【手続補正書】
【提出日】平成22年7月2日(2010.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
改善された品質のデバイスを成長させるための方法であって、
（ａ）インジウム（Ｉｎ）含有の窒化物ベースの１つ以上の量子井戸層を成長温度において堆積させることと、
（ｂ）該インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層の該成長温度を超える、１５０℃以下の成長基板温度において、窒化物半導体の薄膜を該量子井戸層の上に堆積させることと
を包含する、方法。
【請求項２】
前記窒化物半導体の薄膜は、マグネシウム（Ｍｇ）によってドーピングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記窒化物半導体の薄膜は、５０ｎｍより大きい厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記窒化物半導体の薄膜は、意図的にドーピングされた材料か、または意図的ではなくドーピングされた材料の１つ以上の層を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記窒化物半導体の薄膜は、可変組成か、または傾斜組成を有する複数の層を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記窒化物半導体の薄膜は、異なる（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ組成の層を含むヘテロ構造を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記窒化物半導体の薄膜は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮまたはＡｌＩｎＮを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記窒化物半導体の薄膜は、従来のｃ面配向の窒化物半導体の結晶上か、またはａ面またはｍ面などの無極性の面上か、あるいは任意の半極性の面上など、窒化物結晶の任意の方向において成長させられる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記成長基板温度は、前記成長温度に実質的に等しい、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記成長基板温度は、前記インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層の前記成長温度を超えて、５０℃以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記窒化物半導体の薄膜と前記インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層とは、水素化物気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、または分子線エピタキシー（ＭＢＥ）によって成長させられる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法を用いて製作される向上した出力パワーを有するデバイス。
【請求項１３】
発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
（ａ）インジウム（Ｉｎ）含有の窒化物ベースの１つ以上の量子井戸層と、
（ｂ）該インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層にｎ型キャリアを注入するための、該インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層の１つの側に堆積されたｎ型層と、
（ｃ）マグネシウム（Ｍｇ）含有であり、そして該インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層に堆積された、ｐ型層として作用する窒化物半導体層であって、少なくとも５０ｎｍの厚さを有する、窒化物半導体層と
を備える、発光ダイオード。
【請求項１４】
前記窒化物半導体層は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮまたはＡｌＩｎＮを含んでいる、請求項１３に記載のＬＥＤ。
【請求項１５】
前記窒化物半導体層は、ＧａＮを含んでいる、請求項１３に記載のＬＥＤ。
【請求項１６】
前記窒化物半導体層は、可変組成または傾斜組成を有する複数の層を含んでいる、請求項１３に記載のＬＥＤ。
【請求項１７】
前記窒化物半導体層は、異なる（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ組成の層を含むヘテロ構造を含んでいる、請求項１３に記載のＬＥＤ。
【請求項１８】
前記窒化物半導体層は、無極性の面上か、あるいは任意の半極性の面上に成長する、請求項１３に記載のＬＥＤ。
【請求項１９】
前記量子井戸は、成長温度で成長した多重量子井戸であり、前記窒化物半導体層は、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ層上に直接、かつ（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ層に接触して成長する、請求項１３に記載のＬＥＤ。
【請求項２０】
ステップ（ａ）および（ｂ）を連続的に行うことをさらに包含し、前記量子井戸は、前記成長温度で成長した多重量子井戸である、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記窒化物半導体膜はＧａＮを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明は、向上した出力パワーを有するデバイスをさらに開示する。例えば、該デバイスは発光ダイオード（ＬＥＤ）であり得、該発光ダイオードは、インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層と、該インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層にｎ型キャリアを注入するための、該インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層の１つの側に堆積したｎ型層と、該インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層上に堆積された、ｐ型層として作用するＭｇ含有の窒化物半導体層との１つ以上を含んでおり、そこで、該窒化物半導体層は少なくとも５０ｎｍの厚さを有する。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
改善された品質のデバイスを成長させるための方法であって、
（ａ）インジウム（Ｉｎ）含有の窒化物ベースの１つ以上の量子井戸層を成長温度において堆積させることと、
（ｂ）該インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層の該成長温度を超える、１５０℃以下の成長基板温度において、窒化物半導体の薄膜を該量子井戸層の上に堆積させることと
を包含する、方法。
（項目２）
上記窒化物半導体の薄膜は、マグネシウム（Ｍｇ）によってドーピングされる、項目１に記載の方法。
（項目３）
上記窒化物半導体の薄膜は、５０ｎｍより大きい厚さを有する、項目１に記載の方法。
（項目４）
上記窒化物半導体の薄膜は、意図的にドーピングされた材料か、または意図的ではなくドーピングされた材料の１つ以上の層を含んでいる、項目１に記載の方法。
（項目５）
上記窒化物半導体の薄膜は、可変組成か、または傾斜組成を有する複数の層を含んでいる、項目１に記載の方法。
（項目６）
上記窒化物半導体の薄膜は、異なる（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ組成の層を含むヘテロ構造を含んでいる、項目１に記載の方法。
（項目７）
上記窒化物半導体の薄膜は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮまたはＡｌＩｎＮを含んでいる、項目１に記載の方法。
（項目８）
上記窒化物半導体の薄膜は、従来のｃ面配向の窒化物半導体の結晶上か、またはａ面またはｍ面などの無極性の面上か、あるいは任意の半極性の面上など、窒化物結晶の任意の方向において成長させられる、項目１に記載の方法。
（項目９）
上記成長基板温度は、上記成長温度に実質的に等しい、項目１に記載の方法。
（項目１０）
上記成長基板温度は、上記インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層の上記成長温度を超えて、５０℃以下である、項目１に記載の方法。
（項目１１）
上記窒化物半導体の薄膜と上記インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層とは、水素化物気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、または分子線エピタキシー（ＭＢＥ）によって成長させられる、項目１に記載の方法。
（項目１２）
項目１に記載の方法を用いて製作される向上した出力パワーを有するデバイス。
（項目１３）
発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
（ａ）インジウム（Ｉｎ）含有の窒化物ベースの１つ以上の量子井戸層と、
（ｂ）該インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層にｎ型キャリアを注入するための、該インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層の１つの側に堆積されたｎ型層と、
（ｃ）マグネシウム（Ｍｇ）含有であり、そして該インジウム含有の窒化物ベースの量子井戸層に堆積された、ｐ型層として作用する窒化物半導体層であって、少なくとも５０ｎｍの厚さを有する、窒化物半導体層と
を備える、発光ダイオード。