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　特願２０１５−５１４０６８「平面のアバランシェ・フォトダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１１月２８日国際公開、ＷＯ２０１３／１７６９７６、平成２７年　７月２３日国内公表、特表２０１５−５２０９５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年５月１７日（パリ条約による優先権主張２０１４年５月１７日、米国）を国際出願日とする出願であって、その後の手続の概要は、以下のとおりである。
平成２７年１２月　９日　　：手続補正書の提出
平成２８年　７月２７日付け：拒絶理由通知（同年７月２９日発送）
　　　同年１０月２６日　　：意見書・手続補正書の提出 
平成２９年　３月２８日付け：拒絶査定（同年３月３０日送達） 
　　　同年　７月２８日　　：審判請求書・手続補正書の提出 
第２　平成２９年７月２８日に提出された手続補正書による補正（以下、「本件補正」という。）について
１　本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１−１１を、補正後の特許請求の範囲の請求項１に補正するものであり、補正後の請求項１は次のとおりのものである。
「【請求項１】
　第１の半導体層と、
　前記第１の半導体層に隣接する増倍層と、
　前記第１の半導体層の反対側で、前記増倍層に直接隣接する電荷制御層と、
　低ドープであり、又は意図的にはドープされておらず、前記増倍層の反対側で、前記電荷制御層に直接隣接する第２の半導体層と、
　前記第１の半導体層の反対側で、前記第２の半導体層に直接隣接する勾配吸収層と、
　前記第２の半導体層の反対側で、前記勾配吸収層に直接隣接して位置するブロッキング層と
　を備えるアバランシェ・フォトダイオード。」
２　本件補正の適否について 
　本件補正は、補正前の請求項２−１１を削除して、補正前の請求項１を補正後の請求項１にするものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしている。
　また、本件補正が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていることは明らかである。
　よって、本件補正は適法になされたものである。
第３　本願発明
　上記第２において検討したとおり、本件補正は適法になされたものであるから、本願の請求項１に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される上記「第２」に記載したとおりのものである。
第４　引用文献の記載と引用発明
１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２００７−３１１４５５号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審が付した。以下同様。）。
（１）「【０００１】
　本発明は、半導体受光素子に関し、特に、素子内部に利得構造を有する
アバランシェフォトダイオード
（２）「【００３１】
　
電界緩和層は、増倍層と光ガイド層に挾まれて形成されて、増倍層に印加された高電界を緩和し、光ガイド層に高電界が印加されないようにする層であるので、電界緩和層での電圧降下を大きくするために高濃度（例えば、１０の１８乗代以上）にドープした半導体層で構成する
（３）「【００３６】
　図１は、本発明を適用した長波長帯ＡＰＤの構造を示す斜視図である。本実施例１のＡＰＤは、図１に示すように、ｎ型又は半絶縁性のＩｎＰ基板１０１上に
下から順に
Ｓｉドープｎ型ＩｎＰバッファ層
アンドープＩｎ
０．５２
Ａｌ
０．４８
Ａｓ増倍層
Ｂｅドープｐ型Ｉｎ
０．５２
Ａｌ
０．４８
Ａｓ電界緩和層
アンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層
Ｂｅドープｐ型Ｉｎ
０．５３
Ｇａ
０．４７
Ａｓ光吸収層
Ｂｅドープｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層
（４）「【００３９】
　本実施例のＡＰＤにおける、動作状態での内部電界強度分布を図４に示す。ここで、図４の縦軸は電界強度、横軸は多層構造の積層方向である。横軸の直下には、電界強度分布に対応させて多層構造を模式的に示してある。多層構造は、外部電圧印加により、アンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層１０５からアンドープＩｎＡｌＡｓ増倍層１０３までが空乏化して、この部分に電界が印加される。
ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０６は不純物が高濃度に
ドープされたｐ型層で形成されているため、外部電圧による電界が印加されない
アンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層１０５とアンドープＩｎＡｌＡｓ増倍層１０３との間にあるｐ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０４により、アンドープＩｎＡｌＡｓ増倍層１０３の高電界が緩和されるので、アンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層１０５に印加される電界強度は低い
【００４０】
  上記のように、本実施例のＡＰＤは、ナローギャップ材料で構成されたｐ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０６に電界が印加されないので、ｐ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０６におけるトンネル電流に起因した暗電流が抑制できる。また、アンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層１０５は動作状態で弱電界強度の電界が印加されるが、組成波長１．２μｍのアンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層１０５のエネルギーバンドギャップはＩｎＧａＡｓ光吸収層に比べて広いから、アンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層１０５での暗電流の発生も抑制できる。」
（５）「【００４２】
　
実施例２のＡＰＤは、実施例１のＡＰＤと異なり、ｐ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０６の不純物濃度に勾配を設けた不純物濃度分布になっている。この濃度勾配のある不純物濃度分布を除いたその他の多層構造部分については実施例１のＡＰＤと同じ構成である
（６）図１−４より、ｎ型ＩｎＰバッファ層１０２とアンドープＩｎＡｌＡｓ増倍層１０３、アンドープＩｎＡｌＡｓ増倍層１０３とｐ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０４、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０４とアンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層１０５、アンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層１０５とｐ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０６、ｐ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０６とｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層１０７、ｐ型ＩｎＰキャップ層１０８、ｐ側電極１１２は、何れも直接隣接していることがみて取れる。
　したがって、引用文献１には、実施例２に関して次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「下から順に、
　Ｓｉドープｎ型ＩｎＰバッファ層と、
　前記Ｓｉドープｎ型ＩｎＰバッファ層の上に隣接するアンドープＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ増倍層と、
　前記アンドープＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ増倍層の上に直接隣接するＢｅドープｐ型Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ電界緩和層と、
　前記Ｂｅドープｐ型Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ電界緩和層の上に直接隣接するアンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層と、
  前記アンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層の上に直接隣接し、不純物濃度に勾配を設けた不純物濃度分布を有するＢｅドープｐ型Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ光吸収層と、
  前記Ｂｅドープｐ型Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ光吸収層の上に直接隣接するＢｅドープｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層と、
　ｐ型ＩｎＰキャップ層１０８と、ｐ側電極１１２と、
　を有しており、電界緩和層は、増倍層とアンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層に挾まれて形成されて、増倍層に印加された高電界を緩和し、アンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層に高電界が印加されないようにする層である、アバランシェフォトダイオード。」
第５　対比・判断
　本願発明と引用発明を対比する。
１　引用発明の「Ｓｉドープｎ型ＩｎＰバッファ層」は、Ｓｉドープｎ型ＩｎＰが半導体であるから、本願発明の「第１の半導体層」に相当する。
２　引用発明の「前記Ｓｉドープｎ型ＩｎＰバッファ層の上に隣接するアンドープＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ増倍層」は、本願発明の「前記第１の半導体層に隣接する増倍層」に相当する。
３　本願発明の「前記第１の半導体層の反対側で、前記増倍層に直接隣接する電荷制御層」と引用発明の「前記アンドープＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ増倍層の上に直接隣接するＢｅドープｐ型Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ電界緩和層」、「電界緩和層は、増倍層とアンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層に挾まれて形成されて、増倍層に印加された高電界を緩和し、アンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層に高電界が印加されないようにする層である」とを対比する。
（１）引用発明の「アンドープＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ増倍層」は「前記Ｓｉドープｎ型ＩｎＰバッファ層の上に隣接する」ものであり、「Ｂｅドープｐ型Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ電界緩和層」は「前記アンドープＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ増倍層の上に直接隣接する」ものであるから、「Ｂｅドープｐ型Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ電界緩和層」は、「Ｓｉドープｎ型ＩｎＰバッファ層」の反対側で（すなわち、前記「第１の半導体層」の反対側で）前記増倍層に直接隣接する。
　したがって、本願発明の電荷制御層と引用発明の電界緩和層とは、「前記第１の半導体層の反対側で、前記増倍層に直接隣接する」層である点で一致する。
（２）引用発明では、「下から順に、」電界緩和層と、アンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層と、光吸収層とを有しており、引用発明の「ｐ型Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ電界緩和層」は、「増倍層とアンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層に挾まれて形成されて、増倍層に印加された高電界を緩和し、アンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層に高電界が印加されないようにする層であ」るから、光吸収層は、電界緩和層によって電界が緩和されているといえる。
　よって、引用発明の電界緩和層は、増倍層に印加された高電界を緩和し、光吸収層の電界を緩和する層であるといえる。
　次に、本願発明の「電荷制御層」の意味について検討する。
　本願明細書の【０００５】の「電荷制御層内の全電荷により、増倍を生じさせるのに十分なほど大きくしなければならない高電界ＩｎＰアバランシェ領域と、トンネリングを回避するのに十分なほど小さくしなければならない低電界ＩｎＧａＡｓ吸収領域との両方で、電界の値が決まる。」という記載を参酌すると、「電荷制御層」とは、アバランシェ領域（すなわち、増倍層）の電界を増倍を生じさせるのに十分なほど大きいままとするとともに、光吸収層の電界をトンネリングを回避するのに十分なほど小さくする層のことといえる。
　よって、引用発明の「電界緩和層」は、本願発明の「電荷制御層」に相当する。
（３）したがって、本願発明と引用発明とは「前記第１の半導体層の反対側で、前記増倍層に直接隣接する電荷制御層」を備える点で一致する。
４　本願発明の「意図的にはドープされておらず、前記増倍層の反対側で、前記電荷制御層に直接隣接する第２の半導体層」と引用発明の「前記Ｂｅドープｐ型Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ電界緩和層の上に直接隣接するアンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層」とを対比する。
　引用発明の「アンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層」は「前記Ｂｅドープｐ型Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ電界緩和層の上に直接隣接する」ものであり、「Ｂｅドープｐ型Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ電界緩和層」は「前記アンドープＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ増倍層の上に直接隣接する」ものである。
　したがって、本願発明の第２の半導体層と引用発明のアンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層とは、「意図的にはドープされておらず、前記増倍層の反対側で、前記電荷制御層に直接隣接する」層である点で一致する。また、ＩｎＡｌＧａＡｓは半導体である。
　よって、本願発明と引用発明とは、「意図的にはドープされておらず、前記増倍層の反対側で、前記電荷制御層に直接隣接する第２の半導体層」を備える点で一致する。
５　引用発明の「前記アンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層の上に直接隣接し、不純物濃度に勾配を設けた不純物濃度分布を有するＢｅドープｐ型Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ光吸収層」は、ｎ型ＩｎＰバッファ層の反対側にあるから、本願発明の「前記第１の半導体層の反対側で、前記第２の半導体層に直接隣接する勾配吸収層」に相当する。
６　本願発明の「前記第２の半導体層の反対側で、前記勾配吸収層に直接隣接して位置するブロッキング層」と引用発明の「前記Ｂｅドープｐ型Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ光吸収層の上に直接隣接するＢｅドープｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層」とを対比する。
（１）引用発明の「Ｂｅドープｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層」は「前記Ｂｅドープｐ型Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ光吸収層の上に直接隣接する」ものであり、「前記Ｂｅドープｐ型Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ光吸収層はアンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層の上に直接隣接する」ものであるから、前記「Ｂｅドープｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層」はアンドープＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層（すなわち「第２の半導体層」）の反対側で前記Ｂｅドープｐ型Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ光吸収層に直接隣接する。
　したがって、本願発明のブロッキング層と引用発明のＢｅドープｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層とは、「前記第２の半導体層の反対側で、前記勾配吸収層に直接隣接して位置する」層である点で一致する。
（２）次に、本願発明の「ブロッキング層」の意味について検討する。
　本願明細書には、「ブロッキング層」について定義又は説明はされていないが、ブロッキング層（電荷注入阻止層）とは、例えば、下記の特開平３−２７８４８２号公報（以下、「周知例１」という。）、特開平７−１８３５６７号公報（以下、「周知例２」という。）、及び、特開平４−２１１１８１号公報（以下、「周知例３」という。）に記載されているように、電極に対して、信号キャリアの走行方向には障壁とはならず、暗電流のキャリアの走行に対しては障壁となる、電極からのキャリアの注入を阻止するためのｐ型又はｎ型の半導体層（電子注入を阻止するためのｐ型半導体層、正孔注入を阻止するためのｎ型半導体層）のことである。
　引用発明において、ｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層は、ｐ型のＩｎＡｌＧａＡｓからなり、Ｓｉドープｎ型ＩｎＰバッファ層とで、増倍層と光吸収層とを挟む層であるといえるから、電子に対して障壁となる層、すなわち、電子注入阻止層（ブロッキング層）であることは明らかである（必要であれば、上記周知例２の［００４３］を参照。）。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「前記第２の半導体層の反対側で、前記勾配吸収層に直接隣接して位置するブロッキング層」を備える点で一致する。
・周知例１：特開平３−２７８４８２号公報
「【電荷注入阻止層】
　上述した電極には、
光吸収層又は増倍層から取り出す信号となるキャリアの走行方向には障壁とはならず、電極とはオーミック接合するが、前記信号となるキャリアの走行方向とは逆方向への暗電流のキャリアの走行に対しては障壁となるｐ型、又はｎ型の伝導性を有する電荷注入阻止層（ブロッキング層）
　前記電荷注入阻止層を設けることにより電極からの不必要なキャリアの注入を阻止し得るので暗電流による雑音をさらに減らすことができる。
　前記電荷注入阻止層は光吸収層又は増倍層と同様の材料に伝導性を制御し得る不純物を含ませた材料で形成することができる。」（１９頁左上欄５−１８行。下線は合議体が付加した。以下同じ。）
「第５図（ａ）に示した素子は、素子に電圧を印加するまたは信号を取り出すためのオーミック接触層、いわゆる電極１および６と、電極１からのキャリアの注入を阻止するためのブロッキング層（電荷注入阻止層）２と、電極６からのキャリアの注入を阻止するためのブロッキング層５と、それらに挟まれた、電極１側から本素子に入射した光に対して該光を吸収しフォトキャリアを発生し光電変換を行うための受光層３と、全体として４で示されている複数の誘電率変化層から構成されているアバランシェ領域（増倍層）と、から構成されている。」（１９頁左下欄４−１５行）
・周知例２：特開平７−１８３５６７号公報
「【００４３】実施例１
図１は、本発明の光電変換装置の１態様を示す模式断面図であり、
光吸収層１０４と、キャリア増倍層１０３とが電荷注入阻止層となるｐ型半導体層１０５とｎ型半導体層１０２とで挟まれており
【００４４】電極１０１はＥＢ（電子ビーム）蒸着装置で形成したＣｒ電極である。
【００４５】
ｎ型半導体層１０２は
正孔注入を阻止するための正孔注入阻止層
【００４６】光吸収層１０４は光を吸収しキャリアを発生させるための厚さ５０００オングストロームのａ−Ｓｉ：Ｈ膜である。
【００４７】
ｐ型半導体層１０５は
電子注入を阻止するための電子注入阻止層
・周知例３：特開平４−２１１１８１号公報
「【０１３３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
（実施例１）
以下、図１、図４及び図５を用いて本発明の第１実施例について説明する。
【０１３４】図１は、本発明の光電変換装置の第１実施例を示す概略的縦断面構造図である。図１に図示される光電変換装置は、Ｃｒ電極４０１、該電極４０１より正孔注入を阻止するための厚さ約５００Åのｎ型ａ−Ｓｉ１−　Ｇｅ　：Ｈからなる電荷注入阻止層４０２、キャリア増倍を行うためのａ−Ｓｉ１−　Ｇｅ　：Ｈ〜ａ−Ｓｉ１−　Ｃ　：Ｈの組成を変化させた層を積層した増倍領域４０３、光が増倍領域まで侵入するのを阻止するための厚さ約２００ÅのＣｒからなる遮光層４０４、光を吸収しキャリアを発生させるための厚さ約１μｍのａ−Ｓｉ：Ｈからなる光吸収層４０５、光入射側の電極より電子注入を阻止するための厚さ約１００Åのｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる電荷注入阻止層４０６、酸化インジウムを主体とした透明電極４０７を有している。
【０１３５】Ｃｒ電極４０１、遮光層４０４及び透明電極４０７はＥＢ蒸着で作成し、電荷注入阻止層４０２、増倍領域４０３、光吸収層４０５および電荷注入阻止層４０６の非晶質層はプラズマＣＶＤ法で作成した。非晶質層作成の際の原料ガスは、電荷注入阻止層４０２にはＳｉＨ４，ＧｅＨ４，ＰＨ３、Ｈ２、増倍領域４０３にはＳｉＨ４，ＧｅＨ４，ＣＨ４，Ｈ２、光吸収層４０５にはＳｉＨ４，Ｈ２、電荷注入阻止層４０６にはＳｉＨ４，Ｂ２Ｈ６，Ｈ２を用いた。
【０１３６】増倍領域４０３は原料ガスのうちＣＨ４とＧｅＨ４のガス流量を連続的に変化させた厚さ２００Åの組成変化層４１１，４１２，４１３の３つの層で形成した。
【０１３７】図１に示した第１実施例の光電変換装置のエネルギバンド構造は、理想的には図４及び図５に示すようなものである。
【０１３８】図４は第１実施例の光電変換装置が無バイアス状態にあるときエネルギ帯図、図５はキャリア増倍動作を行うためにバイアスを印加した状態にあるときのエネルギ帯図である。
【０１３９】図４及び図５は、ｎ型ａ−Ｓｉ１−　Ｇｅ　：Ｈ層４０２の禁制帯幅がＥｇ４、ａ−Ｓｉ１−　Ｇｅ　：Ｈ〜ａ−Ｓｉ１−　Ｃ　：Ｈ組成変化層４１１，４１２，４１３の３つの層からなる増倍領域４０３の最小禁制帯幅がＥｇ２、増倍領域４０３の最大禁制帯幅がＥｇ３、ａ−Ｓｉ：Ｈ層４０５の禁制帯幅がＥｇｌ、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層４０６の禁制帯幅がＥｇ０であることを示している。４０４はＣｒ電極に対応する。
【０１４０】また、図４において、伝導帯端、価電子帯端ともにエネルギの不連続点があるが、バイアス電圧が印加された状態では、図５を見てもわかるようにキャリアの走行する方向にエネルギ不連続による障壁がほとんどなく、キャリアの走行性を阻害していない。」
８　引用発明の「アバランシェフォトダイオード」は、本願発明の「アバランシェ・フォトダイオード」に相当する。
 　したがって、本願発明と引用発明は、以下の構成において一致する。 
「第１の半導体層と、
　前記第１の半導体層に隣接する増倍層と、
　前記第１の半導体層の反対側で、前記増倍層に直接隣接する電荷制御層と、
　意図的にはドープされておらず、前記増倍層の反対側で、前記電荷制御層に直接隣接する第２の半導体層と、
　前記第１の半導体層の反対側で、前記第２の半導体層に直接隣接する勾配吸収層と、
　前記第２の半導体層の反対側で、前記勾配吸収層に直接隣接して位置するブロッキング層と
　を備えるアバランシェ・フォトダイオード。」
　よって、本願発明の構成はすべて引用文献１に示されており、本願発明は引用発明と同一ということとなる。
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。