【事件の表示】
　平成１０年特許願第１９３８８４号「半導体基板の洗浄液及びその洗浄方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　１月２８日出願公開、特開２０００−　３１１０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１０年７月９日の出願であって、その請求項１〜２に係る発明は、平成１５年５月１６日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
「０．１重量％を越えた５０重量％以下のクエン酸、エチレンジアミン四酢酸、酒石酸、サリチル酸、シュウ酸及びギ酸からなる群より選ばれた１種又は２種以上の有機酸と０．００５〜０．２５重量％のフッ酸を含む半導体基板の洗浄液により半導体基板を洗浄する半導体基板の洗浄方法。」
　
２．引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に国内で頒布された刊行物である特開平７−２１６３９２号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（イ）【特許請求の範囲】
「【請求項１】　０.１〜４重量％のフッ化水素酸、５０〜１５００ppm濃度の下記一般式（１）の界面活性剤又は５０〜１０００００ppm濃度の下記一般式（２）若しくは（３）の界面活性剤、残部が水よりなることを特徴とする洗浄剤。
　　　　　　　　　　　 ＲfＣＯＯＮＨ4　　　　　　　 （１）
（式中Ｒfは炭素数５〜９の含フッ素炭化水素基を示す。）
　　　　　　　　　　　 Ｒf'Ｏ(ＣＨ2ＣＨ2Ｏ)nＲ　　　（２）
　　　　　　　　　　　　 Ｒf'(ＣＨ2ＣＨ2Ｏ)nＲ　　　（３）
（式中Ｒf'は炭素数５〜１５の含フッ素炭化水素基、Ｒは水素又は炭素数１〜４のアルキル基、ｎは５〜２０を示す。）
・・・
【請求項７】　請求項１のフッ化水素酸と共に、・・・酢酸・・・を用いることを特徴とする洗浄剤。
【請求項８】　シリコンウエハ表面を洗浄するに際して、請求項１〜７に記載の洗浄剤を用いることを特徴とするシリコンウエハ表面の洗浄方法。」
（ロ）段落【０００１】
「【産業上の利用分野】
　本発明は半導体装置の製造工程等において、シリコンウエハ等の半導体基板の表面を清浄にする洗浄剤及び洗浄方法に関する。詳しくはシリコンウエハ等の表面の微粒子による汚染を防止する効果に優れた洗浄剤及び洗浄方法に関する。更に詳しくは、シリコンウエハ等の表面に存在する通常１０Å程度の厚さの自然酸化膜を除去すると共に、洗浄液中に存在する微粒子による汚染を防止する洗浄剤及び洗浄方法に関する。」
（ハ）段落【００１６】
「本発明においてフッ化水素酸の濃度は洗浄剤中、０.１〜４重量％、好ましくは０.２〜１.５重量％である。上記濃度未満では自然酸化膜の除去に時間がかかり、また上記濃度を越えると粒子付着防止効果がなくなる傾向にある。」
（ニ）段落【００１７】
「本発明に係る洗浄剤において、シリコンウエハの表面から金属汚染物質を除去する必要がある場合にはフッ化水素酸と共に、・・・酢酸・・・を使用することもできる。使用量としては例えば洗浄剤中０.１〜３０重量％程度が好ましい。」
　
　以上の記載事項からみて、引用例には以下の発明が記載されていると認められる。
「０.１〜３０重量％程度の酢酸と、５０〜１５００ppm濃度の下記一般式（１）の界面活性剤又は５０〜１０００００ppm濃度の下記一般式（２）若しくは（３）の界面活性剤と、０.１〜４重量％のフッ化水素酸を含むシリコンウエハの洗浄液によりシリコンウエハを洗浄するシリコンウエハの洗浄方法。
　　　　　　　　　　　 ＲfＣＯＯＮＨ4　　　　　　　 （１）
（式中Ｒfは炭素数５〜９の含フッ素炭化水素基を示す。）
　　　　　　　　　　　 Ｒf'Ｏ(ＣＨ2ＣＨ2Ｏ)nＲ　　　（２）
　　　　　　　　　　　　 Ｒf'(ＣＨ2ＣＨ2Ｏ)nＲ　　　（３）
（式中Ｒf'は炭素数５〜１５の含フッ素炭化水素基、Ｒは水素又は炭素数１〜４のアルキル基、ｎは５〜２０を示す。）」（以下、「引用発明」という。）
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、後者の「０.１〜３０重量％程度の酢酸」と前者の「０．１重量％を越えた５０重量％以下のクエン酸、エチレンジアミン四酢酸、酒石酸、サリチル酸、シュウ酸及びギ酸からなる群より選ばれた１種又は２種以上の有機酸」とは、「０.１〜３０重量％の有機酸」の限りで共通する。
　また、後者の「フッ化水素酸」と前者の「フッ酸」とは同一物であるから、後者の「０.１〜４重量％のフッ化水素酸」と前者の「０．００５〜０．２５重量％のフッ酸」とは、「０.１〜０．２５重量％のフッ酸」で一致し、後者の「シリコンウエハ」は前者の「半導体基板」に相当する。
　そうすると、両者の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
〈一致点〉
「０．１〜３０重量％の有機酸と０．１〜０．２５重量％のフッ酸を含む半導体基板の洗浄液により半導体基板を洗浄する半導体基板の洗浄方法」である点。
〈相違点〉
　前者は、フッ酸と併用する有機酸が、クエン酸、エチレンジアミン四酢酸、酒石酸、サリチル酸、シュウ酸及びギ酸からなる群より選ばれた１種又は２種以上の有機酸であるのに対して、後者は、フッ酸と併用する有機酸が酢酸である点。
　
４．当審の判断
　そこで、上記相違点について、以下検討する。
（１）目的、作用効果
　本願発明の目的、作用効果に関して、本願明細書には、以下のとおり記載されている。
（イ）段落【０００５】
「・・・本発明の目的は、半導体基板表面に付着する金属不純物及び微粒子の双方を良好に除去する半導体基板の洗浄液及びその洗浄方法を提供することにある。」
（ロ）段落【００５４】
「【発明の効果】
　以上述べたように、請求項２に係る発明の洗浄方法によれば、単一の槽で基板表面の自然酸化膜の剥離と、金属不純物の錯イオン化と、基板、微粒子及び金属不純物の各表面電位の制御の３つの作用を行うことができ、半導体基板から金属不純物及び微粒子の双方を良好に除去することができる。その結果、従来のＲＣＡ洗浄法と比べて、洗浄工程が簡素化され、洗浄用の薬液もフッ酸と有機酸の２種類で済み、短時間で小型の装置で洗浄でき、洗浄コストを下げることができる。」
　これらの記載からみて、本願発明の目的、作用効果は、単一の槽で基板表面の自然酸化膜を良好に剥離し、金属不純物及び微粒子の双方を良好に除去することにあるということができる。
　
　一方、引用発明の目的、作用効果も、摘記事項（ロ）の「シリコンウエハ等の表面に存在する通常１０Å程度の厚さの自然酸化膜を除去すると共に、洗浄液中に存在する微粒子による汚染を防止する・・・」との記載、摘記事項（ニ）の「シリコンウエハの表面から金属汚染物質を除去する・・・」との記載、及び、引用発明の洗浄液も単一の槽で使用されるものであることが明らかであることからみて、本願発明と同様のものである。
　
（２）有機酸の種類と作用効果
　有機酸の種類と作用効果に関して、本願明細書には、以下のように記載されている。
（イ）本願明細書の段落【００２４】、【００２５】、【００２６】、【００２８】には、フッ酸と有機酸とで洗浄したときにウェーハに金属が付着して析出する現象を酸の解離定数と関連付けた説明がなされているが、微粒子の除去効果については言及されていない。
（ロ）本願の出願当初明細書の段落【００４３】、【００４５】には、フッ酸と併用する有機酸として酢酸を使用した場合の洗浄結果が記載され、金属不純物、微粒子のいずれの除去においても、有機酸としてクエン酸、酒石酸、シュウ酸を使用する場合と同等の優れた作用効果を奏することが示されている。
　
　そして、本願発明で有機酸として用いるクエン酸（Ｃ（ＣＨ）（ＣＯＯＨ）（ＣＨ２ＣＯＯＨ）２）、エチレンジアミン四酢酸（（ＨＯＯＣＣＨ２）２ＮＣＨ２−ＣＨ２Ｎ（ＣＨ２ＣＯＯＨ）２）、酒石酸（ＣＨ（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）−ＣＨ（ＯＨ）（ＣＯＯＨ））、サリチル酸（Ｃ６Ｈ４（ＯＨ）（ＣＯＯＨ））、シュウ酸（ＨＯＯＣ−ＣＯＯＨ）及びギ酸（ＨＣＯＯＨ）と引用発明で有機酸として用いる酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）との間の構造近似性からみると、引用発明において、フッ酸と併用する酢酸に換えて、構造近似の有機酸であるギ酸等の有機酸を使用し、単一の槽で基板表面の自然酸化膜を良好に剥離し、金属不純物及び微粒子の双方を良好に除去するという引用発明の作用効果を期待することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　この点に関して、請求人は、平成１５年７月１９日付けの実験成績証明書を提出し、本願発明は引用発明より微粒子除去の点で優れた作用効果を奏する旨主張している。
　ところで、上記実験成績証明書に示される実験結果のうち、本願発明及び引用発明関連部分は以下のとおりである。
〈実験（１）−シュウ酸：本願発明〉
　シュウ酸濃度が０．２重量％、０．４重量％、１重量％、４重量％及び８重量％の５つの濃度における粒子の残留数をみると、シュウ酸濃度が０．２重量％、０．４重量％、１重量％及び４重量％では粒子の付着指数は１．０以下であるが、シュウ酸濃度が８重量％では粒子の付着指数は約１．２と１．０を超えている。
〈実験（２）−クエン酸：本願発明〉
　クエン酸濃度が０．２重量％、０．５重量％、１０重量％、３０重量％及び６０重量％（本願発明、引用発明対象外）の５つの濃度における粒子の残留数をみると、クエン酸濃度が規定濃度内である０．２重量％、０．５重量％、１０重量％及び３０重量％では粒子の付着指数は１．０以下であり、規定濃度外の６０重量％では粒子の付着指数は１．０を超える。
〈実験（３）−酢酸：引用発明〉
　酢酸濃度が０．２重量％、０．５重量％、１０重量％、３０重量％及び６０重量％（本願発明、引用発明対象外）の５つの濃度における粒子の残留数をみると、酢酸濃度が規定濃度内である０．５重量％、１０重量％及び３０重量％では粒子の付着指数は１．０以下であるが、同じく規定濃度内である０．２重量％で粒子の付着指数は１．０強と１．０を僅かに上回り、規定濃度外の６０重量％では粒子の付着指数は１．２強と１．０を超える。
　上記３つの実験結果をみると、クエン酸を使用する場合の方が酢酸を使用する場合より、微粒子除去の点で優れた作用効果を奏していることが窺えるものの、シュウ酸濃度８重量％（付着指数約１．２）と酢酸濃度１０重量％（付着指数約０．６）との結果をに示されるように、酢酸を使用する場合にシュウ酸を使用する場合と微粒子の除去の点で同等以上の作用効果を奏していることが窺える。
　したがって、本願明細書にまったく記載がなく、平成１５年７月２９日になってはじめて示された上記実験成績証明書に示される実験結果を正しいものとして参酌しても、本願発明の微粒子除去の作用効果が引用発明のものより優れているとは認め得ない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、請求項１に係る発明について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。