【事件の表示】
　特許第３４２４７１１号「光ファイバ用ガラス体及び光ファイバ」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４２４７１１号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３４２４７１１号は、平成７年１１月９日に出願され、平成１５年５月２日に特許権の設定登録（請求項６）がされ、その後、羽鳥義一（以下、「申立人」という。）より特許異議の申立てがされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１６年８月３日に異議意見書が提出されるとともに訂正請求がされ、申立人に審尋がされたもの（回答なし）である。
　
２．訂正の適否
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下の訂正事項ａないしｊのとおりである。
　ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の記載を、「コア部にＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスを含む光ファイバ用ガラス体であって、このＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスに含まれるＧｅ２＋の濃度が、１．１×１０−９〜１．９×１０−９ｍｏｌ／ｍｍ３の範囲内であることを特徴とする光ファイバ用ガラス体。」と訂正する。
　イ．訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２を、「前記ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスは、５．１６ｅＶにおける単位光路長当たりの吸光度が、１／ｍｍ以上１．７／ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の光ファイバ用ガラス体。」と訂正する。
　ウ．訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項４の記載を、「コア部に、フッ素含有ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスを含む光ファイバ用ガラス体であって、このフッ素含有ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスに含まれるＧｅ２＋の濃度が、１．１×１０−９〜１．９×１０−９ｍｏｌ／ｍｍ３の範囲内であることを特徴とする光ファイバ用ガラス体。」と訂正する。
　エ．訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項５を、「前記フッ素含有ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスは、５．１６ｅＶにおける単位光路長当たりの吸光度が、１／ｍｍ以上１．７／ｍｍ以下であることを特徴とする請求項４記載の光ファイバ用ガラス体。」と訂正する。
　オ．訂正事項ｅ
　段落【０００７】を、「すなわち、請求項１にかかる光ファイバ用ガラス体は、コア部にＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスを含む光ファイバ用ガラス体であって、このＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスに含まれるＧｅ２＋の濃度が、１．１×１０−９〜１．９×１０−９ｍｏｌ／ｍｍ３の範囲内であることを特徴とする。」と訂正する。
　カ．訂正事項ｆ
　段落【０００８】を、「請求項２にかかる光ファイバ用ガラス体では、請求項１のＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスは、５．１６ｅＶにおける単位光路長あたりの吸光度が１／ｍｍ以上１．７／ｍｍ以下であることを特徴とする。」と訂正する。
　キ．訂正事項ｇ
　段落【００１０】を、「請求項４にかかる光ファイバ用ガラス体は、コア部に、フッ素含有ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスを含む光ファイバ用ガラス体であって、このフッ素含有ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスに含まれるＧｅ２＋の濃度が、１．１×１０−９〜１．９×１０−９ｍｏｌ／ｍｍ３の範囲内であることを特徴とする。」と訂正する。
　ク．訂正事項ｈ
　段落【００１１】を、「請求項５にかかる光ファイバ用ガラス体では、請求項４のフッ素含有ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスは、５．１６ｅＶにおける単位光路長当たりの吸光度が１／ｍｍ以上１．７／ｍｍ以下であることを特徴とする。」と訂正する。
　ケ．訂正事項ｉ
　段落【００２９】を、「ここで、論文（ＰＨＹＳＩＣＡＬ　ＲＥＶＩＥＷ　Ｂ．ｖｏｌ．４６，Ｎｏ．１８（１９９２）ｐ．１１４４５−ｐ．１１４５１　Ｈ．Ｈｏｓｏｎｏ他、“Ｎａｔｕｒｅ　ａｎｄ　Ｏｒｉｇｉｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　５ｅＶ　ｂａｎｄ　ｉｎ　ＳｉＯ２：ＧｅＯ２　ｇｌａｓｓｅｓ”）の記載を参考にして、吸光度ＡとＧｅ２＋濃度との関係を求めると、吸光度ＡとＧｅ２＋濃度は次式の関係にある。
　Ａ＝ε５．１６ｅＶ・Ｃ（Ｇｅ２＋）・ｌ
ここでε５．１６ｅＶは吸収係数（ｌ／ｍｏｌ／ｃｍ）、Ｃ（Ｇｅ２＋）はＧｅ２＋濃度、ｌは光路長とし、ε５．１６ｅＶ＝９×１０３（前出の論文ｐ．１１４４９左欄６〜７行目を使用）、ｌ＝１ｍｍ（測定条件）とすると、Ｇｅ２＋は、Ｇｅ２＋＝Ａ／ε５．１６ｅＶ／１として求まる。」と訂正する。
　コ．訂正事項ｊ
　段落【００３０】を、「上記各値を用いて計算した結果、単位光路長当たりの吸光度Ａ＝１〜１．７／ｍｍに対応するＧｅ２＋濃度は、１．１×１０−９〜１．９×１０−９ｍｏｌ／ｍｍ３となる。」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否・新規事項の有無、拡張・変更の存否
　ア．訂正事項ａは、請求項１のＧｅ２＋濃度の上限値を１．９×１０−９ｍｏｌ／ｍｍ３とするもので、特許請求の範囲の限縮を目的とする訂正に該当する。その上限値１．９×１０−９ｍｏｌ／ｍｍ３は図２にプロットされたΔＡ＝１．７／ｍｍのプロットと願書に添付された明細書の段落【００２９】に記載されたＧｅ２＋＝Ａ／ε５．１６ｅＶ／ｌ、ε５．１６ｅＶ＝９×１０３（ｌ／ｍｏｌ／ｃｍ）、ｌ＝１ｍｍから求められる数値である。
　願書に添付された明細書の段落【００１４】および段落【００２９】を合わせて読むと、グラフ上のベースラインとの差分ΔＡが段落【００２９】記載された式のＡ／ｌあることが分かる（単位も一致する）ので、図２に示されたΔＡ＝１．７／ｍｍより前記の式でＡ／ｌ（ｌ＝１ｍｍ）＝１．７／ｍｍとしてよい。そこで、Ｇｅ２＋＝Ａ／ε５．１６ｅＶ／ｌの式に、ε５．１６ｅＶ＝９×１０３（ｌ／ｍｏｌ／ｃｍ）、Ａ／ｌ＝１．７／ｍｍを代入すると、Ｇｅ２＋＝１．９×１０−９（ｍｏｌ／ｍｍ３）が一義的に求まる。
　したがって、請求項１のＧｅ２＋濃度の上限値を１．９×１０−９ｍｏｌ／ｍｍ３とする訂正は、願書に添付された明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものである。
　イ．訂正事項ｂは、請求項２の吸光度を単位光路長当たりの吸光度とするもので、特許請求の範囲の限縮および明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
　願書に添付した明細書の請求項２では、吸光度の単位を１／ｍｍとしていたが、吸光度の単位は無次元であるので、明りょうでない記載であった。そして、請求項２に記載された吸光度が単位光路長当たりの吸光度であることはその単位からも明らかである。また、「単位光路長当たりの吸光度」という概念は、願書に添付した明細書の段落【００１４】に、「吸光度Ａは、…光路長１ｍｍ当たりに規格化したものである。」として記載されており、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内であることは明らかである。
　次に、単位光路長当たりの吸光度の上限を１．７／ｍｍとする訂正は、特許請求の範囲を限縮するものである。この訂正は、願書に添付した図面の図２中、左から三番目の○でプロットされた点に基づくものであり、この数値範囲は前記図２中、左から三つの○（それぞれ５．１６ｅＶにおける単位光路長あたりの吸光度は１／ｍｍ、１．５／ｍｍ、１．７／ｍｍと読める）でプロットされた具体例により示されるものである。
　ウ．訂正事項ｃは、請求項４を、請求項１と同様に訂正するものであり、訂正事項ａについて述べたように、特許請求の範囲の限縮を目的とするものであ。
　エ．訂正事項ｄは、、請求項５を、請求項２と同様に訂正するものであり、訂正事項ｂについて述べたように、特許請求の範囲の限縮および明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正であ。
　オ．訂正事項ｅないしｈは、訂正事項ａないしｄの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と不整合となる段落【０００７】、【０００８】、【００１０】、【００１１】の記載を整合させるためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　カ．訂正事項ｉは、段落【００２９】のＨｏｓｏｒをＨｏｓｏｎｏと訂正する誤記の訂正、「関係を求めと」を「関係を求めると」と訂正する誤記の訂正および“Ｎａｔｕｒｅ　ａｎｄ　Ｏｒｉｇｉｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　５ｅＶ　ｂａｎｄ　ｉｎ　ＳｉＯ２：ＧｅＯ２　ｇｌａｓｓｅｓ”と題を示した論文の出典を示す明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正である。この論文は願書に添付した明細書の段落【００１５】に引用したＰＨＹＳＩＣＡＬ　ＲＥＶＩＥＷ　Ｂ，ｖｏｌ．４６，Ｎｏ．１８（１９９２）ｐ．１１４４５−ｐ．１１４５１に掲載されたものである。なお、この論文は本訂正請求書と同日に提出した特許異議意見書に添付して乙第４号証として提出された。段落【００１５】に引用した論文に当たれば、その題およびページが段落【００２９】に引用した文献と一致するので、両箇所に引用された文献が同一のものであることは、明らかである。
　キ．訂正事項ｊは、段落【００３０】のｍｍ−１をｍｍと訂正する誤記の訂正と特許請求の範囲の限縮に伴って整合しなくなる特許請求の範囲と発明の詳細な説明とを整合させるためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。願書に添付された明細書の段落【００３０】に記載された吸光度Ａ＝１〜２．５／ｍｍ−１の単位は、段落【００２９】からの文脈からして単位光路長当たりの吸光度の単位であるｌ／ｍｍであることが明らかである。そして、願書に添付した明細書の他の箇所（例えば段落【００１４】および【００１７】）には単位光路長当たりの吸光度の単位としてｌ／ｍｍが記載されていることから、段落【００３０】のｍｍ−１をｍｍとする訂正は、願書に添付された明細書に記載された事項の範囲内のものである。
　そして、上記訂正事項ａないしｊは、新規事項の追加に該当せず、また、特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　
（３）独立特許要件の判断
　訂正事項ｂ（請求項２の訂正）、訂正事項ｃ（請求項４の訂正）、訂正事項ｄ（請求項５の訂正）は、特許異議申立てのない請求項に係る発明を訂正するものであるが、特許請求の範囲の減縮を伴う訂正であるから、訂正後の請求項２、４、５に係る発明について、特許出願の際独立して特許を受けることができるかどうか（独立特許要件）を判断する。
　訂正後の請求項２、４、５に係る発明は、異議申立てをされてはおらず、また、異議申立ての理由を参酌しても、取り消すべき理由を発見しないから、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する同法第１２６条第２項ないし第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　なお、訂正事項ａについては、ここでは独立特許要件を判断しない。　
　
３．本件発明
　以上のとおり、上記訂正が認められるから、特許異議の申立てがされた請求項１に係る発明は、訂正後の明細書の記載からみて、訂正後の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「コア部にＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスを含む光ファイバ用ガラス体であって、このＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスに含まれるＧｅ２＋の濃度が、１．１×１０−９〜１．９×１０−９ｍｏｌ／ｍｍ３の範囲内であることを特徴とする光ファイバ用ガラス体。」（以下、「本件発明」という。）
　
４．特許異議申立ての理由の概要
（１）特許法第３６条第６項第２号違反について
　訂正前の請求項１に係る発明は、Ｇｅ２＋濃度の下限値（上限値）が発明の詳細な説明に記載されておらず、特許を受けようとする発明が明確でない。
（２）特許法第３６条第４項違反について
　本件の図２に吸光度Ａ＝１／ｍｍのプロットと、Ａ＝２．５／ｍｍのプロットが存在しないことから、訂正前の本件明細書及び図面には、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていない。
（３）特許法第３６条第６項第１号違反について
　訂正前の本件明細書の発明の詳細な説明には、Ｇｅ−ＳｉＯ２ガラスに含まれるＧｅ２＋の濃度を１．１×１０−９〜２．８×１０−９ｍｏｌ／ｍｍ３という極微量とすることを計算により説明しているが、その製造方法は開示されていないから、訂正前の請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されていない。
　
５．判断
（１）特許法第３６条第６項第２号違反について
　訂正により本件発明は、Ｇｅ２＋の濃度を１．１×１０−９〜１．９×１０−９ｍｏｌ／ｍｍ３の範囲に限定したが、その上限値１．９×１０−９ｍｏｌ／ｍｍ３は図２にプロットされたΔＡ＝１．７／ｍｍのプロットと段落【００２９】に記載されたＧｅ２＋＝Ａ／ε５．１６ｅＶ／ｌ、ε５．１６ｅＶ＝９×１０３（ｌ／ｍｏｌ／ｃｍ）、ｌ＝１ｍｍから求められる数値である。
　段落【００１４】および段落【００２９】を合わせて読むと、グラフ上のベースラインとの差分ΔＡが段落【００２９】記載された式のＡ／ｌある（単位も一致する）ので、図２に示されたΔＡ＝１．７／ｍｍより前記の式でＡ／ｌ（ｌ＝１ｍｍ）＝１．７／ｍｍとしてよい。そこで、Ｇｅ２＋＝Ａ／ε５．１６ｅＶ／ｌの式に、ε５．１６ｅＶ＝９×１０３（ｌ／ｍｏｌ／ｃｍ）、Ａ／ｌ＝１．７／ｍｍを代入すると、Ｇｅ２＋＝１．９×１０−９（ｍｏｌ／ｍｍ３）が一義的に求められる。
　同様に下限値も、図２にプロットされたΔＡ＝１．０／ｍｍから１．１×１０−９ｍｏｌ／ｍｍ３が求められる。
　それ故、本件発明は、明確に記載されていないとはいえない。
（２）特許法第３６条第４項違反について
　図２には、５．１６ｅＶにおける単位長当たりの吸光度Ａが１／ｍｍ、１．５／ｍｍ、１．７／ｍｍであるプロットが存在する。
　それ故、本件発明は、図２に存在する単位長当たりの吸光度Ａが１／ｍｍ（下限）、１．５／ｍｍ、１．７／ｍｍ（上限）を根拠とするもので、図２に存在しない単位長当たりの吸光度Ａ＝２．５／ｍｍを数値限定の根拠にするものではないから、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていないとはいえない。
（３）特許法第３６条第６項第１号違反について
　訂正後の本件明細書の発明の詳細な説明には、ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスに含まれるＧｅ２＋の濃度を１．１×１０−９〜１．９×１０−９ｍｏｌ／ｍｍ３とすることを単位長当たりの吸光度Ａに基づいて計算により求めて（段落【００３０】）、ガラスの製造条件（ガラス微粒子堆積条件、焼結条件）を最適化することにより製造できる旨の記載がある（段落【００３１】）から、製造方法も記載されており、それ故、本件発明が訂正後の本件明細書の発明の詳細な説明に記載されていないとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては、本件発明を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年１０月２１日（２００５．１０．２１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
光ファイバ用ガラス体及び光ファイバ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】コア部にＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスを含む光ファイバ用ガラス体であって、
　このＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスに含まれるＧｅ２＋の濃度が、１．１×１０−９〜
１．９
　【請求項２】前記ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスは、５．１６ｅＶにおける
単位光路長当たりの
１．７
　【請求項３】請求項１及び２に記載の光ファイバ用ガラス体のうち、いずれか一方に記載の光ファイバ用ガラス体よりなる光ファイバ用母材を溶融紡糸してなる光ファイバ。
　【請求項４】コア部に、フッ素含有ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスを含む光ファイバ用ガラス体であって、
　このフッ素含有ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスに含まれるＧｅ２＋の濃度が、１．１×１０−９〜
１．９
　【請求項５】前記フッ素含有ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスは、５．１６ｅＶにおける
単位光路長当たりの
１．７
　【請求項６】請求項４及び５に記載の光ファイバ用ガラス体のうち、いずれか一方に記載の光ファイバ用ガラス体よりなる光ファイバ用母材を溶融紡糸してなる光ファイバ。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　光ファイバ用の複合ガラス体及び光ファイバに関し、特に、コア部にＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスを用いた複合ガラス体（光ファイバ用母材及びその中間体を含む）、及び、このような光ファイバ用ガラス体よりなる光ファイバ用母材を線引した光ファイバに関する。
　【０００２】
　【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
　ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスをコアとする石英系光ファイバにおいて、波長０．６３μｍ（Ｎｏｎ　ｂｒｉｄｇｉｎｇ　ｏｘｙｇｅｎ　ｈｏｌｅ　ｃｅｎｔｅｒ（以下、ＮＢＯＨＣと記す）；≡Ｓｉ−Ｏ・）吸収が存在すると、光ファイバ内に水素が拡散して、１．３８μｍ（Ｓｉ−ＯＨ）、１．５３μｍ（帰属は諸説あり）での吸収損失が増大することが、次記文献に示されている。　　　電子情報通信学会論文誌　Ｃ−Ｉ，ｖｏｌ．Ｊ７２−Ｃ−Ｉ，Ｎｏ．１ｐ４５−ｐ５２（１９８９）
　この文献によれば、０．６３μｍ吸収（Ｓｉ−Ｏ・）の生成要因は、ガラス中のアルカリ元素が線引工程で拡散し、欠陥吸収の源となる（≡Ｓｉ−Ｏ−Ｎａ＋）なる結合が形成されること、及び、線引時の高張力、高速線引によりガラスネットワークに切断が生じるためであることが示されている。
　【０００３】
　このような０．６３μｍ吸収帯の大きい光ファイバでは、水素がガラス中に拡散したとき、１．３８μｍ，１．５３μｍに大きな吸収増加をもたらし、通信波長帯である１．３μｍ，１．５５μｍの伝送損失に悪影響を及ぼすという課題があった。
　【０００４】
　現在の製造条件では、アルカリ、遷移金属等の不純物を極力低減し、線引条件も０．６３μｍ吸収をできるだけ抑えられる条件に適正化することで、光ファイバの製造を行っている。しかし、ＧｅＯ２を添加することによるガラス構造の不安定さから、純粋石英をコアとする光ファイバに比べ、ＧｅＯ２−ＳｉＯ２をコアとする光ファイバの０．６３μｍ吸収を十分に抑えることはできなかった。
　【０００５】
　本発明は、このような課題を解決すべくなされたものであり、その目的は、０．６３μｍ吸収を十分に抑えることができる複合ガラス体及び光ファイバを提供することを目的とする。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者らは、バルクガス及び光ファイバの分析を詳細に検討した結果、線引条件だけでなく、光ファイバ用のガラス体の製造条件によっても、０．６３μｍ吸収量が左右されると共に、ＧｅＯ２−ＳｉＯ２をコアとする光ファイバ用の複合ガラス体においては、ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスの５．１６ｅＶ（波長０．２４０μｍ）における吸光度と０．６３μｍ吸収とに相関があり、この吸光度を適正範囲に抑えることで、０．６３μｍ吸収を通信波長帯に影響を及ばさない量まで低減できることを見出した。
　【０００７】
　すなわち、請求項１にかかる光ファイバ用ガラス体は、コア部にＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスを含む光ファイバ用ガラス体であって、このＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスに含まれるＧｅ２＋の濃度が、１．１×１０−９〜
１．９
　【０００８】
　請求項２にかかる光ファイバ用ガラス体では、請求項１のＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスは、５．１６ｅＶにおける
単位光路長当たりの
１．７
　【０００９】
　請求項３にかかる光ファイバは、請求項１及び２に記載の光ファイバ用ガラス体のうち、いずれか一方に記載の光ファイバ用ガラス体よりなる光ファイバ用母材を溶融紡糸したことを特徴とする。
　【００１０】
　請求項４にかかる光ファイバ用ガラス体は、コア部に、フッ素含有ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスを含む光ファイバ用ガラス体であって、このフッ素含有ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスに含まれるＧｅ２＋の濃度が、１．１×１０−９〜
１．９
　【００１１】
　請求項５にかかる光ファイバ用ガラス体では、請求項４のフッ素含有ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスは、５．１６ｅＶにおける
単位光路長当たりの
１．７
　【００１２】
　請求項６にかかる光ファイバは、請求項４及び５に記載の光ファイバ用ガラス体のうち、いずれか一方に記載の光ファイバ用ガラス体よりなる光ファイバ用母材を溶融紡糸したことを特徴とする。
　【００１３】
　なお、光ファイバ用ガラス体とは、線引工程で用いられる光ファイバ用母材のみならず、その母材に至る製造段階での形態となる、いわゆる中間体をも含む意である。
　【００１４】
　【発明の実施の形態】
　この発明で注目する５．１６ｅＶ（波長０．２４０μｍ）の吸収ピーク（半値幅０．５ｅＶ）を図１に示す。ここで、吸光度Ａは、Ａ＝−ｌｏｇＴ（Ｔは透過率）で示され、光路長１ｍｍ当たりに規格化したものである。また、グラフ上のベースラインとの差分ΔＡを吸光度と定義し、ΔＡが１／ｍｍ以上２．５／ｍｍ以下の範囲にあるものとする。
　【００１５】
　また、５．１６ｅＶの帰属は、ＰＨＹＳＩＣＡＬ　ＲＥＶＩＥＷ　Ｂ，ｖｏｌ．４６，Ｎｏ．１８（１９９２）ｐ．１１４４５−ｐ．１１４５１Ｈ．Ｈｏｓｏｎｏ他Ｔａｂｌｅ　ＩＩに記載されているＧｅ２＋とその中心波長、半値幅がほぼ一致しており、Ｇｅ２＋と考えることができる。
　【００１６】
　図２は、ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラス体での５．１６ｅＶ吸収を測定し、また、このガラス体をコアとして光ファイバを作製してΔ０．６３μｍ吸収を測定すると共に、この両吸収の相関を調査した結果を示している。Δ０．６３μｍ吸収も５．１６ｅＶ同様、ベースラインとの差分として解析している。図３、図４は、水素処理前のΔ０．６３μｍ吸収と水素処理後の１．３８μｍ、１．５３μｍ吸収ロスの増分との関係を示している。なお、光ファイバの水素処理は、室温、Ｈ２１％雰囲気で１週間処理を行った。
　【００１７】
　図３、図４の結果より、Δ０．６３μｍ吸収が７ｄＢ／ｋｍ付近にしきい値があり、その値以上では、１．３８μｍ吸収の増大と共に、１．５３μｍ吸収ロスが生成することが明かとなった。Δ０．６３μｍ吸収を７ｄＢ／ｋｍ以下に抑えるには、図２より、５．１６ｅＶ吸収の吸光度を１〜２．５／ｍｍにすることが適当である。従って、この範囲にあるＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスを用いて光ファイバ用の母材を作製し、線引して光ファイバを作製すれば、１．３８μｍ、１．５３μｍ吸収ロスを抑制することが可能となり、耐水素特性に優れた光ファイバを得ることができる。
　【００１８】
　フッ素を含有したＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスについても、５．１６ｅＶ吸収の吸光度を１〜２．５／ｍｍとなるガラス（Ｆ−ＧｅＯ２−ＳｉＯ２）を用いて光ファイバ母材を作製し、線引して光ファイバとすれば、１．３８μｍ，１．５５μｍ吸収ロスを抑制することは可能であり、耐水素特性に優れた光ファイバを得ることができる。
　【００１９】
　また、０．６３μｍ吸収の生成機構及び生成した０．６３μｍ吸収（≡Ｓｉ−Ｏ・）が、水素処理を行うことによって、１．３８μｍ、１．５３μｍ吸収となるメカニズムについては、以下のように考えることができる。
　【００２０】
　下記（１）〜（３）に示す３つの分解反応における平衡定数の温度依存性を、図５に示す。
　【００２１】
　（１）ＧｅＯ２→ＧｅＯ＋１／２Ｏ２
　（２）１／２ＧｅＯ２＋１／２ＳｉＯ２→１／２ＧｅＯ＋１／２ＳｉＯ＋１／２Ｏ２
　（３）ＳｉＯ２→ＳｉＯ＋１／２Ｏ２
　図５より、（１）のＧｅＯ２分解反応が最も生じ易く、かつ、ガラス欠陥のような低濃度の反応であれば、１０００℃程度で反応が生ずると推定される。
　【００２２】
　ＧｅＯ２がＧｅＯに変化するということは、Ｇｅ４＋→Ｇｅ２＋に還元されることと同等であり、５．１６ｅＶ吸収は、この還元されたＧｅ２＋（ＧｅＯ）を捕らえていると考えられる。
　【００２３】
　この現象をガラス構造の観点から考察すると、図６に示すモデルとなる。図６で示した反応によって、Ｇｅ２＋とともに、≡Ｓｉ−Ｏ・が生成する。また、酸素も遊離し、遊離した酸素は、ガラス中に存在する他の欠陥種（≡Ｓｉ・；Ｅ’センタ、または、≡Ｇｅ−Ｓｉ≡、≡Ｓｉ−Ｓｉ≡；酸素欠損型欠陥（ｏｘｙｇｅｎ−ｖａｃａｎｃｙ）が遊離してＥ’センタを生成）と化学結合し、新たに≡Ｓｉ−Ｏ・を生成すると考えられる。
　【００２４】
　これより同一のＧｅ濃度でも、Ｇｅ２＋欠陥が多い場合には、ガラスネットワーク内の過剰酸素が多くなると推定される。
　【００２５】
　ＧｅＯ２−ＳｉＯ２ガラスにＦ（フッ素）を添加すれば、ガラス中に存在する≡Ｓｉ・（Ｅ’センタ）または、≡Ｇｅ−Ｓｉ≡，≡Ｓｉ−Ｓｉ≡等の酸素欠乏型欠陥とＦが反応し、Ｓｉ−Ｆとなって、遊離酸素による≡Ｓｉ−Ｏ・の生成を抑制するので効果的となる。
　【００２６】
　さらに、水素がガラス中に拡散すると、生成したＮＢＯＨＣは水素と反応し、Ｓｉ−ＯＨを形成する（次式参照）。
　　≡Ｓｉ−Ｏ・＋１／２Ｈ２→≡Ｓｉ−ＯＨ（１．３８μｍ吸収）
　また、「Ｓｉ−Ｏ」と「Ｇｅ−Ｏ」の結合エネルギーを比較すると、Ｇｅ−Ｏの結合エネルギーが３３０ＫＪ／ｍｏｌに対し、Ｓｉ−Ｏの結合エネルギーが４００ＫＪ／ｍｏｌであり、Ｓｉ−Ｏの方が安定に存在する。
　【００２７】
　ガラス微粒子の熱処理工程よりも高温となる線引工程では、ガラス母材は２０００〜２２００℃の高温にさらされるので、高張力、高速となる線引条件では、≡Ｇｅ−Ｏ−Ｓｉ≡結合は、Ｇｅ−Ｏ結合が切断されることになる。
　【００２８】
　【外１】
　Ｇｅは、Ｇｅ２＋が安定であるから、結合切断の結果、＝Ｇｅ２＋、≡Ｓｉ−Ｏ・、
　≡Ｓｉ−Ｏ・は、ＮＢＯＨＣの欠陥であり、水素と反応してＳｉ−ＯＨを生成
は、水素と反応して分子内水素結合となり、１．５３μｍ吸収を生成すると考えられる。
　この分子内水素結合は、３４００〜３２００ｃｍ−１に吸収があり、１．５３μｍの倍振動と考えることができる。
　【００２９】
　ここで、論文（
ＰＨＹＳＩＣＡＬ　ＲＥＶＩＥＷ　Ｂ，ｖｏｌ．４６，Ｎｏ．１８（１９９２）ｐ．１１４４５−ｐ．１１４５１Ｈ．
ｎｏ
る
　　Ａ＝ε５．１６ｅＶ・Ｃ（Ｇｅ２＋）・ｌ
　ここでε５．１６ｅＶは吸収係数（ｌ／ｍｏｌ／ｃｍ）、Ｃ（Ｇｅ２＋）はＧｅ２＋濃度、ｌは光路長とし、ε５．１６ｅＶ＝９×１０３（前出の論文ｐ．１１４４９左欄６〜７行目を使用）、ｌ＝１ｍｍ（測定条件）とすると、Ｇｅ２＋は、Ｇｅ２＋＝Ａ／ε５．１６ｅＶ／ｌとして求まる。
　【００３０】
　上記各値を用いて計算した結果、
単位光路長当たり
１．７
ｍｍ
１．９
　【００３１】
　【発明の効果】
　以上説明したように、光ファイバの水素特性に悪影響を及ぼす０．６３μｍ吸収（≡Ｓｉ−Ｏ・）欠陥は、５．１６ｅＶの吸収体と密接な関係にあることが明かとなり、各請求項にかかる光ファイバ用ガラス体及び光ファイバで規定したように、ガラスの製造条件（ガラス微粒子堆積条件、焼結条件）を最適化し、５．１６ｅＶ吸光度を管理することで、ガラス欠陥の生成を低減し、０．６３μｍ吸収を十分に抑えることが可能となる。これにより、耐水素特性に優れたガラス欠陥の少ない光ファイバ用ガラス体及び光ファイバを提供できる。また、光ファイバとして短波長側の吸収損失を評価しなくとも、ガラスの状態で水素特性を予測することが可能となり、吸収損失の評価を簡易にしかも効率的に実施することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　５．１６ｅＶ（波長０．２４０μｍ）の吸収ピークを示す図表である。
　【図２】
　５．１６ｅＶ吸収とΔ０．６３μｍ吸収との関係を示す図表である。
　【図３】
　Δ０．６３μｍ吸収と水素処理後の１．３８μｍロス増分との関係を示す図表である。
　【図４】
　Δ０．６３μｍ吸収と水素処理後の１．５３μｍロス増分との関係を示す図表である。
　【図５】
　各化学反応の平衡定数の温度依存性を示す図表である。
　【図６】
　５．１６ｅＶ吸収の発生原因を説明するモデル図である。