【事件の表示】
　特願２０１４−１６８３６３「研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　４月　４日出願公開、特開２０１６−　４６３４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２６年８月２１日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３０年　１月２３日付け　拒絶理由通知書
　平成３０年　３月１３日　　　意見書・手続補正書の提出
　平成３０年　６月１５日付け　拒絶査定
　平成３０年　８月３１日　　　審判請求書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は，平成３０年３月１３日にされた手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，その請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりのものである。
「ポリイミドからなる基材フィルムと、ポリイミドからなるバインダと、前記バインダにより保持された砥粒とを有する研磨テープを用いた研磨方法であって、
　炭化ケイ素膜が表面に形成されたシリコン基板を回転させ、
　前記研磨テープを、前記シリコン基板の周縁部上の前記炭化ケイ素膜に３Ｎ〜１０Ｎの力で押し付けて、前記シリコン基板の周縁部から前記炭化ケイ素膜を除去することを特徴とする研磨方法。」
第３　原査定の拒絶の理由
　原査定（平成３０年６月１５日付け）の理由は，この出願の請求項１ないし５に係る発明は，本願の出願の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明並びに引用文献２及び３に記載された事項に基づいて，その出願日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用文献１：特開２０１４−２４１２８号公報
引用文献２：特開２００６−１４７９８０号公報
引用文献３：特開２０１１−１７１６４７号公報
第４　引用文献
１　引用文献１
（１）原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１には，図面とともに次の記載がある。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、研磨フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
　研磨フィルムを用いて研磨を行う研磨技術が広く知られている。かかる研磨フィルムは、基材フィルム（例えば、樹脂フィルム、樹脂繊維を織り込んだ織布、樹脂繊維からなる不織布、紙等）の表面に、研磨層を形成することによって製造される。研磨層は、基材フィルムに塗料を塗工し、乾燥によって塗料を硬化・定着させることによって形成される。塗料には、砥粒とバインダ樹脂（接着材、粘着材）とを混合し、砥粒を分散させたものを使用する。かかる研磨フィルムは、研磨の目的や、被研磨物の形状に合わせて、テープ状、ディスク状、帯状（ベルト状）に加工され、使用される。
【０００３】
　かかる研磨フィルムの用途は、脆性材料（例えば、ガラス、セラミック等）の平らな広い面積の仕上研磨や、
材質の均一なベアシリコンウェハの端部の研磨
「【０００９】
　また、従来の研磨フィルムの用途は、比較的柔らかい性状や、平坦な形状を有する被研磨物に限られる。例えば、
半導体製造工程における、ウェハ端部の仕上研磨においては、被加工物（ウェハのエッジ部）の形状は鋭角なエッジを有するので、加工範囲が狭く、加工圧力が局所に集中する。このため、研磨フィルムの砥粒や塗工面を剥そうとする力が働く。また、ウェハの材質は、硬度の高い脆性材料（単結晶Ｓｉ等）に、高硬度の、窒化膜や酸化膜が形成されたものであり、膜厚も不均一である。このため、砥粒（切れ刃）が、加工時の衝突によって欠けたり、脱落したりしやすい。
このため、研磨フィルムの品質の向上が求められる。品質が向上すれば、研磨フィルムの用途も拡大できる。
【００１０】
　
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、例えば、以下の形態として実現することが可能である。
【００１１】
　本発明の第１の形態は、研磨フィルムの製造方法として提供される。この製造方法は、基材フィルムを用意し、基材フィルムに、砥粒を含まない第１の塗料であって、バインダ樹脂を含む第１の塗料を塗工し、乾燥させて、第１の層を形成する第１の工程と、第１の層の上に、砥粒とバインダ樹脂とを含む第２の塗料を塗工し、乾燥させて、第２の層を形成する第２の工程と、第１の層および第２の層を加熱によってイミド化する第３の工程とを備える。
【００１２】
　かかる研磨フィルムの製造方法によれば、第１の層および第２の層のイミド化の過程で、砥粒の突出高さが揃った研磨フィルムを製造できる。かかる方法で製造された研磨フィルムは、研磨ムラやスクラッチの発生を抑制できる。しかも、かかる製造方法によれば、研磨フィルムの表面近くに砥粒が集中するので、研磨を好適に行える。また、砥粒が研磨フィルムの厚み方向に多層に積み重なることがないので、砥粒の量を低減できる。その結果、低コスト化、省資源化に資する。さらに、砥粒を上下からバインダ樹脂で挟み込んだ状態で、第１の層および第２の層がイミド化されるので、
砥粒の保持強度が高く、また、第１の層および第２の層の強度も増す。
比較的硬い被研磨物を研磨可能になる。
「【００１５】
　本発明の第４の形態として、用意される基材フィルムは、ポリイミドからなるものであってもよい。かかる方法によれば、ＰＥＴなどを基材フィルムとして使用する従来の研磨フィルムよりも強度が高い研磨フィルムを製造できる。」
「【００１７】
　本発明の第６の形態として、バインダ樹脂は、ポリイミドを含んでいてもよい。かかる方法によれば、第１の層および第２の層を好適にイミド化できる。」
「【発明を実施するための形態】
【００２６】
　Ａ．実施例：
　Ａ−１．研磨フィルム２０の構成：
　図１は、本発明の実施例としての研磨フィルム２０の断面構成を示す。
研磨フィルム２０は、基材フィルム３０と、第１の層４０と、第２の層５０とを備えている。
【００２７】
　基材フィルム３０は、研磨フィルム２０に所要の強度を付与するとともに、研磨フィルム２０の取り扱い性を向上させる。本実施例では、
基材フィルム３０は、ポリイミドからなる。
強度を高めることができる。
「【００３０】
　
第１の層４０および第２の層５０は、砥粒６０を保持する機能を有する。
「【００３５】
　図１に示すように、研磨フィルム２０において、砥粒６０の全ては、表層７０の厚み（約１３μｍ）方向のうちの、基材フィルム３０と反対側の半分、つまり、表面側の半分の範囲に位置する。砥粒６０は、表層７０の表面付近に保持されている。つまり、複数個の砥粒６０が基材フィルム３０の厚み方向に積み重なった状態ではない。このため、砥粒６０の各々は、その表面の全て、または、ほぼ全てが、表層７０の樹脂材料と接触した状態で保持されている。したがって、
研磨フィルム２０は、砥粒６０の保持強度が高く、比較的硬い被研磨物や、加工圧が大きくなる形状を有する被研磨物を研磨可能である。
、表層７０は、主にポリイミドで形成されるので、ポリエステルなどを用いた場合と比べて、砥粒６０の保持強度がいっそう向上する。
「【００３７】
　また、
研磨フィルム２０は、強度の高いポリイミドを基材フィルム３０の材質として使用しているので、基材自体の引張り強度や破断強度が高い。
、加工中に研磨テープが伸びる、あるいは、プロセスが安定しない、といった問題が生じることを抑制できる。
「【００３９】
　
基材フィルム３０には、本実施例では、ポリイミドの一種としてのポミランＮ３８（荒川化学製）を使用する。
【００４０】
　第１の塗料８０は、溶剤と、バインダ樹脂とを含む。
このバインダ樹脂の樹脂固形分は、最終的に第１の層４０の成分となる。
バインダ樹脂として、ポリイミド・シリカハイブリットワニスＨＢＩ−５８（荒川化学製）を使用する。
「【００４７】
　
第２の塗料９０は、溶剤と、砥粒６０と、バインダ樹脂とを含む。このバインダ樹脂の樹脂固形分は、最終的に第２の層５０の成分となる。本実施例では、第２の塗料９０に使用するバインダ樹脂は、第１の塗料８０に使用するバインダ樹脂と同一種類である。
「【００６５】
　図１０は、図８に示したサンプルについての研磨試験の結果を示す。この研磨試験では、
直径２００ｍｍのシリコンウェハの外周（端面）部を研磨し
【００６６】
　かかる研磨試験の研磨条件は、以下のとおりである。
　
（１）研磨荷重（ゴムパッドの押付圧）：１２Ｎ
　
（２）ウェハ回転数：５００ｒｐｍ
　（３）研磨時間：１５０秒
　（４）シート送り速度：１ｍｍ／ｍｉｎ、５ｍｍ／ｍｉｎ、１５ｍｍ／ｍｉｎ」
【図１】
（２）　上記記載から，引用文献１には以下の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されている。
「シリコンウェハの端部の研磨をする際に，
　ポミランＮ３８（荒川化学製）を使用し形成したポリイミドからなる基材フィルム３０と，
　砥粒６０を保持する機能を有する，バインダ樹脂として、ポリイミド・シリカハイブリットワニスＨＢＩ−５８（荒川化学製）を使用し形成した第１の層４０と，第１の層４０と同じバインダ樹脂と砥粒を使用し形成した第２の層５０を有し，
　砥粒６０の保持強度が高く、比較的硬い被研磨物や、加工圧が大きくなる形状を有する被研磨物を研磨可能な，研磨フィルム２０であって，
　前記研磨フィルム２０を使用し，直径２００ｍｍのシリコンウェハの外周（端面）部を研磨する際に，
　（１）研磨荷重（ゴムパッドの押付圧）：１２Ｎ
　（２）ウェハ回転数：５００ｒｐｍ
とする，研磨方法。」
２　引用文献２
（１）原査定の拒絶の理由で引用された引用文献２には，図面とともに次の記載がある。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は研磨方法に関するものであり、特に、ＣＭＰ（化学機械研磨）法を用いてウェハのベベル加工する際に、オーバーポリッシュを防ぐとともに精度良く研磨量を制御するための研磨終点検出方法に特徴のある研磨方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　半導体装置の製造工程においては、半導体ウェハ上に、層間絶縁膜や配線やビアを形成するための導電膜を多層に形成しているが、この堆積工程において、
半導体ウェハの端部の所謂ベベル（Ｂｅｖｅｌ）部
【０００３】
　このダレはその上に形成する膜の密着性を低減して剥離の原因になったり、或いは、ウェハ周辺部においてダレが厚膜になった場合には応力によりクラックが入りやすくなり、クラックにより塵埃が発生したりすることになる。
【０００４】
　この様な剥離や塵埃が発生した場合、この剥離物や塵埃が半導体ウェハの配線構造等に付着すると設計通りの性能を発揮することが困難になるため、従来においては、
半導体ウェハのベベル部を研磨して半導体ウェハのベベル部に堆積したダレを除去していた
「【実施例１】
【００２６】
　ここで、図５乃至図９を参照して、本発明の実施例１のウェハ端面研磨方法を説明する。
　図５参照
　図５は、本発明の実施例１のウェハ端面研磨方法を示す概念的構成図であり
、半導体基板２１を載置固定する基板ホルダ２３、基板ホルダ２３を回転させるスピンドルモータ２４、半導体基板２１のベベル部２２を研磨するための研磨パッド２６を周囲に固定した円筒状の研磨ドラム２５、
・・・　中　略　・・・
【００２８】
　図７参照
　
図７は、研磨前の半導体基板の概略的断面図であり、ここでは、シリコン基板３１上に低誘電率のＳｉＣ膜３２、ＳｉＯＣ膜３３、及び、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ−Ｅｔｈｙｌ−Ｏｒｔｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ）膜３４を順次積層した構造とする。
・・・　中　略　・・・
【００３０】
　次に、
研磨ドラム２５を半導体基板２１のベベル部２２に押しつけて２０００ｒｐｍ（回転／分）の回転速度で回転させた状態で、半導体基板２１をスピンドルモータ２４により２ｒｐｍの回転速度で回転させ、研磨パッド２６の当接部近傍にスラリーを供給しながら研磨を行う。
・・・　中　略　・・・
【００３４】
　図９参照
　
図９は、研磨後の半導体基板の概略的断面図であり、ベベル部２２においてシリコン基板３１が露出し、
「【００４９】
　また、研磨手段は研磨ドラムに限られるものではなく、上記特許文献３に記載されたような
研磨用エンドレスベルトを用いても良い
【図９】
（２）　上記記載から，以下のことが言える。
ア　上記記載では，シリコン基板３１上に低誘電率のＳｉＣ膜３２、ＳｉＯＣ膜３３、及び、ＴＥＯＳ膜３４を順次積層した構造の半導体基板２１のベベル部２２のシリコン基板３１を研磨することにより露出させているから，このことは，半導体基板２１の端部の，シリコン基板３１の表面に積層したＳｉＣ膜３２を研磨し除去していると認められる。
　そうすると，引用文献２には以下の事項（以下，「引用文献２記載事項」という。）が記載されていると認められる。
「半導体基板の端部の，シリコン基板の表面に積層したＳｉＣ膜を研磨し除去すること。」
３　引用文献３
（１）原査定の拒絶の理由で引用された引用文献３には，図面とともに次の記載がある。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、２枚のシリコン基板（半導体素子が形成された基板（デバイス基板）と支持基板）を熱処理等で貼合せる、いわゆる貼合せ法を用いて、ＳＯＩ（Silicon  On  Insulator）基板を製造するのに使用される半導体装置の製造方法に関する。」
「【発明の効果】
【００２３】
　本発明によれば、
研磨テープを用いてデバイス基板外周部の堆積物除去及びシリコン研削を行うことで、例えばダイヤモンドディスクを使用して研磨する時に比べて、被研磨部が研磨テープにソフトに当たるようにして、デバイス基板に欠けや欠陥等が生じることを防止することができる。
研磨テープを使用した研磨は、研磨中も研磨テープを徐々に送っているため研磨速度は一定であり、ダイヤモンド粒子の脱落や目潰れ等は考慮してなくて良くなる。
「【発明を実施するための形態】
【００２６】
　以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
　先ず、図１（ａ）に示すように、シリコン（ベアシリコン）１０の表面に、例えば配線膜等の堆積膜１２を堆積させたデバイス基板（シリコン基板）１４を用意する。この例では、堆積膜（配線膜）１２は、シリコン層１６と、該シリコン層１６の表面に形成したデバイス配線１８を覆う酸化膜２０と、シリコン層１６と酸化膜２０の間に形成したチッ化膜（ＳｉＮ膜）１９を有している。
【００２７】
　次に、
図１（ｂ）に示すように、デバイス基板１４の外周部に位置する堆積膜１２を幅Ｌに亘って除去して、デバイス基板１４の外周部のシリコン１０を露出させる。
【００２８】
　この研磨装置３０を用いて、
デバイス基板１４の外周部に位置する堆積膜１２を除去する時には、表面（デバイス形成面）を上向きにしてデバイス基板１４を基板保持部で保持して回転させながら、研磨を開始したい位置に研磨ヘッド３２を移動させる。そして、研磨テープ３４を一定の速度で走行させながら、押圧パッド３８を下降させ、設定した一定圧力で押圧パッド３８を介して研磨テープ３４をデバイス基板１４に押圧し、研磨ヘッド３２をデバイス基板１４の端部まで移動させる。これにより、研磨距離を任意に変更することができる。そして、デバイス基板１４の外周部に位置する堆積膜１２を完全に除去した時、この研磨作業を終了する。
・・・　中　略　・・・
【００３３】
　この研磨時における研磨テープ３４の走行速度は、例えば１〜５０ｍｍ／ｍｉｎで、
デバイス基板１４に対する研磨テープ３４の押圧荷重は、例えば５〜２０Ｎである。
（２）　上記記載から，引用文献３には以下の事項（以下，「引用文献２記載事項」という。）が記載されている。
「研磨テープを用いてデバイス基板外周部の堆積物除去する際に，
　被研磨部が研磨テープにソフトに当たる（押圧荷重、５〜２０Ｎ）ようにして、デバイス基板に欠けや欠陥等が生じることを防止すること。」
第５　対比
１　本願発明と引用発明を対比する。
（１）　引用発明の「ポミランＮ３８（荒川化学製）を使用し形成したポリイミドからなる基材フィルム３０」は，本願発明の「ポリイミドからなる基材フィルム」に相当する。
（２）　本願明細書段落【００３３】に「本実施形態では、バインダとして、ポリイミド・シリカハイブリットワニスＨＢＩ−５８（荒川化学製）を使用する。」と記載するとともに，段落【００４０】に「本実施形態では、第２の塗料１９２に使用するバインダは、第１の塗料１９１に使用するバインダと同一種類である。」と記載されており，又，バインダとして他の実施の形態は記載されていないことから，本願明細書に記載された発明は，「バインダ」として「ポリイミド・シリカハイブリットワニスＨＢＩ−５８（荒川化学製）」を使用している。
　それに対して，引用発明の「バインダ」は，「ポリイミド・シリカハイブリットワニスＨＢＩ−５８（荒川化学製）」を使用しているから，引用発明の「バインダ」は，本願発明と同様の「ポリイミドからなるバインダ」であると認められる。
（３）　引用発明は「砥粒６０を保持する機能を有する，バインダ樹脂として、ポリイミド・シリカハイブリットワニスＨＢＩ−５８（荒川化学製）を使用し形成した第１の層４０と，第１の層４０と同じバインダ樹脂と砥粒を使用し形成した第２の層５０を有し」ており，このことから，引用発明は，本願発明の「前記バインダにより保持された砥粒とを有する」と同様の「砥粒」を有していると認められる。
（４）　上記（１）ないし（３）から，引用発明の「研磨フィルム２０」は，本願発明の「ポリイミドからなる基材フィルムと、ポリイミドからなるバインダと、前記バインダにより保持された砥粒とを有する研磨テープ」に相当する。
（５）　そして，引用発明の「前記研磨フィルム２０を使用し，直径２００ｍｍのシリコンウェハの外周（端面）部を研磨する」ことは，本願発明の「ポリイミドからなる基材フィルムと、ポリイミドからなるバインダと、前記バインダにより保持された砥粒とを有する研磨テープを用いた研磨方法」に相当する。
（６）　引用発明は「直径２００ｍｍのシリコンウェハ」を対象とし，「（２）ウェハ回転数：５００ｒｐｍ」としているから，シリコンウェハを回転させており，このことと，本願発明の「炭化ケイ素膜が表面に形成されたシリコン基板を回転させ」ることは，シリコン基板を回転させる点で共通する。
（７）　引用発明は「前記研磨フィルム２０を使用し，直径２００ｍｍのシリコンウェハの外周（端面）部を研磨」しており，又「（１）研磨荷重（ゴムパッドの押付圧）：１２Ｎ」であるから，このことと，本願発明の「前記研磨テープを、前記シリコン基板の周縁部上の前記炭化ケイ素膜に３Ｎ〜１０Ｎの力で押し付けて、前記シリコン基板の周縁部から前記炭化ケイ素膜を除去すること」は，前記研磨テープを、前記シリコン基板の周縁部上に押し付けて、前記シリコン基板の周縁部を除去する点で共通する。
（８）　そうすると，本願発明と引用発明は以下の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「ポリイミドからなる基材フィルムと、ポリイミドからなるバインダと、前記バインダにより保持された砥粒とを有する研磨テープを用いた研磨方法であって、
　シリコン基板を回転させ、
　前記研磨テープを、前記シリコン基板の周縁部上に押し付けて、前記シリコン基板の周縁部を除去することを特徴とする研磨方法。」
［相違点１］
　本願発明は「炭化ケイ素膜が表面に形成されたシリコン基板」を対象としているのに対して，引用発明の「シリコンウェハ」は「炭化ケイ素膜」が表面に形成されていない点。
［相違点２］
　本願発明は「前記研磨テープを、前記シリコン基板の周縁部上の前記炭化ケイ素膜に３Ｎ〜１０Ｎの力で押し付けて」いるのに対して，引用発明は「シリコンウェハ」の表面に「炭化ケイ素膜」が形成されていないために，「研磨フィルム２０」を「炭化ケイ素膜」に押しつけておらず，又押しつける力が１２Ｎである点。
［相違点３］
　「前記シリコン基板の周縁部を除去する点」について，本願発明は「前記シリコン基板の周縁部から前記炭化ケイ素膜を除去する」のに対して，引用発明はそのようになっていない点。
第６　判断
　以下，各相違点について検討する。
１　［相違点１］及び［相違点３］について
　引用文献１の「半導体製造工程における、ウェハ端部の仕上研磨においては、・・・　中　略　・・・ウェハの材質は、硬度の高い脆性材料（単結晶Ｓｉ等）に、高硬度の、窒化膜や酸化膜が形成されたものであり、膜厚も不均一である。このため、砥粒（切れ刃）が、加工時の衝突によって欠けたり、脱落したりしやすい。・・・　中　略　・・・このため、研磨フィルムの品質の向上が求められる。品質が向上すれば、研磨フィルムの用途も拡大できる。」（段落【０００９】），「本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、例えば、以下の形態として実現することが可能である。」（段落【００１０】）との記載に即して，引用発明は，ウェハ端部の仕上げ研磨において，単結晶Ｓｉ等の材料からなるウェハの表面に高硬度の膜が形成されたものを研磨する方法に適用することが，予め想定されているものと認められる。
　そして，「炭化ケイ素膜」は，シリコン基板の表面に形成される高硬度の膜として周知なものであり，引用文献２記載事項にあるように，半導体基板の端部の，シリコン基板の表面に積層したＳｉＣ膜を研磨し除去することは公知の技術といえるから，引用発明の「砥粒６０の保持強度が高く、比較的硬い被研磨物や、加工圧が大きくなる形状を有する被研磨物を研磨可能な，研磨フィルム２０」を使用する研磨方法において，引用発明の「シリコンウェハ」に代えて，「炭化ケイ素膜が表面に形成されたシリコン基板」を被研磨物とし，「シリコン基板の周縁部から前記炭化ケイ素膜を除去」すること，すなわち，引用発明において，上記［相違点１］及び［相違点３］について本願発明の構成を採用することは，当業者が容易に為し得ることである。
２　［相違点２］について
　引用文献３記載事項にあるように，研磨テープを用いてデバイス基板外周部の堆積物を除去する際に，デバイス基板に欠けや欠陥等が生じることを防止するために，被研磨部が研磨テープにソフトに当たるように配慮することは，普通に行われていることである。
　そして，研磨荷重を小さくする方がよりシリコンウェハの欠けや欠陥等が生じることを防止できること，又，研磨テープへのダメージも少なくなることは，当業者に取って明らかであるから，引用文献３に記載される押圧荷重５〜２０Ｎの範囲の中において，より小さな値を選択して，１０Ｎ以下とすることは，被研磨対象であるシリコン基板の厚さ等の種々の条件によって適宜決定すべき，設計事項といえる。
　したがって，上記［相違点２］について，本願発明の構成を採用することに，格別の困難性は認められない。
　また，本願明細書には，［相違点２］に係る押しつけについて，
「【００１１】
　本発明によれば、機械的強度が高い研磨テープが使用され、さらに低い力（例えば、３Ｎ〜１０Ｎの範囲内の力）で研磨テープがウェーハの周縁部に押し付けられる。したがって、ウェーハの周縁部に形成されたＳｉＣ膜や固化した接着剤などの硬質膜によって研磨テープが損傷を受けることなく、この硬質膜を研磨テープで除去することができる。」
及び，
「【００２０】
　ウェーハＷの研磨中における研磨テープ１８０のウェーハＷの周縁部に対する力は、３Ｎ〜１０Ｎであることが好ましい。このような低荷重でウェーハＷを研磨することにより、ウェーハＷに対するストレスが低くなり、また研磨テープ１８０へのダメージも少なくなる。結果として、研磨テープ１８０の寿命を伸ばすことができ、研磨テープ１８０の使用量を減らすことができる。」
としか記載されておらず，ウェーハＷの研磨中における研磨テープ１８０のウェーハＷの周縁部に対する力を３Ｎ〜１０Ｎの力とすることの臨界的意味は記載されていないから，引用文献３記載事項の
「研磨テープを用いてデバイス基板外周部の堆積物除去する際に，
　被研磨部が研磨テープにソフトに当たる（押圧荷重、５〜２０Ｎ）ようにして、デバイス基板に欠けや欠陥等が生じることを防止すること。」
における，被研磨部が研磨テープにソフトに当たる（押圧荷重、５〜２０Ｎ）こととの格別な違いが認められない。
　そうすると，上記のとおり，引用発明の研磨荷重を［相違点２］に係る値とすることに格別の困難性は認められない。
３　効果について
　そして，これらの相違点を総合的に勘案しても，本願発明の奏する作用効果は，引用発明及び引用文献２及び３に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものである。
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用文献１に記載された発明及び引用文献２及び３に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。