【事件の表示】
　特願２０１７−５２５６４９「円板状ヒータ及びヒータ冷却板アセンブリ」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　７月　６日国際公開，ＷＯ２０１７／１１５７５８，請求項の数（６）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１６年（平成２８年）１２月２６日（パリ条約による優先権主張２０１５年（平成２７年）１２月２８日（以下「本願優先日」という。）。米国。）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は，概略，以下のとおりである。
平成３０年　１月１１日：拒絶理由通知（起案日）
平成３０年　３月１４日：意見書，手続補正書
平成３０年　４月２０日：拒絶査定（起案日）（以下「原査定」という。）
平成３０年　７月１２日：手続補正書，審判請求
平成３０年　８月　３日：前置報告（起案日）
平成３１年　４月　９日：拒絶理由通知（最後）（起案日）
平成３１年　４月２２日：意見書，手続補正書（以下，この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。）
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
１　（理由２として）本願請求項１ないし８に係る発明は，本願優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，本願優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．特開２０１５−２２０３６８号公報
２．特開２０１５−１０９１３９号公報
３．特開２０１５−２０７７６５号公報
４．実願平２−６１５８３号（実開平４−２０２３０号）のマイクロフィルム
第３　当審拒絶理由の概要
　平成３１年４月９日付け拒絶理由通知（最後）（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は次のとおりである。
１　この出願は，特許請求の範囲の請求項１ないし６の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
第４　本願発明
１　本願請求項１ないし６に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明６」という。）は，平成３１年４月２２日付けの手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１は以下のとおりの発明である（下線は補正箇所である。）。
「【請求項１】
　円板状の基体の上面が多数のゾーンに区切られ，一対の端子を備えた発熱体がゾーンごとに前記基体に埋設された円板状ヒータであって，
　前記基体の下面に前記発熱体の総数より少ない数の端子集約領域
　を備え，
　すべての前記発熱体の前記一対の端子は，前記基体の内部を通っていずれかの端子集約領域に配線されており，
　前記一対の端子は，プラス極端子とマイナス極端子であり，
　前記端子集約領域には，１つのアース集約端子が設けられ，
　前記端子集約領域に配線される複数の前記発熱体の前記マイナス
極
　すべての前記端子集約領域は，前記基体の外周円と同心円となる複数の円上に円弧状に設けられているか，前記複数の円の接線方向に長方形状に設けられている，
　円板状ヒータ。」
２　本願発明２ないし６の概要は以下のとおりである。
（１）本願発明２ないし５は，本願発明１を減縮した発明である。
（２）本願発明６は，本願発明１の構成を全て含むヒータ冷却板アセンブリの発明である。
第５　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　拒絶査定に引用された引用文献１（特開２０１５−２２０３６８号公報，平成２７年１２月７日出願公開）には，図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審で付した。以下，同じ。）。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，ヒータ給電機構に関する。
【背景技術】
【０００２】
　半導体ウェハ(以下，「ウェハ」と称呼する)をエッチング等により微細加工する半導体製造装置では，ウェハが載置されるステージの温度がエッチングレート等のプロセス結果に影響を与える。そこで，ステージの内部にヒータを埋設し，ヒータを加熱してステージを温度制御することが提案されている（例えば，特許文献１を参照）。特許文献１では，一つのヒータに対して一つのヒータ給電部が設けられている。
＜＜途中省略＞＞
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　ところで，ステージの内部に複数のヒータを埋め込み，ヒータ毎にゾーン化してステージの温度をゾーン毎に制御する「マルチゾーン制御」を行うことで，ステージ上のウェハ温度の面内均一性を高めることができる。しかしながら，ゾーンが増えるほど，これに比例してヒータの給電部の数が増え，ヒータの給電機構が複雑になる。例えば，ステージを４０ゾーンに分けてマルチゾーン制御するためには少なくとも４０個のヒータ給電部が必要になる。よって，ヒータ配線が非常に多くなって，半導体製造装置に設けられた他の部材と干渉し，半導体製造装置の組み立て時やメンテナンス時に不具合が生じたり，取り付け時の作業が増大したりする。
【０００５】
　
上記課題に対して，一側面では，他の部材との干渉を抑制するヒータ給電機構を提供することを目的とする
「【００１０】
　［半導体製造装置の全体構成］
　まず，本発明の一実施形態に係る半導体製造装置１の全体構成について，図１を参照しながら説明する。図１は，本発明の一実施形態に係る半導体製造装置１の縦断面を示す。本実施形態では，半導体製造装置１の一例として容量結合型プラズマエッチング装置を挙げる。
【００１１】
　半導体製造装置１は，例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる円筒形のチャンバ１０を有している。チャンバ１０は，接地されている。チャンバ１０の内部にはステージ１２が設けられている。
ステージ１２は，静電チャック（ＥＳＣ：Electrostatic Chuck）４０を有し，静電チャック４０（ステージ１２）は，保持プレート１３により保持される
【００１２】
　
静電チャック４０は導電膜からなる電極４０ａを一対の絶縁層４０ｂ（又は絶縁シート）の間に挟み込んだものである
【００１３】
　
静電チャック４０には，ヒータ７５ａ，７５ｂ，７５ｃ，７５ｄ（以下，総称して「ヒータ７５」ともいう。）が埋め込まれている
【００１４】
　
ヒータ給電機構１００は，ステージ１２を複数のヒータ７５にゾーン化して，ステージ１２の温度をマルチゾーン制御することが可能である
【００１５】
　ステージ１２の内部には図示しない冷媒管が形成されている。図示しないチラーユニットから供給された冷媒は冷媒管を循環する。かかる構成により，
ヒータ７５がそれぞれ埋め込まれた静電チャック４０の各ゾーンは独立して温度制御され，これにより，ウェハＷが所望の温度に調整される
【００１６】
　
ヒータ給電機構１００は，複数のヒータ用端子７１と，複数のヒータ配線７２と，複数のヒータ配線７２をオフセットするオフセット構造７３とを有する。複数のヒータ用端子７１は，複数のヒータ７５に接続される。複数のヒータ用端子７１は，ステージ１２を保持する保持プレート１３上の外周部に配置される。複数のヒータ配線７２は，給電線４７を介して交流電源４４に接続される
【００１７】
　本実施形態では，保持プレート１３は，絶縁性部材から構成されている。ただし，保持プレート１３は，たとえばアルミニウム（Ａｌ）やチタン（Ｔｉ），炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の金属から構成されてもよい。保持プレート１３は，絶縁性の支持部１４及びベースプレート１５に支持されている。これにより，ステージ１２は，チャンバ１０の底部に固定される。
＜＜途中省略＞＞
【００２５】
　以上，本実施形態に係る半導体製造装置１の全体構成について説明した。なお，上記実施形態では５つのヒータ７５が静電チャック４０内に埋設されたが，これに限らず，ヒータ７５はステージ１２のいずれに設けられてもよい。また，ヒータ７５の個数は，２以上であれば，いくつでもよい。
【００２６】
　通常，分割されたヒータ７５数が増えるほどヒータ配線が多くなって，半導体製造装置１に設けられた他の部材と干渉し，半導体製造装置１の組み立て時やメンテナンス時に不具合が生じやすくなり，取り付け時の作業効率が悪くなる。これに対して，本実施形態にかかるヒータ給電機構１００によれば，ヒータ７５数が増えても半導体製造装置１に設けられた他の部材と干渉せず，組み立て時やメンテナンス時の不具合を回避し，作業効率を向上させる効果を得られる。以下，本実施形態にかかるヒータ給電機構１００の構成について，図２及び図３を参照しながら詳細に説明する。
【００２７】
　[ヒータ給電機構]
　図２は，一実施形態に係るヒータ給電機構１００の縦断面の一例を示す。図３（ａ）は，一実施形態に係る保持プレート１３の上面，図３（ｂ）は，一実施形態に係る保持プレート１３の下面を示す。図３（ｃ）及び図３（ｄ）は，一実施形態に係るヒータ給電機構１００が有する給電アセンブリＡｓ１，Ａｓ２を示す。
【００２８】
　図２及び図３に示すように，ヒータ給電機構１００は，複数個のヒータ用端子７１と，複数個のヒータ用端子７１に接続される複数本のヒータ配線７２と，複数本のヒータ配線７２をオフセットするオフセット構造７３とを一組としてアセンブリ化されている。図３（ａ）は，図２のＡ−Ａ面であり，保持プレート１３の上面を示す。これによれば，複数個の端子を一組として，温度制御に必要な個数のヒータ用端子７１と電極用端子７６とからなる端子群が保持プレート１３の外周部に配置されている。
【００２９】
　
上記の端子群が配置される保持プレート１３上の外周部は，ステージ１２上のウェハＷが載置されない領域に対応する。これにより，本実施形態では，ヒータ７５の給電位置及び静電チャック４０の電極の給電位置は，ヒータ配線７２等が這うラインよりも外側に配置される。よって，本実施形態では，ヒータ配線７２等の給電ラインは，各給電端子の位置の真下にはなく，各給電端子の位置からずれた位置にある。このように静電チャック４０上のウェハＷが載置される面よりも外側にヒータ用端子７１及び電極用端子７６を配置することで，ヒータ用端子７１等からのジュール熱がウェハＷに影響を及ぼさない構造とすることができ，ウェハＷの温度の面内均一性を高めることができる。これにより，静電チャック４０の温度をマルチゾーン制御する際にヒータ用端子７１の数が増加しても，ウェハＷ温度の面内均一性を保持することができる
【００３０】
　オフセット構造７３は，ヒータ配線７２をずらしながら各ヒータ配線７２を所望の位置に配置する（オフセット）。ヒータ配線７２は，複数個を一組としたヒータ用端子７１に接続されている。オフセットされたヒータ配線７２は，保持プレート１３の下部に設けられた集約部８０（図３（ｂ）参照）で集約される。集約部８０は，各オフセット構造７３のヒータ配線を集約し，コネクタに接続するための樹脂のケースである。集約部８０で纏められたヒータ配線群は，コネクタ７４に接続される。コネクタ７４は，給電線４７と接続される。コネクタ７４の上部７４ａは，ヒータ配線群と接続されていて，コネクタ７４の上部７４ａとコネクタ７４の下部７４ｂとを連結することで，コネクタ７４の下部７４ｂに設けられた各端子７４ｂ１がコネクタ７４の上部７４ａに挿入される。これにより，静電チャック４０の脱着と同時に結線を行うことができる。コネクタ７４の数は，１個以上設けられていればいくつであってもよい。また，コネクタ７４は，図３（ｂ）に示した位置に限られず，集約部８０周辺のいずれの位置に配置してもよい。
【００３１】
　（給電アセンブリＡｓ）
　ヒータ給電機構１００は，図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示すように，２種類の給電アセンブリＡｓ１，Ａｓ２（以下，総称して「給電アセンブリＡｓ」ともいう。）を有する。図３（ｃ）に示すように，給電アセンブリＡｓ１は，複数個のヒータ用端子７１，複数本のヒータ配線７２及びオフセット構造７３を一単位としたアセンブリである。複数個のヒータ用端子７１は，ヒータ用端子７１に接続された複数本のヒータ配線７２とそれぞれ接続されている。複数本のヒータ配線７２は，ケース７３ａの内部でオフセットされる。ケース７３ａは，例えば，樹脂で構成されてもよい。
【００３２】
　上記給電アセンブリＡｓ１におけるオフセット構造７３では，図２に示すように，複数個のヒータ用端子７１がケース７３ａの上部から突出する。複数本のヒータ配線７２はケース７３ａの内部にてずらして配線され（オフセット），ケース７３ａの底部の所望の位置から外部に出力される。ヒータ配線７２は，集約部８０，コネクタ７４を介して給電線４７に接続される。これにより，交流電源４４からの電流は，給電線４７，コネクタ７４及びヒータ配線７２を介してヒータ用端子７１からヒータ７５に供給される。
【００３３】
　図３（ｄ）に示すように，給電アセンブリＡｓ２は，一つの電極用端子７６，電極用端子７６を除いた個数のヒータ用端子７１，１本の直流電流用の配線７７，ヒータ用端子７１に接続された複数本のヒータ配線７２及びオフセット構造７３を一単位としたアセンブリである。電極用端子７６は，直流電流用の配線７７と接続する。各配線７２，７７は，ケース７３ｂの内部でオフセットされる。ケース７３ｂは，例えば，樹脂で構成されてもよい。
【００３４】
　上記給電アセンブリＡｓ２におけるオフセット構造７３では，図４に示すように，一つの電極用端子７６と電極用端子を除いた個数のヒータ用端子７１がケース７３ｂの上部から突出する。１本の直流電流用の配線７７及び複数本のヒータ配線７２はケース７３ｂの内部にてずらして配線され（オフセット），ケース７３ｂの底部の所望の位置から外部に出力される。直流電流用の配線７７は，集約部８０を介して給電線４９に接続される。これにより，直流電圧源４２からの電流は，給電線４９及び直流電流用の配線７７を介して電極用端子７６に供給される。また，複数本のヒータ配線７２は，集約部８０，コネクタ７４を介して給電線４７に接続される。
【００３５】
　図３（ｂ）は，図２のＢ−Ｂ面であり，保持プレート１３の下面を示す。本実施形態では，１１個の給電アセンブリＡｓ１及び１個の給電アセンブリＡｓ２が組み立てられた状態で溶接等によって保持プレート１３内に固定される。これにより，給電アセンブリＡｓ１，Ａｓ２は，保持プレート１３内の所定位置に収められる。このようにして保持プレート１３の下面には，１１個の給電アセンブリＡｓ１と１個の給電アセンブリＡｓ２とから温度制御に必要な個数のヒータ用端子７１に接続されたヒータ配線７２と，電極用端子７６に接続された直流電流用の配線７７とが出力され，保持プレート１３下の集約部８０にて纏められる。集約部８０は，略環状に形成され，各配線を樹脂のケース内に集約してコネクタ７４まで這わせ，コネクタ７４に接続させる。
【００３６】
　例えば，図２及び図４に示すように，保持プレート１３とベースプレート１５との間は空間になっている。この空間には，搬入及び搬出時にウェハＷを昇降して保持するプッシャーピンや温度計等の部材（例えば，図４に部材Ｐｔとして示す。）が収められている。
【００３７】
　
静電チャック４０の温度を独立制御するゾーンが増えると，ゾーン毎に１又は２以上のヒータを設置する必要が生じ，これに応じてヒータ配線７２が非常に多くなる。ヒータ配線７２が多数本になると，半導体製造装置１に設けられた他の部材と干渉し，半導体製造装置１の組み立て時やメンテナンス時に不具合が生じたり，取り付け時の作業が増大したりする
【００３８】
　
これに対して，本実施形態に係るヒータ給電機構１００によれば，給電アセンブリＡｓ１，Ａｓ２毎にヒータ配線７２及び直流電流用の配線７７をオフセットする。また，オフセットされたヒータ配線７２及び直流電流用の配線７７は集約部にて集約させて，コネクタ７４等に接続させる
【００３９】
　
これにより，ヒータ配線７２及び直流電流用の配線７７と他の部材Ｐｔとの干渉を減らし，半導体製造装置１の組み立て時やメンテナンス時に不具合が生じることを回避することができる
【００４０】
　また，予め給電アセンブリＡｓ１，Ａｓ２を組み立てた状態で，給電アセンブリＡｓ１，Ａｓ２を保持プレート１３の所定位置に下方から装着する。これにより，ヒータ給電機構の組立工程を短縮化し，簡易的に配線の接続ができる。これにより，ヒータ給電機構の組み立て時やメンテナンス時の作業効率を向上させることができる。
【００４１】
　
さらに，ヒータ用端子７１は，静電チャック４０上のウェハＷが載置される面よりも外側に配置される。これにより，ヒータ用端子７１からのジュール熱がウェハＷに影響を及ぼさないようにすることができ，ウェハＷ温度の面内均一性を高めることができる。特に，静電チャック４０温度のマルチゾーン制御により，ヒータ用端子７１の数が飛躍的に増えた場合においても，ウェハＷ温度の面内均一性を保持することができる
【００４２】
　以上，ヒータ給電機構を上記実施形態により説明したが，本発明にかかるヒータ給電機構は上記実施形態に限定されるものではなく，本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。また，上記実施形態を矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【００４３】
　例えば，上記実施形態にかかるヒータ給電機構１００は，静電チャック４０をヒータ毎にゾーン化して温度制御した。しかしながら，本発明に係るヒータ給電機構は，これに限らず，静電チャック４０以外の部材（例えば，保持プレート１３）に複数のヒータを埋設し，ヒータ毎にゾーン化して保持プレート１３の温度をマルチゾーン制御してもよい。
【００４４】
　また，本発明に係るヒータ給電機構１００の給電アセンブリＡｓ１，Ａｓ２は，複数個のヒータ用端子７１と，複数本のヒータ配線７２と，複数本のヒータ配線７２をオフセットするオフセット構造７３とを有した。しかしながら，本発明に係るヒータ給電機構の給電アセンブリは，これに限らず，２以上のヒータ用端子７１と，２以上のヒータ配線７２と，２以上のヒータ配線７２をオフセットするオフセット構造７３とを有していればよい。」
「【図１】
」
「【図２】
」
「【図３】
」
「【図４】
」
　ア　上記図１ないし４より，保持プレート１３が円板状であるので，その上部に保持される静電チャック４０も円板状であることが読み取れる。
　イ　図３より，保持プレート１３の外周部において，複数の給電アセンブリＡｓ１が配置され，かつ，図２ないし４より，保持プレート１３の上部に保持される静電チャック４０の下面側（特に，図２の静電チャック４０の下面を示すＡ−Ａ面）に，ヒータ用端子７１を受ける凹部（Ａ−Ａ面より上部においてヒータ用端子７１が挿入されている箇所）があることが読み取れる。
（２）引用発明
　上記（１）の記載から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ステージ１２は，静電チャック４０を有し，静電チャック４０は，保持プレート１３により保持され，
　円板状の静電チャック４０は導電膜からなる電極４０ａを一対の絶縁層４０ｂ（又は絶縁シート）の間に挟み込んだものであり，
　静電チャック４０には，ヒータ７５が埋め込まれ，
　ヒータ給電機構１００は，ステージ１２を複数のヒータ７５にゾーン化して，ステージ１２の温度をマルチゾーン制御することが可能であって，静電チャック４０が多数のゾーンに区切られ，各ゾーンが独立して温度制御されウェハＷが所望の温度に調整でき，
　ヒータ給電機構１００は，複数のヒータ用端子７１と，複数のヒータ配線７２と，複数のヒータ配線７２をオフセットするオフセット構造７３とを有し，複数のヒータ用端子７１は，複数のヒータ７５に接続され，複数のヒータ用端子７１は，静電チャック４０を保持する保持プレート１３上の外周部に配置され，複数のヒータ配線７２は，給電線４７を介して交流電源４４に接続され，
　静電チャック４０の下面側に，ヒータ用端子を受ける凹部を備えているステージ１２。」
２　その他の引用文献について
（１）引用文献２について
　拒絶査定に引用された引用文献２（特開２０１５−１０９１３９号公報，平成２７年６月１１日出願公開）には，図面とともに以下の記載がある。
「【００２０】
　セラミック焼結体２２のうちウエハ載置面２２ａとは反対側の表面２２ｂには，ヒータ電極２６が張り巡らされている。このヒータ電極２６は，表面２２ｂの全体にわたって一筆書きの要領でパターン形成された抵抗線であり，中心に配置された一方の端部２６ａから外周付近に配置された端部２６ｂまで渦巻き状に形成されている。両方の端部２６ａ，２６ｂには，それぞれ給電端子２８ａ，２８ｂがはんだ又はＡｌ−Ｃｕにより接合されている。ヒータ電極２６は，ＡｌとＭｇを含む金属接合材を該金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態でセラミック焼結体２２に加圧接合したものである。こうした接合方法を，ＴＣＢ接合（Thermal compression bonding）と称する。金属接合材中に含まれる活性の高いＭｇによって，セラミック焼結体２２の表面２２ｂに存在する酸化物層が除去され，セラミック焼結体２２と金属接合材との接合強度が高くなる。また，ヒータ電極２６の接合界面には，ＭｇＯが存在する。ＡｌとＭｇを含有する金属接合材としては，Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系接合材やＡｌ−Ｍｇ系接合材などが好ましい。例えば，Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系接合材として，８８．５重量％のＡｌ，１０重量％のＳｉ，１．５重量％のＭｇを含有し，固相温度が約５６０℃，液相温度が約５９０℃の接合材を用いる場合，ＴＣＢ接合は，液相線温度以下である約５２０〜５８０℃に加熱した状態で，２０〜１４０ｋｇ／ｍｍ2，好ましくは３０〜６０ｋｇ／ｍｍ2 の圧力で３〜６時間加圧して行われる。ＴＣＢ接合は，真空雰囲気か不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。ヒータ電極２６は，厚みが数１００μｍの金属接合材をＴＣＢ接合したあと，厚みが１０〜５０μｍ（好ましくは１０〜２０μｍ）に研削する。こうすれば，金属接合材の導電性が高い場合であっても，金属接合材の断面積が小さくなるため電気抵抗が大きくなり発熱しやすくなる。
【００２１】
　冷却板３０は，金属製（例えばアルミニウム製とかアルミニウム合金製）の円盤である。この冷却板３０は，セラミック焼結体２２のウエハ載置面２２ａとは反対側の表面２２ｂに絶縁樹脂製の接着層４０を介して接着されている。また，冷却板３０は，図示しない外部冷却装置で冷却された冷媒が循環する冷媒通路３２を有している。冷却板３０は，ヒータ電極２６に取り付けられた一対の給電端子２８ａ，２８ｂを挿通するための貫通孔３４ａ，３４ｂを備えている。貫通孔３４ａ，３４ｂの内面はセラミック絶縁層で覆われている。そのほかに，冷却板３０は，静電電極２４に電力を供給する図示しない給電端子を挿通するための図示しない貫通孔も有している。」
（２）引用文献３について
　拒絶査定に引用された引用文献３（特開２０１５−２０７７６５号公報，平成２７年１１月１９日出願公開）には，図面とともに以下の記載がある。
「【００３８】
　＜冷却ベース部＞
　冷却ベース部５０は，静電チャック部２０を所望の温度に調整するためのもので，厚みのある円板形状を有する。
　冷却ベース部５０としては，例えば，内部に冷媒を循環させる流路（図示略）が形成された液冷ベース等が好適である。
　冷却ベース部５０を構成する材料としては，熱伝導性，導電性，加工性に優れた金属，またはこれらの金属を含む複合材であれば特に制限はなく，例えば，アルミニウム（Ａｌ），アルミニウム合金，銅（Ｃｕ），銅合金，ステンレス鋼（ＳＵＳ） 等が好適に用いられる。冷却ベース部５０の少なくともプラズマに曝される面は，アルマイト処理が施されているか，あるいはアルミナ等の絶縁膜が成膜されていることが好ましい。
　また，冷却ベース部５０の静電チャック部２０と対向する第１の面５０ａに，ポリイミドなどの絶縁性樹脂シートを張り付け耐電圧特性を向上させても良い。
【００３９】
　冷却ベース部５０には，第１，第２の貫通孔５１，５２が設けられ，それぞれ絶縁管１５が取り付けられている。第１の貫通孔５１には，加熱部材７に給電する第１の給電構造部３０が挿通されている。第２の貫通孔５２には，内部電極端子２４に給電する第２の給電構造部４０が挿通されている。
　またその他に，冷却ベース部５０には，板状試料Ｗの処理工程でウエハを押し上げるリフトピンを挿通させるための貫通孔，並びに板状試料Ｗと静電チャック部２０との間に供給する冷却ガスを供給するための貫通孔，等の目的に応じて複数の貫通孔が設けられている。」
（３）引用文献４について
　拒絶査定に引用された引用文献４（実願平２−６１５８３号（実開平４−２０２３０号）のマイクロフィルム，平成４年２月２０日出願公開）には，図面とともに以下の記載がある。
「　前記した様に各ヒータユニットに対して端子が２個必要であり，ヒータユニットが複数となると端子の数が多くなってしまうと共にヒータへ電力を供給する為の電力供給用のケーブルが端子の数に比例して多くなってしまう。その為，コスト面，占有スペース，メンテナンスの点で問題があった。」（第３ページ第４ないし１０行目）
「　又，各隣接するヒータ端のうちアース側端を結線してリード線１７ａによってアース端子４ａに接続する。ヒータ端のうち電源側端は，リード線１７ｂにより電源端子４ｂにそれぞれ個別に接続する。
　前記各アース端子４ａはそれぞれアースに接続し，各電源端子４ｂはそれぞれ各ヒータ５，６，７，８に対応して設けられる，第１サイリスタ１３，第２サイリスタ１４，第３サイリスタ１５，第４サイリスタ１６を介して電源と接続する。
　而して，アース端子４ａについては第４図〜第６図に示した従来のものより，半数でよい。」（第５ページ第４ないし１５行目）
（４）引用文献５について
　前置報告に引用された特開２００９−１８２１３９号公報（平成２１年８月１３日出願公開。以下，「引用文献５」という。）には，図面とともに以下の記載がある。
「【００２７】
　図２にも示すように，上記発熱体６８は加熱手段６４として例えばカーボンワイヤヒータ等よりなり，この発熱体６８は載置台６０の略全面に亘って所定のパターン形状にして設けられている。そして，ここではこの発熱体６８の接続端子は，載置台６０の中心部に集合されないで中心部以外に分散されている（図３参照）。
【００２８】
　図３に示すように，上記発熱体６８は，載置台６０の略全面に一筆書き状に略均等に配設されている。尚，図３中では，発熱体６８は線図で示している。そして，この発熱体６８の長さの略中心部には，グランド用の上部端子７０Ｃが設けられ，また発熱体６８の両端部にはヒータ用の上部端子７０Ａ，７０Ｂが設けられている。また，図３中に示すように，この載置台６０には後述する電極用の上部端子７０Ｄが設けられる。そして，上記各上部端子７０Ａ〜７０Ｄは，ここでは載置台６０の中央部に集中されるのではなく，載置台６０の中央部以外の周辺部において略同一円周上に略等間隔で分散して配置されている。
＜＜途中省略＞＞
【００７３】
　また，ここでは本発明の理解を容易にするために，４つの上部端子７０Ａ〜７０Ｄを同一円周上に均等に等間隔で配置した場合を例にとって説明したが，これに限定されず，本発明は，上部端子が２つ以上の場合において全て適用でき，例えば上部端子が２つの場合には，上部端子は支柱５６の中心部を中心として点対称に配置すればよく，
上部端子が３つ以上の場合には，上部端子は支柱５６の中心部を中心とする１つ或いは複数の同心円上に等間隔で配置するようにすればよい
「【図２】
」
「【図３】
」
（５）引用文献６について
　前置報告に引用された特開２００６−１２７８８３号公報（平成１８年５月１８日出願公開。以下，「引用文献６」という。）には，図面とともに以下の記載がある。
「【０００４】
　このヒータ７１は，板状体７２，金属ケース７９，を主要な構成要素としたもので，アルミニウム等の金属からなる有底状の金属ケース７９の開口部に，窒化物セラミックスや炭化物セラミックスからなる板状体７２を樹脂製の断熱性の接続部材７４を介してボルト８０で固定され，その上面をウェハＷを載せる加熱面７３とするとともに，
板状体７２の下面に，例えば図９に示すような同心円状の抵抗発熱体７５を備えるようになっていた
【０００５】
　さらに，
抵抗発熱体７５の給電部には，給電端子７７がロウ付けされており
【０００６】
　ところで，このようなヒータ７１において，ウェハＷの表面全体に均質な膜を形成したり，レジスト膜の加熱反応状態を均質にするためには，ウェハの温度分布を均一にすることが重要である。
その為，これまでウェハの面内の温度差を小さくするため，抵抗発熱体７５を分割し独立して温度を制御することが行われている
【０００７】
　特許文献４には，温度制御しやすい抵抗発熱体ブロックを複数備えたヒータが開示されている。
この抵抗発熱体は図６に示すように中心から放射状に４等分されたブロックを形成している
「【図５】
」
「【図６】
」
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１（上記第４の１）と，引用発明（上記第５の１（２））とを対比すると，以下のとおりとなる。
　ア　引用発明においては「複数のヒータ用端子７１は，複数のヒータ７５に接続され，複数のヒータ用端子７１は，ステージ１２を保持する保持プレート１３上の外周部に配置され，複数のヒータ配線７２は，給電線４７を介して交流電源４４に接続され」ているので，引用発明の「ヒータ７５」は，「交流電源４４」に接続するために一対の端子を備えることは自明である。したがって，引用発明の「ヒータ７５」は，本願発明１の「一対の端子を備えた発熱体」に相当する。
　イ　引用発明の「静電チャック４０」は「多数のゾーンに区切られ，各ゾーンが独立して温度制御されウェハＷが所望の温度に調整でき」るものであり，ウェハＷは静電チャック４０の上面に載置されるものであり，さらに，「静電チャック４０には，ヒータ７５が埋め込まれ」たものであるので，引用発明の「静電チャック４０」は本願発明１の「基体」に相当する。
　ウ　「ステージ１２」は「ヒータ７５」が埋め込まれた「円板状の静電チャック４０」を有するものであるので，上記ア，イより，引用発明の「ステージ１２」は本願発明１の「円板状の基体の上面が多数のゾーンに区切られ，一対の端子を備えた発熱体がゾーンごとに前記基体に埋設された円板状ヒータ」に相当する。
　エ　引用発明においては，「静電チャック４０の下面側に，ヒータ用端子を受ける凹部を備えている」ものであるので，引用発明と本願発明１とは「『前記基体の下面に』『端子集約領域』」を有する点で共通する。
　オ　引用発明の「ヒータ７５」の一対の端子は，「ヒータ用端子を受ける凹部」を介して「複数のヒータ用端子７１」と接続されているものであるので，「静電チャック４０」の内部を通って「凹部」に配線されていることは自明である。したがって，本願発明１の「すべての前記発熱体の前記一対の端子は，前記基体の内部を通っていずれかの端子集約領域に配線されて」いるという構成を満たす。
　オ　したがって，本願発明１と，引用発明とは，下記カの点で一致し，下記キの点で相違する。
　カ　一致点
「円板状の基体の上面が多数のゾーンに区切られ，一対の端子を備えた発熱体がゾーンごとに前記基体に埋設された円板状ヒータであって，
　前記基体の下面に端子集約領域
　を備え，
　すべての前記発熱体の前記一対の端子は，前記基体の内部を通っていずれかの端子集約領域に配線されている，
　円板状ヒータ。」
　キ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１においては「前記基体の下面に前記発熱体の総数より少ない数の端子集約領域を備え」ているのに対して，引用発明においては，静電チャック４０の下面側に，ヒータ用端子を受ける凹部を備えているものの，ヒータ７５の総数より少ない数の凹部であるのか特定されていない点。
（イ）相違点２
　本願発明１においては「前記一対の端子は，プラス極端子とマイナス極端子であり，前記端子集約領域には，１つのアース集約端子が設けられ，前記端子集約領域に配線される複数の前記発熱体の前記マイナス極端子は，一括して前記アース集約端子に接続されて」いるのに対して，引用発明においてはヒータ７５は交流電源４４に接続されている点。
（ウ）相違点３
　本願発明１においては「すべての前記端子集約領域は，前記基体の外周円と同心円となる複数の円上に円弧状に設けられているか，前記複数の円の接線方向に長方形状に設けられている」のに対し，引用発明においてはそのような構造が採用されていない点。
（２）相違点についての判断
　ア　相違点３について
　事案に鑑みて，相違点３（上記（１）キ（ウ））について検討をする。
（ア）引用文献１において，「複数のヒータ用端子７１」が，「ステージ１２を保持する保持プレート１３上の外周部に配置され」（段落【００１６】）ている主たる理由は，引用文献１に記載された発明のそもそもの目的である「他の部材との干渉を抑制するヒータ給電機構を提供すること」（【０００５】）を実現するためであって，「静電チャック４０の温度を独立制御するゾーンが増えると，ゾーン毎に１又は２以上のヒータを設置する必要が生じ，これに応じてヒータ配線７２が非常に多くなる。ヒータ配線７２が多数本になると，半導体製造装置１に設けられた他の部材と干渉し，半導体製造装置１の組み立て時やメンテナンス時に不具合が生じたり，取り付け時の作業が増大したりする。これに対して，
本実施形態に係るヒータ給電機構１００によれば，給電アセンブリＡｓ１，Ａｓ２毎にヒータ配線７２及び直流電流用の配線７７をオフセットする
これにより，ヒータ配線７２及び直流電流用の配線７７と他の部材Ｐｔとの干渉を減らし，半導体製造装置１の組み立て時やメンテナンス時に不具合が生じることを回避することができる
（イ）さらに，上記構成によれば，「上記の端子群が配置される保持プレート１３上の外周部は，ステージ１２上のウェハＷが載置されない領域に対応する。これにより，本実施形態では，ヒータ７５の給電位置及び静電チャック４０の電極の給電位置は，ヒータ配線７２等が這うラインよりも外側に配置される。よって，本実施形態では，ヒータ配線７２等の給電ラインは，各給電端子の位置の真下にはなく，各給電端子の位置からずれた位置にある。このように静電チャック４０上のウェハＷが載置される面よりも外側にヒータ用端子７１及び電極用端子７６を配置することで，
ヒータ用端子７１等からのジュール熱がウェハＷに影響を及ぼさない構造とすることができ，ウェハＷの温度の面内均一性を高めることができる。これにより，静電チャック４０の温度をマルチゾーン制御する際にヒータ用端子７１の数が増加しても，ウェハＷ温度の面内均一性を保持することができる
特に，静電チャック４０温度のマルチゾーン制御により，ヒータ用端子７１の数が飛躍的に増えた場合においても，ウェハＷ温度の面内均一性を保持することができる
（ウ）ところで，前置報告にて相違点３の構成が開示されている周知文献であるとして挙げられている引用文献５（上記第５の２（４））には，「上部端子が３つ以上の場合には，上部端子は支柱５６の中心部を中心とする１つ或いは複数の同心円上に等間隔で配置するようにすればよい」（段落【００７３】）と記載され，引用文献６（上記第５の２（５））には，板状体７２の下面に同心円状の抵抗発熱体７５を備え，抵抗発熱体７５の給電部には，給電端子７７がロウ付けされており，抵抗発熱体７５は独立して温度を制御するために分割されており，抵抗発熱体を中心から放射状に４等分されたブロックにより形成されたヒータ（段落【０００４】，【０００６】，【図５】，【図６】）が記載されている。
　しかしながら，引用文献５，６に記載された技術的事項を参酌しても，ヒータへと給電をするための「端子」が「前記基体の外周円と同心円となる
複数の円上に円弧状
複数の円の接線方向に長方形状
（エ）また，引用文献２ないし４の記載を検討しても，上記技術的事項が周知な設計変更とも認められない。
（オ）してみれば，引用発明において，本願発明１のように「すべての前記端子集約領域は，前記基体の外周円と同心円となる複数の円上に円弧状に設けられているか，前記複数の円の接線方向に長方形状に設けられている」構成へと凹部の位置を設計変更することには動機付けもなく，また周知の技術であるとも認められず，引用発明において，上記相違点３の構成を備えることは当業者が容易になし得たこととはいえない。
　イ　そして，本願発明１は，上記相違点１ないし３に係る構成を備えることによって，本願の発明の詳細な説明に記載された，「この円板状ヒータでは，ゾーン数の増加に伴って発熱体が増加してその端子数が増加したとしても，端子集約領域の数は端子の総数より少ない。そのため，円板状ヒータの端子集約領域の直上部分は温度特異点となるものの，温度特異点の数を減らすことができる。その結果，発熱体を発熱させたときの円板状ヒータの上面全体の温度を比較的容易に均一にすることができる。」（本願明細書，段落【００３４】）という顕著な効果を奏するものと認められる。
　ウ　したがって，相違点１，２についての検討をするまでもなく，本願発明１は，引用発明，引用文献２ないし６に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２ないし６について
（１）本願発明２ないし５は円板状ヒータの発明であって，本願発明１の発明特定事項を全て有するものであるので，本願発明２ないし５もまた，本願発明１と同じ理由により，引用発明，引用文献２ないし６に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）本願発明６は，ヒータ冷却板アセンブリの発明であって，本願発明１の発明特定事項を全て有するものであるので，本願発明６もまた，本願発明１と同じ理由により，引用発明，引用文献２ないし６に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　当審拒絶理由について
１　特許法第３６条第６項第２号（明確性）について
　当審では，当審拒絶理由においてこの出願は，特許請求の範囲の請求項１ないし６の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない旨の拒絶の理由を通知しているが，本件補正により，請求項１の誤記が補正された結果，この拒絶の理由は解消した。
第８　原査定についての判断
　原査定は，請求項１ないし８について上記引用文献１ないし４に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかしながら，本件補正後の請求項１ないし６はそれぞれ，上記第６の１（２），第６の２にて検討したように，引用文献１に記載された発明，引用文献２ないし４に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえないものであるので，本願発明１ないし６は，上記引用文献１ないし４に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであったとは認められない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第９　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。