【事件の表示】
　特願２０１７−　８７１３３「真空プロセス・チャンバの構成部品及び製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　９月２１日出願公開、特開２０１７−１６８８５２、請求項の数（１４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年（２０１１年）９月２７日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１０年９月２８日　米国，以下，「本願優先日」という。）を国際出願日とする特願２０１３−５３１７１５号の一部を平成２９年４月２６日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２９年１２月１９日付け　拒絶理由通知（最後）
平成３０年　４月　４日　　　意見書・手続補正
平成３０年　５月２９日付け　補正却下決定・拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成３０年１０月１６日　　　審判請求・手続補正
　
第２　原査定の概要
　原査定の理由の概要は以下のとおりである。
　この出願の請求項１−１５に係る発明は，本願優先日前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，本願優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
　１．特開２０１０−１９９１０７号公報
　２．特表２００６−５２２７２２号公報
　３．特開２００６−９０１２号公報
　
第３　審判請求時の補正について
　審判請求時の補正は，特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
　補正前の請求項１に記載された「第１の部分」及び「第２の部分」を，それぞれ「第１の熱膨張係数を有する第１の材料を有し，基板を受けるための受け面を有する第１の部分であって，前記受け面が，内側円形溝で終端する放射状の交差する溝によって形成される複数の隆起したメサを有する，第１の部分」及び「前記第１の熱膨張係数と異なる第２の熱膨張係数を有する第２の材料を有し，複数の孔を有する周辺レッジを有する第２の部分」とし，「前記はんだ接合部は，前記外側半径方向部分に形成されており，前記はんだ接合部と前記Ｏリングとの間には，間隙が設けられており，前記内側半径方向部分に，前記第１の部分及び前記第２の部分のうちの一方又は両方にはんだ濡れ薄層が設けられている」という限定を追加する補正は，出願当初明細書の段落【００２１】，【００２２】，【００２８】，【００３２】，【００３３】並びに図１及び図４の記載を根拠とするものであり，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。請求項７，１４についても，同様である。
　補正前の請求項１に記載された「前記外側部分」及び「前記内側部分」を，それぞれ「前記外側半径方向部分」及び「前記内側半径方向部分」とし，補正前の請求項７に記載された「前記箔」を「前記反応性箔」とする補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　補正前の請求項１４に「前記構成部品は，前記第２の部分を通って前記第１の部分に延びる少なくとも１つの電気的接続部を含み，前記少なくとも１つの電気的接続部は，前記少なくとも１つのＯリングによって囲まれており」という限定を追加し，さらに補正前の請求項１５に記載された発明特定事項を追加する補正は，出願当初明細書の段落【０００８】，【００３６】及び図１の記載を根拠とし，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　補正前の請求項１５を削除する補正は，請求項の削除を目的とするものである。
　また，下記第４から第６に示すとおり，補正後の請求項１ないし１４に記載された発明は独立特許要件を満たすものである。
　
第４　本願発明
　本願の請求項１ないし１４に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１４」という。）は，審判請求時の補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりである。
「【請求項１】
　真空プロセス・チャンバ内で用いるための構成部品であって，
　第１の熱膨張係数を有する第１の材料を有し，基板を受けるための受け面を有する第１の部分であって，前記受け面が，内側円形溝で終端する放射状の交差する溝によって形成される複数の隆起したメサを有する，第１の部分と，
　前記第１の熱膨張係数と異なる第２の熱膨張係数を有する第２の材料を有し，複数の孔を有する周辺レッジを有する第２の部分と，
　前記第１の部分と前記第２の部分との間で圧縮され，前記構成部品の外側半径方向部分及び内側半径方向部分を定める，少なくとも１つのＯリングと，
　前記第１の部分を前記第２の部分に接合して前記第１の部分と前記第２の部分との間に気密シールをもたらし，その結果，前記外側半径方向部分及び前記内側半径方向部分のうちの一方が真空下にあり，前記外側半径方向部分及び前記内側半径方向部分のうちの他方が大気圧下にあるとき，前記気密シールが前記外側半径方向部分と前記内側半径方向部分との間の漏れを防止する，はんだ接合部と，を含み，
　前記はんだ接合部は，前記外側半径方向部分に形成されており，
　前記はんだ接合部と前記Ｏリングとの間には，間隙が設けられており，
　前記内側半径方向部分に，前記第１の部分及び前記第２の部分のうちの一方又は両方にはんだ濡れ薄層が設けられている，ことを特徴とする構成部品。
　　【請求項２】
　前記少なくとも１つのＯリングは，前記第１の部分及び前記第２の部分の１つ又はそれ以上の中の溝内に配置されることを特徴とする，請求項１に記載の構成部品。
　　【請求項３】
　前記第１の部分はセラミック・ボディを含む静電パックであり，前記第２の部分は金属ボディを含むベースプレートであることを特徴とする，請求項１又は請求項２に記載の構成部品。
　　【請求項４】
　前記少なくとも１つのＯリングはペルフルオロポリマーで作製されることを特徴とする，請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の構成部品。
　　【請求項５】
　圧縮状態にある前記少なくとも１つのＯリングは，圧縮されていない状態にあるときの厚さの約７５％の厚さを有することを特徴とする，請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の構成部品。
　　【請求項６】
　前記はんだ接合部は，電気的に点火される箔材料を用いて形成されることを特徴とする，請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の構成部品。
　　【請求項７】
　真空チャンバの構成部品を作製する方法であって，
　第１の部分及び第２の部分を準備するステップであって，前記第１の部分は，第１の熱膨張係数を有する第１の材料と，基板を受けるための受け面とを有し，前記受け面は，内側円形溝で終端する放射状の交差する溝によって形成される複数の隆起したメサを有し，前記第２の部分は，前記第１の熱膨張係数と異なる第２の熱膨張係数を有する第２の材料を有し，前記第２の部分は，複数の孔を有する周辺レッジを有する，ステップと，
　前記第１の部分と前記第２の部分との間に，反応性箔と，外側部分及び内側部分を定める少なくとも１つのＯリングとを配置するステップと，
　前記反応性箔を点火して前記反応性箔を局所的に加熱し，それらの間に前記Ｏリングを有する前記第１の部分と前記第２の部分との間に低温はんだ接合部を形成し，前記第１の部分と前記第２の部分との間に気密シールをもたらし，前記外側部分及び前記内側部分のうちの一方が真空下にあり，前記外側部分及び前記内側部分のうちの他方が大気圧下にあるとき，前記気密シールが前記外側部分と前記内側部分の間の漏れを防止するようにするステップと，を含み，
　前記はんだ接合部は，前記外側部分に形成されており，
　前記はんだ接合部と前記Ｏリングとの間には，間隙が設けられており，
　前記内側部分に，前記第１の部分及び前記第２の部分のうちの一方又は両方にはんだ濡れ薄層が設けられている，ことを特徴とする方法。
　　【請求項８】
　前記反応性箔の点火前に，前記第１の部分及び前記第２の部分のうちの一方又は両方の上に前記はんだ濡れ薄層を準備するステップをさらに含み，前記はんだ濡れ薄層は，前記反応性箔及び前記少なくとも１つのＯリングに隣接することを特徴とする，請求項７に記載の方法。
　　【請求項９】
　前記第１の部分及び前記第２の部分を互いに押し付けて，前記少なくとも１つのＯリングが圧縮されていない厚さの約７５％の厚さに圧縮されるようにするステップをさらに含むことを特徴とする，請求項７又は請求項８に記載の方法。
　　【請求項１０】
　前記第１の部分と前記第２の部分との間の前記はんだ接合部は，前記第１の部分又は前記第２の部分の温度を上げずに形成されることを特徴とする，請求項７〜請求項９のいずれか１項に記載の方法。
　　【請求項１１】
　前記反応性箔の点火は，約５０℃未満の温度で行われることを特徴とする，請求項７〜請求項１０のいずれか１項に記載の方法。
　　【請求項１２】
　前記はんだ接合部は，約２秒未満で形成されることを特徴とする，請求項７〜請求項１１のいずれか１項に記載の方法。
　　【請求項１３】
　ある電位により前記反応性箔が点火されることを特徴とする，請求項７〜請求項１２のいずれか１項に記載の方法。
　　【請求項１４】
　第１の部分と第２の部分との間に少なくとも１つのＯリングを含む構成部品であって，前記構成部品は，圧入されて前記少なくとも１つのＯリングを圧縮し，はんだ接合部により相互接合されて，それらの間に気密シールをもたらし，
　前記構成部品は，前記第２の部分を通って前記第１の部分に延びる少なくとも１つの電気的接続部を含み，前記少なくとも１つの電気的接続部は，前記少なくとも１つのＯリングによって囲まれており，前記第１の部分は，第１の熱膨張係数を有する第１の材料と，基板を受けるための受け面とを有し，前記受け面は，内側円形溝で終端する放射状の交差する溝によって形成される複数の隆起したメサを有し，前記第２の部分は，前記第１の熱膨張係数と異なる第２の熱膨張係数を有する第２の材料を有し，前記第２の部分は，複数の孔を有する周辺レッジを有し，
　前記少なくとも１つのＯリングは，前記構成部品の外側部分及び内側部分を定め，前記はんだ接合部は前記第１の部分と前記第２の部分との間に気密シールをもたらし，前記外側部分及び前記内側部分のうちの一方が真空下にあり，前記外側部分及び前記内側部分のうちの他方が大気圧下にあるとき，前記気密シールは前記外側部分と前記内側部分との間の漏れを防ぎ，
　前記はんだ接合部は，前記外側部分に形成されており，
　前記はんだ接合部と前記Ｏリングとの間には，間隙が設けられており，
　前記内側部分に，前記第１の部分及び前記第２の部分のうちの一方又は両方にはんだ濡れ薄層が設けられている，ことを特徴とする構成部品。」
　
第５　引用文献及び引用発明
１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，プラズマ処理装置において，基板を支持する基板支持台に関する。」
「【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　半導体装置には，例えば，プラズマＣＶＤ装置を用いて，半導体装置用絶縁膜が成膜される。この半導体装置用絶縁膜には，半導体装置の信頼性を確保するために，高い耐水性，耐熱性が求められており，半導体装置用絶縁膜の耐水性，耐熱性を改善するためには，成膜中の基板温度を高くすることが有効である。
【０００５】
　
従来は，基板温度を高くするため，図４（ａ）に示すように，支持台５０に取り付けた静電チャック５１の表面に多数のディンプル５６を設けた基板支持台を用いていた。このように，静電チャック５１の表面に多数のディンプル５６を設けることにより，基板Ｗから静電チャック５１への熱伝達を減少させて，基板温度を高くしていた。
この接続端子５２を，支持台５０の中央部を貫通する開口部５３に設けたＯリング溝５４及びＯリング５５によりシールすることにより，真空チャンバ内の真空を保っている。
【０００６】
　ところが，上記構成の基板支持台において，基板Ｗの温度は，外部からの入熱に大きな影響を受け，例えば，基板Ｗに印加するバイアスパワーを変更すると，基板Ｗの温度も変わってしまう問題があった。具体的には，真空チャンバ内にプラズマＰを生成し，静電吸着された基板Ｗにバイアス印加を行うと，図４（ｂ）のタイムチャートに示すように，成膜中の時間ｔ１，ｔ２の前後で，印加するバイアスパワーに影響を受けて，バイアスパワーが大きくなると基板Ｗの温度が高くなってしまい，バイアスパワーが小さくなると基板Ｗの温度が低くなってしまい，
基板Ｗを所望の一定温度に安定して制御することが難しかった。
【０００７】
　本発明は上記課題に鑑みなされたもので，
基板を比較的高い温度で安定して制御するプラズマ処理装置の基板支持台を提供することを目的とする。
「【００２２】
　本実施例の
基板支持台は，真空チャンバ（真空室）の内部に配置された金属製（例えば，アルミニウム等）の支持台１０と，支持台１０の上面に取り付けられる静電チャック１４（静電吸着板）とを有している。この静電チャック１４の下部には，円筒状のフランジ１３が設けられており，このフランジ１３下部がＬ字断面状に形成されて，その下面が支持台１０の上面に配置される。そして，フランジ１３下面に対面する支持台１０上面の位置にＯリング溝１１を設け，そのＯリング溝１１にＯリング１２（シール部材）を配置している。
【００２３】
　
静電チャック１４は，
基板Ｗを静電的に吸着保持するセラミックス（例えば，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等）から形成され
【００２４】
　又，
静電チャック１４は，基板Ｗとの熱伝達を向上させるため，その表面全面を，平坦，且つ，表面粗さＲａ０．８以下としている。
【００２５】
　
フランジ１３は，静電チャック１４の下面にロウ付け等により溶着されて，静電チャック１４とフランジ１３とは一体となっている。
基板支持台におけるシールは，フランジ１３下面と支持台１０上面のＯリング１２により行われており，Ｏリング１２の外周側を真空チャンバ側として密閉すると共に，Ｏリング１２の内周側を大気側としている。
静電チャック１４及びフランジ１３は，Ｏリング１２近傍のボルトにて，フランジ１３下部を支持台１０に取り付けることにより，固定している。
【００２６】
　この
フランジ１３には，
セラミクス性の静電チャック１４と熱特性が近い合金
を用いてもよい。
【００２７】
　又，このフランジ１３は，支持台１０へ固定される下部を除き，薄い肉厚（例えば，０．５ｍｍ厚）で形成されると共に，静電チャック１４と支持台１０との間に所定の距離を設けるように形成されている。
フランジ１３の肉厚を薄くすることにより，フランジ１３自体が熱伝達の抵抗となる。又，静電チャック１４と支持台１０との間に距離を置くことにより，フランジ１３自体に温度勾配を形成しており，シール面（Ｏリング１２と接する面）を，基板Ｗ及び静電チャック１４から離れた位置としている。
【００２８】
　又，フランジ１３の内径はできるだけ小さい方がよい。これは，
フランジ１３の内周側は大気側となっているが，真空チャンバ内部が真空
【００２９】
　基板Ｗ及び静電チャック１４側からの熱伝達は，殆どフランジ１３を介して行われることになるが，
フランジ１３を上記構造とすることにより，基板Ｗ及び静電チャック１４側から支持台１０側への熱伝達を抑制すると共に，温度勾配を形成するようにしている。
シール面をＯリング１２の耐熱温度以下にすることができる。その結果，基板Ｗを所望の高温にすることが可能となり，又，メタルシールのようなシール部材を用いることは不要となり，シール部材として，メンテナンス性の良いフッ素樹脂系のＯリングを使用することができる。
【００３０】
　従って，フランジ１３は，フランジ１３下面の温度がＯリング１２の耐熱温度以下となる温度勾配を形成する高さに決定される。例えば，基板Ｗの温度を４００℃で温度制御する場合には，フランジ１３の高さを２５ｍｍ以上とすれば，フランジ１３下面の温度をＯリング１２の耐熱温度である２００℃以下とすることができる。このように，基板Ｗの制御温度に応じて，フランジ１３の高さを決定する。
【００３１】
　又，
支持台１０の中央部には，支持台１０を貫通する開口部１７が設けられている。この開口部１７は，Ｏリング１２の内周側であり，又，フランジ１３の中空部分と連通している。そして，バイアス／静電チャック共用電極に接続するための共用接続端子１９（第１及び第２接続端子）及びヒータに接続するためのヒータ接続端子２０（第３接続端子）が，静電チャック１４の下面から，フランジ１３の中空部分，開口部１７を通って，引き出されている。つまり，共用接続端子１９及びヒータ接続端子２０を，Ｏリング１２の内周側の大気側に，換言すれば，真空側とならないように，配置している。
（２）引用発明１
　前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「基板支持台は，真空チャンバの内部に配置された金属製の支持台と，支持台の上面に取り付けられる静電チャックとを有し，この静電チャックの下部には，円筒状のフランジが設けられ，静電チャックとフランジとは一体となっており，
　静電チャックは，基板を静電的に吸着保持するセラミックスから形成され，フランジには，セラミックス製の静電チャックと熱特性が近い合金が用いられ，
　フランジ下面に対面する支持台上面の位置にＯリング溝を設け，そのＯリング溝にＯリングを配置し，Ｏリングの外周側を真空チャンバ側として密閉すると共に，Ｏリングの内周側を大気側とし，
　静電チャック及びフランジは，Ｏリング近傍のボルトにて，フランジ下部を支持台に取り付けることにより，固定し，
　支持台の中央部には，支持台を貫通する開口部が設けられ，この開口部は，Ｏリングの内周側であり，フランジの中空部分と連通し，共用接続端子及びヒータ接続端子をＯリングの内周側の大気側に，配置していること。」
２　引用文献２について
（１）引用文献２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
　「【０００２】
発明の分野
　本発明は，
密閉体構成要素を，変形性物質および反応性多層接合物質を用いることによって気密封止する
反応性多層接合物質は，反応性多層箔および溶融性物質を含む
【背景技術】
【０００３】
発明の背景
　気密封止は，多くの感応性装置を，有害環境に対する暴露の損傷効果から保護するのに用いられる。これらの感応性装置の例には，光学装置，光通信装置，ファイバーオプティクス，ＭＥＭＳ，および生体医学装置が含まれる。一般に，封止は，感応性構成要素をリークタイトな密閉体中に封じ込め，構成要素を環境から効果的に隔離することによって達成される。」
「【００２２】
　
破砕性物質は，ワイヤー，ガスケット，ワッシャー，および／または圧力下で変形されるであろういかなる他の適切な物質でもあろう。
封止が，圧力を破砕性物質に加えた際に，二つ以上の構成要素間および／または破砕性物質全体に亘って形成されるものであろう。
「【００２８】
　
反応性接合処理のための溶融性物質（例えば，はんだまたはロウ付け）
【００２９】
　図１Ａおよび１Ｂは，
気密封止製品１０
ワイヤーガスケット１１，または適切な破砕性（すなわち変形性）物質１１は，密閉体構成要素の一つの一部分中またはその上に配置されるであろう。例えば，蓋１３の溝１２である。
反応性多層箔１４は，二つ以上の密閉体構成要素の一つ以上の表面１５，１６の上，および／またはその間に配置されるであろう。例えば，蓋１３および容器１７である。密閉体構成要素１３，１７は，密閉空間１８を画定し，その内部に装置２１が置かれるであろう。反応性多層箔１４はまた，一層以上の溶融性物質２０の上およびまたはその間に配置されるであろう。破砕性物質１１は，次いで，一つの密閉体構成要素１３の溝１２，および他の密閉体構成要素１７の表面１６の間で，例えば，圧力を，いかなる適切な方法をも用いて，密閉体構成要素の一つのいかなる適切な部分（例えば，蓋１３の頂部）にも加えることによって変形されるであろう。破砕性物質１１のこれらの変形により，密閉空間１８，および／または装置２１が，外部環境から封止されるであろう。反応性多層箔１４は，次いで発火され，強固な機械的結合を密閉体構成要素（例えば，蓋１３および容器１７）の間に形成するであろう。強固な機械的結合は，溶融性物質２０を密閉体構成要素１３，１７に結合する
「【００４０】
　種々の実施形態においては，
気密封止製品を製造するための方法
箔および／または反応性多層２０８を発火させ，したがって密閉体を永久封止されたい。
　図１Ａには，
溶融性物質２０はワイヤーガスケット１１よりも外側に間隔を設けて形成されていること
（２）引用発明２
　前記（１）より，引用文献２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「気密封止製品であり，ワイヤーガスケットが蓋の溝に配置され，蓋および容器の表面の間に反応性多層箔が配置され，反応性多層箔は一層以上の溶融性物質の間に配置され，溶融性物質ははんだであり，ワイヤーガスケットの変形により，密閉空間が外部環境から封止され，反応性多層箔は，次いで発火され，溶融性物質を蓋および容器に結合して，強固な機械的結合を蓋および容器の間に形成し，したがって，密閉体を永久封止すること，
さらに，溶融性物質はワイヤーガスケットよりも外側に間隔を設けて形成されていること。」
３　引用文献３
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　この発明は，
改良された耐熱性，改良された封止性と改良された機械特性を有するフルオロエラストマー組成物
　
この発明の硬化したフルオロエラストマーは，上記特性の組合せを示し，O−リング，ガスケット，シャフトシール，燃料ホースなどのような製品を作るのに使用される。
４　引用文献４
　平成３０年５月２９日付け補正却下決定で引用された，本願優先日前に，日本国内又は外国において，頒布された刊行物又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった，米国特許出願公開第２００８／００８９００１号明細書（以下，「引用文献４」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。（訳文は，対応する登録実用新案第３１５９３０６号公報による。）
「[0001] Embodiments of the present invention relate to an electrostatic chuck for holding a substrate in a process chamber and related methods of manufacture.」
（訳：[0001］本考案の実施形態は，
処理チャンバにおいて基板を保持するための静電チャック
「［0013] 
A substrate support  20  capable of holding a substrate  22  comprises an electrostatic chuck  24
[0014] 
The electrostatic chuck  24  comprises an electrostatic puck  27
The puck  27  comprises a dielectric  30  that at least partially covers a chargeable electrode  32
The dielectric  30  desirably comprises a material permeable to electromagnetic energy, such as for example, at least one of aluminum nitride, aluminum oxide, and titanium oxide, and preferably comprises aluminum nitride
[0015] Typically the electrode  32  embedded in the dielectric  30  of the puck  27  comprises a metal layer. The electrode metal can be stainless steel, aluminum, copper or even high temperature metals such as molybdenum or tungsten. In the version shown in  FIG. 2 , the ceramic body of the electrostatic puck  27  comprises aluminum nitride with an embedded electrode  32  comprising a wire grid or plate of molybdenum. The electrode  32  is capable of being electrically biased to electrostatically hold the substrate  22  on the receiving surface  34  of the chuck. For example, the electrode  32  can be connected via one or more electrical connectors  84 , as shown in  FIG. 5 , to an electrode power supply  160  that delivers a bipolar DC voltage. The bipolar electrode  32  has two sides that are each maintained at a different voltage to generate an electrostatic charge in the substrate  22  which clamps it to the chuck.
[0016] 
The electrostatic puck  27  further comprises a substrate receiving surface  34  that serves to receive a substrate  22  on the electrostatic chuck  24
the receiving surface  34  comprises a plurality of raised wedge shaped mesas  36  which are formed by intersecting gas grooves  37
The gas grooves  37  are provided to hold a heat transfer gas such as helium or argon, which is supplied through the gas port  38  on the receiving surface  34
[0017] 
The electrostatic chuck  24  further comprises a baseplate  42  joined to the electrostatic puck  27  that is used to attach the electrostatic puck  27  to a pedestal  26  in the chamber. The baseplate  42  comprises a top surface  43  underneath the puck  27 , and an peripheral ledge  46  that extends outwardly beyond the top surface  43
[0018] In one version, 
the baseplate  42  comprises a material having thermal properties that are suitably matched to the overlying dielectric  30  of the electrostatic puck  27
[0019] The electrostatic chuck  24  is formed by joining the electrostatic puck  27  to the surface  43  of the baseplate  42 . In one version, the infiltrated metal used to infiltrate the pores of the baseplate  43  can also be used to bond the electrostatic puck  27  to the baseplate  42  by a bond layer  48 , as shown in  FIG. 2 . In another version, the electrostatic puck  27  is attached to the baseplate  42  by a bond layer  48  made from a metal foil, such as an aluminum foil, which diffusion bonds the baseplate  42  and dielectric  30 . 
The electrostatic chuck  24  is detachable and can be easily removed from the pedestal  26  when replacement or refurbishment of one or more of the electrostatic puck  27  or its underlying baseplate  42  is required
（中略）
[0023] The sealing assembly  25  comprises a sealing plate  23  and a sealing ring  28  concentric to the sealing plate  23 , as shown in  FIG. 4 . The sealing assembly  25  is bonded to the backside surface  47  of the baseplate  42  to provide a seal around the heat transfer gas connections from the vacuum environment in the chamber. The sealing plate  23  and peripheral sealing ring  28  cooperate with a set of O-rings  51 a,  51 b situated on the upper surface  71  of the pedestal  26  to provide a sealing circumference. 
The chuck  24  is fastened to the ledge  40  of the support pedestal  26  and a tight seal is formed between the electrostatic chuck  24  and the pedestal  26  by tightening connectors  44 a,b inserted in holes  50  along the edge of the peripheral ledge  46  of the baseplate
（訳：［0013]図１及び図２に示されるように，
基板２２を保持することができる基板支持体２０は，静電チャック２４，
を備える。
[0014]
静電チャック２４は
静電パック２７を備える。このパック２７は，
帯電可能な電極３２を少なくとも部分的に覆う誘電体３０を備えており，
この誘電体３０は，例えば，窒化アルミニウム，酸化アルミニウム及び酸化チタンのうちの少なくとも１つのような電磁エネルギーを透過させる物質を含むのが望ましく，窒化アルミニウムを含むのが好ましい。
[0015]典型的には，
パック２７の誘電体３０に埋め込まれた電極３２
電極３２は，図５に示されるように，１つ以上の電気コネクタ８４を介して，双極性直流電圧を分配する電極電力供給源１６０に接続することができる。
[0016]
静電パック２７は，更に，静電チャック２４上に基板２２を受け止める作用をする基板受け表面３４を備える。
この受け表面３４は，交差ガス溝３７により形成された複数の隆起楔形メサ３６を備える。これらガス溝３７は，受け表面３４のガスポート３８を通して供給されるヘリウム又はアルゴンのような熱伝達ガスを保持するために設けられている。
[0017]
静電チャック２４は，更に，静電パック２７に接合されるベースプレート４２を備えており，このベースプレート４２は，チャンバにおけるペデスタル２６へ静電パック２７を取り付けるのに使用されるものである。このベースプレート４２は，パック２７の真下となる上部表面４３と，この上部表面４３を越えて延長する周辺棚部４６と，を備える。
[0018]一変形例では，
ベースプレート４２は，静電パック２７の上方の誘電体３０に適切に一致する熱特性を有する物質で構成される。
[0019]静電チャック２４は，静電パック２７をベースプレート４２の表面４３に接合することにより形成される。一変形例では，ベースプレート４２の細孔を充填するのに使用される充填金属は，図２に示されるように，結合層４８によりベースプレート４２へ静電パック２７を結合するのにも使用される。別の変形例では，静電パック２７は，アルミニウム箔のような金属箔で形成された結合層４８によりベースプレートに取り付けられ，この場合，金属箔の拡散により，ベースプレート４２と誘電体３０とが結合される。
静電チャック２４は，着脱式であり，静電パック２７又はその下方のベースプレート４２のうちの１つ以上のものを交換又は再生する必要がある時に，ペデスタル２６から容易に取り外すことができる。
（中略）
[0023]シーリングアセンブリ２５は，図４に示されるように，シーリングプレート２３と，このシーリングプレート２３と同心のシーリングリング２８とを備えている。このシーリングアセンブリ２５は，チャンバにおける真空環境に対して熱伝達ガス接続の周りにシールを与えるように，ベースプレート４２の裏側表面４７に結合される。シーリングプレート２３及び周辺シーリングリング２８は，ペデスタル２６の上方表面７１に配設されたＯリング５１ａ，５１ｂと協働して，シーリング周辺を与える。
チャック２４は，支持ペデスタル２６の棚部４０に取り付け固定され，穴５０に挿入された接続器４４ａ，４４ｂをベースプレートの周辺棚部４６の縁部に沿って締め付けることにより，静電チャック２４とペデスタル２６との間に密封シールが形成される。
５　引用文献５
　本願優先日前に，日本国内又は外国において頒布された刊行物である，特開２００３−１５８１７２号公報（以下，「引用文献５」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，
セラミック製のウェハ保持部材と金属製の不活性ガス導入管とをロウ付け接合して成るウェハ保持装置
「【００１６】
【発明の実施の形態】本発明のウェハ保持装置について以下に詳細に説明する。図１は本発明の
ウェハ保持装置
１１はウェハ保持部材，１１ａはウェハ保持部材１１の上面のウェハの載置面，１１ｂはウェハ保持部材１１の下面であり導入管が接合される側の面である。
１４はロウ材
【００１７】本発明のウェハ保持装置は，上面にウェハ２１を載置する載置面１１ａを有するとともに上下面間を貫通する貫通孔１１ｃが形成されているセラミック製のウェハ保持部材１１と，上端に鍔部１２ａが形成されているとともに鍔部１２ａが貫通孔１１ｃの下面１１ｂ側開口の周囲にロウ付けされて貫通孔１１ｃに同軸状に接合されている金属製の導入管１２と，導入管１２の鍔部１２ａの裏面にロウ付けされ，貫通孔１１ｃの内径より大きな内径の貫通穴を有するとともに貫通穴の上面側開口に面取り部が形成されているセラミックリング１５とを具備している。そして，図２に示すように，
ウェハ保持部材１１は下面１１ｂと貫通孔１１ｃの内面との間の稜部を切り欠いて成る段差部１１ｄが設けられており
【００１８】また，ウェハ保持部材１１は，側面よりも大きな上面と下面を有する形状であり，例えば板状，円盤状，ブロック状等の形状であり，セラミックスからなる。このウェハ保持部材１１は，上面にＳｉ，ＧａＡｓ等の半導体ウェハや液晶用ガラス基板等のウェハを載置する平坦な載置面１１ａを有し，載置面１１ａと下面１１ｂとを連通する貫通孔１１ｃを有している。
ウェハ保持部材１１の貫通孔１１ｃの下面１１ｂ側開口の周囲に，導入管１２の鍔部１２ａが貫通孔１１ｃと同軸状にロウ付けされる。このとき，段差部１１ｄの内側面１１ｅおよび天井面の外周部にロウ材１４が濡れて，大きなフィレットを形成する。
「【００２９】さらに，貫通孔１１ｃの下面１１ｂ側開口部に
段差部１１ｄが設けられていることにより，導入管１２と段差部１１ｄとの間にロウ材１４の大きなフィレットが形成されるため，段差部１１ｄが設けられていない従来の場合と比較して，外力によるロウ付け部へのストレスを緩和し金属層１３が切れることによる導通不良を抑えることができる。
　
第６　対比及び判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明１との対比
　ア　引用発明１の「基板支持台」は，「真空チャンバの内部に配置された金属製の支持台」「を有」するから，本願発明１の「真空プロセス・チャンバ内で用いるための構成部品」に相当する。
　イ　引用発明１の「静電チャックとフランジ」は，「一体となっており」，「静電チャックは，基板を静電的に吸着するセラミックスから形成され，フランジには，セラミックス製の静電チャックと熱特性が近い合金が用いられ」ているから，本願発明１の「第１の熱膨張係数を有する第１の材料を有し，基板を受けるための受け面を有する第１の部分」に相当する。
　ウ　引用発明１の「金属製の支持台」は，本願発明１の「前記第１の熱膨張係数と異なる第２の熱膨張係数を有」「する第２の材料を有する第２の部分」に相当する。
　エ　引用発明１において「フランジ下面に対面する支持台上面の位置にＯリング溝を設け，そのＯリング溝にＯリングを配置し，Ｏリングの外周側を真空チャンバ側として密閉すると共に，Ｏリングの内周側を大気側と」するから，引用発明１の「Ｏリング」は本願発明１の「前記第１の部分と前記第２の部分との間で圧縮され，前記構成部品の外側半径方向部分及び内側半径方向部分を定める，少なくとも１つのＯリング」に相当する。
　オ　引用発明１において「静電チャック及びフランジは，Ｏリング近傍のボルトにて，フランジ下部を支持台に取り付けることにより，固定」するから，引用発明の「ボルト」は「結合部材」ということができ，本願発明１の「はんだ接合部」と，引用発明の「ボルト」とは，前記エを考慮すると，「前記第１の部分を前記第２の部分に接合して前記第１の部分と前記第２の部分との間に気密シールをもたらし，その結果，前記外側半径方向部分及び前記内側半径方向部分のうちの一方が真空下にあり，前記外側半径方向部分及び前記内側半径方向部分のうちの他方が大気圧下にあるとき，前記気密シールが前記外側半径方向部分と前記内側半径方向部分との間の漏れを防止する，結合部材」という点で共通する。
　カ　引用発明１の「Ｏリング近傍のボルト」について，前記オを考慮すると，「前記結合部材と前記Ｏリングとの間には，間隙が設けられて」いるといえる。
　キ　すると，本願発明１と引用発明１とは，下記クの点で一致し，下記ケの点で相違する。
　ク　一致点
「真空プロセス・チャンバ内で用いるための構成部品であって，
　第１の熱膨張係数を有する第１の材料を有し，基板を受けるための受け面を有する第１の部分と，
　前記第１の熱膨張係数と異なる第２の熱膨張係数を有する第２の材料を有する第２の部分と，
　前記第１の部分と前記第２の部分との間で圧縮され，前記構成部品の外側半径方向部分及び内側半径方向部分を定める，少なくとも１つのＯリングと，
　前記第１の部分を前記第２の部分に接合して前記第１の部分と前記第２の部分との間に気密シールをもたらし，その結果，前記外側半径方向部分及び前記内側半径方向部分のうちの一方が真空下にあり，前記外側半径方向部分及び前記内側半径方向部分のうちの他方が大気圧下にあるとき，前記気密シールが前記外側半径方向部分と前記内側半径方向部分との間の漏れを防止する，結合部材と，を含み，
　前記結合部材と前記Ｏリングとの間には，間隙が設けられている，
　ことを特徴とする構成部品。」
　ケ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１では，「第１の部分」の「前記受け面が，内側円形溝で終端する放射状の交差する溝によって形成される複数の隆起したメサを有する」のに対し，引用発明１では「静電チャック」がそうなっていない点。
（イ）相違点２
　本願発明１では，「第２の部分」が「複数の孔を有する周辺レッジを有する」のに対し，引用発明１では，「支持台」がそうなっていない点。
（ウ）相違点３
　本願発明１では，「結合部材」が「はんだ接合部」であり，「前記はんだ接合部は，前記外側半径方向部分に形成されて」いるのに対し，引用発明１では，「結合部材」が「ボルト」であり，「Ｏリング」の「外側半径方向部分に形成されて」いるかは不明である点。
（エ）相違点４
　本願発明１では，「前記内側半径方向部分に，前記第１の部分及び前記第２の部分のうちの一方又は両方にはんだ濡れ薄層が設けられている」のに対し，引用発明１ではそうなっていない点。
（２）相違点についての判断
　ア　相違点３について
　引用発明１における，気密シールをもたらす結合部材としての「ボルト」を「はんだ接合部」に置き換えることについて，引用文献１ないし５には記載も示唆もない。
　引用文献２には，ワイヤーガスケットの変形により，封止され，はんだである溶融性物質で結合するものである引用発明２が記載されているが，引用発明２は密閉容器に関するもので，基板支持台に関する引用発明１とは技術分野が異なる。さらに，引用発明２は「永久封止」するものであり，引用発明１の「ボルト」に換えて引用発明２のはんだである溶融性物質を採用すると，永久封止されて，引用発明１の静電チャックを取り外すことができなくなり，基板支持台としてのメンテナンス（前記第５の１（１）【００２９】）が困難になるから，引用発明１に引用発明２を採用することは，阻害要因があるといえる。
　引用文献５には，ウェハ保持部材と不活性ガス導入管とをロウ付け接合して成るウェハ保持装置が記載されており，不活性ガスを導入することから，気密シールをもたらすこと自体は示唆されているといえるが，Ｏリングとの組合せで気密シールをもたらすものではないし，ウェハ保持部材の下面と導入管の鍔部がロウ付けされる際に「段差部」を設けること（前記第５の５【００１８】）から，両者の面が遠ざかることになり，引用発明１の圧接固定されるＯリングとは相容れないというべきである。
　イ　相違点４について
　相違点４に係る構成は「はんだ濡れ薄層」に関するもので，相違点３に係る「はんだ接合部」を前提とするものであるから，前記アに示したように，相違点３に係る構成を得ることが困難である以上，相違点４に係る構成を得ることも困難である。
　なお，引用文献５に記載された「ロウ材が濡れ」た「大きなフィレット」は，「はんだ濡れ薄層」に相当するものであるが，引用文献５に記載された技術的事項を引用発明１に採用することが困難であることは，前記アに示したとおりである。
（３）まとめ
　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明１は，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２　本願発明２ないし６について
　本願発明２ないし６は，本願発明１を引用するものであり，本願発明１の発明特定事項を全て備えるから，前記１と同様の理由により，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
３　本願発明７について
（１）本願発明７と引用発明１’との対比
　ア　引用発明１は「基板支持台」という人工物に関するものであるから，その製造方法の発明（以下，「引用発明１’」という。）も引用文献１に記載されているに等しい。
　イ　本願発明７と引用発明１’とを対比すると，前記１（１）アないしカと同様であるから，本願発明７と引用発明１’とは，下記ウの点で一致し，下記エの点で相違する。
　ウ　一致点
「真空チャンバの構成部品を作製する方法であって，
　第１の部分及び第２の部分を準備するステップであって，前記第１の部分は，第１の熱膨張係数を有する第１の材料と，基板を受けるための受け面とを有し，前記第２の部分は，前記第１の熱膨張係数と異なる第２の熱膨張係数を有する第２の材料を有する，ステップと，
　前記第１の部分と前記第２の部分との間に，外側部分及び内側部分を定める少なくとも１つのＯリングを配置するステップと，
　結合部材と前記Ｏリングとの間には，間隙が設けられている，
　ことを特徴とする方法。」
　エ　相違点
（ア）相違点５
　本願発明７では，「第１の部分」の「前記受け面は，内側円形溝で終端する放射状の交差する溝によって形成される複数の隆起したメサを有」するのに対し，引用発明１’では「静電チャック」がそうなっていない点。
（イ）相違点６
　本願発明７では，「前記第２の部分は，複数の孔を有する周辺レッジを有する」のに対し，引用発明１’では，「支持台」はそうなっていない点。
（ウ）相違点７
　本願発明７では「反応性箔と」を配置し「前記反応性箔を点火して前記反応性箔を局所的に加熱し，それらの間に前記Ｏリングを有する前記第１の部分と前記第２の部分との間に低温はんだ接合部を形成し，前記第１の部分と前記第２の部分との間に気密シールをもたらし，前記外側部分及び前記内側部分のうちの一方が真空下にあり，前記外側部分及び前記内側部分のうちの他方が大気圧下にあるとき，前記気密シールが前記外側部分と前記内側部分の間の漏れを防止するようにするステップと，を含み，前記はんだ接合部は，前記外側部分に形成されて」いるのに対し，引用発明１’では「静電チャック及びフランジは，Ｏリング近傍のボルトにて，フランジ下部を支持台に取り付けることにより，固定」する点。
（エ）相違点８
　本願発明７では，「前記内側部分に，前記第１の部分及び前記第２の部分のうちの一方又は両方にはんだ濡れ薄層が設けられている」のに対し，引用発明１’ではそうなっていない点。
（２）相違点についての判断
　ア　相違点７について
　引用発明１’において，「Ｏリング近傍のボルトにて」「固定」することを「反応性箔を点火して前記反応性箔を局所的に加熱し」「低温はんだ接合部を形成する」ことに置き換えることについて，引用文献１ないし５には記載も示唆もない。
　引用文献２には，ワイヤーガスケットの変形により，封止され，反応性多層箔は，次いで発火され，溶融性物質を蓋および容器に結合するものである引用発明２が記載されているが，引用発明２は密閉容器に関するもので，基板支持台に関する引用発明１’とは技術分野が異なる。さらに，引用発明２は「永久封止」するものであり，引用発明１’の「ボルトにて」「固定」することに換えて引用発明２のはんだである溶融性物質を蓋および容器に結合するものを採用すると，永久封止されて，引用発明１’の静電チャックを取り外すことができなくなり，基板支持台としてのメンテナンス（前記第５の１（１）【００２９】）が困難になるから，引用発明１’に引用発明２を採用することは，阻害要因があるといえる。
　イ　相違点８について
　相違点８に係る構成は「はんだ濡れ薄層」に関するもので，相違点７に係る「低温はんだ接合部」を前提とするものであるから，前記アに示したように，相違点７に係る構成を得ることが困難である以上，相違点８に係る構成を得ることも困難である。
（３）まとめ
　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明７は，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
４　本願発明８ないし１３について
　本願発明８ないし１３は，本願発明７を引用するものであり，本願発明７の発明特定事項を全て備えるから，前記３と同様の理由により，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
５　本願発明１４について
（１）本願発明１４と引用発明２との対比
　ア　引用発明２の「蓋」，「容器」及び「ワイヤーガスケット」は，それぞれ本願発明１４の「第１の部分」，「第２の部分」及び「Ｏリング」に相当する。
　イ　本願発明１４の「構成部品」と引用発明２の「気密封止製品」とは，「物」である点で共通する。
　ウ　引用発明２における「溶融性物質ははんだであり，ワイヤーガスケットの変形により，密閉空間が外部環境から封止され，反応性多層箔は，次いで発火され，溶融性物質を蓋および容器に結合して，強固な機械的結合を蓋および容器の間に形成し」は，本願発明１４における「圧入されて前記少なくとも１つのＯリングを圧縮し，はんだ接合部により相互接合されて，それらの間に気密シールをもたらし」「前記少なくとも１つのＯリングは，」「外側部分及び内側部分を定め，前記はんだ接合部は前記第１の部分と前記第２の部分との間に気密シールをもたらし，前記外側部分及び前記内側部分のうちの一方が真空下にあり，前記外側部分及び前記内側部分のうちの他方が大気圧下にあるとき，前記気密シールは前記外側部分と前記内側部分との間の漏れを防ぎ」に相当する。
　エ　引用発明２における「溶融性物質はワイヤーガスケットよりも外側に間隔を設けて形成されていること」は，本願発明１４における「前記はんだ接合部は，前記外側部分に形成されており，前記はんだ接合部と前記Ｏリングとの間には，間隙が設けられており」に相当する。
　オ　本願発明１４と引用発明２とは，下記カの点で一致し，下記キの点で相違する。
　カ　一致点
「第１の部分と第２の部分との間に少なくとも１つのＯリングを含む物であって，前記物は，圧入されて前記少なくとも１つのＯリングを圧縮し，はんだ接合部により相互接合されて，それらの間に気密シールをもたらし，
　前記少なくとも１つのＯリングは，前記物の外側部分及び内側部分を定め，前記はんだ接合部は前記第１の部分と前記第２の部分との間に気密シールをもたらし，前記外側部分及び前記内側部分のうちの一方が真空下にあり，前記外側部分及び前記内側部分のうちの他方が大気圧下にあるとき，前記気密シールは前記外側部分と前記内側部分との間の漏れを防ぎ，
　前記はんだ接合部は，前記外側部分に形成されており，
　前記はんだ接合部と前記Ｏリングとの間には，間隙が設けられている，
　ことを特徴とする物。」
　ケ　相違点
（ア）相違点９
　本願発明１４では「物」が「構成部品」であるのに対し，引用発明２では「物」が「気密封止製品」である点。
（イ）相違点１０
　本願発明１４では，「前記構成部品は，前記第２の部分を通って前記第１の部分に延びる少なくとも１つの電気的接続部を含み，前記少なくとも１つの電気的接続部は，前記少なくとも１つのＯリングによって囲まれており，前記第１の部分は，第１の熱膨張係数を有する第１の材料と，基板を受けるための受け面とを有し，前記受け面は，内側円形溝で終端する放射状の交差する溝によって形成される複数の隆起したメサを有し，前記第２の部分は，前記第１の熱膨張係数と異なる第２の熱膨張係数を有する第２の材料を有し，前記第２の部分は，複数の孔を有する周辺レッジを有」するのに対し，引用発明２では「気密封止製品」がそのようなものではない点。
（ウ）相違点１１
　本願発明１４では「前記内側部分に，前記第１の部分及び前記第２の部分のうちの一方又は両方にはんだ濡れ薄層が設けられている」のに対し，引用発明２ではそうなっていない点。
（２）相違点についての判断
　ア　相違点９について
　引用発明２は「気密封止製品」という独立した「製品」であるから，これを何かの「構成部品」とすることは動機づけに欠ける。
　イ　相違点１０について
　引用発明２の「気密封止製品」に「電気的接続部」を含めること，引用発明２において「第１の部分は」「基板を受けるための受け面」を有し，「第２の部分は，複数の孔を有する周辺レッジを有」するようにすることについて，引用文献１ないし５には記載も示唆もない。
　引用文献４には，「処理チャンバにおいて基板を保持するための静電チャック」で「電気コネクタ」を含み，「静電パックは」「基板受け表面を備え」，「ベースプレート」は「周辺棚部」と「穴」を有すること，が記載されているが，引用発明２は「蓋および容器」からなる「気密封止製品」であり，蓋と容器の間を電気的に接続する動機づけはなく，蓋の上面において基板を保持するようにする動機づけもなく，容器に「周辺棚部」と「穴」を設けて他の部品と接合させる動機づけもない。
（３）まとめ
　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明１４は，引用文献２，１，３ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
第７　原査定について
　また，前記「第６　対比及び判断」のとおりであるから，本願発明１ないし１４は，引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。
　
第８　結言
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。