【手続補正書】
【提出日】平成22年5月7日(2010.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つのダイアドを含む層のスタックを備える熱転写ドナー要素の基材フィルムであって、各ダイアドが、
吸収性の第１層と、
本質的に非吸収性の第２層とを含み、
前記少なくとも２つのダイアドの各吸収性第１層が、本質的に同じ光吸収率を有する、基材フィルム。
【請求項２】
熱転写ドナー要素の基材フィルムを調製する方法であって、
少なくとも２つのダイアドを備える層のスタックを形成する工程
を含み、各ダイアドが、
吸収性の第１層と、
本質的に非吸収性の第２層と
を含み、前記少なくとも２つのダイアドの各吸収性第１層が、本質的に同じ光吸収率を有する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
本出願では、以下の態様が提供される。
１．  少なくとも２つのダイアドを含む層のスタックを備える熱転写ドナー要素の基材フィルムであって、各ダイアドが、吸収性の第１層と、本質的に非吸収性の第２層とを含み、前記少なくとも２つのダイアドの各吸収性第１層が、本質的に同じ光吸収率を有する、基材フィルム。
２．  前記少なくとも２つのダイアドが、吸収性層と本質的に非吸収性層を交互に有するスタックを形成する、態様１に記載の基材フィルム。
３．  前記フィルムの少なくとも１つの表面に表面薄層を更に含む、態様１に記載の基材フィルム。
４．  前記フィルムの両方の表面に表面薄層を更に含む、態様１に記載の基材フィルム。
５．  本質的に非吸収性の基材と、前記基材の少なくとも一部に光−熱変換層とを含む熱転写ドナー要素であって、前記光−熱変換層が、少なくとも２つのダイアドを含む層の少なくとも第１スタックを備え、前記層の第１スタックの前記少なくとも２つのダイアドのそれぞれが、吸収性の第１層と、本質的に非吸収性の第２層とを備え、前記少なくとも２つのダイアドの各吸収性第１層が、本質的に同じ光吸収率を有する、熱転写ドナー要素。
６．  前記基材と前記光−熱変換層との間に配置される下部層を更に含む、態様５に記載の熱転写ドナー要素。
７．  前記光−熱変換層の少なくとも一部に熱転写層を更に含む、態様５に記載の熱転写ドナー要素。
８．  前記光−熱変換層の少なくとも一部に中間層を更に含む、態様５に記載の熱転写ドナー要素。
９．  前記中間層の少なくとも一部に熱転写層を更に含む、態様８に記載の熱転写ドナー要素。
１０．  前記層の第１スタックの前記少なくとも２つのダイアドが、吸収性層と本質的に非吸収性層を交互に有する層のスタックを形成する、態様５に記載の熱転写ドナー要素。
１１．  前記層の第１スタックの各ダイアドの全厚さが、本質的に同じである、態様５に記載の熱転写ドナー要素。
１２．  各ダイアド毎の前記第１層の厚さ及び前記第２層の厚さが、前記層の第１スタックのダイアド毎に吸収される全強度が本質的に同じであるように選択される、態様１１に記載の熱転写ドナー要素。
１３．  吸収性材料の比率が、前記層の第１スタックのダイアド毎に本質的に同じである、態様１１に記載の熱転写ドナー要素。
１４．  吸収性材料の比率が、前記層の第１スタックのダイアド毎に本質的に同じであり、前記層の第１スタックの各ダイアド厚さが、前記層の第１スタックのダイアド毎に吸収される本質的に同じ全強度をもたらすように選択される、態様５に記載の熱転写ドナー要素。
１５．  少なくとも２つのダイアドを備える層の第２スタックを更に含み、吸収性材料の比率が、前記層の第２スタックのダイアド毎に本質的に同じであり、更に吸収性材料の比率が、前記層の第１スタックのダイアド毎に本質的に同じである、態様５に記載の熱転写ドナー要素。
１６．  前記層の第１スタックの各ダイアドの全厚さが本質的に同じであり、前記層の第２スタックの各ダイアドの全厚さが本質的に同じであり、前記層の第１スタックの各ダイアドの全厚さが前記層の第２スタックの各ダイアドの全厚さと異なる、態様１５に記載の熱転写ドナー要素。
１７．  熱転写ドナー要素の基材フィルムを調製する方法であって、少なくとも２つのダイアドを備える層のスタックを形成する工程を含み、各ダイアドが、吸収性の第１層と、本質的に非吸収性の第２層とを含み、前記少なくとも２つのダイアドの各吸収性第１層が、本質的に同じ光吸収率を有する、方法。
１８．  前記層のスタックを形成する工程が、前記少なくとも２つのダイアドとベース層を共押出成形する工程を含む、態様１７に記載の方法。
１９．  熱転写ドナー要素を調製する方法であって、本質的に非吸収性の基材をもたらす工程と、前記基材の少なくとも一部に少なくとも２つのダイアドを備える層のスタックを形成する工程とを含み、前記少なくとも２つのダイアドの各々が、吸収性の第１層と、本質的に非吸収性の第２層とを含み、前記少なくとも２つのダイアドの各吸収性第１層が、本質的に同じ光吸収率を有する、方法。
２０．  形成工程が、少なくとも１つのダイアドの第１層及び第２層を押出成形する工程を含む、態様１９に記載の方法。
２１．  押出成形工程が、前記少なくとも１つのダイアドの第１層及び第２層を共押出成形する工程を含む、態様２０に記載の方法。
２２．  形成工程が、前記基材上に前記少なくとも２つのダイアドの各層を共押出成形する工程を含む、態様１９に記載の方法。
２３．  前記光−熱変換層の少なくとも一部に熱転写層を形成する工程を更に含む、態様１９に記載の方法。
２４．  熱転写ドナー要素を調製する方法であって、本質的に非吸収性の基材をもたらす工程と、前記基材の少なくとも一部に吸収性の第１層を形成する工程と、前記吸収性第１層の少なくとも一部に本質的に非吸収性の第２層を形成する工程とを含み、前記本質的に非吸収性基材の組成が、前記本質的に非吸収性第２層の組成と本質的に同じである、方法。
２５．  前記第１層を形成する工程が、前記第１層を押出成形する工程を含む、態様２４に記載の方法。
２６．  前記第２層を形成する工程が、前記第２層を押出成形する工程を含む、態様２４に記載の方法。
２７．  前記第１層を形成する工程及び前記第２層を形成する工程が、前記第１層及び前記第２層を共押出成形する工程を含む、態様２４に記載の方法。
２８．  前記第１層を形成する工程及び前記第２層を形成する工程が、前記第１層及び前記第２層を前記基材上に共押出成形する工程を含む、態様２４に記載の方法。
２９．  前記第１層を形成する工程及び前記第２層を形成する工程が、前記第１層、前記第２層、及び前記基材を共押出成形する工程を含む、態様２４に記載の方法。
３０．  前記第２層の少なくとも一部に熱転写層を形成する工程を更に含む、態様２４に記載の方法。
３１．  選択的な熱的物質転写の方法であって、態様７に記載の熱転写ドナー要素をもたらす工程と、レセプター基材に隣接して前記ドナー要素の熱転写層を定置する工程と、前記熱転写層の部分を、前記光−熱変換層により熱に吸収及び変換することができる画像形成性放射線を前記ドナー要素に選択的に放射することにより、前記ドナー要素から前記レセプター基材に熱転写する工程とを含む、方法。
本発明は様々な変更例及び代替形状に柔軟に従うことができるが、それらの細目は図面で例を用いてこれまでに示したし、また詳細に記述されるであろう。しかしながら、その意図は、記述した特定の実施形態に本発明を限定することではないことを理解するべきである。逆に本発明は、本発明の精神及び範囲内にある全ての変更形態、等価形態、及び代替形態を網羅するはずである。