【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルであって、
基板上の第１電極と、
前記第１電極とともに前記メモリセルのアクティブ層への電気的アクセスを行うための第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、前記メモリセルのアクティブ層の第１部分を形成する銀カルコゲニド層と、
前記第１電極と前記第２電極との間に、前記銀カルコゲニド層に隣接して配置され、前記メモリセルのアクティブ層の第２部分を形成する剛体カルコゲニド・ガラス層とを具え、
前記剛体カルコゲニド・ガラス層が、前記銀カルコゲニド層からの材料の一部を含んで、前記第１電極と前記第２電極との間に加えられた電圧に応答して前記アクティブ層内に導電性経路が形成されることを特徴とするメモリセル。
【請求項２】
前記銀カルコゲニド層は、前記第１電極上に直接形成されることを特徴とする請求項１記載のメモリセル。
【請求項３】
前記剛体カルコゲニド・ガラス層は、前記第１電極上に直接形成されることを特徴とする請求項１記載のメモリセル。
【請求項４】
前記銀カルコゲニド層は、セレン化銀を含むことを特徴とする請求項１記載のメモリセル。
【請求項５】
前記銀カルコゲニド層は、硫化銀を含むことを特徴とする請求項１記載のメモリセル。
【請求項６】
前記銀カルコゲニド層は、テルル化銀を含むことを特徴とする請求項１記載のメモリセル。
【請求項７】
前記銀カルコゲニド層は、酸化銀を含むことを特徴とする請求項１記載のメモリセル。
【請求項８】
前記剛体カルコゲニド・ガラス層は、セレン化ゲルマニウムを含むことを特徴とする請求項１記載のメモリセル。
【請求項９】
前記剛体カルコゲニド・ガラス層は、セレン化ヒ素を含むことを特徴とする、請求項１記載のメモリセル。
【請求項１０】
前記剛体カルコゲニド・ガラス層は、硫化ゲルマニウムを含むことを特徴とする請求項１記載のメモリセル。
【請求項１１】
前記剛体カルコゲニド・ガラス層は、セレニウムを含み、銀でドーピングすることができるが、アモルファス材料のままであることを特徴とする請求項１記載のメモリセル。
【請求項１２】
更に、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された銀層を具え、前記銀層が、前記メモリセルのアクティブ層の第３部分を形成することを特徴とする請求項１記載のメモリセル。
【請求項１３】
前記第１電極と前記第２電極の少なくとも一方が、タングステンを含むことを特徴とする請求項１記載のメモリセル。
【請求項１４】
メモリセルを製造する堆積プロセスにおいて、
半導体ベース材料内の導電領域に接触する第１電極を形成するステップと、
剛体カルコゲニド・ガラス層を、前記メモリセルのアクティブ層の第１部分として形成するステップと、
前記剛体カルコゲニド・ガラス層に隣接する銀カルコゲニド層を、前記アクティブ層の第２部分として形成するステップであって、前記銀カルコゲニド層を形成する際に、前記銀カルコゲニド層からの材料の一部が、前記剛体カルコゲニド・ガラス層内に含まれ、電界の存在下で前記アクティブ層内に導電性経路を形成することが可能になるステップと、
上側電極層及び下側電極層を形成するステップであって、前記アクティブ層が前記上側電極層と前記下側電極層との間に配置され、前記上側電極層と前記下側電極層との間に加えられた電圧が、前記アクティブ層内に電界を発生するステップと
を具えていることを特徴とする堆積プロセス。
【請求項１５】
前記剛体カルコゲニド・ガラス層がセレン化ゲルマニウムを含み、前記剛体カルコゲニド・ガラス層を、２００Åから１０００Åまでの範囲内の厚さに形成することを特徴とする請求項１４記載の堆積プロセス。
【請求項１６】
前記剛体カルコゲニド・ガラス層は、セレン化ゲルマニウムを含むことを特徴とする請求項１４記載の堆積プロセス。
【請求項１７】
前記剛体カルコゲニド・ガラス層は、セレン化ヒ素を含むことを特徴とする、請求項１４記載の堆積プロセス。
【請求項１８】
前記剛体カルコゲニド・ガラス層は、硫化ゲルマニウムを含むことを特徴とする請求項１４記載の堆積プロセス。
【請求項１９】
前記銀カルコゲニド層は、セレン化銀を含むことを特徴とする請求項１４記載の堆積プロセス。
【請求項２０】
前記銀カルコゲニド層は、硫化銀を含むことを特徴とする請求項１４記載の堆積プロセス。
【請求項２１】
前記銀カルコゲニド層は、テルル化銀を含むことを特徴とする請求項１４記載の堆積プロセス。
【請求項２２】
前記銀カルコゲニド層は、酸化銀を含むことを特徴とする請求項１４記載の堆積プロセス。
【請求項２３】
前記剛体カルコゲニド・ガラス層及び前記銀カルコゲニド層を、蒸着によって形成することを特徴とする請求項１４記載の堆積プロセス。
【請求項２４】
前記剛体カルコゲニド・ガラス層及び前記銀カルコゲニド層を、スパッタリングによって形成することを特徴とする請求項１４記載の堆積プロセス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
プログラマブル・コンダクター・メモリ・セルを生産するための従来技術の一つは、セレン化ゲルマニウム（GeXSe(1-x)）のようなカルコゲニド・ガラスにフォトドーピングしている銀（Ag）を適用している。Physical Review Letters Vol.83, no.19(Nov.8,1999),pp.3848-3851“Dual Chemical Role of Ag as an Additive in Chalcogenide Glasses,”に、Mitkovaらによって報告されているように、銀（Ag）は、セレン化銀及び化学量論をバックボーンとする新しいガラスを形成する特定の化学量論のガラスにフォトドーピングできるだけである。さらに、銀（Ag）でフォトドーピングできるガラスは、剛体ガラスと比較して、「柔軟であり」かつ比較的遅いスイッチである。Onset of Rigidity in Steps in Chalcogenide Glass, Properties and Applications of Amorphous Materials, pp.97-132, (2001)で、Boolchandらは、ｘがモル濃度に相当する、ｘ＝0.23の時に発生するというGeXSe(1-x)における柔軟から剛体への遷移について述べている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
更に、Mitkovaらは、Mitkova参考文献の図１のII領域によって定義された化学量論範囲内で壊れるガラスは、銀（Ag）でドーピングされた場合、セレン化銀を形成しないことを見出している。例えば、セレン化ゲルマニウム（Ge0.4Se0.6）のような剛体ガラスは、銀（Ag）でフォトドーピングされた場合セレン化銀を形成せず、その結果、メモリスイッチとして機能しない。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
銀（Ag）でフォトドーピングされたGeXSe1-xガラスにおけるセレン化銀が存在することによって、ガラスがメモリスイッチとして使用できる。フォトドーピングによって銀（Ag）を混合するために用いられるガラスは柔軟であり、剛体であるガラスよりも、電気的により低速に切り替わり、より良好でない記憶保持特性を有する。例えばGe0.4Se0.6のような好適な剛体ガラスは、銀（Ag）でフォトドーピングされた場合セレン化銀を形成しない。しかし、セレン化銀及びGe0.4Se0.6のような剛体ガラスを混合する系において、比較的速い切り替え時間と比較的良い記憶保持特性とが見出される。メモリセルにおいてこのようなタイプを形成するための技術が必要とされている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明の例は、銀カルコゲニド層及びガラス層を比較的広範な厚さで製造することができて有利である。したがって、メモリセルは、そのメモリセルに結晶化を含むことなくガラス内の銀(Ag)の適切な量を維持するために従来のフォトドーピングプロセスに必要とされた、銀(Ag)とガラスの厚さを比較的正確に調整せずに製造することができる。その上、本発明の例は、メモリスイッチングとして利用できなくしている、ガラス・バックボーンに銀（Ag）を混合することが一般的であるGe0.4Se0.6のような剛体ガラスに、メモリセルを有利に形成することができる。このようなガラスは、ガラス遷移温度を高めるという更なる利点も有している。