【手続補正書】
【提出日】平成22年8月18日(2010.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解めっき銅金属配線で誘電性基板の表面を金属配線するための工程であって、工程は次からなる：
誘電性基板の表面を酸化物フィルムを形成するための酸化剤からなる反応開始組成物と接触し；
酸化物フィルムをその上にもつ誘電性基板の表面を、誘電性基板の表面に電気導電性ポリマーを形成するために少なくとも１つの複素環式芳香族分子、
酸、そして少なくとも約０．８５ｇ／ＬのＭｎ（ＩＩ）イオンの初期濃度を提供する十分な量のＭｎ（ＩＩ）イオン源からなる触媒組成物と接触し；
電気導電性ポリマーをその上にもつ誘電性基板の表面を銅イオン源そして酸からなる電解堆積組成物と接触し；そして
前記電気導電性ポリマー上に前記電解堆積組成物から銅を電解堆積する外部電子源を供給する。
【請求項２】
Ｍｎ（ＩＩ）イオン源が少なくとも約０．８５ｇ／Ｌから３０ｇ／Ｌ未満のＭｎ（ＩＩ）イオンで初期濃度を提供するために十分な量で添加される請求項２５の工程。
【請求項３】
Ｍｎ（ＩＩ）イオン源が少なくとも約２ｇ／ＬのＭｎ（ＩＩ）イオンで初期濃度を提供するために十分な量で添加される請求項２５の工程。
【請求項４】
Ｍｎ（ＩＩ）イオン源が約２ｇ／Ｌと約１０ｇ／Ｌの間のＭｎ（ＩＩ）イオンで初期濃度を提供するために十分な量で添加される請求項２５の工程。
【請求項５】
Ｍｎ（ＩＩ）イオン源がＭｎＳＯ４、次亜リン酸マンガン、およびその組み合わせからなるグループから選ばれる請求項２５から請求項２８のいずれか１項の工程。
【請求項６】
触媒組成物がさらに前記電解銅堆積のための銅イオン源からなる請求項２５から請求項２９のいずれか１項の工程。
【請求項７】
酸化物フィルムおよび前記酸が電気導電性ポリマーを形成するために少なくとも１つの複素環式芳香族分子と反応を開始する請求項２５から請求項３０のいずれか１項の工程。
【請求項８】
反応開始組成物が約４０ｇ／Ｌと約７０ｇ／Ｌの過酸化マンガンからなり、誘電性基板の表面の酸化物フィルムが酸化マンガン（ＩＶ）フィルムであり、そして前記酸化マンガン（ＩＶ）フィルムおよび酸が電気導電性ポリマーを形成するために少なくとも１つの複素環式芳香族分子と反応を開始する請求項２５から請求項３１のいずれか１項の工程。
【請求項９】
電気導電性ポリマーを形成するために少なくとも１つの複素環式芳香族分子がシクロペンタジエンから誘導される請求項２５から請求項３２のいずれか１項の工程。
【請求項１０】
電気導電性ポリマーを形成するために少なくとも１つの複素環式芳香族分子が次の構造をもつ請求項３３の工程：
2010503226.tif 000001
ここで、ＸはＯ、Ｓ、およびＮから選ばれ；そして
Ｒ１およびＲ２は水素；ハロゲン；１から８の炭素原子をもつ置換あるいは非置換アルキルグループ；１から８の炭素原子をもつ置換あるいは非置換アルコキシグループの間からそれぞれ独立して選ばれる。
【請求項１１】
電気導電性ポリマーを形成するために少なくとも１つの複素環式芳香族分子が次の構造式によって表される３，４−エチレンジオキシチオフェンである請求項３４の工程：
2010503226.tif 000002
【請求項１２】
酸が硫酸、リン酸、スルホン酸、アルキルスルホン酸、ポリマー性スルホン酸、ポリスチレンするホン酸、ポリリン酸、イセチオン酸、スルホコハク酸、アリルスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、それらの塩およびこれらの組み合わせからなるグループから選ばれる請求項２５から請求項３５のいずれか１つの請求項の工程。
【請求項１３】
触媒組成物がさらにメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、高級アルコール、ポリアルコール、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ケトン、メチルエチルケトン、クメンスルホン酸塩、Ｎ−メチルピロリドン、トリグリム、ジグリム、トルエンスルホン酸塩あるいはこれらのエチルエステルのアルカリ金属塩、水溶性のアルカリ溶液、あるいはこれらの組み合わせを含むグループから選ばれる溶媒からなる請求項２５から請求項３６のいずれか１つの請求項の工程。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明はＰＣＢ製造に一般的に使用される誘電性基板の穿孔した貫通孔および複数のマイクロビア（以下マイクロビアスと称す）の側壁を金属配線する工程のような誘電性基板の表面を金属配線するための工程に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
現在実施されているように、プラスチック基板の貫通孔およびマイクロビアスの金属配線はいくつかの段階：穿孔する、調整する、洗浄する、酸化する、洗浄する、触媒化する、洗浄する、そしてめっきする−を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明はＰＣＢ製造に一般的に使用されるポリマー性樹脂基板の穿孔した貫通孔およびマイクロビアスの側壁のような誘電性基板の露出した表面の電気配線に有用な触媒組成物そして電解的銅めっき組成物の発見に軸がある。本発明の記載は穿孔した貫通孔およびマイクロビアスの側壁を金属配線することに焦点を当てるけれども、本発明の金属配線は一般的に誘電性基板への金属配線にもまた適用できる。例えば、金属配線の工程は単数あるいは複数の銅積層あるいは多層銅積層基板のようなプリント回路板の製造において誘電性基板の表面を金属配線するために使用できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ＰＣＢを通る孔は典型的にカーバイド刃で穿孔される。非常に小さいビアが要求されるとき、ビアはレーザーによって形成される。レーザー穿孔ビアは、マイクロビアスと言われ、典型的に孔内に下部表面仕上げをもち、これらの金属配線への挑戦を提供する。これらの孔はマイクロビアスと言われる。工業は１５０μm以下の直径をもちそして高いアスペクト比をもつような幅よりもより深くできるマイクロビアスの方向に動いている。アスペクト比は典型的に少なくとも約０．５：１であり、そしてある場合には約１：１である。この説明において、アスペクト比はビア開口の幅に対するビア深さの比である。全板を通すよりもむしろ、銅層のいくらかのみ接続する孔を作ることは制御された深さの穿孔、レーザー穿孔で、あるいは銅績層の前にＰＣＢの個々のシートを事前穿孔することによってまた可能である。これらの孔は内部の銅層を外部の銅層に接続するときブラインドビアと言われ、あるいは２つあるいはそれ以上の内部銅層を接続するとき埋込ビアと言われる。貫通孔およびブラインドビアの壁は本発明の金属配線を使用して金属配線される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
調整剤溶液への誘電性材料の露出された表面は表面を湿潤することにより次の段階の酸化のために表面を調整する。酸化の前の孔およびビアの湿潤化は、穿孔されるＰＣＢ基板に一般化されつつある約１００μｍ以下、あるいは５０μｍ以下の小さい直径をもつ孔およびビアに優位である。誘電性基板は、例えば、曝露方法が貫通孔そしてマイクロビアスの側壁のような誘電性基板の露出された基板を適当に湿潤するという条件で、溢流、浸漬、あるいは噴霧のような手段によって調整剤溶液に曝露される。曝露は典型的に約３０℃から約５０℃、あるいは約４０℃から約６５℃のような約３０℃から約６５℃の間の温度で、約２分から５分間、あるいは約１分から３分間のような約１分から約６分間である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
本発明の工程の実行において、上記の組成物は単一あるいは２重の銅績層ＰＣＢあるいは多層回路基板の貫通孔およびマイクロビアスの側壁に銅を堆積するために使用される。１つの実施態様において、貫通孔およびマイクロビアスの側壁上への銅めっきの工程は次の段階からなる：
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
１．単一あるいは２重の銅積層ＰＣＢあるいは多層回路基板の貫通孔およびマイクロビアスをカーバイド刃あるいはレーザー穿孔機を使用して穿孔。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
（ｂ）貫通孔の壁およびマイクロビアスに銅を堆積するために基板に電流（３Ａ、５分間）を適用。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
上記の方法を使用して、高い品質の銅堆積がＰＣＢの貫通孔およびマイクロビアあるいは多層回路基板に堆積される。上記の工程は事前の適用銅ホイルをもたない裸の誘電性エポキシ基板（これはガラス繊維強化エポキシ樹脂基板）の上に銅積層をめっきするためにまた使用される。追加的に、上記の工程は貫通孔で事前穿孔された裸の誘電性エポキシ基板（これはガラス繊維強化エポキシ樹脂基板）の片側あるいは両側に銅積層をめっきしそして貫通孔およびマイクロビアスの側壁の上に銅をめっきするために使用される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
他の実施態様において、貫通孔およびマイクロビアスの上に銅をめっきする工程は次の段階からなる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
１．単一あるいは２重の銅積層ＰＣＢあるいは多層回路基板の貫通孔およびマイクロビアスをカーバイド刃あるいはレーザー穿孔機を使用して穿孔。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
７．貫通孔の壁およびマイクロビア上に銅を堆積するために電流（１から２Ａ／ｄｍ２、５分間）適用することによって導電性ポリマーをもつ貫通孔あるいはマイクロビアスの壁の表面上に銅を電解めっき。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
なお他の実施態様において、本発明の工程はＰＣＢあるいは多層基板の貫通孔およびマイクロビアスの壁の上に銅をめっきするために使用され、銅導電パターンを生成するためにさらに工程化される。この工程の段階は次のようである。