【事件の表示】
　平成　６年特許願第２７３２７２号「磁気抵抗効果型ヘッド」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　５月３１日出願公開、特開平　８−１３８２１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成６年１１月８日の出願であって、平成１５年１２月２２日付けで手続補正がなされ、その後平成１６年４月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年５月２０日に拒絶査定不服審判が請求され、当審において平成１８年５月１５日付けで最後の拒絶理由を通知したところ、平成１８年７月１８日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１８年７月１８日付け手続補正（以下「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年７月１８日付け手続補正を却下する。
　
［理由］
１．　本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１及び６を削除し、請求項の項番を繰り上げて、補正前の請求項２については、
　（ａ）　「【請求項２】　基板と、該基板上に設けられた下部磁気シールド膜と、上部磁気シールド膜と、前記下部シールド膜と前記上部磁気シールド膜の間の感磁部領域に設けられた磁気抵抗センサ膜と、該磁気抵抗センサ膜の側面に接続された電極膜を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
　前記下部磁気シールド上に形成されてなる凸部形状を有する第１の絶縁膜と、
　前記下部磁気シールドと前記電極膜との間に形成されてなる第２の絶縁膜と、
を有し、前記凸部形状と前記磁気抵抗センサ膜は前記感磁部領域に対応した位置に形成されてなることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。」を、　
　（ｂ）　「【請求項１】　基板と、該基板上に設けられた下部磁気シールド膜と、上部磁気シールド膜と、前記下部シールド膜と前記上部磁気シールド膜の間の感磁部領域に設けられた磁気抵抗センサ膜と、該磁気抵抗センサ膜の側面に接続された電極膜を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
　前記下部磁気シールド上に形成されてなる凸部形状を有する第１の絶縁膜と、
　前記下部磁気シールドと前記電極膜との間に形成されてなる第２の絶縁膜と、
を有し、
　
前記感磁部領域より離れた領域における前記電極膜下の絶縁膜の厚さの大部分は前記第２の絶縁膜の厚さであり
前記凸部形状と前記磁気抵抗センサ膜は前記感磁部領域に対応した位置に形成されてなることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。」
　と補正するものである。（なお、（ａ）（ｂ）の「前記下部磁気シールド」は「前記下部磁気シールド膜」の意味であることが明らかであるから、以下「前記下部磁気シールド膜」として検討する。）
　本件補正は、補正前の請求項２に記載された発明の「第２の絶縁膜」について、「
前記感磁部領域より離れた領域における前記電極膜下の絶縁膜の厚さの大部分は前記第２の絶縁膜の厚さであり
２．　新規事項追加について
　平成１８年７月１８日付け手続補正は、特許請求の範囲の請求項１に「凸部形状を有する第１の絶縁膜」と「前記凸部形状と前記磁気抵抗センサ膜は前記感磁部領域に対応した位置に形成されてなること」の記載を含むもので、請求項２〜８の一部についても同様の記載を含むものである。
　請求項１の、「第１の絶縁膜」が「凸部形状」を有し、「前記凸部形状と前記磁気抵抗センサ膜は前記感磁部領域に対応した位置に形成されてなること」は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）に、直接的な記載が見あたらない。
　上記補正に関して、請求人は、審判請求の理由で、「当初明細書実施例２には、絶縁膜が凸部形状を有することは自明に記載されております。すなわち第２３段落の後半には、「第１６図は、第１の絶縁膜１３が完全にエッチングされなかった場合の部分構造図」であることが記載されております。・・・第１の絶縁膜１３が完全にエッチングされなかった場合には、前記図１６に明瞭に示すように、絶縁膜の一部が他の部分より盛り上がった状態となり、凸部形状が形成されているのは自明であります。」と述べ、平成１８年７月１８日付け意見書で、「図１６は実施例２の図１１の変形例であることから（（段落００１８）参照）、図１２乃至図１５（第１の絶縁膜１３を完全にエッチングした場合としない場合との違いはあるが）の製造工程を経ていることは明らかである。従って、出願当時の技術常識に照らせば、図１６の断面が素子のストライプ幅の領域では少なくとも同じ断面構造を有していることは当業者に自明である。また、図１５の製造工程を示すための部分構造図が、ウエハ製造工程後バー切り出しおよび浮上面研磨などのスライダ加工工程を経て、図１１のＭＲヘッド媒体対抗面（浮上面）素子部構造となるためには、図１２乃至図１６の製造部分図が、素子形成領域において同じ断面にあることが前提になっているといえる。」と主張している。
　しかしながら、平成１８年５月１５日付けの最後の拒絶理由で、「第１６図は、一断面図にすぎないから、前記絶縁膜が、「凸部形状を有し、前記凸部形状と前記磁気抵抗センサ膜は前記感磁部領域に対応した位置に形成されてなること」とまでは、必ずしもいえない。」と述べたとおりであり、一断面が盛り上がりの形状が図示されているのみであるから、類似した形状のものの製造方法の記載が明細書等にあるとしてもそこから類推することによって、絶縁膜の全体形状及びその対応する位置が自明であるとはいえない。そして、凸部形状であること自体が出願当時の技術水準でないから、本願の明細書に明記されていない凸部形状及びその対応位置は、当初明細書及び図面の記載から自明な事項とはいえない。
　よって、請求項１乃至８に係る補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内の事項であるということはできない。 
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
３．　独立特許要件について
（１）　本件補正は、限定を付加するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので、補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかどうかについて以下検討する。
（２）　引用例
ア．　当審の拒絶の理由に引用した特開平６−６０３２８号公報（以下「引用例１」という。）には、「薄膜磁気ヘッド及びその製造方法」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）　「【特許請求の範囲】【請求項１】  
下部シールド層と上部シールド層との間に、下部ギャップ絶縁層と磁気抵抗素子とリードと上部ギャップ絶縁層とを含んでいる薄膜磁気ヘッドであって、前記リードと前記磁気抵抗素子との間、及び前記リードと前記下部ギャップ絶縁層との間に絶縁膜が形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド
　（イ）　「【０００３】図５は、従来のＭＲヘッドの一部を、ＭＲ素子の中央を通る断面を磁気媒体に対向する底面側から見た様子を概略的に表したものである。
【０００４】同図において、５０は浮上用のスライダの後端面側に、図示しない絶縁性の下地膜を介して形成された下部シールド層であり、この下部シールド層５０と上部シールド層５５との間には、下部ギャップ絶縁層５２、ＭＲ素子５１、このＭＲ素子５１、リード５６、及び上部ギャップ絶縁層５３が順次積層されている。このようにして形成された再生用のＭＲヘッドの上には、図示されていないインダクティブヘッドが積層されている。【０００５】【発明が解決しようとする課題】この種のＭＲヘッドでは、ＭＲ膜を全面に形成した後、イオンミリング等のエッチングによりパターニングしてＭＲ素子５１を形成することが行われる。このパターニング時に、ＭＲ素子領域以外の部分ではＭＲ膜のみならずその下の下部ギャップ絶縁層５２も削られてしまう。例えば、膜厚が０．２５μｍ程度の下部ギャップ絶縁層５２が０．１μｍ程度の膜厚に削られてしまう。このため、下部ギャップ絶縁層５２のＭＲ素子パターンと異なる部分５２ａの膜厚が非常に薄くなってしまい、この下部ギャップ絶縁層５２の膜厚を薄くした場合に、リード５６と下部シールド層５０とが短絡したり電流漏れを引き起こしてヘッド特性が大幅に悪化するという問題が生じる。」 
　（ウ）　「【００１６】同図に示すように、本実施例の
浮上型磁気ヘッドユニットは、スライダ２０とその
後端面上に設けられた２つの薄膜磁気ヘッド２１
　（エ）　「【００２０】上述した
セラミック構造体２３の後端面上に形成された下地膜２４上には、下部シールド層３０が形成され
下部シールド層３０上には、下部ギャップ絶縁層３２が形成されて
その上にパーマロイ等のＭＲ膜によるＭＲ素子３１が形成されて
ＭＲ素子３１上及びこのＭＲ素子３１の領域を除く下部ギャップ絶縁層３２上には、
絶縁膜３４が形成され
その上に、リード２６（図２）が形成され
【００２１】これら下部シールド層３０、下部ギャップ絶縁層３２、ＭＲ素子３１、絶縁膜３４、リード２６、上部ギャップ絶縁層３３、及び上部シールド層３５が再生用のＭＲヘッド部を構成している。（略）」
　（オ）　「【００２７】まず図４（Ａ）を参照すると、下地膜２４（図３）上にパーマロイ等の軟磁性膜をめっき等することにより下部シールド層３０が形成される。（略）
【００２８】この下部シールド層３０上には、Ａｌ２Ｏ３をスパッタすること等により下部ギャップ絶縁層３２が積層形成される。
【００２９】下部ギャップ絶縁層３２上の全面には、パーマロイ等をスパッタして約３００〜６００Å程度の膜厚のＭＲ膜３１′を形成しさらにＴｉをスパッタしてバイアスを与えるための約５００〜１５００Åの膜厚のシャント層を形成する。（略）
【００３０】次いで図４（Ｂ）に示すように、ＭＲ膜３１’等をエッチング（イオンミリング等）して所定のパターンにパターニングしてＭＲ素子３１を形成する。この場合、
下部ギャップ絶縁層３２のＭＲ素子３１領域を除く部分３２ａが図示のようにエッチングによって削られてしまう
【００３１】その後、図４（Ｃ）に示すように、ＭＲ素子３１上及びこのＭＲ素子３１領域を除く下部ギャップ絶縁層３２上には、コンタクトホール３４ａの部分が上下に貫通している絶縁膜３４が形成される。（略）
【００３２】このようなパターンの絶縁膜３４は、例えばリフトオフ法によって形成される。即ち、ＭＲ素子３１形成後、コンタクトホール３４ａの領域にひさし構造のレジストパターン（ステンシル）を形成し、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料をスパッタした後、アセトン等の溶剤でレジストを除去することによって形成される。
【００３３】次いで図４（Ｅ）に示すように、この絶縁膜３４の上に、コンタクトホール３４ａを介してＭＲ素子３１と導通するようにリード２６が形成される。（略）」
　（カ）　「【００３５】このように本実施例によれば、ＭＲ素子３１の形成後、絶縁膜３４が形成されるため、その上に形成されるＭＲリード２６と下部ギャップ絶縁層３２との絶縁性が良好となり、この下部ギャップ絶縁層３２の膜厚を約０．１μｍ程度に薄くしても優れた絶縁性を保つことができる。その結果、より優れた分解能を有しつつ耐圧の高いＭＲヘッドを提供することができる。（略）
【００３６】（略）
【００３７】【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれば、ＭＲ素子上及び下部ギャップ絶縁層上にコンタクトホール領域を除いて絶縁膜を形成し、この絶縁膜上にコンタクトホールを介してＭＲ素子と導通するリードを形成するようにしたので、ヘッドの分解能を上げるべく下部ギャップ絶縁層の膜厚を小さくしてもリードと下部シールド層との絶縁性が充分保たれることとなる。その結果、耐圧の高い優れた分解能を有する薄膜磁気ヘッド得ることができる。」
　（キ）　従来の技術に関する図５には、ＭＲ素子のパターニング時にＭＲ膜の下の下部ギャップ絶縁層５２も削られてしまい（段落５参照）、下部ギャップ絶縁層のＭＲ素子パターンと異なる部分５２ａの膜厚が非常に薄くなってしまう結果、下部ギャップ絶縁層のＭＲ素子パターン下部領域は、凸部形状で、リード５６は、ＭＲ素子の上部及び側面に接続されていることが図示されている。
　（ク）　図１、図４（Ｂ)（Ｃ)（Ｅ)には、ＭＲ膜をエッチングしてＭＲ素子３１を形成する際に、下部ギャップ絶縁層３２のＭＲ素子３１領域を除く部分３２ａがエッチングによって削られる（段落２６〜３３）結果、
下部ギャップ絶縁層３２は、ＭＲ素子近傍で凸部形状
イ．　当審の拒絶の理由に引用した特開平３−１２５３１１号公報（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（サ）　「ＭＲ読取り変換器は、実質的に中心能動領域２４上のみに延びるＭＲ層２２と、ＭＲリード変換器１０中に縦方向バイアスを発生させるため
ＭＲ層２２との隣接接合部３０を形成する各端部領域２８中の硬磁性バイアス層２６と
各端部領域２８の硬磁性バイアス層２６は、ＭＲ層２２との電気的及び磁気的連続性を提供
ウ．　当審の拒絶の理由に引用した特開平６−１８０８２５号公報（以下「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（タ）　「【００２３】ここで図７乃至図１４を参照するに、図５及び図６に示すＭＲセンサ５０の特定の実施例のＭＲセンサ７０の製造プロセスの実施例が示されている。この製造プロセスには適切な基板（図示なし）上への成膜、ＮｉＦｅ又はセンダスト（ＡｌＳｉＦｅ）等の
磁性材料の第１のシールド層７１
絶縁材料の第１のギャップ層７３
センサ層７５
ＭＲ層は、例えば第１のギャップ層７３上に付着されたブランケットのＮｉＦｅ等の強磁性体の層
第２のギャップ層８７と第２の磁気シールド層８９が
【００２４】上記プロセスによって製造されたＭＲ読取りセンサ７０が図１４に示されている。（略）
センサ７０は該センサの中央活性領域上に延びるＭＲ素子７６と長さ方向のバイアス層７９及び第１の伝導部８１とで構成する
長さ方向のバイアス層７９はＭＲ素子７６と突き合わせ接続８８を形成し、該ＭＲ素子７６と長さ方向のバイアス層に重なる第１の伝導部８１との間に電気的接続をもたらす
（３）対比判断
ア．　対比
　補正後の発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記（２）で摘示した記載事項、特に（ア）（ウ）（エ）（オ）（ク）（下線部参照）によれば、引用例１には、
　「下部シールド層と上部シールド層との間に、下部ギャップ絶縁層と磁気抵抗素子とリードと上部ギャップ絶縁層とを含んでいる薄膜磁気ヘッドであって、前記リードと前記磁気抵抗素子との間、及び前記リードと前記下部ギャップ絶縁層との間に絶縁膜が形成されている薄膜磁気ヘッドであって、
　下部シールド層はスライダ上に設けられ、
　磁気抵抗素子の領域を除く下部ギャップ絶縁層上には、絶縁膜が形成され、
  下部ギャップ絶縁層の磁気抵抗素子領域を除く部分が削られることにより下部ギャップ絶縁層が磁気抵抗素子近傍で凸部形状である薄膜磁気ヘッド。」
　の発明が記載されている。
　引用例１に記載された発明の「スライダ」「下部シールド層」「上部シールド層」「磁気抵抗素子」「リード」「下部ギャップ絶縁層」「絶縁膜」「薄膜磁気ヘッド」は、それぞれ補正後の発明の「基板」「下部磁気シールド膜」「上部磁気シールド膜」「磁気抵抗センサ膜」「電極膜」「第１の絶縁膜」「第２の絶縁膜」「磁気抵抗効果型ヘッド」に相当している。
　引用例１に記載された発明の、「下部シールド層」と「上部シールド層」の間の磁気抵抗素子が設けられている領域は、補正後の発明の「感磁部領域」に実質的に相当し、引用例１に記載された発明は、「下部ギャップ絶縁層の磁気抵抗素子領域を除く部分が削られることにより下部ギャップ絶縁層が磁気抵抗素子近傍で凸部形状である」から、補正後の発明の「第１の絶縁膜」の「凸部形状」と「磁気抵抗センサ膜」は「感磁部領域に対応した位置に形成されてなる」に相当する構成を備えている。
　よって、補正後の発明と引用例１に記載された発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。
　（一致点）「基板と、該基板上に設けられた下部磁気シールド膜と、上部磁気シールド膜と、前記下部シールド膜と前記上部磁気シールド膜の間の感磁部領域に設けられた磁気抵抗センサ膜と、該磁気抵抗センサ膜に接続された電極膜を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
　前記下部磁気シールド膜上に形成されてなる凸部形状を有する第１の絶縁膜と、
　前記下部磁気シールド膜と前記電極膜との間に形成されてなる第２の絶縁膜と、
を有し、
前記凸部形状と前記磁気抵抗センサ膜は前記感磁部領域に対応した位置に形成されてなる磁気抵抗効果型ヘッド。」
　（相違点１）電極膜が磁気抵抗センサ膜に接続される位置が、補正後の発明は、磁気抵抗センサ膜の側面であるのに対して、引用例１に記載された発明は、磁気抵抗センサ膜の側面でなく上面である点。
　（相違点２）絶縁膜の厚さについて、補正後の発明は、「感磁部領域より離れた領域における電極膜下の絶縁膜の厚さの大部分は第２の絶縁膜の厚さ」であるのに対して、引用例１に記載された発明は、特定していない点。
イ．　判断
　（相違点１について）
　電極膜を磁気抵抗センサ膜の両端部に接続する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、電極を磁気抵抗センサ膜の上面に接続する構造の他に、側面に接続する接続構造があることが、引用例１の従来例（上記（イ）参照）、引用例２（上記（サ）参照）、引用例３（上記（タ）参照）に記載されている。
　よって、引用例１に記載された発明において、その電極膜を磁気抵抗センサ膜の上面に代え側面に接続する接続構造を採用することは当業者が必要に応じ適宜なし得ることである。
　（相違点２について）
　引用例１には、感磁部領域より離れた領域における電極膜下の絶縁膜は、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の２層で形成されることが示されているのみであるが、２層からなる絶縁膜のそれぞれの厚さは、各絶縁膜の材料等により適宜選定すべきものであり、相違点２により奏する作用効果について明細書に特に説明がないから、格別の効果を奏するものとも認められない。
　なお、相違点２に基づく作用効果について、請求人は、「かかる構成により、感磁部領域の下部シールド膜と上部シールド膜との間隔を狭く保つことができるとともに、電極膜と下部シールド膜との絶縁劣化を防止することが可能となります（段落２４）」と主張している。
　しかしながら、これらの作用効果は、引用例１に記載された作用効果と同様のものである。すなわち、引用例１には、下部ギャップ絶縁層（補正後の発明の「第１の絶縁膜」に相当。）の膜厚を小さくしても、絶縁膜（補正後の発明の「第２の絶縁膜」に相当。）を設けることにより、リード（補正後の発明の「電極膜」に相当。）と下部シールド層（補正後の発明の「下部磁気シールド膜」に相当。）との絶縁が十分保たれるという作用効果の記載（上記（カ）参照）があるから、当該絶縁膜を十分厚くして絶縁を十分保つようにすることは、当業者が適宜なし得ることであるといえる。
　また、請求人は、「引用例１ではリードはコンタクトホールを介して形成されている。そのため、ＭＲ素子部シールド間隔の増加、及び、リードの断線の可能性を考慮すると絶縁膜の厚みは制限されると考えられる。」から、引用例１において、絶縁膜の厚みを厚くすることに阻害要因があるように主張している。
　しかしながら、補正後の発明では、絶縁膜の厚みについて、第２の絶縁膜の第１の絶縁膜に対する膜厚の大小関係を特定するにすぎないのであり、一方、引用例１に記載された発明において、下部ギャップ絶縁膜（補正後の発明の「第１の絶縁膜」に相当。）の薄くなる部分を補い絶縁耐圧を高くする目的で用いられる絶縁膜（補正後の発明の「第２の絶縁膜」に相当。）の厚みについて、感磁部領域より離れた領域で、絶縁膜の厚みを十分確保することは、当業者が適宜なし得ることにすぎない。
　また、請求人は、引用例２、３には、電極膜の下に絶縁膜を有しないと主張するが、引用例３には、明記されている（上記（サ）参照。）から、請求人の主張は採用できない。
　上記相違点１、２を総合的に勘案しても、補正後の発明の効果は、引用例１〜３に記載された発明から当業者であれば予測される範囲内のものにすぎない。
４．　むすび
　以上のとおり、補正後の発明は、引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１８年７月１８日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至１０に係る発明は、平成１５年１２月２２日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至１０に記載されたとおりのものあるところ、請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　「【請求項２】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
１．新規事項追加について
（１）　当審における平成１８年５月１５日付けの最後の拒絶理由の理由３は、概略「平成１５年１２月２２日付けでした手続補正は、特許請求の範囲の請求項１の一部を「前記絶縁膜が凸部形状を有し、前記凸部形状と前記磁気抵抗センサ膜は前記感磁部領域に対応した位置に形成されてなること」と補正し、請求項２乃至１０の一部についても同様な補正をするものであって、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。」というものである。
（２）　平成１５年１２月２２日付けでした手続補正の、特許請求の範囲の請求項１の一部を「前記絶縁膜が凸部形状を有し、前記凸部形状と前記磁気抵抗センサ膜は前記感磁部領域に対応した位置に形成されてなること」との補正、及び請求項２〜１０の一部についての同様な補正については、上記「第２の２」で検討したとおり、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
２．進歩性について
（１）引用例
　当審の拒絶の理由に引用された引用例１〜３の記載事項は、上記「第２の３（２）」に記載されたとおりである。
（２）対比判断
　本願発明は、上記「第２」で検討した補正後の発明の、「第２の絶縁膜」についての限定事項である「
前記感磁部領域より離れた領域における前記電極膜下の絶縁膜の厚さの大部分は前記第２の絶縁膜の厚さであり
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後の発明が、上記「第２の３（３）」に記載したとおり、引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３．よって、結論のとおり審決する。