【事件の表示】
　平成　５年特許願第１５２５３１号「近接したメタライゼーションラインの自己整合作製法」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年　３月２５日出願公開、特開平　６−　８４８９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成５年６月２４日（優先権主張米国：平成４年６月２４日）を出願日とする出願であって、平成１４年１０月１６日付で拒絶査定がなされ、これに対し平成１５年１月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月１９日付で手続補正がなされた。その後、当審において平成１６年１１月１２日付で拒絶理由が通知され、平成１７年５月１６日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたものであり、その請求項に係る発明は、平成１７年５月１６日付の手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし１９に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「半導体基板に集積された複数の半導体デバイスに電気的に接続する方法で
あって、前記方法が、
（ａ）前記基板の主表面上に第１の絶縁層を形成する工程、
（ｂ）前記第１の絶縁層上に第１の導電層を形成する工程、
（ｃ）前記第１の導電層上に第２の絶縁層を形成する工程、
（ｄ）前記第２の絶縁層の伸長された平行ストライプ部分、及び前記第２の絶縁層の前記伸長された平行ストライプ部分下の前記第１の導電層の伸長された平行ストライプ部分を非等方的にエッチングする工程であって、それにより、前記第１の絶縁層の伸長された平行ストライプ部分が露出し、及び少なくとも一対の伸長された平行ストライプを有する第１のパターン形成された導電層が形成され、さらに、前記第２の絶縁層の伸長された平行ストライプ部分が、前記第１のパターン形成された導電層の上部表面上に完全なまま残り、
（ｅ）前記第２の絶縁層の少なくとも伸長された平行ストライプ部分と前記第１のパターン形成された導電層の側壁を被覆する第３の絶縁層を形成する工程、
（ｆ）前記第１のパターン形成された導電層の前記伸長された平行ストライプの側壁を除くあらゆる部分の第３の絶縁層を除去するため、前記第３の絶縁層を非等方的にエッチングする工程であって、それにより、前記第３の絶縁層の厚さの少なくとも一部が、前記第１のパターン形成された導電層の側壁上に残り、さらに、前記第２の絶縁層の厚さの少なくとも一部が、前記第１の導電層の上部表面上に残り、及び
（ｇ）互いに平行な少なくとも一対の第２の伸長された平行ストライプを有し、前記第１のパターン形成された導電層の前記伸長された平行ストライプと交互に位置する第２のパターン形成された導電層を、前記第１の絶縁層の少なくとも前記露出した部分上に形成する工程であって、それにより、前記第１の導電層の前記伸長された平行ストライプの各々が、前記第１の絶縁層の主表面に沿って、前記第１のパターン形成された導電層の側壁上に残された前記第３の絶縁層の厚さ部分まで前記第２の導電層の隣接する伸長された平行ストライプから側面方向に分離されることを特徴とする方法。」
　
 ２．引用例
　これに対して、当審において平成１６年１１月１２日付の拒絶理由通知で引用した、本願の優先権主張日前の昭和６０年１月２８日に頒布された刊行物である特開昭６０−１６４４６号公報（以下、「引用例１」という。）には、第１Ａ図〜第１Ｆ図と共に、次のとおり記載されている。
　
「半導体基板上に第１の絶縁膜、耐酸化性絶縁膜、第１の半導体薄膜、高融点の金属性薄膜及び第２の半導体薄膜を順次形成する工程と、上記第２の半導体薄膜、上記高融点の金属性薄膜及び上記第１の半導体薄膜を選択エツチングすることによつて、第１の電極配線を形成すると共に上記耐酸化性絶縁膜の一部を露出させる工程と、上記第１の電極配線及び上記露出された耐酸化性絶縁膜上に第２の絶縁膜を被着形成する工程と、上記第１の電極配線の側壁部に位置する上記第２の絶縁膜のみを残して上記第２の絶縁膜を異方性エツチングにより除去して上記耐酸化性絶縁膜の一部を露出させる工程と、熱酸化により、上記第１の電極配線の最上層を構成する上記第２の半導体薄膜上に酸化膜を形成する工程と、少なくともその一部が上記酸化膜上に重なるように上記耐酸化性絶縁膜上に第２の電極配線を形成する工程とをそれぞれ具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」(特許請求の範囲)
「本発明は、多層電極配線構造を備えた半導体装置の製造方法に関する。」(第１頁右下欄第５〜６行)
「従来より、多層電極配線構造を備えた半導体装置の電極配線材料としては、多結晶シリコン、特に不純物がドープされた多結晶シリコン（以下においてはＤＯＰＯＳと称する）が多く用いられている。これは、上記ＤＯＰＯＳは、加工が容易であり、融点が高いために高温処理が可能であり、表面に良好なＳｉＯ2膜を形成することができる等の利点を有しているためである。しかしながら、上記ＤＯＰＯＳは可視光の長波長光を透過させてしまうために、例えばＣＣＤの転送電極材料として用いた場合には、上記転送電極の上にAl等の不透明物質から成るフオトシールドを形成して光の透過を防止しなければならず、簡便でない。また上記フオトシールドは、通常、転送電極及び受光部がそれぞれ形成されている半導体基板上に例えばAl膜を全面に被着形成した後、受光部のAl膜のみが除去されるようにこのAl膜をパターンニングすることによつて作るが、この際のパターンニング精度が十分でないという問題もある。」(第１頁右下欄第８行〜第２頁左上欄第６行)
「実施例
　以下本発明に係る半導体装置の製造方法を二層の転送電極を備えた二相駆動方式のＣＣＤに適用した一実施例につき図面を参照しながら説明する。
　まず、第１Ａ図に示すように、例えばｐ型シリコン基板(1)上に第１の絶縁膜としての厚さ５００［Å］のＳｉＯ2膜(2)を熱酸化法により形成した後、このＳｉＯ2膜(2)上に耐酸化性絶縁膜としての厚さ５００［Å］のＳｉ3Ｎ4膜(3)をＣＶＤ法によって被着形成する。これらのＳｉＯ2膜(2)及びＳｉ3Ｎ4膜(3)が一体となつてゲート絶縁膜を構成している。次に上記Ｓｉ3Ｎ4膜(3)上に第１の半導体薄膜としての厚さ１０００［Å］のＤＯＰＯＳ膜(4)をＣＶＤ法により被着形成し、このＤＯＰＯＳ膜(4)上に高融点の金属性薄膜としての厚さ１０００［Å］のＭｏ薄膜(5)をスパツタ法によって被着形成した後、さらに第２の半導体薄膜としての厚さ１０００[Å]のＤＯＰＯＳ膜(6)をＣＶＤ法により被着形成する。
　次に第１Ａ図のＤＯＰＯＳ膜(6)上にフオトレジストを塗布した後、所定のパターンニングを行うことにより第１Ｂ図に示すようにフオトレジスト(7a)(7b)のみを残す。この後、エツチングガスとして例えばＣＦ4ガスを用いた反応性イオンエツチング(ＲＩＥ)法により、ｐ型シリコン基板(1)に垂直な方向にのみエツチングが進行する異方性エツチングを行う。この異方性エツチングによつて、第１Ｂ図に示すように、上記フオトレジスト(7a)(7b)で覆われていない部分のＤＯＰＯＳ膜(6)、Ｍｏ薄膜(5)及びＤＯＰＯＳ膜(4)がエツチング除去され、その結果この部分のＳｉ3Ｎ4膜(3a)(3b)が露出される。このようにして、ＤＯＰＯＳ膜(4a)、Ｍｏ薄膜(5a)及びＤＯＰＯＳ膜(6a)から成る第１層の転送電極(8)と、ＤＯＰＯＳ膜(4b)、Ｍｏ薄膜(5b)及びＤＯＰＯＳ膜(6b)から成る同じく第１層の転送電極(9)とが形成される。
　次に上記フオトレジスト(7a)(7b)を除去した後、第１Ｃ図に示すように、上記転送電極(８)(９)及び上記露出されたＳｉ3Ｎ4膜(3a)(3b)上に第２の絶縁膜としての厚さ１０００〔Å〕のＳｉＯ2膜(10)をＣＶＤ法により被着形成する。この後、CF4ガスにH2ガスを添加した混合ガスをエツチングガスとして用いたＲＩＥにより異方性エツチングを行うことによつて、第１Ｄ図に示すように、上記転送電極(8)(9)の側壁部に位置する上記ＳｉＯ2膜(10a)〜(10c)のみを残して上記ＳｉＯ2膜(10)をエツチング除去して、Ｓｉ3Ｎ4膜(3a)(3b)を再び露出させる。 
　次に熱酸化により、第１Ｅ図に示すように、上記転送電極(8)(9)の最上層を構成するＤＯＰＯＳ膜(６ａ)(６ｂ)上にそれぞれＳｉＯ2膜(11)(12)を形成する。このようにして形成されたＳｉＯ2膜(13)(14)が、後述の第２層の転送電極に対する層間絶縁膜を構成している。なおＳｉ3Ｎ4膜(3)は耐酸化性を有しているため、上記熱酸化の際にＳｉ3Ｎ4膜(3a)(3b)上にはＳｉＯ2膜は殆ど形成されない。次に、第１Ａ図〜第１Ｅ図に基づいて説明した方法と同様な方法によつて、第１Ｆ図に示すように、ＤＯＰＯＳ膜(15)、Ｍｏ薄膜(16)及びＤＯＰＯＳ膜(17)から成る第２層の転送電極(18)を、少なくともその一部が上記ＳｉＯ2膜(11)(12)上に重なるようにＳｉ3Ｎ4膜(3b)上に形成する。」(第２頁左下欄第５行〜第３頁右上欄第４行) 
「第１Ｃ図に示す状態において既述のＲＩＥによる異方性エツチングを行うことによつて、転送電極(8)(9)の側壁部に位置するＳｉＯ2膜(10a)〜(10c)のみを残すようにしている（第１Ｄ図）。これは、Ｍｏ薄膜(5a)(5b)の側面に層間絶縁膜となり得る十分な厚さの酸化膜を形成するのが困難であるので、上記ＳｉＯ2膜(10a)〜(10c)を上記転送電極(8)(9)の側壁部の層間絶縁膜として用いるためである。」(第３頁右下欄第15行〜第４頁左上欄第３行)
「上述の実施例においては本発明に係る半導体装置の製造方法を二層の転送電極を備えたCCDに適用した場合に付き説明したが、一般に多層の電極配線構造を備えた例えばMOS LSI等他の半導体装置にも本発明に係る半導体装置の製造方法を用いることができるのは明らかである。」(第４頁右下欄第13〜18行)
　
これらの記載により、引用例１には、
「多層電極配線構造を備えた半導体装置の製造方法として、二層の転送電極を備えた二相駆動方式のＣＣＤの製造方法において、
（ｋ）半導体基板上に、ＳｉＯ2膜(2)よりなる第１の絶縁膜、Ｓｉ3Ｎ4膜(3)よりなる耐酸化性絶縁膜を形成する工程と、
（ｌ）ＤＯＰＯＳ膜(4)よりなる第１の半導体薄膜、Ｍｏ薄膜(5)よりなる高融点の金属性薄膜及びＤＯＰＯＳ膜(6)よりなる第２の半導体薄膜とを上記耐酸化性絶縁膜上に順次形成する工程と、
（ｍ）上記第１の半導体薄膜、上記高融点の金属性薄膜及び上記第２の半導体薄膜上のフオトレジスト(7a)(7b)で覆われていない部分を、上記半導体基板に垂直な方向にのみエツチングが進行する反応性イオンエツチング(ＲＩＥ)法による異方性エツチングにより、選択エツチングし、ＤＯＰＯＳ膜(4a)、Ｍｏ薄膜(5a)及びＤＯＰＯＳ膜(6a)から成る第１層の転送電極(8)及び、ＤＯＰＯＳ膜(4b)、Ｍｏ薄膜(5b)及びＤＯＰＯＳ膜(6b)から成る第１層の転送電極(9)となる第１の電極配線を形成すると共に上記耐酸化性絶縁膜の一部を露出させる工程と、
（ｐ）上記第１の電極配線及び上記露出された耐酸化性絶縁膜上に、ＳｉＯ2膜(10)よりなる第２の絶縁膜を被着形成する工程と、
（ｑ）上記第１の電極配線の側壁部に位置する上記第２の絶縁膜のＳｉＯ2膜(10a)〜(10c)のみを残して上記第２の絶縁膜をＲＩＥによる異方性エツチングにより除去して上記耐酸化性絶縁膜の一部を露出させる工程と、
（ｒ）熱酸化により、上記第１の電極配線の最上層を構成する上記第２の半導体薄膜上に酸化膜(11)(12)を形成する工程と、
（ｓ）少なくともその一部が上記酸化膜(11)(12)上に重なるように上記耐酸化性絶縁膜上に、上記ＳｉＯ2膜(10b)、(10c)を上記転送電極(8)(9)の側壁部の層間絶縁膜として用いて、ＤＯＰＯＳ膜(15)、Ｍｏ薄膜(16)及びＤＯＰＯＳ膜(17)からなる、第２層の転送電極となる第２の電極配線を形成する工程と、
とをそれぞれ具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
が記載されている。
　　
　また、当審において平成１６年１１月１２日付の拒絶理由通知で引用した、本願の優先権主張日前の平成２年１２月４日に頒布された刊行物である特開平２−２９２８３４号公報（以下、「引用例２」という。）には、第１図(ａ)〜(ｆ)とともに、次のとおり記載されている。
　
「本発明は、２層の多結晶シリコン転送電極を有する電荷結合素子(以下、ＣＣＤという)の製造方法に関する。」(第１頁左下欄第15〜17行)
「第１図(ａ)に示すように、電荷転送領域であるＮウェル２が形成されたＰ型シリコン基板１上に膜厚２００〜４００Åの第１ゲート酸化膜３を熱酸化法により形成する。次に、第１図(ｂ)に示すように、膜厚４０００〜８０００Åの第１の多結晶シリコン膜４を化学気相法により堆積し不純物拡散を行った後、熱酸化法により膜厚１０００〜２０００Åの絶縁酸化膜５を第１の多結晶シリコン膜４上に形成する。続いて、第１図(ｃ)に示すように、絶縁酸化膜５、第１の多結晶シリコン膜４、第１のゲート酸化膜３を選択的にエッチング除去して１層目の転送電極を形成するとともに２層目の転送電極形成領域の基板表面を露出させる。次に、化学気相成長法により膜厚１０００〜２０００Åの酸化膜を堆積し、異方性エッチングを基板表面が露出するまで施して、第１図（ｄ）に示すように、側壁酸化膜６を形成する。続いて、第１図（ｅ）に示すように熱酸化法により膜厚２００〜４００Åの第２のゲート酸化膜７を形成する。さらに、第１図（ｆ）に示すように、化学気相成長法により第２の多結晶シリコン膜８を全面に堆積し、これをパターニングして２層目の転送電極を形成する。
　この実施例において、１層目の転送電極を覆う絶縁酸化膜５および側壁酸化膜６と、第２のゲート酸化膜７とはそれぞれ別の工程で形成されるので、それぞれの膜厚を最適なものになしうる。また、第２のゲート酸化膜の形成工程において、１層目の転送電極は酸化膜５、６により完全に覆われているので、この電極から不純物が外方拡散することはなくなり、基板表面の２層目の転送電極の形成領域が汚染されることがなくなる。」(第２頁右上欄第15行〜同頁右下欄第６行)
　
３．対比
　そこで、本願発明と引用例１に記載された発明(以下「引用例１発明」という。)とを対比すると、
　
（ａ）引用例１発明の「二層の転送電極を備えた」「ＣＣＤの製造方法」は、「多層電極配線構造を備えた半導体装置の製造方法」のひとつであり、また、「ＣＣＤ」装置は電気的に接続された複数の半導体デバイスから構成されるものであることは明らかであるので、本願発明の「半導体基板に集積された複数の半導体デバイスに電気的に接続する方法」に相当する。
（ｂ）引用例１発明における第１の絶縁膜であるＳｉＯ2膜(2)と、Ｓｉ3Ｎ4膜(3)よりなる耐酸化性絶縁膜は「半導体基板上」に形成されているから、引用例１発明における「第１の絶縁膜であるＳｉＯ2膜(2)と、Ｓｉ3Ｎ4膜(3)よりなる耐酸化性絶縁膜」は、本願発明の基板の主表面上に形成された「第１の絶縁層」に相当し、引用例１発明の「半導体基板上に、ＳｉＯ2膜(2)よりなる第１の絶縁膜とＳｉ3Ｎ4膜(3)よりなる耐酸化性絶縁膜とを形成する工程」は、本願発明の「前記基板の主表面上に第１の絶縁層を形成する工程」に相当する。
（ｃ）引用例１発明における「ＤＯＰＯＳ膜(4)よりなる第１の半導体薄膜、Ｍｏ薄膜(5)よりなる高融点の金属性薄膜及びＤＯＰＯＳ膜(6)よりなる第２の半導体薄膜」は、選択エッチングにより第１の電極配線になる層でもあるので、導電層であり、本願発明の第１の絶縁層に相当する引用例１発明の第１の絶縁膜及び耐酸化性絶縁膜の上に形成されているから、本願発明の「第１の導電層」に相当し、引用例１発明における「ＤＯＰＯＳ膜(4)よりなる第１の半導体薄膜、Ｍｏ薄膜(5)よりなる高融点の金属性薄膜及びＤＯＰＯＳ膜(6)よりなる第２の半導体薄膜とを上記耐酸化性絶縁膜上に形成する工程」は、本願発明の「前記第１の絶縁層上に第１の導電層を形成する工程」に相当する。
（ｄ）引用例１発明の製造方法に係るＣＣＤの転送電極が、電荷の転送方向に垂直な方向に伸びる配線であることは、例えば、特開昭５２−１１５１９５号公報(第３頁右上欄第14〜17行)、特開昭５３−３２６８７号公報(第２頁右上欄第11〜17行)及び特開昭５３−９７３２９号公報(第３頁左上欄第16行〜同頁右上欄第３行)にも記載されているように周知であり、そのような転送電極の形状は、一般的に「ストライプ状」あるいは「帯状」と呼ばれる。このようなＣＣＤの転送電極において周知の事項を踏まえると、当業者は、引用例１発明の第１の電極配線及び第２の電極配線を引用例１の第１Ｂ図において紙面方向に垂直に伸びる配線として、把握することができるものである。引用例１発明における「選択エツチング」のマスクとなる、「上記第１の半導体薄膜、上記高融点の金属性薄膜及び上記第２の半導体薄膜上のフオトレジスト(7a)(7b)」は、引用例１発明のＣＣＤ電極の形状のもととなる形状であり、その形状は「ストライプ状」あるいは「帯状」の形状となる。そして、「ストライプ状」あるいは「帯状」の形状は、本願発明における「伸長された平行ストライプ」に相当する。この点を考慮すると、引用例１発明において、選択エッチングで形成される第１層の転送電極は、本願発明の（ｄ）の工程において、「非等方的にエッチングする」ことによって形成される、「第１の導電層の伸長された平行ストライプ部分」と同じ形状であり、第１層の転送電極をエッチングする過程で露出される「耐酸化性絶縁膜の一部」も、第１層の転送電極の形状の反転した形状である「ストライプ状」あるいは「帯状」の形状である。そして、引用例１発明における半導体基板に垂直な方向にのみエッチングが進行する反応性イオンエッチング(ＲＩＥ)法による異方性エッチングを行うことは、非等方性エッチングであることは明らかである。したがって、引用例１発明における「上記第１の半導体薄膜、上記高融点の金属性薄膜及び上記第２の半導体薄膜上のフオトレジスト(7a)(7b)で覆われていない部分を、上記半導体基板に垂直な方向にのみエッチングが進行する、反応性イオンエッチング(ＲＩＥ)法による異方性エッチングにより、選択エツチングし、ＤＯＰＯＳ膜(4a)、Ｍｏ薄膜(5a)及びＤＯＰＯＳ膜(6a)から成る第１層の転送電極(8)及びＤＯＰＯＳ膜(4b)、Ｍｏ薄膜(5b)及びＤＯＰＯＳ膜(6b)から成る第１層の転送電極(9)となる第１の電極配線を形成する」工程は、上記３．対比（ａ）、（ｃ）において検討したように、本願発明の「第１の導電層」に相当する、「第１の半導体薄膜」、「高融点の金属性薄膜」及び「第２の半導体薄膜」を「非等方的にエッチング」して、「ストライプ状」あるいは「帯状」の形状の「第１層の転送電極となる第１の電極配線」になるようにパターン形成するとともに、「第１の絶縁層」に相当する「第１の絶縁膜であるＳｉＯ2膜(2)と、Ｓｉ3Ｎ4膜(3)よりなる耐酸化性絶縁膜」の一部を「ストライプ状」あるいは「帯状」に露出させる工程であるから、引用例１発明の「第１の電極配線」は、本願発明の「第１のパターン形成された導電層」に相当し、引用例１発明の「上記第１の半導体薄膜、上記高融点の金属性薄膜及び上記第２の半導体薄膜上のフオトレジスト(7a)(7b)で覆われていない部分を、���記半導体基板に垂直な方向にのみエッチングが進行する反応性イオンエッチング(ＲＩＥ)法による異方性エッチングにより、選択エツチングし、ＤＯＰＯＳ膜(4a)、Ｍｏ薄膜(5a)及びＤＯＰＯＳ膜(6a)から成る第１層の転送電極(8)及び、ＤＯＰＯＳ膜(4b)、Ｍｏ薄膜(5b)及びＤＯＰＯＳ膜(6b)から成る第１層の転送電極(9)となる第１の電極配線を形成すると共に上記耐酸化性絶縁膜の一部を露出させる工程」は、本願発明の「第１の導電層の伸長された平行ストライプ部分を非等方的にエツチングする工程であって、それにより、前記第１の絶縁層の伸長された平行ストライプ部分が露出し、」及び「一対の伸長された平行ストライプを有する第１のパターン形成された導電層が形成され」る工程に相当する。
（ｅ）引用例１発明における「ＳｉＯ2膜(10)よりなる第２の絶縁膜」は、第１の電極配線上と露出された耐酸化性絶縁膜上とに形成され、その後の工程で、第１の電極配線の側壁部にのみ第２の絶縁膜が残るようにエツチングされるから、「ＳｉＯ2膜(10)よりなる第２の絶縁膜」は、少なくとも第１の電極配線の側壁部に形成されている。よって、引用例１発明における「ＳｉＯ2膜(10)よりなる第２の絶縁膜」は、本願発明における「第３の絶縁層」に相当し、引用例１発明における「上記第１の電極配線及び上記露出された耐酸化性絶縁膜上に、ＳｉＯ2膜(10)よりなる第２の絶縁膜を被着形成する工程」は、本願発明の「第１のパターン形成された導電層の側壁を被覆する第３の絶縁層を形成する工程」に相当する。
（ｆ）引用例１発明における「ＲＩＥによる異方性エツチング」は、「非等方性エツチング」であることは明らかであり、一般的な半導体装置の製造方法において、第１の電極配線の側壁部のような鉛直な面と、第１の電極配線上及び耐酸化性絶縁膜上のような水平な面を有する対象を、鉛直な面を含む全表面に一様な厚さの薄膜が形成された状態で「ＲＩＥによる異方性エツチング」により処理した場合に、鉛直な面に沿ってほぼ一様な厚さの薄膜だけ残り、その他の水平な面では、すべての薄膜が除去されること、また、第１電極配線の側壁部に残る第２の絶縁膜の厚さは、通常のＲＩＥによる異方性エツチングでは、全面に形成された膜厚の一部であることも、半導体製造技術の分野においては自明である。このようなＲＩＥによる異方性エツチングを用いた引用例１発明においても、引用例１の第１Ｃ図、第１Ｄ図を参酌すれば、第２の絶縁膜は、異方性エッチングにより第１の電極配線の側壁部だけに残り、第１の電極配線の上面及び耐酸化性絶縁膜上からは除去されているから、上記（ｄ）で検討したように、「ストライプ状」あるいは「帯状」の形状を有する第１の電極配線の側壁部を除くあらゆる部分の第２の絶縁膜が除去されるものであり、引用例１発明の「上記第１の電極配線の側壁部に位置する上記第２の絶縁膜」「のみを残して上記第２の絶縁膜をＲＩＥによる異方性エツチングにより除去して上記耐酸化性絶縁膜の一部を露出させる工程」は、本願発明の「前記第１のパターン形成された導電層の前記伸長された平行ストライプの側壁を除くあらゆる部分の第３の絶縁層を除去するため、前記第３の絶縁層を非等方的にエツチングする工程であって、それにより、前記第３の絶縁層の厚さの少なくとも一部が、前記第１のパターン形成された導電層の側壁上に残」る工程に相当する。
（ｇ）本願発明の「第１の導電層の前記伸長された平行ストライプ」は、「第１のパターン形成された導電層」の「平行ストライプ」形状の部分であり、上記（ｄ）で検討したように、引用例１発明の第１層の転送電極(8)(9)になる「第１の電極配線」の部分も、「ストライプ状」または「帯状」の形状であるから、引用例１発明の転送電極(8)(9)は、本願発明の「第１の導電層の前記伸長された平行ストライプ」に相当する。また、引用例１の第１Ｆ図によれば、「ＤＯＰＯＳ膜(15)、Ｍｏ薄膜(16)及びＤＯＰＯＳ膜(17)からなる、第２層の転送電極となる第２の電極配線」が形成される領域は、第１層の転送電極(8)と第１層の転送電極(9)との間の耐酸化性絶縁膜上と酸化膜(11)(12)上の一部であるから、第１層の転送電極(8)と第１層の転送電極(9)の間に第２層の転送電極を形成している。そして、当該第１層の転送電極(8)と第１層の転送電極(9)との間の耐酸化性絶縁膜上の領域は、「ストライプ状」または「帯状」の形状に挟まれ、第２層の転送電極も、元来「ストライプ状」または「帯状」の形状のＣＣＤの転送電極であるから、同じく「ストライプ状」または「帯状」の形状である。よって、引用例１発明の「ＤＯＰＯＳ膜(15)、Ｍｏ薄膜(16)及びＤＯＰＯＳ膜(17)からなる、第２層の転送電極となる第２の電極配線」は、本願発明の「平行ストライプを有し、前記第１のパターン形成された導電層の前記伸長された平行ストライプ」の間に「位置する第２のパターン形成された導電層」に相当する。さらに、当該「第２の電極配線」を形成する、第１層の転送電極(8)と第１層の転送電極(9)との間の耐酸化性絶縁膜は、第２の絶縁膜を第１の電極配線の側壁部に残す工程によって露出された領域であって、本願発明の「前記第１の絶縁層」の一部であるから、引用例１発明の「少なくともその一部が上記酸化膜上に重なるように上記耐酸化性絶縁膜上に、」「ＤＯＰＯＳ膜(15)、Ｍｏ薄膜(16)及びＤＯＰＯＳ膜(17)からなる、第２層の転送電極となる第２の電極配線を形成する工程」は、本願発明の「第２の伸長された平行ストライプを有し、前記第１のパターン形成された導電層の前記伸長された平行ストライプと」の間に位置する「第２のパターン形成された導電層を、前記第１の絶縁層の少なくとも前記露出した部分上に形成する工程」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用例１発明とは、
　
「半導体基板に集積された複数の半導体デバイスに電気的に接続する方法で
あって、前記方法が、
前記基板の主表面上に第１の絶縁層を形成する工程、
前記第１の絶縁層上に第１の導電層を形成する工程、
第１の導電層の伸長された平行ストライプ部分を非等方的にエツチングする工程であって、それにより、前記第１の絶縁層の伸長された平行ストライプ部分が露出し、及び少なくとも一対の伸長された平行ストライプを有する第１のパターン形成された導電層が形成され、
前記第１のパターン形成された導電層の側壁を被覆する第３の絶縁層を形成する工程、
前記第１のパターン形成された導電層の前記伸長された平行ストライプの側壁を除くあらゆる部分の第３の絶縁層を除去するため、前記第３の絶縁層を非等方的にエッチングする工程であって、それにより、前記第３の絶縁層の厚さの少なくとも一部が、前記第１のパターン形成された導電層の側壁上に残り、　
 第２の伸長されたストライプを有し、前記第１のパターン形成された導電層の前記伸長された平行ストライプの間に位置する第２のパターン形成された導電層を、前記第１の絶縁層の少なくとも前記露出した部分上に形成する工程を具備することを特徴とする方法。」
で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明は、「第１の導電層」をパターン形成する前に「第１の導電層上に第２の絶縁層を形成する工程」を有するのに対して、
　引用例１発明は、「上記第１の半導体薄膜、上記高融点の金属性薄膜及び上記第２の半導体薄膜上のフオトレジスト(7a)(7b)で覆われていない部分を、上記半導体基板に垂直な方向にのみエッチングが進行する、反応性イオンエッチング(ＲＩＥ)法による異方性エッチングにより、選択エツチング」する前に「第１の導電層上に第２の絶縁層を形成する工程」工程を有していない点。
　
［相違点２］
　本願発明は、「前記第２の絶縁層の伸長された平行ストライプ部分、及び前記第２の絶縁層の前記伸長された平行ストライプ部分下の前記第１の導電層の伸長された平行ストライプ部分を非等方的にエツチングする工程であって、それにより、前記第１の絶縁層の伸長された平行ストライプ部分が露出し、及び少なくとも一対の伸長された平行ストライプを有する第１のパターン形成された導電層が形成され、さらに、前記第２の絶縁層の伸長された平行ストライプ部分が、前記第１のパターン形成された導電層の上部表面上に完全なまま残」る工程を有するのに対して、
　引用例１発明は、「上記第１の半導体薄膜、上記高融点の金属性薄膜及び上記第２の半導体薄膜上のフオトレジスト(7a)(7b)で覆われていない部分を、上記半導体基板に垂直な方向にのみエツチングが進行する反応性イオンエツチング(ＲＩＥ)法による異方性エツチングにより、選択エツチングし、ＤＯＰＯＳ膜(4a)、Ｍｏ薄膜(5a)及びＤＯＰＯＳ膜(6a)から成る第１層の転送電極(8)及び、ＤＯＰＯＳ膜(4b)、Ｍｏ薄膜(5b)及びＤＯＰＯＳ膜(6b)から成る第１層の転送電極(9)となる第１の電極配線を形成すると共に上記耐酸化性絶縁膜の一部を露出させる工程」を有する点。
　
［相違点３］
　本願発明は、「前記第２の絶縁層の少なくとも伸長された平行ストライプ部分と前記第１のパターン形成された導電層の側壁を被覆する第３の絶縁層を形成する工程」を有するのに対して、
　引用例１発明は、「上記第１の電極配線及び上記露出された耐酸化性絶縁膜上に、ＳｉＯ2膜(10)よりなる第２の絶縁膜を被着形成する工程」を有する点。
　
［相違点４］
　本願発明は、「前記第１のパターン形成された導電層の前記伸長された平行ストライプの側壁を除くあらゆる部分の第３の絶縁層を除去するため、前記第３の絶縁層を非等方的にエツチングする工程であって、それにより、前記第３の絶縁層の厚さの少なくとも一部が、前記第１のパターン形成された導電層の側壁上に残り、さらに、前記第２の絶縁層の厚さの少なくとも一部が、前記第１の導電層の上部表面上に残」る工程を有するのに対して、
　引用例１発明は、「上記第１の電極配線の側壁部に位置する上記第２の絶縁膜のＳｉＯ2膜(10a)〜(10c)のみを残して上記第２の絶縁膜をＲＩＥによる異方性エツチングにより除去して上記耐酸化性絶縁膜の一部を露出させる工程」を有する点。
　
［相違点５］
　引用例１発明は、「熱酸化により、上記第１の電極配線の最上層を構成する上記第２の半導体薄膜上に酸化膜(11)(12)を形成する工程」を有するのに対して、
　本願発明は上記工程を有していない点
　
［相違点６］
　本願発明は、「互いに平行な少なくとも一対の第２の伸長された平行ストライプを有し、前記第１のパターン形成された導電層の前記伸長された平行ストライプと交互に位置する第２のパターン形成された導電層を、前記第１の絶縁層の少なくとも前記露出した部分上に形成する工程であって、それにより、前記第１の導電層の前記伸長された平行ストライプの各々が、前記第１の絶縁層の主表面に沿って、前記第１のパターン形成された導電層の側壁上に残された前記第３の絶縁層の厚さ部分まで前記第２の導電層の隣接する伸長された平行ストライプから側面方向に分離されること」を有するのに対して、
　引用例１発明は、「少なくともその一部が上記酸化膜上に重なるように上記耐酸化性絶縁膜上に、上記ＳｉＯ2膜(10b)、(10c)を上記転送電極(8)(9)の側壁部の層間絶縁膜として用いて、ＤＯＰＯＳ膜(15)、Ｍｏ薄膜(16)及びＤＯＰＯＳ膜(17)からなる、第２層の転送電極となる第２の電極配線を形成する工程」を有する点。
　
４．判断
　上記６つの相違点を整理すると、以下のように区分できる。
［相違点１］
　本願発明は、「第１の導電層」をパターン形成する前に「第１の導電層上に第２の絶縁層を形成する工程」を有するのに対して、
　引用例１発明は、「上記第１の半導体薄膜、上記高融点の金属性薄膜及び上記第２の半導体薄膜上のフオトレジスト(7a)(7b)で覆われていない部分を、上記半導体基板に垂直な方向にのみエッチングが進行する、反応性イオンエッチング(ＲＩＥ)法による異方性エッチングにより、選択エツチング」する前に「第１の導電層上に第２の絶縁層を形成する工程」を有していない点。
［相違点２−１］
　本願発明は、「前記第２の絶縁層の伸長された平行ストライプ部分、及び前記第２の絶縁層の前記伸長された平行ストライプ部分下の前記第１の導電層の伸長された平行ストライプ部分を非等方的にエツチングする工程」を有するのに対して、
　引用例１発明は、上記工程を有していない点。
［相違点２−２］
　本願発明は、「少なくとも一対の伸長された平行ストライプを有する第１のパターン形成された導電層が形成され」る工程を有するのに対して、
　引用例１発明は、「ＤＯＰＯＳ膜(4a)、Ｍｏ薄膜(5a)及びＤＯＰＯＳ膜(6a)から成る第１層の転送電極(8)及び、ＤＯＰＯＳ膜(4b)、Ｍｏ薄膜(5b)及びＤＯＰＯＳ膜(6b)から成る第１層の転送電極(9)となる第１の電極配線を形成する」工程を有する点。
［相違点２−３］
　本願発明は、「前記第２の絶縁層の伸長された平行ストライプ部分が、前記第１のパターン形成された導電層の上部表面上に完全なまま残」る工程を有するのに対して、
　引用例１発明は、上記工程を有していない点。
［相違点３］
　本願発明は、「前記第２の絶縁層の少なくとも伸長された平行ストライプ部分と前記第１のパターン形成された導電層の側壁を被覆する第３の絶縁層を形成する工程」を有するのに対して、
　引用例１発明は、「上記第１の電極配線及び上記露出された耐酸化性絶縁膜上に、ＳｉＯ2膜(10)よりなる第２の絶縁膜を被着形成する工程」を有するが、本願発明の「前記第２の絶縁層の少なくとも伸長された平行ストライプ部分」を「被覆する第３の絶縁層を形成する工程」を有していない点。
［相違点４］
　本願発明は、「前記第１のパターン形成された導電層の前記伸長された平行ストライプの側壁を除くあらゆる部分の第３の絶縁層を除去するため、前記第３の絶縁層を非等方的にエツチングする工程であって、」「前記第２の絶縁層の厚さの少なくとも一部が、前記第１の導電層の上部表面上に残」る工程を有するのに対して、
　引用例１発明は、上記工程を有していない点。
［相違点５］
　引用例１発明は、「熱酸化により、上記第１の電極配線の最上層を構成する上記第２の半導体薄膜上に酸化膜(11)(12)を形成する工程」を有するのに対して、
　本願発明は、上記工程を有していない点。
［相違点６−１］
　本願発明は、「互いに平行な少なくとも一対の第２の伸長された平行ストライプを有し、前記第１のパターン形成された導電層の前記伸長された平行ストライプと交互に位置する第２のパターン形成された導電層を、前記第１の絶縁層の少なくとも前記露出した部分上に形成する工程」を有するのに対して、
　引用例１発明は、「少なくともその一部が上記酸化膜上に重なるように上記耐酸化性絶縁膜上に、上記ＳｉＯ2膜(10b)、(10c)を上記転送電極(8)(9)の側壁部の層間絶縁膜として用いて、ＤＯＰＯＳ膜(15)、Ｍｏ薄膜(16)及びＤＯＰＯＳ膜(17)からなる、第２層の転送電極となる第２の電極配線を形成する工程」を有する点。
［相違点６−２］
　本願発明は、「前記第１の導電層の前記伸長された平行ストライプの各々が、前記第１の絶縁層の主表面に沿って、前記第１のパターン形成された導電層の側壁上に残された前記第３の絶縁層の厚さ部分まで前記第２の導電層の隣接する伸長された平行ストライプから側面方向に分離され」ているのに対して、
　引用例１発明は、上記の点を有していない点。
　
［相違点１，相違点２−１，相違点２−３、相違点３，相違点４及び相違点５について］
　本願発明では、工程（ｃ）の後に、工程（ｄ）、工程（ｅ）及び工程（ｆ）を順次行う、言い換えると、本願発明は、「第１の導電層」をパターン形成する前に「第１の導電層上に第２の絶縁層を形成する工程」を備えているから、その結果として、その後の工程（ｄ）の、「前記第２の絶縁層の伸張された平行ストライプ部分、及び前記第２の絶縁層の前記伸張された平行ストライプ部分下の前記第１の導電層の伸張された平行ストライプ部分を非等方的にエッチングする工程」において、「前記第２の絶縁層の伸張された平行ストライプ部分」を「非等方的にエッチングする工程」を備えるとともに、「前記第２の絶縁層の伸張された平行ストライプ部分が、前記第１のパターン形成された導電層の上部表面上に完全なまま残」るのであり、工程（ｅ）においては、「前記第２の絶縁層の少なくとも伸長された平行ストライプ部分」は「第３の絶縁層」で被覆され、また、工程（ｆ）においては、「前記第１のパターン形成された導電層の前記伸張された平行ストライプの側壁を除くあらゆる部分の第３の絶縁層を除去するため、前記第３の絶縁層を非等方的にエッチングする工程」において、「前記第２の絶縁層の厚さの少なくとも一部が、前記第１の導電層の上部表面上に残」るのである。
　
　一方、引用例１発明においては、「ＤＯＰＯＳ膜(4)よりなる第１の半導体薄膜、Ｍｏ薄膜(5)よりなる高融点の金属性薄膜及びＤＯＰＯＳ膜(6)よりなる第２の半導体薄膜」を順次形成する工程（ｌ）の後の工程(ｍ)、工程(ｐ)、工程(ｑ)を実施し、第１の電極配線を形成し、第１の電極配線の側壁部に第２の絶縁膜を形成後、表面に露出した第１の電極配線の最上層のＤＯＰＯＳ膜(6a)、(6b)の表面を熱酸化する工程(ｒ）により、第１層の転送電極（８）及び第１層の転送電極（９）のそれぞれにおいて、ＤＯＰＯＳ膜(6a)、(6b)の上表面に酸化膜(11)(12)を形成し、その後、第２の転送電極となる第２の電極配線を、その一部が、上記酸化膜(11)(12)上に重なるように形成される。
　結局、引用例１発明の、第２の転送電極となる第２の電極配線の一部がその上に形成される「酸化膜(11)(12)」が、本願発明の工程（ｇ）以降の「第２の絶縁層」に相当しており、引用例１発明においては、「酸化膜(11)(12)」が工程（ｒ）で形成されるのに対して、本願発明においては、「第２の絶縁層」は工程（ｃ）で形成されており、引用例１発明と本願発明において、それぞれに対応する構成要素である「酸化膜(11)(12)」及び「第２の絶縁層」を形成する工程が、それぞれの発明の全体の中で、本願発明の如く、比較的早い段階か、引用例１発明の如く、比較的遅い段階かにより、上記の各相違点が生じている。
　
　ところで、引用例２に記載される発明は、２層の多結晶シリコン転送電極を有するＣＣＤ(電荷転送素子)の製造方法に関し、
　Ｎウエル２上に、ゲート絶縁膜３，第１の結晶性ポリシリコン膜４，絶縁酸化膜５を順次形成し、絶縁酸化膜５，第１の結晶性ポリシリコン膜４，ゲート絶縁膜３を選択エッチングして、１層目の転送電極を形成するとともに、基板表面２を露出する工程、
　その後、Nウェル２と絶縁酸化膜５の表面及びゲート絶縁膜３，第１の結晶性ポリシリコン膜４，絶縁酸化膜５の側面に、化学気相成長法により酸化膜を堆積し、基板２が露出するまで異方性エッチングし、側壁酸化膜６をゲート絶縁膜３，第１の結晶性ポリシリコン膜４，絶縁酸化膜５の側面に形成する工程、
　次に、熱酸化法により、基板２上に第２のゲート酸化膜７を形成する工程、
　次に、化学気相成長法により第２の多結晶シリコン膜８を、全面に形成し、パターニングにより、基板２に形成した第２のゲート酸化膜７、側壁酸化膜６及び絶縁酸化膜５の一部に渡って形成された２層目の転送電極が形成される工程を備えた製造方法である。
　ここで、引用例２に記載される発明においては、１層目の転送電極及び２層目の転送電極は、それぞれ、第１のゲート酸化膜３及び第２のゲート酸化膜７を介してＮウエル２に接しているが、ゲート酸化膜３とゲート酸化膜７とは、２００〜４００Åの同程度の膜厚であり、転送電極と基板との間の絶縁膜としての機能は共通であるから、共通の絶縁膜を用いることは不可能ではない。例えば、引用例１発明のＳｉＯ2膜(2)よりなる第１の絶縁膜とＳｉ3Ｎ4膜(3)よりなる耐酸化性絶縁膜とを積層した絶縁膜のように、転送電極下のゲート絶縁膜として機能するとともに、半導体基板上に一度形成した後、側壁酸化膜形成のためのパターン形成時に除去されることのない絶縁膜は、第１層の転送電極及び第２層の転送電極に対して共通のゲート絶縁膜となる絶縁膜であるから、引用例１発明に、同じＣＣＤの転送電極としての１層目、２層目の転送電極を形成する引用例２に記載された発明を適用する場合を考えると、引用例１発明の工程において、工程（ｌ）と工程（ｍ）の間で「第１の半導体薄膜」、「高融点の金属性薄膜」及び「第２の半導体薄膜」上に引用例２記載の絶縁酸化膜を形成する工程を採用すれば、ＳｉＯ2膜(2)よりなる第１の絶縁膜とＳｉ3Ｎ4膜(3)よりなる耐酸化性絶縁膜とを積層した絶縁膜を除去し、その後作り直す必要はなくなる。
　したがって、引用例１発明に、引用例２に記載される発明を適用して、引用例１発明において、工程（ｒ）でＤＯＰＯＳ膜(6a)、(6b)の上表面に酸化膜(11)(12)を形成することに代えて、工程（ｌ）の次に、引用例２に記載される如く、第１の多結晶シリコン膜上に絶縁酸化膜を形成する、即ち、ＤＯＰＯＳ膜(6)上に「絶縁酸化膜」を形成することは、当業者が容易になしえることである。
　また、引用例１発明において、工程（ｌ）の次の工程として、ＤＯＰＯＳ膜(6)上に「絶縁酸化膜」を形成する工程を実施することにより、その後の、工程（ｍ）、工程（ｐ）及び工程（ｑ）において、本願発明に関して、相違点２−１，相違点２−３、相違点３，相違点４で指摘した工程、すなわち、「前記第２の絶縁層の少なくとも伸長された平行ストライプ部分と前記第１のパターン形成された導電層の側壁を被覆する第３の絶縁層を形成する工程」及び「前記第１のパターン形成された導電層の前記伸長された平行ストライプの側壁を除くあらゆる部分の第３の絶縁層を除去するため、前記第３の絶縁層を非等方的にエツチングする工程であって、」「前記第２の絶縁層の厚さの少なくとも一部が、前記第１の導電層の上部表面上に残」る工程が、引用例１発明においても生ずることは、当業者にたやすく理解できることであり、また、引用例１発明において、工程（ｌ）の次の工程として、ＤＯＰＯＳ膜(6)上に「絶縁酸化膜」を形成する工程を実施することにより、引用例１発明の工程（ｒ）は不要となることも明らかである。
　
[相違点２−２、相違点６−１について]
　相違点２−２、６−１については、第１、第２の導電層の配列形態に関する相違点であるから、まとめて検討する。
　
　引用例１発明に係わるような、可視光が照射されることを前提とする一般的なＣＣＤ(電荷転送素子)の転送電極は、多数の互いに平行な転送電極を配列して電荷を転送することが機能として求められるものであり、引用例１発明のように、第１の転送電極が二つ配置され、第２の電極配線がその中間に一つ形成される形態は、多数配列される転送電極のうちの一部について表されたものであることは、当業者にとって明らかであり、ＣＣＤ(電荷転送素子)の実際の電極として用いられる場合においては、３．対比（ｇ）で検討したように、一対以上の本願発明の「第１の導電層の伸長された平行ストライプ」に相当する第１層の転送電極となる第１の電極配線と、お互いに平行な複数の本願発明の「第２の導電層の隣接する伸長された平行ストライプ」に相当する第２層の転送電極となる第２の電極配線とが複数交互に位置するように配列されることは、当業者にとって明らかである。
　したがって、この点は実質的な相違点ではない。
　
［相違点６−２について］
　引用例１発明における第１の電極配線と第２の電極配線とは、ＣＣＤ(電荷転送素子)の転送電極として、互いに絶縁されるために第２の絶縁膜を異方性エツチングして第１の電極配線の側壁部に位置するＳｉＯ2膜(10a)〜(10c)を形成する工程を備えている。一方、本願発明の「第１の導電層の前記伸長された平行ストライプの各々が、前記第１の絶縁層の主表面に沿って、前記第１のパターン形成された導電層の側壁上に残された前記第３の絶縁層の厚さ部分まで前記第２の導電層の隣接する伸長された平行ストライプから側面方向に分離される」という構成は、第１の導電層の伸長された平行ストライプの各々と第２の導電層の隣接する伸長された平行ストライプとが第３の絶縁層の厚さ部分によって絶縁される状態を各構成要素の相互の位置関係で表すものであって、３．対比（ｇ）の箇所で検討したように、引用例１発明では、本願発明の「第１の導電層の伸長された平行ストライプ」に相当する第１の電極配線及び、本願発明の「第２の導電層の伸長された平行ストライプ」に相当する第２の電極配線が、本願発明の「第３の絶縁層」に相当するＳｉＯ2膜(10)から成る第２の絶縁膜の、異方性エツチングによって第１の電極配線の側壁部に残された部分で絶縁されているので、この点については、実質的には相違しない。　
　上に検討した相違点は、いずれも、引用例１発明に引用例２に記載された技術事項を用いることによって、当業者が容易になし得たものである。
　よって、本願発明は、上記引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、請求項２ないし１９に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。