【事件の表示】
　特許第３３６９４１８号「超音波振動子、超音波洗浄ノズル、超音波洗浄装置、基板洗浄装置、基板洗浄処理システムおよび超音波洗浄ノズル製造方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３３６９４１８号の請求項１ないし６に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３３６９４１８号の請求項１ないし６に係る発明についての出願は、平成８年１１月２５日に特許出願され、平成１４年１１月１５日にその発明についての特許権の設定登録がなされ、その後の平成１５年７月２２日に、振屋　正により特許異議の申立てがなされ、平成１７年３月１５日付けで当審による取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１７年５月１７日に意見書が提出されたものである。
 
２．異議申立の理由の概要
　異議申立人は、次の理由及び証拠により、請求項１ないし６に係る発明の特許は取り消されるべきと主張している。
　
（理由）請求項１ないし６に係る発明は、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。
（証拠）
甲第１号証：特開平６−３０４５３６号公報 
甲第２号証：特公平７−７７２０９号公報 
甲第３号証：「クリーンテクノロジー」Ｖｏｌ．６、Ｎｏ．５、平成８年５月１日、日本工業出版、ｐ．５０−５３ 
甲第４号証：「ウルトラクリーンテクノロジー」Ｖｏｌ．７、Ｎｏ．３、 
 　　　　　　１９９５年（平成７年）６月１０日、半導体基盤技術研究会　　　　　　　、 ｐ．４６．４８ 
甲第５号証：葛生　伸、「石英ガラスの世界」、１９９５年１０月２３日、 　　　　　 株式会社工業調査会、ｐ．３６−３９、１４３−１７１ 
甲第６号証：ＵＣＳ半導体基盤技術研究会、「シリコンの科学」、１９９６　　　　　　年６月２８日、株式会社リアライズ社、ｐ．８９０−８９７
　
３．本件発明
　特許第３３６９４１８号の請求項１ないし６に係る発明（以下順に、「本件発明１ないし６」という。）は、特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された次の事項で特定されるとおりのものである。
　
（本件発明１）
「超音波発振器に接続され、所定の薬液に接液する接液面より前記薬液に超音波を付与する超音波振動子であって、
前記接液面に高純度ＳｉＣ又は純度が９９．９８０ｗｔ．％以上である高純度石英のいずれかが形成されていることを特徴とする超音波振動子。」
（本件発明２）
「所定の薬液に超音波を付与し、被洗浄物に前記薬液を噴出する超音波洗浄ノズルであって、
　(a) 前記薬液が供給される供給口と、
　(b) 前記供給された薬液に超音波を付与する請求項１記載の超音波振動子と、
　(c) 超音波を付与された前記薬液を前記被洗浄物に噴出する噴出口と、
を備え、
前記噴出口のうち少なくとも前記薬液に付与された超音波が衝突する接液部分に高純度ＳｉＣが形成されていることを特徴とする超音波洗浄ノズル。」
（本件発明３）
「所定の薬液に浸漬された被洗浄物に超音波を照射して前記被洗浄物を洗浄する超音波洗浄装置であって、
　(a) 前記薬液を貯留する洗浄槽と、
　(b) 前記洗浄槽に設けられた請求項１記載の超音波振動子と、
を備えたことを特徴とする超音波洗浄装置。」
（本件発明４）
「基板に所定の薬液を噴出して洗浄処理を行う基板洗浄装置であって、
請求項２記載の超音波洗浄ノズルを備えたことを特徴とする基板洗浄装置。」
（本件発明５）
「基板に所定の複数洗浄処理を行う基板洗浄処理システムにおいて、
請求項４記載の基板洗浄装置を組み込んだことを特徴とする基板洗浄処理システム。」
（本件発明６）
「 超音波を付与された所定の薬液を被洗浄物に噴出する超音波洗浄ノズルの製造方法であって、
　(a) 前記薬液に超音波を付与する超音波振動子の接液面に化学気相蒸着によって形成された高純度ＳｉＣを固着する工程と、
　(b) 前記薬液を噴出する噴出口のうち、少なくとも前記薬液に付与された超音波が衝突する接液部分に高純度ＳｉＣを化学気相蒸着によって形成する工程と、
を備えることを特徴とする超音波洗浄ノズル製造方法。」
　　　
４．引用刊行物記載事項
（１）甲第１号証：
　甲第１号証刊行物には、図面の第１図〜第５図とともに、次の事項が記載されている。
（１−１）
「本発明の超音波洗浄装置は、特にシリコンウエハの超音波洗浄に用いられるときには、前記振動体として石英ガラスが適している。」（段落【００１３】）
（１−２）　
「また、本発明の超音波振動子では、前記振動体を石英ガラスとすることにより、該振動体が洗浄液に露出されていても、該洗浄液中に金属イオンが溶出することがなく、シリコンウエハの洗浄に使用してもシリコンウエハが金属イオンにより劣化されることがない。従って、構造の簡単なシリコンウエハ用超音波洗浄装置が得られる。」（段落【００１７】）
（１−３）
「圧電素子２は、図１示のように、厚さ２ｍｍ、直径８０ｍｍのセラミックス板１０に銀蒸着膜１１が被覆されて電極を構成しており、銀蒸着膜１１は図２示のようにセラミックス露出部１２を挟んで一方が陽極１３、他方が陰極１４となっている。圧電素子２は、陽極１３、陰極１４が図示しない超音波発振器に接続することにより、１〜２．６ＭＨｚ以上の周波数の超音波を発生することができるようになっている。」（段落【００２０】）
（１−４）　
「図３に示す実施例の超音波洗浄装置３１は、図１示の圧電素子２を厚さ１００μｍの石英ガラス板からなる振動体４ｂに接着してなる超音波振動子３２が、厚さ２ｍｍの石英ガラス製の超音波洗浄槽３３の底部に設けられた開口部３４に、エポキシ樹脂系接着剤層３５を介して接着され、超音波洗浄槽３３に供給された洗浄液３６に振動体４ｂを露出するように設けられている。」（段落【００２４】）
（１−５）　
「超音波洗浄装置３１により超音波洗浄を行うときには、超音波洗浄槽３３に洗浄液３６として１５ＭΩ／ｃｍ以上の超純水を脱気して供給し、洗浄液３６中に薄板状のシリコンウエハ３７を多数立て並べられた状態で浸漬して、超音波振動子３２により洗浄液３６に、例えば１．４ＭＨｚの周波数の超音波を１００〜１５０Ｗの出力で放射する。このようにすることにより、洗浄液３６中に発生するキャビテーションの崩壊時に穏やかな衝撃力が得られ、薄板状のシリコンウエハ３７のような脆弱なワークを破損することなく洗浄することができる。」（段落【００２７】）
（１−６）　
「図５示の実施例の超音波洗浄装置５１は、内部に洗浄液５２が供給される空洞部５３ａを備え、先端の開口部５３ｂから洗浄液５２をワークＷの表面にスプレーして洗浄するノズル５３の底部に、図１示の超音波振動子５が図示しないエポキシ樹脂系接着剤層を介して接着され、空洞部５３ａに供給される洗浄液５２にチタン箔からなる振動体４ａを露出するように設けられている。」（段落【００３２】）
（１−７）　
「超音波洗浄装置５１によりワークＷの表面を洗浄するときには、脱気手段５６で脱気された洗浄液５２がフィルター５７で濾過され、供給ポンプ５８により洗浄液導入口５４からノズル５３内の空洞部５３ａに送給される。洗浄液５２は、空洞部５３ａ内で超音波振動子１から、例えば１．４ＭＨｚの超音波が１００〜１５０Ｗの出力で放射され、この超音波が作用している状態で、開口部５３ｂからワークＷの表面にスプレーされる。」（段落【００３６】）
（１−８）　
「従って、洗浄液５２には穏やかな衝撃力を発生する超音波が作用しており、半導体材料等の脆弱なワークＷを破損させることなく洗浄することができる。」（段落【００３７】）
　上記記載事項（１−１）ないし（１−５）から、次の甲第１号証発明Ａ及び甲第１号証発明Ｃが、上記記載事項（１−５）ないし（１−８）から、次の甲第１号証発明Ｂ及び甲第１号証発明Ｄが、それぞれ記載されているものと認められる。 
　　
（甲第１号証発明Ａ）
「超音波発信器に接続され超音波を発生する圧電素子２を石英ガラス板からなる振動体４ｂに接着してなる超音波振動子３２であって、石英ガラス製の超音波洗浄槽３３の底部に、前記超音波洗浄槽３３内の洗浄液３６に前記振動体４ｂを露出するように設けられて、前記洗浄液３６に超音波を放射して、前記洗浄液３６中に多数並べられたシリコンウエハ３７を洗浄する超音波振動子３２であり、前記洗浄液３６が、超純水である超音波振動子３２。」
（甲第１号証発明Ｂ）
「洗浄液５２に超音波を放射し、半導体材料のワークＷに前記洗浄液５２をスプレーする内部に空洞部５３ａを備えたノズル５３であって、前記洗浄液５２が送給される洗浄液導入口５４と、前記洗浄液導入口５４から送給された洗浄液５２に超音波を放射する超音波振動子５と、超音波を放射された前記洗浄液５２を前記半導体材料のワークＷにスプレーする開口部５３ｂとを備え、前記超音波振動子５は、発信器に接続され超音波を発生する圧電素子２をチタン箔からなる振動体４ａに接着してなるノズル５３。」
（甲第１号証発明Ｃ）
「超音波発信器に接続され超音波を発生する圧電素子２を石英ガラス板からなる振動体４ｂに接着してなる超音波振動子３２、洗浄液３６が供給される石英ガラス製の超音波洗浄槽３３を備えた超音波洗浄装置３１であって、前記超音波洗浄槽３３の底部に、前記超音波洗浄槽３３内の前記洗浄液３６に前記振動体４ｂを露出するように設けられて、前記洗浄液３６に超音波を放射して、前記洗浄液３６中に多数並べられたシリコンウエハ３７を洗浄する超音波洗浄装置３１であり、前記洗浄液３６が、超純水である超音波洗浄装置３１。」
（甲第１号証発明Ｄ）
「洗浄液５２に超音波を放射し、半導体材料のワークＷに前記洗浄液５２をスプレーする内部に空洞部５３ａを備えたノズル５３を備えた超音波洗浄装置５１であって、前記ノズル５３は、前記洗浄液５２が送給される洗浄液導入口５４と、前記洗浄液導入口５４から送給された洗浄液５２に超音波を放射する超音波振動子５と、超音波を放射された前記洗浄液５２を前記半導体材料のワークＷにスプレーする開口部５３ｂとを備え、前記超音波振動子５は、発信器に接続され超音波を発生する圧電素子２をチタン箔からなる振動体４ａに接着してなる超音波洗浄装置５１。」
（２）甲第２号証：
　甲第２号証刊行物には、次の事項が記載されている。
（２−１）　
「【発明が解決しようとする課題】素子容量が１６メガビット、６４メガビット用の集積回路の場合、配線導体のパターン幅は０．２μｍであり、付着する微粒子の大きさは０．０５μｍ以上は許されず、洗浄時に金属イオンの溶出があってはならない。ところが従来の噴射形超音波洗浄装置では、超音波振動子部や噴出口を構成する貯液槽の材質としてステレンス等の金属が用いられている。これは超音波振動発生部分の超音波振動子の損失（通常は２０〜３０％程度）による温度上昇を抑えるためであり、樹脂（エンジニアリング・プラスチック）を用いると熱伝達率が悪く、しかも耐熱温度が低いため軟化して破損してしまう恐れがあるためである。しかし、洗浄温度が低い（５０℃以下）場合は樹脂（例えばフッ素樹脂）が用いられることはある。本発明の目的は、上記従来の欠点を解消し、噴射洗浄液に金属イオンの溶出がなく、しかも、振動子部の発熱に対する冷却効果も併せ備えた噴射形超音波洗浄装置を提供することにある。」（段落【０００６】）
（２−２）　
「【課題を解決するための手段】先ず金属イオンの溶出をなくすために貯液槽の材質に石英ガラスを用いる。しかし、それだけでは洗浄液の一部が振動子部の放射面（金属製振動板）に触れることが避けられないので貯液槽の振動子部側と噴射口との間に隔壁を設け、噴射口側に洗浄液を充満させ振動子部側は冷却水を充満させる。しかし、隔壁面が超音波振動の伝搬方向に対して直角をなすと、周波数が高い場合隔壁を通過する超音波エネルギーの一部が反射されて洗浄液への透過率が低下してしまう。具体的には周波数が５００ｋＨｚ〜１．５ＭＨｚ、隔壁の厚さが１〜５ｍｍとすると透過率は約２５％となり洗浄効果が小さくなる。」（段落【０００７】）
（２−３）
　図面の第４図（Ｂ）には、噴射口４４を含んで貯液槽４１が構成されていることが示されている。
　上記記載事項（２−１）ないし（２−２）及び図示内容（２−３）から、甲第２号証には、次の甲第２号証発明が記載されているものと認められる。
　
（甲第２号証発明）　
「噴射形超音波洗浄装置であって、金属イオンの溶出をなくすために噴射口を含む貯液槽を石英ガラスで形成してある噴射形超音波洗浄装置。」　
（３）甲第３号証：
　甲第３号証刊行物には、次の事項が記載されている。
（３−１）　
「ＬＳＩの集積度の向上とともに、半導体製造装置の部材としての石英ガラスに対しても超高純度化が要求されている。」（第５０頁左欄第２〜５行）
（３−２）　　
「ＥＤ−ＢはＯＨ基もＣｌも含まない石英ガラスである。このため、耐熱性が良く、半導体製造装置用の石英ガラスとして適している。」（第５１頁左欄第４〜８行）　
（３−３）　　
「石英ガラスにおいても、ガラス中に含まれる不純物をいかに低く抑えるかが実用化の決め手になると同時に、高集積化においては高温度に使用される製品の寿命をのばすこと即ち高耐熱性も求められている。」（第５２頁左欄第１１〜１６行）
（３−４）　　
　第５１頁の第２表から、グレードＥＤ−Ｂについて、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＯＨに関して０．０１ｐｐｍ以下の値であることが読み取れる。
　上記記載事項（３−１）及び（３−４）から、甲第３号証には、次の甲第３号証に記載の技術事項が記載されているものと認められる。
　
（甲第３号証に記載の技術事項）　
「半導体製造装置の部材としての石英ガラスに対して超高純度化が要求されていること。」
（４）甲第４号証：
　甲第４号証刊行物には、次の事項が記載されている。
（４−１）　
「１．概要
　ＬＳＩ微細化設計の進展と共に微細部洗浄が一層重要となる。　　　　　そのために超音波により超純水の分子を細かくしてアスペクト比の大きいデバイスの微細部洗浄を可能にし、静電気発生を抑制し微細粒子を短時間で除去するためにＭＨｚ帯超音波を使う。
　洗浄槽の槽底厚さは超音波低損失設計とし、さらに石英槽を使用し、超音波振動子を槽底に直接着した高効率、無発塵の各種洗浄機を提供している。」（第４６頁左欄上段第１行〜８行）
（４−２）　
「１．概要　
　半導体デバイス製造用の拡散炉、ＣＶＤ管やボード類は、金属不純物の汚染を極度に嫌うため、本工程に使用される石英ガラス素材の高純度化がはかられている。」（第４８頁左欄下段第１行〜４行）
（４−３）　
「３．特徴　
（１）高純度(不純物元素の総計が１０ｐｐｂ程度以下)」（第４８頁左欄下段第１７〜１８行）
　上記記載事項（４−１）及び（４−３）から、甲第４号証には、次の甲第４号証に記載の技術事項が記載されているものと認められる。
　
（甲第４号証に記載の技術事項）　
「半導体デバイス製造の工程に使用される石英ガラス素材の高純度化が図られており、高純度の程度は不純物元素の総計が１０ｐｐｂ程度以下にあること、超音波振動子を槽底に直接着した洗浄機が提供されていること。」
（５）甲第５号証：
　甲第５号証刊行物には、次の事項が記載されている。
（５−１）　
「(３)高純度
　石英ガラスは、金属の不純物をほんのわずかしか含みません。このため、半導体の製造プロセスのように高温で処理して、しかも不純物を極端に嫌う工程で使われます。石英ガラス製の容器(炉芯管)の中で石英ガラス製のボートと呼ばれる治具の上にシリコンウェハをセットして加熱し微量の元素の拡散処理が行われます。
　石英ガラス中の金属不純物濃度は、製造方法により異なりますが、多いものでも数十ｐｐｍ(１ｇの石英ガラスの中に１０万分の１ｇの金属を含む量)、少ないものでは１０ｐｐｂ(１ｇの石英ガラスの中に１億分の１ｇの金属を含む量)以下と非常に少ないものとなっています（表１．７）。」（第３７頁右欄〜第３８頁左欄）
（５−２）　
「また、不純物による汚染を極端に嫌うシリコンウェハの洗浄槽やウェハの熱拡散処理やＣＶＤの原料ガスのバブラーも石英ガラス製のものが用いられます。」（第１７１頁右欄第７行〜９行）
　上記記載事項（５−１）ないし（５−２）から、甲第５号証には、次の甲第５号証に記載の技術事項が記載されているものと認められる。　
　
（甲第５号証に記載の技術事項）　
「不純物による汚染を極端に嫌うシリコンウェハの洗浄槽に石英ガラス製のものが用いられており、石英ガラス中の金属不純物濃度は、多いものでも数十ｐｐｍ、少ないものでは１０ｐｐｂ以下となっていること。」　
（６）甲第６号証：
　甲第６号証刊行物には、次の事項が記載されている。
（６−１）　
「石英材料は、高純度な治具として従来から多量に使用されてきたが、そのイオン結合構造が持つ本質的な理由により、高温では熱変形を起こしやすいという欠点を有しており、石英に代替する耐熱強度の高い材料が求められてきた。
　ＳｉＣは長い間、純度が良くないことが指摘され、ライナーチューブ等、極く限られた部分でしか使用されてこなかった。しかし、最近になり、原料粉末からの高純度化により、高密度、高純度の焼結体が得られるようになってきた。また、ＳｉＣ焼結体の表面にＣＶＤ−ＳｉＣコーティングを施す技術が確立され、石英製品と同等以上の純度特性、不純物元素の拡散防止機能の達成等、品質の安定性が得られるようになってきたこともＳｉＣ治具の普及の大きな要因となっている。
　クリーンな耐熱材料という特性を活かし、ＳｉＣはＭＯＳのウェル拡散工程に多く使われてきているが、最近では、比較的低温のＬＰＣＶＤ工程においても使われ始めてきている。これは、窒化珪素や多結晶シリコンの成膜工程において、治具に付着する膜が剥離することによるパーティクルの発生率や薬液洗浄時の耐薬品性が、従来の石英材料よりＳｉＣに多くの長所が見出だせるからである。」（第８９０頁第１０行〜２１行）
　上記記載事項（６−１）から、甲第６号証には、次の甲第６号証に記載の技術事項が記載されているものと認められる。　
　
（甲第６号証に記載の技術事項））
　「半導体製造用治工具に使用される石英ガラスに代替するセラミックス材料として、耐熱性に優れた高純度ＳｉＣである焼結ＳｉＣにＣＶＤ―ＳｉＣコーティングをしたものが使用されていること。」
　
５．対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１と甲第１号証発明Ａとを対比すると、その機能及び構成からみて、後者の「超音波を放射」は前者の「超音波を付与」に、後者の「石英ガラス」は前者の「石英」に、それぞれ相当する。
　そして、前者の「薬液」も後者の「超純水」も、洗浄液として共通する。
　してみると、前者の「薬液」が洗浄液である限りにおいて、後者において、「超音波振動子３２」が、「超音波洗浄槽３３の底部に、前記超音波洗浄槽３３内の洗浄液３６に前記振動体４ｂを露出するように設けられて、前記洗浄液３６に超音波を放射して」「洗浄」するものであるということは、後者は、前者の「所定の薬液に接液する接液面より前記薬液に超音波を付与する超音波振動子」の構成に相当する構成を備えているといえる。
　また、後者において、「石英ガラス板からなる振動体４ｂ」が、「洗浄液３６」に「露出するように設けられて」いることは、後者は、前者の「接液面」に「石英」が形成されている構成に相当する構成を備えているといえる。
　以上のことから、両者は、
「超音波発振器に接続され、洗浄液に接液する接液面より前記洗浄液に超音波を付与する超音波振動子であって、
　前記接液面に石英が形成されている超音波振動子。」
である点で一致し、次の点で相違するといえる。
　
【相違点１】：
　洗浄液に関して、本件発明１では、「所定の薬液」であるのに対して、甲第１号証発明Ａでは、具体的には、超純水であり、「所定の薬液」であるか否かが明らかでない点。
【相違点２】：
　石英の純度に関して、本件発明１では、「純度が９９．９８０ｗｔ．％以上である高純度」であるのに対して、甲第１号証発明Ａでは、石英について、そのような純度の特定がされていない点。
　そこで、上記各相違点につき検討する。
【相違点１】について
　「所定の薬液」とは、本件特許明細書の記載からみて、特定の薬液をいうのではなく、本件特許明細書に例示されたものを含め、「種々の」ものを指すといえる。
　ところで、半導体基板などを洗浄する超音波洗浄装置において、洗浄液として、本件特許明細書に例示されているようなアンモニア、過酸化水素、純水混合液、オゾン水溶液などの薬液を使用することは、特開平７−１４８１４号公報、特開平７−１４２３９５号公報（以上、アンモニア、過酸化水素、純水混合液に関する。）及び特開平７−１５９９８０号公報、特開平７−１５５７０９号公報（以上、オゾン水溶液に関する。）に記載されているように周知である。
　したがって、洗浄液として、上記周知の「薬液」を採用して、相違点１に係る本件発明１の発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことといえる。
【相違点２】について
　甲第１号証刊行物には、上記４．の（１−２）に、「本発明の超音波振動子では、前記振動体を石英ガラスとすることにより、該振動体が洗浄液に露出されていても、該洗浄液中に金属イオンが溶出することがなく、シリコンウエハの洗浄に使用してもシリコンウエハが金属イオンにより劣化されることがない。」と記載されているように、その振動子材料を石英ガラスとしたことは、振動体からの洗浄液への不純物の溶出の減少を図ることにあることは明らかである。
　また、石英ガラスが薬液に対する耐食性を有することは技術常識であるといえる。
　そして、甲第３号証に記載の技術事項の「半導体製造装置の部材としての石英ガラスに対して超高純度化が要求されていること。」、甲第４号証に記載の技術事項の「半導体デバイス製造の工程に使用される石英ガラス素材の高純度化が図られており、」「超音波振動子を槽底に直接着した洗浄機が提供されていること。」及び甲第５号証に記載の技術事項の「不純物による汚染を極端に嫌うシリコンウェハの洗浄槽に石英ガラス製のものが用いられて」いることからみて、半導体製造用の洗浄槽等の構成材料として、汚染防止の観点からの適性から石英が使用されているとともに、それを高純度化することが望ましいことは周知の技術であるといえる。
　そして、相違点２に係る「純度が９９．９８０ｗｔ．％以上」の数値限定については、臨界的意義は見出し得ないから、石英の純度を９９．９８０ｗｔ．％以上とすることは、当業者が適宜なし得る設計的事項にすぎないといえる。
　なお、甲第４号証に記載の技術事項の「半導体デバイス製造の工程に使用される石英ガラス素材の」「高純度の程度は不純物元素の総計が１０ｐｐｂ程度以下にあること」及び、甲第５号証に記載の技術事項の「石英ガラス中の金属不純物濃度は、多いものでも数十ｐｐｍ、少ないものでは１０ｐｐｂ以下となっていること。」からみて、少なくとも相違点２に係る「純度が９９．９８０ｗｔ．％以上」の純度を有する石英ガラスは、周知の材料といえる。
　
　したがって、本件発明１は、当業者が甲第１号証発明Ａ及び甲第３号証刊行物ないし甲第５号証刊行物等に記載されているような上記周知の技術事項に基いて容易になし得たものであり、また、本件発明１の有する発明の効果は、甲第１号証発明Ａ並びに上記周知の技術事項から当業者が予測し得る範囲内のものといえる。 
（２）本件発明２について
　本件発明２と甲第１号証発明Ｂとを対比すると、その機能及び構成からみて、後者の「超音波を放射」は前者の「超音波を付与」に、後者の「半導体材料のワークＷ」は前者の「被洗浄物」に、後者の「ノズル５３」は前者の「超音波ノズル」に、後者の「洗浄液導入口５４」は前者の「供給口」に、後者の「スプレー」は前者の「噴出」に、後者の「開口部５３ｂ」は「噴出口」に、それぞれ相当する。　
　そして、前者の「薬液」も洗浄液の一種といえる
　ここで、本件発明２は、本件発明１の「超音波振動子」を備えるものであり、その振動体に関して、甲第１号証発明Ｂの「超音波振動子５」では、「チタン箔」からなるものであるのに対し、甲第１号証発明Ａの「超音波振動子３２」では、「石英ガラス」からなるものである点で相違している。
　したがって、両者は、
「洗浄液に超音波を付与し、被洗浄物に前記洗浄液を噴出する超音波洗浄ノズルであって、
　 前記洗浄液が供給される供給口と、前記供給された洗浄液に超音波を付与する超音波振動子と、超音波を付与された前記洗浄液を前記被洗浄物に噴出する噴出口と、を備える超音波洗浄ノズル。」
である点で一致し、次の点で相違するといえる。
　
【相違点３】：
　洗浄液に関して、本件発明２では、「所定の薬液」であるのに対して、甲第１号証発明Ｂでは、「所定の薬液」であるか否かが明らかでない点。
【相違点４】：
　超音波振動子の接液面に関して、本件発明２では、「高純度ＳｉＣ又は純度が９９．９８０ｗｔ．％以上である高純度石英のいずれか」が形成されているのに対して、甲第１号証発明Ｂでは、「チタン箔」からなるものである点。
【相違点５】：
　ノズルの噴出口の態様に関して、本件発明２では、「噴出口のうち少なくとも洗浄液に付与された超音波が衝突する接液部分に高純度ＳｉＣが形成されていること」としているのに対して、甲第１号証発明Ｂでは、開口部の態様が、そのようになっていない点。
　そこで、上記各相違点につき検討する。
【相違点３】について
　上記（１）で相違点１について検討したと同様の理由から、甲第１号証発明Ｂの洗浄液として、上記周知の薬液を採用して相違点３に係る本件発明２の発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことといえる。
【相違点４】について
　甲第１号証発明Ｂでは、その「超音波振動子４ａ」を「チタン箔」からなるものとしているが、甲第１号証刊行物の上記４．の（１−１）の「本発明の超音波洗浄装置は、特にシリコンウエハの超音波洗浄に用いられるときには、前記振動体として石英ガラスが適している。」との記載を考慮すると、甲第１号証発明Ａの「超音波振動子４ａ」のように、「石英ガラス」に置き換えることは当業者において適宜なし得る設計的事項にすぎない。
　そして、甲第１号証発明Ｂの「超音波振動子５」において、「チタン箔」を「石英ガラス」に置き換えたうえで、超音波振動子の接液面に「純度が９９．９８０ｗｔ．％以上である高純度石英」を形成することは、上記（１）で相違点２について検討したとおり当業者が適宜なし得る設計的事項にすぎないから、相違点４に係る本件発明２の発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことといえる。
【相違点５】について
　本件特許明細書の記載をみれば、本件発明２において、「噴出口」の出口を含んで「超音波ノズル」内部全体は「接液部分」といえ、その「接液部分」全体に対して薬液に対する耐食性及び不溶出性が要求されていると考えられる。　　　　
　また、甲第１号証発明Ａの「石英ガラス製の超音波洗浄槽３３」の構成及び甲第２号証発明の「噴射形超音波洗浄装置であって、金属イオンの溶出をなくすために噴射口を含む貯液槽を石英ガラスで形成してある噴射形超音波洗浄装置。」の構成からみて、洗浄液に付与された超音波が衝突する接液部分に石英を使用することは周知の技術であるといえる。
　上記のことに加え甲第１号証刊行物の上記４．の（１−１）の「本発明の超音波洗浄装置は、特にシリコンウエハの超音波洗浄に用いられるときには、前記振動体として石英ガラスが適している。」との記載を考慮すると、甲第１号証発明Ｂの開口部を含むノズルの接液面を石英ガラスで構成することは当業者において、適宜なし得る設計的事項にすぎないといえる。
　そして、甲第６号証に記載の技術事項である「半導体製造用治工具に使用される石英ガラスに代替するセラミックス材料として、耐熱性に優れた高純度ＳｉＣである焼結ＳｉＣにＣＶＤ―ＳｉＣコーティングをしたものが使用されていること。」からみて、半導体製造装置に使用される石英ガラスに替えて耐熱性に優れた高純度ＳｉＣを用いることは、公知の技術である。
　してみると、当業者であれば、甲第１号証発明Ｂにおけるノズルに対し、その開口部を含む材料の選択において、耐薬品性、不溶出性、耐熱性を考慮して、甲第６号証刊行物に記載されている上記の公知の技術を適用し、高純度ＳｉＣを採用して、相違点５に係る本件発明２の発明特定事項とすることは、容易になし得たことといえる。
　　
　したがって、本件発明２は、当業者が甲第１号証発明Ｂ、甲第６号証刊行物に記載の公知の技術事項及び甲第２号証刊行物ないし甲第５号証刊行物等に記載されているような上記周知の技術事項に基いて容易になし得たものであり、また、本件発明２の有する発明の効果は、甲第１号証発明Ｂ、甲第６号証刊行物に記載の公知の技術事項並びに上記周知の技術事項から当業者が予測し得る範囲内のものといえる。 
（３）本件発明３について
　本件発明３と甲第１号証発明Ｃとを対比すると、その機能及び構成からみて、後者の「シリコンウエハ３７」は前者の「被洗浄物」に、後者の「超音波を放射」は、前者の「超音波を照射」に、それぞれ相当する。
　また、前者の「薬液」も後者の「超純水」も洗浄液として共通し、その限りにおいて、後者の「洗浄液３６が供給される石英ガラス製の超音波洗浄槽３３」は、前者の「前記薬液を貯留する洗浄層」に相当する。
　さらに、後者が、「前記超音波洗浄槽３３内の前記洗浄液３６に前記振動体４ｂを露出するように設けられて、前記洗浄液３６に超音波を放射して、前記洗浄液３６中に多数並べられたシリコンウエハ３７を洗浄する」構成を備えるということは、後者は、前者の「薬液に浸漬された被洗浄物に超音波を照射して前記被洗浄物を洗浄する」構成に相当する構成を備えてなるということがいえる。
　さらにまた、本件発明３は、本件発明１の超音波振動子を備えるものであり、甲第１号証発明Ｃは、甲第１号証発明Ａの「超音波振動子３２」を備える超音波洗浄装置であるから、以上のことに加え、上記（１）の検討を考慮すると、両者には、【相違点１】ないし【相違点２】の他に、特に相違点は認められない。
【相違点１】ないし【相違点２】については、上記（１）で検討したとおりである。
　　
　したがって、本件発明３は、当業者が甲第１号証発明Ｃ及び甲第３号証刊行物ないし甲第５号証刊行物等に記載されているような上記周知の技術事項に基いて容易になし得たものであり、また、本件発明３の有する発明の効果は、甲第１号証発明Ｃ並びに上記周知の技術事項から当業者が予測し得る範囲内のものといえる。
（４）本件発明４について
　本件発明４と甲第１号証発明Ｄとを対比すると、本件発明４は、本件発明２に係る超音波洗浄ノズルを備えるものであり、甲第１号証発明Ｄは、甲第１号証発明Ｂの「ノズル５３」を備える超音波洗浄装置であるから、上記（２）の検討を考慮すると、結局、両者は、【相違点３】ないし【相違点５】に加え、次の点で相違し、その余において一致する。
　
【相違点６】： 
　洗浄の対象に関して、本件発明４では、「基板」であるのに対して、甲第１号証発明Ｄでは、「半導体材料のワークＷ」であり、それが「基板」であるか否かが明らかでない点。
　そこで、上記各相違点について検討する。
　【相違点３】ないし【相違点５】については、上記（２）の検討で説示したとおりである。
【相違点６】について
　甲第１号証発明Ｄの「半導体材料のワーク」として、半導体ウエハ等の基板は、最も代表的なものであって、超音波洗浄の対象ワークとして全く周知のものであることは、技術常識といえる。
　したがって、甲第１号証発明Ｂの超音波洗浄装置の対象としての「半導体材料のワーク」を「基板」に特定して、相違点６に係る本件発明４の発明特定事項とすることは、当業者において、格別、困難なこととはいえない。　
　
　したがって、本件発明４は、当業者が甲第１号証発明Ｄ、甲第６号証刊行物に記載の公知の上記技術事項及び甲第２号証刊行物ないし甲第５号証刊行物等に記載されているような上記周知の技術事項に基いて容易になし得たものであり、また、本件発明４の有する発明の効果は、甲第１号証発明Ｄ、甲第６号証刊行物に記載の公知の上記技術事項並びに上記周知の技術事項から当業者が予測し得る範囲内のものといえる。 
（５）本件発明５について
　本件発明５と甲第１号証発明Ｄとを対比する。
　本件発明５は、本件発明４を組み込んで、基板に所定の複数洗浄処理を行う基板洗浄システムに係る発明であり、甲第１号証発明Ｄは、甲第１号証発明Ｂの「ノズル５３」を備える超音波洗浄装置である。
　したがって、上記（４）で本件発明４について検討したことを考慮すると、結局、両者は、【相違点３】ないし【相違点６】に加え、次の点で相違し、その余において一致する。
　
【相違点７】： 
　基板洗浄装置の装置構成に関して、本件発明５では、基板に所定の複数処理を行う基板洗浄処理システムであるのに対して、甲第１号証発明Ｄでは、複数処理を行うものではなく、基板洗浄処理システムであるか否かが明らかでない点。
　上記各相違点について検討する。
　【相違点３】ないし【相違点６】については、上記（４）の検討で説示したとおりである。
【相違点７】について
　複数処理を行う基板洗浄処理システムは、特開平５−３０９３４６号公報及び特開平６−２５２１２６号公報に開示されているように、周知の技術であるといえる。
 してみると、甲第１号証発明Ｄの装置に対し、上記周知の技術を適用し、甲第１号証発明Ｄの装置を複数洗浄処理を行う基板洗浄処理装置の１つとして組み込むことにより相違点７に係る本件発明５の発明特定事項とすることは、当業者が適宜なし得る設計的事項にすぎないといえる。　　
　
　以上のことから、本件発明５は、当業者が甲第１号証発明Ｄ、甲第６号証刊行物に記載の公知の上記技術事項及び甲第２号証刊行物ないし甲第５号証刊行物等に記載されているような上記周知の技術事項に基いて適宜なし得たものであり、また、本件発明５の有する発明の効果は、甲第１号証発明Ｄ、甲第６号証刊行物に記載の公知の上記技術事項並びに上記周知の技術事項から当業者が予測し得る範囲内のものといえる。 
（６）本件発明６について
　本件発明６と甲第１号証発明Ｂとを対比すると、前者の「薬液」も洗浄液の一種といえるから、両者は、
「超音波を付与された洗浄液を被洗浄物に噴出する超音波洗浄ノズル」に関する点で共通しており、次の点で相違する。　　
【相違点８】：
　本件発明６は、「所定の薬液」を噴出する超音波洗浄ノズルに関するものであるのに対して、甲第１号証発明Ｂのノズルは、「所定の薬液」を噴出するものであるか否かが明らかでない点。
【相違点９】：
　その超音波洗浄ノズルの製造方法に関して、本件発明６では、「超音波振動子の接液面に化学気相蒸着によって形成された高純度ＳｉＣを固着する工程」と、洗浄液を「噴出する噴出口のうち、少なくとも」前記洗浄液を「付与された超音波が衝突する接液部分に高純度ＳｉＣを化学気相蒸着によって形成する工程」を備える「超音波ノズル製造方法」であるのに対して、甲第１号証発明Ｂでは製造方法が不明である点。
　そこで、上記各相違点につき検討する。
【相違点８】について
　上記（２）で相違点３について検討したと同様の理由から、甲第１号証発明Ｂのノズルを、「所定の薬液」を噴出するノズルとすることは、当業者が容易に想到することができたことといえる。
【相違点９】について
　甲第１号証発明Ｂでは、その「超音波振動子４ａ」を「チタン箔」からなるものとしているが、上記（２）の相違点４についての検討で説示したように、それを「石英ガラス」に置き換えることは、当業者において適宜なし得る設計的事項にすぎない。
　また、上記（２）の相違点５についての検討で説示したように、甲第１号証発明Ｂの開口部を含むノズルの接液面を石英ガラスで構成することも、適宜なし得る設計的事項にすぎないといえる。
　さらに、甲第６号証に記載の技術事項である「半導体製造用治工具に使用される石英ガラスに代替するセラミックス材料として、耐熱性に優れた高純度ＳｉＣである焼結ＳｉＣにＣＶＤ―ＳｉＣコーティングをしたものが使用されていること。」からみて、半導体製造装置に使用される石英ガラスに替えて耐熱性に優れた高純度ＳｉＣを用いること、その高純度ＳｉＣの形成技術として、焼結ＳｉＣにＣＶＤ―ＳｉＣコーティングを行うこと、は公知の技術である。
　以上のことから、当業者であれば、甲第１号証発明Ｂにおけるノズルにおいて、甲第１号証発明Ｂの「超音波振動子５」材料の表面及びノズルの超音波が衝突する接液部分を焼結ＳｉＣとし、それに上記公知のＣＶＤ―ＳｉＣコーティングの技術を施して、相違点９に係る本件発明６の発明特定事項とすることは、容易に想到することができたことといえる。　　
　
　したがって、本件発明６は、当業者が甲第１号証発明Ｂ、甲第６号証刊行物に記載の公知の上記技術事項及び甲第２号証刊行物ないし甲第５号証刊行物等に記載されているような上記周知の技術事項に基いて容易に想到することができたことといえ、また、本件発明６の有する発明の効果は、甲第１号証１発明Ｂ、甲第６号証刊行物に記載の公知の上記技術事項並びに上記周知の技術事項から当業者が予測し得る範囲内のものといえる。
　
　６．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１ないし６は、甲第１号証刊行物ないし甲第６号証刊行物に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１ないし６についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　したがって、本件発明１ないし６についての特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、上記結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年１２月１日（２００５．１２．１）