【事件の表示】
　特許第３３７４８５７号「イオン注入装置における高効率走査のための方法及び装置」の請求項１、１３及び１５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３７４８５７号の請求項１、１３及び１５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯及び本件発明 
 　特許第３３７４８５７号（以下「本件特許」という。）は、平成２年１１月７日（パリ条約による優先権主張１９８９年１１月７日、米国）に出願され、平成１４年１１月２９日に特許権の設定登録がなされたものであるところ、その請求項１，１３及び１５に係る特許に対して平成１５年７月２８日に吉成迪夫により特許異議の申立てがなされた。
　本件特許の請求項１，１３及び１５に係る発明（以下、請求項の番号に対応して「本件発明１」，「本件発明１３」及び「本件発明１５」という。）は、誤記を除き、その特許請求の範囲の請求項１，１３及び１５に記載された以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】イオン注入装置であって、イオンビームを生成するための手段と、走査信号に応答して、第１方向内で被処理体を横切って前記イオンビームを走査するための第１走査手段と、前記第１走査手段と共に前記イオンビームを前記被処理体上に分配するように、前記被処理体に関して第２方向内でイオンビームを走査するための第２走査手段と、前記イオンビームを検知しかつ前記イオンビームの強度を表す信号を与えるための、前記被処理体に近接配置された検知手段と、第１走査インターバルの間に前記被処理体及び前記検知手段を横切って前記イオンビームを走査する第１走査信号及び第２走査インターバルの間に生成され前記被処理体の最大の大きさよりも実質的に大きくない領域を横切って前記第１方向に沿って前記イオンビームを走査する第２走査信号を含む前記走査信号を生成するための手段と、から成る装置。 
 【請求項１３】被処理体にイオン注入するための方法であって、イオンビームを生成する工程と、走査信号に応答して第１方向内で被処理体を横切ってイオンビームを走査する工程と、イオンビームが被処理体上に分配されるように、イオンビームに関して第２方向内で被処理体を走査する工程と、イオンビームを検知しかつイオンビームの強度を表す信号を与えるための工程であって、該イオンビームを検知する工程が前記被処理体に近接配置された検知手段によって実行されることろの工程と、第１走査インターバルの間に前記被処理体及び前記検知手段を横切って前記イオンビームを走査する第１走査信号及び前記第２走査インターバルの間に生成され前記被処理体の最大の大きさよりも実質的に大きくない領域を横切って前記第１方向に沿って前記イオンビームを走査する第２走査信号を含む前記走査信号を生成する工程と、から成る方法。 
 【請求項１５】イオン注入装置であって、イオンビームを生成するための手段と、被処理体に関して第１方向内で前記イオンビームを走査するための第１走査手段と、前記第１走査手段と共に前記イオンビームを前記被処理体上に分配するように、前記被処理体に関して第２方向内で前記イオンビームを走査するための第２走査手段と、前記イオンビームを検知しかつ該イオンビームの強度を表す信号を与えるための、前記被処理体に近接配置された検知手段と、から成り、前記第１走査手段は、第１走査インターバルの間前記被処理体及び前記検知手段を横切って前記イオンビームを走査するための手段及び第２走査インターバルの間前記被処理体の最大の大きさよりも実質的に大きくない領域を横切って前記第１方向に沿って前記イオンビームを走査するための手段を含むところの装置。」 
 　なお、【請求項１３】の「検知手段によって実行されることろの工程」とあるのは、「検知手段によって実行されるところの工程」の誤記と認める。  
　
２．特許異議の申立ての理由の概要
　特許異議申立人吉成迪夫は、証拠として甲第１号証（特表昭６４−５００３１０号公報）及び甲第２号証（特開昭５８−１９００２３号公報）を提出し、本件発明１，本件発明１３及び本件発明１５の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
　
３．甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明 
 （１）特許異議申立人吉成迪夫が提出した甲第１号証には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
 (1a)「本発明は，一般にイオンビーム走査のための方法および装置に関する。より詳細には、イオンビーム高速平行走査のための新規な装置および技術に関する。」（４頁左上欄３〜５行） 
 (1b)「第６図の図示表現は，走査ビームとイオンインプラント装置９０を示している。インプラント装置９０は、処理中に要する回数および位置を定めてターゲット対象物のイオンビームの露光を制御する。・・・図示の装置９０においては、イオン源９２がイオンビーム９４を偏向素子９６へと方向づける。偏向素子９６が、ターゲット表面１００にわたる走査路９８に沿ってイオンビームを前後に偏向する。・・・図示の走査軌跡は，一端の初期位置１０２ａから他端の位置１０２ｄまで変化する。初期位置１０２ａは偏向電位Ｖ０に対応し、そのビームは走査路９８の端部におけるビームストップ１０４に当たる。他端１０２ｄの軌跡は、走査路９８の他端を形成し，ターゲット表面１００を越え，ファラディ電流ディテクタ１０６を超える。・・・このようにして、偏向素子９６の偏向プレートにわたって電圧Ｖ０（零ボルトでも良い）を印加したときに、走査ビーム軌跡１０２ａが生じ，ビームストップ１０４に入射する。このときには，ビームイオンはターゲット表面１００に衝突しない。Ｖ１およびＶ３間の偏向電圧に対応して，偏向素子９６がビーム１０２を生じる。その軌跡は，ターゲット路９８に沿ってターゲット表面１００にわたり連続的に走査し、そしてターゲット表面を越えてファラディ・ディテクタ１０６の開口を横断する。イオンビーム１０２の各走査に対応して、ディテクタ１０６が電流パルスをもたらす。このパルスは、走査中のイオン電流密度に比例する時間積分によって特徴づけられる。検出電流のこの時間積分は、偏向素子９６の動作を制御するドーズコントローラ１１８へと印加するフィードバック信号として利用される。第６図の装置９０はさらに，並進ドライバ１０８を有し，これがシャフトを通じてターゲット・トランスポート１１０に接続されている。半導体ウェファなどのターゲット対象物１１２がターゲット・トランスポート１１０に載置されている。並進ドライバ１０８は、走査路９８を横切る方向、すなわち矢印１１４で示す方向にターゲット・トランスポート１１０を移動させるよう動作可能である。」（９頁右下欄１５行〜１０頁右上欄１２行） 
 (1c)「第７Ａ〜７Ｆ図は，時間の関数としての種々の走査電圧波形を示している。これら電圧波形が第６図の装置９０の偏向素子９６内の静電偏向プレートに印加され、入射ビーム９４を偏向して平坦走査ビーム１０２を形成する。・・・第７Ａ図に示す偏向波形によって、走査ビーム１０２はある時間間隔ｔ内に一方向そして反対方向に一様にターゲット表面１００にわたって走査する。次に走査ビームは軌跡１０２ａにおいて時間Ｔまで実質的に停留する。こうして、時間ｔとＴとの間の時間間隔の間、偏向電圧がＶ０に止どまり、それにより走査ビーム１０２はターゲット表面１００に入射せず、ビームストップ１０４に入射する。」（１０頁左下欄２〜２０行） 
 (1d)「第７Ｂ〜７Ｆ図が、偏向素子９６によるイオンビーム走査のための変形的波形を示している。第７Ｂ図は、３回の往復走査を示している。３回の全走査の後、かつ第７Ａ図で説明したような補償動作の実効の前に、積分が起こる。」（１１頁右上欄２〜６行） 
 (1e)「第９図は、第６図の装置９０と本発明に従ったドーズコントローラ１１８の素子とを結合させたブロック図を示している。図示のドーズコントローラ１１８は、一様性コントロールコンピュータ１２０を使用し、それとともにコンピュータメモリ１２２およびディスプレイターミナルまたは同様な出力素子１２１を有する。第９図では、第６図の偏向素子９６とイオン源９２とを、別個の偏向電圧波形発生器９６ａに接続した単一のイオンビーム源９２、９６として示している。位置センサ１１６は、ウェファ表面のｙ位置、すなわち矢印１１４に沿った並進位置を表わす電気信号を生み出す。・・・第９図をさらに参照すると、代表的には電流積分器を含むイオンビームディテクタ１０６が、集積ビーム電流に応答した信号を生み出し、それをコントロールコンピュータ１２０に印加する。図示の例においては、コンピュータ１２０は、偏向発生器９６Ａからも走査時間間隔ｔを表わす信号を受ける。コントロールコンピュータ１２０は、累積ドーズ量信号・・・を生み出す。」（１１頁右下欄１８行〜１２頁左上欄１９行） 
 (1f)「偏向電圧波形発生器９６ａは、ディテクタ１２４から電流信号ｉを受け、ドライブおよび位置センシングユニット１２６から位置信号ｘを受ける。これらの信号に応答して、代表的には一様性コントロールコンピュータ１２４（当審注：１２０の誤記）に連係して波形発生器９６ａが、走査イオンビーム源９２，９６がイオンビームを走査することに応じて，偏向電圧波形を生み出す。偏向発生器が波形を計算して、ビーム走査をもたらす。これにより、ターゲット表面上の各点についてのイオン電流の一様性レベルが達成される。あるいは、路に沿ったイオンビームの各高速走査上で、走査路９８に沿っての電流の選択した空間分布が達成される。」（１２頁左下欄１７行〜右下欄３行） 
 (1g)「第１０図のフローチャートは、本発明に従った集積回路製造中の半導体ウェファのイオンビームインプランテーション（たとえば，第９図の装置９０）のための動作順序を示している。・・・図示の動作順序は次に動作１３３に進み、そこでウェファがターゲット輸送手段１１０にロードされる。動作１３４において、ビーム走査を横切る方向にウェファを並進ドライブ１０８で並進させる。走査ビーム路を横切るウェファ並進の間、図示の順序は以下の段階を含む。動作１３８によってイオンビームを路９８を横切って走査する段階、およびそれと同時に動作１３６によって位置センサ１１６で並進位置を検出する段階が含まれる。図示の順序は動作１３８によって、少なくとも照射すべきウェファの第１領域がビーム路９８を通過して並進を開始する時までに、ビーム走査を始める。各走査の間に、あるいは選択した数回のビーム走査の組ごとに、動作１４０において、第９図のファラディディテクタ１０６によりビーム電流が測定される。動作１４２に示すように，ビーム電流および並進位置の測定結果に応じて、ビームトリガー時刻Ｔおよびビーム走査時間間隔ｔが調節されうる。・・・すなわち、動作１３８、１４０および１４２が反復され、同時にウェファ並進および動作１３４、１３６の位置検出が続行される。図示の順序はゆえに、イオンビームをターゲット対象物を横切って反復的に走査する。１回または複数回の連続的ビーム走査の各組について、走査時間間隔および走査開始時間の調節がなされる。」（１３頁左上欄１９行〜左下欄１８行） 
 (1h)第９図には、ファラディディテクタ１０６が、走査路９８上であって、ターゲット表面に近接して配置されることが示されている。 
 　 
 （２）特許異議申立人が提出した甲第２号証には、図面とともに以下の事項が記載されている 
 (2a)「〔発明の背景〕本発明は、被加工物の荷電粒子ビーム走査に関する。より詳細には、半導体ウエフアなどの被加工物を高効率、高い一様性のイオンビームで走査するための方法及び装置に関する。」（３頁左下欄１４〜１８行） 
 (2b)「１度に１つのウエフアを処理して、自動ウエフア操作機構を用いた他の研究が、スループツトを改良するためになされてきた。代表的にウエフアは一定に保持され、イオンビームはウエフア上に２次元パターンで静電的に走査される。そういうパターンが、米国特許第４，２８３，６３１号に開示されている。一定振幅の操作信号がｘ及びｙ方向の偏向プレートに印加され、イオンビームを方形リサージユパターンに偏向する。走査信号の振幅は、方形パターンが丸い半導体ウエフアを全て覆うことを保証するように寸法づけられる。・・・加えて、方形パターンの寸法は、ウエフアの直径よりもわずかに大径とし、ある程度のオーバー走査をもたらす。各走査線終了後のビームの方向反転時にウエフアの注入量に非一様性が生じるのを回避するために、又ウエフアの直径及び位置のずれを許すために、オーバー走査が必要である。さらに、イオンビームの断面寸法が増大するにつれて、オーバー走査の量も増大させなければならない。何故ならば、ビーム反転の前にビームをウエフアから完全にはずさなければならないからである。ウエフアの周縁の外側で方形パターンの隅の部分を走査するときには、装置が消費する時間は非生産的であり、スループツトを減少させる。」（４頁左上欄４行〜右上欄１０行） 
 (2c)「本発明の方法及び装置によりもたらされるビーム走査パターンの一例を第３図に示す。走査されるべき半導体ウエフア７０が、半径ｒの円で表わされている。イオンビームは、ウエフア７０の頂部における点Ａに始まり、ウエフア７０を横切つて水平に右へと走査される。ウエフア７０の右端を通過した後に、ビームは、垂直ステツプ距離Δyだけ下方にステツプし、そしてウエフア７０を横切つて水平に左へと走査される。さらにビームは、距離Δyだけ下方に再度ステツプし、そして水平に右へと走査される。ビーム１８が点Ｂに達してウエフア７０が完全に走査されるまで、このプロセスが繰返される。・・・走査線ｎの長さは、Ｌｎである。水平走査線の長さＬｎは、ウエフア７０の走査されている垂直レベルにおける水平寸法に対応して、変化する。長さＬｎはウエフア７０の水平寸法よりわずかに大きく、ウエフア７０の周縁の外側でビーム反転が起こることを保証している。・・・長さＬｎは、次式で表現できる。 
 Ｌｎ＝２ｘｎ＋２Δx （２） 
 ただし、Δxはオーバー走査の量である。・・・ウエフア７０の半径及びオーバー走査の量Δxが与えられれば、各水平走査線における長さＬｎを決定できる。望むならば、オーバー走査量Δxは変化させることができるが、最小にすべきである。」（６頁右上欄９行〜右下欄６行） 
 (2d)「上記の如く本発明によつて、被加工物を予め定めたパターンでイオンビーム走査するための方法及び装置がもたらされた。本装置は、半導体ウエフアの寸法及び形状に対応した円形パターンを走査するのに特に適している。この円形パターンは、オーバー走査を減少させて、装置のスループツトを改良する。」（１０頁左下欄１２〜１８行） 
 　 
 ４．対比・判断 
 （１）本件発明１について 
 　ア．本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証に記載された発明の「インプラント装置９０」、「イオン源９２」、「ターゲット表面１００」は、それぞれ本件発明１の「イオン注入装置」、「イオンビームを生成するための手段」、「被処理体」に相当する。 
 　イ．甲第１号証に記載された発明の「偏向素子９６」は、偏向電圧波形発生器９６ａからの偏向電圧波形によりターゲット表面１００にわたる走査路９８に沿ってイオンビームを偏向するものである。そして、甲第１号証に記載された発明の偏向電圧波形及び走査路９８に沿った方向は、それぞれ本件発明１の「走査信号」及び「第１方向」に相当するから、甲第１号証に記載された発明の「偏向素子９６」と本願発明１の「第１走査手段」とは、ともに走査信号に応答して、第１方向内で被処理体を横切って前記イオンビームを走査するためのものである。 
 　ウ．甲第１号証に記載された発明の「並進ドライブ１０８」は、走査路９８を横切る方向にターゲット表面１００を移動させ、その結果としてターゲット表面１００全体にわたってイオンビームが走査されるものであるから、本件発明１の「第１走査手段と共に前記イオンビームを前記被処理体上に分配するように、前記被処理体に関して第２方向内でイオンビームを走査するための第２走査手段」に相当する。 
 　エ．甲第１号証に記載された発明の「ファラディディテクタ１０６」は、走査中のイオン電流密度に比例する電流パルスを検出するものであり、また、上記摘記事項(1h)にあるとおりターゲット表面１００に近接配置されていることから、甲第１号証に記載された「ファラディディテクタ１０６」と本件発明１の「検知手段」は、ともに「イオンビームを検知しかつ前記イオンビームの強度を表す信号を与えるための被処理体に近接配置された」ものである。 
 　オ．上記摘記事項(1g)における、「各走査の間に、あるいは選択した数回のビーム走査の組ごとに、動作１４０において、第９図のファラディディテクタ１０６によりビーム電流が測定される。」との記載から、数回のビーム走査の組には、ビーム電流を測定する走査期間と、ビーム電流を測定しない走査期間とが含まれるものであることが読み取れ、このうちビーム電流を測定する走査期間では、イオンビームは、ファラディディテクタ１０６とターゲット表面１００を横切るように走査され、また、これらの走査は、偏向電圧波形発生器９６ａにて生成される走査信号によって走査路９８（本件発明１の「第１方向」に相当）に沿ってなされるものである。このことから、甲第１号証に記載された発明における、上記ビーム電流を測定する走査期間は、第１走査信号により被処理体及び前記検知手段を横切って前記イオンビームを走査するインターバルである点で、本件発明１の「第１走査インターバル」に相当し、また甲第１号証に記載された発明における、上記ビーム電流を測定しない走査期間は、第２走査信号により第１方向に沿って前記イオンビームを走査するインターバルである点で、本件発明１の「第２走査インターバル」に相当し、甲第１号証に記載された発明の「偏向電圧波形発生器９６ａ」は、本件発明１の「走査信号を生成するための手段」に相当する。 
 　上記ア〜オの考察から、本件発明１と甲第１号証に記載された発明とは、 
 「イオン注入装置であって、イオンビームを生成するための手段と、走査信号に応答して、第１方向内で被処理体を横切って前記イオンビームを走査するための第１走査手段と、前記第１走査手段と共に前記イオンビームを前記被処理体上に分配するように、前記被処理体に関して第２方向内でイオンビームを走査するための第２走査手段と、前記イオンビームを検知しかつ前記イオンビームの強度を表す信号を与えるための、前記被処理体に近接配置された検知手段と、第１走査インターバルの間に前記被処理体及び前記検知手段を横切って前記イオンビームを走査する第１走査信号及び第２走査インターバルの間に生成され前記第１方向に沿って前記イオンビームを走査する第２走査信号を含む前記走査信号を生成するための手段と、から成る装置。」 
 　である点で一致し、下記【相違点１】にて相違する。 
 【相違点１】 
 　本件発明１の走査信号を生成する手段は、第２走査インターバルの間に生成され被処理体の最大の大きさよりも実質的に大きくない領域を横切って第１方向に沿ってイオンビームを走査する第２走査信号を含む走査信号を生成するのに対し、甲第１号証に記載された発明では、第２走査信号によりいかなる領域を走査するものであるのか明確でない点。 
 　 
 　そこで、上記【相違点１】について以下検討する。
　甲第１号証の上記摘記事項(1g)における、「各走査の間に、あるいは選択した数回のビーム走査の組ごとに、動作１４０において、第９図のファラディディテクタ１０６によりビーム電流が測定される。」との記載は、ビーム電流を測定しない走査期間中でも、イオンビームがファラディディテクタ１０６を横切ることを排除する記載であるとは必ずしもいえず、前記ビーム電流を測定しない走査期間においては、イオンビームの位置がターゲット表面１００のみならず、ファラディディテクタ１０６の設置場所を含めた領域のうちいずれかにあるのかは不明である。
　また、甲第２号証には、ビーム電流を測定しない走査期間についての記載がそもそもないため、その走査期間においてイオンビームの位置が半導体ウエフア７０内外のどの位置に存在するのかについての記載も示唆もない。
　したがって、甲第１号証及び甲第２号証には上記【相違点１】について何ら開示がされていない。
　そして、本件発明１は、上記【相違点１】により、通常の走査サイクルにつき一回の頻度より少ない頻度でイオンビーム電流を測定することにより、ドーズの精度を維持しながら、イオンビーム利用効率を増加させるという格別の効果を奏するものである。
　以上のことから、本件発明１は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　　以下、特許異議申立人の主張について検討する。
　特許異議申立書には、次のように特許異議申立ての理由が記載されている。
『（４−１）本件特許発明
本件の請求項１、１３、１５に係る各特許発明は、それぞれ審決時の明細書および図面の記載からみて、当該各請求項に記載されたとおりの、
「（請求項１）
　Ａ．イオン注入装置であって、
　Ｂ．イオンビームを生成するための手段と、
　Ｃ．走査信号に応答して、第１方向内で被処理体を横切って前記イオンビームを走査するための第１走査手段と、
　Ｄ．前記第１走査手段と共に前記イオンビームを前記被処理体上に分配するように、前記被処理体に関して第２方向内でイオンビームを走査するための第２走査手段と、
　Ｅ．前記イオンビームを検知しかつ前記イオンビームの強度を表す信号を与えるための、前記被処理体に近接配置された検知手段と、
　Ｆ．第１走査インターバルの間に前記被処理体及び前記検知手段を横切って前記イオンビームを走査する第１走査信号及び第２走査インターバルの間に生成され前記被処理体の最大の大きさよりも実質的に大きくない領域を横切って前記第１方向に沿って前記イオンビームを走査する第２走査信号を含む前記走査信号を生成するための手段と、
　から成る装置。
　（請求項１３）
　ａ．被処理体にイオン注入するための方法であって、
ｂ．イオンビームを生成する工程と、
　ｃ．走査信号に応答して第１方向内で被処理体を横切ってイオンビームを走査する工程と、
　ｄ．イオンビームが被処理体上に分配されるように、イオンビームに関して第２方向内で被処理体を走査する工程と、
　ｅ．イオンビームを検知しかつイオンビームの強度を表す信号を与えるための工程であって、該イオンビームを検知する工程が前記被処理体に近接配置された検知手段によって実行されるところの工程と、
　ｆ．第１走査インターバルの間に前記被処理体及び前記検知手段を横切って前記イオンビームを走査する第１走査信号及び前記第２走査インターバルの間に生成され前記被処理体の最大の大きさよりも実質的に大きくない領域を横切って前記第１方向に沿って前記イオンビームを走査する第２走査信号を含む前記走査信号を生成する工程と、
　から成る方法。
　（請求項１５）
　Ａ．イオン注入装置であって、
　Ｂ．イオンビームを生成するための手段と、
　Ｃ１ ．被処理体に関して第１方向内で前記イオンビームを走査するための第１走査手段と、
　Ｄ．前記第１走査手段と共に前記イオンビームを前記被処理体上に分配するように、前記被処理体に関して第２方向内で前記イオンビームを走査するための第２走査手段と、
　Ｅ．前記イオンビームを検知しかっ該イオンビームの強度を表す信号を与えるための、前記被処理体に近接配置された検知手段と、
　から成り、
　Ｆ１ ．前記第１走査手段は、第１走査インターバルの間前記被処理体及び前記検知手段を横切って前記イオンビームを走査するための手段及び第２走査インターバルの間前記被処理体の最大の大きさよりも実質的に大きくない領域を横切って前記第１方向に沿って前記イオンビームを走査するための手段を含むところの装置。」にあるものと考えられる。
　そして、本件各特許発明は、この構成により、特に上記構成Ｆ、ｆ、Ｆ１ により、第２走査インターバル中に被処理体の外側へのビーム走査（これは一般的にオーバー走査と呼ばれている）を減らすことができ、イオンビームの利用効率が増加するという効果を奏するとされている（本件特許公報第２７欄第１〜４行、同欄第１７〜２０行、第２８欄第３行、意見書１第２頁第１７〜２６行、手続補正書４第２頁第３〜１３行）。この効果は、「ビーム検出器への走査は断続的に行われる」結果であるとも説明されている（意見書１第４頁第６〜１０行）。
　（４−２）証拠の説明
　・・・甲第１号証（特表昭６４−５００３１０号公報）
　この甲第１号証に記載の技術は、本件特許発明と同様、イオン注入装置およびイオン注入方法に関するものである。
　・・・
　第１０頁右上欄第３〜４行、第１１頁右下欄第１８〜２０行、第１２頁左下欄第１７〜２４行、第６図、第９図他には、本件特許発明の上記構成Ｆ、Ｆ１、ｆの一部に相当するものとして、偏向素子９６に与える前記走査信号を生成するための手段または第１方向に沿ってイオンビーム９４、１０２を走査するための手段としてのドーズコントローラ１１８、それを構成する偏向電圧波形発生器９６ａおよび前記走査信号を生成する工程が記載されている。
　第１０頁左下欄第１４〜２０行、第６図、第７Ａ図には、第７Ａ図に示す走査信号によって、電圧がＶ０のときにイオンビーム１０２をビームストップ１０４に入射させることが記載されている。
　第１１頁右上欄第２〜６行、同欄第９〜１３行、第６図、第７Ｂ図、第７Ｄ図には、本件特許発明の上記構成Ｆ、Ｆ１、ｆに相当するものとして、前記走査信号が、（ア）電圧Ｖ０〜Ｖ３間を変化する第１インターバルの間にイオンビーム１０２を、被処理体１１２を横切りかつビームストップ１０４に入射するように大きな走査幅で走査する第１走査信号と、（イ）電圧Ｖ０〜Ｖ３間を変化する第２走査インターバルの間にイオンビーム１０２を、被処理体１１２は横切るけれどもビームストップ１０４には入射しないように小さな走査幅で走査する第２走査信号とを含むことが記載されている。
　即ち、簡単に言えば、ビームストップ１０４へのイオンビーム１０２の走査が断続的に行われることが記載されている。より具体的には、第７Ｂ図の走査信号では、イオンビーム１０２は、３回の往復走査後に１回の割合でビームストップ１０４へ走査され、第７Ｄ図の走査信号では、イオンビーム１０２は、１回の往復走査後に１回の割合でビームストップ１０４へ走査されることが記載されている。。
　第１３頁左下欄第２〜９行、第９図、第１０図には、本件特許発明の上記構成Ｆ、Ｆ１、ｆに相当するものとして、ビームの「各走査の間に、あるいは選択した数回のビーム走査の組ごとに、動作１４０において、第９図のファラディディテクタ１０６によりビーム電流が測定される。」ことが記載されている。これは非常に重要な記載である。即ち、簡単に言えば、ファラディディテクタ１０６へのイオンビーム１０２の走査が断続的に行われることが記載されている。
　しかも、第９図では、第６図のビームストップ１０４が、被処理体１１２に近接配置されたファラディディテクタ１０６に置き換えられていてイオンビーム１０２は（その走査路９８は）ファラディディテクタ１０６を横切っており、かつファラディディテクタ１０６の反対側には計測器は設けられておらず、ファラディディテクタ１０６とは反対側へのイオンビーム１０２のオーバー走査は、第６図の場合と違って非常に小さく図示されている。この第９図も非常に重要な記載である。
　・・・甲第２号証（特開昭５８−１９００２３号公報）
　この甲第２号証に記載の技術は、本件特許発明と同様、イオン注入装置およびイオン注入方法に関するものである。
　第４頁右上欄第７〜１３行、同頁左下欄第５〜７行には、イオンビームのウエハ外へのオーバー走査による浪費走査時間を減少させてスループットを増大させる（ビーム利用を高効率化する）課題が記載されている。第１図およびその説明には、本件特許発明の上記構成Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｃ１ 、Ｄ、ａ、ｂ、ｃに相当するものとして、イオン源８、ｘ（第１方向）走査プレート４２、ｙ（第２方向）走査プレート４０を備えるイオン注入装置およびイオン注入方法が記載されている。
　第６頁右上欄第９行〜同頁左下欄第１行および第３図には、上記課題を解決する一手段として、被処理体（ウエフハ）７０の寸法および形状に対応させてイオンビームを走査することによって、オーバー走査を減少させる技術が記載されている。
　第６頁右下欄第４〜６行には、オーバー走査量△ｘは最小にすべきであることが記載されている。
　第１０頁左下欄第１４〜１８行には、本件特許発明の上記効果に相当するものとして、オーバー走査を減少させて、装置のスループットを改良することが記載されている。即ち、ビーム利用を高効率化する目的を達成することのできることが記載されている。
（４−３）本件特許発明と証拠との対比
　・・・請求項１
　ア．上記構成Ａ〜Ｅについて
　本件請求項１に係る特許発明と甲第１号証とを対比すると、甲第１号証には、イオン注入装置であって（上記構成Ａに相当）、イオンビームを生成するイオン源９２（上記構成Ｂに相当）と、走査信号に応答して第１方向内で被処理体１１２を横切ってイオンビーム９４、１０２を走査する偏向素子９６（上記構成Ｃに相当）と、偏向素子９６と共にイオンビームを被処理体１１２上に分配するように、被処理体１１２に関して第２方向内でイオンビームを走査する掃引プレートまたは他のビーム偏向体（上記構成Ｄに相当）と、イオンビーム１０２を検知しかつイオンビーム１０２の強度を表す信号を与えるための、被処理体１１２に近接配置されたファラディディテクタ１０６（上記構成Ｅに相当）とを備える装置が記載されており、本件特許発明の上記構成Ａ〜Ｅと同一の構成が記載されている。上記構成Ｄの第２走査手段が、第２方向内で被処理体を並進運動させる手段を含んでいるとしても（本件請求項９の前段参照）、甲第１号証には当該手段に相当する並進ドライバ１０８が記載されている。
　イ．上記構成Ｆについて
　本件特許発明の上記構成Ｆは、要は、イオンビームの走査幅を、検知手段による検知が必要な時にのみ大きくし、その他の時はできるだけ小さくするという思想である。
　これに対して、甲第１号証の第６図等には、前述したように、上記構成Ｆに相当するものとして、第１走査インターバルの間に被処理体１１２を横切りかつビームストップ１０４に入射するように大きな走査幅でイオンビーム１０２を走査する第１走査信号と、第２走査インターバルの間に被処理体１１２を横切るけれどもビームストップ１０４には入射しないように小さい走査幅でイオンビーム１０２を走査する第２走査信号とを含む走査信号を生成するドーズコントローラ１１８ または偏向電圧波形発生器９６ａが記載されている。即ち、イオンビーム１０２の走査幅を、計測・制御が必要な時にのみ大きくし、その他の時はできるだけ小さくするという、上記構成Ｆと同様の思想が記載されている。
　甲第１号証に記載の上記技術は、イオンビーム１０２を、ファラディディテクタ１０６にではなく、ビームストップ１０４に入射させる必要がある時にのみ走査幅を大きくするというものでありこの点で上記構成Ｆとは若干相違している。しかし、甲第１号証の第９図では、第６図のビームストップ１０４が、被処理体１１２に近接配置されたファラディディテクタ１０６に置き換えられている。ファラディディテクタ１０６の反対側には計測器は設けられていない。更に、第１３頁左下欄第４〜７行には、この第９図の動作説明として、
ビームの各走査の間に、あるいは選択した数回のビーム走査の組ごとに、第９図のファラディディテクタ１０６によりビーム電流が測定される
　即ちここには、イオンビーム１０２の走査幅を、ファラディディテクタ１０６による検知が必要な時にのみ大きくし、その他の時はできるだけ小さくするという、上記構成Ｆと同一の思想が記載されている。またこの走査は、簡単に言えば、ファラディディテクタ１０６へのイオンビーム１０２の走査が断続的に行われることであり、これは、前記（４−１）項において述べたように、本件特許発明の効果を奏する理由である「ビーム検知器への走査は断続的に行われる」（意見書１第４頁第６〜１０行）ことと同じことである。
　この第９図のようなイオンビーム１０２の走査が、偏向電圧波形発生器９６ａから走査イオンビーム源（イオン源＋偏向素子）９２、９４に、第７Ｂ図、第７Ｄ図に示すような走査信号を与えることによって行われることは、当業者であれば容易に想到することができる。第９図中の偏向電圧波形発生器９６ａのブロック中にも、同様の走査信号波形が図示されている。
　また、第７Ｂ図、第７Ｄ図中の時間ｔ、Ｔは調節可能であることが記載されており（例えば第１３頁左下欄第８〜９行）、ｔ＝Ｔまたはｔ≒Ｔとすることもあり得ることは、当業者であれば容易に想到することができる。そのようにすると、第７Ｂ図の走査信号波形は本件特許の第１１図および第１２図の走査信号波形にほぼ一致し、第７Ｄ図の走査信号波形は本件特許の第１２Ａ図の走査信号波形にほぼ一致する。
　上記のことを総合すると、甲第１号証には、上記構成Ｆに相当するものとして、第１走査インターバルの間に被処理体１１２およびファラディディテクタ１０６を横切ってイオンビーム１０２を走査する第１走査信号と、第２走査インターバルの間に被処理体１１２を横切るけれどもファラディディテクタ１０６には入射しないように、しかもできるだけ小さいオーバー走査でイオンビーム１０２を走査する第２走査信号とを含む走査信号を生成する偏向電圧波形発生器９６ａまたはそれを含むドーズコントローラ１１８が記載されている。このような走査によって、第２走査インターバルのオーバー走査を減らすことができるので、当然、イオンビームの利用効率が増加するという、本件特許発明と同様の効果を奏する。また、甲第２号証の記載と合わせれば、このような効果を奏することは当業者が容易に理解（想到）することができる、と言うこともできる。
　ところで、上記構成Ｆには、第２走査信号は被処理体の最大の大きさよりも実質的に大きくない領域を横切ってイオンビームを走査すると記載されているのに対して、甲第１号証にはそのようなことが明記されていない点で若干相違している。
　しかし、イオンビームのオーバー走査を減少させてビーム利用を高効率化し、スループットを増大させるという課題は、甲第２号証にも記載されているように、イオン注入において周知の課題である。また、甲第２号証にもオーバー走査量△ｘは最小にすべきであることが記載されている。
　従って、甲第１号証に記載の第９図の装置においても、甲第２号証の上記記載に基づいて、第２走査信号における走査時に（即ち第２走査インターバルの間に）、イオンビーム１０２のオーバー走査量を最小にする、即ち被処理体の最大の大きさよりも実質的に大きくない領域を横切ってイオンビームを走査するようにすることは、当業者であれば容易に想到することができる。
　それ故に、上記構成Ｆは、当業者であれば、甲第１号証および甲第２号証の記載から容易に想到することができる。
　また、本件特許発明は、上記構成Ｆによって、第２走査インターバル中のオーバー走査を減らすことができ、イオンビームの利用効率が増加するという効果を奏するとされているけれども、前述したように甲第１号証に記載の偏向電圧波形発生器９６ａまたはそれを含むドーズコントローラ１１８によっても同様の効果を奏する。また、オーバー走査を減少させることによってビーム利用を高効率化し、スループットが増大するという効果は甲第２号証にも記載されている。従って、上記構成Ｆによる効果は、甲第１号証に記載の技術が奏する効果、または当業者が甲第１号証および甲第２号証の記載から予測することができる程度の効果でしかなく、何ら格別の効果ではない。
　従って、本件請求項１の特許発明は、甲第１号証および甲第２号証から、当業者が容易に発明をすることができたものである。』
 　
　しかしながら、甲第１号証にその第６図と第９図とを関連づけるような記載はなく、「甲第１号証の第９図では、第６図のビームストップ１０４が、被処理体１１２に近接配置されたファラディディテクタ１０６に置き換えられている。ファラディディテクタ１０６の反対側には計測器は設けられていない。」との特許異議申立人の主張を採用することはできない。そうすると、前記「４．対比・判断」中の【相違点１】についての検討のとおり、たとえ、第９図においてファラディディテクタ１０６とは反対側へのイオンビーム１０２のオーバー走査は非常に小さく図示されているとしても、「即ちここには、イオンビーム１０２の走査幅を、ファラディディテクタ１０６による検知が必要な時にのみ大きくし、その他の時はできるだけ小さくするという、上記構成Ｆと同一の思想が記載されている。」との特許異議申立人の主張を採用することはできない。
　
　また、「第７Ｂ図の走査信号波形は本件特許の第１１図および第１２図の走査信号波形にほぼ一致し、第７Ｄ図の走査信号波形は本件特許の第１２Ａ図の走査信号波形にほぼ一致する。」との特許異議申立人の主張は、たとえ、偏向電圧波形発生器９６ａから走査イオンビーム源（イオン源＋偏向素子）９２、９６に、第７Ｂ図、第７Ｄ図に示すような走査信号を与え、その際、第７Ｂ図、第７Ｄ図中の時間ｔ、Ｔをｔ＝Ｔまたはｔ≒Ｔのように調節したとしても、第６図と第９図とを関連づける記載がない以上、第７Ｂ図、第７Ｄ図において、電圧Ｖ０のときのイオンビームはビームストップ１０４に位置するだけであるから、甲第１号証の第７Ｂ図、第７Ｄ図の走査信号波形が本件特許の第１１図及び第１２図、第１２Ａ図の走査信号波形と関連するということはできず、当該主張を採用することはできない。
　
（２）本件発明１３について 
 　本件発明１３は、本件発明１の構成要件である各「手段」を、それぞれ「工程」と置き換え、全体を「イオン注入装置」から「被処理体にイオン注入するための方法」と表現したものであって、本件発明１と本件発明１３とは、単にカテゴリーが相違するのみで、両者に実質的な差異はない。したがって、本件発明１と同様の理由で、本件発明１３は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
 　 
 （３）本件発明１５について 
 　本件発明１５は、本件発明１の「第１方向内で被処理体を横切って前記イオンビームを走査するための第１走査手段」を「被処理体に関して第１方向内で前記イオンビームを走査するための第１走査手段」とし、「第１走査インターバルの間に前記被処理体及び前記検知手段を横切って前記イオンビームを走査する第１走査信号及び第２走査インターバルの間に生成され前記被処理体の最大の大きさよりも実質的に大きくない領域を横切って前記第１方向に沿って前記イオンビームを走査する第２走査信号を含む前記走査信号を生成するための手段」を「第１走査手段は、第１走査インターバルの間前記被処理体及び前記検知手段を横切って前記イオンビームを走査するための手段及び第２走査インターバルの間前記被処理体の最大の大きさよりも実質的に大きくない領域を横切って前記第１方向に沿って前記イオンビームを走査するための手段を含む」としている点で相違する。そして、「４．対比・判断（１）本件発明１について」のイ．、オ．において述べたとおり、甲第１号証に記載された発明においても、「偏向素子９６」は、被処理体に関して第１方向内で前記イオンビームを走査するものであり、また、前記第１方向内において、イオンビーム電流を測定する走査期間とイオンビーム電流を測定しない走査期間を含むようにイオンビームを走査するものである。
　したがって、本件発明１５と甲第１号証に記載された発明とは、 
 「イオン注入装置であって、イオンビームを生成するための手段と、被処理体に関して第１方向内で前記イオンビームを走査するための第１走査手段と、前記第１走査手段と共に前記イオンビームを前記被処理体上に分配するように、前記被処理体に関して第２方向内で前記イオンビームを走査するための第２走査手段と、前記イオンビームを検知しかつ該イオンビームの強度を表す信号を与えるための、前記被処理体に近接配置された検知手段と、から成り、前記第１走査手段は、第１走査インターバルの間前記被処理体及び前記検知手段を横切って前記イオンビームを走査するための手段を含むところの装置。」 
 　である点で一致し、下記【相違点２】にて相違する。
　
 【相違点２】 
 　本件発明１５では、第１走査手段が、「第２走査インターバルの間前記被処理体の最大の大きさよりも実質的に大きくない領域を横切って前記第１方向に沿って前記イオンビームを走査するための手段を含む」のに対し、甲第１号証に記載された発明では、これが明確でない点。
 　 
 　上記の【相違点２】の「第２走査インターバルの間前記被処理体の最大の大きさよりも実質的に大きくない領域を横切って前記第１方向に沿って前記イオンビームを走査するための手段を含む」点については、上記「４．対比・判断（１）本件発明１について」の【相違点１】と同じであることから、【相違点１】の判断と同様の理由により、本件発明１５は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
 　 
 ５．むすび 
 　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１，１３及び１５についての特許を取り消すことはできない。また、他に本件発明１，１３及び１５についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年１２月１４日（２００５．１２．１４）