【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年8月3日(2010.8.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
図１を参照すると、本発明に係るダイ接着フィルム１００は、半導体素子が集積され、微細回路パターンおよびソルダーバンプパターン５０が形成されたウエハー３０の表面に付着される第１ダイ接着フィルム１０と、前記第１ダイ接着フィルム１０上に付着された第２ダイ接着フィルム２０と、前記ダイ接着フィルム１００の両面に付着され、ダイ接着フィルム１００を保護する保護フィルム１１とを含む。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
ここで、第１ダイ接着フィルム１０は、半導体素子が集積され、微細回路パターンおよびソルダーバンプパターン５０が形成されたウエハー３０の表面に第１接着力で付着され、ウエハー３０の切断片であるダイとの高い接着力が要求される物質層である。そして、前記第２ダイ接着フィルム２０は、第１ダイ接着フィルム１０上に付着され、バックグラインディング工程時にウエハー３０を固定する研磨チャックに付着される物質層である。このような点を勘案して、前記第１接着力は、シリコンウエハー表面付着を基準にして２５℃で１０〜２０００ｇｆ／ｃｍの接着力を有し、前記第２接着力は、ＡＵＳ３０８表面付着を基準にして２５℃で１０〜２０００ｇｆ／ｃｍの接着力を有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
各図面を参照すると、本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング方法は、まず、図３に示すように、ダイ接着フィルム１００から保護フィルム１１を除去し、半導体素子が集積され、微細回路パターンおよびソルダーバンプパターン５０が形成されたウエハー３０の表面に第１ダイ接着フィルム１０面を対面させて接着する（Ｓ１００）。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子パッケージング工程に使用される多機能ダイ接着フィルムにおいて、
微細回路パターンを有するウエハーの表面に付着され、第１接着力を有する第１ダイ接着フィルムと、
前記第１ダイ接着フィルム上に付着され、前記第１接着力より低い第２接着力を有する第２ダイ接着フィルムと、を含み、
前記第１ダイ接着フィルム及び第２ダイ接着フィルムのうち少なくとも一つは導電性フィラーを含み、
前記多機能ダイ接着フィルムは、半導体素子パッケージング工程のバックグラインディングテープとしての機能を行い、バックグラインディング作業の終了後、前記多機能ダイ接着フィルムを除去せずに、接続部材にダイチップを接着するのに使用することを特徴とする多機能ダイ接着フィルム。
【請求項２】
前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、透明または半透明材質からなることを特徴とする、請求項１に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項３】
前記第１接着力は、シリコンウエハー表面付着を基準にして２５℃で１０〜２０００ｇｆ／ｃｍであり、前記第２接着力は、ＡＵＳ３０８表面付着を基準にして２５℃で１０〜２０００ｇｆ／ｃｍであることを特徴とする、請求項２に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項４】
前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、７日間の８５℃／６０％湿度の耐湿性試験（Ｍｏｉｓｔｕｒｅ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  Ｔｅｓｔ；ＪＬ２）を基準にして０〜２％ｗｔの水分吸湿率を有することを特徴とする、請求項２または３に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項５】
前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、５０℃で１０４〜１０１０Ｐａの貯蔵弾性率を有することを特徴とする、請求項４に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項６】
前記第２ダイ接着フィルムは、５０℃で１０６〜１０９Ｐａの貯蔵弾性率を有することを特徴とする、請求項５に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項７】
前記第１ダイ接着フィルム及び前記第２ダイ接着フィルムは、エポキシ系、アクリル系、シリコン系、ゴム系、ウレタン系及びエラストマー系からなる群から選択された何れか一つの樹脂材からなることを特徴とする、請求項６に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項８】
前記導電性フィラーは、樹脂材の体積に対比して０．５〜７０体積％で前記ダイ接着フィルムに含まれることを特徴とする、請求項７に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項９】
前記導電性フィラーは、前記第２ダイ接着フィルムのみに含まれており、前記第２ダイ接着フィルムと前記第１ダイ接着フィルムとの厚さ比は、１０:１〜０．１:１であることを特徴とする、請求項８に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項１０】
前記導電性フィラーの粒子直径は０．０５〜５０μｍであることを特徴とする、請求項９に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項１１】
前記導電性フィラーは、金、銀、銅及びニッケルからなる群から選択された導電性金属、及び前記導電性金属がコーティングされたコアシェル構造の有機物のうち何れか一つからなることを特徴とする、請求項１０に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項１２】
請求項１から１１のうち何れか一つの項による多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法において、
（ａ）微細回路パターンを有するウエハーの表面に、前記ダイ接着フィルムの第１ダイ接着フィルム面を対面させて前記ダイ接着フィルムを接着する段階と、
（ｂ）前記ウエハーの後面をバックグラインディングした後、ダイシングフィルムを接着する段階と、
（ｃ）前記ダイ接着フィルムを有する前記ウエハーを少なくとも一つのダイチップに切断する段階と、
（ｄ）前記ダイチップから前記ダイシングフィルムを除去した後、前記ダイ接着フィルムの第２ダイ接着フィルム面を接続部材に対向させた状態でソルダーバンプを用いたフリップチップボンディング工程によって前記ダイチップと前記接続部材とを電気的に結合する段階と
を含むことを特徴とする多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項１３】
前記接続部材は、ＰＣＢ、リードフレーム及びダイチップから選択された何れか一つであることを特徴とする、請求項１２に記載の多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項１４】
請求項１から１１の何れか一つの項による多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法において、
（ａ）微細回路パターンを有するウエハーの表面に、前記ダイ接着フィルムの第１ダイ接着フィルム面を対面させて前記ダイ接着フィルムを接着する段階と、
（ｂ）前記ウエハーの後面をバックグラインディングした後、ダイシングダイ接着フィルムを接着する段階と、
（ｃ）前記ダイ接着フィルムを有する前記ウエハーを少なくとも一つのダイチップに切断する段階と、
（ｄ）前記ダイチップから前記ダイシングダイ接着フィルムのダイシングフィルム層を除去した後、前記ダイチップと接続部材とを接着し、その後、他のダイチップを前記ダイチップの前記ダイ接着フィルム面に対向させた状態でソルダーバンプを用いたフリップチップボンディング工程によって前記ダイチップと前記他のダイチップとを電気的に結合する段階と
を含むことを特徴とする多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項１５】
前記接続部材は、ＰＣＢ、リードフレーム及びダイチップから選択された何れか一つであることを特徴とする、請求項１４に記載の多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。