【事件の表示】
　特許第３３５１５０６号「プラズマエッチング用電極板」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３５１５０６号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３３５１５０６号の発明についての出願は、平成９年６月６日に特許出願され、平成１４年９月２０日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、福田雅彰より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１７年４月１５日に訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正の適否について
１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　請求項１の「スタッキング　インデックスが０．８〜０．９５で、」を「スタッキング　インデックス(ＳＩ＝（Ｉmax−Ｉa）／Ｉmaxで表され、式中、ＩmaxはＸ線回折で得られる２５度(２θ)のベースラインからのピーク高さ、Ｉaは３３度(２θ)におけるベースラインからの高さを示す）が０．８〜０．９５で、」と、又「ピークの比が０．４〜０．７」を「ピークの比が０．４〜０．７(ただし、０．５〜０．７を除く)」と訂正する。                     
（２）訂正事項ｂ
　明細書段落【０００４】を「【課題を解決するための手段】本発明は、スタッキング　インデックス(ＳＩ＝（Ｉmax−Ｉa）／Ｉmaxで表され、式中、ＩmaxはＸ線回折で得られる２５度(２θ)のベースラインからのピーク高さ、Ｉaは３３度(２θ)におけるベースラインからの高さを示す）が０．８〜０．９５で、かつラマンスペクトルの１５００〜１６２０ｃｍ−１付近に生ずるピーク／１３５５〜１３６５ｃｍ−１付近に生ずるピークの比が０．４〜０．７(ただし、０．５〜０．７を除く)であるガラス状炭素からなるプラズマエッチング用電極板に関する。」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）上記訂正事項ａは、請求項１に「スタッキング　インデックス」の定義規定を加え、又「ラマンスペクトルの１５００〜１６２０ｃｍ−１付近に生ずるピーク／１３５５〜１３６５ｃｍ−１付近に生ずるピークの比」の数値範囲において、「(ただし、０．５〜０．７を除く)」と一部を除くものである。「スタッキング　インデックス」の定義規定は、明細書段落【０００５】の記載に裏付けられており、この点は明りょうでない記載の釈明に相当し、又ラマンスペクトルのピークの比の数値範囲を「(ただし、０．５〜０．７を除く)」と一部を除くことは、後記する刊行物に記載された発明との重複する範囲を除くものであって、特許請求の範囲を減縮するものである。
　したがって、訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮、ないし明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正に該当し、又該訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）上記訂正事項ｂは、特許請求の範囲の訂正に基づき訂正後の請求項と整合するよう、発明の詳細な説明の記載を訂正するものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正に該当し、又該訂正は、いずれも願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。        
　
III．特許異議申立てについて
１．本件発明
　本件特許の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という）は、上記のとおり訂正が認められるから、平成１７年４月１５日付訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】スタッキング　インデックス(ＳＩ＝（Ｉmax−Ｉa）／Ｉmaxで表され、式中、ＩmaxはＸ線回折で得られる２５度(２θ)のベースラインからのピーク高さ、Ｉaは３３度(２θ)におけるベースラインからの高さを示す）が０．８〜０．９５で、かつラマンスペクトルの１５００〜１６２０ｃｍ−１付近に生ずるピーク／１３５５〜１３６５ｃｍ−１付近に生ずるピークの比が０．４〜０．７(ただし、０．５〜０．７を除く)であるガラス状炭素からなるプラズマエッチング用電極板。」
　
２．当審が通知した取消理由の概要について
　本件の訂正前の請求項１に係る発明は、特開平８−１２０４７１号公報に記載された発明であって、該特許は特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものであり、又本件特許明細書には記載不備があるから、本件特許は特許法第３６条第４項又は第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
　
３．刊行物の記載事項
（１）刊行物：特開平８−１２０４７１号公報　
（１ａ）「【請求項１】　波長５１４５オングストロームのアルゴンイオンレーザー光を用いたラマンスペクトル分析において、下記 (1)式で定義されるＲ値が１．０〜２．０の範囲にあり、かつＩＡの半値幅が３０〜９０ｃｍ−１でＩＢの半値幅が４０〜１００ｃｍ−１の各範囲にある性状を備えるガラス状炭素からなることを特徴とするプラズマエッチング用電極板。
　　　            Ｒ＝ＩＡ／ＩＢ  …(1) 
但し、ＩＡは１３６０±１００ｃｍ−１バンド域におけるスペクトル強度、ＩＢは１５８０±１００ｃｍ−１バンド域におけるスペルトル強度を示す。」
（１ｂ）「【０００６】【発明が解決しようとする課題】本発明者は、プラズマエッチング用電極板を構成するガラス状炭素の組織性状とエッチング処理時の電極消耗度合の関係につき改めて多角的な検討を加えた結果、電極板の消耗度合はガラス状炭素の純度、結晶性、気孔性状、平面平滑度ばかりでなく、表面研磨時に生じる構造破壊や焼成時の表面酸化などに基づく表面状態に大きく影響を受けることを解明した。そして、これらの全性状を検知する評価手段としてラマンスペクトル分析を用いたところ、電極板を構成するガラス状炭素の表面性状が波長５１４５オングストロームのアルゴンイオンレーザーによるラマンスペクトル分析において特定された２つのラマンバンドのスペクトル強度およびその相対強度が一定の範囲にある場合には、電極消耗度合が効果的に減少する事実を認めた。
　【０００７】本発明は前記の知見に基づいて開発されたもので、その目的は、エッチング消耗が少なく、微細パーティクルの発生がない高純度ガラス状炭素からなるプラズマエッチング用電極板を提供することにある。」
（１ｃ）「【００１０】本発明のプラズマエッチング用電極板は、熱硬化性樹脂を焼成炭化して得られる三次元網目構造を呈するガラス状炭素からなることを前提とするが、純度特性として総灰分５ｐｐｍ 以下、金属不純物２ｐｐｍ 以下、総硫黄分３０ｐｐｍ 以下の高純度材質を有し、可及的に表面平滑度の高い平面板であることが好ましい。
　【００１１】このガラス状炭素板において、波長５１４５オングストロームのアルゴンイオンレーザー光を用いてラマンスペクトル分析した場合、１３６０±１００ｃｍ−１バンド域におけるスペクトル強度ＩＡと、１５８０±１００ｃｍ−１バンド域におけるスペルトル強度ＩＢとの相対強度比（ＩＡ／ＩＢ）であるＲ値が１．０〜２．０の範囲にあることが本発明の第１の要件となる。Ｒ値が１．０未満では結晶組織がガラス状炭素特有のアモルファスではなくなり、耐エッチング消耗性が低下し、他方、２．０を越えると炭素化が不足して電極としての適格性が劣るうえ、エッチング消耗度合も大きくなる。より好ましいＲ値の範囲は、１．１〜１．７である。」
（１ｄ）「【００１４】上記の性状を備えるガラス状炭素からなる本発明のプラズマエッチング用電極板は、次のようにして製造することができる。まず、材質の高密度および高純度化を図るため、原料として予め精製処理した残炭率が少なくとも４０％以上のフェノール系、フラン系またはポリイミド系あるいはこれらをブレンドした熱硬化性樹脂を選択使用する。これら原料樹脂は、通常、粉状や液状を呈しているため、その形態に応じてモールド成形、射出成形あるいは注型成形など最適な成形手段を用いて所定の板状に成形する。成形体は、引き続き大気中で１００〜１８０℃の温度で硬化処理を施す。焼成炭化処理は、硬化した樹脂成形体を黒鉛坩堝に詰めるか、黒鉛板で挟持した状態で、窒素、アルゴン等の不活性雰囲気に保たれた電気炉、あるいはリードハンマー炉に詰め、８００〜１０００℃に加熱して行う。更に表面処理した焼成体を雰囲気置換可能な真空炉に入れ、ハロゲン系の精製ガスを流しながら２０００℃まで昇温して高純度化処理を施す。ついで、焼成体の表面をバフ研磨あるいはダイヤモンドラッピングして表面平滑度を高める。この表面処理は、焼成炭化処理工程と高純度化処理工程の間で行ってもよい。なお、電極板に設ける貫通小孔は、樹脂成形段階の樹脂板に予め炭化時の寸法収縮率を見込んで穿設するか、焼成後の炭素板に放電加工により穿設するかのいずれかの方法で行う。」
（１ｅ）「【００２０】実施例１
　減圧蒸留により精製したフェノールおよびホルマリンを常法に従い縮合してフェノール樹脂初期縮合物を調製した。この原料樹脂液を４００ｍｍ角のポリプロピレン製バットに流し込み、１０Ｔｏｒｒ以下の減圧下で３時間脱泡処理を行ったのち、８０℃の電気オーブンに入れ、一昼夜放置して板状に成形した。成形板をバットから取り出し、１時間当たり１０℃の昇温速度で２００℃まで昇温し、２４時間硬化処理を行った。成形硬化した樹脂成形板を高純度黒鉛板で挟み付けた状態で電気炉にセットし、周囲を総灰分１００ｐｐｍ未満の黒鉛粉で被包して２℃／ｈｒの昇温速度で１０００℃まで昇温し、焼成炭化処理を施した。
　【００２１】得られた厚さ３ｍｍの平板状ガラス状炭素板に、２ｍｍの等間隔で直径０．５ｍｍの貫通孔を放電加工により穿設し、研磨材粒度 #８００で２５分間、研磨材粒度 #２０００で１５分間、研磨材粒度 #４０００で１５分間、研磨材粒度 #８０００で２５分間の順でバフ研磨して表面の平滑処理を行った。ついで、雰囲気置換が可能な真空炉〔東海高熱（株）製、ＴＰ３００ 〕に移し、炉内にＣｌ2 ／Ｈｅ（モル比：５／９５）の精製ガスを５リットル／分の供給速度で流入しながら２０００℃まで昇温して高純度処理を施した。
　【００２２】このようにして製造したガラス状炭素からなるプラズマエッチング用電極板につき、表面に波長５１４５オングストロームのアルゴンイオンレーザー光を当ててラマンスペクトル分析を行い、１３６０±１００ｃｍ−１と１５８０±１００ｃｍ−１の両バンドにおける相対強度比（Ｒ値）、１３６０±１００ｃｍ−１バンドのスペクトル強度ＩＡの半値幅、および１５８０±１００ｃｍ−１バンドのスペクトル強度ＩＢの半値幅を測定した。
　【００２３】次に、この電極板をプラズマエッチング装置にセットし、反応ガス：トリクロロメタン、キャリアーガス：アルゴン、反応チャンバー内のガス圧：１Ｔｏｒｒ、電源周波数：１３．５ＭＨｚの条件で６インチのシリコンウエハー酸化膜のプラズマエッチング処理を行い、１００時間経過後の電極板の肉厚減少量を測定した。その肉厚減少量を消耗量とし、ラマンスペクトル分析の結果と対比させて表１に示した。併せて、パーティクルの発生を観察評価し、その結果も表１に併載した。」
（１ｆ）「【００２４】実施例２
　原料樹脂として、液状のフラン樹脂〔日立化成工業（株）製、ＶＦ−３０３〕１００重量部に対しパラトルエンスルホン酸（硬化材）を０．６重量部添加したものを用い、その他の条件は全て実施例１と同一にしてガラス状炭素のプラズマエッチング用電極板を製造した。得られた電極板につきラマンスペクトル分析を行ったのち、実施例１と同様にしてプラズマエッチング処理を施した結果を表１に併載した。」
（１ｇ）「【００３１】【表１】
│例No. │Ｒ値　│ＩＡ半値幅│ＩＢ半値幅│エッチング時│パーティク│
│　　│(IA/IB) │ (cm−１) 　│ (cm−１) │の消耗量(mm)│ル発生状況│
├──┼───　┼─────┼─────┼──────┼─────┤
│実施例１│  1.51  │　57.7 　│　　80.2　　│　0.68　　│　なし　│
│実施例２│  1.63  │　61.1　│　　75.1　　│　0.75　　│　なし  │
│比較例１│  2.18  │　84.3　│　　42.0　　│　2.35　　│　なし  │
・・・」が記載されている。
　
４．当審の判断
（４−１）特許法第２９条第１項第３号違反について
　刊行物には、エッチング消耗が少なく、微細パーティクルの発生がない高純度ガラス状炭素からなるプラズマエッチング用電極板を提供するために（摘記事項（１ｂ）段落【０００７】）、「波長５１４５オングストロームのアルゴンイオンレーザー光を用いたラマンスペクトル分析において、下記 (１)式で定義されるＲ値が１．０〜２．０の範囲にあり、かつＩＡの半値幅が３０〜９０ｃｍ−１でＩＢの半値幅が４０〜１００ｃｍ−１の各範囲にある性状を備えるガラス状炭素からなることを特徴とするプラズマエッチング用電極板。
　　　            Ｒ＝ＩＡ／ＩＢ  …(1) 
　但し、ＩＡは１３６０±１００ｃｍ−１バンド域におけるスペクトル強度、ＩＢは１５８０±１００ｃｍ−１バンド域におけるスペルトル強度を示す。」（摘記事項（１ａ））（以下、「刊行物記載の発明」という）が記載されている。
　又摘記事項（１ｄ）〜（１ｆ）によれば、プラズマエッチング用電極板の製造方法、具体的な実施例の記載があり、更に、摘記事項（１ｇ）によれば、１００時間経過後の電極板の肉厚減少量、即ちエッチング時の消耗量(mm)として、実施例１（０．６８ｍｍ）、実施例２（０．７５ｍｍ）であることが記載されている。
　ここで、刊行物記載の発明における (１)式で定義されるＲ値は、本件発明の「ラマンスペクトルの１５００〜１６２０ｃｍ−１付近に生ずるピーク／１３５５〜１３６５ｃｍ−１付近に生ずるピークの比」の逆数であるから、該「Ｒ値が１．０〜２．０」は、本件発明の「ピークの比が０．５〜１．０」に相当し、又刊行物記載の発明におけるエッチング時の消耗量(ｍｍ)は、１００時間経過後のものであるから、実施例１（０．６８ｍｍ）、実施例２（０．７５ｍｍ）は、本件発明の実施例での評価と基準単位を合わせると、実施例１（６．８μｍ／時間）、実施例２（７．５μｍ／時間）になっていることになる。
　そこで、本件発明と刊行物記載の発明とを対比する。
　本件発明では、「ラマンスペクトルの１５００〜１６２０ｃｍ−１付近に生ずるピーク／１３５５〜１３６５ｃｍ−１付近に生ずるピークの比」について、「０．４〜０．７(ただし、０．５〜０．７を除く)である」とし、刊行物記載の発明での０．５〜１．０の範囲を除いており、この点で両者は異なっている。
　そして、上記相違点は、明らかに両者の重複する範囲を除いているものであって、本件発明はこの点を含む構成によりエッチングの際に発生する有害な炭素微粒子の数を大幅に少なく、また長時間の使用が可能であって、従ってトラブルのない安定なエッチング加工を行うことが可能なものである（本件特許明細書段落【００２５】）という技術的意義を有するものである。
　よって、本件発明は、刊行物に記載された発明ではない。
　
　なお、刊行物の比較例１には、Ｒ値２．１８（本件発明のラマンスペクトルのピークの比に換算すると、０．４７に相当）の電極板（摘記事項（１ｈ））が記載されている。しかし、この比較例１では、エッチング時の消耗量が２．３５ｍｍ／１００時間（本件発明での２３．５μｍ／時間に相当）であって、本件発明のいずれの比較例１〜３（１１．６〜１４．３μｍ／時間）よりも大きく、本件発明で云うスタッキングインデックスが０．８〜０．９５である範囲に入っている蓋然性はなく、よって、刊行物の比較例は本件発明とは異なっているものである。
　
（４−２）特許法第３６条違反について
　取消理由においは、本件特許明細書には次の記載不備があるから、本件特許は特許法第３６条第４項又は第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとされたものである。
（１）請求項１には、「スタッキングインデックスが０．８〜０．９５」であることが特定されているが、発明の詳細な説明には、かかる特定がガラス状炭素の機能、特性等にどのように関係しているかについては記載がなく、本件特許明細書の段落【０００５】に一応、「スタッキング　インデックス」の定義規定があるが、通常求める方法が種々あり、「より平易に行えるよう−部簡便化した簡便法」（透過法）、或いは、「通常用いられる反射法を用いて適切な吸収因子等で補正する方法」等によって、「スタッキング　インデックス」を求める方法があり、その具体的な方法が請求項に記載されておらず本件特許発明が明確でない。
（２）発明の詳細な説明や実施例をみても、「スタッキングインデックスが０．８〜０．９５」であることを求めるための具体的な記載がなく、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載していない。
　
　そこで、上記記載不備について検討すると、上記訂正により特許請求の範囲には「スタッキング　インデックス」の定義規定が本件特許明細書段落【０００５】の「スタツキング　インデックス」定義規定に基づき加えられ、本件特許発明は明確なものといえ、又当該段落には、「スタッキング　インデックス」がＸ線回折で得られる２５度と３３度でのベースラインからの高さ比として求められること、及びその特性とガラス状炭素の機能等との関係が記載されており、更に、当該「スタッキング　インデックス」の値の電極板を製造するための具体的な手段は、本件特許明細書段落【０００７】〜【００１０】に製造方法、及び具体的には実施例１〜７、比較例１〜３が記載されており、これらの記載によれば当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているものであり、上記（１）（２）の記載不備はない。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、上記取消理由、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年１２月６日（２００５．１２．６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
プラズマエッチング用電極板
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】スタッキング　インデックス
（ＳＩ＝（Ｉｍａｘ−Ｉａ）／Ｉｍａｘで表され、式中、ＩｍａｘはＸ線回折で得られる２５度（２θ）のベースラインからのピーク高さ、Ｉａは３３度（２θ）におけるベースラインからの高さを示す）
（ただし、０．５〜０．７を除く）
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、プラズマエッチング用電極板に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ガラス状炭素は、一般の炭素材料が有する軽量、耐熱性、耐食性、電気伝導性等の性質を備えているほか、ガス不透過性で硬度が高い、発塵性が少ない等の特徴を持っているところがら、エレクトロニクス産業、原子力産業、航空産業等各種の分野での広範な用途に使用されつつある。最近は、炭素粒子の脱落や付着がない性質を利用して、半導体集積回路を製造する際のウエハーのプラズマエッチング加工用電極板として使用することが検討されている。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら近年の半導体集積回路は高性能化が進み、従来には問題とされなかった、より微細なパーティクルの発生、さらにエッチング速度の不安定等の問題が生じている。これに伴い、プラズマエッチング用電極板に対する要求性能は一層高度になってきており、特にエッチング時にウエハ面に落下し付着する炭素粒子等の粒子数の少ないものが要求されている。請求項１及び２記載の発明は、エッチング時にウエハ面に落下し付着する炭素粒子等の粒子数の少ないプラズマエッチング電極板に関するものである。
　【０００４】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、スタッキング　インデックス
（ＳＩ＝（Ｉｍａｘ−Ｉａ）／Ｉｍａｘで表され、式中、ＩｍａｘはＸ線回折で得られる２５度（２θ）のベースラインからのピーク高さ、Ｉａは３３度（２θ）におけるベースラインからの高さを示す）
（ただし、０．５〜０．７を除く）
　【０００５】
　【発明の実施の形態】
　本発明において、用いられるガラス状炭素は、スタッキング　インデックス（Ｓｔａｃｋｉｎｇ　Ｉｎｄｅｘ）が０．８〜０．９５のものである。スタッキング　インデックス（ＳＩ）とは、未組織炭素（ｕｎｏｒｇａｎｉｚｅｄ　ｃａｒｂｏｎ）を示す指標で下記式で得られる値を言う。
　【数１】
　　ＳＩ＝（Ｉｍａｘ−Ｉａ）／Ｉｍａｘ
（ここで、Ｉｍａｘとは、Ｘ線回折で得られる２５度（２θ）のベースラインからのピーク高さ、Ｉａとは３３度（２θ）におけるベースラインからの高さである）
　この値が０．８〜０．９５の範囲外のものを用いると、プラズマ化により発生したイオン等の衝突による電極からのパーティクルの発生が増大する。
　【０００６】
　また、本発明において用いられるガラス状炭素は、ラマン分光によるラマンスペクトルピークのうち、１５００〜１６２０ｃｍ−１付近に生ずるピークのベースラインからの高さ／１３５５〜１３６５ｃｍ−１付近に生ずるピークのベースラインからの高さの比が０．４〜０．７にあるものである。この範囲外のものを用いると、プラズマ化により発生したイオン等の衝突による電極からのパーティクルの発生が増大する。図１にガラス状炭素のラマンスペクトルの一例を示す。図１に示されるように、ガラス状炭素のラマンスペクトルは、１５００〜１６２０ｃｍ−１付近と１３５５〜１３６５ｃｍ−１付近にピークを生ずる。各ピーク位置におけるベースラインの値は、図１における（ｃ）のように、ベースラインの接線を作製して決定することができる。そしてそのベースラインからの各ピークの高さ（ａ）及び（ｂ）を求め、その比（ａ）／（ｂ）を計算することによりピーク比とする。
　【０００７】
　本発明において用いるガラス状炭素は、上記の特性を満たすものであれば、その原料及び製造法に特に制限はない。材料として用いられる熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フラン樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、キシレン樹脂等を挙げることができる。また、これら樹脂の混合物を用いることもできる。これらの中で、フラン樹脂又はフェノール樹脂が好ましい。
　【０００８】
　熱硬化性樹脂の種類に応じて、硬化剤が用いられる。硬化剤としては、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸等の無機酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の有機スルホン酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフロロ酢酸等のカルボン酸等が上げられる。アルカリとしては、アンモニア、アミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等が挙げられる。硬化剤は熱硬化性樹脂に対して０．００１〜２０重量％使用することが好ましい。
　【０００９】
　前記熱硬化性樹脂は、必要に応じて前記硬化剤を添加した後、目的とする形状に応じて各種成形方法で成形した後、硬化処理する。この硬化は１３０〜２００℃の温度で熱処理して行うことが好ましい。
　【００１０】
　必要に応じさらにプラズマエッチング電極板としての所定の加工を行った後、高度に純化された治具及び炉を用い不活性雰囲気中（通常、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスや窒素、水素、ハロゲンガス等の非酸化性ガスの少なくとも一種の気体からなる酸素を含まない雰囲気、減圧又は真空下）において、好ましくは３００〜２５００℃、より好ましくは約１０００℃の温度で焼成炭化する。ついで好ましくは１３００〜３５００℃の温度で熱処理しガラス状炭素を得ることができる。本発明で規定される特性のガラス状炭素を得るには、樹脂の種類、硬化剤の種類、熱処理温度等を適宜選択すればよい。例えば、樹脂としてフラン樹脂を用い、硬化剤として有機スルホン酸を用いる場合、１５００〜２０００℃の温度で熱処理してガラス状炭素化することで前記特性とすることが可能である。
　【００１１】
　プラズマエッチング電極板の形状とする加工、ガス噴き出し穴の作製は、ガラス状炭素を得た後、放電加工、超音波加工等で行うこともできる。得られるガラス状炭素の不純物含有量は２０ｐｐｍ以下とすることが好ましい。不純物量が２０ｐｐｍを超えるとウエハを汚染する危険がある。なお、不純物量は、ＪＩＳに規定される黒鉛灰分測定法で測定することができる。
　【００１２】
　【実施例】
　以下、本発明を実施例にて詳細に説明する。
実施例１
　フラン樹脂初期縮合物（日立化成工業（株）製ＶＦ−３０３）１００重量部にパラトルエンスルホン酸０．３重量部、エチレングリコール０．３重量部を添加し、十分混合した後、該樹脂を型に注入し５０℃で３日、７０℃で３日、９０℃で３日乾燥硬化した後１６０℃までを５℃／時間で昇温し、１６０℃で３日間保持して硬化処理を行い、厚さ５ｍｍで直径２８５ｍｍの円盤状樹脂成形体を得た。該成形体に予め焼成の寸法収縮（２０％収縮）を見込んだ所定の形状に加工した後、１６０℃までを５℃／時間で昇温し、１６０℃で３日間保持し硬化処理を行い厚さ４ｍｍで直径が２８５ｍｍの円盤状樹脂成形体を得た。該成形体を環状炉に入れ窒素気流中で１０００℃の温度で焼成炭化した後、高純度に処理した治具及び雰囲気炉を用い不活性雰囲気下で２０００℃の温度で高温処理を行いガラス状炭素を得た。得られたガラス状炭素に直径０．８ｍｍの貫通小孔を３ｍｍのピッチで多数穿孔しプラズマエッチング用電極板を得た。得られたプラズマエッチング用電極板の不純物量はいずれも２０ｐｐｍ以下であった。この電極の性状を表１に示す。
　【００１３】
　次にこの電極板をプラズマエッチング装置にセットし、反応ガス：トリフロロメタン（ＣＨＦ３）キャリアガス：アルゴン（Ａｒ）、反応チャンバー内のガス圧：１Ｔｏｒｒ、電源周波数：１３．５ＭＨｚの条件で直径６インチのシリコンウエハの酸化膜エッチングを行った。このときシリコンウエハの表面に付着した０．１５μｍ以上の粉末粒子の個数を数えた。この結果を表２に示す。表２から本実施例はパーティクル数１８個で消耗速度が８．３μｍ／時間と非常に優れた特性を示した。
　【００１４】
実施例２
　フラン樹脂初期縮合物（日立化成工業（株）製ＶＦ−３０３）１００重量部に、パラトルエンスルホン酸０．３重量部、エチレングリコール０．３重量部を添加し、十分混合した後、該樹脂を型に注入し５０℃で３日、７０℃で３日、９０℃で３日乾燥硬化した後、１６０℃までを５℃／時間で昇温し、１６０℃で３日間保持し硬化処理を行い厚さ４ｍｍで直径が２８５ｍｍの円盤状樹脂成形体を得た。該成形体を環状炉に入れ窒素気流中で１０００℃の温度で焼成炭化した後、高純度に処理した治具及び雰囲気炉を用い不活性雰囲気下で１５００℃の温度で高温処理を行いガラス状炭素を得た。該ガラス状炭素に直径０．８ｍｍの貫通小孔を３ｍｍのピッチで多数穿孔しプラズマエッチング用電極板を得た。得られたプラズマエッチング用電極板の不純物量はいずれも２０ｐｐｍ以下であった。この電極の性状を表１に示す。表２から本実施例はパーティクル数１３個で消耗速度が９．６μｍ／時間と非常に優れた特性を示した。
　【００１５】
実施例３
　フラン樹脂初期縮合物（日立化成工業（株）製ＶＦ−３０３）１００重量部にパラトルエンスルホン酸０．３重量部、エチレングリコール０．３重量部を添加し、十分混合した後、該樹脂を型に注入し５０℃で３日、７０℃で３日、９０℃で３日乾燥硬化した後１６０℃までを５℃／時間で昇温し、１６０℃で３日間保持し硬化処理を行い厚さ４ｍｍで直径が２８５ｍｍの円盤状樹脂成形体を得た。該成形体を環状炉に入れ窒素気流中で１０００℃の温度で焼成炭化した後、高純度に処理した治具及び雰囲気炉を用い不活性雰囲気下で１８００℃の温度で高温処理を行いガラス状炭素を得た。該ガラス状炭素に直径０．８ｍｍの貫通小孔を３ｍｍのピッチで多数穿孔しプラズマエッチング用電極板を得た。得られたプラズマエッチング用電極板の不純物量はいずれも２０ｐｐｍ以下であった。性状を表１に電極特性を表２に示す。表２から本実施例はパーティクル数２１個で消耗速度が８．５μｍ／時間と非常に優れた特性を示した。
　【００１６】
実施例４
　フラン樹脂初期縮合物（日立化成工業（株）製ＶＦ−３０３）１００重量部に、アルカリ触媒としてアンモニアと、フェノール樹脂（７０℃の加熱下１時間フェノール９４０重量部とホルムアルデヒド３６０重量部を反応させた平均分子量３４０（ＭＮ）粘度３２０（Ｃｐ）の性状を有するもの）３０重量部を添加し十分混合した後、実施例３と同じ条件下にてガラス状炭素電極を得た。性状を表１に、電極特性を表２に示す。表２から本実施例はパーティクル数２８個で消耗速度６．８μｍ／時間と非常に優れた特性を示した。
　【００１７】
実施例５
　フラン樹脂初期縮合物（日立化成工業（株）製ＶＦ−３０３）１００重量部に、フェノール樹脂（日立化成工業（株）製ＶＰ−１１２Ｎ）４０重量部を５０℃の温度で十分混合した後、３０℃まで冷却した。該混合物１００重量部に対し、パラトルエンスルホン酸０．６重量部、フタル酸ｎブチル５重量部、エチレングリコール２０重量部を添加し、十分混合した後、実施例１と同様の条件下にて電極を得た。この性状を表１に電極特性を表２に示す。表２から本実施例はパーティクル数３６個で消耗速度が８．１μｍ／時間と非常に優れた特性を示した。
　【００１８】
実施例６
　フラン樹脂初期縮合物（日立化成工業（株）製ＶＦ−３０３）１００重量部に、アルカリ触媒としてアンモニア、フェノール樹脂（７０℃の加熱下１時間フェノール９４０重量部とホルムアルデヒド３６０重量部を反応させた、平均分子量１３０（ＭＮ）粘度１００（Ｃｐ）の性状を有するもの）１００重量部を５０℃の温度で十分混合した後、３０℃まで冷却した。該混合物１００重量部に対し、パラトルエンスルホン酸１．０重量部、エチレングリコール２０重量部を添加し、十分混合した後、実施例１と同様の条件下にて電極を得た。この性状を表１に電極特性を表２に示す。表２から本実施例はパーティクル数３５個で消耗速度が７．２μｍ／時間と非常に優れた特性を示した。
　【００１９】
実施例７
　フェノールとフルフリルアルコールのモル比２８％になるようにパラホルムアルデヒドを反応触媒にし８０℃の温度で合成した後、７０％パラトルエンスルホン酸で中和し樹脂分５５重量％の樹脂を得た。該樹脂１００重量部に対しパラトルエンスルホン酸０．３重量部、エチレングリコール０．３重量部を添加し、十分混合した後該樹脂を型に注入し５０℃で３日、７０℃で３日、９０℃で３日乾燥硬化し、厚さ５ｍｍで直径２８５ｍｍの成形体を得た。該成形体に予め焼成の寸法収縮（２０％収縮）を見込んだ所定の形状に加工した。１６０℃までを５℃／時間で昇温し、１６０℃で３日間保持し硬化処理を行い厚さ４ｍｍで直径が２８５ｍｍの円盤状樹脂成形体を得た。該成形体を環状炉に入れ窒素気流中で１０００℃の温度で焼成炭化した後、高純度に処理した治具及び雰囲気炉を用い不活性雰囲気下で２０００℃の温度で高温処理を行いガラス状炭素電極を得た。この性状を表１に電極特性を表２に示す。表２から本実施例はパーティクル数１４個で消耗速度が９．２μｍ／時間と非常に優れた特性を示した。
　【００２０】
比較例１
　フルフリルアルコール初期縮合物（日立化成工業（株）ＶＦ−３０２）１００重量部にパラトルエンスルホン酸５０重量％水溶液１重量部を加え、十分に混合した後、樹脂を型に注入し５０℃で３日、７０℃で３日、９０℃で３日乾燥硬化し厚さ５ｍｍで直径２８５ｍｍの成形体を得た。該成形体に予め焼成の寸法収縮（２０％収縮）を見込んだ所定の形状に加工した。１６０℃までを５℃／時間で昇温し、１６０℃で３日間保持し硬化処理を行い厚さ４ｍｍで直径が２８５ｍｍの円盤状樹脂成形体を得た。該成形体を環状炉に入れ窒素気流中で１０００℃の温度で焼成炭化した後、高純度に処理した治具及び雰囲気炉を用い不活性雰囲気下で１２００℃の温度で高温処理を行いガラス状炭素電極を得た。この性状を表１に電極特性を表２に示す。
　【００２１】
比較例２
　フルフリルアルコール初期縮合物（日立化成工業（株）ＶＦ−３０２）１００重量部にパラトルエンスルホン酸５０重量％水溶液１重量部を加え、十分に混合した後、さらに、フラン樹脂初期縮合物（日立化成工業（株）製ＶＦ−３０３）１００重量部にパラトルエンスルホン酸０．３重量部、エチレングリコール０．３重量部を添加し、十分混合した後、該樹脂を型に注入し５０℃で３日、７０℃で３日、９０℃で３日乾燥硬化した後１６０℃までを５℃／時間で昇温し、１６０℃で３日間保持し硬化処理を行い厚さ５ｍｍで直径２８５ｍｍの円盤状樹脂成形体を得た。該成形体に予め焼成の寸法収縮（２０％収縮）を見込んだ所定の形状に加工した後、１６０℃までを５℃／時間で昇温し、１６０℃で３日間保持し硬化処理を行い厚さ４ｍｍで直径が２８５ｍｍの円盤状樹脂成形体を得た。該成形体を環状炉に入れ窒素気流中で１３００℃の温度で焼成炭化した後、高純度に処理した治具及び雰囲気炉を用い不活性雰囲気下で２５００℃の温度で高温処理を行いガラス状炭素を得た。該ガラス状炭素に直径０．８ｍｍの貫通小孔を３ｍｍのピッチで多数穿孔しプラズマエッチング用電極板を得た。得られたプラズマエッチング用電極板の不純物量はいずれも２０ｐｐｍ以下であった。この電極の性状を表１に示す。
　【００２２】
比較例３
　フルフリルアルコール初期縮合物（日立化成工業（株）ＶＦ−３０２）１００重量部に硫酸アニリン０．６重量部を加え、十分に混合した後、樹脂を型に注入し５０℃で３日、７０℃で３日、９０℃で３日乾燥硬化し厚さ５ｍｍで直径２８５ｍｍの成形体を得た。該成形体に予め焼成の寸法収縮（２０％収縮）を見込んだ所定の形状に加工した。１６０℃までを５℃／時間で昇温し、１６０℃で３日間保持し硬化処理を行い厚さ４ｍｍで直径が２８５ｍｍの円盤状樹脂成形体を得た。該成形体を環状炉に入れ窒素気流中で１０００℃の温度で焼成炭化した後、高純度に処理した治具及び雰囲気炉を用い不活性雰囲気下で１８００℃の温度で高温処理を行いガラス状炭素電極を得た。この性状を表１に電極特性を表２に示す。
　【００２３】
　【表１】
　【００２４】
　【表２】
　【００２５】
　【発明の効果】
　本発明のプラズマエッチング用電極板は、エッチングの際に発生する有害な炭素微粒子の数を大幅に少なく、また長時間の使用が可能である。従ってトラブルのない安定なエッチング加工を行うことが可能なものである。
【図面の簡単な説明】
　【図１】ガラス状炭素のラマンスペクトルの一例を示すグラフである。