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　特願２０１５−　５２２０３「イメージセンサー」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　５月２６日出願公開、特開２０１６−　９６３２３、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２７年３月１６日（パリ条約による優先権主張、２０１４年１１月１３日、米国）の出願であって、平成２８年５月１７日付けで拒絶理由通知が通知され、同年８月１０日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２９年１月２７日付けで最後の拒絶理由通知が通知され、同年４月２４日に意見書及び手続補正書が提出され、同年８月８日付けで同年４月２４日に提出された手続補正書による補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対し、同年１１月９日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正書が提出された。
　その後、当審において、平成３０年８月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月２日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（平成２９年８月８日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
１．（進歩性）本願の請求項１〜９に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において頒布された、以下の引用文献Ａ〜Ｇに記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
＜引用文献等一覧＞
Ａ．特開２０１４−０４９５７５号公報
Ｂ．特開２００７−０８８０５７号公報（周知技術を示す文献）
Ｃ．特開２００９−２５２９７３号公報（周知技術を示す文献）
Ｄ．特開２００６−３４３３９９号公報
Ｅ．国際公開第２００５／１１６７６３号（周知技術を示す文献）
Ｆ．特開２０１０−２０８０３５号公報（周知技術を示す文献）
Ｇ．特開２００１−２６７５４４号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　当審において平成３０年８月１７日付けで通知した拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は次のとおりである。
●理由１（新規性） 
　本件出願の請求項１、８に係る発明は、その優先日前に日本国内または外国において頒布された、以下の引用文献１に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
●理由２（進歩性） 
　本件出願の請求項１、４〜７、８、９に係る発明は、その優先日前に日本国内または外国において頒布された、以下の引用文献１、２に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 
引用文献等一覧
１．引用文献１：米国特許出願公開第２０１１／０１０８９３８号明細書
２．引用文献２：特開２０１３−１７５４９４号公報
第４　本願発明
　本願の請求項１〜８に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明８」という。）は、平成３０年１０月２日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１及び８に係る発明は、その請求項１及び８に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　感知層と、
　前記感知層上に位置するフィルターユニットと、
　接触して、前記フィルターユニットを囲み、且つ、前記感知層上に設置される導電層と、
　接触して、前記フィルターユニットを囲み、且つ、前記導電層上に設置される反射層と、
を含み、
　積層された前記導電層と前記反射層、及び前記フィルターユニットは、光導体構造を形成し、
　前記導電層は導電ポリマー材料であることを特徴とするイメージセンサー。」
「【請求項８】
　感知層と、
　前記感知層上に設置されるフィルターユニットと、
　前記フィルターユニットを囲み、前記感知層上に設置される遮光層と、
　接触して、前記フィルターユニットを囲み、前記遮光層上に設置される導電層と、
　接触して、前記フィルターユニットを囲み、前記導電層上に設置される反射層と、
を含み、
　積層された前記導電層と前記反射層、及び前記フィルターユニットは、光導体構造を形成し、
　前記導電層は導電ポリマー材料であることを特徴とするイメージセンサー。」
　なお、本願発明２〜７は、本願発明１を減縮した発明である。
第５　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　当審拒絶理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「[0001]　1. Field
[0002]　Embodiments of the present invention relate to image sensors, and in particular, to filters for image sensors.」
（「［０００１］１．分野
［０００２］　本発明の実施形態は、イメージセンサ、特に、イメージセンサのためのフィルタに関する。」）（審決注：翻訳文は合議体による。以下同じ。）
イ　「[0021]　Embodiments of the present invention include an image sensor having an array of pixels. At least one pixel may include a photosensitive element disposed in a substrate, a color filter disposed on the photosensitive element, and a micro-lens disposed on the color filter. A waveguide wall may surround the color filter. The waveguide wall may be a dielectric material including an oxide such as silicon dioxide (SiO2). Alternatively, the waveguide wall may be an air gap. The refractive index of the waveguide wall may be less than the refractive index of the color filter. The color filter and waveguide wall surrounding the color filter form a waveguide structure, which confines light propagating in the color filter along the waveguide structure. Such confinement reduces light leakage through the waveguide wall surrounding the color filter to neighboring color filters. In other words, the light is guided in the waveguide. The image sensor may be back side illuminated or front side illuminated.
[0022]　When light is incident on a micro-lens, the micro-lens focuses the light into the color filter. The waveguide structure formed by the color filter and the waveguide wall surrounding the color filter guides the light to the photosensitive element. The photosensitive element converts the light to an electrical signal.
[0023]　One advantage of embodiments of the present invention is that the crosstalk between pixels may be reduced, because the light entering a color filter is confined in the waveguide formed by the color filter and the waveguide wall surrounding the color filter, and ideally no light escapes the waveguide to enter neighboring pixels. The result is an image sensor with improved capturing of colors. Another advantage is that the image sensor may be more sensitive to incident light because the light entering a color filter is confined in the waveguide, and ideally the light is entirely incident on the photosensitive element. Other features and advantages of the present invention will be apparent from the accompanying drawings and from the detailed description that follows.
…（略）…
[0025]　In the illustrated embodiment, three photosensitive elements, which are shown as n-photodiodes 102, 104, and 106, are disposed in substrate 101. Generally, image sensor 100 includes several photosensitive elements arranged in a two dimensional array of rows and columns in substrate 101. For purposes of clarity, only photosensitive elements 102, 104, and 106 are illustrated. However, the array can include upwards of thousands of rows and/or columns, or more. Similarly, the array may have an arrangement other than columns and rows.
…（略）…
[0027]　On another side of substrate 101, a passivation layer 112 of p+ silicon is disposed on substrate 101 and an optional anti-reflective material 114 is disposed on p+ layer of silicon 112. Generally, p+ layer of silicon 112 has an effect of enhancing the charge collection into n-type photodiodes 102, 104, and 106, and prevents dark current generation at the back surface. Note, in some embodiments, p+ layer 112 is optional. A red filter 116, a green filter 118, and a blue filter  120 are disposed on anti-reflective material 114. A micro-lens 122 is disposed on filter 116, a micro-lens 124 is disposed on filter 118, and a micro-lens 126 is disposed on filter 120. A waveguide wall 130 is partially disposed in blue filter 120. A waveguide wall 132 is partially disposed in blue filter 120 and partially disposed in green filter 118. A waveguide wall 134 is partially disposed in green filter 118 and partially disposed in red filter 116. A waveguide wall 136 is partially disposed in red filter 116. In some implementations, waveguide walls are shorter (thinner) than color filters and are disposed in the color filters as illustrated in FIG. 1. In some implementations, waveguide walls can be substantially as tall (thick) as the color filters.」
（「［００２１］　本発明の実施形態は、ピクセルのアレイを有するイメージセンサを含む。少なくとも１つの画素は、基板に配置された感光性素子、感光性素子上に配置されたカラーフィルタ、及びカラーフィルタ上に配置されたマイクロレンズを含むことができる。導波路の壁は、カラーフィルターを囲むことができる。導波路の壁は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）のような酸化物を含む誘電体材料であってもよい。あるいは、導波路の壁は、空気ギャップであってもよい。
導波路壁の屈折率はカラーフィルタの屈折率よりも小さくする
カラーフィルタ及び該カラーフィルタを囲む導波路の壁は、導波路構造を形成し、導波路構造に沿ってカラーフィルタ内を伝搬する光が閉じ込められる
このような閉じ込めは、隣接するカラーフィルタへのカラーフィルタを囲む導波路壁をとおしての光漏れを低減する
［００２２］　光がマイクロレンズに入射すると、マイクロレンズはその光をカラーフィルタ内に集束させる。カラーフィルタによって形成された導波路構造及びカラーフィルタを囲む導波路壁は、光を感光性素子に導く。感光性素子は、その光を電気信号に変換する。
［００２３］　本発明の実施形態の１つの利点は、画素間のクロストークを低減することができ、それは、カラーフィルタに入射した光は、カラーフィルタによって形成された導波路構造及びカラーフィルタを囲む導波路壁内に閉じ込められ、そして、理想的には、光が導波路から隣接画素に逃げることがないからである。その結果、色の改善されたイメージセンサとなる。別の利点は、カラーフィルタに入射した光が導波路内に閉じ込められ、そして、理想的には、光は感光性素子上に完全に入射するので、イメージセンサは、入射光に対してより感度が高くなることができる。本発明の他の特徴及び利点は、添付の図面及び以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
…（略）…
［００２５］　図示の実施形態では、３つの
感光性素子、
フォトダイオード102、104、及び106
…（略）…
［００２７］　基板101の他の側には、ｐ＋シリコンの不活性化層112が基板101上に配置され、任意の反射防止材料114が、シリコンのｐ＋層112上に配置されている。一般的に、ｐ＋層112は、ｎ型フォトダイオード102、104、及び106への電荷収集を向上させる効果を有しており、裏面表面における暗電流の発生を防止する。なお、いくつかの実施形態では、ｐ＋層112は任意である。赤カラーフィルタ116、緑カラーフィルタ118、及び青カラーフィルタ120が反射防止材料114上に配置されている。マイクロレンズ122はフィルタ116上に配置され、マイクロレンズ124はフィルタ118上に配置され、そして、マイクロレンズ126はフィルタ120上に配置されている。導波路壁130は、青色フィルタ120内に部分的に配置される。導波路壁132は、青色フィルタ120内に部分的に配置され、緑色フィルタ118内に部分的に配置される。導波路壁134は、緑色フィルタ118内に部分的に配置され、赤色フィルタ116内に部分的に配置されている。導波路壁136は、赤色フィルタ116内に部分的に配置されている。いくつかの実施形態では、図１に示すように、導波路壁はカラーフィルタよりも短く（薄い）、カラーフィルタ内に配置されている。いくつかの実施形態では、導波路壁は、カラーフィルタと実質的に同じ高さ（厚さ）としてよい。」）
ウ　「[0035]　In one embodiment, image sensor 100 operates as follows. Light is incident on micro-lens 126, which focuses light into blue filter 120. Blue filter 120 filters the incident light and passes the blue light. The waveguide formed by filter 120 surrounded by waveguide walls  130 and 132 guides and passes the blue light to photosensitive element 106, optionally through anti-reflective material 114 and p+ layer of silicon 112. Because the refractive index of blue filter  120 is greater than the refractive indices of waveguide walls 130 and 132, waveguide walls 130 and 132 may sufficiently bend the blue light so the blue light is confined within blue filter 120. Without waveguide walls 130 and 132, the blue light may escape blue filter 120 to enter the neighboring pixels.
[0036]　This invention utilizes the effect of the total internal reflection which occurs at the interface between the waveguide wall and the color filter. When light is incident on the waveguide wall with an incident angle to the wall larger than a critical angle (θc), the light is reflected at the interface. …（略）…」
（「［００３５］　一実施形態では、イメージセンサ100は、以下のように動作する。光がマイクロレンズ126に入射され、その光を青色フィルタ120内へと集束させる。青色フィルタ120は、入射光をフィルタリングし、青色光を透過する。導波路壁130と132で囲まれたフィルタ120によって形成された導波路は、必要に応じて、反射防止材料114とシリコンのｐ＋層112を介して、青色光を感光性素子106へと導き、通過させる。青色フィルタ120の屈折率は導波路130と132の屈折率より大きいので、導波路壁130及び132は青色光を十分に曲げることができる、それにより青色光は青フィルタ120内に閉じ込められる。導波路壁130と132がなければ、青色光は青色フィルタ120から逃げて隣接画素へ入るかもしれない。
［００３６］　本発明は、
導波路壁とカラーフィルタとの間の界面で生じる全反射の効果を利用している
エ　「[0061]　Image sensor 700 differs from image sensor 100 in that a metal wall (730B, 732B, 734B, 736B) is coupled to a waveguide wall (730A, 732A, 734A, 736A) between the waveguide wall (730A, 732A, 734A, 736A) and the corresponding photosensitive element (106, 104, 102). Layers 112 and 114 are optional. The waveguide wall (730A, 732A, 734A, 736A) may comprise dielectric material or may be an air gap between color filters.
[0062]　Depending on the incident angle, light may propagate along the waveguide wall. Without a metal wall, light in the waveguide may arrive at the edge of the photosensitive element and introduce crosstalk to the neighboring photosensitive elements. The metal wall alters the condition of the waveguide such that light propagating along the waveguide wall will be absorbed or blocked by the metal wall, thus further reducing crosstalk. Light propagating in the center of the waveguide is not absorbed by the metal wall. However, the waveguide wall is not completely replaced by the metal wall, since the total internal reflection conditions may then cease to exist. Extending the metal walls the full length right up to the micro lenses may result in substantial light absorption and thus significantly reduce the light detected by the photosensitive element.」
（「［００６１］　イメージセンサ700は、金属壁（730B, 732B, 734B, 736B）が、導波路壁（730A, 732A, 734A, 736A）と対応する感光性素子（106, 104, 102）と間の導波路壁（730A, 732A, 734A, 736A）に結合されている点で、イメージセンサ100とは異なる。層112及び114は任意である。導波路壁（730A, 732A, 734A, 736A）は、誘電体材料を含んでもよく、または、カラーフィルタ間に空隙があってもよい。
［００６２］　入射角に応じて、光は導波路壁に沿って伝播することができる。金属壁がない場合、導波路内の光は、感光性素子の端部に到達し、隣接する感光性素子へのクロストークを導入するかもしれない。
金属壁は、導波路壁に沿って伝播する光が、金属壁によって吸収されまたはブロックされ、それにより更にクロストークを低減されるように、導波路の状態が変更される
（２）引用発明
　引用文献１の図７から、基板１０１に配置されたフォトダイオード１０２、１０４、１０６と、前記フォトダイオード上に位置する赤カラーフィルタ１１６、緑カラーフィルタ１１８、青カラーフィルタ１２０からなるカラーフィルタと、接触して、前記カラーフィルタを囲み、且つ、前記基板上に設置される金属壁７３０Ｂ、７３２Ｂ、７３４Ｂ、７３６Ｂと、接触して、前記カラーフィルタを囲み、且つ、前記金属壁上に設置される導波路壁７３０Ａ、７３２Ａ、７３４Ａ、７３６Ａが見てとれる。
　したがって、引用文献１には、図７に示されたイメージセンサ７００に関し、図１のイメージセンサ１００についての説明も参照すると、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
 「基板１０１に配置されたフォトダイオード１０２、１０４、１０６と、
　前記フォトダイオード上に位置する赤カラーフィルタ１１６、緑カラーフィルタ１１８、青カラーフィルタ１２０からなるカラーフィルタと、
　接触して、前記カラーフィルタを囲み、且つ、前記基板上に設置される金属壁７３０Ｂ、７３２Ｂ、７３４Ｂ、７３６Ｂと、
　接触して、前記カラーフィルタを囲み、且つ、前記金属壁上に設置される導波路壁７３０Ａ、７３２Ａ、７３４Ａ、７３６Ａと、
を含み、 
　導波路壁とカラーフィルタとの間の界面で生じる全反射の効果を利用するイメージセンサ７００であって、
　導波路壁の屈折率はカラーフィルタの屈折率よりも小さく、
　カラーフィルタ及びカラーフィルタを囲む導波路壁は導波路構造を形成し、導波路構造に沿ってカラーフィルタ内を伝搬する光を閉じ込め、
　このような閉じ込めにより、カラーフィルタを囲む導波路壁をとおしての隣接するカラーフィルタへの光漏れが低減され、
　金属壁により、導波路壁に沿って伝搬する光が、金属壁によって吸収されまたはブロックされ、それにより更にクロストークが低減されるように、導波路の状態が変更される、イメージセンサ７００。」 
第６　当審の判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明とを対比すると次のことがいえる。 
  
ア　引用発明は、「基板１０１に配置されたフォトダイオード１０２、１０４、１０６」を含むから、本願発明１と引用発明は、「感知層」を含む点で一致する。 
  
イ　引用発明の「赤カラーフィルタ１１６、緑カラーフィルタ１１８、青カラーフィルタ１２０からなるカラーフィルタ」は、本願発明１の「フィルターユニット」に相当し、また、「前記フォトダイオード上に位置する」から、本願発明１と引用発明とは、「前記感知層上に位置するフィルターユニット」を含む点で一致する。 
  
ウ　引用発明の「金属壁７３０Ｂ、７３２Ｂ、７３４Ｂ、７３６Ｂ」は、本願発明１の「導電層」に相当する。 
　したがって、本願発明１と引用発明とは、「接触して、前記フィルターユニットを囲み、且つ、前記感知層上に設置される導電層」を含む点で一致する。 
  
エ　引用発明は、「接触して、前記カラーフィルタを囲み、且つ、前記金属壁上に設置される導波路壁７３０Ａ、７３２Ａ、７３４Ａ、７３６Ａ」を含み、「導波路壁とカラーフィルタとの間の界面で発生する全反射の効果を利用するイメージセンサ７００」であって、「導波路壁の屈折率はカラーフィルタの屈折率よりも小さ」いものであるから、引用発明の「導波路壁」は、本願発明１の「反射層」に相当する。 
　したがって、本願発明１と引用発明とは、「接触して、前記フィルターユニットを囲み、且つ、前記導電層上に設置される反射層」を含む点で一致する。 
  
オ　引用発明は、「前記金属壁上に設置される導波路壁７３０Ａ、７３２Ａ、７３４Ａ、７３６Ａ」を含み、「導波路壁の屈折率はカラーフィルタの屈折率よりも小さく、カラーフィルタ及びカラーフィルタを囲む導波路壁は導波路構造を形成し、導波路構造に沿ってカラーフィルタ内を伝搬する光を閉じ込め、このような閉じ込めにより、カラーフィルタを囲む導波路壁をとおしての隣接するカラーフィルタへの光漏れが低減され、金属壁により、導波路壁に沿って伝搬する光が、金属壁によって吸収されまたはブロックされ、それにより更にクロストークが低減されるように、導波路の状態が変更される」ものであるから、「導波路構造に沿ってカラーフィルタ内を伝搬する光を閉じ込め、このような閉じ込めにより、カラーフィルタを囲む導波路壁をとおしての隣接するカラーフィルタへの光漏れが低減され」た導波路構造を、金属壁により、導波路の状態が変更された導波路構造としたものであるといえる。 
　したがって、引用発明において、積層された金属壁と導波路壁、及びカラーフィルタは、光パイプ構造、すなわち、光導体構造を形成するものであるといえる。 
　よって、本願発明１と引用発明とは、「積層された前記導電層と前記反射層、及び前記フィルターユニットは、光導体構造を形成する」点で一致する。 
  
カ　引用発明の「イメージセンサー７００」は、本願発明１の「イメージセンサ」に相当する。 
　
キ　すると、本願発明１と引用発明とは、
「感知層と、
　前記感知層上に位置するフィルターユニットと、
　接触して、前記フィルターユニットを囲み、且つ、前記感知層上に設置される導電層と、
　接触して、前記フィルターユニットを囲み、且つ、前記導電層上に設置される反射層と、
を含み、
　積層された前記導電層と前記反射層、及び前記フィルターユニットは、光導体構造を形成することを特徴とするイメージセンサー。」
である点で一致し、下記の点で相違する。
［相違点］本願発明１では「前記導電層は導電ポリマー材料である」のに対し、引用発明では前記導電層は「金属壁」である点。
　
（２）本願発明１は、上記相違点で相違するから、引用発明ではない。
　
（３）上記相違点に係る構成は、引用文献１の上記「第５」の１（１）の上記摘記箇所以外にも、当審拒絶理由で引用された引用文献２にも記載されておらず、本願優先日前における周知技術でもないから、引用発明において、引用文献１、２の記載を参照しても、上記相違点に係る構成は、当業者が容易に想到し得たということはできない。
　したがって、本願発明１は、引用文献１、２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
２　本願発明２〜７について
　本願発明２〜７は、本願発明１を減縮した発明であるから、 本願発明１と同様の理由により、引用文献１、２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。
３　本願発明８について
　本願発明８は、「接触して、前記フィルターユニットを囲み、且つ、前記感知層上に設置される導電層」を含み、「前記導電層は導電ポリマー材料であることを特徴とする」という構成を備えるものである。
　一方、引用発明は、「接触して、前記カラーフィルタを囲み、且つ、前記基板上に設置される金属壁７３０Ｂ、７３２Ｂ、７３４Ｂ、７３６Ｂ」を含むものである。
　本願発明８と引用発明とを対比すると、引用発明の「金属壁７３０Ｂ、７３２Ｂ、７３４Ｂ、７３６Ｂ」は、本願発明８の「導電層」に相当する。
　したがって、本願発明８と引用発明とは、「接触して、前記フィルターユニットを囲み、且つ、前記感知層上に設置される導電層」を含む点で一致するものの、引用文献１には、「金属壁７３０Ｂ、７３２Ｂ、７３４Ｂ、７３６Ｂ」を「導電ポリマー材料」とすることは記載されていない点で両者は相違する。
　そして、当該「前記導電層は導電ポリマー材料であること」は、引用文献１の上記「第５」の１（１）の上記摘記箇所以外にも、当審拒絶理由で引用された引用文献２にも記載されておらず、本願優先日前における周知技術でもないから、引用発明において、引用文献１、２の記載を参照しても、「金属壁７３０Ｂ、７３２Ｂ、７３４Ｂ、７３６Ｂ」を「導電ポリマー材料」とすることは、当業者が容易になし得たということはできない。
　したがって、本願発明８は、引用文献１、２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
第７　原査定についての判断
　平成３０年１０月２日付けの補正により、補正後の請求項１、８は、「前記導電層は導電ポリマー材料であることを特徴とする」という技術的事項を有するものとなった。
　当該「前記導電層は導電ポリマー材料であることを特徴とする」は、原査定における引用文献Ａ〜Ｃ、Ｅ〜Ｇには記載されていない。
　また、引用文献Ｄ（特開２００６−３４３３９９号公報）には、カラーフィルター用着色組成物として、導電ポリマーが開示されているものの、「接触して、フィルターユニットを囲み、遮光層上に設置される導電層」を含み、「前記導電層は導電ポリマー材料である」という技術的事項は開示されていない。
　さらに、当該技術的事項は、本願優先日前における周知技術でもないので、本願発明１〜８は、原査定における引用文献Ａ〜Ｇに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、原査定を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によって、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。