【手続補正書】
【提出日】平成22年8月30日(2010.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
消去可能なブロックの形に構成されたメモリセルアレイを有し、一斉に消去可能なメモリセルにアクセスするために１ブロックのワード線を各消去可能なブロックに含み、かつ一斉にプログラム可能な１ページ以上のメモリセルを各ワード線に含む不揮発性メモリで、特定のページの開始プログラミング電圧を判定する方法であって、
（ａ）特定のページを代表するページサンプルを選択するステップと、
（ｂ）サンプルの各ページをプログラムするため、初期値と所定の最大電圧制限とにより階段波形を有するプログラミング電圧を提供するステップと、
（ｃ）ページサンプルを消去するステップと、
（ｄ）サンプル中の全ページにつき、最大電圧制限に達するまで、またはページが目標パターンまでプログラムされて最終プログラミング電圧が収集統計の一部として蓄積されるまで、階段波形のステップごとにページをプログラムしかつベリファイするステップと、
（ｅ）ページの開始プログラミング電圧を導き出すため、収集統計からサンプルの平均最終プログラミング電圧を計算するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
ページの開始プログラミング電圧は、ページサンプルの平均最終プログラミング電圧を所定のステップ数により負にオフセットすることによって導き出される方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、
所定のステップ数は、１５以下である方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、
階段波形のステップは、通常プログラミング操作中にメモリに印加される別の階段波形のものに相応する方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、
初期値を導き出された開始プログラミング電圧に設定して（ｂ）〜（ｅ）を繰り返すステップをさらに含む方法。
【請求項６】
請求項２記載の方法において、
初期値を導き出された開始プログラミング電圧に設定して（ｂ）〜（ｅ）を繰り返すステップをさらに含む方法。
【請求項７】
請求項３記載の方法において、
初期値を導き出された開始プログラミング電圧に設定して（ｂ）〜（ｅ）を繰り返すステップをさらに含む方法。
【請求項８】
請求項４記載の方法において、
初期値を導き出された開始プログラミング電圧に設定して（ｂ）〜（ｅ）を繰り返すステップをさらに含む方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法において、
サンプルは、メモリアレイ内の複数のブロックから採ったより大きいサンプルの一部であり、
収集統計は、複数のブロックのプログラム可能なページに関連する蓄積された初期値を含む方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法において、
各ブロックの幾何学的に類似する場所に位置するページを各ブロックから選択することにより１セットのサンプルを形成するステップと、
前記セットの各サンプルからプログラミング電圧の統計推定を得るステップと、をさらに含み、
前記サンプルの平均最終プログラミング電圧を計算するステップは、セットの中で最小統計推定を選択することによる方法。
【請求項１１】
請求項１記載の方法において、
（ｇ）サンプルの各ページをプログラムするため、関連する初期値と所定のステップ数とにより階段波形を有する関連するプログラミング電圧を提供するステップと、
（ｈ）関連する初期値を（ａ）〜（ｆ）で判定したページの平均開始プログラミング電圧に設定するステップと、
（ｉ）ページサンプルを含むブロックを消去するステップと、
（ｊ）サンプル中の全ページにつき、関連するプログラミング電圧を関連する初期値と併せて使用してページが目標パターンまでプログラム可能か否かを判定し、プログラム可能ならば、収集統計の一部として関連する初期値を蓄積した後にページをさらなる処理から除外し、さもなくば関連する初期値を所定のステップにより増加させるステップと、
（ｋ）サンプル中の全ページがプログラム可能と判定されるまで、または関連する初期値が所定の最大電圧まで増加されるまで、（ｉ）〜（ｊ）を繰り返すステップと、
（ｆ）ページの開始プログラミング電圧を導き出すため、収集統計からサンプルの平均開始プログラミング電圧を計算するステップと、
をさらに含む方法。
【請求項１２】
ブロックの形に構成されたメモリセルアレイを有し、一斉に消去可能なメモリセルにアクセスするために１ブロックのワード線を各ブロックに含み、かつ一斉にプログラム可能な１ページ以上のメモリセルを各ワード線に含む不揮発性メモリで、ページの開始プログラミング電圧を判定する方法であって、
ブロックの中のページを代表する１グループのページを選択するステップと、
１セットのブロックを選択するステップと、
各ブロックの幾何学的に類似する場所に位置するページを各ブロックから選択することにより１セットのサンプルを形成するステップと、
セットの各サンプルからプログラミング電圧の統計推定を得るステップと、
セットの中で最小統計推定を選択することによりページの開始プログラミング電圧を判定するステップと、
を含む方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか記載の方法において、
個々のメモリセルは、１ビットのデータを各々蓄積する方法。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか記載の方法において、
個々のメモリセルは、２ビット以上のデータを各々蓄積する方法。
【請求項１５】
不揮発性メモリであって、
消去可能なブロックの形に構成され、一斉に消去可能なメモリセルにアクセスするために１ブロックのワード線を各消去可能なブロックに含み、かつ一斉にプログラム可能な１ページ以上のメモリセルを各ワード線に含むメモリセルアレイと、
ブロックの中で特定のページを代表するページの指定サンプルと、
サンプルの各ページをプログラムするため、初期値と所定の最大電圧制限とにより階段波形を有する関連するプログラミング電圧と、
特定のページの開始プログラミング電圧を判定する内蔵セルフテストモジュールであって、
（ａ）ページサンプルを消去するステップと、
（ｂ）サンプル中の全ページにつき、最大電圧制限に達するまで、またはページが目標パターンまでプログラムされて最終プログラミング電圧が収集統計の一部として蓄積されるまで、階段波形のステップごとにページをプログラムしかつベリファイするステップと、
（ｃ）サンプルの平均最終プログラミング電圧を計算して特定のページの開始プログラミング電圧を導き出すため、収集統計を提供するステップと、を含むメモリ操作を提供する内蔵セルフテストモジュールと、を備え、
サンプルは、メモリアレイ内の複数のブロックから採ったより大きいサンプルの一部であり、
収集統計は、複数のブロックのプログラム可能なページに関連する蓄積された初期値を含む不揮発性メモリ。
【請求項１６】
不揮発性メモリであって、
消去可能なブロックの形に構成され、一斉に消去可能なメモリセルにアクセスするために１ブロックのワード線を各消去可能なブロックに含み、かつ一斉にプログラム可能な１ページ以上のメモリセルを各ワード線に含むメモリセルアレイと、
ブロックの中で特定のページを代表するページの指定サンプルと、
サンプルの各ページをプログラムするため、初期値と所定の最大電圧制限とにより階段波形を有する関連するプログラミング電圧と、
特定のページの開始プログラミング電圧を判定する内蔵セルフテストモジュールであって、
（ａ）ページサンプルを消去するステップと、
（ｂ）サンプル中の全ページにつき、最大電圧制限に達するまで、またはページが目標パターンまでプログラムされて最終プログラミング電圧が収集統計の一部として蓄積されるまで、階段波形のステップごとにページをプログラムしかつベリファイするステップと、
（ｃ）サンプルの平均最終プログラミング電圧を計算して特定のページの開始プログラミング電圧を導き出すため、収集統計を提供するステップと、を含むメモリ操作を提供する内蔵セルフテストモジュールと、を備え、
前記メモリ操作を提供するモジュールは、
各ブロックの幾何学的に類似する場所に位置するページを各ブロックから選択することにより１セットのサンプルを形成するステップと、
前記セットの各サンプルからプログラミング電圧の統計推定を得るステップと、をさらに含み、
前記サンプルの平均最終プログラミング電圧を計算することは、セットの中で最小統計推定を選択することによる不揮発性メモリ。
【請求項１７】
請求項１５記載の不揮発性メモリにおいて、
不揮発性メモリは、ＮＡＮＤタイプの不揮発性メモリである不揮発性メモリ。
【請求項１８】
請求項１５記載の不揮発性メモリにおいて、
個々のメモリセルは、２ビット以上のデータを各々蓄積する不揮発性メモリ。
【請求項１９】
請求項１６記載の不揮発性メモリにおいて、
不揮発性メモリは、ＮＡＮＤタイプの不揮発性メモリである不揮発性メモリ。
【請求項２０】
請求項１６記載の不揮発性メモリにおいて、
個々のメモリセルは、２ビット以上のデータを各々蓄積する不揮発性メモリ。