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【手続補正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に配設される活性層及び自己組織化電荷保持層であり、前記自己組織化電荷保持層は、電荷保持材料のナノ構造体及び／又はナノ粒子を有する有機誘電体材料のフィルムを備える前記活性層及び前記自己組織化電荷保持層と
を具備し、
前記ナノ構造体及び／又はナノ粒子のそれぞれは、互いから離隔され、前記自己組織化電荷保持層は、コポリマー溶液中にて前駆物質よりｉｎ−ｓｉｔｕ還元されたナノ構造体及び／又はナノ粒子を含む自己組織化コポリマー層と、前記ナノ構造体及び／又はナノ粒子が親和力を有し、前記ナノ構造体及び／又はナノ粒子が上に設けられる自己組織化単分子層とからなる群より選択される、有機メモリデバイス。
【請求項２】
前記第１の電極と前記第２の電極との間に制御層及びトンネル層の少なくとも一方をさらに備え、前記制御層及び前記トンネル層の少なくとも一方は、前記自己組織化電荷保持層と一体であり、前記ナノ構造体及び／又はナノ粒子のそれぞれは、電気的に絶縁される、請求項１に記載の有機メモリデバイス。
【請求項３】
前記自己組織化電荷保持層は、２つの自己組織化単分子層の層を備え、前記ナノ構造体及び／又はナノ粒子は、前記２つの層の間に位置し、前記２つの自己組織化単分子層の層の一方は、前記制御層であり、前記２つの自己組織化単分子層の層の他方は、前記トンネル層であり、前記２つの自己組織化単分子層の層の少なくとも一方は、少なくとも１つのシラン誘導体を含む、請求項１に記載の有機メモリデバイス。
【請求項４】
前記自己組織化電荷保持層は、ジブロック、トリブロック及びマルチブロックからなる群より選択される自己組織化コポリマーであり、前記自己組織化コポリマーは、ビニレンベース、メタクリレートベース、及びポリエチレンオキシドベースのモノマーからなる群より選択される材料のものである、請求項１に記載の有機メモリデバイス。
【請求項５】
前記親和力は、物理的なもの及び化学的なものからなる群より選択される少なくとも一方である、請求項１に記載の有機メモリデバイス。
【請求項６】
前記ナノ構造体及び／又はナノ粒子は、金属、金属酸化物、半導体、セラミック、半導体ナノ粒子、ナノクラスタ、ナノロッド、ナノファイバ、量子ドット、フラーレン及びフラーレン誘導体からなる群より選択される少なくとも１つであり、前記量子ドットは、金、銀、銅、二酸化チタン、二酸化亜鉛、セレン化カドミウム及び硫化カドミウムからなる群より選択される、請求項１に記載の有機メモリデバイス。
【請求項７】
前記有機メモリデバイスは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備え、前記第１の電極は前記ＴＦＴのゲート電極であり、前記第２の電極は、前記ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極の一方である、請求項１に記載の有機メモリデバイス。
【請求項８】
第１の電極を形成するステップと、
ナノ構造体及び／又はナノ粒子を含む有機誘電体材料の自己組織化電荷保持層を形成するステップと、
活性層を形成するステップと、
前記自己組織化電荷保持層及び前記活性層が前記第１の電極と第２の電極との間に配設されるようにこの第２の電極を形成するステップと
を含み、
前記自己組織化電荷保持層は、自己組織化コポリマー層を形成するために、コポリマー溶液中にて前駆物質よりナノ構造体及び／又はナノ粒子をｉｎ−ｓｉｔｕ還元するステップと、前記ナノ構造体及び／又はナノ粒子が親和力を有し、前記ナノ構造体及び／又はナノ粒子が上に設けられる自己組織化単分子層を形成するステップとの一方によって形成される、有機メモリデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記第１の電極と前記第２の電極との間に制御層及びトンネル層の少なくとも一方を提供するステップをさらに含み、前記制御層及び前記トンネル層の少なくとも一方は、前記自己組織化電荷保持層と一体に形成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
１つ又は複数の前記層は、スピン塗布、スクリーン印刷及びインクジェット印刷からなる群より選択される少なくとも１つによって形成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記自己組織化電荷保持層は、２つの自己組織化単分子層の層を備え、前記ナノ構造体及び／又はナノ粒子は、前記２つの層の間に位置し、前記２つの自己組織化単分子層の層の一方は前記制御層であり、前記２つの自己組織化単分子層の層の他方は前記トンネル層であり、前記２つの自己組織化単分子層の層の少なくとも一方は、少なくとも１つのシラン誘導体を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記ナノ構造体及び／又はナノ粒子のそれぞれは、電気的に絶縁され、前記自己組織化コポリマーは、ジブロック、トリブロック及びマルチブロックからなる群より選択され、
前記自己組織化コポリマーは、ビニレンベース、メタクリレートベース、及びポリエチレンオキシドベースのモノマーからなる群より選択される材料のものである、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記ナノ構造体及び／又はナノ粒子は、金属、金属酸化物、半導体、セラミック、半導体ナノ粒子、ナノクラスタ、ナノロッド、ナノファイバ、量子ドット、フラーレン及びフラーレン誘導体からなる群より選択される少なくとも１つであり、
前記量子ドットは、金、銀、銅、二酸化チタン、二酸化亜鉛、セレン化カドミウム及び硫化カドミウムからなる群より選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記有機メモリデバイスは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備え、前記第１の電極は前記ＴＦＴのゲート電極であり、前記第２の電極は、前記ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極の一方である、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
６０℃から２２５℃の範囲内における温度での溶液プロセスによってゾル−ゲル誘電体組成物を製造するステップを含み、前記ゾル−ゲルは、ゾル−ゲル膜の上に成長する半導体の分子配列を変えるための疎水性分子の混合物をさらに含む、薄膜トランジスタにおいて使用するためのゾル−ゲル膜組成物を製造する方法。
【請求項２】
前記ゾル−ゲル膜組成物は、有機シリケート、有機シラン、シランカップリング剤、シリケート誘導体、テトラアルキルオルトシリケート、シラン誘導体、金属アルコキシド、金属アルコキシアルコキシド並びに、それらの中の少なくとも１つにポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリエチレンオキシドベースブロックコポリマー及びポリスチレン−ポリ（４−ビニルピリジン）ジブロックコポリマーからなる群の中の少なくとも１つの要素からなる少なくとも１つのポリマーを加えたもの、からなる群より選択される少なくとも１つの要素を含む前駆物質より作製される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ゾル−ゲル膜は、
非ドープスピンオンガラス及びドープスピンオンガラスの少なくとも一方より製造されるか、
有機ポリマー、有機モノマー及び有機改質ゾル−ゲルの中の１つ又は複数の混合物であるか、
金属酸化物と、無機材料、金属又は金属酸化物を含むコアを有するブロックコポリマー組成物との少なくとも一方によってドープされ、前記ブロックコポリマーは、ポリスチレン−ポリ（４−ビニルピリジン）を含み、チタンイソプロポキシドを含む有機金属前駆物質を含み、前記金属酸化物は、金属アルコキシアルコキシド及び金属アルコキシドの少なくとも一方であるか、
２から５０の範囲内における比誘電率を有するか、
基板上に形成され、前記基板は、ガラス、プラスチック、石英、金属箔、非ドープシリコン及び高濃度ドープシリコンからなる群より選択されるか、
の少なくとも１つである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記疎水性分子は、オクタデシルトリクロロシラン、ヘキサメチルジシラザン及びそれらの誘導体の中の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ポリマー及びコポリマーの少なくとも一方を含み、前記ポリマー及び前記コポリマーの少なくとも一方は、無機材料、金属及び金属酸化物からなる群より選択される少なくとも１つのナノ粒子のクラスターを含み、前記ゾル−ゲルは、ゾル−ゲル膜の上に成長する半導体の分子配列を変えるための疎水性分子の混合物をさらに含む、有機薄膜トランジスタにおいて誘電体膜として使用するためのゾル−ゲル膜。
【請求項６】
前記ゾル−ゲル膜は、
有機シリケート、有機シラン、シランカップリング剤、シリケート誘導体、シラン誘導体、金属アルコキシド、金属アルコキシアルコキシド及びテトラアルキルオルトシリケートからなる群より選択される少なくとも１つの要素と、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリエチレンオキシドベースブロックコポリマー、及びポリスチレン−ポリ（４−ビニルピリジン）ジブロックコポリマーからなる群の少なくとも１つの要素からなるポリマーとを含むか、
非ドープスピンオンガラス及びドープスピンオンガラスの少なくとも一方を含むか、
有機ポリマー、有機モノマー及び有機改質ゾル−ゲルの中の１つ又は複数の混合物であるか、
金属酸化物と、無機材料、金属又は金属酸化物を含むコアを有するブロックコポリマー組成物との少なくとも一方によってドープされ、前記ブロックコポリマーは、ポリスチレン−ポリ（４−ビニルピリジン）を含み、有機金属前駆物質を含み、前記金属前駆物質はチタンイソプロポキシドを含み、前記金属酸化物は、金属アルコキシアルコキシド及び金属アルコキシドの少なくとも一方であるか、
２から５０の範囲内における比誘電率を有するか、
２から５０の範囲内における比誘電率を有するか、
の少なくとも１つである、請求項５に記載のゾル−ゲル膜。
【請求項７】
前記疎水性分子は、オクタデシルトリクロロシラン、ヘキサメチルジシラザン及びそれらの誘導体の中の少なくとも１つを含む、請求項５に記載のゾル−ゲル膜。
【請求項８】
請求項５のいずれか一項に記載のゾル−ゲル膜を含み、前記ゾル−ゲル膜は、半導体層の前及び／又は基板の上の層として形成される、有機薄膜トランジスタ。
【請求項９】
前記基板は、ガラス、プラスチック、石英、金属箔、非ドープシリコン及び高濃度ドープシリコンからなる群より選択される、請求項８に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
２Ｖ／ｄｅｃａｄｅ未満のサブスレッショルドスロープ及び、少なくとも１０３のオン／オフ比からなる群より選択される少なくとも１つの特性を有する、請求項８に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
前記ゾル−ゲル膜は、半導体における伝達特性を強化するための表面改質膜であり、
前記半導体は、有機、無機、ハイブリッド又はそれらの混合の中の少なくとも１つである、請求項８に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
前記半導体はペンタセンである、請求項１１に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項１３】
ポリ［５，５’−ビス（３−ドデシル−２−チエニル）−２，２’−ビチオフェン］の層か、前記ゾル−ゲル層と前記半導体層との間の、有機、無機、ハイブリッド又はそれらの混合のキャッピング層の少なくとも一方をさらに含み、前記キャッピング層は、ポリ−α−メチルスチレン及びオクチルトリクロロシランの少なくとも一方である、請求項８に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項１４】
前記有機薄膜トランジスタは、上部コンタクトを有する下部ゲート、下部コンタクトを有する下部ゲート、上部コンタクトを有する上部ゲート、下部コンタクトを有する上部ゲート、表面改質膜により強化された上部コンタクトを有する上部ゲート、及び表面改質膜により強化された下部コンタクトを有する上部ゲートの中の１つを含む、請求項８に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項１５】
請求項５に記載のゾル−ゲル膜を含み、前記ゾル−ゲル膜は、半導体材料、複数の半導体材料、及び半導体材料の混合物からなる群より選択される少なくとも１つを含む半導体をさらに含む、有機薄膜トランジスタ。
【請求項１６】
前記半導体は前記ゾル−ゲル膜の上に堆積されるか、前記ゾル−ゲル膜の上に堆積されないかのうちの１つである、請求項１５に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項１７】
前記半導体は、有機、無機、ハイブリッド又はそれらの混合の中の少なくとも１つである、請求項１５に記載の有機薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月27日(2010.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ガイド部及び光入力部を有するＴＩＲにより主として光を伝搬する可視光線透過体であって、前記光ガイド部が、光反射表面及び光放出表面を有し、前記光入力部が、平行でない対向する側部表面を有する可視光線透過体と、
前記光入力部の表面の１つに形成される光源窪みであって、光源窪み表面を含む光源窪みと、
前記光源窪みに伸長する光源であって、光を前記光入力部に放出する光源と、
前記光源と前記光源窪み表面との間に配置されるカプセル化材と、
前記対向側部表面に隣接するが前記対向側部表面と緊密に接触しないで配置され、入射する可視光線の８０％超を反射する鏡面反射フィルム又は層と、を備えるバックライト。
【請求項２】
狭い末端部表面及び広い末端部表面、並びに前記狭い末端部と前記広い末端部の間に伸長する平行でない対向する側部表面、により画定される拡伸ウェッジと、
前記ウェッジ表面の１つに形成される光源窪みであって、光源窪み表面を含む光源窪みと、
前記光源窪みに伸長する光源であって、光を前記拡伸ウェッジに放出する光源と、
前記光源と前記光源窪み表面の間に配置されるカプセル化材と、
前記広い末端部表面に光学的に結合され、光反射表面及び光放出表面を有する光ガイドと、
前記対向する側部表面に隣接するが前記対向する側部表面と緊密に接触しないで配置され、入射する可視光線の８０％超を反射する鏡面反射フィルム又は層と、を備えるバックライト。
【請求項３】
第１の狭い末端部表面及び第１の広い末端部表面、並びに前記第１の狭い末端部と前記第１の広い末端部の間に伸長する平行でない第１の非平行の対向する側部表面、により画定される第１拡伸ウェッジと、
前記第１拡伸ウェッジ表面の１つに形成され、第１光源窪み表面を含む第１光源窪みと、
前記第１光源窪みに伸長し、光を前記第１拡伸ウェッジに放出する第１光源と、
前記第１光源と前記第１光源窪み表面の間に配置される第１カプセル化材と、
第２の狭い末端部表面及び第２の広い末端部表面、並びに前記第２の狭い末端部と前記第２の広い末端部の間に伸長する第２の非平行の対向する側部表面、により画定される第２拡伸ウェッジと、
前記第２拡伸ウェッジ表面の１つに形成され、第２光源窪み表面を含む第２光源窪みと、
前記第２光源窪みに伸長し、光を前記第２拡伸ウェッジに放出する第２光源と、
前記第２光源と前記第２光源窪み表面の間に配置される第２カプセル化材と、
前記第１の広い末端部表面及び前記第２の広い末端部表面に光学的に結合され、光反射表面及び光抽出表面を有する光ガイドと、
前記第１及び第２拡伸ウェッジに隣接するが前記第１及び第２拡伸ウェッジと緊密に接触しないで配置され、入射する光の８０％超を反射する鏡面反射フィルム又は層と、を備えるバックライト。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月24日(2010.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学電池セル容器として使用するための金属缶であって、
側壁と、
開放端部と、
一体金属壁を含む閉鎖端部と、
前記缶の閉鎖端部の金属壁に形成され、中心位置から半径方向に延びる少なくとも５つのセグメントを有するように形成された薄厚溝を含む圧力放出通気口と、
を備える、
ことを特徴とする金属缶。
【請求項２】
前記圧力放出通気口が、前記中心位置から半径方向に延びる少なくとも６つのセグメントを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の缶。
【請求項３】
前記圧力放出通気口が、８つの実質的に等角に間隔を置いて配置されたセグメントを含むように形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の缶。
【請求項４】
前記圧力放出通気口が、中央位置から半径方向に延びる８つのセグメントを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の缶。
【請求項５】
前記薄厚溝が、前記容器の閉鎖端部の内面に形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の缶。
【請求項６】
少なくとも３つの溶接部を介して前記金属缶の閉鎖端部上に溶接されたカバーを更に備え、２つの隣接する前記溶接部間の角度間隔が１２０°よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載の缶。
【請求項７】
前記２つの隣接する溶接部間の角度が、１２０°と２４０°の間である、
ことを特徴とする請求項６に記載の缶。
【請求項８】
２つの隣接する前記溶接部間の角度間隔が、１６０°から１８０°の範囲である、
ことを特徴とする請求項６に記載の缶。
【請求項９】
前記金属缶が、内面上にニッケル及びコバルトのコーティングを有するスチール缶を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の缶。
【請求項１０】
前記金属缶が、実質的に円筒形である、ことを特徴とする請求項１に記載の缶。
【請求項１１】
前記圧力放出通気口が、前記中心位置から半径方向に延びる少なくとも６つのセグメントを含む、
ことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１つの請求項に記載の缶。
【請求項１２】
前記カバーが、接触面と、該接触面及び周辺フランジ間の直立壁とを有する突出小塊を含む、
ことを特徴とする請求項６に記載の缶。
【請求項１３】
前記請求項１ないし１２のいずれか１つの請求項に記載の金属缶を含む金属容器と、
前記容器内に配置された正電極と、
前記容器内に配置された負電極と、
前記容器内に配置された水性アルカリ電解質と、
を備えた、
ことを特徴とする電気化学セル。
【請求項１４】
前記正電極が二酸化マンガンを含み、前記負電極が亜鉛を含む、
ことを特徴とする請求項１３に記載の電気化学セル。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月24日(2010.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端部(16)、第２の端部(14)、前記第１の端部(16)と前記第２の端部(14)との間に延びる側壁、及び前記第１の端部全体にわたって延びる平らな金属端壁(18)を有する容器(12)と、
前記容器(12)内に配置された正電極(24)と、
前記容器(12)内に配置された負電極(20)と、
前記容器(12)内に配置された水性アルカリ電解質と、
内部圧力が過剰になったときに該内部圧力を前記容器(12)内から放出するように前記容器(12)の金属端壁(18)内に形成された圧力放出通気機構(40)と、
を備え、
前記圧力放出通気機構(40)が、第１の端部(16)及び第２の端部(14)と、該第１の端部(16)及び第２の端部(14)間に延びる湾曲部とを有するＣ字形に形成された薄厚溝(42)を含み、前記溝(42)は、前記端部(44,46)の間のＣ字形薄厚溝(42)の湾曲部が第１及び第２の端部(44,46)よりも前記金属端壁(18)の中心(70)により近接しているように前記金属端壁の中心からオフセットされており、前記端部(44,46)の間の溝(42)の湾曲部が前記金属端壁(18)の中心(70)の一方の側にあり、前記溝(42)の前記端部(44,46)が前記金属端壁(18)の中心(70)の反対側にある、
ことを特徴とする電気化学セル(10)。
【請求項２】
前記圧力放出機構を実質的に覆うように前記容器の金属端壁の外側に溶接されたカバー
を更に備える、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル(10)。
【請求項３】
前記容器がニッケルメッキスチール缶を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル(10)。
【請求項４】
前記薄厚溝が、前記容器(12)の金属端壁の外面内に形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル(10)。
【請求項５】
前記薄厚溝が、前記容器(12)の金属端壁の内面内に形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル(10)。
【請求項６】
前記正電極(24)が二酸化マンガンを含み、前記負電極(20)が亜鉛を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル(10)。
【請求項７】
前記Ｃ字形薄厚溝(42)が、０．０２５４ミリメートル（０．０１インチ）よりも大きい距離だけ前記端壁(18)の中心(70)からオフセットされている、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル(10)。
【請求項８】
前記薄厚溝(42)が、１８０°から３２４°の範囲の角度にわたる半円形に延びる、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項９】
前記容器(12)が円筒形である、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル(10)。
【請求項１０】
前記端部と前記溝(42)の端部(44,46)との間の前記溝(42)の湾曲部が、前記金属端壁(18)の中心(70)と同じ側にある、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル(10)。
【請求項１１】
前記端部と前記溝(42)の端部(44,46)との間の前記溝(42)の湾曲部が、前記金属端壁(18)の中心(70)にある、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル(10)。
【請求項１２】
少なくとも３つの溶接部(58A,58B,58C)を介して前記容器(12)の端壁(18)上に溶接されたカバー(50)を更に備え、２つの隣接する前記溶接部間の角度間隔が１２０°よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル(12)。
【請求項１３】
前記溝(42)が、前記２つの端部(44,46)の中間の該溝(42)上に位置する、前記溝の中間点が前記金属端壁(18)の半径方向最外側部よりも前記金属端壁(18)の中心により近くなるように、前記金属端壁(18)の中心(70)からオフセットされている、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル(10)。
【請求項１４】
電気化学セル(10)容器で使用するための金属缶(12)であって、
側壁と、
開放端部(14)と、
一体的な金属端壁(18)を含む閉鎖端部(16)と、
内部圧力が過剰になったときに該内部圧力を前記容器(12)内から放出するために前記容器(12)の金属端壁(18)内に形成された圧力放出通気機構(40)と、
を備え、
前記圧力放出通気機構(40)が第１の端部(16)及び第２の端部(14)を有するＣ字形状に形成された薄厚溝(42)と、該第１の端部(16)及び第２の端部(14)の間の湾曲部とを備え、
前記端部の中間の前記Ｃ字形状薄厚溝(42)の彎曲部が前記第１の端部および前記第２の端部(44,46)よりも前記金属端壁(18)の中心により近くなるように、前記金属端壁(18)の中心(70)からオフセットされており、
前記端部(44,46)の間の溝(42)の湾曲部が前記金属端壁(18)の中心(70)の一方の側にあり、前記溝(42)の前記端部(44,46)が前記金属端壁(18)の中心(70)の反対側にある、
ことを特徴とする金属缶(12)。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部電極蛍光ランプを作製する方法であって、
電気的機能性粒子と、有機媒体と、ガラスフリットとを含む導電性層厚膜組成物を準備する工程と、
第１の端部、第２の端部および内側周壁を有する円筒形ガラス管を準備する工程であって、前記内側周壁に沿って蛍光物質が提供され、放電ガスが前記ガラス管に注入され、前記ガラス管が前記第１の端部および前記第２の端部の両方で封止されている、工程と、
前記導電性層厚膜組成物を、前記ガラス管の前記第１の端部および前記第２の端部に適用する工程と、
前記ガラス管および導電性層厚膜組成物を焼成して、前記第１の端部の電極と前記第２の端部の電極とを含む外部電極蛍光ランプを作製する工程と
を含み、
前記ガラスフリット組成物が、鉛を含まないガラスフリット組成物である
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記適用する工程が、ディップコーティング、スクリーン印刷、ロールコーティングおよびスプレーコーティングからなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記焼成工程の前に、前記導電性層厚膜組成物を乾燥する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
保護層組成物を準備する工程と、前記焼成工程後に、前記保護層組成物を、前記導電性層厚膜組成物を部分的または完全に覆うように、前記第１の端部および前記第２の端部に適用する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記焼成工程が、３００〜６００℃の温度範囲で実施されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記焼成工程が、８０〜３００℃の温度範囲で実施されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ガラスフリット組成物が、重量パーセント合計ガラスフリット組成物において、ＳｉＯ２４〜８、Ａｌ２Ｏ３２〜３、Ｂ２Ｏ３８〜２５、ＣａＯ０〜１、ＺｎＯ１０〜４０、Ｂｉ２Ｏ３３０〜７０、ＳｎＯ２０〜３を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法により作製されることを特徴とする外部電極蛍光ランプ。
【請求項９】
請求項８に記載の外部電極蛍光ランプを含むことを特徴とする液晶ディスプレイデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月24日(2010.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を備えたコンテナと、
正極と、負極と、セパレータ及び電解質とを有する少なくとも１つの電気化学セルであって、前記コンテナ内部に配置された電気化学セルと、
前記開口部内に整合する端子カバーと、
該端子カバーの近傍の絶縁ワッシャと、
前記端子カバーと前記正極または負極のいずれか一方との間に電気回路を形成する密閉板であって、圧力解放ベントと、前記電気化学の内部表面を画定する下部と、前記端子カバーと接触するように前記絶縁ワッシャの開口を介して延びる上部とを有する密閉板と、
前記コンテナと密閉板との間に圧縮されたガスケットとを有し、
前記密閉板は前記ガスケットおよび絶縁ワッシャと協働して所定の温度で形状を変化させ、前記電気回路を破断し、かつ、
前記密閉板はその形状とは無関係に前記正極または負極のいずれかとの接触を維持するようになっていることを特徴とする電池。
【請求項２】
接触部材が前記密閉部材に取り付けられており、前記正極または負極のいずれかとの電気回路を確立している、
ことを特徴とする請求項１に記載の電池。
【請求項３】
前記接触部材が締まりばめによって前記密閉板の下部に付着されていることを特徴とする請求項２に記載の電池。
【請求項４】
前記接触部材が前記正極または負極のいずれかに対してバネ力を発揮して内部抵抗を最小化していることを特徴とする請求項２に記載の電池。
【請求項５】
発熱要素をさらに含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の電池。
【請求項６】
前記発熱要素はダイオード、ツェナー（Ｚｅｎｅｒ）ダイオード、ショットキー（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）ダイオード、および電流整流器からなるグループから選択される、
ことを特徴とする請求項５に記載の電池。
【請求項７】
前記圧力解放ベントは前記密閉板の形状を変化させるのに必要な所定の温度より高い温度で開くようになっている、
ことを特徴とする請求項６に記載の電池。
【請求項８】
ダイオード、ツェナー（Ｚｅｎｅｒ）ダイオード、ショットキー（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）ダイオード、および電流整流器からなるグループから選択される、少なくとも１つの発熱要素をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の電池。
【請求項９】
前記圧力解放ベントは前記密閉板の形状を変化させるのに必要な所定の温度より高い温度で開くようになっている、
ことを特徴とする請求項１に記載の電池。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月5日(2010.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を設けるステップと、
前記基板上に第１のスタックを形成するステップであって、前記第１のスタックを形成するステップは、前記基板上に誘電体層を形成するステップと、前記誘電体層上にハロゲン及び金属を含む第１の層を形成するステップと、前記第１の層上に金属層を形成するステップとを含むステップと、
前記基板上に第２のスタックを形成するステップであって、前記第２のスタックを形成するステップは、前記基板及び前記第１の層上にハロゲン及び金属を含む第２の層を形成するステップと、前記第２の層上に第２の金属層を形成するステップとを含み、前記第２の層が前記第１の層と異なる組成からなるステップと
を備える方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記第１のスタックは制御電極スタックであり、前記基板は半導体材料を含む方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、
前記ＭＯＳＦＥＴ素子はＰ−チャネルトランジスタである方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、
前記金属層を形成するステップは、窒化モリブデン、酸窒化モリブデン、窒化タングステン、酸化ルテニウム、ルテニウム、窒化チタン、及び酸化イリジウムからなる群より選択される少なくとも一つの材料を含む金属層を形成するステップを含む方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法において、
前記第２のスタックを形成するステップは、更に、前記第２の層の形成前に、前記基板の第１の領域上の金属層を除去すると共に前記第１の領域上の第１の層を除去するステップであって、前記第２のスタックが前記第１の領域に形成されるステップを備える方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】中間層を有する半導体素子の形成方法
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月10日(2010.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カラー画像を捕獲するためのイメージ・センサーであって、
a）複数の行と列に配置された第1の画素群と第2の画素群を有する二次元アレイを備えていて、第1の画素群からの画素は、第2の画素群からの画素よりも分光光応答が狭く、第1の画素群は、少なくとも2つの色のセットに対応する分光光応答を持つ画素を備え；
b）第1の画素群と第2の画素群の配置が、少なくとも6個の画素を含む最小繰り返し単位を持つあるパターンを規定していて、その最小繰り返し単位の少なくともいくつかの行または列が第2の画素群からの画素だけで構成され；
c）隣り合った少なくとも2つの最小繰り返し単位からの似た位置の画素を組み合わせる手段を備える、イメージ・センサー。
【請求項２】
上記最小繰り返し単位が、
Ｐ  Ｐ
Ａ  Ｂ
Ｐ  Ｐ
Ｂ  Ｃ
である（ただし、Pは第2の画素群の画素を表わし、
Aは第1の画素群の第1の色の画素を表わし、
Bは第1の画素群の第2の色の画素を表わし、
Cは第1の画素群の第3の色の画素を表わす）、請求項1に記載のイメージ・センサー。
【請求項３】
上記最小繰り返し単位が、
Ｐ  Ｐ
Ａ  Ｂ
Ｐ  Ｐ
Ｐ  Ｐ
Ｂ  Ｃ
Ｐ  Ｐ
である（ただし、Pは第2の画素群の画素を表わし、
Aは第1の画素群の第1の色の画素を表わし、
Bは第1の画素群の第2の色の画素を表わし、
Cは第1の画素群の第3の色の画素を表わす）、請求項1に記載のイメージ・センサー。
【請求項４】
カラー画像を捕獲するためのイメージ・センサーであって、
a）第1の画素群と第2の画素群を有する二次元アレイを備えていて、第1の画素群からの画素は、第2の画素群からの画素よりも分光光応答が狭く、第1の画素群は、少なくとも2つの色のセットに対応する分光光応答を持つ個別の画素を備え；
b）第1の画素群と第2の画素群の配置が、少なくとも12個の画素を含む最小繰り返し単位を持つあるパターンを規定していて、その最小繰り返し単位は複数のセルを持ち、各セルは、第1の画素群から選択された特定の1つの色を表わす少なくとも2つの画素と、第2の画素群から選択された複数の画素を含んでいて、捕獲されたカラー画像を異なる照明条件下で再現できる配置にされており；
c）上記少なくとも2つの画素のうちの少なくとも2つを組み合わせる手段を備える、イメージ・センサー。
【請求項５】
上記最小繰り返し単位が、
Ｐ  Ａ  Ｐ  Ａ  Ｐ  Ｂ  Ｐ  Ｂ
Ａ  Ｐ  Ａ  Ｐ  Ｂ  Ｐ  Ｂ  Ｐ
Ｐ  Ａ  Ｐ  Ａ  Ｐ  Ｂ  Ｐ  Ｂ
Ａ  Ｐ  Ａ  Ｐ  Ｂ  Ｐ  Ｂ  Ｐ
Ｐ  Ｂ  Ｐ  Ｂ  Ｐ  Ｃ  Ｐ  Ｃ
Ｂ  Ｐ  Ｂ  Ｐ  Ｃ  Ｐ  Ｃ  Ｐ
Ｐ  Ｂ  Ｐ  Ｂ  Ｐ  Ｃ  Ｐ  Ｃ
Ｂ  Ｐ  Ｂ  Ｐ  Ｃ  Ｐ  Ｃ  Ｐ
である（ただし、Pは第2の画素群の画素を表わし、
Aは第1の画素群の第1の色の画素を表わし、
Bは第1の画素群の第2の色の画素を表わし、
Cは第1の画素群の第3の色の画素を表わす）、請求項4に記載のイメージ・センサー。
【請求項６】
カラー画像を捕獲するためのイメージ・センサーであって、
a）第1の画素群と第2の画素群を有する二次元アレイを備えていて、第1の画素群からの画素は、第2の画素群からの画素よりも分光光応答が狭く、第1の画素群は、少なくとも2つの色のセットに対応する分光光応答を持つ個別の画素を備え；
b）第1の画素群と第2の画素群の配置が、少なくとも12個の画素を含む最小繰り返し単位を持つあるパターンを規定していて、その最小繰り返し単位は複数のセルを持ち、各セルは、第1の画素群から選択された特定の1つの色を表わす少なくとも2つの画素と、第2の画素群から選択された複数の画素を含んでいて、捕獲されたカラー画像を異なる照明条件下で再現できる配置にされており；
c）第1の画素群と第2の画素群を組み合わせる手段を備える、イメージ・センサー。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月12日(2009.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスの監視または制御に用いる工業プロセスに連結するためのプロセス装置であって、
前記工業プロセスに物理的に連結するように構成された装置ハウジングと、
前記ハウジングに取り付けられたワイヤーコイルと、
前記工業プロセスにおける振動に応答して前記ワイヤーコイルを通って動くように構成され、これにより前記ワイヤーコイルに電流を誘起する磁石と、
前記ワイヤーコイルから前記電流を受け取るための入力を有する、前記ハウジング内の電気回路と、
を備えるプロセス装置。
【請求項２】
前記電気回路が、前記電流に基づいて工業プロセスの運転を診断するように構成された請求項１の装置。
【請求項３】
前記電流をディジタル化しディジタル値を出力するアナログディジタル変換器を含む請求項２の装置。
【請求項４】
診断を実行するように構成されたマイクロコントローラを含む請求項２の装置。
【請求項５】
前記診断が工業プロセス内の振動の振幅に基づいてなされる請求項２の装置。
【請求項６】
前記診断が工業プロセス内の振動の周波数に基づいてなされる請求項２の装置。
【請求項７】
前記診断が工業プロセス内の振動の固有特性に基づいてなされる請求項２の装置。
【請求項８】
前記電気回路が、前記振動およびメモリに格納されたデータに基づく診断出力を提供する請求項２の装置。
【請求項９】
プロセス変数を検知するように構成されたプロセスインタフェースを含む請求項１の装置。
【請求項１０】
前記プロセス装置が前記プロセスを制御するように構成されたプロセスインタフェースを含む請求項１の装置。
【請求項１１】
前記電気回路が前記コイルからの前記電流を電力として蓄積するように構成された電力貯蔵回路を含む請求項１の装置。
【請求項１２】
前記電力貯蔵回路がコンデンサからなる請求項１１の装置。
【請求項１３】
前記コイルからの前記電流を整流するための整流器を含む請求項１１の装置。
【請求項１４】
前記磁気誘導回路が前記コイルに対する前記磁石の動き方向を反転するように構成されたばね部材を含む請求項１の装置。
【請求項１５】
前記磁石の方向が調整可能である請求項１の装置。
【請求項１６】
振動を検知するように構成されたセンサを含む請求項１５の装置。
【請求項１７】
前記磁石の方向が前記検知された振動に基づいて調整される請求項１６の装置。
【請求項１８】
前記センサが三軸加速度計からなる請求項１６の装置。
【請求項１９】
前記コンデンサがウルトラキャパシタからなる請求項１２の装置。
【請求項２０】
前記工業プロセスの監視または制御に使用される種類の工業プロセスに連結されたプロセス装置における振動を検出する方法であって、
前記プロセス装置のハウジングを前記工業プロセスに物理的に連結することと、
前記物理的連結を通して前記工業プロセスから振動を受けることと、
前記振動に応答してワイヤーコイルを通って磁石を移動させ、前記ワイヤーコイルに電流を発生することと、
前記電流を前記プロセス装置の回路に提供することと、
を備える方法。
【請求項２１】
前記電流に基づいて工業プロセスの運転を診断することを含む請求項２０の方法。
【請求項２２】
前記診断が振動の振幅に基づいてなされる請求項２１の方法。
【請求項２３】
前記診断が振動の周波数に基づいてなされる請求項２１の方法。
【請求項２４】
前記診断が振動の固有特性に基づいてなされる請求項２１の方法。
【請求項２５】
前記診断が振動および格納されたデータに基づいてなされる請求項２１の方法。
【請求項２６】
前記コイルからの前記電流により、電力を蓄積することを含む請求項２０の方法。
【請求項２７】
前記コイルからの前記電流を整流することを含む請求項２０の方法。
【請求項２８】
前記磁石の方向を調整することを含む請求項２０の方法。
【請求項２９】
前記検知された振動に基づいて振動を検知し、前記磁石の方向を調整することを含む請求項２８の方法。
【請求項３０】
振動の検知が三軸加速度計の出力を監視することを含む請求項２９の方法。
は、工業プロセスに物理的に連結するように構成される装置ハウジング（１６）を含む。ワイヤーコイル（１００）がハウジングに取り付けられ、磁石（１０４）がワイヤーコイルを通って動くように構成される。磁石の相対運動は、工業プロセスにおける振動（７２）に応答する。このような相対運動はワイヤーコイルに電流を誘起する。ハウジング内の電気回路はワイヤーコイルから電流を受け取る入力を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月13日(2010.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセス制御ループに結合され、工業用制御動作の診断又は工業用プロセスのシステムの監視に用いるための、フィールドに取り付け可能な専用のプロセス診断装置であって、
診断センサから、工業用プロセスの動作に関連する少なくとも一つのプロセス信号を受信するように構成された入力と、
少なくとも一つのプロセス信号を用いて、工業用プロセスに特化した診断アルゴリズムを実施するように構成された診断プログラム命令を格納するメモリと、
診断プログラム命令を実行し、少なくとも一つのプロセス信号に基づいて、工業用プロセスの動作を応答的に診断するように構成されたマイクロコントローラと、
を含む装置。
【請求項２】
専用のプロセス診断装置が、２線式プロセス制御ループを経由して受けた電力によって完全に電力供給される、請求項１記載の装置。
【請求項３】
プロセス制御ループが、４−２０ｍＡ電流ループを含む、請求項１記載の装置。
【請求項４】
プロセス制御ループが、ＨＡＲＴ（登録商標）通信規格に従って動作する、請求項１記載の装置。
【請求項５】
プロセス制御ループが、フィールドバス通信規格に従って動作する、請求項１記載の装置。
【請求項６】
入力が、プロセス変数センサからの少なくとも一つの入力を受信するように構成される、請求項１記載の装置。
【請求項７】
プロセス信号が、２線式プロセス制御ループから受信される、請求項１記載の装置。
【請求項８】
入力が、フィールドに取り付け可能な専用のプロセス診断装置に直接結合された診断センサからのプロセス信号を受信するように構成される、請求項１記載の装置。
【請求項９】
プロセス信号を、マイクロコントローラに準拠したフォーマットに変換するように構成された変換回路を含む、請求項１記載の装置。
【請求項１０】
無線出力を提供するように構成された出力を含む、請求項１記載の装置。
【請求項１１】
視覚的な出力を含む、請求項１記載の装置。
【請求項１２】
ローカルオペレータインターフェイスを含む、請求項１記載の装置。
【請求項１３】
音響トランスデューサを含む、請求項１記載の装置。
【請求項１４】
工業用プロセスが熱交換器プロセスを含み、診断プログラム命令が、熱交換器プロセスに特化されている、請求項１記載の装置。
【請求項１５】
診断プログラム命令が、プロセスの動作を学習するように構成される、請求項１記載の装置。
【請求項１６】
診断センサが振動センサを含み、診断アルゴリズムが、熱交換器の動作の診断に特化されている、請求項１記載の装置。
【請求項１７】
診断プログラム命令が、設定入力を通して構成される、請求項１記載の装置。
【請求項１８】
設定入力が、ローカルオペレータインターフェイスを含む、請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
設定入力が、無線入力を含む、請求項１７記載の装置。
【請求項２０】
入力が、プロセス制御ループを通して受信される、請求項１７記載の装置。
【請求項２１】
フィールドに取り付け可能な専用のプロセス診断装置で実行される、工業用制御動作を診断するか、又は工業用プロセスのシステムを監視する方法であって、
工業用プロセスのフィールドにフィールド装置を取り付けることと、
遠隔したプロセス装置から、工業用プロセスの動作に関連する少なくとも一つのプロセス信号を受信することと、
少なくとも一つのプロセス信号を用いて、工業用プロセスに特化した診断アルゴリズムを実施するように構成された診断プログラム命令を取り出すことと、
取り出されたプログラム命令と少なくとも一つのプログラム信号とに基づいて、工業用プロセスの動作を診断することと、
２線式プロセス制御ループから受けた電力によって、フィールドに取り付け可能な専用の診断装置に完全に電力供給することと、
を含む方法。
【請求項２２】
工業用制御動作を診断するか、又は工業用プロセスのシステムを監視するための、フィールドに取り付け可能な診断装置であって、
遠隔したプロセス装置から、工業用プロセスの動作に関連する少なくとも一つのプロセス信号を受信するための手段と、
少なくとも一つのプロセス信号を用いて、工業用プロセスに特化した診断アルゴリズムを実施するように構成された診断プログラム命令を取り出すための手段と、
取り出されたプログラム命令と少なくとも一つのプログラム信号とに基づいて、工業用プロセスの動作を診断するための手段と、
２線式プロセス制御ループから受けた電力によって、フィールドに取り付け可能な専用の診断装置に完全に電力供給するための手段と、
を含む装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月1日(2009.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポジションに基づく触覚的報告のためのコンピュータ実行方法であって、
パーソナルデジタルアシスタントでメッセージを受信することであって、前記メッセージはテキストメッセージ、電子メールメッセージ、ボイスメールメッセージのうちの少なくとも一つである、受信することと、
前記パーソナルデジタルアシスタントでメッセージが受信されたことを示すために、パーソナルデジタルアシスタントのステータスを変化させることと、
前記パーソナルデジタルアシスタントのステータスの変化に応答して、バイアスエレメントを解除し、かつ触覚的エレメントを第１のポジションから第２のポジションに移動させるために、アクチュエータを作動させることと、
ステータスの変化を示すために前記触覚的エレメントを前記第２のポジションに偏向的に保持することであって、前記触覚的エレメントは、前記バイアスエレメントに勝る力を受けると、前記第２のポジションから前記第１のポジションに移動可能である、保持すること
を含むことを特徴とするコンピュータ実行方法。
【請求項２】
前記アクチュエータは、機械的アクチュエータ、電気的アクチュエータ、磁気的アクチュエータ、およびサーボ機構のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ実行方法。
【請求項３】
前記触覚的エレメントは、キー、ボタン、ソフトキー、アンテナ、および方向パッドのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ実行方法。
【請求項４】
第３のポジションに触覚的エレメントを移動させることをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ実行方法。
【請求項５】
前記触覚的エレメントは、内側および外側のポジションと、上側および下側のポジションとのうちの少なくとも１つの間を移動可能であることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ実行方法。
【請求項６】
前記アクチュエータ、前記バイアスエレメント、および前記触覚的エレメントは第２の装置に配置されることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ実行方法。
【請求項７】
前記第２の装置はキーフォッブであることを特徴とする請求項６に記載のコンピュータ実行方法。
【請求項８】
ポジションに基づく触覚的報告を提供するためのコンピュータ実行可能命令を記録したコンピュータ可読記録媒体であって、該命令は、
モバイルコンピューティング装置でメッセージを受信することと、
前記モバイルコンピューティング装置でメッセージが受信されたことを示すために、モバイルコンピューティング装置のステータスを変化させることと、
前記モバイルコンピューティング装置のステータスの変化に応答して、バイアスエレメントを解除し、かつ触覚的エレメントを第１のポジションから第２のポジションに移動させるために、アクチュエータを作動させることと、
ステータスの変化を示すために前記触覚的エレメントを前記第２のポジションに偏向的に保持することと、
前記触覚的エレメントのバイアスされた保持に勝り、かつ第２のポジションの触覚的エレメントを第１のポジションに戻るように動かす力を受けることと、
前記触覚的エレメントが第１のポジションに戻るように移動することに応答して、前記モバイルコンピューティング装置のステータスをリセットすることと
を含むことを特徴とするコンピュータ可読記録媒体。
【請求項９】
前記アクチュエータは、機械的アクチュエータ、電気的アクチュエータ、磁気的アクチュエータ、およびサーボ機構のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項８に記載のコンピュータ可読記録媒体。
【請求項１０】
前記触覚的エレメントは、キー、ボタン、ソフトキー、アンテナ、方向パッドのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項８に記載のコンピュータ可読記録媒体。
【請求項１１】
前記触覚的エレメントを第３のポジションに移動させることをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読記録媒体。
【請求項１２】
前記触覚的エレメントは、内側および外側のポジションと上側および下側のポジションとのうちの少なくとも１つの間を移動可能であることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読記録媒体。
【請求項１３】
前記アクチュエータ、前記バイアスエレメント、および前記触覚的エレメントは第２の装置に配置されることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読記録媒体。
【請求項１４】
前記第２の装置はキーフォッブであることを特徴とする請求項６に記載のコンピュータ可読記録媒体。
【請求項１５】
前記メッセージは、テキストメッセージ、電子メールメッセージ、ステータスメッセージ、内部コンピューティング装置メッセージのうちの少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読記録媒体。
【請求項１６】
ポジションに基づく触覚的報告のためのコンピュータ実行方法であって、
第２のモバイル装置でメッセージを受信することであって、前記メッセージはメッセージが第１のコンピューティング装置で受信されたこと示し、かつテキストメッセージ、電子メールメッセージ、およびボイスメールメッセージのうちの少なくとも１つである、受信することと、
前記第２のモバイル装置でメッセージを受信したことに応答して、バイアスエレメントを解除し、かつ触覚的エレメントを第１のポジションから第２のポジションに移動させるために、前記第２のモバイル装置でアクチュエータを作動させることと、
ステータスの変化を示すために前記触覚的エレメントを前記第２のポジションに偏向的に保持することと、
前記触覚的エレメントのバイアスされた保持に勝り、かつ第２のポジションの触覚的エレメントを第１のポジションに戻るように動かす力を、前記第２のモバイル装置で受けることと、
前記触覚的エレメントが第１のポジションに戻るように移動することに応答して、前記第２のモバイル装置をリセットすることと
を含むことを特徴とするコンピュータ実行方法。
【請求項１７】
前記アクチュエータは、機械的アクチュエータ、電気的アクチュエータ、磁気的アクチュエータ、およびサーボ機構のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１６に記載のコンピュータ実行方法。
【請求項１８】
前記触覚的エレメントは、キー、ボタン、ソフトキー、アンテナ、方向パッドのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１６に記載のコンピュータ実行方法。
【請求項１９】
前記触覚的エレメントは、内側および外側のポジションと上側および下側のポジションとのうちの少なくとも１つの間を移動可能であることを特徴とする請求項１６に記載のコンピュータ実行方法。
【請求項２０】
前記第２の装置はキーフォッブであることを特徴とする請求項１６に記載のコンピュータ実行方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月13日(2010.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の入力画像に基づいて第一の出力画像を生成するステップと、
第一の出力画像に基づいて第二の出力画像を生成するステップとを含み、第二の出力画像は第一の出力画像からアーチファクトを除去したものであることを特徴とする、画像生成方法。
【請求項２】
第一の出力画像の画像強度値に対するアーチファクトの影響を算出するステップをさらに含み、
第二の出力画像の生成が、前記画像強度の値から前記アーチファクトの影響を減じるステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記画像強度値が画素強度値である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記アーチファクトの影響が水平方向と垂直方向のいずれかの方向で正弦波的に変化する、請求項２又は請求項３記載の方法。
【請求項５】
アーチファクトの影響を算出するステップが、正弦波的変化を表す式の係数値を算出するステップを含み、
前記減じるステップが、
前記算出された係数を前記式に入力することによって式の値を算出するステップと、
前記式の値を前記画像強度値から減じるステップとを含み、前記式の値が画素列と画素行のいずれかの間で変化する、請求項２乃至請求項４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記アーチファクトが前記入力画像の少なくとも１つのグリッドパターンのｍ個の高調波によって形成され、
前記式がａ1ｃｏｓ（ωｙ）＋ｂ1ｓｉｎ（ωｙ）＋…ａmｃｏｓ（ｍωｙ）＋ｂmｓｉｎ（ｍωｙ）であり、式中、ａ1…ａm及びｂ1…ｂmは前記係数、ωは前記グリッドパターンの角周波数、及びｙは画素列の番号の１つであり、これは各画素列、及び画素行の番号に対して異なり、各画素値行に対しても異なる、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記係数が以下の行列Ｑ、ｂ及びＧに回帰分析を適用することによって算出される、請求項６記載の方法。
【数１】
2009538480.tif 000001
【請求項８】
前記係数が、式ｂ＝（ＧTＧ）-1ＧT（式中ＧTはＧの転置行列）を適用した最小二乗法による回帰分析を用いて算出される、請求項７記載の方法。
【請求項９】
第一の出力画像の画像画素値を、第一の出力画像での画像強度の正弦波的変化の振幅を制御するために変換するステップをさらに含み、前記正弦波的変化は前記アーチファクトを表しており、
前記変換された値は前記回帰分析のためにサンプリングされ、
前記影響は前記変換された値から差し引かれ、かつ
第二の出力画像を生成するステップが、前記画像強度値から前記影響を差し引いた後、前記画像画素値の逆変換を実行するステップをさらに含む、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
第一の出力画像の前記画像画素値が、それぞれの対数値に変換される、請求項９記載の方法。