【事件の表示】
　特願２０００−１３４３１「表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年７月２７日出願公開、特開２００１−２０３０８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１２年１月２１日の出願であって、平成１５年１０月１０日付けで拒絶査定がなされ、平成１５年１１月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後、当審からの審尋に対し平成１７年１月１４日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１５年１１月２０日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年１１月２０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　基板と、前記基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース・ドレイン電極、保護絶縁膜がそれぞれ形成されることにより得られる薄膜トランジスタと、前記保護絶縁膜を含む前記基板の表面を平坦化する平坦化膜と、前記平坦化膜及び前記保護絶縁膜を貫通し、前記ソース・ドレイン電極表面に達するコンタクトホールと、前記コンタクトホールを充填する金属及び前記金属を含む前記平坦化膜上に設けられた電子注入層を陰極とし、
前記陰極の上に少なくともキノリン系錯体よりなる電子輸送層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子とからなる表示装置であって、前記電子注入層が、弗化サマリウム又は弗化マグネシウムより選ばれた材料よりなり０．５〜１０ｎｍの厚さに形成される絶縁性電子注入層である
　上記補正は、本件補正前の請求項１に係る電子輸送層に用いられる材料を特定するとともに、電子注入層に用いられる材料及び厚みを特定したものであり、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的にしたものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）先願発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前の他の出願であって、本願の出願後に出願公開された特願２０００−３８１１０１号（優先権主張番号　特願平１１ー３５６７３２；優先日　平成１１年１２月１５日）（特開平２００１−２３６０２７号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という）には、次の（ａ１）〜（ａ５）の事項が記載されている。
（ａ１）「【０００８】【課題を解決するための手段】
　本発明について図１を用いて説明する。図１において、１０１は絶縁表面を有する基板であり、石英基板などの絶縁基板または表面に絶縁膜を設けたガラス基板、セラミックス基板、結晶化ガラス基板、金属基板もしくはプラスチック基板を用いることができる。
【０００９】
　基板１０１上には画素１０２が形成される。なお、図１では三つの画素を図示しているが、実際にはさらに複数の画素がマトリクス状に形成される。また、ここでは三つの画素の一つを説明するが、他の画素も同じ構造である。
【００１０】
　画素１０２には各々スイッチング用ＴＦＴ１０３と電流制御用ＴＦＴ１０４の二つのＴＦＴが形成される。このとき、スイッチング用ＴＦＴ１０３のドレインは電流制御用ＴＦＴ１０４のゲートに電気的に接続されている。さらに、電流制御用ＴＦＴ１０４のドレインには画素電極（この場合、ＥＬ素子の陰極を兼ねる）１０５が電気的に接続される。こうして画素１０２が形成される。
【００１１】
　ＴＦＴの各配線及び画素電極は抵抗率の低い金属を用いて形成すれば良い。ここではアルミニウム合金を用いると良い。
【００１２】
　画素電極１０５まで形成されたら、全ての画素電極の上にアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を含む絶縁性化合物（以下、アルカリ化合物という）１０６が形成される。なお、アルカリ化合物１０６の輪郭を点線で示しているのは数ｎｍ程度と膜厚が薄いため層状に形成されているのか、島状に点在しているのか不明だからである。
【００１３】
　また、アルカリ化合物としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、フッ化バリウム（ＢａＦ2）、酸化バリウム（ＢａＯ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）または酸化セシウム（Ｃｓ2Ｏ）を用いることができる。これらは絶縁性であるため、層状に形成されたとしても画素電極間のショート（短絡）を招くようなことはない。」
（ａ２）「【００１５】　アルカリ化合物１０６が形成されたら、その上にＥＬ層（エレクトロルミネッセンス層）１０７が形成される。ＥＬ層１０７は公知の材料や構造を用いることができる。即ち、再結合の場を提供する発光層だけでＥＬ層としても良いし、必要に応じて電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔素子層もしくは正孔注入層を積層しても良い。本明細書中では、キャリアの注入、輸送または再結合が行われる層をすべて含めてＥＬ層と呼ぶ。」
（ａ３）「【００３６】　スイッチング用ＴＦＴ２０１は、ソース領域１３、ドレイン領域１４、ＬＤＤ領域１５a〜１５d、高濃度不純物領域１６及びチャネル形成領域１７a、１７bを含む活性層、ゲート絶縁膜１８、ゲート電極１９a、１９b、第１層間絶縁膜２０、ソース配線２１並びにドレイン配線２２を有して形成される。」
（ａ４）「【００５５】　第２層間絶縁膜４２によってＴＦＴによる段差を平坦化することは非常に重要である。後に形成されるＥＬ層は非常に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起こす場合がある。従って、ＥＬ層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化しておくことが望ましい。
【００５６】　また、４３は遮光性を有する導電膜からなる画素電極（ＥＬ素子の陰極に相当する）であり、第２層間絶縁膜４２及び第１パッシベーション膜４１にコンタクトホール（開孔）を開けた後、形成された開孔部において電流制御用ＴＦＴ２０２のドレイン配線３７に接続されるように形成される。
【００５７】　画素電極４３の上にはアルカリ化合物４４として、５〜１０ｎｍ厚のフッ化リチウム膜が蒸着法により形成される。フッ化リチウム膜は絶縁膜なので膜厚が厚すぎるとＥＬ層に電流を流すことができなくなってしまう。また、層状に形成されずに島状に点在するように形成されても問題はない。」
（ａ５）「【０１０７】
　なお、窒化酸化珪素膜の形成に先立ってＨ2、ＮＨ3等水素を含むガスを用いてプラズマ処理を行うことは有効である。この前処理により励起された水素が第１層間絶縁膜３３６に供給され、熱処理を行うことで、第１パッシベーション膜３４４の膜質が改善される。それと同時に、第１層間絶縁膜３３６に添加された水素が下層側に拡散するため、効果的に活性層を水素化することができる。
【０１０８】
　次に、図６（Ｂ）に示すように有機樹脂からなる第２層間絶縁膜３４５を形成する。有機樹脂としてはポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使用することができる。特に、第２層間絶縁膜３４５は平坦化の意味合いが強いので、平坦性に優れたアクリルが好ましい。本実施例ではＴＦＴによって形成される段差を十分に平坦化しうる膜厚でアクリル膜を形成する。好ましくは１〜５μm（さらに好ましくは２〜４μm）とすれば良い。
【０１０９】
　次に、第２層間絶縁膜３４５及び第１パッシベーション膜３４４に対してコンタクトホールを形成し、ドレイン配線３４３と電気的に接続される画素電極３４６を形成する。本実施例では画素電極３４６として３００ｎｍ厚のアルミニウム合金膜（１wt%のチタンを含有したアルミニウム膜）を形成する。なお、３４７は隣接する画素電極の端部である。
【０１１０】
　次に、図６（Ｃ）に示すように、アルカリ化合物３４８を形成する。本実施例ではフッ化リチウム膜を５ｎｍの厚さを狙って蒸着法により形成する。そして、その上に１００ｎｍ厚のＥＬ層３４９をスピンコート法により形成する。
【０１１１】
　本実施例では、白色発光を示すポリマー系有機物質として、特開平８−９６９５９号公報または特開平９−６３７７０号公報に記載された材料を用いる。例えば、１，２−ジクロロメタンに、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）、Ｂｕ−ＰＢＤ（２−（４'−tert−ブチルフェニル）−５−（４''−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）、クマリン６、ＤＣＭ１（４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−ｐ−ジメチルアミノスチリル−４Ｈ−ピラン）、ＴＰＢ（テトラフェニルブタジエン）、ナイルレッドを溶解したものを用いれば良い。」
　以上の（ａ１）〜（ａ５）の記載事項から、先願明細書には、「基板１０１上形成された画素１０２、画素１０２に形成されたスイッチング用ＴＦＴ１０３及び電流制御用ＴＦＴ１０４、陰極として機能する画素電極１０５、画素電極１０５上に形成された膜厚が５〜１０ｎｍの絶縁性のアルカリ金属又はアルカリ土類金属化合物１０６、ＥＬ層１０７及び陽極１０８からなるＥＬ表示装置であって、ＴＦＴは半導体層、ソース領域１３、ドレイン領域１４、ＬＤＤ領域１５ａ〜１５ｄ、高濃度不純物領域１６及びチャンネル形成領域１７ａ、１７ｂを有する活性層、ゲート絶縁層１８、ゲート電極１９ａ、１９ｂ、第１層間絶縁膜２０、ＴＦＴによる段差を平坦化する第２層間絶縁膜４２、ソース配線２１、ドレイン配線３７からなり、また、ＥＬ層は電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、発光層、等からなり、さらに、第１及び第２層間絶縁膜を貫通してソース・ドレイン電極に電気的に接続するためのコンタクトホールを有するＥＬ表示装置。」についての発明（以下。「先願発明」という。）が記載されている。
　
　なお、原査定の拒絶の理由（平成１５年５月１８日付け）では、先願明細書として優先権主張の基礎となる特願平１１ー３５６７３２号を引用しているが、正しくは特願２０００−３８１１０１号とすべきところである。しかしながら、上記摘記事項（ａ１）〜（ａ５）は、全て特願平１１ー３５６７３２号明細書に記載されているから、上記で認定した先願発明も、特願平１１ー３５６７３２号明細書に記載されているものである。
　したがって、上記拒絶理由の記載は誤記ではあるものの、本件審理に実質的な影響を与えるものではないので、上記のとおり先願発明を認定する。
　
（３）本願補正発明と先願発明との対比
　本願補正発明と先願発明とを対比すると、先願発明に係るＥＬ表示装置は発光層等がポリマー系有機高分子から形成されるものであるから、本願補正発明と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子からなる表示装置といえるものであり、また、先願発明に係る「ＴＦＴ」、「画素電極１０５」、「第１層間絶縁膜２０」は本願補正発明に係る「薄膜トランジスタ」、「電子注入層」、「保護絶縁膜」に相当し、また、先願発明に係る「第２層間絶縁膜」は、その機能からみて本願補正発明に係る「平坦化膜」に実質的に相当するとともに、先願発明に係る「コンタクトホール」は平坦化膜、保護絶縁膜を貫通してソース・ドレイン電極表面に達するものであって、金属が充填されることは当然の技術的事項であるから、両者は、「基板と、前記基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース・ドレイン電極、保護絶縁膜がそれぞれ形成されることにより得られる薄膜トランジスタと、前記保護絶縁膜を含む前記基板の表面を平坦化する平坦化膜と、前記平坦化膜及び前記保護絶縁膜を貫通し、前記ソース・ドレイン電極表面に達するコンタクトホールと、前記コンタクトホールを充填する金属及び前記金属を含む前記平坦化膜上に設けられた電子注入層を陰極とし、前記陰極の上に電子輸送層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子とからなる表示装置であって、前記電子注入層が絶縁性電子注入層であることを特徴とする表示装置。」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点１；本願補正発明では、電子輸送層が少なくともキノリン系錯体からなるのに対し、先願発明ではそのような記載はない点。
相違点２；本願補正発明では、電子注入層が、弗化サマリウム又は弗化マグネシウムより選ばれた材料よりなり０．５〜１０ｎｍの厚さに形成されているのに対し、先願発明では電子注入層が膜厚が数ｎｍ程度（実施例では５〜１０ｎｍ）の絶縁性のアルカリ金属又はアルカリ土類金属化合物からなる点。
（４）当審の判断
［相違点１について］
　有機ＥＬ素子において、電子輸送層の材料としてキノリン錯体を用いることは周知である（周知例として、特開平１１−３５４２８４号公報の段落［１３３］、特開平１１−２４２９９６号公報の｛段落５４］、特開平１１−２１４１５７号公報の段落［２１］〜［３４］を参照のこと。）から、相違点１のように本願補正発明を構成することは単に周知の材料を特定したもにすぎない。
　したがって、相違点１は実質的な相違とはいえないものであり、両者は実質的に差異はない。
［相違点２について］
　先願発明には絶縁性電子注入層としてアルカリ土類金属の化合物が用いられることが開示されているが、通常、絶縁性の電子注入層に使用されるアルカリ土類金属の化合物として、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等のハロゲン化物が用いられることは当該技術分野において周知である（周知例として、特開平１０−３２１３７６号公報の段落［００５９］、特開平１１−２６１６７号公報の段落［００２９］を参照のこと。）から、本願補正発明のように電子注入層の材料として弗化マグネシウムに限定することは、単なる周知の材料を特定したもにすぎない。
　また、本願補正発明では絶縁性注入層の厚みを０．５〜１０ｎｍに特定しているが、先願発明に係る注入層も５〜１０ｎｍの厚みであって、両者は重複するものであり、実質的に同一である。
　したがって、相違点２は、実質的な相違ではなく、両者は実質的に差異はない。
　なお、請求人は、平成１７年１月１４日付けの回答書において、先願発明には弗化マグネシウムが記載されていない旨主張するが、上述したように、弗化マグネシウムは他のアルカリ土類金属のハロゲン化物と同様に、有機ＥＬ素子の絶縁性電子注入層の材料として周知のものであるから、本願補正発明において弗化マグネシウムに限定したことは、単なる周知の材料を特定したにすぎないものである。
　
　以上から、本願補正発明は、先願発明と実質的に同一であり、しかもこの出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記出願人とも同一でものないので、特許法第２９条の２第１項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年１１月２０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、本願明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）。
「基板と、前記基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース・ドレイン電極、保護絶縁膜がそれぞれ形成されることにより得られる薄膜トランジスタと、前記保護絶縁膜を含む前記基板の表面を平坦化する平坦化膜と、前記平坦化膜及び前記保護絶縁膜を貫通し、前記ソース・ドレイン電極表面に達するコンタクトホールと、前記コンタクトホールを充填する金属及び前記金属を含む前記平坦化膜上に設けられた電子注入層を陰極として含む有機エレクトロルミネッセンス素子とからなる表示装置であって、前記電子注入層が、絶縁性電子注入層であることを特徴とする表示装置。」
　
（２）先願発明
　原査定の拒絶の理由に引用された先願明細書の記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、前記２．で認定した本願補正発明の構成要件から、電子輸送層について「前記陰極の上に少なくともキノリン系錯体よりなる電子輸送層を含む」との構成要件、及び電子注入層についての「弗化サマリウム又は弗化マグネシウムより選ばれた材料よりなり０．５〜１０ｎｍの厚さに形成され」るとの構成要件を省いたものである。
　そうすると、先願発明は本願発明の構成要件を全て含むことになるから、本願発明も先願発明と同一である。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、先願発明と実質的に同一であり、しかもこの出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記出願人とも同一でものないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである。
 よって、結論のとおり審決する。