【手続補正書】
【提出日】平成22年9月7日(2010.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オレフィンの重合方法であって、
（ａ）多峰型触媒系を準備し；
（ｂ）該多峰型触媒系を制御された温度で保存し；
（ｃ）該多峰型触媒系とＣ2〜Ｃ4α−オレフィンよりなる群から選択される単量体とを重合過程において接触させ；及び
（ｄ）多峰型重合体を生成させること
を含むオレフィンの重合方法。
【請求項２】
前記多峰型触媒系がビスアミド触媒系及び非ビスアミド触媒系を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ビスアミド触媒系が第１５族元素含有金属触媒化合物を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ビスアミド触媒系は、第３〜１４族金属原子が少なくとも１個の陰イオン性脱離基に結合し、かつ、少なくとも２個の第１５族原子にも結合してなる金属触媒化合物を含み、ここで、該第１５族原子の少なくとも１個は、Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基、ヘテロ原子含有基、珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、燐又はハロゲンであることができる別の基を介して第１５又は１６族原子にも結合しており、該第１５又は１６族原子は、何にも結合していなくてもよく、又は、水素、第１４族原子含有基、ハロゲン若しくはヘテロ原子含有基に結合していてもよく、また、該２個の第１５族原子のそれぞれは、環状基にも結合していてよく、また、水素、ハロゲン、ヘテロ原子又はヒドロカルビル基若しくはヘテロ原子含有基に適宜結合していてもよい、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記非ビスアミド触媒系がメタロセン触媒系又は従来の遷移金属触媒系を含む、請求項２〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記多峰型触媒系が噴霧乾燥触媒混合物を含み、ここで、噴霧乾燥触媒混合物は、ビスアミド触媒化合物、メタロセン触媒化合物、活性剤及び残留溶媒を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記噴霧乾燥触媒混合物が前記ビスアミド触媒化合物及び前記メタロセン化合物を併せて１〜３重量％含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記噴霧乾燥触媒混合物が前記活性剤を３０〜５０重量％含む、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
前記噴霧乾燥触媒混合物が前記シリカ充填剤を５０〜７０重量％及び前記残留溶媒を２〜４重量％含む、請求項６〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記噴霧乾燥触媒混合物を液体に分散させて触媒混合物懸濁液を形成させ、ここで、該液体は、オイル及びＣ6以上のα−オレフィンを含む、請求項６〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記Ｃ6以上のα−オレフィンがヘキサン又は９７℃を超えるＡＳＴＭ  Ｄ８６の沸点を有する高純度イソパラフィン系溶媒である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記触媒混合物懸濁液が前記噴霧乾燥触媒混合物を１５〜３０重量％含む、請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記触媒混合物懸濁液が前記オイルを６０〜７０重量％含み、前記Ｃ6以上のα−オレフィンを２０重量％未満含む、請求項１０〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記制御温度が２１℃未満、１℃未満又は−９℃未満である、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記多峰型触媒を少なくとも３０、６０又は１００日間保存する、請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
（ａ）前記接触工程を６０℃を超える温度及び２００ｐｓｉｇ〜４００ｐｓｉｇの圧力で実施し；及び
（ｂ）老化した触媒の生産性が未使用の触媒の生産性の少なくとも７５％、８５％又は９０％である、
請求項１〜１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記接触工程で生成された老化触媒重合体の高分子量部分が未使用触媒重合体の高分子量部分の少なくとも８５％又は９０％である、請求項１〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
生成された多峰型重合体の生成物特性を該多峰型触媒系の予想老化特徴応答を使用して予測する、請求項１〜１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
前記予想老化特徴応答を加速老化方法を使用して決定し、しかも該加速老化方法がハイスループット重合ユニットを使用する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
次の工程：
（ａ）ビスアミド触媒系の第１老化特徴応答を決定し；
（ｂ）非ビスアミド触媒系の第２老化特徴応答を決定し；及び
（ｃ）第１老化特徴応答と第２老化特徴応答とを組み合わせて多峰型触媒系の予想老化特徴応答を生成すること
を更に含む、請求項１８又は１９に記載の方法。
【請求項２１】
（ａ）前記第１老化特徴応答が時間に応じたビスアミド触媒系の第１触媒生産性応答であり、前記第２老化特徴応答が時間に応じた非ビスアミド触媒系の第２触媒生産性応答であり、前記予想老化特徴応答が時間に応じた前記多峰型触媒系の老化触媒生産性であり；
（ｂ）該第１老化特徴応答が時間に応じた該ビスアミド触媒系の第１分子量分布応答であり、該第２老化特徴応答が時間に応じた非ビスアミド触媒系の第２分子量分布応答であり、該予想老化特徴応答が、該多峰型触媒を使用する、時間に応じた予想分子量分布応答であり；又は
（ｃ）該第１老化特徴応答が時間に応じたビスアミド触媒系の第１メルトインデックス応答であり、第２老化特徴応答が時間に応じた非ビスアミド触媒系の第２メルトインデックス応答であり、該予想老化特徴応答が時間に応じた多峰型触媒系の予想メルトインデックス応答である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記予想生成物特性が多峰型重合体のメルトインデックス、触媒残留物の含有量、分子量分布、高分子量成分のパーセンテージ又は低分子量成分のパーセンテージである、請求項１８又は１９に記載の方法。
【請求項２３】
前記予想老化特徴応答が触媒生産性応答、水素応答、共単量体応答又は多峰型触媒系の共単量体応答である、請求項１８〜２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
多峰型触媒系の老化特徴応答のモデルを一次分解又は二次分解の仮定に基づき策定する、請求項１８〜２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
多峰型触媒の老化の制御方法であって、
（ａ）ビスアミド触媒系及び非ビスアミド触媒系を含む多峰型触媒系を準備し；及び
（ｂ）該多峰型触媒系を携帯型容器内で輸送すること
を含み、ここで、該携帯型容器を約２１℃未満、約１℃未満又は約−９℃未満の制御温度で保持する、多峰型触媒の老化の制御方法。
【請求項２６】
前記ビスアミド触媒系が第１５族元素含有金属触媒化合物を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記非ビスアミド触媒系がメタロセン触媒系を含む、請求項２５又は２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記ビスアミド触媒系は、第３〜１４族金属原子が少なくとも１個の陰イオン性脱離基に結合しかつ少なくとも２個の第１５族原子にも結合してなる金属触媒化合物を含み、ここで、該第１５族原子の少なくとも１個は、Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基、ヘテロ原子含有基、珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、燐又はハロゲンであることができる別の基を介して第１５又は１６族原子にも結合し、該第１５又は１６族原子は、何にも結合していなくてもよく、又は、水素、第１４族原子含有基、ハロゲン若しくはヘテロ原子含有基に結合していてもよく、また、該２個の第１５族原子のそれぞれは、環状基にも結合していてよく、また、水素、ハロゲン、ヘテロ原子又はヒドロカルビル基若しくはヘテロ原子含有基に適宜結合していてもよい、請求項２５〜２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
次の工程：
ａ）多峰型触媒系を制御温度で保存した後に該多峰型触媒系を温め；及び
ｂ）該多峰型触媒系を撹拌してから該多峰型触媒系と単量体とを接触させること
をさらに含む、請求項１〜２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３０】
前記多峰型触媒系を温めた後に多峰型触媒系を撹拌する、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記多峰型触媒系を少なくとも約１０℃に温めてから多峰型触媒系を撹拌する、請求項２９又は３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記多峰型触媒系を少なくとも約２４時間撹拌する、請求項２９〜３１のいずれかに記載の方法。