【事件の表示】
　特願２０１４−　９３２５１「炭化珪素半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１１月２４日出願公開，特開２０１５−２１１１７９，請求項の数（６）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２６年４月３０日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２９年　３月２２日付け　拒絶理由通知書
平成２９年　５月２５日　　　意見書・手続補正書の提出
平成２９年１１月２０日付け　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成３０年　２月２１日　　　審判請求書・手続補正書の提出
平成３０年１１月２９日付け　拒絶理由（以下，「当審拒絶理由」という。）通知書
平成３１年　１月２４日　　　意見書・手続補正書の提出
第２　本願発明
　本願請求項１−６に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明６」という。）は，平成３１年１月２４日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−６に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１−本願発明６は以下のとおりの発明である。
　「　　【請求項１】
　第一導電型の炭化珪素半導体層と，
　前記炭化珪素半導体層の表面上に形成された酸化珪素または窒化珪素の厚さ０．５μｍ〜１．５μｍのフィールド絶縁膜と，
　前記炭化珪素半導体層の表面上であって前記フィールド絶縁膜よりも内周側に形成されるとともに，前記フィールド絶縁膜に乗り上げて形成されたショットキー電極と，
　前記ショットキー電極を覆い，前記ショットキー電極の外周端を越えて前記フィールド絶縁膜上に延在する表面電極と，
　前記炭化珪素半導体層内の上部において前記ショットキー電極の一部と接して形成され，前記炭化珪素半導体層内において前記表面電極の外周端よりも外周側に延在し，単位面積当りの不純物量が１．０×１０１３／ｃｍ２〜１．０×１０１４／ｃｍ２の範囲である第二導電型の終端ウェル領域と，
　前記終端ウェル領域内に形成され，第二導電型の単位面積当りの不純物量が２．０×１０１４／ｃｍ２〜１．０×１０１５／ｃｍ２の範囲である第二導電型の高濃度終端ウェル領域とを備え，
　前記終端ウェル領域および前記高濃度終端ウェル領域は，第二導電型の不純物を１００ｋｅＶ〜７００ｋｅＶの注入エネルギーでイオン注入して得られる厚さに形成され，
　前記表面電極の外周端は，前記終端ウェル領域の外周端よりも１５μｍ以上内側に存在し，
　前記表面電極の外周端は，前記高濃度終端ウェル領域上に位置し，前記高濃度終端ウェル領域の外周端よりも２μｍ以上内側に存在する，
　ことを特徴とする炭化珪素半導体装置。
　　【請求項２】
　前記フィールド絶縁膜の厚みは，０．５μｍ以上である，
　ことを特徴とする請求項１記載の炭化珪素半導体装置。
　　【請求項３】
　前記高濃度終端ウェル領域と前記ショットキー電極の一部とがコンタクトしている，
　ことを特徴とする請求項１記載の炭化珪素半導体装置。
　　【請求項４】
　前記表面電極の外周端部には，テーパー部が設けられた，
　ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置。
　　【請求項５】
　前記ショットキー電極は，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ａｕの少なくともいずれか一つの金属を含む，
　ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置。
　　【請求項６】
　前記表面電極は，Ａｌ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｎｉの少なくともいずれか一つの金属を含む，
　ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置。」
第３　引用文献及び引用発明
　１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２００３−１０１０３９号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，高耐圧半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から，ＰＮダイオード，ショットキーバリアダイオード，ＭＯＳＦＥＴ，ＩＧＢＴ等の高耐圧半導体素子の終端構造として，リサーフ構造やガードリング構造等が知られている。
【０００３】先ず，図１０にリサーフ構造を有する高耐圧半導体装置を示す。
【０００４】図１０に示すように，このリサーフ構造を有する高耐圧半導体装置は，ｎ−型半導体層１の表面にｐ−型半導体層からなるリサーフ層１０が形成されている。ｎ−型半導体層１の表面におけるリサーフ層１０の内部にｐ＋型半導体層からなるエッジターミネーション層９が形成されている。エッジターミネーション層９上には，第１電極４が形成されている。ｎ−型半導体層１の裏面にはｎ＋半導体層２を介して第２電極３が形成されている。符号５は，第１電極４上に形成され，第１電極４と電気的に接続されたフィールドプレートである。符号６はｎ−型半導体層１表面上に形成された絶縁膜である。符号７は電極である。符号８はｎ＋型半導体層である。
【０００５】このようなリサーフ構造を有する高耐圧半導体装置は，リサーフ層１０の不純物濃度，長さ，深さ等を最適化することで，基板の厚さと不純物濃度から算出される理想耐圧に近い耐圧を得ることが可能である。
【０００６】
リサーフ構造は，エッジターミネーション層９を内部に含み周囲に広がるようにリサーフ層１０を形成することにより，逆バイアス印加時にリサーフ層１０が空乏化し，エッジターミネーション層９端の電界を緩和して高耐圧を得ることができる。
【０００７】しかしながらリサーフ層１０の不純物濃度が高い場合には，リサーフ層１０が空乏化しきれず，リサーフ層１０の端部に電界が集中して耐圧が低下する問題がある。一方リサーフ層１０の不純物濃度が低すぎれば，電圧の低い段階でもリサーフ層１０が空乏化してしまい，エッジターミネーション層９端の電界を緩和する効果が薄れ耐圧は低下する問題がある。
【０００８】このようにリサーフ層１０の不純物濃度は高すぎず低すぎず最適値が存在し，最適のピーク耐圧を求めることができる。また，このピーク耐圧は，リサーフ層１０の長さに依存し，リサーフ層１０が長いほど高耐圧を得ることが可能であり，理想耐圧に近づく。」
　「【００４１】図１に示すように，このショットキーバリアダイオードは，ｎ−型半導体層１と，ｎ−型半導体層１の表面に形成されたｐ＋型高不純物濃度層からなるエッジターミネーション層９を具備している。
【００４２】ｎ−型半導体層１の表面には，複数のｐ＋型高不純物濃度層からなる第１ガードリング層１１が形成されている。これら第１ガードリング層１１は，エッジターミネーション層９の周囲に位置するように形成されている。第１ガードリング層１１は，エッジターミネーション層９と不純物濃度も同程度である。第１ガードリング層１１は，複数層あるほうが効果を高くすることができる。
【００４３】ｎ−型半導体層１の表面には，エッジターミネーション層９及び第１ガードリング層１１を内部に含むようにｐ−型低不純物層からなるリサーフ層１０が形成されている。リサーフ層１０は，エッジターミネーション層９及び第１ガードリング層１１よりも低い不純物濃度である。
【００４４】ｎ−型半導体層１の表面には，リサーフ層１０の周囲に位置するようにｐ−型低不純物層からなる第２ガードリング層１２が形成されている。第２ガードリング層１２は，リサーフ層１０と不純物濃度が同程度である。第２ガードリング層１２は，複数あるほうが効果を高くすることができる。
【００４５】エッジターミネーション層９上には，第１電極４が設けられている。第１電極４上には，これと電気的に接続されたフィールドプレート５が形成されている。
フィールドプレート５は，半導体層１と絶縁膜６を介して形成されている。
　「【００６６】次に，図５を用いて，図１に示した高耐圧半導体装置の製造方法を説明する。ここでは４Ｈ−ＳｉＣ（シリコンカーバイド）を基板に用いたショットキーバリアダイオードの製造方法について説明する。
【００６７】先ず，図５（ａ）に示すように，
裏面にｎ
＋
型半導体層２が形成されたｎ
−
型半導体層１を具備する４Ｈ−ＳｉＣ基板を用意する。
この４Ｈ−ＳｉＣ基板のｎ
−
型半導体層１上に，酸化膜からなる絶縁膜６を形成する。
【００６８】次に，図５（ｂ）に示すように，４Ｈ−ＳｉＣ基板の表面にマスク３０をパターニングして，ｎ＋型不純物をイオン注入しチャネルストッパ領域８を形成する。このイオン注入は，例えば，ドーズ量を１×１０１５ｃｍ−２とし，加速電圧を１０〜１００ｋｅＶの多段階に分けてリンをイオン注入し，ボックス型のプロファイルを形成する。この後マスク３０を除去する次に，
図５（ｃ）に示すように，４Ｈ−ＳｉＣ基板の表面に，マスク３１をパターニングして，ｐ
−
型不純物をイオン注入し，ｐ
−
型低不純物濃度層からなるリサーフ層１０及びｐ
−
型低不純物濃度層からなる第２ガードリング層１２を形成する。このイオン注入は，例えば，ドーズ量を１×１０
１３
ｃｍ
−２
とし，加速電圧を２０〜４００ｋｅＶの多段階に分けてアルミニウムをイオン注入し，ボックス型のプロファイルを形成する。この後マスク３１を除去する次に，図５（ｄ）に示すように，４Ｈ−ＳｉＣ基板の表面に，マスク３２をパターニングして，ｐ
＋
型不純物をイオン注入し，リサーフ層１０内部にｐ
＋
型高不純物濃度層からなるエッジターミネーション層９及びｐ
＋
型高不純物層からなる第１ガードリング層１１を形成する。このイオン注入は，例えば，ドーズ量を５×１０
１４
ｃｍ
−２
とし，加速電圧を１０〜２００ｋｅＶの多段階に分けてアルミニウムをイオン注入し，ボックス型のプロファイルを形成する。
【００６９】次に，図５（ｅ）に示すように，チャネルストッパ領域８上の絶縁膜６を除去する。次に，このチャネルストッパ領域８上に，ニッケルのオーミック電極７を形成する。このとき基板裏面に電極３を形成し，アニールにより同時に電極７，３を低抵抗化してもよい。電極３としては，基板側からニッケル層，チタン層の積層構造とすることができる。また，基板側からチタン層，ニッケル層，金層の積層構造とすることができる。また，基板側からニッケル層，金層の積層構造とすることができる。
【００７０】次に，
図５（ｆ）に示すように，エッジターミネーション層９及びリサーフ層１０の一部上の絶縁膜６を除去する。次に，このエッジターミネーション層９及びリサーフ層１０の一部上にチタンからなるショットキー電極４を形成する。ショットキー電極４端には，エッジターミネーション層９が接するようにする。この工程で同時にチタンからなるフィールドプレート５を絶縁膜６上まで伸びるように形成する。
【００７１】次に，図５（ｇ）に示すように，４Ｈ−ＳｉＣ基板の裏面のｎ＋型半導体層２上にニッケルからなるオーミック電極３を形成する。ただし図５（ｅ）に示す段階で電極３を形成した場合は，この工程は必要ない。
【００７２】この様にして図１に示す高耐圧半導体装置が完成する。
【００７３】リサーフ層１０内部の第１ガードリング層１１はいくつであってもよく，個数が多いほど耐圧の劣化を防ぐ効果がある。本発明者らの実験の結果第１ガードリング層１１は，２〜３本とするのが効果的であった。
【００７４】また，各第１ガードリング層１１の幅を３μｍとし，エッジターミネーション層９と最内郭の第１ガードリング層１１の間隔を１μｍとした。また，最内郭の第１ガードリング層１１と次に隣接する第１ガードリング１１の間隔を２μｍとした。これら第１ガードリング層１１の間隔及び幅は，最適化をおこなうことで，さらに理想耐圧の９０％以上の耐圧が得られる濃度範囲を広げることが可能である。
【００７５】また，リサーフ層１０外部の第２ガードリング層１２はいくつであってもよく，個数が多いほど耐圧の劣化を防ぐ効果がある。本発明者らの実験の結果第２ガードリング層１２は，３〜５本とするのが効果的であった。図５の説明では簡単のため２つの第２ガードリング層１１としているが，４本の第２ガードリング層１２を形成した場合を説明する。
【００７６】各第２ガードリング層１２の幅を３μｍとし，リサーフ層１０と最内郭の第２ガードリング層１２の間隔を１μｍとした。最内郭の第２ガードリング層１２と次に隣接する第２ガードリング層１２の間隔を１μｍとした。この第２ガードリング層１２と次に隣接する第２ガードリング層１２の間隔を２μｍとした。この第２ガードリング層１２と次に隣接する第２ガードリング層１２の間隔を３μｍとした。これら第２ガードリング層１２の間隔及び幅は，最適化をおこなうことで，理想耐圧の９０％以上の耐圧が得られる濃度範囲を広げることが可能である。
【００７７】チャネルストッパ領域８はカソード電極３と電気的に接続され，半導体基板の表面電位を固定するために設けているが，空乏層が到達する場合に，耐圧劣化を防ぐ効果がある。ここでチャネルストッパ領域８の不純物ｎ＋はｐ＋であっても良い。ここでは，最外郭の第２ガードリング層１２端とチャネルストッパ領域８の距離を３０μｍ以上確保し，空乏層が到達しない距離にチャネルストッパ領域８を形成している。
【００７８】フィールドプレート５は，ショットキー電極４と電気的に接続し，フィールドプレート５の端部がリサーフ層１０上に位置していることが好ましい。ここでは，フィールドプレート５の端部とリサーフ層１０の外周端との距離を１０μｍとした。また，
絶縁膜６の厚さを１μｍ
【００７９】また，このフィールドプレート５の端部とチャネルストッパ層９間の絶縁膜６を厚くし，第２フィールドプレートを形成しても良い。或いは第２ガードリング層１２上に，ショットキー電極とは電気的に接続されないフィールドプレートを形成しても良い。
【００８０】本高耐圧半導体装置の製造方法では，リサーフ層１０内部の第１ガードリング１１をエッジターミネーション層９と同時にイオン注入によって形成している。また，リサーフ層１０外部の第２ガードリング１２をリサーフ層１０と同時にイオン注入によって形成している。したがって製造プロセスは従来のリサーフ構造のマスクレイアウトの変更のみでよく，工程数も同じである。
【００８１】また，マスクを増やし，リサーフ層１０と第２ガードリング層１２を，不純物濃度を変えて別々に形成しても良い。また，エッジターミネーション層９と第１ガードリング層１１を，不純物濃度を変えて別々に形成しても良い。このように不純物濃度を変えることで，さらに耐圧の劣化を防ぐような最適設計をおこなうことも可能である。」
　「【０１１６】図１６に，本発明の別の実施形態にかかる
高耐圧半導体装置
【０１１７】図１６に示すように，このショットキーバリアダイオードは，裏面にｎ＋型半導体層２が形成されたｎ−型半導体層１と，ｎ−型半導体層１の表面に形成されたｐ＋型高不純物濃度層からなるエッジターミネーション層９を具備している。
【０１１８】
ｎ
−
型半導体層１の表面には，エッジターミネーション層９を内部に含むようにｐ
−
型低不純物層からなるリサーフ層１０が形成されている。リサーフ層１０は，エッジターミネーション層９よりも低い不純物濃度である。
【０１１９】ｎ−型半導体層１の表面には，リサーフ層１０の周囲に位置するようにｐ−型低不純物層からなるガードリング層１２が形成されている。ガードリング層１２は，リサーフ層１０と不純物濃度が同程度である。
【０１２０】
また，ｎ
−
型半導体層１表面上にはショットキー電極として第１電極４が設けられている。第１電極４上には，これと電気的に接続されたフィールドプレート５が形成されている。フィールドプレート５の端部はエッジターミネーション層９の内側に位置する。フィールドプレート５と酸化膜６とエッジターミネーション９の電界は小さく，この構造では逆電圧印加時の酸化膜の絶縁破壊による素子不良が抑制される。
【０１２１】ｎ−型半導体層１の裏面には，ｎ＋型半導体層２を介して第２電極３が形成されている。ｎ−型半導体層１の表面には，第２ガードリング層１２の周囲に位置するように，ｎ＋型高不純物濃度層からなるチャネルストッパ領域８が形成されている。チャネルストッパ領域８上には，第３電極７が設けられ，第２電極３と電気的に接続されている。このチャネルストッパ領域８によって，素子の外側にチャネルが広がるのを防ぐことができる。
【０１２２】この高耐圧半導体装置の構造は，第１電極４を中心とした円周構造となっている。
【０１２３】図１６の構造ではリサーフ層１０が最適値より高濃度になっても耐圧低下は小さいので高耐圧の半導体装置を得ることができる。このときリサーフ層１０の濃度対ガードリング層１２の比が１対０．５以上２以下であることが好ましい。」
（２）引用発明１
　前記（１）より，図１に示される第１の実施形態に係る高耐圧半導体装置についての記載を参酌してまとめると，引用文献１には，図１６に示される別の実施形態に係る高耐圧半導体装置として，以下の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「裏面にｎ＋型半導体層２が形成されたｎ−型半導体層１を具備する４Ｈ−ＳｉＣ基板と，
　４Ｈ−ＳｉＣ基板のｎ−型半導体層１上の酸化膜からなる厚さ１μｍの絶縁膜６と，
　４Ｈ−ＳｉＣ基板の表面に，ドーズ量を１×１０１３ｃｍ−２とし，加速電圧を２０〜４００ｋｅＶの多段階に分けてアルミニウムをイオン注入し，ボックス型のプロファイルを形成するｐ−型低不純物濃度層からなるリサーフ層１０と，
　ドーズ量を５×１０１４ｃｍ−２とし，加速電圧を１０〜２００ｋｅＶの多段階に分けてアルミニウムをイオン注入し，ボックス型のプロファイルを形成するリサーフ層１０内部にｐ＋型高不純物濃度層からなるエッジターミネーション層９と，
　エッジターミネーション層９及びリサーフ層１０の一部上に形成されたショットキー電極４と，ショットキー電極４上にこれと電気的に接続されたフィールドプレート５であって，同時の工程で，絶縁膜６上まで伸びるように形成され，端部はエッジターミネーション層９の内側に位置するフィールドプレート５と，
　を備える高耐圧半導体装置。」
　２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２０１３−２１１５０３号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，ＳｉＣを用いた半導体装置に関し，特にエッジ部のショットキーコンタクトメタルを表面電極メタルで完全に被覆することで，エッチング残渣の発生を防ぎ，信頼性の高い表面電極構造を有する半導体デバイスに関するものである。」
　「【００２５】
　図４は，本発明におけるエッジ部の構造を詳細に説明する図であって，図３と同様に，第１の金属層のエッジ部は，終端構造用のｐ型領域３上に形成された，層間絶縁膜６の上に位置しており，第２の金属層１２は，該第１の金属層上に形成されているが，第１の金属層１１は，第２の金属層１２で被覆されている。
　すなわち，本願発明の図４における構造では，ショットキーコンタクトは，
表面電極となる第２の金属層１２
　図４に示すとおり，本発明において，前記第１の金属層及び第２の金属層の外周端部が，共に前記第２導電型の領域Ｂ内にあることが好ましい。」
　３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（特開２００７−２３５０６４号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，ショットキーバリア半導体装置及びその製造方法に関し，より特定的には，高濃度第一導電型（Ｎ型）半導体であるシリコン基板上において，金属膜がショットキー接合を形成しているショットキーバリア半導体装置の耐圧性能及び静電気サージ耐量を改善する技術に関する。」
　「【０００４】
　図３は，特許文献１に記載された従来のショットキーバリアダイオードの断面図である。まず，エピタキシャル成長法を用いて，シリコンからなる高濃度Ｎ型半導体基板２０の上に低濃度Ｎ型エピタキシャル層２１を形成する。次に，酸化膜の開口部からのイオン注入法を用いて，低濃度Ｎ型エピタキシャル層２１の表面に，例えばボロンイオンを注入及び拡散させて不純物濃度の高いガードリング領域２４ａを形成し，その後リンイオンを注入及び拡散させて不純物濃度の低いガードリング領域２４ｂを形成する。これにより，不純物濃度が異なる二層のガードリング領域２４ａ及び２４ｂからなるガードリング２４を形成できる。そして，ガードリング２４の外側を覆うように，絶縁膜及び保護膜となるシリコン酸化膜２２を形成する。
電極２５はアノード側電極
電極２５と低濃度Ｎ型エピタキシャル層２１との間においてショットキー接合を形成している。
　【図３】
  
　４　引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（特開昭６１−２８８４２６号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　「　産業上の利用分野
　本発明は半導体装置の製造に広く用いられている配線電極材料のパターン断面形状を制御する方法を提供するものであり，特に多層配線を用いた半導体装置の製造に利用できる。」（第１頁左欄第１９行−右欄第３行）
　「　アルミニウム膜もしくはアルミニウム合金膜を用いて多層配線製造を形成する場合，第１層目のアルミニウム膜もしくはアルミニウム合金膜の配線パターンのエッジ部での層間絶縁膜のステップカバレージを良好に行なうために，第１層目のアルミニウム膜もしくはアルミニウム合金膜のパターンの断面形状をテーパ状とすることが要求されるが，従来これを行なう方法としては，第２図（ａ）および（ｂ）の工程順断面図に示したように，アルミニウム膜もしくはアルミニウム合金膜３のドライエッチング時に，レジスト６とのエッチング速度比を制御し，レジスト６のエッチング速度をアルミニウム膜もしくはアルミニウム合金膜３のエッチング速度に近づけると，レジスト６のパターン幅がエッチング中に順次小さくなることにより，アルミニウム膜もしくはアルミニウム合金膜３のパターンの断面形状をテーパ状としていた。」（第１頁右欄第５行−第２頁左上欄第１行）
　５　引用文献５について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（特開２０１２−１２４３２９号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，ＳｉＣ半導体装置に関する。」
　「【００２０】
　アノード電極７は，たとえば，フィールド絶縁膜５の開口６内でＳｉＣエピタキシャル層４に接合された障壁形成電極としてのショットキーメタル９と，このショットキーメタル９に積層されたコンタクトメタル１０との２層構造を有している。
　ショットキーメタル９は，ｎ型のＳｉＣとの接合によりショットキー接合を形成する金属（たとえば，Ｎｉ，Ａｕなど）からなる。ＳｉＣに接合されるショットキーメタル９は，ＳｉＣ半導体との間に，たとえば，０．７ｅＶ〜１．７ｅＶの高さのショットキー障壁（電位障壁）を形成する。また，ショットキーメタル９の厚さは，この実施形態では，たとえば，０．０１μｍ〜５μｍである。」
第４　対比及び判断
　１　本願発明１と引用発明１について
（１）本願発明１と引用発明１との対比
　ア　引用発明１の「裏面にｎ＋型半導体層２が形成されたｎ−型半導体層１を具備する４Ｈ−ＳｉＣ基板」は，本願発明１の「第一導電型の炭化珪素半導体層」に相当する。
　イ　引用発明１の「４Ｈ−ＳｉＣ基板のｎ−型半導体層１上の酸化膜からなる厚さ１μｍの絶縁膜６」は，本願発明１の「前記炭化珪素半導体層の表面上に形成された酸化珪素」「の厚さ０．５μｍ〜１．５μｍのフィールド絶縁膜」に相当する。
　ウ　引用発明１の「エッジターミネーション層９及びリサーフ層１０の一部上に形成されたショットキー電極４」は，エッジターミネーション層９及びリサーフ層１０の一部上の絶縁膜６を除去した領域に形成されているから（第３の１（１）【００７０】），「前記炭化珪素半導体層の表面上であって前記フィールド絶縁膜よりも内周側に形成される」状態といえる。
　また，引用発明１の「絶縁膜６上まで伸びるように形成され，端部はエッジターミネーション層９の内側に位置するフィールドプレート５」は，「前記フィールド絶縁膜に乗り上げて形成された」状態といえる。
　よって，引用発明１の「ショットキー電極４」及び「フィールドプレート５」は，本願発明１の「ショットキー電極」に相当する。
　エ　引用発明１の「リサーフ層１０」は，４Ｈ−ＳｉＣ基板の表面に形成されているから，「前記炭化珪素半導体層内の上部において」形成されているといえる。
　また，引用発明１の「リサーフ層１０」は，「リサーフ層１０の一部上に」「ショットキー電極４」を有しているから，「前記ショットキー電極の一部と接して形成され」ているといえる。
　また，引用発明１の「ドーズ量」「１×１０１３ｃｍ−２」は，本願発明１の「単位面積当りの不純物量が１．０×１０１３／ｃｍ２〜１．０×１０１４／ｃｍ２の範囲」に相当する。
　よって，引用発明１の「ドーズ量を１×１０１３ｃｍ−２とし，加速電圧を２０〜４００ｋｅＶの多段階に分けてアルミニウムをイオン注入し，ボックス型のプロファイルを形成するｐ−型低不純物濃度層からなるリサーフ層１０」は，本願発明１の「前記炭化珪素半導体層内の上部において前記ショットキー電極の一部と接して形成され，」「単位面積当りの不純物量が１．０×１０１３／ｃｍ２〜１．０×１０１４／ｃｍ２の範囲である第二導電型の終端ウェル領域」に相当する。
　オ　引用発明１の「エッジターミネーション層９」は，「リサーフ層１０内部」に形成されているから，「前記終端ウェル領域内に形成され」ているといえる。
　また，引用発明１の「ドーズ量」「５×１０１４ｃｍ−２」は，本願発明１の「第二導電型の単位面積当りの不純物量が２．０×１０１４／ｃｍ２〜１．０×１０１５／ｃｍ２の範囲」に相当する。
　よって，引用発明１の「ｐ＋型高不純物濃度層からなるエッジターミネーション層９」は，本願発明１の「第二導電型の高濃度終端ウェル領域」に相当する。
　カ　引用発明１の「リサーフ層１０」および「ｐ＋型高不純物濃度層からなるエッジターミネーション層９」は，アルミニウムをイオン注入し，ボックス型のプロファイルを形成するから，「前記終端ウェル領域および前記高濃度終端ウェル領域は」「第二導電型の不純物を」「イオン注入して得られる厚さに形成され」ているといえる。
　キ　引用発明１の「高耐圧半導体装置」は，４Ｈ−ＳｉＣ基板に形成されるものであるから，本願発明１の「炭化珪素半導体装置」に相当する。
　ク　すると，本願発明１と引用発明１とは，下記ケの点で一致し，下記コの点で相違する。
　ケ　一致点
　「第一導電型の炭化珪素半導体層と，
　前記炭化珪素半導体層の表面上に形成された酸化珪素の厚さ０．５μｍ〜１．５μｍのフィールド絶縁膜と，
　前記炭化珪素半導体層の表面上であって前記フィールド絶縁膜よりも内周側に形成されるとともに，前記フィールド絶縁膜に乗り上げて形成されたショットキー電極と，
　前記炭化珪素半導体層内の上部において前記ショットキー電極の一部と接して形成され，単位面積当りの不純物量が１．０×１０１３／ｃｍ２〜１．０×１０１４／ｃｍ２の範囲である第二導電型の終端ウェル領域と，
　前記終端ウェル領域内に形成され，第二導電型の単位面積当りの不純物量が２．０×１０１４／ｃｍ２〜１．０×１０１５／ｃｍ２の範囲である第二導電型の高濃度終端ウェル領域とを備え
　前記終端ウェル領域および前記高濃度終端ウェル領域は，第二導電型の不純物をイオン注入して得られる厚さに形成される，
　ことを特徴とする炭化珪素半導体装置。」
　コ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１は，「前記ショットキー電極を覆い，前記ショットキー電極の外周端を越えて前記フィールド絶縁膜上に延在する表面電極」を有するに対して，引用発明１は，表面電極を有していない点。
（イ）相違点２
　本願発明１は，「終端ウェル領域」が「前記炭化珪素半導体層内において前記表面電極の外周端よりも外周側に延在」するのに対し，引用発明１は，そうではない点。
（ウ）相違点３
　本願発明１は，「前記終端ウェル領域および前記高濃度終端ウェル領域は，第二導電型の不純物を１００ｋｅＶ〜７００ｋｅＶの注入エネルギーでイオン注入して得られる厚さに形成され」るのに対し，引用発明１は，リサーフ層１０は，加速電圧を２０〜４００ｋｅＶの多段階に分けてイオン注入し，ボックス型のプロファイルを形成する，また，ｐ＋型高不純物濃度層からなるエッジターミネーション層９は，加速電圧を１０〜２００ｋｅＶの多段階に分けてイオン注入し，ボックス型のプロファイルを形成する点。
（エ）相違点４
　本願発明１は，「前記表面電極の外周端は，前記終端ウェル領域の外周端よりも１５μｍ以上内側に存在」するのに対し，引用発明１は，そうではない点。
（オ）相違点５
　本願発明１は，「前記表面電極の外周端は，前記高濃度終端ウェル領域上に位置し，前記高濃度終端ウェル領域の外周端よりも２μｍ以上内側に存在する」のに対し，引用発明１は，そうではない点。
（２）相違点についての判断
　相違点１−５についてまとめて検討する。
　ア　ショットキー電極を覆い，ショットキー電極の外周端を越えてフィールド絶縁膜上に延在する表面電極を有する半導体装置は周知であり，例えば，上記引用文献２，３に記載されている。
　一方，引用文献１には，リサーフ構造を有する高耐圧半導体装置について，「リサーフ構造は，エッジターミネーション層９を内部に含み周囲に広がるようにリサーフ層１０を形成することにより，逆バイアス印加時にリサーフ層１０が空乏化し，エッジターミネーション層９端の電界を緩和して高耐圧を得ることができる。」（（第３の１（１）【０００６】），）ことは記載されているが，動的なスイッチング時における電界集中について何ら着目していない。
　したがって，上記ショットキー電極を覆い，ショットキー電極の外周端を越えてフィールド絶縁膜上に延在する表面電極を有する半導体装置が周知であるとしても，当業者が，「動的なスイッチング時における表面電極５の外周端での電界集中と静的なオフ状態における表面電極５の外周端での電界集中との双方を緩和するために，終端ウェル領域２上において表面電極５の外周端と終端ウェル領域２の外周端との距離を確保する必要がある。」（本願明細書【００５３】）ことを認識することはなく，当業者が，引用発明１において，上記相違点１−５に係る構成を採用することが容易であったとは認められない。
　イ　そして，本願発明１は，相違点１−５に係る構成を備えることによって，「スイッチング時の変位電流によって発生する電界を緩和することができる。」（本願明細書【００６９】）という格別の効果を奏すると認められる。
　２　本願発明２−６について
　本願発明２−６は，本願発明１の発明特定事項をすべて含むものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用文献１−５に記載された発明に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　１　理由２（特許法第２９条第２項）について
　原査定は，平成２９年５月２５日付け手続補正により補正された請求項１−７に記載された発明について，上記引用文献１−５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかしながら，平成３１年１月２４日付け手続補正により補正された請求項１−６に記載された発明は，上記のとおり，引用文献１−５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものではない。
　したがって，原査定の理由２を維持することはできない。
　２　理由３（特許法第３６条第６項第１号）について
　原査定は，平成２９年５月２５日付け手続補正により補正された請求項１−７に記載された発明について，本願の発明の詳細な説明に記載したものでないから，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないというものである。
　しかしながら，平成３１年１月２４日付け手続補正により補正された請求項１−６に記載された発明は，本願の発明の詳細な説明に記載されたものである。
　したがって，原査定の理由３を維持することはできない。
第６　当審拒絶理由について
　特許法第３６条第６項第２号について
　当審では，平成３０年２月２１日付け手続補正により補正された請求項１−６に係る発明は，明確でないとの拒絶の理由を通知しているが，平成３１年１月２４日付けの補正において，補正がされた結果，この拒絶の理由は解消した。
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明１−６は，当業者が引用文献１−５に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　また，本願発明１−６は，本願の発明の詳細な説明に記載されたものである。
　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。