【手続補正書】
【提出日】平成22年6月30日(2010.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発生するように動作可能な量子井戸領域と、
該量子井戸領域との界面を有する成形基板であって、該量子井戸領域によって発生された光が該界面を通過する、成形基板と、
を備える、ＬＥＤであって、
該成形基板は、
該界面に対向し、かつ該界面からある距離を置いた出射面であって、該基板は、該界面を通って該成形基板に入射する該光の一部が、該出射面を通って該成形基板から出射するように成形され、該出射面は、該成形基板から投射される光の所望の半角に対して、放射輝度を保存するために必要な最小面積の少なくとも７０％を有する、出射面と、
一組の側壁であって、各側壁は、該界面からその側壁に向かう直線の透過経路を有する十分な割合の光線が、該出射面での臨界角以下である該出射面への入射角で、該出射面に向けて反射することによって、該基板に入射する光の少なくとも７０％が該出射面を通って抽出されることを可能にするように配置され、かつ成形される、側壁と
を備えている、ＬＥＤ。
【請求項２】
前記量子井戸領域は、前記基板に適合して成形される、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項３】
前記出射面は、少なくとも、放射輝度を保存するために必要な最小面積を有する、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項４】
前記界面は長方形の形状であり、放射輝度を保存するために必要な前記最小面積は、該界面の該形状をもたらす有効立体角を用いて決定される、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項５】
各側壁は、前記界面から該側壁に向かう直線の透過経路を有する光線の少なくとも８０％が、前記出射面での臨界角以下である該出射面への入射角で、該出射面に向けて反射されるように配置され、かつ成形される、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項６】
前記側壁の前記形状は、所望の光出力プロファイルを生成するように選択される、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項７】
前記出射面は、前記界面に対して平行であり、かつ回転整列され、該出射面は、該界面の形状と同じ形状およびアスペクト比を有する、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項８】
白色光を生成するために所望される波長を放射することが可能な光ルミネッセンス材料の層をさらに備える、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項９】
光を発生するように動作可能な量子井戸領域と、
該量子井戸領域との界面を有する成形基板と、
を備える、ＬＥＤであって、
該成形基板は、
該界面に対向し、かつ該界面からある距離を置いた出射面であって、
該基板は、該界面を通って該成形基板に入射する該光の一部が、該出射面を通って該成形基板から出射するように成形され、
該出射面は、
【数８】
2010506402.tif 000001
によって定義される最小面積の３０％以内である面積を有し、ここで、Φ１は、該界面を通過する光束であり、Φ２は、該出射面から出射する光束であり、かつΦ１に等しく、Ω１は、光が該界面を通過するときの有効立体角であり、Ω２は、光が該出射面を出るときの有効立体角であり、Ａ１は、該界面の面積であり、ｎ１は、該成形基板の屈折率であり、ｎ２は、該成形基板の外部にある媒体の屈折率であり、
該距離は、該界面から該出射面に向かう直線の透過経路を有する全ての光線が、該出射面での臨界角以下である入射角を有するような、少なくとも最小の距離である、出射面と、
一組の側壁であって、各側壁は、該界面からその側壁に向かう直線の透過経路を有する光線の少なくとも一部が、該出射面での該臨界角以下である該出射面への入射角で、該出射面に向けて反射するように配置され、かつ成形される、側壁と、
を備えている、ＬＥＤ。
【請求項１０】
光を発生するように動作可能な量子井戸領域と、
該量子井戸領域との界面を有する成形基板であって、該量子井戸領域によって発生された光が該界面を通過する、成形基板と、
を備える、ＬＥＤであって、
該成形基板は、
少なくとも２つの出射面であって、該基板は、該界面を通って該成形基板に入射する該光の一部が、該少なくとも２つの出射面を通って該成形基板から出射するように成形され、該少なくとも２つの出射面は、放射輝度を保存するために必要な最小面積の少なくとも７０％である合計面積を有する、出射面と、
一組の側壁であって、各側壁は、該界面からその側壁に向かう直線の透過経路を有する光線の少なくとも大部分が、その出射面での臨界角以下であるその出射面への入射角で、該２つ以上の出射面に向けて反射するように配置され、かつ成形される、側壁と、
を備えている、ＬＥＤ。
【請求項１１】
ＬＥＤから投射される光の所望の半角に対して、放射輝度を保存するために必要な最小面積の少なくとも７０％を有する、該ＬＥＤの成形基板部分の出射面のサイズを決定することと、
該出射面と、該成形基板部分と該ＬＥＤの量子井戸領域との間の界面、との間の距離を決定することと、
各側壁が、該界面からその側壁に向かう直線の透過経路を有する光線の少なくとも大部分を、該出射面での臨界角以下である該出射面への入射角で、該出射面に向けて反射するように配置され、かつ成形されるように、該ＬＥＤの該成形基板部分の一組の側壁の形状および位置を決定することと、
該決定された、該出射面のサイズ、該一組の側壁の形状および位置、および該出射面と該界面との間の距離に従って、該ＬＥＤの該基板部分を形成することと、
を包含する、ＬＥＤを製造する方法。
【請求項１２】
前記成形基板部分が形成された後に、前記ＬＥＤの前記量子井戸領域を形成するために、１つ以上の層を該成形基板部分上に堆積することをさらに包含する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
基板と、前記ＬＥＤの量子井戸領域のための１つ以上の層とを提供することと、
該ＬＥＤの前記成形基板部分を形成するために、該基板から材料を除去することと、
をさらに包含し、該基板から材料を除去することは、超音波除去プロセス、レーザアブレーション、またはウォータジェット切断、該ＬＥＤの成形基板部分の所望の形状の逆形状を有するブレードで、該基板を研削することのうちの１つを用いて材料を除去することをさらに包含する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板から材料を除去することは、該基板をエッチングすることをさらに包含する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＬＥＤは、所望の光出力プロファイルを達成するように成形される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記出射面の前記サイズは、少なくとも、放射輝度を保存するために必要な前記最小面積を有するように選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記出射面の面積、距離および側壁の形状は、１０度〜６０度の半角を有する光を投射するように選択される、請求項１に記載のＬＥＤ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
実施形態およびその利点の、より完全な理解が、添付図面とともに用いられる以下の説明を参照することによって得られ得る。図面において、同じ参照番号は同じ特徴を示す。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
光を発生するように動作可能な量子井戸領域と、
該量子井戸領域との界面を有する成形基板であって、該量子井戸領域によって発生された光が該界面を通過する、成形基板と、
を備える、ＬＥＤであって、
該成形基板は、
該界面に対向し、かつ該界面からある距離を置いた出射面であって、該基板は、該界面を通って該成形基板に入射する該光の一部が、該出射面を通って該成形基板から出射するように成形され、該出射面は、該成形基板から投射される光の所望の半角に対して、放射輝度を保存するために必要な最小面積の少なくとも７０％を有する、出射面と、
一組の側壁であって、各側壁は、該界面からその側壁に向かう直線の透過経路を有する光線の少なくとも大部分が、該出射面での臨界角以下である該出射面への入射角で、該出射面に向けて反射するように配置され、かつ成形される、側壁と、
を備える、
ＬＥＤ。
（項目２）
上記量子井戸領域は、上記基板に適合して成形される、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目３）
上記出射面は、少なくとも、放射輝度を保存するために必要な最小面積を有する、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目４）
上記界面は長方形の形状であり、光が上記出射面を出るときの有効立体角は、該界面の形状を占めるように決定される、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目５）
上記距離は、上記界面から上記出射面に向かう直線の透過経路を有する全ての光線が、該出射面での上記臨界角以下である入射角を有するような、最小距離の５０％以内である、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目６）
各側壁は、上記界面から該側壁に向かう直線の透過経路を有する光線の少なくとも８０％が、上記出射面での臨界角以下である該出射面への入射角で、該出射面に向けて反射されるように配置され、かつ成形される、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目７）
上記側壁の上記形状は、所望の光出力プロファイルを生成するように選択される、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目８）
上記出射面は、上記界面に対して平行であり、かつ回転整列され、該出射面は、該界面の形状と同じ形状およびアスペクト比を有する、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目９）
白色光を生成するために所望の波長を放射することが可能な光ルミネッセンス材料の層をさらに備える、項目１に記載のＬＥＤ。
（項目１０）
光を発生するように動作可能な量子井戸領域と、
該量子井戸領域との界面を有する成形基板と、
を備える、ＬＥＤであって、
該成形基板は、
該界面に対向し、かつ該界面からある距離を置いた出射面であって、該基板は、該界面を通って該成形基板に入射する該光の一部が、該出射面を通って該成形基板から出射するように成形され、該出射面は、該成形基板から投射される光の所望の立体角に対して、放射輝度を保存するために必要な最小面積の少なくとも７０％を有する、出射面と、
一組の側壁であって、各側壁は、該界面からその側壁に向かう直線の透過経路を有する光線の少なくとも一部が、該出射面での臨界角以下である該出射面への入射角で、該出射面に向けて反射するように配置され、かつ成形される、側壁と、
を備え、
該出射面の面積、距離、および側壁形状は、１０度から６０度までの間の半角で光を投射するように選択される、
ＬＥＤ。
（項目１１）
上記界面は長方形の形状を有し、光が上記出射面を出るときの有効立体角は、該界面の形状の面積を占めるように決定される、項目１０に記載のＬＥＤ。
（項目１２）
上記距離は、上記界面から上記出射面に向かう直線の透過経路を有する全ての光線が、該出射面での上記臨界角以下である入射角を有するような、最小距離の５０％以内である、項目１０に記載のＬＥＤ。
（項目１３）
各側壁は、上記界面から該側壁に向かう直線の透過経路を有する光線の少なくとも８０％が、上記出射面での臨界角以下である該出射面への入射角で、該出射面に向けて反射されるように配置され、かつ成形される、項目１０に記載のＬＥＤ。
（項目１４）
上記出射面は、上記界面の形状と同じ形状およびアスペクト比を有し、該出射面は、該界面に対して平行であり、かつ回転整列される、項目１０に記載のＬＥＤ。
（項目１５）
白色光を生成するために所望の波長を放射することが可能な光ルミネッセンス材料の層をさらに備える、項目１０に記載のＬＥＤ。
（項目１６）
上記量子井戸領域は、上記基板に適合して成形される、項目１０に記載のＬＥＤ。
（項目１７）
上記側壁の上記形状は、所望の光出力プロファイルを生成するように選択される、項目１０に記載のＬＥＤ。
（項目１８）
上記出射面は、少なくとも、放射輝度を保存するために必要な最小面積を有する、項目１０に記載のＬＥＤ。
（項目１９）
光を発生するように動作可能な量子井戸領域と、
該量子井戸領域との界面を有する成形基板と、
を備える、ＬＥＤであって、
該成形基板は、
該界面に対向し、かつ該界面からある距離を置いた出射面であって、
該基板は、該界面を通って該成形基板に入射する該光の一部が、該出射面を通って該成形基板から出射するように成形され、
該出射面は、
【数８】
2010506402.tif 000002
によって定義される最小面積の３０％以内である面積を有し、ここで、Φ１は、該界面を通過する光束であり、Φ２は、該出射面から出射する光束であり、かつΦ１に等しく、Ω１は、光が該界面を通過するときの有効立体角であり、Ω２は、光が該出射面を出るときの有効立体角であり、Ａ１は、該界面の面積であり、ｎ１は、該成形基板の屈折率であり、ｎ２は、該成形基板の外部にある媒体の屈折率であり、
該距離は、少なくとも、該界面から該出射面に向かう直線の透過経路を有する全ての光線が、該出射面での臨界角以下である入射角を有するような、最小距離である、出射面と、
一組の側壁であって、各側壁は、該界面からその側壁に向かう直線の透過経路を有する光線の少なくとも一部が、該出射面での該臨界角以下である該出射面への入射角で、該出射面に向けて反射するように配置され、かつ成形される、側壁と、
を備える、
ＬＥＤ。
（項目２０）
上記出射面の面積、距離、および側壁形状は、少なくとも７０％の効率および所望の光出力プロファイルで、１０度から６０度までの間の半角で光を投影するように選択される、項目１９に記載のＬＥＤ。
（項目２１）
上記量子井戸領域は、上記基板に適合して成形される、項目１９に記載のＬＥＤ。
（項目２２）
上記界面は長方形の形状を有し、光が上記出射面を出るときの上記有効立体角は、該界面の正方形の形状を占めるように決定される、項目１９に記載のＬＥＤ。
（項目２３）
白色光を生成するために所望の波長を放射することが可能な光ルミネッセンス材料の層をさらに備える、項目１９に記載のＬＥＤ。
（項目２４）
上記側壁の上記形状は、所望の光出力プロファイルを作成するように選択される、項目１９に記載のＬＥＤ。
（項目２５）
光を発生するように動作可能な量子井戸領域と、
該量子井戸領域との界面を有する成形基板であって、該量子井戸領域によって発生された光が該界面を通過する、成形基板と、
を備える、ＬＥＤであって、
該成形基板は、
少なくとも２つの出射面であって、該基板は、該界面を通って該成形基板に入射する該光の一部が、該少なくとも２つの出射面を通って該成形基板から出射するように成形され、該少なくとも２つの出射面は、放射輝度を保存するために必要な最小面積の少なくとも７０％である合計面積を有する、出射面と、
一組の側壁であって、各側壁は、該界面からその側壁に向かう直線の透過経路を有する光線の少なくとも大部分が、その出射面での臨界角以下であるその出射面への入射角で、該２つ以上の出射面に向けて反射するように配置され、かつ成形される、側壁と、
を備える、
ＬＥＤ。
（項目２６）
ＬＥＤから投射される光の所望の半角に対して、放射輝度を保存するために必要な最小面積の少なくとも７０％を有する、該ＬＥＤの成形基板部分の出射面のサイズを決定するステップと、
該出射面と、該成形基板部分と該ＬＥＤの量子井戸領域との間の界面、との間の距離を決定するステップと、
各側壁が、該界面からその側壁に向かう直線の透過経路を有する光線の少なくとも大部分を、該出射面での臨界角以下である該出射面への入射角で、該出射面に向けて反射するように配置され、かつ成形されるように、該ＬＥＤの該成形基板部分の一組の側壁の形状および位置を決定するステップと、
該決定された、該出射面のサイズ、該一組の側壁の形状および位置、および該出射面と該界面との間の距離に従って、該ＬＥＤの該基板部分を形成するステップと、
を包含する、ＬＥＤを製造する方法。
（項目２７）
上記成形基板部分が形成された後に、上記ＬＥＤの上記量子井戸領域を形成するために、１つ以上の層を該成形基板部分上に堆積するステップを包含する、項目２６に記載の方法。
（項目２８）
基板と、上記ＬＥＤの量子井戸領域のための１つ以上の層と、を提供するステップと、
該ＬＥＤの上記成形基板部分を形成するために、該基板から材料を除去するステップと、
をさらに包含する、項目２６に記載の方法。
（項目２９）
上記基板から材料を除去するステップは、超音波除去プロセス、レーザアブレーション、またはウォータジェット切断のうちの１つを使用して、材料を除去するステップをさらに包含する、項目２８に記載の方法。
（項目３０）
上記基板から材料を除去するステップは、上記ＬＥＤの成形基板部分の所望の形状の逆形状を有するブレードで、該基板を切断または研削するステップをさらに包含する、項目２８に記載の方法。
（項目３１）
上記基板から材料を除去するステップは、該基板をエッチングするステップをさらに包含する、項目２８に記載の方法。
（項目３２）
上記基板から材料を除去する前に、該基板を光ルミネッセンス層で被覆するステップをさらに包含する、項目２８に記載の方法。
（項目３３）
上記基板を成形するステップと併せて上記ＬＥＤの上記量子井戸領域を成形するステップをさらに包含する、項目２６に記載の方法。
（項目３４）
上記ＬＥＤは、所望の光出力プロファイルを達成するように成形される、項目２６に記載の方法。
（項目３５）
上記出射面の上記サイズは、少なくとも、放射輝度を保存するために必要な上記最小面積を有するように選択される、項目２６に記載の方法。
（項目３６）
基板と、ＬＥＤの量子井戸領域のための１つ以上の層と、を備えるウエハを提供するステップと、
該ＬＥＤの成形基板部分を形成するために、該基板を研削するステップと、
を包含する、ＬＥＤを成形する方法であって、
該成形基板部分は、
該ＬＥＤの該量子井戸領域との界面に対向し、かつ界面からある距離を置いた出射面であって、該成形基板から投射される光の所望の半角に対して、放射輝度を保存するために必要な最小面積の少なくとも７０％を有する、出射面と、
一組の側壁であって、各側壁は、該界面からその側壁に向かう直線の透過経路を有する光線の少なくとも大部分が、該出射面での臨界角以下である該出射面への入射角で、該出射面に向けて反射するように配置され、かつ成形される、側壁と、
を備えるように、成形される、
方法。
（項目３７）
上記基板を研削するステップは、成形ダイヤモンド研削ホイールで該基板を研削するステップを包含する、項目３６に記載の方法。
（項目３８）
上記基板を研削するステップは、
第１の軸に沿って、少なくとも該基板厚さの途中まで、該基板に複数の切り込みを作るステップと、
複数のＬＥＤのための成形基板部分を作成するために、該第１の軸に対してある角度を成す第２の軸に沿って、少なくとも該基板厚さの途中まで、該基板に切り込みを作るステップと、
を包含する、項目３６に記載の方法。
（項目３９）
上記基板を成形するステップと併せて上記ＬＥＤの上記量子井戸領域を成形するステップをさらに包含する、項目３６に記載の方法。
（項目４０）
上記ＬＥＤは、所望の光出力プロファイルを達成するように成形される、項目３６に記載の方法。
（項目４１）
上記出射面は、放射輝度を保存するために必要な最小面積を有する、項目３６に記載の方法。
（項目４２）
基板と、ＬＥＤの量子井戸領域のための１つ以上の層と、を備えるウエハを提供するステップと、
該ＬＥＤの成形基板部分を形成するために、該基板をエッチングするステップと、
を包含する、ＬＥＤを成形する方法であって、
該成形基板部分は、
該ＬＥＤの該量子井戸領域との界面に対向し、かつ該界面からある距離を置いた出射面であって、該成形基板から投射される光の所望の半角に対して、放射輝度を保存するために必要な最小面積の少なくとも７０％を有する、出射面と、
一組の側壁であって、各側壁は、該界面からその側壁に向かう直線の透過経路を有する光線の少なくとも大部分が、該出射面での臨界角以下である該出射面への入射角で、該出射面に向けて反射するように配置され、かつ成形される、側壁と、
を備えるように、成形される、
方法。
（項目４３）
上記基板をエッチングするステップは、該基板をドライエッチングするステップをさらに包含する、項目４２に記載の方法。
（項目４４）
上記基板をエッチングするステップは、該基板をウェットエッチングするステップをさらに包含する、項目４２に記載の方法。
（項目４５）
上記基板をエッチングするステップは、多重エッチレジストエッチングプロセスを使用して、該基板をエッチングするステップをさらに包含する、項目４２に記載の方法。
（項目４６）
上記基板を成形するステップと併せて上記ＬＥＤの上記量子井戸領域を成形するステップをさらに包含する、項目４２に記載の方法。
（項目４７）
上記ＬＥＤは、所望の光出力プロファイルを達成するように成形される、項目４２に記載の方法。
（項目４８）
上記出射面は、少なくとも、放射輝度を保存するために必要な最小面積を有するように成形される、項目４２に記載の方法。
（項目４９）
基板と、ＬＥＤの量子井戸領域のための１つ以上の層と、を提供するステップと、
該ＬＥＤの成形基板部分を形成するために、該基板から材料を除去するステップと、
を包含する、ＬＥＤを製造する方法であって、
該成形基板部分は、
該ＬＥＤから投射される光の所望の半角に対して、放射輝度を保存するために必要な最小面積の少なくとも７０％である、合計面積を有する２つ以上の出射面と、
一組の側壁であって、各側壁は、界面からその側壁に向かう直線の透過経路を有する光線の少なくとも大部分が、その出射面での臨界角以下であるその出射面への入射角で、該２つ以上の出射面の出射面に向けて反射するように配置され、かつ成形される、側壁と、
を備える、
方法。
（項目５０）
上記２つ以上の出射面は、少なくとも放射輝度を保存するために必要な最小面積である、面積を有する、項目４９に記載の方法。