【事件の表示】
　特願２０１４−　９４６９０「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１１月２６日出願公開，特開２０１５−２１３１１０，請求項の数（６）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２６年５月１日に特許出願したものであって，その手続の経緯は，概略，以下のとおりである。
平成２９年　９月　７日：拒絶理由通知（起案日）
平成２９年１１月　６日：意見書，手続補正書
平成３０年　１月　５日：拒絶査定（起案日）（以下「原査定」という。）
平成３０年　４月１６日：手続補正書，審判請求
平成３０年１０月１７日：上申書
平成３１年　２月　８日：拒絶理由通知（起案日）
平成３１年　４月　９日：意見書，手続補正書（以下，この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。）
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
１　（理由２として）本願請求項１に係る発明は，本願出願前に頒布された以下の引用文献Ａに記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
２　（理由３として）本願請求項１に係る発明は，本願出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献Ａに記載された発明に基づいて，本願出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり，本願請求項４に係る発明は，本願出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献Ａおよび引用文献Ｂに基づいて，本願出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
Ａ．特開平５−８２５０８号公報
Ｂ．特開２０００−８２８２５号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　平成３１年２月８日付け拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は次のとおりである。
１　本願請求項１に係る発明は，本願出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて，本願出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであり，本願請求項４に係る発明は，本願出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，本願出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１.特開２０１３−２５１４０６号公報
２.特開２００７−３００１４５号公報
３.特開昭５８−１４０１３９号公報
４.特開２０００−８２８２５号公報（拒絶査定時の引用文献Ｂ）
第４　本願発明
１　本願請求項１ないし６に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明６」という。）は，平成３１年４月９日付けの手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　半導体基板に設けられた能動領域と，該能動領域の周囲に設けられたターミネーション領域とを含む半導体装置であって，該ターミネーション領域は，
　該半導体基板の上に設けられた層間絶縁膜と，
　該層間絶縁膜の上に設けられたフィールドプレートと，
　該フィールドプレートを覆うように形成された表面絶縁膜とを含み，
　該フィールドプレートの斜面は，該層間絶縁膜に接する第１斜面と，該第１斜面と該フィールドプレートの上面との間の第２斜面とを含み，
　該第１斜面と該第２斜面は，該半導体基板の表面に対して互いに異なる傾斜角を有し，かつ，
　該フィールドプレートの上面と，該第１斜面との間の角度αが，該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して，α＞９０°，β＞９０°，およびα＜βの関係を満たすことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
　半導体基板に設けられた能動領域と，該能動領域の周囲に設けられたターミネーション領域とを含む半導体装置であって，該ターミネーション領域は，
　該半導体基板の上に設けられた層間絶縁膜と，
　該層間絶縁膜の上に設けられたフィールドプレートと，
　該フィールドプレートを覆うように形成された表面絶縁膜とを含み，
　該フィールドプレートの該層間絶縁膜に接する斜面は，該層間絶縁膜側から上方に向かって，該半導体基板の表面に対する傾斜角が漸次減少する曲面であり，かつ，
　該フィールドプレートと表面主電極との接点と，該フィールドプレートと該層間絶縁膜との接点との双方における，該フィールドプレートの表面に対する接線が交差する角度αが，該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して，α＞９０°，β＞９０°，およびα＜βの関係を満たすことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
　上記ターミネーション領域は，上記層間絶縁膜の上に設けられた複数のフィールドプレートを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
　半導体基板に能動領域とターミネーション領域とを作製する半導体装置の製造方法であって，
　半導体基板に能動領域を形成する工程と，
　該半導体基板上に，該能動領域を囲むように層間絶縁膜を形成する工程と，
　該層間絶縁膜の上に第１金属膜を形成する工程と，
　エッチングマスクを用いて第１金属膜をエッチングし，上面と該層間絶縁膜に接する斜面とを有するフィールドプレートを該層間絶縁膜の上に形成する工程と，
　該フィールドプレートを覆うように第２金属膜を形成する工程と，
　第２金属膜をエッチングして，該層間絶縁膜を露出させるとともに，該フィールドプレートの斜面上に該第２金属膜を残すエッチング工程と，
　該第２金属膜を備えた該フィールドプレートを覆うように，表面絶縁膜を形成する工程と，を含み，
　該エッチング工程は，該層間絶縁膜側から上方に向かって該半導体基板の表面に対する傾斜角が漸次減少する曲面を有するように，該フィールドプレートの斜面上の該第２金属膜をエッチングし，該フィールドプレートと表面主電極との接点と，該フィールドプレートと該層間絶縁膜との接点との双方における，該フィールドプレートの表面に対する接線が交差する角度αが，該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して，α＞９０°，β＞９０°，およびα＜βの関係を満たすようにする工程であることを特徴とする製造方法。
【請求項５】
　半導体基板に能動領域とターミネーション領域とを作製する半導体装置の製造方法であって，
　半導体基板に能動領域を形成する工程と，
　該半導体基板上に，該能動領域を囲むように層間絶縁膜を形成する工程と，
　該層間絶縁膜の上に金属膜を形成する工程と，
　エッチングマスクを用いて金属膜をエッチングし，上面と該層間絶縁膜に接する斜面とを有するフィールドプレートを該層間絶縁膜の上に形成する工程と，
　該フィールドプレートを覆うように，表面絶縁膜を形成する工程と，を含み，
　該エッチング工程は，
　該エッチングマスクが該半導体基板の表面に対する該斜面の傾斜角が漸次減少することで，該金属膜は，該層間絶縁膜側から上方に向かって該半導体基板の表面に対する該斜面の傾斜角が漸次減少する曲面を有し，かつ，
　該フィールドプレートと表面主電極との接点と，該フィールドプレートと該層間絶縁膜との接点との双方における，該フィールドプレートの表面に対する接線が交差する角度αが，該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して，α＞９０°，β＞９０°，およびα＜βの関係を満たすように該金属膜がエッチングされることを特徴とする製造方法。
【請求項６】
　上記エッチングマスクは，フォトレジストマスクを熱変形させて，上記半導体基板の表面に対する傾斜角が漸次減少する曲面を有する形状としたことを特徴とする請求項５に記載の製造方法。」
第５　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　当審拒絶理由に引用された引用文献１（特開２０１３−２５１４０６号公報，平成２５年１２月１２日出願公開）には，図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審で付した。以下，同じ。）。
「【請求項１】
　第１導電型ワイドバンドギャップ半導体基板と，
　前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体基板の表面に堆積された，前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体基板よりも不純物濃度の低い第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層と，
　前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層の，前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体基板側に対して反対側の表面層に選択的に設けられた第１の第２導電型半導体領域と，
　前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層とショットキー接合を形成する金属膜と，前記第１の第２導電型半導体領域とで構成された素子構造と，
　前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層の，前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体基板側に対して反対側の表面層に選択的に設けられ，前記素子構造の周辺部を囲む第２の第２導電型半導体領域と，
　前記第２の第２導電型半導体領域の周辺部を囲み接合終端構造を構成する，第３の第２導電型半導体領域と，
　を備え，
　前記第１または第２の第２導電型半導体領域は，所定以上のアクセプタ濃度を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置。
＜＜途中省略＞＞
【請求項３】
　第１導電型ワイドバンドギャップ半導体基板の表面に，前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体基板よりも不純物濃度の低い第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層を堆積する工程と，
　前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層の，前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体基板側に対して反対側の表面層に，第１の第２導電型半導体領域を選択的に形成する工程と，
　前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層とショットキー接合を形成する金属膜と，前記第１の第２導電型半導体領域とで素子構造を形成する工程と，
　前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層の表面層に，前記第１の第２導電型半導体領域の周辺部を囲むように，第２の第２導電型半導体領域を選択的に形成する工程と，
　前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層の表面層に，前記第２の第２導電型半導体領域の周辺部を囲み接合終端構造を構成する，前記第２の第２導電型半導体領域よりも不純物濃度の低い第３の第２導電型半導体領域を選択的に形成する工程と，
　を含み，
　前記第１または第２の第２導電型半導体領域は，所定以上のアクセプタ濃度を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。」
「【技術分野】
【０００１】
　この発明は，炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法に関する。」
「【発明が解決しようとする課題】
＜＜途中省略＞＞
【００１１】
　この発明は，上述した従来技術による問題点を解消するため，順方向電流を十分大きくでき耐圧を高めることができる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。」
「【発明の効果】
【００１６】
　本発明にかかる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法によれば，順方向電流を十分大きくでき耐圧を高めることができるという効果を奏する。」
「【００１９】
（実施の形態）
　本発明にかかる半導体装置は，ワイドバンドギャップ半導体を用いて構成される。実施の形態においては，ワイドバンドギャップ半導体として例えば炭化珪素（ＳｉＣ）を用いて作製された炭化珪素半導体装置について，接合障壁ショットキー（ＪＢＳ：Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｂａｒｒｉｅｒ  Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）構造のダイオードを例に説明する。図１は，実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す断面図である。図１に示すように，
実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置は，ｎ
+
型炭化珪素基板（ワイドバンドギャップ半導体基板）１の主面上にｎ型炭化珪素エピタキシャル層（ワイドバンドギャップ半導体堆積層）２が堆積されている
【００２０】
　ｎ+型炭化珪素基板１は，例えば窒素（Ｎ）がドーピングされた炭化珪素単結晶基板である。ｎ型炭化珪素エピタキシャル層２は，ｎ+型炭化珪素基板１よりも低い不純物濃度で例えば窒素がドーピングされてなる低濃度ｎ型ドリフト層である。以下，ｎ+型炭化珪素基板１単体，またはｎ+型炭化珪素基板１とｎ型炭化珪素エピタキシャル層２とを併せて炭化珪素半導体基体とする。ｎ型炭化珪素エピタキシャル層２のｎ+型炭化珪素基板１側に対して反対側（炭化珪素半導体基体のおもて面側）の表面層には，リング状のｐ型領域３が設けられ，このｐ型領域３の外周にはｐ-型領域４が設けられている。また，ｐ型領域３の内周にはｐ+型領域５が設けられている。
【００２１】
　
ｐ型領域３（第２の第２導電型半導体領域）は，活性領域周辺部に設けられ活性領域を囲む耐圧構造部に設けられている。耐圧構造部は，耐圧を保持する領域である
【００２２】
　ｐ型領域３は，ｐ-型領域４よりも高い不純物濃度で例えばアルミニウム（Ａｌ）がドーピングされてなる。ｐ型領域３の不純物濃度は，後述するように，所定の濃度以上であることが好ましい。その理由は，本発明の効果が顕著にあらわれるからである。ｐ型領域３は，ｎ型炭化珪素エピタキシャル層２とショットキー電極７との接合端部の電界集中を回避する機能を有する。また，ｐ-型領域４は，活性領域の周辺部においてさらに電界を分散させる機能を有する。ｐ+型領域５およびｐ-型領域４は，それぞれ例えばアルミニウムがドーピングされてなる。
【００２３】
　ｐ+型領域（第１の第２導電型半導体領域）５は，活性領域に所定の間隔で複数設けられ，ＪＢＳ構造（素子構造）を構成する。また，ｐ+型領域５は，ｐ型領域３と離れて設けられる。ｐ-型領域（第３の第２導電型半導体領域）４は，ｐ型領域３の周辺部に接し，当該ｐ型領域３を囲むように設けられ，接合終端（ＪＴＥ）構造を構成する。すなわち，活性領域側から耐圧構造部へ向かって，ｐ型領域３およびｐ-型領域４の順で並列に配置されている。
【００２４】
　
耐圧構造部上には，ｐ型領域３のｐ
-
型領域４側およびｐ
-
型領域４を覆うように層間絶縁膜６が設けられている
ｎ型炭化珪素エピタキシャル層２のｎ
+
型炭化珪素基板１側に対して反対側の表面（炭化珪素半導体基体のおもて面）には，アノード電極を構成するショットキー電極７が設けられている。ショットキー電極７は，活性領域から耐圧構造部の一部にわたって設けられている
【００２５】
　
具体的には，ショットキー電極７は，活性領域において露出するｎ型炭化珪素エピタキシャル層２の表面（炭化珪素半導体基体のおもて面）全面を覆い，活性領域の周辺部においてｐ型領域３に接する。また，ショットキー電極７は，活性領域から耐圧構造部へと延在して設けられ，層間絶縁膜６上に張り出している。そして，ショットキー電極７は，層間絶縁膜６を介してｐ型領域３を覆う。すなわち，ショットキー電極７の最も耐圧構造部側の端部は，ＪＴＥ構造用のｐ型領域３上で終端している
【００２６】
　ショットキー電極７は，次の材料でできているのがよい。その理由は，本発明の効果が顕著にあらわれるからである。ショットキー電極７は，例えば，ＩＶａ族金属，Ｖａ族金属，ＶＩａ族金属，アルミニウムまたはシリコンでできているのがよい。または，ショットキー電極７は，ＩＶａ族金属，Ｖａ族金属，ＶＩａ族金属，アルミニウムおよびシリコンのうちの２元素または３元素を含む複合膜でできているのがよい。特に，ショットキー電極７は，チタン（Ｔｉ），アルミニウムまたはシリコンでできている，もしくは，チタン，アルミニウムおよびシリコンのうちの２元素または３元素を含む複合膜であるのが好ましい。さらに好ましくは，ショットキー電極７は，ｎ型炭化珪素エピタキシャル層２とショットキー接合を形成する部分が例えばチタン（Ｔｉ）でできているのがよい。
【００２７】
　ショットキー電極７とｎ型炭化珪素エピタキシャル層２とのショットキー障壁高さは，実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置を高耐圧半導体装置として使用する場合には，例えば１ｅＶ以上であるのが好ましい。また，ショットキー電極７のショットキー障壁高さは，実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置を電源装置として使用する場合には，例えば０．５ｅＶ以上１ｅＶ未満であるのが好ましい。
【００２８】
　
ショットキー電極７上には，例えばアルミニウムでできた電極パッド８が設けられている。電極パッド８は，活性領域から耐圧構造部へと延在し，かつその最も耐圧構造部側の端部はショットキー電極７上で終端している。ＪＴＥ構造上には，ショットキー電極７および電極パッド８の最も耐圧構造部側の各端部を覆うように，例えばポリイミドからなるパッシベーション膜などの保護膜９が設けられている。保護膜９は，放電防止の機能を有する
「【００３３】
４．ｐ型領域３をｐ+型領域としてもよい。
　図４は，活性領域周辺部（エッジ部）に設けられる活性領域を囲む耐圧構造部のｐ+型領域４３を示す断面図である。図４に示すように，エッジにｐ+型領域４３，ｐ型領域４４，ｐ-型領域４５を設けることにより，逆バイアス電圧ＶK＜Ｖ1で正孔がｐ+型領域４３に流入する。エッジ部にｐ+型領域４３を設けない場合，活性領域に正孔が注入されるが，ショットキー電極７の終端にｐ+型領域４３を設けると，隣接するエッジ部のｐ型領域４４，ｐ-型領域４５に正孔が流れて，ｎ型炭化珪素エピタキシャル層２への正孔注入領域が活性部とエッジ部の両方となる。これにより，伝導度変調効果がより大きな面積で得られるようになり，より低抵抗化できるようになる。この構成によれば，図２に示す０→Ｑ→Ｒ−Ｓ−Ｃの軌跡の特性が得られる。そして，Ｉ3＝（Ｖ2／Ｖ3）Ｉ2＞Ｉ2となり，さらに順方向サージ電流ＩF,SMを増加できる。」
「【図１】
」
「【図４】
」
（２）引用装置発明１
　上記（１）の記載から，引用文献１には，次の発明（以下「引用装置発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「第１導電型ワイドバンドギャップ半導体基板と，
　前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体基板の表面に堆積された，前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体基板よりも不純物濃度の低い第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層と，
　前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層の，前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体基板側に対して反対側の表面層に選択的に設けられた第１の第２導電型半導体領域と，
　前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層とショットキー接合を形成する金属膜と，前記第１の第２導電型半導体領域とで構成された素子構造と，
　前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層の，前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体基板側に対して反対側の表面層に選択的に設けられ，前記素子構造の周辺部を囲む第２の第２導電型半導体領域と，
　前記第２の第２導電型半導体領域の周辺部を囲み接合終端構造を構成する，第３の第２導電型半導体領域と，
　を備え，
　前記第１または第２の第２導電型半導体領域は，所定以上のアクセプタ濃度を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置であって，
　前記炭化珪素半導体装置は，ｎ+型炭化珪素基板（ワイドバンドギャップ半導体基板）１の主面上にｎ型炭化珪素エピタキシャル層（ワイドバンドギャップ半導体堆積層）２が堆積されていること，
　ｐ型領域３（第２の第２導電型半導体領域）は，活性領域周辺部に設けられ活性領域を囲む耐圧構造部に設けられ，耐圧構造部は，耐圧を保持する領域であること，
　耐圧構造部上には，ｐ型領域３のｐ-型領域４側およびｐ-型領域４を覆うように層間絶縁膜６が設けられ，ｎ型炭化珪素エピタキシャル層２のｎ+型炭化珪素基板１側に対して反対側の表面（炭化珪素半導体基体のおもて面）には，アノード電極を構成するショットキー電極７が設けられ，ショットキー電極７は，活性領域から耐圧構造部の一部にわたって設けられていること，
　具体的には，ショットキー電極７は，活性領域において露出するｎ型炭化珪素エピタキシャル層２の表面（炭化珪素半導体基体のおもて面）全面を覆い，活性領域の周辺部においてｐ型領域３に接し，また，ショットキー電極７は，活性領域から耐圧構造部へと延在して設けられ，層間絶縁膜６上に張り出し，そして，ショットキー電極７は，層間絶縁膜６を介してｐ型領域３を覆う，すなわち，ショットキー電極７の最も耐圧構造部側の端部は，ＪＴＥ構造用のｐ型領域３上で終端していること，
　ショットキー電極７上には，例えばアルミニウムでできた電極パッド８が設けられ，電極パッド８は，活性領域から耐圧構造部へと延在し，かつその最も耐圧構造部側の端部はショットキー電極７上で終端しており，ＪＴＥ構造上には，ショットキー電極７および電極パッド８の最も耐圧構造部側の各端部を覆うように，例えばポリイミドからなるパッシベーション膜などの保護膜９が設けられ，保護膜９は，放電防止の機能を有する，
　炭化珪素半導体装置。」
（３）引用方法発明１
　上記（１）の記載から，引用文献１には，次の発明（以下「引用方法発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「第１導電型ワイドバンドギャップ半導体基板の表面に，前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体基板よりも不純物濃度の低い第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層を堆積する工程と，
　前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層の，前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体基板側に対して反対側の表面層に，第１の第２導電型半導体領域を選択的に形成する工程と，
　前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層とショットキー接合を形成する金属膜と，前記第１の第２導電型半導体領域とで素子構造を形成する工程と，
　前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層の表面層に，前記第１の第２導電型半導体領域の周辺部を囲むように，第２の第２導電型半導体領域を選択的に形成する工程と，
　前記第１導電型ワイドバンドギャップ半導体堆積層の表面層に，前記第２の第２導電型半導体領域の周辺部を囲み接合終端構造を構成する，前記第２の第２導電型半導体領域よりも不純物濃度の低い第３の第２導電型半導体領域を選択的に形成する工程と，
　を含み，
　前記第１または第２の第２導電型半導体領域は，所定以上のアクセプタ濃度を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法であって，
　前記製造方法により製造される炭化珪素半導体装置は，ｎ+型炭化珪素基板（ワイドバンドギャップ半導体基板）１の主面上にｎ型炭化珪素エピタキシャル層（ワイドバンドギャップ半導体堆積層）２が堆積されていること，
　ｐ型領域３（第２の第２導電型半導体領域）は，活性領域周辺部に設けられ活性領域を囲む耐圧構造部に設けられ，耐圧構造部は，耐圧を保持する領域であること，
　耐圧構造部上には，ｐ型領域３のｐ-型領域４側およびｐ-型領域４を覆うように層間絶縁膜６が設けられ，ｎ型炭化珪素エピタキシャル層２のｎ+型炭化珪素基板１側に対して反対側の表面（炭化珪素半導体基体のおもて面）には，アノード電極を構成するショットキー電極７が設けられ，ショットキー電極７は，活性領域から耐圧構造部の一部にわたって設けられていること，
　具体的には，ショットキー電極７は，活性領域において露出するｎ型炭化珪素エピタキシャル層２の表面（炭化珪素半導体基体のおもて面）全面を覆い，活性領域の周辺部においてｐ型領域３に接し，また，ショットキー電極７は，活性領域から耐圧構造部へと延在して設けられ，層間絶縁膜６上に張り出し，そして，ショットキー電極７は，層間絶縁膜６を介してｐ型領域３を覆う，すなわち，ショットキー電極７の最も耐圧構造部側の端部は，ＪＴＥ構造用のｐ型領域３上で終端していること，
　ショットキー電極７上には，例えばアルミニウムでできた電極パッド８が設けられ，電極パッド８は，活性領域から耐圧構造部へと延在し，かつその最も耐圧構造部側の端部はショットキー電極７上で終端しており，ＪＴＥ構造上には，ショットキー電極７および電極パッド８の最も耐圧構造部側の各端部を覆うように，例えばポリイミドからなるパッシベーション膜などの保護膜９が設けられ，保護膜９は，放電防止の機能を有する，
　炭化珪素半導体装置の製造方法。」
２　引用文献Ａについて
（１）引用文献Ａの記載
　拒絶査定に引用された引用文献Ａ（特開平５−８２５０８号公報，平成５年４月２日出願公開）には，図面とともに以下の記載がある。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体素体上に設けた金属層をエッチングによりパターニングして形成された電極を有する
半導体素子の製造方法
「【発明が解決しようとする課題】
＜＜途中省略＞＞
【０００５】本発明の目的は，そのような観点からパッシベーション膜を亀裂のないものにして，高温多湿の場所で使用しても信頼性の高い半導体素子の製造方法を提供することにある。」
「【０００７】
【作用】パッシベーション膜に亀裂が発生する原因として，主に樹脂封止を行うときに樹脂から半導体素体に加わる応力が考えられる。この応力は半導体素体の外周部ほど強くかかること，また外周部には図２に示したように厚い電極４の側面があり，これを覆うパッシベーション膜３のステップカバレージが悪い場合，特に電極４の側面が図のようなオーバーハングしている場合，パッシベーション膜３に亀裂が入りやすい。
この電極側面を側壁層で被覆し，オーバーハングを無くし，また側面の傾斜をゆるくすれば，パッシベーション膜のステップカバレージが改善され，亀裂の入ることが防止される。そして，電極側面を覆う側壁層をパッシベーション膜の材質を同じにすることは，内部応力の違いによる劣化をさけるために有効である
【０００８】
【実施例】
図１は本発明の一実施例の半導体素子における半導体素体縁部近傍を示し
【０００９】
図３(a) ，(b) ，(c) は図１の素子の製造工程の一部を示し，先ず半導体基板１の表面上にフィールドプレートとして働くＰＳＧ膜２のパターンを形成後，それを覆って３〜５μｍの厚さのAl膜を蒸着し，パターニングしてストッパ電極４を形成し，さらに全面をパッシベーション膜と同質の高抵抗窒化シリコン膜６で被覆する (図(a))。この膜の厚さは電極４の厚さの半分以上にする。次に反応ガスとしてＣＦ
4
 とＯ
2
 の混合ガスを用いたドライエッチングによる異方性エッチングで窒化膜６をエッチングし，電極４の側面の上だけに残して側壁層５を形成する (図(b))。窒化膜６の厚さが薄いと良好な形状の側壁層ができない。そしてその上に耐湿にすぐれていて特性の劣化を防ぐためのファイナルパッシベーション膜として側壁層と同質で1.2 μｍ程度の厚さの窒化シリコン膜３を堆積し，不要部を除去するパターニングをフォトエッチングで行う (図(c))。図(b) においてAl電極４のオーバーハング部が側壁層５で埋められているので，パッシベーション膜３はAl電極４の上および側方ならびにＰＳＧ膜２の上を良好にカバーする。このあとストッパ電極４が外縁の近くに位置するよう基板を分割し，半導体素子の素体を得る
【００１０】
【発明の効果】
本発明によれば，半導体素体上の電極のパターニングにより生ずるオーバーハングを埋めるような側壁層を形成することにより，その上を被覆するパッシベーション膜のステップカバレージが良好となり，樹脂封止を行うときに樹脂から半導体素体に応力が加わっても，その応力の強い素体外周部の電極上のパッシベーション膜に亀裂が生ずることがなくなった。従って高温多湿の場所でもパッシベーション膜を通じての水分の侵入を防止でき，信頼性の向上した半導体素子を製造することができた
「【図１】
」
「【図３】
」
（２）引用装置発明Ａ
　上記（１）の記載から，引用文献Ａには，次の発明（以下「引用装置発明Ａ」という。）が記載されているものと認められる。
「先ず半導体基板１の表面上にフィールドプレートとして働くＰＳＧ膜２のパターンを形成後，それを覆って３〜５μｍの厚さのAl膜を蒸着し，パターニングしてストッパ電極４を形成し，さらに全面をパッシベーション膜と同質の高抵抗窒化シリコン膜６で被覆し，この膜の厚さは電極４の厚さの半分以上にし，次に反応ガスとしてＣＦ4 とＯ2 の混合ガスを用いたドライエッチングによる異方性エッチングで窒化膜６をエッチングし，電極４の側面の上だけに残して側壁層５を形成し，そしてその上に耐湿にすぐれていて特性の劣化を防ぐためのファイナルパッシベーション膜として側壁層と同質で1.2 μｍ程度の厚さの窒化シリコン膜３を堆積し，不要部を除去するパターニングをフォトエッチングで行い，ここでAl電極４のオーバーハング部が側壁層５で埋められているので，パッシベーション膜３はAl電極４の上および側方ならびにＰＳＧ膜２の上を良好にカバーし，このあとストッパ電極４が外縁の近くに位置するよう基板を分割し，半導体素子の素体を得ること，
　で製造される半導体素子。」
（３）引用方法発明Ａ
　上記（１）の記載から，引用文献Ａには，次の発明（以下「引用方法発明Ａ」という。）が記載されているものと認められる。
「先ず半導体基板１の表面上にフィールドプレートとして働くＰＳＧ膜２のパターンを形成後，それを覆って３〜５μｍの厚さのAl膜を蒸着し，パターニングしてストッパ電極４を形成し，さらに全面をパッシベーション膜と同質の高抵抗窒化シリコン膜６で被覆し，この膜の厚さは電極４の厚さの半分以上にし，次に反応ガスとしてＣＦ4 とＯ2 の混合ガスを用いたドライエッチングによる異方性エッチングで窒化膜６をエッチングし，電極４の側面の上だけに残して側壁層５を形成し，そしてその上に耐湿にすぐれていて特性の劣化を防ぐためのファイナルパッシベーション膜として側壁層と同質で1.2 μｍ程度の厚さの窒化シリコン膜３を堆積し，不要部を除去するパターニングをフォトエッチングで行い，ここでAl電極４のオーバーハング部が側壁層５で埋められているので，パッシベーション膜３はAl電極４の上および側方ならびにＰＳＧ膜２の上を良好にカバーし，このあとストッパ電極４が外縁の近くに位置するよう基板を分割し，半導体素子の素体を得る，
　半導体素子の製造方法。」
３　その他の引用文献について
（１）引用文献２について
　当審拒絶理由に引用された引用文献２（特開２００７−３００１４５号公報，平成１９年１１月１５日出願公開）には，図面とともに以下の記載がある。
「【００３８】
　さらに第２の層間絶縁膜としてポリイミドでなる膜１１４をスピンコート法によって成膜する。層間絶縁膜としてポリイミドを利用した場合，その表面を平坦なものとすることができる。」
（２）引用文献３について
　当審拒絶理由に引用された引用文献３（特開昭５８−１４０１３９号公報，昭和５８年８月１９日出願公開）には，図面とともに以下の記載がある。
「第１図は本発明の一実施例にかかる主な工程を説明したものである。第１図において，半導体基板上に半導体素子の配線パターン１を形成後，シリコンナイトライド２を堆積する。膜厚は１００ｎｍ〜１．０μｍである。続いてポリイミド３よりなる層をスピンコート塗布する。膜厚は３００ｎｍ〜２．０μｍである。このときほぼポリイミド３の表面は平担になっている。」（第２ページ右上欄第５行目ないし第１２行目）
（３）引用文献４（引用文献Ｂ）について
　当審拒絶理由に引用された引用文献４（拒絶査定に引用された引用文献Ｂ）（特開２０００−８２８２５号公報，平成１２年３月２１日出願公開）には，図面とともに以下の記載がある。
「【００１４】
【発明の実施の形態】以下，図に基づいて本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は本発明の第１の実施の形態にかかるダイオードの要部断面を模式的に示しており，このダイオードは，カソード電極１が接続されるカソード領域となるＮ型基板２に，Ｐ型拡散領域３が形成され，このＰ型拡散領域３上にはアノード電極４に接続されるアルミニウム等からなる第１の導電層５が形成されている。Ｎ型基板２上には，表面絶縁膜６を介して前記第１の導電層５と絶縁されたアルミニウム等からなる第２の導電層７が形成されている。この第２の導電層７はＥＱＲを構成するものである。そして第１の導電層５，表面絶縁膜６及び第２の導電層７は，封止層であるＰＶ膜８によって被覆されている。なお図中の９はグリットライン端部である。」
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）引用文献１を主引例とした対比・判断
　ア　対比
　本願発明１（上記第４の１）と，引用装置発明１（上記第５の１（２））とを対比すると，以下のとおりとなる。
（ア）引用装置発明１の「ｎ+型炭化珪素基板（ワイドバンドギャップ半導体基板）１」，「活性領域」，「耐圧構造部」はそれぞれ，本願発明１の「半導体基板」，「能動領域」，「耐圧構造部」に相当する。
（イ）引用装置発明１の「層間絶縁膜６」は，本願発明１の「層間絶縁膜」に相当する。
（ウ）引用装置発明１の「ショットキー電極７」は，「活性領域から耐圧構造部へと延在して設けられ，層間絶縁膜６上に張り出し」，そしてその「最も耐圧構造部側の端部は，ＪＴＥ構造用のｐ型領域３上で終端している」こと，さらに，「ショットキー電極７上には，例えばアルミニウムでできた電極パッド８が設けられ，電極パッド８は，活性領域から耐圧構造部へと延在し，かつその最も耐圧構造部側の端部はショットキー電極７上で終端して」いることから，「層間絶縁膜６上」に，「ショットキー電極７」及び「電極パッド８」とが設けられていること，及び，「層間絶縁膜６上」に張り出している「ショットキー電極７」及び「電極パッド８」とが，その構造上，フィールドプレートとして機能するものであることは自明である。したがって，引用装置発明１の「ショットキー電極７」及び「電極パッド８」は，本願発明１の「フィールドプレート」に相当する。
（エ）引用装置発明１の「保護膜９」は，本願発明１の「表面絶縁膜」に相当する。
（オ）上記（ア）ないし（エ）より，引用装置発明１の「炭化珪素半導体装置」は，本願発明１の「半導体装置」に相当する。
（カ）したがって，本願発明１と，引用装置発明１とは，下記（キ）の点で一致し，下記（ク）の点で相違する。
（キ）一致点
「半導体基板に設けられた能動領域と，該能動領域の周囲に設けられたターミネーション領域とを含む半導体装置であって，該ターミネーション領域は，
　該半導体基板の上に設けられた層間絶縁膜と，
　該層間絶縁膜の上に設けられたフィールドプレートと，
　該フィールドプレートを覆うように形成された表面絶縁膜とを含む，ことを特徴とする半導体装置。」
（ク）相違点
　ａ　相違点１
　本願発明１においては「該フィールドプレートの斜面は，該層間絶縁膜に接する第１斜面と，該第１斜面と該フィールドプレートの上面との間の第２斜面とを含み，該第１斜面と該第２斜面は，該半導体基板の表面に対して互いに異なる傾斜角を有し，かつ，該フィールドプレートの上面と，該第１斜面との間の角度αが，該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して，α＞９０°，β＞９０°，およびα＜βの関係を満たす」のに対して，引用装置発明１においては，電極パッド及びショットキー電極とで構成されるフィールドプレートとして機能する部分の斜面が第１斜面および第２斜面の二つの斜面を含むのか否かが不明であり，かつ，フィールドプレートとして機能する電極パッドの上面と層間絶縁膜に接する電極パッド及びショットキー電極とで構成されるフィールドプレートとして機能する部分の斜面との間の角度，及び，電極パッド及びショットキー電極の上面と斜面とを覆う保護膜の上面と斜面との間の角度に対して，それぞれどのような関係を有するのかが特定されていない点。
　イ　相違点についての判断
（ア）相違点１について
　上記相違点１（上記ア（ク）ａ）について，検討をする。
　ａ　引用文献１においては，「ショットキー電極７」及び「電極パッド８」とで構成されるフィールドプレートとして機能する部分について，その斜面を「該層間絶縁膜に接する第１斜面と，該第１斜面と該フィールドプレートの上面との間の第２斜面とを含み，該第１斜面と該第２斜面は，該半導体基板の表面に対して互いに異なる傾斜角を有し，かつ，該フィールドプレートの上面と，該第１斜面との間の角度αが，該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して，α＞９０°，β＞９０°，およびα＜βの関係を満たす」ように形成することは記載も示唆もなく，また，そのようにするための動機付けも認めがたい。
　ｂ　また，引用文献２ないし４，Ａの記載を検討しても，上記技術的事項が周知な設計変更とも認められない。
　ｃ　してみれば，引用装置発明１において，本願発明１のように「ショットキー電極７」及び「電極パッド８」とで構成されるフィールドプレートとして機能する部分について，その斜面を「該層間絶縁膜に接する第１斜面と，該第１斜面と該フィールドプレートの上面との間の第２斜面とを含み，該第１斜面と該第２斜面は，該半導体基板の表面に対して互いに異なる傾斜角を有し，かつ，該フィールドプレートの上面と，該第１斜面との間の角度αが，該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して，α＞９０°，β＞９０°，およびα＜βの関係を満たす」ように形成することは，当業者が容易になし得たこととはいえない。
　ｄ　そして，本願発明１は，上記相違点１に係る構成を備えることによって，本願の発明の詳細な説明に記載された，「フィールドプレート７ａの上端部の角部１１を角取りすることで，その上に形成する表面絶縁膜２の上端部の角部８の角度βが大きくなり，この結果，電界強度が低くなり火花放電を抑制できる。」（本願明細書，段落【００３４】）という顕著な効果を奏するものと認められる。
（イ）したがって，本願発明１は，引用装置発明１，引用文献２ないし４，Ａに記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）引用文献Ａを主引例とした対比・判断
　ア　対比
　本願発明１（上記第４の１）と，引用装置発明Ａ（上記第５の２（２））とを対比すると，以下のとおりとなる。
（ア）引用装置発明Ａの「半導体基板１」，「ＰＳＧ膜２」，「ストッパ電極４」は，それぞれ本願発明１の「半導体基板」，「層間絶縁膜」，「フィールドプレート」に相当する。
（イ）引用装置発明Ａにおいては，「Al電極４のオーバーハング部が側壁層５で埋められ」，かつ，「パッシベーション膜３はAl電極４の上および側方」「を良好にカバーし」ているものであるので，引用装置発明Ａの「側壁層５」と「パッシベーション膜３」は，本願発明１の「表面絶縁膜」に相当する。
（ウ）上記（ア），（イ）より，引用装置発明Ａの「半導体素子」は，本願発明１の「半導体装置」に相当する。
（エ）したがって，本願発明１と，引用装置発明Ａとは，下記（オ）の点で一致し，下記（カ）の点で相違する。
（オ）一致点
「半導体装置であって，
　半導体基板の上に設けられた層間絶縁膜と，
　該層間絶縁膜の上に設けられたフィールドプレートと，
　該フィールドプレートを覆うように形成された表面絶縁膜とを含む，
　ことを特徴とする半導体装置。」
（カ）相違点
　ａ　相違点２
　本願発明１においては，「半導体装置」は「半導体基板に設けられた能動領域と，該能動領域の周囲に設けられたターミネーション領域とを含む」ものであり，「該ターミネーション領域」に「層間絶縁膜」と，「フィールドプレート」と，「表面絶縁膜」とを含んでいるのに対して，引用装置発明Ａにおいては，「ＰＳＧ膜２」，「ストッパ電極４」，「側壁層５」と「パッシベーション膜３」とが，「半導体基板に設けられた」「能動領域の周囲に設けられたターミネーション領域」に含まれているのかが特定されていない点。
　ｂ　相違点３
　本願発明１においては，「該フィールドプレートの斜面は，該層間絶縁膜に接する第１斜面と，該第１斜面と該フィールドプレートの上面との間の第２斜面とを含み，該第１斜面と該第２斜面は，該半導体基板の表面に対して互いに異なる傾斜角を有し，かつ，該フィールドプレートの上面と，該第１斜面との間の角度αが，該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して，α＞９０°，β＞９０°，およびα＜βの関係を満たす」のに対して，引用装置発明Ａにおいては，「ストッパ電極４」は「オーバーハング部」を有しているものの，前記のような第１，２斜面とを含んではいない点。
　イ　相違点についての判断
　上記相違点について，判断する。
（ア）相違点３について
　事案に鑑み，相違点３（上記ア（カ）ｂ）について，検討をする。
　ａ　引用文献Ａにおいては，「本発明によれば，
半導体素体上の電極のパターニングにより生ずるオーバーハングを埋めるような側壁層を形成することにより，その上を被覆するパッシベーション膜のステップカバレージが良好となり，樹脂封止を行うときに樹脂から半導体素体に応力が加わっても，その応力の強い素体外周部の電極上のパッシベーション膜に亀裂が生ずることがなくなった
　ｂ　そして，引用装置発明Ａにおいて，「ストッパ電極４」から「オーバーハング」部を無くすようにすること自体は，引用文献Ａに記載されている（上記第５の２（１）段落【０００７】）が，これは「電極側面を側壁層で被覆し」，「側壁層をパッシベーション膜の材質を同じに」し，「内部応力の違いによる劣化をさける」ことと同時に開示されている（同所）のであるから，引用装置発明Ａにおいて，「ストッパ電極４」から「オーバーハング」部を無くす際に，側壁層を電極と同じ材料とし，本願発明１のように「フィールドプレートの上面と，該第１斜面との間の角度α」につき「α＞９０°」とするように変更することは，内部応力の違いによる劣化をさけられず，結局，水分の侵入を防止できなくなるから，阻害要因があるものと認められる。
　ｃ　また，引用文献１ないし４の記載を検討しても，上記のような設計変更をすべき動機付けを認めることはできない。
　ｄ　さらに，「フィールドプレート７ａの上端部の角部１１を角取りすることで，その上に形成する表面絶縁膜２の上端部の角部８の角度βが大きくなり，この結果，電界強度が低くなり火花放電を抑制できる。」（本願明細書，段落【００３４】，上記（１）イ（ア）ｄ）という顕著な効果を奏するものと認められる。
　ｅ　すなわち，引用装置発明Ａにおいて，本願発明１のように「該フィールドプレートの斜面は，該層間絶縁膜に接する第１斜面と，該第１斜面と該フィールドプレートの上面との間の第２斜面とを含み，該第１斜面と該第２斜面は，該半導体基板の表面に対して互いに異なる傾斜角を有し，かつ，該フィールドプレートの上面と，該第１斜面との間の角度αが，該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して，α＞９０°，β＞９０°，およびα＜βの関係を満たす」ようにすることは，当業者が容易になし得たこととはいえない。
（イ）したがって，本願発明１は，相違点２（上記ア（カ）ａ）についての判断をするまでもなく，引用装置発明Ａ，引用文献１ないし４に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２について
（１）引用文献１を主引例とした対比・判断
　ア　対比
（ア）本願発明２は，本願発明１の半導体装置の「該フィールドプレートの斜面は，該層間絶縁膜に接する第１斜面と，該第１斜面と該フィールドプレートの上面との間の第２斜面とを含み，該第１斜面と該第２斜面は，該半導体基板の表面に対して互いに異なる傾斜角を有し，かつ，該フィールドプレートの上面と，該第１斜面との間の角度αが，該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して，α＞９０°，β＞９０°，およびα＜βの関係を満たす」という構成のみを，「該フィールドプレートの該層間絶縁膜に接する斜面は，該層間絶縁膜側から上方に向かって，該半導体基板の表面に対する傾斜角が漸次減少する曲面であり，かつ，該フィールドプレートと表面主電極との接点と，該フィールドプレートと該層間絶縁膜との接点との双方における，該フィールドプレートの表面に対する接線が交差する角度αが，該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して，α＞９０°，β＞９０°，およびα＜βの関係を満たす」と置き換えたものである。
（イ）してみれば，本願発明１と引用装置発明１との対比（上記１（１）ア）での検討と同様に，上記１（１）ア（キ）の「一致点」で一致し，下記（ウ）の点で相違する。
（ウ）相違点
　ａ　相違点４
　本願発明２においては「該フィールドプレートの該層間絶縁膜に接する斜面は，該層間絶縁膜側から上方に向かって，該半導体基板の表面に対する傾斜角が漸次減少する曲面であり，かつ，該フィールドプレートと表面主電極との接点と，該フィールドプレートと該層間絶縁膜との接点との双方における，該フィールドプレートの表面に対する接線が交差する角度αが，該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して，α＞９０°，β＞９０°，およびα＜βの関係を満たす」のに対して，引用装置発明１においては，電極パッド及びショットキー電極とで構成されるフィールドプレートとして機能する部分の斜面が「該層間絶縁膜側から上方に向かって，該半導体基板の表面に対する傾斜角が漸次減少する曲面」ではなく，かつ，「フィールドプレートと表面主電極との接点」が不明であり，かつ，フィールドプレートとして機能する電極パッドの上面と層間絶縁膜に接する電極パッド及びショットキー電極とで構成されるフィールドプレートとして機能する部分の斜面との間の角度，及び，電極パッド及びショットキー電極の上面と斜面とを覆う保護膜の上面と斜面との間の角度に対して，それぞれどのような関係を有するのかが特定されていない点。
　イ　相違点についての判断
（ア）相違点４について
　上記相違点４（上記ア（ウ）ａ）について，検討をする。
　ａ　引用文献１においては，「ショットキー電極７」及び「電極パッド８」とで構成されるフィールドプレートとして機能する部分について，その斜面を「該フィールドプレートの該層間絶縁膜に接する斜面は，該層間絶縁膜側から上方に向かって，該半導体基板の表面に対する傾斜角が漸次減少する曲面であり，かつ，該フィールドプレートと表面主電極との接点と，該フィールドプレートと該層間絶縁膜との接点との双方における，該フィールドプレートの表面に対する接線が交差する角度αが，該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して，α＞９０°，β＞９０°，およびα＜βの関係を満たす」ように形成することは記載も示唆もなく，また，そのようにするための動機付けも認めがたい。
　ｂ　また，引用文献２ないし４，Ａの記載を検討しても，上記技術的事項が周知な設計変更とも認められない。
　ｃ　してみれば，引用装置発明１において，本願発明２のように「ショットキー電極７」及び「電極パッド８」とで構成されるフィールドプレートとして機能する部分について，その斜面を「該フィールドプレートの該層間絶縁膜に接する斜面は，該層間絶縁膜側から上方に向かって，該半導体基板の表面に対する傾斜角が漸次減少する曲面であり，かつ，該フィールドプレートと表面主電極との接点と，該フィールドプレートと該層間絶縁膜との接点との双方における，該フィールドプレートの表面に対する接線が交差する角度αが，該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して，α＞９０°，β＞９０°，およびα＜βの関係を満たす」ように形成することは，当業者が容易になし得たこととはいえない。
　ｄ　そして，本願発明２は，上記相違点４に係る構成を備えることによって，本願の発明の詳細な説明に記載された，「曲率を持ったフィールドプレートの方が，より表面絶縁膜２の上端部の角部８の角度を大きくすることができる。このように，曲率を有するフィールドプレート７ａの方がより表面絶縁膜の上端部の角部８を大きくすることができるため，火花放電を抑制できる。」（本願明細書，段落【００４５】）という顕著な効果を奏するものと認められる。
（イ）したがって，本願発明２は，引用装置発明１，引用文献２ないし４，Ａに記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）引用文献Ａを主引例とした対比・判断
　ア　対比
　本願発明２は，上記（１）ア（ア）にて説示したように，本願発明１のフィールドプレートの斜面についての構成要件を変更したものであるので，本願発明２と引用装置発明Ａとを対比すると，本願発明１での対比と同様に，上記１（２）ア（オ）の「一致点」で一致し，上記１（２）ア（カ）ａの「相違点２」で相違し，さらに，下記（ア）ａの点でも相違する。
（ア）相違点
　ａ　相違点５
　本願発明２においては，「該フィールドプレートの該層間絶縁膜に接する斜面は，該層間絶縁膜側から上方に向かって，該半導体基板の表面に対する傾斜角が漸次減少する曲面であり，かつ，該フィールドプレートと表面主電極との接点と，該フィールドプレートと該層間絶縁膜との接点との双方における，該フィールドプレートの表面に対する接線が交差する角度αが，該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して，α＞９０°，β＞９０°，およびα＜βの関係を満たす」のに対して，引用装置発明Ａにおいては，「ストッパ電極４」は「オーバーハング部」を有しているものの，前記のような曲面を含んではいない点。
　イ　相違点についての判断
　上記相違点について，判断する。
（ア）相違点５について
　事案に鑑み，相違点５（上記ア（ア）ａ）について，検討をする。
　ａ　上記１（２）イ（ア）における本願発明１の相違点３についての検討でも説示したように，引用文献Ａにおいては，オーバーハング部分に「側壁層」を形成することを発明の要部としており，当該オーバーハング部分を「曲面」にする等，「オーバーハング」部を無くす際に側壁層を電極と同じ材料とするように変更することには阻害要因があるものと認められる。
　ｂ　また，引用文献１ないし４の記載を検討しても，上記のような設計変更をすべき動機付けを認めることはできない。
　ｃ　すなわち，引用装置発明Ａにおいて，本願発明２のように「該フィールドプレートの該層間絶縁膜に接する斜面は，該層間絶縁膜側から上方に向かって，該半導体基板の表面に対する傾斜角が漸次減少する曲面であり，かつ，該フィールドプレートと表面主電極との接点と，該フィールドプレートと該層間絶縁膜との接点との双方における，該フィールドプレートの表面に対する接線が交差する角度αが，該フィールドプレートの上面と斜面とを覆う該表面絶縁膜の上面と斜面との間の角度βに対して，α＞９０°，β＞９０°，およびα＜βの関係を満たす」ようにすることは，当業者が容易になし得たこととはいえない。
（イ）したがって，本願発明２は，他の相違点についての判断をするまでもなく，引用装置発明Ａ，引用文献１ないし４に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
３　本願発明３ないし６について
（１）本願発明３は半導体装置の発明であって，本願発明１または本願発明２の発明特定事項を全て有するものであるので，本願発明３もまた，本願発明１または２と同じ理由により，引用装置発明１，引用文献２ないし４，Ａに記載された技術的事項に基づいて，または，引用装置発明Ａ，引用文献１ないし４に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）本願発明４ないし６は，本願発明２の半導体装置の製造方法の発明であって，本願発明２の発明特定事項に対応する構成（「エッチング工程」）を有するものであるので，本願発明４ないし６もまた，本願発明２と同じ理由により，引用方法発明１（上記第５の１（３）），引用文献２ないし４，Ａに記載された技術的事項に基づいて，または，引用方法発明Ａ（上記第５の２（３）），引用文献１ないし４に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　当審拒絶理由について
１　特許法第２９条第２項（進歩性）について
　当審では，当審拒絶理由において，本願請求項１に係る発明は上記引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて，本願請求項４に係る発明は上記引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，本願出願前に当業者が容易に発明をすることができたものである旨の拒絶の理由を通知しているが，本件補正により，この拒絶の理由は解消した。
第８　原査定についての判断
　原査定は，請求項１について，上記引用文献Ａに記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができないというものであり，請求項１について上記引用文献Ａに基づいて，請求項４について上記引用文献Ａ，Ｂに基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかしながら，本件補正後の請求項１ないし６はそれぞれ，上記第６の１（２），第６の２（２），第６の３にて検討したように，引用文献Ａに記載された発明，引用文献１ないし３，引用文献４（引用文献Ｂ）に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえないものであるので，本願発明１ないし６は，上記引用文献Ａに記載された発明ではなく，また，上記引用文献Ａ，Ｂに基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであったとは認められない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第９　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。