(57)【要約】  【課題】  光取り出し効率の低下を抑制することが可能な発光素子を提供する。  【解決手段】  ｎ型層３ａと、ｎ型層３ａの上面３ａ’の一部を露出させて設けられた発光層３ｂと、ｐ型層３ｃと、ｎ型層３ａの露出した上面３ａ’に、発光層３ｂおよびｐ型層３ｃと間をあけて設けられた第１の電極層５と、ｐ型層３ｃ上に設けられた、銀を主成分として銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも１種の金属材料を含む第１導電層６ａおよび前記金属材料を主成分とする第２導電層６ｂを順次積層してなる第２の電極層６とを有し、第１導電層６ａは、前記金属材料の濃度が、第１導電層６ａと第２導電層６ｂとの界面から下方に向かうにつれて低くなっている発光素子１である。第１導電層６ａ内で前記金属材料の濃度が第２導電層６ｂとの界面から下方に向かうにつれて低くなっていることから、発光素子１の光取り出し効率の低下を抑制することができる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型層と、
該ｎ型層上に、該ｎ型層の上面の一部を露出させて設けられた発光層と、
該発光層上に設けられたｐ型層と、
前記ｎ型層の露出した上面に、前記発光層および前記ｐ型層と間をあけて設けられた第１の電極層と、
前記ｐ型層上に設けられた、銀を主成分として銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも１種の金属材料を含む第１導電層および前記金属材料を主成分とする第２導電層を順次積層してなる第２の電極層とを有し、
前記第１導電層は、前記金属材料の濃度が、前記第１導電層と前記第２導電層との界面から下方に向かうにつれて低くなっていることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記第２導電層は、銀を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第２の電極層は、前記第２導電層上に銀を主成分として前記金属材料を含む第３導電層をさらに有し、
該第３導電層は、前記金属材料の濃度が、前記第３導電層と前記第２導電層との界面から上方に向かうにつれて低くなっていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第３導電層は、前記第１導電層よりも多く酸素を含むことを特徴とする請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
ｎ型層上に、該ｎ型層の上面の一部を露出させる露出領域を有するように発光層およびｐ型層を順次積層する工程と、
前記ｎ型層の前記露出領域に、前記発光層および前記ｐ型層と間をあけて第１の電極層を形成する工程と、
前記ｐ型層上に、銀を主成分とする第１導電層および銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも１種の金属材料を主成分とする第２導電層を順次積層してなる第２の電極層を形成する工程と、
前記第２の電極層を加熱することにより、前記第２導電層に含まれる前記金属材料を、前記第１導電層と前記第２導電層との界面から前記第１導電層内に拡散させる工程と
を有することを特徴とする発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体を複数積層させた発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、紫外光、青色光あるいは緑色光等を発光する発光素子として、単結晶基板上に光半導体層が積層されたものが種々提案されている。特に、光半導体層を構成する光半導体として窒化物半導体を用いた発光素子の開発において、発光素子の外部への光取り出し効率を向上させることが必要となっている。
【０００３】
発光素子の光取り出し効率を向上させる技術として、光半導体層の一方主面に、高い反射率を持つ銀からなる反射電極を設けた発光素子を実装基板にフリップチップ方式で実装する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平11−220171号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された発光素子によれば、反射電極として銀を用いることから、銀がマイグレーションを起こすことにより、光を反射させる反射特性が劣化しやすいという問題があった。その結果、発光素子の光取り出し効率が低下しやすいという問題点があった。
【０００６】
そのため、電極におけるマイグレーションを起きにくくした、発光素子の光取り出し効率の低下を招きにくい発光素子を得ることが課題とされていた。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、光半導体層で発光した光の光取り出し効率の低下を招きにくい発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の発光素子は、ｎ型層と、該ｎ型層上に、該ｎ型層の上面の一部を露出させて設けられた発光層と、該発光層上に設けられたｐ型層と、前記ｎ型層の露出した上面に、前記発光層および前記ｐ型層と間をあけて設けられた第１の電極層と、前記ｐ型層上に設けられた、銀を主成分として銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも１種の金属材料を含む第１導電層および前記金属材料を主成分とする第２導電層を順次積層してなる第２の電極層とを有し、前記第１導電層は、前記金属材料の濃度が、前記第１導電層と前記第２導電層との界面から下方に向かうにつれて低くなっているものである。
【０００９】
また、本発明の発光素子の製造方法は、ｎ型層上に、該ｎ型層の上面の一部を露出させる露出領域を有するように発光層およびｐ型層を順次積層する工程と、前記ｎ型層の前記露出領域に、前記発光層および前記ｐ型層と間をあけて第１の電極層を形成する工程と、前記ｐ型層上に、銀を主成分とする第１導電層および銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも１種の金属材料を主成分とする第２導電層を順次積層してなる第２の電極層を形成する工程と、前記第２の電極層を加熱することにより、前記第２導電層に含まれる前記金属材料を、前記第１導電層と前記第２導電層との界面から前記第１導電層内に拡散させる工程とを有するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の発光素子によれば、第２の電極層が、銅、ニッケル、亜鉛、金またはパラジウムの少なくとも１つの金属材料を含むとともに銀を主成分として銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも１種の金属材料を含む第１導電層および前記金属材料を主成分とする第２導電層を有し、第１導電層における前記金属材料の濃度が、第１導電層と第２導電層との界面から下方に向かうにつれて低くなっていることから、第１導電層においてマイグレーションが起きにくくすることができる。その結果、発光素子の光取り出し効率の低下を招きにくくすることができることから、長期にわたって発光素子の信頼性を維持し続けることができる。
【００１１】
また、本発明の発光素子の製造方法によれば、銀を主成分とする第１導電層および銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも１種の金属材料を主成分とする第２導電層とを順次積層させた第２の電極層を形成した後、第２の電極層を加熱することにより、第２導電層に含まれる前記金属材料を、第１導電層と第２導電層との界面から第１導電層内に拡散させることができる。このように第１導電層内に前記金属材料を拡散させることができることから、第１導体層においてマイグレーションが起きにくくすることができ、長期にわたって信頼性を維持することが可能な発光素子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の発光素子の実施形態の一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す発光素子の断面図であり、図１のＡ−Ａ’線で切断したときの断面に相当する。
【図３】図１および図２に示す発光素子において、第１導電層内の銅の濃度分布を模式的に示す濃度分布図である。
【図４】本発明の発光素子の実施形態の変形例を示す断面図である。
【図５】図４に示す発光素子において、第１導電層内の銀および銅の濃度分布を模式的に示す濃度分布図である。
【図６】本発明の発光素子の製造方法の実施形態の一例の一工程を示す断面図である。
【図７】本発明の発光素子の製造方法の実施形態の一例の一工程を示す断面図である。
【図８】本発明の発光素子の製造方法の実施形態の一例の一工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態の例について図を参照しながら説明する。なお、本発明は以下の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことができる。
【００１４】
＜発光素子＞
図１に、本発明の実施の形態の一例である発光素子１の斜視図を示す。図２は図１に示す発光素子１の断面図であり、図１のＡ−Ａ’線で切断したときの断面に相当する。
【００１５】
発光素子１は、図１に示すように、基板２、光半導体層３および電極層４から構成されている。
【００１６】
基板２は、光半導体層３を結晶成長させることが可能な材料を用いることができ、例えばサファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、ホウ化ジルコニウムまたは酸化亜鉛などの結晶性材料を用いることができる。このような基板２は、平面視形状が四角形状とな
るように形成されている。基板２の厚みは、例えば10μｍ以上1000μｍ以下に設定されている。なお、基板２の平面視形状としては、例えば四角形状もしくは五角形状などの多角形状または円形状などに設定することができる。
【００１７】
このような基板２は、後述する光半導体層３を成長させた後、エッチングなどを用いて除去してもよい。これにより、光半導体層３で発光した光が基板２で吸収されにくくなるため、光取り出し効率を向上させることができる。また、基板２が除去された光半導体層３の主面に凹凸構造を設けることにより、基板２が除去された光半導体層３の主面で全反射されにくくすることができ、光取り出し効率を向上させることができる。
【００１８】
光半導体層３は、図２に示すように、基板２上に複数の半導体層を積層させることによって構成されている。光半導体層３の平面視形状は、基板２の平面視形状と同様に、例えば四角形状もしくは五角形状などの多角形状または円形状などとすることができる。光半導体層３は、全体の厚みが例えば100ｎｍ以上20μｍ以下で形成される。また、光半導体層３の各層の屈折率は、窒化ガリウムを用いた場合には、例えば1.80以上2.70以下に設定される。
【００１９】
光半導体層３としては、III−Ｖ族半導体を用いることができる。このIII−Ｖ族半導体としては、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素などを例示することができる。さらに、III族窒化物半導体としては、ボロン、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムのうち少なくとも１種の窒化物からなる混晶を用いることができ、例えば窒化ガリウムを用いることができる。
【００２０】
光半導体層３は、複数の半導体層として、ｎ型層３ａ、発光層３ｂおよびｐ型層３ｃが積層されることによって構成されている。
【００２１】
ｎ型層３ａは、基板２上に設けられる。ｎ型層３ａは、窒化ガリウムからなり、厚みが例えば50ｎｍ以上10μｍ以下に設定されている。ｎ型層３ａは、例えば不純物としてシリコンを含ませることにより、電子を多数キャリアとするｎ型の導電型が半導体に付与されている。
【００２２】
発光層３ｂは、ｎ型層３ａの上面３ａ’の一部を露出させるように、ｎ型層３ａ上に設けられる。発光層３ｂには、禁制帯幅の広い障壁層と禁制帯幅の狭い井戸層とからなる量子井戸構造が複数回繰り返し規則的に積層された多層量子井戸構造（ＭＱＷ）を用いることができる。障壁層および井戸層としては、インジウムとガリウムとの窒化物からなる混晶においてインジウムとガリウムとの組成比を調整したものを用いることができる。このように構成された発光層３ｂは、例えば350ｎｍ以上600ｎｍ以下の波長で発光強度がピークとなる光を発光することができる。
【００２３】
ｐ型層３ｃは、発光層３ｂ上に設けられる。ｐ型層３ｃは、例えば不純物としてマグネシウムを含ませることによって、正孔を多数キャリアとするｐ型の導電型が半導体に付与されている。なお、ｎ型層３ａとｐ型層３ｃとは、互いに逆に配置されていてもよい。
【００２４】
光半導体層３には、電圧を印加して発光させるための電極層４が設けられている。電極層４は、ｎ型層３ａに電気的に接続された第１の電極層５と、ｐ型層３ｃに電気的に接続された第２の電極層６とから構成されている。
【００２５】
第１の電極層５は、ｎ型層３ａの露出した上面３ａ’に、第１半導体層11ａ上に設けられている。また、第１の電極層５は、発光層３ｂおよびｐ型層３ｃと電気的に絶縁させるために、発光層３ｂおよびｐ型層３ｃと間を開けて設けられている。第１の電極層５と、
発光層３ｂおよびｐ型層３ｃとの間隔は、例えば500ｎｍ以上２μｍ以下に設定することができる。
【００２６】
第１の電極層５は、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、インジウム、錫、モリブデン、銀、金、タンタルまたは白金などの金属や、それらの金属を含む合金膜や、酸化錫、酸化インジウムまたは酸化インジウム錫などの酸化物などを用いることができる。
【００２７】
第２の電極層６は、光半導体層３の上面３’に設けられており、第１導電層６ａおよび第２導電層６ｂを順次積層することによって構成されている。第２の電極層６は、全体の厚みが、例えば１μｍ以上20μｍ以下となるように設けられている。
【００２８】
第１導電層６ａは、銀を主成分とするとともに、銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも１種の金属材料を含むように設けられている。第１導電層６ａは、銀が主成分となっていればよく、例えばマグネシウム、リン、ガリウム、窒素、酸素および水素の少なくとも１種がさらに含まれていてもよい。なお、本例においては、第１導電層６ａに含まれる金属材料として銅の場合を以下に説明する。
【００２９】
ここで「主成分」とは、ＪＩＳ  Ｋ０２１１の定義を用いることができ、第１導電層６ａを構成する材料の大部分を占め、かつ、第１導電層６ａにおいてその材料の本質的役割を示す成分をいう。なお、第１導電層６ａの厚みｈ１は、例えば0.１μｍ以上10μｍ以下となるように設けられている。また、このように第１導電層６ａ内に含ませる銀以外の金属としては、銀よりもマイグレーションを起こしにくい材料を用いればよい。
【００３０】
第２導電層６ｂは、第１導電層６ａに含ませた銅を主成分として構成されている。なお、第２導電層６ｂは、第１導電層６ｂで含ませた、銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムの少なくとも１種の金属材料を用いればよい。第２導電層６ｂは、銅が主成分となっていればよく、例えば、銀、マグネシウム、リン、ガリウム、窒素、酸素および水素の少なくとも１種がさらに含まれていてもよい。なお、第２導電層６ｂは、厚みｈ２が、例えば0.01μｍ以上10μｍ以下となるように設けられている。
【００３１】
また、第１導電層６ａは、銅の濃度が、第１導電層６ａと第２導電層６ｂとの界面から下方に向かうにつれて低くなるように設定されている。第１導電層６ａの銅の濃度について、図３を参照しつつ説明をする。図３は、横軸に第１導電層６ａの上面６ａ’（第１導電層６ａと第２導電層６ｂとの界面）からの距離を、縦軸に銅の濃度（質量％）をそれぞれ示している。図３の曲線は、第１導電層６ａ内における銅の濃度分布を模式的に示したものである。
【００３２】
第１導電層６ａ内の銅の濃度は、図３に示すように、第１導電層６ａと第２導電層６ｂとの界面から下方に向かうにつれて、界面近傍の濃度ｃ１から低くなるように変化している。このような濃度変化は、例えば、滑らかな濃度変化または階段状の濃度変化などがある。滑らかな濃度変化としては、例えば深さ方向の変化率が１質量％／ｎｍとなるように設定することができる。
【００３３】
本例の発光素子１は、このように第１導電層６ａ内の銅の濃度が、第１導電層６ａと第２導電層６ｂとの界面から下方に向かうにつれて、低くなるように設定されている。すなわち、第１導電層６ａは、第１導電層６ａと第２導電層６ｂとの界面付近の銅の濃度が高くなるとともに、第１導電層６ａとｐ型層３ｃとの界面付近の銅の濃度ｃ２が低くなるように設定されている。
【００３４】
このように第１導電層６ａは、ｐ型層３ｃと第１導電層６ａとの界面付近において、銅の濃度よりも銀の濃度が高くなっていることから、第１導電層６ａの反射率の低下を招きにくくすることができる。また第１導電層６ａは、第１導電層６ａと第２導電層６ｂとの界面付近において、銀よりもマイグレーションを起こしにくい銅の濃度が高くなるように設定されている。そのため、第１導電層６ａが第２導電層６ｂ側からマイグレーションを起こしにくくすることができる。
【００３５】
また、図３に示すように、第１導電層６ａ内の銅の濃度は、第１導電層６ａ内において、厚み方向の途中で急激に変化していてもよい。ここで「急激に」とは、濃度ｃ１から濃度ｃ２までの低下が、第１導電層６ａの厚みの10％以下で行なわれることを指す。
【００３６】
このように第１導電層６ａ内において、銅の濃度を急激に変化させることにより、第１導電層６ａにおいてマイグレーションが起きにくくなるとともに、ｐ型層３ｃと第１導電層６ａとの界面における反射率の低下を抑制する効果を高めることができる。
【００３７】
一方、仮に、第１導電層として銀と銅とが全体に混ざった合金を用いた場合だと、第１導電層の反射率が低下してしまい、ｐ型層と第１導電層との界面で反射される光量が低下するため、発光素子の光取り出し効率の低下を招きやすくなってしまう。
【００３８】
（発光素子の各種変形例）
以下、本発明の発光素子１の変形例について説明をする。なお、上述の発光素子１と重複する部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３９】
（発光素子の変形例１）
第２導電層６ｂには、銀を含んでいてもよい。このように第２導電層６ｂに銀（電気抵抗  約1.47［10−８Ω・ｍ］）を含ませることによって、第１導電層６ａに含ませる金属材料として銅（電気抵抗  約6.3［10−８Ω・ｍ］）、ニッケル（電気抵抗  約6.2［10−８Ω・ｍ］）、亜鉛（電気抵抗  約5.5［10−８Ω・ｍ］）、金（電気抵抗  約2.05［10−８Ω・ｍ］）またはパラジウム（電気抵抗  約10［10−８Ω・ｍ］）のいずれを用いたとしても、第２導電層６ｂの電気抵抗を小さくすることができる。
【００４０】
このように第２導電層６ｂの電気抵抗を小さくできることから、発光素子１を発光させる際に印加する電圧を小さくすることができる。その結果、発光素子１で消費される電力を小さくすることができる。
【００４１】
また、第２導電層６ｂに含まれる銀は、第１導電層６ａと第２導電層６ｂとの界面から上方に向かうにつれて濃度が低くなるように設定してもよいし、第２導電層６ｂが第２導電層６の主成分をなす金属と合金となっていてもよい。第２導電層６ｂに含まれる銀を、第１導電層６ａと第２導電層６ｂとの界面から上方に向かうにつれて濃度が低くなるように設定した場合は、熱膨張率の違いに起因して発生する熱応力を徐々に緩和することができ、第２導電層６ｂが第１導電層６ａから剥がれにくくすることができる。その結果、第１導電層６ａと第２導電層６ｂとの密着性を向上させることができる。
【００４２】
（発光素子の変形例２）
第２の電極層６は、図４に示すように、第２導電層６ｂ上に銀を主成分として銅を含む第３導電層６ｃをさらに有していてもよい。第３導電層６ｃは、厚みｈ３が、例えば0.5μｍ以上10μｍ以下となるように設定されている。このように第２導電層６ｂ上に第３導電層６ｃが設けられていることにより、発光素子１を回路基板などに実装する際に、第３導電層６ｃによって電気抵抗を小さくすることができるため、印加電圧を小さくすることができる。
【００４３】
また、銀からなる第１導電層６ａおよび第３導電層６ｃで第２導電層６ｂを挟んだ構造を用いる場合には、第２導電層６ｂは、厚みｈ２を十分薄くするとともに銀を含むように設定してもよい。このように第２導電層６ｂの厚みｈ２を十分薄くすることにより、第１導電層６ａでのマイグレーションを抑制しつつ、第２の電極層６の全体にわたって電気抵抗を小さくすることができる。その結果、発光素子１に印加する電圧を小さくすることができ、発光素子１の電気特性を向上させることができる。なお、第２導電層６ｂの厚みｈ２は、例えば10ｎｍ以上700ｎｍ以下となるように設定することができる。
【００４４】
さらに、第３導電層６ｃは、図５に示すように、銅の濃度が、第３導電層６ｃと第２導電層６ｂとの界面から上方に向かうにつれて低くなっていてもよい。図５は、横軸に第３導電層６ｃの上面６ｃ’からの距離を、縦軸に銅の濃度（質量％）を示し、第２の電極層６内（第１導電層６ａ、第２導電層６ｂおよび第３導電層６ｃ）における銅および銀の濃度分布を模式的に示したものである。このように第３導電層６ｃの銅の濃度を、第３導電層６ｃと第２導電層６ｂとの界面から上方に向かうにつれて低くすることにより、第３導電層６ｃでのマイグレーションを抑制することができる。
【００４５】
また、図５に示すように、第２の電極層６内において、銀の濃度ｃ３が、厚みの中間で低くなっているとともに、銅の濃度が急激に高くなるように設定されている。すなわち、第２の電極層６において、厚み方向の途中で急激に銅の濃度が高くなっていることから、第１導電層６ａにおいてマイグレーションが起きにくくなるとともに、ｐ型層３ｃと第１導電層６ａとの界面における反射率の低下を抑制し、発光素子１に印加する電圧を小さくする効果を高めることができる。
【００４６】
（発光素子の変形例３）
第３導電層６ｃは、第１導電層６ａよりも多く酸素を含んでいてもよい。第３導電層６ｃが第１導電層６ａよりも多く酸素を含んでいることにより、第３導電層６ｃでのマイグレーションを抑制しつつ、第１導電層６ａとｐ型層３ｃとの界面での反射率を維持することができる。
【００４７】
＜発光素子の製造方法＞
次に、本発明の発光素子の製造方法の実施の形態の一例を説明する。図６から図８は、発光素子１の製造方法を説明するための断面図であり、図２に示す発光素子１のＡ−Ａ’線における断面に相当する部分を示している。本例の発光素子の製造方法は、主に、光半導体層３を順次積層する工程、第１の電極層５を形成する工程、第２の電極層６を形成する工程および拡散工程を有している。以下、各工程について説明する。
【００４８】
（光半導体層を順次積層する工程）
まず、図６に示すように、基板２上に光半導体層３を形成する。光半導体層３は、ｎ型層３ａ、発光層３ｂおよびｐ型層３ｃを順次積層した積層構造体で構成する。光半導体層３は、基板２上に例えば有機金属気相成長法によって成長させる。光半導体層３を成長させる他の方法として、例えば分子線エピタキシー法、ハイドライド気相成長法またはパルス・レーザ・デポジション法などを用いることができる。なお、光半導体層３としてはIII−Ｖ族半導体を用いることができ、ｐ型またはｎ型の導電型を半導体に付与する際には、光半導体層３を結晶成長させながら添加物を混ぜればよい。
【００４９】
発光層３ｂおよびｐ型層３ｃは、ｎ型層３ａの上面３ａ’の一部を露出させる露出領域Ｓｐを有するように積層されている。露出領域Ｓｐは、面積が、例えば0.2μｍ２以上３μｍ２以下となるように設定することができる。ｎ型層３ａに露出領域Ｓｐを有するように発光層３ｂおよびｐ型層３ｃを積層させる方法としては、露出領域Ｓｐにマスクを形成
した後、ｎ型層３ａの上面３ａ’に発光層３ｂおよびｐ型層３ｃを結晶成長させて、マスクを除去する方法を用いることができる。
【００５０】
露出領域Ｓｐを形成する他の方法としては、基板２上に光半導体層３を成長させた後、エッチングなどでｐ型層３ｃおよび発光層３ｂの一部を除去することにより、ｎ型層３ａの上面３ａ’を露出させる方法を用いることができる。なお、露出領域Ｓｐは、ｎ型層３ａの上面３ａ’の一部だけでなく、ｎ型層３ａの一部がエッチングで削れることによって露出した表面であってもよい。
【００５１】
（第１の電極層を形成する工程）
次に、図７に示すように、ｎ型層３ａの露出領域Ｓｐに発光層３ｂおよびｐ型層３ｃと間をあけて第１の電極層５を形成する。第１の電極層５は、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、インジウム、錫、モリブデン、銀、金、タンタルまたは白金などの金属や、それらの金属を含む合金膜や、酸化錫、酸化インジウムまたは酸化インジウム錫などの酸化物などを用いることができる。
【００５２】
第１の電極層５を設ける方法としては、例えば金属を用いる場合は、スパッタリング法または蒸着法などを用いることができる。
【００５３】
（第２の電極層を形成する工程）
また、図８に示すように、ｐ型層３ｃ上に、第１導電層６ａおよび第２導電層６ｂを積層してなる第２の電極層６を形成する。第１導電層６ａは銀が主成分となるように設定されている。また、第２導電層６ｂは、銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムのうち少なくとも１種の金属材料が主成分となるように設定されている。本例において、第２導電層６ｂは、銅が主成分となるように設定されている。
【００５４】
第２の電極層６を設ける方法は、例えば金属材料をスパッタリング法または蒸着法を用いることができる。
【００５５】
（拡散工程）
その後、第２の電極層６を加熱することにより、第２導電層６ｂに含まれる金属材料を、第１導電層６ａと第２導電層６ｂとの界面から第１導電層６ａ内に拡散させることができる。第２の電極層６を加熱する加熱温度は、例えば100℃以上800℃に設定することができる。また、第２の導電層６を加熱する加熱時間は、例えば１分以上60分以下となるように設定してもよい。
【００５６】
本例の発光素子の製造方法は、第１導電層６ａおよび第２導電層６ｂを順次積層して第２の電極層６を形成した後、第２の電極層６を加熱することにより、第２導電層６ｂの主成分をなす銅を、第２導電層６ｂと第１導電層６ａとの界面から、第１導電層６ａ内に拡散させることができる。
【００５７】
このように第２導電層６ｂに含まれる銅を、銀からなる第１導電層６ａ内に拡散させることができることから、銅は銀よりもマイグレーションを起こしにくいため、ｐ型層３ｃの上面３ａ’に形成される第１導電層６ａの銀がマイグレーションを起こしにくくすることができる。
【００５８】
また、第１導電層６内に拡散した銅は、第１導電層６ａと第２導電層６ｂとの界面から下方に向かうにつれて低くなるように設定される。そのため、第１導電層６ａは、ｐ型層３ｃとの界面付近の銅の濃度が低くなっていることから、発光層３ｂで発光した光を他方へ反射させる反射特性を維持しつつ、第１導電層６ａのマイグレーションを抑制すること
ができる。
【００５９】
（発光素子の各種変形例）
以下、本発明の発光素子１の製造方法の変形例について説明する。なお、上述の発光素子１の製造方法と重複する部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００６０】
（発光素子の製造方法の変形例１）
第２の電極層を形成する工程において、第１導電層６ａを加熱した状態で、第２導電層６ｂを第１導電層６ａ上に積層してもよい。このように第２導電層６ｂを加熱しながら第１導電層６ａ上に積層させることにより、第２導電層６ｂの金属材料を第１導電層６ａ内に拡散させつつ、第２導電層６ｂを形成することができる。
【００６１】
このように第２導電層６ｂを形成することにより、拡散させる工程の時間を短くすることができるので、発光素子の生産性を向上させることができる。
【００６２】
（発光素子の製造方法の変形例２）
第２の電極層６を形成する工程において、第１導電層６ａの成膜中において、第１導電層６ａを一定の厚さ積層させた後、第１導電層６ａの材料を供給した状態で、第２導電層６ｂの材料の供給を開始してもよい。その後、第１導電層６ａの材料の供給を停止し、第２導電層６ｂの材料の供給のみを行なうことによって第２導電層６ｂを設ける。このように第１導電層６ａおよび第２導電層６ｂを形成することにより、拡散させる工程において第１導電層６ａ内に第２導電層６ｂの金属材料を拡散させることができる。
【００６３】
さらに、第１導電層６ａの材料を供給した状態で、第２導電層６ｂの材料の供給を開始する工程を、光半導体層３を加熱した状態で行なってもよい。このように加熱した状態で行なうことによって生産性をさらに向上させることができる。
【００６４】
（発光素子の製造方法の変形例３）
第２の電極層６を形成する工程において、第２導電層６ｂ上に第３導電層６ｃを設ける際に、第１導電層６ａ、第２導電層６ｂおよび第３導電層６ｃを連続して形成してもよい。具体的には、第１導電層６ａを形成した後、第１導電層６ａの材料の供給を続けた状態で、第２導電層６ｂの材料の供給を開始する。しかる後、第２導電層６ｂの材料の供給を停止して、第１導電層６ａの材料の供給を続けることにより、第２導電層６ｂ上に第３導電層６ｃを形成する。
【００６５】
このように、第１導電層６ａの材料を供給しながら、第２導電層６ｂおよび第３導電層６ｃを形成することにより、第２の電極層６を形成する工程の工程時間を短縮することができる。これにより、発光素子１の生産性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００６６】
１  発光素子
２  基板
３  光半導体層
３’  上面
３ａ  ｎ型層
３ａ’  上面
３ｂ  発光層
３ｃ  ｐ型層
４  電極層
５  第１の電極層
６  第２の電極層
６ａ  第１導電層
６ｂ  第２導電層
６ｃ  第３導電層
Ｓｐ  露出領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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