【事件の表示】
　平成７年特許願第１１５３２０号「アクティブマトリクス基板及びこれを用いた液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成８年１月１９日出願公開、特開平８−１８０６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成７年４月１８日（優先日、平成６年４月２６日）の出願であって、平成１６年５月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１６年６月２１日付けの手続補正について
[補正却下の結論]
　平成１６年６月２１日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　平成１６年６月２１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成１５年１０月２０日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３を次のとおり補正する（以下、補正前の請求項１ないし請求項３を「補正前請求項１」ないし「補正前請求項３」といい、補正後の請求項１ないし請求項３を「補正後請求項１」ないし「補正後請求項３」という。）とともに、発明の名称及び明細書の００１２段落を補正するものである。
「【請求項１】　透明基板上に、第１ゲート電極と、第１ゲート絶縁膜と、チャネル、ソース及びドレイン領域を有する多結晶シリコン半導体層と、少なくとも該チャネルと接する領域が二酸化シリコン膜からなる第２ゲート絶縁膜と、第２ゲート電極と、を順に設けてなる電界効果型の薄膜トランジスタ、並びに、ゲート配線を有するアクティブマトリクス基板であって、上記第１ゲート電極が少なくともシリコン層とケイ化金属層の２層を有し、且つ、上記多結晶シリコン半導体層への光の透過率が０．１％以下に設定され、上記第１ゲート絶縁膜の少なくともチャネルと接する領域が二酸化シリコン膜からなり、上記第２ゲート電極がケイ化金属層を有し、上記ゲート配線が少なくともシリコン層とケイ化金属層の２層を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板。
　　【請求項２】　第１ゲート電極がケイ化金属層を挟んで上下にシリコン層を設けた３層構造を有することを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
　　【請求項３】　上記請求項１または２に記載のアクティブマトリクス基板と液晶とを有することを特徴とする液晶表示装置。」
　
２．本件補正についての検討
（１）補正事項の整理
　補正事項を整理すると以下のとおりである。
・補正事項１
　「チャネル及びソース、ドレイン領域からなる多結晶シリコン半導体層」（補正前請求項１）を、「チャネル、ソース及びドレイン領域を有する多結晶シリコン半導体層」（補正後請求項１）と補正する。
・補正事項２
　「薄膜トランジスタであって」（補正前請求項１）を、「薄膜トランジスタ、並びに、ゲート配線を有するアクティブマトリクス基板であって」（補正後請求項１）と補正する。
・補正事項３
　「上記第１ゲート電極が少なくともシリコン層とケイ化金属層の２層からなり」（補正前請求項１）を、「上記第１ゲート電極が少なくともシリコン層とケイ化金属層の２層を有し、且つ、上記多結晶シリコン半導体層への光の透過率が０．１％以下に設定され」（補正後請求項１）と補正する。
・補正事項４
　「上記第２ゲート電極がケイ化金属層からなる」（補正前請求項１）を、「上記第２ゲート電極がケイ化金属層を有し、上記ゲート配線が少なくともシリコン層とケイ化金属層の２層を有する」（補正後請求項１）と補正する。
・補正事項５
　「を特徴とする薄膜トランジスタ」（補正前請求項１）を、「を特徴とするアクティブマトリクス基板」（補正後請求項１）と補正する。
・補正事項６
　「を特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ」（補正後請求項２）を、「を特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板」（補正後請求項２）と補正する。
・補正事項７
　「液晶を駆動するアクティブマトリクス基板のスイッチング素子として、請求項１または２に記載の薄膜トランジスタを用いたことを特徴とする液晶表示装置」（補正前請求項３）を、「上記請求項１または２に記載のアクティブマトリクス基板と液晶とを有することを特徴とする液晶表示装置」（補正後請求項３）と補正する。
・補正事項８
　発明の名称の「薄膜トランジスタ及び液晶表示装置」を、「アクティブマトリクス基板及びこれを用いた液晶表示装置」と補正する。
・補正事項９
　明細書の００１２段落を変更する。
　
（２）補正の目的の適否・新規事項の有無
・補正事項１について
　補正事項１は、「多結晶シリコン半導体層」について、「チャネル及びソース、ドレイン領域からなる」を、「チャネル、ソース及びドレイン領域を有する」とするものであって、これにより、「多結晶シリコン半導体層」は、「チャネル、ソース及びドレイン領域」以外の領域を含んでもいいものとなったから、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　
・補正事項２について
　補正事項２は、「薄膜トランジスタ」を、「薄膜トランジスタ、並びに、ゲート配線を有するアクティブマトリクス基板」として、補正前請求項１に係る「薄膜トランジスタ」の構成ではない「ゲート配線」を追加し、かつ、請求項１に係る発明の対象を、「薄膜トランジスタ」から「アクティブマトリクス基板」に変更するものであるから、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　
・補正事項３について
　補正事項３は、「第１ゲート電極」の構成を、「上記多結晶シリコン半導体層への光の透過率が０．１％以下に設定され」という点で限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　しかし、「光の透過率が０．１％以下に設定され」という点に関し、本件の願書に最初に添付された明細書には、「上記構成において、ゲート電極直上の透過率はλ＝５８９ｎｍで０．１％以下を示して」（００３６段落）いることが記載されているものの、この「上記構成」とは、少なくとも、「８００Å厚の多結晶シリコン層・・・を堆積させる。次に・・・二ケイ化一タングステン層・・・を２５００Å厚で堆積させる」（００２６段落）、「更に、リンドープされた多結晶シリコン層・・・を・・・１０００Å厚堆積させる」（００２７段落）、「続いて１０００℃酸素雰囲気中にて熱酸化を行ない、１０００Åの二酸化シリコン膜・・・を成長させる」（００２９段落）という各工程を経て得られたものであって、このような特定の構成において、さらに、「λ＝５８９ｎｍ」という特定の波長の光については、「光の透過率が０．１％以下を示して」いたことが記載されているにすぎず、「第１ゲート電極が少なくともシリコン層とケイ化金属層の２層を有し」ているいかなるものにおいても、「上記多結晶シリコン半導体層への光の透過率が０．１％以下に設定され」ることが開示されているものとは認められない。
　よって、補正事項３は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものではない。
　
・補正事項４について
　補正事項４は、「上記第２ゲート電極がケイ化金属層からなる」を「上記第２ゲート電極がケイ化金属層を有し、」とすること（補正事項４−１）と、「上記ゲート配線が少なくともシリコン層とケイ化金属層の２層を有する」という構成を追加すること（補正事項４−２）とに区分できる。
　補正事項４−１により、「第２ゲート電極」は「ケイ化金属層」以外に、さらに他の層を有していてもいいものとなったから、補正事項４−１は、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　補正事項４−２は、補正前請求項１に係る「薄膜トランジスタ」の構成ではない「ゲート配線」に関する構成を追加するものであるから、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　
・補正事項５について
　補正事項５は、請求項１に係る発明の対象を、「薄膜トランジスタ」から「アクティブマトリクス基板」に変更するものであるから、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　
・補正事項６について
　補正事項６は、請求項２に係る発明の対象を、「薄膜トランジスタ」から「アクティブマトリクス基板」に変更するものであるから、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　
・補正事項７について
　補正事項７は、請求項１に関する補正事項２、５及び請求項２に関する補正事項６に整合させて、請求項１または２の引用形式請求項である請求項３の記載を補正することを趣旨とするものであるから、補正事項２、５及び６と同様の理由により、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　
・補正事項８について
　補正事項８は、特許請求の範囲の補正に整合させて発明の名称を補正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
・補正事項９について
　補正事項９は、請求項１に関する補正事項１ないし５に整合させて発明の詳細な説明の記載を補正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
　したがって、補正事項１、２、４、５、６及び７は、特許法第１７条の２第３項に規定される事項を目的とするものではなく、また、補正事項３は、同条第２項の規定に適合しない。
　
（３）独立特許要件
　以上のとおり、本件補正は不適法なものであるが、仮に、本件補正が、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであったとして、独立特許要件について検討する。
　
（３−１）本件補正後の発明
　本件の補正後請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記１．のとおりのものである。
　
（３−２）引用例
・引用例１
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本件の優先日前に頒布された刊行物である特開昭５８−２１８１６９号公報（以下、「引用例１」という。）には、第４図ないし第６図とともに、以下の事項が記載されている。
「(1)　アモルフアス半導体、又は多結晶半導体薄膜を基板として用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタを構成要素とする半導体集積回路装置において、該基板の上下に、絶縁ゲート膜をかいして上部ゲート電極、下部ゲート電極を形成した事を特徴とする半導体集積回路装置。」（特許請求の範囲第１項）
「又、薄膜ＭＯＳ電界効果トランジスタを構成要素とする半導体集積回路装置の応用範囲の中には液晶表示パネルの電極パネルとして使用されるなど光を直接うける用途があり、この場合には前記したリーク電流値がさらに大きくなる。」（第２頁左上欄第７行〜第１１行）
「第４図〜第６図に例を挙げて以下に本発明について説明する。
　第４図に示すように石英ガラス基体１１の上に、気相成長SiO2１２を形成し、その上に下部ゲート電極１３を形成する。その上に気相成長SiO2膜１４を形成し、N2アニールをおこなう。そしてＰ型多結晶シリコン層１５を形成し、選択エツチングした後、熱酸化SiO2膜１６を形成する。その上に上部電極１７を形成する。
　第５図に示すように、イオン打込みによりN+拡散層１８を形成した後、リンシリケイトガラス１９を形成する。
　さらに、第６図に示すように選択エツチングによりコンタクトホールをあけ、その上にAl配線２０を形成する。」（第２頁左下欄第４行〜第１８行）
「さらに、上部ゲート電極と下部ゲート電極に不透明な電極材料を用いる事によつて、上下両方向からの光を遮断する事ができリーク電流が少なくなる。」（第２頁右下欄第７行〜第１０行）
「なお、本発明は上下とも金属ゲート電極でも、両者とも多結晶又はアモルハスのような半透明な電極、又、その両者を用いた場合でもおのおの本発明のそれぞれの効果を発揮する事ができる。」（第２頁右下欄第１６行〜第１９行）
　また、第６図を参照すれば、多結晶シリコン層１５に、ソース／ドレイン領域となる２つのN+拡散層１８が形成され、それらの間にチャネル領域が形成されていることは明らかである。
　
　よって、引用例１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
「石英ガラス基体上に、下部ゲート電極と、SiO2膜１４と、チャネル、ソース及びドレイン領域を有する多結晶シリコン層と、SiO2膜１６と、上部ゲート電極と、を順に設けてなる薄膜ＭＯＳ電界効果トランジスタを構成要素とする液晶表示パネルの電極パネルであって、上記下部ゲート電極に不透明な電極材料を用いることによって、下方向からの光を遮断することを特徴とする電極パネル。」
　
・引用例２
　また、原査定の拒絶の理由に引用された、本件の優先日前に頒布された刊行物である特開平６−２１０９８号公報（以下、「引用例２」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）に関し、以下の事項が記載されている。
「【００１７】ゲート電極層１０２は多結晶シリコン膜で、ＬＰＣＶＤ法（減圧ＣＶＤ法）により成膜したものである。・・・また、材料としては多結晶シリコンの他にＭｏ、Ｗ、Ｔｉを利用したシリサイド膜を利用しても良い。例えばタングステンシリサイド＋多結晶シリコンの様な２層構造や、多結晶シリコン＋タングステンシリサイド＋多結晶シリコンの様な３層構造とすると、ゲート電極の低抵抗化を図ることができる。」（００１７段落）
　
（３−３）対比・検討
　本件補正発明と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「石英ガラス基体」、「下部ゲート電極」、「多結晶シリコン層」、「上部ゲート電極」及び「薄膜ＭＯＳ電界効果トランジスタ」は、本件補正発明の「透明基板」、「第１ゲート電極」、「多結晶シリコン半導体層」、「第２ゲート電極」及び「電界効果型の薄膜トランジスタ」にそれぞれ相当する。
　引用発明１の「SiO2膜１４」及び「SiO2膜１６」は、本件補正発明の「第１ゲート絶縁膜」及び「第２ゲート絶縁膜」にそれぞれ対応するとともに、「SiO2膜１４」及び「SiO2膜１６」の、それぞれ、チャネル領域を含む「多結晶シリコン層」と接する部分が、二酸化シリコン膜からなることは明らかであるから、引用発明１の「SiO2膜１４」は、本件補正発明の「第１ゲート絶縁膜」及び「上記第１ゲート絶縁膜の少なくともチャネルと接する領域が二酸化シリコン膜からな」ることに相当し、引用発明１の「SiO2膜１６」は、本件補正発明の「少なくとも該チャネルと接する領域が二酸化シリコン膜からなる第２ゲート絶縁膜」に相当する。
　引用発明１の「薄膜ＭＯＳ電界効果トランジスタを構成要素とする液晶表示パネルの電極パネル」が、薄膜ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）をアクティブエレメントとするアクティブマトリクス型ＬＣＤの基板部分を意味することは、当業者にとって明らかである（必要であれば、小林駿介編著、カラー液晶ディスプレイ、初版第２刷、平成４年１月１０日、産業図書株式会社、ｐ．１３７−ｐ．１６４を参照。）から、引用発明１の「薄膜ＭＯＳ電界効果トランジスタを構成要素とする液晶表示パネルの電極パネル」は、本件補正発明の「電界効果型の薄膜トランジスタ」「を有するアクティブマトリクス基板」に相当する。
　引用発明１の「上記下部ゲート電極に不透明な電極材料を用いることによって、下方向からの光を遮断すること」は、「下部ゲート電極」が光を透過させないように構成するものであるから、本件補正発明の「上記第１ゲート電極が」「上記多結晶シリコン半導体層への光の透過率が」所定の値「以下に設定され」たことに相当する。
　
　よって、本件補正発明と引用発明１とは、
「透明基板上に、第１ゲート電極と、第１ゲート絶縁膜と、チャネル、ソース及びドレイン領域を有する多結晶シリコン半導体層と、少なくとも該チャネルと接する領域が二酸化シリコン膜からなる第２ゲート絶縁膜と、第２ゲート電極と、を順に設けてなる電界効果型の薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス基板であって、上記第１ゲート電極が上記多結晶シリコン半導体層への光の透過率が所定の値以下に設定され、上記第１ゲート絶縁膜の少なくともチャネルと接する領域が二酸化シリコン膜からなることを特徴とするアクティブマトリクス基板。」
である点で一致し、以下の点で相違している。
　
・相違点１
　本件補正発明は、「電界効果型の薄膜トランジスタ、並びに、ゲート配線を有するアクティブマトリクス基板」であって、「上記ゲート配線が少なくともシリコン層とケイ化金属層の２層を有する」ものであるのに対して、引用発明１は、「薄膜ＭＯＳ電界効果トランジスタを構成要素とする液晶表示パネルの電極パネル」であるが、ゲート配線を有するものか不明である点。
　
・相違点２
　本件補正発明は、「上記第１ゲート電極が少なくともシリコン層とケイ化金属層の２層を有し、且つ、上記多結晶シリコン半導体層への光の透過率が０．１％以下に設定され」たものであるのに対して、引用発明１は、「上記下部ゲート電極に不透明な電極材料を用いることによって、下方向からの光を遮断する」ものである点。
　
・相違点３
　本件補正発明は、「上記第２ゲート電極がケイ化金属層を有し」ているのに対して、引用発明１は「上部ゲート電極」の構成が不明である点。
　
　以下、各相違点について検討する。
　
・相違点１について
　相違点１は、「ゲート配線を有する」点（相違点１−１）と、「上記ゲート配線が少なくともシリコン層とケイ化金属層の２層を有する」点（相違点１−２）とに区分できる。
　相違点１−１について、液晶表示パネルの電極パネルに限らず薄膜トランジスタを有する装置全般が、薄膜トランジスタとともに、該薄膜トランジスタのゲート電極に電気的な信号を印加するためのゲート配線を有することは、当該技術分野における技術常識であるから、引用発明１の液晶表示パネルの電極パネルも、当然、ゲート配線を有するものであり、この点は実質的な相違点ではない。
　相違点１−２について、引用例２には、ゲート電極を、タングステンシリサイド＋多結晶シリコンの様な２層構造や、多結晶シリコン＋タングステンシリサイド＋多結晶シリコンの様な３層構造にして低抵抗化することが記載されており、かつ、アクティブマトリクス基板（液晶表示パネルの電極パネル）において、ゲート電極とゲート配線とを同様の構成のものとして設けることは、小林駿介編著、カラー液晶ディスプレイ、初版第２刷、平成４年１月１０日、産業図書株式会社、ｐ．１６０（図７．１３において、ゲート電極とゲート配線が一体的に形成されている点に留意されたい。）に記載されているように、当該技術分野における慣用手段であるから、引用発明１の電極パネルが有するゲート配線に、引用例２に記載のゲート電極の低抵抗化のための技術を用いて、該ゲート電極を少なくともシリコン層とシリサイド層（ケイ化金属層）の２層を有するものとすることは、当業者が適宜なし得たものである。
　
・相違点２について
　相違点２は、「上記第１ゲート電極が少なくともシリコン層とケイ化金属層の２層を有し」ている点（相違点２−１）と「上記第１ゲート電極が」「上記多結晶シリコン半導体層への光の透過率が０．１％以下に設定され」る点（相違点２−２）とに区分できる。
　相違点２−１について、引用例２には、ゲート電極を、タングステンシリサイド＋多結晶シリコンの様な２層構造や、多結晶シリコン＋タングステンシリサイド＋多結晶シリコンの様な３層構造とすることが記載され、さらに、ゲート電極にシリサイド層（ケイ化金属層）を用いた場合に、該シリサイド層が遮光能を有することは、特開平６−４５３５５号公報（００１３段落を参照。）及び特開平６−１０２５３１号公報（００２３段落を参照。）に記載されているように、当該技術分野における周知の技術的事項であるから、引用発明１の不透明な電極材料を用いることによって、下方向からの光を遮断するように構成された下部ゲート電極を、少なくともシリコン層とシリサイド層（ケイ化金属層）の２層を有するものとすることは、当業者が適宜なし得たものである。
　相違点２−２について、引用発明１の下部ゲート電極も下方向からの光を遮断するものであり、また、本件補正発明において、「上記第１ゲート電極が」「上記多結晶シリコン半導体層への光の透過率が０．１％以下に設定され」るようにした点に、臨界的意義があるとも、また、格別の技術的困難性があったとも認められないから、引用発明１の下部ゲート電極を、光の透過率が０．１％以下に設定されるようにすることは、当業者が適宜なし得た単なる設計的事項にすぎない。
　
・相違点３について
　引用例２には、ゲート電極の材料としてＭｏ、Ｗ、Ｔｉを利用したシリサイド膜を利用できることが記載されているから、引用発明１において、「上部ゲート電極」がシリサイド層（ケイ化金属層）を有するものとすることは、当業者が適宜なし得たものである。
　
　したがって、本件補正発明は、引用例１、２及び上記周知の技術的事項から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　以上のとおり、本件補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるので、補正後請
求項２及び３に係る発明について検討するまでもなく、本件補正は、同法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に適合しないものである。
　
（４）本件補正についての検討のむすび
　上記（２）のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第２項又は第３項の規定に違反してなされたものであり、さらに、これらの違反がなかったとしても、上記（３）のとおり、特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に違反してなされたものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本件発明
（１）本件発明の認定
　平成１６年６月２１日付けの手続補正は、上記第２　のとおり却下されたので、本件の請求項に係る発明は、平成１５年１０月２０日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は次のものである。
「透明基板上に、第１ゲート電極と、第１ゲート絶縁膜と、チャネル及びソース、ドレイン領域からなる多結晶シリコン半導体層と、少なくとも該チャネルと接する領域が二酸化シリコン膜からなる第２ゲート絶縁膜と、第２ゲート電極と、を順に設けてなる電界効果型の薄膜トランジスタであって、上記第１ゲート電極が少なくともシリコン層とケイ化金属層の２層からなり、上記第１ゲート絶縁膜の少なくともチャネルと接する領域が二酸化シリコン膜からなり、上記第２ゲート電極がケイ化金属層からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　
（２）引用例
　これに対して、前出の引用例１及び２には、上記第２　２．（３−２）に示したとおりの事項が記載されており、これによれば、引用例１には次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
「石英ガラス基体上に、下部ゲート電極と、SiO2膜１４と、チャネル及びソース、ドレイン領域からなる多結晶シリコン層と、SiO2膜１６と、上部ゲート電極と、を順に設けてなることを特徴とする薄膜ＭＯＳ電界効果トランジスタ。」
　
（３）対比・判断
　本件発明と引用発明２とを対比すると、引用発明２の「石英ガラス基体」、「下部ゲート電極」、「多結晶シリコン層」、「上部ゲート電極」及び「薄膜ＭＯＳ電界効果トランジスタ」は、本件発明の「透明基板」、「第１ゲート電極」、「多結晶シリコン半導体層」、「第２ゲート電極」及び「電界効果型の薄膜トランジスタ」にそれぞれ相当する。
　引用発明２の「SiO2膜１４」及び「SiO2膜１６」は、本件発明の「第１ゲート絶縁膜」及び「第２ゲート絶縁膜」にそれぞれ対応するとともに、「SiO2膜１４」及び「SiO2膜１６」の、それぞれ、チャネル領域を含む「多結晶シリコン層」と接する部分が、二酸化シリコン膜からなることは明らかであるから、引用発明２の「SiO2膜１４」は、本件発明の「第１ゲート絶縁膜」及び「上記第１ゲート絶縁膜の少なくともチャネルと接する領域が二酸化シリコン膜からな」ることに相当し、引用発明２の「SiO2膜１６」は、本件発明の「少なくとも該チャネルと接する領域が二酸化シリコン膜からなる第２ゲート絶縁膜」に相当する。
　
　よって、本件発明と引用発明２とは、
「透明基板上に、第１ゲート電極と、第１ゲート絶縁膜と、チャネル及びソース、ドレイン領域からなる多結晶シリコン半導体層と、少なくとも該チャネルと接する領域が二酸化シリコン膜からなる第２ゲート絶縁膜と、第２ゲート電極と、を順に設けてなる電界効果型の薄膜トランジスタであって、上記第１ゲート絶縁膜の少なくともチャネルと接する領域が二酸化シリコン膜からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
である点で一致し、以下の点で相違している。
　
・相違点１
　本件発明は、「上記第１ゲート電極が少なくともシリコン層とケイ化金属層の２層からなり」、「上記第２ゲート電極がケイ化金属層からなる」ものであるのに対して、引用発明２は「下部ゲート電極」及び「上部ゲート電極」の構成が不明である点。
　しかし、引用例２には、ゲート電極の材料としてＭｏ、Ｗ、Ｔｉを利用したシリサイド膜を利用できること、また、タングステンシリサイド＋多結晶シリコンの様な２層構造や、多結晶シリコン＋タングステンシリサイド＋多結晶シリコンの様な３層構造とすることが記載されているから、引用発明２において、「下部ゲート電極」を少なくともシリコン層とシリサイド層（ケイ化金属層）の２層からなるものとし、「上部ゲート電極」をシリサイド層（ケイ化金属層）からなるものとすることは、当業者が適宜なし得たものである。
　
　したがって、本件発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本件発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、請求項２及び３に係る発明について検討するまでもなく、本件は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。