【事件の表示】
　平成１１年特許願第１３９１７９号「集積回路の製造のためのシステムおよび集積回路を製造する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　１月　７日出願公開、特開２０００−　　３８５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．経緯
　本願は、平成１１年５月１９日（パリ条約による優先権主張１９９８年５月２１日、米国）の出願であって、原審において拒絶査定され、審判請求された後、当審において拒絶の理由が通知され、その指定期間である平成１７年２月９日に手続補正書が提出されたものである。
　本願請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、明細書及び図面の記載からみて、請求項１に記載された次のとおりのものである。
　請求項１
　集積回路（ＩＣ）を製作するためのシステムであって、
　複数のレティクルプリミティブのライブラリであって、それらレティクルプリミティブの少なくとも２つが集積回路（ＩＣ）に含まれるべき回路モジュールに対応するパターンを含むとともに、当該少なくとも２つのレティクルプリミティブが、前記回路モジュールのためのボンドパッドに対応するパターンを有しないものである複数のレティクルプリミティブのライブラリと、
　前記回路モジュールを電気的に結合するための、前記回路モジュールの上側に位置する相互接続導体に対応するパターンのみを含む相互接続レティクルと、
　前記少なくとも２つのレティクルプリミティブおよび前記相互接続レティクルを使用して前記回路モジュールおよび前記相互接続導体のリソグラフィを作成するためのリソグラフィ装置とを含むことを特徴とするシステム。
　
２．当審の拒絶の理由に引用された引用例
　引用例１　米国特許第５６５２１６３号明細書
２．１　引用例１の記載内容
　引用例１の第１欄第５行ないし第８行に、
「本発明は、概ね、集積回路、特にフォトリソグラフィックレチクルに関し、さらに、基板に複合集積回路を製造する方法及び装置に関する。」
旨記載されている。
　引用例１の第２欄第６０行ないし第６６行に、
「本発明は、ある観点からみると、概ね、１個のダイ上に独立した機能領域からなる複数の集積回路要素を作成し、当該複数の集積回路要素からなる単一の集積回路を提供することにより、１個の集積回路において機能の向上を図るものである。」
旨記載されている。
　引用例１の第３欄第６行ないし第１０行に、
「さらに他の観点からみると、本発明は、共通して使われる集積回路部品あるいは機能要素を有する標準的なレチクルのライブラリを作ることにより、レチクルの設計においてフレキシビリティの向上を図るものである。」
旨記載されている。
　引用例１の第４欄第６６行ないし第５欄第５行に、
「特に第４図を参照すると、幾つかの機能ブロック４０，４４，５８、６２及び６４を有するフィールド５２を含む基板５０が図示され、当該機能ブロックは、フィールド５２上に複合した集積回路を構成する。好ましくは、基板５０は、集積回路を形成するのに好適な半導体ウエハである。」
旨記載されている。
　引用例１の第５欄第２９行ないし第３１行に、
「機能ブロックは、例えばマイクロプロセッサー、ゲートアレー、ローカルメモリーまたは他の標準的もしくはカスタムロジック回路である。」
旨記載されている。
　引用例１の第５欄第３９行ないし第４１行に、
「サブブロック６２と６４はサブフィールド６６内において、多数の接続線によって接続され、接続線のいくつかは、幅がサブミクロンの範囲である。」
旨記載されている。
　引用例１の第５欄第５０行ないし第５４行に、
「第５図に本発明の重要な利点が示され、…好ましくは、それぞれの機能ブロックパターンはそれぞれ対応するレチクルから、既知のフォトグラフィックリソグラフィックなイメージプロセスによって基板５０の特定位置に複合のフィールド５２を形成するように転写される。」
旨記載されている。
　引用例１の第５欄第６２行ないし第６欄第２行に、
「それぞれの機能ブロックは、幾つかのインプット線及びアウトプット線８５を有し、インプット線及びアウトプット線８５を互いに接続することにより異なる機能ブロックを接続する。１つ又はそれ以上の機能ブロックのインプット線及びアウトプット線８５は、フィールド５２の境界でコンタクトパッドを形成する。」
旨記載されている。
　引用例１の第６欄第７行ないし第１５行に、
「相互接続線８６は、ダイ上に形成された機能ブロックの上に形成した１又はそれ以上の層よりなる導電層から形成される。その際、酸化物からなる絶縁層が、最初の導電層を機能ブロックの上に形成する前に機能ブロックの上に形成される。導電層は、導電路８６を形成するようにパターン化され、導電路８６は、機能ブロック７４，８０、８８，９０及び９２の各インプット線及びアウトプット線８５を相互に接続する。」
旨記載されている。
　引用例１の第６欄第２０行ないし第２２行に、
「導電層上に、望む結線パターン作るため、相互接続線像のパターンを有する１つ又はそれ以上のレチクルが作られる。」
旨記載されている。
　引用例１の第６欄第４０行ないし第６１行に、
「第５図に示された基板５０は、さらに本発明の他の重要な利点を示す。…フィールド５２上のそれぞれの機能ブロックのインプット線及びアウトプット線８５は、フィールドの境界に関して固定された位置で終端させることが出来る。本発明の一実施例においては、それぞれの機能ブロックのそれぞれのインプット線及びアウトプット線８５は、対応するサブフィールドの境界の特定の位置で終端させることが好ましい。例えば、機能ブロック７４のインプット線及びアウトプット線８５は、サブフィールド７６の境界の予め決められた終端点７８で終端させる。機能ブロックパターンが半導体基板に転写されたとき、相互接続線８６は、機能ブロックの上の１又はそれ以上の層にインプット線及びアウトプット線８５の終端点７８に位置合わせしてパターン化される。インプット線及びアウトプット線８５は、終端点７８の上層にある相互接続線８６に接続される。その際、公知の手段、典型的には垂直な導電経路即ちバイアを用いインプット線及びアウトプット線８５と相互接続線８６間を接続する。」
旨記載されている。
　引用例１の第７欄第６行ないし第１６行に、
「第５図に示すように、フィールド５２は、スタンダード部分７０と、カスタム部分７２に分かれる。フィールド５２のスタンダード部分は、２つの機能ブロックを構成し、それらは機能ブロック７４，８０はレチクルセットにより作られる。これらのスタンダードレチクルは、好ましい実施例において、第６図に示すように、レチクルライブラリ１００により得られる。そして、それらのスタンダードレチクルは、新しい設計の要求を満たすため、作り直す必要がないものである。フィールド５２のカスタム部分７２を構成する機能ブロック８０，９０及び９２を作るためのレチクルセットは、レチクルライブラリ１００では得られない部分だけ作られる。」
旨記載されている。
　
２．２ 引用例１の記載の発明
　上記の記載内容から、引用例１には、
「基板に複合集積回路を製造する方法及び装置であって、
　機能ブロックによって基板のフィールド上に複合した集積回路を構成し、当該機能ブロックは、マイクロプロセッサー、ゲートアレー、ローカルメモリーまたは他の標準的もしくはカスタムロジック回路等であり、当該機能ブロックは、既知のフォトグラフィックリソグラフィックなイメージプロセスによって基板の特定位置に複合のフィールドを形成するようにそれぞれ対応するレチクルセットから転写して形成され、
　レチクルセットはライブラリを構成し、
　各機能ブロックは、インプット線及びアウトプット線を有し、当該各機能ブロックの上に絶縁層が設けられ、
　当該インプット線及びアウトプット線と絶縁層上に設けられた相互接続線を、垂直な導電経路即ちバイアを用い接続することにより各機能ブロックを相互に接続し、
　上記相互接続線は、上記絶縁層上に導電層を形成し、相互接続するパターンを有するレチクルを用い当該導電層をパターン化して作るものである。」
発明が記載されている。
　
３．対比
　本願第１発明と引用例１記載の発明を対比する。
　引用例１記載の発明のおける、「レチクルセット」、「機能ブロック」、「相互接続線」及び「相互接続するパターンを有するレチクル」は、本願第１発明の「レティクルプリミティブ」、「回路モジュール」、「相互接続導体」及び「相互接続レティクル」に相当する。
　そこで、本願第１発明と引用例１記載の発明を比較すると、両者は、
「集積回路（ＩＣ）を製作するためのシステムであって、
　複数のレティクルプリミティブのライブラリであって、それらレティクルプリミティブの少なくとも２つが集積回路（ＩＣ）に含まれるべき回路モジュールに対応するパターンを含むとともに、　
　前記回路モジュールを電気的に結合するための、前記回路モジュールの上側に位置する相互接続導体に対応するパターンを含む相互接続レティクルと、
　前記少なくとも２つのレティクルプリミティブおよび前記相互接続レティクルを使用して前記回路モジュールおよび前記相互接続導体のリソグラフィを作成するためのリソグラフィ装置とを含むことを特徴とするシステム。」
において一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点
　本願第１発明は、「少なくとも２つのレティクルプリミティブが、前記回路モジュールのためのボンドパッドに対応するパターンを有しないものである複数のレティクルプリミティブのライブラリ」を有するのに対し、引用例１記載の発明では、少なくとも２つのレティクルプリミティブを有し、複数のレティクルプリミティブのライブラリを有するものの、「レティクルプリミティブが、前記回路モジュールのためのボンドパッドに対応するパターンを有しない」構成の記載がない点で相違（以下、「相違点１」という。）する。
　
　本願第１発明は、「回路モジュールを電気的に結合するための、前記回路モジュールの上側に位置する相互接続導体に対応するパターン「のみ」を含む相互接続レティクル」を有するのに対し、引用例１記載の発明では、回路モジュールを電気的に結合するための、前記回路モジュールの上側に位置する相互接続導体に対応するパターンを含む相互接続レティクルを有するものの、回路モジュールの上側に位置する相互接続導体に対応するパターン「のみ」を含む相互接続レティクルに関する明示的記載がない点で一応相違（以下、「相違点２」という。）する。
　
４．判断
　相違点１についての検討
　半導体回路製造における下層の配線と絶縁体を挟んで上層にある配線をバイアにより接続することは周知手段（例えば、特開平４−２８０４５７号公報、特開平５−９０４１８号公報及び特開平８−１６２６２１号公報等参照）であり、当該周知接続手段では、通常、ボンデイングワイヤに接続するためのボンドパッドを用いない。
　引用例１記載の発明では、インプット線及びアウトプット線と相互接続線を、垂直な導電経路即ちバイアを用い接続することにより各機能ブロックを接続し、相互接続線はレチクルを用いてフォトリソグラフィックにパターン化することにより作る構成であるから、この構成は、上記周知手段に相当する。
　従って、引用例１記載の発明に接した当業者であれば、機能ブロックを作るためのレチクルが、「回路モジュールのためのボンドパッドに対応するパターンを有しないものである複数のレティクルプリミティブ」である構成とすることに何ら困難性はなく、相違点１に係る構成については、容易に想到できたことである。
　なお、当審からの問い合わせに対する平成１７年７月１３日付けのファクシミリによる回答において請求人は、引用例１記載の発明が、インプット線及びアウトプット線と相互接続線が同一平面上にあり、ボンドパッドを用いて両者が接続されるものである旨主張するので、この点について検討する。
　引用例１記載の発明において、機能ブロックに形成されるインプット線及びアウトプット線にコンタクトパッドを形成することが例示されているものの、当該コンタクトパッドは、インプット線及びアウトプット線と相互接続線を、垂直な導電経路即ちバイアを用い接続するために、インプット線及びアウトプット線の端部に設ける接続補助手段にすぎないから、上記コンタクトパッドは、ボンデイングワイヤに接続するためのボンドパッドであるとはいえない。また、インプット線及びアウトプット線は、絶縁層の下にあり、相互接続線は、当該絶縁層の上にあるから、両者は同一平面上にあるとはいえない。
　そうすると、請求人の上記主張は妥当ではない。
　
　相違点２についての検討
　引用例１記載の発明では、相互接続線は、機能ブロックの上の絶縁層上に形成されるから、引用例１記載の発明における相互接続線を形成するためのレチクルは、回路モジュールの上側に位置する相互接続導体に対応するパターン「のみ」を含む相互接続レティクルの構成を満たしており、相違点２については、実質的な相違ではない。
　
　そして、本願第１発明の作用効果も、引用例１記載の発明及び周知手段から当業者が予測できる範囲のものである。
　
５．むすび
　そうすると、本願請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明及び周知手段に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。