【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年1月4日(2010.1.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の粒子と流体とを含むカプセル化されたディスプレイ媒体であって、第１の表面と第２の表面とを有するディスプレイ媒体と、
有機半導体を含む有機系電界効果トランジスタであって、前記ディスプレイ媒体をアドレシングするために前記ディスプレイ媒体の前記第２の表面に隣接して配置されている有機系電界効果トランジスタと
を備えたディスプレイ。
【請求項２】  前記第１の表面は、イメージまたは英数字を表示する、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項３】  基板をさらに備え、前記ディスプレイ媒体は、前記基板に印刷されている、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項４】  前記ディスプレイ媒体は、複数のマイクロカプセル化された電気泳動粒子を含む、請求項４に記載のディスプレイ。
【請求項５】  前記ディスプレイ媒体は、複数のマイクロカプセル化された懸濁粒子を含む、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項６】  前記ディスプレイ媒体は、複数のマイクロカプセル化された回転ボールを含む、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項７】  前記有機半導体は、ポリマー半導体を含む、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項８】  前記ポリマー半導体は、ポリチオフェンを含む、請求項７に記載のディスプレイ。
【請求項９】  前記ポリマー半導体は、ポリ（３−アルキル）チオフェンを含む、請求項８に記載のディスプレイ。
【請求項１０】  前記ポリマー半導体は、アルキル置換オリゴチオフェンを含む、請求項７に記載のディスプレイ。
【請求項１１】  前記有機半導体は、アルファ−ヘキサチエニレンを含む、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項１２】  前記有機半導体は、ぺンタセン、フタロシアニン、ベンゾジチオフェン、フラーレン、バックミンスターフラーレン、テトラシアノナフトキノン、テトラキス（メチルアミノ）エチレンから構成される群から選択される、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項１３】  前記ポリマー半導体は、ポリチエニレンビニレンを含む、請求項７に記載のディスプレイ。
【請求項１４】  前記ポリマー半導体は、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）を含む、請求項７に記載のディスプレイ。
【請求項１５】  前記有機半導体は、オリゴマー半導体を含む、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項１６】  前記有機系電界効果トランジスタに隣接して配置された障壁層をさらに備えている、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項１７】  前記ディスプレイ媒体の前記第２の表面に隣接して配置された複数のピクセル電極をさらに備え、
前記有機系電界効果トランジスタは、複数のトランジスタを含み、各トランジスタは、そのトランジスタに隣接して配置されている障壁層で保護されている、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項１８】  前記有機系電界効果トランジスタは、障壁カプセルにおいてカプセル化され、かつ、前記ディスプレイ媒体の前記第２の表面に隣接して配置された複数のトランジスタのアレイを含み、各トランジスタは、ピクセル電極に隣接して配置されている、請求項１７に記載のディスプレイ。
【請求項１９】  前記障壁層は、金属フィルムを含む、請求項１６に記載のディスプレイ。
【請求項２０】  前記障壁層は、金属酸化物コーティングを含む、請求項１６に記載のディスプレイ。
【請求項２１】  前記障壁層は、ポリマーコーティングを含む、請求項１６に記載のディスプレイ。
【請求項２２】  前記障壁層は、前記トランジスタを光から保護することが可能な材料を含む、請求項１６に記載のディスプレイ。
【請求項２３】  前記光は、可視光または紫外線光のうちの少なくとも一方を含む、請求項２２に記載のディスプレイ。
【請求項２４】  前記障壁層は、前記トランジスタを前記ディスプレイ媒体から保護することが可能な材料を含む、請求項１６に記載のディスプレイ。
【請求項２５】  前記障壁層は、前記トランジスタを酸素から保護することが可能な材料を含む、請求項１６に記載のディスプレイ。
【請求項２６】  前記障壁層は、前記トランジスタを湿気から保護することが可能な材料を含む、請求項１６に記載のディスプレイ。
【請求項２７】  前記障壁カプセルは、各トランジスタと前記隣接するピクセル電極との間に電気的な接触を提供する複数のバイアを含む、請求項１８に記載のディスプレイ。
【請求項２８】  前記有機系電界効果トランジスタは、不透明な基板の上に配置されている、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項２９】  前記有機系電界効果トランジスタは、前記トランジスタを酸素から保護することが可能な材料を含む基板の上に配置されている、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項３０】  前記有機系電界効果トランジスタは、前記トランジスタを湿気から保護することが可能な材料を含む基板の上に配置されている、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項３１】  ディスプレイを製造する方法であって、前記方法は、
（ａ）複数の粒子と流体とを含むカプセル化されたディスプレイ媒体を提供する工程であって、前記ディスプレイ媒体は、第１の表面と第２の表面とを含む、工程と、
（ｂ）前記ディスプレイ媒体の前記第２の表面に隣接する有機半導体を含む有機系電界効果トランジスタアレイを提供する工程と
を含む、方法。
【請求項３２】  工程（ａ）は、カプセル化されたディスプレイ媒体を第１の基板の上に提供することを含み、工程（ｂ）は、（ｂ１）有機系電界効果トランジスタアレイを第２の基板の上に提供することと、（ｂ２）前記ディスプレイ媒体と前記有機系電界効果トランジスタアレイとを組み合わせることにより、前記ディスプレイを形成することとを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】  工程（ｂ）は、前記有機系電界効果トランジスタアレイを印刷することを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】  工程（ｂ）は、溶媒補助印刷工程を用いて前記有機系電界効果トランジスタアレイを印刷することを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３５】  工程（ａ）は、マイクロカプセル化された電気泳動粒子を含むディスプレイ媒体を提供することを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３６】  工程（ａ）は、マイクロカプセル化された懸濁粒子を含むディスプレイ媒体を提供することを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３７】  工程（ａ）は、マイクロカプセル化された回転ボールを含むディスプレイ媒体を提供することを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３８】  工程（ａ）は、基板を提供することと、前記ディスプレイ媒体を前記基板の上に印刷することとを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３９】  工程（ｂ）は、ポリマー半導体を含む有機系電界効果トランジスタアレイを提供することを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項４０】  工程（ｂ）は、アルキル置換オリゴチオフェンを含む有機系電界効果トランジスタアレイを提供することを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項４１】  工程（ｂ）は、アルファ−ヘキサチエニレンを含む有機系電界効果トランジスタアレイを提供することを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項４２】  工程（ｂ）は、ぺンタセン、フタロシアニン、ベンゾジチオフェン、フラーレン、バックミンスターフラーレン、テトラシアノナフトキノン、テトラキス（メチルアミノ）エチレンから構成された群から選択された有機半導体を含む有機系電界効果トランジスタアレイを提供することを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項４３】  工程（ｂ）は、ポリチエニレンビニレンを含む有機系電界効果トランジスタアレイを提供することを含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４４】  工程（ｂ）は、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）を含む有機系電界効果トランジスタアレイを提供することを含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４５】  工程（ｂ）は、（ｂ１）有機系電界効果トランジスタアレイを提供することと、（ｂ２）前記アレイの各有機系電界効果トランジスタの上に障壁層を提供することにより、そのトランジスタを保護することとを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項４６】  工程（ａ）は、（ａ１）ディスプレイ媒体を提供することと、（ａ２）前記ディスプレイ媒体の前記第２の表面に隣接して複数のピクセル電極を提供することとを含み、工程（ｂ）は、（ｂ１）障壁カプセルにおいて前記トランジスタアレイをカプセル化することと、（ｂ２）各トランジスタがピクセル電極に隣接して配置されるように、前記カプセル化されたトランジスタアレイを前記ディスプレイ媒体に隣接して配置することとを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項４７】  工程（ｂ）は、（ｂ３）複数の開口部を前記障壁カプセルの上に提供することにより、前記トランジスタと前記隣接するピクセル電極との間に電気的な接触を提供することをさらに含む、請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】  工程（ｂ２）は、前記トランジスタアレイを光から保護する障壁層を提供することを含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項４９】  工程（ｂ２）は、前記トランジスタアレイを湿気から保護する障壁層を提供することを含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項５０】  工程（ｂ２）は、前記トランジスタアレイを酸素から保護する障壁層を提供することを含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項５１】  工程（ｂ）は、前記アレイの少なくとも１つのトランジスタの中から有機ドランジスタを蒸着させることによって、有機系トランジスタアレイを提供することを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項５２】  工程（ｂ）は、前記アレイの少なくとも１つのトランジスタの絶縁体を溶媒コーティングすることによって、有機系トランジスタアレイを提供することを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項５３】  工程（ｂ）は、前記アレイの少なくとも１つのトランジスタの導電性リード線を蒸着させることによって、有機系トランジスタアレイを提供することを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項５４】  工程（ｂ）は、前記アレイの少なくとも１つのトランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極のうちの少なくとも１つを溶媒コーティングすることによって、有機系トランジスタアレイを提供することを含む、請求項３１に記載の方法。請求項３１に記載の方法。
【請求項５５】  工程（ｂ）は、前記アレイの少なくとも１つのトランジスタの前記有機半導体および絶縁体をのうちの少なくとも一方を蒸着させることによって、有機系トランジスタアレイを提供することを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項５６】  工程（ｂ）は、前記アレイの少なくとも１つのトランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、絶縁体、前記有機半導体のうちの少なくとも１つをスパッタリングすることによって、有機系トランジスタアレイを提供することを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項５７】  工程（ｂ）は、オリゴマー半導体を含む有機系トランジスタアレイを提供することを含む、請求項３１に記載の方法。