【事件の表示】
　平成　９年特許願第１４６８２１号「部分重複相互接続構造および製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　３月１０日出願公開、特開平１０−　７０１９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年６月４日（パリ優先権主張：平成８年６月１１日、アメリカ合衆国）に出願された特許出願であって、平成１５年５月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年９月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年９月１１日に手続補正がなされ、その後、当審において、平成１７年２月１日付けで審尋がなされ、同年８月５日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１５年９月１１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年９月１１日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
　
（１）本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１ないし請求項７を以下のとおりに補正するものである。
　
「【請求項１】
　相互接続とコンタクト・スタッドの間の電気的連絡を実現する半導体デバイス中の相互接続構造であって、
　第１の金属材料のコンタクト・スタッドと、
　アルミニウムを含み、前記コンタクト・スタッドの上面を完全に覆う合金被膜からなるエッチ・ストップ層と、
　前記合金被膜のエッチ・ストップ層の上面の一部分を覆う第２の金属材料の相互接続線とを含み、
　前記第１及び第２の金属材料は、銅、銅合金、金、金合金、銀、銀行合金からなる群から選択されていることを特徴とする、
　半導体デバイス中の相互接続構造。
【請求項２】
　前記第１の金属材料と前記第２の金属材料が同じであることを特徴とする、請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項３】
　前記合金被膜がアルミニウム銅であることを特徴とする、請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項４】
　前記コンタクト・スタッドが前記相互接続線と別の相互接続線との間の電気的連絡を実現するスタッドであることを特徴とする、請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項５】
　前記相互接続線および前記コンタクト・スタッドが絶縁材料中に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項６】
　前記合金被膜が、まずアルミニウム・コンタクト上に銅層を付着し、次いでアニーリングしてアルミニウム銅合金を形成することによって形成されることを特徴とする、請求項３に記載の相互接続構造。
【請求項７】
　前記合金被膜が、前記コンタクト・スタッドがエッチング剤によってエッチングされるのを実質上防ぐことができることを特徴とする、請求項１に記載の相互接続構造。」
　
　平成１４年７月１７日付けの手続補正は、平成１５年５月２９日付けで却下されているので、本件補正は、平成１３年１２月２５日付けで補正された以下の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１９（以下、それぞれ「補正前請求項１」ないし「補正前請求項１９」という。）を補正するものである。
　
「【請求項１】
　第１の金属材料のコンタクトと、
　前記コンタクトの上面面積の大きさに合わせて前記コンタクトの上面を覆う合金被膜と、
　前記合金被膜の少なくとも一部分を覆う第２の金属材料の相互接続線とを含む、相互接続と半導体デバイス中のコンタクトの間の電気的連絡を実現する相互接続構造。
【請求項２】
　前記第１の金属材料および前記第２の金属材料が、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、金、金合金、銀および銀合金からなるグループから選択されることを特徴とする、請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項３】
　前記第１の金属材料と前記第２の金属材料が同じであることを特徴とする、請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項４】
　前記第１の金属材料および前記第２の金属材料がアルミニウムであり、かつ前記合金被膜がアルミニウム銅であることを特徴とする、請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項５】
　前記コンタクトが２つの相互接続線の間の電気的連絡を実現するスタッドであることを特徴とする、請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項６】
　前記相互接続線および前記コンタクトが絶縁材料中に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項７】
　前記合金被膜が、まずアルミニウム・コンタクト上に銅層を付着し、次いでアニーリングして合金を形成することによって形成されることを特徴とする、請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項８】
　前記合金被膜が、コンタクトがエッチング剤によってエッチングされるのを実質上防ぐことができることを特徴とする、請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項９】
　前記相互接続線が、前記相互接続線と前記コンタクトの間の電気的連絡を実現するのに十分に合金被膜の少なくとも一部分を覆うことを特徴とする、請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項１０】
　アルミニウムまたはアルミニウム銅から形成されたコンタクトと、
　前記コンタクトの上面面積の大きさに合わせて前記コンタクトの上面を覆い、
　コンタクトがエッチング剤によってエッチングされるのを実質上防ぐことができるアルミニウム銅被膜と、
　アルミニウムまたはアルミニウム銅から形成され、前記相互接続線と前記コンタクトの間の電気的連絡を実現するのに十分に前記アルミニウム銅被膜の少なくとも一部分を覆う相互接続線とを含む半導体構造。
【請求項１１】
　前記コンタクトおよび前記相互接続線がアルミニウムから形成されることを特徴とする、請求項１０に記載の半導体構造。
【請求項１２】
　前記アルミニウム銅被膜が、前記相互接続線のエッチング・プロセス中に前記コンタクトがエッチング剤によってエッチングされるのを防ぐのに十分なエッチ・ストップ被膜であることを特徴とする、請求項１０に記載の半導体構造。
【請求項１３】
　第１の金属材料のコンタクトを形成するステップと、
　前記コンタクトの上面面積の大きさに合わせて前記コンタクトの上面を覆い、前記相互接続線を形成するプロセスにおいて前記コンタクトがエッチング剤によってエッチングされるのを実質上防ぐことができる合金被膜を形成するステップと、
　前記合金被膜の少なくとも一部分を覆い、前記コンタクトと前記相互接続線の間の電気的連絡を実現するのに十分な第２の金属材料の相互接続線を形成するステップとを含む、半導体デバイス中のコンタクト上に相互接続線を製造する方法。
【請求項１４】
　前記第１の金属材料および前記第２の金属材料が、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、金、金合金、銀および銀合金からなるグループから選択されることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
　前記第１の金属材料および前記第２の金属材料がアルミニウムであり、かつ前記合金被膜がアルミニウム銅であることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
　前記コンタクトが２つの相互接続線の間の電気的連絡を実現するスタッドであることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
　前記相互接続線および前記コンタクトが絶縁材料中に形成されることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
　前記絶縁材料が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素および低誘電率ポリマーからなるグループから選択されることを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
　前記合金被膜を形成する前記ステップが、まずアルミニウム・スタッド上に銅の層を付着するステップと、次いでアニーリングして前記スタッドを覆うアルミニウム銅層を形成するステップとをさらに含むことを特徴とする、請求項１３に記載の方法。」
　
（２）本件補正の整理
　本件補正を整理すると以下のとおりである。
　
［補正１］
　補正前請求項１の「第１の金属材料のコンタクトと、」の前に「相互接続とコンタクト・スタッドの間の電気的連絡を実現する半導体デバイス中の相互接続構造であって、」を追加するとともに、補正前請求項１の「相互接続と半導体デバイス中のコンタクトの間の電気的連絡を実現する相互接続構造。」を「半導体デバイス中の相互接続構造。」とする補正。
　
［補正２］
　補正前請求項１の「第１の金属材料のコンタクト」を「第１の金属材料のコンタクト・スタッド」とする補正。
　
［補正３］
　補正前請求項１の「前記コンタクトの上面面積の大きさに合わせて前記コンタクトの上面を覆う合金被膜」を「アルミニウムを含み、前記コンタクト・スタッドの上面を完全に覆う合金被膜からなるエッチ・ストップ層」とするとともに、補正前請求項１の「第１の金属材料」及び「第２の金属材料」を「前記第１及び第２の金属材料は、銅、銅合金、金、金合金、銀、銀行合金からなる群から選択されていることを特徴とする、」と限定する補正。
　
［補正４］
　補正前請求項１の「前記合金被膜の少なくとも一部分を覆う第２の金属材料の相互接続線とを含む、」を「前記合金被膜のエッチ・ストップ層の上面の一部分を覆う第２の金属材料の相互接続線とを含み、」とする補正。
　
［補正５］
　補正前請求項２及び補正前請求項９ないし補正前請求項１９を削除する補正。
　
［補正６］
　補正前請求項３の請求項番号を２に繰り上げる補正。
　
［補正７］
　補正前請求項４の請求項番号を３に繰り上げるとともに、補正前請求項４の「前記第１の金属材料および前記第２の金属材料がアルミニウムであり、かつ前記合金被膜がアルミニウム銅であることを特徴とする、」を「前記合金被膜がアルミニウム銅であることを特徴とする、」とする補正。
　
［補正８］
　補正前請求項５の請求項番号を４に繰り上げるとともに、補正前請求項５の「前記コンタクトが２つの相互接続線の間の電気的連絡を実現するスタッド」を「前記コンタクト・スタッドが前記相互接続線と別の相互接続線との間の電気的連絡を実現するスタッド」とする補正。
　
［補正９］
　補正前請求項６の請求項番号を５に繰り上げるとともに、補正前請求項６の「前記コンタクト」を「前記コンタクト・スタッド」とする補正。
　
［補正１０］
　補正前請求項７の請求項番号を６に繰り上げるとともに、補正前請求項７の「次いでアニーリングして合金を形成する」を「次いでアニーリングしてアルミニウム銅合金を形成する」とし、さらに、補正前請求項７の「請求項１に記載の相互接続構造。」を「請求項３に記載の相互接続構造。」とする補正。
　
［補正１１］
　補正前請求項８の請求項番号を７に繰り上げるとともに、補正前請求項８の「コンタクト」を「前記コンタクト・スタッド」とする補正。
　
（３）補正の目的の適否及び新規事項追加の有無についての検討
　上記補正１ないし補正１１について、補正の目的の適否及び新規事項追加の有無を検討する。
　
［補正１について］
　補正１は、実質的に補正前請求項１の「コンタクト」が「コンタクト・スタッド」であることを明確化するとともに、「相互接続構造」が「半導体デバイス中の」ものであることを明確化して、補正前請求項１の「相互接続と半導体デバイス中のコンタクト間の電気的連絡を実現する相互接続構造」を「相互接続とコンタクト・スタッドの間の電気的連絡を実現する半導体デバイス中の相互接続構造」とするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「本願当初明細書等」という。）には「半導体デバイス中に製作されるコンタクトは、一般に２本の相互接続線を接続する・・・スタッドである。」（００１８段落）及び「本発明は、半導体デバイス中で相互接続とコンタクトの間の電気的接続を実現する相互接続構造・・・を提供する。」（００２１段落）と記載されているから、補正１は、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内におけるものである。
　
［補正２について］
　補正２は、補正前請求項１の「第１の金属材料のコンタクト」が「第１の金属材料のコンタクト・スタッド」であることを明確化するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、［補正１について］で検討したとおり、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内におけるものである。
　
［補正３について］
　補正３は、実質的に、補正前請求項１の「前記コンタクト」を「前記コンタクト・スタッド」とする補正（補正３−１）、補正前請求項１の「合金被膜」を「合金被膜からなるエッチ・ストップ層」とする補正（補正３−２）、補正前請求項１の「前記コンタクトの上面面積の大きさに合わせて前記コンタクトの上面を覆う」を「前記コンタクト・スタッドの上面を完全に覆う」とする補正（補正３−３）、及び、補正前請求項１の「合金被膜」が「アルミニウムを含」むことを限定するとともに、補正前請求項１の「第１の金属材料」及び「第２の金属材料」を「前記第１及び第２の金属材料は、銅、銅合金、金、金合金、銀、銀行合金からなる群から選択されていることを特徴とする、」と限定する補正（補正３−４）に分けることができる。
　補正３−１は、補正前請求項１の「前記コンタクト」が「前記コンタクト・スタッド」であることを明確化するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、［補正１について］で検討したとおり、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内におけるものである。
　補正３−２は、補正前請求項１の「合金被膜」が「エッチ・ストップ層」として機能することを明確化するためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、本願当初明細書等には「本発明は、後でエッチ・ストップとして使用される合金被膜によって金属スタッドが完全に覆われるように、金属スタッド上に合金被膜を形成する」（００２１段落）と記載されているから、この補正は、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内におけるものである。
　補正３−３は、本願当初明細書等に「本発明は、後でエッチ・ストップとして使用される合金被膜によって金属スタッドが完全に覆われるように、金属スタッド上に合金被膜を形成する」（００２１段落）と記載されているから、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内におけるものであるが、この補正によって、「合金被膜」の被覆範囲は「コンタクト・スタッドの上面を完全に覆う」範囲となり、補正前請求項１の「コンタクトの上面面積の大きさに合わせ」た「前記コンタクトの上面」を越えた範囲をも含むことになるから、補正３−３は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれをも目的とするものでない。
　補正３−４により、補正後の請求項１は、「アルミニウムを含」む「合金被膜」及び「銅、銅合金、金、金合金、銀、銀行合金からなる群から選択されている」「第１及び第２の金属材料」を発明を特定するための事項として含む。
　しかし、本願当初明細書等には、「第１の金属材料」、「第２の金属材料」及び「合金被膜」の材料選択に関して、「本発明の他の目的は、アルミニウムまたはアルミニウム銅から形成されたコンタクトと、コンタクトをほぼ覆うアルミニウム銅被膜と、アルミニウム銅被膜の少なくとも一部分を覆うアルミニウムまたはアルミニウム銅から形成された相互接続線とから構成される半導体構造を提供することである。」（００１５段落）、「アルミニウムまたはアルミニウム銅のスタッド上で使用するのに適した合金被膜は、アルミニウム銅被膜である。・・・アルミニウム銅の合金被膜は、後続の相互接続形成プロセスにおいてアルミニウム・スタッドがエッチング剤によってエッチングされるのを実質上防ぐ。」（００１８段落）、及び「まず、アルミニウムまたはアルミニウム銅スタッドの充填および化学機械研磨プロセスの後、・・・アニーリング・プロセスにおいてＡｌ２Ｃｕを形成する。・・・【００２４】・・・アルミニウム層６２をウエハ５０上にブランケット付着し、次いでフォトリソグラフィ・プロセスによってパターン化し、反応性イオン・エッチング・プロセスでエッチングする。」（００２３ないし００２４段落）と、「第１及び第２の金属材料」がともにアルミニウムまたはアルミニウム銅からなり「合金被膜」がアルミニウム銅又はＡｌ２Ｃｕからなる場合は記載されているものの、「第１及び第２の金属材料」が「銅、銅合金、金、金合金、銀、銀行合金からなる群から選択されている」とともに「合金被膜」が「アルミニウムを含」むことは、実質的に記載されていないから、補正３−４は、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内におけるものではなく、新規事項の追加に相当する。
　
［補正４について］
　補正４は、実質的に、補正前請求項１の「合金被膜」を「合金被膜のエッチストップ層」とする補正（補正４−１）と、補正前請求項１の「少なくとも一部分を覆う第２の金属材料」を「上面の一部分を覆う第２の金属材料」とする補正（補正４−２）に分けられる。
　補正４−１は、補正前請求項１の「合金被膜」が「エッチストップ層」として機能することを明確化するためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、本願当初明細書等には「本発明は、後でエッチ・ストップとして使用される合金被膜によって金属スタッドが完全に覆われるように、金属スタッド上に合金被膜を形成する」（００２１段落）と記載されているから、この補正は、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内におけるものである。
　補正４−２は、補正前請求項１における「第２の金属材料」の被覆対象が「上面」であることを明確化するとともに、被覆範囲を、全面を覆う場合を含む「少なくとも一部分」から、全面を覆う場合を含まない「一部分」に限定するものであるから、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、本願当初明細書等には「本発明では、相互接続線が、相互接続線とスタッドの間の電気的連絡を実現するのに十分にスタッドを覆う合金被膜の一部分だけを覆うことができる。」（００１８段落）と記載されているから、この補正は、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内におけるものである。
　
［補正５について］
　補正５は、請求項の削除を目的とするものである。
　
［補正６について］
　補正６は、補正前請求項２の削除に伴って、補正前請求項３の請求番号を２に繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
［補正７について］
　補正７は、補正前請求項４の請求項番号を３に繰り上げる補正（補正７−１）と、補正前請求項４の「前記第１の金属材料および前記第２の金属材料がアルミニウムであり、かつ前記合金被膜がアルミニウム銅であることを特徴とする、」を補正後の請求項３の「前記合金被膜がアルミニウム銅であることを特徴とする、」とする補正（補正７−２）に分けることがことができる。
　補正７−１は、補正前請求項２の削除に伴って、補正前請求項４の請求番号を３に繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　補正７−２について検討すると、補正後の請求項３が引用する補正後の請求項１で「第１及び第２の金属材料は、銅、銅合金、金、金合金、銀、銀行合金からなる群から選択されている」と限定されているから、補正７−２によって、補正後の請求項３は「第１及び第２の金属材料」が「銅、銅合金、金、金合金、銀、銀行合金からなる群から選択されている」とともに「合金被膜がアルミニウム銅」からなる事項を含む。
　しかし、本願当初明細書等には、「第１の金属材料」、「第２の金属材料」及び「合金被膜」の材料選択に関して、「本発明の他の目的は、アルミニウムまたはアルミニウム銅から形成されたコンタクトと、コンタクトをほぼ覆うアルミニウム銅被膜と、アルミニウム銅被膜の少なくとも一部分を覆うアルミニウムまたはアルミニウム銅から形成された相互接続線とから構成される半導体構造を提供することである。」（００１５段落）、「アルミニウムまたはアルミニウム銅のスタッド上で使用するのに適した合金被膜は、アルミニウム銅被膜である。・・・アルミニウム銅の合金被膜は、後続の相互接続形成プロセスにおいてアルミニウム・スタッドがエッチング剤によってエッチングされるのを実質上防ぐ。」（００１８段落）、及び「まず、アルミニウムまたはアルミニウム銅スタッドの充填および化学機械研磨プロセスの後、・・・アニーリング・プロセスにおいてＡｌ２Ｃｕを形成する。・・・【００２４】・・・アルミニウム層６２をウエハ５０上にブランケット付着し、次いでフォトリソグラフィ・プロセスによってパターン化し、反応性イオン・エッチング・プロセスでエッチングする。」（００２３ないし００２４段落）と、「第１及び第２の金属材料」がともにアルミニウムまたはアルミニウム銅からなり「合金被膜」がアルミニウム銅又はＡｌ２Ｃｕからなる場合は記載されているものの、「第１及び第２の金属材料」が「銅、銅合金、金、金合金、銀、銀行合金からなる群から選択されている」とともに「合金被膜がアルミニウム銅」からなることは、実質的に記載されていないから、補正７−２は、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内におけるものではなく、新規事項の追加に相当する。
　また、仮に、補正７−２が本願当初明細書等に記載した事項の範囲内におけるものであるとしても、補正７−２を含む補正７は、実質的に、補正前請求項４の「前記第１の金属材料および前記第２の金属材料がアルミニウムであり、かつ前記合金被膜がアルミニウム銅」を「第１及び第２の金属材料」が「銅、銅合金、金、金合金、銀、銀行合金からなる群から選択されている」とともに「合金被膜がアルミニウム銅である」とするものであるから、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれをも目的とするものではない。
　
［補正８について］
　補正８のうち、補正前請求項２の削除に伴って、補正前請求項５の請求番号を４に繰り上げる補正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　補正８のうち、補正前請求項５の「前記コンタクトが２つの相互接続線の間の電気的連絡を実現するスタッド」を「前記コンタクト・スタッドが前記相互接続線と別の相互接続線との間の電気的連絡を実現するスタッド」とする補正は、補正前請求項５の「前記コンタクト」が「前記コンタクト・スタッド」であること、及び補正前請求項５の「２つの相互接続線の間」が「相互接続線と別の相互接続線との間」であることを明確化するためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、［補正１について］で検討したとおり、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内におけるものである。
　
［補正９について］
　補正９のうち、補正前請求項２の削除に伴って、補正前請求項６の請求番号を５に繰り上げる補正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　補正９のうち、補正前請求項６の「前記コンタクト」を「前記コンタクト・スタッド」とする補正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、［補正１について］で検討したとおり、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内におけるものである。
　
［補正１０について］
　補正１０は、補正前請求項７の請求項番号を６に繰り上げる補正（補正１０−１）、補正前請求項７の「次いでアニーリングして合金を形成する」を「次いでアニーリングしてアルミニウム銅合金を形成する」とする補正（補正１０−２）、及び補正前請求項７の「請求項１に記載の相互接続構造。」を「請求項３に記載の相互接続構造。」とする補正（補正１０−３）に分けられる。。
　補正１０−１は、補正前請求項２の削除に伴って、補正前請求項７の請求番号を６に繰り上げる補正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　補正１０−２は、補正前請求項７の「アルミニウム・コンタクト上に銅層を付着し、次いでアニーリングして」形成された「合金」が、「アルミニウム銅合金」であることを明確化するためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、本願当初明細書等には「次いで、ウエハを・・・アニーリングする。銅は、下地のアルミニウムまたはアルミニウム銅スタッドと合金になり、アニーリング・プロセスにおいてＡｌ２Ｃｕを形成する。」（００２３段落）と記載されているから、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内におけるものである。
　補正１０−３は、補正後の請求項６による限定が、材料限定のされていない補正後の請求項１における「合金被膜」に対するものではなく、補正後の請求項１における「合金被膜」の材料を「前記合金被膜がアルミニウム銅である」と限定した補正後の請求項３に対するものであることを明確化するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
［補正１１について］
　補正１１のうち、補正前請求項２の削除に伴って、補正前請求項８の請求番号を７に繰り上げる補正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　補正１１のうち、補正前請求項８の「コンタクト」を「前記コンタクト・スタッド」とする補正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、［補正１について］で検討したとおり、本願当初明細書等に記載した事項の範囲内におけるものである。
　
　したがって、補正３を含む補正前請求項１についての補正及び補正７を含む補正前請求項４についての補正を含む本件補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものではないから、特許法１７条の２第３項の規定に適合せず、また、同法第１７条の２第４項第１号ないし第４号に掲げるいずれの事項をも目的とするものでもない。
　
（４）独立特許要件についての検討
　本件補正は（３）で検討したとおり、特許法１７条の２第３項の規定に適合せず、同法第１７条の２第４項第１号ないし第４号に掲げるいずれの事項をも目的とするものではないが、仮に、本件補正が、同法１７条の２第３項の規定に適合するとともに、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとして、本件補正が同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項に規定される独立特許要件を満たすか否かについて、以下検討する。
　
（４−１）本願の補正後の請求項１に係る発明
　本願の補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正後発明１」という。）は、本願の補正後の請求項１における「銀行合金」が「銀合金」の明らかな誤記である点を踏まえると、この点を修正した以下のとおりのものである。　
「相互接続とコンタクト・スタッドの間の電気的連絡を実現する半導体デバイス中の相互接続構造であって、
　第１の金属材料のコンタクト・スタッドと、
　アルミニウムを含み、前記コンタクト・スタッドの上面を完全に覆う合金被膜からなるエッチ・ストップ層と、
　前記合金被膜のエッチ・ストップ層の上面の一部分を覆う第２の金属材料の相互接続線とを含み、
　前記第１及び第２の金属材料は、銅、銅合金、金、金合金、銀、銀合金からなる群から選択されていることを特徴とする、
　半導体デバイス中の相互接続構造。」
　
（４−２）刊行物記載の発明
　原査定において拒絶の理由に引用された、本願のパリ優先権主張日（平成８年６月１１日）前に頒布された刊行物である特開平６−２７２０４３号公報（以下、「刊行物」という。）には、図１及び図２とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１３】図１及び図２に基づいて本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法について説明する。・・・Ａｌ合金膜３１を所定の配線パターンに加工して下層金属配線３０を形成する。・・・次に、図１（ｂ）に示すように、下層金属配線３０の形成された下地絶縁膜２０上に層間絶縁膜４０を形成する。・・・
【００１４】次に、・・・図１（ｃ）に示すように、層間絶縁膜４０にヴィア孔５０を形成する。・・・
【００１５】次に、Ａｌ原料であるＤＭＡＨ（ＡｌＨ（ＣＨ３）２：Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ａｌｍｉｎｕｍ−ｈｙｄｒｉｄｅ）のガスと、水素とを原料とする熱ＣＶＤ法でヴィア孔５０内にのみ底面から選択的にＡｌを堆積させることによって図２（ａ）に示すように、ヴィア孔５０内にＡｌ膜５１を形成する。・・・
【００１６】次に、Ｃｕ原料であるＣｐＣｕＴＥＰ（Ｃ５Ｈ５ＣｕＰ（Ｃ２Ｈ５）３：Ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌ−ｔｒｉｅｔｈｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ−ｃｏｐｐｅｒ）のガスと、Ａｌ原料であるＤＭＡＨのガスと、水素とを原料とする熱ＣＶＤ法でＡｌ膜５１上に選択的にＡｌ２Ｃｕを堆積させることによって図２（ｂ）に示すように、Ａｌ２Ｃｕ膜５２を形成する。」（００１３ないし００１６段落）
「【００１９】次ぎにスパッタ法でＡｌを４００ないし１０００ｎｍの膜厚に堆積させＡｌ合金膜を形成し、上述した下層金属配線３０を形成するときと同様の方法を用いて、図２（ｃ）に示すように、上層金属配線６０を形成する。」（００１９段落）
「次に、上層金属配線６０を形成した後、アニール処理を行いヴィアプラグ５３を構成するＡｌ膜５２にＡｌ２Ｃｕ膜５１中のＣｕ原子を拡散させて合金化処理して、図２（ｄ）に示すような、ヴィアプラグ５３全体をＡｌ−Ｃｕ合金化し、多層配線構造の半導体装置を製造する。」（００２０段落）
「【００２１】本発明のヴィア構造を使用した半導体装置」（００２１段落）
「【００２６】なお、本実施例においてはヴィアプラグを形成する場合について説明した」（００２６段落）
　
　したがって、刊行物には図２（ｃ）の段階において、以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
「ヴィア孔内に形成されたＡｌ膜からなるヴィアプラグと、
　前記ヴィアプラグ上に選択的に堆積されたＡｌ２Ｃｕ膜と、
　前記Ａｌ２Ｃｕ膜上に形成されたＡｌ合金膜からなる上層金属配線とを備えたヴィア構造を使用した半導体装置。」
　
　なお、本願当初明細書等には、「最後に、約３１０℃〜約４５０℃、好ましくは約３８０℃〜４２０℃の温度範囲で行ったアニーリング・プロセスでは、Ａｌ２Ｃｕが下地のスタッド中ならびにその上のパターン化された金属相互接続線６６中に拡散して、均一なアルミニウム銅合金を生成する。」（００２５段落）と、最終的なアニーリング・プロセスによりＡｌ２Ｃｕを下地のスタッド中とパターン化された金属相互接続線中に拡散させることが記載されているから、「アルミニウムを含み、前記コンタクト・スタッドの上面を完全に覆う合金被膜」を発明を特定するための事項として含む補正後発明１は、最終的なアニーリング・プロセス前のものであると認められ、一方、刊行物には「【００１９】・・・図２（ｃ）に示すように、上層金属配線６０を形成する。【００２０】次に、上層金属配線６０を形成した後、アニール処理を行いヴィアプラグ５３を構成するＡｌ膜５２にＡｌ２Ｃｕ膜５１中のＣｕ原子を拡散させて合金化処理して、図２（ｄ）に示すような、ヴィアプラグ５３全体をＡｌ−Ｃｕ合金化し、多層配線構造の半導体装置を製造する。」（００１９段落及び００２０段落）と、図２（ｃ）の段階が最終的なアニール処理前の段階におけるものであることが記載されているから、刊行物発明は、最終的なアニーリング・プロセス前の補正後発明１に合わせて、図２（ｃ）の段階のものとして認定した。
　
（４−３）対比・判断
　補正後発明１と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「ヴィアプラグ」及び「Ａｌ２Ｃｕ膜」は、補正後発明１の「コンタクト・スタッド」及び「合金被膜」にそれぞれ相当し、刊行物発明の「上層金属配線」は、補正後発明１の「相互接続」及び「相互接続線」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「ヴィア構造」は、「Ａｌ膜からなるヴィアプラグ」と「Ａｌ合金膜からなる上層金属配線」とを「Ａｌ２Ｃｕ膜」を介して相互に電気的に接続しているから、補正後発明１の「相互接続構造」に相当し、刊行物発明の「半導体装置」は、補正後発明１の「半導体デバイス」に相当するから、刊行物発明の「ヴィア構造を使用した半導体装置」は、補正後発明１の「相互接続とコンタクト・スタッドの間の電気的連絡を実現する半導体デバイス中の相互接続構造」に相当する。
（ｃ）また、補正後発明１の「コンタクト・スタッドと、」「エッチ・ストップ層と、」「相互接続線とを含」む「相互接続構造。」が、「コンタクト・スタッドと、」「エッチ・ストップ層と、」「相互接続線とを」備えることは明らかであり、刊行物発明の「ヴィアプラグと、」「Ａｌ２Ｃｕ膜と、」「上層金属配線とを備えた」「半導体装置。」が、「ヴィアプラグと、」「Ａｌ２Ｃｕ膜と、」「上層金属配線とを」含むことも明らかである。
　
　したがって、補正後発明１と刊行物発明は
「相互接続とコンタクト・スタッドの間の電気的連絡を実現する半導体デバイス中の相互接続構造であって、
　コンタクト・スタッドと、
　前記コンタクト・スタッドの上面を覆う合金被膜と、
　前記合金被膜の上面を覆う相互接続線とを含む、
　半導体デバイス中の相互接続構造。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　補正後発明１は「アルミニウムを含み、前記コンタクト・スタッドの上面を完全に覆う合金被膜からなるエッチ・ストップ層」を備えるとともに「前記合金皮膜のエッチ・ストップ層の上面の一部分を覆う」「相互接続線」を備えるのに対して、刊行物発明は「前記ヴィアプラグ上に選択的に堆積されたＡｌ２Ｃｕ膜」を備えるとともに「前記Ａｌ２Ｃｕ膜上に形成された」「上層金属配線」を備える点。
　
［相違点２］
　補正後発明１は「第１の金属材料のコンタクト・スタッド」と「第２の金属材料の相互接続線」を備え、「前記第１及び第２の金属材料は、銅、銅合金、金、金合金、銀、銀合金からなる群から選択されていることを特徴とする」のに対して、刊行物発明は「Ａｌ膜からなるヴィアプラグ」と「Ａｌ合金膜からなる上層金属配線」を備える点。
　
　上記相違点について検討する。
　
［相違点１について］
　相違点１は、実質的に、補正後発明１は「アルミニウムを含み、前記コンタクト・スタッドの上面を完全に覆う合金被膜」を備えるのに対して、刊行物発明は「前記ヴィアプラグ上に選択的に堆積されたＡｌ２Ｃｕ膜」を備える点（相違点１−１）と、補正後発明１は「前記合金皮膜のエッチストップ層の上面の一部分を覆う」「相互接続線」を備えるのに対して、刊行物発明は「前記Ａｌ２Ｃｕ膜上に形成された」「上層金属配線」を備える点（相違点１−２）に分けられる。
　相違点１−１について検討すると、刊行物発明の「Ａｌ２Ｃｕ膜」がアルミニウムを含む合金被膜であることは、その組成から明らかであり、刊行物には「次に、Ｃｕ原料であるＣｐＣｕＴＥＰ（・・・）のガスと、Ａｌ原料であるＤＭＡＨのガスと、水素とを原料とする熱ＣＶＤ法でＡｌ膜５１上に選択的にＡｌ２Ｃｕを堆積させる」（００１６）と「Ａｌ２Ｃｕ膜」をヴィアプラグ上に選択的に形成することが記載されているから、刊行物発明の「Ａｌ２Ｃｕ膜」がヴィアプラグ「の上面を完全に覆う」ことも技術的に明らかであり、したがって、相違点１−１は実質的なものではない。
　次に、相違点１−２について検討すると、多層配線構造における上層配線層をドライエッチングでパターン形成する際に、マスク合わせの誤差等によって上層配線層がヴィアプラグ上面の一部のみを覆う場合が不可避的に生ずることは、例えば、特開平７−６６２０２号公報に「配線密度を高くするためには接続孔と配線パターンの重なりマージンをなくすことが望ましいが、その場合、マスク合わせの誤差やプロセスの変動により接続孔に対する配線パターンの位置がずれる」（０００７段落）、「マスク合わせの誤差やプロセスの変動により接続孔１９に対するアルミニウム膜２１からなる配線パターンの位置がずれた場合」（００１３段落）と記載されるように、当業者にとって従来周知であるから、刊行物発明においても「上層金属配線」が「ヴィアプラグ上に選択的に堆積されたＡｌ２Ｃｕ膜」上面の一部分のみを覆うことが不可避的に起こり得ることは、当業者にとって明らかである。
　一方、刊行物には「Ａｌ合金膜を形成し、・・・上層金属配線６０を形成する。」（００１９段落）と、「上層金属配線」が「Ａｌ合金膜」で形成されることは記載されているものの、「Ａｌ２Ｃｕ膜」で形成されることは記載も示唆もされていないから、刊行物発明における「Ａｌ合金膜からなる上層金属配線」の形成材料は、「Ａｌ合金膜」ではあっても「Ａｌ２Ｃｕ膜」ではないと認められる。
　したがって、刊行物発明において、「Ａｌ合金膜からなる上層金属配線」をエッチングによりパターン加工する際に、マスク合わせ誤差等により不可避的に「ヴィアプラグ上に選択的に堆積されたＡｌ２Ｃｕ膜」上面の一部分のみを覆うことは当業者が容易に想到できたことであり、その際に「Ａｌ２Ｃｕ膜」は「上層配線層」を形成する「Ａｌ合金膜」と異なる材料で形成されている以上、「エッチ・ストップ層」として機能し得ることは当業者にとって明らかである。
　
［相違点２について］
　ヴィアプラグや配線層の形成材料として銅や銅合金を用いることは、当業者にとって従来周知であるから、刊行物発明において、「ヴィアプラグ」と「上層配線層」の形成材料を銅や銅合金で形成することは、当業者であれば必要に応じて適宜なし得た単なる設計的事項に過ぎない。
　
　したがって、補正後発明１は、刊行物に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は（３）で検討したとおり、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものではないから、特許法１７条の２第３項の規定に適合せず、また、同法第１７条の２第４項第１号ないし第４号に掲げるいずれの事項をも目的とするものでもないから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　仮に、本件補正が、同法１７条の２第３項の規定に適合するとともに、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとしても、補正後発明１は（４）で検討したとおり、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、請求項２ないし請求項７に係る発明について検討するまでもなく、適法ではない補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合せず、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１５年９月１１日付けの手続補正は、上記のとおり却下され、平成１４年７月１７日付けの手続補正は、平成１５年５月２９日付けで却下されているので、本願の請求項１ないし請求項１９に係る発明は、平成１３年１２月２５日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１９に記載されたとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、以下のとおりのものである。
「第１の金属材料のコンタクトと、
　前記コンタクトの上面面積の大きさに合わせて前記コンタクトの上面を覆う合金被膜と、
　前記合金被膜の少なくとも一部分を覆う第２の金属材料の相互接続線とを含む、相互接続と半導体デバイス中のコンタクトの間の電気的連絡を実現する相互接続構造。」
　
４．刊行物記載の発明
　原査定において拒絶の理由に引用された、本願のパリ優先権主張日（平成８年６月１１日）前に頒布された刊行物である特開平６−２７２０４３号公報（以下、「刊行物」という。）には、図１及び図２とともに、２．［理由］（４）（４−２）に記載されたとおりの事項が記載されているから、刊行物には図２（ｃ）の段階において、以下の発明（以下、「刊行物第２発明」という。）が記載されている。
「ヴィア孔内に形成されたＡｌ膜からなるヴィアプラグと、
　前記ヴィアプラグ上に選択的に堆積されたＡｌ２Ｃｕ膜と、
　前記Ａｌ２Ｃｕ膜上に形成されたＡｌ合金膜からなる上層金属配線とを備えた、上層金属配線と半導体装置中のヴィアプラグとを電気的に接続するヴィア構造。」
　
　なお、本願当初明細書等には、「最後に、約３１０℃〜約４５０℃、好ましくは約３８０℃〜４２０℃の温度範囲で行ったアニーリング・プロセスでは、Ａｌ２Ｃｕが下地のスタッド中ならびにその上のパターン化された金属相互接続線６６中に拡散して、均一なアルミニウム銅合金を生成する。」（００２５段落）と、最終的なアニーリング・プロセスによりＡｌ２Ｃｕを下地のスタッド中とパターン化された金属相互接続線中に拡散させることが記載されているから、「合金被膜」を発明を特定するための事項として含む本願発明１は、最終的なアニーリング・プロセス前のものであると認められ、一方、刊行物には「【００１９】・・・図２（ｃ）に示すように、上層金属配線６０を形成する。【００２０】次に、上層金属配線６０を形成した後、アニール処理を行いヴィアプラグ５３を構成するＡｌ膜５２にＡｌ２Ｃｕ膜５１中のＣｕ原子を拡散させて合金化処理して、図２（ｄ）に示すような、ヴィアプラグ５３全体をＡｌ−Ｃｕ合金化し、多層配線構造の半導体装置を製造する。」（００１９段落及び００２０段落）と、図２（ｃ）の段階が最終的なアニール処理前の段階におけるものであることが記載されているから、刊行物第２発明は、最終的なアニーリング・プロセス前の本願発明１に合わせて、図２（ｃ）の段階のものとして認定した。
　
５．対比・判断
　本願発明１と刊行物第２発明とを対比する。
（ａ）刊行物第２発明の「Ａｌ膜からなるヴィアプラグ」及び「Ａｌ２Ｃｕ膜」は、本願発明１の「第１の金属材料のコンタクト」及び「合金被膜」にそれぞれ相当する。
　また、刊行物第２発明の「上層金属配線」は、本願発明１の「相互接続」及び「相互接続線」に相当し、刊行物第２発明の「Ａｌ合金膜からなる上層金属配線」は、本願発明１の「第２の金属材料の相互接続線」に相当する。
（ｂ）刊行物第２発明の「ヴィア構造」は、「Ａｌ膜からなるヴィアプラグ」と「Ａｌ合金膜からなる上層金属配線」とを「Ａｌ２Ｃｕ膜」を介して相互に電気的に接続しているから、本願発明１の「相互接続構造」に相当し、刊行物第２発明の「半導体装置」は、本願発明１の「半導体デバイス」に相当するから、刊行物第２発明の「上層金属配線と半導体装置中のヴィアプラグとを電気的に接続するヴィア構造」は、本願発明１の「相互接続と半導体デバイス中のコンタクトの間の電気的連絡を実現する相互接続構造」に相当する。
（ｃ）また、本願発明１の「コンタクトと、」「合金被膜と、」「相互接続線とを含む」「相互接続構造。」が、「コンタクトと、」「合金被膜と、」「相互接続線とを」備えることは明らかであり、刊行物第２発明の「ヴィアプラグと、」「Ａｌ２Ｃｕ膜と、」「上層金属配線とを備えた」「ヴィア構造。」が、「ヴィアプラグと、」「Ａｌ２Ｃｕ膜と、」「上層金属配線とを」含むことも明らかである。
　
　したがって、本願発明１と刊行物第２発明は
「第１の金属材料のコンタクトと、
　前記コンタクトの上面を覆う合金被膜と、
　前記合金被膜を覆う第２の金属材料の相互接続線とを含む、相互接続と半導体デバイス中のコンタクトの間の電気的連絡を実現する相互接続構造。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明１は「コンタクトの上面面積の大きさに合わせて前記コンタクトの上面を覆う合金被膜」を備えるのに対して、刊行物第２発明は「ヴィアプラグ上に選択的に堆積されたＡｌ２Ｃｕ膜」を備える点。
　
［相違点２］
　本願発明１は「合金被膜の少なくとも一部分を覆う第２の金属材料の相互接続線」を備えるのに対して、刊行物第２発明は「Ａｌ２Ｃｕ膜上に形成されたＡｌ合金膜からなる上層金属配線」を備える点。
　
　上記相違点について検討する。
　
［相違点１について］
　刊行物第２発明の「Ａｌ２Ｃｕ膜」の形成方法について、刊行物には「次に、Ｃｕ原料であるＣｐＣｕＴＥＰ（・・・）のガスと、Ａｌ原料であるＤＭＡＨのガスと、水素とを原料とする熱ＣＶＤ法でＡｌ膜５１上に選択的にＡｌ２Ｃｕを堆積させる」（００１６段落）と「Ａｌ２Ｃｕ膜」をヴィアプラグ上に選択的に形成することが記載されているから、刊行物第２発明の「Ａｌ２Ｃｕ膜」がヴィアプラグ「の上面面積の大きさに合わせて」前記ヴィアプラグ「の上面を覆う」ことは技術的に明らかであり、したがって、相違点１は実質的なものではない。
　
［相違点２について］
　本願発明１の「第２の金属材料の相互接続線」は「合金被膜の少なくとも一部分を覆う」から、本願発明１は「第２の金属材料の相互接続線」が「合金被膜」の全面を覆う場合も含む。
　一方、刊行物には「スパッタ法でＡｌを４００ないし１０００ｎｍの膜厚に堆積させＡｌ合金膜を形成し、・・・図２（ｃ）に示すように、上層金属配線６０を形成する。」（００１９段落）と記載されており、図２（ｃ）では「上層金属配線６０」が「Ａｌ２Ｃｕ膜５２」の全面を覆っていることは明らかであるから、刊行物第２発明の「Ａｌ合金膜からなる上層金属配線」は「Ａｌ２Ｃｕ膜」の全面を覆っており、したがって、相違点２は実質的なものではない。
　仮に、相違点２が実質的な相違点であるとしても、多層配線構造における上層配線層をドライエッチングでパターン形成する際に、マスク合わせの誤差等によって上層配線層がヴィアプラグ上面の一部のみを覆う場合が不可避的に生ずることは、例えば、特開平７−６６２０２号公報に「配線密度を高くするためには接続孔と配線パターンの重なりマージンをなくすことが望ましいが、その場合、マスク合わせの誤差やプロセスの変動により接続孔に対する配線パターンの位置がずれる」（０００７段落）、「マスク合わせの誤差やプロセスの変動により接続孔１９に対するアルミニウム膜２１からなる配線パターンの位置がずれた場合」（００１３段落）と記載されるように、当業者にとって従来周知であるから、刊行物第２発明においても「上層金属配線」が「ヴィアプラグ上に選択的に堆積されたＡｌ２Ｃｕ膜」上面の一部分のみを覆うことが不可避的に起こり得ることは、当業者にとって明らかであり、刊行物第２発明において、「Ａｌ合金膜からなる上層金属配線」をエッチングによりパターン加工する際に、マスク合わせ誤差等により不可避的に「ヴィアプラグ上に選択的に堆積されたＡｌ２Ｃｕ膜」上面の一部分のみを覆うことは当業者が容易に想到できたことである。
　
　したがって、本願発明１は、刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができず、仮に、同法第２９条第１項第３号に該当しないとしても、刊行物に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし請求項１９に係る発明について判断するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。