【事件の表示】
　平成　８年特許願第１０１９７８号「基体の処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１０月１４日出願公開、特開平　９−２７０４０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成８年３月３１日の出願であって、平成１５年５月１２日付けで拒絶査定がされ、平成１５年６月１３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１５年６月２６日付けで明細書について手続補正がなされた。
　これに対し、当審において、平成１７年４月１４日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同年６月２０日付けで明細書について手続補正がなされた。その後、同年７月１９日付けで最後の拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同年９月１５日付けで明細書について再度手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　
第２　平成１７年９月１５日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正するものであって、その請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
１−１　補正前の請求項１
【請求項１】　排気手段と酸素ガスの導入口とを有する気密室を有し、減圧下にある該気密室内に導入された該酸素ガスに、該気密室内にある基体受け台の直上から離れた位置に設けてある波長２２２ｎｍ以下の紫外線を照射する手段を、該基体受け台に置かれた基体には該紫外線が照射されないようにして設けたことを特徴とする基体の処理装置。
　
１−２　補正後の請求項１
【請求項１】　排気手段と酸素ガスの導入口とを有する気密室を有し、減圧下にある該気密室内に導入された該酸素ガスに、該気密室内にある基体受け台の直上から離れた位置に設けてある波長
１８４
未満
　
２．補正の適否　　　
　上記特許請求の範囲についての補正は、照射する波長２２２ｎｍ以下の紫外線について波長１８４ｎｍ未満と限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とすることが明らかである。
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
２−１　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、前記１−２に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの「基体の処理装置」であると認める。
　
２−２　引用刊行物の記載内容及び引用発明 
　これに対して、平成１７年７月１９日付けで通知された拒絶の理由には、本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である次の刊行物１〜５が引用されており、各刊行物には以下の技術的事項が記載されている。
［引用刊行物］ 
 　刊行物１：特開平５−２９９４０１号公報 
 　刊行物２：特開平３−１７３４２６号公報 
 　刊行物３：特開平２−２１８１２８号公報 
 　刊行物４：特開平７−１３５１５０号公報 
 　刊行物５：特開平６−１２０１８７号公報 
 　 
（１）刊行物１ 
（１−イ）「【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造装置の中で、半導体基板（以下、ウェハ、という）表面上の有機物を除去する為の有機物除去装置に関する。」（段落【０００１】） 
 　 
（１−ロ）「この後、純水槽３で洗浄するが、ウェハ表面には、ごく微量の有機物が残っている為、ＵＶオゾン槽４内で、ＵＶ電極５からの電圧で、ＵＶランプ６から発せられる紫外線（λ＝２８４ｍｍ及びλ＝１８４ｍｍ付近の波長）により、活性化されたオゾン（Ｏ3 ）を発生させ、ウェハ上の有機物の分子、又は原子と反応させることで有機物を完全に除去しかつ、乾燥させる。このＵＶオゾン槽４では、酸素供給管７によってオゾンを効率良く発生させる為の酸素を供給し、シャッター８によってＵＶオゾン槽４を密閉することにより、発生したオゾンを外部に逃がさない様にしている。」（段落【０００７】参照。なお、上記紫外線の波長の単位は、技術常識からみて「ｎｍ」の誤記と認められる。） 
 　 
　上記記載事項及び図面の記載からみて、刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
［引用発明］ 
　酸素供給管７を有するＵＶオゾン槽４を有し、該ＵＶオゾン槽４内に導入された酸素ガスに、波長１８４ｎｍ付近の紫外線を照射するＵＶランプ６を設けた有機物除去装置。 
 　 
（２）刊行物２ 
（２−イ）「本発明は半導体装置の製造プロセス中の基板表面清浄化方法に関する。」（第２頁左上欄第７〜８行）
　
（２−ロ）「基板表面の金属汚染除去等の基板表面清浄化を目的とする場合には基板励起をする必要がないため、基板表面に紫外光を照射しなくてもよく、基板処理の近傍の装置構成を簡略化することができる。」（第３頁左上欄第１０〜１４行） 
 　 
（２−ハ）第１図の記載によれば、紫外光を基板１に直接照射しないようにすることが看取できる。 
 　 
（３）刊行物３ 
（３−イ）「本発明は、半導体表面の汚染物質を除去してその表面を清浄化する半導体表面清浄化方法に関する。」（第１頁右下欄第２〜４行）
　
（３−ロ）「ランプ８の光は、基板１に対して横方向から入射して基板１上のＨ２＋Ｄ２ガス５を先に説明したように活性化し、これによって生じたラジカルが基板１の表面を清浄化する。・・・（中略）・・・基板１の表面は、ダメージが少ない状態で十分に清浄化され、然もその清浄性を経時的に持続し得るものとなる。」（第３頁左上欄第１３行〜右上欄第１行） 
 　 
（３−ハ）第１図の記載によれば、ランプ８の光を基板１に直接照射しないよう横方向から入射することが看取できる。 
 　 
（４）刊行物４　 
（４−イ）「試料にオゾンを接触させ、試料上の有機物を除去する有機物除去方法において、上記接触は、減圧雰囲気で行うことを特徴とする有機物除去方法。」（【請求項１】） 
　
（４−ロ）「【産業上の利用分野】本発明は、オゾンの作用により基板表面の有機物の除去や基板表面の洗浄を行う有機物除去方法及びそれを行うための有機物除去装置に関する。」（段落【０００１】）
 　 
（５）刊行物５ 
（５−イ）「【産業上の利用分野】この発明は、物体の表面に付着している物質を、光エネルギーにより分解された活性なガスを用いて剥離しようとする洗浄装置の改善に関するものである。」（段落【０００１】）
　
（５−ロ）「反応処理室１１を0.13 Pa(１ｍTorr) 以下の圧力にした所へオゾンのような酸性化ガスを圧力が13.3 Pa 〜667 Pa (0.１〜５Torr) になるようにガス導入孔３より導入する。反応処理室１１の外部に設けられた紫外線源 (例えば低圧水銀灯等の紫外光を発生できる光源) ５を点灯し、石英ガラス等でできている紫外線透過窓１２を通して紫外線を照射する。低圧水銀灯を使用した場合発生する紫外線は主に１８５ｎｍと２５４ｎｍの波長を有する紫外線である。」（段落【０００５】）　 
 　 
２−３　対比・判断 
　本件補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「酸素供給管７」は本件補正発明における「酸素ガスの導入口」に相当し、以下同様に、「ＵＶオゾン槽４」は「気密室」に、「ＵＶランプ６」は「紫外線を照射する手段」に、「有機物除去装置」は「基体の処理装置」に、それぞれ相当することが明らかである。 
　したがって、両者は、 
「酸素ガスの導入口を有する気密室を有し、該気密室内に導入された該酸素ガスに、紫外線を照射する手段を設けた基体の処理装置。」 
である点で一致し、次の点で相違する。 
［相違点１］ 
　本件補正発明では、気密室は排気手段を有し、減圧下にある気密室内に酸素ガスを導入するのに対して、引用発明では、ＵＶオゾン槽４は排気手段を有するか否か明らかでなく、減圧下とはされていない点。 
［相違点２］ 
　本件補正発明では、紫外線を照射する手段を、気密室内にある基体受け台の直上から離れた位置に設けて、該基体受け台に置かれた基体には該紫外線が照射されないようにしたのに対して、引用発明ではそのように特定されていない点。 
［相違点３］
　本件補正発明では、紫外線の波長が１８４ｎｍ未満であるのに対して、引用発明では、１８４ｎｍ付近である点。 
　
　上記相違点について検討する。 
［相違点１について］ 
　紫外線により活性化されたガスにより半導体基板（基体）表面に付着した有機物等を除去する装置において、処理室に排気手段を設けて減圧下で処理を行うことは、例えば刊行物４，５に記載されているように周知の技術手段であり（上記摘記事項（４−イ）、（５−ロ）を参照）、引用発明において上記周知の技術手段を適用して相違点１に係る本件補正発明の構成とすることは当業者が容易になし得たことである。 
　 
［相違点２について］ 
　刊行物２には、紫外線により活性化されたガスにより基板の清浄化を行う装置において、基板への紫外線照射を行わないようにすることが記載されている（上記摘記事項（２−ロ）、（２−ハ）を参照）。また、刊行物３には、基板にランプの光を直接照射しないように横方向から入射して基板表面のダメージを少なくすることが記載されている（同（３−ロ）、（３−ハ）を参照）。 
　引用発明及び刊行物２，３に記載された発明はいずれも活性化されたガスにより基板の清浄化を行う装置として共通するものであるから、引用発明においてウエハ（基体）へ紫外線が照射されないようにすることは当業者が容易になし得た事項である。そして、その際、照射手段を、基体が置かれる基体受け台直上から離れた位置に設けることは当業者が普通に採用する技術事項である。 
　してみると、引用発明に刊行物２，３に記載された発明を適用して上記相違点２に係る本件補正発明の構成とすることは当業者が容易になし得たことである。 
　
［相違点３について］
　紫外線により活性化されたガスにより基板の清浄化を行う装置において、波長が１８４ｎｍ未満の紫外線を照射することも、特開平７−２８８１０９号公報、特開平６−３１２１３０号公報、特開平３−２８８４３２号公報に記載されているように本件出願前周知の技術手段である。
　してみると、引用発明における波長１８４ｎｍ付近の紫外線に代えて波長が１８４ｎｍ未満の紫外線を用いることは当業者が容易になし得たことである。
　 
　また、本件補正発明の作用効果についてみても、引用発明、刊行物２、３に記載された発明及び周知の技術手段から当業者が十分予測しうる範囲内のものであって、格別顕著なものとはいえない。 
　 
　したがって、本件補正発明は引用発明、刊行物２、３に記載された発明及び周知の技術手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、請求人は平成１７年９月１５日付け意見書において、概略、「本願発明は『波長１８４ｎｍ未満の紫外線を照射する手段』であって、減圧時において、オゾン発生量が波長によって大きく異なる（本発明の図１）ことは、本発明者らが初めて見出したものであり、波長１８４ｎｍ未満の紫外線を照射することにより大量のオゾンを発生することは、他の刊行物には記載されておらず、その示唆もありません。一方、刊行物５で通常用いられている水銀ランプ等では（刊行物５の【０００５】）、減圧時、オゾン発生量が大きく減少することが知られており、これを、波長を変えることにより回復可能という知見はなかったので、減圧下で処理するという発想は生まれません。また、本発明は図１の現象（減圧時において、オゾン発生量が波長によって大きく異なること）を見出し、より清浄なレベルに到達可能な減圧下で、基体を損傷しないという条件を考慮しながら、特に有機物の除去を対象としてそれに充分な量のオゾンを発生させる装置として構成したものであり、オゾン発生装置は不要であります。従って、刊行物１、５での発明で『紫外線は主に１８５ｎｍと２５４ｎｍの波長を有する紫外線である。』旨の記載は波長の範囲を単に例示したものに過ぎず、本願発明のような上記効果が生じることを意識したものではありません。」として、本件補正発明が刊行物１−５に記載された技術に基いて当業者が容易に想到しえたものではない旨を主張している。
　しかしながら、上述のように、紫外線により活性化されたガスにより基板の清浄化を行う装置において、波長が１８４ｎｍ未満の紫外線を用いることは周知の技術手段である。そして、紫外線等の電磁波では波長が短いほど高エネルギーであることは技術常識であるとともに、本件明細書において実施例として挙げられている波長１７２ｎｍ付近の紫外線が、従来の低圧水銀ランプと別装置のオゾン発生機を使用したものに比較して、オゾン発生機を設ける必要がない、高速・高効率の洗浄が可能になる等の優れた特性を有していることも、上記特開平６−３１２１３０号公報（段落【００１６】参照）に記載されているように当業者に既に知られた事項である。
　してみると、請求人の主張する、減圧下で十分な量のオゾンを発生させるという本件補正発明の効果も、波長１８４ｎｍ未満の紫外線を用いることにより当然生じる効果にすぎないものと認められる。
　よって、請求人の上記主張は採用することができない。　
　
３．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本件発明について
１．本件発明
　平成１７年９月１５日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、平成１７年６月２０日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、前記第２の１−１に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの「基体の処理装置」であると認める。
　
２．引用刊行物
　これに対して、平成１７年７月１９日付けで通知された拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載内容は、前記第２の２−２に示したとおりである。
　
３．対比・検討
　本件発明は、前記第２の２で検討した本件補正発明から波長が「１８４ｎｍ未満」という事項を削除し「２２２ｎｍ以下」としたものである。
　そうすると、本件発明を構成する事項の全てを含み、さらに他の事項を付加する本件補正発明が前記第２の２−３で示したとおり、引用発明、刊行物２、３に記載された発明及び周知の技術手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　したがって、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。