【事件の表示】
　平成８年特許願第３４４７３８号「減圧処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年７月２１日出願公開、特開平１０−１８９５４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成８年１２月２５日の出願であって、平成１３年５月７日付けで手続補正書が提出され、平成１４年９月１２日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月６日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成１５年１２月１５日付けで最後の拒絶理由が通知され、平成１６年３月１７日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成１７年３月１１日付けで平成１６年３月１７日付けの手続補正書でした補正が補正の却下の決定がなされ、同日に拒絶査定がなされ、これに対して、平成１７年５月１９日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。  
 　  
２．平成１７年３月１１日付の補正の却下の決定の適否について 　  
　審判請求人は、平成１７年３月１１日付の補正の却下の決定が不当である旨を主張しているので、以下に補正の却下の決定の適否について当審の判断を示す。
  
　本願は、平成１６年３月１７日付の補正により、平成１４年１２月６日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４、すなわち
「【請求項１】ヒータ（１７）の上面にテーブル（１８）を設け、このテーブル（２０）に設けた凹部にサブテーブルを昇降自在に配置した載置ユニット（１５）を用いて基板を処理する減圧処理方法において、前記載置ユニットを配置した予備処理室（２）の圧力を、基板を処理する圧力より高く且つ大気圧よりも低い圧力に設定して基板下面を前記テーブル上面に接触せしめて加熱し、次いで予備処理室及びこれにつながるプラズマ処理室（６）を処理圧力まで減圧して基板を処理し、この後、基板を予備処理室に戻すとともに予備処理室内の圧力を前記処理圧力よりも高くし且つサブテーブルをテーブルから上昇させ、基板をテーブルから浮かせて冷却することを特徴とする減圧処理方法。
【請求項２】基板を処理する圧力よりも高くかつ大気圧よりも低い圧力は１０Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒであることを特徴とする請求項１に記載の減圧処理方法。
【請求項３】減圧処理がプラズマアッシングであることを特徴とする請求項１に記載の減圧処理方法。
【請求項４】減圧処理時の温度が４０〜２５０℃であることを特徴とする請求項１に記載の減圧処理方法。」
　が、
「【請求項１】ロードロック室（１）に隣接して予備処理室（２）を設け、この予備処理室の天井部に形成した開口をチャンバー（４）で覆ってプラズマ処理室（６）とし、前記予備処理室内には昇降動する載置ユニット（１５）を配置し、この載置ユニット（１５）をヒータ（１７）、テーブル（１８）及びこのテーブルとは独立して昇降動するサブテーブル（２０）で構成したプラズマ処理装置を用いて基板を処理する減圧処理方法において、前記載置ユニットを下げて予備処理室とプラズマ処理室を連通させた状態で、予備処理室の圧力を基板の処理圧力より高く且つ大気圧よりも低い圧力とし、この状態で基板下面を前記テーブル上面に接触せしめて加熱し、次いで予備処理室及びこれにつながるプラズマ処理室を処理圧力まで減圧するとともに載置ユニットを上昇させて基板をプラズマ処理室内に臨ませて基板を処理し、この後、載置ユニットを下げて基板を予備処理室に戻すとともに予備処理室内の圧力を前記処理圧力よりも高くし且つサブテーブルをテーブルから上昇させ、基板をテーブルから浮かせて冷却することを特徴とする減圧処理方法。
【請求項２】ロードロック室（１）に隣接して予備処理室（２）を設け、この予備処理室の天井部に形成した開口をチャンバー（４）で覆ってプラズマ処理室（６）とし、前記予備処理室内には昇降動しない載置ユニット（１５）を配置し、この載置ユニット（１５）をヒータ（１７）、テーブル（１８）及び昇降動するサブテーブル（２０）で構成したプラズマ処理装置を用いて基板を処理する減圧処理方法において、前記予備処理室とプラズマ処理室を連通させた状態で、予備処理室の圧力を基板の処理圧力より高く且つ大気圧よりも低い圧力とし、この状態で基板下面を前記テーブル上面に接触せしめて加熱し、次いで予備処理室及びこれにつながるプラズマ処理室を処理圧力まで減圧して基板を処理し、この後、基板を予備処理室に戻すとともに予備処理室内の圧力を前記処理圧力よりも高くし且つサブテーブルをテーブルから上昇させ、基板をテーブルから浮かせて冷却することを特徴とする減圧処理方法。
【請求項３】基板を処理する圧力よりも高く且つ大気圧よりも低い圧力は１０Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の減圧処理方法。
【請求項４】　前記減圧処理がプラズマアッシングであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の減圧処理方法。
【請求項５】　前記減圧処理時の温度が４０〜２５０℃であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の減圧処理方法。」
　と補正された。
　当該補正は、請求項数についてみれば、４から５へと増加する補正であり、なおかつ多数引用形式請求項をそれ以下の請求項を引用した結果、請求項が増加した場合には該当せず、したがって、当該補正は、特許法１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものとはいえない。 
　さらに、請求項数を増加する補正は、特許法第１７条の２第４項第１、３、４号に規定される請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。 
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　よって、平成１６年３月１７日付けの手続補正についてなされた原審における補正の却下の決定は妥当なものである。
　　　 
３．本願発明
　本願発明は、平成１６年３月１７日付けの手続補正が、平成１７年３月１１日付の補正の却下の決定により却下されたので、平成１４年１２月６日付け手付補正により補正された明細書の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】ヒータ（１７）の上面にテーブル（１８）を設け、このテーブル（２０）に設けた凹部にサブテーブルを昇降自在に配置した載置ユニット（１５）を用いて基板を処理する減圧処理方法において、前記載置ユニットを配置した予備処理室（２）の圧力を、基板を処理する圧力より高く且つ大気圧よりも低い圧力に設定して基板下面を前記テーブル上面に接触せしめて加熱し、次いで予備処理室及びこれにつながるプラズマ処理室（６）を処理圧力まで減圧して基板を処理し、この後、基板を予備処理室に戻すとともに予備処理室内の圧力を前記処理圧力よりも高くし且つサブテーブルをテーブルから上昇させ、基板をテーブルから浮かせて冷却することを特徴とする減圧処理方法。」
　
４．刊行物 
 　原査定の拒絶理由に引用された刊行物、特開昭６３−２１４３３７号公報には、以下の事項が記載されている。 
（ａ）「２．特許請求の範囲
１．試料の処理前に処理室内を昇圧する工程と、昇圧された前記処理室内で前記試料の温度を制御する工程と、
前記試料が所定温度に達したら前記処理室内を所定の処理圧力に制御する工程とを有することを特徴とする減圧下での表面処理方法。
２．試料を内部に破置し減圧下で処理する処理室と、
該処理室内に配置された前記試料を所定の温度に制御する温度制御手段と、
前記処理室内の圧力を所定の減圧下に制御する圧力制御手段と、
前記試料の処理前または処理後に前記処理室内を昇圧する加圧手段とを具備したことを特徴とする減圧下での表面処理装置。」（第１頁左欄４〜１９行）
（ｂ）「〔産業上の利用分野〕
本発明は減圧下での表面処理方法および装置に係り、特に試料を温度制御して処理するものに好適な減圧下での表面処理方法および装置に関するものである。」（第１頁右欄１〜５行）
（ｃ）「第１図は減圧下での表面処理装置として、この場合、Ｏ２ガスによるレジストの灰化装置を示す。処理室１の上部の開口部に金網５を設け、金網５の上部に石英製の放電管２を設置し、放電部６を形成する。放電管２の外側で処理室１の上部にＡｌ製の導波管３を設け、導波管３の端部にマグネトロン４を設置する。処理室１の下部を貫通してホットプレート７が処理室１内に設置され、試料であるウェハ１８がホットプレート７に載置される。
この場合、ホットプレート７が温度制御手段であり、ホットプレート７内にヒータを有し、図示しない制御装置によって温度コントロールされる。ホットプレート７の中央にはウェハ上下装置８が設置される。
　また、処理室１の側壁に設けられたゲートバルブ９を介して予備室１０が取付けられ、予備室１０内には搬送装置１１が設けられる。放電部６には、マスフローコントローラ１３を介して、処理ガスであるＯ２ガスの供給源１２がつながれ、処理室１の下部より、コントロールバルブ１６を介して、真空ポンプ１７までの真空排気系が設けられている。処理室１には真空計１５が取付けられている。この場合、圧力制御手段は真空ポンプ１７、コントロールバルブ１６、真空計１５および、真空計１５からの信号を入力しコントロールバルブ１６を制御する制御装置（図示省略）から成る。
　動作としては以下のようになる。処理室１内は、コントロールバルブ１６を全開状態にされ、真空ポンプ１７により処理圧力よりも相当低い圧力（例えば０．１Ｔｏｒｒ以下）に真空排気され、また、予備室１０も図示しない真空ポンプにより同様に真空排気された状態で、ゲートバルブ９が開かれ、ウェハ１８が搬送装置１１とウェハ上下装置８とにより１枚毎搬出入される。処理室１内に搬入されたウェハ１８は、２００〜３００℃に加熱されたホットプレート７に載置される。
　その後ゲートバルブ９が閉じられ、マスフローコントローラ１３により最大流量（例えば１Ｎｌ／ｍｉｎ）に制御されたＯ２ガスが導入されると共にコントロールバルブ１６は全閉にされる。真空計１５で測定される圧力は、処理室１および放電部６の容積空間（例えば本発明の場合約７ｌ）がマスフロ−コントローラ１３の流量による圧力上昇率（例えば、約１．８Ｔｏｒｒ／ｓｅｃ）で昇圧し所定の圧力（約６秒で１０Ｔｏｒｒ）になる。このように、この場合の加圧手段はＯ２ガスの供給源１２、マスフローコントローラ１３、コントロールバルブ１６および、マスフローコントローラ１３とコントロールバルブ１６を制御する制御装置（図示省略）から成る。
　処理室１内の圧力が所定圧力付近になれば、マスフローコントローラ１３の流量をほぼ零とし、昇圧した所定圧力を２秒程度保持する。次にコントロールバルブ１６を全開にし、急速排気し、真空計１５の圧力が処理圧力（例えば１Ｔｏｒｒ）付近になれば、Ｏ２ガス１２を所定の流量にマスフローコントローラ１３で制御（例えば０．６Ｎｌ／ｍｉｎ）すると共に、コントロールバルブ１６も所定の開度に設定し処理圧力状態とする。
　その後マグネトロン４により、マイクロ波を発振し、導波管３を介して放電管２内にマイクロ波電力を供給するとともに、処理室１に接地された金網５でマイクロ波を反射させ、放電管２内と金網５で囲まれた放電部６でプラズマを発生させる。放電部６とウェハ１８を離すことにより、ウェハ１８には化学的に活性なフリーラジカルが主体に供給され、これにより、ダメージの少ないレジストの灰化処理が行われる。処理が終了すれば、処理室１および予備室１０を前記した圧力状態にし、ゲートバルブ９を開きウェハ１８を搬出する。以下、各ウェハ毎に上記処理が繰り返えされる。」（第２頁右上欄１９行〜第３頁右上欄８行）
（ｄ）「また、処理室内を昇圧しウェハを昇温した後、ウェハ上下装置によってウェハを上昇させて、レジストの灰化処理を行えば、ウェハ裏面もクリーニングできる。」（第４頁左欄４〜７行）
（ｅ）「また、本一実施例は、処理室内を昇圧しウェハ温度を昇温させるようになっているが、ウェハ温度を下げる場合にも適用できる。ウェハ温度を下げる場合、すなわち、ウェハの処理前に所定温度まで温度降下させる場合や、ウェハの処理後に加熱されたウェハを冷却する場合等がある。」（第４頁左欄１０〜１６行）
（ｆ）「〔発明の効果〕
「本発明によれば、減圧下で表面処理される試料の総合的な処理時間を短縮することができるという効果がある。」（第４頁右欄１〜４行）  
（ｇ）図１には、「ヒータと中央にウエハ上下装置を配置したホットプレートと、処理室およびこれにつながる放電部を有し、ウエハ下面がホットプレート上面に接触して載置されている灰化装置」が開示されている。
 　 
５．対比・判断 
　上記摘記事項（ａ）〜（ｇ）において、 特に、上記摘記事項（ｃ）、（ｇ）を中心に、刊行物には、
 「ヒータと中央にウエハ上下装置を配置したホットプレートを用いてウエハを灰化処理する減圧処理方法において、ホットプレートを配置した処理室の圧力を処理圧力１Ｔｏｒｒより高い１０Ｔｏｒｒに設定して、ウエハをウエハ下面をホットプレート上面に接触して加熱し、次いで処理室及びこれにつながる放電部を処理圧力まで減圧して灰化処理を行い、この後、基板を処理室に置いた状態で処理室内の圧力を昇圧して、ウエハをホットプレート上に載置して冷却することを特徴とする減圧処理方法」（以下、「刊行物発明」という。）
　が記載されているものと認められる。
　 
　ここで、本願発明と刊行物発明とを対比すると、
　刊行物発明の「ウエハ」、「灰化処理」、「処理室」、「放電部」は、本願発明の「基板」、「処理」、「予備処理室」、「プラズマ処理室」に相当する。
　刊行物発明の「ホットプレート」は、上記摘記事項（ｃ）、（ｇ）によれば、「ヒータ」と「中央にウエハ上下装置」を有し、処理対象となるウエハを載置する機能を有することから、本願発明の「載置ユニット」に相当する。
　刊行物発明の「処理圧力１Ｔｏｒｒより高い１０Ｔｏｒｒに設定」することは、１０Ｔｏｒｒが、大気圧である約７６０Ｔｏｒｒに比較して低い圧力であるから、本願発明の「圧力を基板を処理する圧力より高く且つ大気圧よりも低い圧力に設定」することに相当する。
　刊行物発明の「基板を処理室においた状態」については、本願発明の「基板を予備処理室に戻す」という記載は、基板が別の場所、たとえば処理室等に移動した過程を明確に示すものでないから、単に基板を予備処理室に載置した状態を含み得ると解されるので、本願発明の「基板を予備処理室に戻す」に相当する。
　そうすると、両者は、
「載置ユニットを用いて基板を処理する減圧処理方法において、前記載置ユニットを配置した予備処理室の圧力を、基板を処理する圧力より高く且つ大気圧よりも低い圧力に設定して加熱し、次いで予備処理室及びこれにつながるプラズマ処理室を処理圧力まで減圧して基板を処理し、この後、基板を予備処理室に戻すとともに予備処理室内の圧力を前記処理圧力よりも高くして冷却することを特徴とする減圧処理方法。」
　の点で一致し、以下の各点で相違する。
　
　第１の相違点
　本願発明では、ヒータの上面にテーブルを設け、このテーブルに設けた凹部にサブテーブルを昇降自在に配置した載置ユニットの構成において、基板下面をテーブル上面に接触せしめて加熱しているのに対して、刊行物発明では、ヒータと中央にウエハ上下装置を配置した載置ユニットの構成であり基板下面を載置ユニットの上面に接触して加熱する点
　
　第２の相違点
　本願発明では、サブテーブルをテーブルから上昇させ、基板をテーブルから浮かせて冷却するのに対して、刊行物発明では、ウエハを載置ユニット上に載置して冷却する点
　
　以下、各相違点について検討する。
　第１の相違点について
　刊行物発明における載置ユニットは、基板を加熱するためにヒータを用いた機能、基板を昇降自在とする機能を有する点で本願発明の載置ユニットと同様な機能を有する。そして、基板を加熱する手段の構成として、ヒータの上面にテーブルを設ける構成は、たとえば、特開平７−２０１７４２号公報の特に、第１、２図に示されているように周知技術（各図において、ヒータブロック１１、２４は、本願発明の「ヒータ」、基板台２２は、本願発明の「テーブル」に相当）である。
　そして、ヒータの上面にテーブルを設ける構成を採用すれば、必然的に基板下面をテーブル上面に接触せしめて加熱することになる
　また、ウエハ上下装置は載置ユニットの「中央に」配置した事から、ウエハ上下装置は、中央の台によってウエハを支持する構成であることを示唆しており、減圧処理装置の一種であるプラズマエッチング装置において、基板を昇降自在とする手段として、テーブルに設けた凹部にサブテーブルを昇降自在に配置した構成は、たとえば、特開平２−２２４３２８号公報の、特に第７図（同図において、ワークテーブル２は本願発明の「テーブル」、サブテーブルシャフト４５上の三角形上の台は、「サブテーブル」に相当）に示されているように周知技術である。
　したがって、刊行物発明における載置ユニットを具体化する際、所望の基板加熱特性や昇降機構の安定度等に配慮して、基板を加熱するための手段及び基板を昇降させる手段として、上記各周知技術を採用することは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
　第２の相違点について
　アッシングやエッチング等の減圧処理プロセスは、基板加熱処理を伴うのが通常であり、異なる装置で連続した処理を行うために、各工程の終了後には、次工程に搬送するために基板を効率的に冷却する必要があるこは、周知な技術的課題である。
　また、冷却効果を高めるためには、基板を載置してあるヒータから離間させること、及び基板裏面を含めて気体を基板に噴出させ強制冷却することは、たとえば、特開平１−２０９７２２号公報の特に第１、２図及び同公報の第３頁右上欄１６〜２０行に記載されているように周知技術である。
　さらに、刊行物発明には、基板を熱源である載置ユニットから離間させることが可能な基板昇降手段を備えている。
　したがって、刊行物発明において、上記技術的課題に配慮し、上記周知技術を採用することは、自らが基板昇降手段を具備していることからも、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
　そして、本願発明の作用効果も、刊行物発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　よって、本願発明は、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　 
６．むすび  
　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条
第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。