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　特願２０１４−　５９３００「有機半導体膜及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１０月２２日出願公開、特開２０１５−１８５６２０、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年３月２０日の出願であって、平成３０年５月９日付けで拒絶理由通知がされ、同年７月１３日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出され、同年７月２４日付けで拒絶査定（原査定）がされ、これに対し、同年１０月３１日に拒絶査定不服審判の請求がされた。
　その後、当審において、平成３１年４月２２日付けで拒絶理由通知（以下、「当審拒絶理由通知」という。また、その理由を「当審拒絶理由」という。）がされ、令和１年６月１８日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出されたものである。
第２　本願発明
　本願請求項１〜５に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明５」という。）は、令和１年６月１８日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定される発明であり、そのうちの本願発明１、２は、それぞれ以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　チエノアセンである有機半導体を３−クロロチオフェンに溶かして有機半導体溶液を調製する工程１と、
　基板表面上に前記有機半導体液を付着する工程２と、
　基板表面上の前記有機半導体液から３−クロロチオフェンを蒸発させる工程３と、
を含むチエノアセンの単結晶性有機半導体膜の製造方法。」
「【請求項２】
　チエノアセンである有機半導体を３−クロロチオフェンに溶かして有機半導体溶液を調製する工程１と、
　基板表面に対して起立する端面を有する接触部材が戴置された基板を準備する工程２と、
　工程１で得られた溶液を前記基板に供給して、前記端面と前記基板表面に同時に接触する液滴を形成する工程３と、
　工程３で得られた液滴から３−クロロチオフェンを蒸発させる工程４と、
を含むチエノアセンの単結晶性有機半導体膜の製造方法。」
　なお、本願発明３〜５は、本願発明１又は２を減縮した発明である。
第３　引用文献、引用発明等
１　引用文献Ａについて
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献Ａ（特開２０１２−２４３９１１号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【請求項５】
　第一の電極を形成する工程Ａ；
　前記第一の電極の上に、ｐ型有機半導体および／またはｎ型有機半導体、ならびにハンセンの溶解度パラメータが２０．６〜２３．０である特定溶媒を含む混合液を塗布する段階ａと、当該塗布された混合液に含まれる前記特定溶媒の一部を乾燥させる段階ｂと、を含む、電極間層を形成する工程Ｂ；および
　前記電極間層の上に、第二の電極を形成する工程Ｃ；
を含む、有機光電変換素子の製造方法。」
イ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、有機光電変換素子およびその製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、有機光電変換素子の光電変換効率を向上させるための手段に関する。」
ウ　「【００１６】
　以下、本発明の好ましい形態を説明する。本形態は、第一の電極と、第二の電極と、第一の電極および第二の電極の間に存在する電極間層と、を有しする、有機光電変換素子に関する。当該電極間層は、ｐ型有機半導体およびｎ型有機半導体を含む、少なくとも一層の光電変換層を含む構造を有する。そして、電極間層は、電極間層の全体積に対し、０．０３〜３０ｇ／ｍ３の溶媒を含み、当該溶媒は、ハンセンの溶解度パラメータが２０．６〜２３．０である特定溶媒を含む点に特徴を有する。
【００１７】
…（略）…
【００１８】
　＜有機光電変換素子＞
　図１は、本発明の一実施形態に係る、順層型の有機光電変換素子を模式的に表した断面概略図である。図１の有機光電変換素子１０は、基板２５上に、第一の電極１１、電極間層１３、および第二の電極１２が順次積層されてなる構成を有する。基板２５は、主に、その上の第一の電極１１を塗布方式で形成するのを容易にするために任意に設けられる部材である。電極間層１３は、正孔輸送層２６、光電変換層１４、および電子輸送層２７から構成され、第一の電極１１と第二の電極１２との間に、この順で積層されている。
…（略）…
【００３３】
［電極間層］
　本形態の有機光電変換素子は、上述の第一の電極と、第二の電極との間に、電極間層を含む。当該電極間層は、光電変換層を必須に含み、必要に応じて、正孔輸送層、電子輸送層、電荷再結合層のその他の層をさらに含む。
【００３４】
（光電変換層）
　光電変換層は、光起電力効果を利用して光エネルギーを電気エネルギーに変換する機能を有する。光電変換層は、光電変換材料として、ｐ型有機半導体およびｎ型有機半導体を必須む。これらの光電変換材料に光が吸収されると、励起子が発生し、これがｐｎ接合界面において、正孔と電子とに電荷分離される。
…（略）…
【００６２】
（電子輸送層）
　本形態の電極間層は、必要に応じて電子輸送層を含みうる。電子輸送層は、電子を輸送する機能を有し、かつ正孔を輸送する能力が著しく小さい（例えば、電子の移動度の１０分の１以下）という性質を有する。電子輸送層は、光電変換層と陰極との間に設けられ、電子を陰極へと輸送しつつ、正孔の移動を阻止することで、電子と正孔とが再結合するのを防ぐことができる。
【００６３】
　
電子輸送層に用いられる電子輸送材料
【００６６】
　また、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送材料も用いることもできる。一例を挙げると、…（略）…などに記載されたものが挙げられる。具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）や４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）などの芳香族ジアミン化合物やその誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイドなどのポリフィリン化合物、トリアゾール誘導体、オキサジザゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アニールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体などを用いることができ、高分子材料では、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、
チオフェン
などの重合体や、その誘導体などを好ましく用いることができる
…（略）…
【００７２】
　本形態の
有機光電変換素子は、上述の電極間層に
溶媒を含む
【００７３】
　本形態の有機光電変換素子のうち、図３に示される形態のように、電極間層として、光電変換層、正孔輸送層、電子輸送層、および電荷再結合層の４つの層が存在する場合は、これらの層のうちのいずれか１層のみ、いずれか２層のみ、いずれか３層のみに溶媒が含まれる形態も考えられる。しかしながら、通常、電極間層に含まれる４つの各層は、２つの電極に挟まれ、互いに接触している。よって、仮に製造直後には１層のみに溶媒が含まれていたとしても、当該溶媒は他の層に拡散しうる。したがって、本発明では、電極間層の全体における溶媒量を規定するものとする。
…（略）・・・
【００７５】
　本形態では、
上記溶媒が、ハンセンの溶解度パラメータ（以下、「ＨＳＰ」と略記する場合がある）が２０．６〜２３．０である特定溶媒（以下、単に「特定溶媒」とも称する）を含む
ＨＳＰが２０．６〜２３．０である特定溶媒を含むことにより、優れた光電変換効率を有し、かつ耐熱性にも優れる有機光電変換素子とすることができる
【００７６】
　上記特定溶媒が電極間層に含まれることにより、上記効果が発揮されるメカニズムは定かではないが、
ＨＳＰが２０．６〜２３．０である特定溶媒は、光電変換層におけるｐ型有機半導体および／またはｎ型有機半導体と相溶性に優れる
【００７７】
　本形態で使用される特定溶媒は、ＨＳＰが２０．６〜２３．０の範囲内にある溶媒であれば特に制限はない。このような
特定溶媒としては
下記化学式３で表される構造を有する溶媒
【００７８】
【化３】
【００７９】
　式中、Ｚ２は、酸素原子、
硫黄原子
　Ｘは、それぞれ独立して、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）を表し、
　Ｙは、メチル基を表し、
　ｍは、１または２表し、
　ｎは、０または１を表す。
【００８０】
　上記化学式３で表される溶剤としては、例えば、クロロトルエン、ジクロロトルエン、クロロキシレン、ブロモトルエン、ジブロモトルエン、
ブロモキシレン
クロロチオフェン
ブロモキシレン
クロロチオフェン
【００８１】
　より具体的には、２−クロロトルエン、３−クロロトルエン、４−クロロトルエン；３−クロロ−ｏ−キシレン、４−クロロ−ｏ−キシレン、２−クロロ−ｍ−キシレン、４−クロロ−ｏ−キシレン；２−ブロモトルエン、３−ブロモトルエン；３−ブロモ−ｏ−キシレン、４−ブロモ−ｏ−キシレン、２−ブロモ−ｍ−キシレン、４−ブロモ−ｏ−キシレン；２−クロロチオフェン、
３−クロロチオフェン
３−クロロチオフェン
…（略）…
【００９２】
　＜有機光電変換素子の製造方法＞
　上述の本形態の有機光電変換素子の製造方法は特に制限はなく、従来公知の手法を適宜参照することにより製造することができる。有機光電変換素子が、第一の電極、光電変換層、および第二の電極の３つの基本部材から構成される場合の製造方法としては、（１）第一の電極、光電変換層、第二の電極の各部材を別々に作製した後、これらを順次積層して、有機光電変換素子を製造する方法；（２）光電変換層を形成した後、光電変換層の一方の面に、第一の電極材料を含む液体を塗布、乾燥し、その後、光電変換層の他方の面に、第二の電極材料を含む液体を塗布、乾燥して有機光電変換素子を製造する方法；（３）第一の電極を形成した後、第一の電極の一方の面に、光電変換材料および溶媒を含む混合液を塗布、乾燥し、その後、光電変換層の表面に第二の電極材料を含む液体を塗布、乾燥して有機光電変換素子を製造する方法；などが挙げられる。これらの方法のうち、操作の容易性の観点から、（３）の方法を用いることが好ましい。
【００９３】
　すなわち、本発明の
有機光電変換素子の製造方法の一形態は、第一の電極を形成する工程Ａ；第一の電極の上に、ｐ型有機半導体および／またはｎ型有機半導体、ならびにハンセンの溶解度パラメータが２０．６〜２３．０である特定溶媒を含む混合液を塗布する段階ａと、当該塗布された混合液に含まれる特定溶媒の一部を乾燥させる段階ｂと、を含む、電極間層を形成する工程Ｂ；および電極間層の上に、第二の電極を形成する工程Ｃ；を含む
【００９４】
［工程Ａ］
…（略）…
【００９５】
［工程Ｂ］
　上記工程Ａで第一の電極を形成した後、第一の電極上に、電極間層を形成する工程Ｂを行う。電極間層を形成する工程Ｂは、第一の電極の上に、ｐ型有機半導体および／またはｎ型有機半導体、ならびにハンセンの溶解度パラメータが２０．６〜２３．０である特定溶媒を含む混合液を塗布する段階ａと、当該塗布された混合液に含まれる特定溶媒の一部を乾燥させる段階ｂと、を含む。段階ａおよびｂにより、
電極間層に必須に含まれる光電変換層が形成される
電極間層が、光電変換層以外にも、正孔輸送層、電子輸送層、または電荷再結合層などの他の層を含む場合は、工程Ｂは、段階ａおよびｂ以外にも、他の層を形成するための工程を含みうる
【００９６】
（段階ａ）
　段階ａでは、第一の電極の上に、ｐ型有機半導体および／またはｎ型有機半導体、ならびにハンセンの溶解度パラメータが２０．６〜２３．０である特定溶媒を含む混合液を塗布する。
【００９７】
　当該段階ａにおいて、ｐ型有機半導体、ｎ型有機半導体、および特定溶媒を含む混合液の調製方法は、特に制限はない。例えば、特定溶媒にｐ型有機半導体を添加し溶解または分散させた後に、ｎ型有機半導体を添加し溶解または分散させてもよいし；特定溶媒にｎ型有機半導体を添加し溶解または分散させた後に、ｐ型有機半導体を添加し溶解または分散させてもよいし；特定溶媒にｐ型有機半導体およびｎ型有機半導体を同時に添加し溶解または分散させてもよい。また、混合液は、特定溶媒以外の他の溶媒を含んでもよく、当該他の溶媒を添加する順番も特に制限はない。なお、ｐ型有機半導体、ｎ型有機半導体、および特定溶媒の具体的な材料については、上述の有機光電変換素子の各構成の詳細な説明に記載のとおりであるので、ここでは説明を省略する。
【００９８】
　次に、得られた混合液を第一の電極の上に塗布する。ここで、混合液を塗布する面は、電極間層が光電変換層のみからなる場合は、第一の電極の表面である。一方、電極間層が、光電変換層以外に正孔輸送層、電子輸送層、または電荷再結合層などの他の層を含む場合は、第一の電極または他の層のうちの、いずれかの表面である。」
エ　「【実施例】
【０１０９】
　本発明の作用効果を、以下の実施例および比較例を用いて説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。
【０１１０】
＜有機光電変換素子の作製＞
［実施例１］
　有機光電変換素子を以下の手順で作製した。なお、以下の操作は、特に断りがない限り窒素雰囲気下で実施した。
…（略）…
【０１１４】
（電子輸送層）
　特開２０１０−５２５６１３号公報に記載の実施例２の方法に準じて電子輸送層を形成した。すなわち、上記で得た積層体をイソプロパノール中で、超音波処理することによって、洗浄した。次いで、
イソプロパノール溶液から、ポリエチレンイミンおよびグリセロールプロポキシラートトリグリシジルエーテル（ＧＰＴＧＥ）の薄層をブレードコートした
形成した膜を、加熱して硬化させ電子輸送層を形成
【０１１５】
（光電変換層）
　ｐ型有機半導体としての
ＰＳＢＴＤＴ
と、
ＰＣ６０ＢＭ
とを
混合し、この混合物を
ブロモキシレンに溶解した
上記電子輸送層上に塗布した
乾燥し
光電変換層を形成した
（２）したがって、上記（１）ア、ウをまとめると、引用文献Ａには、次の発明（以下、「引用発明Ａ」という。）が記載されていると認められる。
「第一の電極を形成する工程Ａ；
　前記第一の電極の上に、ｐ型有機半導体および／またはｎ型有機半導体、ならびにハンセンの溶解度パラメータが２０．６〜２３．０である特定溶媒を含む混合液を塗布する段階ａと、当該塗布された混合液に含まれる前記特定溶媒の一部を乾燥させる段階ｂと、を含む、電極間層を形成する工程Ｂ；および
　前記電極間層の上に、第二の電極を形成する工程Ｃ；
を含む、有機光電変換素子の製造方法であって、
　電極間層には、必須に含まれる光電変換層、及び光電変換層以外に電子輸送層を含み、工程Ｂは、段階ａおよび段階ｂ以外に電子輸送層を形成するための工程を含み、
　電子輸送層に用いられる電子輸送材料として、チオフェンなどの重合体や、その誘導体などを用い、
　特定溶媒として、３−クロロチオフェンを用い、
　ＨＳＰが２０．６〜２３．０である特定溶媒は、光電変換層におけるｐ型有機半導体および／またはｎ型有機半導体と相溶性に優れるので、当該特定溶媒を含むことにより、優れた光電変換効率を有し、かつ耐熱性にも優れる有機光電変換素子とすることができる、
　有機光電変換素子の製造方法。」
（３）また、上記（１）エ及びウの段落【００８０】から、引用文献Ａに記載の実施例について、以下のことがいえる。
「イソプロパノール溶液から、ポリエチレンイミンおよびＧＰＴＧＥの薄層をブレードコートして形成した膜を、加熱して硬化させ電子輸送層を形成し、
　ＰＳＢＴＤＴとＰＣ６０ＢＭとを混合し、この混合物を特定溶媒のブロモキシレンに溶解し、上記電子輸送層上に塗布し、乾燥し、光電変換層を形成すること。」
２　引用文献Ｂ〜Ｄについて
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献Ｂ（特開２００７−０１９３８２号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
  ゲート電極と、
  ゲート絶縁層と、
  有機単結晶層と、
  ソース電極と、
  ドレイン電極と
を有し、
  前記ゲート電極と前記有機単結晶層との間に前記ゲート絶縁層が挟まれており、
  前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記有機単結晶層の少なくとも一部が挟まれており、
  前記有機単結晶層は、分割された複数のドメインが存在せず、そしてその表面には凹凸が存在しない単結晶膜からなる、有機半導体トランジスタ。」
（２）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献Ｃ（国際公開第２０１１／０４０１５５号）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「[0027]（実施の形態１）
　
Ａ．実施の形態１の基本工程
　本発明の実施の形態１における有機半導体膜の製造方法の基本工程について、図１Ａ、１Ｂ、及び図２Ａを参照して説明する。この製造方法は塗布法に基づくものであり、基板１、及び端面接触部材２を用いる。すなわち、有機半導体材料及び溶媒を含む原料溶液を、図１Ａに示すように、端面接触部材２に接触するように基板１上に供給して、液滴３を形成する。この状態で液滴３を乾燥させることにより、基板１上に有機半導体膜４を形成する。」
「[0031]　この乾燥プロセスにおいては、原料溶液の液滴３が接触面２ａに付着した状態によって、接触面２ａとの接触を介して結晶成長方向を規定する作用が働く。これにより、結晶性の制御効果が得られ、有機半導体材料の分子の配列の規則性が良好になり、電子伝導性（移動度）の向上に寄与するものと考えられる。なお、形成される有機半導体膜４は、多結晶状態であっても結晶性が良好で、十分に良好な半導体特性が得られる。」
（３）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献Ｄ（特開２００６−２１６６５４号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００６９】
  溶媒中における有機半導体材料の含有量は、用いる溶媒の種類、また、後述する有機半導体材料等の具体的選択によって変わってくるが、塗布によりこれ等液状材料を基板上に適用して、薄膜を形成させるためには、該材料中において有機半導体材料は０．０１〜１０．０質量％、好ましくは０．１〜５．０質量％の範囲で溶解していることが好ましい。濃度が高すぎると、基板上の均一な延展ができない、また低すぎると、基板上での液切れによる塗膜のピンホール等が生じやすい。」
３　当審拒絶理由に引用された文献（引用文献１〜４、先願１）
（１）当審拒絶理由に引用された引用文献１は、特開２００３−２３８２８６号公報である。
（２）当審拒絶理由に引用された引用文献２（H. Minemawari et al., Inkjet printing of single-crystal films, Nature 2011, Vol.475, p.364-367）である。
（３）当審拒絶理由に引用された引用文献３（T. Uemura et al., Very High Mobility in Solution-Processed Organic Thin-Film Transistors of Highly Ordered [1]Benzothieno[3,2-b]benzothiophene Derivatives, Applied Physics Express 2(2009)111501-1〜111501-3）である。
（４）当審拒絶理由に引用された引用文献４（K. Nakayama et al., Patternable Solution-Crystallized Organic Transistors with High Charge Carrier Mobility, Advanced Materials 2011, Vol.23, p.1626-1629）である。
（５）当審拒絶理由に引用された先願１は、特願２０１５−５０４４２１号（国際公開第２０１４／１３６９５３号）である。
第４　原査定の概要及び原査定についての判断
１　原査定（平成３０年７月２４日付け拒絶査定）は、請求項９、１１、１３、１４に係る発明について、上記引用文献Ａに記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないというものであり、また、請求項９〜１４に係る発明について、上記引用文献Ａ〜Ｄに記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
引用文献等一覧
Ａ．特開２０１２−２４３９１１号公報
Ｂ．特開２００７−０１９３８２号公報
Ｃ．国際公開第２０１１／０４０１５５号
Ｄ．特開２００６−２１６６５４号公報
２　令和１年６月１８日付け手続き補正において、請求項１（原査定時の請求項９）に係る発明及び請求項２（原査定時の請求項１０）に係る発明は、いずれも、「チエノアセンである有機半導体を３−クロロチオフェンに溶かして有機半導体溶液を調製する工程１」を含む「チエノアセンの単結晶性有機半導体膜の製造方法」という構成となっている。
　一方、引用発明Ａは、上記第３の１（２）のとおり、「特定溶媒を含む混合液を塗布する段階ａ」を含む、「電極間層を形成する工程Ｂ」を含む「有機光電変換素子の製造方法であって、電極間層には、必須に含まれる光電変換層、及び光電変換層以外に電子輸送層を含み、工程Ｂは、段階ａおよび段階ｂ以外に電子輸送層を形成するための工程を含み」、「特定溶媒として、３−クロロチオフェンを用い、ＨＳＰが２０．６〜２３．０である特定溶媒は、光電変換層におけるｐ型有機半導体および／またはｎ型有機半導体と相溶性に優れるので、当該特定溶媒を含むことにより、優れた光電変換効率を有し、かつ耐熱性にも優れる有機光電変換素子とすることができる、有機光電変換素子の製造方法」であり、「特定溶媒として、３−クロロチオフェン」を用いて、電極間層を形成するものの、電極間層に、「必須に含まれる光電変換層」として、「チエノアセンである有機半導体」を含むものではない。
　また、引用発明Ａは、「工程Ｂは、段階ａおよび段階ｂ以外に電子輸送層を形成するための工程を含み、電子輸送層に用いられる電子輸送材料として、チオフェンなどの重合体や、その誘導体などを用い」るものの、電子輸送材料として、「チエノアセンである有機半導体」を含むものものでもなく、しかも、「電子輸送層を形成するための工程」において、「特定溶媒として」の「３−クロロチオフェン」を用いるものでもない。
　また、上記第３の１（３）のとおり、引用文献Ａに記載の実施例において、電子輸送層の形成では、特定溶媒を用いておらず、引用発明Ａにおいて、「電子輸送層を形成するための工程」において、「３−クロロチオフェン」を用いることが自明であるとはいえない。
　しかも、引用文献Ａには、上記第３の１（２）の摘記箇所を含む、明細書、特許請求の範囲及び図面全般を精査しても、「チエノアセンである有機半導体」を含む構成は記載も示唆もされていない。
　また、引用文献Ｂ〜Ｄにも、「チエノアセンである有機半導体」を含む構成は記載も示唆もされていない。
　さらに、引用発明Ａのような、チオフェンなどの重合体や、その誘導体などを光電変換層または電子輸送層などに用いた有機光電変換素子の製造方法において、チオフェンなどの重合体や、その誘導体の代わりに、単結晶となりうるチエノアセンを用いることは、それらの結晶状態が異なることから、引用文献Ｂ〜Ｄを参照したとしても当業者が容易に想到しうるものとも認められない。
　以上のとおりであるから、本願発明１、２は、引用文献Ａに記載された発明であるとはいえず、また、本願発明１は、引用文献Ａに記載された発明及び引用文献Ｂ〜Ｄに記載の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
３　そして、本願発明３〜５（それぞれ、原査定時の請求項１２〜１４に係る発明）は、本願発明１、２の「チエノアセンである有機半導体を３−クロロチオフェンに溶かして有機半導体溶液を調製する工程１」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１、２と同じ理由により、引用文献Ａに記載された発明及び引用文献Ｂ〜Ｄに記載の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　したがって、原査定を維持することはできない。
第５　当審拒絶理由について
１　理由１（サポート要件）について
　当審では、請求項１、９、１０には、「チオフェン誘導体の単結晶性有機半導体膜」、請求項９、１０には、「チオフェン誘導体である有機半導体」と記載されており、また、請求項５、１１には、「有機半導体がポリチオフェン又はチエノアセン」と記載されているものの、単結晶性有機半導体膜や有機半導体が「チエノアセン」であるものにおいては、本願発明の課題を解決できたとしても、それ以外の、ポリマーのチオフェン誘導体においては、前記発明の課題を解決できるとはいえないと考えるべきであり、本願の発明の詳細な説明の記載からは、請求項１、９、１０に記載された発明において特定される範囲においてまで、本願発明の課題が解決されることを、発明の詳細な説明の記載及び本願の出願当時の技術常識からは理解することができず、特許請求の範囲の請求項１、９、１０及び請求項１、９、１０を引用する請求項２〜８、１１〜１６の記載は、本願明細書の発明の詳細な説明の記載及び本願の出願当時の技術常識に照らして、当業者が本願明細書に記載された本願発明の課題を解決できると認識できる範囲を超えているから、請求項１、９、１０及び請求項１、９、１０を引用する請求項２〜８、１１〜１６に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではないとの拒絶の理由と通知している。
　しかしながら、令和１年６月１８日付け手続補正により、請求項１（補正前の請求項９）、請求項２（補正前の請求項１０）において、「チオフェン誘導体の単結晶性有機半導体膜」、「チオフェン誘導体である有機半導体」が、それぞれ「チエノアセンの単結晶性有機半導体膜」、「チエノアセンである有機半導体」と補正され、補正前の請求項１、５、１１は削除された結果、この拒絶の理由は解消した。 
２　理由２（進歩性）について
　当審では、請求項１〜８、１５、１６について、上記の引用文献１〜４に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるとの拒絶の理由を通知しており、当審拒絶理由の通知時の請求項１〜８、１５、１６（平成３０年７月１３日付け手続き補正による補正後の請求項１〜８、１５、１６）は、請求項１に係る発明の発明特定事項「１ｍｍ２当たりの面積中に存在するドメイン数が５以下であるチオフェン誘導体の単結晶有機半導体薄膜」を含むものである。
　しかしながら、当該請求項１〜８、１５、１６は令和１年６月１８日付け手続補正でいずれも削除され、令和１年６月１８日付け手続き補正により補正された特許請求の範囲において、請求項１、２は、上記発明特定事項を含まないものとなっている。
　したがって、この拒絶理由は解消した。
３　理由３（拡大先願）について
　当審では、 請求項１〜８、１５、１６について、その出願前の日本語特許出願であって、その出願後に国際公開がされた上記の日本語特許出願（先願１）の国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の日本語特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記日本語特許出願の出願人と同一でもないとの拒絶の理由を通知しているが、当審拒絶理由の通知時の請求項１〜８、１５、１６（平成３０年７月１３日付け手続き補正による補正後の請求項１〜８、１５、１６）は、「請求項１に係る発明の発明特定事項１ｍｍ２当たりの面積中に存在するドメイン数が５以下であるチオフェン誘導体の単結晶」を含むものである。
　しかしながら、当該請求項１〜８、１５、１６は令和１年６月１８日付け手続補正でいずれも削除され、令和１年６月１８日付け手続き補正により補正された特許請求の範囲において、請求項１、２は、上記発明特定事項を含まないものとなっている。
　したがって、この拒絶理由は解消した。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。