【手続補正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アドレス指定可能なメモリセルのページを関連するワード線上に具備する不揮発性メモリ装置であって、
アドレス指定可能なページの各メモリセルについて用意され、一定数のビットをラッチする容量を持つ１組のデータラッチと、
指定されたページ群に対する読み出し操作を制御する状態マシンと、を備え、
前記状態マシンは、一連の読み出しサイクルの各サイクルでページデータを感知しかつラッチし、現在の読み出しサイクルにおける感知とラッチは、現在のワード線上の現在のページデータを対象とし、近傍のワード線からの摂動を補正するために近傍のワード線からの前もって必要なデータに応じて実行され、
前記状態マシンは、現在の読み出しサイクルに先立ち現在のページのために前もって必要なデータを先制的に感知しかつラッチし、
前記状態マシンは、最初の読み出しサイクルとは別の現在の読み出しサイクルで現在のページの感知およびラッチを実行し、その間に直前の読み出しサイクルで感知しラッチした前のページを出力するメモリ装置。
【請求項２】
請求項１記載のメモリ装置において、
メモリセルは、１ビットのデータを各々蓄積するメモリ装置。
【請求項３】
請求項１記載のメモリ装置において、
メモリセルは、２ビット以上のデータを各々蓄積し、ワード線上の各メモリセルのページには、各メモリセルの個々のビットに対応する２ページ以上のバイナリデータが関連するメモリ装置。
【請求項４】
請求項３記載のメモリ装置において、
現在のページのために前もって必要なデータを先制的に感知しかつラッチする前記状態マシンは、
前もって必要な感知からの前もって必要なデータの一部として入手する第１のフラグを出力し、
第１のフラグに応じて前もって必要なデータを調整し、
現在のページについて補正が必要か否かを指示するために調整済みの前もって必要なデータをラッチするメモリ装置。
【請求項５】
請求項４記載のメモリ装置において、
第１のフラグは、近傍のワード線上の前もって必要なメモリセルのページが全てのビットでプログラム済みか否かを指示するメモリ装置。
【請求項６】
請求項５記載のメモリ装置において、
近傍のワード線が全てのビットでプログラムされていないことを第１のフラグが指示する場合、補正が不要であることを指示するために前もって必要なデータが調整されるメモリ装置。
【請求項７】
請求項５記載のメモリ装置において、
近傍のワード線が全てのビットでプログラムされていることを第１のフラグが指示する場合、補正が必要であることを指示するために前もって必要なデータが調整されるメモリ装置。
【請求項８】
請求項４記載のメモリ装置において、
現在のページを感知しかつラッチする前記状態マシンは、
調整済みの前もって必要なデータからの補正により現在のページの感知を実行し、
現在のページの一部として入手する第２のフラグを前記状態マシンのために出力し、
第２のフラグに応じ、（１）ページを変えずに残すこと、（２）ページを所定の値まで調整すること、（３）１組の別の感知条件下で現在のページの前記感知を繰り返して得た新たなページに置き換えることのうちのいずれか１つを行うことにより、現在のページをリフレッシュし、
リフレッシュされた現在のページを次の読み出しサイクルで出力するためにラッチするメモリ装置。
【請求項９】
請求項８記載のメモリ装置において、
調整済みの前もって必要なデータの指示により補正を必要とするメモリセルでの前記状態マシンによる現在のページの感知は、所定のブーストによるワード線電圧で実行されるメモリ装置。
【請求項１０】
請求項８記載のメモリ装置において、
第２のフラグは、現在のワード線上の現在のメモリセルのページが全てのビットでプログラム済みか否かを指示するメモリ装置。
【請求項１１】
請求項１０記載のメモリ装置において、
前記状態マシンは、近傍のワード線が全てのビットでプログラムされていることを第２のフラグが指示する場合、現在のページを変えずに残すヌル操作で現在のページをリフレッシュするメモリ装置。
【請求項１２】
請求項１０記載のメモリ装置において、
メモリセルは２ビットのデータを各々蓄積し、
メモリセルのページは下位ビットページと上位ビットページとから構成され、
近傍のワード線が全てのビットでプログラムされていないことを第２のフラグが指示し、かつ感知の対象となる現在のページが上位ビットページである場合、前記現在のページのリフレッシュは、上位ビットページがプログラムされていないことを指示する所定のビット値に現在のページデータをすべてリセットすることによって行われるメモリ装置。
【請求項１３】
請求項１０記載のメモリ装置において、
メモリセルは２ビットのデータを各々蓄積し、
メモリセルのページは下位ビットページと上位ビットページとから構成され、
近傍のワード線が全てのビットでプログラムされていないことを第２のフラグが指示し、かつ感知の対象となる現在のページが下位ビットページである場合、前記現在のページのリフレッシュは、別の所定の基準に対して現在のページを感知することによって行われるメモリ装置。
【請求項１４】
アドレス指定可能なメモリセルのページを関連するワード線上に具備する不揮発性メモリ装置であって、
アドレス指定可能なページの各メモリセルについて用意され、一定数のビットをラッチする容量を持つ１組のデータラッチと、
指定されたページ群に対する読み出し操作を制御する手段と、
一連の読み出しサイクルの各サイクルでページデータを感知しかつラッチする手段であって、現在のワード線上の現在のページデータを対象とし、近傍のワード線からの摂動を補正するために近傍のワード線からの前もって必要なデータに応答する手段と、
現在の読み出しサイクルに先立ち現在のページのために前もって必要なデータを先制的に感知しかつラッチする手段と、を備え、
最初の読み出しサイクルとは別の現在の読み出しサイクルで感知しかつラッチする手段は、直前の読み出しサイクルで感知しラッチした前のページを出力しているときに現在のページを感知しかつラッチするメモリ装置。
【請求項１５】
アドレス指定可能なメモリセルのページを関連するワード線上に具備する不揮発性メモリを読み出す方法であって、
一連の読み出しサイクルの各サイクルでページデータを感知しかつラッチするステップであって、現在のワード線上の現在のページデータを対象とし、近傍のワード線からの摂動を補正するために近傍のワード線からの前もって必要なデータに応じて実行されるステップと、
現在の読み出しサイクルに先立ち現在のページのために前もって必要なデータを先制的に感知しかつラッチするステップと、
最初の読み出しサイクルとは別の現在の読み出しサイクルで現在のページを感知しかつラッチするステップを実行し、その間に直前の読み出しサイクルで感知しラッチした前のページを出力するステップと、
を含む方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の方法において、
メモリセルは、１ビットのデータを各々蓄積する方法。
【請求項１７】
請求項１５記載の方法において、
メモリセルは、２ビット以上のデータを各々蓄積し、ワード線上の各メモリセルのページには、各メモリセルの個々のビットに対応する２ページ以上のバイナリデータが関連する方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の方法において、
前記現在のページのために前もって必要なデータを先制的に感知しかつラッチするステップは、
前もって必要な感知からの前もって必要なデータの一部として入手する第１のフラグを出力するステップと、
第１のフラグに応じて前もって必要なデータを調整するステップと、
現在のページについて補正が必要か否かを指示するために調整済みの前もって必要なデータをラッチするステップと、
をさらに含む方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の方法において、
第１のフラグは、近傍のワード線上の前もって必要なメモリセルのページが全てのビットでプログラム済みか否かを指示する方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の方法において、
近傍のワード線が全てのビットでプログラムされていないことを第１のフラグが指示する場合、補正が不要であることを指示するために前もって必要なデータが調整される方法。
【請求項２１】
請求項１９記載の方法において、
近傍のワード線が全てのビットでプログラムされていることを第１のフラグが指示する場合、補正が必要であることを指示するために前もって必要なデータが調整される方法。
【請求項２２】
請求項１８記載の方法において、
前記現在のページを感知しかつラッチするステップは、
調整済みの前もって必要なデータからの補正により現在のページを感知するステップを実行するステップと、
現在のページの一部として入手する第２のフラグを出力するステップと、
第２のフラグに応じ、（１）ページを変えずに残すこと、（２）ページを所定の値まで調整すること、（３）１組の別の感知条件下で前記現在のページを感知するステップを繰り返して得た新たなページに置き換えることのうちのいずれか１つを行うことにより、現在のページをリフレッシュするステップと、
リフレッシュされた現在のページを次の読み出しサイクルで出力するためにラッチするステップと、
をさらに含む方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の方法において、
前記調整済みの前もって必要なデータの指示により補正を必要とするメモリセルで現在のページを感知するステップは、所定のブーストによるワード線電圧で実行される方法。
【請求項２４】
請求項２２記載の方法において、
第２のフラグは、現在のワード線上の現在のメモリセルのページが全てのビットでプログラム済みか否かを指示する方法。
【請求項２５】
請求項２４記載の方法において、
近傍のワード線が全てのビットでプログラムされていることを第２のフラグが指示する場合、前記現在のページをリフレッシュするステップは、現在のページを変えずに残すヌル操作である方法。
【請求項２６】
請求項２４記載の方法において、
メモリセルは２ビットのデータを各々蓄積し、
メモリセルのページは下位ビットページと上位ビットページとから構成され、
近傍のワード線が全てのビットでプログラムされていないことを第２のフラグが指示し、かつ感知の対象となる現在のページが上位ビットページである場合、前記現在のページをリフレッシュするステップは、上位ビットページがプログラムされていないことを指示する所定のビット値に現在のページデータをすべてリセットすることによって行われる方法。
【請求項２７】
請求項２４記載の方法において、
メモリセルは２ビットのデータを各々蓄積し、
メモリセルのページは下位ビットページと上位ビットページとから構成され、
近傍のワード線が全てのビットでプログラムされていないことを第２のフラグが指示し、かつ感知の対象となる現在のページが下位ビットページである場合、前記現在のページをリフレッシュするステップは、別の所定の基準に対して現在のページを感知することによって行われる方法。