Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月28日(2010.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を熱処理するための装置において、
チャンバと、
上記チャンバの内側に配設されたＵＶ放射線アセンブリと、
上記チャンバ上の石英ウインドウを通して上記チャンバ内へエネルギーを放射するように構成された外側放射線アセンブリと、
を備えた装置。
【請求項２】
上記外側放射線アセンブリは、六角形配置で配列された複数の赤外放射線源を備えた、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
上記ＵＶ放射線アセンブリは、複数のＵＶランプを備えた、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
上記複数のＵＶランプの各々は、石英パイプ内で包囲され、
上記複数のＵＶランプは、互いに平行であって、上記基板の処理表面で均等に分布されている、
請求項３に記載の装置。
【請求項５】
上記複数のＵＶランプの電極は、上記チャンバの外側に配設されている、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
上記複数のＵＶランプは、上記基板の処理表面を取り囲む多角形に沿って配置されている、請求項３に記載の装置。
【請求項７】
上記ＵＶ放射線アセンブリは、更に、複数のリフレクタを備え、上記複数のリフレクタの各々は、対応するＵＶランプからのＵＶ放射線を上記基板に対して実質的に平行に反射するように構成され、
上記複数のリフレクタは、放物線断面を有し、上記対応するＵＶランプが上記放物線断面の焦点に配置されている、
請求項６に記載の装置。
【請求項８】
基板を熱処理するための装置において、
上部ウインドウを有するチャンバと、
上記チャンバの内側に取り付けられ、処理表面が上記上部ウインドウに面するようにして上記基板を支持するように構成された基板支持体と、
上記チャンバの外側に配設され、上記上部ウインドウを通してエネルギーを放射するように構成された第１のエネルギーアセンブリと、
上記チャンバの内側で上記基板支持体の上方に取り付けられた第２のエネルギーアセンブリであって、紫外線エネルギーを与えるように構成された、上記第２のエネルギーアセンブリと、
を備えた装置。
【請求項９】
上記第２のエネルギーアセンブリは、互いに平行に配列された複数のＵＶランプを備えた、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
上記第２のエネルギーアセンブリは、上記基板の処理表面を取り囲む多角形に配列された複数のＵＶランプを備えた、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
上記第２のエネルギーアセンブリは、更に、複数のリフレクタを備え、上記複数のリフレクタの各々は、対応するＵＶランプからのＵＶ放射線を上記基板の処理表面に対して実質的に平行に反射するように構成された、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
基板を熱処理するための方法において、
チャンバに基板を配置するステップと、
上記チャンバへ前駆体を供給するステップと、
上記チャンバへ熱を供給するように第１のエネルギー源を適用するステップと、
上記基板の表面近くに上記チャンバ内の上記前駆体から活性種を生成するように第２のエネルギー源を適用するステップであって、上記第１のエネルギー源と第２のエネルギー源が組み合わせて適用される上記ステップと、
を備えた方法。
【請求項１３】
上記第１のエネルギー源は、複数の加熱ランプを備え、上記第２のエネルギー源は、複数のＵＶランプを備えた、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
上記チャンバの石英ウインドウの外側に上記第１のエネルギー源を配置するステップと、
上記チャンバの内側に上記第２のエネルギー源を配置するステップと、
を更に備えた、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
上記第２のエネルギー源を適用するステップは、活性種生成のため放射線分布を調整する段階を含む、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月23日(2010.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光取り出し部材のアレイの作製方法であって、
ＬＥＤダイに連結するために適した光取り出し部材を形成するようにそれぞれの空洞が適合されている、複数の空洞を内部に有する金型を提供する工程と、
該金型を複数のガラス粒子で充填する工程と、
該空洞の形状に一致するように該粒子を再形成するために、ガラス転移温度を上回るまで該ガラス粒子を加熱する工程と、
該空洞間に延在するランド層を形成する工程と、を含む、方法。
【請求項２】
前記空洞及び前記ガラス粒子の相対的サイズが、２つ以上のガラス粒子がそれぞれの空洞を充填するようなサイズである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記空洞及び前記ガラス粒子の相対的サイズが、単一のガラス粒子がそれぞれの空洞をほぼ充填するようなサイズである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記金型が、表面粗度Ｒａが５０ナノメートル（ｎｍ）未満である表面を少なくとも１つ有する、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月13日(2010.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤダイとの使用に適したエクストラクタであって、
ＬＥＤダイの放射面と光学結合するように適合した入力面と、
該入力面を通ってエクストラクタに入射する光を放射するように配置された出力面と、を含み、
該光学素子が、屈折率が少なくとも２．０である光学ガラスを含む、エクストラクタ。
【請求項２】
前記光学ガラスの屈折率が、前記ＬＥＤダイによって放射される光の波長で、少なくとも２．２である、請求項１に記載のエクストラクタ。
【請求項３】
前記放射面を有する前記ＬＥＤダイと組み合わせた、請求項１に記載のエクストラクタ。
【請求項４】
前記入力面は、５０ナノメートル（ｎｍ）未満の表面粗さを有する、請求項１に記載のエクストラクタ。
【請求項５】
前記光学ガラスは、少なくとも２つの金属酸化物を含み、該金属酸化物の少なくとも１は、Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＣｅＯ２，Ｄｙ２Ｏ３，Ｅｒ２Ｏ３，Ｅｕ２Ｏ３，Ｇｄ２Ｏ３，Ｈｏ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，Ｌｕ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３，Ｐｒ６Ｏ１１，Ｓｍ２Ｏ３，Ｔｂ２Ｏ３，Ｔｈ４Ｏ７，Ｔｍ２Ｏ３，Ｙｂ２Ｏ３，ＺｒＯ２，ＨｆＯ２，Ｔａ２Ｏ５，Ｎｂ２Ｏ５，Ｂｉ２Ｏ３，ＷＯ３，Ｖ２Ｏ５，Ｇａ２Ｏ３，ＣａＯ，またはＢａＯを含む、請求項１に記載のエクストラクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月1日(2010.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン・オン・絶縁体（ＳＯＩ）基板のデバイス層内に第１のトレンチをエッチングするステップであって、前記第1のトレンチが前記ＳＯＩ基板の絶縁層の近くで止まることを特徴とし、前記デバイス層が、少なくとも１つの窒化物層と前記窒化物層を被覆する酸化物層とを備えた浅いトレンチトレンチ絶縁（ＳＴＩ）スタックの下に横たわることを特徴とするエッチングステップと、
ボディ・タイの配置を確立するマスクで前記第１のトレンチの一部をマスキングするステップと、
前記第１のトレンチのマスクされていない部分に第２のトレンチをエッチングするステップであって、前記第２のトレンチが、前記絶縁層に延び、前記窒化物層が前記第２のトレンチのエッチングによって薄化されないことを特徴とするエッチングステップと
を有することを特徴とする、ボディ・タイを形成する方法。
【請求項２】
前記第１および第２のトレンチの頂部に誘電体を堆積するステップを更に有し、
前記誘電体が、前記ボディ・タイ内への引き続いてのインプラントをブロックし、前記インプラントが、ソース／ドレイン領域に対して少なくとも１つのシリサイドコンタクトと結合するオーミックを提供することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ボディ・タイが、ドレイン、ソース、ボディおよびボディコンタクト領域を含むデバイス層において電界効果トランジスタに結合されたことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ボディ・タイが、前記ボディコンタクトに前記ボディの電気的結合を提供することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ボディ・タイが、ソースに隣接し、ドレインに隣接しないように配置され、それにより寄生容量を低減させることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記マスクが、前記ボディ・タイに隣接するアイランドの一部とオーバーラップし、前記マスクのオーバーラップが、
前記アイランドのエッジを越えてマスキング層のミスアライメントによって生じるエッチングによる除去から、前記アイランドに隣接するシリコンのシャドーイングを防止するように決定されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記誘電体が、化学気相成長（ＣＶＤ）酸化物であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項８】
二酸化珪素層の頂部に配置されたシリコン層を提供するステップと、
前記シリコン層の頂部に少なくとも１つの窒化物層を提供するステップと、
前記窒化物層の頂部に酸化物層を提供するステップと、
前記シリコン層内に多段トレンチをエッチングするステップと、を有し
前記多段トレンチが、(i)ボディ・タイの配置を確立し、(ii)前記二酸化珪素層に延びることにより電気的絶縁を提供し、前記窒化物層が、前記二酸化珪素層にのびるエッチングによって薄化されないことを特徴とする、ボディ・タイを形成する方法。
【請求項９】
前記ボディ・タイが、ボディ領域およびボディコンタクト領域を含むシリコンアイランドの隣に配置され、前記ボディ・タイが、前記ボディ領域を前記ボディコンタクト領域に結合することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ボディ領域の頂部にゲートスタックを形成するステップであって、前記ゲートスタックが、ボディ・タイではなくシリコンアイランドの上にあるように位置決めされることを特徴とするステップを更に有することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ボディ領域の頂部にゲートスタックを形成するステップであって、前記ゲートスタックが、引き続きのインプランテーションプロセスから前記ボディ領域のドーピングを防止する所定の厚さを有することを特徴とするステップを更に有することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ボディ・タイが、少なくとも２つの電界効果トランジスタによって共有されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
マルチ・タイ・トレンチが、少なくとも第１及び第２のトレンチを含み、
前記第１および第２のトレンチの上に浅いトレンチ絶縁（ＳＴＩ）を形成するステップを更に有することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１のトレンチが、前記二酸化珪素層のショートを停止し、前記第２のトレンチが前記二酸化珪素層に延び、
前記シリコンアイランドの頂部表面から第１の平均深さを備えた第１のドーピング密度で前記シリコンアイランドのドレインおよびソース領域をドーピングするステップであって、前記第１の平均深さが、前記第１のトレンチの上の前記ＳＴＩ酸化物の厚さよりも薄いことを特徴とするステップを更に有することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記シリコンアイランドの頂部表面から第２の平均深さを備えた第２のドーピング密度でドレインおよびソース領域をドーピングするステップであって、前記第２の平均深さが、前記第１のトレンチの上のＳＴＩ酸化物の厚さよりも大きく、前記ボディ・タイのドーピング密度よりも小さいドーピング密度を備え、それによって、前記ボディ・タイが多数キャリアタイプをスイッチングすることを防止することを特徴とするステップを更に有することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１のドーピング密度が、前記第２のドーピング密度よりも大きいことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１のドーピング密度によって、シリコンアイランドとのオーミックコンタクトを達成することができることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
シリコン・オン・絶縁体（ＳＯＩ）基板上で実行される浅いトレンチ絶縁（ＳＴＩ）に形成される多段シリコンアイランドの一部を有するボディ・タイであって、
前記一部が、前記ＳＯＩ基板のデバイス層内に第１のエッチングによって画定された高さ、長さ、および幅を備え、前記多段アイランドが、前記デバイス層内に第２のエッチングによって画定された電気的絶縁を備える、ことを特徴とするボディ・タイ。
【請求項１９】
前記一部が、多段シリコンアイランドのソースおよびドレイン領域が自己位置決定されることができる厚さである酸化物の下に配置されることを特徴とする請求項１８に記載のボディ・タイ。
【請求項２０】
前記ボディ・タイが、前記ソースの一部に隣接して配置され、前記ドレインに隣接しないことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月1日(2010.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷結合デバイスを形成するための方法であって：
(a)第１の伝導型のウエル(well)又は基板を形成するステップ；
(b)第２の伝導型の埋め込みチャネルを形成するステップ；
(c)複数の第１ゲート電極を形成するステップ；
(d)各第１ゲート電極の一端に実質的に揃えたマスクで前記複数の第１ゲート電極を部分的に被うステップ；
(e)前記複数の第１ゲート電極のマスクに被われていない部分を貫き埋め込みチャネルに浸透するのに十分なエネルギーを持った第１伝導型のイオンを注入するステップ；及び
(f)複数の第１ゲート電極間の前記埋め込みチャネルの領域を被う複数の第２ゲート電極を形成するステップ
を含む方法。
【請求項２】
電荷結合デバイスを形成するための方法であって：
(a)第１の伝導型のウエル又は基板を形成するステップ；
(b)第２の伝導型の埋め込みチャネルを形成するステップ；
(c)複数の第１ゲート電極を形成するステップ；
(d)各第１ゲート電極の一端に実質的に揃えたマスクで前記複数の第１ゲート電極を部分的に被うステップ；
(e)前記複数の第１ゲート電極間の埋め込みチャネルに浸透するのに十分なエネルギーを持った第１伝導型のイオン及び前記複数の第１ゲート電極のマスクに被われていない部分を貫き前記埋め込みチャネルに浸透するのに十分なエネルギーを持った第１伝導型のイオンを注入するステップ；
(f)前記複数の第１ゲート電極のマスクに被われていない部分を貫かないが前記複数の第１ゲート電極間の埋め込みチャネルに浸透するのに十分なエネルギーを持った第１伝導型のイオンを注入するステップ；及び
(g)前記埋め込みチャネルの各第１ゲート電極間の領域を被う複数の第２ゲート電極を形成するステップ
を含む方法。
【請求項３】
カメラを形成する方法であって：
(a)カメラ本体を提供するステップ；
(b)カメラ本体に電荷結合デバイスを提供するステップ
を含み、前記電荷結合デバイスを提供する方法は：
(i)第１の伝導型のウエル又は基板を形成するステップ；
(ii)第２の伝導型の埋め込みチャネルを形成するステップ；
(iii)複数の第１ゲート電極を形成するステップ；
(iv)各第１ゲート電極の一端に実質的に揃えたマスクで前記複数の第１ゲート電極を部分的に被うステップ；
(v)前記複数の第１ゲート電極のマスクに被われていない部分を貫き埋め込みチャネルに浸透するのに十分なエネルギーを持った第１伝導型のイオンを注入するステップ；及び
(vi)複数の第１ゲート電極間の前記埋め込みチャネルの領域を被う複数の第２ゲート電極を形成するステップ
を含む方法。
【請求項４】
カメラを形成する方法であって：
(a)カメラ本体を提供するステップ；
(b)カメラ本体に電荷結合デバイスを提供するステップ
を含み、前記電荷結合デバイスを提供する方法は：
(i)第１の伝導型のウエル又は基板を形成するステップ；
(ii)第２の伝導型の埋め込みチャネルを形成するステップ；
(iii)複数の第１ゲート電極を形成するステップ；
(iv)各第１ゲート電極の一端に実質的に揃えたマスクで前記複数の第１ゲート電極を部分的に被うステップ；
(v)前記複数の第１ゲート電極間の埋め込みチャネルに浸透するのに十分なエネルギーを持った第１伝導型のイオン及び前記複数の第１ゲート電極のマスクに被われていない部分を貫き前記埋め込みチャネルに浸透するのに十分なエネルギーを持った第１伝導型のイオンを注入するステップ；
(vi)前記複数の第１ゲート電極のマスクに被われていない部分を貫かないが前記複数の第１ゲート電極間の埋め込みチャネルに浸透するのに十分なエネルギーを持った第１伝導型のイオンを注入するステップ；及び
(vii)前記第１ゲート電極間の前記埋め込みチャネルの領域を被う複数の第２ゲート電極を形成するステップ
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソードと、アノードと、その間にあってホスト材料と発光ドーパント材料を含む発光層とを備えていて、そのホスト材料が、2位と9位と10位に芳香族基を有するとともに、6位に水素またはアルキル基を有し、酸化電位の測定値が1.28V未満であるアントラセン誘導体を提供するのに十分な電子供与基でさらに置換されているか置換されていないモノアントラセン化合物を含んでいるOLEDデバイス。
【請求項２】
上記アントラセン誘導体の酸化電位が1.10V〜1.25Vである、請求項1に記載のデバイス。
【請求項３】
上記アントラセン誘導体が、-025〜-0.50の範囲のσp値を持つ少なくとも1つの置換基を有する、請求項1に記載のデバイス。
【請求項４】
上記アントラセン誘導体が2位に芳香族基を備えていて、その芳香族基がアルコキシ基でさらに置換されている、請求項1に記載のデバイス。
【請求項５】
上記アントラセン誘導体が一般式（1）：
【化１】
2009535813.tif 000001
で表わされる（ただし、
Ar1、Ar2、Ar3は同じであるか異なっていて、それぞれ芳香族基を表わし；
w1〜w4およびw6〜w7は、水素または置換基を表わし、そしてw5は水素またはアルキル基を表す）、請求項1に記載のデバイス。
【請求項６】
Ar1、Ar2、Ar3のうちの少なくとも1つが、σp値が-0.25以下の置換基を有する、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
上記アントラセン誘導体が一般式（2）：
【化２】
2009535813.tif 000002
で表わされる（ただし、
r1、r2、r3は同じであるか異なっていて、それぞれ置換基を表わすが、隣り合った置換基が合わさって環基を形成することができ、r1、r2、r3のうちの少なくとも1つは、σp値が-0.25〜-0.50の範囲の基を表わし；
m、n、pは、独立に0〜5だが、m、n、pのすべてが0であることはなく；
w1〜w4およびw6〜w7は、水素または置換基を表わし、そしてw5は水素またはアルキル基を表す）、請求項1に記載のデバイス。
【請求項８】
上記発光層と上記カソードの間に位置する別の層を含んでいて、この別の層が、アントラセン核またはテトラセン核を有する電子輸送材料を含んでいる、請求項1に記載のデバイス。
【請求項９】
上記別の層に含まれる電子輸送材料が、2位と9位と10位が芳香族基で置換されたアントラセン核を含む、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
上記別の層と上記カソードの間に追加の層が位置していて、この追加の層が、フェナントロリン核を有する材料、または8-キノリノレート核を有する金属錯体を含んでいる、請求項８に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月3日(2010.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（ａ）〜（ｃ）を含有する基板を研磨するための化学機械的研磨システム；
（ａ）研磨パッド、研磨材、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される研磨部品；
（ｂ）液体キャリヤ；並びに
（ｃ）下記（１）〜（３）から成る群から選択される化合物：
（１）下記式（Ｉ）：
【化１】
2009535816.tif 000001
（式中、ｘ＝２〜６である）
の化合物；
（２）下記式（ＩＩ）：
【化２】
2009535816.tif 000002
（式中、ｘ＋ｚ＝２〜４であり、そしてｙ＝１〜５０である）
の化合物；及び
（３）それらの組合せ。
【請求項２】
４，７，１０−トリオキサトリデカン−１，１３−ジアミン、ピペラジン及びそれらの組合せから成る群から選択される化合物をさらに含有する、請求項１に記載の研磨システム。
【請求項３】
前記化合物と異なり、且つ第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、アミノアルコール、第四級アミン及びそれらの組合せから成る群から選択される成分をさらに含有する、請求項１又は２に記載の研磨システム。
【請求項４】
前記成分がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである、請求項３に記載の研磨システム。
【請求項５】
前記研磨システムが、ＥＤＴＡ、シュウ酸、ポリホスホネート、及びそれらの組合せから成る群から選択される化合物をさらに含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨システム。
【請求項６】
（ｉ）請求項１〜５のいずれか一項に記載の化学機械的研磨システムを、基板と接触させるステップ；
（ｉｉ）前記基板に対して、前記研磨部品を動かすステップ；そして
（ｉｉｉ）前記基板の少なくとも一部を研削して、前記基板を研磨するステップ：
を含む、基板の化学機械的研磨方法。
【請求項７】
前記基板が、ポリシリコンの少なくとも１つの層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素及びそれらの組合せから成る群から選択される少なくとも１つの層とを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ポリシリコンの層が、基板から４００〜４０００Å／分の速度で除去される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記基板が酸化ケイ素を含有し、当該酸化ケイ素が前記基板から２００Å／分以下の速度で除去される、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板が窒化ケイ素を含有し、当該窒化ケイ素が前記基板から２００Å／分以下の速度で除去される、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１１】
前記研磨システムが、ピペラジンをさらに含有する、請求項６〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層を提供する工程と、
側壁を有する開口部を備えるパッシベーション層を前記半導体層の上に形成する工程と、
前記パッシベーション層の形成後に、フィンが前記開口部内に位置するように前記半導体層の上にフィンを形成する工程と、
前記開口部内にゲートの一部分を形成する工程と、
前記開口部の側壁に沿ってスペーサを形成する工程とからなる半導体デバイスを形成する方法。
【請求項２】
前記スペーサを形成する工程が、更に
前記開口部内及び前記フィンの上に誘電性層を堆積する工程と、
前記誘電性層を異方的にエッチングし、前記パッシベーション層に隣接するいくつかの部分を除く前記誘電性層の全ての部分を除去し、前記スペーサを形成する工程とを備え、前記スペーサは第１の高さと、第２の高さとして前記パッシベーション層の開口部とを有し、前記第１の高さは前記第２の高さよりも低いことからなる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記開口部内にゲートの一部分を形成する工程が、更に前記ゲートの部分が頂部及び底部を有するように前記ゲートの部分を形成する工程を備え、
前記頂部は前記パッシベーション層の頂部にほぼ連続し、かつ第１の寸法を有し、
前記底部は前記スペーサに隣接し、かつ前記スペーサ間に第２の寸法を有し、
前記第２の寸法は前記第１の寸法と平行であり、
前記第１の寸法は前記第２の寸法よりも大きいことからなる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記フィンが、前記パッシベーション層の形成前に形成される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記フィンの上にダミーゲートを形成する工程と、
前記スペーサの形成前に前記ダミーゲートを除去する工程とを更に備え、前記ゲートを形成する工程は前記ダミーゲートの除去後に行われるとともに、前記ゲートを形成する工程が、ゲート電極及びゲートコンタクト領域を形成する工程を更に備え、かつ、前記ダミーゲートを形成する工程が、前記ゲート電極のためのダミー構造を形成する工程を更に備える請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フィンを有する半導体デバイスを形成する方法
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月28日(2010.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ここで述べられる例示的システムは、一般に、セキュリティーならびにセキュリティー管理に関するものである。本発明の具体的な態様は、物理的セキュリティー管理ならびに情報技術／ネットワークセキュリティ管理に関する。本発明のさらなる態様は、信用証明書の発行ならびに確認システムとともに、信用証明書ならびにエレクトロニック・パーソナライゼーションに関連するリーダーならびにプリンターに関する。本発明のさらに別の態様は、セキュリティー管理の全ての態様のための総合的なプラットフォームを提供するために、一以上のデータ、映像情報、画像情報、生体認証情報、センサー情報、アラーム情報、ペリメター情報、テロリストの活動情報、履歴情報、および／または、他のタイプの情報を取得し、組み立て、ならびに分析することに関するものである。本発明の別の態様は、完全な管理、統一、相互運用性および集中制御、ならびに、個人的な信用証明、人員管理、人員追跡、タスク管理、機器管理、セキュリティーシステムの統合ならびにセキュリティー情報の交換を含むセキュリティーの全ての態様の監視を許容する拡張可能なツールキットを提供することに関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
例示的な非限定的な環境は、一以上の化学、飲用水兼廃水処理システム、エネルギー（発電所、配電網(electrical grid)、石油＆ガス）、ダム、商業原子炉、水セクター、プロセス製造、救急サービス、公衆衛生ならびにヘルスケア、政府による存続維持計画、政府施設、防衛施設、防衛産業の基地、情報技術、電気通信、集中型施設、国の史跡および国を象徴する建築物、郵便および運輸、銀行および金融、商業施設、原材料および廃棄物処理施設、交通システム、港湾のセキュリティー、航空のセキュリティー、貨物、クルーズ船、列車、大量輸送機関、共同一貫輸送、食料及び農産物施設、軍施設、緊急救援隊、警察、マシンに対する防火アクセス、ならびに、米国労働安全衛生局規則の遵守（機械使用の認証ならびに追跡）を含んでいる。しかし、通常、ここで開示される前記システムは、そのような環境においても、動作可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、エレメントを接続するいずれの通信チャネルを含む様々なリンクは、有線、無線リンク（衛星ベースのリンク又はそのいずれの組み合わせを含む、あるいは、接続されたエレメントへのデータの供給および／またはそれとのやりとりが可能な、既知の、又は、後に開発されるいずれかのエレメント）であってもよいことを理解すべきである。ここで用いられるモジュールという用語は、そのエレメントに関する機能を実行可能な、既知の、又は、後に開発されるいずれのハードウエア、ソフトウエア、ファームウエア、あるいは、その組み合わせを表す。ここで用いられる判断、演算および算出という用語、ならびに、そのバリエーションは、同じ意味で用いられ、同じタイプの方法、プロセス、数学的操作又は手法を含むものである。バッテリーのバックアップ、多国籍にわたる電源、再充電能力、ならびに、複数の通信オプション等の遠く離れた場所に対する非常降下のための衝撃吸収ケース(shock mount case)とともに、冗長性および携帯性の様々なレベルをシステムに含めてもよいことを理解すべきである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図４は、ＩＴ／ネットワーク兼物理的セキュリティー管理システム１００の詳細を示している。具体的に述べると、当該ＩＴ／ネットワーク兼物理的セキュリティー管理システム１００は、必要に応じてそれらが全て適切なリンクおよび／またはネットワークを介して相互に接続されている（図示せず）、一以上のデータ保持部５０５、ロギングモジュール５１０、認証プロセス／アクセス制御モジュール５１５、データフィルタリングモジュール５２０、データマート／ウエアハウス５２５、人工知能モジュール５３０、映像モジュール５３５、文書モジュール５４０、マッピングモジュール５４５、トレーニング／予想報告モジュール５５０、センサーモジュール５５５、音声モジュール５６０、ＶＯＩＰモジュール５６５、通信管理モジュール５７０、ユーザーモジュール５７５、管理モジュール５８０、環境特定モジュール５８５、情報フィードモジュール５９０、拡張性兼相互接続モジュール５９５ならびにセキュリティーモジュール５９９を備えている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
ここで述べられた一以上のモジュール（あるいは、セキュリティー管理システムに接続された一以上のモジュール）によって実行することが可能な例示的なプロセスは：新たな記録、複製プロセス、映像プロセス、ＥＭＳプロセス、マッピングプロセス、認証プロセス／アクセス制御、文書プロセス、ロギングプロセス、センサープロセス、サポートプロセス、音声プロセス、ＶＯＩＰプロセス、ＡＩプロセス、データ消去(data scrubbing)、傾向／予想報告プロセスならびに通信プロセスである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2009535711.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月26日(2010.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非同期回路設計と同期回路設計との間の変換を実行する方法であって、
複数クロック領域を備えた同期設計を識別することと、
前記同期設計の同期ネットリストを生成することと、
前記同期ネットリストを非同期設計に変換することと、
を備え、
前記変換することは、すべてのサイクルクロックタイムの最小公倍数に対応する反復周期を決定することを含む方法。
【請求項２】
前記同期ネットリストは、発生源の電子設計インタフェースフォーマットからのモジュールを含む標準化された同期ネットリストを備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記変換することは、人が介在することなく自動的に実行される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記非同期設計の前記非同期設計表現は、データフローグラフ、データフローグラフの実装の詳細な記述、または、高級言語を含むグループの中から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記変換することは、前記非同期設計のタイミング特性を検証するように前記非同期設計の動作特性を前記同期領域へ逆変換するアノテーションを生成することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記非同期設計は、トークンとして表現されたデータを含むデータフローグラフを備える請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ネットリストは、同期クロック、同期クロック周波数、マルチサイクルパス、入力制約、または、出力制約からなるグループの中の少なくとも１つを含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記同期ネットリストは、組み合わせ論理ゲートおよび状態保持論理ゲートを含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記データフローグラフは、関数ブロック、ソースブロック、シンクブロック、コピーブロック、マージブロック、または、イニシャルブロックを含むグループの中の少なくとも１つを含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記同期設計は、単一クロック領域を備え、
前記変換することは、
クロックおよびクロックイネーブル入力を無視することと、
組み合わせ論理を演算ごとのグループに分けることと、
前記組み合わせ論理の論理計算を指示するスことと、
を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
理想的な論理遅延および理想的な状態保持エレメントを仮定することをさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記状態保持エレメントをそれぞれの前記クロック領域から分離した状態に維持することをさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記同期設計は、ゲーテッドクロックを備えた状態保持エレメントを含み、
前記変換することは、ＭＵＸ変換の置換によってゲーティングを除去すること、または前記状態保持エレメントの出力を条件付き信号にするためのゲーティング情報を使用することを含むグループの中の少なくとも１つを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
非同期設計における選択された非同期組み合わせ論理関数のために、
前記選択された非同期組み合わせ論理関数のための条件トークンおよびデータトークンを識別することと、
前記条件トークンおよび前記データトークンをバッファリングすることと、
前記非同期組み合わせ論理関数を同期組み合わせ論理関数に逆変換するように、前記選択された非同期組み合わせ論理関数のクロック信号ごとに、前記選択された非同期組み合わせ論理関数の出力の値に一致する無条件データトークンを生成することと、
をさらに含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記非同期設計の前記非同期設計表現は、同期入力信号および同期出力信号を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
非同期ネットリストを前記非同期設計に基づいて生成することをさらに含み、
前記非同期ネットリストは、フィールドプログラマブルゲートアレイ上に前記非同期設計を実装するために用いられるものである請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記データフローグラフは、同期論理を用いて実装される請求項６に記載の方法。
【請求項１８】
非同期回路設計と同期回路設計との間の変換を実行するためのシステムであって、
複数クロック領域を備えた同期設計ファイルと、
前記同期設計ファイルを受信し、かつ前記同期設計の同期ネットリストを生成するように接続された合成ツールと、
前記同期ネットリストを受信し、かつ前記同期ネットリストを前記非同期設計に変換するように接続された変換器と、
を備え、
前記変換器は、すべてのサイクルクロックタイムの最小公倍数に対応する反復周期を決定するように構成されたシステム。
【請求項１９】
前記同期ネットリストは、発生源の電子設計インタフェースフォーマットからのモジュールを含む標準化された同期ネットリストを備える請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記非同期設計の前記非同期設計表現は、データフローグラフ、データフローグラフの実装の詳細な記述、または、高級言語を含むグループの中から選択される請求項１８に記載のシステム。
【請求項２１】
前記非同期設計を受信し、かつ前記非同期設計のタイミング特性を検証するように前記非同期設計の動作特性を前記同期領域に逆変換するアノテーションを生成するように接続されたアノテーション生成器をさらに含む請求項１８に記載のシステム。
【請求項２２】
前記非同期設計は、トークンとして表現されたデータを含むデータフローグラフである請求項１８に記載のシステム。
【請求項２３】
非同期回路設計と同期回路設計との間の変換を実行するためのシステムであって、
複数クロック領域を備えた同期設計を識別するための手段と、
前記同期設計の同期ネットリストを生成するための手段と、
前記同期ネットリストを非同期設計に変換するための手段と、
を備え、
前記変換するための手段は、すべてのサイクルクロックタイムの最小公倍数に対応する反復周期を決定するための手段を含むシステム。
【請求項２４】
非同期回路設計と同期回路設計との間の変換を実行するためのプログラムプロダクトであって、前記プログラムプロダクトは、コンピュータによって動作させることができ、かつ、コンピュータ上で動作することのできる制御命令を記憶し、
複数クロック領域を備えた同期設計を識別することと、
前記同期設計の同期ネットリストを生成することと、
前記同期ネットリストを非同期設計に変換することと、
を備え、
前記変換することは、すべてのサイクルクロックタイムの最小公倍数に対応する反復周期を決定することを含むプログラムプロダクト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2009535718.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月26日(2010.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図11に、図9に示されたステップ517でのDRAMデバイスの通常動作を示す。図2〜11を参照すると、外部アドレスラッチ263が、外部アドレス信号261のADDR[0:3]をラッチし(ステップ531)、外部アドレス信号267のEA[0:3]を供給する。外部アドレスデコーダ239が、EA[0:3]をデコードし(ステップ532)、デコードされた外部アドレス信号268のデコードされたアドレスExAd[1:16]が、サブブロックセレクタ241に供給される(ステップ533)。サブブロックセレクタ241は、デコードされた外部アドレス信号268のデコードされた外部アドレスExAd[1:16]を選択し、サブブロックセレクタ241は、メモリ280のサブブロック441-1〜441-16を選択する(ステップ534)。その後、通常のメモリアクセス動作を実行する(ステップ535)。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月16日(2010.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
関連付けられている動作ユニットを有する発光体のアレイを有する照明装置であって、少なくとも２つの前記発光体に機能的に関連付けられている共有されている前記動作ユニットの群が、設けられている、照明装置。
【請求項２】
前記動作ユニットが、少なくとも１つの制御ユニット、駆動ユニット及び／又はセンサユニットを有することを特徴とする、請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
共有されている前記動作ユニットは、少なくとも１つの所与の目標値に従って、自身に関連付けられている前記発光体の光出力を制御する少なくとも１つの制御ユニットを有していることを特徴とする、請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
共有されている前記動作ユニットが、自身に関連付けられている発光体の動作に関連する質を測定する少なくとも１つのセンサユニットを有していることを特徴とする、請求項２に記載の照明装置。
【請求項５】
前記共有されている動作ユニットが、少なくとも１つの制御ユニット及び少なくとも１つのセンサユニットを有していることを特徴とする、請求項２に記載の照明装置。
【請求項６】
前記共有されている動作ユニットが、少なくとも１つの制御ユニット及び少なくとも１つの駆動ユニットを有することを特徴とする、請求項２に記載の照明装置。
【請求項７】
前記共有されている動作ユニットが、少なくとも１つの制御ユニット、少なくとも１つのセンサユニット、及び少なくとも１つの駆動ユニットを有することを特徴とする、請求項２に記載の照明装置。
【請求項８】
少なくとも２つの共有されている前記動作ユニットに結合されている少なくとも１つの前記発光体を有することを特徴とする、請求項１に記載の照明装置。
【請求項９】
各制御ユニットが、少なくとも１つの関連付けられている前記センサユニットを有するフィードバックループにおいて関連付けられている前記発光体を制御することを特徴とする、請求項２に記載の照明装置。
【請求項１０】
少なくとも１つの制御ユニットが、関連付けられている発光体の群を駆動し、前記関連付けられている発光体は、更に、個々の光出力の時間多重化された測定が可能であるように、共通のセンサユニットに関連付けられていることを特徴とする、請求項２に記載の照明装置。
【請求項１１】
前記制御ユニットが、マイクロコントローラ、ＤＳＰ、ＡＳＩＣ又はプログラム可能な論理回路を有していることを特徴とする、請求項２に記載の照明装置。
【請求項１２】
少なくとも１つの発光体が、異なる色のＬＥＤの集合を有することを特徴とする、請求項１に記載の照明装置。
【請求項１３】
前記発光体は、光学障壁によって互いから分離されていることを特徴とする、請求項１に記載の照明装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の照明装置を有するＬＣＤバックライト。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月6日(2010.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線管を具備し、前記Ｘ線管は、
電子を放射する陰極と、
陰極から電子を受取り、非静止のＸ線ビームを発生するダイナミック陽極と、
回転コリメータとを具備し、その回転コリメータとダイナミック陽極の相対運動がリンクされているＸ線結像システム。
【請求項２】
ダイナミック陽極は非静止ビームを発生するために、Ｘ線ビームが導かれるオブジェクト上の第１の位置と、Ｘ線ビームが導かれるオブジェクト上の第２の位置との間で回転する請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記ダイナミック陽極により発生されたＸ線ビームは、回転コリメータが第１の位置から第２の位置へ動くとき回転コリメータ上に規定されている開口の方向に連続して導かれる請求項１記載のシステム。
【請求項４】
可動陽極を有するＸ線管を設け、
可動陽極がオブジェクト上でＸ線ビームを導く第１の位置と、オブジェクト上でＸ線ビームを導く第２の位置との間で可動陽極を移動し、
Ｘ線管周囲でコリメータを回転するステップを含んでおり、前記コリメータは可動Ｘ線ビームの一部が放射されることを可能にするための開口を有している結像方法。
【請求項５】
さらに、Ｘ線管の周囲でコリメータを動かすステップを含んでおり、コリメータと可動陽極の相対動作がリンクされている請求項４記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明の例示的な実施形態を単なる例示として前述したが、当業者により特許請求の範囲により規定されている本発明の技術的範囲を逸脱せずに開示されている実施形態に対して変更を行うことができることが理解されよう。
また、本発明は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
Ｘ線管を具備し、前記Ｘ線管は、
電子を放射する陰極と、
陰極から電子を受取り、非静止のＸ線ビームを発生するダイナミック陽極と、
回転コリメータとを具備し、その回転コリメータとダイナミック陽極の相対運動がリンクされているＸ線結像システム。
（態様２）
ダイナミック陽極は非静止ビームを発生するために、Ｘ線ビームが導かれるオブジェクト上の第１の位置と、Ｘ線ビームが導かれるオブジェクト上の第２の位置との間で回転する態様１記載のシステム。
（態様３）
ダイナミック陽極は約５乃至２５回転／秒の範囲で回転する態様２記載のシステム。
（態様４）
ダイナミック陽極は非静止ビームを発生するための振動陽極を具備している態様１記載のシステム。
（態様５）
ダイナミック陽極は非静止ビームを発生するための回転多面体陽極を具備している態様１記載のシステム。
（態様６）
前記ダイナミック陽極により発生されたＸ線ビームは、回転コリメータが第１の位置から第２の位置へ動くとき回転コリメータ上に規定されている開口の方向に連続して導かれる態様１記載のシステム。
（態様７）
可動陽極を有するＸ線管を設け、
可動陽極がオブジェクト上でＸ線ビームを導く第１の位置と、オブジェクト上でＸ線ビームを導く第２の位置との間で可動陽極を移動し、
Ｘ線管周囲でコリメータを回転するステップを含んでおり、前記コリメータは可動Ｘ線ビームの一部が放射されることを可能にするための開口を有している結像方法。
（態様８）
さらに、Ｘ線管の周囲でコリメータを動かすステップを含んでおり、コリメータと可動陽極の相対動作がリンクされている態様７記載の方法。
（態様９）
可動陽極は振動陽極を具備している態様７記載の方法。
（態様１０）
可動陽極は多面体陽極を具備している態様７記載の方法。
（態様１１）
可動陽極は回転多面体陽極を具備している態様７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月27日(2010.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック抵抗発熱体であって、
焼結前に、２．５ミクロン又はそれ以下の平均粒子サイズを有する１種又はそれ以上のセラミック材料
を含む発熱体。
【請求項２】
発熱体が、焼結前に、２．５ミクロン又はそれ以下の平均粒子サイズを有する１種又はそれ以上の金属酸化物を含む、請求項１に記載の発熱体。
【請求項３】
発熱体が、焼結前に、２．５ミクロン又はそれ以下の平均粒子サイズを有するアルミナを含む、請求項１に記載のセラミック発熱体。
【請求項４】
１種又はそれ以上のセラミック材料が、２ミクロン又はそれ以下の平均粒子サイズを有する、請求項１に記載の発熱体。
【請求項５】
１種又はそれ以上のセラミック材料が、１．５ミクロン又はそれ以下の平均粒子サイズを有する、請求項１に記載の発熱体。
【請求項６】
抵抗発熱体を製造する方法であって、
セラミック組成物を第１圧力にて処理し、そしてその後
このセラミック組成物を第１圧力より大きい第２圧力にて処理し、それによりこのセラミック組成物を緻密化する
ことを含む方法。
【請求項７】
第１圧力における処理の前に、セラミック組成物が２．５ミクロン又はそれ以下の平均粒子サイズを有する１種又はそれ以上のセラミック材料を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
第１圧力における処理の前に、セラミック組成物が２．５ミクロン又はそれ以下の平均粒子サイズを有する１種又はそれ以上の金属酸化物を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
第１圧力における処理の前に、セラミック組成物が２．５ミクロン又はそれ以下の平均粒子サイズを有するアルミナを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
第１圧力と第２圧力が、少なくとも１０００ｐｓｉ（６８９５ｋＰａ）異なる、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
第２圧力が、５０００ｐｓｉ（３４４７５ｋＰａ）又はそれ以下である、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
第１圧力が、１０００ｐｓｉ（６８９５ｋＰａ）又はそれ以下である、請求項６に記載の方法。
【請求項１３】
第１圧力が、２５０ｐｓｉ（１７２３．８ｋＰａ）又はそれ以下である、請求項６に記載の方法。
【請求項１４】
第１圧力及び第２圧力を気相焼結法として適用する、請求項６に記載の方法。
【請求項１５】
セラミックイグナイター要素を１０容量パーセント未満の炭化ケイ素を有する組成物で作る、請求項６に記載の方法。
【請求項１６】
セラミック要素が、異なる抵抗率の２つ又はそれ以上の領域を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１７】
セラミック要素が、異なる抵抗率の３つ又はそれ以上の領域を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１８】
請求項６に記載の方法により得られ得るセラミックイグナイター要素。
【請求項１９】
気体燃料を点火する方法であって、請求項１８に記載のイグナイターに電流を印加することを含む方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載のイグナイターを含む加熱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
多段圧力処理は、高度に緻密な物品（たとえば少なくとも９６、９７、９８又は９９緻密パーセント）であるセラミック物品を全く温和な条件下でもたらし得る、ということを我々は見出した。たとえば、第１圧力処理は適当には約１０００ｐｓｉ（６８９５ｋＰａ）若しくは５００ｐｓｉ（３４４７．５ｋＰａ）又はそれ以下にあり得、そして第２圧力処理は約４０００ｐｓｉ（２７５８０ｋＰａ）又はそれ以下にあり得る。約２００ｐｓｉ（１３７９ｋＰａ）若しくはそれ以下又は１５０ｐｓｉ（１０３４．３ｋＰａ）若しくはそれ以下の第１圧力及び約３０００ｐｓｉ（２０６８５ｋＰａ）若しくはそれ以下、２０００ｐｓｉ（１３７９０ｋＰａ）若しくはそれ以下又は１５００ｐｓｉ（１０３４２．５ｋＰａ）若しくはそれ以下の第２圧力処理のような、有意により低い圧力もまた、高度に緻密な物品をもたらした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
少なくとも或る諸用途について、第１圧力処理と第２圧力処理は、少なくとも５００ｐｓｉ（３４４７．５ｋＰａ）一層好ましくは少なくとも１０００ｐｓｉ（６８９５ｋＰａ）、２０００ｐｓｉ（１３７９０ｋＰａ）又は２５００ｐｓｉ（１７２３７．５ｋＰａ）相違する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
少なくとも或る諸用途について、第１圧力処理は、適当には、少なくとも約３０００ｐｓｉ（２０６８５ｋＰａ）若しくはそれ以下、２０００ｐｓｉ（１３７９０ｋＰａ）若しくはそれ以下、１０００ｐｓｉ（６８９５ｋＰａ）若しくはそれ以下、５００ｐｓｉ（３４４７．５ｋＰａ）若しくはそれ以下又は２００ｐｓｉ（１３７９ｋＰａ）若しくはそれ以下にてであり得、そして第２圧力処理は６０００ｐｓｉ（４１３７０ｋＰａ）若しくはそれ以下、５０００ｐｓｉ（３４４７５ｋＰａ）若しくはそれ以下、４０００ｐｓｉ（２７５８０ｋＰａ）若しくはそれ以下、３０００ｐｓｉ（２０６８５ｋＰａ）若しくはそれ以下、２０００ｐｓｉ（１３７９０ｋＰａ）若しくはそれ以下、１５００ｐｓｉ（１０３４２．５ｋＰａ）若しくはそれ以下又は１０００ｐｓｉ（６８９５ｋＰａ）若しくはそれ以下にあり得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
少なくとも或る諸用途について、第１圧力処理及び第２圧力処理は各々、５０００ｐｓｉ（３４４７５ｋＰａ）を超えない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
この脱バインダーされた棒形成形物を、気相焼結を用いて二段階法によって緻密化した。かくして、棒形成形物をガス焼結炉中に置き、そしてこの炉をアルゴンガスで１５０ｐｓｉ（１０３４．３ｋＰａ）の圧力にて満たした。炉を１７２５℃に約１．５時間維持した。次いで、炉を室温まで冷却し、そして次いで圧力を３０００ｐｓｉ（２０６８５ｋＰａ）に増加しそして１７２５℃に約２時間保持した。次いで、炉を室温まで冷却した。この処理された棒形成形物は、９８パーセント超の緻密度を有していた。この緻密な要素を２４ボルトの電源に接続し、そして高温帯域は約１３００℃の温度に達した。