【手続補正書】
【提出日】平成22年10月22日(2010.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細加工デバイス又はその部品から選ばれる装置であって、その少なくとも１つの表面は、イオン化もしくは活性化技術によって表面上に形成された、均一の非湿潤性もしくは非吸収性コーティングもしくは表面改質体を有し、表面エネルギー値を１５ｍＮｍ−１未満としている、装置。
【請求項２】
前記イオン化もしくは活性化技術はプラズマ処理である、請求項１記載の装置。
【請求項３】
マイクロ流体デバイス又はナノ流体デバイスであり、前記表面は前記デバイスを使用する際に液体と接触する表面である、請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
前記デバイス又はその要素、部品もしくはサブアセンブリをプラズマに暴露し、それにより、表面の改質を行い、その表面に非湿潤性もしくは非吸収性を付与することで形成されたものである、請求項１〜３のいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
前記プラズマはプラズマ重合を経て非湿潤性もしくは非吸収性ポリマーを形成するモノマー化合物を含み、かつ、前記デバイス又はその要素、部品もしくはサブアセンブリはその表面上に均一なポリマー層を形成させるために十分な時間、暴露されたものである、請求項３記載の装置。
【請求項６】
前記デバイス又はその要素、部品もしくはサブアセンブリをプラズマ堆積チャンバー内でパルス型プラズマに暴露させたものである、請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記モノマー化合物は式（Ｉ）
【化１】
2010508162.tif 000001
〔式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は水素、アルキル、ハロアルキル又は、ハロによって置換されていてよいアリールから独立に選ばれ、Ｒ４は−Ｘ−Ｒ５｛Ｒ５はアルキル又はハロアルキル基であり、Ｘは結合、式−Ｃ（Ｏ）Ｏ−の基、式−Ｃ（Ｏ）Ｏ（ＣＨ２）ｎＹ−（ｎは１〜１０の整数であり、Ｙはスルホンアミド基である）の基、又は、−（Ｏ）ｐＲ６（Ｏ）ｑ（ＣＨ２）ｔ−（Ｒ６はハロによって置換されていてよいアリールであり、ｐは０又は１であり、ｑは０又は１であり、ｔは０又は１〜１０の整数であり、ただし、ｑが１である場合にはｔは０以外である）の基である｝である〕の化合物である、請求項５又は６記載の装置。
【請求項８】
前記式（Ｉ）の化合物は式（ＩＩ）、
【化２】
2010508162.tif 000002
（式中、Ｒ５は請求項５に定義されたとおり）の化合物であり、又は、式（ＩＩＩ）
【化３】
2010508162.tif 000003
（式中、ｎ及びＲ５は請求項５に定義されたとおりであり、Ｒ７は水素、Ｃ1-10アルキル又はＣ1-10ハロアルキルである）の化合物である、請求項７記載の装置。
【請求項９】
式（Ｉ）の化合物は式（ＩＩＩ）の化合物である、請求項８記載の装置。
【請求項１０】
式（ＩＩＩ）の化合物は式（ＩＶ）
【化４】
2010508162.tif 000004
（式中、Ｒ７は請求項６に定義されたとおりであり、ｘは１〜９の整数である）の化合物である、請求項９記載の装置。
【請求項１１】
式（ＩＶ）の化合物は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ヘプタデカフルオロデシルアシレートである、請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
前記モノマー化合物は式（Ｖ）
【化５】
2010508162.tif 000005
（式中、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12及びＲ13は、すべて独立に、水素、ハロ、アルキル、ハロアルキル、又は、ハロによって置換されていてよいアリールから選ばれ、Ｚは橋掛け基である）の化合物である、請求項５又は６記載の装置。
【請求項１３】
前記モノマー化合物は式（ＶＩＩ）
【化６】
2010508162.tif 000006
〔式中、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20は水素、ハロゲン、アルキル、ハロアルキル、又は、ハロによって置換されていてよいアリールから独立に選ばれ、Ｒ21はＸ−Ｒ22｛Ｒ22はアルキル又はハロアルキル基であり、Ｘは結合、−Ｃ（Ｏ）Ｏ（ＣＨ2）ｘＹ−（ｘは１〜１０の整数であり、Ｙは結合又はスルホンアミド基である）の基、−（Ｏ）ｐＲ23（Ｏ）ｓ（ＣＨ２）ｔ−（Ｒ23はハロによって置換されていてよいアリールであり、ｐは０又は１であり、ｓは０又は１であり、ｔは０又は１〜１０の整数であり、ただし、ｓが１の場合にはｔは０以外である）の基である｝である〕の化合物である、請求項５又は６記載の装置。
【請求項１４】
前記モノマー化合物は式（ＶＩＩＩ）
【化７】
2010508162.tif 000007
（式中、Ｒ24は水素、アルキル、シクロアルキル、ハロアルキル又は、ハロによって置換されていてよいアリールであり、
Ｘ１は結合又は橋掛け基であり、
Ｒ25はアルキル、シクロアルキル、又は、ハロゲンによって置換されていてよいアリール基である）の化合物である、請求項５又は６記載の装置。
【請求項１５】
マイクロ流体デバイス又はナノ流体デバイスをとおして液体の易流動性を向上させるための方法であって、前記マイクロ流体デバイス又はナノ流体デバイスの少なくとも液体接触表面が、イオン化もしくは活性化技術によってその上に形成された、均一の非湿潤性もしくは非吸収性コーティングもしくは表面改質体が存在することによって、１５ｍＮｍ-1未満の表面エネルギーを有する、マイクロ流体デバイス又はナノ流体デバイスを用いることを含む、方法。
【請求項１６】
前記液体接触表面は、該表面上にポリマー層を形成させるに十分な時間、気相状態で、式（Ｉ）
【化８】
2010508162.tif 000008
〔式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は水素、アルキル、ハロアルキル又は、ハロによって置換されていてよいアリールから独立に選ばれ、Ｒ４は−Ｘ−Ｒ５｛Ｒ５はアルキル又はハロアルキル基であり、Ｘは結合、式−Ｃ（Ｏ）Ｏ−の基、式−Ｃ（Ｏ）Ｏ（ＣＨ２）ｎＹ−（ｎは１〜１０の整数であり、Ｙはスルホンアミド基である）の基、又は、−（Ｏ）ｐＲ６（Ｏ）ｑ（ＣＨ２）ｔ−（Ｒ６はハロによって置換されていてよいアリールであり、ｐは０又は１であり、ｑは０又は１であり、ｔは０又は１〜１０の整数であり、ただし、ｑが１である場合にはｔは０以外である）の基である｝である〕の化合物を含むパルス型プラズマに対して前記表面を暴露させることで形成されるポリマーコーティングをその表面上に堆積している、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記デバイス又はその要素、部品もしくはサブアセンブリをプラズマ堆積チャンバー中に配置し、グロー放電を前記チャンバー内で点火し、そして電圧をパルス場として印加する、請求項１５又は１６記載の方法。
【請求項１８】
印加される電圧は５〜５００Ｗの出力での電圧である、請求項１５〜１７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１９】
前記電圧はオン時間：オフ時間の比が１：５００〜１：１５００であるシーケンスでパルス印加される、請求項１５〜１８のいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
前記電圧は出力が２０〜５０μｓ、オンであり、１０００μｓ〜３００００μｓ、オフであるシーケンスでパルス印加される、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記電圧は３０秒間から９０分間、パルス場として印加される、請求項１５〜２０のいずれか１項記載の方法。
【請求項２２】
前記電圧は５〜６０分間、パルス場として印加される、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
予備工程において、連続出力プラズマを前記デバイス又はその要素、部品もしくはサブアセンブリに印加する、請求項１５〜２２のいずれか１項記載の方法。
【請求項２４】
前記予備工程を不活性ガスの存在下に行う、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
パルス型電圧を印加しながら、８０〜３００ｍｇ／分の速度で、気相状態の式（Ｉ）の化合物をプラズマ中に供給する、請求項１５〜２４のいずれか１項記載の方法。
【請求項２６】
前記プラズマを０．００１〜５００ｗ／ｍ３の平均出力での電圧で形成する、請求項１５〜２５のいずれか１項記載の方法。
【請求項２７】
前記プラズマを０．００１〜１００ｗ／ｍ３の平均出力での電圧で形成する、請求項２５記載の方法。
【請求項２８】
前記プラズマを０．００５〜０．５ｗ／ｍ３の平均出力での電圧で形成する、請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記式（Ｉ）の化合物は式（ＩＩ）、
【化９】
2010508162.tif 000009
（式中、Ｒ５は請求項５に定義されたとおり）の化合物であり、又は、式（ＩＩＩ）
【化１０】
2010508162.tif 000010
（式中、ｎ及びＲ５は請求項５に定義されたとおりであり、Ｒ７は水素、Ｃ1-10アルキル又はＣ1-10ハロアルキルである）の化合物である、請求項１５〜２８のいずれか１項記載の方法。
【請求項３０】
式（Ｉ）の化合物は式（ＩＩＩ）の化合物である、請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
式（ＩＩＩ）の化合物は式（ＩＶ）
【化１１】
2010508162.tif 000011
（式中、Ｒ７は請求項９に定義されたとおりであり、ｘは１〜９の整数である）の化合物である、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
式（ＩＶ）の化合物は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ヘプタデカフルオロデシルアクリレートである、請求項３１記載の方法。