【事件の表示】
　特願２０１３−２６１５４５「シリコン窒化膜の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　６月２５日出願公開、特開２０１５−１１９０４５、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２５年１２月１８日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２９年　４月２７日付け　　　拒絶理由通知書
平成２９年　７月　３日　　　　　意見書，手続補正書の提出
平成２９年１２月２７日付け　　　拒絶査定
平成３０年　４月　６日　　　　　審判請求書，手続補正書の提出
平成３１年　１月２５日　　　　　拒絶理由通知書
平成３１年　４月　１日　　　　　意見書，手続補正書の提出
第２　原査定の概要　
　原査定（平成２９年１２月２７日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　この出願の請求項１ないし８に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.米国特許出願公開第２０１０／０１２４６１８号明細書
２.特表２００３−５２６２１８号公報
３.特開２００３−２５７９６７号公報
４.特表２００９−５０９０３９号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由（平成３１年１月２５日付け拒絶理由）の概要は次のとおりである。
　この出願の請求項１ないし７に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.米国特許出願公開第２０１０／０１２４６１８号明細書
３.特開２００３−２５７９６７号公報
５.特開２０１１−０８０１０８号公報
第４　本願発明
　本願請求項１及び２に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」及び「本願発明２」という。）は，平成３１年４月１日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１及び２は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　原子堆積法（ＡＬＤ法）により、基板上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を形成する方法であって、
　下記化学式（１）に示すケイ素含有化合物を、２０〜７０℃の気体として供給し、
　前記ケイ素含有化合物と、窒化源となるアンモニアと、を用いて、３００℃で成膜することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。
　Ｈ２−Ｓｉ―（ＮＣＯ）２　・・・（１）
　　【請求項２】
　活性化させた前記アンモニアを供給することを特徴とする請求項１に記載のシリコン窒化膜の形成方法。」
第５　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
　原査定及び当審拒絶理由に引用された引用文献１（米国特許出願公開第２０１０／０１２４６１８号明細書）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付与した。以下同じ。）
「[0002] 1. Field of the Invention
[0003] 
The present invention generally relates to a method of forming an insulation film by
atomic layer deposition (ALD).
[0004] 2. Description of the Related Art
[0005] SiN films used as gate spacers must offer a good coverage and have an etch rate equivalent to or less than thermal oxide films. A general rule of thumb is that the lower the film forming temperature, the better the coverage. However, films formed at low temperature present a problem in that they have a very high wet etching rate (WER). For example, a sequence based on the conventional pulse CVD is shown in FIG. 1(a). A similar pattern is also seen when ALD is used.」
（当審訳：［０００２］　１．発明の分野
［０００３］　
本発明は、一般的に、
原子層堆積(ALD)によって絶縁膜を形成する方法に関する。
［０００４］　2. 関連技術の説明
［０００５］　ゲート・スペーサとして使用されるSiN膜は、良好な被覆を提供し、同等の熱酸化物膜よりも小さいエッチングレートを有していなければならない。一般的な経験則は、成膜温度が低いほど、より良好な被覆率である。しかし、低温で形成された膜は、極めて高い湿式エッチング速度(WER)を有するという点で、問題がある。例えば、従来のパルスCVD法に基づいくシーケンスを図1(a)に示す。ALDを使用する場合についても類似のパターンが見られる。）
「[0008] In an embodiment, a method of forming a film comprises: (i) forming a layer of insulation film composed of multiple sub-layers of film 
on a substrate,
（当審訳：［０００８］　実施形態では、膜を形成する方法は、以下を含む:(i)
基板を含み
「DETAILED DESCRIPTION
[0026] The embodiments presented herein include those specified below. It should be noted, however, that the present invention is not at all limited to these embodiments:
[0027] 1) A method of forming a film, wherein said method is characterized in that a film forming cycle based on pulse PECVD, ALD or PEALD is repeated multiple times to form a single layer of insulation film, while a reforming cycle is implemented in the aforementioned process, either once or multiple times per each film forming cycle, by treating the surface of formed film using a treating gas that has been activated by a plasma.
[0028] 2) A method according to 1), wherein a purge cycle is provided between the film forming cycle and reforming cycle.
[0029] 3) A method according to 1) or 2), wherein the treating gas is constituted by one or more types of gases selected from the group that includes one or more type of H2, NH3, O2, N2O, CO2, Ar, Xe and N2.
[0030] 4) A method according to any one of 1) to 3), wherein the insulation film is constituted by a silicon compound.
[0031] 5) A method according to 3), wherein the insulation film is SiO, SiN, SiCN, SiC, SiON, SiOCN, SiCN, SiBN or SiBO.
[0032] 6) A method according to any one of 1) to 5), wherein the precursor supplied in the film forming cycle based on pulse PECVD, ALD or PEALD is one type of material, or two or more types of materials combined together, selected from the group that includes materials belonging to the aminosilane or organic silane group.」
（当審訳：詳細な説明
［００２６］　本明細書で提示される実施形態は、以下のものが挙げられる。しかしながら、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではないことに留意すべきである。
［００２７］　1)膜を形成する方法において、前記方法は、パルスPECVD、ALDまたはPEALDの成膜サイクルを複数回反復して、単層の絶縁膜を形成し、改質サイクルによって、成膜サイクル当たり１回もしくは複数回のいずれかで、形成された膜の表面をプラズマにより活性化した処理ガスを用い処理する方法。
［００２８］　2)前記成膜サイクルおよび改質サイクルの間にパージサイクルが設けられている１）に記載の方法。
［００２９］　3)前記処理ガスは、H2、NH3、O2、N2O、CO2、Ar、Xe及びN2の一つまたはそれ以上の型を含むグループから選択された1種以上のガスから構成されている、1)または2)に記載の方法。
［００３０］　4)前記絶縁膜は、シリコン化合物から構成されている、1)?3)のいずれかに記載の方法。
［００３１］　5)前記絶縁膜は、SiO2、SiN、SiCN、SiC、SiON、SiOCN、SiCN,SiBNまたはSiBOである、3)記載の方法。
［００３２］　6)パルスPECVD、ALDまたはPEALDの成膜サイクルで供給される前駆体は、アミノシラン又は有機シランに属する材料を含む群から選択される、1種の材料又は2種以上の材料の組み合わせである、1)?5)のいずれかに記載の方法。）
「[0040] Representative conditions of the reforming cycle in the embodiment in 1) above are (although are not limited thereto), for example, treating gas (for example H2) flow rate range of approx. 100 to 2000 sccm (preferably 100-500 sccm), range of treating time (reforming treatment; where the treating gas supply and RF application overlap) of approx. 1 to 10 sec (preferably 1-3 sccm), pressure range of approx. 50 to 2000 Pa (preferably 100-800 Pa), and RF power range of approx. 100 to 1000 W (preferably 100-500 W). Also, preferably the RF application for reforming is stronger (e.g., 1.5 to 3 times higher) than the RF application for film forming in pulse CVD and the RF application for reaction process in ALD. 
The temperature is approx. 0-600℃. (preferably 200-550℃.).」
（当審訳：［００４０］　上記1)の形態では改質サイクルの代表的な条件は、(これに限定されるものではないが)、例えば、処理ガス(例えばH2)の流量範囲は約100〜2000sccm(好ましくは100-500sccm)、処理時間(改質処理である処理ガスの供給及びRFの印加が重なる)の範囲が約1〜10sec(好ましくは1-3sccm)程度、圧力範囲が50〜2000Pa(好ましくは100-800Pa)、およびRF電力の範囲が約100〜1000W(好ましくは100〜500W)、改質のためのRFパルスは、CVDでの成膜のためのRFやALDでの反応プロセスのためのRFよりも強い(例えば、1.5から3倍)。
温度は約0〜600℃(好ましくは200〜550℃)である。
「[0049] 
In an embodiment of the present invention, film forming materials belonging to the aminosilane group such as HEAD (Si
2
[NHC
2
H
6
]
6
), 3DMASCl (Si[N(CH
3
)
2
]
3
Cl), 3EMAS (H
2
Si[N(C
2
H
5
)CH
3
]
3
), 4DMAS (Si[N(C
2
H
6
)
2
]
4
), 4DEAS (Si[N(C
2
H
6
)
2
]
4
), etc., can be used favorably. 4MS ((CH
3
)4SiH
3
), 2ES ((C
2
H
5
)
2
SiH
2
), phenyl-SiH
3
, cyclohexyl-SH
3
 and other materials belonging to the organic silane group can also be used. Other materials that can be used include SiH
4
, Si
2
H
6
, TSA ([SiH
3
]
3
N), HCDS (Si
2
Cl
6
), Si
3
H
8
, TICS (Si[NCO]
4
), TBOS (Si[OtBu]
3
OH), TDMHyS (Si[NHMe
2
]
4
), etc. In the above, any one type of film forming material may be used alone, or two or more types of materials may be combined together.
[0050] 
In an embodiment of the present invention, the treating gas may be N
2
, H
2
, O
2
, NH
3
, CH
3
, CO, C
2
H
6
, CO
2
, N
2
O, Ar, Xe, B
2
H
6
, etc. (any one type selected from the foregoing may be used alone, or two or more types may be combined together), to form such films as SiN, SiO, SiON, SiCN, SiOCN, SiCON, SiBN, SiBO, etc.
[0051] Sequences in other embodiments are shown in FIG. 5 (1) to (6) and FIG. 6 (7), (8).
[0052] (1) Pulse CVD: treating gas and CVD reactant gas: NH3; the reforming RF application is stronger than the film-forming RF application (cycle frequency=1:1; cycle frequency=1:x refers to x times of reforming cycle per one time of film-forming cycle).
[0053] (2) ALD deposition process: supplying the reforming gas and the reactant gas begins at the same time; the reforming RF application is stronger than the reactant RF application (cycle frequency=1:1).
[0054] (3) ALD deposition process: the reforming gas and reforming RF application are in the same pulse; the reforming RF application is stronger than the reactant RF application (cycle frequency=1:1).」
（当審訳：［００４９］　本発明の実施例では、
HEAD(Si
2
[NHC
2
H
6
]
6
)、3DMASCl(Si[N(CH
3
)
2
]
3
Cl),3EMAS(Si[N(C
2
H
5
)CH
3
]
3
)、4DMAS(Si[N(C
2
H
6
)
2
]
4
)、4DEA(Si[N(C
2
H
6
)
2
]
4
)等のアミノシラングループに属する成膜材料を好適に使用することができる。有機シラン基に属する4MS((CH
3
)
4
SiH
3
)、2((C
2
H
5
)
2
SiH
2
)、フェニルSiH
3
、シクロヘキシルSH
3
および他の材料も使用することができる。使用できる他の物質は、SiH
4
、Si
2
H
6
、TSA([SiH
3
]
3
N)、HCDS(Si
2
Cl
6
)、Si
3
H
8
、TICS(Si[NCO]
4
)、TBOS(Si[OtBu]
3
OH)、TDMHyS(Si[NHMe
2
]
4
)などが挙げられる。このように、いずれか1つのタイプのフィルム形成材料は、単独で用いてもよく、2種類以上の材料を組み合わせてもよい。
［００５０］　本発明の実施形態では、
SiN、SiO、SiON、SiCN、SiOCN、SiCON、SiBN、等の膜を形成する処理ガスは、N
2
、H
2
、O
2
、NH
3
、CH
3
、CO、CO
2
、N
2
O、Ar、Xe、B
2
H
6
などであってもよい(上記から選ばれた何れか1種を単独で用いてもよく、2種以上が併用されてもよい)。
［００５１］　他の実施形態ではシーケンスは、図5に示す(1)〜(6)及び図6の(7)、(8)である。
［００５２］　(1)パルスCVDのガス及びCVDの反応ガス:NH3;改質RFを成膜RFより強くする(サイクル周波数=1:1;”サイクル周波数=1：x”は、xは成膜サイクルの1回当たりの改質サイクルの回数を意味する)。
［００５３］　(2)ALD堆積工程:改質ガスと反応ガスの供給を同時に開始し、改質用RFは、反応用RFよりも強い(サイクル周波数=1:1)。
［００５４］　(3)ALD成膜工程:改質ガスと改質用RFは、同一のパルスである。改質用RFは反応用RFよりも強い(サイクル周波数=1:1)。）
　上記記載から，引用文献１には，以下の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されている。
「原子層堆積(ALD)によって基板上に絶縁膜を形成する方法であって，
　成膜材料として，HEAD(Si2[NHC2H6]6)，3DMASCl(Si[N(CH3)2]3Cl)，3EMAS(Si[N(C2H5)CH3]3)，4DMAS(Si[N(C2H6)2]4)，4DEA(Si[N(C2H6)2]4)等のアミノシラングループ，もしくは，有機シラン基に属する4MS((CH3)4SiH3)，2((C2H5)2SiH2)，フェニルSiH3，シクロヘキシルSH3およびSiH4，Si2H6，TSA([SiH3]3N)，HCDS(Si2Cl6)，Si3H8，TICS(Si[NCO]4)，TBOS(Si[OtBu]3OH)，TDMHyS(Si[NHMe2]4)を，単独もしくは複数種類組み合わせ使用し，
　処理ガスとして，N2，H2，O2，NH3，CH3，CO，CO2，N2O，Ar，Xe，B2H6などを使用し，
　処理温度を約0〜600℃(好ましくは200〜550℃)とし，
　SiN，SiO，SiON，SiCN，SiOCN，SiCON，SiBN，等の膜を形成する方法。」
２　引用文献２について
　原査定に引用された引用文献２（特表２００３−５２６２１８号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　　　　　　　　　　　　　　発明の分野
　本発明は、一般的に、集積回路における層を形成すること、そしてより詳細には傾斜された不純物濃度を有する薄膜を堆積することに関する。」
「【００４８】
　次いで、第１化学種が、調製された堆積基板上に吸着される。例示される実施形態において、
第１化学種は、ケイ素含有化学種を含み、そしてケイ素含有化学種の自己終結単層（self-terminating monolayer）を生じる少なくとも１つの他のリガンドを含む。例えば、酸化ケイ素の堆積のためのケイ素ソースガスとしては、以下が挙げられ得る
式Ｓｉ
m
Ｌ
2m+2
のシラン（ここで、ｍは１〜３の整数である）
各Ｌは独立して、Ｈ
イソシアネート（−ＮＣＯ）
【００４９】
　
これらのケイ素化合物の中でも、好ましくはシランおよびシラザンが、純粋な窒化ケイ素の堆積のために使用され
【００５０】
　
最も好ましくは、ケイ素ソースガスは、キャリアガスフローへ注入されるジクロロシラン（ＤＣＳ）またはトリクロロシラン（ＴＣＳ）を含む。
「【００５４】
　不純物ソースガスがまた、交互プロセスでサイクルの少なくとも１つへ提供される。示される誘電体実施形態において、
不純物は、好ましくは、窒素を含み、そして不純物ソースガスは、好ましくは、交互プロセスに添加されるアンモニア（ＮＨ
3
）
を含み得る。
低温ＡＬＤプロセッシング
アンモニアが、ケイ素フェーズに続いて、異なるアンモニアフェーズ（各々は、アンモニアパルスおよびパージパルスを含む）で添加される。
交互プロセスが窒化ケイ素を堆積させる（ケイ素およびアンモニアフェーズを交互させることによる）
【００５５】
　しかし、例示される実施形態において、アンモニアが酸素フェーズへ添加される。異なる量のＮＨ3が、プロセスの間中、異なるオキシダントソースガスパルスへ添加される。従って、所望の量の窒素が、二酸化ケイ素の各単層へ選択的に組み込まれ得、そしてシリコンオキシニトリド層が、調整された窒素含有量プロフィールで生じる。」
３　引用文献３について
　原査定及び当審拒絶理由に引用された引用文献３（特開２００３−２５７９６７号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成材料、
膜形成方法
「【００１１】
【課題を解決するための手段】前記の課題に対する研究を鋭意推し進めて行く中に、本発明者は、
Ｓｉ源としてＳｉ（ＮＣＯ）
ｘ
Ｈ
４−ｘ
（但し、ｘは１〜４の整数）を用いてＣＶＤにより作成した膜は、炭素や窒素などの不純物の混入が殆ど問題にならず、高純度なものであり、かつ、非晶質なものであって、ゲート酸化膜として高性能なものであることを見出すに至った。」
「【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明になる膜形成材料（特に、ＣＶＤにより形成する為の膜形成材料）は、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｌｎの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の元素、Ｓｉ、及びＯが用いられて構成されてなるゲート酸化膜を形成する為の膜形成材料であって、前記ゲート酸化膜におけるＳｉ源としてＳｉ（ＮＣＯ）
ｘ
Ｈ
４−ｘ
（但し、ｘは１〜４の整数）が用いられるものである。
「【００４１】
【実施例２０〜２４】実施例１において、Ｓｉ（ＮＣＯ）４の代わりにＨＳｉ（ＮＣＯ）３，Ｈ２Ｓｉ（ＮＣＯ）２を用いて同様に行った。」
「【００４８】図２の装置を用い、Ｐｒ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］３が０．１ｍｏｌ／ｌとなるようにデカンに溶解した溶液を原料容器１ａに入れ、又、
Ｓｉ（ＮＣＯ）
４
が０．１ｍｏｌ／ｌとなるようにデカンに溶解した溶液を原料容器１ｂに入れ、流量制御器６を通して気化器７に送った。
Ｓｉ（ＮＣＯ）
４
が輸送されて来る気化器７では５０℃に設定されていて、これにより気化される。
【００４９】気化された原料はキャリアガスと共に配管を経て分解反応炉３に導入される。尚、この時
、基板４は３５０℃に加熱されている。
４　引用文献４について
　原査定に引用された引用文献４（特表２００９−５０９０３９号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　発明の分野
　[0001]本発明の実施形態は、一般的には、製造プロセスに関し、より詳細には、基板製造前、基板製造中又は基板製造後のハードウエア又は基板のための処理プロセスに関する。」
「【００１５】
　[0017]前処理ガスは、堆積プロセスが開始する前に汚染物質を更に減少させるためにチャンバへ加えることができる（ステップ１０２）。前処理ガスは、一般的には、続いてのステップ１０４の堆積プロセスを考慮して選択される。前処理ガスは、反応ガスとキャリヤガスを含有するのがよく、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素、酸素、オゾン、水、アンモニア、シラン、ジシラン、ジボラン、それらの誘導体、それらのプラズマ、又はそれらの組合わせが挙げられる。一例において、前処理ガスは、酸化物質（例えば、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化シリコン）、ケイ酸塩物質（例えば、ケイ酸ハフニウム又はケイ酸ジルコニウム）又はアルミン酸塩物質（例えば、アルミン酸ハフニウム）を堆積させる前に酸化ガス、例えば、オゾン又は水蒸気を含有するのがよい。他の例において、
前処理ガスは、
窒化シリコン
を堆積させる前に窒化ガス、例えば、アンモニア
含有するのがよい。
「【００１９】
　[0021]ステップ１０４の間、
堆積プロセスをプロセスチャンバ内で行い、基板上に物質を形成する。堆積プロセスは、気相堆積プロセス、例えば、ＡＬＤプロセス
プラズマ増強型ＡＬＤ（ＰＥ-ＡＬＤ）プロセス、
【００２０】
　[0022]堆積ステップの間に堆積される物質は、誘電物質、バリヤ物質、導電物質、核形成／シード物質又は接着物質であってもよい。一実施形態において、堆積物質は、酸素及び／又は窒素と少なくとも一つの追加元素、例えば、ハフニウム、シリコン、タンタル、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、ランタン、又はそれらの組合わせであるのがよい。例えば、誘電物質は、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化ランタン、酸化チタン、酸化シリコン、窒化シリコン、それらの酸窒化物（例えば、ＨｆＯｘＮｙ）、それらのケイ酸塩（例えば、ＨｆＳｉｘＯｙ）、それらのアルミン酸塩（例えば、ＨｆＡｌｘＯｙ）、それらのシリコン酸窒化物（例えば、ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ）、それらの誘導体、又はそれらの組合わせを含有するのがよい。一例において、誘電物質は、種々の組成の多層を含有するのがよい。例えば、ラミネート膜は、酸化シリコンを酸化ハフニウムに堆積させてケイ酸ハフニウム物質を形成することによって形成されるのがよい。ケイ酸ハフニウム上に第三層の酸化アルミニウムを堆積させて、更にケイ酸ハフニウムアルミニウム物質を与えることができる。」
「【００４２】
　[0044]シリコン含有物質（例えば、ケイ酸塩）を堆積させるのに有用な例示的なシリコン前駆物質としては、シラン、アルキルアミノシラン、シラノール、又はアルコキシルシランが挙げられる。
シリコン前駆物質としては、
Ｓｉ（ＮＣＯ)
４
窒素前駆物質としては、アンモニア（ＮＨ
３
）、窒素（Ｎ
２
）、ヒドラジン（例えば、Ｎ
２
Ｈ
４
又はＭｅＮ
２
Ｈ
３
）、アミン（例えば、Ｍｅ
３
Ｎ、Ｍｅ
２
ＮＨ、又はＭｅＮＨ
２
）、アニリン（例えば、Ｃ
６
Ｈ
５
ＮＨ
２
）、有機アジド（例えば、ＭｅＮ
３
又はＭｅ
３
ＳｉＮ
３
）、無機アジド（例えば、ＮａＮ
３
又はＣｐ
２
ＣｏＮ
３
）、ラジカル窒素化合物（例えば、Ｎ
３
、Ｎ
２
、Ｎ、ＮＨ、又はＮＨ
２
）、それらの誘導体、又はそれらの組合わせが挙げられてもよい。ラジカル窒素化合物は、熱、熱線、又はプラズマによって生成させることができる。
５　引用文献５について
　当審拒絶理由に引用された引用文献５（特開２０１１−０８０１０８号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、トリイソシアネートシラン（ＨＳｉ（ＮＣＯ）3）を含有してなる化学気相成長用原料、及び該原料を用いて化学気相成長法によりケイ素含有薄膜を形成する方法に関する。」
「【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　本発明の目的は、効率よく、良質なケイ素含有薄膜に転化できる化学気相成長用原料及び該化学気相成長用原料を用いて、化学気相成長法によりケイ素含有薄膜を形成する方法を提供することにある。」
「【発明を実施するための形態】
【００１６】
　
本発明の化学気相成長用原料は、ＨＳｉ（ＮＣＯ）
3
の化学式で表されるケイ素化合物であるトリイソシアネートシランを薄膜へのケイ素原子供給源として含有してなる。トリイソシアネートシランのケイ素供給源としての特徴は、揮発性が高い、反応性が良好で薄膜製造に有利であること、薄膜中のカーボン成分を低減できることにある。また、本発明の化学気相成長用原料は、ケイ素供給源であるトリイソシアネートシランが被成膜基体への吸着性が良好であるので、特にＡＬＤ用原料として有用である。
【００１７】
　トリイソシアネートシランの良好な揮発性は、分子量が小さいことによる。また、反応性が良好であることは、ＮＣＯ基及びＨ基による。得られる薄膜中のカーボン成分を低減できることは、分子構造中に炭化水素基を有していないことによる。被成膜基体への吸着性が良好であることはＨ基による。
【００１８】
　ＨＳｉ（ＮＣＯ）3の化学式で表されるトリイソシアネートシランは、従来公知の方法、例えば、上記非特許文献１に記載の方法により製造することができる。
【００１９】
　本発明の化学気相成長用原料は、上記トリイソシアネートシランを含有するものであり、トリイソシアネートシランそのもの、又はこれを含有してなる組成物である。本発明の化学気相成長用原料の形態は、使用される化学気相成長法の輸送供給方法等の手法により適宜選択されるものである。
【００２０】
　
本発明の化学気相成長用原料を輸送供給する（原料導入工程）方法としては、化学気相成長用原料を原料容器中で加熱及び／又は減圧することにより気化させ、必要に応じて用いられるアルゴン、窒素、ヘリウム等のキャリアガスと共に堆積反応部へと導入する気体輸送法
「【００３３】
　本発明のケイ素含有薄膜を形成する方法は、上述の本発明の化学気相成長用原料を使用することが特徴である。具体的には、
トリイソシアネートシラン（ＨＳｉ（ＮＣＯ）
3
）及び
必要に応じて用いられる反応性ガスとを基板上に導入し、次いで、本発明の化学気相成長用原料に含有されるトリイソシアネートシラン
基板上で分解及び／又は反応させて所望の薄膜を基板上に成長、堆積させる化学気相成長法によるものである。
【００３４】
　
上記の必要に応じて用いられる反応性ガスとしては、
窒化ケイ素等のケイ素含有窒化物を製造するものとしては、
アンモニア、
が挙げられる。
【００３５】
　また、
上記の輸送供給方法としては、前記に記載の気体輸送法
が挙げられる。
【００３６】
　また、上記の
堆積方法としては、
分子レベルで段階的に堆積を行うＡＬＤ法が挙げられる。
【００３７】
　また、上記の製造条件としては、反応温度（基板温度）、反応圧力、堆積速度等が挙げられる。反応温度については、本発明に係る
トリイソシアネートシランが充分に反応する温度である３０℃以上が好ましく、６０〜２４０℃がより好ましい。
【００３８】
　本発明の薄膜形成方法について、ＡＬＤ法により酸化ケイ素薄膜を形成する場合を例に挙げて更に説明する。
　酸化ケイ素薄膜をＡＬＤ法により形成する場合は、先ず、前記で説明した原料導入工程により、本発明の化学気相成長用原料にプレカーサとして含まれるトリイソシアネートシランを堆積反応部に導入する。次に、堆積反応部に導入したトリイソシアネートシランにより、基体上に前駆体薄膜を成膜させる（前駆体薄膜成膜工程）。このときに、基体を加熱するか、堆積反応部を加熱して、熱を加えてもよい。この工程で成膜される前駆体薄膜は、トリイソシアネートシラン薄膜、又は、トリイソシアネートシランの一部が分解及び／又は反応して生成した薄膜であり、目的の酸化ケイ素薄膜とは異なる組成を有する。本工程が行われる温度は、室温〜２００℃が好ましい。
【００３９】
　次に、堆積反応部から、未反応のトリイソシアネートシランガスや副生したガスを排気する（排気工程）。未反応のトリイソシアネートシランガスや副生したガスは、堆積反応部から完全に排気されるのが理想的であるが、必ずしも完全に排気される必要はない。排気方法としては、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスにより系内をパージする方法、系内を減圧することにより排気する方法、これらを組み合わせた方法等が挙げられる。減圧する場合の減圧度は、１０〜２００Ｐａが好ましい。
【００４０】
　次に、堆積反応部に酸化性ガスを導入し、該酸化性ガス、酸化性ガス及び熱の作用により、先の前駆体薄膜成膜工程で得た前駆体薄膜から酸化ケイ素薄膜を形成する（酸化ケイ素薄膜形成工程）。本工程において熱を作用させる場合の温度は、１００℃より低いと酸化ケイ素薄膜中に不純物が多く含まれる場合があり、５００℃を超えた温度にしても、酸化ケイ素薄膜の膜質の向上は見られないので、１００〜５００℃が好ましい。
本発明の化学気相成長用原料に含まれるトリイソシアネートシランは、反応性が良好であり、１５０〜４５０℃で膜質の酸化ケイ素を得ることができる。
「【００４４】
　
本発明の化学気相成長用原料を使用して、形成（製造）されるケイ素含有薄膜としては、
　例えば、酸化ケイ素、ケイ素−チタニウム複合酸化物、ケイ素−ジルコニウム複合酸化物、ケイ素−ハフニウム複合酸化物、ケイ素−ビスマス−チタニウム複合酸化物、ケイ素−ハフニウム−アルミニウム複合酸化物、ケイ素−ハフニウム−希土類元素複合酸化物、ケイ素−ハフニウム複合酸化窒化物（ＨｆＳｉＯＮ）等の酸化ケイ素系薄膜、
窒化ケイ素
が挙げられ
　上記記載から，引用文献５には，以下の発明（以下，「引用発明５」という。）が記載されている。
「ＡＬＤ法により，基板上に窒化ケイ素膜を形成する方法であって，
　トリイソシアネートシラン（ＨＳｉ（ＮＣＯ）3）と反応性ガスであるアンモニアを基板上に導入し，
　ＡＬＤ法により窒化ケイ素膜を形成する方法。」
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）引用発明１を主たる引用発明とする検討
ア　本願発明１と引用発明１との対比
（ア）引用発明１の「原子層堆積(ALD)」及び「基板」は，それぞれ，本願発明１の「原子堆積法（ＡＬＤ法）」及び「基板」に相当する。
（イ）引用発明１の「絶縁膜」は，「SiN，SiO，SiON，SiCN，SiOCN，SiCON，SiBN，等」のいずれかであり，「SiN」を含むから，本願発明１の「シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）」と，シリコン原子を含む絶縁膜である点で共通する。
　そして，引用発明１と本願発明１とは，シリコン原子を含む絶縁膜を形成する方法である点で共通する。
（ウ）引用発明１は，成膜材料として「HEAD(Si2[NHC2H6]6)，3DMASCl(Si[N(CH3)2]3Cl)，3EMAS(Si[N(C2H5)CH3]3)，4DMAS(Si[N(C2H6)2]4)，4DEA(Si[N(C2H6)2]4)等のアミノシラングループ，もしくは，有機シラン基に属する4MS((CH3)4SiH3)，2((C2H5)2SiH2)，フェニルSiH3，シクロヘキシルSH3およびSiH4，Si2H6，TSA([SiH3]3N)，HCDS(Si2Cl6)，Si3H8，TICS(Si[NCO]4)，TBOS(Si[OtBu]3OH)，TDMHyS(Si[NHMe2]4)を，単独もしくは複数種類組み合わせ使用し」ているから，この成膜材料と，引用発明１の「下記化学式（１）に示すケイ素含有化合物」とは，「ケイ素含有化合物」である点で共通する。
（エ）引用発明１は，処理ガスとして「N2，H2，O2，NH3，CH3，CO，CO2，N2O，Ar，Xe，B2H6などを使用し」ているから，この処理ガスと，本願発明１の「窒化源となるアンモニア」は，ガスである点で共通する。
（オ）そうすると，本願発明１と引用発明１とは次の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「原子堆積法（ＡＬＤ法）により、基板上にシリコン原子を含む絶縁膜を形成する方法であって、
　ケイ素含有化合物と、ガスと、を用いて成膜することを特徴とするシリコン原子を含む絶縁膜の形成方法。」
［相違点１］
　「シリコン原子を含む絶縁膜」について，本願発明１は「シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）」であるのに対して，引用発明１の「絶縁膜」は，「SiN，SiO，SiON，SiCN，SiOCN，SiCON，SiBN，等」のいずれかである点。
［相違点２］
　「ケイ素含有化合物」について，本願発明１は「Ｈ２−Ｓｉ―（ＮＣＯ）２」であるのに対して，引用発明１はそうでない点。
［相違点３］
　本願発明１は，「ケイ素含有化合物を、２０〜７０℃の気体として供給し」ているのに対して，引用発明１は「成膜材料」がどのような温度の気体として供給されているのか明らかでない点。
［相違点４］
　「ガス」について，本願発明１は「窒化源となるアンモニア」であるのに対して，引用発明１はアンモニアを含む「N2，H2，O2，NH3，CH3，CO，CO2，N2O，Ar，Xe，B2H6など」のいずれかである点。
［相違点５］
　本願発明１は「３００℃で成膜する」のに対して，引用発明１は「処理温度を約0〜600℃(好ましくは200〜550℃)」としている点。
イ　相違点についての判断
　事案に鑑みて，上記［相違点２］について先に検討すると，シリコン窒化膜を形成する際に［相違点２］に係るケイ素含有化合物として「Ｈ２−Ｓｉ―（ＮＣＯ）２」を用いることは，上記引用文献２ないし５には記載されておらず，本願出願前において周知技術であるともいえない。
　また，引用発明１は，ケイ素含有化合物とし，
「HEAD(Si2[NHC2H6]6)，3DMASCl(Si[N(CH3)2]3Cl)，3EMAS(Si[N(C2H5)CH3]3)，4DMAS(Si[N(C2H6)2]4)，4DEA(Si[N(C2H6)2]4)等のアミノシラングループ，もしくは，有機シラン基に属する4MS((CH3)4SiH3)，2((C2H5)2SiH2)，フェニルSiH3，シクロヘキシルSH3およびSiH4，Si2H6，TSA([SiH3]3N)，HCDS(Si2Cl6)，Si3H8，TICS(Si[NCO]4)，TBOS(Si[OtBu]3OH)，TDMHyS(Si[NHMe2]4)を，単独もしくは複数種類組み合わせ使用」するものであり，イソシアナートシランとして「TICS(Si[NCO]4)」が挙げられているが，これを特に選択した上で，さらに，商業的に入手可能な「TICS(Si[NCO]4)」に代えて「Ｈ２−Ｓｉ―（ＮＣＯ）２」を用いるべき動機づけがない。
　そうすると，引用発明１において［相違点２］に係る構成を採用し，本願発明１と同様の発明とすることが，容易であったとはいえない。
　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明１，引用文献２ないし５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）引用発明５を主たる引用発明とする検討
ア　本願発明１と引用発明５との対比
（ア）引用発明５の「ＡＬＤ法」，「基板」，「窒化ケイ素膜」及び「反応性ガスであるアンモニア」は，それぞれ，本願発明１の「原子堆積法（ＡＬＤ法）」，「基板」，「シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）」及び「窒化源となるアンモニア」に相当する。
（イ）引用発明５の「トリイソシアネートシラン（ＨＳｉ（ＮＣＯ）3）」と，本願発明１の「Ｈ２−Ｓｉ―（ＮＣＯ）２」は，イソシアナート基を有するケイ素含有化合物である点で共通する。
（ウ）そうすると，本願発明１と引用発明５とは次の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「原子堆積法（ＡＬＤ法）により、基板上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を形成する方法であって、
　イソシアナート基を有するケイ素含有化合物と、窒化源となるアンモニアと、を用いて、成膜することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。」
［相違点６］
　本願発明１が「ケイ素含有化合物を、２０〜７０℃の気体として供給」するのに対して，引用発明５の「トリイソシアネートシラン」の供給温度が明示されていない点。
［相違点７］
　本願発明１がシリコン窒化膜を「３００℃で成膜」しているのに対して，引用発明５の窒化ケイ素膜の成膜温度が明示されていない点。
［相違点８］
　「イソシアナート基を有するケイ素含有化合物」について，本願発明１が「Ｈ２−Ｓｉ―（ＮＣＯ）２」であるのに対して，引用発明５は「トリイソシアネートシラン（ＨＳｉ（ＮＣＯ）3）」である点。
イ　相違点についての判断
　事案に鑑みて，上記［相違点８］について先に検討すると，シリコン窒化膜を形成する際に［相違点８］に係るイソシアナート基を有するケイ素含有化合物として「Ｈ２−Ｓｉ―（ＮＣＯ）２」を用いることは，上記引用文献１ないし４には記載されておらず，本願出願前において周知技術であるともいえない。
　また，引用文献５に
「【００１６】
　
本発明の化学気相成長用原料は、ＨＳｉ（ＮＣＯ）
3
の化学式で表されるケイ素化合物であるトリイソシアネートシランを薄膜へのケイ素原子供給源として含有してなる。トリイソシアネートシランのケイ素供給源としての特徴は、揮発性が高い、反応性が良好で薄膜製造に有利であること、薄膜中のカーボン成分を低減できることにある。また、本発明の化学気相成長用原料は、ケイ素供給源であるトリイソシアネートシランが被成膜基体への吸着性が良好であるので、特にＡＬＤ用原料として有用である。
と記載されているように，引用発明５において，ＡＬＤ用原料として有用な「トリイソシアネートシラン（ＨＳｉ（ＮＣＯ）3）」を，他の原料に置き換える理由がなく，むしろ他の原料に置き換えることに，阻害要因があるといえる。
　そうすると，引用発明５において［相違点８］に係る構成を採用し，本願発明１と同様の発明とすることが，容易であったとはいえない。
　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明５，引用文献１ないし４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（３）本願発明１に関するまとめ
　上記のとおりであるから，本願発明１は，引用文献１ないし５に記載された発明から，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２について
　本願発明２は，本願発明１の「Ｈ２−Ｓｉ―（ＮＣＯ）２」を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，引用文献１ないし５に記載された発明から，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　原査定についての判断
　平成３１年４月１日に提出された手続補正により，補正後の請求項１及び２は「Ｈ２−Ｓｉ―（ＮＣＯ）２」を備えるものとなった。当該「Ｈ２−Ｓｉ―（ＮＣＯ）２」を備えることは，上記第５並びに第６の１（１）及び２で検討したように，原査定における引用文献１ないし４には記載されておらす，また，引用文献１に記載された発明の「成膜材料」を「Ｈ２−Ｓｉ―（ＮＣＯ）２」とすることが容易であったとはいえない。
　そうすると，補正後の請求項１及び２に係る発明は，引用文献１に記載された発明及び引用文献２ないし４に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものではない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第８　当審拒絶理由についての判断
　平成３１年４月１日に提出された手続補正により，補正後の請求項１及び２は「Ｈ２−Ｓｉ―（ＮＣＯ）２」を備えるものとなった。当該「Ｈ２−Ｓｉ―（ＮＣＯ）２」を備えることは，上記第５並びに第６の１（２）及び２で検討したように，当審拒絶理由で引用した引用文献１，３及び５には記載されたおらず，また，引用文献５に記載された発明の「トリイソシアネートシラン（ＨＳｉ（ＮＣＯ）3）」を「Ｈ２−Ｓｉ―（ＮＣＯ）２」とすることが容易であったとはいえない。
　そうすると，補正後の請求項１及び２に係る発明は，引用文献５に記載された発明及び引用文献１ないし３に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものではない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第９　むすび
　以上のとおり，原査定及び当審拒絶理由の理由によって，本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。