【事件の表示】
　特願２０１３−　９０２１７「発光素子及び発光素子パッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　２月２０日出願公開、特開２０１４−　３３１８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２５年４月２３日（パリ条約による優先権主張２０１２年８月６日、韓国）の出願であって、その手続の経緯は、次のとおりである。
　平成２８年　４月２１日　　：手続補正書
　平成２９年　２月２４日付け：拒絶理由通知書（同年２月２８日発送）
　平成２９年　５月　８日　　：意見書・手続補正書
　平成２９年　９月１４日付け：拒絶査定（同年９月１９日送達）
　平成３０年　１月１７日　　：審判請求書・手続補正書
　平成３０年　９月２７日付け：拒絶理由通知書（同年１０月２日発送。当審がしたもの、最初）
　平成３０年１２月２７日　　：意見書・手続補正書
　平成３１年　１月２２日付け：拒絶理由通知書（同年１月２９日発送。当審がしたもの、最後）
　平成３１年　４月２５日　　：意見書・手続補正書
　以下、平成３０年１２月２７日に提出された手続補正書による補正を、「第４次補正」といい、平成３１年４月２５日に提出された手続補正書による補正を、「第５次補正」という。
　なお、明細書及び図面は、願書に最初に添付されたものから補正されていない。
第２　第５次補正の適法性について
　１　第５次補正の内容
　第５次補正は、特許請求の範囲の請求項１のみを補正するものであって、第５次補正の前後における請求項１は、次のとおりである。
（１）第５次補正前の請求項１
「第１導電型半導体層と、
　前記第１導電型半導体層の上に配置された活性層と、
　前記活性層の上に配置された第２導電型半導体層と、を含み、
　前記活性層は、複数の井戸層と複数のバリア層を含み、
　前記活性層は、
　　前記複数の井戸層のうち前記第２導電型半導体層の最も近くに配置される第３井戸層（１３ｃ）と、
　　前記第２導電型半導体層と前記第３井戸層との間に配置されるバリア層であって前記第３井戸層の最も近くに配置される第４バリア層（１１ｄ）と、
　　前記第３井戸層と前記第４バリア層との間に、前記第３井戸層と前記第４バリア層に接して配置される第５バリア層（１５ａ）と、
　　前記第１導電型半導体層と前記第３井戸層との間に配置されるバリア層であって前記第３井戸層の最も近くに配置される第３バリア層（１１ｃ）と、
　　前記第３井戸層と前記第３バリア層との間に、前記第３井戸層と前記第３バリア層に接して配置される第６バリア層（１５ｂ）と、
　　前記複数の井戸層のうち前記第１導電型半導体層の最も近くに配置される第１井戸層（１３ａ）と、
　　前記第１導電型半導体層と前記第１井戸層との間に配置されるバリア層であって前記第１井戸層の最も近くに配置される第１バリア層（１１ａ）と、
　　前記第１井戸層と前記第１バリア層との間に、前記第１井戸層と前記第１バリア層に接して配置される第７バリア層（１７ａ）と、
　　前記第２導電型半導体層と前記第１井戸層との間に配置されるバリア層であって前記第１井戸層の最も近くに配置される第２バリア層（１１ｂ）と、
　　前記第１井戸層と前記第２バリア層との間に、前記第１井戸層と前記第２バリア層に接して配置される第８バリア層（１７ｂ）と、
を含み、
　前記第５バリア層（１５ａ）及び前記第６バリア層（１５ｂ）の各々の厚さは、前記第７バリア層（１７ａ）及び前記第８バリア層（１７ｂ）の各々の厚さより厚く、
　前記第５バリア層及び前記第６バリア層の各々の厚さは、略同一であり、
　前記第７バリア層及び前記第８バリア層の各々の厚さは、略同一であり、
　前記第５バリア層（１５ａ）のエネルギーバンドギャップは、前記第４バリア層（１１ｄ）のエネルギーバンドギャップと同一であり、前記第２導電型半導体層のエネルギーバンドギャップより小さく、
　前記第７バリア層（１７ａ）のエネルギーバンドギャップは、前記第１バリア層（１１ａ）のエネルギーバンドギャップと同一であり、前記第１導電型半導体層のエネルギーバンドギャップより小さく、
　前記第１バリア層乃至前記第４バリア層の各々の厚さは、略同一であり、
　前記第１井戸層乃至前記第３井戸層は、ＩｎＧａＮ井戸層であり、
　前記第１バリア層乃至前記第８バリア層は、ＧａＮバリア層であり、
　前記第３井戸層のＩｎ含有量は、前記第１井戸層及び前記第２井戸層の各々のＩｎ含有量よりも多いことを特徴とする、発光素子。」
（２）第５次補正後の請求項１
「第１導電型半導体層と、
　前記第１導電型半導体層の上に配置された活性層と、
　前記活性層の上に配置された第２導電型半導体層と、を含み、
　前記活性層は、複数の井戸層と複数のバリア層を含み、
　前記活性層は、
　　前記複数の井戸層のうち前記第２導電型半導体層の最も近くに配置される第３井戸層（１３ｃ）と、
　　前記第２導電型半導体層と前記第３井戸層との間に配置され
る第
　　前記第３井戸層と前記第４バリア層との間に、前記第３井戸層と前記第４バリア層に接して配置される第５バリア層（１５ａ）と、
　　前記第１導電型半導体層と前記第３井戸層との間に配置され
る第
　　前記第３井戸層と前記第３バリア層との間に、前記第３井戸層と前記第３バリア層に接して配置される第６バリア層（１５ｂ）と、
　　前記複数の井戸層のうち前記第１導電型半導体層の最も近くに配置される第１井戸層（１３ａ）と、
　　前記第１導電型半導体層と前記第１井戸層との間に配置され
る第
　　前記第１井戸層と前記第１バリア層との間に、前記第１井戸層と前記第１バリア層に接して配置される第７バリア層（１７ａ）と、
　　前記第２導電型半導体層と前記第１井戸層との間に配置され
る第
　　前記第１井戸層と前記第２バリア層との間に、前記第１井戸層と前記第２バリア層に接して配置される第８バリア層（１７ｂ）と、
を含み、
　前記第５バリア層（１５ａ）及び前記第６バリア層（１５ｂ）の各々の厚さは、前記第７バリア層（１７ａ）及び前記第８バリア層（１７ｂ）の各々の厚さより厚く、
　前記第５バリア層及び前記第６バリア層の各々の厚さは、略同一であり、
　前記第７バリア層及び前記第８バリア層の各々の厚さは、略同一であり、
　前記第５バリア層（１５ａ）のエネルギーバンドギャップは、前記第４バリア層（１１ｄ）のエネルギーバンドギャップと同一であり、前記第２導電型半導体層のエネルギーバンドギャップより小さく、
　前記第７バリア層（１７ａ）のエネルギーバンドギャップは、前記第１バリア層（１１ａ）のエネルギーバンドギャップと同一であり、前記第１導電型半導体層のエネルギーバンドギャップより小さく、
　前記第１バリア層乃至前記第４バリア層の各々の厚さは、略同一であり、
　前記第１井戸層乃至前記第３井戸層は、ＩｎＧａＮ井戸層であり、
　前記第１バリア層乃至前記第８バリア層は、ＧａＮバリア層であり、
　前記第３井戸層のＩｎ含有量は、前記第１井戸層及び前記第２井戸層の各々のＩｎ含有量よりも多いことを特徴とする、発光素子。」
　なお、下線は、補正箇所として請求人が付したものである。
　２　第５次補正の目的
　第５次補正は、
（i）補正前の「前記第２導電型半導体層と前記第３井戸層との間に配置されるバリア層であって前記第３井戸層の最も近くに配置される第４バリア層（１１ｄ）」という明瞭でない記載を、「前記第２導電型半導体層と前記第３井戸層との間に配置される第４バリア層（１１ｄ）」に補正して明瞭とし、
（ii）補正前の「前記第１導電型半導体層と前記第３井戸層との間に配置されるバリア層であって前記第３井戸層の最も近くに配置される第３バリア層（１１ｃ）」という明瞭でない記載を、「前記第１導電型半導体層と前記第３井戸層との間に配置される第３バリア層（１１ｃ）」に補正して明瞭とし、
（iii）補正前の「前記第１導電型半導体層と前記第１井戸層との間に配置されるバリア層であって前記第１井戸層の最も近くに配置される第１バリア層（１１ａ）」という明瞭でない記載を、「前記第１導電型半導体層と前記第１井戸層との間に配置される第１バリア層（１１ａ）」に補正して明瞭とし、
（iv）補正前の「前記第２導電型半導体層と前記第１井戸層との間に配置されるバリア層であって前記第１井戸層の最も近くに配置される第２バリア層（１１ｂ）」という明瞭でない記載を、「前記第２導電型半導体層と前記第１井戸層との間に配置される第２バリア層（１１ｂ）」に補正して明瞭とするものである。
　よって、第５次補正は、特許法第１７条の２第５項第４号に規定する明りようでない記載の釈明を目的とするものである。
　３　第５次補正についての小括
　以上のとおりであるから、第５次補正は、適法である。
第３　平成３１年１月２２日付け拒絶理由通知書の概要
　当審がした平成３１年１月２２日付け拒絶理由通知における拒絶の理由は、次の内容を含むものである。
　第４次補正のうち、請求項１に「前記第３井戸層のＩｎ含有量は、前記第１井戸層及び前記第２井戸層の各々のＩｎ含有量よりも多い」ことを追加した補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　以下、第４次補正により請求項１に追加された「前記第３井戸層のＩｎ含有量は、前記第１井戸層及び前記第２井戸層の各々のＩｎ含有量よりも多い」という事項を「本件補正事項」という。
　また、第４次補正後の請求項１に係る発明を「第４次補正後発明」という。
第４　当審の判断
　１　認定事実
（１）本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）には、次の記載がある。
　ア　「【特許請求の範囲】」、
「第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層の上に配置された活性層と、
前記活性層の上に配置された第２導電型半導体層と、を含み、
前記活性層は、
（Ｔ＋１）個のバリア層と、
前記（Ｔ＋１）個のバリア層の間に配置されたＴ個の井戸層と、
前記第２導電型半導体層に隣り合う（adjacent）Ｎ個の井戸層と前記Ｎ個の井戸層に隣り合うＮ個のバリア層との間に配置される第１ダミー層と、を含み、
Ｔ＞Ｎ≧１であることを特徴とする、発光素子。」（【請求項１】）、
「前記活性層は、
前記第１導電型半導体層に隣り合うＭ個の井戸層と前記Ｍ個の井戸層に隣り合うＭ個のバリア層との間に配置される第２ダミー層をさらに含み、
Ｎ≧Ｍ≧１であることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。」（【請求項２】）
　イ　「【技術分野】」、
「本発明は、発光素子に関するものである。」（【０００１】）
「本発明は、発光素子パッケージに関する。」（【０００２】）
　ウ　「【背景技術】」、
「発光ダイオード（Light-Emitting Diode：ＬＥＤ）は、電流を光に変換させる半導体発光素子（semiconductor light emitting device）である。」（【０００３】）、
「発光素子は、蛍光灯、白熱灯などのような既存の光源に比べて、低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、環境親和性の長所を有する。これによって、既存の光源を半導体発光素子に取り替えるための多くの研究が進められている。」（【０００４】）、
「併せて、半導体発光素子は室内外で使われる各種ランプ若しくは街灯のような照明装置の光源または液晶表示装置と電光板のような表示装置の光源として広く応用されている。」（【０００５】）
　エ　「【発明が解決しようとする課題】」、
「本発明の目的は、演色指数（ＣＲＩ：Color Rendering Index）を向上させることができる発光素子を提供する。」（【０００６】）、
「本発明の他の目的は、光出力を向上させることができる発光素子を提供することにある。」（【０００７】）、
「本発明の更に他の目的は、駆動電圧を低めることができる発光素子を提供することにある。」（【０００８】）
　オ　「【課題を解決するための手段】」、
「本発明の様々な実施形態によれば、発光素子は、第１導電型半導体層、前記前記第１導電型半導体層の上に配置された活性層、及び前記前記活性層の上に配置された第２導電型半導体層を含み、前記前記活性層は、（Ｔ＋１）個のバリア層、前記前記（Ｔ＋１）個のバリア層の間に配置されたＴ個の井戸層、及び前記前記第２導電型半導体層に隣り合う（adjacent）Ｎ個の井戸層と前記前記Ｎ個の井戸層に隣り合うＮ個のバリア層との間に配置されるダミー層を含み、Ｔ＞Ｎ≧１である。」（【０００９】）、
「本発明の様々な実施形態によれば、発光素子は、基板、前記前記基板の上に配置された第１導電型半導体層、前記前記第１導電型半導体層の上に配置された活性層、及び前記前記活性層の上に配置された第２導電型半導体層を含み、前記前記活性層は、第１乃至第４バリア層、及び前記前記第１乃至第４バリア層の間に配置された第１乃至第３井戸層を含み、前記前記第１バリア層は前記前記第１導電型半導体層に接し（contact）、前記前記第４バリア層は前記前記第２導電型半導体層に接し（contact）、前記前記第３及び第４バリア層の厚さは前記前記第１及び第２バリア層の厚さより大きい。」（【００１０】）、
「本発明の様々な実施形態によれば、発光素子パッケージは、支持体、前記前記支持体の上に第１及び第２電極ライン、及び前記前記支持体及び前記前記第１及び第２電極ラインのうち、いずれか１つの上に配置される発光素子を含み、前記前記発光素子は、第１導電型半導体層、前記前記第１導電型半導体層の上に配置された活性層、及び前記前記活性層の上に配置された第２導電型半導体層を含み、前記前記活性層は、（Ｔ＋１）個のバリア層、前記前記（Ｔ＋１）個のバリア層の間に配置されたＴ個の井戸層、及び前記前記第２導電型半導体層に隣り合う（adjacent）Ｎ個の井戸層と前記前記Ｎ個の井戸層に隣り合うＮ個のバリア層の間に配置されるダミー層を含み、Ｔ＞Ｎ≧１である。」（【００１１】）
　カ　「【発明を実施するための形態】」、
「本発明を説明するに当たって、各層（膜）、領域、パターン、または構造物が、基板、各層（膜）、領域、パッド、またはパターンの“上（on）”にまたは“下（under）”に形成されるという記載は、直接（directly）または他の層を介して（indirectly）形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。」（【００１３】）、
「以下、添付した図面を参照して実施形態を説明すると、次の通りである。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するものではない。」（【００１４】）
　キ　「図１は、本発明の実施形態に従う発光素子を示す断面図である。」（【００１５】）、
「図１を参照すると、実施形態に従う発光素子１は、基板３、及び前記前記基板３の上に配置された発光構造物２０を含むことができる。」（【００１６】）、
「前記前記基板３は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、及びＧｅからなるグループから選択された少なくとも１つで形成できる。」（【００１７】）、
「前記前記基板３と前記前記発光構造物２０との間にバッファ層５が配置できるが、これに対して限定するものではない。」（【００１８】）、
「前記前記バッファ層５は、前記前記基板３と前記前記発光構造物２０との間の大きい格子定数（lattice constant）差を緩和してくれるために形成できる。即ち、前記前記基板３の上に前記前記バッファ層５が形成され、前記前記バッファ層５の上に前記前記発光構造物２０が形成できる。このような場合、前記前記発光構造物２０は前記前記バッファ層５との格子定数の差が小さいので、前記前記発光構造物２０が前記前記バッファ層５の上に不良無しで安定的に成長されて電気的及び光学的特性が向上できる。」（【００１９】）、
「前記前記発光構造物２０は、少なくとも第１導電型半導体層７、活性層１０、及び第２導電型半導体層９を含むことができるが、これに対して限定するものではない。」（【００２０】）、
「例えば、前記前記活性層１０は前記前記第１導電型半導体層７の上に配置され、前記前記第２導電型半導体層９は前記前記活性層１０の上に配置できる。」（【００２１】）、
「前記前記バッファ層５、前記前記第１導電型半導体層７、前記前記活性層１０、及び前記前記第２導電型半導体層９は、ＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材質で形成できる。例えば、前記前記第１導電型半導体層７、前記前記活性層１０、及び前記前記第２導電型半導体層９は、ＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、及びＡｌＩｎＮからなるグループから選択された少なくとも１つを含むことができるが、これに対して限定するものではない。」（【００２２】）、
「例えば、前記前記第１導電型半導体層７はｎ型ドーパントを含むｎ型半導体層であり、前記前記第２導電型半導体層９はｐ型ドーパントを含むｐ型半導体層であるが、これに対して限定するものではない。前記前記ｎ型ドーパントは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどを含み、前記前記ｐ型ドーパントはＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどを含むが、これに対して限定するものではない。」（【００２３】）、
「前記前記活性層１０は、前記前記第１導電型半導体層７を通じて注入される第１キャリア、例えば電子と、前記前記第２導電型半導体層９を通じて注入される第２キャリア、例えば正孔とが互いに結合されて、前記前記活性層１０の形成物質に従うエネルギーバンドギャップ（energy bandgap）の差に相応する波長を有する光を放出することができる。」（【００２４】）、
「前記前記活性層１０は、単一量子井戸構造（ＳＱＷ）、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）、量子点構造、または量子線構造のうち、いずれか１つを含むことができる。前記前記活性層１０は、井戸層とバリア層とを一周期にして井戸層とバリア層とが繰り返して形成できる。前記前記井戸層とバリア層との反復周期は発光素子の特性によって変形可能であるので、これに対して限定するものではない。」（【００２５】）、
「前記前記活性層１０は、例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮの周期、ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮの周期、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮの周期などで形成できる。前記前記バリア層のバンドギャップは、前記前記井戸層のバンドギャップより大きく形成できる。」（【００２６】）、
「図示してはいないが、前記前記第２導電型半導体層９の上に前記前記第１導電型半導体層７と同一な導電型ドーパントを含む第３導電型半導体層が配置できる。」（【００２７】）、
「図示してはいないが、前記前記第１導電型半導体層７に接するように第１電極が配置され、前記前記第２導電型半導体層９または前記前記第３導電型半導体層に接するように第２電極が配置できる。」（【００２８】）、
「前記前記発光素子１は、水平型（lateral type）構造、フリップチップ型（flip-chip type）構造、及び垂直型（vertical type）構造のうちの１つを含むことができる。」（【００２９】）、
「前記水平型構造や前記フリップチップ型構造では、前記第１電極は前記第１導電型半導体層７の上に配置され、前記第２電極は前記第２導電型半導体層９の上に配置できる。言い換えると、前記水平型構造や前記フリップチップ型構造では前記第１及び第２電極が同一方向に向けて配置できる。」（【００３０】）、
「前記垂直型構造では、前記第１電極は前記第１導電型半導体層７の上に配置され、前記第２電極は前記第２導電型半導体層９の下に配置できる。言い換えると、前記垂直型構造は前記第１及び第２電極が互いに反対方向に向けて配置され、前記第１及び第２電極の一部が少なくても重畳されるように配置できるが、これに対して限定するものではない。」（【００３１】）、
「図２に示すように、一般的に演色指数（ＣＲＩ：Color Rendering Index）と光出力とは反比例関係を有することができる。」（【００３２】）、
「即ち、発光素子１の波長が増加するほど演色指数は増加することに反して、光出力は減少する。特に、４５０nm以下のピーク波長では波長が増加するほど演色指数の増加と共に光出力も増加するが、４５０nmのピーク波長からは波長が増加するほど演色指数は増加するが、光出力は減少する。」（【００３３】）、
「したがって、４５０nm以上のピーク波長で演色指数の増加と共に光出力が増加乃至少なくとも維持できる発光素子の開発が切実である。」（【００３４】）、
「４５０nm以上では蛍光体が低下し、蛍光体の低下に起因して光出力が低下する。」（【００３５】）、
「発光素子１で４５０nm以上のピーク波長を有するためには、活性層１０のエネルギーバンドギャップの調節が必要である。例えば、活性層１０がＩｎＧａＮ井戸層／ＧａＮバリア層の場合、井戸層のＩｎ含有量を調節することによって、エネルギーバンドギャップを調節することができる。ところが、Ｉｎの含有量を高めれば、活性層１０の膜品質を低下させるので、これを補完するためにバリア層の厚さを増加させる必要がある。バリア層が複数の場合、複数個のバリア層の厚さを全て増加させることによって補完することができる。」（【００３６】）、
「図３は、活性層１０の複数のバリア層の厚さを６５Åから７０Å、８０Å、及び９０Åに変化を与えた後、発光素子１の光出力（Ｐｏ）を測定した実験データである。図３に示すように、バリア層の厚さを増加させればさせるほど、光出力（Ｐｏ）が低下することが分かる。」（【００３７】）、
「バリア層の厚さが９０Å、８０Å、及び７０Åに減るほど、４５０nm以上のピーク波長で光出力は増加することが分かる。即ち、９０Åの厚さを有するバリア層よりは８０Åの厚さを有するバリア層でより大きい光出力が得られ、８０Åの厚さを有するバリア層よりは７０Åの厚さのバリア層でより大きい光出力が得られる。但し、９０Åの厚さのバリア層、８０Åの厚さを有するバリア層、及び７０Åの厚さを有するバリア層の全てで波長が増加するにつれて光出力が徐々に減少する傾向を見せている。特に、バリア層の厚さが６５Åの場合、光出力が急激に減少する傾向を見せている。」（【００３８】）、
「ここで、活性層に含まれた全てのバリア層の厚さは同一でありうる。例えば、活性層に含まれた全てのバリア層の厚さが９０Åでありうる。」（【００３９】）、
「図３に示すように、バリア層の厚さが減少するにつれて光出力が向上するが、駆動電圧は増加する問題がある。これは、バリア層の厚さが減少するにつれて、活性層のバルク抵抗（bulk resistance）が増加し、このようなバルク抵抗の増加によって駆動電圧が増加することと見える。即ち、バルク抵抗の増加によって電流の流れが妨害を受けるので、所望の電流が流れるためには、より高い駆動電圧が求められる。」（【００４０】）、
「実施形態は、演色指数及び光出力を向上させながら駆動電圧を低める発光素子を具現することができる。」（【００４１】）、
「図４は、図１の発光素子における第１実施形態に従う活性層を示す断面図である。」（【００４２】）、
「図４を参照すると、前記活性層１０は、多数のバリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、多数の井戸層１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、及び第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂを含むことができる。」（【００４３】）、
「前記井戸層１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、前記バリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄの間に配置できる。例えば、第１バリア層１１ａの上に第１井戸層１３ａが配置され、前記第１井戸層１３ａの上に第２バリア層１１ｂが配置され、前記第２バリア層１１ｂの上に第２井戸層１３ｂが配置できる。前記第２井戸層１３ｂの上に第３バリア層１１ｃが配置され、前記第３バリア層１１ｃの上に第３井戸層１３ｃが配置され、前記第３井戸層１３ｃの上に第４バリア層１１ｄが配置できる。」（【００４４】）、
「前記第１乃至第３井戸層１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、隣り合うバリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄから提供された電子または正孔が詰められることができる。前記電子または正孔が再結合（recombination）して光が生成できる。」（【００４５】）、
「前記第１ダミー層１５ａと前記第２ダミー層１５ｂは、前記第３井戸層１３ｃに接して（contact）配置できる。即ち、前記第１ダミー層１５ａは、前記第４バリア層１１ｄと前記第３井戸層１３ｃに接し（contact）、前記第２ダミー層１５ｂは前記第３井戸層１３ｃと前記第３バリア層１１ｃに接して（contact）配置できるが、これに対して限定するものではない。」（【００４６】）、
「前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂの各々は、前記第３バリア層１１ｃ及び第４バリア層１１ｄに編入できる。これによって、前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂが含まれた前記第３バリア層１１ｃ及び第４バリア層１１ｄの各々の厚さが増加して第３井戸層１３ｃと前記第４バリア層１１ｄとの間の格子定数差によるエネルギーバンドが曲がること（band bending）が緩和されて光出力が増加できる。」（【００４７】）、
「これは、４５０nm以上の主ピーク（main peak）領域を有するように、発光に大きく寄与する第３井戸層１３ｃの化合物半導体材質の組成を調節しても、膜品質には影響を及ぼさない役割をすることができる。」（【００４８】）、
「また、第２導電型半導体層９に隣り合う（adjacent）第３バリア層１１ｃ及び第４バリア層１１ｄに接して（contact）、第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂを形成することによって、全体バルク抵抗の増加は最小化しながら光出力を増加させることができる。」（【００４９】）、
「実施形態の活性層１０は、４５０nm以上のピーク波長の光を生成できるが、これに対して限定するものではない。」（【００５０】）、
「図４には、前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂは第３井戸層１３ｃの両側に配置されることと図示されているが、前記第２ダミー層１５ｂは前記第２導電型半導体層９に隣り合うＮ個の井戸層と前記Ｎ個の井戸層に隣り合うＮ個のバリア層との間に配置されることもできる。ここで、Ｎは１以上の自然数（Ｎ≧１）である。」（【００５１】）、
「この際、全体井戸層はＴ個であり、全体バリア層は（Ｔ＋１）個でありうる（Ｔ＞Ｎ）。図示してはいないが、前記第２ダミー層１５ｂは前記第２井戸層１３ｂと前記第３バリア層１１ｃとの間に配置されることもできる。即ち、前記第２バリア層１１ｂの上に前記第２井戸層１３ｂが配置され、前記第２井戸層１３ｂの上に第２ダミー層１５ｂが配置され、前記第２ダミー層１５ｂの上に第３バリア層１１ｃが配置できる。このような場合、前記第２ダミー層１５ｂは前記第３バリア層１１ｃの厚さを増加させて第２井戸層１３ｂと前記第３バリア層１１ｃとの間の格子定数差によるエネルギーバンドが曲がることを緩和して光出力を増加させる役割をすることができる。」（【００５２】）、
「例えば、前記第１乃至第４バリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄの各々は、５nmの厚さ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）を有し、前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂ各々は２nmの厚さ（ｔ１、ｔ２）を有することができるが、これに対して限定するものではない。」（【００５３】）、
「前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂの各々は、２nm乃至４nmの範囲の厚さ（ｔ１、ｔ２）を有することができるが、これに対して限定するものではない。２nm以下の厚さは製造することが難しく、４nm以上の厚さの場合、光出力が低下することがある。」（【００５４】）、
「図５は、図４の活性層のエネルギーバンドダイヤグラムを示す一例示図である。図５は説明の便宜のために、伝導帯（conduction band）のエネルギーバンドダイヤグラムを図示しているが、エネルギーバンドダイヤグラムは伝導帯及び価電子帯（valance band）を全て含んでいる。」（【００５５】）、
「図５に示すように、前記第１乃至第４バリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄは同一なエネルギーバンドギャップを有し、前記第１乃至第３井戸層１３ａ、１３ｂ、１３ｃより大きいエネルギーバンドギャップを有することができる。したがって、第１乃至第４バリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄを経由した電子や正孔が前記第１乃至第３井戸層１３ａ、１３ｂ、１３ｃに詰められることができる。」（【００５６】）、
「例えば、前記第１乃至第４バリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄはＧａＮ、ＡｌＧａＮ、及びＩｎＧａＮのうちの１つを含むことができ、前記第１乃至第３井戸層１３ａ、１３ｂ、１３ｃはＩｎＧａＮを含むことができるが、これに対して限定するものではない。」（【００５７】）、
「前記第１導電型半導体層７または前記第２導電型半導体層９は、前記第１乃至第４バリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄと等しいか大きいバンドギャップを有することができ
るが、これに対して限定するものではない。例えば、前記第１導電型半導体層７または前記第２導電型半導体層９は、ＧａＮまたはＡｌＧａＮを含むことができるが、これに対して限定するものではない。」（【００５８】）、
「前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂは、前記第１乃至第４バリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄと同一なエネルギーバンドギャップを有することができるが、これに対して限定するものではない。」（【００５９】）、
「前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂは、前記第１乃至第４バリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄと同一な種類の化合物半導体材質で形成できるが、これに対して限定するものではない。」（【００６０】）、
「したがって、前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂの各々は、前記第３バリア層１１ｃの厚さ（Ｓ３＋ｔ１）及び前記第４バリア層１１ｄの厚さ（Ｓ４＋ｔ２）を実質的に増加させてエネルギーバンドが曲がることを防止する役割をすることができる。」（【００６１】）、
「前述したように、前記第２ダミー層１５ｂは前記第２井戸層１３ｂと前記第３バリア層１１ｃとの間に配置されることもできるが、これに対して限定するものではない。」（【００６２】）、
「前記第２ダミー層１５ｂが前記第２井戸層１３ｂと前記第３バリア層１１ｃとの間に配置されるか、前記第３バリア層１１ｃと前記第３井戸層１３ｃとの間に配置される場合、前記第２ダミー層１５ｂは前記第３バリア層１１ｃの厚さ（Ｓ３＋ｔ１）を増加させることができる。」（【００６３】）、
「図６は、図４の活性層のエネルギーバンドダイヤグラムを示す他の例示図である。図６は説明の便宜のために、伝導帯（conduction band）のエネルギーバンドダイヤグラムを図示しているが、エネルギーバンドダイヤグラムは伝導帯と価電子帯（valance band）を全て含んでいる。」（【００６４】）、
「図６に示すように、前記第１乃至第４バリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄは互いに同一なエネルギーバンドギャップを有し、前記第１乃至第３井戸層１３ａ、１３ｂ、１３ｃより大きいエネルギーバンドギャップを有することができる。」（【００６５】）
　ク　「図７は、図１の発光素子における第２実施形態に従う活性層を示す断面図である。」（【００７２】）、
「図７を参照すると、前記活性層１０は、多数のバリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、多数の井戸層１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、及び第１乃至第４ダミー層１５ａ、１５ｂ、１７ａ、１７ｂを含むことができる。」（【００７３】）、
「前記３井戸層１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、前記バリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄの間に配置できる。例えば、第１バリア層１１ａの上に第１井戸層１３ａが配置され、前記第１井戸層１３ａの上に第２バリア層１１ｂが配置され、前記第２バリア層１１ｂの上に第２井戸層１３ｂが配置できる。前記第２井戸層１３ｂの上に第３バリア層１１ｃが配置され、前記第３バリア層１１ｃの上に第３井戸層１３ｃが配置され、前記第３井戸層１３ｃの上に第４バリア層１１ｄが配置できる。」（【００７４】）、
「前記第１乃至第３井戸層１３ａ、１３ｂ、１３ｃは隣り合うバリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄから提供された電子または正孔が詰められることができる。前記電子または正孔が再結合して光が生成できる。」（【００７５】）、
「前記第１ダミー層１５ａ及び前記第２ダミー層１５ｂは、前記第３井戸層１３ｃに接して（contact）配置できる。即ち、前記第１ダミー層１３ａは前記第４バリア層１１ｄと前記第３井戸層１３ｃに接し（contact）、前記第２ダミー層１５ｂは前記第３井戸層１３ｃと前記第３バリア層１１ｃに接して（contact）配置できるが、これに対して限定するものではない。」（【００７６】）、
「前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂの各々は、前記第３バリア層１１ｃ及び第４バリア層１１ｄの厚さを増加させて第３井戸層１３ｃと前記第４バリア層１１ｄとの間の格子定数差によるエネルギーバンドが曲がること（band bending）を緩和して光出力を増加させる役割をすることができる。」（【００７７】）、
「図示してはいないが、前記第１ダミー層１５ａは、前記第２井戸層１３ｂと前記第３バリア層１１ｃとの間に配置されることもできる。即ち、前記第２バリア層１１ｃの上に前記第２井戸層１３ｂが配置され、前記第２井戸層１３ｂの上に第２ダミー層１５ｂが配置され、前記第２ダミー層１５ｂの上に第３バリア層１１ｃが配置できる。このような場合、前記第２ダミー層１５ｂは、前記第３バリア層１１ｃの厚さを増加させて第２井戸層１３ｂと前記第３バリア層１１ｃとの間の格子定数差によるエネルギーバンドが曲がることを緩和して光出力を増加させる役割をすることができる。」（【００７８】）、
「前記第３及び第４ダミー層１７ａ、１７ｂは、前記第１井戸層１３ａに接して（contact）配置できる。即ち、前記第３ダミー層１７ａは前記第１バリア層１１ａと前記第１井戸層１３ａに接し（contact）、前記第４ダミー層１７ｂは前記第１井戸層１３ａと前記第２バリア層１１ｂに接して（contact）配置できるが、これに対して限定するものではない。」（【００７９】）、
「前記第３及び第４ダミー層１７ａ、１７ｂの各々は、前記第１バリア層１１ａ及び第２バリア層１１ｂの厚さを増加させて第１井戸層１３ａと前記第２バリア層１１ｂとの間の格子定数差によるエネルギーバンドが曲がること（band bending）を緩和して光出力を増加させる役割をすることができる。」（【００８０】）、
「前記第３及び第４ダミー層１７ａ、１７ｂは、前記第１乃至第４バリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄと同一な種類の化合物半導体材質で形成できるが、これに対して限定するものではない。」（【００８１】）、
「図７には、前記第３及び第４ダミー層１７ａ、１７ｂは第１井戸層１３ａの両側に配置されることと図示されているが、前記第４ダミー層１７ｂは前記第１導電型半導体層７に隣り合うＭ個の井戸層と、前記Ｍ個の井戸層に隣り合うＭ個のバリア層との間に配置されることもできる。ここで、Ｍは１以上の自然数（Ｍ≧１）である。」（【００８２】）、
「併せて、図７には、前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂは第３井戸層１３ｃの両側に配置されることと図示されているが、前記第２ダミー層１５ｂは前記第２導電型半導体層９に隣り合うＮ個の井戸層と、前記Ｎ個の井戸層に隣り合うＮ個のバリア層との間に配置されることもできる。ここで、Ｎは１以上の自然数（Ｎ≧１）である。」（【００８３】）、
「このような場合、ＮはＭと同一または相異することができる。例えば、ＮはＭより大きいことがあるが、これに対して限定するものではない。」（【００８４】）、
「この際、全体井戸層はＴ個であり、全体バリア層は（Ｔ＋１）個でありうる（Ｔ＞Ｎ≧Ｍ）。」（【００８５】）、
「図示してはいないが、前記第４ダミー層１７ｂは前記第２バリア層１１ｂと前記第２井戸層１３ｂとの間に配置されることもできる。即ち、前記第２バリア層１１ｂの上に前記第４ダミー層１７ｂが配置され、前記第４ダミー層１７ｂの上に第２井戸層１３ｂが配置できる。このような場合、前記第４ダミー層１７ｂは前記第２バリア層１１ｂの厚さを増加させて第２井戸層１３ｂと前記第２バリア層１１ｂとの間の格子定数差によるエネルギーバンドが曲がることを緩和して光出力を増加させる役割をすることができる。」（【００８６】）、
「前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂと前記第３及び第４ダミー層１７ａ、１７ｂとは相異する厚さを有することができる。例えば、前記第１乃至第４バリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄの各々は、５nmの厚さ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）を有し、前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂの各々は２nmの厚さ（ｔ１、ｔ２）を有し、前記第３及び第４ダミー層１７ａ、１７ｂの各々は１nmの厚さ（ｕ１、ｕ２）を有することができるが、これに対して限定するものではない。」（【００８７】）、
「例えば、前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂの各々は２nm乃至４nmの範囲の厚さ（ｔ１、ｔ２）を有し、前記第３及び第４ダミー層１７ａ、１７ｂの各々は１nm乃至２nmの範囲の厚さ（ｕ１、ｕ２）を有することができるが、これに対して限定するものではない。」（【００８８】）、
「図８は、図７の活性層のエネルギーバンドダイヤグラムを示す一例示図である。図８は説明の便宜のために、伝導帯（conduction band）のエネルギーバンドダイヤグラムを図示しているが、エネルギーバンドダイヤグラムは伝導帯と価電子帯（valance band）を全て含んでいる。」（【００８９】）、
「図８は、第３及び第４ダミー層を除いては図５とほとんど類似または同一であるので、第３及び第４ダミー層を中心として説明する。」（【００９０】）、
「図８に示すように、前記第１乃至第４バリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄは同一なエネルギーバンドギャップを有し、前記第１乃至第３井戸層１３ａ、１３ｂ、１３ｃより大きいエネルギーバンドギャップを有することができる。」（【００９１】）、
「前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂは、前記第１乃至第４バリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄと同一なエネルギーバンドギャップを有することができるが、これに対して限定するものではない。」（【００９２】）、
「前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂは前記第１乃至第４バリア層と同一な種類の化合物半導体材質で形成できるが、これに対して限定するものではない。」（【００９３】）、
「したがって、前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂの各々は、前記第３バリア層１１ｃの厚さ（Ｓ３＋ｔ１）及び前記第４バリア層１１ｄの厚さ（Ｓ４＋ｔ２）を実質的に増加させてエネルギーバンドが曲がることを防止する役割をすることができる。」（【００９４】）、
「併せて、第３及び第４ダミー層１７ａ、１７ｂは前記第１乃至第４バリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄと同一なエネルギーバンドギャップを有することができるが、これに対して限定するものではない。」（【００９５】）、
「前記第３及び第４ダミー層１７ａ、１７ｂは、前記第１乃至第４バリア層１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄと同一な種類の化合物半導体材質で形成できるが、これに対して限定するものではない。」（【００９６】）、
「したがって、前記第３及び第４ダミー層１７ａ、１７ｂの各々は、前記第１バリア層１１ａの厚さ（Ｓ１＋ｕ１）及び前記第２バリア層１１ｂの厚さ（Ｓ２＋ｕ２）を実質的に増加させてエネルギーバンドが曲がることを防止する役割をすることができる。」（【００９７】）、
「図９は、図７の活性層のエネルギーバンドダイヤグラムを示す他の例示図である。図９は説明の便宜のために、伝導帯（conduction band）のエネルギーバンドダイヤグラムを図示しているが、エネルギーバンドダイヤグラムは伝導帯と価電子帯（valance band）を全て含んでいる。」（【００９８】）、
　ケ　「実施形態は、バリア層に隣接してバリア層と類似するバンドギャップを有するダミー層を形成することによって、４５０nm以上のピーク波長で演色指数と光出力が向上し、電圧が低くなる。」（【０１６２】）
（２）上記（１）の各記載によれば、当初明細書等には、第１実施形態に関し、次の技術的事項が記載されていると認めるのが相当である。なお、認定を行った根拠を角括弧内に説示してある。
　ア　本発明は、発光素子に関するものであり、演色指数を向上させるとともに、光出力を向上させ、さらに、駆動電圧を低めることを、目的とする。
［【０００１】・【０００６】・【０００８】。］
　イ　本発明の発光素子は、発光構造物２０を含んでいる。そして、発光構造物２０は、少なくとも第１導電型半導体層７、活性層１０、及び第２導電型半導体層９を含む。活性層１０は、井戸層とバリア層とを一周期にして井戸層とバリア層とが繰り返して形成される。井戸層はＩｎＧａＮであり、バリア層はＧａＮであることができる。
［【００１６】・【００２０】・【００２５】・【００２６】・図１。］
　ウ　発光素子の波長が増加するほど、演色指数は増加するが、光出力が減少する。特に、４５０ｎｍのピーク波長からは、そうなる。そこで、ピーク波長が４５０ｎｍ以上であるとともに、光出力が増加乃至少なくとも維持できるような発光素子を開発する必要がある。
［【００３２】〜【００３５】・図２。］
　エ　発光素子が４５０ｎｍ以上のピーク波長を有するためには、活性層１０のエネルギーバンドギャップの調節が必要である。活性層１０がＩｎＧａＮ井戸層／ＧａＮバリア層である場合、井戸層のＩｎ含有量を高めればよい。しかし、井戸層のＩｎ含有量を高めると、活性層１０の膜品質が低下する。このような膜品質の低下を補完するためには、バリア層の厚さを増加させる必要がある。バリア層が複数の場合、複数個全てのバリア層の厚さを増加させることによって補完できる。
　ここで、バリア層の厚さを増加させる際に、複数個のバリア層のうち、一部だけでなく、複数個全てのバリア層を対象にして厚さを増加させる理由は、複数個のバリア層があるときは、井戸層も複数個あり、そして、それらの全ての井戸層においてＩｎ含有量を高めたからである。
［【００３６】・【００２５】。
　当初明細書等には、バリア層の厚さを増加させる際に、複数個のバリア層のうち、一部だけでなく、複数個全てを対象にして厚さを増加させる理由は、明記されていないが、上記において認定した根拠は次のとおりである。
　【００２５】によれば、複数個のバリア層があるときは、複数個の井戸層がある。そして、【００３６】の「Ｉｎの含有量を高めれば、活性層１０の膜品質を低下させるので、これを補完するためにバリア層の厚さを増加させる必要がある。」によれば、バリア層の厚さを増加させる理由は、活性層１０のうち井戸層について、膜品質が低下してしまうことを補完することにあると解される。そうすると、複数個全てのバリア層の厚さを増加させているということは、膜品質の低下を補完する必要がある井戸層が、複数個全ての井戸層であることを意味すると解される。そして、複数個全ての井戸層の膜品質の低下を補完しているということは、複数個全ての井戸層においてＩｎ含有量を高めていることを意味すると解される。よって、複数個のバリア層の厚さを増加させる際に、複数個のバリア層のうち、一部だけでなく、複数個全てを対象にして厚さを増加させる理由は、複数個全ての井戸層においてＩｎ含有量を高めたからであるといえる。］
　オ　このように、活性層の膜品質の低下を補完するためには、バリア層の厚さを増加させる必要があるけれども、複数個全てのバリア層の厚さを増加させる前提において、バリア層の厚さを増加させすぎると、光出力が低下してしまう（例えば、バリア層の厚さが７０Åと９０Åとでは、後者が、前者よりも光出力が低くなってしまう。）。そのため、バリア層の厚さを増加させすぎない（例えば、７０Å）ようにすると、光出力が向上する。
［【００３７】〜【００３９】・図３・上記エ。
　【００３７】〜【００３９】が「複数個全てのバリア層の厚さを増加させる前提」に立っていると認定した根拠は、上記エからの文脈、【００３７】の「活性層１０の複数のバリア層の厚さ」との記載である。なお、【００３９】の「活性層に含まれた全てのバリア層の厚さは同一でありうる」との記載は、「複数個全てのバリア層の厚さを増加させる前提」に立ちつつ、「厚さが同一でありうる」としたにすぎないと解されるから、上記の認定を左右しない。］
　カ　しかし、バリア層の厚さを増加させすぎない（例えば、７０Å）ようにした場合でも、複数個全てのバリア層の厚さを増加させているので、所望の電流を流すために必要な駆動電圧が大きく増加するという問題がある。なぜならば、複数個全てのバリア層の厚さを増加させると、活性層のバルク抵抗が大きく増加するからである。
［【００４０】・上記エ〜オ。
　上記のとおり認定した根拠は次のとおりである。
　まず、【００４０】の「バリア層の厚さが減少するにつれて、活性層のバルク抵抗・・・が増加し、」との記載は、ただちには理解し難い。なぜならば、バリア層の厚さが減少するとバリア層の抵抗が小さくなるのが技術常識であるからである。しかも、この記載は、【００４９】の「・・・第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂを形成することによって、全体バルク抵抗の増加は最小化しながら光出力を増加させることができる。」との記載にも整合しない。なぜならば、【００４９】の上記記載は、バリア層の厚さが増加すると、活性層のバルク抵抗が増加することを前提としたものと解されるからである。そうすると、【００４０】における「バリア層の厚さが減少する」は、「バリア層の厚さが増加する」の誤記であると解される。なお、パリ優先権主張の基礎出願である韓国出願１０−２０１２−００８６０１０には、「バリア層の厚さが増加されることによって活性層のバルク抵抗が増加される」旨記載されており、上記の理解と整合する。
　これを踏まえると、【００４０】冒頭にある「・・・バリア層の厚さが減少するにつれて光出力が増加するが、駆動電圧が増加する問題がある。」との文言を、「バリア層の厚さが減少すること」が原因となって「駆動電圧が増加する」という結果が得られるとの意味では解せない。なぜならば、この理解は、【００４０】の「バリア層の厚さが増加するにつれて、活性層のバルク抵抗・・・が増加」するとの上記記載（誤記を正したもの）と矛盾してしまうからである。よって、当該文言の理解は、これまでの文脈からの整合性を、より重視して行うのが相当である。
　そこで、これまでの文脈をみると、上記エ及びオのとおり、「複数個全てのバリア層の厚さを増加させる前提」に立っていることが読み取れるのであるから、【００４０】冒頭にある上記文言は、「・・・バリア層の厚さが減少するにつれて光出力が増加するが、」複数個全てのバリア層の厚さを増加させる前提に立っているから、「駆動電圧が」大きく「増加する問題がある。」という意味で理解するのが相当である。そして、この理解は、【００４９】の「・・・第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂを形成することによって、全体バルク抵抗の増加は最小化しながら光出力を増加させることができる。」との記載に整合する。］
　キ　そこで、本発明の実施形態により、４５０ｎｍ以上のピーク波長を有するとともに、光出力を向上し、駆動電圧を低める発光素子を具現する。
［【００４０】、上記ウ。］
　ク　第１実施形態は、図１の発光素子における活性層に関するものであって、図４に断面図が示されている。そして、第１ダミー層１５ａと第２ダミー層１５ｂが、第３井戸層１３ｃに接して配置されている。第１〜第４バリア層１１ａ〜１１ｄは、各々５ｎｍの厚さを有することができる。第１ダミー層１５ａ及び第２ダミー層１５ｂは、各々２ｎｍの厚さを有することができる。
［【００４２】〜【００４６】・【００５３】・【００５４】・図１・図４］
　ケ　第１ダミー層１５ａ及び第２ダミー層１５ｂの各々は、第３バリア層１１ｃ及び第４バリア層１１ｃに編入できる。これによって、第１ダミー層１５ａ及び第２ダミー層１５ｂが含まれた第３バリア層１１ｃ及び第４バリア層１１ｄの各々の長さが増加して、第３井戸層１３ｃと第４バリア層１１ｄとの間の格子定数差によるエネルギーバンドが曲がることが緩和されて光出力が増加できる。
［【００４７】］
　コ　第１ダミー層１５ａ及び第２ダミー層１５ｂが含まれた第３バリア層１１ｃ及び第４バリア層１１ｄの厚さが増加したことがもつ役割は、発光に大きく寄与する第３井戸層１３ｃの化合物半導体材質の組成を調節しても、膜品質に影響を及ぼさないことである。
［【００４８】。
　上記のとおり、【００４８】を、「第１ダミー層１５ａ及び第２ダミー層１５ｂが含まれた第３バリア層１１ｃ及び第４バリア層１１ｄの厚さが増加したことがもつ役割」を主語にした形で認定した根拠は次のとおりである。
　【００４８】冒頭にある「これ」は、「前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂが含まれた前記第３バリア層１１ｃ及び第４バリア層１１ｄの各々の厚さが増加」することを指すと解される。そして、【００４８】は、「これ」が「・・・役割をすることができる」という構造をもつ文である。よって、【００４８】は、「これ」の「役割」が何であるのかを説明した文であると解される。そこで、「これ」の「役割」を主語にした形で、上記のとおり認定した。］
　サ　第２導電型半導体層９に隣り合う第３バリア層１１ｃ及び第４バリア層１１ｄに接して、第１ダミー層１５ａ及び第２ダミー層１５ｂを形成することによって、全体バルク抵抗の増加を最小化しながら、発光素子の光出力を増加させることができる。
　すなわち、ダミー層を形成した位置が、第３井戸層１３ｃに接したところのみであり、よって、全てのバリア層の厚さを増やしていないことになるから、全体バルク抵抗の増加を最小化することができる。この場合において、発光素子の光出力を増加させることができる理由は、ダミー層を形成した位置が、第３井戸層１３ｃという井戸層の中でも発光に大きく寄与する井戸層における膜品質の低下を補完させることができる位置だからである。
［【００４９】・上記カ〜コ。
　【００４９】は、上記カ〜コ（特に上記ケ・コ）との文脈に照らせば、上記のとおり解するのが相当である。
　なお、「第２導電型半導体層９に隣り合う（adjacent）第３バリア層１１ｃ及び第４バリア層１１ｄ」の「隣り合う」は、「接する」ことに限定されない意味であると解される。なぜならば、同段落中に、別途「接して（contact）」との表現が存在するからである。］
　シ　第２ダミー層１５ｂは、第２導電型半導体層９に隣り合うＮ個の井戸層と前記Ｎ個のバリア層との間に配置されることもできる（Ｎは１以上の自然数。）。この際、井戸層はＴ個あり、バリア層は（Ｔ＋１）個であり得、Ｔ＞Ｎである。
［【００５１】・【００５２】］
（３）上記（２）でした認定によれば、第１実施形態の技術的意義は、次のとおりであると認められる。
　ＩｎＧａＮ井戸層／ＧａＮバリア層を複数有する活性層を含む発光素子において、４５０ｎｍ以上のピーク波長を有するようにするために、複数個全ての井戸層のＩｎ含有量を高めると、活性層の膜品質が低下する。この膜品質の低下を補完するために、複数個全てのバリア層の厚さを増加させることができるけれども、複数個全てのバリア層の厚さを増加させてしまうと、活性層のバルク抵抗が大きくなってしまい、所望の電流が流れるための駆動電圧も大きくなる。そこで、複数個全てのバリア層の厚さを増加させるのではなく、発光に大きく寄与する井戸層（第２導電型半導体層９に隣り合う井戸層）に接したバリア層を対象にして、厚さを増加させる。このように構成したので、活性層のバルク抵抗の増加を最小化しつつ、光出力を増加させることができる。
（４）次に、上記（１）の各記載によれば、当初明細書等には、第２実施形態に関し、次の技術的事項が記載されていると認めるのが相当である。なお、認定を行った根拠を角括弧内に説示してある。
　ア　第２実施形態は、図１の発光素子における活性層に関するものであって、図７に断面図が示されている。第１実施形態に係る図４と比べると、第１ダミー層１５ａ及び第２ダミー層１５ｂに加えて、第３ダミー層１７ａ及び第４ダミー層１７ｂが設けられており、第３ダミー層１７ａ及び第４ダミー層１７ｂは、第１井戸層１３ａに接して配置されている。第１ダミー層１５ａ及び第２ダミー層１５ｂは、２ｎｍの厚さを有することができる一方、第３ダミー層１７ａ及び第４ダミー層１７ｂは、１ｎｍの厚さを有することができる。
［【００７２】〜【００７９】・【００８７】・【００８８】・図７。］
　イ　第３ダミー層１７ａ及び第４ダミー層１７ｂは、第１バリア層１１ａ及び第２バリア層１１ｂの厚さを増加させて、第１井戸層１３ａと第２バリア層１１ｂとの格子定数差によるエネルギーバンドが曲がることを緩和して光出力を増加させる。
［【００８０】。］
　ウ　第４ダミー層１７ｂは、第１導電型半導体層７に隣り合うＭ個の井戸層と前記Ｍ個の井戸層に隣り合うＭ個のバリア層との間に配置されることもできる（Ｍは１以上の自然数。）。第２ダミー層１５ｂは、第２導電型半導体層９に隣り合うＮ個の井戸層と前記Ｎ個のバリア層との間に配置されることもできる（Ｎは１以上の自然数。）。この際、井戸層はＴ個あり、バリア層は（Ｔ＋１）個であり得、Ｔ＞Ｎ≧Ｍである。
［【００８２】〜【００８５】。］
（５）上記（４）でした認定によれば、第２実施形態の技術的意義は、次のとおりであると認められる。
　第１実施形態において、さらに、第１導電型半導体層７に隣り合う井戸層に接したバリア層をも対象にして、厚さを増加させた（ただし、各バリア層が増加した厚さは、第１実施形態における各バリア層が増加した厚さよりも、少ない。）ので、活性層のバルク抵抗の増加を最小化しつつ、光出力を増加させることができる。
　２　判断
（１）明細書、特許請求の範囲又は図面について補正をするときは、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしなければならないところ（特許法第１７条の２第３項）、「明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項」とは、当業者によって、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項であり、補正が、このようにして導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであるときは、当該補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものということができる。
（２）第４次補正に対する判断
　ア　上記第３のとおり、平成３１年１月２２日付け拒絶理由通知における拒絶の理由は、第４次補正のうち、本件補正事項を請求項１に追加した補正が新規事項追加であると判断したものである。
　そこで、第４次補正の適法性から検討することにする。
　イ　まず、本件補正事項が請求項１に記載されたことにより追加された技術的事項について検討する。
（ア）本件補正事項は、「前記第３井戸層のＩｎ含有量は、前記第１井戸層及び前記第２井戸層の各々のＩｎ含有量よりも多い」というものである。
　そのため、本件補正事項は、まずは当然のことながら、井戸層のＩｎ含有量の観点からみると、（i）「前記第３井戸層のＩｎ含有量は、前記第１井戸層及び前記第２井戸層の各々のＩｎ含有量よりも多い」という技術的事項（以下「技術的事項１」という。）を意味することになる。
（イ）次に、本件補正事項は、これを発光波長の観点から整理すれば、第３井戸層からの発光波長が、第１井戸層及び第２井戸層からの発光波長に比べて、長いということを意味する。とすれば、本件補正事項は、（ii）発光波長の帯域が広くなる発光素子を得ることができる、という技術的事項（以下「技術的事項２」という。）を意味することになる。
（ウ）さらに、本件補正事項は、これを膜品質の観点から整理すれば、第１井戸層及び第２井戸層が、第３井戸層に比べて、膜品質が低下しにくいことを意味することになる。
　そして、第３井戸層の膜品質の低下を補完するのは、第１ダミー層（１５ａ）及び第２ダミー層（１６ｂ）（第４次補正後発明でいう「第５バリア層」及び「第６バリア層」）である（【００７７】）一方、第１井戸層の膜品質の低下を補完するのは、第３ダミー層（１７ａ）及び第４ダミー層（１７ｂ）（第４次補正後発明でいう「第７バリア層」及び「第８バリア層」）である（【００８０】）。
　加えて、第４次補正後発明の特定事項によれば、第３井戸層のための前記バリア層の各々の厚さは、第１井戸層のための前記バリア層の各々の厚さよりも厚い。
　とすれば、本件補正事項は、（iii）膜品質の低下の度合いが大きい第３井戸層に対しては、より大きく厚くしたバリア層を充てて、その膜品質の低下を補完させる一方、膜品質の低下の度合いが小さい第１井戸層に対しては、より小さく厚くしたバリア層を充てて、その膜品質の低下を補完させることにより、活性層のバルク抵抗の増加を抑制しつつ光出力を増加する、という技術的事項（以下「技術的事項３」という。）を意味することになる。
　ウ　しかるところ、以下のとおり、技術的事項１〜３は、当業者によって、当初明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項の範囲内にあるということはできない。
（ア）まず、当初明細書等は、各井戸層のＩｎの含有量が異なることを明記しないから、技術的事項１〜３も明記していないことになる。
（イ）そして、技術的事項１〜３は、第１実施形態及び第２実施形態の技術的意義とは異なる。
　すなわち、第１実施形態及び第２実施形態の技術的意義は、上記第２で認定したところであるが、要するに、複数個全ての井戸層のＩｎ含有量を高めるときにおいて、複数個全てのバリア層の厚さを増加させてしまうことによる駆動電圧の増加を嫌って、特定の位置にある一部のバリア層に限りその厚さを増加させることにより、バリア層全体の厚さの増加を抑えるようにしたものであるということができる。この技術的意義における「複数個全ての井戸層のＩｎ含有量を高める」との前提は、「複数個全てのバリア層の厚さを増加させてしまうことによる駆動電圧の増加」という課題を生じさせているという意味において、重要なものというべきところ、このように重要な上記前提に係る技術的事項が、技術的事項１〜３と一致しないし、これらを当然に導かない。
　また、技術的事項３は、井戸層のＩｎ含有量の大小に応じて、膜品質を補完させるためのバリア層厚の大小を調整しているといえるが、これは、要するに、バリア層厚の最適化を井戸層のＩｎ含有量の相違に基づいて行うものといえる。他方で、第１実施形態及び第２実施形態は、バリア層厚の最適化をバリア層の位置に基づいて行うにとどまるものであり、そこに、井戸層のＩｎ含有量の相違を考慮する思想は、存在しない。
　このように、技術的事項１〜３は、第１実施形態及び第２実施形態の技術的意義とは異なるというべきである。
（ウ）さらにいえば、第１実施形態及び第２実施形態は、技術的事項１と、次の点でも異なる。
　すなわち、第１実施形態及び第２実施形態は、複数個全ての井戸層のＩｎ含有量が同程度になっていると解されるのであり、このことは、エネルギーバンドダイヤグラムである図５、図６、図８及び図９において、３個ある井戸層のバンドエネルギーが、３個とも同一であると見て取れることや、【００３６】が、「発光素子１で４５０ｎｍ以上のピーク波長を有するためには、活性層１０のエネルギーバンドギャップの調節が必要である。」としており、もっぱら「ピーク波長」について述べていることから、理解される。
　これに対し、技術的事項１は、複数個全ての井戸層のＩｎ含有量を、あえて同程度にしないというものにほかならない。
　そうすると、技術的事項１は、この意味においても、第１実施形態及び第２実施形態とは異なる。
（エ）当初明細書等に記載された請求項１（唯一の独立項である。）及び同請求項２と、技術的事項１〜３との関係についても、上記（イ）及び（ウ）と同様であるといえる。
　すなわち、同請求項１は第１実施形態に対応し、同請求項２は第２実施形態に対応すると解される。そして、同請求項１及び２は、第１実施形態及び第２実施形態よりは、抽象的な表現となっているけれども、かかる表現ぶりにより、上記の判断が左右されることはない。
（オ）そして、技術的事項１〜技術的事項３が、技術常識に照らして自明であるとする根拠もない。このことは、当初明細書等に記載された発明の技術的意義と技術的事項１〜３とが異なるといえる（上記（イ）〜（エ））ことからも、明らかである。
　当初明細書等の他の記載をみても、以上の判断を左右しない。
（カ）よって、技術的事項１〜３は、当業者によって、当初明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項の範囲内にあるということはできない。
　エ　請求人は、平成３１年４月２５日に提出した意見書において、本件補正事項は、【００３６】、【００４７】及び【００４８】から、当初明細書等に記載されているか、又は、自明なことである旨主張するので、以下、検討する。
（ア）具体的には、請求人は、次のとおり主張する。
「ここで、段落００３６の記載に基づくと、活性層がＩｎＧａＮ井戸層／ＧａＮバリア層によって構成される場合、発光素子が４５０ｎｍ以上のピーク波長を有するために井戸層のＩｎ含有量を調節することが必要であるものの、井戸層のＩｎ含有量を増加させるとバリア層の厚さを増加させることが必要になることが理解できます。
　また、段落００４８の記載に基づくと、４５０nm以上の主ピーク（main peak）領域を有するように第３井戸層１３ｃの化合物半導体材質の組成が調節されることは理解できるものの、第１井戸層１３ａ及び第２井戸層１３ｂの化合物半導体材質の組成までもが調整されることは理解できません。
　また、段落００４７の記載に基づくと、当該第３井戸層１３ｃの化合物半導体材質の組成の調節を可能にするために、第１ダミー層１５ａ及び第２ダミー層１５ｂの各々を第３バリア層１１ｃ及び第４バリア層１１ｄに編入してバリア層をより厚くしていることが理解できます。
　そして、上述のとおり、バリア層をより厚くすることが必要とされるのはＩｎの含有量を増加させる場合（段落００３６参照）であることを踏まえると、第３井戸層においてなされた化合物半導体材質の組成の調整は、Ｉｎの含有量の増加を意味すると解するのが相当です。また、上述のとおり、このような化合物半導体材質の組成の調整が第１井戸層１３ａ及び第２井戸層１３ｂに対しても行われているとは認められないため（段落００４８）、相対的にみて、第３井戸層１３ｃのＩｎ含有量が第１井戸層１３ａ及び第２井戸層１３ｂの各々のＩｎ含有量よりも多くなっていると解するのが相当です。
　以上を踏まえると、請求項１の「前記第３井戸層のＩｎ含有量は、前記第１井戸層及び前記第２井戸層の各々のＩｎ含有量よりも多い」ことは、当初明細書等に記載され、又は、当該記載から自明なことであると認められ、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではないと思料いたします。」
（イ）請求人の主張における要点は、【００４８】の「これは、４５０nm以上の主ピーク（main peak）領域を有するように、発光に大きく寄与する第３井戸層１３ｃの化合物半導体材質の組成を調節しても、膜品質には影響を及ぼさない役割をすることができる。」との記載が、化合物半導体材質の組成を調整する井戸層として、第３井戸層１３ｃのみを明記しており、第１井戸層１３ａ及び第２井戸層１３ｂを明記していないことをもって、第３井戸層１３ｃのみがＩｎ含有量を増加されていることが読み取れる、ということにあると解される。
　ａ　しかしながら、【００４８】が、化合物半導体材質の組成を調整する井戸層として、第１井戸層１３ａ及び第２井戸層１３ｂを明記していないとしても、このことは、文理的には、第１井戸層１３ａ及び第２井戸層１３ｂのＩｎ含有量が増加されていない、ということを意味しない。
　ｂ　そして、【００４８】の内容をみても、【００４８】は、第１井戸層１３ａ及び第２井戸層１３ｂのＩｎ含有量が増加されていないことを示唆しない。
　すなわち、上記１（２）コで認定したとおり、【００４８】は、「これ」の「役割」が何であるのかを説明した文であると解されるとともに、「これ」とは、「前記第１及び第２ダミー層１５ａ、１５ｂが含まれた前記第３バリア層１１ｃ及び第４バリア層１１ｄの各々の厚さが増加」することを意味すると解される。このように、【００４８】は、「厚さが増加した第３バリア層１１ｃ及び第４バリア層１１ｄの役割」が何であるのかを説明した文なのであるから、【００４８】が明記した井戸層が第３井戸層１３ａのみである理由は、これらの層の役割に関係する井戸層が第３井戸層１３ａのみであったからにすぎないと解するのが相当である。
　そうだとすれば、【００４８】は、第１井戸層１３ａ及び第２井戸層１３ｂのＩｎ含有量については、何ら示唆しないと解すべきである。
　ｃ　よって、【００４８】の記載をもって、本件補正事項が導き出されることはない。
（ウ）そして、上記１（２）及び（３）で認定したとおり、【００３６】、【００４７】及び【００４８】の記載を含む第１実施形態は、ＩｎＧａＮ井戸層／ＧａＮバリア層を複数有する活性層を含む発光素子において、４５０ｎｍ以上のピーク波長を有するようにするために、複数個全ての井戸層のＩｎ含有量を高めたものを前提としていると認められるところ、複数個全ての井戸層のＩｎ含有量を高めたということは、本件補正事項を意味しないし、本件補正事項を意味することが自明であるともいえない。
（エ）したがって、本件補正事項が、【００３６】、【００４７】及び【００４８】に基づき、当初明細書等に記載されているとはいえないし、自明なことであるともいえない。
　請求人の主張は、失当である。
　オ　以上のとおり、技術的事項１〜３は、当初明細書等の全ての記載を総合することにより、当業者によって導かれる技術的事項の範囲内にあるということはできないから、本件補正が、新たな技術的事項を導入しないものということはできない。
　したがって、第４次補正のうち、本件補正事項を請求項１に追加する補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものではない。
（３）第５次補正がなされたことを考慮した判断
　第５次補正によっても本件補正事項は請求項１に維持されており、また、第５次補正による補正内容は、上記（２）の判断を左右しない。
　よって、第５次補正がなされたことは、上記（２）の拒絶理由を解消しない。
第５　むすび
　以上のとおり、本件補正事項を請求項１に追加する補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないから、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。