【事件の表示】
　平成７年特許願第２７０２６４号「薄膜トランジスタ素子および薄膜トランジスタ基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成８年１０月１日出願公開、特開平８−２５５９１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件は、平成７年１０月１８日（パリ条約による優先権主張１９９４年１０月１８日、韓国）の出願であって、平成１５年３月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本件発明
　本件の請求項に係る発明は、平成１４年１０月１０日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は次のものである。
「絶縁基板と、
　前記絶縁基板の上に形成されているゲート電極と、
　前記ゲート電極の上に形成されているゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜の上に形成されており、フォトアンドダークコンダクションセンスィティビティが１０6以上である細密アモルファスシリコン層と、
　前記細密アモルファスシリコン層の上に形成されており、前記細密アモルファスシリコン層より速い速度で蒸着され、フォトアンドダークコンダクションセンスィティビティが１０4〜１０5である粗アモルファスシリコン層と、
　前記粗アモルファスシリコン層の上に形成されているドーピングされたアモルファスシリコン層とを含む、薄膜トランジスタ素子。」
　
３．引用例
　
３−１　引用例１
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本件の優先日前に頒布された刊行物である特開平２−２５０７４号公報（以下、「引用例１」という。）には、第１図及び第２図とともに以下の事項が記載されている。
「〔従来の技術〕
　第２図は、・・・従来の薄膜トランジスタを示す断面図であり、図において、(1)は例えばガラス等の絶縁性基板、(2)はゲート電極、(3a)，(3b)はゲート絶縁膜、(4)はシリコン系半導体層で、例えばアモルフアスシリコン層、(5)はソース電極、(6)はドレイン電極、(7)はソース電極(5)及びドレイン電極(6)と半導体層(4)をオーミツク・コンタクトさせるためのコンタクト層である。」（第１頁右下欄第１４行〜第２頁左上欄第３行）
「〔発明が解決しようとする課題〕
　従来の薄膜トランジスタは以上のように構成されており、通常は化学気相成膜法を用いて製造するが、半導体層(4)は単層であり、高電界効果移動度を得るためには半導体層(4)の全体を成膜速度の低い条件で形成する必要があつた。」（第２頁右上欄第２行〜第７行）
「〔作　用〕
　この発明におけるシリコン系半導体層は、均一な単一層ではなく、ゲート電極側はその反対側より電界効果移動度を高くしている。従つてシリコン系半導体層のゲート電極側は絶縁層と良好な界面を形成し、電界効果移動度の向上、オン電流の増加に寄与し、ゲート電極と反対側はゲート電極側に比べて高い成膜速度で形成される。このため、半導体層全体としては、電界効果移動度の高いものが、高い成膜速度で形成することができる。
　〔実施例〕
　以下、この発明の一実施例について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザを示す断面図であり、(3b)は絶縁層、(4a)は絶縁層(3b)上に形成された第１のシリコン系半導体層、(4b)は第１の半導体層(4a)上に形成された第２のシリコン系半導体層である。　この実施例においては通常の化学気相成膜法により真空中で絶縁層(3b)上に第１の半導体層(4a)を形成した後、真空を破ることなく第２の半導体層(4b)を形成している。・・・第１の半導体層(4a)は、第２の半導体層(4b)に比較して成膜速度は低いが、絶縁層(3b)と良好な界面を形成し、高い電界効果移動度を有する。一方、半導体層全体を第１の半導体層形成時の条件で製造する場合よりも大幅に成膜速度を短縮できる。」（第２頁右下欄第１４行〜第３頁右上欄第８行）（なお、第３頁左上欄第６行の「半導体レーザ」は「薄膜トランジスタ」の誤記である。）
　また、第１図には、絶縁性基板(1)上に、ゲート電極(2)、ゲート絶縁膜(3a,3b)、シリコン系半導体層(4a)、シリコン系半導体層(4b)及び符号(7)で示される部分が順次形成されることが記載されている。
　そして、第１図の説明において、「シリコン系半導体層(4a,4b)」の具体的な材質、及び、符号(7)で示される部分についての直接的な記載はないが、従来の技術に関する第２図の説明における、「(4)はシリコン系半導体層で、例えばアモルフアスシリコン層」及び「(7)はソース電極(5)及びドレイン電極(6)と半導体層(4)をオーミツク・コンタクトさせるためのコンタクト層」との記載を参酌すれば、「シリコン系半導体層(4a)」及び「シリコン系半導体層(4b)」が、それぞれ「アモルフアスシリコン層」からなること、及び、第１図の符号(7)で示される部分が、ソース電極及びドレイン電極と半導体層をオーミツク・コンタクトさせるための「コンタクト層」であることは明らかである。
　
　したがって、引用例１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「絶縁性基板と、
　前記絶縁性基板上に形成されているゲート電極と、
　前記ゲート電極の上に形成されているゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜の上に形成されており、低い成膜速度で化学気相成膜法により形成された高い電界移動度を有する第１のアモルフアスシリコン層と、
　前記第１のアモルフアスシリコン層の上に形成されており、前記第１のアモルフアスシリコン層より高い成膜速度で化学気相成膜法により形成された第２のアモルフアスシリコン層と、
　前記第２のアモルフアスシリコン層の上に形成されているコンタクト層とを含む、薄膜トランジスタ。」
　
３−２　引用例２
　また、原査定の拒絶の理由に引用された、本件の優先日前に頒布された刊行物である特開平６−７７４８３号公報（以下、「引用例２」という。）には、図１とともに以下の事項が記載されている。
「【００１１】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施例である薄膜トランジスタの縦断面図である。
【００１２】厚さ約１ｍｍの低アルカリガラス基板１上に金属クロム（１００ｎｍ）をスパッタ法で成膜しこれをフォトリソグラフィとウエットエッチングの方法により所定のパターンに加工してゲート電極（配線）２を形成する。
【００１３】次にプラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜用の窒化シリコン膜（５００ｎｍ）４、第１アモルファスシリコン膜（１００ｎｍ）３−ａ、第２アモルファスシリコン膜（２００ｎｍ）３−ｂ、オーミックコンタクト層となるｎ型アモルファスシリコン膜（６０ｎｍ）７を真空中で連続成膜する。・・・」（００１１段落〜００１３段落）
　
４．対比・検討
　本件発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「絶縁性基板」及び「薄膜トランジスタ」は、本件発明の「絶縁基板」及び「薄膜トランジスタ素子」にそれぞれ相当する。
　引用発明の「化学気相成膜法」が「蒸着」の一種であることは当業者にとって明らかであるから、引用発明の「高い成膜速度で化学気相成膜法により形成され」ることは、本件発明の「速い速度で蒸着され」ることに相当する。
　引用発明の「第１のアモルフアスシリコン層」及び「第２のアモルフアスシリコン層」は、それぞれ、「低い成膜速度」及び「高い成膜速度」で形成されたものであるところ、本件発明の「細密アモルファスシリコン層」及び「粗アモルファスシリコン層」も、本件明細書の００１１段落等を参照すれば、それぞれ、「低ディポジッションレート」及び「高ディポジッションレート」で蒸着され、その結果、「細密」及び「粗」の状態になったものであるから、引用発明の「第１のアモルフアスシリコン層」及び「第２のアモルフアスシリコン層」は、本件発明の「細密アモルファスシリコン層」及び「粗アモルファスシリコン層」に相当する。
　引用発明の「前記第２のアモルフアスシリコン層の上に形成されている」「層」は、本件発明の「前記粗アモルファスシリコン層の上に形成されている」「層」に相当する。
　
　したがって、本件発明と引用発明とは、
「絶縁基板と、
　前記絶縁基板の上に形成されているゲート電極と、
　前記ゲート電極の上に形成されているゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜の上に形成される細密アモルファスシリコン層と、
　前記細密アモルファスシリコン層の上に形成されており、前記細密アモルファスシリコン層より速い速度で蒸着される粗アモルファスシリコン層と、
　前記粗アモルファスシリコン層の上に形成されている層とを含む、薄膜トランジスタ素子。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　
・相違点１
　本件発明が、「フォトアンドダークコンダクションセンスィティビティが１０6以上である細密アモルファスシリコン層」及び「前記細密アモルファスシリコン層より速い速度で蒸着され、フォトアンドダークコンダクションセンスィティビティが１０4〜１０5である粗アモルファスシリコン層」を備えているのに対して、引用発明が、「高い電界移動度を有する第１のアモルフアスシリコン層」及び「前記第１のアモルフアスシリコン層より高い成膜速度で化学気相成膜法により形成された第２のアモルフアスシリコン層」を備えている点。
　
・相違点２
　本件発明が、「ドーピングされたアモルファスシリコン層」を備えているのに対して、引用発明が、「コンタクト層」を備えている点。
　
　上記の各相違点について、以下に検討する。
　
・相違点１について
　本件明細書の記載を参照すれば、本件発明の「細密アモルファスシリコン層」は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子としての良好な電気的特性を備えたものであり、「粗アモルファスシリコン層」は、ＴＦＴ素子としての電気的特性は備えないが、物理的特性に優れ、また、高ディポジッションレートによりタクトタイムの減少に寄与するものである。
　一方、引用発明においても、「第１のアモルフアスシリコン層」は、高い電界移動度を有するもの、すなわち、薄膜トランジスタとしての良好な電気的特性を備えたものであり、「第２のアモルフアスシリコン層」は、高い成膜速度により成膜時間の増加を抑えるものであるから、この点において、両発明の技術思想は共通するものの、本件発明においては、引用発明にはない「フォトアンドダークコンダクションセンスィティビティ」という評価指標を用い、その数値範囲を限定することによって、「アモルファスシリコン層」を規定している点が、実質的な相違点である。
　しかし、「細密アモルファスシリコン層」についての「フォトアンドダークコンダクションセンスィティビティが１０6以上である」点は、本件明細書にも従来の技術として記載されているように、「ＴＦＴ素子が安定的な電気的特性を有するため」の一般的な条件を規定したものにすぎず、また、「粗アモルファスシリコン層」についての「フォトアンドダークコンダクションセンスィティビティが１０4〜１０5である」点は、デポジッションレートを、「フォトアンドダークコンダクションセンスィティビティ」をＴＦＴに適したものとするための範囲よりも高く設定したことにより必然的に生じる「フォトアンドダークコンダクションセンスィティビティ」の減少を単に表現したものにすぎないものと認められるから、これらの数値限定に何ら臨界的意義は認められない。
　そして、本件明細書を参照しても、アモルファスシリコン層の「フォトアンドダークコンダクションセンスィティビティ」を「１０6以上」にすること及び「１０4〜１０5」にすることに関して、成膜速度に相対的な差を設ける以上の具体的な製造装置及び条件は何ら開示されていないから、これらの数値範囲を実現するにあたって、格別の技術的な困難性があったとも認められない。
　よって、引用発明において、「フォトアンドダークコンダクションセンスィティビティ」という薄膜トランジスタの電気的特性の評価指標に着目して、「第１のアモルフアスシリコン層」のフォトアンドダークコンダクションセンスィティビティを１０6以上、「第２のアモルフアスシリコン層」のフォトアンドダークコンダクションセンスィティビティを１０4〜１０5に設定することは、当業者が適宜なし得たものである。
　
・相違点２について
　引用発明の「コンタクト層」は、上記３−１に示したとおり、ソース電極及びドレイン電極と半導体層をオーミツク・コンタクトさせるためのものであるが、その具体的な構成については不明である。
　しかし、引用例２に記載されているように、薄膜トランジスタの構成において、「アモルファスシリコン膜」上に「オーミックコンタクト層となるｎ型アモルファスシリコン膜」を成膜すること、すなわち、アモルファスシリコン膜上のオーミックコンタクト層を、ｎ型の不純物でドーピングされたアモルファスシリコン膜で構成することは、当該技術分野において周知の技術的事項であるから、引用発明の「コンタクト層」を、ドーピングされたアモルファスシリコン層とすることは、当業者が適宜なし得た設計的事項にすぎない。
　
　したがって、本件発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、請求項２ないし７に係る発明についての検討をするまでもなく、本件は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。