【事件の表示】
　特願２０００−５１００６２「層形成のためのマルチ−イメージレティクル」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　２月２５日国際公開、ＷＯ９９／０９４５６、平成１３年　９月２５日国内公表、特表２００１−５１６１４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．経緯
　本願は、１９９８年８月１９日（優先権主張外国庁受理１９９７年８月１９日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１４年５月１日付で拒絶査定され、審判請求された後、当審において拒絶の理由が通知され、その指定期間内である平成１７年１月２７日に手続補正書が提出されたものである。
　本願請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、明細書及び図面の記載からみて、請求項１に記載された次のとおりのものである。
　請求項１
　半導体ウエハー（２１０）を露光するための１組の離間した多数イメージ（１１２ａ〜１１２ｉ）を有する、フォトリソグラフィーシステムのレティクル（２１１）であって、
　前記１組における前記多数イメージの各々が、単一の集積回路ダイにおける１つのレベル全体を表している個別である１つのパターンを含み、
　前記多数イメージの全てが同じ方向を向いており、
　前記多数イメージに対する多数のパターンの内の少なくとも幾つかが、前記単一集積回路ダイの回路要素の異なる処理レベルを表していることを特徴とするレティクル。
　
２．当審の拒絶の理由に引用した引用例
　引用例７；特開昭６３−７３５２０号公報
　
２．１ 引用例７の記載内容
　引用例７の第１頁右欄第１９行ないし第２頁左下欄第７行には、
「本発明のウェハーの露光方法は、１つのレチクル中に回路パターンを分割して配置し、レチクル及びウェハーステージの両方を移動して、前記回路パターンを各々ウェハー上の所定の位置に分割露光することによって、前記回路パターンをウェハー上で組み合わせる…方法である。
〔実施例〕
　…
　レチクル２には、チップパターンを４つのパターンＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄに分割して各々配置してある。この４つのパターンは、あらかじめレチクル２中の所定の位置に配置されている。従ってレチクル２の位置合わせを行なえば…、第１図に示す用にＸ方向Ｙ方向に自由にレチクルステージ１を移動することで、図中の点線に示す光の入射領域に、露光を行ないたいパターンを持って行き露光を行なうことができる。
　…
　第２図には、…ウェハー５へ転写された各パターンが示してある。図中の太線は、各チップの境界線６を示す。また各チップは４つの領域に分割されているが各々のパターンａ、ｂ、ｃ、ｄは、レチクル２中の各々のパターンＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄが露光されたものである。
　…
　第３図には、…レチクルが例として示してある。図中のレチクル位置合わせ用マーク２Ａを用いて、レチクル２ａ全体の位置合わせを行なって、レチクル２ａ全体の座標系を設定する。レチクル２ａ上の各パターンＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは所定の位置に配置されているので、レチクルステージを精度良く移動して、レチクル２ａ上の各パターンを露光位置へ持って行き露光を行なうことができる。」
と記載されている。
　引用例７の第３頁左欄第１６行ないし同欄第１９行には、
「実施例図のレチクル中の回路パターンは、４つに分割して配置してあるが、パターンの分割数及び各面積は、レチクル中に入れられる限りに於いて特に制限しない。」
と記載されている。
　引用例７記載の第１図ないし第３図
　
　　
２．２ 引用例７の記載の発明
　引用例７には、上記記載を参照すると「１つのレチクル中に回路パターンを分割して配置し、レチクル及びウェハーステージの両方を移動して、前記回路パターンを各々ウェハー上の各チップの所定の位置に分割露光することによって、前記回路パターンをウェハー上で組み合わせるウェハーの露光方法」の発明が記載されている。
　
３．対比
　本願第１発明と引用例７記載の発明を対比する。
　引用例７記載の「ウェハー」、「パターン」、「チップ」、「ウェハーの露光方法」及び「レチクル」は、本願第１発明の「半導体ウエハー」、「イメージ」、「集積回路ダイ」、「フォトリソグラフィーシステム」及び「レティクル」に相当する。
　また、本願第１発明において、「イメージ」と「パターン」は、出願当初の請求項１４及び【００１３】段落を参照すると、実質的に同義であると認められる（平成１７年１月２７日付け意見書において出願人も「イメージ」と「パターン」は、実質的に同義であると認めている。）から、引用例７記載の「パターン」は、本願第１発明の「イメージ」又は「パターン」に実質的に相当する。
　また、引用例７記載の発明は、１つのレチクル中に回路パターンが分割して配置されていること及びパターンの分割数は、レチクル中に入れられる限りにおいて特に制限されないことから、本願第１発明の「半導体ウエハーを露光するための１組の多数イメージを有する、フォトリソグラフィーシステムのレティクル」の構成を実質的に有している。
　また、引用例７記載の発明は、第１図及び第３図を参照すると、本願第１発明の「１組の離間した多数イメージ」の構成を実質的に有している。
　また、引用例７記載の発明は、レチクル上の各パターンＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは所定の位置に配置され、第１図に示されるように、レチクルステージをＸ，Ｙ方向に移動して、レチクル上の各パターンを露光位置へ持って行き露光を行うものであることから、レチクル上の各パターンＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは必然的に同じ方向を向いているものである。
　
　そうすると、本願第１発明と引用例７記載の発明は、
「半導体ウエハーを露光するための１組の離間した多数イメージを有する、フォトリソグラフィーシステムのレティクルであって、
　前記多数イメージの全てが同じ方向を向いている、
　レティクル。」
において一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点
・本願第１発明は、「多数イメージに対する多数のパターンの内の少なくとも幾つかが、単一集積回路ダイの回路要素の異なる処理レベルを表している」構成であるのに対し、引用例７記載の発明では、上記構成の記載がない点で相違（以下、「相違点１」という。）する。
　
・本願第１発明は、「１組における多数イメージの各々が、単一の集積回路ダイにおける１つのレベル全体を表している個別である１つのパターンを含」む構成を有しており、当該構成は、一チップに対し同一の範囲で複数回露光するいわゆる多重露光をも含むと解されるところ、引用例７記載の発明は、レティクル上の各パターンＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは単一のチップにおける１つのレベルに用いられるから、本願第１発明の上記構成を有しているものの、多重露光の記載がない点で相違（以下、「相違点２」という。）する。
　　
４．判断
　相違点１についての検討
　同一レティクル上に形成された多数イメージに対する多数のパターンの内の少なくとも幾つかが、単一集積回路ダイの回路要素の異なる処理レベルを表す構成は、当該技術分野における周知手段（例えば、特開昭５５−１６５６２９号公報及び特開昭５９−１０５６４８号公報当参照）にすぎず、パターンの分割数を特に制限しない引用例７記載の発明に上記周知手段を付加することに何ら困難性は認められず、相違点１に係る構成については、当業者が容易に想到できたことである。
　
　相違点２についての検討
　一つのダイに対し同一レティクル上に形成された複数のパターンを多重露光することは慣用手段（例えば、特開平５−２０４１３１号公報、特開昭６２−４３１２５号公報等参照）にすぎず、引用例７記載の発明に上記周知手段を付加することに何ら困難性は認められず、相違点２に係る構成については、当業者が容易に想到できたことである。
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用例７に記載された発明及び周知手段の作用効果から当業者が予測できる範囲のものである。
　
５．むすび
　本願請求項１に係る発明は、引用例７に記載された発明及び周知手段に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。