【事件の表示】
　特願２０００−１４０２４９「電界センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月２２日出願公開、特開２００１−３２４５２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１２年５月１２日の出願であって、平成１５年３月２７日付けで拒絶の理由が通知され、同年５月２１日付けで手続補正書が提出され、同年６月２４日付け（発送日同年７月１日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同月３１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月２９日付けで手続補正書が提出されたものである。 
　 
第２　平成１５年８月２９日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］ 
　　平成１５年８月２９日付けの手続補正を却下する。　 
［理由］ 
　１．平成１５年８月２９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容 
　本件補正は、以下の（１）に示される本件補正前の特許請求の範囲を、以下の（２）に示される本件補正後の特許請求の範囲に補正することを含むものである。
　（１）本件補正前の特許請求の範囲
 　「【請求項１】　電気光学結晶にレーザ光を照射して電界強度分布を測定する電界センサであり、前記電気光学結晶を測定対象の物体の立体形状に合わせて複数個３次元的に配置してなる電界プローブを備え、また前記電気光学結晶は入射されたレーザ光の進行方向と平行な方向の電界のみに感度を有することを特徴とする電界センサ。
　　【請求項２】　入射されたレーザ光の進行方向と平行な方向の電界のみに感度を有する電気光学結晶と、
　前記電気光学結晶を測定対象の物体の立体形状に合わせて複数個３次元的に配置してなる電界プローブと、
　前記電気光学結晶にレーザ光を照射するレーザと、
　前記レーザを発光させるレーザドライバと、
　各電気光学結晶への前記レーザ光の光路を変える光スイッチと、
　前記電気光学結晶に照射されたレーザ光の偏光変化をレーザ光の強度変化に変換する偏光検出光学系と、
　レーザ光の前記強度変化を電気信号に変換する光検出器と、
　前記電気信号を増幅し、電界強度分布を求める信号処理部と
を有することを特徴とする電界センサ。
　　【請求項３】　前記電気光学結晶として、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ、Ｂｉ１２ＳｉＯ２０、Ｂｉ１２ＴｉＯ２０、ＬＮ（ＬｉＮｂＯ３）−５５°カット、ＺｎＴｅ、ＫＤ＊Ｐ、ＣｕＣｌ、ＺｎＳ、ＫＴＰ−Ｚカットのいずれかを用いたことを特徴とする請求項１または２記載の電界センサ。
　　【請求項４】　電気光学結晶にレーザ光を照射して電界強度分布を測定する電界センサであり、前記電気光学結晶を測定対象の物体の立体形状に合わせて複数個３次元的に配置してなる電界プローブを備え、また前記電気光学結晶は入射されたレーザ光の進行方向と直交する方向の電界のみに感度を有することを特徴とする電界センサ。
　　【請求項５】　入射されたレーザ光の進行方向と直交する方向の電界のみに感度を有する電気光学結晶と、
　前記電気光学結晶を測定対象の物体の立体形状に合わせて複数個３次元的に配置してなる電界プローブと、
　前記電気光学結晶にレーザ光を照射するレーザと、
　前記レーザを発光させるレーザドライバと、
　各電気光学結晶への前記レーザ光の光路を変える光スイッチと、
　前記電気光学結晶に照射されたレーザ光の偏光変化をレーザ光の強度変化に変換する偏光検出光学系と、
　レーザ光の前記強度変化を電気信号に変換する光検出器と、
　前記電気信号を増幅し、電界強度分布を求める信号処理部と
を有することを特徴とする電界センサ。
　　【請求項６】　前記電気光学結晶として、ＬＴ（ＬｉＴａＯ３）、ＬＮ（ＬｉＮｂＯ３）、ＫＴＰ、ＤＡＳＴ、ＡＡＮＰのいずれかを用いたことを特徴とする請求項４または５記載の電界センサ。
　　【請求項７】　前記電気光学結晶へのレーザ光導入部に、レーザ光の偏光を調整する光バイアス制御器を有することを特徴とする請求項２または５記載の電界センサ。」
　
　（２）本件補正後の特許請求の範囲
 　「【請求項１】　入射されたレーザ光の進行方向と平行な方向の電界のみに感度を有する電気光学結晶と、
　前記電気光学結晶を測定対象の物体の立体形状に合わせて複数個３次元的に配置してなる電界プローブと、
　前記電気光学結晶にレーザ光を照射するレーザと、
　前記レーザを発光させるレーザドライバと、
　各電気光学結晶への前記レーザ光の光路を変える光スイッチと、
　前記電気光学結晶に照射されたレーザ光の偏光変化をレーザ光の強度変化に変換する偏光検出光学系と、
　レーザ光の前記強度変化を電気信号に変換する光検出器と、
　前記電気信号を増幅し、電界強度分布を求める信号処理部とを有し、
　前記偏光検出光学系は、前記レーザと前記光スイッチとの間に配置され、前記レーザ側から順に第１の偏光ビームスプリッタ、ファラディ素子、１／２波長板、第２の偏光ビームスプリッタ、１／４波長板が配置された差動検出光学系である
　ことを特徴とする電界センサ。
　　【請求項２】　前記電気光学結晶として、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ、Ｂｉ12ＳｉＯ20、Ｂｉ12ＴｉＯ20、ＬＮ（ＬｉＮｂＯ3）−５５°カット、ＺｎＴｅ、ＫＤ＊Ｐ、ＣｕＣｌ、ＺｎＳ、ＫＴＰ−Ｚカットのいずれかを用いたことを特徴とする請求項１記載の電界センサ。
　　【請求項３】　入射されたレーザ光の進行方向と直交する方向の電界のみに感度を有する電気光学結晶と、
　前記電気光学結晶を測定対象の物体の立体形状に合わせて複数個３次元的に配置してなる電界プローブと、
　前記電気光学結晶にレーザ光を照射するレーザと、
　前記レーザを発光させるレーザドライバと、
　各電気光学結晶への前記レーザ光の光路を変える光スイッチと、
　前記電気光学結晶に照射されたレーザ光の偏光変化をレーザ光の強度変化に変換する偏光検出光学系と、
　レーザ光の前記強度変化を電気信号に変換する光検出器と、
　前記電気信号を増幅し、電界強度分布を求める信号処理部と
を有し、
　前記偏光検出光学系は、前記レーザと前記光スイッチとの間に配置され、前記レーザ側から順に第１の偏光ビームスプリッタ、ファラディ素子、１／２波長板、第２の偏光ビームスプリッタ、１／４波長板が配置された差動検出光学系である
　ことを特徴とする電界センサ。
　　【請求項４】　前記電気光学結晶として、ＬＴ（ＬｉＴａＯ3）、ＬＮ（ＬｉＮｂＯ3）、ＫＴＰ、ＤＡＳＴ、ＡＡＮＰのいずれかを用いたことを特徴とする請求項３記載の電界センサ。
　　【請求項５】　前記電気光学結晶へのレーザ光導入部に、レーザ光の偏光を調整する光バイアス制御器を有することを特徴とする請求項１または３記載の電界センサ。」
　
  ２．本件補正についての当審の判断
　本件補正は、補正前の請求項１及び請求項４を削除し、補正前の請求項２、請求項５に記載された発明を特定するために必要な事項である「偏光検出光学系」に関して、「前記偏光検出光学系は、前記レーザと前記光スイッチとの間に配置され、前記レーザ側から順に第１の偏光ビームスプリッタ、ファラディ素子、１／２波長板、第２の偏光ビームスプリッタ、１／４波長板が配置された差動検出光学系である」との限定を付加し、それぞれ、補正後の請求項１、請求項３とし、補正前の請求項３、請求項６、請求項７を繰り上げて補正後の請求項２、請求項４、請求項５とするものである。
　したがって、本件補正は、請求項の削除及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められ、特許法第１７条の２第４項第１号及び第２号の規定に該当するものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（平成１５年法律第４７号による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について、以下検討する。
　
　（１）刊行物に記載された発明
　（１−ａ）原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−３２７７０８号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　（ア）「【０００６】・・・・また本発明の他の目的は、ＬＳＩ等の電子部品をプリント基板等の回路基板に実装して電子回路を形成した被試験基板における電子回路の動作状態（インサーキット試験）を、電界分布検出電極または電界分布検出センサをアレイ状に配設したセンサアレイを用いて非接触で能率良く測定することができるようにした被試験基板における電子回路動作試験方法及びその装置を提供することにある。」
　　（イ）「【０００９】・・・・また本発明は、電子部品を実装して電子回路を形成した被試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路動作試験装置において、前記被試験基板における電子回路に試験信号を時間的に変化させて印加する試験信号印加手段と、電気光学結晶からなる電界分布検出センサをアレイ状に並設したセンサアレイを前記被試験基板に近接させて前記各電界分布検出センサから得られる光の特性により非接触で前記被試験基板における電子回路の被測定点における電界分布を測定して前記被試験基板における電子回路の動作状態を試験する電位分布測定手段とを備えたことを特徴とする被試験基板における電子回路動作試験装置である。」
　　（ウ）「【００３５】また、前記実施例においては、センサ電極２が静電容量結合によって被試験基板３における電子回路の被測定点（端子またはリード）の電界分布を測定する場合について説明したが、前記センサ電極として電気光学結晶（電界分布検出センサ）で構成し、該電気光学結晶にレーザ光等の光を照射し、電気光学結晶の屈折率の変化を電気光学結晶から得られる光を光電変換素子で受光することによって被試験基板３における電子回路の被測定点（端子またはリード）の電界分布を測定することができ、前記実施例と同様に電子回路の動作状態（故障状態）を検出することができる。なお、この実施例においては、電気光学結晶をアレイ状に配設されているので、該電気光学結晶に対応させてレーザ光源（半導体レーザ光源）と光電変換素子とを設ける必要がある。ガルバノミラー等のレーザ光偏向走査機構を設ければ、設置するレーザ光源の数を減らすことができる。」
　
　上記摘記事項（ア）〜（ウ）から、刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「電子部品を実装して電子回路を形成した被試験基板における電子回路の動作を試験する電子回路動作試験装置において、前記被試験基板における電子回路に試験信号を時間的に変化させて印加する試験信号印加手段と、電気光学結晶からなる電界分布検出センサをアレイ状に並設したセンサアレイを前記被試験基板に近接させて、レーザ光源からのレーザ光を走査して前記各電界分布検出センサに照射するレーザ光偏光走査機構と、前記各電界分布検出センサから得られる光を受光する光電変換素子と、その検出信号から非接触で前記被試験基板における電子回路の被測定点における電界分布を測定して前記被試験基板における電子回路の動作状態を試験する電位分布測定手段とを備えたことを特徴とする被試験基板における電子回路動作試験装置。」
　
　（１−ｂ）本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−１３４１４７号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　（ア）「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は信号波形装置に係り、特に、電気光学効果を利用して電気信号波形を計測する信号波形測定装置に関する。」
　　（イ）「【０００６】【従来の技術】図９に従来の光学式信号波形測定装置の概略構成図を示す。信号波形測定装置は波形測定用レーザ光を出力する光源１，光源１からのレーザ光の偏光制御を行なうと共に反射光の解析を行なう偏光制御解析部２，偏光制御解析部２で偏光制御された光を走査する光走査部３，光走査部３で走査された光が供給され、電気光学効果によりＬＳＩ端子の電圧に応じて供給された光の偏光状態を変化させ、入射方向に逆行させる電気光学結晶部４，レーザ光の出射、測定タイミング、測定対象となるＬＳＩ５への信号供給を制御する制御系６，偏光制御解析部２で検出された光より反射光の偏光状態を検出し、波形を検出する信号処理系７より構成される。
【０００７】光源１はレーザダイオード等よりなり、制御系６からの駆動信号に応じてレーザ光を発生し、偏光制御解析部２に供給する。」
　　（ウ）「【０００８】図１０に従来の偏光制御解析部２の構成図を示す。」
　　（エ）「【００１２】偏光制御解析部２で偏光制御された光は光走査部３に供給され、偏光ビームスプリッタ８，９で分離された光は信号処理系７に供給される。
【００１３】光走査部３はミラー１３，１４よりなり偏光制御解析部２からの光の走査を行なう。ミラー１３は偏光制御解析部２からの光を直角に折曲させ、ミラー１４に供給する。ミラー１４は駆動手段１５により矢印Ｄ方向に回動され、ミラー１３からの光を角度θの範囲で走査する。
【００１４】光走査部３で走査された光はレンズ１６を介して電気光学結晶部４に供給される。
【００１５】電気光学結晶部４はＬｉＮｂＯ3 やＫＤＰ（リン酸カリ）等の電気光学結晶よりなる電気光学結晶板１７の一面全面に透明電極１８，もう一方の面に点状に夫々が絶縁された多数の反射電極１９を形成してなる。
【００１６】透明電極１８は接地し、反射電極１９はＬＳＩ５等の測定対象のＬＳＩ端子に接触する。このため、電気光学結晶板１７にはＬＳＩ５のＬＳＩ端子に信号が供給された場合、信号が供給されたＬＳＩ端子の部分に反射電極１９を介して電圧が印加される。
【００１７】電気光学結晶板１７は印加電圧に応じてその位相、あるいは偏光等の光学的な特性が変化する。
【００１８】電気光学結晶板１７には透明電極１８側から光が供給され、供給された光は電気光学結晶板１７内を透過して反射電極１９に入射し、反射電極１９で反射され、入射経路を逆行して光走査部３を介して偏光制御解析部２に戻され、分離される。」
　　（オ）「【００１９】信号処理系７は偏光ビームスプリッタ８，９で分離された光を受光する受光器２０，２１，受光器２０，２１で検出された信号の差を検出する差動増幅器２２，差動増幅器２２の出力アナログ信号をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器２３，Ａ／Ｄ変換器２３からのディジタル信号を処理する信号処理部２４より構成される。」
　　（カ）「【００２２】電気光学結晶部４ではＬＳＩ５の信号（端子電圧）に応じて偏光状態が変化する。このため、電気光学結晶部４の反射光はＬＳＩ５の信号に応じて偏光状態が変化することになる。光の偏光状態の変化は光の方位角が互いに直交する成分の比により検出することができるため、電気光学結晶部４からの反射光を偏光ビームスプリッタ８，９により方位角が互いに直交する成分に分離し、受光器２０，２１及び差動増幅器２２によりその差信号を求めることにより偏光状態を検知できる。
【００２３】信号処理部２４はＡ／Ｄ変換器２３からのディジタル信号に応じて各走査位置の偏光状態を検知し、ＬＳＩ５の信号供給状態等を検出し、ＬＳＩ５の導通状態をディスプレイ（図示せず）等に表示させる。」
　　（キ）「【００２６】【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の電気光学効果を用いた信号波形測定装置では・・・偏光ビームスプリッタ８，９及び受光器２０，２１の位置決めが容易でなく、また、受光器２０，２１が円周方向にちらばって配置されるため、装置の小型化が困難である等の問題点があった。
【００２７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、各部品を小型に、かつ、容易に位置決め可能な信号波形測定装置を提供することを目的とする。」
　　（ク）「【実施例】図１に本発明の第１実施例の概略構成図、図２に本発明の第１実施例の要部の構成図を示す。同図中、図１０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。本実施例は図１０とは偏光制御解析部の構成が異なる。」
　　（ケ）「【００４８】図５に本発明の第２実施例の構成図、図６に本発明の第２実施例の要部の構成図を示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００４９】本実施例は偏光制御解析部４１の構成が異なる。本実施例の偏光制御解析部４１は図１の１／２波長板３４に代え、ファラデー回転子３５の出射光の方位角４５°に対して方位角＋２２．５°の１／２波長板４２をファラデー回転子３５と偏光ビームスプリッタ３３との間に配設してなる。
【００５０】光源１からのＰ偏光は偏光ビームスプリッタ３３を介してファラデー回転子３５に供給され、方位角が＋４５度回転された後、１／２波長板４２に供給される。１／２波長板４２はファラデー回転子３５の出射光に対して−２２．５°の方位角を有し、入射光の方位角を−４５°変移させ、Ｐ偏光に戻した後、偏光ビームスプリッタに供給する。偏光ビームスプリッタはＰ偏光を透過させ、１／４　，１／２波長板１１，１２及び光走査部３，レンズ１６を介して電気光学結晶部４に供給する。電気光学結晶部４に４からの反射光は光走査部３レンズ１６及び１／４　，１／２波長板１１，１２を介して偏光ビームスプリッタ３３に供給される。
【００５１】偏光ビームスプリッタ３３は矢印Ｚ方向に方位角（±９０°）を有する光を反射し受光素子２１に供給し、矢印Ｙ方向に方位角（０°，１８０°）を有する光は透過させ、1/2 波長板４２に供給する。1/2 波長板４２は偏光ビームスプリッタ３３の透過光に対して＋22.5°の方位角となり、透過光を＋４５°施光させ、ファラデー回転子３５に供給する。ファラデー回転子３５は1/2 波長板からの光を＋４５°施光させ、偏光ビームスプリッタ３２に供給する。このため、偏光ビームスプリッタ３２には偏光ビームスプリッタ３３からの光を＋９０°施光した矢印Ｚ方向に方位角を有する光が供給される。
【００５２】偏光ビームスプリッタ３２は偏光ビームスプリッタ３３と同様に配置され、矢印Ｚ方向に方位角を有する光を偏光ビームスプリッタと同じ方向、矢印Ｚ1 方向に反射させ、受光器２０に供給する。
【００５３】本実施例によっても、互いに直交する成分を同一方向に出射できるため、第１実施例と同様な効果が得られる。」
　
　（２）本願補正発明と引用発明との対比・判断
　本願補正発明（以下、「前者」という。）と引用発明（以下、「後者」という。）とを対比する。
　　（ａ）後者の「電気光学結晶からなる電界分布検出センサ」、「レーザ光源」、「光電変換素子」は、それぞれ、前者の「電気光学結晶」、「レーザ」、「光検出器」に相当する。
　　（ｂ）後者の「センサアレイ」と前者の「電界プローブ」は、ともに、電気光学結晶を複数個配置してなるものであり、センサアレイも電界を検出するプローブであるということができるから、両者は、電気光学結晶を複数個配置してなる電界プローブである点で共通する。
　　（ｃ）後者においても、「レーザ光源」を発光させるための駆動手段は当然必要であるから、前者と同様、「レーザを発光させるレーザドライバ」を具備している。
　　（ｄ）後者の「レーザ光偏光走査機構」と前者の「光スイッチ」は、ともに、各電気光学結晶へのレーザ光の光路を変える手段である点で共通する。
　　（ｅ）後者の「電位分布測定手段」は、光電変換素子の検出信号から電界分布を測定するものであるから、電界強度分布を求める信号処理部である点で、前者の「信号処理部」と共通する。
　　（ｆ）後者の「電子回路動作試験装置」は、電界分布を測定するものであるから、前者の「電界センサ」に相当する。　
　
　したがって、両者は、
　「電気光学結晶と、
　前記電気光学結晶を複数個配置してなる電界プローブと、
　前記電気光学結晶にレーザ光を照射するレーザと、
　前記レーザを発光させるレーザドライバと、
　各電気光学結晶への前記レーザ光の光路を変える手段と、
　レーザ光の強度変化を電気信号に変換する光検出器と、
　電界強度分布を求める信号処理部
を備えたことを特徴とする電界センサ。」である点で一致し、次の相違点で相違する。
　
　［相違点１］　電気光学結晶が、前者では、入射されたレーザ光の進行方向と平行な方向の電界のみに感度を有するものであるのに対し、後者には、この点の明示がない点
　［相違点２］　電界プローブが、前者では、電気光学結晶を測定対象の物体の立体形状に合わせて複数個３次元的に配置してなるものであるのに対し、後者では、このようなものではない点
　［相違点３］　レーザ光の光路を変える手段が、前者では、光スイッチであるのに対し、後者では、レーザ光偏光走査機構である点
　［相違点４］　前者が、電気光学結晶に照射されたレーザ光の偏光変化をレーザ光の強度変化に変換する偏光検出光学系を有し、該偏光検出光学系は、前記レーザと前記光スイッチとの間に配置され、前記レーザ側から順に第１の偏光ビームスプリッタ、ファラディ素子、１／２波長板、第２の偏光ビームスプリッタ、１／４波長板が配置された差動検出光学系であり、上記強度変化を光検出器で変換した後の電気信号を信号処理部で増幅するのに対し、後者には、このような偏光検出光学系について記載されておらず、電気信号の増幅についても明示がない点
　
　上記各相違点について検討する。
　［相違点１］について
　電気光学結晶により電界を検出するものにおいて、入射されたレーザ光の進行方向と平行な方向の電界のみに感度を有する電気光学結晶を用いるものは、例えば、特開平６−１０２２９５号公報（特に、段落【００１０】の「光の進行方向の電界成分のみに依存している。これにより、ＧａＡｓ結晶内の光と平行な電界成分（縦効果）が検出される。」という記載参照。）、特開昭５９−１６６８７３号公報に示されるように本願出願前周知であるから、引用発明に該周知技術を適用して、電気光学結晶として、入射されたレーザ光の進行方向と平行な方向の電界のみに感度を有するものを用いることは当業者が容易になし得たことである。
　［相違点２］について
　電界を検知する検知手段を複数個３次元的に配置して電界強度分布を求めるものは、例えば、特開平１０−６２４６７号公報、特開平１０−２０６４７４号公報、特開平３−２２０４６５号公報に示されるように本願出願前周知である。
　そして、引用発明のように、センサアレイを被測定物に近接させて電界分布を測定するためには、被測定物が立方形状であれば、その形状に合わせて各センサを３次元的に配置しなければならないことは明らかである。
　したがって、引用発明に、上記周知技術を適用して、センサである電気光学結晶を測定対象の物体の立体形状に合わせて複数個３次元的に配置してなる電界プローブとすることは当業者が容易になし得たことである。
　［相違点３］について
　光の光路を変えて走査する手段として光スイッチは、例を挙げるまでもなく周知のものであるから、引用発明において、レーザ光偏光走査機構に代えて光スイッチを用いることは単なる設計変更にすぎない。
　［相違点４］について
　電気光学結晶により電界を検出するものにおいて、電気光学結晶に照射されたレーザ光の偏光変化をレーザ光の強度変化に変換する偏光検出光学系を用いることは、例えば、刊行物２に示されるように本願出願前周知であり、さらに、刊行物２には、上記偏光検出光学系をレーザと走査手段との間に配置し、レーザ側から順に第１の偏光ビームスプリッタ、ファラディ素子、１／２波長板、第２の偏光ビームスプリッタ、１／４波長板が配置された差動検出光学系とし、電気信号を増幅することについても示されている。
　したがって、引用発明に刊行物２に記載された発明を適用して上記相違点４のように構成することは当業者が容易になし得たことである。
　
　そして、本願補正発明の奏する効果は、引用発明、刊行物２に記載された発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲内のものであり、格別のものではない。　
　したがって、本願補正発明は、引用発明、刊行物２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　　（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年法律第４７号による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１５年８月２９日付けの手続補正は、上記のとおり却下したので、本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成１５年５月２１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項によって特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２」の「１．」の「（１）」の補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。
　
第４　刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１及びその記載事項は、上記「第２」の「２．」の「（１）」の「（１−ａ）」の「（ア）」〜「（ウ）」に記載したとおりのものである。
　
第５　本願発明と引用発明との対比・判断
　本願発明（以下「前者」という。）と引用発明（以下、「後者」という。）とを対比する。
　　（ａ）後者の「電気光学結晶からなる電界分布検出センサ」は、前者の「電気光学結晶」に相当する。
　　（ｂ）後者の「電子回路動作試験装置」は、電気光学結晶からなる電界分布検出センサにレーザ光を照射して電界分布を測定するものであるから、前者の「電気光学結晶にレーザ光を照射して電界強度分布を測定する電界センサ」及び「電界センサ」に相当する。　
　　（ｃ）後者の「センサアレイ」と前者の「電界プローブ」は、ともに、電気光学結晶を複数個配置してなるものであり、センサアレイも電界を検出するプローブであるということができるから、両者は、電気光学結晶を複数個配置してなる電界プローブである点で共通する。
　
　したがって、両者は、
　「電気光学結晶にレーザ光を照射して電界強度分布を測定する電界センサであり、前記電気光学結晶を複数個配置してなる電界プローブを備えたことを特徴とする電界センサ。」である点で一致し、次の相違点で相違する。
　
　［相違点Ａ］　電界プローブが、前者では、電気光学結晶を測定対象の物体の立体形状に合わせて複数個３次元的に配置してなるものであるのに対し、後者では、このようなものではない点
　［相違点Ｂ］　電気光学結晶が、前者では、入射されたレーザ光の進行方向と平行な方向の電界のみに感度を有するものであるのに対し、後者には、この点の明示がない点
　
　上記各相違点について検討する。
　［相違点Ａ」について
　相違点Ａに対する判断は、上記「第２」の「２．」の「（２）」における相違点２について述べた判断と同様である。
　［相違点Ｂ］について
　相違点Ｂに対する判断は、上記「第２」の「２．」の「（２）」における相違点１について述べた判断と同様である。
　
　そして、本願発明の奏する効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲内のものであり、格別のものではない。
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。