【事件の表示】
　平成１１年特許願第１４０７６４号「半導体波長変換素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１１月３０日出願公開、特開２０００−３３０１５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年５月２０日に出願された特許出願であって、原審において、平成１４年８月２８日付で拒絶理由が通知され、これに対し、同年１１月５日に手続補正がなされ、次いで平成１５年１月２７日付で再度拒絶理由が通知され、これに対し、同年４月７日に手続補正がなされたところ、同年５月１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものであって、その請求項に係る発明は、上記手続補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項１】　半導体基板上に積層された多層膜構造よりなる半導体波長変換素子であって、前記多層膜構造に電流を注入する手段と、この電流注入によって発光する活性層と、を備えてなり、前記活性層が、半導体ヘテロ構造による電子の閉じ込めの寸法が１００ｎｍ以下とされかつ電子の閉じ込め次元が２次元以上であり、ある基底エネルギー準位間遷移を有する量子細線または量子ドットからなる半導体量子微細構造よりなっていることを特徴とする半導体波長変換素子。」
　　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平１１−８０８０１号（特開２０００−２７５６９２号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、以下の事項が開示されていると認められる（以下、「先願発明」という。）。
　
　ア．「【０００１】【発明の属する技術分野】
　本発明は半導体量子ドットを用いた波長変換素子に関するものであり、特に、タイプＩＩの量子ドットとタイプＩの量子井戸とを積層させることによって変換効率を高めた半導体量子ドットを用いた波長変換素子に関するものである。」
　
　イ．「【００３２】【発明の実施の形態】
　ここで、本発明の第１の実施の形態を図２乃至図４を参照して説明するが、まず、図２を参照して本発明の第１の実施の形態の製造工程を説明する。
　図２（ａ）参照　
　まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に、ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相成長法）により、基板温度を、例えば、６２０℃とした状態で、厚さが１００〜３００ｎｍ、例えば、１００ｎｍで、不純物濃度が０．５×１０１８〜１×１０１８ｃｍ−３、例えば、１．０×１０１８ｃｍ−３で、Ａｌ組成比が０．２〜０．４、例えば、０．３０のｎ型ＡｌＧａＡｓ層１２、厚さが５〜１０ｎｍ、例えば、７ｎｍのノン・ドープのＧａＡｓ層１３、及び、厚さが２〜５ｎｍ、例えば、５ｎｍで、Ａｌ組成比が０．６〜１．０、例えば、０．６０のノン・ドープのＡｌＧａＡｓバリア層１４を順次堆積させる。
　【００３３】　図２（ｂ）参照　
　次いで、基板温度を、例えば、５１０℃とした状態で薄いＧａＳｂ層を成長させるが、この場合、ＡｌＧａＡｓバリア層１４とＧａＳｂ層との格子不整合に起因して、上述のＳｔｒａｎｓｋｉ−Ｋｒａｓｔａｎｏｖモードの自己形成によってＧａＳｂ量子ドット１５が形成される。
　【００３４】　また、この時、ＧａＳｂ量子ドット１５の歪が薄いＡｌＧａＡｓバリア層１４を介してＧａＡｓ層１３に伝搬し、ＧａＡｓ層１３にＧａＳｂ量子ドット１５に対応した歪量子ドット１６が形成される。
　【００３５】　図２（ｃ）参照　
　次いで、基板温度を、例えば、５１０℃とした状態で厚さが２〜１０ｎｍ、例えば、１０ｎｍで、Ａｌ組成比が０．６〜１．０、例えば、０．６０のノン・ドープのＡｌＧａＡｓバリア層１７を成長させたのち、基板温度を、例えば、再び６２０℃に上昇させ、厚さが１００〜３００ｎｍ、例えば、１００ｎｍで、不純物濃度が０．５×１０１８〜１×１０１８ｃｍ−３、例えば、１．０×１０１８ｃｍ−３で、Ａｌ組成比が０．２〜０．４、例えば、０．３０のｐ型ＡｌＧａＡｓ層１８、及び、厚さが、例えば、５ｎｍのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１９を順次堆積させる。
　【００３６】　図２（ｄ）参照　
　最後に、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の裏面及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層１９の表面に、それぞれ厚さが２〜５ｎｍ、例えば、２ｎｍのＴｉ層２０，２１を形成したのち、それぞれ厚さが２〜５ｎｍ、例えば、３ｎｍのＡｕ層２２，２３を形成してｎ側電極及びｐ側電極とすることによって波長変換素子の基本構造が完成する。」
　
　ウ．「【００３７】　次に、図３及び図４を参照して、この第１の実施の形態の波長変換素子の動作原理を説明する。
　図３（ａ）参照　
　まず、波長変換素子を順方向バイアスすることによって、歪量子ドット１６にはｎ型ＡｌＧａＡｓ層１２から電子２９を注入することによって、注入された電子２９が歪量子ドット１６の伝導帯側の基底準位２４を占めることになる。
　一方、ＧａＳｂ量子ドット１５にはｐ型ＡｌＧａＡｓ層１８から正孔３０が注入され、注入された正孔３０はＧａＳｂ量子ドット１５の価電子帯側の基底準位２７を占めることになる。
　【００３８】　図３（ｂ）参照　
　この様な状態において、ＧａＳｂ量子ドット１５の価電子帯側の基底準位２７と第１励起準位２８のエネルギー差に等しいエネルギーの波長ｈνの遠中赤外線３１が入射すると、基底準位２７の正孔３０が励起されて第１励起準位２８へ遷移する。
　【００３９】　図４（ｃ）参照　
　励起された正孔３０は第１励起準位２８よりエネルギーの低い歪量子ドット１６の価電子帯側の基底準位２５に、ＡｌＧａＡｓバリア層１４をトンネルして緩和する。
　【００４０】　図４（ｄ）参照　
　トンネルによって歪量子ドット１６側に緩和した正孔３０は、歪量子ドット１６内において電子２９と再結合することによって、基底準位２４と基底準位２５のエネルギー差に対応したエネルギーの波長ｈν′の近赤外線を変換光３２として放出する。」
　
　エ．また、図２からは、「歪量子ドット１６は、膜厚が７ｎｍのノン・ドープＧａＡｓ層１３内に形成され、ＧａＳｂ量子ドット１５は、膜厚が１０ｎｍのノン・ドープＡｌＧａＡｓバリア層１７に含まれる。」ことが見て取れる。
　　
３．対比・判断
　そこで、本願発明と先願発明とを比較すると、
　ａ．先願発明の層構成（上記イ参照）は以下のとおりである。
　　層１　　ｎ側電極
　　層２　　ｎ型ＧａＡｓ基板１１
　　層３　　ｎ型ＡｌＧａＡｓ層１２（層厚１００ｎｍ）
　　層４　　ノン・ドープＧａＡｓ層１３（層厚７ｎｍ）
　　層５　　歪量子ドット１６
　　層６　　ノン・ドープＡｌＧａＡｓバリア層１４（層厚５ｎｍ）
　　層７　　ＧａＳｂ量子ドット１５
　　層８　　ノン・ドープＡｌＧａＡｓバリア層１７（層厚１０ｎｍ）
　　層９　　ｐ型ＡｌＧａＡｓ層１８（層厚１００ｎｍ）
　　層１０　ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１９（層厚５ｎｍ）
　　層１１　ｐ側電極
　ここで、上記量子ドットの層５，７を含む上記層４〜８が半導体ヘテロ構造の活性層であり、その層厚の総和は７＋５＋１０＝２２ｎｍであること（上記ウ、エ）、また、「歪量子ドット１６内において電子２９と再結合することによって、基底準位２４と基底準位２５のエネルギー差に対応したエネルギーの波長ｈν′の近赤外線を変換光３２として放出する。」（上記ウ）なる記載から見て上記層５の歪量子ドット１６が、基底エネルギー準位間遷移を有することは明らかであるから、先願発明には本願発明の「前記活性層が、半導体ヘテロ構造による電子の閉じ込めの寸法が１００ｎｍ以下とされかつ電子の閉じ込め次元が２次元以上であり、ある基底エネルギー準位間遷移を有する量子細線または量子ドットからなる半導体量子微細構造よりなっている」との事項が記載されているといえる。
　
　ｂ．先願発明は上記層１〜１１の多層膜構造を有する波長変換素子であって、「波長変換素子を順方向バイアスすることによって、・・・波長ｈνの遠中赤外線３１が入射すると、・・・歪量子ドット１６内において・・・波長ｈν′の近赤外線を変換光３２として放出する。」（上記ウ）のであるから、先願発明には本願発明の「半導体基板上に積層された多層膜構造よりなる半導体波長変換素子であって、前記多層膜構造に電流を注入する手段と、この電流注入によって発光する活性層と、を備えてなり」との事項が記載されているといえる。
　
　ｃ．そうすると、先願明細書には本願発明のすべての技術事項が記載されているのであるから、両者は同一であるといえる。
　
　なお、請求人は、平成１５年７月１４日に提出した請求の理由を補充する手続補正書（方式）において、
「１．本願請求項に係る発明の説明
　本願発明は、審判請求の理由の補充を目的とする本手続補正書（方式）と
同日付けで提出した手続補正書
と主張しているが、実際には上記手続補正書（方式）と同日付けの手続補正書は提出されていない。したがって、同手続補正書に基づく請求人の主張には根拠がなく、採用し得ないものである。
　　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。