【手続補正書】
【提出日】平成21年12月9日(2009.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】    明細書
【発明の名称】    炭素ナノチューブを製造する方法および装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、及びＰｔからなる群から選択された少なくとも１種のVIII族金属、および少なくとも１種のVIb族金属、並びに、該VIII族金属、および該VIb族金属を担持する担体を含む触媒粒子を反応器に供給する工程、
前記触媒粒子を還元する工程、
炭素含有ガスを加熱する工程、及び
還元された前記触媒粒子を、加熱された前記炭素含有ガスに曝し、それにより炭素ナノチューブを形成する工程
を含む炭素ナノチューブの製造方法。
【請求項２】
触媒粒子を還元する工程が、前記触媒粒子を水素ガスに曝すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
触媒粒子を還元する工程の後であって、炭素含有ガスを加熱する工程の前に、水素ガスを不活性ガスで洗い流す工程をさらに含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
担体が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、ゼオライト、ＭＣＭ−４１、およびＭｇ（Ａｌ）Ｏからなる群から選択されてなるものである、請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
炭素ナノチューブを形成する工程で、炭素含有ガスの空間速度が３０，０００ｈ−１を超える、請求項１〜４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
炭素含有ガスが一酸化炭素ガスを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
不活性ガスがＨｅガスである、請求項３〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
炭素ナノチューブを形成する工程の後に、形成された炭素ナノチューブを含む触媒粒子を酸素ガスにさらして無定形炭素を燃焼する工程をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
炭素ナノチューブを形成する工程の後に、形成された炭素ナノチューブを含む触媒粒子を第一の酸、塩基、または有機溶媒で処理して、形成された炭素ナノチューブを含む触媒と担体を分離する工程、次いで、
形成された炭素ナノチューブを含む触媒を、第二の酸で処理して炭素ナノチューブと触媒を分離する工程
をさらに含んでなる、請求項１〜８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
担体の分離が、前記第一の酸または塩基処理により行われ、該第一の酸または塩基を中和して該担体を回収する工程、
前記第二の酸を中和して前記触媒を回収する工程、及び
回収された触媒を回収された担体に含浸させる工程
をさらに含む請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記製造方法が連続流動床法である、請求項１〜１０のいずれか一項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の背景
本発明は、炭素ナノチューブの製造分野に、より詳しくは、単壁炭素ナノチューブを製造する方法および装置に関するが、ただしそれに限定するものではない。
【０００２】
炭素ナノチューブ（炭素フィブリルとも呼ばれる）は、完全なフレレンキャップ(fullerene caps)を備えたグラファイトシートのシームレスチューブであり、最初は多層同心チューブまたは多壁炭素ナノチューブとして発見され、その後、遷移金属触媒の存在下で単壁炭素ナノチューブとして発見された。炭素ナノチューブには、ナノ規模の電子デバイス、高強度材料、電場放出、走査プローブ顕微鏡検査用チップ、およびガス貯蔵を包含する有望な用途がある。
【０００３】
一般的に、単壁炭素ナノチューブは、同等の直径を有する多壁炭素ナノチューブよりも欠陥が少なく、従って、より強力であり、伝導性がより高いので、これらの用途には多壁炭素ナノチューブよりも好ましい。多壁炭素ナノチューブは、不飽和化された炭素バランス(valances)間にブリッジを形成することにより、欠陥が生じても、それに耐えることができるが、単壁炭素ナノチューブには、欠陥を補償するための隣接する壁が無いので、単壁炭素ナノチューブでは欠陥が多壁炭素ナノチューブよりも生じ難い。
【０００４】
しかし、実用的な技術に必要な量でこれらの新しい単壁炭素ナノチューブを入手することには、なお問題がある。高品質単壁炭素ナノチューブを製造するための大規模製法がなお必要とされている。
【０００５】
現在、炭素ナノチューブを合成するための３通りの主要な方法がある。これらの方法には、炭素のレーザー切除(Thess, A. et al., Science, 273:483, 1996)、グラファイト棒の電気アーク放電(Journet, C. et al., Nature, 388:756, 1997)、および炭化水素の化学蒸着(Ivanov, V. et al., Chem. Phys. Lett, 223:329, 1994; Li A. et al., Science, 274:1701, 1996)が挙げられる。接触炭化水素分解による多壁炭素ナノチューブの製造は、現在、商業的規模で行われている（米国特許第５，５７８，５４３号明細書）が、単壁炭素ナノチューブの製造は、レーザー(Rinzler, A.G. et al., Appl. Phys. A., 67:29, 1998)およびアーク(Journet, C. et al., Nature, 388:756, 1997)技術により、グラム規模で行われているだけである。
【０００６】
レーザーやアーク技術と異なり、遷移金属触媒上での化学蒸着には、単壁炭素ナノチューブの代わりに、多壁炭素ナノチューブを主要生成物として形成する傾向がある。しかし、接触炭化水素分解製法で成功している場合もある。Dai et al.(Dai, H. et al., Chem. Phys. Lett, 260:471 1996)は、１２００℃に加熱したアルミナ上に担持されたモリブデン（Ｍｏ）触媒で一酸化炭素（ＣＯ）を不均化することにより得られたウェブ状の単壁炭素ナノチューブを開示している。報告されている電子顕微鏡画像から、Ｍｏ金属が明らかにナノチューブの先端に付加している。報告されている単壁炭素ナノチューブは、一般的に１ｎｍ〜５ｎｍで変動し、Ｍｏ粒子径により制御される様である。鉄、コバルトまたはニッケルを含む触媒は、８５０℃〜１２００℃で使用され、多壁炭素ナノチューブを形成している（米国特許第４，６６３，２３０号明細書）。最近、鉄触媒および硫黄添加剤を使用してベンゼンを温度１１００〜１２００℃で熱分解することにより、単壁炭素ナノチューブのロープ状束が得られている(Cheng, H.M. et al., Appl. Phys. Lett, 72:3282, 1998; Cheng, H.M. et al., Chem. Phys. Lett, 289:602, 1998)。合成された単壁炭素ナノチューブは、レーザー蒸発または電気アーク法から得られる単壁炭素ナノチューブと同様に、束の中で大体整列しており、一緒に織り上げられている。１種以上のVI族またはVIII族遷移金属を含んでなるレーザーターゲットを使用して単壁炭素ナノチューブを形成する方法が提案されている（国際特許第ＷＯ９８／３９２５０号明細書）。鉄および少なくとも１種の、Ｖ（Ｖ、ＮｂおよびＴａ）、VI（Ｃｒ、ＭｏおよびＷ）、VII（Ｍｎ、ＴｃおよびＲｅ）族またはランタニド族から選択された元素を含んでなる金属触媒の使用も提案されている（米国特許第５，７０７，９１６号明細書）。しかし、これらの触媒を使用する方法は、単壁炭素ナノチューブと多壁炭素ナノチューブの比が高いナノチューブを大量に製造していない。その上、金属触媒は、これらの製造方法の高価な成分である。
【０００７】
さらに、反応工程の前または後に行う分離工程は、炭素ナノチューブの製造に必要な資本および稼働コストの大きな部分を占める。従って、単壁炭素ナノチューブを多壁炭素ナノチューブおよび汚染物（すなわち無定形およびグラファイト系炭素）から精製する工程は、炭素ナノチューブの実際の製造よりもはるかに時間および経費がかかる。
【０００８】
そのため、実質的に純粋な単壁炭素ナノチューブを低コストで大量に合成できる、新規で改良された方法が求められている。本発明の目的は、ナノチューブを製造するためのその様な方法および装置である。
【０００９】
発明の概要
本発明により、炭素ナノチューブを製造するための、先行技術の欠陥および欠点を回避する方法および装置を提供する。大まかに言うと、本方法は、反応器セル中で、金属触媒粒子を、有効量の炭素含有ガスと、炭素ナノチューブを触媒作用により製造するのに十分な温度で接触させることを包含する。
【００１０】
さらに、本発明は、触媒粒子が連続した工程で様々な処理条件にさらされ、その際、触媒粒子は、好ましい処理条件が得られるまで反応性（接触）ガスと接触せず、それによって製造される炭素ナノチューブの量および形態が制御される方法を意図している。本方法は、ガスおよび接触する粒子状材料を循環および再使用し、それによってコスト効率を最大限に上げ、廃棄物を減少させ、必要な追加原料を低減させ、炭素ナノチューブ、特にＳＷＮＴ、を大量に、低コストで製造する方法および装置も意図している。
【００１１】
本発明の他の目的、特徴および優位性は、下記の詳細な説明を、添付の図面および請求項と関連して読むことにより、明らかである。
【００１２】
発明の詳細な説明
ここに記載する本発明により意図する方法の好ましい実施態様の特徴を、図１のフローチャートに図式的に示す。図１に示す製法は、本発明の一実施態様に過ぎず、従って、本発明はこの例およびここに示す他の例に限定されるものではない。
【００１３】
図１は、炭素ナノチューブの連続接触製造方法を表す一連の処理工程Ａ〜Ｑを示す。工程Ａでは、ある量の触媒粒子を反応器、例えば以下に詳細に説明する、図２および３に示す反応器１０（ただし、これに限定するものではない）、に導入する。触媒粒子は、炭素ナノチューブの形成に有効な触媒を含んでなるすべての粒子である。触媒粒子の特に好ましい実施態様を以下に説明するが、無論、本発明はここに明確に記載する型の触媒粒子にのみ限定されるものではない。いずれの場合も、触媒粒子は、一般的に固体の担体材料を含んでなり、この材料を先ず金属触媒（すなわち、遷移金属前駆物質）で含浸し、次いでか焼し、次いで好ましくはペレット形態に加工してある。ペレット化工程は、担体材料を触媒（遷移金属前駆物質）で含浸する前または後に行うことができる。
【００１４】
本製法では、触媒粒子がさらされる反応条件（例えば、温度および反応条件に曝す持続時間）が様々な段階で高度に制御されるので、本製法は単壁炭素ナノチューブ（ＳＷＮＴ）の製造に特に設計されたものである。温度および反応濃度を調整する能力は、ＳＷＮＴの製造に必要な高い選択性を得るのに重要である。ここに記載する製法では、これらの問題が、最適な反応条件が達成されるまで触媒粒子が反応性ガス（例えばＣＯ）と接触しない様に、処理および処理工程を行う反応器を様々な段階に小分割することにより、解決されている。例えば、ナノチューブの収率は、触媒処方（例えば遷移金属比、担体の種類、および金属装填量）により、操作パラメータ（例えば反応温度、接触ガス圧、空間速度および反応時間）により、および前処理条件（例えば還元およびか焼）により影響される。
【００１５】
触媒粒子を反応器に導入した後、加熱した不活性ガス、例えばＨｅ、で昇圧下で触媒粒子を処理する工程Ｂを行うが、この工程は、触媒粒子を高温、例えば約７００℃、に予備加熱すること、および後に続く還元工程のための準備として触媒粒子から空気を除去することの両方に機能する。工程Ｃでは、触媒粒子を還元ガス、例えばＨ２、に例えば約５００℃で昇圧下で露出し、触媒粒子中の触媒を少なくとも部分的に還元して触媒反応の準備を行い、その還元ガスは、例えば約７５０℃に加熱した不活性ガス、例えばＨｅ、により昇圧下で触媒粒子から洗い流すが、この操作は、次の工程のための触媒粒子の再加熱も行う。ここで使用する用語「高い圧力」または「高圧」は、一般的に約１気圧〜約４０気圧を表し、約６気圧が好ましい。ここで意図する本発明の他の変形では、他の高圧レベルも使用できる。
【００１６】
工程Ｃに続く工程Ｄは、好適な反応温度、例えば約７５０℃〜９００℃、に加熱された有効量の炭素含有ガス、例えばＣＯ、が昇圧下で、還元された触媒粒子にさらされる反応工程である。炭素ナノチューブおよび無定形炭素が触媒粒子上で形成されるのは、この工程中である。触媒粒子が炭素含有ガスにさらされる前に、還元ガス、例えばＨ２、が触媒粒子の流れから、再加熱ガス、例えば不活性ガス、例えばＨｅ、により昇圧下で除去されることに注意する。
【００１７】
工程Ｄの後、触媒粒子を工程Ｅにかけるが、そこでは反応した触媒粒子が、例えば約７５０℃に加熱された反応後のガス、例えばＨｅ、に昇圧下でさらされ、これによって先行する工程Ｄから来る残留炭素含有ガスが洗い流され、次いで洗い流された触媒粒子が、低温、例えば約３００℃以下、の冷却ガス、例えばＨｅまたは他の不活性ガス、により昇圧下で冷却される。反応した触媒粒子が冷却された後、これらの触媒粒子は工程Ｆにかけられるが、そこでは加熱された酸化性ガス、例えばＯ２、の流れに昇圧下で、例えば約３００℃でさらされ、その際、無定形炭素粒子が燃焼して触媒粒子から除去され、実質的に炭素ナノチューブだけが触媒粒子中に残る。工程Ｇでは、酸化された触媒粒子が反応器から除去され、その後の処理に送られる。工程Ｈでは、触媒粒子を精製処理にかけ、担体から触媒（ナノチューブを含む）を分離する。好ましい方法では、担体、例えばＳｉＯ２、を、濃度約０．１〜１．０モルの塩基、例えばＮａＯＨ、で、約２２℃〜約７０℃の好ましい温度で、強く攪拌しながら、または超音波処理により、または当業者には公知のいずれかの好適な方法により処理して溶解させる。あるいは、担体を、塩基ではなく、酸中に、例えばＭｇＯ担体、アルミナ担体、またはＺｒＯ２担体をＨＣｌ、ＨＦ、ＨＮＯ３、王水、またはスルホ−クロム酸混合物を使用して、溶解させることができる。他の担体材料では、触媒から分離するのに、例えば有機溶剤、例えばクロロ化合物、を使用する他の方法を必要とすることもあり、これもやはり本発明の範囲内に入る。例えば、別の実施態様では、この分野で公知の方法を使用して超音波処理した後、有機溶剤を使用して抽出により炭素ナノチューブをシリカ担体から分離することができる。
【００１８】
ここで使用する用語「触媒」は、用語「触媒材料」、「金属系触媒」、「金属触媒」、「遷移金属」および「遷移金属前駆物質」と互換的に使用することもできる。用語「担体」は、用語「担体材料」または「担体成分」と互換的に使用することができる。
【００１９】
担体を触媒から分離した後、触媒をさらに工程Ｉで、強酸（例えば約０．１Ｍ〜約９Ｍ）に曝して処理し、触媒を溶解させ、ナノチューブから分離し、工程Ｊで精製した形態の炭素ナノチューブを得る。次いで、炭素ナノチューブをさらに処理し、純度の高い炭素ナノチューブを得ることができる。
【００２０】
本発明の重要な態様は、担体材料および触媒材料を循環、再使用し、ナノチューブ製造方法の経済性を改良することである。金属触媒は製法全体の中で最も高価な成分の一つであるので、金属触媒の再使用は重要である。担体は工程Ｋで、工程Ｈの際に得られた溶液から、塩基（または酸）を中和させて沈殿させることにより、回収される。工程Ｍでは、工程Ｋで沈殿した担体に「新しい」担体を加え、製法中で損失した担体材料を補充することができる。同様に、工程Ｌで、酸（または他の溶解溶液）を中和し、溶液から沈殿させることにより、金属触媒を回収する。工程Ｎで、工程Ｌで回収された触媒に「新しい」触媒を加え、製法の先行する工程中で損失した触媒材料を補充することができる。沈殿した担体および触媒材料、および新しい担体および触媒材料は工程Ｏで組み合わせ、当業者にはよく知られている方法を使用して担体材料および触媒を処理し、担体材料に触媒を含浸させる。次いで、含浸させた担体を工程Ｐで、やはりこの分野で良く知られている方法を使用してか焼し、ペレット化し、反応器中に供給すべき触媒粒子を形成する。所望により、工程Ｑで、追加の「新しい」触媒粒子をこの段階で加え、工程Ｐから来る触媒粒子と組み合わせ、次いで一緒に反応器中に供給し、それによって本発明の製法を完了することができる。工程ＯおよびＰは、触媒粒子を再生して反応器で使用するのに有効な、どの様な様式で変形してもよい。
【００２１】
ここで意図する炭素ナノチューブ製造方法の利点および優位性は非常に多い。
ここで意図する方法は、処理条件およびパラメータを高度に制御できるので、調整してＳＷＮＴの製造量を最大限に引き上げることができる。本製法は、連続的であり（ただし、本製法は「バッチ」式でも行うことができる）、製法で使用する材料およびガスは回収および再循環されるので、経済的である。再循環により、廃棄物の量、並びに最初に必要とされる原料の量が減少し、それによって製法の全体的なコストが低減される。本製法では、触媒粒子が個々の気相にさらされる期間が非常に短いので、より一定した反応物濃度が維持され（例えばＣＯ２蓄積が最小限度に抑えられる）、均質なナノチューブ製品を得るのに好ましい。本発明の製法はさらに、高いガス流量を使用し、それによって外部拡散効果を最少に抑え、熱伝達率を最大限に高めることができる。前に述べた様に、固相（触媒粒子）保持時間を気相と無関係に調節することができる。これによって、ここで意図する製法および装置は、様々な活性を有する広範囲な触媒で使用することができる。さらに、本製法は反応収率と無関係であり、個別の段階および工程に分割することにより、様々な熱処理を使用することができる。これらのファクターにより、ガス空間速度を最適化することができる。さらに、上記の様に、生成物の初期精製を反応器中で行うこと（酸化または「燃焼」工程）ができる。
【００２２】
操作条件の反応収率に対する影響
ＳＷＮＴは下記の代表的な発熱および可逆的反応により得られる。
２ＣＯ（ｇ）←→Ｃ（ＳＷＮＴ）（ｓ）＋ＣＯ２（ｇ）
これらの反応条件下で、Ｃｏ：Ｍｏ触媒は、下記の様々な現象のために失活する。
【００２３】
−ＳＷＮＴ自体の形成
−他の炭素物質の形成
−ＣＯ（または他の炭素含有ガス）によるＣｏ（または他の触媒）の還元
反応と失活は同時に起こるので、反応収率を最大にするには、ＳＷＮＴの形成が触媒の失活よりもはるかに速くなる条件を見出すことが重要である。これらの条件の多くは、この反応が発熱的で可逆的であるという事実により確認される。
【００２４】
ＳＷＮＴを高選択性で製造するには高温（約６５０℃を超える）が必要であるが、温度が高過ぎる（例えば約８５０℃を超える）と、ナノチューブ形成の逆反応が増加し、全体的な反応速度が低くなる（反応の平衡が左方向に移行する）。
【００２５】
Ｋｅｑ（６００℃）＝０．５７ｐｓｉ−１
Ｋｅｑ（７００℃）＝０．０４７ｐｓｉ−１
Ｋｅｑ（８００℃）＝０．００６２ｐｓｉ−１
重要なことは、逆反応が回避されれば（例えば、低ＣＯ２濃度を維持することにより）、アレーニウスの法則により、温度が高い程、反応速度が高くなる。温度の上限は、この場合、焼結による触媒の失活により与えられる。
【００２６】
気相中のモル数は、等式の右の項よりも左の項で、より高いので、圧力が増加するにつれて、ＳＷＮＴ製造の全体的な反応速度が増加し、反応の平衡が右方向に移行する。例えば、反応を純粋なＣＯで約７００℃で等温的に出発して行う場合、圧力を約１４．７ｐｓｉから約１５０ｐｓｉに増加すると、平衡におけるＣＯの転化が約４８％から約７５％に増加する。
【００２７】
反応中に生成するＣＯ２も非常に重要な役割を演じる。ＣＯ２はＣＯ（または他の反応性ガス）を希釈するのみならず、逆反応の重要性も増加させる。両方の現象が反応速度を下げ、平衡条件に達した場合には反応を完全に抑制することもある。上記の様に、ＣＯ２の影響は、温度が高く、圧力が低い程悪化する。約８００℃および約１４．７ｐｓｉでは、ＣＯ２／反応性ガスの比は低く、他のガスが存在しない場合、反応を抑制するのに約０．０８３で十分である。ＣＯ２は反応中に生成するので、製法中に低いＣＯ２／反応性ガス比を維持するには、高い流量の反応性ガスを使用することが重要である。
【００２８】
供給流中に存在する不活性ガスも、好ましくない影響を及ぼすことがある。不活性ガスは、反応性ガスを希釈することにより反応を低下させるのみならず、反応の平衡を左方向に移行させ、逆反応の影響によるよりもさらに、全体的な反応速度を下げる。
【００２９】
従って、特に好ましい操作条件は、高い反応性ガス濃度、約６５０〜８５０℃の温度、高圧（約７０ｐｓｉを超える）、および高い空間速度（約３０，０００ｈ−１を超える）である。
【００３０】
一般的に、単壁炭素ナノチューブの製造方法は、温度約５００℃〜約１２００℃、好ましくは約６００℃〜約９００℃、より好ましくは約６５０℃〜約８５０℃、より好ましくは約７００℃〜約８００℃、最も好ましくは約７５０℃、に加熱した有効量の炭素含有ガスと触媒粒子を接触させることを含んでなる。
【００３１】
ここで使用する用語「有効量の炭素含有ガス」は、高温、例えばここに記載する高温、で触媒粒子上に炭素を堆積させ、炭素ナノチューブを形成するのに十分な量で存在する気体状炭素物質を意味する。
【００３２】
上記の様に、ここに記載する触媒粒子は、好ましくは担体材料上に付着させた触媒を包含する。本発明で提供し、使用する触媒は、好ましくは２元金属系であり、特に好ましい態様では、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔを包含するVIII族から選択された少なくとも１種の金属、およびＣｒ、Ｗ、およびＭｏを包含するVIb族またはＮｂを包含するVb族から選択された少なくとも１種の金属を含む。本発明で使用できる２元金属触媒の具体例には、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｎｂ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｗ、Ｎｉ−Ｍｏ、Ｎｉ−Ｎｂ、Ｒｕ−Ｃｒ、Ｒｕ−Ｗ、Ｒｕ−Ｍｏ、Ｒｈ−Ｃｒ、Ｒｈ−Ｗ、Ｒｈ−Ｍｏ、Ｐｄ−Ｃｒ、Ｐｄ−Ｗ、Ｐｄ−Ｍｏ、Ｉｒ−Ｃｒ、Ｉｒ−Ｗ、Ｉｒ−Ｍｏ、Ｐｔ−Ｃｒ、Ｐｔ−Ｗ、およびＰｔ−Ｍｏが挙げられる。本発明の特に好ましい触媒は、Ｃｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｎｂ、Ｎｉ−Ｍｏ、およびＮｉ−Ｗを含んでなる。触媒は、各族から２種類以上の金属を含んでなることができる。
【００３３】
２元金属触媒の少なくとも２種類の金属成分間には相乗効果があり、この触媒を含む金属系触媒粒子は、触媒としてVIII族金属またはVIb族金属を単独で含む金属系触媒粒子よりも、単壁炭素ナノチューブの製造にはるかに有効な触媒である。
【００３４】
２元触媒が使用されている金属系触媒粒子中のVIII族金属とVIb族またはVb族金属の比も、単壁炭素ナノチューブの選択的製造に影響し得る。２元触媒中のVIII族金属とVIb族またはVb族金属のモル比は、好ましくは約１：１０〜約１５：１，より好ましくは約１：５〜約２：１，最も好ましくは約１：４〜約１：３から約１：２である。一般的に、単壁炭素ナノチューブの選択的製造に使用する金属系触媒粒子中のVIb族金属（例えばＭｏ）またはVb族金属（例えばＮｂ）の濃度は、VIII族金属（例えばＣｏ）の濃度を超える。
【００３５】
金属系触媒粒子は、VIIIおよびVIbおよび／またはVb族のそれぞれから２種類以上の金属を含んでなることができる。例えば、金属系触媒粒子は、（１）２種類以上のVIII族金属および単一のVIb族またはVb族金属、（２）単一のVIII族金
属および２種類以上のVIb族またはVb族金属、または（３）２種類以上のVIII族金属および２種類以上のVIb族またはVb族金属、または２種類以上のVIII族金属およびVIb族およびVb族のそれぞれから１種以上の金属を含んでなることができる。
【００３６】
触媒粒子は、遷移金属前駆物質を含む溶液を担体に単純に含浸させることにより製造できる。触媒は、前駆化合物、例えばビス（シクロペンタジエニル）コバルトまたはビス（シクロペンタジエニル）モリブデンクロライド、の分解により、その場で形成することもできる。
【００３７】
触媒は、好ましくは担体、例えばシリカ（ＳｉＯ２）、ＭＣＭ−４１(Mobil Crystalline Material-41)、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ＭｇＯ、Ｍｇ（Ａｌ）Ｏ（アルミニウムで安定化させた酸化マグネシウム）、ＺｒＯ２、分子篩ゼオライト、またはこの分野で公知の他の酸化物系担体、上に付着させる。
【００３８】
金属系触媒粒子、すなわち担体上に付着させた触媒、は、当業者には良く知られている様式で平らな基材、例えば石英、ガラス、ケイ素、および酸化されたケイ素、の表面上で金属混合物を蒸発させることにより、製造することができる。
【００３９】
担体上に付着させた２元金属触媒の総量は、広範囲に変えることができるが、一般的には金属系触媒粒子の総重量の約１％〜約２０％、より好ましくは金属系触媒粒子の重量の約３％〜約１０％、の量である。
【００４０】
本発明の別の態様では、２元金属触媒は担体上に付着させなくてもよく、その場合、金属成分が金属系触媒粒子の実質的に１００％を構成する。
【００４１】
ここで使用できる好適な炭素含有ガスの例には、飽和化された、および不飽和化された、の両方の脂肪族炭化水素、例えばメタン、エタン、プロパン、ブタン、ヘキサン、エチレンおよびプロピレン、一酸化炭素、酸素化された炭化水素、例えばアセトン、アセチレンおよびメタノール、芳香族炭化水素、例えばトルエン、ベンゼンおよびナフタレン、および上記の混合物、例えば一酸化炭素とメタン、が挙げられる。アセチレンの使用により、多壁炭素ナノチューブの形成が促進されるのに対し、ＣＯおよびメタンは、単壁炭素ナノチューブの形成に好ましい供給ガスである。炭素含有ガスは所望により希釈ガス、例えばヘリウム、アルゴンまたは水素、と混合することができる。
【００４２】
ここで特許権請求する方法の特に好ましい実施態様では、触媒粒子の組成がＣｏ−Ｍｏ／シリカの触媒／担体であり、Ｃｏ：Ｍｏのモル比が約１：２〜１：４である。１元金属Ｃｏ触媒またはＣｏ：Ｍｏ比が高い触媒には、選択性が低くなり、欠陥のある多壁炭素ナノチューブおよびグラファイトの生成が著しくなる傾向がある。試験した温度範囲では、Ｃｏが存在しない場合、Ｍｏはナノチューブの製造に実質的に不活性である。触媒粒子は、例えば水素中で、約５００℃で前処理する。この予備還元工程が無いと、あるいはより高い温度で予備還元すると（すなわち不十分な還元か、または過度の還元を行う場合）、触媒は有効ではなくなり、ＳＷＮＴの製造が低下する。他の担体、例えばアルミナ、はＣｏ−Ｍｏの相互作用が乏しくなり、選択性および収率が低下する。
【００４３】
反応の副生成物であり、ナノチューブへの転化を阻害するＣＯ２の濃度を最小に抑えるには、高い空間速度（約３０，０００ｈ−１を超える）が好ましい。低ＣＯ（反応性ガス）濃度で起こる無定形炭素付着物の形成を最少に抑えるには、高いＣＯ（または他の反応性ガス）濃度が好ましい。約６５０℃未満ではＳＷＮＴへの選択性が低く、約８５０℃を超えると、反応（発熱）の可逆性および触媒失活のために転化率が低下することから、好ましい温度範囲が特徴付けられる。
従って、最適温度は約７００℃〜約８００℃、より好ましくは約７２５℃〜約７７５℃、最も好ましくは約７５０℃近辺である。
【００４４】
ここで意図する製造方法は、好ましい触媒組成物を高濃度のＣＯ（または他の反応性ガス）流と約７５０℃近くで急速に接触させる様に設計されている。この方法により製造されるＳＷＮＴの品質は、ラマン分光法、温度プログラム化された酸化（ＴＰＯ）および電子顕微鏡法（ＴＥＭ）を包含する技術の組合せにより測定することができる。
【００４５】
従って、好ましい方法は、ＣＯガス（または高濃度の他の反応性ガス）流を触媒粒子の上に約７５０℃で約１時間、高空間速度（約３０，０００ｈ−１を超える）、高圧（約７０ｐｓｉを超える）下で接触させることを含んでなる。
【００４６】
上記の条件に従えば、高収率のＳＷＮＴ（反応器に最初に装填された触媒約１００グラムあたり約２０〜２５グラムのＳＷＮＴ）および高い選択性（約９０％を超える）が得られる。
【００４７】
操作
ここで意図する製法を実行するための装置の好ましい実施態様を図２および３に示す。この装置は番号１０で表す反応器である。反応器１０は３個の同心円状の室、すなわち内側室１２、内側空間１５（ここでは空隙とも言う）を有する中間室１４および外側室１６、から構成されている。内側室１２は、予備加熱ガス入口室２０ａ、還元ガス入口室２０ｂ、再加熱ガス入口室２０ｃ、反応ガス入口室２０ｄ、反応後ガス入口室２０ｅ、冷却ガス入口室２０ｆ、および燃焼ガス入口室２０ｇを包含する複数の入口（ガス受け入れ）室に分割されている。各ガス入口室２０ａ〜２０ｇは、少なくとも１個の対応するガス入口２２ａ〜２２ｇをそれぞれ有し、少なくとも１個の対応するガス出口２４ａ〜２４ｇをそれぞれ有する。内側室１２は、閉鎖された上端部２６および閉鎖された下端部２８をさらに含んでなる。
【００４８】
中間室１４は、中間室１４中に触媒粒子を供給するための投入導管３２を有する上端部３０（ここでは投入端部とも言う）を有し、反応した触媒粒子を反応器１０から取り出すための吐出導管３６を有する下端部３４（ここでは吐出端部とも言う）を有する。中間室１４は少なくとも部分的に、中間室１４の多孔質（または穴の開いた）壁部分３８を形成する多孔質材料（例えば穴の開いた金属またはスクリーンを包含する）からも構築されている。多孔質材料は、反応器１０中に導入されるガスに対して透過性であるが、中間室１４に含まれる内側空間１５の中に導入される触媒粒子に対しては不透過性であり、反応器１０の運転条件に耐えられれば、どの様な材料でもよい。その様な材料は、当業者には公知である。反応器１０全体は、当業者には明らかな様に、さらされる処理条件に耐えられる材料から構築しなければならない。
【００４９】
外側室１６は、予備加熱ガス出口室４０ａ、還元ガス出口室４０ｂ、再加熱ガス出口室４０ｃ、反応ガス出口室４０ｄ、反応後ガス出口室４０ｅ、冷却ガス出口室４０ｆ、および燃焼ガス出口室４０ｇを包含する複数の出口室（吐出室）から構成されている。各ガス出口室４０ａ〜４０ｇは、各出口室４０ａ〜４０ｇの中にガスを受け入れるための多孔質壁部分４２ａ〜４２ｇをそれぞれ有し、少なくとも１個の対応するガス出口４４ａ〜４４ｇをそれぞれ有し、これらのガス出口４４ａ〜４４ｇを通してガスが個々の対応するガス出口室４０ａ〜４０ｇからそれぞれ排出される。
【００５０】
各ガス出口室４０ａ〜４０ｇは、各ガス入口室２０ａ〜２０ｇの真向かいに配置されているので、昇圧下で各ガス入口室２０ａ〜２０ｇを離れるガスは多孔質壁部分４２ａ〜４２ｇをそれぞれ横切り、各ガス出口室４０ａ〜４０ｇの中に入る。
【００５１】
使用の際、ある量の触媒粒子４８が投入導管３２を通して反応器１０の中に連続的に供給され、中間室１４の内側空間１５の中に送られる。不活性な予備加熱ガス５０ａが昇圧下でガス入口２２ａを通り、予備加熱ガス入口室２０ａの中に導入され、そこからガス出口２４ａを通り、それによって不活性な予備加熱ガス５０ａは、予備加熱ガス入口室２０ａに隣接する触媒粒子を所望の予め決められた温度に加熱する。次いで、不活性な予備加熱ガス５０ａは多孔質部分４２ａを横切って予備加熱ガス出口室４０ａの中に入り、ガス出口４４ａを経由して予備加熱ガス出口室４０ａから外に出る。好ましい実施態様では、予備加熱温度は約７００℃であるが、別の実施態様では、予備加熱温度は約５００℃〜約１２００℃でよい。
【００５２】
触媒粒子４８が加熱された後、触媒粒子は還元ガス入口室２０ｂに隣接する位置に移動し、そこで、ガス入口２２ｂを通して昇圧下で還元ガス入口室２０ｂの中に導入され、そこからガス出口２４ｂを通る加熱された還元ガス５０ｂ、例えばＨ２、により還元されるが、その際、加熱された還元ガス５０ｂは、触媒粒子４８を横切り、多孔質壁部分４２ｂを通り、還元ガス出口室４０ｂに入り、ガス出口４４ｂを経由して還元ガス出口室４０ｂから外に出る。好ましい実施態様では、加熱された還元ガス５０ｂの温度は約５００℃であるが、別の実施態様では、加熱された還元ガス５０ｂの温度は約４００℃〜約８００℃でよい。好ましくは、加熱された還元ガス５０ｂはＨ２であるが、別の実施態様では例えばＮＨ３またはＣＨ４、またはこれらのガスと他のガスの混合物でもよい。
【００５３】
触媒粒子４８は、加熱された還元ガス５０ｂにより還元された後、再加熱ガス入口室２０ｃに隣接する位置に移動し、そこで、ガス入口２２ｃを通して昇圧下で再加熱ガス入口室２０ｃの中に導入され、そこからガス出口２４ｃを通る不活性な再加熱ガス５０ｃ、例えばＨｅ、により、還元の際に冷却された後に再加熱されるが、その際、再加熱ガス５０ｃは、触媒粒子４８を横切り、多孔質壁部分４２ｃを通り、再加熱ガス出口室４０ｃに入り、ガス出口４４ｃを経由して再加熱ガス出口室４０ｃから外に出る。好ましい実施態様では、再加熱ガス５０ｃの温度は約７５０℃であるが、別の実施態様では、再加熱ガス５０ｃの温度は約６００℃〜約１２００℃である。好ましくは、再加熱ガス５０ｃはＨｅであるが、別の実施態様では例えばＡｒまたはＮ２、または他の不活性ガスまたはこれらのガスの混合物でもよい。
【００５４】
触媒粒子４８が再加熱ガス５０ｃにより再加熱された後、触媒粒子は反応ガス入口室２０ｄに隣接する位置に移動し、そこで、ガス入口２２ｄを通して昇圧下で反応ガス入口室２０ｄの中に導入され、そこからガス出口２４ｄを通る加熱された炭素含有反応ガス５０ｃ、例えばＣＯ、に露出されるが、その際、加熱された炭素含有反応ガス５０ｄは、触媒粒子４８を横切り、多孔質壁部分４２ｄを通り、反応ガス出口室４０ｄに入り、ガス出口４４ｄを経由して反応ガス出口室４０ｄから外に出る。本製法のこの工程を図３に詳細に示す。好ましい実施態様では、加熱された炭素含有反応ガス５０ｄの温度は約７５０℃であるが、別の実施態様では、加熱された炭素含有反応ガス５０ｄの温度は約５００℃〜約１２００℃である。好ましくは、加熱された炭素含有反応ガス５０ｄはＣＯであるが、別の実施態様では例えばＣＨ４、Ｃ２Ｈ４、またはＣ２Ｈ２またはこれらの混合物でもよく、本発明により機能するすべての炭素含有ガスでよい。
【００５５】
触媒粒子４８が加熱された炭素含有反応ガス５０ｄと反応した後、触媒粒子は反応後ガス入口室２０ｅに隣接する位置に移動し、そこで、ガス入口２２ｅを通して昇圧下で反応後ガス入口室２０ｅの中に導入され、そこからガス出口２４ｅを通る加熱された反応後ガス５０ｅ、例えばＨｅ、により、反応温度にある間に加熱された炭素含有反応ガスが洗い流されるが、その際、加熱された反応後ガス５０ｅは、触媒粒子４８を横切り、多孔質壁部分４２ｅを通り、反応後ガス出口室４０ｅに入り、ガス出口４４ｅを経由して反応後ガス出口室４０ｅから外に出る。好ましい実施態様では、加熱された反応後ガス５０ｅの温度は約７５０℃、すなわち加熱された反応ガス５０ｄと同じ温度であるが、別の実施態様では、加熱された反応後ガス５０ｅの温度は約３００℃〜約８００℃である。好ましくは、反応後ガス５０ｅはＨｅであるが、別の実施態様では例えばＮ２またはＡｒ、または本発明により機能する他のすべての不活性ガスまたはそれらの混合物でもよい。
【００５６】
加熱された炭素含有反応ガス５０ｄが加熱された反応後ガス５０ｅにより除去された後、触媒粒子４８は、冷却ガス入口室２０ｆに隣接する位置に移動し、そこで、ガス入口２２ｆを通して昇圧下で冷却ガス入口室２０ｆの中に導入され、そこからガス出口２４ｆを通る冷却ガス５０ｆ、例えばＨｅ、により、無定形炭素を燃焼させるための準備として冷却されるが、その際、Ｈｅ冷却ガス５０ｆは、触媒粒子４８を横切り、多孔質壁部分４２ｆを通り、冷却ガス出口室４０ｆに入り、ガス出口４４ｆを経由して冷却ガス出口室４０ｆから外に出る。好ましい実施態様では、冷却ガス５０ｆの温度は反応後ガス５０ｄの温度よりも著しく低く、例えば約２２℃であるが、別の実施態様では、冷却ガス５０ｆの温度は約０℃〜約３００℃である。理想的には、冷却ガス５０ｆの温度は、触媒粒子４８を、その後の工程を行う温度にほぼ等しいか、またはそれより低い温度に冷却するのに十分な、穏やかな温度である。好ましくは、冷却ガス５０ｆはＨｅであるが、別の実施態様では例えばＮ２またはＡｒ、または他の不活性ガスまたはそれらの混合物でもよい。
【００５７】
触媒粒子４８が冷却ガス５０ｆにより冷却された後、触媒粒子は燃焼ガス入口室２０ｇに隣接する位置に移動し、そこで、Ｏ２を（例えば約２％〜約５％）含む加熱された燃焼ガス５０ｇにより、反応工程で生成した無定形炭素残留物を燃焼（酸化）工程で（ナノチューブに悪影響を及ぼさずに）燃焼除去することができ、燃焼ガスは、ガス入口２２ｇを通して昇圧下で燃焼ガス入口室２０ｇの中に導入され、そこからガス出口２４ｇを通り、その際、加熱された燃焼ガス５０ｇは、触媒粒子４８を横切り、多孔質壁部分４２ｇを通り、燃焼ガス出口室４０ｇに入り、ガス出口４４ｇを経由して燃焼ガス出口室４０ｇから外に出る。好ましい実施態様では、加熱された燃焼ガス５０ｇの温度は約３００℃であるが、別の実施態様では、加熱された燃焼ガス５０ｇの温度は約２８０℃〜約３２０℃である。好ましくは、加熱された燃焼ガス５０ｇは、ガス混合物中２〜５％のＯ２であるが、別の実施態様では例えば空気または空気とＨｅの混合物、または本発明により機能し、触媒粒子４８上の無定形炭素の酸化を引き起こす他のすべてのガスでもよい。
【００５８】
触媒粒子４８を酸化工程にかけて無定形炭素を除去した後、触媒粒子は反応器１０の中間室１４の下端部３４に移動し、吐出導管３６を通って反応器１０の外に送られ、他の所で説明する様にさらに精製および処理する。
【００５９】
反応器１０の中に触媒粒子４８を投入し、反応器中を駆動し、反応器から取り出すための装置は示していないが、その様な機構はこの分野では良く知られており、反応器１０への、および反応器１０からの触媒粒子４８の流れを制御し、駆動するためのスライドバルブ、ロータリーバルブ、テーブルフィーダ、スクリューフィーダ、スクリューコンベヤ、コーンバルブおよびＬバルブの様な装置が挙げられる。触媒粒子４８の流量は、反応器１０中のガス流と無関係に制御され、各ガス５０ａ〜５０ｇの流量は、一実施態様では、相互に無関係に制御できないか、または別の実施態様では、独立して制御することができ、それによって処理条件およびパラメータを個別に調節することができる。
【００６０】
本発明は、ここに示し、説明する反応器１０を、反応器１０に供給されたガス、例えばガス５０ａ〜５０ｇ、が、反応器１０から吐出された後、再循環される様に構築することを意図している。例えば、不活性予備加熱ガス５０ａ、例えばＨｅ、をガス出口４４ａから集め、必要であれば精製し、追加の不活性予備加熱ガス５０ａと混合し、失われたガスを補充し、再加熱し、加圧し、ガス入口２２ａに再度導入する。同様に、加熱された還元ガス５０ｂ、例えばＨ２、をガス出口４４ｂから集め、必要であれば精製し、追加の加熱した還元ガス５０ｂと混合し、再加熱し、加圧し、ガス入口２２ｂに再度導入する。同様の様式で、再加熱ガス５０ｃ、例えばＨｅ、をガス出口４４ｃから集め、必要であれば精製し、追加の再加熱ガス５０ｃと混合し、再加熱し、加圧し、ガス入口２２ｃに再度導入する。さらに、加熱された炭素含有反応ガス５０ｄ、例えばＣＯ、をガス出口４４ｄから集め、必要であれば精製し、追加の加熱した炭素含有反応ガスと混合し、再加熱し、加圧し、ガス入口２２ｄに再度導入する。同様に、加熱された反応後ガス５０ｅ、例えばＨｅ、をガス出口４４ｅから集め、必要であれば精製し、追加の加熱した反応後ガス５０ｅと混合し、再加熱し、加圧し、ガス入口２２ｅに再度導入する。冷却ガス５０ｆ、例えばＨｅ、をガス出口４４ｆから集め、必要であれば精製し、追加の冷却ガス５０ｆと混合し、冷却し、加圧し、ガス入口２２ｆに再度導入する。最後に、加熱された燃焼ガス５０ｇ、例えばＯ２、をガス出口４４ｇから集め、精製し、例えば燃焼生成物、例えばＣＯ２、を除去し、追加の加熱した燃焼ガス５０ｇと混合し、再加熱し、加圧し、ガス入口２２ｇに再度導入する。ガスを混合し、精製し、再加熱および再加圧する方法は、当業者には公知であるので、その様な方法の考察をここでさらに行う必要はないと思われる。
【００６１】
ここに記載した様に、図２と３、および本明細書の装置に関連する部分に示す装置は、ここで意図する方法を行うために使用できる装置の一つの型だけを説明している。同様に使用できる別の装置を図４および５に示し、以下にさらに説明する。
【００６２】
図４は、連続流動床製法の一構成要素として使用する反応器６０を含んでなる装置５８を示す。触媒粒子８２は、投入導管６２を経由して還元室６４の中に供給され、上に記載した様式と同様の様式で還元される。還元ガス、例えばＨ２、はガス入口６８を通して導入し、ガス出口７０を通して除去することができる。
還元工程の後、触媒粒子８２は、いずれかの適切な機構により、吐出通路６６を通して再加熱室７２の中に供給することができ、そこで、触媒粒子８２は、不活性加熱ガス、例えばＨｅ、により適切な反応温度に加熱されるが、その不活性加熱ガスは、ガス入口７６を経由して再加熱室７２の中に導入され、ガス出口７８を経由して除去することができる。触媒粒子８２は、加熱後、吐出通路７４を経由して反応器６０の中に送られ、そこで、入口８０を経由して、前に説明した炭素含有ガス（例えばＣＯ）を導入することにより、反応条件にさらされるが、これによって触媒粒子８２は、炭素ナノチューブの形成過程が起こる「流動床」８３として維持される。軽い触媒粒子８５は流動床８３から持ち上げられ、排出ガスに運ばれ、排気導管８４を通して軽量粒子トラップ８８の中に入り、そこで軽量の触媒粒子８５が排出ガスから濾過され、排出ガスは排気出口９０を経由して排除される。これによって、軽量の触媒粒子８５が回収され、トラップ吐出口９２を通り、軽量粒子導管９４を経由して触媒粒子処理装置９６の中に入り、軽量触媒粒子８５をさらに処理し、再循環する。この間に、流動床８３を構成する触媒粒子８２は、反応器６０中で反応条件に適度にさらされた後、反応器６０から除去され、粒子吐出口８６を経由し、冷却室９８に入り、そこで低温の不活性冷却ガス、例えばＨｅ、がガス入口１０２を経由して導入され、反応した触媒粒子８２を冷却する。冷却ガスはガス出口１０４から除去される。次いで、触媒粒子８２は吐出導管１００を経由して冷却室９８を離れ、酸化室１０５に入る。酸化室１０５では、触媒粒子８２が、ガス入口１０６を経由して入る酸化性ガス、例えばＯ２、にさらされ、触媒粒子８２上の無定形の炭素残留物が除去される。ガスは酸化室１０５からガス出口１０７を経由して排除され、触媒粒子８２は吐出導管１０８を経由して放出され、粒子導管１１０を通って触媒粒子処理装置９６に入る。触媒粒子処理装置９６では、触媒が触媒粒子８２および８５の担体成分から分離され、炭素ナノチューブが触媒から上記の方法により分離される。炭素ナノチューブは製品吐出口１１２を経由して吐出され、さらに精製される。触媒および担体成分は分離吐出導管１１４を経由して触媒および担体回収装置１１６に搬送され、そこで触媒が例えば沈殿により回収され、担体は例えば沈殿により回収され、触媒および担体が上記の様式で再構成され、本製法で再使用できる触媒粒子８２を形成する。この様にして回収された触媒粒子８２は、供給導管１１８を経由して再使用のために還元室６４に搬送され、新しい触媒粒子の投入口１２０を経由して供給される新しい触媒粒子８２と混合することができる。前に説明した様に、図４の装置５８で使用したガスは、好ましくは回収され、循環されて装置５８中で再使用される。
【００６３】
図５は、準連続バッチ式の流動床製法における構成要素として使用される反応器１３０を含んでなる装置１２８を示す。装置１２８は、以下に説明する様に、部分的にバッチ式製法に依存し、部分的に流動床型製法に依存している。触媒粒子１４４は投入導管１３２を経由して還元／加熱室１３４中に供給され、そこで触媒粒子１４４は、前に説明した様式と類似の様式で、ただし連続式製法ではなく、バッチ式製法で、還元される。次いで、還元された触媒粒子１４４は、それらの触媒粒子が還元されたのと同じ還元／加熱室１３４中で再加熱される。還元および加熱に使用するガスは、ガス入口１３８を経由して導入され、ガス出口１４０を経由して除去される。これによって、還元工程は再加熱工程と交互に行われる。再加熱の後、触媒粒子１４４は吐出導管１３６を経由して還元／加熱室１３４から放出され、反応器投入口１４２を通して反応器１３０に送られ、そこで触媒粒子は、ガス入口１４９を経由して供給される炭素含有ガスにさらされ、それによって触媒粒子１４４は、図４の装置５８に関して前に説明した様に流動床１５０を形成し、そこで炭素ナノチューブの形成工程が開始する。上記の流動床製法と同様に、軽い触媒粒子１４５は流動床１５０から持ち上げられ、排出ガスに運ばれ、排気導管１４６を通して軽量粒子トラップ１５１の中に入り、そこで軽量の触媒粒子１４５が排出ガスから濾過され、排出ガスは排気出口１５２を経由して排除される。これによって、軽量の触媒粒子１４５が回収され、トラップ吐出口１５４を通り、軽量粒子導管１５６を経由して触媒粒子処理装置１５８の中に入り、軽量触媒粒子１４５をさらに処理し、再循環する。この間に、流動床１５０を構成する触媒粒子１４４は、反応器１３０中で反応条件に適度にさらされた後、反応器１３０から除去され、粒子吐出口１４８を経由し、冷却／酸化室１６０に入り、そこで低温の不活性冷却ガス、例えばＨｅ、がガス入口１６６を経由して導入され、反応した触媒粒子１４４を冷却する。冷却ガスはガス出口１６８を経由して除去される。ここで、冷却された触媒粒子１４４を、ガス入口１０６を経由して入る酸化性ガス、例えばＯ２、に曝すことができ、触媒粒子１４４上の無定形の炭素残留物が除去される。ガスは冷却／酸化室１６０からガス出口１６８を経由して排除され、こうして酸化された触媒粒子１４４は吐出導管１６２を経由して放出され、粒子導管１６４を通って触媒粒子処理装置１５８に入る。触媒粒子処理装置１５８では、触媒が触媒粒子１４４および１４５の担体成分から分離され、炭素ナノチューブが触媒から上記の方法により分離される。炭素ナノチューブは製品吐出口１７０を経由して吐出され、さらに精製される。触媒および担体成分は分離吐出導管１７２を経由して触媒および担体回収装置１７４に搬送され、そこで触媒が例えば沈殿により回収され、担体は例えば沈殿により回収され、触媒および担体が上記の様式で再構成され、本製法で再使用できる触媒粒子１４４を形成する。この様にして回収された触媒粒子１４４は、供給導管１７６を経由して再使用のために還元／加熱室１３４に搬送され、新しい触媒粒子の投入口１７８を経由して供給される新しい触媒粒子１４４と混合することができる。前に説明した様に、図５の装置１２８で使用したガスは、好ましくは回収され、循環されて装置１２８中で再使用される。
【００６４】
請求項で規定する本発明の精神および範囲から離れることなく、ここに記載する様々な構成要素、部品および機構の構造および操作、またはここに記載する方法の工程または工程順序に変形を行うことができる。
【００６５】
本願に記載する数値的および量的測定は（例および請求項におけるものを含めて）すべて近似値である。
【００６６】
ここで例示的に説明または特許権請求する本発明は、ここに特別に開示または特許権請求しないすべての要素が存在しなくても適切に実行することができる。
従って、本発明は、ここに開示または特許権請求する要素を含んでなる、それらの要素からなる、または実質的にそれらの要素からなることができる。
【００６７】
請求項は、本願と一致する、可能な限り広い範囲に権利が与えられる。請求項は、必ずしも好ましい実施態様または例に示す実施態様に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は、本発明の一実施態様における処理工程を示すフローチャートである。
【図２】
図２は、本発明の一実施態様として意図する製法で使用できる反応器の断面図である。
【図３】
図３は、図２に示す反応器の線３−３を通して見た断面図である。
【図４】
図４は、本発明の方法で使用できる装置を図式的に示す図である。
【図５】
図５は、本発明の方法で使用できる別の装置を図式的に示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003535794.tif 000001