【事件の表示】
　特願２０００−　７５１７７「弾性表面波デバイス及びこれを用いた通信装置、並びにアンテナデュプレクサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　９月２８日出願公開、特開２００１−２６７８８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１２年３月１７日の出願であって、平成１７年９月３０日付で拒絶の査定がなされ、これに対し、同年１１月４日付で拒絶査定に対する不服の審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
　　　　　
第２．平成１７年１１月４日付の手続補正について
[結論］
　平成１７年１１月４日付の手続補正を却下する。
　　　　　　　　　　
［理由］
１．補正後の本願発明
　上記手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明を、
「線膨張係数を有するパッケージと、
　弾性表面波素子が形成され、前記パッケージにフリップチップボンディングで搭載された圧電素子を有し、
　該圧電素子は、
Ｘ、Ｙ、Ｚ結晶軸を有するLiTaO3単結晶からＹ軸回転角度４０〜４４度で切り出されたものであり、
　　　　　　　　　
２．補正の適否
（２−１）新規事項の有無、補正の目的要件
　本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内において、補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された「圧電素子」の構成に「Ｘ、Ｙ、Ｚ結晶軸を有するLiTaO3単結晶からＹ軸回転角度４０〜４４度で切り出されたものであり、」という限定を付加することにより特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１７条の２第３項（新規事項）及び第４項第２号（補正の目的）の規定に適合している。
　　　　　　　　　
（２−２）独立特許要件
　本件補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件補正後の発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する特許法第１２６条第４項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　　　　　　　　　
（２−２−１）補正後の発明
　上記「１．補正後の本願発明」の項で認定したとおりである。
　　　　　　　　　　　　　
（２−２−２）引用発明及び周知技術
（引用例１）
　原査定の拒絶理由に引用された本願の出願の日前である平成７年４月２５日に頒布された特開平７−１１１４３８号公報（以下、「引用例１」という。）には、「弾性表面波装置、及びその製造方法」の発明に関し、図面とともに次の事項が記載されている。
　ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、圧電基板上に交差指電極が形成されている弾性表面波（以下、ＳＡＷとする。）素子と、このＳＡＷ素子を搭載するパッケージ基板とを備えているＳＡＷ装置に関する。」（第２頁第２欄〜第３頁第３欄）、
　ｂ）「【００１９】パッケージ基板２０とＳＡＷ素子１０とは、図１に示すように、両者の表面２２，１２が互いに向い合い、且つパッケージ基板表面２２とＳＡＷ素子１０の表面１２に形成されている交差指電極１４との間に一定の間隙ができるよう、接続されている。この接続は、ＳＡＷ素子１０の信号電極バンプ１７及び接地電極バンプ１８と、パッケージ基板２０の素子側信号電極２５ａ及び素子側接地電極２６ａとを、それぞれ、熱圧着法又は熱超音波圧着法により接続することで、行われる。」（第５頁第７欄）、
　ｃ）「【００３３】さらに、本実施例では、ＳＡＷ素子１０に用いられる圧電基板１１とパッケージ基板本体２１との熱膨張率差を考慮して、パッケージ基板本体２１の材料を選定しているので、ＳＡＷ素子１０とパッケージ基板２０との接続後における製造プロセス過程或いはＳＡＷ装置の使用中における温度変化による両者の熱膨張差を最小限に抑えることができる。この結果、両者の接続部分における疲労破壊を防ぐことができる。ここで、圧電基板１１及びパッケージ基板本体２１の熱膨張率について、簡単に説明する。圧電基板１１を形成する圧電結晶（通常、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３などの結晶である。）の熱膨張率は、その結晶面方位によっては１５×１０~6／℃を超えるものがある。これに対して、本実施例において、パッケージ基板本体２１を形成するリチウムアルミノシリケート系セラミックスの熱膨張率は、８〜１８×１０~6／℃で、セラミックスとしては比較的熱膨張率が大きく且つ広範囲である。このため、リチウムアルミノシリケート系セラミックス材のうち、圧電基板１１の熱膨張率に近いものを選定することにより、圧電基板１１とパッケージ基板本体２１との熱膨張率差を最小限に抑えることができる。」（第６頁第１０欄〜第７頁第１１欄）。
　　　　　　　　　
　上記引用例１の記載、及びこの分野の技術常識によれば、引用例１には、
「熱膨張率を有するパッケージ基板本体と、
　圧電基板上に交差指電極が形成され、バンプを介した熱圧着法又は熱超音波圧着法により、その交差指電極の形成面をパッケージ基板本体側に向けて前記パッケージ基板本体に搭載された弾性表面波素子を有し、
　該圧電基板はＬｉＴａＯ３等の圧電結晶で形成され、該圧電基板の熱膨張率と上記パッケージ基板本体の熱膨張率とを近いもので構成することにより、圧電基板とパッケージ基板本体との熱膨張率差を最小限に抑えることを特徴とする弾性表面波装置。」の発明（以下、「引用発明１」という。）が開示されているものと認められる。
　　　　　　　　　　　　　　
（引用例２）
原査定の拒絶理由に引用された本願の出願の日前である平成１０年６月１９日に頒布された特開平１０−１６３８０３号公報（以下、「引用例２」という。）には、「弾性表面波装置及びデュアル弾性表面波装置」の発明に関し、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００９３】続いて、本発明の第５実施例について説明する。図１６は本発明の第５実施例である弾性表面波装置を示している。本実施例に係る弾性表面波装置は、基板としてＬｉＴａＯ３ 単結晶をＸ軸を中心にＹ軸からＺ軸方向に４０°〜４２°の範囲の角度で回転させた方位を有する圧電基板上に、異なる帯域周波数特性を有する二つの弾性表面波装置要素を形成した、いわゆるデュアルタイプの弾性表面波装置（以下、デュアル弾性表面波装置という）である。
【００９４】上記の二つの弾性表面波装置要素の内、帯域周波数が低い弾性表面波装置要素は、弾性表面波の伝搬方向に沿って複数の櫛形電極が配設された構成を有しており、具体的には図１或いは図９に示した多重モードフィルタ構造の弾性表面波装置と同一構成とされている。尚、図１６に示す例では、図９に示した多重モードフィルタ構造の弾性表面波装置（以下、多重モード形弾性表面波装置要素という）を適用した例を示している。」（第１３頁第２３欄）
　　　　　　　　　　
（引用例３）
原査定の拒絶理由に引用された本願の出願の日前である平成１２年２月１８日に頒布された特開２０００−４９５６５号公報（以下、「引用例３」という。）には、「弾性表面波フィルタ装置」の発明に関し、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００５２】・・・（中略）・・・また各端子にはフリップチップボンディングのためのバンプ（図１５（Ａ）参照）が形成してある。
【００５３】圧電基板１３０は、LiTaO3の回転Ｙ板を用い、その回転角度が４０°Ｙから４４°Ｙの範囲内のものである。櫛形電極対等は、Alを主成分とする電極材料であり、厚さが表面波の波長の５〜１０％である。」（第１１頁第２０欄）
　　　　　　　　　　
（２−２−３）対比
　そこで、本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　　　　　　　　　
　ａ）引用発明１における「パッケージ基板本体」、及び「弾性表面波装置」は、それぞれ本願補正発明における「パッケージ」、「弾性表面波デバイス」に相当することが明らかである。
　ｂ）引用発明１における「圧電基板上に交差指電極が形成された弾性表面波素子」は、本願補正発明の構成要素である「弾性表面波素子が形成された圧電素子」の点において、実質的に共通する。
　ｃ）引用発明１における「バンプを介した熱圧着法又は熱超音波圧着法により、その交差指電極の形成面をパッケージ基板本体側に向けて前記パッケージ基板本体に搭載され」は、接続のためのワイヤを要せずに、交差指電極の形成面をパッケージ基板本体側に向けて（下側に向けて）電極間の接続を行う点からみて、本願補正発明における「フリップチップボンディングで搭載され」と実質的に差異はない。なお、「フリップチップボンディングによる搭載」は上記引用例３により、弾性表面波装置の製造方法として公知である（上記「（２−２−２）引用発明及び周知技術」の「引用例３」参照）。
　ｄ）熱膨張率は、温度の上昇によってある物体の長さ・体積が膨張する割合を度Ｃ当たりで示したものであり、温度の上昇に対して長さが伸びる割合を表す線膨張率（線膨張係数）、及び体積の変化の割合を表す体積膨張率を総称的に指すことが良く知られている。すると、本願補正発明における「線膨張係数」は、より包括的な表現である「熱膨張率」という点で引用発明１のものと共通する。
　　　　　　　　　　　
　よって、本願補正発明と引用発明１とは、以下の点で一致ないし相違する。
　　　　　　　　　　
（一致点）
　熱膨張率を有するパッケージと、
　弾性表面波素子が形成され、前記パッケージにフリップチップボンディングで搭載された圧電素子を有し、
　該圧電素子はLiTaO3結晶からなり、該圧電素子の熱膨張率は上記パッケージの熱膨張率に近い熱膨張率を有することを特徴とする弾性表面波デバイス。
　　　　　　　　　　　
（相違点１）　
本願補正発明の熱膨張率が「線膨張係数」であるのに対して、引用発明１は「熱膨張率」である点。
　　　　　　　　　
（相違点２）
本願補正発明の圧電素子が「Ｘ、Ｙ、Ｚ結晶軸を有するLiTaO3単結晶からＹ軸回転角度４０〜４４度で切り出されたもの」であるのに対して、引用発明１のものは「LiTaO3結晶」からなることを明示するものの、それ以外を明示しない点。
　　　　　　　　　　
（相違点３）
本願補正発明の圧電素子が「弾性表面波素子の複数の櫛形電極により生成される弾性表面波の進行方向とこれに垂直な方向の線膨張係数が異なり、且つ前記パッケージの線膨張係数に近い線膨張係数を持つ方向を長辺として有する」のに対して、引用発明１の弾性表面波素子は複数の交差指電極から形成され、その圧電基板の熱膨張率をパッケージの熱膨張率に近づける旨明示するものの、それ以外は明示がない点。
　　　　　　　　　　　
（２−２−４）判断
　　　　　　　　
（相違点１について）
　上記（２−３）対比のｄ）で述べたように、「熱膨張率」は、温度の上昇に対して長さが伸びる割合である「線膨張率（線膨張係数）」、及び体積の変化の割合である「体積膨張率」の総称である。このような関係がある中で、「熱膨張率」（引用発明１における表現）に代えて、「線膨張係数」（本願補正発明における表現）を採用して、諸材料、特に異方性材料のように方向によって膨張率が異なる材料を対象として、その熱膨張率を表すことが普通に行われているところである。
　よって、引用発明１の「熱膨張率」をその具体的内容として「線膨張係数」に限定し、本願補正発明のように構成することは容易になし得ることである。
　　　　　　　　　
　（相違点２について）
　「Ｘ、Ｙ、Ｚ結晶軸を有するLiTaO3単結晶からＹ軸回転角度４０〜４４度で切り出された」圧電基板は、上記引用例２に開示されている。即ち、その第１３頁第２３欄の段落【００９３】に「本実施例に係る弾性表面波装置は、基板としてＬｉＴａＯ3単結晶をＸ軸を中心にＹ軸からＺ軸方向に４０°〜４２°の範囲の角度で回転させた方位を有する圧電基板上に、異なる帯域周波数特性を有する二つの弾性表面波装置要素を形成した」旨記載している。ここで、引用例２の角度「４０°〜４２°」は、本願補正発明の角度「４０〜４４度」を充足する。また、必要であれば、上記引用例３の第１１頁第２０欄の段落【００５３】に、角度を「４０〜４４度」とすることも記載されている。
　そして引用例２又は３は、本願補正発明や引用発明１と「ＬｉＴａＯ3圧電基板による弾性表面波装置」として共通するから、上記引用例２又は３のものを引用発明１に適用して本願補正発明のように構成することは容易になし得るものである。
　　　　　　　
　（相違点３について）
　（イ）弾性表面波装置において、引用発明１の「複数の交差指電極」に替えて、本願補正発明のような「複数の櫛形電極」を採用する点、及び、「複数の櫛形電極からなる弾性表面波装置」において、櫛の歯の並ぶ方向に沿って表面弾性波を進行させることは、本願出願前に周知（以下、「周知事項イ」という。）のものである。例えば、上記「（２−２−２）引用発明及び周知技術」の「引用例２」の段落【００９４】に、「弾性表面波の伝搬方向に沿って複数の櫛形電極が配設された構成を有」する旨記載されているとおりである。
　（ロ）圧電基板は異方性材料の一種であり、熱膨張率も異方性を持つ（例えば、結晶のＸ軸方向の熱膨張率とこれに垂直な方向の熱膨張率は通常異なる）という周知の物理現象を踏まえ、長方形の長辺方向と短辺方向で線膨張係数が相違する圧電基板と等方性の基板とを直接面結合させる際に、等方性の基板の線膨張係数に近い線膨張係数を有する方向を圧電基板の長辺方向として製造することにより基板の破損を防止する方法は、本願出願前に周知（以下、「周知事項ロ」という。）である。
　この点例えば、特開平９−２７６４５号公報の第２頁第２欄の【請求項１３】に「前記第１の基板と前記第２の基板の重ね合わされた部分が実質的な長方形であり、前記第１の基板の前記長方形の長辺方向における熱膨張率が前記第１の基板の前記長方形の短辺方向における熱膨張率と相違し、前記第１の基板の前記長辺方向における熱膨張率と前記第２の基板の熱膨張率の差が、前記第１の基板の前記短辺方向における熱膨張率と前記第２の基板の熱膨張率の差よりも小さい請求項６に記載の複合基板の製造方法。」と記載され、
　同じく第４頁第６欄の段落【００１８】に「「熱膨張率」は、例えば・・・（中略）・・・タンタル酸リチウムはｘ軸方向で19.9×10-6／℃程度、・・・（中略）・・・また、圧電基板は異方性材料で、熱膨張率も異方性を持つ。」と記載され、
　同じく第１１頁第２０欄の段落【０１０７】に「ここで、本実施例の圧電振動子の特徴のひとつは、直接接合による圧電基板の保持部の形状をを長方形にし、長方形の長辺方向を熱膨張率が半導体基板に近い方向としたことである。」と記載されている。
　なお、上記特開平９−２７６４５号公報に記載された「熱膨張率」は、長辺方向と短辺方向で相違するというのだから、上記「相違点１について」で述べたことに照らせば、これは実質的に「線膨張係数」を指すものと認められる。
　　　　　　　　　　　
　そして、上記「周知事項イ」は本願補正発明や引用発明１と同じ「弾性表面波装置」の分野で周知である点、上記「周知事項ロ」は本願補正発明や引用発明１と同じ「圧電基板と他の基板との直接結合」に関する製造技術として周知である点、及び引用発明１において圧電基板と他の基板とを直接結合させる際に、互いに熱膨張率の近い材料を採用して熱膨張率差を最小限に抑えるという技術思想が開示されている点を踏まえれば、上記「周知事項イ」を引用発明１に適用し、その際に、上記「周知事項ロ」に照らして引用発明１の圧電基板１を長方形状とし、その短辺方向の線膨張係数を長辺方向の熱膨張係数の方をパッケージ本体の熱膨張係数に近い方向となるようにして本願補正発明のように構成することは、格別の創意工夫を要するものとは言えない。
　　　　　　　　　　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明１、引用例２に記載されたもの、及び上記周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　よって、本願補正発明は、引用例１、２に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（２−２−５）むすび
　以上のとおり、本件手続補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する特許法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項において準用する特許法第５３条第１項の規定に基き却下すべきものである。
　　　　　　　　
第３．本願発明
１．本願発明について
　平成１７年１１月４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年９月１２日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。  　　　　　　　　　　　
「線膨張係数を有するパッケージと、
弾性表面波素子が形成され、前記パッケージにフリップチップボンディングで搭載された圧電素子を有し、
　該圧電素子は、前記弾性表面波素子の複数の櫛形電極により生成される弾性表面波の進行方向とこれに垂直な方向の線膨張係数が異なり、且つ前記パッケージの線膨張係数に近い線膨張係数を持つ方向を長辺として有することを特徴とする弾性表面波デバイス。」
　　　　　　　　　
２．引用発明及び周知技術
  引用発明及び周知技術は、上記「第２．（２−２−２）引用発明及び周知技術」の項で認定したとおりである。
  　　　　　　　　　　　　
３．対比・判断
　そこで、本願発明と引用発明を対比すると、本願発明は本願補正発明から、上記「２．（２−１）新規事項の有無、補正の目的要件」で指摘した「圧電素子」の構成に係る限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成に上記限定を付加した本願補正発明が上記「（２−２）独立特許要件」の項で検討したとおり、上記引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明できたのものであるから、本願発明も同様の理由により、容易に発明できたものである。
　　　　　　　　　　
４．むすび
　  以上のとおり、本願発明は、上記引用例に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　
　よって、結論のとおり審決する。