【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年3月3日(2010.3.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージセンサデバイスの製造方法であって：
中央チップ取付フラグ（１４）と外側ボンディングパッド領域（１６）を有するリードレス型クワッドフラットのリードフレーム（１２）を提供するステップであって、前記外側ボンディングパッド領域（１６）は、リードフレームボンディングパッド（１８）を有することと；
前記中央チップ取付フラグ（１４）上にチップ接着材料（２４）を配置するステップと；
前記中央チップ取付フラグ（１４）にセンサ集積回路（２２）を、前記チップ接着材料（２４）を用いて取付けるセンサ集積回路取付ステップであって、前記センサ集積回路（２２）の第１表面は、能動領域（２６）と周辺ボンディングパッド領域（２８）を有し、前記周辺ボンディングパッド領域（２８）は、集積回路ボンディングパッド（３０）を有することと；
前記リードフレーム（１２）を、硬化ヒートブロック（５０）の上に搬送するステップであって、前記中央チップ取付フラグ（１４）は、前記硬化ヒートブロック（５０）の真空穴（５２）を覆うように配置されることと；
前記真空穴（５２）を介して真空荷重を加えることによって、前記チップ接着材料（２４）を前記真空穴（５２）に崩落させて硬化させ、その結果、前記チップ接着材料（２４）から突出する突出バンプ（５４）を形成する突出バンプ形成ステップと；
前記集積回路ボンディングパッド（３０）と、該当する前記リードフレームボンディングパッド（１８）とを、ワイヤ（３２）によって電気的に接続するステップと；
前記能動領域（２６）を覆うように透明カバー（３６）を搭置する透明カバー搭置ステップであって、光は前記透明カバー（３６）を透過して前記能動領域（２６）に到達しうることと；
モールドキャビティを区画する上側の壁（６２）を、前記透明カバー（３６）に接触するように配置するステップと；
前記リードフレーム（１２）と、前記ワイヤ（３２）と、前記透明カバー（３６）の周辺領域とを覆うように、成形用化合物（４２）を形成する成形用化合物形成ステップと；
前記突出バンプ（５４）を潰すことによって生じさせた荷重によって、前記透明カバー（３６）が前記壁（６２）に接触することを維持させるステップと
を備えることを特徴とする、イメージセンサデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記透明カバー搭置ステップの前に、前記第１表面の上にスタッドバンプ（３４）を形成するステップを更に有し、前記透明カバー搭置ステップは、前記スタッドバンプ（３４）の上に前記透明カバーを搭置する、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記スタッドバンプ（３４）は金を用いて形成される、請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
前記製造方法は更に：
前記透明カバー搭置ステップの前に、前記能動領域（２６）を覆うように透明化合物（３８）を塗布するステップであって、前記透明化合物（３８）の厚さを、前記スタッドバンプ（３４）の高さと同じように形成することと
を備える、請求項２記載の製造方法。
【請求項５】
前記透明カバー（３６）はガラス製である、請求項１記載の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】イメージセンサデバイスの製造方法
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
別の実施形態では、本発明は、中央チップ取り付けフラグを有するＱＦＮタイプのリードフレームと、複数のボンディングパッドを有する外側ボンディングパッド領域と、を含むイメージセンサデバイスを提供する。フラグは、リードフレームの厚さとほぼ同じの高さを有するボンド線を形成する周辺リングを有する。センサ集積回路（ＩＣ）はフラグに、フラグの周辺リング内に配置される低弾性接着剤で取り付けられる。ＩＣは、能動領域と、周辺ボンディングパッド領域と、を有する第１表面を有する。周辺ボンディングパッド領域は複数のボンディングパッドを含む。複数の金ワイヤは、ＩＣボンディングパッドのそれぞれのパッド及びリードフレームボンディングパッドの該当するパッドにワイヤボンディングによって接続されてＩＣとリードフレームとを電気的に接続する。複数の金スタッドバンプはＩＣの第１表面の能動領域の上に形成される。透明化合物はＩＣの能動領域を覆う形に配置される。透明ガラスカバーはＩＣの能動領域の上の透明化合物を覆う形で配置され、そしてスタッドバンプの上に搭置される。光はカバー及び透明化合物を透過してＩＣの能動領域に到達することができる。成形用化合物はリードフレーム、ボンディングワイヤ、及びカバーの周辺部を覆うように形成される。デバイスは約１０１６ミクロン（４０ミル）未満の高さを有する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
センサ集積回路（ＩＣ）２２はリードフレーム１２のフラグ１４に好ましくは、フラグ周辺リング２０の内側に配置される低応力かつ低弾性のチップ接着剤２４で取り付けられる。ＩＣ２２は、能動領域２６（図２）と、周辺ボンディングパッド領域２８と、を有する第１表面を有する。周辺ボンディングパッド領域２８は複数のボンディングパッド３０を含む。ＩＣ２２は、この技術分野の当業者には公知であって、容易に市販品として手に入れることができるタイプのＣＭＯＳセンサデバイスであることが好ましい。ＩＣ２２は約３８１ミクロン（約１５ミル）の厚さ、または高さを有する。ＩＣ２２は、受光領域（能動領域２６）を含む他に、数学的動作を実行するＡ／Ｄ変換器及びＤＳＰまたは論理領域のような回路及び論理を含む。複数のワイヤ３２はワイヤボンディングによってＩＣボンディングパッド３０のそれぞれのパッド及びリードフレームボンディングパッド１８の該当するパッドに接続されてＩＣ２２とリードフレーム１２とを電気的に接続する。ワイヤ３２は、この技術分野の当業者に公知のどのような導電金属、または金属の組み合わせからも形成することができる。適切なボンディングワイヤは通常、銅または金のような導電金属を含み、そして細線ワイヤ（直径５０μｍ未満）または太線ワイヤ（直径５０μｍ超）のいずれかとすることができる。現時点での好適な本実施形態では、ワイヤ３２は金から作製される細線ワイヤである。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
複数のスタッドバンプ３４はＩＣ２２の第１表面の上に形成される。好適な実施形態では、スタッドバンプ３４はワイヤ３２と同じ材料、例えば金から作製される。スタッドバンプ３４は約７６．２ミクロン（約３ミル）の高さを有し、そしてＩＣの能動領域２６に近接配置される。スタッドバンプ３４は、ワイヤボンディングを行なうワイヤボンダーのキャピラリィを使用してＩＣ２２の上に形成される。スタッドバンプ３４はＩＣ２２の上に、ワイヤボンディングを行なう方法と同じ方法で形成、または配置される。すなわち、スタッドバンプ３４の形成プロセスは金ボールを使用する普通の超音波併用熱圧着ボンディングプロセスと非常に類似するが、ループ形成工程及び第２ボンド形成工程が無いことが異なる。更に詳細には、ワイヤの先端にボール（ｆｒｅｅ  ａｉｒ  ｂａｌｌ）が電気火炎を飛ばすことによって形成され、そしてキャピラリィに捕捉され、次に第１ボンドがＩＣ２２の表面の上に形成される。第１ボンドを形成した後、テイル長部分を確保した後に第１ボンドから離れ、そしてテイル分離（第１ボンドから引き離す）を行なう。このプロセスは各スタッドバンプに対して繰り返される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
透明カバー３６（図２）をＩＣの能動領域２６を覆うように配置すると、カバーがスタッドバンプ３４の上に搭置される。現時点での好適な本実施形態では、カバー３６は、ＩＣの能動領域２６を覆うように配置される透明化合物３８と、透明化合物３８を覆い、かつスタッドバンプ３４の上に搭置される窓４０と、を含む。従って、スタッドバンプ３４は窓４０のスタンドオフとして機能する。カバー３６は光を透過してＩＣの能動領域２６に到達させることができる。窓４０は非反射の屈折率傾斜光学ガラスであり、約３８１ミクロン〜４０６．４ミクロン（約１５ミル〜１６ミル）の厚さを有する。窓４０には種々の材料をコーティングして所望通りに光をフィルタリングすることができる。透明化合物３８は硬化前は液状の透明エポキシとすることができる。透明化合物３８はセンサの能動領域２６の上にどのような塗布システムを使用しても塗布することができる。次に、窓４０を透明化合物３８（及びスタッドバンプ３４）の最上部に搭置する。次に熱硬化プロセスを実施してエポキシを硬化及び固化すると、窓４０がＩＣの能動領域２６に接合される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
デバイス１０を完成させるために、成形用化合物４２をリードフレーム１２、ボンディングワイヤ、及びカバー３６の周辺部を覆うように形成する。スタッドバンプ３４は正確な高さのスタンドオフとして機能し、そして窓４０をＩＣ２２と成形用化合物４２との間の位置に保持する。イメージセンサデバイス１０は約１０１６ミクロン（約４０ミル）の合計高さを有する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
次に図４Ｄを参照すると、透明化合物またはゲル３８をセンサＩＣ２２の能動領域２６を覆うように塗布する。透明化合物３８のボンド線厚さはスタッドバンプ３４の高さによって決まる。本発明によれば、スタッドバンプ３４の高さは約７６．２ミクロン（約３ミル）である。次に窓４０、好適にはガラスをＩＣの能動領域２６を覆うように搭載して窓４０がスタッドバンプ３４の上に搭置されるようにする。透明化合物３８は窓４０をＩＣの能動領域２６に固定するが、窓４０がＩＣ２２からスタッドバンプ３４の分だけ離れる点が異なる。アセンブリの全体としての厚さは非常に厳しい許容範囲に制御される。例えば、リードフレーム１２、ＩＣ２２、スタッドバンプ３４、及び窓４０の典型的な高さばらつきは約＋／−３８．１ミクロン（約＋／−１．５ミル）である。窓４０及び透明化合物３８は光を透過してＩＣの能動領域２６に到達させることができる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
最後に図４Ｅに示すように、上部成形用化合物（図１の化合物４２）をリードフレーム１２、ボンディングワイヤ、及びカバー４０の周辺部を覆うように形成する。モールドキャビティ深さＡは、ＩＣ２２とスタッドバンプ３４と窓４０と、を合計した厚さに等しい。バンプ５４の高さは、ＩＣ２２とスタッドバンプ３４と窓４０とを合計した分の許容誤差範囲に等しく、約３ミルである。成形用化合物をリードフレーム１２、ボンディングワイヤ、及びカバー４０の周辺部を覆うように形成した後、バンプ５４を潰して、窓４０がモールドキャビティ６２と接触したままの状態を維持する荷重を生じさせる。すなわち、アセンブリがモールド封止された状態で、バンプ５４を潰して生じさせた小さな荷重によりガラス窓４０が上部モールドキャビティ６２と接触する状態を維持する。窓４０がモールドキャビティ６２に押し付けられるので、流し込み樹脂の量を減らすことができる。樹脂がガラス表面に滲み出ても、続いてウォータージェット噴射による洗浄を行なうことにより全て取り除くことができる。更に、ガラス窓４０に加わる接触圧が小さいので、保護テープを使用しなくても表面引っかき傷の発生を防止することもできる。複数個のデバイスを同時に形成する場合には、これらのデバイスに単体化処理を施して図１に示すデバイス１０を形成する。製品デバイスは約１０１６ミクロン（約４０ミル）未満の高さを有する。