【事件の表示】
　特願２００２−２７００６８「半導体装置の製造方法／マスクパターンの生成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月　８日出願公開、特開２００４−１１１５２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年９月１７日の出願であって、その請求項１ないし８に係る発明は特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
「【請求項１】半導体基板表面において大面積活性領域である第１の領域と小面積活性領域である第２の領域とに分離する領域分離溝を形成する第１の工程と、
　前記領域分離溝の内部を含めて前記半導体基板表面上に絶縁膜を形成する第２の工程と、
　格子窓パターンを有するエッチングマスクを用いて、前記第１の領域に前記格子窓パターンに対応する格子状開口部を形成する状態で、前記絶縁膜に対するエッチングを行う第３の工程と、
　前記半導体基板上に残存している前記絶縁膜に対して研磨除去を施す第４の工程とを含む半導体装置の製造方法。」（以下、「本件発明」という。）
　
２．先願明細書等に記載された発明
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願２００２−５９５７１号（特開２００２−３３４９２５号）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書等」という。）には、次の記載がある。
ａ．（特許請求の範囲、請求項４）
「【請求項４】第１の領域と前記第１の領域よりも面積が広い第２の領域とを有する基板のうち、前記第１の領域と前記第２の領域との間に、前記第１の領域と前記第２の領域とを分離するためのトレンチを形成する工程と、
　前記基板上と前記トレンチ内に絶縁膜を形成する工程と、
　前記第２の領域上の前記絶縁膜に、複数の凹凸を有するダミーパターンを形成する工程と、
　化学的機械的研磨によって、前記絶縁膜を平坦化する工程と、を含む半導体装置の製造方法。」
ｂ．（特許請求の範囲、請求項５）
「【請求項５】前記絶縁膜の平坦化工程の後に、さらに、前記第１の領域に第１の素子を形成し、前記第２の領域に前記第１の素子よりも大きい第２の素子を形成する請求項４記載の半導体装置の製造方法。」
ｃ．（特許請求の範囲、請求項７）
「【請求項７】前記ダミーパターンは、複数の開口パターンをフォトリソグラフィ技術により形成することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。」
ｄ．（第４欄第３８〜４３行）
「また、図３では、複数の開口パターン１３２をフォトリソグラフィ技術により形成する。つまり斜線で示すパターン１３１、１３２はいずれも凹部となり、スラリーが凹部全体に行き渡りつつ、凸部で研磨パッドの圧力の分散を抑制し、均一なＣＭＰを実現する。」
ｅ．（第５欄第２９〜３２行）
「これにより、ＣＭＰのストッパ膜となる窒化膜４２の露出検出まで、均一的なＣＭＰを達成し、ディッシングを低減した膜厚誤差の少ない平坦化を実現することができる。」
ｆ．（図３）
　複数の開口パターン１３２が、絶縁膜に格子状開口部を形成することがが示されていると認める。
ｇ．（図７）
　化学機械的研磨によって絶縁膜が基板表面まで除去されることが示されていると認める。
　
　摘記事項ｂからは、第１の領域と第２の領域が、それぞれ活性領域であることが理解される。
　そこで、上記摘記事項を本件発明の記載に沿って整理すると、先願明細書等には、
「基板表面において大面積活性領域である第２の領域と小面積活性領域である第１の領域とに分離するトレンチを形成する第１の工程と、
　前記トレンチの内部を含めて前記基板表面上に絶縁膜を形成する第２の工程と、
　フォトリソグラフィ技術により、前記第２の領域の絶縁膜に格子状開口部を形成する第３の工程と、
　前記半導体基板上に残存している前記絶縁膜に対して研磨除去を施す第４の工程とを含む半導体装置の製造方法。」（以下、「先願明細書等記載の発明」という。）
が記載されていると認められる。
　
３．対比
　本件発明１と先願明細書等記載の発明とを対比すると、後者は半導体装置の製造方法に係るから、後者の「基板」が「半導体基板」を指すことは自明であり、後者の「第１の領域」及び「第２の領域」が、前者の「第２の領域」及び「第１の領域」にそれぞれ相当することは明白であるから、後者においてこれらの２つの領域を分離する「トレンチ」が、前者の「領域分離溝」に相当することも明白である。
　してみると、両者は以下の点において一致及び相違すると認められる。
＜一致点＞
「半導体基板表面において大面積活性領域である第１の領域と小面積活性領域である第２の領域とに分離する領域分離溝を形成する第１の工程と、
　前記領域分離溝の内部を含めて前記半導体基板表面上に絶縁膜を形成する第２の工程と、
　前記第１の領域の絶縁膜に格子状開口部を形成する第３の工程と、
　前記半導体基板上に残存している前記絶縁膜に対して研磨除去を施す第４の工程とを含む半導体装置の製造方法。」
＜相違点＞
　第３の工程で第１の領域の絶縁膜に格子状開口部を形成するのに、前者では「格子窓パターンを有するエッチングマスクを用いて、前記格子窓パターンに対応する格子状開口部を形成する状態で、絶縁膜に対するエッチングを行う」のに対し、後者では「フォトリソグラフィ技術により格子状開口部を形成する」点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　フォトリソグラフィ技術とは、「半導体ウェハー上にフォトレジストと呼ばれる感光性有機物質を塗布し、ステッパーと呼ばれる露光装置を用いて、レチクルと呼ばれるフォトマスクに描かれた素子・回路のパターンを焼き付ける工程である。」、「フォトリソグラフィの主な工程は、以下のとおりである。■ウェハーへのレジストの塗布■プリベーク■露光■現像・リンス■ポストベーク■エッチング■レジスト剥離」（出展：フリー百科事典「ウィキペディア(Wikipedia)」、［平成１８年８月１日検索］インターネット＜URL:http://ja.wikipedia.org/wiki/＞）、と説明されている。
　上記において、露光装置とフォトマスクにより焼き付けられたパターンは、エッチング領域とそれ以外の領域とを区別する「エッチングマスク」を構成することは、当業者にとって明らかであり、格子状にエッチングした開口部を形成するうえで、格子窓パターンを有するエッチングマスクを用いることは、当然の設計に過ぎない。
　したがって、先願明細書等記載の発明において「フォトリソグラフィ技術により格子状開口部を形成する」ことは、本件発明において「格子窓パターンを有するエッチングマスクを用いて、前記格子窓パターンに対応する格子状開口部を形成する状態で、絶縁膜に対するエッチングを行う」ことと、実質的に同一の工程を表しているというべきであるから、上記相違点は実質的な相違ではない。
　
　よって、本件発明と、先願明細書等記載の発明とは、実質的に同一である。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件出願の請求項１に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　したがって、請求項２ないし８に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。