【事件の表示】
　特願２０１７−５０１８９７「ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザ及びその駆動方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　９月　１日国際公開、ＷＯ２０１６／１３６１８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１６年（平成２８年）２月１６日（優先権主張　平成２７年２月２３日）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は次のとおりである。
　平成２９年１２月２８日付け：拒絶理由通知書
　平成３０年　３月　２日　　：意見書・手続補正書
　平成３０年　８月１５日付け：拒絶査定
　平成３０年１１月２０日　　：審判請求書・手続補正書
第２　原査定における拒絶の理由
　原査定における拒絶の理由は、次のものを含む。
　本願の請求項４に係る発明は、本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１３−２５８３３６号公報（引用文献１）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
第３　平成３０年１１月２０日に提出された手続補正書による手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成３０年１１月２０日に提出された手続補正書による手続補正を却下する。
［理由］
　１　平成３０年１１月２０日に提出された手続補正書による手続補正（以下「本件補正」という。）の内容
　本件補正は、
　本件補正前の請求項４の記載である
「ＤＦＢレーザ部とＥＡ変調器部とを含むＥＡ−ＤＦＢレーザの出射端にＳＯＡ部が集積されたＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザであって、
　ＥＡ−ＤＦＢレーザを光送信モジュールに搭載した場合に許容される前記ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部への最大注入電流から削減量ΔＩDFBを削減することによって前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部で削減できた消費電力と前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＥＡ変調器部で削減できた消費電力との合計分を超えない消費電力の範囲内で前記ＳＯＡ部に電流ＩSOAが注入され、
　前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部及びＳＯＡ部は同一の制御端子から電流を注入され、
　ＩSOA＝１１５［ｍＡ／ｍｍ］×ＬSOA［ｍｍ］＋１０［ｍＡ］±ΔＩDFB／２［ｍＡ］を満たすように前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部及びＳＯＡ部の光導波方向に関する長さが設計されていることを特徴とするＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザ。」を、
　本件補正後の請求項４の記載である
「ＤＦＢレーザ部とＥＡ変調器部とを含むＥＡ−ＤＦＢレーザの出射端にＳＯＡ部が集積されたＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザであって、
　ＥＡ−ＤＦＢレーザを光送信モジュールに搭載した場合に許容される前記ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部への最大注入電流から削減量ΔＩDFBを削減することによって前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部で削減できた消費電力と前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＥＡ変調器部で削減できた消費電力との合計分を超えない消費電力の範囲内で前記ＳＯＡ部に電流ＩSOAが注入され、
　前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部及びＳＯＡ部は同一の制御端子から電流を注入され、
　ＩSOA＝１１５［ｍＡ／ｍｍ］×ＬSOA［ｍｍ］＋１０［ｍＡ］±ΔＩDFB／２［ｍＡ］を満たすように前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部及びＳＯＡ部の光導波方向に関する長さが設計されている
とともに、
　
Ｌ
SOA
は５０μｍ以上１５０μｍ未満である
　２　本件補正の適否
　本件補正のうち上記１で述べた補正は、本件補正前の請求項４に記載された発明を特定するために必要な事項である「ＬSOA」について、「５０μｍ以上１５０μｍ未満である」との限定を付加するものであって、本件補正前の請求項４に記載された発明と本件補正後の請求項４に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、上記補正を含む本件補正が、同条第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件に適合するか、すなわち、本件補正後の請求項４に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下、検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記１において本件補正後の請求項４として記載したとおりである。
　以下、本件補正発明の「ＩSOA＝１１５［ｍＡ／ｍｍ］×ＬSOA［ｍｍ］＋１０［ｍＡ］±ΔＩDFB／２［ｍＡ］」との数式を、「本件数式」ということがある。
（２）引用文献１の記載事項
　ア　原査定における拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１である特開２０１３−２５８３３６号公報には、次の記載がある（下線は当審が付した。以下、同じ。）。
（ア）「【特許請求の範囲】」、
「
ＤＦＢレーザと、ＥＡ変調器と、ＳＯＡとが同一基板上にモノリシック集積された半導体光集積素子であって、
　
光導波方向に対して、前記ＤＦＢレーザ、前記ＥＡ変調器、前記ＳＯＡの順に集積され、
　
前記ＤＦＢレーザ及び前記ＳＯＡは、同一の制御端子によって電流を注入されることを特徴とする半導体光集積素子。
「
前記ＳＯＡの光導波方向についての長さは、５０μｍ以上１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体光集積素子。
（イ）「このように、
ＥＡ変調器に印加するＤＣバイアスＶ
ｂ
（ウ）「・・・
ＥＡ変調器出力端にＳＯＡが接続されている場合は、ＥＡ変調器出力端にＳＯＡが接続されていない場合と同等の光波形が得られるまでＤＣバイアスＶ
b
の絶対値を小さくしていくことが可能であり、その結果光出力の増加を実現することができる
「図４を用いて、本発明に係る半導体光集積素子の制御について説明する。図４に示されるように、本発明に係る半導体光集積素子においては、従来のＥＡ−ＤＦＢレーザの制御と同等の簡便な駆動を実現するため、同一基板上にモノリシック集積したＳＯＡとＤＦＢレーザとを同一の制御端子で制御する。
当該同一の制御端子から注入する電流値Ｉopは、ＤＦＢレーザ及びＳＯＡに注入する電流をそれぞれＩ
DFB
及びＩ
SOA
とすると、
　　
Ｉ
op
＝Ｉ
DFB
＋Ｉ
SOA
となる。」（【００２５】）、
「一般に、
ＥＡ−ＤＦＢレーザを搭載した光送信モジュールにおいて許容されるＩ
op
値
Ｉ
op
の値は８０ｍＡを上限値
「図５は、本発明の半導体光集積素子のようなＥＡ−ＤＦＢレーザ−ＳＯＡ素子におけるＩopとＩDFB及びＩSOAとの関係を示す。図５においては、一般的な長さである４５０μｍのＤＦＢレーザを使用した。図５に示されるように、
ＳＯＡ長が５０μｍである場合、ＳＯＡ長はＤＦＢレーザの長さ（４５０μｍ）に対して１／９であるため、注入した電流のほとんどはＤＦＢレーザに流れる
「一方、図５に示されるように、
ＳＯＡ長が１５０μｍである場合、ＳＯＡ長はＤＦＢレーザの長さに対して１／３であるため、Ｉ
op
＝８０ｍＡのとき、Ｉ
DFB
＝６０ｍＡ程度がＤＦＢレーザに注入され、Ｉ
SOA
＝２０ｍＡ程度がＳＯＡに注入される
「このように、
ＤＦＢレーザ及びＳＯＡを同一端子で接続し、ＳＯＡ長を調整することにより、所定の電流注入量Ｉ
op
に対してＤＦＢレーザ部及びＳＯＡ部への各電流注入量Ｉ
DFB
及びＩ
SOA
が所望の割合となるように電流量を割り振ることができ、それによりＩ
DFB
及びＩ
SOA
を調整することができる
（エ）「（実施例）
　以下、図６を用いて、本発明の実施例に係る半導体光集積素子の製作過程を説明する。ただし、図６はあくまで本実施例を説明するものであって、図６に示される構成要素の大きさと本実施例記載の縮尺は必ずしも一致するものではない。」（【００３０】）、
「まず、図６（ａ）に示されるように、ｎ型ＩｎＰからなる基板１上に、ＩｎＧａＡｌＡｓ系材料からなり、量子井戸構造を有するＥＡ変調器部層２をＭＯＣＶＤ法により形成する。このとき、２５℃におけるＥＡ変調器部層２の発光波長は約１４７０ｎｍであり、ＥＡ変調器部層２の量子井戸構造は、例えば、量子井戸層厚６ｎｍ、障壁層厚１０ｎｍとし、量子井戸層と障壁層とを１０層程度、交互に積層している。これにより、消光に十分な光閉じ込め構造を形成することができる。続いて、図６（ｂ）に示されるように、ＥＡ変調器部層２を部分的に基板１上に残すように基板１の表面までエッチングを行うことにより、基板１上に所望の長さのＥＡ変調器を形成する。」（【００３１】）、
「次に、図６（ｃ）に示されるように、基板１上に、それぞれＩｎＧａＡｌＡｓ系材料からなり、量子井戸構造を有するＤＦＢレーザ部層３及びＳＯＡ部層４を形成する。２５℃におけるＤＦＢレーザ部層３及びＳＯＡ部層４の発光波長は約１５４０ｎｍであり、ＤＦＢレーザ部層３及びＳＯＡ部層４は、例えば、量子井戸層厚４ｎｍ、障壁層厚１０ｎｍとし、量子井戸層と障壁層とが６層程度、交互に積層されている。」（【００３２】）、
「次に、図６（ｄ）に示されるように、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなる光導波路層５を、バッドジョイントプロセスを用いて光導波路層を各層に接続することにより、ＥＡ変調器部層２とＤＦＢレーザ部層３との間、ＥＡ変調器部層２とＳＯＡ部層４との間、及びＳＯＡ部層４と素子端面との間にそれぞれ形成する。光導波路層５の構造としては、例えば、厚さ１００ｎｍ、組成波長１１５０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰバルク成長層に続いて、厚さ２００ｎｍ、組成波長１３００ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ成長層を積層し、さらに厚さ１００ｎｍ、組成波長１１５０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰバルク成長層を積層した構造が望ましい。前記構造により、光損失の小さい光導波路層５を形成することができる。」（【００３３】）、
「次に、図６（ｅ）に示されるように、ＤＦＢレーザ部層３上に、回折格子６を形成する。次に、図６（ｆ）に示されるように、ｐ型ＩｎＰからなるクラッド層７を、ＥＡ変調器部層２、ＤＦＢレーザ部層３、ＳＯＡ部層４及び光導波路層５上に形成する。次に、図６（ｇ）に示されるように、導波路構造がリッジ型導波路構造となるようにクラッド層７をエッチング処理する。リッジ型導波路構造のリッジ幅を２μｍ程度にすると、光通信に好適な安定した横シングルモード発振が得られる。」（【００３４】）、
「次に、図６（ｈ）に示されるように、ＥＡ変調器部層２、ＤＦＢレーザ部層３、ＳＯＡ部層４、光導波路層５及びクラッド層７上をそれぞれ覆うように、絶縁膜８を形成する。次に、図６（ｉ）に示されるように、絶縁膜８上にベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）９を形成し、ＢＣＢ９上にＥＡ変調器部層２に電流を印加するためのｐ型電極１０、ＤＦＢレーザ部層３に電流を印加するためのｐ型電極１１、ＳＯＡ部層５に電流を印加するためのｐ型電極１２をそれぞれ形成し、基板１において各ｐ型電極１０乃至１２が形成されている側の面に対して反対側の基板面上にｎ型電極１３を形成する。各電極１０乃至１３を形成した後、劈開により素子を切り出し、後端面に反射率９０％の反射膜、前端面に反射率１％以下の低反射膜をスパッタリング法により形成する。」（【００３５】）
（オ）図５によれば、
ＳＯＡ長が５０μｍの場合、Ｉ
OP
が８０ｍＡのときのＩ
SOA
が６〜８ｍＡ程度である
　イ　上記アによれば、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。なお、引用発明の認定に用いた段落番号等を、参考までに、括弧内に付してある。
「ＤＦＢレーザと、ＥＡ変調器と、ＳＯＡとが同一基板上にモノリシック集積された半導体光集積素子であって、
　光導波方向に対して、前記ＤＦＢレーザ、前記ＥＡ変調器、前記ＳＯＡの順に集積され、
　前記ＤＦＢレーザ及び前記ＳＯＡは、同一の制御端子によって電流を注入される半導体光集積素子であって、（【請求項１】）、
　前記ＳＯＡの光導波方向についての長さは、５０μｍ以上１５０μｍ以下であり、（【請求項２】）
　ＥＡ変調器出力端にＳＯＡが接続されている場合は、ＥＡ変調器出力端にＳＯＡが接続されていない場合と同等の光波形が得られるまでＥＡ変調器に印加するＤＣバイアスＶbの絶対値を小さくしていくことが可能であり、その結果光出力の増加を実現することができ、（【０００７】・【００２４】）
　当該同一の制御端子から注入する電流値Ｉopは、ＤＦＢレーザ及びＳＯＡに注入する電流をそれぞれＩDFB及びＩSOAとすると、Ｉop＝ＩDFB＋ＩSOAであり、（【００２５】）
　ＥＡ−ＤＦＢレーザを搭載した光送信モジュールにおいて許容されるＩop値は８０ｍＡが上限値であり、（【００２６】）
　ＳＯＡ長が５０μｍである場合、ＳＯＡ長はＤＦＢレーザの長さ（４５０μｍ）に対して１／９であるため、注入した電流のほとんどはＤＦＢレーザに流れ、ＩOPが８０ｍＡのときのＩSOAが６〜８ｍＡ程度であり、（【００２７】、上記ア（オ））
　ＳＯＡ長が１５０μｍである場合、ＳＯＡ長はＤＦＢレーザの長さに対して１／３であるため、Ｉop＝８０ｍＡのとき、ＩDFB＝６０ｍＡ程度がＤＦＢレーザに注入され、ＩSOA＝２０ｍＡ程度がＳＯＡに注入され、（【００２８】）
　ＤＦＢレーザ及びＳＯＡを同一端子で接続し、ＳＯＡ長を調整することにより、所定の電流注入量Ｉopに対してＤＦＢレーザ部及びＳＯＡ部への各電流注入量ＩDFB及びＩSOAが所望の割合となるように電流量を割り振ることができ、それによりＩDFB及びＩSOAを調整することができる、（【００２９】）
　半導体光集積素子。」
（３）対比
　本件補正発明と引用発明とを対比する。
　ア　本件補正発明の「ＤＦＢレーザ部とＥＡ変調器部とを含むＥＡ−ＤＦＢレーザの出射端にＳＯＡ部が集積されたＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザであって、」との特定事項について
（ア）引用発明の「同一基板上にモノリシック集積された」「ＤＦＢレーザ」は、本件補正発明の「ＤＦＢレーザ部」に相当する。
（イ）引用発明の「同一基板上にモノリシック集積された」「ＥＡ変調器」は、本件補正発明の「ＥＡ変調器部」に相当する。
（ウ）引用発明の「同一基板上にモノリシック集積された」「ＳＯＡ」は、本件補正発明の「ＳＯＡ部」に相当する。
（エ）引用発明の「半導体光集積素子」は、「光導波方向に対して、前記ＤＦＢレーザ、前記ＥＡ変調器、前記ＳＯＡの順に集積され」ているから、上記（ア）〜（ウ）も踏まえると、本件補正発明でいう「ＥＡ−ＤＦＢレーザの出射端にＳＯＡ部が集積されたＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザ」であるといえる。
（オ）よって、引用発明は、本件補正発明の上記特定事項を備える。
　イ　本件補正発明の「前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部及びＳＯＡ部は同一の制御端子から電流を注入され、」との特定事項について
　引用発明は、「前記ＤＦＢレーザ及び前記ＳＯＡは、同一の制御端子によって電流を注入される」ものであるから、上記アにも照らせば、本件補正発明の上記特定事項を備える。
　ウ　本件補正発明の「ＥＡ−ＤＦＢレーザを光送信モジュールに搭載した場合に許容される前記ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部への最大注入電流から削減量ΔＩDFBを削減することによって前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部で削減できた消費電力と前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＥＡ変調器部で削減できた消費電力との合計分を超えない消費電力の範囲内で前記ＳＯＡ部に電流ＩSOAが注入され、」との特定事項について
（ア）引用発明の「ＳＯＡに注入する電流」である「ＩSOA」は、本件補正発明の「ＩSOA」に相当する。
（イ）本件補正発明の「ＥＡ−ＤＦＢレーザを光送信モジュールに搭載した場合に許容される前記ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部への最大注入電流」における「ＥＡ−ＤＦＢレーザ」は、その文言に照らせば、ＳＯＡが集積されていないＥＡ−ＤＦＢレーザを意味すると解される。そうすると、「ＥＡ−ＤＦＢレーザを光送信モジュールに搭載した場合に許容される前記ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部への最大注入電流」における「ＥＡ−ＤＦＢレーザ」とは、「ＳＯＡが集積されていないＥＡ−ＤＦＢレーザを光送信モジュールに搭載した場合に許容される前記ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部への最大注入電流」を意味するのであり、これは、要するに、ＳＯＡ非集積ＥＡ−ＤＦＢレーザにおけるＤＦＢレーザ部への許容される最大注入電流を意味すると解される。
　他方、引用発明では、「ＥＡ−ＤＦＢレーザを搭載した光送信モジュールにおいて許容されるＩop値」の「上限値」が「８０ｍＡ」であり、「Ｉop＝ＩDFB＋ＩSOA」とされている。ここで、ＳＯＡ非集積ＥＡ−ＤＦＢレーザを観念すれば、当然、ＩSOA＝０であるため、ＳＯＡ非集積ＥＡ−ＤＦＢレーザにおけるＩDFBの許容される上限値は、８０ｍＡとなる。
　よって、引用発明における「８０ｍＡ」が、本件補正発明の「ＥＡ−ＤＦＢレーザを光送信モジュールに搭載した場合に許容される前記ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部への最大注入電流」に相当する。
（ウ）上記（ア）及び（イ）によれば、引用発明の用語でいえば、「８０ｍＡ−ＩDFB」が、本件補正発明における「削減量ΔＩDFB」に相当する。
（エ）上記（ア）〜（ウ）に照らせば、引用発明には、本件補正発明でいう「ＥＡ−ＤＦＢレーザを光送信モジュールに搭載した場合に許容される前記ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部への最大注入電流から削減量ΔＩDFBを削減することによって前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部で削減できた消費電力」が、正の値として、存在する。
（オ）引用発明は、「ＥＡ変調器出力端にＳＯＡが接続されている場合は、ＥＡ変調器出力端にＳＯＡが接続されていない場合と同等の光波形が得られるまでＥＡ変調器に印加するＤＣバイアスＶbの絶対値を小さくしていくことが可能であ」るものである。
　よって、引用発明には、本件補正発明でいう「前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＥＡ変調器部で削減できた消費電力」が、正の値として、存在する。
（カ）上記（エ）及び（オ）のとおり、引用発明には、本件補正発明でいう「ＥＡ−ＤＦＢレーザを光送信モジュールに搭載した場合に許容される前記ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部への最大注入電流から削減量ΔＩDFBを削減することによって前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部で削減できた消費電力と前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＥＡ変調器部で削減できた消費電力との合計分」が、正の値として、存在する。
　また、引用発明は、本件補正発明でいう「前記ＳＯＡ部に電流ＩSOAが注入され」るものであるから、その注入が、所定の「消費電力の範囲内で」なされているとはいえる。
　しかしながら、引用発明は、その所定の「消費電力」が、「ＥＡ−ＤＦＢレーザを光送信モジュールに搭載した場合に許容される前記ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部への最大注入電流から削減量ΔＩDFBを削減することによって前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部で削減できた消費電力と前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＥＡ変調器部で削減できた消費電力との合計分」を超えないとは、明記していない。
　ウ　本件補正発明の「ＩSOA＝１１５［ｍＡ／ｍｍ］×ＬSOA［ｍｍ］＋１０［ｍＡ］±ΔＩDFB／２［ｍＡ］を満たすように前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部及びＳＯＡ部の光導波方向に関する長さが設計されているとともに、ＬSOAは５０μｍ以上１５０μｍ未満である」との特定事項について
（ア）引用発明の「前記ＳＯＡの光導波方向についての長さ」は、本件補正発明の「ＬSOA」に相当する。
（イ）しかし、引用発明は、本件補正発明の上記特定事項そのものを明記するものではない。
　エ　本件補正発明の「ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザ」との特定事項について
　上記アのとおり、引用発明は、本件補正発明の上記特定事項を備える。
（４）一致点及び相違点の認定
　上記（３）によれば、本件補正発明と引用発明とは、
「ＤＦＢレーザ部とＥＡ変調器部とを含むＥＡ−ＤＦＢレーザの出射端にＳＯＡ部が集積されたＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザであって、
　所定の消費電力の範囲内で前記ＳＯＡ部に電流ＩSOAが注入され、
　前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部及びＳＯＡ部は同一の制御端子から電流を注入される、
　ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザ。」である点で一致し、次の点で一応相違する。
［相違点１］
　「ＥＡ−ＤＦＢレーザを光送信モジュールに搭載した場合に許容される前記ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部への最大注入電流から削減量ΔＩDFBを削減することによって前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部で削減できた消費電力と前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＥＡ変調器部で削減できた消費電力との合計分」と「所定の消費電力」との関係について、
　本件補正発明では、「所定の消費電力」が当該「合計分」を超えないのに対し、
　引用発明では、そうであるとは明記されていない点。
［相違点２］
　本件補正発明では、
「ＩSOA＝１１５［ｍＡ／ｍｍ］×ＬSOA［ｍｍ］＋１０［ｍＡ］±ΔＩDFB／２［ｍＡ］を満たすように前記ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部及びＳＯＡ部の光導波方向に関する長さが設計されているとともに、ＬSOAは５０μｍ以上１５０μｍ未満である」のに対し、
　引用発明では、そうであるとは明記されていない点。
（５）相違点２の判断
　事案にかんがみ、相違点２から判断する。
　ア　相違点２に係る本件補正発明の特定事項は、ＩSOAに関する本件数式を含むところ、その中に「±」の符号が存在する。しかるに、この符号の意味が、(i)ＩSOAの値そのものを特定する、すなわち、ＩSOAが２つの値（「＋」の場合の値と「−」の場合の値）であることを特定するということなのか、それとも、(ii)ＩSOAの値そのものではなくＩSOAが取りうる範囲の上限と下限を特定するということなのかが必ずしも明確でない。
　そこで、本願明細書【００３９】及び図８をみると、(ii)の意味であることが理解できる。
　よって、ＩSOAに関する本件数式をこのように理解した上で、検討を進める。
　イ　本件補正発明は「ＬSOAは５０μｍ以上１５０μｍ未満である」ところ、引用発明は、ＬSOAが「５０μｍ以上１５０μｍ以下」であるとともに、「ＳＯＡ長を調整する」ものであるから、引用発明には、ＬSOAが１５０μｍよりも若干小さな値の場合も当然に想定されている。
　そこで、引用発明が、ＬSOAが１５０μｍよりも若干小さな値の場合に、ＩSOAとしてどの程度の値をとるのかについて、検討する。
（ア）まず、引用発明は、ＬSOA＝１５０μｍのときは、相当程度の余裕をもって、本件数式を満たす。
　すなわち、引用発明では、ＬSOA＝１５０μｍのときは、ＩDFB＝６０ｍＡ程度、ＩSOA＝２０ｍＡ程度とされている。この条件において、本件数式の右辺を計算すると、右辺＝（２７．２５±１０）ｍＡとなるから、引用発明のＩSOAが１７．２５ｍＡ以上３７．２５ｍＡ以下であれば、本件数式を満たすことになる。よって、引用発明は、ＬSOA＝１５０μｍのときは、本件数式を満たし、しかも、その余裕（すなわち、本件数式で規定される範囲の境界と引用発明のＩSOAの値との差）が、下側に少なくとも２ｍＡ、上側に少なくとも１７ｍＡ存在する。
（イ）次に、引用発明では、「ＳＯＡ長を調整することにより、所定の電流注入量Ｉopに対してＤＦＢレーザ部及びＳＯＡ部への各電流注入量ＩDFB及びＩSOAが所望の割合となるように電流量を割り振ることができ」ることが予定されている。具体的には、ＩOPが８０ｍＡの場合について、ＬSOAが１５０μｍのときはＩSOAが２０ｍＡ程度であり、ＬSOAが５０μｍのときはＩSOAが６〜８ｍＡ程度である。
　このように、引用発明では、ＬSOAが１００μｍ減少したとしても、ＩSOAの減少量は１２〜１４ｍＡ程度にとどまる。
　そうすると、引用発明では、ＬSOAが１５０μｍよりも若干小さな値になったとき（例えば、１４９μｍとなったとき）に、ＩSOAが、上記（ア）で説示した余裕を超えて変動することはないと推認できる。
（ウ）実際、ＬSOAが１４９μｍのときの引用発明は、次のとおりの概算に基づき、本件数式を満たすといえる。
　ａ　引用発明は、引用文献１に記載されているとおり、「ＳＯＡ長が５０μｍである場合、
ＳＯＡ長はＤＦＢレーザの長さ（４５０μｍ）に対して１／９であるため
ＳＯＡ長はＤＦＢレーザの長さに対して１／３であるため
　次に、その依存の度合いを定量的にみると、ＩDFB：ＩSOAが、概ね、ＬSOA：ＬDFBに等しい（いわゆる逆比となっている。）ことが理解できる。すなわち、ＬSOA＝１５０μｍのとき、ＬSOA：ＬDFB＝４５０：１５０である一方、ＩDFB：ＩSOA＝６０ｍＡ程度：２０ｍＡ程度である。また、ＬSOA＝５０μｍのとき、ＬSOA：ＬDFB＝４５０：５０である一方、ＩDFB：ＩSOA＝７２〜７４ｍＡ：８〜６ｍＡである。
　以上によれば、ＩDFB：ＩSOA＝ＬSOA：ＬDFBであるとみることにより、ＬSOAが特定の値のときのＩSOAを概算することができる。
　ｂ　上記ａの理解は、次の点からも首肯できる。
　すなわち、引用文献１に記載された実施例（上記（２）ア（エ））をみると、ＤＦＢレーザ部３とＳＯＡ部４は、同一基板上に、概ね同一の積層構造でもって、モノリシックに集積されており（特に【００３１】・【００３２】・図６を参照。）、また、サイズについても、ＳＯＡ長及びＤＦＢレーザの長さに係る方向以外に沿った方向の長さ（すなわち、幅や厚さ）は、同一であると考えられる（特に、図６（ｉ）参照。）。
　このようなＤＦＢレーザ部及びＳＯＡ部の構造からみると、ＩDFB：ＩSOAが、概ね、ＬSOA：ＬDFBに等しいことは首肯できる。
　ｃ　以上を踏まえ、引用発明において、ＬSOA＝１４９μｍのときのＩSOAを概算すると、ＬSOA：ＬDFB＝１４９：４５０であって、ＩSOA＋ＩDFB＝８０ｍＡであるから、ＩSOA＝１９．９ｍＡとなる。
　他方、ＬSOA＝１４９μｍのときの本件数式の右辺は、２７．１ｍＡ±９．９ｍＡである。
　よって、引用発明において、ＬSOA＝１４９μｍのとき、本件数式を満たすことになる。
（なお、同様に概算することにより、引用発明が、概ね、ＬSOAが９６μｍ以上のときに、本件数式を満たすこともわかる。）
　ウ　以上によれば、引用発明は、例えば、ＬSOA＝１４９μｍのときに、本件数式を満たすのであり、よって、相違点２に係る構成も満足する。
　そして、引用発明が「ＳＯＡ長を調整することにより、所定の電流注入量Ｉopに対してＤＦＢレーザ部及びＳＯＡ部への各電流注入量ＩDFB及びＩSOAが所望の割合となるように電流量を割り振ることができ、それによりＩDFB及びＩSOAを調整することができ」ることも踏まえれば、当業者は、引用発明において、ＬSOAが１４９μｍの態様を当然に認識できる。
　したがって、相違点２は実質的ではない。
（６）相違点１の判断
　ア　まず、相違点１に係る構成についてみると、本願明細書の【００４０】には、「このように、本発明に係るＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザにおいては、ＥＡ−ＤＦＢレーザを光送信モジュールに搭載した場合に許容されるＤＦＢレーザ部への最大許容電流を予め測定・記録しておき、当該最大許容電流と、ＳＯＡ集積ＥＡ−ＤＦＢレーザのＤＦＢレーザ部１１へのＤＦＢ注入電流ＩDFBとの差分から削減量ΔＩDFBを算出する。ＤＦＢ注入電流削減により、ＤＦＢレーザ部１１で削減できた消費電力ΔＰDFB及びＥＡ変調器部１２で削減できた消費電力ΔＰEAの合計分を超えない範囲内の電力消費で且つ高出力化を実現できるように、駆動電流範囲ＩSOArngは、ＩSOArng［ｍＡ］＝１１５［ｍＡ／ｍｍ］×ＬSOA［ｍｍ］＋１０［ｍＡ］±ΔＩDFB／２［ｍＡ］の範囲内のＳＯＡ注入電流ＩSOAをＳＯＡ部１３に注入する。それにより、負チャープ値化を実現しつつ従来よりも光強度の増大及び低消費電力化を同時に実現することができる。」と記載されている。
　このように、本件数式を満たすことによって低消費電力化を実現することができるのであるから、本件数式を満たせば、相違点１に係る構成を満たすといえる。
　イ　しかるに、上記（５）のとおり、引用発明では、例えば、ＬSOAが１４９μｍの場合に本件数式を満たしている。よって、引用発明は、当該場合に、相違点１に係る構成も満たすことになる。
　したがって、相違点１は実質的ではない。
（７）請求人の主張に対する判断
　これに対し、請求人は、審判請求書において種々主張するが、次のとおり採用できない。
　ア　請求人は、本件補正により、ＬSOAが「１５０μｍ未満」であることが特定されたことによって、ＳＯＡ長１５０μｍの場合が除外されたところ、引用文献１が開示する電流値は、ＳＯＡの光導波方向の長さの上限である１５０μｍの場合のものだけである旨主張する。
　さらに、請求人は、ＳＯＡは、一般にＳＯＡ長ＬSOAを短くするにつれて電流が少なくなり、有利になるデバイスであるから、多くの場合１５０μｍより短いものが採用されるところ、引用文献１には、ＳＯＡ長が１５０μｍより短い場合の駆動条件（具体的にはＳＯＡ部に流す電流ＩSOA）について何ら記載も示唆もない旨主張する。
　しかしながら、引用発明は、ＬSOAが「５０μｍ以上１５０μｍ以下」であるから、ＬSOAが１５０μｍ未満の態様も当然に含むものである。そして、上記（５）のとおり、引用発明は、例えばＬSOAが１４９μｍのときに本件数式を満たすものであるし、上記（５）イ（ウ）のとおり、そのときのＩSOAの値を概算できるものでもある。
　したがって、請求人の主張は採用できない。
　イ　請求人は、引用文献１には、本件数式が記載も示唆もされていないので、当業者が引用文献１を参酌したとしても、ＳＯＡ長ＬSOAが５０μｍ以上１５０μｍ未満という条件のもとで高出力化、低消費電力及び低チャープ値化を同時に実現するための諸条件に到達し得ない旨主張する。
　しかしながら、本件補正発明の特定事項は、ＤＦＢレーザ部の長さ及びＳＯＡ部の長さが本件数式を満たすように設計されたあらゆる態様（なお、当該各態様が本件数式以外の他の特定事項を満たしている前提である。）を特定していると解されるのであるから、そのうち少なくとも一つの態様について新規性が否定されれば、本件補正発明の新規性が否定されるのであり、そのことは、上記（４）〜（６）で認定判断したとおりである。
　請求人の主張は、本件数式を満たすように設計されたあらゆる態様の新規性が否定されない限り、本件補正発明の新規性が否定されないというに等しく、採用できない。
（８）小括
　以上によれば、本件補正発明と引用発明との間に相違点はないから、本件補正発明は引用発明である。
　したがって、本件補正発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反する。
　３　本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第４　本願発明について
　１　本願発明の認定
　本件補正は、上記第３のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成３０年３月２日に提出された手続補正書による補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項４に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項４に記載された事項により特定される、上記第３の［理由］１において本件補正前の請求項４として記載されたとおりのものである。
　２　引用文献１の記載事項について
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、上記第３の［理由］２（２）に記載したとおりである。
　３　対比・判断
　本願発明は、上記第３の［理由］２で検討した本件補正発明から、「ＬSOA」についての「５０μｍ以上１５０μｍ未満である」との限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、上記第３の［理由］２（３）及び（４）に記載したとおり、引用発明であるから、本願発明も引用発明である。
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。