Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月7日(2010.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構成的ＴＮＦ−αシグナル伝達により特徴付けられる疾患の処置のためのＩＡＰ阻害剤であって、
Ｎ−１−シクロヘキシル−２−｛２−［４−（４−フルオロ−ベンゾイル）−チアゾール−２−イル］−ピロリジン−１−イル｝−２−オキソ−エチル）−２−メチルアミノ−プロピオンアミド；
Ｎ−［シクロヘキシル−（エチル−｛１−［５−（４−フルオロ−ベンゾイル）−ピリジン−３−イル］−プロピル｝カルバモイル）−メチル］−２−メチルアミノ−プロピオンアミド；
Ｎ−（１−シクロヘキシル−２−｛２−［５−（４−フルオロ−フェノキシ）−ピリジン−３−イル］−ピロリジン−１−イル｝−２−オキソ−エチル）−２−メチルアミノ−プロピオンアミド；および、
Ｎ−［１−シクロヘキシル−２−（２−｛２−［（４−フルオロフェニル）−メチル−アミノ］−ピリジン−４−イル｝ピロリジン−１−イル）−２−オキソ−エチル］−２−メチルアミノ−プロピオンアミド、およびそれらの薬学的に許容される塩から選択される、ＩＡＰ(アポトーシス阻害タンパク質)阻害剤。
【請求項２】
該疾患が増殖性疾患である、請求項１記載のＩＡＰ阻害剤。
【請求項３】
該疾患が、癌、心疾患、ウイルス性疾患、遺伝性疾患、炎症性疾患、アレルギー性疾患、および自己免疫性疾患から選択される、請求項１記載のＩＡＰ阻害剤。
【請求項４】
癌が固形腫瘍または血液伝播性腫瘍である、請求項３に記載のＩＡＰ阻害剤。
【請求項５】
心疾患が鬱血性心不全である、請求項３に記載のＩＡＰ阻害剤。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月19日(2010.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気の超音速流をパイロット空気部分（６６）と主空気部分（８４）とに分割するのに有効な吸気口（１６）と、主アイソレータ（１４）と、主燃焼器（１８）とを順にかつ流体連通状態で有するスクラムジェットエンジン用の中央本体パイロットポッド（４２）であって、
前記吸気口（１６）とパイロットディフューザ（５２）との間に配置された、前記超音速流の体積比３％〜１０％である前記パイロット空気部分（６６）を受け取り、かつ前記パイロット空気部分（６６）を亜音速に減速するのに有効なパイロットアイソレータ（５０）と、
前記パイロットアイソレータ（５０）とパイロットフレームホルダ（５４）との間に配置された前記パイロットディフューザ（５２）と、
前記パイロットディフューザ（５２）とパイロット燃焼器（５６）との間に配置された前記パイロットフレームホルダ（５４）と、を備え、
前記パイロット燃焼器５６からの排気８０が前記主燃焼器（１８）中心に限定され、かつ前記主空気部分（８４）が前記中央本体パイロットポッド（４２）の周りを進むように、前記中央本体パイロットポッド（４２）は、前記主アイソレータ（１４）の中心軸（１２）に沿って軸対称に配置され、前記主アイソレータ（１４）の内壁（９２）から前記中央本体パイロッドポッド（４２）の外面に向かって延びる複数の支柱（４４）によって支持されている、中央本体パイロッドポッド（４２）。
【請求項２】
前記複数の支柱（４４）は、前記パイロットアイソレータ（５０）と、前記パイロットフレームホルダ（５４）とに燃料（１９）を送出するのに有効であるパイロット燃料噴射器（７６）を含む、請求項１に記載の中央本体パイロットポッド（４２）。
【請求項３】
主燃料噴射器（７８）が、前記主アイソレータ（１４）の前記内壁（９２）上と、前記パイロッドポッド（４２）の外面上とに位置する、請求項２に記載の中央本体パイロットポッド（４２）。
【請求項４】
前記複数の支柱（４４）と前記パイロッドポッド（４２）との組み合わせが、前記主アイソレータ（１４）の断面積の２０％未満である、請求項２に記載の中央本体パイロットポッド（４２）。
【請求項５】
前記パイロット燃焼器（５６）に固定されたノズル８２が、前記パイロット燃焼器（５６）から前記主燃焼器（１８）へ排気（８０）を送出するのに有効である、請求項３に記載の中央本体パイロットポッド（４２）。
【請求項６】
前記主アイソレータ（１４）の前記内壁（９２）上に位置する主燃料噴射器（７８ｅ、７８ｆ）は、残りの前記主燃料噴射器（７８ａ、７８ｂ、７８ｃ、７８ｄ）がフロー提供位置にある間、非フロー位置にある、請求項５に記載の中央本体パイロットポッド（４２）。
【請求項７】
前記支柱（４４）の基部にそって主燃料噴射器（７８ｄ）をさらに含む、請求項６に記載の中央本体パイロットポッド（４２）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月12日(2010.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象の代謝年齢を決定する方法であって、
ａ）対象に由来する生体試料を解析して、試料中における１つ又は複数の代謝年齢のバイオマーカーの（複数の）レベルを決定するステップであって、１つ又は複数のバイオマーカーが、０．０５未満のｐ値を有する、表２、７、及び／又は８、並びにこれらの組み合わせにあるバイオマーカーから選択されるステップと、
ｂ）試料中にある１つ又は複数のバイオマーカーの（複数の）レベルを１つ又は複数のバイオマーカーの代謝年齢基準レベルと比較して、対象の代謝年齢を決定するステップと
を含む方法。
【請求項２】
試料中における１つ又は複数のバイオマーカーの（複数の）レベルを生化学的年齢指数と比較して、対象の代謝年齢を決定する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
より高齢の実年齢に対応する代謝年齢基準レベルに類似する、試料中における１つ又は複数のバイオマーカーのレベルが、ネガティブの代謝年齢を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
より若齢の実年齢に対応する代謝年齢基準レベルに類似する、試料中における１つ又は複数のバイオマーカーのレベルが、ポジティブの代謝年齢を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
生体試料が血漿であり、１つ又は複数のバイオマーカーが、表２、７、及び／又は８、並びにこれらの組み合わせから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
（複数の）基準レベルが、性、人種、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される集団に合わせて調整される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記対象が男性対象であり、バイオマーカーが表７にある１つ又は複数のバイオマーカーから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記対象が女性対象であり、バイオマーカーが表７にある１つ又は複数のバイオマーカーから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
生化学的年齢指数（ＢＡＩ）を作成する方法であって、
ａ）複数の対象に由来する生体試料を解析して、年齢と共に変化する１つ又は複数の第１のバイオマーカーの（複数の）レベルを決定するステップであって、１つ若しくは複数の第１のバイオマーカー、又は１つ若しくは複数の第２のバイオマーカーが、０．０５未満のｐ値を有する、表２、７、及び／又は８、並びにこれらの組み合わせにあるバイオマーカーから選択されるステップと、
ｂ）年齢と共に変化する１つ又は複数の第１のバイオマーカーの各々と相関する１つ又は複数の第２のバイオマーカーの（複数の）レベルを組み合わせて、年齢と共に変化する１つ又は複数のバイオマーカー群を生成するステップと、
ｃ）１つ又は複数のバイオマーカー群の各々のレベルを用いて、生化学的年齢指数を生成するステップと
を含む方法。
【請求項１０】
生化学的年齢指数が、複数の対象の１つ又は複数のバイオマーカー群のレベル対年齢をプロットすることにより生成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
生化学的年齢指数が、性集団及び人種集団からなる群から選択される集団に合わせて調整される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
生体試料が、男性対象又は女性対象から得られる、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
ｃ）食事、栄養、ライフスタイルの変化、及び／又は代謝物の投与により、対象の代謝年齢を改変する勧告を行うステップ
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
（複数の）代謝年齢基準レベルが、性、人種、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される集団に合わせて調整される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
代謝年齢を調節する組成物の有効性を評価する方法であって、
ａ）第１の代謝年齢を有する対象であって、化合物又は組成物で治療を受けていた対象に由来する第１の生体試料を提供するステップと、
ｂ）該生体試料中の０．０５未満のｐ値を有する、表２、７、及び／又は８、並びにこれらの組み合わせにあるバイオマーカーから選択される１つ又は複数のバイオマーカーの（複数の）レベルを決定するステップと、
ｃ）試料中の１つ又は複数のバイオマーカーの（複数の）レベルを、（ｉ）化合物又は組成物での治療に先立って対象から得られた試料である第２の生体試料中における１つ又は複数のバイオマーカーの（複数の）レベル、（ｉｉ）１つ又は複数のバイオマーカーの代謝年齢ポジティブの基準レベル、（ｉｉｉ）１つ又は複数のバイオマーカーの代謝年齢ネガティブの基準レベル、及び（ｉｖ）標的代謝年齢に対する１つ又は複数のバイオマーカーの基準レベルからなる群から選択されるバイオマーカーレベルと比較するステップと、
を含む方法。
【請求項１６】
標的代謝年齢基準レベルが、対象の実年齢に対応する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
（複数の）基準レベルが、性、人種、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される集団に合わせて調整される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
ｄ）代謝年齢を調節することができる組成物を同定するステップ
をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
１つ又は複数の代謝年齢バイオマーカーのレベルを調節する活性について試験化合物をスクリーニングする方法であって、
ａ）１つ又は複数の細胞を試験化合物と接触させるステップと、
ｂ）１つ若しくは複数の細胞、又は細胞と関連する生体試料の少なくとも一部を解析して、０．０５未満のｐ値を有する、表２、７、及び／又は８、並びにこれらの組み合わせにあるバイオマーカーから選択される１つ又は複数の代謝年齢バイオマーカーの（複数の）レベルを決定するステップと、
ｃ）１つ又は複数のバイオマーカーの（複数の）レベルを、バイオマーカーに対してあらかじめ決定されたレベルと比較して、組成物が１つ又は複数のバイオマーカーの（複数の）レベルを調節したかどうかを判定するステップと
を含む方法。
【請求項２０】
バイオマーカーについてあらかじめ決定された標準レベルが、組成物の不在下における１つ又は複数の細胞中の１つ又は複数のバイオマーカー、及び試験化合物と接触させていない１つ又は複数の対照細胞中の１つ又は複数のバイオマーカーの（複数の）レベル群から選択される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
ｉｎ  ｖｉｔｒｏ又はｉｎ  ｖｉｖｏで実施される、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月9日(2010.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
いくつかのサンプル処理技術が、マイクロ流体デバイスの使用および組み込みのために開発されている。これらの技術およびマイクロ流体デバイスとしては、組み込まれた界面活性剤媒介性溶解、レーザー媒介細胞溶解、および電場媒介性溶解が挙げられる。さらに、Ｅ．ｃｏｌｉ由来のＤＮＡの溶解、濃縮、精製および分析を可能にするシステムが開発されている。これらのシステムの多くは、比較的不安定な真核生物細胞タイプおよび細菌でサンプル処理を行う。これらのデバイスのほとんどは、調製されたサンプルを溶出して下流の分析を可能にする能力がない。マイクロ流体分析のために細菌芽胞を迅速に溶解および分析する能力に関している研究はさらに少ない。
従って、限定はしないが電気泳動分析、タンパク質フィンガープリント、核酸増幅、すなわち、ＰＣＲおよびハイブリダイゼーション分析、例えば、タンパク質および核酸のマイクロアレイの使用を含む種々の分析のために有用なサンプル処理技術を開発する必要は継続して存在している。最後に、使い捨て可能で小型のカードベースのサンプル調製システムを開発する必要性もあり、それらは使いやすく、サンプルの交差汚染を最小にする。
【先行技術文献】  
【特許文献】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願第２００２／０１１５２０１号公報
【特許文献２】米国特許出願第２００６／００８４１６５号公報
【特許文献３】米国特許出願第２００６／０２０５０８５号公報
【特許文献４】米国特許出願第２００５／００５３９５２号公報
【特許文献５】米国特許出願第２００５／００１６１４１号公報
【特許文献６】米国特許第６９１９１７５号公報
【特許文献７】国際公開第９９／０２２８６８号公報
【特許文献８】米国特許出願第２００４／０１３７４６５号公報
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月3日(2010.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーマトリックス内に衝撃改質剤粒子が分散し、該ポリマーマトリックスが連続層を形成した衝撃性改良ポリラクチド樹脂であって、
（ａ）該ポリマーマトリックスの少なくとも９０重量％が１種又は２種以上のポリラクチドであり、
（ｂ）該衝撃改質剤は、該ポリラクチド樹脂内に、（ｉ）少なくとも１５０ｎｍの直径を有する大きな粒子若しくは凝集体又はその両者、及び（ii）１０〜１５０ｎｍの直径を有する小さな粒子又は凝集体として分散し、透過型電子顕微鏡を用いて、この混合物の平面の画像を撮ると、（１）大きな粒子及び凝集体の画像化した面積が、画像化した粒子の全面積の６０〜９５％を構成し、かつ（２）全ての粒子及び凝集体の数平均粒子サイズが２１０ｎｍ以下であり、更に、
（ｃ）該衝撃改質剤が、
（１）Ｔｇが−１０℃より低い架橋ゴム状コア；
（２）Ｔｇが少なくとも５０℃であるポリマーから成るシェル；及び
（３）１．４３０〜１．４８５の範囲の屈折率
を有するコアシェルゴムである衝撃性改良ポリラクチド樹脂。
【請求項２】
前記ポリラクチド樹脂が非晶性グレードである請求項１に記載の衝撃性改良ポリラクチド樹脂。
【請求項３】
前記ゴム状コアがアクリル樹脂モノマーのポリマー又はコポリマーである請求項１又は２に記載の衝撃性改良ポリラクチド樹脂。
【請求項４】
前記ゴム状コアがアクリル酸ブチル又はアクリル酸−２−エチルヘキシルのポリマー又はコポリマーである請求項３に記載の衝撃性改良ポリラクチド樹脂。
【請求項５】
前記シェルがメタクリル酸エステルのポリマー又はコポリマーである請求項１〜４のいずれか一項に記載の衝撃性改良ポリラクチド樹脂。
【請求項６】
前記シェルがメタクリル酸メチルのポリマー又はコポリマーである請求項５に記載の衝撃性改良ポリラクチド樹脂。
【請求項７】
前記コアシェルゴムを１〜１２重量％含む請求項１〜６のいずれか一項に記載の衝撃性改良ポリラクチド樹脂。
【請求項８】
前記コアシェルゴムを５〜１０重量％含む請求項７に記載の衝撃性改良ポリラクチド樹脂。
【請求項９】
落槍衝撃強度が４〜２０ｆｔ−ｌｂ（５．４〜２７Ｊ）であり、かつ曇り度が１０％以下である請求項１〜８のいずれか一項に記載の衝撃性改良ポリラクチド樹脂。
【請求項１０】
落槍衝撃強度が８〜１５ｆｔ−ｌｂ（１０．８〜２０Ｊ）であり、かつ曇り度が１０％以下である請求項９に記載の衝撃性改良ポリラクチド樹脂。
【請求項１１】
落槍衝撃強度が少なくとも９ｆｔ−ｌｂ（１２．１Ｊ）であり、かつ曇り度が８％以下である請求項１０に記載の衝撃性改良ポリラクチド樹脂。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の衝撃性改良ポリラクチド樹脂から製造された熱成形製品。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月30日(2010.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのプロテアーゼを含み、前記プロテアーゼがスブチリシンプロテアーゼであり、７乃至１０のｐＨの洗浄液を提供する、非リン酸塩含有食器用洗浄洗剤。
【請求項２】
前記プロテアーゼが前記洗剤に少なくとも０．２％含まれる、請求項１の洗浄洗剤。
【請求項３】
更に漂白剤又は漂白活性剤を含む、請求項１の洗浄洗剤。
【請求項４】
更に、プロテアーゼ、メタロプロテアーゼ、カルボヒドロラーゼ、酸化還元酵素、リパーゼ、ペクチナーゼ、マンナーゼ、アミラーゼ、ヘミセルラーゼ、エステラーゼ、トランスフェラーゼ、及びペルヒドロラーゼから選択される少なくとも１つの酵素を含む、請求項１の洗浄洗剤。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月30日(2010.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの加熱エレメントを覆うか又は収容することを意図したガラスセラミックプレートであって、ガラスセラミックよりも高い屈折率を有する金属材料に基づく少なくとも１つのナノスケールの層で少なくとも部分的にコーティングされたガラスセラミックプレート。
【請求項２】
料理板又はホブ（ｈｏｂ）としての役割を果たすことを意図したことを特徴とする、請求項１に記載のガラスセラミックプレート。
【請求項３】
前記ナノスケールの層が別の層のための下層としての役割を果たすことを特徴とする、請求項１又は２に記載のガラスセラミックプレート。
【請求項４】
前記ナノスケールの層が少なくとも１つの塗料層と組み合わせられたことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラスセラミックプレート。
【請求項５】
前記ナノスケールの層が少なくとも１つのエナメル層と組み合わせられたことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のガラスセラミックプレート。
【請求項６】
前記層がスクリーン印刷によって得られたことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のガラスセラミックプレート。
【請求項７】
ガラスセラミックよりも高い屈折率を有する少なくとも１つの金属材料及び／又は該金属材料の前駆体を含む、ガラスセラミックプレートのためのスクリーン印刷可能な組成物。
【請求項８】
前記金属材料の粒子をガラスセラミックプレートに結合させるための有機材料をさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の組成物がスクリーン印刷によってセラミック化の前に前駆体ガラスに適用される、請求項１〜６のいずれか１項に記載のプレートを製造するための方法。
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のガラスセラミックプレートと、１つ又は複数の加熱エレメントとを含む、高温を維持する機器及び／又は調理機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月28日(2010.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソーダ回収ボイラを停止する際に前記ボイラの床を空にするための方法であって、
緑液エダクターの中に排出のための負圧を生成することと、
前記ソーダ回収ボイラの壁面に設けられた開口部を通して、前記負圧吸引力によって前記緑液エダクターで前記ソーダ回収ボイラから緑液を吸引することと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記開口部は、空にする目的で設けられる緑液吐出口開口部または別の開口部である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ソーダ回収ボイラの炉から、負圧吸引に基づき、前記緑液エダクターで緑液を吸引することを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
加圧ガスを前記緑液エダクターに導き、前記エダクターの排出方向に排出することにより、前記緑液エダクターに必要な前記負圧を生成することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
緑液エダクターで、前記ソーダ回収ボイラの炉から、
・  緑液吐出口へ、または、
・  直接もしくは前記緑液吐出口を通って、緑液タンクもしくは溶解タンクへ、または
・  別の回収システムへ、
緑液を吸引することを含む、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
吸引される前記緑液は、含塩緑液または洗浄水である、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記ボイラにおける前記緑液の表面の高さが、緑液が依然として緑液吐出口に流れるような時点において、前記ソーダ回収ボイラの前記空にすることを開始することを含む、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
ボイラ壁面の開口部に緑液エダクターを設置することを含み、前記緑液エダクターが備える吸引管が、前記開口部より低い高さにおいて、前記ボイラにおける炉の床の上の緑液プールに延出するようにする、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記ボイラの床の上の最深位置の近くに前記吸引管の口が設けられるように吸引管が形成される緑液エダクターを使用することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ソーダ回収ボイラの緑吐出口に適合する緑液エダクターを使用することを含む、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
吸引管が全体に実質的に空洞であり、かつ障害物のない緑液エダクターで緑液を吸引することを含む、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
ソーダ回収ボイラを停止する際に前記ボイラの床を空にするための緑液エダクターであって、
吸引口および排出口を有すると共に、前記吸引口を通じてソーダ回収ボイラから緑液を吸引し、前記排出口を通じて緑液エダクターから前記緑液を排出するように構成される吸引管を備え、
さらに前記緑液エダクターは、前記ボイラの壁面に設けられた開口部に設置されうるように構成されると共に、前記ソーダ回収ボイラから緑液を吸引するための吸引力を生成するための機構を備える、緑液エダクター。
【請求項１３】
前記吸引口で前記ソーダ回収ボイラの炉から緑液を吸引するように構成され、前記排出口は、前記緑液エダクターから緑液を排出するように構成される、請求項１２に記載の緑液エダクター。
【請求項１４】
前記開口部に設置される場合、前記吸引管の吸引口が前記床に近い緑液プールの深い位置にあるように配置され、また、前記排出口が、緑液吐出口もしくは直接溶解タンクまたは別の回収システムに緑液を排出するように形成される、請求項１３に記載の緑液エダクター。
【請求項１５】
前記吸引管に少なくとも１つの湾曲部が設けられ、その角度は、前記ボイラの前記炉における前記吸引管の位置を決定する、請求項１２から１４のいずれかに記載の緑液エダクター。
【請求項１６】
加圧ガスを、前記緑液エダクター内で加圧ガス接続部から導き、前記緑液エダクターの排出方向に排出することにより、負圧吸引力を生成するように構成される、請求項１２から１５のいずれかに記載の緑液エダクター。
【請求項１７】
吸引管と、それに取り付けられる加圧ガス管とを備え、この加圧ガス管は、設置アームとして使用されてもよく、その場合は前記吸引管が前記開口部の適所に付勢されうるように保持する、請求項１２から１６のいずれかに記載の緑液エダクター。
【請求項１８】
前記加圧ガス管は、前記吸引管の直径よりも小さく、また、溶接によって前記吸引管内で前記排出口方向に延接される、請求項１７に記載の緑液エダクター。
【請求項１９】
前記緑液プールの高さが、前記開口部の下側縁によって形成される高さの上にある場合に、前記緑液エダクターが前記炉の壁面の前記開口部から引張されないように設けられるカム状部分を備える、請求項１２から１８のいずれかに記載の緑液エダクター。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月8日(2010.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板処理に使用されるプラズマ反応室のための電極組立体であって、
上部電極と、
前記上部電極の上面に取り付けられる補助部材と、
前記補助部材の外部表面を囲む外部リングと、
前記補助部材の前記外部表面と前記外部リングの内部表面との間に配置された少なくとも１つのセンタリング要素と、
を備えることを特徴とする組立体。
【請求項２】
ａ）前記少なくとも１つのセンタリング要素は、前記外部リングと接する第１端と前記補助部材と接するバネを支持する第２端とを有する複数のセンタリング要素を備えること、
ｂ）前記少なくとも１つのセンタリング要素は、前記補助部材の前記外部表面のキャビティに受け入れられる複数のセンタリング要素を備えること、
ｃ）前記外部リングは、石英で構成されていること、
ｄ）前記補助部材は、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されていること、
ｅ）前記上部電極は、内部電極及び外部電極を備えること、
の少なくとも１つを満たすことを特徴とする請求項１に記載の組立体。
【請求項３】
前記外部電極は、
複数の部分を含み、前記複数の部分は外部電極を形成し、前記複数の部分のそれぞれの接触面において重複表面を有することを特徴とする請求項２に記載の組立体。
【請求項４】
ａ）前記補助部材は、内部補助部材と外部補助部材とを備えること、
ｂ）結合材料は、前記上部電極の上面を前記補助部材に取り付けること、
ｃ）前記上部電極は、シリコンで構成されていること、
ｄ）前記少なくとも１つのセンタリング要素は、回転する球体を一方の端に有し、バネ仕掛けのセンタリング要素である複数のセンタリング要素を備えること、
ｅ）前記少なくとも１つのセンタリング要素は、前記補助部材の前記外部表面の周りに対称的に配置された３つ以上のバネ仕掛け要素を備えること、
の少なくとも１つを満たすことを特徴とする請求項１に記載の組立体。
【請求項５】
前記少なくとも１つのセンタリング要素は、内部にキャビティを有する円筒体と、内部にキャビティを有する円筒型の挿入部とをそれぞれ備える複数のセンタリング要素を備え、前記円筒体及び前記円筒型の挿入部のキャビティにバネが含まれていることを特徴とする請求項１に記載の組立体。
【請求項６】
前記円筒体は、前記外部リングに接触する円筒型の先端を有することを特徴とする請求項５に記載の組立体。
【請求項７】
前記少なくとも１つのセンタリング要素は、センタリングリングを備えることを特徴とする請求項１に記載の組立体。
【請求項８】
ａ）前記センタリングリングは、中空であること、
ｂ）前記外部リングは、前記センタリングリングと接する下部傾斜表面を含む矩形断面を有すること、
ｃ）前記補助部材は、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されていること、
ｄ）前記外部リングは、石英で構成されていること、
の少なくとも１つを満たすことを特徴とする請求項７に記載の組立体。
【請求項９】
半導体基板処理に使用されるプラズマ反応室のための電極組立体で用いるガードリング組立体であって、前記電極組立体は補助部材に結合されたシャワーヘッド電極を含み、閉じ込めリング組立体は前記電極組立体を囲み、前記ガードリング組立体は、
前記補助部材の外周と前記閉じ込めリング組立体の内周との間にフィットするように構成されたガードリングと、
前記補助部材の周りに前記ガードリングをセンタリングするように構成された少なくとも１つのセンタリング要素と、
を備えることを特徴とする組立体。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのセンタリング要素は、前記ガードリングと接する第１端と、前記補助部材の周りの前記ガードリングをセンタリングするために協力するバネを支持する第２端とを有する複数のセンタリング要素を備えることを特徴とする請求項９に記載の組立体。
【請求項１１】
前記複数のセンタリング要素のそれぞれは、前記補助部材の外部表面のキャビティに受け入れられることを特徴とする請求項１０に記載の組立体。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのセンタリング要素は、センタリングリングを備えることを特徴とする請求項９に記載の組立体。
【請求項１３】
前記センタリングリングは、圧縮可能なリングであり、前記ガードリングの内周の一部は、前記圧縮可能なリングを前記補助部材の前記外周及び前記電極の上面に押し付けることを特徴とする請求項１２に記載の組立体。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのセンタリング要素は、複数のセンタリング要素を備え、前記複数のセンタリング要素のそれぞれは、一方の端に前記ガードリングと接するローラと、反対の端に補助部材と接するバネ要素を受け入れるキャビティとを有する中空体を含むことを特徴とする請求項９に記載の組立体。
【請求項１５】
前記少なくとも１つのセンタリング要素は、複数のセンタリング要素を備え、前記複数のセンタリング要素のそれぞれは、一方の端に先端を含み、前記ガードリングは、複数の凹部を有し、前記凹部のそれぞれは、対応する前記センタリング要素の前記先端を受け入れることを特徴とする請求項９に記載の組立体。
【請求項１６】
前記ガードリングは、石英で構成され、任意的にその内周にコーティングを含むことを特徴とする請求項９に記載の組立体。
【請求項１７】
電極組立体の補助部材の周りにガードリングをセンタリングする方法であって、前記補助部材は半導体基板処理に使用されるプラズマ反応室においてプラズマを生成するために用いられる電極に結合されており、前記方法は、
前記補助部材の外部表面の周りに前記ガードリングを配置する工程と、
少なくとも１つのセンタリング要素を前記ガードリングと前記補助部材との間に挿入して、前記補助部材の周りに前記ガードリングをセンタリングする工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つのセンタリング要素は、前記補助部材の前記外部表面と前記ガードリングの内部表面との間の距離を最小に維持する複数のバネ仕掛けセンタリング要素を備えることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記１つのセンタリング要素は、前記ガードリングの内周、前記補助部材の外周及び前記電極の上面と接する圧縮可能なリングを備えることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記少なくとも１つのセンタリング要素は、複数のセンタリング要素を備え、前記複数のセンタリング要素のそれぞれは、一方の端に前記ガードリングと接する先端を有する中空体と、前記中空体のキャビティに受け入れられる挿入部と、前記挿入部を前記補助部材に押し付ける前記キャビティに配置されたバネ要素とを含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月22日(2010.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開くのにヒンジ内に少なくとも９０°の角度を形成できる開閉可能なヒンジと、該ヒンジを閉じると折り曲げられ、該ヒンジを開くと展開するように該ヒンジにより固定された絶縁ワイヤとの組み合わせ体であって、上記ワイヤの絶縁部は、融点が２６０〜２９０℃、ＭＩＴ屈曲寿命が少なくとも約１５，０００サイクルであるフルオロポリマーを含む、組み合わせ体。
【請求項２】
キーボード部分と、スクリーン部分と、該スクリーン部分を上記キーボード部分に取り付ける少なくとも１つのヒンジで、該ヒンジはそれぞれ、上記スクリーン部分が上記キーボード部分に対して閉じ、上記スクリーン部分が上記キーボード部分から少なくとも９０°の角度で開くのを可能とするヒンジと、該ヒンジを閉じると折り畳まれ、該ヒンジを開くと展開するように該ヒンジの少なくとも１つにより固定された絶縁ワイヤとを含み、上記ワイヤの絶縁部が、融点が２６０〜２９０℃、ＭＩＴ屈曲寿命が少なくとも約１５，０００サイクルであるフルオロポリマーを含む、電子デバイス。
【請求項３】
絶縁ワイヤを含むアンテナワイヤであって、該ワイヤの絶縁部は、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）含量が約３．５〜８ｗｔ％（１．０９〜２．５のＨＦＰＩ）および融点が約２６０〜２７０℃、ＭＦＲが少なくとも約１０ｇ／１０分、ＭＩＴ屈曲寿命が少なくとも約１５，０００〜２５，０００サイクルであるテトラフルオロエチレン／ＨＦＰコポリマーを含む、アンテナワイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月19日(2010.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多視点ビデオ符号化において使用される第１の参照ピクチャのメモリの管理方法であって、
参照ピクチャをメモリに保存するステップであって、前記参照ピクチャが、メモリ・ステータスおよびビューに関連づけられている、該ステップと、
前記保存された参照ピクチャの前記メモリ・ステータスに影響を及ぼす情報とともにビデオ・ピクチャをコーディングするステップであって、前記コーディングされるビデオ・ピクチャが、前記参照ピクチャに関連づけられたビューとは異なるビューに関連づけられている、該ステップと、
保存された参照フレームに関連づけられたステータスを、長期参照フレーム、短期参照フレーム、および、参照に使用されないのうちから選択されるステータスから、長期参照フレーム、短期参照フレーム、および参照に使用されないのうちから選択されるステータスにメモリ管理変更コマンドを介して指定するステップであって、参照に使用されないに指定する場合には、前記参照フレームが前記メモリから削除される、前記ステップを含み、
第２の保存される参照ピクチャのメモリ・ステータスが、前記第１の参照ピクチャのビューとは異なる第２のビューに関連づけられており、前記ビデオ・ピクチャのビューは、前記第２の参照ピクチャが前記メモリ管理変更コマンドによって影響を及ぼされないようにコーディングされる、前記方法。
【請求項２】
前記参照ピクチャが、最初にＨ．２６４ベースのコーディング操作を使用してコーディングされ、前記メモリ・ステータスの変更が、多視点符号化操作の最中に実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記参照ピクチャが、コーディングされ、前記メモリ・ステータスの前記変更が、時間的コーディングおよびビュー間コーディングの両方を行うビデオ・コーディング操作において実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
マーク付けモード・シンタックス要素フラグが、現在コーディングされている前記ピクチャの参照マーク付けモードを選択するために呼び出される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法を実行するコーディング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
したがって、ＡＶＣのＭＭＣＯを、ＭＶＣからのｖｉｅｗ＿ｉｄの使用と組み合わせる場合、従来技術のＭＭＣＯの現行の使用法は、ユーザが、同じｖｉｅｗ＿ｉｄのピクチャに従って、ＭＭＣＯを供給することを可能にするに過ぎない。すなわち、コーディングされるピクチャは、同じｖｉｅｗ＿ｉｄタイプの他のピクチャを参照できるに過ぎない（ビュー１タイプのピクチャは、他のビュー１タイプのピクチャにＭＭＣＯコマンドを供給できるに過ぎない）。ＭＭＣＯコマンドの現行の使用法を用いてこれら異なるビューのすべてを追跡し続けなければならない場合、ＤＰＢ操作のためのメモリ管理の効率的な使用の妨げとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月21日(2010.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピクチャに対するコーディング操作のための参照ピクチャ・リストの順序づけのための方法であって、前記コーディング操作が多視点ベースのコーディング操作であることを特徴とし、
コーディングされるピクチャが複数の異なる視点からの複数のビューのうちのビューに関連するかどうかを判定するステップと、
コーディングされる前記ピクチャのビューを表す対応する視点を考慮して、参照ピクチャ・リスト内の少なくとも１つの保存参照ピクチャのコーディング順序を順序づけるステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記順序づけるステップが、コーディングされる前記ピクチャの前記ビューが、前記少なくとも１つの参照ピクチャに関連するビューと同じビューであるかどうかについて考慮する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記順序づけるステップが、コーディングされる前記ピクチャの前記ビューと異なるビューに関連する参照ピクチャとは異なる時間に、コーディングされる前記ピクチャと同じビューを有する参照ピクチャを順序づけ、前記異なるビューの対応する異なる視点は、コーディングされる前記ピクチャの関連するビューの視点とは異なる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記順序づけるステップが、どのビューの参照ピクチャも順序づける、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記順序づけるステップが、前記少なくとも１つの保存参照ピクチャからの前記少なくとも２つのピクチャのコーディング順序の並べ替えであり、前記コーディング順序が、前記ピクチャをコーディングするために使用される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
コーディングされる前記ピクチャがＰピクチャである場合は、１つの参照ピクチャ・リストが使用され、コーディングされる前記ピクチャがＢピクチャである場合は、２つの参照ピクチャ・リストが使用される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
コーディングされる前記ピクチャが、前記リストで規定される参照ピクチャの順序を使用することによってコーディングされる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記参照ピクチャ・リストの順序付けは、前記符号化されるピクチャがアンカ・ピクチャであるか、非アンカ・ピクチャであるか、によって決定される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月29日(2010.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されるギャップに誘電体層を堆積させる方法であって、方法が：
有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップであって、該有機シリコン前駆物質のＣ：Ｓｉ原子比が８未満であり、該酸素前駆物質が該堆積チャンバの外で生成される原子状酸素を含む、前記ステップと；
該有機シリコン前駆物質と該酸素前駆物質とを反応させて、該ギャップ内に該誘電体層を形成するステップと；
を含む、前記方法。
【請求項２】
該有機シリコン前駆物質のＯ：Ｓｉ比が３より大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該有機シリコン前駆物質が、Ｓｉ-Ｏ-Ｓｉ結合を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該有機シリコン前駆物質が、シロキサンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
該シロキサンが、トリエトキシシロキサン,テトラメトキシシロキサン、トリメトキシシロキサン、ヘキサメトキシジシロキサン、オクタメトキシトリシロキサン、及びオクタメトキシドデカシロキサンからなる群より選ばれる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
該有機シリコン前駆物質が、シラゾキサンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
該シラゾキサンが、ヘキサメトキシジシラゾキサン、メチルヘキサメトキシジシラゾキサン、クロロヘキサメトキシジシラゾキサン、ヘキサエトキシジシラゾキサン、オクタメトキシサイクリックシラゾキサン、及びノナメトキシトリシラゾキサンからなる群より選ばれる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
該有機シリコン前駆物質が、ハロゲン化シロキサンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
該ハロゲン化シロキサンが、テトラクロロシラン、ジクロロジエトキシシロキサン、クロロトリエトキシシロキサン,ヘキサクロロジシロキサン、及びオクタクロロトリシロキサンからなる群より選ばれる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
該有機シリコン前駆物質が、アミノシラン、アルキルジシラン、アルコキシジシラン、アルコキシアルキルジシラン、アルコキシアセトキシジシラン、又はシクロシランを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
該酸素前駆物質が、更に、分子酸素、オゾン、水、過酸化水素、又は二酸化窒素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
該原子状酸素が：
アルゴンを含むガス混合物からプラズマを形成する工程と；
該プラズマに酸素源を導入する工程であって、該酸素源が解離して、該原子状酸素を形成する、前記工程と；
によって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
該酸素源が、分子酸素、オゾン又は二酸化窒素を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
該方法が、該誘電体層をエッチングして、該層内の炭素含量を低減させるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
該方法が、該ギャップ内の該誘電体層をアニールするステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月5日(2010.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセス完了ウエハに導電性バイアを形成する方法であって、前記方法は：
前記プロセス完了ウエハの背面に、第１の深さまで、１つの溝を形成するステップと；
前記プロセス完了ウエハの前記背面に、第１バイアを形成するステップであって、前記溝の表面から前記プロセス完了ウエハの前記背面に第２の深さまで伸びる第１バイアを形成するステップと；
前記第１バイアの全長にわたってシード層を形成するステップと；
導電性メタルで前記第１バイアを充填するために前記シード層をめっきするステップとを備える；
方法。
【請求項２】
１つの溝を形成する前記ステップは：
前記プロセス完了ウエハの前記背面を、ウェットエッチングまたはドライエッチングの少なくとも１つを用いて、エッチングするステップを備える；
請求項１の方法。
【請求項３】
前記プロセス完了ウエハの前記背面に複数の溝を形成するステップを更に備え；
前記複数の溝は、溝領域を画成し、
前記溝領域は、前記プロセス完了ウエハの前記背面の領域全面積の７５％未満である、
請求項１の方法。
【請求項４】
前記溝領域は、前記プロセス完了ウエハの前記背面の前記領域全面積の５０％未満である、
請求項３の方法。
【請求項５】
１つの溝を形成する前記ステップは：
段差付き溝を形成するステップである；
請求項１の方法。
【請求項６】
前記溝内に第２バイアを形成するステップを更に備える；
請求項１の方法。
【請求項７】
第２バイアを形成する前記ステップは：
前記第１バイアと同時に前記第２バイアを形成するステップである；
請求項６の方法。
【請求項８】
前記プロセス完了ウエハは、複数のチップを備え、
前記方法は、前記複数のチップのうちの１つと整列する１つの溝領域を画成するステップを更に備え；
前記溝領域は、前記複数のチップのうちの前記１つより僅かに大きくなるようなサイズを有する、
請求項１の方法。
【請求項９】
１つの溝を形成する前記ステップは：
前記プロセス完了ウエハの前記背面に、第１の溝領域を画成する周囲境界を有する第１の溝を形成するステップと；
前記第１の溝の底から前記プロセス完了ウエハの前記背面に伸びる第２の溝を形成するステップであって、前記第１の溝領域内に前記第２の溝を形成するステップを備える；
請求項１の方法。
【請求項１０】
第１バイアを形成する前記ステップは：
前記第２の溝の周囲境界内に前記第１バイアを形成するステップを備える；
請求項９の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月4日(2010.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子フィルム基材上に付着金属のパターンを形成する方法であって、
陥凹領域と、隣接する隆起領域とを含むレリーフパターンを備える主表面を有する高分子フィルム基材を提供する工程と、
コーティングされた高分子フィルム基材を形成するために第１の材料を前記高分子フィルム基材の主表面に付着する工程と、
機能化された隆起領域と機能化されていない陥凹領域とを形成するため、前記コーティングされた高分子フィルム基材の隆起領域上に機能性材料の層を選択的に形成する工程と、
付着金属を前記機能化されていない陥凹領域に選択的に無電解沈着し、付着金属のパターンを形成された高分子フィルム基材を形成する工程と、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月18日(2010.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向可撓性ストリップと、
該長手方向ストリップ上の長手方向に位置し、そこに構成部品を受容するように構成される、複数個のポケットであって、該ポケットのそれぞれは、クロスバーによって隣接するポケットから分離される、ポケットと、を含み、
少なくとも１つのクロスバーが、少なくとも１つの解除特徴部を含む、構成部品キャリアテープ。
【請求項２】
前進機構によって構成部品を収納及び送達するための可撓性キャリアテープであって、
上面と、該上面の反対側の底面とを有する長手方向可撓性ストリップと、
該ストリップに沿って離間する構成部品を受容し、前記上面を通して開口する複数個のポケットであって、隣接するポケットがクロスバーによって互いから分離されるポケットと、を含み、
少なくとも１つの前記クロスバーの上面が、少なくとも１つの解除特徴部を有する、キャリアテープ。
【請求項３】
エンボス加工されたキャリアテープを製造するための方法であって、
外周面を有する回転ツールを提供する工程であって、前記外周面が、複数個の長手方向に離間する構成部品受容ポケットを形成するための一連の突起と、隣接する構成部品受容ポケット間に少なくとも１つの解除特徴部を有する少なくとも１つのクロスバーを形成するための隣接する突起間の少なくとも１つのパターン形成された凹部と、を含む、工程と、
ポリマーウェブを前記ツール上に導入する工程と、
前記ツールの前記周面上の前記突起及び凹部で前記ウェブをエンボス加工するために、前記ツールに対して前記ポリマーウェブを整合する工程と、
前記エンボス加工されたウェブを前記ツールから取り外す工程と、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月12日(2010.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーコーティングと、前記ポリマーコーティング上に形成される残留物とを有する表面を備える基板処理構成部品を洗浄する方法であって、
（ａ）前記基板処理構成部品の前記表面上の前記ポリマーコーティングを有機溶媒と接触させるステップと、
（ｂ）前記ポリマーコーティングを除去することなく前記有機溶媒によって前記残留物を除去するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記基板処理構成部品の前記表面上の前記ポリマーコーティングを有機溶媒と接触させる前記ステップが、
（i）前記有機溶媒を染み込ませた雑巾（wipe）と前記表面を接触させる工程であって、前記雑巾が、複数の染み込ませた雑巾と共にあらかじめ同梱された容器から選択される工程、
（ii）前記表面上に前記有機溶媒を吹き付ける工程、
（iii）前記有機溶媒に前記基板処理構成部品の前記表面を浸漬する工程、または
（iv)   前記有機溶媒に前記基板処理構成部品の前記表面を浸漬し、前記浸漬ステップ中に超音波エネルギによって前記有機溶媒を撹拌する工程、
のうち少なくとも１つを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記有機溶媒が、シクロヘキサノン、エタノールアミン、酢酸エチル、２−エトキシエタノールアミン、ヘプタン、ヒドロキシルアミン、メチルエチルケトン、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフランおよびトルエンのうち少なくとも１つを備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ポリマーコーティングが、
（ａ）メタクリレートを備えるポリマーシーラント、または
（ｂ）接着剤残留物
のうち少なくとも１つを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板処理構成部品の前記表面を接触させる前記ステップが、（i）ニッケルめっき、（ii）陽極酸化アルミニウム、（iii）炭化ケイ素、または（iv）ポリマーシーラントを備えるポリマーコーティングで被覆されているアルミニウム構造を備える基板処理チャンバ壁を接触させる工程を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
接着剤により下層セラミック構造に付着しているポリマー層を備える基板処理構成部品を改装する方法であって、
（ａ）前記セラミック構造から前記ポリマー層を除去し、それにより前記セラミック構造に残留接着剤を残すステップと、
（ｂ）前記残留接着剤を有機溶媒と接触させて、前記下層セラミック構造から前記残留接着剤を除去するステップと、
（ｃ）前記セラミック構造上の前記ポリマー層を取り換えるステップと、
を備える方法。
【請求項７】
前記有機溶媒が、シクロヘキサノン、エタノールアミン、酢酸エチル、２−エトキシエタノールアミン、ヘプタン、ヒドロキシルアミン、メチルエチルケトン、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフランおよびトルエンのうち少なくとも１つを備える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
基板処理構成部品の表面から接着剤残留物をアブレーションする（ablating）方法であって、
（ａ）前記接着剤残留物をアブレーションするために十分に高いエネルギ密度で、前記基板処理構成部品の前記表面にわたってレーザビームを走査させるステップを含む方法。
【請求項９】
前記基板処理構成部品が前記アクリル残留物より下にポリマーコーティングを備え、前記ステップ（ａ）が、前記接着剤残留物をアブレーションする工程に加えて、前記ポリマーコーティングおよび前記アクリルコーティングをアブレーションする工程を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ステップ（ａ）が、前記接着剤残留物をアブレーションする工程に加えて、前記構成部品の前記表面上の特徴部をスクライブする工程を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板処理構成部品が保持リングまたはガス分配板を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
下層金属構造を覆うポリマー層の上に接着剤残留物を備える表面を備える基板処理構成部品を改装する方法であって、
（ａ）前記接着剤残留物をアブレーションするために十分に高いエネルギ密度レベルで、前記基板処理構成部品の前記表面にわたってレーザビームを走査させるステップと、
（ｂ）前記金属構造に新しいポリマー層を形成するステップと、
を備える方法。
【請求項１３】
前記レーザビームが、以下の特性、
（i）前記ビームが、約９．６×１０６Ｗ／ｃｍ２〜約８．６×１０７Ｗ／ｃｍ２のワット数を提供すること、
（ii）前記ビームがパルス波ビームであること、
（iii）前記ビームが連続波ビームであること、
（iv）前記ビームが、ＣＯ２レーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ｅｒ：Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、高出力ダイオードレーザまたは他の固体レーザによって生成されること、および
（v）前記ビームが、約１００ワット〜約５０００ワットの出力領域を有すること、のうちの少なくとも１つを有する、請求項８または１２に記載の方法。
【請求項１４】
基板処理構成部品を洗浄する方法であって、
（ａ）残留物を有する前記基板処理構成部品の表面を、プラズマ流と接触させるステップと、
（ｂ）前記残留物を蒸発させるために十分に高い温度で、前記基板処理構成部品の前記表面にわたって前記プラズマ流を走査させるステップと、
を備える方法。
【請求項１５】
前記プラズマ流が、
（i）酸素または空気、
（ii）アルゴン、窒素またはヘリウム、
の少なくとも一方を含む、請求項１４に記載の方法。