【事件の表示】
　特願２０１７−５１９７１８「高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年５月３日国際公開、ＷＯ２０１８／０７８６６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２８年１０月２５日を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２９年　５月１９日　　：手続補正書の提出
　平成２９年　７月　７日付け：拒絶理由通知書
　平成２９年　９月１２日　　：意見書の提出
　平成２９年１１月１５日付け：拒絶査定
　平成３０年　２月１３日　　：審判請求書、手続補正書の提出
第２　平成３０年２月１３日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成３０年２月１３日にされた手続補正についての補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。）
「第一導電型を有する半導体基板の第一主表面に、前記第一導電型を有するベース層、及び、前記ベース層に隣接し、前記第一導電型と反対の導電型である第二導電型を有するエミッタ層を有し、
　前記ベース層と電気的に接続されるベース電極と、
　前記エミッタ層と電気的に接続されるエミッタ電極と
　を有する太陽電池であって、
　前記第一主表面上において、前記ベース層及び前記エミッタ層に接する誘電体膜を有し、
　前記エミッタ電極を覆うとともに、前記誘電体膜上に位置し、少なくとも前記ベース層上において間隙を有するように配置された第一の絶縁膜を有し、
　少なくとも前記第一の絶縁膜の上に位置するベース用バスバー電極を有し、
　前記ベース層の前記半導体基板の第一主表面に表れる形状が細長であり、その幅が５０μｍ以上２００μｍ以下であり、
　前記第一の絶縁膜の間隙の距離が４０μｍ以上（Ｗ＋１１０）μｍ以下
（但し、４０μｍ以上Ｗμｍ以下を除く）
り、
　
前記ベース電極と前記ベース用バスバー電極は電気的に接続しており、
　
前記ベース電極を覆う第二の絶縁膜をさらに有し、少なくとも前記第二の絶縁膜の上に位置し、前記エミッタ電極と電気的に接続するエミッタ用バスバー電極を有する
（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の、平成２９年５月１９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである。
「第一導電型を有する半導体基板の第一主表面に、前記第一導電型を有するベース層、及び、前記ベース層に隣接し、前記第一導電型と反対の導電型である第二導電型を有するエミッタ層を有し、
　前記ベース層と電気的に接続されるベース電極と、
　前記エミッタ層と電気的に接続されるエミッタ電極と
　を有する太陽電池であって、
　前記第一主表面上において、前記ベース層及び前記エミッタ層に接する誘電体膜を有し、
　前記エミッタ電極を覆うとともに、前記誘電体膜上に位置し、少なくとも前記ベース層上において間隙を有するように配置された第一の絶縁膜を有し、
　少なくとも前記第一の絶縁膜の上に位置するベース用バスバー電極を有し、
　前記ベース層の前記半導体基板の第一主表面に表れる形状が細長であり、その幅が５０μｍ以上２００μｍ以下であり、
　前記第一の絶縁膜の間隙の距離が４０μｍ以上（Ｗ＋１１０）μｍ以下（但し、Ｗは間隙方向のベース層の幅）であることを特徴とする太陽電池。」
２　補正の適否
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「第一の絶縁膜の間隙の距離」について、「４０μｍ以上Ｗμｍ以下」（但し、Ｗは間隙方向のベース層の幅）という数値範囲を除くともに、「ベース電極」及び「エミッタ電極」について、「前記ベース電極と前記ベース用バスバー電極は電気的に接続しており、」と、「前記ベース電極を覆う第二の絶縁膜をさらに有し、少なくとも前記第二の絶縁膜の上に位置し、前記エミッタ電極と電気的に接続するエミッタ用バスバー電極を有する」という限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。
（２）引用文献の記載事項
ア　引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された引用文献である、国際公開第２０１５／１９００２４号（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（下線は当審の付与したものである。以下同じ。）
ａ　「［００４５］　図４、図５に示すように、本発明の
太陽電池は、第１の導電型の半導体基板１３の受光面とは反対の面
に第１の導電型の拡散層２０と第２の導電型の拡散層２１が形成されている
第１の導電型の拡散層２０に接合された第１の電極部２６と、第２の導電型の拡散層に接合された第２の電極部２７を備える。
ｂ　「［００４８］　また、
第１の導電型の半導体基板１３の裏面には酸化物層（第１裏面パッシベーション膜）１９を形成することができる。酸化物層１９上に、第２裏面パッシベーション膜１８を形成することもできる。
［００４９］　更に、本発明の太陽電池１０は、図４、図５に示すように、少なくとも
第２の電極部２７と第１の電極バスバー部３７が交差する領域において、第１の絶縁膜２４が第２の電極部２７の側面部と上部を覆うように形成されている。
第１の電極部２６と第２の電極バスバー部３８が交差する領域において、第２の絶縁膜２５が第１の電極部２６の側面部と上部を覆うように形成されている。
［００５０］　また、図５に示すように、
第１の電極バスバー部３７は、第１の電極部２６と接合することができる。
第２の電極バスバー部３８は、第２の電極部２７と接合することができる。
ｃ　「［００６１］［絶縁膜］
　絶縁膜は、絶縁領域において、電極部の側面部と上部を覆うように形成されている。ここで、本発明における絶縁領域とは、少なくとも電極部と電極バスバー部が交差する箇所のことである。絶縁領域は、この箇所の面積よりも大きいことが好ましい。絶縁膜の形状は特に限定されないが、例えば、矩形とすることができる。第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の厚みは、１〜６０μｍであることが好ましい。より好ましくは５〜４０μｍ程度、特に好ましくは１０〜３０μｍである。このような厚みとすることにより、絶縁性をより向上させることができる。また、過度に絶縁膜を形成することもないため、所望の太陽電池をより低コストで製造することができる。
［００６２］　また、
第１の絶縁膜が少なくとも第１の電極バスバー部の直下に存在する第２の導電型の拡散層を覆うように形成されていることが好ましい。
ｄ　「［００６９］　また、第２の電極部と第１の電極バスバー部が交差する領域において、第１の電極バスバー部の長さが０．３ｍｍ以上であり、第１の絶縁膜の幅が０．０３ｍｍ〜１．５ｍｍであり、第２の電極部の幅が０．０２〜０．２０ｍｍであることが好ましい。第１の電極バスバー部の長さの上限は特に限定されないが、例えば、２ｍｍとすることができる。」
ｅ　また、引用文献１の図４及び５において、
第１の導電型の拡散層２０は、第２の導電型の拡散層２１と隣接して形成されており、第１及び第２裏面パッシベーション膜１８及び１９は、受光面とは反対の面上において第１の導電型の拡散層２０及び第２の導電型の拡散層２１と接するように形成されており、第１の絶縁膜２４は、第１及び第２裏面パッシベーション膜１８及び１９上に位置し、第１の導電型の拡散層２０上で間隙を有している
第１の導電型の拡散層２０も細長の形状をしている
（イ）引用文献１の上記記載及び図面に示された事項から、引用文献１には、次の発明（以下「引用文献１発明」という。）が記載されていると認められる。
「第１の導電型の半導体基板の受光面とは反対の面に第１の導電型の拡散層と第２の導電型の拡散層が隣接して形成され、
　裏面パッシベーション膜が、受光面とは反対の面上において第１の導電型の拡散層及び第２の導電型の拡散層と接するように形成され、
　前記第１の導電型の拡散層に接合された第１の電極部と、前記第２の導電型の拡散層に接合された第２の電極部を備え、
 前記第１の電極部が接続された第１の電極バスバー部と、前記第２の電極部が接続された第２の電極バスバー部とを備え、
　前記第２の電極部と前記第１の電極バスバー部が交差する領域において、第１の絶縁膜が前記第２の電極部の側面部と上部を覆うように形成されており、
　前記第１の電極部と前記第２の電極バスバー部が交差する領域において、第２の絶縁膜が前記第１の電極部の側面部と上部を覆うように形成されており、
　前記第１の絶縁膜は、裏面パッシベーション膜上に位置し、前記記第１の導電型の拡散層上で間隙を有し、
　前記第１の導電型の拡散層は受光面とは反対の面に表れる形状が細長であり、
　前記第１の絶縁膜が前記第１の電極バスバー部の直下に存在する前記第２の導電型の拡散層を覆うように形成されている、
　太陽電池。」
イ　引用文献２
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された引用文献である、国際公開第２０１２／０１７５１７号（以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「［００６９］　図８に示すように、
裏面電極型太陽電池セル
特に２００μｍよりも大きい場合には変換効率が上昇しない、または低下に転じる傾向にある
［００７０］　したがって、図８に示す結果から、裏面電極型太陽電池セルの変換効率を安定して高くするためには、ベース幅は４００μｍ以下であることが好ましい。また、
裏面電極型太陽電池セルの変換効率をさらに安定して高くするためには、ベース幅を１００μｍ以上とすることが好ましい。
（イ）引用文献２の上記記載から、引用文献２には、次の技術（以下「引用文献２技術」という。）が記載されていると認められる。 
「裏面電極型太陽電池セルの変換効率を安定して高くするため、裏面電極型太陽電池セルのベース幅を１００μｍ以上２００μｍ以下とする技術。」
（３）対比
　本件補正発明及び引用文献１発明を対比する。
ア　引用文献１発明も本件補正発明もともに太陽電池の発明であって、引用文献１発明の「第１の導電型」、「半導体基板」、「受光面とは反対の面」は、それぞれ本件補正発明の「第一導電型」、「半導体基板」、「第一主表面」に相当する。引用文献１発明の「第１の導電型の拡散層」は、本件補正発明の「第一導電型を有するベース層」に相当する。また、引用文献１発明の第１の導電型の拡散層は受光面とは反対の面に表れる形状は細長である。
イ　引用文献１発明の「裏面パッシベーション膜」は、本件補正発明の「誘電体膜」に相当する。
ウ　引用文献１発明の「第１の電極部」は、第１の導電型の拡散層に接合すなわち電気的に接続されるものであるから、本件補正発明の「ベース電極」に相当し、引用文献１発明の「第２の電極部」は、第２の導電型の拡散層に接合すなわち電気的に接続されるものであるから、本件補正発明の「エミッタ電極」に相当する。
エ　引用文献１発明の「第１の絶縁膜」は、本件補正発明の「第一の絶縁膜」に相当する。引用文献１発明において、第２の電極部と第１の電極バスバー部が交差する領域において、第１の絶縁膜が第２の電極部の側面部と上部を覆うように形成されていることから、引用文献１発明の第１の絶縁膜は第２の電極部を覆っている。また、引用文献１発明において、第１の絶縁膜は、裏面パッシベーション膜上に位置し、第２の導電型の拡散層上で間隙を有している。
オ　引用文献１発明の「第１の電極バスバー部」は、本件補正発明の「ベース用バスバー電極」に相当しており、引用文献１発明において、第１の電極バスパー部は第１の電極部と接続すなわち電気的に接続されている。引用文献１発明において、第２の電極部と第１の電極バスバー部が交差する領域において、第１の絶縁膜が第２の電極部の側面部と上部を覆うように形成されていることから、引用文献１発明の第１の電極バスパー部は、この領域において、第１の絶縁膜の上に位置する。
カ　引用文献１発明の「第２の絶縁膜」は、本件補正発明の「第二の絶縁膜」に相当する。引用文献１発明において、第１の電極部と第２の電極バスバー部が交差する領域において、第２の絶縁膜が第１の電極部の側面部と上部を覆うように形成されていることから、引用文献１発明の第２の絶縁膜は第１の電極部を覆っている。
キ　引用文献１発明の「第２の電極バスパー部」は、本件補正発明の「エミッタ用バスバー電極」に相当しており、引用文献１発明において、第２の電極バスパー部は第２の電極部と接続すなわち電気的に接続されている。引用文献１発明において、第１の電極部と第２の電極バスバー部が交差する領域において、第２の絶縁膜が第１の電極部の側面部と上部を覆うように形成されていることから、引用文献１発明の第２の電極バスパー部は、この領域において、第２の絶縁膜の上に位置する。
ク　したがって、本件補正発明及び引用文献１発明は、次の一致点で一致し、次の相違点１及び２において相違する。
【一致点】
「第一導電型を有する半導体基板の第一主表面に、前記第一導電型を有するベース層、及び、前記ベース層に隣接し、前記第一導電型と反対の導電型である第二導電型を有するエミッタ層を有し、
　前記ベース層と電気的に接続されるベース電極と、
　前記エミッタ層と電気的に接続されるエミッタ電極と
　を有する太陽電池であって、
　前記第一主表面上において、前記ベース層及び前記エミッタ層に接する誘電体膜を有し、
　前記エミッタ電極を覆うとともに、前記誘電体膜上に位置し、少なくとも前記ベース層上において間隙を有するように配置された第一の絶縁膜を有し、
　少なくとも前記第一の絶縁膜の上に位置するベース用バスバー電極を有し、
　前記ベース層の前記半導体基板の第一主表面に表れる形状が細長であり、
　前記ベース電極と前記ベース用バスバー電極は電気的に接続しており、
　前記ベース電極を覆う第二の絶縁膜をさらに有し、少なくとも前記第二の絶縁膜の上に位置し、前記エミッタ電極と電気的に接続するエミッタ用バスバー電極を有する、
　太陽電池。」
【相違点１】
　本件補正発明においては、ベース層の前記半導体基板の第一主表面に表れる形状の幅が「５０μｍ以上２００μｍ以下」であるのに対し、引用文献１発明においては、第１の導電型の拡散層の受光面とは反対の面に現れる形状の幅が特定されていない点。
【相違点２】
　本件補正発明においては、第一の絶縁膜の間隙の距離が４０μｍ以上（Ｗ＋１１０）μｍ以下（但し、Ｗは間隙方向のベース層の幅）であるのに対し、引用文献１発明においては、第１の絶縁膜が第１の電極バスバー部の直下に存在する第２の導電型の拡散層を覆うように形成されている点。
（４）判断
　上記相違点１及び２について検討する。
ア　相違点１について
　引用文献１発明においては、第１の導電型の拡散層の受光面とは反対の面に現れる形状の幅が特定されていないが、引用文献１発明において、その変換効率を安定して高くするために引用文献２技術を適用して、ベース層に相当する、第１の導電型の拡散層の幅を１００μｍ以上２００μｍ以下とし、上記相違点１に係る構成を備えたものとすることは当業者が容易になし得たことである。その効果も引用文献１及び２から当業者が予測し得たものであって、格別のものではない。
イ　相違点２について
　引用文献１発明においては、第１の絶縁膜が第１の電極バスバー部の直下に存在する第２の導電型の拡散層を覆うように形成されている。このように、第１の絶縁膜が第１の電極バスバー部の直下に存在する第２の導電型の拡散層を覆うということは、第１の絶縁膜（本件補正発明の「第一の絶縁膜」に相当する）の間隙と第１の拡散層の幅（本件補正発明の「ベース層」に相当する）との関係に直すと、第１の絶縁膜の間隙が第１の拡散層の幅以下（本件補正発明において「間隙方向のベース層の幅」Ｗμｍ以下であることに相当する）であることを意味する。
　引用文献１の段落［００６２］には、確かに、「第１の絶縁膜が少なくとも第１の電極バスバー部の直下に存在する第２の導電型の拡散層を覆うように形成されていることが好ましい」と記載されている。しかし、「好ましい」と記載されていることからすると、引用文献１においても、第１の絶縁膜が少なくとも第１の電極バスバー部の直下に存在する第２の導電型の拡散層を覆い、第１の絶縁膜の間隙が第１の拡散層の幅以下となることが好ましいものの、技術的に、第１の絶縁膜が少なくとも第１の電極バスバー部の直下に存在する第２の導電型の拡散層を覆うように形成されていなければならないものではなく、第１の拡散層の幅との関係において第１の絶縁膜の間隙にある程度の許容範囲があることは、引用文献１においても認識されていたものといえる。
　そして、引用文献１の段落［００６９］に「第１の絶縁膜の幅が０．０３ｍｍ〜１．５ｍｍであり、第２の電極部の幅が０．０２〜０．２０ｍｍであることが好ましい」と記載され、絶縁膜の幅は適宜設計可能であることされていることや、段落［００６１］に「このような厚みとすることにより、絶縁性をより向上させることができる。また、過度に絶縁膜を形成することもない」と記載され、絶縁膜について多量に使用することが良くないこととされていることも考慮すると、引用文献１発明において、引用文献１の段落［００６２］に記載されているとおり、第１の電極バスバー部と第２の導電型の拡散層が誘電体層を通じて導通しないようにするにあたり、絶縁膜の量も考慮し、絶縁膜の幅と同様に、第１の絶縁膜の間隙を変え、１の電極バスバー部と第２の導電型の拡散層の間の導通が上記のような許容範囲に収まる設計とすることは当業者の通常の創作能力の発揮であって、その効果も格別のものではない。
　したがって、本件補正発明は、引用文献１及び２に基いて当業者が容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により独立して特許を受けることができないものである。
３　本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成３０年２月１３日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成２９年５月１９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２［理由］１（２）に記載したとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１ないし８に係る発明は、その優先権主張の日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１及び２に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
引用文献１：国際公開第２０１５／１９００２４号
引用文献２：国際公開第２０１２／０１７５１７号
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１の記載事項は、上記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
４　対比・判断
　本願発明は、前記第２の［理由］２（２）で検討した本件補正発明から、「第一の絶縁膜の間隙の距離」について、「４０μｍ以上Ｗμｍ以下」（但し、Ｗは間隙方向のベース層の幅）という数値範囲の除外を除き、「ベース電極」及び「エミッタ電極」について、「前記ベース電極と前記ベース用バスバー電極は電気的に接続しており、」と、「前記ベース電極を覆う第二の絶縁膜をさらに有し、少なくとも前記第二の絶縁膜の上に位置し、前記エミッタ電極と電気的に接続するエミッタ用バスバー電極を有する」という限定を除いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに上記のとおり限定したものに相当する本件補正発明が、上記第２の［理由］２（３）、（４）に記載したとおり、引用文献１発明及び引用文献２技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用文献１発明及び引用文献２技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。