【手続補正書】
【提出日】平成22年6月29日(2010.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの熱伝導体（２２）を支持するパイプ形状又はスリーブ形状に形成された少なくとも一つの支持部品（２０；３２）を備えた、ホットランナーシステム、特に、ホットランナー用ノズル（１２）及び／又はホットランナー用ランナーのための電気式加熱装置（１０；３０）であって、熱伝導体（２２）が、抵抗線（２３）から構成されている加熱装置。
【請求項２】
熱伝導体（２２）を構成する抵抗線（２３）が、少なくとも一つの電気絶縁性のカバー層（２４）によって覆われていることを特徴とする請求項１に記載の加熱装置。
【請求項３】
少なくとも一つの温度センサー（２８）が配備されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の加熱装置。
【請求項４】
温度センサー（２８）が、電気抵抗が温度に依存する導電性の層として構成されていることを特徴とする請求項３に記載の加熱装置。
【請求項５】
温度センサー（２８）としての役割を果たす層（２８）が、温度係数が正又は負の材料を有することを特徴とする請求項３又は４に記載の加熱装置。
【請求項６】
温度センサー（２８）が、熱電対として構成され、熱電圧を発生させるのに適した材料から成ることを特徴とする請求項３から５までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項７】
温度センサー（２８）と熱伝導体（２２）を構成する抵抗線（２３）とが、半径方向に対して同じ面内に置かれていることを特徴とする請求項３から６までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項８】
支持部品（２０；３２）が、焼結材料から製作されることを特徴とする請求項１から７までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項９】
当該の焼結材料が、セラミック、焼結金属又は焼結合金であることを特徴とする請求項８に記載の加熱装置。
【請求項１０】
支持部品（２０；３２）が、金属、合金、鋼鉄又は合金鋼から製作されることを特徴とする請求項１から７までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項１１】
支持部品（２０；３２）と抵抗線（２３）の間に、絶縁層（３４）が配置されていることを特徴とする請求項１から１０までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項１２】
支持部品（２０；３２）と絶縁層（３４）の間に、緩和層が配置されていることを特徴とする請求項１から１１までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項１３】
絶縁層（３４）、カバー層（２４）及び緩和層の中の一つ以上が、ガラス製及び／又はセラミック製の誘電体層であることを特徴とする請求項１から１２までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項１４】
絶縁層（３４）、カバー層（２４）及び緩和層の中の一つ以上が、少なくとも一回の焼成プロセス後において、支持部品（２０；３２）に対して圧縮応力を加えることを特徴とする請求項１から１３までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項１５】
絶縁層（３４）の線形的な熱膨張係数（ＴＥＣDE）、カバー層（２４）の線形的な熱膨張係数（ＴＥＣDEA ）及び緩和層の線形的な熱膨張係数（ＴＥＣDEA ）の中の一つ以上が、当該の焼成プロセス後において、支持部品（２０；３２）の線形的な熱膨張係数（ＴＥＣM ）よりも小さいことを特徴とする請求項１４に記載の加熱装置。
【請求項１６】
絶縁層（３４）、カバー層（２４）及び緩和層の中の一つ以上が、焼成された薄膜又は焼成された厚膜ペーストであることを特徴とする請求項１から１５までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項１７】
絶縁層（３４）、カバー層（２４）及び緩和層の中の一つ以上が、爆発溶射コーティング法、サーマルコーティング法又は浸漬コーティング法によって成膜されることを特徴とする請求項１から１６までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項１８】
抵抗線（２３）が、渦巻形状の熱伝導体を構成することを特徴とする請求項１から１７までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項１９】
抵抗線（２３）の構造及び／又は配置構成が、それぞれ発熱量の要件に適合されていることを特徴とする請求項１から１８までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項２０】
抵抗線（２３）が、少なくとも部分的に雷文形状で形成されていることを特徴とする請求項１から１９までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項２１】
絶縁層（３４）、熱伝導体（２２）を構成する抵抗線（２３）及び温度センサー（２８）の間に、それぞれ接触層（２６）が配置されていることを特徴とする請求項１から２０までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項２２】
接触層（２６）及び／又は温度センサーとしての役割を果たす層（２８）が、焼成された薄膜又は焼成された厚膜ペーストであることを特徴とする請求項１から２１までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項２３】
絶縁層（３４）、カバー層（２４）、緩和層、接触層（２６）及び温度センサーとしての役割を果たす層（２８）の中の一つ以上が、抵抗線（２３）を埋め込んだ層の結合体を構成することを特徴とする請求項１から２２までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項２４】
熱伝導体（２２）を構成する抵抗線（２３）が、絶縁層（３４）及び／又は接触層（２６）内に埋め込まれていることを特徴とする請求項１から２３までのいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項２５】
請求項１から２４までのいずれか一つに記載の電気式加熱装置（１０；３０）を備えたホットランナーシステム、特に、ホットランナー用ノズル又はホットランナー用ランナー。
【請求項２６】
パイプ形状又はスリーブ形状に形成された支持部品（２０；３２）が、材料パイプ（１３）、バー、ランナーアーム、ノズル又はそれらと同等の物の上に設置されていることを特徴とする請求項２５に記載のホットランナーシステム。
【請求項２７】
請求項１から２４までのいずれか一つに記載の電気式加熱装置（１０；３０）を備えたホットランナーシステムにおいて、パイプ形状又はスリーブ形状に形成された支持部品  （２０；３２）が、材料パイプ（１３）、バー、ランナーアーム、ノズル又はそれらと同等の物であるか、或いはそれを構成することを特徴とするホットランナーシステム。
【請求項２８】
請求項１から２４までのいずれか一つに記載の電気式加熱装置（１０；３０）を備えたホットランナー用ノズルにおいて、電気式加熱装置（１０；３０）が、所定の遊びを保ったまま流路を形成する形で円筒形の材料パイプ（１３）上に設置されていることを特徴とするホットランナー用ノズル。
【請求項２９】
電気式加熱装置（１０；３０）の支持部品（２０；３２）の内側及び／又は材料パイプ（１３）の外側が、粗くなっていることを特徴とする請求項２８に記載のホットランナー用ノズル。
【請求項３０】
電気式加熱装置（１０；３０）の支持部品（２０；３２）の内側及び／又は材料パイプ（１３）の外側が、暗くコーティングされているか、或いは温度処理によって、暗く曇っていることを特徴とする請求項２７又は２８に記載のホットランナー用ノズル。
【請求項３１】
請求項１から２４までのいずれか一つに記載の電気式加熱装置（１０；３０）を備えたホットランナー用ノズルにおいて、パイプ形状又はスリーブ形状に形成された支持部品  （２０；３２）が、材料パイプ（１３）であるか、或いはそれを構成することを特徴とするホットランナー用ノズル。
【請求項３２】
請求項１から２４までのいずれか一つに記載のホットランナーシステム、特に、ホットランナー用ノズル（１２）又はホットランナー用ランナーのための電気式加熱装置（１０；３０）の製作方法において、熱伝導体（２２）を構成する抵抗線（２３）を支持部品  （２０；３２）上に成膜することと、それに続いて、薄膜又はスクリーン印刷方式によりカバー層（２４）を成膜することとを特徴とする方法。
【請求項３３】
抵抗線（２３）を成膜する前に、薄膜又はスクリーン印刷方式により、支持部品（２０；３２）上に絶縁層（３４）を成膜することを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
抵抗線（２３）を絶縁層（３４）内に埋め込むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
当該のスクリーン印刷方式により成膜される層が、円筒スクリーン印刷方式を用いて、ペーストの形で成膜されることを特徴とする請求項３２から３４までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項３６】
各層を別個に成膜した後、焼成することを特徴とする請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
当該の焼成温度を層毎に変更することを特徴とする請求項３５又は３６に記載の方法。
【請求項３８】
当該の焼成温度を層毎に変更するとともに、各焼成工程後に低下させることを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
全ての層を別個に成膜して、同時に焼成する（同時焼成）することを特徴とする請求項３２から３８までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項４０】
当該の焼成温度の範囲が、８００〜１４００°Ｃであることを特徴とする請求項３２から３９までのいずれか一つに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
カバー層も、中間層としての役割を果たす絶縁層も、有利には、少なくとも一回の焼成プロセス後に支持部品に対して圧縮応力を加えることとなるガラス製及び／又はセラミック製の誘電体層であり、その結果支持部品に内圧荷重が加えられた場合に、絶縁層内の層を剥離しようとする、半径に応じて変化する力の大きさを補償するものである。そのような圧縮応力は、有利には、支持部品の歪に関するパラメータに依存して、状況に応じて、セラミック製絶縁層の線形的な膨張係数ＴＥＣDE又はカバー層の線形的な熱膨張係数ＴＥＣDEA を支持部品のそれに対応する値ＴＥＣM にそれぞれ変則的に比例して適合させるとともに、ＴＥＣDE−ＴＥＣM 又はＴＥＣDEA −ＴＥＣM の膨張係数の差の絶対値が５・１０-6Ｋ-1の値を上回らないようにすることによって発生させている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
温度センサー２８は、渦巻形状の熱伝導体２２と同様に、抵抗線から製作することもできる（図３と４参照）。その場合、本発明の目的に適うこととして、温度センサー２８を構成する抵抗線は、渦巻形状の熱伝導体２２を構成する抵抗線２３と同じ面内に置かれる。それらは、共に、カバー層２４によって外側に対して保護されている。そのようにして、加熱装置１０の高さが、最小限に低減されている。図３，４及び５は、渦巻形状の熱伝導体２２に関する代替構成と温度測定用の伝導路２９を図示している。