【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年8月9日(2010.8.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電管を形成する方法であって、
（ａ）流体媒体中にセラミック粒子の懸濁を形成するステップと、
（ｂ）前記流体媒体にロッドを位置決めするステップと、
（ｃ）前記ロッドに粒子を堆積するステップと、
（ｄ）圧電管を形成するため前記堆積した粒子を熱処理するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記圧電管が２層圧電管であり、
（ａ）中間電極を形成するため熱処理された前記堆積した粒子から作られた第１の層の外面に金属ペーストを塗布するステップと、
（ｂ）第２の層を形成するため電気泳動を使用して前記ロッドにさらなる粒子を堆積するステップと、
（ｃ）前記２層圧電管を形成するため前記堆積した層を熱処理するステップと、
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記圧電管が多層圧電管であり、
（ａ）中間電極を形成するため熱処理された前記堆積した粒子から作られた第１の層の外面に金属ペーストを塗布するステップと、
（ｂ）さらなる層を形成するため電気泳動を使用して前記ロッドにさらなる粒子を堆積するステップと、
（ｃ）前記堆積した層を熱処理するステップと、
（ｄ）多層圧電管を形成するため前記ステップを繰り返すステップと、
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
（ａ）前記圧電管の前記内面及び前記外面に金属ペーストを塗布するステップと、
（ｂ）トランスデューサを形成するため前記圧電管を分極するステップと、
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
分極条件が２０〜１２０分間の持続時間、及び１００〜１５０℃の範囲の温度での２〜４ｋＶ／ｍｍの範囲の電場の印加を含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記粒子を堆積する方法が、
（ａ）前記懸濁を含む容器内で前記ロッドを位置決めするステップと、
（ｂ）前記ロッドを電源の第１の端子に接続するステップと、
（ｃ）前記流体媒体と接触している電極を前記電源の第２の端子に接続するステップと、
（ｄ）所定のＤＣ電圧を前記電極及び前記ロッドに印加し、それによって、前記粒子の少なくとも一部を前記ロッドに堆積させるために前記電源を使用するステップと、
を含む、請求項１〜５のいずれか一項記載の方法。
【請求項７】
前記容器が前記電極としての役目をするようになっている導電性容器である、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記容器が、ステンレス鋼、銅、及び別の金属のうちの少なくとも１つから作られる、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記容器がガラスとプラスチックの少なくとも一方から作られ、前記容器が少なくとも１層の導電層で覆われる、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記堆積した粒子を熱処理する方法が、
（ａ）前記粒子を前記ロッドの表面に凝固させ、前記ロッドをバーンオフし、それによって、一方の端部が閉じられた凝固した粒子の管を残すように、前記堆積した粒子を第１の所定の温度まで加熱するステップと、
（ｂ）高密度セラミック管を形成するため前記管を焼結するように前記管を第２の所定の温度まで加熱するステップと、
を含む、請求項１〜９のいずれか一項記載の方法。
【請求項１１】
前記管の前記閉じた端部を切断するステップをさらに含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の所定の温度が前記第１の所定の温度より高い、請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の所定の温度が５００℃〜１２００℃である、請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の所定の温度が８５０℃〜１３００℃である、請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
前記ロッドがグラファイトから作られる、請求項１〜１４のいずれか一項記載の方法。
【請求項１６】
前記ロッドが、プラスチックと、前記第１の所定の温度でバーンオフされる別の材料とのうちの少なくとも一方から作られ、前記ロッドが少なくとも１層の導電層で覆われる、請求項１０記載の方法。
【請求項１７】
前記懸濁中の前記粒子の沈降を防止するため電磁攪拌機を使用するステップをさらに含む、請求項１〜１６のいずれか一項記載の方法。
【請求項１８】
前記懸濁を形成する方法が、
（ａ）前記懸濁を形成するため前記粒子を溶媒に分散させるステップと、
（ｂ）前記懸濁のｐＨ値を所定のｐＨ値に調整するステップと、
を含む、請求項１〜１７のいずれか一項記載の方法。
【請求項１９】
前記溶媒が有機溶媒である、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記溶媒がエタノールとアセトンの少なくとも一方である、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記溶媒が水である、請求項１８記載の方法。
【請求項２２】
前記粒子を分散させる方法が、
前記粒子を超音波で分散させるステップを含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２３】
安定剤を前記懸濁に添加するステップを含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２４】
前記安定剤がエーテルグリコールである、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記粒子が、
（ａ）チタン酸ジルコン酸鉛と、
（ｂ）ドープトチタン酸ジルコン酸鉛と、
（ｃ）ＢａＴｉＯ３と、
（ｄ）０．９５Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３・０．０３ＢｉＦｅＯ３・０．０２Ｂａ（Ｃｕ０．５Ｗ０．５）Ｏ３＋０．５重量％ＭｎＯ２と、
（ｅ）その他の圧電粒子と、
のうちの少なくとも１つである、
請求項１〜２４のいずれか一項記載の方法。
【請求項２６】
（ａ）流体媒体中のセラミック粒子の懸濁を収容する容器と、
（ｂ）前記流体媒体と接触したロッドと、
（ｃ）前記流体媒体と接触した電極と、
（ｄ）使用中に前記粒子の少なくとも一部を前記ロッドに堆積するために、所定の電圧を前記ロッド及び前記電極に印加するようになっている電源と、
（ｅ）圧電管を形成するため前記堆積した粒子を熱処理する熱源と、
を含む、圧電管を形成する装置。
【請求項２７】
前記堆積した粒子から作られた第１の層の外面に金属ペーストを供給する塗布装置をさらに含む、請求項２６記載の装置。
【請求項２８】
前記容器が前記電極としての役目をするようになっている導電性容器である、請求項２６又は２７記載の装置。
【請求項２９】
前記容器が、ステンレス鋼、銅、及び別の金属のうちの少なくとも１つから作られる、請求項２８記載の装置。
【請求項３０】
前記容器がガラスとプラスチックの少なくとも一方から作られ、前記容器が少なくとも１層の導電層で覆われる、請求項２８記載の装置。
【請求項３１】
前記熱源が、
（ａ）前記堆積した粒子を、前記堆積した粒子が凝固する第１の所定の温度まで加熱し、
（ｂ）前記凝固した粒子を前記第１の所定の温度よりも高い第２の所定の温度まで加熱する、
ことが可能である請求項２６〜３０のいずれか一項記載の装置。
【請求項３２】
前記第１の所定の温度が５００℃〜１２００℃である、請求項３１記載の装置。
【請求項３３】
第２の所定の温度が８５０℃〜１３００℃である、請求項３１記載の装置。
【請求項３４】
前記ロッドがグラファイトから作られる、請求項２６〜３３のいずれか一項記載の装置。
【請求項３５】
前記ロッドが、プラスチックと、前記第１の所定の温度でバーンオフされる別の材料とのうちの少なくとも一方から作られ、前記ロッドが少なくとも１層の導電層で覆われる、請求項２６〜３３のいずれか一項記載の装置。
【請求項３６】
前記懸濁中の前記粒子の沈降を防止するため前記流体媒体を撹拌する電磁攪拌機をさらに含む、請求項２６〜３５のいずれか一項記載の装置。