【事件の表示】
　特願２０１４−５１９９３１「電気接触子及び電気部品用ソケット」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１２月１２日国際公開、ＷＯ２０１３／１８３４８４、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１  手続の経緯
　この審判事件に関する出願（以下、「本願」という。）は、平成２４年６月６日にされた特許出願に基づく優先権を主張して平成２５年５月２８日にされた国際特許出願である。
　本願については、平成２８年１０月１８日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２６日に意見書が提出されるとともに明細書及び特許請求の範囲についての補正がなされた。その後、平成２９年４月２８日付けで拒絶理由が通知され、同年７月１０日に意見書が提出されるとともに明細書及び特許請求の範囲についての補正がなされたが、この補正は、同年１２月２５日付けの決定をもって却下され、同日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされ、査定の謄本が翌平成３０年１月９日に送達された。
　これに対し、同年４月９日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に明細書及び特許請求の範囲についての補正がされた。その後、同年６月２２日付けで特許法第１６４条第３項の規定による報告（以下、「前置報告」という。）がされた。
　さらに、合議体による合議の結果、同年１２月６日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、これに対し、翌平成３１年２月４日に意見書が提出されるとともに特許請求の範囲についての補正（以下、「本件補正」という。）がなされた。
第２  本願発明
　本願の請求項１ないし請求項９に係る発明（以下、「本願発明１」ないし「本願発明９」という。）は、本件補正がされた特許請求の範囲の請求項１ないし請求項９に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　Ｓｎを含む端子を備えた電気部品の前記端子に電気的に接触される電気接触子であって、
　熱を加えることにより前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する第１層（Ｐｄ単体の層を除く）と、
　該第１層の外側に形成され、熱を加えることにより前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する速度が前記第１層よりも遅い第２層と、
　を有し、
　前記第２層が、Ａｇと、該Ａｇよりも重量比が小さいＡｕとを含む、Ａｇ合金めっき層で構成され、
　前記第１層と前記第２層とが、熱を加えたときに前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する速度を前記第１層よりも前記第２層を遅くして、前記端子が張り付くことを防止するように構成されたことを特徴とする電気接触子。
【請求項２】
　Ｓｎを含む端子を備えた電気部品の前記端子に電気的に接触される電気接触子であって、
　熱を加えることにより前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する第１層と、
　該第１層の外側に形成され、熱を加えることにより前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する速度が前記第１層よりも遅い第２層（Ａｇ単体の層を除く）と、
　を有し、
　前記第１層が、Ｐｄと、該Ｐｄよりも重量比が小さいＣｕとを含む、Ｐｄ合金めっき層で構成され、
　前記第１層と前記第２層とが、熱を加えたときに前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する速度を前記第１層よりも前記第２層を遅くして、前記端子が張り付くことを防止するように構成されたことを特徴とする電気接触子。
【請求項３】
　前記第１層が、Ｐｄと、該Ｐｄよりも重量比が小さいＣｕとを含む、Ｐｄ合金めっき層であることを特徴とする請求項１に記載の電気接触子。
【請求項４】
　導電性を有する基材と、該基材の外側に形成されたＮｉを主成分とする下地層とを更に備え、
　該下地層の外側に前記第１層が形成され、且つ、
　該第１層の外側に前記第２層が形成された、
　ことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の電気接触子。
【請求項５】
　前記第１層としての基材を備え、
　該基材の外側に前記第２層が形成された、
　ことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の電気接触子。
【請求項６】
　前記第１層が、厚さ０．１μｍ以上５μｍ以下であり、且つ、前記第２層が、厚さ０．１μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の電気接触子。
【請求項７】
　ソケット本体と、Ｓｎを含む端子を備えた電気部品が収容される収容部と、前記ソケット本体に配設されて前記端子に接触される電気接触子とを有する電気部品用ソケットであって、
　前記電気接触子の表面に、
　熱を加えることにより前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する第１層（Ｐｄ単体の層を除く）と、
　該第１層の外側に形成され、熱を加えることにより前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する速度が前記第１層よりも遅い第２層と、
　が形成されており、
　前記第２層が、Ａｇと、該Ａｇよりも重量比が小さいＡｕとを含む、Ａｇ合金めっき層で構成され、
　前記第１層と前記第２層とが、熱を加えたときに前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する速度を前記第１層よりも前記第２層を遅くして、前記端子が張り付くことを防止するように構成されたことを特徴とする電気部品用ソケット。
【請求項８】
　ソケット本体と、Ｓｎを含む端子を備えた電気部品が収容される収容部と、前記ソケット本体に配設されて前記端子に接触される電気接触子とを有する電気部品用ソケットであって、
　前記電気接触子の表面に、
　熱を加えることにより前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する第１層と、
　該第１層の外側に形成され、熱を加えることにより前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する速度が前記第１層よりも遅い第２層（Ａｇ単体の層を除く）と、
　が形成されており、
　前記第１層が、Ｐｄと、該Ｐｄよりも重量比が小さいＣｕとを含む、Ｐｄ合金めっき層で構成され、
　前記第１層と前記第２層とが、熱を加えたときに前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する速度を前記第１層よりも前記第２層を遅くして、前記端子が張り付くことを防止するように構成されたことを特徴とする電気部品用ソケット。
【請求項９】
　前記第１層が、Ｐｄと、該Ｐｄよりも重量比が小さいＣｕとを含む、Ｐｄ合金めっき層であることを特徴とする請求項７に記載の電気部品用ソケット。」
第３  原査定における拒絶理由の概要
　この出願の請求項１、請求項２及び請求項４ないし請求項８に係る発明は、以下の引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　また、この出願の請求項３及び請求項９に係る発明は、以下の引用文献１及び引用文献２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　引用文献１.特開２００８−２７０１９２号公報
　　引用文献２.国際公開第２００７／０３４９２１号
第４  引用文献に記載された発明等
１  引用文献１
　原査定で引用された引用文献１には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
（１）  段落０００２から段落０００６まで
「【背景技術】
【０００２】
　従来、携帯電話機や携帯端末機器等に用いられているプッシュスイッチには、リン青銅やベリリウム銅、近年はコルソン系銅合金などの銅合金や、ステンレスなどの鉄系合金などのばね性に優れた導電性基材に銀めっきを施した材料が使用されてきた。
　従来は、導電性基材、特にステンレスなどの鉄系合金上にニッケル下地層を形成した後、直接銀表層めっきを形成した材料を用いていた。一方、携帯電話のｅメールの普及により繰り返しのスイッチング動作が多くなっている。短期間でスイッチングを繰り返すことでスイッチング部が発熱し、銀めっきを透過した酸素がニッケルを酸化せしめて銀を剥離しやすくすることが知られていた。
【０００３】…（略）…【０００６】
　そこで、本発明は、
スイッチングが繰り返されるような環境下で使用されても、表面の銀層が剥離することなく、かつ製造上の制約が緩和される、可動接点部品
（２）  段落０００９から段落００１４まで
「【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
　以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は本発明の可動接点部品用銀被覆材の一実施態様を示す断面図である。図１において、
１は導電性基材、２は下地層、３は中間層、４は最表層
【００１０】
　導電性基材１は、可動接点部品用として用いるに足る導電性、バネ特性、耐久性等を有する材料であり、本発明においては銅または銅合金からなる。
　基材１として好ましく用いられる銅合金としては、ベリリウム銅（Ｃｕ−Ｂｅ）、リン青銅、黄銅、洋白、コルソン合金などが挙げられる。
　基材１の厚さは、０．０３〜０．３μｍが好ましく、０．０５〜０．１μｍであることがさらに好ましい。
【００１１】
　基体１の面上には厚さ０．０１〜０．５μｍ、好ましくは０．０５〜０．１μｍのニッケル（Ｎｉ）またはＮｉ合金からなる下地層２が被覆されている。
　下地層２に用いられるＮｉ合金としては、Ｎｉ−Ｐ系、Ｎｉ−Ｓｎ系、Ｎｉ−Ｃｏ系、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｐ系、Ｎｉ−Ｃｕ系、Ｎｉ−Ｃｒ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｆｅ系などの合金が好適に用いられる。ＮｉおよびＮｉ合金は、めっき処理性が良好で、価格的にも問題がなく、また融点が高いためバリア機能が高温環境下にあっても衰えが少ない。
　また、基材１は銅または銅合金からなるので、基材１からの銅の拡散が、最表層４の銀の剥離の要因の一つとなりうる。しかし、この態様では、下地層２が基材１からの銅の拡散を防止するので、最表層４の銀が剥離しにくくなる。下地層２の厚さの下限は、基材１からの銅の拡散を防ぐ観点から決定され、下地層２の厚さの上限は、被覆材から電気接点材料をプレス加工等により形成する際に加工性が低下し、下地層２などに割れが発生するおそれを防ぐ観点から決定される。
【００１２】
　
下地層２上には
パラジウム合金
からなる厚さ０．０１〜０．５μｍ、好ましくは０．０５〜０．２μｍの中間層３が被覆される
　パラジウム、パラジウム合金、および銀スズ合金はいずれも銅より酸化されにくい金属または合金である。したがって、銅中間層を施したものと比較して、中間層３の表面の酸化による最表層４の銀または銀合金層との密着性の低下、および中間層３の成分が最表層４に表れて酸化することによる導電性（接触抵抗）の低下が起こりにくい。
【００１３】
　
中間層３に用いられるパラジウム合金としては、金パラジウム合金（Ｐｄ−Ａｕ）、銀パラジウム合金（Ｐｄ−Ａｇ）、スズパラジウム合金（Ｐｄ−Ｓｎ）、インジウムパラジウム合金（Ｐｄ−Ｉｎ）が好ましい
　また、パラジウム（Ｐｄ）を合金化することでより拡散しにくくなるため、銀または銀合金層との密着性が低下しにくくなり、さらに中間層３の成分が最表層４に表れて酸化することによる導電性（接触抵抗）の低下が起こりにくくなる。
　また、銀スズ合金層を中間層３に用いることで、パラジウム同様に拡散しにくく、銀または銀合金層との密着性が低下しにくくなり、さらに中間層３の成分が最表層４に表れて酸化することによる導電性（接触抵抗）の低下が起こりにくくなる。
【００１４】
　
中間層３上には
銀合金からなる最表層４が形成される
銀合金からなる最表層４は接点部材としての導電性を向上させるために設ける層であり
その厚さは好ましくは０．５〜３．０μｍ、さらに好ましくは１．０〜２．０μｍである
　また、
最表層４として好ましく用いることができる銀合金としては、銀スズ合金、銀ニッケル合金、銀銅合金、銀パラジウム合金などの２成分系、それらを組み合わせた多成分系の合金を挙げることができる
　上記（１）及び（２）の記載によれば、引用文献１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「　スイッチングが繰り返されるような環境下で使用されても、表面の銀層が剥離することなく、かつ製造上の制約が緩和される、可動接点部品であって、
　導電性基材１、下地層２、中間層３及び最表層４を有し、
　下地層２上には、パラジウム合金からなる厚さ０．０１〜０．５μｍ、好ましくは０．０５〜０．２μｍの中間層３が被覆され、中間層３に用いられるパラジウム合金としては、金パラジウム合金（Ｐｄ−Ａｕ）、銀パラジウム合金（Ｐｄ−Ａｇ）、スズパラジウム合金（Ｐｄ−Ｓｎ）、インジウムパラジウム合金（Ｐｄ−Ｉｎ）が好ましく、
　中間層３上には、銀合金からなり、接点部材としての導電性を向上させるために設ける層である最表層４が形成され、その厚さは好ましくは０．５〜３．０μｍ、さらに好ましくは１．０〜２．０μｍであり、最表層４として用いられる銀合金としては、銀スズ合金、銀ニッケル合金、銀銅合金、銀パラジウム合金などの２成分系、それらを組み合わせた多成分系の合金が好ましい、
可動接点部品。」
２  引用文献２
　原査定で引用された引用文献２には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
（１）  段落０００１から段落０００３まで
「技術分野
　この発明は、半導体装置（以下「ＩＣパッケージ」という）等の電気部品に電気的に接続される電気接触子及び、この電気接触子が配設された電気部品用ソケットに関するものである。
背景技術
　
従来
　その
コンタクトピンは最表層がＡｕメッキ（極微量のＣｏが添加されている）層で、下地層がＮｉで成形されており
（２）  段落０００７から段落０００９まで
「 かかる
課題
バーンイン試験を繰り返すうちにＡｕが端子側に溶け込んでＡｕメッキ層が無くなり、下地層Ｎｉが露出するようになる
Ｎｉが空気中で酸化し、比抵抗の大きい酸化被膜を作る
結果、コンタクトピンの端子に対する接触部分の電気抵抗値が大きくなる
　このことにより、本発明者らは、電気接触子側の最表層が電気部品端子側に溶け込まず、下地層Ｎｉが露出しないように、電気部品端子の半田中のＳｎがバーンイン環境（高温）下で、電気接触子側に転写するようにし、且つ、最表層中に拡散して表面にＳｎが酸化物として蓄積され難いようにすれば、繰り返して使用しても、接触部分の電気抵抗の早期の上昇が抑制されるものと考えた。
　そこで、請求項１に記載の発明は、導電性を有する材料から成る基材と、熱を加えることによりＳｎ（錫）が溶け込んで拡散する材料から成る最表層とを有する電気接触子としたことを特徴とする。」
（３）  段落００４２から段落００４４まで
「　この実施の形態１の電気接触子は、ここでは、バーンイン試験用のＩＣソケット（電気部品用ソケット）に配設されるコンタクトピン１１で、この
コンタクトピン１１を介して、バーンイン試験時に
ＩＣパッケージと配線基板とを電気的に接続するようにして
　この
ＩＣパッケージ
この端子は、主成分がＳｎで
　そのＩＣソケットは、配線基板上に取り付けられるソケット本体を有し、このソケット本体に、複数のコンタクトピン１１が配設されている。」
（４）  段落００８３から段落００８５まで
「　ここで、図１１乃至図１６には、それぞれ、発明の実施の形態１の異なる変形例を示す。
　図１１に示すコンタクトピン１１は、Ｐｄ−Ａｇメッキ層１４ａと下地層１３との間に、Ｐｄメッキ層１４ｂが形成され、図１２に示すコンタクトピン１１は、Ｐｄ−Ａｇメッキ層１４ａと下地層１３との間に、Ａｇメッキ層１４ｃが形成され、図１３に示すコンタクトピン１１は、Ｐｄ−Ａｇメッキ層１４ａの上に、Ｐｄメッキ層１４ｂが形成され、図１４に示すコンタクトピン１１は、Ｐｄ−Ａｇメッキ層１４ａの上に、Ａｇメッキ層１４ｃが形成され、図１５に示す
コンタクトピン１１
下地層１３の上に、Ｐｄメッキ層１４ｂとＡｇメッキ層１４ｃとが順に積層され
Ａｇメッキ層１４ｃとＰｄメッキ層１４ｂとが順に積層されて
　このようなものにあっても、コンタクトピン１１の最表層１４にＰｄとＡｇからなるメッキ層を設けたため、
バーンイン環境下（８０℃〜１７０℃）で、ＩＣパッケージ端子の半田中のＳｎが、コンタクトピン１１の最表層１４に転写して拡散する
従って、ＰｄとＡｇがＩＣパッケージ端子側に溶け込むことなく、下地層１３のＮｉが露出しないと共に、最表層１４の表面にＳｎが酸化物として蓄積され難い
その結果、バーンイン試験を繰り返しても、コンタクトピン１１の接触部分の電気抵抗の早期の上昇が抑制されることとなる
　上記（１）ないし（４）の記載によれば、引用文献２には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
　
「　コンタクトピン１１を介して、主成分がＳｎであるＩＣパッケージの端子と配線基板とを電気的に接続するようにして、バーンイン試験を行うにあたり、
　従来のようにコンタクトピンの最表層がＡｕメッキ（極微量のＣｏが添加されている）層で、下地層がＮｉで成形されている場合には、バーンイン試験を繰り返すうちにＡｕが端子側に溶け込んでＡｕメッキ層が無くなり、下地層Ｎｉが露出するようになって、Ｎｉが空気中で酸化し、比抵抗の大きい酸化被膜を作る結果、コンタクトピンの端子に対する接触部分の電気抵抗値が大きくなるという課題があったが、
　下地層１３の上に、Ｐｄメッキ層１４ｂとＡｇメッキ層１４ｃとが順に積層され、又はＡｇメッキ層１４ｃとＰｄメッキ層１４ｂとが順に積層されてコンタクトピン１１が形成されることにより、バーンイン環境下（８０℃〜１７０℃）で、ＩＣパッケージ端子の半田中のＳｎが、コンタクトピン１１の最表層１４に転写して拡散し、従って、ＰｄとＡｇがＩＣパッケージ端子側に溶け込むことなく、下地層１３のＮｉが露出しないと共に、最表層１４の表面にＳｎが酸化物として蓄積され難く、その結果、バーンイン試験を繰り返しても、コンタクトピン１１の接触部分の電気抵抗の早期の上昇が抑制されることとなる。」
３  前置報告で引用された文献
　前置報告で引用された文献である特開２０１１−１２２１９４号公報（以下「前置引用文献３」という。）の段落０００５の記載によれば、前置引用文献３には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「　Ａｇ２５〜５０ｗｔ％、Ｐｄ２５〜５０ｗｔ％、Ｃｕ１５〜４０ｗｔ％からなるＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金に、Ｉｎ０．１〜５ｗｔ％を添加することにより、圧延加工後および析出硬化後の硬さを向上させ、合金の機械特性の向上すなわち耐摩耗性を向上させた電機・電子機器用の材料とし、
　さらに、上記Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ−Ｉｎの４元合金に、用途に応じて特性を改善する添加元素として、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｓｎ、ＺｎもしくはＢの少なくとも１種を０．０１〜３ｗｔ％を添加することで、硬さをさらに向上させ、また、Ａｕは耐酸化性、Ｐｔは耐化学薬品性についても有用であり、Ｒｅ、ＲｈおよびＮｉは結晶粒を微細化させる効果材としても作用する。」
　また、前置報告で引用された文献である特開２００９−１２２０８７号公報（以下「前置引用文献４」という。）の段落００２１及び００６０の記載によれば、前置引用文献４には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「　半導体ウエハ、アレー基板、液晶パネル、ＰＤＰパネル等の種々の電子デバイスの電極に直接接触させて通電検査等を行うためのプローブとして、
Pd及びAgを含む合金（Pd=３５％、Ag＝３０％）、Au、Ag及びPtを含む合金（Au=７０％、Ag・Pt）、Au、Ag、Cu及びPtを含む合金（Au =５０％、Ag・Cu・Pt）、及びPd、Ag及びCuからなる合金又はPd、Ag及びCuを含む合金（Pd=４０％、Ag＝３０％、Cu=３０％）を用いる。」
　また、前置報告で引用された文献である特開２００７−２７１４７２号公報（以下「前置引用文献５」という。）の段落０００１、００１１及び００１４の記載によれば、前置引用文献５には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「　ＬＳＩチップなどの半導体集積回路の電気的諸特性を測定する際に用いられるプローブピンにおいて、
　先端接触部をパッド材料が付着せず接触抵抗値が低く安定したＡｕ合金、Ｐｄ合金あるいは純Ｎｉなどの先端接合金属で形成し、
　先端接合金属のＡｕ合金としては、Ａｕ：６０〜８０ｗｔ％に、Ａｇ：５〜３０ｗｔ％、Ｐｔ：５〜１５ｗｔ％金合金のいずれか又は両方を含有し、残部が亜鉛又は銅、あるいは亜鉛と銅である合金がさらに好ましく、Ｐｄ合金としては、Ｐｄ：３０〜４０ｗｔ％、Ａｇ：２５〜３５ｗｔ％、Ａｕ：５〜１５ｗｔ％、Ｐｔ：５〜１５ｗｔ％、Ｚｎ：０．５〜１０ｗｔ％、残部がＣｕの組成で構成するのが好ましい。」
　また、前置報告で引用された文献である特開２００９−２５８１００号公報（以下「前置引用文献６」という。）の段落０００２、００１８、００２０及び００３０の記載によれば、前置引用文献６には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「　半導体装置（半導体集積回路装置）の電気的特性の検査を行う際に用いられるポゴピン方式の導電性接触子において、
　上部プランジャ１３を、検査対象の半導体装置の外部電極と接触する非貴金属の先端部ａと、前記外部電極に接触せず筒体１１に摺接する貴金属のベース部ｂとで構成し、
　ベース部ｂに用いる貴金属を、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇの内から選ばれる少なくとも一つとし、先端部ａに用いる非貴金属（前記貴金属とは異なる純金属やその金属合金）を、Ｓｎに対する溶解速度がＰｂよりも遅い金属または金属合金から選ばれる少なくとも一つとする。」
第５  対比・判断
１  本願発明１について
（１）  対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、以下のとおりである。 
ア  引用発明の「可動接点部品」は、本願発明１の「電気接触子」に相当する。
イ  引用発明の「パラジウム合金からなる厚さ０．０１〜０．５μｍ、好ましくは０．０５〜０．２μｍの中間層３」及び「中間層３上」の「銀合金からなり、接点部材としての導電性を向上させるために設ける層である最表層４」が、本願発明１の「第１層（Ｐｄ単体の層を除く）」及び「該第１層の外側に形成され」る「第２層」にそれぞれ相当する。
ウ  引用発明における「最表層４」を構成する「銀スズ合金、銀ニッケル合金、銀銅合金、銀パラジウム合金などの２成分系、それらを組み合わせた多成分系の合金が好ましい」「銀合金」と、本願発明１の「第２層」を構成する「Ａｇと、該Ａｇよりも重量比が小さいＡｕとを含む、Ａｇ合金めっき層」とは、「第２層」を構成する「Ａｇ合金めっき層」であるという点で共通するものである。
（２）  一致点及び相違点
　上記（１）の対比の結果をまとめると、本願発明１と引用発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。 
ア  一致点 
「　電気接触子であって、
　第１層（Ｐｄ単体の層を除く）と、
　該第１層の外側に形成される第２層と、
　を有し、
　前記第２層が、Ａｇ合金めっき層で構成される
電気接触子。」
イ  相違点 
（ア）  相違点１
　本願発明１では、「電気接触子」が「Ｓｎを含む端子を備えた電気部品の前記端子に電気的に接触される」ものであり、「第１層」が「熱を加えることにより前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する」ものであり、「第２層」が「熱を加えることにより前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する速度が前記第１層よりも遅い」ものであり、「前記第１層と前記第２層とが、熱を加えたときに前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する速度を前記第１層よりも前記第２層を遅くして、前記端子が張り付くことを防止するように構成され」ているのに対して、引用発明では、そのようになっているかどうかが不明である点。
　　
（イ）  相違点２
　「第２層」を構成する「Ａｇ合金めっき層」が、本願発明１では、「Ａｇと、該Ａｇよりも重量比が小さいＡｕとを含む」ものであるのに対して、引用発明では、「銀スズ合金、銀ニッケル合金、銀銅合金、銀パラジウム合金などの２成分系、それらを組み合わせた多成分系の合金が好ましい」とされている点。
（３）  相違点１についての判断
　引用発明が相違点１に係る本願発明１の構成を備えるようにするには、引用発明において、「可動接点部品」をＳｎを含む端子に接触されるものとし、「パラジウム合金からなる厚さ０．０１〜０．５μｍ、好ましくは０．０５〜０．２μｍの中間層３」及び「銀合金からなり、接点部材としての導電性を向上させるために設ける層である最表層４」を、ともに熱を加えることによりＳｎが溶け込んで拡散するものとし、後者にＳｎが溶け込んで拡散する速度を前者にＳｎが溶け込んで拡散する速度よりも遅くする必要があるが、引用文献１には、そのようなことを示唆する事項は記載されていない。
　また、引用文献２には、「下地層１３の上に、Ｐｄメッキ層１４ｂとＡｇメッキ層１４ｃとが順に積層され」て「コンタクトピン１１が形成され」、これを用いてＩＣパッケージのバーンイン試験を行う際に、「バーンイン環境下（８０℃〜１７０℃）で、ＩＣパッケージ端子の半田中のＳｎが、コンタクトピン１１の最表層１４に転写して拡散」するという技術事項が記載されており、この「下地層１３の上に、Ｐｄメッキ層１４ｂとＡｇメッキ層１４ｃとが順に積層され」て形成された「コンタクトピン１１」は、本願の図３で示されたものと同一であることから、引用文献２に記載された「Ａｇメッキ層１４ｃ」は、本願の明細書の段落００４２等に記載される「Ａｇめっき層」と同様に、「Ｐｄメッキ層１４ｂ」よりも、Ｓｎが溶け込んで拡散する速度が遅いものであると考えられるが、引用文献２には、「下地層１３の上に、Ｐｄメッキ層１４ｂとＡｇメッキ層１４ｃとが順に積層され」ることの他に、逆に「Ａｇメッキ層１４ｃとＰｄメッキ層１４ｂとが順に積層され」ることも並列に記載されており、引用文献２の記載から、熱を加えたときにＳｎが溶け込んで拡散する速度を、第１層よりも、その外側に形成される第２層を遅くするという技術思想を読み取ることはできない。すなわち、引用発明のように「パラジウム合金からなる厚さ０．０１〜０．５μｍ、好ましくは０．０５〜０．２μｍの中間層３」及び「銀合金からなり、接点部材としての導電性を向上させるために設ける層である最表層４」を順に積層した場合に、後者にＳｎが溶け込んで拡散する速度を前者にＳｎが溶け込んで拡散する速度よりも遅くするといったことは、引用文献２において記載も示唆もされていない。
　また、前置引用文献６には、「半導体装置（半導体集積回路装置）の電気的特性の検査を行う際に用いられるポゴピン方式の導電性接触子」において、「検査対象の半導体装置の外部電極と接触する非貴金属の先端部ａ」に用いる非貴金属を「Ｓｎに対する溶解速度がＰｂよりも遅い金属または金属合金から選ばれる少なくとも一つとする」という技術事項が記載されているが、引用発明のように「中間層３」及び「最表層４」を順に積層した場合に、「最表層４」にＳｎが溶け込んで拡散する速度を「中間層３」にＳｎが溶け込んで拡散する速度よりも遅くするといったことは、記載も示唆もされていない。
　さらに、前置引用文献３ないし前置引用文献５は、本願発明１のような「第１層」及び「第２層」を有する「電気接触子」を開示するものではないため、相違点１に係る本願発明１の構成を開示するものでもない。
　したがって、相違点１に係る本願発明１の構成は、引用発明と引用文献２又は前置引用文献３ないし前置引用文献６に記載された技術事項とに基づいて、当業者が容易に想到し得るものであるということはできない。 
（４）  本願発明１についてのまとめ 
　以上のとおりであるから、本願発明１は、相違点２を検討するまでもなく、引用文献１、引用文献２及び前置引用文献３ないし前置引用文献６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 
２  本願発明２ないし本願発明９について 
　本願発明２ないし本願発明９は、相違点１に係る本願発明１の構成に対応する構成、すなわち、「電気接触子」が「Ｓｎを含む端子を備えた電気部品」の「前記端子に電気的に接触される」ものであり、「第１層」が「熱を加えることにより前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する」ものであり、「第２層」が「熱を加えることにより前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する速度が前記第１層よりも遅い」ものであり、「前記第１層と前記第２層とが、熱を加えたときに前記端子のＳｎが溶け込んで拡散する速度を前記第１層よりも前記第２層を遅くして、前記端子が張り付くことを防止する」との構成を備えるものである。
　そして、上記１（３）のとおり、相違点１に係る本願発明１の構成は、引用発明と引用文献２又は前置引用文献３ないし前置引用文献６に記載された技術事項とに基づいて、当業者が容易に想到し得るものであるということはできないから、相違点１に対応する本願発明２ないし本願発明９の構成も同様である。 
　したがって、本願発明２ないし本願発明９は、引用文献１、引用文献２及び前置引用文献３ないし前置引用文献６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 
第６  原査定について 
　上記第５のとおり、本件補正がされた本願発明１ないし本願発明９は、引用発明と相違しているから、引用文献１に記載された発明とはいえない。
　また、本件補正がされた本願発明１ないし本願発明９は、引用文献１、引用文献２及び前置引用文献３ないし前置引用文献６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　したがって、原査定の理由は、維持することができない。 
第７  当審拒絶理由について
　合議体での合議の結果、請求項６の「前記第１層が、厚さ０．１μｍ以上５μｍ以下であり」との記載について、請求項６が請求項５を引用する場合に意味が明確でないとの拒絶理由が通知されていたが、本件補正により請求項６が請求項５を引用しないものとなったため、この拒絶理由は解消した。
第８  むすび
　以上のとおりであるから、原査定の理由によっては、本願は拒絶をするべきものであるということはできない。 
　また、他に、本願は拒絶をするべきものであるとする理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。