(57)【要約】本開示は、アレイ基板、表示パネル及び表示装置を提供する。このアレイ基板は、基板本体を含み、前記基板本体は、表示領域及び非表示領域を含み、前記非表示領域は、前記表示領域内の信号線と接続するファンアウト信号線が設けられたファンアウト領域を含む。前記ファンアウト領域は、前記基板本体と平坦層との間に設けられた無機絶縁層を含み、前記無機絶縁層に第１凹溝が開いており、且つ前記ファンアウト信号線の少なくとも一部の前記基板本体での正投影は、前記第１凹溝の前記基板本体での正投影内に位置する。
2022501626.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体を含むアレイ基板であって、
前記基板本体は、表示領域及び非表示領域を含み、前記非表示領域は、前記表示領域内の信号線と接続するファンアウト信号線が設けられたファンアウト領域を含み、
ここで、前記ファンアウト領域は、前記基板本体と平坦層との間に設けられた無機絶縁層を含み、前記無機絶縁層に第１凹溝が開いており、且つ前記ファンアウト信号線の少なくとも一部の、前記基板本体での正投影は、前記第１凹溝の、前記基板本体での正投影内に位置する
アレイ基板。
【請求項２】
前記平坦層は、前記ファンアウト信号線上に堆積し、前記ファンアウト信号線と繋がっている
請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記第１凹溝の底部は、前記第１凹溝の開口に対向しており、前記基板本体の一部の表面は、前記第１凹溝の底部を構成し、且つ前記ファンアウト信号線における、前記第１凹溝の底部に設けられた部分は、前記基板本体に直接接触している
請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記第１凹溝の底部は、前記第１凹溝の開口に対向しており、前記基板本体の一部の表面は、前記第１凹溝の底部を構成し、前記第１凹溝内に有機高分子材料層が充填されており、前記有機高分子材料層は、前記第１凹溝の底部に直接接触しており、前記ファンアウト信号線は、前記有機高分子材料層の、前記基板本体から遠い側に設けられて、前記有機高分子材料層に直接接触しており、且つ前記平坦層は、前記ファンアウト信号線の、前記基板本体から遠い側に設けられている
請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記第１凹溝の底部は、前記第１凹溝の開口に対向しており、前記基板本体の一部の表面は、前記第１凹溝の底部を構成し、前記有機高分子材料層は、前記基板本体の一部の表面に直接接触している
請求項４に記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記無機絶縁層は、順次に前記基板本体上に設けられたバッファ層、ゲート絶縁層及び層間絶縁層を含み、前記第１凹溝の深さは、前記バッファ層、前記ゲート絶縁層及び前記層間絶縁層の厚さの合計以下であり、且つ前記ファンアウト信号線は、前記層間絶縁層上に設けられ、その一部が前記第１凹溝内に設けられている
請求項１〜５の何れか一項に記載のアレイ基板。
【請求項７】
前記第１凹溝は、前記基板本体の一部の表面が露出されるように、前記バッファ層、前記ゲート絶縁層及び前記層間絶縁層を貫いており、前記ファンアウト信号線は、前記基板本体の前記一部の表面に直接接触している
請求項６に記載のアレイ基板。
【請求項８】
前記無機絶縁層は、少なくとも２層構造を含み、前記第１凹溝は、前記基板本体と平行な開口寸法が、前記基板本体に垂直で且つ前記基板本体から離れる方向に沿って徐々に大きくなる
請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項９】
前記第１凹溝の側壁の表面は、階段面又は平面である
請求項８に記載のアレイ基板。
【請求項１０】
前記無機絶縁層は、互いに直接接触している第１サブ無機絶縁層及び第２サブ無機絶縁層を含む
請求項９に記載のアレイ基板。
【請求項１１】
前記無機絶縁層は、順次に前記基板本体上に設けられたバッファ層、ゲート絶縁層及び層間絶縁層を含み、前記ゲート絶縁層での前記第１凹溝の開口寸法は、前記バッファ層での前記第１凹溝の開口寸法よりも大きく、且つ前記層間絶縁層での前記第１凹溝の開口寸法は、前記ゲート絶縁層での前記第１凹溝の開口寸法よりも大きい
請求項８に記載のアレイ基板。
【請求項１２】
前記第１凹溝における前記ゲート絶縁層及び前記層間絶縁層を貫いた部分の側壁は第１平面であり、前記第１凹溝における前記バッファ層を貫いた部分の側壁は第２平面であり、且つ前記第１平面と前記第２平面とは、異なる平面に位置する
請求項１１に記載のアレイ基板。
【請求項１３】
前記第１凹溝における前記層間絶縁層を貫いた部分の側壁は第３平面であり、前記第１凹溝における前記ゲート絶縁層及び前記バッファ層を貫いた部分の側壁は第４平面であり、且つ前記第３平面と前記第４平面とは、異なる平面に位置する
請求項１１に記載のアレイ基板。
【請求項１４】
前記有機高分子材料層は、前記第１凹溝の外部に位置し且つ前記無機絶縁層と貼り合せられて繋がった部分を更に含む
請求項３又は５に記載のアレイ基板。
【請求項１５】
前記ファンアウト信号線は、画素ユニットのデータ線とは、同じ層で同じ材料になるように設けられた第１線路部分と、前記画素ユニットのゲット線とは、同じ層で同じ材料になるように設けられた第２線路部分とを含み、
ここで、前記第１線路部分は、前記第１凹溝内に設けられている
請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項１６】
前記基板本体は、フレキシブル基板本体である
請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項１７】
前記表示領域には、複数の画素ユニットが設けられており、前記非表示領域又は前記表示領域には、駆動回路が更に設けられており、前記駆動回路は、前記ファンアウト信号線及び前記表示領域内の信号線を介して、前記複数の画素ユニットに接続されている
請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項１８】
前記有機高分子材料層は、フレキシブル有機高分子材料層である
請求項３又は５に記載のアレイ基板。
【請求項１９】
請求項１〜１８の何れか一項に記載のアレイ基板を含む
表示パネル。
【請求項２０】
請求項１９に記載の表示パネルを含む
表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、２０１８年９月２７日に中国で出願された中国特許出願第２０１８１１１３０８５４．６号の優先権を主張し、その内容の全ては、参照により本願に組み込まれる。
【０００２】
本開示は、表示技術の分野に関し、特に、アレイ基板、表示パネル及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
有機エレクトロルミネッセンス表示デバイスとも呼ばれるＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ）表示デバイスは、自己発光、薄型軽量及び省電力の特性を備えているため、現在、表示機器で広く使用されている。また、今のＯＬＥＤ表示スクリーンは、湾曲可能なフレキシブルスクリーンとして作ることができ、作られた表示製品がより多様化され、市場への幅広い応用が見込まれる。
【０００４】
フレキシブルＯＬＥＤディスプレイの構造を簡素化するために、現在、表示領域として作られたフレキシブル基板には、駆動チップＩＣが更に直接製作され、且つ、フレキシブル基板における駆動回路が設けられる部分は、表示領域が設けられる部分に比べて折り曲げられており、通常として、表示領域が設けられる部分の背面に折り曲げられ、この設定構造に基づけば、駆動回路と表示領域とを接続する信号線は、フレキシブル基板の折り曲げ領域に設けられる。
【０００５】
関連技術においては、折り曲げ領域に複数の無機層が製作されているため、駆動回路と表示領域との間の信号線接続の破断するリスクが高く、それにより、フレキシブルＯＬＥＤディスプレイの使用性能に影響を与えてしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本開示の技術案は、アレイ基板、表示パネル及び表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
基板本体を含むアレイ基板であって、
前記基板本体は、表示領域及び非表示領域を含み、前記非表示領域は、前記表示領域内の信号線と接続するファンアウト信号線が設けられたファンアウト領域を含み、
ここで、
前記ファンアウト領域は、前記基板本体と平坦層との間に設けられた無機絶縁層を含み、前記無機絶縁層に第１凹溝が開いており、且つ前記ファンアウト信号線の少なくとも一部の、前記基板本体での正投影は、前記第１凹溝の、前記基板本体での正投影内に位置する
アレイ基板を本開示は提供する。
【０００８】
選択的に、上記のアレイ基板において、前記平坦層は、前記ファンアウト信号線上に堆積し、前記ファンアウト信号線と繋がっている。
【０００９】
選択的に、上記のアレイ基板において、前記第１凹溝の底部は、前記第１凹溝の開口に対向しており、前記基板本体の一部の表面は、前記第１凹溝の底部を構成し、且つ前記ファンアウト信号線における、前記第１凹溝の底部に設けられた部分は、前記基板本体に直接接触している。
【００１０】
選択的に、前記第１凹溝の底部は、前記第１凹溝の開口に対向しており、前記基板本体の一部の表面は、前記第１凹溝の底部を構成し、前記第１凹溝内に有機高分子材料層が充填されており、前記有機高分子材料層は、前記第１凹溝の底部に直接接触しており、前記ファンアウト信号線は、前記有機高分子材料層の、前記基板本体から遠い側に設けられて、前記有機高分子材料層に直接接触しており、且つ前記平坦層は、前記ファンアウト信号線の、前記基板本体から遠い側に設けられている。
【００１１】
選択的に、前記第１凹溝の底部は、前記第１凹溝の開口に対向しており、前記基板本体の一部の表面は、前記第１凹溝の底部を構成し、前記有機高分子材料層は、前記基板本体の一部の表面に直接接触している。
【００１２】
選択的に、上記のアレイ基板において、前記無機絶縁層は、順次に前記基板本体上に設けられたバッファ層、ゲート絶縁層及び層間絶縁層を含み、前記第１凹溝の深さは、前記バッファ層、前記ゲート絶縁層及び前記層間絶縁層の厚さの合計以下であり、且つ前記ファンアウト信号線は、前記層間絶縁層上に設けられ、その一部が前記第１凹溝内に設けられている。
【００１３】
選択的に、上記のアレイ基板において、前記第１凹溝は、前記基板本体の一部の表面が露出されるように、前記バッファ層、前記ゲート絶縁層及び前記層間絶縁層を貫いており、前記ファンアウト信号線は、前記基板本体の前記一部の表面に直接接触している。
【００１４】
選択的に、上記のアレイ基板において、前記無機絶縁層は、少なくとも２層構造を含み、前記第１凹溝は、前記基板本体と平行な開口寸法が、前記基板本体に垂直で且つ前記基板本体から離れる方向に沿って徐々に大きくなる。
【００１５】
選択的に、上記のアレイ基板において、前記第１凹溝の側壁の表面は、階段面又は平面である。
【００１６】
選択的に、上記のアレイ基板において、前記無機絶縁層は、互いに直接接触している第１サブ無機絶縁層及び第２サブ無機絶縁層を含む。
【００１７】
選択的に、上記のアレイ基板において、前記無機絶縁層は、順次に前記基板本体上に設けられたバッファ層、ゲート絶縁層及び層間絶縁層を含み、前記ゲート絶縁層での前記第１凹溝の開口寸法は、前記バッファ層での前記第１凹溝の開口寸法よりも大きく、且つ前記層間絶縁層での前記第１凹溝の開口寸法は、前記ゲート絶縁層での前記第１凹溝の開口寸法よりも大きい。
【００１８】
選択的に、上記のアレイ基板において、前記第１凹溝における前記ゲート絶縁層及び前記層間絶縁層を貫いた部分の側壁は第１平面であり、前記第１凹溝における前記バッファ層を貫いた部分の側壁は第２平面であり、且つ前記第１平面と前記第２平面とは、異なる平面に位置する。
【００１９】
選択的に、上記のアレイ基板において、前記第１凹溝における前記層間絶縁層を貫いた部分の側壁は第３平面であり、前記第１凹溝における前記ゲート絶縁層及び前記バッファ層を貫いた部分の側壁は第４平面であり、且つ前記第３平面と前記第４平面とは、異なる平面に位置する。
【００２０】
選択的に、上記のアレイ基板において、前記有機高分子材料層は、前記第１凹溝の外部に位置し且つ前記無機絶縁層と貼り合せられて繋がった部分を更に含む。
【００２１】
選択的に、上記のアレイ基板において、前記ファンアウト信号線は、画素ユニットのデータ線とは、同じ層で同じ材料になるように設けられた第１線路部分と、前記画素ユニットのゲット線とは、同じ層で同じ材料になるように設けられた第２線路部分とを含み、
ここで、前記第１線路部分は、前記第１凹溝内に設けられている。
【００２２】
選択的に、上記のアレイ基板において、前記基板本体は、フレキシブル基板本体である。
【００２３】
選択的に、上記のアレイ基板において、前記有機高分子材料層は、フレキシブル有機高分子材料層である。
【００２４】
選択的に、上記のアレイ基板において、前記表示領域には、複数の画素ユニットが設けられており、前記非表示領域又は前記表示領域には、駆動回路が更に設けられており、前記駆動回路は、前記ファンアウト信号線及び前記表示領域内の信号線を介して、前記複数の画素ユニットに接続されている。
【００２５】
本開示の実施例は、上記の何れか一項に記載のアレイ基板を含む表示パネルを更に提供する。
【００２６】
本開示の実施例は、上記に記載の表示パネルを含む表示装置を更に提供する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本開示の実施例に係るアレイ基板の平面模式図である。
【図２】本開示の実施例に係るアレイ基板の形成した１つの折り曲げ状態の構造模式図である。
【図３】ＯＬＥＤディスプレイにおける、アレイ基板上の画素ユニットの駆動回路の回路構造模式図である。
【図４】前記アレイ基板上の画素ユニットの平面構造模式図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ’部分の断面模式図である。
【図６】本開示の実施例に係るアレイ基板のいくつかの実施構造における、前記ファンアウト領域のＡ−Ａ’箇所での断面模式図である。
【図７】本開示の実施例に係るアレイ基板のいくつかの実施構造における、前記ファンアウト領域のＡ−Ａ’箇所での別の断面模式図である。
【図８】本開示の実施例に係るアレイ基板のいくつかの実施構造における、前記ファンアウト領域のＡ−Ａ’箇所でのさらなる別の断面模式図である。
【図９】本開示の実施例に係るアレイ基板のいくつかの実施構造における、前記ファンアウト領域のＡ−Ａ’箇所でのさらなる別の断面模式図である。
【図１０】本開示の実施例に係るアレイ基板のいくつかの実施構造における、前記ファンアウト領域のＡ−Ａ’箇所でのさらなる別の断面模式図である。
【図１１】本開示の実施例に係るアレイ基板のいくつかの実施構造における、前記ファンアウト領域のＡ−Ａ’箇所でのさらなる別の断面模式図である。
【図１２】本開示の実施例に係るアレイ基板のいくつかの実施構造における、前記ファンアウト領域のＡ−Ａ’箇所でのさらなる別の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本開示の解決しようとする課題、技術案及びメリットをより明確にするためには、以下、図面及び具体的な実施例に基づいて詳しく説明する。
【００２９】
アレイ基板上の駆動回路と表示領域との間の信号線が破断し易いという問題を解决するために、本開示の実施例に係るアレイ基板は、ファンアウト領域の無機絶縁層に凹溝を設けることで、ファンアウト領域における無機絶縁層の厚さを減らし、柔軟性が良好な平坦層の厚さを増やすことにより、ファンアウト領域の折り曲げに起因して信号線が破断し易いという問題を解決している。
【００３０】
本開示の実施例において、前記アレイ基板は、フレキシブルな基板本体を含み、
前記基板本体は、複数の画素ユニットが設けられた画素領域と、前記画素領域の信号線と接続するファンアウト信号線が設けられたファンアウト領域とを含み、
ここで、前記ファンアウト領域は、前記基板本体と平坦層との間に設けられた無機絶縁層を含み、前記無機絶縁層に凹溝が開いており、前記ファンアウト信号線の少なくとも一部は、前記凹溝内に設けられている。
【００３１】
図１は、本開示の実施例に係るアレイ基板の平面模式図を示す。このアレイ基板のフレキシブルな基板本体１００は、表示領域に対応する画素領域１１０を含み、且つ基板本体１００に駆動回路１２０が更に製作されており、駆動回路１２０は、ファンアウト信号線を介して画素領域１１０の信号線と接続されるため、ファンアウト信号線の基板本体１００上での配置領域、即ち画素領域１１０と駆動回路１２０との間の領域は、ファンアウト領域１４０として形成されている。図１に示すように、表示領域に複数の画素ユニット１１が設けられており、駆動回路１２０は、ファンアウト信号線３００と、表示領域内のゲット線１３及びデータ線１２とを介して、複数の画素ユニット１１に接続されている。当業者であれば、図１に示す画素ユニット、駆動回路、ゲット線及びデータ線等の数量及び構造は、全て模式的に示したものに過ぎず、アレイ基板内のこれらの素子の実際の詳しい数量及び構造を表すものではないことを理解できる。以下は、他の図面を参照して画素ユニット、駆動回路、ゲット線及びデータ線等の模式的な詳しい構造を説明する。なお、前記フレキシブルな基板本体１００は、例えば、ポリイミドプラスチック、ポリエーテルエーテルケトンや透明導電性ポリエステル等の高分子材料から作ることができ、軽量、薄い厚さ、柔らかで湾曲可能な特徴を有する。
【００３２】
図２は、本開示の実施例に係るアレイ基板の形成した１つの折り曲げ状態の構造模式図を示す。ここで、基板本体１００は、フレキシブル材料製であるため、ファンアウト領域１４０は、画素領域１１０の背面に折り曲げられることが可能であり、図１に示すように、ファンアウト領域１４０の当該１つの折り曲げ状態に基づいて、ファンアウト領域１４０の一部を折り曲げ領域１４１として形成し、且つ折り曲げ領域１４１により、ファンアウト領域１４０のほかの部分を第１ファンアウト領域１４２と第２ファンアウト領域１４３とに区分している。前記ファンアウト領域１４０は、折り曲げ領域１４１、第１ファンアウト領域１４２及び第２ファンアウト領域１４３を含む。
【００３３】
本開示の実施例において、ファンアウト領域１４０は、基板本体と平坦層との間に設けられた無機絶縁層を含み、ここで、当該無機絶縁層に凹溝が開いており、前記ファンアウト信号線の少なくとも一部は、前記凹溝内に設けられている。
【００３４】
具体的に、ファンアウト領域１４０における凹溝が設けられる部分を折り曲げ領域１４１として形成しており、折り曲げ領域１４１の無機絶縁層に凹溝を設けることで、折り曲げ領域１４１における無機絶縁層の厚さを減らし、柔軟性が良好な平坦層の厚さを増やすことにより、折り曲げ領域１４１の折り曲げに起因して信号線が破断し易いという問題を解决している。
【００３５】
フレキシブルなアレイ基板が一般にＯＬＥＤディスプレイに使用されることは理解されるため、以下、前記アレイ基板がＯＬＥＤディスプレイに使用された場合を例として、本開示の実施例に係るアレイ基板の実施構造を詳しく説明する。
【００３６】
図３は、ＯＬＥＤディスプレイにおける、アレイ基板上の画素ユニットの駆動回路の回路構造模式図であり、図４は、前記アレイ基板上の画素ユニットの平面構造模式図である。図３及び図４に示すように、アレイ基板の画素ユニットは、ＯＬＥＤスイッチング制御を実現するためのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｔ１と、ＯＬＥＤ駆動を実現するためのＴＦＴ  Ｔ２と、ストレージコンデンサＣｓとを含み、スイッチングＴＦＴ  Ｔ１は、ゲートがゲット（Ｇａｔｅ）線と接続され、ソースがデータ（Ｄａｔａ）線と接続され、ドレインが駆動ＴＦＴ  Ｔ２のゲートと接続され、駆動ＴＦＴ  Ｔ２のソースは、電源線（Ｖｄｄ）と接続され、ドレインが画素電極（ＯＬＥＤのアノード層１０６１）と接続され、ストレージコンデンサＣｓは、一方の電極がスイッチングＴＦＴ  Ｔ１のドレイン及び駆動ＴＦＴ  Ｔ２のゲートに接続され、他方の電極がＴＦＴ  Ｔ２のソースに接続されている。
【００３７】
アレイ基板上の図４に示すＢ−Ｂ’部分の断面を例とすると、アレイ基板の画素領域の各画素ユニットは、図５に示すように、下から上へ順次に設けられた基板本体１００、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２、層間絶縁層１０３、パッシベーション層１０４、平坦層１０５及び画素規定層１０６をそれぞれ含み、対応する画素規定層１０６内には、ＯＬＥＤのアノード層１０６１、有機発光層１０６２及びカソード層１０６３が設けられている。
【００３８】
さらには、図５によれば、バッファ層１０１上にアクティブ層１０１１が更に設けられており、ゲート絶縁層１０２上に駆動ＴＦＴ  Ｔ２のゲート１０２１が設けられており、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３を穿ったビアホール内に駆動ＴＦＴ  Ｔ２のソース１０２２及びドレイン１０２３が設けられており、且つ層間絶縁層１０３上にＶｄｄ線１及びデータ線２が設けられており、図３も参照して、駆動ＴＦＴ  Ｔ２のドレイン１０２３は、ビアホールを介してＯＬＥＤのアノード層１０６１と接続され、駆動ＴＦＴ  Ｔ２のソース１０２２は、Ｖｄｄ線と接続されている。
【００３９】
上記の図４及び図５は、基板本体１００上の画素領域１１０の一実施構造の模式図を示したが、対応する図１のファンアウト領域１４０には、画素領域１１０と対応し且つ同じ層になるように製作されたバッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２、層間絶縁層１０３、パッシベーション層１０４及び平坦層１０５が設けられていることが理解される。
【００４０】
上記基板本体１００上のバッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２、層間絶縁層１０３及びパッシベーション層１０４は、一般に無機材料製であり、複数回の折り曲げの際、破断するリスクが高くなるが、本開示の実施例に係るアレイ基板は、ファンアウト領域１４０における基板本体１００上の無機絶縁層に凹溝が開くことで、ファンアウト信号線の少なくとも一部が凹溝内に設けられるようにして、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１における無機絶縁層の厚さを減らし、柔軟性が良好な平坦層の厚さを増やすことにより、折り曲げ領域内の無機絶縁層の折り曲げに起因して信号線が破断し易いという問題を解决している。
【００４１】
具体的に、本開示の実施例に係るアレイ基板において、凹溝が開く無機絶縁層は、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２、層間絶縁層１０３及びパッシベーション層１０４のうちの何れか１つであってもよく、又は、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２、層間絶縁層１０３及びパッシベーション層１０４のうちの隣接する少なくとも２つであってもよい。凹溝２００が開く無機絶縁層は、互いに直接接触している３つのサブ無機絶縁層を含んでも良く、図６〜図１１に示すように、無機絶縁層は、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３を含むか、又は、凹溝２００が開く無機絶縁層は、図１２に示すように、無機絶縁層に含まれたゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３を含んでもよい。
【００４２】
選択的に、本開示の実施例に係るアレイ基板において、信号線の柔軟性が高められるように、ファンアウト領域１４０のファンアウト信号線は、開く凹溝内で、フレキシブル有機高分子材料層に直接接触する。ここで、凹溝内にフレキシブル有機高分子材料層が充填され、前記ファンアウト信号線は、前記フレキシブル有機高分子材料層に直接接触しているか、又は、前記ファンアウト信号線は、フレキシブル有機高分子材料で製作された前記基板本体に直接接触している。
【００４３】
選択的に、このフレキシブル有機高分子材料層は、樹脂（例えばエポキシ樹脂）材料で製作されていてもよいが、特にその材料だけを使えることに限定されない。
【００４４】
本開示の実施例に係るアレイ基板のいくつかの実施構造において、図１及び前記ファンアウト領域のＡ−Ａ’箇所での断面模式図である図６に示すように、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１内には、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３の何れにも凹溝が開いており、且つバッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３における凹溝が互いに連通して、層間絶縁層１０３からバッファ層１０１まで貫通した凹溝２００として形成されており、即ち凹溝２００は、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３における凹溝が互いに連通して組み合わせて形成された凹溝となり、ここで、ファンアウト信号線３００が層間絶縁層１０３上に設けられ、凹溝２００内で、ファンアウト信号線３００の一部は、層間絶縁層１０３、ゲート絶縁層１０２及びバッファ層１０１における凹溝を順次に通ってから、基板本体１００上に堆積されている。つまり、ファンアウト領域１４０には、凹溝が開く無機絶縁層の数量として、少なくとも２つであり、且つ少なくとも２つの無機絶縁層の凹溝が上下に連通しており、ファンアウト信号線３００は、凹溝が開いた全ての無機絶縁層上に設けられ、その一部が各無機絶縁層の凹溝を順次に通っている。
【００４５】
基板本体１００は、フレキシブル材料製であるため、凹溝２００内で、ファンアウト信号線３００は、フレキシブル有機高分子材料による基板本体に直接接触し、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１におけるファンアウト信号線３００の柔軟性が保証され、破断するリスクが低減される。
【００４６】
本開示の実施例において、図１〜図５を参照して、ファンアウト領域１４０の全体において、ファンアウト信号線３００は、画素領域１１０のデータ線とは、同じ層で同じ材料になるように設けられている。選択的に、ファンアウト信号線３００がデータ線の引き出し線と接続され、データ線の引き出し線を介して、ファンアウト信号線３００が画素領域１１０の信号線と接続される。
【００４７】
また、図６に示すように、本開示の実施例において、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３に開いた凹溝は、同じ中心線上に設けられており、且つ層間絶縁層１０３に開いた凹溝の寸法は、ゲート絶縁層１０２に開いた凹溝の寸法よりも大きく、ゲート絶縁層１０２に開いた凹溝の寸法は、バッファ層１０１に開いた凹溝の寸法よりも大きい。即ち、ファンアウト領域１４０において、上から下へ少なくとも２つの無機絶縁層に凹溝が開き、第１無機絶縁層と基板本体１００との距離が第２無機絶縁層と基板本体１００との距離よりも大きい場合、第１無機絶縁層における凹溝の寸法は、第２無機絶縁層における凹溝の寸法よりも大きく、第１無機絶縁層における凹溝は、第２無機絶縁層の位置する平面での正投影が、第２無機絶縁層における凹溝の全体を覆う。上記設定方式を用いれば、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１にて、複数の無機絶縁層における凹溝が組み合わせて形成された、ファンアウト信号線３００を通らせるための凹溝２００の全体は、上端開口が下端開口よりも大きい構造として形成される。
【００４８】
また、選択的に、図６に示すように、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３に形成された凹溝の内部の側壁の表面は、何れも斜面として形成されており、且つバッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３に形成された凹溝の内部の側壁の表面が組み合せて、２つの対向する平面を形成する。即ち、ファンアウト領域１４０において、上から下へ少なくとも２つの無機絶縁層に凹溝が開くと、各無機絶縁層に形成された凹溝の内部の側壁の表面は、何れも斜面として形成され、且つ全ての無機絶縁層に形成された凹溝の内部の側壁の表面が組み合せて、２つの対向する平面を形成する。
【００４９】
本開示の実施例に係るアレイ基板のいくつかの実施構造を用いて、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１にて、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３に、順次に貫通した凹溝を形成することで、データ線とは、同じ層で同じ材料になるように設けられたファンアウト信号線３００を層間絶縁層１０３上に堆積させると、折り曲げ領域にて、ファンアウト信号線３００は、凹溝内でフレキシブルな基板本体１００上に堆積され、フレキシブル有機高分子材料による基板本体に直接接触する。
【００５０】
さらには、図６に示すように、ファンアウト信号線３００上には、パッシベーション層１０４及び平坦層１０５が順次に設けられており、凹溝を設けているため、フレキシブルな平坦層１０５の厚さが増やされ、脆性の無機層の厚さが減らされ、また、ファンアウト信号線３００がフレキシブル有機高分子材料による基板本体上に堆積されているため、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１におけるファンアウト信号線３００の柔軟性を保証し、破断するリスクを低減することができる。
【００５１】
本開示の実施例に係るアレイ基板のいくつかの実施構造において、図１及び前記ファンアウト領域のＡ−Ａ’箇所での断面模式図である図７に示すように、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１内には、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３の何れにも凹溝が開いており、且つバッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３における凹溝が互いに連通して、層間絶縁層１０３からバッファ層１０１まで貫通した凹溝２００として形成されている。さらには、この実施構造において、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１内には、凹溝２００内に樹脂層２１０が堆積され、且つ凹溝２００内の樹脂層２１０が凹溝２００の形状に応じて設けられており、凹溝２００の底部では、樹脂層２１０と基板本体１００とが直接接触している。
【００５２】
さらには、図６に示すように、凹溝２００の頂部開口は、前記基板本体１００から遠い側の前記層間絶縁層１０３の平面に位置するとともに、前記平坦層１０５に近い側の前記基板本体１００の一部の表面は、前記凹溝２００の底部を構成しているため、図６に示す実施例において、前記凹溝２００の深さ（即ち頂部開口から底部までの距離）は、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３の厚さの合計となる。他のいくつかの実施例において、前記凹溝２００の深さは、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３の厚さの合計よりも小さくてもよい（この場合、凹溝２００の頂部開口の位置は変化せず、底部の位置は上に移動する）が、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３の厚さの合計を超えてはいけない。
【００５３】
さらに、図６に示すように、凹溝２００は、基板本体１００と平行な開口寸法が、前記基板本体１００に垂直で且つ前記基板本体１００から離れる方向に沿って徐々に大きくなる。例えば、凹溝２００は、層間絶縁層１０３に位置する、基板本体１００と平行な何れの開口寸法も、ゲート絶縁層１０２に位置する、基板本体１００と平行な何れの開口寸法よりも大きく、且つ、凹溝２００は、ゲート絶縁層１０２に位置する、基板本体１００と平行な何れの開口寸法も、バッファ層１０１に位置する、基板本体１００と平行な何れかの開口寸法よりも大きい。
【００５４】
この実施構造に基づけば、ファンアウト信号線３００における折り曲げ領域１４１に位置する部分が樹脂層２１０上に設けられ、樹脂層２１０は、フレキシブル有機高分子材料製であるため、樹脂層２１０は、凹溝２００内に充填されたフレキシブル有機高分子材料層となり、従って、凹溝２００内で、ファンアウト信号線３００とフレキシブル有機高分子材料層とが直接接触することになり、樹脂層２１０を設けることで、凹溝２００の深さを減らし、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１におけるファンアウト信号線３００の柔軟性を保証し、破断するリスクを低減するという効果が達成される。
【００５５】
さらに、選択的に、図７に示すように、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１内には、樹脂層２１０は、凹溝２００の内部に位置する部分だけでなく、凹溝２００の外部に位置し且つ層間絶縁層１０３に直接接触している部分も含む。この設定構造を用いれば、樹脂層２１０は、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域の全体を覆い、折り曲げ領域の全体におけるファンアウト信号線３００が全てフレキシブル有機高分子材料層上に設けられ、破断するリスクが低減される。
【００５６】
また、図７に示す実施構造において、図６に示す実施構造と同様に、ファンアウト領域１４０の全体において、ファンアウト信号線３００は、画素領域１１０のデータ線とは、同じ層で同じ材料になるように設けられている。また、図７に示すように、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３に開けられた凹溝は、同じ中心線上に設けられており、且つ層間絶縁層１０３に開いた凹溝の寸法は、ゲート絶縁層１０２に開いた凹溝の寸法よりも大きく、ゲート絶縁層１０２に開いた凹溝の寸法は、バッファ層１０１に開いた凹溝の寸法よりも大きい。さらには、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３に形成された凹溝の内部の側壁の表面は、何れも斜面として形成されており、且つバッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３に形成された凹溝の内部の側壁の表面が組み合せて、２つの対向する平面を形成している。
【００５７】
本開示の実施例に係るアレイ基板の図７に示す実施構造を用いて、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１にて、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３に、順次に貫通した凹溝を形成するとともに、凹溝内に樹脂層２１０を堆積することで、データ線とは、同じ層で同じ材料になるように設けられたファンアウト信号線３００を樹脂層２１０上に堆積させると、折り曲げ領域にて、ファンアウト信号線３００は、凹溝内で樹脂層２１０上に堆積され、フレキシブル有機高分子材料層と直接接触する。
【００５８】
さらには、図７に示すように、ファンアウト信号線３００上には、パッシベーション層１０４及び平坦層１０５が順次に設けられており、凹溝を設けているため、フレキシブルな平坦層１０５の厚さが増やされ、脆性の無機層の厚さが減らされ、また、ファンアウト信号線３００がフレキシブル有機高分子材料層上に堆積されているため、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１におけるファンアウト信号線３００の柔軟性を保証し、破断するリスクを低減することができる。
【００５９】
本開示の実施例に係るアレイ基板のいくつかの実施構造において、図１及び前記ファンアウト領域のＡ−Ａ’箇所での断面模式図である図８に示すように、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１内には、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３の何れにも凹溝が開いており、且つバッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３における凹溝が互いに連通して、層間絶縁層１０３からバッファ層１０１まで貫通した凹溝２００として形成されている。
【００６０】
この実施構造において、図８に示すように、選択的に、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３に開けられた凹溝は、同じ中心線上に設けられており、且つ層間絶縁層１０３に開いた凹溝の寸法は、ゲート絶縁層１０２に開いた凹溝の寸法よりも大きく、ゲート絶縁層１０２に開いた凹溝の寸法は、バッファ層１０１に開いた凹溝の寸法よりも大きい。即ち、ファンアウト領域１４０において、上から下へ少なくとも２つの無機絶縁層に凹溝が開き、第１無機絶縁層と基板本体１００との距離が第２無機絶縁層と基板本体１００との距離よりも大きくなると、第１無機絶縁層における凹溝の寸法は、第２無機絶縁層における凹溝の寸法よりも大きくなる。
【００６１】
さらには、図８に示すように、ゲート絶縁層１０２における凹溝の底部開口寸法は、バッファ層１０１における凹溝の頂部開口寸法よりも大きい。即ち、ファンアウト領域１４０において、上から下へ少なくとも２つの無機絶縁層に凹溝が開き、且つ凹溝が開いた第１無機絶縁層と第２無機絶縁層とが繋がっていると、第１無機絶縁層における凹溝の底部開口寸法は、第２無機絶縁層における凹溝の頂部開口寸法よりも大きくなる。
【００６２】
さらには、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３に開いた凹溝の内部の側壁の表面は、何れも斜面として形成されており、且つゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３に形成された凹溝の内部の側壁の表面が組み合せて形成された２つの対向する第１平面８０１と、バッファ層１０１に形成された凹溝の内部の側壁の表面によって形成された２つの対向する第２平面８０２とは、異なる平面に位置する。上記設定構造に基づけば、図８に示すように、層間絶縁層１０３からバッファ層１０１まで貫通した凹溝２００は、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３に対応する第１凹溝部分２０１と、バッファ層１０１に対応する第２凹溝部分２０２とを含む。凹溝２００の内部では、バッファ層１０１上で階段状構造が形成されている。
【００６３】
上記実施構造に基づけば、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１内には、凹溝２００内に樹脂層２１０が堆積され、且つ凹溝２００内の樹脂層２１０が凹溝２００の形状に応じて設けられており、凹溝２００の底部では、樹脂層２１０と基板本体１００とが直接接触している。
【００６４】
また、ファンアウト信号線３００における折り曲げ領域１４１に位置する部分が樹脂層２１０上に設けられており、樹脂層２１０は、フレキシブル材料製であるため、凹溝２００内で、ファンアウト信号線３００とフレキシブル有機高分子材料層（即ち樹脂層２１０）とが直接接触する。この実施構造において、凹溝２００が図８に示すような階段状構造として形成されているため、図７の実施構造に比べて、折り曲げ領域の凹溝２００の急峻さを下げることができ、それにより、ファンアウト信号線３００の破断するリスクが低減される。一実施例において、前記樹脂層２１０における少なくとも前記凹溝２００内の部分の厚さは大体同じであるため、前記樹脂層２１０における前記凹溝２００内の部分の、平坦層１０５に向く表面に凹溝が形成され、この凹溝の形状及び方位は、凹溝２００の形状及び方位と略同じである。
【００６５】
樹脂層２１０は、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域の全体が樹脂層２１０によって覆われるように、凹溝２００の内部に位置する部分だけでなく、凹溝２００の外部に位置し且つ層間絶縁層１０３に直接接触している部分も含む。
【００６６】
また、この実施構造において、上記実施構造と同様に、ファンアウト領域１４０の全体において、ファンアウト信号線３００は、画素領域１１０のデータ線とは、同じ層で同じ材料になるように設けられていてもよい。
【００６７】
本開示の実施例に係るアレイ基板の図８に示す実施構造を用いて、凹溝２００を設けることで、フレキシブルな平坦層１０５の厚さが増やされ、脆性の無機層の厚さが減らされ、また、ファンアウト信号線３００がフレキシブル有機高分子材料層上に堆積されているため、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１におけるファンアウト信号線３００の柔軟性を保証し、破断するリスクを低減することができる。また、凹溝２００を階段状構造として設けることで、折り曲げ領域の凹溝２００の急峻さが下げられ、即ち、凹溝２００内に設けられたファンアウト信号線３００の急峻さが下げられるため、ファンアウト信号線３００の破断するリスクが更に低減される。
【００６８】
本開示の実施例に係るアレイ基板のいくつかの実施構造において、図１及び前記ファンアウト領域のＡ−Ａ’箇所での断面模式図である図９に示すように、図８に示す実施構造と同様に、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１内には、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３の何れにも凹溝が開いており、且つバッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３における凹溝が互いに連通して、層間絶縁層１０３からバッファ層１０１まで貫通した凹溝２００として形成されている。
【００６９】
図８に示す実施構造と異なって、層間絶縁層１０３における凹溝の底部開口寸法は、ゲート絶縁層１０２における凹溝の頂部開口寸法によりも大きい。バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３に開いた凹溝の内部の側壁の表面は、何れも斜面として形成されており、且つバッファ層１０１及びゲート絶縁層１０２に形成された凹溝の内部の側壁の表面が組み合せて形成された２つの対向する第４平面９０１と、層間絶縁層１０３に形成された凹溝の内部の側壁の表面によって形成された２つの対向する第３平面９０２とは、異なる平面に位置する。
【００７０】
上記配置構造に基づけば、図９に示すように、層間絶縁層１０３からバッファ層１０１まで貫通した凹溝２００は、バッファ層１０１及びゲート絶縁層１０２に対応する第３凹溝部分２０３と、層間絶縁層１０３に対応する第４凹溝部分２０４とを含む。従って、凹溝２００の内部は、バッファ層１０１上で図８に示す実施構造と異なる階段状構造が形成され、折り曲げ領域の凹溝２００の急峻さを下げるという効果も達成できる。
【００７１】
また、図９に示す実施構造において、ファンアウト信号線３００の設定方式及び樹脂層２１０の設定方式は、図８に示す実施構造と同様であり、ここで繰り返して説明しない。
【００７２】
上記図６に示す実施構造から図９に示す実施構造において、ファンアウト領域１４０の全体におけるファンアウト信号線３００は、何れも、データ線とは、同じ層で同じ材料になるように設けられている。また、本開示は、図１０に示す実施構造のアレイ基板を更に提供しており、このアレイ基板によれば、ファンアウト領域１４０において、ファンアウト信号線は、異なる材料層に位置する２つの線路部分を含む。
【００７３】
図１０に示す実施構造のアレイ基板において、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１内には、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３の何れにも凹溝が開いており、且つバッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３における凹溝が互いに連通して、層間絶縁層１０３からバッファ層１０１まで貫通した凹溝２００として形成されている。
【００７４】
また、図９に示す実施構造と同様に、図１０に示すように、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３に開いた凹溝の内部の側壁の表面は、何れも斜面として形成されており、且つバッファ層１０１及びゲート絶縁層１０２に形成された凹溝の内部の側壁の表面が組み合せて形成された２つの対向する平面と、層間絶縁層１０３に形成された凹溝の内部の側壁の表面とは、異なる平面に位置する。従って、層間絶縁層１０３からバッファ層１０１まで貫通した凹溝２００は、バッファ層１０１及びゲート絶縁層１０２に対応する第３凹溝部分２０３と、層間絶縁層１０３に対応する第４凹溝部分２０４とを含む。
【００７５】
また、図１０に示すように、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１内には、凹溝２００内に樹脂層２１０が堆積され、且つ凹溝２００内の樹脂層２１０が凹溝２００の形状に応じて設けられており、凹溝２００の底部では、樹脂層２１０と基板本体１００とが直接接触している。
【００７６】
また、図９に示す実施構造と異なって、図１０に示す実施構造において、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１内には、凹溝２００に設けられたファンアウト信号線３００は、画素領域１１０のデータ線とは、同じ層で同じ材料になるように設けられており、即ち、ファンアウト信号線３００は、樹脂層２１０上に堆積されており、つまり、ファンアウト信号線３００は、画素ユニットのデータ線とは、同じ層で同じ材料になるように設けられた第１線路部分を含む。
【００７７】
また、図１０に示すように、図１〜図５も参照して、ファンアウト領域１４０には、画素領域１１０のゲット線と同じ層に設けられたゲット線の第２線路部分３１０が更に含まれており、ファンアウト信号線３００における折り曲げ領域１４１に設けられた部分（即ち第１線路部分）は、ビアホール２１１を介して第２線路部分３１０と接続されている。この設定構造に基づけば、ファンアウト信号線３００は、第２線路部分３１０と接続されることで、画素領域１１０の信号線に接続される。
【００７８】
図９と図１０とを比較すると、上記ファンアウト領域１４０におけるファンアウト信号線３００と画素領域１１０の信号線との接続方式が異なるという点を除き、２つの実施構造の他の部分の設定構造が同じであり、他の部分の設定構造については、上記の詳しい説明を参照できるので、ここで繰り返して説明しない。
【００７９】
本開示は、別の実施構造のアレイ基板を更に提供しており、図１１に示すように、この実施構造において、図１０に示す実施構造に比べて、ファンアウト領域１４０上、層間絶縁層１０３と平坦層１０５との間には、パッシベーション層が設けられておらず、２つの実施構造の他の部分の設定構造が同じである。
【００８０】
この実施構造を用いれば、アレイ基板の画素領域にもパッシベーション層が設けられておらず、平坦層は、前記ファンアウト信号線上に直接堆積され、ファンアウト信号線と繋がっていることが理解される。
【００８１】
上記の設定構造を基づけば、図１１に示すように、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１にて、ファンアウト信号線３００が樹脂層２１０上に堆積され、平坦層１０５がファンアウト信号線３００に直接堆積され、脆性のパッシベーション層を設けることが避けられており、図１０に示す実施構造のアレイ基板に比べて、ファンアウト信号線３００が折り曲げ領域にて破断するリスクを低減するという効果がより一層に達成される。
【００８２】
図１１に示す実施構造のアレイ基板は、図１０に示す実施構造のアレイ基板に比べて、上記のパッシベーション層を設けないという点を除き、他の部分の実施構造が同じであるため、ここで、他の部分の詳しい構造形態について説明せず、その詳細は、上記の各実施構造の内容を参照できる。
【００８３】
また、本開示は、別の実施構造のアレイ基板を更に提供しており、図１２に示すように、この実施構造において、図１１に示す実施構造と異なって、ファンアウト領域１４０の折り曲げ領域１４１内には、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３の何れにも凹溝が開いているが、バッファ層１０１に凹溝が開いていない。ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３に形成された凹溝が互いに連通して、層間絶縁層１０３からゲート絶縁層１０２まで貫通した凹溝２００として形成されている。
【００８４】
さらには、層間絶縁層１０３に開いた凹溝の寸法は、ゲート絶縁層１０２に開いた凹溝の寸法よりも大きいとともに、層間絶縁層１０３及びゲート絶縁層１０２に形成された凹溝の内部の側壁の表面は、何れも斜面で、且つ異なる平面に位置するため、凹溝２００は、階段状構造として形成される。
【００８５】
上記の設定方式に基づければ、折り曲げ領域の凹溝２００の急峻さを下げるという効果も達成できる。
【００８６】
図１２に示す実施構造のアレイ基板は、図１１に示す実施構造のアレイ基板に比べて、上記のバッファ層に凹溝を設けないという点を除き、他の部分の実施構造が同じであるため、ここで、他の部分の詳しい構造形態について説明せず、その詳細は、上記の各実施構造の内容を参照できる。
【００８７】
さらには、凹溝２００の側壁の表面は、階段面又は平面であってもよい。例えば、図６及び図７の実施例において、凹溝２００の内部の２つの対向する側壁は、何れも基板本体１００に対して傾斜する平面であるが、図８〜図１２の実施例において、凹溝２００の内部の２つの対向する側壁は、何れも階段面である。
【００８８】
上記の本開示の図６に示す実施構造から図１２に示す実施構造のアレイ基板は、あくまでも、本開示の実施例に係るアレイ基板について、ファンアウト領域の無機絶縁層に凹溝を設けることで、ファンアウト領域における無機絶縁層の厚さを減らし、柔軟性が良好な平坦層の厚さを増やして、ファンアウト領域の折り曲げに起因して信号線が破断し易いという問題を解决するような技術効果を奏した一部の実施構造を示すものに過ぎず、特にこれらに限定されないことを理解される。可能な実施構造のそれぞれについては、ここで繰り返して詳しく説明しない。
【００８９】
本開示の実施例に係る上記構造のアレイ基板において、ゲート、ソース、ドレインは、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ及びＷ等の金属材料で作製されてもよいし、これらの材料の合金で作製されてもよく、また、単層構造であってもよく、多層構造が用いられてもよく、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ又はＭｏ／Ｔｉ／Ｃｕといった多層構造として形成される。また、アクティブ層は、ポリシリコンフリー又は酸化物（ＩＧＺＯ）で製作されてもよい。
【００９０】
本開示の実施例において、バッファ層は、窒化シリコン又は酸化シリコンで製作されてもよく、また、バッファ層は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよく、例えば、酸化シリコン／窒化シリコンといった多層構造として形成される。
【００９１】
本開示の実施例において、ゲート絶縁層は、窒化シリコン又は酸化シリコンで製作されてもよく、また、ゲート絶縁層は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよく、例えば、酸化シリコン／窒化シリコンといった多層構造として形成される。
【００９２】
本開示の実施例において、層間絶縁層は、窒化シリコン又は酸化シリコンで製作されてもよく、また、層間絶縁層は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよく、例えば、酸化シリコン／窒化シリコンといった多層構造として形成される。
【００９３】
本開示の実施例において、パッシベーション層は、窒化シリコン又は酸化シリコンで製作されてもよく、また、パッシベーション層は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよく、例えば、酸化シリコン／窒化シリコンといった多層構造として形成される。
【００９４】
さらに、平坦層は、樹脂材料で作製されてもよく、画素規定層は、樹脂材料で作製されてもよく、ＯＬＥＤのアノードは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）で作製されてもよいし、ＩＴＯ及びＡｇで、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ構造として作製されてもよい。また、ＯＬＥＤのカソードは、Ａｌ又はＡｇで作製されてもよい。
【００９５】
図１〜図１２、及び、上記の本開示の実施例に係るアレイ基板の詳しい説明を参照すれば、当業者は、本開示の実施例に係るアレイ基板の具体的な製作過程を把握できるはずなので、ここで繰り返して詳しく説明しない。
【００９６】
本開示の実施例の別の形態は、上記の何れか１つの構造のアレイ基板を含む表示パネルを更に提供している。
【００９７】
また、本開示は、上記の表示パネルを含む表示装置を更に提供している。
【００９８】
図１〜図１２、及び上記の詳しい説明を参照すれば、当業者は、本開示の実施例に係るアレイ基板を用いた表示パネル及び表示装置の具体的な構造を把握できるはずなので、ここで繰り返して詳しく説明しない。
【００９９】
本開示の実施例に係るアレイ基板、表示パネル及び表示装置では、ファンアウト領域の無機絶縁層に凹溝が開くことで、ファンアウト信号線の少なくとも一部が凹溝内に設けられるようにして、ファンアウト領域の折り曲げ領域における無機絶縁層の厚さを減らし、柔軟性が良好な平坦層の厚さを増やすことにより、折り曲げ領域における無機絶縁層の折り曲げに起因して信号線が破断し易いという問題を解决した。さらに、ファンアウト信号線をフレキシブル有機高分子材料層上に堆積し、及び／又は、凹溝の急峻さを下げるという方式を通じて、より一層にファンアウト領域の折り曲げ領域におけるファンアウト信号線の柔軟性を保証し、破断するリスクを低減した。
【０１００】
上述したのは、本開示の好ましい実施形態であり、注意すべきことは、当業者にとって、本開示に記載の原理を逸脱しない前提で、有機高分子材料に対する若干の改良及び潤色を更に行うことが可能であり、これらの改良及び潤色も本開示の保護範囲内であると見なされるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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