【事件の表示】
　特願２０１７−２２３７６９「光学素子及び投射型画像表示装置」拒絶査定不服審判事件〔令和　１年　６月２０日出願公開、特開２０１９−　９５５５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成２９年１１月２１日を出願日とする出願であって、平成３０年２月８日付けで拒絶理由が通知され、同年４月２３日付けで意見書が提出されるとともに手続補正書が提出され、同年６月１４日付けで拒絶査定がなされ、同年９月２１日付けで本件拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正書が提出されたものである。
第２　本件発明
　本件出願の請求項１〜８に係る発明は、平成３０年９月２１日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである（以下、「本件発明」という。）。
　「使用波長帯域の光に対して透明である基板と、
　酸化ハフニウムを主成分とする斜方蒸着膜からなる複屈折層と、
　屈折率の異なる２種類以上の誘電体膜が積層されてなる反射防止層を少なくとも１層とを備え、
　前記反射防止層が、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＺｒＯ２、ＺｒＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＨｆＯ２から選択される２種類以上の誘電体膜が積層されてなる光学素子。」
（当合議体注：なお、平成３０年９月２１日付けの手続補正書による補正（本件拒絶査定不服審判の請求と同時にされた補正）では、請求項１は補正されていない。）
第３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、概略、本件出願の請求項１〜８に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である下記の引用文献に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　
引用文献１：R. B. Tokas et al.，Spectroscopic Ellipsometry Investigations of Optical Anisotropy in Obliquely Deposited Hafnia Thin Films，AIP Conference Proceedings ，Vol.1731, Issue 1，p.60007-1〜60007-3，[online]，24 May 2016
引用文献２：特開２０１２−２４２４４９号公報
引用文献３：特開２０１５−８２０１０号公報
引用文献４：特開２００８−２１６６４４号公報
引用文献５：特開２０１３−２２８５７４号公報
引用文献６：特開２０１４−１２２９８４号公報
引用文献７：特開２００８−２６８４６６号公報
（引用文献２〜７は周知技術を示すために引用された文献である。）
第４　引用文献及び引用発明
１　引用文献１の記載事項
　原査定の拒絶の理由で引用文献１として引用され、本件出願の出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である、又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明を記載した、R. B. Tokas et al.，Spectroscopic Ellipsometry Investigations of Optical Anisotropy in Obliquely Deposited Hafnia Thin Films，AIP Conference Proceedings ，Vol.1731, Issue 1，p.60007-1〜60007-3，[online]，24 May 2016（以下、同じく「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。下線は、当合議体が付したものである。
（１）　p.60007-1の「表題」
「Spectroscopic Ellipsometry Investigations of Optical Anisotropy in Obliquely Deposited Hafnia Thin Films」
参考訳：
「斜め蒸着ハフニウム薄膜の光学的異方性の分光偏光解析法による調査」
（２）　p.60007-1の「Abstract」欄
「Abstract．In present work, HfO2 thin films have been deposited at various oblique incidences on Si substrates by electron beam evaporation. These refractory oxide films exhibited anisotropy in refractive index predictably due to special columnar microstructure. Spectroscopic ellipsometry being a powerful tool for optical characterization has been employed to investigate optical anisotropy. It was observed that the film deposited at glancing angle (80°) exhibits the highest optical anisotropy. Further, anisotropy was noticed to decrease with lower values of deposition angles while effective refractive index depicts opposite trend. Variation in refractive index and anisotropy has been explained in light of atomic shadowing during growth of thin films at oblique angles.」 
参考訳：
「要旨　本研究では、
ＨｆＯ
２
薄膜が、
斜め入射で
蒸着された
これらの耐火性酸化膜は、
屈折率異方性を示した
（３）　p.60007-1の「INTRODUCTION」欄
「INTRODUCTION
    Oblique angle deposition is being very popular among researchers due to applications in photonic crystals, optical multilayer devices, micro sensors, and microelectronics and rugate devices. Oblique angle deposition of thin films is routinely used for fabricating rugate interference filters using single optical materials by varying refractive index along the film thickness [1]. Variation of refractive index is achieved by varying the angle of deposition which results varying porosity due to atomic shadowing and limited ad-atom diffusion [2] during growth. Oblique angle deposition generally produces substantial change in porosity or index of refraction at angle more than 60 degree with normal to the substrate. When this angle reaches around 80 degree, it becomes glancing angle deposition (GLAD). Oblique angle deposition results in special morphological nanostructures  microstructure of the film. By employing substrate rotation and varying deposition angle, different geometries like pillar, helix, zigzag, erect columns etc. have been achieved successfully [3].  Yumei Zhu et al., have developed multi-stop band interference rugate filter exploiting GLAD technique. Stephan Fahr et al., have developed optical rugate filters for light trapping in solar cells [4]. Many researchers have also fabricated GLAD antireflection coating [5], narrow band pass rugate filter and relative humidity sensors by utilizing oblique angle deposition of different optical materials. GLAD optical thin films also exhibit optical anisotropy due to their engineered micro-structure and such property can be used for polarization separation.
    Hafnium oxide is widely used to fabricate interference multilayer thin film devices. It possesses high refractive index  high laser induced damage threshold [6] and exhibits high band gap  transparency over a wide spectral range [7]. In present work, five HfO2 thin films at different deposition angle have been deposited and spectroscopic ellipsometry has been used to probe refractive indices and optical anisotropy.]
参考訳：
「序論
　　
斜め角蒸着は、
光学多層膜素子
の応用のため、研究者の間では非常に一般的となっている
　　
多層膜干渉薄膜素子を製造するために、酸化ハフニウムは幅広く用いられている。これは、高屈折率と高いレーザー損傷閾値
を持ち、高いバンドギャップと広い波長帯にわたって透明性
を示す
（４）　p.60007-3の「SUMMARY」欄
「SUMMARY
    In present work, we fabricated five HfO2 thin films at different deposition angle by EB evaporation and characterized them by spectroscopic ellipsometry. Sample deposited at angel 80°(GLAD) exhibits the least refractive index and highest optical anisotropy. Further, refractive index increases and anisotropy decreases as the angle of deposition decreases. Such properties of obliquely deposited HfO2 thin films are the attribute of atomic shadowing of ad-atoms during thin film growth.」
参考訳：
「まとめ
　　本研究では、我々は、ＥＢ蒸発を用いて異なる蒸着角度で５つのＨｆＯ２薄膜を製造し、分光偏光解析法によりそれらを特徴づけた。８０°（ＧＬＡＤ）で蒸着したサンプルは、最も小さい屈折率と最も高い光学的異方性を示す。さらに、屈折率は、蒸着角度が減少するにつれて増大し、異方性は低下する。斜め蒸着ＨｆＯ２薄膜のこのような特性は、薄膜成長時の吸着原子の原子的遮蔽に起因している。」
２　引用発明
（１）　上記１（３）によれば、「斜め角蒸着は」、「光学多層膜素子」「への応用のため、研究者の間では非常に一般的となっている」。
（２）　上記１（３）によれば、「多層膜干渉薄膜素子を製造するために、酸化ハフニウムは幅広く用いられている」。また、「酸化ハフニウムは」、「高屈折率と高いレーザー損傷閾値」「を持ち、高いバンドギャップと広い波長帯にわたって透明性」「を示す」。
（３）　上記１（２）によれば、「斜め入射で」「蒸着された」「ＨｆＯ２薄膜」である「耐火性酸化膜は」、「屈折率異方性を示」す。
（４）　上記１（１）〜（４）及び上記（１）〜（３）より、引用文献１には、「高屈折率と高いレーザー損傷閾値を持ち、高いバンドギャップと広い波長帯にわたって透明性を示す酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）を斜め角蒸着した光学多層膜素子であって、斜め入射で蒸着されたＨｆＯ２薄膜は、屈折率異方性を示す、光学多層膜素子。」の発明が記載されているものと認められる（以下、「引用発明」という。）。
３　対比
（１）　「基板」について
ア　引用発明は、「酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）を斜め角蒸着した光学多層膜素子」である。
　斜め角蒸着により形成した光学素子に係る技術常識からみて、上記の引用発明が「基板」を有すること、また、引用発明においては、「酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）」を、当該「基板」に垂直な法線に対してある角度で基板に対して斜めに入射させて当該「基板」上に蒸着させたものであることは明らかである（以上のことは、上記１（３）の「斜め角蒸着は、一般的に、基板の垂直方向から６０°以上の角度で、空隙性または屈折率の大きな変化を生じる。この角度がおよそ８０°になると、視斜角蒸着（ＧＬＡＤ）となる。」との記載からも裏付けられる。）。
　また、引用発明の当該「基板」は、使用する波長帯域に光に対して透明であることも明らかなことである。
イ　引用発明の上記「基板」は、本件発明の「基板」に相当する。
　また、引用発明の「基板」は、本件発明の「基板」の「使用波長帯域の光に対して透明である」との要件を具備する。
（２）　「複屈折層」について
ア　引用発明の「斜め入射で蒸着されたＨｆＯ２薄膜は、屈折率異方性を示す」。
　そうすると、引用発明の「斜め入射で蒸着されたＨｆＯ２薄膜」は、複屈折層であるということができる。
　してみると、引用発明の「斜め入射で蒸着されたＨｆＯ２薄膜」は、本件発明の「複屈折層」に相当する。
イ　引用発明の「ＨｆＯ２薄膜」は、「斜め入射で蒸着された」ものである。
　そうすると、引用発明の「ＨｆＯ２薄膜」は、酸化ハフニウムを主成分とする斜方蒸着膜であるということができる。
　してみると、上記アより、引用発明の「斜め入射で蒸着されたＨｆＯ２薄膜」は、本件発明の「複屈折層」の「酸化ハフニウムを主成分とする斜方蒸着膜からなる」との要件を具備する。
（３）　「光学素子」について
ア　引用発明の「光学多層膜素子」は、本件発明でいう「光学素子」に該当する。
イ　上記（１）と（２）より、引用発明と、本件発明は、「使用波長帯域の光に対して透明である基板と、酸化ハフニウムを主成分とする斜方蒸着膜からなる複屈折層と」「を備え」ている点で一致する。
（４）　以上の対比結果を踏まえると、本件発明と引用発明は、
　「使用波長帯域の光に対して透明である基板と、
　酸化ハフニウムを主成分とする斜方蒸着膜からなる複屈折層とを、備えた光学素子。」である点において一致し、以下の点で相違する。
（相違点）
　本件発明が、「屈折率の異なる２種類以上の誘電体膜が積層されてなる反射防止層を少なくとも１層」「を備え」、「前記反射防止層が、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＺｒＯ２、ＺｒＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＨｆＯ２から選択される２種類以上の誘電体膜が積層されてなる」ものであるのに対して、
　引用発明が、そのような「反射防止層」を備えているとまではいえない点。
第５　判断
　上記相違点について検討する。
１　「光学素子に対して、光学素子の基板と空気との界面における反射や、光学素子の蒸着側の表面と空気との界面における反射を防止するために、低屈折率層と高屈折率層とが積層された反射防止膜を設けること」及び「反射防止膜を、ＳｉＯ２と、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＨｆＯ２のいずれかとを積層して形成すること」は、以下に例示するように、いずれも本件出願前に周知の技術である（以下、前者を「周知技術１」、後者を「周知技術２」という。なお、前者については、光学素子一般に共通していえる自明な課題と考えることもできる。）。
（１）　周知技術１に関して、例えば、原査定の拒絶の理由で周知技術を示す引用文献２として引用された特開２０１２−２４２４４９号公報（以下、同じく「引用文献２」という。）には、透明基板（１１）上に斜方蒸着膜（１３）を形成した位相差素子において、ガラス、石英、水晶などの透明基板（１１）の表面、あるいは、透明基板（１１）上に形成された酸化物からなる斜方蒸着膜（１３）への大気中の水分の出入りを防止する保護護であるＣＶＤ誘電体膜（１４）の表面に、高屈折率、低屈折率からなる反射防止膜（ＡＲ膜）（１５Ａ，１６Ｂ）を設けて、表面反射を防ぎ、透過性を向上させることが記載されている（引用文献２の段落【００１６】、【００２７】、【００２８】、【００２９】、【００３０】、図１等を参照）。
　また、原査定の拒絶の理由で周知技術を示す引用文献３して引用された特開２０１５−８２０１０号公報には、基板（２１）上に斜方蒸着により複屈折膜を形成した光学素子において、基板（２１）の表面に高屈折率層と低屈折率層とからなる第１のＡＲ膜（２３）、保護膜（２５）の表面に、同様な第２のＡＲ膜（２６）を形成して、表面反射を軽減し、透過率を向上させることが記載されている（引用文献３の段落【００１１】、【００１４】、【００１５】、【００１８】、【００２０】、【００２４】、【００２５】、【００２８】、【００３４】、【００３７】、【００３８】、図１、図２等参照。）。
　また、原査定の拒絶の理由で周知技術を示す引用文献４あるいは引用文献５として引用された特開２００８−２１６６４４号公報あるいは特開２０１３−２２８５７４号公報（以下、同じく「引用文献４」あるいは「引用文献５」という。）にも、斜方蒸着膜を備えた位相差板あるいは複屈折板において、高屈折率層と低屈折率層とからなる反射防止膜を設けることが記載されている（引用文献４の段落【００２０】、【００４３】、図６等、引用文献５の段落【００３６】、図１等を参照。）。
　さらに、原査定の拒絶の理由で周知技術を示す引用文献６あるいは引用文献７として引用された特開２０１４−１２２９８４号公報あるいは特開２００８−２６８４６６号公報（以下、同じく「引用文献６」あるいは「引用文献７」という。）にも、光学異方性の光学フィルムあるいは位相差補償素子において、高屈折率層と低屈折率層とからなる反射防止膜を設けることが記載されている（引用文献６の段落【００２５】等、引用文献７の段落【００４０】等を参照。）。
（２）　周知技術２に関して、例えば、引用文献２には、界面での反射を抑制する界面反射防止層を、ＳｉＯ２層とＮｂ２Ｏ５層とを積層して形成することが記載されている（引用文献２の段落【００１７】、【００１８】、【００３３】、【００７６】等参照。）。
　また、引用文献７には、位相差補償素子において、反射防止層を、Ｎｂ２Ｏ５層とＳｉＯ２層とを２〜６層程度に積層した一般的な光学干渉薄膜で構成することが記載されている（引用文献７の段落【００４０】等参照。）。
　さらに、本件出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開２００６−１１９４４４号公報（以下、「引用文献８」という。）には、位相差補償素子において、反射防止層を、ＳｉＯ２層とＴｉＯ２層とを積層して形成することが記載されている（引用文献８の段落【００５１】、図１等参照。）。
　加えて、本件出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開２００６−２２０８７３号公報（以下、「引用文献９」という。）には、反射防止層を、ＳｉＯ２層とＴｉＯ２層とを積層して形成することが記載されている（引用文献９の段落【００２４】、【００２５】等参照。）。
　さらに、本件出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開２０００−３９５２２号公報（以下、「引用文献１０」という。）には、反射防止層（反射防止薄膜４ａ，４ｂ）を、低屈折率のＳｉＯ２と高屈折率のＴｉＯ２とを積層して形成することや、反射防止層の形成材料として、他にもＡｌ２Ｏ３（屈折率１．６２）、ＣｅＯ２（屈折率１．６２）、ＺｒＯ２（屈折率２．１）等があげられることが記載されている（引用文献１０の段落【００２８】、【００２９】、図１等参照。）
　さらに加えて、本件出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開２００５−２７５００５号公報（以下、「引用文献１１」という。）には、反射防止層を、ＳｉＯ２と、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２のいずれかとを積層して形成すること、あるいは、実施例１〜３として、ＳｉＯ２とＨｆＯ２とを積層して形成することが記載されている（引用文献１１の段落【００２９】、【００５３】、【００６１】、【００６８】等参照。）
２　当業者であれば、上記１の周知技術１及び周知技術２の知見を備えるところ、不要な反射を減らし、引用発明の光学的機能を最大限発揮させることを目的として、引用発明において、ＨｆＯ２薄膜側とは反対側の表面における反射や、ＨｆＯ２薄膜側の表面における反射の抑制を抑制する反射防止膜を設けることは、当業者が当然に考慮する技術的事項である。
　そうすると、引用発明において、上記１の周知技術１及び周知技術２を参考にして、引用発明において、ＨｆＯ２薄膜側とは反対側の表面や、ＨｆＯ２薄膜側の表面に、ＳｉＯ２と、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＨｆＯ２のいずれかとを積層して形成された反射防止層を備えた構成として、上記相違点に係る本件発明の構成とすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
３　本件出願の明細書の段落【００１０】に記載の「斜方蒸着膜が酸化ハフニウムを主成分として形成されているため、高輝度かつ高出力の光に対して優れた耐性を得ることができる」との本件発明の効果についても、引用発明は、高屈折率と高いレーザー損傷閾値を持ち、高いバンドギャップと広い波長帯にわたって透明性を示す酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）を斜め角蒸着したものであるから、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）の斜方蒸着膜（ＨｆＯ２薄膜）も、同じように広い波長帯にわたる透明性及び高いレーザー損傷閾値を持つことは明らかである。
　そうすると、本件発明の上記効果は、引用発明の構成から、当業者が予測できることであるから、格別のものでない。
４　以上のとおりであるから、本件発明は、引用発明及び引用文献２〜１１等に記載された本件出願前に周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
５　審判請求書における請求人の主張について
（１）　平成３０年９月２１日提出の審判請求書の「（４）本願発明と引用発明との対比」「（４−１）請求項１」において、請求人は、「本願発明は、『高輝度かつ高出力の光に対して優れた耐性を得る』課題を解決するため、『酸化ハフニウムを主成分とする斜方蒸着膜からなる複屈折層と、屈折率の異なる２種類以上の誘電体膜が積層されてなる反射防止層を少なくとも１層とを備える』構成（特徴点）を採用したものです。」、「一方、引用文献１−７には、上記課題及び上記特徴点についての記載がなく、また、上記特徴点に到達するためにしたはずであるという示唆等についても記載されていません。引用文献１（第６０００７−１頁右欄第９−１２行）には、酸化ハフニウム自体が高レーザー光に起因する損傷を受けにくいことが記載されていますが、当該引用文献１には、酸化ハフニウムを主成分とする斜方蒸着膜が高輝度かつ高出力の光に対して優れた耐性を有することについて何ら開示も示唆もされていません。」、「よって、引用文献１に記載された屈折率異方性を有する酸化ハフニウム薄膜に、上記の周知技術を適用し、ＳｉＯ２からなる層及びＮｂ２Ｏ５からなる層を含む反射防止層を設けることは当業者が容易に想到し得たことであるとの審査官殿の指摘は、課題の把握の段階から解決手段ないし解決結果の要素を入り込ませたものです。」、「本願発明は、反射防止層を設けることにより、透過率が増加し、光による損傷も大きくなる傾向となるが、酸化ハフニウムを主成分とする斜方蒸着膜を複屈折層とすることにより、レーザー光源などからの高輝度かつ高出力の光に対して優れた耐性を有する光学素子とすることができます。」、「このような優れた効果は、引用文献１−７に記載された技術からは、予測あるいは発見することの困難なものであり、かつ、予測あるいは発見される効果と比較して、顕著なものです。よって、本願発明は、引用文献１−７に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明できたものではありません。」と主張している。
（２）　しかしながら、引用発明において、上記１の周知技術１及び周知技術２を参考にして、上記相違点に係る本件発明の構成とすることが当業者であれば容易になし得たことであることは、上記１〜４において示したとおりである。
　また、上記３で述べたとおり、引用発明の酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）の斜方蒸着層（複屈折層）が、広い波長帯にわたる透明性及び高いレーザー損傷閾値を持つことは明らかであり、また、反射防止層を備えた構成としても、広い波長帯にわたる透明性及び高いレーザー損傷閾値が発揮されることは同様である。
　してみると、請求人が主張する、「本願発明は、反射防止層を設けることにより、透過率が増加し、光による損傷も大きくなる傾向となるが、酸化ハフニウムを主成分とする斜方蒸着膜を複屈折層とすることにより、レーザー光源などからの高輝度かつ高出力の光に対して優れた耐性を有する光学素子とすることができます。」との効果は、引用発明の構成から、当業者が予測できることであり、格別のものでない。
　したがって、請求人の主張を採用することはできない。
第６　むすび
　以上のとおり、本件発明は、引用発明及び本件出願前に周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。