【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
一実施形態において、窒素（Ｎ）含有ガス、水素（Ｈ）含有ガス及び酸素（Ｏ）含有ガスを含むプロセスガスは、２層フォトレジストのドライ現像の方法として用いられる。あるいは、窒素（Ｎ）、水素（Ｈ）及び酸素（Ｏ）のうちの２つ以上を単一のガスに含有させることができる。例えば、アンモニア／酸素（ＮＨ３／Ｏ２）をベースとする化学的性質は、２層フォトレジストのドライ現像の方法として導入することができる。代替の実施形態においては、窒素／水素／酸素（Ｎ２／Ｈ２／Ｏ２）をベースとする化学的性質を、上記有機ＡＲＣ層のエッチングを容易にするのに用いることができる。あるいは、前述の２つの化学的性質において、一酸化炭素（ＣＯ）は、付加されることができ、またはＯ２を置換するために、用いられることができる。あるいは、上記プロセスガスは、アンモニア（ＮＨ３）、一酸化炭素（ＣＯ）及び酸素（Ｏ２）を含むことが可能である。あるいは、該プロセスガスは、さらに、ヘリウム（Ｈｅ）を含むことが可能である。このような化学的性質は、１に対して約３以上（約３：１以上、もしくは約３対１以上とも表す）、あるいは１に対して４以上（４：１以上、もしくは４対１以上とも表す）のアスペクト比を有する高アスペクト比の形態を形成するのに用いることができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
プラズマ処理システム内の基板上の反射防止コーティング（ＡＲＣ）層をエッチングする方法であって、
窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）、酸素（Ｏ２）、一酸化炭素（ＣＯ）からなり、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）の流量が酸素（Ｏ２）及び一酸化炭素（ＣＯ）の流量を超える量であって、さらに、ヘリウム（Ｈｅ）を含むことができるプロセスガスを導入することと、
前記プラズマ処理システム内で、前記プロセスガスからプラズマを生成することと、
前記ＡＲＣ層を有する前記基板を前記プラズマにさらすこととを具備する方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
基板上の薄膜をエッチングするための２層マスクを形成する方法であって、
前記基板上に前記薄膜を形成することと、
前記薄膜上に反射防止コーティング（ＡＲＣ）層を形成することと、
前記ＡＲＣ層上にフォトレジストパターンを形成することと、
窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）及び酸素（Ｏ２）、一酸化炭素（ＣＯ）からなり、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）の流量が酸素（Ｏ２）及び一酸化炭素（ＣＯ）の流量を超える量であって、さらに、ヘリウム（Ｈｅ）を含むことができるプロセスガスを用いて、前記ＡＲＣ層をプラズマエッチングすることにより、前記フォトレジストパターンを前記ＡＲＣ層に転写することとを具備する方法。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１３】
基板上の反射防止コーティング（ＡＲＣ）層をエッチングするプラズマ処理システムであって、
プロセスガスからプラズマの形成を容易にするプラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバに結合され、かつ前記プロセスガスを用いてプロセスレシピを実行するように構成されたコントローラとを具備し、
前記プロセスガスは、窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）及び酸素（Ｏ２）、一酸化炭素（ＣＯ）からなり、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）の流量が酸素（Ｏ２）及び一酸化炭素（ＣＯ）の流量を超える量であって、さらに、ヘリウム（Ｈｅ）を含むことができるプラズマ処理システム。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２１】
プラズマ処理システム内の基板上の反射防止コーティング（ＡＲＣ）層に高アスペクト比の形態をエッチングする方法であって、
アンモニア（ＮＨ３）、酸素（Ｏ２）、一酸化炭素（ＣＯ）からなり、アンモニア（ＮＨ３）の流量が酸素（Ｏ２）及び一酸化炭素（ＣＯ）の流量を超える量であって、さらに、ヘリウム（Ｈｅ）を含むことができるプロセスガスを導入することと、
前記プラズマ処理システム内で、前記プロセスガスからプラズマを生成することと、
前記ＡＲＣ層を有する前記基板を前記プラズマにさらすこととを具備し、
前記高アスペクト比の形態は、１に対して３以上のアスペクト比を備えている方法。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３０】
基板上の薄膜をエッチングするための２層マスクを形成する方法であって、
前記基板上に前記薄膜を形成することと、
前記薄膜上に反射防止コーティング（ＡＲＣ）層を形成することと、
前記ＡＲＣ層上にフォトレジストパターンを形成することと、
アンモニア（ＮＨ３）、酸素（Ｏ２）、一酸化炭素（ＣＯ）からなり、アンモニア（ＮＨ３）の流量が酸素（Ｏ２）及び一酸化炭素（ＣＯ）の流量を超える量であって、さらに、ヘリウム（Ｈｅ）を含むことができるプロセスガスを用いて、前記ＡＲＣ層に高アスペクト比の形態をプラズマエッチングすることによって、前記フォトレジストパターンを前記ＡＲＣ層に転写することとを備え、
前記高アスペクト比の形態は、１に対して３以上のアスペクト比を備えている方法。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３９】
基板上の反射防止コーティング（ＡＲＣ）層に高アスペクト比の形態をエッチングするプラズマ処理システムであって、
プロセスガスからプラズマの形成を容易にするプラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバに結合され、かつ前記高アスペクト比の形態をエッチングするようにアンモニア（ＮＨ３）、酸素（Ｏ２）、一酸化炭素（ＣＯ）からなり、アンモニア（ＮＨ３）の流量が酸素（Ｏ２）及び一酸化炭素（ＣＯ）の流量を超える量であって、さらに、ヘリウム（Ｈｅ）を含むことができる前記プロセスガスを用いてプロセスレシピを実行するように構成されたコントローラとを具備し、
前記高アスペクト比の形態は、１に対して３以上のアスペクト比を備えている、プラズマ処理システム。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４９】
プラズマ処理システム内の基板上の反射防止コーティング（ＡＲＣ）層に、形態をエッチングする方法であって、
アンモニア（ＮＨ３）、一酸化炭素（ＣＯ）及び酸素（Ｏ２）からなり、アンモニア（ＮＨ３）の流量が酸素（Ｏ２）及び一酸化炭素（ＣＯ）の流量を超える量であって、さらに、ヘリウム（Ｈｅ）を含むことができるプロセスガスを導入することと、
前記プラズマ処理システム内で、前記プロセスガスからプラズマを生成することと、
前記ＡＲＣ層を有する前記基板を前記プラズマにさらすこととを具備する方法。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５７】
基板上の薄膜をエッチングするための２層マスクを形成する方法であって、
前記基板上に前記薄膜を形成することと、
前記薄膜上に、反射防止コーティング（ＡＲＣ）層を形成することと、
前記ＡＲＣ層上にフォトレジストパターンを形成することと、
アンモニア（ＮＨ３）、一酸化炭素（ＣＯ）及び酸素（Ｏ２）からなり、アンモニア（ＮＨ３）の流量が酸素（Ｏ２）及び一酸化炭素（ＣＯ）の流量を超える量であって、さらに、ヘリウム（Ｈｅ）を含むことができるプロセスガスを用いて、前記ＡＲＣ層に形態をプラズマエッチングすることにより、前記ＡＲＣ層に前記フォトレジストパターンを転写することとを具備する方法。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項６５】
基板上の反射防止コーティング（ＡＲＣ）層に形態をエッチングするプラズマ処理システムであって、
プロセスガスからプラズマの形成を容易にするプラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバに結合され、かつアンモニア（ＮＨ３）、一酸化炭素（ＣＯ）及び酸素（Ｏ２）からなり、アンモニア（ＮＨ３）の流量が酸素（Ｏ２）及び一酸化炭素（ＣＯ）の流量を超える量であって、さらに、ヘリウム（Ｈｅ）を含むことができる前記プロセスガスを用いてプロセスレシピを実行するように構成されたコントローラとを具備するプラズマ処理システム。