【事件の表示】
　特許第３４３２２７３号「異物検査装置及び異物検査方法」の請求項１ないし２１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４３２２７３号の請求項１ないし１４に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　平成　６年　４月１５日　特許出願
　平成１５年　５月２３日　特許権の設定登録
　平成１５年　８月　４日　特許公報の発行
　平成１５年１２月２６日　特許異議申立人佐藤隆由より、請求項１ないし
　　２１に係る発明の特許に対して特許異議の申立て
　平成１６年　７月２１日　取消理由（１）の通知（発送日：平成１６年７
　　月３０日）
　平成１６年　９月２８日　特許権者より意見書（１）及び訂正請求書（１
　　）の提出
　平成１６年１０月２７日　訂正拒絶理由の通知（発送日：平成１６年１１
　　月５日）
　平成１６年１２月２８日　特許権者より意見書（２）及び訂正請求書（２
　　）の提出
　平成１７年　１月　６日　平成１６年１２月２８日付け提出の訂正請求書
　　（２）に係る手続についての却下理由の通知
　平成１７年　３月　２日　平成１６年１２月２８日付け提出の訂正請求書
　　（２）に係る手続についての手続却下の決定
　平成１７年　６月　９日　特許権者より平成１６年９月２８日付け訂正請
　　求の取り下げ
  平成１７年　６月１４日　取消理由（２）の通知（発送日：平成１７年６
　　月２４日）
　平成１７年　８月２４日　特許権者より意見書（３）及び訂正請求書（３
　　）の提出
　
第２　平成１７年８月２４日提出の訂正請求書（３）についての訂正の適否の判断
１．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。　
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の
「【請求項１】光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＰ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出手段とを具備する異物検査装置において、前記受光手段は前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して略５度乃至略４０度の角度に散乱した光を受光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項２】光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＳ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出手段とを具備する異物検査装置において、前記受光手段は前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して略６５度乃至略９０度の角度に散乱した光を受光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項３】光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＰ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出手段とを具備する異物検査装置において、前記集光手段は前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して略５度乃至略２０度の角度に前記光源から出射した光を集光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項４】光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＳ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出手段とを具備する異物検査装置において、前記集光手段は前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して略５度乃至略２０度の角度に前記光源から出射した光を集光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項５】被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査装置において、光源と、被検査体の種類に応じてこの光源から発せられた光の偏光角を可変させる偏光成分可変手段と、この偏光成分可変手段から出射した光を前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出手段とを具備したことを特徴とする異物検査装置。
【請求項６】請求項５記載の異物検査装置において、前記集光手段は前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して略５度乃至略２０度の角度に前記偏光可変手段から出射した光を集光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項７】請求項５記載の異物検査装置において、前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項８】光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＰ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出手段とを具備する異物検査装置において、前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項９】光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＳ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出手段とを具備する異物検査装置において、前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項１０】被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査装置において、光源と、この光源から発した光をＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する偏光成分分離手段と、この偏光成分分離手段で分離された光のＰ偏光成分とＳ偏光成分とを被検査体表面にスポット状にそれぞれ集光する第１の集光手段及び第２の集光手段と、これら第１の集光手段及び第２の集光手段によって集光された第１のスポット光と第２のスポット光とを前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査された第１のスポット光と第２のスポット光との照射位置から散乱した光をそれぞれ直接受光する第１の受光手段及び第２の受光手段と、これら第１の受光手段及び第２の受光手段による第１の受光強度と第２の受光強度との選択を行う選択手段と、この選択手段により選択された第１の受光強度もしくは第２の受光強度より前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出手段とを具備したことを特徴とする異物検査装置。
【請求項１１】請求項１０記載の異物検査装置において、前記第１の受光手段は前記走査手段によって走査された第１のスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して略５度乃至略５０度の角度に散乱した光を受光することを特徴とし、且つ前記第２の受光手段は前記走査手段によって走査された第２のスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して略５度乃至略２０度の角度に散乱した光を受光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項１２】請求項１０記載の異物検査装置において、前記第１の集光手段及び前記第２の集光手段は前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して略５度乃至略２０度の角度に前記偏光成分分離手段から出射した光を集光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項１３】被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査方法において、被検査体表面に検査光を照射する投光工程と、前記被検査体の種類に応じてこの検査光の偏光角を可変させる偏光成分可変工程と、この偏光成分可変工程で所定の偏光にされた前記検査光を前記被検査体表面にスポット状に集光する集光工程と、この集光工程で集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査工程と、この走査工程で走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を受光手段に直接受光する受光工程と、この受光工程で得られた受光強度より前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出工程とを具備したことを特徴とする異物検査方法。
【請求項１４】被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査方法において、被検査体表面に検査光を照射する投光工程と、この検査光をＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する偏光成分分離工程と、この偏光成分分離工程で分離された光のＰ偏光成分とＳ偏光成分とを前記被検査体表面にスポット状にそれぞれ集光する第１の集光工程及び第２の集光工程と、これら第１の集光工程及び第２の集光工程によって集光された第１のスポット光と第２のスポット光とを前記被検査体表面に相対的に走査する走査工程と、この走査工程によって走査された第１のスポット光と第２のスポット光との照射位置から散乱した光をそれぞれ直接受光する第１の受光工程及び第２の受光工程と、これら第１の受光工程及び第２の受光工程による第１の受光強度と第２の受光強度との選択を行う選択工程と、この選択工程により選択された第１の受光強度もしくは第２の受光強度より前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出工程とを具備したことを特徴とする異物検査方法。
【請求項１５】光源と、この光源から発せられる検査光を被検査体表面に集光する集光手段と、前記検査光の前記被検査体表面における照射位置から散乱した光を受光する受光手段と、この受光手段により得られた受光強度に基づいて前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出手段とを備える異物検査装置において、前記被検査体の種類に応じて前記検査光の偏向角を可変させる偏光角可変手段を具備し、前記受光手段は、前記被検査体の表面に対して成す角度を異ならせる少なくとも２つの受光手段を具備し、かつ、前記被検査体の種類に応じて複数の前記受光手段のうちのいずれの前記受光手段を動作させるか制御する制御手段を具備することを特徴とする異物検査装置。
【請求項１６】光源と、この光源から発せられる検査光を被検査体表面に集光する集光手段と、前記検査光の前記被検査体表面における照射位置から散乱した光を受光する受光手段と、この受光手段により得られた受光強度に基づいて前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出手段とを備える異物検査装置において、前記被検査体の種類に応じて前記検査光の偏向角を可変させる偏光成分可変手段を具備し、かつ、前記受光手段は、前記被検査体の種類に応じて前記被検査体の表面に対して成す角度を移動可能に構成されていることを特徴とする異物検査装置。
【請求項１７】前記光源は、アルゴンイオンレーザ発振器を備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項１１、請求項１５、請求項１６のいずれか記載の異物検査装置。
【請求項１８】前記光源からの光を前記被検査体表面に対してＰ偏光またはＳ偏光に調節するための１／２波長板を備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項４、請求項８、請求項９のいずれか記載の異物検査装置。
【請求項１９】前記受光手段は、ファイバプレートと光電子増倍管から構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５、請求項８、請求項９、請求項１５、請求項１６のいずれか記載の異物検査装置。
【請求項２０】前記走査手段は、前記被検査物を搭載するための載置台と、θテーブルと、Ｘテーブルとを備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか記載の異物検査装置。
【請求項２１】前記被検査体は、鏡面をもつ半導体ウエハまたは酸化膜をもつ半導体ウエハまたは金属膜をもつ半導体ウエハであることを特徴とする請求項１乃至請求項１１、請求項１５、請求項１６のいずれか記載の異物検査装置。」を、
「【請求項１】被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査装置において、光源と、被検査体の種類に応じてこの光源から発せられた光の偏光角を可変させる偏光成分可変手段と、この偏光成分可変手段から出射した光を前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備し、前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項２】光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＰ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備する異物検査装置において、前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項３】光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＳ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備する異物検査装置において、前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項４】被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査装置において、光源と、この光源から発した光をＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する偏光成分分離手段と、この偏光成分分離手段で分離された光のＰ偏光成分とＳ偏光成分とを被検査体表面にスポット状にそれぞれ集光する第１の集光手段及び第２の集光手段と、これら第１の集光手段及び第２の集光手段によって集光された第１のスポット光と第２のスポット光とを前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査された第１のスポット光と第２のスポット光との照射位置から散乱した光をそれぞれ直接受光する第１の受光手段及び第２の受光手段と、これら第１の受光手段及び第２の受光手段による第１の受光強度と第２の受光強度との選択を行う選択手段と、この選択手段により選択された第１の受光強度もしくは第２の受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備したことを特徴とする異物検査装置。
【請求項５】請求項４記載の異物検査装置において、前記第１の受光手段は前記走査手段によって走査された第１のスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して略５度乃至略５０度の角度に散乱した光を受光することを特徴とし、且つ前記第２の受光手段は前記走査手段によって走査された第２のスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して略５度乃至略２０度の角度に散乱した光を受光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項６】請求項４記載の異物検査装置において、前記第１の集光手段及び前記第２の集光手段は前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して略５度乃至略２０度の角度に前記偏光成分分離手段から出射した光を集光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項７】被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査方法において、被検査体表面に検査光を照射する投光工程と、この検査光をＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する偏光成分分離工程と、この偏光成分分離工程で分離された光のＰ偏光成分とＳ偏光成分とを前記被検査体表面にスポット状にそれぞれ集光する第１の集光工程及び第２の集光工程と、これら第１の集光工程及び第２の集光工程によって集光された第１のスポット光と第２のスポット光とを前記被検査体表面に相対的に走査する走査工程と、この走査工程によって走査された第１のスポット光と第２のスポット光との照射位置から散乱した光をそれぞれ直接受光する第１の受光工程及び第２の受光工程と、これら第１の受光工程及び第２の受光工程による第１の受光強度と第２の受光強度との選択を行う選択工程と、この選択工程により選択された第１の受光強度もしくは第２の受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出工程とを具備したことを特徴とする異物検査方法。
【請求項８】光源と、この光源から発せられる検査光を被検査体表面に集光する集光手段と、前記検査光の前記被検査体表面における照射位置から散乱した光を受光する受光手段と、この受光手段により得られた受光強度に基づいて前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを備える異物検査装置において、前記被検査体の種類に応じて前記検査光の偏向角を可変させる偏光角可変手段を具備し、前記受光手段は、前記被検査体の表面に対して成す角度を異ならせる少なくとも２つの受光手段を具備し、かつ、前記被検査体の種類に応じて複数の前記受光手段のうちのいずれの前記受光手段を動作させるか制御する制御手段を具備することを特徴とする異物検査装置。
【請求項９】光源と、この光源から発せられる検査光を被検査体表面に集光する集光手段と、前記検査光の前記被検査体表面における照射位置から散乱した光を受光する受光手段と、この受光手段により得られた受光強度に基づいて前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを備える異物検査装置において、前記被検査体の種類に応じて前記検査光の偏向角を可変させる偏光成分可変手段を具備し、かつ、前記受光手段は、前記被検査体の種類に応じて前記被検査体の表面に対して成す角度を移動可能に構成されていることを特徴とする異物検査装置。
【請求項１０】前記光源は、アルゴンイオンレーザ発振器を備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項５、請求項８、請求項９のいずれか記載の異物検査装置。
【請求項１１】前記光源からの光を前記被検査体表面に対してＰ偏光またはＳ偏光に調節するための１／２波長板を備えていることを特徴とする請求項２または請求項３記載の異物検査装置。
【請求項１２】前記受光手段は、ファイバプレートと光電子増倍管から構成されていることを特徴とする請求項２、請求項３、請求項８、請求項９のいずれか記載の異物検査装置。
【請求項１３】前記走査手段は、前記被検査物を搭載するための載置台と、θテーブルと、Ｘテーブルとを備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか記載の異物検査装置。
【請求項１４】前記被検査体は、鏡面をもつ半導体ウエハまたは酸化膜をもつ半導体ウエハまたは金属膜をもつ半導体ウエハであることを特徴とする請求項１乃至請求項５、請求項８、請求項９のいずれか記載の異物検査装置。」と訂正。
　
（２）訂正事項ｂ
　発明の詳細な説明の段落【００２２】の「【課題を解決するための手段】本発明は、上記したような技術的課題を解決するためになされたものであり、光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＰ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出手段とを具備する異物検査装置において、前記受光手段は前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して略５度乃至略４０度の角度に散乱した光を受光することを特徴とする異物検査装置である。」を、
「本発明は、上記したような技術的課題を解決するためになされたものであり、被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査装置において、光源と、被検査体の種類に応じてこの光源から発せられた光の偏光角を可変させる偏光成分可変手段と、この偏光成分可変手段から出射した光を前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備し、前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置や、光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＰ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備する異物検査装置において、前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置などである。」と訂正。
　
（３）訂正事項ｃ
　発明の詳細な説明の段落【００２３】の
「そして、本発明は光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＳ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出手段とを具備する異物検査装置において、前記受光手段は前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して略６５度乃至略９０度の角度に散乱した光を受光することを特徴とする異物検査装置である。」を
「そして、本発明は、光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＳ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備する異物検査装置において、前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置や、被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査装置において、光源と、この光源から発した光をＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する偏光成分分離手段と、この偏光成分分離手段で分離された光のＰ偏光成分とＳ偏光成分とを被検査体表面にスポット状にそれぞれ集光する第１の集光手段及び第２の集光手段と、これら第１の集光手段及び第２の集光手段によって集光された第１のスポット光と第２のスポット光とを前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査された第１のスポット光と第２のスポット光との照射位置から散乱した光をそれぞれ直接受光する第１の受光手段及び第２の受光手段と、これら第１の受光手段及び第２の受光手段による第１の受光強度と第２の受光強度との選択を行う選択手段と、この選択手段により選択された第１の受光強度もしくは第２の受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備したことを特徴とする異物検査装置などである。」と訂正。
　
（４）訂正事項ｄ
　発明の詳細な説明の段落【００２４】の
「また、本発明は被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査装置において、光源と、被検査体の種類に応じてこの光源から発せられた光の偏光角を可変させる偏光成分可変手段と、この偏光成分可変手段から出射した光を前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出手段とを具備したことを特徴とする異物検査装置である。」を
「また、本発明は、被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査方法において、被検査体表面に検査光を照射する投光工程と、この検査光をＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する偏光成分分離工程と、この偏光成分分離工程で分離された光のＰ偏光成分とＳ偏光成分とを前記被検査体表面にスポット状にそれぞれ集光する第１の集光工程及び第２の集光工程と、これら第１の集光工程及び第２の集光工程によって集光された第１のスポット光と第２のスポット光とを前記被検査体表面に相対的に走査する走査工程と、この走査工程によって走査された第１のスポット光と第２のスポット光との照射位置から散乱した光をそれぞれ直接受光する第１の受光工程及び第２の受光工程と、これら第１の受光工程及び第２の受光工程による第１の受光強度と第２の受光強度との選択を行う選択工程と、この選択工程により選択された第１の受光強度もしくは第２の受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出工程とを具備したことを特徴とする異物検査方法である。」と訂正。
　
（５）訂正事項ｅ
　発明の詳細な説明の段落【００２５】の
「更に、本発明は光源と、この光源から発せられる検査光を被検査体表面に集光する集光手段と、前記検査光の前記被検査体表面における照射位置から散乱した光を受光する受光手段と、この受光手段により得られた受光強度に基づいて前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出手段とを備える異物検査装置において、前記被検査体の種類に応じて前記検査光の偏向角を可変させる偏光角可変手段を具備し、前記受光手段は、前記被検査体の表面に対して成す角度を異ならせる少なくとも２つの受光手段を具備し、かつ、前記被検査体の種類に応じて複数の前記受光手段のうちのいずれの前記受光手段を動作させるか制御する制御手段を具備することを特徴とする異物検査装置や、光源と、この光源から発せられる検査光を被検査体表面に集光する集光手段と、前記検査光の前記被検査体表面における照射位置から散乱した光を受光する受光手段と、この受光手段により得られた受光強度に基づいて前記被検査体表面の異物などの検出を行う検出手段とを備える異物検査装置において、前記被検査体の種類に応じて前記検査光の偏向角を可変させる偏光成分可変手段を具備し、かつ、前記受光手段は、前記被検査体の種類に応じて前記被検査体の表面に対して成す角度を移動可能に構成されていることを特徴とする異物検査装置などである。」を、
「更に、本発明は光源と、この光源から発せられる検査光を被検査体表面に集光する集光手段と、前記検査光の前記被検査体表面における照射位置から散乱した光を受光する受光手段と、この受光手段により得られた受光強度に基づいて前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを備える異物検査装置において、前記被検査体の種類に応じて前記検査光の偏向角を可変させる偏光角可変手段を具備し、前記受光手段は、前記被検査体の表面に対して成す角度を異ならせる少なくとも２つの受光手段を具備し、かつ、前記被検査体の種類に応じて複数の前記受光手段のうちのいずれの前記受光手段を動作させるか制御する制御手段を具備することを特徴とする異物検査装置や、光源と、この光源から発せられる検査光を被検査体表面に集光する集光手段と、前記検査光の前記被検査体表面における照射位置から散乱した光を受光する受光手段と、この受光手段により得られた受光強度に基づいて前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを備える異物検査装置において、前記被検査体の種類に応じて前記検査光の偏向角を可変させる偏光成分可変手段を具備し、かつ、前記受光手段は、前記被検査体の種類に応じて前記被検査体の表面に対して成す角度を移動可能に構成されていることを特徴とする異物検査装置などである。」と訂正。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の有無
（１）上記訂正事項ａは、以下ア〜ウの訂正からなる。
　ア．訂正前の請求項１ないし６及び請求項１３を削除するとともに、訂正前の請求項７ないし１２及び請求項１４ないし２１を、新たな請求項１ないし６及び請求項７ないし１４に繰り上げて記載する。
　イ．訂正前の請求項７は、訂正前の請求項５を引用する形式で表現されていたが、上記アのとおり訂正前の請求項５が削除されたために、訂正前の請求項７に訂正前の請求項５に記載されたすべての事項を付加し新たな請求項１として独立形式で表現する。
　ウ．訂正前の請求項７が引用する訂正前の請求項５、及び訂正前の請求項８ないし１０、及び１４ないし１６に記載された「異物など」を、それぞれ対応する訂正後の請求項１ないし４及び６ないし８において、「異物または傷」と訂正する。
　
　そして、上記アの訂正は、請求項を削除するものであり特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。また、上記イの訂正は、引用形式で表現されていたものを独立形式で表現するとともにその記載を整合させたものであり、上記ウの訂正は、「など」の範囲を明確にしたものであるから、上記イ及びウの訂正は、ともに明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。そして、上記ア〜ウの訂正は、いずれも願書に添付した明細書及び図面に記載された事項の範囲内のものであるから、新規事項の追加に該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
（２）上記訂正事項ｂないしｅは、上記訂正事項ａにより特許請求の範囲を訂正したことに伴い、発明の詳細な説明の記載の整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的としており、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、平成１７年８月２４日付けの訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する同法第１２６条第２及び３項の規定に適合するので、上記訂正を認める。
　
第３　特許異議の申立てについての判断
１．申立ての理由の概要
　特許異議申立人佐藤隆由は、証拠として
　
甲第１号証：特開平５−５２７６２号公報
甲第２号証：米国特許第５０３２７３４号明細書（１９９１年）
甲第３号証：特開昭６２−１１１４５号公報
甲第４号証：特開昭６２−１３４６４７号公報
甲第５号証：丸谷洋二著，「目視検査の自動化技術」，日刊工業新聞社昭和６２年１月１３日発行，８〜９頁及び５４〜５５頁
　
を提出し、次の【理由１】及び【理由２】により、請求項１ないし２１に係る特許は、特許法第１１３条第２項の規定により取り消すべきものである旨主張している。
　
【理由１】
　本件特許の請求項１ないし６及び１３に係る発明は、甲第１ないし４号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
【理由２】
　本件特許の請求項１ないし２１に係る発明は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
２．本件発明
　上記のとおり、平成１７年８月２４日付けの訂正が認められるから、本件の請求項１ないし請求項１４に係る発明（以下、請求項に対応して「本件発明１」ないし「本件発明１４」という。）は、平成１７年８月２４日に提出した訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査装置において、光源と、被検査体の種類に応じてこの光源から発せられた光の偏光角を可変させる偏光成分可変手段と、この偏光成分可変手段から出射した光を前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備し、前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項２】光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＰ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備する異物検査装置において、前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項３】光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＳ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備する異物検査装置において、前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項４】被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査装置において、光源と、この光源から発した光をＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する偏光成分分離手段と、この偏光成分分離手段で分離された光のＰ偏光成分とＳ偏光成分とを被検査体表面にスポット状にそれぞれ集光する第１の集光手段及び第２の集光手段と、これら第１の集光手段及び第２の集光手段によって集光された第１のスポット光と第２のスポット光とを前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査された第１のスポット光と第２のスポット光との照射位置から散乱した光をそれぞれ直接受光する第１の受光手段及び第２の受光手段と、これら第１の受光手段及び第２の受光手段による第１の受光強度と第２の受光強度との選択を行う選択手段と、この選択手段により選択された第１の受光強度もしくは第２の受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備したことを特徴とする異物検査装置。
【請求項５】請求項４記載の異物検査装置において、前記第１の受光手段は前記走査手段によって走査された第１のスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して略５度乃至略５０度の角度に散乱した光を受光することを特徴とし、且つ前記第２の受光手段は前記走査手段によって走査された第２のスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して略５度乃至略２０度の角度に散乱した光を受光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項６】請求項４記載の異物検査装置において、前記第１の集光手段及び前記第２の集光手段は前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して略５度乃至略２０度の角度に前記偏光成分分離手段から出射した光を集光することを特徴とする異物検査装置。
【請求項７】被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査方法において、被検査体表面に検査光を照射する投光工程と、この検査光をＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する偏光成分分離工程と、この偏光成分分離工程で分離された光のＰ偏光成分とＳ偏光成分とを前記被検査体表面にスポット状にそれぞれ集光する第１の集光工程及び第２の集光工程と、これら第１の集光工程及び第２の集光工程によって集光された第１のスポット光と第２のスポット光とを前記被検査体表面に相対的に走査する走査工程と、この走査工程によって走査された第１のスポット光と第２のスポット光との照射位置から散乱した光をそれぞれ直接受光する第１の受光工程及び第２の受光工程と、これら第１の受光工程及び第２の受光工程による第１の受光強度と第２の受光強度との選択を行う選択工程と、この選択工程により選択された第１の受光強度もしくは第２の受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出工程とを具備したことを特徴とする異物検査方法。
【請求項８】光源と、この光源から発せられる検査光を被検査体表面に集光する集光手段と、前記検査光の前記被検査体表面における照射位置から散乱した光を受光する受光手段と、この受光手段により得られた受光強度に基づいて前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを備える異物検査装置において、前記被検査体の種類に応じて前記検査光の偏向角を可変させる偏光角可変手段を具備し、前記受光手段は、前記被検査体の表面に対して成す角度を異ならせる少なくとも２つの受光手段を具備し、かつ、前記被検査体の種類に応じて複数の前記受光手段のうちのいずれの前記受光手段を動作させるか制御する制御手段を具備することを特徴とする異物検査装置。
【請求項９】光源と、この光源から発せられる検査光を被検査体表面に集光する集光手段と、前記検査光の前記被検査体表面における照射位置から散乱した光を受光する受光手段と、この受光手段により得られた受光強度に基づいて前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを備える異物検査装置において、前記被検査体の種類に応じて前記検査光の偏向角を可変させる偏光成分可変手段を具備し、かつ、前記受光手段は、前記被検査体の種類に応じて前記被検査体の表面に対して成す角度を移動可能に構成されていることを特徴とする異物検査装置。
【請求項１０】前記光源は、アルゴンイオンレーザ発振器を備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項５、請求項８、請求項９のいずれか記載の異物検査装置。
【請求項１１】前記光源からの光を前記被検査体表面に対してＰ偏光またはＳ偏光に調節するための１／２波長板を備えていることを特徴とする請求項２または請求項３記載の異物検査装置。
【請求項１２】前記受光手段は、ファイバプレートと光電子増倍管から構成されていることを特徴とする請求項２、請求項３、請求項８、請求項９のいずれか記載の異物検査装置。
【請求項１３】前記走査手段は、前記被検査物を搭載するための載置台と、θテーブルと、Ｘテーブルとを備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか記載の異物検査装置。
【請求項１４】前記被検査体は、鏡面をもつ半導体ウエハまたは酸化膜をもつ半導体ウエハまたは金属膜をもつ半導体ウエハであることを特徴とする請求項１乃至請求項５、請求項８、請求項９のいずれか記載の異物検査装置。」
　
３．刊行物に記載された発明
（１）本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（特開平５−５２７６２号公報）には、異物検査装置に関し、図面とともに以下の事項が記載されている。 
 (1a)「【００１５】図１に示すように、ガラス板の表面異物検出装置１０は、液晶パネルなどの被検査物であるガラス基板１の上部に、半導体レーザ素子によるＳ偏光のレーザビームＴＡ（ｓ）を発生するレーザ光源４１とＰ偏光のレーザビームＴＢ（ｐ）を発生するレーザ光源４２とを有している。光照射制御回路５３は、これらレーザ光源４１，４２を交互に駆動し、ぞれからＳ偏光のレーザビームＴＡ（ｓ）とＰ偏光のレーザビームＴＢ（ｐ）を交互に発生させる。光照射制御回路５３は、判定処理装置５５により制御され、この制御に応じて前記の駆動制御を行うとともに回転ミラー４７の回転の制御も行う。なお、Ｐ偏光のレーザビームＴＢ（ｐ) は、レーザビームＴＡ（ｓ) に比較してｋ倍（＝２〜４倍）のパワーを有している。 
 【００１６】ＴＡ（ｓ），ＴＢ（ｐ）の各レーザビームは、それぞれ１個のコリメートレンズ４３、回転ミラー４４およびレンズ４５を経てミラー４７に照射される。各レーザビームは、これら光学系によりにより順次に共通にコリメートと角度掃引および集束がなされる。その結果としてガラス基板１の表面（画素等形成面）に光スポットが形成され、それぞれが表面を走査する。集束されたレーザビームＴＡ（ｓ）は、２枚のミラー４６１，４６２により方向変換されてガラス基板の表面に対して２０°前後の投光角度（仰角）で投射される。レーザビームＴＡ（ｓ）は、ミラー４７により方向変換されて７０°前後の投光角度（仰角）で投射され、ガラス基板１の表面のレーザビームＴＡ(ｓ) と同一直線上を走査する。このような走査のために、レーザ光源４１, ４２の交互の駆動の周期と回転ミラー４４の回転速度は、光照射制御回路５３の制御により同期が採られる。 
 【００１７】この走査により得られるそれぞれのレーザビーム照射時の異物からの散乱光は、ガラス基板１の表面に対して１０°前後の受光角度（仰角）をなす受光系５に受光される。そして、そのオプチカルファイバのバンドル５１により集光され、集光された光がその光電変換素子５２に与えられる。これによりより受光された光は電気信号に変換される。その結果、光電変換素子５２から受光量に応じた検出電圧が出力される。この検出電圧を光照射制御回路５３のレーザ光源の駆動制御のタイミングに応じて検出電圧ＲＡと検出電圧ＲＢとしてＡ／Ｄ変換回路５４がサンプリングする。Ａ／Ｄ変換回路５４のサンプルタイミングは、光照射制御回路５３と同様に判定処理装置５５により制御される。」
(1b)「【００２３】図３は、各検出電圧が先のような大きさの関係にあることを測定により得たものである。図２において、Ｐｓは、ガラス基板１の表面に付着した各種の粒径の標準粒子である。これを複数個付着して表面異物Ｐｓとし、ガラス基板１の表裏を反転して先の表面異物をそのまま裏面異物Ｐｂとした。これにより同一の異物が付着した状態にある表面と裏面について検査することができる。ガラス基板１の上側に設けられたレーザ光源４１よりＳ偏光のレーザビームＴＡ(ｓ) をガラス基板１の表面から垂直方向に向かって１８°の投光角度（入射角θa は７２°）で投射する。また、レーザ光源４２よりＰ偏光のレーザビームＴＢ（ｐ) を表面から垂直方向に向かって７０°の投光角度（入射角θb は２０°）で投射する。ただし、レーザビームＴＡ（ｓ） とレーザビームＴＢ（ｐ）との出力は、同一になるように調整されている。また、レーザ光源４１, ４２の半導体レーザ素子は、光照射制御回路５３の制御により交互に発振させて駆動される。 
 【００２４】先の１０°前後の一例としてガラス基板の表面に対して垂直方向に向かって８°の方向（反射角θr は８２°）に受光系５を設ける。レーザビームＴＡ（ｓ） ，ＴＢ（ｐ） による表面側あるいは裏面側の異物に対する散乱光の検出電圧（ＲＡｓ，ＲＡｂ），（ＲＢｓ，ＲＢｂ）とを受光系５から交互に得る。」 
　
（２）本件出願前に頒布された刊行物である甲第２号証（米国特許第５０３２７３４号明細書）には、欠陥検査装置に関し、図面とともに以下の事項が記載されている。
(2a)「FIG. 1 and FIG. 1a show a material or test part 10, such as an optic or a semiconductor wafer, having a surface 15 illuminated by a beam 16 of electromagnetic radiation directed at an angle of incidence.（図１と図１ａには、表面１５を持つ光学素材あるいは半導体ウエハのような素材あるいは試験片１０が示されており、この表面１５に入射角Ａにて電磁放射光のビーム１６が照射される。）」（第６欄３９〜４２行）
(2b)「The polarization for subsurface defect detection is selected for minimum intensity in the reflected beam 22 and maximum intensity in the transmitted beam 24. For all cases, the maximum transmitted intensity is yielded by P polarized light. The P in this case refers to the state where the electric vector 25 of the incident radiation 16 is parallel to the plane of incidence. This insures that the intensity of the transmitted beam 24 is maximized and thus the scatter 18 from the subsurface defects is maximized. 
 Other polarizations can be used to achieve a variety of results. For instance, if S polarization is used (S in this case refers to the state where the electric vector is perpendicular to the plane of incidence), the reflected intensity is maximized and the transmitted intensity is minimized thus enhancing the surface scatter 17 over the subsurface scatter 18. This polarization is used for the detection of surface defects. 
 It is possible to combine S and P polarization to get circular polarization. Circular polarization, in this case, refers to the state where the electric vector is uniform in length and rotates about the direction of propagation of the wave in either a clockwise or counterclockwise motion. A circularly polarized beam can be considered half P polarized and half S polarized. A uniformly unpolarized beam would have the same effect. Using such an arrangement for the probe beam would result in both P and S polarized scattered light being sent to the detector. By separating the scattered light into its P and S components and using a separate detector for each, surface and subsurface defects could be measured simultaneously.（表面直下の欠陥検出のための偏光面は、反射ビーム２２が最小の強度で、透過ビーム２４が最大の強度となるよう選択される。すべての場合において、最大の透過強度は、Ｐ偏光によってもたらされる。この場合のＰは、入射する電磁放射波１６の電界ベクトル２５が、入射平面と平行な状態を意味する。これにより、浸透ビーム２４の強度が最大となり、表面直下の欠陥からの散乱１８が最大となる。 他の偏光面が、各種の結果を得るために使用可能である。例えば、もしＳ偏光が使用されるなら（この場合のＳは、電界ベクトルの方向が入射面に直角である状態を意味する）、反射強度が最大となり、透過強度が最小となるため、表面直下での散乱１８よりも、表面上での散乱１７を強めることになる。この偏光面により表面上の欠陥検出に利用される。円偏光を得るために、Ｓ偏光とＰ偏光を組み合わせることも可能である。この場合、円偏光とは、電界ベクトルが、均一の大きさであって、波の進行方向に対し時計回りあるいは反時計回りで回転している状態に相当する。円偏光のビームは、半分がＳ偏光で、半分がＰ偏光であるとみなすことができる。均一に偏光されていないビームでも同様の効果を有する。ブローブビームのこのような態様を利用すれば、ＰとＳ両方の偏光による散乱光が検出器に送られることになる。散乱光をＰとＳをコンポーネントに分け、それぞれ別の検出器を使用することで、表面上と表面直下の欠陥を同時に評価することができる。） 」(７欄３１〜６３行) 
(2c)「The angle of incidence A can be varied between 0° and 90°. Typically, large angles of incidence provide the best results because the penetrating electromagnetic radiation interacts with the lineated subsurface defects which act like a grating and scatter the light back out through the surface.（入射角Ａは、０〜９０度とすることができる。典型的には、大きな入射角であれば、表面直下の線状欠陥が、格子のようにふるまい、表面を介して後方に光を散乱するため、この表面直下の線状欠陥と、侵入する電磁放射波とが相互に関連し、最良の結果が得られる。）」（８欄１４〜１９行）  
(2d)「For subsurface measurements the angle of incidence A of the beam 16 should be as close as possible to Brewster's angle (the angle of minimum reflectance at P polarization, sometimes called the polarizing angle) in order to maximize the amount of energy transmitted into the material, and at the same time minimize the energy scattered from the surface. As an example, Brewster's angle for silicon is about 75.degree.. Typically, angles of incidence larger than 55.degree. begin to cause problems because the impact point of the incident beam 16 begins to spread across the surface. The reflectance of P polarized light at a wavelength of 632.8 nanometers and an angle of incidence of 55.degree., is about 15%. This means that 85% of the light penetrates the material.（表面直下の測定においては、材料の内部に侵入するエネルギーの総量を最大にするとともに、表面から散乱されるエネルギーを最小化するために、ビーム１６の入射角は可能な限りブリュースタ角（Ｐ偏光の反射が最小となる角、偏光角とも呼ばれる）に近くするべきである。例として、シリコンのブリュースタ角は約７５°である。典型的には、５５°より大きい入射角が問題を発生する。それば、入射ビーム１６の照射点が表面を横に広がることになるからである。波長６３２.８のナノメートルの入射角５５°のＰ偏光では、反射率はおよそ１５％である。これは光の８５％が、材料に吸収されることを意味する。」（第８欄４１〜５４行）
(2e)「For the detection of surface defects using S polarization, the angle of incidence A of beam 16 should also be large to maximize the amount of surface scatter and minimize the subsurface scatter. This is necessary because for any given material and a given wavelength of the incident beam polarized S, the greater the angle of incidence, the greater the reflectance. Since there is no Brewster's angle for S polarization, the largest angle possible should be selected. As a matter of convenience in the design and construction of equipment, Brewster's angle could be used and the polarization switched from S to P depending on what kind of defects are being measured, surface or subsurface. Again, using circularly polarized, or uniformly unpolarized, light would allow surface and subsurface defects to be measured simultaneously as long as there is a separate detector for each polarization.
　The angle D of the detector line of sight 26 should be positioned in the direction opposite the reflected beam 22. The angular difference between A and D should be small, less than 30.degree., for large values of A, and large, greater than 30.degree., for small values of A. （表面欠陥の検出においてＳ偏光を使うことについは、表面散乱の量を最大にして、表面下の散乱を最小にするために、光線１６の入射角Ａは大きくなる。所定の材料に所定の波長のＳ偏光が入射されれば、入射角がより大きいければ、それだけ反射は大きくなる。Ｓ偏光には、ブリュスター角はないので、最大入射角が選択可能である。装置の構造やデザインに関連する利便上の問題から、ブリュースタ角が利用でき、表面あるいは表面直下といった欠陥の種類に応じて、ＳかＰかの偏光を切り換えることができる。ここで、円偏光や一律に偏光されていない光を使用すれば、それぞれの偏光毎に分離した検出器により表面と表面直下の欠陥を同時に測定できる。符号２６で示す検出ラインの角Ｄは、反射された光線２２とは反対方向に置かれるべきである。 ＡとＤ間の角度差は、Ａが大きい場合においては、３０°よりさらに少なく、Ａが小さい場合には、３０°より大きくすべきである。）」（第８欄６７行〜第９欄２０行）
(2f)「The following figures are major embodiments of the present invention. The first is shown schematically in FIG. 3. In this embodiment a source of electromagnetic radiation or laser 32 and the detector 34 are fixed, and the test part 10 is moved in the X and Y directions and rotated about the Z axis. The detector 34 may be a photomultiplier tube or a solid state detector. The various motions of the test part are accomplished with computer controlled, motor driven micropositioning stages 39 and 37 for motion along the X and Y axes respectively and stage 41 for rotation about the Z axis. The three stages are assembled so that the Z axis always intercepts the test surface at the intersection of the X-Y coordinates being measured.（以下の図は本発明の主な実施例である。第１の実施例が、図３で概略的に示される。この実施例で、電磁波源あるいはレーザ３２と検出器３４が固定されている。そして試験片１０は、ＸとＹ方向に可動で、Ｚ軸を中心に回転可能である。 検出器３４として、フォトマルチプライヤチューブあるいはソリッドステートの検出器が使用できる。試験片の動作は、コンピュータによって制御され、それぞれＸとＹ軸に沿って可動なモータ駆動型微動ステージ３７と３９とＺ軸に関する回転ステージ４１とによってなされる。３つのステージは組み立てられ、Ｚ軸と測定されるＸＹ座標との交差点が試験片表面となる。）」（１１欄１１〜２４行） 
　
（３）本件出願前に頒布された刊行物である甲第３号証（特開昭６２−１１１４５号公報）には、異物検査装置に関し、図面とともに以下の事項が記載されている。
(3a)「この異物検査装置は、このペリクル１０のペリクル膜１４の裏面（図中上面）および表面（図中下面）の異物を検出するものである。その検査において、ペリクル１０の裏側（図中上面）から、ペリクル膜１４に斜め方向より光りビーム（ここではＳ偏光レーザ光ビーム）を照射するが、１６はそのＳ偏光レーザ光ビームを発するＨｅ−Ｎｅレーザ発振器である。このＳ偏光レーザ光ビームは、ビームエキスパンダ１８によりビーム径を拡大された後、ガルバノミラー２０に入射する。このガルバノミラー２０は、Ｓ偏光レーザ光ビームをＸ方向に振るためのものであり、高速で往復回動駆動される。
　ガルバノミラー２０により反射されたＳ偏光レーザ光ビームは、ｆθレンズ２４を経由して光路切替ミラー２６に入射する。この光路切替ミラー２６は、図示しないソレノイドなどにより、実線で示す角度または鎖線２６’で示す角度に回動させられるものである。この光路切替ミラー２６が実線の角度に設定された場合、ｆθレンズ２４から入射するＳ偏光レーザ光ビームは、光路切替ミラー２６により固定ミラー３０へ向けて反射される。光路切替ミラー２６が鎖線２６’の角度に設定された場合、Ｓ偏光レーザ光ビームは反対側の固定ミラー２８へ向けて反射される。固定ミラー２８，３０に入射しそこで反射されたＳ偏光レーザ光ビームは、ペリクル膜１４の同一点にφの照射角度で入射せしめられる。この実施例においては、照射角度φが約１５°ないし２０°になるように、固定ミラー２８，３０の取り付け位置や角度などが決定されている。 
 　ペリクル１０の裏側に、シリンドリカルレンズ３２と集光用光ファイバ束３４が設けられている。ペリクル膜１４からの反射光（正反射光を実質的に除外した反射光）は、シリンドリカルレンズ３２を介して集光用光ファイバ束３４の受光端に入射し、出力端より光電変換素子としてのホトマルチプライヤ３６に入射せしめられる。」（３頁左上欄８行〜左下欄５行） 
　
（４）本件出願前に頒布された刊行物である甲第４号証（特開昭６２−１３４６４７号公報）には、異物検査装置に関し、図面とともに以下の事項が記載されている。
(4a)「１．ペリクルの一方の面側からＰ偏光レーザ光とＳ偏光レーザ光とを別々に前記ペリクルに対し浅い入射角度で照射する主光学系と、前記ペリクルの他方の面で異物からの散乱光を検出する主検出系と、この主検出系からＰ偏光レーザ光照射での散乱光強度とＳ偏光レーザ光照射での散乱光強度とを取り込み、両散乱光強度を比較し、前記ペリクルへの異物の付着の有無と付着面とを判定する処理系とを備えていることを特徴とする異物検査装置。」（特許請求の範囲の欄） 
(4b)「前記主光学系では、第１図に示すように、レーザ発振器３０からレーザ光が発振され、そのレーザ光はポッケルズセル等の旋光素子３１により偏光レーザ光２０とされ、その偏光レーザ光２０は光路３２に従いビームエキスパンダ３３、ガルバノミラー３４，フォーカシングレンズ３５を経て、ミラー３６を第１図に実線で示す位置にセットした時はミラー３７ａ、３８ａを通って光路４０ａに従い、ペリクル２上にレーザ光スポット４１を照射し、前記ミラー３６を第１図に仮想線で示す位置にセットした時はミラー３９、３７ｂ、３８ｂを通り、光路４０ｂに従い、前記ペリクル２をレーザ光スポット４１で照射するようになっている。そして、ガルバノミラー３４とフォーカシングレンズ３５により、レーザ光スポット４１を第１図に矢印４２に示すごとく、ペリクル２上をＹ方向に走査させ、異物付着防止膜を搭載したステージ４８をモータ４７によりＸ方向に移動させ、ペリクル２の全面を検査可能としている。前記ミラー３６は、ステージ４８の移動に合わせて偏光レーザ光２０の光路を切り替え、第４図に示すように、光路４０ａでペリクル２の一半部Ａを検査可能とし、光路４０ｂでペリクル２の他半部Ｂを検査可能としている。さらに、主光学系は第１図、第５図に示すように、ペリクル２に対して偏光レーザ光２０を浅い入射角度αで照射するようになっており、その入射角度αは異物付着防止膜の枠１に偏光レーザ光２０が遮られない範囲で好ましくは１０〜２０度に設定されている。
　前記主検出系５９は、第１図、第５図に示すように、異物６からの散乱光５３を異物付着防止膜の外側に設けられた円筒レンズ４３、ミラー４４を介して光ファイバ４５で集光し、光センサ４６に導き、同一の異物に対してＰ偏光レーザ光を照射した時の散乱光強度とＳ偏光レーザ光を照射した時の散乱光強度とを検出し、その検出結果を処理系に送り込むようになっている。」（３頁左下欄２行〜右下欄１７行）
(4c)「そして、第１図に示す旋光素子３１により、例えば第６図に示すように、検査領域５４がＹ方向のプラス方向５５に向かう時にＳ偏光に、マイナス方向５６に向かう時にＰ偏光にそれぞれレーザ光２０の偏光方向を変化させる。」（５頁左上欄６〜１０行）
　
（５）本件出願前に頒布された刊行物である甲第５号証（丸谷洋二著，「目視検査の自動化技術」，日刊工業新聞社昭和６２年１月１３日発行，８〜９頁及び５４〜５５頁）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（5a）「１．４．２　光の散乱
　透明媒体に浮かんだ粒子や，きれいに研磨された平面に付着した粒子に平行光を照射すると，光散乱が起こる．散乱現象が起こると入射した方向以外にも光が進行するようになる．これを利用すれば微小粒子の検出が可能となる．どの方向に，どのくらいの強度で散乱するかは，粒子の寸法によって異なる．
　粒子の半径ａが，光波長λに対してａ＜０．１λを満たすほど微細な場合，散乱光の照度は容易に計算できる．この状態での散乱をレーリー散乱とよぶ．図１．１０のように入射光と散乱光との角をθとする．粒子から距離ｒ離れた点での観測面における光エネルギー密度Ｅθは，
　Ｅθ＝Ｋ・（１＋ｃｏｓ２θ）／λ４ｒ２　（Ｋ：定数）　（１．４）
と表わされる．θを０から２πまで変化させてＥθをしらべると，図１．１１のようなまゆ型の光放射パタンとなることがわかる．
　レーリー散乱のときは，入射光の側へも等分の散乱が起こる（これを後方散乱という）が，粒子の径が大きくなると進行方向への散乱成分（前方散乱）が増加してくる．０．１λ＜ａ＜１０λの領域での散乱をミー散乱と呼ぶ．この領域は簡単には数式で記述できないので，省略する．図１．１１を参照していただきたい．」（第９頁第５〜２０行）
　
４．【理由１】特許法第２９条第１項第３号違反について
　平成１７年８月２４日付けの訂正が認められ、その結果、訂正前の請求項１ないし６及び１３は削除されたので、異議申立人の主張する上記【理由１】については、対応する請求項が存在しないものとなった。
　
５．【理由２】特許法第２９条第２項違反について
（１）本件発明１について
　本件発明１と甲第１ないし５号証に記載された発明とを対比する。本件発明１は、「前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光すること」（以下、「発明特定事項Ａ」という。）を発明を特定する事項として備えているが、この発明特定事項Ａについては、甲第１ないし５号証に記載も示唆もされておらず、甲第１ないし５号証に記載された発明をいかに組み合わせても上記発明特定事項Ａを当業者が容易に想到し得たものであるとすることはできない。
　すなわち、甲第１号証では、受光手段である受光系５は移動可能とはなっておらず、甲第１号証には、上記発明特定事項Ａが示されていない。
　甲第２号証には、受光手段に関連して上記摘記事項(2e)に、入射角Ａと検出ラインの角Ｄとの角度差が、Ａが大きい場合に３０°よりさらに少なく、Ａが小さい場合には３０°より大きくすべきである旨記載されているが、甲第２号証に記載された欠陥検査装置では、入射角Ａや検出ラインの角Ｄを変更可能な構成とはなっていないことから、甲第２号証には、上記発明特定事項Ａが示されていない。
　甲第３号証及び甲第４号証では、ともに被検査対象であるペリクルに対しほぼ鉛直方向に受光手段を配置することが示されているが、この受光手段を移動する構成とはなっておらず、甲第３及び４号証には、上記発明特定事項Ａが示されていない。
　甲第５号証は、単に粒子における散乱光の分布について記載されているのみで、その散乱光をどのように受光するかについては記載がないことから、甲第５号証には、上記発明特定事項Ａが示されていない。
　そして、本件発明１は、上記発明特定事項Ａを有することにより、明細書記載の作用効果を奏するものである。
　
　なお、この点に関し、異議申立人は「本件発明の特許明細書［００７２］項には、２個の検出器５４，５５を用いずに１個の検出器を設けた場合に移動手段を用いるとあるが、その内容は図示されておらず、単に角度を変更するだけのことである。これは、甲第２号証のカラム９の５行〜１５行には、Ｐ偏光，Ｓ偏光に対応して検出器を分離して使用する記載に従って受光器を分離する場合において２系統になる受光角の場合の設計事項に過ぎない。」（異議申立書３２頁９〜１４行）と主張している。しかし、甲第２号証（上記摘記事項(2e)参照）には、円偏光や一律に偏光されていない光を照射した場合に、Ｐ，Ｓ偏光毎に分離した検出器を使用する旨の記載はあるものの、Ｐ，Ｓ偏光毎に分離した検出器を使用することと受光手段を移動させることの間に、技術的関連性があるとはいえず、甲第２号証の上記記載から上記発明特定事項Ａが設計事項であるとする申立人の上記主張は採用することができない。
　
　以上のことから、本件発明１は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないから、本件発明１についての特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとすることはできない。
　
（２）本件発明２について
　本件発明２と甲第１ないし５号証に記載された発明とを対比する。本件発明２は、「前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光すること」を発明を特定する事項として備えているが、これは上記発明特定事項Ａと同一であるから、上記「（１）本件発明１について」で述べたとおりの理由により、本件発明２は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないから、本件発明２についての特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとすることはできない。
　
（３）本件発明３について
　本件発明３と甲第１ないし５号証に記載された発明とを対比する。本件発明３は、「前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光すること」を発明を特定する事項として備えているが、これは上記発明特定事項Ａと同一であるから、上記「（１）本件発明１について」で述べたとおりの理由により、本件発明２は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないから、本件発明３についての特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとすることはできない。
　
（４）本件発明４について
　本件発明４と甲第１ないし５号証に記載された発明とを対比する。本件発明４は、「偏光成分分離手段で分離された光のＰ偏光成分とＳ偏光成分とを被検査体表面にスポット状にそれぞれ集光する第１の集光手段及び第２の集光手段と、これら第１の集光手段及び第２の集光手段によって集光された第１のスポット光と第２のスポット光とを前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査された第１のスポット光と第２のスポット光との照射位置から散乱した光をそれぞれ直接受光する第１の受光手段及び第２の受光手段と、これら第１の受光手段及び第２の受光手段による第１の受光強度と第２の受光強度との選択を行う選択手段」（以下、「発明特定事項Ｂ」という。）を発明を特定する事項として備えている。そして、この選択手段は、被検査体表面にＰ偏光成分である第１のスポット光とＳ偏光成分第２のスポット光とを集光し、それぞれのスポット光から散乱した光を受光した第１の受光強度と第２の受光強度との選択を行うものであるが、このような選択手段については、甲第１ないし５号証に記載も示唆もされておらず、甲第１ないし５号証に記載された発明をいかに組み合わせても上記発明特定事項Ｂを当業者が容易に想到し得たものであるとすることはできない。
　すなわち、甲第１号証では、Ｓ偏光のレーザビームＴＡ（ｓ）とＰ偏光のレーザビームＴＢ（ｐ）を交互に発生させ、ガラス基板１の表面の異物からの散乱光を受光系５に受光するものであるから、Ｐ偏光成分であるスポット光による散乱光の受光強度とＳ偏光成分であるスポット光による散乱光の受光強度との選択を行うものではないから、甲第１号証には、上記発明特定事項Ｂが示されていない。
　甲第２号証には、上記摘記事項(2b)及び(2e)に、円偏光等のビームを照射した場合に、Ｐ，Ｓ偏光毎に分離した検出器を使用する旨のことが記載されているが、この記載において集光されるスポット光は円偏光等の光であって、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分という２つのスポット光を集光するものとはなっておらず、また分離した検出器により検出したＳ偏光とＰ偏光の受光強度を選択するものではない。よって、甲第２号証には、上記発明特定事項Ｂが示されていない。
　甲第３号証は、Ｓ偏光レーザ光ビームをペリクルに照射するものであり、Ｐ偏光レーザ光ビームを照射するものでないから、甲第３号証には、上記発明特定事項Ｂが示されていない。
　甲第４号証では、Ｐ偏光レーザ光とＳ偏光レーザ光とを別々にペリクルに照射し、主光学系という単一の受光手段で受光するものであるから、甲第４号証には、上記発明特定事項Ｂが示されていない。
　甲第５号証は、単に粒子における散乱光の分布について記載されているのみで、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分とを分離することや、散乱光をどのように受光するかについては記載がないことから、甲第５号証には、上記発明特定事項Ｂが示されていない。
　そして、本件発明４は、上記発明特定事項Ｂを有することにより、明細書記載の作用効果を奏するものである。
　
　なお、この点に関し、異議申立人は、「Ｓ偏光ビームとＰ偏光ビームの切り替えを行うことなく、照射系と受光系とをそれぞれ分離して別系統にして異物を検出することも極めて容易なことである。」（異議申立書３１頁２３〜２５行）と主張している。しかし、甲第２号証に、円偏光等のビームからの散乱光をＳ偏光とＰ偏光の別系統の検出器で検出することについて記載はあるものの、上記したとおり、甲第１ないし５号証には、照射系と受光系とをそれぞれＳ偏光とＰ偏光とに分離して異物を検出することについて記載されておらず、また照射系と受光系とをそれぞれＳ偏光とＰ偏光とに分離して異物を検出することが周知の技術事項であるともいえないことから、異議申立人の上記主張は採用できない。
　
　以上のことから、本件発明４は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないから、本件発明４についての特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとすることはできない。
　
（５）本件発明５について
　本件発明５と甲第１ないし５号証に記載された発明とを対比する。本件発明５は、本件発明４を引用してさらに限定したものであるから、上記「（４）本件発明４について」で述べたのと同様の理由により、本件発明５は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないから、本件発明５についての特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとすることはできない。
　
（６）本件発明６について
　本件発明６と甲第１ないし５号証に記載された発明とを対比する。本件発明６は、本件発明４を引用してさらに限定したものであるから、上記「（４）本件発明４について」で述べたのと同様の理由により、本件発明６は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないから、本件発明６についての特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとすることはできない。
　
（７）本件発明７について
　本件発明７と甲第１ないし５号証に記載された発明とを対比する。本件発明７は、「偏光成分分離工程で分離された光のＰ偏光成分とＳ偏光成分とを前記被検査体表面にスポット状にそれぞれ集光する第１の集光工程及び第２の集光工程と、これら第１の集光工程及び第２の集光工程によって集光された第１のスポット光と第２のスポット光とを前記被検査体表面に相対的に走査する走査工程と、この走査工程によって走査された第１のスポット光と第２のスポット光との照射位置から散乱した光をそれぞれ直接受光する第１の受光工程及び第２の受光工程と、これら第１の受光工程及び第２の受光工程による第１の受光強度と第２の受光強度との選択を行う選択工程」（以下、「発明特定事項Ｃ」）を発明を特定する事項として備えているが、この発明特定事項Ｃは、上記発明特定事項Ｂと実質的に同一であるから、上記「（４）本件発明４について」で述べたのと同様の理由により、本件発明７は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないから、本件発明７についての特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとすることはできない。
　
（８）本件発明８について
　本件発明８と甲第１ないし５号証に記載された発明とを対比する。本件発明８は、「前記受光手段は、前記被検査体の表面に対して成す角度を異ならせる少なくとも２つの受光手段を具備し、かつ、前記被検査体の種類に応じて複数の前記受光手段のうちのいずれの前記受光手段を動作させるか制御する制御手段を具備すること」（以下、「発明特定事項Ｄ」という。）を発明を特定する事項として備えているが、この発明特定事項Ｄについては、甲第１ないし５号証に記載も示唆もされておらず、甲第１ないし５号証に記載された発明をいかに組み合わせても上記発明特定事項Ｄを当業者が容易に想到し得たものであるとすることはできない。
　すなわち、甲第１号証、甲第３号証及び甲第４号証では、単一の受光手段により散乱光を検出する構成となっているから、甲第１号証、甲第３号証及び甲第４号証には、上記発明特定事項Ｄが示されていない。
　甲第２号証には、受光手段に関連して上記摘記事項(2e)に、入射角Ａと検出ラインの角Ｄとの角度差が、Ａが大きい場合に３０°よりさらに少なく、Ａが小さい場合には３０°より大きくすべきである旨記載されているが、具体的な検出器の配置については記載されておらず、しかも被検査体の種類に応じて複数の受光手段のうちのいずれの受光手段を動作させるか制御するというものでもない。したがって、甲第２号証には、上記発明特定事項Ｄが示されていない。
　また、甲第５号証は、単に粒子における散乱光の分布について記載されているのみで、その散乱光をどのように受光するかについては記載がないことから、甲第５号証には、上記発明特定事項Ｄが示されていない。
　そして、本件発明８は、上記発明特定事項Ｄを有することにより、明細書記載の作用効果を奏するものである。
　以上のことから、本件発明８は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないから、本件発明８についての特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとすることはできない。
　
（９）本件発明９について
　本件発明９は、「前記受光手段は、前記被検査体の種類に応じて前記被検査体の表面に対して成す角度を移動可能に構成されていること」（以下、「発明特定事項Ｅ」という。）を発明を特定する事項として備えている。上記「（１）本件発明１について」において述べたとおり、甲第１ないし５号証には、いずれも受光手段を移動させることについて記載されておらず、甲第１ないし５号証に記載された発明をいかに組み合わせても、受光手段の被検査体の表面に対して成す角度を前記被検査体の種類に応じて移動可能とすることを当業者が容易に想到し得たものであるとすることはできない。
　そして、本件発明９は、上記発明特定事項Ｅを有することにより、明細書記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明９は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないから、本件発明９についての特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとすることはできない。
　
（１０）本件発明１０について
　本件発明１０は、本件発明１ないし５並びに本件発明８及び９を引用してさらに限定したものであるから、上記「（１）本件発明１について」ないし「（５）本件発明５につて」並びに「（８）本件発明８について」及び「（９）本件発明９について」で述べたのと同様の理由により、本件発明１０は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないから、本件発明１０についての特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとすることはできない。
　
（１１）本件発明１１について
　本件発明１１は、本件発明２及び３を引用してさらに限定したものであるから、上記「（２）本件発明２について」及び「（３）本件発明３について」で述べたのと同様の理由により、本件発明１１は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないから、本件発明１１についての特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとすることはできない。
　
（１２）本件発明１２について
　本件発明１２は、本件発明２及び３並びに本件発明８及び９を引用してさらに限定したものであるから、上記「（２）本件発明２について」及び「（３）本件発明３につて」並びに「（８）本件発明８について」及び「（９）本件発明９について」で述べたのと同様の理由により、本件発明１２は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないから、本件発明１２についての特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとすることはできない。
　
（１３）本件発明１３について
　本件発明１３は、本件発明１ないし３を引用してさらに限定したものであるから、上記「（１）本件発明１について」ないし「（３）本件発明３につて」で述べたのと同様の理由により、本件発明１３は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないから、本件発明１３についての特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとすることはできない。
　
（１４）本件発明１４について
　本件発明１４は、本件発明１ないし５並びに本件発明８及び９を引用してさらに限定したものであるから、上記「（１）本件発明１について」ないし「（５）本件発明５について」並びに「（８）本件発明８について」及び「（９）本件発明９について」で述べたのと同様の理由により、本件発明１４は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないから、本件発明１４についての特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとすることはできない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１ないし１４に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明１ないし１４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年９月１２日（２００５．９．１２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
異物検査装置及び異物検査方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査装置において、光源と、被検査体の種類に応じてこの光源から発せられた光の偏光角を可変させる偏光成分可変手段と、この偏光成分可変手段から出射した光を前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備し、
　前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置。
　【請求項２】光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＰ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物
または傷
前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置。
　【請求項３】光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＳ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物
または傷
前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置。
　【請求項４】被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査装置において、光源と、この光源から発した光をＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する偏光成分分離手段と、この偏光成分分離手段で分離された光のＰ偏光成分とＳ偏光成分とを被検査体表面にスポット状にそれぞれ集光する第１の集光手段及び第２の集光手段と、これら第１の集光手段及び第２の集光手段によって集光された第１のスポット光と第２のスポット光とを前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査された第１のスポット光と第２のスポット光との照射位置から散乱した光をそれぞれ直接受光する第１の受光手段及び第２の受光手段と、これら第１の受光手段及び第２の受光手段による第１の受光強度と第２の受光強度との選択を行う選択手段と、この選択手段により選択された第１の受光強度もしくは第２の受光強度より前記被検査体表面の異物
または傷
　【請求項５】請求項
４
　【請求項６】請求項
４
　【請求項７】被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査方法において、被検査体表面に検査光を照射する投光工程と、この検査光をＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する偏光成分分離工程と、この偏光成分分離工程で分離された光のＰ偏光成分とＳ偏光成分とを前記被検査体表面にスポット状にそれぞれ集光する第１の集光工程及び第２の集光工程と、これら第１の集光工程及び第２の集光工程によって集光された第１のスポット光と第２のスポット光とを前記被検査体表面に相対的に走査する走査工程と、この走査工程によって走査された第１のスポット光と第２のスポット光との照射位置から散乱した光をそれぞれ直接受光する第１の受光工程及び第２の受光工程と、これら第１の受光工程及び第２の受光工程による第１の受光強度と第２の受光強度との選択を行う選択工程と、この選択工程により選択された第１の受光強度もしくは第２の受光強度より前記被検査体表面の異物
または傷
　【請求項８】光源と、この光源から発せられる検査光を被検査体表面に集光する集光手段と、前記検査光の前記被検査体表面における照射位置から散乱した光を受光する受光手段と、この受光手段により得られた受光強度に基づいて前記被検査体表面の異物
または傷
　【請求項９】光源と、この光源から発せられる検査光を被検査体表面に集光する集光手段と、前記検査光の前記被検査体表面における照射位置から散乱した光を受光する受光手段と、この受光手段により得られた受光強度に基づいて前記被検査体表面の異物
または傷
　【請求項１０】前記光源は、アルゴンイオンレーザ発振器を備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項
５
８
９
　【請求項１１】前記光源からの光を前記被検査体表面に対してＰ偏光またはＳ偏光に調節するための１／２波長板を備えていることを特徴とする請求項
２または請求項３
　【請求項１２】前記受光手段は、ファイバプレートと光電子増倍管から構成されていることを特徴とする請求項
２
３
８
９
　【請求項１３】前記走査手段は、前記被検査物を搭載するための載置台と、θテーブルと、Ｘテーブルとを備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項
３
　【請求項１４】前記被検査体は、鏡面をもつ半導体ウエハまたは酸化膜をもつ半導体ウエハまたは金属膜をもつ半導体ウエハであることを特徴とする請求項１乃至請求項
５
８
９
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は異物検査に係り、特に半導体ウエハ上や液晶基板上の微細な異物の検出を行う異物検査装置及び異物検査方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】表面検査に用いられる装置にはレ−ザ光を被検査体の表面に照射し、その散乱光を受光して被検査体の表面の形状測定や異物の検査を行うものがある。これらの検査に用いられる技術としてまずフライングスポット法と呼ばれる方法がある。このフライングスポット法は、例えばレ−ザ光源から出力された平行レ−ザ光をレンズ系で絞った後に光走査手段によりその光ビームを被検査体表面に照射して走査し、この被検査体表面からの反射レ−ザ光または透過光を受光検出系により受光して光電変換する。そして光電変換後の電気信号を処理して検査結果を得るものである。
　【０００３】図１９はフライングスポット法を適用した異物検査装置の構成図である（第１の従来例）。載置台１上には半導体ウエハ２が載置されている。一方、レ−ザ発振器３から出力されたレ−ザ光がコリメートレンズ４により平行光に形成されガルバノミラー５へ送られる。このガルバノミラー５は平行光を走査して集光光学系６を通して半導体ウエハ２の表面に所定範囲の角度で照射する。このとき、集光光学系６は平行光をスポット光に成形する。従って半導体ウエハ２にはレーザスポット光が走査される。
　【０００４】また半導体ウエハ２の上方にはラインセンサ７および各受光素子８・９が配置されている。ラインセンサ７は半導体ウエハ２からの正反射レ−ザ光を受光する位置に配置され、また各受光素子８・９は半導体ウエハ２からの散乱光を受光する位置に配置されている。これらラインセンサ７および各受光素子８・９から出力された電気信号は測定回路１０に送られ、この測定回路１０は各電気信号から半導体ウエハ２の表面の傷や異物の付着などの有無を判断する。
　【０００５】次に他の技術として図２０に示す検査装置がある（第２の従来例）。ＸＹテーブル１１上には半導体ウエハ２が載置されている。そして半導体ウエハ２のわずか上方には容器１２が配置されている。この容器１２は半円球状に形成され、その内面には複数の受光素子１３が設けられている。一方、ＸＹテーブル１１の上方にはレ−ザ発振器３が配置されている。このレ−ザ発振器３より出力されたレ−ザ光は集光光学系１４、ハーフミラー１５および容器１２を通って半導体ウエハ２に照射される。
　【０００６】この場合レ−ザ光は半導体ウエハ２に対して垂直方向に照射される。これにより半導体ウエハ２からの散乱光は各受光素子１３により受光される。また半導体ウエハ２からの正反射光はハーフミラー１５に到達し、このハーフミラー１５で反射して集光光学系１６を通って受光素子１７で受光される。そして、各受光素子１３・１７から出力される電気信号は測定回路１８に送られ、この測定回路１８は各電気信号から半導体ウエハ２の表面の傷や異物の付着などの有無などを判断する。この場合散乱光を受光した受光素子１３の位置により半導体ウエハ２の表面の傷や異物の位置が測定される。
　【０００７】なお、ＸＹテーブル１１はＸＹテーブル制御装置１９により制御駆動されてレ−ザ光が半導体ウエハ２上を走査するものとなっている。更に弊社の先願である特開平３−１２８４４５号公報の開示技術では図２１および図２２に示すようになっている（第３の従来例）。図２１に示すようにＸＹθテーブル２０上に半導体ウエハ２が載置されている。
　【０００８】一方レ−ザ発振器３が備えられ、このレ−ザ発振器３から出力されるレ−ザ光の光軸上にはコリメートレンズ４、反射ミラー２１が順次配置されている。この反射ミラー２１の反射レ−ザ光路上にはガルバノミラー５が配置されている。このガルバノミラー５により走査されたレ−ザ光は集光光学系２２を介して半導体ウエハ２の表面上に照射される。この場合、ガルバノミラー５により走査されたレ−ザ光の走査平面は半導体ウエハ２の表面に対して垂直になっている。
　【０００９】また、この半導体ウエハ２の上方には各ラインセンサ７が配置されている。これらラインセンサ７はレ−ザ光の走査方向に対して平行でかつ図２２のようにレ−ザ光の照射位置に対して角度φ１（５°≦φ１≦４０°）の角度の散乱光を受光する位置に配置されている。これらのラインセンサ７から出力される電気信号は検出部２３に送られている。
　【００１０】この検出部２３は各電気信号を受けてこれらの電気信号から半導体ウエハ２の表面の傷や異物の付着の有無などを判断する機能を有している。ところで、特開昭６４−３５４５号公報の第２頁左上欄第１２行目乃至第２頁右上欄第４行目には、所定の平面内において回転されるパターンつきウエハ表面の所定の部位にＳ（Ｓｅｎｋｒｅｃｈｔ）偏光を照射すると同時に、Ｐ（Ｐａｒａｌｌｅｌ）偏光を照射しつつ走査し、その反射光に含まれる所定の偏光成分の光量を検出してパターンに付着した異物を検出する技術が開示されている（第５の従来例）。この公開特許公報には、この異物検査装置の図は示されていないが、開示内容から考えると図２３に示すような装置になると考えられる。
　【００１１】加えて、特開昭６４−３５４５号公報や、特開平５−１８８８９号公報に開示されているような、複数の光検出器を備え、各々で検出された光強度の比を求めて異物を検査するという、検査装置もある（第６の従来例）。これらの装置は第５の従来例の欠点を解消するものされている。
　【００１２】更には、特開昭６１−１８０１２８号公報や、特開平２−２８４０４７号公報には板状物に偏光を照射し、その結果生じた反射光や散乱光を偏光手段により偏光にした後検出して、これらの結果から異物を検査するという検査装置も示されている（第７の従来例）。
　【００１３】
　【発明が解決しようとする課題】上記したような構成の従来の異物検査装置では、以下に述べるような問題点が発生してくる。まず、近年の開発需要では、より記憶容量の高い半導体や磁性体が求められており、これらの開発製品では非常に細かい傷や異物、例えば０．１μｍ程度の大きさのものでさえ、製品の品質に支障を来たしてしまう。
　【００１４】それに対して、上記の第１の従来例および第２の従来例では、鏡面や酸化膜をもつ半導体ウエハ上では０．３μｍ以上の大きさの傷や異物を検出することしかできない。そして金属膜などの表面被膜をもつ半導体ウエハ上では０．５μｍ以上の大きさの傷や異物を検出することしかできない。
　【００１５】即ち上記の第１の従来例および第２の従来例では受光素子８・９・１３に入射するごく一部の正反射光と０．１μｍ程度の大きさの傷や異物との区別が不可能であるので、０．１μｍ程度の大きさの傷や異物をもノイズとして検出してしまう。
　【００１６】また第３の従来例については鏡面や酸化膜をもつ半導体ウエハ上では０．１μｍ程度の大きさの傷や異物を検出できるようになったがランダム偏光を光源に用いているために０．１μｍ程度の大きさの傷や異物の散乱光だけではなく半導体ウエハ２本体の散乱光をも受光素子８・９・１３で検出してしまうため０．１μｍ以下の大きさの傷や異物の検出が困難であるという欠点がある。そして金属膜などの表面被膜をもつ半導体ウエハ上では、同様にして０．２μｍ以下の大きさの傷や異物の検出が困難であるという欠点がある。
　【００１７】しかし、現在開発中の６４Ｍ　ＤＲＡＭ以降の世代の半導体の製造工程では鏡面や酸化膜をもつ半導体ウエハ上では略０．１μｍ以下の大きさの傷や異物の検出が必要であり、更に金属膜などの表面被膜をもつ半導体ウエハ上では、略０．２μｍ以下の大きさの傷や異物の検出が必要となっていた。故に、従来の異物検査装置に比べて半導体ウエハ上の傷や異物の検出感度の向上が望まれていた。
　【００１８】また第５の従来例乃至第７の従来例について言及すると、まず第５の従来例については、表面にパターンが単層状に形成されているウエハのみに限定して検出できるものであるので多層状のパターンには対応できず、また反射光に含まれている所定の偏光成分を抽出する工程を経なければならなかった。
　【００１９】第６の従来例については、検出器を必ず複数設置しなければならないのに加えてＰ偏光とＳ偏光との検出強度の比をとるという処理が必要であったので装置の構成及び信号処理の方法が複雑なものとなっていた。
　【００２０】第７の従来例については、反射光や散乱光を偏光手段により偏光にした後それぞれの偏光成分について異物を検出しなければならなかったので装置の構成が複雑及び信号処理の方法が複雑なものとなっていた。
　【００２１】更には、従来の方法では図２４に示すように、特定の範囲の粒径の異物（ここでは略０．１μｍ乃至略０．２μｍ）に対しては線形特性の良い検出強度曲線が得られるが、それより大きな粒径の異物に対してはこの検出強度曲線の線形特性が悪くなり、散乱光強度から正確な異物の大きさを特定することが困難となっていた。
　【００２２】
　【課題を解決するための手段】本発明は、上記したような技術的課題を解決するためになされたものであり、
被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査装置において、光源と、被検査体の種類に応じてこの光源から発せられた光の偏光角を可変させる偏光成分可変手段と、この偏光成分可変手段から出射した光を前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備し、前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置や、光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＰ偏光に調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備する異物検査装置において、前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置など
　【００２３】そして、本発明は、
光源と、この光源からの光を前記被検査体表面に対してＳ偏光に　調節して前記被検査体表面にスポット状に集光する集光手段と、この集光手段によって集光されたスポット光を前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査されたスポット光の照射位置から散乱した光を直接受光する受光手段と、この受光手段による受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備する異物検査装置において、前記走査手段によって走査されたスポット光の照射位置を基準にして前記被検査体表面に対して所定の角度に散乱した光を、前記受光手段の移動手段によって移動された前記受光手段が受光することを特徴とする異物検査装置や、被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査装置において、光源と、この光源から発した光をＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する偏光成分分離手段と、この偏光成分分離手段で分離された光のＰ偏光成分とＳ偏光成分とを被検査体表面にスポット状にそれぞれ集光する第１の集光手段及び第２の集光手段と、これら第１の集光手段及び第２の集光手段によって集光された第１のスポット光と第２のスポット光とを前記被検査体表面に相対的に走査する走査手段と、この走査手段によって走査された第１のスポット光と第２のスポット光との照射位置から散乱した光をそれぞれ直接受光する第１の受光手段及び第２の受光手段と、これら第１の受光手段及び第２の受光手段による第１の受光強度と第２の受光強度との選択を行う選択手段と、この選択手段により選択された第１の受光強度もしくは第２の受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出手段とを具備したことを特徴とする異物検査装置など
　【００２４】また、本発明は、
被検査体表面の微細な異物を検査する異物検査方法において、被検査体表面に検査光を照射する投光工程と、この検査光をＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する偏光成分分離工程と、この偏光成分分離工程で分離された光のＰ偏光成分とＳ偏光成分とを前記被検査体表面にスポット状にそれぞれ集光する第１の集光工程及び第２の集光工程と、これら第１の集光工程及び第２の集光工程によって集光された第１のスポット光と第２のスポット光とを前記被検査体表面に相対的に走査する走査工程と、この走査工程によって走査された第１のスポット光と第２のスポット光との照射位置から散乱した光をそれぞれ直接受光する第１の受光工程及び第２の受光工程と、これら第１の受光工程及び第２の受光工程による第１の受光強度と第２の受光強度との選択を行う選択工程と、この選択工程により選択された第１の受光強度もしくは第２の受光強度より前記被検査体表面の異物または傷の検出を行う検出工程とを具備したことを特徴とする異物検査方法
　【００２５】更に、本発明は光源と、この光源から発せられる検査光を被検査体表面に集光する集光手段と、前記検査光の前記被検査体表面における照射位置から散乱した光を受光する受光手段と、この受光手段により得られた受光強度に基づいて前記被検査体表面の異物
または傷
または傷
　【００２６】
　【作用】本発明の異物検査装置及び異物検査方法は上記した従来例のうち第３の従来例の光源にＰ偏光やＳ偏光を用いる簡易な構成や信号処理方法により傷や異物の検出感度を高めることを達成し、鏡面や酸化膜をもつ半導体ウエハ上の０．１μｍ以下の傷や異物や、金属膜などの表面被膜をもつ半導体ウエハ上の０．２μｍ以下の大きさの傷や異物を検出できる様にしている。
　【００２７】また、Ｐ偏光とＳ偏光との切り換えをして、鏡面や酸化膜をもつ半導体ウエハウエハ上の０．１μｍ以下の大きさの傷や異物の検出はＰ偏光を用いて行い、傷や異物の検出感度を高めている。金属膜の表面被膜をもつ半導体ウエハ上の０．２μｍ以下の大きさの傷や異物の検出はＳ偏光を用いて行い、傷や異物の検出感度を高めている。そして、異物の粒径の範囲によりＰ偏光による検出データとＳ偏光による検出データとを選択して採用することにより傷や異物の検出感度を高めている。
　【００２８】
　【実施例】本発明の第１の実施例を図１に示すとともに、以下に本実施例の構成を詳解する。被検査体の半導体ウエハ２は、θテーブル２４とＸテーブル２５とを組み合わせた載置台２６の上に載置されている。また光照射系は直線偏光を出力するＡｒ＋レ−ザ発振器２７（波長：４８８ｎｍ）、１／２波長板２８、反射ミラー２９、集光レンズ３０から構成されている。レ−ザ発振器２７から出力した直線偏光の光束は１／２波長板２８を通過し反射ミラー２９で反射した後、集光レンズ３０により半導体ウエハ２上に小さなレ−ザスポット３１となるように集光される。１／２波長板２８は光軸を中心に回転することによりレ−ザ発振器２７で発振したレ−ザ光の偏光方向も回転させる働きがあることを利用して前記レ−ザ光を半導体ウエハ２に対して、Ｐ（Ｐａｒａｌｌｅｌ）偏光に調節する。なお使用する偏光角が決まっている場合（ここではＰ偏光）には予め１／２波長板２８を、光軸を中心に回転させずに所定角に固定して設けても良い。
　【００２９】光受光系はファイバプレート３２と光電子増倍管３３とを組み合わせて構成されている。光受光系は図２に示すようにレ−ザ照射位置に対して角度φ２（ここでφ２は略２５°）の位置に配置されている。また、光受光系は異物による側方散乱を測定している。
　【００３０】光受光系に受光された散乱光は光電子増倍管３３で電気信号に変換される。光電子増倍管３３から出力されている電気信号は増幅部３４により増幅された後、検出部３５で演算し、異物や傷の有無やその位置を検出する。半導体ウエハ２はθテーブル２４により回転しながらＸテーブル２５により半導体ウエハ２の直径方向に直線運動する。その結果レ−ザスポット３１は、図示しない制御装置により載置台２６を制御すると、螺旋状に半導体ウエハ２の全面を走査することとなる。
　【００３１】レ−ザスポット３１が半導体ウエハ２の表面を走査する際、異物や傷がスポット内にある場合は強い散乱光が前記光受光系に検出されるが、異物や傷がスポット内にない場合にも半導体ウエハ２本体の弱い散乱光（ノイズ）が前記光受光系に検出される。ここで前記の強い散乱光により信号成分（Ｓ成分）が検出され、前記の弱い散乱光により雑音成分（Ｎ成分）が検出される。
　【００３２】ところで異物や傷による散乱光分布は照射光の偏光方向で異なる。図２に示すレ−ザ照射位置に対する角度φ２を変化させた時の異物や傷による散乱光の強度分布の様子を図３に示す。Ｐ偏光の場合には半導体ウエハ２の表面に近接した領域、即ち角度φ２の小さな領域に散乱光の強度分布の極大値が存在する。それに対してＳ（Ｓｅｎｋｒｅｃｈｔ）偏光の場合には半導体ウエハ２の表面から隔離した領域、即ち角度φ２の大さな領域に散乱光の強度分布の極大値が存在する。その位置が半導体ウエハ２上で異物や傷の存在する場所であると検出される。
　【００３３】また半導体ウエハ２本体の散乱光は図３に示すようにＰ偏光、Ｓ偏光、ランダム偏光ともに半導体ウエハ２の表面から隔離した領域、即ち角度φ２の大さな領域ほど散乱光の強度が大きくなる。なお光強度の単位は相対的強度を使用するので図３では特に明記しないことにする。図３の結果より前記の強い散乱光による信号成分（Ｓ成分）と、前記の弱い散乱光による雑音成分（Ｎ成分）との強度比、つまり異物や傷の検出信号のＳ／Ｎを求めると、図４のようになる。
　【００３４】本発明と近い構成の第３の従来例においては、照射光の偏光方向は考慮せず、ランダム偏光を照射していた。ここでランダム偏光の偏光方向は統計的にＰ偏光とＳ偏光との偏光方向の略中間即ち略４５°方向と考えられる。その結果異物や傷による散乱光の強度分布は、図３に示すようにＰ偏光とＳ偏光とのそれぞれの強度分布の平均となりＰ偏光、Ｓ偏光それぞれ単独の場合に比べて急激な変化はしない。要するに散乱光の強度分布の極大部分が突出しないため異物や傷の検出信号のＳ／Ｎを高くすることができずそのため検出感度の向上を図ることもできなかった。
　【００３５】図３および図４に示される結果より半導体ウエハ２本体の弱い散乱光が半導体ウエハ２の表面から隔離した領域、即ち角度φ２の大さな領域ほど散乱光の強度が大きくなる性質があるためにランダム偏光やＳ偏光を半導体ウエハ２の表面に照射してもそれぞれ散乱光の強度分布の極大部分が半導体ウエハ２の表面から隔離した領域、即ち角度φ２の大さな領域に存在するために異物や傷の検出信号のＳ／Ｎを高くすることができないことが分かる。
　【００３６】それに対してＰ偏光を半導体ウエハ２の表面に照射して半導体ウエハ２の表面に近接した領域、即ち角度φ２の小さな領域の散乱光を受光して異物や傷のより高い検出信号のＳ／Ｎを得ることができるのが分かる。故にこの様な異物検出装置の構成とすると、検出感度を高めて従来より小さい０．１μｍ以下の傷や異物を検出することが可能となる。なお、本実施例における被検査体の半導体ウエハ２は、鏡面をもっていたり、酸化膜などの表面被膜をもつものが望ましい。
　【００３７】また、本発明はこの第１の実施例に限定されるものではなく種々の変形が可能である。第２の実施例としては、レ−ザスポット３１の走査を第１の実施例のようにθテーブル２４で半導体ウエハ２を回転させながらＸテーブル２５で半導体ウエハ２を移動させることで螺旋状に行っていたが、ＸＹテーブルを用いて半導体ウエハ２をＸＹ方向に走査することが考えられる。
　【００３８】また第３の実施例としては、第１の実施例では光受光系はファイバプレート３２を用いて散乱光の集光を行っているが、ファイバプレート３２ではなくてレンズを用いた光学系（図示せず）を設計して散乱光の集光を行うことも考えられる。
　【００３９】次に本発明の第４の実施例を図５に示すとともに、以下に本実施例の構成を詳解する。本実施例はレーザ照射系３６と、制御系３７と、走査系３８と、検出系３９と、信号処理系４０とによって構成されている。
　【００４０】レーザ照射系３６は、直線偏光を出力するＡｒ＋レーザ発振器４１と、ビームエキスパンダ４２で拡大され、１／２波長板４３を通過し、反射ミラー４４と集光レンズ４５とによって半導体ウエハ４６の表面上に小さなスポットの照射面（以下、レーザスポットと記す）４７を形成するように集光される。
　【００４１】この際、１／２波長板４３は制御回路４８からの制御信号（第１の信号）により図示しないモータによって回転される。そして、この１／２波長板４３の動きによって１／２波長板４３を透過するレーザ光の偏光方向を自由に変えることができる。
　【００４２】制御系３７はコンピュータ４９と、インタフェース回路５０と、制御回路４８とによって構成されている。この制御系３７は、１／２波長板４３を透過するレーザ光の偏光方向を変える信号（第１の信号）と、検出系３９において、検出器５３と検出器５４とを選択する信号（第２の信号）と、走査系３８の運動を制御する信号（第３の信号）とを出力する。
　【００４３】走査系３８は、半導体ウエハ４６を搭載している載置台５１と、θテーブル５２と、Ｘテーブル５３とによって構成されている。レーザスポット４７は固定されているので、θテーブル５２とＸテーブル５３との動作によって半導体ウエハ４６の全面が走査されることとなる。
　【００４４】具体的には、制御系３７からの制御信号（第３の信号）によりθテーブル５２は所定の速度で回転運動をし、Ｘテーブル５３は所定のピッチで直線運動をする。これらの組み合わせにより、レーザスポット４７が螺旋状に半導体ウエハ４６の全面を走査するのである。
　【００４５】検出系３９（第１の実施例における光受光系）は、検出器５４と、検出器５５とによって構成されている。そして、検出器５４はファイバプレート５６と、光電子増倍管５７とによって構成され、検出器５５はファイバプレート５８と、光電子増倍管５９とによって構成されている。なお、ファイバプレート５６・５８と、光電子増倍管５７・５９との動作は第１の実施例と同様である。
　【００４６】そして図６に示すようにレーザスポット４７の照射位置を中心として、検出器５４は、半導体ウエハ４６の表面に対してφ３が略３５°、レーザ入射面に対してθ１が略９０°の位置に配置される。ここでレーザ入射面とは、レーザ入射光と、レーザ反射光とによって形成される面に対して垂直な面のことを指す。また検出器５５は、半導体ウエハ４６の表面に対してφ４が略８０°、レーザ入射面に対してθ２が略１３５°の位置に配置される。
　【００４７】次に半導体ウエハ４６が鏡面をもつ種類か、酸化膜の表面被膜をもつ種類か、金属膜の表面被膜をもつ種類かによって、制御系３７が検出系３９における検出器５４と検出器５５とを選択する信号（第２の信号）を出力して検出器５４と、検出器５５との一方を動作させる。ここで半導体ウエハ４６の種類は本発明の異物検査装置において自動的に識別されるかもしくは、予め測定者が入力しておくものとする。
　【００４８】信号処理系４０はハードウエア部と、ソフトウエア部とによって構成されている。ハードウエア部は検出された半導体ウエハ４６からの散乱光による信号を、この信号のインタフェース回路５０における分解能を上げるために増幅する増幅回路６０と、この信号をＡ／Ｄ変換してその結果をコンピュータ４９に取り込むためのインタフェース回路５０と、コンピュータ４９とによって構成されている。ソフトウエア部はコンピュータ４９に取り込んだ前記の散乱光による信号（ディジタル値）を演算処理し、異物の有無と、異物の位置と、異物の大きさとを判別するデータ処理プログラムにより構成されている。
　【００４９】本実施例の作用は次のとおりである。まず、被検査体である半導体ウエハ４６の種類（鏡面をもつ半導体ウエハ、酸化膜をもつ半導体ウエハ、金属膜を持つ半導体ウエハ）をコンピュータ４９に登録する。そして制御系３７はレーザ照射系３６と、走査系３８と、検出系３９とに対して適切な制御信号を送る。図７にその具体的な選択処理の制御の流れを示すが、以下に詳解する。
　【００５０】まず、レーザ照射系３６に対しての制御信号（第１の信号）について説明する。被検査体である半導体ウエハ４６の種類が、鏡面をもつ半導体ウエハもしくは酸化膜をもつ半導体ウエハと登録されるとＰ偏光を選択する第１の信号が制御系３７により出力される。そしてこの第１の信号に従って図示しないモータが回転して、１／２波長板４３は光軸を中心に所定の角度まで回転する。この回転によって半導体ウエハ４６上のレーザスポット４７での偏光状態がＰ偏光となる。
　【００５１】一方、被検査体である半導体ウエハ４６の種類が、金属膜をもつ半導体ウエハと登録されると、Ｓ偏光を選択する第１の信号が制御系３７により出力される。そしてこの第１の信号に従って図示しないモータが回転して、１／２波長板４３は光軸を中心に所定の角度まで回転する。この回転によって半導体ウエハ４６上のレーザスポット４７での偏光状態がＳ偏光となる。
　【００５２】次に、検出系３７に対しての制御信号（第２の信号）について説明する。被検査体である半導体ウエハ４６の種類が、鏡面をもつ半導体ウエハもしくは酸化膜をもつ半導体ウエハと登録されると検出器５４を動作させる第２の制御信号が制御系３７により出力される。
　【００５３】一方、被検査体である半導体ウエハ４６の種類が、金属膜をもつ半導体ウエハと登録されると、検出器５５を動作させる第２の制御信号が制御系３７により出力される。このように半導体ウエハ４６の種類別に散乱光による信号を検出する検出器５４・５５が自動的に切り替えられる。
　【００５４】偏光状態と、検出器の選択が完了すると、半導体ウエハ４６に対するレーザ光の走査と異物の検査とをする。制御系３７からの第３の制御信号によりθテーブル５２は所定の速度で回転運動を始める。また、θテーブル５２が回転し始めるとＸテーブル５３は所定のピッチで直線運動を始める。この組み合わせにより、レーザスポット４７は螺旋状に半導体ウエハ４６の表面を走査する。
　【００５５】この際レーザスポット４７の照射面に異物が存在すると、この異物によってレーザ光が強く散乱される。選択された検出器５４もしくは検出器５５は、この散乱光を検出する。そして、この散乱光による信号はそれぞれ光電子増倍管５７もしくは光電子増倍管５９で光電変換され、さらに増幅回路６０で検出信号が増幅され、インタフェース回路５０を経由してコンピュータ４９に取り込まれる。
　【００５６】そして、データ処理プログラムで処理をされ散乱光による信号の強さから異物の大きさを推定し、θテーブル５２とＸテーブル５３との走査位置から異物の存在位置を逆算する。このような走査の繰り返しにより半導体ウエハ４６の全面を走査しながら散乱光の検出をして半導体ウエハ４６の表面に付着する異物の個数とこれらの位置や大きさなどの情報が得られることとなる。
　【００５７】最後に、上述した本実施例の作用により、鏡面をもつ半導体ウエハもしくは酸化膜をもつ半導体ウエハにおいての０．１μｍ以下の異物の検出や、金属膜をもつ半導体ウエハにおいての０．２μｍ以下の異物の検出が可能であることを具体的なデータをもって説明する。
　【００５８】まず最初に、Ｓ／Ｎを用いて異物の検出の可否を判断する基準について説明する。レーザスポット４７が半導体ウエハ４６の表面を走査する際に異物がレーザスポット４７の照射面に入っている場合には、この異物からの散乱光による信号が検出される。これを信号成分（Ｓ）とする。また、レーザスポット４７が半導体ウエハ４６の表面を走査する際に異物がレーザスポット４７の照射面に入っていない場合には、半導体ウエハ４６の表面粗さからの散乱光による信号が検出される。これを雑音成分（Ｎ）とする。
　【００５９】このように検出された信号成分（Ｓ）と雑音成分（Ｎ）との比、即ちＳ／Ｎは本発明の異物検査装置の検出感度を決定する最も重要なパラメータであり、一般的にはＪＩＳ規格（ＪＩＳ　Ｂ　９９２４）のパルス実用可測粒径に規定されているＳ／Ｎ≧３という条件が成立することが、異物の検出が可能であるという判断の基準となるのである。
　【００６０】故に、半導体ウエハ４６上の異物を検査する際には、信号成分（Ｓ）が大きく、雑音成分（Ｎ）が小さくなるように測定を行うことが望ましい。しかし異物からの散乱光による信号成分（Ｓ）と半導体ウエハ４６の表面粗さからの散乱光による雑音成分（Ｎ）との空間分布は、半導体ウエハ４６表面の材質や半導体ウエハ４６上のレーザスポット４７での偏光状態によって大きく異なるために、この二点を考慮しなければ信号成分（Ｓ）が大きく、雑音成分（Ｎ）が小さくなるように測定を行うことは難しい。
　【００６１】ここで測定値を示す。図８（ａ）は鏡面をもつ半導体ウエハ（鏡面ウエハ）にＰ偏光を照射したときのＳ／Ｎと、検出系３７が半導体ウエハ４６表面に対して成す角度φ３との関係を示すグラフである。半導体ウエハ４６表面には直径０．１μｍ以下の異物が付着しているとする。また図８（ｂ）はＳ偏光を照射したときのＳ／Ｎと、検出系３７が半導体ウエハ４６表面に対して成す角度φ４との関係を示すグラフである。ここではそれぞれ前記レーザ入射面に対してθは略４５°（後方散乱）、θは略９０°（側方散乱）、θは略１３５°（前方散乱）としたときの様子を示している。これらのグラフは半導体ウエハ４６上の異物からの散乱光による信号成分（Ｓ）と半導体ウエハ４６の表面粗さからの散乱光による雑音成分（Ｎ）との空間分布状態を示したものとなっている。
　【００６２】これらの測定値により半導体ウエハ４６が鏡面をもつ場合において、半導体ウエハ４６上の異物を測定する際のＳ／Ｎが３以上の空間分布領域が分かり、この領域内のＳ／Ｎのピークを示す位置に検出系３７を配置すれば半導体ウエハ４６が鏡面をもつ場合にも０．１μｍ以下の異物の検出を最適な検出感度で行うことができる。
　【００６３】図８（ａ）・図８（ｂ）の測定値から、半導体ウエハ４６が鏡面をもつ場合においては、Ｐ偏光を照射し検出器（即ち検出器５４）を半導体ウエハ４６の表面に対してφ３を略３５°の位置に配置し、前記レーザ入射面に対してθを略９０°（θ１となる）の位置に配置すれば最良の感度で異物検出ができることが分かる。
　【００６４】他の条件の半導体ウエハ４６についても上述した測定と同じ測定をする。ここで各々の半導体ウエハ４６表面には直径０．２μｍ以下の異物が付着しているとする。半導体ウエハ４６が酸化膜をもつ場合（酸化膜付ウエハ）の測定結果を図９（ａ）・図９（ｂ）に示し、また半導体ウエハ４６が金属膜をもつ場合（金属膜付ウエハ）の測定結果を図１０（ａ）・図１０（ｂ）に示す。これらのグラフも半導体ウエハ４６上の異物からの散乱光による信号成分（Ｓ）と半導体ウエハ４６の表面粗さからの散乱光による雑音成分（Ｎ）との空間分布状態を示したものとなっている。そしてこれらの結果についても半導体ウエハ４６が鏡面をもつ場合と同様の解析をする。
　【００６５】その結果半導体ウエハ４６が酸化膜をもつ場合においては、Ｐ偏光を照射し検出器（即ち検出器５４）を半導体ウエハ４６の表面に対してφ３を略３５°の位置に配置し、前記レーザ入射面に対してθは略９０°（θ１となる）の位置に配置すれば最良の感度で異物検出ができることが分かる。
　【００６６】また、半導体ウエハ４６が金属膜をもつ場合においては、Ｓ偏光を照射し検出器（即ち検出器５５）を半導体ウエハ４６の表面に対してφ４を略８０°の位置に配置し、前記レーザ入射面に対してθは略１３５°（θ２となる）の位置に配置すれば最良の感度で異物検出ができることが分かる。
　【００６７】以上の測定結果から、鏡面をもつ半導体ウエハもしくは酸化膜をもつ半導体ウエハを測定する場合にはＰ偏光を照射し検出器５４を用いて検出を行い、金属膜をもつ半導体ウエハを測定する場合にはＳ偏光を照射し検出器５５を用いて検出を行うと良いことが明確であるので、上述した構成により半導体ウエハ４６の種類によって自動的に偏光状態と検出器５４・５５とを選択する様にして半導体ウエハ４６の種類によらず最良の感度で異物検出ができるようにした。
　【００６８】ここで、以上に詳解してきた第４の実施例の変形例としてレーザスポット４７の走査を第４の実施例のように、θテーブル５２で半導体ウエハ４６を回転させながらＸテーブル５３で半導体ウエハ４６を移動させることで螺旋状に行っていたがＸＹテーブルを用いて半導体ウエハ４６をＸＹ方向に走査することも考えられる（第５の実施例）。
　【００６９】さらに、第４の実施例において検出系３９はファイバプレート５６・５８を用いて散乱光の集光を行っているが、ファイバプレート５６・５８ではなくてレンズを用いた光学系（図示せず）を用いて散乱光の集光を行うことも考えられる（第６の実施例）。
　【００７０】ここまでを、まとめると下記の［表１］のようになる。
　【００７１】
　【表１】
　【００７２】ところで、第４の実施例、第５の実施例、第６の実施例においては、検出系３９は二個の検出器５４・５５を用いずに一個の検出器を図示しない移動手段によって、測定対象である半導体ウエハの種類に応じてφ方向やθ方向などの位置を移動させて使用しても差支えない。そして、半導体ウエハ４６の種類に対応してφとθとを適切な角度に設定した複数個の検出器を用いても良いし、図示しない移動手段によって、複数個の検出器について、測定対象である半導体ウエハの種類に応じてφとθとが可変であるようにしても良い。即ち、φとθとは上記の数値に限定されるものではない。なぜならば上記の実施例では鏡面をもつ半導体ウエハもしくは酸化膜をもつ半導体ウエハを測定する場合には側方散乱光を用い、金属膜をもつ半導体ウエハ測定する場合には前方散乱光を用いているが、他の種類の半導体ウエハに対する測定には測定用の散乱光の種類（前方散乱光、側方散乱光、後方散乱光）を変える場面も考えられるからである。
　【００７３】更にφやθだけでなく、偏光はＰ偏光とＳ偏光とに限定されることはない。他の種類の半導体ウエハに対する測定には偏光の偏光角を変えることも考えられる。要するに本発明の異物検出装置によれば半導体ウエハが、鏡面をもつ半導体ウエハもしくは酸化膜をもつ場合や金属膜をもつ場合に限らず、様々な種類の半導体ウエハの測定ができるのである。
　【００７４】さて次に、半導体ウエハに対する照射光の入射角について本発明の第７の実施例を例にして述べる。まず、本発明の第７の実施例の概略構成図を図１１に示すとともに、以下に本実施例の構成を詳解する。本実施例はレーザ照射系６１と、走査系６２と、検出系６３と、信号処理系６４とによって構成されている。
　【００７５】レーザ照射系６１は直線偏光を出力するレーザ発振器６５と、ビームエキスパンダ６６と、偏光ビームスプリッタ（Ｐｏｌａｒｉｚｉｎｇ　Ｂｅａｍ　Ｓｐｌｉｔｔｅｒ：以下では、ＰＢＳと記す）６７と、反射ミラー６８と、集光レンズ６９とによって構成されている。
　【００７６】ここでレーザ発振器６５から出射した光束はビームエキスパンダ６６で拡大され、ＰＢＳ６７でＰ偏光とＳ偏光とに分離される。Ｐ偏光とＳ偏光との双方は反射ミラー６８…と集光レンズ６９・６９とによって半導体ウエハ７０の表面上にレーザスポット７１・７２としてそれぞれ集光される。
　【００７７】図１２及び図１３に示すとおり、Ｐ偏光の光束とＳ偏光光束との双方は共に半導体ウエハ７０の表面に対して角度φ５が略５°乃至略２０°の角度で入射されるようにレーザ照射系６１を設定する。この際Ｐ偏光の光束とＳ偏光光束との双方は、検出時に影響を及ぼさないために、シャッタ７３によってお互いに遮断されている。
　【００７８】走査系６２は半導体ウエハ７０を載置している載置台７４と、θテーブル７５と、Ｘテーブル７６とによって構成されている。Ｐ偏光の光束とＳ偏光光束とによる双方のレーザスポット７１・７２は固定されているのでθテーブル７５とＸテーブル７６との動作によって半導体ウエハ７０の全面が走査されることとなる。つまりθテーブル７５が所定の速度で回転し、更にＸテーブル７６が所定のピッチで直線運動することによって半導体ウエハ７０の全面が螺旋状に走査されるのである。なお、シャッタ７３は半導体ウエハ７０の走査の際にも検出器７７と検出器７８との間に位置するものとなっている。
　【００７９】検出系６３は検出器（第１の検出器）７７と検出器（第２の検出器）７８とから構成される。各検出器７７・７８はファイバプレート７９・８０によって半導体ウエハ７４から発生する散乱光を集光し、光電子増倍管８１・８２によってこの散乱光を検出する。なお、ここでは検出器７７はレーザスポット７１からの散乱光を検出するように配置されており、検出器７８はレーザスポット７２からの散乱光を検出するように配置されている。
　【００８０】図１２に示すとおり検出器７７は、Ｐ偏光の光束によるレーザスポット７１を中心に半導体ウエハ７０の表面に対してφ６が略１０°乃至略５０°の角度で配置され、Ｐ偏光の光束によるレーザ入射面に対してはθ３が略７０°乃至略１１０°の角度で配置されている。
　【００８１】一方、図１３に示すとおりＳ偏光の光束によるレーザスポット７２を中心に半導体ウエハ７０の表面に対してφ７が略１０°乃至略２０°の角度で配置され、Ｓ偏光の光束によるレーザ入射面に対してはθ４が略１１５°乃至略１５５°の角度で配置されている。
　【００８２】信号処理系６４はハードウエア部とソフトウエア部とによって構成されている。ハードウエア部は検出された半導体ウエハ７０からの散乱光による信号を、この信号のインタフェース回路８４における分解能を上げるために増幅する増幅回路８３と、この信号をＡ／Ｄ変換してその結果をコンピュータ８５に取り込むためのインタフェース回路８４と、コンピュータ８５とによって構成されている。ソフトウエア部はコンピュータ８５に取り込んだ前記の散乱光による信号（ディジタル値）を演算処理し、異物の有無と、異物の位置と、異物の大きさとを判別するデータ処理プログラムにより構成されている。なお、このコンピュータ８５は図示しない制御手段によって走査系６２の制御も行っている。
　【００８３】本実施例の作用は次のとおりである。まず、レーザ発振器６５から出射したレーザ光はＰＢＳ６７によりＰ偏光の光束とＳ偏光の光束とに分けられ、反射ミラー６８…と集光レンズ６９・６９とによって被検査体である半導体ウエハ７０表面に対して角度φ５が略５°乃至略２０°の角度で入射され、レーザスポット７１・７２を形成する。
　【００８４】ここでφ５が略５°乃至略２０°の角度となる理由は、異物の存在しない半導体ウエハ７０の表面からも、半導体ウエハ７０の表面に生じている微小な粗さ（表面粗さ）によって散乱光が生じてしまうためである。これが雑音成分（ノイズ）として検出される。この雑音成分を少なく押さえてＳ／Ｎを向上させるには、レーザ光の入射角φ５が大きい（半導体ウエハ７０の表面に対して６０°乃至８０°くらい）よりもレーザ光の入射角φ５が小さい（半導体ウエハ７０の表面に対して５°乃至２０°くらい）のほうが良くなるためである。模式図を図１４に示す。
　【００８５】一方、半導体ウエハ７０は載置台７４の上に載置されており、θテーブル７５が所定の速度で回転し、更にＸテーブル７６が所定のピッチで直線運動することによって半導体ウエハ７０の全面をレーザスポット７１・７２が半導体ウエハ７０の表面を螺旋状に走査される。
　【００８６】この際レーザスポット７１・７２の照射面に異物が存在すると、この異物によってレーザ光が強く散乱される。検出器７７によりＰ偏光の光束によるレーザスポット７１内で発生した散乱光は検出され、検出器７８によりＳ偏光の光束によるレーザスポット７２内で発生した散乱光は検出される。
　【００８７】このようにして検出された散乱光による信号は、それぞれ光電子増倍管８１・８２で光電変換され、さらに増幅回路８３で検出信号が増幅され、インタフェース回路８４を経由してコンピュータ８５に取り込まれる。
　【００８８】そして、データ処理プログラムで処理をされ散乱光による信号の強さから異物の大きさを推定し、θテーブル７５とＸテーブル７６との走査位置から異物の存在位置を逆算する。このような走査の繰り返しにより半導体ウエハ７０の全面を走査しながら散乱光の検出をして半導体ウエハ７０の表面に付着する異物の個数とこれらの位置や大きさなどの情報が得られることとなる。
　【００８９】このとき、半導体ウエハ７０の表面に形成された金属膜の厚さが、略４００ｎｍのときには、半導体ウエハ７０の表面に付着する異物の直径が略０．２μｍ未満の異物は検出器７７からの信号によって特定される。また、この場合の直径が略０．２μｍ以上の異物は検出器７８からの信号によって特定される。
　【００９０】加えて、半導体ウエハ７０の表面が鏡面であったり、半導体ウエハ７０の表面に酸化膜が形成されている場合には半導体ウエハ７０の表面に付着する異物の直径が略０．１μｍ未満の異物は検出器７７からの信号によって特定される。また、この場合の直径が略０．１μｍ以上の異物は検出器７８からの信号によって特定される。金属膜の方が表面粗さが大きいので雑音成分も大きくＳ／Ｎが低くなる。よって検出可能異物の直径も大きくなってしまう。
　【００９１】ここで、半導体ウエハ７０の表面に付着する異物の大きさによって異なる偏光角のレーザ光を用いる理由を図１５及び図１６を用いて説明する。図１５は被検査物表面にレーザを入射させる時の被検査物の表面上の空間における光の干渉現象を示している。入射光は被検査物表面で反射されるが、このとき入射光と反射光とは干渉し、図１６に示す干渉領域内（網かけ部）では、干渉波（干渉光）は定在波となっており、この定在波領域内に異物が存在すると、この異物によって定在波の光は散乱される。散乱光強度は定在波の光強度に比例するので、定在波の光強度の大きい方が散乱光を検出しやすい。
　【００９２】しかし、定在波の光強度（定在波強度）は、被検査物表面からの高さ（Ｚ方向の距離）によって図１５に示すように周期的に変化する。この光強度の変化を拡大して図１５に表面が鏡面を持つ半導体ウエハ（Ｓｉウエハ）にＡｒ＋レーザ（波長：４８８ｎｍ）を照射した場合を例にして示す。この図１６から、被検査物表面から略０．２μｍまでの高さの領域では、Ｐ偏光の入射による定在波強度が強く、略０．２μｍより大きい高さの領域では、Ｓ偏光の入射による定在波強度が強いことが分かる。
　【００９３】この結果から、鏡面を持つＳｉウエハにおいては、このウエハの表面に付着する異物の直径が略０．２μｍ未満の異物はＰ偏光による散乱光の信号によって特定される。また、この場合の直径が略０．２μｍ以上の異物はＳ偏光による散乱光の信号によって特定される。この検出信号の選択はコンピュータ８５において行う。
　【００９４】なお、Ｓｉウエハの表面に金属膜が形成されていたり、Ｓｉウエハの表面に酸化膜が形成されている場合にも、このウエハの表面に付着する異物の直径の閾値が異なるだけであり、異物の直径がこの閾値を越えるか越えないかによって、参照データをＰ偏光に基づくものかＳ偏光に基づくものかを判断するという作業には変わりはない。
　【００９５】また使用するレーザがＡｒ＋レーザではなくてＨｅ−Ｃｄレーザ（波長：４４２ｎｍ）やＨｅ−Ｎｅレーザ（波長：６３３ｎｍ）などの他の種類のレ−ザを用いた際にもレーザ波長に依存する定在波強度分布の周期が変化するために、この異物の直径の閾値が異なるが、処理自体には変化はない。
　【００９６】ここで、検出器を配置する際には前述したように図１２及び図１３に示すような角度配置にするのであるが、この理由は、検出対象の異物の大きさによって散乱光の空間分布特性が異なるためである。
　【００９７】即ち、異物の直径が前記の閾値よりも小さい場合には、図１２に示すように検出器８１は、Ｐ偏光の光束によるレーザスポット７１を中心に半導体ウエハ７０の表面に対してφ６が略１０°乃至略５０°の角度（表面近傍）で配置され、Ｐ偏光の光束によるレーザ入射面に対してはθ３が略７０°乃至略１１０°の角度（側方散乱）で配置されている。これは、これらの方向に散乱光が強く発生するからである。
　【００９８】一方、図１３に示すようにＳ偏光の光束によるレーザスポット７２を中心に半導体ウエハ７０の表面に対してφ７が略１０°乃至略２０°の角度（反射光近傍）で配置され（入射角φ５が略１０°乃至略２０°の角度であるため）、Ｓ偏光の光束によるレーザ入射面に対してはθ４が略１１５°乃至略１５５°（前方散乱）の角度で配置されている。これも、これらの方向に散乱光が強く発生するからである。
　【００９９】ここで、φ６・φ７の角度の大きさの下限が略１０°であるのは検出器の大きさを考慮しているためであり、可能であるならば更に小さな角度（略５°くらい）であることが望ましい。そしてθ４の角度の大きさの上限が略１５５°であるのは正反射光を避けるためであり、理想的には１８０°が望ましい。
　【０１００】またこのようにして採取したデータによると図１７に示すように線形特性の良い検出強度曲線が得られることで検出強度曲線から正確に異物の粒径を求めることができる。これを図１８を用いて説明する。図１８（ａ）では被検査物表面に直径０．１μｍ（異物Ａとする）、０．４μｍ（異物Ｂとする）、０．６μｍ（異物Ｃとする）の異物が存在していることを示している。
　【０１０１】レーザスポットを走査した結果として、図１８（ｂ）には検出器７７で検出されたＰ偏光の入射による散乱光信号を示し、図１８（ｃ）には検出器７８で検出されたＳ偏光の入射による散乱光信号を示す。図１８（ｂ）・図１８（ｃ）により直径０．１μｍの異物の検出には信号Ａを用いるが、直径０．４μｍ及び直径０．６μｍの異物の検出にはそれぞれ信号Ｂ及び信号Ｃを用いるのではなく、それぞれ信号Ｂ´及び信号Ｃ´を用いると良いことが分かる（図１８（ｄ）に示す）。
　【０１０２】ここまでを、まとめると下記の［表２］のようになる。
　【０１０３】
　【表２】
　【０１０４】ここで上記の実施例の全てに当てはまることであるが、Ａｒ＋レーザではなくてＨｅ−Ｃｄレーザ（波長：４４２ｎｍ）やＨｅ−Ｎｅレーザ（波長：６３３ｎｍ）などの他の種類のレ−ザを用いることも出来る。そして直線偏光を出力するレ−ザを使用するのではなくてランダム偏光を出力するレ−ザに偏光子を組み合わせてＰ偏光やＳ偏光を発生させても良い。また受光素子は光電子増倍管３３・５７・５９・８１・８２ではなく半導体光センサなどに変えても良い。加えて被検査体は半導体ウエハを例に挙げたが検査対象はこれに限定されず、液晶基板でも良いし、曲面部を有するものでも本発明の異物検査装置を用いることは可能である。
　【０１０５】その理由は巨視的に見れば曲面でも、微視的に見れば平面となるのでレ−ザスポット３１・４７・７１・７２のスポット径を小さくすることで検査対象の曲面を平面と同様にして検査ができるためである。
　【０１０６】
　【発明の効果】本発明によると、異物の検出感度を上げることが可能となり、鏡面をもつ半導体ウエハもしくは酸化膜をもつ半導体ウエハにおいての０．１μｍ以下の異物の検出や、金属膜をもつ半導体ウエハにおいての０．２μｍ以下の異物の検出が確実に出来るようにする異物検査装置及び異物検査方法を提供できる。
　【０１０７】また本発明によると、異物の検出感度と異物の検出信号の線形特性とを上げることが可能となり被検査物表面からの雑音成分の影響を抑えて良好な線形特性で異物の検出ができるようにする異物検査装置及び異物検査方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の第１の実施例の異物検査装置を示す概略構成図。
　【図２】本発明の第１の実施例の異物検査装置における、ファイバプレートおよび光電子倍増管と半導体ウエハとの位置関係を示す側面図。
　【図３】本発明の第１の実施例の異物検査装置における、光受光系の配置角度と散乱光の強度の関係とを示すグラフ。
　【図４】本発明の第１の実施例の異物検査装置における、光受光系の配置角度と異物検出信号のＳ／Ｎとを示すグラフ。
　【図５】本発明の第４の実施例の異物検査装置を示す概略構成図。
　【図６】本発明の第４の実施例の異物検査装置における、各検出器と、レーザ入射面と、半導体ウエハとの位置関係を示す概略図。
　【図７】本発明の第４の実施例の異物検査装置における、半導体ウエハ（被検査物）の種類による偏光状態および検出器の選択の処理の流れを示すフローチャート。
　【図８】本発明の第４の実施例の異物検査装置で鏡面ウエハを測定した場合における、検出器の配置角度と異物検出信号のＳ／Ｎとを示すグラフ。
　【図９】本発明の第４の実施例の異物検査装置で酸化膜付ウエハを測定した場合における、検出器の配置角度と異物検出信号のＳ／Ｎとを示すグラフ。
　【図１０】本発明の第４の実施例の異物検査装置で金属膜付ウエハを測定した場合における、検出器の配置角度と異物検出信号のＳ／Ｎとを示すグラフ。
　【図１１】本発明の第７の実施例の異物検査装置を示す概略構成図。
　【図１２】本発明の第７の実施例の異物検査装置における、検出器と、レーザ入射面と、半導体ウエハとの位置関係を示す概略図（その１）。
　【図１３】本発明の第７の実施例の異物検査装置における、検出器と、レーザ入射面と、半導体ウエハとの位置関係を示す概略図（その２）。
　【図１４】本発明の第１の実施例の異物検査装置における、レーザ光の入射角度が大きい場合とレーザ光の入射角度が小さい場合の散乱光の強度と検査時刻の関係とを示すグラフ。
　【図１５】半導体ウエハの表面における入射光と反射光による光の干渉を示す概略図。
　【図１６】半導体ウエハの表面における定在波強度の分布と異物の直径の関係を示すグラフ。
　【図１７】本発明の第７の実施例の異物検査装置における、異物の直径と散乱光の強度と検出器の選択を示すグラフ。
　【図１８】本発明の第７の実施例の異物検査装置において、（ａ）は異物Ａ乃至異物Ｃの大きさを示す模式図、（ｂ）は異物Ａ乃至異物Ｃに対する第１の検出器の出力信号と検査時刻との関係を示すグラフ、（ｃ）は異物Ａ乃至異物Ｃに対する第２の検出器の出力信号と検査時刻との関係を示すグラフ、（ｄ）は異物Ａ乃至異物Ｃに対する異物検出結果と検査時刻との関係を示すグラフ。
　【図１９】第１の従来例の異物検査装置を示す概略構成図。
　【図２０】第２の従来例の異物検査装置を示す概略構成図。
　【図２１】第３の従来例の異物検査装置を示す概略構成図。
　【図２２】第４の従来例の異物検査装置における、ラインセンサと半導体ウエハとの位置関係を示す側面図。
　【図２３】第５の従来例の異物検査装置を示す概略構成図。
　【図２４】従来例の異物検査装置における、異物の直径と散乱光の強度の関係を示すグラフ。
　【符号の説明】
　１・２６・５１・７４…載置台
　２・４６・７０…半導体ウエハ
　３・２７・４１・６５…レ−ザ発振器
　４・６６…コリメートレンズ
　５…ガルバノミラー
　６・１４・１６・２２…集光光学系
　７…ラインセンサ
　８・９・１３・１７…受光素子
　１０・１８…測定回路
　１１…ＸＹテーブル
　１２…容器
　１５…ハーフミラー
　１９…ＸＹテーブル制御装置
　２０…ＸＹθテーブル
　２１・２９・４４…反射ミラー
　２３・３５…検出部
　２４・５２・７５…θテーブル
　２５・５３・７６…Ｘテーブル
　２８・４３…１／２波長板
　３０・４５・６９…集光レンズ
　３１・４７・７１・７２…レーザスポット
　３２・５６・５８・７９・８０…ファイバプレート
　３３・５７・５９・８１・８２…光電子増倍管
　３４…増幅部
　３６・６１…レーザ照射系
　３７…制御系
　３８・６２…走査系
　３９・６３…検出系
　４０・６４…信号処理系
　４２・６６…ビームエキスパンダ
　４８…制御回路
　４９・８５…コンピュータ
　５０・８４…インタフェース回路
　５４・５５・７７・７８…検出器
　６０・８３…増幅回路
　６７…偏光ビームスプリッタ
　６８…反射ミラー
　７３…シャッタ