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【手続補正書】
【提出日】平成22年1月29日(2010.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）ｉ）固体二酸化炭素；
ｉｉ）１つ以上の添加物；および
ｉｉｉ）固体二酸化炭素中に１つ以上の添加物を懸濁させるためのキャリア化学品
を含むペレットを用意すること；
ｂ）加圧ガス流を用意すること；
ｃ）ペレットと加圧ガスを合体して、ペレットを加速すること；および
ｄ）標的品目の表面を加速されたペレットに暴露すること
を含んでなる、標的品目の表面を処理する方法。
【請求項２】
１つ以上の添加物が抗菌化合物、消毒剤、界面活性剤、洗浄剤、着臭剤、およびこれらの組み合わせ物の少なくとも１つから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
１つ以上の添加物が抗菌化合物である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
抗菌化合物がラウリンアルギネート（ｌａｕｒｉｃ  ａｒｇｉｎａｔｅ）、天然乳酸、アスコルビン酸、安息香酸、乳酸塩、ラクチトール（ｌａｃｉｔｉｔｏｌ）、グルコン酸塩、乳酸アンモニウム、乳酸カリウム、乳酸ナトリウム、乳酸ナトリウム粉末、ナトリウムジアセテート、メチルパラベン、亜硝酸カリウム、硝酸カリウム、プロピオン酸塩、ソルビン酸塩、安息香酸塩、およびこれらの組み合わせ物からなる群から選択される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
１つ以上の添加物が消毒剤である、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
消毒剤がペルオキシド、ギ酸、過ギ酸、過酸素化合物、過酢酸、過グルタル酸、過安息香酸、およびこれらの組み合わせ物からなる群から選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
キャリア化学品がエタノール、プロピレングリコール、およびｄ−リモネンと、これらの組み合わせ物からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ａ）ｉ）抗菌化合物、消毒剤、洗浄剤、界面活性剤、着臭剤、およびこれらの組み合わせ物の少なくとも１つから選択される１つ以上の添加物
並びに
ｉｉｉ）固体二酸化炭素中に１つ以上の添加物を懸濁させるためのキャリア化学品
を更に含む固体二酸化炭素ペレットを用意すること；
ｂ）加圧ガス流を用意すること；
ｃ）ペレットと加圧ガスを合体して、ペレットを加速すること；および
ｄ）標的品目の表面を加速されたペレットに暴露すること
を含んでなる、標的品目の表面を処理する方法。
【請求項９】
１つ以上の添加物が抗菌化合物である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
抗菌化合物がラウリンアルギネート、天然乳酸、アスコルビン酸、安息香酸、乳酸塩、ラクチトール、グルコン酸塩、乳酸アンモニウム、乳酸カリウム、乳酸ナトリウム、乳酸ナトリウム粉末、ナトリウムジアセテート、メチルパラベン、亜硝酸カリウム、硝酸カリウム、プロピオン酸塩、ソルビン酸塩、安息香酸塩、およびこれらの組み合わせ物からなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
１つ以上の添加物が消毒剤である、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
消毒剤がペルオキシド、ギ酸、過ギ酸、過酸素化合物、過酢酸、過グルタル酸、過安息香酸、およびこれらの組み合わせ物からなる群から選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
キャリア化学品がエタノール、プロピレングリコール、およびｄ−リモネンと、これらの組み合わせ物からなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
ａ）ドライアイス；
ｂ）ドライアイスブラスト標的品目の表面上に放出可能であり、清浄化機能、滅菌機能、消毒機能、抗菌機能、およびヒトにおける嗅覚応答の少なくとも１つを行うように選択される１つ以上の添加物；および
ｃ）固体二酸化炭素中に１つ以上の添加物を懸濁させるためのキャリア化学品
を含んでなる、ドライアイスブラスト標的品目の表面を処理するためのペレット。
【請求項１５】
１つ以上の添加物が抗菌化合物、消毒剤、界面活性剤、洗浄剤、着臭剤、およびこれらの組み合わせ物の少なくとも１つから選択される、請求項１４に記載のペレット。
【請求項１６】
１つ以上の添加物が抗菌化合物である、請求項１５に記載のペレット。
【請求項１７】
抗菌化合物がラウリンアルギネート、天然乳酸、アスコルビン酸、安息香酸、乳酸塩、ラクチトール、グルコン酸塩、乳酸アンモニウム、乳酸カリウム、乳酸ナトリウム、乳酸ナトリウム粉末、ナトリウムジアセテート、メチルパラベン、亜硝酸カリウム、硝酸カリウム、プロピオン酸塩、ソルビン酸塩、安息香酸塩、およびこれらの組み合わせ物からなる群から選択される、請求項１６に記載のペレット。
【請求項１８】
１つ以上の添加物が消毒剤である、請求項１５に記載のペレット。
【請求項１９】
消毒剤がペルオキシド、ギ酸、過ギ酸、過酸素化合物、過酢酸、過グルタル酸、過安息香酸、およびこれらの組み合わせ物からなる群から選択される、請求項１８に記載のペレット。
【請求項２０】
キャリア化学品がエタノール、プロピレングリコール、およびｄ−リモネンと、これらの組み合わせ物からなる群から選択される、請求項１４に記載のペレット。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月29日(2010.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材表面へ親水性コーティングを塗布する方法であって、
水膨潤性材料を少なくとも一部に含む表面を有する基材を供給すること、
該基材表面を、（ｉ）架橋された滑らかな親水性コーティングを形成するように架橋可能な水溶性ポリマー及び（ｉｉ）架橋された滑らかな親水性コーティングを形成するように重合可能な水溶性モノマーの少なくとも１つを含む溶液と接触させること、並びに
架橋された滑らかな親水性コーティングを形成することを含み、
該親水性コーティングが、基材表面と絡み合い、且つ基材表面へしっかりと固着されている、基材表面へ親水性コーティングを塗布する方法。
【請求項２】
前記溶液は、水、アルコール及びそれらの混合物から成る群から選択される少なくとも１つの溶媒を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基材は第１の層及び第２の層を含み、該第１の層は前記水膨潤性材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の層は非水膨潤性材料を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記基材は医療用デバイスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記医療用デバイスは、医療移植片、血管内移植片、カテーテル及びコンタクトレンズから成る群から選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記水膨潤性材料はブロック共重合体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ブロック共重合体は、水膨潤性ポリアミドベースの共重合体、水膨潤性ポリエステルベースの共重合体、水膨潤性ウレタンベースの共重合体及びそれらの混合物から成る群から選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記水溶性ポリマーは、ポリアクリル酸、アクリル酸共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルラクタム、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール共重合体及びそれらの混合物から成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ポリ−Ｎ−ビニルラクタムは、ポリビニルピロリドンを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記水溶性モノマーは、ビニルアルコール、ビニルピロリドン、アクリルアミド、メタクリル酸エステル、アクリル酸及びそれらの混合物から成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記溶液は、架橋剤をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記親水性コーティングが、親水性コーティングと基材表面との間に共有結合性相互作用なしに基材表面に固定される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記架橋剤は、ＵＶ活性化可能な架橋剤、カルボジイミド、アジリジン、メラミンホルムアルデヒド及び多官能性カルボン酸架橋剤から成る群から選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記基材を、架橋剤を含む溶液と接触させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法に従って作製される基材。
【請求項１７】
親水性コーティングを有する基材であって、
膨潤状態及び非膨潤状態を有する水膨潤性材料を少なくとも一部に含む表面を有する基材、並びに
該表面上に配置される相互貫入重合体網目状構造であって、該親水性コーティングを該表面へ固着するように、膨潤状態の該水膨潤性材料の存在下で、（ｉ）架橋された滑らかな親水性コーティングを形成するように架橋可能な水溶性ポリマー及び（ｉｉ）架橋された滑らかな親水性コーティングを形成するように重合可能な水溶性モノマーの少なくとも１つにより形成される相互貫入重合体網目状構造
を含む、親水性コーティングを有する基材。
【請求項１８】
前記基材は第１の層及び第２の層を含み、該第１の層は前記水膨潤性材料を含む、請求項１７に記載の基材。
【請求項１９】
前記第２の層は非水膨潤性材料を含む、請求項１８に記載の基材。
【請求項２０】
前記基材は医療用デバイスを含む、請求項１７に記載の基材。
【請求項２１】
前記医療用デバイスは、医療移植片、血管内移植片、カテーテル及びコンタクトレンズから成る群から選択される、請求項１７に記載の基材。
【請求項２２】
前記水膨潤性材料は、水膨潤性ポリアミドベースの共重合体、水膨潤性ポリエステルベースの共重合体、水膨潤性ウレタンベースの共重合体及びそれらの混合物から成る群から選択されるブロック共重合体を含む、請求項１７に記載の基材。
【請求項２３】
前記水溶性ポリマーは、ポリアクリル酸、アクリル酸共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルラクタム、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール共重合体及びそれらの混合物から成る群から選択される、請求項１７に記載の基材。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月29日(2010.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質を拡大させる第１の作用物質と前記第１の作用物質を多孔質へ移動させる加圧された第２の作用物質との接触によって拡大された多孔質を有する吸着体であって、前記第１及び第２の作用物質の除去後に拡大された多孔質を保持する、吸着体。
【請求項２】
前記吸着体が、前記第１及び第２の作用物質と接触しない対応吸着体の充填能力より少なくとも３５％高い三フッ化ホウ素に対して測定された充填能力を有する、請求項１に記載の吸着体。
【請求項３】
炭素吸着体を含む、請求項１または２に記載の吸着体。
【請求項４】
前記炭素吸着体が、嵩高いモノリシック形態である、請求項３に記載の吸着体。
【請求項５】
有機金属化合物、水素化物、ハロゲン化物、および酸性ガスからなる群から選択される流体を吸着体上に吸着した、請求項４に記載の吸着体。
【請求項６】
前記第１及び第２の作用物質と接触しない対応吸着体に対してハロゲン化物ガス種を含むガスの充填能力が増加している、請求項１に記載の吸着体。
【請求項７】
前記ハロゲン化物ガス種が三フッ化ホウ素、ジボラン、三塩化ホウ素、三フッ化リン、五フッ化砒素、四塩化珪素、および四フッ化ゲルマニウムからなる群から選択される、請求項６に記載の吸着体。
【請求項８】
前記第１及び第２の作用物質が３５０℃未満の温度で除去された、請求項４に記載の吸着体。
【請求項９】
前記第１及び第２の作用物質が吸引及び加熱によって除去され、前記第２の作用物質がヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノン、及び不活性ガスからなる群から選択される物質を含み、前記第１の作用物質が水、エーテル、アルコール、有機溶剤、及び無機溶剤からなる群から選択される物質を含む、請求項８に記載の吸着体。
【請求項１０】
流体に対する吸着体の充填能力を増加させる方法であって、
（ｉ）前記吸着体を前記吸着体の多孔質を拡大させる第１の作用物質と接触させることと、
（ｉｉ）前記第１の作用物質と接触している前記吸着体を、前記多孔質へ第１及び第２の作用物質を移動させる超大気圧条件下で第２の作用物質と接触させることと、
（ｉｉｉ）前記第１及び第２の作用物質を前記吸着体から除去することと、を含む方法。
【請求項１１】
前記第１の作用物質が、水、エーテル、アルコール、有機溶剤、及び無機溶剤からなる群から選択される物質を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の作用物質が、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノン、及び不活性ガスからなる群から選択される物質を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１及び第２の作用物質を３５０℃未満の温度で除去する、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１及び第２の作用物質が吸引及び加熱条件によって除去される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記吸着体が、前記第１及び第２の作用物質と接触しない対応する吸着体の充填能力より少なくとも３５％高い三フッ化ホウ素に対して測定された充填能力を有する嵩高いモノリシック形態の炭素吸着体を含み、前記第１の作用物質が水を含み、前記第２の作用物質がヘリウムを含み、前記圧力条件が１００〜５００pｓｉの範囲の圧力を含み、前記除去工程が前記第１及び第２の作用物質の吸引除去及び前記炭素吸着体を１００℃〜３００℃の範囲の温度に加熱することを含む、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月27日(2010.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標識系に画像を形成する方法であって、
着色材料を細長い構造体の少なくとも一部分に塗布する工程と、
再帰反射性基板の近傍に前記細長い構造体を位置決めする工程と、
前記着色材料を塗布した前記細長い構造体の一部分における流体の流れを少なくとも前記着色材料の一部分が前記再帰反射性基板上に付着して前記標識系を形成するように方向付ける工程と、を含む画像を形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月2日(2010.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのポリマーおよび少なくとも１つの増感剤を含む材料であって、
増感剤が、該増感剤の電磁放射への曝露に続き、高い反応性の一重項酸素１Ｏ２を産生し、
増感剤が、該増感剤の電磁放射への曝露に続き、増大した抗細菌および／または抗ウィルス活性を提供し、
増感剤が、静電結合、水素結合またはファンデルワールス力によって、材料の表面に局在化し、
増感剤が中性であり、かつポリマーが中性であるか、または、増感剤が帯電し、かつポリマーが帯電している、
前記材料。
【請求項２】
増感剤が、１０ｎｍから１ｍｍの範囲の厚さの表面層に局在化している、請求項１に記載の材料。
【請求項３】
増感剤が、フタロシアニン、メタロフタロシアニン、スルホン化フタロシアニン、スルホン化メタロシアニン、クロリン、テキサフィリン、サフィリン、プルプリン、ポルフィリン、メチレンブルー、またはローズベンガルから少なくともから１つ選択されている、請求項１または２に記載の材料。
【請求項４】
増感剤がポルフィリンである、請求項１〜３のいずれかに記載の材料。
【請求項５】
ポルフィリンが、プロトポルフィリンＩＸ、テトラ‐４‐Ｎ‐メチルピリジニウムポルフィリン（ＴＭＰｙＰ）、テトラ‐４‐スルホナト‐フェニル‐ポルフィリン（ＴＰＰＳ）、テトラ（４Ｎ，Ｎ，Ｎ‐トリメチル‐アニリニウム）ポルフィンテトラクロリド（ＴＭＡＰ）、ヘマトポルフィリン誘導体（ＨｐＤ）およびその精製画分、および「フォトフリン」の少なくとも１つから選択されている、請求項４に記載の材料。
【請求項６】
少なくとも１つのポリマーが、ヒドロゲルである請求項１〜５に記載の材料。
【請求項７】
ヒドロゲルが、ポリ（メタクリル酸コメタクリル酸ヒドロキシエチル）、ポリ（メタクリル酸ジエチルアミノエチルコメタクリル酸ヒドロキシエチル）、またはポリ（メタクリル酸ヒドロキシエチルコプロトポルフィリン）から少なくとも１つ選択されている、請求項６に記載の材料。
【請求項８】
増感剤が、材料表面上のコーティング層として材料表面に局在化されている、請求項１〜７のいずれかに記載の材料。
【請求項９】
増感剤が、材料内の層として材料表面に局在化されている、請求項１〜８のいずれかに記載の材料。
【請求項１０】
増感剤が材料に浸透し、材料の形または表面構造を変化させない、請求項１〜９のいずれかに記載の材料。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の材料を含む医療デバイス。
【請求項１２】
医療デバイスが人工器官である、請求項１１に記載の医療デバイス。
【請求項１３】
人工器官が、人工水晶体もしくはコンタクトレンズから選択されている、請求項１２に記載の医療デバイス。
【請求項１４】
少なくとも１つのポリマーおよび少なくとも１つの増感剤を含む材料を製造する工程が
‐荷電増感剤の、ポリマーを含む材料の荷電表面への提供、および
‐ポリマーを含む材料の荷電表面への増感剤の静電結合
のステップを含む、前記工程。
【請求項１５】
少なくとも１つのポリマーおよび少なくとも１つの増感剤を含む材料を製造する工程が
‐増感剤を結合するための増感剤または材料表面の機能化
‐増感剤の材料表面への提供、および
‐増感剤の表面への結合
のステップを含む、前記工程。
【請求項１６】
少なくとも１つのポリマーおよび少なくとも１つの増感剤を含む材料を製造する工程が
‐中性増感剤の溶媒への溶解、および
‐中性ポリマーの、中性増感剤を溶媒に溶解した溶液への浸漬
のステップを含む、前記工程。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月18日(2010.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、前記基板上に配置のポリマー領域、及び前記ポリマー領域内又は下に配置の治療薬を含む埋め込み可能又は挿入可能な医療器具で、前記ポリマー領域が前記治療薬の前記治療器具からの放除を制御し、ソフトセグメントと均一なハードセグメントをそれぞれ含有する共重合体分子を含む医療器具。
【請求項２】
前記共重合体分子の少なくとも２５重量％が、均一長さのハードセグメントを有する請求項１に記載の医療器具。
【請求項３】
前記ポリマー領域がポリエーテルアミド共重合体分子を含み、それぞれがポリエーテルソフトセグメントと均一なポリアミドハードセグメントを含む請求項１に記載の医療器具。
【請求項４】
前記ポリエーテルアミド共重合体分子のそれぞれが複数のポリエーテルセグメントを含む請求項３に記載の医療器具。
【請求項５】
前記ポリエーテルアミド共重合体分子のそれぞれが、ポリアルキレンオキシド、ポリアルキレンオキシド誘導体、及び上述の物の組み合わせから選ぶポリエーテルセグメントを含む請求項３に記載の医療器具。
【請求項６】
前記ポリエーテルアミド共重合体分子のそれぞれが、ポリエチレンオキシド、ポリトリメチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリテトラメチレンオキシド、上述の物の誘導体及び上述の物の組み合わせから選ぶポリエーテルセグメントを含む請求項３に記載の医療器具。
【請求項７】
前記ポリエーテルアミド共重合体分子のそれぞれが、複数の均一なポリアミドセグメントを含む請求項３に記載の医療器具。
【請求項８】
前記ポリマー領域内のポリエーテルアミド共重合体分子の少なくとも２５重量％がそろいのポリアミドセグメントを有する請求項３に記載の医療器具。
【請求項９】
前記ポリエーテルアミド共重合体分子のそれぞれが、均一な芳香族ポリエステルアミドセグメントを含む請求項３に記載の医療器具。
【請求項１０】
前記ポリエーテルアミド共重合体分子のそれぞれが、均一なポリアミノ酸セグメントを含む請求項３に記載の医療器具。
【請求項１１】
均一な前記ポリアミノ酸セグメントが芳香族基を含む請求項３に記載の医療器具。
【請求項１２】
均一な前記ポリアミノ酸セグメントが複数の芳香族基を含む請求項３に記載の医療器具。
【請求項１３】
前記ポリエーテルアミド共重合体分子のそれぞれが、均一なポリアミノ酸デンドリマーセグメントを含む請求項３に記載の医療器具。
【請求項１４】
前記ポリエーテルアミド共重合体分子のそれぞれが、デンドリマーセグメントを含む請求項１に記載の医療器具。
【請求項１５】
前記ポリマー領域が、前記共重合体分子に生分解性結合により共有結合した前記治療薬を含む、請求項１に記載の医療器具。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月19日(2009.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の圧縮体積および第２の非圧縮体積を有するエラストマ多孔質材料を含む、血管閉塞デバイスであって、該多孔質材料は、配置後に該第２の非圧縮体積から膨張する、デバイス。
【請求項２】
前記多孔質材料は、配置直後に膨張する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記多孔質材料は、配置直後には膨張しない、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記多孔質材料はポリマーを含む、請求項１から請求項３までのいずれかに記載のデバイス。
【請求項５】
前記ポリマーは、シリコーン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエステル、ポリウレタン、タンパク質、ヒドロゲル材料、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
放射線不透過性材料をさらに含む、請求項１から請求項５までのいずれかに記載のデバイス。
【請求項７】
構造要素をさらに含む、請求項１から請求項６までのいずれかに記載のデバイス。
【請求項８】
前記多孔質材料は、前記構造要素を少なくとも部分的に囲むか、または該構造要素によって少なくとも部分的に囲まれる、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記多孔質材料は、前記構造要素を少なくとも部分的に囲む、請求項７に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記構造要素は、前記多孔質材料を少なくとも部分的に囲む、請求項７に記載のデバイス。
【請求項１１】
第１および第２の構造要素を含み、前記多孔質材料は、該第１の構造要素を少なくとも部分的に囲み、該第２の構造要素は、該多孔質材料を少なくとも部分的に囲む、請求項７に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記多孔質材料は、１つ以上の位置において前記構造要素に取り付けられる、請求項７から請求項１１までのいずれかに記載のデバイス。
【請求項１３】
前記構造要素は、金属を含む、請求項７から請求項１２までのいずれかに記載のデバイス。
【請求項１４】
前記金属は、ニッケル、チタン、プラチナ、金、タングステン、イリジウム、およびそれらの合金または組み合わせから成る群から選択される、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記金属は、ニチノールまたはプラチナである、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記構造要素は、コイルを含む、請求項７から請求項１５までのいずれかに記載のデバイス。
【請求項１７】
前記コイルは、ニッケル、チタン、プラチナ、金、タングステン、イリジウム、および
それらの合金または組み合わせから成る群から選択される金属を含む、請求項１６に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記コイルは、ステンレス鋼または超弾性合金を含む、請求項１７に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記構造要素は、管状の編組を含む、請求項７から請求項１５までのいずれかに記載のデバイス。
【請求項２０】
前記構造要素は、生分解性材料を含む、請求項７から請求項１９までのいずれかに記載のデバイス。
【請求項２１】
前記構造要素は、分離可能な接合部をさらに含む、請求項７から請求項２０までのいずれかに記載のデバイス。
【請求項２２】
前記分離可能な接合部は、プッシャに電流を印加することによって該プッシャから分離するように適合された、電解により分離可能な端部を含む、請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２３】
生物活性成分をさらに含む、請求項１から請求項２２までのいずれかに記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月29日(2010.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
体内処置中に先に導入したワイヤガイドに連結できるようにした連結ワイヤガイドであって、
遠位端を有する本体と、
該本体の該遠位端に接続され、前記先に導入したワイヤガイドを摺動可能に受け入れるようにされた連結通路を画定する連結先端と、を備え、
該連結先端は該連結ワイヤガイドが該先に導入したワイヤガイドの中間区分に取り付けられるのを可能にするように構成され、且つ、該連結ワイヤガイドがワイヤガイドとして単独で使用できるように、はずされたときに、該本体と概ね整列している、連結ワイヤガイド。
【請求項２】
請求項１に記載の連結ワイヤガイドであって、該本体の遠位端に接続された該連結先端の連結部分と前記連結通路を画定する該連結先端の取付部分との間に設けられる可撓性を有するストリップ部分を更に備える、連結ワイヤガイド。
【請求項３】
請求項２に記載の連結ワイヤガイドであって、該ストリップ部分が半環状でありかつ該連結通路へのアクセスを提供する、連結ワイヤガイド。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の連結ワイヤガイドであって、該連結先端が該連結通路内に該先に導入したワイヤガイドを維持するように構成された可撓性を有する複数の保持タブを含む、連結ワイヤガイド。  
【請求項５】
請求項１に記載の連結ワイヤガイドであって、該連結先端が取付部分と連結部分とを有し、該取付部分は該本体の遠位端に接続され、該連結部分は前記連結通路を画定するらせん路に巻かれたストリップを含む、連結ワイヤガイド。
【請求項６】
請求項５に記載の連結ワイヤガイドであって、該らせん状ストリップが該ストリップの隣接する巻回部分の間にらせん状スロットを画定する、連結ワイヤガイド。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載の連結ワイヤガイドであって、該連結部分は弾性材料で構成され、該らせん状ストリップが該先に導入したワイヤガイドを受け入れるために撓むようにされた、連結ワイヤガイド。
【請求項８】
請求項７に記載の連結ワイヤガイドであって、該らせん状ストリップが部分的にまき戻され、該先に導入したワイヤガイド周りに再度巻かれるように構成されている、連結ワイヤガイド。
【請求項９】
請求項１に記載の連結ワイヤガイドであって、該連結先端がらせん状に巻かれたストリップを含む、連結ワイヤガイド。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月29日(2010.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感作細胞を、該感作細胞の少なくともいくぶんかを殺傷するかまたは機能を改変する治療的処置に供する工程を含む方法であって、該感作細胞における１以上の熱ショックタンパク質のレベルが、該細胞の該１以上の熱ショックタンパク質の構成レベルを約１０％以上下回り、該感作細胞が、ストレス誘導剤で細胞を処理することによって形成されたものであり、該感作細胞を治療的処置に供する工程が、該感作細胞の形成の約２時間以内に行われ、該感作細胞がインビトロ細胞であるかまたは非ヒトインビボ細胞であり、
それによって該感作細胞を含む一群の細胞または組織中の疾患細胞の存在を減少させる、方法。
【請求項２】
前記感作細胞が、ストレス誘導剤でインビトロ細胞または非ヒトインビボ細胞を１０分以下の間処理することによって形成されたものである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
さらに以下の工程を含む、請求項１または２に記載の方法：
インビトロ細胞または非ヒトインビボ細胞を、前記感作細胞を形成するのに十分な投与量のストレス誘導剤に供する工程。
【請求項４】
前記感作細胞における１以上の熱ショックタンパク質のレベルが、該細胞の該１以上の熱ショックタンパク質の構成レベルを１０％より大きく下回る、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記感作細胞におけるＨｓｐ７０のレベルが、該細胞のＨｓｐ７０の構成レベルを約１０％以上下回る、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記感作細胞におけるＨｓｐ７０のレベルが、該細胞のＨｓｐ７０の構成レベルを１０％より大きく下回る、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記感作細胞を治療的処置に供する工程が、該感作細胞の形成の約２０分から約１時間以内に行われる、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記感作細胞を治療的処置に供する工程が、該感作細胞を、該感作細胞の少なくともいくぶんかを殺傷する治療的処置に供する工程を含む、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記感作細胞を治療的処置に供する工程が、該感作細胞を、該感作細胞の少なくともいくぶんかの増殖を抑制する治療的処置に供する工程を含む、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記感作細胞を治療的処置に供する工程が、該感作細胞における熱ショックタンパク質の構成レベルが回復される前に行われる、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記治療的処置が、前記感作細胞を化学療法剤で処理する工程を含む、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記治療的処置が、前記感作細胞を高線量電離放射線で処理する工程を含む、請求項１から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記感作細胞が、低線量放射線（ＬＤＲ）感作細胞である、請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記感作細胞を治療的処置に供する工程の前に前記ＬＤＲ感作細胞が曝される電離放射線の総線量が、約０．５ｃＧｙから約５０ｃＧｙの範囲内にある、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記感作細胞を治療的処置に供する工程の前に前記ＬＤＲ感作細胞が曝される電離放射線の総線量が、約１ｃＧｙから約１０ｃＧｙの範囲内にある、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記感作細胞を治療的処置に供する工程が、前記ＬＤＲ感作細胞の低線量放射線への被曝の約２時間以内に行われる、請求項１３から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記感作細胞を治療的処置に供する工程が、前記ＬＤＲ感作細胞の低線量放射線への被曝の約２０分から約１時間以内に行われる、請求項１３から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
さらに以下の工程を含む、請求項１３から１７のいずれかに記載の方法：
インビトロ細胞または非ヒトインビボ細胞を、前記ＬＤＲ感作細胞を形成するのに十分な線量の低線量放射線に供する工程。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月29日(2010.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上の受信者へ電子メッセージを伝送するためのシステムであって、
通信ネットワークに接続されるネットワーク装置を有する通信ネットワークを有し、
前記ネットワーク装置はメールサーバおよび暗号鍵サーバを有し、
前記メールサーバは複数の前記ネットワーク装置のいずれかを用いた前記１以上の受信者からのアクセスのために電子メッセージを記憶することが可能であり、
少なくとも一つのネットワーク装置が前記１以上の受信者への伝送のために暗号化された電子メッセージを生成することが可能であり、
前記暗号化されたメッセージは、セッション鍵を用いた対称暗号化アルゴリズムにより暗号化された前記１以上の受信者へのメッセージに対応する暗号化されたメッセージデータと、前記受信者に関連する各々の公開鍵を用いた非対称暗号化アルゴリズムによって暗号化された前記セッション鍵に対応する各受信者に対する暗号化されたセッション鍵データとを備え、
前記メールサーバに記憶された暗号化されたメッセージへの１の受信者からのアクセス要求に応答して、前記メールサーバは前記暗号化された当該１の受信者に対応するセッション鍵データを前記暗号鍵サーバに転送するために前記暗号化された電子メッセージから抽出することが可能であり、
前記暗号化されたセッション鍵データの受信に応じて、前記暗号鍵サーバは、前記暗号化されたセッション鍵のデータを前記受信者に関連する秘密鍵を用いて復号化することによって、前記暗号鍵サーバから離れたリモートネットワーク装置へ転送するために、セッション鍵を再生することが可能であり、
前記リモートネットワーク装置は、前記暗号鍵サーバにより再生された前記セッション鍵を用いて、前記暗号化されたメッセージデータから前記メッセージを再生することが可能であるシステム。
【請求項２】
前記メールサーバは、前記暗号鍵サーバのネットワークアドレスと前記暗号化されたセッション鍵のデータとリダイレクトネットワークアドレスとを有するリンクデータを生成することが可能であり、
前記暗号鍵サーバは前記再生されたセッション鍵を前記リダイレクトネットワークアドレスへ転送することが可能である、
請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記リンクデータは、更に前記受信者の識別データを有する、
請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記リンクデータは、前記暗号化された電子メッセージが送信された期間を特定する時間データを更に有する、
請求項２又は３に記載のシステム。
【請求項５】
前記リンクデータは、統一資源位置指定子を有する、
請求項２〜４のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
前記再生されたセッション鍵が転送される前記リモート装置が前記メールサーバであり、
前記メールサーバは前記暗号化されたメッセージデータを前記再生されたセッション鍵を用いて復号化することが可能である、
請求項１〜５のいずれかに記載のシステム。
【請求項７】
前記受信者に関連する前記公開鍵が前記受信者の識別情報を用いて生成される、
請求項１〜６のいずれかに記載のシステム。
【請求項８】
前記識別情報は、前記受信者の電子メールアドレスである、
請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
i）セッション鍵を用いた対称暗号化アルゴリズムで暗号化された受信者のメッセージに対応する暗号化されたメッセージデータと、ii）前記受信者に関連する公開鍵を用いた非対称暗号化アルゴリズムで暗号化された前記セッション鍵に対応する暗号化されたセッション鍵データとを有する、暗号化された受信者への電子メッセージを記憶することが可能であるデータ記憶部と、
リモートネットワーク装置とデータを送受信することが可能であるネットワークインタフェースと、
暗号化されたメッセージへのアクセス要求に従い、前記要求された電子メッセージから前記暗号化されたセッション鍵データを抽出し、前記抽出された暗号化されたセッション鍵データをリモートネットワーク装置に転送することが可能であるプロセッサを備えるネットワークサーバ。
【請求項１０】
前記プロセッサは暗号化されたセッション鍵データと暗号鍵サーバのネットワークアドレスとリダイレクトネットワークアドレスとを有するリンクデータを生成することが可能である、
請求項９に記載のネットワークサーバ。
【請求項１１】
前記プロセッサは、前記受信者の識別情報を更に有するリンクデータを生成することが可能である、
請求項１０に記載のネットワークサーバ。
【請求項１２】
前記プロセッサは、前記暗号化された電子メッセージが送信された期間を特定する時間データを更に有するリンクデータを生成することが可能である、
請求項１０又は１１に記載のネットワークサーバ。
【請求項１３】
前記リンクデータは、統一資源位置指定子を有する、
請求項１０〜１２のいずれかに記載のネットワークサーバ。
【請求項１４】
複数のクライアントの１人に関連する秘密鍵を再生する再生手段と、
受信した暗号化されたセッション鍵データを前記再生された秘密鍵を用いて復号化してセッション鍵を再生する復号化手段と、
前記再生されたセッション鍵をリモートネットワーク装置へ転送する転送手段とを有するネットワークサーバ。
【請求項１５】
前記再生手段は、前記複数のクライアントの秘密鍵を記憶するデータベースを有する、
請求項１４に記載のネットワークサーバ。
【請求項１６】
前記暗号化されたセッション鍵は、ネットワークアドレスと共に受信され、前記転送手段は前記再生されたセッション鍵を前記ネットワークアドレスに転送することが可能である、
請求項１４又は１５に記載のネットワークサーバ。
【請求項１７】
前記再生手段はルート秘密鍵と前記クライアントの識別情報とを用いて前記秘密鍵を生成することが可能である、
請求項１４に記載のネットワークサーバ。
【請求項１８】
前記識別情報は前記クライアントの電子メールアドレスである、
請求項１７に記載のネットワークサーバ。
【請求項１９】
プログラムで制御できる処理装置を請求項９〜１８のいずれかに記載のネットワークサーバとして動作するようにプログラムするための指令を有するデータ搬送体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月27日(2010.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１組の重み付けパラメータを導出することによってピクチャを符号化し、選択基準に基づいて前記１組の重み付けパラメータのうちの少なくとも１つの重み付けパラメータを選択し、前記選択した少なくとも１つの重み付けパラメータを、前記ピクチャを符号化するために使用される参照ピクチャに適用するエンコーダを備える、装置。
【請求項２】
前記エンコーダが、前記１組の重み付けパラメータのうちの前記少なくとも１つの重み付けパラメータを、前記１組の重み付けパラメータのそれぞれを用い、且つ速度歪み最適化を用いた前記ピクチャの完全符号化に基づいて選択する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記速度歪み最適化が、ラグランジュの乗数法を用いて実行される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記エンコーダが、前記少なくとも１つの重み付けパラメータを、歪みメトリックの計算に基づいて選択する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記歪みメトリックが、前記ピクチャと重み付け参照ピクチャの間の絶対ピクチャ差として計算される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記歪みメトリックが、前記ピクチャのヒストグラムと重み付け参照ピクチャのヒストグラムの間の差として計算される、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記エンコーダが、ヒストグラム方法、ピクチャ平均、線形回帰、変位差および反復的方法のうちの少なくとも１つを使用して、前記ピクチャの明示的重み付けパラメータを推定する、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
前記エンコーダが、歪み特性付けに基づいて前記ピクチャを符号化するための最適な重み付け方法も選択し、前記最適な重み付け方法が、非重み付け予測方法、明示的重み付け予測方法および暗示的重み付け予測方法の中から選択され、それらの方法がそれぞれ前記重み付けパラメータの組に含まれる、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記歪み特性付けが、リスト０およびリスト１の参照ピクチャの両方に基づいて計算された双方向予測歪みを含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記エンコーダが、少なくとも１つの遷移検出方法を使用して前記ピクチャを符号化するための前記最適な重み付け方法を選択する、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
１組の重み付けパラメータを導出することによってピクチャを符号化するステップと、
選択基準に基づいて前記１組の重み付けパラメータのうちの少なくとも１つの重み付けパラメータを選択するステップと、
前記選択した少なくとも１つの重み付けパラメータを、前記ピクチャを符号化するために使用される参照ピクチャに適用するステップと、
を含む、ビデオ符号化方法。
【請求項１２】
前記符号化ステップで、前記１組の重み付けパラメータのうちの前記少なくとも１つの重み付けパラメータを、前記１組の重み付けパラメータのそれぞれを用い、且つ速度歪み最適化を用いた前記ピクチャの完全符号化に基づいて選択する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記速度歪み最適化が、ラグランジュの乗数法を用いて実行される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記符号化ステップで、前記少なくとも１つの重み付けパラメータを、歪みメトリックの計算に基づいて選択する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記歪みメトリックが、前記ピクチャと重み付け参照ピクチャの間の絶対ピクチャ差として計算される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記歪みメトリックが、前記ピクチャのヒストグラムと重み付け参照ピクチャのヒストグラムの間の差として計算される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記符号化ステップで、ヒストグラム方法、ピクチャ平均、線形回帰、変位差および反復的方法のうちの少なくとも１つを使用して、前記ピクチャの明示的重み付けパラメータを推定する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記符号化ステップで、歪み特性付けに基づいて前記ピクチャを符号化するための最適な重み付け方法も選択し、前記最適な重み付け方法が、非重み付け予測方法、明示的重み付け予測方法および暗示的重み付け予測方法の中から選択され、それらの方法がそれぞれ前記重み付けパラメータの組に含まれる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記歪み特性付けが、リスト０およびリスト１の参照ピクチャの両方に基づいて計算された双方向予測歪みを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記符号化ステップで、少なくとも１つの遷移検出方法を使用して前記ピクチャを符号化するための前記最適な重み付け方法を選択する、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月26日(2010.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁層で隔てられている第１及び第２の導電フォイルを備えるコンプライアント基板であって、前記絶縁層の熱伝導率を高める粒子で充填されているポリマー材料を前記絶縁層が含む、コンプライアント基板と、
前記第１の導電フォイルの上に配置される複数のＬＥＤダイと
を備える照明アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月11日(2009.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャル堆積法であって：
酸化物層を有する基板を処理チャンバ内に導入するステップと；
プラズマキャビティ内にガス混合物を導入するステップと；
該ガス混合物を励起して、該キャビティ内に反応性ガスのプラズマを生成させるステップと；
該処理チャンバ内に該反応性ガスを導入するステップと；
該基板を該反応性ガスと反応させて、揮発性膜を形成するステップであって、該基板と該反応性ガスとを反応させつつ、該基板を６５℃以下に維持する、前記ステップと；
該基板を少なくとも７５℃の第一温度まで加熱して該揮発性膜を蒸発させ、該酸化物層を除去することにより該エピタキシー表面をさらすステップと；
該エピタキシー表面上にエピタキシャル層を形成するステップと；
を含む、前記方法。
【請求項２】
該プラズマが、該基板と接触しない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該プラズマキャビティが、該処理チャンバから分離される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
該エピタキシャル層を形成するステップが、該基板を周囲空気にさらさずに該基板をエピタキシャル堆積リアクタに移動させる工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
該プラズマキャビティと該処理チャンバと該エピタキシャル堆積リアクタが、マルチチャンバ処理システムにすべて真空接続されている、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
該第一温度が、少なくとも１００℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
該第一温度が、１００℃から２００℃である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
該ガス混合物が、アンモニア（ＮＨ３）と三フッ化窒素（ＮＦ３）を含み、該反応性ガスが、フッ化アンモニア（ＮＨ４Ｆ）又はフッ化水素アンモニウム（ＮＨ４Ｆ・ＨＦ）を含み、該揮発性膜が、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム（(ＮＨ４)２ＳｉＦ６）を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
マルチチャンバ装置であって、
エピタキシャル堆積リアクタと；
該エピタキシャル堆積リアクタと真空気密に接続しているドライエッチングプロセッサであって、
基板を保持するように適合された処理チャンバ、
該処理チャンバから離れてプラズマを形成させるように適合されたプラズマキャビティ、
を備える、前記ドライエッチングプロセッサと；
基板を該ドライエッチングプロセッサから該エピタキシャル堆積リアクタに搬送する搬送ロボットと；
を備える、前記装置。
【請求項１０】
該処理チャンバが、基板を冷却することができる一つ以上の流体チャネルを含む基板支持体と、該プラズマキャビティと流体連通しているリッドアセンブリの少なくとも下部と、を含み、該リッドアセンブリの該下部が、該基板を対流的に加熱するように適合されている、請求項９に記載のマルチチャンバ装置。
【請求項１１】
該プラズマキャビティが、第一電極と第二電極を含み、第一電極が、高周波源、マイクロ波源又は直流源に結合され、該第二電極が、接地され、該リッドアセンブリの該下部と流体連通している、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
該支持アセンブリが、該リッドアセンブリの該下部に近接した加熱位置と該リッドアセンブリの該下部から離れたエッチング位置との間で該チャンバ内を移動するように適合されている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
該支持体が、第一端部と第二端部を有する基板支持面と、該第二端部で該第一端部とパージガス源又は真空源と流体連通しているガス通路と、を含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
該プラズマキャビティが、アンモニア（ＮＨ３）と三フッ化窒素（ＮＦ３）を供給することができる供給源に結合されている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
該ドライリアクタが、フッ化アンモニア（ＮＨ４Ｆ）又はフッ化水素アンモニウム（ＮＨ４Ｆ・ＨＦ）を含む反応性ガスを形成するように適合されている、請求項１１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月27日(2010.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相変化合金を含有する基材を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物であって、
（ａ）３重量％以下の量の粒状研磨材料、
（ｂ）前記相変化合金、その成分、あるいは化学機械研磨中に前記ＰＣＡ材料から形成される物質をキレート化することのできる少なくとも１種類のキレート化剤、及び
（ｃ）該組成物のための水性キャリヤ
を含んでなるＣＭＰ組成物。
【請求項２】
前記粒状研磨材料が、コロイド状シリカ、フュームドシリカ及びα−アルミナからなる群から選ばれる、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項３】
酸化剤をさらに含む、請求項１又は２に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項４】
前記酸化剤が、過酸化水素、過硫酸塩、過ヨウ素酸塩及びその塩からなる群から選ばれる少なくとも１種類の酸化剤を含む、請求項３に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項５】
前記キレート化剤が、ジカルボン酸、ポリカルボン酸、アミノカルボン酸、リン酸塩、ポリリン酸塩、アミノリン酸塩及びホスホノカルボン酸、高分子キレート化剤ならびにその塩からなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項６】
相変化合金を含有する基材を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）方法であって、下記の工程：
（ａ）相変化合金を含有する基材の表面に、研磨パッドと、水性ＣＭＰ組成物であって、水性キャリヤ、粒状研磨材料、任意の酸化剤及び前記相変化合金、その成分、あるいは化学機械研磨中に該組成物から形成される物質をキレート化することのできるキレート化剤を含み、かつ前記粒状研磨材料が６重量％以下の量で存在しているＣＭＰ組成物とを接触させること、及び
（ｂ）前記ＣＭＰ組成物の一部と、前記研磨パッドと前記基材の間の表面との接触を前記基材から前記相変化合金の少なくとも一部を研磨するのに十分な時間にわたって継続する一方で、前記研磨パッドと前記基材との間で相対運動を引き起こすこと
を含んでなるＣＭＰ方法。
【請求項７】
前記基材がゲルマニウム・アンチモン・テルル（ＧＳＴ）合金を含む、請求項６に記載のＣＭＰ方法。
【請求項８】
前記基材が線形材料をさらに含む、請求項６又は７に記載のＣＭＰ方法。
【請求項９】
前記基材が、前記ＧＳＴ合金及び前記線形材料の下に二酸化ケイ素の層をさらに含む、請求項８に記載のＣＭＰ方法。
【請求項１０】
前記ＧＳＴ合金及び前記線形材料がそれぞれ研磨され、前記二酸化ケイ素の層のところで研磨が停止される、請求項９に記載のＣＭＰ方法。
【請求項１１】
前記基材がインジウム・アンチモン（ＩｎＳｂ）を含む、請求項６に記載のＣＭＰ方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月25日(2009.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
骨リモデリングの治療のための医薬の製造における、配列番号４８で示されるポリペプチド、または配列番号１によってコードされるポリペプチドの活性または発現を阻害することができる化合物の使用。
【請求項２】
骨リモデリングが、骨粗しょう症、骨減少症、骨軟化症、副甲状腺機能亢進症、甲状腺機能亢進症、性腺機能低下症、甲状腺中毒症、全身性肥満細胞症、成人型低ホスファターゼ症、副腎皮質機能亢進症、骨形成不全症、パジェット病、クッシング病/症候群、チューマー症候群、ゴーシェ病、エーラース-ダンロス症候群、マルファン症候群、メンケス症候群、ファンコニー症候群、多発性骨髄腫、高カルシウム血症、低カルシウム血症、関節炎症、歯周病、くる病、繊維形成不全症骨、骨硬化症障害、およびマクロファージ媒介性炎症プロセスによって引き起こされる障害からなる群から選択される疾患を原因とする、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記化合物が、抗体またはその抗原結合断片である、請求項１または２に記載の使用。
【請求項４】
配列番号４８で示されるポリペプチド、または配列番号１によってコードされるポリペプチドの機能を損なうことができる阻害化合物を同定するための方法であって、前記ポリペプチドまたは前記ポリペプチドを発現する細胞を候補化合物と接触させるステップ、および前記ポリペプチドの機能を測定し、それにより前記ポリペプチドの破骨細胞の分化を促進する能力の低下によって適切な阻害化合物が明確に同定されるステップを含む方法。
【請求項５】
前記破骨細胞の分化が誘導される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記細胞が前記ポリペプチドを自然に発現しない、また自然に発現されるポリペプチド類似体の発現が抑制される、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記候補化合物が、抗体またはその抗原結合断片である、請求項４から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
配列番号４８で示されるポリペプチド、配列番号１によってコードされるポリペプチド、または前記ポリペプチドの少なくとも6アミノ酸の断片と特異的に結合することができる、単離若しくは精製抗体またはその抗原結合断片。
【請求項９】
配列番号４８の破骨細胞の分化活性を阻害することができる、請求項８に記載の単離若しくは精製抗体またはその抗原結合断片。
【請求項１０】
配列番号４８で示されるポリペプチド、配列番号１によってコードされるポリペプチド、または前記ポリペプチドの少なくとも6アミノ酸の断片と特異的に結合することができる抗体または抗原結合断片を産生するハイブリドーマ細胞。
【請求項１１】
前記抗体または抗原結合断片が、配列番号４８の破骨細胞の分化活性を阻害することができる、請求項１０に記載の細胞。
【請求項１２】
配列番号４８で示されるポリペプチド、配列番号１によってコードされるポリペプチド、または前記ポリペプチドの少なくとも6アミノ酸の断片と特異的に結合することができる抗体または抗原結合断片、並びに担体を含む組成物。
【請求項１３】
前記抗体または抗原結合断片が、配列番号４８の破骨細胞の分化活性を損なうことができる、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
破骨細胞の分化を調節するための、または破骨細胞の分化と関連する骨の減少を治療するための医薬の製造における、配列番号４８で示される単離ポリペプチド、配列番号１によってコードされるポリペプチド、前記ポリペプチドの生物活性断片、または前記ポリペプチドの生物活性類似体の使用。
【請求項１５】
破骨細胞の分化を調節するための、または破骨細胞の分化と関連する骨の減少を治療するための医薬の製造における、配列番号４８で示される単離ポリペプチド、または配列番号１によってコードされるポリペプチドの活性または発現を阻害することができる化合物の使用。
【請求項１６】
前記化合物が、抗体またはその抗原結合断片である、請求項１５に記載の使用。
【請求項１７】
前記破骨細胞の分化が、骨粗しょう症、骨減少症、骨軟化症、副甲状腺機能亢進症、甲状腺機能亢進症、性腺機能低下症、甲状腺中毒症、全身性肥満細胞症、成人型低ホスファターゼ症、副腎皮質機能亢進症、骨形成不全症、パジェット病、クッシング病/症候群、チューマー症候群、ゴーシェ病、エーラース-ダンロス症候群、マルファン症候群、メンケス症候群、ファンコニー症候群、多発性骨髄腫、高カルシウム血症、低カルシウム血症、関節炎症、歯周病、くる病、繊維形成不全症骨、骨硬化症障害、およびマクロファージ媒介性炎症プロセスによって引き起こされる障害からなる群から選択される状態と関連する、請求項１５に記載の使用。
【請求項１８】
配列番号４８で示されるポリペプチド、または配列番号１によってコードされるポリペプチドの発現を損なうことができる阻害化合物を同定するための方法であって、前記ポリペプチドまたは前記ポリペプチドを発現する細胞を候補化合物と接触させるステップ、および前記ポリペプチドの発現を測定し、それにより前記ポリペプチドの発現の低下によって適切な阻害化合物が明確に同定されるステップを含む方法。
【請求項１９】
前記化合物が、抗体またはその抗原結合断片である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
配列番号４８で示される単離ポリペプチド、配列番号１によってコードされるポリペプチド、前記ポリペプチドの生物活性断片、前記ポリペプチドの生物活性類似体、並びに薬剤として許容される担体を含む、破骨細胞の分化を調節するための医薬組成物。
【請求項２１】
破骨細胞の分化と関連する骨の減少の治療における使用のための、または破骨細胞の分化を調節するための、配列番号４８で示されるポリペプチド、または配列番号１によってコードされるポリペプチドの活性または発現を阻害することができる化合物。
【請求項２２】
前記化合物が、抗体またはその抗原結合断片である、請求項２１に記載の化合物。
【請求項２３】
破骨細胞の分化と関連する骨の減少の治療における使用のための、配列番号４８で示される単離ポリペプチド、配列番号１によってコードされるポリペプチド、前記ポリペプチドの生物活性断片、または前記ポリペプチドの生物活性類似体。