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　平成１０年特許願第３４５９４０号「光ディスク反射膜形成用スパッタリングターゲット」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月２０日出願公開、特開２０００−１６９９５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１０年１２月４日の出願であって、その請求項１〜３に係る発明は、平成１１年１２月２７日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「結晶粒径が３０μｍ以下であり、金属間化合物相が形成されていないことを特徴とするＡｌ合金焼結体からなる光ディスク反射膜形成用スパッタリングターゲット。」
　　
［２］引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前頒布された刊行物である特開平１０−６０６３６号公報（以下、「刊行物１」という。）、及び、同じく頒布された刊行物である特表平９−５０９９８５号公報（以下、「刊行物２」という。）には、それぞれ以下の事項が記載されている。
［２−１］刊行物１（特開平１０−６０６３６号公報）
（１ａ）「【請求項１】Ａｌ化合物形成可能元素が、Ａｌマトリックス中に金属状態もしくは元素単体状態で分散していることを特徴とするＡｌ系スパッタリング用ターゲット。
【請求項２】Ａｌ化合物形成可能元素は、外接円径８０μｍ以下の粒子としてＡｌマトリックス中に分散していることを特徴とする請求項１に記載のＡｌ系スパッタリング用ターゲット。
【請求項３】・・・・・
【請求項４】Ａｌ化合物形成可能元素は、（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂ，希土類元素）の１種ないし２種以上であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のＡｌ系スパッタリング用ターゲット。」（【特許請求の範囲】）、
（１ｂ）「【０００１】【発明が属する技術分野】本発明は、Ａｌを主体とするＡｌ系スパッタリング用ターゲットに関し、・・・反射膜等を形成するために用いられるＡｌ系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法に関するものである。」（段落【０００１】）、
（１ｃ）「【００１３】【課題を解決するための手段】本発明者がターゲット組織における微小な空隙の発生を抑えるべく検討したところ、本来Ａｌと化合物を形成する添加元素を、金属もしくは元素の状態を残すように制御して焼結すれば、化合物の割れに起因した微小な空隙の発生を防止できることを見いだし本発明に到達した。
【００１４】すなわち本発明は、Ａｌ化合物形成可能元素が、Ａｌマトリックス中に金属状態もしくは元素単体状態で分散しているＡｌ系スパッタリング用ターゲットである。好ましくは、Ａｌ化合物形成可能元素は、外接円径８０μｍ以下の粒子としてＡｌマトリックス中に分散させる。さらに好ましくは、外接円径６０μｍ以下の粒子とする。」（段落【００１３】、【００１４】）、
（１ｄ）「【００１６】また、上述したターゲットを得る本発明の製造方法は、Ａｌ粉末と、Ａｌ化合物形成可能元素の粉末とを混合し、４００℃〜６００℃で加圧焼結するものである。本発明の製造方法は、特に加圧焼結後、圧延により板状にし、圧延面側をスパッタリング面とする場合に適用することが望ましい。」（段落【００１６】）、
「【００１８】本発明者は、溶解法ではなく、焼結法を適用し、その焼結温度を４００〜６００℃と低温域と設定することで、溶解法を適用したターゲット組織ではＡｌ化合物となってしまう（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂ，希土類元素）等の１種または２種以上のＡｌ化合物形成可能元素を金属状態もしくは元素単体状態で分散できることを見い出し、このように分散することによって、Ａｌ化合物に起因する空隙の発生を抑制でき、スパッタリング時のスプラッシュの発生を防止できることを見いだしたのである。」（段落【００１８】）、
（１ｅ）図１〜３が示されるとともに、「【００１９】具体的には、たとえばＡｌ粉末にＴｉを２ａｔ％添加して、５２０、５７０、６２０℃の温度で１００ＭＰａの圧力を適用して焼結すると、それぞれ図１ないし図３の組織が得られる。図１ないし図３は、４００倍のターゲットの金属ミクロ組織であり、図１は、Ａｌマトリックス中に存在する粒子の表面に明確な化合物層が認められない本発明の組織の一例であり、図２は粒子表面に化合物層が認められるが、心部は金属状態を保っている本発明の組織である。一方図３は金属状態を残さない化合物となっている比較例の組織である。
【００２０】本発明は、図１あるいは図２に示すように、Ａｌ化合物形成可能元素が金属状態でＡｌマトリックス中に分散していることを特徴とするものである。Ａｌ化合物形成可能元素がＡｌ化合物のみで分散する場合よりも、Ａｌ化合物形成可能元素を靱性のある状態で組織に存在させることができる。従って、塑性変形が加わる工程においてターゲット組織に空隙の発生するのを防止できたものである。」（段落【００１９】、【００２０】）、
（１ｆ）実施例として、「【００２８】・・・窒素アトマイズにより製造した市販の平均粒径７０μｍの純Ａｌ粉末と市販の平均粒径２０μｍのＴｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｂ、Ｇｄ、Ｎｄ、Ｙ、Ｚｒの金属粉末を表１に示す組成にＶ型ブレンダーで混合し、・・・その後５２０℃、１００ＭＰａの圧力で熱間静水圧プレス装置を用いて焼結を行いインゴット製造した。このインゴットを圧延により、８００mm×７００mm×８mmの板材に加工した後、機械加工により６９０mm×５５０mm×６mmのターゲットを製造した。また比較のために、熱間静水圧プレス温度を６２０℃に変更した例を試料１２として示す。また、到達真空度　１０マイナス４乗Ｐａに排気した真空溶解鋳造炉を用いて、Ｔｉを混入させたＡｌ原料を溶解した後、鋳型に注入してＡｌのインゴットを製造し、同様の圧延を行い、ターゲットを製造した比較例を試料１３として示す。」（段落【００２８】）、
（１ｇ）【表１】に、上記実施例（試料Ｎｏ．１〜１１）及び比較例（試料Ｎｏ．１２、１３）における各ターゲット組成、元素添加の形態、欠陥数、スプラッシュ数、粒子の最大径が示されるとともに、上記実施例及び比較例で得られた各ターゲットについて、
「【００３０】次に、ターゲットを切り出した板材から、試験片を採取し、４００倍のミクロ観察とＸ線分析により、ターゲット組織中に分散する添加物粉末を起源とする粒子を分析して、化合物となっているか金属として残留しているかを確認した。その結果、本発明のターゲットである試料１ないし１１は、図１もしくは図２に示す組織と同様の組織となった。」（段落【００３０】）が記載されている。
　　
［２−２］刊行物２（特表平９−５０９９８５号公報）
（２ａ）「１．銅、シリコン、ジルコニウム、チタニウム、タングステン、レニウム、スカンジウム、コバルト、モリブデン、プラチナ、金、ニオブ、ハフニウム及びそれらの合金から成る群から選択された少なくとも１種の金属と合金化されて、実質的に全てのアルミニウムの結晶粒（ａｌｕｍｉｎｕｍ　ｇｒａｉｎ）がボディー中で約２０μｍ未満の寸法である、アルミニウムのボディーを含んでなるスパッタリングターゲット。
２．前記ボディーがアルミニウムを含んで成り、前記アルミニウムのボディーに存在する実質的に全ての析出領域が約１ミクロン未満の寸法である請求項１記載のターゲット。」（【特許請求の範囲】）、
（２ｂ）図１として、アルミニウムと０．５ｗｔ％銅のターゲットについての膜均一性対平均結晶粒径の関係を表したチャートが示されるとともに、「ターゲットの結晶粒径も高蒸着速度と均一蒸着層を達成するために重要である。また、結晶粒界での不連続部がスパッタリング中に更に容易に分解されるので、微細結晶粒径を有するターゲットは、粗大結晶粒径を有するターゲットより高蒸着速度を可能とする。相関関係は、図１に示すように、ターゲットの結晶粒径と蒸着層の均一性とで明らかになった。」（第９頁７〜１１行）、
「スパッタリングターゲットの性能を改善するため・・・結晶粒径を減少した。」（第１０頁１９〜２０行）、
（２ｃ）スパッタリングターゲットを製造する液体動的加圧（ＬＤＣ）装置が図２に示されるとともに、「ＬＤＣはガスアトマイジング溶融金属を含み、素早く移動する液体金属小滴を作る。これらの小滴は基板との衝突でスプラットクエンチされる。粉砕と急速冷却とが、超微細デンドライト組織を有する微細結晶粒を生み出すために小さな結晶を作る。アトマイズされた金属は基板上に吹き付けられるので、非常に高濃度（濃度９０％以上）金属生成物が、従来の他の粉末製造方法により製造されるより倍率で１〜２オーダー程度小さい結晶粒を作ることができる。析出物の大きさを１ミクロン未満に保持することも可能である。例えば、アルミニウム合金においては、１０ミクロン未満の結晶粒径及び１ミクロン未満の析出物結晶粒径を得ることができる。」（第１１頁表１下欄８〜１６行）、
（２ｄ）「本発明はスパッタリングターゲットを提供し、このターゲットはアルミニウム、銅及びチタニウムのような単独金属、または、銅、シリコン、ジルコニウム、チタニウム、タングステン、プラチナ、金、ニオブ、レニウム、スカンジウム、コバルト、モリブデン、ハフニウム及びそれらの合金から成る群から選択された異種の金属と合金化された金属とのボディーを含んでなり、大部分の構成結晶粒は、アルミニウムボディーに対しては約２０μｍ未満、銅ボディーに対しては３０μｍ未満、及びチタニウムボディーに対しては１０μｍ未満の寸法である。アルミニウム合金に対しては、存在する析出領域は約２μｍ未満、好ましくは約１μｍ未満になる。」（第１２頁２３行〜第１３頁４行）が記載されている。
　　
［３］対比・判断
　上記［２−１］の摘記（１ａ）〜（１ｇ）、及び刊行物１の図１に示されたターゲットの金属ミクロ組織写真によれば、刊行物１には、
「Ａｌ粉末と、Ａｌ化合物形成可能元素の粉末とを混合し、４００℃〜６００℃の温度で加圧焼結して製造され、該Ａｌ化合物形成可能元素が、外接円径８０μｍ以下の粒子としてＡｌマトリックス中に金属状態もしくは元素単体状態で分散しており、上記４００℃〜６００℃のうちの５２０℃の加圧焼結では、該Ａｌマトリックス中に分散するＡｌ化合物形成可能元素の粒子表面に明確な化合物層が認められない金属ミクロ組織となる、反射膜を形成するために用いられるＡｌ系スパッタリング用ターゲット」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　そして、本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明の「５２０℃の加圧焼結では、該Ａｌマトリックス中に分散するＡｌ化合物形成可能元素の粒子表面に明確な化合物層が認められない」とは、５２０℃の加圧焼結では、Ａｌマトリックスと接しているＡｌ化合物形成可能元素の粒子表面にＡｌ化合物の領域が確認できないのであるから、本願発明１と同様の、「金属間化合物相が形成されていない」ことに他ならない。また、引用発明における「Ａｌ粉末と、Ａｌ化合物形成可能元素の粉末とを混合し、４００℃〜６００℃の温度で加圧焼結して製造され・・・反射膜を形成するために用いられるＡｌ系スパッタリング用ターゲット」は、本願発明１における「Ａｌ合金焼結体からなる・・・反射膜形成用スパッタリングターゲット」に相当する。
　してみると、両発明は、「金属間化合物相が形成されていないＡｌ合金焼結体からなる反射膜形成用スパッタリングターゲット」の点で一致し、以下の点で相違する。
（イ）スパッタリングターゲットが、本願発明１では、光ディスク反射膜形成用であるのに対し、引用発明では、反射膜形成用である点。
（ロ）本願発明１では、結晶粒径が３０μｍ以下であるのに対し、引用発明では、ＡｌとＡｌ化合物形成可能元素の結晶粒径が３０μｍ以下とはされていない点。
　　
　そこで、まず上記相違点（イ）について検討するに、
　Ａｌ系スパッタリングターゲットを用いて光ディスク反射膜を形成することが本願出願前周知の技術であるから（要すれば、特開平７−９０５６６号公報，段落【０００２】、【０００３】、特開平７−２６８６１７号公報，段落【０００２】、【０００３】、特開平９−２４９９６６号公報，段落【０００１】、【０００２】参照）、引用発明における反射膜形成用のＡｌ系スパッタリング用ターゲットを光ディスク反射膜形成用とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　　
　次いで、上記相違点（ロ）について検討するに、
　刊行物２に、スパッタリングにより形成する蒸着層の均一化等のため、銅、シリコン、ジルコニウム、チタニウム、タングステン、レニウム、スカンジウム、コバルト、モリブデン、プラチナ、金、ニオブ、ハフニウム及びそれらの合金から成る群から選択される少なくとも１種の金属とアルミニウムとを含んでなるスパッタリングターゲットにおいて、アルミニウムの結晶粒を約２０μｍ未満、実質的に全ての析出領域を約１μｍ未満の小さい寸法とすること、及び、アルミニウム、銅、チタニウムの各金属のスパッタリングターゲットの大部分の構成結晶粒を夫々約２０μｍ未満、３０μｍ未満、１０μｍ未満の小さい寸法とすることが記載されているように、スパッタリングターゲットの性能改善によりアルミニウム、銅、チタニウム等の蒸着層の均一化を図るため、該ターゲットの結晶粒を３０μｍ以下の小さい寸法とすることは、本願出願前周知の技術であるといえる。
　そして、一方、引用発明におけるＡｌ系スパッタリング用ターゲットも、異常飛沫の発生、付着を防ぎ、均一な蒸着層を得ることを目的としている。また、刊行物１には、上記摘記（１ｅ）の「図１は、Ａｌマトリックス中に存在する粒子の表面に明確な化合物層が認められない本発明の組織の一例であり」と、上記摘記（１ｆ）の「窒素アトマイズにより製造した市販の平均粒径７０μｍの純Ａｌ粉末と市販の平均粒径２０μｍのＴｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｂ、Ｇｄ、Ｎｄ、Ｙ、Ｚｒの金属粉末を表１に示す組成にＶ型ブレンダーで混合し、・・・その後５２０℃、１００ＭＰａの圧力で熱間静水圧プレス装置を用いて焼結を行い」と、上記摘記（１ｇ）の「本発明のターゲットである試料１ないし１１は、図１・・・に示す組織と同様の組織となった。」との記載、及び図１によれば、５２０℃、１００ＭＰａの加圧焼結条件下、Ａｌマトリックス中に存在するＡｌ化合物形成可能元素の平均粒径２０μｍの粒子表面に金属間化合物相を形成することなく、平均粒径７０μｍの純Ａｌ粉末と平均粒径２０μｍのＡｌ化合物形成可能元素粉末の混合物を加圧焼結できることが開示されており、該「Ａｌ化合物形成可能元素の平均粒径２０μｍの粒子」には、３０μｍ以下の結晶粒径のものが含まれることは明らかである。また、上記Ａｌマトリックスの平均粒径７０μｍの純Ａｌ粉末粒子中には、該粒径以下の種々の寸法のＡｌ結晶粒が含まれ、該Ａｌ結晶粒がその寸法の大小を問わず、Ａｌ化合物形成可能元素粉末と金属間化合物相を形成しないことは明らかである。
　そうすると、均一な蒸着層を得ることを目的とする引用発明のＡｌ系スパッタリング用ターゲットに、同様の蒸着層の均一化を図るための上記周知技術を採用し、該ターゲットの結晶粒を３０μｍ以下の小さい寸法とする程度のことは、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明１の上記相違点（イ）（ロ）に係る発明特定事項によってもたらされる効果についてみても、上記「３０μｍ以下」とした該数値の臨界的意義は明確に示されておらず、引用発明及び刊行物１、２の記載から当業者が普通に予測できる程度のものであって、格別なものは見当たらない。
　したがって、本願発明１は、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［５］むすび
　以上のとおり、本願発明１は、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の他の請求項２、３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。