【事件の表示】
　平成１０年特許願第２９３７７５号「サブキャリア多重光伝送方法および送信装置並びにシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　４月２８日出願公開、特開２０００−１２４８５６、請求項の数（１９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１０年１０月１５日に出願されたものであって、原審において、平成１４年１１月７日付で拒絶の理由が通知され、それに対して、平成１４年１２月２７日付で意見書及び手続補正書が提出されたものの、平成１５年１月２３日付で拒絶査定がなされたので、平成１５年２月２６日付で拒絶査定不服の審判が請求され、平成１５年３月２０日付で審判請求の理由を記載した手続補正書（方式）及び明細書の補正を目的とする手続補正書が提出されたものである。
　
第２．平成１５年３月２０日付提出の手続補正の却下の決定
１．結論
　平成１５年３月２０日付提出の手続補正を却下する。
　
２．理由
（１）平成１５年３月２０日付提出の手続補正は、明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を補正するものであって、その内、特許請求の範囲の補正（以下、「本件手続補正」という。）は、請求項の数を１９から１８に減ずるものであって、請求項１については、実質的に当該補正前の請求項２の内容を取り込み、
　「【請求項１】　それぞれ少なくとも１つのキャリアを含む複数の周波数帯の信号が多重された周波数分割多重信号を光伝送するサブキャリア多重光伝送方法であって、
　前記周波数分割多重信号を光源である半導体レーザを介して光伝送する前に、
　周波数帯に応じて前記半導体レーザにおいて発生する３次相互変調ひずみの周波数特性に基づいて、前記周波数分割多重信号の内、低ひずみ特性が得られる１または２以上の前記周波数帯以外の前記周波数帯の信号に対して３次相互変調ひずみ補償を行うことを特徴とする、サブキャリア多重光伝送方法。
　【請求項２】　前記低ひずみ特性が得られる１または２以上の前記周波数帯の信号は、前記半導体レーザにおいて発生する３次相互変調ひずみが極小となる１または２以上の周波数を中心周波数とする信号であることを特徴とする、請求項１に記載のサブキャリア多重光伝送方法。」
から、
　「【請求項１】　それぞれ少なくとも１つのキャリアを含む複数の周波数帯の信号が多重された周波数分割多重信号を光源を介して光伝送するサブキャリア多重光伝送方法であって、
　前記光源は、１または２以上の前記周波数帯の中心周波数において、発生する３次相互変調ひずみが極小となる周波数特性を有するように設定された半導体レーザであり、
　前記周波数分割多重信号を前記半導体レーザを介して光伝送する前に、
　前記周波数分割多重信号の内、前記半導体レーザにおいて発生する３次相互変調ひずみが極小となる前記１または２以上の周波数帯以外の前記周波数帯の信号に対して一括した３次相互変調ひずみ補償を行うことを特徴とする、サブキャリア多重光伝送方法。」
に補正し、
　
　又、当該補正前の請求項３を新たな請求項２とすると共に、
　「【請求項３】　前記半導体レーザにおいて発生する３次相互変調ひずみが極小となる１または２以上の周波数が、複数の前記周波数帯の内の所望の１つに一致するよう前記半導体レーザのバイアス電流および／または温度を設定することを特徴とする、請求項２に記載のサブキャリア多重光伝送方法。」
から、
　「【請求項２】　前記半導体レーザにおいて発生する３次相互変調ひずみが極小となる１または２以上の周波数が、複数の前記周波数帯の中心周波数のいずれかと一致するように、前記半導体レーザのバイアス電流および／または温度を設定することを特徴とする、請求項１に記載のサブキャリア多重光伝送方法。」
に補正し、
　
　又、当該補正前の請求項４以降は、上記補正に伴って、請求項の番号を１つずつ繰り上げたものである。
　
　すなわち、本件手続補正は、請求項１において、
（ａ）「周波数分割多重信号を光伝送するサブキャリア多重光伝送方法であって、」を「周波数分割多重信号を光源を介して光伝送するサブキャリア多重光伝送方法であって、」に補正し、
（ｂ）「前記光源は、１または２以上の前記周波数帯の中心周波数において、発生する３次相互変調ひずみが極小となる周波数特性を有するように設定された半導体レーザであり、」を追加し、
（ｃ）「前記周波数分割多重信号を光源である半導体レーザを介して光伝送する前に、」を「前記周波数分割多重信号を前記半導体レーザを介して光伝送する前に、」に補正し、
（ｄ）「周波数帯に応じて前記半導体レーザにおいて発生する３次相互変調ひずみの周波数特性に基づいて、前記周波数分割多重信号の内、低ひずみ特性が得られる１または２以上の前記周波数帯以外の前記周波数帯の信号に対して」を「前記周波数分割多重信号の内、前記半導体レーザにおいて発生する３次相互変調ひずみが極小となる前記１または２以上の周波数帯以外の前記周波数帯の信号に対して」と補正し、
（ｅ）「３次相互変調ひずみ補償を行うこと」を「一括した３次相互変調ひずみ補償を行うこと」に補正し、
　
（ｆ）又、請求項２においては、補正前の請求項３における
「複数の前記周波数帯の内の所望の１つに一致するよう」
を
　「複数の前記周波数帯の中心周波数のいずれかと一致するように、」
と補正するものである。
　
（２）そこで本件手続補正が特許法第１７条の２に規定する要件を満たしているか否かを以下検討する。
　本件手続補正の内、（ａ）は、「光伝送」が光源を介して行なわれることを限定的に減縮するものであり、又、（ｂ）は、実質的には補正前の請求項２に係る発明の構成要件を付加したものであって、光源となる半導体レーザの３次相互変調ひずみの周波数特性を限定的に減縮するものであり、更に、（ｃ）は、「半導体レーザ」が前記したものであることに限定的に減縮するものであり、又、（ｄ）は、「３次相互変調ひずみ補償」を行なう信号を限定的に減縮するものであり、（ｆ）は、半導体レーザにおいて発生する３次相互変調ひずみが極小となる１または２以上の周波数が、複数の前記周期数体の中心周波数のいずれかと一致する周波数であることを限定的に減縮するものである。
　
　したがって、本件手続補正の内、（ａ）乃至（ｄ）及び（ｆ）は、特許法第１７条の２第３項乃至第５項に規定する要件を満たしている。
　
（３）次に、本件手続補正（ｅ）が特許法第１７条の２第３項乃至第５項に規定する要件を満たしているか否かについて検討する。
　本件手続補正の補正の根拠について、請求人は審判請求の理由中で、
　「平成１５年３月２０日付け手続補正書における、請求項１及び請求項２の補正事項は、出願当初の明細書における段落［０００８］及び［００３７］〜［００３９］の記載に基づくものです。」
と述べている。」
　
　そこで、出願当初の明細書の発明の詳細な説明の段落【０００８】及び【００３７】〜【００３９】に記載を見ると、
段落【０００８】には、
　「【０００８】
　第２の発明は、第１の発明において、低ひずみ特性が得られる１または２以上の周波数帯の信号は、半導体レーザにおいて発生するひずみが極小となる１または２以上の周波数を中心周波数とする周波数帯の信号とすることを特徴とする。」
又、段落【００３７】〜【００３９】には、
　「【００３７】
　次に、図２および図３をさらに参照して、第１の実施形態に係るサブキャリア多重光伝送送信装置の動作を具体例を挙げて説明する。
　図２は、入力信号の周波数スペクトラムの一例を示す模式図である。図２において、入力信号は、中心周波数がｆ１である周波数帯（以下、周波数帯ｆ１という）の信号と中心周波数がｆ２である周波数帯（以下、周波数帯ｆ２という）の信号とを、周波数分割多重した信号である。なお、周波数帯ｆ１の信号および周波数帯ｆ２の信号は、それぞれ少なくとも１キャリアからなる。
　【００３８】
　図３は、図２の周波数帯ｆ１および周波数帯ｆ２に関する、半導体レーザにおけるバイアス電流（しきい値電流分を除く）と２トーン３次相互変調ひずみＩＭ３との関係を表したひずみＭＱＷ−ＤＦＢレーザ特性の一例を示す図である。図３において、周波数帯ｆ１においては、バイアス電流が約３５ｍＡのときに最小のひずみを持つ特性であり、周波数帯ｆ２においては、バイアス電流が約５０ｍＡのときに最小のひずみを持つ特性である。
　ここで、半導体レーザで発生するひずみについて簡単に説明する。一般的に、半導体レーザにおいては、本来緩和振動周波数に近づくに従ってひずみ（これを真性ひずみと呼ぶ）が増加する。一方、ホールバーニングによってもひずみ（これをホールバーニングひずみと呼ぶ）が生じる。これら真性ひずみとホールバーニングひずみは、半導体レーザにおける主たる２つのひずみであるが、各々独立したメカニズムで発生するため、ある条件において両者のひずみが打ち消し合うポイントが存在する。この条件下では、図３に示すようにひずみが最小の状態となる（図３において、ひずみが最小の状態の両側で、主たるひずみの発生メカニズムが異なるのである）。周波数で考えてみると、周波数帯によって真性ひずみが主たる場合とホールバーニングひずみが主たる場合とがあるため、各周波数帯ごとにひずみ特性が異なる。従って、このように異なる発生メカニズムで生じた２種のひずみに対して、一つの回路で全周波数帯域に渡って最適にひずみ補償を行うことが困難であることは容易に分かる。
　【００３９】
　今、電気光変換部１４において半導体レーザをバイアス電流３５ｍＡで駆動する場合について説明する。
　信号分離部１１は、図２に示したような２つの周波数帯信号が多重された信号を入力し、周波数的に２つの信号、すなわち周波数帯ｆ１の信号および周波数帯ｆ２の信号に分離する。ここで、信号分離部１１は、半導体レーザを駆動するバイアス電流３５ｍＡにおいて、ひずみ量が少ない周波数帯ｆ１の信号を信号合成部１３へ出力し、ひずみ量が多い周波数帯ｆ２の信号をひずみ補償部１２へ出力する（図３を参照）。ひずみ補償部１２は、入力する周波数帯ｆ２の信号に対し、バイアス電流３５ｍＡで半導体レーザにおいて光信号に変換され伝送された時にひずみが低減するように相殺用ひずみを生成し、当該周波数帯ｆ２の信号に付加する。そして、信号合成部１３は、信号分離部１１が出力する周波数帯ｆ１の信号とひずみ補償部１２が出力するひずみ補償後の周波数帯ｆ２の信号とを合成し、周波数分割多重する。電気光変換部１４は、信号合成部１３が出力する周波数分割多重された電気信号を光信号に変換して出力する。」
と記載されているだけであって、そこには、周波数分割多重信号の内、前記半導体レーザにおいて発生する３次相互変調ひずみが極小となる前記１または２以上の周波数帯以外の前記周波数帯の信号に対して「一括した」３次相互変調ひずみ補償を行うことは記載されていない。
　
　又、本願の願書に最初に添付した明細書及び図面のその余の記載を見ても、一括した３次相互変調ひずみ補償を行なうことは記載されていない。
　
　したがって、手続補正（ｅ）は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でない新規な事項を追加するものである。
　
（４）以上の通りであるので、この手続補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　よって結論のとおり決定する。
　
第３．本願発明
１．本願発明１乃至１９
　上記のとおり、平成１５年３月２０日付の手続補正は却下されたので、本願の請求項１乃至１９に係る発明は、平成１４年１２月２７日付手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至１９に記載された以下のとおりの事項により特定されるものである（これを、それぞれ「本願補正前発明１乃至１９」という。）。
　「【請求項１】　それぞれ少なくとも１つのキャリアを含む複数の周波数帯の信号が多重された周波数分割多重信号を光伝送するサブキャリア多重光伝送方法であって、
　前記周波数分割多重信号を光源である半導体レーザを介して光伝送する前に、
　周波数帯に応じて前記半導体レーザにおいて発生する３次相互変調ひずみの周波数特性に基づいて、前記周波数分割多重信号の内、低ひずみ特性が得られる１または２以上の前記周波数帯以外の前記周波数帯の信号に対して３次相互変調ひずみ補償を行うことを特徴とする、サブキャリア多重光伝送方法。
　【請求項２】　前記低ひずみ特性が得られる１または２以上の前記周波数帯の信号は、前記半導体レーザにおいて発生する３次相互変調ひずみが極小となる１または２以上の周波数を中心周波数とする信号であることを特徴とする、請求項１に記載のサブキャリア多重光伝送方法。
　【請求項３】　前記半導体レーザにおいて発生する３次相互変調ひずみが極小となる１または２以上の周波数が、複数の前記周波数帯の内の所望の１つに一致するよう前記半導体レーザのバイアス電流および／または温度を設定することを特徴とする、請求項２に記載のサブキャリア多重光伝送方法。
　【請求項４】　それぞれ少なくとも１つのキャリアを含み、かつ中心周波数がｆ１〜ｆｎ（ｎは、２以上の整数）である複数の周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号が多重された、周波数分割多重信号を光伝送するサブキャリア多重光伝送装置であって、
　前記周波数分割多重信号を入力し、前記複数の周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号に分離する信号分離手段と、
　前記信号分離手段が出力する周波数帯ｆ２〜ｆｎの信号に対してそれぞれ設けられ、各周波数帯に応じて光源で発生する３次相互変調ひずみが低減するように各信号のひずみを補償する（ｎ−１）個のひずみ補償手段と、
　前記信号分離手段が出力する周波数帯ｆ１の信号と前記（ｎ−１）個のひずみ補償手段がそれぞれ出力する（ｎ−１）個の信号とを合成する信号合成手段と、
　光源として前記周波数帯ｆ１において３次相互変調ひずみが極小となる半導体レーザを有し、前記信号合成手段が出力する電気信号を光信号に変換して出力する電気光変換手段とを備える、サブキャリア多重光伝送送信装置。
　【請求項５】　それぞれ少なくとも１つのキャリアを含み、かつ中心周波数がｆ１〜ｆｎ（ｎは、２以上の整数）である複数の周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号を、周波数分割多重して光伝送するサブキャリア多重光伝送装置であって、
　入力する周波数帯ｆ２〜ｆｎの信号に対してそれぞれ設けられ、各周波数帯に応じて光源で発生する３次相互変調ひずみが低減するように各信号のひずみを補償する（ｎ−１）個のひずみ補償手段と、
　入力する周波数帯ｆ１の信号と前記（ｎ−１）個のひずみ補償手段がそれぞれ出力する（ｎ−１）個の信号とを合成する信号合成手段と、
　光源として前記周波数帯ｆ１において３次相互変調ひずみが極小となる半導体レーザを有し、前記信号合成手段が出力する電気信号を光信号に変換して出力する電気光変換手段とを備える、サブキャリア多重光伝送送信装置。
　【請求項６】　それぞれ少なくとも１つのキャリアを含み、かつ中心周波数がｆ１〜ｆｎ（ｎは、２以上の整数）である複数の周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号を、周波数分割多重して光伝送するサブキャリア多重光伝送装置であって、
　入力する周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号の内、予め定めたｍ個（ｍは、ｎ未満の整数）の周波数帯の信号に対してそれぞれ設けられ、各周波数帯に応じて光源で発生する３次相互変調ひずみが低減するように各信号のひずみを補償するｍ個のひずみ補償手段と、
　入力する周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号の内、前記ｍ個の周波数帯の信号以外の（ｎ−ｍ）個の周波数帯の信号と前記ｍ個のひずみ補償手段がそれぞれ出力するｍ個の信号とを合成する信号合成手段と、
　光源として前記ｍ個の周波数帯以外において各々３次相互変調ひずみが極小となる半導体レーザを有し、前記信号合成手段が出力する電気信号を光信号に変換して出力する電気光変換手段とを備える、サブキャリア多重光伝送送信装置。
　【請求項７】　前記半導体レーザにおいて発生する３次相互変調ひずみが極小となる周波数が、前記周波数帯ｆ１に一致するよう前記半導体レーザのバイアス電流および／または温度を設定することを特徴とする、請求項４または５に記載のサブキャリア多重光伝送送信装置。
　【請求項８】　前記半導体レーザにおいて発生する３次相互変調ひずみが極小となる各々の周波数が、前記ｍ個の周波数帯以外の周波数帯にそれぞれ一致するよう前記半導体レーザのバイアス電流および／または温度を設定することを特徴とする、請求項６に記載のサブキャリア多重光伝送送信装置。
　【請求項９】　前記半導体レーザは、緩和振動周波数に依存するひずみとホールバーニングによるひずみとが打ち消し合うことにより、３次相互変調ひずみの極小を有することを特徴とする、請求項４〜６のいずれかに記載のサブキャリア多重光伝送送信装置。
　【請求項１０】　前記半導体レーザは、ひずみＭＱＷ−ＤＦＢレーザであることを特徴とする、請求項４〜６のいずれかに記載のサブキャリア多重光伝送送信装置。
　【請求項１１】　入力する前記複数の周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号の内、一部もしくは全部が無線通信に適用する信号であることを特徴とする、請求項４〜６のいずれかに記載のサブキャリア多重光伝送送信装置。
　【請求項１２】　前記無線通信に適用する信号は、携帯端末用無線信号であることを特徴とする、請求項１１に記載のサブキャリア多重光伝送送信装置。
　【請求項１３】　それぞれ少なくとも１つのキャリアを含み、かつ中心周波数がｆ１〜ｆｎ（ｎは、２以上の整数）である複数の周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号が多重された、周波数分割多重信号を光伝送するサブキャリア多重光伝送システムであって、
　前記周波数分割多重信号を入力し、前記複数の周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号に分離する信号分離手段と、
　前記信号分離手段が出力する周波数帯ｆ２〜ｆｎの信号に対してそれぞれ設けられ、各周波数帯に応じて光源で発生する３次相互変調ひずみが低減するように各信号のひずみを補償する（ｎ−１）個のひずみ補償手段と、
　前記信号分離手段が出力する周波数帯ｆ１の信号と前記（ｎ−１）個のひずみ補償手段がそれぞれ出力する（ｎ−１）個の信号とを合成する信号合成手段と、
　光源として前記周波数帯ｆ１において３次相互変調ひずみが極小となる半導体レーザを有し、前記信号合成手段が出力する電気信号を光信号に変換して出力する電気光変換手段と、
　前記電気光変換手段が出力する光信号を伝送する光伝送路と、
　前記光伝送路を伝送された光信号を受信し、電気信号に変換するサブキャリア多重光伝送受信手段とを備える、サブキャリア多重光伝送システム。
　【請求項１４】　それぞれ少なくとも１つのキャリアを含み、かつ中心周波数がｆ１〜ｆｎ（ｎは、２以上の整数）である複数の周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号を、周波数分割多重して光伝送するサブキャリア多重光伝送装置であって、
　入力する周波数帯ｆ２〜ｆｎの信号に対してそれぞれ設けられ、各周波数帯に応じて光源で発生する３次相互変調ひずみが低減するように各信号のひずみを補償する（ｎ−１）個のひずみ補償手段と、
　入力する周波数帯ｆ１の信号と前記（ｎ−１）個のひずみ補償手段がそれぞれ出力する（ｎ−１）個の信号とを合成する信号合成手段と、
　光源として前記周波数帯ｆ１において３次相互変調ひずみが極小となる半導体レーザを有し、前記信号合成手段が出力する電気信号を光信号に変換して出力する電気光変換手段と、
　前記電気光変換手段が出力する光信号を伝送する光伝送路と、
　前記光伝送路を伝送された光信号を受信し、電気信号に変換するサブキャリア多重光伝送受信手段とを備える、サブキャリア多重光伝送システム。
　【請求項１５】　それぞれ少なくとも１つのキャリアを含み、かつ中心周波数がｆ１〜ｆｎ（ｎは、２以上の整数）である複数の周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号を、周波数分割多重して光伝送するサブキャリア多重光伝送装置であって、
　入力する周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号の内、予め定めたｍ個（ｍは、ｎ未満の整数）の周波数帯の信号に対してそれぞれ設けられ、各周波数帯に応じて光源で発生する３次相互変調ひずみが低減するように各信号のひずみを補償するｍ個のひずみ補償手段と、
　入力する周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号の内、前記ｍ個の周波数帯の信号以外の（ｎ−ｍ）個の周波数帯の信号と前記ｍ個のひずみ補償手段がそれぞれ出力するｍ個の信号とを合成する信号合成手段と、
　光源として前記ｍ個の周波数帯以外において各々３次相互変調ひずみが極小となる半導体レーザを有し、前記信号合成手段が出力する電気信号を光信号に変換して出力する電気光変換手段と、
　前記電気光変換手段が出力する光信号を伝送する光伝送路と、
　前記光伝送路を伝送された光信号を受信し、電気信号に変換するサブキャリア多重光伝送受信手段とを備える、サブキャリア多重光伝送システム。
　【請求項１６】　前記サブキャリア多重光伝送受信手段が出力する電気信号を空間に放射するアンテナをさらに備え、
　前記複数の周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号は、変調器から与えられ、かつ、当該信号の内の一部もしくは全部が無線通信に適用する信号であることを特徴とする、請求項１３〜１５のいずれかに記載のサブキャリア多重光伝送システム。
　【請求項１７】　無線信号を受けるアンテナをさらに備え、
　前記信号分離手段に入力される前記周波数分割多重信号、または前記ひずみ補償手段に入力される信号は、前記アンテナから与えられ、かつ、当該信号の内の一部もしくは全部が無線通信に適用する信号であり、
　前記サブキャリア多重光伝送受信手段は、変換した電気信号を復調器に出力することを特徴とする、請求項１３〜１５のいずれかに記載のサブキャリア多重光伝送システム。
　【請求項１８】　前記光伝送路が光ファイバであることを特徴とする、請求項１３〜１７のいずれかに記載のサブキャリア多重光伝送システム。
　【請求項１９】　前記光伝送路が自由空間であることを特徴とする、請求項１３〜１７のいずれかに記載のサブキャリア多重光伝送システム。」
　
２．引用文献に記載の発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平８−２１３９５０号公報（引用文献１）には、複数の周波数帯域から構成される電気信号を多重化して光伝送する際に、光源である半導体レーザが発生するひずみを電気的に補償する光伝送方式が記載されている
　
（２）同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５６−１４７４１号公報（引用文献２）（特に、図２及びその説明）には、アンテナから得られた多重信号のうち低ひずみ特性が得られる周波数帯の信号以外の周波数帯の信号に対して個別にひずみ補償を行なう技術思想が記載されている。
　
（３）同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−３０３８３号公報（引用文献３），特開平６−８５３７３号公報（引用文献４），特開平６−３４２９５９号公報（引用文献５）及び特開平８−７８７７９号公報（引用文献６）には、半導体レーザにおいて発生するひずみが極小となるように半導体レーザのバイアス電流や温度を設定すること及び、半導体レーザにおいて緩和振動周波数に依存する歪みやホールバーニングによる歪みを考慮することは周知技術（引用文献３乃至６）であること、及び、ＭＱＷ−ＤＦＢレーザは周知技術（引用文献５）であることが記載されている。
　
（４）原査定に周知文献として引用された特開平７−１９３４５３号公報（引用文献７）の第７０段落には、半導体レーザが持つ非線形性によって出力される光信号がひずむこと及び、このひずみに周波数依存性が存在することは当業者にとって周知なことであることが記載されており、又、同じく、原査定に周知文献として引用された特開平９−８３２７０号公報（引用文献８）には、周波数多重された信号を周波数帯（周波数帯域）ごとに処理することは周知技術であることが記載されており、更に、特開平７−２５００２６号（引用文献９）には、ひずみとして３次相互変調ひずみが存在することは当業者にとって周知技術であることが記載されている。
　
（５）対比・判断
（ａ）そこで、引用文献１乃至９に記載の発明と本願補正前発明１とを対比すると、引用文献１乃至９には、本願補正前発明１の構成要件の一部である、周波数帯に応じて半導体レーザにおいて発生する３次相互変調ひずみの周波数特性に基づいて、周波数分割多重信号の内、低ひずみ特性が得られる１または２以上の前記周波数帯以外の前記周波数帯の信号に対して３次相互変調ひずみ補償を行うことについては記載されておらず、又、そのことを示唆する記載も存在しない。
　したがって、本願補正前発明１は、引用文献１乃至９に記載の発明と同一であるとも、又は、それらから当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　
（ｂ）次に、本願補正前発明２及び３は、本願補正前発明１を前提とするものであるので、本願補正前発明１と同じ理由により、引用文献１乃至９に記載の発明と同一であるとも、又は、それらから当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　
（ｃ）引用文献１乃至９に記載の発明と本願補正前発明４とを対比すると、引用文献１乃至９には、本願補正前発明４の構成要件の一部である、周波数分割多重信号を入力し、複数の周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号に分離する信号分離手段と前記信号分離手段が出力する周波数帯ｆ２〜ｆｎの信号に対してそれぞれ設けられ、各周波数帯に応じて光源で発生する３次相互変調ひずみが低減するように各信号のひずみを補償する（ｎ−１）個のひずみ補償手段と、前記信号分離手段が出力する周波数帯ｆ１の信号と前記（ｎ−１）個のひずみ補償手段がそれぞれ出力する（ｎ−１）個の信号とを合成する信号合成手段と、光源として前記周波数帯ｆ１において３次相互変調ひずみが極小となる半導体レーザを有することについては記載されておらず、又、そのことを示唆する記載も存在しない。
　したがって、本願補正前発明４は、引用文献１乃至９に記載の発明と同一であるとも、又は、それらから当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　
（ｄ）引用文献１乃至９に記載の発明と本願補正前発明５とを対比すると、引用文献１乃至９には、本願補正前発明５の構成要件の一部である、入力する周波数帯ｆ２〜ｆｎの信号に対してそれぞれ設けられ、各周波数帯に応じて光源で発生する３次相互変調ひずみが低減するように各信号のひずみを補償する（ｎ−１）個のひずみ補償手段と、入力する周波数帯ｆ１の信号と前記（ｎ−１）個のひずみ補償手段がそれぞれ出力する（ｎ−１）個の信号とを合成する信号合成手段と、光源として前記周波数帯ｆ１において３次相互変調ひずみが極小となる半導体レーザを有することについては記載されておらず、又、そのことを示唆する記載も存在しない。
　したがって、本願補正前発明５は、引用文献１乃至９に記載の発明と同一であるとも、又は、それらから当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　
（ｅ）引用文献１乃至９に記載の発明と本願補正前発明６とを対比すると、引用文献１乃至９には、本願補正前発明６の構成要件の一部である、入力する周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号の内、予め定めたｍ個（ｍは、ｎ未満の整数）の周波数帯の信号に対してそれぞれ設けられ、各周波数帯に応じて光源で発生する３次相互変調ひずみが低減するように各信号のひずみを補償するｍ個のひずみ補償手段と、入力する周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号の内、前記ｍ個の周波数帯の信号以外の（ｎ−ｍ）個の周波数帯の信号と前記ｍ個のひずみ補償手段がそれぞれ出力するｍ個の信号とを合成する信号合成手段と、光源として前記ｍ個の周波数帯以外において各々３次相互変調ひずみが極小となる半導体レーザを有することについては記載されておらず、又、そのことを示唆する記載も存在しない。
　したがって、本願補正前発明６は、引用文献１乃至９に記載の発明と同一であるとも、又は、それらから当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　
（ｆ）本願補正前発明７乃至１１は、本願補正前発明４，５又は６のいずれかを前提とする発明であり、又、本願補正前発明１２は、本願補正前発明１１を前提とする発明であるので、それらは、本願補正前発明４乃至６と同じ理由により、引用文献１乃至９に記載の発明と同一であるとも、又は、それらから当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　
（ｇ）引用文献１乃至９に記載の発明と本願補正前発明１３とを対比すると、引用文献１乃至９には、本願補正前発明１３の構成要件の一部である、信号分離手段が出力する周波数帯ｆ２〜ｆｎの信号に対してそれぞれ設けられ、各周波数帯に応じて光源で発生する３次相互変調ひずみが低減するように各信号のひずみを補償する（ｎ−１）個のひずみ補償手段と、前記信号分離手段が出力する周波数帯ｆ１の信号と前記（ｎ−１）個のひずみ補償手段がそれぞれ出力する（ｎ−１）個の信号とを合成する信号合成手段と、光源として前記周波数帯ｆ１において３次相互変調ひずみが極小となる半導体レーザを有することについては記載されておらず、又、そのことを示唆する記載も存在しない。
　したがって、本願補正前発明１３は、引用文献１乃至９に記載の発明と同一であるとも、又は、それらから当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　
（ｈ）引用文献１乃至９に記載の発明と本願補正前発明１４とを対比すると、引用文献１乃至９には、本願補正前発明１４の構成要件の一部である、入力する周波数帯ｆ２〜ｆｎの信号に対してそれぞれ設けられ、各周波数帯に応じて光源で発生する３次相互変調ひずみが低減するように各信号のひずみを補償する（ｎ−１）個のひずみ補償手段と、入力する周波数帯ｆ１の信号と前記（ｎ−１）個のひずみ補償手段がそれぞれ出力する（ｎ−１）個の信号とを合成する信号合成手段と、光源として前記周波数帯ｆ１において３次相互変調ひずみが極小となる半導体レーザを有することについては記載されておらず、又、そのことを示唆する記載も存在しない。
　したがって、本願補正前発明１４は、引用文献１乃至９に記載の発明と同一であるとも、又は、それらから当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　
（ｉ）引用文献１乃至９に記載の発明と本願補正前発明１５とを対比すると、引用文献１乃至９には、本願補正前発明１５の構成要件の一部である、入力する周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号の内、予め定めたｍ個（ｍは、ｎ未満の整数）の周波数帯の信号に対してそれぞれ設けられ、各周波数帯に応じて光源で発生する３次相互変調ひずみが低減するように各信号のひずみを補償するｍ個のひずみ補償手段と、入力する周波数帯ｆ１〜ｆｎの信号の内、前記ｍ個の周波数帯の信号以外の（ｎ−ｍ）個の周波数帯の信号と前記ｍ個のひずみ補償手段がそれぞれ出力するｍ個の信号とを合成する信号合成手段と、光源として前記ｍ個の周波数帯以外において各々３次相互変調ひずみが極小となる半導体レーザを有することについては記載されておらず、又、そのことを示唆する記載も存在しない。
　したがって、本願補正前発明１５は、引用文献１乃至９に記載の発明と同一であるとも、又は、それらから当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　
（ｊ）本願補正前発明１６及び１７は、本願補正前発明１３乃至１５のいずれかを前提とする発明であり、又、本願補正前発明１８及び１９は、本願補正前発明１３乃至１７のいずれかを前提とする発明であるので、それらは、本願補正前発明１３乃至１５と同じ理由により、引用文献１乃至９に記載の発明と同一であるとも、又は、それらから当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　
第４．むすび
　以上の通りであるので、本願補正前発明１乃至１９は、引用文献１乃至９に記載の発明と同一であるとも、又は、それらから当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　したがって、原査定を取消し、本願の発明は、特許すべきものとする。
　
　よって、結論のとおり審決する。