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【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチソースの空間情報を用いてソースマッピング情報を生成する段階と、
前記ソースマッピング情報にサラウンド効果を与えるフィルター情報を適用し、サブレンダリング情報を生成する段階と、
前記サブレンダリング情報を合成し、レンダリング情報を生成する段階と、
前記レンダリング情報を、前記マルチソースをダウンミックスして生成されたダウンミックス信号に適用し、前記サラウンド効果を有するサラウンド信号を生成する段階と、
を含むことを特徴とする信号処理方法。
【請求項２】
前記空間情報は、ソースレベル差及びソース間相関関係のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項１に記載の信号処理方法。
【請求項３】
前記ソースマッピング情報は、前記マルチソースの各ソースに対応する情報であることを特徴とする、請求項１に記載の信号処理方法。
【請求項４】
前記サブレンダリング情報は、少なくとも二つの前記ソースマッピング情報に前記フィルター情報を適用して生成された情報を含むことを特徴とする、請求項１に記載の信号処理方法。
【請求項５】
前記フィルター情報は、ＨＲＴＦフィルター情報と使用者の選択によって決定された値のうち少なくとも一方を含むことを特徴とする、請求項１に記載の信号処理方法。
【請求項６】
前記フィルター情報は、生成された前記サラウンド信号のドメインの情報へとドメイン変換されることを特徴とする、請求項５に記載の信号処理方法。
【請求項７】
前記フィルター情報は、前記ＨＲＴＦフィルター情報をパラメータに変換することによって生成されることを特徴とする、請求項６に記載の信号処理方法。
【請求項８】
空間情報を用いてマルチソースのソースマッピング情報を生成するソースマッピング部と、
前記ソースマッピング情報にサラウンド効果を与えるフィルター情報を適用し、サブレンダリング情報を生成するサブレンダリング情報生成部と、
少なくとも一つの前記サブレンダリング情報を合成し、レンダリング情報を生成する合成部と、
前記レンダリング情報を、前記マルチソースをダウンミックスして生成されたダウンミックス信号に適用し、前記サラウンド効果を有するサラウンド信号を生成するレンダリング部と、
を含むことを特徴とする信号処理装置。
【請求項９】
前記空間情報は、ソースレベル差及びソース間相関関係のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項８に記載の信号処理装置。
【請求項１０】
前記ソースマッピング情報は、前記マルチソースの各ソースに対応する情報であることを特徴とする、請求項８に記載の信号処理装置。
【請求項１１】
前記サブレンダリング情報は、少なくとも二つの前記ソースマッピング情報に前記フィルター情報を適用して生成された情報を含むことを特徴とする、請求項８に記載の信号処理装置。
【請求項１２】
前記フィルター情報は、ＨＲＴＦフィルター情報と使用者の選択によって決定された値のうち少なくとも一方を含むことを特徴とする、請求項８に記載の信号処理装置。
【請求項１３】
前記フィルター情報は、生成された前記サラウンド信号のドメインの情報へとドメイン変換されることを特徴とする、請求項１２に記載の信号処理装置。
【請求項１４】
前記フィルター情報は、前記ＨＲＴＦフィルター情報をパラメータに変換することによって生成されることを特徴とする、請求項１３に記載の信号処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチソースの空間情報を用いてソースマッピング情報を生成する段階と、
前記ソースマッピング情報及びサラウンド効果のフィルター情報を用いて少なくとも一つのレンダリング情報を生成する段階と、
少なくとも一つの前記レンダリング情報の隣接したレンダリング情報を用いて前記少なくとも一つのレンダリング情報を平滑化する段階と、
を含むことを特徴とする信号処理方法。
【請求項２】
前記少なくとも一つのレンダリング情報を平滑化する段階は、時間ドメイン又は周波数ドメインで行われることを特徴とする、請求項１に記載の信号処理方法。
【請求項３】
前記レンダリング情報が生成された第１周波数帯域から第２周波数帯域に前記レンダリング情報を拡張する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の信号処理方法。
【請求項４】
前記レンダリング情報は、前記第１周波数帯域のレンダリング情報と同じ値を用いて拡張されることを特徴とする、請求項３に記載の信号処理方法。
【請求項５】
前記少なくとも一つのレンダリング情報の平滑化に用いられるフィルターは、１次ＩＩＲフィルターを用いて行われることを特徴とする、請求項１に記載の信号処理方法。
【請求項６】
少なくとも一つの前記平滑化が行われたレンダリング情報を、前記マルチソースをダウンミックスして生成されたダウンミックス信号に適用し、前記サラウンド効果を有するサラウンド信号を生成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の信号処理方法。
【請求項７】
前記フィルター情報は、ＨＲＴＦフィルター情報と使用者の選択によって決定された値のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項６に記載の信号処理方法。
【請求項８】
マルチソースの空間情報を用いてソースマッピング情報を生成するソースマッピング部と、
前記ソースマッピング情報及びサラウンド効果のフィルター情報を用いて少なくとも一つのレンダリング情報を生成する合成部と、
少なくとも一つの前記レンダリング情報の隣接したレンダリング情報を用いて前記少なくとも一つのレンダリング情報を平滑化する平滑化部と、
を含むことを特徴とする信号処理装置。
【請求項９】
前記平滑化部は、前記少なくとも一つのレンダリング情報の平滑化を時間ドメイン又は周波数ドメインで行うことを特徴とする、請求項８に記載の信号処理装置。
【請求項１０】
前記平滑化部は、前記レンダリング情報が生成された第１周波数帯域から第２周波数帯域に前記レンダリング情報を拡張することを特徴とする、請求項８に記載の信号処理装置。
【請求項１１】
前記平滑化部は、前記第１周波数帯域のレンダリング情報と同じ値を用いて拡張を行うことを特徴とする、請求項１０に記載の信号処理装置。
【請求項１２】
前記平滑化部は、１次ＩＩＲフィルターを用いて前記少なくとも一つのレンダリング情報の平滑化を行うことを特徴とする、請求項８に記載の信号処理装置。
【請求項１３】
前記平滑化が行われたレンダリング情報を、前記マルチソースをダウンミックスして生成されたダウンミックス信号に適用し、前記サラウンド効果を有するサラウンド信号を生成するレンダリング部をさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の信号処理装置。
【請求項１４】
前記フィルター情報は、ＨＲＴＦフィルター情報と使用者の選択によって決定された値のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項１３に記載の信号処理装置。
【請求項１５】
前記フィルター情報は、前記サラウンド信号を生成するドメインの情報にドメイン変換されることを特徴とする、請求項１４に記載の信号処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月18日(2009.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シングル・キャリア周波数分割多重アクセス（ＳＣ−ＦＤＭＡ）送信機でパイロット・シンボルを生成するための方法であって、
定振幅ゼロ自己相関（ＣＡＺＡＣ）シーケンスの離散フーリエ変換であるＭポイント並列変換シーケンスを提供するステップと、
Ｎポイント周波数領域シーケンスを形成するために、前記Ｍポイント並列変換シーケンスをＮ個のサブキャリアのうちの一組のＭ個のサブキャリアに分配するステップであって、ＮがＭより大きく、前記Ｍ個のサブキャリアが等間隔に位置するステップと、
前記Ｎポイント周波数領域シーケンスを、Ｎポイント時間領域シーケンスに変換するために、Ｎポイント逆高速フーリエ変換を行うステップと、
前記Ｎポイント時間領域シーケンスを直列シーケンスに変換するステップと、
パイロット・シンボルを形成するために、サイクリック・プレフィックスを前記直列シーケンスに付加するステップと、を含む方法。
【請求項２】
Ｍポイント並列変換シーケンスを提供する前記ステップが、
Ｍポイント直列ＣＡＺＡＣパイロット・シーケンスを提供するステップと、
前記Ｍポイント直列パイロット・シーケンスをＭポイント並列パイロット・シーケンスに変換するステップと、
前記Ｍポイント並列変換シーケンスを生成するために、前記Ｍポイント並列パイロット・シーケンス上でＭポイント離散フーリエ変換を行うステップと、からなる請求項１に記載のパイロット・シンボルを生成するための方法。
【請求項３】
パイロット・シンボル生成器であって、
定振幅ゼロ自己相関（ＣＡＺＡＣ）シーケンスから入手したＭポイント並列変換シーケンスを生成するためのＭポイント並列変換シーケンス生成器と、
Ｎポイント分配変換シーケンスを生成するために、Ｎ個のサブキャリアのＭ個の選択したサブキャリアの組上に前記Ｍポイント並列変換シーケンスをマッピングするための前記Ｍポイント離散フーリエ変換装置に結合している分配サブキャリア・マッパであって、ＮがＭより大きく、Ｍ個の選択したサブキャリアの前記組の間隔が等間隔である分配サブキャリア・マッパと、
Ｎポイント分配時間領域シーケンスを生成するために、前記Ｎポイント分配変換シーケンスを変換するために前記分配サブキャリア・マッパと結合しているＮポイント逆高速フーリエ変換装置と、
直列Ｎポイント分配時間領域シーケンスを生成するために、前記Ｎポイント分配時間領域シーケンスと結合している並直列変換器と、
パイロット・シンボルを生成するために、前記直列Ｎポイント分配時間領域シーケンスと結合しているサイクリック・プレフィックス付加器と、
を備えるパイロット・シンボル生成器。
【請求項４】
シングル・キャリア周波数分割多重アクセス（ＳＣ−ＦＤＭＡ）受信機でパイロット・シンボルを受信するための方法であって、
修正したパイロット波形を生成するために、受信パイロット波形からサイクリック・プレフィックスを除去するステップと、
前記修正したパイロット波形をＮポイント並列修正パイロット・シンボルに変換するステップと、
受信変換パイロット・シンボルを生成するために、前記Ｎポイント並列修正パイロット・シンボル上で、Ｎポイント高速フーリエ変換を行うステップと、
Ｍポイント受信パイロット信号を生成するために、前記受信変換パイロット・シンボル内でＭ個の分配サブキャリアをデマッピングするステップと、
Ｍポイント中間チャネル推定値を生成するために、前記Ｍポイント受信パイロット信号にＭポイント・チャネル推定値乗数を掛けるステップであって、前記Ｍポイント・チャネル推定値乗数を定振幅ゼロ自己相関（ＣＡＺＡＣ）シーケンスから入手するステップと、
最終チャネル推定値を生成するために、前記Ｍポイント中間チャネル推定値上で二次元補間を行うステップと、
を含む方法。
【請求項５】
パイロット・シンボル受信機であって、
修正パイロット波形を生成するために、受信波形からサイクリック・プレフィックスを除去するためのサイクリック・プレフィックス除去装置と、
Ｎポイント並列修正パイロット・シンボルを生成するための前記修正パイロット波形と結合している直並列変換器と、
受信変換パイロット・シンボルを生成するために、前記Ｎポイント並列修正パイロット・シンボル上でＮポイント高速フーリエ変換を行うために、前記直並列変換器と結合しているＮポイント高速フーリエ変換装置と、
Ｍポイント受信パイロット信号を生成するために、前記受信変換パイロット・シンボル内でＭ個の分配サブキャリアをデマッピングするために、前記Ｎポイント高速フーリエ変換装置と結合している分配サブキャリア・デマッパと、
Ｍポイント中間チャネル推定値を生成するために、前記Ｍポイント受信パイロット信号に、Ｍポイント・チャネル推定値を掛けるために前記分配サブキャリア・デマッパに結合している乗算器であって、前記Ｍポイント・チャネル推定値乗数が、定振幅ゼロ自己相関（ＣＡＺＡＣ）シーケンスから入手される乗算器と、
最終チャネル推定値を生成するために、前記Ｍポイント中間チャネル推定値上で二次元補間を行うための前記乗算器と結合している二次元補間器と、
を備えるパイロット・シンボル受信機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビットストリームからダウンミックス信号を抽出する段階と、
前記ダウンミックス信号にデコリレータを適用し、デコリレートされたダウンミックス信号を生成する段階と、
前記ダウンミックス信号及び前記デコリレートされたダウンミックス信号にレンダリング情報を適用し、サラウンド効果を有するサラウンド信号を生成する段階と、
を含むことを特徴とする信号処理方法。
【請求項２】
前記レンダリング情報を適用する段階は、時間ドメイン、周波数ドメイン、ＱＭＦドメイン及びハイブリッドドメインの一つで行われることを特徴とする、請求項１に記載の信号処理方法。
【請求項３】
前記レンダリング情報は、前記サラウンド効果のフィルター情報及び前記ビットストリームから抽出した空間情報を用いて生成されることを特徴とする、請求項１に記載の信号処理方法。
【請求項４】
前記ダウンミックス信号を、前記生成されたサラウンド信号と同一のドメインの信号へと変換する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の信号処理方法。
【請求項５】
前記レンダリング情報のドメインは、前記生成されたサラウンド信号の前記ドメインと同一であることを特徴とする、請求項４に記載の信号処理方法。
【請求項６】
前記デコリレータは、全域通過特性を持つことを特徴とする、請求項１に記載の信号処理方法。
【請求項７】
前記ダウンミックス信号は、モノ信号であることを特徴とする、請求項１に記載の信号処理方法。
【請求項８】
ビットストリームから抽出されたダウンミックス信号にデコリレータを適用し、デコリレートされたダウンミックス信号を生成するデコリレーティング部と、
前記ダウンミックス信号及び前記デコリレートされたダウンミックス信号にレンダリング情報を適用し、サラウンド効果を有するサラウンド信号を生成するレンダリング部と、
を含むことを特徴とする信号処理装置。
【請求項９】
前記レンダリング部は、時間ドメイン、周波数ドメイン、ＱＭＦドメイン及びハイブリッドドメインの一つで前記サラウンド信号を生成することを特徴とする、請求項８に記載の信号処理装置。
【請求項１０】
前記レンダリング情報は、前記サラウンド効果のフィルター情報及び前記ビットストリームから抽出した空間情報を用いて生成されることを特徴とする、請求項８に記載の信号処理装置。
【請求項１１】
前記レンダリング情報は、ダウンミックス信号チャンネル及びデコリレートされたダウンミックス信号チャンネルのうちの一つのチャンネルに適用された後、同じチャンネルに伝達される第１レンダリング情報と、前記ダウンミックス信号チャンネル及び前記デコリレートされたダウンミックス信号チャンネルのうちの一つのチャンネルに適用された後、他のチャンネルに伝達される第２レンダリング情報と、を含むことを特徴とする、請求項８に記載の信号処理装置。
【請求項１２】
前記ダウンミックス信号を、前記生成されたサラウンド信号と同一のドメインの信号へと変換するドメイン変換ユニットをさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の信号処理装置。
【請求項１３】
前記レンダリング情報のドメインは、前記生成されたサラウンド信号の前記ドメインと同一であることを特徴とする、請求項１２に記載の信号処理装置。
【請求項１４】
前記デコリレータは、全域通過特性を持つことを特徴とする、請求項８に記載の信号処理装置。
【請求項１５】
前記ダウンミックス信号は、モノ信号であることを特徴とする、請求項８に記載の信号処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月16日(2009.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を除去可能に格納するデータ格納システムであって、該データ格納システムは、
リムーバブルデータカートリッジであって、該リムーバブルデータカートリッジは、
表面抵抗を有する静電気散逸性部分を含む筐体と、
第１の電気コネクタと、
該筐体の中の格納デバイスであって、該格納デバイスは、電子回路を含み、該静電気散逸性部分が、該電子回路に電気接続されている、格納デバイスと
を含む、リムーバブルデータカートリッジと、
該リムーバブルデータカートリッジを電気的および機械的に係合するように適合されているカートリッジレセプタクルであって、該カートリッジレセプタクルは、
該第１の電気コネクタを電気的に係合するように適合された第２の電気コネクタと、
該第１の電気コネクタと該第２の電気コネクタとが係合する前に、該部分を係合するように構成された導電性部材であって、該導電性部材は、該カートリッジレセプタクルの接地に接続されている、導電性部材と
を含む、カートリッジレセプタクルと
を含む、データ格納システム。
【請求項２】
前記リムーバブルデータカートリッジは、絶縁部分をさらに含む、請求項１に記載の情報を除去可能に格納するデータ格納システム。
【請求項３】
前記リムーバブルデータカートリッジは、前記筐体内に複数の通気ギャップをさらに含み、それにより複数の通気ギャップは、前記格納デバイスに対する空気の通路を作り出す、請求項１に記載の情報を除去可能に格納するデータ格納システム。
【請求項４】
前記リムーバブルデータカートリッジは、アパーチャをさらに含み、前記第１の電気コネクタは、該アパーチャによってアクセス可能となる、請求項１に記載の情報を除去可能に格納するデータ格納システム。
【請求項５】
前記静電気散逸性部分は、前記アパーチャの少なくとも一部分を含む、請求項４に記載の情報を除去可能に格納するデータ格納システム。
【請求項６】
前記電子回路は、ソリッドステートデバイスを含む、請求項４に記載の情報を除去可能に格納するデータ格納システム。
【請求項７】
情報を除去可能に格納するデータ格納システムであって、該データ格納システムは、
リムーバブルデータカートリッジであって、該リムーバブルデータカートリッジは、
抵抗を有する静電気散逸性部分を含む筐体と、
第１の電気コネクタと、
該筐体の中の格納デバイスであって、該格納デバイスは、電子回路を含み、該静電気散逸性部分が、該電子回路に電気接続されている、格納デバイスと
を含む、リムーバブルデータカートリッジと、
該リムーバブルデータカートリッジを電気的および機械的に係合するように適合されているカートリッジレセプタクルであって、該カートリッジレセプタクルは、
該第１の電気コネクタを電気的に係合するように適合された第２の電気コネクタと、
該第１の電気コネクタと該第２の電気コネクタとが係合する前に、該静電気散逸性部分を係合するように構成された部材であって、該部材は、該カートリッジレセプタクルの接地に接続されている、部材と
を含む、カートリッジレセプタクルと
を含む、データ格納システム。
【請求項８】
前記部材は、導電性がある、請求項７に記載の情報を除去可能に格納するデータ格納システム。
【請求項９】
前記抵抗は、空気の抵抗よりも小さい、請求項７に記載の情報を除去可能に格納するデータ格納システム。
【請求項１０】
前記リムーバブルデータカートリッジは、前記筐体内に複数の通気ギャップをさらに含み、それにより該複数の通気ギャップは、前記格納デバイスに対する空気の通路を作り出す、請求項７に記載の情報を除去可能に格納するデータ格納システム。
【請求項１１】
前記抵抗は、前記部材の抵抗を上回る、請求項７に記載の情報を除去可能に格納するデータ格納システム。
【請求項１２】
前記部材は、スプリングクリップを含む、請求項７に記載の情報を除去可能に格納するデータ格納システム。
【請求項１３】
前記静電気散逸性部分は、金属部材によって前記電子回路に電気接続されている、請求項７に記載の情報を除去可能に格納するデータ格納システム。
【請求項１４】
前記静電気散逸性部分は、静電気散逸性ポリマを含む、請求項７に記載の情報を除去可能に格納するデータ格納システム。
【請求項１５】
前記抵抗は、約１００オーム／平方から約１，０００，０００オーム／平方の範囲内である、請求項７に記載の情報を除去可能に格納するデータ格納システム。
【請求項１６】
前記筐体は、絶縁部分をさらに含む、請求項７に記載の情報を除去可能に格納するデータ格納システム。
【請求項１７】
前記格納デバイスは、磁気ディスクドライブを含む、請求項７に記載の情報を除去可能に格納するデータ格納システム。
【請求項１８】
前記格納デバイスは、格納のためのフラッシュメモリを含む、請求項７に記載の情報を除去可能に格納するデータ格納システム。
【請求項１９】
情報を除去可能に格納するリムーバブルデータカートリッジであって、該リムーバブルデータカートリッジは、
表面抵抗を有する静電気散逸性部分を含む筐体と、
電気コネクタと、
該筐体の中の格納デバイスと
を含み、
該格納デバイスは電子回路を含み、
該静電気散逸性部分は、該電子回路に電気接続されている、情報を除去可能に格納するリムーバブルデータカートリッジ。
【請求項２０】
前記静電気散逸性部分は、静電気散逸性ポリマを含む、請求項１９に記載の情報を除去可能に格納するリムーバブルデータカートリッジ。
【請求項２１】
前記表面抵抗は、約１００オーム／平方から約１，０００，０００オーム／平方の範囲内である、請求項１９に記載の情報を除去可能に格納するリムーバブルデータカートリッジ。
【請求項２２】
前記静電気散逸性部分は、前記電気コネクタが前記カートリッジレセプタクルに含まれる第２の電気コネクタに係合する前に、カートリッジレセプタクルの導電性部材と係合するように構成されており、該導電性部材は、該静電気散逸性部分を該カートリッジレセプタクルの接地に接続している、請求項１９に記載の情報を除去可能に格納するリムーバブルデータカートリッジ。
【請求項２３】
前記静電気散逸性部分を、前記電子回路に接続する金属部材をさらに含む、請求項１９に記載の情報を除去可能に格納するリムーバブルデータカートリッジ。
【請求項２４】
前記金属部材は、ブリーダースプリングである、請求項１９に記載の情報を除去可能に格納するリムーバブルデータカートリッジ。
【請求項２５】
前記筐体は、絶縁部分をさらに含む、請求項１９に記載の情報を除去可能に格納するリムーバブルデータカートリッジ。
【請求項２６】
前記格納デバイスは、磁気ディスクドライブを含む、請求項１９に記載の情報を除去可能に格納するリムーバブルデータカートリッジ。
【請求項２７】
前記格納デバイスは、格納のためのフラッシュメモリを含む、請求項１９に記載の情報を除去可能に格納するリムーバブルデータカートリッジ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月15日(2010.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の面積と所定の動作周波数範囲とを有し、該動作周波数範囲内に共鳴屈曲波モードを有するような振動板と、
前記振動板に繋がれ、前記振動板とエネルギーを交換するよう構成された、複数の電子機械トランスデューサと、
を含み、
前記動作周波数範囲内において少なくとも選択されたモードをバランスさせる方向へと向かうよう、前記振動板の前記面積に亘る正味の横モードの速度が少なくとも低減され、かつ、選択された共鳴屈曲波モードのバランシングを実質的に達成するよう、前記トランスデューサの配置と機械インピーダンスとが構成されていることを特徴とする、音響装置。
【請求項２】
前記トランスデューサは平均節位置に搭載される、請求項１に記載の音響装置。
【請求項３】
前記振動板は長方形の振動板であって、
長い方の軸について対称的に配置された３つのトランスデューサと、
短い方の軸について対称的に配置されたトランスデューサのペアと、
を含む、請求項１に記載の音響装置。
【請求項４】
前記トランスデューサのうちの少なくとも２つは異なったドライブ強度を有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の音響装置。
【請求項５】
所定の面積と所定の動作周波数範囲とを有する振動板を持つ音響装置を作成する方法であって、
前記動作周波数範囲内に共鳴モードを持つよう、振動板パラメータを選択する段階と、
複数の電子機械トランスデューサを、前記振動板とエネルギーを交換するよう、前記振動板に繋げる段階と、
を含み、
前記動作周波数範囲内において少なくとも選択されたモードをバランスさせる方向へと向かうよう、前記面積に亘る正味の横モードの速度が少なくとも低減され、かつ、選択された共鳴屈曲波モードのバランシングを実質的に達成するよう、前記トランスデューサの配置と機械インピーダンスとを選択することを特徴とする、方法。
【請求項６】
平均節位置に前記トランスデューサを搭載する段階を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
コンプライアントな中間層を前記振動板に取り付ける段階と、
低周波数において出力が低減し、しかしながら高周波数においては出力が影響を受けないよう、前記中間層の質量と、減衰と、コンプライアンスとを選択する段階と、
を含む、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
弾力的吊り下げ装置を通じて前記振動板を胴体に繋げる段階と、
前記吊り下げ装置の機械インピーダンス効果を相殺するように前記トランスデューサの配置と機械インピーダンスとを選択する段階と、
を含む、請求項５乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
共鳴モードの数を選択する段階と、
選択された数の共鳴モードの節線が、そこにおいて、又はその周辺でクラスタ化される、複数の節グループ化地点が存在するように、前記振動板のパラメータを選択する段階と、
各々のトランスデューサを、前記複数の節グループ化地点のうちの１つに搭載する段階と、
を含む、請求項５乃至８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
低周波数共鳴モードを選択する段階を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
奇数モード及び偶数モードの任意の組み合わせ、又は、奇数モード又は偶数モードの任意の組み合わせを選択する段階を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
選択された節グループ化地点においてクラスタ化される節線の所望の位置、又はその所望の組み合わせを選択する段階と、
前記所望の位置又は前記所望の組み合わせをもたらすような、前記振動板のための複雑な幾何学的形状を選択する段階と、
を含む、請求項５乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記複雑な形状を規則的形状へと振動について分解するために、溝を前記振動板に作る段階を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記振動板に全体的に等高線又はうねりを与えることにより、前記振動板における節線を移動させる段階を含み、それによって、選択された節グループ化地点の位置が変わるか、又は選択された節グループ化地点においてクラスタ化される節線が変わる、請求項５乃至１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
ピストン対モーダルでの出力における所望の割合を達成するように前記装置のパラメータを選択する段階を含む、請求項５乃至１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
所定の面積と所定の動作周波数範囲とを有し、該動作周波数範囲内に共鳴モードを有するような振動板と、
前記振動板に繋がれた、前記振動板とエネルギーを交換するよう構成された、少なくとも１つの電子機械トランスデューサと、
を含み、
選択された数の共鳴モードの節線が、そこにおいて、又はその周辺でクラスタ化する、複数の節グループ化地点が存在するように前記振動板のパラメータは構成され、前記少なくとも１つのトランスデューサは、該複数の節グループ化地点のうちの１つに搭載されることを特徴とする、音響装置。
【請求項１７】
所定の面積と所定の動作周波数範囲とを有する振動板を持つ音響装置を作成する方法であって、
前記動作周波数範囲内に共鳴モードを持つよう、振動板パラメータを選択する段階と、
少なくとも１つの電子機械トランスデューサを、前記振動板とエネルギーを交換するよう、前記振動板に繋げる段階と、
を含み、
選択した数の共鳴モードの節線が、そこにおいて、又はその周辺でクラスタ化する、複数の節グループ化地点が存在するように前記振動板のパラメータを選択し、前記少なくとも１つのトランスデューサを、該複数の節グループ化地点のうちの１つに繋げることを特徴とする、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月17日(2009.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジョイントに隣接して接着される隣接部材間の前記ジョイントで交わる複数の部材を有する構造であって、各ジョイントが、両方の隣接部材内および部材間に形成された連動構造を含む構造。
【請求項２】
前記各部材が、他の部材のフックが係合しているフックの背面に２つのフックおよび２つのキャッチを含む、請求項１に記載の構造。
【請求項３】
前記部材が、接着した場合に、一次元アレイを形成する、請求項１に記載の構造。
【請求項４】
前記接着した部材が、ほぼ平らなプレートを形成する、請求項３に記載の構造。
【請求項５】
前記各部材が、他の部材のフックが係合しているフックの背面に２つのフックおよび２つのキャッチを含む、請求項４に記載の構造。
【請求項６】
前記フックが、前記部材の主面に対して傾斜した角度で延びる、請求項５に記載の構造。
【請求項７】
前記フックの凸状の隅の曲率半径が、前記キャッチの対応する凹状の隅の曲率半径より大きい、請求項５に記載の構造。
【請求項８】
前記接着した部材が、孔部を囲む閉じた管状形に配置される、請求項１に記載の構造。
【請求項９】
前記部材が、シリコン部材である、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の構造。
【請求項１０】
前記部材が、前記ジョイント内に配置されるシリカ形成剤およびシリコン粉末の硬化合成物により接着される、請求項９に記載の構造。
【請求項１１】
軸に沿って延びる管状部材であって、前記軸に対して平行に延び、前記軸の周囲に配置される複数のステーブを備え、前記ステーブの内側の前記軸に沿って延びる孔部を含み、前記ステーブのうちの隣接しているステーブが、各連動接合部で相互に接着される管状部材。
【請求項１２】
前記連動接合部が、隣接する各ステーブ内に形成され、前記隣接するステーブのうちの一方のステーブのキャッチが、前記隣接するステーブの他方のステーブのフックを受け入れるように整合しているフックおよびキャッチを備える、請求項１１に記載の部材。
【請求項１３】
前記ステーブが、シリコン・ステーブである、請求項１１に記載の部材。
【請求項１４】
前記ステーブが、スピン・オン・グラスとシリコン粉末との硬化合成物により接着される、請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の部材。
【請求項１５】
前記ステーブが、接着された場合に、周方向のネックを有する端部を含む、請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の部材。
【請求項１６】
前記ネックが、前記各ステーブの端部上に少なくとも３つの平坦な領域を有する、請求項１５に記載の部材。
【請求項１７】
前記連動接合部が、それらの間に所定の隙間を有するように機械加工された前記ステーブの一部から形成される、請求項１１に記載の部材。
【請求項１８】
前記ステーブが、前記隙間内を満たしているシリカ形成剤およびシリコン粉末の硬化合成物により接着されているシリコン・ステーブである、請求項１７に記載の部材。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月24日(2009.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子層蒸着（ＡＬＤ）デバイスであって、
第１の通路および第２の通路を有し、前記第１の通路および前記第２の通路はＯリングを有さないマニホールド本体と、
前記本体内に位置づけられ、かつ前記第１の通路および前記第２の通路と流体連通状態にある穴と、
前記穴と流体連通状態にあり、かつ内部に基板を収容するように構成される蒸着チャンバと、
を備えるＡＬＤデバイス。
【請求項２】
前記本体上へ取り付けられ、かつ前記第１の通路を介する前記穴への第１の反応物ガスの供給を制御するように構成される第１の反応物バルブと、
前記本体上へ取り付けられ、かつ前記第１の反応物ガスバルブへの不活性ガスの供給を制御するように構成される不活性ガスバルブと、
をさらに備える、請求項１記載のＡＬＤデバイス。
【請求項３】
前記本体上へ取り付けられ、かつ前記第２の通路を介する前記穴への第２の反応物ガスの供給を制御するように構成される第２の反応物バルブと、
前記本体上へ取り付けられ、かつ前記第２の反応物ガスバルブへの不活性ガスの供給を制御するように構成される第２の不活性ガスバルブと、
をさらに備える、請求項２記載のＡＬＤデバイス。
【請求項４】
前記本体内にＯリングを持たず、かつ前記穴と流体連通状態にある第３の通路と、
前記本体上へ取り付けられ、かつ前記第３の通路を介する前記穴への第３の反応物ガスの供給を制御するように構成される第３の反応物バルブと、
前記本体上へ取り付けられ、かつ前記第３の反応物ガスバルブへの不活性ガスの供給を制御するように構成される第３の不活性ガスバルブと、
をさらに備える、請求項３記載のＡＬＤデバイス。
【請求項５】
前記第１の反応物バルブと前記本体との間に配置される第１のスペーサブロックと、
前記第２の反応物バルブと前記本体との間に配置される第２のスペーサブロックと、
をさらに備える、請求項３記載のＡＬＤデバイス。
【請求項６】
前記第１の反応物バルブ、前記第１の不活性ガスバルブ、前記第１のスペーサブロック、前記第２の反応物バルブ、前記第２の不活性ガスバルブ、前記第２のスペーサブロックおよび前記マニホールド本体は３１６級ステンレス鋼を含む、請求項５記載のＡＬＤデバイス。
【請求項７】
前記第１のスペーサブロックはベースプレートとキャップとを備え、
前記ベースプレートは前記本体および前記キャップの双方へ結合され、前記キャップは前記第１の反応物バルブへ結合される、請求項５記載のＡＬＤデバイス。
【請求項８】
前記キャップと前記ベースプレートとは爆着によって結合される、請求項７記載のＡＬＤデバイス。
【請求項９】
前記ベースプレートはアルミニウムを含み、前記キャップはステンレス鋼を含み、前記本体はアルミニウムを含み、前記第１の反応物バルブはステンレス鋼を含む、請求項７記載のＡＬＤデバイス。
【請求項１０】
前記第１の反応物バルブと前記キャップとの間のカップリングは金属シールを使用する、請求項７記載のＡＬＤデバイス。
【請求項１１】
前記第１の反応物バルブと前記キャップとは間にＯリングなしに結合される、請求項７記載のＡＬＤデバイス。
【請求項１２】
前記第１の反応物ガスを加熱する第１のヒータをさらに備える、請求項７記載のＡＬＤデバイス。
【請求項１３】
前記第２の反応物ガスを加熱する第２のヒータをさらに備え、前記第２のヒータは前記第１のヒータとは独立して制御される、請求項１２記載のＡＬＤデバイス。
【請求項１４】
前記本体内に配置される不活性ガスチャネルをさらに備え、前記不活性ガスチャネルは、選択的に、第１の時間期間の間に前記第１の通路を介して、かつ第２の時間期間の間に前記第２の通路を介して前記穴と連通する、請求項１記載のＡＬＤデバイス。
【請求項１５】
前記穴の少なくとも一部は円錐形状を有する、請求項１記載のＡＬＤデバイス。
【請求項１６】
前記第１の内部反応物ラインは、前記穴における前記第１の反応物ガスの旋回を促進するように前記円錐形状の穴を介する中心線に対して傾斜される、請求項１５記載のＡＬＤデバイス。
【請求項１７】
前記第１および第２の反応物バルブおよび前記第１および第２の不活性ガスバルブは少なくとも２００℃の温度での動作に定格される、請求項３記載のＡＬＤデバイス。
【請求項１８】
半導体処理デバイスのためのマルチピースマニホールドアセンブリであって、
第１の金属物質を含み、かつ穴を有する本体と、
前記第１の金属物質を含み、かつ前記本体へ結合されるベースプレートと、
第２の金属物質を含み、かつ前記ベースプレートへ接着され、上にバルブを取り付けるように構成されるキャップと、
前記本体の前記穴と前記キャップとの間に形成される内部通路であって、前記内部通路の少なくとも一部は前記本体および前記ベースプレートを介して、前記本体と前記ベースプレートとの間の接着インタフェースにデッドレッグを形成することなく延設される内部通路と、
を備えるマルチピースマニホールドアセンブリ。
【請求項１９】
前記本体内に存在し、かつ前記内部通路と流体連通状態にある不活性ガスチャネルをさらに備える、請求項１８記載のマルチピースマニホールドアセンブリ。
【請求項２０】
前記第１の金属物質はアルミニウムであり、前記第２の金属物質はステンレス鋼である、請求項１８記載のマルチピースマニホールドアセンブリ。
【請求項２１】
マニホールドと反応器とを有する原子層蒸着デバイスへガスを分配する方法であって、
第１の反応物ガスを前記マニホールドへ、第１の反応物バルブとマニホールド出口との間にＯリングを持たない第１の通路を介してルーティングする工程と、
前記第１の反応物ガスの流れを抑止する工程と、
不活性ガスを前記マニホールドへ、前記第１の通路の上流側の第２の通路を介してルーティングする工程と、を含み、
前記第２の通路は第１の不活性ガスバルブと前記第１の通路との間にＯリングを持たない方法。
【請求項２２】
前記第１の反応物ガスを前記第１の反応物バルブと前記マニホールド出口との間の位置で加熱する工程をさらに含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記第１の反応物ガスを前記マニホールド内で旋回させる工程をさらに含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
第２の反応物ガスを前記マニホールドへ、第２の反応物バルブと前記マニホールド出口との間にＯリングを持たない第３の通路を介してルーティングする工程と、
前記第２の反応物ガスの流れを抑止する工程と、
前記不活性ガスを前記マニホールドへ、前記第３の通路の上流側の第４の通路を介してルーティングする工程と、をさらに含み、
前記第４の通路は第２の不活性ガスバルブと前記第３の通路との間にＯリングを持たない、請求項２１記載の方法。
【請求項２５】
前記第２の反応物ガスの前記マニホールドへの供給を前記第１の反応物ガスの供給と交互する工程をさらに含む、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
少なくとも前記第１の反応物ガスが前記マニホールドへルーティングされる時間と前記第２の反応物ガスが前記マニホールドへルーティングされる時間との間の時間に前記反応器を排気する工程をさらに含む、請求項２４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月3日(2009.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
ウェーハの両側で脱ガスを行うことができると、格別に優れた脱ガスの作用が可能となる。そのためにウェーハ１０を、小さな先端部を備えるピンである少なくとも３つのピン２８の上に位置決めして載せ、ウェーハ１０がその下に位置するプレート状の本体１１から、ウェーハの上面について上に説明したのと同じように間隔をおくようにし、その様子は図１１と図１２に示されている。それによりウェーハ１０が、脱着されたガスから、上側の面でも下側の面でも効率的に清浄化ないし脱ガスされる。したがって、このような種類の装置は特別に好ましい。さらなる改良の要諦は、先ほど上面の脱ガスについて説明したのと類似する、層状の下側のガス流２９を、ウェーハ１０と下側の本体１１との間の間隙に生成することにあり、その様子は図１３に示されている。このときガス供給は、先ほど上面処理について説明したのと同じく、下側の本体１１にある分散された小さな開口部１８を介して行われる。このような組み合わされた構造は、ウェーハ１０全体の効率的で完全な脱ガスを可能にする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【図１】水蒸気で飽和した金属表面のガス排出挙動の一例を示す図である。
【図２】平行な２つのプレートを備え、一方のプレートが基板であり、他方のプレートが環境である構造を示す図である。
【図３】排気開口部を模式的に示す図である。
【図４】本発明により平行に配置された平坦な基板と、間隔をおいて配置された平坦な本体と、その間に位置する層状のガス流とを示す部分断面図である。
【図５】本発明の構造を模式的に示す断面図である。
【図６】ガス供給部の一例を示す図である。
【図７】図６のガス供給部に準ずるガス供給開口部の詳細を示す断面図である。
【図８】両方の本体に配置された加熱部材を備える脱ガス構造を模式的に示す断面図である。
【図９】基板が載っているほうの本体に配置された加熱部材を備える脱ガス構造を模式的に示す断面図である。
【図１０】基板表面と向かい合うほうの本体に配置された加熱部材を備える脱ガス構造を模式的に示す断面図である。
【図１１】本発明に基づいて層状のガス流構造がある場合と、従来技術に基づいてガス流がない場合との基板の残留水含有量を温度に依存して示すグラフである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月22日(2010.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルホン化重合体と塩基性ホスホン酸との溶液を製造する方法であって、
前記重合体を非プロトン性溶媒に溶解し、且つ、この溶液に前記塩基性ホスホン酸、特にアミノホスホン酸を加えることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月12日(2010.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極層が接触し且つ第２電極層が誘電体層(8)により分離されている半導体層(14)を含む多層半導体デバイスのための電極構造体を製造する方法において、
（ｉ）支持層の選択されたエリアのみにパターン化材料(20)を付与して、前記第１電極層の構成体を画成するステップと、
（ii）前記パターン化材料(20)に応答するようにされた触媒(24)を前記支持層に付与するステップと、
（iii）前記支持層に導電性材料(26)を付与して、前記第１電極層を形成するステップと、
を備え、前記支持層、前記パターン化材料(20)、及び前記触媒(24)が協働して、前記触媒(24)が付与された前記支持層の選択されたエリアのみに前記導電性材料(26)が堆積されるようにする方法。
【請求項２】
前記支持層は、誘電体層(8)を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２電極層を形成し、そこに誘電体材料を付与して、誘電体層(8)を形成する初期ステップを更に備えた、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記誘電体層(8)に導電性材料(26)を堆積して、第１及び第２の金属電極(12a,12b)を形成し、そして更に、
（iv）前記誘電体層(8)の少なくとも一部分に半導体材料を付与することにより前記半導体層(14)を形成して、前記第１及び第２の金属電極(12a, 12b)との電気的接触をなすステップ、
を備えた請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記支持層は、基板層(4)を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記基板層(4)に導電性材料(26)を堆積して、第１及び第２の金属電極(12a,12b)を形成し、そして更に、
（iv）前記基板層(4)の少なくとも一部分に半導体材料を付与することにより前記半導体層(14)を形成して、前記第１及び第２の金属電極(12a,12b)との電気的接触をなすステップと、
（ｖ）前記半導体層(14)に誘電体材料を付与して誘電体層(8)を形成するステップと、
（vi）前記誘電体層(8)に実質的に導電性の電極(6)を付与することにより前記第２電極層を形成するステップと、
を備えた請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記半導体デバイスは、前記第２電極層が実質的に導電性のゲート電極(6)を形成し、そして前記第１及び第２の金属電極(12a,12b)が各々ソース及びドレインを形成するような薄膜トランジスタ(2)として構成された、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記支持層は、エポキシド化合物を含む、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記誘電体材料は、エポキシド化合物を含む、請求項３、４、６又は７に記載の方法。
【請求項１０】
前記誘電体材料は、１ないし１２の範囲の機能度を有するエポキシド化合物を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記パターン化材料(20)は、表面ヒドロキシルグループに取り付けるようにされる、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記パターン化材料(20)は、金属の無電解堆積に対して触媒作用する材料を結合するようにされる、請求項１から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記パターン化材料(20)は、スルフォン酸材料、トリハロシラン材料、及びトリアルコキシシラン材料の少なくとも１つを含み、トリアルコキシシランは、１つ以上のアミン、アミノカルボキシチオール、ジケトネート、オキシム又は置換ホスフィングループで置換されたものである、請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
支持層に導電性材料(26)を付与する前記ステップは、無電解堆積を含む、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
エポキシド材料を含むゲート絶縁層(8)を有する薄膜トランジスタ(2)。
【請求項１６】
前記エポキシド材料は、１ないし１２の範囲の機能度を有するエポキシド化合物を含む、請求項１５に記載の薄膜トランジスタ(2)。
【請求項１７】
前記ゲート絶縁層(8)に堆積されたメッキ金属のソース及びドレイン電極(12a,12b)を備えた請求項１５又は１６に記載の薄膜トランジスタ(2)。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月16日(2009.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信信号を等化する方法であって、
（ａ）受信信号の少なくとも１つのパイロットチャネルに基づいて１つまたはそれ以上の受信信号の第１のセットを等化して、１つまたはそれ以上の等化信号の第１のセットを発生するステップと、
（ｂ）１つまたはそれ以上の等化信号の前記第１のセットを処理して、前記受信信号の１つまたはそれ以上の非パイロットチャネルの第１のセットに相当する１つまたはそれ以上のデコードデータストリームの第１のセットを発生するステップと、
（ｃ）１つまたはそれ以上のデコードデータストリームの前記第１のセットから１つまたはそれ以上の基準信号を発生するステップと、
（ｄ）（１）前記少なくとも１つのパイロットチャネルと、（２）前記１つまたはそれ以上の基準信号、の両方に基づいて、１つまたはそれ以上の受信信号の第２のセットを等化して、１つまたはそれ以上の等化信号の第２のセットを発生するステップとを含む方法。
【請求項２】
１つまたはそれ以上の受信信号の前記第２のセットが、１つまたはそれ以上の受信信号の前記第１のセットの時間遅延されたバージョンである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップ（ｂ）、（ｃ）、および（ｄ）が１つまたはそれ以上の受信信号の前記第１のセットについて１回またはそれ以上反復され、各反復について、ステップ（ｂ）で処理された前記等化信号が、ステップ（ｄ）の先の実施において発生された前記等化信号である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ステップ（ｄ）がフィルタ係数の第２のセットに基づいて１つまたはそれ以上の受信信号の前記第２のセットを濾波するステップを含み、フィルタ係数の前記第２のセットが、
（１）１つまたはそれ以上の等化信号の前記第２のセットを（ｉ）前記少なくとも１つのパイロットチャネルと、（ｉｉ）前記１つまたはそれ以上の基準信号、の両方と比較することによって、エラー信号を計算する処理と、
（２）前記エラー信号に基づいてフィルタ係数の前記第２のセットを更新する処理、により、適応的に発生される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
フィルタ係数の前記第２のセットの更新が、前記１つまたはそれ以上の基準信号を生成するのに用いられる前記１つまたはそれ以上の非パイロットチャネルの数および電力の関数として発生されたステップサイズ値に更に基づく、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ステップ（ａ）が、フィルタ係数の前記第２のセットを用いて１つまたはそれ以上の受信信号の前記第１のセットを濾波する処理を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
ステップ（ｃ）が、
（１）１つまたはそれ以上のデコードデータストリームの前記第１のセットについて硬決定の第１のセットを発生する処理と、
（２）前記１つまたはそれ以上の基準信号として用いられる硬決定の前記第１のセットを記録する処理、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ステップ（ｃ）が、
（１）前記１つまたはそれ以上の非パイロットチャネルの各々に関連する電力値が電力閾値条件を満たすかどうかを決定する処理と、
（２）基準信号を発生するのに使用するために、関連する電力値が前記電力閾値条件を満たす非パイロットチャネルに相当する各デコードデータストリームをイネーブルにする処理、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
各電力値が、前記関連する非パイロットチャネルの電力および前記少なくとも１つのパイロットチャネルの電力に基づく電力比である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
受信信号を等化する装置であって、
（１）１つまたはそれ以上の受信信号の第１のセットから１つまたはそれ以上の基準信号を発生するように適合された第１の基準発生器（例えば２１８）を含み、前記第１の基準発生器は、
（ａ）前記受信信号の少なくとも１つのパイロットチャネルに基づいて１つまたはそれ以上の受信信号の第１のセットを等化して、１つまたはそれ以上の等化信号の第１のセットを発生するように適合された第１の等化器（例えば２２０）と、
（ｂ）１つまたはそれ以上の等化信号の前記第１のセットを処理して、前記受信信号の１つまたはそれ以上の非パイロットチャネルの第１のセットに相当する１つまたはそれ以上のデコードデータストリームの第１のセットを発生するように適合された第１のデコーダ（例えば２２２）と、
（ｃ）１つまたはそれ以上のデコードデータストリームの前記第１のセットから１つまたはそれ以上の基準信号を発生するように適合されたチップシーケンス発生器（例えば２２６）とシンボル決定ブロック（例えば２２４）とを含み、前記装置はさらに、
（２）（ｉ）前記少なくとも１つのパイロットチャネルと、（ｉｉ）前記１つまたはそれ以上の基準信号、の両方に基づいて、１つまたはそれ以上の受信信号の第２のセットを等化して、１つまたはそれ以上の等化信号の第２のセットを発生するように適合された第２の等化器（例えば２０４）を備える装置。