【手続補正書】
【提出日】平成21年12月2日(2009.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘテロ原子を有する三環式または多環式の芳香族炭化水素主鎖を有し、前記主鎖が（この定義を非置換と仮定するための）エチニル基とともに、式Ｉを有する、Ｃ２ｖと混合されたＣ２ｈ、Ｃ２ｈ、Ｄ２ｈ、および／またはＣｓ点対称性群に属するという条件で、前記主鎖を構成する環が、それぞれ、多くて２個の共通に共有される環原子を介して互いにアニールされ、近接環の前記共通原子の数が、共通辺領域の数の２倍である、ビス（置換エチニル）化合物を含む半導体素子であって、
【化１】
2009519595.tif 000001
Ａとラベル付けされた環は、６個の原子を有する芳香環であり、Ｂとラベル付けされた環は、部分式Ｉ（ｉ）の、単環式または多環式（好ましくは、単環式、二環式、または三環式）の不飽和の環または環系またはアニールされたフェロセノベンゾであり、
【化２】
2009519595.tif 000002
点線の結合は、式Ｉの中心環Ａにアニールされたベンゾ環の辺を表し、それぞれが環Ａにアニールされ、Ｃとマーキングされた環は、前記部分式Ｉ（ｉ）の、単環式または多環式（好ましくは、単環式、二環式、または三環式）の不飽和の環または環系またはフェロセノベンゾであり、それぞれが環Ａにアニールされ、各々の環または環系ＢおよびＣのそれぞれは、基＝Ｓ、＝Ｏ、または＝Ｃ（ＮＱ２）２を保持することも可能であり、「不飽和」は、最大限の数の共役二重結合を有することを意味し、前記環または環系ＢおよびＣの少なくとも１つにおいて、環Ａに直接アニールされた（環または環系ＢおよびＣを形成するか、その一部を形成する）前記第１の環が両方の環または環系ＢおよびＣに６個の環原子を有する場合は、少なくとも１つの環原子が、Ｎ、ＮＱ、ＯおよびＳから選択されたヘテロ原子であり、
式Ｉの化合物においてＢおよびＣとマーキングされた環または環系は、それぞれ、少なくとも１つのヘテロ原子を含み、そして以下の部分から選択され、点線は、分子のその他の部分にアニールされた環または環系の辺を表し、
【化３】
2009519595.tif 000003
Ｌ＝Ｏ、ＮＨ、ＮＱ、ＳまたはＣＱ２であり、
Ｌ’＝Ｏ、ＮＨ、ＮＱ、またはＣＱ２であり、
【化４】
2009519595.tif 000004
または、環Ｃが前記部分から選択され、環Ｂが式
【化５】
2009519595.tif 000005
の環であり、
Ｑは、Ｑおよび各環が、他とは独立して出現するたびに、ＸまたはＺについて後で定義されるように、水素または非置換または置換ヒドロカルビル、非置換または置換ヒドロカルビルカルボニル、またはヘテロアリールであり、好ましくは、Ｑは、水素、Ｃ６−Ｃ１４−アリール、Ｃ６−Ｃ１４−アリール−Ｃ１−Ｃ２０アルキル、Ｃ１−Ｃ２０−アルキル、特に、フェニル−またはナフチル−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル、およびＣ１−Ｃ２０−アルキルから選択され、
Ｚ＊およびＺ＊＊は、水素、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルキル（ハロ−Ｃ１−Ｃ２０−アルキルなど）、非置換または置換Ｃ２−Ｃ２０−アルケニル、非置換または置換Ｃ２−Ｃ２０−アルキニル、非置換または置換Ｃ６−Ｃ１４−アリール（特に、フェニルまたはナフチル）、５〜１４個の環原子を有する非置換または置換ヘテロアリール、非置換または置換Ｃ６−Ｃ１４−アリール−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル（特に、フェニル−またはナフチル−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル（ベンジルなど））、非置換または置換ヘテロアリールＣ１−Ｃ２０−アルキル（このヘテロアリールは５〜１４個の環原子を有する）、非置換または置換フェロセニル、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルカノイル（ペルフルオロＣ２−Ｃ１０−アルカノイルなど）、ハロ、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ、Ｃ３−Ｃ２０−アルケニルオキシ、Ｃ３−Ｃ２０−アルキニルオキシ、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルキルチオ、Ｃ３−Ｃ２０−アルケニルチオ、Ｃ３−Ｃ２０−アルキニルチオ、カルボキシ、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ−カルボニル、非置換または置換フェニル−Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ−カルボニル、アミノ、Ｎ−モノ−またはＮ，Ｎ−ジ−（Ｃ１−Ｃ２０−アルキル、Ｃ１−Ｃ２０−アルカノイル、および／またはフェニル−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル）−アミノ、シアノ、カルバモイル、Ｎ−モノ−またはＮ，Ｎ−ジ−（Ｃ１−Ｃ２０−アルキル、Ｃ１−Ｃ２０−アルカノイル、および／またはフェニル−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル）−カルバモイル、およびスルファモイルからなる群から独立して選択され、
ｎは置換基Ｘの数を示し、ｍは置換基Ｙの数を示し、そして、ｐは置換基Ｚの数を示し、ここで、ｍ、ｎおよびｐの和が少なくとも２であるという条件で、ｎおよびｐのそれぞれは０〜４であり、そして、ｍは０〜２であり、
式Ｉに存在する置換基Ｘ、Ｙ、およびＺのうちの２つは、最大４０個の炭素原子を有する非置換または置換ヒドロカルビル、最大４０個の炭素原子を有する非置換または置換ヒドロカルビルオキシ、最大４０個の炭素原子を有するヒドロカルビルチオ、非置換または置換ヘテロアリール、非置換または置換ヘテロアリールオキシ、非置換または置換ヘテロアリールチオ、シアノ、カルバモイル、置換アミノ、ハロ−Ｃ１−Ｃ８−アルキル（トリフルオロメチルなど）、および置換シリルからなる群から置換基が選択される置換エチニルであり、２つのＹ置換基が、好ましくは各Ｙが他とは独立して、より好ましくは同様に、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルキル、非置換または置換フェニル、非置換または置換ナフチル、非置換または置換アントラセニル、（Ｃ１−Ｃ２０−アルキル、Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ、およびフェニル−またはナフチル−Ｃ１−Ｃ２０−アルキルから選択される２つまたは好ましくは３つの部分によってシリルが置換される）置換シリルから置換基が選択される置換エチニルから選択され、
一方、残りの置換基Ｘ、Ｙ、および／またはＺは、存在する場合には、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルキル（ハロ−Ｃ１−Ｃ２０−アルキルなど）、非置換または置換Ｃ２−Ｃ２０−アルケニル、非置換または置換Ｃ２−Ｃ２０−アルキニル（前述の置換エチニル以外）、非置換または置換Ｃ６−Ｃ１４−アリール、５〜１４個の環原子を有する非置換または置換ヘテロアリール、非置換または置換Ｃ６−Ｃ１４−アリール−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル、非置換または置換ヘテロアリール−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル（このヘテロアリールは５〜１４個の環原子を有する）、非置換または置換フェロセニル、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルカノイル、ハロ、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ、Ｃ３−Ｃ２０−アルケニルオキシ、Ｃ３−Ｃ２０−アルキニルオキシ、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルキルチオ、Ｃ３−Ｃ２０−アルケニルチオ、Ｃ３−Ｃ２０−アルキニルチオ、カルボキシ、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ−カルボニル、非置換または置換フェニル−Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ−カルボニル、アミノ、Ｎ−モノ−（Ｃ１−Ｃ２０−アルキル）アミノ、Ｎ，Ｎ−ジ−（Ｃ１−Ｃ２０−アルキル）アミノ、Ｃ１−Ｃ２０−アルカノイルアミノ、フェニル−（Ｃ１−Ｃ２０−アルキル）−アミノ、シアノ、カルバモイル、Ｎ−モノ−（Ｃ１−Ｃ２０−アルキル）−カルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−（Ｃ１−Ｃ２０−アルキル）−カルバモイル、Ｃ１−Ｃ２０−アルカノイル−カルバモイル、フェニル−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル）−カルバモイル、スルファモイル、Ｎ−モノ−（Ｃ１−Ｃ２０−アルキル）−スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−（Ｃ１−Ｃ２０−アルキル）−スルファモイル、Ｃ１−Ｃ２０−アルカノイル−スルファモイル、フェニル−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル）−スルファモイルからなる群から選択される置換基であり、
または、前記ビス（置換エチニル）化合物は、式ＶまたはＶＩ
【化６】
2009519595.tif 000006
の化合物から選択される化合物であるか、または式Ｉ＊またはＩ＊＊
【化７】
2009519595.tif 000007
の化合物であり、
各Ｒ’は、Ｃ１−Ｃ２０アルキル、ベンジル、Ｃ１−Ｃ１２ペルフルオロアルキル、Ｃ１−Ｃ１２ペルフルオロアルカノイル、フルオロフェニル、およびＳｉＲ３から独立して選択され、Ｒは独立してＣ１−Ｃ６アルコキシであり、Ｒ＊は水素またはＲ’であり、ＸおよびＺは、既に定義されたように置換エチニルである、半導体素子。
【請求項２】
式Ｉの化合物が、式ＩＡ
【化８】
2009519595.tif 000008
の１つであり、
Ｘ、Ｚ、および、ＡおよびＢとマーキングされた環、ｎおよびｐは、式Ｉの化合物に対して定義されたとおりであり、Ｙ＊およびＹ＊＊は、請求項１において定義された置換エチニルから独立して選択され、式Ｉの化合物に対して、請求項１において与えられた点群および環結合の条件を満たす化合物である、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
式Ｉの化合物における各Ｙ、または式ＩＡの化合物におけるＹ＊およびＹ＊＊は、以下の表で与えられる各部分から、他とは独立して、好ましくは同様に、選択され、
【表１】
2009519595.tif 000009
2009519595.tif 000010
アスタリスクで示された原子の１つによって、各部分がエチニル部分に結合され、Ｑは、請求項１において定義されたとおりであり、
Ｌは、Ｏ、Ｓ、ＮＱであり、
Ｌ’は、ＯまたはＳであり、
Ｌ”は、Ｏ、Ｓ、ＮＱ、ＣＱ２、ＳｉＱ２であり、
Ｒは、独立してＣ１−Ｃ６アルキルであり、
Ｒ”は、独立してＨまたはＣ１−Ｃ６アルキルであり、
前記表で与えられたフェニル部分、ナフチル部分、アントラセニル部分、またはヘテロアリール部分の置換基は、後で定義される置換シリル＃、ホルミル、Ｃ１−Ｃ２０−アルキル＃、Ｃ２−Ｃ２０−アルケニル＃、Ｃ２−Ｃ２０−アルキニル＃、Ｃ６−Ｃ１２−アリール＃、Ｃ６−Ｃ１２−アリール−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル＃、５〜１４個の環原子＃を有するヘテロアリール、ヘテロアリールが５〜１４個の環原子を有するヘテロアリールＣ１−Ｃ２０−アルキル＃、ハロ−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル＃（例えば、ペルフルオロＣ１−Ｃ２０−アルキル）、Ｃ１−Ｃ２０−アルカノイル＃、ハロ−Ｃ１−Ｃ２０−アルキルカルボニル、ハロ、ヒドロキシ、Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ、Ｃ３−Ｃ２０−アルケニルオキシ、Ｃ３−Ｃ２０−アルキニルオキシ、Ｃ１−Ｃ２０−アルクチオ、Ｃ３−Ｃ２０−アルケニルチオ、Ｃ３−Ｃ２０−アルキニルチオ、カルボキシ、Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ−カルボニル＃、フェニル−Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ−カルボニル＃）、アミノ、Ｎ−モノ−またはＮ，Ｎ−ジ−（Ｃ１−Ｃ２０−アルキル、Ｃ１−Ｃ２０−アルカノイル、および／またはフェニル−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル）−アミノ、シアノ、カルバモイル、Ｎ−モノ−またはＮ，Ｎ−ジ−（Ｃ１−Ｃ２０−アルキル、Ｃ１−Ｃ２０−アルカノイル、および／またはフェニル−Ｃ１−Ｃ７−アルキル）−カルバモイル、ニトロ、およびスルファモイルからなる群から選択され、シャープ（＃）が付いた置換基は、Ｈの代わりに窒素に結合されることも可能であり、例えばヘテロ環の環ＮＨで置換され、
置換シリルに言及される場合、置換シリルは、Ｃ１−Ｃ２０−アルキル、Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ、およびフェニル−またはナフチル−Ｃ１−Ｃ２０−アルキルから選択される２つまたは好ましくは３つの部分によって置換されるシリルであり、
Ｘ、Ｚ、Ｚ＊、およびＺ＊＊は、存在する場合には、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルキル（ハロ−Ｃ１−Ｃ２０−アルキルなど）、非置換または置換Ｃ２−Ｃ２０−アルケニル、非置換または置換Ｃ２−Ｃ２０−アルキニル、非置換または置換Ｃ６−Ｃ１４−アリール（特に、フェニルまたはナフチル）、（５〜１４個の環原子を有する）非置換または置換ヘテロアリール、非置換または置換Ｃ６−Ｃ１４−アリール−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル（特に、フェニル−またはナフチル−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル（ベンジルなど））、（ヘテロアリールが５〜１４個の環原子を有する）非置換または置換ヘテロアリールＣ１−Ｃ２０−アルキル、非置換または置換フェロセニル、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルカノイル（ペルフルオロＣ２−Ｃ１０−アルカノイルなど）、ハロ、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ、Ｃ３−Ｃ２０−アルケニルオキシ、Ｃ３−Ｃ２０−アルキニルオキシ、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルキルチオ、Ｃ３−Ｃ２０−アルケニルチオ、Ｃ３−Ｃ２０−アルキニルチオ、カルボキシ、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ−カルボニル、非置換または置換フェニル−Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ−カルボニル、アミノ、Ｎ−モノ−またはＮ，Ｎ−ジ−（Ｃ１−Ｃ２０−アルキル、Ｃ１−Ｃ２０−アルカノイル、および／またはフェニル−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル）−アミノ、シアノ、カルバモイル、Ｎ−モノ−またはＮ，Ｎ−ジ−（Ｃ１−Ｃ２０−アルキル、Ｃ１−Ｃ２０−アルカノイル、および／またはフェニル−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル）−カルバモイル、およびスルファモイルからなる群から独立して選択され、置換された形式に言及される各場合において、置換基は、フェニル、ナフチル、アントラセニル、またはヘテロアリールの置換基として、前述の置換基から選択され、ｎおよびｐのそれぞれは、０〜２である、請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項４】
式ＩまたはＩＡの化合物が式ＩＢ
【化１４】
2009519595.tif 000011
の化合物であり、
各Ｄは、ＮＨまたはＳまたはＯからなる群から選択されるヘテロ原子であり、Ｘ、Ｚ、ｎおよびｐは、式ＩまたはＩＡの化合物に対して定義されているとおりであり、Ｙ＊およびＹ＊＊は、置換エチニルから独立して選択され、式ＩまたはＩＣの化合物に対して、請求項１において与えられた点群および環結合の条件を満たす化合物でもあり、
【化１５】
2009519595.tif 000012
Ｇは、ＯまたはＮＱであり、Ｘ、Ｚ、Ｚ＊、Ｚ＊＊、ｎおよびｐは、式Ｉの化合物に対して定義されているとおりであり、Ｙ＊およびＹ＊＊は、置換エチニルから独立して選択され、式Ｉの化合物に対して既に与えられた点群および環結合の条件を満たす化合物でもある、請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項５】
式Ｉの化合物が、式Ｉ＊またはＩ＊＊
【化１６】
2009519595.tif 000013
の化合物であり、
ＸおよびＺは、請求項１において式Ｉの化合物に対して定義された置換エチニルであるか、請求項３においてＹに対して定義された置換エチニルである、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項６】
式Ｉの化合物が、式
【化１７】
2009519595.tif 000014
2009519595.tif 000015
の化合物から選択される化合物であり、
各Ｒ’は、Ｃ１−Ｃ２０アルキル、ベンジル、Ｃ１−Ｃ１２ペルフルオロアルキル、Ｃ１−Ｃ１２ペルフルオロアルカノイル、フルオロフェニル、およびＳｉＲ３（Ｒは独立してＣ１−Ｃ６アルキル、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ）から独立して選択され、
Ｒ”、Ｒ＊、およびＲ＊＊は、独立して、水素またはＲ’であり、
Ｌは、ＯまたはＳであり、または
式Ｉの化合物が、式
【化１８】
2009519595.tif 000016
の化合物から選択される化合物であり、
Ｒ＊およびＲ’のそれぞれは、ＳｉＲ３において、Ｒが独立してＣ１−Ｃ６アルコキシであるときは、既に定義されたとおりである、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項７】
ダイオード、有機電界効果トランジスタまたはダイオードおよび／もしくは特に有機電界効果トランジスタを含む素子である、請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体素子。
【請求項８】
請求項１から６のいずれか一項に記載の、式Ｉ、Ｉ＊、Ｉ＊＊、Ｖ、ＶＩ、ＩＡ、ＩＢまたはＩＣの化合物。
【請求項９】
式ＩＡの主鎖が（この定義を非置換と仮定するための）エチニル基とともに（好ましくは）Ｃ２ｈ、Ｄ２ｈ、またはＣｓの点対称性群に属するという条件で、請求項１において与えられた式Ｉ、Ｉ＊、またはＩ＊＊の、本質的に異性体的に純粋な化合物であって、特に、各記号が請求項１から６のいずれか一項に記載の意味を有する、請求項２において与えられた式ＩＡの化合物であって、前記主鎖を構成する、Ａ、ＢおよびＣとマーキングされた環はオルトアニールされている、化合物、または、前記主鎖が（この定義を非置換と仮定するための）エチニル基とともに、または好ましくは分子全体が、Ｃ２ｈの点対称性群に属するという条件で、各記号が請求項１から５のいずれか一項に記載の意味を有する、請求項４において与えられた式ＩＢの、本質的に異性体的に純粋な化合物、または、前記主鎖が（この定義を非置換と仮定するための）エチニル基とともに、または好ましくは分子全体が、Ｃｓの点対称性群に属するという条件で、各記号が請求項１から５のいずれか一項に記載の意味を有する、請求項４において与えられた式ＩＣの、本質的に異性体的に純粋な化合物。
【請求項１０】
半導体材料の９０重量パーセント以上、好ましくは９５重量パーセント以上、特に９９重量パーセント以上が、請求項９において定義された式Ｉ、ＩＡ、ＩＢ、ＩＣ、Ｉ＊、またはＩ＊＊の、異性体的に純粋な化合物であることを特徴とする、半導体層の配合、または半導体素子の半導体層。
【請求項１１】
請求項１から６のいずれか一項において定義された式Ｉ、Ｉ＊、Ｉ＊＊、Ｖ、またはＶＩの化合物から、好ましくは、請求項２に記載の式ＩＡの化合物から、または、好ましくは、請求項４に記載の式ＩＢまたはＩＣの化合物から、または、好ましくは、請求項５に記載の式Ｉ＊またはＩ＊＊の化合物から、薄膜トランジスタ素子を作製する方法であって、
複数の導電性ゲート電極を基板上に堆積させるステップと、
前記導電性ゲート電極上にゲート絶縁体層を堆積させるステップと、
式Ｉ、Ｖ、ＶＩ、好ましくはＩＡ、または好ましくはＩＢ、または好ましくはＩ＊またはＩ＊＊の化合物、またはこれらの前駆物質の層を、式Ｉ、Ｖ、ＶＩ、好ましくはＩＡ、または好ましくはＩＢまたはＩＣ、または好ましくはＩ＊またはＩ＊＊の化合物の前記層が前記ゲート電極とほぼ重なり合うように、前記絶縁体層に堆積させるステップと、
複数組の、導電性のソース電極およびドレイン電極を、前記各組が前記各ゲート電極と一直線をなすように、前記層上に堆積させ、それによって薄膜トランジスタ素子を生成するステップと、を含む方法。
【請求項１２】
電子素子作製用の有機半導体として使用するための請求項１から６または８のいずれか一項に記載の式Ｉ、Ｉ＊、Ｉ＊＊、Ｖ、ＶＩの化合物、好ましくは、請求項２に記載の式ＩＡの化合物、または、好ましくは、請求項４に記載の式ＩＢまたはＩＣの化合物、または、好ましくは、請求項５に記載の式Ｉ＊またはＩ＊＊の化合物、または請求項１３に記載の式ＸＸＩの化合物。
【請求項１３】
式ＸＸＩの化合物を含む半導体素子であって、
【化１９】
2009519595.tif 000017
各Ｙは、他とは独立して、エチニルが、最大４０個の炭素原子を有するヒドロカルビルまたは好ましくはハロ−ヒドロカルビルによって、置換されたものであり、
ＸおよびＺは（それらが存在する場合には）、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルキル（ハロ−Ｃ１−Ｃ２０−アルキルなど）、非置換または置換Ｃ２−Ｃ２０−アルケニル、非置換または置換Ｃ２−Ｃ２０−アルキニル、非置換または置換Ｃ６−Ｃ１４−アリール（特にフェニルまたはナフチル）、５〜１４個の環原子を有する非置換または置換ヘテロアリール、非置換または置換Ｃ６−Ｃ１４−アリール−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル（特に、フェニル−またはナフチル−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル（ベンジルなど））、非置換または置換ヘテロアリール−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル（ヘテロアリールは５〜１４個の環原子を有する）、非置換または置換フェロセニル、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルカノイル（非置換またはペルフルオロＣ２−Ｃ１２（これらが、２つの共通に共有される環原子を介してリンクされることを意味する）−アルカノイルなど）、ハロ、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ、Ｃ３−Ｃ２０−アルケニルオキシ、Ｃ３−Ｃ２０−アルキニルオキシ、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルキルチオ、Ｃ３−Ｃ２０−アルケニルチオ、Ｃ３−Ｃ２０−アルキニルチオ、カルボキシ、非置換または置換Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ−カルボニル、非置換または置換フェニル−Ｃ１−Ｃ２０−アルコキシ−カルボニル、アミノ、Ｎ−モノ−またはＮ，Ｎ−ジ−（Ｃ１−Ｃ２０−アルキル、Ｃ１−Ｃ２０−アルカノイル、および／またはフェニル−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル）−アミノ、シアノ、カルバモイル、Ｎ−モノ−またはＮ，Ｎ−ジ−（Ｃ１−Ｃ２０−アルキル、Ｃ１−Ｃ２０−アルカノイル、および／またはフェニル−Ｃ１−Ｃ２０−アルキル）−カルバモイル、およびスルファモイルからなる群から、互いに独立して、選択される置換基であり、
ｎおよびｐのそれぞれは、他とは独立して、０〜４、好ましくは０または１である、半導体素子。