【事件の表示】
　特許第３４２５２４８号「多重真空処理方法、機能性フィルムの製造方法及び機能性フィルム」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４２５２４８号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３４２５２４８号の発明は、平成６年１２月２７日に特許出願され平成１５年５月２日にその特許の設定登録がなされたものであり、その後、凸版印刷株式会社より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、平成１７年２月１４日付けで特許異議意見書とともに訂正請求書が提出されたものである。
［２］訂正の適否についての判断
［訂正の内容］
訂正請求書による訂正事項は次のとおりである。
訂正事項ａ：特許請求の範囲である
「【請求項１】（１）真空チャンバー内において、走行しているウェッブに対して真空処理を施して巻取り、
（２）大気圧に戻すことなく真空条件を変え、
（３）次いで次に行われる真空処理に適した走行速度に調整してウェッブを逆に走行させ、走行中のウェッブに対して先に施した真空処理とは異なる種類の真空処理を施すことを特徴とする多重真空処理方法。
【請求項２】前記、ウェッブを逆に走行させ走行中のウェッブに対して先に施した真空処理とは異なる種類の真空処理を施す操作を、複数回継続して行うことを特徴とする請求項１記載の多重真空処理方法。
【請求項３】前記真空処理が、真空蒸着処理、スパッタリング処理、プラズマ処理、イオンプレーティング及びプラズマＣＶＤから選ばれたものである請求項１又は２記載の多重真空処理方法。
【請求項４】請求項１、２又は３記載の多重真空処理方法をプラスチックフィルムに適用することを特徴とする機能性プラスチックフィルムの製造方法。
【請求項５】請求項４記載の方法により得られた機能性プラスチックフィルム。
【請求項６】請求項５記載の機能性プラスチックフィルムが、反射防止フィルム、ガスバリアーフィルム、タッチパネル用導電性フィルム、フィルム液晶基板、熱線反射フィルム、又は誘電体ミラーであることを特徴とする機能性プラスチックフィルム。」を、
「【請求項１】（１）真空チャンバー内において、走行しているウェッブに対して真空処理を施して巻取り、
（２）大気圧に戻すことなく次に行われる真空処理に適した真空条件に変え、次いで該真空処理に適した走行速度に調整してウェッブを逆に走行させ、
（３）走行中のウェッブに対して先に施した真空処理とは異なる種類の真空処理を施し、
（４）前記各真空処理は、真空蒸着処理、スパッタリング処理、プラズマ処理及びプラズマＣＶＤから選ばれたものであることを特徴とする多重真空処理方法。
【請求項２】前記、ウェッブを逆に走行させ走行中のウェッブに対して先に施した真空処理とは異なる種類の真空処理を施す操作を、複数回継続して行うことを特徴とする請求項１記載の多重真空処理方法。
【請求項３】請求項１または２記載の多重真空処理方法をプラスチックフィルムに適用することを特徴とする機能性プラスチックフィルムの製造方法。
【請求項４】請求項３記載の方法により得られた機能性プラスチックフィルム。
【請求項５】請求項４記載の機能性プラスチックフィルムが、反射防止フィルム、ガスバリアーフィルム、タッチパネル用導電性フィルム、フィルム液晶基板、熱線反射フィルム、又は誘電体ミラーであることを特徴とする機能性プラスチックフィルム。」に訂正する。
訂正事項ｂ：特許明細書の段落「【００１４】である
「【課題を解決するための手段】前記した問題点を解決するために、本発明の多重真空処理方法は、真空チャンバー内において、走行しているウェッブに対して真空処理を施して巻取り、大気圧に戻すことなく真空条件を変え、次いで、次に行われる真空処理に適した走行速度に調整してウェッブを逆に走行させ、走行中のウェッブに対して先に施した真空処理とは異なる種類の真空処理を施すことを特徴とする。」を、
「【課題を解決するための手段】前記した問題点を解決するために、本発明の多重真空処理方法は、真空チャンバー内において、走行しているウェッブに対して真空処理を施して巻取り、大気圧に戻すことなく次に行われる真空処理に通した真空条件に変え、次いで、該真空処理に適した走行速度に調整してウェッブを逆に走行させ、走行中のウェッブに対して先に施した真空処理とは異なる種類の真空処理を施し、前記各真空処理は、真空蒸着処理、スパッタリング処理、プラズマ処理及びプラズマＣＶＤから選ばれたものであることを特徴とする。」と訂正する。
訂正事項ｃ：特許明細書の段落【００１６】である
「本明細書において「真空処理」とは、真空条件下においてウェッブに対して表面処理、被膜形成処理を行う操作をいい、例えば、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ処理、イオンプレーティング、プラズマＣＶＤ等が挙げられる。」を、
「本明細書において「真空処理」とは、真空条件下においてウェッブに対して表面処理、被膜形成処理を行う操作をいい、例えば、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ処理、プラズマＣＶＤ等が挙げられる。」と訂正する。
訂正事項ｄ：特許明細書の段落【００１９】である
「本発明の多重真空処理方法により、真空処理されたウェッブは、種々の機能が付与される。例えば、プラスチックフィルムに対してプラズマ処理等を行うことにより、表面が活性化され、その上に形成される被膜との密着性が向上される。さらに、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、プラズマＣＶＤ等の薄膜形成手段を用い、被膜材料として光学機能性材料、例えば、高屈折率材料、低屈折率材料等を選択して用いて、基材ウェッブ上に高屈折率層の被膜、低屈折率層の被膜の順に積層すれば反射防止被膜となる。また、被膜材料として紫外線遮断性、導電性、帯電防止性、ガスバリヤー性のものを選択することにより、それらの性質が付与された機能性フィルムを形成することができる。」を、
「本発明の多重真空処理方法により、真空処理されたウェッブは、種々の機能が付与される。例えば、プラスチックフィルムに対してプラズマ処理等を行うことにより、表面が活性化され、その上に形成される被膜との密着性が向上される。さらに、真空蒸着、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等の薄膜形成手段を用い、被膜材料として光学機能性材料、例えば、高屈折率材料、低屈折率材料等を選択して用いて、基材ウェッブ上に高屈折率層の被膜、低屈折率層の被膜の順に積層すれば反射防止被膜となる。また、被膜材料として紫外線遮断性、導電性、帯電防止性、ガスバリヤー性のものを選択することにより、それらの性質が付与された機能性フィルムを形成することができる。」と訂正する。
訂正事項ｅ：特許明細書の段落【００４２】における「反射防止フィルムの製造例その３」を「反射防止フィルムの製造例その４」と訂正する。
訂正事項ｆ：特許明細書の段落【００４７】における「反射防止フィルムの製造例その４」を「反射防止フィルムの製造例その５」と訂正する。
訂正事項ｇ：特許明細書の段落【００５０】における「反射防止フィルムの製造例その５」を「反射防止フィルムの製造例その６」と訂正する。
訂正事項ｈ：特許明細書の段落【００５４】における「反射防止フィルムの製造例その６」を「反射防止フィルムの製造例その７」と訂正する。
［訂正の目的の適否、訂正の範囲の適否、拡張・変更の存否］
　訂正事項ａの請求項１の訂正における「大気圧に戻すことなく次に行われる真空処理に適した真空条件に変え」は、真空条件の変更に対して、次に行われる真空処理に適した真空条件に限定するものであり、該構成要件は、段落【００１８】における「次いで真空チャンバー１内の真空条件を大気圧に戻すことなく次の真空処理に適するような真空条件に変え」、段落【００２５】における「真空条件及び走行条件を変更して」、段落【００３６】における「真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適した値に調整し」、段落【００４４】における「真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適した値に調整し」に示されている。
　したがって、該訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、訂正事項ａの請求項１の訂正における「（４）前記各真空処理は、真空蒸着処理、スパッタリング処理、プラズマ処理及びプラズマＣＶＤから選ばれたものである」は、訂正前の請求項３の構成要件を付加して請求項１を限定するものであり、該訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、訂正事項ａの請求項３〜５は、訂正前の請求項３を削除したために伴い請求項の番号が繰り上がったために訂正したものであり、該訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　訂正事項ｂの明細書の訂正における「大気圧に戻すことなく次に行われる真空処理に適した真空条件に変え」および「前記各真空処理は、真空蒸着処理、スパッタリング処理、プラズマ処理及びプラズマＣＶＤから選ばれたものである」は、前記ａで述べた理由と同じ理由により、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項ｃ、及びｄの明細書の訂正において、「真空処理」のうち、イオンプレーティングを削除する訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項ｅ、ｆ、ｇ及びｈの明細書の訂正は、通し番号が誤記により重複して付与されていたものを訂正するものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、誤記の訂正を目的とするものである。
　また、上記訂正事項ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ及びｈは、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
［３］特許異議の申立についての判断
（訂正後の本件特許発明）
　訂正後の請求項１〜５に係る本件特許発明（以下、「訂正後の本件発明１〜５」という。）は、訂正明細書の請求項１〜５に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】（１）真空チャンバー内において、走行しているウェッブに対して真空処理を施して巻取り、
（２）大気圧に戻すことなく次に行われる真空処理に適した真空条件に変え、次いで該真空処理に適した走行速度に調整してウェッブを逆に走行させ、
（３）走行中のウェッブに対して先に施した真空処理とは異なる種類の真空処理を施し、
（４）前記各真空処理は、真空蒸着処理、スパッタリング処理、プラズマ処理及びプラズマＣＶＤから選ばれたものであることを特徴とする多重真空処理方法
【請求項２】前記、ウェッブを逆に走行させ走行中のウェッブに対して先に施した真空処理とは異なる種類の真空処理を施す操作を、複数回継続して行うことを特徴とする請求項１記載の多重真空処理方法。
【請求項３】請求項１または２記載の多重真空処理方法をプラスチックフィルムに適用することを特徴とする機能性プラスチックフィルムの製造方法。
【請求項４】請求項３記載の方法により得られた機能性プラスチックフィルム。
【請求項５】請求項４記載の機能性プラスチックフィルムが、反射防止フィルム、ガスバリアーフィルム、タッチパネル用導電性フィルム、フィルム液晶基板、熱線反射フィルム、又は誘電体ミラーであることを特徴とする機能性プラスチックフィルム。」
（特許異議申立の理由の概要）
　本件訂正前の請求項１〜６に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記刊行物１〜５に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　尚、甲第２号証は、本件特許の拒絶理由に対する平成１５年３月１４日付け意見書の写しであり、刊行物ではないので採用しないものとする。
　　　　　　　　　　　記
刊行物１：特開昭５７−５３５３９号公報（甲第１号証）
刊行物２：特開昭６０−１７４２１号公報（甲第３号証）
刊行物３：特開平２−１９４９４４号公報（甲第４号証）
刊行物４：特開平６−１３０２０４号公報（甲第５号証）
刊行物５：特開平６−５７４１５号公報（甲第６号証）
（刊行物１〜５の記載事項） 
刊行物１：
「１個の蒸着ドラムに沿って移動する高分子成形物基材上に異なる２種の蒸発物質を配した蒸発源により個別にまたは同時に連続して被膜を形成した後、前記高分子成形物基材の被膜面と反対側の面をグロー放電雰囲気に露呈することを特徴とする真空内被膜形成方法。」（請求項（１））
「本発明において・・・、非磁性層は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓi、Ｔi等で、厚み範囲は１００Å〜１０００Å、強磁性層はＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉおよびそれらの合金について厚み範囲が１００Å〜２０００Åのものである。」（第２頁左上欄７〜１４行目）
「そして本発明の要点のひとつは、１個の蒸着ドラム１０に沿って移動する高分子成形物基材１１に、２種の異なる蒸発物質２１，２５を加熱気化させて得た蒸気流にて、２層被膜を形成する点にある。しかし、例えば、偶数層でない構成を必要とする場合はこの限りではなく、どちらか一方を蒸着したのち、前述した２層蒸着を行い、必要に応じて、この操作をくり返えせばよい。」（刊行物１の２頁右上欄２０行〜２頁左下欄７行）
「蒸着速度は、多くの非磁性層が５００〜１５００Å／ｓｅｃ、強磁性層の場合が３００〜３０００Å／ｓｅｃ・・・、強磁性層のみ、または非磁性層のみを独立に酸化性雰囲気で蒸着し得る点も、優れた磁気記録媒体を得る上で有利な点である。」（第３頁左上欄４〜１０行目）
「本発明の・・・、第２図でＡ方向で蒸着する場合は、蒸発源１９のみか、蒸発源１９から２３の蒸着、Ｂ方向での蒸着の場合は、蒸発源２３のみか、蒸発源２３から１９である。・・・６層〜８層の多層構造体を得ることができるものである。」（第３頁左上欄１１行目〜右上欄３行目）
刊行物２：
「次に、上述の透明導電性フィルム・・・を作製するために使用する蒸着方法及び装置を説明する。・・・基体１は搬送ローラ３６で送りながら（搬送速度は１０ｃｍ／ｍｍ〜２ｍ／ｍｍ）、酸化シリコン若しくはシリコンからなる蒸発源３７を加熱蒸発し、・・・蒸発源３７からの蒸発材料が基体１の一方の面上に酸化シリコン層（層１２）として堆積せしめられる。そして、一旦、基体１をロール３４上に巻き取つた後、搬送方向を逆転させてロール３４からロール３５方向へ基体１を搬送し、蒸着槽３２内で、今度は蒸着条件（例えば導入Ｏ２ガス圧）を変更して蒸着を行い、・・・蒸着条件を変更した状態で層１１上に層１０を蒸着せしめる。・・・膜質良好な製品を得ることができる。」（第６頁左上欄２行目〜第７頁左上欄１行目）
刊行物３：
「透明なプラスチックフィルムからなる基材の表面に・・・透明バリアー複合フィルム。」（請求項（１））
「本発明は、真空系内で蒸着・スパッタリング・イオンプレーティング等のＰＶＤ法により、・・・複合フィルムが得られた。」（第３頁右上欄４行目〜１２行目）
　実施例−１には、「・・・巻取式蒸着スパッタリング装置・・・下記の条件で、酸化アルミニウム薄膜、酸化珪素薄膜をそれぞれ約１０００Åの膜厚で連続的に順次積層して設け・・・酸化アルミニウム薄膜・・・真空度１．０×１０−４（Ｔｏｒｒ）・・・ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎ・・・酸化珪素薄膜・・・真空度５．０×１０−６（Ｔｏｒｒ）・・・ラインスピード３（ｍ／ｍｉｎ）・・・」と記載されている。
刊行物４：
「耐熱性プラスチック透明基材上に・・・導電性を有する多層反射防止光透過板の製造方法。」（請求項１）
「（３）反射防止膜の形成　・・・。（ａ）排気・・・（ｂ）前処理　・・・真空度を約１．０×１０−４Ｔｏｒｒ・・・にした。その条件下で高周波・・・３００Ｗをかけて発生させたプラズマで、（２）で得られた基材の表面を処理した。（ｃ）蒸着　・・・１層目は真空度約４×１０−５Ｔｏｒｒ・・・の条件下で、２層目は酸素を導入して真空度約８×１０−５Ｔｏｒｒ・・・の条件下で高周波・・・３００Ｗをかけて発生させたプラズマ雰囲気下で、３層目は真空度約２×１０−５Ｔｏｒｒ・・・の条件下で蒸着した。」（段落【００３２】〜【００３５】）
刊行物５：
「ウェブ基材の表面に蒸発物質を順次蒸着する方法であって、・・・上記複数の蒸発源からの蒸発物質の流れに順次繰り返してさらされ、かつ蒸発源に順次さらされる回数が蒸発源の数よりも多く設定されたステップとを備える方法。」（請求項１）
「したがって、公知のコーティングシステムでは、ウェブ基材上への広範囲に亙っての多重組織の層の形成は、図１に示すように、基材を一つの蒸発源から次の蒸発源への繰り返し往復動作させることによってなされるのが一般的である。・・・多層組織の形成としては新規である。」（段落【００１２】）
「シャッタ２１２は、・・・蒸着を成功させるために重要な他の要件としては、蒸着速度、テープの移送速度、アパーチャ開口の大きさ及び調整可能性、そして、蒸発源のタイプを挙げることができる。・・・よるものである。」（段落【０
０２５】）
（対比・判断）
　刊行物１には、ウェブ状の基材を用いた巻き取り式の蒸着法が記載されており、順方向成膜、逆方向成膜を行うことにより、多層成膜をすることについて開示され、また、順方向成膜と逆方向成膜の間は大気開放することなく、真空装置内で連続して行われて（図２等参照）おり、この点では、訂正後の本件発明１と一致するといえる。
　しかし、刊行物1には、「２種の蒸発物質を配した蒸発源により個別にまたは同時に連続して皮膜を形成した後」（刊行物１の請求項１）、及び、「そして本発明の要点のひとつは、１個の蒸着ドラム１０に沿って移動する高分子成形物基材１１に、２種の異なる蒸発物質２１，２５を加熱気化させて得た蒸気流にて、２層被膜を形成する点にある。しかし、例えば、偶数層でない構成を必要とする場合はこの限りではなく、どちらか一方を蒸着したのち、前述した２層蒸着を行い、必要に応じて、この操作をくり返えせばよい。」（刊行物１の２頁右上欄２０行〜２頁左下欄７行）と記載されているが、これらの記載は、同じ種類の真空処理である蒸着を繰返すことを示すものであり、これに対し、訂正後の本件発明１は、その請求項１に規定するように、「一つの真空処理を施した後に、次に行われる真空処理に適した真空条件に変え、次いで該真空処理に適した走行速度に調整してウェッブを逆に走行させ、走行中のウエッブに対して先に施した真空処理とは異なる種類の真空処理であって、真空蒸着処理、スパッタリング処理、プラズマ処理及びプラズマＣＶＤから選ばれた真空処理を次に施す」（以下、「特定の構成」という。）ものであり、これを示唆する記載は刊行物１にはない。
　特許異議申立人は、特許異議申立書の「ｃ．本件特許発明と証拠の対比」の欄において、「異なる２種類の材料を独立に酸化性雰囲気で蒸着するということは、それぞれ、真空度、酸素ガスの分圧を変える必要があり、真空条件を変化させることである。」（特許異議申立書１３頁７行〜８行）と主張している。
　しかしながら、訂正後の本件発明１は、大気圧に戻すことなく異なる真空処理を行うものであり、しかも、最初の走行中に真空処理を行った後に、逆走させて最初の真空処理とは異なる真空処理を逆走中に行うものであり、すなわち、刊行物１のように異なる２種類の材料を独立に酸化性雰囲気で、同一種類の真空処理としての蒸着を少なくとも２回続けて行うものではない。
　したがって、刊行物１には、訂正後の本件発明１の「特定の構成」を示唆する記載はなく、その「特定の構成」が容易に推考しうるともいえないので、訂正後の本件発明１は、刊行物１に記載された発明に基いて当業者が容易になし得ることはできない。
　さらに、特許異議申立人は、「膜厚、蒸着速度等を制御するときに、真空度、基材の速度、蒸着法であればターゲットへ加えるエネルギー量、スパッタ法であれば印加電力を変化させ制御することは、当たり前のことである。すなわち、真空度、ウエッブ走行速度などの処理条件を変化させることは当業者であれば容易になし得ることである。」（特許異議申立書１３頁９行〜１２行）と主張し、甲第３号証（刊行物２）及び甲第４号証（刊行物３）を提示している。
　しかしながら、訂正後の本件発明１は、前記したように同一種類の真空処理である蒸着を少なくとも２回続けて行う刊行物１の発明とは前記した点において異なるので、刊行物１の発明を前提として、刊行物１の蒸着するときの膜厚、蒸着速度等を制御するために甲第３号証（刊行物２）及び甲第４号証（刊行物３）の技術を結びつけても訂正後の本件発明１の「特定の構成」を導き出ずことはできない。
　さらに、刊行物２は、同一種類の真空処理を続けて行うものであり、訂正後の本件発明１の「特定の構成」のような、最初の走行中に真空処理を行った後に、逆走させて最初の真空処理とは異なる真空処理を逆走中に行うものではない。
　また、刊行物３は、同一種類の真空処理を続けて行うものであり、訂正後の本件発明１の「特定の構成」のような、最初の走行中に真空処理を行った後に、逆走させて最初の真空処理とは異なる真空処理を逆走中に行うものではない。
　さらに、特許異議申立人は、甲第５号証（刊行物４）には、多層反射防止膜について、最初にプラズマ表面処理を施し、次に材料の異なる３層を順次蒸着し、それぞれの真空度の処理条件は異なることが開示されていると主張しているが、刊行物４の手法は、本件特許明細書の段落【００１２】において解決すべき問題点のある技術として紹介しているように、先の真空処理と、次に行われる異なる真空処理の間で真空条件が破られるという問題を有する技術にすぎない。
　さらに、特許異議申立人は、甲第６号証（刊行物５）には、ウェブ基材上に、例えば材料、厚みが異なる多層組織の薄膜を設けることに関するものであり、蒸着条件として、蒸着速度、テープ（ウェブ状基材）の移送速度等が重要であることが記載されていると主張しているが、刊行物５は、複数の蒸発源上にウェッブ基材を移送ローラにより移送中に順次蒸着を行うものであり、訂正後の本件発明１の「特定の構成」のように一つの真空処理を施した後に、次に行われる真空処理に通した真空条件に変えるものではない。また、先の真空処理に引き続き、最初の走行中に真空処理を行った後に、逆走させて最初の真空処理とは異なる真空処理を走行中に行うものではない。
　したがって、刊行物１〜５に記載された発明を組み合わせても、訂正後の本件発明１の「特定の構成」を導き出ずことはできない。
　そして、訂正後の本件発明１は、その「特定の構成」を含む構成を採用することにより、訂正後の明細書記載のとおりの効果を奏するものである。
　したがって、訂正後の本件発明１は、刊行物１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易になし得たものではない。
　訂正後の本件発明２〜５は訂正後の本件発明１を引用する発明であり、訂正後の本件発明１が前記したように刊行物１〜５に基いて当業者が容易になしえたものではないので、訂正後の本件発明１と同様の理由により、訂正後の本件発明２〜５は、刊行物１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易になし得たものではない。　
［４］結び
　したがって、特許異議の申立ての理由によっては、訂正後の本件発明１〜５についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に訂正後の本件発明１〜５についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年９月２９日（２００５．９．２９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
多重真空処理方法、機能性フィルムの製造方法及び機能性フィルム
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】（１）真空チャンバー内において、走行しているウェッブに対して真空処理を施して巻取り、
　（２）大気圧に戻すことなく次に行われる真空処理に適した真空条件に変え、次いで該真空処理に適した走行速度に調整してウェッブを逆に走行させ、
　（３）走行中のウェッブに対して先に施した真空処理とは異なる種類の真空処理を施し、
　（４）前記各真空処理は、真空蒸着処理、スパッタリング処理、プラズマ処理及びプラズマＣＶＤから選ばれたものであることを特徴とする多重真空処理方法。
　【請求項２】前記、ウェッブを逆に走行させ走行中のウェッブに対して先に施した真空処理とは異なる種類の真空処理を施す操作を、複数回継続して行うことを特徴とする請求項１記載の多重真空処理方法。
　【請求項３】請求項１または２記載の多重真空処理方法をプラスチックフィルムに適用することを特徴とする機能性プラスチックフィルムの製造方法。
　【請求項４】請求項３記載の方法により得られた機能性プラスチックフィルム。
　【請求項５】請求項４記載の機能性プラスチックフィルムが、反射防止フィルム、ガスバリアーフィルム、タッチパネル用導電性フィルム、フィルム液晶基板、熱線反射フィルム、又は誘電体ミラーであることを特徴とする機能性プラスチックフィルム。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、真空蒸着処理、スパッタリング処理、イオンプレーティンク、プラズマ処理及びプラズマＣＶＤ等から選ばれた複数種類の真空処理を一つのチャンバー内で、フィルム等のウェッブに対して真空を破ることなく継続して処理できる多重真空処理方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　真空蒸着処理、スパッタリング処理、プラズマ処理、イオンプレーティング及びプラズマＣＶＤ等の真空処理は、物質表面の被覆或いは改質等に有効な方法として多用されている。プラスチックフィルムに対してこれらの真空処理をすることによって、そのフィルム上に形成される被膜との密着性を増加させたり、薄膜を形成させたりして新たな機能の付加されたフィルムが得られている。
　【０００３】
　一方、近年、ワープロ、コンピュータ、テレビ等の各種ディスプレイや各種光学レンズ、光学物品、自動車、電車等の窓ガラスの表面における光の反射防止をするために、これらの物品の表面に、反射防止フィルムを貼着することが行われている。
　【０００４】
　反射防止膜として、例えば、ガラス上に形成された膜厚０．１μｍ程度のＭｇＦ２の薄膜の場合を説明する。入射光が薄膜に垂直に入射する場合に、特定の波長をλ０とし、この波長に対する反射防止膜の屈折率をｎ０、反射防止膜の厚みをｈ、および基板の屈折率をｎｇとすると、反射防止膜が光の反射を１００％防止し、光を１００％透過するための条件は、次の式（１）および式（２）の関係を満たすことが必要であることは既に知られている（サイエンスライブラリ　物理学＝９「光学」７０〜７２頁、昭和５５年，株式会社サイエンス社発行）。
　【０００５】
　【数１】
　　ｎ０＝√ｎｇ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　式（１）
　　ｎ０ｈ＝λ０／４　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　式（２）
　【０００６】
　ガラスの屈折率ｎｇ＝約１．５であり、ＭｇＦ２膜の屈折率ｎ０＝１．３８、入射光の波長λ０＝５５００Å（基準）と既に知られているので、これらの値を前記式（２）に代入すると、反射防止膜の厚みｈは約０．１μｍ前後の光学薄膜が最適であると計算される。したがって、従来このような厚みの光学薄膜が反射防止膜に使用されていた。
　【０００７】
　また、前記式（１）によれば、光の反射を１００％防止するためには、上層塗膜の屈折率がその下層塗膜の屈折率の約平方根の値になるような材料を選択すればよいことが分かり、従来、このような原理を利用して、上層膜の屈折率をその下層膜の屈折率よりも低い値とすること、即ち、基板上に高屈折率層、低屈折率層の順に薄膜を設けることにより光の反射防止を行うことが行われていた。
　【０００８】
　また、本出願人は、特願平６−２８４４７２号にて既に低屈折率層／高屈折率層／基材フィルムからなる積層構造を基本構成とする反射防止フィルムにおいて、高屈折率層の膜厚Ｄは次式（３）で示される厚みを持つ光学薄膜であることが、反射防止に優れていることを提案している。
　【０００９】
　【数２】
　　ｎ・Ｄ＝（Ｎ＋１）λ／４　　　　　　　　　　　　　　　　　　式（３）
〔ｎは高屈折率層の屈折率、λは可視光線の波長（３８０≦λ≦７８０ｎｍ）、Ｎは０又は１の整数〕
　【００１０】
　すなわち、上記に説明される反射防止フィルムは、低屈折率層及び高屈折率層共に、塗装により形成することが困難な、極端に膜厚が薄い光学薄膜であることが、反射防止に優れている。このような光学薄膜の形成には、真空蒸着処理、スパッタリング処理、イオンプレーティング、プラズマＣＶＤ等の真空処理が適していることが知られている。
　【００１１】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、前記従来の真空処理による薄膜の形成方法において、プラスチックフィルム上に種類の異なる真空処理手段、例えば、真空蒸着処理とスパッタリング処理を行うとすれば、真空処理装置において、供給ロールから連続的に走行して、真空処理手段の作用部へ供給されて真空処理され、次いで巻取りロールに巻き取られるので、それらの処理における真空条件、プラズマＣＶＤでは通常１０−２〜１０−１ｍｍＨｇ程度、スパッタリングでは１０−３〜１０−２ｍｍＨｇ程度であるため、一つの真空チャンバーにおいて、複数の真空処理を連続して行うことはできなかった。
　【００１２】
　従来、複数の異なる真空処理を行うためには、例えば、一つの真空処理を行った後に一端、真空条件を破り、即ち、真空チャンバー内に空気を導入して大気圧に戻し、処理されたプラスチックフィルムを別の新たな真空処理ができるようにセットし直し、次いで真空チャンバーを排気して別の真空条件を設定してから前回とは異なる真空処理が行われていた。このように、真空条件の異なる複数の真空処理を行うのに、途中で真空条件が破られ空気が導入されるので、工程間の段取りの時間が非常に長くなるという問題があった。また、このように真空条件が破られることにより、処理された表面が空気に晒されて、表面の活性種が失活したり、或いは表面が酸化されたりして、積層される界面が影響を受け、品質の一定した積層物を得るためには問題があった。
　【００１３】
　そこで、本発明は、同一の真空チャンバー内において、ある真空処理が行われた後に、大気圧に戻すことなく継続的に別の真空処理を行うことができる多重真空処理方法、その処理方法による機能性フィルムの製造方法を提供し、さらに得られた機能性フィルムを提供することを目的とする。
　【００１４】
　【課題を解決するための手段】
　前記した問題点を解決するために、本発明の多重真空処理方法は、真空チャンバー内において、走行しているウェッブに対して真空処理を施して巻取り、大気圧に戻すことなく次に行われる真空処理に適した真空条件に変え、次いで、該真空処理に適した走行速度に調整してウェッブを逆に走行させ、走行中のウェッブに対して先に施した真空処理とは異なる種類の真空処理を施し、前記各真空処理は、真空蒸着処理、スパッタリング処理、プラズマ処理及びプラズマＣＶＤから選ばれたものであることを特徴とする。
　【００１５】
　また、本発明の多重真空処理方法に用いられる多重真空処理装置は、真空チャンバー内にウェッブの正走行機能と逆走行機能が付与された一対のロールからなる巻出巻取機構、及び該巻出巻取機構の一対のロール間を走行するウェッブに対して複数種類の真空処理を継続して施すことができる真空処理機構を含むことを特徴とする。
　【００１６】
　本明細書において「真空処理」とは、真空条件下においてウェッブに対して表面処理、被膜形成処理を行う操作をいい、例えば、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ処理、プラズマＣＶＤ等が挙げられる。
　【００１７】
　図１は、本発明の多重真空処理方法に用いられる多重真空処理装置の１構成例を模式的に示したものである。図１において、１は、その内部を所望の真空度に設定することができる真空チャンバーである。該真空チャンバー１内に、ウェッブ２の巻出し及び巻取りを行うことができ、ウェッブ２の正走行及び逆走行機能が付与された一対のロール３、４を含む巻出巻取機構が配置されている。ロール３及びロール４の間を走行するウェッブ２の面に対して真空処理を行うために相異なる複数種類の真空処理機構５、６、７が各々互いに間隔を保つか、或いは互いに連結された状態で配置されている。このように配置されているため、ウェッブ２の走行中に使用したい真空処理機構のみを選択的に作動させることが可能となる。
　【００１８】
　前記巻出巻取機構において、一方のロール３が巻出し操作を行っているときに、他方のロール４は共動して巻取り操作をする。複数の真空処理の真空条件が異なる場合、或いは複数の真空処理時のウエッブ２の走行スピードが異なる場合に、複数の真空処理は次のように行われる。すなわち、最初に巻出しロール３及び巻取りロール４間を走行中のウェッブ２に対して、真空処理を施し、次いで真空チャンバー１内の真空条件を大気圧に戻すことなく次の真空処理に適するような真空条件に変え、及び／又はウエッブ２の走行スピードを変えて、ウェッブ２を逆に走行させ、逆走中のウェッブ２に対して先に施した真空処理とは異なる種類の真空処理を最初の真空処理機構とは別の種類の真空処理機構にて施す。
　【００１９】
　本発明の多重真空処理方法により、真空処理されたウェッブは、種々の機能が付与される。例えば、プラスチックフィルムに対してプラズマ処理等を行うことにより、表面が活性化され、その上に形成される被膜との密着性が向上される。さらに、真空蒸着、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等の薄膜形成手段を用い、被膜材料として光学機能性材料、例えば、高屈折率材料、低屈折率材料等を選択して用いて、基材ウェッブ上に高屈折率層の被膜、低屈折率層の被膜の順に積層すれば反射防止被膜となる。また、被膜材料として紫外線遮断性、導電性、帯電防止性、ガスバリヤー性のものを選択することにより、それらの性質が付与された機能性フィルムを形成することができる。
　【００２０】
　紫外線遮断性を付与する被膜材料としては、例えば、Ｓｂ２Ｏ５、ＺｎＯ、ＴｉＯ２等の超微粒子が挙げられる。導電性又は帯電防止性を付与する被膜材料としては、ＳｎＯ２やＩＴＯ等の超微粒子が挙げられる。ガスバリヤー性を付与する被膜材料としては、ＳｉＯ２が挙げられる。特に、プラズマＣＶＤ法により形成したＳｉＯｘ膜は、通常の真空蒸着膜と比べて密度が高く、ガスバリヤー性が高い。
　【００２１】
　反射防止フィルムを構成するための高屈折率材料には、例えば、ＺｎＯ（屈折率１．９０）、ＴｉＯ２（屈折率２．３〜２．７）、ＣｅＯ２（屈折率１．９５）、Ｓｂ２Ｏ５（屈折率１．７１）、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（屈折率１．９５）、Ｙ２Ｏ３（屈折率１．８７）、Ｌａ２Ｏ３（屈折率１．９５）、ＺｒＯ２（屈折率２．０５）、Ａｌ２Ｏ３（屈折率１．６３）、ＨｆＯ２（屈折率２．００）、Ｔａ２Ｏ３等が挙げられる。反射防止フィルムを構成するための低屈折率材料には、例えば、ＬｉＦ（屈折率１．４）、ＭｇＦ２（屈折率１．４）、３ＮａＦ・ＡｌＦ３（屈折率１．４）、ＡｌＦ３（屈折率１．４）、Ｎａ３ＡｌＦ６（氷晶石、屈折率１．３３）、ＳｉＯＸ（ｘ：１．５０≦ｘ≦２．００）（屈折率１．３５〜１．４８）等が挙げられる。
　【００２２】
　本発明の真空処理されるウェッブの材料には、ロールからの巻出し、ロールへの巻取りが行え、真空処理に耐える材料であれば何でも使用できるが、特に、プラスチックフィルムは、前記作業に適しており、反射防止フィルム、ガス透過防止フィルム、導電性フィルム、帯電防止フィルム等の用途が多岐にわたっているので、種々の機能を付与するには好適なウェッブ材料である。
　【００２３】
　例えば、反射防止フィルムに使用できるウェッブ材料には、トリアセチルセルロースフィルム、ジアセチルセルロースフィルム、アセテートブチレートセルロースフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポリアクリル系樹脂フィルム、ポリウレタン系樹脂フィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリエーテルフィルム、トリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、（メタ）アクリロニトリルフィルム等が使用できるが、特に、トリアセチルセルロースフィルム、及び一軸延伸ポリエステルフィルムが透明性に優れ、光学的に異方性が無い点で好適に用いられる。その厚みは、通常は８μｍ〜１０００μｍ程度のものが好適に用いられる。
　【００２４】
　【実施例】
　本発明を具体的な機能性積層フィルムの製造例に基づいて以下に説明する。図１９は下記の実施例及び参考例の各真空処理に共通な真空処理パスを示す概念図である。図１９において、一端の巻き出し巻き取りゾーン１０１から他端の巻き出し巻き取りゾーン１０５へ走行されるウエッブ１０２はスパッタゾーン１０３に導入され、次いでプラズマゾーン１０４に導入される。このプラズマゾーン１０４は一つのゾーンとして同一の真空条件を保つことができ、複数のプラズマ処理、例えば、前処理又は後処理としてのいわゆるプラズマ処理、或いはプラズマＣＶＤ等ができるように一個以上の小部屋に別れている。
　【００２５】
　スパッタゾーン１０３とプラズマゾーン１０４においてはその真空条件及びウエッブの走行速度が異なる。例えば、スパッタリングでは真空条件は１０−３〜１０−２ｍｍＨｇ及び走行速度は０．８〜３．０ｍ／分であるのに対して、プラズマ処理或いはプラズマＣＶＤでは真空条件は１０−２〜１０−１ｍｍＨｇ及び走行速度はスパッタリングより１０〜３０倍は速い。したがって、スパッタゾーン１０３とプラズマゾーン１０４においてはその真空条件及び走行速度が異なるので、ウェッブ１０２の一方向への走行中においては、これらのゾーンにおいて同時に異なった処理を行うことができない。このような真空条件及び走行速度が異なる複数の真空処理を行う場合には、巻き出し巻き取りゾーン１０１から走行されるウェッブ１０２をスパッタリングゾーン１０３或いはプラズマゾーン１０４の何れか一方を運転状態（オン）にし、他方を停止状態（オフ）にし、一方の真空処理が行われた後に巻き取りを完了し、次いで、真空条件及び走行条件を変更して先のオン・オフ状態を変えて、ウエッブ１０２を逆走行させて他方の真空処理を行う。
　【００２６】
〔参考例１〕
反射防止フィルムの製造例その１
　図２は本参考例１の反射防止フィルムの層構成を示す。図２において１１は透明プラスチック基材フィルムであり、その材質は、トリアセチルセルロースフィルム（略語：ＴＡＣフィルム）又はポリエチレンテレフタレートフィルム（略語：ＰＥＴフィルム）である。その透明プラスチック基材フィルム１１上に、接着剤層１２が形成されている。さらにその接着剤層１２上に透明プラスチック基材フィルム１１の屈折率よりも高い屈折率を持つハードコート層１３が、高屈折率樹脂組成物を用いて塗布により形成されている。このハードコート層１３に防眩性を付与する目的でその表面には微細な凹凸が形成されていてもよく、或いはこのハードコート層１３中に防眩性を発揮することができるビーズ等の粒子が混入されていてもよい。
　【００２７】
　さらにハードコート層１３上にそのハードコート層１３の屈折率よりも低い屈折率を持つプラズマＣＶＤによるＳｉＯｘＣＶＤ膜１４が形成されている。上記の反射防止フィルムにおいて透明プラスチック基材フィルム１１の材質がＴＡＣである場合、カラー液晶ディスプレー用の反射防止フィルムに適しており、また透明プラスチック基材フィルム１１の材質がＰＥＴの場合、ＣＲＴ用の反射防止フィルムに適している。
　【００２８】
　図２の反射防止フィルムの製造方法は次のようにして行われる。透明プラスチック基材フィルム１１に対して、ウエット法により接着剤組成物を塗布して接着剤層１２を形成する。次いで、透明プラスチック基材フィルム１１の屈折率よりも高い屈折率を持ち防眩性のハードコート層用樹脂組成物を塗布し、硬化させてハードコート層１３を形成して積層フィルム（即ち、ハードコート層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィルム１１からなる層構成の積層フィルム）を得る。
　【００２８】
　図２の反射防止フィルムの製造方法は次のようにして行われる。透明プラスチック基材フィルム１１に対して、ウエット法により接着剤組成物を塗布して接着剤層１２を形成する。次いで、透明プラスチック基材フィルム１１の屈折率よりも高い屈折率を持ち防眩性のハードコート層用樹脂組成物を塗布し、硬化させてハードコート層１３を形成して積層フィルム（即ち、ハードコート層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィルム１１からなる層構成の積層フィルム）を得る。
　【００２９】
　次いで、この積層フィルムを先に説明した図１の多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適した値に調整し、もう一方のロール４に巻き取らせる。この積層フィルムの走行中に、最初にプラズマ処理を行い積層フィルムの表面を活性化させ密着性を増大させる。次いでこの活性化された積層フィルムの表面上にプラズマＣＶＤによりＳｉＯｘを成膜してＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を形成する。
　【００３０】
　図２の反射防止フィルムの製造方法は次のようにして行われる。前記の透明プラスチック基材フィルム１１上に接着剤層１２及びハードコート層１３が形成されてなる積層フィルムを図１の多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適するように調整し、プラズマ処理に適した走行速度でもう一方のロール４に巻き取らせる。この積層フィルムの正走行中にプラズマ処理を行う。次いで、ロール４を逆回転させてプラズマ処理済の積層フィルムを逆方向へ走行させて、この走行中に積層フィルムの表面上にプラズマＣＶＤによりＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を形成し、ロール３に巻き取る。
　【００３１】
　なお、ＳｉＯｘＣＶＤ膜１４上に、さらにプラズマＣＶＤによりＣＦ４、ＳｉＦ４等のガスを用いて処理し、表面にフッ素を導入することにより、撥水性、防汚性を付与してもよい。
　【００３２】
　上記ハードコート層１３に用いられるバインダー樹脂には、透明性のあるものであればどのような樹脂（例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化型樹脂、電離放射線硬化型樹脂等）でも使用することができる。ハード性能を付与するためには、ハードコート層の厚みは０．５μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上とすることにより、硬度を維持することができ、反射防止フィルムにハード性能を付与することができる。ハードコート層の硬度をより向上させるために、ハードコート層に使用するバインダー樹脂には、反応硬化型樹脂、即ち、熱硬化型樹脂及び／又は電離放射線硬化型樹脂を使用することが好ましい。前記熱硬化型樹脂には、フェノール樹脂、尿素樹脂、ジアリルフタレート樹脂、メラミン樹脂、グアナミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アミノアルキッド樹脂、メラミン−尿素共縮合樹脂、珪素樹脂、ポリシロキサン樹脂等が使用され、これらの樹脂に必要に応じて、架橋剤、重合開始剤等の硬化剤、重合促進剤、溶剤、粘度調整剤等を加えて使用する。
　【００３３】
　前記電離放射線硬化型樹脂には、好ましくは、アクリレート系の官能基を有するもの、例えば、比較的低分子量のポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アルキッド樹脂、スピロアセタール樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリチオールポリエン樹脂、多価アルコール等の多官能化合物の（メタ）アクリレート等のオリゴマーまたはプレポリマーおよび反応性希釈剤としてエチル（メタ）アクリレート、エチルヘキシル（メタ）アクリレート、スチレン、メチルスチレン、Ｎ−ビニルピロリドン等の単官能モノマー並びに多官能モノマー、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１、６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート等を比較的多量に含有するものが使用できる。
　【００３４】
〔実施例１〕
反射防止フィルムの製造例その２
　図３に本実施例１の反射防止フィルムの層構成を示す。図３において透明プラスチック基材フィルム１１上に、接着剤層１２が形成されている。さらにその接着剤層１２上に透明プラスチック基材フィルム１１の屈折率よりも高い屈折率を持つハードコート層１３が、高屈折率樹脂組成物を用いて塗布により形成されている。このハードコート層１３に防眩性を付与する目的でその表面には微細な凹凸が形成されていてもよく、或いはこのハードコート層３中に防眩性を発揮することができるビーズ等の微粒子が混入されていてもよい。
　【００３５】
　さらにハードコート層１３上にそのハードコート層１３の屈折率よりも低い屈折率を持つＳｉＯ２スパッタ膜１５が形成されている。上記反射防止フィルムにおいて透明プラスチック基材フィルム１１の材質がＴＡＣである場合、カラー液晶ディスプレー用の反射防止フィルムに適しており、また透明プラスチック基材フィルム１１の材質がＰＥＴの場合、ＣＲＴ用の反射防止フィルムに適している。
　【００３６】
　図３の反射防止フィルムの製造方法は、前記参考例１で説明したように接着剤層１２及びハードコート層１３の形成された積層フィルム（即ち、ハードコート層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィルム１１からなる積層フィルム）を図１の多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適した値に調整し、プラズマ処理に適した走行速度でもう一方のロール４に巻き取らせる。この積層フィルムの走行中にプラズマ処理を行って、積層フィルム表面を活性化させ密着性を向上させる。
　【００３７】
　次いで、真空チャンバー１内の真空度をスパッタリングに適した値となるように調整し、ロール４及びロール３を前回とは逆に回転させて、スパッタリングに適した走行速度でプラズマ処理済の積層フィルムを逆方向へ走行させ、この走行中に積層フィルムの表面上にＳｉＯ２のスパッタリングによりＳｉＯ２スパッタ膜１５を形成し、ロール３に巻き取る。前記参考例１と同様に、ＳｉＯ２スパッタ膜１５の形成後に、さらにプラズマＣＶＤによりＣＦ４、ＳｉＦ４等のガスを用いて処理し、表面にフッ素を導入することにより、撥水性、防汚性を付与してもよい。
　【００３８】
〔参考例２〕
反射防止フィルムの製造例その３
　図４に本参考例２の反射防止フィルムの層構成を示す。図４において透明プラスチック基材フィルム１１上に、接着剤層１２が形成されている。さらにその接着剤層１２上に透明プラスチック基材フィルム１１の屈折率と同等或いはそれよりも高い屈折率を持つハードコート層１３が高屈折率樹脂組成物を用いて塗布により形成されている。このハードコート層１３に防眩性を付与する目的でその表面には微細な凹凸が形成されていてもよく、或いはこのハードコート層１３中に防眩性を発揮することができるビーズ等の微粒子が混入されていてもよい。該ハードコート層１３上にそのハードコート層１３の屈折率よりも高い屈折率を持つ高屈折率樹脂層１６が高屈折率超微粒子を分散したバインダー樹脂を塗布して形成されている。さらに、該高屈折率樹脂層１６の屈折率よりも低い屈折率を持つプラズマＣＶＤによるＳｉＯｘＣＶＤ膜１４が形成されている。
　【００３９】
　上記の反射防止フィルムにおいて透明プラスチック基材フィルム１１の材質がＴＡＣである場合、カラー液晶ディスプレー用の反射防止フィルムに適しており、また透明プラスチック基材フィルム１１の材質がＰＥＴの場合、ＣＲＴ用の反射防止フィルムに適している。
　【００４０】
　図４の反射防止フィルムの製造方法は次のようにして行われる。透明プラスチック基材フィルム１１に対して、接着剤組成物を塗布して接着剤層１２を形成する。次いで、透明プラスチック基材フィルム１１の屈折率と同等或いはそれよりも高い屈折率を持つハードコート層用樹脂組成物を塗布し、硬化させてハードコート層１３を形成する。次いで、このハードコート層１３よりも高い屈折率を持つ高屈折率超微粒子とバインダー樹脂からなる樹脂組成物を塗布し硬化させて高屈折率樹脂層１６を形成する。この積層フィルムを前記参考例１と同様にして図１の多重真空処理装置により積層フィルムの表面を活性化させ密着性を増大させ、次いで同じ走行中或いは逆走行中において、この活性化された積層フィルムの表面上にプラズマＣＶＤによりＳｉＯｘを成膜してＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を形成する。
　【００４１】
　前記参考例１と同様に、ＳｉＯｘＣＶＤ膜１４の形成後に、さらにプラズマＣＶＤによりＣＦ４、ＳｉＦ４等のガスを用いて処理し、表面にフッ素を導入することにより、撥水性、防汚性を付与してもよい。
　【００４２】
〔実施例２〕
反射防止フィルムの製造例その４
　図５に本実施例２の反射防止フィルムの層構成を示す。図５において、透明プラスチック基材フィルム１１上に、接着剤層１２が形成され、さらにその接着剤層１２上に透明プラスチック基材フィルム１１の屈折率と同等或いはそれよりも高い屈折率を持つハードコート層１３が高屈折率樹脂組成物を用いて塗布により形成されている。このハードコート層１３に防眩性を付与する目的でその表面には微細な凹凸が形成されていてもよく、或いはこのハードコート層１３中に防眩性を発揮することができるビーズ等の微粒子が混入されていてもよい。該ハードコート層１３上にＴｉＯ２のスパッタリングによりそのハードコート層１３の屈折率よりも高い屈折率を持つＴｉＯ２スパッタ膜１７が形成されている。さらに、該ＴｉＯ２スパッタ膜１７の屈折率よりも低い屈折率を持つプラズマＣＶＤによるＳｉＯｘＣＶＤ膜１４が形成されている。
　【００４３】
　本実施例２の反射防止フィルムは、ＴｉＯ２が含まれるため、ＵＶカット性が付与される。また、透明プラスチック基材フィルム１１の材質がＴＡＣである場合、カラー液晶ディスプレー用の反射防止フィルムに適しており、また透明プラスチック基材フィルム１１の材質がＰＥＴの場合、ＣＲＴ用の反射防止フィルムに適している。
　【００４４】
　図５の反射防止フィルムの製造方法は、前記参考例１で説明したような接着剤層１２及びハードコート層１３の形成された積層フィルム（即ち、ハードコート層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィルム１１からなる積層フィルム）を図１の多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適した値に調整し、プラズマ処理に適した走行速度でもう一方のロール４に巻き取らせる。この積層フィルムの走行中にプラズマ処理を行って、積層フィルム表面を活性化させ密着性を向上させる。次いで、真空条件をスパッタリングに適するように調整した後、ロール４、ロール３を逆回転させて、スパッタリングに適した走行速度でプラズマ処理済の積層フィルムを逆方向へ走行させ、この走行中に積層フィルムの表面上にＴｉＯ２のスパッタリングによりハードコート層１３の屈折率よりも高い屈折率を持つＴｉＯ２スパッタ膜１７を形成し、ロール３に巻き取る。次いで、真空条件をプラズマ処理に適した真空度に調整した後、ロール３、ロール４を逆回転してプラズマ処理に適した走行速度で積層フィルム再び逆走行させる過程において、該積層フィルムに対してプラズマＣＶＤによりＳｉＯｘを成膜してＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を形成する。
　【００４５】
　また、前記参考例１と同様に、ＳｉＯｘＣＶＤ膜１４の形成後にさらにプラズマＣＶＤによりＣＦ４、ＳｉＦ４等のガスを用いて処理し、表面にフッ素を導入することにより、撥水性、防汚性を付与してもよい。なお、本実施例２の反射防止フィルムにおいて、前記ＴｉＯ２の代わりにハードコート層１３の屈折率よりも高い屈折率を持つＩＴＯを用いた場合、本実施例３の反射防止フィルムは帯電防止性が付与される。
　【００４６】
　上記方法とは別の製造方法として、離型フィルムを図１に示す多重真空処理装置内の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適するように調整し、プラズマ処理に適した走行速度でもう一方のロール４に巻き取らせ、この離型フィルムの走行中に、最初にプラズマＣＶＤを行い離型フィルム上にＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を形成させる。次いで、真空条件をスパッタリングに適するように調整した後、ロール４、ロール３を逆転させてスパッタリングに適した走行速度で離型フィルムを逆走行させ、この離型フィルムの走行中に前記ＳｉＯｘＣＶＤ膜１４上にＴｉＯ２をスパッタリングして、ＴｉＯ２スパッタ膜１７を形成する。次いで、離型フィルム上に形成された２層の真空処理による薄膜を、前記ハードコート層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィルム１１からなる積層フィルム上に転写して、図５に示す層構成の反射防止フィルムを得ることができる。前記離型フィルムには微細な凹凸が形成されたものを用いてもよく、この場合、転写される表面には微細な凹凸が形成され、防眩性が付与される。
　【００４７】
〔実施例３〕
反射防止フィルムの製造例その５
　図６に本実施例３の反射防止フィルムの層構成を示す。図６に示す反射防止フィルムは、前記実施例２の反射防止フィルムの層構成におけるハードコート層１３とＴｉＯ２スパッタ膜１７との間に、超微粒子をバインダー樹脂で相互に結着した機能性超微粒子層１８を設けたものであり、その他の層構成は前記実施例２と同じである。
　【００４８】
　機能性超微粒子層１８に用いられる超微粒子には、例えば、前記した、高屈折率材料或いは低屈折率材料等の光学機能性材料、紫外線遮断性材料、導電性材料、帯電防止性材料、ガスバリヤー性材料、防眩性材料等の機能性被覆材料を超微粒子としたものが挙げられる。本実施例３における機能性超微粒子層１８は、樹脂バインダー中に分散されたものではなく、機能性超微粒子自体が相互に結着されているために、樹脂中に分散されたものよりも機能性超微粒子の機能を高めることができる。機能性超微粒子層１８における機能性超微粒子とバインダー樹脂との比率は、体積比でバインダー樹脂１に対して、機能性超微粒子が０．２〜２０、好ましくは１〜１０であることが、機能性超微粒子相互を結着させ、機能性超微粒子の機能を発現させるために好ましい。
　【００４９】
　図６に示す層構成の反射防止フィルムの製造方法は、接着剤層１２及びハードコート層１３、機能性超微粒子層１８の形成された積層フィルム（即ち、機能性超微粒子層１８／ハードコート層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィルム１１からなる積層フィルム）に対して前記実施例２と同じ真空処理を行うことにより達成される。
　【００５０】
〔実施例４〕
反射防止フィルムの製造例その６
　図７に本実施例４の反射防止フィルムの層構成を示す。図７に示す反射防止フィルムは、前記実施例２の反射防止フィルムの層構成におけるハードコート層１３とＴｉＯ２スパッタ膜１７との間に、帯電防止層としてのＩＴＯスパッタ膜１９を設けたものであり、その他の層構成は前記実施例２と同じである。
　【００５１】
　図７の反射防止フィルムの製造方法は、前記参考例１で説明した接着剤層１２及びハードコート層１３の形成された積層フィルム（即ち、ハードコート層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィルム１１からなる積層フィルム）を図１の多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内の真空度をスパッタリングに適するように調整し、もう一方のロール４に巻き取らせる。この積層フィルムの走行中にその表面上にＩＴＯのスパッタリングによりＩＴＯスパッタ膜１９を形成し、次いでロール４とロール３を逆回転して積層フィルムを逆走行させ、その積層フィルムの表面上にＴｉＯ２のスパッタリングによりＴｉＯ２スパッタ膜１７を形成する。次いで、真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適した値に調整し、プラズマ処理に適した走行速度で積層フィルムを正走行させてその走行中にプラズマＣＶＤによりＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を形成する。
　【００５２】
　上記方法とは別の製造方法として、離型フィルムを図１に示す多重真空処理装置内の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適した値に調整し、プラズマ処理に適した走行速度でもう一方のロール４に巻き取らせ、この離型フィルムの走行中に、最初にプラズマＣＶＤを行い離型フィルム上にＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を形成させる。次いで、真空条件をスパッリリングに適するように調整した後、ロール４、ロール３を逆転させてスパッタリングに適した走行速度で離型フィルムを逆走行させ、この離型フィルムの走行中に離型フィルム上のＳｉＯｘＣＶＤ膜１４上にＴｉＯ２をスパッタリングして、ＴｉＯ２スパッタ膜１７を形成する。次いで、離型フィルムを正走行させ走行中にＩＴＯのスパッタリングによりＩＴＯスパッタ膜１９を形成する。次いで、離型フィルム上に形成された３層の真空処理による薄膜を、前記ハードコート層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィルム１１からなる積層フィルム上に転写して、図７に示す層構成の反射防止フィルムを得ることができる。前記離型フィルムには微細な凹凸が形成されたものでもよく、この場合、転写される表面には微細な凹凸が形成され、防眩性が付与される。
　【００５３】
　プラズマ処理等の前処理、或いはプラズマＣＶＤによるＣＦ４、ＳｉＦ４等のガスを用いた後処理は、前記参考例１に準じた方法により適宜施すことができる。
　【００５４】
〔実施例５〕
反射防止フィルムの製造例その７
　図８に本実施例５の反射防止フィルムの層構成を示す。図８に示す反射防止フィルムは、前記実施例２の反射防止フィルムの層構成における最上層のＳｉＯｘＣＶＤ膜１４（低屈折率層）上にさらに、ＴｉＯ２スパッタ膜１７（高屈折率層）、ＳｉＯｘＣＶＤ膜１４（低屈折率層）を形成したものであり、最終的に低屈折率層と高屈折率層との組合せを、（最表面側）低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層／…（基材側）となるように何層も繰り返してもよい。本実施例５の反射防止フィルムにおいてＴｉＯ２スパッタ膜１７及びＳｉＯｘＣＶＤ膜１４以外の層構成は前記実施例２と同じである。
　【００５５】
　なお、上記高屈折率層の材料であるＴｉＯ２に変えて、前記したような高屈折率材料、例えば、ＩＴＯ、ＣｅＯ２、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３等の材料を使用してもよい。ＴｉＯ２スパッタ膜１７によりＵＶカット性を付与することができ、またＩＴＯスパッタ膜１９により帯電防止性を付与することができる。
　【００５６】
　図８の反射防止フィルムの製造方法は、前記参考例１で説明したウエット法で形成した接着剤層１２及びハードコート層１３の形成された積層フィルム（即ち、ハードコート層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィルム１１からなる積層フィルム）を図１の多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適した値に調整し、プラズマ処理に適した走行速度でもう一方のロール４に巻き取らせる。この積層フィルムの走行中にプラズマ処理を行って、積層フィルム表面を活性化させ密着性を向上させる。
　【００５７】
　次いで、真空条件をスパッタリングに適するように調整した後、ロール４、ロール３を逆回転させて、スパッタリングに適する走行速度でプラズマ処理済の積層フィルムを逆方向へ走行させ、この走行中に積層フィルムの表面上にＴｉＯ２のスパッタリングによりハードコート層１３の屈折率よりも高い屈折率を持つＴｉＯ２スパッタ膜１７を形成し、ロール３に巻き取る。
　【００５８】
　次いで、真空チャンバー１内の真空条件をプラズマ処理に適するように調整した後、ロール３、ロール４を逆回転してプラズマ処理に適する走行速度で積層フィルム再び逆走行させる過程において、該積層フィルムに対してプラズマＣＶＤによりＳｉＯｘを成膜してＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を形成する。さらに、同様な操作を繰り返して、ＴｉＯ２スパッタ膜（高屈折率層）１７及びＳｉＯｘＣＶＤ膜（低屈折率層）１４からなる組合せが複数個となるように、（最表面側）低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層／…（基材側）なる層構成を形成する。
　【００５９】
　上記方法とは別の製造方法として、離型フィルムを図１に示す多重真空処理装置内の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適した値に調整し、もう一方のロール４にプラズマ処理に適した走行速度で巻き取らせ、この離型フィルムの走行中に、最初にプラズマＣＶＤを行い離型フィルム上にＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を形成させる。次いで、真空条件をスパッタリングに適するように調整した後、ロール４、ロール３を逆転させてスパッタリングに適した走行速度で離型フィルムを逆走行させ、この離型フィルムの走行中に離型フィルム上のＳｉＯｘＣＶＤ膜１４上にＴｉＯ２をスパッタリングして、ＴｉＯ２スパッタ膜１７を形成する。次いで、離型フィルムを正走行させ、同様に上記のプラズマＣＶＤと上記のスパッタリングを繰り返して、（最上層側）…ＴｉＯ２スパッタ膜１７／ＳｉＯｘＣＶＤ膜／ＴｉＯ２スパッタ膜１７／離型フィルムなる積層体を形成し、この積層体を前記ハードコート層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィルム１１からな層構成の積層フィルムのハードコート層１３側に積層して、剥離フィルムを剥離して、真空処理による薄膜を転写してもよい。
　【００６０】
　プラズマ処理等の前処理、或いはプラズマＣＶＤによるＣＦ４、ＳｉＦ４等のガスを用いた後処理は、前記参考例１に準じた方法により適宜施すことができる。
　【００６１】
〔参考例３〕
ガスバリアーフィルムの製造例
　図９に本参考例３のガスバリアーフィルムの層構成を示す。図９に示すガスバリアーフィルムは、透明プラスチック基材フィルム１１上にプラズマＣＶＤによりＳｉＯＸＣＶＤ膜１４が形成されたものである。
　【００６２】
　図９のガスバリアーフィルムの製造方法は次のようにして行われる。透明プラスチック基材フィルム１１を図１の多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適した値に調整し、プラズマ処理に適した走行速度でもう一方のロール４に巻き取らせる。この透明プラスチック基材フィルム１１の走行中に、該フィルムの表面にプラズマ処理による前処理を施して密着性を付与する。次いでこのフィルムを逆走行させて、プラズマＣＶＤによりＳｉＯＸを成膜してＳｉＯＸＣＶＤ膜１４を形成する。さらに、このフィルムを正走行させて、プラズマ処理による後処理を行う。
　【００６３】
　図９のガスバリアーフィルムの製造方法の別法としては、前記のガスバリアーフィルムの製造方法において、プラズマ処理による前処理、プラズマＣＶＤ、プラズマ処理による後処理のゾーンを走行ラインに並べ、それらのゾーンを区画することにより、透明プラスチック基材フィルム１１を逆走行することなく、一回の正走行のみで、全ての真空処理を行うことができる。
　【００６４】
〔実施例６〕
透明導電性フィルムの製造例その１
　図１０に本実施例６のタッチパネル等に使用される透明導電性フィルムの層構成を示す。図１０に示す透明導電性フィルムは、透明プラスチック基材フィルム１１の一方の面にＩＴＯのスパッタリングによりＩＴＯスパッタ膜１９が形成され、透明プラスチック基材フィルム１１の他方の面に接着剤層１２を介してハードコート層１３が形成されたものである。このＩＴＯスパッタ膜１９により帯電防止性が付与される。
　【００６５】
　図１０の透明導電性フィルムの製造方法は次のようにして行われる。透明プラスチック基材フィルム１１上に接着剤を塗布して接着剤層１２を形成し、次いでその接着剤層１２上に前記参考例１で説明した防眩性が付与されるハードコート層用樹脂組成物を塗布してハードコート層１３を形成する。次に、この積層フィルムを図１の多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適した値に調整し、もう一方のロール４にプラズマ処理に適した走行速度で巻き取る。この積層フィルムの走行中に、該フィルムの透明プラスチック基材フィルム１１側（ハードコート層１３側とは反対側）にプラズマ処理による前処理をして密着性を付与する。次いで、真空チャンバー１内をスパッタリングに適した真空度に調整し、該積層フィルムをスパッタリングに適した走行速度で逆走行させて、前記のプラズマ処理面にＩＴＯのスパッタリングによりＩＴＯスパッタ膜１９を形成する。
　【００６６】
〔参考例４〕
透明導電性フィルムの製造例その２
　図１１は反射防止性を付与した本参考例４の透明導電性フィルムの層構成を示す。図１１において、ＳｉＯＸＣＶＤ膜１４／ハードコート層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィルム１１からなる積層フィルムは、前記参考例１の反射防止フィルムと同一であり、図１１の積層フィルムは、前記参考例１の反射防止フィルムの基材の裏面にプライマー層２０と導電性を有するＩＴＯスパッタ膜１９が形成されて帯電防止層となっている。
　【００６７】
　本参考例４の反射防止性を付与した透明導電性フィルム製造方法は、前記参考例１と同一の工程で、図１に示す多重真空処理装置を用いＳｉＯＸＣＶＤ膜１４／ハードコート層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィルム１からなる層構成の反射防止性を有する積層フィルムを製造する。次いでこの積層フィルムの透明プラスチック基材フィルム１１側に、プライマーを塗布して接着性が付与されたプライマー層２０を形成する。次いで、この積層フィルムを再び図１に示す多重真空処理装置内のロール３にセットしロール４に巻き取る。この積層フィルムの走行過程において、前記プライマー層２０側にＩＴＯのスパッタリングを行い、ＩＴＯスパッタ膜１９を形成する。
　【００６８】
〔実施例７〕
透明導電性フィルムの製造例その３
　図１２に本実施例７の透明導電性フィルムの層構成を示す。本実施例７の透明導電性フィルムは、前記参考例４の透明導電性フィルムの層構成において、プライマー層２０を省略したものである。
　【００６９】
　本実施例７の反射防止性を付与した透明導電性フィルムの製造方法は、前記参考例１と同一の製造方法で、図１に示す多重真空処理装置を用いＳｉＯＸＣＶＤ膜１４（低屈折率層）／ハードコート層１３（高屈折率層）／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィルム１１からなる反射防止性を有する積層フィルムを得る。ついで、この積層フィルムを図１の多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適した値に調整し、もう一方のロール４にプラズマ処理に適した走行速度で巻き取る。この積層フィルムの走行中に、該フィルムの透明プラスチック基材フィルム１１側（ＳｉＯＸＣＶＤ膜１４側とは反対側）に対してプラズマ処理による前処理をして密着性を付与する。次いでスパッタリングに適した真空度に調整し、該積層フィルムをスパッタリングに適した走行速度で逆走行させて、前記のプラズマ処理面にＩＴＯのスパッタリングによりＩＴＯスパッタ膜１９を形成する。
　【００７０】
〔実施例８〕
フィルム液晶基板の製造例その１
　図１３に本実施例８のフィルム液晶基板の層構成を示す。本実施例８のフィルム液晶基板は、透明プラスチック基材フィルム１１上にガスバリアー層としてＳｉＯＸＣＶＤ膜１４を形成し、そのＳｉＯＸＣＶＤ膜１４上に保護のためにハードコート層１３を形成し、一方、透明プラスチック基材フィルム１１の裏面にプライマー層２０を介して導電性のＩＴＯスパッタ膜１９を設けたものである。本発明におけるハードコート層１３は、防眩性を付与する目的でその表面には微細な凹凸が形成されていてもよく、或いはこのハードコート層１３中に防眩性を発揮することができるビーズ等の微粒子が混入されていてもよい。
　【００７１】
　本実施例８のフィルム液晶基板の製造方法は、透明プラスチック基材フィルム１１上にプライマーを塗布してプライマー層２０を形成する。得られた積層フィルムを図１の多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内をプラズマＣＶＤに適した真空度に調整し、もう一方のロール４にプラズマ処理に適した走行速度で巻き取る。この積層フィルムの走行中に、該積層フィルムのプライマー層２０側とは反対側の透明プラスチック基材フィルム１１の面に対してプラズマＣＶＤによりＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を形成する。
　【００７２】
　次いで、スパッタリングに適するように真空チャンバー１内の真空度を調整し、積層フィルムをスパッタリングに適した走行速度で逆走行させてＩＴＯをスパッタリングしてＩＴＯスパッタ膜１９を形成する。次いで、真空チャンバー１内をプラズマ処理に適した真空度に調整し、積層フィルムをプラズマ処理に適した走行速度で正走行させて前記のＳｉＯｘＣＶＤ膜１４に対してプラズマ処理をして接着性を向上させる。真空チャンバー１から処理された積層フィルムを取出し、この積層フィルムのＳｉＯｘＣＶＤ膜１４上に、前記参考例１に示したハードコート用樹脂組成物を塗布し、硬化させてハードコート層１３を成形する。
　【００７３】
〔実施例９〕
フィルム液晶基板の製造例その２
　図１４に本実施例９のフィルム液晶基板の層構成を示す。本実施例９のフィルム液晶基板は、前記実施例８のフィルム液晶基板の層構成においてプライマー層２０を除き、その位置にＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を設けたのもである。本実施例９のフィルム液晶基板は、ガスバリアー層としてのＳｉＯｘＣＶＤ膜１４がプラスチック基材フィルム１１の上下に２層形成されるので、ガスバリアー性がさらに強化され、且つＩＴＯスパッタ膜２０に接触するＳｉＯｘＣＶＤ膜１４はプライマー機能を持つ。
　【００７４】
　本実施例９の反射防止性を付与した透明導電性フィルム製造方法は、透明プラスチック基材フィルム１１を図１の多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内をプラズマＣＶＤに適した真空度に調整し、もう一方のロール４にプラズマ処理に適した走行速度で巻き取る。この積層フィルムの走行中に、透明プラスチック基材フィルム１１の一方の片面にプラズマＣＶＤによりＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を形成し、同時或いは連続して他方の片面にさらにプラズマＣＶＤによりＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を形成する。
　【００７５】
　次いで、真空チャンバー１内の真空度をスパッタリングに適すように調整し、積層フィルムをスパッタリングに適した走行速度で逆走行させて、走行中にＳｉＯｘＣＶＤ膜１４の一方にスパッタリングにより導電性膜としてのＩＴＯスパッタ膜１９を形成する。次いで、真空チャンバー１からこの積層フィルムを取出し、もう一方のコーティングがなされていない方のＳｉＯｘＣＶＤ膜１４の面に、防眩性を有するハードコート層樹脂組成物を塗布してハードコート層１３を形成する。このハードコート層１３に防眩性を付与するには、ハードコート層１３が形成された表面に微細な凹凸を有する賦型板により押圧するか、或いは微細なビーズ等の粒子をバインダー樹脂中に分散させることによって達成される。
　【００７６】
〔実施例１０〕
熱線反射フィルムの製造例その１
　図１５に本実施例１０の熱線反射フィルムの層構成を示す。本実施例１０の熱線反射フィルムは、透明プラスチック基材フィルム１１上に特に熱線を反射することができる熱線反射層２１を設けたものである。
　【００７７】
　本実施例１０の熱線反射フィルムの製造方法は、次のように行われる。まず透明プラスチック基材フィルム１１を、図１に示す多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内をプラズマ処理に適した真空度に調整し、もう一方のロール４にプラズマ処理に適した走行速度で巻き取る。この積層フィルムの走行中に、透明プラスチック基材フィルム１１の一方の片面にプラズマ処理を行って、接着性を増大させる。次いで、真空チャンバー１内の真空度をスパッタリングに適した値に調整し、前記の透明プラスチック基材フィルム１１をスパッタリングに適した走行速度で逆走行させてプラズマ処理された面上にＰｔ、Ａｕ等の金属をスパッタリングして熱線反射層２１を形成する。
　【００７８】
〔実施例１１〕
熱線反射フィルムの製造例その２
　図１６に本実施例１１の熱線反射フィルムの層構成を示す。本実施例１１の熱線反射フィルムは、前記実施例１０の熱線反射フィルム（図１５参照）の熱線反射層２１上に、保護のためにハードコート層を設けたものである。
　【００７９】
　本実施例１１の熱線反射フィルムの製造方法は、前記実施例１０の製造方法により得られた熱線反射フィルムに対して、その熱線反射層２１上にさらに防眩性を有する保護層としてハードコート用樹脂組成物を塗布し、硬化させてハードコート層１３を形成したものである。このハードコート層１３に防眩性を付与するには、ハードコート層１３が形成された表面に微細な凹凸を有する賦型板により押圧するか、或いは微細なビーズ等の粒子をバインダー樹脂中に分散させることによって達成される。
　【００８０】
〔実施例１２〕
誘電体ミラーの製造例その１
　図１７に本実施例１２の誘電体ミラーの層構成を示す。本実施例１２の誘電体ミラーは、透明プラスチック基材フィルム１１上に、接着剤層１２を形成し、次いで前記参考例１に説明した防眩性を有するハードコート層１３を設けた積層フィルム上に、高屈折率層としてＴｉＯ２スパッタ膜１７を設け、さらに、ＳｉＯｘＣＶＤ膜１４（低屈折率層）とＴｉＯ２スパッタ膜１７（高屈折率層）の組合せからなる層を複数回繰り返したものである。このような層構成とすることにより、前記した反射防止フィルムとは逆の屈折率の組合せとなるので、ミラー効果を生ずる。
　【００８１】
　本実施例１２の誘電体ミラーは次のようにして製造される。透明プラスチック基材フィルム１１上に接着剤を塗布して接着剤層１２を形成し、次いでハードコート層用樹脂を塗布し、硬化させて防眩性を有するハードコート層１３を形成する。上記のようにして得られた積層フィルムを図１に示す多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内をプラズマ処理に適した真空度に調整し、もう一方のロール４にプラズマ処理に適した走行速度で巻き取る。この積層フィルムの走行中に、該積層フィルムのハードコート層１３に対してプラズマ処理を行い、接着性を増大させる。
　【００８２】
　次いで、真空チャンバー１内の真空度をスパッタリングに適した値に調整し、前記積層フィルムをスパッタリングに適した走行速度で逆走行させてその走行中にＴｉＯ２をスパッタリングしてＴｉＯ２スパッタ膜１７を形成する。次いで、真空チャンバー１内の真空度をプラズマＣＶＤに適した真空度に調整して、前記工程で処理された積層フィルムをプラズマ処理に適した走行速度で正走行させてその走行中にＳｉＯｘのプラズマＣＶＤ処理を行いＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を形成する。引き続き、再度、スパッタリングに適した真空度に調整し、積層フィルムをスパッタリングに適した走行速度で逆走行し、スパッタリングによるＴｉＯ２スパッタ膜１７を形成する。前記のＳｉＯｘＣＶＤ膜１４（低屈折率層）とＴｉＯ２スパッタ膜１７（高屈折率層）の形成処理を複数回行うことにより、本実施例１２の誘電ミラーを得る。
　【００８３】
　さらに、ＴｉＯ２スパッタ膜１７（高屈折率層）の表面に対して、前記参考例１で行った、プラズマＣＶＤによるＣＦ４、ＳｉＦ４等のガスを用いた後処理を適用してもよい。なお、本実施例１２の誘電体ミラーにおける高屈折率層の材料として上記のＴｉＯ２に代えて、ＩＴＯ、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３等の材料を使用してもよい。また本実施例１２の層構成の誘電体ミラーは、そのＳｉＯｘＣＶＤ膜１４（低屈折率層）とＴｉＯ２スパッタ膜１７（高屈折率層）の膜厚を調整することによって、干渉フィルターとすることもできる。
　【００８４】
〔実施例１３〕
誘電体ミラーの製造例その２
　図１８に本実施例１３の誘電体ミラーの層構成を示す。本実施例１３の誘電体ミラーは、透明プラスチック基材フィルム１１上に接着剤層１２を介してハードコート層１３が形成され、さらにその上に、順次ＳｉＯｘＣＶＤ膜１４と、Ａｇスパッタ膜２２と、ＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を形成したものである。
　【００８５】
　本実施例１３の誘電体ミラーは次のようにして製造される。透明プラスチック基材フィルム１１上に接着剤を塗布して接着剤層１２を形成し、次いでハードコート層用樹脂を塗布し、硬化させて防眩性を有するハードコート層１３を形成する。上記のようにして得られた積層フィルムを図１に示す多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内をプラズマ処理に適した真空度に調整し、プラズマ処理に適した走行速度でもう一方のロール４に巻き取る。
　【００８６】
　この積層フィルムの走行中に、該積層フィルムのハードコート層１３に対してプラズマ処理を行い、接着性を増大させ、同じ走行中においてＳｉＯｘのプラズマＣＶＤ処理を行いＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を形成する。次いで、真空チャンバー１内の真空度をスパッタリングに適した値に調整し、前記の積層フィルムをスパッタリングに適した走行速度で逆走行させ、その走行中にＡｇをスパッタリングしてＡｇスパッタ膜２２を形成する。次いで、真空チャンバー１内の真空度をプラズマＣＶＤに適した真空度に調整して、前記工程で処理された積層フィルムをプラズマ処理に適した走行速度で正走行させてその走行中にＳｉＯｘのプラズマＣＶＤ処理を行いＳｉＯｘＣＶＤ膜１４を形成する。
　【００８７】
　【発明の効果】
　本発明の多重真空処理方法によれば、同一の真空チャンバー内において、ある真空処理が行われた後にさらに真空処理が必要とされる場合、継続して真空処理を行うのに、真空チャンバー内を大気圧に戻すことなく別の真空処理を行うことができる。したがって、本発明の多重真空処理では、その処理中に、中間段階の真空処理面が空気に晒されて表面の活性種が失活したり、或いは表面が酸化されたりして積層される界面が影響を受けることが無いので、品質の一定した積層物を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の多重真空処理方法に用いられる多重真空処理装置の１構成例の模式図である。
　【図２】
　参考例１の反射防止フィルムの層構成を示す。
　【図３】
　実施例１の反射防止フィルムの層構成を示す。
　【図４】
　参考例２の反射防止フィルムの層構成を示す。
　【図５】
　実施例２の反射防止フィルムの層構成を示す。
　【図６】
　実施例３の反射防止フィルムの層構成を示す。
　【図７】
　実施例４の反射防止フィルムの層構成を示す。
　【図８】
　実施例５の反射防止フィルムの層構成を示す。
　【図９】
　参考例３のガスバリアーフィルムの層構成を示す。
　【図１０】
　実施例６のタッチパネル等に使用される透明導電性フィルムの層構成を示す。
　【図１１】
　参考例４の反射防止性を付与した透明導電性フィルムの層構成を示す。
　【図１２】
　実施例７の透明導電性フィルムの層構成を示す。
　【図１３】
　実施例８のフィルム液晶基板の層構成を示す。
　【図１４】
　実施例９のフィルム液晶基板の層構成を示す。
　【図１５】
　実施例１０の熱線反射フィルムの層構成を示す。
　【図１６】
　実施例１１の熱線反射フィルムの層構成を示す。
　【図１７】
　実施例１２の誘電体ミラーの層構成を示す。
　【図１８】
　実施例１３の誘電体ミラーの層構成を示す。
　【図１９】
　実施例及び参考例の各真空処理に共通な真空処理パスを示す概念図である。
　【符号の説明】
　１　真空チャンバー
　２　ウェッブ
　３，４　ロール
　５，６，７　真空処理機構
　１１　透明プラスチック基材フィルム
　１２　接着剤層
　１３　ハードコート層
　１４　ＳｉＯｘＣＶＤ膜
　１５　ＳｉＯ２スパッタ膜
　１６　高屈折率樹脂層
　１７　ＴｉＯ２スパッタ膜
　１８　機能性超微粒子層
　１９　ＩＴＯスパッタ膜
　２０　プライマー層
　２１　熱線反射層
　２２　Ａｇスパッタ膜
　１０１，１０５　巻き取り巻き出しゾーン
　１０２　ウエッブ
　１０３　スパッタゾーン
　１０４　プラズマゾーン