【事件の表示】
　平成１０年特許願第１７８９３８号「溶液による半導体基板の処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１月１４日出願公開、特開２０００−１２４９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１０年６月２５日の特許出願であって、同１５年５月２０日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同１５年７月１５日に意見書と共に明細書について手続補正書が提出されたが、同１６年３月１７日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同１６年４月７日に本件審判の請求と共に明細書について再度手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をすると共にそれに関連して明細書の一部について補正するものであって、特許請求の範囲の請求項２について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
（１）補正前
「 研磨液を用いて基板表面を研磨した半導体基板(17)を回転定盤(11)から取外した直後に酸化剤を含有し酸化還元電位が１０ｍＶ以上である水溶液(22)に前記基板(17)を浸漬する半導体基板の処理方法であって、
　前記水溶液(22)はアルカリを更に含有し、ｐＨが８．０以上であるか、又は前記水溶液(22)は酸を更に含有し、ｐＨが６．５以下であることを特徴とする溶液による半導体基板の処理方法。」
　
（２）補正後
「研磨液を用いて基板表面を研磨した半導体基板(17)を回転定盤(11)から取外した直後に酸化剤を含有し酸化還元電位が１０ｍＶ以上である水溶液(22)に前記基板(17)を浸漬する半導体基板の処理方法であって、
　前記水溶液(22)はアルカリを更に含有し、ｐＨが
９．０〜１１．０
３〜６
　
２　補正の適否
　本件補正のうち特許請求の範囲の請求項２についての補正は、ｐＨについて「８．０以上」を「９．０〜１１．０」と、同じく「６．５以下」を「３〜６」と限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とすることが明らかであるので、さらに、補正後の特許請求の範囲の請求項２に係る発明（以下、「補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
（１）補正発明
　補正発明は、平成１５年７月１５日付け手続補正書及び本件補正により補正された明細書（以下、「補正明細書」という。）並びに願書に最初に添付した図面の記載からみて、上記１（２）に示す特許請求の範囲の請求項２に記載された事項により特定されるとおりの「半導体基板の処理方法」であると認める。
　
（２）引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−７４７１６号公報（以下、「引用例」という。）の記載内容は以下のとおりである。
（イ）段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】この発明は、たとえば半導体ウェーハの表面を平坦化する半導体装置の製造装置および製造方法に関するもので、特に、研磨処理および研磨後のウェーハ面（被研磨面）を洗浄する後処理に用いられるものである。」
（ロ）段落【００１５】〜【００３１】
「【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の一形態にかかる、半導体製造装置の概略構成を示すものである。なお、同図（ａ）は半導体製造装置の要部の平面図、同図（ｂ）は同じく断面図である。
・・・
　また、上記ウェーハ保持盤１４は、その下面において、単結晶シリコン（Ｓｉ）や多結晶Ｓｉ（Poly−Si）からなる半導体ウェーハ（半導体基板）１６を真空チャック方式などにより保持できるようになっている。
・・・
　上記研磨定盤１１の上方には供給装置１７が配設されている。この供給装置１７は、上記半導体ウェーハ１６の外周部分が位置する上記研磨クロス１３の回転の中心の近傍で、かつ、上記半導体ウェーハ１６が対応する上流側の位置に、ＳｉＯ2 などを含む研磨剤１７ａを供給するようになっている。
・・・
　一方、上記研磨装置の側方には、これに隣接させて、該研磨装置によって研磨された、上記半導体ウェーハ１６の被研磨面を洗浄するための洗浄装置が設けられている。
　すなわち、上記研磨定盤１１に近接して洗浄槽３１が設けられている。この洗浄槽３１は、洗浄液または超純水を溜めるための内槽３１ａと、この内槽３１ａより溢れ出る洗浄液を受けるための外槽３１ｂとからなっている。
・・・
　なお、上記洗浄液としては、たとえば、超純水または純水を電気分解して生成される酸性イオン水、もしくは、オゾン水が用いられる。酸性イオン水またはオゾン水は、非常にクリーンで、強い酸化性を有するとともに、金属や有機物による汚染を除去する能力を有している。
・・・
　すなわち、上記内槽３１ａの高さ位置を調整することによって、上記内槽３１ａと上記研磨定盤１１との間に、上記研磨定盤１１上の研磨クロス１３のクロス面とほぼ同じ高さの洗浄水の橋を形成することにより、被研磨面を大気に晒すことなく、上記半導体ウェーハ１６を上記研磨クロス１３上から上記洗浄槽３１の内槽３１ａ内まで移動できる。」
（ハ）段落【００３２】〜【００３９】
「次に、上記した構成における動作について説明する。図２は、かかる動作を概略的に示すものである。まず、ウェーハ保持盤１４によって保持された半導体ウェーハ１６は、回転機構２１によって回転されつつ、加圧機構２２によって研磨定盤１１上の研磨クロス１３のクロス面に当接される。
　その際、研磨定盤１１が回転され、供給装置１７より研磨剤１７ａが供給されることにより、半導体ウェーハ１６の被研磨面が研磨される（同図（ａ））。そして、半導体ウェーハ１６の研磨処理が終了すると、供給装置１７からの研磨剤１７ａの供給が停止されるとともに、上記研磨定盤１１および上記ウェーハ保持盤１４の回転はそのままに、移動機構２３によってウェーハ保持盤１４の位置が移動される。
　これにより、上記半導体ウェーハ１６は研磨クロス１３のクロス面上をスライドされて、洗浄装置の洗浄槽３１の位置に移動される。このとき、上記洗浄槽３１は、すでに、洗浄液によって槽内が満たされており、上記半導体ウェーハ１６は、その被研磨面を大気に晒すことなく、上記研磨クロス１３上から上記洗浄槽３１へ移動される。
　すなわち、研磨処理を終えた半導体ウェーハ１６を洗浄装置に移動する場合、上記洗浄槽３１は、あらかじめ内槽３１ａの位置が高さ調節機構３６によって調整され、壁の高さが研磨クロス１３のクロス面よりも２〜５ｍｍほど低くなるように設定されている。
　そして、供給口３３を介して供給される、供給路３２からの洗浄液が内槽３１ａ内より溢れ出し、その溢れ出る洗浄液の表面張力によって、上記内槽３１ａと上記研磨定盤１１との間の隙間が、上記研磨定盤１１上の研磨クロス１３のクロス面とほぼ同じ高さで埋め込まれる。
　これにより、半導体ウェーハ１６が研磨クロス１３上をスライドするようにウェーハ保持盤１４を移動させることで、半導体ウェーハ１６は、その被研磨面を大気に晒すことなく、研磨クロス１３のクロス面上より洗浄槽３１内の洗浄液の液面上をすべるようにして移動される。
　さて、研磨後の半導体ウェーハ１６が上記洗浄槽３１へと移動されると、上記加圧機構２２により、さらに、ウェーハ保持盤１４によって保持された半導体ウェーハ１６の位置が下げられて、半導体ウェーハ１６の被研磨面が洗浄ブラシ３８に当接される（同図（ｂ））。
　すると、半導体ウェーハ１６の被研磨面が洗浄されると同時に、被研磨面の表面が親水性にされる。すなわち、研磨後の半導体ウェーハ１６は乾燥する前に、洗浄液のもつ強酸化性によって、その被研磨面の表面に自然酸化膜が均一に成長するとともに、回転機構２１による半導体ウェーハ１６の回転と駆動機構３７による洗浄ブラシ３８の回転とによって、被研磨面のパーティクルが除去される。」
　
　これらの記載事項を補正発明に照らして整理すると、引用例には以下の発明が記載されていると認めることができる。
「ＳｉＯ2 などを含む研磨剤１７ａを用いて表面を研磨した半導体ウェーハ（半導体基板）１６を回転する研磨定盤１１から取外した直後に洗浄槽３１内のオゾン水からなる洗浄液に前記半導体ウェーハ１６を浸漬する半導体ウェーハの処理方法。」
　
（３）対比
　補正発明と引用例記載の発明とを対比すると、以下のとおりである。
　引用例記載の発明の「ＳｉＯ2 などを含む研磨剤１７ａ」、「半導体ウェーハ（半導体基板）１６」及び「回転する研磨定盤１１」は、それぞれ補正発明の「研磨液」、「半導体基板」及び「回転定盤」に相当することが明らかである。
　また、補正明細書の段落【０００７】における「本発明で使用される水溶液に含まれる酸化剤としては過酸化水素水、オゾン水等が挙げられる。」という記載からみて、引用例記載の発明の「オゾン水からなる洗浄液」は、補正発明の「酸化剤を含有する水溶液」に相当する。
　したがって、補正発明と引用例記載の発明とは、次の点で一致しているということができる。
「研磨液を用いて基板表面を研磨した半導体基板を回転定盤から取外した直後に酸化剤を含有する水溶液に前記基板を浸漬する半導体基板の処理方法」である点。
　そして、補正発明と引用例記載の発明とは、次の２点で相違している。
ア　相違点１
　補正発明では、酸化剤を含有する水溶液の酸化還元電位が１０ｍＶ以上であるのに対して、引用例記載の発明では、酸化還元電位がどの程度であるのか明らかでない点。
イ　相違点２
　補正発明では、水溶液はアルカリを更に含有し、ｐＨが９．０〜１１．０であるか、又は前記水溶液は酸を更に含有し、ｐＨが３〜６であるのに対して、引用例記載の発明では、そのようになっていない点。
　
（４）相違点の検討
ア　相違点１について
　補正明細書の段落【０００６】に「請求項１及び請求項２に係る処理方法では、基板１７に噴霧されるか、又は基板１７が浸漬される水溶液２２は酸化剤を含有するため、研磨直後の活性な半導体基板表面に酸化膜が形成される。この酸化膜は砥粒や環境からのパーティクル及びＣｕ等の貴金属が基板表面に付着することを防止するか、又は仮に付着してもその後の洗浄工程で除去が容易な形態に変化させる。」と、また、同段落【０００７】に「この酸化剤により水溶液の酸化還元電位が１０ｍＶに満たない場合には、酸化剤の酸化力が不十分となる。」と記載されていることからみて、補正発明において水溶液が酸化剤を含有する理由は、半導体基板表面に酸化膜を形成する点にあるものと認められる。
　一方、上記（２）に摘記したように引用例の段落【００３９】には「洗浄液のもつ強酸化性によって、その被研磨面の表面に自然酸化膜が均一に成長する」ことが記載されており、引用例記載の発明においても補正発明と同様の理由によって水溶液が酸化剤を含有しているものと認められる。　
　そうしてみると、酸化剤を含有する水溶液の酸化還元電位を１０ｍＶ以上とすることは、半導体基板表面に酸化膜を形成することができるように、例えば、試行錯誤的手法により当業者が適宜求めることができる単なる設計的事項にすぎないとみるのが相当である。
イ　相違点２について
　同じく補正明細書の段落【０００６】に「アルカリにより水溶液２２のｐＨが高くなると基板表面に付着した砥粒の凝集が抑制される。」と記載されていることからみて、補正発明において水溶液がアルカリを更に含有し、ｐＨが９．０〜１１．０である理由は、基板表面に付着した砥粒の凝集を抑制する点にあるものと認められる。
　ところで、半導体基板等の洗浄液として、酸化剤及びアルカリを含有するする水溶液を採用して、そのアルカリにより基板表面に付着した微粒子の凝集を抑制することは、例えば、特開平８−１０７０９４号公報の段落【０００３】〜【０００５】の「基板に付着した微粒子の除去には、ブラシや超音波による物理的な洗浄手段に加え、アンモニア、過酸化水素水および水の混合液・・・などの化学洗浄液を併用するということが行われている。前者の化学洗浄液は基板をエッチングして下地をわずかに除去することで基板表面に残留する微粒子を同時に除去するものであり、後者の化学洗浄液はその液のもつ強い酸化作用によって有機物を分解するものであり、とくにレジストの洗浄除去に好適する。基板に上記化学機械研磨加工を行った場合、基板への微粒子の付着が問題となるから、物理的な洗浄手段に加えて前者の化学洗浄液を併用することで、洗浄効果を高めることができる。」との記載、特開平１０−６４８６７号公報の段落【０００９】の「即ち、ウエハ表面の微粒子を除去するには、通常、アルカリ溶液を用いてエッチングを行えば良いが、一旦、ウエハ表面に分離した微粒子をウエハ表面に再付着させないようにする必要がある。再付着防止のためには、ウエハ表面と微粒子の表面電位を同符号化し、電気的に反発させれば良く、そのためには洗浄液のｐＨを高くして強アルカリ性にする必要があった。またこのように強アルカリ性薬液を用いるとウエハ表面が必要以上に荒れるため、洗浄液に過酸化水素水を添加し、過酸化水素水の作用で表面に酸化膜を形成し、ウエハ表面の荒れを防ぐ必要があった。」との記載に示されているように、従来周知である。
　そうしてみると、この従来周知の事項を補正発明に適用して、その酸化剤を含有する水溶液に、アルカリを更に含有せしめることにより、基板表面に付着した砥粒の凝集を抑制するように構成することは、当業者が格別の創意を要することなく容易に想到し得る事項である。
　また、その際ｐＨ値をどの程度に設定するかは、砥粒の凝集を抑制することができるように適宜決定すればよい単なる設計的事項にすぎず、補正発明においてｐＨを９．０〜１１．０に限定した点に格別の発明性はない。
ウ　補正発明の効果について
　補正発明によってもたらされる効果も、引用例記載の発明及び上記従来周知の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
エ　したがって、補正発明は、引用例記載の発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本件発明について
１　本件発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１及び請求項２に係る発明は、平成１５年７月１５日付け手続補正書により補正された明細書及び願書に最初に添付した図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項２に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、上記第２の１（１）に示す特許請求の範囲の請求項２に記載されたとおりの「半導体基板の処理方法」である。
　
２　引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載内容は、上記第２の２（２）に示したとおりである。
　
３　対比・検討
　本件発明は、上記第２の２で検討した補正発明から、 ｐＨについて「８．０以上」を「９．０〜１１．０」とし、「６．５以下」を「３〜６」とするという限定を削除したものである。
　そうすると、本件発明を構成する事項の全てを含み、さらに他の事項を限定する補正発明が上記第２の２（４）エで示したとおり、引用例記載の発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　したがって、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、本件出願の請求項１に係る発明について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。