【事件の表示】
　平成　６年特許願第　７５３７５号「薄膜トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年１１月　４日出願公開、特開平　６−３１０７２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年３月２２日（パリ条約優先権主張、１９９３年３月１９日、韓国）の出願であって、平成１５年６月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年９月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月１日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成１７年２月１日付けで審尋がなされ、その後平成１７年４月２８日に回答書が提出され、同年５月１８日に上申書が提出されたものである。
　
２．平成１５年１０月１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について 
　［補正却下の決定の結論］ 
　平成１５年１０月１日付けの手続補正を却下する。 
　［理由］ 
（１）本件補正の内容 
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１及び明細書の００１３段落を補正するものであって、補正された特許請求の範囲の請求項１（以下、「補正後請求項１」という。）は、以下のとおりである。
　「【請求項１】　基板と、この基板上に形成されたソース及びドレイン電極と、このソース及びドレイン電極と各々接触するように形成されるソース及びドレインのＬＤＤ領域と、これらＬＤＤ領域間に電気的接触のために同一の高さで形成された活性層と、前記ソース及びドレイン電極、ＬＤＤ領域及び活性層上に形成された第１ゲート絶縁膜と、前記第１ゲート絶縁膜上に形成された第１ゲート電極とからなる薄膜トランジスタにおいて、前記第１ゲート絶縁膜上の第１ゲート電極上に第２ゲート絶縁膜が形成され、前記第１及び第２ゲート絶縁膜上に前記第１ゲート電極と電気的に分離された状態で第２ゲート電極が配設され、かつ該第２ゲート電極が前記ソース及びドレインのＬＤＤ領域をカバーする程の幅を有する構成となし、前記第２ゲート電極に前記第１ゲート電極の電圧とは異なる付加的な電圧を印加することにより、前記ＬＤＤ領域に活性化された電子移動回路を形成することを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　また、本件補正により、明細書の００１３段落は以下のとおりに補正された。 
　「【００１３】
　　【課題を解決するための手段】
　このような目的を達成するために、本発明は、基板と、この基板上に形成されたソース及びドレイン電極と、このソース及びドレイン電極と各々接触するように形成されるソース及びドレインのＬＤＤ領域と、これらＬＤＤ領域間に電気的接触のために同一の高さで形成された活性層と、前記ソース及びドレイン電極、ＬＤＤ領域及び活性層上に形成された第１ゲート絶縁膜と、前記第１ゲート絶縁膜上に形成された第１ゲート電極とからなる薄膜トランジスタにおいて、前記第１ゲート絶縁膜上の第１ゲート電極上に第２ゲート絶縁膜が形成され、前記第１及び第２ゲート絶縁膜上に前記第１ゲート電極と電気的に分離された状態で第２ゲート電極が配設され、かつ該第２ゲート電極が前記ソース及びドレインのＬＤＤ領域をカバーする程の幅を有する構成となし、前記第２ゲート電極に前記第１ゲート電極の電圧とは異なる付加的な電圧を印加することにより、前記ＬＤＤ領域に活性化された電子移動回路を形成することを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。」
　
　上記補正は、平成１５年３月２５日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１（以下、「補正前請求項１」という。）に記載された以下のとおりのもの及び明細書の００１３段落を補正するものである。
　「【請求項１】　基板と、この基板上に形成されたソース及びドレイン電極と、このソース及びドレイン電極と各々接触するように形成されるソース及びドレインのＬＤＤ領域と、これらＬＤＤ領域間に電気的接触のために同一の高さで形成された活性層と、前記ソース及びドレイン電極、ＬＤＤ領域及び活性層上に形成された第１ゲート絶縁膜と、前記第１ゲート絶縁膜上に形成された第１ゲート電極とからなる薄膜トランジスタにおいて、前記第１ゲート絶縁膜上の第１ゲート電極上に第２ゲート絶縁膜が形成され、前記第１及び第２ゲート絶縁膜上に前記第１ゲート電極と電気的に分離された状態で第２ゲート電極が配設され、かつ該第２ゲート電極が前記ソース及びドレインのＬＤＤ領域をカバーする程の幅を有する構成となしたことを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　
（２）補正の内容の整理
　補正事項１
　「補正前請求項１」を「補正後請求項１」に補正するものであって、
　補正前請求項１の「たことを特徴とする薄膜トランジスタ。」を
　補正後請求項１の「、前記第２ゲート電極に前記第１ゲート電極の電圧とは異なる付加的な電圧を印加することにより、前記ＬＤＤ領域に活性化された電子移動回路を形成することを特徴とする薄膜トランジスタ。」と補正するものである。
　さらに言い換えると、補正前請求項１の「た」を、補正後請求項１の「、前記第２ゲート電極に前記第１ゲート電極の電圧とは異なる付加的な電圧を印加することにより、前記ＬＤＤ領域に活性化された電子移動回路を形成する」と補正するものであって、実質的には、「前記第２ゲート電極に前記第１ゲート電極の電圧とは異なる付加的な電圧を印加することにより、前記ＬＤＤ領域に活性化された電子移動回路を形成する」なる構成を補正により追加するものである。
　
　補正事項２
　明細書の００１３段落の記載を、補正事項１の記載に整合させるために補正するものである。
　
（３）新規事項の有無及び補正の目的の適否について
　補正事項１について
（ａ）本願の願書に最初に添付した明細書又は図面には、「このように構成された本発明の薄膜トランジスタにおいて、この薄膜トランジスタが“オン”状態になると、第１及び第２ゲート電極にゲート電圧が印加される。従って、第２ゲート電極の電圧がＬＤＤ領域までに影響を及ぼすことになり、このＬＤＤ領域が活性化された電子移動経路へ作用すること」（００１５段落及び００１６段落）、「薄膜トランジスタの“オン”状態で第１ゲート電極（６０）と第２ゲート電極（８０）にゲート電圧が印加すると、第１ゲート電極（６０）は従来の薄膜トランジスタの場合と同じく作用する反面に、第２ゲート電極（８０）は、ＬＤＤ領域（７０ａ）、（７０ｂ）までゲート電圧の影響を及ぼすことになる。従って、電流の要素である電子移動経路が図３のようにＬ１からＬ２へ変化することになる。即ち、従来の薄膜トランジスタの場合、ＬＤＤ領域は“オン”の状態で電子移動に対する抵抗体として作用することになるが、本発明ではＬＤＤ領域（７０ａ）、（７０ｂ）が第２ゲート電極（８０）のゲート電圧の影響により活性化された（即ち、抵抗が小さい）電子移動経路へ作用するので、その作動電流が従来のＬＤＤ構造の薄膜トランジスタに比して向上する。一方、薄膜トランジスタ“オフ”の状態では、理想的な薄膜トランジスタを仮定するとき、ゲート電圧ＶＧがＯＶ（即ちＶＧ＝０）であるときに“オフ”となる。ここで第２ゲート電極（８０）のゲート電圧（ＶＧ）がＯＶより低くなる場合（即ち、ＶＦ＜０）に“オフ”−電流（漏洩電流）が多少増加することになるが、ＬＤＤ構造を有する薄膜トランジスタの相対的に良好な“オフ”の特性には大きく影響を及ぼさないようにする。以上の説明のように、本発明によると付加的なゲート電極を形成させてＬＤＤ領域に、この付加的なゲート電圧の影響を及ぼさせることによって活性化した電子移動経路を形成させことになり、これにより薄膜トランジスタの作動特性が改善する効果がある。」（００２４段落ないし００２８段落）と記載され、つまり、「第１及び第２ゲート電極にゲート電圧を印加」することにより、「前記ＬＤＤ領域に活性化された電子移動経路を形成する」点は記載されている。しかしながら、「第１ゲート電極」と「第２ゲート電極」にどのような電圧を印加するかについては、００２６段落及び００２７段落に「薄膜トランジスタ“オフ”の状態では、理想的な薄膜トランジスタを仮定するとき、ゲート電圧ＶＧがＯＶ（即ちＶＧ＝０）であるときに“オフ”となる。ここで第２ゲート電極（８０）のゲート電圧（ＶＧ）がＯＶより低くなる場合（即ち、ＶＦ＜０）に“オフ”−電流（漏洩電流）が多少増加することになるが、ＬＤＤ構造を有する薄膜トランジスタの相対的に良好な“オフ”の特性には大きく影響を及ぼさないようにする。」と記載されているのみであり、「第１ゲート電極」に印加する特定の電圧に対して、「第２ゲート電極」にどのような電圧を印加するかについては明確には記載されておらず、ここで、「第２ゲート電極」に「第１ゲート電極」と同じ電圧を印加した場合において、「第２ゲート電極」の下に位置する「ＬＤＤ領域（７０ａ）、（７０ｂ）」に電子移動経路が形成される可能性があることは、当業者に明らかであって、結局、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面には、「前記第２ゲート電極に前記第１ゲート電極の電圧とは異なる付加的な電圧を印加する」ことは記載も示唆もされていないから、少なくとも「前記第２ゲート電極に前記第１ゲート電極の電圧とは異なる付加的な電圧を印加する」点については、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されておらず、自明な事項でもない。
（ｂ）また、補正により追加された「前記第２ゲート電極に前記第１ゲート電極の電圧とは異なる付加的な電圧を印加することにより、前記ＬＤＤ領域に活性化された電子移動回路を形成する」なる構成の、「前記ＬＤＤ領域に活性化された電子移動回路を形成する」点、特に、「電子移動回路を形成する」点については、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面には、何ら記載されておらず、どのような構成を意味するか明確でもないから、上記の点についての補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されていないし、自明な事項でもない。　
（ｃ）なお、仮に、補正事項１の「電子移動回路」が「電子移動経路」の誤記であるとしても、「前記第２ゲート電極に前記第１ゲート電極の電圧とは異なる付加的な電圧を印加することにより、前記ＬＤＤ領域に活性化された電子移動回路を形成する」点を追加する補正は、少なくとも「前記第２ゲート電極に前記第１ゲート電極の電圧とは異なる付加的な電圧を印加する」ことが、上記（ａ）で検討したとおり、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されていないし、自明な事項でもないから、上記補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものではない。
　
　補正事項２について
　補正事項２は、明細書の００１３段落の記載を、補正事項１の記載に整合させるためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
　したがって、補正事項１を含む本件補正は、特許法第１７条の２第２項で準用する同法第１７条第２項に規定される願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものでない。
　
　（３）むすび
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第２項において準用する同法第１７条第２項に規定に適合しないものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について 
 　平成１５年１０月１日付けの手続補正は上記２．のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１５年３月２５日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。 
　「【請求項１】　基板と、この基板上に形成されたソース及びドレイン電極と、このソース及びドレイン電極と各々接触するように形成されるソース及びドレインのＬＤＤ領域と、これらＬＤＤ領域間に電気的接触のために同一の高さで形成された活性層と、前記ソース及びドレイン電極、ＬＤＤ領域及び活性層上に形成された第１ゲート絶縁膜と、前記第１ゲート絶縁膜上に形成された第１ゲート電極とからなる薄膜トランジスタにおいて、前記第１ゲート絶縁膜上の第１ゲート電極上に第２ゲート絶縁膜が形成され、前記第１及び第２ゲート絶縁膜上に前記第１ゲート電極と電気的に分離された状態で第２ゲート電極が配設され、かつ該第２ゲート電極が前記ソース及びドレインのＬＤＤ領域をカバーする程の幅を有する構成となしたことを特徴とする薄膜トランジスタ。」 
　
４．刊行物記載の発明　
　刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願のパリ条約優先権主張の基礎となる出願の出願日前に頒布された特開平５−５５５７６号公報（以下、「引用例１」という。）には、図１、図２とともに、以下の記載がなされている。 　
　「絶縁性基板と、この絶縁性基板上に形成されるポリシリコンからなる活性層と、上記絶縁性基板上の活性層の両側に形成されるソース・ドレイン領域と、これら活性層及びソース・ドレイン領域を覆うゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に活性層よりも幅が狭く形成される第１のゲート電極と、上記ゲート絶縁膜上の少なくともドレイン領域側に形成される絶縁膜と、上記第１のゲート電極及び絶縁膜上に当該第１のゲート電極と接続した状態に形成され、絶縁膜を介して少なくともドレイン領域側に延びた形状に形成される第２のゲート電極と、これら第１及び第２のゲート電極を覆う層間絶縁膜とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタ。」（特許請求の範囲請求項１） 　
「【００１０】図１はこの発明に係る薄膜トランジスタの一実施例を示すものである。
【００１１】この実施例に係る薄膜トランジスタは、図１に示すように、ガラス基板等からなる絶縁性基板１と、この絶縁性基板１上に形成された絶縁膜２と、この絶縁膜２上に設けられたポリシリコンからなるチャネル層３と、このチャネル層３の両側に形成されるｎ＋のソース領域４及びｎ＋のドレイン領域５と、これらチャネル層３、ソース領域４，ドレイン領域５及び絶縁膜２上を覆うゲート絶縁膜６と、このゲート絶縁膜６上にチャネル層３に対応した位置に設けられ、チャネル層３よりも大幅に幅が狭く形成された第１のゲート電極７と、このゲート電極７を覆う絶縁膜８と、上記第１のゲート電極７の上部に第１のゲート電極７の幅と同等に形成されたコンタクト孔９と、上記絶縁膜８上に第１のゲート電極７に対応した位置に、チャネル層３よりも幅が広くソース領域４及びドレイン領域５上に到る領域まで形成され、上記コンタクト孔９を介して第１のゲート電極７と一体的に設けられた第２のゲート電極１０と、この第２のゲート電極１０の表面を覆う層間絶縁膜１１と、この層間絶縁膜１１及びゲート絶縁膜６，絶縁膜８を開孔してソース領域４及びドレイン領域５に通電するためのソース電極１２及びドレイン電極１３とから構成されている。」（００１０段落及び００１１段落）
「【００１６】第二実施例
図２はこの発明の第二実施例を示すものであり、前記実施例と同一の部分には同一の符号を付して説明すると、この実施例では、チャネル層３のｎ＋のソース領域４及びｎ＋のドレイン領域５側の部分に、ｎ−の領域２０が形成されたＬＤＤ構造となっている。このｎ−の領域２０は、第１のゲート電極７をマスクとして不純物イオンを注入することによって形成することができる。
【００１７】このように、チャネル層３のｎ＋のソース領域４及びｎ＋のドレイン領域５側の部分に、ｎ−の領域２０を形成してＬＤＤ構造とすることにより、その領域における導電性を向上させることができるので、前記第一の実施例に係る薄膜トランジスタに比べて大きなＯＮ電流を得ることができる。また、従来のＬＤＤ構造のＴＦＴに比べ、リーク電流は小さくなる。その他の構成及び作用は前記第一の実施例と同一であるので、その説明を省略する。」（００１６段落及び００１７段落）
「【符号の説明】
　　・・・２０　低濃度ソース・ドレイン領域」（図面の簡単な説明）
　
　ここで、「図２はこの発明の第二実施例を示すものであり、前記実施例と同一の部分には同一の符号を付して説明すると、この実施例では、チャネル層３のｎ＋のソース領域４及びｎ＋のドレイン領域５側の部分に、ｎ−の領域２０が形成されたＬＤＤ構造となっている。このｎ−の領域２０は、第１のゲート電極７をマスクとして不純物イオンを注入することによって形成することができる。このように、チャネル層３のｎ＋のソース領域４及びｎ＋のドレイン領域５側の部分に、ｎ−の領域２０を形成してＬＤＤ構造とすることにより、その領域における導電性を向上させることができる」（００１６段落から００１７段落参照）との記載及び図２より、第二実施例として示された薄膜トランジスタは、「チャネル層３のｎ＋のソース領域４及びｎ＋のドレイン領域５側の部分に、ｎ−の領域２０を形成し」たＬＤＤ構造を備えるとともに、「このｎ−の領域２０は、第１のゲート電極７をマスクとして不純物イオンを注入することによって形成」（００１６段落参照）されているから、チャネル層３のｎ＋のソース領域及びｎ＋のドレイン領域側の部分に、１対のｎ−領域２０が形成されており、結局、ｎ−領域２０を除いて、活性層となるチャネル層３は、実質的に、第１のゲート電極７とほぼ等しい幅となる。
　また、第二実施例の第２のゲート電極は、ポリシリコン活性層３、１対のｎ−領域２０から、ｎ＋のソース領域及びｎ＋のドレイン領域まで形成されている。
　さらに、符号の説明には、「２０　低濃度ソース・ドレイン領域」と記載されており、第二実施例の「１対のｎ−領域２０」が、「低濃度ソース・ドレイン領域」であることは、明らかである。
　
　よって、引用例１には以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
　「絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成されるポリシリコンからなる活性層と、前記絶縁性基板上の活性層の両側に形成されるｎ＋のソース領域及びｎ＋のドレイン領域と、前記活性層の前記ｎ＋のソース領域及び前記ｎ＋のドレイン領域側の部分に、１対のｎ−の領域（低濃度ソース・ドレイン領域）が形成されたＬＤＤ構造と、前記活性層、前記ｎ＋のソース領域、前記ｎ＋のドレイン領域および前記１対のｎ−の領域（低濃度ソース・ドレイン領域）を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に前記１対のｎ−の領域（低濃度ソース・ドレイン領域）を除いた前記活性層と同等な幅に形成される第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極を覆う絶縁膜と、前記第１のゲート電極の上部に前記第１のゲート電極と同等の幅に形成されたコンタクト孔と、前記絶縁膜上で前記第１のゲート電極に対応した位置に、前記活性層よりも幅が広く前記１対のｎ−領域（低濃度ソース・ドレイン領域）を含み、前記ｎ＋のソース領域及び前記ｎ＋のドレイン領域上に到る領域まで形成され、前記コンタクト孔を介して前記第１のゲート電極と接続した状態に形成された第２のゲート電極と、を具備することを特徴とする薄膜トランジスタ。」 
　
５．対比・判断 　
　本願発明と引用発明とを対比する。　
（ａ）本願の明細書には、「このＬＤＤ構造の薄膜トランジスタによれば、薄膜トランジスタの接合を形成するためにイオン注入がｎ＋とｎ−領域に二重に進行する。即ち、イオン注入がなされない活性層（４）と、ＬＤＤ領域（７ａ）であるｎ−領域の間に接合・・・が形成されるとともに、ＬＤＤ領域（７ｂ）とＨＤＤ・・・領域（３）との間にも集合が形成されることにより二重接合構造を形成することになる。」（０００６段落）、「図１を参照すれば、本発明の薄膜トランジスタにおいて、ガラス基板（１０）上にソース及びドレイン電極（２０）、（３０）が形成され、このソース及びドレイン電極（２０）、（３０）側には、これらの各電極に接触するようにイオン注入によりソース及びドレインＬＤＤ領域（７０ａ）、（７０ｂ）が各々形成される。」（００１８段落）と記載されており、「ＬＤＤ領域７ａ」及び、「ＬＤＤ領域７ｂ」が「ｎ−領域」であることは明らかであり、００１８段落及び図１を参照すると、「ソース及びドレイン電極（２０）、（３０）」が「ｎ＋」領域で、「ソース及びドレインＬＤＤ領域（７０ａ）、（７０ｂ）」が「ｎ−領域」であることは明らかであり、また、「ｎ＋領域」である「ソース及びドレイン電極（２０）、（３０）」が、「ｎ−領域」である「ソース及びドレインＬＤＤ領域（７０ａ）、（７０ｂ）」を介して、薄膜トランジスタのチャネルとして動作する「活性層（４０）」に接続されているから、「ソース及びドレイン電極（２０）、（３０）」が、一般的に、薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域と呼ばれる領域であって、チャネルとして動作する活性層の両側に形成されることは、当業者にとって明らかであるので、引用発明の、「活性層の両側に形成されるｎ＋のソース領域及びｎ＋のドレイン領域」は、本願発明の、「ソース及びドレイン電極」に相当し、また、引用発明においても、「１対のｎ−の領域（低濃度ソース・ドレイン領域）が形成されたＬＤＤ構造」が、「ｎ＋のソース領域及びｎ＋のドレイン領域」に接触していることは明らかであるから、引用発明の、「活性層のｎ＋のソース領域及びｎ＋のドレイン領域側部分に、１対のｎ−の領域（低濃度ソース・ドレイン領域）が形成されたＬＤＤ構造」は、本願発明の、「ソース及びドレイン電極と各々接触するように形成されたソース及びドレインのＬＤＤ領域」に相当する。
（ｂ）平坦な基板上に通常の方法で形成されたポリシリコン層の厚さが一定であることは技術常識であるから、引用発明において、「絶縁性基板上に形成されるポリシリコンからなる活性層」は、その厚さが一定であることは当業者にとって明らかであり、また、引用発明は、「前記活性層のｎ＋のソース領域及びｎ＋のドレイン領域側の部分に、１対のｎ−の領域（低濃度ソース・ドレイン領域）が形成されたＬＤＤ構造」を備え、活性層は「１対のｎ−の領域（低濃度ソース・ドレイン領域）が形成されたＬＤＤ構造」間に形成されているから、引用発明の「ポリシリコンからなる活性層」は、本願発明の「これらＬＤＤ間」に「同一の高さで形成された活性層」に相当する。
（ｃ）引用発明においては、「ゲート絶縁膜」は、「前記活性層、前記ｎ＋のソース領域、前記ｎ＋のドレイン領域および前記１対のｎ−の領域（低濃度ソース・ドレイン領域）を覆」っているのに対して、本願発明においては、「第１ゲート絶縁膜」は、「前記ソース及びドレイン電極、ＬＤＤ領域及び活性層上に形成され」ているから、引用発明の「ゲート絶縁膜」は、本願発明の「第１ゲート絶縁膜」に相当する。
（ｄ）引用発明においては、「第１のゲート電極」は、「ゲート絶縁膜」上に形成され、一方、本願発明においては、「第１ゲート電極」は、「第１ゲート絶縁膜」上に形成されているから、引用発明の「第１のゲート電極」は、本願発明の「第１ゲート電極」に相当する。
（ｅ）引用発明において、「絶縁膜」は、「第１のゲート電極」を覆っており、言い換えると、「第１のゲート電極」上に形成され、一方、本願発明において、「第２ゲート絶縁膜」は「第１ゲート電極」上に形成されているから、引用発明の「絶縁膜」は、本願発明の「第２ゲート絶縁膜」に相当する。
（ｆ）引用発明においては、「第２のゲート電極」は、「絶縁膜」上で、「前記活性層よりも幅が広く前記１対のｎ−領域（低濃度ソース・ドレイン領域）を含み、前記ｎ＋のソース領域及び前記ｎ＋のドレイン領域上に到る領域まで形成」され、一方、本願発明においては、「第２ゲート電極」は、「第２ゲート絶縁膜」上に形成され、「第２ゲート電極が前記ソース及びドレインのＬＤＤ領域をカバーする程の幅を有」しており、また、引用発明の「１対のｎ−領域（低濃度ソース・ドレイン領域）」が、本願発明の「前記ソース及びドレインのＬＤＤ領域」に相当することは上記（ａ）で検討したとおりであるから、引用発明の、「第２のゲート電極」は、本願発明の「第２ゲート電極」に相当するとともに、引用発明の、「第２のゲート電極」が「前記活性層よりも幅が広く前記１対のｎ−領域（低濃度ソース・ドレイン領域）を含」む領域まで形成されることは、本願発明の、「第２ゲート電極が前記ソース及びドレインのＬＤＤ領域をカバーする程の幅を有」していることに相当する。
　また、引用発明の「絶縁性基板」は、本願発明の「基板」に相当する。
　
　よって、両者は、 
　「基板と、この基板上に形成されたソース及びドレイン電極と、このソース及びドレイン電極と各々接触するように形成されるソース及びドレインのＬＤＤ領域と、これらＬＤＤ領域間に同一の高さで形成された活性層と、前記ソース及びドレイン電極、ＬＤＤ領域及び活性層上に形成された第１ゲート絶縁膜と、前記第１ゲート絶縁膜上に形成された第１ゲート電極とからなる薄膜トランジスタにおいて、前記第１ゲート絶縁膜上の第１ゲート電極上に第２ゲート絶縁膜が形成され、前記第２ゲート絶縁膜上に第２ゲート電極が配設され、かつ該第２ゲート電極が前記ソース及びドレインのＬＤＤ領域をカバーする程の幅を有する構成となしたことを特徴とする薄膜トランジスタ。」である点で一致し、以下の各点で相違する。　 
　
　相違点１
　本願発明が、「これらＬＤＤ領域間に電気的接触のために同一の高さで形成された活性層」を備えているのに対して、
　引用発明が、「前記絶縁性基板上に形成されるポリシリコンからなる活性層」を備えている点。　
　相違点２
　引用発明が、「前記１対のｎ−の領域（低濃度ソース・ドレイン領域）を除いた前記活性層と同等な幅に形成される第１のゲート電極」を備えるのに対して、
本願発明では、「第１ゲート電極」と「活性層」等との幅の関係が明らかでない点。
　相違点３
　本願発明が、「前記第１ゲート絶縁膜上の第１ゲート電極上に第２ゲート絶縁膜が形成され、前記第１及び第２ゲート絶縁膜上に前記第１ゲート電極と電気的に分離された状態で第２ゲート電極が配設され、かつ該第２ゲート電極が前記ソース及びドレインのＬＤＤ領域をカバーする程の幅を有する構成」を備えているのに対して、
　引用発明が、「前記第１のゲート電極を覆う絶縁膜と、前記第１のゲート電極の上部に前記第１のゲート電極と同等の幅に形成されたコンタクト孔と、前記絶縁膜上で前記第１のゲート電極に対応した位置に、前記活性層よりも幅が広く前記１対のｎ−領域（低濃度ソース・ドレイン領域）を含み、前記ｎ＋のソース領域及び前記ｎ＋のドレイン領域上に到る領域まで形成され、前記コンタクト孔を介して前記第１のゲート電極と接続した状態に形成された第２のゲート電極」を備えている点。
　
　以下相違点について検討する。
　相違点１について
　本願発明の「電気的接触」は、本願の明細書に「電気的接触のための前記ＬＤＤ領域（７０ａ）、（７０ｂ）と同一の高さで活性層（４０）が形成される。」（００１９段落）との記載があるものの、「電気的接触」がどのような意味であるかは明確ではないところ、少なくとも「活性層」が「ＬＤＤ領域」と電気的に接触していることは明らかであって、一方、引用発明においても、「前記活性層の前記ｎ＋のソース領域及び前記ｎ＋のドレイン領域側の部分に、１対のｎ−の領域（低濃度ソース・ドレイン領域）が形成されたＬＤＤ構造」を備えており、活性層が「１対のｎ−の領域（低濃度ソース・ドレイン領域）」と電気的に接触していることは明らかであるから、この点は実質的な相違点ではない。
　相違点２について
　本願の願書に最初に添付された明細書には、「図１を参照すれば、本発明の薄膜トランジスタにおいて、ガラス基板（１０）上にソース及びドレイン電極（２０）、（３０）が形成され、このソース及びドレイン電極（２０）、（３０）側には、これらの各電極に接触するようにイオン注入によりソース及びドレインＬＤＤ領域（７０ａ）、（７０ｂ）が各々形成される。」（００１８段落）、「その後、前記ソース及びドレイン電極（２０）、（３０）とＬＤＤ領域（７０ａ）、（７０ｂ）及び活性層（４０）上の全面に第１ゲート絶縁膜（５０ａ）が形成され、この第１ゲート絶縁膜（５０ａ）の上部に第１ゲート電極（６０）が形成される。」（００２０段落）、「薄膜トランジスタの“オン”状態で第１ゲート電極（６０）と第２ゲート電極（８０）にゲート電圧が印加すると、第１ゲート電極（６０）は従来の薄膜トランジスタの場合と同じく作用する反面に、第２ゲート電極（８０）は、ＬＤＤ領域（７０ａ）、（７０ｂ）までゲート電圧の影響を及ぼすことになる。従って、電流の要素である電子移動経路が図３のようにＬ１からＬ２へ変化することになる。」（００２４段落）との記載及び図１を参照すると、本願発明の「第１ゲート電極」の幅が、「ソース及びドレインのＬＤＤ領域」の両領域間に位置する活性層（４０）の幅とほぼ同等であることは明らかであるから、この点は実質的な相違点ではない。
　
　相違点３について
　相違点３は、以下のように、
　本願発明が、「前記第１及び第２ゲート絶縁膜上」に「第２ゲート電極」が形成されているのに対して、引用発明が、「前記絶縁膜上」に「第２のゲート電極」が形成された点（相違点３−１）と、本願発明が、「前記第１ゲート電極と電気的に分離された状態で第２ゲート電極が配設」されているのに対して、引用発明が、「前記第１のゲート電極の上部に前記第１のゲート電極と同等の幅に形成されたコンタクト孔」を備え、「前記コンタクト孔を介して前記第１のゲート電極と接続した状態に形成された第２のゲート電極」を備えた点（相違点３−２）と、本願発明が、「該第２ゲート電極が前記ソース及びドレインのＬＤＤ領域をカバーする程の幅を有する構成」を備えるのに対して、引用発明が、「前記活性層よりも幅が広く前記１対のｎ−領域（低濃度ソース・ドレイン領域）を含み、前記ｎ＋のソース領域及び前記ｎ＋のドレイン領域上に到る領域まで形成」された「第２のゲート電極」を備えている点（相違点３−３）に区分できる。
　以下、順次検討する。
　相違点３−１について
　本願発明においては、「前記第１及び第２ゲート絶縁膜上」に「第２ゲート電極」が形成されているのに対して、引用発明においては、「前記絶縁膜上」に「第２のゲート電極」が形成された点、即ち、本願発明においては、第２ゲート電極が、第１ゲート電極上に形成された第２ゲート絶縁膜上及び第１ゲート絶縁膜上に形成されているのに対して、引用発明では、絶縁膜は、第１のゲート電極を覆うように形成されており、第２のゲート電極が、本願発明の「第２ゲート絶縁膜」に相当する、引用発明の「絶縁膜」上には形成されているが、本願発明の「第１ゲート絶縁膜」に相当する、引用発明の「ゲート絶縁膜」上に形成されているか否か明らかでない点で相違するものの、引用発明において、本願発明の「第２ゲート絶縁膜」に相当する、引用発明の「絶縁膜」を第１のゲート電極上を含みどこまで形成するかは、第２ゲート電極下の実効的なゲート絶縁膜厚をどの程度に設定するかに応じて適宜設定しうるものであるから、ＬＤＤ構造となる「ｎ−の領域２０」での、第２のゲート電極下の実効的なゲート絶縁膜を第１のゲート電極下の「ゲート絶縁膜」の厚さと同じにすべく、第２のゲート電極を、ゲート絶縁膜及び絶縁膜上に形成することにより、本願発明の如くすることは、当業者が必要に応じて適宜なしえたものである。
　相違点３−２について
　本願発明の「前記第１ゲート電極と電気的に分離された状態で第２ゲート電極が配設」された点については、本願の明細書の００２０段落及び００２１段落に「前記ソース及びドレイン電極（２０）、（３０）とＬＤＤ領域（７０ａ）、（７０ｂ）及び活性層（４０）上の全面に第１ゲート絶縁膜（５０ａ）が形成され、この第１ゲート絶縁膜（５０ａ）の上部に第１ゲート電極（６０）が形成される。それから、前記第１ゲート電極（７０）上には、第２ゲート絶縁膜（５０ｂ）が形成された後、第２ゲート電極（８０）が形成されるが、この第２ゲート電極（８０）は前記第１及び第２ゲート絶縁膜（５０ａ）、（５０ｂ）上に金属又はシリサイドを積層した後、これをパターニング処理することによって形成される。」と記載されるとともに、図１に、第１ゲート電極６０と第２ゲート電極８０とが第２ゲート絶縁膜を介して形成された薄膜トランジスタの構造図（断面図）が記載されているのみであり、これらの記載からは、本願の明細書又は図面に「前記第１ゲート電極と電気的に分離された状態で第２ゲート電極が配設」された構成が明確に記載されているとは認められないところ、仮に、本願の明細書又は図面に、本願発明の「前記第１ゲート電極と電気的に分離された状態で第２ゲート電極が配設」された構成が記載されているとしても、薄膜トランジスタの一般的構成であるＭＯＳトランジスタにおいて、チャネル層上にゲート絶縁膜を介して形成した第１のゲート電極上にさらに絶縁膜を介して第１のゲート電極とは電気的に分離して形成した第２のゲート電極を備えたＭＯＳトランジスタは、例えば、特開昭５５−１５７２６８号公報（図面及び、「この発明によりソース・ドレン間に設けられた二つのゲート電極の中ソース側の第一ゲート電極の寸法をソース−ドレン方向においてチヤネル長に対応して定め、ドレン側の第二ゲート電極は一部分が第一ゲート電極上にある導電層によつて構成し絶縁層によつて第一ゲート電極から分離し、ソース・ドレン間において第一ゲート電極によつて覆われていない半導体基体部分の表面に接して基体に対して反対導電型の領域を設けることによつて達成される。」（第３頁左上欄第１２行〜同頁右上欄第２行）及び「図面にこの発明による電界効果トランジスタの断面を示す。１は基体半導体結晶であり一例としてｐドープのシリコンとする。一つの境界面１ａにはｎ＋ドープのソース領域２とドレン領域３があり、これらの領域の間にある半導体区域は薄い絶縁層６によつて境界面１ａから隔離されている第一ゲート電極４と第二ゲート電極５によつて覆われている。これらのゲート電極の間には第二の絶縁層７がある。・・・ゲート５の下では境界面１ａに沿つてｎドープ領域１２が設けられ、この領域はドレン領域３に直接接している。」（第３頁左下欄第１４行〜同頁右下欄第９行）参照）及び特開昭６４−６４３６３号公報（第４図及び、「第４図は典型的なMOSFET構造に本発明を適用した例である。ゲートを絶縁層７を挟み２重構造１ａ，１ｂで構成した。」（第２頁左下欄第１２〜１４行）参照）に記載されるように従来周知であるから、引用発明において、従来周知の上記技術を用いることにより、第１のゲート電極と第２のゲート電極を電気に分離するように形成すること、即ち、「前記第１のゲート電極の上部」にコンタクト孔を形成することに代えて、第１のゲート電極上にコンタクト孔を備えない絶縁膜を形成し、前記絶縁膜で第１のゲート電極とは電気的に分離して第２のゲート電極を形成することは、当業者が何ら困難性なくなしえたものである。
　相違点３−３について
　引用例１には、「この実施例に係る薄膜トランジスタは、図１に示すように・・・チャネル層３よりも幅が広くソース領域４及びドレイン領域５上に到る領域まで形成され・・・た第２のゲート電極１０と・・・から構成されている。」（００１１段落）、「図２はこの発明の第二実施例を示すものであり、前記実施例と同一の部分には同一の符号を付して説明すると、この実施例では、チャネル層３のｎ＋のソース領域４及びｎ＋のドレイン領域５側の部分に、ｎ−の領域２０が形成されたＬＤＤ構造となっている。」（００１６段落）、「このように、チャネル層３のｎ＋のソース領域４及びｎ＋のドレイン領域５側の部分に、ｎ−の領域２０を形成してＬＤＤ構造とすることにより、その領域における導電性を向上させることができる」（００１７段落）と記載され、即ち、第２のゲート電極が、「ソース領域４及びドレイン領域５上に到る領域まで形成され」ることにより、「チャネル層３のｎ＋のソース領域４及びｎ＋のドレイン領域５側の部分に」形成された、ＬＤＤ構造となる「ｎ−の領域２０」の上に到るように形成され、第２のゲート電極に電圧を印加すると、「ｎ−の領域２０」における導電性を向上させることができることが記載されており、一方、本願の明細書には、「即ち、従来の薄膜トランジスタの場合、ＬＤＤ領域は“オン”の状態で電子移動に対する抵抗体として作用することになるが、本発明ではＬＤＤ領域（７０ａ）、（７０ｂ）が第２ゲート電極（８０）のゲート電圧の影響により活性化された（即ち、抵抗が小さい）電子移動経路へ作用するので、その作動電流が従来のＬＤＤ構造の薄膜トランジスタに比して向上する。」（００２５段落）と記載され、即ち、本願発明において、第２ゲート電極がＬＤＤ領域上まで形成されており、第２ゲート電極に電圧が印加され、“オン”の状態となるとＬＤＤ領域では、抵抗が小さくなることが記載され、結局、引用発明の「ｎ−の領域２０」に対する第２のゲート電極の作用と、本願発明の「ＬＤＤ領域（７０ａ）、（７０ｂ）」に対する第２ゲート電極の作用は同等である。
　よって、引用発明において、第２のゲート電極を、「前記活性層よりも幅」を広くし、「前記１対のｎ−領域（低濃度ソース・ドレイン領域）」上に到る領域まで形成するか、又はさらに、「前記ｎ＋のソース領域及び前記ｎ＋のドレイン領域」上に到る領域まで形成するかは、薄膜トランジスタの求める特性に応じて適宜設定できるものであるから、本願発明の如く、「該第２ゲート電極が前記ソース及びドレインのＬＤＤ領域をカバーする程の幅を有する構成」を備えるようにすることは、当業者が必要に応じて適宜設定できる程度の設計的事項にすぎない。
　
　よって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本件出願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。