【事件の表示】
　特許第３３８８８１０号「半導体製造装置」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３８８８１０号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯　
本件特許第３３８８８１０号に係る手続の主な経緯は次のとおりである。
特許出願（特願平５−１４８６５６号）　　平成　５年５月２７日
特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　平成１５年１月１７日
特許異議申立（特許異議申立人：高橋学）　平成１５年９月１９日
取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　平成１６年８月２０日(起案日)
特許異議意見書　　　　　　　　　　　　　平成１６年１０月２６日
取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　平成１７年５月１２日(起案日)
特許異議意見書・訂正請求書　　　　　　　平成１７年６月　９日
(平成１６年１０月２６日に提出された訂正請求書は平成１７年６月９日に取り下げられた。)
　
第２　訂正の適否についての判断  
１．訂正の内容 
（１）訂正事項１  
 特許請求の範囲の 
「【請求項１】　ボートに保持されるウェーハを収納する反応管と、該反応管が嵌装されるヒータユニットと、前記ボートが載置されるボートキャップとを具備する半導体製造装置であって、前記ボートキャップを炭化珪素製の上部キャップと石英製の下部キャップとから構成し、前記ヒータユニットの下部に非発熱体の環座を設けたことを特徴とする半導体製造装置。」を
「【請求項１】　ボートに保持されるウェーハを収納する反応管と、該反応管が嵌装されるヒータユニットと、前記ボートが載置されるボートキャップとを具備する半導体製造装置であって、前記ボートキャップを炭化珪素製の上部キャップと石英製の下部キャップとから、前記反応管を炭化珪素製の反応管本体と石英製の反応管アダプタとからそれぞれ構成し、前記反応管本体は前記反応管アダプタに載設され、前記ヒータユニットの下部に該ヒータユニットとは別体の非発熱体の環座が設けられたことを特徴とする半導体製造装置。」 と訂正する。
　
（２）訂正事項２
「【０００８】
【課題を解決するための手段】
　本発明は、ボートに保持されるウェーハを収納する反応管と、該反応管が嵌装されるヒータユニットと、前記ボートが載置されるボートキャップとを具備する半導体製造装置であって、前記ボートキャップを炭化珪素製の上部キャップと石英製の下部キャップとから構成し、前記ヒータユニットの下部に非発熱体の環座を設けたことを特徴とするものである。」を
「【０００８】
【課題を解決するための手段】
　本発明は、ボートに保持されるウェーハを収納する反応管と、該反応管が嵌装されるヒータユニットと、前記ボートが載置されるボートキャップとを具備する半導体製造装置であって、前記ボートキャップを炭化珪素製の上部キャップと石英製の下部キャップとから、前記反応管を炭化珪素製の反応管本体と石英製の反応管アダプタとからそれぞれ構成し、前記反応管本体は前記反応管アダプタに載設され、前記ヒータユニットの下部に該ヒータユニットとは別体の非発熱体の環座が設けられたことを特徴とするものである。」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否 
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は、詳しく見ると、次の３つの訂正事項ａ、ｂ、ｃからなる。
(訂正事項ａ)
訂正前の請求項１の「前記ボートキャップを炭化珪素製の上部キャップと石英製の下部キャップとから構成し、」を、「前記ボートキャップを炭化珪素製の上部キャップと石英製の下部キャップとから、前記反応管を炭化珪素製の反応管本体と石英製の反応管アダプタとからそれぞれ構成し、前記反応管本体は前記反応管アダプタに載設され、」と訂正する。
(訂正事項ｂ)
訂正前の請求項１の「前記ヒータユニットの下部に非発熱体の環座」を「前記ヒータユニットの下部に該ヒータユニットとは別体の非発熱体の環座」と訂正する。
（訂正事項ｃ）
訂正前の請求項１の「環座を設けたこと」を「環座が設けられたこと」と訂正する。
これら訂正事項ａ、ｂ、ｃそれぞれについて検討する。
（訂正事項ａ）
　訂正前の請求項１に記載された発明の構成要素である「反応管」について、発明の詳細な説明の欄の第１３段落には、「反応管１を炭化硅素製の反応管本体１６と石英製の反応管アダプタ１７とで構成し、前記反応管本体１６は前記反応管アダプタ１７に載設される。」と記載されており、「反応管」の構成をより詳細に記載するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして、本願の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（訂正事項ｂ）
　訂正前の請求項１に記載された発明の構成要素である「非発熱体の環座」について、発明の詳細な説明の欄の第１７段落には、「前記ヒータユニット２は環座２４を介して前記炉体基板１９に立設」と記載されており、「ヒータユニット」と「環座」とは独立した２つの構成であることが明らかであり、「ヒータユニット」と「環座」との関係をより詳細に記載するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして、本願の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（訂正事項ｃ）
　訂正事項ａにおいて、前の請求項１に記載された「・・・・・・前記反応管本体は前記反応管アダプタに載設され、」と訂正されたことに伴って、それに続く、訂正前の請求項１に記載された「環座を設けた」の箇所を使役形に変えたものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。そして、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は、上記訂正事項１に伴い必要となった、特許請求の範囲と整合をとるための発明の詳細な説明の訂正であり、これは明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。そして、新規事項の追加に該当するものでも、また実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
３．訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律(平成６年法律第１１６号)附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立についての判断 
 １．本件発明 
 　上記第２　３．で示したように上記訂正は認められるから、本件請求項１及び２に係る発明（以下、「本件発明１」及び「本件発明２」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものである。 
「【請求項１】　ボートに保持されるウェーハを収納する反応管と、該反応管が嵌装されるヒータユニットと、前記ボートが載置されるボートキャップとを具備する半導体製造装置であって、前記ボートキャップを炭化珪素製の上部キャップと石英製の下部キャップとから、前記反応管を炭化珪素製の反応管本体と石英製の反応管アダプタとからそれぞれ構成し、前記反応管本体は前記反応管アダプタに載設され、前記ヒータユニットの下部に該ヒータユニットとは別体の非発熱体の環座が設けられたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】　前記上部キャップと下部キャップとの境界に遮熱プレートを設けた請求項１の半導体装置。」
　
２．特許異議申立の理由及び取消理由の概要 
（１）特許異議申立の理由 
 　特許異議申立人高橋学は、証拠として、
甲第１号証：実願昭61−180185号(実開昭63−84933号)のマイクロフィルム
甲第２号証：実願平3−19921号(実開平4−117389号)の願書に最初に添付された明細書及び図面が記録されたＣＤ-ＲＯＭ
甲第３号証：特開平4−280419号公報
甲第４号証：実願昭62−12198号(実開昭63−123673号)のマイクロフィルム
甲第５号証：特願平５−85755号(特開平６−275599号公報参照)
を提出して、本件訂正前の請求項１及び２に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された甲第１ないし４号証に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであり、あるいは、本件訂正前の請求項１及び２に係る発明は、本件特許出願前に特許出願され本件特許出願後に出願公開された甲第５号証に記載された発明であるから、本件訂正前の請求項１及び２に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項、及び同第２９条の２の規定に違反してなされたものであり、特許を取り消すべき旨の主張をしている。
　
（２）取消理由の概要
　当審で通知した取消理由の概要は以下のとおりである。
［平成１６年８月２０日起案の取消理由通知書］
１）本件出願の請求項１及び２に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物１〜４に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 ２）本件出願の請求項１及び２に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた下記５の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。 
 　 
 備考 
 　異議申立人高橋学が提出した特許異議申立書の「３．申立の理由」を参照されたい。なお、甲第１号証〜甲第４号証は、それぞれ刊行物１〜刊行物４と、甲第５号証は、先願５と読み替えるものとする。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　 記 
 　 
 刊行物１.実願昭61−180185号(実開昭63−84933号)のマイクロフィルム 
 　　　　　　　　　　　　　 　　(異議申立人高橋学提出の甲第1号証) 
 刊行物２.実願平3−19921号(実開平4−117389号)のマイクロフィルム 
 　　　　　　　　　　　　　 　　(同甲第２号証) 
 刊行物３.特開平4−280419号公報(同甲第３号証) 
 刊行物４.実願昭62−12198号(実開昭63−123673号)のマイクロフィルム 
 　　　　　　　　　　　　　　　(同甲第４号証) 
 先願５.特願平５−85755号(特開平６−275599号公報参照)(同甲第５号証) 
 　
［平成１７年５月１２日起案の取消理由通知書］
１）本件出願の請求項１及び２に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物１〜４に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
 ２）本件出願の請求項１及び２に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた下記５の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。  
 　  
 備考  
 　異議申立人高橋学が提出した特許異議申立書の「３．申立の理由」を参照されたい。なお、甲第１号証〜甲第４号証は、それぞれ刊行物１〜刊行物４と、甲第５号証は、先願５と読み替えるものとする。  
 　  
 　　　　　　　　　　　　　　　　 記  
 　  
 刊行物１.実願昭61−180185号(実開昭63−84933号)のマイクロフィルム  
 　　　　　　　　　　　　　 　　(異議申立人高橋学提出の甲第1号証)  
 刊行物２.実願平3−19921号(実開平4−117389号)のマイクロフィルム  
 　　　　　　　　　　　　　 　　(同甲第２号証)  
 刊行物３.特開平4−280419号公報(同甲第３号証)  
 刊行物４.実願昭62−12198号(実開昭63−123673号)のマイクロフィルム  
 　　　　　　　　　　　　　　　(同甲第４号証)  
 先願５.特願平５−85755号(特開平６−275599号公報参照)(同甲第５号証) 
 　 
 ＜訂正等の示唆＞ 
 　平成１６年１０月２６日付訂正請求書を取り下げて、平成１７年４月２６日にファクシミリにて送信された訂正案とおりに訂正されたい。 
　
３．刊行物に記載された発明
（１）実願昭61−180185号(実開昭63−84933号)のマイクロフィルム(以下、「刊行物１」という。)に記載された発明
　刊行物１は、「半導体製造装置用ヒータ」(考案の名称)に関するものであり，第１図および第３図とともに以下の事項が記載されている。
「第１図において２は筒状に巻回された多数のヒータピース(絶縁材)３で絶縁されたヒータ素線である。縦型ヒータの場合、このヒータ素線２の外側は側部断熱材４、上部断熱材５及び下部断熱材６で断熱され、ヒータケース１内に収められてヒータベース８上に設置されている(第３図参照)。」(明細書第４頁第14〜19行)
　
（２）実願平3−19921号(実開平4−117389号)のマイクロフィルム(以下、「刊行物２」という。)に記載された発明
　刊行物２は、「縦型環状炉の電気絶縁用ピース固定装置」(考案の名称)に関するものであり、図１および図２とともに次のように記載されている。
「図１は本考案装置の１実施例の要部の断面図である。本実施例は縦型管状炉３に対する炉固定用ベース１上に座ぐり５を設け、この座ぐり５上に同心状に溝４を設け、この溝４に従来品よりも厚い電気絶縁用ピース２を嵌込んでなる。
　　【０００７】
　本実施例は上記のような構成であるから、電気絶縁用ピース２の固定に接着剤を用いる必要がなく、所定の絶縁抵抗が得られ、接着剤を使用しないため、接着剤塗布、硬化作業が不要になる。電気絶縁用ピース２を厚くすることにより破損し難くなり、かつ断熱効果を向上させ、炉固定用ベース１の熱変形を少なくできることになる。」(第６〜７段落)
　
（３）特開平4−280419号公報(以下、「刊行物３」という。)に記載された発明
　刊行物３は、「熱処理装置」(発明の名称)に関するものであり、図１及び図５とともに次のように記載されている。
「【０００５】反応管１０の内部には、ボート１６に所定間隔をもって積層設置された半導体ウェハ１８が収納される。そして、この半導体ウェハ１８を設置したボート１６は保温筒２０上に設置されている。また、保温筒２０は、その下方に配設されている昇降機構２２によって上下動し、この上下動により半導体ウェハを反応管１０内に収納し、あるいは取り出すことができる。なお、昇降機構２２によって保温筒２０が上昇され半導体ウェハ１８が完全に反応管１０内に収納された状態で、反応管１０は全て密閉された状態となるようにしている。
【０００６】また、反応管１０の外部領域には、発熱体２４及び断熱材２６からなる加熱手段２７が配置されている。発熱体２４は断熱材２６の内周壁に取り付けられている。」(第１欄第37〜50行)
「【０００９】しかしながら、このＳｉＯ2 にて形成した反応管１０は、高温（約１２００℃）にて長時間加熱した場合、変形が生じる恐れがあるという問題を有していた。そこで、より耐熱性が優れ、熱による変形の恐れの少ない炭化シリコンＳｉＣにて反応管１０を形成することが考えられ、このＳｉＣによる反応管によれば、熱による変形という問題を解決することができる。」(第２欄第11〜17行)
「【００２１】図において、反応管１０は第１構成部１０ａと第２構成部１０ｂの２つの構成部から形成されている。そして、第１構成部１０ａは耐熱性部材で良熱伝導部材の例えばＳｉＣにて形成され、第２構成部１０ｂは耐熱性部材の石英（ＳｉＯ2 ）にてそれぞれ形成されている。第１構成部は、半導体ウェハ１８が収納された状態でその収納部を囲む外側の領域部分である。
【００２２】また、ガス導入管１２及びガス排出管１４は、それぞれ反応管１０の第２構成部１０ｂに取り付けられており、図２は、それらの取付け位置を示す説明図である。図示のように、ガス導入管１２とほぼ９０°の角度位置にガス排出管１４が設けられ、それぞれ反応管１０の内外を連通状態としている。
【００２３】なお、図１の概略断面図は、説明の便宜上、ガス導入管１２の位置をほぼ９０°ずらしたものとして図示している。
【００２４】また、図１に示されているように、本実施例においてはガス導入管１２は、反応管の第２構成部１０ｂを貫通している部分である取付部１２ａと反応管１０内部で上方へ伸びている伸長部１２ｂの二体構成とされている。そして、この二体にて構成されたガス導入管１２の材質は、反応管１０と同様に伸長部１２ｂを耐熱性の高いＳｉＣにて、また取付部１２ａを加工性の良い石英にてそれぞれ構成している。」（第３欄第32行〜第４欄第５行）
　
（４）実願昭62−12198号(実開昭63−123673号)のマイクロフィルム(以下、「刊行物４」という。)に記載された発明
　刊行物４は、「砒化ガリウム単結晶製造装置」(発明の名称)に関するものであり、次のように記載されている。
「(1)  ガリウムを載置した角型石英ボートが一端側に内装されると共に他端側には砒素が載置された状態で真空封止された石英アンプルを加熱して、石英アンプル内で砒化ガリウムを合成しかつ単結晶させる装置において、上記角型石英ボートとこれを支持する石英製の支持架台との間に耐熱性部材を介在させたことを特徴とする砒化ガリウム単結晶製造装置。
(2)  上記耐熱性部材が、窒化ケイ素，窒化ホウ素，カーボン，炭化ケイ素のうちのいずれかにより形成されていることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記載の砒化ガリウム単結晶製造装置。」(実用新案登録請求の範囲)
　
（５）特願平５−85755号の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明(以下、「先願５」という。)に記載された発明
　先願５は、「縦型熱処理装置」(発明の名称)に関する発明であり、図１及び図２とともに、次のように記載されている。
「【００１４】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。図１は本発明を酸化、拡散炉に適用した実施例を示す図であり、被処理体であるウエハが反応管内にロードされた状態を示している。熱処理領域を形成する反応管１は、各々略鉛直方向に沿って配置された内管１ａ及び外管１ｂよりなる二重管構造に作られると共に、下端のフランジ部１３を介して図示しないベースプレートに固定されている。この反応管１の下端部の外周面は断熱材１１により覆われている。また内管１ａの頂部には、多数のガス流路である細孔１ｃが形成されており、さらに外管１ｂの側壁にはガス導入管５１が連結されている。そして、内管１ａには排気管５２が接続され排気が行われるように構成されている。
【００１５】前記反応管１の外側には、当該反応管１を取り囲むように例えばＳｉＣよりなる筒状の均熱管１２が配設されており、この均熱管１２の外側には、当該均熱管１２を囲むようにヒータ１０が配設されている。このヒータ１０は、断熱層１０ａの内側に抵抗発熱線１０ｂをコイル状に巻いて構成される。
【００１６】前記反応管１の下方側には、ウエハのロード時に反応管１の下端開口部を気密に塞ぐための蓋体３１が設けられ、この蓋体３１は図示しない昇降機構により昇降するボートエレベータ３に取り付けられている。前記蓋体３１の上には保温部をなす保温筒６が設けられており、この保温筒６は、石英製の筒状の容器６１の中に石英ウール６２を充填して構成される。
【００１７】前記保温筒６の上には、図１及び図２に示すように輻射熱の吸収率の高い材質例えばＳｉＣよりなる上部側が下部側より径の小さいリング状の中間部材７が載置されており、この中間部材７の上にはウエハボート２が、下端の突起部２０が中間部材７に嵌合した状態で載置されている。前記中間部材７は、ウエハボート２の載置部材の役割を果たすと共に、昇温時におけるウエハボート２の下部の放熱を抑える役割を有するものであり、例えば高さが約１００〜２００ｍｍとされる。
【００１８】前記中間部材７の上には、輻射熱の吸収率の高い材質例えばＳｉＣよりなる熱処理用ボート２が載置されている。この熱処理用ボートは実施例では、ウエハボートと呼ぶことにする。このウエハボート２は天板２１及び底板２２の間に例えば４本の支柱２３を垂直に配置し、多数枚例えば１００枚のウエハＷが上下に間隔をおいて水平に支持されるように各支柱２３に図示しない溝を形成して構成される。」(第14〜18段落)
　
　
４．本件発明と刊行物に記載された発明との対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１と刊行物１ないし４に記載された発明を対比すると、刊行物１ないし４には、本件発明１の構成要素である、「ボートキャップを炭化珪素製の上部キャップと石英製の下部キャップ」及び「反応管を炭化珪素製の反応管本体と石英製の反応管アダプタ」とからそれぞれ構成し、「前記反応管本体は前記反応管アダプタに載設」された半導体製造装置は記載されていない。
　本件発明１は、「ボートキャップを炭化珪素製の上部キャップと石英製の下部キャップ」及び「反応管を炭化珪素製の反応管本体と石英製の反応管アダプタ」とからそれぞれ構成し、「前記反応管本体は前記反応管アダプタに載設」されたことによって、「ヒータユニット２からの熱を直接受ける部分を耐熱性の高い炭化硅素製とし、直接熱を受けない部分を石英製としたので炉の構成物の耐熱性が向上」(明細書第１８段落)とともに、「加熱温度をより高温とすることができる」(本件明細書第９段落)という顕著な効果を奏するものである。
　
　ここで、刊行物１には、本件発明１の「非発熱体の環座」に相当する「下部断熱材６」が記載されているだけであって、本件発明１の構成「ボートキャップを炭化珪素製の上部キャップと石英製の下部キャップ」及び「反応管を炭化珪素製の反応管本体と石英製の反応管アダプタ」とからそれぞれ構成し、「前記反応管本体は前記反応管アダプタに載設」された半導体製造装置に係わる全体の構成については、記載も示唆もされていない。
　刊行物２には、  本件発明１の「非発熱体の環座」に相当する「電気絶縁用ピース２」が記載されているだけであって、本件発明１の構成「ボートキャップを炭化珪素製の上部キャップと石英製の下部キャップ」及び「反応管を炭化珪素製の反応管本体と石英製の反応管アダプタ」とからそれぞれ構成し、「前記反応管本体は前記反応管アダプタに載設」された半導体製造装置に係わる全体の構成については、記載も示唆もされていない。
　刊行物３に記載された熱処理装置においては、本件発明１の「反応管」に相当する「反応管１０」が「第１構成部１０ａと第２構成部１０ｂの２つの構成部から形成されている。そして、第１構成部１０ａは耐熱性部材で良熱伝導部材の例えばＳｉＣにて形成され、第２構成部１０ｂは耐熱性部材の石英（ＳｉＯ2 ）にてそれぞれ形成されている」が、本件発明１の「ボートキャップ」に相当する「保温筒２０」については、その材質について記載がなく、「保温筒２０」の機能として耐熱性を向上させる必要性についても記載も示唆もされていない。
　刊行物４には、砒化ガリウム単結晶製造装置において、石英アンプル内に置かれた、ガリウムを載置した角型石英ボートとこれを支持する石英製の支持架台との間に、炭化珪素からなる耐熱性部材を介在させることが記載されているが、本件発明１の「ボートキャップを炭化珪素製の上部キャップと石英製の下部キャップ」及び「反応管を炭化珪素製の反応管本体と石英製の反応管アダプタ」とからそれぞれ構成し、「前記反応管本体は前記反応管アダプタに載設」された半導体製造装置について、記載も示唆もされていない。
　さらに、刊行物１ないし４のいずれにおいても、「ボートキャップを炭化珪素製の上部キャップと石英製の下部キャップとから」構成することは、記載されていないので、それらに記載の発明を組み合わせて、本件発明１のような発明をなすことは、当業者が容易に想到し得たものであるとすることはできない。
　
　先願５には、被処理体であるウェハを反応管内にロードして、熱処理する熱処理装置において、蓋体３１の上で保温部をなす保温筒６は、石英製の筒状の容器６１であり、その上部に「輻射熱の吸収率の高い材質例えばＳｉＣよりなる上部側が下部側より径の小さいリング状の中間部材７が載置されており、この中間部材７の上にはウエハボート２が、下端の突起部２０が中間部材７に嵌合した状態で載置されている。前記中間部材７は、ウエハボート２の載置部材の役割を果たすと共に、昇温時におけるウエハボート２の下部の放熱を抑える役割を有するものであり、例えば高さが約１００〜２００ｍｍとされる。」中間部材７の上には、「輻射熱の吸収率の高い材質例えばＳｉＣよりなる熱処理用ボート２が載置されている。この熱処理用ボートは実施例では、ウエハボートと呼ぶことにする」(第17〜18段落)と記載されている。これらの記載によれば、先願５における「熱処理装置」は、半導体であるウェハを処理するもので、本件発明１と同じ半導体製造装置に相当し、先願５の「保温筒６」と「中間部材７」とは、蓋体３１の一部をなし、ウェハボードを支持する点で本件発明１の「ボートキャップ」と同じ機能を果たす部材であり、「保温筒６」を石英で、「中間部材７」をSiCでそれぞれ構成するから、本件発明１において「ボートキャップを炭化珪素製の上部キャップと石英製の下部キャップ」とからそれぞれ構成した点が共通であるが、本件発明１の反応管に相当する「反応管１」は、二重管構造とされているものの、反応管本体を載設する反応管アダプタに相当する構成は記載されておらず、反応管１を構成する材質についても記載されていない。また、反応管アダプタに相当するものを新たに付加すること、及び、反応管の材質を炭化珪素にし、反応管アダプタに相当するものの材質を石英で構成することは、単なる構成上の微差とはいえない。
　ゆえに、本件発明１は、先願５に記載された発明と同一ではない。
　　
（２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１の構成に加えて、「前記上部キャップと下部キャップとの境界に遮熱プレートを設けた」構成を備えており、刊行物１ないし４に記載された発明と本件発明２とを対比するまでもなく、本件発明１の構成において、刊行物１ないし４に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたとすることができないので、本件発明２も刊行物１ないし４に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたとすることができない。
　また、同様に先願５に記載された発明と本件発明２とは、本件発明１の構成において同一であるということができないので、本件発明２は、先願５に記載された発明と同一ではない。
　　
　
５．特許異議申立についての判断のむすび 
 　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由及び取消理由によっては本件発明１及び２についての特許を取り消すことはできない。 
 　また、他に本件発明１および２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　したがって、本件発明１および２についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年８月２９日（２００５．８．２９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体製造装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】ボートに保持されるウェーハを収納する反応管と、該反応管が嵌装されるヒータユニットと、前記ボートが載置されるボートキャップとを具備する半導体製造装置であって、前記ボートキャップを炭化珪素製の上部キャップと石英製の下部キャップとから
、前記反応管を炭化珪素製の反応管本体と石英製の反応管アダプタとからそれぞれ
前記反応管本体は前記反応管アダプタに載設され、
該ヒータユニットとは別体の
が
られた
　【請求項２】前記上部キャップと下部キャップとの境界に遮熱プレートを設けた請求項１の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体製造装置の１つであり、拡散処理、酸化膜生成等の処理を行う縦型炉に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　図２に於いて縦型炉の概略を説明する。
　【０００３】
　石英製の反応管１はヒータユニット２内に嵌装され、前記反応管１とヒータユニット２との間には石英製均熱管３が設けられている。前記反応管１には上部に連通する石英製ガス導入管４が設けられ、又反応管１の下部には石英製排ガス口５が設けられ、該排ガス口５には排気管６が接続されている。前記反応管１内にはウェーハ７が石英製ボート８により水平姿勢で多段に保持されて装入される。該ボート８は石英製のボートキャップ１１を介して前記炉口フランジ９に載設されている。又、前記ボートキャップ１１のフランジには炉口部を気密にシールする為のシールリング１２が設けられている。
　【０００４】
　図中、９は反応管１の炉口１０を気密に閉塞する炉口フランジ、１９は半導体製造装置の縦型炉が設けられる炉体基板である。
　【０００５】
　ヒータユニット２で反応管１内部が加熱され、前記ガス導入管４より反応ガスが導入され、前記ウェーハ７表面への成膜、熱拡散等熱処理が行われ、導入されたガスは前記排気管６より排気される。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記した縦型炉の炉構造では、反応管１、ボート８、ボートキャップ１１が石英製であることから、加熱温度を石英の耐熱温度の１１５０℃迄しか加熱できないという問題があった。
　【０００７】
　本発明は斯かる実情に鑑み、より高温の加熱温度が達成できる炉構造を提供しようとするものである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、ボートに保持されるウェーハを収納する反応管と、該反応管が嵌装されるヒータユニットと、前記ボートが載置されるボートキャップとを具備する半導体製造装置であって、前記ボートキャップを炭化珪素製の上部キャップと石英製の下部キャップとから
、前記反応管を炭化珪素製の反応管本体と石英製の反応管アダプタとからそれぞれ
前記反応管本体は前記反応管アダプタに載設され、
該ヒータユニットとは別体の
が
られた
　【０００９】
　【作用】
　ヒータユニットから熱を直接受ける部分を少なくとも炭化硅素材料としたので、炉体構成物の耐熱性が増大し、加熱温度をより高温とすることができる。
　【００１０】
　【実施例】
　以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を説明する。
　【００１１】
　図１中、図２中で示したものと同一の機能を有するものには同符号を付してある。
　【００１２】
　ボートキャップ１１を上部キャップ１３と下部キャップ１４の上下２段の分割構造とし、前記上部キャップ１３を炭化硅素（ＳｉＣ）製とし、前記下部キャップ１４を石英製とする。又前記上部キャップ１３と下部キャップ１４の境界には炭化硅素製の遮熱プレート１５を載設する。
　【００１３】
　反応管１を炭化硅素製の反応管本体１６と石英製の反応管アダプタ１７とで構成し、前記反応管本体１６は前記反応管アダプタ１７に載設される。
　【００１４】
　該反応管アダプタ１７は上下にフランジが形成され、上フランジの所要位置に反応管導入ノズル１８が設けられている。又、前記反応管本体１６の内部には炭化硅素製のガス導入管４が設けられ、該ガス導入管４は反応管本体１６の上端部に開口し、該ガス導入管４の下端は反応管本体１６が前記反応管アダプタ１７の上フランジに乗置した状態で前記反応管導入ノズル１８に連通する様になっている。
　【００１５】
　前記反応管アダプタ１７は炉体基板１９に設けられた反応管支持座２０に乗置しており、前記反応管アダプタ１７の下フランジが固定リング２１により前記反応管支持座２０に固定されている。該固定リング２１には冷却水路２２が形成され、該冷却水路２２に冷却水を流通することでシールリング１２の冷却を行う。
　【００１６】
　前記ボートキャップ１１は炉口フランジ９に載置され、該ボートキャップ１１の取付け面には前記シールリング１２が設けられ、該シールリング１２内側の前記ボートキャップ１１下端に形成されたフランジ上に石英製の不透明リング２３が設けられる。
　【００１７】
　前記ヒータユニット２は環座２４を介して前記炉体基板１９に立設されており、該環座２４は非発熱体である。
　【００１８】
　以上、ヒータユニット２からの熱を直接受ける部分を耐熱性の高い炭化硅素製とし、直接熱を受けない部分を石英製としたので炉の構成物の耐熱性が向上し、又遮熱プレート１５により炉内部からの熱輻射を遮断し、又前記シールリング１２の内側に不透明リング２３を配設することで前記シールリング１２への熱輻射を遮断する。更に又、前記ヒータユニット２の下端部に環座２４を設けることで炉口部へのヒータユニット２から熱遮断効果を増大させている。
　【００１９】
　而して、炉体自体の耐熱性の向上、炉口部への熱影響の低減が図られ、半導体製造装置の縦型炉の加熱温度の高温化が可能となる。
　【００２０】
　【発明の効果】
　以上述べた如く本発明によれば、炉の耐熱性能が向上するので１１５０℃以上の高温加熱が可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例を示す炉口部の一部断面図である。
　【図２】
　従来例の断面図である。
　【符号の説明】
　１　反応管
　２　ヒータユニット
　４　ガス導入管
　１１　ボートキャップ
　１３　上部キャップ
　１４　下部キャップ
　１５　遮熱プレート
　１６　反応管本体
　１７　反応管アダプタ
　１８　反応管導入ノズル