【手続補正書】
【提出日】平成22年10月14日(2010.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュメモリアレイを管理する方法であって、
第１の時点において、メモリセルの複数のメモリ状態を第１のしきい値ウィンドウにマッピングするステップであって、複数のメモリ状態のうちの個々のメモリ状態が前記第１のしきい値ウィンドウのサブレンジにマッピングされるステップと、
第２の時点において、メモリセルの複数のメモリ状態を前記第１のしきい値ウィンドウより広い第２のしきい値ウィンドウにマッピングするステップであって、複数のメモリ状態のうちの個々のメモリ状態が前記第２のしきい値ウィンドウのサブレンジにマッピングされるステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記第１または第２のしきい値ウィンドウのサブレンジを分解し、さらに前記サブレンジ内で分解することによりメモリセルを読み出すステップをさらに含む方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、
前記読み出すステップで読み出された結果を、符号化方式に従ってソフト出力を計算するためにその読み出された結果をソフト入力として使用するソフト入力ソフト出力復号器に提供するステップをさらに含む方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、
前記第１のしきい値ウィンドウへのマッピングから前記第２のしきい値ウィンドウへのマッピングへの変更は、前記ソフト入力ソフト出力復号器により得られた情報に応じて行われる方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、
前記第１のしきい値ウィンドウへのマッピングから前記第２のしきい値ウィンドウへのマッピングへの変更は、メモリセルを含むフラッシュメモリアレイの部分が所定回数より多く消去されたことに応じて行われる方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、
前記フラッシュメモリアレイは、メモリコントローラとホストに接続するためのインターフェイスとを含む取り外し可能なメモリカードに存在する方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、
メモリ状態に対応する前記第２のしきい値ウィンドウのサブレンジは、メモリ状態に対応する前記第１のしきい値ウィンドウのサブレンジとは異なる上限および下限を有する方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法において、
前記第１のしきい値ウィンドウのサブレンジは、第１のプログラム済みメモリ状態と第２のプログラム済みメモリ状態とを判別する第１の判別電圧を含む複数の第１の所定電圧に対応し、
前記第２のしきい値ウィンドウのサブレンジは、第１のプログラム済みメモリ状態と第２のプログラム済みメモリ状態とを判別する第２の判別電圧を含む複数の第２の所定電圧に対応し、
前記第２の判別電圧は、前記第１および第２のプログラム済みメモリ状態のデータのＥＣＣ訂正から決定される方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法において、
前記第２の判別電圧は、前記第１のプログラム済みメモリ状態から前記第２のプログラム済みメモリ状態へのＥＣＣ復号器による訂正の数を、前記第２のプログラム済みメモリ状態から前記第１のプログラム済みメモリ状態へのＥＣＣ復号器による訂正の数と平均化させるために選択される方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法において、
メモリ状態にそれぞれ対応する前記第１のしきい値ウィンドウのサブレンジのうちの１つの中にあるものとしてメモリセルのしきい値電圧を特定し、かつ出力を提供するために前記第１のしきい値ウィンドウのサブレンジのうちの一つひとつの中でさらに分解することによって、メモリセルを読み出すステップと、
ソフト入力ソフト出力復号器を使用して前記メモリセルの出力に対してＥＣＣ訂正を実行するステップと、
その後に、メモリセルを消去し、またプログラムするステップと、
その後に、前記メモリ状態にそれぞれ対応する前記第２のしきい値ウィンドウのサブレンジのうちの１つの中にあるものとして前記メモリセルのしきい値電圧を特定することによって、メモリセルを読み出すステップであって、複数のサブレンジのうちの１つは前記ソフト入力ソフト出力復号器により実行されるＥＣＣ訂正に従って確定される限界値を有するステップと、
をさらに含む方法。
【請求項１１】
請求項１記載の方法において、
第１のモードにおいて、複数のメモリセルを第１の複数のターゲット電圧にプログラムするステップであって、前記第１の複数のターゲット電圧のうちのそれぞれのターゲット電圧がメモリ状態に対応するステップと、
前記第１のモードにおいて、個々のメモリセルのメモリ状態を判定するために複数のメモリセルのしきい値電圧を前記第１のしきい値ウィンドウのサブレンジと比較することによって複数のメモリセルを読み出すステップと、
その後に、第２のモードにおいて、複数のメモリセルを第２の複数のターゲット電圧にプログラムするステップであって、前記第２の複数のターゲット電圧のうちのそれぞれのターゲット電圧がメモリ状態に対応するステップと、
前記第２のモードにおいて、個々のメモリセルのメモリ状態を判定するために複数のメモリセルのしきい値電圧を前記第２のしきい値ウィンドウのサブレンジと比較することによって複数のメモリセルを読み出すステップと、
をさらに含む方法。
【請求項１２】
フラッシュメモリシステムであって、
複数のプログラム済み状態にプログラム可能な複数のメモリセルを含むフラッシュメモリアレイと、
前記フラッシュメモリアレイに接続された読み出し回路であって、前記読み出し回路は、第１のモードにおいて複数のプログラム済み状態を識別するためにメモリセルのしきい値電圧を第１の複数の所定電圧と比較し、また第２のモードにおいて複数のプログラム済み状態を識別するためにメモリセルのしきい値電圧を第２の複数の所定電圧と比較するように構成され、前記第２の複数の所定電圧のうちの最も高い所定電圧は前記第１の複数の所定電圧のうちの最も高い所定電圧よりも高い所定電圧である読み出し回路と、
を備えるフラッシュメモリシステム。
【請求項１３】
請求項１２記載のフラッシュメモリシステムにおいて、
プログラミング回路をさらに備えるフラッシュメモリシステム。
【請求項１４】
請求項１３記載のフラッシュメモリシステムにおいて、
前記プログラミング回路は、前記第１のモードにおいてプログラム済み状態にそれぞれ対応する第１の複数のターゲット電圧にメモリセルをプログラムし、また前記第２のモードにおいてプログラム済み状態にそれぞれ対応する第２の複数のターゲット電圧にメモリセルをプログラムするようにさらに動作可能であるフラッシュメモリシステム。
【請求項１５】
請求項１４記載のフラッシュメモリシステムにおいて、
前記フラッシュメモリシステムは、フラッシュメモリアレイの部分が前記第１のモードでプログラムされたのかあるいは前記第２のモードでプログラムされたのかを示す記録を維持するようにさらに動作可能であるフラッシュメモリシステム。
【請求項１６】
請求項１４記載のフラッシュメモリシステムにおいて、
前記第２の複数のターゲット電圧のうちの最も高いターゲット電圧は、前記第１の複数のターゲット電圧のうちの最も高いターゲット電圧よりも高いターゲット電圧であるフラッシュメモリシステム。
【請求項１７】
請求項１４記載のフラッシュメモリシステムにおいて、
前記第２の複数のターゲット電圧は、前記第１の複数のターゲット電圧より広い間隔を置いているフラッシュメモリシステム。
【請求項１８】
請求項１２記載のフラッシュメモリシステムにおいて、
前記読み出し回路は、メモリセル状態に関する確率情報を提供するために複数のプログラム済み状態のそれぞれの中でさらに識別をするフラッシュメモリシステム。
【請求項１９】
請求項１２記載のフラッシュメモリシステムにおいて、
ソフト入力ソフト出力復号器をさらに備えるフラッシュメモリシステム。
【請求項２０】
請求項１９記載のフラッシュメモリシステムにおいて、
前記フラッシュメモリシステムは、前記ソフト入力ソフト出力復号器により生成された信号に応答して前記第１のモードから前記第２のモードに変わるようにさらに動作可能であるフラッシュメモリシステム。
【請求項２１】
請求項１２記載のフラッシュメモリシステムにおいて、
消去総数インジケータをさらに備え、前記フラッシュメモリシステムは、前記消去総数インジケータにより維持されている消去総数が所定値を超えたときに前記第１のモードから前記第２のモードに変わるようにさらに動作可能であるフラッシュメモリシステム。
【請求項２２】
請求項１２記載のフラッシュメモリシステムにおいて、
前記フラッシュメモリシステムは、ホストインターフェイスを有する取り外し可能なメモリカードに存在するフラッシュメモリシステム。
【請求項２３】
請求項１２記載のフラッシュメモリシステムにおいて、
前記メモリアレイからのデータを復号するためのＥＣＣ復号器と、
前記ＥＣＣ復号器からの情報に応じて前記第２の複数の所定電圧のうちの少なくとも１つの所定電圧を高めるかまたは低めるための調整回路と、
をさらに備えるフラッシュメモリシステム。
【請求項２４】
請求項２３記載のフラッシュメモリシステムにおいて、
前記ＥＣＣ復号器は、ソフト入力ソフト出力復号器であるフラッシュメモリシステム。
【請求項２５】
請求項２４記載のフラッシュメモリシステムにおいて、
前記読み出し回路は、ソフト入力を前記ソフト入力ソフト出力復号器に提供するフラッシュメモリシステム。
【請求項２６】
請求項２５記載のフラッシュメモリシステムにおいて、
前記フラッシュメモリシステムは、前記ソフト入力ソフト出力復号器により実行される訂正に応じて前記第１のモードから前記第２のモードに変わるように構成されたフラッシュメモリシステム。