【事件の表示】
　特願２００１−　３９３１５「走査光電気化学顕微鏡」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月２８日出願公開、特開２００２−２４３６１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯　
　本願は、平成１３年２月１６日の出願であって、拒絶査定（発送日、平成１６年２月２４日）がなされ、これに対し、平成１６年３月１９日に審判請求が行われるとともに、同日付けで手続補正が行われたものである。　
　
２．平成１６年３月１９日付け手続補正についての補正却下の決定　
［補正却下の決定の結論］　
　平成１６年３月１９日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。　
　
［理由］　
（１）本件補正の内容　
　本件補正は、請求項１について、以下の【補正前の請求項１】から【補正後の請求項１】に補正することを内容とするものである。（下線部は、補正箇所である。）
【補正前の請求項１】（平成１５年５月６日付け手続補正書）
　電極表面に設けた光応答性薄膜の光起電力を測定する装置であり、励起用レーザ光源からのレーザ光を回折限界まで絞り込んで光応答性薄膜に照射する光学系と、平面内を二次元方向に移動可能な光応答性薄膜載置用ステージと、レーザ光照射によって光応答性薄膜に生じた微小領域の光起電力を検出する測定系とを備え、回折限界まで絞り込んだレーザ光で光応答性薄膜を二次元方向に走査することを特徴とする走査光電気化学顕微鏡。　
　
【補正後の請求項１】
　
平面内を二次元方向に移動可能なステージに載置した光応答性薄膜に、励起用励起用レーザ光源からのレーザ光を回折限界まで絞り込んで照射し、レーザ光で光応答性薄膜を二次元方向に走査しながら光応答性薄膜のスポット領域及びその周辺部に生じた光起電力を検出し、該光起電力から光応答性薄膜の欠陥部及び／又は不均一性を表す情報を得ることを特徴とする光応答性薄膜の測定方法。
　
（２）補正の目的の判断　
　本件補正は、請求項１について、補正前の発明が「走査光電気化学顕微鏡」であったのを補正後の「光応答性薄膜の測定方法」に補正する、つまり、発明のカテゴリーを「物の発明」から「方法の発明」に変更すると共に、発明の対象を「走査電気化学顕微鏡」から「光応答性薄膜の測定方法」に変更し、さらに、発明の内容も上記のように全体として変更するものである。したがって、本件補正は、補正前の請求項１を限定するものとはいえず、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。　
　また、本件補正が、請求項の削除、誤記の訂正、又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものにも該当しないことは明らかである。　
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第１〜４号に規定する何れの事項を目的とするものともいえない。　
　
（３）むすび　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
３．本願発明について　
（１）本願発明　
　平成１６年３月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１５年５月６日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載によれば、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に記載された事項は上記「２．（１）【補正前の請求項１】」に記載したとおりである。（以下、補正前の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）　
　
（２）引用刊行物記載の発明　
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開平１１−２８４０３９号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、「半導体ウェーハの結晶欠陥検査装置」に関する発明が記載されており、次の記載がある。
ア．「図１において、１は測定部であって、次のように構成されている。すなわち、２は測定対象のシリコンウェーハ（以下、単にウェーハという）で、例えば縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚さ１００μｍの大きさのｎ型シリコン基板である。・・・３はウェーハ１の下面側に形成される金アンチモン、金ガリウム、アルミニウムなどよりなるオーミック電極である。
　４はウェーハ２の上面全体にわたって形成される絶縁膜で、・・・ある。
　７は絶縁層４の上面に接触するように配置される電解質溶液、例えば塩化カリウム水溶液で、この実施の形態においては、絶縁層４の上部に水密に立設された樹脂など適宜の素材よりなる周壁８内に収容される。
　９，１０は電解質溶液７に浸漬される対極、比較電極である。
　１１はウェーハ２を載置するとともに、このウェーハ２と周壁８とを一体的に二次元方向・・・に走査するウェーハ走査装置で、・・・走査制御装置１２からの信号によって制御される。
　１３はウェーハ２に対して照射される例えば近赤外領域のレーザ光１４を発するレーザ光源で、ウェーハ２の下面側に設けられている。このレーザ光源１３は、後述するインタフェースボード１９を介してコンピュータ２０の制御信号によってレーザ光１４を断続的に発するとともに、走査制御装置１２によって二次元方向に走査されるウェーハ２に対してその下面側から最適なビーム径になるように調整されたレーザ光１４を照射するように構成されている。
　１５は上述のように構成された測定部１を制御するための制御ボックスであって、ウェーハ２に適宜のバイアス電圧を印加するためのポテンショスタット１６、ウェーハ２に形成されたオーミック電極３から取り出される電流信号を電圧信号に変換する電流−電圧変換器１７、・・・などよりなる。」（第４頁左欄第４７行から右欄第４４行）　
イ．「上記構成の装置を用いてウェーハ２における結晶欠陥を検査する方法を説明すると、一方の面（上面）に絶縁膜４を形成するとともに、他方の面（下面）に機械的研磨を施したウェーハ２を、絶縁膜４が上面になるようにウェーハ走査装置１１上にセットし、さらに、ウェーハ２の上面に周壁８を水密に立設する。そして、周壁８と絶縁膜４で形成される周壁８内部に電解質溶液７を収容し、この溶液７内に対極９および比較電極１０を浸漬し、これらをポテンショスタット１６に接続する。また、ウェーハ２に形成されたオーミック電極３を電流−電圧変換器１７に接続する。
　そして、この状態で、ポテンショスタット１６によって、比較電極９とオーミック電極３との間（電解質溶液７とウェーハ２との間）に電圧を印加し、ウェーハ２と絶縁膜４の界面の半導体層２ａを反転状態にし、ウェーハ２に最大幅の空乏層を生じさせる。・・・
　電解質溶液７とウェーハ２との間にバイアス電圧を印加して、ウェーハ２と絶縁膜４の界面の半導体層２ａを反転状態にした状態で、コンピュータ２０からの制御信号をインタフェースボード１９を介してレーザ光源１３に入力し、レーザ光源１３から、バンドギャップ（１．１ｅＶ）以上のエネルギーをもつ変調レーザ光１４を一定周期（例えば１０ｋＨｚ）でウェーハ２に断続的に照射する。このとき、ウェーハ２の裏面側（図示例では下面側）において生成された光キャリアは、ウェーハ２の表面側（上面側）の絶縁膜界面の空乏層まで拡散しなければ、信号である交流光電流は流れない。
　そして、ウェーハ２中に酸素や添加不純物などに起因する結晶欠陥が存在すると、この結晶欠陥で前記発生した光キャリアが消滅する。信号である交流光電流は、空乏層に到達した光キャリアの数に比例するので、交流光電流の二次元像を測定することで結晶欠陥を検出することができる。
　そこで、コンピュータ２０からの制御信号をインタフェースボード１９を介して走査制御装置１２に入力して、ウェーハ走査装置１１をＸ，Ｙ方向に移動させることにより、レーザ光１４がウェーハ２に対してその二次元方向に走査されるように照射され、これによって光電流が発生する。この光電流は、オーミック電極３から取り出され、この取り出された光電流値は、制御ボックス１５の電流−電圧変換器１７において電圧値に変換される。そして、この電圧値は適宜同期整流され、振幅が抽出される。
　そして、ウェーハ走査装置１１のＸ，Ｙ方向の走査に関して、各々のポジションに対応する、ある時間での電圧振幅値を順次、コンピュータ２０に取り込む。」（第４頁右欄第５０行から第５頁左欄第５０行）　
ウ．「上述の第１〜第３の実施の形態においては、ウェーハ２の一方の面に絶縁物４（または３４）を介して導電部７（または３１または３５）を配置したものであっが、これに代えて、図１２に示すように構成してもよい。
　すなわち、図１２は第４の実施の形態（第２の発明）を示すもので、この実施の形態においては、ウェーハ２の一方の面に、例えば電解質溶液などの導電部３６を直接形成している。」（第８頁左欄第９〜１７行）　
　したがって、上記摘記事項ア．〜ウ．及び図１，１２の記載から、引用刊行物には、「シリコンウェーハ２の下面側にオーミック電極３を設けると共に上面に接触するように電解質溶液７を配置し、シリコンウェーハ２に対してレーザ光１４を照射することにより生成された光キャリアに基づく光電流を測定することにより結晶欠陥を検査する装置であって、レーザ光源１３からのレーザ光１４を最適なビーム径になるように調整してシリコンウェーハ２に照射する光学系と、シリコンウェーハ２を載置し、二次元方向に走査するウェーハ走査装置１１と、レーザ光照射によってシリコンウェーハ２に生じた微小領域の光電流を、電解質溶液７に浸漬される対極９とオーミック電極３から成る電気回路により検出する測定系とを備え、レーザ光でシリコンウェーハ２を二次元方向に走査する半導体ウェーハの結晶欠陥検査装置。」（引用刊行物記載の発明）が記載されているものと認められる。　
　
（３）対比・判断　
　本願発明と引用刊行物記載の発明とを対比する。　
　引用刊行物記載の発明の「シリコンウェーハ２」は、レーザ光を照射することにより光キャリアが生成されるものであるから、光応答性材料という意味で、本願発明の「光応答性薄膜」に対応するものであり、また、引用刊行物記載の発明の「光電流を測定する」は、本願発明の「光起電力を測定する」に相当するものである。　
　また、引用刊行物記載の発明の「レーザ光源１３からのレーザ光１４を最適なビーム径になるように調整してシリコンウェーハ２に照射する光学系」、「シリコンウェーハ２を載置し、二次元方向に走査するウェーハ走査装置１１」、及び「レーザ光照射によってシリコンウェーハ２に生じた微小領域の光電流を、電解質溶液に浸漬される対極９とオーミック電極３から成る電気回路により検出する測定系」が、それぞれ本願発明の「光学系」、「平面内を二次元方向に移動可能な載置用ステージ」、及び「測定系」に相当することが明らかである。
　さらに、引用刊行物記載の「半導体ウェーハの結晶欠陥検査装置」は、二次元方向に走査するウェーハ走査装置１１を備えており、レーザ光１４を照射することにより生成された光キャリアに基づく光電流を電解質溶液７を介して測定するものであり、さらに、レーザ光が照射された微小領域の光電流を検出するものであるから、本願発明の「走査光電気化学顕微鏡」と対応するものである。　
　してみると、両者は、「光応答性材料の光起電力を測定する装置であり、励起用レーザ光源からのレーザ光を光応答性材料に照射する光学系と、平面内を二次元方向に移動可能な光応答性材料載置用ステージと、レーザ光照射によって光応答性材料に生じた微小領域の光起電力を検出する測定系とを備え、レーザ光で光応答性材料を二次元方向に走査する走査光電気化学顕微鏡。」である点で一致し、次の点で相違すると認められる。　
（相違点１）　
　本願発明の測定対象が、電極表面に設けた光応答性薄膜であるのに対して、引用刊行物記載の発明の測定対象が、オーミック電極３を設けたシリコンウェーハ２である点。
（相違点２）　
　本願発明では、レーザ光を回折限界まで絞り込んで光応答性薄膜に照射するのに対して、引用刊行物には、レーザ光を最適なビーム径になるように調整して照射するとのみ記載されている点。
　
　相違点について判断する。　
　相違点１について、　
　光応答性材料として、薄膜状のものは周知であり（特開平８−１２７８７３号公報、特開平３−２３３５６４号公報、参照）、また、引用刊行物記載のシリコンウェーハにも光電流を測定するために電極が設けられているのであるから、引用刊行物記載の発明の測定対象として、電極表面に設けた光応答性薄膜とすることは、当業者が適宜採用することである。　
　相違点２について、　
　本願発明の、レーザ光を回折限界まで絞り込んで照射するという構成に関して、本件明細書の段落【０００９】には「試料電極Ｓの表面は、回折限界にまで絞り込んだ光スポットで照射される。励起光を回折限界まで絞り込むことにより、照射面積が縮小し、光電気化学応答の位置分解能が向上する。すなわち、光応答性試料電極Ｓの光電気化学応答の不均一性を高い位置分解能で測定することにより，微小欠陥の位置が精密測定される。この条件下で試料電極Ｓ又は光スポットを走査しながら光起電力特性が測定されるため、光スポット周辺にある試料電極Ｓの微視的な不均一性や欠陥の存在が検出され、光応答性薄膜Ｓの電子的構造が特定される。」と記載されており、この記載によれば、回折限界まで絞り込むのは、レーザ光の照射面積を縮小し、位置分解能を向上するためと解される。そして、光ビームを照射して測定する場合に、光ビームの照射面積を縮小し分解能を向上させること、及びその際回折限界が絞り込みの限界となることは周知である（特開平７−１６７８６９号公報の従来技術の記載、特開平３−６５９１３号公報の従来技術の記載、特開平６−２５０１１０号公報、参照。）から、刊行物記載の発明において、レーザ光を最適なビーム径になるように調整して照射する際に、この周知技術を用いて、分解能を向上させるためにレーザ光を回折限界まで絞り込んで照射するようにすることは当業者ならば容易に想到し得たものと認められる。
　そして、本願発明の作用効果も、引用刊行物記載の発明及び上記周知技術から当業者であれば予測できる範囲のものである。　
　
（５）むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物記載の発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。