【事件の表示】
　特許第３３４８２２３号「基板処理方法及び基板処理装置」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３４８２２３号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１．手続きの経緯
　特許３３４８２２３号の請求項１，２に係る発明についての特許出願は、平成５年９月１０日に出願され、平成１４年９月１３日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、請求項１，２に係る特許について、申立人加藤修一より、特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年６月２９日に特許異議意見書の提出及び訂正請求がなされたものである。
　
第２．訂正の適否
（１）訂正の内容
　上記訂正請求の内容は、以下の通りである。
　
（１−１）訂正事項Ａ
　本件特許の設定登録時における願書に添付した明細書の特許請求の範囲の記載である
「【請求項１】　基板面に、薄膜形成，エッチング，パターン焼付け等の各種処理を行う基板処理方法において、接地した基板処理装置の処理室内にパーティクルを静電吸着する絶縁部材を固設し、基板処理中に発生したパーティクルを前記絶縁部材に静電吸着させて除去することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】　基板面に、薄膜形成，エッチング，パターン焼付け等の各種処理を行う基板処理装置において、該装置を接地するとともに、基板処理装置の処理室内に、基板処理中に発生したパーティクルを静電吸着する絶縁部材を、前基板面に対向して固設したことを特徴とする基板処理装置。」を
「【請求項１】　処理室内に設けた基板保持台に保持された基板面に、薄膜形成，エッチング，パターン焼付け等の各種処理を行う基板処理方法において、前記処理室及び基板保持台をそれぞれ接地するとともに、パーティクルを静電吸着する板状の絶縁部材を前記基板面に対向させて絶縁材料にて前記処理室内に固設し、基板処理中に発生したパーティクルを前記絶縁部材に静電吸着させて除去することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】　処理室内に設けた基板保持台に保持された基板面に、薄膜形成，エッチング，パターン焼付け等の各種処理を行う基板処理装置において、前記処理室及び基板保持台をそれぞれ接地するとともに、基板処理中に発生したパーティクルを静電吸着する板状の絶縁部材を、前記基板面に対向して絶縁材料にて前記処理室内に固設したことを特徴とする基板処理装置。」に訂正する。
　
（１−２）訂正事項Ｂ
　上記特許請求の範囲の記載の訂正に伴い、発明の詳細な説明を以下の通り訂正する。
（ａ）段落０００６の「上記した目的を達成するため、本発明の基板処理方法は、基板面に、薄膜形成，エッチング，パターン焼付け等の各種処理を行う基板処理方法において、接地した基板処理装置の処理室内にパーティクルを静電吸着する絶縁部材を固設し、基板処理中に発生したパーティクルを前記絶縁部材に静電吸着させて除去することを特徴とし、基板処理装置は、基板面に、薄膜形成，エッチング，パターン焼付け等の各種処理を行う基板処理装置において、該装置を接地するとともに、基板処理装置の処理室内に、基板処理中に発生したパーティクルを静電吸着する絶縁部材を、前基板面に対向して固設したことを特徴としている。」を
「上記した目的を達成するため、本発明の基板処理方法は、処理室内に設けた基板保持台に保持された基板面に、薄膜形成，エッチング，パターン焼付け等の各種処理を行う基板処理方法において、前記処理室及び基板保持台をそれぞれ接地するとともに、パーティクルを静電吸着する板状の絶縁部材を前記基板面に対向させて絶縁材料にて前記処理室内に固設し、基板処理中に発生したパーティクルを前記絶縁部材に静電吸着させて除去することを特徴とし、基板処理装置は、処理室内に設けた基板保持台に保持された基板面に、薄膜形成，エッチング，パターン焼付け等の各種処理を行う基板処理装置において、前記処理室及び基板保持台をそれぞれ接地するとともに、基板処理中に発生したパーティクルを静電吸着する板状の絶縁部材を、前記基板面に対向して絶縁材料にて前記処理室内に固設したことを特徴としている。」に訂正する。
（ｂ）段落００１５の「以上説明したように、本発明の基板処理方法及び装置は、基板処理装置全体を接地するとともに、基板処理室内にパーティクルを静電吸着する絶縁部材を固設したので、基板処理中に発生したパーティクルを静電気の作用で絶縁部材に吸着することができ、パーティクルが基板に付着して基板を劣化させることを防止できる。したがって、良質の処理基板を効率よく製造することができる。」を、
「以上説明したように、本発明の基板処理方法及び装置は、基板処理装置全体及び基板保持台をそれぞれ接地するとともに、基板処理室内にパーティクルを静電吸着する板状の絶縁部材を基板面に対向させて絶縁材料にて固設したので、基板処理中に発生したパーティクルを静電気の作用で絶縁部材に吸着することができ、パーティクルが基板に付着して基板を劣化させることを防止できる。したがって、良質の処理基板を効率よく製造することができる。」に訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項Ａについてみると、この訂正は、
Ａ−１．特許請求の範囲の請求項１の発明の構成である「基板面」について、「処理室内に設けた基板保持台に保持された基板面」と限定し、同じく、「接地した基板処理装置の処理室」について、「処理室及び基板保持台をそれぞれ接地する」と限定し、同じく、「絶縁部材を固設し」について、「板状の絶縁部材を前記基板面に対向させて絶縁材料にて前記処理室内に固設し」と限定するものであり、
Ａ−２．特許請求の範囲の請求項２の発明の構成である「基板面」について、「処理室内に設けた基板保持台に保持された基板面」と限定し、同じく、「該装置を接地する」について、「前記処理室及び基板保持台をそれぞれ接地する」と限定し、同じく、「絶縁部材を、前基板面に対向して固設した」について、「板状の絶縁部材を、前記基板面に対向して絶縁材料にて前記処理室内に固設した」と限定するものであり、
それぞれ、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記訂正事項Ｂについてみると、この訂正は、発明の詳細な説明の記載と、上記訂正事項Ａによる請求項の記載との整合を図るものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、いずれの訂正事項も、願書に添付した明細書の記載の範囲内のものであるから新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（３）むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法改正前の特許法第１２６条第１項ただし書きの規定、及び、第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３．特許異議の申立てについて
（１）特許異議の申立ての概要
　申立人は、甲第１号証ないし甲第３号証を提出し、請求項１に係る発明は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明であり、請求項２に係る発明は、甲第１号証，甲第２号証に記載された発明であるから、上記各請求項に係る発明の特許は特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり、また、請求項１，２に係る発明は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、上記各請求項に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきであると主張している。
　また、申立人は、請求項１の記載には「絶縁部材を、基板面に対向させて固設したこと」の限定がないため、処理室内のいかなる位置に絶縁部材を配してもよく、絶縁部材を基板面に対向して固設する態様の開示しかないの発明の詳細な説明の欄の記載に対して不当に広い技術的範囲を含むことになり、また、請求項１，２には「基板面に、薄膜形成，エッチング，パターン焼き付け等の各種処理を行う」との記載があるが、発明の詳細な説明にはＣＶＤ装置の開示しかなく、基板処理の範囲が不明確である、との記載不備があるとして、上記各請求項に係る発明の特許は特許法第３６条第４項、又は第５項及び第６項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきであると主張している。
　
（２）本件発明
　上記第２．（３）で述べたとおり、上記訂正が認められるから、本件特許の請求項１，２に係る発明（以下、「本件発明１」，「本件発明２」という。）は、上記訂正請求による訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１，２に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項１】　処理室内に設けた基板保持台に保持された基板面に、薄膜形成，エッチング，パターン焼付け等の各種処理を行う基板処理方法において、前記処理室及び基板保持台をそれぞれ接地するとともに、パーティクルを静電吸着する板状の絶縁部材を前記基板面に対向させて絶縁材料にて前記処理室内に固設し、基板処理中に発生したパーティクルを前記絶縁部材に静電吸着させて除去することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】　処理室内に設けた基板保持台に保持された基板面に、薄膜形成，エッチング，パターン焼付け等の各種処理を行う基板処理装置において、前記処理室及び基板保持台をそれぞれ接地するとともに、基板処理中に発生したパーティクルを静電吸着する板状の絶縁部材を、前記基板面に対向して絶縁材料にて前記処理室内に固設したことを特徴とする基板処理装置。」
　
（３）引用刊行物
　上記取消理由通知において引用された刊行物は以下の通りである。
引用刊行物１：特開平　１−１２０８１０号公報（甲第１号証）
引用刊行物２：特開昭６２−２１８５７２号公報（甲第２号証）
引用刊行物３：特開平　４−３２４６２５号公報（甲第３号証）
　
（４）刊行物に記載された発明
　上記刊行物１ないし３には、下記の事項が記載されていると認められる。
（４−１）
　刊行物１には、以下のとおり記載されている。
「マイクロ波発信器からのマイクロ波を伝送する導波管に連通された誘電体で少なくとも一壁面を形成した反応器と、前記誘電体を境にして反応器と相対向すべく配置されたガス供給室を具備して成り、前記誘電体にはガス供給室内のガスを反応器内に導くための複数の貫通孔を設けると共に、ガス供給室内の表面には前記貫通孔部を除いて金属板を貼設したことを特徴とするマイクロ波プラズマ発生装置。」（特許請求の範囲）
「（作用）
　本発明に係るマイクロ波プラズマ発生装置は、マイクロ波発振器からのマイクロ波を伝送する導波管に連通された誘電体で少なくとも一壁面を形成した反応器と、前記誘電体を境にして反応器と相対向すべく配置されたガス供給室を具備して成り、前記誘電体にはガス供給室内のガスを反応器内に導くための複数の貫通孔を設けると共に、ガス供給室側の表面には前記貫通孔部を除いて金属板を貼設したものであり、ガス供給室内のガスは複数の貫通孔を通して反応器内の被処理物に対して垂直に流れるためガス流れが均一化して均一処理が可能となると共に処理能率も向上する。また本発明では誘電体のガス供給室側の表面に金属を貼設したので、マイクロ波がガス供給室側に漏れてガス供給室内でプラズマが発生することもない。」（公報第２頁右上欄第４〜１９行）
「図面において、１はマイクロ波発振器（図示せず）で発生したマイクロ波を伝送する導波管であり、その終端には例えば石英ガラスやパイレックスガラス等の誘電損失の小さな誘電体２が連通されている。
　３は前記誘電体２を天井壁とし、他の壁面は金属で気密状態に形成された反応器であり、本実施例では周囲側壁を二重構造として内部に冷却水用の通流室４を備えた構成のものを示している。」（公報第２頁左下欄第３〜１１行）
「以上述べた如く構成した本発明に係るマイクロ波プラズマ発生装置では、反応器３内を排気し、低圧下においてガス供給室５にガスを供給するとガスは誘電体２の複数の貫通孔６を通って基板９に垂直に供給され、かかる状態で誘電体２にマイクロ波を導入すると誘電体２から反応器３内へプラズマを発生させることができる。」（公報第２頁右下欄第３〜９行）
「ガス供給室５よりＳｉＨ４を反応器３内へ供給してアモルファスＳｉの作製を行った。」（公報第３頁左上欄第１，２行）
「基板９上にはほぼ均一な薄膜が蒸着された。」（公報第３頁左上欄第８行）
　以上の記載及び図面によれば、刊行物１には以下の事項が記載されていると認められる。
「マイクロ波発振器で発生したマイクロ波を伝送する導波管１の終端に石英ガラスやパイレックスガラス等の誘電損失の小さな誘電体２が連通し、該誘電体２を天井壁とし、他の壁面を金属で気密状態に形成した反応器３が設けられ、前記誘電体２の上部にガス供給室５を配置し、該ガス供給室５と前記反応器３とは誘電体２に開設した複数の貫通孔６によって連通せしめられ、前記誘電体２と反応器３内の基板９とは対向配置されているマイクロ波プラズマ発生装置。」
　
（４−２）
　刊行物２には、以下のとおり記載されている。
「上壁、周囲壁及び底壁で密封形成されてなる反応空間を内部に有する円筒状反応容器と、該反応空間内に円筒状基体を設置する手段と、該反応空間内に堆積膜形成用原料ガスを導入する手段と、該原料ガスを励起させて励起種化するための放電エネルギー印加手段と、前記反応空間内を排気する手段とからなるプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置であって、前記堆積膜形成用原料ガスを導入する手段が複数のガス導入系からなることを特徴とするプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置。」（特許請求の範囲の請求項１）
「本例においては、ガス導入管９，９’として夫々４本の外径８ｍｍφ、長さ１ｍの石英ガラス管を用い、」」（公報第５頁右下欄第１２〜１４行）
　以上の記載及び図面によれば、刊行物２には以下の事項が記載されていると認められる。
「円筒状のカソード電極を兼ねた周囲壁２の内に、円筒状基体６を同心状に設けるとともに、周囲壁２と円筒状基体６との間に該円筒状基体６に対向して石英ガラス管を用いたガス導入管９、９’を固設したプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置。」
　
（４−３）
　刊行物３には、以下のとおり記載されている。
「ウェハをウェハ保持板で支持し、ウェハと少なくともウェハ保持板のウェハ保持部を加熱してウェハ表面に気相成長させる気相成長装置において、前記ウェハ保持板を炭素繊維強化炭素複合材料を基体として形成したことを特徴とする気相成長装置。」（【特許請求の範囲】）
「中空回転軸２０の上端は、一部のみを示すベルジャ２４によってベース１０の上面上方に形成される反応室２５内に伸び、その上端にはキー２６を介して炭素製の支持円盤２７が固着されている。支持円盤２７には石英ガラス，炭素またはセラミックス製の支持リング２８が支持円盤２７と一体的に回転可能に取付けられている。」（段落【００１２】）
「支持リング２８の上端には段部３１が形成され、段部３１にリング状のウェハ保持体３２が嵌着され、ウェハ保持体３２の上面内周寄りに形成された段部３３内にウェハＷを保持するようになっている。ウェハ保持体３２に支持されたウェハＷは、加熱板３０と好ましくは３mm以上の所定の間隔Ｃを有するように置かれる。」（段落【００１４】）
　以上の記載によれば、刊行物３には以下の事項が記載されていると認められる。
「ベルジャ２４によって形成される反応室２５内に、ウェハＷの保持装置が回転可能に設けられていて、この保持装置が、支持円盤２７と、該支持円盤２７に一体的に設けれた石英ガラス製の支持リング２８と、該支持リング２８の上端の段部３１に嵌着されたウェハ保持体３２とからなる気相成長装置。」
　
（５）対比・判断
（５−１）本件発明１について
　本件発明１は発明の構成として、「処理室及び基板保持台をそれぞれ接地する」とともに、「パーティクルを静電吸着する板状の絶縁部材を前記基板面に対向させて絶縁材料にて前記処理室内に固設する」ことを備え、これにより、基板処理中に発生したパーティクルを前記絶縁部材に静電吸着させて除去することができ、「基板処理中に発生したパーティクルを静電気の作用で絶縁部材に吸着することができ、パーティクルが基板に付着して基板を劣化させることを防止できる。したがって、良質の処理基板を効率よく製造することができる。」という、明細書記載の、格別顕著な作用効果を奏する基板処理方法であるものと認められる。
　しかしながら、上記刊行物１ないし３には、上記の「処理室及び基板保持台をそれぞれ接地する」と共に、「パーティクルを静電吸着する板状の絶縁部材」を絶縁支持した点は記載されていないし、それを示唆する記載もない。
　したがって、本件発明１は、上記刊行物１ないし３に記載の発明とすることはできず、また、上記刊行物１ないし３に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　
（５−２）本件発明２について
　本件発明２は、「処理室及び基板保持台をそれぞれ接地する」とともに、「パーティクルを静電吸着する板状の絶縁部材を、前記基板面に対向して絶縁材料にて前記処理室内に固設した」との事項を備えることにより、本件発明１と同様の格別顕著な作用効果を奏する基板処理装置であるものと認められる。
　本件発明２は、本件発明１と同様の理由により、上記刊行物１ないし３に記載の発明とすることはできず、また、上記刊行物１ないし３に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　
（５−３）記載不備について
　明細書の記載は、特許請求の範囲、発明の詳細な説明、共に明りょうであり、申立人の主張するような記載不備はない。
　
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１，２に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１，２に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める法令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年１１月３０日（２００５．１１．３０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
基板処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
処理室内に設けた基板保持台に保持された
前記処理室及び基板保持台をそれぞれ接地するとともに、
板状の
前記基板面に対向させて絶縁材料にて前記処理室内に
　【請求項２】
処理室内に設けた基板保持台に保持された
前記処理室及び基板保持台をそれぞれ
に、基
板状の
絶縁材料にて前記処理室内に
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関し、詳しくは、基板面に、薄膜形成，エッチング，パターン焼付け等の各種処理を行う基板処理方法及び基板処理装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　図２は基板処理装置の一例を示すもので、この基板処理装置は、処理室１と、該処理室１にゲート弁２を介して連設した基板交換室３とから構成されている。このような基板処理装置は、処理室１内に設けた基板保持部４に基板Ｐを保持した状態で、ガス導入口５から反応ガスやパージガスを処理室１内に導入し、各種所定の処理を行った後、ゲート弁２を開いて処理済み基板を基板交換室３内に移動させ、次いで基板交換室３内に予め用意した未処理基板を処理室１内に移動させ、再びこの基板に各種処理を行うものである。なお、基板Ｐを移動させる手段は省略してある。
　【０００３】
　このとき、処理室１内に供給される各種ガスにパーティクルが含まれていると、基板Ｐが劣化して所望の性能が得られなくなる。このため、従来は、処理室１内に導入する各種ガス中のパーティクル量を極微量にまで低減したり、ガス流路でのパーティクルの発生も極力抑えるようにしたりするなどの、厳重なパーティクル対策を行っていた。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、パーティクルの発生を完全に防止することは極めて困難であり、基板の処理中や移動中に僅かなパーティクルが発生しても、該パーティクルが基板に付着すると，基板が劣化してしまうおそれがあった。すなわち、従来は、パーティクルを低減することに関しては、様々な対策が採られていたが、パーティクルが発生したときの対策は講じられていなかった。
　【０００５】
　そこで本発明は、基板処理中にパーティクルが発生しても、発生したパーティクルが基板に付着することを防止でき、基板の各種処理における歩留まりの向上を図れる基板処理方法及び基板処理装置を提供することを目的としている。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　上記した目的を達成するため、本発明の基板処理方法は、
処理室内に設けた基板保持台に保持された
前記処理室及び基板保持台をそれぞれ接地するとともに、
板状の
前記基板面に対向させて絶縁材料にて前記処理室内に
処理室内に設けた基板保持台に保持された
前記処理室及び基板保持台をそれぞれ
に、基
板状の
絶縁材料にて前記処理室内に
　【０００７】
　【作用】
　上記構成によれば、基板処理室内のパーティクルは、静電気の作用で絶縁部材に吸着し、処理中の基板面にパーティクルが付着することを防止できる。特に絶縁部材を処理室内に設けているので、該処理室内を流れる反応ガスやパージガスとの接触により静電圧力が高まり、パーティクルの吸着効果が大きくなる。
　【０００８】
　【実施例】
　以下、本発明を、図１に示す実施例に基づいてさらに詳細に説明する。図１は、前記図２に示したものと同様の基板処理装置に本発明を適用した一実施例を示すものである。
　【０００９】
　この基板処理装置は、前記同様に、処理室１１にゲート弁１２を介して基板交換室１３を連設したものであって、処理室１１の内部には、基板Ｐを保持する基板保持台１４が設けられている。基板Ｐの表面への薄膜形成処理は、基板Ｐを図示しない加熱装置で所定温度に加熱するとともに、反応ガス導入口１５から処理室１１内に所定の成分の反応ガスを導入することにより行われる。なお、反応後の排気ガスは、ゲート弁１２側の排気管１６から排出される。
　【００１０】
　そして本実施例では、上記処理室１１と基板保持台１４とを、それぞれアース線１７，１８を介して接地するとともに、上記基板Ｐの処理面に対向する位置に、板状の絶縁部材２１を配設している。この絶縁部材２１は、任意の電気の不導体で、かつ、それ自身がパーティクルの発生源とならないものならば、各種材質のものを使用することが可能であり、例えば、石英ガラス，ボロンナイトライド，チタン酸バリウム，チタン酸鉛ジルコニアなどを適宜選択して使用することができ、また、これらを任意の基材の表面にコーティングしたものも用いることができる。
　【００１１】
　なお、上記絶縁部材２１を処理室１１内に設置する手段は任意であるが、例えば、図１に示すような吊持部材２２により行うことができる。この吊持部材２２は、金属製の棒材と絶縁材料からなる棒材とをネジ結合等で連結したものであって、金属製の棒材を処理室１１の内壁に溶接等で固定し、絶縁材料からなる棒材を絶縁部材２１の上面に接着等で固定することにより、絶縁部材２１を処理室１１内に固設するものである。
　【００１２】
　上記のように、処理室１１内の基板Ｐの処理面に対向させて絶縁部材２１を設けると、単にそのままの状態でも絶縁部材２１の表面に静電気を生じるが、処理室１１内のガス流との接触により絶縁部材２１の表面に、より高い静電気が生じ、処理中に処理室１１内に流入したパーティクルは、該静電気の作用で絶縁部材２１に吸着する。これにより、処理中の基板Ｐの表面にパーティクルが付着し、基板Ｐを劣化させることを防止することができる。
　【００１３】
　上記絶縁部材２１は、処理室１１内に設けるとともに、例えば、図１に想像線で示すように、基板交換室１３内にも絶縁部材２３を設けたり、さらに、基板搬送部の適宜な個所にも絶縁部材を設けることにより、基板交換特等の基板移動中に基板Ｐにパーティクルが付着することを防止することができる。
　【００１４】
　なお、本実施例では、基板処理装置として半導体薄膜を形成する装置を挙げたが、エッチング，パターン焼付け等の各種処理を行う基板処理装置にも、同様に適用することが可能である。
　【００１５】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明の基板処理方法及び装置は、基板処理装置全体
及び基板保持台
それぞれ
板状の
基板面に対向させて絶縁材料にて
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の一実施例を示す基板処理装置の断面図である。
　【図２】従来の基板処理装置の一例を示す断面図である。
　【符号の説明】
　１１…処理室、１３…基板交換室、１４…基板保持台、１７，１８…アース線、２１，２３…絶縁部材、Ｐ…基板