【手続補正書】
【提出日】平成21年11月13日(2009.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶ダイヤモンドを含むノズルであって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造される、ノズル。
ｉ）成長ダイヤモンド結晶の温度が９００〜１４００℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ｉｉ）単位Ｈ２当たり約８％から約３０％を超えるＣＨ４を含み１５０ｔｏｒｒを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること
【請求項２】
前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位ＣＨ４当たり約５〜約２５％のＯ２を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項１に記載のノズル。
【請求項３】
高圧水噴射切断装置で使用される、請求項１に記載のノズル。
【請求項４】
単結晶ダイヤモンドを含む切断エッジを備える外科手術器具用切断ブレードであって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造された、切断ブレード。
ｉ）成長ダイヤモンド結晶の温度が９００〜１４００℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ｉｉ）単位Ｈ２当たり約８％から約３０％を超えるＣＨ４を含み１５０ｔｏｒｒを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること
【請求項５】
前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位ＣＨ４当たり約５〜約２５％のＯ２を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項４に記載の切断ブレード。
【請求項６】
単結晶ダイヤモンドを含む切断エッジを備える切断器具であって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造された、切断器具。
ｉ）成長ダイヤモンド結晶の温度が９００〜１４００℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ｉｉ）単位Ｈ２当たり約８％から約３０％を超えるＣＨ４を含み１５０ｔｏｒｒを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること
【請求項７】
前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位ＣＨ４当たり約５〜約２５％のＯ２を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項６に記載の切断器具。
【請求項８】
単結晶ダイヤモンドを含む伸線ダイスであって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造された、伸線ダイス。
ｉ）成長ダイヤモンド結晶の温度が９００〜１４００℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ｉｉ）単位Ｈ２当たり約８％から約３０％を超えるＣＨ４を含み１５０ｔｏｒｒを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること
【請求項９】
前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位ＣＨ４当たり約５〜約２５％のＯ２を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項８に記載の伸線ダイス。
【請求項１０】
単結晶ダイヤモンドを含む軸受けであって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造された、軸受け。
ｉ）成長ダイヤモンド結晶の温度が９００〜１４００℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ｉｉ）単位Ｈ２当たり約８％から約３０％を超えるＣＨ４を含み１５０ｔｏｒｒを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること
【請求項１１】
前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位ＣＨ４当たり約５〜約２５％のＯ２を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項１０に記載の軸受け。
【請求項１２】
単結晶ダイヤモンドを含むダイヤモンドアンビルであって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造された、ダイヤモンドアンビル。
ｉ）成長ダイヤモンド結晶の温度が９００〜１４００℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ｉｉ）単位Ｈ２当たり約８％から約３０％を超えるＣＨ４を含み１５０ｔｏｒｒを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること
【請求項１３】
前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位ＣＨ４当たり約５〜約２５％のＯ２を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項１２に記載のダイヤモンドアンビル。
【請求項１４】
前記単結晶ダイヤモンドが実質的には無色である、請求項１２に記載のダイヤモンドアンビル。
【請求項１５】
ブリッジマンアンビルまたはＰａｒｉｓ−Ｅｄｉｎｂｕｒｇｈトロイド状アンビルである、請求項１２に記載のダイヤモンドアンビル。
【請求項１６】
単結晶ダイヤモンドを含むエタロンであって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造された、エタロン。
ｉ）成長ダイヤモンド結晶の温度が９００〜１４００℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ｉｉ）単位Ｈ２当たり約８％から約３０％を超えるＣＨ４を含み１５０ｔｏｒｒを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること
【請求項１７】
前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位ＣＨ４当たり約５〜約２５％のＯ２を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項１６に記載のエタロン。
【請求項１８】
単結晶ダイヤモンドを含む光学窓であって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造された、光学窓。
ｉ）成長ダイヤモンド結晶の温度が９００〜１４００℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ｉｉ）単位Ｈ２当たり約８％から約３０％を超えるＣＨ４を含み１５０ｔｏｒｒを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること
【請求項１９】
前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位ＣＨ４当たり約５〜約２５％のＯ２を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項１８に記載の光学窓。
【請求項２０】
単結晶ダイヤモンドを含むα粒子検出器であって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造された、α粒子検出器。
ｉ）成長ダイヤモンド結晶の温度が９００〜１４００℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ｉｉ）単位Ｈ２当たり約８％から約３０％を超えるＣＨ４を含み１５０ｔｏｒｒを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること
【請求項２１】
前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位ＣＨ４当たり約５〜約２５％のＯ２を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項２０に記載のα粒子検出器。
【請求項２２】
以下を含む方法によって製造されるレーザ彫り込み単結晶ダイヤモンド。
ｉ）単結晶ダイヤモンドを作製するためにＣＶＤプロセスを開始する前に、ダイヤモンド基板上にマークをレーザ彫り込みすること、
ｉｉ）成長ダイヤモンド結晶の温度が９００〜１４００℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ｉｉｉ）単位Ｈ２当たり約８％から約３０％を超えるＣＨ４を含み１５０ｔｏｒｒを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内でダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること
【請求項２３】
前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位ＣＨ４当たり約５〜約２５％のＯ２を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項２２に記載のレーザ彫り込み単結晶ダイヤモンド。