【事件の表示】
　平成１１年特許願第　８４５９２号「スピンバルブ磁気抵抗効果型素子とその製造法、及びこの素子を用いた磁気ヘッド」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１０月１３日出願公開、特開２０００−２８５４１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年３月２６日の出願であって、平成１６年５月１０日付けで手続補正がなされ、その後平成１６年６月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年７月８日に本件審判が請求されるとともに、平成１６年８月３日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１６年８月３日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年８月３日付け手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前の、
　（ａ）　「【請求項１】反強磁性層、第１固定磁性層、反平行中間層、第２固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層から成るスピンバルブ磁気抵抗効果素子において、上記反強磁性層をマンガン含有の規則系合金により構成し、かつ上記第１固定磁性層の磁気モーメントは上記第２固定磁性層の磁気モーメントよりも小さくなるように設定されている、スピンバルブ磁気抵抗効果素子。」を、
　（ｂ）　「【請求項１】反強磁性層、第１固定磁性層、反平行中間層、第２固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層から成るスピンバルブ磁気抵抗効果素子において、
　前記反強磁性層はマンガン含有の規則系合金から構成され、かつ前記第１固定磁性層の磁気モーメントは前記第２固定磁性層の磁気モーメントよりも小さくなるように設定され、
　
前記反強磁性層、第１固定磁性層、反平行中間層、第２固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層を成膜した後に、印加磁場の大きさを５００Ｏｅ以下または７０００Ｏｅ以上に設定して第１の磁場中熱処理を行い、前記反強磁性層の磁気的状態が規則化され、かつ第１固定磁化層および第２固定磁化層の磁化の向きが固定されてなること
　と補正するものである。
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明の「反強磁性層」「第１固定磁性層」及び「第２固定磁性層」について、「
前記反強磁性層、第１固定磁性層、反平行中間層、第２固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層を成膜した後に、印加磁場の大きさを５００Ｏｅ以下または７０００Ｏｅ以上に設定して第１の磁場中熱処理を行い、前記反強磁性層の磁気的状態が規則化され、かつ第１固定磁化層および第２固定磁化層の磁化の向きが固定されてなること
　そこで、補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．引用例
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−１６９２０号公報（以下「引用例１」という。）には、「スピン・バルブ磁気抵抗センサと、このセンサを使用した磁気記録システム」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）「【特許請求の範囲】【請求項１２】
基板と、前記基板上に形成され、酸化ニッケルＮｉ
１−Ｘ
Ｃｏ
Ｘ
）Ｏ（Ｘは０．０〜０．５）、（Ｆｅ−Ｍｎ）合金およびＣｒを含むグループから選択された反強磁性材料の交換バイアス層と、前記交換バイアス層に隣接する積層逆平行ピン止め層であって、前記交換バイアス層に隣接しそれと反強磁性的に結合した第１の強磁性フィルムと、第２の強磁性フィルムと、第１と第２の強磁性フィルムの間にあってそれらと接続する、第１および第２の強磁性フィルムの磁化が、相互に逆平行に整列され、印加磁界の存在下で前記交換バイアス層によって逆平行にピン止めされたままとなるように第１の強磁性フィルムと第２の強磁性フィルムを反強磁性的に結合して、逆平行結合フィルムを備えるピン止め層と、前記積層逆平行ピン止め層の第２の強磁性フィルムに隣接した非磁性スペーサ層と、前記スペーサ層と隣接し、それと接触し、印加磁界の不在下で、前記積層逆平行ピン止め層中の第１および第２の強磁性フィルムの磁化軸に垂直な、優先磁化軸を有する自由強磁性層とを備えるスピン・バルブ磁気抵抗センサ
　（イ）「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、一般に
スピン・バルブ効果に基づいて磁界を感知する磁気抵抗（ＭＲ）センサ
　（ウ）「【００１９】
ＡＦ層５７は耐食性の比較的高い反強磁性材料なら何でもよい
【００２０】
ＮｉＯをベースとするＡＰピン止め層を備えるＳＶＭＲセンサ
積層Ｃｏ／Ｒｕ／Ｃｏ ＡＰピン止め層と残りのフィルムを付着させた。
フィルムの付着後、１５キロエルステッドの磁界中で試料をＮｉＯ反強磁性ブロッキング温度（約１８０℃）より上まで加熱した。
どちらの層の磁化も共に印加磁界と平行になり、両方のＣｏは単一磁区状態となる
磁界をまだ印加したままで試料を冷却した。室温に冷却した後、印加磁界を除くと、Ｒｕの影響によって、ピン止め層の第２Ｃｏフィルムの磁化が回転して、ＮｉＯ　ＡＦ層と接触するＣｏフィルムの磁化に対して逆平行になる。これによって交換異方性の方向が整列し、ピン止め層が本質的に単一磁区状態に置かれ
【００２１】図６に、ＡＰＣフィルムとして４ÅのＲｕを備え、ＡＦ層としてＮｉＯを備えた積層ＡＰピン止め層を備えたＳＶＭＲセンサのＭ−Ｈループを示す。図６にそのデータを示したこのＳＶＭＲセンサは、図５に示す構造を有し、ガラス基板４５、シード層なしで直接ガラス基板４５に付着させた４２０ÅのＮｉＯ層５７（ＡＦ）、
３０Åのコバルト（Ｃｏ）の第１ピン止め強磁性フィルム７２（ＰＦ1）
３５ÅのＣｏの第２ピン止め強磁性フィルム７４
　（エ）「【００２６】積層ＡＰピン止め層７０を形成する強磁性フィルム７２、７４の厚さが同じ場合、各磁気モーメントが厳密に打ち消し合うので、理論上はピン止め層７０の正味モーメントはゼロになるはずである。各フィルムを厳密に正確な同じ厚さに形成することは不可能なので、通常の付着法の当然の結果として、積層ＡＰピン止め層７０の正味モーメントは小さいではあろうがゼロの値にはならない。しかし、
ピン止め層内がゼロではない小さい正味磁気モーメントと成るように、ピン止め強磁性フィルム７２、７４のうち、一方が他方よりもわずかに厚くなるように故意に付着させることが望ましいであろう
　
（２）　同じく引用された特開平１０−２２３９４２号公報（以下「引用例２」という。）には、「磁気抵抗効果素子の製造方法」に関し、次の事項が記載されている。
　（カ）「【特許請求の範囲】【請求項１】磁化が外部の磁界に対して自在に反転する１層の
フリー強磁性層
非磁性層
ピン止め強磁性層
第１の方向に磁界を付与して所定の温度にて第１のアニールを施し
【請求項２】  前記第２の方向の磁界を第１の方向の磁界よりも小さい磁界とするか、または、隣接する反強磁性層により磁化をピン止めされたピン止め強磁性層の交換結合磁界よりも小さい磁界とすることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項３】  前記第１の方向の磁界を１ｋＯｅ〜４ｋＯｅ、前記第２の方向の磁界を５０〜４００ Ｏｅとすることを特徴とする請求項１または２記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項４】【請求項５】（略）
【請求項６】  前記フリー強磁性層をＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、Ｃｏ合金のいずれかから形成し、前記非磁性層をＣｕ、ＣｕＡｕ、ＣｕＮｉのいずれかから形成し、前記ピン止め強磁性層をＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、Ｃｏのいずれかから形成し、
前記ピン止め強磁性層をＰｔＭｎ、ＮｉＭｎ、ＩｒＭｎ、ＲｈＭｎ、ＰｄＭｎ、ＲｕＭｎのいずれかからなる反強磁性層と隣接させて設けること
　　
３．対比判断
（１）対比
　補正後の発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記２で摘示した記載事項、特に（ア）（ウ）（エ）（下線部参照）によれば、引用例１には、
　「基板と、
　前記基板上に形成され、反強磁性材料の交換バイアス層と、
　前記交換バイアス層に隣接する積層逆平行ピン止め層であって、前記交換バイアス層に隣接しそれと反強磁性的に結合した第１の強磁性フィルムと、第２の強磁性フィルムと、第１と第２の強磁性フィルムの間にあってそれらと接続する、第１および第２の強磁性フィルムの磁化が、相互に逆平行に整列され、印加磁界の存在下で前記交換バイアス層によって逆平行にピン止めされたままとなるように第１の強磁性フィルムと第２の強磁性フィルムを反強磁性的に結合して、逆平行結合フィルムを備えるピン止め層と、
　前記積層逆平行ピン止め層の第２の強磁性フィルムに隣接した非磁性スペーサ層と、
　前記スペーサ層と隣接し、それと接触し、印加磁界の不在下で、前記積層逆平行ピン止め層中の第１および第２の強磁性フィルムの磁化軸に垂直な、優先磁化軸を有する自由強磁性層と、を備えるスピン・バルブ磁気抵抗センサであって、
　ピン止め層内がゼロではない小さい正味磁気モーメントとなるように、第１の強磁性フィルムと第２強磁性フィルムのうち、一方が他方よりわずかに厚くなるように付着され、
　ピン止め層及び残りの層を付着後、１５キロエルステッドの磁界中で加熱し冷却することにより、第２の強磁性フィルムが、反強磁性材料の交換バイアス層と接触する第１の強磁性フィルムの磁化に対して逆平行になるようピン止めされてなる、
　スピン・バルブ磁気抵抗センサ。」
　の発明が記載されている。
　
  引用例１に記載された発明の「反強磁性材料の交換バイアス層」「交換バイアス層に隣接しそれと反強磁性的に結合した第１の強磁性フィルム」「逆平行結合フィルム」「第２の強磁性フィルム」「非磁性スペーサ層と」「自由強磁性層」は、それぞれ補正後の発明の「反強磁性層」「第１固定磁性層」「反平行中間層」「第２固定磁性層」「非磁性層」「自由磁性層」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「ピン止め層内がゼロではない小さい正味磁気モーメントとなるように、第１の強磁性フィルムと第２強磁性フィルムのうち、一方が他方よりわずかに厚くなるように付着されている」の具体例として、「３０Åのコバルト（Ｃｏ）の第１ピン止め強磁性フィルム７２（ＰＦ1）」「３５ÅのＣｏの第２ピン止め強磁性フィルム７４（ＰＦ2）」（上記（ウ）参照。）が記載されている。すなわち、反強磁性層に近い側の第１の強磁性フィルムが３０Åで、遠い側の同一材料の３５Åの第２の強磁性フィルムより薄いもの、すなわち磁気モーメントが小さいものが、例示されているのであるから、引用例１に記載された発明は、補正後の発明の、「第１固定磁性層の磁気モーメントは第２固定磁性層の磁気モーメントよりも小さくなるように設定され」に相当する構成を備えている。
　引用例１に記載された発明は、「ピン止め層及び残りの層を付着後、磁界中で加熱し冷却することにより、第２の強磁性フィルムが、反強磁性材料の交換バイアス層と接触する第１の強磁性フィルムの磁化に対して逆平行になるようピン止めされてなる」から、「反強磁性層、第１固定磁性層、反平行中間層、第２固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層を成膜した後に、印加磁場の大きさを設定して第１の磁場中熱処理を行い、第１固定磁化層および第２固定磁化層の磁化の向きが固定されてなる」構成を備えているといえる。
　よって、補正後の発明と引用例１に記載された発明は、
　「反強磁性層、第１固定磁性層、反平行中間層、第２固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層から成るスピンバルブ磁気抵抗効果素子において、
　前記第１固定磁性層の磁気モーメントは前記第２固定磁性層の磁気モーメントよりも小さくなるように設定され、
　前記反強磁性層、第１固定磁性層、反平行中間層、第２固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層を成膜した後に、印加磁場の大きさを設定して第１の磁場中熱処理を行い、第１固定磁化層および第２固定磁化層の磁化の向きが固定されてなる、スピンバルブ磁気抵抗効果素子。」
　である点で一致し、以下の点で相違している。
　
　（相違点１）　反強磁性層及び磁場中熱処理について、補正後の発明では、「反強磁性層はマンガン含有の規則系合金から構成され」、「印加磁場の大きさを５００Ｏｅ以下または７０００Ｏｅ以上に設定して第１の磁場中熱処理を行い、反強磁性層の磁気的状態が規則化され」ると特定されているのに対して、引用例１に記載された発明では、反強磁性層として、ＮｉＯやＦｅＭｎＣｒ等が例示され、印加磁場の大きさを１５キロエルステッドに設定して第１の磁場中熱処理を行うことが記載されている点。
　
（２）相違点１についての判断
　磁場中熱処理の印加磁場の大きさについて、引用例１で示される１５キロエルステッドは、補正後の発明の「７０００Ｏｅ以上」に含まれ、実質的に一致している。
　フリー強磁性層と非磁性層とピン止め強磁性層とを具備する磁気抵抗効果素子において、前記ピン止め強磁性層を、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｄＭｎ等の反強磁性層と隣接させて設け、磁界を付与して所定の温度にて第１のアニールを施し、ピン止め強磁性層の磁化を固定させることは、引用例２に記載されている。これらＰｔＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｄＭｎ等の規則系合金は、成膜時には反強磁性を示さないで、成膜後の磁場中熱処理により、規則化されることにより反強磁性を示すことは、周知の事項である。例えば、特開平６−７６２４７号公報（特許請求の範囲等参照。）、特開平９−１０６５１４号公報（段落１6参照。）、特開平９−３５２１２号公報（従来技術の記載、段落１０、１１参照。）等に記載されている。
　引用例１に記載された発明に示される反強磁性層は、ＮｉＯやＦｅＭｎＣｒ等であるが、スピンバルブ磁気抵抗効果素子に用いられる周知の反強磁性層を用いることは、適宜なし得ることであり、引用例１にも示唆されており（上記（ウ）参照。）、その際、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｄＭｎ等の規則系合金は、引用例１のような磁場中熱処理において、反強磁性を示すよう規則化が行われることが当然のことであるから、上記相違点１に、格別困難性を要したとはいえない。
　なお、磁場中熱処理における印加磁場の大きさについて、補正後の発明のように、７０００Ｏｅ以上に設定することは、引用例１に記載された、ピン止め層の磁化の固定のために用いられる程度の磁場の大きさであるから、反強磁性層の規則化を伴う処理であるとしても、当業者が必要に応じ適宜なし得る程度のものにすぎない。
　しみれば、補正後の発明の効果は、引用例１及び２に記載された発明から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、補正後の発明は、上記引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１６年８月３日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１６年５月１０日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「【請求項１】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
１．引用例
　原審の拒絶の理由に引用された引用例１及び２の記載事項は、上記「第２の２」に記載されたとおりである。
　
２．対比判断
　本願発明は、上記「第２」で検討した補正後の発明から、「反強磁性層」「第１固定磁性層」及び「第２固定磁性層」についての限定事項である「
前記反強磁性層、第１固定磁性層、反平行中間層、第２固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層を成膜した後に、印加磁場の大きさを５００Ｏｅ以下または７０００Ｏｅ以上に設定して第１の磁場中熱処理を行い、前記反強磁性層の磁気的状態が規則化され、かつ第１固定磁化層および第２固定磁化層の磁化の向きが固定されてなること
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後の発明が、上記「第２の３」に記載したとおり、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。