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　特願２０１５−　９３１７９「半導体ウェーハをプラズマ・ダイシングする方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１０月　１日出願公開，特開２０１５−１７３２７９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１２年３月１２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１１年３月１４日，アメリカ合衆国，２０１２年３月５日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願（以下「原出願」という。）である特願２０１３−５５８０８９号の一部を平成２７年４月３０日に新たな特許出願とした特願２０１５−９３１７９号であり，その手続の経緯は，概略，以下のとおりである。 
　平成２７年　４月３０日　　：上申書
　平成２８年　７月　８日付け：拒絶理由通知 
　平成２８年１０月１２日　　：意見書 
　平成２８年１０月１２日　　：手続補正書（以下，この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。）
　平成２９年　１月２５日付け：拒絶査定
　平成２９年　５月２６日　　：審判請求 
　平成３０年　９月　６日付け：最後の拒絶理由通知
　なお，当審において通知した拒絶理由に対して，請求人からは何らの応答もなかったものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　基板をプラズマ・ダイシングする方法であって，
　移動アームを供給するステップと，
　壁を有する処理チャンバを供給するステップと，
　前記処理チャンバの前記壁に隣接してプラズマ源を供給するステップと，
　前記処理チャンバ内に加工物支持部を供給するステップと，
　前記加工物支持部内にリフト機構を供給するステップと，
　上面と底面を有する前記基板を供給するステップであって，前記上面は複数のデバイス構造とストリート領域を有しているステップと，
　加工物を形成するために前記基板の前記底面をフレーム上の支持フィルム上に配置するステップと，
　前記移動アームを用いて前記加工物を前記処理チャンバ内の前記リフト機構上に移動するステップであって，前記加工物の前記処理チャンバ内への移動が真空中で行われる前記ステップと，
　前記プラズマ源によってプラズマを生成するステップと，
　前記生成されたプラズマによって，前記処理チャンバ内にある前記加工物の前記基板の前記上面の保護されていない前記ストリート領域をエッチングするステップと
を含む方法。」
第３　拒絶の理由
　平成３０年９月６日付けで当審が通知した最後の拒絶理由は，次のとおりのものである。
　本願の請求項１−２に係る発明は，本願の原出願の優先日前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１−５に記載された発明に基づいて，その原出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　１．国際公開０３／０７１５９１号 
　２．特開平１０−２３３２９６号公報 
　３．特開２００４−２７３９７４号公報 
　４．特開２００８−４１９８５号公報 
　５．特開２００３−２８２６７０号公報 
第４　引用文献の記載及び引用発明
１　引用文献１の記載
（１）引用文献１には，図面とともに以下の事項が記載されている。（下線は，当審で付した。以下同じ。）
「請求の範囲  
１．ストリートによって区画された多数の領域に回路が形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体ウェーハの分割方法であって，  
　少なくとも該半導体ウェーハの回路面をマスキング部材でマスキングするマスキング工程と， 
　該ストリートの上部を被覆しているマスキング部材をレーザ一光線の照射により除去するマスキング部材除去工程と， 
　該ストリートの上部を被覆しているマスキング部材が除去された半導体ウェーハに化学的エッチングを施し該ス卜リートを浸食して個々の半導体チップに分割する化学的エッチング処理工程と  
　から少なくとも構成される半導体ウェーハの分割方法。」（請求の範囲） 
  
「マスキング工程においては，例えば第２図に示すスピンコータ１０を用いて半導体ウェーハＷの表面にマスキング部材を形成する。スピンコータ１０においては，半導体ウェーハＷが保持される保持テーブル１１は駆動部１２に駆動されて回転可能となっており，
リング状のフレームＦの開口部を塞ぐように裏側から貼着されたテープＴの粘着面に半導体ウェーハＷの裏面が貼着されることによりテープＴを介してフレームＦと一体となった半導体ウェーハＷが，回路面を上にして保持テーブル１１に保持される
　そして，保持テーブル１１を高速回転させながら滴下部１３からレジストポリマー１４を半導体ウェーハＷの回路面に滴下することにより，第１図Ａに示したように，
回路面の一面にマスキング部材１５がマスキングされる（マスキング工程）
　
次にマスキング部材除去工程において，マスキング工程で被覆したマスキング部材１５のうち，半導体ウェーハＷの回路面に形成されたストリートの上部を被覆している部分のみを除去する
　・・・ 
　すべての半導体ウェーハについてマスキング部材除去工程が終了すると，カセット２１ごと次の化学的エッチング工程に搬送される。
化学的エッチング工程においては，例えば第４図に示すドライエッチング装置３０を使用する
　第４図に示す
ドライエッチング装置３０は
搬出入チャンバー３２と，ドライエッチングを行う処理チャンバー３３と，エッチングガスを処理チャンバー３３内に供給するガス供給部３４とから概ね構成される
　マスキング部材除去工程が終了した半導体ウェーハＷは，搬出入手段３１によってカセット２１から搬出される。そして，搬出入チャンバー３２に備えた第一のゲート３５が開き，図５に示す搬出入チャンバー３２内に位置付けられた保持部３６に半導体ウェーハＷが載置される。 
　第５図に示すように，搬出入チャンバー３２と処理チャンバー３３とは第二のゲート３７によって遮断されているが，第二のゲート３７を開いたときは，保持部３６が搬出入チャンバー３２の内部と処理チャンバー３３の内部との間を移動可能となっている。 
　第６図に示すように，
処理チャンバー３３には，高周波電源及び同調機３８に接続されプラズマを発生する一対の高周波電極３９が上下方向に対峙して配設されており，本実施の形態においては片方の高周波電極３９が保持部３６を兼ねた構成となっている。また保持部３６には，保持された半導体ウェーハを冷却する冷却部４０を設けている
　・・・ 
　マスキング部材除去工程が終了した半導体ウェーハＷをドライエッチングする際は，搬出入チャンバー３２に設けた第一のゲート３５を開け，搬出入手段３１が半導体ウェーハＷを保持して第５図における矢印の方向に移動することにより，
搬出入チャンバー３２内に位置付けられた保持部３６に半導体ウェーハＷが，表面を上にして載置される。そして，第一のゲート３５を閉じ，搬出入チャンバー３２内を真空にする
　
次に，第二のゲート３７を開いて保持部３６が処理チャンバー３３内に移動することにより，半導体ウェーハＷが処理チャンバー３３内に収容される
　
このようにしてドライエッチングが行われると，半導体ウェーハＷの表面のうち，ストリートの上部に被覆されていたマスキング部材は，マスキング部材除去工程において除去されているが，その他の部分はマスキング部材で覆われているため，ストリートのみがエッチング処理により浸食され，第１図Ｃに示すように，個々の半導体チップＣに分割される（化学的エッチング処理工程）
　・・・ 
　このようにして形成された個々の半導体チップＣは，回転ブレードを用いて切削により分割されたものではないため，欠けやストレスがない高品質なものとなる。特に，厚さが５０μｍ以下のような薄い半導体ウェーハの場合は，切削して分割する方法によると欠けやストレスが生じやすいので，本発明を利用すると特に効果的である。 
　また，半導体ウェーハＷが，半導体基板の上に極薄の層間絶縁膜が複数積層された多層構造の半導体ウェーハである場合には，レーザー光線を用いることにより，切削時のような衝撃力が層間絶縁膜に加わることがないため，層間絶縁膜が雲母のように剥がれ落ちるおそれもない。 
　また，ドライエッチング処理は，半導体ウェーハの厚さが厚くなるほど時間がかかることになるが，厚さが５０μｍ以下のような薄い半導体ウェーハであれば，ドライエッチング処理にそれほどの時間を要さないため，生産性を確保することができ，この点においても本発明は有用である。 
　なお，エッチング処理では除去できないパターン等の被覆層がストリートに形成されている場合には，レジスト膜除去工程においてレーザー光線をその被覆層に照射すれば，その被覆層を除去することができるため，そのようなパターンが形成された半導体ウェーハもエッチングによって分割することができる。」（明細書第５ページ第１８行−第１０ページ第８行）
（２）　したがって，上記記載から，引用文献１には，引用文献１の請求の範囲の「１．」に記載された発明の実施例である以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 
「少なくとも半導体ウェーハの回路面をマスキング部材でマスキングするマスキング工程と， 
　ストリートの上部を被覆しているマスキング部材をレーザー光線の照射により除去するマスキング部材除去工程と， 
　該ストリートの上部を被覆しているマスキング部材が除去された半導体ウェーハに化学的エッチングを施し該ストリートを浸食して個々の半導体チップに分割する化学的エッチング処理工程と  
　から少なくとも構成される，ストリートによって区画された多数の領域に回路が形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体ウェーハの分割方法であって， 
　前記半導体ウェーハは，リング状のフレームの開口部を塞ぐように裏側から貼着されたテープの粘着面に半導体ウェーハの裏面が貼着されることによりテープを介してフレームと一体となった半導体ウェーハであり， 
　前記マスキング部材は，回路面の一面にマスキングされ，その後，マスキング部材除去工程において，マスキング工程で被覆したマスキング部材のうち，半導体ウェーハの回路面に形成されたストリートの上部を被覆している部分のみを除去したものであり， 
　前記化学的エッチング処理工程は，搬出入チャンバーと，ドライエッチングを行う処理チャンバーとエッチングガスを処理チャンバー内に供給するガス供給部とを含むドライエッチング装置を使用するものであって，前記処理チャンバーには，高周波電源及び同調機に接続されプラズマを発生する一対の高周波電極が上下方向に対峙して配設されており，片方の高周波電極が，保持された半導体ウェーハを保持する保持部を兼ねた構成となっており， 
　前記搬出入チャンバー内に位置付けられた保持部に半導体ウェーハが，表面を上にして載置され，第一のゲートを閉じ，搬出入チャンバー内が真空にされ，次に，第二のゲートを開いて保持部が処理チャンバー内に移動することにより，半導体ウェーハが処理チャンバー内に収容されるものであり， 
　このようにしてドライエッチングが行われると，半導体ウェーハの表面のうち，ストリートの上部に被覆されていたマスキング部材は，マスキング部材除去工程において除去されているが，その他の部分はマスキング部材で覆われているため，ストリートのみがエッチング処理により浸食され，個々の半導体チップに分割される半導体ウェーハの分割方法。」 
２　引用文献２の記載
（１）引用文献２には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】 
【発明の属する技術分野】本発明は
プラズマ処理装置のコイル配置構造
プラズマを利用して薄膜形成あるいはエッチングを行うプラズマ処理装置に用いられ，プラズマ処理装置の基板処理能力の高めることができるコイル配置構造に関する
【０００２】 
【従来の技術】半導体装置の製造では，薄膜形成やエッチングの処理にプラズマを利用する目的で，プラズマ処理装置が用いられている。プラズマ処理装置で，
プラズマを発生させる機構としては，近年，高いプラズマ密度を達成できる誘導結合型プラズマ発生機構が使用されている。誘導結合型プラズマ発生機構では，処理チャンバ内に電力を与える手段としてコイルが使用される
【０００３】図５を参照して従来の誘導結合型プラズマ処理装置の一例を説明する。図示例は，処理対象である基板５１が搬送機構５２によって処理チャンバ５３の内部に搬入されつつある状態を示す。通常の基板処理のとき，処理チャンバ５３は密閉されている。このとき，搬送機構５２を搬入または搬出するための口部５４はバルブ（図示せず）によって閉じられた状態にある。処理チャンバ５３内の下側には，基板を載置する基板保持体５５が配置される。
搬送機構５２で処理チャンバ５３内へ搬入された基板５１は，最初，基板保持体５５の上方で，基板保持体５５から突き出たリフトピン５６によって支えられる
【０００４】
その後，搬送機構５２は図中左側に退く。次に，リフトピン５６に支えられた基板５１は，リフトピン５６が下方へ移動し基板保持体５５内に収容されることによって，基板保持体５５はリフトピン５６を上下動させるための駆動機構５７を備えている
【０００５】処理チャンバ５３はその上壁５３ａの側に反応ガス供給機構（図示せず）を備える。反応ガス供給機構の供給管５８が上壁５３ａに接続されている。反応ガス供給機構によって処理チャンバ５３の内部に反応ガスが供給される。また基板処理時に処理チャンバ５３の内部は所定レベルの真空状態に保持されている。処理チャンバ５３の内部は排気口５９を介して排気機構（図示せず）によって減圧される。 
【０００６】上記の構成によれば，処理チャンバ５３内に搬送機構５２によって基板５１が搬入され，処理チャンバ５３が密閉され，排気機構によって処理チャンバ５３内が所定レベルに減圧され，反応ガス供給機構によって処理チャンバ５３内に必要な反応ガスが導入される。 
【０００７】処理チャンバ５３に対しては，その側壁５３ｂの周囲に一巻きのコイル６０が巻かれている。コイル６０は，処理チャンバ５３内にプラズマを生成するための電力を供給するアンテナとして機能する。コイル６０はプラズマ生成用の電力供給機構６１に接続されている。コイル６０から供給される電力（電場）は，基板５１の上方空間に導入された反応ガスを活性化し，プラズマを生成する。処理チャンバ５３の側壁５３ｂは，コイル６０から内部空間への給電が効果的に行われる誘電体等の材料で形成される。さらに，基板保持体５５は，バイアス印加用の電力供給機構６２に接続されている。基板保持体５５に対してバイアスを与えることによって基板５１へのプラズマ処理の効果を高める。」
  
（２）したがって，上記記載から，引用文献２には，次の技術的事項が記載されていると認められる。 
・プラズマを利用して薄膜形成あるいはエッチングを行うプラズマ処理装置に用いられるプラズマ処理装置において，プラズマを発生させる機構としては，近年，高いプラズマ密度を達成できる誘導結合型プラズマ発生機構が使用されており，誘導結合型プラズマ発生機構では，処理チャンバ内に電力を与える手段としてコイルが使用されること，及び，前記処理チャンバに対しては，その側壁の周囲に一巻きのコイルが巻かれており，コイルは，処理チャンバ内にプラズマを生成するための電力を供給するアンテナとして機能し，コイルはプラズマ生成用の電力供給機構に接続されており，コイルから供給される電力（電場）は，基板の上方空間に導入された反応ガスを活性化し，プラズマを生成すること。
  
・プラズマを利用して薄膜形成あるいはエッチングを行うプラズマ処理装置に用いられるプラズマ処理装置において，搬送機構で処理チャンバ内へ搬入された基板は，最初，基板保持体の上方で，基板保持体から突き出たリフトピンによって支えられ，その後，搬送機構は側方に退き，次に，リフトピンに支えられた基板は，リフトピンが下方へ移動し基板保持体内に収容されることによって，基板保持体に載置されること，及び，基板保持体はリフトピンを上下動させるための駆動機構を備えていること。 
  
３　引用文献３の記載
（１）引用文献３には，図面とともに，以下の記載がある。 
「【０００１】 
【発明の属する技術分野】
本発明は
特に，プラズマにより被処理体をエッチングするプラズマエッチング装置として構成する場合に好適な装置構成に関する
  
「【００１６】本発明において，前記処理チャンバは，前記サセプタを収容する処理部と，プラズマを形成可能なプラズマ形成部とを有し，前記
プラズマ形成部は絶縁体壁により画成され，前記絶縁体壁の外側に配置され前記絶縁体壁の内側に誘導電磁界を形成する誘導電磁界形成手段とを有することが好ましい
これによれば，プラズマ密度が高いために処理効率が良好で，バイアス電圧が低く被処理体へのダメージが少ない誘導結合プラズマによる処理が可能になる
  
「【００２９】処理チャンバ１２０の外側には，電動モータや流体圧シリンダ等で構成される駆動源１３１が配置され，この駆動源１３１が駆動部材１３２を介して複数の支持ピン１３３を昇降動作させる用に構成されている。
支持ピン１３３が上昇すると，被処理体Ｗはサセプタ１２０の支持表面から離間し，上方に持ち上げられる。これらの支持ピン１３３は，サセプタ１２０に対して被処理体Ｗを供給する場合，及び，サセプタ１２０から被処理体Ｗを取り外す場合に，被処理体Ｗを上昇させる
  
（２）したがって，上記記載から，引用文献３には，次の技術的事項が記載されていると認められる。 
・プラズマにより被処理体をエッチングするプラズマエッチング装置において，絶縁体壁により画成され，前記絶縁体壁の外側に配置され前記絶縁体壁の内側に誘導電磁界を形成する誘導電磁界形成手段であるプラズマ形成部を有することは，プラズマ密度が高いために処理効率が良好で，バイアス電圧が低く被処理体へのダメージが少ない誘導結合プラズマによる処理が可能になることから好ましいこと。 
  
・プラズマにより被処理体をエッチングするプラズマエッチング装置において，サセプタに対して被処理体を供給する場合，及び，サセプタから被処理体を取り外す場合に，被処理体を上昇させる支持ピンを用いること。 
  
４　引用文献４の記載
（１）引用文献４には，図面とともに，以下の記載がある。 
「【００３５】 
　同図においてサポートプレート１の下部に位置する
ウエハ５の下面には，ダイシングフレーム１４が貼り合わされている
このダイシングフレーム１４は，ウエハ５に当接するダイシングテープ１４ａと，このダイシングテープ１４ａの周縁に位置し，ダイシングフレーム１４の載置時或いは移動時に保持される保持部１４ｂとから構成されている
【００３６】 
　図８Ａ及び図８Ｂは，上記サポートプレートと上記ウエハとの剥離工程を示す概略説明図である。 
【００３７】 
　まず，図７に示す状態のサポートプレート１，ウエハ５及びダイシングテープ１４を，吸着プレート１５上で吸着する。この吸着された状態において，
ダイシングフレーム１４の保持部１４ｂは，上下動可能なリフトピン１６上に設けられたフレームガイド１６ａに保持されている
リフトピン１６は，吸着プレート１５と共にベース部１７に配設されている
  
（２）したがって，上記記載から，引用文献４には，次の技術的事項が記載されていると認められる。 
 ・ウエハの下面には，ダイシングフレームが貼り合わされており，このダイシングフレームは，ウエハに当接するダイシングテープと，このダイシングテープの周縁に位置し，ダイシングフレームの載置時或いは移動時に保持される保持部とから構成されている場合において，前記ダイシングフレームの保持部は，上下動可能なリフトピン上に設けられたフレームガイドに保持されており，リフトピンは，吸着プレートと共にベース部に配設されていること。
  
５　引用文献５の記載
（１）引用文献５には，図面とともに，以下の記載がある。 
「【０００４】また，このような位置決めステージを排除するために，搬送ロボットの基板保持アームにウエハを把持するグリップ機構を設けたり，
基板保持アーム上にウエハを位置決めするためのガイド部材が設けられる場合がある
  
（２）したがって，上記記載から，引用文献５には，次の技術的事項が記載されていると認められる。 
・基板保持アーム上にウエハを位置決めするためのガイド部材が設けられる場合があること。
 
第５　対比 
　本願発明と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
１　引用発明の「搬出入チャンバーと，ドライエッチングを行う処理チャンバーとエッチングガスを処理チャンバー内に供給するガス供給部とを含むドライエッチング装置」であって，「前記処理チャンバーには，高周波電源及び同調機に接続されプラズマを発生する一対の高周波電極が上下方向に対峙して配設されており，片方の高周波電極が，保持された半導体ウェーハを保持する保持部を兼ねた構成となって」いる「ドライエッチング装置を使用」した「ストリートのみがエッチング処理により浸食され，個々の半導体チップに分割される半導体ウェーハの分割方法」は，本願発明の「基板をプラズマ・ダイシングする方法」に相当する。
  
２　引用発明の「ドライエッチングを行う処理チャンバー」が，「壁」を有することは自明である。
  
３　引用発明の「前記マスキング部材は，回路面の一面にマスキングされ，その後，マスキング部材除去工程において，マスキング工程で被覆したマスキング部材のうち，半導体ウェーハの回路面に形成されたストリートの上部を被覆している部分のみを除去したものであり」「ストリートのみがエッチング処理により浸食され，個々の半導体チップに分割」される工程は，本願発明の「上面と底面を有する前記基板を供給するステップであって，前記上面は複数のデバイス構造とストリート領域を有して」おり，「基板の前記上面の保護されていない前記ストリート領域をエッチングする」に相当する。
  
４　引用発明の「半導体ウェーハ」，「テープ」及び「リング状のフレーム」は，それぞれ本願発明の「基板」，「支持フィルム」及び「フレーム」に相当する。したがって，引用発明の「リング状のフレームの開口部を塞ぐように裏側から貼着されたテープの粘着面に半導体ウェーハの裏面が貼着されることによりテープを介してフレームと一体となった半導体ウェーハ」は，本願発明の「加工物」に相当する。
  
５　引用発明の「前記搬出入チャンバー内に位置付けられた保持部に半導体ウェーハが，表面を上にして載置され，第一のゲートを閉じ，搬出入チャンバー内が真空にされ，次に，第二のゲートを開いて保持部が処理チャンバー内に移動することにより，半導体ウェーハが処理チャンバー内に収容されるものであり」は，本願発明の「加工物の前記処理チャンバ内への移動が真空中で行われる」を満たす。
　そうすると，引用文献１には，以下の範囲で，本願発明と，一致及び相違する発明が記載されている。
  
＜一致点＞ 
「基板をプラズマ・ダイシングする方法であって， 
　壁を有する処理チャンバを供給するステップと， 
　前記処理チャンバ内に加工物支持部を供給するステップと， 
　上面と底面を有する前記基板を供給するステップであって，前記上面は複数のデバイス構造とストリート領域を有しているステップと， 
　加工物を形成するために前記基板の前記底面をフレーム上の支持フィルム上に配置するステップと， 
　前記加工物の前記処理チャンバ内への移動が真空中で行われる前記ステップと， 
　プラズマ源によってプラズマを生成するステップと， 
　前記生成されたプラズマによって，前記処理チャンバ内にある前記加工物の前記基板の前記上面の保護されていない前記ストリート領域をエッチングするステップと 
を含む方法。」 
＜相違点＞ 
・相違点１：本願発明の処理チャンバが，「前記処理チャンバの前記壁に隣接してプラズマ源を供給する」ものであるのに対して，引用発明の「ドライエッチングを行う処理チャンバー」が，「処理チャンバーには，高周波電源及び同調機に接続されプラズマを発生する一対の高周波電極が上下方向に対峙して配設されており，片方の高周波電極が，保持された半導体ウェーハを保持する保持部を兼ねた構成」を有するものである点。 
  
・相違点２：本願発明は，「移動アームを供給するステップと」，「前記加工物支持部内にリフト機構を供給するステップと」，「前記移動アームを用いて前記加工物を前記処理チャンバ内の前記リフト機構上に移動するステップ」を含むのに対して，引用発明は，これらの特定がされていない点。 
  
第６　判断 
　上記相違点について，判断する。
１　相違点１について 
　引用文献２に記載された「プラズマを利用して薄膜形成あるいはエッチングを行うプラズマ処理装置に用いられるプラズマ処理装置において，プラズマを発生させる機構としては，近年，高いプラズマ密度を達成できる誘導結合型プラズマ発生機構が使用されており，誘導結合型プラズマ発生機構では，処理チャンバ内に電力を与える手段としてコイルが使用されること，及び，前記処理チャンバに対しては，その側壁の周囲に一巻きのコイルが巻かれており，コイルは，処理チャンバ内にプラズマを生成するための電力を供給するアンテナとして機能し，コイルはプラズマ生成用の電力供給機構に接続されており，コイルから供給される電力（電場）は，基板の上方空間に導入された反応ガスを活性化し，プラズマを生成すること」（上記第４の２（２））との技術的事項，及び，引用文献３に記載された「プラズマにより被処理体をエッチングするプラズマエッチング装置において，絶縁体壁により画成され，前記絶縁体壁の外側に配置され前記絶縁体壁の内側に誘導電磁界を形成する誘導電磁界形成手段であるプラズマ形成部を有することは，プラズマ密度が高いために処理効率が良好で，バイアス電圧が低く被処理体へのダメージが少ない誘導結合プラズマによる処理が可能になることから好ましいこと」（上記第４の３（２））との技術的事項に照らして，プラズマを利用してエッチングを行うプラズマ処理装置において，近年，高いプラズマ密度を達成でき，処理効率が良好で，バイアス電圧が低く被処理体へのダメージが少ない誘導結合型プラズマ発生機構が使用されていること，及び，当該誘導結合型プラズマ発生機構が，壁の外側に配置され前記壁の内側に誘導電磁界を形成する誘導電磁界形成手段であるプラズマ形成部を有することが理解される。 
　してみれば，引用発明において，プラズマを利用してエッチングを行うプラズマ処理装置における近年の技術傾向を踏まえて，高いプラズマ密度を達成でき，処理効率が良好で，バイアス電圧が低く被処理体へのダメージが少ないとされる，壁の外側に配置され前記壁の内側に誘導電磁界を形成する誘導電磁界形成手段であるプラズマ形成部を有する誘導結合型プラズマ発生機構を用いること，すなわち，相違点１について，本願発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
２　相違点２について 
　引用文献２に記載された「プラズマを利用して薄膜形成あるいはエッチングを行うプラズマ処理装置に用いられるプラズマ処理装置において，搬送機構で処理チャンバ内へ搬入された基板は，最初，基板保持体の上方で，基板保持体から突き出たリフトピンによって支えられ，その後，搬送機構は側方に退き，次に，リフトピンに支えられた基板は，リフトピンが下方へ移動し基板保持体内に収容されることによって，基板保持体に載置されること，及び，基板保持体はリフトピンを上下動させるための駆動機構５７を備えていること」（上記第４の２（２））との技術的事項，及び，引用文献３に記載された「プラズマにより被処理体をエッチングするプラズマエッチング装置において，サセプタに対して被処理体を供給する場合，及び，サセプタから被処理体を取り外す場合に，被処理体を上昇させる支持ピンを用いること」（上記第４の３（２））との技術的事項に照らして，「プラズマを利用してエッチングを行うプラズマ処理装置」において，「移動アームを供給するステップと」，「前記加工物支持部内にリフト機構を供給するステップと」，「前記移動アームを用いて前記加工物を前記処理チャンバ内の前記リフト機構上に移動するステップ」を含む方法によって被加工物を移動することは周知であったと認められる。 
　そして，「このようにしてドライエッチングが行われると，半導体ウェーハの表面のうち，ストリートの上部に被覆されていたマスキング部材は，マスキング部材除去工程において除去されているが，その他の部分はマスキング部材で覆われているため，ストリートのみがエッチング処理により浸食され，個々の半導体チップに分割される」ものである引用発明における「前記搬出入チャンバー内に位置付けられた保持部に半導体ウェーハが，表面を上にして載置され，第一のゲートを閉じ，搬出入チャンバー内が真空にされ，次に，第二のゲートを開いて保持部が処理チャンバー内に移動することにより，半導体ウェーハが処理チャンバー内に収容される」という作業と，引用文献２及び引用文献３から周知と認められる上記の方法とは，「プラズマを利用してエッチングを行うプラズマ処理装置」における，「被加工物」の「移動」に関するものであるという点で，技術分野及び作用・機能が共通するといえる。
　してみれば，被加工物の移動方法が明記されていない引用発明において，前記周知の方法を採用して，「ドライエッチングを行う処理チャンバー」への「リング状のフレームの開口部を塞ぐように裏側から貼着されたテープの粘着面に半導体ウェーハの裏面が貼着されることによりテープを介してフレームと一体となった半導体ウェーハ」の移動を，「移動アームを供給するステップと」，「前記加工物支持部内にリフト機構を供給するステップと」，「前記移動アームを用いて前記加工物を前記処理チャンバ内の前記リフト機構上に移動するステップ」を含む方法によって行うこと，すなわち，相違点２について，本願発明の構成を採用することは当業者が適宜なし得たことである。 
  
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明は，その原出願の優先日前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１−５に記載された発明に基づいて，その原出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。