【事件の表示】
　特願２００２−１７５１１９「発光装置の作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月１８日出願公開、特開２００３−１１４６２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成１４年６月１４日（優先日：平成１３年６月１８日、出願番号：２００１−１８４０６７号）の出願であって、平成１７年５月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１７年６月３０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１７年７月２９日付けで手続補正がなされたものである。  
　  
２．平成１７年７月２９日付けの手続補正についての補正却下の決定  
［補正却下の決定の結論］  
　平成１７年７月２９日付けの手続補正を却下する。  
　  
［理由］独立特許要件違反  
（１）補正後の本願発明  
　平成１７年７月２９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、本件補正前の特許請求の範囲の請求項７の「薄膜トランジスタ上に熱硬化型または光硬化型の有機樹脂からなる層間絶縁膜を塗布法によって形成し、
　前記層間絶縁膜上にスパッタリング法により珪素の含有比率が２５．０ａｔｏｍｉｃ％以上４０．０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、窒素の含有比率が３５．０ａｔｏｍｉｃ％以上６５．０ａｔｏｍｉｃ％以下である無機絶縁膜を形成し、
　前記無機絶縁膜上に、一対の電極間に発光層が形成された発光素子を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。」を特許請求の範囲の請求項４として
「薄膜トランジスタ上に熱硬化型または光硬化型の有機樹脂からなる層間絶縁膜を塗布法によって形成し、
　前記層間絶縁膜上にスパッタリング法により珪素の含有比率が２５．０ａｔｏｍｉｃ％以上４０．０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、窒素の含有比率が３５．０ａｔｏｍｉｃ％以上６５．０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、酸素を含む無機絶縁膜を形成し、
　前記無機絶縁膜上に、一対の電極間に発光層が形成された発光素子を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。」と補正された。  
　  
　この補正は、「無機絶縁膜」に関して、「酸素を含む」ことを限定したものであるから、この補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の限定的減縮に該当する。  
　そこで、本件補正後の前記請求項４に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。  
　  
（２）引用例  
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前である平成１３年２月２３日に頒布された特開２００１−５２８７３号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。  
ア．「【請求項１７】基板上に複数のＴＦＴを形成する工程と、
前記複数のＴＦＴを覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜の上にＥＬ素子を形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の作製方法。」
イ．「【００４２】次に、４１は第１パッシベーション膜であり、膜厚は１０ｎｍ〜１μm（好ましくは２００〜５００ｎｍ）とすれば良い。材料としては、珪素を含む絶縁膜（特に窒化酸化珪素膜又は窒化珪素膜が好ましい）を用いることができる。このパッシベーション膜４１は形成されたＴＦＴをアルカリ金属や水分から保護する役割をもつ。最終的にＴＦＴの上方に設けられるＥＬ層にはナトリウム等のアルカリ金属が含まれている。即ち、第１パッシベーション膜４１はこれらのアルカリ金属（可動イオン）をＴＦＴ側に侵入させない保護層としても働く。」 
ウ．「【００５１】図１の構造は青色発光のＥＬ素子と蛍光体とを組み合わせた方式を用いた場合の例である。ここではＥＬ素子２０３として青色発光の発光層を用いて紫外光を含む青色領域の波長をもつ光を形成し、その光によって蛍光体４３を励起して赤、緑若しくは青の光を発生させる。そしてカラーフィルター４２で色純度を上げて出力する。
【００５２】但し、本発明は発光方式に関わらず実施することが可能であり、上記四つの全ての方式を本発明に用いることができる。
【００５３】また、カラーフィルター４２、蛍光体４３を形成した後で、第２層間絶縁膜４４で平坦化を行う。第２層間絶縁膜４４としては、樹脂膜が好ましく、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を用いると良い。勿論、十分な平坦化が可能であれば、無機膜を用いても良い。
【００５４】第２層間絶縁膜４４によってＴＦＴによる段差を平坦化することは非常に重要である。後に形成されるＥＬ層は非常に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起こす場合がある。従って、ＥＬ層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化しておくことが望ましい。
【００５５】また、４５は第２パッシベーション膜（放熱層としての意味合いが強い）であり、膜厚は５ｎｍ〜１μm（典型的には２０〜３００ｎｍ）が好ましい。この第２パッシベーション膜４５は、ＥＬ素子に接して設けられ、ＥＬ素子で発生した熱を逃がしてＥＬ素子に熱が蓄積しないように機能する。また、第２層間絶縁膜４４が樹脂膜である場合は熱に弱いため、ＥＬ素子で発生した熱が第２層間絶縁膜４４に悪影響を与えないようにする。
【００５６】前述のようにＥＬ表示装置を作製するにあたってＴＦＴを樹脂膜で平坦化することは有効であるが、ＥＬ素子で発生した熱による樹脂膜の劣化を考慮した構造は従来なかった。本発明では第２パッシベーション膜４５を設けることによってその点を解決している点も特徴の一つと言える。
【００５７】また、第２パッシベーション膜４５は上記熱による劣化を防ぐと同時に、ＥＬ層中のアルカリ金属がＴＦＴ側へと拡散しないようにするための保護層としても機能し、さらにはＥＬ層側へＴＦＴ側から水分や酸素が侵入しないようにする保護層としても機能する。
【００５８】この第２パッシベーション膜４５の材料としては、第１パッシベーション膜４１に用いることのできる材料と同一の材料を用いることができる。特に放熱効果の高い材料としてダイヤモンド膜もしくはダイヤモンドライクカーボン膜等の炭素膜が好ましく、水分等の侵入を防ぐためには炭素膜と窒化珪素膜（又は窒化酸化珪素膜）との積層構造を用いることがさらに好ましい。
【００５９】このようにＴＦＴ側とＥＬ素子側とを放熱効果が高く、且つ、水分やアルカリ金属を遮断しうる絶縁膜で分離するという点は本発明の重要な特徴の一つであり、従来のＥＬ表示装置にはない構成であると言える。
【００６０】また、４６は透明導電膜でなる画素電極（ＥＬ素子の陽極）であり、第２パッシベーション膜４５、第２層間絶縁膜４４及び第１パッシベーション膜４１にコンタクトホールを開けた後、電流制御用ＴＦＴ２０２のドレイン配線３７に接続されるように形成される。
【００６１】画素電極４６の上には、順次ＥＬ層（有機材料が好ましい）４７、陰極４８、保護電極４９が形成される。ＥＬ層４７は単層又は積層構造で用いられるが、積層構造で用いられる場合が多い。発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔注入層又は正孔輸送層などを組み合わせて様々な積層構造が提案されているが、本発明ではいずれの構造であっても良い。勿論、ＥＬ層に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。また、本明細書中では、画素電極（陽極）、ＥＬ層及び陰極で形成される発光素子をＥＬ素子と呼ぶ。」  
エ．図１の記載から、ＴＦＴ上に第２層間絶縁膜４４を形成した点、及び画素電極４６と陰極４８との間にＥＬ層４７が形成された点が見てとれる。
　  
　これらの記載事項により、引用例１には、「ＴＦＴ上にポリイミド、ポリアミド、アクリル、ベンゾシクロブテン等を用いた樹脂膜からなる第２層間絶縁膜４４を形成し、
前記第２層間絶縁膜４４上に窒化酸化珪素膜又は窒化珪素膜である第２パッシベーション膜４５を形成し、
前記第２パッシベーション膜４５上に、画素電極４６と陰極４８との間にＥＬ層４７が形成された発光素子を形成する電気光学装置の作製方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
 　  
（３）対比  
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「ＴＦＴ」は本願補正発明の「薄膜トランジスタ」に、以下同様に、「ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ベンゾシクロブテン等を用いた樹脂膜」は「有機樹脂」に、「第２層間絶縁膜４４」は「層間絶縁膜」に、「画素電極（陽極）４６と陰極４８との間」は「一対の電極間」に、「ＥＬ層４７」は「発光層」に、「電気光学装置」は「発光装置」に、それぞれ相当する。
　そして、引用発明の「窒化酸化珪素膜又は窒化珪素膜である第２パッシベーション膜４５」と本願補正発明の「珪素の含有比率が２５．０ａｔｏｍｉｃ％以上４０．０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、窒素の含有比率が３５．０ａｔｏｍｉｃ％以上６５．０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、酸素を含む無機絶縁膜」とは、「珪素、窒素、及び酸素を含む無機絶縁膜」という点で共通する。
　以上から、本願補正発明と引用発明は、  
「薄膜トランジスタ上に有機樹脂からなる層間絶縁膜を形成し、
　前記層間絶縁膜上に珪素、窒素、及び酸素を含む無機絶縁膜を形成し、
　前記無機絶縁膜上に、一対の電極間に発光層が形成された発光素子を形成する発光装置の作製方法。」  
である点で一致し、以下の点で相違している。  
［相違点１］有機樹脂に関して、本願補正発明が熱硬化型または光硬化型であるのに対して、引用発明はポリイミド、ポリアミド、アクリル、ベンゾシクロブテン等を用いた樹脂膜である点。  
［相違点２］有機樹脂からなる層間絶縁膜の形成に関して、本願補正発明が、塗布法によって形成するのに対して、引用発明にはこのような限定がない点。 
［相違点３］珪素、窒素、及び酸素を含む無機絶縁膜の形成に関して、本願補正発明がスパッタリング法により形成するのに対して、引用発明にはこのような限定がない点。 
［相違点４］無機絶縁膜の珪素と窒素の含有比率に関して、本願補正発明が、珪素の含有比率が２５．０ａｔｏｍｉｃ％以上４０．０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、窒素の含有比率が３５．０ａｔｏｍｉｃ％以上６５．０ａｔｏｍｉｃ％以下であるのに対して、引用発明にはこのような限定がない点。
　  
（４）判断  
［相違点１］について 
　熱硬化型または光硬化型であるポリイミド、ポリアミド、アクリル、ベンゾシクロブテンは、従来周知の技術事項であるから、引用発明の「ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ベンゾシクロブテン等を用いた樹脂膜」を熱硬化型または光硬化型の限定を加えることは、何ら格別なことではない。
　
［相違点２］について 
　塗布法によって有機樹脂を形成することは、従来周知の技術事項であるから、引用発明の「有機樹脂からなる層間絶縁膜」を塗布法によって形成することに、何ら困難性はない。
　 
［相違点３］について 
　スパッタリング法により珪素、窒素、及び酸素を含む無機絶縁膜を形成することは、従来周知の技術事項であるから、引用発明の「珪素、窒素、及び酸素を含む無機絶縁膜」をスパッタリング法により形成することに、何ら困難性はない。
　
［相違点４］について 
　引用例１の前記記載事項ウ．に「【００５７】また、第２パッシベーション膜４５は上記熱による劣化を防ぐと同時に、ＥＬ層中のアルカリ金属がＴＦＴ側へと拡散しないようにするための保護層としても機能し、さらにはＥＬ層側へＴＦＴ側から水分や酸素が侵入しないようにする保護層としても機能する。」と記載されており、引用例１には、第２パッシベーション膜４５を保護層として機能させるという技術思想が開示されている。
　そして、本願発明の無機絶縁膜における珪素の含有比率の上限及び下限を４０．０ａｔｏｍｉｃ％及び２５．０ａｔｏｍｉｃ％とすること、並びに窒素の含有比率の上限及び下限を６５．０ａｔｏｍｉｃ％及び３５．０ａｔｏｍｉｃ％とすることについては、本願明細書及び図面を参照しても格別の臨界的意義を確認できないことを勘案すれば、上記珪素及び窒素の含有比率は、無機絶縁膜の保護層としての機能、その透過率、その作製方法等に応じて当業者が適宜選択することができる設計事項である。 
 
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明及び従来周知の技術事項から当業者が予測できる範囲内のものである。  
　  
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。  
　  
（５）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
  
３．本願発明について  
（１）本願発明  
　平成１７年７月２９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項７に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年４月２７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項７に記載された次のとおりのものと認める。  
「薄膜トランジスタ上に熱硬化型または光硬化型の有機樹脂からなる層間絶縁膜を塗布法によって形成し、
　前記層間絶縁膜上にスパッタリング法により珪素の含有比率が２５．０ａｔｏｍｉｃ％以上４０．０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、窒素の含有比率が３５．０ａｔｏｍｉｃ％以上６５．０ａｔｏｍｉｃ％以下である無機絶縁膜を形成し、
　前記無機絶縁膜上に、一対の電極間に発光層が形成された発光素子を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。」  
　  
（２）引用例  
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１の記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。  
　  
（３）対比・判断  
　本願発明は、本願補正発明から、前記「２．（１）」で述べた構成の限定を省いたものである。  
　  
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらにその構成を限定したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１に記載の発明及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　  
（４）むすび  
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　よって、結論のとおり審決する。