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　特願２０００−１９２７２２「窒化物系半導体レーザ素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　１月１８日出願公開、特開２００２−　１６３１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年６月２７日の出願であって、平成１５年５月２８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年６月３０日付で拒絶査定に対する審判請求がなされ、平成１５年７月３０日付で特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年７月３０日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年７月３０日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
「【請求項１】ｎ型窒化ガリウムからなる基板の結晶成長面上にｎ−クラッド層、発光層、および、ストライプ状のリッジ部が形成されるｐ−クラッド層が順に成長される窒化物系半導体レーザ素子の製造方法であって、
　前記基板の結晶成長面と反対側の面上の電極形成領域の表面に凹凸形状を形成する工程と、前記凹凸形状を形成した電極形成領域上にオーミック電極を形成する工程とを備え、
　前記凹凸形状を形成する工程は、研磨により前記電極形成領域の表面にランダムに凹部および凸部を形成する工程を含むことを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子の製造方法。」
とする補正を含むものである。
　
　上記補正は、窒化物系半導体レーザ素子の製造方法の前提構成を限定するとともに、電極形成領域及び凹部および凸部を形成する領域をより具体的に限定しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（２）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶理由に引用したこの出願前公知の引用例１：特開平１０−６５２１３号公報には、下記の事項が記載されている。
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）等の発光素子、太陽電池、光センサー等の受光素子に使用される窒化物半導体（ｌｎＸＡＩＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（「
Ｉ
ｌ
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子の発熱は、素子寿命にとって非常に重要である。特に窒化物半導体よりなるＬＤを連続発振させるためには、まず発振時にＶｆの低い素子を実現して、発熱量を最小限に抑える必要がある。従って、・・・Ｖｆの低い窒化物半導体素子を実現して、発熱量の少ない素子を提供し、・・・ことにある。
【０００８】【課題を解決するための手段】本発明の窒化物半導体素子は、負電極が表面に形成されたｎ型コンタクト層と、正電極が表面に形成されたｐ型窒化物半導体よりなるｐ型コンタクト層とを有する窒化物半導体素子において、前記負電極と、
ｎ型コンタクト層との界面には凹凸が設けられている
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明の窒化物半導体素子の一構造を示す模式的な断面図であり、具体的には、ＬＤ素子の構造を示すものである。この素子も、基本的には、基板１０の上に、ｎ型コンタクト層１１、ｎ型クラッド層１２、活性層１３、ｐ型クラッド層１４、ｐ型コンタクト層１５が順に積層されたダブルヘテロ構造を示している。この窒化物半導体素子ではｐ型コンタクト層１５の表面にはストライプ状の正電極２０が形成され、さらに、ｎ型コンタクト層１１の表面には凹凸面が設けられ、その凹凸面に正電極と平行な方向でストライプ状の負電極２２が形成されている。なお、３０は正電極２０と負電極２２との間にある室化物（「窒化物」の誤記：審決註。以下同様。）半導体層表面に設けられた例えばＳｉＯ２よりなる絶縁膜である。このように同一面側に正と、負の電極が設けられた素子は、電極間でショートしやすい傾向にあるため、この絶縁膜３０を設けることにより、電極間のショートを防止することができる。またレーザチップにした際に、半導体層表面に傷が付くことを防止して、素子の信頼性を向上させる作用もある。２１は、正電極２０の上に設けられたパッド電極である。ＬＤ素子の場合、正電極２０のストライプ幅が、例えば数μｍ以下と非常に狭い。このため正電極２０に直接ワイヤーポンディングすることが困難であるため、パッド電極２１を設けることにより正電極２０を外部電源と接続することを容易にしている。正電極２０はｐ型コンタクト層と好ましいオーミック接触を得る必要があるが、パッド電極２１は正電極２０を電気的に接続でき、表面にワイヤーポンディングできる材料であればどのような材料を使用しても良い。
【００１０】このようにｎ型コンタクト層１１の表面に凹凸を設けることにより、負電極２２とｎ型コンタクト層との接触面積が大きくなるため、負電極がｎ型層と好ましいオーミック接触が得られた状態で、素子全体に係る電力あたりのｎ型コンタクト層に係る抵抗が小さくなるので、素子のＶｆを低下させることができる。特に、窒化物半導体よりなるＬＤ素子の場合、ｎ電極の面積が大きい程、Ｖｆが低下する傾向にある。このため、図に示すようにｎ型コンタクト層の表面に凹凸を設け、実質的に負電極の接触面積を大きくすると、凹凸を設けないものに比較して格段にＶｆが低下する。
【００１１】ｎ型コンタクト層の表面に凹凸を設けるには、所定の形状のマスクを電極を形成すべきｎ型コンタクト層の表面に形成した後、エッチングすることにより実現できる。凹凸の平面形状はどのような形状でも良く、例えばドット状、碁盤目状、ストライプ状にすることができる。エッチング手段としては、ウェットエッチング、ドライエッチングいずれの手段を用いても良く、・・・エッチング可能である。
【００１２】凹凸段差は特に規定しないが、例えば０．０１μｍ以上の凹凸差で形成することが望ましく、０．０１μｍよりも少ないと、Ｖｆの低下が顕著に現れない傾向にある。・・・
【００１３】【実施例】以下、実施例により本発明の具体例について述べる。なお、図２は本発明の実施例を説明するために示す窒化物半導体ＬＤ素子の構造を示す模式的な断面図である。
【００１４】まず、サファイア（Ｃ面）よりなる基板１１を反応容器内にセットし、容器内を水素で十分置換した後、水素を流しながら、基板の温度を１０５０℃まで上昇させ、基板のクリーニングを行う。基板１１にはサファイアＣ面の他、Ｒ面、Ａ面を主面とするサファイア、その他、スピネル（ＭｇＡ１２Ｏ４）、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等、窒化物半導体を成長させるために提案されている従来の材料が使用できる。ＳｉＣ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体材料を基板として用いた場合、負電極は窒化物半導体が形成されていない側の基板の主面に設けられることが多い。この場合は、基板がｎ型コンタクト層に相当する。つまり、ｎ型コンタクト層は負電極を形成して、電子を注入する層であるので、その層は基板でも、ｎ型窒化物半導体層でも良い。しかし、本発明の素子は図１及び図２に示すように、基板に絶縁性の材料を使用して、同一面側にある窒化物半導体層に正電極と、負電極とを設けた素子の方が、凹凸の効果が顕著に現れる。なぜなら、負電極が正電極と同一面側に設けられていると、上下に電極が形成された素子と比較して、電極間の距離が実質的に長くなり、抵抗が大きくなるからである。従って、負電極の接触面積を少しでも大きく取ることにより、電極間の不利をカバーできる。
・・・
【００２６】反応終了後、温度を室温まで下げ、再度反応容器中、窒素雰囲気中で、７００℃でウェーハのアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化する。次に最上層のｐ型コンタクト層１５からｎ型コンタクト層１１の表面が露出するまで、ＲＩＥ装置を用いて、ストライプ状にエッチングする。
【００２７】次に、露出させたｎ型コンタクト層１１の表面に、線間隔５μｍの碁盤目状のマスクを形成して、再度エッチングを行い、露出させたｎ型コンタクト層の表面全体に５μｍ角の碁盤目状、深さ１μｍの凹凸を形成する。・・・
【００３０】【発明の効果】このように本発明によると、ｎ型コンタクト層の表面に凹凸を設けることにより、窒化物半導体よりなるＬＤのＶｆを低下させることができる。そのため、ＬＤの寿命も長くなり。非常に好ましいＬＤを実現することができる。また実施例ではＬＤについて説明したが、本発明の窒化物半導体素子はＬＤだけではなく、ＬＥＤにも適用でき、太陽電池、光センサー等の受光素子についても適用可能である。さらに、ｎ型コンタクト層は電流を注入する層であるため、室化物半導体の成長基板に導電性材料を使用した場合、その成長基板の裏面に凹凸を設け、その面に負電極を形成することもできる。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
（ア）引用例１の「ｎ−クラッド層１２」，「活性層１３」，「窒化物半導体素子からなるＬＤ素子」，「凹凸」は、それぞれ本願補正発明の「ｎ−クラッド層」，「発光層」，「窒化物系半導体レーザ素子」，「凹凸形状」に相当する。
（イ）引用例１には、「【００２６】・・・次に最上層のｐ型コンタクト層１５からｎ型コンタクト層１１の表面が露出するまで、ＲＩＥ装置を用いて、ストライプ状にエッチングする。」と記載されており、これは、引用例１が「ストライプ状のリッジ部が形成されるｐ−クラッド層」に相当する技術的事項を有することを示すものである。
（ウ）引用例１には、「【００１０】このようにｎ型コンタクト層１１の表面に凹凸を設けることにより、・・・負電極がｎ型層と好ましいオーミック接触が得られた状態で、素子全体に係る電力あたりのｎ型コンタクト層に係る抵抗が小さくなるので、素子のＶｆを低下させることができる。」と記載されており、これは、引用例１が「電極形成領域の表面に凹凸形状を形成する工程」，「前記凹凸形状を形成した電極形成領域上にオーミック電極を形成する工程」に相当する技術的事項を有することを示すものである。
（エ）引用例１には、「【００１４】・・・基板１１にはサファイアＣ面の他・・・ＧａＮ等、窒化物半導体を成長させるために提案されている従来の材料が使用できる。・・・ＧａＮ等の半導体材料を基板として用いた場合、
負電極は窒化物半導体が形成されていない側の基板の主面に設けられることが多い。この場合は、基板がｎ型コンタクト層に相当する。つまり、ｎ型コンタクト層は負電極を形成して、電子を注入する層であるので、その層は基板でも、ｎ型窒化物半導体層でも良い。
成長基板の裏面に凹凸を設け、その面に負電極を形成
前記基板の結晶成長面と反対側の面上の
　そして、ｎ型窒化ガリウムからなる基板の結晶成長面上にｎ−クラッド層〜ｐ−クラッド層が「順に成長される」点も、引用例１に記載されている。
　
　よって、引用例１には、「ｎ型窒化ガリウムからなる基板の結晶成長面上にｎ−クラッド層、発光層、および、ストライプ状のリッジ部が形成されるｐ−クラッド層が順に成長される窒化物系半導体レーザ素子の製造方法であって、前記基板の結晶成長面と反対側の面上の電極形成領域の表面に凹凸形状を形成する工程と、前記凹凸形状を形成した電極形成領域上にオーミック電極を形成する工程とを備える窒化物系半導体レーザ素子の製造方法。」（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認めることができるから、両者は、上記の点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　本願補正発明は、「前記凹凸形状を形成する工程は、研磨により前記電極形成領域の表面にランダムに凹部および凸部を形成する工程を含む」のに対して、引用発明は、研磨により形成するものではなく、また凹凸がランダムとは限らない点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　拒絶査定及び審尋において示された特開昭５０−１４１９７３号公報、特開昭５９−９９１４号公報、特開昭５２−９４０７０号公報に見られるように電極のオーミック性・接着性向上のために、研磨を行うことは周知のことである。
　そして、特開平１１−２３８９１３号公報、特開平１０−３１２９７１号公報、特開２０００−８２８６７号公報にも見られるように、窒化ガリウムを研磨することは出願時においてよく知られたことであるから、上記周知技術を引用発明に適用する困難性はなんら存在しない。
　また、引用例１には、「【００１１】・・・凹凸の平面形状はどのような形状でも良く、例えばドット状、碁盤目状、ストライプ状にすることができる。・・・【００１２】凹凸段差は特に規定しないが・・・」と記載されており、これは、凹凸の形状に任意性があることを示すものであるから、引用発明の凹凸を「ランダム」なものとすることは、引用例１の記載から当業者が適宜設定し得る程度のことである。
（なお、この点は、研磨を適用したことにより必然的に生ずる構成でもある。）
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用例１記載の事項及び周知技術から予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年７月３０日の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年５月６日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１，２に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】III族窒化物系半導体からなる基板上の電極形成領域の表面に凹凸形状を形成する工程と、前記凹凸形状を形成した電極形成領域上にオーミック電極を形成する工程とを備え、
　前記凹凸形状を形成する工程は、研磨により前記基板の表面にランダムに凹部および凸部を形成する工程を含むことを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子の製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用したこの出願前公知の引用例１：特開平１０−６５２１３号公報には、上記２．（２）刊行物記載の発明に摘記した事項がそれぞれ記載されている。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明に比べて、窒化物系半導体レーザ素子の製造方法の前提構成を欠くとともに、電極形成領域及び凹部および凸部を形成する領域に関する具体的な限定を欠くものである。
　したがって、本願発明は、上記本願補正発明に対するとほぼ同様の理由により当業者が容易に想到し得たものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。