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　特願２０１６−２２８１３７「半導体発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　５月３１日出願公開，特開２０１８−　８５４５６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成２８年１１月２４日を出願日とする出願であって，以降の手続は次のとおりである。
平成２９年１２月２２日　拒絶理由通知（平成３０年１月９日発送）
平成３０年　２月２３日　意見書提出・手続補正
　　　同年　４月１０日　拒絶査定（同年同月１７日謄本送達）
　　　同年　６月２２日　審判請求・手続補正
平成３１年　１月１６日　拒絶理由通知（同年同月２２日発送）
　　　同年　３月２５日　意見書提出
令和　元年　５月２０日　拒絶理由通知（同年同月２１日発送）
　　　同年　７月１０日　意見書提出
　令和元年５月２０日付けの拒絶理由通知で通知された拒絶理由を，以下においては「当審拒絶理由」という。また，平成３０年６月２２日にされた手続補正を，以下においては「本件補正」という。
２　本願発明
　本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　ｎ型のＡｌＧａＮで構成されるｎ型クラッド層上にＡｌＧａＮ系半導体材料の活性層を形成する工程と，
　前記活性層上にｐ型半導体層を形成する工程と，
　前記ｎ型クラッド層の一部領域が露出するように，前記ｐ型半導体層，前記活性層および前記ｎ型クラッド層の一部を塩素（Ｃｌ）を含むガスを用いてドライエッチングする工程と，
　前記ｎ型クラッド層を１００℃以上１０００℃以下の温度で加熱しながら，前記ｎ型クラッド層の露出した前記一部領域に，アンモニア（ＮＨ３）の熱分解により生じる窒素原子（Ｎ）を反応させる工程と，
　前記窒素原子を反応させた前記ｎ型クラッド層の前記一部領域上にｎ側電極を形成する工程と，を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。」
３　当審拒絶理由
　当審拒絶理由は，次のとおりのものである。
　本件出願の請求項１〜３に係る発明は，その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
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１　国際公開２０１３／０４６４１９号
２　特開２００８−２１８８２６号公報
３　特開２００６−５９９５６号公報
４　特開２０１６−３２０１１号公報
５　特開平１１−１１２１０４号公報
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４　引用例の記載及び引用発明
（１）引用例１
ア　引用例１には以下の記載がある（下線は，当審で付した。以下同じ。）。
「[0001]　本発明は，窒化物半導体素子及びその製造方法に関し，特に，発光ダイオード，レーザダイオード等に利用される発光中心波長が約３６５ｎｍ以下の窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関し，更に詳しくは，素子に用いるｎ電極とｐ電極の電極構造に関する。」
「[0034]　図４に示すように，
本実施形態の発光素子１は，サファイア基板２上にＡｌＮ層３とＡｌＧａＮ層４を成長させた基板をテンプレート５（下地構造部に相当）として用い，当該テンプレート５上に，ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層６，活性層７，Ａｌモル分率が活性層７より大きいｐ型ＡｌＧａＮの電子ブロック層８，ｐ型ＡｌＧａＮのｐ型クラッド層９，ｐ型ＧａＮのｐ型コンタクト層１０を順番に積層した積層構造を有している。ｎ型クラッド層６より上部の活性層７，電子ブロック層８，ｐ型クラッド層９，ｐ型コンタクト層１０の一部が，ｎ型クラッド層６の一部表面が露出するまで反応性イオンエッチング等により除去され，ｎ型クラッド層６上の第１領域Ｒ１にｎ型クラッド層６からｐ型コンタクト層１０までの発光素子構造部１１が形成されている
ｐ型コンタクト層１０の表面に，ｐ電極１２が，ｎ型クラッド層６の第１領域Ｒ１以外の第２領域Ｒ２の表面の一部に，ｎ電極１３が形成されている
[0035]　各ＡｌＧａＮ層は，有機金属化合物気相成長（ＭＯＶＰＥ）法，或いは，分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法等の周知のエピタキシャル成長法により形成されており，ｎ型層のドナー不純物として，例えばＳｉ，ｐ型層のアクセプタ不純物として，例えばＭｇを使用している。尚，導電型を明記していないＡｌＮ層及びＡｌＧａＮ層は，不純物注入されないアンドープ層である。また，
ｎ型ＡｌＧａＮ層及び活性層のＡｌＮモル分率は，一例として，ＡｌＧａＮ層４，ｎ型クラッド層６及び電子ブロック層８が２０％以上１００％以下，活性層７が０％以上８０％以下となっている。本実施形態では，発光素子１のピーク発光波長は，２２３ｎｍ以上３６５ｎｍ以下となる場合を想定する。本実施形態では，井戸層７ｂからの発光をサファイア基板２側から取り出す裏面出射型の発光素子を想定しているため，ＡｌＧａＮ層４のＡｌＮモル分率は，井戸層７ｂより大きく設定する必要があり
[0036]　活性層７以外の発光素子構造部の各ＡｌＧａＮ層の膜厚は，例えば，ｎ型クラッド層６が２０００ｎｍ，電子ブロック層８が２ｎｍ，ｐ型クラッド層９が５４０ｎｍ，ｐ型コンタクト層１０が２００ｎｍである。また，テンプレート５については，ＡｌＮ層３の膜厚は，２２００ｎｍ以上６６００ｎｍ以下，より好ましくは，３０００ｎｍ以上６０００ｎｍ以下に設定するのが好ましく，ＡｌＧａＮ層４の膜厚は，例えば，２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲に設定する。尚，本実施形態では，ＡｌＧａＮ層４上に同じＡｌＧａＮ層のｎ型クラッド層６が形成されるため，ＡｌＧａＮ層４の導電型はアンドープ層ではなくｎ型層であっても良く，ＡｌＧａＮ層４をｎ型クラッド層６と一体化して，テンプレート５をＡｌＮ層３だけで構成しても良い。
[0037]　図５に，発光素子１の平面視パターンの一例を示す。図５は，ｐ電極１２及びｎ電極１３が形成される前の第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２を示す。一例として，ｐ電極１２は第１領域Ｒ１のほぼ全面に，ｎ電極１３は第２領域Ｒ２のほぼ全面に，夫々形成される。また，後述する実施例に使用した発光素子１のチップサイズは縦横夫々８００μｍであり，第１領域Ｒ１の面積は約１６８０００μｍ２である。尚，図４に示す第１領域Ｒ１は，図５に示す第１領域Ｒ１の一部である。」
「[0046]　次に，ｐ電極１２及びｎ電極１３の形成方法について，図８の工程図を参照して説明する。
[0047]　先ず，発光素子１のテンプレート５及び発光素子構造部１１の各層が，上述のように周知の成長方法により形成する（ステップ＃１，＃２）。テンプレート５と発光素子構造部１１を形成した後，ｎ電極１３の反転パターンとなる第１のフォトレジストを形成し（ステップ＃３Ａ），全面にｎ電極コンタクト部１３ａとなるＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ多層膜を，電子ビーム蒸着法等により堆積する（ステップ＃３Ｂ）。引き続き，当該第１のフォトレジストをリフトオフにより除去して，当該第１のフォトレジスト上のＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ多層膜を剥離してパターニングし（ステップ＃３Ｃ），ＲＴＡ（瞬間熱アニール）等により第１のアニール処理を施し（ステップ＃３Ｄ），第２領域Ｒ２内に露出したｎ型クラッド層６の表面にｎ電極コンタクト部１３ａを形成する（ステップ＃３）。第１のアニール処理の処理温度は，下地のｎ型クラッド層６のＡｌＮモル分率に応じて，ｎ型クラッド層６との接触抵抗を低減できる最適な処理温度とし，例えば，６００℃〜１０００℃，好ましくは，７００℃〜１０００℃の温度範囲内で設定する。また，本実施形態では，第１のアニール処理は，例えば，１２０秒間，窒素雰囲気内で実施する。尚，第１のアニール処理の条件は，本実施形態で例示した条件に限定されるものではない。」
　ここで，図４は以下のものである。
イ　以上から，引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「テンプレート５上に，ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層６，ｎ型ＡｌＧａＮのバリア層とＡｌＧａＮの井戸層からなる活性層７，電子ブロック層８，ｐ型クラッド層９およびｐ型コンタクト層１０を順次形成した後，ｎ型クラッド層６，活性層７，電子ブロック層８，ｐ型クラッド層９およびｐ型コンタクト層１０の一部を反応性イオンエッチング等により除去して，ｎ型クラッド層６の一部を露出させ，露出させたｎ型クラッド層６上にｎ電極１３を形成した，発光素子１の製造方法。」
（２）引用例２
ア　引用例２には以下の記載がある。
「【０００３】
　窒化物半導体は化学的に非常に安定であるため，ウェットエッチングを行なうことは困難である。このため，メサ構造等を形成する場合，
窒化物半導体のエッチングには，ドライエッチングが用いられる。ドライエッチングは，反応性が極めて高い塩素等のガスを反応性ガスとして用いた，ＩＣＰ，ＲＩＥなどのプラズマドライエッチング装置を用いて行なわれるため，エッチング後の窒化物半導体表面には，ダメージ層が形成される
【０００４】
　たとえば，ドライエッチングによって形成したリッジ構造を有する半導体レーザにおいては，ドライエッチングによって生じたダメージ層が光吸収層となり，光出力特性の劣化を引き起こす。また，
窒化物半導体を用いた電子デバイスにおいては，ドライエッチングを行なった面に，金属を製膜して，電極の形成を行なった場合，ドライエッチングによって形成されたダメージ層の影響により，良好なオーミック電極を形成することが困難となる等の問題が生じる
【０００５】
　・・・（中略）・・・
【０００６】
　本発明は，上記課題を解決するためになされたものであり，その目的は，ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子であって，ドライエッチングにより生じたダメージ層を除去することにより，電気特性，光学特性が改善された窒化物半導体素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　・・・（中略）・・・
【００１０】
　以上のように，
ドライエッチング面においては，ドライエッチングによるダメージで生じた窒素抜けを原因とする窒素空孔が生じ，さらには，その窒素空孔に不純物元素が再結合して不純物層を形成するという複合的な要因で，ダメージ層が形成されていることが判明した。これらのダメージ層によって，ドライエッチング面での光吸収や，電気特性の異常等が生じると考えられる
【００１１】
　本発明者らは，上記知見に基づき，ドライエッチングにより生じたダメージ層を回復させるためには，エッチング面に再結合した不純物元素を除去して清浄化を行ない，さらに，清浄化された面に存在する窒素空孔に対して，窒素を再結合させることで，窒素空孔をなくすことが有効であるとの着想を得た。また，窒素分子は安定な分子であるため，窒素空孔が存在する面に対して窒素分子を接触させても，窒素空孔と窒素分子とが容易に再結合することはないが，窒素をプラズマ化することで，窒素をより活性な状態に励起して，窒素離脱面の窒素空孔への再結合率を劇的に改善させることができることを見出した。すなわち，本発明は以下のとおりである。
【００１２】
　本発明は，ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子の製造方法であって，窒素プラズマを含む雰囲気中で，前記ドライエッチングにより露出した面を，プラズマ処理する（以下，単に窒素プラズマ処理ともいう）工程（Ａ）を含むことを特徴とする。
【００１３】
　ここで，上記窒化物半導体素子は，ドライエッチングによって形成された電流経路制限構造を有する窒化物半導体発光素子であってもよく，あるいはドライエッチングによって形成されたリッジ構造を有する窒化物半導体レーザ素子であってもよい。
【００１４】
　上記窒素プラズマを含む雰囲気は，実質的に窒素のみを含むガスから生成されることが好ましい。
【００１５】
　また，上記プラズマ処理は，上記窒化物半導体素子の基板温度が１００℃以上８００℃以下の条件下で行なうようにしてもよい。
【００１６】
　・・・（中略）・・・
【発明の効果】
【００２１】
　本発明によれば，
窒素プラズマを含む雰囲気中で，ドライエッチングにより露出した面をプラズマ処理することにより，ドライエッチングに伴って形成されたダメージ層に多量に存在する窒素空孔に，窒素を再結合させて，ダメージ層の結晶性の改善を行なうことが可能となり，窒化物半導体素子の電気特性，光学特性を改善することが可能となる
イ　以上から，引用例２には以下（ア）及び（イ）の各技術事項が記載されているといえる。
（ア）窒化物半導体のエッチングには，反応性が極めて高い塩素等のガスを反応性ガスとして用いた，ＩＣＰ，ＲＩＥなどのプラズマドライエッチング装置を用いて行なわれるため，エッチング後の窒化物半導体表面には，ダメージ層が形成され，その影響により，ドライエッチングを行なった面に良好なオーミック電極を形成することが困難となる等の問題が生じるところ，当該ドライエッチング面においては，ドライエッチングによるダメージで生じた窒素抜けを原因とする窒素空孔が生じ，さらには，その窒素空孔に不純物元素が再結合して不純物層を形成するという複合的な要因で，ダメージ層が形成されており，これらのダメージ層によって，ドライエッチング面での光吸収や，電気特性の異常等が生じると考えられる。
（イ）窒素プラズマを含む雰囲気中で，ドライエッチングにより露出した面をプラズマ処理することにより，ドライエッチングに伴って形成されたダメージ層に多量に存在する窒素空孔に，窒素を再結合させて，ダメージ層の結晶性の改善を行なうことが可能となり，窒化物半導体素子の電気特性，光学特性を改善することが可能となる。
（３）引用例３
ア　引用例３には以下の記載がある。
「【０００５】
　このような
III-Ｖ族窒化物半導体を用いたＨＦＥＴやＨＢＴを含む電子デバイスにおいて，エピ成長後やプロセス中に生じる表面の窒素不足という化学組成のアンバランスが，電気特性を劣化させ，オーミックコンタクト抵抗やゲートリーク電流，ショットキー特性を悪化させるということが課題となっていた
【特許文献１】特開２００２−２６１３２６号公報
【特許文献２】特開２００３−１８８１０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　しかし，表面改質のためのアンモニアや不活性ガスによる処理においては，プラズマダメージが入ることにより基板表面の窒素不足を完全に回避できず，デバイスの電気特性の劣化の原因となっている。」
「【００２５】
　（第２の実施形態）
　第２の実施形態に係る発明は，ＦＥＴのキャップリセス後の表面処理におけるリモートプラズマ処理技術に関するものである。この第２の実施形態においては，
窒素リモートプラズマ処理を行うことにより，エピをドライエッチングした時に生じる窒素不足を補ってやることができる。それにより，オーミックコンタクト抵抗の低減や，ゲート部についてショットキー障壁の表面準位によるピニングを抑制する効果がある
【００２６】
　図４は本発明の第２の実施形態に係る半導体装置であってＨＦＥＴの断面構成を示している。図４に示すように，例えば，サファイアからなる基板２１の上に，厚さが約１μｍで窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるバッファ層２２と，厚さが約１μｍでｎ型キャリア密度が小さいすなわちｉ型の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる第１の窒化物半導体層２３と，厚さが約２５ｎｍでｉ型の窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ0.26Ｇａ0.74Ｎ）からなる第２の窒化物半導体層２４と，厚さ３０ｎｍでｎ型キャリア密度の大きいすなわちｎ型の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる第３の窒化物半導体層２５が順次形成されている。
【００２７】
　ここで，第２の窒化物半導体層２４を構成するＡｌ0.26Ｇａ0.74Ｎは，第１の窒化物半導体層２３を構成するＧａＮと比べて電子のバンドギャップエネルギーが大きいため，第１の窒化物半導体層２３における第２の窒化物半導体層２４との界面の近傍，より具体的には該界面から１０ｎｍ程度の深さに２ＤＥＧ層（図示せず）が形成される。
【００２８】
　
第３の窒化物半導体層２５を塩素系のガスによりドライエッチングを行い，第２の窒化物半導体層２４の表面までエッチングすることにより，オーミック部とゲート部とする。次に第２の窒化物半導体層２４と第３の窒化物半導体層２５の表面に，窒素イオンガス２９を，プラズマパワー５０Ｗ，基板温度４００℃，Ｎ
2
ガス圧力１３３Ｐａ，Ｎ
2
ガス流量５００ｓｃｃｍ，プラズマ源と基板間距離を５ｃｍ以上，例えば４０ｃｍとして５分照射する。その後，例えばチタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層膜からなるオーム性を持つ（オーミック性の）ソース電極２６及びドレイン電極２７を形成する。その後，５５０℃１分でオーミックシンタを行う。次に，該第２の窒化物半導体層２４とショットキー接触する例えばニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）との積層膜からなるゲート電極２８が形成されている
【００２９】
　以下，前記のように構成されたＨＦＥＴの製造方法について図面を参照しながら説明する。図５（ａ）〜図５（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係るＨＦＥＴの製造方法の工程順の断面構成を示している。
【００３０】
　まず，図５（ａ）に示すように，例えば有機化学気相堆積（Metalorganic Chemical Vapor Deposition：ＭＯＣＶＤ）法により，サファイアからなる基板２１の上に，窒化アルミニウム又は窒化ガリウムからなるバッファ層２２と，ｉ型の窒化ガリウムからなる第１の窒化物半導体層２３と，ｉ型の窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ0.26Ｇａ0.74Ｎ）からなる第２の窒化物半導体層２４と，厚さ３０ｎｍでｎ型キャリア密度の大きいすなわちｎ型の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる第３の窒化物半導体層２５を順次成長して形成する。ここで，各窒化物半導体層の成膜方法は，ＭＯＣＶＤ法に限られず，該ＭＯＣＶＤ法に代えて分子線エピタキシ（Molecular Beam Epitaxy：ＭＢＥ）法を用いてもよい。
【００３１】
　次に，図５（ｂ）に示すように，
第３の窒化物半導体層２５をＣｌ
2
雰囲気中でドライエッチングを行い，第２の窒化物半導体層２４の表面までエッチングすることにより，オーミック部とゲート部とする。次に，窒素イオンガス２９を，プラズマパワー５０Ｗ，基板温度４００℃，Ｎ
2
ガス圧力１３３Ｐａ，Ｎ
2
ガス流量５００ｓｃｃｍ，プラズマ源と基板間距離を４０ｃｍとして５分照射する。ここで，用いるガスは窒素を含むガス，例えば，アンモニア，窒素酸化物，シアン化合物を用いても良い。また，ここで照射する窒素イオン，又は窒素を含む化合物イオンは，イオン注入法を含む方法による窒素イオンビーム，又は窒素を含む化合物イオンビームでも良い。その後，図５（ｃ）に示すように，例えば電子線蒸着法によりチタンからなる電極形成膜を成膜する。続いて，成膜した電極形成膜における不要部分を第２のレジストパターンと共に除去するいわゆるリフトオフ法により，オーミック性のソース電極２６及びドレイン電極２７を形成する。次に，５５０℃１分間のオーミックシンタを行う。続いて，ソース電極２６及びドレイン電極２７の間にゲート電極形成領域を露出する開口部を有する第３のレジストパターン（図示せず）を形成し，例えば電子線蒸着法によりニッケル及び金からなるゲート電極形成膜を成膜し，さらに，リフトオフを行なって，ゲート電極形成膜からゲート電極２８を形成する
【００３２】
　・・・（中略）・・・
【００３４】
　上記表３によれば，
該窒素イオン処理を施したことにより，エッチングにより生じた表面における窒素不足が完全に解消した状態で，電極を形成することができた
イ　以上から，引用例３には以下（ア）及び（イ）の技術事項が記載されているといえる。
（ア）窒化物半導体をＣｌ2雰囲気中でドライエッチングを行ったときには，当該ドライエッチングにより生じた表面における窒素不足によって，当該表面に形成されるオーミック電極のオーミックコンタクト抵抗の悪化や，ショットキー電極におけるショットキー障壁の表面準位によるピニングによって，ショットキー特性の悪化が生じる。
（イ）窒化物半導体をＣｌ2雰囲気中でドライエッチングを行った後に，当該ドライエッチングにより生じた表面に対して，窒素イオン，又は窒素を含む化合物イオンを照射することにより，ドライエッチングした時に生じる窒素不足を補ってやることができ，それにより，オーミックコンタクト抵抗の低減や，ゲート部についてショットキー障壁の表面準位によるピニングを抑制する効果がある。
（４）引用例４
ア　引用例４には以下の記載がある。
「【００４９】
（第４実施例）
　
第３窒化物半導体層１８をエッチングして第２窒化物半導体層８の表面を露出させる際に，第２窒化物半導体層８の表面にエッチングダメージが生じる。エッチングダメージの大部分は，窒化物半導体から窒素が抜けることである。そこで，第３窒化物半導体層１８が除去されて第２窒化物半導体層８の表面が露出した窒化物半導体基板をアンモニアガスに晒しながら熱処理する。すると，窒化物半導体に窒素が補給され，エッチングダメージが修復される。その後にアノード電極２４を形成すると，アノード電極２４と第２窒化物半導体層８がショットキー接合する。その場合は，ＡｌＯ膜が形成されるエッチング条件を採用しなくてもよい
イ　以上から，引用例４には以下の技術事項が記載されているといえる。
「第３窒化物半導体層をエッチングして，その下の第２窒化物半導体層の表面を露出させる際に，第２窒化物半導体層の表面にエッチングダメージが生じるが，当該エッチングダメージの大部分は，窒化物半導体から窒素が抜けることである。そこで，第３窒化物半導体層が除去されて第２窒化物半導体層８の表面が露出した窒化物半導体基板をアンモニアガスに晒しながら熱処理すと，窒化物半導体に窒素が補給され，エッチングダメージが修復される。その後にアノード電極２４を形成すると，アノード電極２４と第２窒化物半導体層８がショットキー接合する。」
（５）引用例５
ア　引用例５には以下の記載がある。
「【００１５】上記結晶成長後，基板１を上記装置から取り出し，ｐ型ＧａＮコンタクト層１０７からｎ型ＧａＮコンタクト層１０４の層途中までを反応性のガスを用いたドライエッチング法によりエッチング除去して，ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４が露出したｎ側電極形成領域を形成する。
【００１６】そして，ｐ型ＧａＮコンタクト層１０７およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０６のドーパントを活性化して高キャリア濃度にするとともに，
ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４のエッチングによる結晶劣化を回復するために，窒素雰囲気中において７５０℃〜８００℃で３０〜６０分熱処理を行う
イ　以上から，引用例５には以下の技術事項が記載されているといえる。
「ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４のエッチングによる結晶劣化を回復するために，窒素雰囲気中において７５０℃〜８００℃で３０〜６０分熱処理を行う。」
５　対比
（１）　本願請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層６」は，本願発明１の「ｎ型のＡｌＧａＮで構成されるｎ型クラッド層」に相当する。
イ　引用発明の「ｎ型ＡｌＧａＮのバリア層とＡｌＧａＮの井戸層からなる活性層７」は，本願発明１の「ＡｌＧａＮ系半導体材料の活性層」に相当する。
ウ　引用発明の「ｐ型クラッド層９」は，本願発明１の「ｐ型半導体層」に相当する。
エ　引用発明の「反応性イオンエッチング等」は，本願発明１の「ドライエッチング」に相当する。
オ　引用発明の「ｎ電極１３」は，本願発明１の「ｎ側電極」に相当する。
カ　引用発明の「発光素子１」は，本願発明１の「半導体発光素子」に相当する。
（２）よって，本願発明１と引用発明は，次の点で一致する。
《一致点》
「ｎ型のＡｌＧａＮで構成されるｎ型クラッド層上にＡｌＧａＮ系半導体材料の活性層を形成する工程と，
　前記活性層上にｐ型半導体層を形成する工程と，
　前記ｎ型クラッド層の一部領域が露出するように，前記ｐ型半導体層，前記活性層および前記ｎ型クラッド層の一部をドライエッチングする工程と，
前記ｎ型クラッド層の前記一部領域上にｎ側電極を形成する工程と，を備える半導体発光素子の製造方法。」
（３）一方，両者は次の各点で相違する。
《相違点１》
　本願発明１は，「塩素（Ｃｌ）を含むガスを用いてドライエッチングする」構成を備えるのに対して，引用発明は，「ドライエッチングする」構成は備えるものの，当該「ドライエッチングする」構成が「塩素（Ｃｌ）を含むガスを用いて」いるとの特定まではされていない点。
《相違点２》
　本願発明１は，「前記ｎ型クラッド層を１００℃以上１０００℃以下の温度で加熱しながら，前記ｎ型クラッド層の露出した前記一部領域に，アンモニア（ＮＨ３）の熱分解により生じる窒素原子（Ｎ）を反応させる工程」を備え，「前記窒素原子を反応させた前記ｎ型クラッド層の前記一部領域上にｎ側電極を形成する工程」を備えるのに対して，引用発明は，，「前記ｎ型クラッド層を１００℃以上１０００℃以下の温度で加熱しながら，前記ｎ型クラッド層の露出した前記一部領域に，アンモニア（ＮＨ３）の熱分解により生じる窒素原子（Ｎ）を反応させる工程」は備えておらず，また，「前記ｎ型クラッド層の前記一部領域上にｎ側電極を形成する工程」は備えるものの，ｎ側電極が形成される「ｎ型クラッド層の一部領域上」は「前記窒素原子を反応させた」ものではない点。
６　検討
　上記各相違点について検討する。
（１）相違点１について
　一般に，窒化物半導体に対して，反応性イオンエッチング等のドライエッチングを行う際に，塩素を含むガスを用いることは，例えば，引用例２（前記４（２）イ（ア））及び引用例３（前記４（３）イ（ア））にも記載されているように，周知の技術である。
　よって，引用発明において，反応性イオンエッチング等を行う際に，塩素を含むガスを用いて行うことは当業者が適宜になし得たことである。
（２）相違点２について
ア　一般に，窒化物半導体に対してドライエッチングを行うと，当該ドライエッチングがされた表面にエッチングダメージによる窒素空孔が生じ，オーミック電極やショットキー電極の形成の妨げとなることは，例えば引用例２（前記４（２）イ（ア）），引用例３（前記４（３）イ（ア））及び引用例４（前記４（４）イ）にも記載されているように技術常識である。
イ　また，当該窒素空孔を減少させるために，ドライエッチングがされた表面に窒素を供給して，良好なオーミック電極やショットキー電極を形成できるようにすることは，例えば引用例２（前記４（２）イ（イ）），引用例３（前記４（３）イ（イ）），及び引用例４（前記４（４）イ）にも記載されているように周知の技術である。
ウ　そして，引用発明においては，反応性イオンエッチング等によりｎ型クラッド層６の一部を露出させ，当該露出させたｎ型クラッド層６上にｎ電極１３を形成するのであるから，前記技術常識に照らし，ｎ電極１３を確実に形成するべく，前記周知の技術を適用し，その際，生じた窒素空孔に対して窒素を供給するために，引用例４に記載された，アンモニアガスに晒しながら熱処理する手法を採ることは，当業者が適宜になし得たことである。ここで，熱処理の温度として１００℃以上１０００℃以下の範囲は，引用例５（前記４（５）イ）における窒素雰囲気中の熱処理温度である「７５０℃〜８００℃」との記載に照らせば，通常取りうる温度を含む範囲を示したにすぎないものといえる。
エ　なお，アンモニアガスに晒しながら熱処理することにより窒化物半導体に窒素が供給される際には，相違点２に係る，「アンモニア（ＮＨ３）の熱分解により生じる窒素原子（Ｎ）を反応させ」ていることは明らかである。
（３）意見書について
ア　請求人は，令和元年７月１０日に提出した意見書において，以下の主張をする。
（ア）引用例４では，第２窒化物半導体層８の表面をアンモニアガスに晒しながら熱処理することで「ショットキー接合」を実現することを目的としており，「オーミック接触」を目的とした表面処理について何ら開示しておりません。さらに言えば，引用例４では，ｐ側電極をショットキー接合させるｉ型半導体層に対する表面処理について開示しているにすぎず，本願発明のようにｎ側電極をオーミック接触させるｎ型クラッド層の表面に対する表面処理について何ら触れておりません。
（イ）引用例５には，ＧａＮ層の成長工程における原料ガスとしてアンモニアを用いる点については開示されているものの，成長装置とは別の装置で実行される「窒素雰囲気中の熱処理」にアンモニアを用いる点については何ら開示されておりません。
（ウ）引用例４，５の記載に基づいて，ｎ側電極をｎ側クラッド層にオーミック接触させることを目的として，「ｎ型クラッド層を１００℃以上１０００℃以下の温度で加熱しながら，ｎ型クラッド層の露出した一部領域に，アンモニア（ＮＨ３）の熱分解により生じる窒素原子（Ｎ）を反応させる工程」を当業者が導き出すことはできないものと思料いたします。したがって，本願発明は，引用例に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできません。
イ　上記主張について検討する。
　確かに，引用例４には，第２窒化物半導体層８の表面をアンモニアガスに晒しながら熱処理することでショットキー接合を形成することが記載されているが，前記前記４（４）イに摘示したとおり，引用例４には，第２窒化物半導体層８の表面をアンモニアガスに晒すことにより，エッチングにより生じた，窒化物半導体から窒素が抜けた表面に，窒素が補給され，エッチングダメージが修復されることも併せて記載されている。
　そして，前記（２）ア，イで指摘したとおり，良好なオーミック電極やショットキー電極を形成するために，ドライエッチングがされた表面に発生した窒素空孔を減少させるべく，当該表面に窒素を供給することが周知技術であるから，当該表面に窒素を供給するための具体的手段として，引用例４に係る技術を採用することに困難性はない。
　したがって，上記請求人の意見は採用できない。
（４）小括
　よって，本願発明は，引用発明及び引用例２〜５に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
７　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。