【事件の表示】
　平成７年特許願第３０９１２７号「誘電体共振器の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成９年６月１０日出願公開、特開平９−１５３７１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成７年１１月２８日の出願であって、平成１５年９月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２．補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１５年１０月２０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　上記手続補正（以下、「本件補正」という。）は補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明を、
　「少なくとも誘電体セラミックとAgを主成分とする導体とからなる高周波領域で使用される誘電体共振器の製造方法において、誘電体セラミックの焼結工程の後に１０vol.％以下の酸素含有雰囲気中、４００℃以上の温度で熱処理することを特徴とする誘電体共振器の製造方法。」
という発明（以下、「補正後の発明」という。）に変更することを含むものである。
　
２．補正の適否
（１）新規事項の有無、補正の目的要件
　上記補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内において、補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された「誘電体共振器」の構成に「高周波領域で使用される」という限定を付加することにより特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１７条の２第３項（新規事項）及び第４項第２号（補正の目的）の規定に適合している。
　
（２）独立特許要件
　上記補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、上記補正後の発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかどうかについて以下に検討する。
　
　［補正後の発明］
　上記「１．補正後の本願発明」の項で認定したとおりである。
　
　［引用発明及び周知技術］
　Ａ．原審の拒絶理由に引用された特開平７−７４０４７号公報（以下、「引用例」という。）には図面とともに以下の事項が記載されている。
　「【００２２】これらの表面厚さおよびＮｉ金属厚みの異なる導電ペースト層が形成されたセラミックグリーンシートを、それぞれ個々に導電ペースト層の引き出されている側が互い違いとなるように複数枚積層し、積層体を得た。
【００２３】得られた積層体を、Ｎ２ 雰囲気中にて４００℃の温度に加熱し、バインダを燃焼させたのち、酸素分圧１０−９〜１０−１２ ＭＰａのＨ２−Ｎ２−Ｈ２Ｏ混合ガスからなる還元性雰囲気中にて１３００℃で２時間焼成し、セラミック焼結体を得た。
【００２４】焼成後、得られたセラミック焼結体の各端面に銀ペーストを塗布し、Ｎ２ 雰囲気中において６００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。
【００２５】このようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ、厚さ１．２ｍｍであり、内部電極間に介在する誘電体セラミック層の厚みは１５μｍであった。また、有効誘電体セラミック層の総数は１９であり、一層当たりの対向電極の面積は２．１ｍｍ２ であった。」（４頁５欄、段落２２〜２５）
　
　上記引用例の記載及び添付図面ならびにこの分野における技術常識を考慮すると、上記銀ペーストを焼き付けて形成した外部電極は銀（即ち、Ag ）を主成分とする導体であるから、上記「セラミックコンデンサ」は「少なくとも誘電体セラミックとAgを主成分とする導体とからなる」ものである。
　したがって、上記引用例には以下の発明（以下、「引用発明」という。）が開示されている。
　「少なくとも誘電体セラミックとAgを主成分とする導体とからなるセラミックコンデンサの製造方法において、誘電体セラミックの焼結工程の後にＮ２ 雰囲気中、６００°Ｃの温度で銀ペーストを焼き付けるセラミックコンデンサの製造方法。」
　
　Ｂ．また、例えば特開平５−１８２５２３号公報（以下、「周知例１」という。）には図面とともに以下の事項が記載されている。
　イ．「【産業上の利用分野】本発明は、高周波用積層磁器コンデンサ、誘電体共振器等に使用するための誘電体磁器組成物に関する。」（２頁１欄、段落１）
　ロ．「次に、この磁器原料粉末に有機バインダーを加えて造粒し、この造粒物を直径９．８ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円板状に、５００ｋｇ／ｃｍ２ の圧力で加圧成形した。次に、この成形体をジルコニアセッタ上に載せて空気中９００℃の温度で焼成した。この本焼成で得られた円板状磁器の両主面に銀ペーストを塗布して焼付け、図１に示す磁器１と一対の電極２、３とから成る磁器コンデンサを得た。」（４頁６欄、段落１３）
　ハ．「（３）　本発明に従う誘電体磁器組成物を誘電体共振器の磁器、多層回路基板等にも使用可能である。」（８頁１３欄、１〜２行目）
　
　例えば上記周知例１に記載されているように、「本焼成で得られた磁器の両主面に銀ペーストを塗布して焼付ける高周波用磁器コンデンサの製造方法」及び「高周波用磁器組成物を磁器コンデンサや誘電体共振器の磁器として用いる」構成は周知である。
　
　Ｃ．また、例えば特開昭６３−２３８７０３号公報（以下、「周知例２」という。）には図面とともに以下の事項が記載されている。
　「第１図においては、１は円筒状のセラミック誘電体である。全長Ｌは共振周波数において１／２波長または１／４波長になるようにする。このようにあらかじめ焼成された誘電体１の外周面２と内周面３とに第２図に示すようにそれぞれ外導体、内導軸となるべき銀ペーストを４および５を塗り付け、再焼成する。」（２頁左上欄１２〜１８行目）
　
　例えば上記周知例２に記載されているように、「あらかじめ焼成された誘電体の外周面と内周面とにそれぞれ外導体、内導体となるべき銀ペーストを塗り付け再焼成する誘電体共振器の製造方法」は周知である。
　
　Ｄ．また、例えば特開平５−４１３０８号公報（以下、「周知例３」という。）には図面とともに以下の事項が記載されている。
　イ．「【請求項１】　酸化亜鉛を主成分とし、添加成分として少なくともビスマス化合物及び珪素化合物を含む混合粉末を成形し、この成形体を焼成して金属酸化物焼結体を作製し、この金属酸化物焼結体の研磨面に層状電極を形成するのに際し、貴金属ペーストを前記研磨面に塗布し、１〜15体積％の酸素を含有し、残部が不活性ガスからなる雰囲気中で前記貴金属ペーストを前記研磨面へと焼き付けることを特徴とする、電圧非直線抵抗体の製造方法。」（２頁１欄、特許請求の範囲）
　ロ．「【００１１】この段階で、本発明においては、貴金属ペーストを研磨面1aに塗布し、この研磨面1aへと貴金属ペーストを焼き付けて層状電極２を形成する。そして、この貴金属ペーストの焼き付けを、１〜15体積％の酸素を含有し、残部が不活性ガスからなる雰囲気中で行う。これにより、貴金属ペースト中に含まれる酸素が、焼き付けに伴ってペースト層から雰囲気中に拡散していく。
【００１２】この結果、図２に模式的に示すように、焼き付け後の層状電極２内に気泡があまり残留しない。これに対し、従来技術に従い、研磨面1aに通常の貴金属ペーストを塗布し、焼き付けたとすると、貴金属酸化物の分解により生じた酸素ガスがすべて気泡生成の原因となる。即ち、図３に模式的に示すように、層状電極12中には多数の不定形の気泡12a が形成される。
【００１３】このように、本発明の製造方法によれば、層状電極２の内部における気泡ないし空洞の生成を抑制できるので、特に層状電極２と金属酸化物焼結体１の界面における非接触部分が少なく、両者が密に連続的に接触する。」（２頁２欄４６行目〜３頁３欄１４行目）
　ハ．「【００１５】貴金属ペーストとしては、銀ペーストが特に好ましい。貴金属ペーストを焼き付ける際の雰囲気中に含有される酸素の量は、１〜15体積％とする。これが１体積％未満であると、金属酸化物焼結体の方に影響があり、抵抗体の非直線性、Ｖ1mA が低下する。また、15体積％を超えると、本発明による効果が乏しい。」（３頁３欄、段落１５）
　
　例えば上記周知例３に記載されているように、「銀ペーストの焼き付けを、１〜１５体積％の酸素を含有し、残部が不活性ガスからなる雰囲気中で行うことにより、銀ペースト中に含まれる酸素が、焼き付けに伴ってペースト層から雰囲気中に拡散していき、層状電極の内部における気泡ないし空洞の生成を抑制できるので、特に層状電極と金属酸化物焼結体の界面における非接触部分が少なく、両者が密に連続的に接触する」ことは周知である。
　
　［対比・判断］
　補正後の発明と引用発明とを対比すると、補正後の発明の「高周波領域で使用される誘電体共振器」または「誘電体共振器」と引用発明の「セラミックコンデンサ」はいずれも「誘電体セラミック部品」であるという点で一致している。
　また、補正後の発明の「１０vol.％以下の酸素含有雰囲気」と引用発明の「Ｎ２ 雰囲気」はいずれも「所定の雰囲気」であるという点で一致している。
　また、引用発明の「６００°Ｃの温度で銀ペーストを焼き付ける」構成は、６００°Ｃが４００℃以上の温度に含まれ、焼き付けが再焼成処理であり熱処理の一種であることを考慮すると、補正後の発明の「４００℃以上の温度で熱処理する」構成と引用発明の「６００°Ｃの温度で銀ペーストを焼き付ける」構成との間に実質的な差異はない。
　したがって、補正後の発明と引用発明は、以下の点で一致し、また、相違している。
（一致点）
　「少なくとも誘電体セラミックとAgを主成分とする導体とからなる誘電体部品の製造方法において、誘電体セラミックの焼結工程の後に所定の雰囲気中、４００℃以上の温度で熱処理する誘電体セラミック部品の製造方法。」
　
（相違点１）「誘電体セラミック部品」に関し、補正後の発明は「高周波領域で使用される誘電体共振器」であるのに対し、引用発明は「セラミックコンデンサ」である点。
（相違点２）「所定の雰囲気」に関し、補正後の発明は「１０vol.％以下の酸素含有雰囲気」であるのに対し、引用発明は「Ｎ２ 雰囲気」である点。
　
　そこで、まず、上記相違点１の「誘電体セラミック部品」について検討するに、例えば上記周知例１に記載されているように、「本焼成で得られた磁器の両主面に銀ペーストを塗布して焼付ける高周波用磁器コンデンサの製造方法」及び「高周波用磁器組成物を磁器コンデンサや誘電体共振器の磁器として用いる」構成は周知であり、また、例えば上記周知例２に記載されているように、「あらかじめ焼成された誘電体の外周面と内周面とにそれぞれ外導体、内導体となるべき銀ペーストを塗り付け再焼成する誘電体共振器の製造方法」も周知であるところ、これらの周知技術を引用発明に適用する上での阻害要因は何ら見あたらないから、引用発明のセラミックコンデンサの製造方法を補正後の発明のような「高周波領域で使用される誘電体共振器」に変更する程度のことは当業者であれば適宜成し得ることである。
　ついで、上記相違点２の「所定の雰囲気」について検討するに、補正後の発明の「１０vol.％以下の酸素含有雰囲気」は０％の酸素含有雰囲気（即ち、引用発明の「Ｎ２ 雰囲気」と同じ酸素を含まない雰囲気）を包含する構成であるから、この点において補正後の発明と引用発明との間に実質的な差異はない。また、補正後の発明の「１０vol.％以下の酸素含有雰囲気」が「微量であっても必ず酸素を含有している雰囲気」を意味すると仮定しても、一般的に１００％純粋の不活性ガスは得られにくく、不純物としての酸素が混入することは通例である（例えば引用例に記載されているように、Ｈ２−Ｎ２−Ｈ２Ｏ混合ガスからなる還元性雰囲気ですら酸素分圧１０−９〜１０−１２ ＭＰａの酸素を含有しており、また、上記周知例３に記載されているように、銀ペースト中に含まれる酸素が、焼き付けに伴ってペースト層から雰囲気中に拡散している）から、この点においても補正後の発明と引用発明の間に実質的な差異はない。
　また、例えば上記周知例３に開示されているように「銀ペーストの焼き付けを、１〜１５体積％の酸素を含有し、残部が不活性ガスからなる雰囲気中で行うことにより、銀ペースト中に含まれる酸素が、焼き付けに伴ってペースト層から雰囲気中に拡散していき、層状電極の内部における気泡ないし空洞の生成を抑制できるので、特に層状電極と金属酸化物焼結体の界面における非接触部分が少なく、両者が密に連続的に接触する」ことは周知であり、当該周知技術における「層状電極と金属酸化物焼結体の界面における非接触部分が少なく、両者が密に連続的に接触する」構成は素材が緻密になることであるから、その分いわゆるＱ値の向上が見込めるものである。したがって、補正後の発明の作用効果も当業者であれば自明のことである。
　
　以上のとおりであるから、補正後の発明は上記引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３．結語
　以上のとおり、本件補正は、補正後の発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項の規定により準用する特許法第１２６条第４項の規定に適合していない。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成１５年１０月２０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１５年９月３日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものと認める。
　「少なくとも誘電体セラミックとAgを主成分とする導体とからなる誘電体共振器の製造方法において、誘電体セラミックの焼結工程の後に１０vol.％以下の酸素含有雰囲気中、４００℃以上の温度で熱処理することを特徴とする誘電体共振器の製造方法。」
　
２．引用発明及び周知技術
　引用発明及び周知技術は、上記「第２．２．（２）独立特許要件」の項中の［引用発明及び周知技術］の項で認定したとおりである。
　
３．対比・判断
　そこで、本願発明と引用発明とを対比するに、本願発明は上記補正後の発明から、上記補正に係る構成（「高周波領域で使用される」という限定）を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成に上記補正に係る構成を付加した補正後の発明が、上記「第２．２．（２）独立特許要件」の項で検討したとおり、上記引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明できたものであるから、本願発明も同様の理由により、容易に発明できたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。