【事件の表示】
　平成１１年特許願第１５２３２２号「マイクロ波制御回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１２月　８日出願公開、特開２０００−３４１００２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１１年５月３１日の出願であって、平成１７年５月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年６月２３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１７年７月２２日付けで手続補正がなされたものである。
　
２　平成１７年７月２２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年７月２２日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「誘電体基板と、
　上記誘電体基板に接続された半導体基板と、
　上記誘電体基板に設けられ、移相量及び減衰量のいずれか一方が異なる少なくとも２つのパッシブ回路と、
　上記パッシブ回路を切り替えるためのＳＰＤＴスイッチと、
　を備え、
　上記ＳＰＤＴスイッチは複数の半導体素子から構成されて上記半導体基板に設けられている
　ことを特徴とするマイクロ波制御回路。」と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「上記誘電体基板に設けられた少なくとも２つの複数のパッシブ回路であって、移相量及び減衰量のいずれか一方が異なるパッシブ回路」（本件補正前）を「上記誘電体基板に設けられ、移相量及び減衰量のいずれか一方が異なる少なくとも２つのパッシブ回路」（本件補正後）とし、「上記半導体基板に設けられ、上記パッシブ回路を切り替えるためのＳＰＤＴスイッチと」（本件補正前）を「上記パッシブ回路を切り替えるためのＳＰＤＴスイッチと、・・・上記ＳＰＤＴスイッチは複数の半導体素子から構成されて上記半導体基板に設けられている」（本件補正後）とするものであり、前者は文の表現構成を取り換えただけで内容的には同一であり、後者は「ＳＰＤＴスイッチ」について「複数の半導体素子から構成されて」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
（２）引用刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−３１０９０１号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、次の事項がそれぞれ記載されている。
　記載事項１  
　「【０００２】
　【従来の技術】図８は従来のスイッチドライン型の移相器の回路図である。図において、１は入力端子、２は出力端子、３は入力端子１からの，あるいは出力端子２へのそれぞれ２つの経路に設けられた計４つの電界効果型トランジスタ（以下ＦＥＴと称す）、４は該各ＦＥＴ３のソース・ドレイン電極間にそれぞれ接続された共振用インダクタンスを構成する共振用線路、５は各ＦＥＴ３のゲートバイアス端子、６は入力側の一方のＦＥＴ３の他端と出力側の一方のＦＥＴ３の他端との間に設けられた所定の電気長αを有する基準用線路、７は入力側の他方のＦＥＴ３の他端と出力側の他方のＦＥＴ３の他端との間に設けられ、上記基準用線路６に対して所望の電気長βだけ長い電気長（α＋β）を有する位相差発生用線路である。
　【０００３】次に動作について説明する。スイッチドライン型移相器は、１つの入力端子１，２への入力を２つの出力端子４０ａと４０ｂ，４１ａと４１ｂのいずれかへ切り換えるためのスイッチ（単極双投スイッチ；Single Pole Double Throw Switch ）２個５０，５１と、該２個のスイッチの一方，あるいは他方の各出力端子間にそれぞれ接続された電気長の異なる（この場合、それぞれα，α＋β）２つの伝送線路６，７とより構成されている。したがって、本移相器の入力端子１から入力された信号が、電気長αを有する基準用線路６を伝送されて本移相器の出力端子２に到達するか、あるいはこの基準用線路６に対して所望の電気長βだけ長い（α＋β）の線路７を伝送されて出力端子２に到達するかの、その径路を切り換えることにより、相対的に電気長の差β、つまり移相量を得ている。」（２頁１欄４５行〜２欄２３行）
　記載事項２
　「【００１６】
　【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明する。
　実施例１．
　図１はこの発明の一実施例による９０°移相器を示し、図において、図５と同一符号は同一のものを示し、１４は使用周波数において基準線路の電気長であるαと電気長９０°との和である（α＋９０°）の線路長を有する９０°移相用線路、１５ａ，１５ｂはそれぞれ該９０°移相用線路１４において述べた基準線路の電気長αの１／２である（α／２）の線路長を有し、両者で電気長αの線路を構成する基準側線路、５，４は該２つの基準側線路１５ａ，１５ｂ間に相互に並列接続して設けられた、ＦＥＴスイッチ、及び共振用インダクタンス線路であり、この並列回路により共振回路を構成する。１６は上記ＦＥＴ５と共振用線路４とからなる並列回路に並列に接続して設けられた、位相反転回路を形成する電気長１８０°の伝送線路である。
　【００１７】本実施例の９０°移相器のパターン図を図１０に示す。図１０において、図中の符号は上記で説明したものに対応し、１０１は基板である。本実施例の９０°移相器の基本的な動作は従来とほぼ同じであり、この発明の主旨は従来のスイッチドライン型移相器でオフ状態のＦＥＴから漏れていた信号を、基準用線路１５側に設けた位相反転回路１６により位相を反転しようとするものである。」（３頁４欄３０行〜４頁５欄４行）
（３）対比
　本願補正発明１と引用刊行物１に記載された発明を対比すると、両者は、「基板に設けられ、移相量及び減衰量のいずれか一方が異なる少なくとも２つのパッシブ回路と、上記パッシブ回路を切り替えるためのＳＰＤＴスイッチと、を備え、上記ＳＰＤＴスイッチは複数の半導体素子から構成されて上記基板に設けられていることを特徴とするマイクロ波制御回路。」である点で一致し、
　次の点で相違する。
　ａ）高価な半導体基板のサイズが大きくなってしまい、コストが高くなってしまうという問題点を解決する目的で、マイクロ波制御回路を設ける基板として、本願補正発明１は「誘電体基板と、上記誘電体基板に接続された半導体基板と」を用いているのに対し、引用刊行物１に記載された発明はそのように構成されていない点。
　ｂ）パッシブ回路を設ける基板として、本願補正発明１は「誘電体基板」を採用しているのに対し、引用刊行物１に記載された発明はそのように構成されていない点。
　ｃ）ＳＰＤＴスイッチを設ける基板として、本願補正発明１は「半導体基板」を採用しているのに対し、引用刊行物１に記載された発明はそのように構成されていない点。
（４）判断
　相違点ａ）ｂ）ｃ）について検討する。
　マイクロ波制御回路において、高価な半導体基板のサイズが大きくなってしまい、コストが高くなってしまうという問題点を解決する目的で、マイクロ波制御回路を設ける基板を、半導体基板と誘電体基板に切り分けることは技術常識（特開平４−２９１５０５号公報、特開平６−１２５２０８号公報、特開平４−４０００１号公報）であり、また、マイクロ波制御回路において、マイクロ波制御回路を設ける基板として、誘電体基板と、上記誘電体基板に接続された半導体基板とを用い、パッシブ回路を設ける基板として、誘電体基板を採用し、ＳＰＤＴスイッチを設ける基板として、半導体基板を採用することは周知技術（特開平５−２４３８０１号公報、米国特許第５２７４３４３号明細書）であるので、その周知技術を引用刊行物１に記載された発明に適用することには格別の困難性が存在しないから、相違点ａ）ｂ）ｃ）は、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、本願補正発明１の作用効果も、引用刊行物１及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願補正発明１は、引用刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３　本願発明について
　平成１７年７月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、特許出願明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「誘電体基板と、
　上記誘電体基板に接続された半導体基板と、
　上記誘電体基板に設けられた少なくとも２つの複数のパッシブ回路であって、
移相量及び減衰量のいずれか一方が異なるパッシブ回路と、
　上記半導体基板に設けられ、上記パッシブ回路を切り替えるためのＳＰＤＴスイッチと、
　を備えたことを特徴とするマイクロ波制御回路。」
（１）引用刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物１及びその記載事項は、前記「２　（２）」に記載したとおりである。
（２）対比・判断
　本願発明１は、前記２で検討した本願補正発明１から、「ＳＰＤＴスイッチ」の限定事項である「複数の半導体素子から構成されて」との構成を省き、「上記誘電体基板に設けられ、移相量及び減衰量のいずれか一方が異なる少なくとも２つのパッシブ回路」を「上記誘電体基板に設けられた少なくとも２つの複数のパッシブ回路であって、移相量及び減衰量のいずれか一方が異なるパッシブ回路」として、文の表現構成を取り換えたものである。
　そうすると、本願発明１の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明１が、前記「２　（４）」に記載したとおり、引用刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も同様の理由により、引用刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。