【事件の表示】
　特願２０００−２４５２１１「液晶表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　２月２０日出願公開、特開２００２−　５５３６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件に係る手続の経緯は、およそ次のとおりである。
　出願　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　８月１１日
　拒絶理由通知（発送）　　　　　　　　平成１５年　３月１１日
　意見書・補正書の提出　　　　　　　　平成１５年　５月１２日
　拒絶査定（発送）　　　　　　　　　　平成１５年　６月　３日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　　平成１５年　７月　３日
　手続補正書の提出　　　　　　　　　　平成１５年　８月　４日
　
２．補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年８月４日付けの手続補正を却下する。
［補正却下の決定の理由］
（１）本件補正
　平成１５年８月４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められる。
　以下、補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（２）本件補正発明
　補正後の特許請求の範囲の請求項５に記載される事項により特定される発明（以下、「本件補正発明」という。）は、次の事項により特定されるものである。
「透明絶縁基板上に導電膜を成膜してパターニングすることで走査線と前記走査線に接続されてゲートとなる第１の電極と補助容量用電極とを形成する第１の工程と、
　前記第１の電極に第１の絶縁膜を介して対向する島状の半導体層を形成する第２の工程と、
　信号線を形成すると共に、前記半導体層上に間隙を隔てて、前記信号線に接続されてドレイン又はソースとなる第２の電極と、ソース又はドレインとなる第３の電極とを形成する第３の工程と、
　前記半導体層、第２の電極、及び第３の電極の上方に第２の絶縁膜を形成する第４の工程と、
　前記第２の絶縁膜に前記第３の電極に達する開口を形成し、前記開口を介して前記第３の電極と接続する画素電極を形成する第５の工程とを備え、
　前記補助容量用電極と前記画素電極とは、重なり合うようにする一方、前記補助容量用電極と前記信号線とは重畳しないようにすることで、補助容量を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」
　
（３）刊行物に記載される発明
　原査定の拒絶に理由に引用された特開平４−３２６３２９号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図３，４とともに次の記載がある。
「【０００４】図３にスイッチング素子としてａ−Ｓｉ形（アモルファスシリコン形）ＴＦＴを用いた従来のアクティブマトリクス基板の平面図を示す。また、図４に図３に示すアクティブマトリクス基板のｂ〜ｂ’断面における断面図を示す。このアクティブマトリクス基板は、その上に対向基板を配設すると共に、間に液晶層を介装することにより液晶表示装置を構成するように使用され、ガラス基板２１の上にＴａ等からなるゲート電極２２ａおよび付加容量電極３０が形成されている。このゲート電極２２ａは、図３に示すゲート電極配線２２の一部を構成する。また、付加容量電極３０は幅を変化させてゲート電極配線２２と平行に形成している。
【０００５】上記ゲート電極配線２２、付加容量電極３０を有するガラス基板３０の上には、ＳｉＮx等からなるゲート絶縁膜２３が広い面積にわたり形成されている。このゲート絶縁膜２３の上であって、前記ゲート電極２２ａの上方にはノンドープａ−Ｓｉ半導体層２４が形成され、更にノンドープａ−Ｓｉ半導体層２４より上に２つに分断されてリンドープａ−Ｓｉ半導体層２５、２５が形成され、各リンドープａ−Ｓｉ半導体層２５、２５の上側にはＴｉ等からなるソース電極２６ａ及びドレイン電極２７がそれぞれ形成されている。このソース電極２６ａは、図３に示すソース電極配線２６の一部を構成する。
【０００６】上述したゲート電極２２ａ、付加容量電極３０、ゲート絶縁膜２３、ノンドープａ−Ｓｉ半導体層２４、リンドープａ−Ｓｉ半導体層２５、ソース電極２６ａ及びドレイン電極２７によってａ−Ｓｉ形ＴＦＴ３１が構成されている。
【０００７】上記ソース電極２６ａ及びドレイン電極２７が形成されたゲート絶縁膜２３の上には、ＳｉＮx等からなる保護絶縁膜２８が形成され、この保護絶縁膜２８のドレイン電極２７の上部分に絵素電極２９と電気的に接続するためのコンタクトホール３２が形成されている。このコンタクトホール３２に一部を充填した状態で、前記保護絶縁膜２８の上にＩＴＯからなる絵素電極２９がパターニングして形成されている。絵素電極２９は、前記コンタクトホール３２を介してドレイン電極２７に電気的に接続される。この絵素電極２９とａ−Ｓｉ形ＴＦＴ３１の対は、ガラス基板２１上にマトリックス状に形成されている。
【０００８】ところで、前記保護絶縁膜２８は、ＴＦＴ３１の保護のためにその上に形成しているが、絵素電極２９の部分では下側に位置している。このように絵素電極２９の下側に形成するのは、上側に存在する場合には対向電極との間に印加される電圧信号が保護絶縁膜２８によって液晶に印加されにくくなるので、それを防止するためである。また、付加容量電極３０は、画像品位を向上させるべく、スイッチング素子本体から送られた電圧信号を蓄積しておく為に形成している。」
　
　また、刊行物１には、図１，２に示される液晶表示装置についての製造工程が段落【００２２】〜【００２９】に記載されており、これらの記載も参照すれば、刊行物１には、上記段落【０００４】〜【０００８】に記載される液晶表示装置について、次の製造方法が記載されているものと認められる。
　
「ガラス基板２１上に導電膜を成膜してパターニングすることでゲート電極配線２２とゲート電極２２ａと付加容量電極３０とを形成する第１の工程と、
　前記ゲート電極２２ａにゲート絶縁膜２３を介して対向する島状の半導体層２４，２５を形成する第２の工程と、
　ソース電極配線２６を形成すると共に、前記半導体層２５上に間隙を隔てて、前記ソース電極配線２６に接続されるソース電極２６ａと、ドレイン電極２７とを形成する第３の工程と、
　前記半導体層２４，２５、ソース電極２６ａ、ドレイン電極２７の上方に保護絶縁膜２８を形成する第４の工程と、
　前記保護絶縁膜２８に前記ドレイン電極２７に達するコンタクトホール３２を形成し、前記コンタクトホール３２を介して前記ドレイン電極２７と接続する絵素電極２９を形成する第５の工程とを備え、
　前記付加容量電極３０と前記絵素電極２９とは、重なり合うようにすることで、補助容量を形成する液晶表示装置の製造方法。」（以下、「引用発明」という。）
　
（４）対比・検討 
　本件補正発明と引用発明を比較するに、引用発明の「ガラス基板２１」、「ゲート電極配線２２」、「ゲート電極２２ａ」、「付加容量電極３０」、「ゲート絶縁膜２３」、「半導体層２４，２５」、「ソース電極配線２６」、「ソース電極２６ａ」、「ドレイン電極２７」、「保護絶縁膜２８」、「コンタクトホール３２」及び「絵素電極２９」がそれぞれ、本件補正発明の「透明絶縁基板」、「走査線」、「第１の電極」、「補助容量用電極」、「第１の絶縁膜」、「半導体層」、「信号線」、「第２の電極」、「第３の電極」、「第２の絶縁膜」、「開口」及び「画素電極」に相当しており、両者はともに
「透明絶縁基板上に導電膜を成膜してパターニングすることで走査線と前記走査線に接続されてゲートとなる第１の電極と補助容量用電極とを形成する第１の工程と、
　前記第１の電極に第１の絶縁膜を介して対向する島状の半導体層を形成する第２の工程と、
　信号線を形成すると共に、前記半導体層上に間隙を隔てて、前記信号線に接続されてドレイン又はソースとなる第２の電極と、ソース又はドレインとなる第３の電極とを形成する第３の工程と、
　前記半導体層、第２の電極、及び第３の電極の上方に第２の絶縁膜を形成する第４の工程と、
　前記第２の絶縁膜に前記第３の電極に達する開口を形成し、前記開口を介して前記第３の電極と接続する画素電極を形成する第５の工程とを備え、
　前記補助容量用電極と前記画素電極とは、重なり合うようにすることで、補助容量を形成する液晶表示装置の製造方法。」の発明である点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点
　本件補正発明では、前記補助容量用電極と前記信号線とは重畳しないようにされているのに対し、引用発明では、刊行物１の図３に示されるようにこれら（付加容量電極３０とソース電極配線２６）が重畳している点。
　
　以下、この相違点について検討するに、引用発明では補助容量用電極を走査線と独立に形成しているので補助容量用電極と信号線が重畳することになるが、補助容量用電極を独立したものとせず、隣接する走査線に電気的に接続されるものとして形成することは、原査定の理由に引用した特開昭６１−２９８２０号公報（以下、「刊行物２」という。）の第１図（ａ）（ｂ）の符号２２’、また、同じく原査定の理由に引用した特開平１０−２６８３５７号公報（以下、「刊行物３」という。）の図４の符号ＣＳ１、図１，５，６の符号１３、図７の符号５にみられるように周知の技術であり、また、刊行物３の段落【００３１】に「なお、以上の実施例においては、第１の蓄積容量Ｃs1を、ｎ−１段の走査線１０と一体化した蓄積容量電極１３と画素電極２１との間に形成したが、画素電極２１と独立の蓄積容量配線との間にＣs1を形成した構成とすることもできる。」と記載されているように、補助容量用電極を隣接する走査線と電気的に接続した構造とするか、補助容量用電極を刊行物１のように独立したものとするかは適宜選択し得る事項であるから、引用発明の付加容量電極３０を刊行物２、３に記載される周知の隣接する走査線に電気的に接続されるタイプのものとすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、このように補助容量用電極を隣接する走査線に電気的に接続されるタイプのものとすれば、補助容量用電極と信号線が重畳しなくなることは明らかである。
　
　以上のとおり、本件補正発明は、刊行物１に記載された発明の補助容量用電極を刊行物２、３に記載される周知の構造とすることにより、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１５年８月４日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年５月１２日付けで補正された明細書の請求項１ないし１０に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項５については平成１５年８月４日付けの手続補正により内容が変更されなかったので、本願請求項５に係る発明は、上記本件補正発明と同じである。
　したがって、本願請求項５に係る発明は、上記補正却下の決定の理由と同じく、刊行物１に記載された発明及び刊行物２及び３に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。