【事件の表示】
　平成　６年特許願第２９５８５６号「エレクトロルミネッセンス素子およびエレクトロルミネッセンス素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　５月３１日出願公開、特開平　８−１３８８６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成６年１１月４日の出願であって、平成１６年４月９日付けで拒絶査定がなされ、平成１６年５月１２日付けで審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成１５年１０月１７日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの以下のものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「少なくとも光の取り出し側の材料を光学的に透明なもので積層したエレク
トロルミネッセンス素子であって、　II−VI族化合物を母体材料とし、一種類の発光中心元素を添加した発光層中に、前記母体材料を構成しているII族元素とイオン半径の異なる第二のII族元素を添加し、発光層中の発光中心元素の添加量Ｄa と、前記発光層に添加する前記第二のII族元素の添加量Ｄb との比、
　　　　【数　１】
　　      　　　　　　　　　　Ｄa ／Ｄb 　　　　　　
が、0.05以上40以下であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。」
　
３．引用刊行物に記載された発明
　本願出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された特開平４−１２１９９２号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、「エレクトロルミネッセンス素子の製造方法」の発明に関して、以下の事項が記載されている。
＜記載事項１＞
「すなわち、本発明の概要は一般式MＳまたはSrGa2S4で表せる硫化物を母材とする発光層を分圧が20Pa以上の硫化性ガス雰囲気中、650℃以上850℃以下の温度で１時間以上加熱処理を行うことを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。但し、上記一般式において、ＭはCa、Ｚｎ、およびＳｒとＣａ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、から選ばれる１種以上との合金のうち何れかであり、Ｓは硫黄である。
  本発明における一般式MSで表せる硫化物の中でもCaS、SrｘCa１−ｘS、ＳｒXBa1-XS、ZnS、SrXZn1-XS、は高輝度を示し好ましい。中でも、SrSを主成分とする金属硫化物は硫化性ガスによるアニールの効果が大きく好ましく、上記一般式中ｘは0.6以上１未満が好ましい。」（第３ページ左上欄第１〜１７行）
＜記載事項２＞
「本発明の発光層中にドープされる発光中心としては特に限定されないが、Ce、Eu、Pr、Tb、Tm、Sm、Nd、Dy、Ho、Er、Mn、Cu等から選ばれる１種又は２種以上を挙げることができる。中でもCeを発光中心として含む場合が高輝度発光を示すために好ましい。発光中心は金属で添加しても化合物で添加してもかまわない。例えば、Ceの場合は、Ce、CeF3、CeCl3、CeI3、CeBr3、Ce2S3、Euの場合はEu、EuF3、EuCl3、EuI3、EuBr3、Eu2S3、Prの場合は、Pr、PrF3、PrCl3、PrI3、PrBr3、Pr2S3、Tmの場合は、Tm、TmF3、TmCl3、TmI3、TmBr3、Tm2S3、Smの場合は、Sm、SmF3、SmCl3、SmI3、SmBr3、Sm2S3、Ndの場合は、Nd、NdF3、NdCl3、NdI3、NdBr3、Nd2S3、Dyの場合は、Dy、DyF3、DyCl3、DyI3、DyBr3、DyS2S3、Hoの場合は、Ho、HoF3、HoCl3、HOI3、HoBr3、Ho2S3、Erの場合は、Er、ErF3、ErCl3、ErI3、ErBr3、Er2S3、Mnの場合は、Mn、MnF2、MnCl2、MnI2、MnBr2、MnS、Cuの場合はCu、CuF、CuF2、CuCl、CuCl2、CuI、CuI2、CuBr、CuBr2、Cu2S、CuSが挙げられる。発光中心の濃度は特に限定されないが、あまり少ないと発光輝度が上がらず、又、あまり多すぎると発光層の結晶性が悪くなったり、濃度消光が起って輝度が上がらない。好ましくは母体に対して0.01〜5mol％、より好ましくは0.05〜2mol％の範囲である。」（第３ページ右下欄第１０行〜第４ページ右上欄第５行）
＜記載事項３＞
「［実施例］
  以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例１および比較例１
  反応性スパッタ法により、ガラス基板上（HOYA株式会社製,NA−40）に厚さ約1000ÅのITO電極を形成した。
  さらに、Taターゲット、及びSiO2ターゲットを用いて、酸素30％、アルゴン70％の混合ガスを導入して反応性スパッタ蒸着を行い、厚さ4000ÅのTa2O5と厚さ1000ÅのSiO2を順次形成し、絶縁層とした。
  続いてZnSターゲットを用いてアルゴンガス中のスパッタ蒸着により厚さ約1000ÅのZnS薄膜を作製した。その後SrSとZnSを９対１のモル比で混合し、さらに0.3mol％のCeF3及びKClを混合した粉末をターゲットに用い、2mol％の硫化水素を含むArガスを30mTorrの圧力で導入して、基板温度250℃でスパッタ蒸着を行い、厚さ約6000ÅのSr0.9Zn0.1S:Ce膜を作製した。このようにして得られた膜を硫化水素を10mol％含むArガスを100ml/minで流しつつ、720℃で、４時間加熱処理した。
  次に再びスパッタ法により、厚さ約1000ÅのZnS及びSiOSr2と厚さ4000ÅのTa2O5を順次形成し絶縁層とした。
  次にAlを真空蒸着して上部電極とした。下部電極は発光層及び絶縁層の一部を剥離させてITO電極を露出し、これを用いた。
  硫化水素中で加熱処理した素子の最大輝度は、5KHz、sin波駆動で4000cd/m2であった。比較のために、加熱処理をAr中で行い、他は実施例１と同様にして作製した素子の最高輝度は500cd/m2であった。」（第５ページ左上欄第１１行〜同左下欄第５行）
　
　そして、記載事項３に記載された方法よって製造されたエレクトロルミネッセンス素子は、ガラス基板の上に、ＩＴＯの下部電極、Ｔａ２Ｏ５の絶縁層とＳｉＯ２の絶縁層、ＺｎＳ薄膜、Ｓｒ０．９Ｚｎ０．１Ｓ：Ｃｅ膜の発光層、ＺｎＳ薄膜、ＳｉＯ２の絶縁層、Ｔａ２Ｏ５の絶縁層、及びAlの上部電極からなる各層を積層したエレクトロルミネッセンス素子であることは明らかである。
　また、上記Ｓｒ０．９Ｚｎ０．１Ｓ：Ｃｅ膜の発光層は、ＳｒＳにＺｎＳをモル比９対１で添加し、また０．３ｍｏｌ％のＣｅを添加した発光層である。
　
　したがって、上記記載事項１ないし３に基づけば、引用刊行物には、
「各層が積層されたエレクトロルミネッセンス素子であって、ＳｒＳにＺｎＳをモル比９対１で混合し、また０．３ｍｏｌ％のＣｅを添加した発光層を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
４．対比
　本願発明と引用発明とを比較する。
　引用発明の「Ｃｅ」は、本願発明の「一種類の発光中心元素」に相当する。
　また、引用発明の「発光層」は、ＳｒＳにＺｎＳをモル比９対１で混合し、０．３ｍｏｌ％のＣｅを添加した発光層であるので、引用発明の「ＳｒＳ」は、本願発明の「発光層の母体材料であるII−VI族化合物」に相当し、引用発明の「Ｓｒ」は、本願発明の「母体材料を構成しているII族元素」に相当する。
　さらに、引用発明の「Ｚｎ」は、発光層の母体材料であるＳｒＳのＳｒ元素とイオン半径が異なるII族元素であるので、本願発明の「第二のII族元素」に相当する。　
　
　本願明細書の段落【００２２】（ｄ）の「(d) 発光層成膜後、発光層中のセリウム(Ce)およびバリウム(Ba)の濃度を電子プローブＸ線マイクロアナライザー(EMPA)で分析した結果セリウム(Ce)が0.26at% 、バリウム(Ba)が0.2at%であった。よってこの時の発光層中の発光層中心元素と添加したイオン半径の異なる第二のII族元素の比(Ce/Ba) は1.3 である。」なる記載を参照すると、本願発明の「Ｄａ／Ｄｂ」は、添加される各元素の原子数の比である。
　そして、引用発明の発光中心元素である「Ｃｅ」の添加量をＤａ、発光層の母体材料であるＳｒＳに添加するII族元素の「Ｚｎ」の添加量をＤｂとすると、Ｄａ／Ｄｂは、記載事項３によるとモル比で０．３ｍｏｌ％／１０ｍｏｌ％＝０．０３であり、また、引用刊行物には、引用発明のＣｅの化合物はＣｅＦ３であり、Ｚｎの化合物はＺｎＳであることが記載されているので、引用発明において、発光層中のＣｅとＺｎの各原子数の比は上記モル比と等しい０．０３となる。
　
　したがって、両者は、
「エレクトロルミネッセンス素子であって、II−VI族化合物を母体材料とし、一種類の発光中心元素を添加した発光層中に、前記母体材料を構成しているII族元素とイオン半径の異なる第二のII族元素を添加したことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。」の点で一致し、以下の点で相違する。
[相違点１]
　本願発明は、少なくとも光の取り出し側の材料を光学的に透明なもので積層しているのに対して、引用発明は、各層が透明か否かについて規定されていない点。
[相違点２]
　発光中心元素の添加量Ｄa と、発光層に添加する第二のII族元素の添加量Ｄb との比が、本願発明は、０．０５以上４０以下であるのに対して、引用発明は、０．０３である点。
　
５．当審の判断
　上記相違点について検討する。
（１）相違点１
　少なくとも光の取り出し側の材料を光学的に透明なもので積層したエレクトロルミネッセンス素子は、例示するまでもなく周知に過ぎないので、相違点１に係る本願発明の構成要件は格別なものではない。
　
（２）相違点２
　引用刊行物の「本発明の発光層中にドープされる発光中心としては特に限定されないが、（中略）発光中心の濃度は特に限定されないが、あまり少ないと発光輝度が上がらず、又、あまり多すぎると発光層の結晶性が悪くなったり、濃度消光が起って輝度が上がらない。好ましくは母体に対して0.01〜5mol％、より好ましくは0.05〜2mol％の範囲である。」（記載事項２）なる記載中の上記「母体」について検討する。
　引用刊行物には、発光中心は発光層中にドープされる点（記載事項２）、発光層は例えば、ＳｒｘＺｎ１−ｘＳのような一般式ＭＳで表される硫化物を母材とする点（記載事項１）が記載されているので、上記「母体」は、発光層において、ＳｒｘＺｎ１−ｘＳのような一般式ＭＳで表される硫化物からなる母材を意味することは明らかである。
　そして、引用刊行物の記載全体をみれば、発光層中の母材に対する発光中心の好ましい上記濃度の範囲は、引用発明を含む引用刊行物に記載された具体的な母材と具体的な発光中心の組み合わせについて当てはまるといえる。
　してみると、引用発明は、ＳｒＳにＺｎＳをモル比９対１で混合し、また０．３ｍｏｌ％のＣｅを添加した発光層、即ち、発光層Ｓｒ０．９Ｚｎ０．１Ｓの母材にＣｅなる発光中心を０．３ｍｏｌ％添加された発光層を有するが、Ｓｒ０．９Ｚｎ０．１Ｓの母材に対して発光中心のＣｅを、記載事項２のように０．０１〜５mol％の割合で添加することは、引用刊行物に示唆されているといえる。
　Ｃｅを０．０１〜５mol％の割合でＳｒ０．９Ｚｎ０．１Ｓの母材に添加した場合には、上記Ｄa ／Ｄbの比は、０．０１〜５ｍｏｌ％／１０ｍｏｌ％＝０．００１以上０．５以下となる。
　そして、上記Ｄa ／Ｄbの比である「０．００１以上０．５以下」の数値範囲は、本願発明の「０．０５以上４０以下」の数値範囲と一部重複するとともに、上記引用刊行物に示唆されている上記Ｄa ／Ｄbの比の上限値「０．５」は、本願発明の第二実施例における「０．５」と一致する。
　
　したがって、相違点２に係る本願発明の構成要件は、引用刊行物に示唆されたものに比して格別なものとはいえない。
　
　次に、本願発明における「Ｄa ／Ｄb が、０．０５以上４０以下であること」（以下「数値限定」という。）について検討する。
　上記数値限定の意味は、発光中心元素の添加量Ｄa と、発光層に添加する第二のII族元素の添加量Ｄｂは、いずれの元素が多く添加されてもよいが、両元素の割合の下限値及び上限値を規定したものといえる。
　また、本願明細書及び図面には、上記数値限定に関連して以下の記載がなされている。
（１）本願明細書の段落【００２６】には、「図３に示したように、発光層中の発光中心元素の添加量と、発光層に添加するイオン半径の異なる第二のII族元素の添加量との比、（発光層中の発光中心元素の添加量）／（発光層中に添加するイオン半径の異なるII族元素の添加量）が０．０５以上４０以下、さらに望ましくは図３から明らかなように、０．０５以上１０以下の範囲が良い。」と記載されている。
（２）本願明細書の段落【００１９】〜【００２６】を参照すると、図３には、硫化ストロンチウム(SrS) を母体材料とし、発光中心としてセリウム(Ce)を添加し、イオン半径の異なるII族元素として硫化バリウム(BaS) を添加した本願発明の第一実施例における発光強度を示したグラフが記載されている。
（３）同段落【００２５】には、「なお、発光層中の発光中心の添加量は、少なすぎると発光輝度が低下し、多すぎると濃度消光によって発光輝度および発光効率が低下するため、0.01〜5 at% が好ましい。より好ましくは、発光輝度、発光効率が特に優れている0.05〜2 at% が良い。」と記載されている。
（４）同段落【００２６】には、「発光層中のイオン半径の異なる第二のII族元素の添加量についても、濃度が少なすぎると本発明の効果は得られず、多すぎると発光層の結晶性が悪くなり発光輝度が低下してしまい」と記載されている。
　
　しかしながら、本願明細書には、他の実施例２〜４の場合、上記数値限定の範囲が0.05以上40以下であることが説明されておらず、前記各実施例に対して、上記Ｄa ／Ｄb が特定の比、即ち０．５、１．７、及び２．０が記載されているだけである。
　さらに、本願明細書には、母体材料、発光中心元素、及び第二のII族元素が特定されず、また発光中心元素、及び第二のII族元素の添加量の範囲が限定されていない本願発明においても、図３に示されるような、発光強度の特性が得られる理論的な説明もされていない。
　
　したがって、本願明細書の記載及び図面の記載を参酌すると、本願発明は、母体材料、発光中心元素、及び第二のII族元素が特定されず、さらに発光中心元素、及び第二のII族元素の添加量の範囲も限定されていないので、本願発明において、Ｄa ／Ｄb を0.05以上40以下と数値限定した点に技術的な意義があるとはいえず、ましてや、上記のように数値限定した点に臨界的な意義があるともいえない。
　　
　以上をまとめると、相違点２に係る本願発明の構成要件は、引用刊行物に示唆されたものに比して格別なものではなく、また、本願発明の「０．０５以上４０以下」と数値限定した点に技術的な意義があるとはいえず、ましてや臨界的な意義があるということもできない。
　
　よって、相違点２に係る本願発明の構成要件は、母体材料、発光中心元素、及び第二のII族元素の各々の種類、並びに発光中心元素及び第二のII族元素の添加量に応じて、当業者が適宜に規定し得る事項であり、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　
　また、本願発明の効果は、引用刊行物の記載及び周知事項から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。　
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。