Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月2日(2010.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のワイヤーを含む連続する編上げ構造部であって、該編上げ構造部が、近位部と、遠位部と、該近位部と該遠位部間の第一拡張可能部と、該第一拡張可能部とは異なる編組角を有する該近位部の少なくとも一部分と、該近位部から該遠位部まで延在するルーメンとを有し、
該近位部と該遠位部が、それぞれ、外径と内径を有し、さらには該編上げ構造部に少なくとも部分的に埋め込まれたポリマーを含む、編上げ構造部、
近位端と遠位端を有するコアワイヤーであって、該コアワイヤーが、該ルーメン内に配置され、かつ、該編上げ構造近位部から該編上げ構造遠位部の地点又は遠位に延在する、コアワイヤー、並びに、
該コアワイヤー遠位端に取り付けられ、かつ、該編上げ構造遠位部の内径と少なくとも等しい外径を有する非侵襲的構成要素、
を含む脳血管系デバイス。
【請求項２】
前記編上げ構造近位部と遠位部が約０．５０８ｍｍ（０．０２０インチ）以下の外径を有する、請求項１に記載の脳血管系デバイス。
【請求項３】
前記複数のワイヤーがメタルワイヤーを含み、前記ワイヤーが、円形プロファイル、平面プロファイル、及びそれらの組み合わせから成る群から選ばれて、適宜、前記複数のワイヤーがニチノールを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記ポリマーが、拡張可能部の拡張時に、前記編上げ構造近位部と遠位部の放射状の拡張を防ぐ、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記ポリマーが、前記編上げ構造部の前記近位部と遠位部を実質的に完全に組み込む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記ワイヤーの少なくとも一つが放射線不透過性材料を含むか、少なくとも一つの放射線不透過性マーカーバンドをさらに含むか、又は前記ポリマーが放射線不透過性材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記デバイスが、チューブ構造部の遠位端に取り付けられて、適宜、該チューブ構造部が、前記編上げ構造部の前記近位部から連続的であるか、前記コアワイヤーが少なくとも該チューブ構造部の長さに対して延在して、適宜、前記コアワイヤーと該チューブ構造部の複合体が、該複合体の近位部から遠位部まで可撓性的に変化するか、又はハンドルが前記コアワイヤーと前記チューブ構造部に連結し、該ハンドルが前記拡張可能部の作動を提供する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記第一拡張可能部が非拡張状態で約１ｃｍ以下の長さを有するか、又は前記拡張可能部が最大拡張状態で約６ｍｍ以下の直径を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記複数のワイヤーが１６以上の数量である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記第一拡張可能部の編組角が、前記編上げ構造部の縦軸から測定して約１０度以下であり、適宜、前記第一拡張可能部の該編組角が、前記編上げ構造部の縦軸から測定して８度以下である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記第一拡張可能部が、最大拡張状態の場合に患者の血管に非侵襲的であり、適宜、前記拡張可能部が患者の血管から血餅を取り除くために適切である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記編上げ構造部が第二拡張可能部をさらに含んで、適宜、前記編上げ構造部が、前記第一拡張可能部と該第二拡張可能部の間に配置される中間部をさらに含み、さらに、適宜、該中間部が前記編上げ構造部の中に少なくとも部分的に埋め込まれたポリマーを含むか、該中間部がポリマーカバーによって放射状に抑制されるか、該中間部がメタルバンドによって放射状に抑制されるか、又は該中間部が前記拡張可能部よりも高い角度の編組角を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記デバイスがカテーテルシャフトの遠位端に取り外し可能的に取り付けられている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記第一拡張可能部が外側のポリマーカバーを備え、適宜、該外側のポリマーカバーがｅＰＴＦＥを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記第一拡張可能部が約５ｍｍ以下の長さを有する、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記第一拡張可能部が約４ｍｍの長さを有する、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記第一拡張可能部が最大拡張状態で約６ｍｍ以下の直径を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記第一拡張可能部が最大拡張状態で約４ｍｍ以下の直径を有する、請求項１７に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記第一拡張可能部が最大拡張状態で約３．３ｍｍの直径を有する、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
脳血管系デバイスを生産する方法であって、
所定の長さと、連続する編上げ構造部の中を通って延在するルーメンとを有する該編上げ構造部を提供し、かつ、該編上げ構造部の実質的に全長にわたりポリマーを少なくとも部分的に埋め込ませる工程、
拡張可能部と、該編上げ構造部に少なくとも部分的に埋め込まれたポリマーを有する近位部と、該編上げ構造部に少なくとも部分的に埋め込まれたポリマーを有する遠位部とを形成するために、該編上げ構造部から該ポリマーの少なくとも一部分を除去する工程であって、該拡張可能部が該近位部と該遠位部の間に配置される、工程、
コアワイヤーに非侵襲的構成要素を取り付ける工程であって、該コアワイヤーが近位端と遠位端を有し、さらに該非侵襲的構成要素が該編上げ構造部遠位部の内径と少なくとも等しい外径を有する、工程、並びに、
該ルーメンの中に該コアワイヤーを配置する工程であって、該コアワイヤーが該編上げ構造近位部から該編上げ構造遠位部に対して遠位な地点まで延在する、工程、
を含む方法。
【請求項２１】
前記ポリマーが浸漬コーティングによって提供される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記ポリマーがレーザー除去によって取り除かれる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記ポリマーが磨耗法によって取り除かれる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記磨耗法が重炭酸ナトリウムを用いることを含む、請求項２３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月26日(2010.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補聴器システムであって、
患者の外耳道の近傍に埋込むよう構成されたハウジングを含み、前記ハウジングは、前記外耳道に経皮的に突出るよう構成された装着スタッドを含み、前記補聴器システムはさらに、
前記ハウジングにおいて装着された電子回路と、
前記外耳道を介して前記スタッドに取外し可能に装着するよう構成された変換器モジュールと、
前記ハウジング上に位置決めされた少なくとも１つの電気接点と、
前記変換器モジュールを前記スタッドに装着するとともに、前記変換器モジュールを前記電子回路に電気的に結合するための、前記変換器モジュール上に位置決めされた少なく
とも１つの電気接点とを含む、補聴器システム。
【請求項２】
前記装着スタッドは、前記外耳道に開口している空洞を含み、
前記変換器モジュールは、前記空洞に挿入され、かつ前記空洞から引抜かれるよう構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記変換器モジュールは、前記患者の外耳道に音響エネルギを投入するためのスピーカを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記変換器モジュールは、前記患者の外耳道における可聴音に応答するためのマイクロフォンを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
組織の内部成長を促進するために前記ハウジングの外側に多孔質層をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記変換器モジュールは、変換器素子および電子回路を有する本体を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記ハウジングは、抗菌剤および／または抗炎症剤を含む被膜を担持する、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
補聴器システムであって、
患者の外耳道の近傍に埋込むよう構成されたハウジングを含み、前記ハウジングは、前記外耳道に経皮的に突出るよう構成された装着スタッドを含み、前記補聴器システムはさらに、
前記ハウジングにおいて装着された電子回路と、
前記外耳道を介して前記スタッドに取外し可能に装着するよう構成された変換器モジュールと、
前記ハウジングにおける少なくとも１つの電気コイルと、
前記変換器モジュールが前記装着スタッドに装着されると前記ハウジングのコイルに誘導結合するよう配置される、前記変換器モジュールにおける少なくとも１つの電気コイルとを含む、補聴器システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人体に存在する排出物口のうちの１つから身体排出物を収集することができる使い捨て排出物閉じ込め物品であって、
ａ）第１の面及び外周部を備えた身体側の液体不浸透性層を有し、
ｂ）前記身体側層の前記外周部とほぼ一致した外周部を備える衣服に向いた液体不浸透性層を有し、
ｃ）前記身体側層と前記衣服向き層との間に配置された吸収層を有し、
ｄ）前記身体側層の少なくとも一部分を前記衣服向き層に結合するシールを有し、前記シールは、前記外周部の内方に配置され、
ｅ）前記身体側層に形成されていて、前記人体に存在する前記排出物口のうちの１つと位置合わせされるよう設計された進入部を有し、前記進入部は、前記人体からの人体排出物を通過させて前記使い捨て排出物閉じ込め物品内に収集させることができ、
ｆ）前記第１の面の少なくとも一部分に固定されていて、前記進入部を少なくとも部分的に包囲した接着剤を有する、使い捨て排出物閉じ込め物品。
【請求項２】
前記吸収層は、高吸収体を含む第１の主要な面を有する不織吸収層をさらに備え、前記吸収層は、前記身体側の層の前記外周部とほぼ一致した外周部を備え、前記シールは、前記身体側層の少なくとも一部分、前記吸収層及び前記衣服向き層を互いに結合し、前記シールは、前記外周部の内方に配置され、前記進入部は、前記身体側層に形成された拡大孔であり、前記接着剤は、前記身体側層の前記第１の面に固定されると共に前記拡大孔を包囲した人体用接着剤である、請求項１記載の使い捨て排出物閉じ込め物品。
【請求項３】
前記吸収層は、高吸収体を含む第１の主要な面を有し、前記身体側の層の前記外周部とほぼ一致した外周部を有し、前記シールは、前記身体側層、前記吸収層及び前記衣服向き層を互いに結合し、前記シールは、前記外周部から少なくとも約２ミリメートルだけ内方に配置され、前記接着剤は、前記身体側層の前記第１の面に固定されると共に前記進入部を包囲し、前記接着剤を覆った取り外し可能な剥離層を更に有する、請求項１又は２記載の使い捨て排出物閉じ込め物品。
【請求項４】
第１の主要な面、前記第１の主要面に固定された人体用接着剤、前記身体側層に固定された第２の主要な面を有する第１の部材を備えた解剖学的形状のステッカをさらに有し、前記ステッカは、前記ステッカを貫通して形成された孔、内周部、及び外周部を有し、前記人体用接着剤は、前記ステッカを人体に取り外し可能に取り付けることができ、前記内周部が前記排出物口のうちの１つを包囲するようになっており、前記剥離層は前記人体用接着剤に取り外し可能に固定され、前記剥離層は、前記人体用接着剤が前記人体への前記ステッカの取り付けに先立って汚染状態になるのを阻止する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の使い捨て排出物閉じ込め物品。
【請求項５】
前記接着剤を覆った取り外し可能な剥離層を更に有し、前記剥離層は、内周部と、外周部と、前記内周部から前記外周部まで延びるスリットとを有し、前記スリットは、前記剥離層の取り外しを容易にする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の使い捨て排出物閉じ込め物品。
【請求項６】
人体用接着剤の一区域は、前記第１の面に固定されると共に前記接着剤から間隔を置いて位置し、前記人体用接着剤の前記一区域は、前記使い捨て排出物閉じ込め物品を前記人体に固定するのを助ける、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の使い捨て排出物閉じ込め物品。
【請求項７】
前記進入部は、一点から出る少なくとも３つのスリットから成り、前記スリットの各々の長さは、少なくとも約１５ミリメートルである、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の使い捨て排出物閉じ込め物品。
【請求項８】
前記吸収層は、前記身体側層及び前記衣服向き層のうちの少なくとも一方に結合されている、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の使い捨て排出物閉じ込め物品。
【請求項９】
前記シールは、前記身体側層の前記外周部から少なくとも約１ミリメートルだけ内方に間隔を置いて位置している、請求項１又は２のいずれか１項に記載の使い捨て排出物閉じ込め物品。
【請求項１０】
高吸収体を含む第２の主要な面を有する第２の吸収層を更に有し、前記第１の吸収層の前記第１の主要面は、前記第２の吸収層の前記第２の主要面に向いている、請求項２乃至４のいずれか１項に記載の使い捨て排出物閉じ込め物品。
【請求項１１】
前記吸収層は、高吸収体の無い区域を有する第１の主要面を有し、前記高吸収体の無い区域の幅は少なくとも１ミリメートルである、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の使い捨て排出物閉じ込め物品。
【請求項１２】
前記身体側層と前記吸収層との間に配置された捕捉層を更に有する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の使い捨て排出物閉じ込め物品。
【請求項１３】
前記捕捉層と前記吸収層との間に配置された第２の吸収層を更に有し、前記第２の吸収層は、高吸収体を含む第１の主要な面を有し、前記第２の吸収層の前記第１の主要面は、前記吸収層の前記第１の主要面に向いている、請求項１２に記載の使い捨て排出物閉じ込め物品。
【請求項１４】
前記使い捨て排出物閉じ込め物品は、人体に存在する排出物口から身体排出物を収集することができ、前記使い捨て排出物閉じ込め物品は、下着によって前記人体に隣接して保持される、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の使い捨て排出物閉じ込め物品。
【請求項１５】
各々が人体に存在している排出物口からの人体排出物を収集することができる２つの前記使い捨て排出物閉じ込め物品は、下着によって前記人体に隣接して同時に保持され、前記使い捨て排出物閉じ込め物品のうち１つは、尿を閉じ込めるように設計され且つ前記もう一つの使い捨て排出物閉じ込め物品は糞便を閉じ込めるように設計される、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の使い捨て排出物閉じ込め物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2010504150.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月26日(2010.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧治療システムにおいて：
組織部位に流体連通する減圧源と；
前記減圧源に接続され、当該減圧源における源圧力を測定する検知デバイスと；
前記検知デバイスに接続され、前記減の圧力と、所望の組織部位圧力との間の差圧を決定するように構成された処理ユニットであって、前記減圧源に更に接続されて当該減圧源によって適用される減の圧力を調整して、前記差圧が、（ａ）前記減圧源と前記組織部位との間にブロッケージが存在する場合は第１の最大差圧を、（ｂ）前記減圧源と前記組織部位との間にブロッケージが存在しない場合は第２の最大差圧を超えないようにする処理ユニットと；
を具え、
前記第２の最大差圧が、前記第１の最大差圧より大きいことを特徴とする減圧治療システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムが更に：
前記組織部位と前記減圧源との間に流体連通されたキャニスタを具え、
前記検知デバイスが、当該キャニスタにおける減の圧力を測定して、前記減圧源圧力出力に近づけることを特徴とする減圧治療システム。  
【請求項３】
請求項１に記載のシステムにおいて、前記第１の最大差圧が約５０ｍｍＨｇであることを特徴とする減圧治療システム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムにおいて、前記第２の最大差圧が約１００ｍｍＨｇであることを特徴とする減圧治療システム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムにおいて：
ブロッケージが存在する場合、前記処理ユニットが更に、前記第１の差圧の限度内において前記源圧力を上げて、当該ブロッケージを除去することを特徴とする減圧治療システム。
【請求項６】
請求項５に記載のシステムが更に：
前記処理ユニットに接続され、前記第１の最大差圧に届いた後もブロッケージが除去できないときにユーザに警告するアラームデバイスを具えることを特徴とする減圧治療システム。
【請求項７】
請求項１に記載のシステムにおいて、前記処理ユニットが更に、前記源圧力を前記第１及び第２の最大差圧の一方の限度内において変更して、前記組織部位における圧力を前記所望の組織部位圧力に届かせるように構成されていることを特徴とする減圧治療システム。
【請求項８】
請求項１に記載のシステムにおいて、前記処理ユニットが更に、前記源圧力を変更して、前記組織部位における圧力の変化をモニタすることによってブロッケージの存在を確認するように構成されていることを特徴とする減圧治療システム。
【請求項９】
請求項８に記載のシステムにおいて、前記処理ユニットが、前記源圧力を変化させることによって、前記組織部位における圧力に直接的に対応する変化が生じない場合にブロッケージが存在すると決定することを特徴とする減圧治療システム。
【請求項１０】
請求項１に記載のシステムが更に、第２の検知デバイスを具え、当該第２の検知デバイスが、前記組織部位をモニタして、前記組織部位における圧力が前記所望の組織部位圧力に届くかどうかを決定することを特徴とする減圧治療システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月3日(2010.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−高分子電解質物質を含んでなる少なくとも１つの層；および
−５００ｎｍ未満の粒子を含んでなる磁性物質を含んでなる少なくとも１つの層
で被覆された核を含んでなることを特徴とするマイクロキャリアであって、
磁性物質を含んでなる各前記少なくとも１つの層は、高分子電解質物質を含んでなる前記少なくとも１つの層の１つの上に塗布され、そしてマイクロキャリアが符号化される、上記マイクロキャリア。
【請求項２】
磁性粒子の１つの単一層を含んでなる、請求項１に記載のマイクロキャリア。
【請求項３】
前記核が漂白可能な物質を含んでなる、請求項１または２のいずれか１つに記載のマイクロキャリア。
【請求項４】
２と１０層の間の高分子電解質物質を含んでなる、請求項１から３のいずれか１つに記載のマイクロキャリア。
【請求項５】
前記マイクロキャリアの外層が負に荷電した高分子電解質物質を含んでなる層である、請求項１から４のいずれか１つに記載のマイクロキャリア。
【請求項６】
前記磁性物質が強磁性物質である、請求項１から５のいずれか１つに記載のマイクロキャリア。
【請求項７】
磁性粒子が１００と４００ナノメートルの間の大きさを有する、請求項１から６のいずれか１つに記載のマイクロキャリア。
【請求項８】
前記マイクロキャリアが１０と１００μｍの間の直径を有する、請求項１から７のいずれか１つに記載のマイクロキャリア。
【請求項９】
マイクロキャリアが該マイクロキャリアの中央面で符号化される、請求項１から８のいずれか１つに記載のマイクロキャリア。
【請求項１０】
高分子電解質物質の外層に結合された１種若しくはそれ以上のプローブをさらに含んでなる、請求項１から９のいずれかに記載のマイクロキャリア。
【請求項１１】
（ａ）微小粒子を提供する段階、
（ｂ）高分子電解質物質を含んでなる１つの層を塗布する段階、
（ｃ）前記層の高分子電解質物質の上に、５００ナノメートル未満の粒子を含んでなる磁性物質を含んでなる層を塗布する段階、
（ｄ）場合によっては段階（ｂ）および（ｃ）を１回若しくはそれ以上反復する段階、ならびに
（ｅ）マイクロキャリアを符号化する段階
を含んでなる、磁性マイクロキャリアの製造方法。
【請求項１２】
（ａ）微小粒子を提供する段階、
（ｂ）正に荷電した高分子電解質を含んでなる一層を塗布する段階、若しくは、交互の電荷をもつ電解質を含んでなる複数の層を塗布する段階（ここで外層は正の電荷を有し）、（ｃ）５００ｎｍ未満の磁性粒子の一層を塗布する段階、
（ｄ）場合によっては、段階（ｂ）および（ｃ）を１回若しくはそれ以上反復する段階、ならびに
（ｅ）正に荷電した高分子電解質を含んでなる一層を塗布する段階、若しくは交互の電荷を含んでなる交互の電荷をもつ高分子電解質を含んでなる複数の層を塗布する段階（ここで内層は正の電荷を有する）
を含んでなる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１３】
磁場中での被検体検出のための請求項１ないし９のいずれかに記載のマイクロキャリアの使用。
【請求項１４】
符号化されたマイクロキャリア上の金属物質の均一な分布を向上させるためのｌａｙｅｒ−ｂｙ−ｌａｙｅｒ技術の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月26日(2010.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査対象を収容する開口を有する回転式ガントリと、
前記対象に向かって高周波電磁線のコーン・ビームを投射するように構成されている高周波電磁エネルギ投射源と、
前記高周波電磁線のコーン・ビームを検出してここからコーン・ビーム・データを発生する検出器アレイと、
コンピュータと
を備えた計算機式断層写真法（ＣＴ）イメージング・システムであって、前記コンピュータは、
前記検出器アレイから前記コーン・ビーム・データを受け取り、
複数のビュー角度を指定し、
該複数の指定されたビュー角度の各々について、前記指定されたビュー角度に近似したビュー角度を各々有し、最適化された射線整合により決定されたものとしての複数の実測射線を選択し、
該選択された複数の実測射線に基づいて前記複数の指定されたビュー角度の各々について二次元サイノグラムを形成し、
前記選択された複数の実測射線に基づいて前記複数の指定されたビュー角度の各々について画像表面を画定する
ようにプログラムされている、計算機式断層写真法（ＣＴ）イメージング・システム。
【請求項２】
前記コンピュータはさらに、
前記コーン・ビーム・データの射線の中での不整合を算出し、
前記射線の中での前記不整合を最小化する
ようにプログラムされている、請求項１に記載のＣＴイメージング・システム。
【請求項３】
前記コンピュータはさらに、前記不整合を下式
不整合＝Σｍ＝１〜ＭΣｋ＝１〜ＫΣｊ＝１〜Ｋ［ｗｒ（ζｋ，Ｓ（ζｋ，ｘｍ，ｙｍ））＊
（ｗｒ（ζｊ，Ｓ（ζｊ，ｘｍ，ｙｍ））＊
（ｚ（ｘｍ，ｙｍ，ｋ）−ｚ（ｘｍ，ｙｍ，ｊ））２＋
η＊ｗｒ（ζｊ，Ｓ（ζｊ，ｘｍ，ｙｍ））＊
（ｗｒ（ζｋ，Ｓ（ζｋ，ｘｍ，ｙｍ））＊
ｚ（ｘｍ，ｙｍ，ｋ）＋ｗｒ（ζｋ′，Ｓ（ζｋ′，ｘｍ，ｙｍ））＊
ｚ（ｘｍ，ｙｍ，ｋ′）−ｚ（ｘｍ，ｙｍ，ｊ））２］
により算出するようにプログラムされている、請求項２に記載のＣＴイメージング・システム。
【請求項４】
前記コンピュータはさらに、前記不整合を最小化する繰り返し式勾配降下アルゴリズムを実行するようにプログラムされている、請求項２に記載のＣＴイメージング・システム。
【請求項５】
前記コンピュータはさらに、画像データを得るように前記複数の指定されたビュー角度の各々について前記二次元サイノグラムに対し再構成を実行するようにプログラムされている、請求項１に記載のＣＴイメージング・システム。
【請求項６】
前記コンピュータはさらに、前記二次元サイノグラムに対し二次元フィルタ補正逆投影（ＦＢＰ）及び直接フーリエ再構成の一方を実行するようにプログラムされている、請求項５に記載のＣＴイメージング・システム。
【請求項７】
前記コンピュータはさらに、前記複数の指定されたビュー角度の各々における前記画像表面からの画像データを直線格子に軸方向補間するようにプログラムされている、請求項５に記載のＣＴイメージング・システム。
【請求項８】
前記コンピュータはさらに、前記複数の指定されたビュー角度の各々における前記二次元サイノグラムを、下式
ｐ（θ，ｓ，ｚｎ）
＝ｗｒ（ζ１，ｓ）ｇ（βｎ＋ζ１，ｓ，γ（ζ１，ｓ））＋
ｗｒ（ζ２−π，−ｓ）ｇ（βｎ＋ζ２，−ｓ，γ（ζ２，−ｓ））
により形成するようにプログラムされている、請求項１に記載のＣＴイメージング・システム。
【請求項９】
前記コンピュータはさらに、前記長手方向軸に沿った複数の点について長手方向軸の周りの螺旋パターンとしてのコーン・ビーム・データを受け取るようにプログラムされている、請求項１に記載のＣＴイメージング・システム。
【請求項１０】
前記コンピュータはさらに、前記螺旋に沿って前記複数のビュー角度を等間隔に隔設するようにプログラムされている、請求項９に記載のＣＴイメージング・システム。
【請求項１１】
前記コンピュータはさらに、指定された時間枠内で実行され得る二次元サイノグラム再構成の数に基づいて前記複数のビュー角度を指定するようにプログラムされている、請求項１０に記載のＣＴイメージング・システム。
【請求項１２】
前記画像表面は歪みを有する非平面状表面である、請求項１に記載のＣＴイメージング・システム。
【請求項１３】
一組の命令を表わすコンピュータ・プログラムを記憶して有するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記一組の命令は、コンピュータにより実行されると、
検出器アレイにより検出されたＸ線のコーン・ビームから投影データを取得するステップであって、該コーン・ビーム投影データは撮像容積について取得されている、取得するステップと、
前記コーン・ビーム投影データをパラレル型幾何学的構成のコーン・データに再編成するステップであって、前記パラレル型幾何学的構成のコーン・データにおけるＸ線は、コーン角度と、回転軸に対する平面内変位と、ビュー角度との関数として定義される、再編成するステップと、
前記パラレル型幾何学的構成のコーン・データから、当該Ｘ線同士の間の不整合を最小化するコーン角度と冗長加重とを有するＸ線を選択するステップと、
該選択されたＸ線から複数の画像表面を決定するステップと、
前記複数の画像表面の各々について二次元サイノグラムを形成するステップと
を前記コンピュータに行なわせる、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１４】
前記コンピュータ・プログラムはさらに、前記サイノグラムの各々について、複数のボクセルで構成された二次元画像を再構成するステップを前記コンピュータに行なわせる、請求項１３に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１５】
前記コンピュータ・プログラムはさらに、
再構成円筒の内部における前記複数のボクセルの各々の位置を決定するステップと、
前記複数のボクセルの補間に基づいて前記複数のボクセルから直線格子における画像を形成するステップと
を前記コンピュータに行なわせる、請求項１３に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１６】
前記コンピュータ・プログラムはさらに、前記不整合を最小化する繰り返し式勾配降下アルゴリズムを実行するステップを前記コンピュータに行なわせる、請求項１３に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１７】
前記コンピュータ・プログラムはさらに、前記選択されたＸ線から決定される画像表面の所望の数を選択するステップを前記コンピュータに行なわせる、請求項１３に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１８】
前記コンピュータ・プログラムはさらに、前記コーン角度及び前記冗長加重の各々を、前記ビュー角度と前記回転軸からの前記平面内変位との関数として定義するステップを前記コンピュータに行なわせる、請求項１３に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１９】
前記コンピュータ・プログラムはさらに、前記選択されたＸ線同士の間の前記不整合を算出する自由パラメータであって、前記選択されたＸ線の各々と該選択されたＸ線の各々の共役との加重平均を表わす自由パラメータを選択するステップを前記コンピュータに行なわせる、請求項１３に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月17日(2010.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者に由来する試料における1種または複数種のmiRNAの発現プロファイルを測定する段階を含む、患者の状態を診断する方法であって、患者に由来する試料における発現プロファイルと正常試料の発現プロファイルの差が病理学的状態の指標であり、miRNAが
2010504102.tif 000001
である、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月21日(2010.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤバックライトアセンブリであって、
複数の内部表面を有するハウジングであって、前記内部表面のうちの少なくとも１つは光放出面であり、対向する表面は反射面である、ハウジングと、
前記光放出面と前記反射面との間に配置される光学フィルムであって、拡散フィルム、反射偏光フィルム、多層光学フィルム、及び構造化表面フィルムのうちの少なくとも１つを含む光学フィルムと、
前記光学フィルム上に配置される電気的接続状態のＬＥＤのアレイであって、少なくとも１つのＬＥＤは照明視野が前記反射面の方に向けられている、ＬＥＤのアレイと、を備えるＬＥＤバックライトアセンブリ。
【請求項２】
前記反射面が拡散反射面を含む、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記ＬＥＤのアレイの前記ＬＥＤが導電体と電気的接続状態にあり、前記導電体は前記光学フィルム上に配置される、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
バックライトアセンブリの製造方法であって、
複数の内部表面を有するハウジングであって、前記内部表面のうちの少なくとも１つは光放出面であり、対向する表面は反射面である、ハウジングを提供する工程と、
ＬＥＤのアレイと導電体とを光学フィルム上に配置する工程であって、前記光学フィルムは、拡散フィルム、反射偏光フィルム、多層光学フィルム、及び構造化表面フィルムのうちの少なくとも１つを含む工程と、
前記ＬＥＤのアレイの少なくとも１つのＬＥＤの照明視野が前記反射面の方に向けられるように、前記光学フィルムを前記光放出面と前記反射面との間に定置する工程と、を含む方法。
【請求項５】
ＬＥＤバックライトアセンブリであって、
複数の内部表面を有するハウジングであって、前記内部表面のうちの少なくとも１つは光放出面であり、対向する表面は反射面である、ハウジングと、
前記光放出面と前記反射面との間に配置される光学フィルムであって、拡散フィルム、反射偏光フィルム、多層光学フィルム、及び構造化表面フィルムのうちの少なくとも１つを含み、非平面であり、一部が反射面上に配置される、光学フィルムと、
前記光学フィルム上に配置される電気的接続状態のＬＥＤのアレイであって、少なくとも１つのＬＥＤは照明視野が反射面の方に向けられている、ＬＥＤのアレイと、を備えるＬＥＤバックライトアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月30日(2010.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
動作１６２は、パルスＲＦバイアス信号６８Ｐの、図２に示された第１のＯＮモードパルス７０−１を特定してよい。第１のＯＮモードパルス７０−１は、時間に対して変化する振幅によって特徴付けられることを示されている。方法は、特定された第１のＯＮモードパルスのサイクルの振幅のピークツーピーク電圧値をその第１のＯＮモードパルス中の時間の関数として表すエンベロープを画定する動作１６４に進んでよい。画定されるエンベロープは、特定された第１のＯＮモードパルス７０−１の振幅７４のピークツーピーク電圧値をパルス７０−１中の時間ｔの関数として表す典型的なエンベロープ８８−１であってよい。エンベロープ８８は、特定された第１のＯＮモードパルスのサイクルの振幅７４のピークツーピーク電圧値に比例する値を有する振幅９０からなってよい。方法は、パルスＲＦバイアス信号の最大ピークツーピーク電圧値（すなわちサイクル７６Ｐの値）を表す出力信号を生成するためにエンベロープをサンプリングする動作１６６に進んでよい。しかしながら、所定のエンベロープ内において２つ以上のピークツーピーク値を選択することも可能であり、その選択された１つまたは２つ以上の値は、ピーク（例えば最大）ピークツーピーク値を含むことも含まないこともある。動作１６６は、パルスＲＦバイアス信号６８Ｐに対応するエンベロープ８８−１のＶＰＥ１として図４に示されたピークＰＴＰ電圧値を表す検出器信号８６を（出力信号として）生成するために、典型的エンベロープ８８−１をサンプリングしてよい。検出器信号８６は、特定された第１のＯＮモードパルスのサイクルの振幅７４のピークツーピーク電圧値に比例する値を有する。方法は、終了に進んでよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
上述のように、図４および図５において、時刻ｔｉは、パルス状態信号１０４が発生する（またはエンベロープ８８が始まる）時刻を示しており、時刻ｔiiiは、上昇期間の終わりを、したがって第１の時間遅延の終わりを特定している。また、図５において、時刻ｔiiiとｔivとの間の差は、エンベロープ８８の上昇部分１０８の終わり（第１の時間遅延の終わり）から始まる第２の時間遅延を表している。図６は、第１の時間遅延に続く第２の遅延の終わりとして説明されている選択可能遅延の終わりにトリガ信号１０６を出力するために２つのステージ２６２，２６４で構成される、タイミング回路１０２の遅延回路１１８を示している。タイミング回路１０２の動作を開始させるために、状態信号１０４、またはエンベロープ８８を示す検出器信号８６が、ステージ２６２のシュミットトリガ回路に印加されてよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
サンプル−ホールド回路１００は、各相継ぐエンベロープ８８の振幅９０を、立ち上がりから選択可能遅延の時点においてサンプリングする。回路１００は、次のＯＮモードパルスを表す次のエンベロープ８８のサンプリングまで、振幅９０をデジタル形式で一定にホールドするように構成される。また、次のＯＮモードパルス７０を表す次のエンベロープ８８のサンプリングまで振幅９０の１つを一定にホールドする回路１００の構成は、このような振幅９０を（各ＯＮモードパルス７０に続く）ＯＦＦモード７２中も一定にホールドするので、ＯＦＦモードの電圧値（すなわちゼロ）は、平均取得回路１３０による動作の基礎となる振幅に含まれない。また、エンベロープ８８のサンプルＶＰＥは、各ＯＮモードパルスの最大ピークツーピーク電圧値に比例するので、立ち上がりから選択可能遅延の時点におけるサンプリングは、各エンベロープ８８の振幅９０をサンプリングして各ＯＮモードパルスの最大ピークツーピーク電圧値を表すのに有効である。また、回路１３０は、選択された数Ｎの各ＯＮモードパルス７０の最大ピークツーピーク電圧値を表すエンベロープ８８のサンプル振幅９０の平均を任意に（オプションとして）取得するために提供される。平均の取得がなされない場合は、任意の所定のエンベロープから１つのピークピークツーピーク電圧値を取り出して、それを調整のために使用することが可能である。さらに、所定のエンベロープから２つ以上のピークツーピーク値を得て、それらを調整のために使用してもよい。さらにまた、処理は、アナログまたはデジタルの特定の回路構成によってなされる必要はなく、ファームウェアおよび／またはソフトウェアを使用して行うこともできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１に記載の回路構成であって、
前記ＲＦバイアス電圧検出器は、前記パルスＲＦバイアス電圧信号の各個別パルスを検出して、各検出個別パルス内のピークツーピーク電圧値を表す電圧エンベロープを出力するように構成される、回路構成。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月21日(2010.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行と列の形に構成された発光ダイオード要素の組であって、各要素は発光ダイオードと、前記発光ダイオードに給電するための降圧型電圧変換器が装備された少なくとも１つの要素とを含む、発光ダイオード要素の組と、
前記少なくとも１つの発光ダイオードの電圧変換器回路を制御するための制御回路とを備え、前記制御回路は、
前記組の要素の行を順次選択するための選択回路と、
前記選択回路によって選択された前記行の前記要素の前記第１の動作位相の時間をトリガし制御するための制御回路と
を備えることを特徴とするディスプレイ用のバックライトデバイス。
【請求項２】
前記電圧変換器回路は誘導性要素およびスイッチを備え、前記スイッチは、前記誘導性要素が第１の動作位相中にエネルギーを蓄積してから前記エネルギーを前記第１の動作位相に連続する第２の動作位相中に前記発光ダイオード中へ放出するように制御されることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記発光ダイオード要素は基本ブロックに分割され、各基本ブロックは少なくとも１つの発光ダイオードを備え、前記選択回路は基本ブロックの行を順次選択し、前記制御回路は、前記選択回路によって選択された前記ブロックの前記要素の前記第１の動作位相の時間をトリガし制御することを特徴とする請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項４】
現在のブロックの１つの行、および次のブロックの１つの行にそれぞれ属する２つの基本ブロックの前記要素の前記第１の動作位相はかぶさらないことを特徴とする請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
要素ごとに、前記第１の動作位相の時間は可変であることを特徴とする請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第１の動作位相の前記時間は、ある最小時間と最大時間の間に含まれることを特徴とする請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記次の行の前記ブロックの前記第１の動作位相は、前記現在の行の前記ブロックの前記第１の動作位相の開始後で、前記最大時間に等しい期間の終了時に始まることを特徴とする請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
光を生成するためのバックライトデバイスと、前記バックライトデバイスによって生成された前記光で照射される、ビデオフレーム期間中に画像を表示するための画像デバイスとを備えるディスプレイであって、前記バックライトデバイスは、請求項１から７のいずれか一項に記載の前記バックライトデバイスによるものであることを特徴とするディスプレイ。
【請求項９】
前記第１および第２の動作位相を含む前記バックライトデバイスの前記動作期間は、前記ビデオフレーム期間と同期することを特徴とする請求項８に記載のディスプレイ。
【請求項１０】
前記ビデオフレームの前記期間は、前記バックライトデバイスの前記動作期間の前記時間の倍数であることを特徴とする請求項９に記載のディスプレイ。
【請求項１１】
前記バックライトデバイスの前記動作期間の前記時間は５０μｓ未満であることを特徴とする請求項１０に記載のディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月13日(2010.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伸長導線ケーブルであって、前記伸長導線ケーブルの長さに沿って延びる第１導線及び第２導線と、第１導線と第２導線との間に設けられた熱伝導性電気絶縁ポリマー層とを有し、第２の電気絶縁ポリマー層が、前記第１導線又は第２導線上に設けられ、前記電気絶縁ポリマー層が、２．５℃・ｃｍ２／Ｗから１５℃・ｃｍ２／Ｗの範囲内の熱インピーダンスを有する伸長導線ケーブルと、
前記伸長導線ケーブルの長さに沿って設けられた複数の発光ダイオードであって、各々が、前記第１導線及び第２導線と電気接続する複数の発光ダイオードとを備える熱伝導性ＬＥＤ組立体。
【請求項２】
前記伸長導線ケーブルが、ある厚さ及びある幅、並びに５を超える幅／厚さのアスペクト比を有する、請求項１に記載の熱伝導性ＬＥＤ組立体。
【請求項３】
前記複数の発光ダイオードが、前記伸長導線ケーブルの長さ及び幅に沿って設けられ、発光ダイオードの２次元配列を形成する、請求項１に記載の熱伝導性ＬＥＤ組立体。
【請求項４】
前記第１導線及び第２導線がパターン格子層である、請求項１に記載の熱伝導性ＬＥＤ組立体。
【請求項５】
熱伝導性ＬＥＤ組立体を形成する方法であって、
熱伝導性電気絶縁ポリマー層を第１導線と第２導線との間に設け、第２の電気絶縁ポリマー層を前記第１導線又は第２導線上に設けて、ある長さの伸長導線ケーブルを形成する工程であって、前記電気絶縁ポリマー層が、２．５℃・ｃｍ２／Ｗから１５℃・ｃｍ２／Ｗの範囲内の熱インピーダンスを有する工程と、
複数のＬＥＤを前記長さの伸長導線ケーブル上に配置する工程であって、各ＬＥＤが、前記第１導線及び前記第２導線と電気接続して、熱伝導性ＬＥＤ組立体を形成する工程とを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月31日(2010.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイス又はデバイスコンポーネントを作成する方法であって、
複数の機能層と複数の剥離層とを含む多層構造を供給する工程であって、前記剥離層の少なくとも一部が前記多層構造中で機能層間に設けられている、該工程と、
一以上の前記剥離層又は該剥離層の一部を一以上の前記機能層から分離することによって、前記機能層の少なくとも一部を前記多層構造から剥離し、複数の転写可能な構造を生成する工程と、
一以上の前記転写可能な構造をデバイス基板又はデバイス基板によって支持されたデバイスコンポーネント上に印刷し、前記デバイス又は前記デバイスコンポーネントを作成する工程と、
を含む方法。
【請求項２】
前記機能層の少なくとも一部を前記多層構造から剥離する前記工程が、
少なくとも１対の隣接する層を物理的に分離する工程であって、該一対の隣接する層が、前記多層構造中で機能層に隣接して設けられた剥離層を含む、該工程と、
前記多層構造中の一以上の前記剥離層の少なくとも一部を除去する工程と、
からなる群から選択される工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記機能層の少なくとも一部を前記多層構造から剥離する前記工程が、
一以上の剥離層をエッチングする工程と、
一以上の剥離層に熱衝撃を与える工程と、
レーザ光源からの電磁放射に前記剥離層を晒すことによって一以上の剥離層をアブレーション又は分解する工程と、
化学薬剤に前記剥離層を接触させることによって一以上の剥離層を分解する工程と、
からなる群から選択された技法を使用して、一以上の前記剥離層又は該剥離層の一部を一以上の前記機能層から分離する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記機能層の少なくとも一部を前記多層構造から剥離する前記工程が、
一以上の前記剥離層に界面クラックを導入する工程と、
前記界面クラックの伝播を引き起こすように前記剥離層に機械的に応力を加え、それによって、一以上の機能層の剥離をもたらす工程と、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
マスク層を一以上の機能層に物理的に接触して設ける工程を更に含み、
前記機能層の少なくとも一部を前記多層構造から剥離する前記工程の間、前記マスク層は、前記多層構造に供給されるエッチング液、溶媒、又は化学薬剤に一以上の機能層が晒されることを防止することができる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記機能層の少なくとも一部を前記多層構造から剥離する前記工程の前に、キャリアフィルムを一以上の前記機能層に接触させて供給する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
一以上の予め選択されたマイクロサイズ又はナノサイズの物理的寸法を有する前記転写可能な構造を生成するよう、前記機能層の少なくとも一つに凹部を作成する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記多層構造の前記機能層の少なくとも一つが、半導体層又は一連の半導体層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記一連の半導体層が、単一の結晶半導体層、有機半導体層、無機半導体層、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層、及びＩＶ族元素又は化合物半導体からなる群から選択された少なくとも一つの半導体層を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記多層構造を基板上に生成する工程を更に含み、少なくとも一つの剥離層が前記機能層と前記基板との間に設けられる、請求項１〜９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記多層構造を基板上に生成する前記工程と、前記機能層の少なくとも一部を前記多層構造から剥離する前記工程と、一以上の前記転写可能な構造を印刷する前記工程とを繰り返す工程を更に含み、
前記多層構造を基板上に生成する前記工程と、前記機能層の少なくとも一部を前記多層構造から剥離する前記工程と、一以上の前記転写可能な構造を印刷する前記工程とを繰り返す前記工程の間、前記基板が再使用される、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記多層構造の前記機能層、剥離層、又は双方の少なくとも一部が、前記基板上にエピタキシャル成長した薄膜である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
光起電力デバイス若しくはデバイスアレイ、トランジスタデバイス若しくはデバイスアレイ、発光ダイオードデバイス若しくはデバイスアレイ、レーザ若しくはレーザのアレイ、又はセンサ若しくはセンサアレイを作成する方法を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
転写可能な半導体構造を作成する方法であって、
複数の機能層と複数の剥離層とを含む多層構造を提供する工程であって、前記剥離層の少なくとも一部が前記多層構造中で機能層間に設けられ、前記機能層の少なくとも一部が一以上の半導体薄膜を含む、該工程と、
一以上の前記剥離層又は該剥離層の一部を一以上の前記機能層から分離することによって前記機能層の少なくとも一部を前記多層構造から剥離し、前記転写可能な半導体構造を生成する工程と、
を含む方法。
【請求項１５】
光起電力デバイス又はデバイスアレイを作成する方法であって、
複数の機能層と複数の剥離層とを含む多層構造を提供する工程であって、前記剥離層の少なくとも一部が前記多層構造中で機能層間に設けられ、前記機能層の少なくとも一部が光起電力セルを含む、該工程と、
一以上の前記剥離層又は該剥離層の一部を一以上の前記機能層から分離することによって、前記機能層の少なくとも一部を前記多層構造から剥離し、複数の転写可能な光起電力セルを生成する工程と、
一以上の前記転写可能な光起電力セルをデバイス基板又はデバイス基板によって支持されたデバイスコンポーネント上に接触印刷又は溶液印刷によって印刷し、それによって、前記電子デバイス又は前記電子デバイスコンポーネントを作成する工程と、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月9日(2010.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ．少なくとも１つの電子装置、および
Ｂ．電子装置の少なくとも１つの面に密接に接触しているポリマー材料を含む電子装置モジュールであって、前記ポリマー材料が、（１）（ａ）０．９０ｇ／ｃｃ未満の密度、（ｂ）ＡＳＴＭ  Ｄ−８８２−０２により測定して１５０メガパスカル（ｍＰａ）未満の２％割線係数、（ｃ）９５℃未満の融点、（ｄ）ポリマーの重量に基づいて少なくとも１５重量％かつ５０重量％未満のα−オレフィン含量、（ｅ）−３５℃未満のＴｇ、ならびに（ｆ）少なくとも５０％のＳＣＢＤＩの特性をもつポリオレフィンコポリマーを含む、電子装置モジュール。
【請求項２】
ポリマー材料が、コポリマーの重量に基づいて少なくとも０．０５重量％の量のフリーラジカル開始剤または光開始剤、および／またはコポリマーの重量に基づいて少なくとも０．０５重量％の量の助剤(co-agent)を含む、請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
ポリマー材料が、コポリマーの重量に基づいて少なくとも０．１重量％の量のビニルシラン、およびコポリマーの重量に基づいて少なくとも０．０５重量％の量のフリーラジカル開始剤を含む、請求項１または２に記載のモジュール。
【請求項４】
ポリオレフィンコポリマーが、ＡＳＴＭ  ２７６５−９５により測定して７０パーセント未満のキシレン可溶性抽出可能物を含むように、ポリオレフィンコポリマーが架橋されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のモジュール。
【請求項５】
電子装置がソーラーセルである、請求項１〜４のいずれか１項に記載のモジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって：
第一有機シリコン化合物と、第一酸化ガスと、一つ以上の炭化水素化合物とを含む第一ガス混合物を、該基板上に第一低誘電率膜を堆積させるのに充分な堆積条件でチャンバ内へ分配するステップと；
第二有機シリコン化合物と第二酸化ガスを含む第二ガス混合物を、該第一低誘電率膜上に第二低誘電率膜を堆積させるのに充分な堆積条件で該チャンバ内へ分配するステップと；
該第二酸化ガスの該チャンバ内への流量を増加させるステップと；
第二有機シリコン化合物の該チャンバ内への流量を減少させるステップと；
該第二低誘電率膜上に酸化物を多く含むキャップを堆積させるステップと；
を含む。前記方法。
【請求項２】
該酸化物を多く含むキャップと該第二低誘電率膜を平坦化するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該第一有機シリコン化合物が、１,３,５-トリシラノ-２,４,６-トリメチレン、１,３,５,７-テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、１,３,５,７,９-ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１,３,５,７-テトラシラノ-２,６-ジオキシ-４,８-ジメチレン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、ジエトキシメチルシラン、ジメチル,ジメトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、トリメチルシラン、これらの誘導体、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該第一有機シリコン化合物が、ジエトキシメチルシランである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
該第二有機シリコン化合物が、オクタメチルシクロテトラシロキサン又はトリメチルシランを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
該一つ以上の炭化水素化合物が、炭素原子５個又は６個の少なくとも一つの環を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
該一つ以上の炭化水素化合物が、アルファ-テルピネン、ビニルシクロヘキサン、ノルボルナジエン、フェニルアセテート、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
該第二有機シリコン化合物が、オクタメチルシクロテトラシロキサンであり、該一つ以上の炭化水素化合物がアルファ-テルピネン又はノルボルナジエンである、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
該第一酸化ガス及び第二酸化ガスが、酸素、オゾン、二酸化炭素、一酸化炭素、水、亜酸化窒素、及び２,３-ブタンジオンからなる群より選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
該第二酸化ガスが、酸素を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
該第一低誘電率膜の誘電率が、約２.５以下であり、該第二低誘電率膜の誘電率が、約２.５〜約３.５の範囲にある、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
該第一低誘電率膜上に該第二低誘電率膜を堆積させることが：
ＲＦ電力の存在下に該基板上に第一低誘電率膜を堆積させるステップと；
該第一低誘電率膜が堆積された後に該ＲＦ電力を止めるステップと；
該第一低誘電率膜を硬化するステップと；
を含み、
該第一低誘電率膜上に該第二低誘電率膜を堆積させることが：
ＲＦ電力の存在下に該第一低誘電率膜上に該第二低誘電率膜を堆積させるステップと；
該第二低誘電率膜が堆積された後に該ＲＦ電力を止めるステップと；
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
該第一低誘電率膜を硬化するステップは、熱アニールプロセス、プラズマ増強形アニールプロセス、電子ビームプロセス、紫外線硬化プロセスからなる群より選ばれるプロセスを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
該酸化物を多く含むキャップと該第二低誘電率膜を硬化し平坦化するステップを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
該酸化物を多く含むキャップと該第二低誘電率膜を硬化するステップは、熱アニールプロセス、プラズマ増強形アニールプロセス、電子ビームプロセス、紫外線硬化プロセスからなる群より選ばれるプロセスを含む、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月9日(2010.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ．少なくとも１つの電子装置、および
Ｂ．前記電子装置の少なくとも１つの面に密接に接触しているポリマー材料であって、（ａ）１．３よりも大きい分子量分布、（ｂ）０．９０ｇ／ｃｃよりも小さい密度、（ｃ）ＡＳＴＭ Ｄ−８８２−０２により測定して１５０ＭＰａよりも小さい２％割線係数、（ｄ）１２５℃未満の融点、（ｅ）前記コポリマーの重量に基づいて少なくとも１０重量％であり８０重量％未満のα−オレフィン含量、および（ｆ）−３５℃未満のガラス転移点Ｔｇで特徴づけられるエチレンマルチブロックコポリマーを含むポリマー材料
を含む、電子装置モジュール。
【請求項２】
前記ポリマー材料が、前記コポリマーの重量に基づいて少なくとも０．０５重量％の量で存在するフリーラジカル開始剤、および／または前記コポリマーの重量に基づいて少なくとも０．０５重量％の量で存在する助剤を含む、請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記ポリマー材料が、少なくとも１つのエチレン不飽和と少なくとも１つのカルボニル基を含む不飽和有機化合物でグラフトされたポリオレフィンポリマーをさらに含む、請求項１または２に記載のモジュール。
【請求項４】
前記ポリマー材料が、前記コポリマーの重量に基づいて少なくとも０．１重量％の量のビニルシラン、および前記コポリマーの重量に基づいて少なくとも０．０５重量％の量のフリーラジカル開始剤を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のモジュール。
【請求項５】
前記電子装置がソーラーセルである、請求項１〜４のいずれか１項に記載のモジュール。