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【手続補正書】
【提出日】平成22年9月27日(2010.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非リアルタイムメディア配信システムにおいて非リアルタイムメディアを配信するための方法であって、前記非リアルタイムメディア配信システムが、非リアルタイムメディアサーバと非リアルタイムメディアクライアントとを含み、前記非リアルタイムメディアサーバと前記メディアクライアントが通信ネットワーク（ＣＮ）を介して結合され、前記方法は
ａ．前記メディアサーバ（ＭＳ）を前記メディアクライアント（ＭＣ）に結合する前記通信ネットワーク（ＣＮ）を介して前記非リアルタイムメディアクライアントに前記非リアルタイムメディアを配信するステップを含み、さらに前記方法は
ｂ．非リアルタイムメディアの前記配信を制御するために前記非リアルタイムメディアクライアント（ＭＣ）の第２制御プロトコルエージェント（ＣＰＡ２）から前記メディアサーバ（ＭＳ）の第１制御プロトコルエージェント（ＣＰＡ１）にリアルタイム制御メッセージを送信するステップをさらに含むことと、前記非リアルタイムサーバから前記メディアクライアントに前記非リアルタイムメディアを配信する前記ステップが、前記リアルタイム配信制御メッセージに基づくこととを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記リアルタイム制御メッセージのタイプと、前記リアルタイム制御メッセージのコンテンツとを、少なくとも１つの条件に基づいて決定するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の、非リアルタイムメディア配信システムにおいて非リアルタイムメディアを配信するための方法。
【請求項３】
非リアルタイムメディアサーバ（ＭＳ）から非リアルタイムメディアクライアント（ＭＣ）に非リアルタイムメディアを配信するためのシステムであって、前記非リアルタイムメディアサーバ（ＭＳ）と前記メディアクライアント（ＭＣ）とを含み、前記メディアサーバ（ＭＳ）と前記メディアクライアント（ＭＣ）が通信ネットワーク（ＣＮ）を介して結合されており、前記非リアルタイムメディアサーバ（ＭＳ）が、前記メディアサーバ（ＭＳ）を前記メディアクライアント（ＭＣ）に結合する前記通信ネットワーク（ＣＮ）を介して前記メディアクライアント（ＭＣ）に非リアルタイムメディアを配信するように構成された配信部（ＤＰ）を含むシステムにおいて、
非リアルタイムメディアの前記配信を制御するためにリアルタイム制御メッセージを前記メディアサーバ（ＭＳ）に送信するように構成されたリアルタイム制御プロトコル部（ＣＰＡ１）と、
ｃ．前記非リアルタイムメディアサーバ（ＭＳ）から前記メディアクライアント（ＭＣ）に前記非リアルタイムメディアを前記リアルタイム制御メッセージに基づいて配信するようにさらに構成された配信部（ＤＰ）とをさらに含むことを特徴とする、システム。
【請求項４】
少なくとも１つの条件に基づいて前記制御プロトコルエージェント（ＣＰＡ１）を制御するための制御エージェント（ＣＡ）をさらに含むことを特徴とする、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記少なくとも１つの条件が、前記メディアクライアント（ＭＣ）の現在の帯域幅使用であることを特徴とする、請求項４に記載の非リアルタイムメディア配信システム。
【請求項６】
前記少なくとも１つの条件が、前記メディアクライアント（ＭＣ）の意図された帯域幅使用であることを特徴とする、請求項４に記載の非リアルタイムメディア配信システム。
【請求項７】
前記少なくとも１つの条件が、非リアルタイムメディア配信システムを共有するアプリケーションであることを特徴とする、請求項４に記載の非リアルタイムメディア配信システム。
【請求項８】
前記少なくとも１つの条件が、前記メディアクライアント（ＭＣ）のリソース可用性であることを特徴とする、請求項４に記載の非リアルタイムメディア配信システム。
【請求項９】
非リアルタイムメディアサーバ（ＭＳ）から前記非リアルタイムメディアクライアント（Ｃ）に非リアルタイムメディアを配信するためのシステムにおいて使用するための非リアルタイムメディアクライアント（ＭＣ）であって、前記システムが、前記非リアルタイムメディアサーバ（ＭＳ）と前記メディアクライアント（ＭＣ）とを含み、前記メディアサーバ（ＭＳ）と前記メディアクライアント（ＭＣ）が通信ネットワーク（ＣＮ）を介して結合され、前記メディアクライアント（ＭＣ）は、
ａ．非リアルタイムメディアの前記配信を制御するために前記非リアルタイムメディアサーバ（ＭＳ）にリアルタイム制御メッセージを送信するように構成されたリアルタイム制御部（ＲＴＣＰ１）を含むことを特徴とする、非リアルタイムメディアクライアント（ＭＣ）。
【請求項１０】
非リアルタイムメディアクライアント（ＭＣ）が、少なくとも１つの条件に基づいて前記リアルタイム制御部（ＲＴＣＰ１）を制御するための制御部（ＣＰ）をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載の非リアルタイムメディアクライアント（ＭＣ）。
【請求項１１】
前記非リアルタイムメディアサーバ（ＭＳ）から非リアルタイムメディアクライアント（ＭＣ）に非リアルタイムメディアを配信するためのシステムにおいて使用するための非リアルタイムメディアサーバ（ＭＳ）であって、前記システムが、前記非リアルタイムメディアサーバ（ＭＳ）と前記メディアクライアント（ＭＣ）とを含み、前記メディアサーバ（ＭＳ）と前記メディアクライアント（ＭＣ）が通信ネットワーク（ＣＮ）を介して結合され、前記メディアサーバは、
ａ．前記非リアルタイムメディアクライアント（ＭＣ）によって転送されたリアルタイム制御メッセージに基づいて前記非リアルタイムメディアを前記メディアクライアント（ＭＣ）に配信するようメディア配信部（ＭＤＰ）に命令するように構成されたリアルタイム制御部（ＲＴＣＰ２）と、
ｂ．前記リアルタイム制御メッセージに基づいて前記非リアルタイムメディアサーバ（ＭＳ）から前記メディアクライアント（ＭＣ）に前記非リアルタイムメディアを配信するように構成されたメディア配信部（ＭＤＰ）とを含むことを特徴とする、非リアルタイムメディアサーバ（ＭＳ）。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月22日(2009.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード電極層と、
カソード電極層と、
前記電極層間に配置された第１の電気光学活性有機層と、
前記第１の電気光学活性有機層と前記カソード電極層との間に配置された第２の電気光学活性有機層と、
前記第１の電気光学活性有機層と前記第２の電気光学活性有機層との間に配置され、第１の透明無機半導体材料によって形成された低電子親和力層と、
前記第２の電気光学活性有機層と前記低電子親和力層との間に配置され、前記第１の透明無機半導体材料よりも高い電子親和力を有する第２の透明無機半導体材料によって形成された高電子親和力層と、を備えた積層型電気光学活性有機ダイオードであって、
前記低電子親和力層が少なくとも５０Åの厚さを有することを特徴とする、積層型電気光学活性有機ダイオード。
【請求項２】
前記第１の無機半導体材料は、０.５ｅＶ〜３.５ｅＶの間の電子親和力を有する、請求項１に記載の積層型有機ダイオード。
【請求項３】
前記第２の無機半導体材料は、４ｅＶ〜８ｅＶの間の電子親和力を有する、請求項１または２に記載の積層型有機ダイオード。
【請求項４】
前記低電子親和力層は、２００Åより厚い厚さを有する、請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の積層型有機ダイオード。
【請求項５】
前記高電子親和力層は、少なくとも２０Å、好ましくは２００Åより厚い厚さを有する、請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の積層型有機ダイオード。
【請求項６】
前記第１の無機半導体材料および／または前記第２の無機半導体材料は、前記カソード層の前記材料よりも高い溶融温度を有する、請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の積層型有機ダイオード。
【請求項７】
前記第１の無機半導体材料は、２.７ｅＶよりも大きいバンドギャップ、好ましくは３ｅＶよりも大きいバンドギャップを有する、請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の積層型有機ダイオード。
【請求項８】
前記第１の無機半導体材料は、アルカリ土類金属又はランタノイドのカルコゲニド又は二元酸化物、好ましくはＢａＯ，ＢａＳｅ、Ｌａ2Ｏ3またはＣｅ2Ｏ3を含む、請求項１〜７のうちのいずれか１項に記載の積層型有機ダイオード。
【請求項９】
前記第２の無機半導体材料は、遷移金属の二元酸化物、好ましくはＷＯ3，ＭｏＯ3またはＶ2Ｏ5を含む、請求項１〜８のうちのいずれか１項に記載の積層型有機ダイオード。
【請求項１０】
前記カソード電極層と前記第２電気光学活性有機層との間に配置され、前記カソード電極層に隣接する短絡保護層を更に備え、前記短絡保護層は、無機半導体材料から形成されている、請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の積層型有機ダイオード。
【請求項１１】
前記第２の電気光学活性有機層とカバー層との間に前記カソード層が位置するように前記カソード層の表面に接触した状態に配置された前記カバー層を更に含み、前記カバー層は、このカバー層に接触する前記カソード層の材料に対して実質的に不活性な材料から形成されており、前記不活性な材料は、前記カソード層の表面全体がカバーされ、表面欠陥が解消されるように、前記カソード層の表面に堆積されている、請求項１〜１０のうちのいずれか１項に記載の積層型有機ダイオード。
【請求項１２】
請求項１〜１１のうちのいずれか１項に記載の有機ダイオードを含む照明デバイス、例えばランプ。
【請求項１３】
請求項１〜１１のうちのいずれか１項に記載の有機ダイオードを含むディスプレイデバイス。
【請求項１４】
請求項１〜１１のうちのいずれか１項に記載の有機ダイオードを含む有機太陽電池デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
したがって、これまでの説明から明らかとなる上記およびそれ以外の目的は、アノード電極層と、カソード電極層と、前記電極層の間に配置された第１の電気光学活性有機層と、前記第１の電気光学活性有機層と前記カソード電極層との間に配置された第２の電気光学活性有機層とを備える、積層型電気光学活性有機ダイオードによって達成される。前記第１の電気光学活性有機層と前記第２の電気光学活性有機層との間には、低電子親和力層が配置され、低電子親和力層は第１の透明無機半導体材料によって形成されており、前記第２の電気光学活性有機層と前記低電子親和力層との間には高電子親和力層が配置されており、高電子親和力層は第１の無機半導体材料よりも高い電子親和力を有する第２の透明無機半導体材料によって形成されており、低電子親和力層（１２０）は少なくとも５０Åの厚さを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
低電子親和力層は、２００Åより厚い厚さを有することができる。高電子親和力層は、少なくとも２０Å、好ましくは２００Åより厚い厚さを有することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月30日(2010.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極（１１）の端子（１２）を内部に受け入れる複数の長尺なポケットを区画している、産業用バッテリーの電極用多管式外装において、前記外装が、少なくとも一部が熱成形繊維から成り、且つ、互いに一体にされた複数のステープルファイバーから作られる熱成形不織布から形成され、前記端子と接触する前記外装の表面が、長さ方向へ配向された繊維を含んだ不織布の層を呈している、産業用バッテリーの電極用多管式外装。
【請求項２】
前記複数のステープルファイバーが、スパンレーシングによって互いにニードルパンチされている、請求項１に記載の多管式外装。
【請求項３】
前記熱成形繊維が、中心部に配置される第一のポリエステルと外側に配置される第二のポリエステルとの二つの同軸押し出し成形ポリエステルから成るバイコンポーネントポリエステル繊維から成り、前記第一のポリエステルが、前記外装の熱成形温度よりも高い温度で融解し、他方、前記第二のポリエステルが、前記外装の熱成形温度と同じ又はそれより低い温度で溶解するものである、請求項１又は２に記載の多管式外装。
【請求項４】
前記不織布が、重量で、該不織布の総繊維の４０％〜６０％を占めるポリエステル繊維と、重量で、前記不織布の総繊維の４０％〜６０％を占める前記バイコンポーネントポリエステル繊維を含んでいる、請求項３に記載の多管式外装。
【請求項５】
前記不織布が、重量で、該不織布の総繊維の４０％〜６０％を占める前記バイコンポーネントポリエステル繊維と、重量で、前記不織布の総繊維の４０％〜６０％を占めるポリプロピレン繊維を含んでいる、請求項３に記載の多管式外装。
【請求項６】
前記不織布が、１００％、前記バイコンポーネントポリエステル繊維から構成されている、請求項３に記載の多管式外装。
【請求項７】
前記不織布が、重量で、該不織布の総繊維の４０％〜６０％を占めるポリエステル繊維と、重量で、前記不織布の総繊維の４０％〜６０％を占めるポリプロピレン繊維を含んでいる、請求項１又は２に記載の多管式外装
【請求項８】
前記不織布が、１００％、ポリプロピレン繊維から構成されている、請求項１又は２に記載の多管式外装。
【請求項９】
前記不織布が、重量で、該不織布の８０％〜９０％を占めるステープルファイバーと、重量で、前記不織布の１０％〜２０％を占める結合樹脂を含んでいる、請求項１又は２に記載の多管式外装。
【請求項１０】
前記結合樹脂が、スチレン−ブタジエン又はアクリル樹脂から成る、請求項９に記載の多管式外装。
【請求項１１】
前記ステープルファイバーが、総繊維の１００％に等しい量のポリエステル繊維から成る、請求項９又は１０に記載の多管式外装。
【請求項１２】
前記ステープルファイバーが、重量で、存在する総繊維の８５％に等しい量のポリエステル繊維と、重量で、存在する総繊維の１５％に等しい量のポリプロピレン繊維を含んでいる、請求項９又は１０に記載の多管式外装。
【請求項１３】
前記ステープルファイバーが、重量で、存在する総繊維の８５％に等しい量のポリエステル繊維と、重量で、存在する総繊維の１５％に等しい量のバイコンポーネントポリエステル繊維を含んでいる、請求項３又は９に記載の多管式外装。
【請求項１４】
前記層の繊維が、ポリエステルから作られている、請求項１に記載の多管式外装。
【請求項１５】
前記繊維が、０．１〜４ｄＴｅｘの番手を有している、請求項１〜１３の何れか一項に記載の多管式外装。
【請求項１６】
電極用多管式外装を製造するための方法であって、
スパンレーシングによって、少なくとも一部が熱成形繊維を含んだ複数のステープルファイバーから不織布を作る工程と、
電極（１１）の端子を内部に受け入れる複数の長尺なポケットを形成するために、前記外装の形状に従って前記不織布を熱成形する工程を有し、前記端子に接触する前記外装の面が長さ方向に配向された繊維を有するように前記不織布を製造するための方法。
【請求項１７】
前記不織布が、結合樹脂を含んでいる、請求項１６に記載の、電極用多管式外装を製造するための方法。
【請求項１８】
前記不織布に、平滑カレンダーでホットカレンダリング処置を施す工程を含んでいる、請求項１６又は１７に記載の、電極用多管式外装を製造するための方法。
【請求項１９】
前記繊維の配向が異なった複数の層を含むように前記不織布を製造する、請求項１６〜１８の何れか一項に記載の、電極用多管式外装を製造するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月21日(2010.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記第１部分及び前記第２部分の少なくとも一方に、突起（３８）が形成され、
前記第１部分に形成された前記突起は、対応する前記第２部分に向かって延び、
前記第２部分に形成された前記突起は、対応する前記第１部分に向かって延び、
これらの前記突起は、前記コネクタ組立体が嵌合する際に、互いに向かって延びていることを特徴とする請求項１記載のコネクタ組立体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図示されたコネクタ組立体はハウジングに固定された１対のコネクタコンタクトを有するのに対し、コネクタ組立体を形成するためにハウジングが１個のコネクタコンタクト又は３個以上のコネクタコンタクトを有してもよいことを理解されたい。さらに、隣接するパネル部材を相互接続するために、複数のコネクタ組立体を使用してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
好適な実施形態を参照して本発明を説明したが、当業者であれば、本発明の範囲から逸脱することなく、種々の変更を加え、本発明の要素を等価物に置換できることを理解するであろう。さらに、本発明の本質的な範囲から逸脱することなく、本発明の教示に特定の状況又は材料を適用する多くの変更を加えることができる。従って、本発明は、本発明を実施するために考えられたベストモードとして開示された特定実施形態に限定しないことが意図されているが、特許請求の範囲の技術的範囲内の全ての実施形態を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月21日(2010.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記筒状部（４２）は、該筒状部（４２）に挿入されるリード線に保持力を与える係合機構を有することを特徴とする請求項２記載の表面実装プラグインコネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理方法であって：
処理チャンバ内に配置される膜にドーパントを注入するステップと；
注入された該膜を酸素含有プラズマにさらして、注入された該膜上に酸化物層を形成すると共に注入された該膜を大気中の酸素にさらす前に該膜中に該ドーパントをトラップするステップと；
を含む、前記方法
【請求項２】
該ドーパントが、ヒ素、リン、ホウ素、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該酸素含有プラズマが、酸素ガスから生成される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
注入する該ステップとさらす該ステップが、同一処理チャンバ内で行われる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
該プラズマが、容量結合ソースによって生成され、該プラズマが該容量結合ソースに加えて誘導結合プラズマソースによって生成される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
該プラズマが、誘導結合ソースによって生成される、請求項４記載の方法。
【請求項７】
注入された該膜を該酸素含有プラズマと別に水素含有プラズマにさらすステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
注入された該膜を水素含有プラズマにさらす該ステップが、注入する該ステップ後と酸素含有プラズマにさらす該ステップ前に行われ、水素含有プラズマにさらす該ステップと酸素含有プラズマにさらす該ステップが、複数回行われる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
注入された該膜を水素含有プラズマにさらす該ステップが、注入する該ステップ後と酸素含有プラズマにさらす該ステップ後に行われ、水素含有プラズマにさらす該ステップと酸素含有プラズマにさらす該ステップが、複数回行われる、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
該酸化物層の上にキャッピング層を堆積させるステップであって、該キャッピング層が、炭素層、シリコン層、酸化シリコン層、窒化シリコン層、炭化シリコン層、有機層、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる、前記ステップを更に含み、注入する該ステップ後であってさらす該ステップの前に該膜をエッチングするステップであって、余分なドーパントを除去し、注入された該層をＮＦ３から形成されるプラズマにさらす工程を含む、前記ステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
基板処理方法であって：
処理チャンバ内の基板上に配置される膜にドーパントを注入するステップと；
注入された該膜が大気中の酸素にさらされる前に該ドーパントの注入された膜の上にキャッピング層を堆積させるステップであって、該キャッピング層が、炭素層、シリコン層、酸化シリコン層、窒化シリコン層、炭化シリコン層、有機層、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる、前記ステップと；
を含む、前記方法。
【請求項１２】
注入する該ステップ後であって堆積させる該ステップ前に該膜をエッチングするステップであって、余分なドーパントを除去し、注入された該層をＮＦ３から形成されるプラズマにさらす工程を含む、前記ステップを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
注入する該ステップと堆積させる該ステップが、同一処理チャンバ内で行われる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
基板処理方法であって：
処理チャンバ内の基板上に配置される膜にドーパントを注入するステップと；
注入された該膜を大気中の酸素にさらす前にＮＦ３から形成されるプラズマで、注入された該膜をエッチングすることにより、余分なドーパントを除去するステップと；
を含む、前記方法。
【請求項１５】
該エッチングされた膜を酸素含有プラズマにさらして、注入された該膜上に酸化物層を形成すると共に該膜中に該ドーパントをトラップするステップを更に含み、注入する該ステップとさらす該ステップが同一処理チャンバ内で行われる、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月13日(2010.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【図１】図１は、溶媒中のナノチューブの良い分散と不十分な分散との写真による比較である。
【図２】図２は、乾燥したコロイド状の硫化亜鉛の電子顕微鏡像である。
【図３（ａ）】図３（ａ）は、ＺｎＳ複合体の低倍率の電子顕微鏡像である。
【図３（ｂ）】図３（ｂ）は、図３（ａ）に示されるＺｎＳ複合体の高倍率の電子顕微鏡像であり、ナノチューブを示している。
【図３（ｃ）】図３（ｃ）は、図３（ａ）に示されるＺｎＳ／ＣＮＴ複合体のさらなる高倍率の電子顕微鏡像であり、ＺｎＳで覆われたナノチューブを示している。
【図３（ｄ）】図３（ｄ）は、図３（ｃ）のナノチューブをコーティングしている硫化亜鉛の存在が確認された電子回折プロセスの結果を示している。
【図４】図４は、ナノチューブ／ＺｎＳペレットの写真画像である。
【図５】図５は、カーボンナノチューブを組み込んだＺｎＳゲルの写真画像である。
【図６（ａ）】図６（ａ）は、カーボンナノチューブのペイントを噴霧された基板の写真画像である。
【図６（ｂ）】図６（ｂ）は、カーボンナノチューブのペイントを噴霧された基板の写真画像である。
【図６（ｃ）】図６（ｃ）は、カーボンナノチューブのペイントを噴霧された基板の写真画像である。
【図６（ｄ）】図６（ｄ）は、カーボンナノチューブのペイントを噴霧された基板の写真画像である。
【図６（ｅ）】図６（ｅ）は、カーボンナノチューブのペイントを噴霧された基板の写真画像である。
【図７（ａ）】図７（ａ）は、ポリマ内のナノチューブの分散の写真画像である。
【図７（ｂ）】図７（ｂ）は、ポリマ内のナノチューブの分散の写真画像である。
【図７（ｃ）】図７（ｃ）は、ポリマ内のナノチューブの分散の写真画像である。
【図７（ｄ）】図７（ｄ）は、ポリマ内のナノチューブの分散の写真画像である。
【図８（ａ）】図８（ａ）は、エポキシ樹脂内のカーボンナノチューブの分散の透過電子顕微鏡像である。
【図８（ｂ）】図８（ｂ）は、エポキシ樹脂内のカーボンナノチューブの分散の透過電子顕微鏡像である。
【図９（ａ）】図９（ａ）は、本発明の実施の形態に係わるナノグリッドの電子顕微鏡像であり、孔を増加させたことによるグリッドの透過性の改良を示している。
【図９（ｂ）】図９（ｂ）は、本発明の実施の形態に係わるナノグリッドの電子顕微鏡像であり、孔を増加させたことによるグリッドの透過性の改良を示している。
【図９（ｃ）】図９（ｃ）は、本発明の実施の形態に係わるナノグリッドの電子顕微鏡像であり、孔を増加させたことによるグリッドの透過性の改良を示している。
【図９（ｄ）】図９（ｄ）は、本発明の実施の形態に係わるナノグリッドの電子顕微鏡像であり、孔を増加させたことによるグリッドの透過性の改良を示している。
【図１０】図１０は、硫化亜鉛基板の上にプリントされたナノチューブメッシュの電子顕微鏡像である。
【図１１】図１１は、ドリルフレームの上のナノチューブ／接着複合体のマウントの電子顕微鏡像である。
【図１２】図１２は、電子光学窓のレイアップの概略図である。
【図１３（ａ）】図１３（ａ）は、本発明のさらなる実施の形態に係わる電子光学窓の概略図である。
【図１３（ｂ）】図１３（ｂ）は、本発明のさらなる実施の形態に係わる電子光学窓の概略図である。
【図１３（ｃ）】図１３（ｃ）は、本発明のさらなる実施の形態に係わる電子光学窓の概略図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
反応条件と界面活性剤の選択との範囲を使用して、例１で得られるようなカーボンナノチューブの上に硫化亜鉛の薄層を堆積させるために、溶液とコロイド化学とを使用することが可能である。図３ａは、カーボンナノチューブの良い分散を示す硫化亜鉛／ＣＮＴ複合体の透過電子顕微鏡像を示している。高倍率（図３ｂ）では、分離したそれぞれのナノチューブが見られることができる。さらなる高倍率（図３ｃ）では、独立した単一のナノチューブが、明確に見られることができる。ナノチューブをコーティングした硫化亜鉛の存在は、電子回折により確認された（図３ｄ）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月3日(2010.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ水素化ブロックコポリマー及び光拡散粒子の総重量に基づいて、８０重量パーセントから９９．９重量パーセントの硬質実質的完全水素化ブロックコポリマーと、０．１重量パーセントから２０重量パーセントの、前記水素化ブロックコポリマーマトリックスのものと０．０２またはそれより大きく異なる屈折率を有する光拡散粒子とを含むバルク光拡散剤材料であって、前記ブロックコポリマーが、連続ポリマー相を構成し、前記光拡散粒子が、その連続ポリマー相内の分散相を構成し、前記ブロックコポリマーが、水素化ビニル芳香族ポリマーの少なくとも２つの異なるブロックと水素化共役ジエンポリマーの少なくとも１つのブロックを含み、それによって、前記バルク光拡散剤材料を含む２ミリメートルの厚さのシートは、少なくとも５０％のパーセント総透過率および少なくとも７０％のパーセントヘーズ（ＡＳＴＭ  Ｄ−１００３）を有する、バルク光拡散剤材料。
【請求項２】
前記パーセントヘーズが、１００パーセントまたはそれより小さい、請求項１に記載のバルク光拡散剤材料。
【請求項３】
前記実質的完全水素化ブロックコポリマーが、交互のスチレン系ポリマーブロックと共役ジエンポリマーブロックを含む、請求項１に記載のバルク光拡散剤材料。
【請求項４】
前記実質的完全水素化ブロックコポリマーが、水素化スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー、水素化スチレン−イソプレン−スチレン−イソプレンブロックコポリマー、水素化スチレン−イソプレン−スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー、水素化スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー、水素化スチレン−ブタジエン−スチレン−ブタジエンブロックコポリマー、水素化スチレン−ブタジエン−スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー、水素化スチレン−ブタジエン−スチレン−イソプレンブロックコポリマーおよび水素化スチレン−ブタジエン−スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマーのうちの少なくとも１種である、請求項３に記載のバルク光拡散剤材料。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のバルク光拡散剤材料を含むポリマーフィルムであって、２０ミル（０．５ミリメートル）未満の厚さを有するポリマーフィルム。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載のバルク光拡散剤材料を含むポリマーシートであって、少なくとも２０ミル（０．５ミリメートル）の厚さを有するポリマーシート。
【請求項７】
前記光拡散粒子が、無機材料である、請求項１に記載のバルク光拡散剤材料。
【請求項８】
前記光拡散粒子が、架橋ポリマー粒子である、請求項１に記載のバルク光拡散剤材料。
【請求項９】
前記光拡散粒子が、前記水素化ブロックコポリマーマトリックスと０．０３またはそれより大きく異なる屈折率を有する、請求項１に記載のバルク光拡散剤材料。
【請求項１０】
前記光拡散粒子が、０．１マイクロメートルから１００マイクロメートルの範囲内の平均粒径を有する、請求項１に記載のバルク光拡散剤材料。
【請求項１１】
光を発生させるための光源と；光をそれに沿って誘導するための任意の導光器であって、その導光器からの光を反射するための反射面を含む導光器と；請求項１に記載のバルク光拡散剤材料を含み、前記光源から直接または前記導光器から間接的に光を受容するフィルムまたはシートとを含む、バックライト型ディスプレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月8日(2010.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＺｎＴ８のＣ末端の少なくとも１０アミノ酸からなるＺｎＴ８のフラグメント、
ＺｎＴ８のＣ末端の少なくとも２５アミノ酸からなるＺｎＴ８のフラグメント、
ＺｎＴ８のＣ末端の少なくとも５０アミノ酸からなるＺｎＴ８のフラグメント、
ＺｎＴ８のＣ末端の少なくとも７５アミノ酸からなるＺｎＴ８のフラグメント、
ＺｎＴ８のＣ末端の少なくとも１００アミノ酸からなるＺｎＴ８のフラグメント、
ＺｎＴ８のＣ末端の少なくとも１０１アミノ酸からなるＺｎＴ８のフラグメント、
ＺｎＴ８のＣ末端の少なくとも１０２アミノ酸からなるＺｎＴ８のフラグメント、
ＺｎＴ８のＣ末端の少なくとも１０４アミノ酸からなるＺｎＴ８のフラグメント、および
ＺｎＴ８のＣ末端の少なくとも３５０アミノ酸からなるＺｎＴ８のフラグメント
から選択される、ＺｎＴ８のフラグメント。
【請求項２】
少なくともアミノ酸配列ＳＬＴＩＱＭＥＳ（配列番号２の３４６〜３５３位）を含むか、前記アミノ酸配列で本質的に構成されるか、または前記アミノ酸配列で構成される、ＺｎＴ８のフラグメント。
【請求項３】
配列番号２に関してＥ３５２およびＳ３５３から成る群から選択されたアミノ酸部位を含む、請求項１に記載のフラグメント。
【請求項４】
ＺｎＴ８はヒトＺｎＴ８（配列番号２）である、請求項１に記載のフラグメント。
【請求項５】
配列番号２の３２５位を含む、請求項４に記載のフラグメント。
【請求項６】
ＺｎＴ８は配列番号２の多型バリアントである、請求項１に記載のフラグメント。
【請求項７】
配列番号２の３２５位を含む、請求項１に記載のフラグメント。
【請求項８】
３２５位のアミノ酸はトリプトファンおよびグルタミンから選択される、請求項７に記載のフラグメント。
【請求項９】
ＺｎＴ８のＮ末端の少なくとも１０アミノ酸からなるＺｎＴ８のフラグメント、
ＺｎＴ８のＮ末端の少なくとも２５アミノ酸からなるＺｎＴ８のフラグメント、
ＺｎＴ８のＮ末端の少なくとも５０アミノ酸からなるＺｎＴ８のフラグメント、および
ＺｎＴ８のＮ末端の少なくとも７４アミノ酸からなるＺｎＴ８のフラグメント
から選択される、ＺｎＴ８のフラグメント。
【請求項１０】
配列番号８〜２４または４０〜６５のうちいずれか１つによって表わされるフラグメントを含むか、前記フラグメントで本質的に構成されるか、または前記フラグメントで構成される、ＺｎＴ８のフラグメント。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の任意の２つ以上のフラグメントを含むか、前記フラグメントで本質的に構成されるか、または前記フラグメントで構成される、キメラタンパク質。
【請求項１２】
ＺｎＴ８のＮ末端フラグメントおよびＺｎＴ８のＣ末端フラグメントを含む、請求項１１に記載のキメラタンパク質。
【請求項１３】
キメラタンパク質はＺｎＴ８のＣ末端フラグメントを２つ含み、該フラグメントはそれぞれアミノ酸部位３２５を含み、かつ該フラグメントはそれぞれ３２５位に異なるアミノ酸を含む、請求項１１に記載のキメラタンパク質。
【請求項１４】
１つのフラグメントは３２５位にアルギニンを含み、別のフラグメントは３２５位にトリプトファンを含む、請求項１３に記載のキメラタンパク質。
【請求項１５】
抗ＺｎＴ８抗体が選択的に結合する少なくとも１つのＺｎＴ８エピトープを含む、ＺｎＴ８フラグメントまたはＺｎＴ８相同体。
【請求項１６】
抗ＺｎＴ８抗体は個体から得られた抗体である、請求項１５に記載のＺｎＴ８フラグメントまたはＺｎＴ８相同体。
【請求項１７】
前記個体は１型糖尿病であるか、または１型糖尿病の疑いがある、請求項１５に記載のＺｎＴ８フラグメントまたはＺｎＴ８相同体。
【請求項１８】
天然に存在するＺｎＴ８タンパク質との同一性が９９％未満であり、かつ配列番号２に少なくとも９０％同一なタンパク質を含み、
該タンパク質は、配列番号２の３２５位を含み、３２５位のアミノ酸はアルギニン、トリプトファンおよびグルタミンから選択される、ＺｎＴ８相同体。
【請求項１９】
自己免疫疾患にかかりやすいか、または自己免疫疾患を発症しつつある個体を診断する方法であって、該個体由来の試験試料中のＺｎＴ８に選択的に結合する抗体を検出することを含み、該個体において陰性対照と比較して抗体の増加が検出されるとその個体は自己免疫疾患にかかりやすいかまたは自己免疫疾患を発症しつつあることが示されることを特徴とする方法。
【請求項２０】
３２５位のアミノ酸がアルギニン、トリプトファンおよびグルタミンから選択されたアミノ酸であるヒトＺｎＴ８に選択的に結合する抗体を検出することを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
自己免疫疾患は１型糖尿病である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
個体における１型糖尿病自己免疫の、初期の良性の自己反応性から破壊的な膵島炎への進行を監視する方法であって、該個体由来の試験試料中のＺｎＴ８に選択的に結合する抗体を検出することを含み、該個体において、同じ個体の以前の抗体測定と比較して抗体の増加が検出されると、該個体が破壊的な膵島炎に向かって進行していることが示されることを特徴とする方法。
【請求項２３】
３２５位のアミノ酸がアルギニン、トリプトファンおよびグルタミンから選択されたアミノ酸であるヒトＺｎＴ８に選択的に結合する抗体を検出することを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
糖尿病前症の個体における、１型糖尿病の予防、１型糖尿病の発症の遅延、または自己免疫の軽減のための治療の有効性を観察する方法であって、該個体由来の試験試料中のＺｎＴ８に選択的に結合する抗体を検出することを含み、該個体において、同じ個体の以前の抗体測定と比較して抗体の減少またはほぼ同レベルの抗体が検出されると、治療が有効であることが示され、また該個体において、同じ個体の以前の抗体測定と比較して抗体の増加が検出されると、治療が有効ではないことが示されることを特徴とする方法。
【請求項２５】
３２５位のアミノ酸がアルギニン、トリプトファン、およびグルタミンから選択されたアミノ酸であるヒトＺｎＴ８に選択的に結合する抗体を検出することを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
該方法は、放射免疫沈降アッセイ、ＥＬＩＳＡ、時間分解蛍光アッセイ、競合的ユーロピウムアッセイおよび発光アッセイからなる群から選択されたアッセイの使用を含む、請求項１９−２５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】
該方法は、ＺｎＴ８またはそのフラグメントもしくはバリアントの使用を含む、請求項１９−２５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】
請求項１９−２５のいずれか１項に記載の方法を実施するためのアッセイ・キットであって、
（ａ）ＺｎＴ８タンパク質またはそのバリアントもしくはフラグメント；
（ｂ）ＺｎＴ８に選択的に結合する抗体を検出するための１もしくは複数の試薬
を含むキット。
【請求項２９】
ＺｎＴ８、ＺｎＴ８のバリアント、ＺｎＴ８のフラグメント、ＺｎＴ８の合成ミメティック、または前記ＺｎＴ８、前記ＺｎＴ８の相同体もしくは前記ＺｎＴ８のフラグメントに結合する抗体の、本明細書中に詳述されているような診断方法、予後判定方法または治療方法における使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
グルタミン酸受容体のＡＭＰＡ形態の機能を強化する化合物は、多くの実例で測定されるように、齧歯動物及び人間におけるＬＴＰの誘導及び学習作業の習得を促進する。例えば、非特許文献３〜１５及び特許文献１を参照。ＬＴＰが記憶の基礎であることを示す多数の証拠がある。例えば、ＬＴＰを妨げる化合物は、動物において記憶形成を妨げる。また、非特許文献１６によって報告されるように、人間において学習を崩壊させる特定の薬剤は、ＬＴＰの安定化に反対に作用する。単純な作業を学ぶことは、高周波刺激によって生成されたＬＴＰを遮断する海馬においてＬＴＰを誘発し（非特許文献１７）、ＬＴＰを維持する作用が空間記憶を持続する（非特許文献１８）。学習の分野において非常に重要なのは、ポジティブＡＭＰＡ型グルタミン酸受容体の調節因子による生体治療が、中年動物における基底樹状突起のＬＴＰの安定を復元させることの発見である（非特許文献１９）。
興奮性シナプス伝達は、特定の脳領域内で神経栄養因子が上昇する主要な経路を与える。このように、調整因子によるＡＭＰＡ受容体機能の増強は、ニューロトロフィン、特に脳由来神経栄養因子（ＢＤＮＦ）のレベルを上昇させることが分かった。例えば、非特許文献２０、特許文献２、非特許文献２１及び非特許文献２２を参照。他の研究は、ＢＤＮＦレベルを、いくつかの神経障害、例えばパーキンソン病、注意欠陥多動性障害（ＡＤＨＤ）、自閉症、脆弱Ｘ症候群、及びレット症候群（ＲＴＴ）と結びつけた。例えば、非特許文献２３〜２６を参照。したがって、ＡＭＰＡ受容体増強剤は、これらの神経疾患及びグルタミン酸作動性の不均衡又は神経栄養因子の不足の結果である他の神経疾患にとって、有用であると考えられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ＡＭＰＡ受容体媒介反応を上昇する本発明の化合物の能力により、化合物は様々な用途に有用である。これらとしては、グルタミン酸受容体に依存する挙動の学習を促進すること、ＡＭＰＡ受容体又はこの受容体を利用するシナプスの数又は能力が低減した状態を治療すること、小区域間での不均衡を回復させる又は神経栄養因子のレベルを上昇させるために興奮性シナプス活性を強化することが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月4日(2010.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蒸気タービン発電所並びに蒸気タービン発電所の高圧タービンの蒸気質量流量を増大する方法
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月27日(2010.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重量％で、８０〜９０のＷＣ、５〜１５のＴｉＣならびに５〜１０のＮｉ、Ｍｏ、ＣｒおよびＣｏの和であって、重量％で４０〜６０のＮｉまたは（Ｎｉ＋Ｃｏ）、２０未満のＭｏ、１５〜４０のＣｒの量であるＮｉ、Ｍｏ、ＣｒおよびＣｏの和からなる超硬合金工具であって、１μｍ未満の非常に微細な粒子の５０μｍ未満の小さな星として均一に分散している１〜１０体積％のイータ相を与える不足当量の炭素含有量を持つ、アルミニウムまたはスチール飲料缶の製造の深絞りおよびしごき加工用の超硬合金工具。
【請求項２】
（Ｎｉ＋Ｃｏ）の最大で３０重量％がＣｏである請求項１に記載の超硬合金工具。
【請求項３】
重量％で、８０〜９０のＷＣ、５〜１５のＴｉＣならびに５〜１０のＮｉ、Ｍｏ、ＣｒおよびＣｏの和であって、重量％で４０〜６０のＮｉまたは（Ｎｉ＋Ｃｏ）、２０未満のＭｏ、１５〜４０のＣｒの量であるＮｉ、Ｍｏ、ＣｒおよびＣｏの和からなる超硬合金工具であって、１μｍ未満の非常に微細な粒子の５０μｍ未満の小さな星として均一に分散している１〜１０体積％のイータ相を与える不足当量の炭素含有量を持つ、管状ケーシングの製造の深絞りおよびしごき加工用の超硬合金工具。
【請求項４】
（Ｎｉ＋Ｃｏ）の最大で３０重量％がＣｏである請求項３に記載の超硬合金工具。
【請求項５】
重量％で、８０〜９０のＷＣ、５〜１５のＴｉＣならびに５〜１０のＮｉ、Ｍｏ、ＣｒおよびＣｏの和であって、重量％で４０〜６０のＮｉまたは（Ｎｉ＋Ｃｏ）、２０未満のＭｏ、１５〜４０のＣｒの量であるＮｉ、Ｍｏ、ＣｒおよびＣｏの和からなる超硬合金工具であって、１μｍ未満の非常に微細な粒子の５０μｍ未満の小さな星として均一に分散している１〜１０体積％のイータ相を与える不足当量の炭素含有量を持つ、スチールワイヤの絞り加工用の超硬合金工具。
【請求項６】
（Ｎｉ＋Ｃｏ）の最大で３０重量％がＣｏである請求項５に記載の超硬合金工具。
【請求項７】
重量％で、８０〜９０のＷＣ、５〜１５のＴｉＣならびに５〜１０のＮｉ、Ｍｏ、ＣｒおよびＣｏの和であって、重量％で４０〜６０のＮｉまたは（Ｎｉ＋Ｃｏ）、２０未満のＭｏ、１５〜４０のＣｒの量であるＮｉ、Ｍｏ、ＣｒおよびＣｏの和からなり、１μｍ未満の非常に微細な粒子の５０μｍ未満の小さな星として均一に分散している１〜１０体積％のイータ相を与える不足当量の炭素含有量を持つ深絞りおよびしごき加工工具。
【請求項８】
（Ｎｉ＋Ｃｏ）の最大で３０重量％がＣｏである請求項７に記載の工具。
【請求項９】
重量％で、８０〜９０のＷＣ、５〜１５のＴｉＣならびに５〜１０のＮｉ、Ｍｏ、ＣｒおよびＣｏの和であって、重量％で４０〜６０のＮｉまたは（Ｎｉ＋Ｃｏ）、２０未満のＭｏ、１５〜４０のＣｒの量であるＮｉ、Ｍｏ、ＣｒおよびＣｏの和からなり、１μｍ未満の非常に微細な粒子の５０μｍ未満の小さな星として均一に分散している１〜１０体積％のイータ相を与える不足当量の炭素含有量を持つ深絞りダイ。
【請求項１０】
（Ｎｉ＋Ｃｏ）の最大で３０重量％がＣｏである請求項９に記載の深絞りダイ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月9日(2010.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特に食品、とりわけ適切な包装材料で包装されることが好ましい、プロセスチーズ、固形スープの素、バター、マーガリンなどのペースト状食品用の包装装置（１０）であって、設置フレーム（１２）と、形成される包装品を供給する手段（１４）と、包装品に被覆シートを貼り付ける貼付け手段（１６）と、被覆シート材料（１９）から被覆シートを切り出す被覆シート切断手段（２０）と、
を備え、
上記切断手段（２０）は、対の被覆シート（１，２；３，４）として被覆シートを切り出し、このとき、上記切断手段によって切り出される各対の被覆シート（１，２；３，４）における被覆シート（１，２；３，４）は、互いに反対方向を向いており、すなわち、第１の対の被覆シート（１，２）の各先端は外側を向いており、第２の対の被覆シート（３，４）の各先端は内側を向いていることを特徴とする包装装置（１０）。
【請求項２】
被覆シート材料ロール（１９）の取付け手段（１８）を備え、該手段が、設置フレーム（１２）に面する供給手段（１４）の側とは反対側となる供給手段の側に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
被覆シート材料ロール（１９）の取付け手段（１８）を備え、該手段が、設置フレーム（１２）の側とは反対側となる供給手段（１４）の長手方向の側部に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
被覆シート材料ロール（１９）の取付け手段（１８）を備え、該手段が供給手段（１４）の脇に設けられていることを特徴とする請求項２または３に記載の装置。
【請求項５】
被覆シートをつくるために使用される材料を供給する手段を備え、該手段は、形成される包装品の供給方向と平行な方向に上記材料（１９ｂ）を前進させることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
上記被覆シート切断手段（２０）は、設置フレーム（１２）に面する側とは反対となる供給手段（１４）の側に設けられることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
上記被覆シート切断手段（２０）は、設置フレーム（１２）に面する側とは反対となる供給手段（１４）の長手方向の側に設けられることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
上記被覆シート切断手段（２０）は、供給手段（１４）の脇に設けられることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
上記被覆シート材料（１９）から複数の被覆シートを同時に切り出す被覆シート切断手段（２０）を備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
被覆シートをつくるために上記切断手段によって切り出される形状が、底辺と、この底辺から先端へ向かって互いに収束している長手方向の辺と、によって画定されることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
上記切断手段は、第１の対の被覆シート（１，２）および第２の対の被覆シート（３，４）を同時に切り出すように設計されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
上記切断手段は、互いに反対方向を向いた長手方向に連続する被覆シート（１と３；２と４）を切り出すように設計されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】
上記切断手段は、連続する被覆シートのそれぞれの長手方向の縁部を分離する斜めの切断線に沿って、長手方向に連続する被覆シート（１と３，２と４）を切断するように設計されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
上記切断手段（２０）は、第１の切刃（２２ａ，２２ｂ）および第２の切刃（２４ａ，２４ｂ）を有するブレード手段からなることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
上記切断手段（２０）は、互いに収束する第１の切刃（２２ａ，２２ｂ）および第２の切刃（２４ａ，２４ｂ）を有するブレード手段からなることを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
上記切断手段（２０）は、第１の切刃（２２ａ，２２ｂ）および第２の切刃（２４ａ，２４ｂ）を有するブレード手段からなり、それぞれの切刃のなす角が９０°よりも大きくなるように配置されていることを特徴とする請求項１４または１５に記載の装置。
【請求項１７】
上記切断手段は、それぞれの切刃（２２ａ，２２ｂ）を有する第１のブレードと、第１のブレードの少なくとも１つの対応する切刃と実質的に互いに収束する少なくとも１つの切刃（２４ａ，２４ｂ）を有する第２のブレードと、からなることを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の装置。
【請求項１８】
上記切断手段は、それぞれの切刃（２２ａ，２２ｂ）を有する第１のブレードと、第１のブレードの少なくとも１つの切刃とのなす角が９０°よりも小さくなるように配置された少なくとも１つの切刃（２４ａ，２４ｂ）を有する第２のブレードと、からなることを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月8日(2010.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
沈降シリカのコーティングを有する研磨沈降シリカ物質であって、前記沈降シリカのコーティングは、それが施された物質よりも高密度であり、前記コーティングされた沈降シリカ物質は、５．５〜８ミクロンの間のメジアン粒径、最大約２．４ｍ２／ｇの、５００オングストロームより大きい直径を有する細孔についての細孔面積、そして、前記物質を１４０°Ｆ（６０℃）で７日間熟成した後の％セチルピリジニウム親和性が少なくとも９０％を示す研磨沈降シリカ物質。
【請求項２】
請求項１に記載の前記研磨沈降シリカ物質において、少なくとも９２％の％ＣＰＣ親和性を呈する研磨沈降シリカ物質。
【請求項３】
請求項２に記載の前記研磨沈降シリカ物質において、少なくとも９６％の％ＣＰＣ親和性を呈する研磨沈降シリカ物質。
【請求項４】
請求項１のシリカ物質を含む歯磨き剤。
【請求項５】
請求項２のシリカ物質を含む歯磨き剤。
【請求項６】
請求項３のシリカ物質を含む歯磨き剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
したがって、本発明は、沈降シリカの濃密相コーティングを有する研磨沈降シリカ物質を含み、そのコーティングされた沈降シリカ物質は、５．５〜８ミクロンの間のメジアン粒径、最大約２．４ｍ２／ｇの、５００オングストロームより大きい直径を有する細孔についての細孔面積、そして、１４０°Ｆ（６０℃）で７日間熟成後の％ＣＰＣ親和性が少なくとも９０％を示す。また、本発明中に含まれる研磨シリカ物質の製造方法は、以下の一連のステップを含む：ａ）  第１のシリカ物質を形成するため、ケイ酸塩の合計量の５〜２５質量％／重量比での任意の電解質の存在下で、ケイ酸塩の第１の量及び酸の第１の量を共に高せん断混合条件下で反応；そして、ｂ）  前記第１のシリカ物質の表面上に濃密相コーティングを形成するために、ケイ酸塩の合計量の５〜２５質量％／重量比での任意の電解質の存在下で、前記第１のシリカ物質、ケイ酸塩の第２の量および酸の第２の量を同時存在下で反応、その結果、シリカ被覆シリカ物質を形成し、前記電解質は前記ステップ“ａ”、“ｂ”のどちらにでも、また両方のステップに存在し、前記ステップ“ｂ”は高せん断混合条件の下で任意に実行される。得られたシリカ被覆シリカ物質は、同じように加香料との高い親和性レベルと同様に、極めて高いＣＰＣ親和性レベルを示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本願明細書において記載される技術に従って測定されるように、ＣＰＣ親和性がシリカ全体の細孔面積に関連がないということが判明した。しかし、その代わりに、ＣＰＣ親和性はほぼ５００オングストロームより大きいサイズを有する細孔の累積細孔面積に直接関連がある。一般に、シリカ製品における５００オングストロームを超える細孔の減少に優れるほど、より良好な％ＣＰＣ親和性が達成される。約５００オングストローム未満の細孔サイズの存在を減らすことは、達成されるＣＰＣ親和性に大きく影響しない。このように、驚くべきことに、一定量の電解質（例えば制限されない例の一つとして、硫酸ナトリウム粉）の包含がこの種の５００オングストローム細孔サイズに起因している累積細孔面積を減少させる、より大きな能力を与えると分かった。同様に、この種の細孔面積低減は、反応状態同様に高せん断混合で強化され得ることが分かった（例えば、制限されない例の一つとして、Ｓｉｌｖｅｒｓｏｎ  ＬＳ４５０型ミキサーなどのミキサー装置を使って、１００Ｌの／分の流れ率および５８００回転数／分とする）。それは、いかなる科学理論に制限される意図なしに、この種の高いせん断混合条件が粒子の相互凝集塊を減らし、大量の沈降シリカと、従来生成されたシリカ物質の細孔に圧入される電解質（例えば硫酸ナトリウム粉）と、同様に、その上に鋭い刃を減らしたことにより最終的な製品の摩耗性を減らす可能性があると信じられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
一つの態様では、細孔面積減少プロセスは、水銀圧入で測定されるように、１グラムにつき好ましくは約７平方メートル未満、１グラムにつきより好ましくは、約６平方メートル未満、１グラムにつき約８平方メートル未満の約５００オングストロームを超える細孔サイズのために、活性シリカの堆積が割合で、そして、細孔面積を提供するのに効果的な量においてあることを確実にするために、適切に操作される。それも、細孔面積減少プロセスを経なかったシリカ粒子と比較して、それに対してＣＰＣの結合を減らすのに効果的な量においてなければならない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
硫酸水素ナトリウム０．２ｇを水１８ｍｌに溶解し、しかる後、１０Ｎの硫酸を１．２ｍｌ添加し、さらにその混合物に対し、丁寧に攪拌しつつ、３０％の過酸化水素水３．８ｍｌを添加した。前記溶液に対して、滴下手法を用い、１５分間以内で１５．７ｍｌの亜塩素酸ナトリウム溶液（２５％）を添加した。この溶液は、色が茶から黄緑に変化し、安定した状態を保った。