Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月22日(2010.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２．５ｇ／１０分よりも小さい全体的メルトインデックス（Ｉ２）を架橋前に有し、密度が０．８６５ｇ／ｃｍ３〜０．８８５ｇ／ｃｍ３の範囲にあるポリオレフィン配合物を含む組成物から作製されていることを特徴とする架橋された弾性繊維であって、前記ポリオレフィン配合物が少なくとも第１のポリオレフィン成分及び第２のポリオレフィン成分を含み、この場合、第１の成分及び第２の成分は下記の特徴（特徴（ａ）が、０．８５５ｇ／ｃｍ３〜０．８８ｇ／ｃｍ３の範囲での密度を有することであり、特徴（ｂ）が、９パーセントを超える８０℃での残存結晶性(residual crystallinity)を有することである）に従って分類することができ、第１の成分が、両方の特徴ではなく、特徴（ａ）又は特徴（ｂ）のいずれかを満たし、第２の成分が、特徴（ａ）又は特徴（ｂ）のどちらであっても、第１の成分が満たさない方を満たす、架橋された弾性繊維。
【請求項２】
前記第２の成分が、特徴（ａ）及び特徴（ｂ）の両方を満たすとして特徴づけられる、請求項１に記載の繊維。
【請求項３】
前記第２の成分が特徴（ａ）又は特徴（ｂ）の一方のみを満たす、請求項１に記載の繊維。
【請求項４】
特徴（ａ）を満たす少なくとも１つのポリオレフィン成分が均一分岐ポリエチレンを含む、請求項１に記載の繊維。
【請求項５】
特徴（ｂ）を満たす少なくとも１つのポリオレフィン成分が均一分岐ポリエチレンを含む、請求項１に記載の繊維。
【請求項６】
前記均一分岐ポリエチレンが０．８９ｇ／ｃｍ３を越える密度を有する、請求項５に記載の繊維。
【請求項７】
前記均一分岐ポリエチレン成分が０．９１ｇ／ｃｍ３を越える密度を有する、請求項６に記載の繊維。
【請求項８】
特徴（ｂ）を満たす少なくとも１つのポリオレフィン成分がオレフィンのセグメント化ブロックコポリマー(an olefinic segmented block copolymer)を含む、請求項１に記載の繊維。
【請求項９】
特徴（ａ）を満たす少なくとも１つのポリオレフィン成分がオレフィンのセグメント化ブロックコポリマーを含む、請求項１に記載の繊維。
【請求項１０】
配合物全体が１．５未満のメルトインデックス（Ｉ２）を有する、請求項１に記載の繊維。
【請求項１１】
配合物全体が０．８６８ｇ／ｃｍ３〜０．８７５ｇ／ｃｍ３の範囲での密度を有する、請求項１に記載の繊維。
【請求項１２】
配合物全体が、ＤＳＣによって測定されたとき、２回目の加熱曲線において、４パーセントを超える８０℃での残留結晶性を有する、請求項１に記載の繊維。
【請求項１３】
配合物全体が７パーセントを超える残留結晶性を有する、請求項１２に記載の繊維。
【請求項１４】
配合物全体が２．５未満の分子量分布を有する、請求項１に記載の繊維。
【請求項１５】
特徴（ａ）が、０．８５５ｇ／ｃｍ３〜０．８６５ｇ／ｃｍ３の範囲での密度を有することである、請求項１に記載の繊維。
【請求項１６】
配合物全体が、５０重量パーセント〜９５重量パーセントの、特徴（ａ）を満たす物質を含む、請求項１に記載の繊維。
【請求項１７】
配合物全体が、５重量パーセント〜５０重量パーセントの、特徴（ｂ）を満たす物質を含む、請求項１に記載の繊維。
【請求項１８】
前記第１のポリオレフィン成分及び前記第２のポリオレフィン成分はそれぞれが３．０未満の分子量分布を有する、請求項１に記載の繊維。
【請求項１９】
特徴（ｂ）を満たす成分がプロピレン系ポリオレフィンである、請求項１に記載の繊維。
【請求項２０】
二成分繊維(bicomponent fiber)である、請求項１に記載の繊維。
【請求項２１】
前記二成分繊維がシース／コア形態である、請求項２０に記載の繊維。
【請求項２２】
前記配合物がシースを構成し、コアが別の弾性物質を含む、請求項２０に記載の繊維。
【請求項２３】
０．１重量パーセント〜２重量パーセントの、有機フィラー又は無機フィラーの繊維をさらに含む、請求項１に記載の繊維。
【請求項２４】
加工助剤、スリップ剤、ブロッキング防止剤、顔料、相溶化剤、架橋性を改善するための補助剤、又は、これらの組合せからなる群から選択される１又はそれ以上の添加剤をさらに含む、請求項１に記載の繊維。
【請求項２５】
０．５／１０分〜２．５ｇ／１０分の範囲でのメルトインデックス（Ｉ２）を有し、密度が０．８６５ｇ／ｃｍ３〜０．８８５ｇ／ｃｍ３の範囲にある、ポリオレフィンを含む組成物から作製されていることを特徴とする架橋された弾性繊維であって、前記組成物が少なくとも２つのポリオレフィン成分の配合物であり、第１のポリオレフィン成分が０．８５５ｇ／ｃｍ３〜０．８６５ｇ／ｃｍ３の範囲での密度を有し、かつ、第２のポリオレフィン成分が０．８９０ｇ／ｃｍ３よりも大きい密度を有する、架橋された弾性繊維。
【請求項２６】
前記第１のポリオレフィン成分及び前記第２のポリオレフィン成分はそれぞれが、３．０未満のＭＷＤを有する均一分岐ポリエチレンである、請求項２５に記載の繊維。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月10日(2010.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素繊維表面をエッチングするための方法であって、
(a)酸化による炭素繊維表面の官能化工程と、
(b)官能化表面上への金属粒子の堆積工程と、
(c)水蒸気を用いる処理による表面のエッチング工程と、
(d)酸処理による金属粒子の除去工程と
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法により得ることができる、エッチングされた炭素繊維。
【請求項３】
複合体、エネルギー貯蔵体、センサーにおける、吸着材、不均一触媒用支持体としての、およびさらなる酸素官能化後の触媒活性材料としての、請求項２に記載のエッチングされた炭素繊維の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
〔実施例３〕
実施例１の全ての他のパラメータを変えず、第三工程における最大温度を670℃から650℃に低減する場合、反応時間は、1時間である。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］炭素繊維表面をエッチングするための方法であって、
(a)酸化による炭素繊維表面の官能化工程と、
(b)官能化表面上への金属粒子の堆積工程と、
(c)水蒸気を用いる処理による表面のエッチング工程と、
(d)酸処理による金属粒子の除去工程と
を含む、方法。
［２］炭素繊維が、カーボンナノファイバーであり、特に、
(i)炭化水素から得ることができ、および／または
(ii)50〜500 nm、好ましくは約100 nmの外径を有し、および／または
(iii)10〜60 m2/g、好ましくは20〜40 m2/gの表面積を有する、
［１］に記載の方法。
［３］炭素繊維が、マイクロファイバーであり、特に、
(i)ポリアクリロニトリル(PAN)から、好ましくは熱分解により、得ることができ、および／または
(iv)3〜10 μm、好ましくは約6 μmの外径を有し、および／または
(ii)1 m2/g未満の表面積を有する、
［１］に記載の方法。
［４］表面の官能化を、酸化処理により、好ましくは酸化性酸とともに加熱することにより、または酸素プラズマ処理により、特に好ましくは硝酸とともに加熱することにより行う、［１］〜［３］のいずれかに記載の方法。
［５］(i)金属粒子が、Fe、CoおよびNiの中から選択され、および好ましくはFeであり、および／または
(ii)金属担持が、担持カーボンナノファイバーの総重量に基づいて、1〜20重量％、好ましくは5〜10重量％であり、および／または
(iii)金属粒子の堆積を、特に100〜600℃の温度にて、繊維と、溶解した金属塩またはメタロセン、好ましくはフェロセンとを接触させ、その後、300〜800℃、好ましくは約500℃の温度にて、水素で還元することにより行う、
［１］〜［４］のいずれかに記載の方法。
［６］エッチングを、ヘリウム雰囲気中の水蒸気で処理することにより行い、
ここで好ましくは、
(i)ヘリウム雰囲気の水蒸気含量が、0.1〜10体積%、特に好ましくは約1体積%であり、および／または
(ii)エッチングを、500〜800℃、特に好ましくは600℃を超える温度にて行い、および／または
(iii)ヘリウム雰囲気が、金属触媒を活性に維持するために、1〜20体積%、好ましくは約10体積%のH2を含有する、
［１］〜［５］のいずれかに記載の方法。
［７］金属粒子の除去を、酸、特に水性塩酸またはHNO3/H2SO4の混合物によって処理することにより行う、［１］〜［６］のいずれかに記載の方法。
［８］エッチングされた炭素繊維が、90〜100 m2/gの比表面積を有するカーボンナノファイバーまたは5〜50 m2/gの比表面積を有するカーボンマイクロファイバーである、［１］〜［７］のいずれかに記載の方法。
［９］［１］〜［８］のいずれかに記載の方法により得ることができる、エッチングされた炭素繊維。
［１０］複合体、エネルギー貯蔵体、センサーにおける、吸着材、不均一触媒用支持体としての、およびさらなる酸素官能化後の触媒活性材料としての、［９］に記載のエッチングされた炭素繊維の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月26日(2010.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ポリマーと第２ポリマーとを含むファインファイバであって、
前記第１ポリマーは、脂肪族ジイソシアネートと、ポリエーテルポリオールまたはポリエステルポリオールと、の反応生成物を含むポリウレタンを含み、
前記第２ポリマーは、ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン６１０あるいはそれらの混合物を含むポリアミドポリマーを含み、
前記第１ポリマーの１部に対して前記第２ポリマーは、約０.１〜０.９９部であり、
前記ファインファイバは、約０.００１〜２μｍの直径を有することを特徴とするファインファイバ。
【請求項２】
前記脂肪族ジイソシアネートは、ジシクロヘキシルメタン４，４'ジイソシアネートを含むことを特徴とする請求項１に記載のファインファイバ。
【請求項３】
前記ポリエーテルポリオールまたはポリエステルポリオールは、ポリエステルポリオールからなることを特徴とする請求項１に記載のファインファイバ。
【請求項４】
前記ポリウレタンは、ハードな脂肪族ジイソシアネート部とソフトなポリオール部とを含むことを特徴とする請求項１に記載のファインファイバ。
【請求項５】
微粒子またはろ過用の基板と結合されていることを特徴とする請求項１に記載のファインファイバ。
【請求項６】
前記基板は不織布の基板であることを特徴とする請求項５に記載のファインファイバ。
【請求項７】
前記不織布の基板は、セルロース媒体、セルロース合成基板または高分子の合成媒体を含むことを特徴とする請求項５に記載のファインファイバ。
【請求項８】
前記ファインファイバは、約１μｍ〜約３００μｍの厚さを有する不織布の形態であることを特徴とする請求項７に記載のファインファイバ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月10日(2009.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の睾丸および陰茎を含む男性性器のための防護用具であって、前記睾丸をほぼ水平方向に隣接する位置で支持するために形成された第１適合領域を含む剛性の外殻から成ることを特徴とする用具。
【請求項２】
前記陰茎を受け入れるために形成された第２適合領域をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の用具。
【請求項３】
前記第２適合領域は、前記剛性の外殻と一体的に形成された細長い部分を含み、前記細長い部分は、ほぼ垂直方向に前記陰茎を受け入れるために形成されることを特徴とする請求項２記載の用具。
【請求項４】
前記第１適合領域は、位置調整用の２つの輪郭領域を含み、前記２つの輪郭領域のそれぞれは、一方の睾丸を、他方の睾丸に対して解剖学的に自然な位置に受け入れるために形成されることを特徴とする請求項１記載の用具。
【請求項５】
前記剛性の外殻から拡張し、かつ、前記防護用具が横方向および軸方向に移動するのを防止するために形成されたフランジをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の用具。
【請求項６】
一対の睾丸および陰茎を含む使用者の男性性器を防護するためのシステムにおいて、前記システムは、
剛性の性器防護用具であって、前記性器防護用具は、
２つの区画を有する第１適合領域であって、各区画は、
一方の睾丸を受け入れ、かつ、他方の睾丸から分離し、
前記分離された睾丸に適合し、
前記一対の睾丸を、ほぼ水平方向の隣接した位置で支持する、
ために形成された第１適合領域、および、
前記陰茎を、ほぼ垂直方向の位置に受け入れるために形成された第２適合領域、
を含む性器防護用具と、
固定用具であって、
前記性器防護用具を受け入れ、
前記性器防護用具を前記使用者に固定する、
固定用具と、
から構成されることを特徴とするシステム。
【請求項７】
前記剛性の性器防護用具から拡張し、かつ、前記防護用具が横方向および軸方向に移動するのを防止するために形成されたフランジをさらに含むことを特徴とする請求項６記載のシステム。
【請求項８】
使用者の睾丸および陰茎を防護する方法であって、
剛性の性器防護用具を前記睾丸および前記陰茎上に置く段階であって、前記剛性の性器防護用具は、第１適合領域内で一対の睾丸を水平方向に支持するために適合される、段階と、
前記剛性の性器防護用具を前記使用者に固定する段階と、
から構成されることを特徴とする方法。
【請求項９】
前記剛性の性器防護用具は、前記陰茎がほぼ垂直方向に位置するように形成された第２適合領域内に前記陰茎を受け入れるためにさらに適合されることを特徴とする請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前述の形式の２つのロータリーピストンおよびシリンダ装置と、一方の装置の出力ポートを他方の装置の入力ポートに連結する移送導管とを有するロータリーピストンおよびシリンダアセンブリであって、前記他方の装置の排出流体を前記移送導管の流体と熱的に連通させる熱伝達手段をさらに有する、ロータリーピストンおよびシリンダアセンブリ。
【請求項２】
前記熱伝達手段は前記移送通路に備えられた熱交換器を有する請求項１に記載のロータリーピストンおよびシリンダアセンブリ。
【請求項３】
前記熱交換器は前記移送導管の壁に連結された１つまたは２つ以上の表面部を有する請求項２に記載のロータリーピストンおよびシリンダアセンブリ。
【請求項４】
前記熱交換器は前記移送導管の内部空間を通過する１つまたは２つ以上の導管を有する請求項２または３に記載のロータリーピストンおよびシリンダアセンブリ。
【請求項５】
前記熱交換器は、使用中前記移送導管の流体が前記熱交換器の導管の間を通過できるように複数の間隔をおいて配置された該導管を有する請求項４に記載のロータリーピストンおよびシリンダアセンブリ。
【請求項６】
内燃機関である請求項１〜５のいずれか１項に記載のロータリーピストンおよびシリンダアセンブリ。
【請求項７】
前述の形式の２つのロータリーピストンおよびシリンダ装置と、一方の装置の出力ポートを他方の装置の入力ポートに連結する移送導管とを有するロータリーピストンおよびシリンダアセンブリであって、前記他方の装置の排出流体を前記移送導管に運ぶ手段をさらに有する、ロータリーピストンおよびシリンダアセンブリ。
【請求項８】
前述の形式の２つのピストンおよびシリンダ装置と、一方の装置の出力ポートを他方の装置の入力ポートに連結する移送導管と、前記移送導管に燃料を噴出するように配置されている燃料噴射手段と、を有する内燃機関。
【請求項９】
固定子の壁と径方向に外側のハウジング部とのうちの少なくとも一方に位置し、シリンダ空間との連通ができるように配置された点火手段を有する前述の形式のロータリーピストンおよびシリンダ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月10日(2010.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に金属を電気めっきまたは電解研磨する方法であって、
N+R1R2R3R4X-または
N+R5R6R7R8Y-
からなる群より選択されるイオン液体が電解質として使用され、イオン液体に添加される金属塩が金属源として使用されるかまたは金属アノードが金属源として使用され、R1〜R8の任意の１つは独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、アリールもしくはアラルキル基（OH、Cl、Br、F、I、フェニル、NH2、CN、NO2、COOR9、CHO、COR9またはOR9から選択される基で置換されていてもよい）を示し、R5〜R8の少なくとも１つは脂肪族アルキル鎖であり、R5〜R8の１つ以上は、（ポリ）オキシアルキレン基であることができ、該アルキレンはC1〜C4アルキレンであり、オキシアルキレン単位の総数は、1〜50個のオキシアルキレン単位であることができ、R1〜R8の少なくとも１つはC1〜C4アルキル鎖であり、R9はアルキルもしくはシクロアルキル基であり、X-は、N-アシルスルホニルイミドアニオン（-CO-N--SO2-）官能性を有するアニオンであり、Y-は、N+R5R6R7R8アンモニウムカチオンと相溶性のアニオン、例えばハロゲンアニオン、カルボキシレートアニオン、サルフェート（有機および無機サルフェートの両方）、スルホネート、カーボネート、ナイトレート、ナイトライト、チオシアネート、ヒドロキシドもしくはスルホニルイミドアニオンである方法。
【請求項２】
Y-が、F-、Cl-、Br-、I-の群；R10COO-アニオン（R10は、水素、C1〜C22アルキル、アルケニルもしくは芳香族基であり得る）の群；R11SO4-アニオン（R11は、カチオンが２価である場合には不在であるか、水素、C1〜C22アルキル、アルケニルもしくは芳香族基であり得る）の群；R12SO3-アニオン（R12は、カチオンが２価である場合には不在であるか、水素、C1〜C22アルキル、アルケニルもしくは芳香族基であり得る）の群；R13CO3-アニオン（R13は、カチオンが２価である場合には不在であるか、水素、C1〜C22アルキル、アルケニルもしくは芳香族基であり得る）の群；ならびにR14-N--SO2-R15アニオン（R14および／またはR15は独立して、水素、C1〜C22アルキル、アルケニルもしくは芳香族基であることができ、R14は、カルボニル基で窒素原子に結合することができる）の群から選択される請求項１記載の電気めっきまたは電解研磨する方法。
【請求項３】
Y-が、Cl-、Br-またはCH3SO4-である請求項２記載の電気めっきまたは電解研磨する方法。
【請求項４】
式N+R5R6R7R8Y-のイオン液体が、100gのイオン液体当たり１gのI2より上のヨウ素価を有する請求項１〜３のいずれか１項記載の電気めっきまたは電解研磨する方法。
【請求項５】
イオン液体のアンモニウムカチオン対金属塩の金属カチオンもしくは金属アノードから誘導された金属カチオンのモル比が1,000：1〜3：1である請求項１〜４のいずれか１項記載の電気めっきまたは電解研磨する方法。
【請求項６】
モル比が、100：1〜7：1である請求項５記載の電気めっきまたは電解研磨する方法。
【請求項７】
金属クロム、アルミニウムまたは銅のうちの１種が電着される請求項１〜６のいずれか１項記載の電気めっきまたは電解研磨する方法。
【請求項８】
イオン液体が、コリンサッカリネート、コリンアセスルファメート、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド、オクタデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ココトリメチルアンモニウムクロリド、タロウトリメチルアンモニウムクロリド、水素化タロウトリメチルアンモニウムクロリド、水素化パームトリメチルアンモニウムクロリド、オレイルトリメチルアンモニウムクロリド、ソヤトリメチルアンモニウムクロリド、ココベンジルジメチルアンモニウムクロリド、C12-16-アルキルベンジルジメチルアンモニウムクロリド、水素化タロウベンジルジメチルアンモニウムクロリド、ジオクチルジメチルアンモニウムクロリド、ジデシルジメチルアンモニウムクロリド、ジココジメチルアンモニウムナイトライト、ジココジメチルアンモニウムクロリド、ジ（水素化タロウ）ジメチルアンモニウムクロリド、ジ（水素化タロウ）ベンジルメチルアンモニウムクロリド、ジタロウジメチルアンモニウムクロリド、ジオクタデシルジメチルアンモニウムクロリド、水素化タロウ（2-エチルヘキシル）ジメチルアンモニウムクロリド、水素化タロウ（2-エチルヘキシル）ジメチルアンモニウムメチルサルフェート、トリヘキサデシルメチルアンモニウムクロリド、オクタデシルメチルビス（2-ヒドロキシエチル）アンモニウムクロリド、ココビス（2-ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムナイトレート、ココビス（2-ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムクロリド、ココビス（2-ヒドロキシエチル）ベンジルアンモニウムクロリド、オレイルビス（2-ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムクロリド、ココ[ポリオキシエチレン(15)]メチルアンモニウムクロリド、ココ[ポリオキシエチレン(15)]メチルアンモニウムメチルサルフェート、ココ[ポリオキシエチレン(17)]メチルアンモニウムクロリド、オクタデシル [ポリオキシエチレン(15)]メチルアンモニウムクロリド、水素化タロウ[ポリオキシエチレン(15)]メチルアンモニウムクロリド、トリス（2-ヒドロキシエチル）タロウアンモニウムアセテート、タロウ-1,3-プロパンペンタメチルジアンモニウムジクロリドからなる群より選択される請求項１〜７のいずれか１項記載の電気めっきまたは電解研磨する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月27日(2009.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
【図１】図１は、鉄、クロム、マンガン及びランタンからなる合金１１上の酸化物層１３を示す。
【図２】図２は、鉄、クロム、マンガン及びランタンからなり、チタンを添加した合金２１上の酸化物層１３を示す。
【図３】図３は、鉄、クロム、マンガン及びランタンからなり、置換を添加しかつケイ素で置換した合金３１上の酸化物層１３を示す。
【図４】図４は、鉄、クロム、マンガン、ランタン、ニオブ及びタングステンからなる合金４１上の酸化物層１３を示し、酸化物層１３と合金層４１の間に配置されたニオブ富化酸化物層４７を有する。
【図５】図５は、鉄、クロム、マンガン、ランタン、ニオブ及びタングステンからなり、ケイ素置換した合金５１上の酸化物層１３を示す。
【図６】図６は、合金粒界の所のＦｅ2（Ｍ，Ｓｉ）のタイプの析出物（５６）並びに合金粒中のＦｅ2（Ｍ，Ｓｉ）のタイプの析出物（５５）の走査電子顕微鏡写真を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月2日(2009.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気密の囲壁（８、８′）で包囲形成された燃焼ガス通路（２０、２０′）を備え、該燃焼ガス通路（２０、２０′）が流れ媒体で貫流される複数の伝熱面を有する、工業設備特に発電所設備のボイラ（２、２′）であって、
前記伝熱面に蒸発器伝熱面（２６′）あるいはエコノマイザー（２８′）のエコノマイザー伝熱面（３４′）が存在し、これらの伝熱面のうちの少なくとも１つの伝熱面（２６′、３４′）の燃焼ガスの側の面に、少なくとも部分的に触媒被覆（４４）が設けられていることを特徴とするボイラ。
【請求項２】
伝熱面に設けられた被覆（４４）が、燃焼ガスに含まれる有害物質、特に窒素酸化物および／又は酸化炭素を触媒転換するあるいは分解することを特徴とする請求項１に記載のボイラ。
【請求項３】
還元剤特にアンモニア含有液の注入装置（４６）を備え、該注入装置（４６）が、ボイラ（２、２′）の運転中に注入により還元剤が混入された燃焼ガスが触媒被覆付き伝熱面を洗流するように配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のボイラ。
【請求項４】
触媒表面被覆（４４）が、伝熱面の基材に設けられ酸化チタンおよび／又は五酸化バナジウムおよび／又は酸化タングステンおよび／又はゼオライト材料から成るナノ粒子で形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のボイラ。
【請求項５】
触媒被覆付き伝熱面が、囲壁（８、８′）に一体に組み入れられた壁形伝熱面であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載のボイラ。
【請求項６】
触媒被覆付き伝熱面が、燃焼ガス通路（２０、２０′）の内部に配置された伝熱面、あるいは燃焼ガス通路（２０、２０′）の中に突出する伝熱面であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載のボイラ。
【請求項７】
触媒被覆付き伝熱面が、ボイラ（２、２′）の定格運転中にそばを流れる燃焼ガスが約３００℃〜４００℃の温度を有する領域に配置されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載のボイラ。
【請求項８】
ほぼ水平方向に燃焼ガスで貫流される水平煙道（４８）を備えていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の横置形構造のボイラ。
【請求項９】
運転中に下から上に燃焼ガスで貫流される第１垂直煙道（１０）を備え、該第１垂直煙道（１０）が燃焼ガス路において水平煙道（１４）を介して上から下に燃焼ガスで貫流される第２垂直煙道（１６）に接続され、触媒被覆付き伝熱面が、水平煙道（１４）の領域に配置された伝熱面特に過熱器伝熱面（３０）であるか、あるいは第２垂直煙道（１６）の領域に配置された伝熱面特にエコノマイザー伝熱面（３４）であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の二煙道構造のボイラ。
【請求項１０】
触媒被覆付き伝熱面が、燃焼ガス通路の出口側に配置された空気予熱器（３６）の構造部品であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１つに記載のボイラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、特に安価な製造・組立費に対して設計されたボイラが、囲壁の製造に対する必要材料および必要時間並びに場合によっては支持構造物における静力学的要件が最小となるように、特に低い構造高さ（あるいは蒸気ドラムの横置構造において特に短い構造長さ）を有するようにする、という考えから出発している。従来において比較的高い組込み空間を必要とする別個の構成要素として設けられた排気浄化装置が、ボイラの運転にとって不可欠な既にもともと存在する熱伝達要素に、即ち、特に蒸気発生管で形成された加熱要素および伝熱面に、一体に組み入れられることによって、特に単純でコンパクトな構造が達成できる。その伝熱面は特に、そばを流れる燃焼ガスが通常約３００℃〜４００℃の温度を有するボイラの範囲における蒸発器伝熱面あるいはエコノマイザー伝熱面である。燃焼ガスに対する浄化機能の特に場所をとらない効果的な統合は、伝熱面が熱伝達のために利用されるだけでなく、追加的に触媒活性表面被覆に対する担体として利用されることによって、同時に高い浄化作用を達成できる。その被覆は、目的に適って、その被覆がそばを流れる燃焼ガスとの接触および相互作用（触媒原理）によって、「消費」あるいは消耗することなく、燃焼ガスに含まれる有害物質の分解（Abbau）あるいは転換を生じさせ、あるいはそれを促進するように選択されている。いまや企図された構想に応じて、従来一般に設けられていた別個の触媒コンバータに対する支持構造物は不要となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
例えばガスタービンに後置接続された廃熱ボイラに対しても適用される特に有利な第１実施例において、ボイラは、ほぼ水平方向に燃焼ガスあるいはガスタービン排気ガスで貫流される水平煙道とも呼ばれる燃焼ガス通路を有し、この燃焼ガス通路に触媒被覆が設けられた複数の伝熱面を備えている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2009526964.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月12日(2010.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出素子（１）及び検出素子（１）の支持部材（２）を有し、
支持部材（２）が、前記検出素子（１）に達する一体化された気流案内装置を備え、
前記支持部材が、気流の方向に対し垂直で、支持部材の長軸が存在する面に対し、実質的に鏡面対称に形成されているプローブ。
【請求項２】
前記検出素子（１）は、温度測定に好適な検出素子である、請求項１に記載のプローブ。
【請求項３】
前記気流案内装置が空気だめ（３）を有する、請求項１又は２に記載のプローブ。
【請求項４】
前記空気だめ（３）が流路を有する、請求項３に記載のプローブ。
【請求項５】
前記気流案内装置が前記支持部材（２）の外側を走る溝を有する、請求項３に記載のプローブ。
【請求項６】
前記気流案内装置が少なくとも吸気開口１個及び排気開口１個を有する、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のプローブ。
【請求項７】
前記気流案内装置は、前記吸気開口において異なる温度の気流成分を混合するのに好適な構成を有する、請求項６に記載のプローブ。
【請求項８】
前記気流案内装置は、気流を前記検出素子（１）の方向に偏向する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のプローブ。
【請求項９】
前記支持部材（２）は、縦軸方向に沿って傾斜している偏向面（６１、６２、６３、６４、６５）により気流（４）を偏向する、請求項８に記載のプローブ。
【請求項１０】
前記支持部材（２）は、前記検出素子（１）に気流が直接当たらないように遮蔽する遮蔽板を有する、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のプローブ。
【請求項１１】
吸入気流が前記空気だめ（３）内において複数の偏向面により偏向される、請求項８に記載のプローブ。
【請求項１２】
吸入気流（４）を抑制するため、気流の横断面方向に配置された第１の遮蔽装置（２３）を吸気開口（２１）に少なくとも１つ有し、排出気流（５）を抑制するため、気流の横断面方向に配置された第２の遮蔽装置（２４）を吸気開口（２２）に少なくとも１つ有し、第１及び第２の遮蔽装置（２３，２４）は、互いに鏡面対称に形成される、請求項６乃至９のいずれか１項に記載のプローブ。
【請求項１３】
吸気開口として好適な各開口通路（２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂ）が前記支持部材（２）の相対する２つの面に形成された、請求項６乃至１２のいずれか１項に記載のプローブ。
【請求項１４】
前記検出素子（１）の方向に前記吸入気流（４）を偏向するための前記気流案内装置が、前記支持部材（２）内の各開口通路（２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂ）に設置されている、請求項１３に記載のプローブ。
【請求項１５】
前記支持部材（２）が、断面で見ると前記検出素子（１）の方に互いに対向して走る、２つの互いに鏡面対称の偏向面（６３、６３’、６４、６５）を有する筐体（２０）を少なくとも１つ備える、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のプローブを含む部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２Ａ】
2009526975.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２Ｂ】
2009526975.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５Ａ】
2009526975.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５Ｂ】
2009526975.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の複数のメモリ回路及びシステムと通信するように構成されたインタフェース回路を備えるサブシステムであって、
前記インタフェース回路が、第１の命令スケジューリング制約と関連付けられた前記第１の複数のメモリ回路をインタフェースするように構成されて、第２の命令スケジューリング制約と関連付けられた別の第２の複数のメモリ回路をシミュレートするようになっており、もって、前記第１の複数のメモリ回路が、前記システムに対しては、前記第２の命令スケジューリング制約と関連付けられた前記第２の複数のメモリ回路として見えるようにしており、
前記第２の第２の命令スケジューリング制約は、前記第１の命令スケジューリング制約よりも、スケジューリング命令についての制限が少なく、
前記インタフェース回路は、１つ以上のオンダイターミネーション（ＯＤＴ）制御信号をシミュレートするように、かつ、前記第１の複数のメモリ回路と前記システムとの間で前記１つ以上のシミュレートされたＯＤＴ制御信号をインタフェースするように構成されている、サブシステム。
【請求項２】
前記命令スケジューリングにおける制約が、デバイス間命令スケジューリングにおける制約を含んでいる、請求項１に記載のサブシステム。
【請求項３】
デバイス間命令スケジューリングにおける制約が、ランク間のデータバスターンアラウンドタイム又はＯＤＴ制御スイッチング時間の少なくとも１つを含んでいる、請求項２に記載のサブシステム。
【請求項４】
前記命令スケジューリングにおける制約が、デバイス内命令スケジューリングにおける制約を含んでいる、請求項１に記載のサブシステム。
【請求項５】
前記デバイス内命令スケジューリングにおける制約が、列間遅延時間（ｔＣＣＤ）、行間アクティブ化遅延時間（ｔＲＲＤ）、４バンクアクティブ化ウィンドウ時間（ｔＦＡＷ）又は書込み−読取りターンアラウンドタイム（ｔＷＴＲ）の少なくとも１つを含んでいる、請求項４に記載のサブシステム。
【請求項６】
前記第２の複数のメモリ回路が、少なくとも１つの仮想メモリ回路を含んでいる、請求項１に記載のサブシステム。
【請求項７】
前記インタフェース回路が、前記少なくとも１つの仮想メモリ回路を対象とする１つ以上のＯＤＴ制御信号を、前記第１の複数のメモリ回路を対象とするシミュレートされたＯＤＴ制御信号として発行するように構成されており、
前記第１の複数のメモリ回路が、物理メモリ回路を含んでいる、請求項６に記載のサブシステム。
【請求項８】
前記インタフェース回路が、行アクセス命令及び列アクセス命令を発行するように構成されている、請求項１に記載のサブシステム。
【請求項９】
前記１つ以上のシミュレートされたＯＤＴ制御信号が、個別のバスを使用して複数の異なるメモリ回路に発行される、請求項１に記載のサブシステム。
【請求項１０】
前記インタフェース回路が、デュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）上に配置されている回路を含んでいる、請求項１に記載のサブシステム。
【請求項１１】
前記インタフェース回路が、バッファ、レジスタ、メモリコントローラ、及びアドバンストメモリバッファ（ＡＭＢ）から成る群から選択される、請求項１に記載のサブシステム。
【請求項１２】
前記インタフェース回路及び前記メモリ回路が積層体の形態をとる、請求項１に記載のサブシステム。  
【請求項１３】
前記第１の複数のメモリ回路が複数のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）回路を含んでいる、請求項１に記載のサブシステム。
【請求項１４】
前記インタフェース回路が、
複数のＩ／Ｏピンと、
前記Ｉ／Ｏピンのうちの少なくとも１本におけるスルーレート、プルアップの能力又は強さ、及びプルダウンの能力又は強さを制御するように構成された回路と
を備える、請求項１に記載のサブシステム。
【請求項１５】
前記インタフェース回路が、アクティブ状態においては、前記第１の複数のメモリ回路のうちの少なくとも１つを第１のオペレーティングシステム又はスレッドに割り当てるように、かつ、低電力モード又はパワーダウンモードにおいては、前記第１の複数のメモリ回路のうちの別の少なくとも１つを、第２のオペレーティングシステム又はスレッドに割り当てるように構成された回路を備えており、前記第２のオペレーティングシステム又はスレッドがその時点で実行されていないものである、請求項１に記載のサブシステム。
【請求項１６】
第１の命令スケジューリング制約と関連付けられた第１の複数のメモリ回路をインタフェースして、第２の命令スケジューリング制約と関連付けられた別の第２の複数のメモリ回路をシミュレートするようになっており、もって、前記第１の複数のメモリ回路が、システムに対しては、前記第２の命令スケジューリング制約と関連付けられた前記第２の複数のメモリ回路として見えるようにするインターフェース・ステップを備える方法であって、
前記第２の第２の命令スケジューリング制約は、前記第１の命令スケジューリング制約よりも、スケジューリング命令についての制限が少なく、
前記インタフェース・ステップは、１つ以上のオンダイターミネーション（ＯＤＴ）制御信号をシミュレートする工程と、前記第１の複数のメモリ回路と前記システムとの間で前記１つ以上のシミュレートされたＯＤＴ制御信号をインタフェースする工程と含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月12日(2010.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイデンティティ保護サービスを提供する方法において、
ネットワークを通して、ユーザに関係する信用証明書からの応答をバリデーションサーバにおいて受け取ることと、
１つのネットワークサイトの代わりに、バリデーションサーバによって信用証明書応答を確認することと、
ネットワークを通して、１つのネットワークサイトにおけるユーザに関係するトランザクションに関連する情報を不正検出サーバにおいて受け取ることと、
１つのネットワークサイト以外の、ネットワーク上の１つ以上のサイトにおける１つ以上のトランザクションに関連し、不正検出サーバに提供された情報に少なくとも部分的に基づいて、不審なアクティビティに対するトランザクション情報を不正検出サーバによって評価することとを含み、
信用証明書応答は、認証のための要素として信用証明書を受け入れるネットワーク上の複数のサイトうちの１つに対してユーザを認証するために、ユーザによって提供される方法。
【請求項２】
バリデーションサーバは、ユーザによって提供された信用証明書応答を確認することに関連し、不正検出サーバによって提供されたトランザクション情報を利用する請求項１記載の方法。
【請求項３】
不正検出サーバは、不審なアクティビティに対するユーザのトランザクション情報を評価することに関連し、バリデーションサーバによって提供された確認情報を利用する請求項１記載の方法。
【請求項４】
１つのネットワークサイト以外の、ネットワーク上の１つ以上のサイトにおける１つ以上のトランザクションに関連し、不正検出サーバに提供されなかった他の情報に少なくとも部分的に基づいて、不正検出サーバが、不審なアクティビティに対するトランザクション情報を評価する請求項１記載の方法。
【請求項５】
他の情報は、インターネットのＤＮＳインフラストラクチャに関係するデータベースから問い合わせされる請求項４記載の方法。
【請求項６】
他の情報は、ＩＰ地理的位置データを含む請求項５記載の方法。
【請求項７】
アイデンティティ保護サービスを提供するシステムにおいて、
認証サービスを提供するように構成されているバリデーションサーバと、
不正検出サービスを提供するように構成されている不正検出サーバと、
バリデーションサーバに通信可能にリンクされている認証データベースと、
不正検出サーバに通信可能にリンクされている不正検出データベースとを具備し、
バリデーションサーバは、ネットワークを通して、ユーザに関係する信用証明書からの応答を受け取り、信用証明書応答は、認証のための要素として信用証明書を受け入れるネットワーク上の複数のサイトのうちの１つに対してユーザを認証するために、ユーザによって提供され、
バリデーションサーバは、１つのネットワークサイトの代わりに信用証明書応答を確認し、
不正検出サーバは、ネットワークを通して、１つのネットワークサイトにおけるユーザに関係するトランザクションに関連する情報を受け取り、
不正検出サーバは、１つのネットワークサイト以外の、ネットワーク上の１つ以上のサイトにおける１つ以上のトランザクションに関連し、不正検出サーバに提供された情報に少なくとも部分的に基づいて、不審なアクティビティに対するトランザクション情報を評価するシステム。
【請求項８】
バリデーションサーバは、ユーザによって提供された信用証明書応答を確認することに関連し、不正検出サーバによって提供されたトランザクション情報を利用する請求項７記載のシステム。
【請求項９】
不正検出サーバは、不審なアクティビティに対するユーザのトランザクション情報を評価することに関連し、バリデーションーバによって提供された確認情報を利用する請求項７記載のシステム。
【請求項１０】
１つのネットワークサイト以外の、ネットワーク上の１つ以上のサイトにおける１つ以上のトランザクションに関連し、不正検出サーバに提供されなかった他の情報に少なくとも部分的に基づいて、不正検出サーバが、不審なアクティビティに対するトランザクション情報を評価する請求項７記載のシステム。
【請求項１１】
他の情報は、インターネットのＤＮＳインフラストラクチャに関係するデータベースから問い合わせされる請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
他の情報は、ＩＰ地理的位置データを含む請求項１１記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月4日(2010.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ナノ結晶と、ドープされた有機材料を含む層とを含むデバイス。
【請求項２】
ドープされた有機材料が、電子を輸送できる材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
ドープされた有機材料が、ホールを輸送できる材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
ドープされた有機材料が、ホールを注入できる材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
ドープされた有機材料がｐ−ドープされている、請求項３または４に記載のデバイス。
【請求項６】
ドープされた有機材料が、アクセプター型有機材料でｐ−ドープされている、請求項３または５に記載のデバイス。
【請求項７】
ドープされた有機材料が、電子を注入できる材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
ドープされた有機材料がｎ−ドープされている、請求項２または７に記載のデバイス。
【請求項９】
ドープされた有機材料が、ドナー型有機材料でｎ−ドープされている、請求項２または８に記載のデバイス。
【請求項１０】
ドープされた有機材料が、ホールをブロックできる材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
ドープされた有機材料が、電子をブロックする材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
ドープされた有機材料を含む１つより多い層が、デバイス中に含まれる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
半導体ナノ結晶が、コア／シェル構造を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１４】
半導体ナノ結晶が、この表面に付いた少なくとも１つの配位子を含む、請求項１または１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記層が、少なくとも１つの半導体モノ結晶と電気的に接続している、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１６】
少なくとも１つの半導体ナノ結晶と電気的に接続している、ドープされた有機材料を含む層を組み入れることを含む、半導体ナノ結晶を含むデバイスの効率を改良する方法。
【請求項１７】
ドープされた有機材料が、電子を輸送できる材料を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ドープされた有機材料が、ホールを輸送できる材料を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
ドープされた有機材料が、ホールを注入できる材料を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
ドープされた有機材料が、電子を注入できる材料を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
ドープされた有機材料が、ホールをブロックできる材料を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
ドープされた有機材料が、電子をブロックする材料を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
デバイス中に含まれるドープされた有機材料を含む１以上の追加の層を用意することをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
あ
【請求項２４】
半導体ナノ結晶が、コア／シェル構造を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２５】
半導体ナノ結晶が、この表面に付いた少なくとも１つの配位子を含む、請求項１６または２４に記載の方法。
【請求項２６】
ドープされた有機材料がｎ−ドープされている、請求項１７または２０に記載の方法。
【請求項２７】
ドープされた有機材料がｐ−ドープされている、請求項１８または１９に記載の方法。
【請求項２８】
ドープされた有機材料が、アクセプター型有機材料でｐ−ドープされている、請求項１６に記載の方法。
【請求項２９】
ドープされた有機材料が、ドナー型有機材料でｎ−ドープされている、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
デバイスが、デバイス中に含まれるドープされた有機材料を含む１つより多い層を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項３１】
電極を含む基体を用意すること、前記基体の上に少なくとも１つの半導体ナノ結晶と電気的に接続している、第１のドープされた有機材料を含む第１層を被着させることをさらに含む、請求項１６に記載のデバイスの効率を改良する方法。
【請求項３２】
発光デバイス、太陽電池、光検出器または光起電デバイスを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３３】
請求項３２に記載の複数の光検出器を含む像形成デバイス。
【請求項３４】
請求項３２に記載の複数の発光デバイスを含むディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月2日(2010.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気回路用難燃性カバーコート組成物であって、
ホスフィネート、および
ウレタン系ソルダーレジストが含まれている組成物。
【請求項２】
フレキシブル回路であって、
基材、並びに、
ウレタン系ソルダーレジストとホスフィネートの混合物が含まれている難燃性カバーコートから構成されている回路。
【請求項３】
難燃性カバーコートを備えているフレキシブル回路を形成させる方法であって、
ホスフィネートとウレタン系ソルダーレジストを混合してカバーコートの組成物を生成する工程、
前記組成物をフレキシブル回路にコーティングする工程、および、
コーティングしたフレキシブル回路を硬化させる工程が含まれている方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月25日(2010.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧ガス放電ランプを駆動するための回路装置であって、
第１電圧のための第１ターミナルと、
第２電圧のための第２ターミナルと、
前記高圧ガス放電ランプを点火するための第３電圧を印加するための第３ターミナルと、
第１端部で高圧ガス放電ランプのための第１接続ターミナルを提供し、第２端部で前記第１電圧のための前記第１ターミナルに連結された第１電気接続部と、
第１端部で高圧ガス放電ランプのための第２接続ターミナルを提供し、第２端部で前記第２電圧のための前記第２ターミナルに連結された第２電気接続部と、
入力側で少なくとも前記第３ターミナルに接続され、出力側で前記高圧ガス放電ランプのためのターミナルの１つに連結された点火装置と、
前記第１電気接続部内に配置された第１インダクタ、およびこの第１インダクタとの磁気結合により、電流補償チョークを形成する、前記第２電気接続部内に配置された第２インダクタと、
前記点火装置と前記第３ターミナルとの間の第３電気接続部内に配置された１０Ωより大きい電気抵抗器と、を備えた回路装置。
【請求項２】
前記抵抗器は、１ｋΩ以上、好ましくは５ｋΩ以上、特に好ましくは２０ｋΩ以上の値を有することを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記抵抗器は、特定の周波数範囲内において、前記第１電気接続部および前記第２電気接続部内に配置されたインダクタのインピーダンスの１０分の１以上、好ましくはそのインピーダンス以上の値を有することを特徴とする請求項１または２に記載の回路装置。
【請求項４】
前記周波数範囲は、５０ＭＨｚ〜１５０ＭＨｚの間にあることを特徴とする請求項３に記載の回路装置。
【請求項５】
前記点火装置の変圧器の二次巻線が、前記第１電気接続部内に配置され、前記点火装置のコンデンサの一方の側およびこれと並列な変圧器の一次巻線の一方の側が、前記第１電圧のための前記第１ターミナルと前記二次巻線との間で前記第１電気接続部に接続されており、
前記第３ターミナルが、前記抵抗器を介して前記コンデンサの他方の側に接続されると共に、これと並列に、前記点火装置のスイッチング要素を介して前記変圧器の前記一次巻線の他方の側に接続されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の回路装置。
【請求項６】
一方の、前記第１インダクタと前記高圧ガス放電ランプのための前記第１接続ターミナルとの間の前記第１電気接続部、および他方の、前記第２インダクタと前記高圧ガス放電ランプのための前記第２ターミナルとの間の前記第２電気接続部が、電圧制限要素を介して相互に接続されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の回路装置。
【請求項７】
前記第１電気接続部と前記第２電気接続部とは、前記電流補償チョークの上流の入力側にて容量結合されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の回路装置。
【請求項８】
前記容量結合は、寄生容量を介して生じていることを特徴とする請求項７記載の回路装置。
【請求項９】
前記第１電気接続部と前記第２電気接続部との間の寄生容量、および／または前記第１電気接続部と周辺アースとの間の寄生容量、および／または第２電気接続部と周辺アースとの間の寄生容量、および／または第３電気接続部と周辺アースとの間の寄生容量は、対応する電気接続部の導体トラックを広くすることにより、および／または少なくとも１つの付加的な導電性表面を前記対応する電気接続部に電気的に接続することにより増加されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の回路装置。
【請求項１０】
高温ガス放電ランプおよび請求項１乃至９のいずれか１項に記載の回路装置を備えたランプユニット。
【請求項１１】
前記回路装置は、前記高温ガス放電ランプのソケットハウジング内に組み込まれていることを特徴とする請求項１０記載のランプユニット。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載のランプユニットを備えたヘッドライト。
【請求項１３】
高圧ガス放電ランプの制御方法であって、
第１電圧のための第１ターミナルおよび高圧ガス放電ランプのための第１接続ターミナルを備えた第１電気接続部、並びに、第２電圧のための第２ターミナルおよび前記高圧ガス放電ランプのための第２接続ターミナルを備えた第２電気接続部を介し、定常作動時に所定の作動電圧を前記高圧ガス放電ランプに供給し、
前記高圧ガス放電ランプを点火する目的のために、点火装置の入力側に接続されている第３ターミナルに第３電圧を印加することにより、前記高圧ガス放電ランプの前記接続ターミナルの１つに、前記点火装置において発生される高電圧パルスを印加し、
前記第１電気接続部内に配置された第１インダクタと、前記第２電気接続部内に配置された第２インダクタとが、磁気結合を介して電流補償チョークを形成すると共に、前記第１電圧のための前記第１ターミナルおよび前記第２電圧のための前記第２ターミナルにおいて生じる干渉パルスを低減するように働き、
前記点火装置と前記第３ターミナルとの間に配置された１０Ωより大きい電気抵抗器が、前記第３ターミナルに生じる干渉パルスを低減するように働くようになっている、高圧ガス放電ランプの制御方法。