【事件の表示】
　平成　９年特許願第３５５１５４号「集積化されたタンデム型薄膜光電変換装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　７月　９日出願公開、特開平１１−１８６５８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１２月２４日の出願であって、平成１５年１２月１０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年１月９日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同日付で特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年１月９日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年１月９日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１を下記のように補正することを含むものである。
「【請求項１】　透明基板上に順次に積層された透明電極層、少なくとも１の非晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層、少なくとも１の結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層、および裏面電極層が複数のタンデム型光電変換セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分離溝によって分離されていて、かつそれらの複数のセルは前記分離溝に平行な複数の接続用溝を介して互いに電気的に直列接続されて集積化されたタンデム型薄膜光電変換装置の製造方法であって、
前記結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層は結晶質光電変換層を含み、この結晶質光電変換層は０．５〜３０原子％の範囲内の水素含有量と１〜１０μｍの範囲内の厚さとを有し、
　
　上記補正は、補正前の請求項１の結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニットを具体的に限定しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（２）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶理由に引用した刊行物１：特開平９−１２９９０６号公報には、下記の事項が記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】基板上に第一電極層、第一スタックセル、第二スタックセルおよび第二電極層からなる単位素子が複数個形成され、前記第一電極層がこの第一電極層の上面から前記基板の上面に至る分離溝を有し、前記第二電極層が、前記第二スタックセルおよび前記第一スタックセル中を経て前記第一電極層の上面に至る接続溝を介して前記第一電極層に接続され、前記第一電極層が隣接する単位素子の第一電極層と連続していることにより、前記複数の単位素子が直列に接続されている集積化薄膜タンデム太陽電池であって、
　前記第一スタックセルが、前記第一電極層の分離溝中において、この第一スタックセルの上面から前記基板の上面に至る第一スタックセル分離溝によって分離されていることを特徴とする集積化薄膜タンデム太陽電池。
・・・
【００２７】次に本発明の集積化薄膜タンデム太陽電池の製造方法の例を図１に基づいて説明する。
【００２８】製造例１
　ガラス基板３上にＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩＴＯ等の透明導電膜を堆積して第一電極層５を形成し、集積化のために複数の発電領域に対応させて、この第一電極層５をレーザースクライブ法によって溶断して、分離溝１７を形成する。これにより、例えばガラス基板３の一方向に沿って、短冊状の発電領域が形成される。・・・
【００２９】レーザースクライブによって発生した溶断残渣を除去するために水洗等の洗浄を行い、次に、この複数の発電領域に対応して形成された第一電極層５上全面にわたって、プラズマＣＶＤ法等により第一スタックセル８の半導体層８１を堆積する。この第一スタックセル８の半導体層８１には、例えばｐ−ｉ−ｎ構造を有する水素化アモルファスシリコン層が用いられる。
・・・
【００３４】続いて第一スタックセル８上全体に、プラズマＣＶＤ法により第二スタックセル９の半導体層９１を堆積する。この第二スタックセル９の半導体層９１には、例えば、ｐ−ｉ−ｎ構造の水素化アモルファスシリコン層が用いられる。この水素化アモルファスシリコン層を形成するには、先ず上記基板を１０−５Ｔｏｒｒ以下の高真空チャンバーに入れ、１４０〜２００℃の基板温度下で、成膜ガスとしてシラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、メタン（ＣＨ４）、水素（Ｈ２）をチャンバーに導入し、反応圧を約１．０ＴｏｒｒとしてＲＦ放電によって、ｐ型水素化アモルファスシリコンカーバイドを５０〜２００オングストロームの膜厚に堆積する。次に成膜ガスとしてシランガスのみをチャンバーに導入し、反応圧を０．２〜０．７ＴｏｒｒとしてＲＦ放電によって、ｉ型水素化アモルファスシリコンを３０００オングストローム程度の膜厚に堆積する。さらに成膜ガスとしてシラン、フォスフィン（ＰＨ３）、水素（Ｈ２）をチャンバーに導入し、反応圧を約１．０ＴｏｒｒとしてＲＦ放電によって、ｎ型微結晶シリコンを１００〜２００オングストローム程度の膜厚に堆積する。
【００３５】ここで示した第二スタックセル９の半導体層９１の堆積条件はあくまで一例であり、例えば第一電極層側からｎ−ｉ−ｐ構造でもよく、それ自体がタンデム構造でもよい。第二スタックセル９の半導体層９１の主たる材料は、水素化アモルファスシリコンに限定されず、アモルファス、多結晶または微結晶、およびこれらの組み合せのいずれでもよく、シリコン以外にシリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＩ−ＶＩ族化合物、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物等も用いられ、さらにこれらを組み合せてもよい。
・・・
【００３７】続いて、すでに形成されている第一電極層５の分離溝１７の近傍で、第一スタックセル８および第二スタックセル９をレーザースクライブ法によって溶断し、第二スタックセル９の上面から第一スタックセル８中を経て第一電極層５の上面に至る接続溝７を形成する。そしてレーザースクライブ時に発生した溶断残渣を除去するために洗浄を行う。
【００３８】次に、上述と同様のスパッタリング法や真空蒸着法によって、第二電極層１３としてＡｌ、Ａｇ、Ｃｒ等の金属を全面に堆積する。
【００３９】続いて、接続溝７に対して第一電極層５および第一スタックセル８の分離溝１７とは反対側の、接続溝７の近傍で、第二電極層１３、第二スタックセル９、および第一スタックセル８をレーザースクライブ法によって溶断して上部分離溝１９を形成する。これによって、ガラス基板３上に第一電極層５と第二電極層１３および２本の分離溝１９とによって囲まれる領域からなる単位素子１５が、第一電極層５を介して複数個直列に接続形成された集積化薄膜タンデム太陽電池が得られる。」
　
　上記によれば、刊行物１には、
「ガラス基板３上にＩＴＯ等の透明導電膜を堆積した第一電極層５、その上にプラズマＣＶＤ法等により順次堆積したｐ−ｉ−ｎ構造の水素化アモルファスシリコン層を有する第一スタックセル８、ｐ−ｉ−ｎ構造の水素化アモルファスシリコン層を有する第二スタックセル９、および金属を堆積した第二電極層１３からなる単位素子が複数個形成されるものであって、前記第一電極層５は、この第一電極層５の上面から前記ガラス基板３の上面に至るガラス基板３の一方向に沿って短冊状の発電領域が形成されるような分離溝１７を有し、前記第二電極層１３が、前記第二スタックセル９および前記第一スタックセル８中を経て前記第一電極層５の上面に至る接続溝７を介して前記第一電極層５に接続され、前記第一電極層が隣接する単位素子の第一電極層と連続し、続いて、前記接続溝７に対して第一電極層５および第一スタックセル８の分離溝１７とは反対側の、接続溝７の近傍で、第二電極層１３、第二スタックセル９、および第一スタックセル８をレーザースクライブ法によって溶断して上部分離溝１９を形成することにより、前記複数の単位素子が直列に接続されてなる集積化薄膜タンデム太陽電池の製造方法」
の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「ガラス基板」、「ＩＴＯ等の透明導電膜を堆積した第一電極層」、「ｐ−ｉ−ｎ構造の水素化アモルファスシリコン層を有する第一スタックセル」、「第二電極層」、「第一電極層５の上面から前記ガラス基板３の上面に至る分離溝１７」、「上部分離溝１９」及び「集積化薄膜タンデム太陽電池」は、
それぞれ、本願補正発明の「透明基板」、「透明電極層」、「少なくとも１の非晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層」、「裏面電極層」、「透明電極層を分離するための透明電極分離溝」、「裏面電極分離溝」及び「集積化されたタンデム型薄膜光電変換装置」に相当する。
（イ）引用発明は、「ガラス基板３の一方向に沿って短冊状の発電領域が形成されるような分離溝１７」および「上部分離溝１９」を有するから、本願補正発明の「実質的に直線状で互いに平行な複数の分離溝によって分離され」る点が備わっていることは明らかである。また、引用発明の「レーザースクライブ法による溶断」がレーザビームを用いることは自明である。
　
　よって、両者は、
「透明基板上に順次に積層された透明電極層、少なくとも１の非晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層、シリコン系薄膜光電変換ユニット層、および裏面電極層が複数のタンデム型光電変換セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分離溝によって分離されていて、かつそれらの複数のセルは前記分離溝に平行な複数の接続用溝を介して互いに電気的に直列接続されて集積化されたタンデム型薄膜光電変換装置の製造方法であって、前記分離溝は前記複数のタンデム型光電変換セル相互間で前記透明電極層を分離するための透明電極分離溝と前記裏面電極層を分離するための裏面電極分離溝を含み、前記裏面電極分離溝と前記接続用溝がレーザビームによって形成される集積化されたタンデム型薄膜光電変換装置の製造方法」である点で一致し、下記の点で相違する。
　
相違点１：
　本願補正発明は、「前記結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層は結晶質光電変換層を含み、この結晶質光電変換層は０．５〜３０原子％の範囲内の水素含有量と１〜１０μｍの範囲内の厚さとを有し」ているのに対して、引用発明は、このような構成を有しない点。
相違点２：
　本願補正発明は、「前記裏面電極分離溝と前記接続用溝が前記透明基板側から入射されるレーザビームによって形成される」のに対して、引用発明は、レーザビームが透明基板側から入射するとは記載されていない点。
　
（４）判断
　上記相違点につき検討する。
相違点１について：
　タンデム型薄膜光電変換装置において、少なくとも１の非晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層と少なくとも１の結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層（ａ−Ｓｉ：Ｈ(Top cell)／μｃ−Ｓｉ：Ｈ（Bottom Cell））を積層することは、原査定の拒絶理由で引用した下記の刊行物２及び３に記載されているように公知である。
　
刊行物２：A.Shahら，“Potential of VHF−Plasmas for Low−Cost Production of a−Si:H Solar Cells”，Technical Digest of the International PVSEC−9, Miyazaki, Japan, 1996
（特に、Fig.６には、ガラス基板の下方に、透明導電膜、ｉ層がａ−Ｓｉ：Ｈで構成される（Top　cell)、ｉ層がμｃ−Ｓｉ：Ｈで構成される（Bottom Cell）、裏面電極を順に有するタンデム型セルが記載されている。）
刊行物３：J.Meierら，“INTRINSIC MICROCRYSTALLINE SILICON(μc−Si:H)，First WCPEC; Dec. 5−9, 1994, Hawaii，p.409−412
（特に、3.“Mixed stacked”cells（ａ−Ｓｉ：Ｈ／μｃ−Ｓｉ：Ｈ）の説明及びFig.7を参照。）
　
　そして、刊行物１には、前掲のとおり、「第二スタックセル９の半導体層９１の主たる材料は、水素化アモルファスシリコンに限定されず、アモルファス、多結晶または微結晶」でもよいことが【００３５】に示唆されているのであるから、引用発明のタンデム型薄膜光電変換装置において、第二スタックセル９に上記刊行物２，３記載のｉ層がμｃ−Ｓｉ：Ｈで構成されるBottom Cell（本願補正発明の「結晶質光電変換層を含む結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層」に相当。）を採用することは当業者が容易に想到し得たものである。
　また、上記刊行物３の４１２頁左欄７〜８行には、アモルファスシリコンの膜厚が０．６μｍ、水素化された微結晶シリコンの膜厚が１．６μｍであることが記載されており、この水素化された微結晶シリコンが水素を含有していることは明らかである。そして、本願補正発明の結晶質光電変換層の水素含有量（０．５〜３０原子％）と膜厚（１〜１０μｍ）の数値範囲は、一般的な範囲であり、格別なものとは認められない。
（なお、水素含有量について、必要であれば、特開昭６２−１９６８７６号公報、特開平３−１７７０７７号公報（ｉ型の半導体膜がシリコンを母体とし、０．１乃至１０atomic％又は２０乃至４０atomic％の水素を含有すること）を参照されたい。）
　よって、本願補正発明の相違点１は、上記刊行物２，３に記載されたものから容易に想到し得たものである。
　
相違点２について：
　原審における拒絶査定の時に周知例として引用した刊行物４：特開平６−３２６３３７号公報に、
「【０００４】図５は、アモルファスシリコン太陽電池モジュールのレーザエッチング工程を示す図である。同図（ａ）に示すように、まず透明ガラス基板７の上面に成膜された透明電極膜８を波長１．０６μｍのＹＡＧレーザビーム３でエッチングする。その結果エッチング溝Ａが形成される。続いてプラズマＣＶＤ法によって全面にアモルファスシリコン膜９を成膜（図示せず）した後、同図（ｂ）に示すように波長０．５３μｍのＹＡＧレーザビーム３ａでアモルファスシリコン膜９をエッチングすることによってエッチング溝Ｂを形成する。次に同図（Ｃ）に示すように全面に裏面電極１０を成膜する。これによってエッチング溝Ｂの部分で裏面電極膜１０と透明電極８とが電気的に接続される。さらに同図（ｄ）に示すように裏面電極膜１０をエッチングしてエッチング溝Ｃを形成する。これによって個々に分断された３つのセルが直列に接続した構造のアモルファスシリコン太陽電池モジュールが作られる。なお前記エッチング溝Ｃは、レーザビーム３ｂを透明ガラス基板７側（図の下方）から照射し、これによりアモルファスシリコン膜９が熱分解するときに発生する水素ガスの噴出力によって溶融したＡｌが図の上方に吹きとばされるメカニズムによって形成される。またこの時、レーザビーム３ｂは、もちろん透明電極膜８がエッチングされないようなレーザーパワー条件のものを選ぶ必要がある。
・・・
【００２２】なお図５（ａ）及び（ｂ）では上方からレーザビーム３、３ａを照射して透明電極膜８及びアモルファスシリコン膜９をエッチングしているがこれらも裏面電極膜１０と同様に図１及び図２に示すように本発明の実施例に係るレーザ加工装置によって、透明ガラス基板７側からレーザビーム３、３ａを照射して、エッチングすることが可能である。むしろアモルファスシリコン膜９は透明ガラス基板７側からレーザビーム３ａを照射した方がエッチング溝Ｂの形状が良好となる。」
と記載されているように、太陽電池等の作製に適用されるレーザ加工装置において、透明ガラス基板上に設けた透明電極膜、アモルファスシリコン膜、裏面電極膜等をエッチングするのに、レーザビームを透明ガラス基板側又はその反対側から照射することは、共に従来周知である。
　してみると、引用発明の分離溝や接続溝を透明基板側から入射されるレーザビームによって形成することは適宜選択し得る設計事項である。
　
　したがって、引用発明に刊行物２及び３に記載された事項を適用し、集積化されたタンデム型薄膜光電変換装置を製造するに際して、レーザビームによる加工をより効率的に行うために、本願補正発明のように透明基板側からレーザビームを入射させることによって分離溝等を形成することは、刊行物４に記載された周知技術に基づいて当業者が適宜選択し得る程度のことである。
　
　よって、本願補正発明は、刊行物１〜刊行物３に記載された発明及び刊行物４に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１６年１月９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年１０月２１日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
「【請求項１】　透明基板上に順次に積層された透明電極層、少なくとも１の非晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層、少なくとも１の結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層、および裏面電極層が複数のタンデム型光電変換セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分離溝によって分離されていて、かつそれらの複数のセルは前記分離溝に平行な複数の接続用溝を介して互いに電気的に直列接続されて集積化されたタンデム型薄膜光電変換装置の製造方法であって、前記分離溝は前記複数のタンデム型光電変換セル相互間で前記透明電極層を分離するための透明電極分離溝と前記裏面電極層を分離するための裏面電極分離溝を含み、前記裏面電極分離溝と前記接続用溝が前記透明基板側から入射されるレーザビームによって形成されることを特徴とする集積化されたタンデム型薄膜光電変換装置の製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用した、この出願前公知の刊行物１：特開平９−１２９９０６号公報には、上記２．（２）刊行物記載の発明に摘記した事項が記載されている。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明の発明特定事項のうち、「前記結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット層は結晶質光電変換層を含み、この結晶質光電変換層は０．５〜３０原子％の範囲内の水素含有量と１〜１０μｍの範囲内の厚さとを有する」点を欠くものである。
　したがって、本願発明は、上記本願補正発明に対するとほぼ同様の理由により、刊行物１〜刊行物３に記載された発明及び刊行物４に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１〜刊行物３に記載された発明及び刊行物４に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。