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　特願２００２−２２５７８６「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月２３日出願公開、特開２００３−１５１９６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１０年１２月３日に出願した特願平１０−３４３９０８号の一部を平成１４年８月２日に新たな特許出願としたものであって、平成１５年１０月２０日付けで拒絶理由通知がなされ、これに対して同年１２月３日付けで手続補正がなされたところ、平成１６年５月２４日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年７月１日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
　
２．本願発明
　
　本願の請求項１〜４に係る発明は、平成１５年１２月３日付けで補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】シリコン基板の表面に回路を形成する工程と、このシリコン基板の表面に保護膜を形成する工程と、このシリコン基板の裏面を研磨加工して薄化する工程と、前記研磨加工によって前記裏面に残留した加工歪層をプラズマエッチングにより除去する工程を含み、加工歪層をプラズマエッチングにより除去する工程において、処理室内に対向して配置された平行平板電極を構成する下部電極上に前記シリコン基板を載置し、前記下部電極を冷却装置で冷却しながら前記平行平板電極の電極間距離Ｌ［ｍ］と前記処理室内の圧力Ｐ［Ｐａ］の積ＰＬが２．５［Ｐａ・ｍ］〜１５［Ｐａ・ｍ］の範囲の値となる条件下でプラズマ放電を行なってフッ素系ガスよりフッ素ラジカルを生成し、このフッ素ラジカルを前記シリコン基板の裏面に作用させてプラズマエッチングを行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　
３．刊行物及びその記載事項
　
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平４−６２９２１号公報（以下、「刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（ａ）「半導体材料の裏面を機械的に研削した後に、上記半導体材料の裏面の表層に存在している亀裂を取り除くために行うエッチング方法において、
　上記表層を取り除くための第１のエッチング工程と、
　上記第１のエッチング工程で発生して上記半導体材料の側面や装置の内部に付着する反応生成物を取り除くための第２のエッチング工程とを具備することを特徴とする半導体材料の裏面エッチング方法。」（特許請求の範囲第１項）
　
（ｂ）「本発明は、半導体材料の裏面エツチング方法に係わり、特に、半導体シリコンウエハの裏面研削後における研削歪みを除去するために行うエッチング方法に用いて好適な方法である。」（第１頁右欄第９〜１２行）
　
（ｃ）「周知の通り、半導体用のシリコンウエハは５″φおよび６″φで６２５μｍ厚に設定されているため、第３図（ａ）〜（ｄ）のウェハ裏面の処理方法説明図（ａ）〜（ｂ）に示すように実装の仕様上、ウエハプロセスが完了するとバックグラインド工程において、その厚さを２００〜４００μｍの厚さに機械的に研削するようにしている。しかし、このような機械的な研削を終えたシリコンウエハの裏面は凹凸が激しくなっていて、また、部分的に深さ１０μｍ程度の亀裂が発生していることが多い。
　これらの凹凸や亀裂があるとチップの破壊強度が低下してしまうので、従来より、バックグラインド後に第３図（ｃ）の裏面エッチング工程においてウエハ裏面をドライエッチングし、その表層を例えば約１０μｍ程度除去することによりチップ破壊強度を向上させてから第３図（ｄ）のバックメタル蒸着を行って裏面２１ａ上にバックメタル２９を設けるようにしている。」（第１頁右欄第１４行〜第２頁左上欄第１１行）
　
（ｄ）「エッチングは一般に行われているものであるが、通常の薄膜のエッチングでは除去する厚さが数１０００Å程度である。したがって、エッチングによりチップ２１の裏面の表層を１０μｍ程度除去するということは、エッチング量としては非常に大きな量である。このため、このようなエッチングを行うと、第６図のエッチング装置の構成図に示すように、チップ２１の側面やエッチング装置２の内壁面２ａに反応生成物３が大量に付着する。」（第２頁右上欄第７〜１６行）
　
（ｅ）「第１図は、本発明の一実施例を示す半導体材料の裏面エッチング方法の説明図である。第１図から明らかなように、本実施例の裏面エッチング方法は機械的研削を終えたシリコンウエハ１の裏面を２ステップ方式でエッチングする。
　すなわち、第１のステップはシリコンエッチング工程であり、例えば６フッ化イオウＳＦ６を３０ｓｃｃｍの流量でエッチング装置２内に供給するとともに、エッチング装置２内の状態を３００ｍｔｏｒｒに保持して１５０ＷのＲＦ電力を印加してプラズマを発生させ、これをシリコンウエハ１の裏面１ａに１０分間照射する。これにより、シリコンウエハ１の裏面１ａは約１０μｍの厚さにわたってエッチングされ、裏面研削によって発生した亀裂層が除去される。」（第３頁左上欄第６〜２０行）
　
（ｆ）そして、第１図及び第６図には、エッチング装置内に対向して配置された平行平板電極の下部電極上にシリコンウエハを載置することが示されている。（第１図、第６図）
　
　
４．対比
　
　摘記事項（ｂ）には、半導体シリコンウエハの裏面研削後における研削歪みを除去するためにエッチングを行うことが記載され、摘記事項（ｆ）には、エッチング装置内に対向して配置された平行平板電極の下部電極上にシリコンウエハを載置することが示され、摘記事項（ｅ）には、６フッ化イオウを供給するとともに、エッチング装置内の状態を３００ｍｔｏｒｒ、すなわち約４０Ｐａに保持してプラズマを発生させ、これをシリコンウエハの裏面に照射して、裏面研削によって発生した亀裂層、すなわち研削歪みを除去することが記載されている。
　
　記載事項（ａ）〜（ｆ）を総合すると、刊行物には、「半導体シリコンウエハの裏面研削後における研削歪みを除去するために行うエッチング方法において、エッチング装置内に対向して配置された平行平板電極の下部電極上にシリコンウエハを載置し、６フッ化イオウを供給するとともに、エッチング装置内の状態を約４０Ｐａに保持してプラズマを発生させ、これをシリコンウエハの裏面に照射して研削歪みを除去するエッチング方法」の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されていることになる。
　
　そこで、本願発明と刊行物発明とを対比する。
　
　刊行物発明の「半導体シリコンウエハ」は、本願発明の「シリコン基板」に相当し、以下同様に、「裏面研削」は「裏面を研磨加工して薄化」に、「研削歪み」は「研磨加工によって裏面に残留した加工歪層」に、「エツチング」は「プラズマエッチング」に、「エッチング装置」は「処理室」に、「６フッ化イオウ」は「フッ素系ガス」に、「プラズマを発生させ、これをシリコンウエハの裏面に照射」は「プラズマ放電を行なってフッ素ラジカルを生成し、このフッ素ラジカルをシリコン基板の裏面に作用」に、それぞれ相当するから、両者は、
「シリコン基板の裏面を研磨加工して薄化する工程と、前記研磨加工によって前記裏面に残留した加工歪層をプラズマエッチングにより除去する工程を含み、加工歪層をプラズマエッチングにより除去する工程において、処理室内に対向して配置された平行平板電極を構成する下部電極上に前記シリコン基板を載置し、プラズマ放電を行なってフッ素系ガスよりフッ素ラジカルを生成し、このフッ素ラジカルを前記シリコン基板の裏面に作用させてプラズマエッチングを行なう方法」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明では、シリコン基板の表面に回路を形成する工程と、このシリコン基板の表面に保護膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であるのに対し、刊行物発明では、この点について明記されていない点。
　
［相違点２］
　本願発明では、下部電極を冷却装置で冷却しながらプラズマエッチングを行っているのに対し、刊行物発明では、下部電極を冷却装置で冷却しているのか不明な点。
　
［相違点３］
　本願発明では、平行平板電極の電極間距離Ｌ［ｍ］と処理室内の圧力Ｐ［Ｐａ］の積ＰＬが２．５［Ｐａ・ｍ］〜１５［Ｐａ・ｍ］の範囲の値となる条件下でプラズマ放電を行っているのに対し、刊行物発明では、処理室内の圧力Ｐを約４０Ｐａに保持してプラズマを発生させることが記載されているのみで、平行平板電極の電極間距離Ｌ［ｍ］と処理室内の圧力Ｐ［Ｐａ］の積ＰＬがどのような値であるかが記載されていない点。
　
　
５．判断
　
［相違点１］について
　一般に、シリコン基板の表面に回路を形成する工程と、シリコン基板の表面に保護膜を形成する工程と、裏面を研磨加工して薄化する工程と、加工歪層を除去する工程を含んで半導体装置を製造することは、周知である（必要ならば、例えば特開平１０−２６５７４１号公報、段落【０００２】、段落【００５７】参照）。そして、刊行物発明はエッチング方法としているものの、当該方法は、上記周知である半導体装置の製造方法での加工歪層を除去する工程に相当し、回路形成、保護膜形成工程も当然に前提としているものである。よって、相違点１に係る本願発明の構成は、周知技術に基いて、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　
［相違点２］について
　一般に、平行平板電極を有するプラズマエッチングにおいて、基板を載置する下部電極を冷却装置で冷却することは、周知である（必要ならば、例えば特開昭６１−８９２７号公報、第４頁右上欄第５〜１４行参照）から、相違点２に係る本願発明の構成は、周知技術に基いて、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　
［相違点３］について
　刊行物には、摘記事項（ｄ）によれば、裏面の表層を１０μｍ程度除去するということは、エッチング量としては非常に大きな量であることが記載されている。
　
　一方、平行平板電極の電極間距離を狭くし、処理室内の圧力を高くすることにより、エッチングレートが高くなることは、例えば、次の特許公報に記載されているように周知のことである。
　
　
（周知例１）特開昭６１−８９２７号公報
　
（周１ａ）「現在の低圧（＜１００μＨｇ）及び中間圧（＜５００μＨｇ）のプラズマ・システムでは、特に厚さが約１ミクロンよりも大きな薄膜を食刻する時には比較的食刻率が低く、これに応じて食刻時間が長かった。さらに、食刻率を増大しようとして反応気体圧及びＲＦ電力を増すと、食刻の均一性が劣化し収率も減少した。」（第２頁右上欄第１８行〜左下欄第４行）
　
（周１ｂ）「良好な均一性を有する高い食刻率を達成するためには、ウエハ上に均一な高密度のプラズマを発生する必要がある。その一つの方法は例えば所与の寸法のウエハに対して小さな電極間ギヤツプの極めて小さな容積の反応器を使用し、妥当な低面積の電力密度の入力で高い体積電力密度を得る事である。」（第２頁左下欄第２０行〜右下欄第６行）
　
（周１ｃ）「環２８の厚さによって決まる上方電極１２及び下方電極組立体３８間の間隔及び平行性は領域４６の体積電力密度を増大するために約４ｍｍ以下である事が好ましい。」（第４頁左上欄第３〜６行）
　
（周１ｄ）「プラズマ領域４６には約０．５乃至１０トルの範囲の高い反応気体圧が保持される。」（第６頁右上欄第１〜３行）
　
　
（周知例２）特開昭６２−６９６２０号公報
　
（周２ａ）「従来、相対向する電極のいずれか一方の上に被加工物を置き、プラズマ処理する装置として例えば第３図に示すようなものがある。このプラズマ処理装置を用いて被加工物を例えば高速エッチング処理する場合には、電極ｌと電極２との間隔を狭くすると共に、導入ガスの圧力を高くする必要がある。」（第１頁右欄第１７行〜第２頁左上欄第５行）
　
（周２ｂ）「第２図（ａ）において、ガスパイプ７を介して所望のガスが電極１と電極２との間に導入される。そして、高周波電源６によって発生された高周波電力が電極１と電極２との間に供給されると、プラズマが発生し、電極２上に配置した被加工物５をプラズマ処理例えばエッチング処理することができる。この場合、一般に電極１と電極２との間の電極間隔は４ないし１０ｍｍ程度、ガス圧力は０．５ないし３Ｔｏｒｒ、高周波電力密度は１ないし３Ｗ／ｃｍ２程度にすることで、高速にエッチングを行うことができる。」（第３頁左上欄第１７行〜右上欄第８行）
　
　
（周知例３）特開昭６１−１６１７２３号公報
　
（周３ａ）「単一ウエハ処理を高速化するイオンエツチング技術への関心が強まり、平行平板形電極の間隔を１ｃｍ以下と極端に狭め、比較的高い圧力下（１０−１〜数Ｔｏｒｒ）において高ＲＦ電力を印加することによつて高速のエツチングを行えるようにした装置・・・などが市販されるようになつた。」（第１頁右下欄第５〜１５行）
　
　
　そして、平行平板電極の電極間距離を狭くし、処理室内の圧力を高くすることにより、エッチングレートが高くなることが周知であって、刊行物には、非常に大きな量をエッチングすることが記載されているから、刊行物発明において、大きな量をエッチングするために、平行平板電極の電極間距離を狭くし、処理室内の圧力を高くして、高いエッチングレートを得ることに格別の困難性は認められない。
　
　また、積ＰＬが「２．５［Ｐａ・ｍ］〜１５［Ｐａ・ｍ］の範囲の値」となるＰ及びＬの値は、周知例のもの（周知例１における「約０．５乃至１０トル」及び「約４ｍｍ以下」、周知例２における「０．５ないし３Ｔｏｒｒ」及び「４ないし１０ｍｍ程度」、周知例３における「１０−１〜数Ｔｏｒｒ」及び「１ｃｍ以下」）と数値的に極めて近似しており、それらの積［Ｐａ・ｍ］の値は、上記積ＰＬの「２．５［Ｐａ・ｍ］〜１５［Ｐａ・ｍ］の範囲の値」と重複するので、格別の値というものでもない。
　
　さらに、発明の詳細な説明には、積ＰＬについて、「図２は、縦軸にエッチングレート（シリコンの除去厚さ／毎分）と、放電圧力Ｐと電極間距離Ｌとの積ＰＬ（単位Ｐａ・ｍ）との相関関係を示したものである。図２のグラフから判るように、エッチングレートは前述の積ＰＬと相関関係があり、積ＰＬが特定値のときに最大の値を示している。すなわち、高いエッチングレートを実現するためには、積ＰＬが特定の範囲の値となるように放電圧力Ｐと電極間距離Ｌとの組み合わせを選定する必要がある。たとえば、１．０μｍ（１０．０００オングストローム）／ｍｉｎ．以上のエッチングレートを得ようとすれば、図２に示すように積ＰＬの値を、２．５〜１５［Ｐａ・ｍ］の範囲となるような条件設定を行えばよいことがわかる。」（段落【００２３】〜【００２４】）との記載はあるが、図２のデータが具体的にどのような条件下で得られたのかについての記載はなく、従来の技術で問題となる高真空度を除くとの前提もなく、あらゆるＰとＬの組み合わせについて、図２のグラフのような相関関係があるのかは明らかではないから、積ＰＬが２．５［Ｐａ・ｍ］〜１５［Ｐａ・ｍ］の範囲であればエッチングレートが向上するという効果が、積が２．５［Ｐａ・ｍ］〜１５［Ｐａ・ｍ］の範囲に該当する全てのＰとＬの組み合わせについて奏されるものであるとは認定することができず、明細書には、ＰとＬを積にして、２．５［Ｐａ・ｍ］〜１５［Ｐａ・ｍ］の範囲に限定したことの技術的意義が明らかにされているとはいえない。
　
　積ＰＬが２．５［Ｐａ・ｍ］〜１５［Ｐａ・ｍ］の範囲であればエッチング率が向上するという効果が仮にあるとしても、図２において、下限値２．５及び上限値１５を境にしてエッチングレートに顕著な変化が生じているとはいえず、本願発明の数値範囲に臨界的意義があるとは認められない。
　
　よって、相違点３に係る本願発明の構成は、周知技術に基いて、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　
　また、本願発明の効果も、刊行物及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
　
６．むすび　
　
　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。