【手続補正書】
【提出日】平成22年6月25日(2010.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素感応性複合材料であって、
酸化セリウムベース組成物と、
水素に対する前記複合材料の選択性または感応性を増加するのに十分な量の、改質剤または貴金属促進剤と
を含んでなり、
前記改質剤が、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化銅、酸化コバルト、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ニッケル、酸化鉄、酸化ニオブ、酸化バナジウム、または他の遷移金属酸化物を含む、水素感応性複合材料。
【請求項２】
前記酸化セリウムベース組成物が、酸化セリウム、ジルコニウムドープドセリア、ガドリニウムドープドセリア、サマリウムドープドセリア、ランタンドープドセリア、イットリウムドープドセリア、カルシウムドープドセリア、ストロンチウムドープドセリア、またはそれらの混合物である、請求項１に記載の水素感応性複合材料。
【請求項３】
前記貴金属促進剤を含んでなる、請求項２に記載の水素感応性複合材料。
【請求項４】
前記貴金属促進剤が、パラジウム、ルテニウム、白金、金、ロジウム、イリジウム、またはそれらの混合物である、請求項３に記載の水素感応性複合材料。
【請求項５】
前記貴金属促進剤を含んでなる、請求項１に記載の水素感応性複合材料。
【請求項６】
前記貴金属促進剤が、パラジウム、ルテニウム、白金、金、ロジウム、イリジウム、またはそれらの混合物である、請求項５に記載の水素感応性複合材料。
【請求項７】
支持体と、
該支持体の表面上の電極と、
該支持体の電極表面上のセンサコーティングと
を含んでなる水素ガスセンサデバイスであって、
該センサコーティングが請求項１に記載の水素感応性複合材料を含んでなる、水素ガスセンサデバイス。
【請求項８】
前記支持体が、酸化アルミニウム、イットリア安定化ジルコニア、酸化セリウム、ガドリニウムドープドセリア、アルミン酸マグネシウム、または酸化マグネシウムである、請求項７に記載の水素ガスセンサデバイス。
【請求項９】
一体型抵抗ヒータをさらに含んでなる、請求項７に記載の水素ガスセンサデバイス。
【請求項１０】
前記支持体が微小管状支持体であり、前記抵抗ヒータが前記支持体の内部にある、請求項９に記載の水素ガスセンサデバイス。
【請求項１１】
前記ヒータの抵抗が、相対湿度に対するセンサデバイスの感度を制御しうるように操作可能である、請求項１０に記載の水素ガスセンサデバイス。
【請求項１２】
前記支持体が平面状であり、前記抵抗ヒータが前記電極表面と反対側の支持体表面上にある、請求項９に記載の水素ガスセンサデバイス。
【請求項１３】
前記ヒータの抵抗が、相対湿度に対するセンサデバイスの感度を制御するように操作可能である、請求項１２に記載の水素ガスセンサデバイス。
【請求項１４】
支持体と、
該支持体の表面上の電極と、
該電極と電気的に連通したデュアルセンサ素子と
を含んでなるガスセンサデバイスであって、
該デュアルセンサ素子が、標的ガスに比較的非感応性の非促進複合材料を含有した第一センサと、標的ガスに感応性の促進複合材料を含有した第二センサと、第一センサから得られる測定値と第二センサから得られる測定値を比較し、この比較を用いてガスセンサデバイスの基準抵抗に及ぼす環境条件の有害作用を補償するための装置とを含んでなり、
前記促進複合材料が、請求項１に記載の水素感応性複合材料を含んでなる、ガスセンサデバイス。
【請求項１５】
第一センサおよび第二センサが前記支持体に置かれている、請求項１４に記載のガスセンサデバイス。
【請求項１６】
前記支持体が管状支持体であり、抵抗ヒータが前記支持体内にあり、管端部で接合されている、請求項１４に記載のガスセンサデバイス。
【請求項１７】
前記ヒータの抵抗が、相対湿度に対するセンサデバイスの感度を制御するように操作可能である、請求項１６に記載のガスセンサデバイス。
【請求項１８】
前記改質剤および前記貴金属促進剤を含んでなる、請求項１に記載の水素感応性複合材料。
【請求項１９】
前記改質剤が、約０．１質量％〜約２５質量％の量であり、前記貴金属促進剤が、約０．０１質量％〜約５質量％の量であり、残部が、酸化セリウムベース組成物である、請求項１８に記載の水素感応性複合材料。
【請求項２０】
環境中のＨ２を検出する方法であって、前記方法が、
水素ガスを含む環境中に、水素ガスに対して可逆的に応答するＨ２センサを置く工程を含んでなり、前記Ｈ２センサが、請求項７に記載の水素ガスセンサデバイスを含んでなる、方法。
【請求項２１】
前記改質剤を含んでなる、請求項１に記載の水素感応性複合材料。
【請求項２２】
前記改質剤が、酸化スズまたは酸化インジウムを含んでなる、請求項２１に記載の水素感応性複合材料。
【請求項２３】
前記改質剤が、約０．１質量％〜約２５質量％の量で含まれる、請求項２２に記載の水素感応性複合材料。
【請求項２４】
前記貴金属促進剤が、約０．０１質量％〜約５質量％の量で含まれる、請求項６に記載の水素感応性複合材料。
【請求項２５】
前記貴金属促進剤が、パラジウムを含んでなる、請求項２４に記載の水素感応性複合材料。
【請求項２６】
前記水素感応性複合材料が、前記改質剤および前記貴金属促進剤を含んでなる、請求項７に記載の水素ガスセンサデバイス。
【請求項２７】
前記改質剤が、約０．１質量％〜約２５質量％の量であり、前記貴金属促進剤が、約０．０１質量％〜約５質量％の量であり、残部が、酸化セリウムベース組成物である、請求項２６に記載の水素ガスセンサデバイス。
【請求項２８】
前記水素感応性複合材料が、前記改質剤を含んでなる、請求項７に記載の水素ガスセンサデバイス。
【請求項２９】
前記改質剤が、酸化スズまたは酸化インジウムを含んでなる、請求項２８に記載の水素ガスセンサデバイス。
【請求項３０】
前記改質剤が、約０．１質量％〜約２５質量％の量で含まれる、請求項２９に記載の水素ガスセンサデバイス。
【請求項３１】
前記水素感応性複合材料が、前記貴金属促進剤を含んでなる、請求項７に記載の水素ガスセンサデバイス。
【請求項３２】
前記貴金属促進剤が、約０．０１質量％〜約５質量％の量で含まれる、請求項３１に記載の水素ガスセンサデバイス。
【請求項３３】
前記貴金属促進剤が、パラジウムを含んでなる、請求項３２に記載の水素ガスセンサデバイス。
【請求項３４】
前記水素感応性複合材料が、前記改質剤および前記貴金属促進剤を含んでなる、請求項１４に記載のガスセンサデバイス。
【請求項３５】
前記改質剤が、約０．１質量％〜約２５質量％の量であり、前記貴金属促進剤が、約０．０１質量％〜約５質量％の量であり、残部が、酸化セリウムベース組成物である、請求項３４に記載のガスセンサデバイス。
【請求項３６】
前記水素感応性複合材料が、前記改質剤を含んでなる、請求項１４に記載のガスセンサデバイス。
【請求項３７】
前記改質剤が、酸化スズまたは酸化インジウムを含んでなる、請求項３６に記載のガスセンサデバイス。
【請求項３８】
前記改質剤が、約０．１質量％〜約２５質量％の量で含まれる、請求項３７に記載のガスセンサデバイス。
【請求項３９】
前記水素感応性複合材料が、前記貴金属促進剤を含んでなる、請求項１４に記載のガスセンサデバイス。
【請求項４０】
前記貴金属促進剤が、約０．０１質量％〜約５質量％の量で含まれる、請求項３９に記載のガスセンサデバイス。
【請求項４１】
前記貴金属促進剤が、パラジウムを含んでなる、請求項４０に記載のガスセンサデバイス。
【請求項４２】
支持体と、
該支持体の第１の表面上の第１の電極と、
該支持体の電極表面上のセンサコーティングと、
該センサコーティング上の第２の電極と
を含んでなる水素ガスセンサデバイスであって、
該センサコーティングが、請求項１に記載の水素感応性複合材料を含んでなる、水素ガスセンサデバイス。