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　特願２０１５−１７８８４９「発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　２月１２日出願公開、特開２０１６−　２６３９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成２３年３月１４日（パリ条約による優先権主張２０１０年３月１５日、韓国）に出願した特願２０１１−５５８１０号の一部を平成２７年９月１０日に新たな特許出願としたものであって、平成２８年７月１日付けの拒絶理由通知に対して、同年９月３０日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１１月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２９年２月２１日に拒絶査定不服審判の請求がなされた。
　その後当審において、平成３０年１月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年４月１２日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２　当審の拒絶理由
　当審において平成３０年１月３０日付けで通知した拒絶の理由の概要は、
「●理由１（委任省令要件） 
　本件出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。」というもの、
「●理由２（進歩性） 
　本件出願の請求項１〜１４に係る発明は、その出願前に日本国内または外国において頒布された下記の刊行物である、「特開２００１−３３９１２１号公報」（以下「引用例１」という。）に記載された発明及び「特開平７−９４７８２号公報」（以下「引用例２」という。）並びに「特開２００２−１１１０５９号公報」（以下「引用例３」という。）の記載に基いて、その原出願の優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というもの、及び
「●理由３（明確性） 
　本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。」というものである。
３　本願発明
　本願の請求項１〜９に係る発明は、平成３０年４月１２日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜９に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層の上に活性層、及び前記活性層の上に第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
　前記第１導電型半導体層の上に第１電極と、
　前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層の上に接合層と、
　前記第２導電型半導体層の上に透光性電極層と、
　前記透光性電極層の上に第２電極と、を含み、
　前記接合層は、絶縁性材質からなり、
　前記接合層は、前記第１導電型半導体層の上面から前記発光構造物の一側面に沿って前記第２導電型半導体層の上面の一部に延長されて配置され、
　前記接合層は、前記第２導電型半導体層と前記透光性電極層との間に配置され、
　前記第１電極と前記第１導電型半導体層が重なる面積は、前記第１電極の上面面積の１０〜９５％の範囲で形成されることを特徴とする、発光素子。」
４　引用例の記載と引用発明
（１）引用例１の記載
　引用例１には、図１〜８とともに、以下の事項が記載されている（下線は当審で付加した。以下同じ。）。
　
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光効率の高い窒化物半導体発光素子とこれを利用した光学装置に関するものである。」
イ　「【００１７】（実施例１）以下において、本発明の実施例１による窒化物半導体レーザダイオード素子が説明される。
【００１８】図１の模式的な断面図に示された実施例１による窒化物半導体レーザダイオード素子は、Ｃ面（０００１）サファイア基板１００、ＧａＮバッファ層１０１、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０２、ｎ型Ｉｎ0.07Ｇａ0.93Ｎクラック防止層１０３、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０４、ｎ型ＧａＮ光ガイド層１０５、発光層１０６、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ遮蔽層１０７、ｐ型ＧａＮ光ガイド層１０８、ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9クラッド層１０９、ｐ型ＧａＮコンタクト層１１０、ｎ型電極１１１、ｐ型電極１１２、および
ＳｉＯ
2
誘電体膜１１３
…（略）…
【００２９】本発明におけるように発光層がＡｓ、Ｐ、またはＳｂを含む場合、熱による発光層の損傷（相分離による発光強度の低下と色斑の発生など）が生じやすく、ＮＨ3以外の雰囲気中で発光層の成長温度より高い温度で基板を保持することは発光強度の低下を招くので好ましくない。したがって、上述のようにＭＯＣＶＤ装置から基板を取出す過程でｐ型化を行なう手法は、基板の取出後にｐ型化のためのアニールの省略を可能にし、非常に有用なものである。なお、従来のｐ型化アニールを省略しなければさらにＭｇの活性化率が向上するが、その際には、発光層の損傷を考慮に入れて少なくとも発光層の成長温度以下（約９００℃以下）においてアニール時間を短く（１０分以下）する必要がある。他方、図１（または図７または
図９）に示されているように発光層
９０４
の側面
を誘電体膜１１３（９１０
覆って
【００３０】次に、ＭＯＣＶＤ装置から取出したエピタキシャルウェハをレーザダイオード素子に加工するプロセスについて説明する。
【００３１】まず、
反応性イオンエッチング装置を用いてｎ型ＧａＮコンタクト層１０２の一部を露出させ
ｎ型電極１１１を形成する
ウ　「【００８１】（実施例６）実施例６は、
窒化物半導体発光ダイオード素子
【００８２】図９（ａ）の発光ダイオード素子は、Ｃ面（０００１）サファイア基板９００、ＧａＮバッファ層９０１（膜厚３０ｎｍ）、
ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２
発光層９０４、ｐ型Ａｌ
0.1
Ｇａ
0.9
Ｎ遮蔽層兼クラッド層９０５
ｐ型ＧａＮコンタクト層９０６
透光性ｐ型電極９０７、パッド電極９０８、ｎ型電極９０９、および誘電体膜９１０を含んでいる
【００８３】ただし、このような発光ダイオード素子において、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ遮蔽層兼クラッド層９０３は省略されてもよい。また、ｐ型電極９０７はＮｉまたはＰｄで形成され、パッド電極９０８はＡｕで形成され、そして
ｎ型電極９０９はＨｆ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ｍｏ、またはＨｆ／Ａｌの積層体で形成され得る
エ　図１、９は以下のとおりのものである。
（２）引用発明
ア（ア）図９（ａ）から、透光性ｐ型電極９０７はｐ型ＧａＮコンタクト層９０６の上に配置されていること、パッド電極９０８は透光性ｐ型電極９０７の上に配置されていること、ｎ型電極９０９はｎ型ＧａＮコンタクト層９０２の上に配置されていること、誘電体膜９１０はｎ型ＧａＮコンタクト層９０２及びｐ型ＧａＮコンタクト層９０６の上に配置されていることが見てとれる。
（イ）図９（ａ）（ｂ）から、誘電体膜９１０は、ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２の上面から、ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ遮蔽層兼クラッド層９０３、発光層９０４、ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ遮蔽層兼クラッド層９０５、ｐ型ＧａＮコンタクト層９０６の側面に沿ってｐ型ＧａＮコンタクト層９０６の上面の一部に延長されて配置されていること、誘電体膜９１０は、ｐ型ＧａＮコンタクト層９０６と透光性ｐ型電極９０７との間に配置されていることが見てとれる。
（ウ）引用例１の上記（１）イの摘記事項及び図１から、ｎ型電極１１１は、発光層１０６の側面を誘電体膜１１３で覆ってから、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０２の一部をエッチングにより露出させ、この露出部分上及び誘電体膜１１３の上に形成したものであるところ、図９に示されるｎ型電極９０９も同様なプロセスで加工されることが開示されているといえる。すなわち、ｎ型電極９０９は、発光層９０４の側面を誘電体膜９１０で覆ってから、ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２の一部をエッチングにより露出させ、この露出部分上及び誘電体膜９１０の上に形成したものであるといえる。
　
イ　そうすると、引用例１の上記（１）のイの摘記事項及び図１を参酌してまとめると、引用例１には、図９に示される「実施例６」として、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２、その上にｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ遮蔽層兼クラッド層９０３、その上に発光層９０４、その上にｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ遮蔽層兼クラッド層９０５、その上にｐ型ＧａＮコンタクト層９０６を含んでおり、
　さらに、ｐ型ＧａＮコンタクト層９０６の上の透光性ｐ型電極９０７、透光性ｐ型電極９０７の上のパッド電極９０８、ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２の上のｎ型電極９０９、およびｎ型ＧａＮコンタクト層９０２及びｐ型ＧａＮコンタクト層９０６の上の誘電体膜９１０を含んでおり、
　誘電体膜９１０は、ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２の上面から、ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ遮蔽層兼クラッド層９０３、発光層９０４、ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ遮蔽層兼クラッド層９０５、ｐ型ＧａＮコンタクト層９０６の側面に沿ってｐ型ＧａＮコンタクト層９０６の上面の一部に延長されて配置され、
　誘電体膜９１０は、ｐ型ＧａＮコンタクト層９０６と透光性ｐ型電極９０７との間に配置され、
　ｎ型電極９０９は、発光層９０４の側面を誘電体膜９１０で覆ってから、ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２の一部をエッチングにより露出させ、この露出部分上及び誘電体膜９１０の上に形成した、窒化物半導体発光ダイオード素子。」 
５　対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明における「ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２」、「発光層９０４」、「ｐ型ＧａＮコンタクト層９０６」、「ｎ型電極９０９」、「透光性ｐ型電極９０７」、「パッド電極９０８」、「窒化物半導体発光ダイオード素子」は、それぞれ本願発明における「第１導電型半導体層」、「活性層」、「第２導電型半導体層」、「第１電極」、「透光性電極層」、「第２電極」、「発光素子」に相当する。
イ　引用発明は、「『ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２』、『その上に発光層９０４』、『その上にｐ型ＧａＮコンタクト層９０６』を含んで」いるから、本願発明と引用発明とは、「第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層の上に活性層、及び前記活性層の上に第２導電型半導体層を含む発光構造物」を含む点で一致する。 
  
ウ　引用発明の「誘電体膜９１０」は、「ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２及びｐ型ＧａＮコンタクト層９０６の上」の膜であり、膜は層であるといえるから、本願発明の「接合層」とは、「前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層の上」の層である点で共通する。 
  
エ　引用発明の「誘電体膜９１０」は、発光ダイオード素子の「ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２の上面から、ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ遮蔽層兼クラッド層９０３、発光層９０４、ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ遮蔽層兼クラッド層９０５、ｐ型ＧａＮコンタクト層９０６の側面に沿ってｐ型ＧａＮコンタクト層９０６の上面の一部に延長されて配置され」た誘電体膜であるから、絶縁性の材質からなるものであるといえる。 
  
オ　本願発明の「前記第１電極と前記第１導電型半導体層が重なる面積は、前記第１電極の上面面積の１０〜９５％の範囲で形成される」ことと、引用発明の「ｎ型電極９０９は、発光層９０４の側面を誘電体膜９１０で覆ってから、ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２の一部をエッチングにより露出させ、
この露出部分
　引用発明において、ｎ型電極９０９は、「この露出部分上及び誘電体膜９１０の上に形成した」ものであり、また、ｎ型電極９０９とｎ型ＧａＮコンタクト層９０２は、上記「この露出部分」において重なる。
　したがって、引用発明において、ｎ型電極９０９とｎ型ＧａＮコンタクト層９０２とが重なる面積のｎ型電極９０９の上面面積に対する割合は、「この露出部分」の面積の「『この露出部分』及びｎ型電極９０９がその上に形成される上記『誘電体膜９１０』」の面積に対する割合が対応するといえる。
　よって、当該「重なる領域」の面積は、ｎ型電極の上面面積より小さいといえる。
　以上から、本願発明と引用発明とは、「前記第１電極と前記第１導電型半導体層が重なる面積は、前記第１電極の上面面積の１００％未満の範囲で形成される」点で共通する。
カ　したがって、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞
「第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層の上に活性層、及び前記活性層の上に第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
　前記第１導電型半導体層の上に第１電極と、
　前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層の上に層と、
　前記第２導電型半導体層の上に透光性電極層と、
　前記透光性電極層の上に第２電極と、を含み、
　前記層は、絶縁性材質からなり、
　前記層は、前記第１導電型半導体層の上面から前記発光構造物の一側面に沿って前記第２導電型半導体層の上面の一部に延長されて配置され、
　前記層は、前記第２導電型半導体層と前記透光性電極層との間に配置され、
　前記第１電極と前記第１導電型半導体層が重なる面積は、前記第１電極の上面面積の１００％未満の範囲で形成される、発光素子。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　「前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層の上」に含む層について、本願発明では「接合層」であるのに対し、引用発明は、誘電体膜９１０が「接合層」であるか不明な点。
＜相違点２＞
　「前記第１電極と前記第１導電型半導体層が重なる面積」と「前記第１電極の上面面積」との大小関係について、本願発明では、「前記第１電極と前記第１導電型半導体層が重なる面積は、前記第１電極の上面面積の１０〜９５％の範囲で形成される」のに対し、引用発明では、「ｎ型電極９０９は、発光層９０４の側面を誘電体膜９１０で覆ってから、ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２の一部をエッチングにより露出させ、この露出部分上及び誘電体膜９１０の上に形成した」ものであるところ、ｎ型電極９０９とｎ型ＧａＮコンタクト層９０２が重なる面積のｎ型電極９０９の上面面積に対する割合の数値範囲が不明である点。
６　当審の判断
　以下、上記相違点１及び相違点２について検討する。
（１）相違点１について
ア　本願明細書の発明の詳細な説明の段落【００３６】には、「上記接合層１３０の透光性絶縁性材質は、例えば、ＳｉＯ２、…のうちの少なくとも１つで形成されることができ」と記載されている。 
　また、同段落【００４６】には、「上記第１電極１５０は、例えば、Ａｕ、
Ａｌ
Ｔｉ
  
イ　一方、引用例１の上記５（１）イ、ウの摘記事項を参照すると、引用例１の段落【００８２】には、誘電体膜９１０の材料について記載されていないが、段落【００１８】及び【００２９】を参照すると、引用例１には、誘電体膜９１０として、ＳｉＯ2誘電体膜が示唆されているものと認められる。
  
　また、引用例１の上記５（１）ウの段落【００８３】には、ｎ型電極９０９について、「ｎ型電極９０９はＨｆ／Ａｕ、
Ｔｉ／Ａｌ
  
ウ　引用例１に記載の誘電体膜９１０として示唆されている膜の材質は、上記アで検討したように、本願明細書の発明の詳細な説明に記載された接合層１３０の材質として挙げられているＳｉＯ２と同じである。 
　また、引用発明は、「ｎ型電極９０９は、発光層９０４の側面を誘電体膜９１０で覆ってから、ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２の一部をエッチングにより露出させ、この露出部分上及び誘電体膜９１０の上に形成した」ものであるところ、引用例１に、「ｎ型電極９０９」（第１電極）の材質として例示されているＴｉ／Ａｌは、上記アで検討したように、本願明細書の発明の詳細な説明に記載された第１電極１５０の材質として例示されているＡｌ、Ｔｉと同じであり、Ｔｉ／Ａｌでない場合も、引用例１の上記５（１）ウの段落【００８３】に記載された「ｎ型電極９０９」の材質と、本願明細書の発明の詳細な説明の段落【００４６】に記載された第１電極１５０の材質は、金属である点で共通する。
　したがって、本願明細書の発明の詳細な説明に開示された接合層１３０と第１電極１５０それぞれの材質、及び引用例１に開示された誘電体膜９１０とｎ型電極９０９それぞれの材質として、いずれも同じものが挙げられているので、引用発明の誘電体膜９１０は本願発明の接合層に相当するといえる。 
  
　仮に、引用発明の誘電体膜９１０が本願発明の接合層に相当するとはいえないとしても、引用発明は、「ｎ型電極９０９は、発光層９０４の側面を誘電体膜９１０で覆ってから、ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２の一部をエッチングにより露出させ、この露出部分上及び誘電体膜９１０の上に形成した」ものであるから、誘電体膜９１０とｎ型電極９０９との間の接合力は大きいことが望ましいことは当然であることと認められる。 
　したがって、引用発明において、誘電体膜９１０を接合層とすることは当業者であれば適宜なし得たことである。 
  
　よって、相違点１は実質的なものではない、また、仮に、相違点１が実質的なものではないとまではいえないとしても、引用発明において、相違点１に係る本願発明の構成を採用することは当業者であれば適宜なし得たことである。 
 　 
（２）相違点２について
ア　本願発明において、第１電極は「前記第１導電型半導体層の上に第１電極」、接合層は「前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層の上に接合層」であり、「『前記接合層は、前記第１導電型半導体層の上面から』『配置され』」ているものの、第１電極の下面と接合層が垂直方向に重畳される領域を有することは、特定されていない。
　そうすると、引用発明において、ｎ型電極とｎ型ＧａＮコンタクト層９０２が重なる面積のｎ型電極の上面の面積に対する割合として、所望の数値範囲を選択することは当業者であれば適宜なし得たことである。
　したがって、引用発明において、相違点２に係る本願発明の構成を採用することは当業者であれば適宜なし得たことである。
イ　一方、本願明細書には、「第１電極１５０と第１導電型半導体層１１２が重なる面積」と「第１電極１５０の上面面積」との大小関係についての記載に関し、以下のように記載されている。
「【００３３】
　図３を参照すると、上記第１電極１５０の下面が上記接合層１３０が垂直方向に重畳される領域の幅（２ｂ）は上記第１電極１５０の上面の全体幅（ａ）の５％〜９０％範囲で形成できる。
上記第１電極１５０と上記第１導電型半導体層１１２とが重畳する面積は、上記第１電極１５０の上面の面積に比べて１０〜９５％範囲で形成できる
ウ　以上の本願明細書及び図面全体の記載を勘案しても、本願発明は、「前記第１電極と前記第１導電型半導体層が重なる面積は、前記第１電極の上面面積の１０〜９５％の範囲で形成される」ものとすることにより、格別の効果を奏するものであることを当業者が認識できる記載は見出せない。
　したがって、上記段落【００３３】の記載を勘案しても、本願発明における「前記第１電極と前記第１導電型半導体層が重なる面積」の「前記第１電極の上面面積」に対する割合の数値範囲の下限値である「１０％」と上限値である「９５％」が臨界的意義を有するものとは認められない。
　以上のとおりであるから、引用発明において、ｎ型電極９０９を、「発光層９０４の側面を誘電体膜９１０で覆ってから、ｎ型ＧａＮコンタクト層９０２の一部をエッチングにより露出させ、この露出部分上及び誘電体膜９１０の上に形成」するに際し、本願発明のように、「前記第１電極と前記第１導電型半導体層が重なる面積は、前記第１電極の上面面積の１０〜９５％の範囲で形成される」との構成を採用することは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度のことと認められる。
　よって、引用発明において、相違点２に係る本願発明の構成を採用することは当業者であれば適宜なし得たことである。
　
（３）判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、相違点１は実質的なものではない、また、仮に、相違点１が実質的なものではないとまではいえないとしても、引用発明において、相違点１に係る本願発明の構成を採用することは当業者であれば適宜なし得たことであり、また、引用発明において、相違点２に係る本願発明の構成を採用することは当業者であれば適宜なし得たことである。
　したがって、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
７　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。