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【手続補正書】
【提出日】平成22年3月3日(2010.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板内の複数の支柱の各々の上にゲート酸化物層を形成するステップであって、前記支柱は、前記支柱の少なくとも二つの側面に接するトレンチによって画定される、ステップと、
前記ゲート酸化物層の上に浮遊ゲート層を形成するステップと、
前記浮遊ゲート層の上にゲート間誘電層を形成するステップと、
前記浮遊ゲート層の上で、かつ前記それぞれの複数の支柱の各々を覆って、複数の分離されたゲート間誘電領域を作るために、前記浮遊ゲート層の上の前記ゲート間誘電層を分離し、前記複数のゲート間誘電領域の前記ゲート間誘電領域の各々が、前記トレンチによって前記複数のゲート間誘電領域の他の前記ゲート間誘電領域の各々から分離されるようになっているステップと、
前記複数のゲート間誘電領域の上に制御ゲート層を形成するステップと、
を含む、浮遊ゲートメモリアレイを製造する方法。
【請求項２】
前記浮遊ゲート層を形成するステップは、前記複数の支柱の各々の上に複数の浮遊ゲートを作るために、前記浮遊ゲート層を分離するステップを含み、前記複数の浮遊ゲートの前記浮遊ゲートの各々が、前記トレンチによって前記複数の浮遊ゲートの他の前記浮遊ゲートの各々から分離されるようになっている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のゲート間誘電領域のうちのそれぞれの一つは、前記複数の浮遊ゲートのうちのそれぞれの一つの上に形成される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数の浮遊ゲートを形成する前記ステップと、前記複数のゲート間誘電領域を形成する前記ステップが、同じ処理段階で起こる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
基板の上にゲート酸化物層を配置するステップと、
前記ゲート酸化物層の上に浮遊ゲート層を配置するステップと、
前記浮遊ゲート層の上に犠牲層を配置するステップと、
前記犠牲層、前記浮遊ゲート層、前記ゲート酸化物層、および前記基板の各々を通して複数の実質的に平行なトレンチをエッチングするステップと、
前記複数のトレンチの各々を絶縁酸化物で充填するステップと、
前記絶縁酸化物によって形成される側壁を持つ空洞を形成するために、前記犠牲層を除去し、前記浮遊ゲート層が前記空洞を通して露出される、ステップと、
前記空洞の各々にゲート間誘電層を配置するステップと、
前記ゲート間誘電層の領域を分離することによって、前記空洞の各々にそれぞれゲート間誘電領域を作るステップと、
前記ゲート間誘電領域の各々の上に制御ゲートを堆積するステップと、
を含む、浮遊ゲートメモリアレイの製造方法。
【請求項６】
前記犠牲層を配置するステップが、窒化ケイ素層を配置するステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記犠牲層を配置するステップが、400Å以上の厚みで前記犠牲層を配置するステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記犠牲層を配置するステップが、およそ400〜700Åの範囲の厚みで前記犠牲層を配置するステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記犠牲層を除去するステップが、過酸化水素と組み合わせた硫酸（H2SO4+ H2O2）で前記犠牲層をエッチングするステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記犠牲層を除去するステップが、
フッ化水素（HF）酸溶液に前記犠牲層を晒すステップと、
前記空洞を形成するために前記犠牲層をエッチングするステップと、
前記空洞をフッ化水素（HF）酸溶液に晒すステップと、
を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
前記空洞の各々に前記それぞれのゲート間誘電領域を作るステップが、前記ゲート間誘電層を平坦化するステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
前記ゲート間誘電層を平坦化するステップが、化学機械平坦化（CMP）プロセスによって平坦化するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
絶縁酸化物領域を作るために前記複数のトレンチの各々を絶縁酸化物で充填するステップの後、前記絶縁酸化物によって形成される側壁を持つ空洞を形成するために前記犠牲層を除去するステップの前に、前記絶縁酸化物を平坦化するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１４】
基板の上にゲート酸化物層を配置するステップと、
前記ゲート酸化物層の上に浮遊ゲート層を配置するステップと、
前記浮遊ゲート層の上にゲート間誘電層を配置するステップと、
前記ゲート間誘電層、前記浮遊ゲート層、前記ゲート酸化物層、および前記基板の各々を通して、複数の実質的に平行なトレンチをエッチングするステップと、
前記複数のトレンチの各々を絶縁酸化物で充填するステップと、
前記ゲート間誘電領域の各々の上に制御ゲートを堆積するステップと、
を含む、浮遊ゲートメモリアレイを製造する方法。
【請求項１５】
エッチングするステップが、前記ゲート間誘電層と、前記浮遊ゲート層の各々を単一の処理段階でエッチングするステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記浮遊ゲート層の絶縁領域によって分離される絶縁酸化物領域を作るために、前記複数のトレンチの各々を絶縁酸化物で充填するステップの後、前記絶縁酸化物を平坦化するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷キャリアとして正孔を使用するｐ伝導型の光検出器をそれぞれが有する複数のピクセルを有する画像エリアを伴う画像センサであって、
（ａ）ｐ伝導型の基板、
（ｂ）過剰な電荷キャリアを前記基板内に追いやってクロストークを低減するため、前記画像エリアに広がり、前記基板に関してあらかじめ定められた電位にバイアスされる、前記基板と前記ｐ伝導型光検出器の間のｎ伝導型の第１の層、
（ｃ）各ピクセル内の前記第１の層内に配置される１つまたは複数の隣接する能動電子素子、および
（ｄ）前記画像エリア外の基板内に配置され、前記画像エリアと電気的に接続されるＣＭＯＳ電子サポート回路、
を包含する画像センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の画像センサであって、さらに、前記基板と前記第１の層の間に配置されるｐ−エピタキシャル層を包含し、それにおいて前記基板は、ｐ＋型であり、前記第１の層はｎ型である、画像センサ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の画像センサであって、前記第１の層は、過剰な電荷キャリアを前記基板内に追いやるように勾配が持たされたドーピングを含む、画像センサ。
【請求項４】
電荷キャリアとして正孔を使用するｐ伝導型の光検出器をそれぞれが有する複数のピクセルを有する画像エリアを伴う画像センサを包含するカメラであって、前記画像センサが、
（ａ）ｐ伝導型の基板、
（ｂ）過剰な電荷キャリアを前記基板内に追いやってクロストークを低減するため、前記画像エリアに広がり、前記基板に関してあらかじめ定められた電位にバイアスされる、前記基板と前記ｐ伝導型光検出器の間のｎ伝導型の第１の層、
（ｃ）各ピクセル内の前記第１の層内に配置される１つまたは複数の隣接する能動電子素子、および
（ｄ）前記画像エリア外の基板内に配置され、前記画像エリアと電気的に接続されるＣＭＯＳ電子サポート回路、
を包含するカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月21日(2010.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の酸化物材料を除去する処理システムであって、
当該処理システムは：
前記酸化物材料を上に有する前記基板を含むように備えられている温度制御された処理チャンバ；
該処理チャンバ内部に設けられていて、前記処理チャンバから実質的に断熱され、かつ前記基板を支持するように備えられている温度制御された基板ホルダ；
前記処理チャンバと結合する真空排気システム；
前記処理チャンバと結合し、かつ、初期成分としてHF及び任意でアンモニア(NH3)を有する処理気体を前記処理チャンバへ導入するように備えられた化学処理システム；
前記処理チャンバと結合し、かつ、前記基板の温度を昇温させるように備えられた熱処理システム；並びに
前記基板に導入された前記処理気体の量及び前記基板の設定温度を制御するように備えられた制御装置；
を有し、
前記処理気体は前記基板上の曝露された表面層を化学的に変化させ、かつ
前記の昇温によって前記の化学的に変化した表面層の揮発が起こる、
処理システム。
【請求項２】
前記熱処理システムは1つ以上の放射加熱ランプを有する、請求項1に記載の処理システム。
【請求項３】
前記基板ホルダと結合し、かつ、前記放射加熱システムを用いて前記基板を加熱するときに、前記基板ホルダの上に設けられた前記基板の位置を上昇させるように備えられた基板昇降システムをさらに有する、請求項1に記載の処理システム。
【請求項４】
前記基板ホルダと結合し、かつ、前記基板背面の汚染を減少させるため、前記基板が前記基板ホルダの上に持ち上げられるときに、前記基板背面へパージガスを供給するように備えられた背面気体供給システムをさらに有する、請求項3に記載の処理システム。
【請求項５】
前記温度制御された処理チャンバと結合し、かつ、前記熱処理システムの周辺端部を取り囲むように備えられている放射線シールドをさらに有する処理システムであって、
前記放射線シールド、前記熱処理システム、及び前記の上昇した位置にある基板が実質的に閉じられた空間を形成し、かつ
前記熱処理システムは前記基板の上に備えられた1つ以上の放射加熱ランプを有する、
請求項3に記載の処理システム。
【請求項６】
前記放射線シールドが、気体を流すことを可能にするために、前記放射線シールドを貫通する1つ以上の開口部を有する、請求項3に記載の処理システム。
【請求項７】
前記化学処理システムがさらに、前記処理気体を有するキャリアガスを供給するように備えられている、請求項1に記載の処理システム。
【請求項８】
前記キャリアガスが不活性ガスを有する、請求項7に記載の処理システム。
【請求項９】
前記HFが前記アンモニアとは独立して導入される、請求項1に記載の処理システム。
【請求項１０】
前記HFがアルゴンと共に導入される、請求項9に記載の処理システム。
【請求項１１】
前記アンモニアがアルゴンと共に導入される、請求項1に記載の処理システム。
【請求項１２】
前記熱処理システムが複数の領域をランプで加熱するシステムを有する、請求項1に記載の処理システム。
【請求項１３】
前記制御装置が、前記処理チャンバ内において前記基板温度又は前記処理気体の量の監視、調節、若しくは制御、又は上記の組合せを行うように備えられている、請求項1に記載の処理システム。
【請求項１４】
前記基板上の前記酸化膜が二酸化シリコン(SiO2)を有する、請求項1に記載の処理システム。
【請求項１５】
前記化学処理システムが複数の領域に流体を分配するシステムを有し、
該複数の領域に流体を分配するシステムは、前記処理チャンバ内の複数の領域への前記処理気体の流れを調節するように備えられている、
請求項1に記載の処理システム。
【請求項１６】
基板上の酸化物材料を除去する方法であって：処理チャンバ内の基板ホルダ上に前記酸化物材料を有する前記基板を設ける工程；
前記基板の温度を100℃未満の化学処理温度に設定しながら、初期成分としてHF及び任意でアンモニア(NH3)を有する気体組成物に前記基板を曝露することによって前記基板を化学処理する工程；並びに
該化学処理に続いて、前記化学処理温度よりも高い温度にまで前記基板を加熱することによって前記基板を熱処理する工程；
を有する方法。  
【請求項１７】
前記基板を化学処理する工程が、初期成分としてHF及びアンモニア(NH3)を有する処理気体を導入する工程を有し、かつ
前記HF及び前記アンモニアが互いに独立して導入される、
請求項16に記載の方法。
【請求項１８】
前記処理気体を導入する工程が、前記アンモニアを有する不活性ガスを導入する工程を有する、請求項17に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板を熱処理する工程が、前記基板の温度を100℃よりも高い温度に昇温する工程を有する、請求項16に記載の方法。
【請求項２０】
前記基板を熱処理する工程の前に、前記基板の位置を、前記基板ホルダと熱的に接触する位置から上昇させる工程をさらに有する、請求項16に記載の方法。
【請求項２１】
前記放射加熱システムの周辺端部を取り囲むように備えられている放射線シールドを前記処理チャンバ内に設ける工程；並びに
前記放射線シールド、前記熱処理システム、及び前記の上昇した位置にある基板によって境界が定められている実質的に閉じられた空間を形成する工程；
をさらに有する、請求項20に記載の方法。
【請求項２２】
前記基板の熱処理中、前記基板背面の汚染の輸送を減少させるため、前記基板と前記基板ホルダとの間に位置する前記基板背面へパージガスを導入する工程をさらに有する、請求項20に記載の方法。
【請求項２３】
前記パージガスを導入する工程が不活性ガスを導入する工程を有する、請求項22に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月25日(2010.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水分又は酸素に敏感な物品を保護するための複合アセンブリであって、
基材と、
前記基材上にオーバーコートされる有機電子デバイスと、
前記有機電子デバイス上にオーバーコートされるダイヤモンド様フィルム層と、を備える、複合アセンブリ。
【請求項２】
水分又は酸素に敏感な物品を保護するための複合アセンブリであって、
基材と、
前記基材上にオーバーコートされる有機電子デバイスと、
前記有機電子デバイス上にオーバーコートされる接着剤を備え、前記基材と接触する縁部を有する、封入性フィルム層と、
前記封入性フィルム層上にオーバーコートされるダイヤモンド様フィルム層であって、前記基材と接触している前記接着剤の該縁部を封止する、ダイヤモンド様フィルム層と、を備える、複合アセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
本出願では、以下の態様が提供される。
１．  水分又は酸素に敏感な物品を保護するための複合アセンブリであって、基材と、前記基材上にオーバーコートされる有機電子デバイスと、前記有機電子デバイス上にオーバーコートされるダイヤモンド様フィルム層と、を備える、複合アセンブリ。
２．  前記有機電子デバイスと前記ダイヤモンド様フィルム層との間に位置するポリマー層を更に備える、態様１に記載のアセンブリ。
３．  前記基材は、剛性物質又は可撓性物質を備える、態様１に記載のアセンブリ。
４．  前記ダイヤモンド様フィルム層は、炭素及びケイ素を含む、少なくとも実質的に非晶質のガラスを備える、態様１に記載のアセンブリ。
５．  前記ダイヤモンド様フィルム層は、ケイ素に対する酸素の比率がおよそ１．５未満である低酸素層を備える、態様１に記載のアセンブリ。
６．  前記アセンブリは前記基材上にオーバーコートされる複数のダイアドを有し、それぞれのダイアドは、前記ダイヤモンド様フィルム層でオーバーコートされる前記ポリマー層を備える、態様２に記載のアセンブリ。
７．  アノードと、カソードと、を更に備え、前記有機電子デバイスは、前記アノードと前記カソードとの間に位置する、態様１に記載のアセンブリ。
８．  前記有機電子デバイスと前記ポリマー層との間に位置する接着剤を更に含む、態様２に記載のアセンブリ。
９．  前記有機電子デバイスと反対側の前記基材の側面上に、前記基材上にオーバーコートされる別のダイヤモンド様フィルム層を更に備える、態様１に記載のアセンブリ。
１０．  前記基材は、障壁を備える、態様１に記載のアセンブリ。
１１．  前記基材は、障壁を備えず、前記ダイヤモンド様フィルム層は、前記有機電子デバイスの反対側の、前記基材の側面上にオーバーコートされる、態様１に記載のアセンブリ。
１２．  有機電子デバイスは、底面放射有機発光ダイオード、上面放射有機発光ダイオード、有機光電池デバイス、又は有機トランジスタのうちの１つを備える、態様１に記載のアセンブリ。
１３．  前記ダイヤモンド様フィルム層に隣接して位置する応力緩和層を更に備える、態様１に記載のアセンブリ。
１４．  前記有機電子デバイスに接続され、前記ダイヤモンド様フィルムの層間に挟まれた電気接点を更に備える、態様１に記載のアセンブリ。
１５．  水分又は酸素に敏感な物品を保護するための、複合アセンブリを製造するためのプロセスであって、基材を提供する工程と、前記基材上に有機電子デバイスをオーバーコートする工程と、前記有機電子デバイス上にダイヤモンド様フィルム層をオーバーコートする工程と、を含む、プロセス。
１６．  前記ダイヤモンド様フィルム層をオーバーコートする前に、前記有機電子デバイス上にポリマー層をオーバーコートする工程を更に含む、態様１５に記載のプロセス。
１７．  前記ダイヤモンド様フィルム層をオーバーコートする前記工程は、炭素及びケイ素を含む、少なくとも実質的に非晶質のガラスをオーバーコートする工程を含む、態様１５に記載のプロセス。
１８．  前記ダイヤモンド様フィルム層をオーバーコートする前記工程は、ケイ素に対する酸素の比率がおよそ１．５未満である低酸素層をオーバーコートする工程を含む、態様１５に記載のプロセス。
１９．  前記有機電子デバイスをオーバーコートする前記工程は、底面放射有機発光ダイオード、上面放射有機発光ダイオード、有機光電池デバイス、又は有機トランジスタのうちの１つをオーバーコートする工程を含む、態様１５に記載のプロセス。
２０．  水分又は酸素に敏感な物品を保護するための複合アセンブリであって、基材と、前記基材上にオーバーコートされる有機電子デバイスと、前記有機電子デバイス上にオーバーコートされる接着剤を備え、前記基材と接触する縁部を有する、封入性フィルム層と、前記封入性フィルム層上にオーバーコートされるダイヤモンド様フィルム層であって、前記基材と接触している前記接着剤の該縁部を封止する、ダイヤモンド様フィルム層と、を備える、複合アセンブリ。
２１．  前記有機電子デバイスは、底面放射有機発光ダイオード、上面放射有機発光ダイオード、有機光電池デバイス、又は有機トランジスタのうちの１つを備える、態様２０に記載のアセンブリ。
２２．  前記基材は、剛性物質又は可撓性物質を含む、態様２０に記載のアセンブリ。
２３．  前記封入性フィルムは、障壁、光学フィルム、又は構造化フィルムのうちの１つを備える、態様２０に記載のアセンブリ。
２４．  前記ダイヤモンド様フィルム層に隣接して位置する応力緩和層を更に備える、態様２０に記載のアセンブリ。
本発明は、添付の図面と共に本発明の様々な実施形態の詳細な説明により更に完全な理解が可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月14日(2010.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
密封された容積を定める容器と、
前記容器内に配置され、二酸化マンガンを含むカソードと、
前記容器内に配置され、亜鉛を含み、アノード容積に対する亜鉛重量の比が１．８０ｇ／ｃｍ3未満であるアノードと、
前記容器内に前記アノード及びカソードに接触して配置されるアルカリ性電解質と、
前記容器内に配置される水とを含み、前記二酸化マンガンに対する前記水の重量比が０．２８より大きく、
二酸化マンガンに対するＫＯＨの重量比が、０．１６より大きいことを特徴とする電気化学セル。
【請求項２】
前記アノード容積に対する亜鉛重量の比が、１．７０ｇ／ｃｍ3未満であることを特徴
とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項３】
前記アノード容積に対する亜鉛重量の比が、１．６０ｇ／ｃｍ3未満であることを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項４】
亜鉛に対する水の重量比が、０．６５より大きいことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項５】
亜鉛に対する水の重量比が、０．７０より大きいことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項６】
前記二酸化マンガンに対する水の重量比が、０．３０より大きいことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項７】
前記二酸化マンガンに対する水の重量比が、０．３２より大きいことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項８】
前記セルが円筒形のＡＡサイズのセルであり、前記カソードが９．１４４ｍｍ(０．３６０インチ)より大きい内径を有するように形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項９】
前記カソードが、９．２７１ｍｍ(０．３６５インチ)より大きい内径を有することを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項１０】
前記カソードの内径が、９．４２３４ｍｍ(０．３７１インチ)であること特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項１１】
前記二酸化マンガンが、電解二酸化マンガンであることを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項１２】
亜鉛に対する水酸化カリウムの重量比が、０．３５より大きいことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項１３】
亜鉛に対する水酸化カリウムの重量比が、少なくとも０．４０であることを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項１４】
二酸化マンガンに対するＫＯＨの重量比が、少なくとも０．１８であることを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項１５】
前記容器が、シール部材によって密封閉鎖される開放端を有する円筒形容器を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月12日(2010.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
イオンビーム１３０が（空間電荷効果によってビームエネルギーが低いほど大きくなりうる）既知の断面積を有するスポットビームである場合、ワークピース１１０の前面に当たると、振動パターン３０４の振動の周波数および振幅が変えられることにより、ワークピースの前面１０８の特定の部分がイオンビーム１３０に「接触する」回数が増える。例えば、ワークピース１１０の前面１０８の部分３７２は、ワークピースにおけるポイント３０５と３０６との間、ポイント３０６と３０８との間、および、ポイント３０８と３１０との間を移動する際に、スポットビームと３回接触する。したがって、部分３７２の「接触」回数は、ワークピースの同様の寸法にわたりイオンビームとワークピースとの間の相対運動の一定方向を有する従来の「Ｗ」走査パターンと比較して、本例では３の因数だけ増加する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビームを生成するイオンビーム発生器と、
前記イオンビームがワークピースの前面の少なくとも一部分に入射する場合、前記イオンビームを振動させるスキャナと、
を備えるイオン注入装置。
【請求項２】
前記スキャナは、さらに、前記ワークピースの前記前面に対する前記イオンビームの位置に応じて前記イオンビームを振動させる、請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項３】
前記スキャナは、さらに、前記イオンビームのエネルギーに応じて前記イオンビームの前記振動の特性を調整する、請求項１または２に記載のイオン注入装置。
【請求項４】
前記特性は、前記振動の周波数または振幅を含む、請求項３に記載のイオン注入装置。
【請求項５】
前記スキャナは、さらに、前記イオンビームのイオンビーム電流の変動に応じて前記イオンビームの前記振動の特性を調整する、請求項１から４の何れか１項に記載のイオン注入装置。
【請求項６】
前記スキャナは、静電スキャナである、請求項１から５の何れか１項に記載のイオン注入装置。
【請求項７】
前記静電スキャナは、前記イオンビームの近傍に配置される少なくとも１つの走査電極を有し、前記静電スキャナは、さらに、前記少なくとも１つの走査電極に供給される電圧信号に応じた周波数および振幅で前記イオンビームを振動させる、請求項６に記載のイオン注入装置。
【請求項８】
前記スキャナは、さらに、前記イオンビームを第１の平面で走査し、前記イオン注入装置は、前記第１の平面と直交する第２の平面で前記ワークピースを駆動させる駆動機構をさらに備え、前記ワークピースの前記前面における前記イオンビームの走査パターンは、前記イオンビームが前記第１の平面で走査され、かつ、前記ワークピースが前記第２の平面で駆動される際の前記イオンビームと前記ワークピースとの間の相対運動によって得られ、前記走査パターンは、前記イオンビームの前記振動に応じて、前記ワークピースの前記前面の少なくとも前記一部分に振動パターンを有する、請求項１から７の何れか１項に記載のイオン注入装置。
【請求項９】
イオンビームを生成する段階と、
前記イオンビームがワークピースの前面の少なくとも一部分に入射する場合、前記イオンビームを振動させる段階と、
を備える方法。
【請求項１０】
前記ワークピースの前記前面に対する前記イオンビームの位置に応じて、前記イオンビームの前記振動の特性を調整する段階をさらに備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記イオンビームのエネルギーに応じて、前記イオンビームの前記振動の特性を調整する段階をさらに備える、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記特性は、前記イオンビームの前記振動の周波数または振幅を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記イオンビームのイオンビーム電流の変動に応じて、前記イオンビームの前記振動の特性を調整する段階をさらに備える、請求項９から１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記イオンビームの前記振動は、一の周波数および振幅で行われ、前記方法は、前記周波数および振幅を調整する段階をさらに備える、請求項９から１３の何れか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記イオンビームを第１の平面で走査する段階と、
前記ワークピースを前記第１の平面と直交する第２の平面で駆動させる段階と、をさらに備え、
前記ワークピースの前記前面における前記イオンビームの走査パターンは、前記イオンビームが前記第１の平面で走査され、かつ、前記ワークピースが前記第２の平面で駆動される際の前記イオンビームと前記ワークピースとの間の相対運動により得られ、前記走査パターンは、前記イオンビームの前記振動に応じて前記ワークピースの前記前面の少なくとも前記一部分に振動パターンを有する、請求項９から１４の何れか１項に記載の方法。
【請求項１６】
イオンビームを生成し、前記イオンビームをワークピースに導くイオンビーム発生器を備え、
前記イオンビームと前記ワークピースとの間の相対運動は、前記ワークピースの前面に走査パターンを生成し、前記走査パターンは、前記ワークピースの前記前面の少なくとも一部に振動パターンを有する、イオン注入装置。
【請求項１７】
前記イオンビームを振動させて前記走査パターンの前記振動パターンを提供するスキャナをさらに備える、請求項１６に記載のイオン注入装置。
【請求項１８】
前記スキャナは、前記イオンビームの近傍に配置される少なくとも１つの走査電極を有する静電スキャナを含み、前記静電スキャナは、さらに、前記少なくとも１つの走査電極に供給される電圧信号に応じた周波数および振幅で前記イオンビームを振動させる、請求項１７に記載のイオン注入装置。
【請求項１９】
前記電圧信号は、第１の周期成分および第２の周期成分を有し、前記第１の周期成分は、第１のピーク・トゥ・ピーク振幅および第１の周波数を有し、前記第２の周期成分は、第２のピーク・トゥ・ピーク振幅および第２の周波数を有し、前記第２のピーク・トゥ・ピーク振幅は、前記第１のピーク・トゥ・ピーク振幅より小さく、前記第２の周波数は、前記第１の周波数より大きく、前記走査パターンの前記振動パターンは、前記第２の周期成分に基づく、請求項１８に記載のイオン注入装置。
【請求項２０】
前記第１のピーク・トゥ・ピーク振幅は、約１０ボルトであり、前記第１の周波数は、約１キロヘルツ（ｋＨｚ）であり、前記第２のピーク・トゥ・ピーク振幅は、約１ボルトであり、前記第２の周波数は、約１０キロヘルツである、請求項１９に記載のイオン注入装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2009541935.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月14日(2010.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記の材料に従って形成された絶縁体３０は、厚み１．２７ｍｍの試料に対して完全正弦波形を有する６０Ｈｚ交流電圧電源を用いて測定されると、１ミリメートルあたり１７ｋＶ（ＲＭＳ）と等しいか少なくとも１７ｋＶの誘電強度を有することがわかった。絶縁体の厚みを減らすことによって点火プラグをより薄くするため、誘電強度は、厚み１．２７ｍｍの試料に対して完全正弦波形を有する６０Ｈｚ交流電圧電源を用いて測定されると、１ミリメートルあたり少なくとも１７ｋＶ、より好ましくは１７．５ｋＶ（ＲＭＳ）であることが望ましい。誘電強度が高まると、絶縁体３０の内面３４と外面３６との間の厚みを減らすことができ、それによって絶縁体３０をより薄い壁を有するように作製することができる。絶縁体が小さくなると点火プラグも小さくなり、それによって、点火プラグを囲む構成要素が増えてもよい空間ができる。高誘電強度によって、稼動寿命も長くなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記選択材料によって、点火プラグ絶縁体３０を、うわぐすりがけが不要な表面を有するように形成することも可能である。絶縁体３０が列挙された量の上記材料からなる場合に形成される表面の平均的な粗さは、うわぐすりがけなどの付加的な処理工程なしで０．４０μｍ以下である。典型的なうわぐすりをかけられていない先行技術の絶縁体の平均的な粗さは１．６μｍ以上であり、このため、ごみまたは他の汚染物が端子端上の絶縁体の表面に付着し得、端子から殻へのフラッシュオーバー電気スパークプラグ絶縁体を促進する。したがって、現在の絶縁体は、ごみまたは他の汚染物の付着を防止するためにうわぐすりがけが常に必要である。この発明の絶縁体３０の外面３６は、平均的な粗さが約０．４０μｍ以下であるという予期せぬ利点を有しているため、点火プラグにうわぐすりをかける必要がなくなり、望ましくないフラッシュオーバーの可能性が減る。列挙された量の上記選択材料を用いると、うわぐすりをかけられていない絶縁体を備える点火プラグの平均的な外面粗さは０．２０μｍ以下であり得、それによってフラッシュオーバーをさらに防止できることもわかった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
点火プラグであって、
密度が約３．９５ｇ／ｃｍ3より高いか等しい絶縁体を備え、
前記絶縁体は、少なくとも９９．０％のＡｌ2Ｏ3であって、各々が約１０〜１０００ｐｐｍである、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌａ2Ｏ3遷移金属酸化物およびランタン系列の酸化物からなるグループから選択される少なくとも１つの材料から形成される、点火プラグ。
【請求項２】
前記絶縁体は、約９９．９重量％のＡｌ2Ｏ3を含む、請求項１に記載の点火プラグ。
【請求項３】
前記絶縁体は、１０ｐｐｍより高いＬａ2Ｏ3、および１０ｐｐｍより高いＭｇＯを含有する、請求項２に記載の点火プラグ。
【請求項４】
前記絶縁体は、１０〜１０００ｐｐｍのＹｂ2Ｏ3を含有する、請求項２に記載の点火プラグ。
【請求項５】
前記絶縁体は、１０〜１０００ｐｐｍのＭｇＯを含有する、請求項４に記載の点火プラグ。
【請求項６】
前記絶縁体は、１０ｐｐｍより高いＬａ2Ｏ3、および１０ｐｐｍより高いランタン系列からの酸化物を含有する、請求項２に記載の点火プラグ。
【請求項７】
前記絶縁体は、約９９．９重量％のＡｌ2Ｏ3を含む、請求項１に記載の点火プラグ。
【請求項８】
前記絶縁体の誘電強度は、１ミリメートルあたり少なくとも１７キロボルト（ＲＭＳ）である、請求項１に記載の点火プラグ。
【請求項９】
前記絶縁体は透明であるか、半透明であるか、または不透明である、請求項１に記載の点火プラグ。
【請求項１０】
前記絶縁体は、コアノーズ部から端子部への光の通過を可能にする、請求項１に記載の点火プラグ。
【請求項１１】
前記絶縁体はうわぐすりをかけられていない、請求項１に記載の点火プラグ。
【請求項１２】
うわぐすりをかけられていない絶縁体を備える点火プラグであって、
前記絶縁体は外面を有し、前記外面の平均的な粗さは０．４０マイクロメートル以下であり、密度は３．９５ｇ／ｃｍ3以上であり、
前記絶縁体は、光の通過を可能にし得る、点火プラグ。
【請求項１３】
前記絶縁体の粒径は、約３０ミクロンより小さい、請求項１２に記載の点火プラグ。
【請求項１４】
コアノーズと端子部との間に大きな肩部および小さな肩部を含む絶縁体を備える点火プラグであって、
前記小さな肩部における絶縁体の厚みは、２．５４ｍｍより小さく、誘電強度は１７キロボルト（ＲＭＳ）以上である、点火プラグ。
【請求項１５】
前記絶縁体の多孔度は、約０．３％より低いか等しい、請求項１４に記載の点火プラグ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月21日(2010.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質を含む正極を有するリチウムイオン電池であって、該正極活物質が、
a)コバルト酸リチウム；ならびに
b) i)実験式Li(1+x1)(Mn1-y1A’y2)2-x2Oz1
（式中、
x1およびx2はそれぞれ独立して、0.01以上、0.3以下である、
y1およびy2はそれぞれ独立して、0.0以上、0.3以下である、
z1は、3.9以上、4.1以下である、および
A’は、マグネシウム、アルミニウム、ニッケルおよびクロムからなる群の少なくとも１種類である）、または
ii)実験式Li(1+x1)Mn2Oz1
（式中、x1は、0.01以上、0.3以下である；および
z1は、3.9以上、4.1以下である）
で表されるマンガン酸スピネル
を含む正極混合物を含み、コバルト酸リチウムおよびマンガン酸スピネルが約0.9:0.1〜約0.6:0.4のコバルト酸リチウム：マンガン酸スピネルの重量比である、リチウムイオン電池。
【請求項２】
コバルト酸リチウムおよびマンガン酸スピネルが約0.8:0.2〜約0.6:0.4のコバルト酸リチウム：マンガン酸スピネルの重量比である、請求項１記載のリチウムイオン電池。
【請求項３】
正極物質が、コバルト酸リチウムのリチウム修飾物質およびコバルト修飾物質からなる群より選択される少なくとも１つの修飾物質で修飾される修飾コバルト酸リチウムを含み、該リチウム修飾物質はマグネシウム(Mg)およびナトリウム(Na)からなる群の少なくとも１種類であり、該コバルト修飾物質はマンガン(Mn)、アルミニウム(Al)、ホウ素(B)、チタン(Ti)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)およびストロンチウム(Sr)からなる群の少なくとも１種類である、請求項１記載のリチウムイオン電池。
【請求項４】
コバルト酸リチウムがLiCoO2である、請求項１記載のリチウムイオン電池。
【請求項５】
コバルト酸リチウムがZrO2で被覆されたLiCoO2である、請求項４記載のリチウムイオン電池。
【請求項６】
マンガン酸スピネルがLi(1+x1)(Mn1-y1A’y2)2-x2Oz1（式中、y2は、0.0以上、0.3以下である）である、請求項１記載のリチウムイオン電池。
【請求項７】
マンガン酸スピネルがLi1.1Mn1.96Mg0.03O4である、請求項６記載のリチウムイオン電池。
【請求項８】
マンガン酸スピネルがLi(1+x1)Mn2Oz1である、請求項１記載のリチウムイオン電池。
【請求項９】
正極活物質を含む正極を有するリチウムイオン電池であって、該正極活物質が、
a) LiCoO2;ならびに
b) Li(1+x1)Mn2Oz1
（式中、x1は、0.01以上、0.3以下である;および
z1は、3.9以上、4.1以下である）
を含む正極混合物を含み、LiCoO2およびLi(1+x1)Mn2Oz1が約0.9:0.1〜約0.6:0.4のコバルト酸リチウム：マンガン酸スピネルの重量比である、リチウムイオン電池。
【請求項１０】
LiCoO2がZrO2で被覆される、請求項９記載のリチウムイオン電池。
【請求項１１】
コバルト酸リチウム：マンガン酸スピネルの重量比が約0.8:0.2〜約0.6:0.4である、請求項９記載のリチウムイオン電池。
【請求項１２】
角柱形横断面形状を有する、請求項９記載のリチウムイオン電池。
【請求項１３】
長円形横断面形状を有する、請求項９記載のリチウムイオン電池。
【請求項１４】
約3.0Ah/セルより大きい容量を有する、請求項１または９記載のリチウムイオン電池。
【請求項１５】
a)約0.9:0.1〜約0.6:0.4のコバルト酸リチウム：マンガン酸スピネルの重量比のコバルト酸リチウムおよびマンガン酸スピネルを含む正極混合物を含む正極活物質を形成する工程、
マンガン酸スピネルが
i)実験式Li(1+x1)(Mn1-y1A’y2)2-x2Oz1
（式中、
x1およびx2はそれぞれ独立して、0.01以上、0.3以下である、
y1およびy2はそれぞれ独立して、0.0以上、0.3以下である、
z1は、3.9以上、4.1以下である、および
A’は、マグネシウム、アルミニウム、ニッケルおよびクロムからなる群の少なくとも１種類である）または
ii)実験式Li(1+x1)Mn2Oz1
（式中、x1は、0.01以上、0.3以下である；および
z1は、3.9以上、4.1以下である）
で表される；
b)正極活物質を有する正極電極を形成する工程;ならびに
c)電解液を介して正極と電気接触する負極電極を形成し、それによりリチウムイオン電池を形成する工程
を含む、リチウムイオン電池の形成方法。
【請求項１６】
リチウムイオン電池が約3.0Ah/セルより大きい容量を有するように形成される、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
複数のセルを含む電池パックであって、
各セルが、
a)コバルト酸リチウム;ならびに
b) i)実験式Li(1+x1)(Mn1-y1A’y2)2-x2Oz1
（式中、
x1およびx2はそれぞれ独立して、0.01以上、0.3以下である、
y1およびy2はそれぞれ独立して、0.0以上、0.3以下である、
z1は、3.9以上、4.1以下である、および
A’は、マグネシウム、アルミニウム、ニッケルおよびクロムからなる群の少なくとも１種類である）、または
ii)実験式Li(1+x1)Mn2Oz1
（式中、x1は、0.01以上、0.3以下である；および
z1は、3.9以上、4.1以下である）
で表されるマンガン酸スピネル
を含む正極混合物を含む正極活物質を含み、コバルト酸リチウムおよびマンガン酸スピネルが約0.9:0.1〜約0.6:0.4のコバルト酸リチウム：マンガン酸スピネルの重量比である、電池パック。
【請求項１８】
セルの容量が約3.3 Ah/セル以上である、請求項１７記載の電池パック。
【請求項１９】
セルの内部インピーダンスが約50ミリオーム未満である、請求項１７記載の電池パック。
【請求項２０】
セルが直列であり、セルが並列に接続されていない、請求項１７記載の電池パック。
【請求項２１】
少なくとも1つのセルが角柱形横断面形状を有する、請求項１７記載の電池パック。
【請求項２２】
角柱形横断面形状が長円形形状である、請求項２１記載の電池パック。
【請求項２３】
コバルト酸リチウムがLiCoO2であり、マンガン酸スピネルがLi(1+x1)Mn2Oz1である、請求項１７記載の電池パック。
【請求項２４】
コバルト酸リチウムおよびマンガン酸スピネルが約0.8:0.2〜約0.6:0.4のコバルト酸リチウム：マンガン酸スピネルの重量比である、請求項２３記載の電池パック。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月2日(2010.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが利得素子を有する、２つ以上のレーザ発振子と、
前記各レーザ発振子の前記利得素子からの輻射を結合して共通の輻射出力とし、前記共通の輻射出力の一部を前記各レーザ発振子の前記利得素子に戻すように配置されたビーム結合器と、
を備え、
前記各レーザ発振子は、入射ビームに関する自己交差型のループ光路を定め、
前記各利得素子は、動作中において素子内でのビームの自己交差により、立体利得格子を発生させることを特徴とする、２つ以上のレーザ発振子からの輻射をコヒーレントに結合させるレーザシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザシステムであって、
前記各ループ光路は、複数のミラーから形成されるレーザシステム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のレーザシステムであって、
前記各ループ光路上に非相反的透過素子を備えるレーザシステム。
【請求項４】
請求項３に記載のレーザシステムであって、
前記非相反的透過素子は、一対の偏光子、及びその間に配された４５°ファラデイ旋光器及び半波長移相板を有するレーザシステム。
【請求項５】
請求項３又は４に記載のレーザシステムであって、
前記非相反的透過素子は、ループ光路沿いに別々の方向から通過していく二通りの輻射間に１８０°の非相反的位相差を付与するレーザシステム。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１に記載のレーザシステムであって、
第１及び第２レーザ発振子からの輻射を結合させる第１ビーム結合器と、
第３及び第４レーザ発振子からの輻射を結合させる第２ビーム結合器と、
前記第１〜第４レーザ発振子の輻射を結合させる第３ビーム結合器と、
を備えるレーザシステム。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１に記載のレーザシステムであって、
前記ビーム結合器は、ビームスプリッタを含むレーザシステム。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１に記載のレーザシステムであって、
回折性光学素子から構成される共通のビーム結合器によって、２つ以上のレーザ発振子からの輻射を結合させるレーザシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気回路の瞬間抵抗値を決定する方法であって、
交流電源波形のゼロクロス点において同期イベントを生成し、
前記交流電源波形の周波数に基づく遅延期間だけ待ち、
前記回路のその場での（ｉｎ−ｓｉｔｕ）瞬間電圧と
前記回路のその場での瞬間電流を同時に計測し、
前記遅延時間によって選択される、前記交流電源波形の一部分における前記電気回路の前記瞬間抵抗値を、前記計測されたその場での瞬間電圧及び前記計測されたその場での瞬間電流に基づいて算出することを具備する方法。
【請求項２】
前記遅延期間は、約６，２５０μ秒である請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記その場での瞬間電圧の計測は、前記交流電源波形のピーク電圧の後に行なわれる請求項１記載の方法。
【請求項４】
計測に先立って前記回路に電圧が存在することを確認することを具備する請求項２または３記載の方法。
【請求項５】
確認と計測の間に遅延を設けて前記計測におけるノイズを回避することを具備する請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記遅延は、約１，０００μｓｅｃである請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記その場での瞬間電圧の計測は前記交流電源波形のピーク電圧点において行なわれる請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記回路のその場での瞬間温度を計測し、前記算出された瞬間抵抗値を前記計測された温度に関係付けることを具備する請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記計測されたその場での瞬間電圧、前記計測されたその場での瞬間電流、及び前記計測されたその場での温度は、同時に計測される請求項８記載の方法。
【請求項１０】
計測対象の回路と、
ＥＩ計測モジュールと、
ゼロクロス検出器と、
コントローラとを具備する計測システムであって、
前記ＥＩ計測モジュールは、前記計測対象の回路に動作上接続されて前記回路のその場での瞬間電圧を受動的に計測し同時に前記回路のその場での瞬間電流を受動的に計測し、
前記ＥＩ計測モジュールは、前記コントローラに動作上接続されて計測値を前記コントローラへ伝達し、
前記ゼロクロス検出器は前記ＥＩ計測モジュールの計測を計測対象の回路の電源波形に同期させ、
前記計測システムは、前記計測されたその場での瞬間電圧及び前記計測されたその場での瞬間電流に基づいて瞬間抵抗値を算出する、計測システム。
【請求項１１】
通信バスを具備し、
前記ＥＩ計測モジュールは、前記通信バスを経て前記コントローラに動作上接続されて複数のゾーンの監視を円滑に実行する請求項１０記載の計測システム。
【請求項１２】
温度計測モジュールを具備し、
前記温度計測モジュールは、前記回路に動作上接続されて瞬間温度を計測し、前記コントローラに動作上接続されて計測値を前記コントローラに伝達する請求項１０記載の計測システム。
【請求項１３】
通信バスを具備し、前記温度計測モジュールは、前記通信バスを経て前記コントローラに動作上接続されて複数のゾーンの監視を円滑に実行する請求項１２記載の計測システム。
【請求項１４】
電気回路の瞬間抵抗値を決定する方法であって、
前記電気回路の交流電源の周期におけるイベントを検出し、
前記周期の時間的長さに基づく期間だけ待ち、
前記電気回路の外側で信号を生成し、
前記生成された信号に応答して、前記期間によって決定される、前期周期の一部分において、前記電気回路のその場での瞬間電圧の計測と前記電気回路のその場での瞬間電流の計測とを同時に行い、
前記計測された電圧および前記計測された電流に基づいて前記電気回路の前記抵抗値を算出することを具備する方法。
【請求項１５】
前記イベントは、ゼロクロス点、電圧ピーク、電圧最小値、最小変化率および最大変化率の群から選択される請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
同時に計測し算出することは、
前記電気回路に電圧が存在するかを調べ、
前記電気回路に電圧が存在すれば、
前記交流電源がオンに切り換えられた時の電圧スパイクが落ち着くことを可能にするもう１つの期間だけ待ち、
前記期間と前記もう１つの期間とにより決定される、前記周期の小部分の間において、前記電気回路のその場での瞬間電圧の計測と前記電気回路のその場での瞬間電流の計測とを同時に行い、
前記計測された電圧および前記計測された電流に基づいて前記電気回路の前記抵抗値を算出することを具備する請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
同時に計測することは、
前記周期の１％以下である、前記周期の小部分において、前記回路のその場での瞬間電圧の計測と前記電気回路のその場での瞬間電流の計測とを同時に行う請求項１４記載の方法。
【請求項１８】
算出することは、
前記計測された電圧および前記計測された電流に基づいて、および前記期間に基づいて前記電気回路の前記抵抗値を算出することを具備する請求項１４記載の方法。
【請求項１９】
前記方法を複数回反復し、
前記算出された抵抗値を平均化して平均抵抗値を算出することをさらに具備する請求項１６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月28日(2010.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
病的状態にある被検体から採取したケラチンサンプル中の異常成分を検出する方法であって、
ａ）前記ケラチンサンプルを膨潤物質に曝し、当該ケラチンサンプルに浸透させることにより誘導生物学的材料を得る工程であって、当該生物学的材料が、病的状態にある被検体の毛髪の変化Ｘ線回折パターンに用いられるものであり、前記膨潤物質が、毛繊維及び毛髪繊維を膨潤させることが知られている有機酸、特に蟻酸及び酢酸を含む工程、
ｂ）前記誘導生物学的材料からデータを得る工程、
ｃ）誘導生物学的材料から得た前記データを参照データベースに含まれる第２のデータ群と比較し、ケラチンサンプル中の異常成分を特定する工程、
を含み、異常成分の検出と被検体の病的状態の存在とが一致する方法。
【請求項２】
前記膨潤物質が蟻酸を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のデータ群が、被検体の病的状態の存在と相関する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２のデータ群は、被検体の病的状態の存在と原因的に関連する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記膨潤物質が複数の異なる膨潤物質から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記ケラチンサンプルが複数の異なるケラチンサンプルから選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のデータ群が、複数の異なるデータ群のデータから選択される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記抽出されたデータ及び前記第２のデータ群が複数の異なる比較方法を用いて分析される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
使用時に、薬局、試験キット、被検体の自宅、医療施設及び試験室の少なくとも１つにおいて前記ケラチンサンプルの入手及び分析がされる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記被検体がヒト及び動物から成る群から選択される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月27日(2010.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非円形である透明な容器の側壁の厚みを検査するための装置であって、
容器（１２）を静止位置に保持し、軸線（１６）を中心として容器を回転させるコンベア（１４）と、
前記コンベア上の容器の側壁に、光エネルギーを向けるための光源（１８）と、
容器の側壁の内面及び外面の部分から反射された光エネルギー（４４，４２）を検出する光センサ（２４）と、
前記センサに応答して、容器の側壁の内表面と外表面とから反射された光エネルギー間の前記センサにおける分離の関数として、容器の回転の増分に対する側壁の厚みを決定する情報処理装置（２６）と、を備え、
前記光源（１８）は、前記軸線に対して垂直に長い寸法を有する線状の光ビーム（３６）を前記容器の側壁に向けるように配置され、
レンズ系の軸線（４６）を有するアナモルフィックレンズ系（２２）が、前記レンズ系の軸線に対して実質的に平行である容器の側壁の内面及び外面の部分から反射された前記センサ光エネルギー（４４，４２）を差し向けることを特徴とする装置。
【請求項２】
さらに、使用時において、前記側壁の表面部分から反射された前記光エネルギーは、容器が回転すると、容器の非円形性のために、前記レンズ系に沿って行ったり来たりと掃引することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
非円形である容器の側壁の厚みを検査する方法であって、この方法が、
（ａ）  軸線（１６）を中心として容器が回転している間、静止位置に容器（１２）を保持する段階と、
（ｂ）  前記軸線に対して垂直に長い寸法を有する線状の光ビーム（３６）を容器の側壁に向ける段階と、
（ｃ）  前記軸線に対して平行な方向から見たとき、容器の側壁に向けられる光エネルギーに対して実質的に垂直である、容器の側壁の内表面及び外表面から反射した前記光ビームの部分（４４，４２）をアナモルフィックレンズ系（２２）に通して光センサ上に向ける段階と、
（ｄ）  容器の側壁の内表面と外表面とから反射された、前記センサにおける光エネルギー部分間の分離の関数として、容器の回転の増分に対する容器の側壁の厚みを決定する段階と、
を備えていることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月2日(2010.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬い外側表面を備えたコア部材と、
前記コア部材の硬い外側表面上に設けられたエラストマーを含む弾性層と、
前記弾性層上に設けられた結合層と、
前記結合層上に設けられた外側層と、
を含む定着体部材であって、
前記結合層は、フルオロポリマー類、フルオロエラストマー類、フルオロカーボン熱可塑性共重合体類、およびこれらの混合物から成る群れより選ばれ、
前記外側層は、ポリテトラフルオロエチレン、ポリパーフルオロアルコキシ−テトラフルオロエチレン、ポリフッ化エチレン−プロピレン、およびこれらの混合物から成る群れより選ばれるフルオロポリマー樹脂を含む、
ことを特徴とする定着体部材。
【請求項２】
前記結合層はフルオロエラストマーポリマーを含むことを特徴とする、請求項１に記載の定着体部材。
【請求項３】
前記結合層の厚さは１０〜５００μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の定着体部材。
【請求項４】
順に、
金属支持体と、
前記支持体上に設けられた、エラストマーを含む弾性層と、
前記弾性層上に設けられた、フルオロエラストマー層と、
前記フルオロエラストマー層上に設けられた、フルオロポリマー樹脂を含む外側層と、
を含む定着体部材であって、
前記フルオロエラストマー層は、フルオロエラストマーポリマーと、２，２’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンと、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロリドと、酸受容体充填剤とから成る複合混合物を含み、
前記フルオロエラストマーポリマーは、フッ化ビニリデンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体、またはフッ化ビニリデンとヘキサフルオロプロピレンとテトラフルオロエチレンとのターポリマーであり、
前記フルオロポリマー樹脂は、ポリテトラフルオロエチレン、ポリパーフルオロアルコキシ−テトラフルオロエチレン、ポリフッ化エチレン−プロピレン、およびこれらの混合物から成る群れより選ばれる、
ことを特徴とする定着体部材。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の光学層の交互層を含む多層光学フィルムであって、
前記第１の光学層は、第１のポリエステルを含み、前記第１のポリエステルは、第１のジカルボキシレートモノマー及び第１のジオールモノマーを含み、前記第１のジカルボキシレートモノマーの約０．２５〜１０モル％未満は、ペンダントイオン基を有し、
前記第２の光学層は、第２のポリエステルを含み、
前記第１及び第２の光学層は、少なくとも１つの軸線に沿って、少なくとも０．０４異なる屈折率を有する、多層光学フィルム。
【請求項２】
それぞれが少なくとも約１２５μｍの厚さを有する第１及び第２のポリマー層と、
前記第１のポリマー層と第２のポリマー層との間に配置される多層光学フィルムであって、
第１及び第２の光学層の交互層を含み、
前記第１の光学層は、第１のポリエステルを含み、前記第１のポリエステルは、第１のジカルボキシレートモノマー及び第１のジオールモノマーを含み、前記第１のジカルボキシレートモノマーの約０．２５〜１０モル％未満は、ペンダントイオン基を有し、
前記第２の光学層は、第２のポリエステルを含み、
前記第１及び第２の光学層は、少なくとも１つの軸線に沿って、少なくとも０．０４異なる屈折率を有する、多層光学フィルムと、を含むトランザクションカードであって、
４００〜７００ｎｍで少なくとも５０％の平均透過率を有する、トランザクションカード。
【請求項３】
８００〜１０００ｎｍで約１６％未満の平均透過率を有する、請求項２に記載のトランザクションカード。