【事件の表示】
　特願２００１−３６７４０２「半導体パッケージ用カバーガラス」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年９月６日出願公開、特開２００２−２４９３４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年２月２３日に出願した特願平６−２５２８２号の一部を平成１３年１１月３０日に新たな特許出願としたものであって、平成１４年９月９日付けで拒絶査定がされ、これに対して平成１４年１０月１１日に拒絶査定を不服とする審判請求がされるとともに、平成１４年１１月１１日に手続補正がされたものである。
２．平成１４年１１月１１日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年１１月１１日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「粒子径が２μｍ以上の白金製異物の含有量が１０ケ／１００ｍｌ以下であって、Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、かつＴｈの含有量が２０ｐｐｂ以下であるホウケイ酸ガラスであることを特徴とする半導体パッケージ用カバーガラス。」と補正された。
　前記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「ホウケイ酸ガラス」について「粒子径が２μｍ以上の白金製異物の含有量が１０ケ／１００ｍｌ以下であって、」との限定を付加するものであって、平成６年改正前特許法第１７条の２第３項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
（２）引用刊行物及び引用刊行物に記載された事項
　刊行物１：特開平５−２７９０７４号公報
　刊行物１には、次の事項が記載されている。
「【請求項１】ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であることを特徴とする固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。
【請求項２】ガラスからのα線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下であることを特徴とする固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。
【請求項３】重量百分率でＳｉＯ２　５０〜７５％，Ａｌ２Ｏ３　０．２〜５．０％，Ｂ２Ｏ３　５〜２０％，Ｌｉ２Ｏ　０〜１％，Ｎａ２Ｏ　０．５〜９．５％，Ｋ２Ｏ　０．２〜６％，Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　５〜１２％，ＭｇＯ　０〜３％，ＣａＯ　０〜５％，ＢａＯ　０〜６％，ＺｎＯ　０〜５％，ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯ　０〜１２％，Ａｓ２Ｏ３０〜１％，Ｓｂ２Ｏ３０〜１％，Ｃｌ−０〜０．２％，Ｆ−０〜０．５％，Ａｓ２Ｏ３＋Ｓｂ２Ｏ３＋Ｃｌ−＋Ｆ−　０．０２〜１．５％の基本組成を有し、熱膨張係数が４８〜７５×１０−７Ｋ−１であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。」（特許請求の範囲の請求項１〜３）
「【産業上の利用分野】
　本発明は、ビデオカメラ等に使用される固体撮像素子のパッケージ窓用として用いられるガラスに関し、特に固体撮像素子のノイズ発生を低減させた固体撮像素子パッケージ用窓ガラスに関する。」（段落【０００１】）
「【発明が解決しようとする課題】
　テレビカメラなどに応用されるイメージセンサとしての固体撮像素子は、高解像度化の要請からしだいに画素数を増加させる方向にある。同時にカメラ一体型ＶＴＲの小型，軽量化の進展とともに、光学系は、１／２インチ系から１／３インチ系への縮小化が進んでいる。したがって画素面積が全体的に縮小化され更に画素数が増加するため、一画素当たりの信号レベルは相対的に低下し、従来問題にならなかった微小ノイズが画質向上の大きな妨げとなってきている。固体撮像素子の高解像度化を達成するためには、一画素当りの感度を上げるとともにできるだけノイズを減らす必要がある。
　本発明者らは、ＣＣＤなど固体撮像素子の窓ガラスがα線放出性元素を大量に含有しα線粒子を放出する場合、固体撮像素子に一過性の誤動作を引き起こしノイズとなることを見出した。α線粒子は、天然に存在するウラン（Ｕ），トリウム（Ｔｈ），ラジウム（Ｒａ）など放射性同位元素がα崩壊する際に放出される荷電粒子である。α線粒子に起因するノイズをなくすためには、ガラス中に不純物として含まれる放射性同位元素を除去すればよい。このためにはできるだけ高純度に精製された原料を使用し、溶融工程における不純物の混入を防止してガラスを製造する必要がある。原料精製には物理的・化学的各種方法があるが、技術的・経済的に限界があり、特に放射性同位元素の分離が容易な原料と困難な原料が存在するため、α線源となる放射性同位元素を含まないガラスを容易に得ることは難しかった。
　本発明は、これらの事情を考慮してなされたもので、実質的にガラス、特にガラス中のα線放出性元素に起因する固体撮像素子のノイズ発生がない固体撮像素子パッケージ用窓ガラスを提供することを目的とする。」（段落【０００４】〜【０００６】）
「上記ガラスは、その有効組成を形成するため原料を精製することができ、含有されるα放射性元素（Ｕ，Ｔｈ，Ｒａなど）を１００ｐｐｂ以内に抑えることが可能である。また、α放射性元素の濃度が１００ｐｐｂを越えると、α線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以上に増大し、固体撮像素子のノイズ発生の原因となる。したがって固体撮像素子パッケージ用窓ガラスからのα線放出率を０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下に抑えることが好ましい。」（段落【００１２】）
「【実施例】
　以下、本発明の実施例について説明する。本発明の実施例を表１に示す。表１中試料Ｎｏ．１ないしＮｏ．６は本発明の実施例を示し、Ｎｏ．７は従来例である。また表中の組成は重量比で示してある。
その後炉内より取り出し、鉄板上に成形したブロックを６００℃の温度の電気炉に移し室温まで徐冷し、得られたガラスを所定の寸法に光学研磨加工した。これらガラス板より放出されるα線量の測定は、２πガスフロー式比例計数管を用いた超低レベルα線測定装置で行ない、同時に遷移元素とα線放射元素の化学分析をＩＣＰ−ＭＡＳＳにより測定し、ＴＭＡ分析装置により平均熱膨張係数を測定した。そして、これらのガラスを実際に有効画素数３８万画素のＣＣＤチップを内臓したアルミナパッケージに封着して、固体撮像素子に使用した場合のノイズの有無を調査した。また比較例としてα線放射元素を含有したガラスを調整し、同様の試験に供した。
【表１】
　表１の結果より、Ｕ，Ｔｈ，Ｒａのα放射性元素の含有量の合量が１００ｐｐｂ以下である１〜６のサンプルでは、α線放出量は０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下であって固体撮像素子におけるノイズもみられない。これに対して、上記含有量が本発明の範囲より外れている従来例では、α線放出量は０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以上に高くなり固体撮像素子におけるノイズが発生している。
【発明の効果】
　以上のように本発明のガラスは、α線放出量が低く、固体撮像素子のパッケージ用窓ガラスとして使用した場合、ガラスからのα線に起因するノイズの発生を著しく低減することができる。また光学的、熱的特性にも優れているため、アルミナセラミックパッケージと封着した際に歪みの発生がなく、固体撮像素子上の結像に歪みを生じない。したがって、本発明のガラスは、固体撮像素子のパッケージ用窓ガラスとして極めて好適し、固体撮像素子の高解像度化に貢献することができる。」（段落【００１５】〜【００１９】）
　
（３）対比
　刊行物１には、請求項１に「ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であることを特徴とする固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。」が記載され、請求項３には、該ガラスが組成からみてホウケイ酸ガラスであることが示されているから、「ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であるホウケイ酸ガラスであることを特徴とする固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。」（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　そこで、本願補正発明と刊行物１発明とを対比すると、「半導体パッケージ用カバーガラス」と「固体撮像素子パッケージ用窓ガラス」は、上位概念−下位概念の関係であるから、刊行物１発明が半導体パッケージ用カバーガラスであることに相違はないが、ホウケイ酸ガラスに関して、（ａ）本願補正発明が「粒子径が２μｍ以上の白金製異物の含有量が１０ケ／１００ｍｌ以下である」のに対して、刊行物１発明では、白金製異物についての記載がなく、（ｂ）本願補正発明が「Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、かつＴｈの含有量が２０ｐｐｂ以下である」と規定するのに対して、刊行物１発明では「放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下である」とする点で相違する。
　
（４）判断
　上記相違点（ａ）及び（ｂ）について検討する。
　ア．相違点（ａ）について
　刊行物１には、実施例として、「表１に示した組成に従い、各種高純度に精製された原料を使用し最終ガラス組成として１０００ｇとなるよう調合し混合した後、１４８０℃の電気炉中で５時間白金ルツボを使用して溶融した。」（段落【００１６】参照）と白金ルツボを使用することが記載されているが、ガラスの溶融に使用するルツボの材質の選定において、ガラスを汚染させないために、ガラス組成に含まれる成分からなる耐火物を用いるようにすること、あるいは、ガラスの溶融時に溶解（混入）しない材料を用いるようにすることは、当業者の技術常識といえ、刊行物１発明においては、ＳｉＯ２製、Ａｌ２Ｏ３製、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２製、白金製等が普通に用い得るものと想定できる。
　ところで、本願発明の実施例をみると以下のように記載されている。
「【表２】
　　　　　　　　使用原料　　　　　　　　　溶融条件
　　　　　　　　　　　　　　　　ガラス化工程　　　　清澄工程
原料バッチ（１）表１のＮｏ４　　　────　　　　　────
ガラスＡ　　　　　同上　　　　　ＳｉＯ２製坩堝　　　　白金製坩堝
　　　　　　　　　　　　　　　　　１３００℃　　　　１４６０℃
ガラスＢ　　　　　同上　　　　　　粘土製坩堝　　　　　粘土製坩堝
　　　　　　　　　　　　　　　　　１４５０℃　　　　　１４５０℃
　
原料バッチ（２）表１のＮｏ１　　　────　　　　　　────
ガラスＣ　　　　　同上　　　　　　粘土製坩堝　　　　　粘土製坩堝
　　　　　　　　　　　　　　　　　１４６０℃　　　　　１４６０℃
【表３】
　　　　　　　Ｕ含有量　Ｔｈ含有量　白金ブツ数　　　ソフトエラー
　　　　　　　（ｐｐｂ）（ｐｐｂ）　（ケ／１００ｍｌ）
原料バッチ（１）　２　　　１４　　　　───　　　　　───
ガラスＡ　　　　　４　　　１７　　　　＜１０　　　　　少ない
ガラスＢ　　　　　３　　　１５　　　　　なし　　　　極めて少ない
原料バッチ（２）　１　　　　５　　　　───　　　　　───
ガラスＣ　　　　　２　　　　８　　　　　なし　　　　極めて少ない」（段落【００３２】、【００３３】参照）
「実施例２
　実施例１で用いたと同様の原料バッチ１８００ｋｇを用い、約８００リットル容量の粘土（クレー）製ルツボを使って、ガス加熱により１４５０℃で溶融ガラス化し、引き続き１４５０℃で溶融・精製（脱泡及び均質化）してガラスブロックを得た。（これをガラスＢとする）。さらに、このガラスブロックのガラス内部の欠陥を、実施例１と同様の手順で検査した。
ガラス製造条件を表２に示し、分析試験結果を表３に示す。
　上記実施例１、２及び比較例１の原料バッチ及び３種のガラス中に含まれるＵ及びＴｈの量をＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）−ＭＡＳＳ分析により定量した。それらの結果を表３に示す。表３に示されるように、溶融精製過程におけるガラスの汚染は、製造工程の全てを耐火物で構成された容器内で行った実施例２のガラスＢが最も少なかった。また、実施例１の結果から、白金製容器を使用する場合は、初めの溶融ガラス化工程を耐火物で構成された容器で行うことにより著しく低減できることが明らかになった。尚、これらの例では間欠溶融方式を用いたが、連続溶融方式においても同様の傾向を示した。」（段落【００２３】参照）
　上記記載を参酌すると、「溶融精製過程におけるガラスの汚染は、製造工程の全てを耐火物で構成された容器内で行った実施例２のガラスＢが最も少ない。また、実施例１の結果から、白金製容器を使用する場合は、初めの溶融ガラス化工程を耐火物で構成された容器で行うことにより著しく低減できる。」ことが確認されている。
　そして、刊行物１発明においては、ＳｉＯ２製、Ａｌ２Ｏ３製、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２製（粘土製と類似）、白金製等が普通に用い得るものであるが、ＳｉＯ２製、Ａｌ２Ｏ３製、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２製を用いれば、「粒子径が２μｍ以上の白金製異物の含有量が１０ケ／１００ｍｌ以下である」ものは、普通に製造できるものであるから、この相違は、格別な相違ではない。
　
　イ．相違点（ｂ）について
　刊行物１には、「ＣＣＤなど固体撮像素子の窓ガラスがα線放出性元素を大量に含有しα線粒子を放出する場合、固体撮像素子に一過性の誤動作を引き起こしノイズとなることを見出した。α線粒子は、天然に存在するウラン（Ｕ），トリウム（Ｔｈ），ラジウム（Ｒａ）など放射性同位元素がα崩壊する際に放出される荷電粒子である。α線粒子に起因するノイズをなくすためには、ガラス中に不純物として含まれる放射性同位元素を除去すればよい。このためにはできるだけ高純度に精製された原料を使用し、溶融工程における不純物の混入を防止してガラスを製造する必要がある。」（段落【０００５】参照）、実施例６として、Ｕ１５ｐｐｂ、Ｔｈ３ｐｐｂ、Ｒａ１ｐｐｂ未満、α線放出量０．００５ｃ／ｃｍ２・ｈのガラスが記載されている。
　上記実施例６では、Ｕが１５ｐｐｂであるが、α線放出量は、０．００５ｃ／ｃｍ２・ｈと小さく、ＢＧ（バックグラウンド値を０．００４ｃ／ｃｍ２・ｈと例示、請求人が意見書に添付した「インスペック（１９８５春号Ｎｏ．３）第８４頁２３−４行」参照）に近いものが得られている。
　また、刊行物１には、α線粒子に起因するノイズをなくすためには、ガラス中に不純物として含まれる放射性同位元素を除去すればよいことが示唆されているから、さらに高純度に精製された原料を使用し、溶融工程における不純物の混入を防止してガラスを製造することにより、Ｕの濃度を更に小さい５ｐｐｂ以下に設定するようにすることは、当業者が容易に想到し得る事項といえるし、それによる効果も当業者が当然予期し得る程度のものが窺えるにすぎない。
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。　
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成６年改正前特許法第１７条の２第４項において読み替えて準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１４年１１月１１日付けの手続補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１４年５月１３日付けの手続補正書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、かつＴｈの含有量が２０ｐｐｂ以下であるホウケイ酸ガラスであることを特徴とする半導体パッケージ用カバーガラス。」
（２）引用刊行物及び引用刊行物に記載された事項
　上記２．（２）に記載されたとおりである。
（３）対比
　本願発明と刊行物１発明とを対比すると、上記２（３）に記載された相違点（ｂ）で相違する。
　
（４）判断
　相違点についての判断は、上記２（４）イ．に記載されたとおりである。
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項２ないし９に係る発明については審理をするまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。