【事件の表示】
　平成　９年特許願第５０１５３７号「表面実装ヒューズデバイスの改良された方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成８年１２月１９日国際公開、ＷＯ９６／４１３５９、平成１０年１１月１７日国内公表、特表平１０−５１２０９４号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、１９９６年６月６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９５年６月７日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成１０年４月８日付けで手続補正がなされ、平成１３年１２月１９日付けで手続補正がなされ、平成１４年１０月３１日付けで手続補正がなされ、平成１５年５月３０日付けで拒絶査定がなされ、同年９月８日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに、同年１０月３日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年１０月３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年１０月３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
２−１　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「２つのサブアセンブリを備えた薄膜表面実装ヒューズ（５８）において、
　第１サブアセンブリが、溶融リンク（４２）と、支持基板（１３）と、ターミナルパッド（３４、３６）を具備しており、前記支持基板（１３）が上面、下面、および対向する側面を有し、
　第２サブアセンブリが、溶融リンク（４２）に重なって衝撃と酸化に対する保護を与える単一の保護層（５６）を具備しており、
　前記ターミナルパッド（３４、３６）は複数の導電性ターミナルパッド層（４４、４６、４８、５２）を含み、
　前記支持基板（１３）の対向する側面の各々は溝（１６）を有し、
　前記複数の導電性ターミナルパッド層のうち第１ターミナルパッド層（４４）と溶融リンク（４２）とが連続する１つの層として形成され、かつ、前記支持基板（１３）の上面を横切って延在し、前記第１ターミナルパッド層（４４）は、更に、対向する側面の前記溝（１６）へ延設されており、
　前記溶融リンクが中央部分（５０）を有しており、該中央部分に電解メッキプロセスにより錫−鉛スポットまたは錫スポット（５４）が設けられて
おり、
　
前記保護層（５６）が高分子材料から成る単一層を含み、前記高分子材料は前記溝（１６）に流れ落ちない範囲の粘性を有したゲルとして適用され
　と補正された。なお、下線は補正箇所を明確にするために付加したものである。
　また、錫スポットを示す符号については「５２」と記載されていたが、明細書の詳細な説明等から「５４」の誤記であることは自明であるので、当審では上記のように認定した。
　
　上記した特許請求の範囲の請求項１についての補正は、補正前の請求項１に記載された、発明を特定するために必要な事項である「保護層」において、「高分子材料から成る単一層を含み、前記高分子材料は前記溝（１６）に流れ落ちない範囲の粘性を有したゲル」としたという限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定された特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について次に検討する。
　
　
２−２　引用刊行物
２−２−１　引用刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である「特開平４−２４８２２１号公報」（以下、「引用刊行物１」という。）には、次の事項が図面ともに記載されている。
（ア）「本発明は、複数個のチップ型ヒューズを一括して形成するセラミック基板の表面を粗化し、無電解めっき法で２〜１０μｍの厚さにＣｕの被膜を形成し、ついでＣｕの被膜の上面にレジスト膜を形成し、しかる後露光、現像、エッチング、レジスト膜の剥離をし、Ｃｕの被膜の必要な部分のみ残して導体回路及び電極を形成した後、導体回路の上面及びセラミック基板の上部露出面にシリコーン被膜を形成し、さらに電極の上面にＮｉめっき及びＡｕめっきを施した後、前記セラミック基板を個々に分割してチップ状に成形するチップ型ヒューズの製造法に関する。」（段落【０００７】）
（イ）「図３の（ａ）に示すように複数個のチップ型ヒューズを一括して形成する直径が０．８ｍｍ（φ）のスルーホール５を形成したアルミナセラミック基板・・・（中略）・・・２を脱脂液で洗浄し、乾燥後・・・（中略）・・・混合溶液（液温７０℃）中に１０分間浸漬して粗化を行った。なお図３の（ａ）において１１は基板分割部である。・・・（中略）・・・無電解Ｃｕめっきを４時間行って図３の（ｂ）に示すように厚さ９μｍのＣｕの被膜６を形成した。・・・（中略）・・・Ｃｕめっき後感光性レジストフィルム・・・（中略）・・・を前記Ｃｕの被膜６上に全面貼付し、さらにその上面に、得られる導体回路と同形状に透明な部分を形成したネガフィルム（図示せず）を貼付した後、露光してネガフィルムの透明な部分の下面に配設した感光性レジストフィルムを硬化させた。・・・（中略）・・・図３の（ｃ）に示すようなレジスト膜１０を形成した。しかる後濃度２５重量％の過硫酸アンモニウムの溶液でエッチングを行い、図３の（ｄ）に示すように導体回路として不必要な部分のＣｕの被膜６を除去した。」（段落【００１３】〜【００１６】）
（ウ）「この後濃度５重量％のＮａＯＨ溶液で硬化している感光性レジストフィルムを剥離し、図３の（ｅ）に示すように導体回路３及び電極４を同時に形成したセラミック配線板を得た。」（段落【００１７】）
（エ）「次に該セラミック配線板を水洗し、乾燥後印刷法で導体回路３の上面及びアルミナセラミック基板２の上部露出面にシリコーン樹脂・・・（中略）・・・を６０μｍの厚さに塗布し、オーブン中で、１３０℃で１５分間硬化させ、図３の（ｆ）に示すようにシリコーン被膜９を形成した。」（段落【００１８】）
（オ）「再度水洗後、従来公知の方法で無電解Ｎｉ及びＡｕめっきを施し、図３の（ｇ）に示すようにそれぞれ厚さ２．０μｍ及び０．１μｍのＮｉの被膜７及びＡｕの被膜８を形成したチップ型ヒューズ基板を得た。」（段落【００１９】）
（カ）「このようにして得られたチップ型ヒューズ基板をスライシングマシーン・・・（中略）・・・を用いて基板分割部１１で個々に分割して個々の寸法が３．２×１．６ｍｍとした図１及び図２に示すチップ型ヒューズ１を得た。」（段落【００２０】）
（キ）「本発明の製造法によって得られるチップ型ヒューズは、電極とセラミック基板との密着強度に優れ、電極の剥離、腐食等が生ぜず、速断性に優れ、電極形成工程と導体回路形成工程とを同一工程で形成できるため量産化に優れ、工業的に極めて好適なチップ型ヒューズである。」（段落【００２４】）
（ク）図２、図３（ｂ）（ｇ）及び上記摘記（ア）〜（オ）から、不必要な部分を除去されたＣｕの被膜で形成された電極４上に、ＮｉめっきとＡｕめっきとを施すことにより、Ｎｉの被膜７とＡｕの被膜８の層を形成し、このＣｕの被膜６、Ｎｉの被膜７、及びＡｕの被膜８とで「電極部」が形成されているということができる。
（ケ）図１から、アルミナセラミック基板２は、上面、下面、および対向する側面を有しているということができる。また、対向する側面の各々はスルーホール５を有することも認められる。また、同じく図１から、導体回路３はアルミナセラミック基板２の上面を横切って延在していると認められる。
（コ）図２、図３（ｂ）（ｅ）及び上記摘記（イ）（ウ）から、電極４の層は、スルーホール５内へも延設されているものと認められる。
　
　
　してみると、上記（ア）〜（コ）の記載事項からみて、引用刊行物１には、次の発明が記載されていると認められる。（以下、「引用発明１」という。）
「チップ型ヒューズ１において、
　導体回路３と、アルミナセラミック基板２と、電極部を具備しており、アルミナセラミック基板２は上面、下面、および対向する側面を有し、
　導体回路３の上面に、電極の剥離、腐食を防止するためのシリコーン被膜９を形成しており、
　電極部は、電極４と、Ｎｉの被膜７、及びＡｕの被膜８から形成され、
　アルミナセラミック基板２の対向する側面の各々はスルーホール５を有し、
　電極４と導体回路３とが同時に形成され、かつ、アルミナセラミック基板２の上面を横切って延在し、更に、電極４はスルーホール５へ延設されている、
　チップ型ヒューズ１。」
　
２−２−２　引用刊行物２
　また、同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である「特公昭５９−４２４７９号公報」（以下、「引用刊行物２」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
（サ）「プリント基板を構成する銅箔等の回路網の一部に該回路より巾狭の発熱溶断部を形成してなるヒューズパターンにおいて該発熱溶断部に発熱溶断部の８０％以上の厚さを有するスズ、ハンダ等の低融点金属よりなるメツキ層を設けてなるプリント基板におけるヒューズパターン。」（特許請求の範囲第１項）
（シ）「従来のヒューズパターンは、・・・（中略）・・・第１図イ、ロに示す如く、絶縁基板１に配設した銅箔等の回路２の一部に狭小な巾の発熱溶断部３を設けた構成である。なお、４はプリント基板Ａの表面を被覆したソルダーレジストである。」（第１欄第２９行〜同欄第３５行）
（ス）「第２図イ、ロは従来例を示す第１図を例とする本発明の一実施例を示し、巾狭の発熱溶断部３上にスズ、ハンダ等の低融点金属よりなるメツキ層５を設けてヒューズパターンとしたものである。・・・（中略）・・・上記構成において、回路２に異常電流（大電流）が流れると、巾狭の発熱溶断部３の温度が上昇し、上記低融点金属と回路（この場合銅）間の相互拡散速度が大となり、この部分の抵抗値が増加し、銅の融点より低い温度で溶断する。」（第２欄第７行〜同欄第２０行）
（セ）第２図ロには、プリント基板１に配設した回路２の発熱溶断部３上にメツキ層５を設け、該プリント基板１とメツキ層５の上をソルダーレジスト４で被覆しているものが記載されている。
　
　してみると、上記（サ）〜（セ）の記載事項からみて、引用刊行物２には、次の発明が記載されていると認められる。（以下、「引用発明２」という。）
「絶縁基板１に配設した回路２の一部に巾狭の発熱溶断部３を設け、該巾狭の発熱溶断部３上にスズ、ハンダ等の低融点金属よりなるメツキ層５を設けるとともに、このプリント基板の表面をソルダーレジスト４で被覆してなるヒューズパターン。」
　
　
２−３　対比
　本願補正発明と引用発明１とを比較すると、引用発明１における「チップ型ヒューズ１」が、その作用または機能からみて、本願補正発明の「薄膜表面実装ヒューズ」に相当し、以下同様に、「導体回路３」が「溶融リンク（４２）」に、「電極部」が「ターミナルパッド（３４、３６）」に、「電極４」が「第１ターミナルパッド層（４４）」に、「電極４と、Ｎｉの被膜７、及びＡｕの被膜８」が「複数の導電性ターミナルパッド層」に、「アルミナセラミック基板２」が「支持基板（１３）」に、「スルーホール５」が「溝（１６）」に、それぞれ相当する。
　また、シリコーンは、シロキサン結合を骨格とした高分子有機化合物（ポリマー）の総称であるから、シリコーン被膜９は高分子材料を含むということができる。そうすると、引用発明１における「シリコーン被膜９」が、本願補正発明における、高分子材料からなる単一層を含む「保護層（５６）」に相当することは明らかである。また、引用発明１のシリコーン被膜９が奏する「剥離、腐食を防止する」という作用効果は、本願補正発明の保護層（５６）が奏する「衝撃と酸化に対する保護を与える」という作用効果に、実質的に相当するものであるといえる。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明１は、
「薄膜表面実装ヒューズにおいて、
　溶融リンクと、支持基板と、ターミナルパッドを具備しており、前記支持基板が上面、下面、および対向する側面を有し、
　溶融リンクに重なって衝撃と酸化に対する保護を与える単一の保護層を具備しており、
　前記ターミナルパッドは複数の導電性ターミナルパッド層を含み、
　前記支持基板の対向する側面の各々は溝を有し、
　前記複数の導電性ターミナルパッド層のうち第１ターミナルパッド層と溶融リンクとが連続する１つの層として形成され、かつ、前記支持基板の上面を横切って延在し、前記第１ターミナルパッド層は、更に、対向する側面の前記溝に延設されており、前記保護層が高分子材料から成る単一層を含む、薄膜表面実装ヒューズ。」
　の点で一致し、以下の点で相違する。
＜相違点１＞
　本願補正発明においては、溶融リンクの中央部分に電解メッキプロセスにより錫−鉛スポットまたは錫スポット（５４）が設けられるのに対し、引用発明１の導体回路上には特に何も設けられていない点。
＜相違点２＞
　本願補正発明においては、高分子材料は溝に流れ落ちない範囲の粘性を有したゲルとして適用されるのに対して、引用発明１においては、高分子材料であるシリコーン被膜を形成するものの、ゲルとして適用されるかどうかは不明である点。
＜相違点３＞
　本願補正発明においては、薄膜表面実装ヒューズが、それぞれ、溶融リンク・支持基板・ターミナルパッドからなる第１サブアセンブリと、保護層からなる第２サブアセンブリの２つのサブアセンブリから構成されているのに対し、引用発明１においては、２つのサブアセンブリからなるのかどうか不明である点。
　
２−４　当審の判断　
　上記相違点１〜３について検討する。
＜相違点１について＞
　本願補正発明と引用発明２とを比較すると、引用発明２における「ヒューズパターン」が、その作用または機能からみて、本願補正発明の「薄膜表面実装ヒューズ」に相当し、以下同様に、「巾狭の発熱溶断部３」が「溶融リンク（４２）」に、「絶縁基板１」が「支持基板（１３）」に、「ソルダーレジスト４」が「保護層（５６）」に、「スズ、ハンダ等の抵融点金属よりなるメツキ層５を設け」たことが「電解メッキプロセスにより錫−鉛スポットまたは錫スポット（５４）が設け」られたことにそれぞれ相当する。
　してみると、引用発明２は、本願補正発明の用語を用いて表現すると、
「溶融リンクと、支持基板と、溶融リンクに重なる保護層とを有し、溶融リンクに電解メッキプロセスにより錫−鉛スポットまたは錫スポットを設けた薄膜表面実装ヒューズ。」
　であると言い換えることができ、溶融リンクに錫−鉛スポットまたは錫スポットを設けることで溶融リンクを銅のみの融点より低い温度で溶断できるようにしたもの（摘記（ス）参照。）である。
　そして、引用発明１と引用発明２とは、どちらも薄膜表面実装ヒューズに関する発明であって、支持基板、溶融リンク、保護層を備えた薄膜表面実装ヒューズである点で基本構成が共通しているから、引用発明１において、溶融部として作用する導体回路３を、引用発明２の錫−鉛スポットまたは錫スポットを有する溶融リンクに置き換えることは、当業者が容易になし得ることである。
　したがって、相違点１に係る本願補正発明の構成は、当業者が容易に想到できたものであるということができる。
＜相違点２について＞
　シリコーンが重合度の違いなどによりグリース、ワックス、オイル、ゴム（エラストマー）などの粘性の異なる種々の形態で提供されることは当業者にとっては技術常識である。してみれば、引用発明１のように６０μｍという厚さを維持して塗布するため、また、被覆範囲からその周囲へ流れ出したり、溝部や穴部にまで落ちないようにするために適度な粘性を有する重合度を選択したシリコーンを採用することは当業者にとっては普通に行う設計事項というべきである。さらに、一般に回路基板にシリコーンを載置するにあたって、ゲル状の粘性の状態のものを用いること自体は周知（必要ならば、特開平６−７４８４７号公報、特開昭６２−１０４０５５号公報、特開昭６４−１１３５４号公報等参照。）である。
　これらの事項を総合すると、引用発明１において、シリコーン被膜を塗布するにあたり、粘性を適宜選択して、ゲルの状態で載置するようにすることは、当業者が適宜なし得る設計事項である。
　したがって、相違点２に係る本願補正発明の構成は、当業者が容易に想到できたものであるということができる。
＜相違点３について＞
　引用発明１のものは、電極４の形成後に、シリコーン被膜９を先に形成し、電極４の上に、Ｎｉの被膜７及びＡｕの被膜８を形成して電極部としているから、電極部・導体回路３・アルミナセラミック基板２と、シリコーン被膜９とが、それぞれ別のアセンブリとして形成されるものであるかは明確でない。
　しかしながら、第２図または第３図および上記摘記（ア）（段落【０００７】）の記載によれば、Ｎｉの被膜７及びＡｕの被膜８は、電極４の上面に順に施されており、機能的な点から判断しても、導電部として作用する電極４、Ｎｉの被膜７、Ａｕの被膜８の間にあえてシリコーン被膜９を介在させる構成とする理由は見い出せない。すなわち電極４の形成後にシリコーン被膜９の載置に先がけてＮｉの被膜７及びＡｕの被膜８を形成することを阻害する要因は何ら存在しない。
　してみれば、電極４に対して、シリコーン被膜９と、Ｎｉの被膜７及びＡｕの被膜８のいずれを先に形成するかは、必要に応じて適宜選択し得ることであって、引用発明１において、アルミナセラミック基板２に導体回路３及び電極４を形成したのちに、先にＮｉの被膜７及びＡｕの被膜８を形成して第１のサブアセンブリとし、それにシリコーン被膜９からなる第２のサブアセンブリを載置する構成として、本願補正発明の構成とすることは当業者であれば適宜なし得る設計事項にすぎない。
　したがって、相違点３に係る本願補正発明の構成は、当業者が容易に想到できたものであるということができる。
　
　そして、上記相違点１〜３に係る構成を総合して判断しても、その作用、効果は、引用発明１、引用発明２、及び周知技術から当業者が予測できる範囲内のものである。　
　したがって、本願補正発明は、引用発明１、引用発明２、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
２−５　むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、同法第１５９条１項で読み替えて準用する同法第５３条１項の規定により却下すべきものである。
　
　
３．本願発明について
３−１　本願発明
　平成１５年１０月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１４年１０月３１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「２つのサブアセンブリを備えた薄膜表面実装ヒューズ（５８）において、
　第１サブアセンブリが、溶融リンク（４２）と、支持基板（１３）と、ターミナルパッド（３４、３６）を具備しており、前記支持基板（１３）が上面、下面、および対向する側面を有し、第２サブアセンブリが、溶融リンク（４２）に重なって衝撃と酸化に対する保護を与える単一の保護層（５６）を具備しており、
　前記ターミナルパッド（３４、３６）は複数の導電性ターミナルパッド層（４４、４６、４８、５２）を含み、
　前記支持基板（１３）の対向する側面の各々は溝（１６）を有し、
　前記複数の導電性ターミナルパッド層のうち第１ターミナルパッド層（４４）と溶融リンク（４２）とが連続する１つの層として形成され、かつ、前記支持基板（１３）の上面を横切って延在し、前記第１ターミナルパッド層（４４）は、更に、対向する側面の前記溝（１６）へ延設されており、
　前記溶融リンクが中央部分（５０）を有しており、該中央部分に電解メッキプロセスにより錫−鉛スポットまたは錫スポット（５４）が設けられていることを特徴とする薄膜表面実装ヒューズ。」
　
３−２　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物、及びその記載事項は、前記「２−２」に記載したとおりである。
　
３−３　対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、「保護層」についての限定事項である、「保護層が高分子材料から成る単一層を含み、前記高分子材料は前記溝（１６）に流れ落ちない範囲の粘性を有したゲルとして適用され」たという事項を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明を特定する事項をすべて含み、さらに当該事項に限定を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２−４で検討したとおり、引用発明１、引用発明２、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明１、引用発明２、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１、引用発明２、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。