【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年1月15日(2010.1.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板洗浄装置であって、
（ａ）水素含有ガスを遠隔励起してイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を含む遠隔励起ガスを形成するリモートソースと、
（ｂ）プロセスチャンバであって、
（ｉ）基板支持体と、
（ｉｉ）該遠隔励起ガスをろ過してイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第二比率を有するろ過された励起ガスを形成可能なイオンフィルタであって、該第二比率が該第一比率と異なり、該イオンフィルタは、該ろ過された励起ガスを該チャンバに導入する誘電性のガス分配器上に取り付けられ、又は、該ガス分配器に少なくとも部分的に埋め込まれたワイヤグリッドであって、該ワイヤグリッドの表面は該ガス分配器の表面と物理的に接触し、該ワイヤグリッドにおける開口は該ガス分配器のアパーチャと一致しているワイヤグリッドを有し、該ワイヤグリッドは、該遠隔励起ガスに面して露出した導電性の表面であって、これに衝突するイオン種からの電荷を伝達可能な表面を有する、前記イオンフィルタと、
を備えている、前記装置。
【請求項２】
該イオンフィルタが該遠隔励起ガスをろ過して該第一比率より低い第二比率を有するろ過された励起ガスを形成する、請求項１記載の装置。
【請求項３】
該励起ガスにおけるイオン水素含有化学種の数を減少させる石英表面を備えている、請求項１記載の装置。
【請求項４】
該石英表面が、（ｉ）チャンバライナ、又は（ｉｉ）該リモートソースとチャンバを接続するコンジットの少なくとも１つの表面である、請求項３記載の装置。
【請求項５】
該装置内の１つ以上の位置においてラジカルとイオン濃度の少なくとも１つを検出するように適合された検出器を備えている、請求項１記載の装置。
【請求項６】
該プロセスチャンバが大気圧未満を維持することができる排気システムを含んでいる、請求項１記載の装置。
【請求項７】
基板洗浄装置であって、
（ａ）遠隔ゾーンと、少なくとも８０％容積のＨ２を含む洗浄ガスを供給するように適合された洗浄ガスソースと、該洗浄ガスを遠隔励起してイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を含む遠隔励起ガスを形成するリモートガスエナジャイザーと、を有するリモートチャンバを備えるリモートソースと、
（ｂ）プロセスチャンバであって、
（ｉ）基板支持体と、
（ｉｉ）該遠隔励起ガスを該チャンバに導入するガス分配器であって、該ガス分配器が該遠隔励起ガスをそれを通って通過するアパーチャを有する石英プレートを備え、該石英プレートの該アパーチャを通ってろ過された該遠隔励起ガスは該第一比率より低いイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第二比率を有する前記ガス分配器と、
（ｉｉｉ）石英チャンバライナと、
（ｉｖ）排気システムと、
を備えている、前記チャンバと、
を備えている、前記装置。
【請求項８】
該リモートソースが該石英プレートから距離ｄに配置され、該距離ｄ全体の該遠隔励起ガスの行程によって、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との比率が該第一比率と比較して減少した比率を有するろ過された励起ガスが得られる、請求項７記載の装置。
【請求項９】
該第一比率の値が該減少した比率の値の少なくとも約１００倍である、請求項８記載の装置。
【請求項１０】
基板洗浄方法であって、
（ａ）プロセスゾーン内に、ｋ値が３未満の低ｋ誘電体層によって取り囲まれた金属含有表面を備える基板を配置するステップと、
（ｂ）リモートゾーンにおいて、少なくとも８０％容積のＨ２を含む洗浄ガスにエネルギーを結合してイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を含んでいる励起ガスを形成するステップと、
（ｃ）該励起ガスをろ過してイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第二比率を有するろ過された励起ガスを形成し、該第二比率が該第一比率と異なっているステップと、
（ｄ）該ろ過された励起ガスを該プロセスゾーンに導入して、該基板上の該低ｋ誘電体層の損傷を減少させつつ該基板を洗浄するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項１１】
（ｃ）が該励起ガスをろ過してろ過された励起ガスを形成し、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との該第二比率が該第一比率より低いステップを含んでいる、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
該第一比率が該第二比率の値の少なくとも約１００倍である、請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
（ｃ）が（ｉ）該リモートゾーンと該プロセスゾーン間に電気的に接地されたグリッドを維持する工程と、（ｉｉ）該イオン水素含有化学種の数を減少させることができる石英表面全体に該励起ガスを通す工程の少なくとも１つを含んでいる、請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
（ｂ）において、該洗浄ガスがＨ2Ｏを含んでいる、請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
（ｂ）において、該洗浄ガスが窒素含有ガスを含んでいる、請求項１０記載の方法。
【請求項１６】
（ｂ）において、該洗浄ガスがＮＨ3を含んでいる、請求項１０記載の方法。
【請求項１７】
（ｂ）において、該洗浄ガスが約８０％〜約１００％容積のＨ2と約１％〜約２０％容積のＨ2Ｏを含んでいる、請求項１０記載の方法。
【請求項１８】
（ｂ）において、該洗浄ガスが約８０％〜約１００％容積のＨ2と、約１％〜約２０％容積のＨ2Ｏと、約１％〜約２０％のＮＨ3とを含んでいる、請求項１０記載の方法。
【請求項１９】
（ｄ）が該基板の下の電極に約１００ワット未満のバイアス電力レベルを印加する工程を更に含んでいる、請求項１０記載の方法。
【請求項２０】
該基板の温度を約１５０℃〜約３５０℃に維持するステップを更に含んでいる、請求項１０記載の方法。
【請求項２１】
基板を洗浄するとともに基板上に金属含有導体を堆積するための装置であって、
（ａ）洗浄チャンバであって、
（ｉ）基板支持体と、
（ｉｉ）水素含有ガスを遠隔励起してイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を含む励起ガスを形成するリモートソースと、
（ｉｉｉ）該遠隔励起ガスをろ過してイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第二比率を有するろ過された励起ガスを形成可能なイオンフィルタであって、該第二比率が該第一比率と異なり、該イオンフィルタは、該ろ過された励起ガスを該チャンバに導入する石英ガス分配器上に取り付けられ、又は、該ガス分配器に少なくとも部分的に埋め込まれたワイヤグリッドであって、該ワイヤグリッドの表面は該ガス分配器の表面と物理的に接触し、該ワイヤグリッドにおける開口は該ガス分配器のアパーチャと一致しているワイヤグリッドを有し、該ワイヤグリッドは、該遠隔励起ガスに面して露出した導電性の表面であって、これに衝突するイオン種からの電荷を伝達可能な表面を有し、該イオンフィルタが更に石英チャンバライナを含んでいる、前記フィルタと、
（ｉｖ）該ガスを該洗浄チャンバから排気する排気システムであって、該排気システムが該洗浄チャンバにおいて約１０ｍＴｏｒｒ未満の圧力を維持することができる、前記システムと、
を備えているチャンバと、
（ｂ）堆積チャンバであって、
（ｉ）基板支持体と、
（ｉｉｉ）ガスを該堆積チャンバに導入するガス分配システムと、
（ｉｖ）該ガスを励起して該基板上に物質を堆積させるガスエナジャイザーと、
（ｖ）該堆積チャンバから該ガスを排気する排気システムと、
を備えている、前記チャンバと、
（ｃ）該洗浄チャンバから該堆積チャンバへ該基板を搬送するロボットを備えている搬送チャンバであって、該搬送チャンバが約１０ｍＴｏｒｒ未満の低圧環境において該基板を維持することができるエンクロージャーと、ガスを該搬送チャンバから排気して該低圧環境を維持する流出口を備えている、前記チャンバと、
（ｄ）該洗浄チャンバと、堆積チャンバと、該基板上の第一金属含有導体から堆積物を洗浄するとともに該基板を該堆積チャンバに搬送して該洗浄された第一金属含有導体上に第二金属含有導体を堆積させるロボットを作動させるコントローラと、
を備えている、前記装置。
【請求項２２】
下にある金属含有導体を露出する特徴部がその中に形成され、ｋ値が３未満の低ｋ誘電材料を含む基板を洗浄する方法であって、
（ａ）熱処理ステップにおいて、少なくとも約１００℃の該基板の温度を維持しつつ該基板を水素含有ガスに晒すステップと、
（ｂ）洗浄ステップにおいて、該基板をろ過された遠隔励起ガスに晒して該基板を洗浄するステップであって、該ろ過された遠隔励起ガスがラジカル水素含有化学種を含んでいる、前記ステップと、
を含み、該ろ過された遠隔励起ガスは、
（ｉ）リモートゾーンにおいて少なくとも８０％容積のＨ２を含む洗浄ガスにエネルギーを結合して遠隔励起ガスを形成する工程であって、該遠隔励起ガスがイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を含んでいる、前記工程と、
（ｉｉ）該遠隔励起ガスをろ過してイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第二比率を有するろ過された励起ガスを形成する工程であって、該第二比率が該第一比率より低い、前記工程と、
（ｉｉｉ）該基板を該ろ過された励起ガスに晒して、該基板上の該低ｋ誘電材料の損傷を減少させつつ該基板を洗浄する工程と、
により形成される、前記方法。
【請求項２３】
（ａ）が約１５０℃〜約３５０℃の基板の温度を維持する工程を含んでいる、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
（ａ）が約１００ｓｃｃｍ〜毎分約５リットルの容量流量でプロセスゾーンにＨ2フローを供給する工程と、約３０Ｔｏｒｒ未満のプロセスゾーンの圧力を維持する工程を含んでいる、請求項２２記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
ワイヤグリッド５２は、例えば、プロセスゾーン１０８上の遠隔ゾーン３０と基板１０間の活性洗浄ガスの流路内に配置されている。一変形例においては、図２Ａと図２Ｂに示されるように、ワイヤグリッド５２は、プロセスゾーン１０８に遠隔ゾーン３０から受容した励起洗浄ガスを分配するガス分配プレート７２上に取り付けられている。ワイヤグリッド５２はガス分配プレート７２上に取り付けられ、ワイヤグリッドにおける開口５４は、ワイヤグリッド５２とガス分配プレート７２を通って励起洗浄ガスフローを可能にするためにガス分配プレート７２におけるアパーチャ７１と一致している。ワイヤグリッド５２は、ガス分配プレート７２の上面７３上に取り付けられ、ワイヤグリッド５２の腐食を抑制するために図２Ａに示されるようにガス分配プレート７２に少なくとも部分的に埋込まれることさえもできる。ガス分配プレート７２は、アルミナ、サファイア、シリカ及び石英の少なくとも１種のような誘電性物質、シリコン、アルミニウム及び炭化シリコンのス１種のような導電性物質を含むこともできる。ワイヤグリッドは、更に又は或いは、ガス分配プレート７２の底面７５に取り付けることができ、又はガス分配プレート７２から隔置することもできる。また、プレート７２が励起ガスフローをそれを通って巻き込んでいるバッフルとして働くので、ガス分配プレート７２はそれ自体イオンフィルタ５０として作用することができ、それにより励起ラジカル種の再結合を促進させる。