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　特願２０１６−　３０９２２「イオンビーム照射装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　８月３１日出願公開、特開２０１７−１５２０８９、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２８年２月２２日の出願であって、平成２９年５月１２日付けで拒絶理由が通知され、平成２９年６月９日付けで手続補正がされ、平成２９年１０月３０日付けで最後の拒絶理由が通知され、平成２９年１１月２９日付けで手続補正がされ、平成３０年１月１８日付けで、平成２９年１１月２９日付けの手続補正が却下されるともに拒絶査定（原査定）がされ、これに対し、平成３０年３月２９日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（平成３０年１月１８日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）　　　
・請求項１−３
・引用文献等１、２
・請求項４、６、７、８
・引用文献等１−３
引用文献等一覧
１．特開平７−８５８３３号公報
２．特開平９−２１９１７３号公報
３．特開２０１４−２２９５９９号公報
第３　審判請求時の補正について
　審判請求時の補正は、特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に適合する。
　審判請求時の補正によって、請求項１に「前記エネルギーフィルタが、前記イオンビームが通過する開口が形成されるとともに前記イオンビームの進行方向に沿って設けられた３枚以上の電極を有し、これらの電極の少なくとも１つが前記フィルタ電位となり、その他の電極が前記フィルタ電位よりも小さい電位となり、両端に配置された電極の電位が互いに等しく」との事項が追加されたところ、この補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、出願当初の請求項３に記載されているから、当該補正は新規事項を追加するものではないといえる。
　また、審判請求時の補正によって、請求項１に「前記エネルギーフィルタが、前記両端に配置された電極の間に設けられて、イオンビームの形状を制御するための形状制御電圧が印加される形状制御電極をさらに有して」いるとの事項が、請求項１に追加されたところ、この補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして、出願当初の請求項４に「前記エネルギーフィルタが、イオンビームの形状を制御するための形状制御電圧が印加される形状制御電極をさらに有している」と記載され、さらに、出願当初の請求項３には「前記エネルギーフィルタが、」「両端に配置された電極」を有しているので、エネルギーフィルタが有している形状制御電極は、エネルギーフィルタの両端に配置された電極の間に設けられているから、当該補正は新規事項を追加するものではないといえる。
　そして、「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」までに示すように、補正後の請求項１−６に係る発明は、独立特許要件を満たすものである。
第４　本願発明
　本願請求項１−６に係る発明（以下、「本願発明１」−「本願発明６」という。）は、平成３０年３月２９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−６に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　プラズマを生成するプラズマ生成部及び前記プラズマ生成部からイオンビームを引き出す引出電極を備えたイオン源と、
　前記イオン源から引き出されたイオンビームから特定の質量及び価数のドーパントイオンを選別して導出する質量分離器と、
　前記イオンビームが通過するビーム通過領域を形成するとともに、電圧が印加されて所定のフィルタ電位となり、イオンのエネルギー差を利用して、前記ビーム通過領域を通過する通過イオンと通過しない非通過イオンとを選別するエネルギーフィルタとを具備し、
　前記通過イオンに前記ドーパントイオンが含まれ、前記非通過イオンに前記質量分離器において前記ドーパントイオンとは選別されない不要イオンであって、前記プラズマ生成部と前記引出電極との間でイオン化した不要イオンの少なくとも一部が含まれるように、前記フィルタ電位が設定されており、
　前記エネルギーフィルタが、前記イオンビームが通過する開口が形成されるとともに前記イオンビームの進行方向に沿って設けられた３枚以上の電極を有し、
　これらの電極の少なくとも１つが前記フィルタ電位となり、その他の電極が前記フィルタ電位よりも小さい電位となり、
　両端に配置された電極の電位が互いに等しく、
　前記エネルギーフィルタが、前記両端に配置された電極の間に設けられて、イオンビームの形状を制御するための形状制御電圧が印加される形状制御電極をさらに有しているイオンビーム照射装置。」
　なお、本願発明２−６の概要は以下のとおりである。
　本願発明２−６は、本願発明１を減縮した発明である。
第５　引用文献、引用発明
１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審において付した。以下同様である。）。
（１）「【０００２】
【従来の技術】従来より
半導体装置等の製造に用いられているイオン注入装置
イオンを生成するイオンソース部１、所望のイオンを選ぶためのアナライザーマグネット部２、
から成り立つ構成になっている
【０００３】従来のイオン注入装置には、図５に示したような高電流イオン注入装置と、図４に示したような中電流イオン注入装置等がある。前者の高電流イオン注入装置については、低エネルギー（１０ＫｅＶ程度以下）での高電流（ビーム電流がｍＡオーダー）注入の場合に、図５に示すスリット部の図の部分で中性ビームになり易い。高電流イオン注入装置は、中電流イオン注入装置と異なり、一般にビームフィルター等の電極や７゜偏向機構もないので、基板上に中性ビームが打ち込まれてオーバードーズとなってしまう傾向がある。中電流装置の場合には、中性粒子が直接基板に打ち込まれることは少ないが、ビームフィルター等の電極を超えて中性粒子が加速管内に浮遊して入り込みビームに取り込まれてイオン化し、所望外のエネルギーのイオンが注入される要因となる。
【０００４】更に、アナライザーマグネット部２を
イオンビームが通過する際に、装置部材をビームスパッタすることにより生じたスパッタ粒子或いはスパッタによる２次イオンが重金属汚染として基板内に打ち込まれることが懸念され
この時のスパッタによる２次イオンは、荷電粒子であるので
アインツェルレンズ
で電気的に除去可能と考えられる
（２）図４の記載から、イオンソース部（イオン生成）１とアナライザーマグネット（質量分析）２との間に、引出電極（イオン引出）１１が設けられている点が見て取れ、アインツェルレンズが、イオンが通過する開口が形成されているとともにイオンの進行方向に沿って設けられた３組のフォーカス調整用電極を有している点が見て取れ、Ｑ−レンズ８１がアインツェルレンズとは異なる位置に設けられている点が見て取れる。
（３）したがって、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
                                       
「イオンを生成するイオンソース部１、
　イオンソース部（イオン生成）１とアナライザーマグネット（質量分析）２との間に、引出電極（イオン引出）１１、
　所望のイオンを選ぶためのアナライザーマグネット部２、
　イオンビームが通過する際に、装置部材をビームスパッタすることにより生じたスパッタ粒子或いはスパッタによる２次イオンが重金属汚染として基板内に打ち込まれることが懸念され、この時のスパッタによる２次イオンは、荷電粒子であるので電気的に除去可能なアインツェルレンズから成り立つ構成になっており、アインツェルレンズが、イオンが通過する開口が形成されているとともにイオンの進行方向に沿って設けられた３組のフォーカス調整用電極を有し、
　Ｑ−レンズがアインツェルレンズとは異なる位置に設けられている半導体装置等の製造に用いられているイオン注入装置。」
２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【００１１】それでは大口径ビームの場合も質量分離をすれば良いように思える。それはそうなのであるが、断面積の大きいビームの場合、従来のように扇形断面の磁石によって質量分離をしようとすると、よほど大きい磁極をもち強力な磁界を発生する巨大な磁石が必要になる。これは不可能とは言わないまでも経済的に得策でない。それで
大口径ビームの場合、
Plasma Source Sci. Technol. 1 (1992) p1-6.
【００１２】これは負電圧にバイアスしたウェファをプラズマ中にさらし、シース領域でイオンを加速し、イオンをウェファ中に注入するとしている。イオン源の中にウェファを入れ、プラズマをウェファの負バイアスによって加速するもので巧みな方法である。イオンを引き出す必要がないので引き出し電極が不要である。
引出電極がないので、そこから不純物が発生するということはない
（２）したがって、上記引用文献２には次の技術事項が記載されていると認められる。
「大口径ビームの場合、引出電極がないので、そこから不純物が発生するということはない。」
３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【００８６】
　図５（ａ）に示すように、ビーム偏向ユニット１６は、高エネルギー多段直線加速ユニット１４から出たイオンビームを、エネルギー分析電磁石２４で９０°偏向する。そして、
軌道補正兼用偏向電磁石３０によりビーム進路をさらに９０°偏向し、後述するビーム輸送ラインユニット１８のビーム整形器３２に入射させる。ビーム整形器３２は、入射したビームを整形してビーム走査器３４に供給する
（２）「【００９６】
　ビーム偏向ユニット１６によって必要なイオン種のみが分離され、必要なエネルギー値のイオンのみとなったビームは、
ビーム整形器３２により所望の断面形状に整形される。
ビーム整形器３２は、Ｑ（四重極）レンズ等（電場式若しくは磁場式）の収束／発散レンズ群により構成される。整形された断面形状を持つビームは、ビーム走査器３４により図１（ａ）の面に平行な方向にスキャンされる。
　
（３）したがって、上記引用文献３には次の技術事項が記載されていると認められる。
「軌道補正兼用偏向電磁石３０によりビーム進路をさらに９０°偏向し、後述するビーム輸送ラインユニット１８のＱ（四重極）レンズ等（電場式若しくは磁場式）の収束／発散レンズ群により構成されるビーム整形器３２に入射させ、ビーム整形器３２は、入射したビームを整形してビーム走査器３４に供給する。」
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明の「イオンを生成するイオンソース部１」は、本願発明１の「生成部」に、引用発明の「『イオンソース部（イオン生成）１とアナライザーマグネット（質量分析）２との間』の『引出電極（イオン引出）１１』」は、本願発明１の「生成部からイオンビームを引き出す引出電極」に、引用発明の「『イオンを生成するイオンソース部１』と『イオンソース部（イオン生成）１とアナライザーマグネット（質量分析）２との間』の『引出電極（イオン引出）１１』」は、本願発明１の「イオン源」に、引用発明の「所望のイオンを選ぶためのアナライザーマグネット部２」は、本願発明１の「『特定の質量及び価数の』『イオンを選別して導出する質量分離器』」に、引用発明の「２次イオンは、荷電粒子であるので、電気的に除去可能なアインツェルレンズ」は、本願発明１の「前記イオンビームが通過するビーム通過領域を形成するとともに、電圧が印加されて所定のフィルタ電位となり、イオンのエネルギー差を利用して、前記ビーム通過領域を通過する通過イオンと通過しない非通過イオンとを選別するエネルギーフィルタ」に、引用発明の「アインツェルレンズが、イオンが通過する開口が形成されているとともにイオンの進行方向に沿って設けられた３組のフォーカス調整用電極を有し」は、本願発明１の「前記エネルギーフィルタが、前記イオンビームが通過する開口が形成されるとともに前記イオンビームの進行方向に沿って設けられた３枚以上の電極を有し」に、引用発明の「イオン注入装置」は、本願発明１の「イオンビーム照射装置」に、それぞれ相当する。
イ　引用発明の「イオン注入装置」は、「半導体装置等の製造に用いられている」ので、注入する「イオン」はドーパントイオンであり、さらに、引用発明における「『イオンソース部（イオン生成）１とアナライザーマグネット（質量分析）２との間』の『引出電極（イオン引出）１１』」の位置関係を考慮すると、引用発明の「所望のイオンを選ぶためのアナライザーマグネット部２」は、本願発明１の「前記イオン源から引き出されたイオンビームから特定の質量及び価数のドーパントイオンを選別して導出する質量分離器」に相当する。
ウ　上記イで認定したように、引用発明の注入する「イオン」はドーパントイオンであり、引用発明の「装置部材をビームスパッタすることにより生じたスパッタ粒子或いはスパッタによる２次イオンが重金属汚染として基板内に打ち込まれることが懸念され、この時のスパッタによる２次イオン」は、ドーパントイオンでないイオンであるので、引用発明の「イオンビームが通過する際に、装置部材をビームスパッタすることにより生じたスパッタ粒子或いはスパッタによる２次イオンが重金属汚染として基板内に打ち込まれることが懸念され、この時のスパッタによる２次イオンは、荷電粒子であるので電気的に除去可能なアインツェルレンズ」と、本願発明１の「『前記通過イオンに前記ドーパントイオンが含まれ、前記非通過イオンに前記質量分離器において前記ドーパントイオンとは選別されない不要イオンであって、前記プラズマ生成部と前記引出電極との間でイオン化した不要イオンの少なくとも一部が含まれるように、前記フィルタ電位が設定されて』いる『エネルギーフィルタ』」とは、「『前記通過イオンに前記ドーパントイオンが含まれ、前記非通過イオンに前記質量分離器において前記ドーパントイオンとは選別されない不要イオンであって、』『不要イオンの少なくとも一部が含まれるように、前記フィルタ電位が設定されて』いる『エネルギーフィルタ』」の点で一致している。
　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
（一致点）
「生成部及び生成部からイオンビームを引き出す引出電極を備えたイオン源と、
　前記イオン源から引き出されたイオンビームから特定の質量及び価数のドーパントイオンを選別して導出する質量分離器と、
　前記イオンビームが通過するビーム通過領域を形成するとともに、電圧が印加されて所定のフィルタ電位となり、イオンのエネルギー差を利用して、前記ビーム通過領域を通過する通過イオンと通過しない非通過イオンとを選別するエネルギーフィルタとを具備し、
　前記通過イオンに前記ドーパントイオンが含まれ、前記非通過イオンに前記質量分離器において前記ドーパントイオンとは選別されない不要イオンであって、イオン化した不要イオンの少なくとも一部が含まれるように、前記フィルタ電位が設定されており、
　前記エネルギーフィルタが、前記イオンビームが通過する開口が形成されるとともに前記イオンビームの進行方向に沿って設けられた３枚以上の電極を有しているイオンビーム照射装置。」
（相違点１）本願発明１は、「プラズマ生成部」が「プラズマを生成する」機能を有するのに対し、引用発明は、「イオンを生成するイオンソース部１」がプラズマを生成する機能を有するのか明らかでない点。
（相違点２）ドーパントイオンとは選別されない不要イオンが、本願発明１は、前記プラズマ生成部と前記引出電極との間でイオン化したものであるのに対し、引用発明は、イオンビームが通過する際に、装置部材をビームスパッタすることにより生じたスパッタ粒子或いはスパッタによる２次イオンが重金属汚染として基板内に打ち込まれることが懸念され、この時のスパッタによる２次イオンである点。
（相違点３）本願発明１は、「３枚以上の電極」「の少なくとも１つが前記フィルタ電位となり、その他の電極が前記フィルタ電位よりも小さい電位となり、両端に配置された電極の電位が互いに等しく」なるのに対し、引用発明は、「３組のフォーカス調整用電極」の電位がそのようなものであるのか明らかでない点。
（相違点４）本願発明１は、「エネルギーフィルタ」が、「前記両端に配置された電極の間に設けられて、イオンビームの形状を制御するための形状制御電圧が印加される形状制御電極をさらに有している」のに対し、引用発明は、「アインツェルレンズ」が、そのような形状制御電極をさらに有しているのか明らかでない点。
（２）相違点についての判断
　上記相違点２及び上記相違点４について合わせて検討する。
ア　引用発明のＱ−レンズや引用文献３に記載の「ビーム整形器３２」は、いずれも本願発明１でいう「イオンビームの形状を制御するための形状制御電圧が印加される形状制御電極」と同様な機能を有するものと認められる。
　しかしながら、引用発明のＱ−レンズはアインツェルレンズ（本願発明の「エネルギーフィルタ」に相当）とは異なる位置に設けられている。また、引用文献３に記載の「ビーム整形器３２」は、「軌道補正兼用偏向電磁石３０」と「ビーム走査器３４」の間に設けられており、引用発明のＱレンズに換えて引用文献３の上記ビーム整形器を適用してもアインツェルレンズとは異なる位置に設けられることになる。そうすると、本願発明１の「形状制御電極」は、「エネルギーフィルタ」の「前記両端に配置された電極の間に設けられて」いることから、引用発明のＱレンズに換えて引用文献３の上記ビーム整形器を適用しても、本願発明１の位置関係にならない。
　また、当該位置関係は、引用文献２の上記技術的事項でもなく、周知技術であるともいえない。
イ　さらに、補足すると、本願明細書【００４３】に「不要イオンを可及的に多く分離させるべくフィルタ電位Ｖｆｉｌをチャンバ電位Ｖｃｈに近づけた場合、イオンビームＩＢが過集束してしまう可能性がある。そこで、イオンビームの形状を制御できるようにするためには、」「イオンビームの形状を制御するための形状制御電圧ＶＣが印加される形状制御電極１１２をさらに具備することが好ましい。」と記載されているように、エネルギーフィルタと形状制御電極の位置関係は、フィルタ電位Ｖｆｉｌをチャンバ電位Ｖｃｈに近づけた場合に生じたものである。そして、フィルタ電位Ｖｆｉｌをチャンバ電位Ｖｃｈに近づける理由は、相違点２に記載した、ドーパントイオンとは選別されない不要イオンが、本願発明１は、プラズマ生成部と引出電極との間でイオン化したものであることから、生じている。
　そうすると、本願発明１の位置関係にすることも適宜なし得ることでもない。
ウ　したがって、上記相違点１、３について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても引用発明及び引用文献２、３に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
２．本願発明２−６について
　本願発明２−６も、本願発明１を減縮する発明であるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明及び引用文献２、３に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
第７　原査定について
　審判請求時の補正により、本願発明１−６は「前記エネルギーフィルタが、前記イオンビームが通過する開口が形成されるとともに前記イオンビームの進行方向に沿って設けられた３枚以上の電極を有し、これらの電極の少なくとも１つが前記フィルタ電位となり、その他の電極が前記フィルタ電位よりも小さい電位となり、両端に配置された電極の電位が互いに等しく、前記エネルギーフィルタが、前記両端に配置された電極の間に設けられて、イオンビームの形状を制御するための形状制御電圧が印加される形状制御電極をさらに有して」いるという事項を有するものとなっており、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１−３に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。したがって、原査定の理由を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。