【事件の表示】
　特許第３３７１３３２号「フィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３７１３３２号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯  
　本件特許第３３７１３３２号の発明についての出願は平成１２年１月２７日に出願されたものであって、平成１４年１１月２２日に請求項１〜６に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明６」という。）につき特許権の設定登録がなされ、その後、平成１５年７月２５日に特許異議申立人　清水淳子（以下、「特許異議申立人Ａ」という。）、平成１５年７月２８日　宮崎幸雄（以下、「特許異議申立人Ｂ」という。）より、本件発明１〜６に係る特許について異議の申立がなされ、平成１７年４月１８日付けで取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１７年６月２７日に訂正請求がなされたものである。 
　 
ＩＩ．訂正の適否についての判断 
　 
１．訂正の内容 
　 
（１）訂正事項ａ 
　請求項１を以下のとおりに訂正する。下線部が訂正された箇所である。 
　 
「【請求項１】可撓性を有した基板上に配線パターンが形成されたフィルムキャリアテープの製造方法であって、前記フィルムキャリアテープを低温側のメッキ液に浸し置換反応にて前記配線パターンの露出部に、ピンホールを有するようにメッキ層を形成した後、高温側のメッキ液に前記フィルムキャリアテープを浸し、前記ピンホールを介して前記メッキ層の厚みを増加させることを特徴とするフィルムキャリアテープの製造方法。」 
　 
（２）訂正事項ｂ 
　請求項２の記載を、削除する。 
　 
（３）訂正事項ｃ 
　請求項３の項番号を繰り上げ、以下のように訂正する。 
「【請求項２】 前記露出部は、入力端子またはインナーリードであることを特徴とする請求項１に記載のフィルムキャリアテープの製造方法。」 
　 
（４）訂正事項ｄ 
　請求項４の項番号を繰り上げ、以下のように訂正する。 
「【請求項３】 前記メッキ層は錫からなることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載のフィルムキャリアテープの製造方法。」 
　 
（５）訂正事項ｅ 
　請求項５の項番号を繰り上げ、以下のように訂正する。 
「【請求項４】 低温側の前記メッキ液を１０〜４０℃に設定するとともに、高温側の前記メッキ液を６５〜７０℃に設定したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のフィルムキャリアテープの製造方法。」 
　 
（６）訂正事項ｆ 
　請求項６の項番号を繰り上げ、以下のように訂正する。下線部が訂正された箇所である。 
　 
「【請求項５】メッキ液の温度を低温側に設定した第１メッキ浴槽と、前記メッキ液の温度を前記第１メッキ浴槽側より高温側に設定した第２メッキ浴槽とを設けるとともに、可撓性を有した長尺基板上に配線パターンが連続して形成されたフィルムキャリアテープの搬送経路を前記第１メッキ浴槽と前記第２メッキ浴槽とを通過するよう設定したことを特徴とするメッキ装置であって、前記搬送経路は,前記第２のメッキ浴槽において位置関係が上側、下側、上側となるように交互に配置されたスプロケットを用いて形成され、前記第１のメッキ浴槽内に形成されたスプロケットの数よりも、前記第２のメッキ浴槽内に形成されたスプロケットの数の方が多いことを特徴とするメッキ装置。」 
　 
（７）訂正事項ｇ 
　明細書段落【００１６】の「前記配線パターンの露出部にメツキ層を形成した後、高温側のメッキ液に前記フィルムキャリアテープを浸し前記メッキ層の厚みを増加させる」を「前記配線パターンの露出部に、ピンホールを有するようにメツキ層を形成した後、高温側のメッキ液に前記フィルムキャリアテープを浸し、前記ピンホールを介して前記メッキ層の厚みを増加させる」に訂正する。 
　 
（８）訂正事項ｈ 
　明細書段落【００１８】を削除する。 
　 
（９）訂正事項ｉ 
　明細書段落【００１９】の「請求項３」を「請求項２」に訂正する。 
　 
（１０）訂正事項ｊ 
　明細書段落【００２０】の「請求項４」を「請求項３」に訂正する。 
 
（１１）訂正事項ｋ 
　明細書段落【００２１】の「請求項５」を「請求項４」に訂正する。 
　 
（１２）訂正事項１ 
　明細書段落【００２２】の「請求項６」を「請求項５」に、「特徴としている。」を「特徴とするメッキ装置であって、前記搬送経路は、前記第２のメッキ浴槽において位置関係が上側、下側、上側となるように交互に配置されたスプロケットを用いて形成され、前記第１のメッキ浴槽内に形成されたスプロケットの数よりも、前記第２のメッキ浴槽内に形成されたスプロケットの数の方が多いことを特徴としている。」に訂正する。 
　 
（１３）訂正事項m 
　明細書段落【００４２】を削除する。 
　 
（１４）訂正事項n 
　明細書段落【００４３】の「請求項６」を「請求項５」に訂正する。 
　 
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 
　 
（１）上記訂正事項ａは、請求項１に記載の「配線パターンの露出部にメッキ層を形成した」をより下位概念である「配線パターンの露出部に、ピンホールを有するようにメッキ層を形成した」に限定するとともに、「フィルムキャリアテープを浸し、前記メッキ層の厚みを増加させること」をより下位概念である「フィルムキャリアテープを浸し、前記ピンホールを介して前記メッキ層の厚みを増加させること」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、これらの限定は、特許明細書段落【００１７】、【００３８】の記載に裏付けられている。 
　 
（２）訂正事項ｂは、特許請求の範囲の減縮を、訂正事項ｃ〜ｅは、明瞭でない記載の釈明を、それぞれ目的とした明細書の訂正に該当する。 
　 
（３）訂正事項ｆは、請求項６の項番号を繰り上げるとともに、「メッキ装置」をより下位概念である「前記搬送経路は,前記第２のメッキ浴槽において位置関係が上側、下側、上側となるように交互に配置されたスプロケットを用いて形成され、前記第１のメッキ浴槽内に形成されたスプロケットの数よりも、前記第２のメッキ浴槽内に形成されたスプロケットの数の方が多いことを特徴とするメッキ装置」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、これらの限定は、特許明細書段落【００３３】及び図１の記載に裏付けられている。 
　 
（４）訂正事項ｇ〜ｎは、訂正事項ａ〜ｆの訂正に基づいて訂正後の請求項の記載に整合させるよう発明の詳細な説明の記載を訂正したものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。 
　 
　そして、上記訂正事項ａ〜ｎは、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
　 
１．まとめ 
　
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び同条第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。 
　 
ＩＩＩ．特許異議申立について 
　 
１．本件の請求項１〜５に係る発明 
　上記ＩＩ．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１〜５に係る発明（以下、「本件発明１〜５」という。）は、以下のとおりのものである。
　 
「【請求項１】可撓性を有した基板上に配線パターンが形成されたフィルムキャリアテープの製造方法であって、前記フィルムキャリアテープを低温側のメッキ液に浸し置換反応にて前記配線パターンの露出部に、ピンホールを有するようにメッキ層を形成した後、高温側のメッキ液に前記フィルムキャリアテープを浸し、前記ピンホールを介して前記メッキ層の厚みを増加させることを特徴とするフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項２】 前記露出部は、入力端子またはインナーリードであることを特徴とする請求項１に記載のフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項３】 前記メッキ層は錫からなることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載のフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項４】 低温側の前記メッキ液を１０〜４０℃に設定するとともに、高温側の前記メッキ液を６５〜７０℃に設定したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項５】メッキ液の温度を低温側に設定した第１メッキ浴槽と、前記メッキ液の温度を前記第１メッキ浴槽側より高温側に設定した第２メッキ浴槽とを設けるとともに、可撓性を有した長尺基板上に配線パターンが連続して形成されたフィルムキャリアテープの搬送経路を前記第１メッキ浴槽と前記第２メッキ浴槽とを通過するよう設定したことを特徴とするメッキ装置であって、前記搬送経路は,前記第２のメッキ浴槽において位置関係が上側、下側、上側となるように交互に配置されたスプロケットを用いて形成され、前記第１のメッキ浴槽内に形成されたスプロケットの数よりも、前記第２のメッキ浴槽内に形成されたスプロケットの数の方が多いことを特徴とするメッキ装置。」
　
２．特許異議申立の概要 
　
（１）特許異議申立人Ａは、下記の甲第１〜５号証を提出し、訂正前の請求項１〜６に係る発明は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。したがって、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから取り消すべき旨を主張している。 
　 
　特許異議申立人Ａにより提出された証拠 
　甲第１号証：特開平１０−２０９２２５号公報 
　甲第２号証：特開２０００−３４９２号公報 
　甲第３号証：Richard Edgar, Immersion White Tin, PC FAB  
　　　　　　　PRINTED CIRCUIT FABRICATION, VOL.21, 
　　　　　　　NO,12 1998, p.38-41 
　甲第４号証：特開平１１−２１６７３号公報 
　甲第５号証：ＪＩＳ工業用語大辞典，（財）日本規格協会編， 
　　　　　　　（財）日本規格協会発行、１９８２年１２月６日,  
　　　　　　　p.466 
　 
（２）特許異議申立人Ｂは、下記の甲第１〜４号証を提出し、訂正前の請求項１〜６に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。したがって、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから取り消すべき旨を主張している。 
　 
　特許異議申立人Ｂにより提出された証拠 
　甲第１号証：Tom Scimeca, Mike Schimeca, Brian MacCoy,  
　　　　　　　Bernhard Weesling, Joerg Posdorefer, THE  
　　　　　　　LEAD-FREE PRINTED CIRCUIT BOARD:  
　　　　　　　AN ANALYSIS OF LEAD-FREE FINAL  
　　　　　　　FINISHES AS THE FIRST STEP, ELECTRONIC 
　　　　　　　CIRCUITS WORLD CONVENTION,  
　　　　　　　P４-１-１- P４-１-7 
　甲第２号証：Florida Cirtech, Inc配付資料,OMIKURON， 
　　　　　　　１９９８年２月１９日改訂 
　甲第３号証：OMIKRON液を用いたメッキ処理実験報告書 
　甲第４号証：２００３年４月３０日付けのWESTAK、 
　　　　　　　Scott Hinagaからの手紙 
　甲第５号証：２００３年４月３０日付けのDATA CIRCUIT 
　　　　　　　SYSTMES INC.からの手紙 
　甲第６号証：２００３年４月３０日付けのCIRCUIT  
　　　　　　　SERVICES WORLDSIDE L.L.C. Jerry Mathieson 
　　　　　　　からの手紙 
　 
３．取消理由通知の概要 
　
　平成１７年４月１８日付で通知した取消理由の概要は、訂正前の請求項１〜６に係る発明は、本件出願の出願日前に頒布された以下の刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるというものである。 
　 
　刊行物１：特開２０００−３９４２号公報  
　　　　　　（特許異議申立人Ａの提示した甲第２号証） 
　刊行物２：Richard Edgar, Immersion White Tin, PC FAB 
　　　　　　PRINTED CIRCUIT FABRICATION, VOL.21,NO,12  
　　　　　　1998, p.38-41 
　　　　　　（特許異議申立人Ａの提示した甲第３号証）  
　刊行物３：Florida Cirtech, Inc配付資料,OMIKURON， 
　　　　　　１９９８年２月１９日改訂 
　　　　　　（特許異議申立人Ｂの提示した甲第２号証）  
　 
４．証拠の記載事実および開示事項  
　 
（１）刊行物１（特開２０００−３９４２号公報）  
　 
（１−ａ）刊行物１の【請求項１】には、 
「【請求項１】 金属箔単体もしくは金属箔と絶縁樹脂とを貼り合わせた構造のＴＡＢテープ基板のメッキ方法において、メッキ槽の前にプレ・ディップ槽を設けて該プレ・ディップ層内のメッキ液にて前記ＴＡＢテープ基板を完全に濡らしてから前記メッキ槽に入槽させたＴＡＢテープ基板のメッキ方法。」 
　と記載されている。 
　 
（１−ｂ）刊行物１の段落【０００６】〜【０００８】には、 
「【０００６】通常はポジ型のフォトレジストが使われるため露光による感光部１４が現像工程で溶解して未感光部１４がフォトレジスト・パターン１５として残る。このフォトレジスト・パターン１５をエッチング・レジストとして金属箔を溶解する溶液、例えば銅箔を金属箔とした場合は塩化第二鉄溶液などによってエッチング装置によってエッチングすると（ｃ）図に示す配線パターン１７が形成されるわけだが、エッチング工程で３レイヤーＴＡＢテープ基板の大きな特徴であるオーバーハング・パターン部１２が裏面からエッチングされてしまわないように、現像後に（ｂ）図に示す裏止め材１６が裏面エッチング・レジストとして塗布される。 
【０００７】エッチング工程で配線パターン１７が形成された後には、残った未感光部のフォトレジスト１５および裏止め材１６を剥離装置によって例えば現像液よりも溶解力の高いアルカリ溶液などで溶解あるいは膨潤させて完全に剥離する。 
【０００８】こうして出来た回路パターンには電気的あるいは機械的な保護をするためにソルダーレジストが必要部分に塗布製膜されたのちに、そのＴＡＢテープ基板の用途や機能に応じて錫や金、半田等のメッキが施されてＴＡＢテープ基板として完成する。このメッキ工程においては施すメッキ金属の種類に応じてメッキ反応の安定性やコストなどを考慮してメッキ液およびメッキ装置を選定し工夫しているが、メッキ液およびメッキ装置は電解メッキ用と無電解メッキに大別できる。電解メッキはメッキ液中に設けた電極と被メッキ体であるＴＡＢテープ基板の金属箔との間に電圧を印可することにより、金属箔表面にメッキ液中のメッキ金属イオンを還元析出させるものであり、メッキ装置にはメッキ槽内用電極と金属箔に電流を与えるための給電装置および電圧印可のための整流器が必要である。現在では金メッキや半田メッキなどを適用するときにこの電解メッキ法を用いている。これに対して無電解メッキの場合は、被メッキ体であるＴＡＢテープ基板の金属箔表面がメッキ液に接触したときに発生する酸化還元電位でよってメッキ液中のメッキ金属イオンが被メッキ体であるＴＡＢテープ基板の金属箔表面に還元析出する酸化還元タイプと、被メッキ体であるＴＡＢテープ基板の金属箔表面がメッキ液に接触したときに金属箔表面がイオン化していくと同時にメッキ液中の金属イオンが金属箔表面に金属として置換していく置換タイプとがあり、現在はスズメッキ等を適用するときに後者の置換タイプのメッキ液を使用することが多く、メッキ装置としてはメッキ槽に被メッキ体であるＴＡＢテープ基板が浸漬されていくだけの構造となっている。」 
　と記載されている。 
　 
（１−ｃ）刊行物１の段落【００１３】〜【００１４】には、  
「【００１３】 
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の形態を示した図であり、フープ状のＴＡＢテープ基板５が図の向かって左から右にプレ・ディップ槽１を経てメッキ槽２に搬送ローラー６にガイドされながら搬送されメッキ処理されていく状態である。メッキ工程のメッキ装置の基本的な構成は、メッキ槽前にまず脱脂処理槽がありそこでＴＡＢテープ基板の洗浄を行い、その後には銅箔のソフトエッチングを行ってフレッシュな銅面を露出させてからメッキされる場合が多い。その場合には脱脂処理槽とソフトエッチング槽の後にそれぞれ水洗および水洗後の水切りエアーが配置され、各処理槽内の処理液が前の処理液の持ち込み等によって汚染されないようにしている。また従来のメッキ工程のメッキ装置にはプレ・ディップ槽１は設置されておらず、前記した脱脂処理槽およびその後の水洗・水切り後もしくはその後のソフトエッチング槽およびその後の水洗・水切りを経てメッキ槽内に入槽されメッキ処理されている。 
【００１４】図１ではプレ・ディップ槽の前に配置されているこれらの脱脂処理槽およびソフトエッチング槽は省略している。プレ・ディップ槽１にはプレ・ディップ液３を張るが、このプレ・ディップ液はメッキ槽内のメッキ液４と同じメッキ液が望ましいがＴＡＢテープ基板５のプレス穴の中の金属箔表面のメッキ厚まで管理するような特殊な場合を除けばイオン交換水でも差し支えない。プレ・ディップ槽内には超音波振動子７をＴＡＢテープ基板５のプレス穴に向かい合せるような位置に設置する。図１ではＴＡＢテ−プ基板５が水平のときにプレス穴が下側に来るようにした状態を示している。」  
と記載されている。  
　 
（１−ｄ）刊行物１の第１図には、 
　プレ・ディップ槽１を経てメッキ槽２にＴＡＢテープ基板５が搬送ローラー６にガイドされながら搬送されるメッキ処理装置が開示されている。 
　 
（２）引用例２（Richard Edgar, Immersion White Tin, PC FAB PRINTED CIRCUIT FABRICATION, VOL.21,NO,12 1998, p.38-41）  
　 
（２−１）刊行物２の第３８頁右欄第１行〜第１１行には、  
「密な微粒子構造結晶は、伝統的な錫の灰色というよりも、一見して白く見える。拡大すると堆積膜の粒子構造が明らかに異なっていることがわかる。（第１図）。この結晶構造の差は、見栄え以上のものがある。安定した表面層は、金属層間の成長を明らかに抑える働きがある。密な結晶構造は、組み立て工程の複数回の熱サイクルに耐えて、錫の半田としての安定性を１年以上維持することができる。」 
　と記載されている。
　 
（２−２）刊行物２の第３８頁左欄１５〜１７行には、
　「伝統的な錫浸漬と同様に白色錫浸漬は、錫の槽溶液の中で、浸漬されたプリント回路基板の露出した回路構成上での置換反応によりなされる。」
　と記載されている。
　
（２−３）刊行物２の第３図には、  
　 プリント回路基板の製造における錫メッキにおいて、最初に室温にて１分間の錫メッキへの浸漬を行い、次に１４０−１６０゜Ｆにて８〜９分の錫メッキへの浸債を行うメッキ方法及びメッキ装置が開示されている。  
　 
（３）引用例３（Florida Cirtech, Inc配付資料,OMIKURON，１９９８年２月１９日改訂） 
　 
（３−１）刊行物３の、第９頁には、 
「室温のメッキ液の温度で３０秒ないし１分間行う工程と、該工程に続き１４０ないし１６０F（６０ないし約７１．１℃）のメッキ液の温度で８ないし９分間錫メッキを行う工程を含む、OMIKRONTM浸漬錫プロセスフロー」が開示されている。  
　 
（３−２）刊行物３の、第１０図には 
「Chemical Tin PP（連続錫メッキプロセスが可能な２つのメッキ槽）を含むOMIKRONTM浸債錫メッキ装置」が開示されている。  
　 
５．対比・判断  
　 
（１）本件発明１について 
　上記摘記事項（１−１）から（１−３）を総合すると、刊行物１には、 
「ＴＡＢテープ基板上に銅配線パターンが形成されたフィルムキャリアテープの製造方法であって、プレディップ槽においてＴＡＢテープ基板を完全にメッキ液に浸した後、置換反応により錫メッキをするメッキフィルムキャリアテープの製造方法」 
　が記載されている（以下、「刊行物１発明」という。） 
　そこで、本件発明と刊行物１発明とを対比すると以下の各点で相違する。 
　第１の相違点 
　本件発明１では、フィルムキャリアテープを低温側のメッキ液に浸し置換反応にて配線パターンの露出部にメッキ層を形成した後、高温側のメッキ液にフィルムキャリアテープを浸しメッキ層の厚みを増加させるのに対して、刊行物１発明では、２つのメッキ液槽を用いて配線パターンの露出部に置換反応によりメッキ層を形成しているが、特に各槽のメッキ液の温度について明記されていない点 
　
　第２の相違点 
　本件発明１では、配線パターンの露出部に、ピンホールを有するようにメッキ層を形成した後、前記ピンホールを介して前記メッキ層の厚みを増加させることを特徴とするのに対して、刊行物１発明には、メッキ層の形成課程におけるピンホールについて明記されていない点
　 
　以下、上記各相違点について検討する。 
　第１の相違点について 
　ここで、上記摘記事項（２−１）〜（２−３）から、刊行物２には、 低温錫メッキへの浸潰と高温錫メッキへの浸漬の２回の錫メッキ処理を行う錫メッキ方法及びメッキ装置に関する技術的事項が開示されている。
　また、同様に上記摘記事項（３−１）から、刊行物３には、 室温のメッキ液への浸潰と１４０ないし１６０F（６０ないし約７１．１℃）のメッキ液への浸漬の２回の錫メッキ処理を行う錫メッキ方法及びメッキ装置に関する技術的事項が開示されており、刊行物２および刊行物３での高温メッキは、低温メッキに比べてメッキ形成速度は大きいものであるから、メッキ層への厚みも低温メッキに比べて増加できているものである。
　そして、刊行物１発明においてもプレディップ層と本メッキに相当するメッキ槽を有するのであるから、２つのメッキ液槽の温度を、刊行物２又は刊行物３に記載された温度条件とすることは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。 
　 
　第２の相違点について 
　刊行物１発明において、メッキ槽の工程前にプレ・ディップ槽を設ける理由は、プレディップ槽によってフィルムキャリアテープ基板のあらゆる部分を完全に濡らしてからメッキ槽に入槽され、メッキ未着等を防止することにあるから、配線パターンの露出部にピンホールを有する状態で次のメッキ層に入槽されることは、通常ないものと認められる。
　また、刊行物２及び刊行物３には、錫メッキプロセスとして低温メッキ浴槽及び高温メッキ浴槽を用いているメッキ技術は記載されているものの、メッキ層については、両プロセスを経た仕上がり後のメッキ層の特性についてしか着目しておらず、各メッキ浴槽においてどのようなメッキ層を形成するのか、特にメッキ層に形成されるピンホールに着目して低温メッキ浴槽と高温メッキ浴槽を使いわける技術的事項に関しては、なんら記載されておらず、また示唆するものもない。 
　そして、本件発明は、上記第２の相違点に基づく構成により、配線パターンにおける露出部に均一な厚みのメッキ層を形成することができ、ゆえに配線パターンの露出部の隅部においてもえぐれが生じることがなく、配線パターンにおける抵抗値の増大、あるいは外力が加わった際に断線が生じるのを防止することができるという顕著な格別な効果を奏する。 
　 したがって、本件発明１は、刊行物１〜３に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。 
　 
（２）本件発明２〜４について 
　本件発明２〜４は、本件発明１又は本件発明１を引用する請求項をさらに引用しているから、（１）で検討した理由と同じ理由により、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。 
　
（３）本件発明５について 
　本件発明５と刊行物１に記載された発明とを対比すると以下の点で相違する。
　
　第３の相違点 
　本件発明５では、メッキ液の温度を低温側に設定した第１メッキ浴槽と前記メッキ液の温度を前記第１メッキ液浴槽側より高温側に設定した第２のメッキ浴槽を有するに対して、刊行物１発明では、２つのメッキ浴槽を有するが、各浴槽のメッキ液の温度について明記されていない点 
　
　第４の相違点 
　本件発明５では、搬送経路は,第２のメッキ浴槽において位置関係が上側、下側、上側となるように交互に配置されたスプロケットを用いて形成され、第１のメッキ浴槽内に形成されたスプロケットの数よりも、第２のメッキ浴槽内に形成されたスプロケットの数の方が多いことを特徴とするメッキ装置であるのに対して、刊行物１発明では、第２のメッキ浴槽においてスプロケットの位置は浴槽内の左端上部、左端下部、右端下部、右端上部に配置され、第１のメッキ浴槽内に形成されたスプロケットの数と、第２のメッキ浴槽内に形成されたスプロケットの数が同じである点 
　
　以下、上記各相違点について検討する。 
　第３の相違点について 
　当該相違点については、本件発明１の第１の相違点と同様に、刊行物１発明において、所望の特性を有する錫メッキ層を配線パターン上に形成するために、刊行物２又は刊行物３に記載された技術的事項を採用することは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　
　第４の相違点について 
　本件発明５は、第２のメッキ浴槽におけるメッキ膜の成長を実効的に高めるためにフィルムキャリアテープにメッキ液に触れる実効的な距離や時間を増加させるようスプロケットのレイアウトに配慮しているが、刊行物１には、第２のメッキ浴槽内のスプロケットが左端上部、左端下部、右端下部、右端上部に配置されるという一般的なスプロケットの配置に留まり、メッキ特性に影響を与える当該パラメータに積極的に配慮した記載及び当該パラメータをスプロケットの配置により実現することの記載も示唆もない。また、刊行物２及び刊行物３には、スプロケット自身が記載されておらず、その数や配置についても、当然、記載も示唆もない。 
　そして、本件発明５は、上記第４の相違点に基づく構成により、低温のメッキ浴槽では、薄いメッキ層を形成するのに適し、高温のメッキ浴槽では、厚いメッキ層を形成するために、メッキ液に触れる実効的な距離及び時間を長くすることができるという顕著な格別な効果を奏する。 
　 したがって、本件発明５は、刊行物１〜３に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。 
　
　また、各異議申立人Ａ、Ｂの提出したその他の刊行物に記載された発明ではなく、それらの刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
　
IＶ．むずび 
　
　以上のとおりであるから、請求項１〜５に係る発明の特許は、特許異議申立の理由及び証拠によっては取り消すことはできない。 
　また、他に請求項１〜５に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。 
【異議決定日】
平成１７年１０月３日（２００５．１０．３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
フィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】可撓性を有した基板上に配線パターンが形成されたフィルムキャリアテープの製造方法であって、前記フィルムキャリアテープを低温側のメッキ液に浸し置換反応にて前記配線パターンの露出部に
、ピンホールを有するように
、前記ピンホールを介して
　【請求項
２
１に
　【請求項
３
または請求項２
　【請求項
４
３
　【請求項
５
であって、
　前記搬送系路は、前記第２のメッキ浴槽において位置関係が上側、下側、上側となるように交互に配置されたスプロケットを用いて形成され、前記第１のメッキ浴槽内に形成されたスプロケットの数よりも、前記第２のメッキ浴槽内に形成されたスプロケットの数の方が多いことを特徴とするメッキ装置
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は高密度実装に関する技術分野に係り、特に可撓性を有した長尺基板を用いるフィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、高密度実装の手段の一つとしてフィルムキャリアに半導体チップを実装した形態が知られている。そして前記フィルムキャリアに半導体チップを実装した後、前記半導体を囲うようにフィルムキャリアを打ち抜き形成したものをＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）と称しており、液晶パネル駆動用のドライバ等として広く用いられている。
　【０００３】
　図４は、従来のフィルムキャリアテープの形態を示す説明図である。同図に示すようにフィルムキャリアテープ１は、可撓性を有した長尺基板２からなり、当該長尺基板２にホール類を打ち抜き形成した後、配線パターンを形成することで製作されている。前記長尺基板２はポリイミド材からなり、その両側にはスプロケットホール（図示せず、ａ範囲に形成）が長手方向に沿って連続形成され、搬送経路の途中に設けられたスプロケットに噛み合わされることで、長尺基板２を搬送方向（図中矢印を参照）に沿って搬送可能にしている。
　【０００４】
　こうした長尺基板２には、フィルムキャリア３を打ち抜き形成するため当該フィルムキャリア３の形状に一致する打ち抜き領域４が設定されており、当該打ち抜き領域４は、長尺基板２の搬送経路に沿って複数等間隔で設定される。また打ち抜き領域４の内側には半導体チップ（図示せず）を収容可能にするだけの大きさを有したデバイスホール５と、このデバイスホール５に隣接する入力端子ホール６とが打ち抜き形成されている。
　【０００５】
　そしてデバイスホール５と入力端子ホール６との間には銅材からなる配線パターン７（図中は形成領域を表示）が前述した半導体チップの端子数に対応する本数だけ形成され、その片側端部はデバイスホール５の縁からインナーリード９（図中は形成領域を表示）として突出し、前記半導体チップの端子との導通を図るようにしている。また配線パターン７においてインナーリード９が形成される反対側は、前記配線パターン７が入力端子ホール６を跨いで引き出され、この入力端子ホール６を跨ぐ配線パターン７の部分を入力端子８とし、図示しない外部基板に形成された端子への接続を行うようにしている。
　【０００６】
　一方、デバイスホール５において入力端子ホール６が形成される反対側からは、半導体チップの端子数に相当するだけの配線パターン７が引き出され、その先端には、他の外部基板との接触をなすための出力端子１０が形成されている。
　【０００７】
　こうしたフィルムキャリアテープ１の制作手順は、まず長尺基板２にデバイスホール５や入力端子ホール６などのホール類を打ち抜き形成し、その後長尺基板２に銅箔を接着剤を用いて貼りつけるとともに露光とエッチングを用いて配線パターン７等を形成する。そして前記工程にて配線パターン７、入力端子８、インナーリード９を形成した後、配線パターン７上に当該配線パターン７の保護用のソルダーレジストを塗布するとともに、フィルムキャリア１を錫メッキ槽内に投入し、入力端子８やインナーリード９の表面にメッキ処理を施すようにしている。
　【０００８】
　図６は、フィルムキャリアテープ１に錫メッキを施すためのメッキ装置の構造説明図である。同図に示すようにメッキ装置１１ではメッキ浴槽１２が設けられている。そしてこのメッキ浴槽１２の内側には従動側スプロケット１３が複数設けられているとともに、前記メッキ浴槽１２の前後には駆動側スプロケット１４がそれぞれ設けられている。このようなメッキ装置１１では駆動側スプロケット１４を稼働させることで、フィルムキャリアテープ１を順次メッキ浴槽１２内のメッキ液１５に浸すことができ、入力端子８やインナーリード９の表面にメッキ処理を行うことができる。なおこのようなメッキ処理では、均一な膜厚を得る目的から、無電解メッキ（いわゆる化学メッキ）が用いられている。
　【０００９】
　そしてメッキ処理工程が終了しフィルムキャリアテープ１が完成した後は、図示しない半導体チップをデバイスホール５内に位置決めするとともに前記半導体チップに設けられている金バンプ（いわゆる接続用端子）にインナーリード９を熱圧着させ、共晶化によって接合を行うようにしている。
　【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで上述したメッキ処理では、単位時間の析出量が少ないためメッキ液が分解しない程度に液温度を上昇させて使用することが一般的である。しかしこのように液温度を上昇させてフィルムキャリアテープへのメッキ処理を行うと、置換反応が促進され析出スピードが増すものの、銅箔からなる配線パターンに障害が生じるおそれがあった（６５〜７０℃のメッキ液に３〜４分程度浸すことで、０．５〜０．８μｍ程度のメッキ厚が得られる）。
　【００１１】
　図５は、図４におけるＡＡ断面の要部拡大図である。すなわち同図に示すように配線パターン７上に形成されるソルダーレジスト１６の端部、あるいは入力端子８の根元では、他の部分に比べ置換反応が何倍にも加速され、配線パターン７にえぐれ１８が生じるおそれがあった（ところでこうしたえぐれ１８にも置換作用によりメッキ層１９が形成されるが、当該えぐれ１８ではメッキ層１９が密着せず浮いた形態となっている）。
　【００１２】
　そして配線パターン７にえぐれ１８が発生すると、配線パターン７の抵抗値が上昇したり、あるいは外力が加わった場合に前記えぐれ１８がクラックの役割をなし、配線パターン７に断線が生じるおそれがあった。
　【００１３】
　ところで配線パターン７上に形成されるソルダーレジスト１６の端部、あるいは入力端子８の根元に存在する不純物の除去を行うと、えぐれ１８の大きさが小さくなることは経験的に知られている。しかしメッキ工程の前段に洗浄工程を設けるようにしても、不純物を完全に除去することは難しく、えぐれ１８自体は依然として存在するので上記問題点を根本から対策できるものではなかった。そして洗浄工程を設けることにより、工数が増加するという新たな問題も発生する。
　【００１４】
　本発明は、上記従来の問題点に着目し、メッキ処理を行ってもソルダーレジストあるいは接着剤の端部に位置する銅箔にえぐれが生じることが無く、抵抗値の増加あるいは断線等の障害を防止することのできるフィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置を提供することを目的とする。
　【００１５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、温度の異なるメッキ液にフィルムキャリアテープを浸すようにすれば析出速度を異ならせることができ、銅箔にえぐれを生じさせることが防止出来るとともに、十分な膜厚を有したメッキ層を形成することができるという知見に基づいてなされたものである。
　【００１６】
　すなわち請求項１に記載のフィルムキャリアテープの製造方法は、可撓性を有した基板上に配線パターンが形成されたフィルムキャリアテープの製造方法であって、前記フィルムキャリアテープを低温側のメッキ液に浸し置換反応にて前記配線パターンの露出部に
、ピンホールを有するように
、前記ピンホールを介して
　【００１７】
　このように均一な厚みからなるメッキ層を配線パターンの露出部に形成した後は、高温側に設定されたメッキ液に前記フィルムキャリアテープを浸す。ここで高温側に設定されたメッキ液では、単位時間での析出量が大きい。このため低温側のメッキ液によって形成されたメッキのピンホールを介してメッキ層の厚み方向に新たなメッキが析出し、メッキ層の厚みが増加していく。そしてあらかじめ設定された厚みにメッキ層が達したならば（通常は浸漬時間で管理を行う）、高温側のメッキ液からフィルムキャリアテープを引き揚げればよい。このように温度差の異なるメッキ液にフィルムキャリアテープを浸すことで、配線パターンにおける露出部に均一な厚みのメッキ層を形成することができる。ゆえに配線パターンの露出部の隅部においてもえぐれが生じることがなく、配線パターンにおける抵抗値の増大、あるいは外力が加わった際に断線が生じるのを防止することができる。
　【００１８】
　【００１９】
　請求項
２
２
　【００２０】
　請求項
３
３
　【００２１】
　請求項
４
４
　【００２２】
　請求項
５
であって、前記搬送経路は、前記第２のメッキ浴槽において位置関係が上側、下側、上側となるように交互に配置されたスプロケットを用いて形成され、前記第１のメッキ浴槽内に形成されたスプロケットの数よりも、前記第２のメッキ浴槽内に形成されたスプロケットの数の方が多いことを特徴と
５
　【００２３】
　【発明の実施の形態】
　以下に本発明に係るフィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置に好適な具体的実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
　【００２４】
　図２は、メッキ装置に投入されるフィルムキャリアテープの形態を示す説明図である。同図に示すように、フィルムキャリアテープ２０は、可撓性を有した長尺基板２２からなり、当該長尺基板２２にデバイスホールやアウターリードホールを打ち抜きによって形成した後、これらホールの周囲に配線パターンを引き回すことで製作される。
　【００２５】
　長尺基板２２はポリイミド製のフィルム形状となっており、その幅方向両端にはスプロケットホール（図示せず、同図ａ領域に形成）が長尺基板２２の長手方向に沿って等間隔に複数配設され、搬送経路の途中に設けられたスプロケットに噛み合わされることで、長尺基板２２を搬送方向（図中矢印を参照）に沿って移動可能にしている。
　【００２６】
　このような長尺基板２２にはその長手方向に沿って、フィルムキャリア２４の打ち抜き外形に相当する、打ち抜き領域２６が複数等間隔に設定されている。
　【００２７】
　そして当該打ち抜き領域２６の内側には、半導体チップ（図示せず）を収容するだけの大きさを有したデバイスホール２８と、このデバイスホール２８に隣接する入力端子ホール３０とが設けられる。またデバイスホール２８と入力端子ホール３０との間には配線パターン３２（図中は形成領域を表示）が形成され、当該配線パターン３２の一端をデバイスホール２８の縁より突出させ、これを入力側インナーリード３４（図中は形成領域を表示）とし、半導体チップの表面に形成される接続用端子との接続を図るようにしている。また配線パターン３２における入力側インナーリード３４が形成される反対側は、入力端子ホール３０を跨いで配線パターン３２が引き回され、この入力端子ホール３０を跨ぐ配線パターン３２の範囲を入力端子３６（図中は形成領域を表示）とし、図示しない外部基板に形成される接続用端子との接続を図るようにしている。
　【００２８】
　一方、デバイスホール２８における入力側インナーリード３４が形成される反対側の縁には出力側インナーリード３８が形成される。当該出力側インナーリード３８も半導体チップの接続用端子の数に応じた本数だけ突出形成されており、これら出力側インナーリード３８を片側端部とする配線パターン４０（図中は形成領域を表示）は、入力端子ホール３０が形成される反対側へと引き延ばされ、その延長先端部には他の外部基板への接続をなすため配線パターン４０に半田メッキが施され、出力端子４２を形成するようにしている。
　【００２９】
　図１は、本実施の形態に係るメッキ装置を用いてフィルムキャリアテープを製造する手順を示した工程説明図である。同図に示すように、フィルムキャリアテープ２０へのメッキ処理をなすメッキ装置４４は、２つのメッキ浴槽と、これら２つのメッキ浴槽を通過するように設定された搬送経路とで構成されている。
　【００３０】
　上記メッキ装置４４を構成するメッキ浴槽は、第１メッキ浴槽４６と第２メッキ浴槽４８とからなり、これらメッキ浴槽は一つの容器５０を一枚の仕切板５２によって区切ることによって形成されている。そして第１メッキ浴槽４６と第２メッキ浴槽４８の内面には、メッキ液により腐食を防止する目的から塩化ビニールあるいはその表面にゴムを貼り付けた形態にすることが望ましい。また第１メッキ浴槽４６と第２メッキ浴槽４８には、それぞれ独立した温度調整手段となるヒータ（図示せず）が設けられており、これらヒータを稼働させることで、メッキ浴槽に満たされたメッキ液の温度調整を行えるようにしている。
　【００３１】
　このように構成されたメッキ浴槽を通過するように、フィルムキャリアテープ２０の搬送をなす搬送経路５４が形成される。当該搬送経路５４は、容器５０の前後に配置された駆動側スプロケット５６と、容器５０の内側すなわち第１メッキ浴槽４６と第２メッキ浴槽４８の底部に配置された従動側スプロケット５８とから構成されている。そしてこれらスプロケットは、長尺基板２２の幅方向両端に形成されたスプロケットホールに噛み合わされ、フィルムキャリアテープ２０をスプロケットの配置位置に沿って搬送可能にしている。
　【００３２】
　なお複数の従動側スプロケット５８では、メッキ浴槽においてその位置関係が上側→下側→上側に示されるように交互に配置がなされており、メッキ液６０に浸されるフィルムキャリアテープ２０の領域を大きくとれるようにしている。なお当該メッキ液６０は、無電解錫メッキ用の溶液とし、銅からなるインナーリードおよびアウターリードをこの溶液に浸すことで、その表面に錫メッキを形成できるようにしている。また仕切板５２の上側先端部にも従動側スプロケット５８が設けられ、当該従動側スプロケット５８を通過することで、第１メッキ浴槽４６から第２メッキ浴槽４８への移動を容易に行えるようにしている。そして前記仕切板５２は、メッキ液６０の温度差が異なるメッキ浴槽を構成していることから、互いのメッキ浴槽に熱が及ばないよう断熱材で形成されることが望ましい。
　【００３３】
　さらに第１メッキ浴槽４６では、フィルムキャリアテープ２０における配線パターン３２の露出部に薄いメッキ層を形成するだけの目的であるので、従動側スプロケット５８の数も少なく（図中では３つ）、浴槽自体の容積も小さくなっている。一方第２メッキ浴槽４８では、第１メッキ浴槽４６で形成されたメッキ層の上側に同一のメッキ層を厚く形成させる目的から、従動側スプロケット５８の数も多く（図中では１１つ）、浴槽の容積も第１メッキ浴槽４６に比べ大きなものになっている。
　【００３４】
　このように構成されてたメッキ装置４４を用いて、フィルムキャリアテープ２０へのメッキ処理を行う手順を説明する。
　【００３５】
　まず第１メッキ浴槽４６と第２メッキ浴槽４８とに同一のメッキ液６０を満たすとともに、各メッキ浴槽に取り付けられた図示しないヒータを稼働させ、メッキ液６０をあらかじめ設定した温度に設定する。なお第１メッキ浴槽４６におけるメッキ液６０の温度は、第２メッキ浴槽４８側より低温側とする。そして第１メッキ浴槽４６と第２メッキ浴槽４８におけるメッキ液６０の温度は、メッキ液６０に浸るフィルムキャリアテープ２０の長さや搬送速度との条件に照らし合わせて個々に設定すればよい。なお発明者は種々の検討を行い、第１メッキ浴槽４６におけるメッキ液６０の温度を１０〜４０℃とし、第２メッキ浴槽４８におけるメッキ液６０の温度を６５〜７０℃に設定すると良好な結果を得られることを見出した。
　【００３６】
　こうしてメッキ液６０をこれらメッキ浴槽に満たすとともに、前記メッキ液６０の温度設定が終了した後は、搬送経路４４に沿ってフィルムキャリアテープ２０を搬送させる。すると当該フィルムキャリアテープ２０は、まず第１メッキ浴槽４６に投入され、低温側に設定されたメッキ液６０に浸される。ここでフィルムキャリアテープ２０においては、入力側インナーリード３４と入力端子３６と出力側インナーリード３８（以下リード部と称す）とが配線パターンからの露出部となっているが、これら露出部が第１メッキ浴槽４６におけるメッキ液６０に浸されると、その表面に置換作用が生じ、リード部から銅が溶け出すとともに、当該リード部の表面に錫が析出されメッキ層を形成することができる。なお前述の通りメッキ液６０は低温側に設定されているので、析出量が小さくなり、置換反応は僅かである。このため第１メッキ浴槽４６にて形成されるメッキ層はあらかじめ設定されたメッキ層に対し非常に薄いものになる（２０秒の浸漬で０．１μｍ程度の膜厚が形成される）。
　【００３７】
　図３は、図２におけるＢＢ断面の要部拡大図である。同図に示すように入力側インナーリード３４は、長尺基板２２に形成された入力端子ホール３０から突出した形態であり、その根元は長尺基板２２に接着剤６２を介して貼り付けられた配線パターン３２となっている。ここで第１メッキ浴槽４６においては、入力端子３６の根元においても置換反応速度が抑制され、他の領域と同様の置換反応を得ることができ、入力端子３６に均一な厚みを有したメッキ層を形成することができる。すなわち第１メッキ浴槽４６においては、置換反応速度が低いので入力端子３６の根元においても置換反応が過剰になることがない。このため入力端子３６の根元にえぐれが発生するのを防止することができる。また同図においては、配線パターン３２の上方にソルダーレジスト６４が塗布されているが、この場合も同様で、前記ソルダーレジスト６４の端部（境目）においても、えぐれが発生せず他の領域と同様、均一なメッキ層を形成することができる。
　【００３８】
　そして第１メッキ浴槽４６において、露出部に均一なメッキ層を形成した後は、フィルムキャリアテープ２０を第２メッキ浴槽４８へと投入する。ここで第２メッキ浴槽４８は、前述の通り第１メッキ浴槽４６に対してメッキ液６０の温度が高く設定されているため、単位時間での析出量が大きい。このため第１メッキ浴槽４６側で形成されたメッキのピンホールを介して、同質のメッキが新たに析出し、メッキ層６６が形成されていく。なお当該メッキ層６６が形成されていく場合、既に下層には第１メッキ浴槽４６で形成されたメッキ層が存在するので、入力端子３６の根元あるいはソルダーレジスト６４の端部（境目）にえぐれが生じるのを防止することができる。そして搬送経路５４においてフィルムキャリアテープ２０が第２メッキ浴槽４８の後段部分に差し掛かると、メッキ層６６はあらかじめ設定した厚みに達し、第２メッキ浴槽４８より引き揚げられる（第２メッキ浴槽４８で形成されるメッキ層６６の厚みは０．５〜０．８μｍ程度であり、第２メッキ浴槽４８への浸漬時間は３〜４分程度である）。そしてこのような工程を経て製造されたフィルムキャリアテープ２０では、同図に示すように入力端子３６等に形成されるメッキ層６６は均一の厚みとなり、入力端子３６等において、配線抵抗値の増大あるいは断線等の障害が発生するのを防止することができる。
　【００３９】
　このようにフィルムキャリアテープ２０の搬送経路５４の途中にメッキ装置４４を設置すれば、前記フィルムキャリアテープ２０を搬送させるだけで連続してメッキ処理を行うことができ、処理の効率を向上させることができる。
　【００４０】
　なお本実施の形態においては、単一の容器５０を仕切板５２で区切り、第１メッキ浴槽４６と第２メッキ浴槽４８とを形成するようにしたが、この形態に限定されることもなく例えば、これらメッキ浴槽を別体とするとともに、これらメッキ浴槽を通過するように搬送経路を設定するようにしてもよい。
　【００４１】
　【発明の効果】
　以上説明したように請求項１に記載のフィルムキャリアテープの製造方法によれば、可撓性を有した基板上に配線パターンが形成されたフィルムキャリアテープの製造方法であって、前記フィルムキャリアテープを低温側のメッキ液に浸し置換反応にて前記配線パターンの露出部にメッキ層を形成した後、高温側のメッキ液に前記フィルムキャリアテープを浸し前記メッキ層の厚みを増加させることから、配線パターンの露出部にえぐれが生じることが無く、抵抗値の増加あるいは断線等の障害を防止することができる。
　【００４２】
　【００４３】
　そして請求項
５
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本実施の形態に係るメッキ装置を用いてフィルムキャリアテープを製造する手順を示した工程説明図である。
　【図２】
　メッキ装置に投入されるフィルムキャリアテープの形態を示す説明図である。
　【図３】
　図２におけるＢＢ断面の要部拡大図である。
　【図４】
　従来のフィルムキャリアテープの形態を示す説明図である。
　【図５】
　図４におけるＡＡ断面の要部拡大図である。
　【図６】
　フィルムキャリアテープ１に錫メッキを施すためのメッキ装置の構造説明図である。
　【符号の説明】
　　１　フィルムキャリアテープ
　　２　長尺基板
　　３　フィルムキャリア
　　４　打ち抜き領域
　　５　デバイスホール
　　６　入力端子ホール
　　７　配線パターン
　　８　入力端子
　　９　インナーリード
　１０　出力端子
　１１　メッキ装置
　１２　メッキ槽
　１３　従動側スプロケット
　１４　駆動側スプロケット
　１５　メッキ液
　１６　ソルダーレジスト
　１７　接着剤
　１８　えぐれ
　１９　メッキ層
　２０　フィルムキャリアテープ
　２２　長尺基板
　２４　フィルムキャリア
　２６　打ち抜き領域
　２８　デバイスホール
　３０　入力端子ホール
　３２　配線パターン
　３４　入力側インナーリード
　３６　入力端子
　３８　出力側インナーリード
　４０　配線パターン
　４２　出力端子
　４４　メッキ装置
　４６　第１メッキ浴槽
　４８　第２メッキ浴槽
　５０　容器
　５２　仕切板
　５４　搬送経路
　５６　駆動側スプロケット
　５８　従動側スプロケット
　６０　メッキ液
　６２　接着剤
　６４　ソルダーレジスト
　６６　メッキ層