【事件の表示】
　平成１０年特許願第１３９４９６号「窒化物半導体素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１１月３０日出願公開、特開平１１−３３０６２２、請求項の数（１０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１０年５月２１日に特許出願したものであって、原審において、平成１５年１０月２４日付で拒絶理由が通知され、同年１２月１５日付及び１２月１６日付で手続補正がなされたところ、平成１６年１月２０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年２月２６日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同年３月２９日付で手続補正がなされたものであって、その請求項に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲に記載された次のものと認める。
「【請求項１】窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に、ｎ型不純物がドープされた窒化物半導体を横方向成長により形成し、
　前記異種基板を除去することにより、前記窒化物半導体が成長した側にある第１の主面と、前記異種基板が除去された側にある第２の主面とを有し、前記第１の主面が素子構造の形成面となる窒化物半導体基板を形成し、
　前記窒化物半導体基板の第２の主面側にｎ型不純物がドープされた窒化物半導体をｎ側コンタクト層として成長して、前記異種基板の除去により前記第２の主面に生じたダメージを回復し、前記ｎ側コンタクト層にｎ電極を形成することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項２】前記窒化物半導体基板は、窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に、第１の窒化物半導体を形成した後、該第１の窒化物半導体上に保護膜を部分的に形成し、該保護膜上において、第２の窒化物半導体を横方向成長により形成し、その後、前記異種基板と第１の窒化物半導体と保護膜とを除去することによって得られることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項３】前記ｎ側コンタクト層のｎ型不純物濃度が、前記窒化物半導体基板の第２の主面表面近傍のｎ型不純物濃度よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項４】前記窒化物半導体基板のｎ型不純物の濃度は、連続状の濃度勾配、若しくはステップ状の濃度勾配を有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項５】前記窒化物半導体基板の平均的なｎ型不純物濃度が５×１０１６／ｃｍ３以上、５×１０１８／ｃｍ３以下であり、且つ前記ｎ側コンタクト層のｎ型不純物濃度は、１×１０１８／ｃｍ３以上、１×１０２０／ｃｍ３以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項６】前記ｎ側コンタクト層と前記第２の主面との間に、アンドープ若しくはｎ型不純物濃度が前記ｎ側コンタクト層よりも少ない窒化物半導体を有するバッファ層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５の内のいずれか１項に記載の窒化物半導
体素子の製造方法。
【請求項７】前記バッファ層の膜厚が、０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項８】前記窒化物半導体基板、バッファ層、ｎ側コンタクト層の内の少なくとも２種類が同一組成を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項９】前記ｎ側コンタクト層、バッファ層の少なくとも一方が、窒化物半導体層が積層された多層膜であって、超格子構造を有することを特徴とする請求項１乃至８の内のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１０】前記多層膜はＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０≦Ｘ≦１）とＡｌＹＧａ１−ＹＮ（０≦Ｙ≦１、但しＸ＝Ｙ＝０の場合は、ＧａＮ層中の不純物濃度が異なる）とが積層されていることを特徴とする請求項１乃至９に記載の窒化物半導体素子の製造方法。」（以下、請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　
２．引用例の記載事項
　原査定の拒絶理由に引用された特開平４−２４２９８５号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００１８】
【発明の概要】上記発明において、窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ単結晶作製用基板には、サファイア，珪素（Ｓｉ），６Ｈ炭化珪素（６Ｈ−ＳｉＣ）ないし窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いることができる。
・・・
【００３０】最終的に、ｐ層と金属の接触する部分の形状は短冊である。ｎ層の電極は選択成長用マスクを取り外して、その後に形成するか、或いはアクセプタドープ層（ｐ層）の一部を表面側からエッチングして下層のｎ層に対して窓を開け、金属を接触させオーム性電極を形成する。
【００３１】ｎ型のＳｉ、６Ｈ−ＳｉＣ或いはＧａＮを基板として用いる場合もほぼ同様の手段により素子作製を行う。しかし、選択成長技術は用いず、ｐ層とｎ層に対する電極は素子の上下の両側に形成する。即ち、ｎ層電極は基板裏面全体に金属を接触させオーム性電極を形成する。
・・・
【００３９】ｎ型結晶のキャリア濃度はドナー不純物のドーピング濃度により、またｐ型結晶のキャリア濃度はアクセプタ不純物のドーピング濃度及び電子線照射処理条件により制御する。又、特にオーム性電極形成を容易にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶を金属との接触用に更に接合してもよい。
【００４０】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体レーザダイオード用単結晶の作製には横型有機金属化合物気相成長装置を用いた。以下基板としてサファイア，Ｓｉ，６Ｈ−ＳｉＣ及びＧａＮを用いた場合各々について成長手順を示す。」
ｂ．「【００５２】（４）ＧａＮ基板の場合
ＧａＮ基板上に作成したレーザダイオードを図４に示す。
低抵抗ｎ型ＧａＮの（０００１）面基板２３を有機洗浄の後、リン酸＋硫酸系エッチャントによりエッチングの後、この基板２３を結晶成長部に設置する。次に、成長炉を真空排気の後、水素及びＮＨ３を供給し、基板温度を１０４０℃にして、５分間放置する。次に、ＴＭＧ及びＳｉＨ４を更に加えてｎ型ＧａＮ緩衝層２４を０．５〜１μｍの厚さに形成した。
【００５３】次に、ＴＭＡを加え、ｎ型ＧａＡｌＮ層２５を成長させた。次に、ｎ型ＧａＡＮ層２５の上に、前記のＳｉ基板を用いたレーザダイオードと同一構造に、同一ガスを用いて、同一成長条件で、それぞれ、ＧａＮ層２６を０．５μｍ、ＭｇドープＧａＡｌＮ層２７（ｐ層）を０．５μｍの厚さに形成した。次に、ＭｇドープＧａＡｌＮ層２７上にＳｉＯ２層２９を堆積した後、縦１ｍｍ、横５０μｍの短冊状に窓２９Ａを開け、真空チャンバに移して、ＭｇドープＧａＡｌＮ層２７（ｐ層）に電子線を照射した。電子線の照射条件は前実施例と同様である。
【００５４】・・・基板２３の裏面にｎ型ＧａＡｌＮ層２５（ｎ層）に対する電極２８Ｂを形成した。」
　
３．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比する。
（１）上記ａ．には、「【００３９】・・・又、特にオーム性電極形成を容易にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶を金属との接触用に更に接合してもよい。」と記載されており、この
金属との接触用に接合された高キャリア濃度実現が容易な結晶
（２）そして、上記ｂ．からは、
「窒化物半導体基板は、素子構造が成長する側の第１の主面と、他側の第２の主面とを有し、前記窒化物半導体基板の第２の主面側に、ｎ電極を形成する窒化物半導体素子の製造方法。」が記載されていることが把握できる。
　
　したがって、引用発明は、
「第１の主面と第２の主面とを有する窒化物半導体基板の第２の主面側にｎ側コンタクト層を形成し、前記ｎ側コンタクト層にｎ電極を形成する窒化物半導体素子の製造方法」であると認めることができ、両者は、上記の点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点］
　本願発明は、「窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に、ｎ型不純物がドープされた窒化物半導体を横方向成長により形成し、前記異種基板を除去することにより、前記窒化物半導体が成長した側にある」第１の主面と、「前記異種基板が除去された側にある」第２の主面とを有し、「前記第１の主面が素子構造の形成面となる窒化物半導体基板を形成し、」前記窒化物半導体基板の第２の主面側に「ｎ型不純物がドープされた窒化物半導体を」ｎ側コンタクト層「として成長して、前記異種基板の除去により前記第２の主面に生じたダメージを回復し、」前記ｎ側コンタクト層にｎ電極を形成するものであるのに対し、引用発明は、上記の点を有するものではない点。
　
４．判断
　本願発明に関し、相違点について以下検討する。
イ．窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に、ｎ型不純物がドープされた窒化物半導体を成長させて形成することは、特開平９−３１２４１７号公報（【００２３】から【００２４】）に記載されている。
ロ．引用例の上記摘記事項ｂ．には、「オーム性電極形成を容易にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶を金属との接触用に更に接合してもよい」との記載があり、これから、電極と電極接触層との間にオーム性電極形成を容易にするためにコンタクト層を形成することは知られている。
　しかしながら、上記イ．，ロ．の技術とも、異種基板除去によりダメージを受けた除去面に対して、ｎ側コンタクト層を形成してからｎ電極を形成するものではないから、そのような動機付けの記載のない文献を寄せ集めても、本願発明のように、窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に、窒化物半導体を横方向成長により形成し、前記異種基板を除去することによりダメージを受けた除去面側にｎ側コンタクト層を成長し、その上にｎ電極を形成することまでは想起されるものではない。
　したがって、上記相違点を含む本願発明は、引用発明から当業者が容易になし得たものではない。
　
　そして、請求項２〜１０に係る発明は、請求項１あるいは請求項１に係る発明を引用する発明をさらに限定するものであるから、その判断は上記と同様である。
　
５．むすび
　以上のとおり、請求項１ないし１０に係る発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。