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【手続補正書】
【提出日】平成21年12月9日(2009.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲームアチィーブメントを表示する方法であって、
ゲームコンソールが、プログラムを実行するステップと、
前記ゲームコンソールが、複数のユーザープロファイルを含むデータストアにアクセスするステップであって、前記プロファイルは、前記ゲームコンソール上でビデオゲームをプレイすることから得られる情報を有する、ステップと、
前記ゲームコンソールが、前記データストアからユニークなプレイヤーのアイデンティティに関連付けられたユーザープロファイルを選択するステップと、
前記ゲームコンソールが、前記ユーザープロファイルから、前記ゲームコンソールでプレイされる少なくとも１つのプログラムについての、前記選択されたユーザーによりアンロックされたアチィーブメントに関連する情報、及び前記アチィーブメントに関連付けられたレベルを示すインジケーターを読み出すステップであって、読み出すステップは、ネットワークを介して少なくとも部分的に完成され、複数のアチィーブメントが、前記少なくとも１つのプログラムの各々の中で獲得され得る、ステップと、
前記ゲームコンソールが、前記データストアから読み出した前記アチィーブメントおよび前記アチィーブメントに関連付けられたレベルを示すインジケーターをディスプレイに表示するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ネットワークを介して読み出すステップは、インターネットを介した通信を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プログラムの実行は、ゲームの実行を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記アチィーブメントに関連する情報はグラフィックを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記レベルを示すインジケーターはバーグラフを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記レベルを示すインジケーターは数字を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記ゲームコンソールが、インターネットブラウザを使って前記プロファイルにアクセスし、前記アチィーブメントに関連付けられたレベルを示すインジケーターを読み出して表示するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ゲームアチィーブメントを表示するためのシステムであって、
アチィーブメントをアンロックするためにプログラムを実行する能力を有するゲームコンソールであって、複数のアチィーブメントが、前記プログラム中にアンロックされ得る、ゲームコンソールと、
ネットワークを介してゲームコンソールによりアクセス可能であり、ユニークなユーザープロファイルに関連付けられた複数のプロファイルを含むデータストアであって、前記プロファイルはユニークな各ユーザーのアチィーブメントに関連付けられた情報を含んでいる、データストアと、
前記ゲームコンソールと通信して、ユーザープロファイルに関連付けられたアチィーブメント及び前記アチィーブメントに関連付けられたレベルを示すインジケーターを前記データストアから読み出す、前記ゲームコンソール上で実行可能なコンピュータ読み取り可能命令を格納するメモリと、
前記ゲームコンソールと通信して、前記データストアから読み出した前記アチィーブメント、及び前記アチィーブメントに関連付けられたレベルを示すインジケーターを表示可能なコンピュータ読み取り可能命令を格納するメモリと
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項９】
前記ネットワークはインターネットを介した通信を含むことを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記データストアは前記ゲームコンソールによってアクセス可能であり、前記インターネットに接続されたコンピュータによりアクセス可能であることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記プログラムはビデオゲームを含むことを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
前記アチィーブメントはグラフィックインジケーターを含むことを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１３】
前記レベルを示すインジケーターはバーグラフを含むことを特徴とする請求項１２記載のシステム。
【請求項１４】
前記レベルを示すインジケーターは数字を含むことを特徴とする請求項１２記載のシステム。
【請求項１５】
コンピュータに動作を実行させるためのコンピュータプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能記録媒体であって、前記動作は、
ゲームコンソールが、ゲームコンソール上でビデオゲームをプレイすることから得られる情報を有するユーザープロファイルを複数含むデータストアにアクセスするステップと、
前記ゲームコンソールが、前記データストアからユニークなプレイヤーのアイデンティティに関連付けられたユーザープロファイルを選択するステップと、
前記ゲームコンソールが、前記ユーザープロファイルから、前記ゲームコンソールでプレイされる少なくとも１つのプログラムについての、前記選択されたユーザーによりアンロックされたアチィーブメントに関連する情報、及び前記アチィーブメントに関連付けられたレベルを示すインジケーターを読み出すステップであって、複数のアチィーブメントが、前記少なくとも１つのプログラムの各々の中でアンロックされ得る、ステップと、
前記ゲームコンソールが、前記データストアから読み出した前記アチィーブメント、及び前記アチィーブメントに関連付けられたレベルをディスプレイに表示するステップであって、前記アチィーブメントはアチィーブメントのレベルに関連付けられたアイコンを含む、ステップと
を含むことを特徴とするコンピュータ読み取り可能記録媒体。
【請求項１６】
前記アチィーブメントはグラフィックインジケーターを含むことを特徴とする請求項１５に記載のコンピュータ読み取り可能記録媒体。
【請求項１７】
前記グラフィックインジケーターはアチィーブメントのレベルと関連する色を含むことを特徴とする請求項１６に記載のコンピュータ読み取り可能記録媒体。
【請求項１８】
前記レベルを示すインジケーターは数字又はバーグラフの一方を含むことを特徴とする請求項１６に記載のコンピュータ読み取り可能記録媒体。
【請求項１９】
前記ゲームコンソールが、ブラウザを使用してインターネットを介して前記データストアにアクセスするステップを含むことを特徴とする請求項１５に記載のコンピュータ読み取り可能記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月8日(2010.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
関心のある領域と関連する少なくとも２つの撮像装置であって、異なった場所から前記の関心のある領域の画像を取得し、かつ互いに重なる視野を有する少なくとも2つの撮像装置と、
アクティブポインターが前記撮像装置の前記視野の内および外にあるときに、前記アクティブポインターによって出力されたデータを受信する少なくとも1つの受信機と、
前記少なくとも2つの撮像装置および前記少なくとも１つの受信機によって取得されたデータを処理して、アクティブポインターの存在を検出し、前記ポインターの前記の関心のある領域内の位置を求めるプロセッサ構造と、
を有する対話型入力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月12日(2010.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に矩形の導体を含むフラットフレキシブルケーブルと、
前記実質的に矩形の導体の一部を封入するオーバーモールドと、
前記オーバーモールドと一体形成されてそこから延びるシール部材と、を含み、
前記シール部材は、前記実質的に矩形の導体の一部を封入してシールを形成する、フラットフレキシブルケーブルアセンブリ。
【請求項２】
前記矩形導体が、絶縁シース内に封入される、請求項１に記載のフラットフレキシブルケーブルアセンブリ。
【請求項３】
端子が、前記矩形導体に圧着または溶接によって取り付けられる、請求項２に記載のフラットフレキシブルケーブルアセンブリ。
【請求項４】
前記シール部材が、管状部材とそこから延びる少なくとも１つのリブとを含む、請求項１に記載のフラットフレキシブルケーブルアセンブリ。
【請求項５】
前記シール部材は、前記オーバーモールドとは異なる材料を含む、請求項１に記載のフラットフレキシブルケーブルアセンブリ。
【請求項６】
空洞を有するシールされたコネクタをさらに含み、前記シール部材が、前記空洞をシールした状態ではめ込む、請求項１に記載のフラットフレキシブルケーブルアセンブリ。
【請求項７】
実質的に矩形の導体を含むフラットフレキシブルケーブルを含むフラットフレキシブルケーブルアセンブリの製造方法であって、
フラットフレキシブルケーブルアセンブリを金型内に配置する工程と、
前記金型内にオーバーモールド材料を導入し、前記フラットフレキシブルケーブルの一部を覆うことで、前記フラットフレキシブルケーブルの一部を封入するオーバーモールドを形成するとともに、前記オーバーモールドと一体形成されたシール部材を形成する、導入工程と、を含み、
前記シール部材が、前記実質的に矩形の導体の一部を封入してシールを形成する、製造方法。
【請求項８】
端子を前記矩形導体に圧着または溶接によって取り付ける工程をさらに含む、請求項７
に記載の方法。
【請求項９】
前記シール部材が、管状部材とそこから延びる１または複数のリブとを含む、請求項７
に記載の方法。
【請求項１０】
第２の異なる材料を前記金型内に導入して前記シール部材を形成する、導入工程をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月8日(2010.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多波長光源であって、
主波長にて光を発する源と、
前記源に連結され、その光を視準すなわち平行にする入力光学系と、
中間光学系にして、第１端部を有すると共に、反対側の端部に出口ポートを有する集光器として構成される中間光学系と、
一つ又は複数の出力ポートと、
前記入力光学系からの平行光の第１部分を、前記一つ又は複数の出力ポートの少なくとも一つへと向けると共に、前記入力光学系からの平行光の第２部分を、前記第１端部及び前記中間光学系へと向ける一つ又は複数のミラーと、
前記出口ポートに形成される蛍光体パッチにして、該蛍光体パッチの材料が、前記源が発生する光からの励起に応答して発光する組成を有し、該蛍光体パッチが発した光が、前記中間光学系を通りかつ該中間光学系から出て、前記一つ又は複数の出力ポートの少なくとも一つへと戻される蛍光体パッチとを備える多波長光源。
【請求項２】
前記蛍光体パッチは、薄い縁と、二つの面すなわち前記中間光学系から光を受ける内側面及び反対側の外側面を有し、
前記蛍光体パッチは、前記源からの光を送出でき、
高反射面が、前記蛍光体パッチの外側面を覆い、該蛍光体パッチの外側面が発したであろう光が、その代わりに、前記内側面が発した光と共に、前記中間光学系を通りかつ該中間光学系を出て、戻されるようにする請求項１の多波長光源。
【請求項３】
前記一つ又は複数の出力ポートは、少なくとも二つの出力ポートを含み、光出力は、異なる該出力ポートからの異なるスペクトル組成の二つ又はそれ以上の空間的に分離したビームである請求項１又は２の多波長光源。
【請求項４】
前記源及び蛍光体パッチは、ほぼ同じ面上にある請求項１〜３のいずれか一つの多波長光源。
【請求項５】
前記出力ポートは軸線の周りに回転され得る請求項１〜４のいずれか一つの多波長光源。
【請求項６】
部分的リサイクリング及び部分的非リサイクリングのために構成される請求項１〜５のいずれか一つの多波長光源。
【請求項７】
前記一つ又は複数のミラーは、前記平行光の一部を反射し、該平行光の別の一部が外されるように配置されるミラーを含む請求項１〜６のいずれか一つの多波長光源。
【請求項８】
主波長にて光を発する第２源と、
前記第２源からの光を方向付け、該光を平行にして前記一つ又は複数のミラーに通す第２入力光学系とを更に備え、
前記一つ又は複数のミラーは、前記第２源からの平行光を前記中間光学系へと送出する請求項１〜７のいずれか一つの多波長光源。
【請求項９】
前記一つ又は複数のミラーは、所定の波長よりも短い波長の前記平行光を記出力ポートへと送出する一つ又は複数の傾斜ショートパス光学フィルタを備え、該所定の波長は、第１の前記源のスペクトル内にあり、
前記一つ又は複数の傾斜ショートパス光学フィルタは、所定の波長より短い波長の前記第２源からの平行光を前記中間光学系へと送出し、
前記中間光学系は、前記蛍光体パッチが発した光を前記一つ又は複数の傾斜ショートパスフィルタの少なくとも一つへと戻し、該少なくとも一つの傾斜フィルタは、該発せられた光を前記出力ポートへと反射する請求項８の多波長光源。
【請求項１０】
前記一つ又は複数のミラーは、前記入力光学系からの所定波長よりも短い波長の平行光を反射すると共に、より長い波長を出力ポートへと送出する一つ又は複数の傾斜光学フィルタを備え、該所定の波長は、該フィルタがスペクトルビームスプリッターとしての機能を果たすように前記源のスペクトル内にあり、
前記中間光学系は、該発せられた光を前記一つ又は複数の光学フィルタへと戻し、
前記一つ又は複数の光学フィルタから受けた発光を前記出力ポートへと反射する一つ又は複数の全波長ミラーを更に備える請求項１〜８のいずれか一つの多波長光源。
【請求項１１】
前記ミラーは、所定の波長よりも短い波長の光を前記出力ポートへと部分的に送出すると共に、より短い波長を部分的に反射しかつより長い波長を送出する一つ又は複数の傾斜光学フィルタを備え、該部分的送出及び反射の波長は、該フィルタがスペクトルビームスプリッターとしての機能を果たすように前記源のスペクトル内にあり、
一つ又は複数の傾斜光学ショートパスフィルタは、所定の波長よりも短い波長の光を送出すると共に、より長い波長の光を反射し、
前記発せられた光は、一つ又は複数の前記傾斜ショートパスフィルタへと戻され、該フィルタは、該発せられた光を前記出力ポートへと反射する請求項１〜８のいずれか一つの多波長光源。
【請求項１２】
前記中間光学系はまた、前記ショートパスフィルタが反射しない短波長光を方向転換して前記蛍光体パッチへと戻すための、折り畳みミラー及び一つ又は複数のミラーのうちの少なくとも一方を備える請求項１１の多波長光源。
【請求項１３】
前記一つ又は複数のミラーは、所定の波長よりも短い光を部分的に送出すると共に部分的に反射する少なくとも一つの傾斜光学フィルタを備え、
前記所定の波長は、該フィルタがスペクトルビームスプリッターとしての機能を果たすように前記源のスペクトル内にあり、
前記フィルタは、前記所定の波長よりも長い波長を送出できると共に、前記部分的に送出された光が短波長の前記出力ポートへと向けられることを許容し、
前記中間光学系は、一つ又は複数の傾斜ロングパスフィルタを備え、
前記発せられた光は、前記ロングパスフィルタへと向けられ、
前記ロングパスフィルタは、前記発せられた光を送出でき、該光を長波長の出力ポートへと向ける請求項１〜８のいずれか一つの多波長光源。
【請求項１４】
前記一つ又は複数のミラーは、前記光の一部を一つ又は複数のロングパスフィルタへと反射する一つ又は複数の傾斜光学ミラーを備え、
前記ロングパスフィルタは、所定の波長よりも短い光を前記出力ポートへと反射し、
前記所定の波長は、前記源のスペクトル内にあり、前記フィルタは、該所定の波長よりも長い波長を送出でき、
前記中間光学系は、前記傾斜光学ミラーから反射される光の残部を受けるように連結され、
前記中間光学系は、前記傾斜ミラーからの光の前記前部を前記出口ポートへと反射する一つ又は複数のロングパスフィルタを備え、
前記蛍光体パッチが発した光は、前記ロングパスフィルタへと戻され、
前記ロングパスフィルタは、前記発せられた光を送出でき、該発せられた光を前記出力ポートへと向ける請求項１〜８のいずれか一つの多波長光源。
【請求項１５】
前記一つ又は複数のミラーは、前記平行光の一部を前記出力ポートへと方向転換する一つ又は複数の光学ミラーを備え、
前記中間光学系は、一つ又は複数の傾斜ショートパスフィルタを備え、
前記蛍光体パッチは、前記源からの光を送出でき、
前記蛍光体パッチが発した光は、前記ショートパスフィルタへと戻され、
前記ショートパスフィルタは、前記発せられた光を反射でき、該光を前記出力ポートへと向ける請求項１〜８のいずれか一つの多波長光源。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月27日(2009.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器を着脱可能に受け入れるキャリアーを有するデッキアセンブリと、
容器のドアを取り外しキャリアーのセグメントに係合してドアを置くよう構成されたアクチュエーター・アームを有するロボットと、
回転し高圧力及び低圧力領域を生成するローターを有する処理室と、
を備えた装置であり、
ローターは、容器を受け入れるよう構成されたレセプタクルを有し、かつロボットが容器をレセプタクル内へ装荷する装荷位置、容器が洗浄され次に乾燥される処理位置、及びロボットがレセプタクルから容器をアンロードするアンロード位置の間で移動される、装置。
【請求項２】
容器をデッキアセンブリへ供給しデッキアセンブリから容器を受け入れるロードポートをさらに備え、該ロードポートは、ロードポートとデッキアセンブリキャリアとの間で容器を移送する固定具を有する、請求項１記載の装置。
【請求項３】
ロードポートは、フレームアセンブリを有し、固定具は、容器をデッキアセンブリキャリアへ移送するためフレームアセンブリの前部と後部との間で移動可能である、請求項２記載の装置。
【請求項４】
クリーナーは、容器をデッキアセンブリへ供給しデッキアセンブリから容器を受け入れるロードポートを有し、該ロードポートは、側壁配置にて形成されるクリーナー筐体の外側に配置される、請求項１記載の装置。
【請求項５】
デッキアセンブリキャリアは、容器用の内部レシーバーを形成するフレーム配置を有し、フレーム配置は、ロボットにより位置決めされる容器ドアを受け入れ可能に固定する上部レシーバーを形成し、上部レシーバーは、固定のためにドアを係合する少なくとも一つのラッチを有する、請求項１記載の装置。
【請求項６】
ドアが上部レシーバーにより固定されるとき、アームは、容器ドアの内面に係合し、それによりドア内面はその後の洗浄のために露出される、請求項５記載の装置。
【請求項７】
ロボットのアクチュエーター・アームは、容器ドアを取り外し、キャリアーの上部セグメントと係合するドアを旋回する第１先端部を有する、請求項１記載の装置。
【請求項８】
アクチュエーター・アームは、ドアを上部キャリアーセグメントに係合させるためドアを約２７０度旋回する、請求項７記載の装置。
【請求項９】
半導体ワークピース用の容器を洗浄する方法であって、
容器を着脱可能に受け入れるキャリアーを供給し、
ロボットにアクチュエーター・アームを設け、
ロボットのアクチュエーター・アームにキャリアー及び容器を係合させ、
処理室のローターのレセプタクルにキャリアー及び容器を挿入し、ローターは駆動装置に動作可能に接続され、
処理室内に高圧力及び低圧力領域を生成するために駆動装置でローターを回転し、
容器を洗浄するために処理室内へ第１処理液を供給し、
容器を乾燥するために処理室内へ気体を搬送する、
ことを備えた洗浄方法。
【請求項１０】
第１レセプタクルから第１容器及びキャリアーを取り除き、第２レセプタクルから第２容器及びキャリアーを除去する工程をさらに含み、それら両工程は、ロボット・アクチュエーター・アームによって行なわれる、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
第２容器の除去の前に、ロボット・アクチュエーター・アームで第２レセプタクルを整列させるために第１容器が除去された後、ローターは、およそ１８０度回転する、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
加熱空気は、回転の間、ローターの中央部分へ配送される、請求項９記載の方法。
【請求項１３】
ロボットで容器を係合する工程は、容器からドアを取り除き、容器の上側部分に係合するようドアを旋回するアクチュエーター・アームを含んでいる、請求項９記載の方法。
【請求項１４】
レセプタクル内へキャリアー及び容器を挿入する工程は、容器ドアの内表面が挿入前に処理室から離れて面するようにキャリアーを旋回するアクチュエーター・アームを含む、請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月6日(2010.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
密閉でき且つ少なくとも１つの基板を収容するように適応された包囲体と、
上記包囲体へ通じていて、基板キャリヤが閉じられている間に上記包囲体へのガスの流れを許容するように適応された第１のポートと、
を備え、
上記包囲体の内側の圧力が上記包囲体の外側の圧力より高い、基板キャリヤ。
【請求項２】
上記第１のポートは、ガス源が上記第１のポートに対して密閉されるように適応された第１のシールを含む、請求項１に記載の基板キャリヤ。
【請求項３】
上記第１のポートは、第２のシールを含む、請求項２に記載の基板キャリヤ。
【請求項４】
上記第２のシールは、上記第１のシールを取り囲むように配設される、請求項６に記載の基板キャリヤ。
【請求項５】
上記第１のポートは、上記基板キャリヤのドアに配設され、
真空源に対して密閉され且つ上記基板キャリヤのドアに真空力を加えられるように適応された第２のシールを含む、
請求項２に記載の基板キャリヤ。     
【請求項６】
上記ドアに加えられる上記真空力は、上記第１のポートを通して上記基板キャリヤ内へガスが流されることにより生成される力に対抗するように適応される、請求項５に記載の基板キャリヤ。
【請求項７】
第２のポートを更に含み、上記第２のポートは、ガスを上記基板キャリヤから流出できるように適応され、上記第２のポートは、排気チャネルを上記第２のポートに対して密閉できるように適応された第１のシールを含む、請求項１に記載の基板キャリヤ。
【請求項８】
上記第２のポートは、更に、上記第２のポートの上記第１のシールの周りに配設された第２のシールを含み、上記第２のシールは、真空源に対して密閉され、且つ上記基板キャリヤの上記第２のポートの上記第１のシールの周りの領域へ真空力を加えられるようにして、上記第１のポートを通して上記基板キャリヤ内へガスを流すことにより生成される力に対抗するように適応される、請求項７に記載の基板キャリヤ。
【請求項９】
ロードポートにおいて、
基板キャリヤを開放するため上記基板キャリヤのドアに結合するように適応されたプレートを備え、
上記プレートは、上記プレートの第１の側部において上記基板キャリヤのドアにおける第１のポートに結合し且つ上記プレートの第２の側部においてガス源に結合するように適応された第１の開口を含み、
上記ロードポートは、上記プレートにおける上記第１の開口を通して上記基板キャリヤへのガスの流れを許容するように適応される、
ロードポート。
【請求項１０】
上記プレートは、更に、第２の開口を含み、
上記第２の開口は、上記プレートの上記第２の側部において真空源に結合するように適応され、上記第２の開口は、上記第１の開口の周りに配設された空間が上記プレートの上記第１の側部において排気されるように配設され、上記空間は、上記第１の開口を上記第１のポートに対して密閉する第１のシール及び上記第１のシールの周りに配設され上記第２の開口を上記第１のポートに対して密閉する第２のシールによって画成される、
請求項９に記載のロードポート。
【請求項１１】
排気チャネルを更に含み、
上記プレートは、更に、上記プレートの上記第２の側部において上記排気チャネルに結合され且つ上記プレートの上記第１の側部において上記基板キャリヤにおける第２のポートに結合される第３の開口を含む、
請求項１０に記載のロードポート。
【請求項１２】
基板キャリヤの外側の圧力よりも高い圧力を上記基板キャリヤの内側に生成するように上記基板キャリヤへガスを流すステップと、
ドア開口を通して上記基板キャリヤからガスを流出させるため上記基板キャリヤのドアを開放するステップと、
を備えた方法。
【請求項１３】
上記ガスを流すステップは、密閉された基板キャリヤへ上記ガスを流す段階を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
上記ガスを流すステップは、
上記ガスを上記基板キャリヤの上記ドアに配設された第１のポートを通して上記基板キャリヤへ流す段階と、
上記ガスが上記基板キャリヤへ流れることによって生成される力に対抗するように上記ドアに真空力を加える段階と、
を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
上記基板キャリヤの上記ドアに配設された第２のポートを通して上記基板キャリヤから空気を排出することを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月5日(2010.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスを製造する際に表面上に層を形成する方法であって、
（a）気化した材料を受け取る分配部材であって、チェンバーを規定する1つ以上の壁面を持ち、1つの壁面の中に複数の開口部からなる多角形二次元パターンが形成されていて、その開口部が気化した材料を分子流として上記表面上に供給する構成の分配部材を用意するステップと；
（b）上記開口部からなる多角形二次元パターンに少なくとも4つの頂部を設け、第1の開口部セットをその頂部に配置し、縁部用の第2の開口部セットを第1の開口部セットの2つの開口部の間に配置して上記多角形二次元パターンの縁部を規定し、内側用の第3の開口部セットを、第1の開口部セットと第2の開口部セットによって規定される多角形二次元パターンの周辺部の中に配置するステップと；
（c）第2の開口部セットと第3の開口部セットからの壁面単位面積当たりの流速よりも第1の開口部セットからの単位壁面積当たりの流速が大きく、かつ第3の開口部セットからの壁面単位面積当たりの流速よりも第2の開口部セットからの壁面単位面積当たりの流速が大きくなるように、第1の開口部セット、第2の開口部セット、第3の開口部セットのサイズを決めるステップを含む方法。
【請求項２】
第1の開口部セットが、少なくとも1つの頂部に複数の開口部を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
上記サイズ決定ステップに、開口部の直径を決める操作が含まれる、請求項1に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月18日(2010.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テクスチャリングされた表面を生成する方法であって、
画像ファイルを生成するステップと、
前記画像ファイルをインクジェットプリンタに送るステップと、
酸エッチングレジスト組成物中の前記画像ファイルを基板材料上にプリントするステップと、
前記酸エッチングレジスト組成物をテクスチャリングされるべき表面上に転写するステップと、
酸を使用して前記表面をエッチングするステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
プリントするのにインクジェットプリンタを使用することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸エッチングレジスト組成物は、硬化可能な組成物を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記酸エッチングレジスト組成物は、ＵＶ（紫外線）硬化可能な組成物を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記酸エッチングレジストが、硬化前に２０℃で８ｃｐｓ〜２０ｃｐｓの粘度を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記酸エッチングレジストは、硬化後に９０℃で８ｃｐｓ〜２０ｃｐｓの粘度を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
１０〜５０重量パーセントの粘着性付与剤と、
２０〜９０重量パーセントの１つ以上の反応性モノマーと、
光開始剤と、
を含むことを特徴とするインクジェット可能な酸エッチングレジスト。
【請求項８】
前記レジストが、
１０〜３０重量パーセントの粘着性付与剤と、
３０〜７０重量パーセントのモノマーと、
光開始剤と、
を含むことを特徴とする請求項７に記載のインクジェット可能な酸エッチングレジスト。
【請求項９】
多層のインク受容基板であって、
微小多孔質のインク受容層と、
分解性バインダ層と、
担体層と、
を備え、
前記分解性バインダ層は、前記微小多孔質のインク受容層と不溶性の前記担体層との中間に配置されることを特徴とする多層のインク受容基板。
【請求項１０】
前記微小多孔質のインク受容層は、アルミナ粒子又はシリカ粒子を含むことを特徴とする請求項９に記載の多層のインク受容基板。
【請求項１１】
前記微小多孔質のインク受容層は、ポリビニルアルコール及び多孔質のアルミナ粒子を含むことを特徴とする請求項９に記載の多層のインク受容基板。
【請求項１２】
多層のインク受容基板であって、
少なくとも５０重量パーセントの多孔質アルミナを含むインク受容層と、
少なくとも２５重量パーセントのポリビニルアルコールを含む分解性バインダ層と、
実質的に非水溶性の担体層と、
を備え、
前記分解性バインダ層は、前記微小多孔質のインク受容層と前記不溶性担体層との中間に配置されることを特徴とする多層のインク受容基板。
【請求項１３】
前記インク受容層は、６０〜８０重量パーセントの多孔質のアルミナを含むことを特徴とする請求項１２に記載の多層のインク受容基板。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月19日(2010.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気又は電子装置を式(Ｉ)
【化１】
2009523914.tif 000001
[式中R1、R2及びR3は独立に水素、アルキル、ハロアルキル又は場合によりハロ置換されたアリールより選択され、また、R4はX-R5基であり、式中R5はアルキル又はハロアルキル基であり、また、Xは結合、式-C(O)O(CH2)nY-で示される基(式中nは1ないし10の整数であり、Yは結合又はスルホンアミド基である)、又は-(O)pR6(O)q(CH2)t-基(式中R6は場合によりハロ置換されたアリールであり、pは0又は1、qは0又は1であり、またtは0であるか又は1ないし10の整数であり、ただしqが1ならばtは0以外である)である。]
で示される化合物を含んでなるパルスプラズマに、該装置の表面上に保護高分子層を堆積させるに足る時間にわたり暴露することによって形成される高分子被膜を有する電気又は電子装置。
【請求項２】
通信装置、音響もしくは音声装置、コンピューターもしくはコンピュータ関連部品、屋外照明手段、輸送機関・洗濯機及び食器洗い機に使用される電気もしくは電子装置、又はこれらのうちの任意の装置の部品より選択される請求項1に記載の電気又は電子装置。
【請求項３】
音響又は音声システム装置である請求項2に記載の電気又は電子装置。
【請求項４】
スピーカー、マイクロホン、リンガー又はブザーである請求項3に記載の電気又は電子装置。
【請求項５】
マイクロホンである請求項4に記載の電気又は電子装置。
【請求項６】
マイクロホンは発泡プラスチック製カバーとその表面に存在する高分子層とを含んでなる請求項4に記載の電気又は電子装置。
【請求項７】
電気又は電子装置はプラズマ堆積室内のパルスプラズマに暴露される先行請求項のいずれか1項に記載の電気又は電子装置。
【請求項８】
式(Ｉ)で示される化合物は式(II)
CH2=CH-R5        (II)
(式中R5は請求項1のとおりである)又は式(III )
CH2=CR7C(O)O(CH2)nR5        (III )
(式中nとR5は請求項1のとおりであり、また、R7は水素、C1-10アルキル又はC1-10ハロアルキルである。)
で示される化合物である先行請求項のいずれか1項に記載の電気又は電子装置。
【請求項９】
式(Ｉ)で示される化合物は式(III )で示される化合物である請求項8に記載の電気又は電子装置。
【請求項１０】
式(III )で示される化合物は式(IV)
【化２】
2009523914.tif 000002
(式中R7は請求項8のとおりであり、xは1ないし9の整数である。) 
で示される化合物である請求項9に記載の電気又は電子装置。
【請求項１１】
式(IV)で示される化合物は1H,1H,2H,2H-ヘプタデカフルオロデシルアクリレートである請求項10に記載の電気又は電子装置。
【請求項１２】
電気又は電子装置を液体による損傷から保護する方法であって、該装置を式(Ｉ)
【化３】
2009523914.tif 000003
[式中R1、R2及びR3は独立に水素、アルキル、ハロアルキル又は場合によりハロ置換されたアリールであり、また、R4はX-R5基であり、式中R5はアルキル又はハロアルキル基であり、Xは結合、式-C(O)O(CH2)nY-で示される基(式中nは1ないし10の整数であり、Yは結合又はスルホンアミド基である)、又は-(O)pR6(O)q(CH2)t-基(式中R6は場合によりハロ置換されたアリールであり、pは0又は1、qは0又は1であり、また、tは0であるか又は1ないし10の整数であり、ただしqが1ならばtは0以外である)である。]
で示される化合物を気相状態で含んでなるパルスプラズマに、該装置の表面に高分子層を堆積させるに足る時間にわたり、暴露する工程を含む方法。
【請求項１３】
電気又は電子装置をプラズマ堆積室内に置き、該プラズマ堆積室内にグロー放電を起こし、また、電圧をパルス場として印加する請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
印加電圧は電力レベルが40〜500Wである請求項12又は請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
電圧はオン時間:オフ時間比が1:500ないし1:1500の範囲内に収まるようなシーケンスでパルス化される請求項12ないし14のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１６】
電圧は電源オン時間が20〜50μsであり、電源オフ時間が1000〜30000μsであるようなシーケンスでパルス化される請求項15に記載の方法。
【請求項１７】
電圧はパルス場として30秒〜90分間印加される請求項12ないし16のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１８】
電圧はパルス場として5〜60分間印加される請求項17に記載の方法。
【請求項１９】
予備工程で連続出力プラズマが電気又は電子装置に印加される請求項12ないし18のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２０】
予備工程は不活性ガスの存在下に行われる請求項19に記載の方法。
【請求項２１】
式(Ｉ)で示される気相状態の化合物は、パルス電圧を印加しながら、毎分80〜300mgの流量でプラズマ中に導入する請求項12ないし20のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２２】
プラズマは平均電力0.001〜500W/m3の電圧で生成させる請求項12ないし21のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２３】
プラズマは平均電力0.001〜100W/m3の電圧で生成させる請求項22に記載の方法。
【請求項２４】
プラズマは平均電力0.005〜0.5W/m3の電圧で生成させる請求項23に記載の方法。
【請求項２５】
式(Ｉ)で示される化合物は式(II)
CH2=CH-R5        (II)
(式中R5は請求項1のとおりである)又は式(III )
CH2=CR7C(O)O(CH2)nR5        (III )
(式中nとR5は請求項1のとおりであり、また、R7は水素、C1-10アルキル又はC1-10ハロアルキルである。)
で示される化合物である請求項12ないし24のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２６】
式(Ｉ)で示される化合物は式(III )で示される化合物である請求項25に記載の方法。
【請求項２７】
式(III )で示される化合物は式(IV)
【化４】
2009523914.tif 000004
(式中R7は請求項8のとおりであり、xは1ないし9の整数である。) 
で示される化合物である請求項26に記載の方法。
【請求項２８】
式(IV)で示される化合物は1H,1H,2H,2H-ヘプタデカフルオロデシルアクリレートである請求項26に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月6日(2010.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエステル、ポリアミド、ポリアクリロニトリル、羊毛及び絹からなる群から選択される繊維材料の白色度を改善するための方法であって、洗濯プロセスにおいて少なくとも１種の分散染料で該繊維材料を処理することを含む方法。
【請求項２】
下記式で表される少なくとも１種の分散染料が使用される、請求項１に記載の方法。
【化１】
2009523920.tif 000001
（式中、
Ｒ1はハロゲン原子、ニトロ基又はシアノ基を表し、
Ｒ2は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基又はシアノ基を表し、
Ｒ3は水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、
Ｒ4は水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基又は炭素原子数１な
いし４のアルコキシ基を表し、
Ｒ5は水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数２ないし４のアルカノイルアミノ基を表し
、及び
Ｒ6及びＲ7は互いに独立して、水素原子、アリル基、未置換の又はヒドロキシ基によって置換された炭素原子数１ないし４のアルキル基、シアノ基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ−炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数２ないし４のアルカノイルオキシ基、炭素原子数１ないし４のアルコキシカルボニル基、フェニル基又はフェノキシ基を表す。）、
【化２】
2009523920.tif 000002
（式中、
Ｒ8は水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基、フェニル基又はフェニルスルホニ
ル基、該フェニル基及びフェニルスルホニル基中のベンゼン環は未置換の又は炭素原子数１ないし４のアルキル基、スルホ基又は炭素原子数１ないし４のアルキルスルホニルオキシ基によって置換される、
Ｒ9はヒドロキシ基、アミノ基、Ｎ−モノ−又はＮ，Ｎ−ジ−炭素原子数１ないし４のア
ルキルアミノ基、フェニルアミノ基、該フェニル基中のベンゼン環は未置換の又はハロゲン原子によって置換される、炭素原子数１ないし４のアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数２ないし４のアルカノイルアミノ基、又は−Ｏ−によりアルキル鎖において中断し得る炭素原子数１ないし８のアルキルアミノスルホニル基を表し、Ｒ10は水素原子、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基又はシアノ基を表し、
Ｒ11は水素原子、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、フェノキシ基又は基−Ｏ−Ｃ6
Ｈ5−ＳＯ2−ＮＨ−（ＣＨ2）3−Ｏ−Ｃ2Ｈ5を表し、
Ｒ12は水素原子、ヒドロキシ基又はニトロ基を表し、及び
Ｒ13は水素原子、ヒドロキシ基又はニトロ基を表す。）、
【化３】
2009523920.tif 000003
（式中、
Ｒ14は未置換の又はヒドロキシ基によって置換された炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し、
Ｒ15は炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し、
Ｒ16はシアノ基を表し、
Ｒ17は式−（ＣＨ2）3−Ｏ−（ＣＨ2）2−Ｏ−Ｃ6Ｈ5で表される基を表し、
Ｒ18はハロゲン原子、ニトロ基又はシアノ基を表し、及び
Ｒ19は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基又はシアノ基を表す。）、
【化４】
2009523920.tif 000004
（式中、
Ｒ20は未置換の又はヒドロキシ基によって置換された炭素原子数１ないし４のアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ−炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数２ないし４のアルカノイルオキシ基又は炭素原子数１ないし４のアルコキシカルボニル基を表す。）、
【化５】
2009523920.tif 000005
（式中、
Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31及びＲ32は互いに独立して、水素原子又はハロゲン原子を表し、
Ｒ33は水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基又は炭素原子数１ないし４のアルコキシ基を表し、
Ｒ34は水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数２ないし４のアルカノイルアミノ基を表し、及び
Ｒ35及びＲ36は互いに独立して水素原子、未置換の又はヒドロキシ基によって置換された炭素原子数１ないし４のアルキル基、シアノ基、アセトキシ基又はフェノキシ基を表す。）、
【化６】
2009523920.tif 000006
（式中、
Ｒ39は水素原子又は、未置換の又はフェニル基において炭素原子数１ないし４のアルキル基もしくは炭素原子数１ないし４のアルコキシ基によって置換されたチオフェニル基を表し、
Ｒ40は水素原子、ヒドロキシ基又はアミノ基を表し、
Ｒ41は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は、未置換の又はフェニル基において炭素原子数１ないし４のアルキル基もしくは炭素原子数１ないし４のアルコキシ基によって置換されたチオフェニル基、フェノキシ基又はフェニル基を表し、及び
Ｒ42は未置換の又はハロゲン原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基又は炭素原子数１ないし４のアルコキシ基によって置換されたフェニル基を表す。）
【化７】
2009523920.tif 000007
（式中、
Ｒ43は水素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し、
Ｒ44及びＲ45は互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基又はシアノ基を表し、
Ｒ46は水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基又は炭素原子数１ないし４のアルコキシ基を表し、
Ｒ47は水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数２ないし４のアルカノイルアミノ基を表し、及び
Ｒ48及びＲ49は互いに独立して、水素原子又は、未置換の又はヒドロキシ基、シアノ基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ−炭素原子数
１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数２ないし４のアルカノイルオキシ基、炭素原子数１ないし４のアルコキシカルボニル基、フェニル基又はフェノキシ基によって置換された炭素原子数１ないし４のアルキル基を表す。）
【請求項３】
少なくとも１種の分散染料を含み、ポリエステル、ポリアミド、ポリアクリロニトリル、羊毛及び絹からなる群から選択される繊維材料の白色度を改善するための洗剤組成物。
【請求項４】
少なくとも１種の分散染料を含み、ポリエステル、ポリアミド、ポリアクリロニトリル、羊毛及び絹からなる群から選択される繊維材料の白色度を改善するための布柔軟剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月7日(2009.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御弁内でプラグの外側表面をケージの内壁に対してシールするためのシール・カートリッジ（１３０；２３０）であって、
シール溝内に配設される柔軟性のあるシール・リング（１３１；２３１）であって、
前記プラグの前記外側表面または前記ケージの前記内壁とシーリング接触するようになされた第１の前方シーリング面（１５０；２５０）と、
裏面（１５６；２５６）と、
使用に際して流体加圧力が前記柔軟性のあるシール・リング上面に加えられる上方向に対して下向きに配設される少なくとも１つの上面（１５４；２５４）であって、前記第１の前方シーリング面（１５０；２５０）と前記裏面（１５６；２５６）との間に配設される上面と、
前記上方向に対して下向きに配設される、少なくとも１つの下面（１５８；２５８）とを含む柔軟性のあるシール・リングを含むシール・カートリッジにおいて、
前記柔軟性のあるシール・リング（１３１；２３１）が、前記下向きに配設される下面と前記第１の前方シーリング面との間に、前記上方向に対して上向きに配設される第２の前方シーリング面（１６０；２６０）をさらに備えること、および、
前記シール・カートリッジが、前記柔軟性のあるシール・リング（１３１；２３１）に隣接して配設される上側保持リング（１３３；２３３）をさらに備え、前記上側保持リングが、
前記上方向に対して下向きに、および前記柔軟性のあるシール・リング（１３１；２３１）の下向きに配設される上面（１５４；２５４）に近接して配設される少なくとも１つの下面（１６２）を含み、
前記柔軟性のあるシール・リング（１３１；２３１）の前記少なくとも１つの上面（１５４；２５４）が、前記上側保持リングの前記少なくとも１つの下向きに配設される下面（１６２）から離れて曲がるようになされ、流体加圧力が、前記柔軟性のあるシール・リングの前記上面に加えられるときに、前記柔軟性のあるシール・リング（１３１；２３１）の前記下面（１５８；２５８）が下向きに曲がるようになされていることを特徴とする、シール・カートリッジ。
【請求項２】
前記柔軟性のあるシール・リング（１３１；２３１）に隣接して配設される下側保持リング（１３５；２３５）をさらに含み、前記下側保持リングが、
前記柔軟性のあるシール・リング（１３５；２３５）の下向きに配設される下面（１５８；２５８）に近接して配置される少なくとも１つの上面（１７０）を含み、
前記柔軟性のあるシール・リングの前記下面（１５８；２５８）が、前記下側保持リング（１３５；２３５）の前記少なくとも１つの上面（１７０）に向かって曲がるようになされている、請求項１に記載のシール・カートリッジ。
【請求項３】
前記下側保持リング（１３５；２３５）が前記シール・リングの少なくとも１つの上向きに配設される第２の前方シーリング面（１６０；２６０）と接触する上側リップ（１３６）を含む、請求項２に記載のシール・カートリッジ。
【請求項４】
前記柔軟性のあるシール・リング（１３１；２３１）の曲げが、前記シール・リングの円周軸（Ａｃ）周りの前記シール・リングの軸転運動を含む、請求項２に記載のシール・カートリッジ。
【請求項５】
前記柔軟性のあるシール・リング（１３１；２３１）がポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を含む、請求項２に記載のシール・カートリッジ。
【請求項６】
前記柔軟性のあるシール・リング（１３１；２３１）が黒鉛を含む、請求項２に記載のシール・カートリッジ。
【請求項７】
前記上側保持リング（１３３；２３３）が、編まれた長ストランド炭素繊維を含む、請求項２に記載のシール・カートリッジ。
【請求項８】
前記シール・カートリッジ（１３０）が、前記ケージ（１１６）の前記壁内のシール溝（１３８）内に配設されるように構成され、前記柔軟性のあるシール・リングの前記第２の前方シーリング面が、前記プラグに向かって曲がるようになされている、請求項２に記載のシール・カートリッジ。
【請求項９】
前記プラグ（１１５）に向かって配設される前記第１の下側保持リング（１３５）の一部分（１４０）内の凹部内に配設される分割リング・シール（１３７）要素をさらに含む、請求項８に記載のシール・カートリッジ。
【請求項１０】
前記カートリッジ・シール（２３０）が、前記プラグ（２１５）の前記外側表面内のシール溝内に配設されるように構成され、前記柔軟性のあるシール・リングの前記第２の前方シーリング面（２６０）が、前記ケージの前記壁に向かって曲がるようになされている、請求項２に記載のシール・カートリッジ。
【請求項１１】
前記ケージの前記壁に向かって配設される前記第１の下側保持リングの一部分内の凹部内に配設される分割リング・シール要素（２３７）をさらに含む、請求項１０に記載のシール・カートリッジ。
【請求項１２】
前記裏面（１５６；２５６）が、前記第１の前方シーリング面（１５０；２５０）の反対側に配設され、前記第１の前方シーリング面に対して軸方向にオフセットし、
前記上面（１５４；２５４）が、前記上面（１５４；２５４）と前記裏面（１５６；２５６）の間の内角（Ｃ）が１１０度より大きくなるように、前記裏面から前記第１の前方シーリング面に向かって延びる、請求項１に記載のシール・カートリッジ。
【請求項１３】
前記第２のシーリング面（１６０；２６０）が、前記第１と第２のシーリング面の間の内角（Ｆ）が１４０度より大きくなるように、前記第１のシーリング面（１５０；２５０）から前記下面（１５８；２５８）に延び、前記下面（１５８；２５８）が前記第２のシーリング面（１６０；２６０）から前記裏面（１５６；２５６）に向かって延びる、請求項１２に記載のシール・カートリッジ。
【請求項１４】
前記シーリング・リング（１３１；２３１）の内側表面が前記第１のシーリング面を備える、請求項１２に記載のシール・カートリッジ。
【請求項１５】
前記シーリング・リング（１３１；２３１）の外側表面が前記第１のシーリング面を備える、請求項１２に記載のシール・カートリッジ。
【請求項１６】
前記柔軟性のあるシール・リング（１３１；２３１）が一体リングを備える、請求項１２に記載のシール・カートリッジ。
【請求項１７】
入り口ポート（１１０）と、出口ポート（１２０）と、ケージ（１１６）内に移動可能に配設されるプラグ（１１５）と、プラグ（１１５）とケージ（１１６）の間に配設される前記請求項のいずれか一項に記載のシール・カートリッジ１３０とを含む、制御弁（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月28日(2010.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン又はシリコンベースの物質の電極繊維を製造する方法であって、ピラーを作製するためにシリコンサブストレート又はシリコンベースのサブストレートをエッチングする工程、及び、該サブストレートから該ピラーをデタッチングする工程を含む方法。
【請求項２】
前記電極繊維が、0.08〜0.5ミクロンの範囲の横径寸法を有し、及び、20〜300ミクロンの範囲の長さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電極繊維が100:1のアスペクト比を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電極繊維が円形の断面を有する、請求項１、２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記電極繊維が非円形の断面を有する、請求項１、２又は３に記載の方法。
【請求項６】
前記ピラーが、反応性イオンエッチングによって作製される、請求項１〜５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ピラーが化学反応エッチングによって作製される、請求項１〜６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記ピラーがガルバニック交換エッチングによって作製される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ピラーがスクラッピング、アジテーティング又は化学エッチングの一以上によってデタッチングされる、請求項１〜８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記シリコン又はシリコンベースの物質が、非ドープトシリコン、ドープトシリコン又はシリコンゲルマニウム混合物の一つを含む、請求項１〜９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記電極繊維が、単結晶シリコン又は単結晶シリコン又はシリコンゲルマニウムの一つを含むシリコンベースの物質である、請求項１〜１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
セル電極の作製方法であって、シリコンベースの電極繊維の層を形成するために、シリコンベースの電極繊維を含むスラリーをデポジションすることを含む方法。
【請求項１３】
前記電極繊維が単結晶繊維である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記電極繊維がフェルト中にデポジションされる、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記電極繊維が複合体中にデポジションされる、請求項１２、１３又は１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記電極繊維を集電体上にデポジションすることを含む、請求項１２〜１５の何れか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記電極繊維が請求項１〜１１の何れか一項に記載の方法によって製造される、請求項１２〜１６の何れか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記電極がアノードである、請求項１２〜１７の何れか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記フェルトが10〜30パーセントの細孔容積割合を有する、請求項１２〜１５の何れか一項に記載の方法。
【請求項２０】
請求項１２〜１９の何れか一項に記載されたアノードを作製する工程、及び、カソードを電解質に加える工程を含む、リチウム蓄電式セルの製造方法。
【請求項２１】
カソードと前記アノードの間にセパレーターを加えることをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記セルの周囲にケーシングを提供することをさらに含む、請求項２０又は２１に記載の方法。
【請求項２３】
その活物質の一つとして、請求項１〜２２の何れかを用いて製造されたシリコンベースの電極繊維を含む、複合電極。
【請求項２４】
集電体として銅を用いる、請求項２３に記載の複合電極。
【請求項２５】
前記電極がアノードである、請求項２３に記載の複合電極。
【請求項２６】
請求項２３〜２５の何れか一項に記載の複合電極を含む、電気化学セル。
【請求項２７】
前記カソードが、その活物質として、リチウムイオンの放出及び再吸収が可能なリチウム含有化合物を含む、請求項２６に記載の電気化学セル。
【請求項２８】
前記カソードが、その活物質として、リチウムベースの金属酸化物又はホスフェートを含む、請求項２６に記載の電気化学セル。
【請求項２９】
シリコンベースの単結晶繊維の層を含み、該繊維がフェルトを形成する、リチウム蓄電式セルアノード。
【請求項３０】
前記繊維が複合体の一部である、請求項２９に記載のアノード。
【請求項３１】
前記繊維の交点にアモルファスのシリコン部分を含む、請求項２９〜３０の何れか一項に記載のアノード。
【請求項３２】
請求項２９〜３０の何れか一項に記載のアノード、及び、カソードを含むセル。
【請求項３３】
前記カソードが、リチウムベースの物質を含む、請求項３２に記載のセル。
【請求項３４】
前記カソードが、リチウムコバルト二酸化物を含む、請求項３３に記載のセル。
【請求項３５】
請求項２６〜３４の何れか一項に記載のセルによって動力を供給されるデバイス。