【事件の表示】
　特願２０１５−５３７１２４「高段差斜面に基づくフォトリソグラフィ方法及びシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　５月　１日国際公開、ＷＯ２０１４／０６３５３２、平成２８年　１月２１日国内公表、特表２０１６−５０２１２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年（平成２５年）９月３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１２年（平成２４年）１０月２３日、中国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は次のとおりである。
　平成２９年　３月２９日付け：拒絶理由通知書
　平成２９年　７月２８日　　：意見書、手続補正書
　平成２９年１１月　１日付け：拒絶査定
　平成３０年　３月　８日　　：審判請求書、手続補正書
　なお、審判請求書における請求の理由は、平成３０年４月２３日提出の手続補正書（方式）によって、補正されている。
第２　平成３０年３月８日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成３０年３月８日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
　１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
「段差斜面に基づくフォトリソグラフィ方法であって、
　Ｓ１、基板上に段差斜面を有する犠牲層を製造する段階、
　Ｓ２、スピン−オンＰＲコーティング処理を実行することによって前記犠牲層上にフォトレジスト層を被覆し、フォトリソグラフィ層を形成する段階、
　Ｓ３、マスク上にマスクパターン及び補償パターンを形成する段階であって、前記マスクパターンが、前記斜面の上部、前記斜面、及び前記斜面の底部にわたって矩形であり、前記斜面の上部のマスクパターンの形状は矩形であり、前記補償パターンが、斜面の上部の補償パターン及び斜面補償パターンを含み、前記斜面の上部の補償パターンが、前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の長辺の長さに等しい長さと前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の短辺の長さよりも大きい幅とを有する前記斜面の上部に対応する矩形であり、前記斜面補償パターンが、複数の三角形であって、各々の前記三角形の一辺が前記斜面のマスクパターンの縁の部分に隣接し、各々の前記三角形の他の一辺が前記斜面の上部の補償パターンの縁の部分に隣接する、複数の三角形を含む、前記マスクパターン及び補償パターンを形成する段階、
　Ｓ４、フォトリソグラフィ機械により、前記マスクを使用して前記フォトリソグラフィ層に対して１つ又はそれよりも多くのフォトリソグラフィ処理を実行する段階、
　を含み、
　前記斜面の上部の補償パターンの幅対前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の短辺の長さの比率が、１．２：１から１：１の範囲であることを特徴とする方法。」
　から、
「段差斜面に基づくフォトリソグラフィ方法であって、
　Ｓ１、基板上に段差斜面を有する犠牲層を製造する段階、
　Ｓ２、スピン−オンＰＲコーティング処理を実行することによって前記犠牲層上にフォトレジスト層を被覆し、フォトリソグラフィ層を形成する段階、
　Ｓ３、マスク上にマスクパターン及び補償パターンを形成する段階であって、前記マスクパターンが、前記斜面の上部、前記斜面、及び前記斜面の底部にわたって矩形であり、前記斜面の上部のマスクパターンの形状は矩形であり、前記補償パターンが、斜面の上部の補償パターン及び斜面補償パターンを含み、前記斜面の上部の補償パターンが、前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の長辺の長さに等しい長さと前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の短辺の長さよりも大きい幅とを有する前記斜面の上部に対応する矩形であり、前記斜面補償パターンが、複数の三角形であって、各々の前記三角形の一辺が前記斜面のマスクパターンの縁の部分に隣接し、各々の前記三角形の他の一辺が前記斜面の上部の補償パターンの縁の部分に隣接する、複数の三角形を含む、前記マスクパターン及び補償パターンを形成する段階、
　Ｓ４、フォトリソグラフィ機械により、前記マスクを使用して前記フォトリソグラフィ層に対して１つ又はそれよりも多くのフォトリソグラフィ処理を実行する段階、
　を含み、
　前記斜面の上部の補償パターンの幅対前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の短辺の長さの比率が、１．２：１から１：１の範囲であ
り、前記斜面の上部上及び前記斜面上、並びに前記斜面の底部上の前記パターンの線幅は、同じになるようにす
　へと補正することを含むものである（下線は、補正箇所である。）。
　２　補正の適否
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「前記斜面の上部の補償パターンの幅対前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の短辺の長さの比率が、１．２：１から１：１の範囲であ」ることについて、「前記斜面の上部上及び前記斜面上、並びに前記斜面の底部上の前記パターンの線幅は、同じになるようにす」るとの限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明が同条６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、項を改めて判断する。
　３　明確性要件違反について
　本件補正後の請求項１に記載される発明は、「前記斜面の上部の補償パターンの幅対前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の短辺の長さの比率が、１．２：１から１：１の範囲であ
り、前記斜面の上部上及び前記斜面上、並びに前記斜面の底部上の前記パターンの線幅は、同じになるようにす
　このように、本件補正後の請求項１に記載される発明は明確でないから、本願は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　したがって、本件補正後の請求項１に記載される発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　４　進歩性欠如について
（１）本件補正発明の認定
　上記３のとおり、本件補正後の請求項１の記載には不備があるけれども、本件補正後の明細書（以下「本件明細書」という。）及び図面の記載に照らし、「前記パターンの線幅」が、マスクパターン及び補償パターンを用いたフォトリソグラフィ処理が実行された後のタイミングにおいて、フォトリソグラフィ層に形成されるパターンの線幅、を意味するものと解した上で、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）を、本件補正後の請求項１の記載のとおりに認定する。
（２）引用文献の記載事項
　ア　引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２００７−２８３４８０号公報（平成１９年１１月１日出願公開。以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の点が記載されていると認められる（下線は、当審が付した。以下同じ。）。
　ａ　「【特許請求の範囲】」、
「基板上に、第１の導電層、および前記第１の導電層上の第１の犠牲層を形成し、
導電性を有する膜を成膜し、所定の形状に加工して、ゲート電極、および前記第１の犠牲層上の第２の犠牲層を形成し、
前記ゲート電極上に第１の絶縁層を形成し、
シリコンを有する膜を成膜し、所定の形状に加工することで、前記第１の絶縁層を介して前記ゲート電極上に半導体層を、前記第２の犠牲層上に構造層を、それぞれ、形成し、
前記第１の犠牲層の一部および前記第２の犠牲層を除去することを特徴とするマイクロマシンの作製方法。」（【請求項１０】）
　ｂ　「（実施の形態１）」、
「本実施の形態では、マイクロマシンが有する構造体、および構造体に電気的に接続される電気回路を同一基板上に作製する方法について、図１〜図５を用いて説明する。図面に、上側には上面図を示し、下側には上面図のＯ−Ｐにおける断面図を示す図が含まれている。また、本実施の形態では、電気回路の作製工程は、便宜上、電気回路を構成する半導体素子を作製する工程で代表して示している。この点は他の実施の形態でも同様とする。」（【００２４】）、
「＜第１の犠牲層１０４について＞・・・」（【００３０】）、
「ここで、第１の犠牲層１０４の膜厚は、第１の犠牲層１０４の材料や、構造体の構造および動作方法、犠牲層エッチングの方法等、様々な要因を考慮して決定される。例えば、第１の犠牲層１０４が薄すぎると、犠牲層エッチング時にエッチング剤が拡散せず、構造層下の犠牲層がエッチングされないという問題を生じる。さらに犠牲層が薄いと、犠牲層をエッチングを行った後に構造層の下面が基板表面にくっつく（座屈、またはスティッキングとも記載する）といった現象が生じる。また、犠牲層が厚すぎると、構造体を静電引力で動作させる場合の駆動電圧が非常に高くなり、場合によっては駆動しないという問題が生じる。」（【００３２】）、
「上記のような要因を考慮し、例えば、基板上に形成されている導電層と構造層との間の静電引力によって構造体の駆動を行う場合、第１の犠牲層１０４は０．５μｍ以上４μｍ以下の厚さを有し、１μｍ〜２．５μｍの厚さを有することがより好ましい。」（【００３３】）、
「＜ゲート電極１０５と第２の犠牲層１０６について＞
　次に、下地層１０２の上に半導体素子を構成するゲート電極１０５を形成し、第１の犠牲層１０４上に構造体を形成するための第２の犠牲層１０６を形成する。ゲート電極１０５および第２の犠牲層１０６を構成する材料としては、モリブデンやタングステン等、導電性を有する金属や化合物をスパッタリング法やＣＶＤ法等を用いて成膜する。そして、成膜した導電層を上記第１の犠牲層１０４と同様、フォトリソグラフィ法およびエッチングにより加工する（図１（Ｂ）参照）。」（【００３５】）、
「例えば、第１の犠牲層１０４の内部応力が強く、下地層１０２や第１の導電層１０３との接着性が悪い（ピーリングしやすい）場合であっても、犠牲層材料の成膜とエッチングを繰り返す事で犠牲層を厚く形成することができる。本実施の形態では、犠牲層を厚く形成するため、犠牲層を２回に分けて（第１の犠牲層１０４および第２の犠牲層１０６）形成する例を示す。さらに本実施の形態では、第２の犠牲層１０６およびゲート電極１０５を同時に形成する例を示している。」（【００３６】）、
「第２の犠牲層１０６およびゲート電極１０５を形成する材料は、第１の犠牲層１０４と同じ材料であるか、または同じ方法でエッチングできる材料であることが望ましい。例えば、第１の犠牲層１０４および第２の犠牲層１０６を同じ材料で形成することで、犠牲層エッチングを一度で行うことができるので、工程を削減することができる。しかしながら、例えば犠牲層の上または下に形成する層との密着性などの条件によっては、異なる材料を用いて犠牲層を形成することも可能である。この場合、構造体を形成するための犠牲層エッチングを２度に分けて行えばよい。本実施の形態では、第１の犠牲層１０４、ならびに第２の犠牲層１０６およびゲート電極１０５を同一の材料で形成する例を示す。」（【００３７】）、
「第１の導電層１０３、ならびに第１の犠牲層１０４、ゲート電極１０５および第２の犠牲層１０６の加工はエッチング（特に異方性のドライエッチング）によって行う。異方性のドライエッチングの例としては、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用いることができる。このとき、エッチング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板１０１側の電極に印加される電力量、基板１０１側の電極温度等）を適宜調節することで、加工性を高めることができる。なお、第１の犠牲層１０４、および第２の犠牲層１０６ならびにゲート電極１０５を加工するエッチング用ガスとしては、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４もしくはＣＣｌ４などを代表とする塩素系ガス、ＣＦ４、ＳＦ６もしくはＮＦ３などを代表とするフッ素系ガスまたはＯ２を適宜用いることができる。」（【００３８】）、
「また、上記エッチング条件を調節することで、第１の犠牲層１０４、ゲート電極１０５および第２の犠牲層１０６を、テーパー角を有する台形状等、所定の形状に加工することも可能である（図２（Ａ）参照）。ここで
テーパー角とは、基板と層断面との角度が鈍角になる角（図２（Ａ）内ａで表す角）
「図２（Ａ）では、第１の犠牲層１０４、ゲート電極１０５および第２の犠牲層１０６を、テーパー角を有する形状に加工したが、全ての層にテーパー角を形成しなくともよい。例えば、第１の犠牲層１０４のみをテーパー角を有する形状に加工してもよい。あるいは第１の犠牲層１０４にテーパー角を形成せず、ゲート電極１０５および第２の犠牲層１０６にテーパー角を形成することも可能である。」（【００４０】）、
「また、図２（Ｂ）に示すように、犠牲層を１層で形成することも可能である。この場合、
第１の導電層１０３、および第１の犠牲層１０４と同時にゲート電極１０５を形成する
「＜半導体層１０９、構造層１０８について＞
　次に、第１の絶縁層１０７の上に、半導体素子を構成する半導体層１０９、および、構造体を構成する構造層１０８となる半導体を形成し、所定の形状に加工する（図３（Ａ）参照）。半導体層１０９、および構造層１０８は、シリコンを有する材料から形成することができる。シリコンを有する材料には、シリコン、ゲルマニウムを０．０１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度に有するシリコンゲルマニウム等がある。本発明は、非晶質半導体層を形成し、加熱処理により結晶化された結晶性の半導体層を形成する。加熱処理とは、加熱炉による加熱、レーザ光の照射、もしくはレーザ光の代わりにランプから発する光の照射（ランプアニールとも記載）等があり、それらを組み合わせて用いることもできる。」（【００４８】）、
「構造層１０８の材料および膜厚は、第１の犠牲層１０４および第２の犠牲層１０６の厚さ、構造層１０８の材料、構造体の構造、または犠牲層エッチングの方法等、様々な要因を考慮して決定される。例えば、構造層１０８の材料として内部応力の分布差が大きい物質を用いると構造層１０８に反りが生じる。しかしながら、この構造層１０８の反りを利用して構造体を構成することも可能である。本実施の形態では、構造層１０８と半導体層１０９とを同時に形成するため、構造層１０８は結晶性を有する半導体層を用いて形成される。」（【００４９】）、
「また、構造層１０８を厚く成膜すると内部応力に分布が生じ、反りや座屈の原因となる。逆に、構造層１０８の厚さが薄いと、犠牲層エッチング時に用いる溶液の表面張力によって構造体が座屈する恐れがある。例えば、本実施形態のように、半導体層を用いて構造層１０８を作製する場合、構造層１０８の膜厚は０．５μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。」（【００５０】）、
「上記の工程を経て、構造体および半導体素子を同一基板上に有するマイクロマシンを作製することができる。また、このように作製した構造体は、例えば第１の導電層１０３と構造層１０８との間に電圧を印加することによって、静電引力によって駆動するアクチュエータとして機能させることができる。また、構造層１０８に圧力等の外力が加わり、空間部分１１８の高さが変化することを検出する事によってセンサとして利用することも可能である。」（【００８４】）
　ｃ　「（実施の形態２）・・・」（【００８６】）、
「次に、上記で形成した第１の半導体層２１０および第２の半導体層２１１を所定の形状に加工することで、構造体を構成する第１の構造層２０８および半導体素子を構成する半導体層２０９を形成する（図６（Ｂ）参照）。
第１の構造層２０８および半導体層２０９の加工は、実施の形態１で示した方法と同様、フォトリソグラフィ法およびエッチングによって行うことができる
　ｄ　図２（Ｂ）からは、第１の犠牲層１０４及びゲート電極１０５に、テーパー角（その意義は、【００３９】参照。）が形成されていることが見て取れる。
　ｅ　図３（Ａ）からは、
構造層１０８の幅（短手方向の長さ）が、犠牲層上に存在する部分及び犠牲層上に存在しない部分を問わず、一定である
　ｆ　請求項１０、【００４１】及び上記ｄを併せると、引用文献１には、
　「
基板１０１上に、第１の導電層１０３を形成し、
　
導電性を有する膜を成膜し、テーパー角が形成されるように加工して、前記第１の導電層上に犠牲層１０４及びゲート電極１０５を形成し、
　
前記ゲート電極上に第１の絶縁層１０７を形成し、
　
シリコンを有する膜を成膜し、所定の形状に加工することで、前記第１の絶縁層を介して前記ゲート電極上に半導体層１０９を、前記犠牲層上に構造層１０８を、それぞれ、形成し、
　
前記犠牲層の一部を除去するマイクロマシンの作製方法。
　が記載されていると認められる（なお、「犠牲層」が１層のみ存在する発明を認定することから、「第１の犠牲層」を、単に、「犠牲層」と表記した。）。
（イ）上記（ア）の各記載によれば、引用文献１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。なお、参考までに、引用発明１を認定する際に直接的に使用した段落番号等を、括弧内に付記する。
「基板上に、第１の導電層を形成し、
　導電性を有する膜を成膜し、テーパー角が形成されるように加工して、前記第１の導電層上に犠牲層及びゲート電極を形成し、
　前記ゲート電極上に第１の絶縁層を形成し、
　シリコンを有する膜を成膜し、所定の形状に加工することで、前記第１の絶縁層を介して前記ゲート電極上に半導体層を、前記犠牲層上に構造層を、それぞれ、形成する方法であって、（上記（ア）ｆ）
　構造層および半導体層の加工は、フォトリソグラフィ法およびエッチングによって行われるものであって、（【００９０】）
　構造層の幅（短手方向の長さ）が、犠牲層上に存在する部分及び犠牲層上に存在しない部分を問わず、一定である、（上記（ア）ｅ）
　方法。（上記（ア）ｆ）」
　イ　引用文献２
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開平２−２２６７２４号公報（平成２年９月１０日出願公開。以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の点が記載されていると認められる。
　ａ　「２．特許請求の範囲」、
「アクティブ素子領域に対して段差のあるフィールド酸化膜領域に上記アクティブ素子領域のゲート電極と同一パターン幅で同一材料の配線パターンを備えた集積回路装置の製造方法において、
　アクティブ素子領域と該アクティブ素子領域に対して段差のあるフィールド酸化膜領域が形成されたウエハ表面にゲート電極材料の導体層を形成する工程と、
　上記導体層上に表面が平坦化される厚さのレジスト層を形成する工程と、
　上記レジスト層を同一パターン幅のマスクを使用して露光、現像したときに該レジスト層のエッチングテーパに起因して生ずる上記アクティブ素子領域とフィールド酸化膜領域に形成されるレジストパターンのパターン幅の寸法差を考慮して上記アクティブ素子領域とフィールド酸化膜領域に対するパターン幅を設定したフォトマスクを使用して上記レジスト層を露光、現像して、上記アクティブ素子領域とフィールド酸化膜領域の所定の位置に同一パターン幅のレジストパターンを形成する工程と、
　上記レジストパターンをマスクに上記導体層をエッチングして上記アクティブ素子領域にゲート電極をフィールド酸化膜領域に配線パターンを形成する工程とを備えたことを特徴とする集積回路装置の製造方法。」（１頁左下欄４行〜右下欄１０行）
　ｂ　「［従来の技術］」、
「第３図（ａ），（ｂ）はこの種集積回路装置の一例の設計構造の一部分を示す平面図、断面図である。
　図において１はアクティブ素子領域、２はフィールド酸化膜領域、３はゲート電極、４は配線パターン、５はメタル配線パターン、６はソース、ドレイン拡散層である。
　第４図は従来の第３図に示す集積回路装置のゲート電極３と配線パターン４の形成方法を示す。
　アクティブ素子領域１とこの領域１に対し段差のあるフィールド酸化膜領域２が形成されたウエハ表面にゲート電極材の導体層１１を形成する。
　この導体層１１の上にレジストを表面が平坦化する厚さに塗布してレジスト層１２を形成する。
　このレジスト層１２を第５図に示すようにアクティブ素子領域１とフィールド酸化膜領域２に対するパターン幅が等しいフォトマスク１３を使用して露光、現像して、感光されたレジスト１２をエッチング除去する。（図はポジ型レジストの場合の例を示す。ネガ型レジストの場合はマスクデータが逆になる。）
　アクティブ素子領域１とフィールド酸化膜領域２に形成されたレジストパターンをマスクに導体層１１をエッチングし、レジストパターンを除去する。
　上記工程に従って、アクティブ素子領域１のゲート電極３形成と同時にフィールド酸化膜領域２の配線パターン４を形成する。」（１頁右下欄１８行〜２頁右上欄５行）
　ｃ　「［発明が解決しようとする課題］」、
「上記工程において、レジスト層１２をマスクを介して露光、現像して、感光されたレジスト１２をエッチング除去すると、形成されるレジストパターンはそれぞれ、第６図に示すように、断面が台形状になる。
　エッチングテーパは、レジストの材質、露光時間、現像時間で決まるもので、マスクのパターン幅ｌに対し、導体層１１上のレジストパターンのパターン幅は、アクティブ素子領域１ではｌ＋２Δｌ２２，フィールド酸化膜領域２ではｌ＋２Δｌ１１，となり、この２つの領域のレジストパターンのパターン幅の差２（Δｌ２２−Δｌ１１）は、アクティブ素子領域１とフィールド酸化膜領域２の段差Δｈとエッチングテーパの角αの関係ｆ（α，Δｈ）で表すことができる。
　上記のように、同一パターン幅のマスクを使用したときは、アクティブ素子領域１とフィールド酸化膜領域２の導体層１１のエッチングマスクとなるレジストパターンのパターン幅にｆ（α，Δｈ）の差ができる。」（２頁右上欄７行〜左下欄５行）（審決注：「フィールド酸化膜領域２ではｌ＋２Δｌｌ１，となり」は、「フィールド酸化膜領域２ではｌ＋２Δｌ１１，となり、」の明らかな誤記であると認められるので、誤記を正した上で認定した。）
　ｄ　「［課題を解決するための手段］」、
「本発明の方法は、上記目的を達成するために、レジスト層のパターニングに使用するフォトマスクのアクティブ素子領域とフィールド酸化膜領域に対するパターン幅に関数ｆ（α，Δｈ）に相当する寸法差を付与し、双方の領域に形成されるレジストパターンが同一パターン幅になるようにしたものである。」（２頁右下欄２行〜９行）
　ｅ　「［実施例］」、
「第１図（ａ），（ｂ）は本発明で使用するフォトマスクにおけるアクティブ素子領域とフィールド酸化膜領域に対するマスクパターンの例を示し、第２図（ａ），（ｂ）はそれぞれ第１図（ａ），（ｂ）に示すマスクパターンにより形成されるレジストパターンを示す。
　フォトマスクのパターン幅を変更したのみで、工程は従来と同じである。
　第１図（ａ）に示すフィールド酸化膜領域側のパターン幅をｌ、アクティブ素子領域側のパターン幅をｌ−ｆ（α，Δｈ）にしたマスクパターンを使用した場合の第２図（ａ）に示すレジストパターンでは、それぞれのパターン幅ｌ３３，ｌ４４は
　ｌ４４−［ｌ−ｆ（α，Δｈ）］−（ｌ−ｌ３３）＝ｆ（α，Δｈ）
から、ｌ３３＝ｌ４４となり、第２図（ｂ）に示すものにおいても同様にパターン幅ｌ５５，ｌ６６はｌ５５＝ｌ６６となる。
　レジストパターン幅　ｌ３３＝ｌ４４，ｌ５５＝ｌ６６はｌより大きいが、導体層１１のエッチングをつづけてゆくと、アクティブ素子領域のゲート電極とフィールド酸化膜領域の配線パターンのパターン幅を同時にｌにすることができる。」（２頁右下欄１０行〜３頁左上欄１１行）
　ｆ　第１図、第２図、第３図、第４図は、次のとおりである。
　ｇ　上記ａ〜ｆによれば、引用文献２に記載されたマスクパターンについて次の事実が認められる。
（ａ）マスクパターンの形状
　
マスクパターンは、
　パターン幅が「ｌ−ｆ（α，Δｈ）」である領域（以下「
マスクパターン幅狭領域
と、
　パターン幅が「ｌ」である領域（以下「
マスクパターン幅広領域
と、
　両者をパターン幅が連続的に変化するように接続する領域（以下「
マスクパターン幅連続変化接続領域
とからなる
　以上については、特に上記ｅ及び第１図（ａ）の右図に基づき認定することができる。
（ｂ）マスクパターンとレジストが堆積される面との対応関係
　
マスクパターン幅狭領域は、
低位置面
に対応し、
　
マスクパターン幅広領域は、
高位置面
に対応し、
　
マスクパターン幅連続変化接続領域は、
高低連続接続面
に対応する
　以上については、特に上記ｅ、第１図（ａ）、第２図（ａ）、第３図（ａ）・（ｂ）、第４図に基づき認定することができる。
（ｃ）作用効果
　
マスクパターンが、上記（ａ）及び（ｂ）の構成であるため、表面が平坦化する厚さに塗布されたレジスト層を用いつつ、同一パターン幅のレジストパターンを得ることができる
　以上については、特に上記ｂ〜ｅに基づき認定することができる。
（イ）上記（ア）によれば、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「マスクパターンは、マスクパターン幅狭領域とマスクパターン幅連続変化接続領域とマスクパターン幅広領域とからなり、
　マスクパターン幅狭領域は、低位置面に対応し、
　マスクパターン幅連続変化接続領域は、高低連続接続面に対応し、
　マスクパターン幅広領域は、高位置面に対応し、
　マスクパターンが以上の構成であるため、表面が平坦化する厚さに塗布されたレジスト層を用いつつ、同一パターン幅のレジストパターンを得ることができる、
　方法。」
（３）対比
　ア　本件補正発明と引用発明１とを対比する。
（ア）本件補正発明の「段差斜面に基づくフォトリソグラフィ方法であって、」について
　引用発明１は、「テーパー角が形成される」「第１の犠牲層」を「フォトリソグラフィ法およびエッチングによって」「加工」するものである。
　よって、引用発明１は、本件補正発明の「段差斜面に基づくフォトリソグラフィ方法であって、」との特定事項を備える。
（イ）本件補正発明の「基板上に段差斜面を有する犠牲層を製造する段階、」について
　引用発明１は、「基板上に、第１の導電層を形成し、
　導電性を有する膜を成膜し、テーパー角が形成されるように加工して、前記第１の導電層上に犠牲層及びゲート電極を形成」するものである。
　そして、引用発明１の「基板」及び「テーパー角が形成される」「犠牲層」は、それぞれ、本件補正発明の「基板」及び「段差斜面を有する犠牲層」に相当する。
　したがって、引用発明１は、本件補正発明の「基板上に段差斜面を有する犠牲層を製造する段階、」との特定事項を備える。
（ウ）本件補正発明の「スピン−オンＰＲコーティング処理を実行することによって前記犠牲層上にフォトレジスト層を被覆し、フォトリソグラフィ層を形成する段階、」について
　引用発明１は、「シリコンを有する膜を成膜し、所定の形状に加工することで、前記第１の絶縁層を介して前記ゲート電極上に半導体層を、前記犠牲層上に構造層を、それぞれ、形成する」ものであるとともに、「構造層および半導体層の加工は、フォトリソグラフィ法およびエッチングによって行われるものであ」る。そして、フォトリソグラフィ法による加工に際して、フォトレジスト層を被覆して、フォトリソグラフィ層を形成することは、自明である。
　したがって、引用発明１は、本件補正発明の「前記犠牲層上にフォトレジスト層を被覆し、フォトリソグラフィ層を形成する段階、」との特定事項を備える。
　しかし、引用発明１は、「スピン−オンＰＲコーティング処理を実行することによって」フォトレジスト層を被覆するとの事項を備えない。
（エ）本件補正発明の「マスク上にマスクパターン及び補償パターンを形成する段階であって、・・・前記マスクパターン及び補償パターンを形成する段階、」について
　引用発明１は、本件補正発明の「マスク上に・・・前記マスクパターン及び補償パターンを形成する段階、」との特定事項を備えない。
（オ）本件補正発明の「フォトリソグラフィ機械により、前記マスクを使用して前記フォトリソグラフィ層に対して１つ又はそれよりも多くのフォトリソグラフィ処理を実行する段階、」について
　引用発明１は、「構造層および半導体層の加工は、フォトリソグラフィ法およびエッチングによって行われるものであ」る。そして、フォトリソグラフィ法による加工に際して、マスクを用いることは自明である。
　したがって、引用発明１は、本件補正発明の「フォトリソグラフィ機械により、」「マスクを使用して前記フォトリソグラフィ層に対して１つ又はそれよりも多くのフォトリソグラフィ処理を実行する段階、」との特定事項を備える。
　しかし、引用発明１は、本件補正発明の「前記マスク」のうち「前記」との部分を備えない。
（カ）本件補正発明の「前記斜面の上部の補償パターンの幅対前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の短辺の長さの比率が、１．２：１から１：１の範囲であり、前記斜面の上部上及び前記斜面上、並びに前記斜面の底部上の前記パターンの線幅は、同じになるようにする」について
　ａ　引用発明１は、次のとおり、本件補正発明の「前記斜面の上部上及び前記斜面上、並びに前記斜面の底部上の前記パターンの線幅は、同じになるようにする」との特定事項を備える。
　すなわち、引用発明１は、「構造層の幅（短手方向の長さ）が、犠牲層上に存在する部分及び犠牲層上に存在しない部分を問わず、一定である」ところ、この幅が観念されるタイミングは、「導電性を有する膜」に対して「構造層および半導体層の加工」のための「フォトリソグラフィ法およびエッチング」が行われた後、であることが明らかである。そうすると、引用発明１では、「構造層および半導体層の加工」のための「フォトリソグラフィ法」が行われた後、かつ、「エッチング」が行われる前のタイミングにおける、フォトリソグラフィ層（その意味でのフォトリソグラフィ層を、以下、「露光現像後フォトリソグラフィ層」という。）の幅も、犠牲層上に存在する部分及び犠牲層上に存在しない部分を問わず、一定であると解される。したがって、引用発明１は、「前記パターンの線幅は、同じになるように」されている。
　そして、引用発明１の「犠牲層」には「テーパー角が形成され」ているから、引用発明１は、本件補正発明の「前記斜面の上部上及び前記斜面上、並びに前記斜面の底部上の前記パターンの線幅は、同じになるようにする」との特定事項を備える。
　ｂ　しかし、引用発明１は、本件補正発明の「前記斜面の上部の補償パターンの幅対前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の短辺の長さの比率が、１．２：１から１：１の範囲であ」るとの特定事項を備えない。
　イ　上記アによれば、本件補正発明と引用発明１とは、
「段差斜面に基づくフォトリソグラフィ方法であって、
　基板上に段差斜面を有する犠牲層を製造する段階、
　前記犠牲層上にフォトレジスト層を被覆し、フォトリソグラフィ層を形成する段階、
　フォトリソグラフィ機械により、マスクを使用して前記フォトリソグラフィ層に対して１つ又はそれよりも多くのフォトリソグラフィ処理を実行する段階、
　を含み、
　前記斜面の上部上及び前記斜面上、並びに前記斜面の底部上の前記パターンの線幅は、同じになるようにする
　方法。」
　である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　「前記犠牲層上にフォトレジスト層を被覆」する手法について、本件補正発明は、「スピン−オンＰＲコーティング処理を実行する」ことによるものであるのに対し、引用発明１はそうなっていない点。
［相違点２］
　「前記斜面の上部上及び前記斜面上、並びに前記斜面の底部上の前記パターンの線幅は、同じになるようにする」ことに関し、
　本件補正発明は、「マスク上にマスクパターン及び補償パターンを形成する段階であって、前記マスクパターンが、前記斜面の上部、前記斜面、及び前記斜面の底部にわたって矩形であり、前記斜面の上部のマスクパターンの形状は矩形であり、前記補償パターンが、斜面の上部の補償パターン及び斜面補償パターンを含み、前記斜面の上部の補償パターンが、前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の長辺の長さに等しい長さと前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の短辺の長さよりも大きい幅とを有する前記斜面の上部に対応する矩形であり、前記斜面補償パターンが、複数の三角形であって、各々の前記三角形の一辺が前記斜面のマスクパターンの縁の部分に隣接し、各々の前記三角形の他の一辺が前記斜面の上部の補償パターンの縁の部分に隣接する、複数の三角形を含む、前記マスクパターン及び補償パターンを形成する段階」を備えるとともに、「前記斜面の上部の補償パターンの幅対前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の短辺の長さの比率が、１．２：１から１：１の範囲であ」るのに対し、
　引用発明１はそうなっていない点。
（４）相違点の判断
　［相違点１］及び［相違点２］をまとめて判断する。
　ア　上記（３）ア（カ）で認定したとおり、引用発明１では、露光現像後フォトリソグラフィ層の幅が、（テーパー角が形成される）犠牲層上に存在する部分及び犠牲層上に存在しない部分を問わず、一定であると認められるけれども、引用文献１には、それを実現するための具体的手法が開示されていない。そのため、当業者は、引用発明１において、露光現像後フォトリソグラフィ層の幅を一定とするために、どのような具体的手法を採用するのかについて当然に検討するものと認められる。
　そして、露光現像後フォトリソグラフィ層の幅を一定とすればよいのであるから、そのための具体的手法は、テーパー角が形成される層が犠牲層であるか否かに関わらないことが明らかである。そうすると、当業者は、そのための具体的手法として、フォトリソグラフィの分野に属する技術を、犠牲層を用いないものも含めて、広く採用することができるといえる。
　イ　引用発明２は、犠牲層を用いたものではないけれども、同一パターン幅のレジストパターンを得るための技術であるから、当業者は、引用発明２に接することができる。
　そして、当業者は、引用発明１における、「フォトリソグラフィ法」が実行される前のタイミングにおけるフォトリソグラフィ層（以下「露光前フォトリソグラフィ層」という。上記（３）ア（ウ）参照。）は、犠牲層上に存在する部分及び犠牲層上に存在しない部分に形成されるものであるところ、当該露光前フォトリソグラフィ層は、引用発明２でいう低位置面、高低連続接続面及び高位置面に形成されるという意味で、引用発明２のレジスト層と共通することが理解できる。
　そうすると、当業者であれば、引用発明１において、上記の具体的手法として、引用発明２を採用することを容易に想到することができる。
　ウ　そして、当業者は、引用発明１に引用発明２を採用することにより、次のとおり、相違点１及び相違点２に係る構成に至ることができる。
（ア）まず、引用発明１の露光前フォトグラフィ層を、引用発明２のレジスト層に倣って、表面が平坦化する厚さに塗布することになる。その際、「スピン−オンＰＲコーティング処理」でこれを行うことは、例示するまでもなく技術常識である。
　このようにして、当業者は、相違点１の構成に至ることができる。
（イ）次に、引用発明１は、マスクパターンを当然に用いるものであるところ、当業者は、そのマスクパターンを、引用発明２に倣って形成することとなる。具体的には、引用発明１の構造層の形状を踏まえて、マスクパターンとして、次のもの、すなわち、その長手方向に沿って、順に、マスクパターン幅狭領域、マスクパターン幅連続変化接続領域、マスクパターン幅広領域、マスクパターン幅連続変化接続領域及びマスクパターン幅狭領域とからなるもの、を形成するとともに、マスクパターン幅狭領域を、低位置面（引用発明１でいえば、「犠牲層」がない部分に対応する面）に対応させ、マスクパターン幅連続変化接続領域を、高低連続接続面（「犠牲層」のうち、「テーパー」状の部分に対応する面）に対応させ、マスクパターン幅広領域を、高位置面（「犠牲層」上の部分に対応する面）に対応させることになる。
　このようにして、当業者は、相違点２のうち、「マスク上にマスクパターン及び補償パターンを形成する段階であって、前記マスクパターンが、前記斜面の上部、前記斜面、及び前記斜面の底部にわたって矩形であり、前記斜面の上部のマスクパターンの形状は矩形であり、前記補償パターンが、斜面の上部の補償パターン及び斜面補償パターンを含み、前記斜面の上部の補償パターンが、前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の長辺の長さに等しい長さと前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の短辺の長さよりも大きい幅とを有する前記斜面の上部に対応する矩形であり、前記斜面補償パターンが、複数の三角形であって、各々の前記三角形の一辺が前記斜面のマスクパターンの縁の部分に隣接し、各々の前記三角形の他の一辺が前記斜面の上部の補償パターンの縁の部分に隣接する、複数の三角形を含む、前記マスクパターン及び補償パターンを形成する段階」という構成に至る。
（ウ）最後に、当業者が、相違点２のうち、「前記斜面の上部の補償パターンの幅対前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の短辺の長さの比率が、１．２：１から１：１の範囲であ」るとの構成に至ることについては、次のとおりである。
　ａ　まず、「前記斜面の上部の補償パターンの幅対前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の短辺の長さの比率」（以下「本件比率」という。）を１．２：１から１：１の範囲にすることの技術的意義について確認する。
　本件明細書の【００２１】等の記載に照らせば、当該技術的意義は、フォトリソグラフィパターンの誤差の低減にあると解されるから、結局、「前記斜面の上部上及び前記斜面上、並びに前記斜面の底部上の前記パターンの線幅は、同じになるようにする」こと（以下、「前記斜面の上部上及び前記斜面上、並びに前記斜面の底部上の前記パターンの線幅」が「同じ」であることを、「線幅同一性」という。）であると認められる。
　しかし、線幅同一性を確保するためには、本件比率の値を、犠牲層の厚さやレジストの材質等に応じて変える必要があると考えられる。そうすると、上記構成の技術的意義は、本件比率を１．２：１から１：１の範囲とすれば、犠牲層の厚さやレジストの種類等がいかなるものでもあっても線幅同一性を確保できるということではなく、当該範囲とすれば、犠牲層の厚さやレジストの種類等によっては、線幅同一性を確保できるということにとどまると解される。
　これを換言すれば、上記構成は、実質的にみれば、犠牲層の厚さやレジストの種類等として、本件比率を「１．２：１から１：１の範囲」とすれば線幅同一性を確保できるようなものを、選択することを特定しているといえる。
　ｂ　これを引用発明１に引用発明２を採用した構成についてみると、当該構成では、犠牲層の厚さやレジストの種類等が定まれば、それに応じて、「ｆ（α，Δｈ）」（上記イ（ア）ｇ（ａ）。上記イ（ア）ｃのとおり、「α」はレジストの材質等で定まるとともに、Δｈは段差である。）の値が定まるので、線幅同一性が確保されることになるとともに、そのときの本件比率の値も定まることになる。
　しかるところ、当該構成における犠牲層の厚さやレジストの種類等については、当業者が適宜選択して定めるはずのものであるし、また、本件比率を「１．２：１から１：１の範囲」とすれば線幅同一性を確保できるような犠牲層の厚さ等であっても、困難なく選択できるといえる。この判断は、本件補正後の請求項４に「段差斜面の高さが、２μｍよりも高」いことが特定されている一方、引用文献１の【００３３】に「・・・第１の犠牲層１０４は０．５μｍ以上４μｍ以下の厚さを有し、１μｍ〜２．５μｍの厚さを有することがより好ましい。」と記載されており、よって、引用発明１の犠牲層の厚さは、本件補正発明で想定されている厚さと同様であるといえることからも、裏付けられる。
　ｃ　このようにして、当業者は、相違点２のうち、「前記斜面の上部の補償パターンの幅対前記斜面の上部のマスクパターンの矩形の短辺の長さの比率が、１．２：１から１：１の範囲であ」るとの構成に至ることができる。
（エ）以上のとおり、当業者は、引用発明１に引用発明２を採用することにより、相違点１及び相違点２に係る構成に至ることができ、そこに、困難な過程は存在しないというべきである。
　エ　本件補正発明の効果は、引用発明１及び引用発明２に基づき、予測しうる程度のものにすぎず、格別とはいえない。
　オ　以上のとおりであるから、本件補正発明は、引用発明１及び引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
（５）小括
　したがって、本件補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　５　本件補正についてのむすび
　本件補正は、上記３及び４のとおり、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
　１　本願発明の認定
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２９年７月２８日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、第２の［理由］１において、本件補正前の請求項１として記載したとおりのものと認められる。
　２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、本願の請求項１に係る発明は、本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及び引用文献２並びにその記載事項は、第２の［理由］４（２）に記載したとおりである。
　４　対比・判断
　本願発明は、第２の［理由］４で検討した本件補正発明から、「前記斜面の上部上及び前記斜面上、並びに前記斜面の底部上の前記パターンの線幅は、同じになるようにす」るとの限定を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、第２の［理由］４（３）、（４）で認定判断したとおり、引用発明１及び引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。