【事件の表示】
　平成　９年特許願第１８９９３０号「窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　４月１０日出願公開、特開平１０−　９３１９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年７月１５日に出願された特許出願（優先権主張　平成８年７月２６日）であって、原審において、平成１５年５月１日付で拒絶理由が通知され、同年７月１４日付で手続補正がなされたところ、同年１１月２０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年１月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月３日に特許法第１７条の２第１項第４号の規定による手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１６年２月３日付手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
平成１６年２月３日付手続補正を却下する。
[理由]
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　２種類以上の半導体層の繰り返しで構成される周期構造を有する活性層と、
　ダブルヘテロ接合構造を形成するように前記活性層を挟んで配設された、ｎ型の第１クラッド層及びｐ型の第２クラッド層と、
　前記第１及び第２クラッド層に夫々電気的に接続された第１及び第２電極と、
　前記第２電極と前記第２クラッド層との間で前記第２クラッド層に接して配設され、前記ダブルヘテロ接合構造に対する電流を狭窄するためのストライプ状の開口部を有するｎ型の電流ブロック層と、
　前記第２電極と前記電流ブロック層との間及び前記開口部内に配設され、前記開口部よりも広い面積を有するｐ型の電流注入層と、
を具備し、
　　前記活性層、前記第１及び第２クラッド層、電流ブロック層、及び電流注入層の夫々は、下記の組成式で表される材料から基本的になることと、
　　　Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ、ここでｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１
　前記第２クラッド層及び前記電流注入層はｐ型不純物としてＭｇを含有することと、
　
前記電流ブロック層の厚さをＴＡ、前記電流ブロック層と前記活性層との間の距離をＴＢとした時、ＴＢ＜ＴＡの条件を満足させ、
を特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ。」
と補正された。
　
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項について、さらに技術的限定を付加したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定された“特許請求の範囲の減縮”を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　　
（２）特許法第３６条第４項および第６項第２号違反について
　（ｉ）原審における拒絶の理由のうち、（理由２）は大凡以下のものである。
　「（理　由２）
　この出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項および第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　特許請求の範囲には、『電流ブロック層の厚さをＴＡ、前記電流ブロック層と前記活性層との間の距離をＴＢとした時、ＴＢ＜ＴＡの条件を満足させ』が規定されており、明細書の段落９１には、『図１０図示の実施の形態では、電流ブロック層１６の厚さをｐ−クラッド層１５の厚さ即ち電流ブロック層と活性層１４との距離よりも厚くしておくこと、電流ブロック層１６の厚さを電流注入層の厚さよりも厚くしておくこと、電流注入層の厚さを電流ブロック層１６と活性層１４との距離よりも厚くすることとしている。しかし、これらの厚さの関係は、少なくともどれか一つが成り立つことのような条件であっても良好な電流狭窄効果が得られた。また、これらの構成要件のうち、複数、あるいはすべてが満たされることによって、その素子特性を与える効果はより大きくなった。』と記載されている。
　しかし、上記規定によって何故（電流狭窄効果が）良くなるのか不明であり（例えば、段落１５６−１５９の説明は、単純に電流ブロック層の厚さが厚いことが望ましい点を記載しているのみであるから、ＴＡとＴＢを比較して規定することの根拠にはならないと思量される）、また、具体的な比較結果が示されてもいないので、当業者が本願明細書を見ても、ＴＢ＜ＴＡにする技術的意義が不明であるといわざるを得ない。」
　　
　（ｉｉ）請求人の主張
　これに対し、請求人は平成１６年２月３日付手続補正（方式）【請求の理由】において以下のように反論している。
　「（２）拒絶理由２
　電流ブロック層の厚さＴＡと、電流ブロック層と活性層との間の距離ＴＢとの関係ＴＢ＜ＴＡを特定するという構成が、メモリ効果を抑制する程度は、確かに種々の具体的な条件に依存して変わる。しかし、程度の差こそあれ、この構成がメモリ効果を抑制するという効果を発揮できることにはかわりない。当業者であれば、本件出願の明細書の記載に基づいて、本発明を実施する際に種々の具体的な条件を選択することができる。従って、本件出願は、明細書及び図面の記載に関して、特許法第３６条第４項及び第６項第２号に規定する要件を満たしているものと信じる。」
　
　（ｉｉｉ）当審の判断
　 上記（ア）の拒絶理由に関し、本願明細書の関連する記載事項を摘記すると以下のとおりである。
　
　　ａ．「【００８４】　次に、
ＭｇドープＧａ
０．８５
Ａｌ
０．１５
Ｎのｐ−クラッド層１５を３００ｎｍの膜厚で形成し、続いて、電流ブロック層１６としてＳｉドープＧａＮよりなる層を１．５μｍ成長させる
　
 　 ｂ．「【００８９】　以上のようにして得たレーザ素子は４２０ｎｍの波長で室温連続発振し、連続動作の最高温度は１００℃で、５０℃、３ｍＷの条件で連続１０００時間以上の動作が確認できた。」
　
　　ｃ．「【００９０】　このような素子特性が得られるための構成要件としては、
電流ブロック層１６の厚さをＴＡ、ｐ−クラッド層１５の厚さ（電流ブロック層１６と活性層１４との間のｐ−層の厚さ）ＴＢ
　　　
ＴＢ＜ＴＡ
　　　ＴＣ＜ＴＡ　　　　　・・・（２）
　　　ＴＢ＜ＴＣ　　　　　・・・（３）
を満足するように設定されることにある。
　
　　ｄ．「【００９１】　図１０図示の実施の形態では、電流ブロック層１６の厚さをｐ−クラッド層１５の厚さ即ち電流ブロック層と活性層１４との距離よりも厚くしておくこと、電流ブロック層１６の厚さを電流注入層の厚さよりも厚くしておくこと、電流注入層の厚さを電流ブロック層１６と活性層１４との距離よりも厚くすることとしている。しかし、これらの厚さの関係は、少なくともどれか一つが成り立つことのような条件であっても良好な電流狭窄効果が得られた。また、これらの構成要件のうち、複数、あるいはすべてが満たされることによって、その素子特性を与える効果はより大きくなった。」
　
　　ｅ．「【０１５５】　図１０乃至図１９図示の実施の形態によれば、次のような効果を得ることができる。
　【０１５６】　従来の電流ブロック層にストライプ開口を有する半導体レーザ素子では、Ｓｉ等のｎ型不純物をドープし、Ｍｇ等のｐ型不純物を意図的にはドープせずに形成する電流ブロック層の結晶成長中に、Ｍｇ等のｐ型不純物原料が電流ブロック層結晶中に取り込まれるという現象が見られる。これは、電流ブロック層と活性層との間に位置するクラッド層等を形成する際にドープするＭｇ等のｐ型不純物原料が結晶成長装置の反応炉内壁、配管等に付着し、これが、電流ブロック層の結晶成長中に、Ｍｇ等のｐ型不純物原料が結晶成長装置の反応炉内壁、配管等から脱離するためのと考えられる（メモリ効果）。
　【０１５７】　また、電流ブロック層と活性層との間に位置するクラッド層等、あるいは電流ブロック層上に形成する電流注入層にドープしたＭｇ等の不純物が、結晶成長や、素子構造形成プロセスを行う間の熱処理により、電流ブロック層に拡散する。これらの影響により、電流ブロック層は意図しない不純物が入り込んだ結晶性の低いものとならざるを得ない。特に、本来ｎ型にすることにより良好な電流狭窄性をいたらしめる電流ブロック層が、ｐ型不純物の混入によりｎ型でなくなり、電流狭窄性が損なわれ、無効な電流を発生していた。また、混入するｐ型不純物よりも多量なｎ型不純物をドープすることで、ｎ型を保持しようとすると、大量のｎ型ドーピングにより結晶性が損なわれ、無効電流の原因となっていた。
　【０１５８】　これに対して本発明によれば、図１０図示の実施の形態において述べたように、電流ブロック層の厚さを、電流ブロック層と活性層との間のｐ−層の厚さよりも厚くすることにより上記の問題を解消することができる。即ち、この構造により、上述のような影響で意図的にはドーブしないｐ型不純物が電流ブロック層に混入しても、少なくとも一部にｎ型領域を残すことができるため電流狭窄効果が向上する。これはメモリ効果による反応炉や配管に付着／脱離する不純物原料の量が、層を形成する時間即ち層の厚さに依存して増えることを考慮したものである。電流ブロック層と活性層との間のｐ−層の厚さにしたがって電流ブロック層の厚さを厚くすることにより、少なくとも一部にｎ型領域を残すことができる。これにより、無効電流が低減され、低しきい値化、低電圧化、及び信頼性の向上をはかることが可能となる。」
　
　そこで、上記ａ〜ｅから、電流ブロック層の厚さをＴＡ、前記電流ブロック層と前記活性層との間の距離をＴＢとした時、ＴＢ＜ＴＡと規定することの技術的意味が明りょうに理解できるか、言い換えればＴＢ＜ＴＡと規定することと、電流狭窄効果が向上することとの間に明りょうな技術的関連（因果関係）があることを理解できるかについて以下に検討する。
　
　　ア．Ｓｉ等のｎ型不純物をドープし、Ｍｇ等のｐ型不純物を意図的にはドープせずに形成する電流ブロック層の結晶成長中に、Ｍｇ等のｐ型不純物原料が電流ブロック層結晶中に取り込まれるという現象（メモリ効果）が見られるという点（上記ｅの【０１５６】）、
　　イ．および、それにより電流ブロック層が、ｐ型不純物の混入によりｎ型でなくなり、電流狭窄性が損なわれるという点（上記ｅの【０１５７】）、
　　ウ．それを防ぐために、電流ブロック層の厚さを厚くすることにより、メモリ効果により意図的にはドーブしないｐ型不純物が電流ブロック層に混入しても、少なくとも一部にｎ型領域を残すことにより電流狭窄性を保持するようにした点（上記ｅの【０１５８】）、については一応理解することができる。
　しかしながら、
　　エ．「メモリ効果による反応炉や配管に付着／脱離する（ｐ）型不純物原料の量が、（ｐ−）層を形成する時間すなわち層の厚さに依存して増える」（上記ｅの【０１５８】）については、時間すなわち層の厚さと反応炉や配管に付着／脱離するｐ型不純物原料の量との相関が実験データなどにより明示されているわけではないので、両者の間にどのような具体的な相関があるのか、上記記載によっては窺い知ることはできない。
　　オ．したがって、具体的相関が提示されていない状況で、両者の相関に基づいて「電流ブロック層の厚さを、電流ブロック層と活性層との間のｐ−層の厚さよりも厚くすることにより上記の問題を解消することができる。」（上記ｅの【０１５８】）と結論づけることは到底できない。
　このような場合には、通常、電流ブロック層の厚さと活性層との間のｐ−層の厚さとの比を違えた試料を多数用意して、それらについて電流狭窄効果を確認することにより、ＴＢ＜ＴＡであれば、電流狭窄効果が向上することを確認すべきところ、本願明細書にはそのような開示もない。
　　カ．また、メモリ効果の大小は、製法上の要件（すなわち、成膜方法（ＭＢＥかＭＯＣＶＤか）の違い、雰囲気圧力、成長温度、成長速度、ガス流量など成膜条件の違いや、結晶成長装置自体の構成等）が異なれば異なると解するのが相当であるから、ＴＢ＜ＴＡであれば、製法上の要件が異なっていても、常にメモリ効果が抑制できるとの確証を上記ａ〜ｅの記載から見出すことはできない。
　　キ．さらに、請求人の主張（上記（ｉｉ））を斟酌しても、ＴＢ＜ＴＡと規定することの技術的意味を理解することはできない。
　
　よって、発明の解決しようとする課題である「電流狭窄効果」とその解決手段である「電流ブロック層の厚さをＴＡ、前記電流ブロック層と前記活性層との間の距離をＴＢとした時、ＴＢ＜ＴＡの条件を満足させ」との関係が明らかでなく、当該解決手段がどのような技術的意味を有するのか理解することができないから、その発明が不明確である。
　したがって、本件補正発明は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないので特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１６年２月３日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年７月１４日付手続補正の特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、次のものである。
「【請求項１】　２種類以上の半導体層の繰り返しで構成される周期構造を有する活性層と、ダブルヘテロ接合構造を形成するように前記活性層を挟んで配設された、それぞれ第１及び第２導電型の第１及び第２クラッド層と、
　前記第１及び第２クラッド層に夫々電気的に接続された第１及び第２電極と、
　前記第２電極と前記第２クラッド層との間に配設され、前記ダブルヘテロ接合構造に対する電流を狭窄するためのストライプ状の開口部を有する電流ブロック層と、
　前記第２電極と前記電流ブロック層との間及び前記開口部内に配設され、前記開口部よりも広い面積を有する電流注入層と、
を具備し、
　前記活性層、前記第１及び第２クラッド層、電流ブロック層、及び電流注入層の夫々は、下記の組成式で表される材料から基本的になることと、
　　　ＩｎｘＧａｙＡｌｚＮ、ここでｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１
　
前記電流ブロック層の厚さをＴＡ、前記電流ブロック層と前記活性層との間の距離をＴＢとした時、ＴＢ＜ＴＡの条件を満足させ
を特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ。」
　　
（２）判断
　本願発明は、依然として「前記電流ブロック層の厚さをＴＡ、前記電流ブロック層と前記活性層との間の距離をＴＢとした時、ＴＢ＜ＴＡの条件を満足させ」との事項を含むものであるから、上記「２．（２）（ｉｉｉ）」に記載したとおりその発明が不明確であり、また、本願の明細書の詳細な説明の記載は委任省令要件を満足しないので、本願は、特許法第３６条第４項および第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　　
（３）むすび
　以上のとおり、本願は、特許法第３６条第４項および第６項第２号に規定する要件を満たしていないので特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。