【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年8月11日(2010.8.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
本発明の本質的な目的は、複合体粉末を単純かつ迅速な方法で、できるだけ大きい複合体粉末の収率で、製造することである。本発明による方法を用いて得られる複合体粉末は、さらなる使用目的のために好適であるべきである；特に、それを用いて、例えば半製品、工具及び類似の対象物を焼結するための焼結法が、経済的にかつ原料パラメーターから見て、良好な結果を伴って実施可能であるべきである。さらに、この種の粉末は、超硬合金粉末の製造のため、特に窒化もしくは浸炭された硬質材料の焼結のために、良好に使用可能であるべきである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｏ又はＷ又はＭｏ−Ｗ合金からなるコア粒子を含む複合体粉末であって、コア粒子が、その都度他の金属、すなわちＷ又はＭｏからなる被覆層と共に、もしくはＭｏ−Ｗ合金からなるコア粒子の場合にＭｏ又はＷと共に少なくとも部分的に、有利には完全に、重複成長されていることを特徴とする、複合体粉末。
【請求項２】
複合体粉末の粒子の少なくとも５０％が被覆層と共に重複成長されており、及び／又は
複合体粉末の粒子が５０nm〜５０μmの大きさを有し、及び／又は
複合体粉末の粒子の平均半径Ｒ1について、
０．６Ｘ  ＜  Ｒ1  ＜  １．２Ｘ
が当てはまり、
ここで
【数１】
2010503764.tif 000001
ここで、ＶAは、出発物質Ａの金属又は金属合金の体積に、
ＶBは、出発物質Ｂの金属の体積に、及び
Ｒ2は、出発物質Ａの粒子もしくはコア粒子の平均半径に
相当する、請求項１記載の複合体粉末。
【請求項３】
被覆層の厚さが８nm〜１５μmであり、及び／又は
複合体粉末中でＷ及びＭｏが体心立方晶形で存在する、請求項１又は２記載の複合体粉末。
【請求項４】
被覆層中でＣ及び／又はＮが挿入される及び／又は特に炭化物、窒化物の形で含まれており、その際に場合によりコア粒子中にもＣ及び／又はＮが挿入される又は特に炭化物及び／又は窒化物の形で含まれていることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の複合体粉末。
【請求項５】
粒子の少なくとも５０％が、炭化物及び／又は窒化物を含有している被覆層と共に重複成長されている、及び／又は
被覆層中に含まれているＷＣが六方晶形で又は被覆層中に含まれているＭｏ2Ｃが六方晶形で存在する、及び／又は
複合体粉末の粒子の平均半径Ｒ1について、
０．６Ｘ  ＜  Ｒ1  ＜  １．２Ｘ
が当てはまり、
ここで
【数２】
2010503764.tif 000002
ここで、ＶAは、出発物質Ａの金属又は金属合金の体積に、
ＶBは、出発物質Ｂの金属の体積に、及び
Ｒ2は、出発物質Ｂの粒子もしくはコア粒子の平均半径に
相当する、及び／又は
複合体粉末が５０nm〜５０μmの粒度を有する、請求項４記載の複合体粉末。
【請求項６】
複合体粉末中に含まれているＭｏ及び／又はＷの炭化物の少なくとも１つが、それぞれの金属の５０ppm〜２０質量％の範囲内のＣｒ及び／又はＶ及び／又はＭｏ及び／又はＴａ及び／又はＮｂでドープされている、請求項１から５までのいずれか１項記載の複合体粉末。
【請求項７】
請求項１から３までのいずれか１項記載の複合体粉末を用いて焼結により製造された半製品又は工具及び請求項４から６までのいずれか１項記載の複合体粉末を用いて焼結により製造された窒化又は炭化された超硬合金工具。
【請求項８】
Ｍｏ及びＷを含有している複合体粉末を製造するにあたり、
Ｍｏ又はＷ金属粉末又はこれら双方の金属の合金粉末を含む粉末状の出発物質Ａを、
・出発物質ＡとしてＭｏ又はＭｏ−Ｗ合金が存在する場合に、次の物質の少なくとも１つ：
Ｗの酸化物化合物、特にＷＯ3、ＷＯ2.9、Ｗ20Ｏ50、ＷＯ2.72、Ｗ18Ｃ47又は他の酸化Ｗ、Ｈ2ＷＯ4、
パラタングステン酸アンモニウム（ＡＰＷ）、メタタングステン酸アンモニウム（ＡＭＷ）、ＷＯ2、
を含む粉末状の出発物質Ｂと、
・又は出発物質ＡとしてＷ又はＷ−Ｍｏ合金が存在する場合に、次の物質の少なくとも１つ：
Ｍｏの酸化物化合物、特に、ＭｏＯ3、ＭｏＯ2.92、Ｍｏ13Ｏ38、Ｍｏ4Ｏ11又は他の酸化Ｍｏ、
Ｈ2ＭｏＯ4（ＭｏＯ3 Ｈ2Ｏ）、
（ＮＨ4）2ＭｏＯ4、二モリブデン酸アンモニウムＡＤＭ（（ＮＨ4）2・２ＭｏＯ3）、（ＮＨ4）2Ｏ・６ＭｏＯ3、
ＭｏＯ2、
を含む粉末状の出発物質Ｂと、
特に均質に、混合することによる複合体粉末の製造方法であって、
前記混合物中で、Ｍｏ対Ｗの質量比（Ｖ）を１：９９〜９９：１、好ましくは１：２０〜２０：１の大きさに調節し、かつ
前記粉末混合物を少なくとも一段階の還元過程にかけ、その過程で出発物質Ａ中に含まれている金属又は金属合金の粒子が少なくとも部分的に、好ましくは完全に、使用される出発物質Ｂの金属の層と共に重複成長されることを特徴とする、Ｍｏ及びＷを含有している複合体粉末を製造する方法。
【請求項９】
還元過程が、水素雰囲気中で又は還元ガス（水素、一酸化炭素、メタン）と少なくとも１つの不活性ガスとの混合物からなる雰囲気中で行われる、及び／又は
還元過程の期間を１０min〜１００hに調節する、及び／又は還元過程を４００〜１２００℃の温度で行う、及び／又は
出発物質Ａ及びＢを、１〜３００h、好ましくは１〜５０hの期間にわたって、特に均質に、乾式又は湿式で混合する、及び／又は
加熱速度及び／又は冷却速度を１〜５００K/minに調節する、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
出発物質Ａの粒度が０．１〜５００μmであり、かつ出発物質Ｂの粒度が０．１〜５０μmである、及び／又は
出発物質Ａ及び／又は出発物質Ｂが、出発物質ＡもしくはＢ中で使用される金属（類）の５０ppm〜２０質量％の範囲内のＣｒ及び／又はＶ及び／又はＭｏ及び／又はＴａ及び／又はＮｂでドープされている、請求項８又は９記載の方法。
【請求項１１】
一段階の還元過程の場合に、１０min〜１００hの滞留時間で、５００〜１２００℃、好ましくは７００〜１２００℃の、特に一定の、温度に調節する、又は
二段階の還元過程の場合に、第一の還元段階については１０min〜１００hの滞留時間にわたり４００〜７００℃の、特に一定の、温度に調節し、かつ
第二の還元段階において、１０min〜１００hの滞留時間にわたり６５０〜１２００℃の、特に一定の、温度に調節する、請求項８から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
還元過程の間に、混合され、粉末状で存在している出発物質のかさの高さが最大１００mmを超えない、請求項８から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
得られた複合体粉末を挿入反応、特に浸炭及び／又は窒化にかけて、その際、得られた複合体粉末の粒子の被覆層中及び場合によりまたコア粒子中へＣ及び／又はＮを挿入することを特徴とする、請求項８から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
得られた複合体粉末を、炭素、特にカーボンブラック及び／又はグラファイトと混合し、及び／又は得られた複合体粉末を、Ｈ2及び／及びＮ2及び／又はＨ2／ＣＨ4及び／又はＣＯ及び／又はＣＯ2及び／又はＮ2からなる雰囲気に暴露し、かつ８００〜２２００℃の温度で被覆層中の金属及び場合によりまたコア粒子の金属又は金属合金を、炭素及び／又は窒素との相応する化合物へ、特に炭化物及び／又は窒化物へ変換し、及び／又は挿入反応にかける、及び／又は
浸炭及び／又は窒化を、８００〜２２００℃の、特に一定の、温度で１０min〜５０hにわたって行う、及び／又は
加熱速度及び場合により冷却速度を２〜５００K/minに調節する、及び／又は
浸炭及び／又は窒化の際に、２００mmの粉末のかさの高さを超えない、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
複合体粉末の粒子の少なくとも５０％が、被覆層と共に重複成長されている、請求項８から１２までのいずれか１項記載の方法。