【事件の表示】
　平成６年特許願第５１９０６１号「エッチング可能な基板における完全な外部コーナー作成のためのミクロ機械加工方法」拒絶査定不服審判事件〔平成６年９月１日国際公開、ＷＯ９４／１９８２４、平成７年７月６日国内公表、特表平７−５０６２２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、１９９４年２月２２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９３年２月２５日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１６年５月１４日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付の手続補正により、請求項１〜１８の内、請求項８〜１８が削除され、同年８月２３日付の手続補正により、請求項１〜７の内、請求項７が削除され、さらに、同年８月２７日付の手続補正により、請求項１〜６の内、請求項１が技術的に限定されたものである。
　
II．平成１６年８月２７日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年８月２７日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜６の内、請求項１は次のとおり補正された。
　「【請求項１】　エッチング可能な基板に、少なくともひとつの外部コーナーを持つような３次元構造を形成する方法であって、
　前記外部コーナーが、第１の構造と第２の構造のふたつの構造の交差によって形成されるように、前記構造を第１の構造と第２の構造へ分離する過程であって、前記第１の構造が第１の方向に直線的に延在し、前記第２の構造は前記第１の方向に概ね直行する第２の方向に直線的に延在する、該過程と、
　前記第１の構造をエッチングにより形成する過程と、
　表面と、エッチングにより形成された前記第１の構造の基板上にエッチングマスクを形成する過程と、
　前記基板上のエッチングマスク内に、前記第２の構造を画定するウィンドウを開ける過程と、
　前記第２の構造をエッチングにより形成する過程とを有し、前記外部コーナーを得ることを特徴とする方法。」
　　
　上記補正は、補正前の平成１６年８月２３日付の手続補正の請求項１において、「前記構造を第１の構造と第２の構造へ分離する過程と」を、「前記構造を第１の構造と第２の構造へ分離する過程であって、前記第１の構造が第１の方向に直線的に延在し、前記第２の構造は前記第１の方向に概ね直行する第２の方向に直線的に延在する、該過程と」と補正したものである。
　そこで、上記補正について検討すると、補正前の「第１の構造」を、「第１の構造が第１の方向に直線的に延在し」と具体的に限定し、また、補正前の「第２の構造」を、「第２の構造は第１の方向に概ね直行する第２の方向に直線的に延在する」と具体的に限定したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　そして、上記補正については、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。
　
　次に、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかについて検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平３−１３２０３１号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）刊行物１（特開平３−１３２０３１号公報）
（１ａ）「本発明による多重ステップエッチング方法を、第１図に示されているように、シリコンウエハ１から異方性エッチング形成された幅広のＶ溝３内に幅狭のＶ溝２を連通接続する例に基づいて詳細に説明する。・・・
　第２ａ図および第２ｂ図に示された従来の製造方法においては、（１００）方向のシリコンウエハ１上に結晶学上の（１１０）方向に対して平行に酸化シリコンまたは窒化物マスキング４が設けられ、その後、カリろ液中、またはピロカテキン、エチレンジアミンおよび水の混合液中でエツチングされる。全ての公知の異方性エッチング混合液は共通して、（１１１）面を他の全ての平面よりも可成りゆっくり腐食させる。これによって、凹状に衝突する（１１１）面によって画成されたＶ状エッチング溝２、３が形成される。両凸状コーナーＫＥ（第２ａ図）ではしかしながら強いアンダーカットＵが生じ（第２ｂ図）・・・る。」（３頁左上欄９行〜右上欄１２行）
（１ｂ）「不所望なアンダーカットは、第３ａ図および第３ｂ図に示されているように、両Ｖ溝２、３を分割して２つのステップでエッチングすることによって回避される。小さなＶ溝２を公知の技術でエッチング形成した後、シリコン板１全体がパッシベーション化され（例えば熱的に酸化され）、大きなＶ溝３のためにマスク４にマスク穴５が作成される。このマスク４の適宜のパターンによって、小さなＶ溝２におけるパッシベーション膜が腐食されるのが回避され得る（第３ａ図）。次に異方性エッチングによって大きなＶ溝３がエッチング形成される。その際、小さなＶ溝２のところでは酸化マスク４の大きな溝３内への”嵌入部”がアンダーカットされて、直方体の角錐状穴３が生ぜしめられる。（第３ｂ図）。しかして、本発明によれば、小さなＶ溝２上の被覆マスク４のために、・・・凹状コーナーはアンダーカットされない。」（３頁右上欄１３行〜左下欄１０行）
（１ｃ）第１図には、シリコンウエハ１表面に、大きなＶ溝３と小さなＶ溝２が連通接続したものが記載され、第２ａ図には、両凸状コーナーＫＥを有するマスキング膜４が、第２ｂ図には、両凸状コーナーに強いアンダーカットＵが生じたものが記載され、第３ａ図には、小さなＶ溝２の大きなＶ溝３内への嵌入部を有するマスクパターン４が、第３ｂ図には、小さなＶ溝２の大きなＶ溝３内への嵌入部がアンダーカットされて、直方体の角錐状穴が生じたものが記載され、そして、第３ａ図、第３ｂ図によれば、小さなＶ溝２は、シリコンウエハ１の長辺に沿って直線的に延在していることが示されている。
　
３．対比・判断
　上記摘記事項（１ａ）によれば、幅広のＶ溝内に幅狭のＶ溝を連続接続する異方性エッチング形成方法における従来の製造方法では、両凸状コーナーではアンダーカットが生じることが記載され、上記摘記事項（１ｂ）によれば、両Ｖ溝を分割して２つのステップでエッチングする場合に、第１のエッチングで小さなＶ溝をエッチング形成した後、第２のエッチングでは、小さなＶ溝を含めたシリコン板全体にパッシベーション膜を形成しマスクとし、そこで大きなＶ溝のためのマスク穴を作成し、次いで大きなＶ溝をエッチング形成するものであって、その際、小さなＶ溝のところでマスクの大きなＶ溝内への嵌入部がアンダーカットされて、直方体の角錐状穴が形成されることが記載されている。
　また、上記摘記事項（１ｃ）によれば、小さなＶ溝は、シリコンウエハ１の長辺に沿って、即ち一定方向に直線的に延在していることが示されている。
　よって、刊行物１の摘記事項（１ａ）〜（１ｃ）を総合すると、刊行物１には、「エッチング可能なウエハに、凸状コーナーを持つような３次元構造を形成する方法であって、凸状コーナーが、小さなＶ溝と大きなＶ溝のふたつのＶ溝の分割によって形成されるように、３次元構造を小さなＶ溝と大きなＶ溝へ分離する過程であって、小さなＶ溝が一定方向に直線的に延在する過程と、小さいＶ溝をエッチングにより形成する過程と、表面と、エッチングにより形成された小さいＶ溝のウエハ上にパッシべーション膜を形成する過程と、ウエハ上のパッシべーション膜内に、大きいＶ溝を画定するマスク穴を開ける過程と、大きいＶ溝をエッチングにより形成する過程とを有し、凸状コーナーを得る方法」（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。
　そこで、本願補正発明１と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「ウエハ」、「凸状コーナー」、「小さなＶ溝」、「大きなＶ溝」、「一定方向」、「パッシベーション膜」、及び「マスク穴」は、それぞれ本願補正発明１の「基板」、「外部コーナー」、「第１の構造」、「第２の構造」、「第１の方向」、「エッチングマスク」、及び「ウインドウ」に相当する。
　そうすると、両者は、「エッチング可能な基板に、少なくともひとつの外部コーナーを持つような３次元構造を形成する方法であって、前記外部コーナーが、第１の構造と第２の構造のふたつの構造の交差によって形成されるように、前記構造を第１の構造と第２の構造へ分離する過程であって、前記第１の構造が第１の方向に直線的に延在する、該過程と、前記第１の構造をエッチングにより形成する過程と、表面と、エッチングにより形成された前記第１の構造の基板上にエッチングマスクを形成する過程と、前記基板上のエッチングマスク内に、前記第２の構造を画定するウィンドウを開ける過程と、前記第２の構造をエッチングにより形成する過程とを有し、前記外部コーナーを得る方法」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点：本願補正発明１の第２の構造は、第１の方向に概ね直行する第２の方向に直線的に延在するのに対し、刊行物１発明の大きいＶ溝はそのようなものか明記されていない点。
　
　上記相違点について、次に検討する。
　まず、上記相違点では、「第２の構造は、第１の方向に概ね
直行
　刊行物１発明の大きいＶ溝は、幅広のＶ溝内に幅狭のＶ溝を連通接続するとしている（上記摘記事項（１ａ））が、刊行物１には、小さなＶ溝をエッチング形成した後、次いで大きなＶ溝をエッチング形成するものであって、その際、小さなＶ溝のところでマスクの大きなＶ溝内への嵌入部がアンダーカットされて、直方体の角錐状穴が形成されること（上記摘記事項（１ｂ））が記載されている。このことは、小さなＶ溝が、シリコンウエハの長辺に沿って直線的に延在しているものであるから、大きなＶ溝となる角錐状穴の一底辺は、小さいＶ溝が延在する方向に対して概ね直交する方向に直線的に延在する方向の底辺も有していることになる。
　そうすると、本願補正発明１と同様、刊行物１発明も、小さなＶ溝次いで大きなＶ溝の２つのステップでエッチングし、両凸状コーナーではアンダーカットが生じることを防ぐためのものであるから、大きいＶ溝を、小さいＶ溝が延在する第１の方向に対して概ね直交する第２の方向に直線的に延在するように形成することは、当業者ならば適宜になし得ることである。
　
　そして、本願補正発明１による効果も刊行物１の記載から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明１は、刊行物１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
　
４．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
III．本願発明について 
１．本願発明１ 
　平成１６年８月２７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、同年８月２３日付の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
　「【請求項１】　エッチング可能な基板に、少なくともひとつの外部コーナーを持つような３次元構造を形成する方法であって、
　前記外部コーナーが、第１の構造と第２の構造のふたつの構造の交差によって形成されるように、前記構造を第１の構造と第２の構造へ分離する過程と、
　前記第１の構造をエッチングにより形成する過程と、
　表面と、エッチングにより形成された前記第１の構造の基板上にエッチングマスクを形成する過程と、
　前記基板上のエッチングマスク内に、前記第２の構造を画定するウィンドウを開ける過程と、
　前記第２の構造をエッチングにより形成する過程とを有し、前記外部コーナーを得ることを特徴とする方法。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の優先権主張日前に頒布された刊行物１及びその記載事項は、上記「II．２．引用刊行物とその記載事項」に記載されたとおりである。
　
３．対比、判断
　本願発明１は、上記「II．３．対比・判断」において検討した本願補正発明１の「第１の構造が第１の方向に直線的に延在し、第２の構造は第１の方向に概ね直交する第２の方向に直線的に延在する」という具体的な限定事項を削除したものである。
　そして、本願発明１と刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者の相違点はなくなり、本願発明１は刊行物１に記載された発明となる。 
　　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜６に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。