【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４１８０１０７号発明「窒化物系半導体素子の製造方法」の特許無効審判事件（無効２０１３−８００１２０号事件及び無効２０１４−８０００６１号審判事件。以下、それぞれ、「第１事件」及び「第２事件」という。）について、知的財産高等裁判所が、平成２７年９月２８日、第１事件に係る平成２６年５月２０日付け審決を取り消す旨の判決を言い渡すとともに、同年１２月２４日、第２事件に係る平成２７年５月２６日付け審決を取り消す旨の判決を言い渡したところ、これらの判決が平成２８年１０月４日に確定したので、さらに審理の併合の上、次のとおり審決する。　
【結　論】
無効２０１３−８００１２０号審判事件（第１事件）
　特許第４１８０１０７号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項［１〜１０］について訂正することを認める。
　特許第４１８０１０７号の請求項１〜３，５〜１０に記載された発明についての特許を無効とする。
　特許第４１８０１０７号の請求項４についての本件審判の請求を却下する。
　審判費用は、その１０分の１を請求人の負担とし、１０分の９を被請求人の負担とする。
無効２０１４−８０００６１号審判事件（第２事件）
　特許第４１８０１０７号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項［１〜１０］について訂正することを認める。
　特許第４１８０１０７号の請求項１〜３，５〜１０に記載された発明についての特許を無効とする。
　特許第４１８０１０７号の請求項４についての本件審判の請求を却下する。
　審判費用は、その１０分の１を請求人の負担とし、１０分の９を被請求人の負担とする。
【理　由】
第１　第１事件及び第２事件の概要及び経緯
１　第１事件及び第２事件の概要
　第１事件及び第２事件は、いずれも、請求人（日亜化学工業株式会社）が、被請求人（三洋電機株式会社）が特許権者である特許第４１８０１０７号（以下「本件特許」という。特許登録時の請求項の数は１０である。）の請求項１ないし１０に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。
  
２　本件特許に係る出願の経緯概要 
　本件特許に係る出願の経緯概要は、次のとおりである。 
　平成１４年　３月２６日　特願２００２−８５０８５号（以下「先の出願」という。） 
　平成１５年　３月１９日　特願２００３−７４９６６号（先の出願に基づく優先権主張を伴う出願。以下「原々出願」という。） 
　平成１８年１２月２５日　特願２００６−３４８１６１号（原々出願の一部を新たな特許出願とした出願。以下「原出願」という。） 
　平成２０年　３月２４日　本件特許に係る出願（以下「本願」という。特願２００８−７６８４４号（原出願の一部を新たな特許出願とした出願。）） 
　平成２０年　４月１８日　手続補正書 
　平成２０年　６月２０日　手続補正書 
　平成２０年　７月１８日　特許査定 
　平成２０年　９月　５日　設定登録（特許第４１８０１０７号） 
　平成２０年１１月１２日　特許公報発行 
３　第１事件及び第２事件の経緯 
　当審は、平成２８年１１月２５日付け併合通知（以下「本件併合通知」という。）で両当事者に通知したとおり、第１事件と第２事件の審理を併合した。そこで、両事件の経緯を、本件併合通知前後に分けて、以下に示すこととする。 
（１）本件併合通知までの第１事件の経緯 
　平成２５年　７月１０日　特許無効審判請求 
　平成２５年１０月１０日　答弁書 
　平成２５年１０月２８日　上申書（請求人） 
　平成２５年１２月　３日　審理事項通知書（合議体） 
　平成２６年　１月２３日　口頭審理陳述要領書（請求人） 
　平成２６年　１月２３日　口頭審理陳述要領書（被請求人） 
　平成２６年　２月　６日　口頭審理 
　平成２６年　５月２０日　請求全部不成立審決 
　平成２７年　９月２８日　審決取消判決（平成２６年（行ケ）第１０１４８号） 
　平成２８年１０月　４日　審決取消判決確定 
　請求人が平成２６年１月２３日付けで提出した口頭審理陳述要領書による請求の理由の補正については、同口頭審理陳述要領書の第２頁第２２行〜第３頁第６行「この意味において、・・・見出されたものでもない。」、第１４頁第１８〜２０行「また、・・・既に開示されている。」、第２０頁第８〜１３行「しかしながら、・・・技術的意義は認められない。」（以上を以下「甲第１４号証に基づく主張」という。）、第９頁第２３行〜第１２頁第６行（「（２）本件特許発明１の構成Ｃが相違点（相違点２）であるとしても、この点は当業者が容易に想到できることについて」）、及び、第２２頁第２１行〜第３２頁第１７行（「第４　職権による無効理由の通知が相当であることについて」）の各箇所については、審判長はこれらが実質的に審判請求書の要旨を変更する補正に当たると判断し、口頭審理において、特許法第１３１条の２第１項の規定に基づき、当該補正を許可しないと決定した。
　なお、請求人は甲第１４号証に基づく主張については、審判請求書の要旨を変更する補正には当たらないと主張した。 
  
（２）本件併合通知までの第２事件の経緯 
　平成２６年　４月２２日　特許無効審判請求 
　平成２６年　８月１５日　審判事件答弁書 
　平成２６年１１月　５日　審理事項通知書（合議体） 
　平成２６年１２月１２日　口頭審理陳述要領書（請求人） 
　平成２７年　１月　９日　口頭審理陳述要領書（被請求人） 
　平成２７年　１月１６日　上申書（請求人） 
　平成２７年　１月２３日　口頭審理 
　平成２７年　５月２６日　請求全部不成立審決 
　平成２７年１２月２４日　審決取消判決（平成２７年（行ケ）第１０１１６号） 
　平成２８年１０月　４日　審決取消判決確定 
（３）本件併合通知以後の第１事件及び第２事件の経緯 
　平成２８年１１月２５日　本件併合通知
　平成２８年１２月　８日　訂正請求書・上申書（被請求人）
　平成２９年　２月１３日　弁駁書
　平成２９年１０月１８日　訂正拒絶理由通知
　平成２９年１１月２１日　意見書（被請求人）
　平成３０年　７月２４日　審決の予告
　なお、被請求人は、上記審決の予告後、訂正の請求をせず、特段の応答もしなかった。
（４）本件特許に関するその他の経緯 
　本件特許については、同じ請求人により、平成２３年１０月７日に、別件特許無効審判請求がなされ（無効２０１１−８００２０３号、以下「別件無効審判事件（その１）」ともいう。）、平成２４年７月２０日に請求が成り立たない旨の審決がなされ、当該審決について審決取消訴訟が提起された（知的財産高等裁判所平成２４年（行ケ）第１０３０３号）が、平成２５年１１月１４日に請求棄却判決が言い渡され、当該請求棄却判決について、上告受理が申し立てられたが、平成２６年９月３０日に本件を上告審として受理しない旨の決定がなされた（最高裁判所平成２６年（行ヒ）第５６号）。
　また、本件特許については、同じ請求人により、平成２５年６月１９日及び同年７月１０日にも、別件特許無効審判請求（順に、無効２０１３−８００１１０号（以下「別件無効審判事件（その２）」ともいう。）、無効２０１３−８００１２０号（以下「別件無効審判事件（その３）」ともいう。））がなされ、別件無効審判事件（その２）については平成２６年５月２３日に、別件無効審判事件（その３）については同年５月２０日に、それぞれ請求が成り立たない旨の審決がなされた。 
　なお、原々出願に係る特許（特許第３９３３５９２号、以下「関連特許」ともいう。）についても、本件特許無効審判事件と同じ請求人により、平成２３年１０月７日、平成２５年５月３１日及び平成２５年７月１０日に特許無効審判請求（順に、無効２０１１−８００２０２号、無効２０１３−８０００９９号及び無効２０１３−８００１１９号）がなされている。 
第２　訂正の適否についての当審の判断 
１　訂正の内容
　本件併合通知後の第１事件及び第２事件の手続において被請求人が平成２８年１２月８日に行った訂正請求は、特許第４１８０１０７号に係る願書に添付した特許請求の範囲を訂正請求書に添付した特許請求の範囲のとおり訂正しようとするものであり（以下「本件訂正」という。）、その訂正の内容は、次のとおりである（下線は訂正箇所である。）。 
（１）訂正事項１ 
　特許請求の範囲の請求項１を、 
　「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と、 
　前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と、
　前記第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする第３工程と、 
　その後、前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する第４工程とを備え、 
前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下とする、窒化物系半導体素子の製造方法。」から、 
　「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と、 
　前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と
（ただし、同第２工程の終了時に前記第１半導体層の裏面に発生している転位は、転位密度が１×１０
１０
ｃｍ
−２
程度であっても、当該裏面にｎ型電極を形成すると、窒化物半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥であり）
　前記第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を
０．５μｍ以上
　その後、前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する第４工程とを備え、 
　前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下とする、窒化物系半導体素子の製造方法。」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項２、３及び５〜１０も同様に訂正する。）。 
（２）訂正事項２ 
　特許請求の範囲の請求項４を削除する。 
（３）訂正事項３ 
　特許請求の範囲の請求項５に「請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法」と記載されているのを、「請求項１〜
３
（４）訂正事項４ 
　特許請求の範囲の請求項６に「請求項１〜５のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法」と記載されているのを、「請求項１〜
３又は
（５）訂正事項５ 
　特許請求の範囲の請求項７に「請求項１〜６のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法」と記載されているのを、「請求項１〜
３、５又は
（６）訂正事項６ 
　特許請求の範囲の請求項８に「請求項１〜７のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法」と記載されているのを、「請求項１
〜３又は５
（７）訂正事項７ 
　特許請求の範囲の請求項９に「請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法」と記載されているのを、「請求項１
〜３又は５
（８）訂正事項８ 
　特許請求の範囲の請求項１０に「請求項１〜９のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法」と記載されているのを、「請求項１
〜３又は５
２　訂正の適否の検討 
（１）訂正事項１について 
　ア　訂正の目的について 
　訂正事項１の訂正は、「第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程」の発明特定事項について、第２工程終了時の第１半導体層の裏面の結晶欠陥の状態を特定することにより発明特定事項を限定するものであるとともに、「前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする第３工程」の発明特定事項について、裏面近傍の領域を除去する厚さを特定することにより発明特定事項を限定するものである。 
　よって、訂正事項１は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 
　イ　願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正か否かについて 
　（ア）訂正事項１に関連して願書に添付した明細書又は図面（以下、それぞれ、「本件特許明細書」又は「本件特許図面」という。）には、以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。 
「【００４７】 
　図３に示した
機械研磨装置３０を用いて、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をｎ型ＧａＮ基板１の厚みが約１２０μｍ〜約１８０μｍになるまで研磨
【００４８】 
　この後、本実施形態では、
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）を、約２０分間エッチング
これにより、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）を約１μｍの厚み分だけ除去
その結果、上記機械研磨に起因して発生した結晶欠陥を含むｎ型ＧａＮ基板１の裏面近傍の領域を除去することができる
【００４９】 
　ここで、上記したエッチングによる効果を確認するために、エッチング前後におけるｎ型ＧａＮ基板１の裏面の結晶欠陥（転位）密度を、ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）分析により測定した。その結果、
エッチング前には、結晶欠陥密度は、１×１０
10
ｃｍ
-2
以上
「【００５６】 
　次に、ＲＩＥ法を用いてｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）のエッチングを行う本発明の効果をより詳細に確認するため、以下の表１に示すような実験を行った。 
【表１】
」 
「【００５９】 
　結果としては、ＲＩＥ法を用いてｎ型ＧａＮ基板の裏面のエッチングを行った本発明による試料３〜７では、従来と同様の方法により作製された試料１よりもコンタクト抵抗が大きく低減された。具体的には、試料１のコンタクト抵抗は、２０Ωｃｍ2であったのに対して、本発明による試料３〜７のコンタクト抵抗は、０．０５Ωｃｍ2以下であった。これは以下の理由によると考えられる。すなわち、本発明による試料３〜７では、機械研磨により発生した結晶欠陥を含むｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍の領域が、ＲＩＥ法によるエッチングにより除去されたと考えられる。このため、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍における結晶欠陥に起因して電子キャリア濃度が低下するのが抑制されたためであると考えられる。」 
「【００６１】 
　また、Ｃｌ2ガスを用いたＲＩＥ法により、
ｎ型ＧａＮ基板の裏面を約１μｍの厚み分だけ除去した試料４
ｎ型ＧａＮ基板の裏面を約０．５μｍの厚み分だけ除去した試料３
試料３の結晶欠陥密度は１×１０
9
ｃｍ
-2
試料４では、
結晶欠陥密度は１×１０
6
ｃｍ
-2
以下
　（イ）「
（ただし、同第２工程の終了時に前記第１半導体層の裏面に発生している転位は、転位密度が１×１０
１０
ｃｍ
−２
程度であっても、当該裏面にｎ型電極を形成すると、窒化物半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥であり）
　ａ　本件特許明細書の段落【００４９】には、「エッチング前には、結晶欠陥密度は、１×１０10ｃｍ-2以上」と記載されており、また、段落【００５６】の【表１】には、試料１の「ＧａＮ基板裏面研磨→ｎ側電極形成」として「コンタクト抵抗値（Ωｃｍ2）」「２０」と記載されている。 
　そうすると、研磨の後にエッチングを行わずｎ側電極形成をする試料１の「第２工程の終了時に第１半導体層の裏面に発生している転位は、転位密度が１×１０１０ｃｍ−２以上であ」り、「裏面にｎ型電極を形成すると、２０Ωｃｍ2のコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」であるといえる。 
　加えて、「２０Ωｃｍ2のコンタクト抵抗」が、窒化物半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗であることは自明である。 
　そして、本件特許明細書の段落【００５６】の【表１】の試料１と試料３〜７とをみると、本件特許明細書には、上記結晶欠陥をエッチングしたことが記載されている。 
　したがって、訂正拒絶理由通知が指摘した事項（後記ｂで検討する。）を措けば、「（ただし、同第２工程の終了時に前記第１半導体層の裏面に発生している転位は、転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度であっても、当該裏面にｎ型電極を形成すると、窒化物半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥であり）」との訂正事項は、本件特許明細書の記載の範囲内でなされたものといえる。 
　ｂ　そこで、訂正拒絶理由通知が指摘した点について検討する。 
　（ａ）「転位密度が１×１０１０ｃｍ−２『程度』」について 
　訂正拒絶理由通知は、本件特許明細書の段落【００４９】の「結晶欠陥密度は、１×１０10ｃｍ-2以上」との記載を根拠に「程度」という文言を用いることが、新規事項を追加するものである旨説示したところである。 
　しかしながら、「１×１０１０ｃｍ−２」との値は測定値であると解されるところ、そうであるならば、一定の誤差が当然に含まれている。そうすると、当業者であれば、本件特許明細書の「転位密度が１×１０１０ｃｍ−２以上」との文言を「転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度以上」と理解することが明らかである。 
　したがって、「転位密度が１×１０１０ｃｍ−２『程度』」との訂正事項は、新規事項を追加するものではない。 
　（ｂ）「転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度であっても、」について 
　訂正拒絶理由通知は、「同第２工程の終了時に前記第１半導体層の裏面に発生している転位は、転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度であっても、当該裏面にｎ型電極を形成すると、窒化物半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」（である）との文言（以下「本件文言」という。）が、転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度の際には、当該裏面にｎ型電極を形成すると、高いコンタクト抵抗が生じる場合と生じない場合があり、転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度であっても、そのうちの高いコンタクト抵抗が生じる場合を選択することをも意味しているならば、新規事項を追加するものである旨説示したところである。 
　しかしながら、本件特許明細書の段落【０００９】には、「しかしながら、上記特許文献１に開示された従来の方法では、ｎ型ＧａＮ基板の裏面を機械研磨する際に、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍に応力が加わる。このため、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍にクラックなどの微細な結晶欠陥が発生するという不都合がある。その結果、ｎ型ＧａＮ基板と、ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）上に形成されたｎ側電極とのコンタクト抵抗が増加するという問題点があった。」と記載されており、当該記載からすれば、ｎ型ＧａＮ基板の裏面を機械研磨することによって生じる結晶欠陥は、必然的に、窒化物半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗になるものと解される。そうすると、本件文言は、「同第２工程の終了時に前記第１半導体層の裏面に発生している転位は、転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度」のときは、必然的に、「当該裏面にｎ型電極を形成すると、窒化物半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」となるとの前提においてなされたものであると解される。すなわち、本件文言は、「前記第１工程及び前記第２工程の後、・・・第３工程」との特定事項と日本語的に接続して、第２工程の終了時の転位が、「当該裏面にｎ型電極を形成すると、窒化物半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」に必然的になるような「転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度」の転位であっても、「第３工程」の対象とすることを特定しているにすぎないものと解される。 
　よって、本件文言についての訂正事項は、上記ａのとおり、本件特許明細書の記載の範囲内でなされたものである。 
　ｃ　以上によれば、「（ただし、同第２工程の終了時に前記第１半導体層の裏面に発生している転位は、転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度であっても、当該裏面にｎ型電極を形成すると、窒化物半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥であり）」との訂正事項は、本件特許明細書の記載の範囲内でなされたものである。 
　（ウ）「裏面近傍の領域を
０．５μｍ
　本件特許明細書の段落【００６１】には、本発明による「裏面を約０．５μｍの厚み分だけ除去した試料３」及び「裏面を約１μｍの厚み分だけ除去した試料４」について、「試料３の結晶欠陥密度は１×１０9ｃｍ-2」であり、「試料４」の「結晶欠陥密度は１×１０6ｃｍ-2以下」であることが記載されている。よって、「前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を
０．５μｍ以上
　（エ）以上のとおりであるから、訂正事項１は、新規事項を追加するものではない。 
　ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正か否かについて 
　訂正事項１は、上記アのとおり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないし、上記イのとおり、新規事項を追加するものでもない。 
　よって、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正に該当するものではないから、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 
　エ　訂正事項１についてのまとめ 
　以上のとおりであるから、訂正事項１は、訂正要件に適合する。 
（２）訂正事項２について 
　訂正事項２は、本件訂正前の請求項４を削除するものである。 
　よって、訂正事項２は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 
　そして、訂正事項２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正に該当せず、本件特許明細書又は本件特許図面に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項及び６項に適合するものである。 
　よって、訂正事項２は、訂正要件に適合する。 
（３）訂正事項３〜８について 
　訂正事項３〜８は、訂正事項２における請求項４を削除する訂正に伴い、請求項５〜１０が有していた請求項４への引用を削除するための訂正であって、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。 
　そして、訂正事項３〜８は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正に該当せず、本件特許明細書又は本件特許図面に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項及び６項に適合するものである。 
　よって、訂正事項３〜８は、訂正要件に適合する。 
（４）一群の請求項について 
　請求項１〜１０は一群の請求項であるところ、本件訂正は、一群の請求項に対して請求されたものである。 
３　小括 
　以上のとおりであるから、本件訂正は適法である。よって、訂正後の請求項［１〜１０］について訂正を認める。 
第３　本件訂正発明 
　上記第２のとおり、本件訂正は認められたので、本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜１０に係る発明（以下、それぞれ「本件訂正発明１」〜「本件訂正発明１０」という。）は、以下のとおりのものと認められる。 
「【請求項１】ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と、 
　前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と（ただし、同第２工程の終了時に前記第１半導体層の裏面に発生している転位は、転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度であっても、当該裏面にｎ側電極を形成すると、窒化物系半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥であり）、 
　前記第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を０．５μｍ以上除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする第３工程と、 
　その後、前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する第４工程とを備え、 
　前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下とする、窒化物系半導体素子の製造方法。 
【請求項２】前記第１半導体層の裏面は、前記第１半導体層の窒素面である、請求項１に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。 
【請求項３】前記第３工程により、前記転位密度は、１×１０６ｃｍ−２以下に低減される、請求項１又は２に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項４】（削除） 
【請求項５】前記基板は、成長用基板上に成長することを利用して形成されている、請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項６】前記第１工程によって前記第１半導体層の上面上に前記第２半導体層を形成した後に、前記第２工程によって前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工を行う、請求項１〜３又は５のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。 
【請求項７】前記第１半導体層及び前記第２半導体層を劈開することにより、共振器端面を形成する第５工程をさらに備える、請求項１〜３，５又は６のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。 
【請求項８】前記第１半導体層は、ＨＶＰＥ法により形成される、請求項１〜３又は５〜７のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。」 
【請求項９】前記第２半導体層は、ＭＯＣＶＤ法により形成される、請求項１〜３又は５〜８のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。 
【請求項１０】前記第１半導体層は、前記第２工程により１８０μｍ以下の厚みになるまで厚み加工される、請求項１〜３又は５〜９のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。」 
第４　第１事件についての請求人の主張の概要（本件併合通知前） 
　請求人は、「特許第４１８０１０７号の請求項１乃至１０に係る発明についての特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする。」との審決を求め、本件特許は無効とすべきものであると主張している。 
１　請求人が提出した証拠方法 
　以下、証拠番号の「第」及び「号証」は略する。 
（１）審判請求書に添付したもの 
　甲１：特許第４１８０１０７号公報（本件特許） 
　甲２：特開２０００−３４９３３８号公報 
　甲３の１：報告書（平成２５年５月１４日、請求人従業者作成） 
　甲３の２：本件特許の被請求人（三洋電機株式会社）を原告とし本件審判の請求人（日亜化学工業株式会社）を被告とする侵害訴訟（平成２３年（ワ）第２６６７６号　特許権侵害行為差止等請求事件）の甲第１４号証 
　甲３の３：特許無効審判（無効２０１１−８００２０３号）の審決取消請求事件（平成２４年（行ケ）第１０３０３号）における技術説明に本件審判被請求人が用いたスライド 
　甲４：特開２００１−１４８３５７号公報 
　甲５：特開２００１−２８４７３６号公報 
　甲６：特開２００２−４３６９５号公報 
　甲７：特開２０００−２２３７９０号公報 
　甲８：特開２０００−３４０５１１号公報 
　甲９：特開２００１−１９２３００号公報 
　甲１０：特開２００１−３１３４２２号公報 
　甲１１：特開２００１−１７６８２３号公報 
　甲１２：特開２００１−１４８５３３号公報 
（２）口頭審理陳述要領書（請求人）に添付したもの 
　甲１３：平成２４年（行ケ）第１０３０２号の平成２５年１月８日付け被告（三洋電機株式会社）第１準備書面の１〜４頁 
　甲１４：Ｍ．Ｅ．Ｔｗｉｇｇ，他４名，Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ　ｂｅｔｗｅｅｎ　ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ　ｌａｙｅｒ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，　ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ　ｄｅｎｓｉｔｙ，　ａｎｄ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ　ｆｏｒ　ＧａＮ　ｆｉｌｍｓ　ｇｒｏｗｎ　ｏｎ　ａ−ｐｌａｎｅ　ｓａｐｐｈｉｒｅ　ｂｙ　ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ　ｖａｐｏｒ　ｐｈａｓｅ　ｅｐｉｔａｘｙ，ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ　Ｖｏｌ．７９，Ｎｏ．２６，ｐｐ４３２２−４３２４，２４　ＤＥＣＥＭＢＥＲ　２００１ 
　甲１５：安永暢男著、「はじめての研磨加工」、東京電機大学出版局、２０１１年４月２０日 
　甲１６：特開２００２−７６５０２号公報 
　甲１７：特開２００２−７６５１９号公報 
　甲１８：特開２０００−２１６４９８号公報 
　甲１９：特開２００１−１６０５３９号公報 
　甲２０：Ｋｙｏｙｅｏｌ　Ｌｅｅ，他１名，Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｆｒｅｅｓｔａｎｄｉｎｇ　ＧａＮ　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　Ｇｒｏｗｎ　ｂｙ　Ｈｙｄｒｉｄｅ　Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ，　Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｖｏｌ．４０（２００１），ｐｐ．Ｌ１３−Ｌ１５ 
　甲２１：特開２００１−３２２８９９号公報 
　甲２２：国際公開第０１／６８９５５号 
　甲２３：別件審判事件（無効２０１３−８０００９９）の平成２５年９月２５日付け審理事項通知書 
　甲２４：特開２０００−２２３７７９号公報 
　甲２５：特開２００１−１０２６９０号公報 
　甲２６：特開２００２−８４０４０号公報 
　甲２７：特開２００１−３３２８１７号公報 
　甲２８の１：特開２００１−２５７４１４号公報 
　甲２８の２：特開平１０−２２５２６号公報 
　甲２９：松永正久、他３名編「エレクトロニクス用結晶材料の精密加工技術」、サイエンスフォーラム、昭和６０年１月３０日 
　甲３０：志村史夫著「半導体シリコン結晶工学」、丸善、平成５年９月３０日 
　甲３１：Ｗ薄膜のクラック伝播に関する電子顕微鏡観察、斎藤吉弘他１名、日本金属学会誌第３２巻（１９６８）、１２６６〜１２６９頁 
　甲３２：イオン結晶中のき裂進展と転位の発生、小泉大一他２名、生産研究３３巻２号（１９８１．２）、８４〜８６頁 
　甲３３：「ＡＴＲ用圧力管材のＡｃｏｕｓｔｉｃ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎの測定に関する試験研究（第１報）」、動力炉・核燃料開発事業団東海事業所、１９７４年４月、９頁〜１３頁、６５頁 
　甲３４：平田照二著「わかる半導体レーザの基礎と応用／レーザ・ダイオードの発光原理および諸特性とその展望」、ＣＱ出版社、２００１年１１月２０日 
　甲３５：別件審判事件（無効２０１３−８００１１９）の平成２５年１２月２０日付け審理事項通知書 
　甲３６：Ｊｏｏｎ　Ｓｅｏｐ　Ｋｗａｋ，他６名，Ｃｒｙｓｔａｌ−ｐｏｌａｒｉｔｙ　ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ　ｏｆ　Ｔｉ／Ａｌ　ｃｏｎｔａｃｔｓ　ｔｏ　ｆｒｅｅｓｔａｎｄｉｎｇ　ｎ−ＧａＮ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ，　Ｖｏｌｕｍｅ　７９，Ｎｕｍｂｅｒ　２０，ｐｐ．３２５４−３２５６，１２　ＮＯＶＥＭＢＥＲ　２００１ 
　甲３７：　Ａ．Ｐ．Ｚｈａｎｇ，他７名，Ｖｅｒｔｉｃａｌ　ａｎｄ　ｌａｔｅｒａｌ　ＧａＮ　ｒｅｃｔｉｆｉｅｒｓ　ｏｎ　ｆｒｅｅ−ｓｔａｎｄｉｎｇ　ＧａＮ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ，ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ，　Ｖｏｌｕｍｅ　７９，Ｎｕｍｂｅｒ　１０，ｐｐ．１５５５−１５５７，３　ＳＥＰＴＥＭＢＥＲ　２００１ 
（３）平成２９年２月１３日付け審判事件弁駁書に添付したもの 
　甲３８：知財高裁平成２７年９月２８日付判決（平成２６年（行ケ）第１０１４８号審決取消請求事件） 
　甲３９：知財高裁平成２７年１２月２４日付判決（平成２７年（行ケ）第１０１１６号審決取消請求事件） 
　甲４０：「半導体評価技術」、河東田隆編、１９９４年５月３０日 
　甲４１：「表面光学講座１　表面の構造」、佐々木恒孝ほか編、昭和４６年７月３０日 
　甲４２：審決（無効２０１４−８０００６１号）、特許庁、平成２７年５月２６日 
　甲４３：知財高裁平成２５年１月１４日判決（平成２４年（行ケ）第１０３０２号審決取消請求事件判決） 
　甲４４：特開昭６３−１２２１７９号公報 
　甲４５：技術説明資料（無効２０１１−８００２０３号の乙７）、被請求人、平成２４年４月２５日 
２　審判請求書における主張の概要 
（１）無効理由１（甲２に記載された発明に基づく進歩性欠如） 
　請求人は、審判請求書において、本件特許の請求項１〜１０に係る発明（以下、それぞれ「本件特許発明１」〜「本件特許発明１０」という。）は、甲２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して、特許されたものであるという無効理由１を主張しており、そのうち、本件特許発明１についての主張は概ね次のとおりである。 
　ア　本件特許発明１と甲２に記載された発明との一致点及び相違点（審判請求書３１頁６行〜３２頁１３行） 
　本件特許発明１と甲２に記載された発明とは、 
　「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と、 
　前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と、
　前記第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする第３工程と、 
　その後、前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する第４工程とを備えた、 
　窒化物系半導体素子の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違する。 
　・相違点 
　本件特許発明１では、第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２以下」とされるのに対し、甲２には、ＧａＮ結晶膜６５とｎ型電極７４とのコンタクト抵抗の値が明記されていない点。 
　イ　相違点について（審判請求書３２頁１４行〜３４頁５行） 
　（ア）本件特許明細書には、キャリア濃度が「１×１０１８ｃｍ−３」よりも低いＧａＮ基板で「０．０５Ωｃｍ２」よりも遥かに小さいコンタクト抵抗が得られる旨が記載されているところ（甲１の【００５４】における表１の試料４の欄を参照。）、当該記載に従えば、キャリア濃度が「１×１０１８ｃｍ−３」である甲２発明のＧａＮ結晶膜６５においても（甲２の【０２１２】）、「０．０５Ωｃｍ２以下」のコンタクト抵抗は、当然に達成される。 
　（イ）甲３の１として提出するとおり、甲２に記載された発明のコンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２」であると仮定すると、甲２に記載された発明におけるレーザ素子の発振閾値電圧は２４９Ｖ程度になってしまうが、常識的に考えて、このような電圧でレーザ素子を発振させることはできないから（このような高電圧を印加すれば熱によりレーザ素子が破壊される。）、甲２に記載された発明のＧａＮ結晶膜６５においては、コンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２以下」より遥かに低い値になっていると考えるのが当然である。 
　（ウ）本件特許明細書には、「０．０５Ωｃｍ２以下」のコンタクト抵抗を得るにあたり、転位密度を「１×１０９ｃｍ−２以下」とする以外に特別な設計条件が必要であるとの記載がないから、転位密度を「２×１０８／ｃｍ２以下」とする以外に特別の設計条件を用いていない甲２に記載された発明においても、当然に「０．０５Ωｃｍ２以下」のコンタクト抵抗が得られている。 
　（エ）以上のとおり、相違点に係る構成は、甲２において明記こそされていないものの、甲２に記載された発明においても当然に達成されている構成である。したがって、本件特許発明１は、当業者が甲２に記載された発明から容易に発明することができたものである。 
（２）無効理由２（甲１１に記載された発明に基づく進歩性欠如） 
 　請求人は、審判請求書において、本件特許発明１ないし１０は、甲１１に記載された発明に基づいて当業者が特許出願前に容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して、特許されたものであるという無効理由２を主張しており、そのうち、本件特許発明１についての主張は概ね次のとおりである。 
  
　ア　本件特許発明１と甲１１に記載された発明との一致点及び相違点（審判請求書４２頁４行〜４３頁４行） 
　本件特許発明１と甲２に記載された発明とは、 
　「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と、 
　前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と、
　前記第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去する第３工程と、 
　その後、前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する第４工程とを備えた、 
　窒化物系半導体素子の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
  
　・相違点１ 
　本件特許発明１では、第３工程の除去により第１半導体層の裏面の転位密度が１×１０９ｃｍ−２以下とされるのに対し、甲１１には、第３工程のエッチングにより達成されるＧａＮ基板６００の転位密度が明記されていない点 
　・相違点２ 
　本件特許発明１では、第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２以下」とされるのに対し、甲１１には、ＧａＮ基板６００とｎ型電極６１とのコンタクト抵抗の値が明記されていない点。 
　イ　相違点１について（審判請求書４３頁６行〜４４頁７行） 
　（ア）甲１１に記載された発明は、ＧａＮ基板の研磨によって生じた「表面歪み」をエッチング除去することにより、コンタクト抵抗を低減するものである（甲１１の【０２０２】）。そうすると、甲１１に記載された発明において、コンタクト抵抗を低減するためにＧａＮ基板の研磨面をエッチングすれば、必然的にその転位密度も一定以下となっているはずであるから（半導体レーザ素子に用いるＧａＮ基板の転位密度としては典型的には１×１０６ｃｍ−２〜１×１０７ｃｍ−２程度であり、甲１１に記載された発明において、コンタクト抵抗を低減するために研磨によって生じた表面歪みを完全に除去すれば、その転位密度は１×１０６ｃｍ−２〜１×１０７ｃｍ−２程度になっている）、甲１１に記載された発明においてエッチング除去後のＧａＮ基板の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とすることは設計事項に過ぎない。 
　（イ）本件特許明細書の【００５６】の表１ないし【００６１】の記載によれば、本件特許発明１の転位密度である「１×１０９ｃｍ−２」は、機械研磨した半導体裏面の結晶欠陥を一部（約０．５μｍの厚み分）のみ除去した試料３の場合でも達成されている値である。しかして、ＧａＮ基板の裏面を０．５μｍ以上除去する程度のことは周知技術であるから（甲１０の【００４１】参照）、甲１１に記載された発明においても、当然「１×１０９ｃｍ−２」以下の転位密度が得られている。 
　（ウ）ＧａＮ基板の裏面を０．５μｍ以上除去する程度のことは周知技術であるから（甲１０の【００４１】参照）、甲１１に記載された発明においても、当然「１×１０９ｃｍ−２」以下の転位密度が得られている。 
  
　ウ　相違点２について（審判請求書４４頁８行〜末行） 
　（ア）本件特許発明１の「０．０５Ωｃｍ２以下」は、コンタクト抵抗の値として本件特許発明１の出願時に周知である（甲４の【００５３】、甲１２の【００５４】を参照）。 
　（イ）本件特許明細書の【００５６】の表１によれば、本件特許発明１のコンタクト抵抗である「０．０５Ωｃｍ２」との値は、機械研磨した半導体裏面の結晶欠陥を一部（約０．５μｍの厚み分）のみ除去した場合でも達成されるものであって、良好な特性ということは到底できないものである。これに対し、甲１１には、エッチング処理は「研磨によって生じた表面歪及び酸化膜を除去し、ｎ型電極のコンタクト抵抗」を「低減するために行う」ことを明記している。すなわち、半導体基板の研磨面のコンタクト抵抗の低減のためエッチング処理をすべき旨教示している。この甲１１に記載された発明の教示に接した当業者が、コンタクト抵抗を低減するためのエッチング処理を行うに際し、エッチングにより除去する範囲を「０．５μｍ」未満とし、「０．０５Ωｃｍ２」超の劣ったコンタクト抵抗値の製品を製造することはおよそありえない。当業者であれば、当然、エッチングの厚みを「０．５μｍ」以上とし、コンタクト抵抗を「０．０５Ωｃｍ２」以下とするといえる。 
  
３　口頭審理陳述要領書（請求人）における主張の概要 
（１）無効理由１について 
　ア　本件特許発明１の構成Ｃが一致点であることについて（口頭審理陳述要領書（請求人）４頁８行〜９頁２２行） 
　甲２に記載された発明の「研磨」（甲２の【０２１５】）は、「機械研磨」と「除去」の２工程を含んでおり、前者（機械研磨）は、本件特許発明１の「第２工程」に該当し、後者（除去）は、本件特許発明１の「第３工程」に該当する。よって、本件特許発明１の構成Ｃ「前記第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする第３工程」は、甲２に記載された発明との関係において一致点となる。 
  
　イ　本件特許発明１の構成Ｃが相違点（相違点２）であるとしても、この点は当業者が容易に想到できることについて（口頭審理陳述要領書（請求人）９頁２３行〜１２頁６行） 
　（ア）甲１４には、「転位」のひとつである刃状転位が多いとＧａＮ膜の抵抗率が高くなることが示され、この甲１４に記載された知見を踏まえて、甲２発明において研磨により発生した転位を含むＧａＮ結晶膜またはＧａＮ基板の裏面近傍の領域を除去してＧａＮ基板を研磨前の状態に戻し、これによってＧａＮ結晶膜またはＧａＮ基板の裏面の転位密度をこれらが元々有していた転位密度である１×１０９ｃｍ−２以下とすることは、当業者が容易に想到することができたというべきである。 
　（イ）甲２の【０２１０】以下の「実施例２」に関する記載からは、研磨により厚み加工される形態である甲２第一発明と、ドライエッチングにより厚み加工される形態である甲２第二発明とを把握することができ、エッチングの方が機械研磨より基板にダメージを与えないことは周知であり、また、機械研磨の方がエッチングより速く基板を除去できることも周知であることも踏まえて、基板に大きなダメージを与える甲２第一発明（研磨により厚み加工される形態）における研磨を途中で止めて、残りの研磨工程をダメージを与えない甲２第二発明のドライエッチングに代えることは、当業者であれば当然に行う設計事項に過ぎない。 
　（ウ）甲１１の【０２０２】には、研磨後にエッチング処理を行うことが開示されているが、エッチングの方が機械研磨より基板にダメージを与えないことは周知であり、また、機械研磨の方がエッチングより速く基板を除去できることも周知である。したがって、甲２第一発明に甲１１に記載された知見も踏まえて、研磨されたＧａＮ結晶膜をエッチング処理し、その転位密度を研磨前の状態に戻し１０９ｃｍ−２以下とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 
  
　ウ　本件特許発明１の構成Ｅ「前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下とする」について（口頭審理陳述要領書（請求人）１２頁７行〜１３頁２行） 
 　甲３の１に関して、前述のとおり甲２の「研磨」では転位密度が増大しないので、電極面が研磨されているか否かは、仮定の当否に影響しない。また、甲２８の１の【００１４】や甲２８の２の【００３６】　【００３７】に３００μｍ（０．３ｍｍ）や２５０μｍ（０．２５ｍｍ）のチップ幅が開示されているとおり、０．４ｍｍという値はチップ幅として一般的な値である。したがって、甲３の１における仮定は合理的である。 
  
（２）無効理由２について 
　ア　相違点１について（口頭審理陳述要領書（請求人）１４頁１５行〜１８頁１行） 
　平成２４年（行ケ）１０３０２号の判決は、「本件特許発明にいう『転位』とは，基板の機械研磨によって生じ得る加工変質層（甲２４）（審決注：本件審判の甲２９）のうち，結晶中の深くまで生じ得る原子レベルの線状の結晶欠陥を意味するものと認めるのが相当である。」（２８頁）としているところ、甲３０には、甲２９と同様の「加工変質層」のモデル図が記載され、さらに「歪み層」を含む「加工変質層」は電気的特性に悪影響を及ぼすので完全に除去しなければならないことが記載されており、一方、甲１１には、「表面歪み」が研磨によって生じたものであり、エッチングによって除去されるものであり、しかも、電気的特性に悪影響を与えるものであることが記載されているから、甲１１に記載された発明で除去されている「表面歪み」が甲２９、甲３０における「ひずみ層」又は「歪み層」と同じものであることは明らかである。してみると、上記判決の「転位」の意味に関する認定に従えば、「転位」という文言の有無にかかわらず、甲１１には「転位」及びその除去について開示されているということにならざるをえない。 
  
　イ　相違点２について（口頭審理陳述要領書（請求人）１８頁２行〜１９頁５行） 
　（ア）「０．０５Ωｃｍ２以下」というコンタクト抵抗の値は、甲４、甲１２のほか、甲３６、甲３７にも開示されている。 
　（イ）本件特許発明では基板表面が鏡面になるまでの加工をしていることが前提になっているところ（甲３の３の６頁）、甲１１の研磨も鏡面になるまでの研磨であるから、甲１１の研磨による基板への影響は、本件明細書の実施例と大きな違いはないといえる。したがって、甲１１において０．５μｍ程度のエッチングをすれば本件明細書の実施例と同様の結果になる。 
  
 （３）被請求人の平成２５年８月１６日付けの答弁書への反論（口頭審理陳述要領書（請求人）１９頁２０行〜２２頁２０行） 
　ア　無効理由１ 
　本件特許発明の構成Ｃは一致点であり、たとえ相違点であるとしても、本件特許発明の構成Ｅと同様に当業者が容易に想到し得たものに過ぎない。したがって、被請求人の主張はすべて誤りである。 
  
　イ　無効理由２ 
　甲１１の開示にしたがえば自動的に（少なくとも、容易に）本件特許発明の最良の実施形態に至るのであるから、当業者が本件特許発明が開示する転位密度やコンタクト抵抗の具体的な数値を想定するか否かとは関わりなく、本件特許発明は容易想到である。 
  
（４）本件は職権による無効理由の通知が相当であることについて（口頭審理陳述要領書（請求人）２２頁２１行〜３２頁１７行） 
　審判合議体は、次のア及びイの無効理由を職権で取り上げるべきである。
　ア　請求項１ないし１０に係る発明は、甲２第一発明、甲３６に記載された技術事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
  
　イ　請求項１ないし１０に係る発明は、甲１１発明、甲３６に記載された技術事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
  
４　口頭審理陳述要領書（請求人）による審判請求書の請求の理由の補正の許否 
（１）上記３（１）イについて 
　上記２（１）のとおり、審判請求書では、無効理由１（甲２に記載された発明に基づく進歩性欠如）については、「本件特許発明１では、第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗が『０．０５Ωｃｍ２以下』とされるのに対し、甲２には、ＧａＮ結晶膜６５とｎ型電極７４とのコンタクト抵抗の値が明記されていない点」のみを本件特許発明１と甲２に記載された発明との相違点としていた。 
　ところが、口頭審理陳述要領書（請求人）では、上記３（１）イのとおり、前記相違点に加え、甲２に記載された発明は、本件特許発明１の構成Ｃ（第３工程）を備えない点も相違点（以下「相違点２」という。）であるとし、当該相違点２は、刃状転位が多いとＧａＮ膜の抵抗率が高くなるという甲１４に記載の知見を踏まえれば、当業者が容易に想到できるとしている。 
　してみると、口頭審理陳述要領書の上記３（１）イの主張は、特許を無効にする根拠となる事実を追加し、それに伴い特許を無効にする根拠となる事実を立証するための直接証拠（甲１４）を追加するものであるから、口頭審理陳述要領書（請求人）の上記３（１）イは、請求の理由の要旨を変更する補正に当たる。 
  
（２）上記３（４）について 
　口頭審理陳述要領書（請求人）では、上記３（４）のとおり、甲３６を新たに追加して、本件は職権による無効理由の通知が相当であるとしている。
　してみると、口頭審理陳述要領書の上記３（４）の主張は、特許を無効にする根拠となる事実を追加し、それに伴い特許を無効にする根拠となる事実を立証するための直接証拠（甲３６）を追加するものであるから、口頭審理陳述要領書（請求人）の上記３（４）は、請求の理由の要旨を変更する補正に当たる。 
  
（３）甲１４に基づく主張（口頭審理陳述要領書の第２頁第２２行〜第３頁第６行「この意味において、・・・見出されたものでもない。」、第１４頁第１８〜２０行「また、・・・既に開示されている。」及び第２０頁第８〜１３行「しかしながら、・・・技術的意義は認められない。」）について 
　請求人は、口頭審理陳述要領書（請求人）において、甲１４を新たに追加し、「転位」のひとつである刃状転位が多いとＧａＮ膜の抵抗率が高くなるという特許を無効にする根拠となる事実を立証しようとしているのであるから、甲１４が特許を無効にする根拠となる周知事実を立証するための証拠や補強証拠に当たらないことは明らかである。 
　よって、口頭審理陳述要領書（請求人）の甲１４に基づく主張は、請求の理由の要旨を変更する補正に当たる。 
  
（４）上記（１）〜（３）のとおり、口頭審理陳述要領書の第２頁第２２行〜第３頁第６行「この意味において、・・・見出されたものでもない。」、第１４頁第１８〜２０行「また、・・・既に開示されている。」、第２０頁第８〜１３行「しかしながら、・・・技術的意義は認められない。」（以上、甲第１４号証に基づく主張）、第９頁第２３行〜第１２頁第６行（「（２）本件特許発明１の構成Ｃが相違点（相違点２）であるとしても、この点は当業者が容易に想到できることについて」）、及び、第２２頁第２１行〜第３２頁第１７行（「第４　職権による無効理由の通知が相当であることについて」）の各箇所の記載による請求の理由の補正については、口頭審理において、審判長は、特許法第１３１条の２第１項の規定に基づき、許可しないと決定した。 
  
第５　第１事件についての被請求人の主張の概要（本件併合通知前） 
　被請求人は、「本件審判の請求は成り立たない」、「審判費用は請求人の負担とする」との審決を求め、請求人の主張は、全く理由がないものであり、本件特許は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものではないから、本件特許は無効にされるべきものではないと主張している。 
  
　被請求人が提出した証拠方法は次のとおりである。 
　乙１：別件審判事件（無効２０１１−８００２０２）の審決 
　乙２：知財高判平成２５年１１月１４日言渡判決（平成２４年（行ケ）第１０３０２号） 
　乙３：松永正久、他３名編「エレクトロニクス用結晶材料の精密加工技術」、サイエンスフォーラム、昭和６０年１月３０日（乙２に記載された甲２４） 
  
第６　第２事件についての請求人の主張の概要（本件併合通知前） 
　請求人は、「特許第４１８０１０７号の請求項１乃至１０に係る発明についての特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする。」との審決を求め、本件特許は無効とすべきものであると主張している。 
  
１　請求人が提出した証拠方法 
（１）審判請求書に添付したもの 
　甲１：特許第４１８０１０７号公報（本件特許） 
　甲２：Ｊｏｏｎ　Ｓｅｏｐ　Ｋｗａｋ外６名，Ｃｒｙｓｔａｌ−ｐｏｌａｒｉｔｙ　ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ　ｏｆ　Ｔｉ／Ａｌ　ｃｏｎｔａｃｔｓ　ｔｏ　ｆｒｅｅｓｔａｎｄｉｎｇ　ｎ−ＧａＮ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ，１２　ＮＯＶＥＭＢＥＲ　２００１，Ｖｏｌｕｍｅ　７９，Ｎｕｍｂｅｒ　２０，ｐｐ．３２５４−３２５６ 
　甲３：特開２０００−３４９３３８号公報 
　甲４：特開２００１−１７６８２３号公報 
　甲５：Ｍａｓａｒｕ　Ｋｕｒａｍｏｔｏ外９名，Ｒｏｏｍ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−Ｗａｖｅ　Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＩｎＧａＮ　Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｏｄｅｓ　Ｇｒｏｗｎ　ｏｎ　ａｎ　ｎ−ＧａＮ　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｗｉｔｈ　ａ　Ｂａｃｋｓｉｄｅ　ｎ−Ｃｏｎｔａｃｔ，Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，１５　Ｆｅｂｒｕａｒｙ　１９９９，Ｖｏｌ．３８，Ｐａｒｔ　２，Ｎｏ．２Ｂ，ｐｐ．Ｌ１８４−Ｌ１８６ 
　甲６：Ａ．Ｐ．Ｚｈａｎｇ外７名，Ｖｅｒｔｉｃａｌ　ａｎｄ　ｌａｔｅｒａｌ　ＧａＮ　ｒｅｃｔｉｆｉｅｒｓ　ｏｎ　ｆｒｅｅ−ｓｔａｎｄｉｎｇ　ＧａＮ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ，ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ，３　ＳＥＰＴＥＭＢＥＲ　２００１，Ｖｏｌｕｍｅ　７９，Ｎｕｍｂｅｒ　１０，ｐｐ．１５５５−１５５７ 
　甲７：松永正久、「加工変質層と表面物性」、日本機械学会誌、昭和４７年１月、第７５巻、第６３６号、１５頁〜２３頁 
　甲８：佐々木恒孝外３名編集、「表面工学講座１　表面の構造」、朝倉書店、昭和４６年７月３０日、６８頁〜１１７頁 
　甲９：特開２００１−１４８３５７号公報 
　甲１０：Ｍ．Ｅ．Ｔｗｉｇｇ外４名，Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ　ｂｅｔｗｅｅｎ　ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ　ｌａｙｅｒ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，　ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ　ｄｅｎｓｉｔｙ，　ａｎｄ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ　ｆｏｒ　ＧａＮ　ｆｉｌｍｓ　ｇｒｏｗｎ　ｏｎ　ａ−ｐｌａｎｅ　ｓａｐｐｈｉｒｅ　ｂｙ　ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ　ｖａｐｏｒ　ｐｈａｓｅ　ｅｐｉｔａｘｙ，ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ，２４　ＤＥＣＥＭＢＥＲ　２００１，Ｖｏｌ．７９，Ｎｏ．２６，ｐｐ４３２２−４３２４ 
　甲１１：特開平１０−１６３４６０号公報 
　甲１２：半導体用語大辞典編集委員会編集、「半導体用語大辞典」、日刊工業新聞社、１９９９年３月２０日、７３０頁〜７３３頁 
　甲１３：高橋清外１名監修、「半導体・金属材料用語辞典」、株式会社工業調査会、１９９９年９月２０日、１９０頁〜１９１頁、６８２頁〜６８３頁、７６２頁〜７６３頁 
　甲１４：特開昭６０−１１７７４２号公報 
　甲１５：特開平６−２４４１１２号公報 
　甲１６：国際公開第９８／４５５１１号 
　甲１７：関連特許（特許第３９３３５９２号）無効審判事件（無効２０１１−８００２０２号）の審決取消訴訟（知的財産高等裁判所平成２４年（行ケ）第１０３０２号）の判決 
　甲１８：松永正久外３名編、「エレクトロニクス用結晶材料の精密加工技術」、株式会社サイエンスフォーラム、昭和６０年１月３０日、５７７頁〜５８４頁 
　甲１９：「ＡＴＲ用圧力管材のＡｃｏｕｓｔｉｃ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎの測定に関する試験研究（第１報）」、動力炉・核燃料開発事業団東海事業所、１９７４年４月、９頁〜１３頁、６５頁 
　甲２０：斎藤吉弘外１名、「Ｗ薄膜のクラック伝播に関する電子顕微鏡観察」、日本金属学会誌、１９６８年、第３２巻、１２６６頁〜１２６９頁 
　甲２１：小泉大一外２名、「イオン結晶中のき裂進展と転位の発生」、生産研究、１９８１年２月、３３巻２号、８４〜８６頁 
　甲２２：特開平１０−２０６６１２号公報 
　甲２３：藤原考佑外１名、「Ｘ線反射率法による単結晶シリコン研磨面の加工変質層深さの評価」、秋田高専研究紀要、平成２１年２月、第４４号、９頁〜１６頁 
　甲２４：志村史夫著、「半導体シリコン結晶工学」、丸善株式会社、平成５年９月３０日、１１１頁〜１１４頁 
　甲２５：有田潔外５名、「プラズマによるウエハ加工変質層の除去技術」、８ｔｈ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　Ｍｉｃｒｏｊｏｉｎｉｎｇ　ａｎｄ　Ａｓｓｅｍｂｌｙ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｉｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、Ｊａｎｕａｒｙ　３１−Ｆｅｂｒｕａｒｙ　１，２００２、８７頁〜９２頁 
　甲２６：特開２０００−２５２２１７号公報 
　甲２７：Ｋｙｏｙｅｏｌ　Ｌｅｅ外１名，Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｆｒｅｅｓｔａｎｄｉｎｇ　ＧａＮ　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　Ｇｒｏｗｎ　ｂｙ　Ｈｙｄｒｉｄｅ　Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ，　Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，１５　Ｊａｎｕａｒｙ　２００１，Ｖｏｌ．４０，Ｐａｒｔ　２，Ｎｏ．１Ａ／Ｂ，ｐｐ．Ｌ１３−Ｌ１５ 
　甲２８：国際科学振興財団編、「科学大辞典」、丸善株式会社、昭和６０年３月５日、４２８頁、９４７頁 
　甲２９：特願２００３−７４９６６号（原々出願）の平成１８年１０月１９日付け拒絶理由通知書 
　甲３０：特開２００２−８４０４０号公報 
　甲３１：特開平１１−３４０５１０号公報 
　甲３２：別件無効審判事件（その１）の審決取消訴訟（知的財産高等裁判所平成２４年（行ケ）第１０３０３号）の判決 
　甲３３：関連特許（特許第３９３３５９２号）無効審判事件（無効２０１１−８００２０２号）の平成２４年７月２０日付け審決 
　甲３４：特開平１１−４０４８号公報 
　甲３５：関連特許（特許第３９３３５９２号）の無効審判事件（無効２０１３−８０００９９号）において、平成２５年１２月２７日に被請求人が提出した意見書 
　甲３６：Ｚ．−Ｑ．Ｆａｎｇ外８名，Ｄｅｅｐ　ｃｅｎｔｅｒｓ　ｉｎ　ａ　ｆｒｅｅ−ｓｔａｎｄｉｎｇ　ＧａＮ　ｌａｙｅｒ，ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ，９　ＡＰＲＩＬ　２００１，Ｖｏｌ．７８，Ｎｏ．１５，ｐｐ２１７８−２１８０ 
　甲３７：Ｋｅｎｓａｋｕ　Ｍｏｔｏｋｉ外１５名，Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｌａｒｇｅ　Ｆｒｅｅｓｔａｎｄｉｎｇ　ＧａＮ　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ｂｙ　Ｈｙｄｒｉｄｅ　Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ　Ｕｓｉｎｇ　ＧａＡｓ　ａｓ　ａ　Ｓｔａｒｔｉｎｇ　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ，Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，１５　Ｆｅｂｒｕａｔｙ　２００１，Ｖｏｌ．４０，Ｐａｒｔ　２，Ｎｏ．２Ｂ，ｐｐ．Ｌ１４０−Ｌ１４３ 
　甲３８：特開２００１−１９２３００号公報 
　甲３９：特開２０００−２２３７９０号公報 
　甲４０：特開２００１−３１３４２２号公報 
　甲４１：関連特許（特許第３９３３５９２号）無効審判事件（無効２０１３−８０００９９号）の平成２５年９月２５日付け審理事項通知書 
　甲４２：Ｐ．Ｐｒｙｓｔａｗｋｏ外９名，Ｄｏｐｉｎｇ　ｏｆ　Ｈｏｍｏｅｐｉｔａｘｉａｌ　ＧａＮ　Ｌａｙｅｒｓ，Ｐｈｙｓ．ｓｔａｔ．ｓｏｌ．（ｂ）２１０，１９９８，ｐｐ．４３７−４４３ 
　甲４３の１：請求人従業者丸谷幸利作成の平成２６年４月１８日付け「報告書（１）」 
　甲４３の２：請求人従業者丸谷幸利作成の平成２６年４月１８日付け「報告書（２）」 
　甲４４：関連特許（特許第３９３３５９２号）無効審判事件（無効２０１３−８００１１９号）の平成２５年１２月２０日付け審理事項通知書 
　甲４５：一般財団法人材料科学技術振興財団分析評価部作成の２０１２年１２月１９日付け「分析結果報告書」 
　甲４６：接触抵抗とは−コトバンク、２０１４年４月１４日検索、＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ:／／ｋｏｔｏｂａｎｋ.ｊｐ／ｗｏｒｄ／％Ｅ６％８Ｅ％Ａ５％Ｅ８％Ａ７％Ａ６％Ｅ６％８Ａ％Ｂ５％Ｅ６％８Ａ％９７＞ 
　甲４７：河東田隆編著、「半導体評価技術」、産業図書株式会社、１９９４年５月３０日初版第４刷発行、８頁〜９頁、１８頁〜２１頁、７２頁〜７３頁、９８頁〜１０５頁、１４２頁〜１４７頁 
　甲４８：先端電子材料事典編集委員会編、「先端電子材料事典」、株式会社シーエムシー、１９９１年３月１５日、１９４頁〜１９５頁、６５４頁〜６５５頁 
　甲４９：青木昌治外１名著、「電気学会大学講座　電子材料工学」、社団法人電気学会、１９８３年１１月２５日２版発行、２８８頁〜２９１頁 
　甲５０：上田大助外５名著、「情報通信の新時代を拓く　高周波・光半導体デバイス」、社団法人電子情報通信学会、平成１３年３月１５日初版第２刷発行、２２頁〜２５頁 
　甲５１：Ｈａｄｉｓ　Ｍｏｒｋｏc，Ｎｉｔｒｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ　ａｎｄ　Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ，１９９９，ｐ．１９６−１９７ 
  
（２）口頭審理陳述要領書（請求人）に添付したもの 
　甲５２：無効２０１３−８００１２０号（別件無効審判事件（その３））の平成２６年５月２０日付け審決 
　甲５３：無効２０１３−８０００９９号の平成２５年１１月２９日発送日にかかる第１回口頭審理調書 
　甲５４：無効２０１３−８００１１９号の平成２５年１２月２５日発送日にかかる審理事項通知書 
　甲５５：平成２６年（行ケ）第１０１４８号審決取消請求事件の平成２６年１０月２３日付け被告（三洋電機株式会社）第１準備書面 
　甲５６：河東田隆編著、「集積回路プロセス技術シリーズ　半導体評価技術」、産業図書株式会社、１９９４年５月３０日初版第４刷発行、３８頁〜４３頁 
　甲５７：阿部孝夫著、「アドバンスト エレクトロニクス シリーズＩ−５　シリコン　結晶成長とウェーハ加工」、株式会社培風館、１９９４年５月２０日、６２頁〜９３頁 
　甲５８：日本表面科学会編、「透過型電子顕微鏡」、丸善株式会社、平成１１年３月３０日、４２頁〜５７頁 
　甲５９：特開２００１−１４８５３３号公報 
  
２　審判請求書における主張の概要 
　審判請求書の３４頁〜４９頁の「第２　はじめに〜本件特許発明の意義について」の記載について、当審合議体は、口頭審理において請求人の意図を確認したところ、請求人は、「第２　はじめに〜本件特許発明の意義について」を一つの独立した無効理由として本件発明が周知・慣用技術と同様である旨を主張するものとして、その当否について当審合議体が無効理由１ないし５とは別に判断することを求めると述べた（口頭審理陳述要領書（請求人）４頁９行〜１３行参照。）。 
　当該請求人の主張に対して、被請求人は審判事件答弁書において「第２　はじめに〜本件特許発明の意義について」の記載内容に対して実質的な反論を行っている（審判事件答弁書４頁２５行〜８頁１１行）ので、当審合議体は、上記箇所の記載が独立した一つの無効理由（以下「無効理由０」という。）を主張するものとして扱い、その当否について判断することとした。 
  
　なお、請求人は、審判請求書（３１頁下から２行〜３２頁１３行参照。）において、本件特許の請求項１に係る発明を次のように分説して符号ＡないしＦを付与しており、審判請求書を通じて、分説された発明の各構成要件を前記符号ＡないしＦを用いて構成要件Ａないし構成要件Ｆと称している。 
「【請求項１】 
　Ａ　ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と、 
　Ｂ　前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と、 
　Ｃ　前記第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする第３工程と、 
　Ｄ　その後、前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する第４工程とを備え、 
　Ｅ　前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下とする、 
　Ｆ　窒化物系半導体素子の製造方法。」 
  
（１）無効理由０（課題の公知性（甲９、甲１０、甲１１ないし１３）及び周知技術（甲２４、甲２５、甲７、甲８、甲２６、甲２７、甲１６）に基づく進歩性欠如） 
　請求人は、審判請求書（３４頁〜４９頁の「第２　はじめに〜本件特許発明の意義について」）において、本件特許の請求項１ないし１０に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」ないし「本件発明１０」といい、本件発明１ないし本件発明１０を総称して「本件発明」という。）が解決しようとする課題は公知であり（甲９、甲１０、甲１１ないし１３）、本件発明が周知技術そのものである（甲２４、甲２５、甲７、甲８、甲２６、甲２７、甲１６）から、本件発明は特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるという無効理由を主張しており、そのうち、本件発明１についての主張は概ね次のとおりである。 
  
　ア　本件発明の課題はＧａＮ系、非ＧａＮ系を含め公知であったこと（審判請求書３４頁１７行〜３７頁末行） 
　刃状転位等の欠陥は、キャリアをトラップして調整した膜の電気的特性を損ねることが知られている（甲９）。転位の一つである刃状転位が多いとＧａＮ膜の抵抗率が高くなる（甲１０）。研磨に起因するダメージ部分においては、転位密度が高くなるので、光励起されたキャリヤはダメージ部分でトラップされる（甲１１）。刃状転位にはダングリングボンドが存在する（甲１２）ところ、ダングリングボンドは・・・キャリアのトラップなどの作用をする（甲１３）。以上のことからみて、「転位密度の増大に起因してコンタクト抵抗が増大する」という課題は、本件発明によって初めて見出されたものではなく、従前から当業者が当然のこととして認識していた事項に過ぎない。 
　「半導体基板は転位が少ないことが望ましいこと」は、当業者における技術常識であり、基板裏面をエッチング処理することで「転位」を除去できることも技術常識であるから（甲７、甲８等）、これらの技術常識に基づき「転位」を除去しようとすることは当然であり、そうであるとすれば、機械研磨によって発生した転位を除去する動機付けの有無を検討するにあたり、「コンタクト抵抗」への影響の有無を知っていたかどうかを問題にするまでもなく、「研磨により発生した転位を含む・・・裏面近傍の領域を除去」する動機付けは十分にある。 
  
　イ　本件発明の課題解決手段（構成）は周知技術であったこと（審判請求書３８頁１行〜４９頁末行） 
　関連特許（特許第３９３３５９２号）無効審判事件（無効２０１１−８００２０２号）の審決取消訴訟（知的財産高等裁判所平成２４年（行ケ）第１０３０２号）の判決（甲１７）が認定した「転位」の意味や、甲１８ないし甲２２、甲７、甲８、甲２３の記載を踏まえると、「転位」とは加工変質層に含まれるものである。しかるに、Ｓｉ、Ｇｅなどの半導体結晶を表面機械加工する際に生じる加工変質層（本件発明の「転位を含む・・・領域」に相当（甲１７、甲２２、甲７、甲８、甲２３）。）は当該半導体結晶の電気的特性に悪影響を与えるものであり、エッチングによって完全に除去すべき（つまり、加工変質層を除去して元の基板の状態に戻すべき）ものである（甲２４、甲２５、甲７、甲８）。ＧａＮ系においても、加工変質層を除去することは周知技術である（甲２６、甲２７、甲１６）。 
　半導体の薄型加工工程において、「加工変質層」すなわち本件発明でいう「転位を含む・・・領域」を完全に除去して元の基板の状態（研磨前の基板の状態）に戻すことは、本件出願前から、製造現場で日常的に行われていた周知技術そのものであり、本件発明は加工変質層に関する周知技術そのものの工程を記載したうえで、これに「転位」という表現を使い、かつ、「転位密度」と「コンタクト抵抗」の数値によってｎ側電極を付ける面の状態が元の基板の状態よりも悪い状態を規定しただけの発明である。 
  
（２）無効理由１（甲２に記載された発明に基づく進歩性欠如） 
　請求人は、審判請求書において、本件発明１ないし本件発明１０は、甲２に記載された発明（下記甲２第一発明）に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるという無効理由１を主張しており、そのうち、本件発明１についての主張は概ね次のとおりである。 
  
　ア　甲２に記載された発明（審判請求書５２頁１３行〜２３行） 
　甲２には次の発明が記載されている。 
「平滑なエピレディ表面を得るためｎ型ＧａＮ基板におけるＧａ面とＮ面の両方を機械研磨とドライエッチ処理してＧａ面およびＮ面ともに代表的な転位密度を１０7ｃｍ-2よりも低くする工程と、 
　その後、ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面とＮ面にＴｉ／Ａｌ電極を形成する工程と、を備え、 
　Ｇａ面上に形成されたＴｉ／Ａｌ電極の接触抵抗値を２×１０-5Ωｃｍ2とする、 
　ｎ型ＧａＮからなるショットキーダイオードの製造方法。」（以下「甲２第一発明」という。） 
  
　イ　甲２第一発明が構成要件Ａを備えない点（相違点１）及び相違点１について（審判請求書５３頁２行〜５４頁３行） 
　甲２の「ｎ型ＧａＮ基板」は「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層」に該当するが、甲２第一発明はｎ型ＧａＮ基板「の上面上に、活性層を含む窒化物系半導体層からなる第２半導体層を形成する」工程を行うものではないから、この点が相違点１となる。 
　「自立ＧａＮは、転位密度が低く、熱伝導率が高く、劈開が容易であることから、光電子デバイスの基板として注目されて」おり、当業者が甲２のｎ型ＧａＮ基板を「光電子デバイス」すなわちＬＤやＬＥＤの基板として用いる動機がある。 
　また、甲２は、「活性層を含む素子構造は、通常ＧａＮ基板のＧａ極性側に成長させるため、裏面オーミック電極はＧａＮのＮ極性側に形成する必要がある。しかし、Ｇａ極性およびＮ極性のＧａＮ基板上のオーミック電極間の電気特性の比較はほとんど行われてこなかった」という事情の下でなされた研究であり、ＧａＮ基板に活性層を含む素子構造が形成され得ることを当然の前提としている。 
  
　ウ　構成要件Ｂ（一致点だが、仮に相違点とすれば、相違点２）及び相違点２について（審判請求書５４頁４行〜２２行） 
　本件発明の「厚み加工」を「劈開のための厚み加工」に限定解釈すれば、本件発明の構成要件Ｂにおいて相違点２が生じる余地もある。 
　ｎ型ＧａＮ基板に活性層を含む素子構造を形成して光電子デバイスを製造することは当業者が容易に想到し得た構成であるところ、この場合においては、素子分離及び共振器端面を形成するために当然に劈開が行われるから、劈開に適した厚みとするための厚み加工を行う動機がある。 
  
　エ　甲２第一発明が構成要件Ｃを備えない点（相違点３）及び相違点３について（審判請求書５４頁２３行〜５７頁１０行） 
　甲２第一発明の「ドライエッチ処理」はｎ型ＧａＮ基板に活性層を含む素子構造を形成した後（第１工程の後）に行われるものではない。したがって、本件発明の構成要件Ｃのうち「前記第１工程・・・の後」の点は相違点（相違点３）である。 
　ｎ型ＧａＮ基板に活性層を含む素子構造を形成して光電子デバイスを製造することは当業者が容易に想到し得た構成であり、その際、先に当該素子構造を形成する工程（第１工程）を行い、その後に「厚み加工」の工程（第２工程）と「除去」の工程（第３工程）を行うことは当然である。 
  
　オ　構成要件Ｄ及び構成要件Ｅについて（審判請求書５７頁１１行〜１７行） 
　構成要件Ｄ及び構成要件Ｅは一致点である。 
  
　カ　構成要件Ｆ（一致点だが、仮に相違点とすれば、相違点４）及び相違点４について（審判請求書５７頁１８行〜５８頁４行） 
　仮に、本件発明の構成要件Ｆが相違点４だとしても、ｎ型ＧａＮ基板に活性層を含む素子構造を形成して光電子デバイスを製造することは当業者が容易に想到し得た構成であるところ、ｎ型ＧａＮ基板に活性層を含む素子構造を形成すれば窒化物系半導体素子が必然的に形成されることになる。 
  
（３）無効理由２（甲２に記載された発明に基づく進歩性欠如） 
　請求人は、審判請求書において、本件発明１ないし本件発明１０は、甲２に記載された発明（下記甲２第二発明）に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるという無効理由２を主張しており、そのうち、本件発明１についての主張は概ね次のとおりである。 
  
　ア　甲２に記載された発明（審判請求書６５頁５行〜１４行） 
　甲２には次の発明が記載されている。 
「平滑なエピレディ表面を得るためｎ型ＧａＮ基板におけるＧａ面とＮ面の両方を機械研磨とドライエッチ処理してＧａ面およびＮ面ともに代表的な転位密度を１０7ｃｍ-2よりも低くする工程と、 
　その後、ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面とＮ面にＴｉ／Ａｌ電極を形成する工程と、を備え、 
　ＧａＮ／ＡｌＮヘテロ構造における逆向きのピエゾ電界により、ｎ型ＧａＮ基板のＮ面上の電極は、非線形の電流−電圧曲線を示し１ｅＶを超える高いショットキー障壁が測定された、 
　ｎ型ＧａＮからなるショットキーダイオードの製造方法。」（以下「甲２第二発明」という。） 
  
　イ　構成要件Ａ（相違点１）、構成要件Ｂ（一致点だが、仮に相違点とすれば、相違点２）、構成要件Ｃ（相違点３）、構成要件Ｄ、及び構成要件Ｆ（一致点だが、仮に相違点とすれば、相違点４）並びに相違点１ないし相違点４について（審判請求書６５頁１７行〜２０行） 
　無効理由１と同様であるが、加えて、ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面に活性層を含む素子構造を形成することは本件特許の優先日当時において周知技術（甲３、甲９、甲３０、甲３１、甲３４）であった。 
  
　ウ　構成要件Ｅについて（審判請求書５９頁１１行〜６０頁５行、６５頁２１行〜６６頁１２行） 
　（ア）無効理由１の本件発明２について述べたところと同様である。 
　すなわち、甲２は、・・・ＧａＮ基板をＬＤやＬＥＤに使用することを意図してなされた研究であり、・・・たまたま実験に用いたＴｉ／Ａｌ電極については、ｎ側電極がＧａＮ基板のＮ面にショットキー接触するという技術常識とは異なる結果が得られたというものである。実際、甲２では、ショットキー接触になる原因が解明されているが、このように原因を解明するということは、たとえｎ側電極としてＴｉ／Ａｌ電極を用いた場合であっても、その原因に対処することによりＧａＮ基板のＮ面とｎ側電極をオーミック接触させることができることを意図しているというべきであり、その原因の開示を受けた当業者であれば、当然に、逆向きのピエゾ電界を発生させないよう電極形成の条件を変更したり、あるいはＴｉ／Ａｌはなく他の電極材料を使ったりすることなどにより、ｎ側電極をＧａＮ基板のＮ面に容易にオーミック接触させることができる。 
　（イ）そもそもショットキー接触であるからといってコンタクト抵抗が０．０５Ωｃｍ2より高いとは限らない。本件明細書には転位密度を低減すること以外にコンタクト抵抗を低減する条件が記載されていないのであるから、この点で本件明細書と甲２との開示内容に差はなく、甲２第二発明において本件発明１と同じコンタクト抵抗を実現することは明細書に記載するまでもない設計事項の適用に過ぎない。 
  
（４）無効理由３（甲３に記載された発明に基づく進歩性欠如） 
　請求人は、審判請求書において、本件発明１ないし本件発明１０は、甲３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるという無効理由３を主張しており、そのうち、本件発明１についての主張は概ね次のとおりである。 
  
　ア　本件発明１と甲３に記載された発明（甲３発明）との一致点及び相違点（審判請求書７６頁４行〜７７頁２１行） 
　本件発明１と甲３発明とは、 
「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれからからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と、 
　前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と、
　その後、ｎ側電極を形成する第４工程とを備えた、 
　窒化物系半導体素子の製造方法。」である点で一致し、次の相違点１ないし相違点３の点で相違する。 
相違点１（構成要件Ｃ）： 
　本件発明１は、「前記第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０9ｃｍ-2以下とする第３工程」を備えるのに対し、甲３には当該「第３工程」が明記されていない点。 
相違点２（構成要件Ｄ）： 
　本件発明１では、第３工程の後に、「前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に」ｎ側電極を形成する第４工程を備えるのに対し、甲３発明は、ｎ側電極を形成する工程を備えるが、「前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍が除去された第１半導体層の裏面上に」との構成がない点。 
相違点３（構成要件Ｅ）： 
　本件発明１では、第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ2以下」とされるのに対し、甲３には、ＧａＮ結晶膜６５とｎ型電極７４とのコンタクト抵抗の値が記載されていない点。 
  
　イ　相違点１（構成要件Ｃ）について（審判請求書７７頁２３行〜８１頁２４行） 
　（ア）相違点１は、甲３発明に周知技術または甲３７を適用することにより容易想到である。 
　甲３発明では、サファイア基板、下地結晶層、選択成長用マスクを常法により研磨除去するが、常法はこの当時の技術常識あるいは周知技術によるものと解される。 
　甲３７には、機械的なラッピングと研磨がＧａＮ基板の両面で実施され、ＴＥＭ観察で測定された自立ＧａＮ基板の転位密度は２×１０5ｃｍ-2であり、また、ウエットエッチング後のＳＥＭで観察されたエッチピット密度（ＥＰＤ）が５×１０5ｃｍ-2であることが記載されている。 
　また、当時のＧａＮ結晶の研磨技術として、ＣＭＰが挙げられるが、ＣＭＰでは、条件によって、転位が発生する場合と発生しない場合があり、転位が発生しない条件も本件出願日当時、すでに知られていた（甲１６、甲４２）。 
　（イ）相違点１は、甲３発明に甲２（甲２第一発明または甲２第二発明）を適用することにより容易想到である。 
　甲２には、Ｎ面にｎ電極を設けることが記載されているところ、甲３においてもＮ面にｎ電極を設けることが記載されているから、電極形成面に関する甲２の技術事項を甲３に適用する動機があり、また、甲２には、「平滑」な面を得るためにＧａＮの機械研磨面をドライエッチ処理し、これにより「Ｇａ面およびＮ面ともに、代表的な転位密度は１０7ｃｍ-2よりも低かった。」と記載されているところ、甲３の請求項５７に「結晶面を・・・平坦化する」と記載されているとおり、ｎ型電極の形成面を平滑にすることは甲３発明においても望ましいこととされているから、甲３発明に甲２に記載された技術事項を適用することには強い動機付けがあり、さらに、本件出願前から転位の増大によりコンタクト抵抗が増大するという問題が認識されていたから、甲３発明においても、当該問題を回避するために、研磨で増加した転位密度を低減させる技術事項を適用する動機付けが認められる。その結果、甲３発明に対して、甲２に記載された技術事項を適用して、研磨されたＧａＮ結晶膜をドライエッチ処理し、その転位密度を研磨前の状態に戻し１×１０9ｃｍ-2以下とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 
　（ウ）相違点１は、甲３発明に加工変質層に関する周知技術を適用することにより容易想到である。 
　（エ）相違点１は、甲３発明に技術常識（機械研磨とエッチングの組み合わせ）を適用することにより容易想到である。 
　甲３発明に対して、転位の増大によりコンタクト抵抗が増大するという課題を解決するために、機械研磨とドライエッチング又はウエットエッチングを組み合わせるという技術常識を適用し、転位を除去することは容易想到である。 
  
　ウ　相違点２（構成要件Ｄ）について（審判請求書８１頁２５行〜８２頁４行） 
　相違点２は「前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に」という点であり、相違点１と同内容であるところ、相違点１は容易想到であるから、相違点２も同様に容易想到である。
  
　エ　相違点３（構成要件Ｅ）について（審判請求書８２頁５行〜８３頁１２行） 
　（ア）相違点３は、甲３発明に加工変質層に関する周知技術を適用することにより容易想到である。 
　相違点１は容易想到であり、また、甲３には、基板のキャリア濃度として、【０２１２】「ＧａＮ結晶膜６５は、１×１０18ｃｍ-3以上のキャリア濃度であった。」との記載があり、本件明細書【表１】（試料３）のとおりキャリア濃度が「１×１０17ｃｍ-3」程度であれば、コンタクト抵抗は０．０５Ωｃｍ2となるから、キャリア濃度が「１×１０18ｃｍ-3以上」であれば、そのコンタクト抵抗は０．０５Ωｃｍ2以下であることは明らかであり、現に、例えば甲９には、コンタクト抵抗が「１×１０-5Ω・ｃｍ2以下」という低いコンタクト抵抗値が開示されているとおり、本件出願当時において、０．０５Ωｃｍ2以下というコンタクト抵抗値は既に得られていた（甲６、甲４３（甲３１、甲５））から、高いキャリア濃度が開示されている甲３において、０．０５Ωｃｍ2以下というコンタクト抵抗を得ることは容易である。 
　（イ）相違点３は、甲３発明に甲２第一発明を適用することにより容易想到である。 
　甲２第一発明には、Ｇａ面にｎ電極を設けて、コンタクト抵抗を「０．０５Ωｃｍ2以下」とする構成が開示されているところ、半導体素子の作製においてコンタクト抵抗は低い方が望ましいことは技術常識であり（甲４、甲２４）、甲３にはＧａ面にｎ電極を設ける構成が開示されているから（【０２０１】）、甲３発明に対して、当該技術常識を踏まえて、甲２の技術事項を適用する動機付けがあり、甲３発明に甲２に記載された技術事項を適用して、第１半導体層とｎ電極とのコンタクト抵抗を「０．０５Ωｃｍ2以下」とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 
  
（５）無効理由４（甲３に記載された発明に基づく新規性・進歩性欠如） 
　請求人は、審判請求書において、本件発明１ないし本件発明１０は、甲３に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、甲３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるという無効理由４を主張しており、そのうち、本件発明１についての主張は概ね次のとおりである。 
  
　ア　相違点１（構成要件Ｃ）について（審判請求書８８頁１３行〜２０行） 
　本件発明１に関して、甲３では「常法」による「研磨」がなされているが、当時の研磨の常法とは、甲３７に示されるような方法であり、甲３７の研磨後の転位密度は５×１０5ｃｍ-2であるところ、甲３においても「常法」として甲３７記載の方法と同様の研磨が実施されていると考えられ、この結果、転位密度は５×１０5ｃｍ-2程度になっていると考えられるから、相違点１は実質的には相違点ではない。 
  
　イ　相違点２（構成要件Ｄ）について（審判請求書８８頁２１行〜８９頁１行） 
　相違点１と同内容であるから、相違点１が実質的な相違点ではない以上、相違点２も実質的な相違点とはいえない。 
  
　ウ　相違点３（構成要件Ｅ）について（審判請求書８９頁２行〜１１行）
　甲３では、転位密度は５×１０5ｃｍ-2という、本件発明１の「１×１０9ｃｍ-2」より低い数値であるところ、甲１０のとおり、転位密度が低下すると抵抗率が低下し、抵抗率が低下するとコンタクト抵抗は低下するという関係にあるから、甲３のコンタクト抵抗は、本件発明１のコンタクト抵抗より低くなっており、また、コンタクト抵抗に関しては、甲３の発明者による論文甲５に関して、実際にそのコンタクト抵抗の上限値を計算すると「０．０２１Ωｃｍ2」であって（甲４３の２）、甲３のコンタクト抵抗の上限値も「０．０２１Ωｃｍ2」程度であると考えられるから、相違点３は実質的な相違点ではない。 
  
（６）無効理由５（甲４に記載された発明に基づく進歩性欠如） 
　請求人は、審判請求書において、本件発明１ないし本件発明１０は、甲４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるという無効理由５を主張しており、そのうち、本件発明１についての主張は概ね次のとおりである。 
  
　ア　本件発明１と甲４に記載された発明（甲４発明）との一致点及び相違点（審判請求書９４頁６行〜９５頁８行） 
　本件発明１と甲４発明とは、 
「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれからからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と、 
　前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と、
　前記第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去する第３工程と、 
　その後、前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する第４工程とを備えた、 
　窒化物系半導体素子の製造方法。」である点で一致し、次の相違点１及び相違点２の点で相違する。 
相違点１（構成要件Ｃ）： 
　本件発明１では、第３工程の除去により第１半導体層の裏面の転位密度が１×１０9ｃｍ-2以下とされるのに対し、甲４には、第３工程のエッチングにより達成されるＧａＮ基板６００の転位密度が明記されていない点。 
相違点２（構成要件Ｅ）： 
　本件発明１では、第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ2以下」とされるのに対し、甲４には、ＧａＮ基板６００とｎ型電極６１とのコンタクト抵抗の値が明記されていない点。 
 
　イ　相違点１（構成要件Ｃ）について（審判請求書９５頁１０行〜９８頁１行） 
　（ア）相違点１は、甲４発明および甲２（甲２第一発明または甲２第二発明）の記載から容易想到である。 
　甲２第一発明、甲２第二発明には、転位密度を「１×１０9ｃｍ-2以下」とする構成が開示されている。しかるに、甲４発明と甲２発明とは同じＧａＮ系の半導体素子に関する発明であり、ＧａＮ基板を研磨した後に電極を設ける点でも一致している。また、本件出願前から、転位の増大によりコンタクト抵抗が増大するという問題が認識されていたから、甲４発明においても、当該問題を回避するために、研磨で増加した転位密度を低減させようとして、甲２に開示された転位密度を１０7ｃｍ-2よりも低減させる技術事項を適用する動機付けが認められる。よって、甲４発明に対して、甲２に記載された技術事項を適用して、研磨されたＧａＮ結晶膜をドライエッチ処理し、その転位密度を研磨前の状態に戻し１０9ｃｍ-2以下とすること（転位密度を１０7ｃｍ-2より低くすること）は、当業者が容易に想到し得たことである。 
　（イ）相違点１は、甲４発明に加工変質層に関する周知技術を適用することにより容易想到である。 
　審決取消訴訟判決（甲１７）が認定した「転位」の意味に基づけば、半導体の薄型加工工程において、「加工変質層」すなわち本件発明でいう「転位を含む・・・領域」を完全に除去して元の基板の状態（研磨前の基板の状態）に戻すことは、本件出願前から、製造現場で日常的行われていた周知慣用の技術である（甲７、甲８、甲１６、甲２４、甲２５、甲２６、甲２７）。そして、本件出願当時において、ＧａＮ基板の元の転位密度は「１×１０6ｃｍ-2」以下程度であった（甲３７〜甲３９）。よって、相違点１は、甲４発明に上記周知技術を適用することにより、当業者が容易に想到し得たことである。 
　（ウ）相違点１は、甲４発明に技術常識（機械研磨とエッチングの組み合わせ）を適用することにより容易想到である。 
　機械研磨によって転位が発生すること、転位の増大によりコンタクト抵抗が増大するという課題、厚み加工において機械研磨とドライエッチングやウェットエッチングを組み合わせること（甲２、甲８、甲２７、甲４２）、ドライエッチングおよびウェットエッチングによっては転位が発生しないことなどは、いずれも技術常識である。そして、本件出願当時において、ＧａＮ基板の元の転位密度は「１×１０6ｃｍ-2」以下程度であった（甲３７〜甲３９）。よって、甲４に対して、上記課題（転位密度増大によるコンタクト抵抗の低減）を解決するために、当該技術常識を適用して、機械研磨によって生じた「転位」をエッチングで完全に除去しその転位密度を元の基板の転位密度である「１×１０6ｃｍ-2」以下程度（１×１０9ｃｍ-2以下）とすることは、甲４発明に技術常識を適用することにより、当業者が容易に想到し得たことである。 
　（エ）相違点１は実質的な相違点ではない（表面歪みの除去）。 
　甲４の【０２０２】には「研磨によって生じた表面歪み・・・を除去」することが記載されているが、甲１８の図−３において、ひずみ層（甲４の表面歪み）は加工変質層の最下部に位置するから、ひずみ層（表面歪み）を除去すると、加工変質層がすべて除去されることになる。審決取消訴訟の判決（甲１７）によれば、本件発明の「転位」は加工変質層も含まれるから、甲４で表面歪みを除去すると、自ずと、本件の「転位」もすべて除去されることになる。また、甲８（表面の構造）１０６頁には、加工変質層が生じた面をエッチングして、表面状態の変化を観察しているが、ここで、「次に仕上面より０．０３μｍエッチされた領域では、菊池線がより明瞭となった電子回折像が得られ、より以上の結晶の完全性を示しているが、Ｘ線では引っかききずを別にしても、まだかなりの転位が残留していると思われるトポグラフが得られている。さらに表面から０．１μ除去されたところになると、電子回折ではパターンの変化は認められないにもかかわらず、Ｘ線ではひずみ層がほとんど除去されたことがわかり・・・」として、転位が残留していないことを指して、ひずみ層がほとんど除去されたと述べて、ひずみ層（甲４の表面歪み）に転位が含まれていることが示されている。以上から、甲４では、表面歪みを除去することにより、「転位」が除去されていることが分かる。これによって、甲４では、転位密度は元の基板の転位密度である「１×１０6ｃｍ-2」以下に戻っていることになるため、相違点１は実質的な相違点とはいえない。 
  
　ウ　相違点２（構成要件Ｅ）について（審判請求書９８頁２行〜９９頁３行） 
　関連特許の無効審判事件（無効２０１３−８００１１９号）の審理事項通知（甲４４、１９頁）で合議体が認定しているとおり、甲４は【００４０】等に示されるように、ｎ型電極のコンタクト抵抗を低減するために、研磨によって生じた表面歪み及び酸化膜を除去するエッチング処理を行っているのであるから、エッチングする範囲を大きくすることで、コンタクト抵抗「０．０５Ωｃｍ2以下」とすることは当業者において容易に想到しうることである。また、甲４に対して、加工変質層に関する周知技術の適用、または、甲２第一発明の技術事項を適用することにより、「０．０５Ωｃｍ2以下」とすることは、当業者が容易に想到し得たことである点は、甲３に関して述べたのと同様である。さらに、甲４には、【００２８】「該ｎ型ＧａＮ基板のｎ型極性は、Ｓｉをドーピングすることによって得られ、該Ｓｉの濃度は、２×１０18／ｃｍ3であった。さらに、前記ｎ型ＧａＮ基板中に約２×１０17／ｃｍ3の塩素をドーピングしている。」、【０１８６】「続いて、前記ストライプ形状に加工した誘電体膜３０の付いたウエハーをＨＶＰＥ装置中にセットし、成長温度１１００℃、Ｓｉ濃度３×１０18／ｃｍ3、塩素濃度１×１０17／ｃｍ3をドーピングしながら、３５０μｍの塩素ドーピングされたｎ型ＧａＮ厚膜４０を積層する。」との記載があるとおり、甲４のキャリア濃度（ｎ型不純物濃度）は「２×１０18／ｃｍ3」や「３×１０18／ｃｍ3」と十分に高い濃度であるから、コンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ2」以下であることは明らかである（本件明細書【表１】におけるキャリア濃度とコンタクト抵抗の関係を参照。）。また、コンタクト抵抗がキャリア濃度のみに基づいて決定されるものでないとしても、電極材料を適宜選択してコンタクト抵抗を低減すること、コンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ2以下とすることは周知技術であるから、甲４に対して上記周知技術を適用して、コンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ2以下とすることは容易想到である。 
  
３　口頭審理における請求人の主張の概要 
（１）無効理由３についての主張整理 
　ア　甲３に記載された発明は、次の二つの発明に区別される（口頭審理陳述要領書（請求人）４頁下から６行〜５頁１３行）。 
　　甲３第一発明：Ｎ面にｎ電極を設け、Ｇａ面に半導体層を設ける 
　　　　　　　（【０２０１】を除く明細書の記載から把握される発明） 
　　甲３第二発明：Ｇａ面にｎ電極を設け、Ｎ面に半導体層を設ける 
　　　　　　　（【０２０１】を含む明細書の記載から把握される発明） 
  
　イ　（ア）本件発明１と甲３第一発明との一致点・相違点 
　本件発明１と甲３第一発明との一致点・相違点は次のとおりである（口頭審理陳述要領書（請求人）１０頁下から６行〜１２頁２行）。 
一致点 
「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と、 
　前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と、
　その後、前記第１半導体層の裏面上にｎ側電極を形成する第４工程とを備えた、 
　窒化物系半導体素子の製造方法。」 
相違点１（構成要件Ｃ） 
　本件発明１は、「前記第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする第３工程」を備えるのに対し、甲３第一発明には、当該「第３工程」が明記されていない点。
相違点２（構成要件Ｄ） 
　本件発明１では、第３工程の後に、「前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に」ｎ側電極を形成する第４工程を備えるのに対し、甲３第一発明は、ｎ側電極を形成する工程を備えるが（【０２１６】、【０１８９】）、「前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に」との構成が記載されていない点。 
相違点３（構成要件Ｅ） 
　本件発明１では、第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２以下」とされるのに対し、甲３第一発明には、ＧａＮ結晶膜６５とｎ型電極７４とのコンタクト抵抗の値が記載されていない点。 
　（イ）相違点１について（口頭審理陳述要領書（請求人）１２頁４行〜１３頁下から５行） 
　審判請求書では、「甲３発明」に関し、上記２（４）イの（ア）〜（エ）を指摘して、相違点１が容易想到であると主張したが、この（ア）〜（エ）はいずれもそのまま甲３第一発明にあてはまる。 
　なお、上記２（４）イ（イ）に関して、以下のとおり説明を追加する。 
　甲３第一発明と甲２第一発明では、ｎ電極が形成される面が異なるが（甲３第一発明はＮ面、甲２第一発明はＧａ面にｎ電極が形成される（審判請求書５２頁））、審判請求書７９頁１２行以下のとおり、甲３第一発明と甲２に開示された発明（甲２第一発明および甲２第二発明）は、次のａないしｃのことからみて、甲３第一発明に甲２発明（甲２第一発明および甲２第二発明を含むが、とりわけ甲２第二発明）を適用する動機付けが認められる。 
　ａ　同じＧａＮ系の半導体素子に関する発明であり、ＧａＮ基板を研磨した後に電極を設ける点で一致している。 
　ｂ　甲２には、「平滑」な面を得るためにＧａＮの機械研磨面をドライエッチ処理し、「Ｇａ面およびＮ面ともに、代表的な転位密度は１０７ｃｍ−２よりも低かった。」と記載されており（甲２の訳文２頁２行〜３行、及び同頁６行〜７行を参照）、Ｇａ面であろうが、Ｎ面であろうが、いずれにせよ電極形成面はエッチングすることが開示されている。一方、甲３の請求項５７に「結晶面を・・・平坦化する」と記載されているとおり、ｎ型電極の形成面を平滑にすることは甲３においても望ましいこととされている。そして、ここでは電極形成のために平滑にする面がＮ面であるかＧａ面であるかは問題とはされていないから、甲２の「電極形成面をエッチングして転位密度を１０７ｃｍ−２以下にする」との技術事項を甲３第一発明に適用することについて強い動機付けがある。とりわけ、甲３第一発明と甲２第二発明とは共にＮ面に電極を形成することさえも共通しているのであるから、甲３第一発明に甲２第二発明の電極形成面であるＮ面をエッチングして転位密度を１０７ｃｍ−２よりも低くするとの技術事項を適用することには非常に強い動機付けがある。 
　ｃ　本件出願前から認識されていた問題（転位の増大によりコンタクト抵抗が増大する）を回避するため、甲３第一発明に、甲２のＧａ面、Ｎ面の転位を１０７ｃｍ−２よりも低減させる技術事項を適用する動機付けがある。
　（ウ）相違点２について（口頭審理陳述要領書（請求人）１３頁下から４行〜１４頁１行） 
　相違点２については、審判請求書で「甲３発明」について述べた主張（上記２（４）ウ参照。）がそのまま甲３第一発明にあてはまる。 
　（エ）相違点３について（口頭審理陳述要領書（請求人）１４頁２行〜１５頁４行） 
　審判請求書では、「甲３発明」に関し、上記２（４）エの（ア）、（イ）を指摘して、相違点３が容易想到であると主張したが、このうち、（ア）はそのまま甲３第一発明にあてはまる。また、（イ）については、甲３第一発明と甲２第一発明では、ｎ電極形成面が異なることから、甲２第一発明の技術事項（Ｇａ面にｎ電極を設けて、コンタクト抵抗を「０．０５Ωｃｍ２以下」とする）を適用したのみでは甲３第一発明のＮ面において「０．０５Ωｃｍ２以下」との数値が得られるかは明らかではないとの反論が考えられるが、前述のとおり、甲２には甲２第二発明も記載されており、この発明では電極はＮ面に形成されており、しかるところ、本件明細書において、コンタクト抵抗「０．０５Ωｃｍ２以下」を得るための条件としては、「転位を含む・・・領域」を除去して転位密度を「１０９ｃｍ−２以下」とすること（それにより、基板のキャリア濃度が元の基板のキャリア濃度に近づくこと）以外なにも記載されていない。そうすると、コンタクト抵抗「０．０５Ωｃｍ２以下」との数値は、転位密度「１０９ｃｍ−２以下」とすることによって、その他電極材料等を当業者が適宜選択することによって得られる設計事項であることは明らかである。そして、上記相違点１について述べたとおり、転位密度「１０９ｃｍ−２以下」とすることは容易想到であるから、あとは電極材料などの条件を適宜選択することによって、コンタクト抵抗「０．０５Ωｃｍ２以下」を得ることもまた容易想到である。 
 
　ウ　本件発明１と甲３第二発明との一致点・相違点（口頭審理陳述要領書（請求人）１９頁５行〜９行） 
　本件発明１と甲３第二発明との一致点・相違点の特定、相違点に関する検討については、いずれも、審判請求書の「甲３発明」について述べた内容（上記２（４）ア〜エ参照。）がそのまま妥当する。 
  
（２）甲４発明は、別件無効審判事件（その３）の「甲１１発明」と同じである（口頭審理陳述要領書（請求人）１９頁下から７行〜２０行末行）。 
  
（３）審判事件答弁書に対する反論 
　ア　審判事件答弁書において、被請求人は、縷々主張するが、要するに、ただ単に請求人が提出した証拠には、「ＧａＮ基板の電極形成面の加工変質層を除去する」という文言が明記されていないと主張しているだけのことである。 
　しかし、昭和４７年には発行されていた論文（甲７）に、「すべての材料は加工されれば加工変質層が生じ、なんらかの形で物性に影響を及ぼしているはずである。」（甲７の２２頁）「加工変質層は多くの場合、表面物性に対して悪影響を与えることが確かめられ、電子機器・物理機器として使用する材料に関してはこれを除去するか、変質層を生じないような加工法をとることに努力が向けられた。」（甲７の２２頁）と記載され、また、昭和４６年発行の教科書的な文献（甲８）には、「１．３加工変質層」との表題のもと、 
「１．３．１　緒言 
　固体を工業上の目的に使用するためには、その材料に対してなんらかの加工をほどこさなければならない。一般に加工に際しては材料の性質を変えないことが望ましいのであるが、加工のとき作用する力、発生する熱、外気の作用、新生面効果などによって材料はなんらかの変化をうけ、表面には内部とは違った層を形成する。このような層を加工変質層とよんでいる。」（６９頁） 
　とあり、その９５頁には、「１．３．１０　加工表面と転位」との表題のもと、加工変質層内に転位が発生していることが記載され、さらに、「１．３．１１　半導体材料の加工変質層」の項目のなかで「（ｄ）加工変質層の除去」として「加工変質層を除去するための方法の一つはエッチングによる除去である。」（１０９頁）として、加工変質層を除去することが記載されている。 
　以上のとおり、加工変質層が材料の物性に悪影響を与えるため、材料系および位置（発生箇所）を問わず、発生した加工変質層を除去する必要があることは昭和４６年頃の教科書的な書物にさえ記載される程度の技術常識である。被請求人は、請求人が指摘した文献について、ＧａＮ系の材料に関する記載ではないとか、電極形成面に関して言及した文献ではないと主張しているが、転位を含む加工変質層は材料系・位置を問わず完全に除去すべきことが技術常識なのであるから、例え請求人が指摘した文献の一部がＧａＮ系の文献や電極形成面に関するものでなかったとしても、それらの文献に記載されている技術事項（加工変質層の完全な除去）をＧａＮ系の材料や電極形成面に対して適用することに強い動機づけが認められることはいうまでもない。 
　したがって、被請求人の主張にはまったく理由がない。 
  
　イ　審判事件答弁書における被請求人の個別の主張に対する反論 
　（ア）本件発明について（口頭審理陳述要領書（請求人）３０頁３行〜１６行） 
　本件発明についての被請求人の主張には理由がない。 
　（イ）本件発明の課題が公知であることに関して（口頭審理陳述要領書（請求人）３０頁１７行〜３４頁５行） 
　本件発明の課題が公知であることについての被請求人の主張には理由がない。 
　（ウ）半導体基板において転位が少ないことが望ましいことは技術常識であるから、本件発明を想到する動機付けは十分にあることに関して（口頭審理陳述要領書（請求人）３４頁６行〜３５頁下から５行） 
　半導体基板において転位が少ないことが望ましいことは技術常識であるから、本件発明を想到する動機付けは十分にあることについての被請求人の主張には理由がない。 
　（エ）特許第３９３３５９２号に関する審決取消訴訟の判決によっても本件発明が周知技術そのものであることについて（口頭審理陳述要領書（請求人）３５頁下から４行〜４０頁下から４行） 
　特許第３９３３５９２号に関する審決取消訴訟の判決によっても本件発明が周知技術そのものであることについての被請求人の主張には理由がない。
　（オ）無効理由１（甲２に記載された発明に基づく進歩性欠如）（甲２第一発明）に関して（口頭審理陳述要領書（請求人）４０頁下から３行〜４７頁３行） 
　無効理由１についての被請求人の主張にはいずれも理由がない。 
　（カ）無効理由２（甲２に記載された発明に基づく進歩性欠如）（甲２第二発明）に関して（口頭審理陳述要領書（請求人）４７頁４行〜５０頁１行） 
　無効理由２についての被請求人の主張にはいずれも理由がない。 
　（キ）無効理由３（甲３に記載された発明に基づく進歩性欠如）に対する被請求人の主張について（口頭審理陳述要領書（請求人）５０頁２行〜６０頁下から８行） 
　無効理由３についての被請求人の主張にはいずれも理由がない。 
　（ク）無効理由４（甲３に記載された発明に基づく新規性・進歩性欠如）に関して（口頭審理陳述要領書（請求人）６０頁下から７行〜６３頁１行）
　無効理由４についての被請求人の主張にはいずれも理由がない。 
　（ケ）無効理由５に関して（口頭審理陳述要領書（請求人）６３頁２行〜６７頁７行） 
　無効理由５についての被請求人の主張にはいずれも理由がない。 
  
４　上申書（請求人）における請求人の主張の概要 
（１）従来から除去されていた加工変質層と本件発明で除去される転位との位置関係について 
　ア　本件発明の転位と請求人が理解する従来から除去されていた加工変質層との位置関係は、次の図１のようになる。
 
　なお、この位置関係については争いはない。 
　すなわち、本件発明の転位は従来技術において知られていた「加工変質層」に含まれるという位置関係にある。 
　しかるところ、甲２４の記載から、従来、上記図における「加工変質層」は完全結晶層の状態になるまで完全に除去されていたのであるから、「加工変質層」に含まれる本件発明の「転位」も従来技術において完全に除去されていたことになる（上申書（請求人）３頁下から６行〜４頁末行）。 
  
　イ　本件発明の「転位」と被請求人が主張する従来から除去されていた加工変質層との位置関係は、次の図２のようになる。
　甲２４には加工変質層は完全に除去されるとあり、クラック層までの加工変質層を除去するがその下の加工変質層は除去しないなどとは記載されておいない。 
　被請求人が自らの主張の根拠にしている甲１７判決が述べたのは次の図３のような内容であって、要するに当該事件で問題となった「ダメージ層」が加工変質層（転位を含む領域）のどの部分に相当するのか不明であるから、本件発明の「転位」との位置関係が分からないとしているだけである。被請求人の主張には根拠がなく、本件発明の転位は従来技術によって完全に除去されていた（上申書（請求人）５頁１行〜７頁２行）。  
  
（２）乙３について 
　本件発明は「機械研磨によって発生した転位」はキャリアをトラップしてコンタクト抵抗を上げることを述べるものであり、これは甲２４等の多くの周知例に示された技術常識そのものであるのに対し、乙３は「結晶成長中に発生する転位」については条件によっては逆にキャリア濃度を高める場合があることを述べるだけであるから、乙３は本件とは無関係な発明である（上申書（請求人）７頁末行〜８頁６行）。 
  
第７　第２事件についての被請求人の主張の概要（本件併合通知前） 
　被請求人は、「本件審判の請求は成り立たない」、「審判費用は請求人の負担とする」との審決を求め、請求人の主張は、全く理由がないものであり、本件特許は特許法第２９条第１項第３号に該当せず、また、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものでもないから、本件特許は無効にされるべきものではないと主張している。 
  
１　被請求人が提出した証拠方法 
（１）審判事件答弁書に添付したもの 
　乙１：甲１０の抄訳 
　乙２：無効２０１３−８００１２０号（別件特許無効審判事件（その３））の平成２６年５月２０日付け審決 
 
（２）口頭審理陳述要領書（被請求人）に添付したもの 
　乙３：特開平１１−２１９９１０号公報 
  
２　審判事件答弁書における主張の概要 
（１）無効理由０に対する反論 
　ア　本件発明の課題はＧａＮ系、非ＧａＮ系を含め公知であったことに対する反論（審判事件答弁書４頁３２行〜５頁２６行、６頁６行〜１４行） 
　甲９は、素子層の欠陥による電気的特性の低下に関するものであり、ＧａＮ基板裏面のコンタクト抵抗の上昇とは関係しない。 
　甲１０は、ＭＯＶＰＥによりサファイア基板上に成長したＧａＮ膜における電気抵抗と転位密度との関係を探究した文献であり、ＭＯＶＰＥにより成長したＧａＮ膜の螺旋転位と混合転位は、刃状転位とは異なり、転位密度が高くなると、電気抵抗が低くなる（刃状転位と電気抵抗との関係とは逆の傾向である）ことが示されている。すなわち、甲１０には、結晶成長されたＧａＮ膜における電気抵抗と転位密度との関係は、転位の種類によって様々であり、一律の傾向にないことが示されているのであって、結晶成長とは異なる機械研磨により発生した転位が電気抵抗にどのような影響を与えるかについては、甲１０からは不明である。 
　甲１１は、撮像素子を構成するＨｇＣｄＴｅ結晶層の研磨に起因するダメージ部分に関するものであり、光励起されたキャリアがトラップされるということが記載されているだけで、ＧａＮ基板と電極との界面におけるコンタクト抵抗とは全く関係がない。 
　甲１２と甲１３については、両文献の記載を合わせて理解したとしても、刃状転位のダングリングボンドが再結合中心・キャリアのトラップなどの作用をする場合もあるという推論ができるだけであり、ＧａＮ基板と電極との界面におけるコンタクト抵抗とは関係がない。 
　「半導体基板は転位が少ないことが望ましいこと」は、結晶成長面では技術常識かもしれないが、電極形成面においては、そのような技術常識は存在しない。また、甲７、甲８には、エッチングにより転位を除去することができることが記載されているだけで、電極が形成される基板裏面をエッチングすることについては記載されておらず、電極が形成される基板裏面をエッチング処理することで転位を除去することも技術常識ではない。したがって、電極が形成される基板裏面の転位を除去することは、技術常識ではなく、そのようなことを行う動機付けもない。 
  
　イ　本件発明の課題解決手段（構成）は周知技術であったことに対する反論（審判事件答弁書６頁２３行〜７頁１７行） 
　甲２４及び甲２５は、シリコンウエハの加工時における加工変質層の除去についてのものであり、ＧａＮ基板の電極形成面に関するものではない。 
　甲７及び甲８は、加工変質層の除去についての一般論が記載されているだけであり、ＧａＮ基板の電極形成面に関するものではない。また、甲８には、加工変質層の測定方法として接触電気抵抗が記載されているが、加工変質層には、転位以外の結晶欠陥（クラック等）も含まれており、この記載からは、加工変質層のうちの転位によって接触電気抵抗が影響を受けるとは理解することはできない。さらに、甲８からは、加工変質層により、接触電気抵抗が変化する場合もあるということは理解できても、接触電気抵抗が高くなるのか、低くなるのかについては理解できない。 
　甲２６及び甲２７は、ＧａＮ基板の表面（結晶成長面）に対する処理に関するものであり、また、甲１６は、エピタキシャル成長用基板の表面を原子的に滑らかにするための処理に関するものであって、いずれの文献にも、ＧａＮ基板の電極形成面の加工変質層を除去することは記載されておらず、電極形成面における「加工変質層」を除去することは周知技術ではない。 
  
（２）無効理由１に対する反論 
　ア　相違点１について（審判事件答弁書９頁２７行〜３３行） 
　甲２第一発明は、ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面上の電極とＮ面上の電極との電気特性を比較するための実験用試料の製造方法であって、ＬＤやＬＥＤの製造方法は関係なく、甲２第一発明において、活性層を含む第２半導体層（素子構造）を形成する第１工程は行われない。むしろ、このような素子構造は、ｎ型ＧａＮ基板の両面（Ｇａ面とＮ面）に形成された電極の電気特性を測定するには邪魔であり、甲２第一発明において、第１工程は全く不要なものである。 
  
　イ　相違点２について（審判事件答弁書１０頁２０行〜１１頁１２行） 
　甲２第一発明は実験用試料の製造方法であり、素子構造を形成する必要はないから、ＧａＮ基板には表と裏の関係はなく、素子構造が形成される面とは反対側の面である裏面は存在しない。甲２に記載された発明において、仮に素子構造を形成するとしても、Ｇａ極性側となるから、甲２の「ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面」は本件発明の構成要件Ｂにおける「第１半導体層の裏面」に該当しない。甲２第一発明の機械研磨は、平滑なエピレディ表面を得るための処理であって厚み加工ではない。「劈開のための厚み加工」については、甲２第一発明が実験用試料の製造方法であるから、共振器端面を形成する必要はなく、共振器端面を形成するための劈開とは関係しないものである。
  
　ウ　相違点３について（審判事件答弁書１１頁２６行〜１２頁２行） 
　甲２第一発明においては、活性層を含む第２半導体層（素子構造）を形成する第１工程は行われないから、「第１工程」の後に行う「第３工程」自体も存在し得ない。甲２第一発明の「機械研磨」を「厚み加工」として、甲２第一発明では素子構造を形成した後、「厚み加工」と「除去」を行っているとしているが、甲２第一発明の「機械研磨」と「ドライエッチ処理」は、ＧａＮ基板の両面に電極を形成する前に行う平滑なエピレディ表面を得るための処理であり、素子構造を形成した後に行う「厚み加工」と「除去」ではない。 
  
　エ　本件発明２ないし１０について（審判事件答弁書１４頁１行〜１６頁４行） 
　本件特許の請求項２〜１０は請求項１を引用するものであり、本件発明１が甲２第一発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明２ないし１０も、甲２第一発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 
　また、本件発明２、６、７、９及び１０については、次の（ア）ないし（オ）の点でも、請求人の主張は誤りである。 
　（ア）本件発明２について 
　請求人は、甲２に開示されるとおり、「活性層を含む素子構造は、通常、
ＧａＮ基板のＧａ極性側に成長させるため、裏面オーミック電極はＧａＮのＮ極性側に形成する必要がある」のであり、ｎ型ＧａＮ基板の窒素面を裏面としてこれにｎ側電極を形成することは本件特許の優先日当時において周知であるから、本件発明２は、甲２第一発明それ自体から当業者が容易に発明できたものであり、少なくとも、甲２第一発明に周知技術を適用することにより当業者が容易に発明できたものであると主張している。しかしながら、請求人による甲２第一発明の認定では、ＧａＮ基板の裏面をＧａ面としてコンタクト抵抗の値を説明しており、ＧａＮ基板の裏面をＮ面とした場合には、０．０５Ωｃｍ２以下のコンタクト抵抗が得られないから、ここでの請求人の主張は、本件発明１についての無効理由と一貫性がない。 
　また、請求人は、甲２では、ショットキー接触になる原因（ＧａＮ／ＡｌＮへテロ構造における逆向きのピエゾ電界）が解明されているが、このように原因を解明するということは、たとえｎ側電極としてＴｉ／Ａｌ電極を用いた場合であっても、その原因に対処することにより、ＧａＮ基板のＮ面とｎ側電極をオーミック接触させることができることを意図しているというべきであり、その原因の開示を受けた当業者であれば、当然に、逆向きのピエゾ電界を発生させないよう電極形成の条件を変更したり、あるいはＴｉ／Ａｌではなく他の電極材料を使ったりすることなどにより、ｎ側電極をＧａＮ基板のＮ面に容易にオーミック接触させることができると主張している。しかしながら、そもそも甲２には、Ｎ面で低いコンタクト抵抗が得られる技術は全く記載されていない。一方、請求人の主張は　甲２においてＮ面がショットキー接続になったのは、電極材料がＴｉ／Ａｌであることによるものであり、電極材料を変えればオーミック接触させることができるとのことである。しかし、甲２においてＧａ面で低いコンタクト抵抗が得られたのは、電極材料がＴｉ／Ａｌの場合にＡｌＮが形成されたためであって、電極材料を変えれば、Ｇａ面ですら低いコンタクト抵抗が得られるかは不明である。すなわち、電極材料がＴｉ／Ａｌの場合ですらショットキー接触になるＮ面において、電極材料を変えればオーミック接触させることができるということなど、甲２から理解できるはずがない。 
　（イ）本件発明６について 
　請求人は、甲２第一発明においてｎ型ＧａＮ基板に活性層を含む素子構造を形成して光電子デバイスを製造することは当業者が容易に想到し得た構成であり、この際、当該素子構造を形成する工程（第１工程）の後に機械研磨（第２工程）を行うことは当然のことであると主張しているが、甲２第一発明は、ＧａＮ基板の両面に電極を形成する実験用試料の製造方法であり、活性層を含む第２半導体層（素子構造）を形成する第１工程は行われないから、「第１工程」の後に「第２工程」を行うことも行われない。 
　（ウ）本件発明７について 
　請求人は、劈開により共振器端面を形成することは本件特許の優先日当時における周知技術であると主張しているが、甲２第一発明は、実験用試料の製造方法であるから、半導体レーザのような共振器端面を形成する必要のないものである。 
　（エ）本件発明９について 
　請求人は、ＭＯＣＶＤ法は本件特許の優先日当時における周知技術であると主張しているが、甲２第一発明は、実験用試料の製造方法であるから、活性層を含む第２半導体層（素子構造）を形成する第１工程は行われないものである。 
　（オ）本件発明１０について 
　請求人は、ｎ型ＧａＮ基板の厚みを１８０μｍ以下とすることは本件特許の優先日当時において周知であると主張しているが、甲２第一発明では、機械研磨は平滑なエピレディ表面を得るための処理であり、厚み加工を行っていない。 
  
（３）無効理由２に対する反論 
　ア　構成要件ＡないしＤ及び構成要件Ｆについて（相違点１ないし相違点４について）（審判事件答弁書１７頁２行〜３行） 
　無効理由１に対する反論で述べたとおり、本件発明１の構成要件ＡないしＤについての請求人の主張は誤りである。 
  
　イ　構成要件Ｅについて（審判事件答弁書１４頁３２行〜１５頁１０行、１７頁１２行〜１５行） 
　（ア）甲２には、Ｎ面で低いコンタクト抵抗が得られる技術は全く記載されていない。一方、請求人の主張は、甲２においてＮ面がショットキー接続になったのは、電極材料がＴｉ／Ａｌであることによるものであり、電極材料を変えればオーミック接触させることができるとのことである。しかし、甲２においてＧａ面で低いコンタクト抵抗が得られたのは、電極材料がＴｉ／Ａｌの場合にＡｌＮが形成されたためであって、電極材料を変えれば、Ｇａ面ですら低いコンタクト抵抗が得られるかは不明である。すなわち、電極材料がＴｉ／Ａｌの場合ですらショットキー接触になるＮ面において、電極材料を変えればオーミック接触させることができるとうことなど、甲２から理解できるはずがない。 
　（イ）甲２には、ＧａＮ基板のＮ面の電極とのコンタクト抵抗が０．０５Ωｃｍ2以下になることは、全く記載されていないから、Ｎ面の電極のコンタクト抵抗は不明なのであり、また、設計事項の適用で得られる値ではない。 
  
　ウ　本件発明２ないし１０について（審判事件答弁書１７頁１６行〜２０行） 
　本件特許の請求項２〜１０は請求項１を引用するものであり、本件発明１が甲２第二発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明２ないし１０も、甲２第二発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 
  
（４）無効理由３に対する反論 
　ア　相違点１（構成要件Ｃ）について（審判事件答弁書１８頁１４行〜３４行、２０頁１〜１２行、同頁１９行〜２２行、同頁３０行〜２１頁１行）
　（ア）甲３の請求項５６の研磨及び【０１８３】に記載された「常法」の研磨は、ＧａＮ基板を形成するためのサファイア基板の除去工程であり、ＧａＮ基板に第２半導体層を形成する工程（第１工程）の後に行う第３工程ではない。 
　甲３において、「転位」とは結晶成長により発生した転位を意味するにとどまり、機械研磨によって発生した「転位」まで含んでいると解することはできない。したがって、甲３の「常法」の研磨は機械研磨により発生した転位を低減させることを目的としたものではないから、甲３の研磨に、甲３７に記載された研磨技術や転位が発生しない条件でのＣＭＰを適用する動機付けはない。また、甲３７は、甲３より後に公開された文献であり、出発基板としてＧａＡｓを使っている大きなサイズの自立ＧａＮ基板の準備についての最初の報告である。しかも、甲３の「常法」の研磨は、サファイア基板を除去する工程であるのに対して、甲３７の機械的なラッピングと研磨は、ＧａＡｓ基板を王水で除去した後の工程である。すなわち、甲３よりも後に公開された最初の報告であり、甲３の「常法」の研磨とは適用されている工程が異なる甲３７の研磨技術が、甲３における「常法」の研磨といえるはずがない。 
　（イ）甲２では、ＧａＮの機械研磨面をドライエッチング処理した場合、Ｎ面では電極とショットキー接触になっているから、甲３のＧａＮ基板のＮ面に電極を設ける素子において、甲２の機械研磨面をドライエッチング処理する技術を適用する動機付けは存在しない。 
　甲３の請求項５７の平坦化は、【０１７５】のマスクを除去した後に行う「裏面が平坦になるように研磨あるいは研削を行う」であり、新たに転位を発生させる加工である。したがって、機械研磨によって発生した転位を除去するという技術思想はないから、この点においても、甲２の機械研磨面をドライエッチング処理する技術を適用する動機付けはない。さらに、「転位密度の増大に起因してコンタクト抵抗が増大する」という課題は公知ではない。 
　（ウ）ＧａＮ基板の電極形成面において「加工変質層」すなわち本件発明でいう「転位を含む・・・領域」を完全に除去して元の基板の状態（研磨前の基板の状態）に戻すことは周知技術ではない。 
　（エ）転位の増大によりコンタクト抵抗が増大するという課題は、技術常識ではないから、甲３発明に対して、機械研磨とドライエッチング又はウエットエッチングを組み合わせて転位を除去することは容易に想到できることではない。 
  
　イ　相違点２（構成要件Ｄ）について（審判事件答弁書２１頁１２行〜１６行） 
　 相違点１の「前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して・・・」との構成が容易想到ではないから、相違点２の「前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に」との構成も容易想到ではない。 
  
　ウ　相違点３（構成要件Ｅ）について（審判事件答弁書２２頁６行〜２４行、２３頁６〜１７行） 
　（ア）ＧａＮ基板の電極形成面において「加工変質層」、すなわち「転位を含む・・・領域」を完全に除去して元の基板の状態に戻すことは周知技術ではなく、相違点１は容易想到ではないから、甲３発明において、コンタクト抵抗が０．０５Ωｃｍ2以下であることは明らかではない。 
　また、甲３のＧａＮ結晶膜６５のキャリア濃度が「１×１０18ｃｍ-3以上」であったとしても、コンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ2以下」であるということはできないことは、乙２の審決のとおりである。 
　さらに、甲９等にコンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ2以下」という低いコンタクト抵抗が開示されていたとしても、乙２の審決のとおり、研磨により発生した転位を含む領域を除去して第１半導体層（ＧａＮ基板）の裏面の転位密度を「１×１０9ｃｍ-2以下」とする第３工程を経た上でコンタクト抵抗を「０．０５Ωｃｍ2以下」とすることは示されていない。また、甲６、甲４３（甲３１、甲５）についても、同様に、研磨により発生した転位を含む領域を除去して、第１半導体層（ＧａＮ基板）の裏面の転位密度を「１×１０9ｃｍ-2以下」とする第３工程を経た上でコンタクト抵抗を「０．０５Ωｃｍ2以下」とすることは示されていない。 
　（イ）請求人は、相違点１の上記２（４）イ（イ）では、甲３発明をＧａＮ基板のＮ面に電極を形成した素子として認定して甲２の技術を適用すると主張しているのに対し、ここでは、甲３発明をＧａ面に電極を形成した素子として主張しており、甲３発明の認定に一貫性がない。 
　また、Ｇａ面に電極を設ける構成の根拠である甲３の【０２０１】では、Ｇａ面はサファイア基板が存在していた側と反対側の面であり、研磨による厚み加工は行われておらず、また、成長縞やうねりを除去するための研磨工程も行われていないから、本件審判請求書７６〜７７頁の一致点と相違する。しかも甲３では、Ｇａ面は研磨されておらず、研磨により発生した転位はなく、研磨により発生した転位を除去する工程もなくなるから、その点も新たな相違点となる。 
  
　エ　本件発明２ないし１０について（審判事件答弁書２３頁１８行〜２４頁２７行） 
　本件特許の請求項２〜１０は請求項１を引用するものであり、本件発明１が甲３発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明２〜１０も、甲３発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 
　また、本件発明３及び４については、次の（ア）及び（イ）の点でも、請求人の主張は誤りである。 
　（ア）本件発明３について 
　請求人は、本件発明３は、甲３の「研磨」について、「常法」として、周知技術又は甲３７を適用することにより、研磨後の転位密度を「１×１０６ｃｍ−２」以下とすることは当業者が容易に想到し得ることであると主張している。しかしながら、甲３発明の「常法」の研磨は、機械研磨により発生した転位を低減させることを目的としたものではないから、甲３の「常法」の研磨に、甲３７の研磨技術や周知技術を適用して、機械研磨後の転位密度を「１×１０６ｃｍ−２以下」とすることは、容易に想到し得ることではない。 
　（イ）本件発明４について 
　請求人は、加工変質層、すなわち、「転位を含む・・領域」を完全に除去すること、及び、機械研磨によって生じた「転位」を完全に除去することが周知技術ないし技術常識であり、ＧａＮ基板の裏面を０．５μｍ以上除去する程度のことは技術常識に過ぎず、また、０．５μｍという数値に何ら臨界的意義はないから、本件発明４は、甲３発明に基づいて、少なくとも、これに周知技術等を組み合わせることで、当業者が特許出願前に容易に発明をすることができたものであると主張している。しかしながら、電極形成面において、機械研磨によって生じた「転位」を完全に除去することは、周知技術又は技術常識ではない。 
　また、請求人は、相違点１（構成要件Ｃ、第３工程）は実質的には相違点とはいえない（甲３では「研磨」として、機械研磨に加工、転位を発生させない手法が実施され、転位が全て除去されている）ところ、甲３の段落【０２１５】には、５０μｍが研磨されることが記載されており、この場合において、５０μｍのうち少なくとも０．５μｍ以上が転位を発生させない研磨によって除去されていることは明らかであるから、相違点３が実質的な相違点ではないとすれば、構成要件Ｉも実質的な相違点とはいえないと主張している。しかしながら、甲３の「研磨」が、「機械研磨」（第２工程）と「除去」（第３工程）の２工程を含んでいるという考えは、乙２の審決（４２頁１４行〜４５頁３行）で認定されたとおり誤りである。また、甲３の段落【０２１５】の５０μｍの研磨のうち０．５μｍ以上が転位を発生させない研磨によって除去されているという請求人の主張も全く根拠がなく、誤りである。 
  
（５）無効理由４に対する反論 
　ア　無効理由３の相違点１について（審判事件答弁書２５頁６行〜１２行） 
　「常法」の研磨（甲３の【０１８３】）は、ＧａＮ基板を形成するためのサファイア基板の除去工程であり、ＧａＮ基板に第１半導体層を形成する工程（第１工程）の後に行う第３工程とは異なるものである。また、甲３発明の「常法」の研磨は、甲３７記載の方法ではなく、機械研磨で発生した転位も含めて転位密度が「５×１０5ｃｍ-2程度」となっているとは考えられない。したがって、無効理由３の相違点１は実質的な相違点である。 
  
　イ　無効理由３の相違点２について（審判事件答弁書２５頁１６行〜１８行） 
　相違点１が実質的な相違点であるから、無効理由３の相違点２も実質的な相違点である。 
  
　ウ　無効理由３の相違点３について（審判事件答弁書２５頁２９行〜２６頁５行） 
　甲３発明の「常法」の研磨によって、機械研磨により発生した転位も含めて転位密度が「１×１０9ｃｍ-2」より低い数値が得られたとは言えないから、転位密度の低い数値を根拠に低いコンタクト抵抗値を主張することはできない。また、甲４３の２では、甲３発明者の論文甲５に記載された共振器長や特性等を用いコンタクト抵抗を計算しているが、そのような数値を用いることの根拠はなく、同じ発明者の論文というだけで、甲５から読み取った数値をそのまま採用して甲３の素子のコンタクト抵抗を計算することが正解とはいえない。したがって、無効理由３の相違点３も実質的な相違点である。 
  
　エ　本件発明２ないし１０について（審判事件答弁書２６頁８行〜１１行） 
　本件発明２ないし１０に関しては、上記のとおり本件発明１が甲３に記載された発明に対して新規性を有するから、本件発明２ないし１０も、甲３に記載された発明に対して新規性を有し、また、進歩性を有するものである。
  
（６）無効理由５に対する反論 
　ア　相違点１（構成要件Ｃ）について 
　（ア）相違点１は、甲４発明および甲２（甲２第一発明または甲２第二発明）の記載から容易想到である、に対して（審判事件答弁書２６頁２４行〜２９行） 
　甲４発明では、Ｃ面（０００１）ＧａＮ基板の上面に素子構造が形成されており、そのＧａＮ基板の裏面、すなわちＮ面に電極を形成している。甲２に記載された技術事項ではＧａＮ基板のＮ面に形成した電極はショットキー接続になるから、甲４発明に対して甲２の技術事項を適用する動機付けはない。 
　（イ）相違点１は、甲４発明に加工変質層に関する周知技術を適用することにより容易想到である、に対して（審判事件答弁書２７頁１２行〜１６行） 
　甲７、甲８、甲１６、甲２４、甲２５　甲２６及び甲２７は、素子の電極形成面について、加工変質層の除去を記載しているものではないから、電極が形成されているＧａＮ基板裏面に対し、「転位を含む・・・領域」を完全に除去して元の基板の状態に戻すことは、周知慣用の技術ではない。 
　（ウ）相違点１は、甲４発明に技術常識（機械研磨とエッチングの組み合わせ）を適用することにより容易想到である、に対して（審判事件答弁書２７頁３１行〜２８頁３行） 
　甲２、甲８、甲２７、甲４２は、電極が形成されるＧａＮ基板裏面の厚み加工について記載されたものではなく、転位の増大によりコンタクト抵抗が増大するという課題も、厚み加工において機械研磨とドライエッチングやウェットエッチングを組み合わせることも技術常識ではない。 
　（エ）相違点１は実質的な相違点ではない（表面歪みの除去）、に対して（審判事件答弁書２８頁２２行〜３２行） 
　請求人は、甲１８の「歪み層」と甲４の「表面歪み」とが同一であるということを前提にしているが、その前提が正しいという根拠は全く存在しない。仮に、甲４の「表面歪み」が甲１８の「歪み層」と同じものだとしても、甲４には、「表面歪み」を完全に除去することは記載されていない（乙２の審決５０頁２８〜３１行参照、審決の甲３０は本件の甲２４であり甲１８とは異なるが、両者の「歪み層」は同じであることを前提に請求人は説明している（審判請求書４２頁参照。）。また、甲８の「歪み層」についても、甲４の「表面歪み」と同一であるという根拠は全くなく、仮に両者が同じものだとしても、甲４には、「表面歪み」を完全に除去することは記載されていない。したがって、相違点１は実質的な相違点である。 
  
　イ　相違点２（構成要件Ｅ）について（審判事件答弁書２９頁２０行〜２２行） 
　甲４の記載からコンタクト抵抗を「０．０５ｃｍ2以下」とすることが容易に想到することができないことは、乙２の審決（５１頁２４行から５２頁１行）のとおりである。 
  
　ウ　本件発明２ないし１０について（審判事件答弁書２９頁２３行〜３０頁２５行） 
　本件特許の請求項２〜１０は請求項１を引用するものであり、本件発明１が甲４発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明２ないし１０も、甲４発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 
　また、本件発明３及び４については、次の（ア）及び（イ）の点でも、請求人の主張は誤りである。 
　（ア）本件発明３について 
　請求人は、甲４発明に対して、技術常識又は周知技術を適用し、元の基板の状態に戻し、転位密度を元の「１×１０６ｃｍ−２」にすることは当業者が容易になし得ることであり、また、甲４に開示された表面歪みの除去との構成からすれば、構成要件Ｈは実質的な相違点とはいえないから、本件特許発明３は、甲４発明に周知技術又は技術常識を適用し、当業者が特許出願前に容易に発明をすることができたものであるか、または実質的な相違点ではないと主張している。しかしながら、ＧａＮ基板の裏面（電極形成面）の「転位を含む領域」を除去して元の基板の状態に戻すことは、技術常識ではなく、また、甲４には、「表面歪み」を完全に除去することは記載されていないから、本件発明３は、甲４発明に周知技術又は技術常識を適用し、当業者が特許出願前に容易に発明をすることができたものではないし、また、実質的な相違点である。 
　（イ）本件発明４について 
　請求人は、甲４発明の目的であるコンタクト抵抗を低減するにあたり、ＧａＮ基板の裏面を具体的にどの程度除去するのかは設計事項に過ぎず（甲２９、甲１７）、また、ＧａＮ基板の裏面を０．５μｍ以上除去する程度のことは周知技術である（甲４０の段落【００４１】）から、本件発明４は、甲４発明に周知技術等を組み合わせることで、当業者が特許出願前に容易に発明をすることができたものであると主張している。しかしながら、甲４では転位密度とコンタクト抵抗との関係が認識されていないから、本件発明４におけるＧａＮ基板の除去量は、甲４発明において設計事項ではない。また、ＧａＮ基板の裏面を０．５μｍ以上除去することは、周知技術ではない。したがって、本件発明４は、甲４発明に周知技術等を組み合わせることで、当業者が特許出願前に容易に発明をすることができたものではない。 
  
３　口頭審理における被請求人の主張の概要 
（１）口頭審理陳述要領書（請求人）に対する反論 
　ア　甲３第一発明に基づく進歩性欠如（無効理由３の１）に対して 
　相違点１については、甲３の請求項５７の平坦化は、段落【０１７５】のマスクを除去した後に行う「裏面が平坦になるように研磨あるいは研削を行う」であり、新たに転位を発生させる加工である。したがって、機械研磨によって発生した転位を除去するという技術思想は全くないから、甲２の機械研磨面をドライエッチング処理する技術を甲３第一発明に適用する動機付けはない（口頭審理陳述要領書（被請求人）３頁１１行〜１６行）。 
　相違点２については、相違点１が容易想到ではないから、相違点２も容易想到ではない（口頭審理陳述要領書（被請求人）３頁１９行〜２０行）。 
　相違点３については、甲３第一発明に甲２のドライエッチング技術を適用してｎ側電極形成面における転位密度を「１０９ｃｍ−２以下」とする動機付けはなく、コンタクト抵抗「０．０５Ωｃｍ２以下」を得ることは容易想到ではない（口頭審理陳述要領書（被請求人）３頁下から３行〜下から１行）。 
　イ　甲３第二発明に基づく進歩性欠如（無効理由３の２）に対して 
　甲３第二発明に甲２のドライエッチング技術を適用する動機付けがないことは、甲３第一発明の相違点１及び相違点３について検討したとおりである（口頭審理陳述要領書（被請求人）４頁９行〜１２行）。 
　ウ　審判事件答弁書への請求人の反論に対する再反論 
　ある材料について一般論として記載された技術事項があったとしても、他の特定の材料についてその技術事項を適用してどのような結果が得られるかは、実際に実験をしてみなければ分からない。半導体基板の加工変質層を除去することについて記載された複数の文献があったからといって、それだけの理由のみでｎ型窒化物系半導体基板のｎ側電極形成面において転位を除去することが周知技術又は技術常識であったとはいえない（口頭審理陳述要領書（被請求人）５頁９行〜１４行）。 
　本件発明では、ＧａＮ基板の電極形成面の「転位」を除去するのであり、「加工変質層」ではない。請求人は、本件発明における「転位」を「加工変質層」に置き換えて主張しており、本件発明を正解していない（口頭審理陳述要領書（被請求人）５頁２５行〜２８行）。 
　甲７や甲８には、加工変質層についての一般論が漠然と記載されているだけであり、材料系および位置（発生箇所）を問わず、発生した加工変質層を除去する必要があるなどとは記載されていないし、そのような技術常識はない（口頭審理陳述要領書（被請求人）５頁下から２行〜６頁１行）。 
　結晶成長面であるのか電極形成面であるのかにかかわらず、また材料系を問わず、基板に結晶欠陥があれば、結晶のどの部分であれ、結晶欠陥を除去する技術が周知慣用の技術であるという請求人の主張は、余りにも大雑把で乱暴な議論である（口頭審理陳述要領書（被請求人）６頁１０行〜１３行）。 
　請求人の出願である乙３に第２の窒化物半導体層の結晶成長面では結晶欠陥の数を少なくし、電極形成面では結晶欠陥を多くすることにより、効率のよい素子を作製する技術が記載されているように、窒化物半導体層に結晶欠陥が発生した場合、その発生した部分の使用目的によって結晶欠陥の良否が異なるのであって、結晶のどの部分であれ、結晶欠陥を除去する技術が周知慣用の技術であるという請求人の主張は、明らかに間違いである（口頭審理陳述要領書（被請求人）６頁下から４行〜７頁３行）。 
　甲２のショットキーダイオードは、基板の両面に電極が形成されるデバイスであって、素子構造を有するデバイスではないのであるから、甲２第一発明には、ｎ型ＧａＮ基板に活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する動機付けがあるはずはなく、もし、このような第２半導体層を形成してしまったら、甲２のショットキーダイオードではなくなってしまう（口頭審理陳述要領書（被請求人）９頁１２行〜１６行）。 
  
（２）当審合議体の関心事項に対する回答 
　ア　関心事項１．（１）イに対する回答 
　「（ｉ）機械研磨によって転位が発生する」については、技術常識として認める。しかし、（ｉｉ）〜（ｉｖ）については、個々の現象について記載された文献は存在するかもしれないが、窒化物系半導体において、機械研磨によって発生した転位によりコンタクト抵抗が増大することは、公知でもないし、技術常識でもない（口頭審理陳述要領書（被請求人）９頁下から４行〜下から１行）。 
　イ　関心事項１．（２）ウに対する回答 
　本件発明でいう転位が結晶欠陥の一つであって、加工変質層と呼ばれる領域に含まれ得ることは認める。ただし、本件発明でいう転位は、従来技術において除去すべきと認識されていたクラック等の加工変質層よりも深い位置まで延びている転位であり、このことは審決取消訴訟判決（甲１７）の認定とも一致している（口頭審理陳述要領書（被請求人）１０頁下から２行〜１１頁３行）。 
　ウ　関心事項１．（４）に対する回答 
　窒化物系半導体において、機械研磨により発生する転位によってコンタクト抵抗が増大するということは、上記の「（１）関心事項１．（１）イ」で説明したように、本件発明者が実験を行うことにより初めて知り得た事実である。本件特許明細書の【００５６】【表１】の試料３は、試料１や試料２では得ることが出来なかった低いコンタクト抵抗を、本件発明者が機械研磨により発生した転位を含む領域を除去することにより初めて実現した試料である。本件発明１における転位密度の上限値「１×１０９ｃｍ−２」及びコンタクト抵抗の上限値「０．０５Ωｃｍ２」はこの試料３に基づく数値であり、本件発明者が機械研磨により発生した転位を含む領域を除去することにより初めて達成した数値であることに格別の技術的意義がある（口頭審理陳述要領書（被請求人）１１頁１０行〜１９行）。 
  
第８　本件併合通知後の被請求人の主張の概要 
１　被請求人が提出した証拠方法 
（１）第１事件 
　ア　平成２８年１２月８日付け上申書に添付したもの 
　乙４：知財高判平成２７年９月２８日言渡判決（平成２６年（行ケ）第１０１４８号） 
  
　イ　平成２９年１１月２１日付け意見書に添付したもの 
　乙５：知財高判平成２５年１１月１４日言渡判決（平成２４年（行ケ）第１０３０３号） 
　乙６の１：無効２０１１−８００２０３の被請求人口頭審理陳述要領書 
　乙６の２：陳述書（平成２４年４月１０日、本件特許発明の発明者作成）
　乙６の３：分析結果報告書（平成２４年２月１４日、株式会社ＵＢＥ科学分析センター） 
  
（２）第２事件 
　ア　平成２８年１２月８日付け上申書に添付したもの 
　乙４：知財高判平成２７年１２月２４日言渡判決（平成２７年（行ケ）第１０１１６号） 
  
　イ　平成２９年１１月２１日付け意見書に添付したもの 
　乙５：知財高判平成２５年１１月１４日言渡判決（平成２４年（行ケ）第１０３０３号） 
　乙６の１：無効２０１１−８００２０３の被請求人口頭審理陳述要領書 
　乙６の２：陳述書（平成２４年４月１０日、本件特許発明の発明者作成）
　乙６の３：分析結果報告書（平成２４年２月１４日、株式会社ＵＢＥ科学分析センター） 
  
２　平成２８年１２月８日付け上申書における主張の概要（第１事件及び第２事件ともに同じ。） 
　本件訂正発明１は、「第２工程の終了後に第１半導体層の裏面に発生している転位」について、「転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度であっても、当該裏面にｎ側電極を形成すると、窒化物系半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥である」との限定を加えている。知財高裁判決の認定した技術常識では、機械研磨によって転位を含む加工変質層が形成され、電気的特性に対する悪影響があるので、これを完全に除去するとするが、機械研磨によって生じている転位が本件訂正発明１のように限定されている場合に、これを除去することも技術常識の範囲内であるとは認定されていない。訂正前の請求項１では、機械研磨によって生じる転位が、どのようなものであるかについての限定がなかったため、転位を含む加工変質層一般と同じものとして扱われている。しかし、本件訂正発明１において、第２工程終了時の転位が「転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度であっても、当該裏面にｎ側電極を形成すると、窒化物系半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥である」と限定されると、１×１０１０ｃｍ−２程度の転位密度は非常に低い値なので、当業者がこの限定事項の知見を有していなければ、当該転位を除去することは容易に想到できない。 
　また、表面歪みを除去する甲４発明（審決注：甲４は、第２事件の甲４であり、第１事件の甲１１である。）では、ＧａＮ基板を具体的に、どの程度除去するのかについては不明であり、表面歪みを除去するために、ＧａＮ基板を０．５μｍ以上除去する必要があることを記載した公知文献も存在しない。これに対し、本件訂正発明１では、研磨により発生した転位を除いて所定の転位密度とするために、第２工程終了後に、ＧａＮ基板を０．５μｍ以上除去する必要があることを規定しており、「０．５μｍ以上」は、当業者が容易に想到できるものではない。 
　以上のとおりであるから、本件訂正発明１は、甲４発明及び技術常識や周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件訂正発明２、３及び５ないし１０についても、同様である。 
  
第９　本件併合通知後の請求人の主張の概要 
１　請求人が提出した証拠方法 
（１）第１事件 
　平成２９年２月３０日付審判事件弁駁書に添付したもの 
　甲３８：知財高裁平成２７年９月２８日付判決（平成２６年（行ケ）第１０１４８号審決取消請求事件） 
　甲３９：知財高裁平成２７年１２月２４日付判決（平成２７年（行ケ）第１０１１６号審決取消請求事件） 
　甲４０：「半導体評価技術」、河東田隆編、１９９４年５月３０日 
　甲４１：「表面工学講座１　表面の構造」佐々木恒孝ほか編、昭和４６年７月３０日 
　甲４２：審決（無効２０１４−８０００１６）、特許庁、平成２７年５月２６日 
　甲４３：知財高裁平成２５年１１月１４日付判決（平成２４年（行ケ）第１０３０２号審決取消請求事件） 
　甲４４：特開昭６３−１２２１７９号公報 
　甲４５：技術説明資料（無効２０１１−８００２０３の乙７）、被請求人、平成２４年４月２５日 
  
（２）第２事件 
　平成２９年２月３０日付審判事件弁駁書に添付したもの 
　甲６０：知財高裁平成２７年１２月２４日付判決（平成２７年（行ケ）第１０１１６号審決取消請求事件） 
　甲６１：知財高裁平成２７年９月２８日付判決（平成２６年（行ケ）第１０１４８号審決取消請求事件） 
　甲６２：「わかる半導体レーザの基礎と応用」、平田照二、２００１年１１月２０日 
　甲６３：特開昭６３−１２２１７９号公報 
　甲６４：技術説明資料（無効２０１１−８００２０３の乙７）、被請求人、平成２４年４月２５日 
  
２　平成２９年２月３０日付審判事件弁駁書における主張の概要（第１事件及び第２事件ともに同じ） 
　仮に、訂正事項１−１の訂正が認められるとしても、本件訂正発明には無効理由が存在する。 
　まず、本件優先日当時、研磨によって発生した転位は、「転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度」であっても、「転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度」でなくても、「窒化物系半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」であり、除去対象とすべきことが当時の周知技術であるから、訂正事項１−１は、周知技術そのものである。 
　また、訂正事項１−１の「転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度であっても」に着目しても、当該転位が「窒化物系半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」であることは当時の周知技術である。 
　したがって、訂正事項１−１は、甲４発明との実質的な相違点ではないか少なくとも甲４発明において容易想到である。 
　０．５μｍ以上除去すること（訂正事項１−２）は周知技術であって甲４発明との実質的な相違点ではないか、設計事項に過ぎず、甲４発明において容易想到である。 
  
第１０　第２事件についての当審の判断 
　事案にかんがみ、第２事件から判断する。 
  
１　本件訂正発明 
　上記第３でした認定のとおりである。 
  
２　甲各号証に記載された事項 
（１）甲２に記載された発明（以下「甲２発明」という。） 
　ア　甲２の記載事項 
　請求人が挙げた甲２には、次の（ア）ないし（ウ）の事項（請求人作成の全訳による）が記載されている。なお、下線は当審で付した。 
  
　（ア）「自立ｎ型ＧａＮ基板へのＴｉ／Ａｌ電極の結晶極性の依存性」（タイトル） 
  
　（イ）「ｎ型ＧａＮ基板へのＴｉ／Ａｌ電極の電気特性上の結晶極性の影響が研究されてきた。ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面上に形成されたＴｉ／Ａｌ電極は、３０秒間６００℃よりも高温でアニールすることで、接触抵抗値２×１０-5Ωｃｍ2のオーミックとなった。一方、ｎ型ＧａＮ基板のＮ面上の電極は、非線形の電流-電圧曲線を示し、１ｅＶを超える高いショットキー障壁が同じアニール条件で測定された。これらの結果は、ＧａＮ基板の異なる極性によるＧａＮ／ＡｌＮヘテロ構造における逆向きのピエゾ電界により説明できる。」（要約） 
  
　（ウ）「
自立ＧａＮは、転位密度が低く、熱伝導率が高く、劈開が容易であることから、電子デバイスならびに光電子デバイスの基板として注目されている。ＧａＮ基板を使用するもう一つの利点は、裏面ｎ電極のデバイスを作製できることである。これにより、製造工程を簡単で確実なものにし、デバイスのサイズを小さくすることができ、
量産収率を向上させる
　
ＧａＮ基板は結晶極性が異なる二つの面、Ｇａ極性面とＮ極性面を有するが、それらは金属／ＧａＮ界面のほかＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造における界面の電気特性にも大きな影響を与える。Ｋａｒｒｅｒら
Ｐｔ／ＧａＮショットキーダイオードの
Ｐｔの異なった障壁高さは、
Ｇａ面とＮ面でそれぞれ１．１ｅＶと０．９ｅＶであったと報告した
Ｆａｎｇらも、Ｎｉ／Ａｕ電極が、ＧａＮのＮ面上（０．７５ｅＶ）よりも高い１．２７ｅＶの障壁高さであることを自立ＧａＮのＧａ面上で示したことを報告した。活性層を含む素子構造は、通常、ＧａＮ基板のＧａ極性側に成長させるため、裏面オーミック電極はＧａＮのＮ極性側に形成する必要がある。しかし、Ｇａ極性およびＮ極性のＧａＮ基板上のオーミック電極間の電気特性の比較はほとんど行われてこなかった。
　
Ｔｉ／Ａｌ電極はｎ型ＧａＮ上のオーミック電極に広く使用されていることから、本研究では、ｎ型ＧａＮ基板へのＴｉ／Ａｌ電極の電気特性に対する結晶極性の影響を検討する
ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）で成長させた自立ｎ型ＧａＮ基板を使用し、なぜならそれらは一方の表面にＧａ極性面を有しもう一方の表面にＮ極性面を有するからであるが、そして、ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面上とＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極を比較する。異なる極性を有する試料に形成した電極の電気特性は大きく異なることが示されるが、それは、極性に依存する逆向きのピエゾ電界によって説明することができる
　
試料は、ＨＶＰＥ法により、サファイア基板上に３００μｍの膜厚に成長させた。自立ＧａＮ基板を得るため、レーザー誘起リフトオフにより、厚いＧａＮ層をサファイア基板から剥離した。ＧａＮウェハは、平滑なエピレディ表面を得るため、Ｇａ面とＮ面の両方を、機械研磨とドライエッチ処理した。二結晶Ｘ線回析（ＤＸＲＤ）を用いて構造特性を調査検討した。Ｇａ面とＮ面に対する（０００２）ピークの半値全幅（ＦＷＨＭ）を測定したところ、それぞれ１２６ａｒｃｓｅｃと１５３ａｒｃｓｅｃであった。それらの非対称（１０１２）ピークは、９６ａｒｃｓｅｃおよび１０４ａｒｃｓｅｃであった。Ｇａ面およびＮ面ともに、代表的な転位密度は１０
7
ｃｍ
-2
よりも低かった。試料は、Ｓｉがドープされていた。室温におけるホール測定により得られた電子濃度および移動度は、それぞれ１．５×１０
17
ｃｍ
-3
および ８２５ｃｍ
2
／Ｖｓであった
　
Ｇａ面とＮ面はともにアセトンおよびメタノール中で脱脂し、脱イオン（ＤＩ）水中で洗浄し、フォトリソグラフィーによりパターンを施した。その後、それらを緩衝酸化物エッチング液中でエッチングし、ＤＩ水中で洗浄し、窒素ガスで乾燥した後、金属蒸着するために真空システムに装填した。厚さ５０ｎｍのＴｉ層及び厚さ５００ｎｍのＡｌ層のＴｉ／Ａｌ層を電子ビーム蒸着により形成した。Ｉ−Ｖ特性を、幅２００μｍギャップ間隔３０μｍの２枚の金属パッドを使用し、測定した。伝送長法（ＴＬＭ）を用いて接触抵抗を測定するため、適宜、環状の電極構造を形成した。試料はＮ
2
雰囲気の高速熱アニールシステム中でアニールした。
　ＧａＮ基板の両側の極性を判定するため、原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ）を伴う化学エッチング技術およびオージェ電子分光法（ＡＥＳ）を適用し、そしてその結果を表Ｉにまとめた。化学エッチング実験は、室温で０．１ＭＫＯＨ溶液を用いて、あるいは、２２０℃で８５％Ｈ3ＰＯ4溶液を用いて行なわれた。表Ｉに示すように、測定されたエッチング速度は上面でゼロに近く、それは、ＨＶＰＥ法による成長面と同等であった。上面の表面粗さはエッチング後も変わらなかった。 
　しかし、表Ｉに示すように、底面では、１μｍ／分という高いエッチング速度が得られ、その表面はエッチング後に非常に粗くなった。我々はまた、オージェ電子の脱出率により評価された上面１ｎｍの膜のＮ／Ｇａ比率も測定した。上面および底面のＮ／Ｇａ比率を計算すると、それぞれ０．７４と０．９７であった。これらの結果は、上面はＧａ面極性を有し、底面はＮ面極性を有することを示している。さらに、Ｊａｓｉｎｓｋｉらは、本研究で使用したシステムと全く等しいＨＶＰＥシステムで成長させた自立ＧａＮ基板の極性を収束電子線回析により検討し、成長面（上面）および底面はＧａおよびＮ面極性をそれぞれ有したことを報告した。 
　図１は、
ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面とＮ面の両方に堆積されたＴｉ／Ａｌ電極のＩ−Ｖ特性を示す。Ｔｉ／Ａｌ電極は、ｎ型ＧａＮのＧａおよびＮ面上の両方の電極を３０秒間５００℃でアニールした後では、図１に示した様に、非線形なＩ−Ｖ曲線を示した。ｎ型ＧａＮのＧａ面上のＴｉ／Ａｌ電極では、３０秒間７００℃および９００℃でアニールした後では、Ｉ−Ｖ曲線は線形になった。
ｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極は、７００℃でのアニール後に依然として非線形のＩ−Ｖ関係を示し、
　図２は、バイアス電圧０．１Ｖで測定された二個のＴｉ／Ａｌ電極パッド間の電流変化をアニール温度の関数として示す。図２に示すように、ｎ型ＧａＮ基板のＮ面上のそれらと比較し、ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面上のＴｉ／Ａｌ電極についての測定電流値のアニール温度依存性は、非常に異なっている。
ｎ型ＧａＮのＧａ面上の電極の場合、アニール温度が５００℃から６００℃に上昇するにつれて電流が大幅に増加し、６００℃〜８００℃で３０秒アニールした後、ＴＬＭから測定された接触抵抗率は２×１０
-5
Ωｃｍ
2
であった。これより高い温度でアニールすると、電流測定値が低下した。ｎ型ＧａＮ基板のＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極の場合、３０秒間５００℃でアニールした後の０．１Ｖでの電流は、図２に示すように、ｎ型ＧａＮのＧａ面上の電極で得られたものと同様であった。しかし、図２に示したように、６００℃での３０秒アニール後の測定電流値は、一桁減少していた。図２に示したように、７００℃で３０秒間のアニール後では、０．１Ｖで３００ｎＡの最小電流が得られたが、これは、ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面上の電極より４桁低いものであった。
　
ｎ型ＧａＮのＮ面におけるＴｉ／Ａｌ電極の電気特性の更なる調査研究として、ショットキー障壁高さを、電流−電圧測定を使用して測定し、その結果を図３に示した。障壁高さを測定するため、Ｔｉ／Ａｌ電極をｎ型ＧａＮのＧａ面に堆積し、３０秒間７００℃でアニールし、これにより低い接触抵抗率のオーミックが得られ、また、直径１８０μｍのＴｉ／Ａｌ電極がｎ型ＧａＮのＮ面に形成された。概略図を図３に挿入した。ｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極は、３０秒間５００℃でのアニール後では、図３に示すように、Ｉ−Ｖグラフに線形領域が無いが、一方、３０秒間７００℃でアニールされたＴｉ／Ａｌ電極は線形領域を示しており、これはショットキーダイオード特性である。３０秒間７００℃でアニールしたｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極の障壁高さ及び理想係数を算出したところ、それぞれ１．０９ｅＶと１．２９となった。また、９０分間５００℃でアニールしたｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極の障壁高さも測定したところ、図３に示すように、障壁高さは１．０１ｅＶとなり、理想係数１．６７を得た。さらに、図３に示すように、Ｔｉの役割を解明するために、ｎ型ＧａＮ基板のＮ面上のＰｄ／Ａｌ電極の障壁高さを調べた。Ｐｄ／Ａｌ電極の障壁高さと理想係数は、それぞれ１．１０と１．４４ｅＶであったが、それらは、ｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極と同様であった。Ｋａｒｒｅｒらの報告では、ＰＩＭＢＥで成長させたｎ型ＧａＮのＮ面上のＰｔ電極の障壁高さは０．９ｅＶであり、Ｆａｎｇらの報告では、ＨＶＰＥｎ型ＧａＮ基板のＮ面上のＮｉ／Ａｕ電極の障壁高さは０．７５ｅＶであった。ＴｉとＡｌ（それぞれ４．３３ｅＶおよび４．２８ｅＶ）の仕事関数がＰｔとＮｉ（それぞれ５．６５ｅＶおよび５．１５ｅＶ）のそれらよりかなり低いことを考慮すると、ｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極とＰｄ／Ａｌ電極の障壁高さが１ｅＶより高いということは、アニールで高仕事関数を有する界面層が形成されたことを示唆するようにみえる。さらに、ｎ型ＧａＮのＧａ面上の電極はオーミックとなることから、図１および図２に示すように、界面層は、ｎ型ＧａＮのＧａ面上のＴｉ／Ａｌにオーミック接触になる。
　
Ｌｕｔｈｅｒらは、
Ｔｉ／Ａｌ電極の界面だけでなく６００℃でアニールしたＰｄ／Ａｌ電極の界面で、非常に薄いＡｌＮ層を観測した。
電界放出型オージェ電子分光法を用いてｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌを分析したところ、６００℃で３０秒のアニール後、ＧａＮの表面にＡｌのピークが検出された。
ＧａＮの異なる極性に起因してＡｌＮ／ＧａＮ界面で逆向きのピエゾ電界が生成する
本研究では、Ｔｉ／Ａｌ電極の反対の電気特性が結晶極性に依存することが観察され、それは自立ｎ型ＧａＮ基板の結晶極性に依存しているＡｌＮ／ＧａＮヘテロ構造における逆向きのピエゾ電界により説明できる。
　まとめると、我々は、ｎ型ＧａＮ基板へのＴｉ／Ａｌ電極の電気特性における結晶極性の影響を調査研究した。異なる極性を有する試料上に作製された電極の電気特性は、大きく異なっていた。ｎ型ＧａＮのＧａ面上のＴｉ／Ａｌ電極は３０秒間６００℃より高温でアニールするとオーミックとなったが、一方、ｎ型ＧａＮのＮ面上の電極は同一のアニール条件で１ｅＶを超える障壁高さを有するショットキーコンタクトを形成した。これらの結果は、ＡｌＮ界面層の形成によるものと説明することができる。ＧａＮのＧａ面上のＡｌＮ層は、ピエゾ電界により誘導されたドーピングにより２ＤＥＧの密度を増加させ、結果としてオーミック接触を形成したが、一方、ＧａＮのＮ面上のＡｌＮは２ＤＥＧを相殺してＴｉ／ＡｌとＧａＮの間の障壁を増加させ、より高い障壁高さを有するショットキー接触を形成する結果となった。」（本文） 
  
　イ　甲２発明 
　上記アの摘記事項（ア）ないし（ウ）を含む甲２の全記載からみて、甲２には次の発明が記載されていると認められる。 
  
「自立ＧａＮは、転位密度が低く熱伝導率が高く劈開が容易であることから、電子デバイス並びに光電子デバイスの基板として注目されており、ＧａＮ基板を使用するもう一つの利点として、裏面ｎ電極のデバイスを作製でき、これにより、製造工程を簡単で確実なものにし、デバイスのサイズを小さくすることができ、量産収率が向上することがあり、 
　ＧａＮ基板は、結晶極性が異なる二つの面、すなわちＧａ極性面（Ｇａ面）とＮ極性面（Ｎ面）を有するが、それらは金属／ＧａＮ界面のほかＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造における界面の電気特性にも大きな影響を与えるものであるところ、 
　Ｋａｒｒｅｒらによる、Ｐｔ／ＧａＮショットキーダイオードにおけるＧａ面とＮ面でのＰｔの障壁高さがそれぞれ１．１ｅＶと０．９ｅＶと異なったとの報告や、Ｆａｎｇらによる、自立ＧａＮのＮ面上のＮｉ／Ａｕ電極の障壁高さが０．７５ｅＶであったのに対し、Ｇａ面上ではより高い１．２７ｅＶであったとの報告はあるものの、Ｇａ極性及びＮ極性のＧａＮ基板上のオーミック電極間の電気特性の比較はほとんど行われてこなかったが、 
　活性層を含む素子構造は、通常、ＧａＮ基板のＧａ極性側に成長させるため、裏面オーミック電極はＧａＮのＮ極性側に形成する必要があり、また、ｎ型ＧａＮ上のオーミック電極にはＴｉ／Ａｌ電極が広く使用されていることから、本研究では、ｎ型ＧａＮ基板へのＴｉ／Ａｌ電極の電気特性に対する結晶極性の影響を検討することを目的とし、 
　上記目的のために、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）で成長させた、一方の表面にＧａ極性面を有しもう一方の表面にＮ極性面を有する自立ｎ型ＧａＮ基板を用い、Ｇａ面上とＮ面上の両面にＴｉ／Ａｌ電極を形成した、研究用のｎ型ＧａＮ試料の製造方法であって、 
　前記Ｇａ面上とＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極を比較したところ、異なる極性を有する面上に形成した電極の電気特性は大きく異なることが示されたが、それは、極性に依存する逆向きのピエゾ電界によって説明することができるものであり、 
　具体的には、 
　ＨＶＰＥ法により、サファイア基板上にＧａＮ層を３００μｍの膜厚に成長させ、Ｓｉをドープし、レーザー誘起リフトオフにより厚いＧａＮ層をサファイア基板から剥離して自立ＧａＮ基板（ＧａＮウェハ）を得、平滑なエピレディ表面を得るため、前記ＧａＮウェハのＧａ面とＮ面の両面を機械研磨とドライエッチ処理し、 
　二結晶Ｘ線回析（ＤＸＲＤ）を用いて前記ＧａＮウェハの構造特性を調査検討したところ、Ｇａ面とＮ面に対する（０００２）ピークの半値全幅（ＦＷＨＭ）の測定結果は、それぞれ１２６ａｒｃｓｅｃと１５３ａｒｃｓｅｃであり、それらの非対称（１０１２）ピークは、９６ａｒｃｓｅｃ及び１０４ａｒｃｓｅｃであり、Ｇａ面及びＮ面ともに、代表的な転位密度は１０7ｃｍ-2よりも低く、 
　室温におけるホール測定により得られた電子濃度及び移動度は、それぞれ１．５×１０17ｃｍ-3及び ８２５ｃｍ2／Ｖｓであり、 
　続いて、Ｇａ面とＮ面をともにアセトン及びメタノール中で脱脂し、脱イオン（ＤＩ）水中で洗浄し、フォトリソグラフィーによりパターンを施し、その後、それらを緩衝酸化物エッチング液中でエッチングし、ＤＩ水中で洗浄し、窒素ガスで乾燥した後、金属蒸着するために真空システムに装填し、厚さ５０ｎｍのＴｉ層及び厚さ５００ｎｍのＡｌ層のＴｉ／Ａｌ層を電子ビーム蒸着により形成し、その際、伝送長法（ＴＬＭ）を用いて接触抵抗を測定するため、幅２００μｍギャップ間隔３０μｍの２枚の金属パッドが、適宜、環状の電極構造を形成するようにして試料を得て、 
　前記試料をＮ2雰囲気の高速熱アニールシステム中でアニールした後、ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面とＮ面の両面に堆積されたＴｉ／Ａｌ電極の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性を測定したところ、ｎ型ＧａＮのＧａ面及びＮ面の両方とも、Ｔｉ／Ａｌ電極を５００℃で３０秒間アニールした後では非線形なＩ−Ｖ特性を示し、ｎ型ＧａＮのＧａ面上のＴｉ／Ａｌ電極では、７００℃及び９００℃で３０秒間アニールした後ではＩ−Ｖ曲線は線形になったが、ｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極では、７００℃でのアニール後に依然として非線形のＩ−Ｖ関係を示し、 
　ｎ型ＧａＮのＧａ面上のＴｉ／Ａｌ電極の場合、アニール温度が５００℃から６００℃に上昇するにつれて電流が大幅に増加し、６００℃〜８００℃で３０秒間アニールした後、ＴＬＭで測定された接触抵抗率は２×１０-5Ωｃｍ2であり、これより高い温度でアニールすると、電流測定値が低下し、
　これに対して、ｎ型ＧａＮ基板のＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極の場合、５００℃で３０秒間アニールした後の０．１Ｖでの電流は、Ｇａ面上のＴｉ／Ａｌ電極で得られたものと同様であったが、６００℃で３０秒間アニールした後の測定電流値は一桁減少し、さらに、７００℃で３０秒間アニールした後では、０．１Ｖで、Ｇａ面上のＴｉ／Ａｌ電極より４桁低い３００ｎＡの最小電流が得られ、 
　ｎ型ＧａＮのＮ面におけるＴｉ／Ａｌ電極の電気特性の更なる調査研究として、電流−電圧測定を使用してショットキー障壁高さを測定するため、ｎ型ＧａＮのＧａ面にＴｉ／Ａｌを堆積し、７００℃で３０秒間アニールして低い接触抵抗率のオーミック電極を得、また、ｎ型ＧａＮのＮ面に直径１８０μｍのＴｉ／Ａｌ電極を形成し、ｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極を５００℃で３０秒間アニールした後ではＩ−Ｖグラフに線形領域が無いが、一方、Ｎ面上のＴｉ／Ａｌ電極を７００℃で３０秒間アニールした後では線形領域を示しており、これはショットキーダイオード特性であるから、前記試料は、ｎ型ＧａＮからなるショットキーダイオード試料であり、 
　また、７００℃で３０秒間アニールしたｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極の障壁高さ及び理想係数は、それぞれ１．０９ｅＶと１．２９と算出され、５００℃で９０分間アニールしたｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極の障壁高さは１．０１ｅＶと測定され、理想係数１．６７が得られ、さらに、Ｔｉの役割を解明するために、ｎ型ＧａＮ基板のＮ面上にＰｄ／Ａｌ電極を形成して障壁高さを調べたところ、Ｐｄ／Ａｌ電極の障壁高さと理想係数は、それぞれ１．１０と１．４４ｅＶであり、それらは、ｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極と同様であったところ、Ｋａｒｒｅｒらの報告では、ＰＩＭＢＥで成長させたｎ型ＧａＮのＮ面上のＰｔ電極の障壁高さは０．９ｅＶであり、Ｆａｎｇらの報告では、ＨＶＰＥで成長させたｎ型ＧａＮ基板のＮ面上のＮｉ／Ａｕ電極の障壁高さは０．７５ｅＶであり、ＴｉとＡｌの仕事関数（それぞれ４．３３ｅＶ及び４．２８ｅＶ）がＰｔとＮｉのそれら（それぞれ５．６５ｅＶ及び５．１５ｅＶ）よりかなり低いことを考慮すると、ｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極とＰｄ／Ａｌ電極の障壁高さが１ｅＶより高いということは、アニールで高仕事関数を有する界面層が形成されたことを示唆するようにみえ、 
　さらに、ｎ型ＧａＮのＧａ面上の電極はオーミックとなることから、界面層はｎ型ＧａＮのＧａ面上のＴｉ／Ａｌにオーミック接触になっていること、Ｌｕｔｈｅｒらが、ＧａＮ上のＴｉ／Ａｌ電極の界面だけでなく６００℃でアニールしたＰｄ／Ａｌ電極の界面で非常に薄いＡｌＮ層を観測したこと、及び、電界放出型オージェ電子分光法を用いてｎ型ＧａＮのＮ面上のＴｉ／Ａｌを分析したところ、６００℃で３０秒間のアニール後、ＧａＮの表面にＡｌのピークが検出されたことからみて、 
　ＧａＮの異なる極性に起因してＡｌＮ／ＧａＮ界面で逆向きのピエゾ電界が生成しており、前記のようにＴｉ／Ａｌ電極の反対の電気特性が結晶極性に依存することが観察されたことは、自立ｎ型ＧａＮ基板の結晶極性に依存しているＡｌＮ／ＧａＮヘテロ構造における逆向きのピエゾ電界により説明できるものである、 
　研究用のｎ型ＧａＮ試料の製造方法。」（以下「甲２発明」という。） 
  
（２）甲３に記載された発明（以下「甲３発明」という。） 
　ア　甲３の記載事項 
　請求人が挙げた甲３には、次の（ア）ないし（ケ）の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。 
 
　（ア）「【請求項４１】 成長させる結晶とは異なる材料からなる異種基板上に複数の成長領域を形成するようにストライプ状にパターニングされたマスクを形成する工程、該マスクの表面の清浄化処理を行う工程、該成長領域からファセット構造を形成しながら結晶成長させ、該マスクを介して隣り合う成長領域から成長した結晶と合体して該マスクを覆い、さらに該ファセット構造を埋め込んで表面を平坦化するようにエピタキシャル成長する工程を有することを特徴とするＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４２】 気相成長法によりエピタキシャル成長する請求項４１記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。 
【請求項４３】 マスク表面の清浄化処理をマスク表面をエッチングすることにより行う請求項４１又は４２記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。 
【請求項４４】 マスク表面の清浄化処理をオゾン又は紫外光照射により行う請求項４１又は４２記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。 
【請求項４５】 マスク表面の清浄化処理を、還元性雰囲気下で熱処理を行うことにより行う請求項４１又は４２記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。 
【請求項４６】 前記マスクのストライプ方向が＜１１−２０＞又は＜１−１００＞方向である請求項４１〜４５のいずれか１項に記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。 
【請求項４７】 前記異種基板上に下地結晶層を設け、該下地結晶層上にエピタキシャル成長する請求項４１〜４６のいずれか１項に記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。 
【請求項４８】 前記エピタキシャル成長後、前記異種基板を研磨あるいは研削して薄くする工程を有する請求項４１〜４７のいずれか１項に記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。 
【請求項４９】 前記異種基板を、エピタキシャル成長層の厚さの半分以下になるまで薄くする請求項４８記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。 
【請求項５０】 前記異種基板として、エピタキシャル成長層の所定の厚さの半分以下の厚さを有する異種基板を用いる請求項４１〜４７のいずれか１項に記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。 
　・・・（略）・・・ 
【請求項５３】 前記異種基板の厚さがエピタキシャル結晶層の半分以下の厚さの状態で該異種基板にクラックを発生させた後、該異種基板を研磨あるいは研削により除去する請求項４９又は５０記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。 
【請求項５４】 前記異種基板上に下地結晶膜を形成し、該下地結晶膜上にストライプ状マスクを形成する工程を有するＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法であって、研磨あるいは研削によって該異種基板とともに該下地結晶膜も除去する請求項５３記載の半導体ウェーハの製造方法。 
【請求項５５】 クラック形成後、前記異種基板を研磨あるいは研削によって除去した後、前記ストライプ状マスクを除去する工程を有する請求項５３又は５４記載の半導体ウェーハの製造方法。 
【請求項５６】 クラック形成後、前記異種基板を研磨あるいは研削によって除去するとともに前記ストライプ状マスクを除去する工程を有する請求項５３又は５４記載の半導体ウェーハの製造方法。 
【請求項５７】 前記ストライプ状マスクが除去された側の結晶面を研磨により平坦化する工程を有する請求項５５又は５６記載のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。」 
  
　（イ）「【０００４】 
【発明が解決しようとする課題】このような
異種基板上にエピタキシャル成長を行うと、基板やエピタキシャル層に歪みや欠陥が発生し、また、厚い膜を成長した場合にはクラックが発生する
　・・・（略）・・・ 
【００１３】さて、
ウルツ鉱型結晶構造を有するＩＩＩ族元素窒化物半導体の応用の一つには
青色系の光デバイス
　・・・（略）・・・ 
【００１７】そこで
本発明の目的は、格子定数や熱膨張係数が異なる異種基板上にエピタキシャル成長を行って形成されたものであっても、歪みや欠陥、転位が少なく、また厚い膜であってもクラックが入りにくい、ＧａＮ結晶膜、ＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法を提供すること
  
　（ウ）「【００３８】 
【発明の実施の形態】＜ＧａＮ結晶膜の成長方法＞本発明のＧａＮ結晶膜の成長方法の一実施形態について図面を参照して説明する。 
【００３９】初めに、サファイア基板１上にＧａＮを含む下地結晶膜２を成長し、その表面上にフォトリソグラフィー法とウェットエッチング法を用いてストライプ状のマスク４を形成し、成長領域３を形成する（図１（ａ））。 
【００４０】マスク４は基板１上に直接形成してもよいが、下地結晶膜２の形成により予め転位密度をある程度低減することができ、後に形成するＧａＮ結晶膜５の転位構造をより効果的に制御できるため、この下地結晶膜２は形成することが好ましい。このような下地結晶膜の材料としては、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜Ｘ＜１）、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜Ｘ＜１）などのＩＩＩ族元素窒化物が好ましい。なお、前記下地結晶膜の組成は必ずしも後にその上に形成するエピタキシャル層の組成と同じである必要はなく、場合によってはＩＩＩ族元素窒化物に限る必要もないが、上記エピタキシャル層と同じ結晶系でウルツ鉱型結晶構造を有する材料が好ましい。このような下地結晶膜の厚さは０．５μｍ〜２０μｍが好ましい。薄すぎると十分な効果が得られず、厚すぎるとクラックが発生しやすくなる。 
　・・・（略）・・・ 
【００５１】マスクの形状はストライプ形状が好ましく、このときマスク１４の厚さは０．０１〜５μｍが好ましい。マスクの材料としては、ＳｉＯ２を用いることが好ましいがこれに限られるものではなく、ＳｉＮｘ等の絶縁体膜でもよい。 
　・・・（略）・・・ 
【００５５】次に、成長領域３に対しＧａＮ結晶のエピタキシャル成長を行う。マスク４の付いた基板をエピタキシャル装置の反応管に挿入して、水素ガス、窒素ガス、または、水素と窒素の混合ガスとＮ原料ガスを供給しながら基板を所定の成長温度まで昇温する。温度が安定してからＧａ原料を供給して、成長領域３にＧａＮ結晶層を成長する。結晶成長方法は、Ｇａ原料に塩化ガリウム（ＧａＣｌ）を用い、Ｎ原料にアンモニア（ＮＨ３）ガスを用いる塩化物輸送法による気相成長（ＶＰＥ：Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）であるハイドライドＶＰＥ法が好ましいが、Ｇａ原料に有機金属化合物を用いる有機金属化合物気相成長（ＭＯＶＰＥ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いてもよい。 
【００５６】
ＧａＮ結晶は、初期段階ではマスク４上に成長せず、成長領域３のみで結晶成長が起こり、成長領域上のＧａＮ結晶には基板の面方位とは異なる面方位を有するファセット６が形成される
【００５７】さらに
エピタキシャル成長を続けると、ＧａＮ結晶はファセット面に対して垂直な方向に成長が進むため、成長領域だけでなくマスク４を覆うようになる。そして隣接する成長領域のＧａＮ結晶のファセットと接触する
【００５８】
さらにエピタキシャル成長を続けると、ファセットが埋め込まれ
平坦な表面を有するＧａＮ結晶膜５を得ることができる
【００５９】通常、サファイア基板上にＧａＮ結晶の結晶成長を行うと、基板との界面で発生した結晶欠陥にともなう転位は、界面と垂直方向に伸びるために、たとえエピタキシャル膜を厚くしても、転位の低減は見られない。
【００６０】本発明における成長方法では、選択成長により成長領域にファセット構造を形成している。このファセットは成長速度が他の面より遅いために現れる。
ファセットの出現により転位がファセットに向かって進み、基板と垂直に伸びていた転位が垂直な方向へ伸びることができなくなる。転位はファセットの成長とともに横方向に曲げられ、そのほとんどの転位は、結晶の端に出てしまうか、閉ループを形成する。その結果、エピタキシャル膜の膜厚増加に伴い、上部の成長領域では結晶欠陥が減少していく。これにより、エピタキシャル膜内の欠陥の低減を図ることができる。
【００６１】特に、Ｇａ原料に塩化物を用いる塩化物輸送法による気相成長では、ＧａＮ結晶の成長が速いため、ファセット構造のうち基板面と同じ面が消えるのがはやい。したがって基板と垂直に伸びる転位は、はやくからファセット構造のうち基板面と異なる面の方向に伸びることになりＧａＮ結晶における垂直に伸びる転位（貫通転位）を大幅に減らすことができる。 
【００６２】なお、Ｇａ原料に有機金属化合物を用いる有機金属化合物気相成長では塩化物輸送法による気相成長と比べて成長速度が遅くなるが、上述のようにのＧａＮ結晶のファセット構造のうち基板面と同じ面が速く消えるようにすればよい。例えば成長領域に対するマスクの面積を大きくすればマスク上からの成長種の供給量が増えるため成長領域におけるＧａＮ結晶の成長を速めることができる。 
【００６３】またＧａＮのエピタキシャル成長について述べたが、ＩｎＧａＮ膜、ＡｌＧａＮ膜あるいはＩｎＮ膜をエピタキシャル成長しても同様な効果が得られる。さらに成長するこれらの結晶膜に不純物を添加しても同様な効果が得られる。 
【００６４】上述のように、本実施の形態で得られるＧａＮ結晶膜は、結晶欠陥が大幅に減少しており、このＧａＮ結晶膜上に形成する半導体レーザ等の素子構造（ＧａＮ結晶膜を含む積層構造）における結晶欠陥も大幅に減少させることができる。このため、異種基板（例えばサファイア基板）上に作製する積層構造の結晶性を改善することができ、優れた特性を有する半導体レーザ等の半導体装置を提供することができる。 
【００６５】また、このようなＧａＮの結晶膜の膜厚を所望の厚さに成長した後、少なくともサファイア基板等の異種基板を除去することで、好ましくは異種基板とマスクとＧａＮ結晶膜の一部を除去することで、結晶欠陥の少ないＧａＮ結晶膜が得られ、これを基板として用いることで半導体レーザ等の素子を形成する上でさらに様々な利点が得られる。 
【００６６】例えば、半導体発光素子の製造にＧａＮ結晶膜の基板を用いた場合は、サファイア基板等の絶縁性の異種基板を用いた場合に問題となっていた半導体発光素子における基板裏面への電極形成が可能になる。 
【００６７】さらに、ＧａＮ結晶膜からなる基板（ＧａＮ結晶膜基板）上に形成する半導体発光素子がＧａＮ結晶膜を含む半導体レーザの場合は、ＧａＮ結晶膜基板と半導体レーザの積層構造との劈開面が同じであるため、劈開による共振器ミラーの作製が可能となる。 
【００６８】なお、上記では、ＧａＮ結晶膜基板を用いて素子を作製した場合の利点について説明したが、サファイア基板等の異種基板上に、前述の選択成長方法により所望の厚さのＧａＮ結晶膜を形成した後に半導体素子構造を順次作製し、その後、この異種基板を除去することによっても、基板裏面への電極形成と、劈開による共振器ミラーの形成が可能であることは言うまでもない。 
【００６９】サファイア基板等の異種基板上へのＧａＮ結晶膜形成時の膜厚としては、２０μｍ〜１ｍｍが好ましく、８０μｍ〜５００μｍがより好ましい。 
【００７０】また、ＧａＮ結晶膜上に素子構造を形成する場合には、結晶成長する側のＧａＮ結晶膜の面だけでなく、異種基板付きＧａＮ結晶膜から異種基板やマスク等を削除した側、すなわちＧａＮ結晶膜の異種基板側の面を利用して素子構造を形成してもよい。この場合に、異種基板とともに除去するＧａＮ結晶膜の厚さは３００μｍ以下が好ましく、５〜１５０μｍがより望ましい。 
【００７１】このようなＧａＮ結晶膜を素子基板として用いることにより、形成される半導体素子の積層構造の結晶性を改善することができ、その結果、優れた特性を有する半導体素子を提供することができる。 
【００７２】また半導体発光素子に適用した場合は、サファイア基板で問題となっていた半導体発光素子における基板裏面への電極形成が可能になる。
【００７３】さらに半導体発光素子が半導体レーザの場合は、ＧａＮ結晶膜と劈開面が異なる異種基板上にレーザ構造を形成しても、劈開による共振器ミラーの作製が可能になる。」 
 
　（エ）「【０１１７】以下、転位構造に起因する、膜厚に依存する膜表面の転位密度の推移を述べる。 
【０１１８】まず、各転位の全転位密度に対する割合の推移については、本発明によるＧａＮ結晶膜中では、図１７に示すような上記転位構造によって、上層領域（低転位密度層）において、
Ａ転位（ｃ面に対して平行な変位ベクトルを持つ転位）すなわち下地結晶中の刃状転位であった転位が減少し、Ｂ転位（ｃ面に対して斜めに傾いた変位ベクトルを持つ転位）すなわち下地結晶２中の混合転位であった転位はそのまま上部層へ引き継がれるため、全転位数に対するＡ転位の割合は少なくなり、反してＢ転位の割合が多くなる。 
【０１１９】ここでは、上記ＴＥＭ観察によってＧａＮ結晶膜中の転位のキャラクタを判別した結果、従来の一般的な方法でサファイア基板上に直接成長したＧａＮ結晶膜中では、Ｂ転位の割合が３０％以下であったのに対して、マスク幅、開口部幅、マスク周期に対する開口部幅の割合、マスクのストライプ方向を変化させることで全転位数に対して少なくとも５０％以上がＢ転位となる領域が存在することを確認した。」 
  
　（オ）「【０１２６】まず、
上記のＧａＮ結晶膜の成長方法に従って、基板１上にｎ型ＧａＮ結晶膜６５を形成する
【０１２７】
次に、このｎ型ＧａＮ結晶膜６５上にＧａＮ系半導体発光素子の素子構造を作製する
発光素子構造を作製する
【０１２８】次に、
発光素子構造を形成した基板を研磨器にセットし、基板１、下地結晶膜２、マスク４及びＧａＮ結晶膜の一部を研磨してｎ型ＧａＮ結晶膜６５を露出させる
【０１２９】本実施の形態により以下の効果が得られる。 
【０１３０】本発明のＧａＮ結晶膜上にＧａＮ系半導体素子構造を成長することにより、従来のサファイア基板を用いた成長で問題となっていたＧａＮ系半導体素子構造におけるエピタキシャル成長膜の結晶性が改善でき、素子特性を向上させることができる。 
【０１３１】特にＧａＮ系半導体発光素子の場合においては、裏面に電極を形成することができるため、従来のようにドライエッチング等の複雑な作製工程で電極をＧａＮ結晶膜の表面に形成することなく素子を作製でき電極作製工程が簡略化できる。 
【０１３２】またＧａＮ系半導体発光素子がＧａＮ系半導体レーザの場合は、結晶欠陥が少ないＧａＮ結晶厚膜を形成した後に、基板、マスク等を除去することで、劈開によりＧａＮ系半導体レーザ構造の共振器ミラー面を形成できる。サファイアとＧａＮ結晶とは結晶の劈開面が異なるため、従来、サファイア基板上に作製したレーザ構造の共振器ミラーは劈開により形成することが困難であった。これに対し、本発明では結晶欠陥が少ないＧａＮ結晶膜６５を厚く成長することができるため、サファイア基板やマスクを除去してもＧａＮ結晶膜上に形成したＧａＮ系半導体レーザ構造には影響はなく、またＧａＮ結晶膜６５上のレーザ構造は劈開により共振器ミラー面を形成できる利点を持っているため、従来のドライエッチング等による複雑な工程で共振器ミラー面を形成したものに比べ大幅に簡略化でき歩留まりも大幅に向上できる。 
【０１３３】なお、上記の説明では、ＧａＮ結晶膜上にＧａＮ系半導体素子の積層構造を作製した後に基板１とマスク２とＧａＮ結晶膜６５の一部を除去したが、
ＧａＮ結晶膜を形成し基板１とマスク２とＧａＮ結晶膜６５の一部を除去した後にＧａＮ系半導体素子の積層構造を作製してもよい。
【０１３４】またＧａＮ系半導体素子としては、ＧａＮ系半導体レーザやＧａＮ系ＬＥＤ等のＧａＮ系半導体発光素子の他にＦＥＴやＨＢＴなどのデバイスにも適用可能である。」 
  
　（カ）「【０１３５】＜ＧａＮ結晶膜の転位のキャラクタ組成＞前記のＧａＮ結晶膜の成長方法に従ってサファイア基板上に成長したＧａＮ結晶膜において、サファイア基板とマスクを含む下層領域が除去されたＧａＮ結晶膜は、含有される転位の過半数がＧａＮ結晶のｃ面に対して斜めに傾いた変位ベクトルを持つ転位（Ｂ転位）であることが、前記のＴＥＭによる解析で確認された。これに対して従来の一般的な方法でサファイア基板上に直接成長したＧａＮ結晶膜（サファイア基板を除く結晶層領域）中では、Ｂ転位の割合が３０％以下であった。また、本発明のＧａＮ結晶膜の上層領域（サファイア基板とマスクを含む下層領域が除去された結晶領域）中のＡ転位（ＧａＮ結晶のｃ面に平行な変位スベクトルを持つ転位）の全転位数に対する割合は、従来のＧａＮ結晶膜中のそれに対して少なくなっており、本発明の結晶膜の上層領域中に含有される転位は、ほぼＢ転位とＡ転位のみであった。 
【０１３６】本発明のＧａＮ結晶膜は上記の特徴的な転位構造を有するため、ＧａＮ結晶膜中のＢ転位の割合が増大していることはＡ転位が低減、すなわち全転位の密度が低減していることを意味する。よって、半導体レーザ等の半導体装置の用途に好適なＧａＮ結晶膜は、Ｂ転位がＧａＮ結晶膜に含有される転位中の５０％以上であることが好ましい。また、このＧａＮ結晶膜中のＡ転位の全転位数に対する割合は５０％未満であることが好ましい。さらにＡ転位の転位密度は１×１０８／ｃｍ２未満であることが好ましい。このＧａＮ結晶膜中の
全転位の転位密度は２×１０
８
／ｃｍ
２
以下であることが好ましく、１×１０
７
／ｃｍ
２
以下であることがより好ましい
【０１３７】また、サファイア基板とマスクを含む下層領域を除去して好適なＧａＮ結晶膜を得るためには、サファイア基板上へ形成するＧａＮ結晶膜の膜厚は、２０μｍ〜１ｍｍが好ましく、８０μｍ〜５００μｍがより好ましい。また、基板とともに除去する下部領域のＧａＮ結晶膜の厚さは３００μｍ以下が好ましく、５〜１５０μｍがより望ましい。下地結晶層を形成している場合はサファイア基板等の除去とともに下地結晶層も除去することが好ましい。 
【０１３８】以上は、ＧａＮからなる結晶膜について説明したが、本発明はウルツ鉱型結晶構造を有するＩＩＩ族元素窒化物半導体であれば適用可能である。ＧａＮ以外のＩＩＩ族元素窒化物半導体としては、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＮ等が挙げられる。なお、ボロンと窒素からなるＩＩＩ族元素窒化物半導体の結晶構造は立方晶であるが、ＩＩＩ族元素窒化物半導体にボロンが含有されていても、ウルツ鉱型結晶構造を保てる含有量の範囲であれば本発明に包含される。」 
  
　（キ）「【０１７６】＜異種基板の除去方法＞次に、異種基板を取り除く方法について具体例を挙げて説明する。ここでは約２５０μｍ厚のＧａＮ結晶をサファイア基板上に成長して得られた
ウエーハを研磨してサファイア基板を除去
【０１７７】まず、ＧａＮ結晶側の表面（ウェーハ表面）を粘土状のいわゆるコンパウンドで保護する。次に露出したサファイア表面（ウェーハ裏面）をサンドブラスト法によって研磨する。サンドブラスト法は良く知られているように研磨面にジルコニア、アルミナ、炭化珪素などの粒子をノズルから高速で衝突させるものであるため、曲面をもった素材の高速の研磨に適した方法である。高速で研磨しようとすれば粒径の尺度として５００番程度のものを用い、低速で研磨する場合は３０００番程度の粒径の小さなものを用いることが好ましい。また、粒子の材料としてはジルコニアが好ましく、サファイア以外の炭化珪素、ＭｇＡｌ２Ｏ４などからなる異種基板についても良好な研磨性が得られた。 
【０１７８】このサンドブラストによる研磨はサファイア基板の厚さが５０μｍ厚程度になるまで行った。この後、コンパウンドを取り去ると反りは著しく軽減されていた。同時にサファイア基板にはクラックが多数発生しており、サファイア基板が薄くなった以上に反りの軽減が加速されていた。 
【０１７９】クラックの発生はサファイア基板の厚さが１００μｍでも発生し、実質的に反りが解除される。 
【０１８０】サンドブラスト法による研磨、コンパウンド除去後においてクラックの発生がない場合には反りはかなり残存している。しかし、この場合においてもドライアイスや液体窒素などの寒剤に曝することによってウエーハ温度を下げるとサファイア基板にクラックが発生し、反りを低減できる。
【０１８１】クラックを発生させて実質的に反りを解除するための条件は、ＩＩＩ族元素窒化物半導体エピタキシャル層の厚さ１００〜５００μｍにおいては、異種基板の厚さがそのエピタキシャル層の厚さの２分の１以下であることが好ましい。厚めの異種基板を用いて結晶成長し、エピタキシャル層の厚さの２分の１以下になるまで異種基板を研磨してもよいし、所定のエピタキシャル層の厚さの２分の１以下の厚さの異種基板を用いてエピタキシャル成長を行ってもよい。例えば、厚さ２００μｍのサファイア基板上に厚さ５００μｍのＧａＮ層をエピタキシャル成長させた場合、成長温度から室温に降温する段階でサファイア基板にクラックが発生し、反りが軽減される。たとえクラックが発生しなくても寒剤に浸して温度を下げれば、容易にクラックが発生して反りが軽減される。 
【０１８２】なお、サファイア基板のサンドブラスト研磨はサファイア基板を完全に取り除くまで行ってもよいが、サンドブラスト法によるＧａＮ層への損傷をなるべく避けるために１０μｍ厚程度のサファイア基板を残しておくとよい。 
【０１８３】以上のようにして反りが解除されたウエーハは、ＧａＮ成長面（ウェーハ表面）にて通常の研磨用重しに平らに張り付けることができ、サファイア基板、下地結晶層、選択成長用マスクを常法により研磨除去することができる。その結果、ＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハが得られる。実際には、選択成長用マスクが露出した時点からウエーハ全体の厚さをモニターしながらＧａＮエピタキシャル層に至るまで研磨を行った。 
【０１８４】なお、このような研磨の際、選択成長マスクまで研磨せず、マスクが露出した時点で研磨を停止し、マスクをエッチングで取り除いてもよい。マスク材がＳｉＯ２ならば希フッ酸ですぐに除去することができる。 
【０１８５】また、後述するが、半導体レーザ等のデバイスの作製のためには、
マスク近傍の領域は比較的転位密度が大きいため、この領域を含む層領域（以下「高転位密度層」という。）を上記研磨の際に除去することが好ましい
【０１８６】また、ＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハの厚みとしては、２００μｍ程度以上あれば、後に述べるその上へのＤＨ構造の形成や各種デバイス作製プロセスに必要な十分な強度が得られる。 
【０１８７】＜青色半導体レーザの作製＞次に、
上記のようにして得られた１インチ直径のＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハを基板（以下「ＧａＮ基板」という。）として、半導体レーザ用ＤＨ構造形成のためのエピタキシャル成長を行い、青色半導体レーザを作製した
【０１８８】ＤＨ構造は種々のプロセスで形成可能であるが、ここではＧａＡｓ基板やＩｎＰ基板等の導電性基板の上に形成された半導体レーザの製造プロセスとほぼ同様のプロセスを用いることができる。 
【０１８９】図１６に、ＧａＮ基板上に形成したＤＨ構造を有する半導体レーザの共振器断面より見た構造断面図を示す。
ＧａＮ基板２０１側よりケイ素添加ｎ型Ａｌ
０．０５
Ｇａ
０．９５
Ｎクラッド層２０２（厚さ０．５μｍ）、ケイ素添加ｎ型ＧａＮ光ガイド層２０３（厚さ０．１μｍ）、無添加Ｉｎ
０．２
Ｇａ
０．８
Ｎ量子井戸層（厚さ３０Ａ）と無添加Ｉｎ
０．０５
Ｇａ
０．９５
Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層２０４、マグネシウム添加ｐ型Ａｌ
０．２
Ｇａ
０．８
Ｎインジウム解離防止層２０５（厚さ２００Ａ）、マグネシウム添加ｐ型ＧａＮ光ガイド層２０６（厚さ０．１μｍ）、マグネシウム添加ｐ型Ａｌ
０．０５
Ｇａ
０．９５
Ｎクラッド層２０７（厚さ０．５μｍ）、及びマグネシウム添加ｐ型ＧａＮコンタクト層２０８（厚さ０．２μｍ）を連続してＭＯＣＶＤ法によって形成した。ＤＨ構造の最上層には酸化珪素膜２０９を形成し、幅１０μｍのストライプ状の電流注入用窓を形成し、この上にニッケルと金からなるｐ型電極２１０を形成した。２１２はレーザ光出射領域である。次に、ｐ型電極面で研磨用重しに貼りつけ、ＧａＮ基板を研磨し、劈開可能な厚さ（通常、６０μｍ〜１００μｍ）に仕上げた後、チタンとアルミニウムからなるｎ型電極２１１を裏面に形成する
【０１９０】このような上記プロセスの利点は、裏面に電極を形成する直前に、劈開可能な厚さまでウエーハを研磨すればよく、上部電流狭窄用ストライプ構造の形成や表面への電極の形成が厚いウエーハ状態で実施できるメリットがある。 
【０１９１】＜レーザ特性＞以上のようにして作製した半導体レーザを室温（約２５℃）でパルス動作させ、閾値を測定した。得られたレーザの閾値電流は１２０ｍＡ（電流密度〜４ｋＡ／ｃｍ２）前後の良好な値を示した。これに対して、選択成長用マスクなしにサファイア基板上に成長したＧａＮウエーハを基板として作製したレーザは、５０ｍＡ程度高い値を示した。 
【０１９２】この理由については、転位密度が減ったこと、とりわけＡ転位密度が大幅に減少したためと考えられる。ＧａＮ系では転位密度の高い結晶においても高い輝度の発光ダイオードが容易に得られることから、転位は少数キャリアの再結合センターとしての機能は小さいようである。しかし、半導体レーザでは閾値電流は十分に下がらない。半導体レーザはよく知られているように活性層中での導波光に対して光学的利得を得る条件が達成されなくてはならない。しかし、前記のようにＡ転位は結晶中の小傾角粒界の発生原因であり、この小傾角粒界においては光散乱が起こりやすい。すなわち、Ａ転位密度の大きな結晶においては小傾角粒界での光散乱が原因で導波光に対する光学的利得が上がらないために閾値を下げることができなかったと解釈される。逆に言えば、本発明によればＡ転位密度を大幅に減少できたことで、本発明のウェーハ上に成長したＤＨ構造活性層中での導波光の散乱が減少し、高い光学的利得を得たことにより閾値の減少が達成されたと考えられる。 
【０１９３】さて、閾値測定を行ったレーザはいずれもウエーハの中央部１ｃｍ直径内から劈開したもので共振器となる劈開面に傷等のないものを選別したものである。しかし、ウエーハ間で閾値のバラツキに特徴があり、これが２つに分類できることが判明した。閾値のバラツキの少ないものをＡ群のウエーハ、閾値にややバラツキがあるものをＢ群のウエーハとして以下説明する。 
【０１９４】Ａ群のウエーハでは各ウエーハにおいて閾値のバラツキは１０パーセント内外であり、かつ最も大きい閾値のものでもウエーハ内平均値の１２０パーセントを超えるものは見つからなかった。Ｂ群のウエーハにおいても閾値のバラツキはやはり１０パーセント内外であることには変わりがないが、特徴はウエーハ内平均値の１．５倍以上のものが１０ないし２０個に１つ程度の割合で生じることである。 
【０１９５】Ａ群ウエーハとＢ群ウエーハの差違について詳しく調べたが出来上がったレーザに関して特別な差違は見られなかった。そこで、ＤＨ構造エピタキシャル成長後のウエーハについて断面構造を調べてみた。この結果、Ａ群ウエーハでは
ＧａＮ基板ウエーハ全断面にわたって低転位層となっている
【０１９６】高転位層がどのようにＤＨエピタキシャル層に影響し、さらにレーザ閾値に影響するかについては現状ではよく解らない。しかし、以下に述べる理由がその原因だと考えられる。すなわち、前記したようにＧａＮ基板ウエーハに高転位層が存在した場合には、ＤＨ構造エピタキシャル成長や後のプロセスにおける高温加熱時に高転位層で転位が反応したり、高転位層でウエーハ面と水平に折れ曲がった刃状転位が再び、層厚に方向に折れ曲がってＤＨ構造エピタキシャルに到達するためと考える。１０ないし２０個に１つの割合で閾値の大きなものがでる理由は図９からも予想されることであるがストライプ選択成長マスクの周期で転位密度の変化がＧａＮ基板エピタキシャル層の高転位密度層を含む初期成長層には存在し、この周期変化に応じた特に高密度の領域から延びた転位群が電流狭窄用ストライプ活性層領域に到達した場合に生じると考えられる。 
【０１９７】従って、製造歩留まりや特性検査工数を考えた場合には高転位密度層を完全に除去したＧａＮ基板を用意してＤＨ構造エピタキシャル成長を行うことが好ましい。すなわち、半導体レーザの作製に用いるＧａＮ基板としては、サファイア基板、下地結晶層、マスク、マスク近傍の高転位密度層までをすべて取り除いたものが好ましい。ただし、レーザ構造の形成のためのエピタキシャル成長の際には、ＧａＮ基板に適度の厚みが要求されることを考慮することが必要である。 
【０１９８】以上、サファイア基板上に成長したＧａＮウェーハを基板に用いて作製したレーザの特性について述べたが、サファイア基板上に成長する際にＡｌを添加したＧａＮ、すなわちＡｌＧａＮウェーハを基板として作製したレーザについてもレーザ特性を調べた。この場合、レーザの閾値電流は２０ｍＡ程度低減するものが得られた。この場合のＡｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層２０２の厚みは１．５μｍとした。閾値電流の低減は、クラッド層２０２の厚膜化による光閉じ込め効果が原因と思われ、上部クラッド層２０７についても厚膜化すればさらに閾値電流や微分量子効率の改善が可能であると考えられる。 
【０１９９】＜成長表面の平坦化による閾値の再現性向上＞半導体レーザのＤＨ構造をエピタキシャル成長する場合にはＧａＮ基板の表面状態について注意が必要である。注意する点はＧａＮ基板の成長表面の平坦性で、成長表面が平坦でないとＤＨ構造エピタキシャル層、特に活性層の平坦性が保持できない。活性層の平坦性の確保が重要なことは導波の点から考えれば明らかであるが、特に結晶学的に決まる劈開によって形成される共振器面と活性層面のなす角度が直角からズレることの方を危惧すべきである。この角度のズレがあると導波してきた光が共振器面で反射されてもどる場合に大きく損失し、しきい値を増大させるからである。この角度のズレの許容限界は１度を大きく下回ると考えられる。 
【０２００】一般に、ＧａＮ基板の成長表面は１００μｍ以上の厚いエピタキシャル成長後の表面であり、多くは成長縞やうねりがみられる。そこで、サファイア基板を除去し、マスクと共にマスク近傍の高転位密度層を取り除いたＧａＮ基板を研磨用重りからはがして裏表を張り替え、ＧａＮ基板の成長最上層を研磨して成長縞やうねりを取り除いてから、ＤＨ構造形成のためのエピタキシャル成長を行った。すなわち、ここでは、ＧａＮ基板の成長終了面を研磨して平滑化した表面を主面としてＤＨ構造形成のためのエピタキシャル成長を行った。このようにして作製されたＧａＮ基板をウエーハに用いて作製されたストライプレーザの閾値はバラツキが小さく良好なレーザ特性が得られた。 
【０２０１】別の形態として、
ＤＨ構造形成のためのエピタキシャル成長を、サファイア基板、下地結晶層、マスク、及びマスク近傍の高転位密度層を取り除いて形成されたＧａＮ基板の裏面（サファイア基板が存在していた側の面）に行って半導体レーザを作製した
【０２０２】以上、半導体レーザのＤＨ構造が平坦である場合について説明した。しかし、ＤＨ構造を有する半導体レーザの製造方法には、水平横モードの制御を行うために、ＤＨ構造の形成ためのエピタキシャル成長前に基板表面を加工して予め電流注入領域となる部分に溝を彫り込む等の技術がある。このような技術においても本発明のＧａＮ基板等のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハは問題なく適用可能である。 
【０２０３】本発明のＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハは、電界効果トランジスタ等の電子輸送デバイスに適用しても、電子の移動度が改善されたり、電極等の製造歩留まりや信頼性が向上する等の効果が得られる。この電子の移動度の改善は、Ａ転位がもたらす小傾角粒界での散乱が減ったためと考えられる。また、電極の信頼性の改善は、半導体レーザにもいえるが、転位が減少した結果、電極金属の転位線（特にＡ転位）に沿っての異常拡散が減少したためと考えられる。このように、本発明のウェーハは、高集積化された各種半導体装置に適用可能であり、ＩＩＩ族元素窒化物半導体の応用分野の一つとして期待されている、自動車エンジン等の発熱装置の近くに搭載しても動作可能な高温動作−高性能半導体装置の実現にも大きく寄与するものである。 
【０２０４】 
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。 
【０２０５】（実施例１）本発明の実施例について図１を参照して説明する。本実施例では、基板として、（０００１）面
サファイア（Ａｌ
２
Ｏ
３
）基板１上に膜厚１μｍのＧａＮ膜（下地結晶膜）２をあらかじめ形成した基板を用いた。この下地結晶膜の成長にはＭＯＣＶＤ装置を用いた。
このＧａＮ膜２表面にＳｉＯ
２
膜を形成し、フォトリソグラフィー法とウエットエッチングでストライプ状のマスク４を形成し、成長領域３を分離・形成した。
【０２０６】
成長領域３に成長するＧａＮ結晶は、Ｇａ原料にガリウム（Ｇａ）と塩化水素（ＨＣｌ）の反応生成物である塩化ガリウム（ＧａＣｌ）とＮ原料にアンモニア（ＮＨ
３
）ガスを用いるハイドライドＶＰＥ法により成長させた。
【０２０７】エピタキシャル成長を続けることによりファセット構造を埋め込み（図１（ｄ））、最終的には、５時間の成長で２００μｍ程度の平坦な表面を有するＧａＮ膜を形成させた（図１（ｅ））。ＧａＮ結晶膜５を形成後、アンモニアガスを供給しながら、常温まで冷却し成長装置より取り出した。 
【０２０８】本実施例によって形成されたＧａＮ膜５には、サファイア基板１と格子定数や熱膨張係数が違うにもかかわらずクラックが入っていないことが確認された。しかも、厚膜成長を行ったＧａＮ結晶膜には、欠陥が非常に少なく、転位密度は１０７／ｃｍ２程度であった。なお、転位密度は、透過電子顕微鏡を用い、膜表面付近の平面観察によって計測した。 
【０２０９】本実施例で成長したＧａＮ結晶膜は欠陥が非常に少なく、この上にレーザ、ＦＥＴ、ＨＢＴなどの高品質なデバイス構造を成長することで、デバイス特性を向上させることが可能となる。 
【０２１０】（実施例２）本実施例について図１１を参照して説明する。図１１は、本発明のＧａＮ結晶膜上にＧａＮ系半導体レーザを製造する方法を説明するための概略工程断面図である。 
【０２１１】（０００１）面の
サファイア基板１上に、実施例１と同様にＭＯＣＶＤ法で膜厚１μｍのＧａＮ膜２を形成した。このＧａＮ膜２上にＳｉＯ
２
膜を形成し
フォトリソグラフィー法とウエットエッチングでストライプ状のマスク４を形成し、成長領域３を分離・形成した。
【０２１２】成長領域３に成長するＧａＮ結晶は、上記の実施例１と同様にＧａ原料にガリウム（Ｇａ）と塩化水素（ＨＣｌ）の反応生成物である塩化ガリウム（ＧａＣｌ）とＮ原料にアンモニア（ＮＨ３）ガスを用いるハイドライドＶＰＥ法を用いた。基板を成長装置にセットし、水素雰囲気で成長温度１０００℃に昇温する。６５０℃の温度から基板をＮＨ３ガス雰囲気にする。成長温度が安定してから、ＨＣｌ流量を４０ｃｃ／毎分で供給し、ＮＨ３流量１０００ｃｃ／毎分、およびシラン（ＳｉＨ４）流量０．０１ｃｃ／毎分で１５０分間の成長で、実施例１で説明した図１の（ａ）から（ｅ）の成長過程を経て、マスク４を埋め込んだ膜厚２００μｍのｎ型ＧａＮ結晶膜６５を形成する（図１１（ｂ））。ｎ型ＧａＮ結晶膜６５を形成後、ＮＨ３ガス雰囲気で常温まで冷却し、成長装置より取り出す。
ＧａＮ結晶膜６５は、１×１０
１８
ｃｍ
−３
以上のキャリア濃度であった
【０２１３】次に、ＧａＮ系半導体レーザ構造の作製には、有機金属化学気相成長法（ＭＯＶＰＥ）を用いて作製した。 
【０２１４】
ＧａＮ膜６５を形成後、ＭＯＣＶＤ装置にセットし、水素雰囲気で成長温度１０５０℃に昇温する。６５０℃の温度からＮＨ
３
ガス雰囲気にする。Ｓｉを添加した１μｍの厚さのｎ型ＧａＮ層６６、Ｓｉを添加した０．４μｍの厚さのｎ型Ａｌ
０．１５
Ｇａ
０．８５
Ｎクラッド層６７、Ｓｉを添加した０．１μｍの厚さのｎ型ＧａＮ光ガイド層６８、２．５ｎｍの厚さのアンドープＩｎ
０．２
Ｇａ
０．８
Ｎ量子井戸層と５ｎｍの厚さのアンドープＩｎ
０．０５
Ｇａ
０．９５
Ｎ障壁層からなる１０周期の多重量子井戸構造活性層６９、マグネシウム（Ｍｇ）を添加した２０ｎｍの厚さのｐ型Ａｌ
０．２
Ｇａ
０．８
Ｎ層７０、Ｍｇを添加した０．１μｍの厚さのｐ型ＧａＮ光ガイド層７１、Ｍｇを添加した０．４μｍの厚さのｐ型Ａｌ
０．１５
Ｇａ
０．８５
Ｎクラッド層７２、Ｍｇを添加した０．５μｍの厚さのｐ型ＧａＮコンタクト層７３を順次形成しレーザー構造を作製した。ｐ型のＧａＮコンタクト層７３を形成した後
【０２１５】
次に、レーザー構造が形成されたサファイア基板を研磨器にセットし、サファイア基板１、ＧａＮ膜２、ＳｉＯ
２
マスク４、及びＧａＮ結晶膜６５の５０μｍを研磨してＧａＮ結晶膜６５を露出させた
【０２１６】
露出したＧａＮ結晶膜６５面には、チタン（Ｔｉ）−アルミ（Ａｌ）のｎ型電極７４を形成し、ｐ型のＧａＮ層７３上にはニッケル（Ｎｉ）一金（Ａｕ）のｐ型電極７５を形成した
【０２１７】なお、本実施例では、サファイア基板１、ＧａＮ下地結晶膜２、ＳｉＯ２マスク４及びＧａＮ結晶膜６５の一部を研磨により除去してｎ型の電極を形成したが、研磨を行わずにドライエッチングによりｎ型ＧａＮ層６６または６５まで除去してｎ型電極を形成し、共振器ミラー面を形成してもよい。」 
  
　（ク）図５は、次のとおりの断面ＴＥＭ写真であり、当該図５から、ＧａＮ結晶膜５中のマスク上領域の欠陥構造がみてとれる。
  
　（ケ）図１０は、次のとおりであり、当該図１０から、甲３のエッチピット密度が１×１０８／ｃｍ２以下であることがみてとれる。
  
　イ　甲３発明 
　上記アの摘記事項（ア）ないし（ケ）を含む甲３の全記載からみて、甲３には、次の二つの発明が記載されていると認められる。 
　（ア）甲３の【０２０１】（「別の形態」について記載）を除く全記載からは、次のとおりの発明が把握される。 
  
「ウルツ鉱型結晶構造を有するＩＩＩ族元素窒化物半導体、例えば、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法において、 
　格子定数や熱膨張係数が異なるサファイア基板上にＧａＮ結晶膜のエピタキシャル成長を行うと、基板やエピタキシャル層に歪みや欠陥、転位が発生し、また、厚い膜を成長した場合にはクラックが発生し、デバイスとしての性能が極端に悪くなるという問題があったので、 
　サファイア基板上にエピタキシャル成長を行って形成されたものであっても、歪みや欠陥、転位が少なく、また厚い膜であってもクラックが入りにくい、ＧａＮ結晶膜を提供するために、 
　サファイア基板上にＭＯＣＶＤ法で膜厚１μｍの下地結晶膜としてのＧａＮ膜を形成し、該ＧａＮ膜上にＳｉＯ２膜を形成し、該ＳｉＯ２膜をフォトリソグラフィー法とウエットエッチングでストライプ状に成形してマスクを形成し、該ストライプ状のマスク間の領域である成長領域上に、塩化ガリウム（ＧａＣｌ）をＧａ原料とし、アンモニア（ＮＨ３）ガスをＮ原料として、ハイドライドＶＰＥ法によりＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させると、ＧａＮ結晶は、初期段階ではマスク上に成長せず前記成長領域のみで成長するため、前記成長領域上のＧａＮ結晶には基板の面方位とは異なる面方位を有するファセットが出現し、エピタキシャル成長を続けると、ＧａＮ結晶はファセット面に対して垂直な方向に成長が進むため、前記成長領域だけでなくマスク上にも成長し、やがてマスクを覆うようになって隣接する成長領域のＧａＮ結晶のファセットと接触し、さらにエピタキシャル成長を続けると、ファセットが埋め込まれ、平坦な表面を有するＧａＮ結晶膜を得て、 
　得られたＧａＮ結晶膜上に発光素子構造を形成した後にサファイア基板とマスクと前記ＧａＮ結晶膜の一部を除去する方法（以下『サファイア基板法』という。）、あるいは、ＧａＮ結晶膜を形成後、サファイア基板とマスクとＧａＮ結晶膜の一部を除去して得たＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハを基板として、該基板上に発光素子構造を形成する方法（以下『ＧａＮ基板法』という。）により作製するＧａＮ系半導体発光素子の製造方法であって、 
　前記ＧａＮ結晶膜において、転位は、ファセットに向かって進み基板と垂直に伸びていたものが垂直な方向へ伸びることができなくなるためファセットの成長とともに横方向に曲げられ、そのほとんどは結晶の端に出てしまうか閉ループを形成するので、エピタキシャル膜の膜厚増加に伴い上部の成長領域では転位が減少していき、その結果、マスク近傍の比較的転位密度が大きい層領域である高転位密度層と、上層領域において、下地結晶中の刃状転位を引継ぎｃ面に対して平行な変位ベクトルを持つＡ転位と下地結晶中の混合転位を引継ぎｃ面に対して斜めに傾いた変位ベクトルを持つＢ転位を合わせた全転位の転位密度が好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下の低転位密度層とを有するｎ型ＧａＮ結晶膜となり、 
　前記サファイア基板法は、例えば、キャリア濃度が１×１０１８／ｃｍ−３以上の前記ｎ型ＧａＮ結晶膜が形成された基板をＭＯＣＶＤ装置にセットし、所定の温度、ガス流量、Ｖ族元素／ＩＩＩ族元素比で、厚さ１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ層、厚さ０．４μｍのＳｉ添加ｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層、厚さ０．１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ２．５ｎｍの無添加Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍの無添加Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる１０周期の多重量子井戸構造活性層、厚さ２０ｎｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層、厚さ０．１μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ０．４μｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層、及び厚さ０．５μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮコンタクト層を順次Ｇａ面上に形成して発光素子構造を形成し、次に、該発光素子構造を形成したサファイア基板を研磨器にセットし、前記サファイア基板、前記下地結晶膜、前記マスク及び前記ＧａＮ結晶膜の一部を研磨してｎ型ＧａＮ結晶膜を露出させ、露出したＧａＮ結晶膜の面、すなわち素子裏面（Ｎ面）側にチタンとアルミニウムからなるｎ型電極を形成し、ｐ型ＧａＮコンタクト層上にニッケルと金からなるｐ型電極を形成する工程を含み、 
　前記ＧａＮ基板法は、例えば、前記高転位密度層を除去し、全断面にわたって前記低転位密度層となっているＧａＮ基板ウエーハを用い、ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ基板側から厚さ０．５μｍのＳｉ添加ｎ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層、厚さ０．１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ３ｎｍの無添加Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と無添加Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層、厚さ２０ｎｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎインジウム解離防止層、厚さ０．１μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ０．５μｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層、及び厚さ０．２μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮコンタクト層を順次Ｇａ面上に形成して発光素子構造を形成し、該発光素子構造の最上層にはＳｉＯ２膜を形成し、幅１０μｍのストライプ状の電流注入用窓を形成し、この上にニッケルと金からなるｐ型電極を形成し、ｐ型電極面で研磨用重しに貼りつけ、ＧａＮ基板の裏面（Ｎ面）を研磨し、通常、６０μｍ〜１００μｍの劈開可能な厚さに仕上げ、チタンとアルミニウムからなるｎ型電極を前記裏面に形成する工程を含む、 
　ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。」（以下「甲３第一発明」という。） 
  
　（イ）甲３の【０２０１】（「別の形態」について記載）及び関連する記載からは、次のとおりの発明が把握される。 
  
「ウルツ鉱型結晶構造を有するＩＩＩ族元素窒化物半導体、例えば、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法において、 
　格子定数や熱膨張係数が異なるサファイア基板上にＧａＮ結晶膜のエピタキシャル成長を行うと、基板やエピタキシャル層に歪みや欠陥、転位が発生し、また、厚い膜を成長した場合にはクラックが発生し、デバイスとしての性能が極端に悪くなるという問題があったので、 
　サファイア基板上にエピタキシャル成長を行って形成されたものであっても、歪みや欠陥、転位が少なく、また厚い膜であってもクラックが入りにくい、ＧａＮ結晶膜を提供するために、 
　サファイア基板上にＭＯＣＶＤ法で膜厚１μｍの下地結晶膜としてのＧａＮ膜を形成し、該ＧａＮ膜上にＳｉＯ２膜を形成し、該ＳｉＯ２膜をフォトリソグラフィー法とウエットエッチングでストライプ状に成形してマスクを形成し、該ストライプ状のマスク間の領域である成長領域上に、塩化ガリウム（ＧａＣｌ）をＧａ原料とし、アンモニア（ＮＨ３）ガスをＮ原料として、ハイドライドＶＰＥ法によりＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させると、ＧａＮ結晶は、初期段階ではマスク上に成長せず前記成長領域のみで成長するため、前記成長領域上のＧａＮ結晶には基板の面方位とは異なる面方位を有するファセットが出現し、エピタキシャル成長を続けると、ＧａＮ結晶はファセット面に対して垂直な方向に成長が進むため、前記成長領域だけでなくマスク上にも成長し、やがてマスクを覆うようになって隣接する成長領域のＧａＮ結晶のファセットと接触し、さらにエピタキシャル成長を続けると、ファセットが埋め込まれ、平坦な表面を有するＧａＮ結晶膜を得て、 
　ＧａＮ結晶膜を形成後、サファイア基板とマスクとＧａＮ結晶膜の一部を除去して得たＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハを基板として、該基板上に発光素子構造を形成する方法（以下「ＧａＮ基板法」という。）により作製するＧａＮ系半導体発光素子の製造方法であって、 
　前記ＧａＮ結晶膜において、転位は、ファセットに向かって進み基板と垂直に伸びていたものが垂直な方向へ伸びることができなくなるためファセットの成長とともに横方向に曲げられ、そのほとんどは結晶の端に出てしまうか閉ループを形成するので、エピタキシャル膜の膜厚増加に伴い上部の成長領域では転位が減少していき、その結果、マスク近傍の比較的転位密度が大きい層領域である高転位密度層と、上層領域において、下地結晶中の刃状転位を引継ぎｃ面に対して平行な変位ベクトルを持つＡ転位と下地結晶中の混合転位を引継ぎｃ面に対して斜めに傾いた変位ベクトルを持つＢ転位を合わせた全転位の転位密度が好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下の低転位密度層とを有するｎ型ＧａＮ結晶膜となり、 
　前記ＧａＮ基板法は、例えば、前記高転位密度層を除去し、全断面にわたって前記低転位密度層となっているＧａＮ基板ウエーハを用い、ＭＯＣＶＤ法によりＤＨ構造形成のためのエピタキシャル成長を、サファイア基板、下地結晶層、マスク、及びマスク近傍の高転位密度層を取り除いて形成されたＧａＮ基板の裏面（サファイア基板が存在していた側の面）に行って半導体レーザを作製し、該ＤＨ構造の最上層にはＳｉＯ２膜を形成し、幅１０μｍのストライプ状の電流注入用窓を形成し、この上にニッケルと金からなるｐ型電極を形成し、ｐ型電極面で研磨用重しに貼りつけ、ＧａＮ基板のＧａ面を研磨し、通常、６０μｍ〜１００μｍの劈開可能な厚さに仕上げ、チタンとアルミニウムからなるｎ型電極を前記Ｇａ面に形成する工程を含む、 
　ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。」（以下「甲３第二発明」という。） 
  
（３）甲４に記載された発明（以下、「甲４発明」という。） 
　ア　甲４の記載事項 
　請求人が挙げた甲４には、次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。 
  
「【０１８２】（実施の形態１５）本実施の形態では、窒化物半導体レーザ素子を用いて、該素子の端面形成とチップ分割について説明する。まず、ｎ型ＧａＮ基板６００の製造方法について説明する。 
【０１８３】図８は、種基板１０、ｎ型ＧａＮ基板６００から構成されていて、ｎ型ＧａＮ基板６００は、低温バッファ層１５、ｎ型ＧａＮ膜２０、誘電体膜３０、塩素ドーピングされたｎ型ＧａＮ厚膜４０から構成されている。 
【０１８４】
ＭＯＣＶＤ法で種基板１０上に低温バッファ層１５を５５０℃で積層する。次に、１０５０℃の成長温度でＳｉをドーピングしながら、１μｍからなるｎ型ＧａＮ膜２０を作製する。 
【０１８５】
ｎ型ＧａＮ膜２０を作製後、ＭＯＣＶＤ装置から、前記ウエハーを取りだし、スパッター法、ＣＶＤ法もしくはＥＢ蒸着法を用いて誘電体膜を１００ｎｍ形成し、リソグラフィー技術で、前記誘電体膜３０を周期的なストライプ状パターンに加工する
【０１８６】
続いて、前記ストライプ形状に加工した誘電体膜３０の付いたウエハーをＨＶＰＥ装置中にセットし、成長温度１１００℃、Ｓｉ濃度３×１０
18
／ｃｍ
3
、塩素濃度１×１０
17
／ｃｍ
3
をドーピングしながら、３５０μｍの塩素ドーピングされたｎ型ＧａＮ厚膜４０を積層する
【０１８７】上記製造方法によって
ｎ型ＧａＮ厚膜４０を形成後、ウエハーをＨＶＰＥ装置から取り出し、研磨機で前記種基板１０を剥ぎ取り、ｎ型ＧａＮ基板６００を作製した
　・・・（略）・・・ 
【０１９１】次に、上記
ｎ型ＧａＮ基板
を用いて、窒化物半導体レーザ素子の製造方法
【０１９２】図９は、窒化物半導体レーザ構造を示しており、ｎ型ＧａＮ基板６００、ｎ型ＧａＮバッファ層６０１、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層６０２、ｎ型ＧａＮ光ガイド層６０３、活性層６０４、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎキャリアブロック層６０５、ｐ型ＧａＮ光ガイド層６０６、ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層６０７、ｐ型ＧａＮコンタクト層６０８から構成されている。 
【０１９３】次に、
ＭＯＣＶＤ装置に、前記ｎ型ＧａＮ基板
をセットし、１０５０℃の成長温度でｎ型ＧａＮバッファ層
１μｍ形成した
【０１９４】
次に、１μmの厚さのｎ型Ａｌ
0.1
Ｇａ
0.9
Ｎクラッド層６０２を成長する。さらに、厚さ０．１μmのｎ型ＧａＮ光ガイド層６０３を成長する。ｎ型ＧａＮ光ガイド層６０３成長後、基板の温度を７００℃〜８００℃程度に下げ、複数の、厚さ４ｎｍのＩｎ
0.15
Ｇａ
0.85
Ｎ井戸層と厚さ１０ｎｍのＩｎ
0.02
Ｇａ
0.98
Ｎ障壁層より構成される活性層
を成長する
次に、基板温度を再び１０５０℃まで昇温して、２０ｎｍの厚みのｐ型Ａｌ
0.2
Ｇａ
0.8
Ｎよりなるキャリアブロック層
を成長する
【０１９５】
その後、Ｍｇをドーピングしながら０．１μmの厚さのｐ型ＧａＮ光ガイド層
を成長する。更に、Ｍｇをドーピングしながら０．５μmの厚さのｐ型Ａｌ
0.1
Ｇａ
0.9
Ｎよりなるクラッド層
を成長する。最後に、Ｍｇをドーピングしながら０．１μmの厚みのｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層
を成長した
【０１９６】この様にして、結晶成長した後、ＭＯＣＶＤ装置のリアクター内を全窒素キャリアガスとＮＨ3に変えて、６０℃／分で温度を降下させた。基板温度が８５０℃に達した時点で、ＮＨ3の供給量を停止して、５分間、前記基板温度で待機してから、室温まで降下させた。上記基板の保持温度は６５０℃から９００℃の間が好ましく、待機時間は、３分以上１５分以下が好ましかった。また、降下温度の到達速度は、３０℃／分以上が好ましい。このようにして作製された成長膜をラマン測定によって評価した結果、前記手法により、従来、利用されているｐ型化アニールを行わなくとも、成長後すでにｐ型化の特性を示していた。また、ｐ型電極形成によるコンタクト抵抗も低減していた。 
【０１９７】ＳＩＭＳ（secondary ion mass spectroscopy）測定を行った結果、残留水素濃度がｐ型ＧａＮコンタクト層６０８最表面近傍で３×１０18／ｃｍ3以下であった。発明者らによる実験によると、成長膜を形成後、ＮＨ3雰囲気中で基板温度を室温まで降下させたとき、残留水素濃度が成長膜最表面近傍で高かったことから、成長膜最表面近傍の残留水素濃度は、成長終了後のＮＨ3雰囲気が原因であると考えられる。この残留水素は、ｐ型化不純物であるＭｇの活性化を妨げることが知られている。前記残留水素濃度は、５×１０19／ｃｍ3以下が好ましい。 
【０１９８】この様にｐ型ＧａＮコンタクト層６０８成長後に、キャリアガスをＮ2で置換し、ＮＨ3の供給量を停止して所定の時間、成長温度を保持することによって、ｐ型化を促し、成長膜最表面近傍の残留水素濃度を下げ、コンタクト抵抗を低減できた。また、ｐ型電極形成によるコンタクト抵抗をさらに低減する方法として、成長膜最表面（ｐ型層の最表面）近傍をエッチングにより除去し、その除去面にｐ型電極を形成すると良い。成長膜最表面（ｐ型層の最表面）を除去する層厚は、１０ｎｍ以上が好ましく、特に上限値はないが、除去面近傍の残留水素濃度が５×１０19／ｃｍ3以下になることが好ましい。 
【０１９９】本実施の形態の活性層６０４は、３周期からなる多重量子井戸構造を作製したが、その他の周期構造でも良く、井戸層のみの単一量子井戸構造でも良い。活性層はＩｎyＧａ1-yＮ（０＜ｙ≦１）から構成されていれば良く、所望のレーザ発振波長に応じてＩｎ組成を変化させればよい。 
【０２００】ｐ型ＧａＮコンタクト層６０８のｐ型不純物濃度は、ｐ型電極の形成位置に向かって、ｐ型不純物濃度を多くした方が好ましい。このことによりｐ型電極形成によるコンタクト抵抗が低減する。また、ｐ型化不純物であるＭｇの活性化を妨げているｐ層中の残留水素を除去するために、ｐ型層成長中に微量の酸素を混入させてもよい。 
【０２０１】以下に、上記窒化物半導体レーザ素子を形成したウエハーのチップ分割について図１０〜図１２を説明する。ここで、結晶成長側とは、基板側に対する反対側を指すものとする。 
【０２０２】まず、上記
ウエハーのＧａＮ基板側を研磨機により研磨して、塩素ドーピングされたＧａＮ基板の厚さを１００μｍにし、鏡面出しをする。次に、フッ酸もしくは熱燐酸を含む硫酸からなる混合溶液で、前記ウエハーをエッチング処理する。このエッチング処理は、研磨によって生じた表面歪み及び酸化膜を除去し、ｐ型、ｎ型電極のコンタクト抵抗の低減と電極剥離を防止するために行う
【０２０３】次に、前記ウエハーの結晶成長面をリソグラフィー技術でマスク処理し、反応性イオンエッチング装置にセットする。ドライエッチングによって、ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層６０７をｐ型ＧａＮ光ガイド層６０６の手前まで掘り下げて、リッジストライプ構造を形成して（リッジ部６２０）、屈折率導波型レーザダイオードを作製する。このとき、第Ａ１の割り溝６１２が＜１−１００＞方向に沿って同時に形成される。リッジのストライプ方向は、窒化物半導体の＜１−１００＞方向に形成した（図１２(ａ)）。 
【０２０４】次に、ＳｉＯ2絶縁膜６０９を蒸着し、リッジ部６２０のｐ型ＧａＮコンタクト層６０８の最表面を露出させ、該露出部分（２μｍ幅）を被覆するように、Ｐｄ（１０ｎｍ）／Ｍｏ（１０ｎｍ）／Ａｕ（１５０ｎｍ）を順に蒸着させてｐ型電極６１０をリソグラフィー技術でパターン形成する。前記ｐ型電極６１０を形成した後、微量の酸素を導入しながら、４５０℃のＮ2雰囲気中でアニールを行った。このことにより、ｐ型電極形成によるコンタクト抵抗の低抵抗化が得られた。 
【０２０５】次に、実施の形態２と同様に、結晶成長側の面に、反応性イオンエッチング法を用いて、割り溝の底部が窒化物半導体膜とＧａＮ基板の界面位置よりも下方にくるように、深さ８μｍ、線幅１０μｍ、ピッチ５１０μｍの第Ａ２の割り溝６１４を形成した（図１２(ａ)）。前記第Ａ２の割り溝は、リッジストライプ方向と垂直方向の＜１１−２０＞方向に沿って形成する。 
【０２０６】続いて、
ウエハーを裏返しにして、ＧａＮ基板側に、Ｔｉ（１５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）によるｎ型電極６１１を、リソグラフィー技術でパターン形成
【０２０７】
次に、結晶成長側の面に粘着シートを貼付し、スクライバーのテ−ブル上にＧａＮ基板側を上にして張り付け、真空チャックで固定する。固定後、スクライバーのダイヤモンド針で第Ａ１の割り溝６１２の線幅のほぼ中央が一致するように、深さ５μｍ、線幅５μｍ、ピッチ３００μｍの条件で、＜１−１００＞方向に一回スクライブし、第Ｂ１の割り溝６１３を形成する
続いて、第Ｂ１の割り溝６１３と垂直方向（＜１１−２０＞方向）に、深さ５μｍ、線幅５μｍ、ピッチ５１０μｍの条件で、一回スクライブし、第Ｂ２の割り溝６１５を形成する
【０２０８】
スクライブ後、真空チャックを解放し、ウエハーをテーブルから外し取り、ブレーキング装置で軽くＧａＮ基板側から第Ｂ２の割り溝６１５に沿ってチップ分割し、エッチングによるレーザ素子のミラー端面を得る
【０２０９】このようにして、２インチφのウエハーからレーザ素子チップを多数得た。チップのミラー端面や切断面にクラック、チッピング等が発生しておらず、外形不良の無い物を取り出した所、歩留まりは９５％以上であった。 
【０２１０】本実施の形態で得られる効果は上述実施の形態と同様である。
【０２１１】レーザ素子のミラー端面をエッチングで形成する場合、本実施の形態のように、ミラー端面形成とチップ分割のための割り溝形成を同時に形成することができる。本実施の形態以外の、レーザ素子のチップ分割は、実施の形態1から実施の形態１０の何れかを用いれば良い。また、本実施の形態では基板側から、ｎ型層、発光層、ｐ型層の順に結晶成長したが、逆にｐ型層、発光層、ｎ型層の順に結晶成長させても良い。以上により、窒化物半導体レーザ素子のミラー端面形成とチップ分割が歩留まり良く得ることができる。」 
  
　イ　甲４発明 
　上記アの摘記事項を含む甲４の全記載からみて、甲４には、次の発明が記載されていると認められる。 
  
「ｎ型ＧａＮ基板を用いた窒化物半導体レーザ素子の製造方法であって、 
　ＭＯＣＶＤ法で種基板上に低温バッファ層を５５０℃で積層し、次に、１０５０℃の成長温度でＳｉをドーピングしながら１μｍからなるｎ型ＧａＮ膜を作製し、ｎ型ＧａＮ膜を作製後、ＭＯＣＶＤ装置から前記ウエハーを取りだし、スパッター法、ＣＶＤ法もしくはＥＢ蒸着法を用いて誘電体膜を１００ｎｍ形成し、リソグラフィー技術で前記誘電体膜を周期的なストライプ状パターンに加工し、続いて、前記ストライプ形状に加工した誘電体膜の付いたウエハーをＨＶＰＥ装置中にセットし、成長温度１１００℃、Ｓｉ濃度３×１０18／ｃｍ3、塩素濃度１×１０17／ｃｍ3をドーピングしながら、３５０μｍの塩素ドーピングされたｎ型ＧａＮ厚膜を積層し、ｎ型ＧａＮ厚膜を形成後、ウエハーをＨＶＰＥ装置から取り出し、研磨機で前記種基板を剥ぎ取り、ｎ型ＧａＮ基板を作製し、 
　ＭＯＣＶＤ装置に、前記ｎ型ＧａＮ基板をセットし、１０５０℃の成長温度でｎ型ＧａＮバッファ層を１μｍ形成し、次に、１μmの厚さのｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層を成長させ、さらに、厚さ０．１μmのｎ型ＧａＮ光ガイド層を成長させ、ｎ型ＧａＮ光ガイド層成長後、基板の温度を７００℃〜８００℃程度に下げ、複数の、厚さ４ｎｍのＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ井戸層と厚さ１０ｎｍのＩｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ障壁層より構成される活性層を成長させ、次に、基板温度を再び１０５０℃まで昇温して、２０ｎｍの厚みのｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるキャリアブロック層を成長させ、その後、Ｍｇをドーピングしながら０．１μmの厚さのｐ型ＧａＮ光ガイド層を成長させ、更に、Ｍｇをドーピングしながら０．５μmの厚さのｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラッド層を成長させ、最後に、Ｍｇをドーピングしながら０．１μmの厚みのｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層を成長させることにより窒化物半導体レーザ素子を形成し、 
　前記窒化物半導体レーザ素子を形成したウエハーのＧａＮ基板側を研磨機により研磨して、塩素ドーピングされたＧａＮ基板の厚さを１００μｍにし、鏡面出しをし、次に、前記研磨によって生じた表面歪み及び酸化膜を除去してｐ型、ｎ型電極のコンタクト抵抗の低減と電極剥離を防止するために、フッ酸もしくは熱燐酸を含む硫酸からなる混合溶液で前記ウエハーをエッチング処理し、ウエハーを裏返しにして、ＧａＮ基板側に、Ｔｉ（１５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）によるｎ型電極をリソグラフィー技術でパターン形成し、 
　次に、結晶成長側の面に粘着シートを貼付し、スクライバーのテーブル上にＧａＮ基板側を上にして張り付け、真空チャックで固定し、その後、スクライバーのダイヤモンド針で第Ａ１の割り溝の線幅のほぼ中央が一致するように、深さ５μｍ、線幅５μｍ、ピッチ３００μｍの条件で、＜１−１００＞方向に一回スクライブし、第Ｂ１の割り溝を形成し、続いて、第Ｂ１の割り溝と垂直方向（＜１１−２０＞方向）に深さ５μｍ、線幅５μｍ、ピッチ５１０μｍの条件で一回スクライブし、第Ｂ２の割り溝を形成し、スクライブ後、真空チャックを解放し、ウエハーをテーブルから外し取り、ブレーキング装置で軽くＧａＮ基板側から第Ｂ２の割り溝に沿ってチップ分割し、エッチングによるレーザ素子のミラー端面を得る、 
　窒化物半導体レーザ素子の製造方法。」（以下「甲４発明」という。） 
  
（４）本件併合通知前に提出されたその外の甲各号証（ただし、甲１ないし甲４、甲１７、甲２９、甲３２、甲３３、甲３５、甲４１、甲４４、甲５２ないし甲５５を除く。）に記載された事項の概要 
  
　ア　甲５ 
　裏面ｎ電極をもった低転位ｎ−ＧａＮ基板上に成長されたＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）レーザダイオード（ＬＤ）が室温連続発振動作を示したことが記載されており、より具体的には、低圧（１００ｔｏｒｒ）有機金属気相成長法（ＬＰ−ＭＯＶＰＥ）により１００μｍ厚ＦＩＥＬＯ基板の上にＬＤ構造を成長したこと、ＬＤの概略構造は、１００μｍ厚ｎ型ＧａＮ層、１μｍ厚ｎ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層、０．１μｍ厚ｎ型ＧａＮ光導波層、ＩｎＧａＮ・ＭＱＷ層、２０ｎｍ厚ｐ型Ａｌ0.19Ｇａ0.81Ｎキャップ層、０．１μｍ厚ｐ型ＧａＮ光導波層、０．５μｍ厚ｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層と０．０５μｍ厚ｐ型ＧａＮコンタクト層から成り、上記ＩｎＧａＮ・ＭＱＷ層が５ｎｍ厚ＳｉドープＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層により区切られた３ｎｍ厚アンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ井戸層３ペアから構成されたこと、上記ｐ型ＧａＮコンタクト層の上にＰｄ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ型電極が蒸着され、ｎ型ＧａＮ基板の裏面にＴｉ／Ａｌからなるｎ型電極が蒸着されたこと、通常の劈開手法でミラー端面を形成し、共振器長が４４０μｍとなったこと、上記のように作成したＩｎＧａＮ・ＭＱＷ・ＬＤのレーザ特性を室温（２０℃）でパルスとＣＷ電流注入条件下で測定したこと、室温でＣＷとパルス電流注入条件下のコート端面あたりの注入電流の関数としての光出力（Ｌ−Ｉ）特性と電圧−電流（Ｖ−Ｉ）特性をＦｉｇ．２とＦｉｇ．３に示すこと、等が記載されている。 
　なお、甲４３の２では、甲５のＬＤ構造の記載及びＦｉｇ．２のＶ−Ｉ特性に基づいてｎ電極のコンタクト抵抗を見積もったところ、約０．０２１Ωｃｍ2未満になった、としている。 
  
　イ　甲６ 
　擬似バルクＧａＮ基板の上で作られたエッジ終端のショットキー整流器は、接触電極面積に関して、そして、整流器の配置に解して逆方向降伏電圧が強く依存することを示し、小直径（７５μｍ）のショットキー電極に対して、３ｍΩｃｍ２のＯＮ状態抵抗（ＲＯＮ）で、縦配置で測られるＶＢは〜７００Ｖであること（１５５５頁上方の要約）等が記載されている。 
  
　ウ　甲７ 
　後で認定する。 
  
　エ　甲８ 
　後で認定する。 
  
　オ　甲９ 
　後で認定する。 
  
　カ　甲１０ 
　ａ面サファイア上に有機金属気相エピタキシャル成長法によって成長されたＧａＮ膜に対する核形成層構造、転位密度と電気抵抗間の相関関係（タイトル）に関し、成長番号３９、１６３、１６５、１８０のＧａＮ膜試料の刃状転位密度（単位は×１０9／ｃｍ2）が順に５．２、１．０、３．９、１．４であり、抵抗（単位はΩｃｍ）が順に１０10、１、１０7、１であったこと（ＴＡＢＬＥ　１）、それゆえ成長番号３９と１６５から得られたＧａＮ膜試料の（成長番号１３６、１８０のＧａＮ膜試料に比して）より高い抵抗率は、刃状転位のより大きな密度に起因しているかも知れないこと（４３２４頁下から１３行〜下から１１行）等が記載されている。 
  
　キ　甲１１ 
　撮像素子の製造方法（【発明の名称】）に関し、液層エピタキシャル成長（ＬＰＥ）法又は気相エピタキシャル成長（ＶＰＥ）法を適用することにより、ＣｄＺｎＴｅ基板上にＨｇＣｄＴｅ結晶層を成長させ（【０００９】）、リソグラフィ技術を適用することにより該ＨｇＣｄＴｅ結晶層のエッチングを行って画素分離領域及びチップ外枠領域に凸部を形成し（【００１０】）、その後、全面が平坦になるように研磨すると前記凸部が存在していた箇所には研磨に起因するダメージ部分が生成され（【００１１】）、該ダメージ部分においては転位密度が高くなるので、光励起されたキャリヤはダメージ部分でトラップされることになり、したがって、溝による画素分離と同じ機能を果たすことができること（【００１２】）等が記載されている。 
  
　ク　甲１２ 
　後で認定する。 
  
　ケ　甲１３ 
　後で認定する。 
  
　コ　甲１４ 
　電子部品の製造方法（発明の名称）、特にＣｕ基合金からなる基体にＡｕやＡｌを含むワイヤをボンディングして電子部品を製造するに際し、前記基体の添加元素が濃縮した基体表面層を研磨またはエッチング除去したのち前記ワイヤをボンディングするようにしたもの（２頁右上欄〔発明の概要〕）に関し、「この基体表面層の研磨あるいはエッチングによる除去は、その電子部品の機械的強度を損なわない程度に行われることはいうまでもない。またこの表面層の除去を機械的研磨によって行う場合、この研磨処理によって基体表面に転位網を生じせしめるので、Ａｕワイヤをボンディングしたときの相互拡散の進行を高めることができる。この結果、そのボンディング強度を高めることが可能となる。」（２頁右下欄下から５行〜３頁左上欄４行）等の記載がある。 
  
　サ　甲１５ 
　化合物半導体結晶の成長方法（【発明の名称】）に関し、Ｓｉ基板上に一旦ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長し、この単結晶ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を研磨して研磨表面を得れば、ある程度平坦な表面が得られるが、研磨表面は研磨により結晶学的には乱れた表面であり、多数の転位を含むこと（【００１９】、【００２０】）等が記載されている。 
  
　シ　甲１６ 
　後で認定する。 
  
　ス　甲１８ 
　後で認定する。 
  
　セ　甲１９ 
　ＡＴＲ用圧力管として使用されるＺｒ−２．５Ｎｂ材平滑材において、刃状転位が集まってクラックを形成すること（９頁１２行〜１６行、１３頁６〜７行、６５頁の図３９）等が記載されている。 
  
　ソ　甲２０ 
　Ｗ薄膜において、クラックの先端付近で密集した転位が存在していること（１２６８〜１２６９頁「２．クラック近傍の転位」）等が記載されている。 
  
　タ　甲２１ 
　ＮａＣｌ単結晶において、転位は、最初のき裂先端から発生しているものが多くみられること（８４頁左欄下から１０行〜同頁右欄１４行、８５頁図２）等が記載されている。 
  
　チ　甲２２ 
　後で認定する。 
  
　ツ　甲２３ 
　半導体材料や磁気ヘッド材料の加工変質層は、外的な元素の作用による変質層、組織の変化による変質層、応力を中心に考えた変質層に分類でき、このうち組織の変化による変質層には、転位密度の上昇が含まれること（１０頁左欄の表１）、組織的変化などによる変質層（結晶構造に関連、繊維構造に関連又は結晶ひずみ）の測定方法（測定に用いられている機器の例）に電気抵抗があること（１０頁右欄の表２）等が記載されている。 
  
　テ　甲２４ 
　後で認定する。 
  
　ト　甲２５ 
　後で認定する。 
  
　ナ　甲２６ 
　後で認定する。 
  
　二　甲２７ 
　後で認定する。 
  
　ヌ　甲２８ 
　科学用語の辞典であり、見出し語「格子欠陥　〔ｌａｔｔｉｃｅ　ｄｅｆｅｃｔ〕」の説明として、「結晶格子において、原子やイオンの規則正しい配列からの乱れを格子欠陥または結晶欠陥という。空孔や格子間原子、不純物のような点欠陥、転位のような線欠陥、外部表面のような面欠陥がある。」との記載があり（４２８頁）、また、見出し語「転位　〔ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ〕」の説明として、「結晶中にある線状の結晶格子の乱れ。」等の記載がある（９４７頁）。 
  
　ネ　甲３０ 
　窒化物半導体基板は、一般に転位密度が低く、例えば、その転位密度は１０7ｃｍ-2以下であること、したがって、窒化物系半導体基板を用いることにより、貫通転位密度の少ない（貫通転位密度が約３×１０7ｃｍ-2以下）、結晶性のよい窒化物半導体発光素子を作成できること、擬似窒化物系半導体基板を用いる場合、他の結晶材料上に成長させられた窒化物半導体結晶膜の転位密度は１０7ｃｍ-2以下であることが好ましいこと、貫通転位密度は透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により測定することができること（【００１１】）、特に、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂを含む発光層は、貫通転位密度が多いと発光効率が低下し、閾値電流値の増大に繋がるが、これは、貫通転位付近にＡｓ、Ｐｂ、Ｓｂが偏析してしまうために、発光層の結晶性が低下するためだと考えられ、窒化物半導体基板または擬似窒化物半導体基板を用いることにより、このような閾値電流値の増大を抑制し、発光層の結晶性の低下を抑えることができ、また、窒化物半導体基板は、へき開による良好な共振器端面をもたらすため、ミラー損失が小さく好ましく、さらに、窒化物半導体基板は熱伝導率が良く、放熱性に優れていること（【００１２】）、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）装置に、ｎ型ＧａＮ基板１００をセットし、Ｖ族原料のＮＨ3（アンモニア）とＩＩＩ族原料のＴＭＧａ（トリメチルガリウム）またはＴＥＧａ（トリエチルガリウム）を用いて、５５０℃の成長温度で低温ＧａＮバッファ層１０１を１００ｎｍ成長させ、次に、１０５０℃の成長温度で前記原料にＳｉＨ4（シラン）を加え、ｎ型ＧａＮ層１０２（Ｓｉ不純物濃度１×１０18／ｃｍ3）を３μｍ形成し、その後、基板温度を８００℃に下げ、Ｓｉ不純物源としてＳｉＨ4を添加しながら、Ｐ原料としてＰＨ3またはＴＢＰ（ｔ−ブチルホスフィン）を添加して、厚さ４ｎｍの単一量子井戸構造のＧａＮ0.92Ｐ0.08発光層１０３を成長させたこと（【００７２】）、素子構造を形成するための結晶面として、ＧａＮ基板のＣ面（０００１）の他に、Ｃ面（０００−１）、Ａ面｛１１−２０｝、Ｒ面｛１−１０２｝、Ｍ面｛１−１００｝、｛１−１０１｝面を用いても構わず、さらに、上記面方位から２度以内のオフ角度を有する基板面は、表面モフォロジーが良好であって好ましく、基板は窒化物半導体で構成されている基板であれば良く、特に、ＡｌxＧａyＩｎzＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）基板を使用することができ、また、基板中にＳｉ、Ｏ、Ｃｌ、Ｓ、Ｃ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、ＭｇまたはＢｅがドーピングされていても構わず、ｎ型窒化物半導体基板には、これらのドーピング元素のうち、Ｓｉ、Ｏ、Ｃｌが特に好ましいこと（【００８５】）等が記載されている。 
  
　ノ　甲３１ 
　後で認定する。 
  
　ハ　甲３４ 
　窒化物半導体を基板とし、その基板上部に活性層を含む素子構造を有する窒化物半導体層が積層されてなる窒化物半導体素子（【請求項１】）であって、素子構造が積層される窒化物半導体基板主面の面方位は特に問わないが、Ｍ面で劈開できる主面を有する窒化物半導体基板を選択し、好ましくはＣ面、Ａ面を主面とする窒化物半導体基板を用い（【００１５】）、２インチφ、Ｃ面を主面とし、オリフラ面をＡ面とするサファイア基板上に、温度５１０℃でＧａＮよりなるバッファ層を１５０オングストロームと、温度１０５０℃でアンドープＧａＮ層２を３μｍ成長させ、その上にストライプ方向をオリフラ面に対して垂直な方向としたストライプ状のフォトマスクを形成し、ＣＶＤ装置によりストライプ幅１０μｍ、ストライプ間隔（窓）６μｍのＳｉＯ2よりなる保護膜を０．１μｍの膜厚で形成し（【００３６】）、保護膜形成後、基板を反応容器内にセットし、温度を１０５０℃まで上昇させ、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、シランガスを用い、Ｓｉを１×１０18／ｃｍ3ドープしたＧａＮよりなる窒化物半導体層を１５０μｍの膜厚で成長させ（【００３７】）、次にＳｉドープＧａＮ基板を作製したウェーハを再度ＭＯＣＶＤ装置の反応容器に移送し、レーザ素子構造となる窒化物半導体層を基板上に成長させ（【００３９】）、ｐ電極形成後、ウェーハのサファイア基板、バッファ層、ＧａＮ層、保護膜を研磨、除去し、ＳｉドープＧａＮ基板の表面を露出させ、そのＧａＮ基板の表面全面に、Ｔｉ／Ａｌよりなるｎ電極を０．５μｍの膜厚で形成し、その上にヒートシンクとのメタライゼーション用にＡｕ／Ｓｎよりなる薄膜を形成し（【００５２】）、次に、ｎ電極側からストライプリッジに対して垂直な位置、即ち、ＧａＮ基板のＭ面で基板を劈開し、活性層の端面Ｍ面に共振面を作製すること（【００５３】）等が記載されている。 
  
　ヒ　甲３６ 
　自立ＧａＮ層中のディープセンター（タイトル）に関する論文であり、その「要約」の記載は次のとおりのものである（請求人作成の抄訳による。以下同じ。）。 
「ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）によってＡｌ２Ｏ３上に成長され、レーザー剥離された、厚さ〜３００μｍの自立ＧａＮ層のＧａ及びＮ面両方におけるショットキーバリアダイオードが、キャパシタンス-電圧及びディープレベル過渡分光法（ＤＬＴＳ）測定により調査された。１／Ｃ２対Ｖ分析から、Ｎｉ／Ａｕショットキーコンタクトの障壁高さは、２つの極性面で異なることが決定された：Ｇａ面は１．２７ｅＶ、Ｎ面は０．７５ｅＶである。ＨＶＰＥ成長ＧａＮを含む他のエピタキシャルＧａＮにおいて以前に観測された４つの共通のＤＬＴＳトラップに加えて、活性化エネルギーＥＴ＝０．５３ｅＶの新しいトラップＢ'がＧａ面サンプルで見出された。また、Ｎ空孔に関係すると思われるトラップＥ１（ＥＴ＝０．１８ｅＶ）がＮ面サンプルにおいて見出され、トラップＣ（ＥＴ＝０．３５ｅＶ）がＧａ面サンプルにおいて見出された。トラップＣは反応性イオンエッチングダメージにより生じたものであるかもしれない。」 
　また、２１７８頁左欄下から１０行〜同頁右欄７行には次のとおり記載されている。 
「本論文で用いたＧａＮ層は、おおよそ３００μｍの厚みで成長され、レーザー溶融法によりＡｌ２Ｏ３基板から分離された。上（Ｇａ）面は機械的に研磨され、そして研磨ダメージがＣｌ２系反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によって部分的に除去された。Ａｌ２Ｏ３基板に隣接していた下（Ｎ）面は、Ａｌ２Ｏ３上に成長したすべてのＨＶＰＥ層に現れる薄い高劣化領域を初めは含んでいる。そして、そのショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）が非常にリーキーで使用できなくならないように、ショットキーバリアの積層の前に、材料の約３０μｍが機械研磨及び湿式化学エッチングにより除去される。その層を２つの片に切断した後、それぞれ直径２５０μｍのＮｉ／Ａｕショットキーバリアが、一方の片のＧａ面に、そして他方の片のＮ面に、形成された。そして、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕオーミックコンタクトが、各片のそれぞれ反対側の面に形成された。」 
  
　フ　甲３７ 
　後で認定する。 
  
　へ　甲３８ 
　後で認定する。 
  
　ホ　甲３９ 
　後で認定する。 
  
　マ　甲４０ 
　後で認定する。 
  
　ミ　甲４２ 
　ホモエピタキシャルＧａＮ層のドーピング（タイトル）に関し、高圧で成長されたＧａＮの導電性の単結晶の上に、酸素（意図しないで）、シリコンおよびマグネシウムが不純物添加された窒化ガリウムが有機金属化学気相成長によって成長され、その層は、Ｘ線回折、フォトルミネセンスと遠赤外反射率を使って調べられ、シリコンの取り込みが堆積のために使われる面に依存することが判明し、同じ成長で成長された２枚のＳｉ不純物添加された層に対して、（００．１）面（ガリウム終端）上に成長されたものは、（００．１）面（窒素終端）に対して、常により小さな自由電子濃度を持ち、この結論は、自由電子による格子の拡大、バースタイン−モス効果によるフォトルミネセンス・ピーク・シフトと遠赤外反射率におけるプラズマ端の位置から導出されることができたこと（要約）、実験では、ＧａＮ基板が、１５×１０８Ｐａの圧力と１８００Ｋの温度でガリウム液滴中への窒素溶解という自己種付けプロセスによって成長され、 結晶は４０から６０ｍｍ２の寸法で、良い結晶品質（２０〜５０ａｒｃｓｅｃのＸ線回折ロッキングカーブ）であり、それらは高い電気伝導性（ｎ〜１０１９ｃｍ−３）であり、（００．１）Ｎ面（化学的に活性な）は、原子的に滑らかで欠陥のない表面を得るために、ＫＯＨの水溶液中で化学的機械的に研磨され、（００．１）面（不活性な面）は機械的に研磨され、そして、研磨に起因する損傷を取り除くためにＣｌ２＋Ａｒ＋ＣＨ４を用いた反応性イオンエッチングによりエッチングしたこと（４３８頁６行〜１３行）等が記載されている。 
  
　ム　甲４３の１ 
　請求人日亜化学工業株式会社総合部門法知本部主幹技師丸谷幸利作成の報告書であり、甲３１の段落【００２７】、【００２８】、【００３７】の記載及び図２に基づいてｎ電極のコンタクト抵抗を見積もったところ、（０００１）面および（０００−１）面にｎ電極を形成した場合いずれも約０．００１Ωｃｍ２未満であった、としている（１頁「１．結論」参照。）。 
  
　メ　甲４３の２ 
　請求人日亜化学工業株式会社総合部門法知本部主幹技師丸谷幸利作成の報告書であり、甲５のＬＤ構造の記載及びＦｉｇ．２のＶ−Ｉ特性に基づいてｎ電極のコンタクト抵抗を見積もったところ、約０．０２１Ωｃｍ2未満になった、としている（１頁「１．結論」参照。）。 
  
　モ　甲４５ 
　一般財団法人材料科学技術振興財団分析評価部作成の請求人日亜化学工業株式会社総合部門法知本部知財部知財戦略課岩浅勇人宛の分析結果報告書であり、ＧａＮ基板表面部分の断面ＴＥＭ観察を行い、表面から１０ｎｍ程度の領域に欠陥と考えられるコントラストを観察したことが記載されている（２頁「３．結果」参照。）。 
  
　ヤ　甲４６ 
　ウェブサイト「コトバンク」で「接触抵抗」を検索した結果をプリントアウトしたものであり、「デジタル大辞泉の解説」として、「せっしょくていこう〔−テイカウ〕【接触抵抗】」の見出し語と、「二つの導体を接触させたとき、その面に生じる電気抵抗。」との解説が記載されている。また、「大辞林　第三版の解説」として、「せっしょくていこう【接触抵抗】」の見出し語と、「二つの物質を接触させて電流を流すとき、その界面近傍に存在する電気抵抗。面の状態、面に加わる圧力、電流の大きさなどさまざまな要素に依存し、非線形なことが多い。」との解説が記載されている。 
  
　ユ　甲４７ 
　後で認定する。 
  
　ヨ　甲４８ 
　先端電子材料の事典であり、見出し語「オーミックコンタクト〔ｏｈｍｉｃ　ｃｏｎｔａｃｔ〕」の説明中に、「（マル３）（審決注：原文の丸付き数字の「３」をこのように表記する。以下同じ。）障壁厚さを薄くしてトンネル電流を増やす、などをすれば、オーミック特性が得られる。実用的には、半導体側に高濃度ドープ層を形成して（マル３）の効果を主に使い・・・」、「オーミックコンタクトのコンタクト抵抗は、接触の単位面積当たりに換算した固有接触抵抗（ｓｐｅｃｉｆｉｃ　ｃｏｎｔａｃｔ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ，単位：Ω・ｃｍ２）で表現されることが多い。」等の記載があり（１９４頁）、また、見出し語「伝送線路法〔ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ−ｌｉｎｅ−ｍｏｄｅｌ　ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ〕」の説明として、「オーム性電極（⇒オーミックコンタクト）の良否は固有接触抵抗（ｓｐｅｃｉｆｉｃ　ｃｏｎｔａｃｔ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）によって評価される。固有接触抵抗ρｃは、面積Ａの電極の接触抵抗がＲｃのとき、ρｃ＝ＲｃＡで定義される量である。したがって、単位は［Ω・ｃｍ２］である。伝送線路モデル（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｌｉｎｅ　ｍｏｄｅｌ、ＴＬＭ）にもとづく接触抵抗の評価法は、薄膜状の試料に対して特に有効である。バルク状の材料が入手可能であれば、棒状に切り出してその両端面に電極を付けたものを試料とすればよい。このときの全抵抗は、電極による抵抗の２倍と材料の比抵抗で決まる抵抗の和となるので、試料棒の長さ依存性から簡単に固有接触抵抗の値を求めることができる。薄膜状の試料の同一面に電極を形成する、いわゆるプレーナー構造・・・の場合には、電極から流れ出る電流の流線分布が単純ではないため、接触抵抗には、電極界面における固有接触抵抗に、流線が広がることに起因する広がり抵抗（ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、⇒広がり抵抗法）が加わる。これを解析するために電極部分を・・・固有接触抵抗の部分を並列コンダクタンス（ｄＧ＝ｗ／ρｃ）、材料自身を直列抵抗（ｄＲ＝Ｒｓ／ｗ、ここでＲｓは面低効率）として、これらが分布した伝送線路とみなす方法がＴＬＭ法である。このとき、接触抵抗Ｒｃはｖ（ｄ）／ｊ（ｄ）で与えられる。実験的に固有接触抵抗を求めるためには、・・・同一の形状をもつ電極を３個形成する。この中からまず２組を選びそれぞれの抵抗を測定する（Ｒ１＝Ｖ１２／Ｉ１２，Ｒ２＝Ｖ２３／Ｉ２３）。電極間の距離が違いからバルク領域の抵抗がキャンセルできて接触抵抗が得られる（Ｒｃ＝（Ｒ２ｌ１−Ｒ１ｌ２）／２（ｌ１−ｌ２））。一方、電極間１２に電流を流したときに電極間２３に現れる電圧との比（Ｒｅ＝Ｖ２３／Ｉ１２）を電極端抵抗と呼ぶ。ＲｃとＲｅはともにＴＬＭ法によって理論的に求めることができ、固有接触抵抗は以下の式を使って決定できる。ρｃ＝（Ｒｃ２−Ｒｅ２）ｗｄ／ｃｏｓｈ−１（Ｒｃ／Ｒｅ）」との記載がある（６５４頁〜６５５頁）。 
  
　ラ　甲４９ 
　オーム接触は、ショットキー障壁における障壁の高さを下げるか、厚さを薄くすること、及び半導体側のキャリヤ再結合速度を増大することで実現でき、障壁の高さは金属の仕事関数の選択で、また障壁の厚さは半導体側のキャリヤ濃度を変えることで変更でき、再結合速度の増大は半導体表面を粗面化することで実現でき、特に、半導体側の不純物濃度を１０１８ｃｍ−３以上にすれば、ほとんどの金属ではオーム接触となるが、これは障壁の厚さが薄くなり、ここを流れる電流成分がトンネル効果によるものが支配的となることによるものであること（２９０頁８行〜１５行）、オーム接触の良さを表すひとつの量は接触抵抗であること（同頁２０行〜２１行）等が記載されている。 
  
　リ　甲５０ 
　表面ピンニングのある化合物半導体においてはオーミック電極を作成することが技術的に困難となり、このような材料でオーミック（接合）を得るためには、（マル１）空乏層幅を小さくする→電子をトンネルさせやすくする、（マル２）障壁高さを下げる→熱的に分布する電子が障壁を越えやすくする、ことが有効な方法であり、表面付近の不純物濃度を高めれば、空乏層幅が狭くなるばかりでなく、半導体側の電子にとって金属側に見える正の鏡像電荷によってショットキー障壁が低下し、これによってオーミック接合が得やすくなり、また、空乏層幅が１００Å程度になるとトンネル接合が得られるので、表面ピンニングが０．８Ｖであれば、ドナー濃度１×１０１９ｃｍ−３以上が必要となること（２５頁７行〜１７行）等が記載されている。 
  
　ル　甲５１ 
　「窒化物半導体及びデバイス」と題された章に以下の記載がある。 
「６．２　金属−半導体接合における電流の流れ 
　欠陥が含まれなければ、金属−半導体系には電流の流れを支配するメカニズムが３つある。 
（１）熱電子放出（ＴＥ）−適度にドープされた半導体、Ｎｄ＜〜１０17ｃｍ-3、において、空乏領域は比較的広い。この理想図において考慮されていない欠陥によって援助されない限り、障壁をトンネルするのはほぼ不可能である。しかし、電子は、コンタクトのために小さくあるべきである障壁の頂上を熱電子放出によって越えることができる（図６．５（ａ））。一方で、低ドープまたは高障壁の半導体においては、大多数の電子がいずれの方向にも半導体中へ横断することはできないであろう；よって、オーミック挙動はみられない。 
（２）熱電界放出（ＴＦＥ）−中間的にドープされた半導体、〜１０17 ＜Ｎｄ＜〜１０18［ｃｍ-3］、において、空乏領域は、おおよそ平衡状態にあるキャリアの直接のトンネルを許すほど十分な薄さではない。しかし、キャリアが少しのエネルギーを獲得すれば、キャリアはトンネルすることができるだろう。したがって、熱電子放出とトンネルの両方が行われる。 
（３）電界放出（ＦＥ）−多量にドープされた半導体、Ｎｄ＞〜１０18ｃｍ-3、において、空乏領域は狭く、金属から半導体への直接の電子のトンネルが許される（図６．５（ｃ））。金属と半導体の仕事関数の間に良好な合致がないときには（一般的にそうであるが）、これがオーミック接触を追求するための最良のアプローチである。」（１９６頁１行〜１９７頁７行） 
「ｎ型半導体における、（ａ）熱電子放出、（ｂ）熱電界放出、（ｃ）トンネルするメカニズムの模式的な描写」（１９６頁図６．５の説明） 
  
　レ　甲５６ 
　後で認定する。 
  
　ロ　甲５７ 
　後で認定する。 
  
　ワ　甲５８ 
　４６頁１０行〜２０行に次の記載がある。 
「２・３・４　等厚縞および湾曲縞 
　二波回折条件下で、試料に入射された電子線の強度は進入に従って透過波と回折波に分かれて試料中を進入していく。くさび形結晶試料の場合について、透過波の強度Ｉ０および回折波の強度Ｉｇを結晶厚みｔに対して作図すると、図２．１６の実線および点線のようになる。これは、電子線が試料を透過する際、ある深さまでは、回折によって回折波の強度が増加するが、一方、透過波の強度は減少すること、また、ある深さ以上では逆に回折波の強度が減少し、透過波の強度が増加することを意味する。すなわち、入射された電子線の強度は透過電子波と回折電子波との間でうなりを生じる。その結果として、（ｂ）におけるように、位置Ａ、Ｂにおいて、明視野像では明るい（暗視野像では暗い）コントラストを得る。（ｂ）に示す明暗の縞は等厚縞と呼ばれる。」 
　また、４７頁下から２行〜下から１行に次の記載がある。 
 「通常用いられる試料は極めて薄いために試料が平坦ではなく湾曲していることが多々ある。そのときに生じる縞のことを湾曲縞という。」 
　また、４８頁５行〜１１行に次の記載がある。 
 「２・３・５　格子欠陥の同定 
　格子欠陥には、点欠陥として原子空孔や格子間原子、線欠陥として転位、面欠陥として積層欠陥がある。このうち、ＴＥＭで通常観察できる格子欠陥は、転位と積層欠陥である。これら格子欠陥の観察および解析には一般に、二波条件下での明視野法および暗視野法を用いる。ここでは、格子欠陥の型をどのようにして決定するか、すなわち、転位のバーガースペクトルの決定法および積層欠陥の変位ベクトルの決定法などについて説明する。」 
 　さらに、５５頁に図２．２５が掲載されており、その説明として「高い転位密度を有する試料の（ａ）二波条件下での明視野像と、（ｂ）ウィークビーム暗視野像　後者では転位部が回折条件を満たすように試料をわずかに傾斜した。」との記載がある。 
  
　ヲ　甲５９ 
　後で認定する。 
  
（５）本件併合通知後に提出されたその外の各甲号証（ただし、甲６０、甲６１、甲６４を除く。）に記載された事項の概要 
　ア　甲６２ 
「電極金属は酸化の心配のない金（Ａｕ）が用いられ、金の薄膜をコンタクト層表面に真空蒸着により貼り付けます。次はウェハ裏側面にｎ型電極を付ける工程に移るのですが、そのまえにウエハを研磨し、厚さを１００μｍ程度にしておきます。これは基板が厚いままだと次の第３工程で、へき開やペレタイズができなくなるため、薄くして割りやすくする準備を整えるのです。研磨後表面をエッチングできれいに整え、やはり金の薄膜を真空蒸着で貼り付けて（ｎ側電極）電極プロセスを終了します。」（１１５頁１６〜２１行）、 
「●ラッピング 
　…なお、基板はこのままでは厚すぎて、へき開できません。そこでまず、石を磨くようなラッピング（研磨）の手法によって基板側を削り、ウェハ厚さを約１００μｍにします［（２）図］。 
　なお、ラッピング後の表面は非常にざらざらしていて表面状態が悪いので、全面を硫酸などのエッチング液で数μｍさらにエッチングします。こうすることで表面が非常にきれいになるので、そのあとで裏面側の電極を蒸着するわけです。」（１２１頁下から９〜末行） 
  
　イ　甲６３ 
「基板の化学エッチングする厚さは、研磨剤の粒径によっても多少異なるが、機械歪みを除去する厚さ以上の１００〜１５０μｍ程度が望ましく、…」（３頁左下欄９〜１１行） 
  
３　対比・判断 
（１）無効理由５ 
　事案にかんがみ、無効理由５から判断する。なお、以下、相違点を特定するために付した番号は、これまでの経緯にかんがみ、第２事件について平成２７年５月２６日にした審決で用いた番号と同様とする。 
  
　ア　本件訂正発明１について 
　本件訂正発明１と甲４発明とを対比する。 
　（ア）甲４発明の「ｎ型ＧａＮ基板」、「『ｎ型ＧａＮバッファ層』、『ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層』、『ｎ型ＧａＮ光ガイド層』、『Ｉｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ井戸層』と『Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ障壁層より構成される活性層』、『ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるキャリアブロック層』、『ｐ型ＧａＮ光ガイド層』、『ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラッド層』及び『ｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層』」、「窒化物半導体レーザ素子を形成したウエハーのＧａＮ基板側」、「研磨」、「ＧａＮ基板の厚さを１００μｍにし」、「ｎ型電極」及び「窒化物半導体レーザ素子の製造方法」は、それぞれ本件訂正発明１の「ｎ型の窒化物系半導体層及び窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層」、「活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層」、「第１半導体層の裏面」、「研磨」、「厚み加工」、「ｎ側電極」及び「窒化物系半導体素子の製造方法」に相当する。 
  
　（イ）甲４発明において、ＭＯＣＶＤ装置に、「ｎ型の窒化物系半導体層及び窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層（ｎ型ＧａＮ基板）」をセットし、「活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層（『ｎ型ＧａＮバッファ層』、『ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層』、『ｎ型ＧａＮ光ガイド層』、『Ｉｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ井戸層』と『Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ障壁層より構成される活性層』、『ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるキャリアブロック層』、『ｐ型ＧａＮ光ガイド層』、『ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラッド層』及び『ｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層』）」を成長させているから、甲４発明の「窒化物系半導体素子の製造方法（窒化物半導体レーザ素子の製造方法）」と本件訂正発明１の「窒化物系半導体素子の製造方法」とは、少なくとも、「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程」を備えている点で一致する。 
  
　（ウ）甲４発明において、「第１半導体層の裏面（窒化物半導体レーザ素子を形成したウエハーのＧａＮ基板側）」を研磨機により「研磨（研磨）」して、「厚み加工（ＧａＮ基板の厚さを１００μｍにし）」しているから、甲４発明の「窒化物系半導体素子の製造方法（窒化物半導体レーザ素子の製造方法）」と本件訂正発明１の「窒化物系半導体素子の製造方法」とは、少なくとも、「前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程」を備えている点で一致する。 
  
　（エ）甲４発明において、フッ酸もしくは熱燐酸を含む硫酸からなる混合溶液でエッチング処理することにより、「第１半導体層の裏面（窒化物半導体レーザ素子を形成したウエハーのＧａＮ基板側）」の「研磨（研磨）」によって生じた表面歪み及び酸化膜を除去し、「第１半導体層の裏面」に、Ｔｉ（１５ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）による「ｎ側電極（ｎ型電極）」をリソグラフィー技術でパターン形成しているから、甲４発明の「窒化物系半導体素子の製造方法（窒化物半導体レーザ素子の製造方法）」と本件訂正発明１の「窒化物系半導体素子の製造方法」とは、少なくとも、「前記第１工程及び前記第２工程の後、前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去する第３工程」と「その後、前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する第４工程」を備えている点で一致する。 
  
　（オ）上記（ア）〜（エ）からみて、本件訂正発明１と甲４発明とは、 
 「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と、 
　前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と、 
　前記第１工程及び前記第２工程の後、前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去する第３工程と、 
　その後、前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する第４工程とを備えた窒化物系半導体素子の製造方法。」で一致し、次の点において相違する。 
  
相違点９： 
　「同第２工程の終了時に前記第１半導体層の裏面に発生している転位」について、 
　本件訂正発明１では、「転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度であっても、当該裏面にｎ側電極を形成すると、窒化物系半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」であるとされるのに対し、 
　甲４発明では、「前記第１半導体層の裏面に」「転位」が「発生している」か否かを含めて不明であり（以下、ここまでの部分を「相違点９−１」ということがある。）、 
　しかも、「前記第１工程及び前記第２工程の後、前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去する第３工程」について、 
　本件訂正発明１では、「領域」が研磨により発生した転位を含み、「裏面近傍の領域」を「除去」する量が「０．５μｍ以上」であり、「裏面近傍の領域」を「除去」した「第１半導体層の裏面」の「転位密度」が１×１０９ｃｍ−２以下とされるのに対し、 
　甲４発明では、「領域」が研磨により発生した転位を含むかどうかも、「裏面近傍の領域」を「除去」する量も、「裏面近傍の領域」を「除去」した「第１半導体層の裏面」の「転位密度」が１×１０９ｃｍ−２以下であるかどうかも明らかでない（以下、相違点９−１以外の相違点９の部分を「相違点９−２」ということがある。）、点 
  
相違点１０： 
　前記「第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗」が、 
　本件訂正発明１では、０．０５Ωｃｍ２以下とされるのに対し、 
　甲４発明では、０．０５Ωｃｍ２以下であるかどうかが明らかでない点 
  
　（カ）相違点９について 
　ａ　加工変質層と転位 
　（ａ）各文献の記載 
　下記文献には，次の記載が認められる。 
　（ａ−１）甲７ 
「２．金属の加工変質層 
２・１ 金属の加工変質層の種類 現在加工変質層として知られているもののうち主要のものをつぎにあげる。 
・・・ 
（II）組織の変化による変質 
・・・，(3) 転位密度の上昇，・・・」（１５頁左欄１７〜２６行目） 
「３． 半導体の加工変質層と表面物性 
３・１ 概論 電子機器材料として用いられるＳｉ，Ｇｅなどの半導体は高純度と結晶の完全性とが要求される上にその性質が格子欠陥・結晶構造などによって敏感に影響されるいわゆる構造敏感な材料であるので，加工変質層が存在すれば，その電気特性に大きな影響を及ぼすことは当然である。このような研究の大部分は半導体研究の初期においておこなわれ，加工変質層が有害であることが判明した後は，エッチングによって除去すること，または加工変質層を生じない加工法を検討することに主力がむけられ，加工変質層の影響に関する研究はほとんど行われていないようである。」（１９頁左欄３〜１５行目） 
「５． その他の材料の加工変質層と表面物性 
すべての材料は加工されれば加工変質層が生じ，なんらかの形で物性に影響を及ぼしているはずである。」（２２頁右欄７〜９行目） 
  
　（ａ−２）甲８ 
「１.３ 加工変質層 
１.３.１ 緒言 
　固体を工業上の目的に使用するためには，その材料に対してなんらかの加工をほどこさなければならない。・・・加工のとき作用する力，発生する熱，外気の作用，新生面効果などによって材料はなんらかの変化をうけ，表面には内部とは違った層を形成する。このような層を加工変質層とよんでいる。最近において，加工変質層の研究は半導体を中心にして飛躍的な進歩がみられた。半導体材料には単結晶が多いので，これらの結果は半導体製品の性質の向上に対して重要である・・・。 
　加工変質層の分類について筆者は次のように考えている。 
　・・・ 
（II）組織の変化による変質 
　　・・・ 
　　(3) 転位密度の上昇」（６９頁２〜２１行目） 
「１.３.２ 加工変質層の測定法 
　・・・ 
　　(7) 転位密度 透過型電子顕微鏡 
　　　　　　　　・・・ 　　　　　　　」（７０頁） 
「１.３.１１ 半導体材料の加工変質層 
(a) まえがき 最近，電子機器材料として使用される半導体はたとえばＧｅ，Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＧａＳｂ，ＩｎＡｓ，ＩｎＳｂ，ＬｉＴａＯ３，ＬｉＮｂＯ３，ＴｅＯ２，各種フェライトなど多岐にわたり，これらの材料の加工機構の究明・製品の性能向上などをはかるために加工変質層の研究が必要である。」（９６頁５〜９行目） 
  
　（ａ−３）松永正久外３名編，「エレクトロニクス用結晶材料の精密加工技術」，株式会社サイエンスフォーラム，昭和６０年１月３０日，５７７〜５８４頁（甲１８） 
「２． 加工変質層とその検出方法 
　・・・ 
　ここでは単結晶を対象とした機械加工を考えてみる。 
　・・・ 
　以上を種々のこれまでの観察や実験結果を総合しモデル図化すると図−３のようになる。完全結晶をベースにして考えたが，非晶質や多結晶についてもそれぞれ同様なモデルをもとに考えればよいであろう。」（５７８頁右欄１７行〜５７９頁左欄３行目）
  
　（ａ−４）河東田隆編著，「半導体評価技術」，産業図書株式会社，１９８９年２月２８日，８〜９頁，１８〜２１頁，３８〜４３頁，７２〜７３頁，９８〜１０５頁，１４２〜１４７頁（甲４７・５６） 
「ウエハに加工された結晶表面は，加工中の機械的損傷汚染を受けている。・・・ウエハ表面，裏面の機械的損傷によって生じた転位などの結晶欠陥は，たび重なる熱処理プロセスによって増殖，移動することにより，ウエハに複雑なそりを引き起こす。このため，できるだけ初期段階に機械的損傷，転位を評価して，その除去を図る必要がある。」（９頁１〜６行目） 
「４.４.２ 電極形成の手順 
　典型的なオーム性接触の形成の手順を・・・示す。まず機械的損傷層を除去するために，化学エッチングを行う（基板の前処理）。・・・ 
 　つぎに真空蒸着法などによってオーム性電極金属を半導体上に堆積させる。」（１４３頁下２行〜１４６頁８行目） 
  
　（ａ−５）甲２２ 
「・・・機械的な表面研磨法はマイクロクラックの進展等を利用するものであり，ＣＶＤ−ＳｉＣ膜表面に凹凸を形成している結晶を削り取るための物理的な衝撃（以下「物理的加工力」という）により，鏡面加工面及びその直下部分における原子配列が著しく乱れて，加工歪みや結晶内転位等を伴ういわゆる加工変質層を形成することを確認した。」（【０００８】） 
  
　（ａ−６）甲５７ 
「加工変質層には大きく分けてクラック，アモルファス，転位，鏡面ウェーハの表面層の乱れがある。」（７３頁下から６〜５行目） 
  
　（ａ−７）甲２４ 
「ブロック切断，外径研削，スライシング，ラッピングの機械加工プロセスを経たシリコンウエーハは表面にダメージ層すなわち加工変質層を有している。加工変質層はデバイス製造プロセスにおいてスリップ転位などの結晶欠陥を誘発したり，ウエーハの機械的強度を低下させ，また電気的特性に悪影響を及ぼすので完全に除去しなければならない。機械加工プロセスを経た単結晶表面に導入される加工変質層は，図３.１０に模式的に示されるように，非晶質層，多結晶層，モザイク層，クラック層，そして歪み層を含むと考えられる。加工変質層の深さは加工条件によって異なる。」（１１１頁２〜８行目） 
「機械加工プロセスでシリコンウエーハに導入された加工変質層は化学エッチング・・・によって完全に除去される。」（１１１頁下から２〜１行目）
  
　（ａ−８）甲２５ 
「ＩＣカードやスタックドパッケージに代表される薄型パッケージにおいては，基板等の周辺部材の厚みを薄くすると同時に，シリコンウエハ自体の厚みも薄くする必要がある。このようなウエハの薄型化においては，機械的な研削加工でウエハ厚みを１００μｍもしくはそれ以下まで薄くしなければならない。 
　ウエハの薄型加工は主にウエハを機械的に研削する『グラインディング工程』と，グラインディング時にウエハに導入されたマイクロクラック等を含むストレス層（加工変質層）を除去する『ストレスリリーフ工程』から成っている。この加工変質層はウエハの反りやクラック発生の原因となるため，グラインディング処理後にはストレスリリーフ処理により完全に除去されなくてはならない。」（８７頁左欄２〜１５行目） 
  
　（ａ−９）甲１６ 
「 ・・・六角形の板状形状のＧａＮ結晶は，本発明で説明される方法で準備される。・・・最初に，表面は，ダイヤモンド・マイクロパウダーを使って機械的に研磨され・・・る。・・・その研磨は，数ミクロン厚の，高い転位密度である高結晶欠陥の隣接層を生成する。」（訳文２頁下６行〜３頁２行目） 
  
　（ａ−１０）特開２０００−２５２２１７号公報（甲２６） 
「 ・・・完全な表面を有するＧａＮ単結晶基板１を研磨工程によって創出することは大変難しい。なぜならば，研磨時に基板表面にダメージが導入されるからである。このダメージを含む加工変質層はデバイスの特性に悪影響を与える。」（【００４４】） 
  
　（ａ−１１）甲２７ 
　ＧａＮを研磨したことによって発生したダメージ層のＴＥＭ（透過電子顕微鏡）写真が掲載されており、ダメージ層として黒い線状の結晶欠陥が写っている（Ｌ１４左の写真）。
 
　（ａ−１２）甲３１ 
「・・・ＧａＮ単結晶膜の表面を数１０μｍ程度ラッピングし，結晶成長工程により生じたＧａＮ単結晶膜の厚み不均一を除去した。まず，・・・サファイア基板２０を削って，・・・，ひき続いて，・・・ＧａＮ単結晶膜を削っていった。ＧａＮ単結晶膜を５０μｍ程度以上，望ましくは１００μｍ程度以上削り込むことにより，機械加工歪みがほぼ除去され，また，結晶成長初期時の結晶欠陥の多い領域を取り除くことができる。それから，さらに粒径の細かいダイヤモンドスラリーを用いたポリシング加工により，スクラッチ傷を除き，表面を鏡面にした。」（【００２０】） 
「その後，加工にともなう欠陥を取り除くために・・・ＣＭＰ（化学機械ポリシング）を適用し，これによりÅオーダーで平坦化された結晶成長用の面を得た。」（【００２１】） 
  
　（ａ−１３）特開２００１−３１３４２２号公報（甲４０） 
「この基板１の研磨は・・・ｎ型窒化物半導体層２１が露出するまで行う。・・・ｎ型コンタクト層２１の研磨によりダメージを受けた領域をＲＩＥにて１〜２μｍエッチングを行う。」（【００４１】） 
  
　（ｂ）技術常識又は周知技術 
　上記（ａ）の（ａ−１）〜（ａ−８）によれば，[1]半導体材料を含む単結晶材料に対して機械加工を施すと，表面には内部（完全結晶層）とは異なる加工変質層（非晶質層，多結晶層，モザイク層，クラック層，ひずみ層〔応力漸移層〕）と呼ばれる層が生じること，[2]機械加工によって発生する転位密度の上昇した領域も加工変質層に含まれること，及び[3]転位密度は透過型電子顕微鏡で観察・測定可能であることは，いずれも，本件優先日当時の技術常識であったものと認められる。 
　また，同（ａ−９）〜（ａ−１３）によれば，ＧａＮを含む窒化物半導体についても，機械研磨（加工）によって，損傷を受けた層が形成されることや，転位が生じるとの記載がある。 
　そうすると，結局，本件優先日当時，ＧａＮを含む窒化物半導体において，機械研磨を施すことにより転位を含む加工変質層が生じることは，当業者にとって技術常識であったものと認められる。 
  
　ｂ　転位とキャリアのトラップ 
　（ａ）各文献の記載 
　下記文献には，次の記載が認められる。 
　（ａ−１）半導体用語大辞典編集委員会編集，「半導体用語大辞典」，日刊工業新聞社，１９９９年３月２０日，７３０〜７３３頁（甲１２） 
「転位・・・ 結晶中のひずみに起因する線欠陥の一種で，図(a)のように原子面の片側に線状にダングリングボンドが並ぶ結晶欠陥である。」（７３１頁左欄下から１１〜８行目」） 
「転位の発生の源は結晶内の応力ひずみである・・・」（７３１頁右欄１２〜１３行目）
  
「転位は・・・透過型電子顕微鏡により観察できる。」（７３２頁左欄１２〜１４行目） 
  
　（ａ−２）高橋清外１名監修，「半導体・金属材料用語辞典」，株式会社工業調査会，１９９９年９月２０日，１９０〜１９１頁，６８２〜６８３頁，７６２〜７６３頁（甲１３） 
「ダングリングボンド・・・ 
　原子の結合に寄与するボンドが結合しないでブラブラしているボンド。・・・ダングリングボンドは，・・・キャリアのトラップなどの作用をする。」（７６３頁下から１９〜１５行目） 
  
　（ａ−３）甲４７・５６ 
「格子欠陥は，結晶の構成原子（Ｓｉ結晶ではＳｉ原子自身）の周期的配列が乱れたもので，その空間的な広がり方によって，点欠陥，線欠陥，面欠陥に分類される。格子欠陥は，結晶中のポテンシャルの周期性を乱すことになり，その結果，禁制帯の中に局在した電子状態（エネルギー準位）を作る。この局在したエネルギー準位は，ドナやアクセプタとして働き半導体結晶の電気的性質に大きな影響を与えることになる。こうした意味で，格子欠陥は，前述の汚染不純物と同様，不純物制御の妨げになる。」（２０頁下から１０〜４行目） 
「転位が電子や正孔のトラップとして働くとキャリア密度が減少する。」（４２頁５行目） 
「表２.１ 半導体結晶の不完全性。 
　・・・ 
　線欠陥（転位）・・・らせん転位 
　　　　　　　　　　 ６０°転位 
　　　　　　　　　　 　刃状転位 
　・・・　　　　　　　　　　　　　」（１９頁） 
 
　（ａ−４）甲９ 
「・・・ＧａＮ系化合物半導体以外の基板を使用すると，成長させるＧａＮ系化合物半導体膜と基板との熱膨張係数の違いや，格子定数の違いにより，製造されるＧａＮ系化合物半導体中には多数の欠陥が発生する。その欠陥は刃状転位と螺旋転位に分類され，その密度は合計で約１×１０９ｃｍ−２〜１×１０１０ｃｍ−２程度にもなる。これらの欠陥は，キャリアをトラップして，調製した膜の電気的特性を損ねることが知られている他，大電流を流すようなレーザーに対しては，寿命の低下を招くことが知られている。」（【０００５】） 
  
　（ａ−５）特開２００１−１４８５３３号公報（甲５９） 
　上記（ａ−４）と同じ（【０００５】） 
  
　（ｂ）技術常識又は周知技術 
　上記（ａ）の（ａ−１）〜（ａ−３）によれば，半導体結晶において線欠陥（転位）を含む格子欠陥が不純物制御の妨げになることや，原子面の片側に線状のダングリングボンドが並ぶ結晶欠陥である転位において，ダングリングボンドがキャリアのトラップなどの作用をすることは技術常識であったものと認められる。 
　また，同（ａ−４）〜（ａ−５）によれば，ＧａＮ系化合物半導体においても，同様に転位（刃状転位と螺旋転位）がキャリアをトラップして，調製した膜の電気的特性を損ねることが，本件優先日当時，当業者において知られていたものと認められる。そして，キャリアがトラップされれば，キャリア濃度が低下することは自明である。なお，転位がキャリアをトラップする過程が，転位が結晶成長の際に生じたものか，転位が電極形成面を機械研磨して生じたかなど，転位の生成原因によって異なるとする技術的根拠は見出せない。 
　そうすると，結局，本件優先日当時，ＧａＮ系化合物半導体において，転位がキャリアをトラップし，その結果，キャリア濃度が低下することは，当業者にとって技術常識であったものと認められる。 
  
　ｃ　不純物濃度とコンタクト抵抗 
　（ａ）各文献の記載 
　下記文献には，次の記載が認められる。 
　（ａ−１）甲９ 
「実施例２ 
　ドーパント源ＳｉＨ４の供給量を１０ｎｍｏｌ／ｍｉｎ〜１０００ｎｍｏｌ／ｍｉｎの範囲で種々の値とし，Ｈ−ＶＰＥ法により不純物濃度の異なるＧａＮ厚膜をそれぞれ成長させた。」（【００４８】） 
「 ・・・レーザの作製に使用したＧａＮ基板のＮ終端面側にｎ電極を形成し・・・不純物濃度に対する接触比抵抗を調べた。・・・今回は，Ｔｉ（１５０Å）／Ａｌ（１０００Å）・・・の電極パッドパターンを使用した。」（【００５２】） 
「 図１０は，ＧａＮ基板中の不純物濃度と接触比抵抗との関係を示す。不純物濃度が１×１０１７ｃｍ−３を超えると接触比抵抗が１×１０−５Ω・ｃｍ２以下となり，その後は不純物濃度の増加とともに比抵抗は下がっていく。」（【００５３】） 
  
　（ａ−２）甲５９ 
　上記（ａ−１）と同じ（【００４９】【００５３】【００５４】【図１０】）。 
  
　（ｂ）技術常識又は周知技術 
　上記（ａ）によると，Ｓｉをドーピングして形成されたｎ型ＧａＮ基板の不純物濃度とコンタクト抵抗との関係について，甲４発明と同じ電極材料（Ｔｉ／Ａｌの積層構造）を用いた場合に，不純物（Ｓｉ）濃度が高くなれば接触比抵抗（コンタクト抵抗）が低くなり，その逆も成り立つこと，不純物（Ｓｉ）濃度が１×１０17ｃｍ-3を超えると接触比抵抗が１×１０-5Ω・ｃｍ2以下となることは，本件優先日当時，当業者に周知の事項であったと認められる。 
  
　ｄ　加工変質層の除去 
　上記ａ（ａ）の（ａ−７）〜（ａ−８）によれば，本件優先日当時，少なくともシリコンについては，加工変質層が電気的特性に悪影響を及ぼすことやウエハーの反りやクラック発生の原因となることから，当該層を完全に除去すべきものとされていたことが認められる。 
  
　ｅ　ＧａＮ基板の転位密度 
　（ａ）各文献の記載 
　下記文献には，次の記載が認められる。 
　（ａ−１）甲３７ 
「得られたＧａＮ基板の転位密度は平面透過電子顕微鏡分析（ＴＥＭ）により２×１０５ｃｍ−２の低さであると決定されました。・・・ＧａＮ基板のｎ型導電性で，典型的キャリヤー濃度・・・は・・・５×１０１８ｃｍ−３・・・であることを明らかにしました。」（訳文１頁右欄下から８〜２行目） 
  
　（ａ−２）甲３８ 
「・・・得られたＧａＮ基板の表面および裏面を研磨してエピタキシャル成長用の基板に加工し，断面ＴＥＭ観察したところ，貫通転位密度は，１０４ｃｍ−２と見積もられた。」（【００４３】） 
  
　（ａ−３）特開２０００−２２３７９０号公報（甲３９） 
「・・・ＧａＮ基板成長時にもラテラル成長技術を取り込んでおり，転位密度を１０４ｃｍ−２以下に抑制している。」（【００２６】） 
  
　（ｂ）技術常識又は周知技術 
　上記（ａ）によると，本件優先日当時，ＧａＮ基板の転位密度は，１０4ｃｍ-2以下〜２×１０5ｃｍ-2程度であったものと認められる。 
  
　ｆ　判断 
　（ａ）甲４発明では，ｎ型電極のコンタクト抵抗の低減と電極剥離を防止するために，エッチング処理により，ＧａＮ基板を研磨機により研磨することによって生じた「表面歪み」及び酸化膜を除去するものとされている。したがって，甲４発明においては，ＧａＮ基板では，必要とするコンタクト抵抗を確保するために，研磨機による研磨及び鏡面出しのみでは不十分であり，エッチング処理の必要があることが示唆されている。なお，甲４発明の研磨により生じた「表面歪み」を，研磨面の「表面のみ」に限定して解すべき技術的根拠はなく，また，甲４に転位について明示の記載がないからといって，直ちに，甲４発明に接した当業者が，甲４発明においては，研磨により発生した転位を除去する必要がないとしているものと理解するとはいえない。 
　ところで，前記ａ及びｂのとおり，本件優先日当時，〔１〕ＧａＮを含む窒化物半導体において，機械研磨を施すことにより転位を含む加工変質層が生じること，〔２〕ＧａＮ系化合物半導体において，転位がキャリアをトラップし，その結果，キャリア濃度が低下することは技術常識であったと認められるから，当業者は，甲４発明においても，研磨機による研磨によって加工変質層に相当する層に転位が生じており，この転位がキャリアである自由電子をトラップしてキャリア濃度が低下するとの機序が生じていると，当然に理解する。 
　そして，前記ｃのとおり，ｎ型ＧａＮ基板について甲４発明と同じ電極材料（Ｔｉ／Ａｌの積層構造）を用いた場合に，Ｓｉなどの不純物濃度が高くなり，自由電子が増加すれば，接触比抵抗（コンタクト抵抗）が低くなるとの関係が周知であるところ，その機序にかんがみると，転位が自由電子などのキャリアをトラップしてキャリア濃度が低下した場合には，反対に接触比抵抗（コンタクト抵抗）が高くなるといえる。そうすると，キャリア濃度のみがコンタクト抵抗を左右するものではないとしても，当業者は，キャリア濃度が高くなればコンタクト抵抗が低くなるという作用機序自体は容易に見出すことができるといえる。そして，コンタクト抵抗が低いことは，半導体素子においては常に望まれるものである。 
　さらに，前記ｄのとおり，少なくともシリコンについては，転位を含む加工変質層は完全に除去すべきものとされており，また，同アのとおり，転位を含む加工変質層が電気的特性に与える悪影響は，シリコンとＧａＮ系化合物半導体において異なるものではないといえる。 
　以上からすると，甲４発明における研磨により生じた「表面歪み」の除去によるコンタクト抵抗の低減を，技術常識や周知の技術事項に従って，機械加工により生じた転位の除去によるコンタクト抵抗の低減と理解し，更なるコンタクト抵抗の低減を目的として，このコンタクト抵抗上昇の原因となる加工変質層を除去するとの観点から上記のエッチング処理を行うことは，当業者にとって格別の創意を要する改良の試みであるとはいえない。そして，前記ｅのとおり，本件優先日当時のＧａＮ基板の転位密度は，１０４ｃｍ−２以下〜２×１０５ｃｍ−２程度であったのであるから，甲４発明において，加工変質層を除去すれば，除去後の基板の転位密度は完全結晶と同程度となり，１×１０９ｃｍ−２以下となることは自明である。 
　加えて、転位を含む加工変質層は、機械研磨により生じるものであるから、それがどの程度の厚みをもって生じるのかは、機械研磨の具体的態様に影響を受けるものであることが明らかであり、また、加工変質層の厚みが０．５μｍ以上であることもあり得ると認められる（甲４０、上記ａ（ａ）の（ａ−１３））。よって、上記のエッチング処理を０．５μｍ以上行うことは、機械研磨の具体的態様に応じて当業者が適宜設計し得たことにすぎないというべきである。 
　そうすると，甲４発明において，技術常識や周知の事項に基づいて相違点９−２に係る本件訂正発明１の構成を採用することは，当業者が容易になし得たと認められる。 
  
　（ｂ）そして、上記（ａ）で説示した、当業者が容易になし得た構成（以下「容易想到構成」という。）は、以下のとおり、相違点９−１に係る本件訂正発明１の構成をも満たす。 
　容易想到構成ではエッチング処理が行われるのであるが、その理由は、機械研磨を施すことにより転位を含む加工変質層が生じるからなのであり、機械研磨を施すことにより生じた転位の転位密度が例えば「１×１０１０ｃｍ−２程度」よりも大きいからなのではない。すなわち、容易想到構成における当業者は、機械研磨を施すことにより生じた転位の転位密度がどの程度の値なのかを顧慮せずに、機械研磨を施すことにより加工変質層が生じたことのみを契機として、転位を含む加工変質層をエッチング処理するのである。
　しかるところ、容易想到構成において、エッチングされる前の加工変質層に含まれる転位が、その「転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度であって、加工変質層上の面にｎ側電極を形成すると、窒化物系半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」であることは、生じ得ることであると認められる（本件特許明細書をみても、本件優先日当時において、当該転位が「同第２工程の終了時に・・・結晶欠陥であ」る状態を得るのが困難であったとの事情はうかがわれない。）。そうすると、機械研磨を施すことにより上記のような「結晶欠陥」が生じた場合であったとしても、当業者は、機械研磨が施された以上、そこに加工変質層が生じたと認識することに変わりがなく、よって、エッチング処理を行うことになる。 
　したがって、容易想到構成は、相違点９−１に係る本件訂正発明１の構成を満たすのである。 
  
　（ｃ）以上のとおりであるから、甲４発明において、技術常識や周知の事項に基づいて相違点９に係る本件訂正発明１の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことであると認められる。 
  
　（キ）相違点１０について 
　上記（カ）ｃ（ｂ）のとおり、Ｓｉをドーピングして形成されたｎ型ＧａＮ基板で甲４発明と同じ電極材料を用いた場合に、不純物濃度が１×１０１７ｃｍ−３を超えるとコンタクト抵抗が１×１０−５Ω・ｃｍ２以下となることは、本件優先日当時、当業者に周知の事項である。 
　そうすると、甲４発明において、加工変質層を除去して、転位密度を加工前の完全結晶と同程度にすれば、コンタクト抵抗は１×１０−２Ω・ｃｍ２以下（０．０５Ω・ｃｍ２以下）となるものと推測され、仮にそうでないとしても、そのようなコンタクト抵抗とすることは、当業者であれば容易想到であると認められる。 
  
　（ク）小括 
　以上のとおりであるから、本件訂正発明１は、甲４発明、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　 
  
　イ　本件訂正発明２について 
　本件訂正発明２と甲４発明とを対比する。 
　（ア）本件訂正発明２と甲４発明とは、上記ア（オ）で認定した一致点で一致し、相違点９及び相違点１０で相違するとともに、さらに次の点において相違する。 
  
　相違点１１： 
　「前記第１半導体層の裏面」について、本件訂正発明１は「窒素面」であるのに対し、甲４発明はそうであるのか不明である点。 
  
　（イ）相違点９及び相違点１０について 
　上記ア（カ）及び（キ）と同様である。 
  
　（ウ）相違点１１について 
　ＧａＮ基板の窒素面に電極を設けることは技術常識であると認められる（甲９の【００１３】〜【００１４】、甲３４の【００５２】〜【００５３】参照。）。 
　したがって、甲４発明において、ＧａＮ基板の窒素面にｎ型電極を設けるようにして、相違点１１の構成を得ることは当業者が適宜なし得たことにすぎない。 
  
　（エ）小括 
　したがって、本件訂正発明２は、甲４発明、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
  
　ウ　本件訂正発明３について 
　本件訂正発明３と甲４発明とを対比する。 
　（ア）本件訂正発明３と甲４発明とは、上記ア（オ）で認定した一致点で一致し、相違点９及び相違点１０で相違するとともに、さらに次の点において相違する。 
  
相違点１２： 
　本件訂正発明３は、「前記第３工程により、前記転位密度は、１×１０６ｃｍ−２以下に低減される」のに対し、甲４発明はそうであるのか明らかでない点。 
  
　（イ）相違点９及び相違点１２について 
　上記ア（カ）と同様の理由により、甲４発明において、技術常識や周知の事項に基づいて相違点９及び相違点１２に係る本件訂正発明１の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことと認められる。 
  
　（ウ）相違点１０について 
　上記ア（キ）と同様である。 
  
　（エ）小括 
　したがって、本件訂正発明３は、甲４発明、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
  
　エ　本件訂正発明５について 
　本件訂正発明５と甲４発明とを対比する。 
　（ア）甲４発明の「ｎ型ＧａＮ基板」は、「ＭＯＣＶＤ法で種基板上に・・・１０５０℃の成長温度でＳｉをドーピングしながら１μｍからなるｎ型ＧａＮ膜を作製後、・・・ｎ型ＧａＮ厚膜を形成後、・・・ｎ型ＧａＮ基板を作製」して得られたものであるから、甲４発明は、本件訂正発明５の「前記基板は、成長用基板に成長することを利用して形成されている」点を備えている。 
  
　（イ）そうすると、本件訂正発明５と甲４発明とは、上記ア（オ）で認定した一致点に加えて、「前記基板は、成長用基板に成長することを利用して形成されている」点でも一致し、相違点９及び相違点１０で相違する。 
  
　（ウ）小括 
　したがって、本件訂正発明５は、上記アと同様の理由で、甲４発明、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
  
　オ　本件訂正発明６について 
　本件訂正発明６と甲４発明とを対比する。 
　（ア）甲４発明は、「前記窒化物半導体レーザ素子を形成したウエハーのＧａＮ基板側を研磨機により研磨して」いるものであるから、本件訂正発明６の「前記第１工程によって前記第１半導体層の上面上に前記第２半導体層を形成した後に、前記第２工程によって前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工を行う」との構成を備えている。 
  
　（イ）そうすると、本件訂正発明６と甲４発明とは、上記ア（オ）で認定した一致点に加えて、「前記第１工程によって前記第１半導体層の上面上に前記第２半導体層を形成した後に、前記第２工程によって前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工を行う」点でも一致し、相違点９及び相違点１０で相違する。 
  
　（ウ）小括 
　したがって、本件訂正発明６は、上記アと同様の理由で、甲４発明、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
  
　カ　本件訂正発明７について 
　本件訂正発明７と甲４発明とを対比する。 
　（ア）本件訂正発明７と甲４発明とは、上記ア（オ）で認定した一致点で一致し、相違点９及び相違点１０で相違するとともに、さらに次の点において相違する。 
  
　相違点１３： 
　本件訂正発明７は、「前記第１半導体層及び前記第２半導体層を劈開することにより、共振器端面を形成する第５工程をさらに備える」のに対し、甲４発明は、「エッチングによるレーザ素子のミラー端面を得る」ものである点。 
  
　（イ）相違点９及び１０について 
　上記ア（カ）及び（キ）と同様である。 
  
　（ウ）相違点１２について 
　ａ　甲４発明の「ミラー端面」の方向は＜１１−２０＞方向であると認められるところ（甲４の【０２０５】には、図１２（ａ）の第Ａ２の割り溝６１４が、「リッジストライプ方向と垂直方向の＜１１−２０＞方向に沿って形成する。」と記載されている。）、この方向はＧａＮ基板のへき開方向であると認められる（甲４の【０００６】・【０００７】を参照。）。 
　ここで、甲４発明は、「エッチングによるレーザ素子のミラー端面を得る」ものであるけれども、甲４の【０２１１】には、「本実施の形態（審決注：「実施の形態１５」である。【０１８２】参照。）以外の、レーザ素子のチップ分割は、実施の形態１から実施の形態１０の何れかを用いればよい」との記載がある。そうすると、甲４には、甲４発明で用いられたレーザ素子をチップ分割する手法として、実施の形態１から実施の形態１０のチップ分割の手法を用いてもよいことが示唆されていると認められる。 
　そこで、甲４に記載された実施の形態をみると、実施の形態３は、第Ａの割り溝深さが、窒化物半導体発光層の位置よりも浅く形成されているものとなっている（【００７４】）。そして、甲４発明で用いられたレーザ素子は、実施の形態３の手法によりチップ分割すると、＜１１−２０＞方向がへき開方向であるのだから、へき開によって「ミラー端面」が得られることになると解される。 
　以上によれば、甲４発明において、甲４の上記記載に基づき、相違点１２の構成を得ることは、当業者が容易になし得たことであると認められる。 
  
　ｂ　上記ａでは、甲４の【０２１１】の上記記載を示唆ととらえた上で、相違点１２の容易想到性を説示した。しかし、この説示の結論は、上記記載を示唆ととらえるか否かによって左右されるものではない。 
　すなわち、実施の形態３は、甲４という同じ刊行物内に記載されているのであるから、そのことをもって、当業者は、甲４発明で用いられたレーザ素子において実施の形態３のようなチップ分割の手法を採用する動機付けがあるといえるのである。そして、当該採用により、当業者が相違点１２の構成に至ることは、上記ａで説示したとおりである。 
  
　ｃ　加えて、以下の点からも、相違点１２は格別とはいえない。 
　すなわち、共振器端面を形成する際に、基板及びその上に積層された半導体層を劈開して形成することが、本件優先日前における慣用技術であることは明らかである。そうすると、甲４発明は、「エッチングによるレーザ素子のミラー端面を得る」ものであるところ、ミラー端面をエッチングにより得ることに代えて、上記慣用技術を採用して相違点１２の構成を至ることは当業者が容易になし得たことであると認められる。 
　ここで、甲４発明における上記「エッチング」がチップ分割を歩留まり良く得るためのものと解される（【０２１１】）点が、相違点１２の容易想到性の判断の結論に影響するか否かが問題となる。しかしながら、相違点１２に係る構成が慣用技術にすぎないこと、本件訂正発明の中核的な技術思想の進歩性が否定されていること（上記ア（カ）ｆ）、本件訂正発明７が相違点１２の構成を採用することによる顕著な作用効果の存在が認められないことを踏まえ、総合的に考慮すれば、上記の点は、結論に影響しないというべきである。 
  
　（エ）小括 
　したがって、本件訂正発明７は、甲４発明、甲４の記載、技術常識及び周知の事項に基づいて、又は、甲４発明、甲４の記載、技術常識、周知の事項及び慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
  
　キ　本件訂正発明８について 
　本件訂正発明８と甲４発明とを対比する。 
　（ア）甲４発明は、「ｎ型ＧａＮ厚膜を形成後、ウエハーをＨＶＰＥ装置から取り出し、研磨機で前記種基板を剥ぎ取り、ｎ型ＧａＮ基板を作製」するものであるから、本件訂正発明８の「前記第１半導体層は、ＨＶＰＥ法により形成される」との構成を備えている。 
  
　（イ）そうすると、本件訂正発明８と甲４発明とは、上記ア（オ）で認定した一致点で一致し、相違点９及び相違点１０で相違する。 
  
　（ウ）小括 
　したがって、本件訂正発明８は、上記アと同様の理由で、甲４発明、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
  
　ク　本件訂正発明９について 
　本件訂正発明９と甲４発明とを対比する。 
 　 
（ア）甲４発明は、「ＭＯＣＶＤ装置に、前記ｎ型ＧａＮ基板をセットし、・・・コンタクト層を成長させることにより窒化物半導体レーザ素子を形成」するものであるから、本件訂正発明９の「前記第２半導体層は、ＭＯＣＶＤ法により形成される」との構成を備えている。 
  
　（イ）そうすると、本件訂正発明９と甲４発明とは、上記ア（オ）で認定した一致点で一致し、相違点９及び相違点１０で相違する。 
  
　（ウ）小括 
　したがって、本件訂正発明９は、上記アと同様の理由で、甲４発明、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
  
　ケ　本件訂正発明１０について 
　本件訂正発明１０と甲４発明とを対比する。 
　（ア）甲４発明は、「前記窒化物半導体レーザ素子を形成したウエハーのＧａＮ基板側を研磨機により研磨して、塩素ドーピングされたＧａＮ基板の厚さを１００μｍ」にするものであるから、本件訂正発明１０の「前記第１半導体層は、前記第２工程により１８０μｍ以下の厚みになるまで厚み加工される」との構成を備えている。 
  
　（イ）そうすると、本件訂正発明１０と甲４発明とは、上記ア（オ）で認定した一致点で一致し、相違点９及び相違点１０で相違する。 
  
　（ウ）小括 
　したがって、本件訂正発明１０は、上記アと同様の理由で、甲４発明、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
  
　コ　無効理由５についての小括 
　以上のとおりであるから、本件訂正発明１〜３，５〜１０は、甲４発明、甲４の記載、技術常識及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　したがって、無効理由５は、理由がある。 
  
（２）無効理由０ 
　（ア）請求人は、無効理由０においては、本件特許に係る出願の優先日前に、ｎ型の窒化物系半導体層又は窒化物系半導体基板の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層を形成する工程（本件訂正発明１の第１工程に相当）と、前記半導体層又は半導体基板の裏面を研磨することにより厚み加工する工程（本件訂正発明１の第２工程に相当）と、その後前記半導体層又は半導体基板の裏面上にｎ側電極を形成する工程とを備えた窒化物系半導体素子の製造方法が公知であったことを立証していない。 
　したがって、請求人の主張する課題の公知性等が立証されているとしても、無効理由０で提示した各証拠から当業者がこれら工程を備えた製造方法を想到することが容易であったとはいえない。 
　よって、本件訂正発明１が、当業者が周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。 
  
　（イ）本件訂正発明１が、当業者が周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえないのであるから、本件訂正発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加した本件訂正発明２〜３，５〜１０が、当業者が周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるともいえないことは当然である。 
  
　（ウ）したがって、請求人の主張する無効理由０及び証拠方法によっては、本件特許の請求項１〜３，５〜１０に係る発明についての特許を無効とすることはできない。 
  
（３）無効理由１及び無効理由２ 
　ア　本件訂正発明１について 
　（ア）無効理由１及び無効理由２は、共に甲２に記載された発明に基づく進歩性欠如を主張するものであり、甲２に記載された発明（甲２発明）は、上記２（１）イで認定したとおりである。 
　ａ　甲２発明の「『自立ｎ型ＧａＮ基板』、『自立ＧａＮ基板』、『ＧａＮウェハ』」、「機械研磨」、「厚さ５０ｎｍのＴｉ層及び厚さ５００ｎｍのＡｌ層のＴｉ／Ａｌ層」及び「『裏面ｎ電極のデバイス』、『ｎ型ＧａＮからなるショットキーダイオード試料』」は、それぞれ、本件訂正発明１の「ｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層」、「研磨」、「ｎ側電極」及び「窒化物系半導体素子」に相当する。 
　ｂ　甲２発明では、「ｎ型の窒化物系半導体基板らなる第１半導体層（自立ＧａＮ基板）」のＧａ面とＮ面の両面を「研磨（機械研磨）」とドライエッチ処理し、二結晶Ｘ線回析（ＤＸＲＤ）を用いて前記ＧａＮウェハの構造特性を調査検討したところ、Ｇａ面及びＮ面ともに、代表的な転位密度は１０7ｃｍ-2よりも低くなっていたのであり、また、前記ドライエッチ処理したＧａ面とＮ面をともにアセトン及びメタノール中で脱脂し、脱イオン（ＤＩ）水中で洗浄し、フォトリソグラフィーによりパターンを施し、その後、それらを緩衝酸化物エッチング液中でエッチングし、ＤＩ水中で洗浄し、窒素ガスで乾燥した後、金属蒸着するために真空システムに装填し、「ｎ側電極（厚さ５０ｎｍのＴｉ層及び厚さ５００ｎｍのＡｌ層のＴｉ／Ａｌ層）」を電子ビーム蒸着により形成して「窒化物系半導体素子（ｎ型ＧａＮからなるショットキーダイオード試料）」を得ているから、本件訂正発明１と、「ｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する工程と、前記厚み加工する工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする工程と、その後、前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する工程とを備える、窒化物系半導体素子の製造方法」である点で一致する。 
　ｃ　上記ａ及びｂからみて、本件訂正発明１と甲２発明とは、 
「ｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する工程と、 
　前記厚み加工する工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする工程と、 
　その後、前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する工程とを備える、 
　窒化物系半導体素子の製造方法。」で一致し、次の点において相違する。
  
相違点１： 
　本件訂正発明１では、「第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する」工程を備えるのに対し、 
 　甲２発明では、前記工程を備えない点。 
相違点２： 
　本件訂正発明１では、「前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下とする」のに対し、 
　甲２発明では、前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗が０．０５Ωｃｍ２以下になっているか否か不明である点。 
 相違点２の２： 
　「ｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する工程と、前記厚み加工する工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする工程」に関して、本件訂正発明１では、「同第２工程の終了時に前記第１半導体層の裏面に発生している転位は、転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度であっても、当該裏面にｎ側電極を形成すると、窒化物系半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」であり、「前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去」する量が「０．５μｍ以上」であるのに対し、甲２発明では、そうであるのか不明である点。 
  
　（イ）相違点１について 
　甲２発明は、研究用のｎ型ＧａＮ試料の製造方法の発明であり、当該試料は、ＨＶＰＥ法で成長させた自立ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面上とＮ面上の両方にＴｉ／Ａｌ電極を形成したものであるから、前記研究用のｎ型ＧａＮ試料の製造方法の発明に基づいて本件訂正発明の活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を有する窒化物系半導体素子の製造方法の発明を容易に想到し得るか否かを検討する必要がある。 
　ａ　そこで、まず、甲２のｎ型ＧａＮ試料を用いて本件訂正発明１の窒化物系半導体素子を製造する動機付けがあるかどうかを検討する。 
　本件訂正発明１の窒化物系半導体素子は、ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成するもの（本件特許明細書（甲１）の【請求項１】の「第１工程」を参照。）であり、実施形態ではｎ型ＧａＮ基板を用いる素子である（甲１の【００４２】参照。）から、両者はｎ型ＧａＮ層を用いる点では一致する。 
　しかしながら、甲２のｎ型ＧａＮ試料は、ｎ型ＧａＮ基板へのＴｉ／Ａｌ電極の電気特性に対する結晶極性の影響を検討するためにＧａ面上とＮ面上の両方にＴｉ／Ａｌ電極を形成したものであり、これに対して、本件訂正発明１の窒化物系半導体素子は、第１半導体層（実施形態ではｎ型基板）の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成するものであり、実施形態では、上面上とはＧａ面上であり（甲１の【００４３】参照。）、また、前記活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層とは、窒化物系半導体レーザ素子構造である（甲１の【００４３】〜【００４５】参照。）。 
　してみると、甲２のｎ型ＧａＮ試料を用いて本件訂正発明１の窒化物系半導体素子を製造するためには、当該ｎ型ＧａＮ試料のＧａ面上に形成したＴｉ／Ａｌ電極を除去し、Ｔｉ／Ａｌ電極が除去されたＧａ面上に改めて第２半導体層（例えば窒化物系半導体レーザ素子構造）を形成することになるが、そもそも、甲２のｎ型ＧａＮ試料は、ｎ型ＧａＮ基板へのＴｉ／Ａｌ電極の電気特性に対する結晶極性の影響を検討することを目的としてＧａ面上とＮ面上の両方にＴｉ／Ａｌ電極を形成したものであり、Ｇａ面上のＴｉ／Ａｌ電極を除去すれば前記目的を達成することができなくなることは明らかであるから、当業者がそのようなことをする動機付けはないといわざるを得ない。 
　以上のことは、本件訂正発明１の上面上をＮ面上とした場合についても同様に当てはまる。 
　ｂ　もっとも、口頭審理において請求人が主張したように（口頭審理陳述要領書４２頁１行〜１５行参照。）、甲２には、自立ＧａＮは、転位密度が低く熱伝導率が高く劈開が容易であることから、電子デバイス並びに光電子デバイスの基板として注目されており、ＧａＮ基板を使用するもう一つの利点として、裏面ｎ電極のデバイスを作製でき、これにより、製造工程を簡単で確実なものにし、デバイスのサイズを小さくすることができ、量産収率が向上することがある旨が記載されており、また、活性層を含む素子構造は、通常、ＧａＮ基板のＧａ極性側に成長させるため、裏面オーミック電極はＧａＮのＮ極性側に形成する必要がある旨も記載されていることから、甲２の当該記載に接した当業者が、その自立ＧａＮ基板を用いて、そのＧａ極性側に活性層を含む素子構造を成長させ、またＧａＮのＮ極性側に裏面オーミック電極を形成して、光電子デバイス（ＧａＮ系発光素子）を製造しようとする動機付けがあるという余地がまったくないともいえないので、念のためこの点を検討する。 
　ｃ　甲２発明でＧａ面とＮ面の両面に対して、結果的に代表的な転位密度が１０7ｃｍ-2よりも低くなるまで機械研磨とドライエッチ処理を施しているのは、研究の目的であるｎ型ＧａＮ基板へのＴｉ／Ａｌ電極の電気特性に対する結晶極性の影響の検討のために、結晶極性以外の両面のコンディションを厳密に揃える必要があるためであると理解することができる。また、上記ｂの場合でも、光電子デバイス（ＧａＮ系発光素子）の製造過程で自立ＧａＮ基板のＮ極性側に裏面オーミック電極を形成する際に、甲２発明で研究用ｎ型ＧａＮ試料のＮ面上のＴｉ／Ａｌ電極形成のために用いたプロセス（Ｎ面に機械研磨とドライエッチ処理を施し、結果的に代表的な転位密度が１０7ｃｍ-2よりも低くなる）を忠実に踏襲しなければならない理由はない。これらのことからみて、甲２発明に基づいて、光電子デバイス（ＧａＮ系発光素子）の製造過程で自立ＧａＮ基板のＮ極性側に裏面オーミック電極を形成する際に、Ｎ面に機械研磨とドライエッチ処理の両方を施し、その結果　代表的な転位密度を１０7ｃｍ-2よりも低くする、すなわち、本件訂正発明１の第３工程に相当するプロセスを採用する動機付けはないといわざるを得ない。 
　ｄ　上記ａないしｃからみて、甲２発明を第１半導体層の上面上に活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する工程を備えるものとなすこと、すなわち相違点１に係る本件訂正発明１の構成となすことは、当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。 
  
　（ウ）本件訂正発明１についてのまとめ 
　上記（イ）からみて、甲２発明において、当業者が相違点２及び相違点２の２に係る本件訂正発明１の構成となすことが容易想到であるか否かについては検討するまでもなく、本件訂正発明１は、当業者が甲２発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできない。 
  
　イ　本件訂正発明２ないし本件訂正発明１０について 
　上記アのとおり、本件訂正発明１が、当業者が甲２発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえないのであるから、本件訂正発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加した本件訂正発明２〜３，５〜１０が、当業者が甲２発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるともいえないことは当然である。 
  
　ウ　小括 
　したがって、請求人の主張する無効理由１及び無効理由２並びに証拠方法によっては、本件特許の請求項１〜３，５〜１０に係る発明についての特許を無効とすることはできない。 
  
（４）無効理由３の１ 
　ア　本件訂正発明１について 
　本件訂正発明１と甲３第一発明とを対比する。 
　（ア）甲３第一発明の「『ｎ型ＧａＮ結晶膜が形成された基板』、『ＧａＮ基板ウエーハ』及び『ＧａＮ基板』」、「『厚さ１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ層、厚さ０．４μｍのＳｉ添加ｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層、厚さ０．１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ２．５ｎｍの無添加Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍの無添加Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる１０周期の多重量子井戸構造活性層、厚さ２０ｎｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層、厚さ０．１μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ０．４μｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層、及び厚さ０．５μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮコンタクト層』及び『厚さ０．５μｍのＳｉ添加ｎ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層、厚さ０．１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ３ｎｍの無添加Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と無添加Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層、厚さ２０ｎｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎインジウム解離防止層、厚さ０．１μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ０．５μｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層、及び厚さ０．２μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮコンタクト層』」、「ＧａＮ基板の裏面（Ｎ面）」、「研磨」、「６０μｍ〜１００μｍの劈開可能な厚さに仕上げ」、「ｎ型電極」及び「ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法」は、それぞれ、本件訂正発明１の「ｎ型の窒化物系半導体層及び窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層」、「活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層」、「第１半導体層の裏面」、「研磨」、「厚み加工」、「ｎ側電極」及び「窒化物系半導体素子の製造方法」に相当する。 
  
　（イ）甲３第一発明では、「ｎ型の窒化物系半導体層及び窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層（『ＧａＮ基板ウエーハ』、『ＧａＮ基板』）」の側から「活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層（０．５μｍのＳｉ添加ｎ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層、厚さ０．１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ３ｎｍの無添加Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と無添加Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層、厚さ２０ｎｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎインジウム解離防止層、厚さ０．１μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ０．５μｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層、及び厚さ０．２μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮコンタクト層）」を順次Ｇａ面上に形成して発光素子構造を形成しているから、甲３第一発明の「窒化物系半導体素子の製造方法（ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法）」と本件訂正発明１の「窒化物系半導体素子の製造方法」とは、少なくとも、「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程」を備えている点で一致する。 
  
　（ウ）甲３第一発明において、「第１半導体層の裏面（ＧａＮ基板の裏面（Ｎ面））」を「研磨（研磨）」し、「厚み加工（６０μｍ〜１００μｍの劈開可能な厚さに仕上げ）」し、チタンとアルミニウムからなる「ｎ側電極（ｎ型電極）」を「第１半導体層の裏面」に形成する工程を含むから、甲３第一発明の「窒化物系半導体素子の製造方法（ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法）」と本件訂正発明１の「窒化物系半導体素子の製造方法」とは、少なくとも、「前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程」及び「その後、前記第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する工程」を備えている点で一致する。 
  
　（エ）上記（ア）〜（ウ）からみて、本件訂正発明１と甲３第一発明とは、 
「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と、 
　前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と、
　その後、前記第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する工程とを備えた窒化物系半導体素子の製造方法。」で一致し、次の点において相違する。
  
相違点３： 
　本件訂正発明１では、第２工程の終了時に前記第１半導体層の裏面に発生している転位は、転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度であっても、当該裏面にｎ側電極を形成すると、窒化物系半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥であり、しかも、前記第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を０．５μｍ以上除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする第３工程を備えているのに対し、 
　甲３第一発明では、「第２工程の終了時に前記第１半導体層の裏面に発生している転位」が「転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度であっても、当該裏面にｎ側電極を形成すると、窒化物系半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」であるのか不明であり、しかも、前記第３工程を備えていない点 
  
相違点４： 
　前記「ｎ側電極を形成する工程」が、 
　本件訂正発明１では、第３工程の後に「転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に」ｎ側電極を形成する第４工程であるのに対し、 
　甲３第一発明では、第３工程の後の工程ではなく、したがって、「転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に」ｎ側電極を形成するものではない点。 
  
相違点５： 
　前記「第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗」が、 
　本件訂正発明１では、０．０５Ωｃｍ２以下とされるのに対し、 
　甲３第一発明では、０．０５Ωｃｍ２以下とされるかどうかが明らかでない点 
  
　（オ）相違点３及び相違点４について 
　甲３第一発明においては、第１工程及び第２工程の後に研磨により発生した転位を含む第１半導体層の裏面近傍の領域を除去することなく当該裏面上にｎ側電極を形成しており、研磨により発生した転位を除去することは記載も示唆もないのであるから、本件特許に係る出願の優先日前に機械研磨によりＧａＮ系材料の研磨面に転位が発生しそれにより電気的特性の悪化を招くことが周知であったとしても、甲３第一発明に接した当業者は、電極形成面において研磨により発生した転位は、わざわざこれを除去する必要があるほど電極形成面での電気的特性を悪化させるものではないので、甲３第一発明では研磨により発生した転位を含む第一半導体層の裏面近傍の領域を除去していないと理解するものと認められる。 
　よって、甲３第一発明において、当業者が第１工程及び第２工程の後、研磨により発生した転位を含む第１半導体層の裏面近傍の領域を除去しようとする動機付けはないというべきである。 
　したがって、甲３第一発明において、相違点３及び相違点４に係る本件訂正発明１の構成となすことが当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。 
　以上によれば、甲３第一発明において、当業者が相違点５に係る本件訂正発明１の構成となすことが容易想到であるか否かについては検討するまでもなく、本件訂正発明１は、当業者が甲３第一発明及び甲各号証に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできない。 
  
　（カ）本件訂正発明１についてのまとめ 
　以上のとおり、本件訂正発明１は、当業者が甲３に記載された発明（甲３第一発明）及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 
  
　イ　本件訂正発明２ないし１０について 
　本件訂正発明１が、当業者が甲３に記載された発明（甲３第一発明）及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえないのであるから、本件訂正発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加した本件訂正発明２〜３，５〜１０が、当業者が甲３第一発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるともいえないことは当然である。 
  
　ウ　小括 
　したがって、請求人の主張する無効理由３の１及び証拠方法によっては、本件特許の請求項１〜３，５〜１０に係る発明についての特許を無効とすることはできない。 
  
（５）無効理由３の２ 
　ア　本件訂正発明１について 
　本件訂正発明１と甲３第二発明とを対比する。 
　（ア）甲３第二発明の「『ｎ型ＧａＮ結晶膜が形成された基板』、『ＧａＮ基板ウエーハ』及び『ＧａＮ基板』」、「『エピタキシャル成長』により形成された『ＤＨ構造』」、「ＧａＮ基板のＧａ面」、「研磨」、「６０μｍ〜１００μｍの劈開可能な厚さに仕上げ」、「ｎ型電極」及び「ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法」は、それぞれ、本件訂正発明１の「ｎ型の窒化物系半導体層及び窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層」、「活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層」、「第１半導体層の裏面」、「研磨」、「厚み加工」、「ｎ側電極」及び「窒化物系半導体素子の製造方法」に相当する。 
  
　（イ）甲３第二発明では、サファイア基板、下地結晶層、マスク、及びマスク近傍の高転位密度層を取り除いて形成された「ｎ型の窒化物系半導体層及び窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層（ＧａＮ基板ウエーハ、ＧａＮ基板）」の裏面（サファイア基板が存在していた側の面）にＭＯＣＶＤ法により「活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層（ＤＨ構造）」形成のためのエピタキシャル成長を行っており、ＤＨ構造が活性層を含むことは明らかであるから、甲３第二発明の「窒化物系半導体素子の製造方法（ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法）」と本件訂正発明１の「窒化物系半導体素子の製造方法」とは、少なくとも、「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程」を備えている点で一致する。 
  
　（ウ）甲３第二発明において、「第１半導体層の裏面（ＧａＮ基板のＧａ面）」を「研磨（研磨）」し、「厚み加工（６０μｍ〜１００μｍの劈開可能な厚さに仕上げ）」し、チタンとアルミニウムからなる「ｎ側電極（ｎ型電極）」を「第１半導体層の裏面」に形成する工程を含むから、甲３第二発明の「窒化物系半導体素子の製造方法（ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法）」と本件訂正発明１の「窒化物系半導体素子の製造方法」とは、少なくとも、「前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程」及び「その後、前記第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する工程」を備えている点で一致する。 
  
　（エ）上記（ア）〜（ウ）からみて、本件訂正発明１と甲３第二発明とは、
「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と、 
　前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と、
　その後、前記第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する工程とを備えた窒化物系半導体素子の製造方法。」で一致し、次の点において相違する。
  
相違点６： 
　本件訂正発明１では、第２工程の終了時に前記第１半導体層の裏面に発生している転位は、転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度であっても、当該裏面にｎ側電極を形成すると、窒化物系半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥であり、しかも、前記第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を０．５μｍ以上除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする第３工程を備えているのに対し、 
　甲３第二発明では、「第２工程の終了時に前記第１半導体層の裏面に発生している転位」が「転位密度が１×１０１０ｃｍ−２程度であっても、当該裏面にｎ側電極を形成すると、窒化物系半導体素子の動作を困難とする高いコンタクト抵抗が生じる作用を有する結晶欠陥」であるのか不明であり、しかも、前記第３工程を備えていない点 
  
相違点７： 
　前記「ｎ側電極を形成する工程」が、 
　本件訂正発明１では、第３工程の後に「転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に」ｎ側電極を形成する第４工程であるのに対し、 
　甲３第二発明では、第３工程の後の工程ではなく、したがって、「転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に」ｎ側電極を形成するものではない点。 
  
相違点８： 
　前記「第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗」が、 
　本件訂正発明１では、０．０５Ωｃｍ２以下とされるのに対し、 
　甲３第二発明では、０．０５Ωｃｍ２以下とされるかどうかが明らかでない点 
  
　（オ）相違点６ないし相違点８について 
　ａ　相違点６、相違点７及び相違点８は、それぞれ、無効理由３の１における相違点３、相違点４及び相違点５と同じである。 
　ｂ　したがって、相違点６ないし相違点８についての検討結果は、無効理由３の１の相違点３及び相違点４についての検討結果（上記（４）ア（オ）参照。）とまったく同じとなる。 
　ｃ　上記ｂからみて、本件訂正発明１は、当業者が甲３第二発明及び甲各号証に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできない。 
  
　（カ）本件訂正発明１についてのまとめ 
　以上のとおり、本件訂正発明１は、当業者が甲３に記載された発明（甲３第二発明）及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 
  
　イ　本件訂正発明２〜３，５〜１０について 
　本件訂正発明１が、当業者が甲３に記載された発明（甲３第二発明）及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえないのであるから、本件訂正発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加した本件訂正発明２〜３，５〜１０が、当業者が甲３第二発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるともいえないことは当然である。 
  
　ウ　小括 
　したがって、請求人の主張する無効理由３の２及び証拠方法によっては、本件特許の請求項１〜３，５〜１０に係る発明についての特許を無効とすることはできない。 
  
（６）無効理由４ 
　ア　本件訂正発明１について 
　（ア）本件訂正発明１と甲３第一発明とを対比すると、上記（４）ア（エ）で述べたとおり、両者は、相違点３ないし相違点５の点で相違する。また、本件訂正発明１と甲３第二発明とを対比すると、上記（５）ア（エ）で述べたとおり、両者は、相違点６ないし相違点７の点で相違する。そして、上記（５）ア（オ）ａで述べたとおり、無効理由３の２における相違点６、相違点７及び相違点８は、それぞれ、無効理由３の１における相違点３、相違点４及び相違点５と同じである。 
  
　（イ）請求人は、審判請求書において、本件訂正発明１に関して、甲３（審決注：口頭審理陳述要領書（請求人）において甲３第一発明及び甲３第二発明に整理された。）では「常法」による「研磨」がなされているが、当時の研磨の常法とは、甲３７に示されるような方法であり、甲３７の研磨後の転位密度は５×１０5ｃｍ-3であるところ、甲３においても「常法」として甲３７記載の方法と同様の研磨が実施されていると考えられ、この結果、転位密度は５×１０5ｃｍ-2程度になっていると考えられるから、無効理由３（審決注：口頭審理陳述要領書（請求人）において無効理由３の１とされた。）の相違点１は実質的には相違点ではない、と主張している。 
  
　（ウ）しかしながら、甲３第一発明及び甲３第二発明における「常法」による「研磨」が甲３７に示されるような研磨法であることについて、請求人はそう主張しているだけで、何の根拠も示していない。 
　甲３７には、研磨の具体的な方法は記載されておらず、請求人のいう「甲３７に示されるような方法」が、具体的にどのような条件の下に研磨後の転位密度を５×１０5ｃｍ-3 程度とする方法であるのかは不明であり、甲３第一発明又は甲３第二発明における「常法」による「研磨」が甲３７における研磨と同じであるか否かも不明であるといわざるを得ない。 
  
　（エ）上記（ウ）からみて、相違点１は実質的な相違点ではないとする請求人の主張は当を得たものとはいえないから、これを採用することはできず、したがって、本件訂正発明１は甲３に記載された発明（甲３第一発明又は甲３第二発明）との対比において実質的な相違点を有するのであるから、本件訂正発明１が甲３に記載された発明であるということはできない。 
  
　イ　本件訂正発明２〜３，５〜１０について 
　上記アのとおり、本件訂正発明１が甲３に記載された発明であるということはできないのであるから、本件訂正発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加した本件訂正発明２〜３，５〜１０が、甲３に記載された発明であるといえないことは当然である。 
  
　ウ　小括 
　したがって、請求人の主張する無効理由４及び証拠方法によっては、本件特許の請求項１〜３，５〜１０に係る発明についての特許を無効とすることはできない。 
  
４　第２事件についてのまとめ 
　本件特許の請求項１〜３，５〜１０に係る発明についての特許に対する無効理由４は、理由がある。 
　また、当該各発明についての特許に対する無効理由０〜無効理由３の２は、理由がない。 
  
第１１　第１事件についての当審の判断 
１　本件訂正発明 
　上記第３でした認定のとおりである。 
  
２　各甲号証に記載された事項 
（１）甲２に記載された発明 
　甲２は、第２事件の甲３と同じである。そこで、当審は、上記第１０の２（２）で認定した第２事件の甲３第一発明と甲３第二発明にそれぞれ同一となる、甲２の１発明と甲２の２発明を認定する。 
  
（２）甲１１に記載された発明 
　甲１１は、第２事件の甲４と同じである。そこで、当審は、上記第１０の２（３）で認定した第２事件の甲４発明と同一となる甲１１発明を認定する。 
 
 （３）本件併合通知前に提出された甲各号証（甲１、甲２、甲３の３、甲１１、甲１３、甲１４、甲２３、甲３５を除く）に記載された事項の概要 
　ア　甲３の１ 
　甲３の２に記載された手法により算出したところ、ｎ電極（裏面電極）のコンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２」であったと仮定した場合、甲２に開示されている半導体レーザの発振閾値電圧は２４９Ｖであること等の報告が記載されている。 
  
　イ　甲３の２ 
　被請求人が、請求人のホームページに掲載されている仕様書記載の動作電流と動作電圧から、請求人の半導体レーザダイオード製品のｎ電極のコンタクト抵抗値を推定した結果、該コンタクト抵抗値は０．０５Ωｃｍ２以下であったこと等が記載されている。 
  
ウ　甲４ 
　ＩＩＩ−Ｎ系化合物半導体装置のＩＩＩ−Ｎ系化合物半導体基板の窒素終端面上に電極を有すること、及び、種基板の（０００１）面上に成長したＧａＮがＧａ終端面とＮ終端面を有すること（【００１３】、【００１４】、図２３）、及び、ＧａＮ基板中の不純物濃度が１×１０17ｃｍ-3を超えると接触比抵抗が１×１０-5Ω・ｃｍ2以下となり、その後は不純物濃度の増加とともに接触比抵抗は下がっていくこと（【００５３】、図１０）等が記載されている。 
  
　エ　甲５ 
　サファイア基板側から所定位置まで研磨またはエッチングを行うことにより、サファイア基板、Ａｌ0.5Ｇａ0.5バッファ層、第１ＧａＮ層、ＳｉＯ2膜、第２ＧａＮ層、第３ＧａＮ層の全部、および第４ＧａＮ層の一部を除去し、この除去により残った第４ＧａＮ層がｎ型のＧａＮ基板１となり、このＧａＮ基板の表面上にＯＭＶＰＥ法による結晶成長、エッチングによるリッジ形成、さらに埋め込み成長、および電極の蒸着を行うことにより半導体レーザを作製すること（【００３４】〜【００３６】、図３）等が記載されている。 
  
　オ　甲６ 
　ＨＶＰＥ法で種基板（例えば、サファイア基板）上に厚膜のＧａＮを積層し、その後、研磨でサファイア基板を剥き取りｎ型ＧａＮ基板を作製し、ｎ型ＧａＮ基板上に成膜させて窒化物半導体発光ダイオードを製造したこと（【００１０】、【００１１】、図１）等が記載されている。 
  
　カ　甲７ 
　ＨＶＰＥ法を使って得られたｎ型ＧａＮ基板の転位密度が１０4ｃｍ-2以下であったこと（【００２６】）等が記載されている。 
  
　キ　甲８ 
　ＨＶＰＥ法等を使って得られた高品質のＧａＮ基板の転位密度が従来１０5〜１０7ｃｍ-2であったこと（【０００５】）、さらに転位密度を低減させた成長方法を採用したところＧａＮ半導体結晶層の転位密度が１０2ｃｍ-2まで低下したこと（【００２８】、【００２９】）等が記載されている。 
  
　ク　甲９ 
　ＨＶＰＥ法を使って得られたＧａＮ基板の表面及び裏面を研磨してエピタキシャル成長用の基板に加工し、断面ＴＥＭ観察したところ、貫通転位密度は１０4ｃｍ-2と見積もられたこと（【００４３】）等が記載されている。
  
　ケ　甲１０ 
　甲１０は、第２事件の甲４０と同じであるので、その認定のとおりである。 
  
　コ　甲１２ 
　甲１２は、第２事件の甲５９と同じであるので、その認定のとおりである。 
  
　サ　甲１５ 
　研磨加工の定義はあいまいで、明確な規定はなされていないというのが実情で、利用分野や時代により、また人により異なった捉え方がされている場合も多いこと（１２頁１４〜１８行）等が記載されている。 
  
　シ　甲１６ 
　ｎ−ＧａＡｓ基板の裏面をエッチングにより研磨し、ｎ−ＧａＡｓ基板の厚さを１００μｍ程度とて、ｎ−ＧａＡｓ基板の裏面に蒸着法によりｎ電極を形成すること（【００５８】）等が記載されている。 
  
　ス　甲１７ 
　化学機械研磨（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）法を適用することに依り、基板の裏面を研磨して厚さを１００μｍにすること（【００４１】）等が記載されている。 
  
　セ　甲１８ 
　窒化物基板の裏面を所定角度θだけ傾斜させる方法としては、例えば、先ず基板裏面をＣ面に形成した後、ラッピング装置などを用いてＣ面に対して斜め方向に研磨を施す方法が採用可能であること（【００１８】）等が記載されている。 
  
　ソ　甲１９ 
　第１ＧａＮ層を研磨して除去することにより、第１ＧａＮ層において、サファイア基板のＣ面から所定の方向（以下、オフ方向と呼ぶ）に所定の角度（以下、オフ角度と呼ぶ）Ｂだけ傾斜した面（以下、オフ面と呼ぶ）を露出させること（【００８１】）等が記載されている。 
  
　タ　甲２０ 
　甲２０は、第２事件の甲２７と同じであるので、その認定のとおりである。 
  
　チ　甲２１ 
　研磨によって平坦化されたＧａＮ基板は、研磨時に物理的なダメージを受け、ＧａＮ基板表面には少なくとも結晶性の悪化したダメージ層が残るため、ＧａＮ基板上に高品質な窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を形成するには、ダメージ層の除去が必要となること（【００７８】）、このダメージ層の除去として、エッチング深さ１μｍまでエッチングしたこと（【００８０】）等が記載されている。 
  
　ツ　甲２２ 
　研磨された状態のＧａＮウエハーは、研磨粒子の機械的作用により引き起こされる表面下のダメージを有し、そのダメージは、その後のＩＩＩ族窒化膜のエピタキシャル成長において欠陥を引き起こすことがあるため、該ダメージを除去するために、化学機械研磨（ＣＭＰ）、反応性イオンエッチ、電気機械エッチ、または光電子機械エッチを使用すること（３０頁２１行〜３１頁２行）等が記載されている。 
  
　テ　甲２４ 
　ＨＶＰＥ法を使って得られたｎ型ＧａＮ基板の転位密度が１０4ｃｍ-2以下であったこと（【００２４】）等が記載されている。 
  
　ト　甲２５ 
　ＨＶＰＥ法を使って得られたｎ型ＧａＮ基板の転位密度が１０4ｃｍ-2以下であったこと（【００１１】）等が記載されている。 
  
　ナ　甲２６ 
　窒化物半導体基板は、一般に転位密度が低く、例えば、その転位密度は１０7ｃｍ-2以下であること、したがって、窒化物系半導体基板を用いることにより、貫通転位密度の少ない（貫通転位密度が約３×１０7ｃｍ-2以下）、結晶性のよい窒化物半導体発光素子を作成できること、擬似窒化物系半導体基板を用いる場合、他の結晶材料上に成長させられた窒化物半導体結晶膜の転位密度は１０7ｃｍ-2以下であることが好ましいこと、貫通転位密度は透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により測定することができること（【００１１】）等が記載されている。 
  
　ニ　甲２７ 
　表面転位密度が１０8ｃｍ-2未満の窒化ガリウム系材料からなる下地層を用い、この上にクラッド層及び活性層を積層させた窒化物半導体素子（【００２９】）等が記載されている。 
  
　ヌ　甲２８の１ 
　半導体レーザのチップ幅を３００μｍとしたこと（【００１４】）等が記載されている。 
  
　ネ　甲２８の２ 
　幅２５０μｍの窒化物系半導体レーザ素子（【００３６】、【００３７】）等が記載されている。 
  
　ノ　甲２９ 
　甲２９は、第２事件の甲１８と同じであるので、その認定のとおりである。 
  
　ハ　甲３０ 
　甲３０は、第２事件の甲２４と同じであるので、その認定のとおりである。 
  
　ヒ　甲３１ 
　Ｗ薄膜において、クラックの先端付近で密集した転位が存在していること（１２６８〜１２６９頁「２．クラック近傍の転位」）等が記載されている。 
  
　フ　甲３２ 
　ＮａＣｌ結晶において、転位は、最初のき裂先端から発生しているものが多くみられること（３６頁左欄１５行〜右欄１４行）等が記載されている。
  
　ヘ　甲３３ 
　ＡＴＲ用圧力管として使用されるＺｒ−２．５Ｎｂ材平滑材において、刃状転位が集まってクラックを形成すること（９頁１２行〜１６行中、特に１３頁６〜７行、６５頁の図３９）等が記載されている。 
  
　ホ　甲３４ 
　半導体レーザの作成方法において、ウエハ裏面にｎ側電極を付ける前にウエハを研磨し厚さ１００μｍ程度にし、研磨後表面をエッチングできれいに整え、金の薄膜を真空蒸着で取り付けてｎ側電極プロセスを終了すること（１１５頁１６行〜２１行）、劈開前にラッピングによって基板を削り、厚さを約１００μｍにし、ラッピング後の表面は非常にざらざらしていて表面状態が悪いので、全面を硫酸などのエッチング液で数μｍさらにエッチングし、そのあとで裏面側の電極を蒸着すること（１２１頁１０行〜末行）等が記載されている。ただし、例示されているのはＧａＡｓ系である。 
  
　マ　甲３６ 
　ＧａＮウェハは、平滑なエピレディ表面を得るため、Ｇａ面とＮ面の両方を機械研磨とドライエッチ処理したこと（３２５４頁右欄６〜８行）、ｎ型ＧａＮ基板のＧａ面上に形成されたＴｉ／Ａｌ電極の接触抵抗値が２×１０−５Ωｃｍ２であること（３２５５頁右欄１〜５行）等が記載されている。
  
　ミ　甲３７ 
　擬似バルクＧａＮ基板の上で作られたエッジ終端のショットキー整流器は、接触電極面積に関して、そして、整流器の配置に解して逆方向降伏電圧が強く依存することを示し、小直径（７５μｍ）のショットキー電極に対して、３ｍΩｃｍ２のＯＮ状態抵抗（ＲＯＮ）で、縦配置で測られるＶＢは〜７００Ｖであること（１５５５頁上方の要約）等が記載されている。 
  
（４）本件併合通知後に提出されたその外の各甲号証（ただし、甲３９，甲４２、甲４３，甲４５を除く。）に記載された事項の概要 
　ア　甲４０ 
　第２事件の甲４７・甲５６と同じである。 
  
　イ　甲４１ 
　第２事件の甲８と同じである。 
  
　ウ　甲４４ 
　第２事件の甲６３と同じである。 
  
３　対比・判断 
（１）無効理由２ 
　事案にかんがみ、無効理由２から判断する。 
　ア　無効理由２は、甲１１に記載された発明に基づく進歩性欠如であるところ、これは、第２事件の無効理由４と同じである。 
　したがって、当審は、無効理由２に対しても、第２事件の無効理由４についてした認定・判断をそのまま採用する。 
  
　イ　以上のとおりであるから、本件訂正発明１〜３，５〜１０についての無効理由２は、理由がある。 
  
（２）無効理由１ 
　ア　無効理由１は、甲２に記載された発明に基づく進歩性欠如であるところ、これは、第２事件の無効理由３の１、無効理由３の２及び無効理由４と同じである。 
　したがって、当審は、後記イ及びウに付加するもののほか、無効理由１に対しても、第２事件の無効理由３の１、無効理由３の２及び無効理由４についてした認定・判断をそのまま採用する。 
  
　イ　請求人の主張について 
　第２事件の無効理由３の１、無効理由３の２及び無効理由４では、甲３（第１事件における甲２である。）に記載された発明として甲３第一発明及び甲３第二発明を認定したが、以下においては、これらを総称して甲２発明という。 
　（ア）請求人は、口頭審理陳述要領書（請求人）において、「研磨」という用語は多義的であるから、これが使用されている文脈でその意味内容を判断しなければならないところ、「甲２発明の『研磨』（甲２の【０２１５】）は、『機械研磨』と『除去』の２工程を含んでおり、『機械研磨』は、本件特許発明１の『第２工程』に該当し、『除去』は、本件特許発明１の『第３工程』に該当する。よって、本件特許発明１の構成Ｃ『前記第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする第３工程』は、甲２発明との関係において一致点となる。」（口頭審理陳述要領書（請求人）４頁８行〜９頁２２行）と主張しているので、まず、これについて検討する。 
  
　（イ）請求人は、甲２の【０１９５】に、閾値電流の測定を行った半導体レーザのうち、閾値のバラツキの少ないものをＡ群のウエーハ、閾値にややバラツキがあるものをＢ群のウエーハとしたものについて、「ＤＨエピタキシャル成長後のウエーハについて構造断面を調べてみた、この結果、Ａ群ウエーハではＧａＮ基板ウエーハ全断面にわたって低転位層となっているのに対し、Ｂ群ウエーハではＧａＮ基板ウエーハ裏面付近に高転位層が存在していることが解った」と記載されており、【０１９５】が指摘している（Ａ群ウエーハの）全断面には、ＴＥＭ観察で機械研磨によって発生した転位が写っていなかったと考えざるを得ず、また、【０１８７】から【０１９０】までのレーザの製造過程において、【０１８９】に記載された「ＧａＮ基板を研磨し、劈開可能な厚さ（通常６０μｍ〜１００μｍ）に仕上げた」との説明以外に機械研磨によって発生した転位を除去する工程が含まれていないから、【０１９５】で確認したＡ群ウエーハのＧａＮ基板において全断面にわたって低転位層となっている、すなわち、機械研磨によって発生した転位が存在しない理由は、【０１８９】における「研磨」を行うことにより、機械研磨によって発生した転位を除去されていること、すなわち、甲２の「研磨」が本件特許発明１の機械研磨のみならず、機械研磨によって発生した転位を除去する手段も含んでいるとしか考えようがない、と主張する（口頭審理陳述要領書（請求人）４頁１７行〜６頁９行）。 
  
　（ウ）しかし、甲２の【０１９６】、【０１９７】に、「高転位層がどのようにＤＨエピタキシャル層に影響し、さらにレーザ閾値に影響するかについては現状ではよく解らない。しかし、・・・（略）・・・ＧａＮ基板ウエーハに高転位層が存在した場合には、ＤＨ構造エピタキシャル成長や後のプロセスにおける高温加熱時に高転位層で転位が反応したり、高転位層でウエーハ面と水平に折れ曲がった刃状転位（審決注：【０１１１】でいう「Ａ転位」）が再び、層厚に方向に折れ曲がってＤＨ構造エピタキシャルに到達するためと考える。１０ないし２０個に１つの割合で閾値の大きなものがでる理由は図９からも予想されることであるがストライプ選択成長マスクの周期で転位密度の変化がＧａＮ基板エピタキシャル層の高転位密度層を含む初期成長層には存在し、この周期変化に応じた特に高密度の領域から延びた転位群が電流狭窄用ストライプ活性層領域に到達した場合に生じると考えられる。従って、製造歩留まりや特性検査工数を考えた場合には高転位密度層を完全に除去したＧａＮ基板を用意してＤＨ構造エピタキシャル成長を行うことが好ましい。すなわち、半導体レーザの作製に用いるＧａＮ基板としては、サファイア基板、下地結晶膜、マスク、マスク近傍の高転位密度層までを全て取り除いたものが好ましい」と記載されていることに鑑みると、【０１９５】の「構造断面を調べてみた・・・結果、Ａ群のウエーハではＧａＮ基板ウエーハ全断面にわたって低転位層となっている・・・ことが解った」との記載は、Ａ群のＧａＮ基板ウエーハでは高転位密度層が完全に除去されていることが解ったとの意味に止まり、該記載を機械研磨によって発生した転位が存在しないことが解ったとの意味に解することはできない。 
  
　（エ）したがって　Ａ群ウエーハのＧａＮ基板において機械研磨によって発生した転位が存在しないことを前提として、機械研磨によって発生した転位を除去する手段を甲２の「研磨」が含んでいるとする上記ｂの請求人の主張は、当該前提を誤っているから、これを採用することはできない。 
  
　（オ）甲２発明は、サファイア基板法の場合は「発光素子構造を形成したサファイア基板を研磨器にセットし、前記サファイア基板、下地結晶膜、マスク及びＧａＮ結晶膜の一部を研磨してｎ型ＧａＮ結晶膜を露出させ、露出したＧａＮ結晶膜の面、すなわち素子裏面側にチタンとアルミニウムからなるｎ型電極を形成」する工程を含むものであるが、当該工程中の「研磨」について、甲２の【０２１７】に「研磨を行わずにドライエッチングにより・・・除去して」と記載されていることから、当該「研磨」には、少なくとも、ドライエッチングは含まれていないと解される。 
　また、ＧａＮ基板法の場合は「ｐ型電極面で研磨用重しに貼り付け、ＧａＮ基板の裏面を研磨し、通常６０μｍ〜１００μｍの劈開可能な厚さに仕上げ、チタンとアルミニウムからなるｎ型電極を前記裏面に形成する」工程を含み、ＧａＮ結晶膜の「研磨」はサファイア基板を「研磨器にセット」して行われるものであり、ＧａＮ基板の裏面の「研磨」は、ＧａＮ基板を「研磨用重しに貼り付け」て行われるものである。 
　してみると、甲２発明における「研磨」は、研磨器にセットして行い、かつ、ドライエッチングを含まないものであるか、又は、研磨用重しに貼り付けて行われるものであるから、技術常識から、このような「研磨」としては、機械研磨や化学機械研磨が考えられる。しかしながら、機械研磨や化学機械研磨が、本件特許発明１の「第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程」及び「第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする第３工程」に相当しないことは明らかである。 
  
　（カ）さらに、請求人は、甲２の【０２００】に「ＧａＮ基板の成長最上層を研磨して成長縞やうねりを取り除いてから、ＤＨ構造形成のためのエピタキシャル成長を行った。すなわち、ここでは、ＧａＮ基板の成長終了面を研磨して平滑化した表面を主面としてＤＨ構造形成のためのエピタキシャル成長を行った。このようにして作製されたＧａＮ基板をウエーハに用いて作製されたストライプレーザの閾値はバラツキが小さく良好なレーザ特性が得られた」との記載があり、「研磨」して平滑化した表面を主面としてエピタキシャル成長を行ってＤＨ構造を形成したところ、閾値のバラツキが小さく良好なレーザ特性が得られたのであるから、「研磨」のときに転位が取り除かれていることが明らかであり、したがって、少なくとも、【０２００】の「研磨」には転位の「除去」工程が含まれると主張する（口頭審理における主張）。 
　しかし、仮に、【０２００】の「研磨」には転位の「除去」工程が含まれるとしても、だからといって、直ちに、【０１８９】の「ｐ型電極面で研磨用重しに貼り付け」て行う「ＧａＮ基板の裏面」の「研磨」や【０２１５】の「サファイア基板を研磨器にセット」して行うＧａＮ結晶膜の「研磨」にも転位の「除去」工程が含まれることにはならないから、上記アの結論には影響を与えない。 
  
　（キ）以上のとおり、甲２発明が相違点１を備えるとの主張は採用できない。 
  
　ウ　他の証拠について 
　甲３の１、甲３の２、甲４〜甲１０、甲１２、甲１５〜甲２２、甲２４〜甲３４、甲３６、甲３７の記載事項は、上記２（３）で認定したとおりである。
　しかしながら、無効理由１は、甲２発明を出発点とした容易想到性に係るものであるところ、第２事件の無効理由３の１において説示したとおり、甲２発明に接した当業者は、電極形成面において研磨により発生した転位は、わざわざこれを除去する必要があるほど電極形成面での電気的特性を悪化させるものではないので、甲２発明では研磨により発生した転位を含む第一半導体層の裏面近傍の領域を除去していないと理解するものと認められる。
　そうである以上、甲２発明に接した当業者は、上記の各記載事項を踏まえたとしても、それを採用する動機付けを欠き、よって、甲２発明から出発して相違点１に係る構成に至ることはないというべきである。
　エ　以上のとおりであるから、請求人の主張する無効理由１及び証拠方法によっては、本件特許の請求項１〜３，５〜１０に係る発明についての特許を無効にすることができない。 
  
４　第１事件についてのまとめ 
　本件特許の請求項１〜３，５〜１０に係る発明についての特許に対する無効理由２は、理由がある。 
　他方、当該各請求項に係る発明についての特許に対する無効理由１は、理由がない。 
  
第１２　むすび 
　以上のとおりであるから、第１事件及び第２事件ともに、次のとおりとなる。
　本件特許の請求項１〜３，５〜１０に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１２３条第１項第２号に該当するから、無効とされるべきである。
　本件特許の請求項４は、本件訂正により削除されたから、当該請求項について請求人がした無効審判請求は、これを却下する。 
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、その１０分の１を請求人の負担とし、１０分の９を被請求人の負担とする。 
　よって、結論のとおり審決する。