【事件の表示】
　特許第３３７０９３３号「積層セラミックコンデンサ」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３７０９３３号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続きの経緯
本件特許第３３７０９３３号に係る手続きの主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平１０−１２１９９７号）　　　平成１０年　５月　１日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　　平成１４年１１月１５日
　特許異議申立（特許異議申立人：吉田浩史）　　平成１５年　７月２５日
　特許異議申立（特許異議申立人：雨山範子）　　平成１５年　７月２８日
　取消理由通知（１）　　　　　　　　　　　　　平成１６年　４月　８日
　特許異議意見書・訂正請求書（１）　　　　　　平成１６年　６月１７日
　取消理由通知（２）　　　　　　　　　　　　　平成１７年　３月１７日
　訂正請求書（１）の取下書・訂正請求書（２）　平成１７年　４月１１日
　
第２　訂正の適否についての判断
　１　訂正の内容
　（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の【請求項１】を
「【請求項１】誘電体層と内部電極とが交互に積層され、還元雰囲気中で焼成され、さらに再酸化されている積層セラミックコンデンサにおいて、該誘電体層は５μｍ以下の厚さを有し、該誘電体層一層中に一の再酸化されたＢａＴｉＯ３系のセラミック粒子で形成されている一層一粒子の部分を備え、該内部電極に対して垂直な面で切断した面に存在するセラミック粒子の平均粒径の間隔で内部電極に対して垂直な線を引いたときの全部の線の数に対する該一層一粒子の部分にかかっている線の数の割合が６０％を超えており、該一層一粒子は上下の内部電極と接するように誘電体層の厚さ方向全域にわたって存在し、前記内部電極がＮｉ粉末を主成分とする導電ペーストを焼成したものからなることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。」と訂正する。
　
　（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の【請求項２】を
「【請求項２】前記誘電体層を形成しているセラミック粒子が３．５μｍ以上の平均粒径を有していることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。」と訂正する。
　
　（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の【請求項３】を削除する。
　
　（４）訂正事項４
　明細書の発明の詳細な説明の段落【００１３】を
「【００１３】
　　【課題を解決するための手段】
　この発明に係る積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極とが交互に積層され、還元雰囲気中で焼成され、さらに再酸化されている積層セラミックコンデンサにおいて、該誘電体層は５μｍ以下の厚さを有し、該誘電体層一層中に一の再酸化されたＢａＴｉＯ３系のセラミック粒子で形成されている一層一粒子の部分を備え、該内部電極に対して垂直な面で切断した面に存在するセラミック粒子の平均粒径の間隔で内部電極に対して垂直な線を引いたときの全部の線の数に対する該一層一粒子の部分にかかっている線の数の割合が６０％を超えており、該一層一粒子は上下の内部電極と接するように誘電体層の厚さ方向全域にわたって存在し、前記内部電極がＮｉ粉末を主成分とする導電ペーストを焼成したものからなることを特徴とするものである。」と訂正する。
　
　（５）訂正事項５
　明細書の発明の詳細な説明の段落【００１４】を
「【００１４】
　ここで、前記誘電体層は５μｍ以下の厚さを有し、誘電体層を形成しているセラミック粒子は３．５μｍ以上の平均粒径を有している場合が好ましい。５μｍ以下としたのは、誘電体層が５μｍ以下の厚さになると積層セラミックコンデンサのＣＲ積低下が顕著になるからである。」と訂正する。
　
　（６）訂正事項６
　明細書の発明の詳細な説明の段落【００１５】の内容を削除する。
　
　２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　（１）訂正事項１
　訂正事項１は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された積層セラミックコンデンサにおいて、「還元雰囲気中で焼成され、さらに再酸化されている」こと、「再酸化されたＢａＴｉＯ３系」であること、「割合が６０％を超えており、該一層一粒子は上下の内部電極と接するように誘電体層の厚さ方向全域にわたって存在し」ていることを限定しようとするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに当たる。
　そして、「還元雰囲気中で焼成され、さらに再酸化されている」ことは、特許明細書の段落【００１９】に記載されており、「ＢａＴｉＯ３系」であることは、特許明細書の段落【０００４】に記載されており、「該一層一粒子は上下の内部電極と接するように誘電体層の厚さ方向全域にわたって存在し」ていることは、【図２】の記載から明らかである。
　「割合が６０％を超えて」いる点は、【表１】の試料番号９，１０の一層一粒子の割合（％）が６０，１００と記載され、さらに、特許明細書の一層一粒子の割合が「２０％以上」の数値範囲から刊行物４の数値範囲を除くための訂正であるから、新規事項には当たらない。
　したがって、訂正事項１は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（２）訂正事項２
　訂正事項２は、請求項１と重複する表現「誘電体層が５μｍ以下の厚さを有し、」を削除したものであるから、明りょうでない記載の釈明に当たる。
　また、訂正事項２は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（３）訂正事項３
　訂正事項３は、請求項３を削除したものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに当たる。
　また、訂正事項３は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　（４）訂正事項４〜６
　訂正事項４〜６は、特許請求の範囲の訂正に対応して、これと整合するように発明の詳細な説明の欄を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに当たる。
　また、訂正事項４〜６は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　３　訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立及びこれについての判断
　１　本件発明
　上記第２で示したように上記訂正は認められるので、本件請求項１、２に係る発明（以下、「本件発明１、２」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】誘電体層と内部電極とが交互に積層され、還元雰囲気中で焼成され、さらに再酸化されている積層セラミックコンデンサにおいて、該誘電体層は５μｍ以下の厚さを有し、該誘電体層一層中に一の再酸化されたＢａＴｉＯ３系のセラミック粒子で形成されている一層一粒子の部分を備え、該内部電極に対して垂直な面で切断した面に存在するセラミック粒子の平均粒径の間隔で内部電極に対して垂直な線を引いたときの全部の線の数に対する該一層一粒子の部分にかかっている線の数の割合が６０％を超えており、該一層一粒子は上下の内部電極と接するように誘電体層の厚さ方向全域にわたって存在し、前記内部電極がＮｉ粉末を主成分とする導電ペーストを焼成したものからなることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】前記誘電体層を形成しているセラミック粒子が３．５μｍ以上の平均粒径を有していることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。」
　
　２　特許異議申立の理由及び取消理由の概要
　（１）特許異議申立の理由
　特許異議申立人吉田浩史は、証拠として、
　特願平９−２６４５６２号（特許異議申立人吉田浩史が提出した甲第１号証：特開平１１−１０３０２２号公報）
　刊行物１（同甲第２号証）：特開平１−２９１４０４号公報
　刊行物２（同甲第３号証）：特開平６−４５１８２号公報
　刊行物３（同甲第４号証）：特開平６−３４２７３６号公報
　刊行物４（同甲第５号証、特許異議申立人雨山範子が提出した甲第１号証）：特開平９−３５９８５号公報
を提出し、本件特許の請求項１〜３に係る発明は、その出願の日前の出願であって、その出願後に出願公開された上記の出願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人がその出願前の出願に係る上記特許出願の出願人と同一でもないので、本件請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり、さらに、本件請求項１〜３に係る発明は、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、特許を取り消すべき旨主張している。
　
　また、特許異議申立人雨山範子は、証拠として、
刊行物４（特許異議申立人吉田浩史が提出した甲第５号証、特許異議申立人雨山範子が提出した甲第１号証）：特開平９−３５９８５号公報
を提出し、本件請求項１〜３に係る発明は、刊行物４に記載された発明であり、さらに、刊行物４に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定及び特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、特許を取り消すべき旨主張している。
　
　（２）取消理由の概要
　取消理由の概要は、以下のとおりである。
「１）本件特許の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１〜３」という。）は、その出願の日前の出願であって、その出願後に出願公開された下記１の出願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人がその出願前の出願に係る上記特許出願の出願人と同一でもないので、本件発明１〜３の特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものである。
２）本件発明１〜３は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物４に記載された発明であるから、本件発明１〜３の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。
３）本件発明１〜３は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物１〜４に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜３の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
　　　　　　　　　　　　　記
１．特願平９−２６４５６２号（特許異議申立人吉田浩史が提出した甲第１号証：特開平１１−１０３０２２号公報）
２．刊行物１（同甲第２号証）：特開平１−２９１４０４号公報
３．刊行物２（同甲第３号証）：特開平６−４５１８２号公報
４．刊行物３（同甲第４号証）：特開平６−３４２７３６号公報
５．刊行物４（同甲第５号証、特許異議申立人雨山範子が提出した甲第１号証）：特開平９−３５９８５号公報
　
　特許異議申立人吉田浩史及び雨山範子がそれぞれ提出した特許異議申立書の「３．申立ての理由」記載の理由により、本件発明１〜３は、先願明細書に記載された発明と同一であり、また、刊行物４に記載された発明であり、さらに、刊行物１〜４に記載された発明から、当業者が容易に発明をすることができたものである。」
　
　３　特許法第２９条の２について
　（１）先願明細書に記載された発明
　先願明細書には、以下の点が【図１】と共に記載されている。
「【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体薄膜は、金属元素としてＰｂ、Ｍｇ、ＮｂおよびＴｉを含むペロブスカイト型結晶粒子からなる膜厚０．３〜２μｍの誘電体薄膜・・・」
「【００２８】本発明の薄膜コンデンサは、例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ等をアルミナ、サファイア、Ｓｉ等から選ばれる基板上にスパッタ法、蒸着法、グラビア印刷等の手法により成膜して下部電極を形成する。・・・
【００２９】この下部電極膜の表面に、上記誘電体膜を上記方法で成膜して形成し、この後に誘電体薄膜表面に下部電極と同様にして上部電極を成膜することにより得られる。また、積層コンデンサは誘電体層と電極とを交互に積層することにより得られる。」
「【００４６】
【発明の効果】以上詳述した様に、本発明によれば、平均粒径（ｄ）と膜厚（ｔ）の比ｄ／ｔが１．０より大きい偏平粒子から構成されるＰＭＮ−ＰＴ誘電体薄膜を形成することによって、・・・このような薄膜の両面に一対の電極を対向形成してコンデンサを作製することにより、測定周波数によらず高い誘電率を示し、かつ絶縁特性の良好な薄層コンデンサを実用的なプロセスで得ることができる。」
　さらに、【表１】には、膜厚が０．４〜２．１μｍ、平均粒径０．１５〜３．８μｍの試料が記載されており、【図１】には、一層一粒子の割合が１００％の誘電体薄膜が記載されている。
　
　（２）本件発明と先願明細書に記載された発明との対比・判断
　　　ア　本件発明１について
　本件発明１と先願明細書に記載された発明とを対比すると、先願明細書には、本件発明１の構成要素である「還元雰囲気中で焼成され、さらに再酸化されている積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体層は再酸化されたＢａＴｉＯ３系のセラミック粒子で形成されている」点が記載されていない。
　したがって、本件発明１は、先願明細書に記載された発明と同一であるとはいえない。
　
　　　イ　本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１を引用して、更に限定したものであるから、本件発明１と同様の理由により、先願明細書に記載された発明と同一であるとはいえない。
　
　４　特許法第２９条第１項第３号、特許法第２９条第２項について
　（１）刊行物に記載された発明
　　　ア　刊行物１に記載された発明
　刊行物１は、「バリスタ、キャパシタ及びその製法」に関するものであり、ＦＩＧ．１Ｂには、電極層１６と１８の間の全距離にまたがっている粒子２０が示されている。
　
　　　イ　刊行物２に記載された発明
　刊行物２は、「積層型セラミックチップコンデンサ」に関するものであり、以下の点が記載されている。
「【００５３】内部電極２１、２５用のペーストを製造する際に用いる導体材料としては、ＮｉやＮｉ合金さらにはこれらの混合物を用いる。」
「【００７５】熱処理の際の酸素分圧は、１０−８atm 以上、より好ましくは１０−４〜１０−７atm が好ましい。
【００７６】前記範囲未満では、誘電体層３や酸化物層４の再酸化が困難であり、前記範囲をこえると内部電極２１、２５が酸化する傾向にある。」
「【００８８】（実施例１）母材となる出発原料としては、液相合成によるＢａＴｉＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＣａＴｉＯ３を用いた。」
　
　　　ウ　刊行物３に記載された発明
　刊行物３は、「積層型セラミックチップコンデンサの製造方法」に関するものであり、以下の点が記載されている。
「【００４９】誘電体層用ペースト
粒径０．１〜１μm のＢａＴｉＯ３・・・」
「【００５０】内部電極層用ペースト
平均粒径０．８μm のＮｉ粒子１００重量部と、有機ビヒクル（エチルセルロース樹脂８重量部をブチルカルビトール９２重量部に溶解したもの）４０重量部およびブチルカルビトール１０重量部とを３本ロールにより混練し、ペースト化した。」
「【００５３】得られたグリーンチップ体を常法に従って切断、脱バインダ処理後、還元雰囲気中で１２４０℃、２時間焼成を行った。焼成後、再酸化を目的としてアニール処理を行い、コンデンサチップ体１０を得た。」
　
　　　エ　刊行物４に記載された発明
　刊行物４は、「セラミック積層電子部品」に関するものであり、以下の点が記載されている。
「【００２８】
【実施例】図１に示した積層コンデンサ１として、内部電極３ａ〜３ｄ間のセラミック層２ａ〜２ｃの厚みが５μｍであり、セラミック焼結体２の寸法が、３．２×１．６×１．２５ｍｍのものを、内部電極間に挟まれているセラミック層２ａ〜２ｃのセラミック粉末の粒径及び上記セラミック粒子数を下記の表１に示すように種々異ならせて作製した。使用した誘電体セラミックスはチタン酸バリウム系誘電体セラミックスであり、内部電極３ａ〜３ｄの形成に際しては、Ｎｉ粉末を含有する導電ペーストを用いた。」
　さらに、段落【００２９】の【表１】には、試料１〜６として、平均グレイン径０．７〜３．６μｍ、セラミック粒子数７．１〜１．４のものが記載されている。
　
　（２）本件発明と刊行物に記載された発明との対比・判断
　　　ア　本件発明１について
　本件発明１と刊行物１〜４記載された発明とを対比すると、刊行物１〜４には、本件発明１の構成要素である「内部電極に対して垂直な面で切断した面に存在するセラミック粒子の平均粒径の間隔で内部電極に対して垂直な線を引いたときの全部の線の数に対する一層一粒子の部分にかかっている線の数の割合が６０％を超えており、該一層一粒子は上下の内部電極と接するように誘電体層の厚さ方向全域にわたって存在し」ている点が記載されていない。
　なお、刊行物１のＦＩＧ．１Ｂに示された電極層１６と１８の間の全距離にまたがっている粒子２０の割合は、明らかに６０％を超えていない。
　また、刊行物４は、セラミック粒子数は最小１．４なので、例えば、一層間に、粒子１個と粒子２個の部分があるとすると、１個（一粒子）の部分が６０％であり、さらに、上下の内部電極に接しているか否かは不明である。
　そして、本件発明１は、上記構成要素により、特許明細書記載の顕著な効果を奏する。
　したがって、本件発明１は、刊行物４に記載された発明であるとも、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　
　　　イ　本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１を引用して、更に限定したものであるから、本件発明１と同様の理由により、刊行物４に記載された発明であるとも、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　
　５　特許異議申立についての判断のむすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び取消理由によっては本件発明１、２についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１、２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年４月２２日（２００５．４．２２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
積層セラミックコンデンサ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】誘電体層と内部電極とが交互に積層され
、還元雰囲気中で焼成され、さらに再酸化され
再酸化されたＢａＴｉＯ３系の
６０％を超えており
該一層一粒子は上下の内部電極と接するように誘電体層の厚さ方向全域にわたって存在し、
　【請求項２】前記誘電体
層を
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は誘電体層と内部電極との積層数が多く、該誘電体層の薄い小型大容量の積層セラミックコンデンサに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　積層セラミックコンデンサはチップ状の素体と、該素体の両端部に形成された一対の外部電極とからなる。該素体は誘電体層と内部電極とが交互に多数層積層したものからなる。該内部電極のうち、隣り合う内部電極は誘電体層を介して対向し、別々の外部電極と電気的に接続されている。
　【０００３】
　前記素体は、セラミックグリーンシートと導電パターンとを交互に積層させて形成したチップ状の積層体を空気中において１２００〜１３００℃程度の高温で焼成することにより製造されている。
　【０００４】
　ここで、セラミックグリーンシートは誘電率の高い例えばＢａＴｉＯ３系のセラミック粒子と有機バインダを主成分とするものからなり、導電パターンは例えばＰｄ等の粉末を主成分とする導電ペーストからなる。
　【０００５】
　ところで、導電ペーストの主成分として使用されているＰｄ等は高価な貴金属なので、これが積層セラミックコンデンサのコストを高くしていた。そこで、最近ではＮｉ等の卑金属が導電ペーストの主成分として使用されている。
　【０００６】
　ただ、Ｎｉ等の卑金属を主成分とした導電ペーストを使用したチップ状の積層体を従来通り空気中において高温で焼成すると、Ｎｉ等の卑金属が酸化し、内部電極の導電性が失われてしまい、また、Ｎｉ等の卑金属が酸化しないように非酸化性雰囲気中においてチップ状の積層体を高温で焼成すると、誘電体層が還元されてその絶縁抵抗が低下し、所望の電気的特性が得られなくなってしまう。
　【０００７】
　そこで、Ｎｉ等の卑金属を内部電極の材料として使用する場合、誘電体層の材料として耐還元性の高い材料を用いるとともに、焼成は還元性雰囲気中で行ない、その後、酸素を少し含む雰囲気中において、焼成温度より低い６００〜９００℃程度の温度で熱処理して誘電体層を再酸化させ、内部電極の酸化を防止しつつ誘電体層の絶縁抵抗を回復させ、所望の電気的特性が得られるようにしている。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、近年における電子回路の小型化、高密度化の流れに伴い、積層セラミックコンデンサについても小型大容量化が求められ、小型大容量化のために誘電体層の積層数の更なる増加と、誘電体層の薄層化が進んでいる。
　【０００９】
　積層数の増加と薄層化により、積層セラミックコンデンサの取得できる静電容量は向上するものの、絶縁抵抗は低下する。これは、絶縁抵抗Ｒが、Ｒ＝ρ×ｄ／Ｓ（Ｒ；抵抗、ρ；抵抗率、Ｓ；電極面積、ｄ；誘電体厚）で記述されるからである。
　【００１０】
　コンデンサの特性の一つにＣＲ積という項目がある。これは静電容量Ｃと絶縁抵抗Ｒの積であり、Ｃ＝ε０×εｒ×Ｓ／ｄ（ε０；真空誘電率、εｒ；比誘電率）で与えられるため、Ｃ×Ｒ＝ρ×ε０×εｒとなり、誘電体厚みや層数には関係ない値となる。
　【００１１】
　しかしながら、５μｍ以下の誘電体厚みになると、このＣＲ積は一般に低下する傾向にある。これは、誘電体厚みが薄くなることで、絶縁抵抗がオーミック則から外れるためと考えられる。即ち、セラミックコンデンサの薄層化ではＣＲ積が低下するという問題があった。
　【００１２】
　この発明は誘電体層を薄層化しても、所望のＣＲ積が得られる小型大容量の積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
　【００１３】
　【課題を解決するための手段】
　この発明に係る積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極とが交互に積層され
、還元雰囲気中で焼成され、さらに再酸化され
再酸化されたＢａＴｉＯ３系の
を備え、該内部電極に対して垂直な面で切断した面に存在するセラミック粒子の平均粒径の間隔で内部電極に対して垂直な線を引いたときの全部の線の数に対する該一層一粒子の部分にかかっている線の数
６０％を超えており、該一層一粒子は上下の内部電極と接するように誘電体層の厚さ方向全域にわたって存在し、前記内部電極がＮｉ粉末を主成分とする導電ペーストを焼成したものからな
　【００１４】
　ここで、前記誘電体層
は５
　【００１５】
　【００１６】
　なお、一層一粒子の割合は次のようにして求める。すなわち、積層セラミックコンデンサを内部電極に垂直な面で切断し、この面について、誘電体層を形成しているセラミック粒子の粒径を測定し、その平均粒径を算出し、内部電極に対して垂直な線を平均粒径の間隔で引き、一粒子がかかっている線の数を全部の線に対する割合で求める。
　【００１７】
　【実施例】
　通常の方法でセラミックグリーンシートを作製し、得られたセラミックグリーンシートに導電パターンを印刷し、このセラミックグリーンシートを積層・圧着させ、これを導電パターン毎にチップ状に裁断してチップ状の積層体を形成した。
　【００１８】
　ここで、セラミックグリーンシートはＢａＴｉＯ３系のセラミック粉末を用いて形成し、導電パターンはＮｉ粉末を主成分とする導電ペーストを用いて形成した。また、セラミックグリーンシートは焼成後で５μｍの厚さとなる厚さのものを使用した。
　【００１９】
　このチップ状の積層体を、図１に示すように、空気中において６００℃まで昇温させながら加熱して脱バインダし、続いて、２．０体積％のＨ２を含む窒素ガスからなる非酸化性雰囲気に変え、１２００〜１３００℃まで昇温させ、その温度で１〜５時間焼成し、その後、６００℃まで降温し、２００ｐｐｍの酸素を含む窒素ガス雰囲気に変え、この温度で１時間熱処理し、誘電体層を再酸化させ、その後、常温まで冷却した。粒径は焼成温度と保持時間を変えて変化させた。
　【００２０】
　次に、焼成後のこれらの積層体を研磨し、これを１１５０〜１２００℃に加熱して熱エッチングし、研磨面のＳＥＭ写真を２０００倍で撮影した。そして、内部電極に対し平行に直径法を用いて、２００個の粒子の粒径を測定し、その平均値を求めた。結果は表１に示す通りであった。
　【００２１】
　次に、上記顕微鏡写真に線を、内部電極に直角に、上記で求めた粒径（平均値）の間隔で１００本描き、その線上に１個の粒子しかないところの数を数え、全ての線、すなわち１００本の線に対するこの数の割合を、一層一粒子の占める割合として求めた。なお、一層一粒子とは図３の部分Ａ，Ｂに示すように、内部電極１０，１０の間の誘電体層１２が１つのセラミック粒子Ａ，Ｂからなることをいう。
　【００２２】
　次に、上記焼成により焼結した積層対の両端部に外部電極を焼付け、積層セラミックコンデンサを形成した。そして、恒温槽で２０℃に保ち、ＬＣＲメーターで静電容量を測定した。測定条件は１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓである。静電容量の測定後、ＤＣ５０Ｖを１分間印加して絶縁抵抗を測定した。静電容量と絶縁抵抗の積を計算し、ＣＲ積（μＦ・ＭΩ）を算出した。結果を表１に示す。
　【００２３】
　【表１】
　【００２４】
　表１に示す結果から、一層一粒子の割合が２０％以上であると、ＣＲ積で１５０００μＦ・ＭΩ以上を達成できることがわかる。
　【００２５】
　【発明の効果】
　この発明によれば、誘電体層を形成しているセラミック粒子の表面積が少なくなるので、焼成段階での還元性が抑えられる。また、薄層化により、再酸化段階において酸素が内部電極−セラミック粒子の界面を拡散後、さらに粒界に拡散し易くなり、オーミックな抵抗特性が維持されたものと考えられる。つまり、薄層化において、有効であると言える。
　【００２６】
　従って、誘電体層が薄くとも、通常のＣＲ積が低下する領域でも、ＣＲ積低下のない小型大容量の積層セラミックコンデンサを得ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　この発明の実施例に係る焼成パターンの例を示すグラフである。
　【図２】
　この発明の実施例に係る誘電体層の断面におけるセラミック粒子の配列を示す拡大説明図である。
　【符号の説明】
　１０　内部電極
　１２　誘電体層