【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年1月28日(2010.1.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
ドナー原子を導入して、該ドナー原子の原子核において大きな電子波動関数を有するドナー原子核スピン電子システムの配列が形成され、前記ドナー電子が非縮退の最低スピンエネルギーレベルだけをもつ半導体基層と、
前記基層上の絶縁層と、
各ドナー原子上方で前記絶縁層上に設けられ、前記ドナー電子と前記ドナー原子の原子核スピンとの間での微細相互作用の強度及び前記ドナー原子の前記原子核スピンの共鳴周波数を制御する導電Aゲートと、
Ａゲート間において前記絶縁層上に設けられ、隣接する前記ドナー原子の原子核スピン間において電子を介する接続を断続する導電Ｊゲートと、を備え、
前記ドナー原子の前記原子核スピンは、前記Ａ及びＪゲートに対する電圧の選択的適用及び前記基層に対する交番磁場の選択的適用によりバイナリ情報が格納され処理される量子状態又は「キュービット」となっている、量子コンピュータ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２１】
前記電子装置は、
少なくとも１つのドナー原子を導入して、該ドナー原子の原子核において大きな電子波動関数を有するドナー原子核スピン電子システムが形成された半導体基層と、
前記基層上の絶縁層と、
前記ドナー原子上方で前記絶縁層上に設けられ、ドナー電子と前記ドナー原子の原子核スピンとの間での微細相互作用の強度及び前記ドナー原子の前記原子核スピンの共鳴周波数を制御すると共に、前記ドナーにおける拘束電子状態の化学ポテンシャルを制御する導電Aゲートと、
前記Ａゲートのいずれかの側において前記絶縁層上に設けられ、前記ドナーの近傍に電子を引き寄せる導電Ｅゲートと、を備え、
使用時に、前記ゲートがバイアスされることで、伝送が許可される場合に電子が前記ドナーの状態を突き抜けることができるようになっている、請求項１８、１９、２０のいずれか１項に記載の量子コンピュータ。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
［発明の概要］
本発明は、ドナー原子を導入して、該ドナー原子の原子核において大きな電子波動関数を有するドナー原子核スピン電子システムの配列が形成され、前記ドナー電子（前記ドナー原子に弱く拘束された電子）が非縮退の最低スピンエネルギーレベルだけをもつ半導体基層と、
前記基層上の絶縁層と、
各ドナー原子上方で前記絶縁層上に設けられ、前記ドナー電子と前記ドナー原子の原子核スピンとの間での微細相互作用の強度及び前記ドナー原子の前記原子核スピンの共鳴周波数を制御する導電Aゲートと、
Ａゲート間において前記絶縁層上に設けられ、隣接する前記ドナー原子の原子核スピン間において電子を介する接続を断続する導電Ｊゲートと、を備え、
前記ドナー原子の前記原子核スピンは、前記Ａ又はＪゲートに対する電圧の選択的適用及び前記基層に対する交番磁場の選択的適用によりバイナリ情報が格納され処理される量子状態又は「キュービット」となっている、量子コンピュータである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
このような装置では、演算中に処理される量子状態（又はキュービット）の存続期間が演算時間を超えていなければならない。さもなくば、量子アルゴリズムが拠所とするコンピュータ内の統一状態が破壊されてしまう。原子核スピンが、半導体ホスト中で正電荷に滞電されたドナー上に位置するならば、電子が結合される原子核スピン演算及び単一原子核スピンの検出に必要な条件を生じさせることが出来る。こうして、電子波動関数がドナー原子核に集中され（もともと原子核に形成されているｓ電子軌道及びエネルギーバンドに対して）、大きな微細相互作用エネルギーを発生させる。しかし浅いレベルのドナーに対しては、電子波動関数がドナー原子核から数１０又は数１００オングストロームまで届き、電子を仲介とする原子核スピン結合を相当距離先で発生させることができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
原子核スピンの極性化及び計測のための電子装置は、
少なくとも１つのドナー原子を導入して、該ドナー原子の原子核において大きな電子波動関数を有するドナー原子核スピン電子システムが形成された半導体基層と、
前記基層上の絶縁層と、
前記ドナー原子上方で前記絶縁層上に設けられ、前記ドナーにおける拘束電子状態のエネルギーを制御する導電Ａゲートと、
前記Ａゲートのどちらか一方において前記絶縁層上に設けられ、前記ドナーの近傍に電子を引き寄せる導電Ｅゲートと、を備え、
使用時に、前記ゲートがバイアスされることで、遷移が許可される場合に１つ以上の電子が前記ドナーの状態と相互作用し得るようになっている。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
図２は、Ａゲートに適用された電場が、原子核の微少相互作用及び共鳴周波数を低減させると共に、電子波動関数をどのようにしてドナー原子からバリアに向けて引き出すかを示している。ドナー原子核スピン電子システムは電圧制御振動子として作用する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
図３は、Ｊゲートに適用された電場が、ドナー間の静電気ポテンシャルバリアＶを重複した電子波動関数に比例して変化させることにより、交換結合をどのように促進又は低減させるのかを示している。Ｖ＝０の際の交換周波数（＝４Ｊ／ｈ）がシリコンについて示されている。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
［本発明の最も好ましい実施形態］
まず図１（縮尺は関係ない）を参照すると、２つのセル２、３を有する１次元配列１はシリコン基層４を構成しており、このシリコン基層４には３１Ｐからなる２つのドナー原子５、６が表面７の２００オングストローム下方に導入されている。各セルには３１Ｐからなる１つの原子があり、これら原子は少なくとも２００オングストローム離間されている。複数の導電Ａゲート８が、前記シリコン基層４上の絶縁層９であるＳｉＯ２上に設けられており、各Ａゲートは各３１Ｐ原子の真上に配置されている。導電Ｊゲート１０が、各セル２、３間において前記絶縁層９上に設けられている。前記複数のゲートと交差する段１１が、ドナー原子５、６の近傍にゲート電場を集中させている。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
【数２】
2001516974.tif 000001
また上記数２は接触超微細通信エネルギーであり、当該原子核における、下記数３の電子波動関数についての確率密度をもったものである。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
電子ドナーシステムに対するＡゲートにかけられた電場により、電子波動関数包が原子核からシフトされ、微細相互作用が低減される。このようなシリコンにおける低いドナーのシュタルクシフト（Stark shift）のサイズは、ゲートの２００オングストローム下のドナーに関して図２のように示される。ドナー原子核スピン電子システムは電圧制御振動子としてのＡゲート機能に近接配置される。即ち、原子核スピンにおける歳差運動周波数は外部的には制御可能であり、外部からかけられた交番磁場、ＢＡＣ＝１０−３Ｔ、によってスピンは選択的に共鳴状態となり得る。これにより原子核スピンにおける任意の回転が可能となる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
【数５】
2001516974.tif 000002
上記数５で、Ｈ（Ｂ）は、スピンに対する磁場相互作用の項である。Ａ１及びＡ２は、原子核・電子システムにおける微細相互作用エネルギーである。交換エネルギーである４Ｊは電子波動関数の重なりに依存している。十分に離れたドナーについて下記の数６が成り立つ。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
【数６】
2001516974.tif 000003
上記数６で、ｒはドナー間の距離であり、∈は半導体の誘電率であり、ａＢは半導体ボーア半径である。この関数は、シリコンに対して適切な値をもつ形で図３に示されている。もともとはＨ原子についてのものである数６は、シリコンにおいては、その低下異方性バンド構造によって結合される。各谷間からの関連項の交換により干渉が起こり、Ｊ（ｒ）の振動子として作用するようになる。この例では、シリコンバンド構造により導入された結合が無視されている。図３においてＪ（ｒ）を決定する際に、シリコンに対する横方向質量（＝０．２ｍｅ）が使用されており、ａＢ＝３０オングストロームである。下に示すように、原子核間における重要な結合が、４Ｊ＝μＢＢの場合に生じる。そしてこの状態が、１００〜２００オングストロームというドナー間で必要な間隔を決定している。Ｊは電子波動関数の重なりに対する比率であり、ドナー間に配置されたＪゲートにより加えられた静電気エネルギーによって様々な値をとり得るものである。