【事件の表示】
　平成１０年特許願第１７９９８１号「プラズマ処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　１月１４日出願公開、特開２０００−　１２２９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１０年６月２６日の出願であって、平成１６年２月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１６年４月１日に審判請求がなされるとともに、平成１６年４月２６日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年４月２６日付け手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　平成１６年４月２６日付け手続補正を却下する。
[理由］独立特許要件違反
　平成１６年４月２６日付け手続補正（以下「本件補正」という。）により、補正前の特許請求の範囲の請求項１が、
「被処理基板を載置する試料台を内部に設置した処理室と、この処理室に所定の流量のガスを導入して所定の圧力を保持するガス導入機構と、このガス導入機構により導入されたガスをプラズマ化するための電磁波を導入する電磁波導入機構と、前記電磁波と電子サイクロトロン共鳴を発生させる磁場を生成する磁場発生機構とを備えたプラズマ処理装置において、前記電磁波の波長が前記処理室の内径よりも長く、前記磁場発生機構を前記試料台に対向して配置された前記電磁波導入機構の前記試料台と対向する側とは反対側に備え、前記磁場発生機構は電源に連絡されたコイルと前記コイルの処理室内側と外側に位置する領域を有するヨークとを有し、前記コイルに流す電流の調整機構を有することを特徴とするプラズマ処理装置。」と補正された。
　そして、この補正により、磁場発生機構の配置関係が、補正前の「前記電磁波導入機構の前記被処理基板と対向する側とは反対側に備え」から「前記試料台に対向して配置された前記電磁波導入機構の前記試料台と対向する側とは反対側に備え」と限定されるとともに、上記磁場発生機構の構成が、補正前の「電源に連絡されたコイルと前記コイルの内側と外側に位置する領域を有するヨークとを有すること」から「電源に連絡されたコイルと前記コイルの処理室内側と外側に位置する領域を有するヨークとを有し、前記コイルに流す電流の調整機構を有すること」と限定された。
　
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
（１）本件補正後の本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、本件補正により補正された明細書及び図面からみて、以下のものと認める。
「被処理基板を載置する試料台を内部に設置した処理室と、この処理室に所定の流量のガスを導入して所定の圧力を保持するガス導入機構と、このガス導入機構により導入されたガスをプラズマ化するための電磁波を導入する電磁波導入機構と、前記電磁波と電子サイクロトロン共鳴を発生させる磁場を生成する磁場発生機構とを備えたプラズマ処理装置において、前記電磁波の波長が前記処理室の内径よりも長く、前記磁場発生機構を前記試料台に対向して配置された前記電磁波導入機構の前記試料台と対向する側とは反対側に備え、前記磁場発生機構は電源に連絡されたコイルと前記コイルの内側と外側に位置する領域を有するヨークとを有し、前記コイルに流す電流の調整機構を有することを特徴とするプラズマ処理装置。」
　なお、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１において、「前記コイルの処理室内側と外側に位置する領域を有するヨーク」に関して、「前記コイルの処理室内側」では、ヨークの構成及び本願補正発明の発明特定事項が不明となっており、平成１７年１２月１５日に電話により請求人に問い合わせたところ、『「処理室内側」なる文言に格別な意味はなく、単に「コイルの内側」の意図である』との回答があり、その回答も踏まえてみると、上記「処理室内側」は「内側」の誤記と認められるので、上記のように本願補正発明を認定した。
　
（２）引用刊行物に記載された発明
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−３２１０３１号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、「プラズマ処理装置」の発明に関して、以下の事項が記載されている。
　
＜記載事項１＞
「【請求項１】容器と、前記容器内に反応ガスを導入する手段と、前記容器内のガスを排気する手段と、前記容器内に設けられ被加工物を設置するための台と、前記容器内に設けられ、プラズマを発生するための電磁波を放射する平面板とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。」
＜記載事項２＞
「【請求項２０】容器と、前記容器内の圧力を０．１Ｐａ以上３Ｐａ以下の所定の圧力に調整する手段と、前記容器内に設けられ被加工物を設置するための台と、前記台に第１の高周波を印加する手段と、前記容器内に設けられ、前記台と対面する位置で電磁波を放射する平面板と、前記電磁波と相乗してプラズマを形成するための磁場を形成する手段とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。」
＜記載事項３＞
「【００１１】
【課題を解決するための手段】上記第１の目的は、電磁波を電源から平面状の導体板へ供給し、その導体板からプラズマを形成するための電磁波を放射することにより達成される。平面から電磁波を供給することにより、ウエハー方向に電磁波を均一に供給できるため、プラズマの高均一性が得られることとなる。
【００１２】さらに、周波数が３００ＭＨｚから１ＧＨｚのＵＨＦ帯の電磁波を供給する場合には、３００ＭＨｚから１ＧＨｚの電磁波は、波長が３０ｃｍから８０ｃｍであるため、８インチから１６インチ程度の大口径プラズマ処理装置の真空容器径と同程度であり、大口径のウエハーを処理するのに適している。」
＜記載事項４＞
「【００１６】
【発明の実施の形態】
（実施例１）本実施例では、ＵＨＦ帯の電磁波と磁場との相乗作用により気相中に導入した原料ガスをプラズマ化し、さらに被加工試料と対面する位置に導体板を設置し、導体板上でのプラズマとの反応により被加工試料表面に作用する活性粒子が制御できる構造とした。この導体板にさらに高周波電界を印加して前記の反応を効率よく行なわせる機能も付加可能である。この導体板はＵＨＦ帯電磁波の放射機能と被加工試料に印加する高周波電界の対向電極としての機能を合わせ持つ。」
＜記載事項５＞
「【００１７】この装置を図１に示す。（中略）真空容器１０１中には原料ガス導入手段１１６により原料ガスが導入されている。本実施例では原料ガスにＣ4Ｆ8とアルゴンを混合した原料ガスを用い、真空容器１０１中に５から１５ｍＴｏｒｒ導入した。以上の基本構成により、本実施例ではシリコン酸化膜のエッチングを行う。」
＜記載事項６＞
「【００１８】次に図１の実施例の動作を説明する。プラズマを形成するための電磁波はＵＨＦ帯電源１０４より同軸線路１０３を介しグラファイト製の円形導体板１０７に供給される。円形導体板１０７はアース電位の導体板１０５に誘電体１０６を介して形成することでマイクロストリップ線路共振器を構成する。円形導体板１０７の共振器構造により円形導体板面に高周波の電流が高効率に流れ、プラズマ側の空間に電磁波を放射する。このようにして円形導体板１０７から放射された電磁波と空心コイル１０２による磁場との相互作用により原料ガスがプラズマ化される。この時真空容器１０１内の磁場を５００メガヘルツの電磁波に対し、電子サイクロトロン共鳴の条件をたす大きさ（１００から２５０ガウス）に設定することで、高効率にプラズマを形成することが可能となる。」
＜記載事項７＞
「【００３５】（実施例４）図９に本発明の実施例４のプラズマ処理装置を示す。本実施例は、磁場形成に永久磁石を用いる等の点で実施例１と異なる。円筒状の真空容器４０１の外側上部に直径３０ｃｍ、厚み１０ｃｍで中心部の表面磁束密度１０００Ｇｕｓｓの永久磁石４０２が設置される。永久磁石４０２は、円筒状の真空容器の軸方向である上下方向に移動可能であり、永久磁石４０２の位置を変えることで真空容器４０１内の磁場分布が制御できる構造となっている。永久磁石４０２の中央部には直径約４ｃｍの孔があり、その孔を介し同軸線路４０３により５００ＭＨｚの電磁波が真空容器４０１内に導入される。真空容器４０１の外部側周辺には空心コイル４０４が設置されており、空心コイル４０４による磁場により、永久磁石４０２で形成される磁場分布を制御できる構造になっている。真空容器４０１内に導入された同軸ケーブル４０３は、同軸線路４０３の外導体が平板状アース電極４０５に接続され、同軸線路４０３の芯線が平板状アース電極４０５に近くかつ並行に配置された放射状ストリップライン４０６の中央部（給電点）４１２に接続されている。同軸線路４０３の他端には図示しない電磁波発振器から導波管４１４及び同軸変換器４１３を介して電磁波電力が供給される。」
＜記載事項８＞
「【００３７】図９に戻り、真空容器４０１内には、試料台４０９が設けられ、試料台４０９には試料温度制御機構４１０及び高周波バイアス印加手段４１１が設置されている。また、（直径２０ｃｍ）の被加工試料４０８は試料台４０９上に載置される。同軸ケーブル４０３で供給されたマイクロ波は放射状ストリップライン４０６と平板状アース電極４０５間を伝播しながら被加工試料４０８方向に電磁波を放射する。これにより真空容器４０１内の広い範囲にわたり均一な電磁波放射が可能となり高均一なプラズマ形成が実現できる。」
＜記載事項９＞
「【００３８】次に図９の装置の動作を説明する。永久磁石４０２と空心コイル４０４により真空容器４０１内の被加工試料４０８の上部付近に電子サイクロトロン共鳴磁場（用いられる電磁波が５００ＭＨｚなので約１７８Ｇａｕｓｓ）が形成される。上記磁場は主に永久磁石４０２で形成され空心コイル４０４による磁場は急激に発散しようとする永久磁石４０２の磁束を集束させる補助的な役割を持つ。従って、空心コイル４０４を流れる電流は少なくてもよい。同軸ケーブル４０３を介し放射状ストリップライン４０６の中央部４１２に供給された電磁波は各放射状ストリップラインの素子に沿って電磁波を空間に放射しながら伝播する。このとき放射状ストリップライン４０６の各素子の長さは、使用する電磁波の半波長の整数倍±２０％の長さとすることで効率よく電磁波の伝播と放射が実現できる。放射状ストリップライン４０６により放射されたマイクロ波と前記磁場との相互作用により真空容器４０１内に導入された原料ガスをプラズマ化する。」
＜記載事項１０＞
「【００４９】実施の形態１から実施形態８は磁場の形成に空心コイル、空心コイルと永久磁石の組み合わせの場合のみ記したが、いずれの実施例においても空心コイルのみ、空心コイルと永久磁石の組み合わせ、永久磁石のみのいずれかの構成で実現可能である。」
＜記載事項１１＞
　第９図には、プラズマ処理装置において、永久磁石（４０２）を、被加工試料（４０８）又は試料台（４０９）に対向して配置された平板状アンテナ（平板状アース電極）（４０５）の被加工試料（４０８）又は前記試料台（４０９）とは反対側に備えることが図示されている。
　
　そして、引用刊行物１に記載された原料ガス導入手段１１６は、所定の流量のガスを導入することは明らかである。
　また、引用刊行物１には、「３００ＭＨｚから１ＧＨｚの電磁波は、波長が３０ｃｍから８０ｃｍであるため、８インチから１６インチ程度（約２０〜４０ｃｍ）の大口径プラズマ処理装置の真空容器径と同程度であり、大口径のウエハーを処理するのに適している。」（記載事項３）と記載され、また、実施例４で用いられる５００ＭHｚの電磁波（記載事項５）の波長は６０ｃｍであり、真空容器径が内径を示すことは明らかであり、真空容器の内径「８インチから１６インチ程度」は、「約２０〜４０ｃｍ」に相当するので、実施例４で用いられる電磁波の波長が真空容器の内径より長いことは明らかである。
　
　また、記載事項１０における「実施の形態１」及び「実施形態８」は、引用刊行物１に記載れた「実施例１」及び「実施例８」を言い換えた表現であることは明らかである。
　そして、引用刊行物１の図１，５，７，９，１１〜１４の記載を参照すると、図１，５，７，１４に記載された実施例１〜３，８は、真空容器の外部上部には永久磁石が設けられておらず、真空容器の外部側周辺に空心コイルを設けた実施例であり、また、図９，１１〜１３に記載された実施例４〜７は、真空容器の外部上部に永久磁石が設けるともに、真空容器の外部側周辺に空心コイルを設けた実施例である。
　してみると、引用刊行物１の記載事項１０の「空心コイルのみ、空心コイルと永久磁石の組み合わせ、永久磁石のみのいずれかの構成で実現可能である。」との記載における「永久磁石のみ」とは、真空容器の外部上部には永久磁石を設けるが、真空容器の外部側周辺には空心コイルを設けないことを意味することは、当業者ならば読み取ることができるといえる。
　
　したがって、上記記載事項１乃至１１及び図１〜１４に基づけば、引用刊行物には、
「被加工試料（４０８）を載置する試料台（４０９）を内部に設置した真空容器（４０１）と、この真空容器（４０１）に所定の流量の原料ガスを導入して所定の圧力を保持する原料ガス導入手段（１１６）と、この原料ガス導入手段（１１６）により導入された原料ガスをプラズマ化するための電磁波を放射する平板状アンテナ（平板状アース電極）（４０５）と、前記電磁波と電子サイクロトロン共鳴を発生させる磁場を生成する永久磁石とを備えたプラズマ処理装置において、前記電磁波の波長が前記真空容器（４０１）の内径よりも長く、前記永久磁石を前記被加工試料（４０８）又は試料台（４０９）に対向して配置された前記平板状アンテナ（平板状アース電極）（４０５）の前記被加工試料（４０８）又は試料台（４０９）と対向する側とは反対側に備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。」（以下、「引用発明」という。）が実質的に記載されている。
　
　同じく、本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−２３０６６１号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、「プラズマ処理装置」の発明に関して、以下の事項が記載されている。
＜記載事項１２＞
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子等の薄膜形成に供与されるプラズマ装置におけるプラズマ生成室と、該プラズマ生成室の周囲に配設されて直流電源が供給される励磁コイルとを備えた電子サイクロトロン共鳴（以下、ＥＣＲと略す）を利用するプラズマ処理装置に関する。」
＜記載事項１３＞
「【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、励磁コイルの外周部および外周部に接続して内周部の一部に磁性体を配置し、励磁コイルの磁力の方向を制御することにより、投入した電力を効率良くプラズマ生成室に導入するようにしたものである。」
＜記載事項１４＞
「【０００８】図１は本発明に係わるプラズマ処理装置の一例としてのＥＣＲプラズマエッチング装置の概念図である。この装置は、プラズマ生成室１と、このプラズマ生成室１と同心状に配置された励磁コイル２，３と、この励磁コイル２，３に電力を供給する直流電源１０と、励磁コイル２，３の外周に配置された磁性材からなる外ヨーク４と、励磁コイル２，３の内周に配置された磁性材からなる内ヨーク５と、上記プラズマ生成室１の上部に接続され、マイクロ波を導入するための導波管６と、プラズマ生成室１の壁の一部を構成する石英ガラス９から構成されている。７は、半導体基板等の試料８が置かれる試料台である。
【０００６】
【作用】上記した構成によれば、励磁コイルの作る磁場をコイル軸方向に移動および集中させることができるので、ＥＣＲ点の移動およびプラズマ生成室内の最高磁束密度の値を高めることができ、これにより直流電源の投入電力を効率良くプラズマ生成室内に導入することができる。」
＜記載事項１５＞
「【００１０】ここで、外ヨーク４及び内ヨーク５は、励磁コイル２，３から空間に放射される磁力をプラズマ生成室１方向に集中させる働きをする。すなわち、内ヨーク５がない場合には、励磁コイル２，３から放射された磁力は外ヨーク４を通り、図４に示すように破線の部分からプラズマ生成室１に導入される。これに対して、内ヨーク５がある場合には、励磁コイル２，３から放射された磁力は外ヨーク４及び内ヨーク５を通り、図２に示すように破線の部分から集中的にプラズマ生成室１に導入される。図２および図４から判るように、図２の構成においては磁力の放射面積が図４の構成に比べて小さいため、励磁コイル２，３から放射された磁力を集中的にプラズマ生成室１に導入することができる。」
＜記載事項１６＞
「【００１３】以上のことから判るように、内ヨーク５を用いれば励磁コイル２，３から放射される磁力をプラズマ生成室１に集中的かつ効率的に導入することができる。
【００１４】実用的には、図５の曲線ｄに示すように、最大磁束密度値を有するＺ軸座標値をプラズマ生成室１の少し上方に配置し、プラズマ生成室１内に発生したプラズマが安定するように内ヨーク５の長さを定める。このような装置構成にて、励磁コイル２，３に通電する電流値を制御し、プラズマ生成室１内に発生するＥＣＲ点の位置を制御する。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを比較する。
　引用発明の「被加工試料（４０８）」は本願補正発明の「処理基板」に相当し、以下「真空容器（４０１）」は「処理室」に、「原料ガス」は「ガス」に、「原料ガス導入手段（１１６）」は「ガス導入機構」に、「放射する」は「導入する」に、「平板状アンテナ（平板状アース電極）（４０５）」は「電磁波導入機構」に、「永久磁石」は「磁場発生機構」にそれぞれ相当する。
　
　したがって、両者は、
「処理基板を載置する試料台を内部に設置した処理室と、この処理室に所定の流量のガスを導入して所定の圧力を保持するガス導入機構と、このガス導入機構により導入されたガスをプラズマ化するための電磁波を導入する電磁波導入機構と、前記電磁波と電子サイクロトロン共鳴を発生させる磁場を生成する磁場発生機構とを備えたプラズマ処理装置において、前記電磁波の波長が前記処理室の内径よりも長く、前記磁場発生機構を前記試料台に対向して配置された前記電磁波導入機構の前記試料台と対向する側とは反対側に備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。」の点で一致し、以下の点で相違する。
[相違点１]
　プラズマ化するための電磁波と電子サイクロトロン共鳴を発生させる磁場を生成する磁場発生機構が、本願補正発明は、電源に連絡されたコイルと前記コイルの処理室内側と外側に位置する領域を有するヨークとを有し、前記コイルに流す電流の調整機構を有するのに対して、引用発明は、永久磁石であるので、そのようなヨーク及び電流の調整機構を有しない点。
　
（４）当審の判断
　上記相違点１について検討する。
　一般に、磁場発生機構として、永久磁石、電磁石（本願補正発明でいう電源に連結されたコイル）、ヨークを有する電磁石は、いずれも周知であり、また、引用刊行物２には、電子サイクロトロン共鳴を利用したプラズマ処理装置において、励磁コイルの作る磁場の分布を制御するために、プラズマ処理装置と同心状に配置された上記励磁コイル２，３の外側（外周）に外ヨーク４を該励磁コイル２，３の内側（内周）に内ヨーク５を設けること（記載事項１４）、磁力線は上記外ヨーク４及び内ヨーク５を通ること（図２）、及び上記励磁コイル２，３に通電する電流を制御することにより、プラズマ処理装置内（プラズマ生成室１内）に発生するＥＣＲ点、すなわち電子サイクロトロン共鳴が起こる位置を制御すること（記載事項１６）が記載されている。
　そして、引用発明のプラズマ処理装置及び引用刊行物２に記載されるプラズマ処理装置は、電子サイクロトロン共鳴を利用したプラズマ処理装置という同一の技術分野に属するので、引用発明に係る永久磁石からなる磁場発生機構にかえて、引用刊行物２に記載された内ヨーク５及び外ヨーク４を有する励磁コイルを適用することに困難性はない。
　なお、励磁コイルに流す電流の調整機構を設けることは、引用刊行物２の記載事項１６にも示されるように設計事項に過ぎない。
　
　したがって、相違点１に係る発明特定事項は、引用刊行物１及び引用刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得るものである。
　　
　そして、本願補正発明の効果は、引用刊行物１及び引用刊行物２の記載から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　
　よって、本願補正発明は、引用刊行物１及び引用刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。　
　
　したがって、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　　
（５）まとめ
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１６年４月２６日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１５年６月９日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、以下のものと認める。（以下「本願発明」という。）
「被処理基板を載置する試料台を内部に設置した処理室と、この処理室に所定の流量のガスを導入して所定の圧力を保持するガス導入機構と、このガス導入機構により導入されたガスをプラズマ化するための電磁波を導入する電磁波導入機構と、前記電磁波と電子サイクロトロン共鳴を発生させる磁場を生成する磁場発生機構とを備えたプラズマ処理装置において、前記電磁波の波長が前記処理室の内径よりも長く、前記磁場発生機構を前記電磁波導入機構の前記被処理基板と対向する側とは反対側に備え、前記磁場発生機構は電源に連絡されたコイルと前記コイルの内側と外側に位置する領域を有するヨークとを有することを特徴とするプラズマ処理装置。」
　なお、特許請求の範囲の請求項１において、「前記コイルの処理室内側と外側に位置する領域を有するヨーク」に関して、「２．（１）」の項で本願補正発明を認定したように、上記「処理室内側」は「内側」の誤記と認められるので、上記のように本願発明を認定した。
　
４．引用刊行物に記載された発明
　引用刊行物に記載された発明は、前記「２．（２）」に記載されたとおりである。
　
５．対比
　本願発明と引用発明とを比較する。
　引用発明の「被加工試料（４０８）」は本願発明の「処理基板」に相当し、以下「真空容器（４０１）」は「処理室」に、「原料ガス」は「ガス」に、「原料ガス導入手段（１１６）」は「ガス導入機構」に、「放射する」は「導入する」に、「平板状アンテナ（平板状アース電極）（４０５）」は「電磁波導入機構」に、「永久磁石」は「磁場発生機構」に、それぞれ相当する。
　したがって、両者は、
「処理基板を載置する試料台を内部に設置した処理室と、この処理室に所定の流量のガスを導入して所定の圧力を保持するガス導入機構と、このガス導入機構により導入されたガスをプラズマ化するための電磁波を導入する電磁波導入機構と、前記電磁波と電子サイクロトロン共鳴を発生させる磁場を生成する磁場発生機構とを備えたプラズマ処理装置において、前記電磁波の波長が前記処理室の内径よりも長く、前記磁場発生機構を前記電磁波導入機構の前記処理基板と対向する側とは反対側に備え、前記磁場発生機構は電源に連絡されたコイルと前記コイルの内側と外側に位置する領域を有するヨークとを有することを特徴とするプラズマ処理装置。」の点で一致し、以下の点で相違する。
[相違点]
　プラズマ化するための電磁波と電子サイクロトロン共鳴を発生させる磁場を生成する磁場発生機構が、本願発明は、電源に連絡されたコイルと前記コイルの処理室内側と外側に位置する領域を有するヨークとを有し、前記コイルに流す電流の調整機構を有するのに対して、引用発明は、永久磁石であるので、そのようなヨーク及び電流の調整機構を有しない点。
　
６．当審の判断
　本願願発明と引用発明との相違点は、本願補正発明と引用発明との相違点１と同一であり、本願補正発明と引用発明との相違点１に係る発明特定事項が、引用刊行物１及び引用刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得るものであるので、本願願発明と引用発明との相違点に係る発明特定事項も、同様に、引用刊行物１及び引用刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得るものである。
　したがって、本願発明は、引用刊行物１及び引用刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
　
７．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１及び引用刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。