１２によってフレーム保持部材６１１に固定する。このとき，フレーム保持部材６１１は図１３の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に，テープ拡張手段６２を構成する支持手段６３としての複数のエアシリンダ６３１を作動して，環状のフレーム保持部材６１１を図１３の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って，フレーム保持部材６１１の載置面６１１ａ上に固定されている環状のフレームFも下降するため，図１３の（ｂ）に示すように
環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム６２１の上端縁に接して拡張せしめられる
この結果，ダイシングテープTに貼着されているウエーハ２には放射状に引張力が作用するため，ウエーハ２の基板２１は変質層２１０およびクラック２１１が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２２に沿って破断され個々のデバイス２３に分割される
このとき，ウエーハ２の基板２１の表面に被覆されている高分子化合物膜２４はストリート２２に沿って形成されたレーザー加工溝２４０によって分断されているので，破断されずに残ることはない
【００３２】
　次に，本発明によるウエーハの分割方法の
第２の実施形態
　
第２の実施形態においては，先ずウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハ２の裏面側から基板２１の内部に集光点を位置付けてストリート２２に沿って照射し，基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する
この変質層形成工程を実施するに際し，ウエーハ２の表面に形成されたデバイス２３を保護するために，上記図３の(a)および(b)に示すようにウエーハ２の表面２１ａに塩化ビニール等からなる保護テープ３を貼着する（保護テープ貼着工程）
この結果，図１４に示すようにウエーハ２の基板２１には，内部にストリート２２に沿って変質層２１０が形成されるとともに，変質層２１０から表面２１aおよび裏面２１bに向けてクラック２１１が発生する
【００３３】
　
上述した変質層形成工程を実行したならば，ウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１bを研削し，ウエーハ２を所定の厚さに形成する裏面研削工程を実施する
この裏面研削工程は，図４の(a)に示す研削装置４を用いて上記第１の実施形態における裏面研削工程と同様に実施する
この結果，図１５に示すようにウエーハ２は，基板２１の裏面２１bが研削されて所定の厚さ（例えば１００μm）に形成される
上記変質層形成工程において形成される変質層２１０をウエーハ２の表面２a（審決注；「表面２１ａ」の誤記であると認められる。）から例えば１００μmの位置より裏面２ｂ（審決注；「裏面２１ｂ」の誤記であると認められる。）に形成することにより，上記裏面研削工程を実施することにより変質層２１０が形成された位置まで研削され，変質層２１０は除去される
従って，ウエーハ２の基板２１には，図１５に示すようにストリート２２に沿って形成されたクラック２１１が残される
【００３４】
　次に，上述した裏面研削工程が実施されたウエーハ２の裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。このウエーハ支持工程は，上記図８に示すウエーハ支持工程と同様に実施し，ウエーハ２における基板２１の表面２１aに貼着されている保護テープ３を剥離する（保護テープ剥離工程）。
【００３５】
　上述したウエーハ支持工程および保護テープ剥離工程を実施したならば，
上記ウエーハ２を構成する基板２１の表面２１ａに被覆された高分子化合物膜２４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側からストリート２２に沿って高分子化合物膜２４に照射してレーザー加工溝を形成し，高分子化合物膜２４をストリートに沿って分断する膜分断工程を実施する
【００３６】
　
上記膜分断工程を実施したならば，ウエーハ２に外力を付与しウエーハ２をストリート２２に沿って破断するウエーハ破断工程を実施する
この結果，ウエーハ２の基板２１はクラック２１１が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２２に沿って破断され個々のデバイス２３に分割される
このとき，
高分子化合物膜２４は上述したようにストリート２２に沿って形成されたレーザー加工溝２４０によって分断されているので，破断されずに残ることはない
【００３７】
　上述した実施形態においては，上記裏面研削工程でウエーハ２の基板２１の裏面を研削して変質層２１０が除去されており，ウエーハ２は基板２１に形成されたクラック２１１に沿って破断される。従って，個々の分割されたデバイス２３の破断面には変質層２１０が残存しないため，デバイス２３の抗折強度が向上する。」
カ　【図４】は，「第１の実施形態における裏面研削工程を示す説明図」であって，当該「裏面研削工程」は，「第２の実施形態」でも同様に実施される工程であり（上記オ【００３３】），その「（ａ）」によれば，ウエーハ２と接するチャックテーブル４１の面積は，ウエーハ２よりも大きいことが理解できる。
（２）　引用発明
　上記（１）によれば，引用文献１には，「第２の実施形態」に係る発明として，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　「ウエーハの分割方法であって，
　ウエーハ２はシリコン基板２１の表面２１ａに格子状に形成された複数のストリート２２によって複数の領域が区画され，この区画された領域にデバイス２３が形成され，前記ストリート２２および前記デバイス２３を含む表面２１ａをポリイミド(PI)系高分子化合物膜２４が被覆するものであり，
　前記ウエーハ２の表面２１ａに形成された前記デバイス２３を保護するために，保護テープ３を貼着する工程と，
　前記ウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長のレーザー光線を前記ウエーハ２の裏面側から前記基板２１の内部に集光点を位置付けて前記ストリート２２に沿って照射し，前記ウエーハ２の基板２１の内部に，前記ストリート２２に沿って変質層２１０を形成するとともに，当該変質層２１０から表面２１ａおよび裏面２１ｂに向けてクラック２１１を発生させる変質層形成工程と，
　研削装置４のチャックテーブル４１上に保護テープ３側を載置して吸引手段を作動することにより前記ウエーハ２を前記チャックテーブル４１上に保持し，研削砥石４２を前記ウエーハ２の裏面２１ｂに接触せしめて前記変質層２１０が形成された位置まで研削して当該変質層２１０を除去し，前記ウエーハ２を所定の厚さに形成する裏面研削工程と，
　前記裏面研削工程が実施された前記ウエーハ２の裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着し，前記ウェーハ２の表面２１ａに貼着されている前記保護テープ３を剥離する工程と，
　前記ウエーハ２の基板２１の表面２１ａに被覆された前記ポリイミド(PI)系高分子化合物膜２４に対して吸収性を有する波長である３５５ｎｍの波長のレーザー光線を前記ウエーハ２の表面側から前記ストリート２２に沿って前記ポリイミド(PI)系高分子化合物膜２４の表面（上面）付近に，集光スポット径がφ５μｍとなるように集光点を合わせて照射してレーザー加工溝２４０を形成し，前記ポリイミド(PI)系高分子化合物膜２４を前記ストリート２２に沿って分断する，前記ポリイミド(PI)系高分子化合物膜２４はレーザー加工されるが直ちに昇華され，シリコンからなる前記基板２１は加工されず，レーザー加工によるデブリの発生が抑制される膜分断工程と，
　前記環状のフレームに装着された前記ダイシングテープを拡張ドラムの上端縁に接して拡張させることで，前記ダイシングテープに貼着されている前記ウエーハ２に放射状に引張力を作用させて，前記ウエーハ２の基板２１を前記クラック２１１が形成されることによって強度が低下せしめられた前記ストリート２２に沿って破断し，個々のデバイス２３に分割するウエーハ破断工程と，
　を備えるウエーハの分割方法。」
２　周知技術
（１）　引用文献２
　当審拒絶理由で引用された引用文献２（特開２０００−２６０７３８号公報）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体基板の研削加工技術および半導体装置ならびに半導体装置の製造技術に関し，特に，携帯電話やモバイルパソコン，ＩＣカード等の携帯型情報処理機器等に利用し得る電子部品，電子機器等の半導体装置の製造に用いられる
半導体基板の平面研削仕上げ加工技術等に適用して有効な技術に関する
イ　「【００２７】図４に例示されるように，
個々のワークテーブル４０は，
このテーブル本体４１におけるウェーハ９０の載置面に設けられ，多孔質のセラミックス等からなる平坦な吸着板４２と，吸着板４２の背面側に連通し，外部の図示しない排気ポンプ等に接続されることによって吸着板４２に吸着力を発生させる吸引路４３，等で構成されている
【００２８】この場合，ワークテーブル４０における吸着板４２の外径寸法は，吸着対象のウェーハ９０の外径よりも片側でわずかなΔｄ（たとえば0.１ｍｍ以下）だけ小さく設定され，
ウェーハ９０のほぼ全面が吸着板４２に接触することによって均一な吸着力にて確実に吸着保持される構造となっている
（２）　引用文献３
　当審拒絶理由で引用された引用文献３（特開２０００−２５４８５７号公報）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は平面加工装置及び平面加工方法に係り，
特に半導体ウェーハの製造工程で，チップが形成されていない半導体ウェーハの裏面を研削加工する平面加工装置及び平面加工方法に関する
イ　「【００３７】本実施の形態のチャック３２，３６，３８，４０は，その吸着面がセラミックス等の焼結体からなるポーラス材１２４で形成されている。また，連結部材１１２が凹部１２２に連結されると，同時に図示しない流体継手が連結され，
該流体継手に連結された図示しないサクションポンプの吸引力がエア通路１２６を介してポーラス材１２４に作用し，これによってウェーハ２８がポーラス材の表面にしっかりと吸着保持される
（３）　引用文献４
　当審拒絶理由で引用された引用文献４（特開２００７−２３５０６９号公報）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，ウェーハ加工方法に係り，特に，
半導体ウェーハの平面加工からチップサイズに切断されたウェーハのマウントまでを欠陥なく行うのに好適なウェーハ加工方法に関する
イ　「【００４４】
　
チャック１３２は，インデックステーブル１３４に設置され
・・・
【００５０】
　本実施の形態のチャック１３２，１３６，１３８，１４０は，その吸着面がセラミックス等の焼結体からなるポーラス材で形成されている。
これによってウェーハＷがポーラス材の表面にしっかりと吸着保持される
・・・
【００５４】
　
厚さが測定されたウェーハＷは，インデックステーブル３４の
粗研削ステージ１１８に位置され，粗研削ステージ１１８のカップ型砥石１４６によってウェーハＷの裏面が粗研削される
【００５７】
　粗研削ステージ１１８で裏面が粗研削されたウェーハＷは，ウェーハＷからカップ型砥石１４６が退避移動した後，図示しない厚さ測定ゲージによってその厚さが測定される。厚さが測定された
ウェーハＷは，インデックステーブル１３４の同方向の９０度の回動で精研削ステージ１２０に位置され，精研削ステージ１２０のカップ型砥石１５４によって精研削
ウ　「【００８６】
　ウェーハマウント装置１０Ｄへは，全面吸着式の搬送装置４１の吸着パッド４２により，レーザーダイシング後のウェーハＷが搬送されてくる。
ウェーハＷは，既述したように，表面に形成されたパターンを保護する保護用シート２１が貼着され
・・・
【０１０１】
　
このエキスパンダ１３へは，搬送装置３９により保護シート２１が剥離された後のウェーハＷが搬送される
これにより，ウェーハＷは個々のチップＴに分割される
（４）　上記（１）ないし（３）によれば，ウェハの研削を行う際に，該ウェハの略全面を吸着するチャックに保持した状態とすることは，原出願時において，周知技術であったと認められる。
第５　対比
１　本願発明と引用発明の対比
　本願発明と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
（１）　引用発明の「ウエーハ２」は，本願発明の「ウェハ」に相当する。
（２）　引用発明の「ウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長のレーザー光線」，「ストリート２２」，「変質層２１０」，「研削砥石４２」，「表面２１ａ」，「裏面２１ｂ」及び「チャックテーブル４１」は，それぞれ，本願発明の「レーザ光」，「切断ライン」，「レーザ改質領域」，「研削砥石」，「デバイス面」，「裏面」及び「チャック」に相当する。
（３）　引用発明の「裏面研削工程」では，「研削砥石４２を前記ウエーハ２の裏面２１ｂに接触せしめて前記変質層２１０が形成された位置まで研削して当該変質層２１０を除去」しているから，「当該変質層２１０を除去」した「ウエーハ２」の裏面は，「当該変質層２１０を除去」するための「目標面」であるということができる。
（４）　また，引用発明の「裏面研削工程」では，「チャックテーブル４１上に保護テープ３側を載置して吸引手段を作動することにより前記ウエーハ２を前記チャックテーブル４１上に保持し」ており，その具体的な実施形態において，「ウエーハ２」と接する「チャックテーブル４１」の面積は，「ウエーハ２」よりも大きいから（上記第４の１（１）カ），引用発明では，「ウエーハ２」の「表面２１ａ」の略全面を吸着する「チャックテーブル４１」に保持した状態で研削しているということができる。
（５）　引用発明は，「変質層形成工程」において，「ウエーハ１２の基板２１に対して透光性を有する波長のレーザー光線」を「ストリート２２」に沿って照射することにより，ウエーハ２の基板２１の内部に，「変質層２１０」を形成するとともに「クラック２１１」を発生させ，「裏面研削工程」において，前記「変質層２１０」を除去し，「膜分断工程」において，基板２１の表面２１ａを被覆する「ポリイミド(PI)系高分子化合物膜」に「レーザー加工溝２４０」を形成し，その後，「ウエーハ破断工程」において，「ウエーハ２の基板２１を前記クラック２１１が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２２に沿って破断し，個々のデバイス２３に分割する」ものである。
　そして，前記「膜分断工程」は，レーザー光線を，ポリイミド(PI)系高分子化合物膜の表面（上面）付近に，集光スポット径がφ５μｍとなるように集光点を合わせて，前記高分子化合物膜を直ちに昇華させるとともにシリコンからなる基板を加工せず，デブリの発生が抑制されるような条件で照射するものであるから，当該「膜分断工程」によって，ポリイミド(PI)系高分子化合物膜が昇華して分断されることで形成された「レーザー加工溝２４０」の底面，すなわち，「ウエーハ２の基板２１」の表面２１ａが露出した箇所の基板表面は加工されていない。
　一方，「ウエーハ破断工程」は，環状のフレームに装着されたダイシングテープを拡張ドラムの上端縁に接して拡張させることで，前記ダイシングテープに貼着されているウエーハに引張力を作用させて，ウエーハの基板を，クラックが形成されることによって強度が低下せしめられたストリートに沿って破断するものである。
　してみれば，前記「ウエーハ破断工程」における破断は，ウエーハに作用する引張力によって，ウエーハの基板の内部に存在するクラックを開裂する方向に力を加えることで，前記クラックの先端を起点としてウエーハの破断が始まり，基板の表面２１ａ方向に破断が進行し，前記「膜分断工程」において高分子化合物膜が昇華して分断されることで形成された「レーザー加工溝２４０」の底面，すなわち，「ウエーハ２の基板２１」の表面２１ａが露出した加工されていない基板表面に到達して終点となるものと認められる。
　すなわち，「ウエーハ破断工程」におけるウエーハの破断の始まりとなる「分割起点」は，「変質層形成工程」において発生したクラックの先端であり，「膜分断工程」において，「ウエーハ破断工程」におけるウエーハの破断の始まりとなる「新たな分割起点」が形成されることはないと認められる。
　したがって，引用発明の「ウエーハ破断工程」は，本願発明の「前記研削が行われた後，前記ウェハに新たな分割起点を形成することなく，前記ウェハに外力を加えることにより前記ウェハをチップ毎に分割する分割工程」に相当する。
　以上によれば，本願発明と引用発明は，「ウェハをチップに分割するための切断ラインに沿って，前記ウェハのデバイス面とは反対側の裏面側からレーザ光を照射して前記ウェハの内部に設定した目標面と前記ウェハの裏面との間にレーザ改質領域を形成する改質領域形成工程と，　前記ウェハのデバイス面の略全面を吸着するチャックに保持した状態で，前記ウェハをチップ毎に分割することなく，前記ウェハの裏面から前記目標面まで研削砥石を用いて研削して前記ウェハを薄化する研削工程と，　前記研削が行われた後，前記ウェハに新たな分割起点を形成することなく，前記ウェハに外力を加えることにより前記ウェハをチップ毎に分割する分割工程と，　を備えるウェハ加工方法。」の点で一致し，相違点はない。
２　請求人の主張について
　請求人は，当審拒絶理由に対する意見書において，引用文献１の【００３２】及び【図１６】の記載によれば，変質層形成工程が行われると，変質層２１０から発生したクラック２１１がウエーハ２の表面に露出しているものと認められるし，さらに，引用文献１の【背景技術】に記載された「特許第３４０８８０５号公報」の【００３６】にも，「・・・クラックが加工対象物１の表面３と裏面２１に到達し，図１１に示すように加工対象物１が割れることにより加工対象物１が切断される。」と記載されており，この背景技術を前提とする引用発明においても，クラック２１１がウエーハ２における基板２１の表面２１ａ及び裏面２１ｂに達していると理解されるから，引用発明では，変質層２１０から発生したクラック２１１をウエーハ２の表面に露出させた状態でウェーハ破断工程を行うものであるのに対し，本願発明は，裏面研削を行った後においてもウェハは完全に分断されておらず，引用発明とは異なる技術思想に基づくものである旨，主張する。
　当該請求人の主張は，要するに，引用発明では，変質層形成工程が行われると，クラック２１１がウエーハ２の表面に露出（到達）しているから，ウェーハ破断工程前（本願発明の「分割工程」前に相当する。）にウェハは完全に分断されているのに対し，本願発明では，「分割工程」前では，ウェハは完全に分断されていないという主張であると解される。
　しかしながら，請求人の主張する引用文献１の【００３２】には，前記第４の１（１）オのとおり，「ウエーハ２の基板２１には，内部にストリート２２に沿って変質層２１０が形成されるとともに，
変質層２１０から表面２１aおよび裏面２１bに向けて
　さらに，請求人が引用する引用文献１の【背景技術】に記載された「特許第３４０８８０５号公報」の上記記載は，クラックが最終的に加工対象物の表面と裏面に到達して加工対象物が切断されることを説明しているだけであって，クラック領域形成の時点で，クラックが加工対象物の表面と裏面に到達していることを意味していると認めることはできない。このことは，当該公報の【００３６】に，上記請求人の主張する記載に引き続き，「加工対象物の表面と裏面に到達するクラックは自然に成長する場合もあるし，
加工対象物に力が印加されることにより成長する場合もある
圧電素子ウェハ３１は
後に切断分離される多数個の圧電デバイスチップ３７
圧電素子ウェハ３１の内部のみに改質部としての微小なクラック領域９が形成
集光点Ｐ及びその近傍のみに微小なクラック領域９が形成
表面及び裏面に損傷を及ぼすことはない
特にクラック領域９が形成された部分に応力を生じさせて，切断対象材料の内部（集光点及びその近傍）のみに形成されたクラック領域９を成長させて
切断する
圧電素子ウェハ３１に外部から応力を印加されて，クラック領域９が形成されているウェハ部分に応力が生じてクラック領域９が成長する
クラック領域９が圧電素子ウェハ３１の表面及び裏面まで成長することにより，圧電素子ウェハ３１は，
分離する圧電デバイスチップ３７の端部において切断されて，圧電デバイスチップ３７が圧電素子ウェハ３１から分離されることになる
　したがって，請求人の主張は採用できない。
第６　判断
１　新規性について
　上記第５の１のとおり，本願発明と引用発明とを対比すると，相違点はなく，本願発明は，引用文献１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
２　進歩性について
　なお，仮に，引用発明の「裏面研削工程」において，「ウエーハ２」の「表面２１ａ」の略全面が「チャックテーブル４１」に吸着保持されているということができないとしても （上記第５の１（４）参照。），ウェハの研削を行う際に，該ウェハの略全面をチャックで吸着保持することは，前記第４の２（４）のとおり，原出願時において，周知技術であったと認められる。
　そして，ウェハの研削工程では，効率的にウェハの研削を行うために，ウェハがチャック上で移動せずに固定されていることが望ましく，このことは，引用発明においても当然内在する技術課題であるといえる。
　そうすると，引用発明において，当該技術課題を解決するために，上記周知技術を適用し，本願発明の構成とすることは，当業者であれば容易に想到し得るものであり，その効果も当業者が予測する範囲内のものである。
　したがって，本願発明は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者であれば容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第１項第３号又は同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。