【事件の表示】
　平成１０年特許願第　１５８０７号「物理量分布検知半導体装置およびその駆動方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１０月２３日出願公開、特開平１０−２８１８７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年１月２８日（優先権主張：平成９年２月４日、出願番号：特願平９−２１１７２号）の出願であって、平成１５年１２月１０日付で拒絶査定がなされ（発送日：平成１５年１２月１６日）、これに対し、平成１６年１月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１６年２月１３日付で手続補正がなされたものである。
　
　
２．平成１６年２月１３日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年２月１３日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
Ａ．補正後の本願発明
　平成１６年２月１３日付の手続補正（以下「本件補正」という。）により、特許請求の範囲は、当該補正前の特許請求の範囲に記載された下記のとおりの独立請求項である請求項１，２，２３，２４がそれぞれ、下記のとおりの本件補正後の独立請求項１，２，２２，２３へと補正され、また、前記補正前の特許請求の範囲に記載された請求項９は、本件補正により削除されると共に、前記補正前の請求項１０〜３０はそれぞれ、本件補正後の請求項９〜２９へと移行された。
　
《補正前独立請求項》
　上記補正前の独立請求項１，２，２３，２４（以下「本件補正前独立請求項」という。）は、以下のとおりである。
「【請求項１】１次元的あるいは２次元的に配列された複数の単位領域を備え、前記複数の単位領域の各々が、物理的刺激に応答して、第１の電位状態から前記物理的刺激の物理量に応じた第２の電位状態へ遷移し得る情報蓄積部と、前記情報蓄積部の電位状態に応じた電位を出力する駆動素子と、前記駆動素子の出力を選択して出力するスイッチング素子とを有する物理量分布検知半導体装置であって、前記スイッチング素子の出力を入力とし、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに、前記情報蓄積部の電位状態に応じた信号を出力する出力部と、前記出力部の入力と前記情報蓄積部とに接続され、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに、前記出力部の入力が参照電位に実質的に等しくなるように、前記情報蓄積部の前記第１の電位状態を調節する出力調整部と、前記複数の単位領域に属する前記スイッチング素子を導通状態にする領域選択部と、を備える物理量分布検知半導体装置。」
「【請求項２】　１次元的あるいは２次元的に配列された複数の単位領域を備え、前記複数の単位領域の各々が、物理的刺激に応答して、第１の電位状態から前記物理的刺激の物理量に応じた第２の電位状態へ遷移し得る情報蓄積部と、前記情報蓄積部の電位状態に応じて電位を出力する駆動素子と、前記駆動素子の出力を選択して出力するスイッチング素子とを有する物理量分布検知半導体装置であって、前記スイッチング素子の出力を入力とし、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに前記情報蓄積部の電位状態に応じた信号を出力する出力部と、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに、前記出力部から出力される信号の電位レベルが参照電位に実質的に等しくなるように、前記情報蓄積部の前記第１の電位状態を調節する出力調整部と、前記複数の単位領域に属する前記スイッチング素子を導通状態にする領域選択部と、を備える物理量分布検知半導体装置。」
「【請求項２３】　１次元的あるいは２次元的に配列された複数の単位領域を備え、前記複数の単位領域の各々が、物理的刺激に応答して、第１の電位状態から前記物理的刺激の物理量に応じた第２の電位状態へ遷移し得る情報蓄積部と、前記情報蓄積部の電位状態に応じた電位を出力する駆動素子と、前記駆動素子の出力を選択して出力するスイッチング素子とを有し、前記スイッチング素子の出力を入力とし、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに前記情報蓄積部の電位状態に応じた信号を出力する出力部と、前記出力部の入力と前記情報蓄積部に接続される出力調整部とを備える物理量分布検知半導体装置の駆動方法であって、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに、前記情報蓄積部の電位状態に応じた信号を出力する工程と、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに、前記出力部の入力が参照電位に実質的に等しくなるように、前記情報蓄積部の前記第１の電位状態を調節する工程と、を包含する物理量分布検知半導体装置の駆動方法。」
「【請求項２４】　１次元的あるいは２次元的に配列された複数の単位領域を備え、前記複数の単位領域の各々が、物理的刺激に応答して、第１の電位状態から前記物理的刺激の物理量に応じた第２の電位状態へ遷移し得る情報蓄積部と、前記情報蓄積部の電位状態に応じた電位を出力する駆動素子と、前記駆動素子の出力を選択して出力するスイッチング素子とを有し、前記スイッチング素子の出力を入力とし、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに前記情報蓄積部の電位状態に応じた信号を出力する出力部と、前記スイッチング素子の出力と前記情報蓄積部に接続される出力調整部とを備える物理量分布検知半導体装置の駆動方法であって、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに、前記情報蓄積部の電位状態に応じた信号を出力する工程と、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに、前記出力部から出力される信号の電位レベルが参照電位に実質的に等しくなるように、前記情報蓄積部分の前記第１の電位状態を調節する工程と、を包含する物理量分布検知半導体装置の駆動方法。」
　
《補正後独立請求項》
　これらに対し、それぞれ対応する、本件補正後の請求項１，２，２２，２３（以下「本件補正後独立請求項」という。）は以下のとおりである。
「【請求項１】　１次元的あるいは２次元的に配列された複数の単位領域を備え、前記複数の単位領域の各々が、物理的刺激に応じて、第１の電位状態から前記物理的刺激の物理量に応じた第２の電位状態へ遷移し得る情報蓄積部と、前記情報蓄積部の電位状態に応じた電位を出力する駆動素子と、前記複数の単位領域のいずれかを選択したときに前記駆動素子の出力を導通して出力するスイッチング素子と、を有する物理量分布検知半導体装置であって、前記スイッチング素子の出力を入力とし、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに、前記情報蓄積部の電位状態に応じた信号を出力する出力部と、前記出力部の入力と接続され、前記スイッチング素子の出力の電位レベルが参照電位に実質的に等しくなるように出力を調節する出力調整部と、前記出力調整部の出力を前記情報蓄積部に導通して出力するリセット部と、前記スイッチング素子を介して前記駆動素子と接続されてフォロワ回路を形成する負荷素子と、前記複数の単位領域の各々に属する前記スイッチング素子を選択して導通状態にする領域選択部と、を備え、前記スイッチング素子および前記リセット部が導通状態にあるときに、前記スイッチング素子の出力が参照電位に実質的に等しくなるように、前記情報蓄積部の前記第１の電位状態を調節し、前記スイッチング素子が導通状態にあって前記リセット部が導通状態にないときに、前記情報蓄積部の前記第２の電位状態を前記出力部から出力する物理量分布検知半導体装置。」
「【請求項２】　１次元的あるいは２次元的に配列された複数の単位領域を備え、前記複数の単位領域の各々が、物理的刺激に応じて、第１の電位状態から前記物理的刺激の物理量に応じた第２の電位状態へ遷移し得る情報蓄積部と、前記情報蓄積部の電位状態に応じた電位を出力する駆動素子と、前記複数の単位領域のいずれかを選択したときに前記駆動素子の出力を導通して出力するスイッチング素子と、を有する物理量分布検知半導体装置であって、前記スイッチング素子の出力を入力とし、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに、前記情報蓄積部の電位状態に応じた信号を出力する出力部と、前記出力部の出力と接続され、前記出力部から出力される電位レベルが参照電位に実質的に等しくなるように出力を調節する出力調整部と、前記出力調整部の出力を前記情報蓄積部に導通して出力するリセット部と、前記スイッチング素子を介して前記駆動素子と接続されてフォロワ回路を形成する負荷素子と、前記複数の単位領域の各々に属する前記スイッチング素子を選択して導通状態にする領域選択部と、を備え、前記スイッチング素子および前記リセット部が導通状態にあるときに、前記出力部から出力される信号の電位レベルが参照電位に実質的に等しくなるように、前記情報蓄積部分の前記第１の電位状態を調節し、前記スイッチング素子が導通状態にあって前記リセット部が導通状態にないときに、前記情報蓄積部の前記第２の電位状態を前記出力部から出力する物理量分布検知半導体装置。」
「【請求項２２】　１次元的あるいは２次元的に配列された複数の単位領域を備え、前記複数の単位領域の各々が、物理的刺激に応じて、第１の電位状態から前記物理的刺激の物理量に応じた第２の電位状態へ遷移し得る情報蓄積部と、前記情報蓄積部の電位状態に応じた電位を出力端子に出力する駆動素子と、前記複数の単位領域のいずれかを選択したときに前記駆動素子の出力を導通して出力するスイッチング素子とを有し、前記スイッチング素子の出力を入力とし、前記情報蓄積部の電位状態に応じた信号を出力する出力部と、前記出力部の入力と接続され、前記スイッチング素子の出力の電位レベルが参照電位に実質的に等しくなるように出力を調節する出力調整部と、前記出力調整部の出力を前記情報蓄積部に導通して出力するリセット部と、前記スイッチング素子を介して前記駆動素子と接続されてフォロワ回路を形成する負荷素子と、前記複数の単位領域の各々に属する前記スイッチング素子を導通して導通状態にする領域選択部と、を備える物理量分布検知半導体装置の駆動方法であって、前記スイッチング素子および前記リセット部が導通状態にあるときに、前記スイッチング素子の出力が参照電位に実質的に等しくなるように、前記情報蓄積部の前記第１の電位状態を調節する工程と、前記スイッチング素子が導通状態にあって前記リセット部が導通状態にないときに、前記情報蓄積部の前記第２の電位状態を前記出力部から出力する工程と、を包含する物理量分布検知半導体装置の駆動方法。」
「【請求項２３】　１次元的あるいは２次元的に配列された複数の単位領域を備え、前記複数の単位領域の各々が、物理的刺激に応じて、第１の電位状態から前記物理的刺激の物理量に応じた第２の電位状態へ遷移し得る情報蓄積部と、前記情報蓄積部の電位状態に応じた電位を出力する駆動素子と、前記複数の単位領域のいずれかを選択したときに前記駆動素子の出力を導通して出力するスイッチング素子とを有し、前記スイッチング素子の出力を入力とし、前記情報蓄積部の電位状態に応じた信号を出力する出力部と、前記出力部の出力と接続され、前記出力部から出力される電位レベルが参照電位に実質的に等しくなるように出力を調節する出力調整部と、前記出力調整部の出力を前記情報蓄積部に導通して出力するリセット部と、前記スイッチング素子を介して前記駆動素子と接続されてフォロワ回路を形成する負荷素子と、前記複数の単位領域の各々に属する前記スイッチング素子を選択して導通状態にする領域選択部と、を備える物理量分布検知半導体装置の駆動方法であって、前記スイッチング素子および前記リセット部が導通状態にあるときに、前記出力部から出力される信号の電位レベルが参照電位に実質的に等しくなるように、前記情報蓄積部分の前記第１の電位状態を調節する工程と、前記スイッチング素子が導通状態にあって前記リセット部が導通状態にないときに、前記情報蓄積部の前記第２の電位状態を前記出力部から出力する工程と、を包含する物理量分布検知半導体装置の駆動方法。」
　
《削除された請求項》　
　本件補正により削除されたのは、補正前特許請求の範囲の次の請求項である。
「【請求項９】　前記各単位領域は、リセットパルスに応答して、前記情報蓄積部の電位状態を強制的に前記第１の電位状態にリセットするリセット素子を備えている請求項１または２に記載の物理量分布検知半導体装置。」
　
　
［理由１］
Ｂ．目的外補正について 
　実質的な内容の変更を伴わない表現上の変更点を除くと、本件補正により、本件補正前の請求項１（以下「旧請求項１」という。）に対しては、以下の（１）〜（７）の補正が為され、本件補正後の請求項１（以下「新請求項１」という。）とされた。
（１）出力調整部の機能を「スイッチング素子の出力の電位レベルが参照電位に実質的に等しくなるように出力を調節する」と新たに特定
（２）出力調整部と情報蓄積部とが導通接続されている点を加入
（３）出力調整部と情報蓄積部との間に「リセット部」を備える点を加入
（４）「スイッチング素子を介して前記駆動素子と接続されてフォロワ回路を形成する負荷素子」を加入
（５）出力調節部による「第１の電位状態」の調節が行われる際の回路条件として、本件補正前の「スイッチング素子が導通状態にあるとき」に、「リセット部が導通状態にあるとき」を追加
（６）第１の電位状態の調節が、本件補正前は「出力部の入力が参照電位に実質的に等しくなるように」されると記載されていたのに対し、本件補正後は 「
スイッチング素子の出力
（７）「スイッチング素子が導通状態にあって前記リセット部が導通状態にないときに、前記情報蓄積部の前記第２の電位状態を前記出力部から出力する」なる機能を追加
　
　また、本件補正前の請求項２（以下「旧請求項２」という。）に対しては、上記（１）〜（５）及び（７）と同様の補正が為され本件補正後の請求項２（以下「新請求項２」という。）とされた。また、本件補正前の請求項２３，２４（それぞれ以下「旧請求項２３」「旧請求項２４」という。）に対しては、それぞれ上記旧請求項１，２と同様の補正が為され、本件補正後の請求項２２，２３（以下それぞれ「新請求項２２」「新請求項２３」という。）とされた。
　
　上記補正事項のうち、（３）、（４）の点、及び（３）の「リセット部」の作用に関する（５）、（７）の点は、本件補正前独立請求項に該「リセット部」、「フォロワ回路」及び「負荷素子」に対応する発明の構成に欠くことのできない事項（上位概念で記載された事項など）は記載されていないから、本件補正前独立請求項に記載した発明の構成に欠くことのできない事項の全部または一部を限定するものということはできない。
　ここで、（３）については、本件補正により削除された本件補正前の請求項９（以下「旧請求項９」という。）に於いて、該「リセット部」に関する特定が為されていたこと、旧請求項９が旧請求項１，２を引用する形式で記載された請求項であることから、旧請求項９を新請求項１，２とする補正（旧請求項１、２を削除して、旧請求項９を新たな請求項１，２とする補正）が為されたものと解釈することができるかについて検討する。
　旧請求項９は
「前記各単位領域は、リセットパルスに応答して、前記情報蓄積部の電位状態を強制的に前記第１の電位状態にリセットするリセット素子を備えている請求項１または２に記載の物理量分布検知半導体装置。」
というものである。しかし、新請求項１，２に於いては、前記旧請求項９で特定されていた「各単位領域は、リセットパルスに応答して、前記情報蓄積部の電位状態を強制的に前記第１の電位状態にリセットする」というリセット素子の機能についての特定事項を含んでいない。よって、上記解釈に立った場合、旧請求項９の構成のうち、リセット素子の機能に関する特定事項は削除され、新たに上記（３）、（５）及び（７）の特定事項に変更された、即ち、本件補正は発明特定事項の一部削除を伴うこととなり、単なる、特許法第１７条の２第４項第１号に規定する「請求項の削除」には該当せず、また、該「請求項の削除」に該当する補正と、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する、
「特許請求の範囲の減縮（・・・その補正前発明の構成に欠くことができない事項の全部又は一部を限定するものに限る。）」 （以下「限定的減縮」という。）
を目的とする補正とを組み合わせたものとも認められない。
　さらに、たとえ上記解釈を認めたとしても、新請求項１，２に従属する請求項３−８は、旧請求項９に従属（旧請求項９を引用）していたものではなく、これらの請求項については、新請求項１，２に対する「リセット部」の加入により、補正前の該各請求項に記載した発明の構成に欠くことのできない事項には含まれない「リセット部」なる新たな事項を追加する補正を行ったこととなり、本件補正は、該各請求項に記載した発明の構成に欠くことのできない事項の全部または一部を限定するものということはできない。
　また、旧請求項２３，２４については、「リセット部」なる構成要素に関する従属請求項が存在せず、上記解釈は成立しない。
　
　次に、上記（４）の点、即ち「フォロワ回路」及び「負荷素子」を加入した点について検討する。
　本件補正前の請求項４（以下「旧請求項４」という。）に
「前記駆動素子の前記ソースに接続された負荷素子を備え、前記駆動素子および前記負荷素子によってソースフォロワー回路が形成されている請求項３に記載の物理量分布検知半導体装置。」
なる記載がある。
　しかし、該旧請求項４は、旧請求項１，２に従属する本件補正前の請求項３（以下「旧請求項３」という。）の従属項の形式をとっており、本件補正が、旧請求項１，２を削除して旧請求項４を独立形式に書き換えると共に新請求項１，２に移行したと解釈した場合、新請求項１，２が旧請求項３の特定事項を含んでいないことから、本件補正は発明特定事項の一部削除を伴うこととなり、特許請求の範囲の減縮に該当しない。さらに、旧請求項４記載の「ソースフォロワー回路」に比して新請求項１，２に加入された「フォロワ回路」は上位概念に相当するものであり、この点に於いても、前記解釈は成り立たない。
　また、旧請求項２３，２４の従属項には、上記（４）の点に関する特定事項を含む請求項はなく、上記の如く従属項を独立形式に書き換えて移行したとの解釈は成り立たない。
　また、該（４）の点は、本件補正前独立請求項に含まれる「単位領域」、「情報蓄積部」、「駆動素子」、「スイッチング素子」、「出力部」、「出力調整部」、「リセット部」、「領域選択部」なる各構成要素の何れに関する発明特定事項を下位概念化したものでも、また、直列的に付加したものでもない。そして、フォロワ回路は一般に、入力をインピーダンス変換して出力するために用いる回路であるが、本件補正前独立請求項の何れにも、そのような課題を解決するための発明特定事項は記載されておらず、当該補正前後の発明の課題も共通しない。
　
　よって、上記本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に規定するところの、特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。 
　また、上記本件補正は、同項第１、３、４号の、請求項の削除、誤記の訂正、及び明瞭でない事項の釈明のいずれを目的とするものでもないことは明らかである。 
　 
　したがって、上記本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。 
　
　
［理由２］ 
Ｃ．独立特許要件違反について 
　上記本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）本願補正発明の認定 
　本願補正発明は、平成１６年２月１３日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認める。
　
「１次元的あるいは２次元的に配列された複数の単位領域を備え、前記複数の単位領域の各々が、物理的刺激に応じて、第１の電位状態から前記物理的刺激の物理量に応じた第２の電位状態へ遷移し得る情報蓄積部と、前記情報蓄積部の電位状態に応じた電位を出力する駆動素子と、前記複数の単位領域のいずれかを選択したときに前記駆動素子の出力を導通して出力するスイッチング素子と、を有する物理量分布検知半導体装置であって、前記スイッチング素子の出力を入力とし、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに、前記情報蓄積部の電位状態に応じた信号を出力する出力部と、前記出力部の入力と接続され、前記スイッチング素子の出力の電位レベルが参照電位に実質的に等しくなるように出力を調節する出力調整部と、前記出力調整部の出力を前記情報蓄積部に導通して出力するリセット部と、前記スイッチング素子を介して前記駆動素子と接続されてフォロワ回路を形成する負荷素子と、前記複数の単位領域の各々に属する前記スイッチング素子を選択して導通状態にする領域選択部と、を備え、前記スイッチング素子および前記リセット部が導通状態にあるときに、前記スイッチング素子の出力が参照電位に実質的に等しくなるように、前記情報蓄積部の前記第１の電位状態を調節し、前記スイッチング素子が導通状態にあって前記リセット部が導通状態にないときに、前記情報蓄積部の前記第２の電位状態を前記出力部から出力する物理量分布検知半導体装置。」
　
　
（２）引用例
ア．原査定の拒絶の理由に引用した特開平５−２５２４４５号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の記載がある。
　
（ア１）産業上の利用分野に関し；
「本発明は、各画素毎に増幅用トランジスタを用いて電流増幅を行ういわゆる増幅型固体撮像装置に関し、特にエリアセンサやリニアセンサとして用いて好適な増幅型固体撮像装置に関する。」（段落１）
　
（ア２）課題の認識に関し；
「各画素間で増幅用トランジスタＭ１のＶthのバラツキがあると、これがそのままセンサ出力のバラツキの一因となり、先述したように、外部回路にて補正をかけないと、固定パターンノイズとして現れることになってしまう。
【０００６】
　本発明は、上述した点に鑑みなされたものであり、各画素毎の増幅用トランジスタ間のＶthのバラツキに起因する固定パターンノイズの低減を可能とした増幅型固体撮像装置を提供することを目的とする。」（段落５−６）
　
（ア３）回路構成に関し、図１を参照して；
「　以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
　図１は、例えばリニアセンサに適用した場合の１画素分の構成を示す本発明による一実施例の回路図である。図において、フォトダイオード等からなるフォトセンサ１では、入射光が信号電荷に光電変換されて蓄積され、蓄積された信号電荷による電位ｖS は増幅用トランジスタＭ１のゲートに印加される。この増幅用トランジスタＭ１の出力電圧ｖO は、スイッチング用トランジスタＭ２を通して電流として読み出される。
　　　【００１０】
　また、増幅用トランジスタＭ１の出力電圧ｖO は、所定の基準電圧ＶR ′を非反転入力とする差動増幅器２の反転入力ともなる。差動増幅器２の出力端と増幅用トランジスタＭ１のゲートとの間には、リセット用トランジスタＭ３が接続されている。これにより、リセット用トランジスタＭ３のオン状態のとき、増幅用トランジスタＭ１の出力電圧ｖO を基準電圧ＶR ′に固定するように働くフィードバック回路３が構成される。また、このリセット動作により、フォトセンサ１での信号電荷の蓄積時間が決定される。」（段落９−１０）
　
（ア４）動作と制御シーケンスに関し、図２を参照して；
「　次に、上述した構成の回路動作につき、図２のタイムチャートに基づいて説明する。
　時刻ｔ1 では、読出しパルスφS 及びリセットパルスφR が共に低レベルにあり、スイッチング用トランジスタＭ２及びリセット用トランジスタＭ３が共にオフ状態にあることにより、入射光によって・・・、フォトセンサ１のセンサ電位ｖS は、光電変換により蓄積された電子に応じて低くなる。
　・・・時刻ｔ2 では、読出しパルスφS が高レベルとなり、スイッチング用トランジスタＭ２がオン状態となることにより、信号の読出しが行われる。そして、時刻ｔ3 では、リセットパルスφR が高レベルとなり、リセット用トランジスタＭ３がオン状態となることにより、先のフィードバック回路３によるフィードバックループが形成される。このとき、スイッチング用トランジスタＭ２がオフ状態であるため、（増幅用トランジスタＭ１の出力電圧ｖO ＝増幅用トランジスタＭ１のチャネル電位）となっており、そのチャネル電位ｖO が基準電圧ＶR ′に等しくなるようにセンサ電位ｖS がコントロールされる。
　・・・その安定した状態では、・・・増幅用トランジスタＭ１のチャネル電位はＶR ′（＝ｖO ）となり、各画素毎の増幅用トランジスタＭ１のＶthのバラツキをキャンセルできることになる。」（段落１１−１３）
　また、信号の読出しが行われるφsが高レベルの時間帯にリセットパルスφRが低レベル、即ちリセット用トランジスタＭ３がＯＦＦであることが図２に示されている。
　
（ア５）複数画素に対して作動増幅器を共用する回路構成に関し、図３、４を参照して；
「　なお、上記実施例では、リセット用トランジスタＭ３のオン状態のときに、増幅用トランジスタＭ１のチャネル電位を基準電圧ＶR ′に固定するように働くフィードバック回路３を各画素毎に設けたが、図３に示すように、全画素に対して単一の差動増幅器２を共用し、各画素にはリセットパルスφR1，φR2，……によって各画素のリセット動作時に各増幅用トランジスタＭ１-1，Ｍ２-2，……の各出力電圧ｖO1，ｖO2，……を差動増幅器２の反転入力として供給する帰還用トランジスタＭ４-1，Ｍ４-2，……を設ける構成とすることも可能である。この構成によれば、全画素に対して差動増幅器２が１個で済むため、低コストにて所期の目的を達成できることになる。この場合のタイムチャートを図４に示す。」（段落１４）
　
（ア６）エリアセンサへの応用可能性について；
「本発明はリニアセンサへの適用に限定されるものではなく、エリアセンサにも同様に適用し得るものであり、この場合には、信号の読出しを２個のスイッチング用トランジスタによるＸ‐Ｙアドレス型とすれば良い。」（段落１５）
　
（ア７）図１には、スイッチング用トランジスタＭ２を挟んで、増幅用トランジスタとは反対側に、「出力Ｉs」と記載された出力端が記載されている。
　
　これらの記載および第１〜４図を参照すると、引用例１には、次の発明が記載されている（以下、「引用発明１」という。）。
　
「エリアセンサやリニアセンサとして用いる増幅型固体撮像装置において、
各画素について、入射光が信号電荷に光電変換されて蓄積されるフォトダイオード等からなるフォトセンサ１と、
蓄積された信号電荷による電位がゲートに印加される増幅用トランジスタＭ１と、
読出しパルスφS が高レベルとなることでＯＮとなって、増幅用トランジスタＭ１の出力電圧ｖO の読出しが行われる、スイッチング用トランジスタＭ２と、
該スイッチング用トランジスタＭ２の出力側に位置する出力端と、
スイッチング用トランジスタＭ２と増幅用トランジスタＭ１との間に接続され、該接続部に於ける増幅用トランジスタＭ１の出力電圧ｖO を反転入力とし、所定の基準電圧ＶR ′を非反転入力とする差動増幅器２と、
該差動増幅器２の出力と増幅用トランジスタＭ１のゲートとの間に接続されたリセット用トランジスタＭ３と、を備え、
前記リセット用トランジスタＭ３がＯＦＦで前記スイッチングトランジスタＭ２がＯＮの時に信号の読出しが行われ、
前記リセット用トランジスタＭ３がＯＮで、前記スイッチング用トランジスタＭ２がＯＦＦの時、即ちリセット動作時の増幅用トランジスタＭ１の出力電圧ｖO を基準電圧ＶR ′に固定するようにフィードバック回路３が働き、
各画素毎の増幅用トランジスタ間の閾値電圧Ｖthのバラツキに起因する固定パターンノイズの低減を可能とした増幅型固体撮像装置。」
　
　
イ．原査定の拒絶の理由に引用した特開昭６３−２８３３７１号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに次の記載がある。
（イ１）課題に関し；
「電流増幅手段を例えばＭＯＳトランジスタで構成する場合には、電流増幅手段の出力電圧は、容量素子の端子電圧値に対してＭＯＳトランジスタの閾値電圧によるオフセット電圧分だけずれることになる。電流増幅手段の出力電圧へのオフセット電圧の影響をなくすため、」（４頁左上欄９−１２行）
　
（イ２）ソースフォロワ回路を含む回路構成に関し；
「第１図の検出セル１では、容量素子５にＭＯＳトランジスタからなるスイッチング素子ＦＴ１５，ＦＴ１６，ＦＴ１７，ＦＴ１８が直列に接続され、これらのスイッチング素子・・・のいずれもがオンのときに容量素子５の端子電圧値Ｖoを基準電位Ｖrefに初期設定するようになっている。スイッチング素子ＦＴ１５のゲートＧ15には、後述のように、バッファ７からの制御信号ＣＴＬが加わり、スイッチング素子ＦＴ１５は、トランジスタＦＴ４と定電流源３とで構成させる電流増幅手段すなわちソースフォロワ回路の出力電圧Ｖoutと参照電圧Ｖref1とが等しくなるまで容量素子５に電荷を蓄積させるためのものである。またスイッチング素子ＦＴ１６のゲートＧ16にはシフトレジスタ（図示せず）からの出力信号ＲＯが加わり、スイッチング素子ＦＴ１６はシフトレジスタの出力信号ＲＯによって容量素子５への電荷の蓄積を制御するようになっている。スイッチング素子ＦＴ１７，ＦＴ１８のゲートＧ17，Ｇ18にはそれぞれリセット信号・・・が加わり、スイッチング素子ＦＴ１７，ＦＴ１８は、容量素子５に電荷を蓄積する情報蓄積期間外にスイッチング素子ＦＴ１６のゲートＧ16にシフトレジスタの出力信号ＲＯが加わっても容量素子５の端子電圧値Ｖoすなわち容量素子５の記憶保持機能に影響を与えないようにしている。
　またソースフォロワ回路の出力端子すなわちトランジスタＦＴ４のソースＳ4の端子は、スイッチング素子ＦＴ１４を介してコンパレータ６の一方の入力端子に接続される一方、スイッチング素子ＦＴ５を介してビデオライン４に接続されている。
　なお、スイッチング素子ＦＴ１４のゲートＧ14にはシフトレジスタの出力信号ＲＯが加わり、スイッチング素子ＦＴ５のゲートＧ5には読出信号ＳＰが加わるようになっている。
　コンパレータ６の他方の入力端子には参照電圧Ｖref1が加わっており、コンパレータ６の出力端子は、バッファ７を介して、前述のようにスイッチング素子ＦＴ１５のゲートＧ15に接続されている。」（４頁右上欄９行〜同右下欄１１行）
　
（イ３）容量素子５の端子電圧値の初期設定に係る制御シーケンスにおいて、リセット部とスイッチング素子とがＯＮとなる点に関し；
「先づ、第２図（ａ）に示すようにリセット信号ＲＳＴが加わると、ＦＴＩ７がオンになり、容量素子５の端子電圧値Ｖoの初期設定動作を開始する。」（４頁右下欄１５−１７行）
「シフトレジスタは第２図（ｆ）に示すクロック信号ＣＫに同期させて出力信号ＲＯをスイッチング素子ＦＴ１４，１６のゲートＧ14，Ｇ16にそれぞれ加え、スイッチング素子ＦＴ１４，ＦＴ１６をオンにする。」（５頁左上欄１−５行）
「また端子Ｖoの初期設定動作中、参照電圧Ｖref1は基準電圧Ｖrefに設定される。これによりコンパレータ６はソースフォロワ回路の出力電圧Ｖoutと・・・基準電位Ｖrefとを比較し、出力電圧Ｖoutが基準電位Ｖrefと等しくなったか否かを監視する。出力電圧Ｖoutが基準電位Ｖrefよりも小さいときには・・・コンパレータ６はバッファ７を介してスイッチング素子ＦＴ１５をオンにする制御信号ＣＴＬを出力する。このようにして、容量素子５の端子電圧値Ｖoが初期設定値に達していないときには、スイッチング素子ＦＴ１５,ＦＴ１６，ＦＴ１７，ＦＴ１８を介して容量素子５に基準電位Ｖrefを加え続ける。出力電圧Ｖoutが基準電位Ｖrefと等しくなったときには・・・制御信号ＣＴＬはスイッチング素子ＦＴ１５をオフにし、容量素子５の端子電圧値Ｖoの初期設定を完了する。」（５頁左上欄８行〜同右上欄８行）
　
（イ４）複数検出セルのスイッチング素子を順次選択するシーケンスに関し；
「第２図（Ｃ）では、シフトレジスタの出力信号ＲＯは、固体撮像素子内の複数の検出セルのそれぞれに順次に加わるものとして示されている。」（５頁左上欄５−８行）
　
（イ５）容量素子の蓄積電圧出力時のシーケンスに関し；
「第２図（ｅ）に示すような読出信号ＳＰがスイッチング素子ＦＴ５のゲートＧ5に加わると、容量素子５に蓄積された画素情報すなわち端子電圧値Ｖoの読出しが開始する。読出信号ＳＰによって第２図（ｂ）に示すように内部スタートパルスＩＳＰの次のパルスＩＳＰ２がシフトレジスタに加わり、シフトレジスタは出力信号ＲＯを出力する。この出力信号ＲＯにより、スイッチング素子ＦＴ１４はオンになりさらに読出信号ＳＰにより、スイッチング素子ＦＴ５はオンになっているので、容量素子の端子電圧値Ｖoはソースフォロワ回路を介してビデオライン４に出力される。」(５頁左下欄１４行〜同右下欄５行)
　また、第２図には、リセット信号がＯＦＦとなった後に容量素子への情報蓄積がＤＴ信号により行われ、次いで、リセット信号がＯＦＦのまま、シフトレジスタの出力信号ＲＯと読出し信号ＳＰがＯＮとなって（スイッチＦＴ１４とＦＴ５が導通し）、容量素子の端子電位が出力されるシーケンスが示されている。
　
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明１とを対比すると、引用発明１の
「エリアセンサやリニアセンサとして用いる増幅型固体撮像装置において、
各画素について、入射光が信号電荷に光電変換されて蓄積されるフォトダイオード等からなるフォトセンサ」
は、本願補正発明の
「１次元的あるいは２次元的に配列された複数の単位領域を備え、前記複数の単位領域の各々が、物理的刺激に応じて、第１の電位状態から前記物理的刺激の物理量に応じた第２の電位状態へ遷移し得る情報蓄積部」
に相当し、また、引用発明１の
(a)「増幅用トランジスタＭ１」、(b)「スイッチング用トランジスタＭ２」、(c)「出力端」、(d)「基準電圧ＶR ′」、(e)「差動増幅器２」、(f)「リセット用トランジスタＭ３」、(g)「各画素」、(h)「蓄積された信号電荷による電位」、(i)「リセット動作時の増幅用トランジスタＭ１の出力電圧ｖO」、(j)「増幅型固体撮像装置」
は、それぞれ本願補正発明の
(a)「駆動素子」、(b)「スイッチング素子」、(c)「出力部」、(d)「参照電位」、(e)「出力調整部」、(f)「リセット部」、(g)「複数の単位領域」、(h)「第２の電位状態」、(i)「第１の電位状態」、(j)「物理量分布検知半導体装置」
に相当することが明らかである。
　また、引用発明１では、各画素について「増幅用トランジスタＭ１の出力電圧ｖO の出力端からの読出しが行われる、スイッチング用トランジスタＭ２」が設けられているのであるから、個々の画素に於ける該スイッチング用トランジスタＭ２を読出しパルスによりＯＮとする操作が、本願補正発明に於ける「複数の単位領域のいずれかを選択したときに前記駆動素子の出力を導通して出力する」というスイッチング素子の機能に相当することも明らかである。
　
　よって、両者は、下記の点で一致する。　
（一致点）
「１次元的あるいは２次元的に配列された複数の単位領域を備え、前記複数の単位領域の各々が、物理的刺激に応じて、第１の電位状態から前記物理的刺激の物理量に応じた第２の電位状態へ遷移し得る情報蓄積部と、
前記情報蓄積部の電位状態に応じた電位を出力する駆動素子と、
前記複数の単位領域のいずれかを選択したときに前記駆動素子の出力を導通して出力するスイッチング素子と、
を有する物理量分布検知半導体装置であって、
前記スイッチング素子の出力を入力とし、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに、前記情報蓄積部の電位状態に応じた信号を出力する出力部と、
出力の電位レベルが参照電位に実質的に等しくなるように出力を調節する出力調整部と、
前記出力調整部の出力を前記情報蓄積部に導通して出力するリセット部と、を備え、
前記リセット部が導通状態にあるときに、出力が参照電位に実質的に等しくなるように、前記情報蓄積部の前記第１の電位状態を調節し、
前記スイッチング素子が導通状態にあって前記リセット部が導通状態にないときに、前記情報蓄積部の前記第２の電位状態を前記出力部から出力する物理量分布検知半導体装置。」
　
　また、前記両者は、以下の各点で相違する。
（相違点）
（ア）本願補正発明では、出力調整部が、スイッチング素子の出力、即ち出力部の入力と接続されているのに対し、引用発明１では、出力調整部はスイッチング素子の入力側に接続されている点。
（イ）前記（ア）の、スイッチング素子と出力調整部との接続順の相違により、本願補正発明では、第１の電位状態の調節時にスイッチング部が導通状態であるのに対し、引用発明１では導通状態ではなく、また、出力調整部で参照電位と等しくなるように調整される電位が、本願補正発明ではスイッチング素子の出力電位であるのに対し、引用発明１では駆動素子の出力電位（スイッチング素子の入力電位）である点。
（ウ）本願補正発明では、スイッチング素子を介して駆動素子に負荷素子を接続してフォロワ回路を形成しているのに対し、引用発明１ではそのような負荷素子は接続されておらず、フォロワ回路も形成されていない点。
（エ）本願補正発明では、「複数の単位領域の各々に属する前記スイッチング素子を選択して導通状態にする領域選択部」を明示的に備えているのに対し、引用発明１では、単位領域の選択を行う「読出しパルスφs」が何れの素子や装置から出力されるのか明確でない点。 
　
　
（４）判断
　上記各相違点について検討する。
［相違点ア、イについて］
　引用例２には、固体撮像素子の各単位領域の出力回路に於いて、、駆動素子出力と基準電位とを比較調整するコンパレータ６（本願補正発明に於ける「出力調整部」に相当。）に対する入力を、トランジスタＦＴ４（本願補正発明に於ける「駆動素子」に相当。）の出力に直列接続されたトランジスタＦＴ１４（本願補正発明の「スイッチング素子」に相当。）の出力、即ち出力部４の入力に接続することが記載されており、これを、引用発明１に於ける、同じく固体撮像素子の各単位領域の出力回路に適用して、出力調整部の入力をスイッチング素子Ｍ２の出力側に接続するように変更することは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　そして、上記相違点（イ）は、前記出力調整部の入力位置の変更に伴い必然的に生じるスイッチング素子の制御シーケンスの変更であって、当業者にとってそのような変更を行うことは容易に為しうることである。
　よって、上記相違点（ア）（イ）は、引用発明１及び引用例２の記載事項から当業者が容易に想到し得た事項である。　
　
［相違点ウについて］
　固体撮像素子の各単位領域の出力回路に於いて、駆動素子の出力側に定電流回路などの負荷素子を接続することでソースフォロワ回路を形成し、該ソースフォロワ回路の出力を前記単位領域の出力とすることは、引用例２（上記（イ２）（イ３）参照）にも記載されたとおり、インピーダンス変換を目的とした周知の回路設計に過ぎない。
　また、該引用例２は、引用発明１と同じく差動増幅器を用いたフィードバック回路からなる出力調整部を備えた回路に上記周知のソースフォロワ回路を形成した例を示すものであって、同じく出力調整部を備える引用発明１に前記周知技術を適用することに、何らの阻害要因もないことは明らかである。
　よって、該相違点（ウ）は、引用発明１及び同分野に於ける前記周知技術から当業者が容易に想到し得た事項である。
　
［相違点エについて］
　固体撮像素子に於いて、各画素の蓄積電位を読み出すためのスイッチング素子を順次ＯＮにさせるパルス信号を、行・列選択手段であるシフトレジスタにより出力することは、引用例２にも記載されたとおり（上記（イ５）参照）周知技術であり、このシフトレジスタが本願補正発明に於ける上記「領域選択部」に相当する。
　よって、該相違点（エ）は引用発明１に周知技術を適用することにより当業者が容易に想到し得た事項である。
　
　また、上記相違点（ア）乃至（エ）による効果も、上記引用発明１、引用例２及び周知技術から、当業者が容易に予測し得た事項である。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明１、引用例２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　 
　 
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条５項の規定に違反するものであり，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
３．本願発明について
　平成１６年２月１３日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という）は、平成１５年８月８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
　
「１次元的あるいは２次元的に配列された複数の単位領域を備え、前記複数の単位領域の各々が、物理的刺激に応答して、第１の電位状態から前記物理的刺激の物理量に応じた第２の電位状態へ遷移し得る情報蓄積部と、前記情報蓄積部の電位状態に応じた電位を出力する駆動素子と、前記駆動素子の出力を選択して出力するスイッチング素子とを有する物理量分布検知半導体装置であって、前記スイッチング素子の出力を入力とし、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに、前記情報蓄積部の電位状態に応じた信号を出力する出力部と、前記出力部の入力と前記情報蓄積部とに接続され、前記スイッチング素子が導通状態にあるときに、前記出力部の入力が参照電位に実質的に等しくなるように、前記情報蓄積部の前記第１の電位状態を調節する出力調整部と、前記複数の単位領域に属する前記スイッチング素子を導通状態にする領域選択部と、を備える物理量分布検知半導体装置。」
  　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例，及びその記載事項は，前記「２．Ｃ．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比
　本願発明は、前記２．Ｃ．（１）で検討した本願補正発明から、２．Ｂ．（１）〜（５）、（７）で示した各加入された構成を省き、また、２．Ｂ．（６）で示した変更点を復元したものである。このうち、２．Ｂ．（６）については、本願発明に於いて、別途「スイッチング素子」の出力を「出力部」が入力としているとの限定が為されていることから、参照電位と等しくなるように調整される対象となる電位を「出力部の入力」と「スイッチング素子の出力」との間で変更したことによっては、構成に実質的な変更を生じない。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２．Ｃ．（４）に記載したとおり、引用発明１及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により，引用発明１、引用例２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
（３）むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明１、引用例２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。