【事件の表示】
　特願２０１６−５１８５４１「飛行時間システムを駆動するための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　７月１６日国際公開、ＷＯ２０１５／１０４３０７、平成２８年　９月　８日国内公表、特表２０１６−５２７４８２、請求項の数（１５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１５年（平成２７年）１月８日（パリ条約による優先権主張２０１４年１月１３日（以下「優先日」という。）、欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２８年１１月１７日付け：拒絶理由通知書（発送日：同年同月２２日）
平成２９年　４月２１日　　：意見書、手続補正書の提出
平成２９年　９月　６日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。送達日：
　　　　　　　　　　　　　　同年同月１２日）
平成２９年１１月２９日　　：審判請求書、手続補正書の提出
平成３０年　７月２０日付け：拒絶理由通知書（発送日：同年同月２４日）
平成３０年　９月２７日　　：意見書、手続補正書の提出
平成３０年１１月１６日付け：拒絶理由通知書（以下「当審拒絶理由」とい
　　　　　　　　　　　　　　う。発送日：同年同月２０日）
平成３１年　２月１３日　　：意見書、手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
１．（新規性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
２．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
＜理由１（特許法第２９条第１項第３号）について＞
・請求項１−８
・引用文献１
＜理由２（特許法第２９条第２項）について＞
・請求項１−８
・引用文献１
・請求項９−１４，１６
・引用文献１−２
・請求項１５
・引用文献１−３
＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１１−０１３１３８号公報
２．国際公開第２０１１／１５８７９６号
３．特表２０１０−５３７５５５号公報（周知技術を示す文献）
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は次のとおりである。
１．（新規性）本願の下記の請求項に係る発明は、本願の優先日の前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
２．（進歩性）本願の下記の請求項に係る発明は、本願の優先日の前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、本願の優先日の前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
●理由１（新規性）、理由２（進歩性）について
・請求項　１−８
・引用文献等　１
●理由２（進歩性）について
・請求項　９−１１、１３−１４
・引用文献　１
・請求項　１５−１６
・引用文献　１−２
＜拒絶の理由を発見しない請求項＞
　請求項１２に係る発明については、現時点では、拒絶の理由を発見しない。拒絶の理由が新たに発見された場合には拒絶の理由が通知される。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２００９−４７６６２号公報（新たに引用された文献）
２．特表２０１０−５３７５５５号公報（周知技術を示す文献）
第４　本願発明
　本願の請求項１−１５に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明１５」という。）は、平成３１年２月１３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）で補正された特許請求の範囲の請求項１−１５に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１、９は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　変調信号（１６）でシーン（１５）を照明するように適応された照明システム（１８）用の飛行時間(ＴｏＦ)システム（３）を駆動するための方法であって、
　前記ＴｏＦシステムが少なくとも１つの画素（３５ａ）を含む撮像センサ（３５）を有し、
　前記画素が、前記シーンから反射した変調信号（１７）を検出するために駆動信号によって駆動されるタップを含み、
　前記ＴｏＦシステムは、
　前記駆動信号を受信し、かつそれらを前記タップに送信するように適応されたタップドライバ（３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂ、５０２、５０３、５０４、５０５）と、
　前記タップドライバ（５０２、５０３、５０４、５０５）に関連付けられる少なくとも１つのマルチプレクサ（５０６、５０７）と、
をさらに含み、
　各画素に対し、
・少なくとも第１の組、および第２の組のタップを決定するステップと、
・前記変調信号（１６）の所定数Ｎ周期中に、前記第１の組のタップを駆動し、次いで、前記変調信号（１６）の所定数Ｎ周期中に、前記第２の組のタップを駆動して、前記反射した変調信号（１７）を検出するステップと、
を含む方法。」
「【請求項９】
変調信号（１６）でシーン（１５）を照明するように適応された照明システム（１８）用の飛行時間システム（３）であって、
・少なくとも２つの画素（３５ａ）を含み、各画素にタップが含まれる、撮像センサ（３５）と、
・前記タップを駆動するために駆動信号を発生するための信号発生器（３０、５０１）と、
・前記信号発生器（５０１、３０）から前記駆動信号を受信し、かつそれらを前記タップに送信するように適応されたタップドライバ（３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂ、５０２、５０３、５０４、５０５）とを備え、
・各画素が少なくとも２組のタップを含むこと、
・各画素の前記２組のタップがそれぞれ異なるドライバに接続されること、および
・各ドライバが各画素の１つのタップに接続され、前記各ドライバに接続された前記撮像センサの前記画素のタップが１組のタップを形成すること、
・前記変調信号（１６）の所定数Ｎ周期中に、第１の組のタップを駆動し、次いで、前記変調信号（１６）の所定数Ｎ周期中に、第２の組のタップを駆動して、前記シーン（１５）から反射した変調信号（１７）を検出し、
前記タップドライバ（５０２、５０３、５０４、５０５）に関連付けられる少なくとも１つのマルチプレクサ（５０６、５０７）をさらに含むこと、
を特徴とする、飛行時間システム（３）。」
　なお、本願発明２−８は、本願発明１を減縮した発明であり、
　本願発明１０−１５は、本願発明９を減縮した発明である。
第５　引用文献、引用発明等
１．引用文献Ａについて
（１）当審拒絶理由において引用された特開２００９−４７６６２号公報（以下「引用文献Ａ」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審による。以下同様。）
「【００１４】
　また、本発明に係る
距離画像測定装置
固体撮像装置と、
光源と、
対象物までの距離を演算する演算回路と、を備える
「【００２０】
　
距離画像測定装置は、固体撮像素子１、固体撮像素子１の駆動を制御する制御回路２、パルス光を出射する光源３、光源３の駆動回路４、及び固体撮像素子１の出力から物体Ｈまでの距離を演算する演算回路を内蔵した出力処理回路５を備え
制御回路２は、固体撮像素子１に右側パルス信号Ｓ
Ｒ
、左側パルス信号Ｓ
Ｌ
を入力し
駆動回路４には投光用の駆動パルス信号Ｓ
Ｐ
を入力し
【００２１】
　
制御回路２から出力された駆動パルス信号Ｓ
Ｐ
に同期して、駆動回路４から光源３に駆動電流が供給され
光源３からは、駆動パルス信号Ｓ
Ｐ
と同一パルス幅のプローブ光が出射され
プローブ光は
物体Ｈに照射され
物体Ｈの表面において反射されたプローブ光は
固体撮像素子１の撮像領域に入射する
・・・（中略）・・・
【００２４】
　
固体撮像素子１は、二次元状に配列した複数の画素
Ｐ（ｍ，ｎ）
からなる撮像領域１ＩＰを備えている
【図１】
「【００３２】
　駆動回路４は、電源４ａと光源３との間に介在するスイッチ４ｂを有しており、スイッチ４ｂに投光用の駆動パルス信号ＳＰを入力すると、駆動パルス信号ＳＰに同期した駆動電流が光源３に供給され、
駆動パルス信号Ｓ
Ｐ
に同期したプローブ光（パルス光）Ｌ
Ｐ
【００３３】
　プローブ光が、距離ｄの位置にある物体Ｈの表面に照射されると、プローブ光はこの表面で反射され、反射したプローブ光は
パルス光Ｌ
Ｄ
として
「【００３６】
　図５は、駆動パルス信号ＳＰ、検出パルス信号ＳＤ、右側パルス信号ＳＲ、左側パルス信号ＳＬのタイミングチャートである。駆動パルス信号ＳＰのパルス幅をＴＰとする。
【００３７】
　駆動パルス信号ＳＰの立ち上がり時刻ｔ１に同期して、右側パルス信号ＳＲが立ち上がる。駆動パルス信号ＳＰの立ち下り時刻ｔ３に同期して、右側パルス信号ＳＲが立ち下がる。すなわち、右側パルス信号ＳＲは駆動パルス信号ＳＰと同位相である。左側パルス信号ＳＬは、右側パルス信号ＳＲとは逆位相であり、時刻ｔ１において立ち下り、時刻ｔ３において立ち上がる。これらの右側パルス信号ＳＲと左側パルス信号ＳＬのパルス幅は共にＴＰである。
【００３８】
　
検出パルス光Ｌ
Ｄ
が各画素に入射すると、各画素においてキャリアが発生する
検出パルス光Ｌ
Ｄ
の入射に伴って発生するキャリアの電荷量の時間波形は検出パルス信号Ｓ
Ｄ
に一致する
【００３９】
　
右側パルス信号Ｓ
Ｒ
がハイレベルの場合において、画素で発生したキャリアが一方の第１蓄積領域内に流れ込む
【００４０】
　
左側パルス信号Ｓ
Ｌ
がハイレベルの場合において、画素で発生したキャリアが他方の第１蓄積領域内に流れ込む
【００４１】
　電荷量Ｑ１と電荷量Ｑ２の比率は、ＴＯＦ（飛行時間）に比例する。すなわち、後者の電荷量Ｑ２が相対的に前者の電荷量Ｑ１よりも大きいほど、距離ｄは大きくなる。もちろん、１つのパルス周期内において蓄積された電荷量のみでなく、電荷量Ｑ１、Ｑ２の積算値ΣＱ１、ΣＱ２の比率もＴＯＦに比例することになる。なお、積算を行なった方が、電荷量が大きくなるため正確な距離を求めることが可能となる。」
「【００４５】
　
画素Ｐ（ｍ，ｎ）
開口ＯＰの直下の絶縁層１０１上には、画素電極ＰＧが配置され
画素電極ＰＧの両側には、絶縁層１０１上に一対の第１ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２が配置され
第１ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２の外側には、半導体基板１００内に設けられた一対の第１蓄積領域ＡＲ，ＡＬが位置し
「【００６６】
　上述のように、各画素Ｐ（ｍ，ｎ）には、検出パルス信号ＳＤ、右側パルス信号ＳＲ及び左側パルス信号ＳＬが入力されている。電荷量Ｑ１は検出パルス信号ＳＤと右側パルス信号ＳＲの積を、これらのパルスの重複期間ｔ２〜ｔ３の間、時間積分した値であり、電荷量Ｑ２は検出パルス信号ＳＤと左側パルス信号ＳＬの積を、これらのパルスの重複期間ｔ３〜ｔ４の間、時間積分した値である。各画素Ｐ（ｍ，ｎ）からは、電荷量Ｑ１，Ｑ２が出力される。
【００６７】
　電荷量Ｑ１，Ｑ２は、駆動パルス信号ＳＰのパルス幅ＴＰと共に、後段の演算回路５ａに入力され、距離ｄを求める演算が行われる。上述のように、第２蓄積領域が２つの場合、ｄ＝（ｃ／２）×（ＴＰ×Ｑ２／（Ｑ１＋Ｑ２）で与えられる。なお、ｃは光速である。したがって、演算回路５ａからは、各画素Ｐ（ｍ，ｎ）毎の距離ｄ（ｍ，ｎ）が出力される。なお、画素列又は画素行毎にビニング動作を行っても良い。この場合には、ビニングによって積算される画素列又は画素行に入射した検出パルスが示す平均距離が得られることになる。
【００６８】
　また、上記では１８０度の位相差で２つの第１ゲート電極を駆動した場合に、２つの第１蓄積領域に隣接する２つの第２蓄積領域を用いた例を説明した。これは、９０度毎の位相差で４つの第１ゲート電極を駆動した場合に、４つの第１蓄積領域に隣接する４つの第２蓄積領域を用いたものにも適用することができる。第２蓄積領域の数が３つ以上の場合、例えば４つで駆動信号が正弦波状の場合には、各第２蓄積領域に蓄積される電荷量をＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４とすると、ｄ＝Φ×ｃ／２×２πｆで与えられる。なお、ｆは駆動正弦波信号ＳＰの繰り返し周波数であり、位相Φ＝−ａｒｃｔａｎ（（Ｑ２−Ｑ４）／（Ｑ１−Ｑ３））で与えられる。」（当審注：【００６８】の数式を見るに、この段落におけるＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４のナンバリングは、この文献のその他の記載におけるナンバリングとは異なり、駆動信号に対して９０度毎の位相差で、すなわち、０、９０、１８０、２７０度の位相差で第１ゲート電極を駆動したものを、順に、Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４とナンバリングしたものであることは、技術常識（例えば特開２００６−１９０７９１号公報の段落００８８−００９３等を参照）からも明らかである。）
「・・・（前略）・・・
【００８１】
　
駆動パルスの前半の半周期の期間においては、
右側の第１蓄積領域のポテンシャルφ
ＡＲ
の井戸内にキャリアを転送する
右側のポテンシャル井戸には電荷量ＱＲが蓄積され
【００８２】
　
駆動パルスの後半の半周期の期間においては、
左側の第１蓄積領域のポテンシャルφ
ＡＬ
の井戸内にキャリアを転送する
左側のポテンシャル井戸には電荷量ＱＬが蓄積され
【００８３】
　図１０（Ｂ）と図１０（Ｃ）からなる
微少電荷蓄積工程をＭ回繰り返すと、各ポテンシャル井戸内に、Ｍ倍に積算された電荷量ΣＱＲ、ΣＱＬが蓄積され
・・・（中略）・・・
【０１０１】
　また、
電荷の振り分けを行うため、一対の第1ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２には、それぞれパルス信号を含む右側パルス信号Ｓ
Ｒ
，左側パルス信号Ｓ
Ｌ
が入力され
・・・（中略）・・・
【０１０９】
　図１６は、固体撮像装置のタイミングチャートである。
【０１１０】
　まず、時刻ｔ１〜ｔ２の間は、
駆動パルス信号ＳＰは光源には印加されず、光源は非発光状態で
背景光の検出を行う
反射パルス検出における上述のＭ回の微少電荷蓄積を行う期間
Ｔ
Ｍ
・・・（中略）・・・
【０１１２】
　
時刻ｔ
３
〜ｔ
４
の期間において、上述のＭ回の検出が行われ
・・・（後略）・・・」
「【０１８５】
　図２８は、電荷退避領域を備えた固体撮像装置のタイミングチャートである。
【０１８６】
　１つの画素における信号の測定期間ＴＦにおいて、ＳＴＲ，ＳＴＧ，φＢ、φＦＤを除く信号のタイミングは、図１６に示したものと同一であるので、必要に応じて説明を省略する。」
「【０１９４】
　上記では、１８０度の位相が異なる右側パルス信号ＳＲ及び左側パルス信号ＳＬを、一対のゲート電極にそれぞれ印加することで、距離画像の測定を行った。以下では、９０度ずつ位相が異なる（位相＝０度，９０度，１８０度，２７０度）４つのパルス信号を、４つのキャリア振り分け用のゲート電極に印加することで、距離画像の測定を行う例について説明する。
・・・（中略）・・・
【０２０４】
　図３０は、図２９に示した画素Ｐ（ｍ，ｎ）の平面図である。図３１は、図３０における３１Ａ−３１Ａ矢印断面図（図３１（Ａ））、図３１（Ａ）の断面図における無バイアス時の半導体内のポテンシャル図（図３１（Ｂ））、図３０における３１Ｃ−３１Ｃ矢印断面図（図３１（Ｃ））、図３１（Ｃ）の断面図における無バイアス時の半導体内のポテンシャル図（図３１（Ｄ））である。
・・・（中略）・・・
【０２０６】
　前後方向の縦断面図（図３１（Ｃ））の構造及びポテンシャル図（図３１（Ｄ））は、左右方向のものと同一であるが、要素の符号が異なるので、以下、説明する。なお、左右方向及び前後方向は、それぞれ半導体基板１００の露出表面に平行であって、半導体基板１００の厚み方向に垂直であり、左右方向と前後方向とは互いに直交している。
【０２０７】
　
画素電極ＰＧの両側には、絶縁層１０１上に一対の第１ゲート電極ＴＸ３，ＴＸ４が配置され
第１ゲート電極ＴＸ３，ＴＸ４の外側には、半導体基板１００内に設けられた一対の第１蓄積領域ＡＦ，ＡＢが位置し
【図３０】
「【０２１６】
　図３２は、図３０に示した画素Ｐ（ｍ，ｎ）の回路図である。
・・・（中略）・・・
【０２１８】
　図３２における上半分の回路構造ＵＰ及びその機能は、図２６に示したものと同一であるので、説明を省略する。下半分の回路構造ＤＮの構造及びその機能は、電荷振り分け時の位相を除いて、上半分の回路構造ＵＰ及びその機能と同一である。以下では、図３２の下半分の回路構造ＤＮについて説明する。
【０２１９】
　画素電極ＰＧを含むトランジスタの一端は、ゲート電極ＴＸ３を含むＮＭＯＳトランジスタのソースに接続されており、ＮＭＯＳトランジスタ（ＴＸ３）のドレインは、第１蓄積領域ＡＦ、及びＮＭＯＳトランジスタ（ＩＧＦ）のソース、キャリア排出用トランジスタ（ＥＸ３）のソースに接続され、キャリア排出用のＮＭＯＳトランジスタ（ＥＸ３）のドレインは電源電位Ｖ＋に接続されている。第１蓄積領域ＡＦは、背景光成分除去用のＮＭＯＳトランジスタ（ＩＧＦ）のソースに接続されており、ＮＭＯＳトランジスタ（ＩＧＦ）のドレインは電荷退避領域ＢＦに接続されている。
・・・（中略）・・・
【０２２３】
　画素電極ＰＧを含むトランジスタの他端は、ゲート電極ＴＸ４を含むＮＭＯＳトランジスタのソースに接続されており、ＮＭＯＳトランジスタ（ＴＸ４）のドレインは、第１蓄積領域ＡＢ、及びＮＭＯＳトランジスタ（ＩＧＢ）のソース、キャリア排出用トランジスタ（ＥＸ４）のソースに接続され、キャリア排出用のＮＭＯＳトランジスタ（ＥＸ４）のドレインは電源電位Ｖ＋に接続されている。第１蓄積領域ＡＢは、背景光成分除去用のＮＭＯＳトランジスタ（ＩＧＢ）のソースに接続されており、ＮＭＯＳトランジスタ（ＩＧＢ）のドレインは電荷退避領域ＢＢに接続されている。
・・・（中略）・・・
【０２２７】
　また、
電荷の振り分けを行うため、一対の第1ゲート電極ＴＸ３，ＴＸ４には、それぞれ前側パルス信号Ｓ
Ｆ
及び後側パルス信号Ｓ
Ｂ
が入力され
前側パルス信号Ｓ
Ｆ
及び後側パルス信号Ｓ
Ｂ
は、第1ゲート電極ＴＸ３，ＴＸ４に印加されるタイミングを除いて、右側パルス信号Ｓ
Ｒ
及び左側パルス信号Ｓ
Ｌ
とそれぞれ同一である
第1ゲート電極ＴＸ３，ＴＸ４と前側パルス信号Ｓ
Ｆ
及び後側パルス信号Ｓ
Ｂ
の関係は、第1ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２と右側パルス信号Ｓ
Ｒ
及び左側パルス信号Ｓ
Ｌ
の関係に等しい
【図３２】（当審注：下半分の回路構造ＤＮのＳＬ、ＳＲは、ＳＢ、ＳＦの誤記と認められる。）
「【０２３７】
　図３５は、
固体撮像装置のタイミングチャート
【０２３８】
　１つの画素における信号の測定期間ＴＦにおいて、ＳＦ，ＳＢ，ＳＴ２、ＳＥＸ２を除く信号のタイミングは、図２８に示したものと同一であるので、必要に応じて説明を省略する。なお、同図における信号ＳＴ１、ＳＥＸ１は、図２８においてはＳＴ、ＳＥＸとして示したものである。また、ポテンシャルφＡ、φＢ、φＦＤは、左右方向のポテンシャルφＡＲ，φＡＬ、φＢＲ，φＢＬ、φＦＤＲ，φＦＤＬを代表して示している。
【０２３９】
　
１つの画素内の左右方向のキャリアの振り分けの終了（時刻ｔ
４
）の後
【０２４０】
　
時刻ｔ
７
〜ｔ
９
の期間において、前後方向のキャリア振り分けに関して、上述のＭ回の検出が行われる
・・・（中略）・・・
【０２４２】
　時刻ｔ１〜時刻ｔ９までの検出サイクル期間をＴＦ’とする。時刻ｔ９の後、時刻ｔ１０〜ｔ１１の期間、左右方向のキャリア排出用の信号ＳＥＸ１をハイレベル（トランジスタＯＮ）とし、第１蓄積領域に残留したキャリアを排出しながら、次の検出サイクル期間に移行する。次の検出サイクルにおいて、左右方向のキャリア振り分けが行われている期間において、時刻ｔ１２〜ｔ１３の期間、前後方向のキャリア排出用の信号ＳＥＸ２をハイレベル（トランジスタＯＮ）とし、第１蓄積領域に残留したキャリアを排出しておく。なお、検出サイクル期間ＴＦ’毎に、電荷退避領域には電子が積算して蓄積され、そのポテンシャルφＢＲ，φＢＬ，φＢＦ，φＢＢは順次低下していく。
【０２４３】
　本例では、Ｘ回の検出サイクル期間ＴＦ’を実行した後、時刻ｔ３２〜ｔ３３において、フローティング・ディフュージョン領域としての第３蓄積領域ＦＤＲ，ＦＤＬ，ＦＤＦ，ＦＤＢにリセットをかける。すなわち、時刻ｔ３２〜ｔ３３の期間において、リセット信号ＳＴＲをハイレベルとすることで、図３２におけるリセット用のトランジスタ（ＴＲＲ，ＴＲＬ，ＴＲＦ，ＴＲＢ）をＯＮすることで、第３蓄積領域ＦＤＲ，ＦＤＬ，ＦＤＦ，ＦＤＢを電源電位に接続した後、トランジスタ（ＴＲＲ，ＴＲＬ，ＴＲＦ，ＴＲＢ）をＯＦＦする。
・・・（中略）・・・
【０２４５】
　次に、今回の測定期間ＴＦの終了後、又は次回の測定期間ＴＦの適当な時刻において、選択スイッチとしてのトランジスタＳＥＬ（図３２参照）をＯＮすることで、ポテンシャルφＦＤＲ，φＦＤＬ，φＦＤＦ，φＦＤＢの検出を行う。
【０２４６】
　なお、上記では、
右側パルス信号Ｓ
Ｒ
と左側パルス信号Ｓ
Ｌ
とは１８０度、位相が異なり、前側パルス信号Ｓ
Ｆ
と後側パルス信号Ｓ
Ｂ
とは１８０度、位相が異なり、右側パルス信号Ｓ
Ｒ
と前側パルス信号Ｓ
Ｆ
とは９０度、位相が異なる
すなわち、Ｓ
Ｒ
、Ｓ
Ｌ
、Ｓ
Ｆ
、Ｓ
Ｂ
の位相は、駆動パルス信号Ｓ
Ｐ
を基準とすれば、それぞれ、０度，
２７０度である
１８０度，９０度，
【図３５】
「【０２４９】
　この構成では、画素の各断面図に示される
光感応領域ＳＡは、光検出素子ＰＤを兼用し
【０２５０】
　すなわち、
光感応領域ＳＡにおいて背景光を検出し
【０２５１】
　図３７は、このような
自己参照型の背景光検出を行う場合
【０２５２】
　図３７における時刻ｔ７以降は、パルス光照射時のキャリアの振り分けと転送を行うパルス検出期間ＴＤＩＶＩＤＥであり、同図の時刻ｔ７以降のタイミングは、図１６のｔ１以降のタイミングと同一であるが、背景光検出信号ＴＮは、これより以前の背景光検出期間ＴＭＯＮＩＴＯＲに検出された背景光成分の値を読み込む又はサンプルホールドする或いは演算することを意味する。なお、図３７における時刻ｔ１〜ｔ６は、背景光検出期間ＴＭＯＮＩＴＯＲである。
【０２５３】
　
背景光検出期間Ｔ
ＭＯＮＩＴＯＲ
の時刻ｔ
１
〜ｔ
２
においては、右側パルス信号Ｓ
Ｒ
、左側パルス信号Ｓ
Ｌ
を同時にハイレベルとし、光電変換によって発生した電子によって、第１蓄積領域のポテンシャルφ
Ａ
を低下させる
「【０２５６】
　以上のように、
上述の距離画像測定装置では
ＴＯＦ型距離測定装置であって
（２）したがって、引用文献Ａには次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
 「ＴＯＦ型距離測定装置（【０２５６】より。以下同様。）である、固体撮像装置と、光源と、対象物までの距離を演算する演算回路と、を備える距離画像測定装置（【００１４】）において、固体撮像装置のタイミングチャート（【０２３７】）に従って、固体撮像素子１の駆動を制御する（【００２０】）方法であって、
　距離画像測定装置は、固体撮像素子１、固体撮像素子１の駆動を制御する制御回路２、パルス光を出射する光源３、光源３の駆動回路４、及び固体撮像素子１の出力から物体Ｈまでの距離を演算する演算回路を内蔵した出力処理回路５を備え（【００２０】）、
　制御回路２は、駆動回路４には投光用の駆動パルス信号ＳＰを入力し（【００２０】）、制御回路２から出力された駆動パルス信号ＳＰに同期して、駆動回路４から光源３に駆動電流が供給され、光源３からは、駆動パルス信号ＳＰに同期した、駆動パルス信号ＳＰと同一パルス幅のプローブ光（パルス光）ＬＰが出射され、プローブ光は物体Ｈに照射され（【００２１】、【００３２】）、
　固体撮像素子１は、二次元状に配列した複数の画素Ｐ（ｍ，ｎ）からなる撮像領域１ＩＰを備えており（【００２４】）、
　物体Ｈの表面において反射されたプローブ光はパルス光ＬＤとして固体撮像素子１の撮像領域に入射し（【００２１】、【００３３】）、
　検出パルス光ＬＤが各画素に入射すると、各画素においてキャリアが発生し、検出パルス光ＬＤの入射に伴って発生するキャリアの電荷量の時間波形は検出パルス信号ＳＤに一致し（【００３８】）、
　画素Ｐ（ｍ，ｎ）の開口ＯＰの直下の絶縁層１０１上には、画素電極ＰＧが配置され、画素電極ＰＧの両側には、絶縁層１０１上に一対の第１ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２が配置され、第１ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２の外側には、半導体基板１００内に設けられた一対の第１蓄積領域ＡＲ，ＡＬが位置し（【００４５】）、画素電極ＰＧの両側には、絶縁層１０１上に一対の第１ゲート電極ＴＸ３，ＴＸ４が配置され、第１ゲート電極ＴＸ３，ＴＸ４の外側には、半導体基板１００内に設けられた一対の第１蓄積領域ＡＦ，ＡＢが位置し（【０２０７】）、
　制御回路２は、固体撮像素子１に右側パルス信号ＳＲ、左側パルス信号ＳＬを入力し（【００２０】）、
　電荷の振り分けを行うため、一対の第1ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２には、それぞれパルス信号を含む右側パルス信号ＳＲ，左側パルス信号ＳＬが入力され（【０１０１】）、
　右側パルス信号ＳＲがハイレベルの場合において、画素で発生したキャリアが一方の第１蓄積領域内に流れ込み（【００３９】）、左側パルス信号ＳＬがハイレベルの場合において、画素で発生したキャリアが他方の第１蓄積領域内に流れ込み（【００４０】）、
　電荷の振り分けを行うため、一対の第1ゲート電極ＴＸ３，ＴＸ４には、それぞれ前側パルス信号ＳＦ及び後側パルス信号ＳＢが入力され、前側パルス信号ＳＦ及び後側パルス信号ＳＢは、第1ゲート電極ＴＸ３，ＴＸ４に印加されるタイミングを除いて、右側パルス信号ＳＲ及び左側パルス信号ＳＬとそれぞれ同一であり、第1ゲート電極ＴＸ３，ＴＸ４と前側パルス信号ＳＦ及び後側パルス信号ＳＢの関係は、第1ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２と右側パルス信号ＳＲ及び左側パルス信号ＳＬの関係に等しく（【０２２７】）、
　右側パルス信号ＳＲと左側パルス信号ＳＬとは１８０度、位相が異なり、前側パルス信号ＳＦと後側パルス信号ＳＢとは１８０度、位相が異なり、右側パルス信号ＳＲと前側パルス信号ＳＦとは９０度、位相が異なり、すなわち、ＳＲ、ＳＬ、ＳＦ、ＳＢの位相は、駆動パルス信号ＳＰを基準とすれば、それぞれ、０度，１８０度，９０度，２７０度であり（【０２４６】）、
　駆動パルスの前半の半周期の期間においては、右側の第１蓄積領域のポテンシャルφＡＲの井戸内にキャリアを転送し、右側のポテンシャル井戸には電荷量ＱＲが蓄積され（【００８１】）、
　駆動パルスの後半の半周期の期間においては、左側の第１蓄積領域のポテンシャルφＡＬの井戸内にキャリアを転送し、左側のポテンシャル井戸には電荷量ＱＬが蓄積され（【００８２】）、
　微少電荷蓄積工程をＭ回繰り返すと、各ポテンシャル井戸内に、Ｍ倍に積算された電荷量ΣＱＲ、ΣＱＬが蓄積され（【００８３】）、
　反射パルス検出における上述のＭ回の微少電荷蓄積を行う期間ＴＭ（【０１１０】）である、時刻ｔ３〜ｔ４の期間において、上述のＭ回の検出が行われ（【０１１２】）、
　１つの画素内の左右方向のキャリアの振り分けの終了（時刻ｔ４）の後（【０２３９】）、時刻ｔ７〜ｔ９の期間において、前後方向のキャリア振り分けに関して、上述のＭ回の検出が行われる（【０２４０】）、
　距離画像測定装置（【００１４】）において、固体撮像装置のタイミングチャート（【０２３７】）に従って、固体撮像素子１の駆動を制御する（【００２０】）方法。」 
２．引用文献Ｂについて
（１）原査定の拒絶の理由において引用された特開２０１１−０１３１３８号公報（以下「引用文献Ｂ」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００１４】
　以下、図面を参照して車載用の画像センサに関して説明する。特に、以下の実施例で説明する画像センサは、車両の運転手の頭部に係る画像データを取得するために用いられる。図１に示すように、
画像センサ１００は、照射装置２０と、受光装置８０と、照射装置２０と受光装置８０を制御する制御装置３０を備え
【００１５】
　
照射装置２０は、第１波長域の第１波長光を測定対象物の表面に向けて照射する第１光源２２と、第２波長域の第２波長光を測定対象物の表面に向けて照射する第２光源２４を備え
【００１６】
　
受光装置８０は、撮像装置４０と、記憶装置５０と、演算装置６０
を備え
撮像装置４０は、測定対象物で反射した第１波長光の第１反射光に応じた電荷量を蓄積するとともに、測定対象物で反射した第２波長光の第２反射光に応じた電荷量を蓄積する
【００１７】
　図２に、撮像装置４０の構成を概略して示す。
撮像装置４０は、２次元状（アレイ状）に配置されている複数の受光部４２を備え
受光部４２は、画素毎に設けられ
受光部４２はそれぞれ、光を電荷に変換する受光素子（光電変換素子）と、受光素子で変換された電荷を蓄積する電荷蓄積部を備え
【００１８】
　図３に、受光部４２の一例を示す。受光部４２は、４つの受光素子４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄと、４つの電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄを備えている。第１受光素子４４ａは第１電荷蓄積部４６ａに接続されており、第１受光素子４４ａで変換された電荷が第１電荷蓄積部４６ａに蓄積される。第２受光素子４４ｂは第２電荷蓄積部４６ｂに接続されており、第２受光素子４４ｂで変換された電荷が第２電荷蓄積部４６ｂに蓄積される。第３受光素子４４ｃは第３電荷蓄積部４６ｃに接続されており、第３受光素子４４ｃで変換された電荷が第３電荷蓄積部４６ｃに蓄積される。第４受光素子４４ｄは第４電荷蓄積部４６ｄに接続されており、第４受光素子４４ｄで変換された電荷が第４電荷蓄積部４６ｄに蓄積される。
【００１９】
　
記憶装置５０は、受光部４２の電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄに蓄積された電荷量を電圧に変換する電圧変換回路と、変換された電圧値を記憶する記憶回路を備え
記憶装置５０の記憶回路は複数のメモリを有しており、各受光部４２の電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄのそれぞれの電荷量に対応した電圧値を記憶する
【００２０】
　
演算装置６０は、記憶装置５０に記憶された電圧値に基づいて、距離画像データを演算する
「【００２３】
　図５に示すように、第１光源２２と第２光源２４は、交互に発光を繰返し、第１波長光（８７０ｎｍ）と第２波長光（９７０ｎｍ）を交互に測定対象物に向けて照射する。
制御装置３０は、第１光源２２を制御して
第１波長光
を測定対象物に向けて照射させるとともに、第２光源２４を制御して
第２波長光
を測定対象物に向けて照射させ
【００２４】
　
制御装置３０は、撮像装置４０に接続されており、第１光源２２及び第２光源２４が発光するタイミングに連動（同期）して、撮像装置４０のうちのどの電荷蓄積部に電荷を蓄積させるかも制御する
受光素子
と電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの間のそれぞれにスイッチング素子
が接続されており、制御装置３０は、第１光源２２及び第２光源２４が発光するタイミングに連動して、それらのスイッチング素子をオン・オフするタイミングを制御する
「【００３１】
　図７及び８を参照して、距離画像データを取得する
ための方法
光源から照射された照射光と測定対象物で反射した反射光の位相差から測定対象物までの距離を換算することによって、距離画像データを取得する
【００３２】
　図７に示すように、この例では、第１光源２２と第２光源２４が発光するタイミングに連動（同期）して、撮像装置４０のスイッチング素子をオンさせるタイミングが４種類であることを特徴としている。図７に示すように、
制御装置３０は、第１光源２２及び第２光源２４のオンするタイミングに一致してスイッチング素子をオンさせる蓄積タイミング１（位相０°）と、第１光源２２及び第２光源２４が発光するタイミングから位相が１８０°ずれてスイッチング素子をオンさせる蓄積タイミング２（位相１８０°）と、第１光源２２及び第２光源２４が発光するタイミングから位相が９０°ずれてスイッチング素子をオンさせるタイミング３（位相９０°）と、第１光源２２及び第２光源２４が発光するタイミングから位相が２７０°ずれてスイッチング素子をオンさせるタイミング４（位相２７０°）の４種類が存在する
「【００３７】
　即ち、
所定期間（Ｔ１）において第１電荷蓄積部４６ａに蓄積されている電荷量に基づいて記憶装置５０に記憶されている電圧値（
時間（１）に対応する）と第２電荷蓄積部４６ｂに蓄積されている電荷量に基づいて記憶装置５０に記憶されている電圧値（
時間（２）に対応する）と、所定期間（Ｔ２）において第１電荷蓄積部４６ａに蓄積されている電荷量に基づいて記憶装置５０に記憶されている電圧値（
時間（５）に対応する）と第２電荷蓄積部４６ｂに蓄積されている電荷量に基づいて記憶装置５０に記憶されている電圧値（
時間（６）に対応する）に基づいて、距離画像データを演算する
第１波長光
に基づいて取得される
同様に、所定期間（Ｔ１）において第３電荷蓄積部４６ｃに蓄積されている電荷量に基づいて記憶装置５０に記憶されている電圧値（
時間（３）に対応する）と第４電荷蓄積部４６ｄに蓄積されている電荷量に基づいて記憶装置５０に記憶されている電圧値（
時間（４）に対応する）と、所定期間（Ｔ２）において第３電荷蓄積部４６ｃに蓄積されている電荷量に基づいて記憶装置５０に記憶されている電圧値（
時間（７）に対応する）と第４電荷蓄積部４６ｄに蓄積されている電荷量に基づいて記憶装置５０に記憶されている電圧値（
時間（８）に対応する）に基づいて、距離画像データを演算する
第２波長光
に基づいて取得される
【００３８】
　第１波長光に基づく距離画像データと第２波長光に基づく距離画像データは、例えば、それらの平均値を真の距離画像データとして用いてもよい。あるいは、必要に応じて、第１波長光に基づく距離画像データと第２波長光に基づく距離画像データのいずれか一方を用いてもよい。」
「【００５４】
　図１１に、撮像装置４０に設けられた受光部４２の他の一例を示す。図１１に示す
受光部４２は、２つの受光素子４４Ａ，４４Ｂと、４つの電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄを備え
第１電荷蓄積部４６ａと第２電荷蓄積部４６ｂはそれぞれ、第１受光素子４４Ａに接続され
第３電荷蓄積部４６ｃと第４電荷蓄積部４６ｄはそれぞれ、第２受光素子４４Ｂに接続され
第１電荷蓄積部４６ａと第１受光素子４４Ａ、及び第２電荷蓄積部４６ｂと第１受光素子４４Ａの間には、スイッチング素子がそれぞれ設けられ
第３電荷蓄積部４６ｃと第２受光素子４４Ｂ、及び第４電荷蓄積部４６ｄと第２受光素子４４Ｂの間にも、スイッチング素子がそれぞれ設けられ
【００５５】
　受光部４２はさらに、２つのバンドパスフィルタ４８Ａ，４８Ｂを備えている。第１バンドパスフィルタ４８Ａは第１受光素子４４Ａを覆っており、第２バンドパスフィルタ４８Ｂは第２受光素子４４Ｂを覆っている。第１バンドパスフィルタ４８Ａは第１波長光（８７０ｎｍ）に対して透過選択性を有しており、第２バンドパスフィルタ４８Ｂは第２波長光（９７０ｎｍ）に対して透過選択性を有している。このため、
第１受光素子４４Ａは、第１波長光のみを受光する
第２受光素子４４Ｂは、第２波長光のみを受光する
【００５６】
　図１２に、図１１の受光部４２を用いて位相差φに基づく距離画像データを取得する例を示す。なお、以下の技術は、図５に示す時間差τに基づく距離画像データの取得例にも適用することができる。図７の例と比較すると分かるように、第１光源２２と第２光源２４が同時に発光を繰り返している。
所定期間（Ｔ１）の場合、
時間（１）では、
第１受光素子４４Ａと第１電荷蓄積部４６ａの間のスイッチング素子がオンとなり、第１受光素子４４Ａで変換された電荷が第１電荷蓄積部４６ａに蓄積され
時間（２）では、
第１受光素子４４Ａと第２電荷蓄積部４６ｂの間のスイッチング素子がオンとなり、第１受光素子４４Ａで変換された電荷が第２電荷蓄積部４６ｂに蓄積され
時間（３）では、
第２受光素子４４Ｂと第３電荷蓄積部４６ｃの間のスイッチング素子がオンとなり、第２受光素子４４Ｂで変換された電荷が第３電荷蓄積部４６ｃに蓄積され
時間（４）では、
第２受光素子４４Ｂと第４電荷蓄積部４６ｄの間のスイッチング素子がオンとなり、第２受光素子４４Ｂで変換された電荷が第４電荷蓄積部４６ｄに蓄積され
４つの電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄには、所定期間（Ｔ１）に亘って変換された電荷が累積的に蓄積され
所定期間（Ｔ１）が終了すると、電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄに累積的に蓄積された電荷量は、記憶装置５０において電圧値に変換され記憶され
【００５７】
　次に、
所定期間（Ｔ２）に移行すると、
時間（５）では、
第１受光素子４４Ａと第１電荷蓄積部４６ａの間のスイッチング素子がオンとなり、第１受光素子４４Ａで変換された電荷が第１電荷蓄積部４６ａに蓄積され
時間（６）では、
第１受光素子４４Ａと第２電荷蓄積部４６ｂの間のスイッチング素子がオンとなり、第１受光素子４４Ａで変換された電荷が第２電荷蓄積部４６ｂに蓄積され
時間（７）では、
第２受光素子４４Ｂと第３電荷蓄積部４６ｃの間のスイッチング素子がオンとなり、第２受光素子４４Ｂで変換された電荷が第３電荷蓄積部４６ｃに蓄積され
時間（８）では、
第２受光素子４４Ｂと第４電荷蓄積部４６ｄの間のスイッチング素子がオンとなり、第２受光素子４４Ｂで変換された電荷が第４電荷蓄積部４６ｄに蓄積され
４つの電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄには、所定期間（Ｔ２）に亘って変換された電荷が累積的に蓄積され
所定期間（Ｔ２）が終了すると、電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄに累積的に蓄積された電荷量は、記憶装置５０において電圧値に変換され記憶され
【００５８】
　図１２に示すように、時間（１）と（３）は同一であり、時間（２）と（４）は同一であり、時間（５）と（７）は同一であり、時間（６）と（８）は同一である。即ち、第１バンドパスフィルタ４８Ａ及び第２バンドパスフィルタ４８Ｂを利用することにより、第１受光素子４４Ａでは第１波長光の反射光のみを電荷に変換する処理を実行することができ、第２受光素子４４Ｂでは第２波長光の反射光のみを電荷に変換する処理を実行することができる。第１受光素子４４Ａにおける処理と第２受光素子４４Ｂにおける処理を平行して実行することができる。これにより、画像センサ１００は、より短時間で画像データを取得することが可能になる。」
【図１１】　　　　　　　　　　【図１２】
　図１２より、
時間（１）
時間（３）
蓄積タイミング１（位相０°）
時間（２）
時間（４）
蓄積タイミング２（位相１８０°）
時間（５）
時間（７）
蓄積タイミング３（位相９０°）
時間（６）
時間（８）
蓄積タイミング４（位相２７０°）
（２）したがって、引用文献Ｂには次の技術的事項（以下「引用文献Ｂに記載された技術」という。）が記載されていると認められる。
「画像センサ１００は、照射装置２０と、受光装置８０と、照射装置２０と受光装置８０を制御する制御装置３０を備え（【００１４】）、
　照射装置２０は、第１波長域の第１波長光を測定対象物の表面に向けて照射する第１光源２２と、第２波長域の第２波長光を測定対象物の表面に向けて照射する第２光源２４を備え（【００１５】）、
　受光装置８０は、撮像装置４０と、記憶装置５０と、演算装置６０を備え、
　撮像装置４０は、測定対象物で反射した第１波長光の第１反射光に応じた電荷量を蓄積するとともに、測定対象物で反射した第２波長光の第２反射光に応じた電荷量を蓄積し（【００１６】）、
　撮像装置４０は、２次元状（アレイ状）に配置されている複数の受光部４２を備え、受光部４２は、画素毎に設けられ、受光部４２はそれぞれ、光を電荷に変換する受光素子（光電変換素子）と、受光素子で変換された電荷を蓄積する電荷蓄積部を備え（【００１７】）、
　受光部４２は、２つの受光素子４４Ａ，４４Ｂと、４つの電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄを備え、第１電荷蓄積部４６ａと第２電荷蓄積部４６ｂはそれぞれ、第１受光素子４４Ａに接続され、第３電荷蓄積部４６ｃと第４電荷蓄積部４６ｄはそれぞれ、第２受光素子４４Ｂに接続され、第１電荷蓄積部４６ａと第１受光素子４４Ａ、及び第２電荷蓄積部４６ｂと第１受光素子４４Ａの間には、スイッチング素子がそれぞれ設けられ、第３電荷蓄積部４６ｃと第２受光素子４４Ｂ、及び第４電荷蓄積部４６ｄと第２受光素子４４Ｂの間にも、スイッチング素子がそれぞれ設けられ（【００５４】）、
　第１受光素子４４Ａは、第１波長光のみを受光し、第２受光素子４４Ｂは、第２波長光のみを受光し（【００５５】）、
　記憶装置５０は、受光部４２の電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄに蓄積された電荷量を電圧に変換する電圧変換回路と、変換された電圧値を記憶する記憶回路を備え、記憶装置５０の記憶回路は複数のメモリを有しており、各受光部４２の電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄのそれぞれの電荷量に対応した電圧値を記憶し（【００１９】）、
　演算装置６０は、記憶装置５０に記憶された電圧値に基づいて、距離画像データを演算し（【００２０】）、
　制御装置３０は、第１光源２２を制御して第１波長光を測定対象物に向けて照射させるとともに、第２光源２４を制御して第２波長光を測定対象物に向けて照射させ（【００２３】）、
　制御装置３０は、撮像装置４０に接続されており、第１光源２２及び第２光源２４が発光するタイミングに連動（同期）して、撮像装置４０のうちのどの電荷蓄積部に電荷を蓄積させるかも制御し、受光素子と電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの間のそれぞれにスイッチング素子が接続されており、制御装置３０は、第１光源２２及び第２光源２４が発光するタイミングに連動して、それらのスイッチング素子をオン・オフするタイミングを制御し（【００２４】）、
　光源から照射された照射光と測定対象物で反射した反射光の位相差から測定対象物までの距離を換算することによって、距離画像データを取得するための方法（【００３１】）において、
　制御装置３０は、第１光源２２及び第２光源２４のオンするタイミングに一致してスイッチング素子をオンさせる蓄積タイミング１（位相０°）と、第１光源２２及び第２光源２４が発光するタイミングから位相が１８０°ずれてスイッチング素子をオンさせる蓄積タイミング２（位相１８０°）と、第１光源２２及び第２光源２４が発光するタイミングから位相が９０°ずれてスイッチング素子をオンさせるタイミング３（位相９０°）と、第１光源２２及び第２光源２４が発光するタイミングから位相が２７０°ずれてスイッチング素子をオンさせるタイミング４（位相２７０°）の４種類が存在し（【００３２】）、
　所定期間（Ｔ１）の場合、時間（１）では、蓄積タイミング１（位相０°）で第１受光素子４４Ａと第１電荷蓄積部４６ａの間のスイッチング素子がオンとなり、第１受光素子４４Ａで変換された電荷が第１電荷蓄積部４６ａに蓄積され、時間（２）では、蓄積タイミング２（位相１８０°）で第１受光素子４４Ａと第２電荷蓄積部４６ｂの間のスイッチング素子がオンとなり、第１受光素子４４Ａで変換された電荷が第２電荷蓄積部４６ｂに蓄積され、時間（３）では、蓄積タイミング１（位相０°）で第２受光素子４４Ｂと第３電荷蓄積部４６ｃの間のスイッチング素子がオンとなり、第２受光素子４４Ｂで変換された電荷が第３電荷蓄積部４６ｃに蓄積され、時間（４）では、蓄積タイミング２（位相１８０°）で第２受光素子４４Ｂと第４電荷蓄積部４６ｄの間のスイッチング素子がオンとなり、第２受光素子４４Ｂで変換された電荷が第４電荷蓄積部４６ｄに蓄積され、４つの電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄには、所定期間（Ｔ１）に亘って変換された電荷が累積的に蓄積され、所定期間（Ｔ１）が終了すると、電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄに累積的に蓄積された電荷量は、記憶装置５０において電圧値に変換され記憶され（【００５６】、図１２）、
　所定期間（Ｔ２）に移行すると、時間（５）では、蓄積タイミング３（位相９０°）で第１受光素子４４Ａと第１電荷蓄積部４６ａの間のスイッチング素子がオンとなり、第１受光素子４４Ａで変換された電荷が第１電荷蓄積部４６ａに蓄積され、時間（６）では、蓄積タイミング４（位相２７０°）で第１受光素子４４Ａと第２電荷蓄積部４６ｂの間のスイッチング素子がオンとなり、第１受光素子４４Ａで変換された電荷が第２電荷蓄積部４６ｂに蓄積され、時間（７）では、蓄積タイミング３（位相９０°）で第２受光素子４４Ｂと第３電荷蓄積部４６ｃの間のスイッチング素子がオンとなり、第２受光素子４４Ｂで変換された電荷が第３電荷蓄積部４６ｃに蓄積され、時間（８）では、蓄積タイミング４（位相２７０°）で第２受光素子４４Ｂと第４電荷蓄積部４６ｄの間のスイッチング素子がオンとなり、第２受光素子４４Ｂで変換された電荷が第４電荷蓄積部４６ｄに蓄積され、４つの電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄには、所定期間（Ｔ２）に亘って変換された電荷が累積的に蓄積され、所定期間（Ｔ２）が終了すると、電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄに累積的に蓄積された電荷量は、記憶装置５０において電圧値に変換され記憶され（【００５７】、図１２）、
　所定期間（Ｔ１）において第１電荷蓄積部４６ａに蓄積されている電荷量に基づいて記憶装置５０に記憶されている電圧値（時間（１）に対応する）と第２電荷蓄積部４６ｂに蓄積されている電荷量に基づいて記憶装置５０に記憶されている電圧値（時間（２）に対応する）と、所定期間（Ｔ２）において第１電荷蓄積部４６ａに蓄積されている電荷量に基づいて記憶装置５０に記憶されている電圧値（時間（５）に対応する）と第２電荷蓄積部４６ｂに蓄積されている電荷量に基づいて記憶装置５０に記憶されている電圧値（時間（６）に対応する）に基づいて、第１波長光に基づいて取得される距離画像データを演算し、
　同様に、所定期間（Ｔ１）において第３電荷蓄積部４６ｃに蓄積されている電荷量に基づいて記憶装置５０に記憶されている電圧値（時間（３）に対応する）と第４電荷蓄積部４６ｄに蓄積されている電荷量に基づいて記憶装置５０に記憶されている電圧値（時間（４）に対応する）と、所定期間（Ｔ２）において第３電荷蓄積部４６ｃに蓄積されている電荷量に基づいて記憶装置５０に記憶されている電圧値（時間（７）に対応する）と第４電荷蓄積部４６ｄに蓄積されている電荷量に基づいて記憶装置５０に記憶されている電圧値（時間（８）に対応する）に基づいて、第２波長光に基づいて取得される距離画像データを演算する（【００３７】）、
　距離画像データを取得するための方法（【００３１】）。」
３．引用文献Ｃについて
（１）原査定の拒絶の理由において引用された国際公開第２０１１／１５８７９６号（以下「引用文献Ｃ」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「[0030]　以下に説明する実施形態では、図３に示すように、
対象空間に投光する発光源１と、対象空間からの光を受光する撮像素子２とを備えた撮像装置
「[0039]　図２に示す構成は、
撮像素子２の１画素分の
素子形成層１３の表面に沿って
電極
を一直線上に配列し
１０Ａ〜１０Ｊ
「[0045]　また、
投光期間には
電極１０Ａ〜１０Ｆに跨る領域にポテンシャル井戸１１を形成し、非投光期間には
電極１０Ｃ〜１０Ｈに跨る領域にポテンシャル井戸１１を形成する
投光期間では、電極１０Ｂ〜１０Ｆが一列の転送電極として使用され、
非投光期間では、電極１０Ｃ〜１０Ｇが一列の転送電極として使用され、
[0046]　すなわち、
投光期間と非投光期間とにおいて、保持電極である電極１０Ａ，１０Ｈの間の電極１０Ｂ〜１０Ｇを用いて集積された電荷が、それぞれ保持電極である電極１０Ａ，１０Ｈに対応して形成されたポテンシャル井戸に保持され
「[0066]　ところで、
投光期間Ｔｂと非投光期間Ｔｄとでは、電極１０に制御電圧を印加する順序が逆になる
選択すべき２信号ずつをセレクタ２５の入力とし、各セレクタ２５の２入力のうちの一方を
選択してセレクタ２５の出力とする
[0067]　たとえば、図５の最上段のセレクタ２５には、矩形波信号Ｓ２〜Ｓ４のうちで基準タイミング信号Ｓ５を生成する矩形波信号Ｓ１との時間差が最小である矩形波信号Ｓ２と最大である矩形波信号Ｓ４とを入力する。また、次段のセレクタ２５には、矩形波信号Ｓ１との時間差が２番目に小さい矩形波信号と２番目に大きい矩形波信号とを入力する。そして、最下段のセレクタ２５では、矩形波信号Ｓ１との時間差が最大である矩形波信号Ｓ４と最小である矩形波信号Ｓ２とを選択できるようにする。
[0068]　各セレクタ２５への入力をこのように組み合わせる
ことにより、
順番を入れ替えることができる
「[0076]　
駆動回路２８０は、複数の電極１０（１０Ａ〜１０Ｊ）に個別に対応する複数のドライバ２８（２８Ａ〜２８Ｊ）を備え
「[0081]　
駆動信号生成回路２５１は、複数（６つ）の電極１０Ｂ〜１０Ｇに個別に対応する複数（６つ）の駆動信号Ｄ１〜Ｄ６を生成するように構成され
複数（６つ）のセレクタ２５（２５Ａ〜２５Ｆ）
を備え
「[0083]　
切替回路２５３は、駆動制御回路２５２の指示に応じて各セレクタ２５にハイレベルまたはロウレベルの切替信号を与えるように構成され
[0084]　
セレクタ２５は第１入力端子と第２入力端子と出力端子を有し、ハイレベルの信号が与えられると第１入力端に入力された信号を出力端子から出力し、ロウレベルの信号が与えられると第２入力端に入力された信号を出力端子から出力するように構成され
「[0090]　
駆動制御回路２５２は、クロック信号に基づいて各ドライバ２８（２８Ａ，２８Ｈ，２８Ｉ，２８Ｊ）に駆動信号を出力する
（２）したがって、引用文献Ｃには次の技術的事項（以下「引用文献Ｃに記載された技術」という。）が記載されていると認められる。
「対象空間に投光する発光源１と、対象空間からの光を受光する撮像素子２とを備えた撮像装置（[0030]）において、
　撮像素子２の１画素分の素子形成層１３の表面に沿って電極１０Ａ〜１０Ｊを一直線上に配列し（[0039]）、
　投光期間には電極１０Ａ〜１０Ｆに跨る領域にポテンシャル井戸１１を形成し、非投光期間には電極１０Ｃ〜１０Ｈに跨る領域にポテンシャル井戸１１を形成し、投光期間では、電極１０Ｂ〜１０Ｆが一列の転送電極として使用され、非投光期間では、電極１０Ｃ〜１０Ｇが一列の転送電極として使用され（[0045]）、投光期間と非投光期間とにおいて、保持電極である電極１０Ａ，１０Ｈの間の電極１０Ｂ〜１０Ｇを用いて集積された電荷が、それぞれ保持電極である電極１０Ａ，１０Ｈに対応して形成されたポテンシャル井戸に保持され（[0046]）、
　駆動回路２８０は、複数の電極１０（１０Ａ〜１０Ｊ）に個別に対応する複数のドライバ２８（２８Ａ〜２８Ｊ）を備え（[0076]）、
　駆動制御回路２５２は、クロック信号に基づいて各ドライバ２８（２８Ａ，２８Ｈ，２８Ｉ，２８Ｊ）に駆動信号を出力し（[0090]）、
　駆動信号生成回路２５１は、複数（６つ）の電極１０Ｂ〜１０Ｇに個別に対応する複数（６つ）の駆動信号Ｄ１〜Ｄ６を生成するように構成され、複数（６つ）のセレクタ２５（２５Ａ〜２５Ｆ）を備え（[0081]）、
　切替回路２５３は、駆動制御回路２５２の指示に応じて各セレクタ２５にハイレベルまたはロウレベルの切替信号を与えるように構成され（[0083]）、
　セレクタ２５は第１入力端子と第２入力端子と出力端子を有し、ハイレベルの信号が与えられると第１入力端に入力された信号を出力端子から出力し、ロウレベルの信号が与えられると第２入力端に入力された信号を出力端子から出力するように構成され（[0084]）、
　投光期間Ｔｂと非投光期間Ｔｄとでは、電極１０に制御電圧を印加する順序が逆になるから、選択すべき２信号ずつをセレクタ２５の入力とし、各セレクタ２５の２入力のうちの一方を選択してセレクタ２５の出力とする（[0066]）ことにより、順番を入れ替えることができる（[0068]）、
　撮像装置（[0030]）。」
４．引用文献Ｄについて
　原査定の拒絶の理由及び当審拒絶理由において周知技術を示す文献として引用された特表２０１０−５３７５５５号公報（以下「引用文献Ｄ」という。）には、段落００５０、図８Ａ〜図８Ｃの記載より、概略、画素の形状が八角形の八角形画素を用いる周知技術が記載されていると認められる。
第６　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明の「光源３」、「プローブ光」は、それぞれ、本願発明１の「照明システム」、「変調信号」に相当し、引用発明における、「光源３から」「プローブ光」「が出射され、プローブ光は物体Ｈに照射され」ることは、本願発明１における「照明システム」が「変調信号でシーンを照明するように適応され」ていることに相当する。
　そして、引用発明における、「固体撮像装置と、光源と、対象物までの距離を演算する演算回路と、を備え」、「ＴＯＦ型距離測定装置である」、「距離画像測定装置」は、本願発明１における「変調信号でシーンを照明するように適応された照明システム用の飛行時間(ＴｏＦ)システム」に相当し、引用発明における、その「距離画像測定装置において、固体撮像装置のタイミングチャートに従って、固体撮像素子１の駆動を制御する方法」は、本願発明１における「飛行時間(ＴｏＦ)システムを駆動するための方法」に相当するといえる。
イ　引用発明における「画素Ｐ（ｍ，ｎ）」、「固体撮像素子１」は、それぞれ、本願発明１における「画素」、「撮像センサ」に相当する。
　そして、引用発明における、「距離画像測定装置は、固体撮像素子１」「を備え」、「固体撮像素子１は、二次元状に配列した複数の画素Ｐ（ｍ，ｎ）からなる撮像領域１ＩＰを備えて」いることは、上記アを踏まえると、本願発明１における「前記ＴｏＦシステムが少なくとも１つの画素を含む撮像センサを有」することに相当する。
ウ　引用発明における、「物体Ｈの表面において反射されたプローブ光」である「検出パルス光ＬＤ」は、上記アを踏まえると、本願発明１における「前記シーンから反射した変調信号」に相当する。
　また、引用発明における「右側パルス信号ＳＲ、左側パルス信号ＳＬ」並びに「前側パルス信号ＳＦ及び後側パルス信号ＳＢ」は、本願発明１における「駆動信号」に相当する。
　そして、引用発明において、「検出パルス光ＬＤが各画素に入射すると、各画素においてキャリアが発生し」、「画素Ｐ（ｍ，ｎ）」に「第１ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２が配置され、第１ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２の外側には」「一対の第１蓄積領域ＡＲ，ＡＬが位置し」、「画素Ｐ（ｍ，ｎ）」に「第１ゲート電極ＴＸ３，ＴＸ４が配置され、第１ゲート電極ＴＸ３，ＴＸ４の外側には」「一対の第１蓄積領域ＡＦ，ＡＢが位置し」、「電荷の振り分けを行うため、一対の第1ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２には、それぞれパルス信号を含む右側パルス信号ＳＲ，左側パルス信号ＳＬが入力され」、「一対の第1ゲート電極ＴＸ３，ＴＸ４には、それぞれ前側パルス信号ＳＦ及び後側パルス信号ＳＢが入力され」ることは、上記イを踏まえると、本願発明１における、「前記画素が、前記シーンから反射した変調信号を検出するために駆動信号によって駆動されるタップを含」むことに相当する。
　なお、「タップ」に関し、本願明細書では「【０００８】・・・「タップ」は、Ｓφのような光信号にさらされたときに電荷を光生成するために使用される制御ノードおよび検出領域を含む構成要素である。・・・【００３３】・・・各タップはそれぞれ制御ノード（すなわち基板コンタクト）１、３、５、および７、ならびに検出領域２、４、６、および８から構成される。・・・【００３５】・・・回路構成３２１（または３２４）と制御ノード３２５との間に印加される電位を制御することによって、関連付けられるタップの検出能を制御することが可能である。光子を画素の感光領域内に入射すると、特定の位置に電子正孔ｅ−／ｈ＋対が生成される。電子正孔対は、存在しかつ流れる多数電流に関連付けられる電界によって分離される。この電界は、光生成される少数キャリアを、流れている多数電流とは反対の方向に、すなわち領域３２５の方向にドリフトさせる。拡散によって、最終的に少数キャリアは検出領域３２６に到達する。【００３６】基本的に、画素が幾つかのタップを含む場合、かつ他のタップに対して正電位が１つのタップに印加されると、そのタップは起動され、検出能が高くなる。すなわち、起動されたタップの検出領域は、画素における光生成された少数キャリアの大部分を受け取る。」等と記載されており、引用発明における「第１ゲート電極」、「第１蓄積領域」は、それぞれ、本願明細書でいうところの「制御ノード」、「検出領域」に相当するといえるから、引用発明における「第１ゲート電極」及び「第１蓄積領域」が、本願発明１でいうところの（制御ノードおよび検出領域を含む）「タップ」に相当するといえる。すなわち、引用発明における、「第１ゲート電極ＴＸ１」及び「第１蓄積領域ＡＲ」、「第１ゲート電極」「ＴＸ２」及び「第１蓄積領域」「ＡＬ」、「第１ゲート電極ＴＸ３」及び「第１蓄積領域ＡＦ」、並びに、「第１ゲート電極」「ＴＸ４」及び「第１蓄積領域」「ＡＢ」のそれぞれが、本願発明１における「前記シーンから反射した変調信号を検出するために駆動信号によって駆動されるタップ」に相当することになる。
エ　引用発明では、「１つの画素内の左右方向のキャリアの振り分けの終了（時刻ｔ４）の後、時刻ｔ７〜ｔ９の期間において、前後方向のキャリア振り分け」「が行われる」ところ、上記ウを踏まえると、引用発明における、「左右方向のキャリアの振り分け」に関係する、「第１ゲート電極ＴＸ１」及び「第１蓄積領域ＡＲ」、「第１ゲート電極」「ＴＸ２」及び「第１蓄積領域」「ＡＬ」と、「前後方向のキャリア振り分け」に関係する、「第１ゲート電極ＴＸ３」及び「第１蓄積領域ＡＦ」、「第１ゲート電極」「ＴＸ４」及び「第１蓄積領域」「ＡＢ」とは、それぞれ、本願発明１における、「第１の組」「のタップ」、「第２の組のタップ」に相当する。
　そうすると、上記イを踏まえると、引用発明において、「１つの画素内」で、「第１ゲート電極ＴＸ１」及び「第１蓄積領域ＡＲ」、「第１ゲート電極」「ＴＸ２」及び「第１蓄積領域」「ＡＬ」を、「左右方向のキャリアの振り分け」に用い、「第１ゲート電極ＴＸ３」及び「第１蓄積領域ＡＦ」、「第１ゲート電極」「ＴＸ４」及び「第１蓄積領域」「ＡＢ」を、「前後方向のキャリア振り分け」に用いることが、本願発明１において、「各画素に対し」、「少なくとも第１の組、および第２の組のタップを決定する」ことに相当するといえる。
オ　引用発明の「左右方向のキャリアの振り分け」は、「駆動パルスの前半の半周期の期間においては、右側の第１蓄積領域のポテンシャルφＡＲの井戸内にキャリアを転送し、右側のポテンシャル井戸には電荷量ＱＲが蓄積され、駆動パルスの後半の半周期の期間においては、左側の第１蓄積領域のポテンシャルφＡＬの井戸内にキャリアを転送し、左側のポテンシャル井戸には電荷量ＱＬが蓄積され、微少電荷蓄積工程をＭ回繰り返す」こと、すなわち、「駆動パルス」の「周期」を「Ｍ回繰り返す」ことである。ここでの「駆動パルス」とは「駆動パルス信号ＳＰ」のことであり、「駆動パルス信号ＳＰ」は「プローブ光」と、「駆動パルス信号ＳＰに同期した、駆動パルス信号ＳＰと同一パルス幅のプローブ光」という関係にあるから、上記アを踏まえると、引用発明における「Ｍ回繰り返」される「駆動パルス」の「周期」は、本願発明１における「前記変調信号の所定数Ｎ周期」に相当する。
　そして、上記エに記載したように、引用発明では、「左右方向のキャリアの振り分け」において、本願発明１の「第１の組」「のタップ」に相当する、「第１ゲート電極ＴＸ１」及び「第１蓄積領域ＡＲ」、「第１ゲート電極」「ＴＸ２」及び「第１蓄積領域」「ＡＬ」が使用されるから、引用発明の、「駆動パルス」の「周期」を「Ｍ回繰り返す」「左右方向のキャリアの振り分け」は、本願発明１における、「前記変調信号の所定数Ｎ周期中に、前記第１の組のタップを駆動」することに相当する。
　同様に、上記エに記載したように、引用発明では、「前後方向のキャリア振り分け」において、本願発明１の「第２の組のタップ」に相当する、「第１ゲート電極ＴＸ３」及び「第１蓄積領域ＡＦ」、「第１ゲート電極」「ＴＸ４」及び「第１蓄積領域」「ＡＢ」が使用されるから、引用発明における、「左右方向のキャリアの振り分けの終了」「の後」、「上述のＭ回の検出が行われる」「前後方向のキャリア振り分け」は、本願発明１における、「（前記変調信号の所定数Ｎ周期中に、前記第１の組のタップを駆動し、）次いで、前記変調信号の所定数Ｎ周期中に、前記第２の組のタップを駆動」することに相当する。
　さらに、引用発明の「左右方向のキャリアの振り分け」及び「前後方向のキャリア振り分け」においての「Ｍ回の微少電荷蓄積」は、「反射パルス検出における」ものであること、及び上記ウを踏まえると、引用発明における、「駆動パルス」の「周期」を「Ｍ回繰り返す」「左右方向のキャリアの振り分け」を行い、「左右方向のキャリアの振り分けの終了」「の後」、「上述のＭ回の検出が行われる」「前後方向のキャリア振り分け」を行うことは、本願発明１における、「前記変調信号の所定数Ｎ周期中に、前記第１の組のタップを駆動し、次いで、前記変調信号の所定数Ｎ周期中に、前記第２の組のタップを駆動して、前記反射した変調信号を検出する」ことに相当する。
　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
（一致点）
「変調信号でシーンを照明するように適応された照明システム用の飛行時間(ＴｏＦ)システムを駆動するための方法であって、
　前記ＴｏＦシステムが少なくとも１つの画素を含む撮像センサを有し、
　前記画素が、前記シーンから反射した変調信号を検出するために駆動信号によって駆動されるタップを含み、
　各画素に対し、
・少なくとも第１の組、および第２の組のタップを決定するステップと、
・前記変調信号の所定数Ｎ周期中に、前記第１の組のタップを駆動し、次いで、前記変調信号の所定数Ｎ周期中に、前記第２の組のタップを駆動して、前記反射した変調信号を検出するステップと、
を含む方法。」
（相違点）
　本願発明１では、
「前記ＴｏＦシステムは、
　前記駆動信号を受信し、かつそれらを前記タップに送信するように適応されたタップドライバと、
　前記タップドライバに関連付けられる少なくとも１つのマルチプレクサと、
をさらに含」むのに対して、
　引用発明では、「固体撮像素子１に右側パルス信号ＳＲ、左側パルス信号ＳＬ」（並びに「前側パルス信号ＳＦ及び後側パルス信号ＳＢ」）「を入力」する「制御回路２」から、「一対の第1ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２には、それぞれパルス信号を含む右側パルス信号ＳＲ，左側パルス信号ＳＬが入力され」、「一対の第1ゲート電極ＴＸ３，ＴＸ４には、それぞれ前側パルス信号ＳＦ及び後側パルス信号ＳＢが入力され」るまでの、「右側パルス信号ＳＲ，左側パルス信号ＳＬ」、「前側パルス信号ＳＦ及び後側パルス信号ＳＢ」の伝達過程の詳細が明記されていない点。
（２）相違点についての判断
　上記相違点について検討する。
ア　引用文献Ｂに記載された技術は、「制御装置３０は、第１光源２２及び第２光源２４が発光するタイミングに連動」して、「受光素子と電荷蓄積部４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの間のそれぞれに」「接続されて」いる「スイッチング素子をオン・オフするタイミングを制御」するものであるが、「制御装置３０」が「スイッチング素子をオン・オフするタイミングを制御」するための信号を具体的にどのような手段によりどのようにして伝達するかは記載されておらず、相違点に係る本願発明１の構成を示唆するものではない。
イ　引用文献Ｃに記載された技術は、「撮像素子２の１画素分の素子形成層１３の表面に沿って」「一直線上に配列」された「電極１０Ａ〜１０Ｊ」「に個別に対応する複数のドライバ２８（２８Ａ〜２８Ｊ）」を設け、「複数（６つ）の電極１０Ｂ〜１０Ｇに個別に対応する複数（６つ）の駆動信号Ｄ１〜Ｄ６を生成する」のに「複数（６つ）のセレクタ２５（２５Ａ〜２５Ｆ）」を用いるものであるが、この「複数（６つ）のセレクタ２５（２５Ａ〜２５Ｆ）」は、「投光期間には電極１０Ａ〜１０Ｆに跨る領域にポテンシャル井戸１１を形成し、非投光期間には電極１０Ｃ〜１０Ｈに跨る領域にポテンシャル井戸１１を形成し、投光期間では、電極１０Ｂ〜１０Ｆが一列の転送電極として使用され、非投光期間では、電極１０Ｃ〜１０Ｇが一列の転送電極として使用され、投光期間と非投光期間とにおいて、保持電極である電極１０Ａ，１０Ｈの間の電極１０Ｂ〜１０Ｇを用いて集積された電荷が、それぞれ保持電極である電極１０Ａ，１０Ｈに対応して形成されたポテンシャル井戸に保持され」るものにおいて、「投光期間Ｔｂと非投光期間Ｔｄとでは、電極１０に制御電圧を印加する順序が逆になるから、選択すべき２信号ずつをセレクタ２５の入力とし、各セレクタ２５の２入力のうちの一方を選択してセレクタ２５の出力とすることにより、順番を入れ替える」ためのものである。
　一方で、引用発明は、「制御回路２」は、「一対の第1ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２には、それぞれパルス信号を含む右側パルス信号ＳＲ，左側パルス信号ＳＬ」を「入力」し、「一対の第1ゲート電極ＴＸ３，ＴＸ４には、それぞれ前側パルス信号ＳＦ及び後側パルス信号ＳＢ」を「入力」するものであるが、「駆動パルス信号ＳＰは光源には印加されず、光源は非発光状態で、背景光の検出を行う」（引用文献Ａの【０１１０】）にあたって、「光感応領域ＳＡは、光検出素子ＰＤを兼用し」（【０２４９】）、「光感応領域ＳＡにおいて背景光を検出し」（【０２５０】）、「自己参照型の背景光検出を行う場合」（【０２５１】）には、「背景光検出期間ＴＭＯＮＩＴＯＲの時刻ｔ１〜ｔ２においては、右側パルス信号ＳＲ、左側パルス信号ＳＬを同時にハイレベルとし、光電変換によって発生した電子によって、第１蓄積領域のポテンシャルφＡを低下させる」（【０２５３】）ものでもある。
　しかしながら、引用発明は、引用文献Ｃのように「投光期間Ｔｂと非投光期間Ｔｄとでは、電極１０に制御電圧を印加する順序が逆になる」ようなものではなく、「選択すべき２信号ずつをセレクタ２５の入力とし、各セレクタ２５の２入力のうちの一方を選択してセレクタ２５の出力とすることにより、順番を入れ替える」必要もないから、引用発明において、引用文献Ｃに記載された技術を適用する動機づけを見出すことはできない。
ウ　相違点に係る本願発明１の構成は、引用文献Ｄにも記載されておらず、また、本願の優先日前において周知技術であるともいえない。
（３）したがって、本願発明１と引用発明とは実質的な相違点を有しており、本願発明１は引用発明であるとはいえない。
　また、本願発明１は、当業者であっても引用文献Ａ−Ｄに基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２．本願発明２−８について
　本願発明２−８は、本願発明１を減縮した発明であり、相違点に係る本願発明１の構成と同一の構成を備えるものである。
　したがって、本願発明１と同じ理由により、本願発明２−８は、引用発明であるとはいえない。
　また、本願発明１と同じ理由により、本願発明２−８は、当業者であっても、引用文献Ａ−Ｄに基づいて容易に発明できたものとはいえない。
３．本願発明９について
　本願発明９は、本願発明１に対応する飛行時間システムの発明であり、本願発明１の上記相違点に係る構成に対応する、「・・・前記駆動信号を受信し、かつそれらを前記タップに送信するように適応されたタップドライバ（３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂ、５０２、５０３、５０４、５０５）」「を備え」、「前記タップドライバ（５０２、５０３、５０４、５０５）に関連付けられる少なくとも１つのマルチプレクサ（５０６、５０７）をさらに含む」という構成を備えるものである。
　したがって、本願発明１と同様の理由により、本願発明９は、引用発明であるとはいえない。
　また、本願発明１と同様の理由により、本願発明９は、当業者であっても、引用文献Ａ−Ｄに基づいて容易に発明できたものとはいえない。
４．本願発明１０−１５について
　本願発明１０−１５は、本願発明９を減縮した発明であり、本願発明９の、本願発明１の相違点に係る構成に対応する上記「３．」の構成、と同一の構成を備えるものである。
　したがって、本願発明９と同じ理由により、本願発明１０−１５は、引用発明であるとはいえない。
　また、本願発明９と同じ理由により、本願発明１０−１５は、当業者であっても、引用文献Ａ−Ｄに基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第７　原査定についての判断
１．理由１（特許法第２９条第１項第３号）について
　上記「第６」「１．」「（２）」「ア」に記載したとおり、引用文献Ｂには、上記相違点に係る本願発明１の構成が記載されていないから、本願発明１は引用文献Ｂに記載された発明であるとはいえない。
　また、本願発明２−８は、本願発明１を減縮した発明であり、上記相違点に係る本願発明１の構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、引用文献Ｂに記載された発明であるとはいえない。
　さらに、本願発明９は、本願発明１に対応する飛行時間システムの発明であり、本願発明１の上記相違点に係る構成に対応する上記「第６」「３．」に記載した構成を備えるものであるから、本願発明１と同様の理由により、引用文献Ｂに記載された発明であるとはいえない。
　そして、本願発明１０−１５は、本願発明９を減縮した発明であり、本願発明９の上記構成を備えるものであるから、本願発明９と同じ理由により、引用文献Ｂに記載された発明であるとはいえない。
　したがって、原査定の理由１を維持することはできない。
２．理由２（特許法第２９条第２項）について
　上記「第６」に記載したとおり、本願発明１−１５は、当業者であっても、引用文献Ａ−Ｄに基づいて容易に発明できたものとはいえない。よって、本願発明１−１５は、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献Ｂ−Ｄに基づいて容易に発明できたものとはいえない。
　したがって、原査定の理由２を維持することはできない。
第８　当審拒絶理由についての判断
　本件補正により、本願発明１−１５が、当審拒絶理由の対象でなかった、本件補正前の請求項１２に記載されていた発明特定事項を含むものとなったから、当審拒絶理由は解消した。
第９　むすび
　以上のとおり、原査定の理由、当審拒絶理由によって、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。