【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３５０８９８８号発明「位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３５０８９８８号の請求項１ないし３に係る発明についての出願は、平成１０年７月３１日に出願され、平成１６年１月９日にその発明についての特許権の設定登録がなされたものである。
　これに対して、請求人は、平成１６年１０月１５日付けで本件審判を請求し、特許第３５０８９８８号の請求項１ないし３に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきであると主張している。
　被請求人は、平成１６年１２月２２日（受入日）に訂正請求書を提出して訂正を求め、請求人は、平成１７年３月２日付けで弁駁書を提出したものである。
　
２．訂正の適否
（１）訂正の内容
　被請求人は、平成１６年１２月２１日付けで訂正請求書を提出して訂正を求めた。当該訂正請求の内容は、特許第３５０８９８８号の明細書を請求書に添付した訂正明細書のとおり、すなわち、下記のとおり訂正することを求めるものである。
　ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の記載中の、
「透明基板の所定パターン部分をエッチングすることにより位相シフターを形成する位相シフトマスクの製造の際、」を、
「透明基板の所定パターン部分をエッチングすることにより位相シフターを形成する位相シフトマスクの製造の際、エッチングのためのマスクとなるレジスト膜を残した状態で、」
と訂正する。
　イ．訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１の記載中の、
「光ヘテロダイン干渉法によるマイケルソン干渉計２台からの測定ビームを相互に近接して同時に入射させ、」を、
「周波数が相互に異なる２つの光を干渉させてビート信号を発生させる光ヘテロダイン干渉法によるマイケルソン干渉計２台からの測定ビームを相互に近接して同時に入射させ、」
と訂正する。
　ウ．訂正事項ｃ
　発明の詳細な説明の段落【０００７】の、
「【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発明の位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法は、透明基板の所定パターン部分をエッチングすることにより位相シフターを形成する位相シフトマスクの製造の際、エッチングされない透明基板裏面より光ヘテロダインン干渉法によるマイケルソン干渉計２台からの測定ビームを相互に近接して同時に入射させ、その一方を被エッチング面に他方を非エッチング面に入射させ、一方の干渉計の基準面からのその被エッチング面の変位量を計測し、他方の干渉計の基準面からのその非エッチング面の変位量を計測し、それらの変位量の差からエッチング量を求め、そのエッチング量から被エッチング部と非エッチング部の間の位相差を求めることを特徴とする方法である。」を、
「【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発明の位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法は、透明基板の所定パターン部分をエッチングすることにより位相シフターを形成する位相シフトマスクの製造の際、エッチングのためのマスクとなるレジスト膜を残した状態で、エッチングされない透明基板裏面より周波数が相互に異なる２つの光を干渉させてビート信号を発生させる光ヘテロダインン干渉法によるマイケルソン干渉計２台からの測定ビームを相互に近接して同時に入射させ、その一方を被エッチング面に他方を非エッチング面に入射させ、一方の干渉計の基準面からのその被エッチング面の変位量を計測し、他方の干渉計の基準面からのその非エッチング面の変位量を計測し、それらの変位量の差からエッチング量を求め、そのエッチング量から被エッチング部と非エッチング部の間の位相差を求めることを特徴とする方法である。」
と訂正する。
　
（２）訂正の適否についての判断
　上記訂正事項ａは、訂正前の「透明基板の所定パターン部分を・・・製造の際」に、さらに、「エッチングのためのマスクとなるレジスト膜を残した状態で」ある点を追加限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、新規事項の追加には該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　上記訂正事項ｂは、光ヘテロダイン干渉法が、「周波数が相互に異なる２つの光を干渉させてビート信号を発生させる」ものである点を明りょうにしたものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、新規事項の追加には該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　上記訂正事項ｃは、上記訂正事項ａ及びｂにより特許請求の範囲を訂正したことに伴い発明の詳細な説明の記載の整合を図るためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、新規事項の追加には該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
（３）むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１３４条第２項ただし書及び同条第５項において準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．本件発明
　上記訂正が認められるから、本件の請求項１ないし３に係る発明（以下、「本件第１発明」ないし「本件第３発明」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　透明基板の所定パターン部分をエッチングすることにより位相シフターを形成する位相シフトマスクの製造の際、エッチングのためのマスクとなるレジスト膜を残した状態で、エッチングされない透明基板裏面より周波数が相互に異なる２つの光を干渉させてビート信号を発生させる光ヘテロダインン干渉法によるマイケルソン干渉計２台からの測定ビームを相互に近接して同時に入射させ、その一方を被エッチング面に他方を非エッチング面に入射させ、一方の干渉計の基準面からのその被エッチング面の変位量を計測し、他方の干渉計の基準面からのその非エッチング面の変位量を計測し、それらの変位量の差からエッチング量を求め、そのエッチング量から被エッチング部と非エッチング部の間の位相差を求めることを特徴とする位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法。
【請求項２】　前記２台のマイケルソン干渉計は、共通の対物光学系を備え、前記２台のマイケルソン干渉計からの測定光ビームを相互に平行に近接させて前記透明基板の裏面より入射させることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法。
【請求項３】　前記対物光学系はその後側焦点面近傍に絞りを備えていることを特徴とする請求項２記載の位相シフトマスク加工用位相シフト量測定方法。」
　
４．請求人が申し立てた無効理由及び請求人の主張の概要
（１）請求人が主張する無効理由
　請求人は、本件の請求項１ないし３に係る発明は、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その特許は、特許法第１２３条第１項第２号の規定に該当し、無効とすべきものであると主張し、証拠方法として、
　甲第１号証：特開平２−２１１４５０号公報
　甲第２号証：特開平６−１１７８２４号公報
　甲第３号証：「レーザ顕微鏡研究会第１１回講演会論文集」レーザ顕微鏡研究会、１９９３年５月２８日、２２〜２９頁
　甲第４号証：特開平６−２２９７２４号公報
　甲第５号証：岸川利郎「ユーザーエンジニアのための光学入門」株式会社オプトロニクス社、平成９年７月１３日、４５〜４７頁
　甲第６号証：特開平８−２７１２２５号公報
を提出している。
　さらに、請求人は、弁駁書とともに補強として甲第７号証ないし甲第１１号証を提出している。
　甲第７号証：特開平９−５９７９号公報
　甲第８号証：特開平４−３１０８１１号公報
　甲第９号証：特開平１０−１０４５２４号公報
　甲第１０号証：特開昭５８−２１３２０７号公報
　甲第１１号証：特開昭６２−２０１３０２号公報
　なお、請求項２及び３に係る発明の容易想到性を説明する参照として参考図を提出している。
　
（２）請求人の主張の概要
（２−１）審判請求書における主張の概要
　ア．請求項１に係る発明は、甲第２号証に記載の光ヘテロダイン干渉法によるマイケルソン干渉計を２台具える２面間距離測定装置をベースとして、測定対象として甲第１号証に記載の位相シフトマスクを用い、甲第３号証に記載の測定方法及び甲第４号証に記載の解析技術を適用することにより容易に想到することができる。
　イ．請求項２に係る発明で、請求項１に係る発明を引用してさらに限定付加した事項は、甲第２号証に記載の２面間距離測定装置に甲第５号証に記載のアフォーカル系を適用することにより想到することができる。
　ウ．請求項３に係る発明で、請求項２に係る発明を引用してさらに限定付加した事項は、甲第２号証に記載の２台のマイケルソン干渉計を具える測定装置に、甲第５号証に記載のアフォーカル光学系及び甲第６号証に記載の共焦点光学系を適用することにより容易に想到することができる。
（２−２）弁駁書における主張の概要
　ア．請求項１に係る発明は、ヘテロダイン法によるマイケルソン干渉計を２台具える二面間距離測定装置を記載した甲第２号証を主要な証拠とし、測定対象として甲第１号証又は甲第７号証に記載のレジスト膜が残された位相シフトマスクを用い、甲第３号証に記載の周波数が相互に異なる２つの光を干渉させてビーム信号（当審注：「ビート信号」の誤記）を発生させる光ヘテロダイン干渉法を利用して位相シフトマスクの位相シフト量を測定する技術思想、及び、甲第８号証に記載された光ヘテロダイン干渉法を利用する２台のマイケルソン干渉計を有する光ヘテロダイン干渉測定装置を適用すると共に、甲第４号証に記載の解析技術を適用することにより当業者が容易に想到することができたものである。
　イ．請求項２に係る発明で、請求項１に係る発明を引用してさらに限定付加した事項は、甲第２号証の図１１に記載の２個の対物レンズ１５及び２３と被測定物との間に甲第５号証に記載のアフォーカル系を配置し、その際に、甲第９号証に記載の２本の測定ビームに対して対物レンズを共通に用い、２本の測定ビームを互いに平行に近接させて段差に入射させる構成及び甲第３号証に記載の、位相シフトマスクの裏面側から測定ビームを入射させる構成に基づき、当業者にとって容易に想到できる範囲の技術的事項である。
　ウ．請求項３に係る発明で、請求項２に係る発明を引用してさらに限定付加した事項は、甲第２号証に記載の二面間距離測定装置の対物レンズを、甲第５号証に記載の周知のアフォーカル系で置換し、甲第１０号証及び甲第１１号証に記載の慣用技術に基づき絞りを焦点位置に配置するだけで、当業者が容易に想到できたものである。
　
５．甲号証記載の発明
（１）甲第１号証（本件出願前に頒布された刊行物である特開平２−２１１４５０号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　ア．「第１図は本発明にかかる位相シフトマスクの断面図を示し、１１は厚さ２〜３ｍｍのガラス基板（透明基板）、１２は膜厚６００〜１０００ÅのＣｒからなる遮光パターン、１３は深さＤ＝λ／２（ｎ−１）の凹部からなるシフターである。」（４頁右上欄４〜８行）
　イ．「次に、第３図（ａ）〜（ｇ）は本発明にかかる位相シフトマスクの形成方法（ＩＩ）の工程順断面図で、・・・第３図（ｆ）参照；次いで、シフター形成部分のガラス基板１１をＣＦ４＋Ｏ２混合ガスによって所定膜厚だけドライエッチングして凹状のシフター１３を形成する。第３図（ｇ）参照；最後に、レジスト膜１７と導電膜１４を除去して位相シフトマスクを完成する。」（４頁右下欄７行〜５頁左上欄１６行）
　
（２）甲第２号証（本件出願前に頒布された刊行物である特開平６−１１７８２４号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　ア．「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、ゴム、金属その他の物質からなる不透明体の厚さ、段差等の不透明体の二面間距離を測定するのに好適の非接触光学式の二面間距離測定装置に関する。」
　イ．「【０００８】【実施例】図１は本発明に係わる非接触光学式の二面間距離測定装置の光学図を示すもので、・・・反射鏡９により反射された光束と反射鏡１０により反射された光束とはビームスプリッタ８から受光器ＰＤ１までの光路において干渉し、干渉光束となる。ここで、ビームスプリッタ８の点Ｍ１から反射鏡９の点Ｍ２までの光学距離をＬ２、反射鏡の点Ｍ１から反射鏡１０の点Ｍ３までの光学距離をＬ１とすると、その互いに干渉する光束の光路差は（Ｌ１−Ｌ２）となる。この光路差（Ｌ１−Ｌ２）を基準光路差と定義し、記号Ｌbaseを用いて表わす。受光器ＰＤ１にはこの基準光路差Ｌbaseに従って干渉縞が形成される。・・・ここで、ビームスプリッタ６の点Ｍ４から点Ｐ１´までの光路長をＬｐ、ビームスプリッタ６の点Ｍ４から参照反射面１６の点Ｍ５までの光路長をＬref1とすると、面Ｐにより反射された光束と参照反射面１６により反射された光束との光路差は、（Ｌref1−Ｌｐ）である。受光器ＰＤ２にはこの光路差（Ｌref1−Ｌｐ）に従った干渉光束に基づく干渉縞が形成される。・・・ここで、ビームスプリッタ２１の点Ｍ６から参照反射面２４の点Ｍ７までの光路長をＬref2、ビームスプリッタ２１の点Ｍ６から点Ｑ１´までの光路長をＬq´とすると、面Ｑにより反射された光束と参照反射面２４により反射された光束との光路差は、（Ｌref2−Ｌq´）である。受光器ＰＤ３にはこの光路差（Ｌref2−Ｌq´）に従った干渉光束に基づく干渉縞が形成される。【００１３】この受光器ＰＤ１、ＰＤ２、ＰＤ３において観測される干渉光の強度Ｉはそれぞれ下記の式に従って表わされる。」
　ウ．「【００１７】このとき、測定光の波長をΔλだけ変化させると、波長λに対してその変化量Δλが非常に小さいという条件のもとで、干渉光の強度は、直流成分の記載を省略して、下記の各式に従って変化する。・・・従って、波長をλからλ＋Δλまで変化させる間に、継続して干渉光の強度を観測すると、コサインｃｏｓの中括弧｛｝内の第２項の４πＬbase×Δλ／λ２、４π（Ｌref1−Ｌｐ）×Δλ／λ２、４π（Ｌref2−Ｌq´）×Δλ／λ２に基づく周期だけ、周期的な強度変化を観測できる。そして、この強度変化の周期数は、光路差と波長変化量Δλに比例している。即ち、受光器ＰＤ１、ＰＤ２、ＰＤ３により得られる干渉光の信号の周期数は、２πで１周期であるので、
受光器ＰＤ１により得られる周期数；２Ｌbase×Δλ／λ２　
受光器ＰＤ２により得られる周期数；２（Ｌref1−Ｌｐ）Δλ／λ２　
受光器ＰＤ３により得られる周期数；２（Ｌref2−Ｌq´）Δλ／λ２　
となる。【００１９】ここで、光路長Ｌpを適当な値に固定し、被測定物体２８の厚さが「０」であるときにビームスプリッタ２１の点Ｍ６から面Ｐまでの光路長をＬqとして、Ｌref1−Ｌp＝Ｌq−Ｌref2となるように測定光学系を構成するものとし、面Ｐを位置Ｘに厳密に合致させて、厚さｄの被測定物体２８を対向面測定光学系１２、１３の間に挟んで置いた場合、受光器ＰＤ３により得られる信号の周期数は下記の通りである。・・・
受光器ＰＤ３により得られる信号の周期数；２（Ｌｑ´−Ｌref2）×Δλ／λ２＝２｛（Ｌｑ−ｄ）−Ｌref2｝×Δλ／λ２　
このときの受光器ＰＤ２と受光器ＰＤ３とで得られた信号の周期数の差は、下記の通りである。・・・
信号の周期数の差
＝ＰＤ２により得られる信号の周期数−ＰＤ３数により得られる信号の周期数
＝２（Ｌref1−Ｌp）Δλ／λ２−２｛（Ｌq−d）−Ｌref2｝Δλ／λ２　
＝２ｄΔλ／λ２　
従って、Δλ／λ２が既知であれば、受光器ＰＤ２により得られる信号の周期数と受光器ＰＤ３により得られる信号の周期数との差の周期数を求めることにより、被測定物体２８の厚さｄを算出することができる。」
　エ．「【００６５】図１１は本発明に係わる非接触光学式の二面間距離測定装置の第４実施例を示すもので、被測定物体２８の段差ｄ´を測定する光学構成を示すもので、一方の対向面用測定光学系１２の光軸Ｏ１と他方の対向面用測定光学系１３の光軸Ｏ２とを平行に配置する構成としたものであり、その他の構成は第１実施例と大略同一であるのでその詳細な説明は省略する。【００６６】以上、実施例について説明したが、被測定物体２８の一面Ｐと他面Ｑとが光学的に清浄な滑らかな面であり、一面Ｐと他面Ｑとの平行度が充分に良好な場合には、集光レンズ１５、２３を用いなくとも、被測定物体２８の厚さｄ、段差ｄ´を測定することができる。」
　
（３）甲第３号証（本件出願前に頒布された刊行物である「レーザ顕微鏡研究会第１１回講演会論文集」レーザ顕微鏡研究会、１９９３年５月２８日、２２〜２９頁）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　ア．「差動型光ヘテロダイン法による顕微鏡位相シフト量測定器を開発したので報告する。装置はＨｅ−Ｎｅレーザー光を光源としＡＯ素子を二周波駆動することによって可干渉な二本のレーザービームを得ている。二つのレーザースポット間隔は電気的に可変であり、受信側の狭帯域フィルタが周波数、位相ともに完全にトラッキングすることを特徴としている。」（２２頁９〜１３行）
　イ．「２．光ヘテロダイン式移相量測定器
　図２に本方式の光学部構成図を示す。本機の基本構成はＡＯ素子を周波数シフターとして用いる作動ヘテロダイン方式である。光源にはＨｅ−Ｎｅレーザーを用い、光ヘテロダインに必要な二周波の発生には二酸化テルルを媒体とするＡＯ素子を用いた。・・・ここで発生させた二周波のレーザー光を一旦ミラーにリレーしてさらに対物レンズの瞳へと再びリレーする。・・・ここで、一旦瞳をリレーさせているのはＡＯ素子の瞳を対物レンズの瞳に投影する際、瞳合わせが非常に楽になるという装置製作上のメリットがあるためである。ＡＯ素子のように入射角と出射角の異るデバイスを１段リレーで使用すると瞳合せに苦労することが多い。さて、こうして対物レンズを通過した二本のレーザー光は位相シフトマスクのそれぞれシフターの有る部分と無い部分を透過してコンデンサーレンズを経た後フォトダイオードによってヘテロダインビートとして検出される。このとき位相検出の基準となるのはＡＯ素子を回折せずに通過してきた０次光に含まれる光ビート信号である。このビート信号はよく用いられる１次回折光を利用した光ヘテロダインビートとは発生原理は異るが同じ目的に用いることができる。この装置で実際の位相シフトマスクを測定するプロセスは図３に示すようなものになる。
（２−１）二つのビームをフォトマスク上でお互いに位相差の無い場所に照射する。このとき得られた二本のビーム間の位相差を装置の初期位相としてゼロにリセットする。
（２−２）次に、二つのビームをそれぞれシフターの有る部分と無い部分に照射する。上記（２−１）の数値から変化した移相量がシフターによる寄与分である。
このようにして、シフターによる位相シフト量を測定することができる。本装置では図２に示すように透過側だけではなく反射側にもセンサーが取付けてある。これは従来、位相シフトマスクがシフター部の段差データによって管理されていたのでそれとの整合をとるためである。・・・透過側のセンサーは走査顕微鏡でいうところのＴｙｐｅ１ｂに分類されるものであるのに対して、反射側のセンサーは光がスリットを二回通過するのでＴｙｐｅ２に分類されるべきものであるからである（とりわけスリットコンフォーカルと呼ばれるものに近い）。このためこの装置は焦点外れ面からの影響やデフォーカスの影響が反射側と透過側とで多少異なる。」（２４頁１０行〜２６頁１０行）
　ウ．「（３−４）不要散乱光は位相測定に悪影響を及ぼす。コンフォーカル光学系の採用は、特にオプチカルセクショニングが目的ではなくても効果的である。」（２８頁９〜１１行）
　
（４）甲第４号証（本件出願前に頒布された刊行物である特開平６−２２９７２４号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　ア．「【請求項４】 僅かにずれた周波数を有し、互いに異なる方向に出射する２本の光ビームを含む光束を放射する光源手段と、この光源手段からの光束を分割するビーム分割手段と、このビーム分割手段によって分割された一方の光束を受光して、前記２本の光ビームのビート成分を表す第１の電気信号を発生する第１の受光手段と、前記ビーム分割手段によって分割された他方の光束を検査すべき位相シフトマスクに投射する手段と、この位相シフトマスクを透過した光束を受光して、前記２本の光ビームのビート成分を表す第２の電気信号を発生する第２の受光手段と、前記第１および第２の受光手段から発生される第１および第２の電気信号の位相を比較して前記位相シフトマスクによる位相シフト量を検出する位相比較手段とを具えることを特徴とする位相シフトマスクの検査装置。」（特許請求の範囲の請求項４）
　イ．「上述した第１および第２のプリアンプ１８および２３から出力される第１および第２の電気信号を位相比較器２４に供給して、これら両信号の位相差を検出し、この位相差信号を出力端子２５に出力する。後述するようにこの位相比較器２４から出力される位相差信号は被検体である位相シフトマスク２０の位相シフタを設けた部分と設けない部分とを透過する光の位相差を表すものとなり、したがってこの位相差信号に基づいて位相シフトマスク２０の位相シフタによって生ずる位相差を検出することができる。」（段落【００１９】）
　ウ．「ここで、位相シフタ２０ｂが形成されていない部分と、位相シフタが形成された部分とを光ビームが透過すると、位相のずれが生じることになる。すなわち、位相シフタ２０ｂの厚さをｄとし、屈折率をｎとし、光ビームの波長をλとし、位相差をΔφとすると、これらの間には以下の式（１）で示すような関係が成立する。
【数１】Δφ＝｛（ｎ−１）ｄ／λ｝・２π
【００２２】本発明においては、このように周波数が僅かに相違する２本の光ビームを用いるので、これらの光ビームがビートを生じることになる。このビートの周波数は２本の光ビームの周波数の差に等しく、上述した位相差Δφに等しい位相を有するものとなる。したがって、このビート成分の位相を基準の位相と比較することによって位相シフトマスクの位相シフタによって導入される位相シフト量Δφを検出することができる。」（段落【００２１】、【００２２】）
　エ．「本実施例においては、さらに位相シフトマスク２０の表面で反射される２本のレーザビームを対物レンズ１９で集光し、ビームスプリッタ６２、スリット６１および１／４波長板６０を経て偏光ビームスプリッタ５５に入射させる。このレーザビームは１／４波長板６０を２回透過しているので偏光方向が９０°回転され、したがって偏光ビームスプリッタ５５で反射されることになる。このように偏光ビームスプリッタ５５で反射されたレーザビームをコリメータレンズ５４によって平行光束とし、スリット付きの第３の受光器６８に入射させる。したがって、この第３の受光器６８は、位相シフトマスク２０で反射された２本のレーザビームの干渉成分であるビート成分を検出することになる。・・・したがって、スイッチ６６を端子ｂに切換えると、位相シフトマスク２０の表面の凹凸、すなわち位相シフタの膜厚を測定することができる。なお、スリット６１は、主として対物レンズ１９による散乱光を除去するために、いわゆるコンフォーカル光学系を構成するもので図１０の平面に垂直な方向の巾が小さく、図１０の平面に平行な方向に細長いものである。・・・上述したように本実施例においては、スイッチ６６を切換えることによって位相シフトマスク２０の位相シフタによって導入される位相シフト量および位相シフタの膜厚を測定することができる。・・・本実施例では、非接触で位相シフタの膜厚を簡単にかつ非常に高精度で測定することができ、しかも同時に位相シフト量も測定されるので、位相シフトマスクに関するきわめて有用な情報を与えるものである。本実施例によって実際に位相シフトマスクの位相シフタの位相シフト量および膜厚を測定した結果を次表に示す。」（段落【００３５】、【００３６】）
　
（５）甲第５号証（本件出願前に頒布された刊行物である岸川利郎「ユーザーエンジニアのための光学入門」株式会社オプトロニクス社、平成９年７月１３日、４５〜４７頁）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　ア．「５．３　アフォーカル系
　上記の特殊な例の１つとしてΔ＝ｆ１＋ｆ２となる場合を考えてみると、この時は第１レンズの像側焦点Ｆ’１と第２レンズの物体側焦点Ｆ２が一致していることになり、無限遠物点の平行光束は２つのレンズ系を通った後再び平行光束となってしまう。このような系は無焦点系すなわちアフォーカル系と呼ばれ望遠鏡やレーザー光学系のビームエキスパンダー等がその例で図２．２８に例示してある。」（４５頁下から７行〜下から２行）
　
（６）甲第６号証（本件出願前に頒布された刊行物である特開平８−２７１２２５号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　ア．「【０００２】【従来の技術】従来よりピンホールをスキャンするニポウディスク型の高速レーザ共焦点顕微鏡はよく知られている。図２は従来のこの種の高速レーザ共焦点顕微鏡の一例を示す要部構成図である。同図において、図示しないレーザ光源からのレーザ光は、ビームスプリッタ１を通って、微小開口部を有する基板（以下ピンホール基板という）２に照射される。ピンホール基板２は、基板に複数のピンホールを螺旋状に形成したものであり、基板の中心はモータ２１の回転軸に結合していて、モータ２１によりピンホール基板が一定速度で回転するようになっている。ピンホール基板に照射された光のうちでピンホールを通過した光は１／４波長板３と対物レンズ４を経て試料５に集光される。【０００３】試料５からの反射光は、入射光と同一の光路を通ってピンホール基板２のピンホールの１つに集光され、ピンホールを通った光はビームスプリッタ１で反射され、偏光子６を経て集光レンズ７により２次元素子（例えば２次元ＣＣＤカメラ（ＣＣＤは・・・の略））８上に集光する。」
　
（７）甲第７号証（本件出願前に頒布された刊行物である特開平９−５９７９号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　ア．「【請求項７】 請求項１記載のフォトマスクの製造方法において、以下の工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
（ａ）前記マスク基板に位相シフタパターン用の溝を掘る際に、その溝に必要な深さの略９０％を集束イオンビームによって掘る工程。
（ｂ）前記マスク基板に掘られた位相シフタパターン用の溝領域およびエッチングされない未エッチング領域との各々を透過した光の位相差を測定する工程。
（ｃ）前記位相差と、前記溝が所望の深さの場合に得られる所定の位相差との誤差を求め、その誤差に基づいて再度溝を掘る量を算出する工程。
（ｄ）前記位相シフタパターン用の溝を再度掘るための算出量に基づいて溝を掘る際に、ダメージ量を低減させた集束イオンビームを照射することによって掘る工程。」（特許請求の範囲の請求項７）
　イ．「【００５３】このようなフォトマスク１の転写領域Ａにおける要部断面図を図３および図４に示す。マスク基板２の主面上には、所定形状に形成された遮光パターン４および位相シフタパターン５が形成されている。【００５４】遮光パターン４は、例えばクロム（Ｃｒ）等のような金属膜からなる。位相シフタパターン５は、図３に示すように、例えばＳｉＯ２等からなる透明膜５ａを所定厚さで被着することで形成する場合と、例えばマスク基板２に所定深さの溝５ｂを掘ることで形成する場合等がある。」
　ウ．「【０１５４】次に、このようなフォトマスク１の製造方法を図１４の工程に沿って図１５〜図２３によって説明する。」
　エ．「【０１７２】その後、図１９に示すように、現像処理を施し（工程２０９）、レジスト膜１３ｂのパターンを形成した後、そのレジスト膜１３ｂおよびその下部に配置されている遮光パターン４をエッチング用マスクとして、図２０に示すように、マスク基板２を後述する条件を満たすように第１のエッチング処理を施し、ある程度の深さの位相シフタパターン用の溝５ｂ１を形成する（工程２１０）。【０１７３】この場合、後述する第２のエッチングを行った後の最終的な位相シフタパターン用の溝の厚さ、すなわち、目標とする位相シフタパターン用の溝の深さをＤとすると深さは、露光用の光の波長λ、マスク基板の材料の屈折率をｎとして、Ｄ＝λ／２（ｎ−１）の関係を満たすように設定する。・・・【０１７５】上記の関係を満たすように、精度良く第１のエッチング処理を行う。すなわち、例えばプラズマエッチングを用いて、レジスト膜１３ｂおよび遮光パターン４をエッチング用マスクとして、マスク基板２の露出領域を、エッチング処理時の処理時間を所定の深さをエッチングするのに必要なエッチング時間の９０％程度の時間に設定してエッチング処理を施すことにより除去する。これにより、位相シフタパターン用の溝５ｂ（図４参照）の深さの９０％程度の深さを有する溝５ｂ１を形成することができる。・・・【０１７７】ところで、プラズマエッチングの再現性は、目標とする位相差誤差に対して充分でない。そこで、本実施例においては、位相シフタパターン用の溝をマスク基板に掘る際、所定深さの略９０％程度が掘られるようにプラズマエッチング処理時間を設定することで溝５ｂ１を形成した後、図２１に示すように、フォトマスク１を透過する光の位相差を光学的に測定し、それによって測定された位相差と、良好な溝の場合に得られる位相差との誤差から再度溝を掘る量を求める。【０１７８】ここでは、例えば位相シフタパターン用の溝５ｂ１の深さを、図１２に示した光学検査装置１０を用いて測定する（工程２１１）。すなわち、例えば前記したのと同様に、リファレンス基板１Ｒを基準として、マスク基板２における位相シフタパターン用の溝５ｂ１との位相差を検出することにより、透過光の位相差を半波長シフトさせるための残りのエッチング深さを求める。・・・【０１８０】ただし、この位相差測定方法は、リファレンス基板を用いる方法に限定されるものではなく、種々変更可能であり、例えば被測定用のフォトマスク１におけるエッチング領域と未エッチング領域とで透過光の位相差を測定しても良い。【０１８１】すなわち、まず、プラズマエッチング処理に先立ってマスク基板２の一部にマスクを形成しておく。その後の位相差測定時に際して、そのマスクを外す。そして、そのマスクを除去することで得られた未エッチング領域と、溝５ｂ１を形成した領域との双方に検査光を照射し、その各々の透過光の位相差を測定する。【０１８２】いずれにしても、上記のエッチング後に位相差測定によって目標とするエッチング深さに対する誤差を求める。【０１８３】続いて、図２２に示すように、マスク基板２に対して第２のエッチングを施す（工程２１２）。この際には、溝５ｂの深さが所定の深さになるように時間設定した状態で、例えばウエッ��エッチング処理を施す。」
　
（８）甲第８号証（本件出願前に頒布された刊行物である特開平４−３１０８１１号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　ア．「【請求項１】同一の光源から出射された互いに周波数が異なる計測ビ−ムと参照ビ−ムを用いて、該計測ビ−ムを対物レンズにより被測定物の表面に集光させると共に該表面で反射された反射光と前記参照ビ−ムとを干渉させ、該干渉光を光センサに入射させることにより計測ビ−ト信号を取り出し、該計測ビ−ト信号の周波数変化や位相変化に基づいて、光軸方向に垂直な方向への被測定物との間の相対移動を伴って測定を行う光ヘテロダイン干渉測定装置において、　被測定物の表面位置の測定を行う第１の光ヘテロダイン干渉測定手段と、対物レンズの位置の測定を行う第２の光ヘテロダイン干渉測定手段と、前記第１および第２の光ヘテロダイン干渉測定手段から得られる被測定物の表面位置および対物レンズの位置に関する情報に基づいて、被測定物の表面と対物レンズとの間の相対距離を一定に保持する制御手段と、上記第１および第２の光ヘテロダイン干渉測定手段から得られる被測定物の表面位置および対物レンズの位置に関する情報に基づいて、被測定物の表面形状を測定する測定手段とを備えることを特徴とする光ヘテロダイン干渉測定装置。」（特許請求の範囲の請求項１）
　イ．「【００２０】最初に図１を参照して本実施例を説明すると、Ｈｅ−Ｎｅレ−ザ−等のレ−ザ−光源１から出射された周波数ｆ０の直線偏光レ−ザ−光Ｌは、戻り光がレ−ザ−光源１に入らないようにする光アイソレ−タ２を通過したのちミラ−３によって反射され、偏光ビ−ムスプリッタ４に入射させられる。レ−ザ−光源１の姿勢は、レ−ザ−光Ｌの偏波面（電気ベクトルの振動面）が紙面（図１が描かれている紙面）に対して方位角４５度の角度で傾斜するように設定されており、そのレ−ザ−光Ｌのうち偏波面が紙面と平行なＰ偏光成分は計測ビ−ムＬｍとして上記偏光ビ−ムスプリッタ４を透過させられ、偏波面が紙面と垂直なＳ偏光成分は参照ビ−ムＬｒとして偏光ビ−ムスプリッタ４により反射される。【００２１】偏光ビ−ムスプリッタ４を透過した計測ビ−ムＬｍは、音響光学変調器５により＋ｆ１の周波数シフトを受けて周波数がｆ０＋ｆ１とされた後、偏光ビ−ムスプリッタ６に入射させられる。また、偏光ビ−ムスプリッタ４で反射された参照ビ−ムＬｒはミラ−７によって更に反射され、音響光学変調器８により＋ｆ２の周波数シフトを受けて周波数がｆ０＋ｆ２とされた後、ミラ−９によって反射されて偏光ビ−ムスプリッタ６に入射させられる。上記周波数シフト量ｆ１およびｆ２は、例えば８０ＭＨｚと８０．１ＭＨｚなど数百ｋＨｚから数ＭＨｚ程度の周波数差を有するように設定される。【００２２】偏光ビ−ムスプリッタ６により重ね合わされた計測ビ−ムＬｍおよび参照ビ−ムＬｒは、無偏光ビ−ムスプリッタ１０により２分され、その反射された光は偏光板１１を通過することにより干渉光となりレンズ１２で集光され基準ビ−ト信号ＳＲ検出用の光検出器１３に照射される。無偏光ビ−ムスプリッタ１０を通過した計測ビ−ムＬｍおよび参照ビ−ムＬｒは無偏光ビ−ムスプリッタ１４においても２分される。まず、無偏光ビ−ムスプリッタ１４を透過させられた計測ビ−ムＬｍおよび参照ビ−ムＬｒについて説明すると、透過させられた光は偏光ビ−ムスプリッタ１５に入射させられて、偏波面の向きによって分離され、Ｓ偏光成分から成る参照ビ−ムＬｒは偏光ビ−ムスプリッタ１５により反射される。偏光ビ−ムスプリッタ１５により反射されたレ−ザ−光は、１／４波長板１６を介してミラ−１７に照射される。ミラ−１７により反射された参照ビ−ムＬｒは再び１／４波長板１６を通過させられることによりＰ偏光とされて偏光ビ−ムスプリッタ１５を透過させられ、偏光板１８を通過させられた後、レンズ１９により集光され計測ビ−ト信号ＳＭ１検出用の光検出器２０に照射される。【００２３】一方、Ｐ偏光成分から成る計測ビ−ムＬｍは、上記偏光ビ−ムスプリッタ１５を通過させられた後１／４波長板２１を経て対物レンズ２２で集光されて被測定物２３の表面２４に照射される。被測定物２３は、モ−タ等の駆動源２５によって上記計測ビ−ムＬｍの光軸に対して直角なＸ−Ｙ平面内を２次元方向へ移動させられる移動テ−ブル２６上に配置されている。被測定物２３の表面２４で反射された計測ビ−ムＬｍは、対物レンズ２２を経て再び１／４波長板２１を通過させられることにより往路に対して偏波面が９０度回転した直線偏光すなわちＳ偏光とされているため、偏光ビ−ムスプリッタ１５によって反射させられるとともに偏光板１８により前記参照ビ−ムＬｒと干渉させられた後レンズ１９により集光され計測ビ−ト信号ＳＭ１検出用の光検出器２０に照射される。ここで検出される計測ビ−ト信号ＳＭ１が第１の光ヘテロダイン干渉測定手段における計測ビ−ト信号に相当する。【００２４】次に無偏光ビ−ムスプリッタ１４により反射させられた計測ビ−ムＬｍおよび参照ビ−ムＬｒはミラ−２７、２８により反射させられて偏光ビ−ムスプリッタ２９に入射させられる。偏光ビ−ムスプリッタ２９に入射させられた光は偏波面の向きによって分離され、Ｓ偏光成分から成る参照ビ−ムＬｒは偏光ビ−ムスプリッタ２９により反射される。偏光ビ−ムスプリッタ２９により反射させられたレ−ザ−光は、１／４波長板３０を介してミラ−３１に照射される。ミラ−３１により反射された参照ビ−ムＬｒは再び１／４波長板３０を通過させられることによりＰ偏光とされて偏光ビ−ムスプリッタ２９を透過させられ、偏光板３２を通過させられた後レンズ３３により集光され計測ビ−ト信号ＳＭ２検出用の光検出器３４に照射される。【００２５】一方、Ｐ偏光成分から成る計測ビ−ムＬｍは、上記偏光ビ−ムスプリッタ２９を通過させられた後１／４波長板３５を経てミラ−３６により反射されてミラ−３７に照射される。ミラ−３７は、対物レンズ２２とともに取り付け枠３８に取り付けられ固定されている。取り付け枠３８にはＰＺＴ等の圧電変位素子３９の一方の端面が取り付けられ、圧電変位素子３９の変位により取り付け枠３８が、そして結果的には対物レンズ２２およびミラ−３７が光軸方向に変位させられる。ミラ−３７で反射された計測ビ−ムＬｍは、ミラ−３６で反射されて再び１／４波長板３５を通過させられることにより往路に対して偏波面が９０度回転した直線偏光すなわちＳ偏光とされて、偏光ビ−ムスプリッタ２９によって反射させられるとともに偏光板３２により前記参照ビ−ムＬｒと干渉させられた後レンズ３３により集光され計測ビ−ト信号ＳＭ２検出用の光検出器３４に照射される。ここで検出される計測ビ−ト信号ＳＭ２が第２の光ヘテロダイン干渉測定手段における計測ビ−ト信号に相当する。【００２６】上記光検出器１３、２０、３４に入射される干渉光の光強度Ｉｂ、Ｉｄ１、Ｉｄ２は、それぞれ次式（１）、（２）、（３）で表され、それらの光検出器１３、２０、３４からはその光強度Ｉｂ、Ｉｄ１、Ｉｄ２に対応して変化する基準ビ−ト信号ＳＲ、計測ビ−ト信号ＳＭ１および計測ビ−ト信号ＳＭ２が出力される。」
　
（９）甲第９号証（本件出願前に頒布された刊行物である特開平１０−１０４５２４号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　ア．「【００１１】【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面によって説明する。図１は本発明の第１実施例を示し、この実施例は本発明を落射照明型の微分干渉顕微鏡に適用したものである。光源１０を出た光は、集光レンズ１１を通って収束光となり、偏光子１２と位相板１３を通って楕円偏光の光１となる。光１はハーフミラー１４で反射され、ウォンラストンプリズム１５に入射する。そしてこのウォンラストンプリズム１５の複屈折作用によって、電場の振動面が互いに直交する常光線２と異常光線３とに分離されて、互いに異なる方向に伝搬していく。図１では、常光線２の電場は紙面内にあり、異常光線３の電場の振動面は紙面に垂直な面内にあるものとして表示している。【００１２】このとき、常光線２と異常光線３は、互いにある角度を持って広がっていき、この広がりの中心１５ａに後ろ側焦点を持つ対物レンズ１６を置くことにより、この対物レンズ１６を通過した常光線２と異常光線３の波面が互いに平行になり、物体面１７の互いに少しずれた点をテレセントリックに照明する。物体面１７に入射した常光線２と異常光線３は、物体面１７で反射し回折し、それぞれ常光線４と異常光線５になって再び対物レンズ１６に入射し、対物レンズ１６の後ろ側焦点で再び交差してウォンラストンプリズム１５を通ることにより、それぞれの波面が再び重なり合い、光６となる。光６は回転検光子１８に入射し、検光子１８の光学軸方向の成分のみが取り出され、結像レンズ１９を透過して、像面２０位置に配置したＣＣＤ２１上に結像する。【００１３】以上のように、光６のうち、常光線４の成分と異常光線５の成分は、物体面１７の異なるところで反射されて来たので、物体面１７の凹凸分布に応じて互いの光路長が異なり、像面２０に干渉摸様を作る。」
　
（１０）甲第１０号証（本件出願前に頒布された刊行物である特開昭５８−２１３２０７号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　ア．「次に先ず第１図に従って本発明実施例の基礎となる光学配置とその現象を説明する。図中で、１は、光を反射し易い表面１ａを持つ検知対象物体、例えば半導体素子である。また１ｂは半導体素子上に形成された回路用実素子或いはアライメントマークの境界をなす傾斜部である。２はテレセントリック（落射）レンズで、レンズ２の光軸は対象物体の表面１ａに垂直に配されている。３は、テレセントリックレンズ２の前側焦点位置に一致して設けた絞りで、レンズ２と絞り３から成る光学系の入射瞳の位置となる。ここで、光軸と瞳面の交点に光源を設けるとすれば各画角に対応する主光線はレンズ２を通過した後、光軸に平行となる。この様な光束が対象物体１へ入射したとき、反射性の表面１ａで反射する光束の中心である主光線は再び元来た光路を逆に辿るので、反射光は瞳位置即ち対物レンズの前側焦点位置に集まる。本願ではこの様に対称物体へ入射した主光線が元来た光路を辿る様な光束を正反射光Ａと呼ぶことにする。一方傾斜部１ｂへ入射した主光線は光軸を転ぜられるので、元来た光路に一致せず、発光点に戻ることがない。この種の光束を検知反射光Ｂと呼ぶことにする。」（２頁左下欄５行〜右下欄８行）
　イ．「先ず第２図に於て、１０は検出対象物体である。また１１は顕微鏡対物レンズ。１２は、対物レンズ１１の焦点位置に一致して設けた絞りで、対物レンズ１１の「瞳」位置でもある。１３はランプ、１４は明るさ絞りで、１５はレンズであり、レンズ１５はランプ１３の像を絞り１４の開口上に形成する。」（３頁左上欄９〜１５行）
　
（１１）甲第１１号証（本件出願前に頒布された刊行物である特開昭６２−２０１３０２号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　ア．「１９は顕微鏡対物レンズ、１８は対物レンズ１９の前側焦点位置に一致して設けた絞りで、対物レンズ１９の「入射瞳」位置でもある。」（２頁右上欄６〜８行）
　
６．対比・判断
（１）本件第１発明について
　本件第１発明と甲第１〜１１号証に記載された発明を対比すると、甲第１〜１１号証には、本件第１発明を特定するための事項である「位相シフトマスクの製造の際、エッチングのためのマスクとなるレジスト膜を残した状態で、エッチングされない透明基板裏面より周波数が相互に異なる２つの光を干渉させてビート信号を発生させる光ヘテロダインン干渉法によるマイケルソン干渉計２台からの測定ビームを相互に近接して同時に入射させ、その一方を被エッチング面に他方を非エッチング面に入射させ、一方の干渉計の基準面からのその被エッチング面の変位量を計測し、他方の干渉計の基準面からのその非エッチング面の変位量を計測」する点（以下、「特定事項Ａ］という）が記載も示唆もされておらず、特定事項Ａが容易になし得たものであるとすることはできない。
　すなわち、甲第１〜１１号証のうち、位相シフトマスクの製造工程に関する記載があるのは、甲第１号証及び甲第７号証のみである。しかしながら、甲第１号証にはレジスト膜に関する記載はあるものの計測に関する記載はなく、甲第７号証にはガラス基板エッチング工程２１０とガラス基板エッチング工程２１２との間に位相差測定２１１を行うことが記載されているものの、その測定方法は図２１及び図１２を参照すれば、エッチングのためのレジスト膜１３ｂを残した状態ではあるものの、測定光の一方はマスク基板２のエッチングされる側の面より被エッチング面に入射され、他方はリファレンス基板に入射され、リファレンス基板を基準として位相差を検出するものであるから、エッチングされない透明基板裏面より入射するものでもなく、光ヘテロダインン干渉法によるマイケルソン干渉計２台からの測定ビームを相互に近接して同時に入射させ、その一方を被エッチング面に他方を非エッチング面に入射させるものでもなく、上記特定事項Ａが記載も示唆もされていない。
　甲第２〜６、８〜１１号証には、位相シフトマスクの製造工程に関する記載はないのであるから、位相シフトマスクの製造の際、エッチングのためのマスクとなるレジスト膜を残した状態で、エッチングされない透明基板裏面より光ヘテロダインン干渉法によるマイケルソン干渉計２台からの測定ビームを相互に近接して同時に入射させ、その一方を被エッチング面に他方を非エッチング面に入射させることを示唆するものでないことは明らかであり、上記特定事項Ａが記載も示唆もされていない。
　なお、請求人は、弁駁書において、本件第１発明は、「ヘテロダイン法によるマイケルソン干渉計を２台具える二面間距離測定装置を記載した甲第２号証を主要な証拠とし、測定対象として甲第１号証又は甲第７号証に記載のレジスト膜が残された位相シフトマスクを用い、甲第３号証に記載の周波数が相互に異なる２つの光を干渉させてビーム信号（当審注：「ビート信号」の誤記）を発生させる光ヘテロダイン干渉法を利用して位相シフトマスクの位相シフト量を測定する技術思想、及び、甲第８号証に記載された光ヘテロダイン干渉法を利用する２台のマイケルソン干渉計を有する光ヘテロダイン干渉測定装置を適用すると共に、甲第４号証に記載の解析技術を適用することにより当業者が容易に想到できたものである」旨主張している。
　しかしながら、甲第２号証に記載のものは光ヘテロダイン干渉法によるものでもなく、不透明体の段差を検出するものであり透明基板裏面より測定ビームを入射させるものでもない、また、甲第８号証には、光ヘテロダイン干渉法を利用する２台のマイケルソン干渉計を有する光ヘテロダイン干渉測定装置が記載されているものの、被測定物の表面の位置と対物レンズの位置とを検出するものであるから、甲第２、８号証記載のものに甲第１又は７号証記載の位相シフトマスクを測定対象として適用したとしても、甲第１及び７号証にエッチングのためのマスクとなるレジスト膜を残した状態で、エッチングされない透明基板裏面より光ヘテロダインン干渉法によるマイケルソン干渉計２台からの測定ビームを相互に近接して同時に入射させ、その一方を被エッチング面に他方を非エッチング面に入射させる点が記載も示唆もされてない以上、上記特定事項Ａが容易に想到し得たものということはできない。さらに、甲第３及び４号証には周波数が互いに異なる２つの光を干渉させてビート信号を発生させる光ヘテロダイン干渉法により位相シフトマスクの位相シフト量を測定するものが記載されているが、これらは製造の際に、エッチングのためのレジスト膜を残した状態で測定するものでなく、また、１台の光ヘテロダイン干渉計を用いているので直接位相シフト量を測定するものであるから、甲第２、８号証記載のものに甲第１又は７号証記載の位相シフトマスクを測定対象として適用するに際し、甲第３及び４号証記載の技術思想を適用しようとも、上記特定事項Ａが容易に想到し得たものということはできない。したがって、請求人の上記主張は採用することができない。　
　そして本願第１発明は、「従来、エッチング終点検出ができなかった基板彫り込み加工に対し、加工中に基板裏面より被エッチング面の変位量を非接触・非破壊で直接正確に測定を行うことが可能になるため、加工精度の向上、工程の短縮が可能となる」及び「オフラインで使用すると、フォトリソグラフィー工程が短縮可能でき、また、エッチング装置に組み込みインラインでエッチング中に使用すると、変位量つまり位相差をリアルタイムで測定可能になるため、測定した位相差によりエッチング終点決定が可能になる」という明細書記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件第１発明は、甲第１〜１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
（２）本件第２発明及び本件第３発明について
　本件第２発明は、本件第１発明を引用してさらに発明特定事項を限定付加したものであり、本件第３発明は、本件第２発明を引用してさらに発明特定事項を限定付加したものであるから、本件第２発明及び本件第３発明は、本件第１発明の発明特定事項を全て含み、さらに、他の限定事項を具えたものである。
　そして、本件第１発明は、上記「６．（１）」で述べたとおり、甲第１〜１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができないから、本件第１発明の発明特定事項を全て含みさらに他の限定事項を具えたものに相当する本件第２発明及び本件第３発明は、上記「６．（１）」と同様の理由により、甲第１〜１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、請求人が主張する理由及び提出した証拠によっては、本件第１発明ないし本件第３発明の特許を無効とすることはできない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。