【事件の表示】
　特願２０００−５３７２６１「二重フィールド酸化プロセスにおけるステッパー・アライメントマークの形成」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　９月２３日国際公開、ＷＯ９９／４８１４９、平成１４年　３月１２日国内公表、特表２００２−５０７８４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、１９９９年３月２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９８年３月１８日、米国）の出願であって、平成１４年７月１８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、平成１６年１０月２２日付けで当審で拒絶理由通知がなされ、平成１７年２月１６日に手続補正がなされたものであって、その請求項４に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
【請求項４】少なくとも１つの第１フィールド酸化物領域をパターニングするために主要な第１マスク部を構成する工程と、少なくとも１つのアライメント・マーク領域をパターニングするために副の第１マスク部を構成する工程とを含む、半導体基板の上に配置される第１マスク部材を構成する工程であって、前記主要な第１マスク部は、半導体基板のコア領域の上の少なくとも１つの第１フィールド酸化物領域の形成を促進し、前記副の第１マスク部は、少なくとも１つのアライメント・マーカの形成を促進する工程と、
　少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域をパターニングするために相当する主要な第２マスク部を構成する工程と、前記少なくとも１つで形成されたアライメント・マーカを被覆して保持するために相当する副の第２マスク部を構成する工程とを含む、半導体基板の上に配置される第２マスク部材を構成する工程であって、前記主要な第２マスク部は半導体基板の周辺領域の上の前記少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域の形成を促進し、前記相当する副の第２マスク部は、前記少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域の形成の間に、前記少なくとも１つの形成されたアライメント・マークを被覆して保持する工程とを有し、前記第１マスク部材と前記第２マスク部材は、２つのフォトマスクセットからなることを特徴とする、半導体装置の製造におけるアライメント・マーカを完全な状態に保持するための方法。
　
（２）引用例
（２）−１　引用例の記載内容　
　原審の拒絶の理由で引用した特開平３−４９２１２号公報（以下、引用例１という。）第１頁左欄第１６行ないし第３頁左上欄第５行には、
「３．発明の詳細な説明
〈産業上の利用分野〉
　この発明は半導体装置における露光パターン用位置合わせマークの形成方法に関する。
〈従来の技術〉
　従来、露光パターン用位置合わせマークを形成する方法として…半導体基板の上面全域に保護酸化膜およびＳｉ３Ｎ４膜を形成する。そして、この上にレジストを塗布し、露光を行い、素子領域および位置合わせマーク領域のレジストパターンを形成する。
　次に、…レジストパターンをＳｉ３Ｎ４膜に転写…する。
　これにより…保護酸化膜２の上にＳｉ３Ｎ４膜３のパターンを形成する。…Ｓｉ３Ｎ４膜３のパターンをマスクとして選択酸化膜を形成し、最後にＳｉ３Ｎ４膜を除去し、素子領域および露光パターン用位置合わせマークを形成する。
〈発明が解決しようとする問題点〉
　ところで、…位置合わせマーク部のようにＳｉ３Ｎ４膜３のパターンサイズに比べ選択酸化膜の膜厚が小さくない場合は、該酸化膜がＳｉ３Ｎ４膜下へ大きく食込み、鮮明な位置合わせマークの形成が難しくなる。…
〈実施例〉
　…
　この例では、Ｓｉ３Ｎ４膜のパターン形成までは前述した従来方法と同一である…（第１図ａ）。次に、Ｓｉ３Ｎ４膜３のない領域のみに選択的酸化をを行う（第１図ｂ）。…その後、位置合わせマーク領域Ｍのみにカバーパターン５を作製し素子領域Ｄには作成しない。…
　そして、カバーパターン５の形成後、再び選択酸化を行い、素子領域Ｄに十分な厚さの選択酸化膜４を形成する（第１図ｄ）。この後、カバーパターン５及びＳｉ３Ｎ４膜３パターンを除去することによって素子領域Ｄおよび露光パターン用位置合わせマークを形成する（第１図ｅ）。
　この実施例では、…位置合わせマーク領域Ｍの選択酸化膜４を薄く形成し、該酸化膜４の側方食い込み量Ｌ１を素子領域Ｄの側方食い込み量Ｌ２よりも小さくし、鮮明な位置合わせマークを形成している。」
と記載されている。
　引用例１記載の第１図（ａ〜ｅ）
　　
　
（２）−２　引用例１に記載された発明
　上記記載事項及び図面も参照すると、引用例１には、「半導体基板の上面全域に保護酸化膜およびＳｉ３Ｎ４膜を形成し、この上にレジストを塗布し、露光を行い、素子領域および位置合わせマーク領域のレジストパターンを形成し、レジストパターンをＳｉ３Ｎ４膜に転写し、これにより保護酸化膜の上にＳｉ３Ｎ４膜のパターンを形成し、Ｓｉ３Ｎ４膜のパターンをマスクとして選択酸化を行い、素子領域および露光パターン用位置合わせマークを形成し、さらに、位置合わせマーク領域のみにカバーパターンを作成し、再び選択酸化を行い、素子領域に十分な厚さの選択酸化膜を形成し、カバーパターン及びＳｉ３Ｎ４膜パターンを除去することによって素子領域および露光パターン用位置合わせマークを形成する方法」の発明が記載されている。
　
（３）対比
　そこで、本願発明と引用例１に記載された発明とを比較する。
　一致点
　引用例１に記載された発明の、「選択酸化膜」、「露光パターン用位置あわせマーク」、「パターンを形成」、「Ｓｉ３Ｎ４膜」及び「素子領域」は、それぞれ、本願発明の、「フィールド酸化物領域」、「アライメント・マーク」、「パターニング」、「半導体基板上に配置された第１マスク部材」及び「コア領域」に相当する。
　引用例１に記載された「位置合わせマーク領域Ｍのみにカバーパターン５を作成する」ことは、実質的に、本願発明の「アライメント・マーカを被覆」することに相当する。
　引用例１記載の発明は、Ｓｉ３Ｎ４膜のパターンをマスクとして選択酸化を行い、素子領域および露光パターン用位置合わせマークを形成するものであるから、実質的に、本願発明の「主要な第１マスク部は、半導体基板のコア領域の上の少なくとも１つの第１フィールド酸化物領域の形成を促進し、前記副の第１マスク部は、少なくとも１つのアライメント・マーカの形成を促進する」構成を有している。
　引用例１記載の発明は、選択酸化膜形成時に、鮮明な露光パターン用位置あわせマークを形成するものであるから、引用例１記載の発明は、実質的に、本願発明の「半導体装置の製造におけるアライメント・マーカを完全な状態に保持する」構成を有している。
　
　したがって、両者は、
「少なくとも１つの第１フィールド酸化物領域をパターニングするために主要な第１マスク部を構成する工程と、少なくとも１つのアライメント・マーク領域をパターニングするために副の第１マスク部を構成する工程とを含む、半導体基板の上に配置される第１マスク部材を構成する工程であって、前記主要な第１マスク部は、半導体基板のコア領域の上の少なくとも１つの第１フィールド酸化物領域の形成を促進し、前記副の第１マスク部は、少なくとも１つのアライメント・マーカの形成を促進する工程と、
　酸化物領域の形成の間に、前記少なくとも１つの形成されたアライメント・マークを被覆して保持する工程とを有する、
　半導体装置の製造におけるアライメント・マーカを完全な状態に保持するための方法。」
において一致する。
　
　また、相違点は、以下のとおりである。
・本願発明は、少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域をパターニングするために相当する主要な第２マスク部を構成する工程と、前記少なくとも１つで形成されたアライメント・マーカを被覆して保持するために相当する副の第２マスク部を構成する工程とを含む、半導体基板の上に配置される第２マスク部材を構成する工程であって、前記主要な第２マスク部は半導体基板の周辺領域の上の前記少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域の形成を促進し、前記相当する副の第２マスク部は、前記少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域の形成の間に、前記少なくとも１つの形成されたアライメント・マークを被覆して保持する工程とを有するのに対し、引用例１に記載された発明は、酸化物領域の形成の間に、少なくとも１つの形成されたアライメント・マークを被覆して保持する工程とを有するものの、上記第２フィールド酸化物領域を形成する工程を有していない点で相違（以下、「相違点１」という。）する。
・本願発明は、第１マスク部材と前記第２マスク部材は、２つのフォトマスクセットからなる構成を有するのに対し、引用例１に記載された発明は、その旨の記載がない点で相違（以下、「相違点２」という。）する。
　
（４）判断
・相違点１について検討する。
　引用例１に記載された発明は、半導体基板の周辺領域の上の少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域を形成するものではないが、２種の酸化物領域からなる二重フィールド酸化物領域を形成することは、半導体装置における周知手段（例えば、特開平３−１８７２２４号公報参照）にすぎず、引用例１記載の発明に上記周知手段を付加し、半導体基板の周辺領域の上の少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域を形成することに困難性は認められない。
　また、引用例１に記載された発明に上記周知手段を付加する際に、アライメント・マークを被覆して保持する工程に用いるマスクを、二重フィールド酸化物領域を形成する工程に用いるマスクと一つのマスクとする程度のことは当業者が容易に想到できたことにすぎない。
　したがって、相違点１に係る構成については当業者が容易に想到できたことである。
　
・相違点２について検討する。
　引用例１に記載された発明は、パターンニング及び被覆するためのマスクがフォトマスクであるとは記載していないが、引用例１に記載された発明のＳｉ３Ｎ４膜は、本願発明の第１、第２マスク部材と同様の構成を有しており、単にフォトマスクセットと限定することに何ら困難性は認められない。
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用例１記載の発明及び周知手段から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用例１記載の発明及び周知手段に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願請求項４に係る発明は、引用例１記載の発明及び周知手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。