【手続補正書】
【提出日】平成22年2月16日(2010.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通基盤とともに形成される検出器のアレイと、
層状光学素子の第１のアレイであって、該層状光学素子のそれぞれは、該検出器のアレイ内の検出器と光学的に接続されることにより、アレイ撮像システム内の１つの撮像システムを形成する、第１のアレイと
を含む、アレイ撮像システム。
【請求項２】
前記層状光学素子の第１のアレイは、少なくとも１つの加工マスタの逐次的適用によって、少なくとも部分的に形成され、該加工マスタのそれぞれは、該層状光学素子の第１のアレイを画定する特徴を有する、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項３】
前記特徴は、前記検出器によって検出可能な電磁エネルギの２波長未満の光学公差で形成される、請求項２に記載のアレイ撮像システム。
【請求項４】
前記層状光学素子の第１のアレイは、前記共通基盤上に支持される、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項５】
前記層状光学素子の第１のアレイは、前記共通基盤に対し配置される別個の基盤上に支持されることにより、該層状光学素子のそれぞれは、前記検出器と光学的に接続される、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項６】
（ａ）前記検出器のためのカバープレート、および（ｂ）光学帯域通過フィルタのうちの少なくとも１つを含む群から選択される構成要素をさらに含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項７】
前記カバープレートは、前記光学素子の第１のアレイを部分的に被覆する、請求項６に記載のアレイ撮像システム。
【請求項８】
前記共通基盤は、半導体ウエハ、ガラスプレート、結晶プレート、ポリマーシート、および金属プレートのうちの１つを含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項９】
製造プロセスの際に、前記共通基盤、加工マスタ、およびチャックのうちの少なくとも２つは、互いに対し整合される、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項１０】
前記共通基盤、前記加工マスタ、および前記チャックのうちの少なくとも２つは、その上に画定される整合特徴を使用して整合される、請求項９に記載のアレイ撮像システム。
【請求項１１】
前記共通基盤、前記加工マスタ、および前記チャックのうちの前記少なくとも２つは、共通座標系に対し整合される、請求項９に記載のアレイ撮像システム。
【請求項１２】
前記層状光学素子の第１のアレイに対し配置される層状光学素子の第２のアレイをさらに含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項１３】
前記層状光学素子の第１と第２のアレイとの間に配置される少なくとも１つのスペーサ配列をさらに含み、該スペーサ配列は、封止材、スタンドオフ特徴、およびスペーサプレートのうちの少なくとも１つを含む、請求項１２に記載のアレイ撮像システム。
【請求項１４】
前記層状光学素子の第２のアレイ内の該層状光学素子のうちの少なくとも１つは、少なくとも２つの位置の間で可動であることによって、該少なくとも２つの位置に従って、前記検出器に画像の可変倍率を提供する、請求項１２に記載のアレイ撮像システム。
【請求項１５】
前記層状光学素子の第１のアレイに対し配置される単一光学素子のアレイをさらに含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項１６】
前記層状光学素子のアレイと前記単一光学素子のアレイとの間に配置されるスペーサ配列をさらに含む、請求項１５に記載のアレイ撮像システム。
【請求項１７】
前記スペーサ配列は、封止材、スタンドオフ特徴、およびスペーサプレートのうちの１つを含む、請求項１６に記載のアレイ撮像システム。
【請求項１８】
前記単一光学素子のうちの少なくとも１つは、少なくとも２つの位置の間で可動であることによって、該少なくとも２つの位置に従って、前記検出器に画像の可変倍率を提供する、請求項１５に記載のアレイ撮像システム。
【請求項１９】
前記層状光学素子は、前記検出器によって検出可能な電磁エネルギの２波長未満の光学公差で互いに対し整合される、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項２０】
前記層状光学素子はそれぞれ、前記検出器、前記共通基盤、共通座標系、チャック、およびその上に形成される整合特徴のうちの対応する少なくとも１つに対する光学公差で整合される、請求項１９に記載のアレイ撮像システム。
【請求項２１】
前記撮像システムの焦点距離を調節するための前記層状光学素子のうちの少なくとも１つと協働するための可変焦点距離素子をさらに含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項２２】
前記可変焦点距離素子は、液体レンズ、液晶レンズ、および熱調節可能レンズのうちの少なくとも１つを含む、請求項２１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項２３】
前記光学素子のうちの少なくとも１つは、前記層状光学素子内の他の光学素子およびそれと光学的に接続される前記検出器と協働するように構成されることにより、該検出器における画像の可変倍率を提供する、請求項２１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項２４】
前記アレイ撮像システムのうちの少なくとも１つに対する焦点距離を調節する可変焦点距離素子をさらに含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項２５】
前記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、そこを通って伝達される電磁エネルギの波面を事前決定論的に符号化するように構成される、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項２６】
複数の検出器ピクセルを含む前記検出器のうちの少なくとも１つは、該検出器ピクセルのうちの少なくとも１つと一体的に形成される光学系をさらに含むことにより、該少なくとも１つの検出器ピクセル内の電磁エネルギを再分布する、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項２７】
前記光学系は、主光線補正器、フィルタ、およびメタレンズのうちの少なくとも１つを含む、請求項２６に記載のアレイ撮像システム。
【請求項２８】
前記検出器のうちの少なくとも１つは、複数の検出器ピクセルと、小型レンズのアレイとを有し、該小型レンズのそれぞれは、該複数の検出器ピクセルのうちの少なくとも１つと光学的に接続される、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項２９】
前記検出器のうちの少なくとも１つは、複数の検出器ピクセルと、フィルタのアレイとを有し、前記フィルタはそれぞれ、前記複数の検出器ピクセルのうちの少なくとも１つと光学的に接続される、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項３０】
前記層状光学素子のアレイは、成形可能材料を含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項３１】
前記成形可能材料は、低温ガラス、アクリル、アクリルウレタン、エポキシ樹脂、シクロオレフィンコポリマー、シリコーン、および臭素化ポリマー鎖を有する材料のうちの少なくとも１つを含む、請求項３０に記載のアレイ撮像システム。
【請求項３２】
前記成形可能材料は、二酸化チタン、アルミナ、ハフニア、ジルコニア、および高屈折率ガラス粒子のうちの１つをさらに含む、請求項３１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項３３】
前記検出器のアレイは、前記共通基盤上にプリントされるプリント検出器を含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項３４】
前記層状光学素子のうちの少なくとも１つの表面上に形成される反射防止層をさらに含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項３５】
前記反射防止層は、前記少なくとも１つの層状光学素子の表面内に複数のサブ波長特徴を含む、請求項３４に記載のアレイ撮像システム。
【請求項３６】
検出器および層状光学素子の各対は、その間に平面界面を含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項３７】
前記層状光学素子のアレイは、前記共通基盤上の複数の材料を重層することによって形成される、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項３８】
前記層状光学素子のそれぞれは、前記共通基盤上に複数の層の光学素子を含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項３９】
前記層状光学素子のアレイは、ウエハスケールパッケージングプロセスと適合する材料から形成される、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項４０】
前記アレイ撮像システムは、複数の別個の撮像システムに分離可能である、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項４１】
前記検出器のアレイは、ＣＭＯＳ検出器のアレイを含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項４２】
前記検出器のアレイは、ＣＣＤ検出器のアレイを含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項４３】
前記アレイ撮像システムは、複数の撮像群に分離可能であって、各撮像群は、２つ以上の撮像システムを含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項４４】
各撮像群は、プロセッサをさらに含む、請求項４３に記載のアレイ撮像システム。
【請求項４５】
第１と、第２と、第３の湾曲表面を含み、前記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、該第１と、該第２と、該第３の湾曲表面のうちの少なくとも２つを分離するスペーサを有する、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項４６】
前記第１と、第２と、第３の湾曲表面は、それぞれ、ポジティブ、ポジティブ、および負の曲率を有する、請求項４５に記載のアレイ撮像システム。
【請求項４７】
各撮像システムの総光学トラックは、３．０ｍｍ未満である、請求項４６に記載のアレイ撮像システム。
【請求項４８】
第１と、第２と、第３と、第４の湾曲表面を含み、前記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、該第２と該第３の湾曲表面とを分離する第１のスペーサと、該第４の湾曲表面とそれと光学的に接続される前記検出器を分離する第２のスペーサとを有する、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項４９】
前記第１の湾曲表面、第２の湾曲表面、第３の湾曲表面および第４の湾曲表面は、それぞれ、正の曲率、負の曲率、負の曲率および正の曲率を有する、請求項４８に記載のアレイ撮像システム。
【請求項５０】
各撮像システムの総光学トラックは、２．５ｍｍ未満である、請求項４９に記載のアレイ撮像システム。
【請求項５１】
前記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、主光線補正器を含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項５２】
前記撮像システムのうちの少なくとも１つの前記層状光学素子と前記検出器とは協働して変調伝達関数を提示し、該変調伝達関数は、事前選択された空間周波数範囲にわたって実質的に均一である、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項５３】
前記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、一体型絶縁体を含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項５４】
前記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、矩形開口、正方形開口、円形開口、楕円開口、多角形開口、および３角形開口のうちの１つを含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項５５】
前記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、該少なくとも１つの層状光学素子を通って伝搬される電磁エネルギの波面を事前決定論的に符号化する非球面光学素子を含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項５６】
前記層状光学素子のうちの少なくとも１つと光学的に接続される前記検出器は、その上に入射する電磁エネルギを電気信号に変換するように構成されており、かつ、該電気信号を処理するために該検出器と電気的に接続されるプロセッサをさらに含むことにより、前記非球面光学素子によって該電磁エネルギ内に導入される撮像効果を除去する、請求項５５に記載のアレイ撮像システム。
【請求項５７】
前記非球面光学素子およびプロセッサは、非球面光学素子およびプロセッサを伴わない撮像システムと比較して、像面湾曲、層状光学素子の高さ変動、視野依存性収差、加工関連収差、温度依存性収差、前記共通基盤の厚さおよび平坦度変動のうちの少なくとも１つによって、前記電磁エネルギ内に導入されるアーチファクトを協働して低減するようにさらに構成される、請求項５６に記載のアレイ撮像システム。
【請求項５８】
前記プロセッサは、調節可能なフィルタカーネルを実装する、請求項５６に記載のアレイ撮像システム。
【請求項５９】
前記プロセッサは、前記検出器を形成する回路と一体化される、請求項５６に記載のアレイ撮像システム。
【請求項６０】
前記検出器および前記プロセッサは、前記共通基盤の１つのシリコン層内に形成される、請求項５９に記載のアレイ撮像システム。
【請求項６１】
少なくとも１つの撮像システムのうちの少なくとも１つのスルーフォーカスＭＴＦは、前記非球面光学素子を伴わない該同一撮像システムよりも広いピーク幅を提示する、請求項５５に記載のアレイ撮像システム。
【請求項６２】
各撮像システムは、カメラを形成する、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項６３】
前記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、色消しである、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項６４】
各検出器は、複数の検出器ピクセルを含み、さらに、少なくとも１つの検出器に隣接して直接配置され、かつ、該検出器の該検出器ピクセルにマッピングされる複数の小型レンズを含むことにより、該検出器の集光能力を向上させる、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項６５】
前記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、反射、吸収、および散乱のうちの少なくとも１つによって、該層状光学素子を通る光路の外側の迷光を遮断するためのバッフルを含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項６６】
前記バッフルは、染色ポリマー、複数の薄膜、および回折格子のうちの少なくとも１つを含む、請求項６５に記載のアレイ撮像システム。
【請求項６７】
前記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、反射防止素子を含む、請求項１に記載のアレイ撮像システム。
【請求項６８】
前記反射防止素子は、複数の薄膜および回折格子のうちの少なくとも１つを含む、請求項６７に記載のアレイ撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
本開示は、以下に簡単に説明される図面と関連してなされる、発明を実施するための最良の形態を参照することによって理解されるであろう。説明的明確性の目的のため、図面内の特定の素子は、正確な縮尺で描かれない場合があることに留意されたい。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
共通基盤とともに形成される検出器のアレイと、
層状光学素子の第１のアレイであって、該層状光学素子のそれぞれは、該検出器のアレイ内の検出器と光学的に接続されることにより、アレイ撮像システム内の１つの撮像システムを形成する、第１のアレイと
を含む、アレイ撮像システム。
（項目２）
上記層状光学素子の第１のアレイは、少なくとも１つの加工マスタの逐次的適用によって、少なくとも部分的に形成され、該加工マスタのそれぞれは、該層状光学素子の第１のアレイを画定する特徴を有する、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目３）
上記特徴は、上記検出器によって検出可能な電磁エネルギの２波長未満の光学公差で形成される、項目２に記載のアレイ撮像システム。
（項目４）
上記層状光学素子の第１のアレイは、上記共通基盤上に支持される、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目５）
上記層状光学素子の第１のアレイは、上記共通基盤に対し配置される別個の基盤上に支持されることにより、該層状光学素子のそれぞれは、上記検出器と光学的に接続される、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目６）
（ａ）上記検出器のためのカバープレート、および（ｂ）光学帯域通過フィルタのうちの少なくとも１つを含む群から選択される構成要素をさらに含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目７）
上記カバープレートは、上記光学素子の第１のアレイを部分的に被覆する、項目６に記載のアレイ撮像システム。
（項目８）
上記共通基盤は、半導体ウエハ、ガラスプレート、結晶プレート、ポリマーシート、および金属プレートのうちの１つを含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目９）
製造プロセスの際に、上記共通基盤、加工マスタ、およびチャックのうちの少なくとも２つは、互いに対し整合される、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目１０）
上記共通基盤、上記加工マスタ、および上記チャックのうちの少なくとも２つは、その上に画定される整合特徴を使用して整合される、項目９に記載のアレイ撮像システム。
（項目１１）
上記共通基盤、上記加工マスタ、および上記チャックのうちの上記少なくとも２つは、共通座標系に対し整合される、項目９に記載のアレイ撮像システム。
（項目１２）
上記層状光学素子の第１のアレイに対し配置される層状光学素子の第２のアレイをさらに含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目１３）
上記層状光学素子の第１と第２のアレイとの間に配置される少なくとも１つのスペーサ配列をさらに含み、該スペーサ配列は、封止材、スタンドオフ特徴、およびスペーサプレートのうちの少なくとも１つを含む、項目１２に記載のアレイ撮像システム。
（項目１４）
上記層状光学素子の第２のアレイ内の該層状光学素子のうちの少なくとも１つは、少なくとも２つの位置の間で可動であることによって、該少なくとも２つの位置に従って、上記検出器に画像の可変倍率を提供する、項目１２に記載のアレイ撮像システム。
（項目１５）
上記層状光学素子の第１のアレイに対し配置される単一光学素子のアレイをさらに含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目１６）
上記層状光学素子のアレイと上記単一光学素子のアレイとの間に配置されるスペーサ配列をさらに含む、項目１５に記載のアレイ撮像システム。
（項目１７）
上記スペーサ配列は、封止材、スタンドオフ特徴、およびスペーサプレートのうちの１つを含む、項目１６に記載のアレイ撮像システム。
（項目１８）
上記単一光学素子のうちの少なくとも１つは、少なくとも２つの位置の間で可動であることによって、該少なくとも２つの位置に従って、上記検出器に画像の可変倍率を提供する、項目１５に記載のアレイ撮像システム。
（項目１９）
上記層状光学素子は、上記検出器によって検出可能な電磁エネルギの２波長未満の光学公差で互いに対し整合される、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目２０）
上記層状光学素子はそれぞれ、上記検出器、上記共通基盤、共通座標系、チャック、およびその上に形成される整合特徴のうちの対応する少なくとも１つに対する光学公差で整合される、項目１９に記載のアレイ撮像システム。
（項目２１）
上記撮像システムの焦点距離を調節するための上記層状光学素子のうちの少なくとも１つと協働するための可変焦点距離素子をさらに含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目２２）
上記可変焦点距離素子は、液体レンズ、液晶レンズ、および熱調節可能レンズのうちの少なくとも１つを含む、項目２１に記載のアレイ撮像システム。
（項目２３）
上記光学素子のうちの少なくとも１つは、上記層状光学素子内の他の光学素子およびそれと光学的に接続される上記検出器と協働するように構成されることにより、該検出器における画像の可変倍率を提供する、項目２１に記載のアレイ撮像システム。
（項目２４）
上記アレイ撮像システムのうちの少なくとも１つに対する焦点距離を調節する可変焦点距離素子をさらに含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目２５）
上記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、そこを通って伝達される電磁エネルギの波面を事前決定論的に符号化するように構成される、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目２６）
複数の検出器ピクセルを含む上記検出器のうちの少なくとも１つは、該検出器ピクセルのうちの少なくとも１つと一体的に形成される光学系をさらに含むことにより、該少なくとも１つの検出器ピクセル内の電磁エネルギを再分布する、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目２７）
上記光学系は、主光線補正器、フィルタ、およびメタレンズのうちの少なくとも１つを含む、項目２６に記載のアレイ撮像システム。
（項目２８）
上記検出器のうちの少なくとも１つは、複数の検出器ピクセルと、小型レンズのアレイとを有し、該小型レンズのそれぞれは、該複数の検出器ピクセルのうちの少なくとも１つと光学的に接続される、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目２９）
上記検出器のうちの少なくとも１つは、複数の検出器ピクセルと、フィルタのアレイとを有し、上記フィルタはそれぞれ、上記複数の検出器ピクセルのうちの少なくとも１つと光学的に接続される、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目３０）
上記層状光学素子のアレイは、成形可能材料を含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目３１）
上記成形可能材料は、低温ガラス、アクリル、アクリルウレタン、エポキシ樹脂、シクロオレフィンコポリマー、シリコーン、および臭素化ポリマー鎖を有する材料のうちの少なくとも１つを含む、項目３０に記載のアレイ撮像システム。
（項目３２）
上記成形可能材料は、二酸化チタン、アルミナ、ハフニア、ジルコニア、および高屈折率ガラス粒子のうちの１つをさらに含む、項目３１に記載のアレイ撮像システム。
（項目３３）
上記検出器のアレイは、上記共通基盤上にプリントされるプリント検出器を含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目３４）
上記層状光学素子のうちの少なくとも１つの表面上に形成される反射防止層をさらに含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目３５）
上記反射防止層は、上記少なくとも１つの層状光学素子の表面内に複数のサブ波長特徴を含む、項目３４に記載のアレイ撮像システム。
（項目３６）
検出器および層状光学素子の各対は、その間に平面界面を含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目３７）
上記層状光学素子のアレイは、上記共通基盤上の複数の材料を重層することによって形成される、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目３８）
上記層状光学素子のそれぞれは、上記共通基盤上に複数の層の光学素子を含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目３９）
上記層状光学素子のアレイは、ウエハスケールパッケージングプロセスと適合する材料から形成される、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目４０）
上記アレイ撮像システムは、複数の別個の撮像システムに分離可能である、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目４１）
上記検出器のアレイは、ＣＭＯＳ検出器のアレイを含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目４２）
上記検出器のアレイは、ＣＣＤ検出器のアレイを含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目４３）
上記アレイ撮像システムは、複数の撮像群に分離可能であって、各撮像群は、２つ以上の撮像システムを含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目４４）
各撮像群は、プロセッサをさらに含む、項目４３に記載のアレイ撮像システム。
（項目４５）
第１と、第２と、第３の湾曲表面を含み、上記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、該第１と、該第２と、該第３の湾曲表面のうちの少なくとも２つを分離するスペーサを有する、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目４６）
上記第１と、第２と、第３の湾曲表面は、それぞれ、ポジティブ、ポジティブ、およびネガティブ曲率を有する、項目４５に記載のアレイ撮像システム。
（項目４７）
各撮像システムの総光学トラックは、３．０ｍｍ未満である、項目４６に記載のアレイ撮像システム。
（項目４８）
第１と、第２と、第３と、第４の湾曲表面を含み、上記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、該第２と該第３の湾曲表面とを分離する第１のスペーサと、該第４の湾曲表面とそれと光学的に接続される上記検出器を分離する第２のスペーサとを有する、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目４９）
上記第１と、第２と、第３と、第４の湾曲表面は、それぞれ、ポジティブ、ネガティブ、ネガティブ、およびポジティブ曲率を有する、項目４８に記載のアレイ撮像システム。
（項目５０）
各撮像システムの総光学トラックは、２．５ｍｍ未満である、項目４９に記載のアレイ撮像システム。
（項目５１）
上記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、主光線補正器を含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目５２）
上記撮像システムのうちの少なくとも１つの上記層状光学素子と上記検出器とは協働して変調伝達関数を提示し、該変調伝達関数は、事前選択された空間周波数範囲にわたって実質的に均一である、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目５３）
上記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、一体型絶縁体を含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目５４）
上記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、矩形開口、正方形開口、円形開口、楕円開口、多角形開口、および３角形開口のうちの１つを含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目５５）
上記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、該少なくとも１つの層状光学素子を通って伝搬される電磁エネルギの波面を事前決定論的に符号化する非球面光学素子を含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目５６）
上記層状光学素子のうちの少なくとも１つと光学的に接続される上記検出器は、その上に入射する電磁エネルギを電気信号に変換するように構成されており、かつ、該電気信号を処理するために該検出器と電気的に接続されるプロセッサをさらに含むことにより、上記非球面光学素子によって該電磁エネルギ内に導入される撮像効果を除去する、項目５５に記載のアレイ撮像システム。
（項目５７）
上記非球面光学素子およびプロセッサは、非球面光学素子およびプロセッサを伴わない撮像システムと比較して、像面湾曲、層状光学素子の高さ変動、視野依存性収差、加工関連収差、温度依存性収差、上記共通基盤の厚さおよび平坦度変動のうちの少なくとも１つによって、上記電磁エネルギ内に導入されるアーチファクトを協働して低減するようにさらに構成される、項目５６に記載のアレイ撮像システム。
（項目５８）
上記プロセッサは、調節可能なフィルタカーネルを実装する、項目５６に記載のアレイ撮像システム。
（項目５９）
上記プロセッサは、上記検出器を形成する回路と一体化される、項目５６に記載のアレイ撮像システム。
（項目６０）
上記検出器および上記プロセッサは、上記共通基盤の１つのシリコン層内に形成される、項目５９に記載のアレイ撮像システム。
（項目６１）
少なくとも１つの撮像システムのうちの少なくとも１つのスルーフォーカスＭＴＦは、上記非球面光学素子を伴わない該同一撮像システムよりも広いピーク幅を提示する、項目５５に記載のアレイ撮像システム。
（項目６２）
各撮像システムは、カメラを形成する、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目６３）
上記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、色消しである、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目６４）
各検出器は、複数の検出器ピクセルを含み、さらに、少なくとも１つの検出器に隣接して直接配置され、かつ、該検出器の該検出器ピクセルにマッピングされる複数の小型レンズを含むことにより、該検出器の集光能力を向上させる、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目６５）
上記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、反射、吸収、および散乱のうちの少なくとも１つによって、該層状光学素子を通る光路の外側の迷光を遮断するためのバッフルを含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目６６）
上記バッフルは、染色ポリマー、複数の薄膜、および回折格子のうちの少なくとも１つを含む、項目６５に記載のアレイ撮像システム。
（項目６７）
上記層状光学素子のうちの少なくとも１つは、反射防止素子を含む、項目１に記載のアレイ撮像システム。
（項目６８）
上記反射防止素子は、複数の薄膜および回折格子のうちの少なくとも１つを含む、項目６７に記載のアレイ撮像システム。
（項目６９）
複数の撮像システムを加工する方法であって、
光学素子の第１のアレイを形成することであって、該光学素子のそれぞれは、共通基盤を有する検出器のアレイ内のうちの少なくとも１つの検出器と光学的に接続される、ことと、
層状光学素子のアレイを集合的に形成するように、上記光学素子の第１のアレイと光学的に接続される光学素子の第２のアレイを形成することであって、該層状光学素子のそれぞれは、該検出器のアレイ内の該検出器のうちの１つと光学的に接続される、ことと、
該検出器のアレイおよび該層状光学素子のアレイを該複数の撮像システムに分離することであって、該複数の撮像システムはそれぞれ、少なくとも１つの検出器と光学的に接続される少なくとも１つの層状光学素子を含む、ことと
を含み、該光学素子の第１のアレイを形成することは、該光学素子の第１のアレイと該検出器のアレイとの間に平面界面を構成することを含む、方法。
（項目７０）
アレイ撮像システムを製造する方法であって、該アレイ撮像システム内の各撮像システムは、それに付随する少なくとも１つの検出器を有しており、該方法は、
少なくとも１つの加工マスタの逐次的適用によって、層状光学素子のアレイを加工することであって、該層状光学素子のそれぞれは、該撮像システムに付随する該少なくとも１つの検出器と光学的に接続される、ことを含む、方法。
（項目７１）
上記アレイ撮像システムを分離し、複数の撮像システムを形成することをさらに含む、項目７０に記載の方法。
（項目７２）
上記２つ以上の層状光学素子は、上記検出器と光学的に接続されることのより、単一検出器に複数の視野を提供する、項目７０に記載の方法。
（項目７３）
形成する前に、
上記層状光学素子のアレイを画定するための特徴を含む加工マスタを生成することをさらに含む、項目７０に記載の方法。
（項目７４）
形成する前に、
光学素子のアレイを画定する特徴を含む加工マスタを生成することであって、該光学素子のアレイは、上記アレイ撮像システムの１つの層状部分である、ことをさらに備えており、
形成することは、検出器のアレイ上で材料を成形する該加工マスタを使用することにより、同時に該光学素子のアレイを形成することであって、該光学素子のそれぞれは、該検出器のうちの少なくとも１つと光学的に接続される、ことをさらに含む、項目７０に記載の方法。
（項目７５）
上記加工マスタを生成することは、マスタ基板上に上記光学素子のアレイを画定する上記特徴を直接加工することを含む、項目７４に記載の方法。
（項目７６）
上記特徴を直接加工することは、低速ツールサーボアプローチ、高速ツールサーボアプローチ、多軸研磨アプローチ、および多軸研削アプローチのうちの少なくとも選択された１つを使用して、該特徴を形成することを含む、項目７５に記載の方法。
（項目７７）
上記特徴を直接機械加工することは、上記マスタ基板上に整合マークを画定する付加的特徴を加工することをさらに含む、項目７５に記載の方法。
（項目７８）
層状光学素子の第２のアレイを形成することと、
該層状光学素子の第２のアレイを該層状光学素子の第１のアレイに対し配置することとをさらに含む、項目７０に記載の方法。
（項目７９）
上記層状光学素子のアレイを形成することは、該光学素子のうちの少なくとも１つを構成することをさらに含むことにより、そこを通って伝達される電磁エネルギの波面を事前決定論的に符号化する、項目７０に記載の方法。
（項目８０）
可変焦点距離を伴って、上記光学素子のうちの少なくとも１つを構成することをさらに含む、項目７０に記載の方法。
（項目８１）
上記少なくとも１つの検出器は、１組のプロセスを使用して形成される複数の検出器ピクセルを有しており、
該検出器ピクセルのうちの少なくとも１つの中に、該プロセスのうちの少なくとも１つを使用して、該検出器ピクセル内にエネルギを再分布する光学系を形成することをさらに含む、項目７０に記載の方法。
（項目８２）
上記検出器ピクセルのうちの少なくとも１つの中に上記光学系を形成することは、主光線補正器、薄膜フィルタ、およびメタレンズのうちの少なくとも１つを形成することを含む、項目８１に記載の方法。
（項目８３）
上記少なくとも１つの検出器は、１組のプロセスを使用して形成される複数の検出器ピクセルを有しており、
小型レンズのアレイを形成することであって、該小型レンズのそれぞれは、該複数の検出器ピクセルのうちの少なくとも１つと光学的に接続される、ことをさらに含む、項目７０に記載の方法。
（項目８４）
上記層状光学素子のアレイを形成することは、
上記少なくとも１つの加工マスタと協働して、成形可能材料を分布させることと、
該成形可能材料を硬化させて、該層状光学素子のアレイを成形することと
を含む、項目７０に記載の方法。
（項目８５）
上記少なくとも１つの加工マスタを逐次的に適用することは、上記共通基盤および上記少なくとも１つの加工マスタを該共通基盤を支持するチャックに整合させることを含む、項目７０に記載の方法。
（項目８６）
上記少なくとも１つの加工マスタを逐次的に適用することは、その上に画定される整合特徴を使用して、上記共通基盤および該少なくとも１つの加工マスタを整合させることを含む、項目７０に記載の方法。
（項目８７）
上記少なくとも１つの加工マスタを逐次的に適用することは、共通座標系を使用して、上記共通基盤および該少なくとも１つの加工マスタを整合させることを含む、項目７０に記載の方法。
（項目８８）
単一光学素子のアレイを上記層状光学素子のアレイに対し配置することをさらに含む、項目７０に記載の方法。
（項目８９）
上記単一光学素子のアレイを配置することは、封止材、スタンドオフ特徴、およびスペーサプレートのうちの少なくとも１つとして選択されたスペーサ配列を使用して、該単一光学素子のアレイを上記層状光学素子のアレイから離間することを含む、項目８８に記載の方法。
（項目９０）
上記層状光学素子の対応する１つに対し少なくとも２つの位置の間で可動であるように、上記単一光学素子のうちの少なくとも１つを構成することによって、該少なくとも２つの位置に従って、上記検出器における画像の可変倍率を提供することをさらに含む、項目８８に記載の方法。
（項目９１）
上記少なくとも１つの加工マスタを逐次的に適用することは、該少なくとも１つの加工マスタを上記共通基盤に互いに対し光学公差で整合させることを含み、該光学公差は、上記検出器によって検出可能な電磁エネルギの２波長未満を含む、項目７０に記載の方法。
（項目９２）
層状光学素子の上記アレイを形成するステップは、上記層状光学素子のうちの少なくとも１つを、そこを通って伝達される電磁エネルギの波面を事前決定論的に符号化するように構成するステップをさらに含む、項目７０に記載の方法。
（項目９３）
上記層状光学素子のうちの少なくとも１つの表面上に反射防止層を形成することをさらに含む、項目７０に記載の方法。
（項目９４）
上記反射防止層を形成することは、サブ波長特徴を上記層状光学素子のうちの少なくとも１つの表面内に成形することを含む、項目９３に記載の方法。
（項目９５）
アレイ光学系を共通基盤とともに形成する方法であって、
該共通基盤に整合させられる少なくとも１つの加工マスタを逐次的に適用することによって、複数の層状光学素子のアレイを該アレイ光学系として形成することを含む、方法。
（項目９６）
少なくとも光学サブシステムと、画像プロセッササブシステムとを含み、両方とも検出器サブシステムに接続される、アレイ撮像システムを製造する方法であって、
（ａ）光学サブシステム設計、検出器サブシステム設計、および画像プロセッササブシステム設計を含む、初期アレイ撮像システム設計を生成することと、
（ｂ）該サブシステム設計のうちの少なくとも１つを試験し、該サブシステム設計のうちの少なくとも１つが、所定のパラメータ内に合致するかどうかを判断することであって、該サブシステム設計のうちの少なくとも１つが、該所定のパラメータ内に合致しない場合、
（ｃ）１組の潜在的パラメータ修正を使用して、該初期アレイ撮像システム設計を修正することと、
（ｄ）該サブシステム設計のうちの少なくとも１つが、該所定のパラメータ内に合致することにより、修正されたアレイ撮像システム設計をもたらすまで、（ｂ）および（ｃ）を繰り返すことと、
（ｅ）該修正されたアレイ撮像システム設計に従って、該光学、検出器、および画像プロセッササブシステムを加工することと、
（ｆ）該アレイ撮像システムを（ｅ）で加工される該サブシステムから組み立てることと
を含む、方法。
（項目９７）
修正することは、上記光学、検出器、および画像プロセッササブシステム設計のうちの少なくとも２つを同時に修正することを含む、項目９６に記載の方法。
（項目９８）
上記アレイ撮像システムは、上記光学系、検出器、および画像プロセッササブシステムのうちの少なくとも１つと接続される少なくとも光学機械的サブシステムをさらに含み、上記初期アレイ撮像システム設計を生成することは、該初期アレイ撮像システム設計の一部として、光学機械的サブシステム設計を生成することを含む、項目９６に記載の方法。
（項目９９）
上記サブシステムのうちの少なくとも１つを試験することは、上記所定のパラメータに従って、試験手順を設計することを含む、項目９６に記載の方法。
（項目１００）
上記光学サブシステムを加工することは、低速ツールサーボアプローチ、高速ツールサーボアプローチ、多軸研磨アプローチ、および多軸研削アプローチのうちの少なくとも１つを使用して、上記光学サブシステム設計に従って、第１の光学素子のためのテンプレートの第１のアレイを形成することを含む、項目９６に記載の方法。
（項目１０１）
上記テンプレートの第１のアレイを使用して、上記光学サブシステムの一部として、共通基盤上に支持される上記第１の光学素子を形成することをさらに含む、項目１００に記載の方法。
（項目１０２）
上記光学系設計に従って、第２の光学素子のためのテンプレートの第２のアレイを加工することと、
上記共通基盤上に同様に支持され、上記第１の光学素子と光連通する該第２の光学素子を形成することと
をさらに含む、項目１０１に記載の方法。
（項目１０３）
上記第２の光学素子を形成することは、該第２の光学素子を直接上記第１の光学素子上に重層することのより、層状光学素子のアレイを形成することを含む、項目１０２に記載の方法。
（項目１０４）
上記第２の光学素子を形成することは、上記第１および第２の光学素子がそれぞれ、互いに離間されるように、該第１と第２の光学素子の間にスペーサ配列を提供することを含む、項目１０２に記載の方法。
（項目１０５）
上記テンプレートのアレイを形成することは、
上記光学サブシステム設計を調整して、加工の能力および制限を考慮することと、
そのように調整された該光学サブシステム設計を、加工ルーチンとして加工にプログラミングすることと、
該加工ルーチンを起動し、該テンプレートのアレイをもたらすことと
を含む、項目１００に記載の方法。
（項目１０６）
上記光学、検出器、および画像プロセッササブシステムを加工することは、
（ｅ１）該サブシステムのうちの少なくとも１つを試験し、該サブシステムのうちの少なくとも１つが、上記所定のパラメータ内に合致するかどうかを判断することと、
（ｅ２）該サブシステムのうちの少なくとも１つが、該所定のパラメータ内に合致しない場合、
（ｅ３）該サブシステムのうちの少なくとも１つを再加工することと、
（ｅ４）該サブシステムのうちの少なくとも１つが、該所定のパラメータ内に合致するまで、（ｅｌ）から（ｅ３）を繰り返すことと
をさらに含む、項目９６に記載の方法。
（項目１０７）
（ｇ）上記所定のパラメータに一致するように組み立てられた上記アレイ撮像システムを試験することにより、一致するかどうかを判断することと、
該アレイ撮像システムが、該所定のパラメータ内に合致しない場合、
（ｈ）該アレイ撮像システムが、該所定のパラメータ内に合致するまで、（ｅ）から（ｇ）を繰り返すことと
をさらに含む、項目９６に記載の方法。
（項目１０８）
上記検出器サブシステムは、複数の検出器ピクセルを含み、該検出器サブシステムを加工することは、
該複数の検出器ピクセルを１組のプロセスによって形成することと、
該１組のプロセスのうちの少なくとも１つを使用して、光学素子を該検出器ピクセルのうちの少なくとも１つの中に形成することであって、該光学素子は、該検出器ピクセル内の一定範囲の波長の電磁エネルギに作用するように構成される、ことと
をさらに含む、項目９６に記載の方法。
（項目１０９）
上記光学素子を形成することは、
光学素子設計を生成することと、
該光学素子設計を試験することにより、該光学素子設計が、所定のパラメータ内に合致するかどうかを判断することと、
該光学素子設計が、該所定のパラメータ内に合致しない場合、
１組のパラメータ修正を使用して、該光学素子設計を修正することと、
該光学素子設計が、該所定のパラメータ内に合致するまで、該光学素子設計を試験および修正することを繰り返すことと、
該光学素子設計を上記検出器サブシステム設計の中に一体化することと
を含む、項目１０８に記載の方法。
（項目１１０）
上記検出器サブシステム設計を試験することにより、該検出器サブシステム設計が、上記所定のパラメータ内に合致するかどうかを判断することと、
該検出器サブシステム設計が、該所定のパラメータ内に合致しない場合、
上記１組のパラメータ修正を使用して、該検出器サブシステム設計を修正することと、
該検出器サブシステム設計が、該所定のパラメータ内に合致するまで、該検出器サブシステム設計を試験および修正することを繰り返すことと
をさらに含む、項目１０９に記載の方法。
（項目１１１）
上記サブシステム設計のうちの少なくとも１つを試験することは、該サブシステム設計のうちの少なくとも１つを数値モデル化することを含む、項目９６に記載の方法。
（項目１１２）
コンピュータ可読媒体上に格納される命令を含むソフトウェア製品であって、該命令は、コンピュータによって実行される場合、アレイ撮像システム設計を生成し、
（ａ）光学サブシステム設計、検出器サブシステム設計、および画像プロセッササブシステム設計を含む、該アレイ撮像システム設計を生成する命令と、
（ｂ）該光学、検出器、および画像プロセッササブシステム設計のうちの少なくとも１つを試験することにより、該サブシステム設計のうちの少なくとも１つが、所定のパラメータ内に合致するかどうかを判断する命令と、
該サブシステム設計のうちの少なくとも１つが、該所定のパラメータ内に合致しない場合、
（ｃ）１組のパラメータ修正を使用して、該アレイ撮像システム設計を修正する命令と、
（ｄ）該サブシステム設計のうちの少なくとも１つが、該所定のパラメータ内に合致して、該アレイ撮像システム設計をもたらすまで、（ｂ）および（ｃ）を繰り返す命令と
を含む、ソフトウェア製品。
（項目１１３）
上記アレイ撮像システム設計を修正する命令は、上記光学、検出器、および画像プロセッササブシステム設計のうちの少なくとも２つを同時に修正する命令を含む、項目１１２に記載のソフトウェア製品。
（項目１１４）
複数の立体領域を含むモノリシック材料であって、複数の立体領域はそれぞれ、規定された屈折率を有し、該立体領域のうちの少なくとも２つは、異なる屈折率を有し、該複数の立体領域は、該モノリシック材料を通って伝搬される電磁エネルギの位相を事前決定論的に修正するように構成される、モノリシック材料を含む、多重屈折光学素子。
（項目１１５）
上記モノリシック材料は、光軸を含み、上記複数の立体領域は、該光軸に平行に配置されたロッドの構成および該光軸に沿って組み立てられた複数の層のうちの１つを含む、項目１１４に記載の多重屈折光学素子。
（項目１１６）
上記モノリシック材料は、そこを通って伝達される上記電磁エネルギを焦点に集めるために構成される、項目１１４に記載の多重屈折光学素子。
（項目１１７）
上記モノリシック材料は、所定の位置で上記電磁エネルギを焦点に集めるためにさらに構成される、項目１１６に記載の多重屈折光学素子。
（項目１１８）
上記モノリシック材料は、屈折構造、回折構造、および体積ホログラムのうちの１つを含む、項目１１４に記載の多重屈折光学素子。
（項目１１９）
上記モノリシック材料は、複数の多重屈折光学素子に分割可能である、項目１１４に記載の多重屈折光学素子。
（項目１２０）
画像を形成する光学系であって、該光学系は、複数の立体領域を有する多重屈折光学素子を含み、該複数の立体領域のそれぞれは、規定された屈折率を有し、該立体領域のうちの少なくとも２つは、異なる屈折率を有し、該複数の立体領域は、そこを通って伝達される電磁エネルギの位相を事前決定論的に修正するように構成される、光学系と、
該画像を電子データに変換する検出器と、
該電子データを処理して、出力を生成するプロセッサと
を含む、撮像システム。
（項目１２１）
上記光学系は、上記検出器において上記電磁エネルギを焦点に集めるように構成される、項目１２０に記載の撮像システム。
（項目１２２）
上記プロセッサは、上記多重屈折光学素子によって上記画像内に生成される撮像効果を除去するために構成される、項目１２０に記載の撮像システム。
（項目１２３）
上記出力は、上記画像よりも鮮明な出力画像である、項目１２０に記載の撮像システム。
（項目１２４）
多重屈折光学素子を製造する方法であって、
（ｉ）複数の立体領域のそれぞれは、規定された屈折率を有し、（ｉｉ）該複数の立体領域のうちの少なくとも２つは、異なる屈折率を有し、（ｉｉｉ）該複数の立体領域は、そこを通って伝達される電磁エネルギの位相を事前決定論的に修正するように、モノリシック材料内の該複数の立体領域を形成することを含む、方法。
（項目１２５）
上記複数の立体領域を形成することは、
ａ）材料のロッドの束を組み立てることであって、該ロッドのうちの少なくとも２つは、異なる屈折率を有する、ことと、
ｂ）複数の材料を重層することであって、該材料のうちの少なくとも２つは、異なる屈折率を有する、ことと、
ｃ）上記モノリシック材料の一部を電磁エネルギ源で選択的に照射し、そのように照射された上記一部の上記屈折率を変更することと
のうちの１つを含む、項目１２４に記載の方法。
（項目１２６）
上記複数の立体領域を形成することは、該複数の立体領域を所定の位置でそこを通って伝達される上記電磁エネルギを焦点に集めるように構成することをさらに含む、項目１２４に記載の方法。
（項目１２７）
上記モノリシック材料を複数の多重屈折光学素子に分割することをさらに含む、項目１２４に記載の方法。
（項目１２８）
物体の画像を形成するための方法であって、
上記電磁エネルギを複数の立体領域を有するモノリシック材料を通して伝搬することによって、該物体からの電磁エネルギの位相を事前決定論的に修正することであって、該複数の立体領域はそれぞれ、規定された屈折率を有し、該立体領域のうちの少なくとも２つは、異なる屈折率を有する、ことと、
該電磁エネルギを電子データに変換することと、
該電子データを処理して、該画像を形成することと
を含む、方法。
（項目１２９）
事前決定論的に修正することは、所定の位置で上記電磁エネルギを焦点に集めることを含む、項目１２８に記載の方法。
（項目１３０）
上記電子データを処理することは、位相を事前決定論的に修正することによって、上記電磁エネルギ内で生成される撮像効果を除去することを含む、項目１２８に記載の方法。
（項目１３１）
共通基盤上に形成される検出器のアレイと、
光学素子の複数のアレイと、
該光学素子の複数のアレイを分離する複数のバルク材料層と
を含み、該光学素子の複数のアレイおよび該複数のバルク材料層は、協働して、光学系のアレイを形成し、該光学系のそれぞれは、上記アレイ撮像システムの１つの撮像システムを形成するように、該検出器のアレイの検出器のうちの少なくとも１つと光学的に接続され、
該複数のバルク材料層のそれぞれは、光学素子の隣接するアレイ間のＸ、Ｙ、およびＺ軸のうちの少なくとも１つに沿った距離を画定する、アレイ撮像システム。
（項目１３２）
上記光学素子のアレイうちの少なくとも１つは、主光線角度補正を実施するために構成される、項目１３１に記載のアレイ撮像システム。
（項目１３３）
上記光学素子の複数のアレイおよび上記複数のバルク材料層は、類似する熱膨張、剛性、および硬度係数を有するが、異なる屈折率を有する材料から形成される、項目１３１に記載のアレイ撮像システム。
（項目１３４）
上記光学素子の複数のアレイおよび上記複数のバルク材料層は、一定範囲の着目波長にわたって半透明である、項目１３１に記載のアレイ撮像システム。
（項目１３５）
上記光学素子の複数のアレイおよび上記複数のバルク材料層のうちの少なくとも１つは、着目波長の範囲外の波長に対し吸収性である、項目１３４に記載のアレイ撮像システム。
（項目１３６）
波長選択フィルタをさらに含む、項目１３１に記載のアレイ撮像システム。
（項目１３７）
上記光学素子の複数のアレイのうちの少なくとも１つは、上記検出器のアレイ上に直接形成される、項目１３１に記載のアレイ撮像システム。
（項目１３８）
上記光学素子の複数のアレイのうちの少なくとも１つは、上記複数のバルク材料層のうちの１つと一体的に形成される、項目１３１に記載のアレイ撮像システム。
（項目１３９）
上記光学素子の複数のアレイはそれぞれ、屈折素子、回折素子、ホログラフィック素子、および薄膜フィルタのうちの少なくとも１つを含む、項目１３１に記載のアレイ撮像システム。
（項目１４０）
上記薄膜フィルタは、異なる屈折率を有する材料の交互層を含む、項目１３９に記載のアレイ撮像システム。
（項目１４１）
上記薄膜フィルタは、高屈折率ｎｈｉ＝２．２を有する高屈折率材料と、低屈折率ｎｌｏ＝１．４８を有する低屈折率材料との交互層を含む、項目１４０に記載のアレイ撮像システム。
（項目１４２）
上記撮像システムのうちの少なくとも１つは、検出器カットオフ周波数に対し、全視野を通して０．２を上回るＭＴＦを提示する、項目１４１に記載のアレイ撮像システム。
（項目１４３）
上記薄膜フィルタは、高屈折率ｎｈｉ＝１．７を有する高屈折率材料と、低屈折率ｎｌｏ＝１．４８を有する低屈折率材料との交互層を含む、項目１４０に記載のアレイ撮像システム。
（項目１４４）
上記撮像システムのうちの少なくとも１つは、検出器カットオフ周波数に対し、全視野を通して０．１を上回るＭＴＦを提示する、項目１４３に記載のアレイ撮像システム。
（項目１４５）
上記共通基盤は、シリコンウエハを含む、項目１３１に記載のアレイ撮像システム。
（項目１４６）
上記光学素子の複数のアレイおよび上記複数のバルク材料層のうちの少なくとも１つは、ポリマーを含む、項目１３１に記載のアレイ撮像システム。
（項目１４７）
光学素子のためのテンプレートのアレイを機械加工する方法であって、
低速ツールサーボアプローチ、高速ツールサーボアプローチ、多軸研磨アプローチ、および多軸研削アプローチのうちの少なくとも１つを使用して、該テンプレートのアレイを加工することを含む、方法。
（項目１４８）
その上に画定される光学素子のためのテンプレートのアレイを含む、加工マスタを製造する方法において、改良点として、該テンプレートのアレイを直接加工することを含む、方法。
（項目１４９）
さらなる改良点として、直接加工することは、機械加工、粉砕、研削、ダイヤモンド旋削、ラップ仕上げ、研磨、フライカッティング、および上記複数の光学素子のうちの１つの形態を有する特殊化されたツールの使用のうちの少なくとも選択された１つを含む、項目１４８に記載の方法。
（項目１５０）
さらなる改良点として、直接加工することは、上記テンプレートとともにその後形成される光学素子が、少なくとも１次元においてサブミクロン精度を呈するように、該テンプレートのそれぞれを形成することを含む、項目１４８に記載の方法。
（項目１５１）
光学素子のアレイを製造する方法であって、
低速ツールサーボアプローチ、高速ツールサーボアプローチ、多軸研磨アプローチ、および多軸研削アプローチのうちの少なくとも選択された１つを使用して、該光学素子のアレイを直接加工することを含む、方法。
（項目１５２）
光学素子のアレイを製造する方法において、改良点として、直接加工によって該光学素子のアレイを形成することを含む、方法。
（項目１５３）
それとともに複数の光学素子を形成する際に使用される加工マスタを製造する方法であって、
該複数の光学素子を形成する特徴を含む第１の表面を判断することと、
（ａ）該第１の表面、および（ｂ）該加工マスタの材料特性の関数として、第２の表面を判断することと、
該第２の表面に基づいて、加工ルーチンを行い、該加工マスタ上に該第１の表面を形成することと
を含む、方法。
（項目１５４）
上記特徴のうちの少なくとも１つは、鋭角の特徴および湾曲表面のうちの少なくとも１つを含む、項目１５３に記載の方法。
（項目１５５）
上記特徴のうちの少なくとも１つは、矩形、四角形、円形、楕円形、多角形、および三角形のうちの１つである光学素子開口を形成するように構成される、項目１５４に記載の方法。
（項目１５６）
上記加工ルーチンを実施することは、該加工ルーチンの特性の関数として、ツール軌跡を最適化することを含む、項目１５３に記載の方法。
（項目１５７）
上記ツール軌跡を最適化することは、切削速度を調整することを含む、項目１５６に記載の方法。
（項目１５８）
上記第２の表面を判断することは、仮想データ平面を指定することを含む、項目１５３に記載の方法。
（項目１５９）
上記仮想データ平面は、上記加工ルーチンで使用されるツールが、該加工ルーチンのうちの少なくとも一部の間、上記加工マスタと接触しないように指定される、項目１５８に記載の方法。
（項目１６０）
上記仮想データ平面は、上記加工ルーチンで使用されるツールが、該加工ルーチンの間、上記加工マスタと常に接触するように指定される、項目１５８に記載の方法。
（項目１６１）
上記加工ルーチンを実施することは、
上記第２の表面を上記加工マスタ上に形成することと、
該第２の表面を面削りし、上記第１の表面を形成することと
を含む、項目１５３に記載の方法。
（項目１６２）
上記加工ルーチンを実施することは、
上記第２の表面を上記加工マスタ上に形成することと、
該第２の表面をエッチングし、上記第１の表面を形成することと
を含む、項目１５３に記載の方法。
（項目１６３）
上記加工ルーチンを実施することは、
第１のツールを使用して、上記第２の表面を形成することと、
第２のツールを使用して、上記第１の表面を該第２の表面から形成することと
を含む、項目１５３に記載の方法。
（項目１６４）
複数の光学素子を形成する際に使用する加工マスタを加工する方法であって、
第１のツールを使用して、複数の第１の表面特徴を該加工マスタ上に形成することと、
第２のツールを使用して、複数の第２の表面特徴を該加工マスタ上に形成することであって、該第２の表面特徴は、該第１の表面特徴と異なる、ことと
を含み、
該第１および第２の表面特徴の組み合わせは、該複数の光学素子を形成するように構成される、方法。
（項目１６５）
複数の光学素子を形成する際に使用する加工マスタを製造する方法であって、
複数の第１の特徴を該加工マスタ上に形成することであって、該複数の第１の特徴のそれぞれは、該複数の光学素子のうちの１つを形成する第２の特徴に近似する、ことと、
該複数の第１の特徴を平滑化し、該第２の特徴を形成することと
を含む、方法。
（項目１６６）
平滑化することは、ウェットエッチングおよびドライエッチングのうちの少なくとも１つを実施することを含む、項目１６５に記載の方法。
（項目１６７）
上記複数の第１の特徴を形成することは、ツールマークおよび欠陥のうちの少なくとも１つをもたらし、平滑化することは、該ツールマークおよび欠陥のうちの少なくとも１つを修正する、項目１６５に記載の方法。
（項目１６８）
複数の光学素子を形成する際に使用する加工マスタを製造する方法であって、
該複数の光学素子を画定し、少なくとも２つの別個の種類の光学素子を含むことと、
該加工マスタの表面上に該複数の光学素子を形成するように構成される特徴を直接加工することと
を含む、方法。
（項目１６９）
それとともに光学素子を形成する複数の特徴を含む、加工マスタを製造する方法であって、
非球面表面を有する少なくとも１つの種類の素子を含むように、該複数の特徴を画定することと、
該特徴を該加工マスタの表面上に直接加工することと
を含む、方法。
（項目１７０）
それとともに光学素子を形成するための複数の特徴を含む、加工マスタを製造する方法であって、
該特徴の第１の部分を該加工マスタの表面上に形成する第１の加工ルーチンを規定することと、
該第１の加工ルーチンを使用して、該特徴のうちの少なくとも１つを該表面上に直接加工することと、
該特徴のうちの少なくとも１つの表面特性を測定することと、
該特徴の第２の部分を該加工マスタの該表面上に形成する第２の加工ルーチンを規定することであって、該第２の加工ルーチンは、そのように測定された該表面特性に従って、少なくとも１つの側面において調節される該第１の加工ルーチンを含む、ことと、
該第２の加工ルーチンを使用して、該特徴のうちの少なくとも１つを該表面上に直接加工することと
を含む、方法。
（項目１７１）
それとともに複数の光学素子を形成する加工マスタを製造する機械において、該機械は、該加工マスタを保持するスピンドルと、該複数の光学素子を該加工マスタの表面上に形成する特徴を加工する機械ツールを保持するツールホルダとを含み、改良点として、該表面の特性を測定する該スピンドルおよび該ツールホルダと協働するように構成される度量衡システムを含む、機械。
（項目１７２）
上記特性は、Ｘ、Ｙ、およびＺの位置のうちの１つを含む、項目１７１に記載の機械。
（項目１７３）
上記度量衡システムは、
電磁エネルギを生成する発生源と、
該電磁エネルギを誘導する光学系と、
検出器配列と
を含み、
該電磁エネルギの少なくとも一部は、上記加工マスタの上記表面から散乱し、電磁エネルギの受波量として上記検出器配列によって受波され、該検出器配列は、該電磁エネルギの受波量に従って、該表面の特性の測定値を生成する、項目１７２に記載の機械。
（項目１７４）
上記光学系は、上記電磁エネルギを基準ビームおよび透過ビームに分割するビームスプリッタを含み、
該光学系は、上記基準ビームを上記表面に接触せずに、該基準ビームを上記検出器配列に誘導するために構成され、
該光学系は、該透過ビームを該表面へ誘導するように構成され、
該検出器配列は、該基準ビームと、上記電磁エネルギの受波量とを比較して、上記測定値を生成する、項目１７３に記載の機械。
（項目１７５）
上記度量衡システムは、上記ツールホルダを含む、項目１７２に記載の機械。
（項目１７６）
それとともに複数の光学素子を形成する加工マスタを製造する方法であって、
該複数の光学素子を形成する特徴を該加工マスタの表面上に直接加工することと、
少なくとも１つの整合特徴を該表面上に直接加工することであって、上記整合特徴は、別個の物体上の対応する整合特徴と協働して、該表面と上記別個の物体との間の分離距離を画定するように構成される、ことと
を含む、方法。
（項目１７７）
上記加工マスタの整合を上記別個の物体に対し画定する少なくとも１つの基準を上記表面上に直接加工することをさらに含む、項目１７６に記載の方法。
（項目１７８）
上記少なくとも１つの整合特徴を直接加工することは、運動学的搭載特徴および凸状環体特徴のうちの少なくとも１つを上記加工マスタ上に形成することを含む、項目１７６に記載の方法。
（項目１７９）
上記対応する整合特徴を上記別個の物体上に直接加工することをさらに含む、項目１７８に記載の方法。
（項目１８０）
上記整合特徴を直接加工することは、凸状環体特徴を上記加工マスタ上に形成することを含み、上記対応する整合特徴を直接加工することは、Ｖ型溝を上記別個の物体上に形成することであって、該Ｖ型溝は、その中の該凸状環体特徴を受容するように構成される、ことを含む、項目１７６に記載の方法。
（項目１８１）
それとともに光学素子のアレイを形成する加工マスタを製造する方法であって、
上記基板の表面上に、該光学素子のアレイを形成する特徴を直接加工することと、
該表面上に、少なくとも１つの整合特徴を直接加工することであって、該整合特徴は、別個の物体上の対応する整合特徴と協働して、該表面と上記別個の物体との間の平行移動、回転、および分離のうちの少なくとも１つを示すように構成される、ことと
を含む、方法。
（項目１８２）
多軸機械ツールを使用して、基板を修正し、光学素子のアレイのための加工マスタを形成する方法であって、
該基板を基板ホルダに搭載することと、
予備的機械加工操作を該基板上で実施することと、
該基板の表面上に、該光学素子のアレイを形成する特徴を直接加工することと、
該基板の表面上に、少なくとも１つの整合特徴を直接加工することと
を含み、
該実施および直接加工することの間、該基板は、該基板ホルダに搭載されたままである、方法。
（項目１８３）
その上に上記基板を搭載することに先立って、上記基板ホルダの予備的機械加工操作を実施することをさらに含む、項目１８２に記載の方法。
（項目１８４）
上記光学素子のアレイを形成する上記特徴を直接加工するための２つ以上のツールを利用することをさらに含む、項目１８２に記載の方法。
（項目１８５）
上記光学素子のアレイを形成する上記特徴を直接加工することは、上記機械ツールのＢ軸運動を利用することを含む、項目１８２に記載の方法。
（項目１８６）
層状光学素子のアレイを加工する方法であって、
第１の加工マスタを使用して、光学素子の第１の層を共通基盤上に形成することであって、該第１の加工マスタは、その上に形成される該光学素子の第１の層のネガティブを含む第１のマスタ基板を有する、ことと、
該光学素子の第１の層に隣接する光学素子の第２の層を形成する第２の加工マスタを使用して、該層状光学素子のアレイを該共通基盤上に形成することであって、上記第２の加工マスタは、その上に形成される光学素子の上記第２の層のネガティブを含む第２のマスタ基板を有する、ことと
を含む、方法。
（項目１８７）
上記光学素子の第１の層を形成することは、第１の搭載システムを使用して、上記共通基盤に対し、所定の位置に上記第１の加工マスタを配置することを含む、項目１８６に記載の方法。
（項目１８８）
上記光学素子の第２の層を形成することは、第２の搭載システムを使用して、上記共通基盤およびその上に形成される上記光学素子の第１の層に対し、所定の位置に上記第２の加工マスタを配置することを含む、項目１８６に記載の方法。
（項目１８９）
上記光学素子の第１の層を形成することは、
上記第１の加工マスタおよび上記共通基盤のうちの少なくとも１つ上に成形可能材料を蒸着することと、
上記共通基盤、上記成形可能材料、および上記第１の加工マスタを係合することと、
上記成形可能材料を硬化することと、
上記共通基盤、上記硬化された成形可能材料、および上記第１の加工マスタを係脱し、それによって、光学素子の上記第１のアレイを形成することと
を含む、項目１８６に記載の方法。
（項目１９０）
加工マスタであって、
成形可能材料を複数の光学素子を画定する所定の形状に成形する配列と、  該加工マスタが共通基盤と組み合わせて使用される場合に、上記成形配列を該共通基盤に対し所定の配向で整合する配列であって、該成形配列は、２波長未満の誤差の再現性および精度で上記共通基盤と整合され得る、配列と
を含む、加工マスタ。
（項目１９１）
上記成形配列は、直径８インチの共通基盤の表面上に、少なくとも１，０００の上記光学素子に相当するウエハスケール密度で光学素子の加工を提供する、項目１９０に記載の加工マスタ。
（項目１９２）
上記成形配列は、非球面光学素子を成形するために構成される、項目１９０に記載の加工マスタ。
（項目１９３）
上記成形可能材料に構造的支持を与えるように構築および配列される支持挿入物を含む、項目１９０に記載の加工マスタ。
（項目１９４）
上記成形可能材料は、上記成形配列のドータ複製として形成される上記複数の光学素子の反転複製を含む、項目１９３に記載の加工マスタ。
（項目１９５）
上記共通基盤は、上記成形配列と該共通基盤とを整合状態で保持するようにそれぞれ構成されるチャックを使用して、上記整合配列と相互作用するように構成される、項目１９０に記載の加工マスタ。
（項目１９６）
上記整合配列は、指標マーク、バーニヤ、および基準のうちの少なくとも１つを含む、項目１９０に記載の加工マスタ。
（項目１９７）
上記成形配列は、サブ波長特徴を少なくとも１つの光学素子に付与するための配列を含み、該サブ波長特徴は、反射防止構造を該少なくとも１つの光学素子の上に付与するように構成される、項目１９０に記載の加工マスタ。
（項目１９８）
上記成形配列は、上記光学素子を作製するために使用される上記成形可能材料の所定の収縮を補償する寸法で構成される、項目１９０に記載の加工マスタ。
（項目１９９）
上記成形配列は、電磁エネルギの選択された帯域の通過を可能にする、光学的透過材料を含むことにより、それに曝されたときに反応を開始して、上記成形可能材料を硬化する、項目１９０に記載の加工マスタ。
（項目２００）
第１の側面と、該第１の側面から離れた第２の側面とを有する共通基盤と、
該共通基盤の第１の側面上に、整合状態で構築および配列され、そこにおける整合誤差は２波長未満である、第１の複数の光学素子と
を含む、アレイ撮像システム。
（項目２０１）
上記共通基盤の第２の側面の上に構築および配列される第２の複数の光学素子をさらに含む、項目２００に記載のアレイ撮像システム。
（項目２０２）
上記共通基盤の第１の側面に付設される第１の表面を有するスペーサをさらに含み、該スペーサは、該第１の表面から離れた第２の表面を提示し、そこを通って電磁エネルギを伝搬するために、上記第１の複数の光学素子と整合させられる複数の孔を含む、項目２００に記載のアレイ撮像システム。
（項目２０３）
上記スペーサの第２の表面に付設され、上記第１の複数の光学素子と整合させられる個々の空隙を画定する第２の共通基盤をさらに含む、項目２０２に記載のアレイ撮像システム。
（項目２０４）
第１の共通基盤と、
該第１の共通基盤の上に、精密な整合状態で構築および配列される第１の複数の光学素子と、
該第１の共通基盤に付設される第１の表面を有するスペーサと、
該第１の表面から離れた第２の表面を提示する該スペーサと、
自身を貫通する複数の孔を形成し、該第１の複数の光学素子と整合させられる該スペーサであって、自身を通って電磁エネルギを伝搬する、該スペーサと、
該第２の表面に接合され、該第１の複数の光学素子と整合させられる個々の空隙を画定する第２の共通基盤と上記空隙とのうちの少なくとも１つも中に配置される可動光学系と、
該可動光学系を可動するための配列と
を含む、アレイ撮像システム。
（項目２０５）
層状光学素子のアレイを共通基盤上に製造する方法であって、
（ａ）該層状光学素子のアレイを蒸着するために該共通基盤を調製することと、
（ｂ）該共通基盤および第１の加工マスタを搭載することにより、少なくとも２波長の精密な整合が、該第１の加工マスタと該共通基盤との間に存在することと、
（ｃ）該第１の加工マスタと該共通基盤との間に第１の成形可能材料を蒸着することと、
（ｄ）該第１の加工マスタと該共通基盤とを整合および係合することによって、該第１の成形可能材料を成形することと、
（ｅ）該第１の成形可能材料を硬化させて、該共通基盤の上に光学素子の第１の層を形成することと、
（ｆ）該第１の加工マスタを第２の加工マスタと代替することと、
（ｇ）第２の加工マスタと該光学素子の第１の層との間に第２の成形可能材料を蒸着することと、
（ｈ）該第２の加工マスタおよび該共通基盤を整合および係合することによって、該第２の成形可能材料を成形することと、
（ｉ）該第２の成形可能材料を硬化させ、該共通基盤の上に光学素子の第２の層を形成することと
を含む、方法。
（項目２０６）
上記光学素子の第１および第２の層のうちの少なくとも１つの上に反射防止コーティングを形成することをさらに含む、項目２０５に記載の方法。
（項目２０７）
上記層状光学素子のアレイが、光学素子の少なくとも３層を含むように、（ｆ）から（ｉ）を繰り返すことをさらに含む、項目２０５に記載の方法。
（項目２０８）
１組のプロセスによって形成される検出器ピクセルを加工する方法において、改良点として、該１組のプロセスのうちの少なくとも１つを使用して、該検出器ピクセル内に少なくとも１つの光学素子を形成することであって、該光学素子は、一定範囲の波長の電磁エネルギに作用するために構成される、ことを含む、方法。
（項目２０９）
さらなる改良点として、一定範囲の可視波長の電磁エネルギに作用する上記光学素子を構成することを含む、項目２０８に記載の方法。
（項目２１０）
上記検出器ピクセルは、所与の範囲の波長の電磁エネルギを受波するように構成され、さらなる改良として、作用することは、該所与の範囲の波長の電磁エネルギに作用する上記光学素子を構成することを含む、項目２０８に記載の方法。
（項目２１１）
さらなる改良点として、上記検出器ピクセルのそれぞれは、感光領域を含み、上記光学素子を形成することは、上記範囲の波長の上記電磁エネルギの少なくとも一部を該対応する検出器ピクセルの該感光領域の上へ誘導する該光学素子を構成することを含む、項目２０８に記載の方法。
（項目２１２）
さらなる改良点として、一定範囲の主光線角度の上記電磁エネルギの一部を上記感光領域上へ誘導するための上記光学素子を構成することを含む、項目２１１に記載の方法。
（項目２１３）
さらなる改良点として、上記光学素子を形成することは、上記範囲の波長の電磁エネルギを伝搬する一方、該範囲外の波長の電磁エネルギを遮断する該光学素子を構成することを含む、項目２０８に記載の方法。
（項目２１４）
さらなる改良点として、一定範囲の偏光状態の電磁エネルギに作用するための上記光学素子を構成することを含む、項目２０８に記載の方法。
（項目２１５）
さらなる改良点として、上記セットのプロセスは、リソグラフィ、レーザ切断、スタンピング、背面研削、分子パターン転写、およびブランケット蒸着のうちの少なくとも選択された１つを含む、項目２０８に記載の方法。
（項目２１６）
さらなる改良点として、上記光学素子を形成することは、上記検出器ピクセルを形成するためにも使用される材料から該光学素子を加工することを含む、項目２０８に記載の方法。
（項目２１７）
さらなる改良点として、上記光学素子を形成することは、相補型金属酸化膜半導体材料から該光学素子を形成することを含む、項目２１６に記載の検出器ピクセル。
（項目２１８）
さらなる改良点として、上記光学素子を形成することは、プラズマ蒸着窒化シリコン（ＰＥＳｉＮ）、およびプラズマ蒸着酸化物（ＰＥＯＸ）のうちの少なくとも選択された１つから該光学素子を形成することを含む、項目２１７に記載の方法。
（項目２１９）
さらなる改良点として、上記光学素子を形成することは、複数のサブ波長構造を生成することを含む、項目２１７に記載の方法。
（項目２２０）
さらなる改良点として、上記複数のサブ波長構造を生成することは、上記範囲の波長の少なくとも一部より小さい構造を形成することを含む、項目２１９に記載の方法。
（項目２２１）
さらなる改良点として、電磁エネルギをその裏面から受波する上記検出器ピクセルを構成することを含む、項目２０８に記載の方法。
（項目２２２）
複数の検出器ピクセルを含む検出器と、
該複数の検出器ピクセルのうちの少なくとも１つと一体的に形成される光学素子であって、一定範囲の波長の電磁エネルギに作用するために構成される、光学素子と
を含む、電磁エネルギ検出システム。
（項目２２３）
上記複数の検出器ピクセルのうちの少なくとも１つは、上記範囲の波長の電磁エネルギを受波するために構成され、上記光学素子は、該範囲の波長の電磁エネルギに作用するためにさらに構成される、項目２２２に記載のシステム。
（項目２２４）
上記範囲の波長は、可視波長を含む、項目２２２に記載のシステム。
（項目２２５）
上記光学素子は、屈折素子、薄膜フィルタ、共振空洞、および電磁エネルギ拘束空洞のうちの少なくとも選択された１つを含む、項目２２２に記載のシステム。
（項目２２６）
上記光学素子は、リレーサブシステムを形成する複数の構造を含む、項目２２２に記載のシステム。
（項目２２７）
上記光学素子は、一連の波長選択フィルタを含む、項目２２６に記載のシステム。
（項目２２８）
上記一連の波長選択フィルタは、帯域通過フィルタを実装するために構成される、項目２２７に記載のシステム。
（項目２２９）
上記一連の波長選択フィルタは、ピクセル色を選択するように構成される、項目２２７に記載のシステム。
（項目２３０）
上記検出器ピクセルはそれぞれ、感光領域を含み、上記光学素子は、電磁エネルギを該検出器ピクセルのうちの１つの該感光領域へ再誘導するための導波管を含む、項目２２２に記載のシステム。
（項目２３１）
上記導波管は、低屈折率材料内に封入された高屈折率材料を含む、項目２３０に記載のシステム。
（項目２３２）
上記導波管は、縦軸を含み、該導波管は、該縦軸に垂直である半径方向に変化する屈折率プロファイルを含む、項目２３０に記載のシステム。
（項目２３３）
上記光学素子は、メタ材料を含む、項目２２２に記載のシステム。
（項目２３４）
上記電磁エネルギ検出システムは、上記範囲の波長を含む電磁エネルギを受波し、上記メタ材料は、該範囲の波長内の波長のうちの少なくとも１つより小さい構造を含む、項目２３３に記載のシステム。
（項目２３５）
上記光学素子は、相補型金属−酸化物−金属半導体材料から形成される、項目２２２に記載のシステム。
（項目２３６）
上記光学素子は、プラズマ蒸着窒化シリコン（ＰＥＳｉＮ）およびプラズマ蒸着酸化物（ＰＥＯＸ）のうちの少なくとも選択された１つから形成される、項目２３５に記載のシステム。
（項目２３７）
上記光学素子は、ＰＥＳｉＮおよびＰＥＯＸの組み合わせ層から形成される、項目２３６に記載のシステム。
（項目２３８）
上記光学素子は、ＰＥＳｉＮおよびＰＥＯＸの交互層から形成される、項目２３７に記載のシステム。
（項目２３９）
上記光学素子は、ＰＥＳｉＮおよびＰＥＯＸの介在層から形成される、項目２３７に記載のシステム。
（項目２４０）
上記光学素子は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）、ホスホシリケイトガラス（ＰＳＧ）、フッ素ドープケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）、およびＢＬＡＣＫ  ＤＩＡＭＯＮＤ（登録商標）（ＢＤ）のうちの少なくとも選択された１つから形成される、項目２２２に記載のシステム。
（項目２４１）
上記検出器ピクセルのうちの少なくとも１つは、その裏面から電磁エネルギを受波するために構成される、項目２２２に記載のシステム。
（項目２４２）
上記光学素子は、上記裏面とその感光領域との間の上記検出器ピクセルと一体的に形成される、項目２４１に記載のシステム。
（項目２４３）
上記光学素子は、電磁エネルギを上記感光領域へ誘導する導波管を含む、項目２４２に記載のシステム。
（項目２４４）
上記光学素子は、感光領域と上記検出器ピクセルの前面との間の該検出器ピクセルと一体的に形成される、項目２４１に記載のシステム。
（項目２４５）
その上に入射する一定範囲の波長の電磁エネルギを誘導する電磁エネルギ検出システムであって、
複数の検出器ピクセルを含む検出器であって、該検出器ピクセルのそれぞれは、少なくとも１つの感光領域を含む、検出器と、
該複数の検出器ピクセルのうちの少なくとも１つと一体的に形成される光学系であって、該範囲の波長の電磁エネルギを該少なくとも１つの検出器ピクセルの該感光領域の上へ選択的に再誘導するように構成される、光学系と
を含む、システム。
（項目２４６）
上記光学系は、一定範囲の偏光状態のうちの１つを有する電磁エネルギを再誘導する、項目２４５に記載のシステム。
（項目２４７）
上記光学系は、光軸を含み、上記複数の検出器ピクセルのそれぞれは、ピクセル法線を含み、少なくとも１つの該光学系の光軸は、その対応する検出器ピクセルのピクセル法線と非共線上にある、項目２４５に記載のシステム。
（項目２４８）
上記複数の検出器ピクセルのそれぞれは、ピクセル感度によって特徴付けられ、上記光学系は、上記光学系を伴わないピクセルのピクセル感度と比較して、その対応する検出器ピクセルのピクセル感度を増加するように構成される、項目２４５に記載のシステム。
（項目２４９）
上記光学系は、上記範囲の波長の一部の電磁エネルギを伝搬する一方、該範囲の波長の一部以外の電磁エネルギを遮断するためにさらに構成される、項目２４５に記載のシステム。
（項目２５０）
上記複数の検出器ピクセルのうちの１つに対し上記範囲の波長の一部を選択するために、該複数の検出器ピクセルの上に形成される複数の共通層と、該複数の検出器ピクセルのそれぞれにカスタマイズされた複数の波長選択層とをさらに含む、項目２４５に記載のシステム。
（項目２５１）
上記複数の共通層は、ブランケット蒸着によって形成される、項目２５０に記載のシステム。
（項目２５２）
上記光学系は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）、ホスホシリケイトガラス（ＰＳＧ）、フッ素ドープケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）、およびＢＬＡＣＫ  ＤＩＡＭＯＮＤ（登録商標）（ＢＤ）のうちの少なくとも選択された１つから形成される、項目２４５に記載のシステム。
（項目２５３）
上記検出器は、保護層、平坦化層、およびカバープレートのうちの少なくとも１つを含む、項目２４５に記載のシステム。
（項目２５４）
上記検出器ピクセルのうちの少なくとも１つは、その裏面から電磁エネルギを受波するように構成される、項目２４５に記載のシステム。
（項目２５５）
上記光学系は、上記検出器ピクセルの裏面と上記感光領域との間の該検出器ピクセル内に配置される、項目２５４に記載のシステム。
（項目２５６）
上記光学系は、上記感光領域と上記検出器ピクセルの前面との間の該検出器ピクセル内に配置される、項目２５４に記載のシステム。
（項目２５７）
電磁エネルギ検出器において、改良点として、
上記検出器と一体的に形成され、その上に入射する一定範囲の波長の電磁エネルギを再分布するための複数のサブ波長特徴を含む構造を含む、電磁エネルギ検出器。
（項目２５８）
上記検出器は、少なくとも１つの検出器ピクセルを含み、さらなる改良点として、上記構造は、上記範囲の波長の少なくとも一部の上記電磁エネルギを該検出器ピクセル内の少なくとも１つの特定の位置へ選択的に誘導する、項目２５７に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２５９）
さらなる改良点として、上記サブ波長特徴は、一定範囲の偏光状態の電磁エネルギを上記１つの特定の位置へ誘導する、項目２５８に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２６０）
上記検出器ピクセルは、感光領域を含み、さらなる改良点として、上記構造は、上記電磁エネルギの上記範囲の波長の一部を該検出器ピクセルの感光領域へ選択的に誘導する、項目２５８に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２６１）
上記検出器ピクセルは、感光領域を含み、さらなる改良点として、上記構造は、上記電磁エネルギの上記範囲の波長の一部を該検出器ピクセルの感光領域から離れて分布する、項目２５８に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２６２）
さらなる改良点として、上記サブ波長特徴は、３次元対称、混合対称、および非対称構成のうちの１つを含む、項目２５７に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２６３）
さらなる改良点として、上記構成の対称は、材料、位置、特徴サイズ、配向、および屈折率のうちの少なくとも選択された１つの観点で画定される、項目２６２に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２６４）
さらなる改良点として、上記サブ波長特徴は、主光線角度補正を実施するための混合対称構成で配列される、項目２６２に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２６５）
さらなる改良点として、上記構造は、相補型金属酸化膜半導体材料から形成される、項目２５７に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２６６）
さらなる改良点として、上記構造は、上記検出器から一体的に形成される、項目２６５に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２６７）
さらなる改良点として、上記検出器は、その裏面から電磁エネルギを受波するために構成される少なくとも１つの検出器ピクセルを含む、項目２５７に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２６８）
電磁エネルギ検出器において、改良点として、検出器と一体的に形成され、帯域通過フィルタリング、エッジフィルタリング、カラーフィルタリング、高域フィルタリング、低域フィルタリング、反射防止、ノッチフィルタリング、および遮断フィルタリングのうちの少なくとも１つを提供する薄膜フィルタを含む、電磁エネルギ検出器。
（項目２６９）
さらなる改良点として、上記薄膜フィルタは、上記検出器を形成する少なくとも２つの材料から形成される、項目２６８に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２７０）
さらなる改良点として、上記薄膜フィルタは、一定範囲の主光線角度の電磁エネルギを受波するためにさらに構成される、項目２６８に記載の検出器。
（項目２７１）
さらなる改良点として、上記薄膜フィルタは、相補型金属酸化膜半導体加工と適合する材料を使用して形成される、項目２６８に記載の検出器。
（項目２７２）
さらなる改良点として、イオン移動およびドナー寄与のうちの少なくとも１つを防止するために、上記薄膜フィルタに隣接して配置される緩衝層を含む、項目２６８に記載の検出器。
（項目２７３）
さらなる改良点として、上記薄膜フィルタは、赤−緑−青（ＲＧＢ）フィルタ、シアン−マゼンタ−黄（ＣＭＹ）フィルタ、赤外線（ＩＲ）カットフィルタ、赤−緑−青−白色（ＲＧＢＷ）フィルタ、シアン−マゼンタ−黄−白色（ＣＭＹＷ）フィルタ、シアン−マゼンタ−黄−緑（ＣＭＹＧ）フィルタ、および反射防止（ＡＲ）フィルタのうちの少なくとも１つを提供するように構成される、項目２６８に記載の検出器。
（項目２７４）
さらなる改良点として、上記電磁エネルギ検出器は、その裏面から電磁エネルギを受波するために構成される、項目２６８に記載の検出器。
（項目２７５）
１組のプロセスによって電磁エネルギ検出器を形成する方法において、改良点として、
該１組のプロセスのうちの少なくとも１つを使用して、該検出器内に薄膜フィルタを形成することと、
帯域通過フィルタリング、エッジフィルタリング、カラーフィルタリング、高域フィルタリング、低域フィルタリング、反射防止、ノッチフィルタリング、遮断フィルタリング、および主光線角度補正のうちの少なくとも選択された１つを実施する該薄膜フィルタを構成することと
を含む、方法。
（項目２７６）
さらなる改良点として、上記薄膜フィルタを形成することは、リソグラフィ、レーザ切断、スタンピング、背面研削、分子パターン転写、ブランケット蒸着、およびイオン注入のうちの少なくとも選択された１つを使用することを含む、項目２７５に記載の方法。
（項目２７７）
さらなる改良点として、上記薄膜フィルタを形成することは、上記検出器を形成するために使用される材料から該薄膜フィルタを形成することを含む、項目２７５に記載の方法。
（項目２７８）
その中に形成される感光領域を有する少なくとも１つの検出器ピクセルを含む電磁エネルギ検出器において、改良点として、
該検出器ピクセルの入射瞳において、該検出器ピクセルと一体的に形成され、その上に入射する電磁エネルギのうちの少なくとも一部を該感光領域へ再分布する主光線角度補正器を含む、電磁エネルギ検出器。
（項目２７９）
さらなる改良点として、上記主光線角度補正器は、上記検出器を形成する少なくとも１つの材料から形成される、項目２７８に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２８０）
上記検出器は、１組のプロセスによって形成され、さらなる改良点として、上記主光線角度補正器は、該１組のプロセスのうちの少なくとも１つを使用して形成される、項目２７９に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２８１）
さらなる改良点として、上記主光線角度補正器は、リソグラフィによって画定される空間的可変薄膜層、サブ波長特徴を有する空間的可変構造、上記検出器ピクセルの上記入射瞳においてリソグラフィによって画定される構造、空間的可変信号処理および先細構造を組み合わせた光学素子のうちの少なくとも選択された１つとして構成される、項目２８０に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２８２）
さらなる改良点として、上記検出器ピクセルは、その裏面から電磁エネルギを受波するように構成される、項目２７８に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２８３）
複数の検出器ピクセルと、
該検出器ピクセルのうちの少なくとも１つと一体的に形成され、帯域通過フィルタリング、エッジフィルタリング、カラーフィルタリング、高域フィルタリング、低域フィルタリング、反射防止、ノッチフィルタリング、遮断フィルタリング、および主光線角度補正のうちの少なくとも選択された１つのために構成される薄膜フィルタとを含む、電磁エネルギ検出システム。
（項目２８４）
上記薄膜フィルタは、上記検出器ピクセルを形成する少なくとも２つ材料から形成される、項目２８３に記載のシステム。
（項目２８５）
イオン移動およびドナー寄与のうちの少なくとも１つを防止するために、上記薄膜フィルタに隣接して配置される緩衝層をさらに含む、項目２８３に記載のシステム。
（項目２８６）
上記薄膜フィルタは、赤−緑−青（ＲＧＢ）フィルタ、シアン−マゼンタ−黄（ＣＭＹ）フィルタ、赤外線（ＩＲ）カットフィルタ、赤−緑−青−白色（ＲＧＢＷ）フィルタ、シアン−マゼンタ−黄−白色（ＣＭＹＷ）フィルタ、シアン−マゼンタ−黄−緑（ＣＭＹＧ）フィルタ、および反射防止（ＡＲ）フィルタのうちの少なくとも選択された１つとして構成される、項目２８３に記載のシステム。
（項目２８７）
上記少なくとも１つの検出器ピクセルは、その裏面から電磁エネルギを受波するように構成される、項目２８３に記載のシステム。
（項目２８８）
複数の検出器ピクセルであって、該複数の検出器ピクセルのそれぞれは、感光領域と、該検出器ピクセルの入射瞳において、該検出器ピクセルと一体的に形成される主光線角度補正器とを含み、上記主光線角度補正器は、その上に入射する電磁エネルギのうちの少なくとも一部を該検出器ピクセルの該感光領域へ誘導するために構成される、複数の検出器ピクセルを含む、電磁エネルギ検出システム。
（項目２８９）
上記主光線角度補正器は、偏心回折構造、チャープ回折格子、可変高構造、および空間的可変有効屈折率を呈するサブ波長特徴の集合のうちの少なくとも１つを含む、項目２８８に記載の電磁エネルギ検出システム。
（項目２９０）
上記主光線角度補正器は、対称中心を含み、該対称中心は、上記検出器ピクセルの中心に対しオフセットされる、項目２８８に記載の電磁エネルギ検出システム。
（項目２９１）
上記主光線角度補正器は、リソグラフィによって画定される空間的可変薄膜層、サブ波長特徴を有する空間的可変構造、上記検出器ピクセルの上記入射瞳においてリソグラフィによって画定される構造、空間的可変信号処理および先細構造を組み合わせた光学素子のうちの少なくとも選択された１つを含む、項目２８８に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２９２）
上記検出器ピクセルのうちの少なくとも１つは、その裏面から電磁エネルギを受波するために構成される、項目２８８に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目２９３）
少なくとも第１と第２のフィルタ設計とを同時に生成する方法であって、該第１および第２のフィルタ設計のそれぞれは、複数の薄膜層を画定し、
ａ）該第１のフィルタ設計のための第１のセットの要件と、該第２のフィルタ設計のための第２のセットの要件とを定義することと、
ｂ）該第１および第２のセットの要件に従って、該第１および第２のフィルタ設計のそれぞれにおいて該薄膜層を特徴付ける、少なくとも選択されたパラメータを最適化し、該第１のフィルタ設計のための非制約設計と、該第２のフィルタ設計のための第２の非制約設計とを生成することと、
ｃ）該第１のフィルタ設計における該薄膜層のうちの１つと、該第２のフィルタ設計における該薄膜層のうちの１つとを一対にして、第１の組の一対の層を画定することであって、該第１の組の一対の層ではない層は、対でない層である、ことと、
ｄ）該第１のセットの一対の層の該選択されたパラメータを第１の共通値に設定することと、
ｅ）該第１および第２のフィルタ設計における該対でない層の該選択されたパラメータを再び最適化することにより、該第１のフィルタ設計のための第１の部分的制約設計と、該第２のフィルタ設計のための第２の部分的制約設計とを生成することであって、該第１および第２の部分的制約設計のそれぞれは、該第１および第２のセットの要件の少なくとも一部と一致する、ことと
を含む、方法。
（項目２９４）
ｆ）上記第１のフィルタ設計における上記対でない層のうちの１つと、上記第２のフィルタ設計における上記対でない層のうちの１つとを一対にして、第２のセットの一対の層を画定することと、
ｇ）該第２のセットの一対の層の上記選択されたパラメータを第２の共通値に設定することと、
ｈ）該第１および第２のフィルタ設計における残りの対でない層の上記選択されたパラメータを再び最適化して、該第１のフィルタ設計のための第１のさらなる制約設計と、該第２のフィルタ設計のための第２のさらなる制約設計とを生成することと
をさらに含む、項目２９３に記載の方法。
（項目２９５）
上記第１のフィルタ設計における上記薄膜層のそれぞれが、上記第２のフィルタ設計における上記薄膜層の対応する１つと一対にされるまで、ｆ）、ｇ）、およびｈ）を繰り返すことにより、該第１のフィルタ設計のための第１の完全制約設計と、該第２のフィルタ設計のための第２の完全制約設計とを生成することをさらに含む、項目２９４に記載の方法。
（項目２９６）
上記第１および第２の完全制約設計を再び最適化することにより、上記第１のフィルタ設計のための第１の最終設計と、上記第２のフィルタ設計のための第２の最終設計とを生成することをさらに含み、該第１および第２の最終設計のそれぞれは、該第１および第２の完全制約設計と比較して、それぞれ、上記第１および第２の組の要件にさらに一致する、項目２９５に記載の方法。
（項目２９７）
ｉ）複数の薄膜層を含む第３のフィルタ設計のための第３の組の要件を規定することと、
ｊ）該第３の組の要件に従って、該第３のフィルタ設計における該薄膜層を特徴付ける少なくとも上記選択されたパラメータを最適化することにより、該第３のフィルタ設計のための第３の非制約設計を生成することと、
ｋ）該第３のフィルタ設計における該薄膜層のうちの１つと、該第１および第２のフィルタ設計における上記対でない層のうちの１つとを一対にすることにより、第３の組の対層を画定することと、
ｌ）該第３の組の一対にされた層の該選択されたパラメータを第３の共通値に設定することと、
ｍ）該第１と、第２と、第３のフィルタ設計とにおける該対でない層の該選択されたパラメータを再び最適化し、該第１のフィルタ設計のための第１のさらなる制約設計と、該第２のフィルタ設計のための第２のさらなる制約設計と、該第３のフィルタ設計のための第３のさらなる制約設計とを生成することと
をさらに含む、項目２９４に記載の方法。
（項目２９８）
上記第１のフィルタ設計のための第１の完全制約設計と、上記第２のフィルタ設計のための第２の完全制約設計と、上記第３のフィルタ設計のための第３の完全制約設計とを生成するように、上記第１と、第２と、第３のフィルタ設計とにおける上記薄膜層がそれぞれ、該第１と、第２と、第３のフィルタ設計とのうちの１つにおける該薄膜層の対応する１つと一対にされるまで、ｉ）からｍ）を繰り返すことをさらに含む、項目２９７に記載の方法。
（項目２９９）
上記第１と、第２と、第３の完全制約設計とを再び最適化し、上記第１のフィルタ設計のための第１の最終設計と、上記第２のフィルタ設計のための第２の最終設計と、上記第３のフィルタ設計のための第３の最終設計とを生成することをさらに含み、該第１と、第２と、第３の最終設計とのそれぞれは、該第１と、第２と、第３の完全制約設計と比較して、それぞれ、上記第１と、第２と、第３の組の要件とさらに一致する、項目２９８に記載の方法。
（項目３００）
上記第１のフィルタ設計のための第１のセットの要件と、上記第２のフィルタ設計のための第２のセットの要件とを規定することは、該第１のフィルタ設計のための薄膜層の第１の数と、該第２のフィルタ設計のための薄膜層の第２の数とを判断することを含む、項目２９３に記載の方法。
（項目３０１）
上記第１のフィルタ設計のための薄膜層の上記第１の数と、上記第２のフィルタ設計のための薄膜層の上記第２の数とを判断することは、該第１および第２の数を共通数に設定することを含む、項目３００に記載の方法。
（項目３０２）
上記薄膜層の上記選択されたパラメータは、層厚、層光学膜厚、層屈折率、および層透過率のうちの少なくとも選択された１つである、項目２９３に記載の方法。
（項目３０３）
上記第１および第２の組の要件のそれぞれは、上記第１および第２のフィルタ設計の対応する１つのための性能目標、１組の制約、１組の制限、および上記選択されたパラメータを最適化する際に使用するためのメリット関数のうちの少なくとも１つを含む、項目２９３に記載の方法。
（項目３０４）
上記セットの制約は、材料の種類、材料厚の範囲、材料屈折率、処理ステップの数、およびマスキング操作の数のうちの少なくとも１つを含む、項目３０３に記載の方法。
（項目３０５）
上記第１および第２の組の要件を規定することは、
少なくとも上記第１のフィルタ設計のための第１の標的波長と、上記第２のフィルタ設計のための第２の標的波長とを識別することと、
該第１のフィルタ設計のための該第１の標的波長と、該第２のフィルタ設計のための該第２の標的波長のそれぞれにおいて、透過目標および吸収目標のうちの少なくとも１つを指定することと
を含む、項目２９３に記載の方法。
（項目３０６）
上記第１および第２の非制約設計を生成することと、上記第１および第２の制約設計を生成することとは、シミュレーションアニーリング最適化ルーチン、シンプレックス最適化ルーチン、共役勾配最適化ルーチン、および群最適化ルーチンのうちの少なくとも選択された１つを含む、項目２９３に記載の方法。
（項目３０７）
上記対にされた層の上記選択されたパラメータを設定することは、該選択されたパラメータが設定される上記共通値を最適化することを含む、項目２９３に記載の方法。
（項目３０８）
少なくとも第１および第２の検出器ピクセルを含む電磁エネルギ検出器を形成する方法において、改良点として、
第１および第２の薄膜フィルタが、少なくとも共通層を共有するように、第１の薄膜フィルタを該第１の検出器ピクセルと、第２の薄膜フィルタを該第２の検出器ピクセルと一体的に形成することを含む、方法。
（項目３０９）
さらなる改良点として、上記第１および第２の薄膜フィルタを一体的に形成することは、上記検出器を形成するために使用される１組のプロセスに適合する材料を利用して、該第１および第２の薄膜フィルタを形成することを含む、項目３０８に記載の方法。
（項目３１０）
さらなる改良点として、
帯域通過フィルタリング、エッジフィルタリング、カラーフィルタリング、高域フィルタリング、低域フィルタリング、反射防止、ノッチフィルタリング、遮断フィルタリング、および波長選択フィルタリングのうちの少なくとも１つとして選択される、それぞれ、第１および第２のタスクを実施する上記第１および第２の薄膜フィルタを構成することを含む、項目３０８に記載の方法。
（項目３１１）
さらなる改良点として、構成することは、共通の標的波長において異なるタスクを実施する上記第１および第２の薄膜フィルタを設計することを含む、項目３１０に記載の方法。
（項目３１２）
さらなる改良点として、構成することは、異なる標的波長において同一タスクを実施するための上記第１および第２の薄膜フィルタを設計することを含む、項目３１０に記載の方法。
（項目３１３）
さらなる改良点として、構成することは、異なる標的波長において異なるタスクを実施する上記第１および第２の薄膜フィルタを設計することを含む、項目３１０に記載の方法。
（項目３１４）
さらなる改良点として、
赤フィルタ、緑フィルタ、青フィルタ、シアンフィルタ、マゼンタフィルタ、黄フィルタ、赤外線（ＩＲ）カットフィルタ、および反射防止（ＡＲ）フィルタのうちの少なくとも選択された１つとして、上記第１および第２の薄膜フィルタのそれぞれを構成することを含む、項目３０８に記載の方法、
（項目３１５）
さらなる改良点として、一体的に形成することは、選択エッチングプロセス、選択マスキングプロセス、および制御エッチングプロセスのうちの少なくとも選択された１つを使用することを含む、項目３０８に記載の方法。
（項目３１６）
さらなる改良点として、上記フィルタ応答は、各層厚を増加することによって、垂直でない入射に対し補正される、項目３０８に記載の方法。
（項目３１７）
さらなる改良点として、一体的に形成することは、選択エッチングプロセスを利用して、上記第１および第２のフィルタのうちの１つ内の少なくとも第１の層厚を制御することを含み、該選択エッチングプロセスは、該第１の層の上に重なる第２の層が完全に除去されるまで、重層をエッチングし、該エッチングプロセスは、実質的にエッチングされない該第１の層を残す、項目３０８に記載の方法。
（項目３１８）
少なくとも第１および第２の検出器ピクセルを含む電磁エネルギ検出器において、改良点として、
それぞれ、該第１および第２の検出器ピクセルと一体的に形成される第１および第２の薄膜フィルタを含み、該第１および第２の薄膜フィルタは、その上に入射する電磁エネルギを修正するために構成され、該第１および第２の薄膜フィルタは、少なくとも１つの共通層を共有する、電磁エネルギ検出器。
（項目３１９）
さらなる改良点として、上記第１および第２の薄膜フィルタのそれぞれは、上記第１および第２の検出器ピクセルを形成する１組のプロセスと適合する材料から形成される複数の層を含む、項目３１８に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目３２０）
上記検出器は、上記第１および第２の検出器ピクセルと別個の第３の検出器ピクセルを含み、さらなる改良点として、
該第３の検出器ピクセルと一体的に形成される第３の薄膜フィルタを含み、
該第３の薄膜フィルタもまた、上記組のプロセスと適合する材料から形成される複数の層を含み、
該第３の薄膜フィルタは、上記第１および第２の薄膜フィルタのうちの少なくとも１つと、少なくとも１つの共通層を共有する、項目３１９に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目３２１）
さらなる改良点として、上記第１および第２の薄膜フィルタのそれぞれは、第１および第２の波長において、帯域通過フィルタリング、エッジフィルタリング、カラーフィルタリング、高域フィルタリング、低域フィルタリング、反射防止、ノッチフィルタリング、および遮断フィルタリングのうちの少なくとも１つとして選択されたタスクを実施するために構成される、項目３１８に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目３２２）
さらなる改良点として、上記第３の薄膜フィルタによって実施される上記タスクは、上記第１および第２の薄膜フィルタによって実施される上記タスクのうちの少なくとも１つと異なる、項目３２１に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目３２３）
さらなる改良点として、上記第３の薄膜フィルタの上記標的波長は、上記第１および第２の薄膜フィルタの上記標的波長のうちの少なくとも１つと異なる、項目３２１に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目３２４）
さらなる改良点として、上記第３の薄膜フィルタによって実施される上記タスクは、上記第１および第２の薄膜フィルタによって実施される上記タスクのうちの少なくとも１つと異なり、上記第３の薄膜フィルタの上記標的波長は、上記第１および第２の薄膜フィルタの上記標的波長のうちの少なくとも１つと異なる、項目３２１に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目３２５）
さらなる改良点として、上記第１および第２の薄膜フィルタのうちの少なくとも１つは、高屈折率材料および低屈折率材料の交互層を含む、項目３１８に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目３２６）
さらなる改良点として、上記第１および第２の薄膜フィルタはそれぞれ、赤フィルタ、緑フィルタ、青フィルタ、シアンフィルタ、マゼンタフィルタ、黄フィルタ、赤外線（ＩＲ）カットフィルタ、および反射防止（ＡＲ）フィルタのうちの少なくとも１つとして構成される、項目３１８に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目３２７）
複数の検出器ピクセルを含む電磁エネルギ検出器において、改良点として、
該検出器ピクセルのうちの少なくとも選択された１つと一体的に形成される電磁エネルギ修正素子であって、その上に入射する電磁エネルギのうちの少なくとも一部を該選択された検出器ピクセルの中に誘導するように構成される、電磁エネルギ修正素子を含み、
該電磁エネルギ修正素子は、該検出器を形成するために使用されるプロセスと適合する材料を含み、
該電磁エネルギ修正素子は、少なくとも１つの平面でない表面を含むように構成される、電磁エネルギ検出器。
（項目３２８）
さらなる改良点として、複数の電磁エネルギ修正素子を含み、各電磁エネルギ修正素子は、上記複数の検出器ピクセルの対応する１つと一体的に形成される、項目３２７に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目３２９）
さらなる改良点として、上記複数の電磁エネルギ修正素子は、アレイ内に構成される、項目３２８に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目３３０）
さらなる改良点として、上記複数の電磁エネルギ修正素子の複合表面が、湾曲プロファイルおよび勾配プロファイルのうちの少なくとも１つと近似するように、該複数の電磁エネルギ修正素子のそれぞれは、別の該複数の電磁エネルギ修正素子に隣接して直接配置される、項目３２８に記載の電磁エネルギ検出器、
（項目３３１）
さらなる改良点として、上記電磁エネルギ修正素子は、メタレンズ、主光線角度補正器、回折素子、および屈折素子のうちの少なくとも選択された１つを形成するように構成される、項目３２７に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目３３２）
さらなる改良点として、その裏面から電磁エネルギを受波するように構成される上記検出器ピクセルのうちの少なくとも上記選択された１つを含む、項目３２７に記載の電磁エネルギ検出器。
（項目３３３）
１組のプロセスによって電磁エネルギ検出器を形成する方法において、複数の検出器ピクセルを含む該電磁エネルギ検出器は、改良点として、
その上に入射する電磁エネルギのうちの少なくとも一部を上記選択された検出器ピクセル内に誘導するように構成される少なくとも１つの電磁エネルギ修正素子を、該検出器ピクセルのうちの少なくとも選択された１つと、上記組のプロセスのうちの少なくとも１つによって、一体的に形成することを含み、
一体的に形成することは、
第１の層を蒸着することと、
該第１の層の中に少なくとも１つの解放領域を形成することであって、該解放領域は、実質的に平面の表面によって特徴付けられる、ことと、
該第１の層が、少なくとも１つの非平面特徴を画定するように、該解放領域の上部に第１の層を蒸着することと、
第２の層が、該非平面特徴を少なくとも部分的に充填するように、該第１の層の上部に該第２の層を蒸着することと、
該第１の層の非平面特徴を充填する該第２の層の一部を残して、該電磁エネルギ修正素子を形成するように、該第２の層を平坦化することと
を含む、方法。
（項目３３４）
さらなる改良点として、上記組のプロセスと適合する材料から上記電磁エネルギ修正素子を形成することを含む、項目３３３に記載の方法。
（項目３３５）
１組のプロセスによって電磁エネルギ検出器を形成する方法において、上記検出器は、複数の検出器ピクセルを含み、改良点として、
その上に入射する電磁エネルギのうちの少なくとも一部を上記選択された検出器ピクセルの中に誘導するように構成される電磁エネルギ修正素子を、該複数の検出器ピクセルのうちの少なくとも１つと、上記組のプロセスのうちの少なくとも１つによって、一体的に形成することを含み、該一体的に形成することは、
第１の層を蒸着することと、
該第１の層の中に少なくとも１つの突起を形成することであって、該突起は、実質的に平面の表面によって特徴付けられる、ことと、
該第１の層が、該電磁エネルギ修正素子として、少なくとも１つの非平面特徴を画定するように、該平面特徴の上部に第１の層を蒸着することと
を含む、方法。
（項目３３６）
さらなる改良点として、上記セットのプロセスと適合する材料から上記電磁エネルギ修正素子を形成することを含む、項目３３５に記載の方法。
（項目３３７）
さらなる改良点として、上記セットのプロセスと共通で使用されない材料から上記電磁エネルギ修正素子を形成することを含む、項目３３５に記載の方法。
（項目３３８）
電磁エネルギ検出器を設計する方法であって、
複数の入力パラメータを指定することと、
上記入力電磁エネルギを該検出器の中に誘導するために、該複数の入力パラメータに基づいて、サブ波長構造の形状を生成することと
を含む、方法。
（項目３３９）
上記複数の入力パラメータを指定することは、検出器形状、加工制限、材料、入力電磁エネルギの波長範囲および入射角度、上記入力パラメータとしてのサブ波長構造形状の最初の推測値のうちの少なくとも１つを選択することを含む、項目３３８に記載の方法。
（項目３４０）
生成することは、複数の柱を含むメタレンズ設計を識別することを含む、項目３３８に記載の方法。
（項目３４１）
生成することは、
上記入力電磁エネルギを上記検出器の中に誘導するプリズムと同等のパラメータを規定することと、
該同等のプリズムのパラメータに基づいて、上記サブ波長構造のパラメータを計算し、該入力電磁エネルギを該検出器の中に誘導するサブ波長プリズム格子を形成することと
をさらに含む、項目３４０に記載の方法。
（項目３４２）
シミュレーションアニーリング最適化ルーチン、シンプレックス最適化ルーチン、共役勾配最適化ルーチン、および群最適化ルーチンのうちの少なくとも選択された１つを使用して、上記形状を最適化することをさらに含む、項目３３８に記載の方法。
（項目３４３）
アレイ撮像システムを加工する方法であって、
層状光学素子のアレイを形成することであって、該層状光学素子のそれぞれは、共通基盤とともに形成される検出器のアレイの中の少なくとも１つの検出器と光学的に接続されることにより、アレイ撮像システムを形成する、ことを含み、
該層状光学素子のアレイを形成することは、
第１の加工マスタを使用して、光学素子の第１の層を該検出器のアレイの上に形成することであって、該第１の加工マスタは、その上に形成される該光学素子の第１の層のネガティブを含む第１のマスタ基板を有する、ことと、
第２の加工マスタを使用して、該光学素子の第１の層に隣接する光学素子の第２の層を形成することであって、該第２の加工マスタは、その上に形成される該光学素子の第２の層のネガティブを含む第２のマスタ基板を含む、ことと
を含む、方法。
（項目３４４）
上記光学素子の第１および第２の層を形成することのうちの少なくとも１つは、少なくとも１つのメニスカスレンズを形成することを含む、項目３４３に記載の方法。
（項目３４５）
上記光学素子の第１および第２の層を形成することのうちの少なくとも１つは、厚さ１〜１０００μｍを有する少なくとも１つの光学素子を形成することを含む、項目３４３に記載の方法。
（項目３４６）
上記光学素子の第１および第２の層を形成することのうちの少なくとも１つは、該光学素子のうちの少なくとも１つを色消しであるように構成することを含む、項目３４３に記載の方法。
（項目３４７）
上記層状光学素子のアレイを形成することは、上記共通基盤から連続手順で各光学素子を形成することを含む、項目３４３に記載の方法。
（項目３４８）
上記層状光学素子のアレイを形成することは、上記共通基盤の最近接の層が、該層状光学素子のアレイの他の全層の後に形成されるように、順番に光学素子の各層を形成することを含む、項目３４３に記載の方法。
（項目３４９）
上記層状光学素子のアレイを形成することは、上記共通基盤に接触するように機能する対応する加工マスタの中のスタンドオフ構造を使用することによって、光学素子の少なくとも１つの層厚の制御を保証することを含む、項目３４３に記載の方法。
（項目３５０）
上記層状光学素子のアレイを収容するように配列される貫通孔を画定する構造を有するスペーサプレートを適用することをさらに含む、項目３４３に記載の方法。
（項目３５１）
他の光学系に加え、上記層状光学素子のアレイと貫通孔との組み合わせを含むアレイ撮像システムを構築することをさらに含む、項目３５０に記載の方法。
（項目３５２）
上記貫通孔のうちの少なくとも１つの中に可動光学系を構成し、少なくとも１つのズーム撮像システムを形成することをさらに含む、項目３５０に記載の方法。
（項目３５３）
上記スペーサが、上記層状光学素子のアレイと光学素子の第３の層との間の間隔を制御するように、該スペーサの上に該光学素子の第３の層を付着することをさらに含む、項目３５０に記載の方法。
（項目３５４）
上記スペーサプレートの上に保護ガラス層を付着することをさらに含む、項目３５０に記載の方法。
（項目３５５）
封止材を採用し、上記層状光学素子のアレイの機械的な完全性を向上させることをさらに含む、項目３４３に記載の方法。
（項目３５６）
上記層状光学素子のアレイの少なくとも１つの層状光学素子の上に開口をパターン化することをさらに含む、項目３４３に記載の方法。
（項目３５７）
上記開口をパターン化することは、電磁エネルギを吸収および遮断することのうちの１つのための構造を密着焼付けすることを含む、項目３５６に記載の方法。
（項目３５８）
上記開口をパターン化することは、上記少なくとも１つの層状光学素子の上表面がパターン化される金型の高いアスペクト比を利用することを含む、項目３５６に記載の方法。
（項目３５９）
層状光学素子のアレイであって、該層状光学素子のそれぞれは、検出器の該アレイの中の検出器と光学的に接続されている、層状光学素子のアレイを含む、アレイ撮像光学系であって、
該層状光学素子のアレイは、その上に該層状光学素子のアレイを画定するための特徴を含む少なくとも１つの加工マスタを逐次的に適用することによって、少なくとも部分的に形成される、アレイ撮像光学系。
（項目３６０）
層状光学素子のアレイを加工する方法であって、
その上に形成される光学素子の第１の層のネガティブを含む第１のマスタ基板を有する第１の加工マスタを提供することと、
該第１の加工マスタを使用して、共通基盤の上に該光学素子の第１の層を形成することと、
その上に形成される光学素子の第２の層のネガティブを含む第２のマスタ基板を有する第２の加工マスタを提供することと、
該第２の加工マスタを使用して、該共通基盤の上に該層状光学素子のアレイを形成するように、光学素子の上記第１の層に隣接する光学素子の上記第２の層を形成することと
を含み、該第１の加工マスタを提供することは、該第１のマスタ基板の上に該光学素子の第１の層の該ネガティブを直接加工することを含む、方法。
（項目３６１）
共通基盤と、
１組のプロセスによって、該共通基盤の上に形成される検出器ピクセルを有する検出器のアレイであって、該検出器ピクセルのそれぞれは、感光領域を含む、検出器のアレイと、
該検出器ピクセルの対応する１つの該感光領域と光学的に接続され、それによって、アレイ撮像システムを形成する光学系のアレイと
を含み、該検出器ピクセルのうちの少なくとも１つは、その中に一体化され、上記組のプロセスのうちの少なくとも１つを使用して、該検出器の上に入射する一定範囲の波長の電磁エネルギに作用するように形成される、少なくとも１つの光学特徴を含む、アレイ撮像システム。
（項目３６２）
共通基盤と、
該共通基盤の上に形成される検出器ピクセルを有する検出器のアレイであって、該検出器ピクセルのそれぞれは、感光領域を含む、検出器のアレイと、
該検出器ピクセルの対応する１つの該感光領域と光学的に接続され、それによって、アレイ撮像システムを形成する光学系のアレイと
を含む、アレイ撮像システム。
（項目３６３）
共通基盤上に形成される検出器のアレイと、
光学系のアレイであって、該光学系はそれぞれ、アレイ撮像システムを形成するように、該検出器のアレイの中の検出器のうちの少なくとも１つと光学的に接続され、各撮像システムは、該検出器のアレイの中の少なくとも１つの検出器と光学的に接続される光学系を含む、光学系のアレイと
を含む、アレイ撮像システム。
（項目３６４）
検出器と光学系との各対は、その間の界面に平面の表面を含む、項目３６３に記載のアレイ撮像システム。
（項目３６５）
上記光学系のアレイは、少なくとも第１および第２の共通基盤を組み立てることによって形成され、該第１および第２の共通基盤のそれぞれは、光学素子の第１および第２のアレイを支持する、項目３６３に記載のアレイ撮像システム。
（項目３６６）
上記第１と第２の共通基盤との間に配置されるスペーサ配列をさらに含む、項目３６４に記載のアレイ撮像システム。
（項目３６７）
上記スペーサ配列は、開口のアレイを含む第３の共通基盤を含み、該開口は、該第３の共通基盤と一体的に形成され、上記光学素子の第１と第２のアレイとの間の光連通を提供する一方で、上記第１と第２の共通基盤との間の分離距離を画定する、項目３６６に記載のアレイ撮像システム。
（項目３６８）
層状光学素子のアレイを加工する方法であって、
第１の加工マスタを使用して、共通基盤の上に素子の第１のアレイを形成することであって、該第１の加工マスタは、その上に直接加工される光学素子の第１のアレイのネガティブを含む第１のマスタ基板を含む、ことと、
第２の加工マスタを使用して、該共通基盤の上に該層状光学素子のアレイを形成するように、該共通基盤の上に該光学素子の第１のアレイに隣接する光学素子の第２のアレイを形成することであって、該第２の加工マスタは、その上に形成される該光学素子の第２のアレイのネガティブを含む第２のマスタ基板を含み、該第２のマスタ基板の上の該光学素子の第２のアレイは、該第１のマスタ基板の上の該光学素子の第１のアレイの位置に対応する、ことと
を含む、方法。
（項目３６９）
共通基盤と、
該共通基盤の上に形成される検出器ピクセルを有する検出器のアレイであって、該検出器ピクセルのそれぞれは、感光領域を含む、検出器のアレイと、
該検出器ピクセルの対応する１つの該感光領域と光学的に接続され、それによって、アレイ撮像システムを形成する光学系のアレイと
を含み、該光学系のうちの少なくとも１つは、それぞれ、第１および第２の倍率に対応する第１と第２の状態の間で切替可能である、アレイ撮像システム
（項目３７０）
反射防止層を有する共通表面を形成する光学素子の第１および第２の層を含む、層状光学素子。
（項目３７１）
上記反射防止層は、屈折率一致流体を含む、項目３７０に記載の層状光学素子。
（項目３７２）
上記反射防止層は、光学素子の上記第１の層に隣接する第１のサブ層と、光学素子の上記第２の層に隣接する第２のサブ層とを含み、上記第１のサブ層は、光学素子の上記第２の層の材料から加工され、上記第２のサブ層は、光学素子の上記第１の層の材料から加工される、項目３７０に記載の層状光学素子。
（項目３７３）
上記反射防止層は、特定の波長を有する電磁エネルギの反射を実質的に防止し、上記第１のサブ層は、上記第１のサブ層内の上記特定の波長の１／１６に略等しい厚さを有し、上記第２のサブ層は、上記第２のサブ層内の上記特定の波長の１／１６に略等しい厚さを有する、項目３７２に記載の層状光学素子。
（項目３７４）
上記第１および第２のサブ層は、上記サブ層を画定するための特徴を含む少なくとも１つの加工マスタの適用によって、部分的に形成される、項目３７２に記載の層状光学素子。
（項目３７５）
上記反射防止層は、光学素子の上記第１の層内の複数のサブ波長特徴を含み、有効媒質層を形成する、項目３７０に記載の層状光学素子。
（項目３７６）
上記サブ波長特徴は、周期的である、項目３７５に記載の層状光学素子。
（項目３７７）
上記反射防止層は、特定の波長を有する電磁エネルギの反射を実質的に防止し、各サブ波長特徴は、上記特定の波長よりも短い少なくとも１次元を有する、項目３７５に記載の層状光学素子。
（項目３７８）
サブ波長特徴は、その上に上記サブ波長特徴を画定するためのネガティブを含む少なくとも１つの加工マスタの適用によって、部分的に光学素子の上記第１の層内に成形される、項目３７５に記載の層状光学素子。
（項目３７９）
画像を形成するためのカメラであって、
共通基盤とともに形成される検出器のアレイと、
層状光学素子の第１のアレイであって、それぞれ、検出器の上記アレイ内の検出器と光学的に接続される、層状光学素子と、
画像を形成するための信号プロセッサと
を含む、アレイ撮像システム
を含む、カメラ。
（項目３８０）
上記カメラは、携帯電話、自動車、および玩具のうちの１つの中に含むために構成される、項目３７９に記載のカメラ。
（項目３８１）
タスクを実施する際に使用するカメラであって、
共通基盤とともに形成される検出器のアレイと、
層状光学素子の第１のアレイであって、それぞれ、該検出器のアレイ内の検出器と光学的に接続される、層状光学素子と、
該タスクを実施するための信号プロセッサと
を含む、アレイ撮像システム
を含む、カメラ。
（項目３８２）
上記信号プロセッサは、所定のタスクのための検出器の上記アレイからデータを調製するためにさらに構成される、項目３８１に記載のカメラ。