【手続補正書】
【提出日】平成22年6月1日(2010.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【図１】改良式の構成の注入器によって促進されるプロセスチャンバへのマルチアクセスのための、本発明の装置の一実施形態の概略図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態の注入器を挿入されたポートを有するチャンバ窓の一実施形態の側断面図であり、アクセス領域を電場から保護するための、ポート内のシールドと、改良式マルチアクセスを提供する第１の部分としての、シールド内に収容されたケースとを示している。
【図２Ｂ】図２Ａに示されたチャンバ窓の実施形態を、図２Ａの線２Ｂ−２Ｂで切り取った断面図であり、注入器のガス＆光マルチアクセス領域の断面を示している。
【図３Ａ】図２Ａの注入器の一実施形態の断面図であり、ケースと、該ケース内に収容されたスリーブと、を含むツーピース型の注入器構成を例示しており、プロセスチャンバへの改良式光アクセスを提供するための、スリーブ内に収容されたセプタムを示している。
【図３Ｂ】図３Ａの注入器の実施形態を、図３Ａの線３Ｂで切り取った断面図であり、スリーブのクリアな光アクセス領域の断面を示している。
【図３Ｃ】図３Ａの注入器の実施形態を、図３Ａの線３Ｃで切り取った断面図であり、セプタムによって画定されるクリアな光アクセス領域の断面を示している。
【図４】図３Ａおよび図３Ｃに示されたスリーブおよびセプタムの拡大断面図であり、セプタムがクリアな光アクセス領域を代表的な２つのガス＆光信号マルチアクセスアパーチャに分割することを例示している。
【図５Ａ】図４の線５Ａで切り取った平面図であり、図４に示されたセプタムの代表的構成を例示している。
【図５Ｂ】図４の線５Ｂで切り取った平面図であり、図４に示されたセプタムの代表的構成を例示している。
【図６】図３Ａのツーピース型注入器の一部の断面図であり、ケースの一端およびそれに対応するスリーブの端の拡大部分を例示しており、注入器内における粒子の生成を最小限に抑えるための、ケースの一端とそれに対応するスリーブの端との間のＵ字型境界の実施形態を示している。
【図７Ａ】ケースの上端およびそれに対応するスリーブの端を例示した拡大断面図であり、スリーブとケースの上端に固定された光アクセス窓との間においてスリーブ上に取り付けられた曲げ材を示している。
【図７Ｂ】図７Ａに類似の図であり、スリーブ上に取り付けられて窓によって圧縮された曲げ材が、注入器内における粒子の生成を最小限に抑えるためにスリーブのもう一方の端を境界に対して促す様子を例示している。
【図８】本発明の一方法実施形態のフローチャートの図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１は、また、ポート５０を介したチャンバ４２へのアクセスを必要とする設備５４を備えたチャンバ４２を図示している。設備５４は、例えばチャンバへのプロセスガスの供給などによってチャンバ４２内における堆積またはエッチングのプロセスを促進するために、このようなアクセスを必要とする。設備５４の一例として、プロセスガスは、１つまたは複数のガス供給からアクセス領域５３および注入器５１を通してチャンバ４２内へと供給されてよい。堆積またはエッチングのプロセスのためにチャンバ４２内の圧力をポンプ（不図示）によって減少させることを前提にして、インピーダンス整合回路をともなうＲＦエネルギ源５８が、チャンバ４２内のガスを活性化してチャンバ４２内に高密度（例えば１０-11〜１０-12イオン／ｃｍ3）プラズマを維持するためにコイル６０に接続される。コイル６０は、チャンバ４２内において堆積またはエッチングのプロセスを行うための高密度プラズマを提供するために、窓４８を通してチャンバ４２内へとＲＦエネルギを誘導結合するタイプのものであってよい。その結合中に、コイル６０は電場を生成する（図１の線６２を参照せよ）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
設備５４は、後述のようにプロセス解析、診断、または測定のためにチャンバ４２へのアクセスを必要とするツール（図７において５４Ｔとして言及される）を含む場合も、アクセス領域５３を介したチャンバ４２へのアクセスを必要とするであろう。ツール５４Ｔによるアクセスは、「光アクセス」と称されてよく、図２Ａにおいて代表的な線ＡＰによって例示されている軸路に沿って、ツール５４Ｔによって方向付けすることができる。光アクセスの一例として、図２Ａは、入力光信号、すなわちツール５４Ｔによってコリメート白色光として構成可能である信号Ｓ−ＩＮを示している。信号Ｓ−ＩＮは、注入器５１を通って軸路に沿って、チャンバ４２内で処理されている基板４６（図１）の表面上へと達するように、ツール５４Ｔによって方向付けすることができる。プロセス解析、診断、または測定のいずれかの例として、このような表面は、基板それ自体の表面または基板上の構造（例えばダイ）であってよく、そのような表面または構造は、信号Ｓ−ＩＮを変調させるまたはその他のかたちで信号Ｓ−ＩＮを変化させることができる。例えば、基板の処理の表れとして、信号の振幅、周波数、または位相に変化が生じることがある。変化にともなって、信号Ｓ−ＩＮは、出力光信号、すなわちチャンバ４２から発せられツール５４Ｔによる受信のために光路ＡＰに沿って注入器５１を通って伝送可能である信号Ｓ−ＯＵＴ（図２Ａ）と称される。その他の（白色光でない）形態の光入力信号Ｓ−ＩＮを使用することによって、または信号Ｓ−ＩＮに対してその他の変化を生じさせる基板表面、構造、もしくはプロセスによって、その他のタイプの光アクセスをなすことも可能である。本明細書において、「光アクセス」または信号Ｓ−ＩＮもしくは信号Ｓ−ＯＵＴとして言及される場合は、このようなその他の形態の光アクセスも含むものとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の実施形態は、アクセス領域５３内に導入されるこのような望ましくないプラズマによって生じる問題を実質的に回避しつつ、後述されるその他の利点を提供するために、使用することができる。図２Ａは、アクセス領域５３との関係でプロセスチャンバ窓４８を示すとともに、基準として窓４８の縦軸Ｘを特定している。本発明による注入器５１の実施形態を使用するにあたり、大直径窓部分５０Ｅは、アクセス領域５３および注入器５１を保護するためのシールド５２を収容してよい。図２Ａは、第１の先行出願においてより完全に説明されているように、シールド５２の一端が足５２Ｆによって大直径部分５０Ｅ内に収容および保持されることを示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
また、これらの必要性および問題解決は、注入器に通じる光アクセス窓上に有害な量の粒子を堆積させることなく満足され実現される。反対に、上で示されるように、セプタム１２６は、アパーチャ１３６の横断寸法をスリーブ壁１２２の同寸法より小さくするように、そしてスリーブの壁１２２の領域１２９より小さい各領域１４２Ａをともなうように構成され、そうして、粒子がアパーチャ１３６の壁１２２，１３８に衝突する回数を増加させている。粒子と、アパーチャ１３６の壁１２２，１３８との間の衝突の増加は、粒子が光アクセス窓７０に到達する前にアパーチャ１３６の表面１２２，１３８上に堆積することを促進する。このような表面上への粒子のこの堆積は、光アクセス窓７０が堆積粒子にコーティングされる可能性を低くする結果となり、信号Ｓ−ＩＮおよび信号Ｓ−ＯＵＴの両者のＳＮＲを低減させる要因を回避する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
これらの必要性および問題解決は、注入器５１を特定の材料から作成することを必要とせず、むしろ、ケース９０、スリーブ９２、およびセプタム１２６の各パーツに各種の材料を使用可能にすることによって満足され実現される。本発明にしたがうと、多くの組み合わせの材料が使用可能である。例えば、一実施形態では、ケース、スリーブ、およびセプタムは、コーティングされているかもしくはコーティングされていないかのいずれかのセラミック、またはポリマで作成されてよい。セラミックは、第１の先行出願または第２の先行出願に記載されたものと同じでよく、例えば、アルミナ、セリア、イットリア、ジルコニアなどである。例えば、もしプロセスが石英に適合しているならば、石英が使用されてよい。代表的なポリマには、ＰＴＦＥ、ＥＴＦＥ，ＣＴＦＥ、ＦＥＰ、ならびにＴＥＦＬＯＮ、ポリエーテリイミド（Ｕｌｔｅｍ）、ポリカーボネート（Ｌｅｘａｎ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、およびポリイミド（Ｖｅｓｐｅｌ）などの商標名で販売されているその他のポリマが含まれる。一般に、これらの全てのパーツにポリマを使用すると、低コストの利点が得られ、また、セラミックと比べて製造も容易である。例えば、もしプラズマエッチング応用の基準（すなわち基板のタイプ、ガス、温度、電力等）が特定のポリマに適合しているならば、これらのコンポーネントは全て、そのポリマで作成されてよい。とりわけ有利なのは、ケース９０をポリマで作成することである。なぜならば、これは、一部のセラミックが必要とするコーティングの必要性を軽減するからである。プラズマに対して最も抵抗性の（すなわちプラズマおよび高電場に対して最も抵抗性の）実施形態は、ケース、スリーブ、およびセプタムをそれぞれセラミックで作成した「全セラミック製の」構成である。このような全セラミック製の構成は、セラミックの持つ優れた対プラズマ抵抗性ゆえに、プラズマエッチングの適合性を最も広範にすることができる。最も強いプラズマに曝されるケース９０は、セラミックコーティングを必要とするであろう。しかしながら、スリーブ９２およびセプタム１２６は、それほど強いプラズマを受けないので、セラミックをコーティングされなくてよい。別の一実施形態では、セラミックとポリマとを組み合わせた構成が有利であろう。ケース９０は、対プラズマ抵抗性のためにセラミックで作成されてよく、一方で、スリーブ９２およびセプタム１２６は、ケースほど強いプラズマの中にはないので、ポリマで作成されてよい。セラミックケース９０は、コーティングされていようとされていまいとプラズマに対して抵抗性であり、これは、注入器５１を強烈な（強い）プラズマ内で使用することを可能にする。また、スリーブ９２およびセプタム１２６は、ポリマであってよく、これは、複雑なスリーブ−セプタム構成を容易に製造可能にする。