【事件の表示】
　平成８年特許願第１５１０８２号「位相シフトマスクパターン」拒絶査定不服審判事件〔平成９年１２月２２日出願公開、特開平９−３２９８８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年６月１２日の出願であって、平成１５年８月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成１５年１０月２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月２３日付けで手続補正がなされ、その後、当審からの審尋に対し、平成１７年１０月１２日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１５年１０月２３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　 平成１５年１０月２３日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　平成１５年１０月２３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１乃至３は、
「【請求項１】　遮光パターンと、該遮光パターンの長辺方向の中心線を挟んで線対称となるよう
に、それぞれが該遮光パターンに隣接して
　該位相シフトマスクパターンの載置面の、該位相シフトマスクパターンの透過光の焦点に対する位置ずれの方向および大きさに応じて、該透過光の強度プロファイルにおける最小値が変動するように、前記第１の位相シフタパターンおよび前記第２の位相シフタパターンの位相角が定められたことを特徴とする位相シフトマスクパターン。
【
請求項２】
前記遮光パターンは長方形状であり、前記第１および第２の位相シフタパターンはそれぞれ長辺方向に沿って段階的に大きくなっていることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクパターン。
【請求項３】
前記遮光パターンと前記第１および第２の位相シフタパターンとで長方形状となり、該遮光パターンは長辺方向に沿って段階的に大きくなる形状を有することを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクパターン。
（２）補正の適否
　 本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の記載を変更し、新たに、請求項２及び請求項３を付加するものである。しかしながら、この補正は、理由もなく請求項の数を増加させるもので、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。
　また、この補正は、請求項の削除、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものでもない。
（３）むすび
　したがって、この補正は、特許法第１７条の２第４項に掲げる各号のいずれにも該当せず、同法第１７条の２第４項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項の規定により読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下する。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年１０月２３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１５年６月９日付けで手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　遮光パターンと、該遮光パターンの長辺方向の中心線を挟んで線対称となるように配置された第１の位相シフタパターンおよび第２の位相シフタパターンとを備える位相シフトマスクパターンであって、
　該位相シフトマスクパターンの載置面の、該位相シフトマスクパターンの透過光の焦点に対する位置ずれの方向および大きさに応じて、該透過光の強度プロファイルにおける最小値が変動するように、前記第１の位相シフタパターンおよび前記第２の位相シフタパターンの位相角が定められたことを特徴とする位相シフトマスクパターン。」
　
（２）刊行物に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−２０４３０５号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の（ａ１）〜（ａ５）の事項が記載されている。
（ａ１）「【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は投影式結像システムに使用できる焦点測定技術を提供するものである。特別のマスク構造が、通常の180゜でない位相角を持つ位相変更（シフト）物質と共に使われる。典型的には、この位相角は40゜ー140゜の間である。通常の露光の方法を使って、マスク構造は目的物の表面（典型的には、フオトレジストでコーテイングされたウエーハ）に投影され、パターンが形成される。180゜でない位相変更物質の特殊な結像特質のために、投影されたパターン上での焦点のずれは測定可能なずれになる。この一般的概念をもとに、いくつかの具体化の例を以下に述べる。
【０００７】本発明の１つの具体化として投影式結像システムに使う焦点用マスク構造を提供する。マスク構造は目的物の表面にテストパターンを投影するのに使われ、システムによる焦点ぼけに対応して、投影されたパターンに測定可能なずれができる。マスクには、透明な基板と、あらかじめ決められた間隔で基板上に置かれた第１と第２の不透明な線がある。位相変更物質が基板と関連し、２本の線の間に置かれ、そこを通る光と基板の別の所を通る光との間に位相差をつくる。この位相差は180゜以外、例えば90゜である。テストパターンが互いに向かい合う２本の平行線を横切るように位置が決められる。目的物の表面に光学的に投影された時、光学的焦点ぼけの方向と大きさは、２つの平行線の中央から中央の間隔、即ちピッチを測定することで決められる。基本的なマスク構造から各種の具体化が可能になる。例えば、マスクの透明な基板は位相変更のない物質よりなり、位相変更した窓と位相変更しない窓とを交互に繰り返したパターンを、一定間隔をおいた複数の不透明な描線の間に置いて使うことができる。
【０００８】本発明のもう１つの具体例として、上に述べた投影式結像システムには、３本の不透明な線を持った透明な基板を使うこともできる。３本の不透明な線は、あらかじめ決められた間隔で置かれ、第２の不透明な線は、第１と第２のそれぞれの不透明な線の間に置かれる。位相変更物質による第１の窓が、そこを通る光と基板を通る光との間に180゜以外の位相差をつくるように、基板と関連して形成される。第１の位相変更窓は部分的に第１と第２の線の間に置かれる。第２の、位相変更物質よりなる窓も、そこを通る光と基板を通る光との間に180゜以外の位相差を作るように、基板と関連して形成される。第２の位相変更窓は部分的に第２の不透明な線と第３の不透明な線との間に置かれる。第２の位相変更窓と第１の位相変更窓は、位相変更物質よりなる２つのずれた（offsetされた）テストパターンが２本の向かい合う線を横切って形成されるように、第２の不透明な線に対してずれて（offsetされて）置かれる。目的物の表面に投影された時に、第１と第３の線に対する第２の線のずれが光学上の焦点ずれの方向と大きさを表す。」
（ａ２）「【００１５】位相変更マスク技術に関する広範囲な実験及び理論的研究から、180゜以外の位相変更物質を使うと、その結果としてウエーハ表面上に印刷されたパターンに測定可能なずれをもたらすことがわかった。従って、本発明では、位相変更角度が180゜以外で、かつ焦点が完全でない時に、投影されたテストパターンに測定可能なずれを表す為に、位相変更した物質と位相変更しない物質の透明な線を交互に配置したパターンを使う。焦点が完全ならこれらのずれはゼロになる。以下に述べるマスク構造、焦点監視システム、監視プロセスは、本発明のこの概念を十分に利用したものである。
（ａ３）【００１６】図２に、本発明の具体化によるマスク構造４０を示す。構造４０は、ガラス又は石英の透明マスク構造２２の上に形成されていて、１つの基礎的な形状の中に、２本の光を遮蔽する線４２が、一定の間隔をおいて平行に並んでいる。不透明な線（ここでは時に遮蔽線とよぶ）４２は、クロム（Cr）又はクロム混合物で、通常の方法によって形成されたものである。遮蔽線４２の間に位相変更物質４４の窓が基板２２の上又は内部に形成されている。ウエーハステッパの中で使われる時、マスク構造の裏面に衝突した光線は、位相変更物質の窓があるために、構造物を通り抜け、相異なる位相変更を受ける。」
（ａ４）「【００１９】交互に配置した位相変更する格子と位相変更しない格子を使い、位相変更を計画的に適正化することにより、焦点変化に対する最高の反応が、結像シミュレーションによって判明した。この最適状況は、位相変更しない基板に対して約90゜の位相変更差で起こり、ピッチが減るにつれ焦点ぼけに対する反応が高くなる。実際上は、位相変更物質の窓が40ー140゜の間なら、評価するに充分な好ましい位相差が得られるが、位相変更物質と基板の間に測定可能な位相変更差がある限り、他の位相変更値も使用可能である。本発明の説明においては、位相変更は、位相変更物質と基板（基板の位相変更はゼロと前提して）との間の相対的な位相変更と常に理解されたい。位相変更物質は、0゜、180゜、360゜以外なら何でも良い。（必要ならば、同じ窓を、180゜ー360゜の間で繰り返すこともできる。）図４は、例として、１ミクロンの焦点ぼけで90゜のレベンソン位相変更マスクで露光した時の、.35ミクロン間隔の一対の線のペアの結像状態を計算したものである。マスク上の位相変更物質の窓は、隣接する位相変更しない窓とは異なるピーク明暗度と異なる幅値を示す。隣接する線の幅の差は焦点の計量として使われ、焦点ぼけがゼロなら線幅の差もゼロである。露光波長248nm、開口数.35、瞳点充てん率.37のステッパでは、本発明の焦点監視の反応感度は１ミクロン当たり約３０％と判明した。焦点監視構造物の位相エラーの影響は極めて小さい。例えば、位相が45゜ー135゜の間において、焦点反応の差は殆ど観察されない。」
（ａ５）「【００２３】図６に本発明によるもう１つの望ましいマスク構造の形を示す。テストパターンの目的は、焦点エラーが起こった時、測定可能なずれを確定することにある。このパターンは、それぞれ平行に同間隔に並ぶ３つの狭い遮蔽線７０よりなる。90゜位相を変更する窓７２が、図示するように裏写り（オフセット）している。従って、位相を変更した窓と位相を変更しない窓が交互に配列された２つのオフセットパターン７１が定められている。焦点ぼけは、中央の線が外側の２つの線に対するずれとして表われる。このずれは、重ね合わせ（overlay）エラーとして表れ、標準的な技術で測定できる。（中央の線は外側の２つの線と同間隔であることが望ましい。）さらに、焦点ぼけが起こると、上部パターン７１は或る方向にずれ、中央のパターン７１は逆の方向にずれる。２つのずれの差をとると、２重の効果（２ｘ）が得られる。図６のマスク構造には第３のパターン７４もあり、これは３つの平行線よりなり、その間には位相変更していない基板が配列されている。位相変更しない光による第３のパターン７４は制御として機能する。パターン７４の下部３分の１は、ずれを起こさない。」
　
　上記（ａ１）〜（ａ５）の記載及び図面から、刊行物１には、「２本の遮蔽線４２の間に、４０°−１４０°の位相角を有する位相を変更する窓４４が配置された光学焦点テストマスク」の発明が記載されているものと認められる。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と刊行物１に記載された発明とを比較すると、刊行物１に記載の「遮蔽線４２」、「位相を変更する窓４４」及び「光学焦点テストマスク」は、本願発明に係る「遮蔽パターン」、「位相シフタパターン」及び「位相シフトマスクパターン」にそれぞれ実質的に相当するから、両者は、「遮光パターンと位相シフタパターンからなる位相シフトマスクパターン」である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点］
　本願発明では、位相シフトマスクパターンが遮光パターンの長辺方向の中心線を挟んで線対称となるように配置された第１の位相シフタパターンおよび第２の位相シフタパターンからなるのに対し、刊行物１に記載の発明ではそのような構成についての記載がなく、さらに、本願発明では、位相シフトマスクパターンが位相シフトマスクパターンの載置面の、該位相シフトマスクパターンの透過光の焦点に対する位置ずれの方向および大きさに応じて、該透過光の強度プロファイルにおける最小値が変動するように、前記第１の位相シフタパターンおよび前記第２の位相シフタパターンの位相角が定められているのに対し、刊行物１に記載の発明では、その点について明示的な記載はない点。
　
（４）［相違点］について当審の判断
　刊行物１に記載の位相シフトマスクパターンは、位相シフタパターンの両側に遮光パターンが略線対称に配置されている点で本願発明のものとは異なるものの、位相シフタマスクは１８０°を除く位相角（例えば９０°）を有するものであるから、位相シフトマスクパターンの載置面の、該位相シフトマスクパターンの透過光の焦点に対する位置ずれの方向および大きさに応じて、該透過光の強度プロファイルにおける最小値が変動するものと認められる。そして、位相シフタパターンを用いるマスクにおいて、遮光部の両隣に位相シフトパターンを実質的に線対称に配置したマスクは、位相シフトパターンの両側に遮光パターンを略線対称に配置したマスクと同様に、当該技術分野において周知であるから（周知例として、特開平５−１９７１２５号公報（図１、図９及び対応説明箇所）、特開平５−２４９６５２号公報（図１、図３及び対応説明箇所）、特開平５−３４１４９６号公報（図１、図２及び対応説明箇所）を参照のこと。）、刊行物１に記載の位相シフタパターンと遮光パターンとの配列を、上記周知技術に記載の構成のように配列し、本願発明に係る相違点の構成とすることは当業者が容易に想到することができたものである。
　その際、位相シフタマスクは１８０°を除く位相角（例えば９０°）を有するものであるから、本願発明のものと同様に位相シフトマスクパターンの載置面の、該位相シフトマスクパターンの透過光の焦点に対する位置ずれの方向および大きさに応じて、該透過光の強度プロファイルにおける最小値が変動するものと認められるから、この点についての本願発明の限定は、当業者が容易に想起しうるものである。
　
　そして、本願発明の作用効果も刊行物１及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。