【手続補正書】
【提出日】平成22年6月8日(2010.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、ソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にチャネルを形成するカーボンナノチューブ、ゲート誘電体および前記カーボンナノチューブから前記ゲート誘電体で分離され、前記ソース電極または前記ドレイン電極とは重ならずに位置し、トップゲート型ジオメトリーを含むゲート電極および入力高周波電圧が前記ゲート電極に印加されるカーボンナノチューブの高速電界効果トランジスタ。
【請求項２】
更に付加カーボンナノチューブを含み、前記付加カーボンナノチューブが前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記チャネルの寸法を大きくしている請求項１のカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項３】
前記ゲート誘電体が、３０ｎｍより厚い誘電体については１５より大か等しく、３ｎｍ〜３０ｎｍ厚の誘電体については７より大か等しく、３ｎｍより薄い誘電体については４より大か等しい誘電率ｋを有する請求項１又は２のカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項４】
前記基板が石英を含む請求項１〜３のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項５】
前記カーボンナノチューブが１μｍよりも短い長さである請求項１〜４のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項６】
直流電流（ＤＣ）が前記カーボンナノチューブにより形成される前記チャネルを介して流れ、前記ゲート電極に印加される前記入力高周波電圧が前記ソース電極と前記ドレイン電極間の出力高周波電圧を生じる請求項１〜５のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項７】
ＤＣ電圧がソースコンタクトとドレインコンタクトの間に印加され、前記ゲート電極に印加される前記入力高周波電圧が前記チャネルを介して流れる出力高周波電流を生じる請求項１〜６のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項８】
前記ドレイン電極および前記ソース電極の一方または両方がオーミックコンタクトを含む請求項１〜７のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項９】
更にバイアス電圧を含み、前記バイアス電圧が、前記ドレインと前記ソース電極との間で、前記カーボンナノチューブで形成された前記チャネル内で光学フォノンが発生する電圧レベルより低く印加される請求項１〜８のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項１０】
前記チャネルがＳｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＢＮ、ＩｎＡｓまたはＩｎＰを含む群からなる半導体で形成され、前記チャネルが３ｎｍよりも狭い幅である請求項１〜９のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項１１】
前記ゲート誘電体が１以上の、ＴｉＯ2、ＨｆＯ2、ＺｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＢａＳｒＴｉＯ3、ＡｌＯx、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4およびＳｉＯ2から選択される請求項１〜１０のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項１２】
前記入力ＲＦ電圧の周波数が２００ＭＨｚ〜６ＴＨｚの範囲である請求項１〜１１のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項１３】
前記基板がサファイア、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、高抵抗率Ｓｉ、ポリテトラフルオロエチレン、プラスチック、アルミナ、ガラス、ベリリア、ＴｉＯ2、フェライトまたはセラミックを含む群から選択される請求項１〜１２のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項１４】
基板、ソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極との間のチャネルを形成するカーボンナノチューブ、３０ｎｍより厚い誘電体については１５より大か等しく、３ｎｍ〜３０ｎｍ厚の誘電体については７より大か等しく、３ｎｍより薄い誘電体については４より大か等しい誘電率ｋを有するゲート誘電体および前記カーボンナノチューブから前記ゲート誘電体で分離されているゲート電極を含み、入力高周波電圧が前記ゲート電極に印加されるカーボンナノチューブのリニア電界効果トランジスタ。
【請求項１５】
更に付加カーボンナノチューブを含み、前記付加カーボンナノチューブが前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記チャネルの寸法を大きくしている請求項１４のカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項１６】
前記基板が石英である請求項１４又は１５のカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項１７】
前記ゲート電極は、前記ソースまたはドレイン電極のいずれの部分とも重ならずに位置し、トップゲート型ジオメトリーを形成する請求項１４〜１６のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項１８】
ＤＣ電流が前記カーボンナノチューブにより形成される前記チャネルを介して流れ、前記ゲート電極に印加される前記入力高周波電圧が前記ソース電極と前記ドレイン電極間の出力高周波電圧を生じる請求項１４〜１７のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項１９】
ＤＣ電圧がソース電極とドレイン電極の間に印加され、ゲート電極に印加される入力高周波電圧がカーボンナノチューブにより形成されるチャネルを介して流れる出力高周波電流を生じる請求項１４〜１８のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項２０】
前記ドレイン電極および前記ソース電極の一方または両方がオーミックコンタクトを含む請求項１４〜１９のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項２１】
前記チャネルがＳｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＢＮ、ＩｎＡｓまたはＩｎＰを含む群からなる半導体により形成され、前記チャネルが３ｎｍよりも狭い幅である請求項１４〜２０のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項２２】
更にバイアス電圧を含み、前記バイアス電圧が、前記ドレインとソース電極との間で、前記カーボンナノチューブで形成される前記チャネル内で光学フォノンが発生する電圧レベルより低く印加される請求項１４〜２１のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項２３】
前記ゲート誘電体がＴｉＯ2、ＨｆＯ2、ＡｌＯx、ＡｌＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2またはＢａＳｒＴｉＯ3を含む群から選択される請求項１４〜２２のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項２４】
前記入力高周波電圧が２００ＭＨｚ〜６ＴＨｚの範囲である請求項１４〜２３のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項２５】
前記基板がサファイア、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、高抵抗率Ｓｉ、アルミナ、ポリテトラフルオロエチレン、プラスチック、ガラス、ベリリア、ＴｉＯ2、フェライトまたはセラミックを含む群から選択される請求項１４〜２４のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項２６】
ＧａＡｓ、サファイア、Ｓｉ、ＳｉＯx、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣまたはダイアモンドを含む群から選択される基板、ソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネルを形成するカーボンナノチューブ、１０ｎｍより薄い厚みのゲート誘電体および前記カーボンナノチューブから前記ゲート誘電体で分離されているゲート電極を含む放射線強化カーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項２７】
更に付加カーボンナノチューブを含み、前記付加カーボンナノチューブが前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記チャネルの寸法を大きくする請求項２６のカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項２８】
入力高周波電圧が前記ゲート電極に印加される請求項２６又は２７のカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項２９】
前記入力高周波電圧が２００ＭＨｚ〜６ＴＨｚの範囲である請求項２８のカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項３０】
前記ゲート電極が前記ソース電極または前記ドレイン電極のいずれの場所にも直接的には堆積せず、トップゲート型ジオメトリーを含む請求項２６〜２９のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項３１】
ＤＣ電流が前記カーボンナノチューブにより形成される前記チャネルを介して流れ、前記ゲート電極に印加される入力高周波電圧が前記ソース電極と前記ドレイン電極間の出力高周波電圧を生じる請求項２６〜３０のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項３２】
ＤＣ電圧が前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に印加され、前記ゲート電極に印加される入力高周波電圧が前記カーボンナノチューブで形成される前記チャネルを介して流れる出力高周波電流を生じる請求項２６〜３１のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項３３】
前記ゲート誘電体が、３０ｎｍより厚い誘電体については１５より大か等しい、３ｎｍ〜３０ｎｍ厚の誘電体については７より大か等しい、３ｎｍより薄い誘電体については４より大か等しい誘電率ｋを有する請求項２６〜３２のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項３４】
前記ドレイン電極および前記ソース電極の一方または両方がオーミックコンタクトを含む請求項２６〜３３のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項３５】
更にバイアス電圧を含み、前記バイアス電圧が、前記ドレインとソース電極との間で、前記カーボンナノチューブで形成されるチャネル内で光学フォノンが発生する電圧レベルより低く印加される請求項２６〜３４のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項３６】
前記ゲート誘電体がＳｉ3Ｎ4、ＧａＡｓ、ＡｌＮ、ＳｉＯx、ＡｌＯxまたはＴａ2Ｏ5を含む群から選択される請求項２６〜３５のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項３７】
基板、ソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネルを形成するカーボンナノチューブ、前記カーボンナノチューブが一部の上に堆積されている第１ゲート誘電体、前記ゲート誘電体が上に堆積され、前記カーボンナノチューブから前記ゲート誘電体で分離されている第１ゲート電極、前記カーボンナノチューブ上に堆積された第２誘電体、前記第２ゲート誘電体が上に堆積され、前記カーボンナノチューブから前記第２ゲート誘電体で分離されている第２ゲート電極を含むカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項３８】
前記第１ゲート電極が前記ソースまたはドレイン電極と重ならずに位置している請求項３７のカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項３９】
入力高周波電圧が前記第１ゲート電極および前記第２ゲート電極の一方または両方に印加される請求項３７又は３８のカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項４０】
前記第２ゲート電極が前記ソースまたはドレイン電極と重ならずに位置している請求項３７〜３９のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項４１】
前記第１ゲート電極および前記第２ゲート電極が前記カーボンナノチューブの一部を取り囲むために連結され、前記カーボンナノチューブの一部から前記第１および第２ゲート電極で分離されている請求項３７〜４０のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。
【請求項４２】
前記第１および第２誘電体が単一の誘電体を含む請求項３７〜４１のいずれか１つのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ。