【事件の表示】
　特許第３４５９３２２号「半導体装置」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４５９３２２号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３４５９３２２号は、平成７年１１月７日（優先権主張平成６年１１月１０日、日本）の出願であって、特許権の設定登録の後、特許異議申立人　赤塚慶太（以下、「異議申立人」という。）より、請求項１〜８に係る発明（以下、「本件発明１〜８」という。）について特許異議の申立てがなされ、当審で取消理由が通知され、特許権者より平成１７年６月２０日付けで特許異議意見書が提出され、また平成１７年７月２７日付けで上申書が提出され、更に当審で特許権者及び異議申立人に対して審尋がなされ、異議申立人より平成１７年１１月２１日付けで回答書が提出され、また特許権者より平成１７年１１月２８日付けで回答書が提出されたものである。
　　
［２］本件発明
　本件発明１〜８は、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】半導体素子が樹脂硬化体で封止された半導体装置であって、上記樹脂硬化体が、熱機械分析測定による線膨張曲線の樹脂硬化体の状態変移点であるガラス転移点に対応する二次微分ピークを２つ以上有し、これらの二次微分ピークのうち、両端に位置する２つのピーク間隔が２０℃以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】二次微分ピークのうち、相隣接するピーク間隔の少なくとも一つが２０℃以上である請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】二次微分ピークのうち、両端に位置する２つのピーク間隔が３０〜１５０℃の範囲である請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】上記樹脂硬化体が、温度差２０℃以上で相互に異なるガラス転移点を有する２種類以上の樹脂組成物の混合物を硬化させたものである請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】半導体素子が基板上に搭載され、この基板上の上記半導体素子が樹脂硬化体で封止されており、この樹脂硬化体による上記半導体素子の封止が、上記基板の上記半導体素子を搭載している側面のみの片面封止である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】樹脂硬化体が、エポキシ樹脂−フェノール樹脂硬化系樹脂組成物を硬化させたものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】上記樹脂硬化体が、下記の樹脂組成物（ａ）および樹脂組成物（ｂ）の混合物を硬化させた樹脂硬化体であり、上記樹脂組成物（ａ）および樹脂組成物（ｂ）の混合物の有機樹脂成分濃度が、５〜２５重量％の範囲である請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置。
（ａ）その硬化体のガラス転移点が、１７０〜２５０℃である樹脂組成物。
（ｂ）その硬化体のガラス転移点が、１００〜１４０℃である樹脂組成物。
【請求項８】ヒートシンク上に半導体素子が搭載され、上記半導体素子搭載面側を樹脂硬化体で封止してなる請求項５〜７のいずれか一項に記載の半導体装置。」
　　
［３］特許異議申立ての理由の概要
　異議申立人は、証拠として、本件優先日前に頒布された刊行物である下記の甲第１〜６号証を提出し、本件発明１〜８は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜８についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべき旨主張している。
甲第１号証：特開平３−６６７２３号公報
甲第２号証：特開平３−９３８２８号公報
甲第３号証：特開平５−１８５７８５号公報
甲第４号証：特開平５−２１８２４１号公報
甲第５号証：特開平５−２１１２４７号公報
甲第６号証：特開平５−３１５３６４号公報
　　
［４］取消理由の概要
　平成１７年４月８日付けで通知した取消理由の概要は、異議申立人が提出した証拠及び特許異議申立ての理由を全て採用し、本件発明１〜８は、本件特許に係る出願の優先日前に頒布された下記の刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件発明１〜８についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたというものである。
刊行物１：異議申立人が提出した甲第１号証と同じ
刊行物２：同、甲第２号証と同じ
刊行物３：同、甲第３号証と同じ
刊行物４：同、甲第４号証と同じ
刊行物５：同、甲第５号証と同じ
刊行物６：同、甲第６号証と同じ
　　
刊行物１〜６の記載事項
（１）刊行物１（特開平３−６６７２３号公報）
　（産業上の利用分野）の欄には、「本発明は電子部品等の封止、特に半導体、ＩＣ、ＬＳＩ等の封止に好適なエポキシ樹脂組成物に関するものである。」（第２頁左下欄１５〜１７行）と記載されており、
　発明の実施例として、エポキシ樹脂Ａ（４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチルビフエニル）と、エポキシ樹脂Ｂ（Ｒ９がＨである（１）のエポキシ樹脂）と、硬化剤（軟化点８０℃のフエノールノボラック樹脂）とを夫々異なる割合で配合した複数のエポキシ樹脂組成物（実施例１〜３等）が掲載され、該エポキシ樹脂組成物はガラス転移点を夫々１つづつ有し、それらの成形性、半田耐熱性、耐湿信頼性はいずれも良好であることが開示されている（第８頁表１、第９頁表２、第１０頁表４、第１０頁左下欄３〜４行）。
　　
（２）刊行物２（特開平３−９３８２８号公報）
　（産業上の利用分野）の欄には、「本発明は、反応性に優れ、内部応力が低く、耐熱性に優れた硬化物を与える封止用エポキシ樹脂組成物、特に半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。」（第２頁左下欄８〜１１行）と記載されており、
　発明の実施例として、エポキシ樹脂I（４，４’−ビスヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルビフエニルを用いて製造されたエポキシ樹脂）と、エポキシ樹脂II（フェノールとP−ヒドロキシベンズアルデヒドから合成された多価フェノールを用いて製造されたエポキシ樹脂）と、軟化点６７℃のフエノールノボラック樹脂とを異なる割合で配合した複数のエポキシ樹脂組成物（実施例１、２）が掲載され、それらのガラス転移点が夫々１９１℃、１５８℃であり、夫々高い曲げ弾性率を有しつつ、はんだ耐熱性に優れた硬化物を与えることが開示されている（第６頁第１表、第７頁第２表）。
　　
（３）刊行物３（特開平５−１８５７８５号公報）
 「【請求項１】プリント配線板上に搭載されたＩＣをその搭載面のみを熱硬化性樹脂を用いて封止するに際して、封止樹脂のガラス転移温度以下でトランスファー成形することを特徴とする、薄型プラスチックＩＣパッケ−ジの製造方法。」（【特許請求の範囲】）、
「そりの少ない薄型プラスチックＩＣパッケージの製造方法を提供する」（段落【０００７】）が記載されている。
　　
（４）刊行物４（特開平５−２１８２４１号公報）
「【請求項１】エポキシ樹脂中にビフェニル型エポキシ樹脂を２０〜５０重量％含有したことを特徴とする液状エポキシ樹脂成形材料。」（【特許請求の範囲】）、
「【産業上の利用分野】本発明は、電気部品、電子部品、半導体チップ等を封止する液状エポキシ樹脂成形材料に関するものである。」（段落【０００１】）、
「ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子は種々の分野で用いられ・・・ハイブリッドＩＣ、チップオンボード、テープキャリアパッケージ、プラスチックピングリッドアレイ等の金型無しで、ベアーチップのスポット封止によって形成する実装形態へ移行してきている。しかしながらこれらの金型無し封止成形は、基板の片面封止で基板表面と封止樹脂界面が大きく、水分侵入が発生し易く、又熱膨張の差によるストレスがかかりやすい。」（段落【０００２】）、
「特許請求の範囲に記載した構成を有する液状エポキシ樹脂成形材料においては、低粘度で耐熱性、強度、接着力、信頼性がよく、」（段落【００１０】）が記載されており、
　段落【０００９】の【表２】には、実施例１〜３及び比較例の液状エポキシ樹脂成形材料について、夫々１つのガラス転移点（Ｔｇ℃）を有することが示されている。
　　
（５）刊行物５（特開平５−２１１２４７号公報）
　図１、２には、ヒートシンク上にＩＣチップが搭載され、そのＩＣチップ搭載面側を樹脂封止した半導体装置が記載されている。
　　
（６）刊行物６（特開平５−３１５３６４号公報）
　図２には、ヒートシンク上に半導体素子が搭載され、その半導体素子搭載面側を樹脂封止した半導体装置が記載されている。
　　
［５］対比・判断
［５−１］本件発明１について
　上記（１）に摘記した事項によれば、刊行物１には、「エポキシ樹脂Ａ（４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチルビフエニル）と、エポキシ樹脂Ｂ（Ｒ９がＨである（１）のエポキシ樹脂）と、硬化剤（軟化点８０℃のフエノールノボラック樹脂）とを配合した、１つのガラス転移点を有するエポキシ樹脂組成物でＩＣ、ＬＳＩ等を封止した、半田耐熱性と耐湿信頼性が良好な半導体装置」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
　本件発明１と引用発明１とを対比すると、引用発明１における「エポキシ樹脂組成物でＩＣ、ＬＳＩ等を封止した・・・半導体装置」は、本件発明１における「半導体素子が樹脂硬化体で封止された半導体装置」に相当し、また、引用発明１における「ガラス転移点」は、本件発明１における「熱機械分析測定による線膨張曲線の樹脂硬化体の状態変移点であるガラス転移点」に相当するので、両発明は、「半導体素子が樹脂硬化体で封止された半導体装置であって、上記樹脂硬化体が、熱機械分析測定による線膨張曲線の樹脂硬化体の状態変移点であるガラス転移点を有する半導体装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
（イ）本件発明１では、ガラス転移点に対応する二次微分ピークを２つ以上有し、これらの二次微分ピークのうち、両端に位置する２つのピーク間隔が２０℃以上であるのに対し、引用発明１には、そのように記載されていない点。
　
　そこで、相違点（イ）について以下検討するに、上記（２）の摘記事項によれば、刊行物２には、エポキシ樹脂I（４，４’−ビスヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルビフエニルを用いて製造されたエポキシ樹脂）と、エポキシ樹脂II（フェノールとP−ヒドロキシベンズアルデヒドから合成された多価フェノールを用いて製造されたエポキシ樹脂）と、軟化点６７℃のフエノールノボラック樹脂とを配合した、高い曲げ弾性率を有しつつ、はんだ耐熱性に優れた硬化物を与える複数の半導体封止用エポキシ樹脂組成物が記載されているものの、該各樹脂組成物のガラス転移点は夫々１つづつしか示されていない。また、上記（３）〜（６）に摘記したように、刊行物３には、プリント配線板のＩＣの搭載面のみを熱硬化性樹脂を用いて封止するに際して、封止樹脂のガラス転移温度以下でトランスファー成形することが記載されているが、２つ以上のガラス転移温度を有する封止樹脂を用いることは記載されておらず、刊行物４には、半導体チップ等を封止する液状エポキシ樹脂成形材料として、ガラス転移点が夫々１つのものしか示されておらず、刊行物５、６には、封止樹脂のガラス転移点については記載されていない。
　してみると、刊行物２〜６には、本件発明１の相違点（イ）に係る特定事項については記載されておらず、刊行物１〜６に記載された発明をいかに組み合わせても、該特定事項を導き出すことはできないので、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて本件発明１の相違点（イ）に係る特定事項を想到することが当業者にとって容易であるとすることはできない。
　そして、本件発明１は、相違点（イ）に係る事項を具備することにより、「熱サイクルテスト（ＴＣＴテスト）特性および耐クラック性が優れるようになり、また、常温からリフロー温度までの領域での反りの発生がなくなり、信頼性が優れたものとなる。」（段落【００５６】参照）という、明細書に記載されたとおりの効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　　
［５−２］本件発明２〜８について
　本件発明２〜８はいずれも、本件発明１を引用する発明、又はその更に下位の発明であって、本件発明１の特定事項を全て備えるものであるから、本件発明２〜８は、上記［５−１］において述べた本件発明１と同様、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　　
　なお、異議申立人は、平成１７年１１月２１日付け回答書において、新たな証拠として特開昭６３−１４６９１８号公報（甲第７号証）を提示した。
　しかしながら、上記公報には、少なくとも２つのガラス転移温度を有する樹脂組成物が記載され、該樹脂組成物が改良された靱性を示し、注型品、コーチング、ラミネート、複合製品、封入品などの製造に用いるのに適する旨記載されているものの、半導体素子を封止することについては記載も示唆もされておらず、該樹脂組成物を半導体素子の封止に用いることを動機づけるものはない。
　してみると、上記公報と甲第１〜６号証に記載された事項を総合しても、２つ以上のガラス転移点を有する樹脂組成物を半導体素子の封止に用いることが当業者にとって容易であるとすることはできないので、上記公報を本件発明１〜８についての特許を取り消すべき理由の証拠として採用できない。
　　
［６］むすび
　以上のとおりであるから、上記取消理由、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜８についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜８についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１８年１月２５日（２００６．１．２５）