Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月12日(2010.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子基材の第１主表面に隣接する印刷受容層、前記印刷受容層に対向する高分子基材の第２主表面に隣接する印刷コントラスト層、前記高分子基材に対向する印刷コントラスト層に隣接する導電層、及び前記印刷コントラスト層に対向する導電層に隣接する導電性接着剤を含む、印刷受容静電気消散ラベル。
【請求項２】
前記高分子基材が透明な高分子基材であり、前記印刷コントラスト層が不透明であり、前記導電層が金属箔を含む、請求項１に記載のラベル。
【請求項３】
前記導電性接着剤が、接着樹脂及び複数個の導電性粒子を含む、請求項１に記載のラベル。
【請求項４】
前記接着樹脂がアクリレートを含み、前記複数個の導電性粒子がニッケルを含む、請求項３に記載のラベル。
【請求項５】
前記導電層と導電性接着剤との間に挿入されるプライマーを更に含み、前記プライマーがフェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む、請求項１に記載のラベル。
【請求項６】
前記高分子基材に対向する印刷受容層に隣接するインクを含む画像を更に含む、請求項１に記載のラベル。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月22日(2010.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力領域を有するベースと、
前記入力領域に配置される２つの入力部と、
前記方向入力及び多段入力の有無を感知する方向入力感知部と、
前記方向入力が行われた前記方向指示位置及び多段入力の有無に応じて、該当方向指示位置に重複して割り当てられた第１文字をそれぞれ区別して入力する制御部と、を備え、
前記２つの入力部は、前記入力領域内の各基準位置からそれぞれ放射状に離隔配置された複数の方向指示位置のいずれか１つを選択する方向入力が、前記各方向指示位置別に２段以上の多段で行われるように設けられる
ことを特徴とする、文字入力装置。
【請求項２】
前記方向入力は、前記入力部に前記各方向指示位置に対応して設けられた押圧部のいずれか１つを選択して入力され、前記押圧部の押圧距離または押圧強さによって多段に区分入力される
ことを特徴とする、請求項１に記載の文字入力装置。
【請求項３】
前記方向入力は、前記入力部が前記各方向指示位置のいずれか１つに向かって傾斜して入力され、傾斜角度によって多段に区分入力される
ことを特徴とする、請求項１に記載の文字入力装置。
【請求項４】
前記方向入力は、前記入力部が前記各方向指示位置のいずれか１つに向かって傾斜移動して行われるが、傾斜移動の角度によって多段に区分入力される
ことを特徴とする、請求項１に記載の文字入力装置。
【請求項５】
前記方向入力は、前記入力部が前記各方向指示位置のいずれか１つに摺動して行われ、摺動距離によって多段に区分入力される
ことを特徴とする、請求項１に記載の文字入力装置。
【請求項６】
前記入力部の中央に設けられ、押圧によって中央入力が行われる中央入力キーをさらに有する
ことを特徴とする、請求項１に記載の文字入力装置。
【請求項７】
前記中央入力は、前記中央入力キーの押圧距離によって２段以上の多段入力が可能に設けられる
ことを特徴とする、請求項６に記載の文字入力装置。
【請求項８】
前記中央入力と同時に前記方向入力が行われる中央組合せ入力が行われるように設けられ、
前記制御部は、前記中央組合せ入力が行われる場合、前記各方向指示位置に割り当てられた第３データをメモリ部から抽出して入力する
ことを特徴とする、請求項７に記載の文字入力装置。
【請求項９】
前記各方向指示位置に対応する前記入力部の上端や前記各押圧部、または前記中央入力キーの１つ以上には、指の接近または接触を感知するタッチ感知部が設けられ、前記各方向入力または中央入力に加えてタッチ入力が行われるように設けられる
ことを特徴とする、請求項１〜５、７のいずれかに１項に記載の文字入力装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記中央入力キーへの指のタッチによるタッチ感知信号と、前記押圧部の押圧による方向入力感知信号とが同時に受信される場合と、前記方向入力感知信号のみが受信される場合とを区別して、相違した文字を入力する
ことを特徴とする、請求項９に記載の文字入力装置。
【請求項１１】
前記ベースの一側に装着され、前記制御部によって抽出された入力命令が表示される表示部をさらに有し、
前記表示部には、各方向指示位置に割り当てられた文字が表示されるキーボード表示部が設けられる
ことを特徴とする、請求項１に記載の文字入力装置。
【請求項１２】
前記ベースまたは入力部のいずれか１つに前記各方向指示位置に対応して設けられ、前記各方向指示位置別に前記方向入力または中央組合せ入力に割り当てられた文字が表示される文字表示部をさらに有するが、
前記文字表示部は、前記各方向指示位置に複数の文字セットが配置される場合、使用者の入力動作によって選択された文字入力セットに変更されて表示される
ことを特徴とする、請求項１に記載の文字入力装置。
【請求項１３】
前記２つの入力部で行われる前記方向入力は、相違した種類である
ことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の文字入力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月23日(2010.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーバー・デバイスであって、
メディア・サーバーからクライアントに利用可能なＵＰｎＰサービスを特定するように構成されたＵＰｎＰデバイスと、
前記クライアントからの発見要求に応答して、前記ＵＰｎＰデバイスによって露出されるコンテンツ・ディレクトリ・サービスと、
を含み、
ＵＰｎＰネットワークを介する前記クライアントからのコマンドに応答する複数のＳＭＢ経路から、最も直接的なＳＭＢ経路を選択し、
これによって、前記コンテンツ・ディレクトリ・サービスが、前記最も直接的なＳＭＢ経路を前記リモート・クライアントに露出して、前記クライアントが、発見されたコンテンツ項目に対するファイル・アクセスを取得し、前記コンテンツ項目に対する変更を書き込み、前記コンテンツ項目に対するファイル・レベルの制御を実施できるようにする、サーバー・デバイス。
【請求項２】
請求項１記載のサーバー・デバイスにおいて、前記コンテンツ・ディレクトリ・サービスは、ＵＰｎＰプロトコルにおいて定められたコンテンツ・ディレクトリ・サービスである、サーバー・デバイス。
【請求項３】
請求項１または２に記載のサーバー・デバイスにおいて、前記コンテンツ・ディレクトリ・サービスは、ＵＰｎＰプロトコルにおいて定められたコンテンツ・ディレクトリ・サービスであり、更に、ＨＴＴＰまたはＲＴＳＰのうち一方を用いてアクセス可能なＵＲＬに加えて、前記最も直接的なＳＭＢ経路を露出するように構成された、サーバー・デバイス。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載のサーバー・デバイスにおいて、前記リモート・クライアントに応答して、１つ以上の<res>タグを用いて、前記最も直接的なＳＭＢ経路は露出される、サーバー・デバイス。
【請求項５】
請求項４記載のサーバー・デバイスにおいて、前記１つ以上の<res>タグは、ＸＭＬ文書内に配された、サーバー・デバイス。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載のサーバー・デバイスにおいて、前記コマンドは、ブラウズ・コマンドまたは検索コマンドを含む、サーバー・デバイス。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載のサーバー・デバイスにおいて、前記コンテンツ・ディレクトリ・サービスは、前記リモート・クライアントが認証済みクライアントである場合にのみ、前記最も直接的なＳＭＢ経路を前記リモート・クライアントに露出する、サーバー・デバイス。
【請求項８】
請求項７記載のサーバー・デバイスにおいて、前記コンテンツ・ディレクトリ・サービスは、Negotiate、Kerberos、またはＮＴＬＭの１つから選択した認証方法を用いて、前記リモート・クライアントを認証する方法を呼び出す、サーバー・デバイス。
【請求項９】
請求項８記載のサーバー・デバイスにおいて、前記認証方法は、実質的に前記電子デバイス上で走るオペレーティング・システムによって実行される、サーバー・デバイス。
【請求項１０】
ＵＰｎＰネットワークを通じてファイル位置をリモート・クライアントに提供する方法であって、
ＵＰｎＰデバイス記述を前記リモート・クライアントに供給することによって、前記リモート・クライアントに利用可能なＵＰｎＰサービスを特定するステップと、
利用可能な複数のＳＭＢ経路からユーザがアクセス可能な利用可能で最も直接的なＳＭＢ経路を選択することにより、コンテンツ・レポジトリ内に配置された発見可能オブジェクトをＳＭＢシェア位置にマッピングするステップと、
前記リモート・クライアントから前記特定したＵＰｎＰサービスへのブラウズ・コマンドまたは検索コマンドに応答して、前記利用可能で最も直接的なＳＭＢ経路およびＳＭＢシェア位置を露出するステップと、
を含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、前記最も直接的なＳＭＢ位置の特定は、前記リモート・クライアントの証明書を用いて、前記リモート・クライアントを擬人化することを含む、方法。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の方法であって、前記ファイルまでの最も直接的なＳＭＢ経路を要求するシェルＡＰＩをコールする更なるステップを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法であって、前記リモート・クライアントに応答して、前記シェルＡＰＩによって戻された経路を含ませる更なるステップを含む、方法。
【請求項１４】
請求項１０から１３のいずれかに記載の方法において、前記発見可能なオブジェクトは、音楽、ビデオ、画像、ゲーム、ニュース、またはデータのうち１つから選択したメディア・コンテンツ・データの１つ以上の離散断片を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月26日(2010.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開放端部を有する容器（１１２）と、
二硫化鉄を含む正電極（１１８）と、
リチウムを含む負電極（１２０）と、
非水性電解質と、
前記正電極と前記負電極との間に配置され、前記電解質、前記正電極（１１８）及び前記負電極（１２０）と共に前記容器（１１２）内に配置されるセパレータと、
前記容器の前記開放端部を密閉し、前記容器とは電気的に接触しないカバー（１１４）と、を備え、
前記正電極（１１８）が前記容器（１１２）と電気的に接触し、前記負電極（１２０）が前記カバー（１１４）の一部と電気的に接触しており、
前記カバー（１１４）がさらに前記負電極（１２０）と前記カバー（１１４）との間に配向される導電性部材（１２２）を備え、
該導電性部材（１２２）が前記負電極（１２０）と前記カバー（１１４）との間に圧縮可能に保持される、
ことを特徴とする電気化学セル（１１０）。
【請求項２】
前記カバー（１１４）が、前記カバーを前記容器（１１２）にシールする非導電性部分を更に含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル（１１０）。
【請求項３】
前記正電極（１１８）、前記負電極（１２０）及び前記セパレータがゼリーロール構成で巻かれる、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル（１１０）。
【請求項４】
前記二硫化鉄がフォイル担体上にコーティングされ、前記フォイル担体が、前記容器（１１２）と直接電気的に接触する、
ことを特徴とする請求項３に記載の電気化学セル（１１０）。
【請求項５】
前記二硫化鉄がフォイル担体上にコーティングされ、前記フォイル担体が、前記容器（１１２）と直接電気的に接触する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル（１１０）。
【請求項６】
前記容器（１１２）が、開放端部を有するシリンダを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル（１１０）。
【請求項７】
開放端部を有する円筒形容器（１１２）と、
少なくとも部分的に集電子にコーティングされた二硫化鉄を含む正電極と、リチウムベース負電極と、電解質と、前記電極（１１８、１２０）間に配置されたセパレータとを有し、前記容器（１１２）内に配置された一次電気化学セル用の螺旋巻き電極組立体と、
正極性を有する前記容器の開放端部を密閉するような大きさにされ、負極性である端子カバーを含む端部キャップと、
を備え、
前記円筒形容器（１１２）が前記端部キャップよりも大きい内部容積を有する、
ことを特徴とする電気化学セル（１１０）。
【請求項８】
前記二硫化鉄が前記集電子の対向する両側部にコーティングされる、
ことを特徴とする請求項７に記載の電気化学セル（１１０）。
【請求項９】
前記集電子が金属フォイルである、
ことを特徴とする請求項７に記載の電気化学セル（１１０）。
【請求項１０】
前記端部キャップが、前記容器（１１２）との間にシールを形成する非導電性ガスケット（１１６）を含む、ことを特徴とする請求項７に記載の電気化学セル（１１０）。
【請求項１１】
前記電極組立体と前記端部キャップとの間に位置決めされたアノードタブを更に含み、該アノードタブが、前記端部キャップへの固定接続を含まない、
ことを特徴とする請求項７に記載の電気化学セル（１１０）。
【請求項１２】
前記電極組立体と前記端部キャップとの間に位置決めされたアノードタブを更に含み、  該アノードタブが電気的に絶縁される、
ことを特徴とする請求項７に記載の電気化学セル（１１０）。
【請求項１３】
前記容器（１１２）がアルミニウムを含む、
ことを特徴とする請求項１または請求項７のいずれか１項に記載の電気化学セル（１１０）。
【請求項１４】
前記端部キャップが、前記電極組立体と電気的に接触する接触ばね（１２４）を含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の電気化学セル。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月6日(2010.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）１０ｎｍ〜４０ｎｍの平均一次粒子サイズを有するシリカと、
（ｂ）過酸化水素、尿素過酸化水素、過炭酸塩、過酸化ベンゾイル、過酢酸、過酸化ナトリウム、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド、一過硫酸塩、二過硫酸塩、硝酸塩、鉄（ＩＩＩ）化合物、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される酸化剤と、
（ｃ）構造式Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｎ+（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は独立してＣ2〜Ｃ6アルキル及びＣ7〜Ｃ12アリールアルキルからなる群より選択される）のカチオンを含む第四級アンモニウム化合物と、
（ｄ）水と
から本質的になり、１〜５のｐＨを有する、化学機械研磨用組成物。
【請求項２】
前記シリカが縮重合シリカである、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項３】
前記シリカが０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％の量で存在する、請求項２に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項４】
前記シリカが０．５ｗｔ％〜８ｗｔ％の量で存在する、請求項３に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項５】
前記酸化剤が過酸化水素と鉄（ＩＩＩ）化合物の組み合わせである、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項６】
前記鉄（ＩＩＩ）化合物が硝酸第二鉄である、請求項５に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項７】
前記過酸化水素が０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％の量で存在し、前記硝酸第二鉄が１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍの量で存在する、請求項６に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項８】
前記第四級アンモニウム化合物が１００ｐｐｍ〜５０００ｐｐｍの量で存在する、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項９】
前記第四級アンモニウム化合物が、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、及びテトラペンチルアンモニウムからなる群より選択されるカチオンを含む、請求項８に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項１０】
（ｉ）基材を、研磨パッド及び請求項１〜９のいずれか１項に記載の化学機械研磨用組成物と接触させる工程、
（ｉｉ）前記基材に対して前記研磨パッドを該化学機械研磨用組成物をそれらの間に置いて動かす工程、並びに
（ｉｉｉ）該基材の少なくとも一部を削って該基材を研磨する工程
を含む、基材を化学機械研磨する方法。
【請求項１１】
前記基材が酸化ケイ素を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記基材が、タングステン、銅、タンタル、窒化タンタル、アルミニウム、チタン、窒化チタン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される金属をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月18日(2010.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池の背面に形成されている、前記太陽電池内の少数電荷キャリアを収集するための連続するエミッタ拡散領域、
前記太陽電池の背面に形成された前記連続する拡散領域によって取り囲まれている、前記太陽電池内の多数電荷キャリアを収集するための複数のドット状ベース拡散領域、
前記複数のドット状ベース拡散領域の少なくとも２つのドット状ベース拡散領域に電気的に結合された第１の金属グリッド、
前記第１の金属グリッドと前記少なくとも２つのドット状ベース拡散領域との間の第１の絶縁体層であって、前記第１の絶縁体層を貫通する少なくとも２つのコンタクトホールを通って前記少なくとも２つのドット状ベース拡散領域に電気的に結合されている絶縁体層、並びに
前記連続するエミッタ拡散領域に電気的に結合する第２の金属グリッドを備えており、
前記第１の金属グリッド及び前記第２の金属グリッドが、前記太陽電池の背面に形成されている、太陽電池。
【請求項２】
前記連続するエミッタ拡散領域及び前記複数のドット状ベース拡散領域が、Ｎ型シリコンウェハ内に形成されており、前記連続するエミッタ拡散領域が、Ｐ型ドープ領域を含み、前記複数のドット状ベース拡散領域のそれぞれが、Ｎ型ドープ領域を含む、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記連続するエミッタ拡散領域がホウ素でドープされており、前記複数のドット状ベース拡散領域がリンでドープされている、請求項２に記載の太陽電池。
【請求項４】
太陽電池の製造方法であって、
第１のドープ層を基板の第１の表面上に形成し、前記第１のドープ層が、前記基板を露出させる複数の開口部を備えており、
前記第１のドープ層内の前記複数の開口部内に、第２のドープ層を形成し、
前記第１のドープ層から第１のドーパントを拡散させ、前記太陽電池の背面の連続するエミッタ拡散領域を形成し、該エミッタ拡散領域が、前記太陽電池内の少数電荷キャリアを収集するように構成されており、
前記複数の開口部内に形成された前記ドープ層から第２のドーパントを拡散させ、前記太陽電池の背面の複数のベース拡散領域を形成し、該複数のベース拡散領域が、前記太陽電池内の多数電荷キャリアを収集するように構成されており、
前記太陽電池の背面に第１の金属グリッドを形成し、該第１の金属グリッドが、前記エミッタ拡散領域に電気的に結合されており、
前記太陽電池の背面に第２の金属グリッドを形成し、該第２の金属グリッドが、前記複数のベース拡散領域のベース拡散領域に電気的に結合されている
ことを含む、方法。
【請求項５】
前記第２のドープ層が、前記第１のドープ層上にも形成される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記基板がＮ型シリコンウェハを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のドーパントがＰ型ドーパントを含み、前記第２のドーパントがＮ型ドーパントを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
太陽電池の背面において多数電荷キャリアを収集するように構成された複数のベース拡散領域、
前記太陽電池の背面において少数電荷キャリアを収集するように構成された、前記複数のベース拡散領域の各ベース拡散領域の周りを取り囲んでいる連続するエミッタ拡散領域、
前記複数のベース拡散領域の少なくとも１つのベース拡散領域に電気的に結合されている第１の金属グリッド、並びに
前記連続するエミッタ拡散領域に電気的に結合されている第２の金属グリッド
を備えている、太陽電池。
【請求項９】
前記複数のベース拡散領域がそれぞれ、非長方形の形状を有する、請求項８に記載の太陽電池。
【請求項１０】
前記第１の金属グリッドと前記少なくとも１つのベース拡散領域との間の第１の絶縁体層をさらに備えており、前記第１の金属グリッドが、前記第１の絶縁体層内のコンタクトホールを通って、前記少なくとも１つのベース拡散領域に電気的に結合されている、請求項８に記載の太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月9日(2010.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハなどのようなターゲット上に、イメージまたはイメージ・パターンを投影するためのリソグラフィ・システムであって、
前記イメージまたはイメージ・パターンの投影によりターゲットの中に蓄積されたエネルギーが、前記ターゲットの局所的なおよび／または全体的な加熱による膨張が予め規定された適切な値に制限されるように、前記ターゲットから除去されること；及び、
そのような熱の除去が、熱吸収材料の相遷移の使用により実現され、この熱吸収材料は、この熱吸収材料を含むボディにより前記ターゲットと熱的な接触状態にされること；
前記ボディは接触表面を有し、この接触表面は前記ターゲットを支持するバールを含んでいて、当該システムの中で、前記ターゲットを処理する目的で、相を維持する流体またはペーストが前記接触表面とターゲットの間に供給されること；
を特徴とするリソグラフィ・システム。
【請求項２】
下記特徴を有する請求項１に記載のシステム：
前記材料は、熱移送の相対的に優れた係数を有する更なる材料との組み合わせで使用される。
【請求項３】
下記特徴を有する請求項１に記載のシステム：
前記相遷移材料の接触表面は、前記ターゲットの処理される表面と比べて、実質的により大きい。
【請求項４】
下記特徴を有する請求項１に記載のシステム：
前記接触表面には、接触表面を拡大するボディ構造が設けられている。
【請求項５】
下記特徴を有する請求項１に記載のシステム：
前記材料は、前記リソグラフィ・システムの運転温度に対応する温度で、相遷移を有している。
【請求項６】
下記特徴を有する請求項１に記載のシステム：
前記バールは、前記ボディの少なくとも一部に組み込まれている。
【請求項７】
下記特徴を有する請求項９に記載のシステム：
上面図で見たとき、バールで作られた表面積のパーセンテージは、少なくとも約１％から少なくとも約５％の範囲である。
【請求項８】
二つの互いに接続されたウエハ状の要素を有するウエハ材料のフレームであって、
それらの内の少なくとも一つに熱吸収性の相遷移材料を有するボアが設けられ、もう一方の要素が前記ボアを閉じていて、
当該フレームのターゲット接触表面には、ターゲットを支持するバールが設けられ、
前記接触表面は、前記接触表面とターゲットの間に供給された流体またはペーストを受けるためのものであること、
を特徴するフレーム。
【請求項９】
リソグラフィ・システムの中でターゲットの温度を安定化する方法であって、
前記ターゲットと熱的な接触状態にある更なる熱吸収性の材料の相遷移、及びバールを備えた接触表面とターゲットの間に供給された相を維持する流体またはペーストを用いて、ターゲットから熱を除去することを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【特許文献１】国際公開第 WO 2004/038509 号パンフレット
【特許文献２】米国特許出願公開第 US 2002/0147507 号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第 US 2005/0186517 号明細書
【特許文献４】国際出願 PCT/US01/26772 号公報
【特許文献５】米国特許出願公開第 US 2005/0128448 A1 号公報
【特許文献６】国際公開第 WO 2007/013802 A1 号パンフレット
【特許文献７】欧州特許出願公開第 EP 1 548 502 A1 号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月29日(2010.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極紫外線（ＥＵＶ）源又はＸ線源と共に使用される反射光学システムであって、
１つ又はそれよりも多くのミラーを含み、各ミラーは、前記放射線源を通って延びる光軸に関して対称であり、各ミラーは、少なくとも第１及び第２の反射面を有し、該放射線源からの放射線が、光路において該第１及び第２の反射面で連続かすめ入射反射を受け、
前記少なくとも第１及び第２の反射面は、該第１及び第２の反射面での前記連続かすめ入射反射の入射角が、該反射面上に入射する全ての光線に対して実質的に等しくなるように形成される、ことを特徴とするシステム。
【請求項２】
各ミラーは、電気形成された一体型構成要素として形成され、前記第１及び第２の反射面の各々は、前記ミラーのそれぞれの隣接区画に設けられる、ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
各ミラーに対して、前記第１の反射面は、前記放射線源に最も近く、前記第２の反射面からの放射線が、前記光軸上の前記像焦点に向けられ、前記第１及び第２の反射面は、該反射面での所定の反射点に対して、
2009545181.tif 000001
によって定められ、ここで、
ρ1は、前記放射線源から前記第１の反射面までの長さであり、
ρ2は、前記像焦点から前記第２の反射面までの長さであり、
θ1は、前記光軸と前記放射線源及び前記第１の反射面での第１の反射点を結ぶ線との間の角度であり、
θ2は、前記光軸と前記像焦点及び前記第２の反射面での第２の反射点を結ぶ線との間の角度であり、
２ｃは、前記放射線源から前記像焦点までの前記光軸に沿った長さであり、
２ａは、前記光路の一定長さであり、かつ
ｋは、定数である、
ことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記ａ、ｋは、
2009545181.tif 000002
であり、ここで、下付き文字「R」は、前記第１及び第２の反射面の交点Ｒに対する値を表す、ことを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
１又はそれよりも多くのミラーが、入れ子式構成で設けられた複数のミラーであることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項６】
極紫外線（ＥＵＶ）源を使用したＥＵＶリソグラフィのための集光光学システムであって、
１つ又はそれよりも多くのミラーを含み、各ミラーは、前記放射線源を通って延びる光軸に関して対称であり、各ミラーは、少なくとも第１及び第２の反射面を有し、該放射線源からの放射線が、光路において該第１及び第２の反射面で連続かすめ入射反射を受け、
前記少なくとも第１及び第２の反射面は、該第１及び第２の反射面での前記連続かすめ入射反射の入射角が、該反射面上に入射する全ての光線に対して実質的に等しくなるように形成される、ことを特徴とするシステム。
【請求項７】
集光光学システムは像焦点を有し、さらに、像焦点に配置された撮像デバイスを有する請求項６記載の集光光学システム。
【請求項８】
さらに、ＥＵＶ源をレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源として有する請求項６記載の集光光学システム。
【請求項９】
極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィシステムであって、
ＥＵＶ線を放射するＥＵＶ線源と、
ＥＵＶ線を集光するように配置され、集光された放射線を形成する集光光学システムと、を備え、集光光学システムは、１つ又はそれよりも多くのミラーを含み、各ミラーは、前記放射線源を通って延びる光軸に関して対称であり、各ミラーは、少なくとも第１及び第２の反射面を有し、該放射線源からの放射線が、光路において該第１及び第２の反射面で連続かすめ入射反射を受け、
前記少なくとも第１及び第２の反射面は、該第１及び第２の反射面での前記連続かすめ入射反射の入射角が、該反射面上に入射する全ての光線に対して実質的に等しくなるように形成され、
さらに、集光光学システムからの集光された放射線を受け、これにより集めた放射線（condensed radiation）を形成しする光学コンデンサと、
光学コンデンサからの集めた放射線を受けるために配置された反射マスクと、
を備えたことを特徴とするシステム。
【請求項１０】
ＥＵＶ源がレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）である請求項９記載のＥＵＶリソグラフィシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月6日(2010.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数波長光線源であって、
第１波長光線を発光させる第１波長光線源と、
前記第１波長光線源からの第１波長光線を受領し、偏光された第１波長光線を伝達し、第２波長および第３波長の光線を反射するように整合された偏光器と、
前記偏光器からの第１波長光線を受領するように整合され、第１波長光線を第２波長光線に変換するように設計された波長コンバータと、
第１波長光線および第２波長光線を前記波長コンバータから受領するように整合され、第１波長光線と第２波長光線を前記波長コンバータに向けて反射するように設計された腔形ミラーと、
第３波長光線を前記腔形ミラーと前記波長コンバータとを通して発光させる第３波長光線源であって、前記偏光器は、前記波長コンバータからの第２波長光線と第３波長光線を受領するように整合されており、第２波長光線と第３波長光線を複合光線として出力軸に沿って発射するように設計された第３波長光線源と、
を含んでいることを特徴とする複数波長光線源。
【請求項２】
第３波長光線源からの光線を受領し、該受領した第３波長の光線を腔形ミラーと波長コンバータに向けて発射するビームコンバイナをさらに含んでいることを特徴とする請求項１記載の複数波長光線源。
【請求項３】
第４波長の光線を発光させる第４波長光線源をさらに含んでおり、
ビームコンバイナは、さらに、前記第４波長光線源からの光線を受領して第３波長光線と第４波長光線の複合光線を腔形ミラーと波長コンバータとに向けて発射するように設計されており、
偏光器は、第２波長光線、第３波長光線および第４波長光線を前記波長コンバータから受領し、第２波長光線、第３波長光線および第４波長光線を複合光線として出力軸に沿って発射するように整合されていることを特徴とする請求項２記載の複数波長光線源。
【請求項４】
第１および第３波長光線源は、第１および第３波長光線の強度を変調し、
複合光線は、第２波長および第３波長の変調光線を含んでいることを特徴とする請求項１記載の複数波長光線源。
【請求項５】
腔形ミラーは、第１波長の光線を反射させるように設計された狭波長帯域リフレクタを含んでいることを特徴とする請求項１記載の複数波長光線源。
【請求項６】
腔形ミラーは、第３波長の光線を通過させるように設計されていることを特徴とする請求項１記載の複数波長光線源。
【請求項７】
複合光線源であって、
長波光線を発射する光ポンプと、
前記長波光線を受領するように整合されており、偏光された長波光線を伝達し、第２波長と第３波長の光線を反射するように設計された偏光器と、
前記偏光器からの前記偏光された長波光線を受領するように整合されており、前記長波光線を第２波長光線に変換するように設計された波長コンバータと、
ビームコンバイナと、
を含んでおり、該ビームコンバイナは、
ａ）前記波長コンバータから前記長波光線と第２波長光線を受領し、該長波光線と第２波長光線を反射して前記波長コンバータに戻して通過させ、
ｂ）第３波長光線を受領し、受領した該第３波長光線を、前記波長コンバータを通過するように方向付けるように設計されていることを特徴とする複合光線源。
【請求項８】
一体化光線源であって、
変調赤外線を発光する赤外線源と、
前記赤外線源から変調赤外線を受領するように整合されている第１面と第２面とを有するビームコンバイナと、
を含んでおり、前記第１面は、前記赤外線を偏光するように設計されている偏光器を含み、前記第２面は、前記赤外線を通過させ、第２波長光線を反射し、第３波長光線を通過させるように設計された第１パスバンドフィルタを含んでおり、
本一体化光線源は、
前記ビームコンバイナから偏光された変調赤外線を受領するように整合されており、前記受領した変調赤外線を第２波長の変調光線に変換するように設計された波長コンバータと、
前記変調赤外線と第２波長の変調光線を前記波長コンバータから受領するように整合されており、前記赤外線と第２波長光線を前記波長コンバータに向けて反射させるように設計されたミラーと、
第３波長の変調光線を前記ビームコンバイナの前記第２面に向けて発光する第３波長光線源と、
をさらに含んでおり、前記ビームコンバイナの前記第２面は、第３波長の変調光線を通過させ、第２波長の変調光線を第１複合変調光線として共通軸に沿って反射するように設計されていることを特徴とする一体化光線源。
【請求項９】
ビームコンバイナの第１面と第２面は、別々の面であることを特徴とする請求項８記載の一体化光線源。
【請求項１０】
ビームコンバイナの第１面と第２面は、実質的に共面であることを特徴とする請求項８記載の一体化光線源。
【請求項１１】
第２波長光線は、赤外線波長の実質半分の波長であることを特徴とする請求項８記載の一体化光線源。
【請求項１２】
第１パスバンドフィルタは、第２波長と第３波長との間でカットオフ波長を有したローパスフィルタを含んでいることを特徴とする請求項８記載の一体化光線源。
【請求項１３】
第２波長光線は、緑色光線を含んでおり、第３波長光線は、赤色光線を含んでいることを特徴とする請求項１２記載の一体化光線源。
【請求項１４】
第４波長の変調光線を生成する第４波長光線源をさらに含んでおり、ビームコンバイナは、第２面から第１複合変調光線を受領し、前記第４波長光線源から第４波長の変調光線を受領するように整合された第３面を含んでおり、前記第３面は、第１複合変調光線を通過させ、第４波長の変調光線を第２複合変調光線として共通軸に沿って反射するように設計されていることを特徴とする請求項８記載の一体化光線源。
【請求項１５】
ビームコンバイナの第３面は、第２波長と第４波長との間でカットオフ波長を有したローパスフィルタを含んでいることを特徴とする請求項８記載の一体化光線源。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸リソグラフィ処理において用いるための調製された浸漬流体を生成するための、流路を有する装置であって、
脱気された給水の加圧源を前記装置に供給する入口管路を備え、前記脱気された給水が、約２００十億分率未満の溶解酸素を有し、前記装置がさらに、
前記脱気された給水の流れを受け入れて、前記脱気された給水における有機汚染物質のすべてまたは一部を酸化分解生成物に分解するための入口と、酸化ユニットからの出口とを有する酸化ユニットを備え、前記酸化分解生成物が二酸化炭素を含み、前記装置がさらに、
酸化分解生成物を含有する水を受け入れるための入口を有し、前記脱気された給水から前記酸化分解生成物のすべてまたは一部を除去し、脱気された液体を生成する高純度脱気装置と、
脱気された液体を受け入れるための入口を有し、前記脱気された給水から前記酸化ユニットによって分解されない汚染物質を除去するための物質のベッドを含み、前記脱気された液体からイオン汚染物質を除去するイオン交換ベッドをさらに含み、浄化器から前記脱気された液体を移すための出口を有する、浄化器と、
前記脱気された給水から微粒子、コロイド、ゲルまたはこれらの組み合わせを除去する粒子フィルタと、
脱気された給水を受け入れるための入口を有し、前記脱気された給水の温度を調整し、脱気された給水を受け入れて、液浸リソグラフィレンズにおいて用いるための温度に熱可塑性ポリマーによって前記処理された水の温度を調整し、高純度熱可塑性熱交換器から液浸リソグラフィシステムまで、温度調整されて脱気された水のすべてまたは一部を移すための出口を有する、高純度熱可塑性熱交換器とを備える、装置。
【請求項２】
前記供給液体から気泡および／または溶解気体を除去する脱気装置をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記温度調整された水の温度が、約２０℃〜約３０℃の範囲にあると同時に、約２０．５℃で約１８．２〜約１８．２５ＭΩに等しい加熱温度における電気抵抗率を保つ、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記浄化器が、イオン汚染物質を除去するための個別のベッドを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記熱交換器が、中空のチューブを含有する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記高純度脱気装置が、微孔性中空ファイバを含有する、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記浄化器および前記高純度熱交換器を通って温度調整されて脱気された水のすべてまたは一部を再循環するために、ポンプをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記脱気された給水が、２５℃で約１７〜約１８．２ＭΩ・ｃｍの範囲の抵抗率を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
使用場所が、液浸リソグラフィシステムである、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記浄化器が、前記イオン交換ベッドの上流である、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
２５℃で約１７〜約１８．２ＭΩの範囲の抵抗率を有し、約２００十億分率未満の溶解酸素を含有する、脱気された給水の加圧源を装置に供給することと、
前記脱気された給水を受け入れて、前記脱気された給水における有機汚染物質のすべてまたは一部を、二酸化炭素を含む酸化分解生成物に分解する入口を有する、酸化ユニットに前記脱気された給水を流れ込ませ、前記酸化ユニットの出口から酸化分解生成物を含有する脱気された給水を除去することと、
酸化分解生成物を含有する前記脱気された給水を受け入れるための入口を有する高純度熱可塑性脱気装置と酸化分解生成物を含有する前記脱気された給水を接触させて、前記高純度熱可塑性脱気装置によって前記水から前記酸化分解生成物のすべてまたは一部を除去することと、
前記酸化ユニットによって分解されない汚染物質を除去するための物質を有する浄化器ベッドを通るように前記脱気された給水を流すことと、
前記脱気された給水からイオン汚染物質を除去するイオン交換ベッドと前記脱気された給水を接触させることによって、前記脱気された給水からイオン汚染物質を除去することと、
前記脱気された給水をろ過して、前記脱気された給水から微粒子、コロイド、ゲルまたはこれらの組み合わせを除去することと、
脱気された給水を受け入れるための入口を有する高純度熱可塑性熱交換器を用いて、前記脱気された給水の温度を調整することとを含み、前記熱交換器が、前記脱気された給水の温度を調整し、前記熱交換器が、前記脱気された給水を受け入れて、脱気された交換流体と接触状態にある熱可塑性ポリマーによって前記脱気された給水の温度を調整し、前記脱気された給水が、液浸リソグラフィシステムにおいて用いるための温度に調整され、前記熱交換器が、前記熱交換器から前記液浸リソグラフィシステムまで、温度調整されて脱気された給水を運搬するための出口を有する、方法。
【請求項１２】
浄化器ベッドが、高純度脱気装置の出口とイオン交換ベッドの入口との間にある、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
高純度熱可塑性熱交換器が、前記浄化器ベッドによって処理された脱気された給水の温度を調整する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
高純度熱交換器が、ペルフルオロ薄壁の中空チューブを含有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
浄化器ベッドが、１８．２ＭΩの水で洗浄されるタイプの強イオン交換媒体を備え、ＴＯＣを低減する、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
浄化器ベッドが、１８．２ＭΩの水で洗浄されるタイプの強イオン交換媒体を備え、ＴＯＣを低減する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも１つの圧力減衰デバイスをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
少なくとも１つの圧力減衰デバイスが、脈動減衰器を含む、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記粒子フィルタが、表面改質ナノ粒子フィルタを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
前記表面改質ナノ粒子フィルタが、水中において中性に帯電される膜表面を含み、前記フィルタは、約２０ｎｍで定格である、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
給水の圧力を減衰させることをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２２】
脱気された給水、酸化分解生成物を含有する脱気された給水、および温度調整されて脱気された水からなる群より選択される水流の圧力を減衰させることをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
水の圧力を減衰させることが、脈動減衰器を用いて、前記水の前記圧力を減衰させることを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記脱気された給水をろ過することが、表面改質ナノ粒子フィルタによって前記脱気された給水をろ過することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２５】
表面改質ナノ粒子フィルタが、水中において中性に帯電される膜表面を含み、前記フィルタは、約２０ｎｍで定格である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
請求項１の装置およびリソグラフィ画像形成システムを備える、液浸リソグラフィシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月7日(2010.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハフニウム（Ｈｆ）及びジルコニウム（Ｚｒ）の一方又は両方を実質的に含む金属シリケート膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）方法であって、
反応空間において基板を、ハフニウム又はジルコニウムを含むアルキルアミド金属化合物、ハロゲン化ケイ素化合物及び酸化剤の気相パルスと交互に接触させることを含む、方法。
【請求項２】
前記基板は、前記アルキルアミド金属化合物、前記酸化剤及び前記ハロゲン化ケイ素化合物と順次接触する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板は、前記ハロゲン化ケイ素化合物、前記酸化剤及び前記アルキルアミド金属化合物と順次接触する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記アルキルアミド金属化合物は、テトラキス（エチルメチルアミノ）金属、テトラキス（ジメチルアミノ）金属及びテトラキス（ジメチルアミノ）金属から成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ハロゲン化ケイ素化合物は、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記酸化剤は、水、オゾン、及び分子状酸素（Ｏ２）のプラズマ励起種から成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記気相パルスの各々の間に前記反応空間をパージすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記反応空間は、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）及び水素（Ｈ２）から成る群から選択される１つ又は複数のガスによってパージされる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ポンピングシステムを用いて過剰の金属化合物、ケイ素化合物及び酸化剤を除去することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属シリケート膜は、約１５０℃〜５００℃の基板温度で形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属シリケート膜は、約２５０℃〜３５０℃の基板温度で形成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記金属シリケート膜は、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）デバイスで使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記金属シリケート膜は、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）デバイスのゲート誘電体として使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記金属シリケート膜は、キャパシタベースのデバイスのコンポーネントとして使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
反応空間において基板上に、ハフニウム（Ｈｆ）及びジルコニウム（Ｚｒ）の一方又は両方を実質的に含む金属シリケート膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）方法であって、
（ａ）前記基板を、ハフニウム又はジルコニウムを含むアルキルアミド金属化合物の気相パルスと接触させること、
（ｂ）前記反応空間から過剰のアルキルアミド金属化合物及び反応副産物を除去すること、
（ｃ）前記基板を第１の酸化剤の気相パルスと接触させること、
（ｄ）前記反応空間から過剰の第１の酸化剤及び反応副産物を除去すること、
（ｅ）前記基板をハロゲン化ケイ素化合物の気相パルスと接触させること、
（ｆ）前記反応空間から過剰のハロゲン化ケイ素化合物及び反応副産物を除去すること、
（ｇ）前記基板を第２の酸化剤の気相パルスと接触させること、
（ｈ）前記反応空間から過剰の第２の酸化剤及び反応副産物を除去すること、及び
（ｉ）前記基板上に所望の厚さの前記金属シリケート膜が形成されるまで、ステップ（ａ）〜（ｈ）を繰り返すこと
を含む、方法。
【請求項１６】
前記金属シリケート膜の形成は、ステップ（ａ）又はステップ（ｅ）から開始する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
ステップ（ａ）〜（ｄ）は、ステップ（ｅ）〜（ｈ）に先立って所望の回数繰り返される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
ステップ（ｅ）〜（ｈ）は、ステップ（ａ）〜（ｄ）の後に所望の回数繰り返される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の酸化剤は前記第２の酸化剤と同じである、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の酸化剤及び前記第２の酸化剤は、水、オゾン、及び分子状酸素（Ｏ２）のプラズマ励起種から成る群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１の酸化剤は、水、オゾン、及び分子状酸素（Ｏ２）のプラズマ励起種のうちの１つを含み、前記第２の酸化剤は前記第１の酸化剤とは異なる、請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
除去することは、不活性ガスにより前記反応空間をパージすること及び／又はポンピングシステムを用いて前記反応空間をポンピングすることを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２３】
ステップ（ａ）〜（ｄ）は、酸化ハフニウム及び酸化ジルコニウムから成る群から選択される金属酸化物を形成する、請求項１５に記載の方法。
【請求項２４】
ステップ（ｅ）〜（ｈ）は、ＳｉＯ及びＳｉＯ２から成る群から選択される酸化ケイ素を形成する、請求項１５に記載の方法。
【請求項２５】
炭素不純物及びハロゲン不純物を含むハフニウムシリケート膜であって、前記炭素不純物の濃度は約５００００百万分率（ｐｐｍ）以下であり、前記ハロゲン不純物の濃度は約２００００ｐｐｍ以下であり、ステップカバレッジが約８５％以上である、ハフニウムシリケート膜。
【請求項２６】
前記ステップカバレッジは約１００％である、請求項２５に記載のハフニウムシリケート。
【請求項２７】
前記炭素不純物の濃度は約１００００ｐｐｍ以下である、請求項２５に記載のハフニウムシリケート。
【請求項２８】
前記ハロゲン不純物の濃度は約２０００ｐｐｍ以下である、請求項２５に記載のハフニウムシリケート。
【請求項２９】
ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）デバイスの一部である、請求項２５に記載のハフニウムシリケート膜。
【請求項３０】
相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）デバイスにおけるゲート誘電体の一部である、請求項２５に記載のハフニウムシリケート膜。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月6日(2010.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）シリカと、
（ｂ）ガリウム（ＩＩＩ）、クロム（ＩＩ）及びクロム（ＩＩＩ）からなる群より選択される金属のカチオンを０．２ｍＭ〜１０ｍＭ提供するのに十分な量の化合物と、
（ｃ）水と
を含み、１〜６のｐＨを有する、化学機械研磨用組成物。
【請求項２】
前記シリカが０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％の量で存在する、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項３】
前記シリカが縮重合シリカである、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項４】
前記シリカが１０ｎｍ〜８０ｎｍの平均粒子サイズを有する、請求項３に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項５】
前記化合物が、酢酸塩、塩化物、硝酸塩及び硫酸塩からなる群より選択されるアニオンを含む塩を含む、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項６】
前記化合物が硝酸ガリウムである、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項７】
前記硝酸ガリウムが１ｍＭ〜８ｍＭの濃度で存在する、請求項６に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項８】
キレート剤をさらに含む、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項９】
ｐＨが２〜５である、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項１０】
ｐＨが２〜４である、請求項９に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項１１】
（ａ）基材を用意する工程、
（ｂ）該基材を、研磨パッド及び請求項１〜１０のいずれか１項に記載の化学機械研磨用組成物と接触させる工程、
（ｃ）前記基材に対して前記研磨パッドを該化学機械研磨用組成物をそれらの間に置いて動かす工程、並びに
（ｄ）該基材の少なくとも一部を削って該基材を研磨する工程
を含む、基材を化学機械研磨する方法。
【請求項１２】
前記基材が誘電体層を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記誘電体層が、二酸化ケイ素、炭素ドープ二酸化ケイ素、及び有機修飾ケイ素ガラスからなる群より選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基材が少なくとも１つの金属層をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの金属層が、アルミニウム、銅、タングステン及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記基材が少なくとも１つのバリア層をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つのバリア層が、タンタル、チタン、それらの窒化物、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１６に記載の方法。