【事件の表示】
　平成　６年特許願第１８０５２１号「単結晶引上装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　１月３０日出願公開、特開平　８−　２６８８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
 　本願は、平成６年７月７日の出願であって、平成１４年１２月４日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年２月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月３１日付で手続補正がなされたものである。 
 　 
 II．平成１５年３月３１日付手続補正についての補正却下の決定 
 　 
 ［補正却下の決定の結論］ 
 　平成１５年３月３１日付手続補正を却下する。 
 　 
 ［理　由］ 
 　 
 １．補正後の本願発明の内容 
 　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜３のうち、請求項１は次のとおり補正された。 
 　「【請求項１】炉体と、
　この炉体内で結晶融液を保持するルツボと、
　上端部が上記炉体の上壁に固定され、これから垂下されるとともに、その下端がルツボの融液面より所定高さだけ上方に開口してこの結晶融液の原料をルツボ内に供給する供給管と、
　この供給管の中間部または下部を支持する支持部材とを備えた単結晶引上装置において、
　上記供給管の内部にはラダー状の斜板が互い違いに内設された単結晶引上装置。」 
 　 
 ２．補正後の本願発明 
 　上記補正は、補正前の平成１４年１０月１５日付手続補正書の請求項１において、「この供給管の中間部または下部を支持する支持部材とを備えた単結晶引上装置。」を「この供給管の中間部または下部を支持する支持部材とを備えた単結晶引上装置において、
　上記供給管の内部にはラダー状の斜板が互い違いに内設された単結晶引上装置。」と補正したものである。
 　上記補正を検討すると、補正前の「供給管」を、「内部にはラダー状の斜板が互い違いに内設された」と補正した点は、供給管の構造をさらに具体的に限定したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
 　そこで、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかについて検討する。 
 
 ３．引用刊行物とその摘記事項 
 　原査定の拒絶の理由に引用文献３として引用した本願の出願日前に頒布された刊行物１（特開平２−１１６６９７号公報）及び原査定の拒絶の理由において周知慣用技術を示す例として引用した刊行物２（特開平２−２５５５８９号公報）には次の事項が記載されている。 
 　 
 （１）刊行物１（特開平２−１１６６９７号公報） 
 （１ａ）「第１図および第２図は、本発明に係わる半導体単結晶育成装置の一実施例を示している。
図中符号１０は上体１０Ａおよび下体１０Ｂからなる炉体で、この炉体１０の中央には昇降および回転する下軸１１が配置され、この下軸１１の上端には黒鉛サセプタ１２を介して石英製の２重ルツボ１３が固定されている。また、サセプタ１２の外周を取り巻いてヒーター１４、保温筒１５が順に配置されている。」 （第３頁左上欄第１１〜１９行）
 （１ｂ）「前記保温筒１５の上端には、円環板形の取付板１８を介して、円筒部１９Ａとその上端に一体に形成された円環板部１９Ｂとからなるガス整流筒１９が固定されている。このガス整流筒１９の円筒部１９Ａの下端は、内ルツボ体１３Ｂと外ルツボ体１３Ａとの間隙に差し入れられ、その下端と内ルツボ体１３Ｂ、原料融液Ｙ、外ルツボ体１３Ａとの間にはそれぞれ略同じ間隙が空けられている。具体的には、第２図に示すように、ガス整流筒１９の下端と融液Ｙとの距離は５ｍｍより大きく、かつ下端は外ルツボ体１３Ａの上端よりも低い位置に設定されている。融液Ｙからの距離が５ｍｍ未満だと、この間隙を通るアルゴンガスの流速が過大となり、融液Ｙに不要な振動を引き起こすおそれが生じるうえ、ガス整流筒１９が融液Ｙに接触するおそれもある。また、ガス整流筒１９の下端が外ルツボ体１３Ａの上端よりも高い位置にあると整流効果が得られず、融液ＹへのＣＯ溶入が低減できない。また、第２図に示すように、ガス整流筒１９の下端部の肉厚Ｐは、内ルツボ体１３Ｂと外ルツボ体１３との離間距離Ｑの０．３〜０．８であることが望ましい。０．３倍未満だと内ルツボ体１３Ｂと外ルツボ体１３Ａの近傍でガスが滞留しやすく、整流効果が弱くなる。他方０．８倍より大きいと、各ルツボ体１３Ａ、１３Ｂと干渉するおそれが生じる。」（第３頁右上欄第８行〜同左下欄第１３行） 
 （１ｃ）「さらに炉体１０内には、内ルツボ体１３Ｂと外ルツボ体１３Ａとの間隙に原料を供給する原料供給管２０が、ガス整流筒１９の円環板部１９Ｂを貫通し円筒部１９Ａの外面に沿って固定されている。なお、この原料供給管２０は、円筒部１９Ａにスリットを形成してその中に固定してもよいし、円筒部１９Ａの内面に沿って配置してもよい。」（第３頁左下欄第１７行〜同右上欄第５行）
（１ｄ）第１図には、炉体１０の上体１０Ａ及び円環板部１９Ｂを貫通し円筒部１９Ａの外面に沿って固定され原料融液Ｙ面上で開口した原料供給管２０が示されている。 
 　 
 （２）刊行物２（特開平２−２５５５８９号公報） 
 （２ａ）「（１）シリコン融液を収容する石英るつぼ内に、該石英るつぼと同軸状で、小孔のある隔壁を設け、該小孔で連通する内室と外室とに分離し、該外室内のシリコン融液中に粒状シリコンを供給しつつ、該内室内のシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造方法において、シリコン融液中に供給される粒状シリコンの落下速度を減速させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
（２）シリコン融液を収容する石英るつぼ内に、該石英るつぼと同軸状で、小孔のある隔壁を設け、該小孔で連通する内室と外室とに分離し、該外室内のシリコン融液中に粒状シリコンを供給しつつ、該内室内のシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造装置において、前記外室内のシリコン融液中に粒状シリコンを供給する供給管に設けられ、粒状シリコンの落下速度を減速させる減速機構を備えたことを特徴とするシリコン単結晶の製造装置。
・・・
（４）減速機構は、複数の傾斜板を概略交互に配置してなることを特徴とする請求項２記載のシリコン単結晶の製造装置。」 （【特許請求の範囲】）
 （２ｂ）「［作　用］
この発明に係るシリコン単結晶の製造方法及びその装置おいては、粒状シリコンはその落下速度が低減された状態でシリコン融液中に突入するので、その衝撃力は小さく、飛沫の発生を低減することができ、これにより炉内構成物の劣化や、単結晶育成時の外乱を防止することができる。」 （第２頁右下欄第４〜１０行）
 （２ｃ）「［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、シリコン融液中に供給する粒状シリコンの落下速度を十分低減してからシリコン融液中に供給するようにしたので、融液からの飛沫の発生を低減・防止することができ、単結晶育成に対する悪影響をとりのぞき、安定した単結晶製造が実現できるばかりでなく、炉内構成物への飛沫の付着による劣化が防止でき、長時間・多数回の単結晶引上げが可能になるという効果がある。
また、炉内構成物は高純度黒鉛・石英ガラスあるいは高融点金属といった高価な材料のもので作られているため、これらの寿命は製造時のコストに直接大きな影響を及ぼすが、上記のように飛沫の発生を防止したことによりその寿命が伸び、コスト面からもその効果は大きい。」（第４頁右上欄第１４行〜同左下欄第９行） 
 　 
 ４．対比・判断 
 　上記刊行物１の摘記事項を本願補正発明の記載に則って総合すると、刊行物１には、「炉体１０と、炉体内で原料融液Ｙを保持する２重ルツボ１３と、炉体１０の上体１０Ａ及び円環板部１９Ｂを貫通し円筒部１９Ａの外面に沿って固定され原料融液Ｙ面上で開口した原料供給管２０を有する半導体単結晶育成装置。」（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているということができる。 
 　そこで、本願補正発明１と刊行物１発明とを対比する。 
 　刊行物１発明の「２重ルツボ」は、本願補正発明１においても同様な構造であるから、本願補正発明１の「ルツボ」に相当し、また、刊行物１発明の「原料供給管」は、本願補正発明１の「結晶融液の原料をルツボ内に供給する供給管」に相当し、炉体１０の上体１０Ａ及び円環板部１９Ｂを貫通しているから「上端部が炉体の上壁から垂下される」ということもできる。更に、刊行物１発明の「円筒部１９Ａ」は、「円環板部１９Ｂを貫通し」た「原料供給管２０」を「外面に沿って固定」しているので、「支持部材」の機能を有しているといえ、本願補正発明１の「供給管の中間部または下部を支持する支持部材」に相当することも明らかである。 
 　そうすると、両者は、「炉体と、
　この炉体内で結晶融液を保持するルツボと、
　上端部が上記炉体の上壁から垂下されるとともに、その下端がルツボの融液面より所定高さだけ上方に開口してこの結晶融液の原料をルツボ内に供給する供給管と、
　この供給管の中間部または下部を支持する支持部材とを備えた単結晶引上装置。」の点で一致するものの、次の点で相違する。 
 　相違点（１）：本願補正発明１の供給管は炉体の上壁に固定されているのに対し、刊行物１発明にはこの点について明示の記載がなされていない点。 
 　相違点（２）：本願補正発明１の供給管の内部にはラダー状の斜板が互い違いに内設されているのに対し、刊行物１発明の原料供給管では該構成を有していない点。 
 　 
 　そこで、上記相違点（１）、（２）について次に検討する。 
 相違点（１）について 
 　刊行物１発明においては、上記したようには、原料供給管は、炉体の上体とどのような状態で系合されているかについては記載がないものの円筒部１９Ａの外面に沿って固定されており、貫通部において炉体の気密あるいは熱漏洩の防止を図る必要を考慮すれば、当然、固定されているものと認められる。 
　そうすると、上記相違点（１）のように構成することは当業者ならば容易に採用し得ることである。 
 
 相違点（２）について 
 　摘記事項（１ｂ）にも記載されるように「融液Ｙに不要な振動を引き起こす」ことを防止することは当該技術分野における周知の技術課題であって、刊行物２には、単結晶育成時の外乱を防止するために粒状シリコンの落下速度を減速させる複数の傾斜板（本願補正発明における「ラダー」に相当するものと認められる。）を概略交互に配置してなる減速機構を備えた供給装置を設けることが記載されているから、上記周知の技術課題に基づいて刊行物１発明においてこの減速機構を備えた供給装置を設けることは当業者ならば容易に想到し得ることである（外に、必要ならば、特開平１−１１９５９４号公報、第３〜５図及び説明箇所等参照）。 
 　 
 　そして、本願補正発明１による効果も刊行物１、２の記載から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。 
 　 
 　したがって、本願補正発明１は、刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
 　 
 ５．むすび  
 　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。  
 　 
 III．本願発明について  
 １．本願発明１  
 　平成１５年３月３１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３に係る発明は、平成１４年１０月１５日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。 
 　「【請求項１】炉体と、
　この炉体内で結晶融液を保持するルツボと、
　上端部が上記炉体の上壁に固定され、これから垂下されるとともに、その下端がルツボの融液面より所定高さだけ上方に開口してこの結晶融液の原料をルツボ内に供給する供給管と、
　この供給管の中間部または下部を支持する支持部材とを備えた単結晶引上装置。」 
 　 
 ２．引用刊行物とその記載事項  
 　原査定の拒絶の理由に引用した本願の出願日前に頒布された刊行物１、２及びその記載事項は、上記「II．３．引用刊行物とその摘記事項」に記載されたとおりである。 
 　 
 ３．対比・判断  
 　本願発明１は、上記「II．４．対比・判断」において検討した本願補正発明１の、「この供給管の中間部または下部を支持する支持部材とを備えた単結晶引上装置において、
　上記供給管の内部にはラダー状の斜板が互い違いに内設された単結晶引上装置。」を、「この供給管の中間部または下部を支持する支持部材とを備えた単結晶引上装置。」としたものである。  
 　そうすると、本願発明１を特定するために必要と認める事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本願補正発明１が、前記「II．４．対比・判断」に記載したとおり、刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により、刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
 　 
 ４．むすび  
 　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１、２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２、３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
 　よって、結論のとおり審決する。