【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３６７０６７４号発明「ガス検出方法及びガス検知装置」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３６７０６７４号の請求項１ないし４に係る発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
１．手続の経緯
（１）本件特許第３６７０６７４号の請求項１ないし５に係る発明についての出願は、平成５年１２月２８日に出願され、平成１７年４月２２日にその発明について特許権の設定登録がされたものである。
　
（２）これに対し請求人から特許無効審判の請求があったところ、被請求人は、平成１７年１０月３１日に訂正請求書を提出して訂正を求めた。当該訂正の内容は、本件特許の明細書を、訂正請求書に添付した全文訂正明細書のとおりに訂正しようとするものであり、訂正の内容は以下のａ，ｂ，ｃのとおりである。　
　ア．訂正事項ａ
　請求項５を削除する。
　
　イ．訂正事項ｂ
　請求項５の削除と整合するように、明細書段落【０００９】，【００１３】，【００４４】の記載を訂正する。
　
　ウ．訂正事項ｃ
　誤記の訂正として、明細書段落【００２３】の「図４の従来例構造に比べて」を「図３の従来例構造に比べて」と訂正する。
　
２．訂正の可否に対する当審判断
（１）訂正請求書での前記訂正事項について、訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否について判断すると、
　訂正事項ａについて
　請求項の削除を目的とするものである。
　
　訂正事項ｂについて
　訂正事項ａの訂正と整合をとるための訂正を行うものであるから、不明りょうな記載の釈明を目的としたものに該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものでない。
　
　訂正事項ｃについて
　特許明細書段落【００２３】において「図３に示すように……した従来構造のガスセンサ２’」と記載されているように、従来例構造を示す図面は図３である。したがって、この訂正事項は誤記の訂正を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　
（２）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１３４条第２項ただし書に適合し、同条第５項において準用する上記平成６年改正前の特許法第１２６条第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．請求人の主張の概要
　請求人は、証拠方法として甲第１号証−甲第４７号証を提出し、次の無効理由Ａ，Ｂを主張し、本件特許を無効とする、審判費用は被請求人の負担とする、との審決を求めている。
　（注：前記したとおり、訂正が認められたので請求項５についての、請求　　　　人の主張の記載は省略する）
　
Ａ．本件特許明細書の請求項１ないし４に係る発明（以下では、これらを順次「本件第１発明」「本件第２発明」「本件第３発明」「本件第４発明」という）は、請求人が提出した本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である甲各号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項に該当し無効とすべきものである。
　［具体的には、本件第１，２，３発明のいずれに対しても、甲第６号証の１，甲第２８，３０，３２，３３，３７号証の刊行物（下記でいう刊行物１，３−６，８である）を少なくとも掲げ、本件第４発明に対しては、甲第６号証の１，甲第７号証の１，甲第３０号証，甲第３３号，甲第３６号証の刊行物（下記でいう刊行物１，２，４，６，７である）を少なくとも掲げている。］
　
Ｂ．本件特許明細書及び図面は、特許法第３６条第４項の規定に違反し、また特許請求の範囲の記載は特許法第３６条第５項第２号に違反するので、本件第１ないし本件第４発明に対する特許は無効とすべきものである。
　
４．被請求人の主張の概要
　これに対し被請求人は、本件第１ないし第４発明に係る発明は、特許法第２９条第２項に該当するものでなく、また、本件特許明細書及び図面は、特許法第３６条第４項の規定に適合し、また特許請求の範囲の記載は特許法第３６条第５項第２号に適合しているものである旨主張している。
　そして審判費用は、請求人の負担とする、との審決を求めている。
　
５．無効理由Ａについての検討
５．１　本件第１発明−本件第４発明
　本件第１発明−本件第４発明は、全文訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１−４に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】円球、楕円球等の略球体状に形成されたガス感応金属酸化半導体中に貴金属線からなるヒータ兼用電極コイルを埋設するとともにヒータ兼用電極コイルの内部に貴金属からなる検知電極を設けて形成され、ヒータ兼用電極コイルの長手方向に対応するガス感応金属酸化半導体の外形寸法を約０．８ｍｍ以下とし且つ上記長手方向に直交する外形寸法を約０．７ｍｍ以下としたガスセンサを用い、該ガスセンサの内蔵ヒータに印加する電圧を高くしガスセンサのクリーニングを行う高温状態期間と、印加電圧を低くして低温で感度ピークを持つガスの検知を行う低温状態期間とを夫々の期間を固定して交互に繰り返し、低温状態期間におけるガス種のレスポンス特性の変化の相違に基づいて検知対象ガスを弁別することを特徴とするガス検知方法。
　【請求項２】高温状態期間、低温状態期間の印加電圧は各期間において所定周期で断続させた電圧の平均値により設定したことを特徴とする請求項１記載のガス検知方法。
　【請求項３】検知対象ガスのレスポンス特性が非検知対象ガスのレスポンス特性より離れるように低温状態期間の長さ及び印加電圧を設定することを特徴とする請求項１記載のガス検知方法。
　【請求項４】円球、楕円球等の略球体状に形成されたガス感応金属酸化半導体中に貴金属線からなるヒータ兼用電極コイルを埋設するとともにヒータ兼用電極コイルの内部に貴金属からなる検知電極を設けて形成され、ヒータ兼用電極コイルの長手方向に対応するガス感応金属酸化半導体の外形寸法を約０．８ｍｍ以下とし且つ上記長手方向に直交する外形寸法を約０．７ｍｍ以下としたガスセンサを用い、該ガスセンサの検知電極の一端が直列接続される負荷抵抗の他端と、ヒータ兼用電極コイルのグランド側端との間に定電圧を印加する定電圧電源と、ガス感応金属酸化物半導体外に導出したヒータ兼用電極コイルの両端間に直流のヒータ電圧を間歇的に印加するとともに、印加期間を周期的に変化させてガスセンサの温度を周期的に変化させ夫々の期間を固定した高温状態期間と低温状態期間とを設定する温度制御手段と、ガスセンサの検知電極の電圧をガス検出信号として取り込み、低温で感度ピークを持つガス種の、低温状態期間におけるレスポンス特性の変化の相違に基づいて検知対象ガスを弁別するガス検出手段とを備えたことを特徴とするガス検知装置。」
　
５．２　甲第１−４７号証に含まれる刊行物
　請求人が提出した甲第１−４７号証には、次の刊行物が含まれている。
　
　甲第６号証の１（以下で「刊行物１」という）：パンフレット「tech 1 
 NEWLY-DEVELOPED GAS SENSORS SB  SERIES 」version 2　 １９９３年９月　エフアイエス株式会社発行　第１，２頁
　
　甲第７号証の１（以下で「刊行物２」という）：パンフレット「tech 5 
 LOW CURRENT(25mA) DRIVING CIRCUIT FOR FIS GAS SENSOR SB SERIES 」 version 2  １９９３年　９月　エフアイエス株式会社発行　第１，２頁
　
　甲第２８号証（以下で、「刊行物３」という）：実願昭６０−７４０５７号（実開昭６１−１８９２５７号）のマイクロフィルム（但し、提出したのは、マイクロフィルムの内容をプリント出力したものである）
　
　甲第３０号証（以下で、「刊行物４」という）：特開昭６３−１２１７４３号公報
　
　甲第３２号証（以下で、「刊行物５」という）：特開平１−２２１６４９号公報　
　
　甲第３３号証（以下で「刊行物６」という）：実公平５−３２７６１号公報
　
　甲第３６号証（以下で、「刊行物７」という）：特開平１−３１３７５０号公報
　
　甲第３７号証（以下で、「刊行物８」という）：特開昭６０−１１３１４１号公報
　
　そして、刊行物１，２に係るパンフレットが、本件の原出願の出願日である平成５年（１９９３年）１２月２８日以前に外国において頒布された刊行物であることは、次のａから認められ、ｂと整合する。
　ａ）刊行物１，２の末尾にそれぞれ、「 version 2．September 1993」，「version2. September, 1993」という日付印刷があること。
　ｂ）刊行物１，２の発行者でもある本件被請求人が提出した乙第１号証「報告書　ＦＩＳ英文技術資料作成と配布時期の経緯について」（村上伸明氏署名押印付き）の第２頁第２−４行において、報告者である村上伸明氏が、「甲第６号証（tech 1）および甲第７号証（tech 5）は可燃性ガスや溶剤を検出対象としたＳＢセンサに関する技術資料であり、１９９３年１０月にドイツのニュルンベルグで開催されたＳＥＮＳＯＲ’９３展示会にて頒布したものです。」と報告していること。
　
　刊行物１には、日本語訳すると、
　「概論　ＳＢセンサは金属酸化物半導体ガスセンサである。ガス検知原理は、ガスが酸化物表面に接触すると、金属酸化物の抵抗値が変化するというものである。金属酸化物としては主として焼結スズ酸化物（ＳｎＯ２）が用いられている。
　図１はセンサ本体を示す。ヒータコイルがビーズ形状の酸化物内に埋設され、電極リードワイヤがコイル内を通過する。このコイルはヒータとして機能するのみでなく、リードワイヤに対する対向電極（opposed electrode）として機能する。このセンサ本体は図２に示されるハウジングに固定される。
 一般に半導体ガスセンサはガス感度を増すために加熱する必要があり、このため内蔵ヒータが大きな電力を消費する。ＳＢセンサでは遙かに小さな消費電力を実現し、在来のガスセンサの１５％である。ＳＢセンサではヒータコイルと電極の双方に直径２０μの極細貴金属ワイヤを使用する。さらにセンサ本体は図１に示すように極めて小さく製造されている。」（第１頁左欄第９行−同頁中央欄第１４行）、
　「標準回路　図４はＳＢシリーズの標準回路を示す。センサ抵抗の変化をセンサ抵抗（Ｒｓ）と直列の固定もしくは可変の抵抗値（ＲＬ）の出力電圧として得ることができる。大きな出力電圧が得られるので、複雑な増幅回路が不要で、応用回路のコストを削減できる。標準的な回路条件を表１に示す。　注意：極性が必須（NOTE: Polarity is essential）」（第２頁第２０−３０行）、
　が記載されており、
　これらの記載から、ＳＢガスセンサは、ヒータ兼用電極コイル［第１頁左欄第２２−２５行に「このコイルはヒータとして機能するのみでなく、リードワイヤに対する対向電極として機能する」と記載されているとおりである］の中心透孔内に貫挿するよう検知電極を配置するとともに、ガス感応金属酸化物半導体内にヒータ兼用電極コイルと検知電極とを埋設して構成されたガスセンサであること、図１からみて、ＳＢガスセンサが、高さ０．５ｍｍで、横幅０．３ｍｍのラグビーボール状のものであることが明らかである。　そして、第４図及び表１（Table 1）には、ガス感応金属酸化物半導体外に導出したヒータコイルに電源（起電力Ｖｃ）のマイナス側をグランド電位として接続し、プラス側を負荷抵抗の一端に接続し、負荷抵抗両端間の電圧（ＶＲＬ）をガス検出信号として取り出すようにする回路と、ヒータ電極間にヒータ電圧（ＶＨ）を印加する回路からなる構成が示されている。
　
　刊行物２には、日本語訳すると
　「概論　ＳＢシリーズ半導体ガスセンサは小サイズ、低消費電力（標準回路で１２０ｍＷ）及び種々のガスへの高感度という独特の設計を備えている。このセンサと新開発のパルス駆動法を用いた駆動回路と組み合わせると、センサの応用（application）を５Ｖの電圧下で、僅か２５ｍＡの消費レベルで行うことができる。図１はＳＢシリーズのための……典型的な回路の設計図を示す（Fig1.shows a diagram of a typical circuit ……for the SB series.）。この設計図においてＣＭＯＳタイマ（ＩＣ５５５）は図２に示された５Ｖパルス電圧を得るために用いられ、そして、０．９ｍＶ電圧での連続稼働（continuous operation）と同じ効果をもたらす。」（第１頁左欄第１−末行）、
　が記載され、
　第２頁に「応用１：バッテリ駆動による回路（Battery operated circuit）」が示され、「応用１」の回路中にＳＢガスセンサや、抵抗両端間の電位差ＶＲＬが明示されている。
　そして同頁に「応用２：自動空気品質制御システム」（回路図である）が示され、「注意（Remarks）：ＳＢガスセンサとＩＣ−０２マイクロコンピュータを空気品質制御のために用いた例。……」と注意書きがされており、ヒータ兼用電極コイルの一端（１）がグランド（ＧＮＤ）に接続され、検出電極の一端（２）の電圧を取り出すものが示されている。
　　
　刊行物６には、
ア）「ガスにより抵抗値が変化する金属酸化物半導体を用いたガスセンサの加熱温度を、高温域と低温域とに交互に周期的に変化させるようにしたガス検出装置において、」（第１欄第２−５行）、
　
イ）「この考案は、金属酸化物半導体の抵抗値の変化を利用したガス検出装置の改良に関し、特に用いる半導体の温度を高温域と低温域とに周期的に変化させるガス検出装置に関する。」（第１欄第１９−２２行）、
　
ウ）「この考案は、１つのガスセンサで、メタン、イソブタン等の可燃性ガスと、一酸化炭素とを検出することを課題とする。またこの考案は、センサの検出周期を短縮し、かつ同時に、水素に対する一酸化炭素の選択性を得ることを課題とする。」（第３欄第９−１４行）、
　
エ）「図において、２はガスセンサ、４，６はヒータ兼用の電極で、ここでは金属酸化物半導体としてＳｎＯ２に少量のＰｄ触媒を添加したものを用いる。センサの温度は高温域の定常値で４００℃、低温域の定常値で８０℃である。」（第４欄第８−１２行）、
　
オ）「８は電源で、その出力（＋ＶＣＣ）を装置全体の電源とし、１０は例えば１２０秒周期で動作するタイマで最初の３０秒間はハイ信号Ｈを、残る９０秒間はロウ信号Ｌを発する。」（第４欄第１９−２２行）、
　
カ）「１２はヒータ電源で、センサ２を高温域に加熱するためのハイ出力と、低温域に加熱するためのロウ出力を発する２値電源である。電源１２は例えばデューティ比制御によるものとし、出力電圧自体は一定としても良い。」（第４欄第４２行−第５欄第２行）　
　
キ）「１４，１６はセンサ２の２つのヒータ４，６を共に加熱するためのダイオード、１８は検出電圧ＶＣＣをセンサ２に加えるためのアナログスイッチである。」（第５欄第３−６行）、
　
ク）「３４は負荷抵抗（ここでは１０ＫΩ）で、その出力（Ｖｒｌ）をセンサ出力とする。」（第５欄第１４−１６行）、
　
ケ）「第４図に、４００℃の定常状態から８０℃へセンサ２を冷却した際の、過渡特性を示す。なお周囲の温度２０℃、湿度６０％である。一酸化炭素では、出力は一旦低下した後徐々に増大し、その応答は緩慢である。水素中では一旦ピークが生じた後、徐々に出力が低下する。そして１００ｐｐｍの一酸化炭素を、１０００ｐｐｍの水素と区別して検出するには、３０〜４０秒を要する。なお活性炭を用いない場合のエタノールへの応答は、水素の場合と類似する。次にメタンに対する出力は、温度変化後直ちに低下する。」（第６欄第１２−２２行）、
　
コ）「［実施例の動作］第２図に、実施例の動作に対する波形図を示す。ガスが存在しない場合、センサ２はタイマ１０の信号により３０秒間高温域に加熱される。高温域の最初に、信号Ｓｂ’によりフリップ・フロップ５４がリセットされ、以後信号Ｓｂと比較回路４８により、一酸化炭素や水素に対するピークの検出が行われる。ピークが存在しない場合、フリップ・フロップ５４はセットされず、加熱周期はそのまま保たれる。次いで高温域の終了直前に、信号Ｓｂと比較回路３８により、メタンの検出が行われる。メタンが存在するとＤ．Ｅ．Ｆ４０が動作するが、ここではメタンが無いものとする。センサ２はその後、タイマ１０の信号Ｌにより低温域に加熱され、３０秒経過後に信号Ｓｄによりタイマ１０がリセットされ、センサ２は再び高温域に加熱される。この実施例ではこの期間中何等の検出を行わず、低温域への保持は単に高温域への移行時にピークを生じさせるためだけに用いる。勿論低温域における出力を適当に利用しても良い。」（第６欄第２３行−第７欄第１行」、
　
サ）「ＣＯあるいは水素が存在する場合、高温域への移行後にピークが生じる。このピークを比較回路４８により検出し、信号Ｓｂによりフリップ・フロップ５４に読み込む。次いでこの信号Ｆにより……、リセット信号Ｓｄをカットし、低温域への保持時間を６０秒延長する。この時間の終了直前（低温域への保持時間は合計９０秒）、信号Ｓｃと比較回路６０とにより、一酸化炭素を検出する。第４図から明らかな様に、９０秒後には充分な一酸化炭素への選択性が得られ、その結果をＤ．Ｅ．Ｆ６２に読み込む。」（第７欄第２−１３行）、
　
シ）「水素に対する一酸化炭素の選択性を得ることができる。」（第８欄第２４−２５行）、
　が記載されており、
　
ス）第１図には、ガスセンサ２内にヒータ兼用の電極４と６が内蔵されている様子が示されており、また、該ガスセンサ２のヒータ兼用電極４の一端が直列接続される負荷抵抗３４のグランド側端と、ヒータ兼用電極６の検出電圧ＶＣＣ側との間に、検出電圧ＶＣＣを印加するものであり、ＶＲＬをセンサ出力とする回路であることも示されている。［回路について、段落オ）に「８は電源で、その出力（＋ＶＣＣ）を装置全体の電源とし」、落段落キ）に「検出電圧ＶＣＣをセンサ２に加える」と記載があり、段落ク）に「３４は負荷抵抗（ここでは１０ＫΩ）で、その出力（Ｖｒｌ）をセンサ出力とする。」と説明がある点も参照。段落ク）中で、Ｖｒｌと表記しているものは、第１図のＶＲＬと同じ内容のものである。］
　
セ）第４図は、縦軸を出力（ＶＲＬ）として、時間経過とともに、ＣＯガスの場合、水素ガスの場合、メタンガスの場合、空気の場合に出力がどのように変化するか、線図表示したものであり、それをみると、空気の場合は、時間が経過しても、出力（ＶＲＬ）はきわめて低いままで推移することが明らかである。
　
６．刊行物に記載の発明
６．１　刊行物６記載のＡ発明
　刊行物６に記載のガスセンサは、ア）の記載により、ガスにより抵抗値が変化する金属酸化物半導体、つまりガス感応金属酸化物半導体を用いたものであることが明らかであり、ス）で記載したとおり、ヒータ兼用の電極４，６が、加熱対象のガス感応金属酸化物半導体に埋設されていることが明らかであり、このガスセンサは、ヒータ兼用の電極４，６間のガス感応酸化物半導体の抵抗値の変化を検知することによって、ガスを検知する形式のものであることが明らかである。
　そして、ア）に、「ガスにより抵抗値が変化する金属酸化物半導体を用いたガスセンサの加熱温度を、高温域と低温域とに交互に周期的に変化させるようにしたガス検出装置」であることが記載され、高温域に加熱したり、低温域に加熱したりさせるために、内蔵ヒータ４，６に印加する電圧を与える電源について、カ）「１２はヒータ電源で、センサ２を高温域に加熱するためのハイ出力と、低温域に加熱するためのロウ出力を発する２値電源である。……」と記載されているから、刊行物６には、内蔵ヒータに印加する電圧を高くする高温状態期間（高温域の期間）と、印加電圧を低くする低温状態期間とを交互に繰り返すことが記載されている。
　また、ケ），サ）、シ）及びセ）により、低温状態期間におけるガス種のレスポンス特性の変化の相違に基づいて検知対象ガスであるＣＯガスを水素ガスないし空気（ＣＯガスを含まない空気）から弁別するガス検知方法が記載されているということができる。
　そして、高温状態期間は、３０秒間と固定されているが、低温状態期間については、オ）で９０秒間ロー信号Ｌを発するタイマを用いるものであり、サ）で記載のように、ＣＯや水素が存在して高温域への移行後にピークが生じると、ＣＯと水素の弁別のために９０秒間を固定された低温状態期間とするのであるが、そのピークを生じない場合は、コ）で記載のように、低温状態期間は３０秒にと短縮するものである。
　したがって、刊行物６には、
　ガス感応金属酸化物半導体中にヒータ兼用電極４と６を埋設したガスセンサを用い、該ガスセンサの内蔵ヒータ４，６に印加する電圧を高くする高温状態期間と、印加電圧を低くしてガスの検知を行う低温状態期間とを交互に繰り返し、低温状態期間におけるガス種のレスポンス特性の変化の相違に基づいて検知対象ガスであるＣＯガスを水素ガスないし空気（ＣＯガスを含まない空気）から弁別することを特徴とするガス検知方法であって、
　高温状態期間は固定されているが、低温状態期間は、高温状態期間にＣＯや水素の存在に係る高温域への移行後のピークが検出されない場合は、ＣＯと水素の弁別のために必要な固定された低温状態期間を採用せず、低温状態期間を短縮するガス検知方法（以下で、「刊行物６記載のＡ発明」という）　の発明が記載されている。
　
６．２　刊行物６記載のＢ発明
　そしてまた、刊行物６には、内蔵ヒータ４，６に印加する電圧について、カ）「……。電源１２は例えばデューティ比制御によるものとし、出力電圧自体は一定としても良い。」との記載があるので、
　刊行物６には、
　ガス感応金属酸化物半導体中にヒータ兼用電極４と６を埋設したガスセンサであって、ヒータ電源電圧を一定とし、デューティー比制御を用い、該ガスセンサの内蔵ヒータ４，６に電圧を印加して、温度を高くする高温状態期間と、温度を低くしてガスの検知を行う低温状態期間とを交互に繰り返し、低温状態期間におけるガス種のレスポンス特性の変化の相違に基づいて検知対象ガスであるＣＯガスを水素ガスないし空気（ＣＯガスを含まない空気）から弁別することを特徴とするガス検知方法であって、
　高温状態期間は固定されているが、低温状態期間は、高温状態期間にＣＯや水素の存在に係る高温域への移行後のピークが検出されない場合は、ＣＯと水素の弁別のために必要な固定された低温状態期間を採用せず、低温状態期間を短縮するガス検知方法（以下で、「刊行物６記載のＢ発明」という）　の発明が記載されている。
　
６．３　刊行物２記載の発明
　刊行物２の記載と、「応用１」及び「応用２」の回路図示からみて、刊行物２には、
　ＳＢガスセンサを用い、ＳＢガスセンサ外に導出した検知電極（２）の一端が直列接続される負荷抵抗（ＶＲ３とＲ２）の他端と、ヒータ兼用電極コイルのグラウンド側端（１）との間に定電圧（５Ｖ）を印加する定電圧源と、ガス感応半導体外に導出したヒータ兼用電極コイルの両端（１と３）間に直流のヒータ電圧を間歇的に印加（パルス駆動）するとともに、ヒータ電圧を制御するものであって、ガスセンサの検知電極の電圧（ＶＲＬ）をガス検出信号として取り出すことを特徴とするガス検出装置、
　の発明が記載されている。（以下で「刊行物２記載の発明」という）
　
７．対比・検討
７．１　本件第１発明について（刊行物６記載のＡ発明との対比・検討）
　本件第１発明と、刊行物６記載のＡ発明を対比すると、刊行物６記載のＡ発明の、検知対象ガスであるＣＯガスが、本件第１発明の「検知対象ガス」に相当し、ＣＯガスが、本件第１発明でいう「低温で感度ピークを持つガス」に該当することも明らかである（本件の特許明細書段落０００３を参照）から、両者は、
　ガス感応金属酸化半導体中にヒータ兼用電極を埋設したガスセンサを用い、該ガスセンサの内蔵ヒータに印加する電圧を高くする高温状態期間と、印加電圧を低くして低温で感度ピークを持つガスの検知を行う低温状態期間とを交互に繰り返し、低温状態期間におけるガス種のレスポンス特性の変化の相違に基づいて検知対象ガスを弁別することを特徴とするガス検知方法、
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１
　本件第１発明は、ガスセンサが、「円球、楕円球等の略球体状に形成されたガス感応金属酸化半導体中に貴金属線からなるヒータ兼用電極コイルを埋設するとともにヒータ兼用電極コイルの内部に貴金属からなる検知電極を設けて形成され、ヒータ兼用電極コイルの長手方向に対応するガス感応金属酸化半導体の外形寸法を約０．８ｍｍ以下とし且つ上記長手方向に直交する外形寸法を約０．７ｍｍ以下としたガスセンサ」（以下で、前記「　」書きのガスセンサを、「ガスセンサＡ」という）であるのに対し、
　刊行物６記載のＡ発明は、ガスセンサが、ガスにより抵抗値が変わるガス感応金属酸化半導体中にヒータ兼用電極を２個埋設したものに過ぎず、センサ寸法についても記載がない点。
　
　相違点２
　本件第１発明は、高温状態期間と低温状態期間とを夫々の期間を固定しているのに対し、
　刊行物６記載のＡ発明は、高温状態期間は固定されているが、低温状態期間は、高温状態期間にＣＯや水素の存在に係る高温域への移行後のピークが検出されない場合は、ＣＯと水素の弁別に必要な固定された低温状態期間の長さを採用することなく、低温状態期間を短縮するものである点。
　
　相違点３
　本件第１発明は、「ガスセンサのクリーニングを行う高温状態期間」であるのに対し、
　刊行物６記載のＡ発明は、高温状態期間にガスセンサのクリーニングを行うことについて、記載がない点。
　
　前記相違点について検討すると、
　相違点１について
（i）刊行物１には、「ガスセンサＡ」（刊行物１では「ガスセンサＡ」を「ＳＢガスセンサ」と呼称している）が記載されており、また、刊行物３には、楕円球に形成されたガス感応金属酸化半導体中に貴金属線からなるヒータ兼用電極コイルを埋設するとともにヒータ兼用電極コイルの内部に貴金属からなる検知電極を設けて形成されたガスセンサであって、ヒータ兼用電極コイルの内径が１５０μ（０．１５ｍｍ）であるものが記載され、この刊行物３の図１には、コイルの内径が１５０μ（０．１５ｍｍ）というコイルの図示表示の大きさから見て、長手方向に対応するガス感応金属酸化半導体の外形寸法が約０．７ｍｍ程度で、且つ上記長手方向に直交する外形寸法が、０．３ｍｍ程度とその大きさが推し量れるように描かれたガスセンサが図示されており、それは、「ガスセンサＡ」であるということができ、「ガスセンサＡ」は、本願出願時に従来周知であると認められる。
（ii）刊行物４には、「金属酸化物半導体の抵抗値の変化を利用したガスセンサの温度を高温域と低温域とに交互に変化させ、低温域でのガスセンサ出力から被検出ガスを検出する方法において」（１頁左下欄第４−７行）、一対のヒータ兼用電極を用いたセンサ（第４図参照）に代えて、ヒータ兼用電極コイル１６の中心透孔内に貫挿するよう線状の検知電極１４を配置して、該ヒータ兼用電極コイル１６と、検知電極１４の間を金属酸化物半導体で充たしてなる構造のガスセンサ（第５図参照）を採用してもよいというセンサの変更態様が記載されている。
　したがって、前記（i），（ii）より、刊行物６記載のＡ発明において、「ガスセンサＡ」を採用することは、当業者が容易に想到できたものである。　
　
　相違点２について
　刊行物５は、酸化スズ半導体から成るガス感応体を加熱、冷却の繰り返しにより交互に低温状態と高温状態にして、その低温状態のガス感応体により一酸化炭素ガスを検出するものであり、「１回のヒートサイクルに要する時間を３０秒程度にまで短縮できた」（第３頁左上欄第２−４行）というものであるが、各温度期間の設定の仕方について特段の記載がないから、高温状態期間と、低温状態期間は固定されているものと考えるのが普通である。したがって、刊行物５に記載の事項を参酌すれば刊行物６記載のＡ発明において、単に、高温状態期間を固定するのみならず低温状態期間も固定して、低温状態期間において、ＣＯガスと空気（ＣＯガスを含まない空気である）を弁別することは当業者が適宜採用する設計的事項である。
　例えば、刊行物６のサ）、シ）で、低温状態期間を９０秒にすれば、ＣＯと水素の充分な選択性が得られて便宜であることが記載されているのであるから、刊行物６記載のＡ発明において、低温状態期間を３０秒に短縮したり、９０秒に延長したりと選択可能とせず、いつでも低温状態期間を９０秒であるように固定する程度のことは、当業者が必要に応じ適宜選択できた程度の設計的事項である。［勿論、「相違点１について」で記載した「ガスセンサＡ」は熱容量が小さいセンサなのであるから、高温状態期間、低温状態期間それぞれの固定時間は、３０秒、９０秒よりもはるかに少なくて済むのはいうまでもないことである。］
　
　相違点３について
　刊行物５に「ガス感応体（５）の表面の汚れを前記高温状態において除去する一酸化炭素ガス検出方法」（第１頁左下欄第１０−１２行）と記載があり、刊行物８に「半導体型のＣＯガスセンサ」（第２頁下段左欄第１６−１７行）について「高低２つの電圧で２段階に加熱するダブルヒータ電源を有し一定周期で短時間高電圧を印加してクリーニングするＣＯガスセンサ」（第１頁左下欄第５−７行）と記載があるように、高温状態期間でガスセンサのクリーニングを行うことは従来周知であるから、刊行物６記載のＡ発明において、高温状態期間でガスセンサのクリーニングをさせるようにすることは、当業者が普通に採用する事項である。　　
　
　そして、相違点１−３を総合的に判断しても、本件第１発明の効果は予想範囲内のものであり、当業者が刊行物１，３−６，８に記載された発明及び従来周知技術に基づいて、容易に発明できたものである。
　
７．２　本件第２発明について（刊行物６のＢ発明との対比・検討）
　本件第２発明は、本件第１発明を引用するもので、「高温状態期間、低温状態期間の印加電圧は各期間において所定周期で断続させた電圧の平均値により設定した」と、印加電圧についての限定を付加したものであるが、この記載は、本件特許明細書の段落【００３３】の「オンデュティが０．４ｍｓｅｃで周期が１０ｍｓｅｃのパルス信号でトランジスタＱをオンオフしてヒータ兼用電極コイル２ａの印加電力の平均値が電圧換算で約０．９Ｖになるようにし」、【００３４】の「オンデュティが０．０３ｍｓｅｃで周期が１０ｍｓｅｃのパルス信号でトランジスタＱをオンオフしてヒータ２ａの印加電圧の平均値が約０．２Ｖになるようにし」との記載を参酌すると、デューティ比制御で、高温状態になるようにヒータに電圧印加したり、低温状態になるようにヒータに電圧印加する、つまり、デューティ比が大だと、印加される平均電圧は高くなり、デューティ比が小だと、印加される平均電圧は低くなる、ということと解される。　
　
　対比・検討
　本件第２発明と刊行物６のＢ発明を対比すると、刊行物６のＢ発明には、デューティ比制御で、高温状態になるようにヒータに電圧印加したり、低温状態になるようにヒータに電圧印加することが記載されているから、当然にそれらは、高い平均電圧をヒータに印加したり、低い平均電圧をヒータに印加したりするということを意味するものであり、ヒータ加熱のための印加電圧に関して、両者に差異は認められない。
　したがって、両者は、前記７．１で記載の相違点１，２，３それぞれにおいて「刊行物１のＡ発明」とあるのを、「刊行物１のＢ発明」と読み替えてなる相違点で相違するだけで、その他は全て一致する。
　そして、前記読替をした相違点についての検討結果は、前記７．１で相違点１，２，３について示した検討結果と同じである。　
　よって、本件第２発明も、当業者が刊行物１，３−６，８に記載された発明及び従来周知技術に基づいて容易に発明できたものである。
　
７．３　本件第３発明について（刊行物６記載のＡ発明との対比・検討）
　本件第３発明は、本件第１発明を引用するもので、「検知対象ガスのレスポンス特性が非検知対象のガスのレスポンス特性より離れる様に低温状態期間の長さ及び印加電圧を設定する」との限定を付加したものである。
　
　対比・検討
　本件第３発明と、刊行物６記載のＡ発明を対比すると、両者は、前記７．１で示した点で一致し、前記７．１で示した相違点１，２，３で相違する他に、次の相違点４で相違する。
　相違点４
　本件第３発明は、検知対象ガスのレスポンス特性が非検知対象のガスのレスポンス特性より離れる様に低温状態期間の長さ及び印加電圧を設定するものであるのに対し、刊行物６記載のＡ発明はそれについて記載がない点。
　
　前記相違点について検討すると、
　相違点１，２，３についての検討結果は、前記７．１で示したとおりである。
　
　相違点４について
　検知対象ガスのレスポンス特性が非検知対象のガスのレスポンス特性より離れる様に低温状態期間の長さ及び印加電圧を設定することは、刊行物６のサ）、シ）で低温状態期間の長さを変えて選択性を得ることが示唆されていることを考慮すれば、当業者が普通に考える設計的事項に過ぎない。
　よって、本件第３発明も、当業者が刊行物１，３−６，８に記載された発明及び従来周知技術に基づいて容易に発明できたものである。
　
７．４　本件第４発明について（刊行物２記載の発明との対比・検討）
　本件第４発明と、刊行物２記載の発明を対比すると、両者は、
　ヒータ兼用電極コイルを有するガスセンサを用い、該ガスセンサの検知電極の一端が直列接続される負荷抵抗の他端と、ヒータ兼用電極コイルのグランド側端との間に定電圧を印加する定電圧電源と、ガス感応半導体外に導出したヒータ兼用電極コイルの両端間に直流のヒータ電圧を間歇的に印加するとともに、ヒータ電圧を制御するものであって、ガスセンサの検知電極の電圧をガス検出信号として取り出すことを特徴とするガス検出装置、
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点1
　本件第４発明のガスセンサが「円球、楕円球等の略球体状に形成されたガス感応金属酸化半導体中に貴金属線からなるヒータ兼用電極コイルを埋設するとともにヒータ兼用電極コイルの内部に貴金属からなる検知電極を設けて形成され、ヒータ兼用電極コイルの長手方向に対応するガス感応金属酸化半導体の外形寸法を約０．８ｍｍ以下とし且つ上記長手方向に直交する外形寸法を約０．７ｍｍ以下としたガスセンサ」であるのに対し、
　刊行物２記載の発明のガスセンサは、ヒータ兼用電極コイルを有するＳＢガスセンサである点。
　
　相違点２
　本件第４発明は、「印加期間を周期的に変化させてガスセンサの温度を周期的に変化させ夫々の期間を固定した高温状態期間と低温状態期間とを設定する温度制御手段」を備えているのに、
　刊行物２記載の発明は、ヒータ電圧をトランジスタで制御し、ＳＢガスセンサのヒータを加熱しているものである点。
　
　相違点３
　本件第４発明は、「ガスセンサの検知電極の電圧をガス検出信号として取り込み、低温で感度ピークを持つガス種の、低温状態期間におけるレスポンス特性の変化の相違に基づいて検知対象ガスを弁別するガス検出手段を備えた」ものであるのに、
　刊行物２記載の発明は、ガスセンサの検知電極の電圧をガス検出信号として取り出すものである点。　
　
　前記相違点について検討すると、
　相違点１について
　刊行物１に記載・図示されたＳＢガスセンサは、円球、楕円球等の略球体状に形成されたガス感応金属酸化半導体中に貴金属線からなるヒータ兼用電極コイルを埋設するとともにヒータ兼用電極コイルの内部に貴金属からなる検知電極を設けて形成され、ヒータ兼用電極コイルの長手方向に対応するガス感応金属酸化半導体の外形寸法を約０．８ｍｍ以下とし且つ上記長手方向に直交する外形寸法を約０．７ｍｍ以下としたガスセンサであることが明らかである。
　刊行物２に記載・図示されたＳＢガスセンサと刊行物１に記載・図示されたＳＢガスセンサは、 SB  SERIES　という表記で同一であり、回路記号も同一であり、さらに刊行物２の「応用１」の検出電圧（ＶＲＬ）の取り出し方と一致するところ、刊行物２には「応用１」の回路でも「応用２」の回路でもＳＢガスセンサの駆動及び検出が可能であることが記載・図示されているから、刊行物２の「応用１」ないし「応用２」の回路に使用されるＳＢガスセンサとして刊行物１に記載されたＳＢガスセンサを使用することに困難性はなく、相違点１は当業者が容易になしえたことである。
　
　相違点２について
　刊行物４には、刊行物１および刊行物２に記載図示されたＳＢガスセンサと同様の、ヒータ兼用電極コイル１６の中心透孔内に貫挿するよう線状の検知電極１４を配置して、該ヒータ兼用電極コイル１６と、検知電極１４の間を金属酸化物半導体で充たしてなる構造のガスセンサ（第５図参照）、の使用方法として、「金属酸化物半導体の抵抗値の変化を利用したガスセンサの温度を高温域と低温域とに交互に変化させ、低温域でのガスセンサ出力から被検出ガスを検出する方法」（第１頁下段左欄第４−７行）が記載されており、タイマ回路を内蔵した制御回路４０を用い、直流ヒータ電源３２の電圧を最初の１０秒間はスイッチを閉じてセンサを高温域に加熱し、次の１０秒間はスイッチを解放して電圧を印加しないようにして、センサを低温域に保持する装置が記載されており（第６図及び第２頁下段右欄第７行−１５行）、刊行物４のセンサと同様のＳＢガスセンサを使用した刊行物２記載の発明において、ヒータ電圧をトランジスタで制御してＳＢガスセンサのヒータを加熱していることは、高温状態を作り出すことであると解されるところ、ヒータ電圧をトランジスタで制御して高温状態を作り出せる以上、より低い電力効果もトランジスタの制御により作り出せることは当業者にとって明らかであり、したがって刊行物２記載の発明において、ヒータ電圧を制御することで高温状態期間と低温状態期間とを交互に作り出すようにすることは、当業者が容易に想到できた事項である。
　そして前記したとおり、刊行物６により、高温状態期間や低温状態期間の実現手段として、ヒータへの印加電圧についてデューティ比制御を採用することが従来周知であるから、刊行物２記載の発明で、トランジスタでデューティ比制御をする、つまり電圧を間歇的に印加することは、当業者が必要に応じて適宜採用する設計事項である。
　
　相違点３について
　本件第４発明の「低温で感度ピークを持つガス種」は、本件明細書段落０００３の記載で明らかなように、ＣＯガスが含まれる。
　そして前記６．１で刊行物６について、「ケ），サ）、シ）及び図４には、低温状態期間（低温域の期間）において、ＣＯガス（一酸化炭素）の検知を行うこと及び、低温状態期間に、ガス種のレスポンス特性の変化の相違に基づいて水素に対するＣＯガスの選択性を得ることが出来ることが記載されており、また、セ）により、ＣＯガスと空気（ＣＯガスを含まない空気である）との選択性が得られるものであることも明らかであり」と記載したとおり、低温で感度ピークを持つガス種の、低温状態期間におけるレスポンス特性の変化の相違に基づいて検知対象ガスを弁別（例えば、検知対象ガスをＣＯガスとした場合、ＣＯガスと、そうでないガスとを弁別）することは、従来周知であり、それを実現するための装置も、刊行物７で明らかなように従来周知である。
　すなわち、刊行物７の第３頁に記載の［実施例２］は、ＣＯとＨ２Ｏとの分離検出の例であり、センサの温度を周期的に変化させて、低温側でＣＯに選択的な出力を得ることに関しており、ＳｎＯ２のガス感応金属酸化半導体ガスセンサ（２）の検知電極の電圧をガス検出信号（サンプリング出力ｖ１，ｖ２）として取り出すものであって、該サンプリング出力ｖ１，ｖ２について、「ヒータオフ後所定の時間経過後（時刻Ｔ０）からの時間を基準にサンプリング時期Ｔ１、Ｔ２を定める。……。そしてＴ１（通常１０〜３０秒後）での出力ｖ１を、Ｔ２（通常６０から１２０秒後）での出力ｖ２で補償すれば、例えば、ｖ１−ｍ・ｖ２（ｍ＜１）を出力とすれば、ＣＯを検出できる。逆の処理を施せば、Ｈ２Ｏ濃度を求められる。第５図に装置の回路構成を、第６図にその動作を示す。……、６２はＣＯ検出用の演算回路、６４は水蒸気検出用の演算回路である。６６はＣＯ濃度の表示回路、６８は水蒸気濃度の表示回路である。」（第３頁右上欄第１行−左下欄第１行）と記載されているとおり、ガスセンサの出力を演算回路を用いることで、検知対象ガスを弁別するガス検出手段が示されている。
　したがって、刊行物２記載の発明において、ガスセンサの検知電極の電圧をガス検出信号として取り込み、低温で感度ピークを持つガス種の、低温状態期間におけるレスポンス特性の変化の相違に基づいて検知対象ガスを弁別するガス検出手段を採用することは、当業者が容易に想到できたものである。
　
　そして、相違点１−３を総合的に判断しても、本件第４発明は、刊行物１，２，４，６，７に記載された発明及び従来周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
８．むすび
　以上のとおり、本件第１ないし第４発明は、刊行物１ないし７に記載された発明および従来周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし４に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、被請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。