【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年10月21日(2010.10.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体酸化物型燃料電池の不浸透性焼結電解質セラミック層を形成する方法であって：
堆積セラミック粉末層を形成するために、電気泳動堆積法を用いてステンレス鋼フォイル基板上にセラミック粉末を堆積する段階と；
圧縮セラミック粉末層を形成するために、前記堆積セラミック層を等方圧プレスする段階と；
前記圧縮セラミック粉末を焼結して前記基板上に焼結セラミック層を形成するために、前記圧縮セラミック粉末層を１１００℃より低い温度で加熱する段階と；を備えた方法。
【請求項２】
前記基板がフェライトステンレス鋼である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板がヨーロッパ基準１．４５０９を有するフェライトステンレス鋼である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記加熱段階において、前記圧縮セラミック粉末層を１０００℃より低い温度まで加熱する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記加熱段階を不活性雰囲気又は酸素分圧雰囲気の下で行う請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記加熱段階をアルゴン雰囲気又は酸素分圧雰囲気の下で行う請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記等方圧プレス段階において、１００から５００ＭＰａの間の圧力を付与する請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記等方圧プレス段階において、湿式等方圧プレスを用いる請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記焼結セラミック層が前記固体酸化物型燃料電池内の電解質層である請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記焼結セラミック層がセリウムガドリニウム酸化物（ＣＧＯ）電解質層である請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記焼結層がＣｅ０．９Ｇｄ０．１Ｏ１．９５層である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記焼結セラミック層及び前記基板が、等しい熱膨張係数を有する請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
セラミック粉末が金属粉末を含んでいない請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記セラミック粉末が有機バインダー又は可塑剤を含んでいない請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記ステンレス鋼フォイル基板が前記焼結セラミック層のためのサポートとなる穴あきステンレス鋼フォイルであり、気体が前記ステンレス鋼フォイルを通って前記焼結セラミック層まで通り抜けることができる請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記堆積段階の前に、前記ステンレス鋼フォイル基板上に多孔性介在セラミック電極層を形成する段階をさらに備えた請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記堆積段階は、前記ステンレス鋼フォイル基板と重なる領域と共に前記ステンレス鋼フォイル基板上の前記多孔性介在セラミック電極層上に、前記セラミック粉末を堆積する段階を含んでいる請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記多孔性介在セラミック電極層がセラミックアノード層である請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記多孔性介在セラミック電極層がＮｉＯ／ＣＧＯ粉末から成る請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記セラミックアノード層を１０００℃以下の還元雰囲気において焼結する請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記焼結セラミック層上に、多孔性セラミック電極層を形成する段階をさらに備えた請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記多孔性セラミック電極層がセラミックカソード層である請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記セラミックカソード層がＧｄ１−ｘＳｒｘＣｏＯ３／ＣＧＯ粉末から成る請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記セラミック電極層が７００〜８００℃の間の温度で焼成される請求項２１から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
請求項１から２４のいずれか一項に記載の方法で作製された不浸透性焼結セラミック電解質層を含む固体酸化物型燃料電池。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
本発明の一態様は、固体酸化物型燃料電池の焼結不浸透性セラミック電解質層を形成する方法であって：
電気泳動堆積法を用いて基板上にセラミックパウダーを堆積して堆積セラミックパウダー層を形成する段階と；
前記堆積セラミック層を等方圧プレス（アイソスタティック・プレス）して圧縮セラミックパウダー層を形成する段階と；
前記圧縮セラミックパウダー層を加熱して前記圧縮セラミックパウダーを焼結して前記基板上に前記焼結不浸透性セラミック層を形成する段階と；を備える。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
本発明では、等方圧プレスした後の電気泳動堆積が、焼結したときに所望の特性を有するほど十分な密度の圧縮セラミックパウダー層を形成できることを認識している。これらの特性には例えば、焼結電解質膜がSOFCスタックに供給される空気及び燃料ガスに対して本質的に不透過性であるような高密度（例えば、＞96％理論密度）が含まれる。さらに、不透過焼結電解質膜は好適には、燃料電池によって高パワー密度が生成できることを保証するように、約0.5Ωｃｍ２よる低い面積固有抵抗（area specific resistivity:ASR）を有している。例えば、焼結セラミック層は、低減されたレベルの線形的収縮を受け、システム内で他のエレメントを損傷するのを回避するのに十分低い温度を用いて生成されてもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
好適な実施形態における等方圧プレス段階では、100MPaから500MPaの間の圧力を付与する。等方圧プレスは湿式（wet-bag）等方圧プレス法を用いるのが好都合である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
電気泳動堆積及び等方圧プレス法によって、本発明の好適な実施形態が、セラミックパウダーが金属パウダーを実質的に含まず、かつ、有機バインダー又は可塑剤を実質的に含まないようにできる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
このアプローチは、堆積されたコーティングの密度が線形収縮を約12〜15％に低減するのに十分高い（55〜60%：理論密度）ことを保証することを求めたものである。その後に湿式等方圧プレス（100〜500MPa）が続く電気泳動堆積法（EPD）を用いることによって、約1000℃で、不活性雰囲気（例えば、アルゴン）、又は、制御された酸素分圧雰囲気で焼結することによって、フェライトステンレス鋼フォイル（100ミクロン厚）上に5×5cmサイズのCGO電解質の緻密な不浸透性膜（5〜20ミクロン厚） を得ることが可能である。EPD（参考文献５）を用いることに関わる利点は、ステンレス鋼上に良好に画定されたパターン／アレイにおいて初期にかなり緻密な堆積物40〜45％を得ることができることである。さらに、堆積物の形成には、不活性又は還元雰囲気において焼結するときに完全に除去することが面倒な有機バインダー及び／又は可塑剤の添加が必要ではない。EPD堆積物／コーティングを湿式等方圧プレス内に置かれ、100〜500MPaの範囲の圧力にさらす。最後のコメントは、ステンレス鋼上のコンパクトなCGOコーティングの焼結に関わる。初期の特許（参考文献６）及び文献（参考文献７）は、1000℃以下の温度で焼結するとき、CGOの密な（＞96％の理論密度）のサンプル形成を保証するために（カチオン約2％の）CoO,NiO,Cu2O等をCGOに事前に添加することが必要であることを示唆している。しかしながら、我々は、その後に、市販のCGO粉末（ロディア・バッチ番号99004/98、d50（ミクロン）0.48、及び、表面面積（m2/g）23）の不活性ガス（アルゴン）又はコントロールされた酸素分圧雰囲気における等方圧プレス及び焼結が続くフェライトステンレス鋼上のEPD堆積によって、金属酸化物の事前の添加なしでの密な不浸透性電解質を生成することができる。少量の鉄、クロム及びニッケルを、ステンレス鋼基板及び／又はNi(Cu)-CGOアノードから焼結工程中にCGO電解質へ移し入れることができることは認識されたい。しかしながら、焼結CGO膜における選択された遷移金属の存在は焼結工程の結果であり、選択された金属酸化物の事前の添加の結果ではない。例としては、光化学加工（photochemical machining：PCM）及びレーザー加工と組み合わせて、上述の作製（ファブリケーション）方法を用いて生成できるSOFC構成である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
ステップ１Ａ
EPDによって100ミクロン厚のステンレス鋼フォイルの最上面に厚膜CGO電解質を堆積した。堆積物及び基板を300MPaで等方圧プレスし、1000℃でアルゴン中で焼結する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
ステップ２Ｂ
EPDによって、アノード粉末（例えば、NiO/CGO）をリセス内に堆積する。アノードを1000℃、還元雰囲気下で焼結してNiOを還元し、多孔性アノードマイクロ構造を成長させる。EPDを用いて、電解質粉末（CGO）を、アノードの最上面上と共に、金属フォイルの最上面上のオーバーラップ領域上に堆積する。等方圧プレス後、密な厚膜電解質を、1000℃、不活性雰囲気（アルゴン）下で焼結することによって作製する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
ステップ３Ｃ
アノード粉末（NiO/CGO）をEPDによってリセス内に堆積する。アノードを1000℃で還元雰囲気において焼結してNiOを還元し、多孔性アノードマイクロ構造を成長させる。EPDを用いて、電解質粉末（CGO）を、アノードの最上面上と共に、金属フォイルの最上面上のオーバーラップ領域上に堆積する。等方圧プレス後、密な厚膜電解質を、1000℃近傍、不活性雰囲気（アルゴン）又は適当な酸素分圧下で焼結することによって作製する。