Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年4月13日(2010.4.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a.親細胞集団の親細胞のミスマッチ修復を阻害する工程、
b.該親細胞をインキュベートして突然変異生成を可能にし、それによって超突然変異娘細胞を生成する工程、
c.該親細胞集団と比べて改善された増殖特性を有する超突然変異娘細胞を検出する工程；および
d.該改善された増殖特性を有する超突然変異娘細胞の遺伝的安定性を元に戻す工程
を含み、該改善された増殖特性がより速い増殖速度、高細胞密度での増大された生体分子生成、または高細胞密度での増大された細胞生存能力である、親細胞集団と比べて改善された増殖特性を有する細胞を生成する方法。
【請求項２】
前記親細胞が抗体産生細胞である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記親細胞のミスマッチ修復を阻害する工程がミスマッチ修復の化学インヒビターに前記親細胞を曝露する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記親細胞のミスマッチ修復を阻害する工程がミスマッチ修復のタンパク質インヒビターに前記親細胞を曝露する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記インキュベートする工程が少なくとも20回の継代の間、前記超突然変異細胞を継代する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記遺伝的安定性を元に戻す工程が前記超突然変異娘細胞から前記化学インヒビターを除去する工程を含む、請求項３記載の方法。
【請求項７】
前記遺伝的安定性を元に戻す工程が前記タンパク質インヒビターを不活性化する工程を含む、請求項４記載の方法。
【請求項８】
前記遺伝的安定性を元に戻す工程が前記改善された増殖特性を有する超突然変異娘細胞を検出する工程の前に生じる、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記遺伝的安定性を元に戻す工程が前記改善された増殖特性を有する超突然変異娘細胞を検出する工程の後に生じる、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記改善された増殖特性を有する超突然変異娘細胞を検出する工程が前記改善された増殖特性を有する超突然変異娘細胞のハイスループットスクリーニングを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記より速い増殖速度を有する超突然変異娘細胞を検出する工程が、同じ培養条件下で同等の長さの培養時間を続けた後に、超突然変異娘細胞によって生じた細胞集団のサイズと、親細胞によって生じた細胞集団のサイズとを比較する工程を含み、高い密度の娘細胞集団がより速い増殖速度を示す、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記より速い増殖速度を有する超突然変異娘細胞を検出する工程が親細胞の増殖率よりも高い増殖率を有する前記娘細胞を同定する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記娘細胞集団のサイズが光学画像化システムを用いて決定される、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記親細胞集団のサイズが光学画像化システムを用いて決定される、請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
前記親細胞が哺乳動物細胞である、請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記親細胞がハイブリドーマ細胞である、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
請求項１記載の方法によって生成した細胞。
【請求項１８】
請求項１７記載の細胞を培養する工程、および該細胞または該細胞の培養培地から生体分子を単離する工程を含む、生体分子を製造する方法。
【請求項１９】
前記生体分子が化学薬剤を含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記生体分子が生物学的薬剤を含む、請求項１８または１９記載の方法。
【請求項２１】
前記生物学的薬剤がタンパク質を含む、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記生物学的薬剤が抗体を含む、請求項２０記載の方法。
【請求項２３】
請求項１８記載の方法によって生成した生体分子。
【請求項２４】
請求項２３記載の生体分子および薬学的に許容できる担体を含む医薬組成物。
【請求項２５】
請求項１７記載の細胞のゲノムと、親細胞のゲノムとを比較して変異を同定する工程を含み、改善された増殖特性の原因遺伝子が少なくとも１つの該変異を含む、改善された増殖特性の原因遺伝子を同定する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
（発明の要旨）
本明細書に、細胞宿主性能を改善する方法、例えば、細胞株による生産性を増大する方法が提供される。本発明の方法は、(a)親細胞集団の親細胞のミスマッチ修復を阻害する工程；(b)MMR阻害親細胞をインキュベートまたは拡大して突然変異生成を可能にし、それによって超突然変異娘細胞を生成する工程；(c)改善された増殖特性を有する超突然変異娘細胞を検出する工程；および(d)改善された増殖特性を有する超突然変異娘細胞の遺伝的安定性を元に戻す（restoring）工程を含む、親細胞集団と比べて少なくとも1つの改善された増殖特性を有する細胞を生成する方法を含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本発明の方法において遺伝的安定性を元に戻す工程が好ましくは超突然変異娘細胞からミスマッチ修復の化学インヒビターを回収する工程、またはミスマッチ修復のタンパク質インヒビターを不活性化する工程を含む。遺伝的安定性の回復が改善された増殖特性を有する超突然変異娘細胞を検出する工程の前、後または同時に生じてもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
MMRが所望の表現型を示すサブクローンに元に戻される。遺伝的安定性は、以前に記載されたようにMMRインヒビターを除去することによって元に戻されてもよい(8、9)。例えば、細胞は、MMRの化学インヒビターを含む培養培地から除去されてもよい。あるいは、化学インヒビターは、細胞から回収されてもよい。いくつかの態様において、MMRのタンパク質インヒビターが不活性化されるか、または細胞が取り除かれる。遺伝的安定性は、所望の表現型を示す娘細胞の検出の前、後、または同時に細胞に元に戻されてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月2日(2010.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲノムおよび非ゲノム挿入配列を欠く、大腸菌(E. coli)である非天然細菌。
【請求項２】
そのゲノムが4.41 Mb〜1.86 Mbである、請求項1記載の細菌。
【請求項３】
そのゲノムが4.27 Mb〜1.86 Mbである、請求項1記載の細菌。
【請求項４】
そのゲノムが4.00 Mb〜1.86 Mbである、請求項1記載の細菌。
【請求項５】
そのゲノムが3.71 Mb〜1.86 Mbである、請求項1記載の細菌。
【請求項６】
そのゲノムが2.78 Mb〜1.86 Mbである、請求項1記載の細菌。
【請求項７】
DH10B、DH5α、Invα、Top10、Top10F、JM103、JM105、JM109、MC1061、MC4100、XL1-Blue、EC1OO、およびEC300からなる群より選択される菌株である、請求項1記載の細菌。
【請求項８】
形質転換される能力を有する、請求項1記載の細菌。
【請求項９】
挿入配列ミニサークルを欠く、請求項1記載の細菌。
【請求項１０】
発現制御配列に機能的に連結されているポリペプチドをコードする核酸を含むベクターを含む、請求項1記載の細菌。
【請求項１１】
ベクターがプラスミドである、請求項10記載の細菌。
【請求項１２】
(a) 請求項1記載の細菌を核酸で形質転換して、形質転換された細菌を形成する段階；および(b) 段階(a)の形質転換細菌を、該核酸の複製を可能にする条件下で増殖させる段階を含む、核酸を増やす方法。
【請求項１３】
エレクトロポレーションにより細菌が形質転換される、請求項12記載の方法。
【請求項１４】
核酸が不安定である、請求項12記載の方法。
【請求項１５】
核酸が毒性である、請求項12記載の方法。
【請求項１６】
(a) 請求項10記載の細菌を、ポリペプチドの発現を可能にするための適切な栄養条件下でインキュベートする段階；ならびに(b) 該ポリペプチドを任意に単離および精製する段階を含む、ポリペプチドを生成する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
核酸を増やす方法もまた提供する。核酸は毒性であってよい。ゲノムおよび非ゲノム挿入配列を欠く細菌と付加的核酸を、核酸による細菌の形質転換を可能にする条件下でインキュベートしてもよく、これを次に核酸の複製を可能にする条件下で培養してもよい。形質転換は、エレクトロポレーションによって起こしてもよい。核酸は、核酸が増幅される場である細菌を増殖させることによって増幅してもよい。
[請求項101]
ゲノムおよび非ゲノム挿入配列を欠く非天然細菌。
[請求項102]
大腸菌(E. coli)である、請求項101記載の細菌。
[請求項103]
そのゲノムが4.41 Mb未満である、請求項102記載の細菌。
[請求項104]
そのゲノムが4.27 Mb未満である、請求項102記載の細菌。
[請求項105]
そのゲノムが4.00 Mb未満である、請求項102記載の細菌。
[請求項106]
そのゲノムが3.71 Mb未満である、請求項102記載の細菌。
[請求項107]
そのゲノムが2.78 Mb未満である、請求項102記載の細菌。
[請求項108]
そのゲノムが1.86 Mb未満である、請求項102記載の細菌。
[請求項109]
菌株K-12に由来する、請求項102記載の細菌。
[請求項110]
DH10B、DH5α、Invα、Top10、Top10F、JM103、JM105、JM109、MC1061、MC4100、XL1-Blue、EC1OO、EC300等に由来する、請求項109記載の細菌。
[請求項111]
形質転換される能力を有する、請求項101記載の細菌。
[請求項112]
挿入配列ミニサークルを欠く、請求項101記載の細菌。
[請求項113]
付加的核酸をさらに含む、請求項101記載の細菌。
[請求項114]
付加的核酸が挿入配列を欠く、請求項113記載の細菌。
[請求項115]
付加的核酸がポリペプチドをコードする別の核酸を含み、該ポリペプチドコード核酸が発現制御配列に機能的に連結されている、請求項114記載の細菌。
[請求項116]
第1核酸がベクターである、請求項114記載の細菌。
[請求項117]
ベクターがプラスミドである、請求項116記載の細菌。
[請求項118]
(a) 請求項102記載の細菌を付加的核酸で形質転換する段階;(b) 段階(a)の形質転換細菌を、該付加的核酸の複製を可能にする条件下で増殖させる段階を含む、核酸を増やす方法。
[請求項119]
形質転換がエレクトロポレーションによる、請求項118記載の方法。
[請求項120]
核酸が不安定である、請求項118記載の方法。
[請求項121]
核酸が毒性である、請求項118記載の方法。
[請求項122]
(a) 請求項115記載の細菌を、ポリペプチドの発現を可能にするための適切な栄養条件下でインキュベートする段階;ならびに(b) 該ポリペプチドを任意に単離および精製する段階を含む、ポリペプチドを生成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月1日(2010.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２のアミノ酸残基２１‐２６１からなる組換えＣＤ４０Ｌポリペプチドを含んでなる、樹状細胞。
【請求項２】
前記樹状細胞が前記ＣＤ４０Ｌポリペプチドをコードする組換え核酸を含む、請求項１に記載の樹状細胞。
【請求項３】
前記核酸がインビトロ転写ＲＮＡである、請求項２に記載の樹状細胞。
【請求項４】
前記ＲＮＡがキャップ化および／またはポリアデニル化される、請求項３に記載の樹状細胞。
【請求項５】
前記樹状細胞が抗原をコードするＲＮＡによりトランスフェクトされるものである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹状細胞。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹状細胞を含んでなる、ワクチン。
【請求項７】
ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２のアミノ酸残基２１‐２６１と少なくとも８０％配列同一性を有する組換えＣＤ４０Ｌを含んでなる、樹状細胞。
【請求項８】
前記ＣＤ４０Ｌポリペプチドをコードする組換え核酸を含む、請求項７に記載の樹状細胞。
【請求項９】
前記核酸がインビトロ転写ＲＮＡである、請求項８に記載の樹状細胞。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれか一項に記載の樹状細胞を含んでなる、ワクチン。
【請求項１１】
前記樹状細胞が抗原をコードするＲＮＡによりトランスフェクトされるものである、請求項７〜９のいずれか一項に記載の樹状細胞。
【請求項１２】
請求項１１に記載の樹状細胞を含んでなる、ワクチン。
【請求項１３】
抗原特異的Ｔ細胞の集団からＣＤ２８＋ＣＤ４５ＲＡ−メモリー／エフェクターＴ細胞の集団を優先的に誘導する、樹状細胞。
【請求項１４】
請求項１３に記載の樹状細胞を含んでなる、ワクチン。
【請求項１５】
ａ．ＩＦＮ‐γＲアゴニストシグナル化樹状細胞を産生するために、インターフェロンガンマレセプター（ＩＦＮ‐γＲ）アゴニストおよびＴＮＦ‐αＲアゴニストを含んでなる第一シグナルにより単離未成熟樹状細胞（ｉＤＣ）をシグナリングし、そして
ｂ．ＣＣＲ７＋成熟樹状細胞を産生するために有効量のＣＤ４０Ｌポリペプチドを含んでなる第二の一過性シグナルにより前記ＩＦＮ‐γＲアゴニストシグナル化樹状細胞をシグナリングする連続工程を含んでなり、
ここで、ＣＤ４０ＬポリペプチドがＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２のアミノ酸残基２１‐２６１からなり、またはＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２のアミノ酸残基２１‐２６１と少なくとも８０％配列同一性を有するポリペプチドである、
成熟樹状細胞（ＤＣ）を作製するための方法。
【請求項１６】
前記ＣＤ４０Ｌタンパク質が、ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：３０もしくはＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：３３のｃＤＮＡ、またはコドン縮重により異なるバリアントに対応するＲＮＡによりコードされ、前記ＲＮＡが場合によりキャップ化および／またはポリアデニル化される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記樹状細胞が、ＣＤ４０ＬポリペプチドをコードするｍＲＮＡによりトランスフェクトされる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記樹状細胞がトランスフェクションの時点において成熟したものである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記ｉＤＣおよび／または前記シグナル化ＤＣをＰＧＥ２と接触させることを更に含んでなる、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
工程（ａ）および（ｂ）が、前記細胞をＧＭ-ＣＳＦおよびＩＬ-４またはＩＬ-１３の少なくとも一方と接触させることを更に含んでなる、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
工程（ａ）における細胞がＴＮＦ‐αと接触させる、請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
工程（ａ）における細胞をＰＧＥ２と接触させることを更に含んでなる、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記ＩＦＮ‐γＲアゴニストがＩＦＮ‐γである、請求項１５に記載の方法。
【請求項２４】
第一シグナルがＩＦＮ‐γ、ＴＮＦ‐α、およびＰＧＥ２を含んでなる、請求項１５に記載の方法。
【請求項２５】
第一シグナルがＩＦＮ‐γ、ＴＮＦ‐α、およびＰＧＥ２を含んでなり、並びに工程（ｂ）が前記ＣＤ４０ＬポリペプチドをコードするＲＮＡにより前記樹状細胞をトランスフェクトすることを含んでなる、請求項１５に記載の方法。
【請求項２６】
ガラクトシルセラミド、グリコシルセラミド、ガラクトフラノシルセラミド、アラビノピラノシルセラミド、α‐Ｃ‐ガラクトシルセラミド、およびα‐Ｓ‐ガラクトシルセラミドからなる群より選択される化合物と、未成熟樹状細胞および／またはＩＦＮ‐γＲアゴニストシグナル化樹状細胞および／またはＣＣＲ７＋成熟樹状細胞とを接触させることを更に含んでなる、請求項１５に記載の方法。
【請求項２７】
前記化合物がガラクトシルセラミドである、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記ガラクトシルセラミドが（２Ｓ，３Ｓ，４Ｒ）‐１‐Ｏ‐（α‐Ｄ‐ガラクトピラノシル）‐２‐（Ｎ‐ヘキサコサノイルアミノ）‐１，３，４‐オクタデカントリオール（ＫＲＮ７０００）である、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
抗原をコードするＲＮＡにより前記樹状細胞をトランスフェクトすることを更に含む、請求項１５〜２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
請求項１５〜２９のいずれか一項に記載の方法により作製された、樹状細胞。
【請求項３１】
前記樹状細胞が抗原特異的Ｔ細胞の集団からＣＤ２８＋ＣＤ４５ＲＡ−メモリー／エフェクターＴ細胞の集団を優先的に誘導するものである、請求項３０に記載の樹状細胞。
【請求項３２】
請求項３１に記載の樹状細胞を含む、ワクチン。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月24日(2010.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血管の動脈瘤のネックを覆うように脳血管内に配置可能な動脈瘤閉塞デバイスであって、
このデバイスは、管腔を有する管状要素を備え、この管状要素は、複数の間隙を包含する閉塞側壁を含んでおり、前記間隙の大きさは、前記血管から前記側壁を通る前記動脈瘤内への血液の流れを少なくとも部分的に閉塞させるのに充分に小さくされていると共に、前記間隙の大きさは、前記管腔内の第一領域と前記管腔外の第二領域内との間の液圧差に応じて、前記血管と側枝血管との間の前記側壁を通る流体の流れを可能とするように調整される閉塞デバイス。
【請求項２】
前記間隙は、前記液圧差に応じて拡張可能であることにより、前記側壁を通る流体の流れを可能とする請求項１に記載の閉塞デバイス。
【請求項３】
前記管状要素が、前記間隙を間に有する複数のバンドと、前記側壁の基端部から前記側壁の末端部まで伸びる少なくとも二つの細長部材とを含み、各バンドが、前記細長部材の一つに接続された少なくとも一端を含む請求項１に記載の閉塞デバイス。
【請求項４】
各バンドが、第一の前記細長部材に接続された第一端と、第二の前記細長部材に接続された第二端とを含む請求項１に記載の閉塞デバイス。
【請求項５】
前記バンドが、前記液圧差に応じて可撓であることにより前記間隙が拡張する請求項２に記載の閉塞デバイス。
【請求項６】
前記バンドが互いに平行である請求項１に記載の閉塞デバイス。
【請求項７】
前記細長部材が、前記側壁の基端部から前記側壁の末端部まで縦方向に延伸する請求項１に記載の閉塞デバイス。
【請求項８】
前記細長部材が湾曲を含む請求項１に記載の閉塞デバイス。
【請求項９】
前記管状要素が、２個と８個との間の細長部材を含む請求項１に記載の閉塞デバイス。
【請求項１０】
前記細長部材が、前記基端部から前記末端部まで螺旋状に延伸する請求項１に記載の閉塞デバイス。
【請求項１１】
前記バンドが、第一の幅を有する第一部分と、第二の幅を有する第二部分とを含み、その第一の幅は第二の幅より大きい請求項１に記載の閉塞デバイス。
【請求項１２】
前記バンドが頂端を有するｖ形のバンドであって、その頂端が縦方向に延伸する請求項１に記載の閉塞デバイス。
【請求項１３】
前記バンドが、前記頂端で結合された第一の脚及び第二の脚を有し、その第一の脚は第二の脚よりも幅が広い請求項１１に記載の閉塞デバイス。
【請求項１４】
前記管状要素が外部管状要素であると共に、前記閉塞デバイスが、第二閉塞側壁を有する内部管状要素を更に含み、前記内部管状要素は、第二閉塞側壁を前記外部管状要素の前記側壁に重ねるようにして前記外部管状要素の前記管腔内に配置可能である請求項１に記載の閉塞デバイス。
【請求項１５】
前記第二閉塞側壁が、複数の第二バンドと、前記第二側壁の基端部から前記第二側壁の末端部まで伸びる少なくとも二つの第二細長部材とを含み、各第二バンドが、前記第二細長部材の一つに接続された少なくとも一端を含む請求項１４に記載の閉塞デバイス。
【請求項１６】
前記外部管状要素の前記細長部材が、第一方向に螺旋状に延伸し、且つ前記内部管状要素の前記第二細長部材が、前記第一方向とは反対の第二方向に螺旋状に延伸する請求項１５に記載の閉塞デバイス。
【請求項１７】
第一方向が時計方向であり、且つ第二方向が反時計方向である請求項１６に記載の閉塞デバイス。
【請求項１８】
第一方向が反時計方向であり、前記第一方向が時計方向である請求項１６に記載の閉塞デバイス。
【請求項１９】
前記閉塞デバイスは、前記閉塞側壁の前記外周周辺で機能的に均一である請求項１に記載の閉塞デバイス。
【請求項２０】
前記管状部材が、シース内の圧縮された姿勢から、血管内で拡張された姿勢へ半径方向に拡張可能であり、前記管状部材が、前記圧縮された姿勢において、前記拡張された姿勢における長さよりも１５％以下の分量だけ長い長さを有する請求項１に記載の閉塞デバイス。
【請求項２１】
前記管状部材は、内径２ｍｍ以下のマイクロカテーテルへの挿入に適した直径に圧縮可能であるように大きさが調整される請求項１に記載の閉塞デバイス。
【請求項２２】
前記管状要素が、前記閉塞側壁部の基端に配置された基端区画と、前記閉塞側壁部の末端に配置された末端区画とを含み、前記基端及び末端区画が、血流に対して前記閉塞側壁部よりも閉塞性でない側壁を含む、請求項１に記載の閉塞デバイス。
【請求項２３】
前記側壁は、非網状であって、且つ不織である請求項１に記載の閉塞デバイス。
【請求項２４】
前記バンドと前記細長要素が、長い管から切断される請求項１４に記載の閉塞デバイス。
【請求項２５】
前記管状部材が、第一血管内に配置可能な第一端と、第二及び第三血管内に配置可能な分岐区画を有する分岐した第二端とを含む請求項１に記載の閉塞デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月19日(2009.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルトースと比較してグルコースに対する改善された特異性を有し、かつグリシン、アラニンまたはセリンのいずれかによる位置348のトレオニンの置換を有するPQQ依存性可溶性グルコース脱水素酵素(s-GDH;EC1.1.5.2)の変異体であって、前記変異体は、
a)  変異体の安定性を改善するための少なくとも１つの変異
b)  変異体のグルコースに対する親和性を改善するための少なくとも1つの変異、および任意に
c)  マルトースと比較してグルコースに対する変異体の特異性をさらに改善するための１つ以上の変異
をさらに含み、
これらの位置はA.カルコアセチカスs-GDH野生型配列（配列番号2）で公知のアミノ酸位置に対応する、変異体。
【請求項２】
グルコースに対する親和性を改善するための前記変異は、L110HまたはY；N229A、GまたはS；Q246H、MまたはN；Y333A；G339T；M341V；V349AまたはGおよびV436Pからなる群より選択される、請求項１記載のs-GDH変異体。
【請求項３】
前記変異は、L110H、Q246H；G339T；M341V；V349GおよびV436Pからなる群より選択される、請求項２記載のs-GDH変異体。
【請求項４】
マルトースと比較してグルコースに対する変異体の特異性を改善するための前記変異は、Q145P;D163GまたはN;Q164F；L169F；Y171G；I208LまたはV；T224I;E245D;G276S;A294DまたはE；V300A、S、N、YまたはI;T307G;T323V; A354Y、EまたはL;R378I、M、AまたはD;N428Pおよび挿入429P
からなる群より選択されるアミノ酸置換である、請求項１記載のs-GDH変異体。
【請求項５】
安定性を改善するための前記置換は、D87R;N122K;S124K;S146G;V298LおよびL386Fからなる群より選択される、請求項１記載のs-GDH変異体。
【請求項６】
グルコースに対する親和性を改善するための前記置換は、L110H、Q246H; G339T;M341V;V349GおよびV436Pからなる群より選択される、請求項３記載のs-GDH変異体。
【請求項７】
マルトースと比較してグルコースに対する変異体の特異性を改善するための前記置換は、L169F;Y171G;E245D;N428Pおよび挿入429Pからなる群より選択される、請求項４記載のs-GDH変異体。
【請求項８】
請求項１〜７いずれか記載のs-GDH変異体タンパク質をコードする単離ポリヌクレオチド。
【請求項９】
宿主細胞で発現を促進し得るプロモーター配列に作動可能に連結された、請求項８記載の単離ポリヌクレオチドを含む発現ベクター。
【請求項１０】
請求項９記載の発現ベクターを含む宿主細胞。
【請求項１１】
酵素変異体の産生に適切な条件下で請求項１０記載の宿主細胞を培養する工程を含む、s-GDH変異体の作製方法。
【請求項１２】
無細胞ペプチド合成系で発現を促進し得るプロモーター配列に作動可能に連結された、請求項１１記載の単離ポリヌクレオチドを含む発現ベクター。
【請求項１３】
酵素変異体の産生に適切な条件下の無細胞ペプチド合成系において請求項１２記載の構築物を用いる、s-GDH変異体の作製方法。
【請求項１４】
請求項１〜７いずれか記載のs-GDH変異体を用いて試料中のグルコースを検出、決定または測定する方法であって、試料と該変異体を接触させることを特徴とする、方法。
【請求項１５】
前記グルコースの検出、決定または測定が、センサーまたは試験用細片デバイスを用いて行うことをさらに特徴とする、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
請求項１〜７いずれか記載のs-GDH変異体および測定に必要な他の試薬を含む、試料中のグルコースを検出または測定するためのデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月5日(2010.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のステータ、軸線を中心として隣り合わせに配置された複数のコイルであって励磁されたときに前記軸線沿いに極が交番する半径方向の磁界を形成するように巻回されたコイル、前記ステータの中心軸に関して同軸方向に移動可能に前記ステータ内に配置されたアーマチャ、および、前記アーマチャを前記ステータに対して往復自在に支持するベアリングとを具備した電磁ピストン−シリンダ装置において、前記ベアリングが、非磁性材料から成ることを特徴とした電磁ピストン−シリンダ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数回投与分の薬剤を有する薬剤マガジンであって、前記マガジンは、薬剤の入っているパウチ（２，３２）が形成された単一の箔ストリップで作られ、前記箔ストリップは、少なくとも一方の側部に設けられていて、搬送ピンに係合可能に前記箔ストリップを搬送する開口部（４）を有する、薬剤マガジンにおいて、前記箔ストリップは、前記パウチの領域に、他の領域の箔ストリップの幅よりも小さな或る特定の幅を有し、前記開口部は、前記箔ストリップの幅の広い領域に配置されていることを特徴とする、薬剤マガジン。
【請求項２】
２つの前記箔幅は、本質的に、前記開口部（４）の幅だけ異なっていることを特徴とする、請求項１に記載の薬剤マガジン。
【請求項３】
前記開口部（４）は、前記パウチ（２，３２）相互間の領域にのみ配置されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の薬剤マガジン。
【請求項４】
搬送ピンとの嵌合可能に前記箔ストリップに設けられた前記開口部（４）は、前記パウチ（２，３２）を開放するためにも使用できることを特徴とする、請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の薬剤マガジン。
【請求項５】
前記箔ストリップは、両方の長手方向側部に設けられた開口部（４）を有することを特徴とする、請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の薬剤マガジン。
【請求項６】
前記開口部（４）は、細長く、これらの機能に応じて互いに異なる長さを有することを特徴とする、請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の薬剤マガジン。
【請求項７】
前記パウチ（２，３２）は、前記箔ストリップに設けられた窪み及び実質的に平らなカバーによって形成されていることを特徴とする、請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の薬剤マガジン。
【請求項８】
請求項１〜７のうちいずれか１項に記載の薬剤マガジンを開放する装置であって、
前記装置は、嵌合目的で前記マガジンに設けられた少なくとも１つの開口部（４）に嵌合可能な少なくとも１本の可動ピンを有し、前記装置は、前記マガジンのための搬送手段及び個々の箔ストリップに形成されたパウチ（２，３２）を開放するためのマガジンのための開放手段を有する装置において、前記少なくとも１本のピンは、前記ピンが搬送方向に対して平行且つ側方に前記搬送方向から間隔を置くと共に前記パウチから間隔を置いて前記箔ストリップに嵌まり込むように配置されており、
マガジンのための前記搬送手段と前記開放手段は、不連続ピンホイール、例えばセグメント状ホイール（４３）内で組み合わされている、
ことを特徴とする装置。
【請求項９】
セグメント状ホイール（４３）として構成された前記ピンホイールは、複数個のセグメント（４２）を有し、２つの隣り合う前記セグメント相互間の最大間隔は、実質的に、開放状態の薬剤パウチのバンド長さに一致していることを特徴とする、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
請求項１〜７のうちいずれか１項に記載の薬剤マガジンを搬送すると共に開放する方法であって、少なくとも１本のピンが、少なくとも１つの薬剤パウチを有する前記薬剤マガジンに嵌合目的で設けられた開口部（４）に嵌合し、前記少なくとも１本のピンは、搬送運動によって前記マガジンを開放位置に運び、次にマガジンを前記開放位置の付近で前記少なくとも１つの薬剤パウチの前に保持し、この薬剤マガジンの後ろに位置する前記マガジンを前記少なくとも１本のピンによって先へ搬送して前記薬剤パウチが引っ張られて開き、その結果、前記薬剤パウチ内に入っている薬剤を露出させるようにすることを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記薬剤パウチ（２，３２）を少なくとも２本のピンが前記薬剤マガジンに嵌まり込み、互いに対して遠ざかることによって開放することを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
セグメント状ホイル（４３）の２つのセグメント（４２）相互間に配置された薬剤パウチ（２，３２）を２つの前記セグメントを互いに離すことによって開放することを特徴とする、請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜７のうちいずれか１項に記載の薬剤マガジン、及び、請求項８〜１２のうちいずれか１項に記載の装置のうちの少なくとも一方を有することを特徴とする、多数回投与型粉末吸入器。
【請求項１４】
６０回分の薬剤を有することを特徴とする、請求項１３に記載の多数回投与型粉末吸入器。
【請求項１５】
ベータミメティック（betamimetic）、抗コリン作用薬、ステロイド、抗アレルギー薬、バッカク（麦角）アルカロイド誘導体、トリプタン、ＣＧＲＰ−拮抗薬、ホスホジエストラーゼ−Ｖ阻害薬、ホスホジエストラーゼ−ＩＶ阻害薬、ＬＴＤ４−拮抗薬、及びＥＧＦＲ−キナーゼ−阻害薬の中から選択された有効物質又は有効物質の組合せを含む薬剤を投与することを特徴とする、請求項１３又は１４に記載の多数回投与型吸入器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉末吸入器に用いられる、少なくとも１つの薬剤チャンバを有する薬剤マガジンであって、前記薬剤マガジンが、互いに貼り合わされた２枚の箔ストリップで作られ、前記少なくとも１つの薬剤チャンバが、前記箔ストリップ相互間に形成され、前記薬剤チャンバは、内部構造体（３）を有し、この内部構造体が、内部に、粉末状薬剤を収容するスペースを有すると共にこの内部スペースを外部からの機械的影響に対して安定化させ、前記内部構造体が、前側に、一方の箔ストリップを開く手段を有する薬剤マガジンにおいて、
前記薬剤チャンバの開放後に前記内部構造体を前記薬剤マガジンに当てて保持する保持具が、前記薬剤チャンバ内に設けられていることを特徴とする、薬剤マガジン。
【請求項２】
内部構造体は、空気流が側方から内部構造体中に侵入し、又は内部構造体から逃げ出ることができるように少なくとも１つの側方開口部又は凹部を有していることを特徴とする、請求項１記載の薬剤マガジン。
【請求項３】
２つの側方開口部及び凹部が、互いに実質的に垂直に配置されていることを特徴とする、請求項２記載の薬剤マガジン。
【請求項４】
２つの側方開口部が、前記内部構造体を通る軸線上に配置されていることを特徴とする、請求項２又は３記載の薬剤マガジン。
【請求項５】
前記内部構造体（３）は、一体射出成形要素であることであることを特徴とする、請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の薬剤マガジン。
【請求項６】
薬剤の３０回又は６０回の投与分に対応して３０個又は６０個の薬剤チャンバを有することを特徴とする、請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の薬剤マガジン。
【請求項７】
請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の薬剤マガジンを有することを特徴とする、多数回投与型粉末吸入器。
【請求項８】
ベータミメティック（betamimetic ）、抗コリン作用薬、ステロイド、抗アレルギー薬、バッカク（麦角）アルカロイド誘導体、トリプタン、ＣＧＲＰ−拮抗薬、ホスホジエストラーゼ−Ｖ阻害薬、ホスホジエストラーゼ−ＩＶ阻害薬、ＬＴＤ４−拮抗薬、及びＥＧＦＲ−キナーゼ−阻害薬の中から選択された有効物質又は有効物質の組合せを含有した薬剤を投与することを特徴とする、請求項７に記載の多数回投与型粉末吸入器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月6日(2010.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
皮膚病を処置するための装置であって、
真皮部分の下にある特定の体積の組織に超音波エネルギを集束させ、その結果、該特定の体積の第１の部分は該超音波エネルギによって熱的に損傷され、該特定の体積の第２の部分は該超音波エネルギによって熱的に損傷されないままであるように構成された配列を備えている、装置。
【請求項２】
前記第２の部分は、脂肪組織を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１の部分は、コラーゲン構造を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記コラーゲン構造は、繊維性の隔膜を含む、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記特定の体積は、前記組織の外部表面の下約２ｍｍ〜２０ｍｍにある、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記特定の体積は、前記組織の外部表面の下約５ｍｍ〜１０ｍｍにある、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記超音波エネルギは、約１ＭＨｚ〜１０ＭＨｚの周波数を有する、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
前記超音波エネルギは、約３ＭＨｚ〜８ＭＨｚの周波数を有する、請求項４に記載の装置。
【請求項９】
前記超音波エネルギは、約５ＭＨｚの周波数を有する、請求項４に記載の装置。
【請求項１０】
前記特定の体積は、ほぼ球形であり、約０．５ｍｍ〜１ｍｍの直径を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記特定の体積は線の形式を有し、該線の幅は約０．５ｍｍ〜１ｍｍである、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記装置は、前記組織の表面にほぼ平行でかつ前記線の方向にほぼ垂直な方向に平行移動されるように構成される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記超音波エネルギは、複数のパルスの形式で提供される、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１の部分は、少なくとも１つの毛母基を含む、請求項２に記載の装置。
【請求項１５】
前記特定の体積は、前記組織の外部表面の下約４ｍｍ〜８ｍｍにある、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記特定の体積は、前記組織の外部表面の下約６ｍｍにある、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記超音波エネルギは、約５ＭＨｚ〜１０ＭＨｚの周波数を有する、請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
前記超音波エネルギは、約７ＭＨｚ〜８ＭＨｚの周波数を有する、請求項１４に記載の装置。
【請求項１９】
前記第１の部分は、表在性筋腱膜系を含む、請求項１に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図面全体を通して、同じ参照番号および文字は、別に述べられない限り、例示される実施形態の同様な特徴、要素、構成要素または部分を示すために用いられる。さらに本発明は、ここで図を参照して詳細に述べられるが、それは、例示的な実施形態に関連して、そのように行なわれる。
例えば、本発明は、以下の項目を提供する。
（項目１）
皮膚病を処置するための方法であって、
真皮部分の下にある特定の体積の組織に超音波エネルギを集束させることであって、その結果、該特定の体積の第１の部分は該超音波エネルギによって熱的に損傷され、該特定の体積の第２の部分は該超音波エネルギによって熱的に損傷されないままである、ことを包含する、方法。
（項目２）
上記第２の部分は、脂肪組織を含む、項目１に記載の方法。
（項目３）
上記第１の部分は、コラーゲン構造を含む、項目１または項目２に記載の方法。
（項目４）
上記コラーゲン構造は、繊維性の隔膜を含む、項目１〜項目３のいずれかに記載の方法。
（項目５）
上記特定の体積は、上記組織の外部表面の下約２ｍｍ〜２０ｍｍにある、項目１〜項目４のいずれかに記載の方法。
（項目６）
上記特定の体積は、上記組織の外部表面の下約５ｍｍ〜１０ｍｍにある、項目１〜項目５のいずれかに記載の方法。
（項目７）
上記超音波エネルギは、約１ＭＨｚ〜１０ＭＨｚの周波数を有する、項目１〜項目６のいずれかに記載の方法。
（項目８）
上記超音波エネルギは、約３ＭＨｚ〜８ＭＨｚの周波数を有する、項目１〜項目７のいずれかに記載の方法。
（項目９）
上記超音波エネルギは、約５ＭＨｚの周波数を有する、項目１〜項目８のいずれかに記載の方法。
（項目１０）
上記特定の体積は、ほぼ球形であり、約０．５ｍｍ〜１ｍｍの直径を有する、項目１〜項目９のいずれかに記載の方法。
（項目１１）
上記特定の体積は線の形式を有し、該線の幅は約０．５ｍｍ〜１ｍｍである、項目１〜項目９のいずれかに記載の方法。
（項目１２）
上記組織の表面にほぼ平行でかつ上記線の方向にほぼ垂直な方向に上記超音波エネルギを提供する配列を平行移動させることをさらに包含する、項目１１に記載の方法。
（項目１３）
上記超音波エネルギは、複数のパルスの形式で提供される、項目１〜項目１２のいずれかに記載の方法。
（項目１４）
上記第１の部分は、少なくとも１つの毛母基を含む、項目１または項目２に記載の方法。
（項目１５）
上記特定の体積は、上記組織の外部表面の下約４ｍｍ〜８ｍｍにある、項目１４に記載の方法。
（項目１６）
上記特定の体積は、上記組織の外部表面の下約６ｍｍにある、項目１５に記載の方法。
（項目１７）
上記超音波エネルギは、約５ＭＨｚ〜１０ＭＨｚの周波数を有する、項目１４〜項目１６のいずれかに記載の方法。
（項目１８）
上記超音波エネルギは、約７ＭＨｚ〜８ＭＨｚの周波数を有する、項目１４〜項目１７のいずれかに記載の方法。
（項目１９）
上記超音波エネルギは、約５ＭＨｚの周波数を有する、項目１４〜項目１８のいずれかに記載の方法。
（項目２０）
上記第１の部分は、表在性筋腱膜系を含む、項目１〜項目１３のいずれかに記載の方法。
（項目２１）
皮膚病を処置するための装置であって、
真皮部分の下にある特定の体積の組織に超音波エネルギを集束させるように構成される配列であって、その結果、該特定の体積の第１の部分は該超音波エネルギによって熱的に損傷され、該特定の体積の第２の部分は該超音波エネルギによって熱的に損傷されないままである、配列を備えている、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月19日(2009.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気機械用強磁性鉄心板（６０）を製造するための方法において、強磁性材料から成る１つの第１電磁鋼帯（１０）と少なくとも１つの第２電磁鋼帯（１１）が結合層（３０）によって互いに結合される方法。
【請求項２】
電磁鋼帯（１０、１１）が少なくとも部分的に絶縁層（２０、２１）によって包み込まれており、第１電磁鋼帯（１０）の絶縁層（２０）が結合層（３０）によって第２電磁鋼帯（１１）の絶縁層（２１）と互いに結合される請求項１記載の方法。
【請求項３】
絶縁層（２０）が、フォステライト又はファヤライトから冶金的に製造されたカバー層である請求項１又は２の記載の方法。
【請求項４】
絶縁層（２０、２１、２２）の間の結合層（３０）が接着層である請求項１から３の１つに記載の方法。
【請求項５】
結合層（３０）が電磁鋼帯に強い粘着力で付着する請求項４記載の方法。
【請求項６】
結合層（３０）が機械的に切断可能かつ柔軟である請求項４又は５の記載の方法。
【請求項７】
結合層（３０）が−７５℃〜＋２００℃の温度範囲において温度安定性である請求項４から６の１つに記載の方法。
【請求項８】
結合層（３０）が鉱油、ミデル（エステル）および／又はシリコーンに耐える請求項４から７の１つに記載の方法。
【請求項９】
結合層（３０）が絶縁層（２０、２１、２２）の間に冶金的に製造された層であり、この層が一時的再結晶焼鈍によって生成される請求項１から３の１つに記載の方法。
【請求項１０】
電磁鋼帯（１０）が粒方向性を有する請求項１から９の１つに記載の方法。
【請求項１１】
絶縁層（２０）および／又は結合層（３０）が、鉄心板（６０）の機械的安定性に寄与する機械的構造を有する請求項１から１０の１つに記載の方法。
【請求項１２】
第１電磁鋼帯（１０）が絶縁層（２０）で包み込まれ、引き続き電磁鋼帯（１０）の上面と下面とに結合層（３０）が被着され、包み込む絶縁層（２１、２２）を有する第２電磁鋼帯（１１、１２）が各々電磁鋼帯（１０）の上面および下面で加圧ロール（４０）によって第１電磁鋼帯（１０）に押付けられる請求項１から１１の１つに記載の方法。
【請求項１３】
鉄心板（６０）内で電磁鋼帯（１０）、絶縁層（２０）および結合層（３０）の少なくとも１つが変化する請求項１から１２の１つに記載の方法。
【請求項１４】
電気機械用強磁性鉄心板（６０）において、鉄心板（６０）が個々の電磁鋼帯（１０、１１、１２）で構成されており、電磁鋼帯（１０、１１、１２）が各々１つの絶縁層（２０、２１、２２）を有し、絶縁層（２０、２１、２２）が結合層（３０）によって互いに結合されている強磁性鉄心板。
【請求項１５】
結合層（３０）が接着層である請求項１４記載の強磁性鉄心板。
【請求項１６】
結合層（３０）が電磁鋼帯（１０、１１、１２）の各絶縁層（２０、２１、２２）の間の冶金的結合部である請求項１４記載の強磁性鉄心板。
【請求項１７】
異なる結合方式が結合層（３０）として使用可能である請求項１５又は１６の記載の強磁性鉄心板。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月25日(2010.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料、ソーラーパネル、もしくはフラットパネル（ＴＦＴおよびＬＣＤ）の表面をエッチングもしくはクリーニングするか、または半導体製造のために使用された装置のチャンバーをクリーニングするための方法であって、フッ素と、窒素および貴ガスからなる群から選択される１種または複数の不活性ガスとを含むかまたはそれらからなる混合物を使用することを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記二元混合物が、フッ素と窒素、またはフッ素とアルゴン、からなることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
フッ素、窒素、およびアルゴンからなる三元混合物を使用することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
圧力が、１００〜２０００Ｐａ、好ましくは１００〜８００Ｐａ、特に好ましくは２００〜６００Ｐａの間の範囲であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記方法がプラズマ使用のものであり、温度が１００〜３５０℃の間、好ましくは１５０〜３００℃の間の範囲であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
無機材料をエッチングするか、または無機材料によって汚染されたチャンバーをクリーニングする方法であって、前記無機材料が、アモルファスＳｉ、ＳｉＯｘＮｙ、ＳｉＯ２、ＴａＮ、ＴｉＮ、またはＷであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記無機材料がＷであり、前記ガス混合物がフッ素および窒素を含むかまたはそれらからなることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記無機材料が、アモルファスＳｉ、ＳｉＯｘＮｙ、ＳｉＯ２、ＴａＮ、またはＴｉＮであり、前記ガス混合物がフッ素および窒素を含むかまたはそれらからなるか、或いは前記ガス混合物がフッ素およびアルゴンを含むかまたはそれらからなることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
有機材料が半導体、ソーラーパネルまたはフラットパネル（ＴＦＴおよびＬＣＤ）の表面から除去されるか、または有機材料によって汚染されたチャンバーがクリーニングされることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記有機材料が、エッチングガスとして、場合によっては水素の存在下に、フッ素化された炭素化合物を用いて半導体、ソーラーパネルまたはフラットパネル（ＴＦＴおよびＬＣＤ）をエッチングすることに由来するフッ素化されたポリマーであることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
フッ素と１種または複数の不活性ガスとを含むかそれらからなる混合物を、ＮＦ３と１種または複数の不活性ガスとを含むガス混合物に対する、好ましくは実質的に同一の条件下での、ドロップイン代替物として使用することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
ＣＶＤ、ＰＶＤまたはＡＬＤプラズマ装置において、フッ素と１種または複数の不活性ガスとを含むかそれらからなるガス混合物を、ＮＦ３および不活性ガスに対するドロップイン代替物として使用することを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記フッ素／不活性ガスの混合物の不活性ガスが、前記ＮＦ３／不活性ガスの混合物の不活性ガスに相当する、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記フッ素／不活性ガスの混合物の不活性ガスが、前記ＮＦ３／不活性ガスの混合物の不活性ガスには相当せず、そして前記ＮＦ３／不活性ガスの混合物の不活性ガスが、前記プラズマ装置の中にさらに導入されることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１５】
フッ素と、窒素および貴ガスからなる群から選択される１種または複数の不活性ガスとを含むかそれらからなる混合物の内容を特徴とする、エッチングガス成分としてＮＦ３を使用するために調整された、半導体、ソーラーパネルおよびフラットパネル（ＴＦＴおよびＬＣＤ）をエッチングするためのプラズマ装置。
【請求項１６】
フッ素とアルゴン、フッ素と窒素、またはフッ素とアルゴンと窒素、からなる混合物を含むことを特徴とする請求項１５に記載のプラズマ装置。
【請求項１７】
ＮＦ３／アルゴン混合物に対する調整がされていることを特徴とする、請求項１５に記載のプラズマ装置。
【請求項１８】
プラズマ装置に適用されるガス混合物の成分としてのＮＦ３に対するドロップイン代替物としての、フッ素の使用。
【請求項１９】
前記ガス混合物が、窒素および貴ガスからなる群から選択される１種または複数の不活性ガスをさらに含む、請求項１８のいずれか一項に記載の使用。
【請求項２０】
前記ガス混合物が、フッ素と窒素、フッ素とアルゴン、またはフッ素と窒素とアルゴン、からなることを特徴とする、請求項１９に記載の使用。
【請求項２１】
フッ素と、窒素および貴ガスからなる群から選択される１種または複数の不活性ガスと、からなるガス混合物。
【請求項２２】
容積比１：９９〜３５：６５、好ましくは１５：８５〜２５：７５であるフッ素と窒素とからなるか、または、容積比が１：９９〜３５：６５、好ましくは１５：８５〜２５：７５であるフッ素とアルゴンとからなる、請求項２１に記載のガス混合物。
【請求項２３】
フッ素と窒素とアルゴンとからなる、請求項２１に記載のガス混合物。
【請求項２４】
前記フッ素含量が１〜５容積％の範囲であり、フッ素対窒素の容積比が１５：８５〜２５：７５の範囲であり、貴ガス、好ましくはアルゴンが１００容積％とするための残量である、請求項２１または２３に記載のガス混合物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月5日(2010.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノ粒子又はナノ構造を含む感光層を少なくとも１つ含み、かつ、更に、各感光層当り、前記感光層の各々の側に置かれた、少なくとも１つの、ｎ−ドープされた電荷輸送層及び少なくとも１つの、ｐ−ドープされた電荷輸送層を含む太陽電池であって、
前記ナノ粒子又はナノ構造は、前記感光層における主要な光吸収要素であり、
前記ナノ粒子又はナノ構造は、金属伝導性を示し、かつ、表面プラズモン又はポーラロン機構を通じて近赤外線、可視光線及び／又は紫外線を吸収し、
前記ナノ粒子又はナノ構造は、その寸法の少なくとも１つが、０．１ないし５００ｎｍのサイズを有し、
全ての層からの前記ナノ粒子又はナノ構造の少なくとも５０質量％が、前記感光層に含まれることを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
ポリマーフィルム基材をベースとするフレキシブル電池である、請求項１記載の太陽電池。
【請求項３】
少なくとも６０質量％のナノ粒子又はナノ構造が、１００Ωｃｍ未満の抵抗率を有する、請求項１記載の太陽電池。
【請求項４】
ｐ−ドープされた電荷輸送層が、ｐ−型の非晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイド、微結晶シリコン、微結晶シリコンカーバイド又は炭素含有微結晶シリコン、様々な炭素含有量を有する非晶質シリコンカーバイドの多層フィルム及び非晶質シリコンと非晶質炭素の多層フィルムから選択された物質を含み；及び／又は、ｎ−ドープされた電荷輸送層が、ｎ−型の微結晶シリコン、結晶シリコン、炭素含有微結晶シリコン、微結晶シリコンカーバイド、非晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイド及び非晶質シリコンゲルマニウムから選択された物質を含み、及び／又は電荷輸送層がワイドバンドギャップ半導体から選択される、請求項１記載の太陽電池。
【請求項５】
太陽電池の製造方法であって、該方法は、金属伝導性を示し、表面プラズモン又はポーラロン機構を通じて近赤外線、可視光線及び／又は紫外線を吸収し、かつその寸法の少なくとも１つが０．１ないし５００ｎｍのサイズを有するナノ粒子又はナノ構造、特に、異なる平均寸法及び／又は異なる組成を有する２種以上のものから選択されたナノ粒子又は
ナノ構造を、ｎ−ドープされた電荷輸送層及びｐ−ドープされた電荷輸送層（ここで、前記電荷輸送層は、前記ナノ粒子又はナノ構造をほとんど又は全く含まない。）の間に位置
する感光層において濃縮する工程を含む方法。
【請求項６】
太陽電池において、１８００ｎｍないし３００ｎｍの太陽光スペクトルの光量の５０％より多くを吸収するための、異なる平均寸法及び／又は異なる組成を有する２種以上のナノ粒子又はナノ構造の使用であって、該ナノ粒子又はナノ構造は、金属伝導性を示すこと、表面プラズモン又はポーラロン機構を通じて近赤外線、可視光線及び／又は紫外線を吸収すること、及び、その寸法の少なくとも１つが、０．１ないし５００ｎｍのサイズ範囲を有することを特徴とするところの使用。