【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年9月14日(2010.9.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜ダイオード電圧追跡システムであって、
ナノスケール抵抗メモリセル（４４０）と直列に薄膜ダイオード（４３０）を含むアレイコア（５００）を備え、前記ナノスケール抵抗メモリセル（１１０）は、第１の電極（１１２）と第２の電極（１１６）との間に制御可能に導電性のある媒体（１１４）を有し、さらに
アレイコア動作の間に参照温度補償バイアス電圧を生成する温度感受性バイアス回路（４０８）を備え、前記アレイコア動作は、読出動作、消去動作、およびプログラム動作のうち１つを含み、さらに
前記参照温度補償バイアス電圧を供給する差動増幅器（４５０）を備え、前記参照温度補償バイアス電圧は、前記アレイコア（５００）の前記ナノスケール抵抗メモリセル（４４０）に対して一定の動作電圧を生じさせ、さらに
アレイコア動作電圧を前記アレイコア（５００）に供給するセンシング回路（４０４）を備え、
前記温度感受性バイアス回路（４０８）は、第１の抵抗（６１０）および第２の抵抗（６２０）と直列に薄膜ダイオード（４７０）を含み、前記温度感受性バイアス回路（４０８）の前記薄膜ダイオード（４７０）は、前記アレイコア（５００）の前記薄膜ダイオード（４３０）のしきい値電圧変動を追跡し、前記しきい値電圧変動は、周囲温度が上昇するにつれての前記アレイコア（５００）の前記薄膜ダイオード（４３０）のしきい値電圧の降下を含み、
前記第１の抵抗（６１０）は負の温度係数を含み、前記第２の抵抗（６２０）は正の温度係数を含んで抵抗比を生じて、前記アレイコア（５００）の前記ナノスケール抵抗メモリセル（４４０）に対する温度効果を真似る、システム。
【請求項２】
ダイオードしきい値電圧変動補償方法であって、
センシング回路（４０４）を利用して読出動作電圧をアレイコア（５００）に供給するステップを含み、前記アレイコア（５００）は、ナノスケール抵抗メモリセル（４４０）と直列に薄膜ダイオード（４３０）を含み、前記ナノスケール抵抗メモリセル（４４０）は、第１の電極（１１２）と第２の電極（１１６）との間に制御可能に導電性のある媒体（１１４）を有し、さらに
第１の抵抗（６２０）および第２の抵抗（６１０）と直列の薄膜ダイオード（４７０）を利用して温度感受性バイアス回路（４０８）を形成して、しきい値電圧変動に基づいて温度補償バイアス電圧を生成することによって、前記アレイコア（５００）の読出動作の間の前記アレイコア（５００）の前記薄膜ダイオード（４３０）の前記しきい値電圧変動を追跡するステップを含み、前記しきい値電圧変動は、周囲温度が上昇するにつれての電圧変動の降下を含み、さらに
差動増幅器（４５０）を利用することにより、前記アレイコア（５００）の前記ナノスケール抵抗メモリセル（４４０）に前記温度補償バイアス電圧を印加して、前記ナノスケール抵抗メモリセル（４４０）に対する一定の読出動作電圧レベルを維持するステップを含み、
前記第１の抵抗（６２０）は負の温度係数を含み、前記第２の抵抗（６１０）は正の温度係数を含み、前記負の温度係数と前記正の温度係数とは、前記アレイコア（５００）の前記ナノスケール抵抗メモリセル（４４０）が経る温度効果を真似るための抵抗比を生じる、方法。
【請求項３】
メモリセル動作電圧システムであって、
メモリアレイに動作電圧を与えるセンシング回路（４０４）を備え、前記メモリアレイは、ナノスケール抵抗メモリセル（４４０）と直列に少なくとも１つの第１の温度可変選択装置（４３０）を含み、前記ナノスケール抵抗メモリセル（１１０）は、第１の電極（１１２）と第２の電極（１１６）との間に制御可能に導電性のある媒体（１１４）を有し、さらに
参照温度補償バイアス電圧（６４０）を発生して前記ナノスケール抵抗メモリセル（４４０）内で一定の動作電圧レベルを維持する参照回路（６００）と、
前記メモリアレイの前記ナノスケール抵抗メモリセル（４４０）に対して前記参照温度補償バイアス電圧（６４０）を複製する差動増幅器（４５０）とを備え、
前記参照回路（６００）は、抵抗比を生じるため、負の温度係数を有する第１の抵抗（６１０）と、正の温度係数を有する第２の抵抗（６２０）とを含み、
前記システムは、
前記メモリアレイの前記少なくとも１つの第１の温度可変選択装置（４３０）のしきい値電圧変動を追跡する第２の温度可変選択装置（６３０）をさらに備え、
前記第２の温度可変選択装置（６３０）は、前記第１の抵抗（６１０）および前記第２の抵抗（６２０）と直列であり、前記第２の温度可変選択装置（６３０）は、前記メモリアレイの前記少なくとも１つの第１の温度可変選択装置（４３０）と同じタイプを含む、システム。
【請求項４】
前記参照回路（６００）の前記抵抗比は、前記メモリアレイの前記ナノスケール抵抗メモリセル（４４０）に対する温度変化の効果を真似る能力を含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記しきい値電圧変動は、周囲温度が上昇するにつれてのしきい値電圧の降下を含む、請求項３に記載のシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
さらに、本発明は、温度補償バイアス電圧を与えてＮＲＭセルに亘って一定の動作電圧を維持する温度感受性バイアス回路を含む。バイアス温度感受性バイアス回路は、アレイコア中のダイオードのしきい値電圧変動を追跡する薄膜ダイオードを含み得る。薄膜ダイオードは、アレイコアのＮＲＭセルに対する温度効果を真似るのに用いられる抵抗比を作り出す２つの抵抗と直列であり得る。温度感受性バイアス回路は、参照温度補償バイアス電圧を生成し得る。生成された電圧は、ＮＲＭセルに亘って一定の動作電圧を維持するため、ＮＲＭセルに対して差動増幅器によって複製される。本発明は薄膜ダイオードの利用に限定されるものではなく、アレイコアと温度感受性バイアス回路との両者ともをさまざまな温度可変選択装置とともに用い得ることに留意されたい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
本発明は、メモリセンシング回路における薄膜ダイオード電圧レベルの温度補償のシステムおよび方法を提供する。差動増幅器は、１つ以上の温度可変選択装置を利用するアレイコアおよび／またはメモリアレイ中のＮＲＭセルに対して、温度感受性バイアス回路が生成する補償バイアス参照電圧を複製するのに用いることができる。たとえば、アレイコアは、薄膜ダイオードと直列にＮＲＭセルを含み得る。温度感受性バイアス回路には２つの抵抗と直列の薄膜ダイオードが設けられる。抵抗のうち一方は正の温度係数を有し、他方は負の温度係数を有する。温度および／またはプロセスの変化がアレイコアダイオードのしきい値電圧に影響を及ぼすと、温度感受性バイアス回路の薄膜ダイオードはアレイコアのダイオードを追跡して、抵抗はＮＲＭセルに対する温度効果を真似る。その結果、温度感受性バイアス回路は参照電圧を生成して、アレイコアダイオードのしきい値電圧が変動しているにも拘らず、たとえば一定の読出動作電圧が確実にＮＲＭセルに印加されるようにすることができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
まず図１を参照して、本発明の１つの局面に従う薄膜ダイオードしきい値追跡システムの高レベルブロック図が示される。システム１００は、ナノスケール抵抗メモリ（ＮＲＭ）セル１１０と、温度感受性バイアス回路１２０とを含む。ＮＲＭセル１１０は、第１の電極１１２、第２の電極１１６、および制御可能に導電性のある媒体１１４を含む。温度感受性バイアス回路１２０は、ＮＲＭセル読出動作の間にＮＲＭセル１１０に参照電圧１３０を与える。しかしながら、たとえばプログラムおよび／または消去動作の間、参照電圧１３０を用いて一定の動作電圧を維持することもできることを認められたい。温度感受性バイアス回路１２０およびＮＲＭセル１１０は両者とも同じタイプの薄膜ダイオードを利用することができる。温度感受性バイアス回路１２０の薄膜ダイオードは、ＮＲＭセル１１０と関連付けられる薄膜ダイオードに対する電圧を追跡するおよび／または真似る。ＮＲＭセル動作の間に周囲温度および／またはプロセスの変化が起こるので、ＮＲＭセル１１０と関連付けられる薄膜ダイオードのしきい値電圧が変化し得る。たとえば、周囲温度が上昇するとしきい値電圧が低下し得る。ＮＲＭセル１１０と関連付けられる薄膜ダイオードのしきい値電圧のそのような変動の結果、ＮＲＭセル１１０に対する動作電圧が異なり得る。（たとえば温度上昇などの）そのようなプロセス変化の効果を補償するため、温度感受性バイアス回路１２０は、ＮＲＭセル１１０に補償バイアス参照電圧１３０を与えて、ＮＲＭセル動作の間は一定のＮＲＭセル動作電圧がＮＲＭセル１１０に確実に印加されるようにする。次に、たとえば、読出動作の間は一定の電圧レベルを維持することができる。そのような電圧維持はＮＲＭセルの性能および／またはＮＲＭセルアレイの性能において極めて重要な要因である。なぜなら、印加される電圧が低いとＮＲＭセル内の読出動作が遅くなり、印加される電圧が高いとＮＲＭセルの状況および／または状態を害する結果となり得るからである。本発明の１つの局面に従うと、差動増幅器は、温度感受性バイアス回路１２０からＮＲＭセル１１０への参照電圧を複製することができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
図４は、本発明の１つの局面に従うメモリセル読出動作電圧システムの概略図である。システム４００は、センシング回路４０４、バイアス回路４０８、および差動増幅器４５０を含む。センシング回路４０４は、第１の抵抗４１０、センシング装置４２０、選択ダイオード４３０、およびメモリセル４４０を含む。メモリセル４４０はたとえばＮＲＭセルであり得る。読出動作は選択ダイオード４３０およびメモリセル４４０に読出動作電圧を与えることによって実行され得る。読出動作の間に周囲温度および／またはプロセスの変化が起こると、選択ダイオード４３０のしきい値電圧が変化し得る。たとえば、周囲温度が上昇するとしきい値電圧が低下し得る。選択ダイオード４３０のしきい値電圧がそのように変動すると、メモリセル４４０に対する読出動作電圧が変動し得る。読出動作電圧の変動を補償するため、バイアス回路４０８はメモリセル４４０に印加され得る参照電圧を生成して一定の読出動作電圧を維持する。バイアス回路４０８は、第２の抵抗４６０、選択ダイオード４３０と同じタイプの参照ダイオード４７０、および参照メモリセル４８０も含み得る。参照ダイオード４７０は、メモリセル４４０で起こるいずれの変化も追跡する能力を提供する。バイアス回路が参照電圧を生成すると、これは差動増幅器４５０を介してセンシング回路に供給される。バイアス回路４０８が生成する参照電圧の印加により、選択ダイオード４３０のしきい値電圧のいかなる変化にもかかわらず、メモリセル４４０において一定の読出動作電圧が維持される。システム４００の同様の実現例を利用して、たとえばプログラム動作および／または消去動作などの他の動作のために一定の動作電圧を維持できることが認められる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
図８は、本発明の１つの局面に従うしきい値電圧変動補償方法８００を説明する。方法８００は、センシング（カスコード）回路を利用してアレイコアに読出電圧動作を供給する  ８１０。アレイコアは、たとえばＮＲＭセルと直列に温度可変選択装置を含み得る。アレイコアに対して読出動作が実行されると、さまざまなプロセスおよび／または温度変化が起こり得、これにより温度可変選択装置のしきい値電圧が変化する。たとえば、周囲温度が上昇するにつれ、装置のしきい値電圧が低下し得る。そのような低下の結果、ＮＲＭセルに達する読出動作電圧レベルが変動し得る。温度可変選択装置がしきい値電圧の変
動を経ると、当該変動は、温度感受性バイアス回路の温度可変選択装置によって追跡される  ８２０。温度可変選択装置は、アレイコアの温度可変選択装置と同じタイプのものであり、２つの抵抗と直列であり得る。一方の抵抗は正の温度係数を有し、他方の抵抗は負の温度係数を有する。２つの抵抗の抵抗比は、アレイコア中のＮＲＭセルに対する温度効果を真似るのに用いられる。その目的のため、温度感受性バイアス回路は温度補償バイアス参照電圧を生成して  ８３０、ＮＲＭセル内で一定の読出動作電圧レベルを維持する。差動増幅器を用いて、ＮＲＭセルに対して温度補償バイアス参照電圧を複製することができる  ８４０。