【事件の表示】
　平成８年特許願第５８２９号「半導体パッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成９年７月３１日出願公開、特開平９−１９９５３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　本願は平成８年１月１７日の出願であって、平成１５年１１月２０日付けで拒絶理由が通知され、平成１６年１月２２日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成１６年４月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１６年５月１４日に審判請求がなされるとともに、平成１６年６月８日付け手続補正書で明細書が補正され、平成１６年７月２０日付けで前置報告がなされ、平成１８年４月２８日付けで審尋がなされ、これに対して平成１８年６月５日付けで回答書が提出されたものである。
　　
II．平成１６年６月８日付け手続補正書による補正却下の決定
(II-1)結論
　平成１６年６月８日付け手続補正書による補正を却下する。
(II-2)理由
（ｉ）補正の内容
　本補正は、明細書の特許請求の範囲を、本手続補正書に記載した請求項１〜４のとおりに補正することを含む補正であるところ、請求項１については次のとおりである。（以下、補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明を「補正発明１」という。）
「【請求項１】半導体チップと、外部に接続される接続部材を埋設した絶縁基板と、前記半導体素子と前記接続部材とを電気的に接続するボールとを備えた半導体パッケージにおいて、前記ボールは銅、ニッケル、ステンレススチールから選択された材料によって形成され、０．０５〜０．１ｍｍの直径を有し、直径バラツキが±１０％以内である真球状微粉粒からなり、当該真球状微粉粒にはメッキが施されていることを特徴とする半導体パッケージ。」
　　
（ii）判断
（ａ）補正発明１で、「外部に接続される接続部材を埋設した絶縁基板」とした点について
　出願当初の明細書の段落【0029】及び図１には、接続基板２に設けられたビアホール内にビア３と呼ぶ接続部材が埋設されることが記載されているといえるが、上記ビアが何に接続されているかについては記載されていない。同明細書及び図面の他の記載を見ても、ビアが「外部に接続」する点については記載されておらず、また、「外部」が何であるかも不明である。また、本願明細書及び図面の記載からみて、「外部に接続される接続部材を埋設した絶縁基板」が自明であると認めることもできない。
　したがって、「外部に接続される接続部材を埋設した絶縁基板」とした点を含む本補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした補正とはいえない。
　　
（ｂ）補正発明１で、「前記ボールは銅、ニッケル、ステンレススチールから選択された材料によって形成され」とした点について
　当該補正箇所の本補正前の請求項１における記載は、「前記ボールは、銅の粒子を含む」とされている。そして、本補正は、発明特定事項であるボールの材料について、「銅の粒子を含む」とした点に加えて、ニッケル及びステンレススチールから選択された材料を付加する補正であるから、この補正は特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものとは認められず、また、同項第１、３及び４号に掲げる、他のいずれの事項を目的とした補正ともいえない。
　　
（iii）むすび
　以上のとおりであるから、この補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項で読みかえて準用する同法第５３条第１項の規定により却下する。
　　
III．本願発明
　平成１６年６月８日付け手続補正書による補正は、上記II欄に記載したとおり却下されたので、本願の各請求項に係る発明は、上記補正前の、平成１６年１月２２日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１については次のとおりである。
「【請求項１】半導体素子を搭載する半導体装置のパッケージにおいて，接続部材間に直径が０．０５〜０．１ｍｍで直径バラツキが直径の±１０％以内の導電性のボールを用いてなり、前記ボールは，銅の粒子を含むことを特徴とする半導体パッケージ。」（以下、当該請求項１に記載された事項により特定される発明を「本願発明１」という。）
　　
IV．原査定の引用文献
　原査定で引用され、本願出願前に頒布された刊行物である引用文献１及び２、並びにその記載事実は次のとおりである。
（１）引用文献１（特開平６−１２０２３０号公報）
(1-1)「本発明は、半導体素子を備えた半導体チップ等の半導体部品を、回路基板又はリードフレーム等に対して、金属製のバンプ電極を介して接続する場合において、前記半導体部品における電極パッドに対して、金、銀又は銅製のバンプ電極を形成する方法、及びバンプ電極付きの半導体部品に関するものである。」（段落【0001】）
(1-2)「半導体部品における電極パッドに対して、金、銀又は銅製の金属ボールの表面に予め半田を付着して成るボール体を供給したのち、前記半田の溶融温度で加熱・焼成すると、前記半田が、溶融して電極パッドと金属ボールとの両方に溶着することにより、この半田によって、前記金属ボールを、電極パッドに対して固着することができるから、半導体部品における電極パッドに、前記金、銀又は銅製の金属ボールによるバンプ電極を、高い温度での加熱によることなく、確実に形成することができるのである。」（段落【0007】）
(1-3)「直径を約６０ミクロンにした金ボール６の表面に厚さ約５ミクロンの共晶半田皮膜７を形成して成るボール体８」（段落【0011】）
(1-4)「前記実施例は、金ボール６によるバンプ電極１２を形成する場合であったが、本発明は、金ボールに限らず、銀ボール又は銅ボールによるバンプ電極を形成する場合にも適用できることは言うまでもない。」（段落【0014】）
　　
（２）引用文献２（特開平３−２３０５３３号公報）
(2-1)「本発明は、回路基板や電子部品の裏面に設けられるバンプ電極の形成方法に関し」（第１頁左下欄第１５〜１６行）
(2-2)「従来より、セラミックスを利用した回路基板やハイブリッドＩＣ等の電子部品の裏面に、集積度を高めるためにバンプ電極を形成することが多い。」（第１頁左下欄第２０行〜右下欄第２行）
(2-3)「金属ボールを構成する材料としては、銅やニッケル等の任意の金属または合金を用いることができ、必要に応じて金属ボールの表面をめっきしてもよい。めっきを施すことにより、金属ボール１４，１５に防錆を施すことができ、またはんだめっき等を施すことによりはんだによる接合作業を容易とすることもできる。」（第２頁右上欄第２０行〜左下欄第６行）
(2-4)「第１図から明らかなように、金属ボール１４，１５は、回路基板１１の裏面１１ａに接するように、固化された導電ペースト１２，１３中に埋め込まれた状態で固定されている。これは、バンプ電極１６，１７の高さ、すなわち金属ボール１４，１５の回路基板１１からの突出高さを揃えるためである。」（第２頁左下欄第１６行〜右下欄第２行）
(2-5)「上記実施例は、回路基板１１の裏面１１ａにバンプ電極を形成する場合を説明したが、ハイブリッドＩＣ等の電子部品の実装面側にバンプ電極を形成する場合にも、本発明を適用することができる。」（第３頁右上欄第６〜１０行）
　　
Ｖ．対比・判断
本願発明１について
　引用文献１には、半導体素子を備えた半導体チップ等の半導体部品を、回路基板又はリードフレーム等に対して、金属製のバンプ電極を介して接続する場合において、前記半導体部品における電極パッドに対して、金、銀又は銅製のバンプ電極付きの半導体部品（摘記1-1）が記載されており、また、上記バンプ電極を構成する金属ボールが、銅ボールである場合（摘記1-1、1-2、1-4）が記載されている。そして、上記記載事項においては、バンプ電極を介して接続することが記載されているので（摘記1-1）、当該金属ボールは接続部材間に用いるものといえ、また、この金属ボールは導電性のボールであるといえる。　また、引用文献１には、金ボールの直径が約６０ミクロン（すなわち、０．０６ｍｍ）であること（摘記1-3)、及び、金ボールに限らず、銅ボールにも適用できること（摘記1-1、1-2、1-4）が記載されているので、引用文献１には、直径が約６０ミクロンの銅のボールが記載されているといえる。
　以上のことからすると、引用文献１には、
「半導体装置において，接続部材間に直径が約０．０６ｍｍの導電性のボールを用いてなり、前記ボールは，銅のボールであることを含むことを特徴とする半導体装置」の発明が記載されているといえる。（以下、これを「引用発明１」という。）
　本願発明１と、引用発明１とを対比すると、引用発明１の銅のボールは、銅の粒子を含むボールであるといえ、また、その直径の「約０．０６ｍｍ」は、本願発明１で特定する「０．０５〜０．１ｍｍ」と重複し、一致しているので、両者は、
「半導体装置において，接続部材間に直径が約０．０６ｍｍの導電性のボールを用いてなり、前記ボールは，銅の粒子を含むことを特徴とする半導体装置」の点で一致し、そして、
（イ）本願発明１では、導電性のボールを用いた半導体装置について、「半導体素子を搭載する半導体装置のパッケージ」と特定しているのに対して、引用発明１では、そのようなパッケージについての特定をしていない点、及び、
（ロ）本願発明１では、導電性のボールの直径のバラツキについて「直径バラツキが直径の±１０％以内」と特定しているのに対して、引用発明１では、そのような直径のバラツキについての特定をしていない点、で相違している。
　そこで、これら相違点（イ）及び（ロ）について、以下検討する。
　　
相違点（イ）について
　半導体装置において、導電性のボールを用いて接続するよう構成した半導体を搭載するパッケージ、例えば、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージは、本願出願時周知の事項であり（要すれば、実用新案登録第３００９０３５号公報（特に、実用新案登録請求の範囲）、特開平７−２８３３４１号公報（特に段落【0004】）、特開平７−３２１２４８号公報（特に、段落【0003】、【0027】）、特開平７−１８３３３３号公報（特に、段落【0023】〜【0024】、図１）を参照。）、また、引用文献２には、銅やニッケル等の導電性のボールで構成したバンプ電極を（摘記2-3）、回路基板の裏面のほか、ハイブリッドＩＣ等の電子部品の実装面側に形成する場合にも適用することができること（摘記2-5）が記載されている。
　そして、本願の明細書及び図面の記載を見ても、上記導電性のボールを「半導体素子を搭載する半導体装置のパッケージ」に適用したことにより、当業者が予期し得ない格別の効果が奏されたと認めることはできない。
　以上のとおりであるから、相違点（イ）に係る特定事項は、当業者が容易に想到し得たことと認める。
　　
相違点（ロ）について
　本来、「ボール」とは球体を意味し、歪んだ球形物を示すとはいえないものであり、そして、引用文献１には、金属のボール（摘記1-2〜1-4）を、歪んだ形状とすべき特段の記載は見当たらない。また、引用文献２には、金属ボールを用いた場合に、バンプ電極の高さ、すなわち金属ボールの回路基板からの突出高さを揃えること（摘記2-4）が記載され、金属ボールの直径が揃っていることを前提とした記載がなされている。
　してみれば、引用発明１における導電性のボールについて、直径のバラツキを可及的に小さくすることは当業者が容易に想到できることであり、そして、その具体的な許容範囲として、「直径の±１０％以内」と特定することは、当業者がその必要性に応じて、適宜容易になし得たことと認められる。そして、そのような範囲に特定したことによる効果は、本願明細書及び図面の記載を見ても、当業者が予期し得なかった程格別に顕著と認めることはできない。
　したがって、相違点（ロ）に係る特定事項は、当業者が容易になし得たことである。
　　
　以上のとおり、相違点（イ）及び（ロ）に係る特定事項は、当業者が容易になし得たことであり、かつ、本願明細書及び図面の記載を見ても、当該特定事項を採用したことによる効果は、当業者が予期できなかった程格別に顕著と認めることはできない。
　したがって、本願発明１は、引用文献１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であり、よって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
VI．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。