【事件の表示】
　特願２００３−２８７９６２「回路基板およびそれを含むことを特徴とする製品」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年３月３日出願公開、特開２００５−５７１３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年８月６日の出願であって、平成１６年３月２３日付けで拒絶査定がなされたので、請求人（出願人）は、この査定を不服として、平成１６年４月２７日付けで本件審判請求をするとともに同日付けで特許法第１７条の２第１項第３号に規定する手続補正（前置補正）をしたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
第２　平成１６年４月２７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
  平成１６年４月２７日付けの手続補正を却下する
［理由］
１．平成１６年４月２７日付けの手続補正に係る発明
　上記平成１６年４月２７日付けの手続補正書によって補正しようとする請求項１，２に係る発明は、次のとおりである。
【請求項１】
　基体上に、Ｃｕ、ＡｌまたはＡｇのいずれかにより構成された導電層により回路が形成された回路基板であって、
　該導電層上に、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇまたはこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる、１層または複数の下地層が形成されており、
　該下地層上に、ルテニウムにより構成されるルテニウム層が形成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
　前記ルテニウム層上に、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｓｎまたはこれらの金属を少なくとも１種含む合金により構成された表面金属層が形成されていることを特徴とする
請求項１
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．補正の適否について
［特許請求の範囲の減縮を目的としたものであるか否か］
　平成１６年４月２７日付けで補正された請求項２に記載された構成要件には
「下地層」が含まれている
「下地層」は含まれていない
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．むすび
　以上のとおり、本件手続補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項において一部読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
第３　本願の発明について
１．本願の発明
　平成１６年４月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年３月５日付けの手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項によって特定されるものと認められるが、そのうち、請求項１〜３に係る発明（以下、請求項２に係る発明を「本願発明」という）は、次のとおりである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　【請求項１】
　基体上に、Ｃｕ、ＡｌまたはＡｇのいずれかにより構成された導電層により回路が形成された回路基板であって、
　該導電層上に、ルテニウムにより構成されるルテニウム層が形成されていることを特徴とする回路基板。
  【請求項２】
　前記導電層と前記ルテニウム層との間に、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇまたはこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる、１層または複数の下地層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
　【請求項３】
　前記ルテニウム層上に、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｓｎまたはこれらの金属を少なくとも１種含む合金により構成された表面金属層が形成されていることを特徴とする
請求項１
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．引用刊行物及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願出願前に頒布された刊行物である特開２００３−１００９５２号公報（以下、「引用例」という）には、以下の事項が記載されている。
　なお、下記記載中における下線は当審にて加入した。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【特許請求の範囲】
【請求項１】絶縁基体に電子部品の電極が低融点ロウ材を介して接続される配線層を被着形成して成る配線基板であって、前記配線層のうち少なくとも電子部品の電極が低融点ロウ材を介して接合される領域の表面に、ホウ素の含有量が０．３重量％以上の銅−ホウ素めっき層と、銅めっき層と、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウムの少なくとも１種から成る金属層と、金めっき層とを順次被着させたことを特徴とする配線基板。
【００１１】本発明の配線基板によれば、少なくとも電子部品の電極が低融点ロウ材を介して接続される配線層の表面に、ホウ素の含有量が０．３重量％以上で銅−ホウ素の結晶粒径が０．３μｍ未満と小さい銅−ホウ素めっき層を被着させたことから
配線層の表面に多数の凹凸があったとしても、この凹部内に銅−ホウ素の結晶が良好に入り込んで配線層と銅−ホウ素めっき層とが間に空隙部を形成することなく強固に被着し、
パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウムの少なくとも１種から成る金属層と
【００１７】前記配線層２は、接続される半導体素子３の電極を外部電気回路に接続する作用をなし、例えば、タングステンやモリブデン、モリブデン／マンガン、
タングステン／銅、モリブデン／銅、タングステン／モリブデン／銅
【００１８】前記配線層２は、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダーや溶剤を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによって、絶縁基体１の所定位置に被着形成される。
【００１９】前記配線層２は、図２に示す如く、少なくとも半導体素子３の電極が低融点ロウ材から成る接続部材５を介して接続される領域に
銅−ホウ素めっき層６、銅めっき層７、
ルテニウムの少なくとも１種から成る金属層８
【００２０】
前記銅−ホウ素めっき層６は、
下地金属層として作用する
【００３０】また、前記銅めっき層７はその表面に、該銅めっき層７と、後述する金めっき層９のいずれに対しても密着性が優れた、パラジウム、白金、ロジウム、
ルテニウムの少なくとも１種から成る金属層８が被着形成
【００４２】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、・・・・・配線層の表面に多数の凹凸があったとしても、この凹部内に銅−ホウ素の結晶が良好に入り込んで配線層と銅−ホウ素めっき層とが間に空隙部を形成することなく強固に被着し、また銅−ホウ素めっき層上に、各々の密着性が良好な銅めっき層と、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウムの少なくとも１種から成る金属層と、金めっき層とを順次被着させたことから配線層に銅めっき層、金属層および金めっき層を強固に被着させることができるとともに前記銅めっき層によって配線層の電気抵抗を小さなものとなすことができ、更に金めっき層によって配線層の酸化腐食を有効に防止しつつ配線層に電子部品の電極を低融点ロウ材を介して確実、強固に電気的接続することができる。
【００４３】また同時に、前記銅めっき層と金めっき層との間に形成したパラジウム、白金、ロジウム、ルテニウムの少なくとも１種から成る金属層により銅めっき層の銅の金めっき層表面への拡散が効果的に防止され、配線層に電子部品の電極を低融点ロウ材を介して接合する際の熱等が作用したとしても金めっき層表面に銅の酸化物層が形成されることはほとんどなく、これによって配線層に対する低融点ロウ材の接合性を良好なものに維持することができる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　上記各記載事項及び図面を参照すると、引用例には、
「絶縁基体上１に、
タングステン／銅、モリブデン／銅、タングステン／モリブデン／銅、等の
　該配線層上に、パラジウム、白金、ロジウム、
ルテニウム
から成る金属層８
　前記配線層２と前記金属層８との間に
銅−ホウ素めっき層６及び銅めっき層７
　さらに、前記金属層８の表面に金めっき層９が形成されている配線基板」
に関する発明（以下、「引用発明」という）が記載されているものと認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．対比・判断
　本願発明（請求項２に係る発明）と引用発明とを対比すると、引用発明の「絶縁基体」、「配線層」、「配線基板」及び「パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウムの少なくとも１種から成る金属層８」は、それぞれ、本願発明の「基体」、「導電層」、「回路基板」及び「ルテニウムにより構成されるルテニウム層」に相当するものと認められ、また、引用発明の「下地金属層」も、本願発明の「下地層」と同様に導電層（配線層）表面の多数の細かな凹凸を埋めることにより導電層（配線層）表面をフラットにするものであるから、「下地金属層」も「下地層」も実質的に同じ作用を果たすものといえる。
　引用発明においては、表面の「金めっき層」は、金めっき層によって配線層の酸化腐食を有効に防止する作用があるので、酸化腐食を防止する必要がなければ、金めっき層は省略可能である。
　よって、引用発明において「金めっき層」を省略した場合においては、両発明は、
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
「基体上に、導電層により回路が形成された回路基板であって、
　該導電層上に、ルテニウムにより構成されるルテニウム層が形成されており、
　前記導電層と前記ルテニウム層との間に１層または複数の下地層が形成されている回路基板」
である点で一致し、以下の点で相違しているものと認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　＜相違点１＞
　導電層が、本願発明では、Ｃｕ、ＡｌまたはＡｇのいずれかにより構成された導電層であるのに対して、引用発明では、タングステン／銅、モリブデン／銅、タングステン／モリブデン／銅、等の金属材料により形成された導電層である点　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　＜相違点２＞
　下地層が、本願発明では、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇまたはこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる下地層であるのに対して、引用発明では、銅−ホウ素めっき層６及び銅めっき層７からなる下地層である点
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　これらの相違点について検討する。
　＜相違点１＞について
　回路基板において、導電層をＣｕにより構成したものは例示するまでもなく従来周知（例えば、銅製ラミネートベース層１１０あるいはＣｕ膜３により構成したものは、特開２００１−１４４３９３号公報、特開２００２−３２９８０８号公報に開示されている）であるから、導電層をＣｕにより構成すること自体は何ら新規なことではなく、引用発明におけるタングステン／銅、モリブデン／銅、タングステン／モリブデン／銅、等の銅合金からなる金属材料により形成された導電層に代えて従来周知といえるＣｕからなる導電層を採用して上記相違点１でいう本願発明の構成とすることは当業者にとっては何ら困難性のないことである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　なお、本願の出願当初明細書中で段落【００１５】には、「 ＜導電層＞  本発明の導電層１０２は、前記基体１０１上に回路を形成するものであり、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇまたは
これらの金属を少なくとも１種含む合金
　この記載によれば
Ｃｕ合金
　そうであるとすれば、引用例でも段落【００１７】に「前記配線層２は、接続される半導体素子３の電極を外部電気回路に接続する作用をなし、例えば、タングステンやモリブデン、モリブデン／マンガン、
タングステン／銅、モリブデン／銅、タングステン／モリブデン／銅
Ｃｕ合金
Ｃｕ合金という限りにおいては、両発明は同じ
　本願発明では、Ｃｕ合金の場合は引用発明と同じになるので、敢えてＣｕ合金を除外したものといえるが、「Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇまたは
これらの金属を少なくとも１種含む合金
　したがって、導電層にＣｕ、Ａｌ、Ａｇを選択したことに特段の意味がないとすれば、前述したように、導電層をＣｕにより構成したものは上記周知技術に開示されているので、この技術を適用して引用発明の導電層にＣｕを採用すること自体は、特段困難なことではない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　＜相違点２＞について
　マイグレーション防止の金属の組合わせを考慮して、導電層である銅製ラミネートベース層１１０及び銅電解プレート１２２の上部に下地層であるニッケル層（ニッケル製下層）１２４形成し、さらに、ニッケル層の上部にパラジウム合金層を形成したものは上記の特開２００１−１４４３９３号公報（段落【００２８】【００２３】【００２４】【００３１】参照）に開示されているように周知の技術であるから、導電層と導電層のマイグレーションを防止するためのパラジウム合金層との間に下地層としてニッケル層を介在させるという技術を引用発明における導電層とルテニウム層（パラジウム層と同列の機能を有するもの）との間に介在する銅−ホウ素めっき層６及び銅めっき層７からなる下地層に代えて採用して上記相違点２でいう本願発明の構成とすることは当業者にとっては特段困難なことではない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　なお、本願の出願当初明細書中で段落【００２３】には、「このような下地層は、前記導電層上にＮｉ、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕまたはこれらの金属を少なくとも１種含む合金をめっきする
　そうであるとすれば、引用発明においても
銅−ホウ素めっき層６と銅めっき層７
　本願補正発明では、下地層をＣｕまたはＣｕ合金とすると引用発明と同じになるので、敢えてＣｕまたはＣｕ合金を除外したものといえるが、このような下地層は、「導電層上にＮｉ、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕまたはこれらの金属を少なくとも１種含む合金をめっきする
　したがって、下地層にＮｉ、Ａｕ、Ａｇまたはこれらの金属を少なくとも１種含む合金を選択したことに特段の意味がないとすれば、前述したように、下地層としてニッケル層を介在させたものは上記周知技術に開示されているので、この技術を適用して引用発明の下地層にＮｉを採用することは、当業者が容易に想到し得たことというべきである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　そして、上記相違点１，２で指摘した構成を併せ備える本願発明の奏する作用・効果について検討しても、引用発明及び上記周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって、格別顕著なものとはいえない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　したがって、本願発明は、上記周知技術を参酌することによって引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４．審判請求人の主張について
　審判請求人は、引用発明のものはマイグレーション防止を意識したものではない旨の主張をしているが、上記したように本願の出願当初明細書の「本発明の導電層は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇまたは
これらの金属を少なくとも１種含む合金（Ｃｕ合金でもよいことになる）
Ｃｕまたはこれらの金属を少なくとも１種含む合金（Ｃｕ又はＣｕ合金でもよいことになる）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明（平成１６年３月５日付けで補正された請求項２に係る発明）は、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、このような特許を受けることができない発明を包含する本願は、本願の請求項１，３，４，５に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。