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【手続補正書】
【提出日】平成22年7月6日(2010.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの透明電極層及びフォトリフラクティブ材料を含むフォトリフラクティブ装置の性能を向上させる方法であって、前記透明電極層と前記フォトリフラクティブ材料との間に一つ以上のポリマー層を配置させることを含む、方法。
【請求項２】
前記一つ以上のポリマー層を組み込んだ後、約５３２ｎｍのレーザー光を用いて測定した前記フォトリフラクティブ装置のピーク回折効率のバイアスは、ポリマー層を配置させずに少なくとも一つの透明電極層及びフォトリフラクティブ材料を含むフォトリフラクティブ装置に比べて減少する、請求項１の方法。
【請求項３】
前記装置は、
前記フォトリフラクティブ材料の両側の近傍に配置される第１の電極層及び第２の電極層、
前記第１の電極層と前記フォトリフラクティブ材料との間に配置される第１のポリマー層、並びに
前記第２の電極層と前記フォトリフラクティブ材料との間に配置される第２のポリマー層を備える、請求項１又は２の方法。
【請求項４】
前記一つ以上のポリマー層は、ポリメタクリル酸メチル、ポリイミド、非晶質ポリカーボネート、シロキサンゾル−ゲル、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される物質から形成される、請求項１〜３のいずれか１項の方法。
【請求項５】
前記一つ以上のポリマー層の総厚みが約２μｍ〜約４０μｍである、請求項１〜４のいずれか１項の方法。
【請求項６】
前記一つ以上のポリマー層の総厚みが約２μｍ〜約３０μｍである、請求項１〜４のいずれか１項の方法。
【請求項７】
前記一つ以上のポリマー層は、約２〜約１５の比誘電率を有する、請求項１〜６のいずれか１項の方法。
【請求項８】
前記一つ以上のポリマー層の屈折率は約１．５〜約１．７の範囲である、請求項１〜７のいずれか１項の方法。
【請求項９】
前記電極は、金属酸化物、金属、及び有機膜であって光学密度が約０．２未満であるものからなる群から独立して選択される導電膜からなる、請求項１〜８のいずれか１項の方法。
【請求項１０】
前記フォトリフラクティブ材料は、フォトリフラクティブ性を示しかつ約１．７の屈折率を有する有機ポリマー又は無機ポリマーからなる、請求項１〜９のいずれか１項の方法。
【請求項１１】
フォトリフラクティブ材料、
第１の電極層及び第２の電極層、並びに
前記第１の電極層と前記フォトリフラクティブ材料との間に配置される少なくとも一つのポリマー層を備える、回折格子効率が向上されたフォトリフラクティブ装置。
【請求項１２】
第１のポリマー層及び第２のポリマー層を備え、
前記第１の電極層及び前記第２の電極層は、前記フォトリフラクティブ材料の両側の近傍に配置されており、
前記第１のポリマー層は、前記第１の電極層と前記フォトリフラクティブ材料との間に配置されており、かつ
前記第２のポリマー層は、前記第２の電極層と前記フォトリフラクティブ材料との間に配置されている、請求項１１の装置。
【請求項１３】
約５３２ｎｍのレーザー光により測定したとき、前記ポリマー層を含む前記フォトリフラクティブ装置のピーク回折効率のバイアスは、ポリマー層を含まないフォトリフラクティブ装置に比べて、減少している、請求項１１又は１２の装置。
【請求項１４】
約５３２ｎｍのレーザー光により測定したとき、前記フォトリフラクティブ装置の回折格子持続性は１分以上である、請求項１１〜１３のいずれか１項の装置。
【請求項１５】
約５３２ｎｍのレーザー光により測定したとき、前記フォトリフラクティブ装置の回折格子持続性は１時間以上である、請求項１１〜１３のいずれか１項の装置。
【請求項１６】
前記少なくとも一つのポリマー層は、ポリメタクリル酸メチル、ポリイミド、非晶質ポリカーボネート、シロキサンゾル−ゲル、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される物質から形成されている、請求項１１〜１５のいずれか１項の装置。
【請求項１７】
前記少なくとも一つのポリマー層は約２〜約１５の比誘電率を有する、請求項１１〜１６のいずれか１項の装置。
【請求項１８】
前記少なくとも一つのポリマー層の屈折率は約１．５〜約１．７である、請求項１１〜１７のいずれか１項の装置。
【請求項１９】
前記少なくとも一つのポリマー層の総厚みは約２μｍ〜約４０μｍである、請求項１１〜１８のいずれか１項の装置。
【請求項２０】
前記少なくとも一つのポリマー層の総厚みは約２μｍ〜約３０μｍである、請求項１１〜１８のいずれか１項の装置。
【請求項２１】
前記第１の電極層の前記ポリマー層とは反対側に取り付けられた基材をさらに備え、該基材は、ソーダ石灰ガラス、シリカガラス、ホウケイ酸ガラス、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム、サファイア、石英ガラス、ポリエチレンテレフタレート、及びポリカーボネートの少なくとも一つからなる、請求項１１〜２０のいずれか１項の装置。
【請求項２２】
前記基材は約１．５未満の屈折率を有する材料からなる、請求項２１の装置。
【請求項２３】
前記第１の電極層及び／又は第２の電極層は、金属酸化物、金属、及び有機膜であって光学密度が約０．２未満であるものからなる群からそれぞれ独立して選択される導電膜からなる、請求項１１〜２２のいずれか１項の装置。
【請求項２４】
前記フォトリフラクティブ材料は、フォトリフラクティブ性を示しかつ約１．７の屈折率を有する有機ポリマー又は無機ポリマーからなる、請求項１１〜２３のいずれか１項の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月14日(2010.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォーカスを維持しながら対象物を順次画像化する装置において、
選択可能な画像取得モードを有するカメラと、
上記カメラに光学的に接続された対物レンズと、
上記対物レンズを通して動作する光学距離センサと、
ストロボ照明器と、
上記カメラと、上記照明器と、上記距離センサに接続されたコントローラを備え、
上記コントローラは、上記距離センサをシーケンシャルに作動し非作動にし、上記距離センサが非作動状態にある時にのみ、上記画像取得モードの選択と非選択を行ない、上記画像取得モードが作動している時にのみ、上記ストロボ照明器を作動し非作動にすることを特徴とする装置。
【請求項２】
上記距離センサに接続されたフォーカスコントローラを備えたことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
上記照明器が同軸照明器を含むことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
上記照明器がマルチスペクトル照明器を含むことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
上記照明器が上記対物レンズに接続されていることを特徴とする、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
上記照明器が拡散照明器を含むことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
上記照明器が背後照明器を含むことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
上記カメラがデジタルカメラを含むことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
上記カメラがアナログカメラを含むことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
上記カメラがシャッターを含むことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
上記シャッターが上記カメラを非作動にする信号を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
上記カメラがセンサを含み、上記信号がバイアス信号を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
上記シャッターが光学シャッターを含むことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
上記シャッターが機械シャッターを含むことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
上記カメラが蓄積期間によって特徴付けられるセンサを含むことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１６】
上記カメラがリセット機能を備えたことを特徴とする、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
上記シャッターが上記蓄積期間よりも短い時間開いていることを特徴とする、請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
上記蓄積期間において、上記シャッターが閉じるとともに上記光学距離センサが作動することを特徴とする、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
上記光学距離センサが光を弁別するビームスプリッタを備え、このビームスプリッタは、上記光学距離センサの波長を選択的に反射し、他の波長の光を通過させることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
上記光学距離センサが赤色光を発光する光源を備え、上記光弁別ビームスプリッタが選択的に赤色光を反射させ、他の波長の光を通過させることを特徴とする、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
上記光学距離センサがレーザー三角測量センサを備えたことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項２２】
上記光学距離センサが非作動中であっても、上記フォーカスコントローラが実質的に連続的に動作することを特徴とする、請求項２に記載の装置。
【請求項２３】
上記フォーカスコントローラが積分器を備えたことを特徴とする、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
上記フォーカスコントローラがローパスフィルタを備えたことを特徴とする、請求項２２に記載の装置。
【請求項２５】
フォーカスを維持しながら対象物を順次画像化する方法において、
選択可能な画像取得モードを有するカメラを提供し、
上記カメラに光学的に接続された対物レンズを提供し、
上記対物レンズを通して動作する光学距離センサを提供し、
ストロボ照明器を提供し、
上記距離センサをシーケンシャルに作動し非作動にし、上記距離センサが非作動状態にある時にのみ、上記画像取得モードの選択と非選択を行ない、上記画像取得モードが作動している時にのみ、上記ストロボ照明器を作動し非作動にすることを特徴とする方法。
【請求項２６】
上記カメラの作動と非作動は、上記カメラの作動と非作動の信号を上記カメラに送ることを含むことを特徴とする、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
上記信号がバイアス信号を含むことを特徴とする、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
上記距離センサが出力信号を提供し、さらに、この出力信号を積分期間について積分することを特徴とする、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
上記カメラを上記積分期間よりも短い時間作動させることを特徴とする、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
上記積分期間の間、上記カメラを非作動にし、上記光学距離センサを作動させることを特徴とする、請求項２９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月2日(2010.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイカフレーク小片であって、その最薄寸法で０．０１から０．０５ｍｍの平均サイズ範囲を有するマイカフレーク小片；
六方晶窒化ホウ素であって、その最長寸法で１０から１０，０００ｎｍの平均サイズ範囲を有する六方晶窒化ホウ素；及び
樹脂マトリックス；
を含んでなる電気絶縁部品であって：
ここで、前記マイカフレーク小片及び前記六方晶窒化ホウ素は、混合されていて；
前記六方晶窒化ホウ素対前記マイカフレーク小片重量比は、前記マイカフレーク小片の平均サイズに対する前記六方晶窒化ホウ素の平均サイズに、０．５から２の調整係数の範囲内で、正比例し；
前記六方晶窒化ホウ素対前記マイカフレーク小片重量比は、重量で１：１を超えることはない、電気絶縁部品。
【請求項２】
高熱伝導性充填材を更に含んでなる、請求項１に記載の電気絶縁部品。
【請求項３】
前記高熱伝導性充填材が、サイズが１〜１，０００ｎｍの、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、炭化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン及びダイヤモンド並びにデンドリマーのうちの少なくとも１種を含み、前記高熱伝導性材料が、１０〜５０のアスペクト比を有する、請求項２に記載の電気絶縁部品。
【請求項４】
前記高熱伝導性充填材が、前記樹脂に充填されていて、前記高熱伝導性材料が、前記樹脂の２５〜４０体積％を構成する、請求項２に記載の電気絶縁部品。
【請求項５】
前記マイカフレーク小片及び前記六方晶窒化ホウ素が紙に形成されている、請求項１に記載の電気絶縁部品。
【請求項６】
前記紙が形成された後に、前記樹脂が前記マイカフレーク小片及び前記六方晶窒化ホウ素に含浸されている、請求項５に記載の電気絶縁部品。
【請求項７】
前記マイカフレーク小片及び前記六方晶窒化ホウ素が、前記樹脂と混合されて、パテを形成している、請求項１に記載の電気絶縁部品。
【請求項８】
前記六方晶窒化ホウ素が１０〜１００ｎｍの平均サイズ範囲を有し、六方晶窒化ホウ素対マイカ比が、重量で１：１００から１：２０である、請求項１に記載の電気絶縁部品。
【請求項９】
前記六方晶窒化ホウ素が、１００〜１，０００ｎｍの平均サイズ範囲を有し、六方晶窒化ホウ素対マイカ比が、重量で１：５０から１：１０である、請求項１に記載の電気絶縁部品。
【請求項１０】
前記六方晶窒化ホウ素が、１，０００ｎｍから１０，０００ｎｍの平均サイズ範囲を有し、六方晶窒化ホウ素対マイカ比が、重量で１：１０から１：２である、請求項１に記載の電気絶縁部品。
【請求項１１】
マイカフレーク小片であって、その最薄寸法で０．０１から０．０５ｍｍの平均サイズ範囲を有するマイカフレーク小片；
六方晶窒化ホウ素であって、その最長寸法で１０から１，０００ｎｍの平均サイズ範囲を有する六方晶窒化ホウ素；及び
樹脂マトリックス；
を含んでなる電気絶縁紙であって：
ここで、前記マイカフレーク小片及び前記六方晶窒化ホウ素は混合されて、紙に形成されるが、形成後に、前記樹脂が前記紙に加えられ；
前記六方晶窒化ホウ素対前記マイカフレーク小片重量比は、前記マイカフレーク小片の平均サイズに対する前記六方晶窒化ホウ素の平均サイズに、０．５から２の調整係数の範囲内で、正比例し、；
前記六方晶窒化ホウ素対前記マイカフレーク小片重量比は、重量で１：１を超えることはない、電気絶縁紙。
【請求項１２】
高熱伝導性充填材を更に含んでなる、請求項１に記載の電気絶縁紙。
【請求項１３】
プレート小片窒化ホウ素とマイカフレーク小片との混合物であって、
前記プレート小片窒化ホウ素対前記マイカフレーク小片比は、０．５から２の係数の範囲内で、平均サイズ範囲に正比例する混合物；
を含有してなる電気絶縁複合体であって：
前記六方晶窒化ホウ素は、その最長寸法で１０から１０，０００ｎｍの平均サイズ範囲を有し；
前記電気絶縁複合体が、樹脂マトリックスと組み合わされている、
電気絶縁複合体。
【請求項１４】
前記プレート小片窒化ホウ素が六方晶窒化ホウ素である、請求項１３に記載の電気絶縁複合体。
【請求項１５】
前記窒化ホウ素が、１，０００ｎｍから１０，０００ｎｍの平均サイズ範囲を有し、前記係数が、１を超えている、請求項１３に記載の電気絶縁複合体。
【請求項１６】
前記マイカフレーク小片が、１０００ｎｍから１０，０００ｎｍの平均サイズ範囲を有し、前記プレート小片窒化ホウ素対前記マイカフレーク小片比が、１：１である、請求項１３に記載の電気絶縁複合体。
【請求項１７】
前記樹脂が、前記複合体と共にペーストを形成している、請求項１６に記載の電気絶縁複合体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月19日(2010.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスにおいて使用するためのドープされた半導体輸送層を製造する方法であって、
(a)コロイド溶液においてインサイチュでドープされた半導体ナノ粒子を成長させ;
(b)該インサイチュでドープされた半導体ナノ粒子を表面に付着させ;および
(c)該インサイチュでドープされた半導体ナノ粒子の表面から有機配位子がボイルオフするように、該付着したインサイチュでドープされた半導体ナノ粒子をアニーリングすること、
を含んでなる、方法。
【請求項２】
電子デバイスにおいて使用するためのドープされた半導体輸送層を製造する方法であって、
(a)コロイド溶液においてインサイチュでドープされた半導体ナノ粒子を成長させ;
(b)配位子交換を行って、該インサイチュでドープされた半導体ナノ粒子の表面を、沸点が２００℃未満である有機配位子でカバーし;
(c)該配位子交換されたインサイチュでドープされたナノ粒子および有機溶媒を含む分散体を製造し;
(d)該分散体をコーティングして、インサイチュでドープされた半導体ナノ粒子層を形成し;および
(e) 該インサイチュでドープされた半導体ナノ粒子の表面から該交換された有機配位子がボイルオフするように、該付着したインサイチュでドープされた半導体ナノ粒子層をアニーリングすること、
を含んでなる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月27日(2010.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
図４Ａ−４Ｃに示す圧電素子は、本体１０の長軸方向に直角に広がる平面に対して実質的に鏡面対称である。さらに、この素子は、電極と直角で本体１０の長軸方向を含む平面に対して鏡面対称である。各第３電極２３は、第３伝導性表面５３と別の第３伝導性表面５４との両方に接続され、原則的に、伝導性表面５３，５４の両方を、あるいは、これらのうち一方を介して接触される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に接続された複数の変換器要素（１１，１２，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４）が実装されている本体（１０）を有し、該変換器要素は、前記本体の実質的に無フィールドな中立領域（１３）によって互いに隔てられ、
前記第１変換器要素（１１）は、電気的に接続された第１電極（２１）を備え、前記第２変換器要素（１２）は、電気的に接続された第２電極（２２）を備え、
前記第１および第２変換器要素（１１，１２）に配置された少なくとも１つの第３電極（２３）が設けられており、
前記第１および第３電極（２１，２３）から選択された少なくとも３つの電極が交互に配置され、前記第２および第３電極（２２，２３）から選択された少なくとも３つの電極が交互に配置され、
前記中立領域（１３）は前期電極（２１，２２，２３）が配置された平面と直角である、
ことを特徴とする圧電素子。
【請求項２】
前記本体（１１）は平板である、請求項１に記載の素子。
【請求項３】
前記第３電極（２３）は反応性電極である、請求項１または２に記載の素子。
【請求項４】
少なくとも２つの前記変換器要素（１１，１２）が直列に電気的に接続されている、請求項１から３のいずれか１項に記載の素子。
【請求項５】
少なくとも２つの前記変換器要素（１１，１２）が並列に接続されている、請求項１から３のいずれか１項に記載の素子。
【請求項６】
前記本体（１０）は、複数の圧電層（Ｐ１）を有し、
膜（４）に取り付けられている前記本体（１０）の第１側方領域の圧電層の厚さが、前記膜（４）に取り付けられていない前記本体（１０）の第２側方領域の圧電層の厚さよりも大きい、請求項１から５のいずれか１項に記載の素子。
【請求項７】
制御信号が前記変換器要素（１１，１２）の直列回路に印加される、請求項４に記載の素子。
【請求項８】
制御信号（Ｖ，Ｖ〜）が、少なくとも１つの第３電極（２３）に、または、前記第１および第２電極（２１，２２）に印加される、請求項１から３および５から６のいずれか１項に記載の素子。
【請求項９】
第１制御信号（Ｖ〜）が前記第１電極（２１）に印加され、第２制御信号（Ｖ２〜）が前記第２電極（２２）に印加される、請求項１から３および５から６のいずれか１項に記載の素子。
【請求項１０】
少なくとも１つの前記第３電極（２３）が直流電圧を供給するために設けられる、請求項１から３および５から９のいずれか１項に記載の素子。
【請求項１１】
各圧電層（Ｐ１）の分極軸が、前記第１および第２の変換器要素（１１，１２，Ｃ１，Ｃ２）の領域内で同一のまたは反対の方向に向けられている、請求項１から１０のいずれか１項に記載の素子。
【請求項１２】
前記圧電素子の作動中、各前記圧電層（Ｐ１）の電場が前記第１および第２の変換器要素（１１，１２，Ｃ１，Ｃ２）の領域内で同一のまたは反対の方向を向くように、前記制御電圧（Ｖ，Ｖ〜，Ｖ１〜，Ｖ２〜）が送られる、請求項１１に記載の素子。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか１項に記載の少なくとも１つの圧電素子と、
前記素子が取付けられる振動可能な膜（４）と、
を有する素子配置体。
【請求項１４】
前記膜（４）の領域が２つの圧電素子の間に配置される、請求項１３に記載の素子配置体。
【請求項１５】
前記膜（４）が、相隔てられた少なくとも２つの領域（７１，７２，７３）で支持部（６）に繋止される、請求項１３または１４に記載の素子配置体。
【請求項１６】
膜と、該膜に強固に固定された、素子配置体の少なくとも２つの振動モードを励起するための圧電素子と、を有する素子配置体。
【請求項１７】
前記振動モードの高周波数が５ｋＨｚ以上に調節される、請求項１６に記載の素子配置体。
【請求項１８】
所定の有効領域での前記素子配置体の周波数応答が、前記素子配置体の最大振動振幅に対して３ｄＢより大きいパフォーマンスの下降を生じないように、少なくとも２つの前記振動モードの共鳴曲線が重複する、請求項１６または１７に記載の素子配置体。
【請求項１９】
それぞれが少なくとも１つの周波数依存的な制御電圧によって制御される少なくとも２つの変換器要素（１１，１２）が実装される本体（１０）を有する圧電素子。
【請求項２０】
膜と、該膜に強固に固定され、重ねて配置される少なくとも２つの変換器要素を備え、異なる厚さの圧電層を備える圧電素子と、を有する素子配置体。
【請求項２１】
前記変換器要素（１１，１２）が独立して制御可能である、請求項２０に記載の素子配置体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月20日(2010.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの材料間に界面を含む電子電界効果デバイスであって、前記界面が、
少なくとも第１面が結晶真性ダイヤモンドを含む第１ダイヤモンド層と、
前記第１層の前記第１面上に配置され、極性がある第２層とによって形成され、
前記第１層と前記第２層の間に分極の不連続があり、
主電荷キャリアが存在するバンド内で、前記第１層と前記第２層の間にバンドオフセットがあり、その結果、前記主電荷キャリアが、分極により誘導されたシート電荷と、前記第１層と前記第２層の間の分極の前記不連続によって形成された電界との複合効果、及び前記バンドオフセットにより、前記第１層内のプレーナ領域及び前記界面の近傍に閉じ込められるようになる、上記電子電界効果デバイス。
【請求項２】
前記第２層が焦電層を含む、請求項１に記載の電子電界効果デバイス。
【請求項３】
前記ダイヤモンド層が、化学気相成長によって形成された合成ダイヤモンドを含む、請求項１に記載の電子電界効果デバイス。
【請求項４】
前記第１層又は第２層がドープ領域を含む、請求項１から３までのいずれかに記載の電子電界効果デバイス。
【請求項５】
前記第１層がドープ領域を含み、真性ダイヤモンドチャネル層によって前記第２層から分離されたドープ層を含む、請求項４に記載の電子電界効果デバイス。
【請求項６】
前記ドープ領域がｐ型層又はｎ型層を含む、請求項４又は請求項５に記載の電子電界効果デバイス。
【請求項７】
前記ドープ領域がｐ型層を含み、前記第２層が、その分極ベクトルＰの成分が前記界面から離れる方に向くように配置される、請求項６に記載の電子電界効果デバイス。
【請求項８】
前記ドープ領域がｎ型層を含み、前記第２層が、その分極ベクトルＰの成分が前記界面の方に向くように配置される、請求項４又は５に記載の電子電界効果デバイス。
【請求項９】
前記第１層と前記第２層の間に設けられたインターフェース材料をさらに含む、請求項１から８までのいずれかに記載の電子電界効果デバイス。
【請求項１０】
少なくとも第１面が結晶真性ダイヤモンドを含む第１ダイヤモンド層を設けるステップと、
極性があり、第１層の前記第１面上に配置される第２層を設けるステップとによって、前記第１層と前記第２層の間に界面を形成するステップを含む、電子電界効果デバイスを形成する方法であって、
前記第１層と前記第２層の間に分極の不連続があり、
主電荷キャリアが存在するバンド内で、前記第１層と前記第２層の間にバンドオフセットがあり、その結果、前記主電荷キャリアが、分極により誘導されたシート電荷と、前記第１層と前記第２層の間の分極の前記不連続によって形成された電界との複合効果、及び前記バンドオフセットにより、前記第１層内のプレーナ領域及び前記界面の近傍に閉じ込められるようになる、上記方法。
【請求項１１】
前記第２層を設ける前記ステップが、前記第２層を前記第１層の前記第１面の上に成長又は堆積させるステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２層を設ける前記ステップが、前記第２層を前記第１層の前記第１面に接合するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１ダイヤモンド層の前記第１面が堆積によって形成される、請求項１から９までのいずれか一項に記載の電界効果デバイス。
【請求項１４】
前記第１ダイヤモンド層の前記第１面が、１０ｎｍ未満のＲｑを有する加工面から、ＣＶＤプロセスを使用して別の薄い層を成長させることによって調製され、事前に調製された面の上に成長させるこの層の厚さが２０μｍ未満である、請求項１３に記載の電界効果デバイス。
【請求項１５】
前記第１ダイヤモンド層の前記第１面が、０．０１４ｃｍ２よりも広い面積にわたって４００ｃｍ−２未満の、Ｘ線トポグラフィの方法を使用して決定された変位密度を有する、請求項１に記載の電界効果デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月1日(2010.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車台における２つの部品（２，３）を接続するための締結要素（１）であって、
上記締結要素は中心車軸（４）を有し、その中心車軸上に、減衰材料からなる少なくとも２つの支持要素（５、６、７、８）が、軸方向に互いに離れて配置されており、
接続されるべき上記２つの部品（２，３）は、上記締結要素（１）によって、車軸（４）の２つの異なる軸方向位置に保持され、
上記支持要素（５、６、７、８）の少なくとも１つが、２つの異なる材料の少なくとも2つの異なるコンポーネント（９、１０）からなり、
一の上記コンポーネント（１０）は、他の上記コンポーネント（９）よりも大きい硬度を有する、弾性のある減衰材料からなり、
上記他のコンポーネント（９）も同様に、弾性のある減衰材料からなり、より大きい硬度を有する上記コンポーネント（１０）は、上記接続されるべき部品（２、３）と接触し、より小さい硬度を有する上記コンポーネント（９）は、上記接続されるべき部品（２、３）から離れていることを特徴とする締結要素。
【請求項２】
請求項１に記載の締結要素において、
上記２つの異なるコンポーネント（９、１０）は、上記車軸（４）の周りに同心状に配置されており、軸方向に互いに隣接していることを特徴とする締結要素。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれか１つに記載の締結要素において、
上記コンポーネント（１０）の１つは、プラスチック、特にポリウレタンからなることを特徴とする締結要素。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１つに記載の締結要素において、
上記コンポーネント（９）の１つは、エラストマー材料、特にゴム系またはシリコーン系の材料からなることを特徴とする締結要素。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１つに記載の締結要素において、
上記２つのコンポーネント（９、１０）は、設置プロセスによって上記支持要素（５、６、７、８）を形成するために組み合わされていることを特徴とする締結要素。
【請求項６】
請求項１から４までのいずれか１つに記載の締結要素において、
上記支持要素（５、６、７、８）の上記２つのコンポーネント（９、１０）は、上記２つのコンポーネントの射出成形のプロセスによって生成されていることを特徴とする締結要素。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１つに記載の締結要素において、
上記コンポーネント（１０）の１つは、心出し面（２２）を有し、他の上記コンポーネント（９）のための、特に円筒形状の上記心出し面（２２）を有していることを特徴とする締結要素。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか１つに記載の締結要素において、
少なくとも１つの上記支持要素（５、６、７、８）は、少なくともいくつかの断面においてスリーブ形状であるコンポーネント（１２、１３）によって、その半径方向外側の縁（１１）において囲まれていることを特徴とする締結要素。
【請求項９】
請求項８に記載の締結要素において、
少なくともいくつかの断面においてスリーブ形状である上記コンポーネント（１２、１３）は、上記コンポーネント（９、１０）のうちの少なくとも１つを連結して取り付けるためのアンダーカット（１５）を有していることを特徴とする締結要素。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１つに記載の締結要素において、
軸方向に互いに隣接する少なくとも２つの上記支持要素（５、６、７、８）は、互いに対する相対的な軸方向の変位の間、２つの上記支持要素（５、６、７、８）を案内する、対応するガイド面（１６、１７）を備えていることを特徴とする締結要素。
【請求項１１】
請求項１０に記載の締結要素において、
上記ガイド面（１６、１７）は半径方向の断面において円錐形であることを特徴とする締結要素。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の締結要素において、
上記ガイド面（１６、１７）は、上記支持要素（５、６、７、８）の軸方向の突出部（１８、１９）に配置されていることを特徴とする締結要素。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月23日(2010.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
架空線における機械的欠陥を認識する装置であって、支点に連結された架線の張力を決定する装置を備え、架線の張力を決定する装置が、張力と設定値とを比較して設定値を下回る際に機械的欠陥を表示する評価装置に接続されていることを特徴とする装置。
【請求項２】
線の張力を決定する装置として、架線と、その架線が終端する第１の支点との間に、力変換器が配置されていることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
架線の張力を決定する装置として、架線と、第２の支点によって保持されたその架線が終端するテンションホイールとの間に、力変換器が配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
架線の張力を決定する装置として、第２の支点と、当該支点に取り付けられていてかつ架線が終端するテンションホイールを支持する可動のロッカとの間に、回転角センサが配置されていて、測定される回転角から架線の張力を決定するために、回転角センサが評価ユニットに接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の装置。
【請求項５】
架線の張力を決定する装置として、架線が終端するテンションホイールに接続されている錘に位置センサが付設されていて、測定される錘の位置から架線の張力を決定するために、位置センサが評価ユニットに接続されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の装置。
【請求項６】
位置センサが、非接触動作する赤外線検出器である請求項５記載の装置。
【請求項７】
架線の張力を決定する少なくとも２つの異なる装置が、張力と設定値とを比較して少なくとも２つの張力がそれぞれの設定値を同時に下回る際に機械的欠陥を表示する評価装置に接続されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月23日(2010.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
他の実施態様では、層２２に化学的乾燥剤材料が、層２２の総重量の約１重量％〜約６０重量％配合される。一実施態様では、乾燥剤材料は、層２２に約２０重量％〜約６０重量％配合されてよい。他の実施態様では、乾燥剤材料は層２２に約２０重量％〜約４０重量％配合される。さらに他の実施態様では、乾燥剤材料は層２２に約３０重量％配合される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図９は、３より多い層で構成された容器を示す。図９に示すように、接着樹脂層６０は、内側層２２と中間層５０を分離することができ、及び、接着樹脂層６２は中間層５０と外側層２１を分離することができる。接着樹脂層６０及び６２は、他の樹脂層に接着する何らかの適切な樹脂から作ることができる。接着樹脂の例には、Bynel(登録商標) (DuPont社製)、 Plexar(登録商標) (Equistar Chemical 社製)、及びAdmer(登録商標) SF600 (Mitsui Chemicals America社製)が包含されるが、これらに限定されない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
底部構造３０２は、蓋材構造（lidstock structure）３０４にヒートシールされてよい。蓋材構造３０４は図１３に示すようなフィルム構造を有していてよい。詳細には、蓋付き構造３０４の熱封止剤層１１０は、底部構造３０２の乾燥剤層３１２にヒートシールされてよく、底部構造３０２の熱封止剤層として作用する。熱封止剤層１１０は、端部３２６に沿って凹部３０３へと湿気が入って、内部に収容されている乾湿性製品を損傷することができないように、乾燥剤材料も含んでよい。さらに、封止剤層１１０は、乾燥剤蓋材構造３０４を底部構造３０２へとヒートシールすることにより形成されたシールを容易に剥離することが可能であるように、剥離可能なシール成分を、さらに含んでよい。例えば、封止剤層１１０は、ポリブテン、封止剤層１１０を底部構造３０２の乾燥剤層３１２から指の力で剥離可能とするところの変性重合体樹脂、DuPont社製、APPEEL（登録商標）を含んでよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
＜実施例２＞
図１に示すタイプのプラスチックボトルを、上述のように、２つの樹脂層を共押し出し及びブロー成形することによって調製した。以下に示す４層構造を作った。各構造において、ＨＤＰＥ樹脂はシェブロンフィリップス社製 Marlex 5502BNであった。各構造において、外側層にWX0226 (プラスチックカラーチップ PCC14828、白色濃縮品、 100 パウンドのシェブロンフィリップス社製 Marlex 5502BNにつき、 6 パウンド使用)を添加した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感湿性製品を保持するための内部空間を規定し、及び、少なくとも内側層と外側層を含み、該内側層と外側層は、夫々、少なくとも２０ミルの厚みを有し、且つ、共押し出しブロー成形、共射出ブロー成形及び共射出延伸ブロー成形からなる群より選ばれる成形方法を用いて形成され、該内側層はポリマー材料と２０〜６０重量％の乾燥剤材料を含み、該外側層は湿気バリア材料を含む、容器であって、重力下で、形成された形状を維持する、容器。
【請求項２】
該内側層が多孔性構造を有する、請求項１に記載の容器。
【請求項３】
該内側層と該外側層の間に位置し、該外側層の該湿気バリア材料より高い耐湿性を有する材料を含む中間層をさらに含む、請求項１又は２に記載の容器。
【請求項４】
該内側層が、２０〜４０重量％の乾燥剤を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の容器。
【請求項５】
前記乾燥剤が酸化カルシウムである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の容器。
【請求項６】
該乾燥剤がモレキュラーシーブと酸化カルシウムのブレンドである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の容器。
【請求項７】
該内側層のポリマー材料が、高密度ポリエチレン、環状オレフィン共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン及びポリエステルからなる群より選ばれる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の容器。
【請求項８】
該外側層の湿気バリア材料が、高密度ポリエチレン、フロロポリマー樹脂及びポリクロロトリフロロエチレンからなる群より選ばれる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の容器。
【請求項９】
該内側層の該ポリマー材料及び該外側層の該湿気バリア材料の双方が、高密度ポリエチレンを含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の容器。
【請求項１０】
該中間層が、高密度ポリエチレンを含む、請求項３〜９のいずれか１項に記載の容器。
【請求項１１】
該内側層が、発泡剤を用いて形成される、請求項２〜１０のいずれか１項に記載の容器。
【請求項１２】
該内側層が少なくとも約７３ミルの厚みを有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の容器。
【請求項１３】
剛直な容器と該容器の閉鎖部材を含み、該剛直な容器が、請求項１〜１２のいずれか１項記載の容器である、容器と閉鎖部材の組み合わせ。
【請求項１４】
乾燥剤をポリマー材料に添加して混合物を作る工程；
各々が、少なくとも２０ミルの厚みを有する内側層及び外側層を含む容器を、共押し出しブロー成形、共射出ブロー成形及び共射出延伸ブロー成形からなる群より選ばれる方法を用いて形成する工程；を含む、容器を作る方法であって、該内側層は２０〜６０重量％の乾燥剤と、ポリマー材料の混合物を含み、外側層は湿気バリア材料を含み、該容器は、重力下で、形成された形状を維持する、方法。
【請求項１５】
発泡剤を用いて内側層内に多孔性構造を形成する工程をさらに含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
該乾燥剤とポリマー材料の混合物を、ポリマー材料と乾燥剤からなるマスタバッチを、ポリマー材料に添加して作る、請求項１４又は１５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月10日(2010.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア層を構成する発泡層と、
前記コア層に一体的に形成され、表面スキン層を構成する非発泡層とを有し、
前記発泡層は、押出方向の断面での発泡層フォームセルの平均長さが２３１．５μｍ未満である、熱収縮性フォームシート。
【請求項２】
前記発泡層における押出方向の断面での発泡層フォームセルの平均長さが１６７．０μｍ以下かつ前記押出方向と直交する方向の断面での発泡層フォームセルの平均長さが６６．２μｍ以下である、請求項１に記載の熱収縮性フォームシート。
【請求項３】
コア層を構成する発泡層と、
前記コア層に一体的に形成され、表面スキン層を構成する非発泡層とを有し、
前記発泡層は、押出方向の断面での発泡層フォームセルの平均高さが１５．０μｍ未満かつ前記押出方向と直交する方向の断面での発泡層フォームセルの平均高さが１５．２μｍ未満である、熱収縮性フォームシート。
【請求項４】
コア層を構成する発泡層と、
前記コア層に一体的に形成され、表面スキン層を構成する非発泡層とを有し、
前記発泡層は、押出方向の断面での発泡層フォームセルの平均面積が２，５１１．６μｍ２／セル未満かつ前記押出方向と直交する断面での発泡層フォームセルの平均面積が９７０．７μｍ２／セル未満である、熱収縮性フォームシート。
【請求項５】
コア層を構成する発泡層と、
前記コア層に一体的に形成され、表面スキン層を構成する非発泡層とを有し、
前記発泡層は、押出方向の断面での発泡層フォームセルの平均周囲長さが４６８．７μｍ未満である、熱収縮性フォームシート。
【請求項６】
コア層を構成する発泡層と、
前記コア層に一体的に形成され、表面スキン層を構成する非発泡層とを有し、
前記発泡層は、押出方向の断面での発泡層フォームセルの単位面積あたりの平均発泡数が１９５．５個／ｍｍ２を超える、熱収縮性フォームシート。
【請求項７】
前記発泡層における押出方向の断面での発泡層フォームセルの単位面積あたりの平均発泡数が３４９．５個／ｍｍ２以上、かつ前記発泡層における押出方向と直交する方向の断面での発泡層フォームセルの単位面積あたりの平均発泡数が６４７．９個／ｍｍ２を超える、請求項６に記載の熱収縮性フォームシート。
【請求項８】
前記非発砲層は、ＩＳＯ８７９１−Ａに準拠して測定した最大表面平滑度が１．５５μｍ未満である、請求項１ないし請求項７のいずれかの項に記載の熱収縮性フォームシート。
【請求項９】
前記発泡層は、一方の押出機にてポリスチレン樹脂を主体に核形成剤、ポリブテン、アジピン酸ジトリデシルまたはアジピン酸ジイソデシルまたはトリメリット酸トリオクチルをブレンドし溶融したメルトに窒素または二酸化炭素またはこの混合ガスが超臨界状態で加えられて共押出し用二層環状押出用ダイスから押し出されることにより形成される一方、
前記非発泡層は、他方の押出機にてポリスチレンを主体にポリオレフィンおよびポリスチレンとポリオレフィンの相溶化剤を混合した樹脂が溶融されて前記押出用ダイスから前記発泡層に被覆された状態で押し出されることにより形成される、請求項１ないし８のいずれかの項に記載の熱収縮性フォームシート。
【請求項１０】
前記非発砲層は、その表面に印刷層が形成されている、請求項１ないし請求項９のいずれかの項に記載の熱収縮性フォームシート。
【請求項１１】
容器本体の外周面に、請求項１ないし請求項９のいずれかの項に記載の熱収縮性フォームシートが熱収縮した状態で密着状態に配置された容器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューター可読命令を格納した１つ又は複数のコンピューター可読記録媒体であって、コンピューターデバイスにより実行されるとき、前記コンピューター可読命令は、前記コンピューターデバイスに、
仮想マシンモニターが、少なくとも第１のパーティション及び第２のパーティションを提供するステップと、
オペレーティングシステム特権モード内で動作するエンティティーによってアクセス不可能なメモリで、前記仮想マシンモニターにより提供された前記第１のパーティションにおいて動作するオペレーティングシステムの１つ又は複数の資源の組を識別する実施方針を受信するステップと、
前記オペレーティングシステム特権モード内で動作する前記エンティティーによってアクセス不可能な前記メモリから、前記実施方針を使用して、前記仮想マシンモニターにより提供された前記第１のパーティションにおいて動作する前記オペレーティングシステムの前記１つ又は複数の資源の組を識別するステップと、
前記１つ又は複数の資源の１つ又は複数の組が改変されたかどうかを、前記メモリから判断するステップと、
前記１つ又は複数の資源の１つ又は複数の組が改変されたという判断に応答して、（i）前記オペレーティングシステムを終了するステップ又は（ii）リブート時に、不正な動作についてオペレーティングシステムに通知するステップと
を含む動作を実行させ、
前記実施方針を受信するステップ、前記１つ又は複数の資源の組を識別するステップ、及び前記１つ又は複数の資源の１つ又は複数の組が改変されたかどうかを判断するステップは、（i）前記仮想マシンモニター又は（ii）前記仮想マシンモニターによって提供された前記第２のパーティション内で起こることを特徴とするコンピューター可読記録媒体。
【請求項２】
アプリケーションプログラムインターフェース（ＡＰＩ）を前記オペレーティングシステムに対して露出するステップと
前記ＡＰＩを介して前記１つ又は複数の資源の１つ又は複数の組の識別を受け取るステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピューター可読記録媒体。
【請求項３】
前記１つ又は複数の資源の組が、システムサービスディスパッチテーブル（ＳＳＤＴ）、割り込みディスパッチテーブル（ＩＤＴ）、又はグローバル記述子テーブル（ＧＤＴ）を含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピューター可読記録媒体。
【請求項４】
仮想マシンモニターのインターセプトマネージャーを改変して、オペレーティングシステムの資源に関連するメモリのページ又はレジスターが改変されたという表示の受け取りを可能にするステップであって、前記オペレーティングシステムの資源は、前記仮想マシンモニターによって提供されたパーティション内に位置付けられる、ステップと、
前記仮想マシンモニターで、前記オペレーションシステムの資源及び１つ又は複数の追加のオペレーティングシステムの資源を識別する実施方針を受け取るステップと、
前記仮想マシンモニターの前記インターセプトマネージャーが、前記オペレーティングシステムの資源に関連するメモリのページ又はレジスターが改変されたという表示を受け取るステップと、
前記表示の受け取りに応答して、オペレーティングシステム特権モードをシャットダウンして、前記オペレーティングシステムの資源に関連するオペレーティングシステムをシャットダウンするステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
前記オペレーティングシステムの資源は前記メモリのページにおける割り込みディスパッチテーブル（ＩＤＴ）であり、前記オペレーティングシステムの資源に関連する前記レジスターが、ＩＤＴレジスターであることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記オペレーティングシステムの資源は、システムサービスディスパッチテーブル（ＳＳＤＴ）又はグローバル記述子テーブル（ＧＤＴ）であることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記オペレーティングシステム特権モードのシャットダウンは、前記仮想マシンモニターにより実行されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記実施方針は、識別されたオペレーティングシステムの資源のそれぞれに関連する保護属性も記述し、少なくとも１つの前記保護属性は、対応する資源を読み出し専用として記述することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項９】
読み出し専用の保護属性に関連する前記資源に対する不変性を強化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
コンピューター可読命令を格納した１つ又は複数のコンピューター可読記録媒体であって、コンピューターデバイスにより実行されるとき、前記コンピューター可読命令は、前記コンピューターデバイスに、
仮想マシンモニターを介して、前記コンピューターデバイスを少なくとも第１の仮想マシンパーティションと第２の仮想マシンパーティションとに仮想化するステップであって、オペレーティングシステム特権モードに関連するオペレーティングシステムは、前記第１の仮想マシンパーティションに存在し、保護エージェントは前記第２の仮想パーティション又は前記仮想マシンモニターに存在する、ステップと、
前記保護エージェントが、前記第１の仮想マシンパーティションに存在し前記オペレーティングシステム特権モードで動作するように設計された１つ又は複数のオペレーティングシステムの資源を識別するステップと、
前記保護エージェントが、前記第１の仮想マシンパーティションに存在する前記１つ又は複数のオペレーティングシステムの資源のうちの少なくとも１つが改変されたかどうかを判断するステップであって、前記第２の仮想パーティション又は前記仮想マシンモニターに存在する前記保護エージェントは、前記オペレーティングシステム特権モード内からの攻撃にさらされない、ステップと、
前記１つ又は複数のオペレーティングシステムの資源のうちの少なくとも１つが改変されたという判断に応答して、前記第１の仮想マシンパーティションにおいて前記オペレーティングシステム特権モードと関連する前記オペレーションシステムをシャットダウンするステップと
を含む動作を実行させることを特徴とするコンピューター可読記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ実行可能命令を有するコンピュータ読取可能記憶媒体であって、前記コンピュータ実行可能命令が実行されると実施される動作が、
複数の装置に電力容量を問い合わせる動作であって、前記電力容量は装置が動作できる電力レベルを含み、前記複数の装置のうちの少なくとも１つが２つ以上の電力レベルで動作可能である、動作と、
前記複数の装置の各々から、対応する装置の１つまたは複数の電力容量を示す情報を受け取る動作であって、前記情報は、前記対応する装置の前記１つまたは複数の電力容量の各々に対する電力レベルを含む、動作と、
前記情報を、各電力容量をその対応する装置と関連付ける１つまたは複数の識別子と共にデータ構造に格納する動作と
を含む、コンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項２】
前記データ構造は、帯域外管理を介してアクセス可能であることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項３】
前記複数の装置に関連する消費可能電力を得る動作をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項４】
前記消費可能電力より少ない電力を消費するために、その電力容量の１つで動作するよう前記複数の装置の各々に指示する動作をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項５】
前記複数の装置は、データ・センターにあるラック内の全てのサーバを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項６】
前記複数の装置は、ブレード・サーバのブレードを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項７】
前記複数の装置は、データ・センターにある全てのサーバを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項８】
前記複数の装置は、データ・センターにあるネットワーク機器を含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項９】
前記複数の装置は、データ・センターにある記憶装置を含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項１０】
少なくとも部分的にコンピュータにより実行される方法であって、
メモリに格納されたコンピュータ実行可能命令を実行するように構成された少なくとも１つの処理ユニットを用いて動作を実行することを含み、前記動作が、
複数の装置の電力容量を、前記複数の装置の外部に存在する１つまたは複数のデータ構造から得る動作であって、前記電力容量は装置が動作できる電力レベルを示し、前記複数の装置の少なくとも１つは少なくとも２つ以上のの電力レベルで動作可能である、動作と、
前記複数の装置に割り当てられる最大電力を示す消費可能電力を得る動作と、
前記電力容量および前記消費可能電力に基づく動作を行う動作と
である、方法。
【請求項１１】
前記の電力容量および消費可能電力に基づく動作は、前記消費可能電力を越える電力を消費しないようにするために、その電力容量の１つで動作するよう前記装置の各々に指示することを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記消費可能電力は、ラック内の装置に適用されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記データ構造は、管理コンソールからアクセス可能な不揮発性媒体上にあることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記装置の各々はサーバを含み、該サーバは、少なくとも１つのプロセッサを含み、且つ１つまたは複数の記憶装置にアクセス可能であることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記の電力容量および消費可能電力に基づく動作は、別の装置を配置する位置を決定することを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記の電力容量および消費可能電力に基づく動作は、別の装置を前記複数の装置に追加することを含み、追加後に、前記複数の装置および前記別の装置は、前記消費可能電力より少ない電力を消費することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記消費可能電力に残存する残りの電力を、前記１つまたは複数のデータ構造を介して決定することをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
データ構造を格納したコンピュータ読取可能記憶媒体であって、該データ構造は、
消費可能電力が割り当てられた複数の装置の電力レベルを記憶するための複数のフィールドであって、前記消費可能電量を前記複数の装置の電力使用量の合計が超過せず、各電力レベルはその対応する装置が前記電力レベルで超過しない最大電力を示し、前記複数の装置のうちの少なくとも１つは２つ以上の電力レベルで動作可能である、複数のフィールドと、
前記電力レベルと前記装置との間の関連を記憶するための複数のフィールドであって、各電力レベルは前記電力レベルで動作可能な前記複数の装置のうちの少なくとも１つに関連付けられる、複数のフィールドと、
前記複数の装置を前記消費可能電力に関連付けるためのグループ・フィールドと
を含む、コンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項１９】
前記データ構造は、複数の電力プロファイルを含み、各電力プロファイルが前記電力レベルのうちの１つに関連付けられ、前記電力レベルのうちの１つで動作可能な装置に対する前記電力レベルを特定する役割を果たすことを特徴とする請求項１８に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項２０】
前記データ構造は、前記消費可能電力を格納するための消費可能電力フィールドをさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月31日(2010.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
圧縮ガス容器内部の圧力は、吸気開口部７を通して環状高圧チャンバ４５に到達する。この圧力は、横軸穴４４を介して径方向に排他的にピストン４２に作用する。したがって、軸方向の力成分の影響はない。このような構成により、圧縮ガス容器内部の高圧力が補償されるため、制御ピストン４２を移動させるような力成分が制御ピストンに働かない。したがって制御ピストンは、制御圧力チャンバ１６内部の制御ピストンのみによって調節される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2010517647.tif 000001