【事件の表示】
　特願２０１４−１２１４０２「電子デバイス装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　１月　７日出願公開，特開２０１６−　　１６８５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２６年６月１２日の出願であって，平成２９年１２月７日付け拒絶理由通知に応答して平成３０年１月２４日に意見書，手続補正書が提出されたが，同年３月５日付けで拒絶査定がなされ，これに対して，同年５月３１日に拒絶査定不服審判の請求がなされた。そして，当審において，平成３１年１月２９日付けで拒絶理由を通知し，期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが，請求人からは何の応答もない。
第２　本願発明について
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成３０年１月２４日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　電子デバイスが支持体上に固定された積層体を準備する工程Ａと，
　方向によって熱伝導率が異なる熱的異方性を有する窒化ホウ素の結晶を，等方性を有するように凝集させた二次凝集体を含有する封止用樹脂シートを準備する工程Ｂと，
　前記封止用樹脂シートを前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程Ｃと，
　前記電子デバイスを前記封止用樹脂シートに埋め込む工程Ｄと，
　前記工程Ｄの後，前記積層体と前記封止用樹脂シートとを近づける方向に加圧した状態を維持しながら，前記封止用樹脂シートを加熱して第一次熱硬化させる工程Ｅと
を具備し，
　前記工程Ｅの条件は，圧力３ＭＰａ，温度１５０℃で１時間熱硬化させた後の封止用樹脂シートの熱伝導率を１としたときに，０．８以上となる条件であることを特徴とする電子デバイス装置の製造方法。」
第３　当審の拒絶理由通知書の概要
　当審の拒絶の理由である，平成３１年１月２９日付け拒絶理由通知の理由は，概略，次のとおりのものである。
１　この出願は，請求項１に係る特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
第４　当審の判断
１　特許請求の範囲の記載が，明細書のサポート要件に適合するか否かは，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に記載された発明が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か，また，その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものであり，明細書のサポート要件の存在は，出願人が証明責任を負うと解するのが相当である（知財高判平成１７年１１月１１日(平成１７年(行ケ)１００４２号)「偏光フィルムの製造法」大合議判決を参照。) 。
　以下，上記の観点に立って，本願のサポート要件について検討する。 
２　前提となる事実関係等
（１）本願の特許請求の範囲の記載
　本願発明は，上記第２のとおりである。
（２）本願明細書の発明の詳細な説明の記載
　本願明細書の発明の詳細な説明には，以下の事項が記載されている。（下線は当審で付与した。以下同じ。）
　ア　発明が解決しようとする課題
「【発明が解決しようとする課題】
＜＜途中省略＞＞
　【０００６】
　本発明は，前記問題点に鑑みてなされたものであり，その目的は，
封止用樹脂シートの熱伝導性をより好適に発揮させることが可能な電子デバイス装置の製造方法を提供すること
　イ　課題を解決するための手段
「【課題を解決するための手段】
　【０００７】
　本発明者らは，窒化ホウ素の二次凝集体を含有した封止用樹脂シートを用いた電子デバイス装置の製造方法について鋭意研究した。その結果，
窒化ホウ素の二次凝集体を含有した封止用樹脂シートに電子デバイスを埋め込んだ後，加圧した状態で封止用樹脂シートを熱硬化させると，驚くべきことに，加圧しない場合と比較して得られる電子デバイス装置の熱伝導性が向上することを発見し，本発明を完成するに至った
　【０００８】
　すなわち，本発明に係る電子デバイス装置の製造方法は，
　電子デバイスが支持体上に固定された積層体を準備する工程Ａと，
　方向によって熱伝導率が異なる熱的異方性を有する窒化ホウ素の結晶を，等方性を有するように凝集させた二次凝集体を含有する封止用樹脂シートを準備する工程Ｂと，
　前記封止用樹脂シートを前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程Ｃと，
前記電子デバイスを前記封止用樹脂シートに埋め込む工程Ｄと，
　前記工程Ｄの後，前記積層体と前記封止用樹脂シートとを近づける方向に加圧した状態を維持しながら，前記封止用樹脂シートを加熱して第一次熱硬化させる工程Ｅと
を具備することを特徴とする。
　【０００９】
　前記構成によれば，封止用樹脂シートには，方向によって熱伝導率が異なる熱的異方性を有する窒化ホウ素の結晶を，等方性を有するように凝集させた二次凝集体が含有されている。従って，封止用樹脂シートの熱伝導性を高めることができる。
　また，電子デバイスを前記封止用樹脂シートに埋め込み（工程Ｄ），その後，積層体と封止用樹脂シートとを近づける方向に加圧した状態を維持しながら，前記封止用樹脂シートを加熱して第一次熱硬化させる（工程Ｅ）。
　本発明者らは，工程Ｄの後，すなわち，
電子デバイスを封止用樹脂シートに埋め込んだ後，仮に，前記圧力を加えないまま前記封止用樹脂シートを加熱して第一次熱硬化させた場合，封止用樹脂シートは，ほとんど熱硬化していない状態であるため，埋め込み時の圧力により薄くなるように変形した封止用樹脂シートの厚さが，少し厚くなる方向に戻った状態（スプリングバックした状態）で硬化していることをつきとめた。そして，このスプリングバックにより二次凝集体同士の距離が埋め込み時より離れてしまい，これに起因して熱伝導性の向上が阻害されていると推察した
　
一方，前記構成によれば，電子デバイスを封止用樹脂シートに埋め込んだ後，スプリングバックを抑制するように，積層体と封止用樹脂シートとを近づける方向に加圧した状態を維持しながら，前記封止用樹脂シートを加熱して第一次熱硬化させる。従って，二次凝集体同士の距離が埋め込み時より離れてしまうことを抑制し，熱伝導性を向上させることができる
　なお，第一次熱硬化とは，第一次熱硬化後に前記加圧を解放してもスプリングバックしなくなるか，スプリングバックの影響が少ない程度の熱硬化をいい，完全な熱硬化でなくてもよい。
　【００１０】
　
前記構成において，前記工程Ｅの条件は，圧力３ＭＰａ，温度１５０℃で１時間熱硬化させた後の封止用樹脂シートの熱伝導率を１としたときに，０．８以上となる条件であることが好ましい
　【００１１】
　
圧力３ＭＰａ，温度１５０℃で１時間熱硬化という条件は，スプリングバックが発生しない程度の加圧条件において，封止用樹脂シートを完全に熱硬化させる場合を想定した条件である
　
前記工程Ｅの条件が，圧力３ＭＰａ，温度１５０℃で１時間熱硬化させた後の封止用樹脂シートの熱伝導率を１としたときに，０．８以上となる条件であれば，スプリングバックしたとしても，熱伝導率は，スプリングバックが発生しない場合と比較して０．８以上とすることができる。従って，より好適に熱伝導性を向上させることができる
　ウ　発明を実施するための形態
「【００５８】
　［中空パッケージの製造方法］
　図２Ａ〜図２Ｅは，本発明の一実施形態に係る電子デバイス装置の製造方法の一工程を模式的に示す図である。
　本実施形態では，電子デバイス装置が中空パッケージである場合について説明する。具体的には，プリント配線基板１２上に搭載されたＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１により中空封止して中空パッケージを製造する場合について説明する。ただし，本発明はこの例に限定されず，中空部を有さない電子デバイス装置の製造にも同様の方法を採用することができる。
　【００５９】
　（ＳＡＷチップ搭載基板準備工程）
　本実施形態に係る中空パッケージの製造方法では，まず，図２Ａに示すように，複数のＳＡＷチップ１３がプリント配線基板１２上に搭載された積層体１５を準備する（工程Ａ）。
　ＳＡＷチップ１３は，本発明の電子デバイスに相当する。また，プリント配線基板１２は，本発明の支持体に相当する。
　ＳＡＷチップ１３は，所定の櫛形電極が形成された圧電結晶を公知の方法でダイシングして個片化することにより形成できる。ＳＡＷチップ１３のプリント配線基板１２への搭載には，フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。ＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２とはバンプなどの突起電極１３ａを介して電気的に接続されている。また，ＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２との間は，ＳＡＷフィルタ表面での表面弾性波の伝播を阻害しないように中空部１４を維持するようになっている。ＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２との間の距離（中空部の幅）は適宜設定でき，一般的には１０〜１００μｍ程度である。
　【００６０】
　（樹脂シート準備工程）
　また，本実施形態に係る中空パッケージの製造方法では，樹脂シート１１を準備する（工程Ｂ）。上述したように樹脂シート１１は，方向によって熱伝導率が異なる熱的異方性を有する窒化ホウ素の結晶を，等方性を有するように凝集させた二次凝集体を含有している。
　【００６１】
　（樹脂シート配置工程）
　次に，図２Ｂに示すように，下側加熱板４１上に積層体１５をＳＡＷチップ１３が搭載されている面を上にして配置するとともに，ＳＡＷチップ１３面上に樹脂シート１１を配置する（工程Ｃ）。この工程においては，下側加熱板４１上にまず積層体１５を配置し，その後，積層体１５上に樹脂シート１１を配置してもよく，積層体１５上に樹脂シート１１を先に積層し，その後，積層体１５と樹脂シート１１とが積層された積層物を下側加熱板４１上に配置してもよい。なお，セパレータ１１ａはこの段階では剥がさない方が好ましい。
　【００６２】
　（埋め込み工程）
　次に，図２Ｃに示すように，下側加熱板４１と上側加熱板４２とにより熱プレスして，ＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１に埋め込む（工程Ｄ）。なお，埋め込み工程とは，ＳＡＷチップ１３の埋め込みを開始してからＳＡＷチップ１３が全て埋め込まれるまでの工程をいう。
　【００６３】
　ＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１に埋め込む際の熱プレス条件としては，ＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１に好適に埋め込むことができる程度であることが好ましく，温度が，例えば，４０〜１５０℃，好ましくは６０〜１２０℃であり，圧力が，例えば，０．１〜１０ＭＰａ，好ましくは０．５〜８ＭＰａである。
　また，樹脂シート１１のＳＡＷチップ１３及びプリント配線基板１２への密着性および追従性の向上を考慮すると，減圧条件下においてプレスすることが好ましい。前記減圧条件としては，例えば，０．１〜５ｋＰａ，より好ましくは，０．１〜１００Ｐａである。
　【００６４】
　（第一次熱硬化工程）
　埋め込み工程の後，積層体１５と樹脂シート１１とを近づける方向に加圧した状態を維持しながら，樹脂シート１１を加熱して第一次熱硬化させる（工程Ｅ）。これにより封止体１６を得る。
　本発明者らは，工程Ｄの後，すなわち，電子デバイスを封止用樹脂シートに埋め込んだ後，仮に，前記圧力を加えないまま前記封止用樹脂シートを加熱して第一次熱硬化させた場合，樹脂シート１１は，ほとんど熱硬化していない状態であるため，埋め込み時の圧力により薄くなるように変形した樹脂シート１１の厚さが，少し厚くなる方向に戻った状態（スプリングバックした状態）で硬化していることをつきとめた。そして，このスプリングバックにより二次凝集体同士の距離が埋め込み時より離れてしまい，これに起因して熱伝導性の向上が阻害されていると推察した。
　一方，本実施形態によればＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１に埋め込んだ後，スプリングバックを抑制するように，積層体１５と樹脂シート１１とを近づける方向に加圧した状態を維持しながら，樹脂シート１１を加熱して第一次熱硬化させる。従って，二次凝集体同士の距離が埋め込み時より離れてしまうことを抑制し，熱伝導性を向上させることができる。
　なお，第一次熱硬化とは，第一次熱硬化後に前記加圧を解放してもスプリングバックしなくなるか，スプリングバックの影響が少ない程度の熱硬化をいい，完全な熱硬化でなくてもよい。
　第一次熱硬化工程における加圧は，前記埋め込み工程時の加圧を一旦開放し，その後，改めて加圧してもよく，前記埋め込み工程時の加圧を開放することなく，そのまま，第一次熱硬化工程における加圧を行なってもよい。
　
第一次熱硬化工程（工程Ｅ）の条件は，圧力３ＭＰａ，温度１５０℃で１時間熱硬化させた後の樹脂シート１１の熱伝導率を１としたときに，０．８以上となる条件であることが好ましく，０．８５以上となる条件であることがより好ましい
　
圧力３ＭＰａ，温度１５０℃で１時間熱硬化という条件は，スプリングバックが発生しない程度の加圧条件において，封止用樹脂シートを完全に熱硬化させる場合を想定した条件である
　
前記工程Ｅの条件が，圧力３ＭＰａ，温度１５０℃で１時間熱硬化させた後の樹脂シート１１の熱伝導率を１としたときに，０．８以上となる条件であれば，スプリングバックしたとしても，熱伝導率は，スプリングバックが発生しない場合と比較して０．８以上とすることができる。従って，より好適に熱伝導性を向上させることができる
　前記工程Ｅの各条件の具体的数値としては，樹脂シート１１の構成材料に応じて適宜設定できるが，圧力条件としては，例えば，０．０１〜２０ＭＰａが好ましく，０．０５〜１８ＭＰａがより好ましい。また，前記工程Ｅの温度条件としては，例えば，５０〜２００℃が好ましく，６０〜１８０℃がより好ましい。また，前記工程Ｅの熱硬化時間は，例えば，１０秒〜３時間が好ましく，２０秒〜２時間がより好ましい。」
　エ　実施例
「【００６９】
　以下に，この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし，この実施例に記載されている材料や配合量などは，特に限定的な記載がない限りは，この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
　【００７０】
　実施例及び比較例で使用した成分について説明する。
　エポキシ樹脂：新日鐵化学社製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂，エポキン当量：２００ｇ／ｅｑ．，軟化点：８０℃）
　フェノール樹脂：群栄化学社製のＬＶＲ８２１０ＤＬ（ノボラック型フェノール樹脂，水酸基当量：１０４ｇ／ｅｑ．，軟化点：６０℃）
　熱可塑性樹脂：根上工業社製のＭＥ−２０００Ｍ（カルボキシル基含有のアクリル酸エステル系ポリマー，重量平均分子量：約６０万，Ｔｇ：−３５℃，酸価：２０ｍｇＫＯＨ／ｇ）
　カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０
　フィラー１：窒化ホウ素の二次凝集体（水島合金鉄社製，製品名：ＨＰ−４０（平均粒径：４０μｍ，最大粒径：１８０μｍ））
　フィラー２：アルミナ（アドマテックス社製，製品名：ＡＥ−９１０４ＳＭＥ（平均粒径：３μｍ，最大粒径：１０μｍ））
　硬化促進剤１：四国化成工業社製の２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール）
　【００７１】
　［封止用樹脂シートの作製］
　
（製造例１）
　
表１に記載の配合比に従い，各成分を溶剤としてのメチルエチルケトンに溶解，分散させ，濃度９０重量％のワニスを得た。このワニスを，シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後，１１０℃で３分間乾燥させた。このシートを積層させて厚さ２２０μｍの熱硬化性樹脂シートを得た
　【００７２】
　　【表１】
　【００７３】
（第一次熱硬化条件における熱硬化後の熱伝導率の測定）
　
製造例１にて製造した封止用樹脂シートについて，表２に示した第一次熱硬化条件でプレスしながら加熱し，熱硬化させた
　次に，熱硬化後のこれらの封止用樹脂シートの熱伝導率の測定を行なった。熱伝導率は下記の式から求めた。結果を表２に示す。
　　　（熱伝導率）＝（熱拡散係数）×（比熱）×（比重）
　【００７４】
　＜熱拡散係数＞.
　封止用樹脂シートをそれぞれ，表２に示した第一次熱硬化条件で加熱した。このサンプルを用いて，キセノンフラッシュ法熱測定装置（ネッチジャパン社製，ＬＦＡ４４７　ｎａｎｏｆｌａｓｈを用いて熱拡散係数を測定した。
　【００７５】
　＜比熱＞
　ＤＳＣ（ＴＡ　ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ製，Ｑ−２０００）を用いてＪＩＳ−７１２３の規格に沿った測定方法によって求めた。
　【００７６】
　＜比重＞
　電子天秤（株式会社島津製作所製，ＡＥＬ−２００）を用いてアルキメデス法によって測定した。
　【００７７】
　（熱伝導率評価）
　
実施例１の圧力３ＭＰａ，温度１５０℃で１時間熱硬化という条件は，スプリングバックが発生しない程度の加圧条件において，封止用樹脂シートを完全に熱硬化させる場合を想定した条件である
　そこで，同じ組成の封止用樹脂シートを用い，第一次熱硬化条件のみを変更した場合に，熱伝導率が実施例１に比較してどの程度となるかを評価した。
具体的に，実施例１，すなわち，第一次熱硬化において封止用樹脂シートを完全に熱硬化させた場合に比較して，熱伝導率が０．８倍以上である場合を〇，０．８倍よりも小さい場合を×として評価した。結果を表２に示す
　【００７８】
　　【表２】
」
３　検討
（１）本願発明の課題について
　発明の詳細な説明の記載（前記２（２）ア）から，本願発明の課題は，「封止用樹脂シートの熱伝導性をより好適に発揮させることが可能な電子デバイス装置の製造方法を提供すること」にあると理解される。
（２）発明の詳細な説明について
　ア　本願発明は，特許請求の範囲の記載（前記２（１））からみて，「前記積層体と前記封止用樹脂シートとを近づける方向に加圧した状態を維持しながら，前記封止用樹脂シートを加熱して第一次熱硬化させる工程Ｅ」の「条件」として，「圧力３ＭＰａ，温度１５０℃で１時間熱硬化させた後の封止用樹脂シートの熱伝導率を１としたときに，０．８以上となる条件であ」ると特定するのみである。しかしながら，熱硬化の態様が，封止用樹脂シートを構成する樹脂の種類，含有量，添加材料の有無及び添加量等の組成の違いによって異なることは技術常識である。そうすると，前記技術常識に照らして，封止用樹脂シートの組成によっては，加圧した状態を維持しながら，圧力３ＭＰａ，温度１５０℃で１時間熱硬化し，その後，前記加圧を除いた際に，スプリングバックが生じる場合もあるものと認められる。
　イ　そして，発明の詳細な説明の記載（前記２（２）ウ）には，「圧力３ＭＰａ，温度１５０℃で１時間熱硬化」という条件が，「スプリングバックが発生しない程度の加圧条件において，封止用樹脂シートを完全に熱硬化させる場合を想定した条件である。」と説明されており，さらに，発明の詳細な説明の記載（前記２（２）エ）には，上記（１）の課題を達成する具体物として，製造例１として「表１に記載の配合比に従い，各成分を溶剤としてのメチルエチルケトンに溶解，分散させ，濃度９０重量％のワニスを得」，「このワニスを，シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後，１１０℃で３分間乾燥させ」，「このシートを積層させて厚さ２２０μｍの熱硬化性樹脂シートを得」（段落【００７１】），「製造例１にて製造した封止用樹脂シートについて，表２に示した第一次熱硬化条件でプレスしながら加熱し，熱硬化させた」（段落【００７３】）実施例１ないし３，比較例１のみが記載されている。
　さらに，本願明細書の段落【００７８】の【表２】には，
（ア）実施例１の第一次熱硬化条件として，温度が１５０℃，圧力が３ＭＰａ，時間が１時間という条件が設定され，熱硬化後の熱伝導率として５．１Ｗ／ｍ・Ｋという実験値が示され，
（イ）また，温度１５０℃，圧力１ＭＰａ，１時間の熱硬化の条件で実施例２が，温度９０℃，圧力３ＭＰａ，０．１時間の熱硬化の条件で実施例３が行われ，熱硬化後の熱伝導率として４．６Ｗ／ｍ・Ｋという実験値が示されている。
（ウ）また，比較例１として，圧力をかけない第一時熱硬化条件として，温度１５０℃，圧力０ＭＰａ，１時間の熱硬化の条件で熱硬化させ，硬化後の熱伝導率として３．９Ｗ／ｍ・Ｋという実験値が示されている，
　しかしながら，発明の詳細な説明，実施例には，これら以外の具体物は記載されていない。
（３）判断
　ア　発明の詳細な説明に記載された発明においては，「前記工程Ｅの条件は，圧力３ＭＰａ，温度１５０℃で１時間熱硬化させた後の封止用樹脂シートの熱伝導率を１としたときに，０．８以上となる条件であること」という発明特定事項は，その前提として，「実施例１の圧力３ＭＰａ，温度１５０℃で１時間熱硬化という条件は，
スプリングバックが発生しない程度の加圧条件において，封止用樹脂シートを完全に熱硬化させる場合を想定した条件
　イ　しかしながら，特許請求の範囲の請求項１の発明特定事項においては，「前記工程Ｅの条件は，圧力３ＭＰａ，温度１５０℃で１時間熱硬化させた後の封止用樹脂シートの熱伝導率を１としたときに，０．８以上となる条件であること」と特定されるにとどまり，「
前記工程Ｅの条件が，圧力３ＭＰａ，温度１５０℃で１時間熱硬化させた後の樹脂シート１１の熱伝導率を１としたときに，０．８以上となる条件であれば，スプリングバックしたとしても，熱伝導率は，スプリングバックが発生しない場合と比較して０．８以上とすることができる
スプリングバックが発生しない程度の加圧条件において，封止用樹脂シートを完全に熱硬化させる場合を想定した条件
　ウ　そうすると，「封止用樹脂シート」が，加圧した状態を維持したまま，「圧力３ＭＰａ，温度１５０℃で１時間熱硬化」し，その後，前記圧力を除いた際にスプリングバックが生じるような組成を有する場合には，そのようなスプリングバックが生じた封止用樹脂シートの熱伝導率を１として基準となし，当該基準となる値に対して０．８以上となる条件で第一次熱硬化を行ったとしても，このような第一次熱硬化後の封止用樹脂シートには，スプリングバックが発生していることは明らかであるから，そのような場合においてまで，前記発明の課題（前記（１））である「封止用樹脂シートの熱伝導性をより好適に発揮させること」を解決できるとはいえないと考えるべきである。
　エ　すなわち，本願の発明の詳細な説明の記載からは，本願の請求項１に記載された発明において特定される範囲においてまで，本願の課題が解決されることを，発明の詳細な説明の記載及び本願の出願当時の技術常識からは理解することができない。
４　当審の判断のむすび
　したがって，特許請求の範囲の請求項１の記載は，本願明細書の発明の詳細な説明の記載及び本願の出願当時の技術常識に照らして，当業者が本願明細書に記載された本願発明の課題を解決できると認識できる範囲を超えており，サポート要件に適合しないものというべきである。
第５　むすび
　以上のとおり，請求項１に係る特許請求の範囲の記載は，本願明細書の発明の詳細な説明の記載及び本願の出願当時の技術常識に照らして，当業者が本願明細書に記載された本願発明の課題を解決できると認識できる範囲を超えており，サポート要件に適合しないものというべきであるから，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず，特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。