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　特願２０１６−　１７２８５「自己配列されたパターニング集積化スキームにおけるパターン密度を増加させるための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　８月　８日出願公開，特開２０１６−１４３８９０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成２８年２月１日（パリ条約による優先権主張２０１５年２月２日（以下「本願優先日」という。），米国）の出願であって，平成２９年２月２２日付けで拒絶理由の通知がなされ，同年４月２７日付けで意見書および手続補正書の提出がなされ，同年９月５日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対して，平成２９年１２月６日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正書の提出がなされ，当審において，平成３０年１１月２日付けで拒絶理由の通知がなされ，平成３１年１月３１日付けで意見書および手続補正書（以下「本件補正」という。）の提出がなされたものである。
２　本願発明
　本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　集積化スキームを使用して，基板上で構造のパターン密度を増加させるための方法であって，前記集積化スキームにおける２つ以上の集積化操作変数を集積化目標に合うように制御する，前記方法は，以下のステップ：
　　パターン化された層および下部層を有する基板を提供するステップであって，前記パターン化された層は第１のマンドレルを含む，ステップ；
　　前記パターン化された層の上で第１のコンフォーマル層を創出する第１のコンフォーマルスペーサー堆積を行うステップ；
　　前記第１のコンフォーマル層上で第１のＲＩＥプロセスを行うステップであって，前記第１のＲＩＥプロセスにより，第１のスペーサーパターンが創出される，ステップ；
　　第１のマンドレルプルプロセスを行うステップであって，前記第１のマンドレルプルプロセスにより，前記第１のマンドレルが除去される，ステップ；
　　第２のコンフォーマル層を創出する第２のコンフォーマルスペーサー堆積を行うステップ；
　　前記第２のコンフォーマル層上で第２のＲＩＥプロセスを行うステップであって，前記第２のＲＩＥプロセスにより，第２のスペーサーパターンが創出され，前記第１のスペーサーパターンは，第２のマンドレルとして使用される，ステップ；
　　第２のマンドレルプルプロセスを行うステップであって，前記第２のマンドレルプルプロセスにより，前記第１のスペーサーパターンが除去される，ステップ；および
　　前記第２のスペーサーパターンを前記下部層に転写するステップ，
を含み，
　　前記集積化スキーム中の，前記第１のコンフォーマルスペーサー堆積を行うステップ，前記第２のコンフォーマルスペーサー堆積を行うステップ，前記第１のＲＩＥプロセスを行うステップ，前記第２のＲＩＥプロセスを行うステップ，前記第１のマンドレルプルプロセスを行うステップ，前記第２のマンドレルプルプロセスを行うステップ，前記転写するステップのうちの２つ以上のステップは，前記２つ以上の集積化操作変数を制御することに基づいて実行され，
　　ここで，前記集積化目標には，
　　　前記第１のＲＩＥプロセスにおいて，０．０５ｎｍ〜２．５０ｎｍの範囲内で前記下部層の一部を除去する，前記下部層のガウジング，および，　　　前記第２のＲＩＥプロセスにおいて，１．００ｎｍ〜５．００ｎｍの範囲内で前記下部層の一部を除去する，前記下部層のガウジング，が含まれ，
　　ここで，前記第１のコンフォーマル層は，窒化シリコンを含み，前記第２のコンフォーマル層は，酸化アルミニウムを含む，
方法。」
３　当審の拒絶の理由の概要
　本願の請求項１〜１６に係る発明は，本願優先日前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１〜１０に記載された発明に基いて，本願優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　　　引用文献１　：特開２０１４−１４５６３４号公報 
　　　引用文献２　：特開２０１４−０７２２２６号公報 
　　　引用文献３　：特開２０１４−１５０２６８号公報 
　　　引用文献４　：特開２０１４−０９６４９４号公報 
　　　引用文献５　：特表２０１４−５１１５７５号公報 
　　　引用文献６　：特開２０１３−０１２５４６号公報 
　　　引用文献７　：特開２０１１−０６６３９３号公報 
　　　引用文献８　：特開２０１１−１２９８７４号公報 
　　　引用文献９　：特開２０１０−１９９５７３号公報 
　　　引用文献１０：国際公開第２０１３／０４７４６４号 
４　引用文献および周知技術
（１）引用文献１
　ア　引用文献１の記載事項
　当審が通知した拒絶の理由で引用された引用文献１には，下記の事項が記載されている。
（ア）「【００３１】
　図８は，ＳＡＤＰによる回路パターンの製造工程の一例を示す。図８はウェハ断面図のイメージである。また，図９は，ＳＡＤＰによって作成される回路パターンのライン部の幅とスペース部の幅との関係を説明する図である。ＳＡＤＰでは，まず，
露光によって形成されたレジストパターン８０１をサイドウォールとし，成膜（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を行う
【００３２】
　次に，
レジストパターン８０１に対して覆いかぶさるように形成された皮膜８０２（図８ではシリコン酸化膜）に対してエッチング（Ｓｐａｃｅｒ  Ｅｔｃｈ）を行って薄膜部８０３を除去するＳｐａｃｅｒ  Ｅｔｃｈを行う。これにより，レジストパターンの側面に製造される厚膜部８０４のみが残る
（イ）図８
（ウ）「【００３５】
　図１０は，連続したラインの回路パターンをＳＡＤＰで作成する場合のイメージである。ＳＡＤＰにおいて，レジストパターン８０１と皮膜８０２の薄膜部８０３をエッチングで除去した場合，レジストパターン８０１が存在した部分の幅１００１ａと１００１ｂがほぼ同一であり，レジストパターン間にできた厚膜部１００３ｂと１００３ｃとの間の幅１００２ａと，レジストパターン間にできた厚膜部１００３ｄと１００３ｅとの間の幅１００２ｂとがほぼ同一である。すなわち，１００１ａ≒１００１ｂ，１００２ａ≒１００２ｂと仮定する。また，厚膜部１００３ａ〜１００３ｅの幅もほぼ同一である。すなわち，１００３ａ≒１００３ｂ≒１００３ｃ≒１００３ｄ≒１００３ｅと仮定する。」
（エ）図１０
　　
（オ）「【００４８】
　図１２は，ＳＡＱＰによる回路パターンの製造工程の一例を示す。図１２は，ウェハ断面図のイメージである。図１２のＳｐａｃｅｒ  Ｅｔｃｈ  １は，連続したラインパターンを示した図１０のＳｐａｃｅｒ  Ｅｔｃｈの一部を抜粋したものである。エッチング（Ｓｐａｃｅｒ  Ｅｔｃｈ  １）でレジストパターン８０１と皮膜８０２を取り除くまではＳＡＤＰと同じ製造工程である。
【００４９】
　
Ｓｐａｃｅｒ  Ｅｔｃｈ  １で作られた厚膜部８０４をサイドウォールとして，成膜（Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ２）を再度実施し，皮膜１２０１を作成する。作成した皮膜１２０１に対して成膜除去を行い，厚膜部１２０２と厚膜部８０４のみを残す
【００５０】
　次に，
エッチング（Ｓｐａｃｅｒ  Ｅｔｃｈ  ２）を行って厚膜部８０４で作られたサイドウォールを除去する。残った厚膜部１２０３をＨａｒｄ  Ｍａｓｋとし，ＨＭ  Ｅｔｃｈを実施して，ＳＡＱＰによるゲート１２０４を作成する
（カ）　図１２　　
　イ　引用発明
　引用文献１のＳＡＱＰの製造工程は，最初に，図８および図１０に記載されたＳＡＤＰのＳｐａｃｅｒ  Ｅｔｃｈまでの製造工程により，図１２のＳｐａｃｅｒ  Ｅｔｃｈ  １を形成し，次に，図１２のＤｅｐｏｓｉｔｉｉｏｎ　２以降の工程を行うものであることが，上記（ア），（ウ）および（オ）に記載されている。
　そこで，最初に，ＳＡＤＰの製造工程を検討すると，
・ある層の上面にレジストパターン８０１を成膜する。
・レジストパターン８０１に対して覆いかぶさるように皮膜８０２を形成する。
・皮膜８０２に対してエッチングを行って薄膜部８０３を除去するＳｐａｃｅｒ  Ｅｔｃｈを行い，レジストパターン８０１の側面に製造される厚膜部８０４のみを残す。
の順の製造工程が上記（ア）〜（エ）の記載から読み取ることができる。
　次に，ＳＡＤＰに続くＳＡＱＰの製造工程を検討すると，
・Ｓｐａｃｅｒ  Ｅｔｃｈ  １で作られた厚膜部８０４に対して覆いかぶさるように皮膜１２０１を作成する。
・作成した皮膜１２０１に対して成膜除去を行い，厚膜部１２０２と厚膜部８０４のみを残す。
・エッチング（Ｓｐａｃｅｒ  Ｅｔｃｈ  ２）を行って厚膜部８０４で作られたサイドウォールを除去する。
・残った厚膜部１２０３をＨａｒｄ  Ｍａｓｋとし，ＨＭ  Ｅｔｃｈを実施して，ＳＡＱＰによるゲート１２０４を作成する。
の順の製造工程が上記（オ）および（カ）の記載から読み取ることができる。
　よって，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
 「ある層の上面にレジストパターン８０１を成膜し，
　レジストパターン８０１に対して覆いかぶさるように皮膜８０２を形成し，
　皮膜８０２に対してエッチングを行って薄膜部８０３を除去して，レジストパターン８０１の側面に製造される厚膜部８０４のみを残し，
　残された厚膜部８０４に対して覆いかぶさるように皮膜１２０１を作成し，
　作成した皮膜１２０１に対して成膜除去を行い，厚膜部１２０２と厚膜部８０４のみを残し，
　エッチングを行って厚膜部８０４で作られたサイドウォールを除去し，
　残った厚膜部１２０３をＨａｒｄ  Ｍａｓｋとし，ＨＭ  Ｅｔｃｈを実施して，ＳＡＱＰによるゲート１２０４を作成する，
ＳＡＱＰの製造方法。」
（２）引用文献２
　当審が通知した拒絶の理由で引用された引用文献２には，次の事項が記載されている。
ア　「【００２３】
　次いで，図１（ｂ）に示すように，
ＳＡＤＰにより，ラインカット用薄膜１２にレジストパターン１６の約半分の線幅およびピッチのラインアンドスペースパターンである薄膜パターンを形成する
【００２４】
　具体的には，図３の状態から，レジストパターン１６のスリミングを行い（図４），次いで，レジストパターン１６の上にスペーサとなるＳｉＯ２膜１７を形成し（図５），その後，
ドライエッチング（ＲＩＥによる異方性エッチング）によりスペーサエッチングを行ってスペーサパターン１８を形成する（図６）
イ　図５　　
   
ウ　図６　　　　  
（３）引用文献４
　当審が通知した拒絶の理由で引用された引用文献４には，次の事項が記載されている。
ア　「【００２２】
　
ハードマスク層１０２の材料は、基材１０１に対してエッチング選択性の良い材料で構成することが好ましく
窒化シリコン
・・・中略・・・
【００２７】
（３）側壁材料膜形成工程（図１（Ｃ）参照）
　芯材パターン１０３と，芯材パターン１０３から露出したハードマスク層１０２とを覆うように側壁材料膜１０４を形成する。側壁材料膜１０４は，加工されて後述する側壁パターンとなる層である。
側壁材料膜１０４の材料は
シリコン窒化物
イ　図１ 
（４）引用文献６
　当審が通知した拒絶の理由で引用された引用文献６には，次の事項が記載されている。
「【００５６】
　第１実施形態では，上部電極１５をマスクとするほか，上部電極１５の上に専用のハードマスクを用いてもよい（不図示）。
ハードマスクの材料としては
酸化アルミニウム（Ａｌ
２
Ｏ
３
）
（５）引用文献１０
　当審が通知した拒絶の理由で引用された引用文献１０には，次の事項が記載されている。
ア　「[0001]　【発明の詳細な説明】   エッチング方法及び装置  
　本発明は、基板上の酸化シリコン膜を窒化シリコン膜に対して選択的にエッチングする方法及び装置に関する。
・・・・・中略・・・  
[0006]　ところで，
ダブルパターニング技術においては
リセスが発生するのを抑制することが要請される
イ　「[0018]　図１（Ｃ）に示すように，ポリシリコン膜２ａ上には，膜厚がコンフォーマルな（膜厚が一定な）酸化シリコン膜５が形成される。酸化シリコン膜５は，例えば化学的気相成長（ＣＶＤ）法により形成される。
[0019]　酸化シリコン膜５は，ポリシリコン膜２ａの上面，ポリシリコン膜２ａの左右の側壁，およびポリシリコン膜２ａ間の窒化シリコン膜１の上面に形成される。ポリシリコン膜２ａの側壁に形成される酸化シリコン膜５の厚さは，ポリシリコン膜２ａの幅に一致する。隣り合うポリシリコン膜２ａ間の間隔は，ポリシリコン膜２ａの幅の３倍であるから，隣り合うポリシリコン膜２ａの側壁に形成された酸化シリコン膜５の間には，ポリシリコン膜２ａの幅に等しい幅のスペース６が空く。
[0020]　図１（Ｄ）に示すように，
ポリシリコン膜２ａの側壁に酸化シリコン膜５からなるスペーサ５ａを形成するために，ポリシリコン膜２ａの上面およびポリシリコン膜２ａ間の窒化シリコン膜１の上面に形成された酸化シリコン膜５を異方性エッチングする
[0021]　図１（Ｅ）に示すように，ポリシリコン膜２ａのみをエッチングして除去する。そうすると，レジストパターン４ａの倍の数のスペーサ５ａが形成される。スペーサ５ａは，ライン／スペースパターンを備える。窒化シリコン膜１ａは，スペーサ５ａをマスクとして窒化シリコン膜１をエッチングすることによって形成される（図１Ｆ）。
[0022]　図２は，本発明の第一の実施形態のエッチング方法の工程図（図１（Ｃ）から図１（Ｄ）に至るエッチングの工程図）を示す。このエッチング方法では，ポリシリコン膜２ａの側壁に酸化シリコン膜５からなるスペーサ５ａを形成するために，ポリシリコン膜２ａの上面およびポリシリコン膜２ａ間の窒化シリコン膜１の上面に形成される酸化シリコン膜５を異方性エッチングする。本発明の第一の実施形態のエッチング方法は，ラジアルラインスロットアンテナを備えたエッチング装置内で行われる。」
ウ　図１
エ　図２
オ　「[0033]　ポリシリコン膜２ａの上面及び窒化シリコン膜１の上面の酸化シリコン膜５のエッチングが終了し、ポリシリコン膜２ａの上面２ｂ及び窒化シリコン膜１の上面１ｂが露出したとき、エッチングが停止される。酸化シリコン膜５の窒化シリコン膜１に対する選択比（酸化シリコン膜５のエッチングレート／窒化シリコン膜１のエッチングレート）が１以上であれば、
酸化シリコン膜５をオーバーエッチングしても、窒化シリコン膜１の上面１ｂにリセスが発生するのを抑制することができる
リセス(窒化シリコン膜１の上面１ｂがエッチングされたことにより生じる窪み)の許容される値は、４ｎｍ以下である
カ　「[0040]　Ａｒ／ＣＨＦ３／Ｏ２のガス流量を４５０／１６／２（単位は全てｓｃｃｍ）に設定したときと、４５０／６０／２に設定したときとで、窒化シリコン膜１に発生するリセスの大きさを比較したところ、ＣＨＦ３ の
ガス流量を上げることにより、窒化シリコン膜１のリセスの大きさを半分に低減することができた
・・・中略・・・
[0042]　次に、表２に示すエッチング条件を使用し、
ＲＦバイアスを１００Ｗ、９０Ｗ、８０Ｗ、７０Ｗに変化させ、選択比のバイアス依存性を実験した。ＲＦバイアスを１００Ｗ、９０Ｗ、８０Ｗに低くすると、窒化シリコン膜１に生成されたリセスも徐々に小さくなった
キ　「[0064]　なお、本実施の形態では、３００ｍｍウェハを対象としたエッチングについて説明したが、これにとらわれず、例えば、
ガスの流量やRFバイアスパワー等の各種パラメーターは、基板ｗの面積や処理容器の容積等を用いて換算することで適宜変更することができる
ク　リセスの抑制について
　上記アから，ダブルパターニング技術は，窒化シリコン膜からなる基板の上に形成された酸化シリコン膜を選択的にエッチングするものであるから，引用文献１０には，下記の事項が記載されていると認められる。
「ダブルパターニング技術においては，基板にリセスが発生するのを抑制することが要請される。」
ケ　リセスの抑制方法と許容範囲について
　上記イ〜キから，ＲＦバイアスをかけて異方性エッチングを行う引用文献１０には，下記の事項が記載されていると認められる。
「リセスの発生を抑制するために，ＲＩＥによる異方性エッチングのパラメータであるガス流量およびＲＦバイアスを調整することでリセスの大きさを制御して，リセスの許容される範囲を４ｎｍ以下とすること。」
（６）周知技術
ア　上記（２）から，引用文献２には，ＳＡＤＰにおいて，ＲＩＥによる異方性エッチングを用いてスペーサパターンを形成することが記載されている。
　上記（５）から，引用文献１０には，ＲＦバイアスをかけてエッチングすることが記載されているので，引用文献１０には，ダブルパターンニング（ＳＡＤＰ）において，ＲＩＥによる異方性エッチングによりスペーサ５ａを形成することが記載されていると認められる。
　そうすると，以下の点は周知技術であると認められる。
「ＳＡＤＰにおいて，ＲＩＥによる異方性エッチングによりスペーサを形成すること。」
イ　上記（３）から，引用文献４には，ハードマスク層の材料に酸化シリコンおよび窒化シリコンを用いること，側壁材料膜１０４の材料にシリコン酸化物およびシリコン窒化物を用いることが記載されている。
　上記（４）から，引用文献６には，ハードマスクの材料に酸化シリコン（ＳｉＯ２）および酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を用いることが記載されている。
　また，１／４ピッチのパターンを形成する技術が記載された特開２０１２−１７８３７８号公報の段落【００１７】には，本願発明の「第１のコンフォーマル層」および引用発明の「皮膜８０２」に対応する二酸化シリコン膜１０５の材質について，
「二酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜１０５の成膜は、低温（１４０℃以下）で二酸化シリコン膜１０５を形成することのできるＭＬＤ（Molecular Layer Deposition）法を用いることが好ましい。また、二酸化シリコン膜１０５に限らず、成膜時にフォトレジストにダメージを与えないようなレジストのガラス転移温度以下の温度で形成可能な膜であれば他の材質の膜を用いてもよい。例えば、
酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）
窒化シリコン（ＳｉＮ）
が記載されており，膜１０５はハードマスクとして用いられるものと認められる。
　そうすると，以下の点は周知技術であると認められる。
「窒化シリコンおよび酸化アルミニウムをハードマスクの材料として用いること。」
５　当審の判断 
（１）対比
ア　「マンドレル」および「コンフォーマル層」について
　「マンドレル」は，機械加工での芯棒，金属形成での母型の筒などを意味する用語として用いられている。
　また，本願発明では，「第１のマンドレル」および「第２のマンドレル」の上に「第１のコンフォーマル層」および「第２のコンフォーマル層」を堆積させることで，「コンフォーマル層」が「マンドレル」を芯としその外形にコンフォーマル（共形）となるように形成されたものと認められる。
　そして，引用発明では，「レジストパターン８０１に対して覆いかぶさるように皮膜８０２を形成」することで，「皮膜８０２」は引用文献１の図８に記載されているように「レジストパターン８０１」を芯としてその外形にコンフォーマル（共形）となるように形成されたものである。同様に，「残された厚膜部８０４に対して覆いかぶさるように皮膜１２０１を作成」することで，「皮膜１２０１」は引用文献１の図１２に記載されているように「厚膜部８０４」を芯としてその外形にコンフォーマル（共形）となるように形成されたものである。
　そうすると，引用発明の「レジストパターン８０１」，「厚膜部８０４」，「皮膜８０２」および「皮膜１２０１」は，それぞれ本願発明の「第１のマンドレル」，「第２のマンドレル」，「第１のコンフォーマル層」および「第２のコンフォーマル層」に相当する。
イ　「スペーサーパターン」について
　本願発明では，第２のコンフォーマル層が第２のＲＩＥプロセスによりエッチングされて「第２のスペーサーパターン」が創出され，エッチングで残った「第１のスペーサーパターンは，第２のマンドレルとして使用される」ことになる。
　引用発明では，皮膜１２０１が成膜除去されて，厚膜部１２０２と厚膜部８０４のみが残されることになり，その後に厚膜部８０４がエッチングされた後も「厚膜部１２０２」は「厚膜部１２０３」として残ることになる。
　そうすると，引用発明の「厚膜部８０４」は，本願発明の「第２のマンドレル」として使用される「第１のスペーサーパターン」に相当し，引用発明の「厚膜部１２０２」は，本願発明の「第２のスペーサーパターン」に相当する。
ウ　「基板を提供するステップ」について
　上記アより，引用発明の「レジストパターン８０１」は，本願発明の「第１のマンドレル」に相当しており，引用発明の「レジストパターン８０１」はその下部層である「ある層」が形成された基板に成膜されるものと認められるので，引用発明も，本願発明の「パターン化された層および下部層を有する基板を提供するステップであって，前記パターン化された層は第１のマンドレルを含む，ステップ」を含むものである。
エ　「第１のコンフォーマルスペーサー堆積を行うステップ」について
　上記アより，引用発明の「皮膜８０２」は，本願発明の「第１のコンフォーマルスペーサー」に相当するので，引用発明の「レジストパターン８０１に対して覆いかぶさるように皮膜８０２を形成し」は，本願発明の「前記パターン化された層の上で第１のコンフォーマル層を創出する第１のコンフォーマルスペーサー堆積を行うステップ」に相当する。
オ　「第２のコンフォーマルスペーサー堆積を行うステップ」について
　上記アより，引用発明の「皮膜１２０１」は，本願発明の「第２のコンフォーマルスペーサー」に相当するので，引用発明の「残された厚膜部８０４に対して覆いかぶさるように皮膜１２０１を作成し」は，本願発明の「第２のコンフォーマル層を創出する第２のコンフォーマルスペーサー堆積を行うステップ」に相当する。
カ　「第１のＲＩＥプロセスを行うステップ」および「第１のマンドレルプルプロセスを行うステップ」について
　引用発明では，レジストパターン８０１を覆う皮膜８０２をエッチングして，皮膜８０２の「薄膜部８０３を除去」し，皮膜８０２の「厚膜部８０４のみを残」すものであるが，レジストパターン８０１上に皮膜８０２が積層する構造から，最初にエッチングされるのはレジストパターン８０１を覆っている皮膜８０２の薄膜部８０３であり，薄膜部８０３が除去されるとレジストパターン８０１と厚膜部８０４が残るので，次にレジストパターン８０１を除去することで，厚膜部８０４のみが残る処理がなされることになる。
　そうすると，引用発明では，薄膜部８０３のエッチングにより，本願発明の「第１のスペーサーパターン」に相当する「厚膜部８０４」を創出し，薄膜部８０３を除去した後に本願発明の「第１のマンドレル」に相当する「レジストパターン８０１」を除去する処理をしていることになるから，本願発明と引用発明は，「第１のスペーサーパターンが創出される，ステップ；第１のマンドレルプルプロセスを行うステップであって，前記第１のマンドレルプルプロセスにより，前記第１のマンドレルが除去される，ステップ；」を含んでいる点で共通している。
キ　「第２のＲＩＥプロセスを行うステップ」について
　上記アおよびイより，引用発明の「厚膜部８０４」は，本願発明の「第２のマンドレル」として使用される「第１のスペーサーパターン」に相当し，引用発明の「皮膜１２０１」および「厚膜部１２０２」は，それぞれ本願発明の「第２のコンフォーマル層」および「第２のスペーサーパターン」に相当している。
　そうすると，本願発明の「前記第２のコンフォーマル層上で第２のＲＩＥプロセスを行うステップであって，前記第２のＲＩＥプロセスにより，第２のスペーサーパターンが創出され，前記第１のスペーサーパターンは，第２のマンドレルとして使用される，ステップ」と，引用発明の「作成した皮膜１２０１に対して成膜除去を行い，厚膜部１２０２と厚膜部８０４のみを残し」とは，「前記第２のコンフォーマル層上で行う処理により，第２のスペーサーパターンが創出され，前記第１のスペーサーパターンは，第２のマンドレルとして使用される，ステップ」である点で共通している。
ク　「第２のマンドレルプルプロセスを行うステップ」について
　上記イより，引用発明の「厚膜部８０４」は，本願発明の「第２のマンドレル」として使用される「第１のスペーサーパターン」に相当するので，引用発明の「エッチングを行って厚膜部８０４で作られたサイドウォールを除去し」は，本願発明の「第２のマンドレルプルプロセスを行うステップであって，前記第２のマンドレルプルプロセスにより，前記第１のスペーサーパターンが除去される，ステップ」に相当する。
ケ　「前記第２のスペーサーパターンを前記下部層に転写するステップ」について　
　引用発明では，厚膜部１２０３をＨａｒｄ  Ｍａｓｋとし，ＨＭ  Ｅｔｃｈを実施して，ＳＡＱＰによるゲート１２０４を作成するものであるが，その際，厚膜部１２０３の下に存在する「ある層」以下の下部層に対して，厚膜部１２０３はＨａｒｄ  Ｍａｓｋとなるから，引用発明は，本願発明の「前記第２のスペーサーパターンを前記下部層に転写するステップ」を含むものである。
コ　「集積化スキーム」について
　本願発明の「集積化スキーム」とは，「前記第１のコンフォーマルスペーサー堆積を行うステップ」等の各ステップであると認められるので，引用発明の「成膜」や「除去」等の各処理は，本願発明の「集積化スキーム」に対応する。
サ　「基板上で構造のパターン密度を増加させるための方法」について
　引用発明の「ＳＡＱＰの製造方法」は，基板上で構造のパターン密度を増加させる製造方法の１つであるから，引用発明も「基板上で構造のパターン密度を増加させるための方法」であるといえる。
（２）一致点と相違点
　上記ア〜シから，本願発明と引用発明は，次の点で一致，また相違する。
ア　一致点
「集積化スキームを使用して，基板上で構造のパターン密度を増加させるための方法であって，前記方法は，以下のステップ：
　　パターン化された層および下部層を有する基板を提供するステップであって，前記パターン化された層は第１のマンドレルを含む，ステップ；
　　前記パターン化された層の上で第１のコンフォーマル層を創出する第１のコンフォーマルスペーサー堆積を行うステップ；
　　前記第１のコンフォーマル層上で行う処理により，第１のスペーサーパターンが創出される，ステップ；
　　第１のマンドレルプルプロセスを行うステップであって，前記第１のマンドレルプルプロセスにより，前記第１のマンドレルが除去される，ステップ；
　　第２のコンフォーマル層を創出する第２のコンフォーマルスペーサー堆積を行うステップ；
　　前記第２のコンフォーマル層上で行う処理により，第２のスペーサーパターンが創出され，前記第１のスペーサーパターンは，第２のマンドレルとして使用される，ステップ；
　　第２のマンドレルプルプロセスを行うステップであって，前記第２のマンドレルプルプロセスにより，前記第１のスペーサーパターンが除去される，ステップ；および
　　前記第２のスペーサーパターンを前記下部層に転写するステップ，
を含む，
方法。」
イ　相違点１
　本願発明では，「第１のＲＩＥプロセス」により「第１のスペーサーパターン」を創出し，「第２のＲＩＥプロセス」により「第２のスペーサーパターン」を創出することが特定されているのに対し，引用発明では，「皮膜８０２」および「皮膜１２０１」の除去にどのようなエッチングを行うかが定かではない点。
ウ　相違点２
　本願発明は，「前記集積化スキームにおける２つ以上の集積化操作変数を集積化目標に合うように制御する」ものであって，「前記集積化スキーム中の，前記第１のコンフォーマルスペーサー堆積を行うステップ，前記第２のコンフォーマルスペーサー堆積を行うステップ，前記第１のＲＩＥプロセスを行うステップ，前記第２のＲＩＥプロセスを行うステップ，前記第１のマンドレルプルプロセスを行うステップ，前記第２のマンドレルプルプロセスを行うステップ，前記転写するステップのうちの２つ以上のステップは，前記２つ以上の集積化操作変数を制御することに基づいて実行され，
　　ここで，前記集積化目標には，
　　　前記第１のＲＩＥプロセスにおいて，０．０５ｎｍ〜２．５０ｎｍの範囲内で前記下部層の一部を除去する，前記下部層のガウジング，および，　　　前記第２のＲＩＥプロセスにおいて，１．００ｎｍ〜５．００ｎｍの範囲内で前記下部層の一部を除去する，前記下部層のガウジング，が含まれ」るものであるのに対し，引用発明では，集積化のための操作変数を制御することは特定されていない点。
エ　相違点３　
　本願発明は，「前記第１のコンフォーマル層は，窒化シリコンを含み，前記第２のコンフォーマル層は，酸化アルミニウムを含む」のに対し，引用発明は，「被膜８０２」はシリコン酸化膜であり，「被膜１２０１」は，材料が特に記載されていない点。 
（３）相違点の判断
ア　相違点１について
　基板上で構造のパターン密度を増加させる方法であるＳＡＤＰにおいて，ＲＩＥによる異方性エッチングによりスペーサを形成することは，上記４（６）アに記載したように周知技術である。
　そして，引用発明の「厚膜部８０４」および「厚膜部１２０２」は，本願発明の「第１のスペーサーパターン」および「第２のスペーサーパターン」に相当しており，引用発明では，皮膜１２０１の成膜除去において，厚膜部１２０２が残るように皮膜１２０１の薄膜部を除去しなければスペーサパターンは形成できないことを踏まえると，引用発明の成膜除去では，等方性エッチングではなく異方性エッチングを用いなければならないことは明らかである。
　そうすると，ＳＡＱＰの製造方法である引用発明において，「皮膜８０２に対してエッチングを行って薄膜部８０３を除去」する際，および，「皮膜１２０１に対して成膜除去を行い，厚膜部１２０２と厚膜部８０４のみを残」す際に，「ＲＩＥプロセス」を採用することは，当業者が普通に行う事項にすぎない。
イ　相違点２について
　ＳＡＤＰにおいて，コンフォーマル層を異方性エッチングする際，コンフォーマル層の下側の層もエッチングされてリセスが発生してしまうので，このリセスの発生を抑制することが要請されており，そのようなリセスの発生を抑制するために，ＲＩＥのパラメータであるガス流量およびＲＦバイアスを調整してリセスの大きさを制御できること，リセスの許容される範囲は４ｎｍ以下であることが引用文献１０に記載されている。
　また，本願発明では，「前記第１のＲＩＥプロセスにおいて，０．０５ｎｍ〜２．５０ｎｍの範囲内で前記下部層の一部を除去する，前記下部層のガウジング」および「前記第２のＲＩＥプロセスにおいて，１．００ｎｍ〜５．００ｎｍの範囲内で前記下部層の一部を除去する，前記下部層のガウジング」を特定しているが，本願明細書および図面の記載からは，それらの数値範囲にしたことによる臨界的意義は認められない。
　さらに，本願発明では，第１のＲＩＥプロセスにおける下部層のガウジングの範囲と，第２のＲＩＥプロセスにおける下部層のガウジングの範囲は，０．１ｎｍ〜２．５０ｎｍの範囲内で重なっているので，第１のＲＩＥプロセスにおける下部層のガウジングの範囲が第２のＲＩＥプロセスにおける下部層のガウジングの範囲より大きい場合も含まれた発明であり，また，本願明細書および図面の記載からは，第１のＲＩＥプロセスにおける下部層のガウジングの範囲を第２のＲＩＥプロセスにおける下部層のガウジングの範囲より小さくしたことによる技術的な意義や，そのことによる効果は記載されていない。
　そうすると，ＳＡＱＰの製造方法である引用発明においても，皮膜８０２の下の層および皮膜１２０１の下の層にリセスの発生を抑制しなければならないことは明らかであり，ＲＩＥプロセスを用いて皮膜８０２の除去および皮膜１２０１の除去する際には，皮膜の材質等に応じてガス流量およびＲＦバイアスを適宜調整してリセスを４ｎｍ以下の所定の範囲内とすること，即ち，「第１のＲＩＥプロセスを行うステップ」に相当する「皮膜８０２の除去」および「第２のＲＩＥプロセスを行うステップ」に相当する「皮膜１２０１の除去」の２つのステップにおいて，「２つ以上の集積化操作変数」に相当するガス流量およびＲＦバイアスを制御して，「集積化目標」である特定されたガウジングの範囲に相当するリセスを４ｎｍ以下の所定の範囲内とすることで，相違点２の構成を採用することは，引用文献１０の記載から当業者が容易になし得たことである。
ウ　相違点３について
　引用発明における「被膜８０２」および「被膜１２０１」は，ハードマスクとして用いられるものであるところ，窒化シリコンおよび酸化アルミニウムをハードマスクの材料として用いることは，上記４（６）イに記載したように周知技術である。
　また，本願明細書および図面には，第１のコンフォーマル層が窒化シリコンを含み，第２のコンフォーマル層が酸化アルミニウムを含むことによる技術的な意義や，そのことによる効果は記載されていない。
　そうすると，引用発明において，被膜８０２が窒化シリコンを含み，被膜１２０１が酸化アルミニウムを含むものとして相違点３を構成とすることは，ハードマスクとして通常用いられる材料の中から当業者が適宜選択したものに過ぎず，格別な困難性を有するものではない。
エ　作用効果について
　審判請求人は，平成３１年１月３１日付け意見書の「５．理由２」において，
・「つまり、引用文献１の被膜８０２，１１０１は、そもそも本願発明の第１のコンフォーマル堆積によって創出された第１のコンフォーマル層および第２のコンフォーマル堆積によって創出された第２のコンフォーマル層のいずれにも相当しません。」
・「本願発明によれば，第１のコンフォーマル層および第２のコンフォーマル層をコンフォーマル堆積により形成することにより，第１のＲＩＥプロセスによって第１のスペーサーパターンを創出し，第２のＲＩＥプロセスによって第２のスペーサーパターンを創出するという構成を採っており，膜厚をより精密にコントロールすることが可能となり，より高い密度の集積化スキームを達成することができる，という顕著な効果を奏します。
　さらに，本願発明によれば，上記のような構成を有することにより，第１および第２のＲＩＥプロセス中の下部層のガウジングを含む所望の範囲内での半導体パターニングの集積ターゲットを達成することができるという顕著な効果を奏します（段落００１４，００１５）。この半導体パターニングプロセス中に集積ターゲットを達成する能力は，基板上に高密度パターニングを提供するのに必要な下地ターゲット層の数を減少させ，それによって半導体パターニングプロセスの全体的なコストおよび時間を著しく低減することができるという顕著な効果を奏します。」
・「ここで重要なことは，本願発明においては，第１のＲＩＥプロセスと第２のＲＩＥプロセスとによって第１のスペーサーパターンと第２のスペーサーパターンとが下部層上にそれぞれ創出されますが，第１のスペーサーパターンは下部層には転写されず，第２のスペーサーパターンのみが下部層に転写される，ということです。
　このように，第１のスペーサーパターンは下部層に転写されないので，第１のＲＩＥプロセス中のガウジングは，第２のＲＩＥプロセス中のガウジングに比べて，より小さい最小の範囲に抑えられる必要があります。なぜなら，第１のＲＩＥプロセス中の下部層へのガウジングが最小の範囲に抑えられなければ，第１のＲＩＥプロセスにおいて残されることが意図されている，本来除去されないはずであった下部層の部分が除去されてしまい，第２のスペーサーパターンを下部層に転写することによって下部層に形成されるべきパターンの密度が減少してしまうからです。
　本願発明のように，第１のＲＩＥプロセス中の下部層のガウジングを，請求項１および請求項９記載の上記の最小の範囲に維持することにより，本願発明の方法によれば，第１のＲＩＥプロセスを行う前に，下部層と第１および第２のパターン層との間にターゲット層（例えば，本願の明細書段落００１２，１３に記載の「ターゲット層３４」および図１Ｂ参照）を堆積させる必要がなくなります。そして「ターゲット層の必要性および基板上にこれらの層を堆積するために必要な時間が排除されることにより顕著な節約を得ることができる」という顕著な効果を奏します（段落００１４）。
　このように，第１のＲＩＥプロセスにおけるガウジングを，第２のＲＩＥプロセスにおけるガウジングより小さい最小の範囲におさえることによって，ターゲット層の排除を可能にしつつ，所望のパターニング密度を達成することができる，という顕著な効果を奏します。」
・「さらに，仮に，単に『プロセスの複数のパラメータを調整することは，当業者が適宜なしうる事項』であったとしても，２つ以上のプロセス／ステップにおいて２つ以上の集積化変数を制御することは，当業者が容易に想起し得たものではありません。
　さらに「２つ以上のプロセス又はステップは，前記２つ以上の集積化操作変数を制御する」という構成がなければ，「前記第１のＲＩＥプロセスにおいて，０．０５ｎｍ〜２．５０ｎｍの範囲内で前記下部層の一部を除去する，前記下部層のガウジング，および，前記第２のＲＩＥプロセスにおいて，１．００ｎｍ〜５．００ｎｍの範囲内で前記下部層の一部を除去する，前記下部層のガウジング」という，構成を達成することができません。
また，かかる集積化目標も引用文献１乃至１０のいずれにも開示も示唆もされておりません。従って，仮に，引用文献２乃至１０に記載の発明において，単に『パラメータを調整』したとしても，本願発明の構成のようにすることはできません。そして，このような構成を有することにより，上記の（２）で述べたような本願発明特有の顕著な作用効果を奏することができます。」
と主張している。
　しかしながら，
・上記５（１）に記載したように，引用発明では，「レジストパターン８０１に対して覆いかぶさるように皮膜８０２を形成」することで，「皮膜８０２」は引用文献１の図８に記載されているように「レジストパターン８０１」を芯としてその外形にコンフォーマル（共形）となるように形成されたものであるから，引用発明の「皮膜８０２」および「皮膜１２０１」は，本願発明の「第１のコンフォーマル層」および「第２のコンフォーマル層」に相当する。
・上記５（１）に記載したように，引用発明も第１のコンフォーマル層および第２のコンフォーマル層をコンフォーマル堆積により形成し，第１のスペーサーパターンおよび第２のスペーサーパターンを創出しており，上記５（３）アに記載したように，引用発明に「ＲＩＥプロセス」を採用することは当業者が普通に行う事項にすぎないこと。
・引用発明でも，第１のスペーサーパターンに相当する「厚膜部８０４」はその下の層に転写せず，第２のスペーサーパターンに相当する「厚膜部１２０３」がその下の層に転写されており，また，上記５（３）イに記載したように，本願発明は，「第１のＲＩＥプロセスにおけるガウジングを，第２のＲＩＥプロセスにおけるガウジングより小さい最小の範囲におさえる」ものとはなっていない。
・上記５（３）イに記載したように，リセスの発生を抑制するために，ＲＩＥのパラメータであるガス流量およびＲＦバイアスを調整してリセスの大きさを制御すること，リセスの許容される範囲は４ｎｍ以下であることが引用文献１０に記載され，また，本願発明のガウジングの範囲にしたことによる臨界的意義は認められない。
ことから，上記審判請求人の主張は，採用することができない。
６　むすび
　以上のとおりであるから，本願発明は，本願優先日前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１に記載された発明，引用文献２，引用文献４，引用文献６，引用文献１０に記載された事項，および周知技術に基いて，本願優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。