【事件の表示】
　特願２０１６−１０４７７４「光変調器」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年１１月３０日出願公開、特開２０１７−２１１５０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２８年５月２６日を出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２９年　９月１９日付け：拒絶理由通知書
　　　　同年１１月２７日　　：意見書、手続補正書の提出
　平成３０年　１月１２日付け：拒絶査定（同年同月２３日送達）
　　　　同年　４月２０日　　：審判請求書、手続補正書の提出
　　　　同年　７月　５日付け：前置報告書
　　　　同年　９月　４日　　：上申書の提出
第２　平成３０年４月２０日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成３０年４月２０日にされた手続補正についての補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された（下線部は、補正箇所である。）。
「【請求項１】
　電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された光導波路と、該光導波路を伝搬する光波をそれぞれ変調する
ための制御電極を有する
　該受光素子として、前記第１の変調部に対する第１の受光素子と、前記第２の変調部に対する第２の受光素子とを前記基板上に有する光変調器において、
　前記第１の変調部及び前記第２の変調部のそれぞれに対し、該変調部で変調された光波を導波する出力用導波路と、該変調部からの放射光を該出力用導波路の両側に導波する２つの放射光用導波路とが設けられ、
　前記第１の受光素子及び前記第２の受光素子は、前記２つの放射光用導波路を伝搬する光波をそれぞれ検出する２つの受光部を有し、
　前記第１の受光素子と前記第２の受光素子は、光伝搬方向に互いに
受光素子１つ分以上
、
　前記第１の変調部と前記第２の変調部は、光伝搬方向に互いにずらして配置されるとともに、光伝搬方向において制御電極が光波に作用する区間の少なくとも一部が重なり合うように並列に配置され
（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の、平成２９年１１月２７日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである。
「【請求項１】
　電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された光導波路と、該光導波路を伝搬する光波をそれぞれ変調する第１の変調部及び第２の変調部と、該光導波路を伝搬する光波を検出する受光素子と、を備え、
　該受光素子として、前記第１の変調部に対する第１の受光素子と、前記第２の変調部に対する第２の受光素子とを前記基板上に有する光変調器において、
　前記第１の変調部及び前記第２の変調部のそれぞれに対し、該変調部で変調された光波を導波する出力用導波路と、該変調部からの放射光を該出力用導波路の両側に導波する２つの放射光用導波路とが設けられ、
　前記第１の受光素子及び前記第２の受光素子は、前記２つの放射光用導波路を伝搬する光波をそれぞれ検出する２つの受光部を有し、
　前記第１の受光素子と前記第２の受光素子は、光伝搬方向に互いにずらして配置されるとともに、前記２つの受光部の配置位置における前記２つの放射光用導波路の間隔が一致する位置に配置されることを特徴とする光変調器。」
２　補正の適否
　本件補正は、本件補正前の、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「第１の変調部」及び「第２の変調部」という事項について、これらが光導波路を伝搬する光波をそれぞれ変調する「ための制御電極を有」し、「前記２つの受光部の配置位置における前記２つの放射光用導波路の間隔が一致する位置に配置され、前記第１の変調部と前記第２の変調部は、光伝搬方向に互いにずらして配置されるとともに、光伝搬方向において制御電極が光波に作用する区間の少なくとも一部が重なり合うように並列に配置される」という限定を付加するとともに、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「第１の受光素子」と「第２の受光素子」という事項について、光伝搬方向に互いに「受光素子１つ分以上」ずらして配置されるという限定を付加するものであって、補正前後の請求項に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。
（２）引用文献等の記載事項
ア　引用文献１
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献である、特開２０１３−８０００９号公報公報（以下「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は当審の付与したものである。以下同じ。）
（ア）「【００３６】
　本発明は、
基板１と、該基板１に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極
とを有する光変調器
【００３７】
　本発明の光変調器における受光素子は、図１又は図２に示すように、
出力導波路２０を跨ぐように受光素子３を配置することで、例えば、放射光用導波路（２１，２２）を伝搬する放射光を受光素子の受光部３０に、矢印ａ１とａ２のように同時に入射させる
【００３８】
　具体的には、出力光の光強度は、図３のグラフＡで表示される。グラフの横軸は、変調電極に印加されるバイアス電圧（入力電圧）である。２つの放射光（ａ１，ａ２）の光強度は、Ｂ及びＣで表示される。通常、放射光の光強度は、Ｏｆｆ光のみの場合には、出力光に対して逆相で変化し、２つの放射光の電界振幅は互いに逆の状態となる。これに、Ｏｎ光における変換損となる一部の光（Ｏｎ光と同相状態）が混在すると、２つの放射光（ａ１，ａ２）の光強度は、図３のＢ及びＣで表示するように、互いに逆方向にズレて、位相差を生じることになる（２つの放射光が受光素子に到達する際の両者の位相差が０でな
い状態となる）。そして、放射光（Ｂ及びＣに相当）を同時に受光すると、変換損となる一部の光の影響はキャンセルされ、モニタ出力としてグラフＤを得ることができる。このように、放射光の出力特性が補正され、出力導波路２０から出力される出力光に対して位相差の無いモニタ出力を得ることができる。つまり、モニタ出力Ｄは出力光Ａと逆相状態となる。なお、各グラフの高さは規格化して示している。
【００３９】
　実際は、図２の放射光ａ１及びａ２が受光素子に到達する際の光強度分布は同じではない。これは図３のグラフのＢ及びＣの振幅値が異なることを意味している。このため、両者を１つの受光素子３（受光部３０）に入射し、単純に光強度変化を加算してもグラフＤの出力は得られない。本発明では、受光素子が受光する２つの放射光の光量比を調整するため、出力導波路２０又は放射光用導波路（２１，２２）に対して、受光素子３の配置位置を相対的に調整することで、２つの放射光の受光量の比を調整するよう構成できる。このような調整方法は、極めて簡便であり、受光量比を容易に調整することが可能となる。
【００４０】
　
基板１としては、
電気光学効果を有する基板である
【００４１】
　基板に形成する光導波路２は、例えば、ＬｉＮｂＯ３基板（ＬＮ基板）上にチタン（Ｔｉ）などの高屈折率物質を熱拡散することにより形成される。また、光導波路となる部分の両側に溝を形成したリブ型光導波路や光導波路部分を凸状としたリッジ型導波路も利用可能である。また、ＰＬＣ等の異なる基板に光導波路を形成し、これらの基板を貼り合せ集積した光回路にも、本発明を適用することが可能である。
【００４２】
　変調電極は、信号電極や接地電極から構成され、基板表面に、Ｔｉ・Ａｕの電極パターンを形成し、金メッキ方法などにより形成することが可能である。さらに、必要に応じて光導波路形成後の基板表面に誘電体ＳｉＯ２等のバッファ層を設けることも可能である。なお、放射光を受光素子側に導出する領域においては、バッファ層を形成すると、放射光を効率良く導出することが難しくなるため、当該領域には形成しないことが好ましい。」
（イ）「【００５８】
　さらに、図９又は図１０に示すように、複数のマッハツェンダー型光導波路を有する光導波路においても、放射光を効率良くモニタすることが可能である。例えば、図９は、偏波合成機能を有するネスト型の変調器の例を示す。図９では、入力光Ｌ０を２つに分け、各分岐光をネスト型の光導波路（光変調器）に導入し、各出力光（Ｌ０１，Ｌ０２）を偏波合成部６を使用して合成し、出力光Ｌ１０を得る。この際に、各ネスト型変調部の放射光をモニタするため、受光部３１，３２を配置する。本発明の構成では、このような複雑な光導波路であっても、受光部を含む受光素子を配置するだけで、放射光を効率良くモニタできる。
【００５９】
　また、図９のように、複数の受光部を１つの受光素子に組み込むことで、配線等の手間を軽減し、光変調器の構成を小型化することも可能となる。
【００６０】
　図１０では、
光導波路２に複数のマッハツェンダー型導波路を形成するだけでなく、受光部（３３，３４）でモニタする位置を互いずらして配置し、光変調器の幅（図１０の上下方向の高さ）を狭く構成することも可能となる
（ウ）引用文献１の図１は、次のものである。
（エ）引用文献１の図２は、次のものである。
（オ）引用文献１の図１０は、次のものである。
（カ）上記図１、２及び引用文献１の上記段落【００３７】、【００６０】の記載も参照して、上記図１０を見ると、
光変調器の幅を狭く構成するため、基板上に設けられる複数の受光部３３、３４が、互いに光伝搬方向に受光部の長さ以上にずらして配置されるとともに、複数のマッハツェンダー型導波路が、光伝搬方向に一部重なり合うように並列にずらして配置されていること、マッハツェンダー型導波路及び受光部の組が、同じ配置関係を有していること、複数のマッハツェンダー型導波路は、それぞれ出力導波路及び２つの放射光用導波路を有すること、及び、複数の受光部３３、３４のそれぞれの受光部は、２つの放射光用導波路を伝搬する放射光を入射させるようにされていること
　したがって、上記記載事項及び図面に示された事項から、引用文献１には、次の発明（以下「引用文献１発明」という。）が記載されていると認められる。
「電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された複数のマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極を有する光変調器であって、
　基板上に設けられる複数の受光部が、互いに光伝搬方向に受光部の長さ以上にずらして配置されるとともに、複数のマッハツェンダー型導波路が、光伝搬方向に一部重なり合うように並列にずらして配置され、
　マッハツェンダー型導波路及び受光部の組が、同じ配置関係を有し、
　複数のマッハツェンダー型導波路は、それぞれ出力導波路及び２つの放射光用導波路を有し、
　複数の受光部のそれぞれの受光部は、２つの放射光用導波路を伝搬する放射光を入射させるようにされている、
　光変調器。」
イ　周知技術１
（ア）引用文献２
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献である、特開２０１５−１９４５１７号公報（以下「引用文献２」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　「【００２４】
　以下、本発明の光変調器について詳細に説明する。
　本発明の
光変調器
マッハツェンダー型
受光素子５が、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路２４を跨ぐように配置され、該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される２つの放射光を受光するよう構成されており、該受光素子には、一つの受光素子基板５５に２つ以上の受光部（５１，５２）が離間して形成されている
ｂ　「【００２９】
　本発明の光変調器の特徴は、図４のように、光変調器に使用される受光素子には、一つの受光素子基板５５に２つ以上の受光部（５１，５２）が離間して形成されていることである。これにより、１つの受光部の面積を低くすることができ、受光素子の周波数帯域の低下を抑制することができる。
【００３０】
　各受光部は独立して放射光を受光するが、各受光部の配線を並列に接続することで、受光部からのモニタ信号を電気的に重畳し、実質的に２つの放射光を単一の受光部で同時に受光するのと同等の効果を得ることができる。その結果、周波数帯域を低下させず、２つの放射光を同時にモニタでき、モニタ光と出力導波路２４を伝搬する出力光と間の位相差をより正確に補償することが可能となる。
【００３１】
　受光素子５としては、フォトダイオード（ＰＤ）が好適に使用できる。図４では、ＩｎＰやＧａＡｓの基板（受光素子基板）５５の上側に、ＩｎＧａＡｓ（受光する光波の波長１５５０ｎｍの場合）やＧａＡｓ（８５０ｎｍ）による受光層５３を設け、当該受光層５３に接するように２つの受光部（５１，５２）が独立して配置されている。各受光部（５１，５２）には、モニタ光として２つの放射光（Ｒ１，Ｒ２）が各々に入射される。
【００３２】
　図４では、
２つの放射光を案内する放射光用導波路（２５，２６）
ｃ　引用文献２の図４は、次のものである。
ｄ　引用文献２の図４において、
受光素子における２つの受光部は、光伝搬方向と直交する方向において、中央の出力導波路２４の両側の放射光用導波路２５、２６と対応するように配置されていること
（イ）引用文献３
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献である、特表２０１４−５０２３７７号公報（以下「引用文献３」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　「【００２８】
　図1は、
MZI変調器100
出力導波路106
【００２９】
　2つの監視導波路(本明細書では一般に「漏洩導波路」と呼ばれる)107、108もまた、基板の中または上に形成される。
漏洩導波路107、108
光検出器(通常はフォトダイオード)111、112が、漏洩導波路を通過した光を検出するために漏洩導波路に結合される。
【００３０】
　図1Aは、2つのアームを通過する光が結合器105で再結合されたときに位相が合う(すなわち、アーム103、104を通過する光間の位相差ΔΦが2πの倍数になる)ように変調器アーム103、104にバイアスがかけられた場合の、アセンブリ中の光の通過を示す。この状態では、2つのアームからの光は出力部105で強め合うように干渉し、実質的にすべての光が出力導波路106に沿って伝送される。光は、漏洩導波路107、108の中にはほとんど伝送されないか、まったく伝送されない。
【００３１】
　図1Bは、2つのアームを通過する光が結合器105で再結合されときに位相がずれ、弱め合うように干渉するように、アーム103、104を通過する光間の位相差ΔΦがπの奇数倍になるように変調器アーム103、104にバイアスがかけられた場合の、変調器100内の光の挙動を示す。ここで、出力導波路に沿って伝送される光は理論上の振幅がゼロであり、したがって最小である。光は、伝送されるのではなく、基板を介して全方向に放射(または「漏洩」)され、この光の一部は漏洩導波路107、108に入る。この光は、これらの導波路に沿って伝送され、光検出器111、112で検出される。
【００３２】
　したがって、光検出器111、112で検出される光の強度は、変調器100の出力導波路106に沿って伝送される光の強度に概して反比例することが明らかである。したがって、この構成は「反転」構成と言うことができる。出力導波路106を経由する伝送が最大である場合、光検出器111、112で検出される信号は最小になり、出力導波路106を経由する伝送が最小である場合、光検出器111、112で検出される信号は最大になる。
【００３３】
　漏洩導波路が存在することが変調器100の出力特性に摂動の影響を及ぼさないこともまた明らかであろう。変調器が図1Aに示したように動作する場合、すべての光が出力導波路106を通して伝送される。図1Bに示したように動作する場合、光は、漏洩導波路107、108が存在しようとしまいと、結合器105から基板を介して放射される。」
ｂ　引用文献３の図１Ａ及び図１Ｂは、次のものである。
ｃ　引用文献３の図１Ａ及び図１Ｂにおいて、
２つの光検出器１１１、１１２は、光伝搬方向と直交する方向において、中央の出力導波路１０６の両側の漏洩導波路１０７、１０８と対応するように配置されている
（ウ）引用文献４
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献である、米国特許出願公開第２０１３／０３０６８４８号明細書（以下「引用文献４」という。）には、次の事項が記載されている。なお、引用文献４は、引用文献３のファミリー文献であるため、仮訳には、引用文献３の記載を用いた。
ａ　「[0035] FIG. 1 is a schematic top view of an electro-optic assembly including 
a MZI modulator 100
an output waveguide 106
[0036] Two monitoring waveguides (herein generally referred to as spiller waveguides) 107, 108 are also formed in or on the substrate. 
The spiller waveguides 107, 108
Photodetectors (usually photodiodes) 111, 112 are coupled to the spiller waveguides for detecting light passing therethrough.
[0037] FIG. 1A illustrates the passage of light through the assembly when the modulator arms 103, 104 are biased so that light passing through the two arms is in phase when recombined in the combiner 105 (i.e. the phase difference ΔΦ; between light passing the arms 103, 104 is a multiple of 2π). In this situation, the light from the two arms interferes constructively at the output 105 and substantially all of the light is transmitted along the output waveguide 106. Very little or no light is transmitted into the spiller waveguides 107, 108.
[0038] FIG. 1B illustrates the behaviour of light in the modulator 100 when the arms 103, 104 are biased so that the phase difference ΔΦ; between light passing the arms 103, 104 is an odd multiple of π, so that light passing through the two arms is out of phase when recombined in the combiner 105 and interferes destructively. The light transmitted along the output waveguide now has a theoretical amplitude of zero, and so is at a minimum. Instead, light is radiated in all directions though the substrate (or spilt), and some of this light enters the spiller waveguides 107, 108. It is transmitted along these waveguides and detected by the photodetectors 111, 112.
[0039] It is thus apparent that the intensity of light detected by the photodetectors 111, 112 is generally inversely proportional to the intensity of light transmitted along the output waveguide 106 of the modulator 100. This arrangement could therefore be said to be an inverting configuration. When the transmission through the output waveguide 106 is at a maximum, the signal detected by the photodetectors 111, 112 is a minimum, and when the transmission through the output 106 is at a minimum, the signal detected by the photodetectors is at a maximum.
[0040] It will also be apparent that the presence of the spiller waveguides has no perturbation effect on the output characteristics of the modulator 100. When the modulator operates as shown in FIG. 1A, all of the light is transmitted through the output waveguide 106 . When operated as shown in FIG. 1B, light will be radiated through the substrate from the combiner 105 whether or not the spiller waveguides 107, 108 are present.」
（仮訳：［００３５］
　図1は、
MZI変調器100
出力導波路106
［００３６］
　2つの監視導波路(本明細書では一般に「漏洩導波路」と呼ばれる)107、108もまた、基板の中または上に形成される。
漏洩導波路107、108
光検出器(通常はフォトダイオード)111、112が、漏洩導波路を通過した光を検出するために漏洩導波路に結合される。
［００３７］
　図1Aは、2つのアームを通過する光が結合器105で再結合されたときに位相が合う(すなわち、アーム103、104を通過する光間の位相差ΔΦが2πの倍数になる)ように変調器アーム103、104にバイアスがかけられた場合の、アセンブリ中の光の通過を示す。この状態では、2つのアームからの光は出力部105で強め合うように干渉し、実質的にすべての光が出力導波路106に沿って伝送される。光は、漏洩導波路107、108の中にはほとんど伝送されないか、まったく伝送されない。
［００３８］
　図1Bは、2つのアームを通過する光が結合器105で再結合されときに位相がずれ、弱め合うように干渉するように、アーム103、104を通過する光間の位相差ΔΦがπの奇数倍になるように変調器アーム103、104にバイアスがかけられた場合の、変調器100内の光の挙動を示す。ここで、出力導波路に沿って伝送される光は理論上の振幅がゼロであり、したがって最小である。光は、伝送されるのではなく、基板を介して全方向に放射(または「漏洩」)され、この光の一部は漏洩導波路107、108に入る。この光は、これらの導波路に沿って伝送され、光検出器111、112で検出される。
［００３９］
　したがって、光検出器111、112で検出される光の強度は、変調器100の出力導波路106に沿って伝送される光の強度に概して反比例することが明らかである。したがって、この構成は「反転」構成と言うことができる。出力導波路106を経由する伝送が最大である場合、光検出器111、112で検出される信号は最小になり、出力導波路106を経由する伝送が最小である場合、光検出器111、112で検出される信号は最大になる。
［００４０］
　漏洩導波路が存在することが変調器100の出力特性に摂動の影響を及ぼさないこともまた明らかであろう。変調器が図1Aに示したように動作する場合、すべての光が出力導波路106を通して伝送される。図1Bに示したように動作する場合、光は、漏洩導波路107、108が存在しようとしまいと、結合器105から基板を介して放射される。）
ｂ　引用文献４の図１Ａ及び図１Ｂは、次のものである。
ｃ　引用文献４の図１Ａ及び図１Ｂにおいて、
２つの光検出器１１１、１１２は、光伝搬方向と直交する方向において、中央の出力導波路１０６の両側の漏洩導波路１０７、１０８と対応するように配置されている
（エ）周知技術１
　これらの文献に記載された次の技術は、周知技術（以下「周知技術１」という。）である。
「マッハツェンダー型の光変調器において、２つの受光部を、光伝搬方向と直交する方向において、中央の出力導波路の両側の放射光用導波路と対応するように配置し、放射光を受光する技術。」
ウ　周知技術２
（ア）引用文献５
　当審で引用する、周知例である引用文献５（特開２０１０−１８５９７８号公報）には、次の事項が記載されている。
ａ　「【００１７】
　以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
　図３は、本発明の第１実施形態による光変調器の構成を示す平面図である。
　図３において、本実施形態の光変調器は、例えば、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ２など電気光学効果を有する一つの結晶基板１０上に、二つの光変調部２０Ａ，２０Ｂが並列に配置されている。基板１０は、ここではＺ−カットの結晶を用いており、その一端面（図で右端面）には各光変調部２０Ａ，２０Ｂに共通な一つの入力ポートＰ１が配置され、他端面（図で左端面）には各光変調部２０Ａ，２０Ｂにそれぞれ対応した二つの出力ポートＰ２Ａ，Ｐ２Ｂが配置されている。なお、本実施形態においても、各光変調部２０Ａ，２０Ｂの相互作用部ＩＮＴＡ，ＩＮＴＢにおける光の伝搬方向（基板１０の長手方向）をｘ方向とし、該ｘ方向に垂直な方向をｙ方向とする。
【００１８】
　上記入力ポートＰ１には、一本の入力導波路１１の一端が接続されている。入力導波路１１の他端は、入力光分岐部１２の入力端に接続しており、入力光分岐部１２の二つ出力端には、曲線導波路１３Ａ，１３Ｂを介して、各光変調部２０Ａ，２０Ｂの入力端がそれぞれ接続されている。入力光分岐部１２は、入力光を所要の強度比で二つに分岐して出力する。各曲線導波路１３Ａ，１３Ｂは、緩やかな略Ｓ字形状となっており、各光変調部２０Ａ，２０Ｂの後述する光分岐部２２Ａ，２２Ｂの配置のずれに応じて、それぞれ異なる長さを有している。ただし、各曲線導波路１３Ａ，１３Ｂの曲率半径は略同じになっている。
【００１９】
　
光変調部２０Ａは、基板１０の図で上側に位置する表面部分に形成された、入力導波路２１Ａ、光分岐部２２Ａ、一対の分岐導波路２３Ａ，２４Ａ、光合波部２５Ａおよび出力導波路２６Ａからなるマッハツェンダ（ＭＺ）型の光導波路と、一対の分岐導波路２３Ａ，２４Ａに沿ってパターニングされた信号電極３１Ａおよび接地電極３２Ａとを具備する。
【００２０】
　入力導波路２１Ａは、一端が曲線導波路１３Ａに接続しており、他端には光分岐部２２Ａの入力端が接続されている。
　光分岐部２２Ａは、入力導波路２１Ａを伝搬した光を１：１の強度比で二つに分岐する。光分岐部２２Ａの二つの出力端には、一対の分岐導波路２３Ａ，２４Ａの各一端がそれぞれ接続されている。この光分岐部２２Ａの基板１０上における配置は、ｘ方向について、基板１０の入力端面（入力ポートＰ１が位置する右端面）との間隔がｄｘ０となり、ｙ方向について、入力光分岐部１２の間隔がｄｙＡとなっている。なお、本明細書中における光分岐部の位置は、分岐点（Ｙ分岐の交点）を基準としている。
【００２１】
　一対の分岐導波路２３Ａ，２４Ａは、図で上側に位置する分岐導波路２３Ａと、図で下側に位置する分岐導波路２４Ａとが、ｘ方向に並行している。
　光合波部２５Ａは、二つの入力端が上記各分岐導波路２３Ａ，２４Ａの他端にそれぞれ接続しており、各分岐導波路２３Ａ，２４Ａを伝搬した光を一つに合波する。光合波部２５Ａの一つの出力端には、出力導波路２６Ａの一端が接続されている。
　出力導波路２６Ａは、光合波部２５Ａで合波された光を、他端に接続する出力ポートＰ２Ａより外部に出力する。
【００２２】
　信号電極３１Ａは、分岐導波路２３Ａの真上に沿って形成されている。
　接地電極３２Ａは、信号電極３１Ａから隔離されると共に、分岐導波路２４Ａの真上に沿う部分を含んで形成されている。なお、ここでは分岐導波路２４Ａと光変調部２０Ｂの後述する分岐導波路２３Ｂとの間に形成される接地電極３２Ａが、光変調部２０Ｂの後述する接地電極３２Ｂと共有されている。
【００２３】
　上記信号電極３１Ａは、基板１０の長手方向に平行な対向側面のうちの一方の側面（図で上側の側面）に引き出した出力端Ｐ４Ａが図示しない抵抗を介して接地電極３２Ａに接続されることで進行波電極を構成し、基板１０の他方の側面（図で下側の側面）に引き出した入力端Ｐ３Ａからマイクロ波電気信号（変調データに対応した電気信号）ＲＦＡが印加されるようになっている。
【００２４】
　なお、信号電極３１Ａおよび接地電極３２Ａについては、図示されていないＳｉＯ２等を用いたバッファ層を介して基板１０（光導波路）の上に形成するのがよい。バッファ層を設けることにより、各分岐導波路２３Ａ，２４Ａ中を伝搬する光が、信号電極３１Ａおよび接地電極３２Ａによって吸収されるのを防ぐことができる。
【００２５】
　
光変調部２０Ｂは、基板１０の図で下側に位置する表面部分に形成された、入力導波路２１Ｂ、光分岐部２２Ｂ、一対の分岐導波路２３Ｂ，２４Ｂ、光合波部２５Ｂおよび出力導波路２６Ｂからなるマッハツェンダ（ＭＺ）型の光導波路と、一対の分岐導波路２３Ｂ，２４Ｂに沿ってパターニングされた信号電極３１Ｂおよび接地電極３２Ｂとを具備する。
【００２６】
　入力導波路２１Ｂは、一端が曲線導波路１３Ｂに接続しており、他端には光分岐部２２Ｂの入力端が接続されている。
　光分岐部２２Ｂは、入力導波路２１Ｂを伝搬した光を１：１の強度比で二つに分岐する。光分岐部２２Ｂの二つの出力端には、一対の分岐導波路２３Ｂ，２４Ｂの各一端がそれぞれ接続されている。
【００２７】
　上記光分岐部２２Ｂの基板１０上における配置は、ｘ方向について、基板１０の入力端面との間隔がｄｘ０＋ｄｘ１となり、ｙ方向について、入力光分岐部１２との間隔がｄｙＢとなっている。これを光変調部２０Ａの光分岐部２２Ａとの相対的な配置で言い換えると、光変調部２０Ｂの光分岐部２２Ｂの位置は、ｘ方向について、光分岐部２２Ａよりも基板１０の出力端面（出力ポートＰ２Ａ，Ｐ２Ｂが位置する左端面）側にｄｘ１だけずれていると共に、ｙ方向について、入力光分岐部１２を基準として光分岐部２２Ａとは反対側にｄｙＢだけずれており、該ｄｙＢはｄｙＡよりも長くなっている。つまり、各光変調部２０Ａ，２０Ｂの光分岐部２２Ａ，２２Ｂは、ｘ方向についての間隔がｄｘ１となり、ｙ方向についての間隔がｄｙＡ＋ｄｙＢ（ただし、ｄｙＡ＜ｄｙＡ）となっている。ｘ方向についての間隔ｄｘ１は、各信号電極３１Ａ，３１Ｂの入力端Ｐ３Ａ，Ｐ３Ｂの間隔ｄｘＥに応じて設定することができ、ここではｄｘ１がｄｘＥと等しくなるようにしている。
【００２８】
　一対の分岐導波路２３Ｂ，２４Ｂは、図で上側に位置する分岐導波路２３Ｂと、図で下側に位置する分岐導波路２４Ｂとがｘ方向に並行している。
　光合波部２５Ｂは、二つの入力端が上記各分岐導波路２３Ｂ，２４Ｂの他端にそれぞれ接続しており、各分岐導波路２３Ｂ，２４Ｂを伝搬した光を一つに合波する。光合波部２５Ｂの一つの出力端には、出力導波路２６Ｂの一端が接続されている。
　出力導波路２６Ｂは、光合波部２５Ｂで合波された光を、他端に接続する出力ポートＰ２Ｂより外部に出力する。
【００２９】
　信号電極３１Ｂは、分岐導波路２３Ｂの真上に沿って形成されている。
　接地電極３２Ｂは、信号電極３１Ｂから隔離されると共に、分岐導波路２４Ｂの真上に沿う部分を含んで形成されている。なお、ここでは分岐導波路２３Ｂと光変調部２０Ａの分岐導波路２４Ａとの間に形成される接地電極３２Ｂが、光変調部２０Ａの接地電極３２Ａと共有されている。
【００３０】
　上記信号電極３１Ｂは、基板１０の長手方向に平行な対向側面のうちの一方の側面（図で上側の側面）に引き出した出力端Ｐ４Ｂが図示しない抵抗を介して接地電極３２Ｂに接続されることで進行波電極を構成し、基板１０の他方の側面（図で下側の側面）に引き出した入力端Ｐ３Ｂからマイクロ波電気信号（変調データに対応した電気信号）ＲＦＢが印加されるようになっている。なお、信号電極３１Ｂおよび接地電極３２Ｂについても、前述した場合と同様にしてバッファ層を介して基板１０（光導波路）の上に形成するのがよい。」
ｃ　引用文献５の図３は、次のものである。
ｄ　引用文献５の図３において、
制御のための電極である信号電極３１Ａ又は３１Ｂは、光伝搬方向において、光変調器の分岐導波路２３Ａ又は２４Ａの全長にわたって設けられている
（イ）引用文献６
　当審で引用する、周知例である引用文献６（特開２０１５−１９７４５４号公報）には、次の事項が記載されている
ａ　「【００６０】
　以下に、ＱＰＳＫ構造を例に取って、具体的に説明する。薄板化したＬＮ基板に入れ子型の光導波路を形成したものを用意する。次に、シリコン膜を０．１１μｍの厚さでスパッタ法を用いて堆積させる。次に、フォトレジストとエッチング液（ＫＯＨ、ＨＦ等）を用いて、図１４（ａ）に示すようなパターン形状の高屈折率層（シリコン）を形成する。この時、子ＭＺの分岐導波路の中心とシリコン端部との距離は、１５μｍである。次に、ニッケル０．１μｍ、金０．０４μｍを順次蒸着にて堆積させる。その後、セミアディテブ法にて金
電極を形成
ｂ　引用文献６の図１４は、次のものである。
ｃ　引用文献６の図１４において、
制御電極は、光伝搬方向において、子マッハツェンダ−型光導波路の分岐導波路の全長にわたって設けられている
　　これらの文献に記載された次の技術は、周知技術（以下「周知技術２」という。）である。
「マッハツェンダー型の光変調器において、制御のための電極を、光伝搬方向において、マッハツェンダ−型光導波路の分岐導波路の全長にわたって設ける技術。」
（３）対比
　本件補正発明と引用文献１発明を対比する。
ア　引用文献１発明の「電気光学効果を有する基板」は、本件補正発明の「電気光学効果を有する基板」に相当する。
イ　引用文献１発明の「該基板に形成された」「光導波路」は、本件補正発明の「該基板上に形成された光導波路」に相当する。
ウ　引用文献１発明の「複数のマッハツェンダー型光導波路」は、光変調器において、「該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極を有する」から、本件補正発明の「該光導波路を伝搬する光波をそれぞれ変調するための制御電極を有する第１の変調部及び第２の変調部」に相当する。
エ　引用文献１発明の「複数の受光部」は、「基板上に設けられ」ており、それぞれマッハツェンダー型導波路の「２つの放射光用導波路を伝搬する放射光を入射させるようにされている」ものであるから、本件補正発明の「前記基板上に有する」ものである「前記第１の変調部に対する第１の受光素子と、前記第２の変調部に対する第２の受光素子」に相当し、引用文献１発明の「複数の受光部」を合わせたものは、本件補正発明の「該光導波路を伝搬する光波を検出する受光素子」に相当する。
オ　引用文献１発明は、「複数のマッハツェンダー型導波路は、それぞれ出力導波路及び２つの放射光用導波路を有し」、「それぞれの受光部は、２つの放射光用導波路を伝搬する放射光を入射させるようにされている」ことから、本件補正発明の「前記第１の変調部及び前記第２の変調部のそれぞれに対し、該変調部で変調された光波を導波する出力用導波路と、該変調部からの放射光を該出力用導波路の両側に導波する２つの放射光用導波路とが設けられ、前記第１の受光素子及び前記第２の受光素子は、前記２つの放射光用導波路を伝搬する光波を」「検出する」「受光部を有」する構成を備えているといえる。
カ　引用文献１発明は、「基板上に設けられる複数の受光部を互いに光伝搬方向に受光部の長さ以上にずらして配置」していることから、本件補正発明の「前記第１の受光素子と前記第２の受光素子は、光伝搬方向に互いに受光素子１つ分以上ずらして配置される」構成を備えているといえる。
キ　引用文献１発明は、「複数のマッハツェンダー型導波路が、光伝搬方向に一部重なり合うように並列にずらして配置され」ていることから、本件補正発明の「前記第１の変調部と前記第２の変調部は、光伝搬方向に互いにずらして」「並列に配置される」という構成を備えているといえる。
ク　引用文献１発明の「光変調器」は、本件補正発明の「光変調器」に相当する。
　したがって、本件補正発明と引用文献１発明を対比したときの一致点及び相違点は次のとおりである。
（一致点）
「電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された光導波路と、該光導波路を伝搬する光波をそれぞれ変調するための制御電極を有する第１の変調部及び第２の変調部と、該光導波路を伝搬する光波を検出する受光素子と、を備え、
　該受光素子として、前記第１の変調部に対する第１の受光素子と、前記第２の変調部に対する第２の受光素子とを前記基板上に有する光変調器において、
　前記第１の変調部及び前記第２の変調部のそれぞれに対し、該変調部で変調された光波を導波する出力用導波路と、該変調部からの放射光を該出力用導波路の両側に導波する２つの放射光用導波路とが設けられ、
　前記第１の受光素子及び前記第２の受光素子は、前記２つの放射光用導波路を伝搬する光波を検出する受光部を有し、
　前記第１の受光素子と前記第２の受光素子は、光伝搬方向に互いに受光素子１つ分以上ずらして配置され、
　前記第１の変調部と前記第２の変調部は、光伝搬方向に互いにずらして並列に配置される、
　光変調器。」
（相違点１）
　本件補正発明では、第１の受光素子及び第２の受光素子が、２つの放射光用導波路を伝搬する光波を、「それぞれ」検出する「２つの受光部」を有し、「前記２つの受光部の配置位置における前記２つの放射光用導波路の間隔が一致する位置に配置され」ているのに対し、引用文献１発明では、複数の受光部について、このような構成が特定されていない点。
（相違点２）
　本件補正発明では、第１の変調部及び第２の変調部が、「光伝搬方向において制御電極が光波に作用する区間の少なくとも一部が重なり合うように」「配置される」のに対し、引用文献１発明では、複数のマッハツェンダー型導波路について、このような構成が特定されていない点。
（４）判断
　上記相違点について検討する。
ア　上記相違点１について、引用文献１発明では、上記相違点１に係る構成が特定されていないが、その複数の受光部に対し、「マッハツェンダー型の光変調器において、２つの受光部を、光伝搬方向と直交する方向において、中央の出力導波路の両側の放射光用導波路と対応するように配置し、放射光を受光する」という周知技術１を採用し、複数の受光部のそれぞれが２つの受光部を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たことである。そして、引用文献１発明は、「マッハツェンダー型導波路及び受光部の組が、同じ配置関係を有し」ているものであるから、引用文献１発明に対して周知技術１を採用すると、それぞれ２つの受光部を備えた複数の受光部は、それぞれマッハツェンダー型導波路から同間隔を空けて配置され、その配置位置における２つの放射光用導波路の間隔は一致し、上記相違点１に係る構成を備えたものとなる。
　ここで、審判請求人（出願人）は、平成３０年４月２０日付け審判請求書及び平成３０年９月４日付け上申書において、本件補正発明の上記相違点１に係る構成について、各変調部に対するそれぞれの受光素子が２つの受光部を有することで受光部のサイズを小さくすることができ、受光部の応答特性を改善することができる等の効果を有し、各引用文献にはこの様な構成について開示及び示唆がない等の主張をしている。しかし、上記相違点１に係る構成は、上記のとおり、引用文献１発明における周知技術１の採用によって得られるものであって、引用文献２の段落【００２９】、【００３０】等に記載された、「１つの受光部の面積を低くすることができ、受光素子の周波数帯域の低下を抑制することができる」、「周波数帯域を低下させず、２つの放射光を同時にモニタでき、モニタ光と出力導波路２４を伝搬する出力光と間の位相差をより正確に補償することが可能となる」という引用文献２に記載された効果等を考慮しても、このような組み合わせは当業者が容易になし得たものであるから、審判請求人の上記相違点１に係る構成についての主張は採用できない。
イ　上記相違点２について、引用文献１発明では、上記相違点２に係る構成が特定されていないが、引用文献１発明において、「マッハツェンダー型の光変調器において、制御のための電極を、光伝搬方向において、マッハツェンダ−型光導波路の分岐導波路の全長にわたって設ける」という周知技術２を採用するとともに、光変調器全体の幅を考慮して複数のマッハツェンダー型の光変調器を受光部の長さ以上適宜ずらして配置し、上記相違点２に係る構成を備えたものとすることは当業者が容易になし得たことである。
　審判請求人は、平成３０年４月２０日付け審判請求書及び平成３０年９月４日付け上申書において、引用文献１の図１０では２つの変調部を光伝搬方向において制御電極が光波に作用する区間が全く重なり合わないように配置していることが明らかであり、制御電極が光波に作用する区間の一部が重なり合う配置を想起することは容易でなく、本件補正発明は各引用文献から容易になし得たものでない旨の主張をしている。しかし、引用文献１の図１０において、制御電極は図示されていないこと、及び、引用文献１発明のとおり、「複数のマッハツェンダー型導波路が、光伝搬方向に一部重なり合うように並列にずらして配置され」ていることも考慮すると、引用文献１において、２つの変調部を光伝搬方向において制御電極が光波に作用する区間が全く重なり合わないように配置していることが明らかであるとまではいえない。そして、引用文献１の段落【００６０】に、「光導波路２に複数のマッハツェンダー型導波路を形成するだけでなく、受光部（３３，３４）でモニタする位置を互いずらして配置し、光変調器の幅（図１０の上下方向の高さ）を狭く構成することも可能となる」と記載されていることを考慮すると、引用文献１に示されていることは、複数のマッハツェンダー型導波路及び複数の受光部は、光変調器全体の幅を狭く構成することができる程度、すなわち、図１０に示されているとおり、受光部の長さ以上程度適宜ずらして配置されればよいということにとどまり、引用文献１発明において、制御電極が光波に作用する区間の一部が重なり合う配置を想起することは容易であるといえる。したがって、本件補正発明において上記相違点２に係る構成を備えたものとすることは、上記のとおり、当業者が容易になし得たものであり、その効果も引用文献１発明から予想し得た程度のものであるから、審判請求人の上記相違点２に係る構成についての主張も採用できない。
ウ　したがって、本件補正発明は、引用文献１発明及び周知技術１、２に基いて当業者が容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により独立して特許を受けることができないものである。
３　本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成３０年４月２０日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２９年１１月２７日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２［理由］１（２）に記載したとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１ないし２に係る発明は、その出願日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明であるか、この出願の請求項１ないし４に係る発明は、その出願日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１ないし４に記載された発明及び周知技術に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号の規定及び特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
引用文献１：特開２０１３−８０００９号公報
引用文献２：特開２０１５−１９４５１７号公報
引用文献３：特表２０１４−５０２３７７号公報
引用文献４：米国特許出願公開第２０１３／０３０６８４８号明細書
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１ないし４の記載事項は、上記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
４　対比・判断
　本願発明は、前記第２の［理由］２（２）で検討した本件補正発明において、「第１の変調部」及び「第２の変調部」について、これらが光導波路を伝搬する光波をそれぞれ変調する「ための制御電極を有」し、「前記２つの受光部の配置位置における前記２つの放射光用導波路の間隔が一致する位置に配置され、前記第１の変調部と前記第２の変調部は、光伝搬方向に互いにずらして配置されるとともに、光伝搬方向において制御電極が光波に作用する区間の少なくとも一部が重なり合うように並列に配置される」という限定を省き、「第１の受光素子」と「第２の受光素子」について、光伝搬方向に互いに「受光素子１つ分以上」ずらして配置されるという限定を省いたものである。
　そうすると、　本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに上記のとおり限定したものに相当する本件補正発明が、上記第２の［理由］２（３）、（４）に記載したとおり、引用文献１発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用文献１発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。