Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月25日(2009.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高密度ポリエチレンからなる少なくとも１つの層とバリア材料から形成された少なくとも１つの内部層とを備える多層構造のプラスチックタンク（４）にある開口部を閉鎖する装置であって、
プラスチックプレート（１）であって、当該プラスチックプレートの外面で前記プラスチックタンク（４）の外部層を押し、前記開口部の周辺部を囲むように配置されたプラスチックプレートからなり、
前記プラスチックプレート（１）は、高密度ポリエチレンからなる少なくとも１つの層と、バリア材料から形成された内部層であって前記開口部の周辺部の領域において前記プラスチックタンク（４）の壁部に接合された内部層と、を有し、
前記プラスチックプレート（１）自体は、多層構造よりなり、
多層構造の外部層は、前記プラスチックタンク（４）に接合されており、前記プラスチックタンク（４）の外壁部を構成する外部層と相溶性の組成を持つ装置において、
前記プラスチックプレート（１）の外部層が前記プラスチックタンク（４）の外壁部を構成する層に接合される点において、前記プラスチックプレート（１）と前記プラスチックタンク（４）の壁部とは、重ね合わされており、
前記点において重ね合わせられた層数は、前記プラスチックプレート（１）の層数と前記プラスチックタンク（４）の壁部にある層数との和に等しく、
そのような方法で、前記プラスチックプレート（１）のバリア層は、前記プラスチックタンク（４）の壁部のバリア層と連続していないことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記プラスチックプレート（１）は、前記プラスチックタンク（４）の壁部を貫通していないことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記プラスチックタンク（４）と前記プラスチックプレート（１）とは、液体及びガスに対する不浸透性をもたらす同一の手段を有し、同一の多層構造で形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記プラスチックプレート（１）には、ダクト（２）が設けられており、かつ前記ダクト（２）が貫通していることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記ダクト（２）には、前記プラスチックプレート（１）を横断する封止が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
少なくとも１つの付属品は、前記プラスチックタンク（４）の内側において前記プラスチックプレート（１）に固定されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記付属品（２）は、オリフィスを介して前記プラスチックプレート（１）を貫通する蒸気排気ダクト（２）を有する液体／蒸気分離機であることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記プラスチックプレート（１）は、２つの完全構造を備える多層構造から形成されており、
前記２つの完全構造は、前記プラスチックタンク（４）の壁部における完全構造と同一であり、重ねられており、前記プラスチックタンク（４）の壁部と同一の２つの構造体を圧縮することによって生じることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記プラスチックタンク（４）の壁部は、前記開口部の近傍にある固定用の突起（１）を支持することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
高密度ポリエチレンからなる少なくとも１つの層とバリア材料から形成された少なくとも１つの内部層とを備える多層構造のプラスチックタンク（４）にある開口部を、プラスチックプレート（１）であって当該プラスチックプレートの周辺部で前記プラスチックタンク（４）の外部層を押すプラスチックプレートを用いて閉鎖する方法であって、
前記プラスチックプレート（１）は、前記開口部の周辺部に配置され、
前記プラスチックプレート（１）は、高密度ポリエチレンからなる少なくとも１つの層と、バリア材料から形成された少なくとも１つの内部層と、を備え、
前記プラスチックプレート（１）は、前記開口部の周辺部の領域において前記プラスチックタンク（４）の壁部に接合され、
前記プラスチックプレート（１）自体は、多層構造からなり、
前記多層構造の外部層は、前記プラスチックタンク（４）に接合されており、前記プラスチックタンク（４）の外部層を構成する層の外部層と相溶性の組成を持つ方法において、
前記プラスチックプレート（１）は、接合されており、
前記プラスチックプレート（１）の外部層が前記プラスチックタンク（４）の外壁部を構成する層に接合される点において、前記プラスチックプレート（１）と前記プラスチックタンク（４）の壁部とは、重ね合わされており、
前記点において重ね合わせられた層数は、前記プラスチックプレート（１）の層数と前記プラスチックタンク（４）の壁部にある層数との和に等しく、
そのような方法で、前記プラスチックプレート（１）のバリア層は、前記プラスチックタンク（４）の壁部のバリア層と連続していないことを特徴とする方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの付属品は、前記プラスチックタンク（４）の内側において前記プラスチックプレート（１）に接合することによって固定されていることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも１つの前記付属品（２）は、当該付属品（２）を支持する前記プラスチックプレート（１）を前記開口部の周辺部に接合することによって前記開口部を閉鎖する操作の前に、前記プラスチックプレート（１）に接合されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１つの前記付属品（２）は、前記プラスチックプレート（１）を当該付属品（２）に及び前記開口部の周辺部に同時に接合することによって前記プラスチックタンク（４）を閉鎖する前に、前記開口部に隣接する前記プラスチックタンク（４）の内壁に固定されていることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記プラスチックプレート（１）を接合する操作中において、前記開口部の領域にある前記プラスチックタンク（４）の壁部は、当該壁部に成形された突起（１）によって支持されていることを特徴とする請求項１０から１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記プラスチックタンクは、自動車用の燃料タンク（４）であることを特徴とする請求項１０から１４のいずれか１項に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年8月12日(2010.8.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１２】      流路が少なくとも部分的に前記収容手段（４２）内の少なくとも１つのフィラーブロックにより画定されている、請求項２〜１１のいずれか１項に記載の液体処理設備。【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】      有利な実施例の別の態様では、スパイラルセパレータは既存の、非円形断面のタンク内に設置できる。この既存のタンクはどのような平面形状を有していてもよく、円形断面の流路を得るための内部のフィラーブロックを有することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年10月6日(2010.10.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】  マイクロ波発生器（１０）と、
前記マイクロ波発生器（１０）に結合され、基本モード（Ｈ10）または横電気モード（ＴＥ10）で作動するようにマッチングされ、定在波条件を保証する手段と組み合わされた方形導波管（１１０）と、
マイクロ波発生器（１０）に対し、電力分割をするように電磁界成分のうちの１つの成分の最大振幅領域内にて導波管（１１０）内に設置された複数の電力出力ポート（１１６）とを備え、方形導波管（１１０）によって形成された電力分割器の入力端に戻される正規化アドミッタンスの和が１単位となるように、前記電力出力ポート（１１６）が調整されており、
出力ポート（１１６）に電力を反射して戻すことなく、出力ポート（１１６）からソース（４００）までの電力伝達を保証するアイソレータ手段（２００）、および
アイソレータ手段（２００）と関連するソース（４００）との間において、アイソレータ手段（２００）の下流側に位置する、各ソース（４００）のインピーダンスをマッチングするための装置（３００）により、
導波管（１１０）の出力ポート（１１６）にそれぞれ結合された複数のソース（４００）とを備える、マイクロ波システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１６】  マイクロ波を等しくＮ通りに分割するように、同一の正規化コンダクタンスのＮ個のアンテナ（１１６）を設け、導波管の入力端に戻される各コンダクタンスを、ｇ＝１／Ｎに等しくなるようにしたことを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載のシステム。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
この目的は、マイクロ波発生器と、 前記マイクロ波発生器に結合され、基本モード（Ｈ10）または横電気モード（ＴＥ10）で作動するようにマッチングされ、定在波条件を保証する手段と組み合わされた方形導波管と、 マイクロ波発生器に対し、電力分割をするように電磁界成分のうちの１つの成分の最大振幅領域内にて導波管内に設置された複数の電力出力ポートとを備え、方形導波管によって形成された電力分割器の入力端に戻される正規化アドミッタンスの和が１単位となるように、前記電力出力ポートが調整されており、 出力ポートに電力を反射して戻すことなく、出力ポートからソースまでの電力伝達を保証するアイソレータ手段および アイソレータ手段と関連するソースとの間において、アイソレータ手段の下流側に位置する、各ソースのインピーダンスをマッチングするための装置により、 導波管の出力ポートにそれぞれ結合された複数のソースとを備える、本発明のシステムにより達成される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
電力分割装置１００の入力端で生じる全インピーダンスが、導波管１１０の特性インピーダンス（一体的な正規化インピーダンス）に等しくなることを保証するには、分割器１００の入力端に戻されるすべてのアンテナ１１６の正規化アドミッタンス（電気結合の場合）の和を１単位（ユニタリー）とする必要がある。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
一例として、電気結合を使ってマイクロ波電力を等しくＮ通りに分割するケースでは、導波管の入力端に戻されるアンテナ１１の（特性インピーダンスに対する）正規化コンダクタンス（インピーダンスの実数部分）は、次の式で示される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
この結果、アンテナ１１６またはアンテナのグループは、λg／２ごとに、すなわち８７.２ｍｍごとに、導波管１１０に沿って位置する。
Ｎ＝２４で分割するためのアンテナ１１の正規化コンダクタンスｇ（式２）は、次の関係を必要とする。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
実験で決定される長さＬのアンテナ１１６の正規化インピーダンスｇ0が、図１に示されている。式（６）によって示されるインピーダンス値に対応するアンテナの長さは、ほぼ次のとおりである（図１）。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
例えば、変形例として、導波管の長辺の軸線に対して対称的でない配置のアンテナを提供することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】
導波管内のこのアンテナの長さを関数とする導波管の入力端に戻されるアンテナの正規化コンダクタンスの変化を示す。
【図２】
導波管上の出力ポートまたはアンテナの別の形態を示す横断面図である。
【図３】
導波管上の出力ポートまたはアンテナの別の形態を示す横断面図である。
【図４】
本発明に係わる装置の全体の略図を示す。
【図５】
本発明の好ましい実施例に対応する斜視図である。
【符号の説明】
１０−−マイクロ波発生器
１００−−電力分割器
１１０−−導波管
１１２−−長辺
１１６−−アンテナ
１３０−−反射平面
２１２−−マッチングされた負荷
２１０−−サーキュレータ
３００−−インピーダンス装置
４００−−プラズマソース
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月2日(2009.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記構造
【化１】
2003509401.tif 000001
を有する化合物又はその立体異性体もしくは塩。
【請求項２】
請求項１に記載の化合物を含んでなる薬剤。
【請求項３】
心臓血管障害の処置用の薬剤の製造のための請求項１に記載の化合物の使用。
【請求項４】
狭心症、虚血及び心不全の処置用の薬剤の製造のための請求項１に記載の化合物の使用。
【請求項５】
高血圧、血栓塞栓障害、動脈硬化及び静脈障害の処置用の薬剤の製造のための請求項１に記載の化合物の使用。
【請求項６】
線維障害の処置用の薬剤の製造のための請求項１に記載の化合物の使用。
【請求項７】
線維障害が肝線維症であることを特徴とする請求項６に記載の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年4月30日(2010.4.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光酸発生剤と、式
［Ａ］ｘ［Ｂ］ｙ［Ｃ］ｚ
（式中、Ａ、ＢおよびＣはそれぞれ個別に
【化１】
2007526496.tif 000001
の１つであり、Ａ、ＢおよびＣはそれぞれ異なり、
式中、ｘ、ｙおよびｚがそれぞれ個別に５〜９０である）を含むポリマー樹脂を含むフォトレジスト組成物であって、
該ポリマーが式：
【化２】
2007526496.tif 000002
（Ｒ１は、付加断片化反応においてそのフリーラジカル形として放出可能ないずれかの基であり；
Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロ原子含有ヒドロカルビル、および置換ヘテロ原子含有ヒドロカルビル、ならびにその組合せから成る群より選択され、場合によりＲ２およびＲ３は共に二重結合、場合により置換されたアルケニル部分を形成し；
Ｒ４は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロ原子含有ヒドロカルビル、および置換ヘテロ原子含有ヒドロカルビル、ならびにその組合せから成る群より選択され；そして場合によりＲ４はＲ２および／またはＲ３と結合して環構造を形成し、該環が３〜５０個の非水素原子を有し；
Ｄは硫黄、セレン、またはテルルのいずれかである）
を有する連鎖移動剤（ＣＴＡ）の存在下でリビングフリーラジカル工程（ＬＦＲＰ）によって調製される、
フォトレジスト組成物。
【請求項２】
前記ポリマーの多分散性指数が１．７未満である、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３】
前記ポリマーの多分散性指数が１．２〜１．４である、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４】
前記ポリマーのＭｗが３，０００〜２０，０００である、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５】
前記ポリマーのＭｗが３，０００〜１０，０００である、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項６】
Ａ、ＢおよびＣはそれぞれ個別に
【化３】
2007526496.tif 000003
の１つである；
請求項１〜５のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項７】
Ａ、ＢおよびＣはそれぞれ個別に
【化４】
2007526496.tif 000004
の１つである；
請求項１〜５のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項８】
前記式が
【化５】
2007526496.tif 000005
である、請求項７に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項９】
前記ポリマーのＭｗが３，０００〜１０，０００である、請求項８に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１０】
前記ポリマーの多分散性指数が１．３である、請求項８に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１１】
Ａ、ＢおよびＣはそれぞれ個別に
【化６】
2007526496.tif 000006
の１つである；
請求項１〜５のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１２】
前記式が
【化７】
2007526496.tif 000007
である、請求項１１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１３】
前記ポリマーのＭｗが３，０００〜１２，０００である、請求項１２に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１４】
前記ポリマーの多分散性指数が１．１〜１．２である、請求項１２に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１５】
Ａ、ＢおよびＣはそれぞれ個別に
【化８】
2007526496.tif 000008
の１つである；
請求項１〜５のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１６】
前記式が
【化９】
2007526496.tif 000009
である、請求項１５に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１７】
前記ポリマーのＭｗが３，０００〜１２，０００である、請求項１６に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１８】
前記ポリマーの多分散性指数が１．１〜１．２である、請求項１６に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１９】
前記ポリマーの末端位置がチオカルボニルチオ部分を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項２０】
前記ポリマーの末端位置が式
【化１０】
2007526496.tif 000010
（式中、Ｒ’はＣＮまたはＣＯＯＭｅである）を有する終端基を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３３】
2007526496.tif 000011
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１５８】
【化５０】
2007526496.tif 000012
式中、Ｒ１３は水素原子、ヒドロキシル基、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖または分岐アルキル基、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖または分岐アルコキシル基、あるいは２〜１１個の炭素原子を有する直鎖または分岐アルコキシカルボニル基を示し、Ｒ１４は水素原子または１〜１０個の炭素原子を有する直鎖または分岐アルキル基を示し、ｐは０〜３の整数であり、Ｒ１５はそれぞれ個別に、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖または分岐アルキル基、１個以上の置換基を有するフェニル基またはナフチル基を示し、あるいは２個のＲ１５基が共に、２〜１０個の炭素原子を有する置換または非置換２価基を形成し、ｑは０〜２の整数であり、Ｚ−は、たとえばＣａＦ２ａ＋１ＳＯ３−を有するアニオンを示し、ここでａは１〜１０の整数である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１７６】
式（５）においてＺ−によって示されるＣａＦ２ａ＋１ＳＯ３−内のＣａＦ２ａ＋１基は、直鎖または分岐のどちらかである、数「ａ」の炭素原子を有するペルフルオロアルキル基である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２０５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２０５】
界面活性剤は、適用性、ストリエーション、現像性などを改善することが多い。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
ＳｙｓＥｘメッセージは、電子楽器１のガイドランプ８の光を制御するために使用され得る。Ｙａｍａｈａ'ｓ  Ｃｌａｖｉｎｏｖａ型のピアノは、ガイドランプの光を制御する次のＳｙｓＥｘメッセージを有する：（１）Ｋｅｙ  ＬＥＤ  Ｍｏｄｅ  ＯＦＦおよび音符あり（即ち「発音あり」）、（２）Ｋｅｙ  ＬＥＤ  Ｍｏｄｅ  ＯＮで、音符なし（即ち「非発音」）、または（３）Ｋｅｙ  ＬＥＤ  Ｍｏｄｅ  ＯＮで、音符あり（即ち「発音あり」）。このメッセージがＫｅｙ  ＬＥＤ  Ｍｏｄｅ  ＯＦＦで音符あり（即ち「発音あり」）の場合、ガイドランプ８のＬＥＤは発光しないが、外部ソースからのキーオンイベントデータ（ｋｅｙ−ｏｎ  ｅｖｅｎｔ  ｄａｔａ）は、電子楽器１に、そのキーオンイベントデータに対応する音を生成するように命令する。このメッセージがＫｅｙ  ＬＥＤ  Ｍｏｄｅ  Ｏｎで、音符なし（即ち「非発音」）の場合、ＬＥＤは発光する。外部装置からのキーオンイベントデータは、対応するＬＥＤが発光するようにトリガするが、このデータは、電子楽器１に音を生成するように命令しない。このメッセージがＫｅｙ  ＬＥＤ  Ｍｏｄｅ  Ｏｎで音符あり（即ち「発音あり」）の場合には、ガイドランプ８のＬＥＤは発光し、電子楽器１は、音を生成するように外部装置によって命令される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
図示されるＭＩＤＩデイジーチェインネットワークでは、電子楽器２０は、他の全ての電子楽器２１、２２、２３、および２４を制御する。例えば、電子楽器２０上で押されたキーは、他の全ての電子楽器２１、２２、２３および２４に、その押されたキーに対応する音を鳴らせる。電子楽器２０から他の電子楽器２１、２２、２３および２４へのＭＩＤＩデータの流れは、図２中のＭＩＤＩケーブル２５、２６、２７および２８の付近の矢印で示される。他の電子楽器２１、２２、２３および２４の任意のキーを押すことによっては、単にキーが押された当該電子楽器において音が生成されるだけであり、それは、その機器から元々発せられたデータではなく、その機器を通過して来たデータのみがそのＭＩＤＩケーブル２５、２６、２７および２８の出力となるからである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
インストラクターがキーを押すことによって、ランプ制御データが生成され、このデータは、各生徒の電子楽器のガイドランプ８をリアルタイムで光らせる。これは、予備のＳｙｓＥｘメッセージを介して達成される。具体的には、指導の前に、ファシリテイターディスクが、インストラクターの電子楽器の記憶装置７に挿入される。このディスクは、予備ＳｙｓＥｘメッセージのＭＩＤＩファイルを含む。このメッセージのデータが「Ｋｅｙ  ＬＥＤ  Ｍｏｄｅ  ＯＮで、音符なし（即ち「非発音」）」の場合に、押されたキー２９に対応する各生徒の電子楽器の２１、２２、２３および２４のＬＥＤ（単数または複数）が光る。このことは、各生徒の電子楽器のキーボードおよびパネルの部分詳細図によって図２中に図示される。インストラクターの電子楽器２０の押されたキー２９に対応するガイドランプ３０、３１、３２、および３３は光る（暗いガイドランプとして示される）。このガイドランプはインストラクターがキー２９を放すまで光り続ける。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年9月30日(2010.9.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流動可能物質用容器であって、
一対の対向する側壁であって、該一対の対向する側壁はそれらの間にチャンバを規定し、該対向する側壁の界面部分が、剥離シールに沿って一緒にシールされて、少なくとも２つの別々の小チャンバを規定し、該剥離シールが長さを有し、該剥離シールがその長さの少なくとも一部に沿って鋸歯状部分を有する、一対の対向する側壁；および
導管であって、該チャンバの中に延びる部分を有し、流体入口を有する、導管、
を備え、該流体入口が該剥離シールの一部分によって閉じられる、容器。
【請求項２】
前記剥離シールが、該剥離シールに付与された流体の圧力に応答して、閉じた位置から開いた位置へ移動可能である、請求項１に記載の容器。
【請求項３】
前記剥離シールが、第１の剥離シール活性化力を有する、前記入口に近接した第１の部分、および第２の剥離シール活性化力を有する、該入口から遠位の第２の部分を有し、該第２の剥離シール活性化力が、該第１の剥離シール活性化力よりも小さい、請求項２に記載の容器。
【請求項４】
前記導管が、断面の形状がほぼ円形であり、前記剥離シールに平行な方向に延びる軸を有する、請求項１に記載の容器。
【請求項５】
前記導管が、断面の形状がほぼ円形であり、前記剥離シールを横断して角度を規定する方向に延びる軸を有する、請求項１に記載の容器。
【請求項６】
前記角度が、鈍角、鋭角、およびほぼ直角からなる群より選択される、請求項５に記載の容器。
【請求項７】
前記側壁が、前記容器の周縁付近で永久シールに沿って一緒に連結されており、前記剥離シールが該周縁上の２点間で延びる、請求項１に記載の容器。
【請求項８】
前記剥離シールが第１のエッジおよび第２のエッジを有し、前記鋸歯状部分が、該第１のエッジと該第２のエッジとのうちの少なくとも一方に位置している、請求項１に記載の容器。
【請求項９】
前記鋸歯状部分が、内側点、外側点、該内側点と該外側点とを連結する角度のついた脚、および該外側点と該内側点との間の深さを備える、請求項１に記載の容器。
【請求項１０】
前記容器の第１の側壁および第２の側壁が、前記内側点で角度のついた接合部を形成する、請求項１に記載の容器。
【請求項１１】
二重チャンバ容器の小チャンバ中に別々に保存された２つの成分を混合する方法であって、
流体容器を提供する工程であって、該流体容器は、第１のチャンバ、第２のチャンバ、該第１のチャンバを該第２のチャンバから分割する剥離シール、および該チャンバの内側に配置された流体入口を有する流体アクセスデバイスを備え、該流体入口は、該剥離シールの第１の部分によりシールされて閉じられており、そして該剥離シールは、鋸歯状部分を有する、工程；
該剥離シールの第２の部分を活性化して、該第１の部分を活性化することなく該第１のチャンバと該第２のチャンバとの間の流体通路を提供する工程；ならびに
該剥離シールの第１の部分を活性化して、該流体入口を開く工程、
を包含する、方法。
【請求項１２】
前記鋸歯状部分が、ホタテ貝形状のシールエッジおよび台形形状のシールエッジからなる群より選択されるエッジ形状を有する、請求項１に記載の容器。
【請求項１３】
前記剥離シールが、前記対向する側壁の粘着性剥離を可能にする、請求項１に記載の容器。
【請求項１４】
前記対向する側壁が、剥離シールおよび永久シールを形成し得る、請求項１に記載の容器。
【請求項１５】
前記対向する側壁が、マトリクス−相ポリマー系を含む、請求項１に記載の容器。
【請求項１６】
前記マトリクスポリマーが、ポリエチレンホモポリマー、エチレンαオレフィンコポリマー、ポリエチレンコポリマー、ポリプロピレンホモポリマー、またはポリプロピレンコポリマーであり、前記相ポリマーが、スチレンと炭化水素とのランダムコポリマー、スチレンと炭化水素とのブロックコポリマー、またはエチレンα−オレフィンコポリマーである、請求項１５に記載の容器。
【請求項１７】
前記対向する側壁が、均一相のポリプロピレンを含む、請求項１に記載の容器。
【請求項１８】
前記剥離シールが、３〜３０Ｎ／１５ｍｍの範囲の力で活性化され得る、請求項１に記載の容器。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年7月28日(2010.7.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オルガノポリシロキサン及びヒドロゲンシロキサンをベースとした液体シリコーンゴム組成物であって、
前記オルガノポリシロキサンは、一般式（Ｉ）
（Ｒ1）a（Ｒ2）bＳｉＯ(4-a-b)/2        （Ｉ）
［式中、
Ｒ1は、１〜８個の炭素原子を有する一価の脂肪族基を表し、
Ｒ2は、２〜８個の炭素原子を有するアルケニル基を表し、
ａは０、１、２又は３であり、
ｂは０、１又は２であり、
かつａ＋ｂの合計は０、１、２又は３であるが、
但し、１分子当たり平均して少なくとも２個のＲ2基が存在するものとする］の単位からなるシロキサンからなり、
前記ヒドロゲンシロキサンは、一般式（ＩＩ）
（Ｒ1）c（Ｈ）dＳｉＯ(4c-d)/2    （ＩＩ）
［式中、
Ｒ1は、１〜８個の炭素原子を有する一価の脂肪族基を表し、
ｃは０、１、２又は３であり、
ｄは０、１又は２であり、
ｃ＋ｄの合計は０、１、２又は３であり、
但し、１分子当たり平均して少なくとも２個のＳｉ結合水素原子が存在するものとする］の単位からなるシロキサンであり、
前記液体シリコーンゴム組成物は、
シラン化された構造変性された疎水性熱分解シリカを充填剤として含有し、
前記シリカは、ボールミル内で構造変性されたものであるか、又は、ボールミル内で構造変性されかつ引き続く後粉砕が施されたものであり、次の物理化学的特性：
ＢＥＴ表面積  ｍ2／ｇ：                                ２５〜４００
平均一次粒子サイズ  ｎｍ：                                ５〜５０
ｐＨ値：                                                  ３〜１０
炭素含有率  ％：                                      ０．１〜１０
ＤＢＰ値  ％：                                        ＜２００又は測定不可能
を有する、ことを特徴とする、液体シリコーンゴム組成物。
【請求項２】
充填剤が火炎酸化又は火炎加水分解により熱分解的に製造された酸化物であり、前記酸化物は１０〜１０００ｍ2／ｇであり、疎水化されかつ構造変性されていることを特徴とする、請求項１記載の液体シリコーンゴム組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
このように製造されたシリカの構造変性は、次いで機械的作用により行うことができる。この構造変性に引き続いて、後粉砕を行うことも可能である。他のコンディショニングは、場合により構造変性及び／又は後粉砕の後に行うことができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
シリコーンゴムは、オルガノポリシロキサン及びヒドロゲンシロキサンの双方とも解釈することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年5月27日(2010.5.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
ヒアルロン酸のカルボキシル基をエステル化するために使用される脂肪族系のアルコールは、２乃至は１２の炭素を有する直鎖状又は分枝状の飽和又は不飽和アルコールから選択され、水酸化物、アミン、アルデヒド、メルカプタン、若しくはカルボキシル基、又は、これらから誘導される、例えば、エステル、エーテル、アセタール、ケタール、チオエーテル、チオエステル、カルバミドのような基から選択される１又は２以上の基により適宜置換されている。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
アルコールがカルボキシアルコールの場合、乳酸，酒石酸，マレイン酸及びグリコール酸から選択されるのが好ましい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
ヒアルロン酸のカルボキシル基をエステル化するために使用されるアリール脂肪族系のアルコールは、適宜１乃至は３個のメチル基若しくはヒドロキシル基、又はハロゲン原子、特に、フッ素、塩素、ホウ素、ヨウ素により置換されたベンゼンを有し、脂肪族鎖が、１乃至は４個の炭素原子を有すると共に、適宜第１アミン基、モノメチル化又はジメチル化された基、又は、ピロリジン若しくはピペリジン基から選択される１又は２以上の基によって置換されたものから選択されるのが好ましい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
ヒアルロン酸のカルボキシル基をエステル化するために使用される環状脂肪族系のアルコールは、３乃至は３４の炭素原子を有し、適宜１乃至は３のＯ、Ｓ、Ｎから選択されるヘテロ原子を有すると共に、適宜脂肪族系のアルコールのために挙げられたものから選択される１又は２以上の基により置換された単環又は多環状脂肪族から選択されるのが好ましい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年2月4日(2010.2.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明は、かかる問題点を解決するために成されたもので、その目的とするところは、深い小孔に位置し且つ電圧の作用しているねじを強い力によって干渉なしに緩めたり締めたりすることができると共に、ドライバービットの先端部が磁力を帯びることができるように磁性体を与え、その磁力で前記孔からねじを安全且つ容易に取り出し或いはさらに挿入して正確な位置にセットすることができるようにした、絶縁化した磁化スクリュードライバーを提供することにある。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
また、永久磁石が絶縁体の凹部に挿入されたまま前記孔に覆設されるので、外部に露出しないため、電流の流れるねじを緩めたり締めたりする途中、永久磁石との接触による予想できない感電事故を予防することができるとともに、永久磁石を外力から保護することができるという利点がある。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
一方、前記ドライバービット１０には、電圧の作用しているねじを緩めたり締めたりする場合、必要に応じて、ユーザがドライバービット１０を握りしめることができるよう、周溝１２を覆う厚さ０．１〜７ｍｍ（電圧の大きさによって決定される）の絶縁体３０が設けられる。
ここで、前記絶縁体３０は、外観上、ドライバービット１０の外周面と面一になるように設けられる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
すなわち、前記絶縁体３０は、ドライバービット１０の先端部１１と対向する一端に凹部３１が設けられ、前記周溝１２を形成した中央部を覆う永久磁石４０は、凹部３１に全体が完全に挿入されたまま設置される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
ここで、前記永久磁石４０は、絶縁体３０の内部でドライバービット１０が回転し得るように円形にするとともに、凹部３１との間に微細な隙間（約０．１ｍｍ）が設けられる大きさを有する。
一方、前記絶縁体３０は、ドライバービット１０の外周に不要な段差が付かないように周溝１２を形成した中央部を完全に覆う。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
このような第２実施例は、永久磁石４０が凹部３１に挿入されたまま設置されるが、外部に露出しなくなる。このため、電流の流れるねじを緩めたり締めたりする途中、絶縁体３０を握りしめた手が永久磁石４０に当接して被る感電事故、および外力による永久磁石の損傷を防止することができる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
（産業上の利用可能性）
上述した構成を有する本発明は、ドライバービットの周溝を形成した中央部に絶縁体がドライバービットと面一になるように覆設されるので、深い小孔に位置し且つ電圧の充電されているねじを、前記小孔との干渉なしに、強い力で不便なく緩めたり締めたりすることができるのは勿論のこと、前記周溝を形成した中央部に、ドライバービットから突出しないように覆設されて、ドライバービットの先端部を磁化させる永久磁石によって、先端部にねじを引っ付けることができて、締結の解除されたねじを、前記孔から感電事故の恐れなく、容易に取り出すことができるという利点がある。
また、逆の場合、すなわち前記ねじを締結するために前記小孔にさらにドライバービットを挿入する場合にも、感電事故の恐れなく、正確な位置に容易にセットすることができる。
また、永久磁石が絶縁体の凹部に挿入されたまま前記孔に覆設されるので、外部に露出しないため、電流の流れるねじを緩めたり締めたりする途中、永久磁石との接触による予想できない感電事故を予防することができるとともに、永久磁石を外力から保護することができるという利点がある。
また、取っ手の結合孔に金属リングが設置されるが、永久磁石の磁力でドライバービットと取っ手を着脱可能に結合させることができるので、両者間の結合および分離を簡便に行うことができるという利点がある。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
１０・・・ドライバービット
１１・・・ビット先端部
１２・・・周溝
２０・・・取っ手
２１・・・結合孔
２２・・・金属リング
３０・・・絶縁体
３１・・・凹部
４０・・・永久磁石
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年12月14日(2009.12.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの純粋なマグネサイト成分と、ＣａＯを含む少なくとも一つの成分とを備え、
それらの粒子サイズが８ｍｍより小さく、以下の酸化物成分比：
ａ）５０〜９０重量パーセントのＭｇＯ、
ｂ）８〜４０重量パーセントのＣａＯ、
ｃ）１〜８重量パーセントのＦｅ２Ｏ３、
ｄ）１重量パーセントより小さいＳｉＯ２を含む、最大１０重量パーセントの他の酸化物、
を有し、
組成物中のＣａＯ含有成分の平均粒子サイズ（ｄ５０）が、組成物中の９０重量パーセントより大きい純度のＭｇＯ含有成分の平均粒子サイズ（ｄ５０）よりも大きく、
ａ）〜ｄ）の全体の和が１００重量パーセントとなり、
焼成後に、１４００〜１７００℃の温度で、ドイツ工業標準規格のＥＮ９９３−８（１９９７）による試験値Ｔ０．５を示し、ジカルシウムフェライトを含有する、焼成セラミック成形体。
【請求項２】
見かけの密度が３ｇ／ｃｍ３より大きい、請求項１に記載の成形体。
【請求項３】
開放空隙率が１４容量パーセントより小さい、請求項１に記載の成形体。
【請求項４】
成形体を構成するＦｅ２Ｏ３に、組成物の用途に従って、
少なくとも一つの純粋なマグネサイト成分と、ＣａＯを含む少なくとも一つの成分とを備え、
それらの粒子サイズが８ｍｍより小さく、以下の酸化物成分比：
ａ）５０〜９０重量パーセントのＭｇＯ、
ｂ）８〜４０重量パーセントのＣａＯ、
ｃ）１〜８重量パーセントのＦｅ２Ｏ３、
ｄ）１重量パーセントより小さいＳｉＯ２を含む、最大１０重量パーセントの他の酸化物、
を有し、
組成物中のＣａＯ含有成分の平均粒子サイズ（ｄ５０）が、組成物中の９０重量パーセントより大きい純度のＭｇＯ含有成分の平均粒子サイズ（ｄ５０）よりも大きく、
ａ）〜ｄ）の全体の和が１００重量パーセントとなり、
１４００℃より高い温度で焼成後に、ジ・カルシウムフェライト（ｄｉｃａｌｃｉｕｍｆｅｒｒｉｔｅ）を二次相として形成し、
１４００〜１７００℃の間の温度で、ドイツ工業標準規格のＥＮ９９３−８（１９９７）による試験値Ｔ０．５を示す、焼成セラミックの製造方法。
【請求項５】
組成物中の少なくともＣａＯ含有成分は、２ｍｍより大きい粒子サイズを有している、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
組成物中のＦｅ２Ｏ３の含有量が、１．５重量パーセントより大きい、請求項４に記載の製造方法。
【請求項７】
組成物中のＦｅ２Ｏ３の含有量が、２重量パーセントより大きい、請求項４に記載の製造方法。
【請求項８】
組成物中のＭｇＯ−ＣａＯの溶融粒子成分を、ある割合で有する、請求項４に記載の製造方法。
【請求項９】
組成物中の酸化物解析は、ＭｎＯ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２の酸化物の少なくとも一つを示す、請求項４に記載の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
特に純粋なマグネサイトのこのようなタイプは、優れた摩耗抵抗を示すが、しかし頻繁に、例えば、ステンレス鋼の製造の工程において典型的となるように、冶金スラグに対して、不十分な溶浸の挙動を示す。このような工程はＡＯＤ（ａｒｇｏｎ−ｏｘｙｇｅｎ  ｄｅｃａｒｂ  ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ：アルゴン酸素脱炭工程）やＶＯＤ（ｖａｃｕｕｍ−ｏｘｙｇｅｎ  ｄｅｃａｒｂｕｒｉｓａｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ：真空酸素脱炭工程）として知られている。その分離の挙動も、また不十分である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
これらの純粋なマグネサイトのタイプではないが、焼成（炭素で固められたものも含む）レンガは、その焼成の形体中に少なくとも相当な比率のドロマイト［ＣａＭｇ（ＣＯ３）２］を含むことを知られている。堆積物に依存して、ドロマイトのＭｇＯやＣａＯの含有量は変化する。大きさのオーダーの点から見ると、６０重量パーセントのＣａＯと４０重量パーセントのＭｇＯに達する。カルシウム化合物の形体でのＳｉＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＭｎＯ（３重量パーセントより小さい）は、２次成分として現れる。Ｒｏｕｔｓｃｈｋａ“Ｆｅｕｅｒｆｅｓｔｅ  Ｗｅｒｋｓｔｏｆｆｅ”（耐熱材料）、ＩＳＢＮ３−８０２７−３１４４−１＞、４．２．６．１節は、０．５〜１．５重量パーセントの典型的なＳｉＯ２の含有量、０．５〜１．０重量パーセントの典型的なＦｅ２Ｏ３の含有量、そして、０．２〜０．８重量パーセントの典型的なＡｌ２Ｏ３の含有量、を示す。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本質的な側面は、カルシウム酸化物は、マグネサイト主要成分の独立成分として追加されることである。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
この発明は、良好な摩耗及び溶浸抵抗（純粋なマグネサイトの成形体の場合のように）及び溶浸抵抗の性質に先立つことなしに、自身を脱離するためのこれらの傾向に関する独国特許出願公開第１００  １０  ９１８号明細書から既知の成形体を改良するという課題に基づく。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
Ｆｅ２Ｏ３成分を調整し得る一つの方法は、例えば、酸化鉄中のドロマイトに富むものを使用することからなる。このようにして、ある割合のＭｇＯは、その組成物に同時に導入される。さらなる割合のＭｇＯは、例えば、溶融マグネシアまたは焼結マグネシアといった純粋なマグネサイト成分によって、提供される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
ＭｇＯ含有成分は、純粋なマグネサイト成分として導入される場合、９０重量パーセント、特に、９５重量パーセントより大きい純度を有するべきである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年5月12日(2010.5.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
上述したように、図１のアーキテクチャーは、論理構造を示したものとして理解されなければならない。従って、制御部１３１と処理部１３２は、物理的に分離されていてもよいし、あるいは一体化されていてもよい。特に、移動通信ネットワーク内の異なる位置に配置されている複数の処理部１３２を、単一の制御部１３１に関連づけるようにしてもよい。制御部１３１と処理部１３２との間の通信は、たとえば、ＩＴＵ−Ｔの勧告Ｈ．２４８などに準拠した適宜の通信方式にしたがって実行できる。
制御部と処理部とを使用するケースでは、本発明は次のような利点を提供することができる。つまり、制御部１３１はクライアント（宛先）の分布に基づいて処理部１３２を選択できる。たとえば、制御部１３１は、宛先に対してできるだけ近い位置においてマルチキャストコンテンツの複製が実行されるよう、適切な１つまたは複数の処理部を選択できる。一般的に言って、制御部１３１は、、リソースの負荷を軽減するために、宛先の分布に基づいて、マルチキャストコンテンツの複製を最適化することができる。たとえば、実行される複製の回数を必要最小限の回数に削減すればよい。必要最小限の回数は、一方では宛先の分布によって決定され、他方では（動的な）ネットワークの状態および（静的な）ネットワークのアーキテクチャによって決定される。処理部の選択処理は、必要とされるリソースや利用可能なリソースに基づいて実行されたり、または、負荷分散メカニズムが適用されてもよい。また、処理コスト法がこれの代わりに選択基準として使用されてもよいし、追加の選択基準として使用されてもよい。
制御部と処理部とを使用するケースでは、クライアント（宛先）が制御部１３１に登録されてもよい。制御部１３１は、最適な処理部１３２を選択し、登録しているクライアントについての情報をこの処理部１３２へ転送してもよい。クライアントが直接的に処理部１３２に登録をおこなう場合、処理部１３２は、登録されているクライアントについての情報を制御部１３１へ供給することになり、これは変更、分析、統計処理などの目的で使用されよう。制御部１３１と処理部１３２との間では専用且つ新規のマルチキャストプロトコルが使用されてもよいし、または、たとえば、Ｈ．２４８において追加のメッセージやパラメータが使用されてもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年1月29日(2010.1.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ
【化１】
2005527627.tif 000001
（式中、
Ｒ１は、アルキル、アルケニル、アルコキシアルキル、またはシクロアルキルアルキル基を表し；
Ｒ２は、水素、またはハロゲン原子を表し；
安息香酸を置換するメトキシ基は、カルボキシ基に対してオルトの位置にある）の化合物、およびその医薬的に許容される塩。
【請求項２】
安息香酸を置換するメトキシ基が、カルボキシ基に対してオルトの位置にあり、かつ分子のインドリルピペリジン部分と結合する炭素原子に対してパラの位置にある、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ１が、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、メトキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、シクロプロピルメチル、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、シクロプロピルエチル、アリル、２−プロペニル、２−プロポキシエチル、および３−メトキシプロピルから選択される、請求項１および２のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ１が、メトキシエチル、エトキシエチル、ブチル、シクロプロピルメチル、またはアリルである、請求項３に記載の化合物。
【請求項５】
Ｒ２が、水素、フッ素、または塩素である、請求項１から４のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ２が、水素またはフッ素である、請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
５−｛４−［１−（２−エトキシエチル）−１Ｈ−インドール−３−イル］ピペリジン−１−イルメチル｝−２−メトキシ安息香酸
２−メトキシ−５−｛４−［１−（２−メトキシエチル）−１Ｈ−インドール−３−イル］ピペリジン−１−イルメチル｝−安息香酸
５−［４−（１−ブチル−１Ｈ−インドール−３−イル）−ピペリジン−１−イルメチル］−２−メトキシ安息香酸
５−｛４−［１−（２−エトキシエチル）−６−フルオロ−１Ｈ−インドール−３−イル］ピペリジン−１−イルメチル｝−２−メトキシ安息香酸
５−｛４−［６−フルオロ−１−（２−メトキシエチル）−１Ｈ−インドール−３−イル］ピペリジン−１−イルメチル｝−２−メトキシ安息香酸
５−［４−（１−ブチル−６−フルオロ−１Ｈ−インドール−３−イル）−ピペリジン−１−イルメチル］−２−メトキシ安息香酸
の１つである、請求項１または２に記載の化合物。
【請求項８】
Ｈ１ヒスタミン受容体の拮抗作用により改善可能な病的状態または疾病の処置で使用するための、請求項１から７のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項９】
医薬的に許容される希釈剤または担体と混合された請求項１から７のいずれか１項で定義された化合物を含む、医薬組成物。
【請求項１０】
ヒスタミンＨ１受容体の拮抗作用により改善可能な病的状態または疾病の処置のための医薬の製造での、請求項１から７のいずれか１項で定義された化合物の使用。
【請求項１１】
病的状態または疾病が、気管支喘息、アレルギー性鼻炎、結膜炎、皮膚炎、蕁麻疹、または他のアレルギー疾病である、請求項１０に記載の使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
式ＩＶ（式中、Ｒ２は、上で定義されたものであり、そしてＸは、塩素または臭素原子、またはメタンスルホネート、ｐ−トルエンスルホネート、またはベンゼンスルホネート基の様な脱離基である）の反応性中間体を用いる、化合物ＩＩＩのアルキル化により、式Ｖ（式中、Ｒ１、およびＲ２は、上で定義されたものである）の化合物を得る。該反応は、好ましくは、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、またはエチルエーテルの様な不活性溶媒中、０℃から８０℃の温度で、水素化ナトリウムまたはナトリウムアミドの様な無機塩基の存在下で行われる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
表１の結果は、本発明の化合物が、オルト位置のメトキシ基を有さない構造上類似のインドリルピペリジンのＩＣ５０と同等であるかまたは若干高い、Ｈ１結合ＩＣ５０を有することを示す。これは、生体外でのヒスタミンＨ１受容体に対する同等な親和性を意味する。結果として、当該技術分野の技術者は、両種類のインドリルピペリジンが、生体内での同等な抗アレルギー効果を有すると予測したであろう。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月20日(2010.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワン−トランジスタ・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）セルであって、
第一のソース／ドレイン領域と、第二のソース／ドレイン領域と、前記第一のソース／ドレイン領域及び前記第二のソース／ドレイン領域の間に配置された本体領域と、前記本体領域上に配置されたゲートとを有するトランジスタを含み、
前記第一のソース／ドレイン領域が前記本体領域とのショットキーダイオード接合を含み、前記第二のソース／ドレイン領域が前記本体領域とのｎ−ｐダイオード接合と、同ｎ−ｐダイオード接合と直列に接続されたオーミックコンタクトと、を含み、
前記第一のソース／ドレイン領域は前記ゲートの下側に延びる第一のシリサイド層を含み、前記第二のソース／ドレイン領域は前記ゲートの下側に延びる第二のシリサイド層とゲートの下側に延びるソース／ドレイン延長領域とを含み、
前記第一のソース／ドレイン領域及び前記第二のソース／ドレイン領域の各々は深いソース／ドレイン領域を含み、かつ前記第一のソース／ドレイン領域はソース／ドレイン延長領域を備えておらず、
前記トランジスタがＮチャネルトランジスタとして特徴化される場合、多数キャリアは、前記第二のソース／ドレイン領域での電位よりも低い前記第一のソース／ドレイン領域での電位に応答して前記ＤＲＡＭセルの書き込み動作時にショットキーダイオード接合を介して前記本体領域から除去され、かつ
前記トランジスタがＰチャネルトランジスタとして特徴化される場合、多数キャリアは、前記第二のソース／ドレイン領域での電位よりも高い前記第一のソース／ドレイン領域での電位に応答して前記ＤＲＡＭセルの書き込み動作時にショットキーダイオード接合を介して前記本体領域から除去される、ＤＲＡＭセル。
【請求項２】
ワン・トランジスタ・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）セルであって、
第一のソース／ドレイン領域と、第二のソース／ドレイン領域と、前記第一のソース／ドレイン領域及び前記第二のソース／ドレイン領域の間に配置された本体領域と、前記本体領域上に配置されたゲートとを有するトランジスタを含み、
前記第一のソース／ドレイン領域が前記本体領域とのショットキーダイオード接合を含み、前記第二のソース／ドレイン領域が前記本体領域とのｎ−ｐダイオード接合を含み、
前記第一のソース／ドレイン領域は前記ゲートの下側に延びる第一のシリサイド層を含み、前記第二のソース／ドレイン領域は前記ゲートの下側に延びる第二のシリサイド層とゲートの下側に延びるソース／ドレイン延長領域とを含み、
前記第一のソース／ドレイン領域及び前記第二のソース／ドレイン領域の各々は深いソース／ドレイン領域を含み、かつ前記第一のソース／ドレイン領域はソース／ドレイン延長領域を備えていない、ＤＲＡＭセル。
【請求項３】
ワン−トランジスタ・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）セルを形成するための方法であって、
前記ＤＲＡＭメモリセルの本体領域上にゲートを形成する工程であって、同ＤＲＡＭメモリセルの本体は第一の導電性の型を有する半導体層から形成される、工程と、
前記本体領域に隣接する位置と、同位置と本体領域に対して相対向する側である位置とに、半導体層の第一のソース／ドレイン領域及び第二のソース／ドレイン領域を形成する工程とを含み、前記第一のソース／ドレイン領域は前記本体領域とのショットキーダイオード接合を含み、前記第二のソース／ドレイン領域は前記本体領域とのｎ−ｐダイオード接合を含む、方法。