【手続補正書】
【提出日】平成22年7月13日(2010.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９４】
Ａ．誘電体−Ａｇナノ粒子二重層ドナー基体の作製
（ａ）誘電体層の作製およびコーティング。配合は実施例９−Ｂ−ａと同一であった。ＣＮ＃２成形ブッシュマン（Ｂｕｓｃｈｍａｎ）ロッドを使用し、ＣＶコーターを９．８フィート／分で使用して、得られた溶液（３ｍＬ）を４０％Ｔ  Ｃｒ青色ＰＥＴドナー基体（約９０×５２ｃｍ）上にコーティングし、４５℃で６分間乾燥させた。
（ｂ）銀層の作製およびコーティング。配合およびコーティング方法は実施例８−Ａ−ｂと同一であった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９５】
Ｂ．列１、２、５、および６中にパターニングされた誘電体層を有する熱画像形成レシーバーの作製
実施例９で作製した熱画像形成レシーバーの列４、５、および６を本明細書においてレシーバーＡと呼ぶが、これらを使用して、この実施例では列Ａ４、Ａ５、およびＡ６と呼ぶ。本明細書ではレシーバーＢと呼ぶ別のパターニングされていないＳＴ５０４メリネックス（Ｍｅｌｉｎｅｘ）（登録商標）レシーバーも使用した（列Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、およびＢ４）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９６】
Ｃ．誘電体−Ａｇナノ粒子二重層をパターニングするための熱転写プロセス
実施例９の多層ドナーをドラムから取り外しながら、パターニングされたレシーバーＡはドラム上の同じ位置に残した。前述の一般手順により、本実施例の誘電体−Ａｇナノ粒子二重層ドナーの一部（約３０ｃｍ×２０ｃｍ）をクレオ・トレンドセッター（Ｃｒｅｏ
Ｔｒｅｎｄｓｅｔｔｅｒ）（登録商標）８００サーマルプレートセッター中に搭載した。両方のレシーバーのすべての列の印刷パラメーターは：表面深さ＝７０；表面反射率＝０．２４；ｅｓｃａｎ＝０であった。列Ａ４、Ａ５、およびＡ６の印刷後、二重層ドナーをレシーバーＡから剥離し、続いてレシーバーＡをドラムから取り外した。次に、一般手順により、レシーバーＢおよび二重層ドナーをクレオ・トレンドセッター（Ｃｒｅｏ  Ｔｒｅｎｄｓｅｔｔｅｒ）（登録商標）８００サーマルプレートセッター中に搭載した。列Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、およびＢ４を印刷した。二重層は、レシーバー表面上の列Ａ４（交互の垂直線および中実ブロックパターン；０．４０Ｗの増分で４．５０〜１０．１０Ｗ；ドラム速度６０）、列Ｂ１（垂直線パターン；０．２５Ｗの増分で６．００〜１０．５０Ｗ；ドラム速度１２０）、列Ｂ２（中実ブロックパターン；０．２５Ｗの増分５．００〜９．５０Ｗ；ドラム速度１２０）、列Ｂ３（垂直線パターン；０．２５Ｗの増分で８．００〜１２．５０Ｗ；ドラム速度１６０）、および列Ｂ４（中実ブロックパターン；０．２５Ｗの増分で７．００〜１１．５０Ｗ；ドラム速度１６０）に印刷した。二重層は、パターニングされた誘電体層上の列Ａ５（中実ブロックパターン；０．３０Ｗの増分で４．５０〜９．３０Ｗ；ドラム速度６０）および列Ａ６（垂直線パターン；０．３０Ｗの増分で５．００〜９．８０Ｗ；ドラム速度６０）に印刷した。パターンは、列Ａ４の場合は１．９×０．８ｃｍであり、列Ａ５およびＡ６の場合は１．９×１．３ｃｍであり、列Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、およびＢ４の場合は１．３×１．０ｃｍであった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９７】
Ｄ．熱転写の評価および後処理
すべての出力で二重層は完全に転写され、転写の最高品質が観察されたのは、列Ａ４の場合は４．５〜４．９Ｗであり；列Ａ５の場合は４．５Ｗであり；列Ａ６の場合は５．３〜５．６Ｗであり、ラインエッジ品質が良好であり；列Ｂ１の場合は６．５Ｗ以上であり、７．２５Ｗにおいて直線ラインエッジの転写が最適であり；列Ｂ２の場合は８．２５Ｗ以上であり；列Ｂ３の場合は８．７５〜９Ｗおよび１２〜１２．５Ｗであり；列Ｂ４の場合は１０．２５Ｗ以上であった。接着面との接触（スコッチ（Ｓｃｏｔｃｈ）（登録商標）テープ、３０秒）によって、列Ａ４の７．７Ｗの垂直線パターンの場合、二重層の誘電体層のみが選択的に除去され、レシーバー上のＡｇの線が残った。列Ｂ２（９０％を超えて除去される）および列Ｂ４（９５％を超えて除去される）の８．２５Ｗパターンの場合、接着面との接触（スコッチ（Ｓｃｏｔｃｈ）（登録商標）テープ、６０秒）によって、二重層の両方の層がレシーバーから選択的に除去され、パターンがテープ表面に転写された。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９８】
以上、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．ナノ粒子の熱転写パターニング方法であって：
ａ）積層順でベースフィルムと、キャリア層と、ナノ粒子層とを含む熱画像形成ドナーを提供する工程；
ｂ）前記熱画像形成ドナーを熱画像形成レシーバーに接触させる工程であって、前記熱画像形成レシーバーがベースフィルムを含む工程；および
ｃ）前記ナノ粒子層の少なくとも一部を前記キャリア層の対応する近接部分とともに、熱転写によって前記熱画像形成レシーバー上に転写して、積層順で、該レシーバー上に、
パターニングされたナノ粒子層およびパターニングされたキャリア層を提供する工程を含み；
前記熱画像形成ドナーが、（１）不揮発性画分であって、前記不揮発性画分の質量を基準にして、６５〜１００質量％装填のナノ粒子画分、および場合により最大３５質量％装填の分散剤を含む不揮発性画分と（２）揮発性キャリア流体とから実質的になる分散液を提供する工程と；前記ベースフィルムと前記キャリア層とを含む熱画像形成基体を提供するステップと；前記分散液を前記キャリア層上に塗布し、前記キャリア流体を揮発させて前記熱画像形成ドナーを提供する工程とを含む方法によって製造される、熱転写パターニング方法。
２．熱転写がレーザー媒介転写によって行われ、レーザーが約３５０〜１５００ｎｍの動作波長を有する、上記１に記載の熱転写方法。
３．キャリア層が、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリ複素環式芳香族ビニレン、およびそれらの誘導体からなる群から選択された１またはそれ以上の導電性の（コ）ポリマー／（コ）オリゴマーを含む導体層；複数の導電性ナノ粒子と、１またはそれ以上の（コ）ポリマー／（コ）オリゴマーであって、アクリルラテックスおよびスチレン−アクリルラテックス、溶液系のアクリルポリマーおよびスチレン−アクリルポリマー、ならびにそれらの組み合わせ；エチレンと、（メタ）アクリレート、酢酸ビニル、一酸化炭素、および（メタ）アクリル酸からなる群から選択された１またはそれ以上のモノマーとのコポリマー；ならびにポリ酢酸ビニルおよびそのコポリマー；ポリビニルピロリドン、およびポリビニルピロリドン−コ−酢酸ビニルなどのそのコポリマーからなる群から選択された１またはそれ以上の（コ）ポリマー／（コ）オリゴマーとを含む導体層；１またはそれ以上の（コ）ポリマーまたは（コ）オリゴマーであって：アクリルラテックス、スチレンラテックス、およびスチレン−アクリルラテックス、溶液系のアクリルポリマー、スチレンポリマー、およびスチレン−アクリルポリマー、ならびにそれらの組み合わせからなる群から選択された（アクリルおよびスチレン）ポリマー；ポリ（４−ビニル）ピリジン、ポリ（４−ヒドロキシ）スチレン、部分水素化ポリ（４−ヒドロキシ）スチレン、およびそれらのコポリマーからなる群から選択されたヘテロ原子置換スチレンポリマー；フェノール−アルデヒド（コ）ポリマーおよび（コ）オリゴマー、ならびにそれらの組み合わせ；エチレンと、ノルボルネン、アルキル基がＣ１〜Ｃ１８直鎖または分岐鎖アルキル基であるアルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、一酸化炭素、および酢酸ビニルからなる群から選択された１またはそれ以上のモノマーとを含むエチレン（コ）ポリマーおよび（コ）オリゴマー；ならびに酢酸ビニル、塩化ビニル、ビニルブチルアルデヒド、ビニルアルコール、およびビニルピロリドンからなる群から選択された繰り返し単位を含むビニル（コ）ポリマーまたは（コ）オリゴマーからなる群から選択された１またはそれ以上の（コ）ポリマーまたは（コ）オリゴマーを含む誘導体層；ならびに１またはそれ以上の（コ）ポリマー／（コ）オリゴマーであって：ポリアセン；ポリフェニレン；ポリ（フェニレンビニレン）；ポリフルオレン；ポリチオフェン；ポリ（３，４−二置換チオフェン）；ポリベンゾチオフェン；ポリイソチアナフテン；ポリピロール；ポリフラン；ポリピリジン；ポリ−１，３，４−オキサジアゾール；ポリイソチアナフテン；ポリアニリン；ポリアズレン；ポリセレノフェン；ポリベンゾフラン；ポリインドール；ポリピリダジン；ポリピレン；ポリアリールアミン；およびそれらの誘導体からなる群から選択された１またはそれ以上の（コ）ポリマー／（コ）オリゴマーを含む半導体層からなる群から選択された層を含む、上記１に記載の熱転写方法。
４．誘電体層が、フェノール−アルデヒド（コ）ポリマー／（コ）オリゴマー、およびそれらの組み合わせ；ならびに１またはそれ以上のラテックス樹脂であって、アルキル基がＣ１〜Ｃ１８直鎖または分岐鎖アルキル基であるアルキル（メタ）アクリレート、スチレン、ならびにアルキル基がＣ１〜Ｃ１８直鎖または分岐鎖アルキル基であるアルキル置換スチレンからなる群から選択されたモノマーを少なくとも約８５質量％含む１またはそれ以上のラテックス樹脂；からなる群から選択されたポリマーを含む、上記３に記載の熱転写方法。
５．熱画像形成ドナーが、ベースフィルムとキャリア層との間に介在するＬＴＨＣ層をさらに含む、上記２に記載の熱転写方法。
６．ＬＴＨＣ層が、インドシアニン、フタロシアニン、およびメロシアニンからなる群から選択された１またはそれ以上の水溶性または水分散性のシアニン化合物と；アクリル樹脂、親水性ポリエステル、スルホン化ポリエステル、ならびに無水マレイン酸ホモポリマーおよびコポリマーからなる群から選択された１またはそれ以上の水溶性または水分散性のポリマーバインダーとを含む、上記２に記載の熱転写方法。
７．ＬＴＨＣ層が、熱転写において使用されたレーザーの動作波長において約２０％〜約８０％の透過率を有し、ＣｒおよびＮｉから選択された金属膜、カーボンブラック、黒鉛、ならびに前記ＬＴＨＣ層内で約６００〜１２００ｎｍの範囲内の吸収極大を有する近赤外染料からなる群から選択された１またはそれ以上の放射線吸収剤を含む、上記５に記載の熱転写方法。
８．ナノ粒子画分が、不揮発性画分の質量を基準にして９８〜１００質量％の装填である、上記１に記載の熱転写方法。
９．ナノ粒子画分が：金、銀、銅、およびそれらの合金、ＩＴＯ、ＡＴＯ、およびカーボンナノチューブからなる群から選択された導電性ナノ粒子；セレン化カドミウム、硫化カドミウム、セレン化鉛、硫化鉛、硫化亜鉛、およびリン化インジウムからなる群から選択された発光ナノ粒子；チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムストロンチウム、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、および二酸化チタンからなる群から選択された誘電体ナノ粒子；ならびにケイ素、ゲルマニウム、ＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物、およびＩＩ−ＶＩ族半導体化合物からなる群から選択された半導体ナノ粒子からなる群から選択される、上記１に記載の熱転写方法。
１０．不揮発性画分が、前記不揮発性画分の質量を基準にして、平均最長寸法が約５ｎｍ〜約１５００ｎｍの銀ナノ粒子約６５〜約９５質量％と、分散剤約５〜約３５質量％とを含み；前記分散剤が：ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、およびそれらの誘導体からなる群から選択された導電性ポリマー；ならびにＴｇが約−３０℃〜約９０℃であり、アクリルラテックスおよびスチレン−アクリルラテックス、ならびに溶媒可溶性アクリル樹脂およびスチレン−アクリル樹脂からなる群から選択された１またはそれ以上の樹脂を含むポリマー；エチレンと、（メタ）アクリレート、酢酸ビニル、一酸化炭素、および（メタ）アクリル酸からなる群から選択された１またはそれ以上のモノマーとのコポリマー；ならびにポリ酢酸ビニルおよびそのコポリマーからなる群から選択された１またはそれ以上のポリマーを含む、上記１に記載の熱転写方法。
１１．熱画像形成ドナーおよびレシーバーのベースフィルムが独立に、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、およびポリイミドからなる群から選択されたポリマー材料を含む、上記１に記載の熱転写方法。
１２．熱画像形成ドナーのベースフィルムが、光減衰剤を含み、約４００〜約７５０ｎｍの波長において０．１を超えるＯＤを有する、上記１に記載の熱転写方法。
１３．熱画像形成ドナーが、半導体層、導体層、および誘電体層からなる群から選択された１つまたはそれ以上の追加の転写層をナノ粒子層の表面上に含み、転写工程が、前記追加の転写層の対応する近接部分を転写して、積層順でレシーバー上に、パターニングされた追加の転写層、前記パターニングされたナノ粒子層、および前記パターニングされたキャリア層を提供することをさらに含む、上記１に記載の熱転写方法。
１４．キャリア層が、半導体層、導体層、および誘電体層からなる群から選択された２つまたはそれ以上の転写層を含み；転写工程が、前記２つまたはそれ以上の転写層の対応する近接部分を転写して、積層順で、レシーバー、パターニングされたナノ粒子層、および２つまたはそれ以上の転写層を含む前記パターニングされたキャリア層を提供することを含む、上記１に記載の熱転写方法。
１５．パターニングされたキャリア層を熱画像形成レシーバーから除去して、実質的に無傷であり前記レシーバーに付着した前記パターニングされたナノ粒子層を提供する工程をさらに含む、上記１に記載の熱転写方法。
１６．パターニングされたキャリア層を除去する工程が、ブローイング、剥離、減圧、ならびに前記パターニングされたキャリア層を粘着面または静電面に接触させることによる付着による除去からなる群から選択された１つまたはそれ以上の工程を含む、上記１５に記載の熱転写方法。
１７．パターニングされたキャリア層を熱画像形成レシーバーから除去して、積層順で前記レシーバー上に、前記パターニングされた追加の転写層、および実質的に無傷であり前記レシーバーに付着した前記パターニングされたナノ粒子層を提供する工程をさらに含む、上記１３に記載の熱転写方法。
１８．キャリア層が、誘電体層または導体層であり、前記誘電体層内で約６００〜１２００ｎｍの範囲内の吸収極大を有する近赤外染料；およびカーボンブラックからなる群から選択された１またはそれ以上の光吸収性化合物をさらに含む、上記３に記載の熱転写方法。
１９．１またはそれ以上の光吸収性化合物が：ＣＡＳ番号［１２８４３３−６８−１］を有する２−［２−［２−クロロ−３−［（１，３−ジヒドロ−１，３，３−トリメチル−２Ｈ−インドール−２−イリデン）エチリデン］−１−シクロペンテン−１−イル］エテニル］−１，３，３−トリメチル−３Ｈ−インドリウムのトリフルオロメタンスルホン酸（１：１）との塩；ＣＡＳ番号［１６２４１１−２８−１］を有する２−（２−（２−クロロ−３−（２−（１，３−ジヒドロ−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−２Ｈ−ベンゾ［ｅ］インドール−２−イリデン）エチリデン）−１−シクロヘキセン−１−イル）エテニル）−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−１Ｈ−ベンゾ［ｅ］インドリウム、分子内塩、遊離酸；ならびに式（Ｉ）および（ＩＩ）の化合物およびそれらの共鳴構造体：
【化３】
2010505640.tif 000001
からなる群から選択されたシアニン染料を含む、上記１８に記載の熱転写方法。
２０．パターニングされたナノ粒子層およびパターニングされたキャリア層を熱画像形成レシーバーから第２のレシーバーシートに転写する工程をさらに含む、上記１に記載の熱転写方法。
２１．多層熱画像形成ドナーであって、積層順で：
ａ）ベースフィルムと；
ｂ）誘電体層および導電層からなる群から選択されたキャリア層と；
ｃ）平均最長寸法が約５ｎｍ〜約１５００ｎｍであることを特徴とする複数のナノ粒子を含むナノ粒子画分を含むナノ粒子層とを含み；
前記キャリア層が誘電体層を含む場合には、前記ベースフィルムが、第１の光減衰剤を含み、約３５０〜約１５００ｎｍの波長において０．１またはそれ以上のＯＤを有する、多層熱画像形成ドナー。
２２．キャリア層が、誘電体層であり、光吸収性化合物である第２の光減衰剤をさらに含み；前記キャリア層が約３５０ｎｍ〜約１５００ｎｍの範囲内の波長において約０．２またはそれ以上のＯＤを有する、上記２１に記載のドナー。
２３．第１の光減衰剤および第２の光減衰剤が、ベースフィルムおよびキャリア層の内部で、前記光減衰剤の吸収極大の差が少なくとも５０ｎｍとなるような吸収極大を有する、上記２２に記載のドナー。
２４．ベースフィルムが約４００〜約７５０ｎｍの波長において０．１またはそれ以上のＯＤを有し；キャリア層が約７５０ｎｍ〜約１２００ｎｍの波長において約０．２または
それ以上のＯＤを有する、上記２２に記載のドナー。
２５．キャリア層が、誘電体層であり、溶媒可溶性であり実質的に未架橋であることを特徴とする熱可塑性ポリマーを含む、上記２１に記載のドナー。
２６．キャリア層が、誘電体層であり、１またはそれ以上の（コ）ポリマーまたは（コ）オリゴマーであって：アクリルラテックス、スチレン−アクリルラテックス、溶液系アクリル系ポリマーおよびスチレン−アクリル系ポリマー、ならびにそれらの組み合わせからなる群から選択された（アクリルおよびスチレン）ポリマー；ポリ（４−ビニル）ピリジン、ポリ（４−ヒドロキシ）スチレン、部分水素化ポリ（４−ヒドロキシ）スチレン、およびそれらのコポリマーからなる群から選択されるヘテロ原子置換スチレンポリマー；フェノール−アルデヒド（コ）ポリマーおよび（コ）オリゴマー、ならびにそれらの組み合わせ；エチレンと、ノルボルネン、アルキル基がＣ１〜Ｃ１８直鎖または分岐鎖アルキル基であるアルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、一酸化炭素、および酢酸ビニルからなる群から選択された１またはそれ以上のモノマーとを含むエチレン（コ）ポリマーおよび（コ）オリゴマー；ならびに酢酸ビニル、塩化ビニル、ビニルブチルアルデヒド、ビニルアルコール、およびビニルピロリドンの群から選択される繰り返し単位を含むビニル（コ）ポリマーまたは（コ）オリゴマーからなる群から選択された１またはそれ以上の（コ）ポリマーまたは（コ）オリゴマーを前記キャリア層が含む、上記２１に記載のドナー。
２７．キャリア層が：フェノール−アルデヒド（コ）ポリマー／（コ）オリゴマーおよびそれらの組み合わせ；ならびに、アルキル基がＣ１〜Ｃ１８直鎖または分岐鎖アルキル基であるアルキル（メタ）アクリレート、スチレン、ならびにアルキル基がＣ１〜Ｃ１８直鎖または分岐鎖アルキル基であるアルキル置換スチレンからなる群から選択されたモノマーを少なくとも約８５質量％含む１またはそれ以上のラテックス樹脂の群から選択されたポリマーを含む誘電体層である、上記２１に記載のドナー。
２８．キャリア層が、誘電体層であり、ラテックス粒子と、アクリルラテックスおよびスチレン−アクリルラテックス、ならびに水溶性のアクリルポリマーおよびスチレン−アクリル（コ）ポリマーからなる群から選択された低分子量水溶性ポリマーとを含む、上記２１に記載のドナー。
２９．第２の光減衰剤が：誘電体層内で約６００〜１２００ｎｍの範囲内の吸収極大を有する１またはそれ以上の近赤外染料；およびカーボンブラックからなる群から選択される、上記２２に記載のドナー。
３０．第２の光減衰剤が、約８００ｎｍ〜約９００ｎｍの範囲内の波長において２０００またはそれ以上の吸光計数を有するインドレニン染料であり、キャリア層の乾燥質量を基準にして約０．５〜約１０質量％で存在する、上記２２に記載のドナー。
３１．第２の光減衰剤が：ＣＡＳ番号［１２８４３３−６８−１］を有する２−［２−［２−クロロ−３−［（１，３−ジヒドロ−１，３，３−トリメチル−２Ｈ−インドール−２−イリデン）エチリデン］−１−シクロペンテン−１−イル］エテニル］−１，３，３−トリメチル−３Ｈ−インドリウムのトリフルオロメタンスルホン酸（１：１）との塩；ＣＡＳ番号［１６２４１１−２８−１］を有する２−（２−（２−クロロ−３−（２−（１，３−ジヒドロ−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−２Ｈ−ベンゾ［ｅ］インドール−２−イリデン）エチリデン）−１−シクロヘキセン−１−イル）エテニル）−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−１Ｈ−ベンゾ［ｅ］インドリウム、分子内塩、遊離酸；ならびに式（Ｉ）および（ＩＩ）の化合物およびそれらの共鳴構造体：
【化４】
2010505640.tif 000002
からなる群から選択される、上記２２に記載のドナー。
３２．ベースフィルムとキャリア層との間に介在するＬＴＨＣ層をさらに含み、前記ＬＴＨＣ層が：ＣｒおよびＮｉから選択された金属膜、カーボンブラック、黒鉛、ならびに前記ＬＴＨＣ層内で約６００〜１２００ｎｍの範囲内の吸収極大を有する近赤外染料の群から選択された１またそれ以上の放射線吸収剤を含む、上記２１に記載のドナー。
３３．１またはそれ以上の放射線吸収剤が、インドシアニン、フタロシアニン、およびメロシアニンからなる群から選択された１またはそれ以上の水溶性または水分散性のシアニン化合物であり；ＬＴＨＣ層が、アクリル樹脂、親水性ポリエステル、スルホン化ポリエステル、ならびに無水マレイン酸ホモポリマーおよびコポリマーからなる群から選択された１またはそれ以上の水溶性のまたは水分散性のポリマーバインダーをさらに含む、上記３２に記載のドナー。
３４．ナノ粒子層が、前記ナノ粒子層の質量を基準にして６５〜１００質量％装填のナノ粒子画分と、場合により最大３５質量％装填の分散剤とを含む、上記２１に記載のドナー。
３５．ナノ粒子画分が：金、銀、銅、およびそれらの合金、ＩＴＯ、ＡＴＯ、およびカーボンナノチューブからなる群から選択された導電性ナノ粒子；チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムストロンチウム、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、および二酸化チタンからなる群から選択された誘電体ナノ粒子；ならびにケイ素、ゲルマニウム、ＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物、およびＩＩ−ＶＩ族半導体化合物からなる群から選択された半導体ナノ粒子からなる群から選択される、上記２１に記載のドナー。
３６．ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、およびそれらの誘導体からなる群
から選択された導電性ポリマー；ポリアセン、ポリフェニレン、ポリ（フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリ（３，４−二置換チオフェン）、ポリベンゾチオフェン、ポリイソチアナフテン、ポリピロール、ポリフラン、ポリピリジン、ポリ−１，３，４−オキサジアゾール、ポリイソチアナフテン、ポリアズレン、ポリセレノフェン、ポリベンゾフラン、ポリインドール、ポリピリダジン、ポリピレン、ポリアリールアミン、およびそれらの誘導体からなる群から選択された半導体ポリマー；誘電性ポリマーであって、フェノール−アルデヒド（コ）ポリマー／（コ）オリゴマーおよびそれらの組み合わせ；アクリルラテックスおよびスチレン−アクリルラテックス、ならびに溶液系アクリルポリマーおよびスチレン−アクリルコポリマー、ならびにそれらの組み合わせ；エチレンと、（メタ）アクリレート、酢酸ビニル、一酸化炭素、および（メタ）アクリル酸からなる群から選択された１またはそれ以上のモノマーとのコポリマー；ポリ酢酸ビニルおよびそのコポリマー；ポリビニルピロリドンおよびポリビニルピロリドン−コ−酢酸ビニル；ならびに、ポリマー主鎖と、前記主鎖に結合した１またはそれ以上のマクロモノマー側鎖とを含み、質量平均分子量が約５，０００〜約１００，０００であることを特徴とするグラフトコポリマーであって、前記ポリマー主鎖が、重合したエチレン性不飽和疎水性モノマーと、前記グラフトコポリマーの質量を基準にして最大２０質量％の重合したエチレン性不飽和酸モノマーとから実質的になり；前記側鎖が、重合したエチレン性不飽和モノマーと、前記マクロモノマーの質量を基準にして２〜約１００質量％の重合したエチレン性不飽和酸含有モノマーとから実質的になる親水性マクロモノマーであり、質量平均分子量が約１，０００〜約３０，０００であることを特徴とし；前記グラフトコポリマーの酸基が無機塩基またはアミンで中和されているグラフトコポリマーからなる群から選択される誘電性ポリマーからなる群から選択された１またはそれ以上の樹脂を前記分散剤が含む、上記３４に記載のドナー。
３７．ベースフィルムが、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、およびポリイミドからなる群から選択されたポリマー材料を含む、上記２１に記載のドナー。
３８．キャリア層が２つ以上の層を含む、上記２１に記載のドナー。
３９．キャリア層が、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリ複素環式芳香族ビニレン、およびそれらの誘導体からなる群から選択された導電性ポリマーを含む導電性層であり、前記ポリマー主鎖中に窒素原子または硫黄原子が存在する、上記２１に記載のドナー。
４０．キャリア層が、ポリアニリンおよびそれらの誘導体からなる群から選択される導電性層であり、０．１〜１２質量％の単層カーボンナノチューブと、１〜３０個の炭素を有する有機プロトン酸とをさらに含み、前記酸が、前記ポリアニリン主鎖中の窒素原子のモル当量の約２５％〜約１００％である、上記２１に記載のドナー。
４１．ａ）ベースフィルムを含む熱画像形成レシーバーと；
ｂ）パターニングされたナノ粒子層と、
ｃ）パターニングされたキャリア層とを含む、上記１に記載の方法によって製造された組成物。
４２．ａ）ベースフィルムを含む熱画像形成レシーバーと、
ｂ）パターニングされたナノ粒子層とを含む、上記１５に記載の方法によって製造された組成物。
４３．熱画像形成レシーバーが、ベースフィルムとパターニングされたナノ粒子層との間に介在する、パターニングされた半導体層、パターニングされた導体層、およびパターニングされた誘電体層からなる群から選択された少なくとも１つのパターニングされた層をさらに含む、上記４１または４２に記載の組成物。
４４．熱画像形成レシーバーが、積層順で：
ａ）パターニングされたゲート導体層と、
ｂ）パターニングされた誘電体層と、
ｃ）パターニングされたソース／ドレイン導体層とをさらに含み、これらすべてが、前
記ベースフィルムと前記パターニングされたナノ粒子層との間に介在する、上記４１または４２に記載の組成物。
４５．積層順でレシーバー上に、パターニングされた追加の転写層、前記パターニングされたナノ粒子層、および前記パターニングされたキャリア層を含み、前記パターニングされた追加の転写層が、半導体層、導体層、および誘電体層からなる群から選択される、上記１３に記載の方法によって製造された組成物。
４６．熱画像形成レシーバーが、ベースフィルムとパターニングされた追加の転写層との間に介在する、パターニングされた半導体層、パターニングされた導体層、およびパターニングされた誘電体層からなる群から選択された少なくとも１つのパターニングされた層をさらに含む、上記４５に記載の組成物。
４７．熱画像形成レシーバーが、積層順で：
ａ）パターニングされたゲート導体層と、
ｂ）パターニングされた誘電体層と、
ｃ）パターニングされたソース／ドレイン導体層とをさらに含み、
これらすべてがベースフィルムと前記パターニングされた追加の転写層との間に介在する、上記４５に記載の組成物。
４８．積層順でレシーバー上に、パターニングされた追加の転写層および前記パターニングされたナノ粒子層を含む、上記１７に記載の方法によって製造された組成物。
４９．ナノ粒子層の表面上に追加の転写層をさらに含む、上記２１に記載のドナー。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノ粒子の熱転写パターニング方法であって：
ａ）積層順でベースフィルムと、キャリア層と、ナノ粒子層とを含む熱画像形成ドナーを提供する工程；
ｂ）前記熱画像形成ドナーを熱画像形成レシーバーに接触させる工程であって、前記熱画像形成レシーバーがベースフィルムを含む工程；および
ｃ）前記ナノ粒子層の少なくとも一部を前記キャリア層の対応する近接部分とともに、熱転写によって前記熱画像形成レシーバー上に転写して、積層順で、該レシーバー上に、パターニングされたナノ粒子層およびパターニングされたキャリア層を提供する工程を含み；
前記熱画像形成ドナーが、（１）不揮発性画分であって、前記不揮発性画分の質量を基準にして、６５〜１００質量％装填のナノ粒子画分、および場合により最大３５質量％装填の分散剤を含む不揮発性画分と（２）揮発性キャリア流体とから実質的になる分散液を提供する工程と；前記ベースフィルムと前記キャリア層とを含む熱画像形成基体を提供するステップと；前記分散液を前記キャリア層上に塗布し、前記キャリア流体を揮発させて前記熱画像形成ドナーを提供する工程とを含む方法によって製造される、熱転写パターニング方法。
【請求項２】
熱画像形成ドナーが、半導体層、導体層、および誘電体層からなる群から選択された１つまたはそれ以上の追加の転写層をナノ粒子層の表面上に含み、転写工程が、前記追加の転写層の対応する近接部分を転写して、積層順でレシーバー上に、パターニングされた追加の転写層、前記パターニングされたナノ粒子層、および前記パターニングされたキャリ
ア層を提供することをさらに含む、請求項１に記載の熱転写方法。
【請求項３】
パターニングされたキャリア層を熱画像形成レシーバーから除去して、実質的に無傷であり前記レシーバーに付着した前記パターニングされたナノ粒子層を提供する工程をさらに含む、請求項１に記載の熱転写方法。
【請求項４】
パターニングされたキャリア層を熱画像形成レシーバーから除去して、積層順で前記レシーバー上に、前記パターニングされた追加の転写層、および実質的に無傷であり前記レシーバーに付着した前記パターニングされたナノ粒子層を提供する工程をさらに含む、請求項２に記載の熱転写方法。
【請求項５】
多層熱画像形成ドナーであって、積層順で：
ａ）ベースフィルムと；
ｂ）誘電体層および導電層からなる群から選択されたキャリア層と；
ｃ）平均最長寸法が５ｎｍ〜１５００ｎｍであることを特徴とする複数のナノ粒子を含むナノ粒子画分を含むナノ粒子層とを含み；
前記キャリア層が誘電体層を含む場合には、前記ベースフィルムが、第１の光減衰剤を含み、３５０〜１５００ｎｍの波長において０．１またはそれ以上のＯＤを有する、多層熱画像形成ドナー。
【請求項６】
ａ）ベースフィルムを含む熱画像形成レシーバーと；
ｂ）パターニングされたナノ粒子層と、
ｃ）パターニングされたキャリア層とを含む、請求項１に記載の方法によって製造された組成物。
【請求項７】
ａ）ベースフィルムを含む熱画像形成レシーバーと、
ｂ）パターニングされたナノ粒子層とを含む、請求項３に記載の方法によって製造された組成物。
【請求項８】
積層順でレシーバー上に、パターニングされた追加の転写層、前記パターニングされたナノ粒子層、および前記パターニングされたキャリア層を含み、前記パターニングされた追加の転写層が、半導体層、導体層、および誘電体層からなる群から選択される、請求項２に記載の方法によって製造された組成物。
【請求項９】
積層順でレシーバー上に、パターニングされた追加の転写層および前記パターニングされたナノ粒子層を含む、請求項４に記載の方法によって製造された組成物。