【事件の表示】
　平成　９年特許願第１３０６８３号「アクティブマトリクス基板の製造法及びこれを用いた表示装置の製造法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　２月２４日出願公開、特開平１０−　５４９９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年５月２１日に出願された特許出願（優先権主張：平成８年６月４日）であって、平成１５年２月２０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月１８日に手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１５年４月１８日付手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
平成１５年４月１８日付手続補正を却下する。
[理由]
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　複数の信号線と該信号線に直交する複数の走査線の各交点に薄膜トランジスタを介して画素電極を設けたアクティブマトリクス基板の製造法であって、基板上に窒化シリコン層を形成し、該窒化シリコン層表面を熱酸化
して表面粗さ２ｎｍ以下の酸化シリコン膜を形成し、上記熱シリコン膜上
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「熱酸化された前記表面」について、「熱酸化して表面粗さ２ｎｍ以下の酸化シリコン膜を形成し、上記熱シリコン膜上」との技術的限定を付加したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　　
（２）引用例
　原審の拒絶の理由に引用された欧州特許出願公開第０７１４１４０号明細書（１９９６年５月２９日公開）（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　なお、日本語訳は同欧州特許出願の日本語国際出願公開ＷＯ９５／３４９１６（ＰＣＴ／ＪＰ９５／０１１９６）に依る。
　ａ．「技術分野
　
本発明はアクティブマトリックス液晶ディスプレイ等に適用される薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、液晶表示装置及び電子機器に関する
　ｂ．「１．本願発明の薄膜半導体装置の概略
　本発明では基板１０１の一例として汎用無アルカリガラスを用いる。
まず基板１０１上に常圧化学気相堆積法（ＡＰＣＶＤ法）やＰＥＣＶＤ法或いはスパッター法などで絶縁性物質である下地保護膜１０２を形成する。次に後に薄膜半導体装置の能動層となる真性シリコン膜等の半導体膜を堆積する。・・・こうして得られた半導体膜にレーザー光等の光学エネルギー又は電磁波エネルギーを短時間照射して結晶化を進める。
　半導体膜形成後、ＣＶＤ法やＰＶＤ法などでゲート絶縁膜１０４を形成する。・・・。
　引き続いてゲート電極１０５となる薄膜をＰＶＤ法或いはＣＶＤ法などで堆積する。通常はゲート電極とゲート配線は同一材料にて同一工程で作られる・・・。ゲート電極となる薄膜を堆積後パターニングを行い、引き続いて半導体膜に不純物イオン注入１０６を行ってソース・ドレイン領域１０７及びチャンネル領域１０８を形成する。[第１図（ｃ）]・・・。
　次に層間絶縁膜１０９をＣＶＤ法或いはＰＶＤ法で形成する。イオン注入と層間絶縁膜形成後、３５０℃程度以下の適当な熱環境下にて数十分から数時間の熱処理を施して注入イオンの活性化及び層間絶縁膜の焼き締めを行う。・・・層間絶縁膜形成後ソース・ドレイン上にコンタクトホールを開孔し、ソース・ドレイン取り出し電極１１０と配線をＰＶＤ法やＣＶＤ法などで形成して薄膜半導体装置が完成する。[第１図（ｄ）]」（３頁５１行〜５頁４行）、
　ｃ．「２−１．本発明が適用される基板と下地保護膜
　まず本発明が適用される基板と下地保護膜について説明する。・・・例えば基板として溶融石英基板を用いたときには基板自身が絶縁性物質であるから、溶融石英基板上に直接半導体膜を堆積してもよい。或いは酸化珪素膜（ＳｉＯＸ：０＜ｘ≦２）や窒化珪素膜（Ｓｉ３ＮＸ：０＜ｘ≦４）などの絶縁性物質を溶融石英基板上に下地保護膜として形成した後に半導体膜を堆積してもよい。基板として通常ガラスを用いる場合、半導体膜を直接絶縁性物質である通常ガラス上に堆積してもよいが、ガラス中に含まれているナトリウム（Ｎａ）などの可動イオンが半導体膜中に混入せぬように
酸化珪素膜や窒化珪素膜などの絶縁性物質にてガラス基板上に下地保護膜を形成した後に半導体膜を堆積する
　本願発明では下地保護膜上に形成された半導体膜がトランジスタの能動層として働き、その半導体膜が結晶化によって作成されるため、下地保護膜の性質が半導体膜品質に強い影響を及ぼす。まず下地保護膜の表面粗さは中心線平均粗さで３．０ｎｍ以下であることが望まれる。下地保護膜上にＣＶＤ法でシリコンなどの半導体膜を堆積するとき、膜形成の極初期段階ではまず基板上に幾つかの核が発生する。この核は徐々に成長して行く一方で、未だに核の発生を見ぬ下地保護膜上では新たな核が発生してくる。これらの核が成長してお互いにぶつかり合い、やがて膜として連なる訳である。斯様な成膜機構に起因して堆積膜は非晶質か結晶質かを問わず何れも皆成膜初期段階の核に対応する領域から構成されることとなる。従って核の発生密度が低ければ堆積膜を構成する領域は大きくなる。結晶化する前の半導体膜を構成する領域が大きければ、結晶化された半導体膜を構成する結晶粒も大きくなる。半導体膜の結晶粒が大きくなると、これをトランジスタの能動層としている薄膜半導体装置の移動度等の電気特性が良くなる訳である。
本願発明者の実験によると下地保護膜の表面粗さが中心線平均粗さで３．０ｎｍ以下と成れば核の発生密度を低く抑えられ、結果として高性能の薄膜半導体装置が製造され得ることが判明した。
さらに半導体膜を熔融結晶化する場合には下地保護膜の表面粗さは中心線平均粗さで１．５ｎｍ以下が好ましい。
熔融結晶化で半導体膜を形成する場合、理想的には下地保護膜の表面粗さは中心線平均粗さで１．０ｎｍ以下である。
　ｄ．「下地保護膜の別な役割は基板からの不純物元素の拡散混入を防ぐことにある。これには下地保護膜を少なくとも二種類以上の異なった膜で積層することが有効である。・・・下地保護膜は一層で構成されるより複数の異なった膜で積層された方が不純物の拡散混入を防ぐ下地保護膜の能力は高いことになる。
下地保護膜の材質は様々な物が考えられるが、ＣＶＤ法などで簡単に成膜できる点を考慮すると窒化珪素膜と酸化珪素膜の積層が最適である。このような二層の場合、或いは多層の場合でも下地保護膜の最上層は酸化珪素膜であることが好ましい。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例に記載のものとを以下に対比する。
　ア．引用例に記載のものは、「アクティブマトリックス液晶ディスプレイ」（上記ａ）であって、用いられるアクティブ素子は「下地保護膜上に形成された半導体膜がトランジスタの能動層として働き、その半導体膜が結晶化によって作成される」（上記ｃ）のであるから、本願補正発明の「複数の信号線と該信号線に直交する複数の走査線の各交点に薄膜トランジスタを介して画素電極を設けたアクティブマトリクス基板」および「該多結晶シリコン層を半導体層として前記薄膜トランジスタを構成する」なる事項を有するものである。
　イ．引用例の下地保護膜は、「酸化珪素膜や窒化珪素膜などの絶縁性物質にてガラス基板上に下地保護膜を形成した後に半導体膜を堆積する」（上記ｃ）ものであって、「窒化珪素膜と酸化珪素膜の積層が最適である。このような二層の場合、或いは多層の場合でも下地保護膜の最上層は酸化珪素膜であることが好ましい。」（上記ｄ）のであり、その表面粗さは「半導体膜を熔融結晶化する場合には下地保護膜の表面粗さは中心線平均粗さで１．５ｎｍ以下が好ましい。」（上記ｃ）のであるから、下地保護膜が窒化シリコン層と酸化シリコン層をこの順で基板上に積層したものであって、酸化シリコン層の表面粗さが２ｎｍ以下である点で本願補正発明と一致する。
　したがって両者は、
「複数の信号線と該信号線に直交する複数の走査線の各交点に薄膜トランジスタを介して画素電極を設けたアクティブマトリクス基板の製造法であって、基板上に窒化シリコン層を形成し、該窒化シリコン層上に表面粗さ２ｎｍ以下の酸化シリコン膜を形成し、上記酸化シリコン膜上に多結晶シリコン層を形成し、該多結晶シリコン層を半導体層として前記薄膜トランジスタを構成する工程を有するアクティブマトリクス基板の製造法。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点］本願補正発明の酸化シリコン膜は、「窒化シリコン層表面を熱酸化して」形成したものであるのに対して、引用例に記載のものの酸化シリコン膜は、ＣＶＤ法などで窒化シリコン層上に堆積させて形成したものであって、酸化シリコン膜の製造方法が異なる点。
　
（４）判断
　窒化シリコン層表面を熱酸化して、同表面に酸化シリコン膜を形成することは周知技術にすぎない。例えば、特開昭６２−１４４７４号公報の特許請求の範囲には「トンネル絶縁膜上にシリコン窒化膜、該シリコン窒化膜上に該シリコン窒化膜を熱酸化して形成したシリコン酸化膜を有し」が、また、特開平２−１８００７８号公報の３頁左下欄１７行〜右下欄２行には「次に第２図（ｂ）に示すように酸化処理により膜厚２．１ｎｍ程度のトンネル絶縁膜１４を形成し、さらに、ＣＶＤ法により膜厚１４ｎｍ程度の窒化シリコン膜１５を形成し、さらに窒化シリコン膜１５表面を水蒸気酸化処理して膜厚５ｎｍ程度の酸化シリコン膜１６を形成し」が記載されており、当該技術事項が本件出願前に広く知られていたことが分かる。
　上記周知技術は、層間絶縁膜として用いられる窒化シリコン層の表面を熱酸化して酸化シリコン膜を形成するものに関し、本願発明のように基板上に形成するものではないが、基板上に形成された窒化シリコン層に当該周知技術を適用するについて特段の阻害要因があるとはいえないから、引用例に記載されたＣＶＤ法に換えて上記周知技術を採用することは当業者が容易になし得たことである。
　　
　なお、引用例にはＣＶＤ法などで酸化シリコン膜を窒化シリコン層上に積層形成する方法の優位性が記載されている（７頁２８〜３９行）が、かかる利点は生産技術上の利便性ないしは下地保護膜の清浄性に優れることなどに関する事項であって、それにより上記周知技術の実施が技術的に困難であるとの根拠たり得ないことは明らかである。
　
　なお、請求人は、平成１５年４月１８日付手続補正書（請求理由）において「窒化シリコン層の表面の熱酸化のみによって、表面粗さが２ｎｍ以下の平滑な酸化シリコン層が得られるという効果はこれら引用文献から想定し得ない。」（４頁下から４〜１行）と主張しているが、かかる主張は、本願明細書に開示されていない事項に基づくものであって、採用し得ないものである。
　すなわち、上記主張に関連して本願明細書には、
　イ．「【００２５】　１０１が半導体基板であるならば、熱的に酸化を行なってシリコン酸化膜を形成し、絶縁膜１０２とする。但し、その表面粗さＲａが２ｎｍ以下であるように形成する。表面性が良好なシリコン酸化膜を得るためには、例えば半導体基板１０１を熱酸化する前に、その表面を高温（９００℃〜）でＨ２処理する方法、或いは、エピタキシャル膜を堆積する方法、熱酸化する前に表面荒れを生じない洗浄（低濃度のＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２洗浄）を行なう方法等がある。」
　ロ．「【００２６】　また、絶縁膜１０２は、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）を堆積後に熱酸化を行なったシリコン酸化膜、或いは減圧下でＣＶＤ法により堆積したＮｏｎ−ｄｏｐｅのシリカガラスでも良い。表面粗さの調整は、所望の絶縁膜を堆積後、表面を研磨することにより行なっても良い。」
　ハ．「【００４４】　［実施形態２］
　次に本発明第２の実施形態として、本発明の表示装置に用いるＴＦＴの模式的断面図を図４に示す。本実施形態と実施形態１との違いは、絶縁膜１０２上にもう１層の絶縁層１１１が形成された２層構造となっていることにある。ここで、絶縁膜１０２はシリコン窒化膜であり、その表面を酸化することによりシリコン酸化膜を形成し、第２の絶縁膜１１１を形成する。この第２の絶縁膜１１１の表面は粗さＲa が２ｎｍ以下でなければならない。」が記載されており、
　これによれば上記イには、半導体基板を直接酸化して表面粗さが所定値以下の酸化絶縁膜を得るために半導体基板表面の洗浄方法や前処理方法、中間膜を形成する方法などが開示され、また、上記ロには、酸化絶縁膜を成膜後研磨することが開示されているものの、いずれも基板の前処理であるか、あるいは成膜後の後処理によって表面の平滑性を得るものであって、これらの方法が「窒化シリコン層の表面の
熱酸化のみによって
　また、上記ハは窒化シリコン層を熱酸化するものに関するが、絶縁膜表面の平滑性については、「絶縁膜１１１の表面は粗さＲa が２ｎｍ以下でなければならない。」と、その必要性を指摘する一般的な記載に止まり、
熱酸化のみによって
　結局、上記イ〜ハからは、絶縁膜１０２の表面粗さＲａが２ｎｍ以下でなければならないことは理解できるものの、「窒化シリコン層の表面の
熱酸化のみによって
　
　したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明および上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年４月１８日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１４年４月８日付手続補正の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、次のものである。
「【請求項１】　複数の信号線と該信号線に直交する複数の走査線の各交点に薄膜トランジスタを介して画素電極を設けたアクティブマトリクス基板の製造法であって、基板上に窒化シリコン層を形成し、該窒化シリコン層表面を熱酸化し、熱酸化された前記表面上に多結晶シリコン層を形成し、該多結晶シリコン層を半導体層として前記薄膜トランジスタを構成する工程を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造法。」
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。
　　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明の「表面粗さ２ｎｍ以下の酸化シリコン膜を形成し、上記熱シリコン膜上」との構成を削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。