【事件の表示】
　平成１１年特許願第２８８６７１号「磁気ヘッド及び記録及び／又は再生装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月２０日出願公開、特開２００１−１１００２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年１０月８日の出願であって、平成１５年５月２３日付けで手続補正がなされ、その後平成１５年８月７日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成１５年９月１１日に審判請求がされるとともに、平成１５年１０月１４日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１５年１０月１４日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年１０月１４日付け手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前の
　（ａ）　「【請求項１】　磁気テープを記録媒体とし、ヘリカルスキャン方式にて上記磁気テープと常時接触した状態で信号の読み出しを行う磁気抵抗効果型の磁気ヘッドにおいて、
　一対の基体間に、軟磁性膜からなるシールド薄膜と非磁性絶縁膜とを介して磁気抵抗効果素子が挟まれてなり、
　上記基体は、α−Ｆｅ２Ｏ３を９５ｍｏｌ％以上含有することを特徴とする磁気ヘッド。」を、
　（ｂ）　「【請求項１】　磁気テープを記録媒体とし、ヘリカルスキャン方式にて上記磁気テープと常時接触した状態で信号の読み出しを行う磁気抵抗効果型の磁気ヘッドにおいて、
　一対の基体間に、軟磁性膜からなるシールド薄膜と非磁性絶縁膜とを介して磁気抵抗効果素子が挟まれてなり、
　上記基体は、α−Ｆｅ２Ｏ３
と斜方晶系ＺｒＯ
２
とからなり、上記
　
−５℃〜２５℃の温度で使用される
と補正するものである。
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明の「基体」の材料について、「α−Ｆｅ２Ｏ３
と斜方晶系ＺｒＯ
２
とからなり
−５℃〜２５℃の温度で使用される
　そこで、補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．引用例
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された特開平８−３０９２６号公報（以下「引用例１」という。）には、「磁気抵抗効果型磁気ヘッド」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）　「【０００１】　【産業上の利用分野】　本発明は、
磁気抵抗効果型磁気ヘッドを回転式の再生ヘッドとして用いる
　（イ）　「【００１０】　【作用】本発明のＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子を含む電気回路にトランスを設けているので、交流電源からの交流電流をトランスを介してＭＲ素子に供給すれば、この交流電流がセンス電流として機能し、再生出力信号を取り出すことが可能となる。したがって、
このＭＲヘッドをビデオテープレコーダー等の記録再生装置の回転ドラムに搭載すれば、回転式ヘッドとして使用
　（ウ）　「【００１３】　本実施例のＭＲヘッドは、図１及び図２に示すように、
Ａｌ
２
Ｏ
３
−ＴｉＣ等からなるスライダー１の一側面上に形成される一対のシールド磁性体２，３と、これらシールド磁性体２，３間に先端電極４と後端電極５が積層されてなるＭＲ素子６と
　（エ）　「【００１５】　ＭＲ素子６は、例えば平面形状が略長方形パターンとして形成され、その長手方向が磁気記録媒体との摺動面（以下、ＡＢＳ面８という。）に対して垂直となるように設けられると共に、その先端側の一側縁が上記ＡＢＳ面８に臨むようになされている。そして、かかる
ＭＲ素子６は
下部シールド磁性体２上に下層ギャップ膜として機能する絶縁膜９を介して
　（オ）　「【００２０】　そして、上記
ＭＲ素子６を上下方向から挟み込む形で設けられる一対のシールド磁性体２，３
パーマロイやセンダスト等
【００２１】　下部シールド磁性体２は、上記ＡＢＳ面８にその一側縁を臨ませるようにして、このＡＢＳ面８に対して垂直方向に延在して設けられている。一方、これに対向して設けられる上部シールド磁性体３は、先の下部シールド磁性体２と同様に上記ＡＢＳ面８にその一側縁を臨ませるようにしてこのＡＢＳ面８に対して垂直にバック側へ延在して設けられている。この
上部シールド磁性体３は
ＭＲ素子６
との絶縁性を確保するための絶縁層１０を介して積層
　（カ）　「【００２７】　したがって、かかる
ＭＲヘッドをビデオテープレコーダー等の記録再生装置の回転ドラムに搭載すれば
この回転ドラムの周面に巻き付いて走行する磁気記録媒体に記録された再生信号を読み出すことができる
ヘリカルスキャンレコーディングシステム用の磁気ヘッドとして、かかるＭＲヘッドを使用することができる
　（キ）　実施例１のＭＲヘッドの断面図を示す図２には、スライダー１の上に下部シールド磁性体２、下層ギャップ膜として機能する絶縁膜９、磁気抵抗効果素子６、絶縁層１０、上部シールド磁性体３の順で薄膜が積層されていることが、図示されている。
　
（２）　原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−１２４３５９号公報（以下「引用例２」という。）には、「非磁性セラミックスおよびその製造方法」に関し、次の事項が記載されている。
　（サ）　「【請求項１】
９５．０〜９９．９５重量％のＦｅ
２
Ｏ
３
と、０．０５〜５．０重量％のＺｒＯ
２
を主成分とし
非磁性セラミックス
　（シ）　「【０００１】　【発明の属する技術分野】本発明は、
磁気ヘッド用セラミック基板、各種磁気ヘッド用スライダー
磁気テープ、オーディオ用レコーダやビデオテープレコーダ等の磁気記録に使用される磁気ヘッドのスライダー用材料に最適な非磁性セラミックス
　（ス）　「【０００７】　また、現在スライダー材料として、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）やチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、アルミナ−炭化チタン（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）材料が使われており、これらの熱膨張係数はチタン酸カルシウムでは１００〜１２０×１０−７／℃、チタン酸バリウムでは８０〜１００×１０−７／℃、アルミナ−炭化チタンでは７０〜８０×１０−７／℃である。」（従来の技術の項）
　（セ）　「【００１８】　ここでＦｅ２Ｏ３の含有量を９５重量％以上としたのは、研磨面をイオンミリングにより微細加工する場合、ＺｒＯ２、Ｍｎ化合物、ＣｅＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２の成分を多量に含むと、組成間のミリングレートの違いにより加工面に凹凸が生じる。従って、Ｆｅ２Ｏ３の含有量を高くして、Ｆｅ２Ｏ３以外の副成分は微粒で均一に分散させることによって、イオンミリングによる加工面のピットを少なくすることができる。
【００１９】　また、
ディスクとの摩擦力やＣＳＳ後の損傷の有無という点から、Ｆｅ
２
Ｏ
３
は９９．０重量％以上含有することが望ましく
【００２０】　また、
焼結助剤であるＺｒＯ
２
を０．０５〜５重量％とした
　（ソ）　「【００２３】　なお、フェライトは結晶構造によって磁気特性が異なり、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライト等は結晶が逆スピネル構造となるため強磁性を示すが、正スピネル構造やコランダム型の結晶構造を有するフェライトは非磁性体となる。
本発明のＦｅ
２
Ｏ
３
を主成分とするセラミックスはコランダム型の結晶構造を有するため非磁性のセラミックス
　（タ）　「【００４０】　表２に示すように、本発明実施例（Ｎｏ．２〜６、８〜９）はいずれも相対密度、
硬度が高く
　
（３）　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６１−２０８６１０号公報（以下「引用例３」という。）には、「軟磁性金属膜磁気ヘッド」に関し、次の事項が記載されている。
　（ナ）　「（１）磁性体の両側を基板で挟んだ構造のコア材を用い、前記基板が、αＦｅ２Ｏ３を主体として構成されたことを特徴とする軟磁性金属膜磁気ヘッド。」（特許請求の範囲の請求項１、公報１頁左下欄５行〜７行）
　（ニ）　「第２図にテープ走行に対するヘッド摩耗を示す。（中略）結晶化ガラスの摩耗は一番大きく、次いでフェライト基板ヘッド、本発明ヘッドは一番摩耗量が小さくＭｎ−Ｚｎフェライト単結晶とほぼ同一の値を示す。」（公報４頁右上欄７行〜１３行）
　（ヌ）　「αＦｅ２Ｏ３に対して出発原料中に含まれる不純物レベルでの他の元素、あるいは熱膨張係数の調整のための例えばＡｌ２Ｏ３などの添加、粒界強度向上の為のＺｒＯ２などの添加は一向に支障はない。」（公報４頁右下欄１２行〜１６行）
　
（４）　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５２−１２０８０９号公報（以下「引用例４」という。）には、「磁気ヘッド」に関し、次の事項が記載されている。
　（ハ）　「フロントギャップタイプの構造を有し、アルミナ、ベリリア、ジルコニア、
非磁性フェライト等のモス硬度７以上の無機材料の、単数あるいは複数からなる基板の上部にパーマロイ磁気抵抗効果素子が設置されたことを特徴とする磁気ヘッド
　（ヒ）　「本発明は、たとえば磁気テープの如き磁気的情報担体の情報を読取るための、薄膜磁気抵抗効果素子を内蔵する磁気ヘッドに関するものである。
　薄膜磁気抵抗効果素子を内蔵する通常の磁気ヘッドにおいては、Ｓｉウエハまたはガラスを基板として磁気抵抗効果素子を形成しており、これらは磁気的情報担体に対向する面になる。ところが、このようにＳｉウエハまたはガラスを基板とした磁気ヘッドは、たとえ初期特性が優れていても長時間使用すると、その特性が劣化する欠点がある。その原因は、Ｓｉウエハまたはガラス基板より成るテープ摺動面の摩耗にある。（中略）その結果、薄膜磁気抵抗効果素子の形状寸法も変ることにより、特に雑音電圧Ｎの増加をもたらしてＳＮ比が減少する。
　本発明の目的は、パーマロイ薄膜磁気抵抗効果素子を内蔵し、しかも上記欠点のない、いわゆる耐摩耗性の基板を用いることにより磁気ヘッドの初期特性が保持できるフロントギャップタイプの磁気的情報読取り用磁気ヘッドを提供するものである。
　耐摩耗性材料を評価するときのスケールとして硬度があり、硬度の大きい材料ほど耐摩耗性がよい。したがって、硬度の大きい材料を基板に用いるとかかる磁気ヘッドの耐摩耗性はよくなり、しかも従来磁気ヘッドの欠点もなくなる。かかる目的から、硬度の大きい材料としては表１に例を示す如く、モース硬度７以上のものがよい。すなわち、たとえばアルミナ、ベリリア、ジルコニア、非磁性フェライトのうちのいずれかを基板とし、その上にパーマロイ薄膜磁気抵抗効果素子を形成した磁気ヘッドを製造することにより、耐摩耗性があり、しかも安定でかつ信頼性のある磁気ヘッドができる。」（公報１頁左下欄１０行〜２頁左上欄１０行）
　
３．対比判断
（１）対比
　補正後の発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記２で摘示した記載事項、特に（ア）〜（キ）（下線部参照）によれば、引用例１には、
　「磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、
　ビデオテープレコーダーの記録再生装置の回転ドラムに搭載され、この回転ドラムの周面に巻き付いて走行する磁気記録媒体に記録された再生信号を読み出すことができ、ヘリカルスキャンレコーディングシステム用の磁気ヘッドとして使用され、
  Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ等からなるスライダーの一側面上に形成される一対のシールド磁性体と、これらシールド磁性体間に電極が積層されてなる磁気抵抗効果素子を備え、
  磁気抵抗効果素子は、下部シールド磁性体上に下層ギャップ膜として機能する絶縁膜を介して形成され、
  上部シールド磁性体は、磁気抵抗効果素子との絶縁性を確保するための絶縁層を介して積層されている磁気ヘッド。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「磁気抵抗効果型磁気ヘッド」は、「ビデオテープレコーダーの記録再生装置の回転ドラムに搭載され、この回転ドラムの周面に巻き付いて走行する磁気記録媒体に記録された再生信号を読み出すことができ、ヘリカルスキャンレコーディングシステム用の磁気ヘッドとして使用され」るので、磁気ヘッドと磁気テープは常時接触状態で信号の読み出しを行うことが明らかであるから、補正後の発明の「磁気テープを記録媒体とし、ヘリカルスキャン方式にて上記磁気テープと常時接触した状態で信号の読み出しを行う」に相当する構成を備えている。
　引用例１に記載された発明の「スライダー」は、補正後の発明の「基体」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「下層ギャップ膜として機能する絶縁膜」「絶縁性を確保するための絶縁層」は、補正後の発明の「非磁性絶縁膜」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「上部シールド磁性体と下部シールド磁性体」は、パーマロイやセンダスト等によって形成されている薄膜であるから（上記（オ）（キ）参照）、補正後の発明の「シールド薄膜」に相当している。
　引用例１に記載された発明の磁気ヘッドは、「Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ等からなるスライダーの一側面上に形成される一対のシールド磁性体と、これらシールド磁性体間に電極が積層されてなる磁気抵抗効果素子を備え、磁気抵抗効果素子は、下部シールド磁性体上に下層ギャップ膜として機能する絶縁膜を介して形成され、上部シールド磁性体は、磁気抵抗効果素子との絶縁性を確保するための絶縁層を介して積層され」ているので（上記（キ）参照）、基体上に、軟磁性膜からなるシールド薄膜、非磁性絶縁膜、磁気抵抗効果素子、非磁性絶縁膜、軟磁性膜からなるシールド薄膜の順で配置された構成を備えている。
　
　よって、補正後の発明と引用例１に記載された発明は、
　「磁気テープを記録媒体とし、ヘリカルスキャン方式にて上記磁気テープと常時接触した状態で信号の読み出しを行う磁気抵抗効果型の磁気ヘッドにおいて、
　基体上に、軟磁性膜からなるシールド薄膜、非磁性絶縁膜、磁気抵抗効果素子、非磁性絶縁膜、軟磁性膜からなるシールド薄膜の順で配置されてなる磁気ヘッド。」
　である点で共通し、以下の点で相違している。
　
　（相違点１）　基体の配置について、補正後の発明では、「一対の基体間に、軟磁性膜からなるシールド薄膜と非磁性絶縁膜とを介して磁気抵抗効果素子が挟まれてなり、」と特定されているのに対し、引用例１に記載された発明では、一対の基体について記載がない点。
　（相違点２）　基体の材料について、補正後の発明では、「α−Ｆｅ２Ｏ３と斜方晶系ＺｒＯ２とからなり、上記α−Ｆｅ２Ｏ３を９５ｍｏｌ％以上含有し」と特定されているのに対し、引用例１に記載された発明では、そのような記載がない点。
　（相違点３）　磁気ヘッドの使用について、補正後の発明では、「−５℃〜２５℃の温度で使用される」と特定されているのに対し、引用例１に記載された発明では、特に記載がない点。
　
（２）判断
　（相違点１）について
　磁気抵抗効果型の磁気ヘッドにおいて、一対の基体間に、軟磁性膜からなるシールド薄膜と非磁性絶縁膜とを介して磁気抵抗効果素子が挟まれてなる構造は、周知の事項である。例えば、実願昭５６−１３８６９３号（実開昭５８−４３６２８号）のマイクロフィルム（従来技術の記載参照）、特開昭５９−３６３１９号公報（従来技術の記載参照）に記載されている。
　よって、引用例１に記載された磁気ヘッドの、基体上に、軟磁性膜からなるシールド薄膜、非磁性絶縁膜、磁気抵抗効果素子、非磁性絶縁膜、軟磁性膜からなるシールド薄膜の順で配置された構成を、一対の基体間に、軟磁性膜からなるシールド薄膜と非磁性絶縁膜とを介して磁気抵抗効果素子が挟まれる構成とすることは、当業者が必要に応じ適宜なし得ることである。
　
　（相違点２）について
　引用例２には、非磁性体Ｆｅ２Ｏ３を主成分としＺｒＯ２を含むセラミックスは、磁気ヘッド基板材料やスライダー材料として、アルミナ−炭化チタン（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）に替えて用いることができ、硬度が大で耐摩耗性の優れていることが記載されている（上記（サ）〜（セ）（タ）参照）。引用例２におけるＦｅ２Ｏ３は、非磁性体であってコランダム型の結晶構造を有するから（上記（ソ）参照）、αＦｅ２Ｏ３のことである。
　また、引用例３には、αＦｅ２Ｏ３に対して粒界強度向上の為のＺｒＯ２が添加されたヘッド基板材料を、磁気テープと摺接する耐摩耗性向上のために選択することが記載されている。
　そして、磁気抵抗効果素子の基体に、硬度が大である非磁性のフェライトを用いることにより、その形状寸法の変化を抑制して出力の劣化を防止することが、引用例４に記載されている（上記（ヒ）参照）。
  してみれば、引用例１に記載された磁気抵抗効果型の磁気ヘッドの基体の材料として、耐摩耗性に優れる引用例２乃至４に記載されたヘッド基板材料を採用することは当業者が必要に応じ適宜なし得ることであり、その含有量の数値限定、及びＺｒＯ２が斜方晶系であると限定することに、以下の詳細に検討するように格別の意義が認められないから、格別困難性を要したとすることはできない。
  成分比の数値限定について検討する。Ｆｅ２Ｏ３ の含有量について、引用例２には、９５．０〜９９．９５重量％のＦｅ２Ｏ３と０．０５〜５．０重量％のＺｒＯ２を主成分とすることが記載され（上記（サ）参照）、Ｆｅ２Ｏ３は９９．０重量％以上含有すると摩擦力の点から良いことが記載され（上記（セ）参照）ているから、引用例２に記載されたものと、補正後の発明のα−Ｆｅ２Ｏ３を９５ｍｏｌ％以上含有するものとは、そのαＦｅ２Ｏ３含有量が重複している。しかも、補正後の発明において９５ｍｏｌ％以上と数値限定する根拠は、「１００％α−Ｆｅ２Ｏ３からなるのが理想であるが、斜方晶系ＺｒＯ２等を不純物或いは添加物として含むものでもよい。このとき、主成分であるα−Ｆｅ２Ｏ３は９５ｍｏｌ％以上含有されていることが好ましい。」（明細書段落２８）と「α−Ｆｅ２Ｏ３を９５ｍｏｌ％以上含有させることで、ヘッドの耐摩耗性を著しく向上させることができる。」（同段落５２等）というものであるから、９５ｍｏｌ％以上という数値は耐摩耗性を考慮して当業者が適宜選択しうる値にすぎない。
　ＺｒＯ２が斜方晶系と特定されていることについて検討する。引用例２や３には、ＺｒＯ２が斜方晶系であるとの記載はないものの、本願明細書によれば、「斜方晶系ＺｒＯ２」は、不純物或いは添加物として不可避的に混入されているものであって、格別の作用効果を奏するものでないから、ＺｒＯ２を斜方晶系のものと特定することに格別の意義のないものである。
　
　（相違点３）について
　引用例１に記載された発明の磁気ヘッドは、通常の使用を前提としているから、常温や室温程度で使用されるものであるから、上記「−５℃〜２５℃の温度」の範囲内で使用されるものであって、上記相違点３は実質的な相違ではない。
　また、引用例２乃至４においても、常温や室温程度で使用されることは当然のことであるから、引用例１に引用例２乃至４の基体材料を採用するものも、その使用形態は、常温や室温程度で使用されることが当然であるから、上記相違点３には格別の意義のないものである。
　
　そして、上記相違点を総合的に検討しても、補正後の発明の効果は、引用例１乃至４に記載された発明及び周知の事項から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、補正後の発明は、上記引用例１乃至４に記載された発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１５年１０月１４日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１５年５月２３日付け手続補正書によって補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
１．引用例
　原審の拒絶の理由に引用された引用例１乃至４の記載事項は、上記「第２の２」に記載されたとおりである。
　
２．対比判断
　本願発明は、上記「第２」で検討した補正後の発明から、「基体」の材料についての限定事項である「
斜方晶系ＺｒＯ
２
とからなり
−５℃〜２５℃の温度で使用される
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後の発明が、上記「第２の３」に記載したとおり、引用例１乃至４に記載された発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１乃至４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１乃至４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。