【事件の表示】
　特許第３３５６９２１号「半導体装置およびその製造方法」の請求項１ないし２０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３５６９２１号の請求項１ないし８、１０ないし１８に係る特許を取り消す。
　同請求項９、１９、２０に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３３５６９２１号の発明についての出願は、平成７年１０月６日（優先権主張、平成７年３月２４日）の出願であって、平成１４年１０月４日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、重富久夫及び辻本貴士より特許異議の申立がなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１６年１０月２６日に訂正請求がなされ、さらに訂正拒絶理由が通知され、指定期間内である平成１７年９月１３日に意見書が提出されたものである。
　
II．訂正の適否について
１．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正することであって、そして、訂正請求書の訂正事項ａ〜ｗの中には、以下の訂正事項ｄ〜ｍを含むものである。
（１）訂正事項ｄ
　訂正前の請求項１０（訂正前の請求項１〜９を引用する）において、訂正前の請求項１を引用する請求項１０を独立形式にし、次のとおりに訂正する。
　「【請求項１０】半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、感光性を有する第１の絶縁皮膜が形成され、該第１の絶縁皮膜に、該第１の絶縁皮膜を露光・現像することにより、前記電極を露出する透孔が形成され、前記第１の絶縁皮膜の表面に、前記透孔を通して前記電極に電気的に接続する配線パターンが形成され、該配線パターン上に、感光性を有する第２の絶縁皮膜が形成され、該第２の絶縁皮膜に、該第２の絶縁皮膜を露光・現像することにより、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、該外部接続端子接合部に、外部接続端子が形成されている半導体チップを複数、共通の基板上に搭載して備え、該複数の半導体チップのパッシべーション膜が形成された面上に共通の前記第１の絶縁皮膜が形成され、前記複数の半導体チップの所要の電極同士が前記配線パターンにより接続され、前記配線パターンを含む前記第１の絶縁皮膜の表面に共通の前記第２の絶縁皮膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。」
（２）訂正事項ｅ
　訂正前の請求項１０において、訂正前の請求項２を引用する請求項１０を、新たに請求項１１として独立形式にし、次のとおりに訂正する。
　「【請求項１１】半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、感光性を有する絶縁皮膜を介して配線パターンが多層に形成された半導体装置であって、前記各々の絶縁皮膜に、該絶縁皮膜を露光・現像することにより下層の配線パターンと接続する部位あるいは前記電極を露出する透孔が形成され、該絶縁皮膜に、前記透孔を通して前記下層の配線パターンあるいは電極に電気的に接続する配線パターンが形成され、最外層の絶縁皮膜に前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、前記外部接続端子接合部に外部接続端子が形成されている半導体チップを複数、共通の基板上に搭載して備え、該複数の半導体チップのパッシべーション膜が形成された面上に共通の絶縁皮膜が形成され、前記複数の半導体チップの所要の電極同士が前記配線パターンにより接続され、前記配線パターンを含む前記絶縁皮膜の表面に共通の絶縁皮膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。」
（３）訂正事項ｆ
　訂正前の請求項１０において、訂正後の請求項１または２を引用する請求項１０を、新たに請求項１２として、次のとおりに訂正する。
　「【請求項１２】前記半導体チップを複数、共通の基板上に搭載して備え、該複数の半導体チップのパッシべーション膜が形成された面上に共通の絶縁皮膜が形成され、前記複数の半導体チップの所要の電極同士が前記配線パターンにより接続され、前記配線パターンを含む前記絶縁皮膜の表面に共通の絶縁皮膜が形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。」
（４）訂正事項ｇ
　訂正前の請求項１０において、請求項３または４を引用する請求項１０を、新たに請求項１３として、次のとおりに訂正する。
　「【請求項１３】前記半導体チップを複数、共通の基板上に搭載して備え、該複数の半導体チップのパッシべーション膜が形成された面上に共通の絶縁皮膜が形成され、前記複数の半導体チップの所要の電極同士が前記配線パターンにより接続され、前記配線パターンを含む前記絶縁皮膜の表面に共通の絶縁皮膜が形成されていることを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置。」
（５）訂正事項ｈ
　訂正前の請求項１０において、請求項５または６を引用する請求項１０を、新たに請求項１４として、次のとおりに訂正する。
　「【請求項１４】前記半導体チップを複数、共通の基板上に搭載して備え、該複数の半導体チップのパッシべーション膜が形成された面上に共通の絶縁皮膜が形成され、前記複数の半導体チップの所要の電極同士が前記配線パターンにより接続され、前記配線パターンを含む前記絶縁皮膜の表面に共通の絶縁皮膜が形成されていることを特徴とする請求項５または６記載の半導体装置。」
（５）訂正事項ｉ
　訂正前の請求項１０において、請求項７または８を引用する請求項１０を、新たに請求項１５として、次のとおりに訂正する。
　「【請求項１５】前記半導体チップを複数、共通の基板上に搭載して備え、該複数の半導体チップのパッシべーション膜が形成された面上に共通の絶縁皮膜が形成され、前記複数の半導体チップの所要の電極同士が前記配線パターンにより接続され、前記配線パターンを含む前記絶縁皮膜の表面に共通の絶縁皮膜が形成されていることを特徴とする請求項７または８記載の半導体装置。」
（６）訂正事項ｊ
　訂正前の請求項１０において、請求項９を引用する請求項１０を、新たに請求項１６として、次のとおりに訂正する。
　「【請求項１６】前記半導体チップを複数、共通の基板上に搭載して備え、該複数の半導体チップのパッシべーション膜が形成された面上に共通の絶縁皮膜が形成され、前記複数の半導体チップの所要の電極同士が前記配線パターンにより接続され、前記配線パターンを含む前記絶縁皮膜の表面に共通の絶縁皮膜が形成されていることを特徴とする請求項９記載の半導体装置。」
（７）訂正事項ｋ
　訂正前の請求項１１において、訂正後の請求項１または２を引用する請求項１１を、新たに請求項１７として、次のとおりに訂正する。
　「【請求項１７】前記外部接続端子が、絶縁皮膜に形成された透孔の底面、内壁面および周縁部を被覆して形成されたランドを介して外部接続端子接合部に接続されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。」
（８）訂正事項ｌ
　訂正前の請求項１１において、請求項３または４を引用する請求項１１を、新たに請求項１８として、次のとおりに訂正する。
　「【請求項１８】前記外部接続端子が、絶縁皮膜に形成された透孔の底面、内壁面および周縁部を被覆して形成されたランドを介して外部接続端子接合部に接続されていることを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置。」
（９）訂正事項ｍ
　訂正前の請求項１１において、請求項５〜１０を引用する請求項１１を、新たに請求項１９として、次のとおりに訂正する。
　「【請求項１９】前記外部接続端子が、絶縁皮膜に形成された透孔の底面、内壁面および周縁部を被覆して形成されたランドを介して外部接続端子接合部に接続されていることを特徴とする請求項５〜１６のいずれか一項記載の半導体装置。」
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の有無の存否について
　上記訂正事項ｄ〜ｍの内、訂正事項ｆ、ｇ〜ｉ、ｋ〜ｍについて、次に検討する。
（１）訂正事項ｆについて
　本訂正事項は、訂正前の請求項１〜９を引用する請求項１０に対して、訂正後の請求項１、２を引用する新たな請求項１２とする訂正である。しかし、訂正前の請求項１、２を引用する請求項１０は、訂正事項ｄ、ｅにおいて、独立形式として訂正後の請求項１０、１１なっているから、本訂正による新たな請求項１２は、新たに請求項が生じていることになる。
　よって、当該訂正は特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しないし、また訂正前の請求項１０において、訂正後の発明を記載することが困難または不明りょうとなることから請求項数を増やさざるを得ないものにも該当していない。
（２）訂正事項ｇ〜ｉについて
　訂正事項ｇ〜ｉは、訂正前の請求項１〜９を引用する請求項１０に対して、請求項３、４を引用する新たな請求項１３とする訂正（訂正事項ｇ）、請求項５、６を引用する新たな請求項１４とする訂正（訂正事項ｈ）、及び請求項７、８を引用する新たな請求項１５とする訂正（訂正事項ｉ）であり、訂正事項ｇ〜ｉにより請求項の数は増加していることになる。
　よって、当該訂正は特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しないし、また訂正前の請求項１０において、訂正後の発明を記載することが困難または不明りょうとなることから請求項数を増やさざるを得ないものにも該当していない。
（３）訂正事項ｋ〜ｍについて
　訂正事項ｋ〜ｍは、訂正前の請求項１〜１０を引用する請求項１１に対して、訂正後の請求項１または２を引用する新たな請求項１７とする訂正（訂正事項ｋ）、請求項３または４を引用する新たな請求項１８とする訂正（訂正事項ｌ）、及び請求項５〜１６を引用する新たな請求項１９とする訂正（訂正事項ｍ）であり、訂正事項ｋ〜ｍにより請求項の数は増加していることになる。
　よって、当該訂正は特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しないし、また訂正前の請求項１１において、訂正後の発明を記載することが困難または不明りょうとなることから請求項数を増やさざるを得ないものにも該当していない。
　
３．むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書第１号〜第３号の規定に適合しない。
　よって、当該訂正は認められない。
　
III．異議申立について
１．本件発明
　平成１６年１０月２６日付の訂正請求は上記のとおり認められないから、本件特許の請求項１〜２０に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明２０」という。）は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「【請求項１】半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、感光性を有する第１の絶縁皮膜が形成され、該第１の絶縁皮膜に、該第１の絶縁皮膜を露光・現像することにより、前記電極を露出する透孔が形成され、前記第１の絶縁皮膜の表面に、前記透孔を通して前記電極に電気的に接続する配線パターンが形成され、該配線パターン上に、感光性を有する第２の絶縁皮膜が形成され、該第２の絶縁皮膜に、該第２の絶縁皮膜を露光・現像することにより、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、該外部接続端子接合部に、外部接続端子が形成されていることを特徴とする半導体装置。
　【請求項２】半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、感光性を有する絶縁皮膜を介して配線パターンが多層に形成された半導体装置であって、
前記各々の絶縁皮膜に、該絶縁皮膜を露光・現像することにより下層の配線パターンと接続する部位あるいは前記電極を露出する透孔が形成され、該絶縁皮膜に、前記透孔を通して前記下層の配線パターンあるいは電極に電気的に接続する配線パターンが形成され、最外層の絶縁皮膜に前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、前記外部接続端子接合部に外部接続端子が形成されていることを特徴とする半導体装置。
　【請求項３】半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、第１の絶縁皮膜が形成され、該第１の絶縁皮膜に、前記電極を露出する透孔が形成され、前記第１の絶縁皮膜の表面に、前記透孔を通して前記電極に電気的に接続する配線パターンが形成され、該配線パターン上に、第２の絶縁皮膜が形成され、該第２の絶縁皮膜に、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、前記第２の絶縁皮膜の透孔から露出する外部接続端子接合部に、はんだボールを配置し、該はんだボールをリフローすることにより、外部接続端子としてのバンプが形成されていることを特徴とする半導体装置。
　【請求項４】半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、絶縁皮膜を介して配線パターンが多層に形成された半導体装置であって、
前記各々の絶縁皮膜に、下層の配線パターンと接続する部位あるいは前記電極を露出する透孔が形成され、該絶縁皮膜に、前記透孔を通して前記下層の配線パターンあるいは電極に電気的に接続する配線パターンが形成され、最外層の絶縁皮膜に前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、前記最外層の絶縁皮膜の透孔から露出する外部接続端子接合部に、はんだボールを配置し、該はんだボールをリフローすることにより、外部接続端子としてのバンプが形成されていることを特徴とする半導体装置。
　【請求項５】半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、ゴム状の弾性を有する第１の絶縁皮膜が形成され、該第１の絶縁皮膜に、前記電極を露出する透孔が形成され、前記第１の絶縁皮膜の表面に、前記透孔を通して前記電極に電気的に接続する配線パターンが形成され、該配線パターン上に、ゴム状の弾性を有する第２の絶縁皮膜が形成され、該第２の絶縁皮膜に、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、該外部接続端子接合部に、外部接続端子が形成されていることを特徴とする半導体装置。
　【請求項６】半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、ゴム状の弾性を有する絶縁皮膜を介して配線パターンが多層に形成された半導体装置であって、
前記各々の絶縁皮膜に、下層の配線パターンと接続する部位あるいは前記電極を露出する透孔が形成され、該絶縁皮膜に、前記透孔を通して前記下層の配線パターンあるいは電極に電気的に接続する配線パターンが形成され、最外層の絶縁皮膜に前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、前記外部接続端子接合部に外部接続端子が形成されていることを特徴とする半導体装置。
　【請求項７】半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、第１の絶縁皮膜が形成され、該第１の絶縁皮膜に、前記電極を露出する透孔が形成され、前記第１の絶縁皮膜の表面に、前記透孔を通して前記電極に電気的に接続する配線パターンが形成されるとともに、コンデンサあるいは抵抗等の回路用素子が形成され、該配線パターン上に、第２の絶縁皮膜が形成され、該第２の絶縁皮膜に、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、該外部接続端子接合部に、外部接続端子が形成されていることを特徴とする半導体装置。
　【請求項８】半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、絶縁皮膜を介して配線パターンが多層に形成された半導体装置であって、
前記各々の絶縁皮膜に、下層の配線パターンと接続する部位あるいは前記電極を露出する透孔が形成され、該絶縁皮膜に、前記透孔を通して前記下層の配線パターンあるいは電極に電気的に接続する配線パターンが形成されるとともに、コンデンサあるいは抵抗等の回路用素子が形成され、最外層の絶縁皮膜に前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、該外部接続端子接合部に、外部接続端子が形成されていることを特徴とする半導体装置。
　【請求項９】半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面の、該パッシベーション膜の表面に金属層が形成され、該金属層上に、第１の絶縁皮膜が形成され、該第１の絶縁皮膜に前記電極を露出する透孔が形成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項記載の半導体装置。
　【請求項１０】前記半導体チップを複数備え、該複数の半導体チップ面に共通の絶縁皮膜が形成され、前記複数の半導体チップの所要の電極同士が前記配線パターンにより接続され、前記配線パターンを含む前記絶縁皮膜の表面に共通の絶縁皮膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項記載の半導体装置。
　【請求項１１】前記外部接続端子が、絶縁皮膜に形成された透孔の底面、内壁面および周縁部を被覆して形成されたランドを介して外部接続端子接合部に接続されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項記載の半導体装置。
　【請求項１２】前記半導体チップの電極が形成された面と反対側の面にヒートシンクまたはヒートスプレッダーが固着されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項記載の半導体装置。
　【請求項１３】半導体チップが多数作り込まれたウェハーの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、感光性を有する第１の絶縁皮膜を形成し、該第１の絶縁皮膜を露光・現像することにより、第１の絶縁皮膜に前記電極を露出する透孔を形成し、次いで、第１の絶縁皮膜の表面に、前記透孔を通して前記電極に電気的に接続する配線パターンを形成し、該配線パターン上に、感光性を有する第２の絶縁皮膜を形成し、該第２の絶縁皮膜に、該第２の絶縁皮膜を露光・現像することにより、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔を形成し、該外部接続端子接合部に、外部接続端子を形成し、ウェハーを個片の半導体装置に分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項１４】半導体チップが多数作り込まれたウェハーの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、感光性を有する絶縁皮膜を介して配線パターンを多層に形成し、前記配線パターンに電気的に接続して外部接続端子を形成した後、ウェハーを個片の半導体装置に分離する半導体装置の製造方法であって、
前記各々の感光性を有する絶縁皮膜を露光・現像することにより下層の配線パターンと接続する部位あるいは前記電極を露出する透孔を形成し、前記各々の絶縁皮膜に、前記透孔を通して下層の配線パターンあるいは電極に電気的に接続する配線パターンを形成し、最外層の絶縁皮膜に前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔を形成した後、前記外部接続端子接合部に外部接続端子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項１５】半導体チップが多数作り込まれたウェハーの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、第１の絶縁皮膜を形成し、該第１の絶縁皮膜に、前記電極を露出する透孔を形成し、次いで、第１の絶縁皮膜の表面に、前記透孔を通して前記電極に電気的に接続する配線パターンを形成し、該配線パターン上に、第２の絶縁皮膜を形成し、該第２の絶縁皮膜に、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔を形成し、該第２の絶縁皮膜の透孔から露出する外部接続端子接合部に、はんだボールを配置し、該はんだボールをリフローすることにより、外部接続端子としてのバンプを形成し、前記ウェハーを個片の半導体装置に分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項１６】半導体チップが多数作り込まれたウェハーの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、絶縁皮膜を介して配線パターンを多層に形成し、前記配線パターンに電気的に接続して外部接続端子を形成した後、ウェハーを個片の半導体装置に分離する半導体装置の製造方法であって、
前記各々の絶縁皮膜に、下層の配線パターンと接続する部位あるいは前記電極を露出する透孔を形成し、前記絶縁皮膜に、前記透孔を通して下層の配線パターンあるいは電極に電気的に接続する配線パターンを形成し、最外層の絶縁皮膜に、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔を形成した後、該絶縁皮膜の透孔から露出する外部接続端子接合部に、はんだボールを配置し、該はんだボールをリフローすることにより、外部接続端子としてのバンプを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項１７】半導体チップが多数作り込まれたウェハーの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、ゴム状の弾性を有する第１の絶縁皮膜を形成し、該第１の絶縁皮膜に、前記電極を露出する透孔を形成し、次いで、第１の絶縁皮膜の表面に、前記透孔を通して前記電極に電気的に接続する配線パターンを形成し、該配線パターン上に、ゴム状の弾性を有する第２の絶縁皮膜を形成し、該第２の絶縁皮膜に、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔を形成し、該外部接続端子接合部に、外部接続端子を形成し、前記ウェハーを個片の半導体装置に分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項１８】半導体チップが多数作り込まれたウェハーの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、ゴム状の弾性を有する絶縁皮膜を介して配線パターンを多層に形成し、前記配線パターンに電気的に接続して外部接続端子を形成した後、ウェハーを個片の半導体装置に分離する半導体装置の製造方法であって、
前記各々のゴム状の弾性を有する絶縁皮膜に、下層の配線パターンと接続する部位あるいは前記電極を露出する透孔を形成し、前記各々の絶縁皮膜に、前記透孔を通して下層の配線パターンあるいは電極に電気的に接続する配線パターンを形成し、最外層の絶縁皮膜に前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔を形成した後、前記外部接続端子接合部に外部接続端子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項１９】半導体チップが多数作り込まれたウェハーの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面の、該パッシベーション膜の表面に金属層を形成し、該金属層上に、第１の絶縁皮膜を形成し、該第１の絶縁皮膜に、前記電極を露出する透孔を形成し、前記第１の絶縁皮膜の表面に、前記透孔を通して前記電極に電気的に接続する配線パターンを形成し、該配線パターン上に、第２の絶縁皮膜を形成し、該第２の絶縁皮膜に、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔を形成し、該外部接続端子接合部に、外部接続端子を形成し、前記ウェハーを個片の半導体装置に分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項２０】半導体チップが多数作り込まれたウェハーの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、絶縁皮膜を介して配線パターンを多層に形成し、前記配線パターンに電気的に接続して外部接続端子を形成した後、ウェハーを個片の半導体装置に分離する半導体装置の製造方法であって、
前記パッシベーション膜の表面に金属層を形成し、該金属層上に、第１の絶縁皮膜を形成し、該第１の絶縁皮膜に、前記電極を露出する透孔を形成し前記第１の絶縁皮膜の表面に、前記透孔を通して前記電極に電気的に接続する配線パターンを形成した後、該配線パターン上に、層間で配線パターンを電気的に接続して配線パターンを積層して形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２．当審が通知した取消理由において引用した刊行物並びに先願、及びその記載事項
刊行物１：特開平５−２１８０４２号公報
　（申立人重富久夫（以下、「申立人Ａ」という）の甲第１号証） 
刊行物２：特開昭６４−６１９３４号公報（申立人Ａの甲第２号証） 
刊行物３：特開平４−８４４５２号公報（申立人Ａの甲第３号証） 
刊行物４：特開平１−２０９７４６号公報
　（申立人Ａ、及び辻本貴士（以下、「申立人Ｂ」という）の甲第４号証）刊行物５：特開平７−５０２８０号公報（申立人Ａの甲第５号証） 
刊行物６：特開平１−１９６８５６号公報（申立人Ｂの甲第２号証） 
刊行物７：特開平４−２８０４５８号公報（申立人Ｂの甲第３号証） 
刊行物８：「マイクロエレクトロニクス　パッケージング　ハンドブック」　１９９１．３．２７　日経ＢＰ社 （２８６〜２８９頁）
　（申立人Ｂの参考資料１） 
刊行物９：「ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」１９９３．５．３１、日　経ＢＰ社（２１７頁、２３４頁）（申立人Ｂの参考資料２） 
刊行物１０：「電子材料　４月号」昭５４．４．１、（株）工業調査会（１　０４〜１０８頁）（申立人Ｂの参考資料３） 
刊行物１１：「ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」１９９３．５．３１、　日経ＢＰ社（２０８〜２０９頁）（申立人Ｂの参考資料４） 
刊行物１２：「ＴＡＢ技術入門」１９９０．１．２５、（株）工業調査会（　２６頁）（申立人Ｂの参考資料５）
先願：特願平７−４９３５３号（特開平８−２５０４９８号公報参照）（申　立人Ｂの甲第１号証）
　　
（１）刊行物１（特開平５−２１８０４２号公報）の記載事項
（１ａ）「【０００８】本発明は、上記事情に対処してなされたもので、半導体装置の熱膨張係数と熱膨張係数が異なる実装用基板に、フリップチップ接続（実装）した場合でも、その後の熱ストレスにより電極バンプ部での破損，破断現象などが全面的に回避され、かつすぐれた放熱性を呈し、信頼性の高い機能を保持・発揮する半導体装置の提供を目的とする。」
（１ｂ）「【００１１】【作用】本発明に係る半導体装置においては、図１に要部構成例を断面的に示すごとく、第１のボンディングパッド８が配置された領域よりも内側で、かつ所要の半導体素子領域９ａが形成されている領域面の絶縁層１０ｂ上に、露出して第２のボンディングパッド１１が配置され、これらは前記絶縁層１０ｂおよび層間絶縁層１０ａを介して、たとえば多層的に配設された配線１２で接続されている。つまり、実装用基板７面にフェースダウンで実装・接続される電極バンプ１３は、半導体基板９′の半導体素子領域９ａが形成されている領域面上に配置された構成を成しているため、実装用基板７面に対する接続に関与する領域面（接続に要する実効面積）が低減された形となる。・・・」
（１ｃ）「【００１７】先ず、所要の半導体領域９ａが所定面に形設された半導体基板９′を用意し、前記半導体領域９ａの各半導体素子を接続する所要の配線，半導体領域９ａの外周部への対応する第１ボンディングパッド８形成，パッシベーション膜１４の形成を行う。その後、前記パッシベーション膜１４上に、たとえばポリイミド前駆体・・・をスピンコートし、選択露光，現像液・・・による現像処理を施して、前記第１ボンディングパッド８面を開口・露出させてから、・・・加熱しポリイミド前駆体・・・をイミド化させて第１の絶縁層１０ａを形成する（図３）。
　【００１８】次に、前記形成した第１の絶縁層１０ａ面上に、たとえば蒸着法によってＡｌ／Ｔｉ層を全面的に被着・形成してから、この・・層上にエッチングレジスト・・をスピンコートし、・・選択露光，現像処理を施して、前記第１ボンディングパッド８に接続するエッチングレジストパターンを形成する。こうして、所要のエッチングレジストパターンを形成した後、・・・Ａｌ層を、・・・Ｔｉ層を順次エッチングしてから、エッチングレジストを剥離・除去して配線１２を形成する（図４）。
　【００１９】前記配線１２を形成した上に、前記の第１の絶縁層１０ａを形成する手段に準じて、第２の絶縁層１０ｂを形成する。この第２の絶縁層１０ｂ形成に当たっては、前記配線１２にそれぞれ接続する形で、所要のスルホールを形成する。しかる後、この第２の絶縁層　１０ｂ面上に、前記配線１２を形成する手段に準じて、・・・第２の配線パターン１２′を形成する（図５）。
　【００２０】次いで、前記第２の配線パターン１２′形成面上に、前記の第１の絶縁層１０ａを形成する手段に準じて、第３の絶縁層１０ｃを形成する。この第３の絶縁層１０ｃ形成に当たっては、前記半導体領域９ａ面上に位置する領域で、第２の配線パターン１２′の少なくとも一部がそれぞれ露出する形に（第２のボンディングパッド１１を成す）スルホールを形成する（図６）。
　【００２１】前記第２のボンディングパッド１１面を、・・・露出させて第３の絶縁層１０ｃを設けた後、この第３の絶縁層１０ｃ面上に、Ｃｕ／Ｔｉ層１５を蒸着法によって全面的に被着・形成してから（図７）、厚膜レジスト・・・をスピーンコートし、・・・レジスト層を形成して、・・選択露光，現像処理を施して、前記第２のボンディングパッド１１面に対応するＣｕ／Ｔｉ層１５領域を、・・・露出させる（図８）。
　【００２２】このようにして、第２ボンディングパッド１１にに対応する開口領域・・・よりも小さな寸法でレジスト層１６を開口・・・させた半導体基板９′を、・・・銅・・・メッキする（バリアメタル層の形成）。
　【００２３】その後、・・・合金（半田）を・・・連続メッキして電極バンプ１３を形成する（図９）。
　【００２４】上記により第２のボンディングパッド（領域）１１面上に、・・電極バンプ１３を形成した後、この半導体基板９′面を・・・レジスト層１６を除去してから（図１０）、・・電極バンプ１３をマスクとして、・・・・・・エッチング除去後、・・・、所望の半導体装置９を得ることができる（図１１）。」
　
（２）刊行物２（特開昭６４−６１９３４号公報）の記載事項
（２ａ）「本発明は、・・・フリップチップタイプの半導体装置、及びその半導体装置の・・・製造方法を提供する事を目的としている。」（２頁右下欄６〜１１行）
（２ｂ）「まず同図（ａ）に示すように、従来と同様にして半導体基板１内に半導体素子を形成し、その表面には複数の電極部パッド２、及びパッシべーション膜３を形成してワイヤボンドタイプの半導体装置を構成する。・・・次工程として第１図（ｂ）示すように、そのパッシベーション膜３の表面を平坦化する。・・・そして、ホトエッチング工程により複数の電極部パッド２のうち特定の電極部パッド２上の絶縁膜４を選択的に除去してスルーホール５を開ける。・・・そして、このスルーホール５を介して電極部パッド２と電気接続するようにしてＡｌ等の導体材料による配線層６を・・形成し、引続き、ホトエッチング工程により所定のパターンに形成する。・・・　次に、同図（ｃ）に示すように、この状態の表面に・・・パッシベーション膜７を堆積し、ホトエッチング工程により配線層６上の所定の位置を開口する。そして、図示はしないが、その開口部を含むようにして、・・・バリヤメタルを蒸着し、引続き、Ｃｕ、・・等の半田とのぬれ性の良い金属を蒸着する。その後、レジストを塗布しホトエッチング工程によりそのレジストを選択的に除去する。そうした上でＣｕのめっきを行いバンプ９を形成する。そして、レジストを剥離し、バリヤメタル及び半田とのぬれ性の良い金属をエッチングすることにより本実施例の半導体装置を構成する。」（３頁右上欄１９行〜４頁左上欄７行）
　
（３）刊行物３（特開平４−８４４５２号公報）の記載事項
　「第１図において、３１は樹脂基板であり、表面側にはリード電極３３が形成されるとともに、リード電極３３にワイヤーボンディングされたＩＣチップ３５が搭載されている。リード電極３３は樹脂基板３１を貫通するスルーホール電極３４を介して裏面側のリード電極３２と電気的に接続されている。樹脂基板３１の裏面側には、リード電極３２の一部分のみが露呈するようにシート状のレジスト３８が設けられている。リード電極３２の露呈した部分はコンタクト電極として使用され、このコンタクト電極３２にはハンダボールを入れてリフローすることにより電極３７が形成されている。」(３頁左上欄１８行〜右上欄１１行)
　
（４）刊行物４（特開平１−２０９７４６号公報）の記載事項
（４ａ）「本発明は半導体装置に関し、特にはんだバンプ電極を有するフリップチップ型の半導体装置に関する。」（１頁左下欄１４〜１６行）
（４ｂ）「第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
　半導体装置は、シリコン基板１の表面のＡｌ電極２の上に、第１導電層５と第２ポリイミド層６と第２導電層７の多層配線層を介してはんだバンプ１０を接続するバリアメタル層９を形成している。
　第１導体層５はＡｌ電極２の上から横の第１ポリイミド層の上に延び、そこで第２導体層７とＰ面で接続し、Ａｌ電極２とバリアメタル層９はジグザグに接続され、機械的にも柔い構造である。
　ポリイミドは耐熱性を有し、微細パターン化の可能な樹脂として広く用いられているが、無機材料、金属材料に比較して弾性係数が約２桁低いために発生する応力は小さいものとなる。
　また、他から加わる応力を吸収する効果も生じる。
　本実施例では、この低応力樹脂であるポリイミド層をはんだバンプ１０の下方に厚く形成している。
　樹脂層と導体層の層数を増減することにより所望の厚みを設定できる。
　ポリイミドの場合、その弾性率と膜厚によって応力が異なってくるが・・・、適度な応力吸収の効果を得、かつポリイミドそのものから発生する応力の影響を受けぬ様にするためには、ポリイミドの膜厚は２０〜２００μｍぐらいが適切である。
　通常、ポリイミドの場合、・・・十分な厚みを得るためには本実施例のように多層構造にする必要がある。
　また、各導体層は、・・・形成可能な単層又は多層構造とすることができる。」（２頁左上欄１８行〜左下欄１３行）
（４ｃ）第１図には、シリコン基板１の、Ａｌ電極２を露出してパッシべーション膜３が形成された面上に、第１ポリイミド層４、該第１ポリイミド層に、前記電極を露出する開口が形成され、前記開口を通して前記電極に接続する第１導体層５、第２ポリイミド層６、前記第２ポリイミド層の表面に前記第１導体層に接続する第２導体層７、該第２導体層上に、第３ポリイミド層８、前記第３のポリイミド層の開口から露出するハンダバンプ接合部に、ハンダバンプ１０が形成されていることが示されている。
　
（５）刊行物５（特開平７−５０２８０号公報）の記載事項
（５ａ）「【０００９】【実施例】・・・図１は、本発明の第１の実施例の製造工程フローを示す工程断面図である。まず、半導体基板の一主面に素子、配線およびバンプ２を形成したウェハ１を作る〔図１（ａ）〕。次に、ウェハ１を半導体チップ３に切断する〔図１（ｂ）〕。さらにα線遮蔽用兼表面保護用のシリコン樹脂フィルム４をチップ表面に接着する〔図１（ｃ）〕。・・」
（５ｂ）「【００１１】図３は、本発明の第３の実施例の製造工程フローを示す工程断面図である。まず、半導体基板の一主面に素子、配線およびバンプ２が形成されたウェハ１を用意し〔図３（ａ）〕、ウェハ状態のまま各チップ上に、α線遮蔽用兼表面保護用のシリコン樹脂フィルム４を接着する〔図３（ｂ）〕。次に、このウェハ１の裏面を、間隙ｚをもつ研削装置にて研削して、トータル厚ｚのウェハを得る〔図３（ｃ）〕。続いて、ウェハ１をダイシングしてトータル厚ｚの半導体チップ３を得る〔図３（ｄ）〕。」
　
（６）刊行物６（特開平１−１９６８５６号公報）の記載事項
（６ａ）「［１］電極（２）および表面安定化膜（３）が形成されてなる半導体ウエーハ（１）上に、高分子化合物よりなる膜（４）を形成し、
　半導体ウエーハ（１）をチップに分割するダイシングライン（１Ｄ）に沿い、各ダイシングライン（１Ｄ）の隣接する交点間の一部領域（１６）を除いた領域に形成される十字型のパターン（１７）と、前記電極（２）に対接する領域に形成されるパターン（１８）とを有する第１のマスク（１５）を使用して、前記高分子化合物よりなる膜（４）をパターニングし、前記高分子化合物よりなる膜（４）の前記電極（２）に対応する領域に開口（５）を形成し、前記ダイシングライン（１Ｄ）上の一部領域（１６）を除く領域において前記高分子化合物よりなる膜（４）を除去して、溝（１９）を形成し、
　金属膜（６）を形成し、該金属膜（６）をパターニングして前記電極（２）に接する領域からバンプ形成領域に延在する金属膜（６）を残留し、その上に高分子化合物膜（７）を形成し、
　前記第１のマスク（１５）と同一の十字型のパターン（１７）と、バンプ形成領域に対応する領域にパターンを有する第２のマスクを使用して、前記高分子化合物よりなる膜（７）をパターニングし、前記高分子化合物よりなる膜（７）の、前記ダイシングライン（１Ｄ）上の一部領域（１６）を除く領域に溝（１９ａ）を形成し、また、バンプ形成領域に開口（８）を形成し、
　バリアメタル膜（９）と、その上に、レジスト膜（１０）を形成し、パターニングしてバンプ形成領域の前記レジスト膜（１０）に開口（１１）を形成し、
　該開口（１１）において露出している前記レジスト膜（１０）をマスクとしてメッキをなして、前記開口（１１）上に前記バリアメタル膜（９）に接触してバンプ（１２）を形成し、前記レジスト膜（１０）およびバンプ形成領域以外の前記バリアメタル膜（９）を除去する工程を有する
　ことを特徴とする、半導体装置用バンプ形成方法。
［２］前記高分子化合物はポリイミド、または、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項第１項記載の半導体装置用バンプ形成方法。」（特許請求の範囲）
　
（７）刊行物７（特開平４−２８０４５８号公報） 
（７ａ）「【００３０】図６は、上記パッド７の近傍の断面図である。例えばｐ形のシリコン単結晶からなるチップ４の主面には、抵抗Ｒ、ｎチャネル形ＭＩＳＦＥＴＱ１、ｐチャネル形ＭＩＳＦＥＴＱ２などの回路素子が形成されている。上記抵抗Ｒ、ｎチャネル形ＭＩＳＦＥＴＱ１およびｐチャネル形ＭＩＳＦＥＴＱ２は、例えばメモリＬＳＩの入力回路を構成している。
　【００３１】上記抵抗Ｒは、例えばｎ形半導体領域９ａからなる。・・・抵抗Ｒおよびｎチャネル形ＭＩＳＦＥＴＱ１の一対のｎ形半導体領域９ｂは、ｐ形シリコンの主面にそれぞれ形成され、ｐチャネル形ＭＩＳＦＥＴＱ２の一対のｐ形半導体領域１１は、ｎ形ウエル１２の主面に形成されている。
　【００３２】上記抵抗Ｒには、絶縁膜１３に開孔された接続孔１４を通じて一対のＡｌ配線８，８が接続されている。上記一対のＡｌ配線８，８の一方は、パッド７および接続孔５を通じて入力信号用のリード配線３に接続されており、もう一方のＡｌ配線８は、・・・ゲート電極１０に接続されている。すなわち、リード配線３は、接続孔５、パッド７、Ａｌ配線８および抵抗Ｒを通じてメモリＬＳＩの入力回路に接続されている。」
（７ｂ）「【００４０】このように、本実施例によれば、下記のような効果を得ることができる。
　　・・・
　【００４２】（２）．パッケージ本体１および突起２をゴム状弾性体で構成したことにより、チップ４と基板１７との熱膨張係数差に起因する応力をパッケージ本体１および突起２が吸収、緩和するので、チップ４と基板１７との間の接続信頼性が向上する。」
　
（８）刊行物８（「マイクロエレクトロニクス　パッケージング　ハンドブック」）の記載事項
（８ａ）「ベル研究所の手法は，チップのジャンクションを保護するためにチップ上に窒化シリコンのパッシべーション層を使用し，さらに内部接続が腐食しないように金線とビーム・リードを使用することであった。ＩＢＭ社の手法はガラス・パシベーションの薄い層でチップ表面とアルミニウム系配線部を保護する。チップとパッケージとの接続は，ハンダ・バンプで行なった。」（２８６頁下から１１〜７行）
（８ｂ）図６−３（ａ）には、Ａｌ−Ｃｕ配線とハンダバンプとを、Ｃｒ，Ｃｒ−Ｃｕ相、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物の３層構造のランドを介して接続することが示されている（２８８頁）。
　
（９）刊行物９（「ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」）の記載事項
　図１６．１．２には、Ｓｉ基板上に多層配線層を設け、最外層の絶縁層に開口を設けて、開口にハンダ・バンプを設け、さらに信号１層目と信号２層目とが、ビアを通して電気的に接続された構造が示されている（２１７頁）。
　
（１０）刊行物１０（「電子材料　４月号」）の記載事項
　図３には、ＬＳＩチップと抵抗チップとに亘って共通の樹脂層（絶縁層）を設けた構造が示されている（１０６頁）。
　
（１１）刊行物１１（「ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」の記載事項
　図１５．３．１３には、ＬＳＩチップを配線が形成された面とは反対側の面において、Ａｌ製放熱フィンに接着した構造が示されている（２０９頁）。
　
（１２）刊行物１２（ 「ＴＡＢ技術入門」）の記載事項
　図３．２には、「通常ウエハ」に「バンプ形成」し、その後「プロービング」、「ダイシング」の各工程を経るＴＡＢ技術のプロセスが示されている（２６頁）。
　
（１３）先願の願書に最初に添付された明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）（特開平８−２５０４９８号公報）の記載事項
（１３ａ）「【請求項３】パッドを有する半導体素子上に、回路基板と電気的・機械的に接続されるバンプを形成する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体素子上に第一の層間絶縁層を形成し、かつ該第一の層間絶縁層の、前記パッドの直上部を開口して該パッドを露出させる第一工程と、前記第一の層間絶縁層上に、前記パッドより半導体素子上のバンプ形成位置まで延びたパターンの配線部を形成する第二工程と、前記配線部を覆って前記第一の層間絶縁層上に第二の層間絶縁層を形成し、かつ該第二の層間絶縁層の、前記バンプ形成位置の直上部を開口して前記配線部を露出させる第三工程と、前記半導体素子の、第二の層間絶縁層を形成した側の面に導電層を形成する第四工程と、前記導電層上にめっきレジスト層を形成し、かつ前記バンプ形成位置の直上部を開口して前記導電層を露出させる第五工程と、前記半導体素子のめっきレジスト層側を電解液中に浸漬し、通電することによって前記バンプ形成位置の直上部にバンプを形成する第六工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
（１３ｂ）「【００２４】・・・請求項３記載の製造方法に基づいて説明する。まず、図２（ａ）に示すように、Ａｌ等からなるパッド１２を有した半導体素子１１を用意する。なお、図２（ａ）においてはパッド１２を一つしか示していないものの、半導体素子１１は、前述したように多数のパッド１２を有して・・・いる。
　【００２５】次に、前記半導体素子１１の、パッド１２を形成した側の面上に、図２（ｂ）に示すように第一の層間絶縁層１３を形成し、さらに該第一の層間絶縁層１３の、前記パッド１２の直上部を開口して該パッド１２を露出させる開口部１３ａを形成する。具体的には、例えば感光性ポリイミド・・・を半導体素子１１上にスピンコートして・・絶縁層を得、これを・・・プリベーク処理して第一の層間絶縁層１３とする。そして、予め用意した露光マスクを用い、これを通して露光しさらに現像処理することにより、図２（ｂ）中二点鎖線で示す部分を除去してパッド１２の上面を露出させる開口部１３ａを形成する。
　【００２６】次いで、図２（ｃ）に示すように前記第一の層間絶縁層１２上に、パッド１０より半導体素子１１上のバンプ形成位置まで延びたパターンの配線部１４を形成する。・・・・
　【００２７】次いで、得られた配線部１４を覆って前記第一の層間絶縁層１３上に、図２（ｄ）に示すように第二の層間絶縁層１５を形成し、さらに該第二の層間絶縁層の、前記バンプ形成位置の直上部を開口して前記配線部１４を露出させる開口部１６を形成する。具体的には、例えば感光性ポリイミド・・・を第一の層間絶縁層１３上にスピンコートして厚さ５μｍ程度の絶縁層を得、これを１００℃で２分間プリベーク処理して第二の層間絶縁層１５とする。そして、予め用意した露光マスクを用い、これを通して露光しさらに現像処理することにより、・・円状の開口面を有する開口部１６を形成する。」
　
３．当審の判断
（１）本件発明１について
１）特許法第２９条第１項違反
　上記刊行物１に記載の第１、２の絶縁層は、摘記（１ｃ）によれば、ポリイミド前駆体に選択露光、現像処理を施してスルホールを形成しているから、この第１、２の絶縁層は、感光性を有することは明らかであって、刊行物１の記載事項を総合すると、刊行物１には、「半導体基板の所定面に形設された半導体領域の、第１のボンディングパッドを露出してパッシべーション膜が形成された面上に、感光性を有する第１の絶縁層が形成され、該第１の絶縁層に、該第１の絶縁層を露光・現像することにより、前記第１のボンディングパッドを露出するスルホールが形成され、前記第１の絶縁層の表面に、前記開口を通して前記第１のボンディングパッドに電気的に接続する配線パターンが形成され、該配線パターン上に、感光性を有する第２の絶縁層が形成され、該第２の絶縁層に、該第２の絶縁層を露光・現像することにより、該配線パターンの第２のボンディングパッドを露出するスルホールを形成し、その後、第２のボンディングパッド面上に連続メッキにより電極バンプが形成されているフリップチップ接続の半導体装置」（以下、「刊行物１発明１」という。）が記載されていることになる。
　
　そこで、本件発明１と「刊行物１発明１」とを対比すると、刊行物１発明１の「半導体基板」、「第１の絶縁層」、「第２の絶縁層」、「第１（第２）のボンディングパッド」、「電極バンプ」は、本件発明１の「半導体チップ」、「第１の絶縁皮膜」、「第２の絶縁皮膜」、「電極」、「外部接続端子」に相当しているから、両者は、「半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、感光性を有する第１の絶縁皮膜が形成され、該第１の絶縁皮膜に、該第１の絶縁皮膜を露光・現像することにより、前記電極を露出する透孔が形成され、前記第１の絶縁皮膜の表面に、前記透孔を通して前記電極に電気的に接続する配線パターンが形成され、該配線パターン上に、感光性を有する第２の絶縁皮膜が形成され、該第２の絶縁皮膜に、該第２の絶縁皮膜を露光・現像することにより、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、該外部接続端子接合部に、外部接続端子が形成されている半導体装置」の点で一致し、相違する点はない。
　したがって、本件発明１は、刊行物１に記載された発明である。
　
２）特許法第２９条の２違反
　上記先願明細書には、摘記（１３ｂ）によれば、第一（第二）の層間絶縁層を感光性ポリイミドをスピンコートし、露光、現像処理することが記載されているから、先願明細書の記載事項を総合すると、先願明細書には、「パッドを有する半導体素子上に、回路基板と電気的・機械的に接続されるバンプを形成した半導体装置であって、前記半導体素子上に感光性を有する第一の層間絶縁層を形成し、かつ該第一の層間絶縁層の、前記パッドの直上部を開口して該パッドを露出させ、前記第一の層間絶縁層上に、前記パッドより半導体素子上のバンプ形成位置まで延びたパターンの配線部を形成し、前記配線部を覆って前記第一の層間絶縁層上に感光性を有する第二の層間絶縁層を形成し、かつ該第二の層間絶縁層の、前記バンプ形成位置の直上部を開口して前記配線部を露出させ、前記半導体素子の、第二の層間絶縁層を形成した側の面に導電層を形成し、前記導電層上にめっきレジスト層を形成し、かつ前記バンプ形成位置の直上部を開口して前記導電層を露出させ前記バンプ形成位置の直上部にバンプを形成した半導体装置」（以下、「先願発明」という。）が記載されていることになる。
　
　そこで、本件発明１と「先願発明」とを対比すると、先願発明の「半導体素子」、「第一の層間絶縁層」、「第二の層間絶縁層」、「パターンの配線部」、「バンプ」は、本件発明１の「半導体チップ」、「第１の絶縁皮膜」、「第２の絶縁皮膜」、「配線パターン」、「外部接続端子」に相当し、両者は、「半導体チップの、電極が露出した面上に、感光性を有する第１の絶縁皮膜が形成され、該第１の絶縁皮膜に、該第１の絶縁皮膜を露光・現像することにより、前記電極を露出する透孔が形成され、前記第１の絶縁皮膜の表面に、前記透孔を通して前記電極に電気的に接続する配線パターンが形成され、該配線パターン上に、感光性を有する第２の絶縁皮膜が形成され、該第２の絶縁皮膜に、該第２の絶縁皮膜を露光・現像することにより、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、該外部接続端子接合部に、外部接続端子が形成されている半導体装置」の点で一致するものの、本件発明１は、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、第１の絶縁皮膜が形成されているのに対し、先願発明は、パッシべーション膜が形成されていることが不明である点で相違する。
　しかしながら、半導体素子の基板上にパッシべーション膜を形成した後、第１の絶縁皮膜を形成することは周知のことであり、新たな効果を奏するものでもないから、本件発明１は、先願明細書に記載された発明と実質的に同一である。また、本件発明１の発明者が先願明細書に記載された発明者と同一であるとも、また本件出願の時において、本件出願人が上記先願の出願人と同一であるとも認められない。
　
（２）本件発明２について
　摘記（１ｃ）によれば、上記刊行物１には、第１の絶縁層上に配線、第２の絶縁層、第２の配線パターン、第３の絶縁層が形成されているから、上記刊行物１の記載事項を総合すると、刊行物１には、「半導体基板の所定面に形設された半導体領域の、第１のボンディングパッドを露出してパッシべーション膜が形成された面上に、感光性を有する絶縁層を介して配線パターンが２層に形成された半導体装置であって、前記各々の絶縁層に、絶縁層を露光・現像することにより下層の配線パターンと接続する部位あるいは前記第１のボンディングパッドを露出するスルホールあるいは開口が形成され、該絶縁層に、前記スルホールあるいは開口を通して前記下層の配線パターンあるいは第１のボンディングパッドに電気的に接続する配線パターンが形成され、第３の絶縁層に前記配線パターンの第２のボンディングパッドを露出するスルホールが形成され、前記第２のボンディングパッドに電極バンプが形成されているフリップチップタイプの半導体装置」（以下、「刊行物１発明２」という。）が記載されていることになる。
　
　本件発明２と「刊行物１発明２」とを対比すると、刊行物１発明２の「２層」、「第３の絶縁層」は、本件発明２の「多層」、「最外層の絶縁皮膜」に相当するものであるから、両者は、相違する点はない。
　したがって、本件発明２は、刊行物１に記載された発明である。
　
（３）本件発明３について
　上記刊行物２の記載事項を総合すると、刊行物２には、「半導体素子を形成した半導体基板１の表面に、電極部パッド２を露出してパッシべーション膜３が形成された面上に絶縁膜４が形成され、該絶縁膜に、前記電極部パッドを露出するスルーホール５が形成され、前記絶縁膜の表面に、前記スルーホールを通して前記電極部パッドに電気的に接続する配線層６が形成され、該配線層上にパッシべーション膜７が形成され、該パッシべーション膜に、前記配線層のバンプ接合部を露出する開口が形成され、前記パッシべーション膜の開口から露出するバンプ接合部に、めっきによるバンプ９が形成されているフリップチップタイプの半導体装置」（以下、「刊行物２発明」という。）が記載されていることになる。
　また、上記刊行物４の記載事項を総合すると、刊行物４には、「シリコン基板１の、Ａｌ電極２を露出してパッシべーション膜３が形成された面上に、第１ポリイミド層４が形成され、該第１ポリイミド層に、前記電極を露出する開口が形成され、前記第１ポリイミド層の表面に、前記開口を通して前記電極に接続する第１導体層５が形成され、該第１導体層が形成された面上に、第２ポリイミド層６が形成され、該第２ポリイミド層に、前記第１導体層を露出する開口が形成され、前記第２ポリイミド層の表面に、前記開口を通して前記第１導体層に接続する第２導体層７が形成され、該第２導体層上に、第３ポリイミド層８が形成され、該第３ポリイミド層に、前記第２導体層のハンダバンプ接合部を露出する開口が形成され、前記第３のポリイミド層の開口から露出するハンダバンプ接合部に、ハンダバンプ１０を形成されているフリップチップ型の半導装置」（以下、「刊行物４発明」という。）が記載されていることになる。
　
１）「刊行物１発明１」、「刊行物２発明」との対比
　本件発明３と「刊行物１発明１」又は「刊行物２発明」とを対比すると、刊行物１発明１、刊行物２発明の半導体装置は、いずれもフリップチップ型半導体装置であって、刊行物１発明１、刊行物２発明の半導体基板は本件発明３の半導体チップに相当しているから、両者は、それぞれ「半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、第１の絶縁皮膜が形成され、該第１の絶縁皮膜に、前記電極を露出する透孔が形成され、前記第１の絶縁皮膜の表面に、前記透孔を通して前記電極に電気的に接続する配線パターンが形成され、該配線パターン上に、第２の絶縁皮膜が形成され、該第２の絶縁皮膜に、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、前記第２の絶縁皮膜の透孔から露出する外部接続端子接合部に、バンプが形成されている半導体装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　相違点１：本件発明３は、外部接続端子接合部に、はんだボールを配置し、該はんだボールをリフローすることにより、外部接続端子としてのバンプが形成されているのに対し、刊行物１発明１、刊行物２発明のバンプはそのようなものではない点。
　
　上記相違点１について検討する。外部接続端子接合部に、はんだボールを配置し、該はんだボールをリフローすることにより、外部接続端子としてのバンプを形成することは、例えば、特開平４−２８０６３３号公報（請求項１、図４及びその説明参照。）には、ベアチツプの電極上へのはんだボールを溶融してはんだボールを形成すること、特開昭６２−２５４３５号公報（従来技術欄（１頁右欄１３行〜２頁右上欄１９行参照。）には、シリコンウエハにボンデイング用バンプを金属ボール法で形成することが記載されているように周知のことである。よって、刊行物１発明１、刊行物２発明のバンプを、はんだボールを配置し、該はんだボールをリフローして形成したバンプとすることは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　したがって、本件発明３は、刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
２）「刊行物４発明」との対比
　本件発明３と「刊行物４発明」とを対比すると、刊行物４発明の半導体装置はフリップチップ型半導体装置であって、刊行物４発明のシリコン基板は本件発明３の半導体チップに相当しているから、両者は、「半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、第１の絶縁皮膜が形成され、該第１の絶縁皮膜に、前記電極を露出する透孔が形成され、前記第１の絶縁皮膜の表面に、前記透孔を通して前記電極に電気的に接続する配線パターンが形成され、該配線パターン上に、第２の絶縁皮膜が形成され、該第２の絶縁皮膜に、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、第３の絶縁皮膜の透孔から露出する外部接続端子接合部に、バンプが形成されている半導体装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　相違点２：本件発明３は、外部接続端子接合部に、はんだボールを配置し、該はんだボールをリフローすることにより、外部接続端子としてのバンプが形成されているのに対し、刊行物４発明のハンダバンプはそのようなものではない点。
　相違点３：本件発明３は、配線パターン上に、第２の絶縁皮膜が形成され、該第２の絶縁皮膜に、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、前記第２の絶縁皮膜の透孔から露出する外部接続端子接合部に、バンプが形成されているのに対し、刊行物４発明のポリイミド層は３層構造であり、導体層は２層構造である点。
　
　相違点２については、上記１）の相違点１で判断したと同じであるので、上記相違点３について検討する。
　刊行物４発明の３層構造のポリイミド層、２層構造の導体層を、本件発明３と同様に、２層構造のポリイミド層、１層構造の導体層とするようなことは、必要とされる配線構造に応じて容易に設計できる程度の事項にすぎない。
　したがって、本件発明３は、刊行物４に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）本件発明４について
　本件発明４は、本件発明２において、「感光性を有する絶縁皮膜」を「絶縁皮膜」とすると共に、「絶縁皮膜を感光・露光すること」を省き、「外部接続端子」の形成を「はんだボールを配置し、該はんだボールをリフローすることにより、外部接続端子としてのバンプが形成されている」と限定する発明である。
　そこで、本件発明４と「刊行物１発明２」又は「刊行物４発明」とを対比すると、刊行物１発明２の半導体装置は３層の絶縁層を介して配線パターンを２層に形成したものであって、多層の半導体装置に相当し、また、刊行物４発明の半導体装置も３層のポリイミド層を介して導体層を２層に形成したものであって、多層の半導体装置に相当するものである。
　そうすると、両者は、「半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、絶縁皮膜を介して配線パターンが多層に形成された半導体装置であって、前記各々の絶縁皮膜に、下層の配線パターンと接続する部位あるいは前記電極を露出する透孔が形成され、該絶縁皮膜に、前記透孔を通して前記下層の配線パターンあるいは電極に電気的に接続する配線パターンが形成され、最外層の絶縁皮膜に前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、前記外部接続端子接合部に外部接続端子が形成されている半導体装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　相違点４：本件発明４は、外部接続端子接合部に、はんだボールを配置し、該はんだボールをリフローすることにより、外部接続端子としてのバンプが形成されているのに対し、刊行物１発明２の電極バンプ、刊行物４発明のハンダバンプはそのようなものではない点。
　
　上記相違点４について検討すると、相違点４は、上記「（３）本件発明３について、１）」の相違点１で判断したと同じである。
　したがって、本件発明４は、刊行物１、４に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）本件発明５について
　本件発明５は、本件発明３において、「第１（第２）の絶縁皮膜」を「ゴム状の弾性を有する第１（第２）の絶縁皮膜」とすると共に、外部接続端子の形成である「はんだボールを配置し、該はんだボールをリフローすることにより、外部接続端子としてのバンプが形成されている」を単に「外部接続端子」の形成とする発明である。
　そうすると、本件発明５と「刊行物４発明」とを対比すると、両者は、「半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、第１の絶縁皮膜が形成され、該第１の絶縁皮膜に、前記電極を露出する透孔が形成され、前記第１の絶縁皮膜の表面に、前記透孔を通して前記電極に電気的に接続する配線パターンが形成され、最外層の絶縁皮膜に配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、前記外部接続端子接合部に外部接続端子が形成されている半導体装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　相違点５：本件発明５の第１の絶縁皮膜、２の絶縁皮膜はゴム状の弾性を有するのに対し、刊行物４発明のポリイミド層はゴム状の弾性を有することが不明である点。
　相違点６：本件発明５は、配線パターン上に、第２の絶縁皮膜が形成され、該第２の絶縁皮膜に、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、該外部接続端子接合部に、外部接続端子が形成されているのに対し、刊行物４発明のポリイミド層は３層構造であり、導体層は２層構造である点。
　
　上記相違点５、６について検討する。
　相違点５について：刊行物４には、摘記（４ｂ）によれば、ポリイミドが微細パターン化の可能な樹脂として広く用いられており、無機材料、金属材料に比較して弾性係数が約２桁低いために、発生する応力は小さいものとなり、他から加わる応力を吸収する効果も生じる旨記載されているから、該ポリイミド樹脂を、ゴム状の弾性を有するものとすることは当業者ならば容易に想到し得ることである。
　相違点６について：上記「（３）本件発明３について、２）」相違点３の検討において判断したように、２層構造のポリイミド層、１層構造の導体層とするようなことは、必要とされる配線構造に応じて容易に設計できる程度の事項にすぎない。
　したがって、本件発明５は、刊行物４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（６）本件発明６について
　本件発明６は、本件発明５において、「ゴム状の弾性を有する絶縁皮膜を介して配線パターン」が「多層に形成され」ていることを限定する発明である。
　本件発明６と「刊行物４発明」とを対比すると、刊行物４発明の半導体装置も３層のポリイミド層を介して導体層を２層に形成したものであって、多層の半導体装置に相当しているから、両者は、「半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、絶縁皮膜を介して配線パターンが多層に形成された半導体装置であって、前記各々の絶縁被膜に、下層の配線パターンと接続する部位あるいは前記電極を露出する透孔が形成され、該絶縁皮膜に、前記透孔を通して前記下層の配線パターンあるいは電極に電気的に接続する配線パターンが形成され、最外層の絶縁皮膜に前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、前記外部接続端子接合部に外部接続端子が形成されている半導体装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　相違点７：本件発明６の第１、２の絶縁皮膜はゴム状の弾性を有するのに対し、刊行物４発明のポリイミド層はゴム状の弾性を有することが不明である点。
　
　上記相違点７について検討すると、上記「（５）本件発明５について」の相違点５おいて判断したように当業者ならば容易に想到し得ることである。
　したがって、本件発明６は、刊行物４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（７）本件発明７について
　上記刊行物６の記載事項を総合すると、刊行物６には、「チップに分割される半導体ウエハ（１）の、電極（２）を露出して表面安定化膜（３）が形成された面上に、第１の高分子化合物よりなる膜（４）が形成され、該第１の高分子化合物よりなる膜に、前記電極を露出する開口（５）が形成され、前記第１の高分子化合物よりなる膜の表面に、前記開口を通して前記電極に電気的に接続するパターニングされた金属膜（６）が形成され、該金属膜上に、第２の高分子化合物よりなる膜（７）が形成され、該第２の高分子化合物よりなる膜に、前記金属膜のバンプ形成領域を露出する開口（８）が形成され、該バンプ形成領域に、バンプ（１２）が形成されている半導体装置」（以下、「刊行物６発明」という。）が記載されていることになる。
　
　そこで、本件発明７と「刊行物６発明」とを対比すると、刊行物６発明の「表面安定化膜」、「バンプ形成領域」は、本件発明７の「パッシべーション膜」、「外部接続端子接合部」に相当しているから、両者は、「半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、第１の絶縁皮膜が形成され、該第１の絶縁皮膜に、前記電極を露出する透孔が形成され、前記第１の絶縁皮膜の表面に、前記透孔を通して前記電極に電気的に接続する配線パターンが形成されるとともに、該配線パターン上に、第２の絶縁皮膜が形成され、該第２の絶縁皮膜に、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、該外部接続端子接合部に、外部接続端子が形成されている半導体装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　相違点８：本件発明７は、第１の絶縁皮膜の表面に、コンデンサあるいは抵抗等の回路用素子が形成されるのに対し、刊行物６発明の第１の高分子化合物よりなる膜の表面にはこのような素子は形成されていない点。
　
　上記相違点８について検討すると、半導体チップ表面上に配線を形成したものにおいて、配線内にコンデンサ、抵抗等の回路素子を配置するようなことは、例えば、特開昭６３−１３３７１号公報（１頁従来の技術欄参照）、特開平６−３７２５１号公報（従来の技術欄参照）に示されるように周知の技術にすぎないから、刊行物６発明の第１の高分子化合物よりなる膜の表面に、配線パターンとともにコンデンサあるいは抵抗等の回路要素子を形成することは当業者ならば容易に想到し得ることである。
　したがって、本件発明７は、刊行物６に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（８）本件発明８について
　本件発明８と「刊行物４発明」とを対比すると、刊行物４発明の半導体装置も３層のポリイミド層を介して導体層を２層に形成したものであって、多層の半導体装置に相当しているから、両者は、「半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面上に、絶縁皮膜を介して配線パターンが多層に形成された半導体装置であって、前記各々の絶縁皮膜に、下層の配線パターンと接続する部位あるいは電極に電気的に接続する配線パターンが形成され、最外層の絶縁皮膜に前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、該外部接続端子接合部に外部接続端子が形成されている半導体装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　相違点９：本件発明８は、絶縁皮膜に、コンデンサあるいは抵抗等の回路用素子が形成されるのに対し、刊行物４発明の第１ポリイミド層の表面にはこのような素子は形成されていない点。
　
　上記相違点９について検討すると、上記「（７）本件発明７」の相違点８において判断したように、配線パターンとともにコンデンサあるいは抵抗等の回路要素子を形成することは当業者ならば容易に想到し得ることである。
　したがって、本件発明８は、刊行物４に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（９）本件発明９について
　本件発明９は、本件発明１〜８を引用する発明であって、本件発明１〜８の発明特定事項をすべて含み、さらに、「半導体チップの、電極を露出してパッシベーション膜が形成された面の、該パッシベーション膜の表面に金属層が形成され、該金属層上に、第１の絶縁皮膜が形成され、該第１の絶縁皮膜に前記電極を露出する透孔が形成されている」点を発明特定事項としているので、この点について検討する。
　
１）「先願発明」との対比
　本件発明９と上記「先願発明」とを対比する。上記本件発明９の「金属層」は、半導体チップに形成された回路を紫外線から保護する紫外線遮蔽層として作用するものであって、先願明細書に記載の発明には、上記の点については何も記載されていないし示唆もされていない。また、チップ上のパッシべーション膜の表面に上記金属層を形成することは周知の技術であるとすることもできない（なお、本件発明１と先願発明との対比において例示した、刊行物８に記載のチップ上のパッシべーション膜の表面に形成された金属は、多層配線の一部であって、本件発明９の「金属層」とは認められない。）。
　したがって、本件発明９は、先願発明と同一であるとすることはできない。
　
２）刊行物１、２、４、及び６に記載の発明との対比
　本件発明９と上記刊行物１、２、４、及び６に記載の発明とを対比すると、刊行物１、２、４、及び６には、チップ上のパッシべーション膜の表面に金属層を形成することは何も記載されていないし示唆もされていない。また、チップ上のパッシべーション膜の表面に金属層を形成することは周知の技術であるとすることもできないから、上記の点は当業者が容易に想到し得ることではない。
　そして、本件発明９は、上記した点により特許明細書に記載された効果を奏しているものである。
　したがって、本件発明９は、刊行物１、２、４、及び６に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（１０）本件発明１０について
　本件発明１０は、本件発明１〜９を引用する発明であって、本件発明１〜９のいずれかの発明の特定事項をすべて含み、更に、「半導体チップを複数備え、該複数の半導体チップ面に共通の絶縁皮膜が形成され、前記複数の半導体チップの所要の電極同士が配線パターンにより接続され、前記配線パターンを含む前記絶縁皮膜の表面に共通の絶縁皮膜が形成されている」点を特定事項としているので、この点について検討する。
　刊行物１０に記載のように、複数の半導体チップ面に共通の絶縁被膜を形成することは周知の技術である。（必要ならば、特開昭６２−２１１９８８号公報、特開昭６３−６６４９９号公報、特開平６−２９３５５号公報も参照されたい。）
　そうすると、刊行物１、２に記載の半導体素子、刊行物４に記載のシリコン基板、及び刊行物６に記載のチップに上記周知の技術を適用して、上記の点とすることは当業者ならば容易に想到し得ることである。
　したがって、本件発明１〜８を引用する本件発明１０は、刊行物１、２、４、及び６に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（１１）本件発明１１について
　本件発明１１は、本件発明１〜１０を引用する発明であって、本件発明１〜１０のいずれかの発明の特定事項をすべて含み、さらに、「外部接続端子が、絶縁皮膜に形成された透孔の底面、内壁面および周縁部を被覆して形成されたランドを介して外部接続端子接合部に接続されている」点を特定事項としているので、この点について検討する。
　刊行物８に記載のように、外部接続端子（ハンダパッド）をランドを介して外部接続端子接合部（電極）に接続することは周知の技術であるから、刊行物１、２に記載の半導体素子、刊行物４に記載のシリコン基板、及び刊行物６に記載のチップに上記周知の技術を適用して、上記の点とすることは当業者ならば容易に想到し得ることである。
　したがって、本件発明１〜８、１０を引用する本件発明１１は、刊行物１、２、４、並びに６に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（１２）本件発明１２について
　本件発明１２は、本件発明１〜１１を引用する発明であって、本件発明１〜１１のいずれかの発明の特定事項をすべて含み、さらに、「半導体チップの電極が形成された面と反対側の面にヒートシンクまたはヒートスプレッダーが固着されている」点を特定事項としているので、この点について検討する。
　刊行物１１に記載のように、半導体チップの電極が形成された面と反対側の面にヒートシンク、ヒートスプレッダを接着することは周知の技術であるから、刊行物１、２に記載の半導体素子、刊行物４に記載のシリコン基板、及び刊行物６に記載のチップに上記周知の技術を適用して、上記の点とすることは当業者ならば容易に想到し得ることである。
　したがって、本件発明１〜８、１０、１１を引用する本件発明１２は、刊行物１、２、４、並びに６に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（１３）本件発明１３について
　本件発明１３は、本件発明１の半導体装置の製造方法として、本件発明１において「半導体チップが多数作り込まれたウェハー」を用い、外部接続端子を形成した後「ウェハーを個片の半導体装置に分離する」ことを特定する発明である。そこで、本件発明１３と「刊行物１発明１」とを対比すると、次の点で相違している。
　相違点１０：本件発明１３は、半導体チップが多数作り込まれたウェハーに、第１、２の絶縁被膜、配線パターン、外部接続端子などを形成した後、ウェハーを個片の半導体装置に分離するものであるのに対し、刊行物１発明１は、半導体チップに、第１、２のボンディングパッド、配線パターン、電極バンプなどを形成するものである点。
　
　上記相違点１０について検討すると、刊行物６には、半導体ウエハ上にバンプを形成した後、半導体ウエハをダイシングして各半導体チップに分割分離することが開示され、しかも、半導体ウエハを各半導体チップに分割分離してから半導体ウエハに種々の加工を施すか、半導体チップが多数作り込まれた半導体ウエハに種々の加工を施してから各半導体チップに分離分割するかは容易に選択できる程度の事項にすぎないから、刊行物１に記載のように、半導体ウエハを半導体チップに分離分割した後、半導体チップに加工を施すものに替えて、半導体チップが多数作り込まれた半導体ウエハに加工を施した後、ダイシングして、各半導体チップに分離分割することは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　したがって、本件発明１３は、刊行物１、６に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（１４）本件発明１４について
　本件発明１４は、本件発明２の半導体装置の製造方法として、本件発明２において「半導体チップが多数作り込まれたウェハー」を用い、外部接続端子を形成し後「ウェハーを個片の半導体装置に分離する」ことを特定する発明である。そこで、本件発明１３と「刊行物１発明２」とを対比すると、次の点で相違している。
　相違点１１：本件発明１４は、半導体チップが多数作り込まれたウェハーに、第１、２の絶縁被膜、配線パターン、外部接続端子などを形成した後、ウェハーを個片の半導体装置に分離するものであるのに対し、刊行物１発明２は、半導体チップに、第１、２のボンディングパッド、配線パターン、電極バンプなどを形成するものである点。
　
　上記相違点１１について検討すると、上記「（１３）本件発明１３について」の相違点１０において判断したように、半導体チップが多数作り込まれた半導体ウエハに加工を施した後、ダイシングして、各半導体チップに分離分割することは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　したがって、本件発明１４は、刊行物１、６に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（１５）本件発明１５について
　本件発明１５は、本件発明３の半導体装置の製造方法として、本件発明３において「半導体チップが多数作り込まれたウェハー」を用い、外部接続端子を形成し後「ウェハーを個片の半導体装置に分離する」ことを特定する発明である。
１）「刊行物１発明１」又は「刊行物２発明」との対比
　本件発明１５と「刊行物１発明１」又は「刊行物２発明」とを対比すると、次の点で相違している。
　相違点１２：本件発明１５は、外部接続端子接合部に、はんだボールを配置し、該はんだボールをリフローすることにより、外部接続端子としてのバンプを形成したのに対し、刊行物１発明１、刊行物２発明のバンプはそのようなものではない点。
　相違点１３：本件発明１５は、半導体チップが多数作り込まれたウェハーに、第１の絶縁皮膜、第２の絶縁皮膜、配線パターン、外部接続端子などを形成した後、ウェハーを個片の半導体装置に分離するものであるのに対し、刊行物１発明１は、半導体チップに、第１、２の絶縁層、配線パターン、電極バンプなどを形成するものであり、刊行物２発明は、半導体チップに、絶縁膜、パッシべーション膜、配線層、バンプなどを形成するものである点。
　
　上記相違点１２、１３について検討する。
　相違点１２については、上記「（３）本件発明３について　１）」の相違点１において判断したように、はんだボールをリフローして形成したバンプを採用する程度のことは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　相違点１３については、上記「（１３）本件発明１３について」の相違点１０において判断したように、半導体チップが多数作り込まれた半導体ウエハに加工を施した後、ダイシングして、各半導体チップに分離分割することは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　したがって、本件発明１５は、刊行物１、２、並びに６に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
２）「刊行物４発明」との対比
　本件発明１５と「刊行物４発明」とを対比すると、次の点で相違する。
　相違点１４：本件発明１５は、外部接続端子接合部に、はんだボールを配置し、該はんだボールをリフローすることにより、外部接続端子としてのバンプが形成されているのに対し、刊行物４発明のバンプはそのようなものではない点。
　相違点１５：本件発明１５は、配線パターン上に、第２の絶縁皮膜が形成され、該第２の絶縁皮膜に、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、前記第２の絶縁皮膜の透孔から露出する外部接続端子接合部に、バンプが形成されているのに対し、刊行物４発明のポリイミド層は３層構造であり、導体層は２層構造である点。
　相違点１６：本件発明１５は、半導体チップが多数作り込まれたウェハーに、第１、２の絶縁被膜、配線パターン、外部接続端子などを形成した後、ウェハーを個片の半導体装置に分離するものであるのに対し、刊行物４発明は、半導体チップに、絶縁膜、パッシべーション膜、配線層、バンプなどを形成するものである点。
　
　上記相違点１４〜１６について検討する。
　相違点１４については、上記「（３）本件発明３について　１）」の相違点１において判断したように、はんだボールをリフローして形成したバンプを採用する程度のことは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　相違点１５については、上記「（３）本件発明３について　２）」の相違点３において判断したように、２層構造のポリイミド層、１層構造の導体層とするようなことは、必要とされる配線構造に応じて容易に設計できる程度の事項にすぎない。
　相違点１６については、上記「（１３）本件発明１３について」の相違点１０において判断したように、半導体チップが多数作り込まれた半導体ウエハに加工を施した後、ダイシングして、各半導体チップに分離分割することは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　したがって、本件発明１５は、刊行物４、６に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（１６）本件発明１６について
　本件発明１６は、本件発明３の半導体装置の製造方法として、本件発明４において「半導体チップが多数作り込まれたウェハー」を用い、外部接続端子を形成し後「ウェハーを個片の半導体装置に分離する」ことを特定する発明である。そして、本件発明１６と「刊行物１発明２」又は「刊行物４発明」とを対比すると、次の点で相違している。
　相違点１７：本件発明１６は、外部接続端子接合部に、はんだボールを配置し、該はんだボールをリフローすることにより、外部接続端子としてのバンプを形成するのに対し、刊行物１発明２、刊行物４発明のバンプはそのようなものではない点。
　相違点１８：本件発明１６は、半導体チップが多数作り込まれたウェハーに、第１、２の絶縁被膜、配線パターン、外部接続端子などを形成した後、ウェハーを個片の半導体装置に分離するものであるのに対し、刊行物１発明２は、半導体チップに、第１、２の絶縁層、配線パターン、電極バンプなどを形成するものであり、刊行物４発明は、半導体チップに、絶縁膜、パッシべーション膜、配線層、バンプなどを形成するものである点。
　
　上記相違点１７、１８について検討する。
　相違点１７については、上記「（３）本件発明３について　１）」の相違点１において判断したように、はんだボールをリフローして形成したバンプとすることは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　相違点１８については、上記「（１３）本件発明１３について」の相違点１０において判断したように、半導体チップが多数作り込まれた半導体ウエハに加工を施した後、ダイシングして、各半導体チップに分離分割することは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　したがって、本件発明１６は、刊行物１、４、並びに６に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（１７）本件発明１７について
　本件発明１７は、本件発明５の半導体装置の製造方法として、本件発明５において「半導体チップが多数作り込まれたウェハー」を用い、外部接続端子を形成し後「ウェハーを個片の半導体装置に分離する」ことを特定する発明である。そして、本件発明１７と「刊行物４発明」とを対比すると、次の点で相違している。
　相違点１９：本件発明１７の第１の絶縁皮膜、第２の絶縁皮膜はゴム状の弾性を有するのに対し、刊行物４発明のポリイミド層はゴム状の弾性を有することが不明である点。
　相違点２０：本件発明１７は、配線パターン上に、第２の絶縁皮膜が形成され、該第２の絶縁皮膜に、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、該外部接続端子接合部に、外部接続端子が形成されているのに対し、刊行物４発明のポリイミド層は３層構造であり、導体層は２層構造である点。
　相違点２１：本件発明１７は、半導体チップが多数作り込まれたウェハーに、第１の絶縁皮膜、第２の絶縁皮膜、配線パターン、外部接続端子などを形成した後、ウェハーを個片の半導体装置に分離するものであるのに対し、刊行物４発明は、半導体チップに、第１、２、３ポリイミド層、第１、２導体層、ハンダバンプなどを形成するものである点。
　
　上記相違点１９〜２１について検討する。
　相違点１９については、上記「（５）本件発明５について」の相違点５おいて判断したように、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　相違点２０については、上記「（３）本件発明３について　２）」の相違点３おいて判断したように、２層構造のポリイミド層、１層構造の導体層とするようなことは、必要とされる配線構造に応じて容易に設計できる程度の事項にすぎない。
　相違点２１については、上記「（１３）本件発明１３について」の相違点１０において判断したように、半導体チップが多数作り込まれた半導体ウエハに加工を施した後、ダイシングして、各半導体チップに分離分割することは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　したがって、本件発明１７は、刊行物１、４、並びに６に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（１８）本件発明１８について
　本件発明１８は、本件発明６の半導体装置の製造方法として、本件発明６において「半導体チップが多数作り込まれたウェハー」を用い、外部接続端子を形成し後「ウェハーを個片の半導体装置に分離する」ことを特定する発明である。そして、本件発明１８と「刊行物４発明」とを対比すると、次の点で相違している。
　相違点２２：本件発明１８の第１の絶縁皮膜、第２の絶縁皮膜はゴム状の弾性を有するのに対し、刊行物４発明のポリイミド層はゴム状の弾性を有することが不明である点。
　相違点２３：本件発明１８は、半導体チップが多数作り込まれたウェハーに、第１、２の絶縁被膜、配線パターン、外部接続端子などを形成した後、ウェハーを個片の半導体装置に分離するものであるのに対し、刊行物４発明は、半導体チップに、第１、２、３ポリイミド層、第１、２導体層、ハンダバンプなどを形成するものである点。
　
　上記相違点２２、２３について検討する。
　相違点２２については、上記「（５）本件発明５について」の相違点５おいて判断したように、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　相違点２３については、上記「（１３）本件発明１３について」の相違点１０において判断したように、半導体チップが多数作り込まれた半導体ウエハに加工を施した後、ダイシングして、各半導体チップに分離分割することは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　したがって、本件発明１８は、刊行物４、６に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（１９）本件発明１９、本件発明２０について
　本件発明１９は、本件発明１５の半導体装置の製造方法において、「パッシベーション膜の表面に金属層を形成」することを特定し、はんだボールをリフローすることにより外部接続端子としてのバンプ形成を、単に「外部接続端子を形成し」と特定する発明であり、又本件発明２０は、本件発明１６の半導体装置の製造方法において、「パッシベーション膜の表面に金属層を形成」することを特定し、はんだボールをリフローすることにより外部接続端子としてのバンプ形成を、単に「外部接続端子を形成し」と特定する発明である。そして、本件発明１９と「刊行物４発明」とを対比すると、次の点で相違する。
　相違点２４：本件発明１９は、パッシべーション膜の表面に金属層を形成し、該金属層上に、第１の絶縁皮膜を形成したのに対し、刊行物４発明のパッシべーション膜の表面には、金属層は形成されていない点。
　相違点２５：本件発明１９は、配線パターン上に、第２の絶縁皮膜が形成され、該第２の絶縁皮膜に、前記配線パターンの外部接続端子接合部を露出する透孔が形成され、該外部接続端子接合部に、外部接続端子が形成されているのに対し、刊行物４発明のポリイミド層は３層構造であり、導体層は２層構造である点。
　相違点２６：本件発明１９は、半導体チップが多数作り込まれたウェハーの第１の絶縁皮膜、第２の絶縁皮膜、配線パターン、外部接続端子などを形成した後、ウェハーを個片の半導体装置に分離するものであるのに対し、刊行物４発明は、半導体チップに、第１、２、３ポリイミド層、第１、２導体層、ハンダバンプなどを形成するものである点。
　
　又本件発明２０と「刊行物４発明」とを対比すると、次の点で相違する。
　相違点２７：本件発明２０は、パッシべーション膜の表面に金属層を形成し、該金属層上に、第１の絶縁皮膜を形成したのに対し、刊行物４発明のパッシべーション膜の表面には金属層は形成されていない点。
　相違点２８：本件発明２０は、半導体チップが多数作り込まれたウェハーに、第１の絶縁皮膜、第２の絶縁皮膜、配線パターン、外部接続端子などを形成した後、ウェハーを個片の半導体装置に分離するものであるのに対し、刊行物４発明は、半導体チップに、第１、２、３ポリイミド層、第１、２導体層、ハンダバンプなどを形成するものである点。
　
　上記相違点の内、相違点２４、２７について検討すると、上記「（９）本件発明９について　２）」において判断したように、刊行物１、２、４、６には、チップ上のパッシべーション膜の表面に金属層を形成することは何も記載されていないし示唆もされていない、また、チップ上のパッシべーション膜の表面に金属層を形成することは周知の技術であるとすることもできないから、上記の点は当業者が容易に想到し得ることではない。
　
　したがって、本件発明１９、２０は、他の相違点について検討するまでもなく、刊行物１、２、４、６に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　また、その他の異議申立の証拠は、本件発明９、１９、２０を取り消すべき理由として採用することができない。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、請求項１に係る発明の特許については、特許法第２９条第１項、及び同法第２９条の２の規定に違反してされたものであり、また、請求項２に係る発明の特許については、同法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、さらに、請求項３〜８、１０〜１８に係る発明の特許については、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、特許法第１１３条第２号の規定に該当し、取り消されるべきものである。
　また、請求項９、１９、２０に係る発明の特許については、特許異議の申し立ての理由及び証拠によっては取り消すことはできないし、他に請求項９、１９、２０に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年１２月２６日（２００５．１２．２６）