【事件の表示】
　平成１１年特許願第１７６７８１号「電子ビーム検査方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年２月８日出願公開、特開２０００−４０４８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本件出願は、１９９１年５月３０日にアメリカ合衆国でされた特許出願（優先権主張番号第７１０３５１号）による優先権を主張して平成４年５月１８日に特許出願がされた特願平４−１２４９５１号の一部を平成１１年６月２３日に新たな特許出願としたものであり、平成１４年１２月２５日付けで拒絶査定がされ、平成１５年１月７日に発送されたところ、平成１５年４月７日に拒絶査定に対する審判が請求され、同年５月７日に手続補正書が提出されたものである。その後、当審において平成１６年２月１８日付けで拒絶の理由が通知され、同月２４日に発送されたところ、同年８月２４日に意見書及び手続補正書が提出され、更に、同年１２月７日付けで拒絶の理由が通知され、同月１４日に発送されたところ、平成１７年６月１４日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　そして、その特許を受けようとする発明は、平成１４年１０月２日に提出された手続補正書、平成１５年５月７日に提出された手続補正書、平成１６年８月２４日に提出された手続補正書及び平成１７年６月１４日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１７に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１には以下のとおり記載されている。 
 「【請求項１】荷電粒子ビームを用いて検査期間中において移動するステージ上の基板を自動検査する方法であって、
（ａ）前記基板の位置を測定するステップと、
（ｂ）前記荷電粒子ビームを前記基板上において正確に位置付けするために、ステップ（ａ）で測定された位置データに基づき前記基板の所望の位置に前記荷電粒子ビームを偏向させるステップと、
（ｃ）前記基板表面の前記所望の位置を前記荷電粒子ビームでスキャンするステップと、
（ｄ）前記ステップ（ｃ）の結果として、前記基板の上面から生じる後方散乱荷電粒子及び底面から生じる透過荷電粒子とを検出するステップと、
（ｅ）検出された前記後方散乱荷電粒子および前記透過荷電粒子に対する欠陥ピクセルを示すマップを生成し、これらのマップを結び付け各欠陥のサイズと位置を決定し、これらを欠陥のタイプに分類するステップと、
　を具備することを特徴とする基板の自動検査方法。」（以下、「本願発明」という。） 
　
２．当審拒絶理由 
　当審において平成１６年１２月７日付けで通知した拒絶の理由の概要は、本件出願の請求項１〜１７に係る発明は、下記刊行物１〜６に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
刊行物１：特開昭６３−１７５２３号公報
刊行物２：特開昭５７−１９６４６３号公報
刊行物３：特開昭５５−５７２４８号公報
刊行物４：特開昭５６−３５３６１号公報
刊行物５：特開平２−１５８０４５号公報
刊行物６：特開昭５７−１３６３２０号公報
　
３．刊行物に記載された発明
（１）本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物１（特開昭６３−１７５２３号公報）には、電子ビーム描画装置に関し、以下の事項が図面とともに記載されている。
ａ．「（１）設計データに基づいてブランキング制御されたビームを試料に照射して、その試料上に所定パターンを描画する電子ビーム描画装置において、前記試料に代えて取り付けられたマスクからの反射電子を検出してマスク上のパターンを撮像する像検出手段と、この像検出手段の出力から前記設計データに基づく設計パターンに対応させた撮像パターンデータを創成するための撮像パターンデータ発生手段と、該設計パターンデータと撮像パターンデータとを比較して該マスクのパターンの欠陥を検出する比較検査手段とを設け、前記電子ビームを走査しながら前記マスクの検査ができるよう構成したことを特徴とする電子ビーム描画装置。」（１頁左下欄５〜１８行）
ｂ．「測長システム２０は、Ｙテーブル１６上に固定されＸ反射ミラー２３と、このＸ反射ミラー２３に向けてレーザ光を照射するための光源を含みＸ反射ミラー２３からの反射光を受けてこれと基準光とを干渉することによってＸテーブル１２の移動変位ないし現在値を検出するレーザ干渉計２４とから形成されている。なお、Ｙ位置検出についても同様である（図示省略）。」（４頁左上欄５〜１２行）
ｃ．「電子光学系３０はフレーム１の上部に設けられた電子銃３から射出された電子ビーム４を試料５上に所定のビーム径をもって所定の位置に照射できる・・・ビームをＸ軸方向に偏向させるための偏向電極３７が設けられている。偏向電極３７は印加する電圧を制御して試料５上に照射するビーム位置を移動させるものである。偏向電極３７と対峙するＹ軸方向用の偏向電極は図示省略している。Ｙテーブル１６の上方側に設けられた像検出手段である反射電子検出器３９は試料５からの反射電子を検出し撮像パターンデータ発生手段を形成する校正ユニット９０にその情報を出力するためのものである。」（４頁左上欄１２行〜右上欄１５行）
ｄ．「偏向制御ユニット８０は、第５図（Ａ）に示すようにＣＰＵ５０から指令される偏向幅相当デジタル信号をアナログ信号に変換する偏向用Ｄ／Ａ変換器８１と、変換された信号を積分し鋸刃状波形信号を発生させる積分器８３と、同様にＣＰＵ５０の指令される偏向開始位置相当デジタル信号をアナログ信号に変換する偏向開始位置用Ｄ／Ａ変換器８２と、積分器８３および偏向開始位置用Ｄ／Ａ変換器８２の両アナログ信号を加算してブランキング電極３５（当審注：偏向電極３７の誤記と認める）へ偏向制御信号を出力するための加算器８５とを含み形成されている。なお、第１図に示される上記偏向電極３７はＸ偏向用であり、Ｙ偏向用の偏向電極を図示省略しているが、この偏向制御ユニット８０は第５図に示した加算器８５等々の２系列を設け形成されている。・・・また、偏向制御ユニット８０は、テーブル１２，１６移動時の水平方向の蛇行や振動をリアルタイムで検出した測長システム２０からの信号を受けてパターン位置の変動を補正する機能をも備えている。従って、描画および検査の精度を一層向上させることができる。」（５頁左下欄１２行〜右下欄１８行）
ｅ．「スキャン制御ユニット６２は、測長システム２０（第１図においてはＹ軸方向の測長システムは図示省略している）からＸテーブル１２およびＹテーブル１６の移動に伴って発生されるアップ／ダウンパルス信号をカウントして両テーブル１２，１６の現在値を求めＣＰＵ５０がいつでも読み取れるようするとともにＣＰＵ５０から指令されるスキャン開始位置Ｐｓ、スキャンピッチＰ、スキャン本数等の指令信号を受けて、スキャン開始位置Ｐｓに達するとビット変換ユニット７０、偏向制御ユニット８０にタイミング信号を送出でき、かつ指定された走査本数が完了するとこれを停止するよう形成されている。ここに、本装置の描画方法は第８図に示すようにＸ偏向電極３７によって電子ビームをＸ軸方向に走査しつつＹテーブル１６をＹ軸方向に連続移動させるとともにＸテーブル１２を間歇的に移動させて第８図の点線で示したように帯状の領域毎にジグザグ走行させながら実線の方向に順次行われるものとされている。」（６頁左上欄２０行〜右上欄１８行）
ｆ．「テーブル制御ユニット６４は、ＣＰＵ５０からの速度、方向および移動距離指定に基づき、内蔵したドライバ（図示省略）を介しモータ１３，１７を駆動させてＸおよびＹテーブル１２，１６を制御するものである。」（６頁右上欄１９行〜左下欄３行）
ｇ．「比較検査手段である比較検査ユニット１００は第９図に示すように構成されている。すなわち、描画後に現像、エッチング等を施してパターン形成されたマスクをＹテーブル１６上に前記試料５の場合と同様に位置出し取り付けしておく、・・・これにより、シフトレジスタ１０４ｃ、１０４ｂ、１０４ａには、それぞれ対応するラッチ回路１０３ｃ、１０３ｂ、１０３ａにロードされていた周辺データ、第１スキャン分のパターンデータ、第２スキャン分のパターンデータがロードされる。ととともに、シフトレジスタ１０７の撮像データもシフトレジスタ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃに同時的にロードされる。この場合、シフトレジスタ１０６ｃには右に１ピクセル（１ビット）だけシフトした内容がロードされ、シフトレジスタ１０６ａには左に１ピクセル（１ビット）だけシフトした内容がロードされ、かつシフトレジスタ１０６ｂにはシフトレジスタ１０７の内容がそのままロードされるよう各シフトレジスタ１０６ａ，ｂ，ｃと１０７とが接続されている。・・・従って、シフトレジスタ１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃとシフトレジスタ１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃの各出力は９個のＥｘ−ＯＲゲート１０９ａ〜ｉで総当りで比較される。なお、この９個のＥｘ−ＯＲゲート１０９ａ〜ｉからなる比較回路１１０は、ＸおよびＹ方向についてそれぞれ±１ピクセルの位置づれを許容して比較するよう形成されている。これによりアライメントの誤差が比較判断を混乱させるという不都合が回避され確実な検査ができるわけである。また、比較回路１１０すなわち各Ｅｘ−ＯＲゲート１０９の出力処理は図示省略したが欠陥判断を次のように行うよう形成されている。
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ｇ．「（描画作業）・・・従って、スキャン制御ユニット６２、テーブル制御ユニット６４とを協働させ第８図で示すようにＹテーブル１６を移動させつつ偏向制御ユニット８０によって一列目のＸ走査を行い、この一列目が完了したときにはＸテーブル１２を二列目の位置に移動させ、Ｙテーブル１６を逆方向に移動し、図で点線で示すようにジグザグに試料５の所定領域に所定のパターンを描画することができる。」（８頁右上欄２行〜左下欄１７行）
ｈ．「（検査作業）・・・次いで、先の設計データ・・・に基づきビット変換ユニット７０、偏向制御ユニット８０、スキャン制御ユニット６２およびテーブル制御ユニット６４を協働させて描画作業の場合と同様な手順によりマスク上に区画されたパターンをスキャンする。・・・（２）このデータセットが終了するころに移動させつつあったＹテーブル１６がスキャン開始位置Ｐｓ（第８図）に到達すると偏向制御ユニット８０が行うビームスキャンに同期させるスキャン制御ユニット６２のタイミング信号を基準としたシフトクロックＳＣ１が発せられシフトレジスタ１０７にはコンパレータ１０８で２値化した撮像データが校正ユニット９０からロードされる。この場合、シフトレジスタ１０７には、撮像データはビット変換ユニット７０からのパラレルパターンデータよりも左右にそれぞれ１ピクセル（１ビット）余分に隣接部を含んでいる。後記するように設計データと撮像データとをマトリックス状に比較判断するためのものである。・・・（４）比較回路１１０では、９個のＥｘ−ＯＲゲート１０９ａ〜ｉで各シフトレジスタ１０４ａ〜ｃ、１０６ａ〜ｃの記憶データを総当りで比較する。各Ｅｘ−ＯＲゲート１０９の出力は相応するシフトレジスタ（図示省略）に一旦ロードするとともに相応するカウンタ（図示省略）で“１”（不一致）をカウントする。ここに、比較回路１１０では、１ピクセルのづれは無視して測定するようなっているから、本描画装置が描画精度１ピクセル以下とする数値的基準に則って比較することになる。従って、Ｅｘ−ＯＲゲート１０９で“１”と判断される場合には設計データに対し描画されたマスクのパターンが一致しないことを意味する。そこで、上記各カウンタの最も少ないカウント値を示す上記シフトレジスタの内容をメモリマップに記憶する。」（８頁右下欄６行〜１０頁左上欄５行）
　
ｉ．上記摘記事項ａから、刊行物１に記載された電子ビーム描画装置は、電子ビームを走査しながらマスクの検査を行うものであり、取り付けられたマスクからの反射電子を検出してマスク上のパターンを撮像する像検出手段と、像検出手段の出力に基づく撮像パターンデータと設計パターンデータとを比較して該マスクのパターン欠陥を検出する比較検査手段とを設けたものである。
ｊ．マスクの検査作業における電子ビームの走査に関し、上記摘記事項ｈに「先の設計データ・・・に基づきビット変換ユニット７０、偏向制御ユニット８０、スキャン制御ユニット６２およびテーブル制御ユニット６４を協働させて描画作業の場合と同様な手順によりマスク上に区画されたパターンをスキャンする。」と記載されている。そして、描画作業におけるスキャンに関し、上記摘記事項ｇには「スキャン制御ユニット６２、テーブル制御ユニット６４とを協働させ第８図で示すようにＹテーブル１６を移動させつつ偏向制御ユニット８０によって一列目のＸ走査を行い、この一列目が完了したときにはＸテーブル１２を二列目の位置に移動させ、Ｙテーブル１６を逆方向に移動し、図で点線で示すようにジグザグに試料５の所定領域に所定のパターンを描画することができる。」と記載され、また、スキャン制御ユニット６２に関し、上記摘記事項ｅに「ここに、本装置の描画方法は第８図に示すようにＸ偏向電極３７によって電子ビームをＸ軸方向に走査しつつＹテーブル１６をＹ軸方向に連続移動させるとともにＸテーブル１２を間歇的に移動させて第８図の点線で示したように帯状の領域毎にジグザグ走行させながら実線の方向に順次行われるものとされている。」と記載されていることからみて、刊行物１に記載された電子ビーム描画装置は、マスクの検査作業において、偏向制御ユニット８０、スキャン制御ユニット６２およびテーブル制御ユニット６４を協働させてＹテーブル１６を移動させつつＸ偏向電極３７によって電子ビームをＸ軸方向に走査しつつＹテーブル１６をＹ軸方向に連続移動させマスク上に区画されたパターンをスキャンすることが読み取れる。
ｋ．偏向制御ユニット８０に関し、上記摘記事項ｄに「偏向制御ユニット８０は、テーブル１２，１６移動時の水平方向の蛇行や振動をリアルタイムで検出した測長システム２０からの信号を受けてパターン位置の変動を補正する機能をも備えている。」と記載されている。そして、上記摘記事項ｇに「描画後に現像、エッチング等を施してパターン形成されたマスクをＹテーブル１６上に前記試料５の場合と同様に位置出し取り付けしておく、」と記載され、また、マスクの検査作業についての上記摘記事項ｈに「先の設計データ・・・に基づきビット変換ユニット７０、偏向制御ユニット８０、スキャン制御ユニット６２およびテーブル制御ユニット６４を協働させて・・・マスク上に区画されたパターンをスキャンする。」と記載されていることからみて、刊行物１に記載された電子ビーム描画装置は、マスクの検査作業において、偏向制御ユニット８０によりマスクが所定位置にセットされたＹテーブル１６移動時の水平方向の蛇行や振動をリアルタイムで検出した測長システム２０からの信号を受けてパターン位置の変動を補正するものであることが読み取れる。
ｌ．比較検査手段に関し、上記摘記事項ｇに「比較検査手段である比較検査ユニット１００は第９図に示すように構成されている。」、「９個のＥｘ−ＯＲゲート１０９ａ〜ｉからなる比較回路１１０は、ＸおよびＹ方向についてそれぞれ±１ピクセルの位置づれを許容して比較するよう形成されている。これによりアライメントの誤差が比較判断を混乱させるという不都合が回避され確実な検査ができるわけである。また、比較回路１１０すなわち各Ｅｘ−ＯＲゲート１０９の出力処理は図示省略したが欠陥判断を次のように行うよう形成されている。
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　そして、上記ｉ〜ｌの考察から、刊行物１には、電子ビーム描画装置に関して、次の発明が記載されているものと認められる。
「電子ビームを用いたマスクの検査作業において、Ｙテーブル１６の所定位置にセットされたマスクを検査する方法であって、
　偏向制御ユニット８０は、測長システム２０によりＹテーブル１６移動時の水平方向の蛇行や振動をリアルタイムで検出し、該測長システム２０からの信号を受けてパターン位置の変動を補正し、
　偏向制御ユニット８０、スキャン制御ユニット６２およびテーブル制御ユニット６４を協働させてＹテーブル１６を移動させつつＸ偏向電極３７によって電子ビームをＸ軸方向に走査しマスク上に区画されたパターンをスキャンし、
　像検出手段がマスクからの反射電子を検出してマスク上のパターンを撮像し、
　比較検査手段が、像検出手段の出力に基づく撮像パターンデータと設計パターンデータとを比較回路１１０で比較し、対比データが不一致となったピクセルについては“１”を出力してシフトレジスタに一旦ロードし、該シフトレジスタの内容をメモリマップに記憶し、該メモリマップを検索し“１”が縦、横または４５°方向に２ピクセル以上連続している場合を欠陥と判定するマスクを検査する方法。」（以下、「引用発明」という。）
　
（２）本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物２（特開昭５７−１９６４６３号公報）には、以下の事項が図面とともに記載されている。
「本発明は試料上で特定の形状或いは物性を有する場所を指定して、その場所だけの画像を表示し得る試料像表示装置に関するものである。一般に走査電子顕微鏡においては、細く絞つた電子線を試料上の一定領域で２次元的に走査し、この走査により試料から散乱する２次電子、反射電子、Ｘ線或いは透過電子などを検出し、各々の信号を陰極線管に導入して単独の像を得たり、２つの信号の和や差をとった像を表示し、意義ある試料観察を行っている。本発明はこれらの観察を更に発展させるもので、試料上における特定の形状や物性をもった場所だけの画像を表示できる装置を提供することを目的とするものである。本発明は電子線やイオンビームを試料上で走査した際生ずる情報、つまり、２次電子、反射電子、Ｘ線、オージエ電子、透過電子、吸収電子或いは二次イオンなどを検出して陰極線管に導入して画像表示する所謂走査顕微鏡において、選択された二つの情報信号を比較し、その結果に応じて前記検出した信号の内特定の情報信号の表示装置への通過を制御する手段を備えた試料像表示装置に特徴を有するものである。以下添付図面の実施例に基づいて本発明を説明する。図中１は電子銃で、この電子銃から放射された電子線は集束レンズ２及び対物レンズ３により集束され、細いプローブとなって試料４上に投射される。５ａ，５ｂは集束レンズと対物レンズの間に置かれた２段の偏向コイルで、走査電源６からの水平、垂直鋸歯状波信号を受けて前記電子線を試料上で２次元的に走査する。７は陰極線管で、その偏向コイル８には前記走査電源６から５ａ，５ｂに供給する信号と同期した走査信号が供給されている。前記試料４の周囲には試料からの各種情報を検出するための検出器９ａ，９ｂ，９ｃ及び９ｄが配置されている。この内、９ａは２次電子、９ｂは反射電子、９ｃはＸ線、９ｄは透過電子を検出するものとし、これら検出器からの信号及び試料４の吸収電子信号は信号処理及び選択回路１０に供給される。回路１０において２つの信号、例えば反射電子の信号と透過電子の信号を選択し、比較回路１１へ供給する。この比較回路１１において、いずれかの信号が他方より大きい場合信号を発し、ゲート回路１２にゲート信号として送られる。このゲート回路には前記回路１０から所望の信号、例えばＸ線信号が選択されて供給されており、前記ゲート信号が供給されたときのみ陰極線管７に送り込まれる。この様な構成において、前述の如く比較回路１１に反射電子の信号と透過電子の信号を供給し、又ゲート回路１２にはＸ線信号を供給するように回路１０で選択する。前記比較回路において、反射電子の信号強度と透過電子の信号強度を比較すると試料の厚さに関する情報が得られ、例えば、反射電子の信号強度が大きいときゲート信号を発生すると、試料の厚い部分が指定されたことになり、陰極線管７上には厚い試料部分のＸ線像が表示される。」（１頁左下欄１６行〜２頁左欄１４行） 
　
４．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「電子ビーム」、「検査作業において」、「Ｙテーブル１６」、「マスク」、「反射電子」は、それぞれ本願発明の「荷電粒子ビーム」、「検査期間中において」、「ステージ」、「基板」、「後方散乱荷電粒子」に相当する。
（２）引用発明の検査作業は、Ｙテーブル１６を移動させつつ電子ビームをＸ軸方向に走査させるものであり、該走査は、上記摘記事項ｄ〜ｆに示されているように、ＣＰＵからの指令のもとに偏向制御ユニット８０、スキャン制御ユニット６２およびテーブル制御ユニット６４を協働させて行うものであることからみて、引用発明の「検査作業」は、「移動するステージ上の基板を自動検査」するものであることは明らかである。
（３）引用発明の偏向制御ユニット８０による「測長システム２０によりＹテーブル１６移動時の水平方向の蛇行や振動をリアルタイムで検出」する動作は、マスクがＹテーブル１６の所定位置にセットされていることからみて、本願発明の「（ａ）前記基板の位置を測定するステップ」に相当する。また、偏向制御ユニット８０は、刊行物１の第５図及び上記摘記事項ｆに示されているように偏向電極３７へ偏向制御信号を出力するものであり、この偏向制御信号により電子ビームが偏向することから、引用発明の偏向制御ユニット８０による「該測長システム２０からの信号を受けてパターン位置の変動を補正」する動作は、本願発明の「（ｂ）前記荷電粒子ビームを前記基板上において正確に位置付けするために、ステップ（ａ）で測定された位置データに基づき前記基板の所望の位置に前記荷電粒子ビームを偏向させるステップ」に相当する。
（４）引用発明の「電子ビームをＸ軸方向に走査しマスク上に区画されたパターンをスキャンする」は、本願発明の「（ｃ）前記基板表面の前記所望の位置を前記荷電粒子ビームでスキャンするステップ」に相当する。
（５）引用発明の「像検出手段がマスクからの反射電子を検出してマスク上のパターンを撮像し」と、本願発明の「（ｄ）前記ステップ（ｃ）の結果として、前記基板の上面から生じる後方散乱荷電粒子及び底面から生じる透過荷電粒子とを検出するステップ」とは、ともに「（ｄ）前記ステップ（ｃ）の結果として、前記基板の上面から生じる後方散乱荷電粒子を検出するステップ」である点で共通する。
（６）引用発明において、メモリマップには、像検出手段の出力に基づく撮像パターンデータと設計パターンデータとを比較回路１１０で比較し、対比データが不一致となったピクセルが記憶されるものであり、この対比データが不一致であるピクセルが欠陥ピクセルを意味することは明らかなことから、引用発明のメモリマップに記憶された内容は、本願発明の「欠陥ピクセルを示すマップ」に相当する。したがって、引用発明の「比較検査手段が、像検出手段の出力に基づく撮像パターンデータと設計パターンデータとを比較回路１１０で比較し、対比データが不一致となったピクセルについては“１”を出力してシフトレジスタに一旦ロードし」と本願発明の「（ｅ）検出された前記後方散乱荷電粒子および前記透過荷電粒子に対する欠陥ピクセルを示すマップを生成し、これらのマップを結び付け各欠陥のサイズと位置を決定し、これらを欠陥のタイプに分類するステップ」とは、ともに「検出された前記後方散乱荷電粒子に対する欠陥ピクセルを示すマップを生成するステップ」である点で共通する。
　
　以上（１）〜（６）から、本願発明と引用発明とは、以下の【一致点】で一致し、【相違点】で相違する。
　
【一致点】
　荷電粒子ビームを用いて検査期間中において移動するステージ上の基板を自動検査する方法であって、
（ａ）前記基板の位置を測定するステップと、
（ｂ）前記荷電粒子ビームを前記基板上において正確に位置付けするために、ステップ（ａ）で測定された位置データに基づき前記基板の所望の位置に前記荷電粒子ビームを偏向させるステップと、
（ｃ）前記基板表面の前記所望の位置を前記荷電粒子ビームでスキャンするステップと、
（ｄ）前記ステップ（ｃ）の結果として、前記基板の上面から生じる後方散乱荷電粒子を検出するステップと、
（ｅ）検出された前記後方散乱荷電粒子に対する欠陥ピクセルを示すマップを生成するステップと、
　を具備することを特徴とする基板の自動検査方法。　
　
【相違点】
　本願発明は、ステップ（ｄ）において前記基板の上面から生じる後方散乱荷電粒子及び底面から生じる透過荷電粒子とを検出し、ステップ（ｅ）において、検出された前記後方散乱荷電粒子および前記透過荷電粒子に対する欠陥ピクセルを示すマップを生成し、これらのマップを結び付け各欠陥のサイズと位置を決定し、これらを欠陥のタイプに分類するステップを具備するものであるのに対し、引用発明は、後方散乱荷電粒子を検出し、後方散乱荷電粒子に対する欠陥ピクセルを示すマップを生成しているといえるものの、透過荷電粒子は検出しておらず、また検出された透過荷電粒子に対する欠陥ピクセルを示すマップを生成するものでも、これらのマップを結び付け各欠陥のサイズと位置を決定し、これらを欠陥のタイプに分類するものでもない点。
　
　そこで、上記【相違点】について検討する。荷電粒子ビームを用いた基板の検査方法として、基板の上面から生じる後方散乱荷電粒子や基板の底面から生じる透過荷電粒子が利用できることは周知であり（例えば、特開昭６０−１１５２２３号公報には「従来、レチクルやマスターマスク等のマスクのパターン欠陥を検査するものとして、各種のマスク欠陥検査装置が用いられている。この装置では、ステージ上に載置されたマスクに光ビームや電子ビーム等を照射し、その透過ビーム、反射ビーム若しくは２次ビームを検出することによって、パターン欠陥の検査が行われる。」（１頁右欄１４〜２０行）と記載されている。）、また、刊行物２には、電子線（「荷電粒子ビーム」に相当）を試料に照射したときの反射電子（「後方散乱荷電粒子」に相当）と透過電子（「透過荷電粒子」に相当）とを検出し両者を比較する検査方法が記載されていることから、引用発明において、基板の上面から生じる後方散乱荷電粒子とともに、底面から生じる透過荷電粒子をも検出するよう構成することに格別の困難性はない。
　そして、マスク等の欠陥を画像により検査する方法として異なる属性の欠陥画像（「欠陥ピクセルを示すマップ」に相当）をそれぞれ作成し、各欠陥画像を比較（「結び付け」に相当）することは周知（例えば、特開昭６１−１２２６４８号公報の第６図には、マスクからの透過像による欠陥画像（Ｄ）と反射像による欠陥画像（Ｅ）をそれぞれ生成し、両画像（Ｄ）（Ｅ）を比較する様子が示されている。）であり、また、上記のとおり、引用発明は、後方散乱荷電粒子に対する欠陥ピクセルを示すマップについては生成しているものといえることから、引用発明において、上記の如く基板の上面から生じる後方散乱荷電粒子とともに、底面から生じる透過荷電粒子をも検出するよう構成した場合に、後方散乱荷電粒子に対する欠陥ピクセルを示すマップだけではなく、透過荷電粒子に対する欠陥ピクセルを示すマップについても生成し、これらのマップを結び付けることは当業者であれば適宜なし得た事項である。
　さらに、欠陥ピクセルを示すマップから各欠陥のサイズと位置を決定することは周知技術（例えば特開昭６０−２２３１２４号公報には「（３）データ処理部は３個の２次元メモリを有し、第１のメモリには検出パターンデータ、第２のメモリには基準パターンデータを収容し、比較演算の結果欠陥のパターンデータを第３のメモリに抽出し、その位置、形状を知り得るようにした」（１頁左下欄１８行〜右下欄２行）と記載されている。）といえ、また、欠陥ピクセルを示すマップに基づき欠陥のタイプに分類することも周知技術（例えば、前記特開昭６１−１２２６４８号公報には「マイコン４８では、第６図（Ｄ）及び（Ｅ）のパターンの比較が行われる。すなわち、同図（Ｄ）のパターンと（Ｅ）のパターンの相違する部分を論理値の「Ｌ」、その他の部分を論理値「Ｈ」で示すと、第６（Ｆ）のように、異物パターンＦ１のみが残る。パターンの二値化データの比較には、イクスクルーシブＯＲの論理演算を利用すればよい。以上のように本実施例によれば、パターンの欠陥であるパターン残りやパターン欠けと、その他の異物や傷などの欠陥とを区別することが可能となる。すなわち、比較器５２の出力である第６図（Ｄ）をみればパターン残り、欠けを含むすべての欠陥が検出されており、マイコン４８の比較結果である第６図をみれば異物等の欠陥が検出されていることがわかる。」（６頁左上欄５〜１９行）と記載され、パターン残りやパターン欠けによる欠陥と異物や傷などの欠陥とを分類することが示されている。また、特開昭６３−１２２２１８号公報には「該バッファメモリ１３に記憶された差分データはパターンの欠陥を示す像であり、この像からパターンの欠陥の有無を判定することができる。・・・＋又は−の数値のデータが残っており、これが有意の大きさであれば、欠陥が存在することになる。そして＋の値の部分は、設計時には無かった図形（黒欠陥）が存在することを示し、−の値の部分は、設計段階では存在した図形が消失した（白欠陥）ことを示している」と記載され、欠陥を黒欠陥と白欠陥に分類することが示されており、特開昭５９−１９２９４４号公報には、「非検査パターンの映像を電気信号に変換し、その電気信号と、参照パターンの電気信号との差分をとり、その差分を利用して欠陥領域を分類するパターン欠陥分類方法において、該差分信号を参照パターン内に固定した複数パターン領域の１つに分類表示し、部分欠陥毎の幾何学的特徴量を抽出し、該抽出した幾何学的特徴量を用いて個々の欠陥の種類あるいは欠陥致命度を判定するパターン欠陥分類方法。」（１頁左下欄４〜１３行）と記載されている。）である。そして、引用発明も、欠陥ピクセルを示すマップに対応する内容が記憶されたメモリマップを検索し欠陥を判定するものでり、また刊行物１には、上記摘記事項ｇに「なお、品質管理等運用上の便宜から上記検査作業によって判定した欠陥パターンを目視可能とするモニタや磁気ディスク装置４２に記憶させその座標サイズを求めて外部機器に出力する機能・・・をも備えている。」とも記載されていることから、引用発明において、比較検査手段にて欠陥の判定を行うにあたり、上記した周知技術のように、各欠陥のサイズと位置を決定したり、欠陥のタイプに分類したりすることは当業者であれば適宜なし得た事項に過ぎない。
　そして、本願発明の奏する効果も、引用発明及び刊行物２に記載された発明並びに周知技術から容易に予測し得る程度のものである。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、刊行物１及び２に記載された発明並びに周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  そして、本願発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２ないし１７に係る発明について審理するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。