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【手続補正書】
【提出日】平成22年8月16日(2010.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属シリケート膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）法であって、複数の堆積サイクルを含み、各サイクルは、反応空間内の基板を、ハロゲン化ケイ素原料化学物質、金属原料化学物質、及び酸化剤の空間的且つ時間的に離れた気相パルスと接触させることを含み、前記金属原料化学物質は、前記ハロゲン化ケイ素原料化学物質の後に供給されるすぐ後の反応物である、方法。
【請求項２】
前記気相パルスの各々の間に前記反応空間をパージすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ハロゲン化ケイ素原料化学物質はＳｉＣｌ４である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記金属原料化学物質は金属ハロゲン化物原料化学物質である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記金属原料化学物質はＨｆ又はＺｒを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記金属原料化学物質はＨｆＣｌ４である、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記酸化剤は、イソプロピルアルコール、メタノール、エタノール、低分子量アルコール、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、Ｎ２Ｏ５、酸素含有ラジカル、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏ２、Ｏ３、Ｄ２Ｏ、及びＤ２Ｏ２から成る群から選択される作用物質を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記金属シリケート膜を約１５０℃〜約５００℃の基板温度で形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記金属シリケート膜を約２００℃〜約４５０℃の基板温度で形成する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属シリケート膜をダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）デバイスにおいて使用する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属シリケート膜を相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）デバイスにおいてゲート誘電体として使用する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
反応空間内の基板上にハフニウムシリケート膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）法であって、連続する、
（ａ）前記基板を、酸化剤の気相パルスと接触させるステップと、
（ｂ）もしあれば過剰の酸化剤及び反応副産物を前記反応空間から除去するステップと、
（ｃ）前記基板を、ハロゲン化ケイ素の気相パルスと接触させるステップと、
（ｄ）もしあれば過剰のハロゲン化ケイ素及び反応副産物を前記反応空間から除去するステップと、
（ｅ）前記基板を、金属ハロゲン化物の気相パルスと接触させるステップと、
（ｆ）もしあれば過剰の金属ハロゲン化物及び反応副産物を前記反応空間から除去するステップと、
（ｇ）所望の厚さの金属シリケート膜が前記基板上に形成されるまで、ステップ（ａ）〜ステップ（ｆ）を繰り返すステップと、
を含む、方法。
【請求項１３】
前記基板を、前記金属原料化学物質の気相パルスと接触させる前に、該基板上に初期表面終端を付与することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ステップ（ｆ）後及びステップ（ｇ）前に、ハロゲン化ケイ素の気相パルス及び酸化剤の気相パルスを交互に且つ連続して供給することを含む第２のサイクルをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
ステップ（ｇ）前に前記第２のサイクルを５回繰り返す、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
約６５％を超えるケイ素含量を有する、シリコンリッチ金属シリケート膜。
【請求項１７】
前記ケイ素含量は約７０％以上である、請求項１６に記載のシリコンリッチ金属シリケート膜。
【請求項１８】
前記ケイ素含量は約８０％以上である、請求項１６に記載のシリコンリッチ金属シリケート膜。
【請求項１９】
金属シリケート膜がハフニウムを含む、請求項１６に記載のシリコンリッチ金属シリケート膜。
【請求項２０】
金属シリケート膜がジルコニウムを含む、請求項１６に記載のシリコンリッチ金属シリケート膜。
【請求項２１】
反応空間内の基板上にハフニウムシリケート膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）法であって、連続する、
（ａ）前記基板を、酸化剤の気相パルスと接触させるステップと、
（ｂ）もしあれば過剰の酸化剤及び反応副産物を前記反応空間から除去するステップと、
（ｃ）前記基板を、ハロゲン化ケイ素の気相パルス及び金属ハロゲン化物の気相パルスと接触させるステップと、
（ｄ）もしあれば過剰のハロゲン化ケイ素、金属ハロゲン化物及び反応副産物を前記反応空間から除去するステップと、
（ｅ）所望の厚さの金属シリケート膜が前記基板上に形成されるまで、ステップ（ａ）〜ステップ（ｄ）を繰り返すステップと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月28日(2010.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）センサウェハであり：
第１の画素領域アレイであり、各画素領域が：
入射光に応答して電荷を収集する光検出器；
前記光検出器から電荷を転送する転送ゲート；及び
前記光検出器から前記転送ゲートを介して前記電荷を受け取る電荷−電圧変換機構；
を含む、第１の画素領域アレイ、
を有するセンサウェハ、
（ｂ）前記センサウェハに接続されたサポート回路ウェハであり：
前記第１のアレイ内の各画素領域に対するサポート回路を有する第２の画素領域アレイであり、当該第２のアレイ内の各画素領域が、前記第１のアレイ内の１つ以上の画素領域に結合された、第２の画素領域アレイ；
を含むサポート回路ウェハ、並びに
（ｃ）前記センサウェハ上の各電荷−電圧変換機構と前記サポート回路ウェハ上のそれぞれの画素領域内の電気ノードとの間のウェハ間コネクタであり、前記電荷−電圧変換機構から前記サポート回路ウェハに電荷を転送するウェハ間コネクタ、
を有するアクティブ画素センサ。
【請求項２】
（ａ）センサウェハであり：
アクティブ画素領域のアレイであり、各アクティブ画素領域が：
光に応答して電荷を収集する光検出器；
前記光検出器からの電荷を読み出す読み出し回路；及び
前記読み出し回路に接続された第１の複数の相互接続；
を有する、アクティブ画素領域のアレイ、
を含むセンサウェハ、
（ｂ）前記センサウェハに接続されたサポート回路ウェハであり：
前記アクティブ画素領域のアレイに対するサポート回路；及び
第２の複数の相互接続；
を含むサポート回路ウェハ、並びに
（ｃ）前記センサウェハと前記サポート回路ウェハとの間で１つ以上の信号を伝送する複数のウェハ間コネクタ配線であり、各ウェハ間コネクタ配線が、前記センサウェハ上の第１の相互接続と前記サポート回路ウェハ上の対応する相互接続との間に接続された、複数のウェハ間コネクタ配線、
を有するアクティブ画素センサ。
【請求項３】
センサウェハ及びサポート回路ウェハを有するアクティブ画素センサを製造する方法であって：
除去可能な界面層を用いて前記センサウェハをハンドリングウェハに取り付ける工程；
前記センサウェハを所与の厚さまで裏面から薄層化する工程；
前記センサウェハに前記サポート回路ウェハを取り付ける工程；及び
前記センサウェハから前記ハンドリングウェハを分離する工程；
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月6日(2010.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電材料のシートを設けるステップと、
前記導電材料のシートから太陽電池モジュールバスバー部品を成形するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記バスバー部品は、相互接続バス及び複数の単一成形されたバスタブを有するセル接続部品を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記バスバー部品は、非線形部分を有する端子バスを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
成形ステップは、前記導電材料のシートから前記バスバー部品を型打ちするステップを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
型打ちステップは、前記導電材料のシート上で複数のバスバー部品を入れ子状のパターンで型打ちするステップをさらに含み、前記入れ子状のパターンは、隣接するバスバー部品間の前記導電材料のシートの利用を高める、
ことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
成形ステップは、放電加工機（ＥＤＭ）、レーザ切断、及び水ジェット切断の１つを使用して、前記導電材料のシートから前記バスバー部品を切り取るステップを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
積み重ねて置かれた複数の導電材料のシートから複数のバスバー部品を切り取るステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
太陽電池モジュールのためのセル接続部品であって、
相互接続バスと、
前記相互接続バスと単一成形された、該相互接続バスから延びる複数のバスタブと、
半田接合部にて前記相互接続バスと結合して該相互接続バスと一体となった、直角ではない曲線形状を有する端子バスと、
を含むことを特徴とするセル接続部品。
【請求項９】
前記相互接続バスは、該相互接続バスの長さに沿って連続的な可変幅を有する、
ことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記相互接続バスは、該相互接続バスの長さに沿って段階的な可変幅を有する、
ことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記相互接続バスは、半田接合部が形成された延長部を該相互接続バスの端部に含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記相互接続バスは、前記太陽電池モジュールの熱膨張に対応するための伸縮接合部を含み、該伸縮接合部は、前記セル接続部品と単一成形される、
ことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
前記相互接続バスは、前記セル接続部品の製造工程において第２のセル接続部品の第２の複数のバスタブに適合するための複数のノッチを含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
前記セル接続部品は導電材料のシートから成形される、
ことを特徴とする請求項８に記載のセル接続部品。
【請求項１５】
太陽電池モジュールのための端子バスであって、
前記太陽電池モジュールの電気端子に結合するための端子接続端部と、
前記端子接続端部の反対側のセル接続端部と、
前記端子接続端部と前記セル接続端部との間の非線形部分と、
を含むことを特徴とする端子バス。
【請求項１６】
前記端子バスの前記非線形部分は、前記太陽電池モジュールの対応する太陽電池セルの縁部と重ならないように設計される、
ことを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記太陽電池モジュール内の複数の太陽電池セルと、
前記端子バスが結合された前記電気端子を収容し、前記太陽電池モジュールに結合されて、該太陽電池モジュールが太陽電池システムの外部部品に電気結合するのを容易にするジャンクションボックスと、
前記端子バスと前記複数の太陽電池セルとの間に結合されたセル接続部品と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
前記端子接続端部は、前記端子バスが前記ジャンクションボックスの前記電気端子に結合するのを容易にするように先細である、
ことを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】
前記端子バスは導電材料のシートから成形される、
ことを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項２０】
前記端子バスは、前記ジャンクションボックスの前記電気端子に前記端子バスを結合するための留め具を受け入れるための単一に型打ちされた孔をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項２１】
太陽電池モジュールの太陽電池セルを該太陽電池モジュールのジャンクションボックスに結合するための手段と、
前記太陽電池セルと前記ジャンクションボックスとの間の数多くの結合部を減らすための手段と、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項２２】
前記太陽電池セルの縁部の破損を低減させるための手段をさらに含む、
ことを特徴とする請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
導電材料のシートからセル接続部品を成形するための手段をさらに含む、
ことを特徴とする請求項２１に記載の装置。
【請求項２４】
太陽電池モジュールの太陽電池セルを該太陽電池モジュールのジャンクションボックスに結合するための手段と、
前記太陽電池セルと前記ジャンクションボックスとの間に曲線の電気経路を設ける手段と、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項２５】
導電材料のシートから端子接続部を成形するための手段をさらに含む、
ことを特徴とする請求項２４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月4日(2010.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プロセス条件測定機器およびその方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセス条件測定機器であって、
基板の特性と実質的に同じ特性を有し、ダイヤフラムを有する部材を備え、
物理的にダイヤフラムに接続されたセンサー手段を備え、ここで該プロセスが用いられる表面に対して、ダイヤフラムが接触し、押し付けられる場合に、該センサー手段がダイヤフラムの撓みを測定するためのものであり、該センサー手段は容量的に結合された電極の対を少なくとも一つ備え、ここで対の少なくとも一つの容量は、ダイヤフラムの撓みの関数として変化する
プロセスを経る基板の表面上の圧力または力を測定するためのプロセス条件測定機器。
【請求項２】
前記部材は、該センサー手段を収納するための、ベースとカバーの間にある少なくとも一つの空洞を定義するベースとカバーを備え、該カバーは該ダイヤフラムを備える請求項１に記載の機器。
【請求項３】
少なくとも一つの該空洞が、カバーに対向するベースの表面上、またはベースに対向するカバーの表面上に形成される請求項２に記載の機器。
【請求項４】
前記部材が更にベースとカバーの間に分離層を有し、該分離層内に少なくとも一つの該空洞が形成される請求項２に記載の機器。
【請求項５】
前記部材が、少なくとも一つの空洞内で圧力を受けるダイヤフラムの撓みの効果を低減する少なくとも一つの該空洞と連通する少なくとも一つのタンクを該部材内部に定義する請求項２に記載の機器。
【請求項６】
少なくとも一つのタンクが外部環境と連通する開口部と、かかる連通を制御するバルブを更に備える請求項５に記載の機器。
【請求項７】
電子回路を更に備え、ここで電子回路は少なくとも一つの該空洞内に少なくとも一部が存在し、電子回路はメモリまたは無線送信要素を備え、電子回路はセンサー手段からのデータを受信し、メモリ内にデータを保管するか、無線送信要素を用い、データを送信する請求項２に記載の機器。
【請求項８】
前記部材が、少なくとも一つの空洞内で圧力を受けるダイヤフラムの撓みの効果を低減する少なくとも一つの該空洞と連通する少なくとも一つのタンクを該部材内部に定義し、そして該電子回路の少なくとも一部が少なくとも一つの該タンク内に存在する請求項７に記載の機器。
【請求項９】
前記部材が、寸法と厚さが生産向け半導体ウエハーのそれと実質的に同じである半導体ウエハーを備える請求項２に記載の機器。
【請求項１０】
プロセス経る表面に対して、ダイヤフラムが接触し、押し付けられる場合に、該ダイヤフラムの撓みが凡そ１０μｍを超えない柔軟性を有するダイヤフラムである請求項１に記載の機器。
【請求項１１】
前記部材がプレートを備え、ここで該特性が、プレートの柔軟性、面積、硬さ、そして物理的寸法の一つまたは複数を含む請求項１に記載の機器。
【請求項１２】
該プロセスが研磨または平坦化プロセスであり、該ダイヤフラムは、該研磨または平坦化プロセスによる侵食を低減する耐摩耗性皮膜、あるいは、該プロセスにより侵食された材料を置換する追加の成膜材料を備える請求項１に記載の機器。
【請求項１３】
前記部材がプレートを備え、該センサー手段が、該プレートに亘る領域に配置された容量的に結合された電極の複数の対を備え、該機器が更に複数の温度センサーを備え、ここで容量的に結合された電極の該対の温度を測定するため、容量的に結合された電極の対の近傍に個々の温度センサーが配置され、該温度センサーが出力を提供する請求項１に記載の機器。
【請求項１４】
前記センサー手段に対応し、そして容量的に結合された電極の対の個々に対応して近傍に位置する温度センサーの出力を用い、容量的に結合された電極の対に対応する個々の測定を調節するための温度センサーの出力に対応する電子回路を更に備える請求項１３に記載の機器。
【請求項１５】
前記部材内の寄生容量を検知するため、該ダイヤフラムに接続されていない容量的に結合された電極の参照対の少なくとも一つを更に備える請求項１に記載の機器。
【請求項１６】
かかる測定に於ける寄生容量の効果を低減する該センサー手段の測定を調節するために、容量的に結合された電極の該参照対の出力に対応する電子回路を更に備える請求項１５に記載の機器。
【請求項１７】
前記部材内の寄生容量を検知するため、該ダイヤフラムに接続されていない容量的に結合された電極の複数の参照対を更に備え、ここで複数の参照対の個々は、測定の寄生容量の効果を低減するために、容量的に結合された測定電極の対に対応する近傍位置に設置される請求項１５に記載の機器。
【請求項１８】
前記プロセスが研磨または平坦化プロセスであり、該部材が、プロセス中の該基板の振る舞いをシミュレートする該プロセスを経るのに適切である請求項１に記載の機器。
【請求項１９】
前記プロセスが研磨プロセスヘッドまたは平坦化プロセスヘッドの最適化に関するプロセスである請求項１に記載の機器。
【請求項２０】
方法であって、
基板の特性と実質的に同じ特性を有するプレートを備える機器を設定し、該プレートはダイヤフラム、そして容量的に結合された電極の対を少なくとも一つを備え、少なくとも一つの該電極対は容量を有し、
ダイヤフラムが研磨または平坦化表面に対して接触し、押し付けられる場合にダイヤフラムの撓みを検知し、該検知が、容量的に結合された電極の対の少なくとも一つの容量の変化を検知する
プロセスを経る基板表面上の圧力または力を測定する方法。
【請求項２１】
前記特性が、プレートの柔軟性、面積、硬さ、そして物理的寸法の一つまたは複数を含み、ここで、機器はメモリまたは無線送信要素を備え、更に、該方法は、
容量的に結合された電極の少なくとも一つの対の容量の変化に関連するデータをメモリに保管するか、無線送信要素を用い、データを送信する請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記プレート内の寄生容量を測定し、該検知に於ける寄生容量の効果を低減することを更に含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
膨らませることができる部材を予め設定された圧力まで膨らませ、部材の膨らみによるダイヤフラムの撓みを検知し、膨らませることと検知することの最中に予め設定された温度までプレートを加熱する加熱素子を用いることを更に含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記プロセスが研磨または平坦化プロセスであり、該部材が、プロセス中の該基板の振る舞いをシミュレートする該プロセスを経るのに適切である請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
前記プロセスが研磨プロセスヘッドまたは平坦化プロセスヘッドの最適化に関するプロセスである請求項２０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月4日(2010.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光素子に用いられる組成物であって、同一色の有機蛍光発光材料及び有機燐光発光材料を含有することを特徴とする組成物。
【請求項２】
前記有機蛍光発光材料がポリマーであることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記有機蛍光発光材料が赤色蛍光発光材料であることを特徴とする請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記赤色蛍光発光材料が、下記式（８）：
【化１】
2010506416.tif 000001
（式中、Ｘ１、Ｙ１、及びＺ１はそれぞれ独立にＯ、Ｓ、ＣＲ２、ＳｉＲ２、又はＮＲであり、Ｒはそれぞれ独立にアルキル、アリール、又はＨである）により表される任意に置換された繰り返し単位を含むポリマーを含有することを特徴とする請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記式（８）中、Ｘ１、Ｙ１、及びＺ１はそれぞれ独立にＯ又はＳであることを特徴とする請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記式（８）中、Ｘ１、Ｙ１、及びＺ１はＳであることを特徴とする請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記有機燐光発光材料が有機金属錯体であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の組成物。
【請求項８】
前記有機燐光発光材料が赤色燐光発光材料であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の組成物。
【請求項９】
前記赤色燐光発光材料が、１つ以上の可溶化基が置換したトリス（フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）であることを特徴とする請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記有機蛍光発光材料及び前記有機燐光発光材料が別個の材料として混合物中で混合されているか、或いは化学的に結合していることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の組成物。
【請求項１１】
異なる色の更なる有機発光材料を含有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の組成物。
【請求項１２】
前記更なる有機発光材料が別個の材料として混合物中で前記同一色の有機蛍光発光材料及び有機燐光発光材料と混合されているか、或いは前記同一色の有機蛍光発光材料及び有機燐光発光材料の一方又は両方に化学的に結合していることを特徴とする請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記更なる有機発光材料が青色蛍光材料であることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の組成物。
【請求項１４】
前記青色蛍光材料が、下記式１〜６：
【化２】
2010506416.tif 000002
（式中、Ｘ、Ｙ、Ａ、Ｂ、Ｃ、及びＤはそれぞれ独立にＨ及び置換基から選ばれ、繰り返し単位１〜６中の任意の２つのフェニル基はいずれも直接結合又は２価部位によって連結されていてよい）により表される任意に置換された繰り返し単位を１種以上含むポリマーを含有することを特徴とする請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
前記二価部位がヘテロ原子であることを特徴とする請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
前記ヘテロ原子がＯ又はＳであることを特徴とする請求項１５に記載の組成物。
【請求項１７】
前記組成物中、前記更なる発光材料に対して、前記同一色の有機蛍光発光材料及び有機燐光発光材料の濃度が５重量％未満であることを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１８】
前記組成物中、前記更なる発光材料に対して、前記同一色の有機蛍光発光材料及び有機燐光発光材料の濃度が１重量％未満であることを特徴とする請求項１７に記載の組成物。
【請求項１９】
前記組成物が白色発光組成物であることを特徴とする請求項１〜１８のいずれかに記載の組成物。
【請求項２０】
前記白色発光組成物が、３０００〜９０００Ｋの黒体による発光に等価なＣＩＥ−ｘ座標を示し、且つ前記黒体による発光の０．０５の範囲内のＣＩＥ−ｙ座標を示すことを特徴とする請求項１９に記載の組成物。
【請求項２１】
更に有機正孔輸送材料及び／又は有機電子輸送材料を含有することを特徴とする請求項１〜２０のいずれかに記載の組成物。
【請求項２２】
アノード、カソード、及び前記アノードと前記カソードの間に配置される有機発光領域を有する有機発光素子であって、前記有機発光領域が同一色の有機蛍光発光材料及び有機燐光発光材料を含有することを特徴とする有機発光素子。
【請求項２３】
前記同一色の有機蛍光発光材料及び有機燐光発光材料が同一の層に含まれることを特徴とする請求項２２に記載の有機発光素子。
【請求項２４】
前記有機発光領域が請求項１〜２１のいずれか一項に記載の組成物を含有することを特徴とする請求項２２又は２３に記載の有機発光素子。
【請求項２５】
白色光を発することが可能な有機発光素子であって、前記有機発光素子を駆動した際にその発光輝度が当初の半分に低下するまでの期間にわたって、色変化がＣＩＥ座標で０．０２未満であることを特徴とする有機発光素子。
【請求項２６】
前記有機発光素子を駆動した際にその発光輝度が当初の半分に低下するまでの期間にわたって、色変化がＣＩＥ座標で０．０１５未満であることを特徴とする請求項２５に記載の有機発光素子。
【請求項２７】
前記有機発光素子を駆動した際にその発光輝度が当初の半分に低下するまでの期間にわたって、色変化がＣＩＥ座標で０．０１３未満であることを特徴とする請求項２６に記載の有機発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
燐光材料からの発光が同一色の蛍光材料によって消光されてしまうのではないかと考えられる。しかしながら、意外にもこのような現象は起こらないことが分かった。組成物中の同一色の燐光材料及び蛍光材料の濃度は低いことが好ましく、例えば、更なる発光材料に対して、好ましくは５重量％未満、より好ましくは１重量％未満である。赤色又は黄色の燐光材料と赤色又は黄色の蛍光材料とを、青色発光材料に対して低濃度で用いると、組成物の主成分である青色発光材料は赤色燐光材料よりも高い三重項エネルギーを示すため、消光の問題が低減又は除去されると考えられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
アノード２とカソード４の間に、電荷輸送層、電荷注入層、及び／又は電荷ブロック層といった更なる層を配置してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月16日(2010.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
場面に対応する少なくとも２つのビデオ信号をキャプチャリングするためにキャプチャー装置を使用する方法であって：当該方法は、
ａ）  複数の画素を有する二次元画像センサを用意すること；
ｂ）  該画像場面の第１ビデオ信号を生成するために、第１フレームレートで該画像センサから第１画素群を読み取ること；
ｃ）  第２ビデオ信号を生成するために、第２フレームレートで該画像センサから第２画素群を読み取ること；そして
ｄ）  該キャプチャー装置のパラメータのうちの１つ又は２つ以上を調節するために、該ビデオ信号のうちの少なくとも一方を使用すること
を含んで成る。
【請求項２】
該第２ビデオ信号が、１つ又は２つ以上のキャプチャー装置パラメータを調節するために使用され、そして該第１ビデオ信号よりも高速のフレームレートである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該第２ビデオ信号が、該キャプチャー装置のフォーカスを調節するために使用される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
該第２ビデオ信号が、該キャプチャー装置の露出を調節するために使用される請求項２に記載の方法。
【請求項５】
該第２ビデオ信号が、該キャプチャー装置の露出を調節するために使用される請求項３に記載の方法。
【請求項６】
ｅ）  キャプチャ・パラメータの調節後に該場面の画像の最終キャプチャーを提供するために、該二次元画像センサからの画素を使用することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
場面に対応する少なくとも２つのビデオ信号をキャプチャリングするためにキャプチャー装置を使用する方法であって：当該方法は、
ａ）  複数の画素を有する二次元画像センサを用意すること；そして
ｂ）  該画像センサ内の画素からプレビュー画像を生成して、ユーザがこのプレビュー画像を観察し、該キャプチャー装置を作動させて：
ｉ）  該画像場面の第１ビデオ信号を生成するために、第１フレームレートで該画像センサから第１画素群を読み取らせること；
ｉｉ）  第２ビデオ信号を生成するために、第２フレームレートで該画像センサから第２画素群を読み取らせること
を含んで成り；そして
ｉｉｉ）  該ビデオ信号のうちの少なくとも１方は、該キャプチャ・パラメータのうちの１つ又は２つ以上を調節するために使用される。
【請求項８】
該第２ビデオ信号が、１つ又は２つ以上のキャプチャ・パラメータを調節するために使用され、そして該第１ビデオ信号よりも高速のフレームレートである請求項７に記載の方法。
【請求項９】
該画像センサが、パンクロマティック画素及びカラー画素を含む請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
該第１画素群が、パンクロマティック画素若しくはカラー画素又はその両方を含み、そして該第２画素群が、パンクロマティック画素若しくはカラー画素又はその両方を含む請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月30日(2010.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（通常ビット誤り率モード及び高速ビット誤り率モードを有する量子鍵配布システム）
図１は、本発明の高速ビット誤り率計算モードをサポートする量子鍵配布システム１０の一例の概略図である。量子鍵配布システム１０は、アリスとボブの二つのＱＫＤステーションを有し、双方は光ファイバ線１６によって動作可能に接続されている。量子鍵配布システム１０は、本発明の高速ビット誤り率計算モードを実行可能である。アリスとボブは、光学層２０Ａ及び２０Ｂをそれぞれ有し、各層は電子機器／ソフトウエア（Ｅ／Ｓ）層３０Ａ及び３０Ｂにそれぞれ動作可能に接続されている。光学層２０Ａ及び２０Ｂは、光ファイバ線１６によって互いに光学的に接続されている。光学層２０Ａ及び２０Ｂは、アリスからボブに送られた単一光子レベルの光パルス（「量子信号」）Ｐ、及び光同期信号（図示せず）等の非量子信号を処理する。Ｅ／Ｓ層３０Ａ及び３０Ｂは、対応する光学層２０Ａ及び２０Ｂの動作を制御し、（例えば、別の通信線３６や光ファイバ線１６上に多重化されて）互いに通信して、量子鍵配布システム１０全体の運転を制御する。ボブのＥ／Ｓ層３０Ｂは、アリスからボブに送信された量子信号Ｐを検出する単一光子検出（ＳＰＤ）部４０Ｂを有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
十分な数の量子信号が交換された後、アリスとボブは、ＲＢバッファ４４Ａ及び４４Ｂにそれぞれ二つの異なるバージョンの原ビットセットを格納している。これらの原ビットは、対応する送信／測定基底を有する。これらの原ビットは原鍵を構成する。
１０２において、アリスとボブは原鍵からシフト鍵を生成する。これは、アリスとボブが、検出された各量子信号の測定基底を公に共有することによりなされる。同一の基底でなされた測定は、保持されたビットの完全な相関を達成するが、異なる基底でなされた測定は破棄される。実際には、誤りは、システムの欠陥や、量子信号を測定しようとする盗聴者によって発生する。したがって、アリスとボブは、更に原鍵を改善しようと測定基底を比較しても、完全に同一の鍵（ビット）を共有するには至らない。原鍵の処理後残ったビットセットは、「シフト鍵」と呼び、その異なるバージョンはＳＢバッファ５０Ａ及び５０Ｂにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ここで、通常ビット誤り率モード（図２）においては、アリスとボブはそれぞれ、１０３及び１０４の動作に沿って自身の誤り訂正を複数のＳＢバッファで行い、誤り訂正アルゴリズムを実行するのに必要な情報のみアリス及びボブ間で送信されている。一方、高速ビット誤り率モードにおいては、２０１で、アリスのＳＢバッファ５０Ａのデータはすべてボブに送信されて高速ビット誤り率が計算される。高速ビット誤り率計算は、ボブにおいてＳＢバッファの全体ビット量に基づいて行われる。そしてボブは、シフト鍵の自身のバージョンをアリスのバージョンと比較する。アリス及びボブ間のシフト鍵ビットにおける相違がビット誤りである。ビット誤りの数をシフト鍵を形成するシフト鍵ビットの総数によって除算することにより、高速ビット誤り率が算出される。他の高速ビット誤り率計算方法の実施例として、ボブは自身のＳＢバッファのデータをアリスに送信し、アリスが高速ビット誤り率計算を行ってもよい。実際に高速ビット誤り率計算を行うのがいずれのＱＫＤステーションかは、重要でない。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月21日(2010.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動通信端末機の下部本体に固定される第１スライド部材、移動通信端末機の上部本体に固定され、前記第１スライド部材にスライド移動可能に結合される第２スライド部材、及び前記第２スライド部材が前記第１スライド部材に対してスライド移動する際、前記第２スライド部材にトーションを提供するトーション組み立て体で構成される移動通信端末機用スライド装置において、
前記トーション組み立て体は、円形に巻線される第１コイル及び該第１コイルの一端から延長される第１延長部で構成され、前記第１スライド部材と前記第２スライド部材との間に配置され、前記第１延長部の端が前記第２スライド部材に結合される第１スプリング、円形に巻線され、前記第１コイルに対して上下方向に積層される第２コイル、及び該第２コイルの一端から延長された第２延長部で構成され、前記第１スライド部材と前記第２スライド部材との間に配置され、前記第２延長部の端が前記第１スライド部材に結合される第２スプリング、及び前記第１コイル及び第２コイルの他端を結合する結合部材で構成されることを特徴とする移動通信端末機用スライド装置。
【請求項２】
前記第１スプリング及び前記第２スプリングの素線は四角形の断面形状を有することを特徴とする請求項１に記載の移動通信端末機用スライド装置。
【請求項３】
前記結合部材は、
前記第１コイルで第２コイルと向い合う面の反対面を覆う第１覆板、
前記第１覆板から突き出されて前記第１コイルの他端と結合される第１支持突起、
前記第２コイルで第１コイルと向い合う面の反対面を覆い、前記第１覆板に係止されて固定される第２覆板、及び
前記第２覆板から突き出されて前記第２コイルの他端と結合される第２支持突起で構成されることを特徴とする請求項１に記載の移動通信端末機用スライド装置。
【請求項４】
前記第１支持突起には、前記第１コイルの他端が係止されて収容される第１スロットが形成され、前記第２支持突起には、前記第２コイルの他端が係止されて収容される第２スロットが形成されることを特徴とする請求項３に記載の移動通信端末機用スライド装置。
【請求項５】
前記第１覆板には係止部が具備され、前記第２覆板には前記係止部と対応される位置に具備され、前記係止部に係止された時、前記第２覆板が第１覆板に固定されるようにする係止突起が具備されることを特徴とする請求項３に記載の移動通信端末機用スライド装置。
【請求項６】
前記結合部材は、前記第２コイルで第１コイルと向き合う面の反対面を覆い、第１覆板に固定される第２覆板と、前記第２覆板から突き出されて前記第１コイル及び第２コイルの他端と結合されて位置固定する支持突起で構成されることを特徴とする請求項１に記載の移動通信端末機用スライド装置。
【請求項７】
前記第２覆板には前記第１コイルで前記第２コイルと向き合う面の反対面と接触して前記第１コイルと第２コイルとを位置固定する係止片が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の移動通信端末機用スライド装置。
【請求項８】
前記結合部材は、
第２コイルで前記第１コイルと向き合う面の反対面を覆う第２覆板と、
前記第１コイル及び第２コイルの他端を位置固定しながら、前記第２覆板に提供される固定片からなることを特徴とする請求項１に記載の移動通信端末機用スライド装置。
【請求項９】
前記結合部材には、
前記第２覆板と結合され、前記第１コイルで前記第２コイルと向き合う面の反対面を覆う第１覆板がさらに具備されることを特徴とする請求項８に記載の移動通信端末機用スライド装置。
【請求項１０】
前記固定片には、固定片係止部と、
前記第２覆板には前記固定片係止部と対応される位置に形成され、前記固定片係止部に結合した際、前記固定片が前記第２覆板から離脱されることを防止する覆板係止突起が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の移動通信端末機用スライド装置。
【請求項１１】
前記固定片には、前記第１コイル及び第２コイルの他端を共に収容することができるスロットが形成されていることを特徴とする請求項８に記載の移動通信端末機用スライド装置。
【請求項１２】
前記第１延長部の端には、該端を着脱可能に内部に収容し、前記第２スライド部材に回転可能に結合される第１クリップ部材がさらに具備されることを特徴とする請求項１に記載の移動通信端末機用スライド装置。
【請求項１３】
前記第１クリップ部材は、前記第１延長部の端と対応される形状を有する第１収容溝が形成され、前記第１収容溝の内壁には前記第１延長部の端が内部に収容されることは許容し、かつ該第１延長部の端が離脱されることは防止する第１延長部固定突起が形成されることを特徴とする請求項１２に記載の移動通信端末機用スライド装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
以下では、本発明に係る望ましい実施形態を添付された図面を参照して詳細に説明する。
本発明の実施形態において、コイルとは、スプリングの巻線部であり、また、スプリングは、コイルと延長部とを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素ガスおよび二酸化炭素を触媒化学反応でギ酸（ＨＣＯＯＨ）から生成する方法であって、
前記反応は、添加されたギ酸塩の存在下で行われる方法。
【請求項２】
前記反応は、
水性溶液の中で、
１５〜２２０℃の範囲内の温度で、
添加されたギ酸塩の存在下で、および
触媒の存在下で
行われ、
前記触媒は、一般式（Ｉ）の錯体を含み、
Ｍ（Ｌ）ｎ      （Ｉ）
式中、Ｍは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔ、ＰｄおよびＯｓから選択された金属であり、好ましくはＲｕであり、
ｎは１〜４の範囲内であり、
Ｌは、カルベン、または少なくとも１つのリン原子を含む配位子であり、該リン原子は、該金属に錯体結合によって結合されており、該リン配位子は、少なくとも１つの芳香族基および１つの親水基をさらに含み、
ｎ＞１の場合、それぞれのＬは、別のＬと異なっていてもよく、
前記一般式（Ｉ）の錯体は、別の配位子を任意選択的に含み、そして、塩の形態で供給されるか、または中性である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記反応が、７５℃〜１４０℃の範囲内の温度で行われる請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
触媒が使用され、
前記触媒が１４０℃までの温度で、および１〜８の範囲内のｐＨで安定である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記反応容器の中で、ギ酸：ギ酸塩（ＨＣＯＯＨ：ＨＣＯＯ-）のモル比が、1：２０〜３０：１の範囲内である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記反応が、水性溶液の中で、１〜６、好ましくは、２．５〜５．０の範囲内のｐＨで、行われる請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
０．５〜６００バールの範囲内のＨ2分圧で行われる請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記触媒の少なくとも１つの前記配位子Ｌの前記親水基が、スルホネート、カルボキシレートおよび／またはヒドロキシから選択される請求項２乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記化学反応が、モノ−、ジ−および／もしくはトリ−スルホン化トリフェニルホスフィンまたはその水溶性塩を含む触媒の存在下で行われる請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
Ｍがルテニウムである請求項２乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記化学反応が一酸化炭素（ＣＯ）を全く生成しない請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
１２０バール以上の圧力で行われる請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記水素ガスは連続的に生成され、ギ酸は反応容器に連続的に加えられる請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
触媒化学反応で、ギ酸（ＨＣＯＯＨ）から水素ガスおよび二酸化炭素を連続的に生成する方法であって、
前記反応は、反応容器の中で、１５〜２２０℃の範囲内の温度で行われ、
前記化学反応が一酸化炭素（ＣＯ）を全く生成しない方法。
【請求項１５】
二酸化炭素は、超臨界状態である請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
３１℃および７３バールのＣＯ2分圧を超えて行われる請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
エネルギーを発生する方法であって、
前記方法は、
請求項１乃至１６のいずれか１項にしたがって水素ガスを生成する工程と、
水素ガスを使用することによってエネルギーを生成することが可能であるプロセスおよび／または装置へ前記水素ガスを導く工程と、
前記水素ガスを使用することによってエネルギーを生成する工程とを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月20日(2010.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック材料で製作され、手で取り外される蓋（２０）を着座させ、保持するための座を画定した上縁部（１０ａ）を有する側壁（１０）を有した、金属シートからなる筒状本体（１）を備えたタイプの缶およびポット用の密封構造物であって、側壁（１０）の上縁部（１０ａ）は、筒状本体（１）から半径方向外向きに突き出て内側で筒状本体（１）に組み込まれて自由外縁部に、筒状本体（１）の軸線に直交する同一平面（Ｐ）に曲率中心が配置された２つの対向する円弧部分（１２ａ）を断面輪郭が備えた、周囲環状フランジ（１１）から上方に突き出た連続リブ（１２）を担持した周囲環状フランジ（１１）を備え、蓋（２０）の下方には、蓋（２０）を筒状本体（１０）内で軸方向にロックするように、連続リブ部分（１２）と蓋部分（２０）のうちの少なくとも一方の弾性変形によって平面（Ｐ）の上下で連続リブ（１２）のそれぞれの円弧部分（１２ａ）に対して着座される上環状壁部分（２４ａ）、内壁部分（２４ｂ）、および外壁部分（２４ｃ）を備えた連続円周溝（２４）が設けられ、前記構造物は、周囲環状フランジ部分（１１）と蓋部分（２０）のうちの一方によって担持されて蓋の密封時に前記部分のうちの他方によって押圧される環状ガスケット（３０）をさらに備えることを特徴とする、構造物。
【請求項２】
連続リブ（１２）が、２つの円弧部分（１２ａ）の円形輪郭と一致した、周囲環状フランジ（１１）に接した円形輪郭を備えた断面を有していることを特徴とする、請求項１に記載の構造物。
【請求項３】
周囲環状フランジ（１１）および連続リブ（１２）が、筒状本体（１）の側壁（１０）と一体的に形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の構造物。
【請求項４】
筒状本体（１）の側壁（１０）の周囲環状フランジ（１１）には、ガスケット（３０）の基礎部分を受け取りかつ埋め込むように寸法決めされた、浅浮き彫りの円周チャネル（１１ａ）が設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の構造物。
【請求項５】
蓋（２０）が一体的に、中央壁（２１）と、中央壁（２１）に下方で組み込まれかつ連続円周溝（２２）が下に設けられた環状壁（２３）を上方に組み込んだ周囲壁（２２）とを備えることを特徴とする、請求項１に記載の構造物。
【請求項６】
蓋（２０）の環状壁（２３）の内側には、ガスケット（３０）の基礎部分を受け取りかつ埋め込むように寸法決めされた、浅浮き彫りの円周チャネル（２３ａ）が設けられていることを特徴とする、請求項５に記載の構造物。
【請求項７】
環状ガスケット（３０）が周囲環状フランジ（１１）によって担持され、蓋（２０）の環状壁（２３）の下方は、蓋（２０）の閉鎖時に環状ガスケット（３０）に対して押圧される少なくとも１つの連続リブ（２５）を組み込んでいることを特徴とする、請求項５に記載の構造物。
【請求項８】
蓋（２０）の環状壁（２３）の周囲かつ下方が複数の破断性ブリッジ（２６）を介して、蓋（２０）から下垂した円筒状スカートの形態の密閉用ストリップ（２７）を担持することを特徴とする、請求項５に記載の構造物。
【請求項９】
筒状本体（１０）が、蓋（２０）の外側輪郭の軸方向の突出が前記筒状本体（１）の残りの部分（１ｂ）の輪郭よりも内側になるように、前記筒状本体（１）の前記残りの部分（１ｂ）の輪郭が小さい断面輪郭を有した上方部分（１ａ）を有していることを特徴とする、請求項８に記載の構造物。
【請求項１０】
筒状本体（１）の上方部分（１ａ）の高さが、密閉用ストリップ（２７）の下縁部と筒状本体（１）の上縁部（１０ａ）との間の軸方向間隔よりも僅かに大きいことを特徴とする、請求項９に記載の構造物。
【請求項１１】
環状ガスケット（３０）が蓋（２０）の環状壁（２３）の下に取り付けられ、筒状本体（１）の周囲環状フランジ（１１）は、蓋（２０）の閉鎖時に環状ガスケット（３０）に対して押圧される少なくとも１つの連続リブ（１５）を上方に組み込んでいることを特徴とする、請求項１に記載の構造物。
【請求項１２】
周囲環状フランジ（１１）の連続リブ（１５）が、周囲環状フランジ（１１）の変形によって得られることを特徴とする、請求項１１に記載の構造物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月16日(2010.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
L-シトルリン(I)：
【化１】
2010506887.tif 000001
又はその医薬的に許容される塩を含む、腸の機能不全に起因しない病状の枠内でタンパク質合成の低下に関連する栄養不足状態を治療するための医薬組成物。
【請求項２】
腸の機能不全に起因しない病状の枠内でタンパク質合成の低下に関連する栄養不足状態にある患者で異常に低い場合の筋肉内タンパク質合成を増大させることを意図する請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
不十分な摂取に関連するタンパク質エネルギー栄養障害、
腸の機能不全を導く腸癌を除く癌、
筋肉の除神経、
腸のレベルで作用するものを除く化学療法、
糖尿病、
肥満、
体重減少、
骨折後の固定化された肢、
腸消化系の外科手術を除く調節された外科手術、及び
栄養失調症
を含む群から選択される疾患又は病状の治療用の請求項１又は２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
医薬組成物が、活性物質として、L-シトルリン又はその医薬的の許容される塩を、医薬的に許容される賦形剤とともに含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
L-シトルリンの単位用量が、0.1g/kg/日〜0.5 g/kg/日の投与量計画について、2g〜20gであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
医薬組成物が、乾燥組成物又は水溶液の形態であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
医薬組成物が、経口、皮下、経腸又は非経口投与され得る請求項１〜６のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
医薬組成物が、単独、又は非経口栄養摂取用の栄養混合物、又は経腸栄養摂取用の混合物、又は経口栄養摂取用の混合物で、ロイシン、グルタミン、アルギニン、オルニチン及びα-ケトグルタレート又はα-ケトイソカプロエートを含むそれらの種々の用い得る塩を含む、栄養不足に関連する悪液質の治療のための１つ又はいくつかのその他の化合物も含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月12日(2010.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイシ（Ramulus cinnamomi）及びブクリョウ（Poria cocos）の組成物を準備する方法であって、前記方法は、
（ａ）ブクリョウ（Poria）をすりつぶし微粉末にしブクリョウ（Poria）の粉を得るステップと、
（ｂ）蒸気蒸留により牡丹皮（Cortex moutan）を抽出しペオノール抽出物を得るステップと、
（ｃ）ステップ（ｂ）より抽出した原料を、エタノールを用いて抽出して抽出物Ｉを得、そして前記原料を再び熱湯で抽出して抽出物ＩＩを得るステップと、
（ｄ）蒸気蒸留によりケイシ（Ramulus cinnamomi）を抽出し精油を得るステップと、
（ｅ）ステップ（ｄ）より抽出した原料を、エタノールを用いて抽出して抽出物ＩＩＩを得、そして前記原料を再び熱湯で抽出して抽出物ＩＶを得るステップと、
（ｆ）シャクヤク（Radix paeoniae alba）、トウニン（Semen persicae）及びブクリョウ（Poria）をエタノールを用いて抽出し抽出物Ｖを得、そして熱湯で抽出し抽出物ＶＩを得るステップと、
（ｇ）抽出物Ｉ、ＩＩＩ、及びＶを合わせ、全てのエタノールを除去し液体Ａを得るステップと、
（ｈ）抽出物ＩＩ、ＩＶ、及びＶＩを合わせ、合わせた抽出物を濃縮し液体Ｂを得るステップと、
（ｉ）液体Ａ及び液体Ｂを合わせ、前記液体を濃縮し、相対密度が１．１５から１．３５（６０から９０度）に等しい半固体抽出物を得るステップと、
（ｊ）ステップ（ｂ）のペオノール抽出物をエタノールに溶解し、前記溶液をβ-シクロデキストリン水溶液に加え、前記混合物がすりつぶされ乾燥されることにより含有物質Ｉを得るステップと、
（ｋ）ステップ（ｄ）の精油をβ-シクロデキストリンとエタノール中で混合し、前記混合物がすりつぶされ乾燥されることにより含有物質ＩＩを得るステップと、
（ｌ）ステップ（ａ）のブクリョウ（Poria）の粉をステップ（ｉ）の半固体抽出物と混合し、前記混合物が乾燥されすりつぶされ微粉末になるステップと、
（ｍ）ステップ（ｌ）の微粉末を含有物質Ｉ及びＩＩと混合し、エタノールを前記混合物に加え練り粉状の塊を作り、及び湿潤材料を篩にかけ顆粒を得るステップと、及び、
（ｎ）前記顆粒を乾燥させ、乾燥顆粒を再度篩にかけ、ケイシ（Ramulus cinnamomi）及びブクリョウ（Poria Cocos）の最終の顆粒を得るステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記組成物はさらに、１．２６〜１．９０％のペオニフロリン及び、０．７１〜１．０７％のペオノールを備えることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
初期の月経困難症、続発性の月経困難症、不正子宮出血、慢性骨盤炎症、及び小さい子宮壁内筋腫からなる群から選択される病気或いは障害を治療するために、前記組成物は、錠剤、カプセル、顆粒、タブレット、懸濁液、或いはシロップの形状で処方されることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】
錠剤、カプセル、顆粒、タブレット、懸濁液、或いはシロップの形状で処方される前記組成物は、経口で、直腸で、非経口で、膣経口で、腹腔で、又は局所での投与に適していて、或いは前記組成物は経口噴霧剤或いは鼻内噴霧剤としての投与に適していることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
請求項１の方法により準備された組成物を分析する方法であって、前記方法は、
（ａ）適切な有機溶媒を用いて組成物を抽出するステップと、
（ｂ）クロマトグラフ分析を行うステップを備え、
高速液体クロマトグラフィ（HPLC）により実行される際に、前記分析は１２のピークを作り出すことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記有機溶媒はメタノールであり、前記クロマトグラフ分析において、ペオニフロリンは標準品として用いられることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
ピーク１，８，９及び１２の相対ピーク領域幅は、ペオニフロリンと比較した場合、それぞれ０．２５から０．８９、０．６９から１．５、０．３から０．８５、及び１．５６から３．０６であることを特徴とする請求項５又は６記載の方法。
【請求項８】
ピーク１から１２の相対保持時間幅は、ペオニフロリンと比較した場合、それぞれ０．２０９から０．３１４、０．４５６から０．６８３、０．７３３から０．９９９、０．８７１から１．３０６、０．９２１から１．３８２、０．９６８から１．４５１、１．００９から１．５１４、１．０５８から１．５８７、１．１５２から１．７２８、１．６９から２．５３６、１．７７１から２．６５７、及び１．９４３から２．９１５であることを特徴とする請求項５又は６記載の方法。
【請求項９】
初期の月経困難症、続発性の月経困難症、不正子宮出血、慢性骨盤炎症、及び小さい子宮壁内筋腫からなる群から選択される病気或いは障害を治療するための薬剤の製造において、請求項１乃至４いずれかに記載の方法により製造された組成物の使用。
【請求項１０】
前記組成物は、錠剤、カプセル、顆粒、タブレット、懸濁液、或いはシロップの形状で処方され、前記組成物は、経口で、直腸で、非経口で、膣経口で、腹腔で、又は局所での投与に適していて、或いは経口噴霧剤或いは鼻内噴霧剤としての投与に適していることを特徴とする請求項９記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月2日(2010.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
瘢痕形成を抑制するための医薬の製造における、請求項１〜８いずれかに記載の化合物または薬学的に許容できるその塩の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記化合物が、２−［４−メチル−２−（６−メチルピリジン−２−イル）−２Ｈ−ピラゾール−５−イル］チエノ［３，２−ｃ］ピリジンまたは薬学的に許容できるその塩である、請求項１１に記載の医薬組成物。