【事件の表示】
　平成　８年特許願第１５８３９２号「積層構造放熱基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　１月１６日出願公開、特開平１０−　１２７６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年６月１９日に出願された特許出願であって、平成８年６月２６日付けで手続補正がなされ、平成１５年１１月１７日付で拒絶理由がなされ、平成１６年　２月３日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年３月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年　４月　７日に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年　４月　７日付の手続補正についての補正却下の決定
　
[補正却下の決定の結論]
　
　平成１６年　４月　７日付の手続補正を却下する。
　
[理由］
（１）補正の内容
　平成１６年　４月　７日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）のうち、請求項１についての補正を摘記すると以下のとおりである。
　
「【請求項１】　マイクロ波用パッケージの放熱基板において，第１層として銅（Ｃｕ）と，第２層としてモリブデン（Ｍｏ）又は銅（Ｃｕ）の含有量が４０％以上のＣｕ−Ｍｏ焼結材料と，第３層としてＣｕとをこの順に積層し，加工した積層構造放熱基板であって，加工後の各層の厚みのばらつきが，前記第２層の厚みを１とした場合，±１０％以内であり，前記第１層と前記第２層との界面及び前記第２層と前記第３層との界面に，銀（Ａｇ）層を有し，少なくとも２５０Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率を有することを特徴とする積層構造放熱基板。」
　
　また、本件補正前の請求項１の記載は、以下のとおりである。
「【請求項１】マイクロ波用パッケージの放熱基板において，第１層として銅（Ｃｕ）と，第２層としてモリブデン（Ｍｏ）又はＣｕ−Ｍｏ複合材と，第３層としてＣｕとをこの順に積層し，加工した積層構造放熱基板であって，加工後の各層の厚みのばらつきが，前記第２層の厚みを１とした場合，±１０％以内であり，前記第１層と前記第２層との界面及び前記第２層と前記第３層との界面に，銀（Ａｇ）層を有し，少なくとも２５０Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率を有することを特徴とする積層構造放熱基板。」
　
　とすると、本件補正は、補正前の請求項１の「Ｃｕ−Ｍｏ複合材」を「 銅（Ｃｕ）の含有量が４０％以上のＣｕ−Ｍｏ焼結材料」に補正したものである。
　
　そこで、本件補正が特許法第１７条の２第３項で規定する、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書」という。）に記載した事項の範囲内においてする補正であるか否かについて検討する。
　
（２）補正の適否
　上記補正事項に関連する技術事項として、当初明細書には以下の事項が記載されている。
　
（ａ）「本発明の実施の形態による積層構造放熱基板は，マイクロ波用半導体パッケージの放熱基板に用いられる。この積層構造放熱基板では，第１層の表面層として銅（Ｃｕ）と，第２層の中間層としてモリブデン（Ｍｏ）又はＣｕ−Ｍｏ複合材（登録商標ＴＴ−ＲＣＭ）と，第３層の表面層としてＣｕとをこの順に積層する。ここで，加工後の各層の厚みのばらつきが，第２層を１とした時に，±１０％以内である。また，前記第１層と前記第２層との界面及び前記第２層と前記第３層との界面の夫々に，銀（Ａｇ）層を有する。このＡｇ層は，第２層の中間層に相当するＭｏ，あるいはＣｕ−Ｍｏ複合材であるＴＴ−ＲＣＭに薄く銀めっきを施した後に，第１層及び第３層のＣｕ板をサンドイッチ状に配置し，ＨＰ法あるいはＨＩＰ法により圧着接合する。」（【００１５】）
　
 （ｂ）「（第２の実施の形態）板厚０．５ｍｍの４０％Ｃｕ−Ｍｏ（ＴＴ−ＲＣＭ４０と呼ぶ）板の両面に，０．２μｍのＡｇめっきを付けた後，板厚０．５ｍｍの２枚のＣｕ板をサンドイッチ状に夫々板を配した。これをホットプレス機に装填し，実施例１と同様の条件にて圧着接合し，厚み１．５ｍｍ，公称層比１：１：１のＣｕ／ＲＣＭ４０／Ｃｕを作製した。」（【００３０】）
　
　上記（ａ），（ｂ）の記載事項をまとめると、当初明細書には、第２層として「Ｃｕ−Ｍｏ複合材（登録商標ＴＴ−ＲＣＭ）」、「板厚０．５ｍｍの４０％Ｃｕ−Ｍｏ（ＴＴ−ＲＣＭ４０と呼ぶ）板」が記載されているにすぎない。
　
　この点について、請求人は、平成１６年　４月　７日付けの審判請求書の請求の理由を補充する手続補正書（以下、「審判請求理由補充書」という。）において、当該補正は、出願当初の明細書段落【００１５】において、Ｃｕ−Ｍｏ複合材（登録商標ＴＴ−ＲＣＭ）と明記されており、補正以前の「Ｃｕ−Ｍｏ複合材」を特定の商品である登録商標ＴＴ−ＲＣＭと呼ばれるＣｕ−Ｍｏ複合材に訂正するものであり、ＴＴ−ＲＣＭとは、審判請求理由補充書に添付された、Ｔｏｔａｎ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｒｅｖｉｅｗ　Ｎｏ．４，１９９３、６０〜６５頁の第６０頁第１１〜１２行に記載されているように、銅の含有量が４０％以上の銅−モリブデン焼結材料（ＲＣＭ）であることは周知であるから、粉末冶金法によって、Ｍｏ粉末とＣｕ粉末を混合、成形、焼結して成るＣｕ−Ｍｏ複合材を意味するので、上記補正は請求の範囲の減縮に該当する旨を主張している。
　しかし、仮に請求人の登録商標ＴＴ−ＲＣＭという商品について銅−モリブデン複合材であることが周知であるとの主張が正当と認められたとしても、当初明細書には、銅の含有量が４０％の事例しか記載されておらず、銅の含有量を４０％以上とする旨の記載及び示唆は当初明細書には見あたらない。
　また、技術常識に照らしてＣｕ−Ｍｏ複合材の銅の含有量を４０％以上にすることが自明の事項ともいえない。
　
　したがって、本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえないから、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである。
  　
（３）むすび
  　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　
（１）本願発明
　平成１６年　４月　７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成８年６月１６日付で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は以下のとおりである。
　
「【請求項１】マイクロ波用パッケージの放熱基板において，第１層として銅（Ｃｕ）と，第２層としてモリブデン（Ｍｏ）又はＣｕ−Ｍｏ複合材と，第３層としてＣｕとをこの順に積層し，加工した積層構造放熱基板であって，加工後の各層の厚みのばらつきが，前記第２層の厚みを１とした場合，±１０％以内であり，前記第１層と前記第２層との界面及び前記第２層と前記第３層との界面に，銀（Ａｇ）層を有し，少なくとも２５０Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率を有することを特徴とする積層構造放熱基板。」
　
（２）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−２６８１１７号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、以下の各事項が記載されている。
　
（ａ）「【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用放熱基板およびその製造方法に関し、特にＬＳＩ、ＩＣ、パワートランジスタなどに使用される軽量でかつ信頼性の高いクラッドタイプの半導体装置用放熱基板およびその製造方法に関するものである。」（【０００１】）
　
（ｂ）「本発明の半導体装置用放熱基板では、実験の結果、基材の波打ちについては厚み方向で±３％以内に収まり、半導体素子などと高精度に接合され、また界面において何ら欠陥が見られなかった。このように高精度に接合されたことが、実施例に示すような高い熱伝導率と所望の熱膨張係数の達成に効果を示したものと考えられる。」（【００２１】）
　
（ｃ）「まず最終組成に相当するＷ、Ｍｏのいずれかの粉末とＣｕの粉末を混合して成形する。その後、成形体を非酸化性雰囲気中で焼結し、Ｗ、Ｍｏの焼結とともに溶融Ｃｕでその空孔部を充填する方法によって複合合金を作る。」（【００４８】）
　
（ｄ）「また、必要によってはＷ−Ｃｕ、Ｍｏ−ＣｕとＣｕのクラッド化に先立ち、クラッド界面にめっき法、蒸着法、浸析法、塗布法、薄い板または粉末を介在させる方法などによってＣｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉのいずれかまたはそれらの合金を付与することが好ましい。これらの合金を付与することによってクラッド接合性が改善できる。」（【００５２】）
　
（ｅ）「【実施例】実施例１．Ｗ粉末またはＭｏ粉末とＣｕ粉末にＮｉ粉末１．０ｗｔ．％を混合し、１００ｍｍ×５０ｍｍ×０．５〜１．５ｍｍｔの大きさに型押しした。その後、１０００〜１４００℃でＨ2 ガス雰囲気下にて焼結し、スケルトンを作った。このスケルトンに１１００〜１４００℃でＨ2 ガス雰囲気下にて加熱し、Ｃｕを１〜５０ｗｔ．％含有したＷ−ＣｕまたはＭｏ−Ｃｕ合金を製作した。
　〜この合金の表面の余分なＣｕや汚れを洗浄により除去し、寸法を１００ｍｍ×５０ｍｍ×０．５〜１．５ｍｍｔにし、表面粗さＲｍａｘを４μｍにした後、表面に２μｍの膜厚でＮｉめっきを施した。このようにして得られた合金の上下両面にＣｕを重ね合わせ、Ｃｕ／Ｗ−Ｃｕ／ＣｕまたはＣｕ／Ｍｏ−Ｃｕ／Ｃｕとした。
　〜この重ね合わせた３層の板を水素雰囲気中で１１３０℃の温度で８０分間加熱した。その後、加熱炉から直接圧延へ通し、圧延率１０％で熱間圧延を行ない、各層を接合した。その品物を同様の熱処理と圧延を繰返すことにより、厚みを落としてプレス打ち抜きし、所定の厚みの試料を作製した。」（【００５４】〜【００５６】）
　
（ｆ）「実施例として、Ｎｏ．６に、素材としてＣｕ／Ｍｏ−Ｃｕ／Ｃｕ、合金製造条件として、Ｍｏ−１０Ｃｕ溶浸法、クラッド製造条件として圧延法、完成品クラッド比率１：１：１、熱伝導率３４２（Ｗ／ｍ・ｋ）、熱膨張率１２．０（×１０−６／℃）、
　Ｎｏ．７に、素材としてＣｕ／Ｍｏ−Ｃｕ／Ｃｕ、合金製造条件として、Ｍｏ−１０Ｃｕ溶浸法、クラッド製造条件として圧延法、完成品クラッド比率２：１：２、熱伝導率３８０（Ｗ／ｍ・ｋ）、熱膨張率１３．５（×１０−６／℃）、
　Ｎｏ．８に、素材としてＣｕ／Ｍｏ−Ｃｕ／Ｃｕ、合金製造条件として、Ｍｏ−１０Ｃｕ溶浸法、クラッド製造条件として圧延法、完成品クラッド比率１：２：１、熱伝導率３３０（Ｗ／ｍ・ｋ）、熱膨張率１０．５（×１０−６／℃）、
　Ｎｏ．９に、素材としてＣｕ／Ｍｏ−Ｃｕ／Ｃｕ、合金製造条件として、Ｍｏ−１０Ｃｕ溶浸法、クラッド製造条件として熱間一軸加圧法、完成品クラッド比率１：２：１、熱伝導率３３０（Ｗ／ｍ・ｋ）、熱膨張率１０．５（×１０−６／℃）
　比較例として
　Ｎｏ．１に、素材としてＣｕ／Ｍｏ／Ｃｕ、クラッド製造条件として圧延法、クラッド率として１：１：１、熱伝導率２５０（Ｗ／ｍ・ｋ）、熱膨張率１０．８（×１０−６／℃）」（【００６２】表２）
　
（３）対比・判断
　上記摘記事項（ｃ）、（ｅ）、（ｆ）によれば、引用刊行物の実施例には、半導体装置用の放熱基板において、第１層として銅（Ｃｕ）と、第２層としてＣｕ−Ｍｏ複合合金と、第３層としてＣｕとをこの順に積層し、加工した積層構造放熱基板であり、加工後の各層の基板の波打ちについては厚み方向で３％以内に収め、第２の層の合金の表面にＮｉメッキを施し、各３４２，３８０，３３０，６２５（Ｗ／ｍ・ｋ）の熱伝導率を有する放熱基板が記載されている。
　ここで、引用刊行物における「Ｃｕ−Ｍｏ複合合金」は、「Ｃｕ−Ｍｏ複合材」に相当する。
　また、引用刊行物には、「加工後の各層の基板の波打ちについては厚み方向で３％以内」については、各層の厚みのばらつきを抑制することを意味しており、厚み方向について３％という限定は、対象となる厚みが加工前の各層の値と解されるので、たとえば、各層の厚みが１：１：１の場合において、第２層を１としたときには、第１層及び第３層を０．９７〜１．０３の範囲にすることに等しいから、「加工後の各層の基板の波打ちについては厚み方向で３％以内」は、「第２層の厚みを１とした場合，±１０％以内」に相当する。
　さらに、引用刊行物における「３４２，３８０，３３０，６２５（Ｗ／ｍ・ｋ）の熱伝導率」は、各々本願発明の「少なくとも２５０（Ｗ／ｍ・ｋ）の熱伝導率」に明らかに相当する。
　
　したがって、引用刊行物には、
「半導体装置用の放熱基板において、第１層として銅（Ｃｕ）と、第２層としてＣｕ−Ｍｏ複合材と、第３としてＣｕとをこの順に積層し、加工した積層構造放熱基板であり、加工後の各層の厚みのばらつきが、第２層の厚みを１とした場合、±１０％以内に収め、第２の層の合金の表面にＮｉメッキを施し、少なくとも２５０（Ｗ／ｍ・ｋ）の熱伝導率を有する放熱基板」
　が記載されている（以下「引用刊行物発明」という。）。
　
　そこで、本願発明と引用刊行物発明とを対比すると、
「半導体装置用の放熱基板において、第１層として銅（Ｃｕ）と、第２層としてＣｕ−Ｍｏ複合材と、第３としてＣｕとをこの順に積層し、加工した積層構造放熱基板であり、加工後の各層の厚みのばらつきが、第２層の厚みを１とした場合、±１０％以内に収め、少なくとも２５０（Ｗ／ｍ・ｋ）の熱伝導率を有する放熱基板」である点で一致し、以下の各点で相違する。
　
　第１の相違点
  本願発明は、「マイクロ波用パッケージの放熱基板」であるのに対して、引用刊行物発明には、半導体装置用との限定はあるが、特にマイクロ波用パッケージに限定していない点
　
　第２の相違点
　本願発明は、前記第１層と前記第２層との界面及び前記第２層と前記第３層との界面に，銀（Ａｇ）層を有するの対して、引用刊行物発明では、第２の層の合金の表面にＮｉメッキを施している点
　
　以下、上記各相違点について検討する。
　
＜第１の相違点について＞
　この点について、引用刊行物発明に記載された放熱基板は、放熱性に優れた基板であるから、放熱特性が問題となる素子のパッケージに利用されることを意図しており、放熱特性が問題となる素子として、通信用に用いられるマイクロ波素子は代表的な素子である。
　したがって、引用刊行物に記載された放熱基板をマイクロ波用パッケージとして用いることは、当業者が容易に想到し得た事項と認められる。
　
＜第２の相違点について＞
　この点について、刊行物発明の第２の層の合金の表面にＮｉメッキを施す構成は、前記第１層と前記第２層との界面及び前記第２層と前記第３層との界面にＮｉメッキを施す構成に相当する。そして、摘記事項（ｄ）には、クラッドの接合性を改善するために「クラッド界面にめっき法、蒸着法、浸析法、塗布法、薄い板または粉末を介在させる方法などによってＡｇ、Ｎｉを含む合金を付与することが好ましい。」旨が記載されており、ＮｉとＡｇは、同様な機能を果たす代替し得る材料としてあげられている。
　したがって、引用刊行物発明における積層構造放熱板の各界面の接合性、放熱特性、及びコスト等を考慮して、当業者がＮｉの代わりにＡｇを採用することは、容易に想到し得た事項と認められる。
　
　さらに、本願発明において、所望の熱伝導特性、熱膨張率を有する放熱基板が得られるといった効果についても、当業者が通常予測し得た範囲の効果に過ぎず、格別な効果とは認められない。
　
　なお、本願発明は「第２層としてモリブデン（Ｍｏ）又はＣｕ−Ｍｏ複合材」と記載されていることから、第２層としてモリブデンを用いる場合も含まれるが、引用刊行物発明の摘記事項（ｆ）の比較例には、第２層にモリブデンを用いる例が開示されており、その他の相違点については上記各相違点に対する検討がそのまま適用されるので、やはり、当業者が容易に想到し得た事項と認められる。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。