【手続補正書】
【提出日】平成22年1月18日(2010.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のデジタルレベル数を用いてデータを格納する複数のメモリセルを有する多重レベル固体不揮発性メモリアレイと、
前記多重レベル固体不揮発性メモリアレイが有する前記複数のメモリセルのそれぞれに格納されている前記データを受け取り、前記データに基づいて、前記データの格納に用いられた前記第１のデジタルレベル数よりも多い第２のデジタルレベル数で特徴付けられる、それぞれの前記データのデジタル信号を出力する、アナログ／デジタルコンバータと
を備える固体不揮発性メモリユニット。
【請求項２】
前記多重レベル固体不揮発性メモリアレイはフラッシュＥＥＰＲＯＭ（登録商標）アレイである
請求項１に記載の固体不揮発性メモリユニット。
【請求項３】
前記固体不揮発性メモリユニットは集積回路内に配設されている
請求項１に記載の固体不揮発性メモリユニット。
【請求項４】
符号化データを供給する第１の符号器と、
前記固体不揮発性メモリアレイから取り出されたデータを復号する第１の復号器と
をさらに備える請求項１に記載の固体不揮発性メモリユニット。
【請求項５】
前記第１の符号器と通信する第２の符号器と、
前記第１の復号器と通信する第２の復号器と
をさらに備える請求項４に記載の固体不揮発性メモリユニット。
【請求項６】
前記第１の符号器は第１のＥＣＣ技術を実行して、前記第２の符号器は第２のＥＣＣ技術を実行する
請求項５に記載の固体不揮発性メモリユニット。
【請求項７】
前記第１のＥＣＣ技術と前記第２のＥＣＣ技術は異なる
請求項６に記載の固体不揮発性メモリユニット。
【請求項８】
前記第２の符号器はリードソロモン符号器を含む
請求項５に記載の固体不揮発性メモリユニット。
【請求項９】
前記符号化データを変調する変調器と、
前記固体不揮発性メモリアレイから取り出された、変調された前記データを復調する復調器と
をさらに備える、請求項４に記載の固体不揮発性メモリユニット。
【請求項１０】
前記第１の符号器および前記変調器はどちらも、トレリス符号化変調器を含む
請求項９に記載の固体不揮発性メモリユニット。
【請求項１１】
前記第１の符号器は２進符号器である
請求項４に記載の固体不揮発性メモリユニット。
【請求項１２】
前記第１の符号器は畳み込み符号器である
請求項４に記載の固体不揮発性メモリユニット。
【請求項１３】
前記第１の符号器は反復符号器である
請求項４に記載の固体不揮発性メモリユニット。
【請求項１４】
多重レベル固体不揮発性メモリアレイが有するメモリセルに、第１のデジタルレベル数を用いて第１のデータを格納する段階と、
前記メモリアレイが有する前記メモリセルから格納されている前記第１のデータを取り出す段階と、
前記取り出したデータを、前記第１のデジタルレベル数よりも多い第２のデジタルレベル数にデジタル化する段階と
を備える固体不揮発性メモリユニットを操作する方法。
【請求項１５】
前記多重レベル固体不揮発性メモリアレイはフラッシュＥＥＰＲＯＭ（登録商標）アレイである
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記固体不揮発性メモリユニットは集積回路内に配設されている
請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１のデータを符号化する段階と、
前記取り出したデータを復号する段階と
をさらに備える請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１のデータを生成するべく第２のデータを符号化する段階と、
前記第２のデータを生成するべく、復号された前記取り出されたデータを復号する段階と
をさらに備える請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１のデータの符号化は第１のＥＣＣ技術に従って実行され、前記第２のデータの符号化は第２のＥＣＣ技術に従って実行される
請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のＥＣＣ技術と前記第２のＥＣＣ技術は異なる
請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２のデータを符号化する段階は、リードソロモン符号化技術を実行する段階を含む
請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
符号化された前記第１のデータを変調する段階と、
前記多重レベル固体不揮発性メモリアレイに変調された前記第１のデータを格納する段階と、
前記多重レベル固体不揮発性メモリアレイから、変調された前記第１のデータを取り出す段階と、
前記多重レベル固体不揮発性メモリアレイから取り出された前記第１のデータを復調する段階と
をさらに備える請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記符号化および前記変調はどちらも、トレリス符号化変調の実行を含む
請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１のデータの符号化は、２進符号化技術に従って実行される
請求項１７に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１のデータの符号化は、畳み込み符号化技術に従って実行される
請求項１７に記載の方法。
【請求項２６】
前記第１のデータの符号化は、反復符号化技術に従って実行される
請求項１７に記載の方法。
【請求項２７】
第１のデジタルレベル数を用いてそれぞれデータを格納する複数のメモリセルを有する多重レベル固体不揮発性メモリアレイ用のコントローラであって、
データビット列を受け取り、符号化データビット列を供給する第１の符号器と、
前記符号化データビット列を、前記多重レベル固体不揮発性メモリアレイが有するメモリセルでの格納用のデータシンボル列へと変換するマッパと、
前記多重レベル固体不揮発性メモリアレイが有するメモリセルに格納されているデータシンボル列に基づく電圧信号列を受け取り、前記メモリセルに前記データシンボル列を格納するのに用いられた前記第１のデジタルレベル数より多い第２のデジタルレベル数で特徴付けられる出力データシンボル列を生成する第１の復号器と
を備えるコントローラ。
【請求項２８】
前記第１の符号器と通信する第２の符号器と、
前記第１の復号器と通信する第２の復号器と
をさらに備える請求項２７に記載のコントローラ。
【請求項２９】
前記第１の符号器は第１のＥＣＣ技術を実行して、前記第２の符号器は第２のＥＣＣ技術を実行する
請求項２８に記載のコントローラ。
【請求項３０】
前記第１のＥＣＣ技術と前記第２のＥＣＣ技術は異なる
請求項２９に記載のコントローラ。
【請求項３１】
前記多重レベル固体不揮発性メモリアレイは１以上のフラッシュＥＥＰＲＯＭ（登録商標）アレイを含む
請求項２７に記載のコントローラ。
【請求項３２】
前記第１の復号器はソフト情報復号器を含む
請求項２７に記載のコントローラ。
【請求項３３】
第１のデジタルレベル数を用いてそれぞれデータを格納する複数のメモリセルを有する多重レベル固体不揮発性メモリアレイ用のコントローラを操作する方法であって、
符号化データビット列を供給するべく第１のデータビット列を符号化する段階と、
データシンボル列を得るべく前記符号化データビット列を変換する段階と、
前記多重レベル固体不揮発性メモリアレイが有するメモリセルに前記データシンボル列を格納する段階と、
前記データシンボル列を取り出す段階と、
取り出された前記データシンボル列を復号して、前記メモリセルに前記データシンボル列を格納するのに用いられた前記第１のデジタルレベル数より多い第２のデジタルレベル数で特徴付けられる出力データシンボル列を供給する段階と
を備える方法。
【請求項３４】
前記第１のデータビット列を生成するべく第２のデータビット列を符号化する段階と、
前記出力データシンボル列を復号する段階と
をさらに備える請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記第１のデータビット列の符号化は第１のＥＣＣ技術に従って実行され、前記第２のデータビット列の符号化は第２のＥＣＣ技術に従って実行される
請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記第１のＥＣＣ技術と前記第２のＥＣＣ技術は異なる
請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記多重レベル固体不揮発性メモリアレイは１以上のフラッシュＥＥＰＲＯＭ（登録商標）アレイを含む
請求項３３に記載の方法。
【請求項３８】
前記データシンボルと関連付けられたソフト情報を処理する段階と
をさらに備える請求項３３に記載の方法。
【請求項３９】
第１のデジタルレベル数を用いてそれぞれデータを格納する複数のメモリセルを有する多重レベル固体不揮発性メモリアレイ用のコントローラであって、
第１のデータビット列を符号化して符号化データビット列を供給する手段と、
前記符号化データビット列を変換してデータシンボル列を得る手段と、
前記多重レベル固体不揮発性メモリアレイが有するメモリセルに前記データシンボル列を格納する手段と、
前記データシンボル列を取り出す手段と、
取り出された前記データシンボル列を復号して、前記メモリセルに前記データシンボル列を格納するのに用いられた前記第１のデジタルレベル数より多い第２のデジタルレベル数で特徴付けられる出力データシンボル列を供給する手段と
を備えるコントローラ。
【請求項４０】
前記第１のデータビット列を生成するべく第２のデータビット列を符号化する手段と、
前記出力データシンボル列を復号する手段と
をさらに備える、請求項３９に記載のコントローラ。
【請求項４１】
前記第１のデータビット列の符号化は第１のＥＣＣ技術に従って実行され、前記第２のデータビット列の符号化は第２のＥＣＣ技術に従って実行される
請求項４０に記載のコントローラ。
【請求項４２】
前記第１のＥＣＣ技術と前記第２のＥＣＣ技術は異なる
請求項４１に記載のコントローラ。
【請求項４３】
前記多重レベル固体不揮発性メモリアレイは１以上のフラッシュＥＥＰＲＯＭ（登録商標）アレイを含む
請求項３９に記載のコントローラ。
【請求項４４】
前記データシンボルと対応付けられたソフト情報を処理する手段
をさらに備える請求項３９に記載のコントローラ。