【事件の表示】
　特願２０１３−１２７９６２「半導体素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　１月　５日出願公開、特開２０１５−　　２３４３、請求項の数（１５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２５年６月１８日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２９年　３月　３日付け　拒絶理由通知書
　平成２９年　７月１３日　　　意見書の提出
　平成２９年　７月３１日付け　拒絶査定
　平成２９年１１月　８日　　　審判請求書の提出
　平成３０年１０月２９日付け　拒絶理由通知書
　平成３０年１２月２０日　　　意見書・手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定（平成２９年７月３１日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　本願請求項１〜６，８〜１０，１４〜２０に係る発明は，以下の引用文献１〜３に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　＜引用文献等一覧＞
引用文献１　国際公開第２０１３／０３５８４２号
引用文献２　特開２００９−１１１２０４号公報
引用文献３　国際公開第２０１３／０３５８４５号
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由（平成３０年１０月２９日付け拒絶理由）の概要は次のとおりである。
Ａ．この出願は，発明の詳細な説明の記載が，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
Ｂ．この出願は，特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
Ｃ．この出願は，特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
第４　本願発明
　本願請求項１ないし１５に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１５」という。）は，平成３０年１２月２０日提出の手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１ないし１５は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　電流経路となる、結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層と、
　前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜と、
　前記半導体層の前記表面上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記半導体層の前記表面上の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極とを含む電極と、
　を有し、
　前記酸化物絶縁膜は、前記半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含み、
　前記酸化物絶縁膜は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成され、
　前記酸化物絶縁膜は、前記電極間のリーク電流を抑制する、
　半導体素子。
　　【請求項２】
　電流経路となる、結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層と、
　前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜と、
　前記半導体層の前記表面と反対側の面上に直接又は他の層を介して設けられた結晶質のＧａ２Ｏ３からなるＧａ２Ｏ３基板と、
　前記半導体層の前記表面上に形成されたソース電極と、前記半導体層にゲート絶縁膜を介して隣接するように形成されたゲート電極と、前記Ｇａ２Ｏ３基板の前記半導体層と反対側の面上に形成されたドレイン電極とを含む電極と、
　を有し、
　前記酸化物絶縁膜は、前記半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含み、
　前記ゲート絶縁膜は、前記半導体層の前記表面上に前記酸化物絶縁膜を介して形成された前記ゲート電極の真下の前記酸化物絶縁膜の部分、又は前記半導体層中に埋め込まれた前記ゲート電極を覆う絶縁膜であり、
　前記酸化物絶縁膜は、前記電極間のリーク電流を抑制する、
　半導体素子。
　　【請求項３】
　電流経路となる、結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層と、
　前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜と、
　前記半導体層の前記表面と反対側の面上に直接又は他の層を介して設けられた結晶質のＧａ２Ｏ３からなるＧａ２Ｏ３基板と、
　前記半導体層の前記表面上に形成され、前記半導体層との間にショットキー接合を形成するショットキー電極と、前記Ｇａ２Ｏ３基板との間にオーミック接合を形成するオーミック電極とを含む電極と、
　を有し、
　前記酸化物絶縁膜は、前記半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含み、
　前記ショットキー電極の前記酸化物絶縁膜側の一部が、前記酸化物絶縁膜の一部を覆うフィールドプレート電極であり、
　前記酸化物絶縁膜は、前記電極間のリーク電流を抑制する、
　半導体素子。
　　【請求項４】
　前記ゲート電極は、前記酸化物絶縁膜を介して前記半導体層の前記表面上に形成される、
　請求項１に記載の半導体素子。
　　【請求項５】
　前記酸化物絶縁体は、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）２Ｏ３（０＜ｘ≦１）である、
　請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体素子。
　　【請求項６】
　前記酸化物絶縁体は、Ａｌ２Ｏ３である、
　請求項５に記載の半導体素子。
　　【請求項７】
　電流経路となる、結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層の表面上に、結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層を形成する工程と、
　前記結晶質層上に非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層を形成する工程と、
　前記半導体層の前記表面上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
　前記半導体層の前記表面上の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にゲート電極を形成する工程と、
　を含み、
　前記結晶質層及び前記非晶質層は、前記半導体層の前記表面の一部を覆う酸化物絶縁膜を構成し、
　前記酸化物絶縁膜は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成される、
　半導体素子の製造方法。
　　【請求項８】
　結晶質のＧａ２Ｏ３からなるＧａ２Ｏ３基板上に直接又は他の層を介して形成された、電流経路となる、結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層の表面上に、結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層を形成する工程と、
　前記結晶質層上に非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層を形成する工程と、
　前記半導体層の前記表面上にソース電極を形成する工程と、
　前記半導体層にゲート絶縁膜を介して隣接するようにゲート電極を形成する工程と、
　前記Ｇａ２Ｏ３基板の前記半導体層と反対側の面上にドレイン電極を形成する工程と、
　を含み、
　前記結晶質層及び前記非晶質層は、前記半導体層の前記表面の一部を覆う酸化物絶縁膜を構成し、
　前記ゲート絶縁膜は、前記半導体層の前記表面上に前記酸化物絶縁膜を介して形成された前記ゲート電極の真下の前記酸化物絶縁膜の部分、又は前記半導体層中に埋め込まれた前記ゲート電極を覆う絶縁膜である、
　半導体素子の製造方法。
　　【請求項９】
　結晶質のＧａ２Ｏ３からなるＧａ２Ｏ３基板上に直接又は他の層を介して形成された、電流経路となる、結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層の表面上に、結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層を形成する工程と、
　前記結晶質層上に非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層を形成する工程と、
　前記半導体層の前記表面上に、前記半導体層との間にショットキー接合を形成するショットキー電極を形成する工程と、
　前記Ｇａ２Ｏ３基板との間にオーミック接合を形成するオーミック電極を形成する工程と、
　を含み、
　前記結晶質層及び前記非晶質層は、前記半導体層の前記表面の一部を覆う酸化物絶縁膜を構成し、
　前記ショットキー電極は、前記酸化物絶縁膜側の一部が前記酸化物絶縁膜の一部を覆い、フィールドプレート電極となるように形成される、
　半導体素子の製造方法。
　　【請求項１０】
　前記酸化物絶縁体は、Ａｌ２Ｏ３であり、
　前記結晶質層及び前記非晶質層は、酸素プラズマを酸化剤に用いたプラズマＡＬＤ法を用いて前記酸化物絶縁体を主成分とする材料を前記半導体層の前記表面上に堆積させることにより、連続的に形成される、
　請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項１１】
　前記結晶質層及び前記非晶質層は、前記酸化物絶縁体を主成分とする材料を前記半導体層の前記表面上に堆積させながら、堆積温度を前記材料の結晶化温度よりも高い温度から低い温度へ切り換えることにより、連続的に形成される、
　請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項１２】
　前記結晶質層は、前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質の材料を前記半導体層の前記表面上に堆積させた後、熱処理により前記材料を結晶化させることにより得られ、
　前記非晶質層は、前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質の材料を前記結晶質層上に堆積することにより得られる、
　請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項１３】
　前記酸化物絶縁体は、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）２Ｏ３（０＜ｘ≦１）である、
　請求項７〜９、１１、１２のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項１４】
　前記酸化物絶縁体は、Ａｌ２Ｏ３である、
　請求項１３に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項１５】
　前記ゲート電極は、前記酸化物絶縁膜を介して前記半導体層の前記表面上に形成される、
　請求項７に記載の半導体素子の製造方法。」
第５　引用文献，引用発明等
１　引用文献１記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。
「[0013]　本発明によれば、高品質のＧａ 2 Ｏ 3 系半導体素子を提供することができる。」
「[0016]　〔第１の実施の形態〕
　第１の実施の形態においては、Ｇａ 2 Ｏ 3 系半導体素子としてＧａ 2 Ｏ 3 系ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）について述べる。
[0017]　（Ｇａ 2 Ｏ 3 系ＭＩＳＦＥＴの構成）
　
図１は、第１の実施の形態に係るＧａ
 2
 Ｏ
 3
 系ＭＩＳＦＥＴ２０の断面図である。Ｇａ
 2
 Ｏ
 3
 系ＭＩＳＦＥＴ２０は、高抵抗β−Ｇａ
 2
 Ｏ
 3
 基板２上に形成されたｎ型β−Ｇａ
 2
 Ｏ
 3
 単結晶膜３と、ｎ型β−Ｇａ
 2
 Ｏ
 3
 単結晶膜３上に形成されたソース電極２２及びドレイン電極２３と、ソース電極２２とドレイン電極２３の間のｎ型β−Ｇａ
 2
 Ｏ
 3
 単結晶膜３上にゲート絶縁膜２６を介して形成されたゲート電極２１と、ｎ型β−Ｇａ
 2
 Ｏ
 3
 単結晶膜３中のソース電極２２及びドレイン電極２３の下にそれぞれ形成されたソース領域２４及びドレイン領域２５を含む。
「[0026]　
ゲート絶縁膜２６は、
ＳｉＮ
β−（Ａｌ
 x
 Ｇａ
 1-x
 ）
 2
 Ｏ
 3
 （０≦ｘ≦１）等の絶縁材料からなる。中でも、β−（Ａｌ
 x
 Ｇａ
 1-x
 ）
 2
 Ｏ
 3
 はβ−Ｇａ
 2
 Ｏ
 3
 結晶上に単結晶膜として成長させることができる
　上記記載から，引用文献１には，以下の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されている。
「Ｇａ 2 Ｏ 3 系ＭＩＳＦＥＴ２０であって，
　高抵抗β−Ｇａ 2 Ｏ 3 基板２上に形成されたｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３と，
　ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上に形成されたソース電極２２及びドレイン電極２３と，
　ソース電極２２とドレイン電極２３の間のｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上にゲート絶縁膜２６を介して形成されたゲート電極２１と，
　ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３中のソース電極２２及びドレイン電極２３の下にそれぞれ形成されたソース領域２４及びドレイン領域２５を含み，
　ゲート絶縁膜２６は，β−（Ａｌ x Ｇａ 1-x ） 2 Ｏ 3 （０≦ｘ≦１）からなる単結晶膜である，
　Ｇａ 2 Ｏ 3 系ＭＩＳＦＥＴ２０。」
２　引用文献２記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　
本発明は窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ及びその製造方法に関し、特に高周波用の電界効果トランジスタ及びその製造方法に関する。
「【００３４】
　本実施形態のＨＦＥＴは、
電子供給層である第２の窒化物半導体層１４の上に、結晶性のＳｉＮからなる第１の絶縁膜１５を形成している。
「【００３８】
　一般に、Ｃａｔ−ＣＶＤ法等により、非晶質のＳｉＮをIII−Ｖ窒化物半導体層の上に形成した場合には、ＳｉＮ膜とIII−Ｖ窒化物半導体層との間に未結合手に起因する界面準位が存在する。このため、ゲート電極からの電気力線がＳｉＮ膜とIII−Ｖ窒化物半導体層との界面において終端されてしまい、利得の向上が困難となる。しかし、本実施形態のＦＥＴは、結晶性のＳｉＮを形成することにより、窒化物半導体層との界面にほとんど界面準位が存在していないため、ＦＥＴの利得を向上させることができる。また、ＦＥＴの特性を安定させ、信頼性を向上させることもできる。
【００３９】
　
ＳｉＮ膜をゲート絶縁膜として用いる場合、電子供給層とＳｉＮ膜との界面の状態がゲートリーク電流に大きな影響を及ぼす。このため、ＣＶＤ法等により形成したアモルファスのＳｉＮ膜をゲート絶縁膜として用いると、ＳｉＮとＡｌＧａＮとの界面に多数の未結合手が生じ、界面準位の影響を受けるため、ゲートリーク電流を十分に低減することができない。界面準位がほとんどない結晶性のＳｉＮ膜をゲート絶縁膜として用いれば、ゲートリーク電流を大幅に低減できると期待される。
【００４０】
　しかし、
第２の窒化物半導体層１４の上に、結晶性のＳｉＮを成長させた場合、格子不整合のために、島状に成長する。ここでいう島状とはVolmer−Weberモードのいわゆる３次元成長のことをさす。このため、結晶性のＳｉＮ膜のみをゲート絶縁膜として用いた場合には、ゲートリーク電流が大きくなる。このため、本実施形態のＨＦＥＴは、結晶性のＳｉＮ膜である第１の絶縁膜１５を覆う非晶質のＳｉＮからなる第２の絶縁膜１６の上にゲート電極２１を形成している。このように結晶性の第１の絶縁膜１５の上に非晶質の第２の絶縁膜１６を形成することにより、第１の絶縁膜１５の間隙を埋めることができる。従って、ゲートリーク電流を低減でき、高周波特性の優れた電界効果トランジスタを得ることができる。
　上記記載から，引用文献２には，以下の事項（以下，「引用文献２記載事項」という。）が記載されている。
「窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて，
　電子供給層である第２の窒化物半導体層１４の上に，ゲート絶縁膜として結晶性のＳｉＮからなる第１の絶縁膜１５を形成する際に，
　第２の窒化物半導体層１４の上に，結晶性のＳｉＮを成長させた場合，格子不整合がおこりVolmer−Weberモードの島状に成長し，ゲートリーク電流が大きくなるという問題を避けるために，
　結晶性のＳｉＮ膜である第１の絶縁膜１５を覆う非晶質のＳｉＮからなる第２の絶縁膜１６を形成し，第１の絶縁膜１５の間隙を埋め，ゲートリーク電流を低減すること。」
３　引用文献３記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
「[0001]　本発明は、Ｇａ 2 Ｏ 3 系半導体素子に関する。」
「[0014]　〔第１の実施の形態〕
　第１の実施の形態では、Ｇａ 2 Ｏ 3 系半導体素子としてのプレーナゲート構造を有するＧａ 2 Ｏ 3 系ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）について説明する。
[0015]　（Ｇａ 2 Ｏ 3 系半導体素子の構成）
　
図１は、第１の実施の形態に係るＧａ
 2
 Ｏ
 3
 系ＭＩＳＦＥＴ２０の断面図である。Ｇａ
 2
 Ｏ
 3
 系ＭＩＳＦＥＴ２０は、ｎ型β−Ｇａ
 2
 Ｏ
 3
 基板２上に形成されたｎ型β−Ｇａ
 2
 Ｏ
 3
 単結晶膜３と、ｎ型β−Ｇａ
 2
 Ｏ
 3
 単結晶膜３上に形成されたソース電極２２ａ、２２ｂと、ｎ型β−Ｇａ
 2
 Ｏ
 3
 単結晶膜３上のソース電極２２ａ、２２ｂの間の領域にゲート絶縁膜２６を介して形成されたゲート電極２１と、ｎ型β−Ｇａ
 2
 Ｏ
 3
 単結晶膜３中のソース電極２２ａ、２２ｂの下にそれぞれ形成されたｎ型のコンタクト領域２３ａ、２３ｂと、コンタクト領域２３ａ、２３ｂをそれぞれ囲むｐ型のボディ領域２４ａ、２４ｂと、ｎ型β−Ｇａ
 2
 Ｏ
 3
 基板２のｎ型β−Ｇａ
 2
 Ｏ
 3
 単結晶膜３と反対側の面上に形成されたドレイン電極２５と、を含む。
[0016]　Ｇａ 2 Ｏ 3 系ＭＩＳＦＥＴ２０は、ソース電極とドレイン電極がそれぞれ素子の上下に設置され、縦方向に電流が流れる縦型半導体素子である。ゲート電極２１に閾値以上の電圧を印加すると、ｐ型のボディ領域２４ａ、２４ｂのゲート電極２１下の領域にチャネルが形成され、ソース電極２２ａ、２２ｂからドレイン電極２５へ電流が流れるようになる。」
「[0025]　
ゲート絶縁膜２６は、
ＳｉＮ
β−（Ａｌ
 x
 Ｇａ
 1-x
 ）
 2
 Ｏ
 3
 （０≦ｘ≦１）等の絶縁材料からなる。中でも、β−（Ａｌ
 x
 Ｇａ
 1-x
 ）
 2
 Ｏ
 3
 はβ−Ｇａ
 2
 Ｏ
 3
 結晶上に単結晶膜として成長させることができる
　上記記載から，引用文献３には，以下の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されている。
「Ｇａ 2 Ｏ 3 系ＭＩＳＦＥＴ２０であって，
　ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 基板２上に形成されたｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３と，
　ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上に形成されたソース電極２２ａ，２２ｂと，
　ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上のソース電極２２ａ，２２ｂの間の領域にゲート絶縁膜２６を介して形成されたゲート電極２１と，
　ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３中のソース電極２２ａ，２２ｂの下にそれぞれ形成されたｎ型のコンタクト領域２３ａ，２３ｂと，
　コンタクト領域２３ａ，２３ｂをそれぞれ囲むｐ型のボディ領域２４ａ，２４ｂと，
　ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 基板２のｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３と反対側の面上に形成されたドレイン電極２５とを含み，
　ゲート絶縁膜２６は，β−（Ａｌ x Ｇａ 1-x ） 2 Ｏ 3 （０≦ｘ≦１）からなる単結晶膜である，
　Ｇａ 2 Ｏ 3 系ＭＩＳＦＥＴ２０。」
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）引用発明１を主引用例とする検討
ア　本願発明１と引用発明１を対比する。
（ア）　引用発明１の「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３」，「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上に形成されたソース電極２２及びドレイン電極２３」，「ソース電極２２とドレイン電極２３の間のｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上にゲート絶縁膜２６を介して形成されたゲート電極２１」及び「Ｇａ 2 Ｏ 3 系ＭＩＳＦＥＴ２０」は，それぞれ本願発明１の「電流経路となる、結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層」，「前記半導体層の前記表面上に形成されたソース電極及びドレイン電極」，「前記半導体層の前記表面上の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極」及び「半導体素子」に相当する。
（イ）　引用発明１の「ソース電極２２とドレイン電極２３の間のｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上にゲート絶縁膜２６を介して形成されたゲート電極２１」の「ゲート絶縁膜２６」が「β−（Ａｌ x Ｇａ 1-x ） 2 Ｏ 3 （０≦ｘ≦１）からなる単結晶膜である」ことと，本願発明１の「前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜」であって「前記酸化物絶縁膜は、前記半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含み」及び「前記酸化物絶縁膜は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成され」並びに「前記酸化物絶縁膜は、前記電極間のリーク電流を抑制する」ことは，「前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜」であって「前記酸化物絶縁膜は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成され」ている点で共通する。
（ウ）　そうすると，本願発明１と引用発明１とは，以下の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「電流経路となる，結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層と，
　前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜と，
　前記半導体層の前記表面上に形成されたソース電極及びドレイン電極と，前記半導体層の前記表面上の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極とを含む電極と，
　を有し，
　前記酸化物絶縁膜は，前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成され，
　半導体素子。」
［相違点１］
　「酸化物絶縁膜」について，本願発明１は「前記酸化物絶縁膜は、前記半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含」むのに対して，引用発明１の「ゲート絶縁膜２６」はそのようになっていない点。
［相違点２］
　「酸化物絶縁膜」について，本願発明１は「前記酸化物絶縁膜は、前記電極間のリーク電流を抑制する」のに対して，引用発明１の「ゲート絶縁膜２６」はその点が不明である点。
イ　相違点についての判断
（ア）　以下，［相違点１］について検討する。
　引用文献１には，「ゲート絶縁膜２６」について，半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と，前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含む点について記載されておらず，又周知技術とは言えないから，引用文献１の記載から「ゲート絶縁膜２６」を［相違点１］に係る構成とすることが，当業者に容易であったとは言えない。
　また，引用文献２記載事項にあるように，ゲート絶縁膜について，結晶性のＳｉＮからなる絶縁膜を形成し，結晶性のＳｉＮを覆う非晶質のＳｉＮからなる第２の絶縁膜とすることは公知の技術であるが，この非晶質のＳｉＮは，結晶性のＳｉＮが成長する際に，格子不整合がおこりVolmer−Weberモードの島状に成長することによりゲートリーク電流が大きくなるという問題を避けるためのものであるところ，引用発明１の「ゲート絶縁膜２６」である「β−（Ａｌ x Ｇａ 1-x ） 2 Ｏ 3 （０≦ｘ≦１）からなる単結晶膜」において，ＳｉＮと同様に格子不整合により絶縁膜が島状に形成されるとは認められないので，引用発明１の「ゲート絶縁膜２６」にさらに，非晶質の「β−（Ａｌ x Ｇａ 1-x ） 2 Ｏ 3 （０≦ｘ≦１）」からなる膜を設けることに動機づけがあるとは言えない。そうすると，引用文献２記載事項に基づいて，引用発明１に［相違点１］に係る構成を設けることが容易であったとは言えない。
（イ）　そして，本願発明１は［相違点１］に係る構成を設けることにより，「電流経路となるＧａ２Ｏ３層の表面を結晶質層と非晶質層を有する酸化物絶縁体からなるパッシベーション膜で覆うことにより、リーク電流の発生を効果的に抑制することができる。」（本願明細書段落【０１４１】）という格別の効果を有する。
（ウ）　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明１及び引用文献２に記載された事項に基づいて容易に発明できたものあるとは言えない。
（２）　引用発明３を主引用例とする検討
ア　本願発明１と引用発明３とを対比する。
（ア）　引用発明３の「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３」及び「Ｇａ 2 Ｏ 3 系ＭＩＳＦＥＴ２０」は，それぞれ本願発明１の「電流経路となる、結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層」及び「半導体素子」に相当する。
（イ）　引用発明３の「ゲート絶縁膜２６」について，引用発明３は「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上のソース電極２２ａ，２２ｂの間の領域にゲート絶縁膜２６を介して形成されたゲート電極２１」を設けているから，「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上のソース電極２２ａ，２２ｂ」がある面の一部を覆っていると言える。
　そして，引用発明３の「ゲート絶縁膜２６」は，「β−（Ａｌ x Ｇａ 1-x ） 2 Ｏ 3 （０≦ｘ≦１）からなる単結晶膜である」から，引用発明３の「ゲート絶縁膜２６」と，本願発明１の「前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜」であって「前記酸化物絶縁膜は、前記半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含み」及び「前記酸化物絶縁膜は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成され」並びに「前記酸化物絶縁膜は、前記電極間のリーク電流を抑制する」ことは，「前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜」である点で共通する。
（ウ）　引用発明３の「ソース電極２２ａ，２２ｂ」が「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上に形成され」ていることと，本願発明１の「前記半導体層の前記表面上に形成されたソース電極及びドレイン電極」とは，「前記半導体層の前記表面上に形成されたソース電極」である点で共通する。
（エ）　そうすると，本願発明１と引用発明３とは，以下の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「電流経路となる，結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層と，
　前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜と，
　前記半導体層の前記表面上に形成されたソース電極と，
　を有する，
　半導体素子。」
［相違点３］
　本願発明１は，「ドレイン電極」が「前記半導体層の前記表面上に形成され」，「前記半導体層の前記表面上の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極とを含」んでいるのに対して，本願発明３はそのようになっていない点。
［相違点４］
　「酸化物絶縁膜」について，本願発明１は「前記酸化物絶縁膜は、前記半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含」むのに対して，引用発明３の「ゲート絶縁膜２６」はそのようになっていない点。
［相違点５］
　「酸化物絶縁膜」について，本願発明１は「前記酸化物絶縁膜は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成され」ているのに対して，引用発明３はそのようになっていない点。
［相違点６］
　「酸化物絶縁膜」について，本願発明１は「前記酸化物絶縁膜は、前記電極間のリーク電流を抑制する」のに対して，引用発明３の「ゲート絶縁膜２６」はその点が不明である点。
イ　相違点についての判断
（ア）　以下，［相違点４］について検討する。
　引用文献３には，「ゲート絶縁膜２６」について，半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と，前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含む点について記載されておらず，又周知技術とは言えないから，引用文献３の記載から「ゲート絶縁膜２６」を［相違点４］に係る構成とすることが，当業者に容易であったとは言えない。
　また，引用文献２記載事項にあるように，ゲート絶縁膜について，結晶性のＳｉＮからなる絶縁膜を形成し，結晶性のＳｉＮを覆う非晶質のＳｉＮからなる第２の絶縁膜とすることは公知の技術であるが，この非晶質のＳｉＮは，結晶性のＳｉＮが成長する際に，格子不整合がおこりVolmer−Weberモードの島状に成長することによりゲートリーク電流が大きくなるという問題を避けるためのものであるところ，引用発明３の「ゲート絶縁膜２６」である「β−（Ａｌ x Ｇａ 1-x ） 2 Ｏ 3 （０≦ｘ≦１）からなる単結晶膜」において，ＳｉＮと同様に格子不整合により絶縁膜が島状に形成されるとは認められないので，引用発明１の「ゲート絶縁膜２６」にさらに，非晶質の「β−（Ａｌ x Ｇａ 1-x ） 2 Ｏ 3 （０≦ｘ≦１）」からなる膜を設けることに動機づけがあるとは言えない。そうすると，引用文献２記載事項に基づいて，引用発明３に［相違点４］に係る構成を設けることが容易であったとは言えない。
（イ）　そして，本願発明１は［相違点４］に係る構成を設けることにより，「電流経路となるＧａ２Ｏ３層の表面を結晶質層と非晶質層を有する酸化物絶縁体からなるパッシベーション膜で覆うことにより、リーク電流の発生を効果的に抑制することができる。」（本願明細書段落【０１４１】）という格別の効果を有する。
（ウ）　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明３及び引用文献２に記載された事項に基づいて容易に発明できたものあるとは言えない。
（３）　本願発明１についてのまとめ
　上記のとおりであるから，本願発明１は，引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
２　本願発明２について
（１）引用発明１を主引用例とする検討
ア　本願発明２と引用発明１を対比する。
（ア）　引用発明１の「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３及び「Ｇａ 2 Ｏ 3 系ＭＩＳＦＥＴ２０」は，それぞれ本願発明２の「電流経路となる、結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層」及び「半導体素子」に相当する。
（イ）引用発明１の「高抵抗β−Ｇａ 2 Ｏ 3 基板２」と，本願発明２の「前記半導体層の前記表面と反対側の面上に直接又は他の層を介して設けられた結晶質のＧａ２Ｏ３からなるＧａ２Ｏ３基板」は，「前記半導体層の前記表面と反対側の面上に直接又は他の層を介して設けられたＧａ２Ｏ３基板」である点で共通する。
（ウ）　引用発明１の「ソース電極２２」は「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上に形成され」ているから，引用発明１の「ソース電極２２」は，本願発明２の「前記半導体層の前記表面上に形成されたソース電極」に相当する。
（エ）　引用発明１の「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上にゲート絶縁膜２６を介して形成されたゲート電極２１」は，本願発明２の「前記半導体層にゲート絶縁膜を介して隣接するように形成されたゲート電極」に相当する。
　そして，引用発明１の「ゲート絶縁膜２６」は，「β−（Ａｌ x Ｇａ 1-x ） 2 Ｏ 3 （０≦ｘ≦１）からなる単結晶膜である」から，本願発明２の「前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜」であると言える。
　加えて，引用発明１の「ゲート絶縁膜２６」は，本願発明２の「前記ゲート絶縁膜は、前記半導体層の前記表面上に前記酸化物絶縁膜を介して形成された前記ゲート電極の真下の前記酸化物絶縁膜の部分、又は前記半導体層中に埋め込まれた前記ゲート電極を覆う絶縁膜であ」ることのうち，「前記ゲート絶縁膜は、前記半導体層の前記表面上に前記酸化物絶縁膜を介して形成された前記ゲート電極の真下の前記酸化物絶縁膜の部分」を有するから，引用発明１の「ゲート絶縁膜２６」は，本願発明２の「前記半導体層の前記表面上に前記酸化物絶縁膜を介して形成された前記ゲート電極の真下の前記酸化物絶縁膜の部分、又は前記半導体層中に埋め込まれた前記ゲート電極を覆う絶縁膜」に相当する。
（オ）　そうすると，本願発明２と引用発明１とは，以下の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「電流経路となる，結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層と，
　前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜と，
　前記半導体層の前記表面と反対側の面上に直接又は他の層を介して設けられたＧａ２Ｏ３基板と，
　前記半導体層の前記表面上に形成されたソース電極と，前記半導体層にゲート絶縁膜を介して隣接するように形成されたゲート電極と，を含む電極と，
　を有し，
　前記ゲート絶縁膜は，前記半導体層の前記表面上に前記酸化物絶縁膜を介して形成された前記ゲート電極の真下の前記酸化物絶縁膜の部分，又は前記半導体層中に埋め込まれた前記ゲート電極を覆う絶縁膜である，
　半導体素子。」
［相違点７］
　「Ｇａ２Ｏ３基板」について，本願発明２は「結晶質のＧａ２Ｏ３からなるＧａ２Ｏ３基板」であるのに対して，引用発明１の「高抵抗β−Ｇａ 2 Ｏ 3 基板２」は結晶質であるのか否かが不明である点。
［相違点８］
　本願発明２は「前記Ｇａ２Ｏ３基板の前記半導体層と反対側の面上に形成されたドレイン電極」を有しているのに対して，引用発明１はそのようになっていない点。
［相違点９］
　「酸化物絶縁膜」について，本願発明２は「前記酸化物絶縁膜は、前記半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含」むのに対して，引用発明１の「ゲート絶縁膜２６」はそのようになっていない点。
［相違点１０］
　「酸化物絶縁膜」について，本願発明２は「前記酸化物絶縁膜は、前記電極間のリーク電流を抑制する」のに対して，引用発明１の「ゲート絶縁膜２６」はその点が不明である点。
イ　相違点についての判断
（ア）　以下，［相違点９］について検討する。
　［相違点９］は，前記［相違点１］と同様の相違点であるから，上記１（１）イ（ア）で検討したように，引用発明１に［相違点９］に係る構成を設けることが容易であったとは言えない。
（イ）　そして，本願発明２は［相違点９］に係る構成を設けることにより，「電流経路となるＧａ２Ｏ３層の表面を結晶質層と非晶質層を有する酸化物絶縁体からなるパッシベーション膜で覆うことにより、リーク電流の発生を効果的に抑制することができる。」（本願明細書段落【０１４１】）という格別の効果を有する。
（ウ）　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明２は，当業者であっても引用発明１及び引用文献２に記載された事項に基づいて容易に発明できたものあるとは言えない。
（２）引用発明３を主引用例とする検討
ア　本願発明２と引用発明３を対比する。
（ア）　引用発明３の「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３」，「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上に形成されたソース電極２２ａ，２２ｂ」，「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上のソース電極２２ａ，２２ｂの間の領域にゲート絶縁膜２６を介して形成されたゲート電極２１」，「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 基板２のｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３と反対側の面上に形成されたドレイン電極２５」及び「Ｇａ 2 Ｏ 3 系ＭＩＳＦＥＴ２０」は，それぞれ本願発明２の「電流経路となる、結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層」，「前記半導体層の前記表面上に形成されたソース電極」，「前記半導体層にゲート絶縁膜を介して隣接するように形成されたゲート電極」，「前記Ｇａ２Ｏ３基板の前記半導体層と反対側の面上に形成されたドレイン電極」及び「半導体素子」に相当する。
（イ）　引用発明３の「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 基板２」と，本願発明２の「前記半導体層の前記表面と反対側の面上に直接又は他の層を介して設けられた結晶質のＧａ２Ｏ３からなるＧａ２Ｏ３基板」とは，「前記半導体層の前記表面と反対側の面上に直接又は他の層を介して設けられたＧａ２Ｏ３基板」である点で共通する。
（ウ）　引用発明３の「ゲート絶縁膜２６」について，引用発明３は「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上のソース電極２２ａ，２２ｂの間の領域にゲート絶縁膜２６を介して形成されたゲート電極２１」を設けているから，「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上のソース電極２２ａ，２２ｂ」がある面の一部を覆っていると言える。
　そして，引用発明３の「ゲート絶縁膜２６」は，「β−（Ａｌ x Ｇａ 1-x ） 2 Ｏ 3 （０≦ｘ≦１）からなる単結晶膜である」から，引用発明３の「ゲート絶縁膜２６」と，本願発明２の「前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜」であって「前記酸化物絶縁膜は、前記半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含み」及び「前記酸化物絶縁膜は、前記電極間のリーク電流を抑制する」ことは，「前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜」である点で共通する。
（エ）　引用発明３は，「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上のソース電極２２ａ，２２ｂの間の領域にゲート絶縁膜２６を介して形成されたゲート電極２１」を有しているから，「ゲート絶縁膜２６」は，本願発明２の「前記半導体層の前記表面上に前記酸化物絶縁膜を介して形成された前記ゲート電極の真下の前記酸化物絶縁膜の部分」に対応する部分を有していると認められる。そうすると，引用発明３は，本願発明２の「前記ゲート絶縁膜は、前記半導体層の前記表面上に前記酸化物絶縁膜を介して形成された前記ゲート電極の真下の前記酸化物絶縁膜の部分、又は前記半導体層中に埋め込まれた前記ゲート電極を覆う絶縁膜」に相当する。
（オ）　そうすると，本願発明２と引用発明３とは，以下の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「電流経路となる，結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層と，
　前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜と，
　前記半導体層の前記表面と反対側の面上に直接又は他の層を介して設けられたＧａ２Ｏ３基板と，
　前記半導体層の前記表面上に形成されたソース電極と，前記半導体層にゲート絶縁膜を介して隣接するように形成されたゲート電極と，前記Ｇａ２Ｏ３基板の前記半導体層と反対側の面上に形成されたドレイン電極とを含む電極と，
　を有し，
　前記ゲート絶縁膜は，前記半導体層の前記表面上に前記酸化物絶縁膜を介して形成された前記ゲート電極の真下の前記酸化物絶縁膜の部分，又は前記半導体層中に埋め込まれた前記ゲート電極を覆う絶縁膜である，
　半導体素子。」
［相違点１１］
　「Ｇａ２Ｏ３基板」について，本願発明２は「結晶質のＧａ２Ｏ３からなるＧａ２Ｏ３基板」であるのに対して，引用発明３の「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 基板２」は結晶質であるのか否かが不明である点。
［相違点１２］
　「酸化物絶縁膜」について，本願発明２は「前記酸化物絶縁膜は、前記半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含」むのに対して，引用発明３の「ゲート絶縁膜２６」はそのようになっていない点。
［相違点１３］
　「酸化物絶縁膜」について，本願発明２は「前記酸化物絶縁膜は、前記電極間のリーク電流を抑制する」のに対して，引用発明３の「ゲート絶縁膜２６」はその点が不明である点。
イ　相違点についての判断
（ア）　以下，［相違点１２］について検討する。
　［相違点１２］は，前記［相違点４］と同様の相違点であるから，上記１（２）イ（ア）で検討したように，引用発明３に［相違点１２］に係る構成を設けることが容易であったとは言えない。
（イ）　そして，本願発明２は［相違点１２］に係る構成を設けることにより，「電流経路となるＧａ２Ｏ３層の表面を結晶質層と非晶質層を有する酸化物絶縁体からなるパッシベーション膜で覆うことにより、リーク電流の発生を効果的に抑制することができる。」（本願明細書段落【０１４１】）という格別の効果を有する。
（ウ）　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明２は，当業者であっても引用発明３及び引用文献２に記載された事項に基づいて容易に発明できたものあるとは言えない。
（３）　本願発明２についてのまとめ
　上記のとおりであるから，本願発明２は，引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
３　本願発明３について
（１）引用発明１を主引用例とする検討
ア　本願発明３と引用発明１を対比する。
（ア）　引用発明３の「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３」及び「Ｇａ 2 Ｏ 3 系ＭＩＳＦＥＴ２０」は，それぞれ本願発明３の「電流経路となる、結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層」及び「半導体素子」に相当する。
（イ）　引用発明３の「高抵抗β−Ｇａ 2 Ｏ 3 基板２」と，本願発明３の「前記半導体層の前記表面と反対側の面上に直接又は他の層を介して設けられた結晶質のＧａ２Ｏ３からなるＧａ２Ｏ３基板」は，「前記半導体層の前記表面と反対側の面上に直接又は他の層を介して設けられたＧａ２Ｏ３基板」である点で共通する。
（ウ）　引用発明１の「ソース電極２２とドレイン電極２３の間のｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上にゲート絶縁膜２６を介して形成されたゲート電極２１」の「ゲート絶縁膜２６」が「β−（Ａｌ x Ｇａ 1-x ） 2 Ｏ 3 （０≦ｘ≦１）からなる単結晶膜である」ことと，本願発明３の「前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜」であって「前記酸化物絶縁膜は、前記半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含み」及び「前記酸化物絶縁膜は、前記電極間のリーク電流を抑制する」ことは，「前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜」である点で共通する。
（エ）　そうすると，本願発明３と引用発明１は以下の点で一致し又相違する。
［一致点］
「電流経路となる，結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層と，
　前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜と，
　前記半導体層の前記表面と反対側の面上に直接又は他の層を介して設けられた結晶質のＧａ２Ｏ３からなるＧａ２Ｏ３基板と，
　を有する，
　半導体素子。」
［相違点１４］
　「Ｇａ２Ｏ３基板」について，本願発明３は「結晶質のＧａ２Ｏ３からなるＧａ２Ｏ３基板」であるのに対して，引用発明１の「高抵抗β−Ｇａ 2 Ｏ 3 基板２」は結晶質であるのか否かが不明である点。
［相違点１５］
　本願発明３は「前記半導体層の前記表面上に形成され、前記半導体層との間にショットキー接合を形成するショットキー電極と、前記Ｇａ２Ｏ３基板との間にオーミック接合を形成するオーミック電極とを含む電極」を有し，「前記ショットキー電極の前記酸化物絶縁膜側の一部が、前記酸化物絶縁膜の一部を覆うフィールドプレート電極であ」るのに対して，引用発明１はそのようになっていない点。
［相違点１６］
　「酸化物絶縁間」について，本願発明３は，「前記半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含」んでいるのに対して，引用発明１はそのようになっていない点。
［相違点１７］
　「酸化物絶縁膜」について，本願発明３は，「前記酸化物絶縁膜は、前記電極間のリーク電流を抑制する」のに対して，引用発明１の「ゲート絶縁膜２６」はその点が不明である点。
イ　相違点についての判断
（ア）　以下，［相違点１６］について検討する。
　［相違点１６］は，前記［相違点１］と同様の相違点であるから，上記１（１）イ（ア）で検討したように，引用発明１に［相違点１６］に係る構成を設けることが容易であったとは言えない。
（イ）　そして，本願発明３は［相違点１６］に係る構成を設けることにより，「電流経路となるＧａ２Ｏ３層の表面を結晶質層と非晶質層を有する酸化物絶縁体からなるパッシベーション膜で覆うことにより、リーク電流の発生を効果的に抑制することができる。」（本願明細書段落【０１４１】）という格別の効果を有する。
（ウ）　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明３は，当業者であっても引用発明１及び引用文献２に記載された事項に基づいて容易に発明できたものあるとは言えない。
（２）引用発明３を主引用例とする検討
ア　本願発明３と引用発明３を対比する。
（ア）　引用発明３の「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３」及び「Ｇａ 2 Ｏ 3 系ＭＩＳＦＥＴ２０」は，それぞれ本願発明３の「電流経路となる、結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層」及び「半導体素子」に相当する。
（イ）　引用発明３の「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 基板２」と，本願発明３の「前記半導体層の前記表面と反対側の面上に直接又は他の層を介して設けられた結晶質のＧａ２Ｏ３からなるＧａ２Ｏ３基板」とは，「前記半導体層の前記表面と反対側の面上に直接又は他の層を介して設けられたＧａ２Ｏ３基板」である点で共通する。
（ウ）　引用発明３の「ゲート絶縁膜２６」について，引用発明３は「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上のソース電極２２ａ，２２ｂの間の領域にゲート絶縁膜２６を介して形成されたゲート電極２１」を設けているから，「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上のソース電極２２ａ，２２ｂ」がある面の一部を覆っていると言える。
　そして，引用発明３の「ゲート絶縁膜２６」は，「β−（Ａｌ x Ｇａ 1-x ） 2 Ｏ 3 （０≦ｘ≦１）からなる単結晶膜である」から，引用発明３の「ゲート絶縁膜２６」と，本願発明３の「前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜」であって「前記酸化物絶縁膜は、前記半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含み」及び「前記酸化物絶縁膜は、前記電極間のリーク電流を抑制する」ことは，「前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜」である点で共通する。
（エ）　そうすると，本願発明３と引用発明３とは，以下の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「電流経路となる，結晶質のＧａ２Ｏ３からなる半導体層と，
　前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜と，
　前記半導体層の前記表面と反対側の面上に直接又は他の層を介して設けられたＧａ２Ｏ３基板と，
　を有する，
　半導体素子。」
［相違点１８］
　「Ｇａ２Ｏ３基板」について，本願発明３は「結晶質のＧａ２Ｏ３からなるＧａ２Ｏ３基板」であるのに対して，引用発明３の「ｎ型β−Ｇａ 2 Ｏ 3 基板２」は結晶質であるのか否かが不明である点。
［相違点１９］
　本願発明３は「前記半導体層の前記表面上に形成され、前記半導体層との間にショットキー接合を形成するショットキー電極と、前記Ｇａ２Ｏ３基板との間にオーミック接合を形成するオーミック電極とを含む電極」を有し，「前記ショットキー電極の前記酸化物絶縁膜側の一部が、前記酸化物絶縁膜の一部を覆うフィールドプレート電極であ」るのに対して，引用発明３はそのようになっていない点。
［相違点２０］
　「酸化物絶縁間」について，本願発明３は，「前記半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含」んでいるのに対して，引用発明３はそのようになっていない点。
［相違点２１］
　「酸化物絶縁膜」について，本願発明３は，「前記酸化物絶縁膜は、前記電極間のリーク電流を抑制する」のに対して，引用発明３の「ゲート絶縁膜２６」はその点が不明である点。
イ　相違点についての判断
（ア）　以下，［相違点２０］について検討する。
　［相違点２０］は，前記［相違点４］と同様の相違点であるから，上記１（２）イ（ア）で検討したように，引用発明３に［相違点２０］に係る構成を設けることが容易であったとは言えない。
（イ）　そして，本願発明３は［相違点２０］に係る構成を設けることにより，「電流経路となるＧａ２Ｏ３層の表面を結晶質層と非晶質層を有する酸化物絶縁体からなるパッシベーション膜で覆うことにより、リーク電流の発生を効果的に抑制することができる。」（本願明細書段落【０１４１】）という格別の効果を有する。
（ウ）　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明３は，当業者であっても引用発明３及び引用文献２に記載された事項に基づいて容易に発明できたものあるとは言えない。
（３）　本願発明３についてのまとめ
　上記のとおりであるから，本願発明３は，引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
４　本願発明４ないし６について
　本願発明４ないし６は，本願発明１，２又は３を引用するものであり，本願発明１，２又は３の発明特定事項を全て備えるから，前記１ないし３と同様の理由により，引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
５　本願発明７，８及び９について
　本願発明７，８及び９は，それぞれ本願発明１，２及び３に対応する方法の発明であり，本願発明１，２及び３の「前記半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含」むことに対応する構成を備えるものであるから，本願発明１，２及び３と同様の理由により，引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
６　本願発明１０ないし１５について
　本願発明１０ないし１５は，本願発明７，８又は９を引用するものであり，本願発明７，８又は９の発明特定事項を全て備えているから，前記５と同様の理由により，引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
第７　原査定について
　前記第６のとおりであるから，本願発明１ないし１５は，拒絶査定において引用された引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。
第８　当審拒絶理由について
１　特許法第３６条第４項第１号について
　平成３０年１２月２０日にされた手続補正により，発明の詳細な説明の記載が，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないとの拒絶の理由は解消した。
２　特許法第３６条第６項第１号及び第２号について
　平成３０年１２月２０日にされた手続補正により，特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていないとの拒絶の理由は解消した。
第９　むすび
　以上のとおり，本願発明１ないし１５は，当業者が引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。