【事件の表示】
　特願２０００−２５７５９６「プリント配線板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月２０日出願公開、特開２００１−１０９１６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、出願日が平成９年４月１日である特願平９−８２６８２号の一部を平成１２年８月２８日に新たな特許出願（特願２０００−２５７５９６号）としたものであって、平成１５年３月２７日付で拒絶査定がなされ、これに対し平成１５年５月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、平成１５年６月１９日付で手続補正がなされた。
　
２．平成１５年６月１９日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１５年６月１９日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］独立特許要件違反
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、平成１５年１月２０日付手続補正書の請求項１の、「導体回路が形成された基板上に感光性樹脂層を形成し、該感光性樹脂層をマスクパターンが描画されたガラス基板を介して露光し、これを現像してバイアホール形成用の開口を設け、次いで前記感光性樹脂層上に導体回路及びバイアホールを形成するとともに、前記マスクパターンが描画されたガラス基板は、遮光インクによりマスクパターンが描画されたガラス基板もしくは金属層によりマスクパターンが描画されたガラス基板であることを特徴とするプリント配線板の製造方法。」から
　「導体回路が形成された基板上に感光性樹脂層を形成し、該感光性樹脂層をマスクパターンが描画されたガラス基板を介して露光し、これを現像してバイアホール形成用の開口を設け、次いで前記感光性樹脂層上に導体回路及びバイアホールを形成するプリント配線板の製造方法であって、
　前記マスクパターンが描画されたガラス基板は、クロム層あるいは表面に酸化膜を有するクロム層からなる金属層によりマスクパターンが描画されたガラス基板であることを特徴とするプリント配線板の製造方法。」と補正された。
　
　この補正は、「マスクパターンが描画されたガラス基板」のマスクパターンの材料について「クロム層あるいは表面に酸化膜を有するクロム層からなる金属層」と限定したもので、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願のもとの出願の出願前に頒布された特開平５−６３３６６号公報（以下、引用例１という。）には、次の事項が記載されている。
　
ア．【０００１】【産業上の利用分野】
　本発明は、多層配線板の製造方法に関し、特にセラミック基板を用いるセラミック多層配線板の製造方法に関する。
　
イ．【０００７】
　本発明の特徴は、上記のようにして形成した第１の導体回路の上に絶縁層を形成する方法にある。即ち、本発明におけるこの絶縁層の形成方法は、ガラス等の無機物を含有する感光性絶縁ペーストを第１の導体回路が形成されているセラミック基板上に塗布した後、ガラスマスク等のパターンが描かれたマスクを介して紫外線等の光線で露光し、次いで溶剤等を用いて現像して絶縁層のパターン形成を行い、次いで不活性ガス又は還元性ガス雰囲気中で５００〜９５０℃で焼成して有機物を分解させ、無機物からなる絶縁層を得る方法である。
　
ウ．【００１２】
　セラミック基板１として０．３φのスルホールを有する焼成されたアルミナ基板１を用いた。この基板１の寸法は１００ｍｍ×１００ｍｍ×０．６３５ｍｍであった。この基板１を熱リン酸に浸漬して、基板表面を均一に粗化し、次いで充分に洗浄乾燥した後、この基板１の上面及び下面の表面に無電解メッキ法で厚み１０μｍの銅層を形成し、得られた上下の銅層の表面を研磨機を用いて物理的に研磨した後、この研磨された銅層の表面に感光性の液状レジストを塗布し感光性レジスト層を形成し、次いでパターンが描かれたマスクを介して露光し、次いで現像してレジスト層のパターン形成を行い、さらにスプレー法で前記銅層のエッチング処理し、次いで溶剤を用いて残存していたレジスト膜の剥離を行って最小の線幅及び線間隔が５０μｍの第１の導体回路２を基板１の上に形成した。
【００１３】
　この第１の導体回路２が表面に形成された基板１上に無機物を含有する感光性絶縁ペースト（東京応化工業社製、商品名フォトインシュレーター）をスクリーンを用いベタ印刷し、乾燥後、パターンが描かれたマスクを介して紫外線で露光し、次いで１、１、１−トリクロルエタンを用いて現像して絶縁層４のパターン形成を行い、さらに１００ｐｐｍの酸素を含む窒素雰囲気中、８５０℃で焼成して絶縁層４を形成した。
【００１４】
　次に、絶縁層４が形成された基板１上に無電解メッキ法で厚み１０μｍの銅層を形成し、この銅層の表面に感光性の液状レジストを塗布し感光性レジスト層を形成し、次いでパターンが描かれたマスクを介して露光し、次いで現像してレジスト層のパターン形成を行い、さらにスプレー法でエッチング処理し、次いで溶剤を用いて残存していたレジスト膜の剥離を行って第１の導体回路の上に絶縁層を介して第２の導体回路３を形成してセラミック多層配線板を得た。
　
　また、【図１】から、引用例１の絶縁層４には、バイアホール形成用の開口、及びそこにバイアホールが形成されていることは、明らかである。
　
　したがって、上記記載事項、及び【図１】等から、引用例１には、「第１の導体回路２が表面に形成された基板１上に感光性絶縁ペーストを印刷し、乾燥後、パターンが描かれたガラスマスクを介して紫外線で露光し、次いで現像して絶縁層４のバイアホール形成用の開口を含むパターン形成を行い、さらに１００ｐｐｍの酸素を含む窒素雰囲気中、８５０℃で焼成して絶縁層４を形成し、次に、絶縁層４が形成された基板１上に無電解メッキ法で厚み１０μｍの銅層を形成し、この銅層の表面に感光性の液状レジストを塗布し感光性レジスト層を形成し、次いでパターンが描かれたガラスマスクを介して露光し、次いで現像して、レジスト層のパターン形成を行い、さらにスプレー法でエッチング処理し、次いで溶剤を用いて残存していたレジスト膜の剥離を行って第１の導体回路の上に絶縁層を介して第２の導体回路３及びバイアホールを形成するセラミック多層配線板の製造方法。」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　また、ガラスマスクのマスクパターンを、クロム層あるいは表面に酸化膜を有するクロム層からなる金属層により形成することが周知であることを示す特開平３−４３７３６号公報（以下、周知例１という。）には、次の事項が記載されている。
エ．従来、透明ガラスの一主面上において、前記透明ガラス基板の主面側からクロム薄膜、酸化クロム薄膜の夫々を順次積層した所定パターンの積層膜を設けたハードマスク（フォトマスク又はレチクル）が提案されている。（公報第２頁左上欄）
　
オ．本発明は、ＩＣ等の半導体装置のウェーハプロセス、プリント配線基板の製造プロセスの夫々で使用されるハードマスクに限定されず、・・・（公報第６頁右上欄）
　
　同様に特開昭５７−５４９３９号公報（以下、周知例２という。）には、次の事項が記載されている。
カ．一般に、光学用マスクは光学用のフィルター又は半導体集積回路やプリント基板のパターンを形成するフォトマスク等として用いられている。・・・
１はガラス基板、２は光を遮蔽するマスク（たとえばＣｒ蒸着膜）、３はシリコン基板、４はポジ形の感光性樹脂とすると、・・・（公報第１頁右下欄）
　
　同様に特開平１−２１４８５９号公報（以下、周知例３という。）には、次の事項が記載されている。
キ．第１図は石英基板側からクロム膜および酸化クロム膜の２層膜構造の遮光パターンを有するレチクルの断面図（公報第３頁左上欄）
　
　同様に特公昭４９−３２３１号公報（以下、周知例４という。）には、次の事項が記載されている。
ク．第１図に示すごとく、ガラス基板１上にクロム金属薄膜２で画像を作成したクロム・マスクが使用されている。（公報第１頁２欄）
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用発明とを比較する。
　引用発明の「第１の導体回路２が表面に形成された基板１上に」は、「導体回路が形成された基板上に」に相当し、以下、同様に「感光性絶縁ペーストを印刷し」は「感光性樹脂層を形成し」に、「パターンが描かれたガラスマスクを介して紫外線で露光し」は「マスクパターンが描画されたガラス基板を介して露光し」に、「現像して絶縁層４のバイアホール形成用の開口を含むパターン形成を行い」は「現像してバイアホール形成用の開口を設け」に、「第１の導体回路の上に絶縁層を介して第２の導体回路３及びバイアホールを形成するセラミック多層配線板の製造方法」は「前記感光性樹脂層上に導体回路及びバイアホールを形成するプリント配線板の製造方法」に、それぞれ、相当する。
　
　したがって、両者は、「導体回路が形成された基板上に感光性樹脂層を形成し、該感光性樹脂層をマスクパターンが描画されたガラス基板を介して露光し、これを現像してバイアホール形成用の開口を設け、次いで前記感光性樹脂層上に導体回路及びバイアホールを形成するプリント配線板の製造方法」の点で一致し、以下の点で相違している。
　
相違点；
　マスクパターンが、本願補正発明では、クロム層あるいは表面に酸化膜を有するクロム層からなる金属層により形成されているのに対し、引用発明は、その点の記載がない点。
　
（４）判断
相違点について
　ガラスマスクのマスクパターンを、クロム層あるいは表面に酸化膜を有するクロム層からなる金属層により形成することは、上記周知例１〜４にあるように従来周知の技術事項であるので、引用発明のガラスマスクに適用して、相違点に係る構成とすることは、当業者にとって容易である。
　
　そして、本願補正発明の効果も、引用発明、及び従来周知の技術事項から予測される範囲のもので格別のものとは言えない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１５年６月１９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１５年１月２０日付の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記「２．（１）補正後の本願発明」の項参照。）
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、「マスクパターンが描画されたガラス基板」のマスクパターンの材料について「クロム層あるいは表面に酸化膜を有するクロム層からなる」との限定を省き、さらに択一的記載で、「遮光インク」を付加したものである。
　そうすると、択一的記載である「遮光インク」を除く、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１に記載された発明、及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明、及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明、及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。