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【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面上にシリコン含有物質をエピタキシャル的に形成する方法であって：
単結晶表面を含む基板をプロセスチャンバ内に配置するステップと；
該基板を堆積ガスにさらして、該単結晶表面上にエピタキシャル層を形成するステップであって、該堆積ガスが、モノシランと高次シランを含むシリコン源を含んでいる、前記ステップと；
を含む、前記方法。
【請求項２】
該層が、該基板の陥凹部上に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
４：１を超えるように該モノシランと該高次シランとの比を調整するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該高次シランが、ジシラン、ネオペンタシラン及びこれらの混合物より選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
メチルシランを含む炭素含有源を流すステップを更に含み、該炭素含有源が、不活性キャリヤガスと流される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
該キャリヤガスが、アルゴンを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
該高次シランが、ジシランを含み、該モノシランと該ジシランとの比が、約５：１である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
該基板を該堆積ガスにさらした直後に該プロセスチャンバをパージするステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
該基板をエッチングガスにさらすステップを更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
該基板をエッチングガスにさらした直後に該プロセスチャンバをパージするステップを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
該エッチングガスが、塩素とＨＣｌを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
一つのプロセスサイクルが、堆積ステップと、該エッチングガスにさらすステップと、該プロセスチャンバをパージするステップを連続して含み、該プロセスサイクルが、少なくとも二回繰り返される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
該基板を該堆積ガスにさらし且つ該プロセスチャンバをパージするプロセスを繰り返して、所定の厚さを有するシリコン含有層を形成するステップを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
該ネオペンタシランの源が、該プロセスチャンバから約５フィート以内に位置する、請求項５に記載の方法。
【請求項１５】
該堆積ガスが、ホウ素、ヒ素、リン、アルミニウム、ガリウム、ゲルマニウム、炭素及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる元素供給源を含むドーパント化合物を更に含んでいる、請求項５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
[0045]ドーパント源は、通常は約０.１ｓｃｃｍ〜約２０ｓｃｃｍ、例えば、約０.５ｓｃｃｍ〜約１０ｓｃｃｍ、より詳しくは約１ｓｃｃｍ〜約５ｓｃｃｍの範囲にある、例えば、約２ｓｃｃｍの流量で堆積プロセス中にプロセスチャンバ内に供給される。ドーパント源として有用なホウ素含有ドーパントには、ボランや有機ボランが含まれる。ボランには、ボラン、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、トリボラン、テトラボラン、ペンタボランが含まれ、アルキルボランには、実験式ＲｘＢＨ（３-ｘ）、ここで、Ｒ＝メチル、エチル、プロピル又はブチル、ｘ＝１、２又は３を有する化合物が含まれる。アルキルボランには、トリメチルボラン（（ＣＨ３)３Ｂ）、ジメチルボラン（（ＣＨ３)２ＢＨ）、トリエチルボラン（（ＣＨ３ＣＨ２)３Ｂ）、ジエチルボラン（（ＣＨ３ＣＨ２)２ＢＨ）が含まれる。ドーパントには、また、アルシン（ＡｓＨ３）、ホスフィン（ＰＨ３）、実験式ＲｘＰＨ（３−ｘ）、ここで、Ｒ＝メチル、エチル、プロピル又はブチル、ｘ＝１、２又は３を有するようなアルキルホスフィンが含まれてもよい。アルキルホスフィンには、トリメチルホスフィン（（ＣＨ３)３Ｐ）、ジメチルホスフィン（（ＣＨ３)２ＰＨ）、トリエチルホスフィン（（ＣＨ３ＣＨ２）３Ｐ）、ジエチルホスフィン（（ＣＨ３ＣＨ２)２ＰＨ）が含まれる。アルミニウムやガリウムのドーパント源には、実験式ＲｘＭＸ（３-ｘ）、ここで、Ｍ＝Ａｌ又はＧａ、Ｒ＝メチル、エチル、プロピル又はブチル、Ｘ＝Ｃｌ又はＦ、ｘ＝０、１、２又は３により記載されるようなアルキル化及び／又はハロゲン化誘導体が含まれてもよい。アルミニウムやガリウムのドーパント源の例としては、トリメチルアルミニウム（Ｍｅ３Ａｌ）、トリエチルアルミニウム（Ｅｔ３Ａｌ）、塩化ジメチルアルミニウム（Ｍｅ２ＡｌＣｌ）、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）、トリメチルガリウム（Ｍｅ３Ｇａ）、トリエチルガリウム（Ｅｔ３Ｇａ）、塩化ジメチルガリウム（Ｍｅ２ＧａＣｌ）、塩化ガリウム（ＧａＣｌ３）が挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
[0063]一つ以上の実施形態によれば、ＰＭＯＳトランジスタ１４０は、ゲート電極１５２と、ソース領域１４４と、ドレイン領域１４６を備える。ＰＭＯＳゲート電極１５２の厚さは、拡張可能であり、デバイス性能に関係する問題に基づいて調整することができる。ＰＭＯＳゲート電極１５２は、ｐ形デバイスの仕事関数に対応する仕事関数を持つ。ソース・ドレイン領域は、ゲート電極１５２の反対側のｐ形領域である。チャネル領域１４８は、ソース領域１４４とドレイン領域１４６の間に挟まれている。ゲート誘電体層１４２は、チャネル領域１４８とゲート電極１５２を分けている。誘電体１４２は、チャネル領域１４８からゲート電極１５２を電気的に絶縁する。図５に示されすぐ上に記載されるトランジスタ１１０と１４０の構造は単に例示であり、物質、層等の様々な変形例が本発明の範囲内であることは理解されるであろう。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
[0064]ここで図６を参照すると、図６は、スペーサ、ソース／ドレイン領域の上の層、例えば、シリサイド層の形成と、エッチング停止の形成後の図５のＮＭＯＳデバイス１１０の詳細を更に示す図である。図５に示されるＰＭＯＳデバイスが、以下に記載されるように、寸法及び／又は組成を調整してＮＭＯＳデバイスのチャネル内に生じる応力に影響を及ぼすことができる同様のスペーサと層を含有してもよいことは理解されるであろう。しかしながら、図示のために、ＮＭＯＳデバイスのみが示され、詳細に記載されている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＳｉとＣを含有するエピタキシャル層を形成する方法であって：
プロセスチャンバ内に基板を配置するステップと；
プロセスチャンバ内の圧力を約２００トールより高く維持しつつ、該基板をシリコン源と、炭素源と、リン源にさらして、該基板の少なくとも一部にリンでドープされたＳｉ：Ｃエピタキシャル膜を形成するステップと；
該基板をエッチングガスにさらすことにより該基板を更に処理するステップと；
を含む、前記方法。
【請求項２】
該プロセスチャンバ内の圧力が、少なくとも約３００トールに維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該プロセスチャンバ内の温度が、約７００℃以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
得られた該エピタキシャル膜が、該膜中に含有される全炭素の少なくとも約５０％である置換型炭素を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
該リン源が、ＰＨ３を含み、該エピタキシャル膜における該リン濃度が、少なくとも約１Ｅ２０原子／ｃｍ３である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
該基板が、単結晶表面と、アモルファス表面、多結晶表面及びこれらの組み合わせより選ばれる少なくとも第二表面とを含み、ここで、エピタキシャル層が、該単結晶表面上に形成され、多結晶層が、該第二表面上に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
該エッチングガスが、ＨＣｌを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
約７００℃未満の温度で該エッチングガスにさらされる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
基板上にＳｉとＣを含有するエピタキシャル層を形成する方法であって：
単結晶表面と、アモルファス表面、多結晶表面及びこれらの組み合わせより選ばれる少なくとも第二表面とを含む基板をプロセスチャンバ内に配置するステップと；
該プロセスチャンバ内の圧力を約２００トールを超える圧力に維持しつつ、該基板をシリコン源と、炭素源と、リン源と、エッチング源にさらして、該第二表面上に成長させることなく、該単結晶表面上にリンでドープされたＳｉ：Ｃエピタキシャル膜を形成させるステップと；
を含む、前記方法。
【請求項１０】
該第二表面が、誘電体表面を含み、該チャンバの温度が、約７００℃未満に維持される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
得られた該Ｓｉ：Ｃエピタキシャル膜のリン濃度が、約１Ｅ２０原子／ｃｍ３を超える、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
該Ｓｉ：Ｃエピタキシャル膜が、トランジスタ製造プロセスの製造ステップ中に堆積され：
プロセスチャンバ内で基板上にゲート誘電体を形成するステップと；
該ゲート誘電体上にゲート電極を形成するステップと；
該電極の反対側の基板上にソース／ドレイン領域を形成し、更に、ソース／ドレイン領域の間にチャンネル領域を画成するステップと；
該ソース／ドレイン領域上に直接リンでドープされたシリコンと炭素を含有する該エピタキシャル層を堆積させるステップと；
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
圧力が少なくとも約３００トールに維持され、該プロセスチャンバ内の温度が、約７００℃以下に維持され、得られた該エピタキシャル膜が、該膜中に含有される全炭素の少なくとも約５０％である置換型炭素を含有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
該基板が、単結晶表面と、アモルファス表面、多結晶表面及びこれらの組み合わせより選ばれる少なくとも第二表面とを含み、ここで、エピタキシャル層が、該単結晶表面上に形成され、多結晶層が、該第二表面上に形成される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
該エッチングガスが、ＨＣｌを含み、約７００℃未満の温度で該エッチングガスにさらされる、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月21日(2010.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パフォーマンスを記録及び送信する方法であって、
（ａ）（ｉ）前壁、後壁、前壁と後壁の間に延びる側壁、フロア、及び天井を有する内部と、（ｉｉ）前記前壁にマウントされ、少なくとも１つのブース内ライブパフォーマンスを構成するビデオ信号を生成するための高解像度デジタルカメラと、（ｉｉｉ）前記ブース内ライブパフォーマンスのオーディオレコーディングを構成するオーディオ信号を検出及び生成するためのオーディオシステムと、（ｉｖ）前記ブース内で行った前記ブース内ライブパフォーマンスと共に前記デジタルカメラにより検出される背景光を生成するため、前記後壁の少なくとも一部を覆って延びるクロマキー(chroma key)スクリーンと、（ｖ）風景背景を表す背景信号を生成するコンピュータシステムと、（ｖｉ）前記ブースから遠隔の場所にあるコンピュータ・サーバに信号を送る送受信装置と、（ｖｉｉ）前記ビデオ信号、前記オーディオ信号、及び前記背景信号を受信し、前記ビデオ信号、前記オーディオ信号、及び前記背景信号を組み込んだ前記ブース内ライブパフォーマンスの録音されたパフォーマンスを構成するパフォーマンス信号を生成して、該パフォーマンス信号を前記送受信装置に送信するためのフラッシュエンコーダーとを含むスタジオブースを提供する段階と、
（ｂ）前記ブースから遠隔にあるコンピュータ・サーバを提供する段階と、
（ｃ）前記ブース内ライブパフォーマンスを実施する段階と、
（ｄ）前記フラッシュエンコーダーを用いて前記ブース内パフォーマンスのパフォーマンス信号を生成して、前記パフォーマンス信号を前記送受信装置に送信する段階と、
（ｅ）前記送受信装置を用いて前記パフォーマンス信号を前記コンピュータ・サーバに送信して該コンピュータサーバ内に格納する段階と、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月2日(2010.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイアセンブリのための照明システムであって、トラックアセンブリと、前記トラックアセンブリに取り外し自在に取り付けられた又は取り付けられうる１以上の発光ダイオード（ＬＥＤ）照明ユニット（２）と、前記トラックアセンブリに取り付けられた前記照明ユニット（２）へ電力を供給する手段（１５）とを備えており、前記トラックアセンブリは、モジュール式であり、取り外し自在に相互接続された又は相互接続されうるトラック（１）を備えている、前記照明システム。
【請求項２】
少なくとも１つの前記照明ユニット（２）は、該照明ユニット（２）をトラック（１）に機械的に取り付け且つ電気的に接続する連結器（７）と、前記連結器（７）に対して光を合わせるための位置決め部（６、８）とを備えている、請求項１に記載の照明システム。
【請求項３】
少なくとも１つの前記照明ユニット（２）は、放熱器（１２）を備えた台座（８）に据え付けられている少なくとも１のＬＥＤ（９）を備えている、請求項１又は２に記載の照明システム。
【請求項４】
前記台座（８）は電気回路基板を備えており、且つそれぞれのＬＥＤ（９）は、前記回路基板を介して、高い熱伝導性を有するバイアスによって放熱器（１２）に熱的に結合されている、請求項３に記載の照明システム。
【請求項５】
前記照明システムはさらに、前記トラックアセンブリに接続された少なくとも１つの照明ユニット（２）を制御するための信号を生成する制御ユニット（１６）備えており、且つ少なくとも１つの照明ユニット（２）は、信号を検出し且つ処理するための受信機と、照明ユニット（２）のパラメータを調節する手段を備えられている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項６】
少なくとも１つの照明ユニット（２）は、前記照明システム内で一意的であるアドレスを割り当てられており、且つ前記制御ユニット（１６）は、対応する前記照明ユニット（２）を個々に制御するためのアドレス情報を含む制御信号を生成するように適合されている、請求項５に記載の照明システム。
【請求項７】
少なくとも１つの照明ユニット（２）において、該アドレスは、ハードウェア及び／又はソフトウェア設定によって変更可能である、請求項６に記載の照明システム。
【請求項８】
少なくとも１つの照明ユニット（２）はさらに、信号を前記制御ユニット（１６）へ送信する送信機を備えており、前記制御ユニット（１６）はさらに、前記照明ユニット（２）からの前記信号を検出し且つ処理するための受信機を備えている、請求項５〜７のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項９】
前記信号は、変調された高周波（ＨＦ）広帯域搬送信号として又は電力低下若しくは中断として、少なくとも１つの電力供給線（５Ａ、５Ｂ）に沿って送信される、請求項５〜８のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１０】
前記制御ユニット（１６）は、特定の照明配置及び／又は照明効果を達成するためにプログラム可能である、請求項５〜９のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１１】
前記トラック（１）は直流電力を伝送するために配置されており、且つ前記照明ユニット（２）は前記照明ユニット（２）のために正しい電気的極性を保証する整流器を備えている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１２】
トラック（１）は、耐腐食性物質から製作され又はそれで被覆された電極（５Ａ、５Ｂ）を備えられている、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の前記照明ユニット（２）のすべての特徴を示し、従って請求項１〜１２のいずれか１項に記載の前記照明システムにおける使用のために構築され且つ明白に意図されている前記照明ユニット（２）。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか1項に記載の照明システム又は照明ユニット（２）を備えている、前記販売装置。
【請求項１５】
販売装置が冷却された自動販売機である、請求項１４に記載の販売装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月1日(2010.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱環境向け熱管理システムにおいて、
肺様噴出器であって、
チャンバを画定する少なくとも１つの壁と、
前記少なくとも１つの壁上の少なくとも１つの活性部材と、
前記少なくとも１つの壁の内側にあってチャンバを包囲する対応部材であって、前記チャンバと加熱環境との間の流体連通を容易にする少なくとも１つの開口部を有する対応部材とを備える肺様噴出器を備える、熱管理システム。
【請求項２】
前記肺様噴出器に電流を提供するための電気回路を備える、請求項１に記載の熱管理システム。
【請求項３】
前記電流はより低い高調波を示す、請求項２に記載の熱管理システム。
【請求項４】
加熱環境は、少なくとも１つの加熱体からなる、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の熱管理システム。
【請求項５】
前記少なくとも１つの開口部は、周囲流体を排出するために、前記少なくとも１つの加熱体上に直接配置されている、請求項４に記載の熱管理システム。
【請求項６】
前記少なくとも１つの開口部は、少なくとも１つの加熱体の上面に対して直角である、請求項５に記載の熱管理システム。
【請求項７】
前記弾性材料は、前記チャンバと加熱環境との間の液体連絡を容易にする複数の開口部を備える、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の熱管理システム。
【請求項８】
前記肺様噴出器を搭載する基底部と、
前記肺様噴出器を包囲する複数の羽根とを備える、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の熱管理システム。
【請求項９】
前記基底部の上に積層配置された複数の肺様噴出器を備える、請求項８に記載の熱管理システム。
【請求項１０】
前記肺様噴出器は、前記弾性材料を挟む１対の壁を有し、前記壁はそれぞれ少なくとも１つの圧電素子を有する、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の熱管理システム。
【請求項１１】
肺様噴出器において、
第１柔軟構造体と、
第２柔軟構造体と、
前記第１及び第２柔軟構造体のうちの少なくとも１つに取り付けられた少なくとも１つの活性部材と、
前記第１及び第２柔軟構造体の間に位置する対応部材であって、前記チャンバと周囲環境との間の流体連通を容易にするための、少なくとも１つの孔を備える、対応部材と、を備える、肺様噴出器。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの活性部材に電流を提供するための電気回路を備える、請求項１１に記載の肺様噴出器。
【請求項１３】
加熱環境向け冷却システムにおいて、
１つの自由末端及び１つの固定末端を有する基板と、
前記基板上に配置された少なくとも１つの圧電素子と、
前記少なくとも１つの圧電素子に電流を提供するための電気回路とを備える冷却システム。
【請求項１４】
肺様噴出器を製造する方法において、
１対の柔軟構造体であって、そのうち少なくとも１つが取り付け用活性部材を有する、柔軟構造体を提供するステップと、
前記１対の柔軟構造体の間に、少なくとも１つの孔を有する対応部材を取り付けるステップと、
前記１対の柔軟構造体に電気接点を追加するステップとを備える方法。
【請求項１５】
前記取り付けステップは、
半液体シリコーン系材料としての対応部材を分注するステップと、
半液体シリコーン系材料を、柔軟構造体の１つに接触させるステップと、
もう１つの柔軟構造体を、半液体シリコーン系材料と接触するように配置するステップとを含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ浸漬イオン注入プロセスによって基板内にイオンを注入する方法であって：
処理チャンバ内に基板を準備するステップと；
該チャンバ内に反応ガスと還元ガスを含むガス混合物からプラズマを生成させるステップと；
該基板内に該プラズマからのイオンを注入するステップと；
を含む、前記方法。
【請求項２】
該反応ガスが、ＢＦ３、Ｂ２Ｈ６、ＢＣｌ３、Ｐ２Ｈ５、ＰＨ３、ＧａＮ、ＡｓＦ５、又はＰＦ３の少なくとも一つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該還元ガスが、ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ６、ＮＨ３、又はＨ２の少なくとも一つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
プラズマを生成させる該ステップが：
該処理チャンバ内に該ガス混合物とともに窒素含有ガスを供給する工程；
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
該反応ガスが、ＢＦ３であり、該還元ガスが、ＳｉＨ４ガスである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
該反応ガスが、ＢＦ３とＢ２Ｈ６であり、該還元ガスが、ＳｉＨ４ガスである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
該反応ガスが、ＢＦ３であり、該還元ガスが、Ｂ２Ｈ６ガスである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
該処理チャンバからポンプで排出する揮発性ガスを形成するステップ；
を更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
注入する該ステップが：
該基板表面から約１０オングストローム〜約８００オングストロームの深さで該基板内に該イオンを注入する工程；
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
該反応ガスと該還元ガスが、約１：０.０１〜約１：０.５のガス流量比で供給される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
該還元ガスが、水素含有ガスである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
プラズマ浸漬イオン注入プロセスによって基板内にイオンを注入する方法であって：
処理チャンバ内に基板を準備するステップと；
該チャンバ内に反応ガスと水素含有還元ガスを含むガス混合物を供給するステップであって、該水素含有還元ガスはＳｉＨ４またはＢ３Ｈ６ガスのうち少なくとも一つを含む前記ステップと；
該ガス混合物からプラズマを形成するステップと；
該ガス混合物から該基板内にイオンを注入するステップと；
を含む、前記方法。
【請求項１３】
プラズマ浸漬イオン注入プロセスによって基板内にイオンを注入する方法であって、
処理チャンバ内に基板を準備するステップと；
反応ガスとＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ６、ＮＨ３、及びＨ２を含む群より選ばれる水素含有還元ガス含むガス混合物とを該チャンバ内に供給するステップと；
ＲＦ電力を印加して、プラズマを形成させるステップと；
該ガス混合物をイオン種として解離させるステップであって、該還元ガスからの該イオン種がイオン種の第一部分と反応する工程と、該チャンバから副生成物をポンプで排出する工程とを含む、前記ステップと；
該ガス混合物からの該イオン種の第二部分を該基板内に注入するステップと；
を含む、前記方法。
【請求項１４】
該反応ガスが、ＢＦ３であり、イオン種の該第一部分が、Ｆイオンである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
イオン種の該第一部分が、Ｆイオンであり、該イオンの該第二部分が、Ｂイオンである、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジスト除去（stripping）方法であって：
上部にフォトレジスト層を持つ基板を除去チャンバ内に位置決めするステップと；
水素ガスと、フッ素ガスと酸素ガスの少なくとも一つとから遠隔プラズマ源内にプラズマを形成させるステップと；
該遠隔プラズマ源からのプラズマと水蒸気を該チャンバに導入するステップと；
該基板から該フォトレジストを除去するステップと；
を含む、前記方法。
【請求項２】
除去された該基板をアニールするステップを更に備え、
該フォトレジスト層が、除去前に注入プロセスにさらされる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該フォトレジストを持つ該基板を注入チャンバ内に配置し、該基板と該フォトレジスト層の間に配置された層にイオンを注入し、該フォトレジスト上にクラストを形成させるステップと；
該基板を該注入チャンバから搬送させるステップと；
該基板を該除去チャンバからアニールチャンバに搬送させるステップと；
該基板をアニールするステップと；
を含み、該イオンが、ホウ素、リン、ヒ素、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該フォトレジストを持つ該基板を注入チャンバ内に配置し、該基板と該フォトレジスト層の間に配置された層にイオンを注入し、該フォトレジスト上にクラストを形成させるステップと；
該基板を該注入チャンバから搬送させるステップと；
該基板を該除去チャンバからアニールチャンバに搬送させるステップと；
該基板をアニールするステップと；
を含み、該クラスト層が、二つの炭素−炭素単結合によって一緒に結合される二つの芳香環を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
除去する該ステップが、該フォトレジストを二原子の酸素、二酸化炭素、水、及び二原子の（diatomic）水素に変換する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
除去する該ステップが、該基板をＲＦ電流でバイアスさせる工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
フォトレジスト除去（stripping）方法であって：
基板を処理チャンバに配置するステップであって、該基板がその上にフォトレジスト層を持つ、前記ステップと；
一つ以上のイオンを該フォトレジストと該基板の間に配置された層に注入するステップであって、注入する該ステップが、該フォトレジスト層の少なくとも一部からクラスト層を形成させる、前記ステップと；
遠隔プラズマ源内にプラズマを点火させるとともに該クラスト層を該プラズマにさらすステップと；
該クラスト層を水蒸気にさらすステップと；
該クラスト層と該フォトレジスト層を取り除く（removing）ステップと；
を含む、前記方法。
【請求項８】
該クラスト層が、二つの炭素−炭素単結合によって一緒に結合される二つの芳香環を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
注入された該イオンが、ホウ素を含み、該プラズマが、該遠隔プラズマ源に水素ガスを流し込むことにより点火され、該水蒸気の流量が、約８０ｓｃｃｍ〜約１００ｓｃｃｍである、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
注入された該イオンが、ホウ素を含み、該プラズマが、該遠隔プラズマ源に水素ガスを流し込むことにより点火され、該水蒸気の流量が、約２８００ｓｃｃｍ〜約３０００ｓｃｃｍである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
注入された該イオンが、ホウ素を含み、該プラズマが、該遠隔プラズマ源に四フッ化炭素と酸素を流し込むことによって点火され、該四フッ化炭素の流量が、約２２５ｓｃｃｍ〜約２７５ｓｃｃｍであり、該酸素の流量が、約４９００ｓｃｃｍ〜約５１００ｓｃｃｍであり、該水蒸気の流量が、約３２５ｓｃｃｍ〜約３７５ｓｃｃｍである、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
該イオンが、ホウ素、リン、ヒ素、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれ、除去する該ステップが、該フォトレジストを二原子の酸素と、二酸化炭素と、水と、二原子の水素に変換する工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
該基板をアニールするステップを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
処理システムであって：
搬送チャンバと；
該搬送チャンバと結合された注入チャンバと；
該搬送チャンバと結合された除去チャンバと；
該搬送チャンバと結合されたアニールチャンバと；
該搬送チャンバと結合されたファクトリインタフェースと；
該ファクトリインタフェースに結合された一つ以上のＦＯＵＰと；
を含む、前記システム。
【請求項１５】
該除去チャンバが、それに結合される遠隔プラズマ源を備える、請求項１４に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月24日(2010.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザーに向けられた着呼を接続されたコンピューターシステムに警告する呼制御補助コンポーネントについての方法であって、
前記呼制御補助コンポーネントにおいて前記ユーザーに向けられた前記着呼を受信するステップと、
前記コンピューターシステムが、前記着呼に応答するのに適した状態であるかどうかを判定するステップと、
前記コンピューターシステムが適した状態ではないと判定すると、前記着呼に応答し、前記コンピューターシステムに信号を送信して、前記コンピューターシステムが前記適した状態になるようにさせるステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記呼制御補助コンポーネントは、ユーザーのためのエンドポイントとして通信サーバーに登録され、
前記着呼は前記通信サーバーから受信される
ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コンピューターシステムに信号を送信して、前記コンピューターシステムに電源をオンさせることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記コンピューターシステムに信号を送信して、前記コンピューターシステムが休止状態から起動させることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記コンピューターシステムに信号を送信して、前記コンピューターシステムが前記着呼に応答するのに適した状態になるようにさせること特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記コンピューターシステムが前記適した状態ではないと判定したとき、前記着呼を転送するかどうかを判定するステップと、
前記着呼を転送すると判定したとき、前記着呼を予め設定された番号に転送するステップと、
をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記予め設定された番号は、少なくとも１つの転送ルールに基づいて判定されることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記呼制御補助コンポーネントは、偏向ボタンの起動に基づいて前記着呼を転送するのを判定することを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記呼制御補助コンポーネントは、少なくとも１つの転送ルールに基づいて前記着呼を転送するのを判定することを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
呼制御補助コンポーネントを制御してコンピューターシステムに着呼を警告するコンピューター実行可能命令を用いて符号化されるコンピューター可読媒体であって、
ユーザーのためのエンドポイントとして通信サーバーに登録するステップと、
前記ユーザー向けの着呼を受信するステップと、
前記着呼を受信したとき、前記コンピューターシステムが前記ユーザーに前記着呼を警告するのに適した状態であるかどうかを判定するステップと、
前記コンピューターシステムが前記適した状態ではないと判定したとき、前記着呼に応答し、前記コンピューターシステムに信号を送信して、前記コンピューターシステムが前記適した状態になるようにさせるステップと、
を備える方法によって符号化されるコンピューター可読媒体。
【請求項１１】
前記適した状態は、前記着呼に応答するのに適した状態であることを特徴とする、請求項１０に記載のコンピューター可読媒体。
【請求項１２】
前記コンピューターシステムへの信号の送信は、前記着呼の識別情報を前記コンピューターシステムに送信することを含むことを特徴とする、請求項１０に記載のコンピューター可読媒体。
【請求項１３】
前記コンピューターシステムが前記適した状態ではないと判定したとき、前記着呼を転送するかどうかを判定するステップと、
前記着呼を転送すると判定したとき、前記着呼を予め設定された番号に転送するステップと、
をさらに備えることを特徴とする、請求項１０に記載のコンピューター可読媒体。
【請求項１４】
前記着呼を受信したとき、前記着呼を表示することをさらに備えることを特徴とする、請求項１０に記載のコンピューター可読媒体。
【請求項１５】
前記着呼は、前記通信サーバーに信号を送信して前記着呼を置くことを特徴とする、請求項１０に記載のコンピューター可読媒体。
【請求項１６】
コンピューターシステムに着呼を警告する呼制御補助コンポーネントであって、
前記コンピューターシステムへの接続および前記コンピューターシステムとの通信を行うためのコンピューターシステムインタフェースと、
通信リンクへの接続および通信リンク上での通信を行うためのネットワークインタフェースと、
ユーザーのためのエンドポイントとして通信サーバーに登録する登録コンポーネントと、
ユーザーへの着呼を受信し、前記着呼を前記コンピューターシステムに警告するように前記着呼を処理する呼処理コンポーネントと、
を備えることを特徴とする呼制御補助コンポーネント。
【請求項１７】
前記着呼の処理は、
前記コンピューターシステムが前記着呼に応答するのに適した状態であるかどうかを判定すること、および
前記コンピューターシステムが前記適した状態ではないと判定したとき、前記着呼に応答して、前記コンピューターシステムに信号を送信し、前記コンピューターシステムが前記適した状態になるようにすること、
を備えることを特徴とする、請求項１６に記載の呼制御補助コンポーネント。
【請求項１８】
接続された前記コンピューターシステムから独立しており、呼制御補助コンポーネントが機能するようにエネルギーを供給する動力源をさらに備えることを特徴とする、請求項１６に記載の呼制御補助コンポーネント。
【請求項１９】
前記コンピューターシステムが前記適した状態ではないと決定し、そして前記着呼を転送することを決定したとき、前記着呼を予め設定された番号に転送する偏向コンポーネントをさらに備えることを特徴とする、請求項１６に記載の呼制御補助コンポーネント。
【請求項２０】
前記着呼を表示するためのディスプレイスクリーンをさらに備えることを特徴とする、請求項１６に記載の呼制御補助コンポーネント。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月4日(2010.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標的組織に器具を押し付けつつ、前記器具の両端を手で往復移動させることによって、患者の体内の曲がった通路の周辺から前記標的組織を除去するための柔軟性を有する組織改善器具であって、前記器具が、
軸の長さ、幅及び厚さを有する柔軟な細長い本体であって、前記軸の長さが前記幅よりも長く、前記幅が前記厚さよりも長い細長い本体を具えており；
前記本体が、前記軸方向に延びて端部が一緒に結合したワイヤで形成された２つの平行な側部を有しており；
複数の切断面が、前記器具の前記幅にわたって前記２つの側部間を延びていることを特徴とする器具。
【請求項２】
さらに、下部結合面及び上部結合面を具えており、
前記上部及び下部結合面のそれぞれが、前記２つの側部間を延びており、メッシュを具えることを特徴とする請求項１に記載の器具。
【請求項３】
さらに、ワイヤで形成される前記側部に取り付けられて組織収集部を形成するメッシュを具えることを特徴とする請求項１に記載の器具。
【請求項４】
前記ワイヤで形成される側部が、２つの平行なワイヤを具えることを特徴とする請求項１に記載の器具。
【請求項５】
前記細長い本体が、厚さよりも長い幅を有するリボン状であることを特徴とする請求項１に記載の器具。
【請求項６】
さらに、前記器具の遠位端にガイドワイヤカプラを具えることを特徴とする請求項１に記載の器具。
【請求項７】
さらに、前記器具の近位端にハンドル又はハンドル取り付け部を具えることを特徴とする請求項１に記載の器具。
【請求項８】
さらに、前記柔軟な細長い本体の長さ方向に沿って延びる少なくとも１の保護用のガード面を具えることを特徴とする請求項１に記載の器具。
【請求項９】
さらに、隣接する切断面間に隙間を具えることを特徴とする請求項１に記載の器具。
【請求項１０】
各切断面が、前記切断面から突出する１又はそれ以上の切断エッジを具えることを特徴とする請求項１に記載の器具。
【請求項１１】
隣接する切断面の前記切断エッジが、互いに軸に対してオフセットしていることを特徴とする請求項１０に記載の器具。
【請求項１２】
さらに、組織収集部を具えることを特徴とする請求項１に記載の器具。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月19日(2010.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
表２
核酸およびタンパク質配列番号の要約
2010512146.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（表２続き）
2010512146.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月16日(2009.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
棘突起安定化のための移植可能組立体であって、
細長いプレート部品と、前記細長いプレートの表と裏にそれぞれ直角に延伸する表および裏クロスプレートとからなる第一プレートと、
上部回転プレートと、
底部回転プレート、を備え、
前記上部および底部回転プレートは、前記表および裏クロスプレートに垂直な軸の周りに回転するべく構成され、
前記細長いプレートは、前記上部回転プレートの内側表面および前記底部回転プレートの内側表面に対面する内側表面を備えた、移植可能組立体。
【請求項２】
前記上部および底部回転プレートは、前記表および裏クロスプレートの間に形成された隙間に受け入れられるべく構成された、請求項１に記載の組立体。
【請求項３】
請求項２に記載の組立体であって、前記表クロスプレート、前記上部回転プレート、前記底部回転プレートおよび前記裏クロスプレートに形成され、同芯上に整列された貫通孔開口を通して通り抜けるべく構成された支柱部材をさらに備え、かつ前記上部および底部回転プレートは、前記支柱部材の周りに回転するべく、かつ前記細長いプレートによって第一および第二回転角度を設定するべく構成され、それによって前記細長いプレートと前記上部および底部回転プレートそれぞれとの間の第一および第二間隔を画定する、組立体。
【請求項４】
請求項３に記載の組立体であって、前記支柱部材は、前記上部および底部回転プレートを前記細長いプレートに対してしっかり動かないようにして回転を防止するためのロック要素を備え、かつ前記支柱部材は細長いボルトを備え、前記ロック要素は前記ボルトの部分に形成され、前記裏クロスプレート貫通孔の内径ねじに係合するべく寸法決めされたねじを備える、組立体。
【請求項５】
請求項３に記載の組立体であって、前記支柱部材は、前記上部および底部回転プレートを前記細長いプレートに対してしっかり動かないようにして回転を防止するためのロック要素を備え、かつ前記支柱部材は細長いボルトを備え、前記ロック要素は、前記ボルト部分に形成され、前記裏クロスプレート貫通孔を該ボルトが通り抜けた後にナットに係合するべく寸法決めされたねじを備える、組立体。
【請求項６】
請求項３に記載の組立体であって、前記細長いプレート、前記上部および底部回転プレートの前記内側表面は、前記プレートを前記細長いプレートと前記上部回転プレート間の前記第一隙間、および前記細長いプレートと前記上部回転プレート間の前記第二隙間、にそれぞれ位置する第一および第二棘突起に対して係合し、かつ摩擦力により動かなくするべく構成された突出物を含む、組立体。
【請求項７】
請求項６に記載の組立体であって、前記表および裏クロスプレートは、前記第一および第二棘突起の間に嵌るべく寸法決めされ、前記棘突起の形状に適合するように形状決めされたエッジを備える、組立体。
【請求項８】
請求項７に記載の組立体であって、前記上部および底部回転プレートは、前記第一および第二棘突起間に前記組立体を側方挿入するために、前記細長いプレートに対して９０度の第一および第二回転角度まで回転される、組立体。
【請求項９】
請求項８に記載の組立体であって、前記上部回転プレートを前記細長いプレートに対してしっかり動かないようにするためにさらに追加のロック部材を備え、前記追加のロック部材は、前記表クロスプレートに形成された第二の貫通孔の内部表面に形成されたねじを通りかつ係合するように、および前記上部回転プレートに摩擦力で係合するように寸法決めされた止めねじを備える、組立体。
【請求項１０】
請求項９に記載の組立体であって、前記細長いプレートの上部端と前記上部回転プレートの上部端をロックするべく構成された上部ロック部材をさらに備え、前記上部ロック部材は前記上部回転プレート端部、前記第一棘突起、および前記細長いプレートの上部端、を貫通して形成されたボルト孔を通して差し込まれるべく構成された長いボルトを備える、組立体。
【請求項１１】
請求項１０に記載の組立体であって、前記細長いプレートの低部端と前記低部回転プレートの低部端をロックするべく構成された低部ロック部材をさらに備え、前記底部ロック部材は前記低部回転プレート底部端、前記第二棘突起、および前記細長いプレートの低部端、を貫通して形成されたボルト孔を通して差し込まれるべく構成された長いボルトを備える、組立体。
【請求項１２】
前記上部および底部ロック部材は、ステープル、より合わせケーブル、縫合線、ピンおよび止めねじ、の一つを含む請求項６に記載の組立体。
【請求項１３】
前記突出物は、歯、スパイク、セレーション、粗い被覆および隆起から構成されるグループから選択される、請求項６に記載の組立体。
【請求項１４】
前記第一プレート部品、前記上部および底部回転プレートは、調整可能な長さを備える、請求項１に記載の組立体。
【請求項１５】
前記上部および底部回転プレートのおのおのは主本体および延伸アームを備え、前記延伸アームは前記主本体から分離可能である、請求項１に記載の組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月28日(2010.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３−ヒドロキシグルタロニトリルを製造する方法であって、（ａ）ＣＮ- 源の水溶液を備えること；（ｂ）溶液のｐＨを８〜１０に調整すること；（ｃ）一般式（Ｉ）
【化１】
2010512396.tif 000001
（式中、Ｘは脱離基である）
で表される化合物を溶液に添加すること；（ｄ）イオン液体、および場合により相間移動触媒を溶液に添加すること；および（ｅ）溶液のｐＨを１２未満で維持する速度で連続的に、または２回以上に分けて不連続的に、追加のＣＮ- を添加すること；
の工程を含む方法。
【請求項２】
イオン液体が、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロホスフェート、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム２−Ｈ−パーフルオロプロパンスルホネート、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム１，１，２−トリフルオロ−２−（ペンタフルオロエトキシ）−エタンスルホネートおよび１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロホスフェートからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
溶液が相間移動触媒を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
３−ヒドロキシグルタロニトリルを、反応混合物から回収せずに、化合物、モノマー、オリゴマーまたはポリマーへの変換に供する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
３−ヒドロキシグルタロニトリルから化合物、モノマー、オリゴマーまたはポリマーを製造する反応に、３−ヒドロキシグルタロニトリルを供する工程を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
製造されるポリマーが、ピリドビスイミダゾール−２，６−ジイル（２，５−ジヒドロキシ−ｐ−フェニレン）ポリマーまたはポリ［（１，４−ジヒドロジイミダゾ［４，５−ｂ：４’，５’−ｅ］ピリジン−２，６−ジイル）（２，５−ジヒドロキシ−１，４−フェニレン）］ポリマーを含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
３−ヒドロキシグルタロニトリルを製造する方法であって、
ａ．水およびイオン液体の二相混合物を備えること；
ｂ．一般式（II）
【化２】
2010512396.tif 000002
（式中、Ｘは脱離基である）
で表される化合物を混合物に添加すること；
ｃ．ＣＮ- 源、および場合により相間移動触媒を混合物に添加すること；および
ｄ．溶液のｐＨを１２未満で維持する速度で連続的に、または２回以上に分けて不連続的に、追加のＣＮ- を添加すること；
の工程を含む方法。
【請求項８】
イオン液体が、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロホスフェート、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム２−Ｈ−パーフルオロプロパンスルホネート、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム１，１，２−トリフルオロ−２−（ペンタフルオロエトキシ）−エタンスルホネートおよび１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロホスフェートからなる群から選択される請求項７に記載の方法。
【請求項９】
溶液が相間移動触媒を含む請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
３−ヒドロキシグルタロニトリルを、反応混合物から回収せずに、化合物、モノマー、オリゴマーまたはポリマーへの変換に供する請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
３−ヒドロキシグルタロニトリルから化合物、モノマー、オリゴマーまたはポリマーを製造する反応に、３−ヒドロキシグルタロニトリルを供する工程を更に含む請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
製造されるポリマーが、ピリドビスイミダゾール−２，６−ジイル（２，５−ジヒドロキシ−ｐ−フェニレン）ポリマーまたはポリ［（１，４−ジヒドロジイミダゾ［４，５−ｂ：４’，５’−ｅ］ピリジン−２，６−ジイル）（２，５−ジヒドロキシ−１，４−フェニレン）］ポリマーを含む請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月22日(2010.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３０３℃超の大気圧での融点を有する、Ｉ型ＰＨ、ＩＩ型ＰＨ、非晶質ＰＨ又はそれらの混合物を含む塩酸パロノセトロンの単離された組成物。
【請求項２】
約９５ｗｔ．％超の結晶純度を有するＩ型ＰＨを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
約９５ｗｔ．％超の結晶純度を有するＩＩ型ＰＨを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
約３０５℃超の大気圧での融点を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
Ｉ型ＰＨ、ＩＩ型ＰＨ、非晶質ＰＨ又はそれらの混合物、及び１ｗｔ．％以下のヂアステレオマーを含む塩酸パロノセトロンの単離された組成物であって、３０３℃未満の融点を有する組成物。
【請求項６】
ＩＩ型塩酸パロノセトロンをＩ型塩酸パロノセトロンに転換することを含む、Ｉ型塩酸パロノセトロンの製造方法。
【請求項７】
前記転換はエタノール又はイソプロパノール中に懸濁されるＩＩ型塩酸パロノセトロンを、前記ＩＩ型塩酸パロノセトロンをＩ型塩酸パロノセトロンに転換するのに十分な温度で及び時間で保持することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ａ）少なくとも約４０℃の温度を有する低分子量アルコール中に塩酸パロノセトロンを溶解すること；及び
ｂ）前記塩酸パロノセトロンを再結晶化すること
を含むＩＩ型塩酸パロノセトロンの製造方法。
【請求項９】
前記低分子量アルコールはエタノールである、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）９２〜９９．９部の、ブロックコポリマー接着剤組成物であって、
（ｉ）第１重合共役ジエン、その水素添加誘導体、又はこれらの組み合わせを含む少なくとも１つのゴム状ブロックと、
（ｉｉ）第１重合モノビニル芳香族モノマーを含む少なくとも１つのガラス状ブロックと、を含む、第１ブロックコポリマー（ａ）、を含む、ブロックコポリマー接着剤組成物、及び
（Ｂ）０．１部〜８部未満のアクリル接着剤組成物であって、
（ｉ）７０〜１００部の、少なくとも１つの、４〜２０個の炭素原子を含有する非三級アルキルアルコールのアクリル酸又はメタクリル酸エステルと、
（ｉｉ）０〜３０部の、共重合強化モノマーと、を含む、アクリル接着剤組成物、を含む、感圧性接着剤。
【請求項２】
第１ブロックコポリマーが、式Ｑｎ−Ｙ（式中、
（ａ）Ｑは多腕ブロックコポリマーの腕を表し、各腕が独立に式Ｒ−Ｇ（式中、
（ｉ）Ｒはゴム状ブロックを表し、
（ｉｉ）Ｇはガラス状ブロックを表す）を有し、
（ｂ）ｎは腕の数を表し、少なくとも３の整数であり、
（ｃ）Ｙは多官能性カップリング剤の残基である）の多腕ブロックコポリマーである、請求項１に記載の感圧性接着剤。
【請求項３】
重合第２共役ジエン、その水素添加誘導体、又はこれらの組み合わせを含む少なくとも１つのゴム状ブロックと、第２重合モノビニル芳香族モノマーを含む少なくとも１つのガラス状ブロックと、を含む第２ブロックコポリマー（ｂ）を更に含む、請求項２に記載の感圧性接着剤。
【請求項４】
第１ブロックコポリマーが、ポリモーダルで非対称な星型ブロックコポリマーである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の感圧性接着剤。
【請求項５】
ブロックコポリマー接着剤組成物が、少なくとも６０℃のＴｇを有する第１高Ｔｇ粘着付与剤であって、少なくとも１つのゴム状ブロックに適合する第１高Ｔｇ粘着付与剤と少なくとも６０℃のＴｇを有する第２高Ｔｇ粘着付与剤であって、少なくとも１つのガラス状ブロックに適合する第２高Ｔｇ粘着付与剤とを更に含み、前記第１及び第２の高Ｔｇ粘着付与剤が、少なくとも１１５℃の軟化点を有している、請求項１〜４のいずれか一項に記載の感圧性接着剤。
【請求項６】
（ａ）多腕ブロックコポリマーと直鎖ブロックコポリマーとの比が、１．５：１〜９：１の範囲、
（ｂ）高Ｔｇ粘着付与剤とブロックコポリマーとの総量の比が、０．８：１〜１．２５：１、
（ｃ）ゴム状ブロック適合性高Ｔｇ粘着付与剤とガラス状ブロック適合性高Ｔｇ粘着付与剤との比が、１：１〜９：１の範囲、及び
（ｄ）ブロックコポリマー及び高Ｔｇ粘着付与剤の組み合わせとアクリレート成分との比が、少なくとも８．３：１、
である、請求項５に記載の感圧性接着剤。
【請求項７】
第１主表面及び第２主表面を有する発泡体裏材と、第１主表面に接着している第１接着スキンと、を含むテープであって、第１接着スキンが請求項１〜６のいずれか一項に記載の感圧性接着剤を含む、テープ。
【請求項８】
３５ダイン／ｃｍ未満の表面エネルギーをもった第１表面を有する第１基材と、
第２表面を有する第２基材と、
第１基材の第１表面と第２基材の第２表面との間の接着界面であって、請求項１〜６のいずれか一項に記載の感圧性接着剤を含む接着界面と、を含む、接着複合体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月13日(2010.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その中枢神経系の刺激を必要とする障害または状態を有するヒトまたは動物患者を処置するための組成物であって、少なくとも一つの、オルニチンまたはホモアルギニンとのアンフェタミンの結合体、その塩、その誘導体またはその組合せを含む組成物。
【請求項２】
少なくとも一つのアンフェタミンの結合体が、ｌ−オルニチン−ｄ−アンフェタミンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
少なくとも一つのアンフェタミンの結合体が、ｌ−ホモアルギニン−ｄ−アンフェタミンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
組成物が、非経口経路によって投与された場合に、減少したまたは妨げられた薬理活性を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
アンフェタミンの結合体の塩が、メシラート、塩酸塩、硫酸塩、シュウ酸塩、トリフラート、クエン酸塩、リンゴ酸塩、酒石酸塩、リン酸塩、硝酸塩、安息香酸塩またはそれらの混合物である、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
組成物が、錠剤、カプセル剤、キャプレット、トローチ、ロゼンジ、経口散剤、溶液、経口フィルム剤、薄片または懸濁液の形である、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
錠剤、トローチまたはロゼンジが、チュアブルである、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
少なくとも一つのアンフェタミンの結合体、その塩、その誘導体またはその組合せが、約１ｍｇ〜約５００ｍｇの量で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
少なくとも一つのアンフェタミンの結合体、その塩、その誘導体またはその組合せが、約５ｍｇ〜約２５０ｍｇの量で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
少なくとも一つのアンフェタミンの結合体、その塩、その誘導体またはその組合せが、約１０ｍｇ〜約１００ｍｇの量で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
少なくとも一つのアンフェタミンの結合体、その塩、その誘導体またはその組合せが、アンフェタミン単独と比較した場合に、治療的に生物学的同等なＡＵＣを与えるのに十分な量であるが、Ｃｍａｘスパイクを与えることがない、請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
少なくとも一つのアンフェタミンの結合体、その塩、その誘導体またはその組合せが、アンフェタミン単独と比較した場合に、治療的に生物学的同等なＡＵＣを与えるのに十分な量であるが、同等のＣｍａｘを与えることがない、請求項１に記載の組成物。
【請求項１３】
アンフェタミンの結合体の塩を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１４】
障害または状態が、注意欠陥多動障害、注意欠陥障害、肥満症、ナルコレプシー、食欲抑制、うつ病、不安、覚醒状態またはそれらの組合せである、請求項１に記載の組成物。
【請求項１５】
障害または状態が、注意欠陥多動障害である、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
障害または状態が、注意欠陥障害である、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１７】
障害または状態が、肥満症である、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１８】
障害または状態が、食欲抑制である、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１９】
障害または状態が、うつ病である、請求項１４に記載の組成物。
【請求項２０】
障害または状態が、ナルコレプシーである、請求項１４に記載の組成物。