【事件の表示】
　特願２０１４−５０７３９２「基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１０月　３日国際公開，ＷＯ２０１３／１４５６２２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１３年（平成２５年）３月１５日（パリ条約による優先権主張　平成２４年３月２８日，日本国）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は，概略，以下のとおりである。
平成２６年　９月２５日：手続補正書
平成２８年　３月１５日：手続補正書
平成２８年　４月　４日：手続補正書
平成２９年　１月３１日：拒絶理由通知（起案日）
平成２９年　４月　７日：意見書
平成２９年　４月　７日：手続補正書
平成２９年　８月　７日：拒絶理由（最後の拒絶理由）通知（起案日）
平成２９年１０月１３日：意見書
平成２９年１０月１３日：手続補正書
平成２９年１２月１１日：拒絶査定（起案日）
平成２９年１２月１１日：補正の却下の決定（起案日）
平成３０年　３月　６日：審判請求
平成３０年　３月　６日：手続補正書（以下，この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。）
第２　平成３０年３月６日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成３０年３月６日にされた手続補正を却下する。
［理由］
１　本件補正について
（１）　本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により，特許請求の範囲の請求項１１の記載は，次のとおり補正された。（下線部は，補正箇所である。）
「【請求項１１】
　第１基板と第２基板とを互いに貼り合わせる基板貼り合わせ方法であって，
　互いに位置合わせされた前記第１基板と前記第２基板とを互いに接合する接合工程と，
　前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の接合面全体の平坦度を含む情報に基づいて，前記第１基板と前記第２基板とを所定の接合条件で接合するか否かを判断する判断工程と，
を含
み，
　
前記判断工程においては，前記第１基板および前記第２基板の接合の過程で少なくとも一方に生じる変形，前記第１基板および前記第２基板を接合した場合の接着領域および非接着領域の少なくとも一方の位置および広さの少なくとも一方，前記接着領域および前記非接着領域の少なくとも一方に含まれる素子領域の数，および，前記第１基板および前記第２基板を接合したときの歩留り，の少なくとも一つを前記情報に基づいて予測し，予測した結果に基づいて，接合するか否かを判断する
（２）　本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，平成２９年４月７日の手続補正による特許請求の範囲の請求項１３の記載は次のとおりである。
「【請求項１３】
　第１基板と第２基板とを互いに貼り合わせる基板貼り合わせ方法であって，
　互いに位置合わせされた前記第１基板と前記第２基板とを互いに接合する接合工程と，
　前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の接合面全体の平坦度を含む情報に基づいて，前記第１基板と前記第２基板とを所定の接合条件で接合するか否かを判断する判断工程と，
を含む基板貼り合わせ方法。」
２　補正の適否
（１）　新規事項の追加について
　ア　当初明細書等に記載された事項
　本願の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面（以下，これらを「当初明細書等」という。）には，以下の事項が記載されている。（下線は当審で付与した。以下同じ。）
「【請求項３１】
　第１基板と第２基板とを互いに貼り合せる基板貼り合わせ方法であって，
　前記第１基板および前記第２基板を互いに位置合わせして重ね合わせる位置合わせ工程と，
　前記位置合わせされた前記第１基板と前記第２基板とを互いに接合する接合工程と，
　前記接合工程の前に，前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の凹凸状態を検出する検出工程と，
　前記検出工程により検出された前記凹凸状態が所定の条件を満たすか否かを判断する判断工程と，
を含み，
　前記凹凸状態が所定の条件を満たさないと前記判断工程で判断された場合，前記接合工程を行わないことを特徴とする基板貼り合せ方法。
【請求項３２】
　前記判断工程は，前記接合工程での前記第１基板および前記第２基板の接合の可否を判断する請求項３１に記載の基板貼り合せ方法。
【請求項３３】
　前記検出工程は，前記第１基板の接合される面の前記凹凸状態を検出する請求項３１または３２に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３４】
　前記検出工程は，前記第１基板の変形に起因する前記凹凸状態を検出する請求項３１から３３のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３５】
　前記検出工程は，前記第１基板に付着した付着物に起因する前記凹凸状態を検出する請求項３１から３３のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３６】
　前記検出工程は，前記第１基板の表面に配されたバンプの高さのばらつきに起因する前記凹凸状態を検出する請求項３１から３３のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３７】
　前記検出工程は，前記第１基板の厚さむらに起因する前記凹凸状態を検出する請求項３１から３３のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３８】
　前記検出工程は，前記第１基板の接合に関与する面に存在する突出部分を検出する請求項３１から３７までのいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３９】
　前記検出工程は，前記突出部分の高さを検出する請求項３８に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項４０】
　前記検出工程は，前記突出部分の広さを検出する請求項３８または請求項３９に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項４１】
　前記検出工程は，前記突出部分の突出方向を検出する請求項３８から４０のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項４２】
　前記判断工程は，前記突出部分の材料に基づいて接合の可否を判断する請求項３８から４１のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項４３】
　前記検出工程は，前記第１基板および前記第２基板を互いに重ね合わせたときに前記第１基板にかかる荷重の分布に基づいて前記凹凸状態を検出する請求項３１から４２のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項４４】
　前記第１基板を観察する観察工程を含み，
　前記検出工程は，前記第１基板に対する光学系の合焦状態に基づいて前記凹凸状態を検出する請求項３１から４３のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項４５】
　前記検出工程は，前記第１基板を撮影した映像に基づいて前記凹凸状態を検出する請求項３１から４４のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項４６】
　前記検出工程は，前記第１基板を保持する保持部材への前記第１基板の保持状態における前記凹凸状態を検出する請求項３１から４５のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項４７】
　前記検出工程は，前記保持部材に静電力により吸着して保持された前記第１基板を流れる電流量に基づいて前記凹凸状態を検出する請求項４６に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項４８】
　前記検出工程は，前記第１基板に印加した交流電圧のインピーダンスに基づいて前記凹凸状態を検出する請求項４６に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項４９】
　前記検出工程は，負圧により前記第１基板を吸着して保持する前記保持部材における前記負圧の変動に基づいて前記凹凸状態を検出する請求項４６に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項５０】
　前記検出工程は，前記第１基板に生じた前記凹凸状態が前記保持部材に起因するか否かを検出する請求項４６に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項５１】
　前記接合工程を行う接合部に前記第１基板および前記第２基板をそれぞれ搬送する搬送工程を備え，
　前記検出工程は，前記基板が前記接合部に搬入される前に前記凹凸状態を検出する請求項３１から請求項５０までのいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項５２】
　前記第１基板および前記第２基板を互いに位置合わせする前にそれぞれの位置を検出するプリアライメント工程を含み，
　前記検出工程は，前記プリアライメント工程において前記凹凸状態を検出する請求項３１から請求項５１までのいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項５３】
　前前記第１基板および前記第２基板を重ね合わせる重ね合わせ工程を備え，前記検出工程は，前記重ね合わせ工程が前記第１基板および前記第２基板を重ね合わせたときに，前記第１基板および前記第２基板の接合面内に生じる圧力分布に基づいて前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の前記凹凸状態を検出する請求項３１から請求項５２までのいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項５４】
　前記検出工程は，前記第１基板および前記第２基板が互いに重ね合わされた後であって，前記接合工程において接合される前に，前記凹凸状態を検出する請求項３１から請求項４７までのいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項５５】
　前記判断工程は，前記第１基板および前記第２基板を接合した場合の歩留りに基づいて，接合の可否を判断する請求項３１から請求項４８までのいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項５６】
　前記判断工程は，前記検出工程により検出された前記凹凸状態に基づいて，前記第１基板および前記第２基板を接合したときの接着領域および非接着領域の少なくとも一方大きさおよび位置の少なくとも一方を算出し，これに基づいて前記歩留りを算出する請求項５５に記載の基板貼り合せ方法。
【請求項５７】
　前記判断工程は，前記接合工程における接合時に生じる前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の変形を見越して判断する請求項３１から請求項５６までのいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。」
「【００１０】
　なお，基板貼り合わせ装置１００において貼り合わされる基板１２１は，シリコン単結晶ウエハ，化合物半導体ウエハ等の半導体ウエハの他，ガラス基板等でもあり得る。
また，貼り合わされる基板１２１の少なくとも一方は複数の素子を含む場合がある
「【００８６】
　
判断部１１６は，検出部１１４が検出した基板１２１の凹凸状態に基づいて，凹凸状態が所定の条件を満たすか否かを判断する。本実施例では，判断部１１６は，基板１２１の凹凸状態に基づいて，基板１２１の貼り合わせを実行すべきか否かを判断する。
【００８７】
　
ここで，判断部１１６は，基板１２１の貼り合わせの可不可を判断するにとどまらず，当該基板１２１を貼り合わせた場合に，最終的に得られる製品の歩留りを予測して，予め定められた閾値よりも歩留りが悪くなると予測された場合に，当該基板１２１の貼り合わせを不可と判断してもよい
「【００９１】
　ステップＳ１０３において，基板１２１の突出部分が付着物により形成されたものではないと判断した場合（ステップＳ１０３：ＮＯ），判断部１１６は，検出された凹凸状態が基板自体の変形に起因するものと判断し，その状態で重ね合わせ部１７０が位置合わせを実行できるか否かを判断する（ステップＳ１０９）。」
「【００９４】
　
ステップＳ１１０において，積層基板１２３における歩留りを予測する。歩留りは，例えば次のようにして予測できる。まず，検出部１１４が検出した基板１２１の凹凸状態に基づいて，当該基板１２１を貼り合わせた場合に対になる基板１２１と密着しないと予想される領域の位置および広さを算出する。次いで，算出された領域に含まれる素子数を計数することにより，最終的に得られる半導体装置の歩留りを予測することができる
【００９５】
　
これにより，積層基板１２３の歩留りが予め与えられた目標値に達すると判断した場合（ステップＳ１１０：ＹＥＳ），判断部１１６は，当該基板１２１の重ね合わせから接合に至る一連の処理を実行させる。一方，歩留りが目標値に達しないと判断した場合（ステップＳ１１０：ＮＯ），判断部１１６は，重ね合わせおよび接合に供することなく，当該基板１２１に対する処理を終了する
【００９６】
　
上記ステップＳ１１０において，重ね合せにより基板１２１の凹凸状態が改善されるか否かをさらに考慮して，歩留りが予め与えられた目標値に達するか否かを判断してもよい。この場合に，判断部１１６は，重ね合わせ部１７０により基板１２１を重ね合わせに伴い，例えば基板１２１に掛かる数Ｎから十数Ｎの力により，基板１２１の凹凸状態が改善されるか否かを判断する。突出部分が付着物ではない場合には，重ね合わせ時の力により，少なくとも一方の基板１２１に生じていた凹凸が平坦に近づくように一方の基板１２１が変形するか否か，もしくは，少なくとも一方の基板１２１に生じていた凹凸が他方の基板１２１との間で相補関係になるように一方の基板１２１が変形するか否かを判断する
重ね合わせにより基板１２１の凹凸状態が改善されると予測した場合，判断部１１６は，重ね合わせにより凹凸状態が改善されることを前提として，歩留りが達成できるか否かを判断する
「【０１０７】
　
判断部１１６のよる上記の一連の判断手順においては，基板１２１の反り等，基板１２１全体に及ぶ大きな凹凸状態も判断の材料に加えてもよい
このような基板１２１全体に及ぶ凹凸状態についても，重ね合わせおよび接合による状態の改善を考慮に入れて，判断部１１６が判断を下してもよい
　イ　検討
　（ア）　本件補正により追加された事項
　上記１（１）及び（２）から，本件補正のうち，補正前の請求項１３を補正後の請求項１１とする補正は，本件補正前の請求項１３に係る発明を特定する事項の一つである「前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の接合面全体の平坦度を含む情報に基づいて，前記第１基板と前記第２基板とを所定の接合条件下で接合するか否かを判断する判断工程」が，以下のａないしｄに示す，少なくともいずれか一つを，「前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の接合面全体の平坦度を含む情報」に基づいて予測し，予測した結果に基づいて，「接合するか否かを判断する判断工程」であると特定することによって，特許請求の範囲を減縮しようとするものと認められる。
　ａ　「前記第１基板および前記第２基板の接合の過程で少なくとも一方に生じる変形」
　ｂ　「前記第１基板および前記第２基板を接合した場合の接着領域および非接着領域の少なくとも一方の位置および広さの少なくとも一方」
　ｃ　「前記接着領域および前記非接着領域の少なくとも一方に含まれる素子領域の数」
　ｄ　「前記第１基板および前記第２基板を接合したときの歩留り」
　そこで，上記ａないしｄに示す，少なくともいずれか一つを，「前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の接合面全体の平坦度を含む情報」に基づいて予測し，予測した結果に基づいて，「接合するか否かを判断する判断工程」が，当初明細書等に記載された事項であるかについて，以下検討する。
　（イ）　当初明細書等から導かれる技術的事項
　上記アより，当初明細書等には，以下の事項が記載されているものと認められる。
　ａ　判断部は，基板の凹凸状態に基づいて，凹凸状態が所定の条件を満たすか否かを判断するものであって，本実施例では，判断部は，基板の凹凸状態に基づいて，基板の貼り合わせを実行すべきか否かを判断し，ここで，判断部は，基板の貼り合わせの可不可を判断するにとどまらず，当該基板を貼り合わせた場合に，最終的に得られる製品の歩留りを予測し，予め定められた閾値よりも歩留りが悪くなると予測された場合に，当該基板の貼り合わせを不可と判断してもよいこと（【００８６】，【００８７】）。
　ｂ　検出部が検出した基板の凹凸状態に基づいて，当該基板を貼り合わせた場合に対になる基板と密着しないと予想される領域の位置および広さを算出し，次いで，算出された領域に含まれる素子数を計数することにより，最終的に得られる半導体装置の歩留りを予測し，これにより，積層基板の歩留りが予め与えられた目標値に達すると判断した場合，判断部は，当該基板の重ね合わせから接合に至る一連の処理を実行させ，一方，歩留りが目標値に達しないと判断した場合，判断部は，重ね合わせおよび接合に供することなく，当該基板に対する処理を終了すること。（【００９４】，【００９５】）。
　ｃ　上記ｂにおいて，重ね合せにより基板の凹凸状態が改善されるか否かをさらに考慮して，歩留りが予め与えられた目標値に達するか否かを判断してもよく，この場合に，判断部は，重ね合わせ部により基板を重ね合わせに伴い，基板の凹凸状態が改善されるか否かを判断し，重ね合わせにより基板の凹凸状態が改善されると予測した場合，判断部は，重ね合わせにより凹凸状態が改善されることを前提として，歩留りが達成できるか否かを判断すること（【００９６】）。
　（ウ）　判断
　ａ　事案にかんがみ，まず始めに，上記イ（ア）ｂに示す事項，すなわち，「前記第１基板および前記第２基板を接合した場合の接着領域および非接着領域の少なくとも一方の位置および広さの少なくとも一方」を，「前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の接合面全体の平坦度を含む情報」に基づいて予測し，予測した結果に基づいて，接合するか否かを判断する判断工程が，当初明細書等に記載されていたかについて検討する。
　ｂ　上記イ（イ）ｂのとおり，当初明細書等には，検出部が検出した基板の凹凸状態に基づいて，基板を貼り合わせた場合に対になる基板と密着しないと予想される領域の位置
および
　ｃ　すなわち，当初明細書等には，「前記第１基板および前記第２基板を接合した場合の接着領域および非接着領域の少なくとも一方の位置および広さの少なくとも一方」が包含する組合せのうち，「前記第１基板および前記第２基板を接合した場合の接着領域および非接着領域の少なくとも一方の広さ」のみを，「前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の接合面全体の平坦度を含む情報」に基づいて予測し，予測した「前記第１基板および前記第２基板を接合した場合の接着領域および非接着領域の少なくとも一方の広さ」の結果のみに基づいて，接合するか否かを判断する判断工程については，当初明細書等に記載されていない。
　ｄ　そして，半導体素子の歩留まりは，非接着領域の「広さ」の単純な大きさだけでは予測することはできず，当該非接着領域が，素子形成領域に位置するのか，ダイシングライン等の非素子形成領域に位置するのかの，非接着領域の「位置」が，歩留まりの予測に必要であることは明らかである。
　すなわち，「前記第１基板および前記第２基板を接合した場合の接着領域および非接着領域の少なくとも一方の広さ」のみを，「前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の接合面全体の平坦度を含む情報」に基づいて算出し，次いで，算出した「前記第１基板および前記第２基板を接合した場合の接着領域および非接着領域の少なくとも一方の広さ」のみに基づいて，最終的に得られる半導体素子の歩留まりを予測することはできないといえる。
　してみれば，「前記第１基板および前記第２基板を接合した場合の接着領域および非接着領域の少なくとも一方の広さ」のみという組合せを包含する「前記第１基板および前記第２基板を接合した場合の接着領域および非接着領域の少なくとも一方の位置および広さの少なくとも一方」を，「前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の接合面全体の平坦度を含む情報」に基づいて予測し，予測した結果に基づいて，接合するか否かを判断する判断工程が，当初明細書等の記載から自明であるとも認められない。
　ｅ　したがって，補正により追加された上記イ（ア）ｂの事項は，当初明細書等には記載がなく，当初明細書等から自明でもないから，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものである。
　したがって，他の補正事項については検討するまでもなく，本件補正は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてするものとはいえず，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　ウ　結論
　以上のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり，同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
（２）　独立特許要件について
　上記（１）での検討のとおり，本件補正は特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるが，さらに進んで，仮に本件補正が特許法第１７条の２第３項の規定に違反しないものであるとして，独立特許要件について，以下，検討を進める。
　上記補正は，補正前の請求項１３に記載された発明を特定するために必要な事項である判断工程について，上記のとおり限定を付加するものであって，補正前の請求項１３に記載された発明と補正後の請求項１１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について，以下，検討する。
　ア　本件補正発明
　本件補正発明は，上記１（１）に記載したとおりのものである。
　イ　引用文献の記載及び引用発明
　（ア）　引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２００７−２１４２５５号公報（平成１９年８月２３日出願公開。以下「引用文献１」という。）には，以下の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，貼り合わせＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウェーハの製造方法に関し，特にＳＯＩウェーハ裏面を機械的損傷等から保護し製造歩留まりを高めた貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　
単結晶シリコンからなる支持基板用ウェーハに例えばシリコン酸化膜を介して活性層用ウェーハを貼り合わせ，この活性層用ウェーハを適宜な厚さのＳＯＩ層に形成した貼り合わせＳＯＩウェーハは，高性能化した半導体デバイスの製造に好適な半導体基板として広く使用されるようになってきている
「【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　貼り合わせのＳＯＩウェーハは，上述したように２枚のバルクシリコンウェーハが基板材料として使用され，１枚のＳＯＩ基板製品として製造される。ここで，上記バルクウェーハはそのまま半導体デバイス用ウェーハとしても使用できるものであり，
貼り合わせＳＯＩウェーハは高価なものになり易い。そこで，上記ＳＯＩウェーハの量産製造において，その製造歩留まりを向上させること，および上記バルクウェーハ材料を有効に使用できるようにすることが，その製造コストを低減する上で極めて重要になる
また，上記２枚のバルクウェーハの支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハのシリコン酸化膜を介した接合においては，ウェーハの外周部において生じ易い未接合部分の面積を低減させその活性層であるＳＯＩ層の面積を広くすることが，半導体デバイスの収率を増加させるために大きな課題になっていた
【００１１】
　
本発明は
そのＳＯＩ層の面積をできるだけ広くでき
る貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法を提供することを目的とする
「【発明の効果】
【００１６】
　
本発明の構成により，貼り合わせＳＯＩウェーハの製造工程において，そのＳＯＩ層の面積を広くでき，その裏面の支持基板用ウェーハの機械的損傷等が簡便に防止でき，上記ＳＯＩウェーハの製造歩留まりが向上するようになる。
「【００２４】
　次に，図２を参照して上記実施形態の効果について具体的に説明する。
図２は，上記貼り合わせＳＯＩウェーハの主な製造工程を説明する製造フローチャートである
【００２５】
　図２に示すように，図１（ａ）に対応したステップＳ１１において，上述した支持基板用ウェーハ１１および活性層用ウェーハ１２の準備がなされ，ステップＳ１２において，熱酸化がなされて，支持基板用ウェーハ１１全面と活性層用ウェーハ１２全面にシリコン酸化膜が形成される。そして，図１（ｃ）に対応したステップＳ１３において，支持基板用ウェーハ１１の表面のシリコン酸化膜の除去および平面研削・研磨がなされ，その表面が鏡面にされ高い平坦度にされる。
【００２６】
　ここで，上記支持基板用ウェーハ１１表面の平面研削・研磨による鏡面研磨の後，上記ウェーハをセラミックスプレートから剥離する際にスクレイバーが必須になる。この時，本実施形態では支持基板用ウェーハ１１の裏面は，上記保護酸化膜１３に被覆されていることから，従来の技術において生じていたスクレイバー起因のキズ，スクラッチの発生が防止される。
【００２７】
　
次に，ステップＳ１４において，その表面が鏡面研磨にされた支持基板用ウェーハ１１の平坦度測定および反り測定，そして外観検査がなされる。ここで，上記平坦度および反りの測定は，上記鏡面研磨された表面が活性層用ウェーハ１２との接合面になることから極めて重要となる
【００２８】
　
次に，図１（ｄ）に対応したステップＳ１５において，支持基板用ウェーハ１１の表面と活性層用ウェーハ１２とが接着され上述したような１２００℃，２時間程度のアニール処理がされ，両ウェーハの接合による貼り合わせがなされる
ステップＳ１６において，貼り合わされた両ウェーハにおける未接合部分の検査すなわちボイド検査が必須になる
【００２９】
　次に，図１（ｅ）に対応したステップＳ１７において，貼り合わせたウェーハの外周部の外周研削がなされる。この場合も外周研削装置の真空チャック跡のような痕跡損傷が生じ易いが支持基板用ウェーハ１１の裏面は，上記保護酸化膜１３に被覆されていることから，上記痕跡損傷が完全に防止される。
更に，図１（ｆ）に対応したステップＳ１８において，活性層用ウェーハ１２の平面研削・研磨がなされる。この場合にも，ステップＳ１３で説明したのと同様に，支持基板用ウェーハ１１の裏面は，上記保護酸化膜１３によりスクレイバー起因のキズ，スクラッチから保護される。
【００３０】
　次に，ステップＳ１９において，ＳＯＩ層１５の厚さ測定，平坦度測定，外観検査およびパーティクル検査が必須になる。この場合も，ステップＳ１４で説明したのと全く同じように，支持基板用ウェーハ１１の裏面は，上記保護酸化膜１３により上記測定装置および検査装置による損傷から保護される。
【００３１】
　そして，最後に，図１（ｇ）に対応したステップＳ２０において，上記ＳＯＩウェーハ製造工程を通して上記損傷から支持基板用ウェーハ１１裏面を保護した上記保護酸化膜１３はエッチング除去される。そして，その後の洗浄がなされて製品とし入庫される。」
　（イ）　引用発明
　上記（ア）から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「支持基板用ウェーハに活性層用ウェーハを貼り合わせた，貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法であって，表面が鏡面研磨にされた支持基板用ウェーハの平坦度測定および反り測定，そして外観検査がなされるステップと，次いで，支持基板用ウェーハの表面と活性層用ウェーハとが接着され，アニール処理がされ，両ウェーハの接合による貼り合わせがなされるステップと，貼り合わされた両ウェーハにおける未接合部分の検査すなわちボイド検査がされるステップと，を含む製造方法。」
　ウ　対比
　本件補正発明と，引用発明とを対比すると，以下のとおりとなる。
　（ア）　引用発明の「支持基板用ウェーハ」と「活性層用ウェーハ」はそれぞれ，本件補正発明の「第１基板」又は「第２基板」に相当する。
　（イ）　引用発明の「支持基板用ウェーハの表面と活性層用ウェーハとが接着され，アニール処理がされ，両ウェーハの接合による貼り合わせがなされるステップ」は，本件補正発明の「前記第１基板と前記第２基板とを互いに接合する接合工程」に相当する。
　（ウ）　引用発明の「支持基板用ウェーハに活性層用ウェーハを貼り合わせた，貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法」は，「支持基板用ウェーハ」と「活性層用ウェーハ」とを互いに貼り合わせるものであるので，本件補正発明の「第１基板と第２基板とを互いに貼り合わせる基板貼り合わせ方法」に相当する。
　（エ）　引用発明の「表面が鏡面研磨にされた支持基板用ウェーハの平坦度測定および反り測定，そして外観検査がなされるステップ」と，本件補正発明の「前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の接合面全体の平坦度を含む情報に基づいて，前記第１基板と前記第２基板とを所定の接合条件で接合するか否かを判断する判断工程」とは，「前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の接合面全体の平坦度を含む情報」を得る段階を含む工程である点で一致する。
　したがって，本件補正発明と，引用発明とは，以下の点で一致し，相違する。
＜一致点＞
「第１基板と第２基板とを互いに貼り合わせる基板貼り合わせ方法であって，
　前記第１基板と前記第２基板とを互いに接合する接合工程と，
　前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の接合面全体の平坦度を含む情報を得る段階を含む工程と，
を含む基板貼り合わせ方法。」
＜相違点＞
・相違点１：本件補正発明の接合工程では「互いに位置合わせされた」前記第１基板と前記第２基板とを互いに接合しているのに対して，引用発明においては，その貼り合わせがなされるステップにおいて，支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハとを互いに位置合わせすることが明示されていない点。
・相違点２：本件補正発明は，「前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の接合面全体の平坦度を含む情報」に基づいて，「前記第１基板と前記第２基板とを所定の接合条件で接合するか否かを判断する判断工程」を含み，「前記判断工程においては，前記第１基板および前記第２基板の接合の過程で少なくとも一方に生じる変形，前記第１基板および前記第２基板を接合した場合の接着領域および非接着領域の少なくとも一方の位置および広さの少なくとも一方，前記接着領域および前記非接着領域の少なくとも一方に含まれる素子領域の数，および，前記第１基板および前記第２基板を接合したときの歩留り，の少なくとも一つを前記情報に基づいて予測し，予測した結果に基づいて，接合するか否かを判断」するのに対して，引用発明においては，「表面が鏡面研磨にされた支持基板用ウェーハの平坦度測定および反り測定，そして外観検査がなされるステップ」の後に，当該測定及び外観検査によって得られた結果をどのように利用するかについて明示されていない点。
　エ　判断
　上記相違点について，判断する。
　（ア）　相違点１について
　２個の部材を貼り合わせるときに，互いに位置合わせをすることは技術常識である。しかも，引用文献１の【００１１】には，「本発明は，・・・そのＳＯＩ層の面積をできるだけ広くでき・・・る貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法を提供することを目的とする。」とある。
　そして，支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハとを貼り合わせ，ＳＯＩウェーハを製造するときに，支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハとを互いに位置合わせすることで，ＳＯＩ層の面積を広くできることは当業者が直ちに想起することである。
　そうすると，引用発明の貼り合わせがなされるステップにおいて，支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハとを，お互いに位置合わせすること，すなわち，上記相違点１について本件補正発明の構成を採用することは，上記技術常識等に基づいて当業者が容易になし得たことである。
　（イ）　相違点２について
　ａ　測定及び検査は，何らかの目的をもってなされるものであるから，引用発明において，「表面が鏡面研磨にされた支持基板用ウェーハの平坦度測定および反り測定，そして外観検査がなされるステップ」において測定された，平坦度および反りの測定結果もまた，何らかの目的に使用されていることは明らかである。
　ｂ　一方，引用文献１には，「表面が鏡面研磨にされた支持基板用ウェーハの平坦度測定および反り測定，そして外観検査がなされるステップ」について，上記イ（ア）のとおり，「ここで，上記平坦度および反りの測定は，上記鏡面研磨された表面が活性層用ウェーハ１２との接合面になることから極めて重要となる。」（【００２７】）と記載されており，表面が鏡面研磨にされた支持基板用ウェーハの平坦度および反りの測定が，支持基板用ウェーハの鏡面研磨された表面と活性層用ウェーハとの接合のためであることが示唆されている。
　そして，接合面の平坦度が低い場合，例えば，接合面の中央に深い凹部を有する場合，あるいは，反りが大きい場合に，このような接合面を有する部材を互いに接合した場合に，未接合部分の広さが大きなものとなることは，日常生活においても予測することである。
　
　ｃ　他方，上記イ（ア）のとおり，引用文献１には，「貼り合わせＳＯＩウェーハは高価なものになり易い。そこで，上記ＳＯＩウェーハの量産製造において，その製造歩留まりを向上させること，および上記バルクウェーハ材料を有効に使用できるようにすることが，その製造コストを低減する上で極めて重要になる。」（【００１０】）と記載されており，引用文献１には，製造歩留まりを向上し，かつ，製造コストを低減するという課題が示されている。
　そして，貼り合わせ工程で，貼り合わせ界面に未接合部分が発生すると，当該未接合部分の存在が，ＳＯＩウェーハを用いた半導体デバイス製造プロセスにおいて，悪影響を及ぼすことから，ボイド検査によって未接合部分が検出されたウェーハは不良品として除外される原因ともなり得るところ，このように，未接合部分が存在するウェーハを除外する場合には，未接合部分が存在するウェーハの貼り合わせに用いられた支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハの２枚のウェーハが無駄となり，さらに，支持基板用ウェーハの表面と活性層用ウェーハとを接着し，アニール処理し，両ウェーハの接合による貼り合わせを行うという余分な処理を施したことにもなり，結果として，製造歩留まりが低下し，製造コストが増大する。したがって，貼り合わせＳＯＩウェーハの製造において，製造歩留まりを向上し，製造コストを低減するために，貼り合わせ界面に未接合部分が存在するウェーハを製造することがないようにすることは，当業者において自明の課題といえる。
　ｄ　上記ｂ，ｃの事情を踏まえると，「支持基板用ウェーハの表面と活性層用ウェーハとが接着され，アニール処理がされ，両ウェーハの接合による貼り合わせがなされるステップ」に先立つ，「表面が鏡面研磨にされた支持基板用ウェーハの平坦度測定および反り測定，そして外観検査がなされるステップ」において，平坦度および反りを測定するのは，当該測定に引き続いて行われる貼り合わせ工程において，貼り合わせ界面に未接合部分が存在するウェーハを製造することがないようにすることを目的としたものであると理解することが自然である。
　すなわち，引用発明においては，「表面が鏡面研磨にされた支持基板用ウェーハの平坦度測定および反り測定，そして外観検査がなされるステップ」において測定された平坦度および反りの測定結果に基づいて，当該支持基板用ウェーハを用いた貼り合わせＳＯＩウェーハにおいて許容し得ない程度の広さを有する未接合部を発生させることが予測される場合には，当該予測に基づいて，次工程である貼り合わせ工程に進むことがないように判断することで，ウェーハの無駄や余分な処理による製造歩留まり低下や製造コストの増大を防いでいるものと当業者であれば理解するものである。
　そして，引用発明の「未接合部分」は，本件補正発明の「非接着領域」に相当する。
　してみれば，引用発明は，「前記第１基板および前記第２基板を接合した場合の接着領域および非接着領域の少なくとも一方の位置および広さの少なくとも一方」を，「前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方の接合面全体の平坦度を含む情報」に基づいて予測し，予測した結果に基づいて，「接合するか否かを判断する判断工程」を備えていると解されるから，相違点２は，実質的なものではない。
　ｅ　また，仮に，引用文献１の記載と技術常識からは，上記ｄのように理解することができないとしても，上記ｃのとおり，貼り合わせＳＯＩウェーハの製造において，製造歩留まりを向上し，製造コストを低減するために，貼り合わせ界面に未接合部分が存在するウェーハを製造することがないようにすることは，当業者において自明の課題であって，しかも，上記ｂのとおり，接合面の平坦度が低い場合，例えば，接合面の中央に深い凹部を有する場合，あるいは，反りが大きい場合に，このような接合面を有する部材を互いに接合した場合に，未接合部分の広さが大きなものとなることは，日常生活においても予測することであるから，貼り合わせ工程に先立って，表面が鏡面研磨にされた支持基板用ウェーハの平坦度および反りを測定するステップを有する引用発明において，当該測定結果の値が著しく劣悪で，未接合部分の広さが大きなものとなることが予測される場合に，貼り合わせ工程を中止して，ウェーハの無駄等を無くすことで，製造歩留まりを向上し，製造コストを低減することは，当業者が容易になし得たことである。
　したがって，引用発明において，相違点２について本件補正発明の構成を採用することは当業者が容易に想到し得たことである。
　（ウ）　請求人の主張について
　審判請求人（本願出願人）は，平成２９年１０月１３日の意見書において，「引用発明は，未だ配線，素子等の構造物が形成されていないＳＯＩウェーハの製造に関する。このため，引用発明において接合される基板には，素子，配線等の構造物の形成に伴う変形が生じていない。また，構造物が形成されていない基板を接合する引用発明においては，配線幅レベルの高精度な位置合わせは求められていない。更に，引用発明は，引用文献１の段落００１０，００１１に記載の通り，一旦開始された基板の接合を完遂することを前提とした歩留りの向上を目的としている。このため，引用発明は，開始した基板の接合プロセスを中断または中止することについて，何等，記載も示唆もしていない。よって，積層基板における位置ずれの抑制を解決課題とする本願発明を，当業者が，引用発明から想到する動機付けは存在しない。」と主張する。
　しかしながら，本件補正発明において，第１基板と第２基板は，いずれも「配線，素子等の構造物が形成されて」いることは特定されていない。また，本願の発明の詳細な説明の「なお，基板貼り合わせ装置１００において貼り合わされる基板１２１は，シリコン単結晶ウエハ，化合物半導体ウエハ等の半導体ウエハの他，ガラス基板等でもあり得る。
また，貼り合わされる基板１２１の少なくとも一方は複数の素子を含む場合がある
　してみれば，審判請求人の上記主張を採用することはできない。
　（エ）　作用効果について
　そして，これらの相違点を総合的に勘案しても，本件補正発明の奏する作用効果は，引用発明の奏する作用効果から予測される範囲内のものに過ぎず，格別顕著なものということはできない。
　（オ）　したがって，本件補正発明は，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　オ　結論
　以上のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであり，同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
３　むすび
　以上のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定，または，特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであり，同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　よって，上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成３０年３月６日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明は，平成２９年４月７日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２５に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１３に係る発明（以下「本願発明」という。）は，その請求項１３に記載された事項により特定される前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
２　原査定における拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１，４ないし７，１２，１３，１６ないし１９，２１，２４，２５に係る発明は，本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用文献１：特開２００７−２１４２５５号公報
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１の記載事項は，前記第２の［理由］２（２）イに記載したとおりである。
４　対比・判断
　本願発明は，前記第２の［理由］２（２）で検討した本件補正発明から「判断部」に係る限定事項を削除したものである。
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに，他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が，前記第２の［理由］２（２）ウ，エに記載したとおり，引用発明に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび（結論）
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。