【事件の表示】
　特願２０１３−１８６８３１「高解像度ＡＭＯＬＥＤディスプレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　４月　３日出願公開、特開２０１４−　５９５６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２５年９月１０日（パリ条約による優先権主張２０１２年９月１４日、米国）の出願であって、平成２８年１２月１４日付けで拒絶理由通知がされ、平成２９年２月２０日付けで手続補正がされ、同年７月２４日付け（送達日：同年８月１日）で拒絶査定がされ、これに対して、同年１２月１日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がされたものである。
 
  　
第２　補正の却下の決定
　
［結論］
　平成２９年１２月１日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１ 補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
　［補正前］
「　【請求項１】
　少なくとも４００ｄｐｉの合計解像度を有する複数のピクセルを形成するように配置される複数の有機発光デバイスと、
　前記複数の有機発光デバイスのうちの少なくとも１つを制御するようになっている回路であって、約１０−１５Ａ／μｍ以下のリーク電流を有する少なくとも１つのトランジスタを含む回路とを含み、
　前記回路が、蓄積キャパシタを含まず、
　前記回路によって制御されている前記複数の有機発光デバイスのうちの少なくとも１つが、サブピクセルを含み、前記サブピクセルが、約６０μｍ以下の最大寸法を有する、
ことを特徴とするデバイス。」
　［補正後］
「　【請求項１】
　少なくとも４００ｄｐｉの合計解像度を有する複数のピクセルを形成するように配置される複数の有機発光デバイスと、
　前記複数の有機発光デバイスのうちの少なくとも１つを制御するようになっている回路であって、約１０−１５Ａ／μｍ以下のリーク電流を有する少なくとも１つのトランジスタを含む回路とを含み、
　前記回路が、蓄積キャパシタを含まず、
　前記回路によって制御されている前記複数の有機発光デバイスのうちの少なくとも１つが、サブピクセルを含み、前記サブピクセルが、約６０μｍ以下の最大寸法を有
し、
　
前記回路が、２つ以下のトランジスタを含み、
　
少なくとも１つのトランジスタが、アクティブ層としてＩＧＺＯを含む
　と補正することを含むものであって、「回路」について「２つ以下のトランジスタを含」む点及び「トランジスタ」について「少なくとも１つのトランジスタが、アクティブ層としてＩＧＺＯを含む」点を限定するものであり、特許法１７条の２第５項２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討を行う。
　
２　引用例
　原査定の拒絶理由に引用された特開２０１２−７９６９０号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある（下線は、当審による。）。　
　
　ア　「【０００１】
本発明は、酸化物半導体を用いた半導体装置、発光装置、およびその作製方法に関する。」　
　イ　「【００３４】
（実施の形態１）
本実施の形態では、
酸化物半導体を用いた半導体素子と、第１の電極と第２の電極の間に発光物質を含む有機層を有する発光素子を備える半導体装置
【００３５】
本実施の形態で説明する半導体装置は、トランジスタとそれに接続された発光素子を有する発光装置である。
当該発光素子をマトリクス状に配置して設けることで、発光表示装置の画素部に用いることもできる
【００３６】
本実施の形態で例示する半導体装置は、絶縁表面を有する基板４０５上にトランジスタ４１０と発光素子４００を備える。トランジスタ４１０はチャネル形成領域に酸化物半導体を用い、エンハンスメント型の動作をする。発光素子４００は第１の電極４０１と第２の電極４０２の間に発光物質を含む有機層４０３を挟持し、第１の電極はトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層と電気的に接続されている。また、トランジスタ４１０と発光素子４００は封止され、水素原子を含む不純物（例えば水分）を含む大気から隔絶されている。」
　ウ　「【００５１】
＜第１のステップ：トランジスタの形成＞
図２（Ａ）乃至（Ｅ）に酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの断面構造の一例を示す。図２（Ａ）乃至（Ｅ）に示すトランジスタは、ボトムゲート構造の逆スタガ型トランジスタである。
【００５２】
本実施の形態の半導体層に用いる酸化物半導体は、ｎ型不純物である水素を酸化物半導体から除去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することによりＩ型（真性）の酸化物半導体、又はＩ型（真性）に限りなく近い酸化物半導体としたものである。
【００５３】
なお、高純度化された酸化物半導体中ではキャリアが極めて少なく、キャリア濃度は１×１０１４／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１２／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１１／ｃｍ３未満となる。また、このようにキャリアが少ないことで、オフ状態における電流（オフ電流）は十分に小さくなる。
【００５４】
具体的には、上述の
酸化物半導体層を具備するトランジスタでは、オフ状態でのソースとドレイン間のチャネル幅１μｍあたりのリーク電流密度（オフ電流密度）は、ソースとドレイン間の電圧が３．５Ｖ、使用時の温度条件下（例えば、２５℃）において、１００ｚＡ／μｍ（１×１０
−１９
Ａ／μｍ）以下、もしくは１０ｚＡ／μｍ（１×１０
−２０
Ａ／μｍ）以下、さらには１ｚＡ／μｍ（１×１０
−２１
Ａ／μｍ）以下とすることができる
【００５５】
また、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタは、オン電流の温度依存性がほとんど見られず、高温状態においてもオフ電流は非常に小さいままである。
【００５６】
以下、図２（Ａ）乃至図２（Ｅ）を用い、基板５０５上に酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを作製する工程を説明する。なお、レジストマスクを用いる工程では、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。」　
　エ　「【００７３】
酸化物半導体は、好ましくはＩｎを含有する酸化物半導体、さらに好ましくは、Ｉｎ、及びＧａを含有する酸化物半導体である。酸化物半導体層をＩ型（真性）とするため、脱水化または脱水素化は有効である。
本実施の形態では、酸化物半導体膜５３０としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する
　オ　「【０１８９】
（実施の形態４）
本実施の形態では、
実施の形態１で説明した半導体装置を複数用いる発光表示装置
【０１９０】
＜
画素回路
本実施の形態で例示する
発光表示装置が備える画素の等価回路図を図５に示す。
画素回路
【０１９１】
本実施の形態で例示する画素６４００は、酸化物半導体層をチャネル形成領域に用いるｎチャネル型のトランジスタを１つの画素に２つ備える
画素６４００は、スイッチング用トランジスタ６４０１、発光素子駆動用トランジスタ６４０２、発光素子６４０４及び容量素子６４０３を有する。
【０１９２】
発光素子６４０４の第１の電極（画素電極）に電源線６４０７を介して高電源電位を供給し、第２の電極（共通電極６４０８）に低電源電位を供給する。低電源電位は高電源電位に比べて低い電位であり、例えばＧＮＤ、０Ｖなどを設定する。高電源電位は、低電源電位との電位差が発光素子６４０４の発光開始電圧以上となるように設定する。発光素子６４０４の二つの電極に電位差を設けることで電流を流して発光させる。
【０１９３】
なお、共通電極６４０８に高電源電位、電源線６４０７に低電源電位を設定しても良い。その場合、発光素子６４０４に流れる電流が逆になるため、発光素子６４０４の構成を適宜変更してもよい。
【０１９４】
なお、
容量素子６４０３は発光素子駆動用トランジスタ６４０２のゲート容量を代用して省略することも可能である。
オフ電流が低減されたトランジスタをスイッチング用トランジスタ６４０１に適用して、容量素子６４０３を省略することもできる。
　　
　　　　
３　引用発明
　ア　引用例の【００３４】を踏まえて【０１８９】をみれば、引用例には、「酸化物半導体を用いた半導体素子と、第１の電極と第２の電極の間に発光物質を含む有機層を有する発光素子を備える半導体装置を複数用いる発光表示装置」が記載されていると認められる。
　また、引用例の【００３５】には、上記半導体装置は、発光素子をマトリクス状に配置して設けることで、発光表示装置の画素部に用いられる旨記載されている。
　イ　引用例の【０１９０】には、発光表示装置が備える画素回路について記載され、【０１９１】には、酸化物半導体層をチャネル形成領域に用いるｎチャネル型のトランジスタを１つの画素に２つ備えると記載され、スイッチング用トランジスタ、発光素子駆動用トランジスタ、発光素子及び容量素子を有すると記載されているが、引用例の【０１９４】には、容量素子は省略することも可能であると記載されている。　
　ウ　引用例の【００５４】には、酸化物半導体層を具備するトランジスタでは、オフ状態でのソースとドレイン間のチャネル幅１μｍあたりのリーク電流密度（オフ電流密度）は、１×１０−１９Ａ／μｍ以下とすることができると記載されている。
　エ　引用例の【００７３】には、酸化物半導体として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜すると記載されている。
　オ　図５には、発光表示装置が備える画素の等価回路図として、トランジスタを１つの画素に２つのみ備える構成が開示されている。
　カ　以上によれば、引用例には、
「酸化物半導体を用いた半導体素子と、第１の電極と第２の電極の間に発光物質を含む有機層を有する発光素子を備える半導体装置を複数用いる発光表示装置であって、
　半導体装置は、発光素子をマトリクス状に配置して設けることで、発光表示装置の画素部に用いられ、
　発光表示装置が備える画素回路は、酸化物半導体層をチャネル形成領域に用いるトランジスタを１つの画素に２つのみ備え、スイッチング用トランジスタ、発光素子駆動用トランジスタ、発光素子を有し、容量素子を備えておらず、
　トランジスタのオフ状態でのソースとドレイン間のチャネル幅１μｍあたりのリーク電流密度（オフ電流密度）は、１×１０−１９Ａ／μｍ以下であり、
　酸化物半導体として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物を用いる発光表示装置。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　                                                            
４　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　ア　引用発明の「発光素子」は、「第１の電極と第２の電極の間に発光物質を含む有機層を有する発光素子」であるから、「有機発光デバイス」といえ、また、「マトリクス状に配置して設け」られるから、本願補正発明の「複数のピクセルを形成するように配置される複数の有機発光デバイス」に相当する。
　イ　引用発明の「画素回路」のうち「発光素子」を除いた回路部分は、「スイッチング用トランジスタ」及び「発光素子駆動用トランジスタ」により「発光素子」の駆動を制御するものと認められ、また、これらのトランジスタは、「酸化物半導体層をチャネル形成領域に用いるトランジスタ」であり、「トランジスタのオフ状態でのソースとドレイン間のチャネル幅１μｍあたりのリーク電流密度（オフ電流密度）は、１×１０−１９Ａ／μｍ以下」であるから、本願補正発明の「前記複数の有機発光デバイスのうちの少なくとも１つを制御するようになっている回路であって、約１０−１５Ａ／μｍ以下のリーク電流を有する少なくとも１つのトランジスタを含む回路」に相当する。
　ウ　引用発明の「容量素子」が本願補正発明の「蓄積キャパシタ」に相当するところであり、引用発明の上記回路部分を含む「画素回路」は、「容量素子を備えて」いないから、引用発明は、本願補正発明と「前記回路が、蓄積キャパシタを含まず」の点で一致する。
　エ　引用発明の上記回路部分を含む「画素回路」は、「酸化物半導体層をチャネル形成領域に用いるトランジスタを１つの画素に２つのみ備え」るものであるから、引用発明は、本願補正発明と「前記回路が、２つ以下のトランジスタを含み」の点で一致する。
　オ　引用発明の「トランジスタ」は、「酸化物半導体層をチャネル形成領域に用いるトランジスタ」であって、「酸化物半導体として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物を用いる」ものであるから、引用発明は、本願補正発明と「少なくとも１つのトランジスタが、アクティブ層としてＩＧＺＯを含む」点で一致する。
　カ　引用発明の「発光表示装置」は、「デバイス」といえる。
　キ　したがって、本願補正発明と引用発明には、次の一致点及び相違点があるといえる。
（一致点）
「複数のピクセルを形成するように配置される複数の有機発光デバイスと、
　前記複数の有機発光デバイスのうちの少なくとも１つを制御するようになっている回路であって、約１０−１５Ａ／μｍ以下のリーク電流を有する少なくとも１つのトランジスタを含む回路とを含み、
　前記回路が、蓄積キャパシタを含まず、
　前記回路が、２つ以下のトランジスタを含み、
　少なくとも１つのトランジスタが、アクティブ層としてＩＧＺＯを含むデバイス。」
（相違点１）本願補正発明は、「少なくとも４００ｄｐｉの合計解像度を有する」のに対し、引用発明がこのようなものか不明な点。
（相違点２）本願補正発明は、「前記回路によって制御されている前記複数の有機発光デバイスのうちの少なくとも１つが、サブピクセルを含み、前記サブピクセルが、約６０μｍ以下の最大寸法を有」するというものであるのに対し、引用発明がこのようなものであるか不明な点。
　
５　判断
　上記相違点１及び２について検討するに、原査定の拒絶理由に引用された米国特許出願公開第２０１２／０２１７５１５号明細書（以下、「引用例２」という。）には、段落［００４８］において、
「The display device can be a multicolor display device when pixels of at least 2 colors, e.g., blue (B), green (G), and red (R), are provided in the pixel area  602 .・・・」（当審訳「画素部６０２に少なくとも２色以上の画素、例えば青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）などを含むことで、多色表示を行う表示装置とすることができる。・・・」）
　と記載され、また段落［００４４］に、
「・・・Thus, a high-definition display device can be achieved. For example, a display device having a matrix of a plurality of pixels, specifically 350 pixels or more per one inch (i.e., the horizontal resolution is 350 pixels per inch (ppi) or more), more preferably 400 or more pixels per one inch (i.e., the horizontal resolution is 400 ppi or more) can be achieved.」（当審訳「・・・よって、表示装置の高精細化を図ることができる。例えば、マトリクス状に配置された複数の画素を一インチあたり３５０以上含む（水平解像度が３５０ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌｓ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）以上である）、さらに好ましくは４００以上含む（水平解像度が４００ｐｐｉ以上である）構成とすることが可能となる。」）
　と記載されており、引用例２には、画素部が青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の３色の画素（サブピクセル）を含み、また水平解像度が４００ｐｐｉ（ｄｐｉ）以上の高精細化を図った表示装置、という技術事項が開示されている。
　また、例えば特開２０１１−１３８５９５号公報において、
「【０３７０】
図２７に示す発光表示装置の画素部は、複数の画素を有し、・・・また、トランジスタ３００１及びトランジスタ３００３は、チャネル形成層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層を用いたトランジスタである。また、本実施例の発光表示装置の画素は、画素数が５４０×９６０×３であり、画素ピッチが０．０２６ｍｍ×０．０７８ｍｍ×３であり、解像度が３２６ｐｐｉであり開口率が４０％である。
【０３７１】
また、図２７に示す発光表示装置の画素は、・・・Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタがそれぞれ設けられた構造（カラーフィルタオンアレイ構造ともいう）である。また、発光素子は、白色の有機ＥＬ素子である。」
　と記載されているように、本願の優先日以前において、ＩＧＺＯを用いた有機発光デバイスの解像度として３００ｐｐｉ（ｄｐｉ）程度の値は通常想定されるものであったことや、ディスプレイの分野において高解像度化を図ることは周知の課題であることに鑑みれば、引用発明において、上記引用例２の技術事項を採用し、サブピクセルを含んだ、少なくとも４００ｄｐｉの合計解像度を有するデバイスとすることに格別の困難性は認められない。
　なお、４００ｄｐｉ以上の合計解像度でサブピクセルを含む場合、１インチ（２５４００μｍ）に４００以上のドット（ピクセル）を配置しなければならないことから、サブピクセルの最大寸法が約６０μｍ以下となることは自明の事項である。
　　
６　小括
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び引用例２に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成２９年２月２０日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載される事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「少なくとも４００ｄｐｉの合計解像度を有する複数のピクセルを形成するように配置される複数の有機発光デバイスと、
　前記複数の有機発光デバイスのうちの少なくとも１つを制御するようになっている回路であって、約１０−１５Ａ／μｍ以下のリーク電流を有する少なくとも１つのトランジスタを含む回路とを含み、
　前記回路が、蓄積キャパシタを含まず、
　前記回路によって制御されている前記複数の有機発光デバイスのうちの少なくとも１つが、サブピクセルを含み、前記サブピクセルが、約６０μｍ以下の最大寸法を有する、
ことを特徴とするデバイス。」
　　
２　原査定の拒絶の理由の概要
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
・請求項　１−３及び５−１０
・引用文献等　１及び２
・請求項　４
・引用文献等　１−３
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．米国特許出願公開第２０１２／０２１７５１５号明細書（上記引用例２と同じ。）
２．特開２０１２−７９６９０号公報（原査定における主引用例であって、上記引用例と同じ。）
３．特開２０１２−７８７９８号公報
　
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１，２及びその記載事項は、上記第２の２，３，５のとおりである。
　
４　判断
　本願発明は、本願補正発明から、「前記回路が、２つ以下のトランジスタを含み」との事項及び「少なくとも１つのトランジスタが、アクティブ層としてＩＧＺＯを含む」との事項を省いたものであるから、本願発明と引用発明の相違点は、上記第２の４の（相違点１）及び（相違点２）と同じであり、本願発明は、上記第２の５と同じ理由により、引用発明及び引用例２に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められる。
　　                                                             
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。　
　よって、結論のとおり審決する。