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【手続補正書】
【提出日】平成22年4月27日(2010.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カテーテルアセンブリであって、
可撓性材料から作製される内側ライナと、
少なくとも１つのフラットワイヤと前記フラットワイヤが内部を移動可能な前記少なくとも一つのフラットワイヤの各々に対応するルーメンとを備える操縦機構を有する外層と、
を備え、
前記少なくとも一つのフラットワイヤの少なくとも一部が前記カテーテルアセンブリを加熱することによって前記カテーテルアセンブリのラミネーションにより前記外層に組み込まれる、アセンブリ。
【請求項２】
さらに、前記外層を取り囲むヒートシュリンク材料層を備え、
前記内側ライナは中央ルーメンを含み、前記カテーテルは実質的に円形の断面を有している、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
さらに、前記少なくとも一つのフラットワイヤが固定された少なくとも一つのプルリングを備え、
前記カテーテルアセンブリは前記少なくとも一つのフラットワイヤの制御により操縦される、請求項１又は２に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記外層は、溶融加工ポリマを含み、
前記操縦機構は、前記少なくとも一つのフラットワイヤが固定されたプルリングを備え、
前記プルリングは、少なくとも二つのフローホールを備え、前記外層は、前記溶融加工ポリマが前記少なくとも二つのフローホールを充填するように前記プルリングに結合されている、請求項３に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記操縦機構は、少なくとも二つのフラットワイヤと、前記少なくとも二つのフラットワイヤが移動可能な少なくとも二つの対応する成形管とを備え、
前記少なくとも二つのフラットワイヤは前記少なくとも一つのプルリングに固定され、
前記少なくとも二つの成形管は対応するフラットプルワイヤの断面とは異なる形状の断面を有する、請求項３に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記操縦機構は、少なくとも二つのフラットワイヤと前記少なくとも二つのフラットワイヤがその内部を移動可能な対応するルーメンとを備える、請求項１〜５のいずれかに記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記少なくとも二つのフラットワイヤはそれぞれ矩形断面を有し、前記少なくとも二つのルーメンはそれぞれ長円形、円形及び楕円形からなる群から選択されるいずれか断面を有している、請求項６に記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記少なくとも二つのフラットワイヤは、第１の方向がＸ、第１の方向に実質的に垂直である第２の方向が３Ｘである断面を有する、請求項６又は７に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記少なくとも二つのフラットワイヤは、前記フラットワイヤが対応する前記ルーメンで摺動可能に、潤滑性物質がコートされている、請求項６〜８のいずれかに記載のアセンブリ。
【請求項１０】
前記少なくとも二つのフラットワイヤは、前記フラットワイヤと対応する前記ルーメンとの間の摩擦を低減できるように平滑面を備える、請求項６〜９のいずれかに記載のアセンブリ。
【請求項１１】
前記操縦機構は、前記少なくとも二つのフラットワイヤが固定された一つのプルリングを備える、請求項５に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
前記一つのプルリングは、前記少なくとも二つのフラットワイヤのそれぞれに対応するスロットを備える直円筒である、請求項１１に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
前記外層は、溶融加工ポリマを含み、
前記操縦機構は、前記少なくとも一つのフラットワイヤが固定されたプルリングを備え、
前記プルリングは、少なくとも二つのフローホールを備え、前記外層は、前記溶融加工ポリマが前記少なくとも二つのフローホールを充填するように前記プルリングに結合されている、請求項１２に記載のアセンブリ。
【請求項１４】
前記外層は、溶融加工ポリマが用いられている、請求項１〜１３のいずれかに記載のアセンブリ。
【請求項１５】
前記外層は、さらに、編組ワイヤアセンブリを備えている、請求項１〜１４のいずれかに記載のアセンブリ。
【請求項１６】
前記編組ワイヤアセンブリは、前記カテーテルアセンブリの基部から前記カテーテルアセンブリの遠位端に延在し、
前記編組ワイヤアセンブリは、前記基部における第１の編組密度から前記遠位端におけるより低い編組密度へと変化する編組密度によって特徴付けられる、請求項１５に記載のアセンブリ。
【請求項１７】
カテーテルの製造方法であって、
マンドレルを提供するステップと、
前記マンドレルにわたってライナ材料を配置して内側ライナを形成するステップと、
少なくとも１つのフラット状ワイヤを提供するステップと、
前記少なくとも１つのフラット状ワイヤの各々に可撓性ライナを配置して少なくとも１つのフラットルーメンを形成するステップと、
前記内側ライナおよび前記少なくとも１つのフラットルーメンの上に編組ワイヤアセンブリを配置するステップと、
前記編組ワイヤアセンブリを、溶融加工ポリマで覆うステップと、
前記溶融加工ポリマに、ポリマの温度をその融点を越えるまで上昇させるために十分な熱を加えるステップと、
前記アセンブリを冷却するステップと、
前記マンドレルを取り除くことにより、カテーテルを形成するステップと、
を備える、方法。
【請求項１８】
さらに、
シュリンクラップ管材で前記溶融加工ポリマを覆うステップと、
溶融プロセス後に前記シュリンクラップ管材を除去するステップと、
を備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
さらに、
前記編組ワイヤアセンブリを一つ又は二以上の可撓性層で覆うステップと、
シュリンクラップ管材で前記溶融加工ポリマを覆うステップと、
を備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記溶融加工ポリマは、ナイロン（登録商標）及びパベックス（登録商標）からなる群から選択される、請求項１７〜１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
さらに、
前記少なくとも一つのフラットルーメンと前記内側ライナとにわたって可撓性管を配置するステップ、
を備える、請求項１７〜２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
前記少なくとも一つのフラット状ワイヤを供給するステップは、断面が矩形の少なくとも一つのフラットワイヤを供給するステップであり、
前記可撓性ライナを前記少なくとも一つのフラット状ワイヤのそれぞれに可撓性ライナを配置するステップは、前記少なくとも一つのフラット状ワイヤの成形された可撓性管を配置するステップであって、
前記成形された可撓性管は、長円形、円形及び楕円形からなる群から選択される断面を有する、請求項１７〜２１のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月26日(2009.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリセルを含む多値フラッシュメモリ素子を管理する方法であって、
データ値を表す電圧レベルまで電荷を格納する第１のメモリセルから電圧レベルを検出し、
前記第１のメモリセルに対応する解像度レジスタエントリに少なくとも部分的に基づいて、前記電圧レベルにより表される前記データ値を判定し、
前記複数のメモリセルのうちの少なくとも１つに対応する解像度レジスタエントリに少なくとも部分的に基づいて決定される、前記データ値を表す目標電圧になるまで、前記複数のメモリセルのうちの前記少なくとも１つに電荷を印加することを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記複数のメモリセルのうちの前記少なくとも１つは前記第１のメモリセルであり、前記第１のメモリセルに電荷を印加する動作は、前記第１のメモリセルにおける電圧低下を調整するために前記第１のメモリセルに追加の電荷を印加することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のメモリセルに対応する前記解像度レジスタエントリは、第１の可能なデータ値の数に対応する第１の解像度を示し、
前記方法は、
第２の可能なデータ値の数に対応する第２の解像度で書き込むために信号を受信し、
前記複数のメモリセルのうちの前記少なくとも１つに対応する解像度レジスタエントリを前記第２の解像度に更新することを更に含み、前記目標電圧は前記第２の解像度に基づくことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の可能なデータ値の数は前記第２の可能なデータ値の数より多く、前記複数のメモリセルのうちの前記少なくとも１つは前記複数のメモリセルから選択された２つ以上のメモリセルを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の可能なデータ値の数は前記第２の可能なデータ値の数と等しく、前記複数のメモリセルのうち前記少なくとも１つは前記第１のメモリセルとは異なるメモリセルを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の可能なデータ値の数は、前記第１の可能なデータ値の数を上回ることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のメモリセルに対応する前記解像度レジスタエントリは、第１の可能なデータ値の数に対応する第１の解像度を示し、
前記方法は、
第２の可能なデータ値の数に対応する第２の解像度を示すように前記第１のメモリセルに関連付けれられる前記解像度レジスタエントリを更新し、ここで、前記第１の可能なデータ値の数は前記第２の可能なデータ値の数よりも大きく、
第２のデータ値を前記第２の解像度で前記第１のメモリセルに書き込むことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のメモリセルと関連付けられる前記解像度レジスタエントリの更新及び前記第２の解像度での前記第１のメモリセルへの書き込みは、前記第１のメモリセルを含むメモリセルのページと関連付けられる誤り条件によりトリガされることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
保守動作を開始するためにホストデバイスから信号を受信することを更に含み、前記データ値を表す目標電圧になるまで前記複数のメモリセルのうち少なくとも１つに電荷を印加することは前記ホストデバイスからの前記信号に応答して実行されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ホストデバイスからの前記信号は電源条件を示すことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ホストデバイスからの前記信号は、スケジュールされた保守動作を示すことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
保守動作を開始するためにフラッシュメモリプロセッサから信号を受信することを更に含み、前記データ値を表す目標電圧になるまで前記複数のメモリセルのうち少なくとも１つに電荷を印加することは前記フラッシュメモリプロセッサからの前記信号に応答して実行されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記フラッシュメモリプロセッサからの前記信号は、前記フラッシュメモリプロセッサが保守動作を実行するのに十分な帯域幅を有することを示すことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
データを格納するためのシステムであって、
各々が指定されたビット数を有するデータ値に対応する電圧レベルになるまで書き込み動作中に電荷を受け取るように構成された複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルと関連付けられ、各々が１つ以上の対応するメモリセルに格納されるビット数を示す複数のエントリを含む解像度レジスタと、
ホストデバイスに対する電源条件を示す信号を前記ホストデバイスから受信するように構成されるホストインタフェースと、
前記複数のメモリセルにデータ値を書き換え、所定の電源条件を示す信号に応答して、第１のビット数から第２のビット数を示すように前記解像度レジスタを調整するように構成されるプロセッサとを備えることを特徴とするシステム。
【請求項１５】
データにアクセスするために前記ホストデバイスから受信される論理アドレスを物理アドレスに変換するための論理アドレス指定ソフトウェアコードを更に備えることを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリの動作方法であって、前記メモリはアドレス・デコード回路（１１６）、ワード線ドライバ回路（１１８）、およびビットセルアレイ（１２０）を備え、
前記アドレス・デコード回路（１１６）は第１電圧において動作可能であり、
前記ワード線ドライバ回路（１１８）と前記ビットセルアレイ（１２０）は、それぞれ第２電圧において動作可能であり、
前記動作方法は、
アクティブ・モードにおいて、前記第１電圧を前記アドレス・デコード回路（１１６）に与え、且つ前記第２電圧を前記ワード線ドライバ回路（１１８）と前記ビットセルアレイ（１２０）に与えることと；
低電力モードにおいて、前記第１電圧未満の第３電圧を前記アドレス・デコード回路（１１６）に与え、前記第２電圧以下の第４電圧を前記ビットセルアレイ（１２０）に与えることと
を含み、
前記アドレス・デコード回路（１１６）は、前記第３電圧において実質的に動作不可能であり、
前記ビットセルアレイ（１２０）は、記憶したデータを前記第４電圧において保持するように動作可能であることを特徴とする、動作方法。
【請求項２】
前記第３電圧はゼロである、請求項１記載の動作方法。
【請求項３】
前記第４電圧は前記第２電圧に等しい、請求項１記載の動作方法。
【請求項４】
前記第２電圧を前記ワード線ドライバ回路（１１８）に与えることは、
前記第２電圧を、複数の出力を有する前記ワード線ドライバ回路（１１８）に与えることであり、それぞれ前記出力は、前記ビットセルアレイ（１２０）の対応するワード線に接続され、
前記動作方法は更に、
前記出力を、前記第１電圧から前記第２電圧に電圧レベルシフトすることと
を含む、請求項１記載の動作方法。
【請求項５】
前記アドレス・デコード回路（１１６）は、複数の第１厚さトランジスタを備え、
前記第１厚さトランジスタは、第１ゲート酸化物厚さを有し、
前記ワード線ドライバ回路（１１８）と前記ビットセルアレイ（１２０）は、複数の第２厚さトランジスタを備え、
前記第２厚さトランジスタは、前記第１ゲート酸化物厚さよりも大きな第２ゲート酸化物厚さを有する、請求項１記載の動作方法。
【請求項６】
前記第２電圧を、前記ワード線ドライバ回路（１１８）と前記ビットセルアレイ（１２０）に与えることは、前記第２電圧を、前記ワード線ドライバ回路（１１８）の電圧レベルシフタに与えることを含み、
前記電圧レベルシフタは、第１トランジスタ（３０２）、第２トランジスタ（３０４）、第３トランジスタ（３０６）、および第４トランジスタ（３０８）を有し、
前記第１トランジスタ（３０２）は、第１プレデコード値の対応するビット値を受信するように接続されるゲート電極と；第２プレデコード値の対応するビット値を受信するように接続される第１電流電極と；前記電圧レベルシフタの第１ノード（３１０）に接続される第２電流電極とを有し、
前記第２トランジスタ（３０４）は、第２電圧を受信するゲート電極と；接地電圧基準を受信するように接続される第１電流電極と；前記第１ノード（３１０）に接続される第２電流電極とを有し、
前記第３トランジスタ（３０６）は、前記第１ノード（３１０）に接続されるゲート電極と；前記第２電圧を受信する第１電流電極と；前記電圧レベルシフタの第２ノード（３１２）に接続される第２電流電極とを有し、
前記第４トランジスタ（３０８）は、前記第１ノード（３１０）に接続されるゲート電極と；前記第２ノード（３１２）に接続される第１電流電極と；前記第２電圧を受信する第２電流電極とを有し、前記第２ノード（３１２）は、前記ビットセルアレイ（１２０）の対応するワード線に接続され、
前記第１トランジスタ（３０２）、前記第２トランジスタ（３０４）、前記第３トランジスタ（３０６）、および前記第４トランジスタ（３０８）は、それぞれ前記第２ゲート酸化物厚さを有する、請求項５記載の動作方法。
【請求項７】
前記第４電圧は、前記第５電圧に等しい、請求項１記載の動作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月13日(2010.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一フォーマットによるコアパラメータおよびストラテジパラメータを有する証券売買注文を受信するステップと、
前記注文をフォームに変換するステップと、
前記コアパラメータを処理するステップと、
前記変換された注文を前記注文管理システムに送信するステップと、
を具備し、
前記コアパラメータおよび前記ストラテジパラメータは、パラメータの異なるグループに分けられることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第一フォーマットは、ＸＭＬであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記変換するステップは、前記注文を注文管理システムと互換性のある第二フォーマットへ変換するステップをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第二フォーマットは、FIXであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
コンピュータ読み取り可能な媒体に保持されたプログラムであって、
前記プログラムは、コンピュータに、
第一フォーマットによるコアパラメータおよびストラテジパラメータを有する証券売買注文を示す情報を受信する機能と、
前記証券売買注文を示す情報をフォームへ変換する機能と、
前記コアパラメータを処理する機能と、
前記変換された証券売買注文を示す情報を前記注文管理システムへ送信するための機能と、
を実現させ、
前記コアパラメータおよび前記ストラテジパラメータは、パラメータの異なるグループに分けられることを特徴とするプログラム。
【請求項６】
前記第一フォーマットは、ＸＭＬであることを特徴とする請求項５に記載のプログラム。
【請求項７】
前記変換する機能は、前記証券売買注文を示す情報を前記注文管理システムと互換性のある第二フォーマットへ変換するための機能をさらに具備することを特徴とする請求項５に記載のプログラム。
【請求項８】
前記第二フォーマットは、ＦＩＸであることを特徴とする請求項７に記載のプログラム。
【請求項９】
コンピュータシステムは、
第一フォーマットによるコアパラメータおよびストラテジパラメータを有する証券売買注文を受信可能な注文コンポーネントと、
前記注文をフォームに変換可能な変換コンポーネントと、 
前記コアパラメータを処理可能な処理コンポーネントと、
前記変換された注文を前記注文管理システムへ送信可能な送信コンポーネントと、
を具備し、
前記コアパラメータおよび前記ストラテジパラメータは、パラメータの異なるグループに分けられることを特徴とするコンピュータシステム。
【請求項１０】
前記第一フォーマットは、ＸＭＬであることを特徴とする、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記変換コンポーネントは、前記注文を前記注文管理システムと互換性のある第二フォーマットへさらに変換可能であることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第二フォーマットは、ＦＩＸであることを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
ストラテジXMLフィールドをFIXプロトコルへマッピングするための一つまたは複数の注文ハンドラをさらに具備することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】
前記注文コンポーネントは、ウェブサーバを具備することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１５】
前記注文コンポーネントは、コンピュータネットワークと通信するワークステーションを具備することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月19日(2010.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータシステムで実行される、要求データセットを提供する方法であって、
第１の複数のデータセットを要求する第１の複数の照会言語ステートメントを受信することと、
前記第１の複数の照会言語ステートメントに基づいて、データセット間の第１の複数の代数的関係を組み立てることと、
前記第１の複数の代数的関係を関係ストアに記憶することと、
前記第１の複数のデータセットのそれぞれと異なるデータセットを要求する後続の照会言語ステートメントを受信することと、
前記第１の複数の照会言語ステートメントから組み立てられる前記第１の複数の代数的関係の少なくとも一部に基づいて、前記要求データセットを提供することと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１の複数の照会言語ステートメントのそれぞれは、少なくとも１つの明示的なデータセットを指定し、前記方法は、
前記第１の複数のデータセットに関する情報を記憶するデータセット情報ストアを提供することと、
前記第１の複数の照会言語ステートメントにおいて指定される前記明示的なデータセットにデータセット識別子を関連付けることと、
前記明示的なデータセットの前記データセット識別子を前記データセット情報ストアに記憶することと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記データセットのうちの少なくともいくつかを記憶するデータストアを提供することをさらに含み、前記第１の複数の照会言語ステートメントは、前記後続の照会言語ステートメントの受信時に前記データストアに記憶されていなかった少なくとも１つのデータセットを指定する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記後続の照会言語ステートメントの受信時に前記データストアに記憶されていなかった少なくとも１つのデータセットを使用して、前記要求データセットを計算する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の複数の代数的関係における前記代数的関係のそれぞれは、単一の演算子及び１〜３の範囲内のいくつかのオペランドを有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の複数の代数的関係における前記代数的関係のそれぞれは、
少なくとも第１のデータセットの抽象的な表現を含む第１の表現と、
少なくとも第２のデータセットの抽象的な表現を含む第２の表現と、
前記第１の表現と前記第２の表現との間の数学的関係を抽象的に定義する関係演算子と、を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の複数の照会言語ステートメントのうちの少なくとも１つは関係データモデルに基づき、前記第１の複数の照会言語ステートメントのうちの少なくとも１つはマークアップ言語モデルに基づく、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記要求データセットを要求する前記照会言語ステートメントに基づいて、複数の追加の代数的関係を組み立てることと、
前記追加の代数的関係のうちの少なくともいくつかを使用して、前記要求データセットを提供することと、
をさらに含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記関係ストアからの前記第１の複数の代数的関係のうちの少なくともいくつかを使用して、前記要求データセットに等しい結果を定義する代数的関係の複数の集まりを組み立てることと、
最適化基準を適用して、前記代数的関係の集まりのうちの１つを選択することと、
前記選択された代数的関係の集まりを使用して、前記要求データセットを計算することと、
を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記最適化基準は、少なくとも一部が、前記代数的関係の各集まりを計算するために必要なデータセットを記憶装置から検索するために要する時間の推定に基づく、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記最適化基準は、少なくとも一部が、前記代数的関係の各集まりを計算するために必要なデータセットを記憶装置から検索するためのコストに基づき、
個々の前記データセットが代数的関係の集まり内で２回以上参照される場合、前記最適化基準は、記憶装置から個々のデータセットを１回のみ検索するためのコストを割り振る、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数の代数的関係の集まりを組み立てることは、物理フォーマットが異なるが論理的に同じデータを含む等価のデータセットを区別する代数的関係の集まりを生成することを含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
異なる物理フォーマットのデータセットに対して作用する少なくとも２つの代数的に等価の関数を含む、複数の関数を提供することと、
前記等価なデータセットのうちの選択されたデータセットの前記フォーマットに基づいて、前記代数的に等価の関数のうちの１つを選択することと、
前記代数的に等価の関数のうちの選択された関数を含む前記関数のうちの少なくともいくつかを使用して、前記要求データセットを実現化することと、
をさらに含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の代数的関係の集まりを組み立てることは、前記第１の複数の代数的関係のうちの少なくともいくつかを使用して、前記要求データセットを要求する前記後続の照会言語ステートメントを受信する時までは利用可能でなかった新しい代数的関係を生成することをさらに含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の代数的関係の集まりは、代数的に互いに等価ではないが、両方とも前記要求データセットに等しい結果を提供する少なくとも２つの代数的関係の集まりをさらに含む、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月7日(2010.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電スペース内の蒸発した液体材料によって形成されるガス状媒体内で、ＥＵＶ放射線および／または軟Ｘ線を放出する放電プラズマが発生され、前記放電スペースが、２つの電極の間に配置され、前記液体材料が、前記放電スペースの表面に供給されエネルギービームによって少なくとも一部が蒸発されるようになっている、ＥＵＶランプおよび／または軟Ｘ線ランプの変換効率を高める方法において、
前記液体材料の化学元素よりも質量数が小さい化学元素から構成されたガスを、指向された状態で前記放電スペースへ、および／または前記放電スペースへの供給路上の前記液体材料へ、少なくとも１つのノズルを介して局所的に供給し、前記放電スペース内の前記蒸発した液体材料の密度を低下させることを特徴とする、ＥＵＶランプおよび／または軟Ｘ線ランプの変換効率を高める方法。
【請求項２】
前記エネルギービームは、レーザービームであり、前記液体材料は、前記レーザービームの少なくとも１つのレーザーパルスによって蒸発されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記液体材料は、溶融金属、特に溶融錫であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ガスは、酸素であることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの回転ホイールにより、前記放電スペースに前記液体材料が供給され、前記液体材料によって被覆された前記ホイールの表面に、指向された状態で前記ガスを供給するように前記少なくとも１つのノズルが配置されていることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも２つの電極の間に配置された放電スペース内のガス状媒体内でプラズマを発生できるように、互いに所定の距離に配置された少なくとも２つの電極と、前記放電スペースの表面に液体材料を供給するためのデバイスと、前記表面にエネルギービームを向け、前記供給された液体材料を少なくとも部分的に蒸発させ、よって前記ガス状媒体を発生するようになっているエネルギービームデバイスと、を備える、電気的に励起される放電によりＥＵＶ放射線および／または軟Ｘ線を発生するための装置において、
前記放電スペースへ、および／または前記放電スペースへの供給路上の前記液体材料へ、指向された状態で前記ガスを局所的に供給し、よって前記放電スペース内の蒸発した液体材料の密度を低下させるよう、ガスを供給するための少なくとも１つのノズルが前記装置内に配置されていることを特徴とする、ＥＵＶ放射線および／または軟Ｘ線を発生するための装置。
【請求項７】
液体材料を供給するための前記デバイスは、前記電極の表面に液体材料を供給するようになっていることを特徴とする、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記電極は、作動中回転され得る回転自在なホイールとして構成されていることを特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記電極は、回転中、前記液体材料を収容する容器内に浸漬することを特徴とする、請求項８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月26日(2010.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記導電性の第２の接点と、
前記本体に長手方向に固定且つ電気伝導するよう接続され、前記第２の接点を少なくとも部分的に囲むスイッチハウジングと、
前記スイッチハウジングから前記第２の接点を電気的に絶縁するスイッチ碍子と、
前記ハウジングに移動可能に設置され前記ピストンに長手方向に固定且つ電気伝導するよう接続されたピストン接点と、
を有するスイッチサブアッセンブリをさらに具えることを特徴とする請求項１に記載のスイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
表面の少なくとも部分的な領域上に位置する銅または銅合金からなる銅含有層を有するフェライトクロムスチールからなる燃料電池用インターコネクタであって、Ｃｒ２Ｏ３からなる追加のクロム含有酸化物層が、該銅含有層と該クロムスチールとの間の境界面に位置することを特徴とする、インターコネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記銅含有層の厚さが、前記追加のクロム含有Ｃｒ２Ｏ３酸化物層を含めて１０乃至５０μｍであることを特徴とする、請求項５に記載のインターコネクタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
該インターコネクタの表面の少なくとも部分的な領域上に銅または銅合金からなる銅含有層を形成する請求項１乃至８のいずれか一項に記載の燃料電池用のインターコネクタを製造する方法であって、該インターコネクタは、該銅含有層を形成する前に熱処理に受けるさせることを特徴とする、方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
３）スチール表面上に直接形成された酸化物層が周囲からのニッケルともはや接触していないため、ニッケルによる攻撃を受けることももはやなくなる。従来技術においては、例えばインターコネクタ上にニッケル含有電気的接触手段が設けられている場合、スチールはニッケルと直接接触する。スチールとニッケルとの間における接触点では、スチールはもはや炭素の侵入から保護されない。例えば、インターコネクタが燃料電池に用いられ、この燃料電池がメタンやメタノールなどの炭素含有燃料で作動される場合に、インターコネクタは炭素と接触する。この炭素の侵入によりスチールが不都合に増炭されてそれにより脆弱化する。本発明によれば、一方では、もはやスチール上の酸化物層が攻撃を受けることはなく、他方では、銅の炭素に対する可溶性が非常に小さいため（ｄａ  Ｋｕｐｆｅｒ  ｅｉｎｅ  ｅｘｔｒｅｍ  ｇｅｒｉｎｇｅ  Ｌｏｅｓｌｉｃｈｋｅｉｔ  ｆｕｅｒ  Ｋｏｈｌｅｎｓｔｏｆｆ  ａｕｆｗｅｉｓｔ）、スチールが銅含有層により炭素の接触から保護される。その結果、スチール中への炭素の侵入はほとんどなく、スチールの延性は維持される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
銅含有層の有意の厚さは、燃料電池の設計およびその作動温度並びに作動時間に依存する。当業者等であれば、妥当な数の実験を行うことにより該厚さを決定することができる。しかしながら、銅含有層は任意に追加のクロム含有酸化物層を含めて、好ましくは５乃至１０００μｍ、より好ましくは１０乃至５０μｍの厚さを有する。銅含有層は従来のコーティング方法を適用することにより形成することができる。例えば、スパッタリング、電気めっき、金属めっき、または真空プラズマ溶射法（ＶＰＳ）、大気プラズマ溶射法（ＡＰＳ）もしくは高速フレーム溶射法（ＨＶＯＦ）などの溶射法がこれに適している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
酸化物層３は予酸化時にすでに生じている。該酸化物層は、Ｃｒ２Ｏ３とＣｒ２ＭｎＯ４とからなる二重層である。８００℃において、この層は放物線型の時間法則に従って成長する。二回目の酸化により、この酸化物層３上への銅含有層２の形成後に、酸化物層３はさらに成長する。銅含有層２はＣｒ２Ｏ３とＣｒ２ＭｎＯ４とからなる二重層の酸化物層３の構成に影響を及ぼさない。銅含有層２は、酸素の拡散に影響を与えるため、二回目の酸化時には酸化物層３の成長速度にのみ影響を与える。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月14日(2010.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅−亜鉛−錫合金析出用金属メッキ組成であって、上記合金は任意補足的に少なくとも一つのカルコゲンを含み、上記金属メッキ組成は、少なくとも一つの銅メッキ種、少なくとも一つの亜鉛メッキ種、少なくとも一つの錫メッキ種、及び、少なくとも一つの錯化剤から成り、更に、合金が少なくとも一つのカルコゲンを含む場合には少なくとも一つのカルコゲンメッキ種を含む、金属メッキ組成において、
金属メッキ組成には、次の一般化学式Iを有する二置換ベンゼン化合物であって、
【化２１】
2009537997.tif 000001
R1及びR2は同一又は異なっており、COOH、COOCH2CH2OH、COOCH2CH3、COOCH3、NH2、CHO、又は共にCO-NH-SO2を形成する構成部分であって、上記構成部分はベンゼン環に対してオルト位に位置するように結合される構成部分と、及びその塩から成る群から独立して選択されるか、或いは上記した意味を有し且つ共通の縮合鎖を形成する、二置換ベンゼン化合物から成る群から選択された、少なくとも一つの添加剤が補足的に含まれることを特徴とする、金属メッキ組成。
【請求項２】
銅−亜鉛−錫合金がCuxZnySnzCh1aCh2b合金であって、Ch1は第一カルコゲンであり、Ch2は第二カルコゲンであり、xは１．５〜２．５、yは０．９〜１．５、zは０．５〜１．１、aは０〜４．２及びbは０〜４．２である、請求項１に記載の金属メッキ組成。
【請求項３】
銅メッキ種が、リン酸銅又はピロリン酸銅であって、亜鉛メッキ種が、リン酸亜鉛又はピロリン酸亜鉛である、請求項１又は２に記載の金属メッキ組成。
【請求項４】
錫メッキ種が、スズ酸錫である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の金属メッキ組成。
【請求項５】
少なくとも一つの錯化剤が、シュウ酸塩、クエン酸塩、及びグルコン酸の塩の化合物から成る群から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の金属メッキ組成。
【請求項６】
a＞０の場合、Ch1はSであり、且つ、少なくとも一つのカルコゲンメッキ種は硫黄メッキ種であり、上記硫黄メッキ種は、チオ硫酸塩、チオスルホン酸、ジ（チオスルホン）酸、硫化硫黄、チオ尿素及びその誘導体、有機ジスルフィド、有機ポリスルフィド、コロイド状硫黄単体、及び、コロイド状硫黄単体を生成する化合物から成る群から選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属メッキ組成。
【請求項７】
b＞０の場合、Ch2はSeであり、且つ、少なくとも一つのカルコゲンメッキ種はセレンメッキ種であり、上記セレンメッキ種は、セレン酸塩、セレノスルファイト、ジセレニド、及びポリセレニドから成る群から選択される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属メッキ組成。
【請求項８】
銅−亜鉛−錫合金析出方法であって、上記合金は任意補足的に少なくとも一つのカルコゲンを含有し、上記方法は、基板とアノードを請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属メッキ組成と接触させること、及び、上記基板とアノードとの間に電流を流すことから成る、方法。
【請求項９】
銅−亜鉛−錫合金を、硫黄メッキ種と接触させることによって硫化することを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
硫黄メッキ種が、硫黄単体及び硫黄化合物を含有する還元性ガス体から成る群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
セレン単層を上記合金上に析出させることを更に含む、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
銅−亜鉛−錫合金を、セレン化合物を含有する還元性ガス体と接触させることによってセレン化することを更に含む、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
銅、亜鉛、錫、及び任意補足的に少なくとも一つのカルコゲンを含有するサンドイッチ層を作り出す方法であって、銅単層、亜鉛単層及び錫単層を順次析出し、また少なくとも一つのカルコゲンを上記単層の少なくとも一つに、任意補足的に析出することから成る上記方法において、上記方法は、サンドイッチ層を形成するために、湿式化学的金属メッキ組成を用いて上記単層を電解析出することから成り、更に上記金属メッキ組成の少なくとも一つには、次の一般化学式Iを有する二置換ベンゼン化合物であって、
【化２２】
2009537997.tif 000002
R1及びR2は同一又は異なっており、COOH、COOCH2CH2OH、COOCH2CH3、COOCH3、NH2、CHO、又は共にCO-NH-SO2を形成する構成部分であって、上記構成部分はベンゼン環に対してオルト位に位置するように結合される構成部分と、及びその塩から成る群から独立して選択されるか、或いは上記した意味を有し且つ共通の縮合鎖を形成する、二置換ベンゼン化合物から成る群から選択された、少なくとも一つの添加剤が補足的に含まれる、方法。
【請求項１４】
上記金属メッキ組成のうちの一つが、水溶性銅塩、支持電解液、バッファ系及び錯化剤を含む銅メッキ組成であって、更に上記金属メッキ組成のうちの一つが、水溶性亜鉛塩及び支持電解液を含む亜鉛メッキ組成であって、更に上記金属メッキ組成のうちの一つが、水溶液錫塩、支持電解液及び錫（II）種用抗酸化剤を含む錫メッキ組成である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
上記単層の少なくとも一つへの少なくとも一つのカルコゲン析出が、上記単層の少なくとも一つを硫黄メッキ種で硫化すること、又は、上記銅−亜鉛−錫サンドイッチ層を、硫黄メッキ種と接触させることによって硫化すること、のいずれかを含む、請求項１３又は１４に記載の方法。
【請求項１６】
硫黄メッキ種が、硫黄単体、及び硫黄化合物を含有する還元性ガス体から成る群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
上記単層の少なくとも一つへの少なくとも一つのカルコゲン析出が、サンドイッチ層上にセレン単層を析出することを含む、請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
上記単層の少なくとも一つへの少なくとも一つのカルコゲン析出が、サンドイッチ層を、セレン化合物を含有する還元性ガス体と接触させることによって当該サンドイッチ層をセレン化することを含む、請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月11日(2010.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光デバイスを作製する方法であって、
発光ダイオードを提供する工程と、
前記発光ダイオードと接触させて多層封入材を形成する工程であって、
前記多層封入材を形成する工程は、
前記発光ダイオードとシリコーンゲル、シリコーンゴム、シリコーン流体、オルガ
ノシロキサン、ポリシロキサン、ポリイミド、ポリホスファゼン又はゾル−ゲル組
成物を含む第１の封入材とを接触させる工程と、
前記第１の封入材とケイ素含有樹脂及び白金含有触媒を含む光重合性組成物とを接
触させる工程であって、前記ケイ素含有樹脂が、ケイ素結合水素及び脂肪族不飽和
を含み、かつ、前記白金含有触媒が、Ｐｔ（ＩＩ）β−ジケトナート錯体類、（η
５−シクロペンタジエニル）トリ（σ−脂肪族）白金錯体類、及びＣ７〜２０−芳
香族置換（η５−シクロペンタジエニル）トリ（σ−脂肪族）白金錯体類から成る
群から選択される、工程と、
７００ｎｍ以下の波長を有する化学線を適用し、前記ケイ素含有樹脂内でヒドロシ
リル化を開始し、それにより第２の封入材を形成する工程と、
を含む、工程と、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１の封入材が、前記第２の封入材の屈折率より高い屈折率を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
発光デバイスを作製する方法であって、
前記方法が、
発光ダイオードを提供する工程と、
前記発光ダイオードと接触させて多層封入材を形成する工程であって、
前記多層封入材を形成する工程は、
前記発光ダイオードと、第１のケイ素含有樹脂及び第１の白金含有触媒を含む第
１の光重合性組成物とを接触させる工程であって、前記第１のケイ素含有樹脂が
、ケイ素結合水素及び脂肪族不飽和を含む、工程と、
前記第１の光重合性組成物と、第２のケイ素含有樹脂及び第２の白金含有触媒を
含む第２の光重合性組成物とを接触させる工程であって、前記第２のケイ素含有
樹脂が、ケイ素結合水素と、脂肪族不飽和とを含み、前記第１および／または第
２の白金含有触媒が、Ｐｔ（ＩＩ）β−ジケトナート錯体類、（η５−シクロペ
ンタジエニル）トリ（σ−脂肪族）白金錯体類、及びＣ７〜２０−芳香族置換（
η５−シクロペンタジエニル）トリ（σ−脂肪族）白金錯体類から成る群から選
択される、工程と、
７００ｎｍ以下の波長を有する化学線を適用し、前記第１及び第２のケイ素含有
樹脂内でヒドロシリル化を開始させ、それにより第１及び第２の封入材をそれぞ
れ形成する工程と、
を含む、工程と、
を含む方法。
【請求項４】
発光デバイスを作製する方法であって、
発光ダイオードを提供する工程と、
前記発光ダイオードと接触させて多層封入材を形成する工程であって、
前記多層封入材を形成する工程は、
前記発光ダイオードと、第１のケイ素含有樹脂及び第１の白金含有触媒を含む第
１の光重合性組成物とを接触させる工程であって、前記第１のケイ素含有樹脂が
、ケイ素結合水素と脂肪族不飽和とを含む、工程と、
前記第１の光重合性組成物と、第２のケイ素含有樹脂及び第２の白金含有触媒を
含む第２の光重合性組成物とを接触させる工程であって、前記第２のケイ素含有
樹脂が、ケイ素結合水素と脂肪族不飽和とを含む、工程と、
前記第２の光重合性組成物と、第３のケイ素含有樹脂及び第３の白金含有触媒を
含む第３の光重合性組成物とを接触させる工程であって、前記第３のケイ素含有
樹脂が、ケイ素結合水素と脂肪族不飽和とを含み、前記第１、第２および／また
は第３の白金含有触媒が、Ｐｔ（ＩＩ）β−ジケトナート錯体類、（η５−シク
ロペンタジエニル）トリ（σ−脂肪族）白金錯体類、及びＣ７〜２０−芳香族置
換（η５−シクロペンタジエニル）トリ（σ−脂肪族）白金錯体類から成る群か
ら選択される、工程と、
７００ｎｍ以下の波長を有する化学線を適用し、前記第１、第２及び第３のケイ
素含有樹脂内でヒドロシリル化を開始し、それにより第１、第２及び第３の封入
材をそれぞれ形成する工程と、
を含む、工程と、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月21日(2010.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光デバイスの製造方法であって、
前記方法は、
発光ダイオードを提供する工程と
光学要素を提供する工程と、
光学要素を発光ダイオードに光重合可能な組成物で取り付ける工程と、
前記光重合可能な組成物は、ケイ素含有樹脂及び金属含有触媒を含み、前記ケイ
素含有樹脂は、ケイ素結合水素及び脂肪族不飽和物を含む、
前記ケイ素含有樹脂内でヒドロシリル化を開始するために７００ｎｍ以下の波長を
有する化学線を適用する工程と
を含む方法。
【請求項２】
前記化学線を適用する工程が、前記光学要素を前記発光ダイオードに取り付ける前に行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記化学線を適用する工程が、前記光学要素の取り付けた後に行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記光学要素を前記発光ダイオードに取り付ける工程が、前記光学要素と発光ダイオードとを接触させる工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記光学要素を前記発光ダイオードに取り付ける工程が、前記光学要素を前記発光ダイオードの１００ｎｍ以内に置く工程を含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月31日(2010.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＶＤ反応チャンバの排出ラインにおけるポリマーの形成を防止する方法であって、
ポリマーを形成する付着物を破壊し、および／または付着物を防止して、前記排出ラインにおけるポリマー種の形成を防止するためにエネルギーを生成する低周波数ＲＦチャンバを含む下流チャンバを介して、前記ＣＶＤ反応チャンバから排出されたガスを流すステップを備える、方法。
【請求項２】
前記低周波数ＲＦチャンバが約１０００℃〜１２００℃の温度を生成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記低周波数ＲＦチャンバが約１０ＫＨｚ未満の周波数で動作し、前記低周波数ＲＦチャンバが１０トール未満の圧力でプラズマを生成する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ＨＣｌおよびＣｌ２から選択されたエッチャントを前記低周波数ＲＦチャンバに導入するステップをさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記下流チャンバがＵＶ光源を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
基板サポートと、反応チャンバにガスを導入するガス分布システムとを含むＣＶＤ反応チャンバと、
プロセスチャンバからガスを除去するための、前記反応チャンバに接続されている排出ラインと、
前記排出ラインにおけるポリマーの形成を防止するための、前記排出ラインに結合されているデバイスと、
を備える、ＣＶＤ装置。
【請求項７】
前記デバイスが、約１０００℃〜１２００℃の温度を発生させるように適合されている熱チャンバを備える、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記熱チャンバが低周波数ＲＦチャンバを備える、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記低周波数ＲＦチャンバが約１０ＫＨｚ未満の周波数で動作する、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記排出ラインと連通しているエッチャントガス注入口をさらに備える、請求項６に記載の装置。
【請求項１１】
前記デバイスが、前記排出ラインに結合されているＵＶ光源を備える、請求項６に記載の装置。
【請求項１２】
前記ＵＶ光源が１７２ｎｍの波長で動作する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記低周波数ＲＦチャンバがヘリカル共鳴コイルを備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
前記ヘリカル共鳴コイルがサセプタチューブを囲む、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記エッチャントガスがＨＣｌを備える、請求項１０に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月13日(2010.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
消費者に個人情報を提供するためのシステムであって、
エンコードされた消費者データを有する記憶媒体を含む消費者支払いデバイスと、
前記記憶媒体にエンコードされた前記消費者データを要求し且つ読み込むための消費者支払いデバイスリーダと、
前記消費者支払いデバイスリーダから送信された前記消費者データを受信し、前記消費者データを処理し、更に前記消費者支払いデバイスを用いて、消費者に提供されることになるカスタマイズされた情報を前記消費者データから作成するため、前記消費者支払いデバイスリーダに接続されたサービスプラットフォームと、
前記サービスプラットフォームから送信された前記カスタマイズされた情報を受け取り、前記カスタマイズされた情報を前記消費者に出力するため、前記サービスプラットフォームに接続された少なくとも１つの出力デバイスと、
を備えるシステム。
【請求項２】
前記消費者データが前記消費者の個人情報を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記サービスプラットフォームが、前記消費者データを処理し、かつ、前記消費者に提供されることになる前記カスタマイズされた情報を作成するためのコンピュータシステム及びソフトウェアを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記消費者支払いデバイスが非接触型デバイスであり、前記記憶媒体は更に前記消費者支払いデバイスが非接触支払い方式で処理されるためのエンコードされた命令を含み、前記消費者支払いデバイスリーダが非接触型デバイスリーダである、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記コンピュータシステム及びソフトウェアが、さらに、前記カスタマイズされた情報の少なくとも一部を前記消費者支払いデバイスリーダに送信し、前記消費者支払いデバイスリーダが、さらに、前記記憶媒体上への記憶のために、前記カスタマイズされた情報の少なくとも一部を前記消費者支払いデバイスに送信する、請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記消費者支払いデバイスリーダが前記出力デバイスに内蔵されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記出力デバイスが、前記カスタマイズされた情報を前記消費者に視覚的に表示するための少なくとも１つの表示デバイスを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記出力デバイスが、カスタマイズされた音響情報を前記消費者にブロードキャストするための少なくとも１つのスピーカを含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
個人情報を消費者に提供するための方法であって、
消費者支払いデバイスリーダが、エンコードされた消費者データを有する記憶媒体を含む消費者支払いデバイスを消費者から受信する段階と、
前記消費者支払いデバイス並びに前記消費者支払いデバイスリーダから前記消費者データを読み出す段階と、
前記消費者支払いデバイスリーダからの前記消費者データをサービスプラットフォームに送信する段階と、
前記サービスプラットフォームにおいて前記消費者データからカスタマイズされた情報を作成する段階と、
前記カスタマイズされた情報を出力デバイスに送信する段階と、
前記カスタマイズされた情報を前記出力デバイスにより前記消費者に出力する段階と、
を含む方法。
【請求項１０】
前記カスタマイズされた情報の少なくとも一部を前記サービスプラットフォームから前記消費者支払いデバイスリーダに送信し、前記記憶媒体に記憶するため、前記消費者支払いデバイスリーダから前記カスタマイズされた情報を前記消費者消費者支払いデバイスに送信する段階を更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記消費者支払いデバイスリーダが前記消費者の確認応答を前記消費者に提供する段階を更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記消費者支払いデバイスが非接触型デバイスであり、前記記憶媒体は更に前記消費者支払いデバイスが非接触支払い方式で処理されるためのエンコードされた命令を含み、前記消費者支払いデバイスリーダが非接触型デバイスリーダであり、そして、前記消費者消費者支払いデバイスを受信する段階は、前記消費者支払いデバイスが前記消費者支払いデバイスリーダに近似するエリア内に存在することを識別することを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記カスタマイズされた情報を前記消費者に出力する段階が、少なくとも１つの表示デバイス上にカスタマイズされた視覚情報を表示する段階を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記カスタマイズされた情報を前記消費者に出力する段階が、少なくとも１つの音響スピーカからカスタマイズされた音響情報をブロードキャストする段階を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記消費者データが、名前、居住国、優先使用言語、優先使用通貨、及び個人消費者購入選好の１つ又はそれ以上を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記カスタマイズされた情報が、前記消費者により行われる可能性のある購入に関する提案を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
前記消費者データが購入の記録を含み、前記カスタマイズされた情報が前記購入に関係する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】
前記カスタマイズされた情報が、前記消費者データと、前記消費者支払いデバイス以外の情報源(source)からの追加データとに基づく、請求項１に記載のシステム。
【請求項１９】
前記消費者データが購入の記録を含み、
前記サービスプラットフォームにおいて前記消費者データからカスタマイズされた情報を作成する段階が、前記カスタマイズされた情報を作成するために購入の記録を用いることを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項２０】
ソフトウェアを処理するハードウェアによって実行される複数のステップを含む方法であって、
1)非接触型消費者支払いデバイスリーダを用いて、当該非接触型消費者支払いデバイスリーダに近似するエリア内に存在する非接触型消費者支払いデバイスの記憶媒体にある消費者データを読出す段階を含み、前記記憶媒体は言語の識別子と、通貨の識別子と、前記非接触型消費者支払いデバイスが非接触支払い方式で処理されるためのエンコードされた命令とを含み、さらに、
2)前記非接触型消費者支払いデバイスリーダからの前記消費者データをサービスプラットフォームに送信する段階を含み、
3)前記サービスプラットフォームで、
i)前記非接触支払い方式により購入され得るアイテムの第１の言語による第１メニューを、当該言語の識別子に対応する言語による第２メニューに変換する段階、及び、
ii)前記第１メニュー上の各アイテムについて、第１の通貨による購入価格を、当該通貨の識別子に対応する第２の通貨に変換する段階を含み、
4)前記第２メニュー及び前記第２の通貨による各アイテムの購入価格を出力デバイスに送信する段階を含み、
5)前記第２メニュー及び前記第２の通貨による各アイテムの購入価格を、前記出力デバイスにより前記消費者に出力する段階と、
6)前記第２メニュー上のアイテムの購入が非接触支払い方式で処理される段階であって、前記非接触型消費者支払いデバイスが前記記憶媒体内のエンコードされた命令を実行する当該段階と、
を含む方法。