【事件の表示】
　特願２０１５−５１５１１２「マイクロレンズを形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１２月　５日国際公開、ＷＯ２０１３／１８１１４０、平成２７年　６月２５日国内公表、特表２０１５−５１８２８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２５年（２０１３年）５月２８日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１２年５月３０日　米国，以下，「本願優先日」という。）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年　１月２７日　　　翻訳文提出
平成２９年　２月２０日付け　拒絶理由通知
平成２９年　５月１９日　　　意見書・手続補正
平成２９年　８月　３日付け　最後の拒絶理由通知
平成２９年１０月２０日　　　意見書・手続補正
平成２９年１２月２８日付け　補正却下決定・拒絶査定
平成３０年　５月　９日　　　審判請求
平成３１年　１月２５日付け　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という。）
平成３１年　３月２０日　　　意見書・手続補正
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成３１年３月２０日に補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項で特定される次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　基板上にマイクロレンズを形成する方法であって，
　誘導結合プラズマ処理装置のプロセスチャンバの内部に，レンズ形状を有する複数のマイクロレンズ体を有している基板を配置するステップであって，前記誘導結合プラズマ処理装置は，少なくとも１つの誘導エレメント，および，前記少なくとも１つの誘導エレメントと前記プロセスチャンバの内部との間に配置された，接地されたファラデー遮蔽を備えている，ステップと，
　前記プロセスチャンバの内部にプロセスガスを供給するステップであって，前記プロセスガスは，ＣＦ４とＣＨＦ３との混合物を含む，ステップと，
　前記プロセスチャンバの内部に，実質的に誘導性のプラズマを生成するために，前記少なくとも１つの誘導エレメントにエネルギーを加えるステップと，
　前記基板上の前記マイクロレンズ体の前記レンズ形状を修正するために，前記基板上で前記プロセスガスを用いて，プラズマエッチングプロセスを実行するステップと，
を含み，
　前記プラズマエッチングプロセスを実行するステップによって，前記複数のマイクロレンズ体の各々の長さは，Ｌだけ増加し，
　前記プラズマエッチングプロセス中のＣＨＦ３の流量は，ＣＦ４の流量より高い，
方法。」
　
第３　当審拒絶理由
　本願発明についての当審拒絶理由は，本願発明は，本願優先日前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，本願優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
　１．特開２００５−０１９５７３号公報
　２．特開平１０−０７４６００号公報
　
第４　引用文献及び引用発明
１　引用文献１の記載
（１）引用文献１
　当審拒絶理由で引用された特開２００５−０１９５７３号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法に関し，特に，入射光を光電変換機能を有する受光部へ集光するためのレンズを備えた固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法に関する。」
「【０００６】
この発明は，上記のような課題を解決するためになされたものであり，この発明の１つの目的は，高い集光能力を有する固体撮像装置を提供することである。」
「【００４７】
図７〜図１４は，図１に示した第１実施形態による固体撮像装置に用いるＣＣＤイメージセンサ８の製造プロセスを説明するための断面図である。なお，図１１〜図１３は，
マイクロレンズを形成するためのエッチング方法
【００４８】
まず，図７に示すように，画素分離部２１および受光部２２が形成された
Ｓｉ基板２０上に，
【００４９】
次に，図８に示すように，
ＳｉＮ膜２６ｂ上に約２μｍの厚みを有するレジスト２７を塗布する。
【００５０】
次に，図９に示すように，リソグラフィ技術を用いてレジスト２７を，約２．７μｍの幅にするとともに，隣接するレジスト２７間の距離を約０．４μｍの間隔にする。なお，隣接するレジスト２７間に約０．４μｍの間隔を設けるのは，後に行う熱処理によってレジスト２７が流動化することにより隣接するレジスト２７同志が接触するのを抑制するためである。この後，アッシングを行うことによって，隣接するレジスト２７間のＳｉＮ膜２６ｂ上に薄く残ったレジスト部分（図示せず）を除去する。このアッシングは，Ｏ３ガスを用いて，約１気圧で約２００℃〜約４００℃の温度で，約５秒〜約３０秒間行う。なお，アッシングの前に行ったリソグラフィ技術の処理条件を制御することにより，隣接するレジスト２７間のＳｉＮ膜２６ｂ上にレジストが残らないようにすることも可能である。この場合には，アッシングの工程を省略することができる。この後，約１５０℃で約３０分間の熱処理を行うことによって，レジスト２７の流動性を向上させる。これにより，
レジスト２７は，図１０に示すように，表面張力により上に凸の曲面形状に形成される。そして，この上に凸の曲面形状の複数のレジスト２７とＳｉＮ膜２６ｂとを同時にエッチングする。
【００５１】
この際，
デポジション性のＣＨＦ
３
ガスを含むエッチングガスを用いてエッチングを行う。具体的なエッチング条件としては，ガス圧力：約３７．０Ｐａ〜約４３．０Ｐａ，エッチングガス：ＣＨＦ
３
ガス（約５ｍｌ／ｓ〜約１５ｍｌ／ｓ），ＣＦ
４
ガス（約６０ｍｌ／ｓ〜約１００ｍｌ／ｓ），Ａｒガス（約６００ｍｌ／ｓ〜約９００ｍｌ／ｓ）およびＯ
２
ガス（約２５ｍｌ／ｓ〜約３５ｍｌ／ｓ），高周波電力：約１２０Ｗ〜約２００Ｗである。
【００５２】
具体的なエッチング方法としては，まず，図１１に示すように，隣接するレジスト２７間のＳｉＮ膜２６ｂ（図１１中の破線部分）が除去されることにより，凹部２６ｃが形成される。そして，
エッチングガスにデポジション性のＣＨＦ
３
ガスを添加していることにより，除去されたＳｉＮ膜２６ｂの一部が凹部２６ｃの側面２６ｄに堆積される。このため，図１２に示すように，エッチングが進行するにしたがって，凹部２６ｃの深さが大きくなるとともに，凹部２６ｃの幅が狭くなる。その結果，隣接するマイクロレンズ２６の境界部２６ａが，図１３に示すように，実質的に平坦な部分を含まないように形成される。
隣接するレジスト２７（図１０参照）間に約０．４μｍの隙間を設けた場合にも，エッチング後には，図１４に示すように，マイクロレンズ２６は，上に凸の曲面形状に形成されるとともに，隣接するマイクロレンズ２６は，境界部２６ａに実質的に平坦な部分を含まないように接続される。
「【００５７】
図１５〜図１８に示した
実験結果より，図１１〜図１３のエッチング工程においては，図１５中のＡの範囲（ガス圧力：約３７．０Ｐａ〜約４３．０Ｐａ，ＣＨＦ
３
ガスの流量：約５ｍｌ／ｓ〜約１５ｍｌ／ｓ）のエッチング条件を用いるのが好ましいことが判明した。
（２）引用発明
　前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「マイクロレンズを形成するためのエッチング方法であって，Ｓｉ基板上に，レジストを塗布し，レジストを上に凸の曲面形状に形成し，レジストとＳｉＮ膜とを同時にエッチングし，この際，デポジション性のＣＨＦ３ガスを含むエッチングガスを用いてエッチングを行い，具体的なエッチング条件としては，ガス圧力：約３７．０Ｐａ〜約４３．０Ｐａ，エッチングガス：ＣＨＦ３ガス（約５ｍｌ／ｓ〜約１５ｍｌ／ｓ），ＣＦ４ガス（約６０ｍｌ／ｓ〜約１００ｍｌ／ｓ），Ａｒガス（約６００ｍｌ／ｓ〜約９００ｍｌ／ｓ）およびＯ２ガス（約２５ｍｌ／ｓ〜約３５ｍｌ／ｓ），高周波電力：約１２０Ｗ〜約２００Ｗであり，
　隣接するレジスト間に約０．４μｍの隙間を設けた場合にも，エッチング後には，隣接するマイクロレンズは，境界部に実質的に平坦な部分を含まないこと。」
２　引用文献２の記載
（１）引用文献２
　当審拒絶理由で引用された特開平１０−０７４６００号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに次の記載がある。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，
高周波放電により発生させたプラズマにより半導体ウエハ
にエッチング
等の所定の処理を行なうプラズマ処理装置
　イ　「【０００３】このような高微細化の要請と同時に，被処理体である半導体デバイスにおいては，平面方向の集積化，微細化の要求と平行して，キャパシタ素子の静電容量の確保のため，キャパシタ素子を実現する構造が垂直方向に拡大し，また，配線抵抗を低減する要求からも配線が縦方向に寸法が大きくなるなどの立体化が進むためにエッチング処理の加工寸法が深くなる。このため，この加工寸法とレジスト厚との比が大きくなるために，寸法シフトを避けるためにより高いレジスト選択比が要求される。かかる要求に応えるため，高密度のプラズマを発生させるためのプラズマソースについて開発が進められ，最近では，ヘリコン波，ＥＣＲ（ＥｌｅｃｔｏｒｎＣｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｏｓｏｎａｎｃｅ），
ＴＣＰ（Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ），ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）などによる高密度プラズマを用いて，例えば半導体ウエハの酸化膜を高選択比でエッチング処理する
（中略）
【０００６】このような問題は，プロセスガスが過度に解離することに起因して生ずる。図１７は，従来の
ＴＣＰ，ＩＣＰ等の誘導結合方式のプラズマ処理装置において生成される高密度プラズマ
【０００７】このように，処理ガスの解離を進行させるエネルギーに相当する低エネルギー電子が多く生成されると，これら電子により励起されるプラズマ内では，例えば
平行平板方式のプラズマと比較すると，ラジカルの解離が進む。
同じ処理容器で，真空度，ガス種，ガス流量，プラズマ密度を同じにし，平行平板方式のプラズマと従来の誘導結合方式のプラズマの発光を比較したものである。
誘導結合方式の場合には，ＣＦ
2
の発光が減少し，Ｆの発光が強くなっていることがわかり，解離がはるかに進んでいるのが判明する。
【０００８】例えば，ＣＦ系ガスによるシリコン酸化膜エッチングの場合では，ＦラジカルとＣＦｘラジカルでの吸着係数を比較するとＦラジカルの方が吸着係数が小さいために，Ｆラジカルがプラズマ中に残留し，
プラズマ中のＦラジカル濃度が増加する。その結果，被加工物である半導体ウエハ表面に堆積する膜Ｆ／Ｃ比が，平行平板方式の場合０．８程度のものが１．８前後まで上昇する。これが原因となって，前述のようにレジストのエッチングレートが速くなり，対レジスト選択比が低下する。
　ウ　「【００１５】
【発明の実施の形態】以下に，本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明に係るプラズマ処理装置の一例を示す断面図，図２は図１に示す装置の天井部の水平断面を模式的に示す図である。本実施例では，プラズマ処理装置を
プラズマエッチング装置
プラズマエッチング装置２は，
処理容器４を有し
【００１６】この
処理容器４内に形成される処理室
半導体ウエハＷを載置するための略円柱状のサセプタ８が設けられている。
【００１７】そして前記絶縁板６，サセプタ８の内部には，後述の静電チャック１６を通して被処理体であるウエハＷの裏面に，伝熱媒体，例えばＨｅガスなどを供給するためのガス通路１８が形成されており，このウエハＷは所定の温度に維持されるようになっている。前記サセプタ８は，その上面中央部が凸状の円盤状に成形され，その上にウエハＷと略同径の静電チャック１６が設けられている。この静電チャック１６は，２枚の高分子ポリイミドフィルムによって導電層（図示せず）が挟持された構成を有しており，この導電層に対して，処理容器４の外部に配置されている直流高圧電源２０から，例えば１．５ｋＶの直流電圧を印加することによって，この静電チャック１６上面に載置されたウエハＷは，クーロン力によってその位置で吸着保持されるようになっている。ここで，高分子ポリイミドフィルムの代わりに２層のアルミナセラミックにより導電層を挟持した構造を用いると静電チャック１６の耐圧不良などによる寿命を延ばすことができる。
【００１８】前記サセプタ８は，その上端周辺部には，静電チャック１６上に載置されたウエハＷを囲むように，環状のフォーカスリング２２が配置されている。このフォーカスリング２２は電界を遮断する絶縁体の材質からなりフォーカスリング２２上では反応性イオンを加速しないので，プラズマによって発生した反応性イオンを，その内側のウエハＷにだけ効果的に入射せしめるように構成されている。
【００１９】
処理容器４の側壁は，その上部の一部分が例えば石英等の絶縁体よりなる高周波透過窓２４で構成されており，その外側に高周波誘導手段として，例えばリング状に巻回されたソレノイド形コイル部材２６が配置されて，アンテナ部材を構成している
【００２０】コイル部材２６にはそのリアクタンスを減少させるために，外側シールド２８との間に分散的に図示しないコンデンサを挟むことができる。また，外側シールド２８の内部を図示しない液体誘電体で満たすことにより，グランドとの間に分布的にキャパシタンスを与えることができ，コイル部材２６のリアクタンスを減少させることが可能である。また，液体誘電体には冷媒を用いることも可能であり，コイル部材２６の冷却を兼ねることができる。この
コイル部材２６には，例えばデカップリングコンデンサを含んだ整合器３０を介して例えば１３．５６ＭＨｚの高周波を出力する高周波電源３１が接続されており，コイル部材２６より高周波透過窓２４を介して処理容器４内にプラズマ発生用の高周波磁界を導入し得るようになっている。
　エ　「【００３３】そして，処理容器４内の圧力を，例えば１Ｐａ程度に設定，維持した後
，プラズマ発生用の高周波電力をソレノイド形コイル部材２６に印加し，
ガスがプラズマ化されてウエハ表面に所定のエッチング処理を実施する。このようにソレノイド形コイル部材２６に高周波電力を印加することにより，高周波誘導磁界によって処理室内に高密度のプラズマが立つことになる。
　オ　「【００３６】尚，上記実施例では
ソレノイド形コイル部材２６と高周波透過窓２４との間に
静電シールド７８を設けるようにしてもよい。
これを接地した状態でコイル部材２６と高周波透過窓２４との間に配置している。
（２）公知技術２
　前記（１）より，引用文献２には次の技術的事項（以下，「公知技術２」という。）が記載されていると認められる。
「半導体ウエハにエッチング処理を行うプラズマ処理装置に係り，プラズマエッチング装置は，処理容器を有し，処理容器内に半導体ウエハを載置するためのサセプタが設けられており，処理容器の側壁の上部は高周波透過窓で構成されており，その外側に高周波誘導手段として，ソレノイド型コイル部材が配置され，静電シールドを接地した状態でコイル部材と高周波透過窓との間に配置し，
　プラズマ発生用の高周波電力をソレノイド型コイル部材に印加し，ガスがプラズマ化されてウエハ表面に所定のエッチング処理を実施すること。」
　
第５　対比及び判断
１　本願発明について
（１）本願発明と引用発明との対比
　ア　引用発明の「マイクロレンズを形成するためのエッチング方法であって，Ｓｉ基板上に，レジストを塗布」は，本願発明の「基板上にマイクロレンズを形成する方法」に相当する。
　イ　引用発明では，「エッチングガスを用いてエッチングを行」うから，「処理装置のプロセスチャンバ」で行うことは自明であり，するとその「内部にレンズ形状を有する複数のマイクロレンズ体を有している基板を配置するステップ」を含むことも自明である。そして，引用発明の「デポジション性のＣＨＦ３ガスを含むエッチングガスを用いてエッチングを行い，具体的なエッチング条件としては」「エッチングガス：ＣＨＦ３ガス（約５ｍｌ／ｓ〜約１５ｍｌ／ｓ），ＣＦ４ガス（約６０ｍｌ／ｓ〜約１００ｍｌ／ｓ），Ａｒガス（約６００ｍｌ／ｓ〜約９００ｍｌ／ｓ）およびＯ２ガス（約２５ｍｌ／ｓ〜約３５ｍｌ／ｓ）」は，本願発明の「前記プロセスチャンバの内部にプロセスガスを供給するステップであって，前記プロセスガスは，ＣＦ４とＣＨＦ３との混合物を含む，ステップ」に相当する。
　ウ　引用発明において「高周波電力：約１２０Ｗ〜約２００Ｗ」の「エッチング条件」であるから「プラズマエッチング」であることは明らかであり，引用発明の「Ｓｉ基板上に，レジストを塗布し，レジストは上に凸の曲面形状に形成され，レジストとＳｉＮ膜とを同時にエッチング」は，本願発明の「前記基板上の前記マイクロレンズ体の前記レンズ形状を修正するために，前記基板上で前記プロセスガスを用いて，プラズマエッチングプロセスを実行するステップ」に相当する。
　エ　引用発明において「隣接するレジスト間に約０．４μｍの隙間を設けた場合にも，エッチング後には，隣接するマイクロレンズは，境界部に実質的に平坦な部分を含まない」から，「前記プラズマエッチングプロセスを実行するステップによって，前記複数のマイクロレンズ体の各々の長さは，Ｌだけ増加」するといえる。
　オ　すると，本願発明と引用発明とは下記カの点で一致し，下記キの点で相違する。
　カ　一致点
「基板上にマイクロレンズを形成する方法であって，
　プラズマ処理装置のプロセスチャンバの内部に，レンズ形状を有する複数のマイクロレンズ体を有している基板を配置するステップと，
　前記プロセスチャンバの内部にプロセスガスを供給するステップであって，前記プロセスガスは，ＣＦ４とＣＨＦ３との混合物を含む，ステップと，
　前記基板上の前記マイクロレンズ体の前記レンズ形状を修正するために，前記基板上で前記プロセスガスを用いて，プラズマエッチングプロセスを実行するステップと，
を含み，
　前記プラズマエッチングプロセスを実行するステップによって，前記複数のマイクロレンズ体の各々の長さは，Ｌだけ増加する，
　方法。」
　キ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明では，「プラズマ処理装置」が「誘導結合プラズマ処理装置」であって，「前記誘導結合プラズマ処理装置は，少なくとも１つの誘導エレメント，および，前記少なくとも１つの誘導エレメントと前記プロセスチャンバの内部との間に配置された，接地されたファラデー遮蔽を備えている，ステップと，」「前記プロセスチャンバの内部に，実質的に誘導性のプラズマを生成するために，前記少なくとも１つの誘導エレメントにエネルギーを加えるステップ」を含むのに対して，引用発明ではこれらのステップが明示されない点。
（イ）相違点２
　本願発明では「前記プラズマエッチングプロセス中のＣＨＦ３の流量は，ＣＦ４の流量より高い」のに対し，引用発明では「ＣＨＦ３ガス（約５ｍｌ／ｓ〜約１５ｍｌ／ｓ），ＣＦ４ガス（約６０ｍｌ／ｓ〜約１００ｍｌ／ｓ）」である点。
（２）相違点についての判断
　ア　相違点１について
　引用発明では「高周波電力：約１２０Ｗ〜約２００Ｗ」でエッチングガスをプラズマ化していることは明らかである（前記（１）ウ参照）から，その高周波電力をエッチングガスに与える手段として，公知技術２に開示されたプラズマ処理装置を採用することは，当業者が容易になし得ることである。
　イ　相違点２について
　引用文献２には，平行平板方式のプラズマと誘導結合方式のプラズマを比較すると，誘導結合方式の場合には解離がはるかに進んでプラズマ中のＦラジカル濃度が増加し，半導体ウエハ表面に堆積する膜Ｆ／Ｃ比が，平行平板方式の場合よりも上昇することが記載されている（前記第４の２（１）イ）。すると，引用発明に誘導結合方式の公知技術２を採用する際に，Ｆ／Ｃ比が上昇しすぎないように，１分子中に４つのＦ原子を有するＣＦ４の流量を下げてＦ／Ｃ比を調整することは，当業者が具体的技術の適用にあたって容易になしうる設計的事項である。
　一方で，本願明細書を精査しても，「例えば，ＣＦ４の流量は，１０ｓｃｃｍから８０ｓｃｃｍの範囲である。ＣＨＦ３の流量は，１２０ｓｃｃｍから３００ｓｃｃｍの範囲である。」（本願明細書段落【００３６】）としか記載されておらず，「ＣＨＦ３の流量」を「ＣＦ４の流量より高」くすることについての技術的意義や効果は記載されていないから，本願発明について格別の効果は認められない。　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから，本願発明は，引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものである。
２　請求人の主張について
　請求人は，平成３１年３月２０日付け意見書において，引用文献１の段落【００５３】〜【００５５】の記載及び同図１５〜１８を根拠に，「引例１では，ＣＨＦ３ガスの流量を約１５ｍｌ／ｓより大きくすることには阻害要因があるといえます。それゆえ，引例１において，ＣＨＦ３の流量をＣＦ４の流量より高くする構成に変更するとは考えられません。」と主張している。
　しかし，ＣＦ４の流量を下げてＦ／Ｃ比を調整することにより，相違点２に係る構成を得ることが容易であることは，前記１（２）イで述べたとおりであり，「ＣＨＦ３ガスの流量を約１５ｍｌ／ｓより大きくすることには阻害要因がある」としても，そのこととは関係なく，相違点２に係る構成を得ることは容易といえる。
　そもそも，引用文献１で開示されているのは，「（ガス圧力：約３７．０Ｐａ〜約４３．０Ｐａ，ＣＨＦ３ガスの流量：約５ｍｌ／ｓ〜約１５ｍｌ／ｓ）のエッチング条件を用いるのが好ましいこと」（引用文献１の【００５７】）であり，「ＣＨＦ３の流量」と「ＣＦ４の流量」との関係についていうものではないから，相違点２に関して阻害要因になるものではない。
　
第６　結言
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明については，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。