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　特願２００１−１７５４０９「可変寸法を有するセリフを用いる光学的近接修正方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　２月２０日出願公開、特開２００２−　５５４３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年６月１１日（パリ条約による優先権主張２０００年６月１３日、米国）の出願であって、平成１５年７月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し平成１５年１０月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされた。その後、当審において平成１７年１０月２７日付けで拒絶理由が通知され、これに対し平成１８年５月１日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１乃至１０に係る発明は、平成１８年５月１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至１０に記載されたとおりのものであり、そのうちで請求項１乃至３は次のものである。　 
「【請求項１】平板露出装置を用いることによって基板上に、各々が対応の縁部と頂点とを有する複数の形成物を含む平板パターンを転写するマスクを形成する方法において、
　平板パターンに含まれた複数の頂点の各々上に、概ね長方形であるセリフを形成する段階と、
　特定の頂点を形成する形成物の縁部の長さとマスクパターンの面内での直交する方向のそれぞれにおける特定の頂点から最も近い形成物の縁部までの第１の距離並びに第２の距離とに基いて各セリフの寸法をそれぞれ独立して決定する段階とを含み、
　特定のセリフの各辺の位置が特定のセリフの残りの辺の位置に対して独立して調整可能であることを特徴とする平板パターンを基板に転写するマスクを形成する方法。
【請求項２】前記特定のセリフの各辺に、公称の位置に対する特定のセリフの対応の辺における変動を規定する調整ベクトルを割り当てる段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記セリフの各辺が最初に概ね方形の形状を示すように選択される公称の位置にあることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。」
（以下、請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　 
　なお、平成１８年５月１日付けの手続補正書により、請求項２、３が補正されるとともに、補正前の請求項１０、１１、１３が削除されて請求項１２が請求項１０に繰り上げられたものである。
　
３．当審における拒絶理由の概要
　請求項１−３、１０、１１、１３における記載及びそれに対応する発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項及び６項に規定する要件を満たしておらず、請求項１、４−９、１２、１３に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　
４．当審の判断（特許法第３６条第６項第２号違反について）
　
４−１．請求項１について
　請求項１の「マスクパターンの面内での直交する方向のそれぞれにおける特定の頂点から最も近い形成物の縁部までの第１の距離並びに第２の距離」について、確かに、相互に直交する第一方向と第二方向との組合せが如何なる向きにあるにしても、第一の距離及び第二の距離を算出することはできる。しかしながら、どの向きであるかによって第一の距離及び第二の距離は異なるものであるから、第一の距離及び第二の距離はどのような値も取り得るものである。そして、請求項１においては、第一の距離及び第二の距離に基づいてセリフの寸法を決定するのであるから、セリフの寸法もどのような値も取り得るものであり、セリフの寸法を決定することができない。
　したがって、請求項１の記載は明確でない。
　
４−２．請求項２、３について
　一般に「公称」とは、「表向きに言われていること。一般に発表されていること。」、「おおやけの名称。」という意味である（新村出編、「広辞苑」、第五版第一刷、株式会社岩波書店、１９９８年１１月１１日、ｐ．８９８）ので、請求項２、３における「公称の位置」は、意味不明である。
　平成１８年５月１日付けの意見書には、「特許請求の範囲並びに発明の詳細な説明における補正事項は、本出願の明細書段落００３５の「公称（すなわち省略時）」及び同段落００４５の「「公称」という用語はセリフの省略時の寸法を指示するのに利用されている」の記載に支持されます。」（第１頁第９行〜第１１行）と記載されている。
　そこで、仮に、「公称」が「省略時」という意味であるとして検討するに、請求項２、３において、何が省略しているのか不明であり、また、省略時の位置とは何の位置であるのか不明である。
　また、仮に、「公称」が「セリフの省略時」という意味であるとして検討するに、請求項２、３において、セリフの省略時の位置とは何の位置であるのか不明である。
　したがって、請求項２、３の記載は、依然として明確でない。
　
５．当審の判断（特許法第２９条第２項違反について）
　
５−１．刊行物 
　当審における拒絶の理由に引用された特開平１１−１４３０４９号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。 
（ａ−１）「【請求項５】  複数の要素パターンからなる補正ルール用パターンをマスクパターンと重ね合わせて比較し、各要素パターン毎にマスクパターンとの重なり面積値から補正パラメータ値を決め、補正パラメータ値の組と換算表を用いてマスクパターンエッジの補正値を求め、その補正値を用いてマスクパターンエッジを修正することを特徴とする近接効果補正方法。」 
（ａ−２）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造の露光工程で用いるマスクに関し、特にマスクの近接効果補正方法に関する。」 
（ａ−３）「【０００３】図５（ａ）は、補正前のマスクパターン５０において、マスクパターン頂点５１から伸びた着目エッジ５２の一部分であるエッジ角部分５４を補正する場合を示している。エッジ角部分５４は、マスクパターン頂点５１からあらかじめ決めた距離Ｘまでのエッジ部分として定義される。着目エッジ５２と、マスクパターン頂点５１から伸びたもう一方のエッジ５３とがなす角度Ｔを算出し、補正パラメータとする。また、垂直線方向のパターン幅ＬＸと延長線方向のパターン幅ＬYを算出し、これも補正パラメータとする。これら補正パラメータ値の組と換算表を用いて着目エッジ５２の補正値を求める。換算表は、例えば図５（ｂ）に示すようなものであって、図５（ａ）の場合を例にとれば、Ｔ＝２７０度、ＬX＝Ａ1、ＬY＝Ｂ1のときの補正値ｄＥはＣ11になる。各パラメータ値が換算表にない場合は補間により着目エッジ５２の補正値ｄＥを算出する。補正値ｄＥが正であればエッジ角部分５４をｄＥだけパターンの外側に平行移動してパターンを補正し、負の場合には逆にｄＥだけ内側に補正する。着目エッジ５２からエッジ角部分１４を除いた残りのエッジライン部分５５もエッジ角部分５４と同様にして補正するが、この時は、エッジ角部分５４とは別の換算表を用いて補正を行う。また、以上を補正対象のパターンエッジ全てに対して繰り返し行う。図６に、このようにして得られた補正後のマスクパターン６０及びそのマスクパターン６０を用いて得られる補正後のレジストパターン６１を示した。エッジ角部分５４の補正量は０．５μm 、エッジライン部分５５の補正量は０μm であった。」 
（ａ−４）図４には、マスクパターンは対応の縁部と頂点を有する点、水平方向と垂直方向とで大きさが異なるエッジ角部分５４の補正された部分が見てとれる。
（ａ−５）図６には、マスクパターンは対応の縁部と頂点を有する点、複数のマスクパターン頂点５１上に、エッジ角部分５４の補正された部分は概ね長方形である点が見てとれる。
 
　これらの記載により、刊行物１には、「半導体装置製造の露光工程で用いるマスクの近接効果補正方法において、マスクパターンは対応の縁部とマスクパターン頂点５１とを有し、複数のマスクパターン頂点５１上に、概ね長方形であるエッジ角部分５４の補正した部分を形成し、特定の頂点を形成するマスクパターンの垂直線方向のパターンＬＸと延長線方向のパターン幅ＬＹを算出してエッジ角部分５４の補正値を求め、水平方向と垂直方向とで大きさが異なるエッジ角部分５４の補正された部分を有する、半導体装置製造の露光工程で用いるマスクの近接効果補正方法。」が開示されている。 
　 
　また、当審における拒絶の理由に引用された特開平１１−２７１９５７号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
（ｂ−１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路等の回路パターン等の露光転写、特に投影式露光転写に用いられるレチクル（フォトマスク）及びその製造方法に関し、特にそのパターン作成方法、作成システムに関するものである。」
（ｂ−２）「【００２１】この図４の検定子のテンプレートは、パターンの２次元ビットイメージに対して相対的に＋Ｘ方向、すなわち線状検定子Ｃpx側を先頭にしてスキャンされる。ただし実際は、テンプレート側をビットイメージ上で走査することは難しいので、テンプレートに対してビットイメージの方を１画素ずつＸ方向に１ライン分走査したら、Ｙ方向に１画素だけステップさせて再びＸ方向に走査することを繰り返していく。
【００２２】次に、図４の検定子テンプレートを用いたパターン修正の判断アルゴリズムの原理を図５、図６を参照して説明する。まず、図５（Ａ）、（Ｂ）は、線幅が解像限界程度のＬ、長さが６Ｌ程度の孤立したラインパターンＰＡ（斜線部）を修正する例を示し、ラインパターンＰＡはここではレチクル上で遮光部となり、ビットイメージ上では論理値「１」をとるものとする。そして、その周辺部は全て透明部（下地）であり、論理値「０」をとるものとする。」
（ｂ−３）「【００３４】以上のような修正を、図４に示した検定子テンプレートを＋Ｘ、−Ｘ、＋Ｙ、−Ｙの４方向にスキャンして実行した結果を図７に示す。この際各方向のスキャン時には、検定子テンプレートは回転した位置関係となり、直線検定子Ｃpxがスキャンの前方を向くように設定される。図７（Ａ）は図５（Ａ）、（Ｂ）及び図６（Ｃ）に示す孤立ラインパターンＰＡの修正後の形状を示す。図７（Ａ）においてパターンＰＡの長手方向の中央部分は線幅がＬからＬ＋２ΔＬに拡張され、長手終端部から長さ３Ｌ／２の部分は線幅がＬからＬ＋４ΔＬに拡張される。さらに長手方向の終端エッジも、長手方向にΔＬだけ修正される。この結果、修正後のパターンは全長が６Ｌ＋２ΔＬに拡張される。」
（ｂ−４）「【００３６】図７（Ｃ）は、図６（Ａ）、（Ｂ）に示した２つのＬ字状のパターンＰＮ、ＰＭの修正後の形状を示す。まず２つのパターンＰＮ、ＰＭの間のスペース部（設計間隔Ｌ）を規定するエッジのうち、長手終端部近傍以外は修正されない。そして、パターンＰＮ、ＰＭの長手終端近傍では、互いに対向する内側のエッジ部がΔＬだけ拡張される。また、パターンＰＮ、ＰＭの長手終端を規定する各エッジ部も、その長手方向にΔＬだけ拡張される。さらに、パターンＰＮの左側と上側の各エッジは全長に渡ってΔＬだけ拡張され、その各エッジの長手終端部側の３Ｌ／２の部分はさらにΔＬだけ太らせられる。同様に、パターンＰＭの右側と下側のエッジに関しては、その長手終端部近傍で２ΔＬで一様に、又はΔＬと２ΔＬの段階状に修正される。段階状にパターンエッジが拡張される場合、図４の検定子テンプレートの条件ではΔＬの拡張はエッジ方向にＬ／２に渡って行われ、２ΔＬの拡張はエッジ方向にＬに渡って行われる。」
（ｂ−５）図７には、各種パターンの修正後の形状に関して、直交するＸ方向、Ｙ方向における孤立性の高さに応じて、拡張する線幅を異ならせた点が記載されている。
　
５−２．対比 
　そこで、本願発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載された発明の「マスクの近接効果補正方法」、「マスクパターン」、及び「マスクパターン頂点５１」は、本願発明の「マスクを形成する方法」、「形成物」、及び「頂点」に、それぞれ相当する。 
　そして、マスクは、通常、基板上に複数の形成物を含む平板パターンを転写するものであるから、刊行物１に記載された発明の「半導体装置製造の露光工程で用いるマスク」は、平板露光装置を用いることによって基板上に、複数の形成物を含む平板パターンを転写するものであると言える。
　また、刊行物１に記載された発明の「エッジ角部分５４の補正された部分」は、マスクの近接効果を補正するものであるから、刊行物１に記載された発明の「エッジ角部分５４の補正された部分」及び「エッジ角部分５４の補正値を求める」は、本願発明の「セリフ」及び「セリフの寸法を決定する」にそれぞれ相当する。
　また、刊行物１に記載された発明の「特定の頂点を形成する形成物の垂直線方向のパターンＬＸと延長線方向のパターン幅ＬＹ」と本願発明の「特定の頂点を形成する形成物の縁部の長さ」とは、「特定の頂点を形成する形成物の長さ」という点で共通する。
　以上から、本願発明と刊行物１に記載された発明は、 
「平板露出装置を用いることによって基板上に、各々が対応の縁部と頂点とを有する複数の形成物を含む平板パターンを転写するマスクを形成する方法において、平板パターンに含まれた複数の頂点上に、概ね長方形であるセリフ形成し、特定の頂点を形成する形成物の長さに基づいてセリフの寸法を決定する平板パターンを転写するマスクを形成する方法。」 
である点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］概ね長方形であるセリフについて、本願発明が、平板パターンに含まれた複数の頂点の各々上に、形成する段階を含むのに対して、刊行物
１に記載された発明は、平板パターンに含まれた複数の頂点上に、形成することにとどまる点。 
［相違点２］本願発明が、特定の頂点を形成する形成物の縁部の長さとマスクパターンの面内での直交する方向のそれぞれにおける特定の頂点から最も近い形成物の縁部までの第１の距離並びに第２の距離とに基いて各セリフの寸法をそれぞれ独立して決定する段階を含むのに対して、刊行物１に記載された発明は、特定の頂点を形成する形成物の長さに基づいてセリフの寸法を決定することにとどまる点。
［相違点３］本願発明が、特定のセリフの各辺の位置が特定のセリフの残りの辺の位置に対して独立して調整可能であるのに対して、刊行物１に記載された発明は、水平方向と垂直方向とで大きさが異なるセリフを有することにとどまる点。
　 
５−３．判断
［相違点１］について
　平板パターンに含まれた複数の頂点の各々上に、概ね長方形であるセリフを形成する段階を含むことは、単にセリフの寸法を決定する段階の一部分であるから、平板パターンに含まれた複数の頂点の各々上に、概ね長方形であるセリフを形成する段階を含むと明示的に限定することは、当業者にとって適宜なし得る事項にすぎない。
　したがって、相違点１に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
［相違点２］について
　刊行物１に記載された発明は、特定の頂点を形成する形成物の長さに基づいてセリフの寸法を決定するものであるから、刊行物１に記載された発明において形成物の長さを形成物の縁部として、特定の頂点を形成する形成物の縁部の長さに基づいてセリフの寸法を決定することは、刊行物１に記載された発明以上の格別のものではない。
　次に、刊行物２の前記記載事項（ｂ−１）の発明の属する技術分野の記載により、刊行物２に記載された発明が、平板パターンを基板に転写するマスクを形成する方法に属することは、明らかである。
　また、刊行物２の前記記載事項（ｂ−２）乃至（ｂ−５）により、刊行物２には、各種パターンの修正後の形状に関して、直交するＸ方向、Ｙ方向における孤立性の高さに応じて、拡張する線幅を異ならせた点が記載されているので、マスクパターンの面内での直交する方向のそれぞれにおける特定の形成物から最も近い形成物の縁部までの第１の距離並びに第２の距離とに基いてセリフの寸法を決定するという技術思想が開示されている。そうすると、マスクパターンの面内での直交する方向のそれぞれにおける特定の頂点から最も近い形成物の縁部までの第１の距離並びに第２の距離とに基いてセリフの寸法を決定することは、刊行物２に記載された発明以上の格別のものではない。
　そして、刊行物１及び２に記載された発明は、いずれも平板パターンを基板に転写するマスクを形成する方法という同一技術分野に属しているので、刊行物１に記載された発明に刊行物２に記載された発明を適用して相違点２に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
［相違点３］について
　刊行物１に記載された発明は、水平方向と垂直方向とで大きさが異なるセリフを有するものであるから、セリフの寸法を水平方向と垂直方向とで独立して調整可能であることが示唆されている。
　したがって、相違点３に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　 
　そして、本願発明による作用効果も、刊行物１及び２に記載された発明から当業者が予測できる範囲内のものである。 
　 
６．むすび 
　以上のとおり、本願の明細書及び図面の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、特許を受けることができない。
　また、本願発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。