Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月28日(2010.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
図１０ｂの画像で観察されるとおり、実施例２に記載したマスキング材料層を用いて作製された銀のパターンは、良好な導電性銀パターン形成を示している。電極間の全ての２１のスペースが清浄で、パターン形成領域外に転写した銀がないからである。さらに、上述した三角形領域に銀の転写がない。画像を比べると、比較例の方法による導体を印刷するとき、スタンプのサギングにより、機能材料の望ましくない転写が生じ、これは、明らかに、様々なトランジスタラインの短絡につながるが、本発明の方法では、ラインの短絡の可能性が実質的に排除されることが分かる。本発明の方法は、特徴部ライン間および周囲の機能材料の望ましくない転写、およびバックグラウンド領域の機能材料の形成を防ぐ。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．機能材料のパターンを基板上に形成する方法であって、
ａ）隆起表面を備えたレリーフ構造を有するエラストマースタンプを準備し、
ｂ）マスキング材料を前記レリーフ構造の少なくとも前記隆起表面に適用し、
ｃ）前記マスキング材料を前記隆起表面から基板に転写して、前記基板上に開口領域のパターンを形成し、
ｄ）機能材料を前記基板の前記開口領域に適用してパターンを形成すること
を含む方法。
２．工程ｄ）の後に、
ｅ）前記マスキング材料を前記基板から除去することをさらに含む前記１に記載の方法。
３．工程ｅ）が、工程ｄ）で形成された前記基板を、前記マスキング材料用の溶剤の浴に入れることを含む前記２に記載の方法。
４．前記浴に音波を印加することをさらに含む前記３に記載の方法。
５．前記機能材料が溶液中にあり、前記方法が、前記機能材料のフィルムを前記基板上に乾燥させて形成することをさらに含む前記１に記載の方法。
６．前記機能材料が、導体、半導体、誘電体およびこれらの組み合わせからなる群から選択される前記１に記載の方法。
７．前記機能材料がナノ粒子を含む前記１に記載の方法。
８．前記ナノ粒子の直径が約３〜１００ｎｍである前記７に記載の方法。
９．前記ナノ粒子が液体キャリア中にある前記７に記載の方法。
１０．前記ナノ粒子が、導体、誘電体、半導体およびこれらの組み合わせからなる群から選択される前記７に記載の方法。
１１．前記ナノ粒子が、銀、金、銅、パラジウム、酸化インジウム錫およびこれらの組み合わせからなる群から選択される金属を含む前記７に記載の方法。
１２．前記ナノ粒子が、シリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、酸化亜鉛、セレン化亜鉛およびこれらの組み合わせからなる群から選択される半導体ナノ粒子である前記７に記載の方法。
１３．前記ナノ粒子が量子ドットである前記７に記載の方法。
１４．前記ナノ粒子が、カーボンナノチューブ、導体カーボンナノチューブ、半導体カーボンナノチューブおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される前記７に記載の方法。
１５．前記機能材料が、液体キャリア中の金属ナノ粒子を含み、前記方法が、前記ナノ粒子を前記基板上で加熱することをさらに含む前記１に記載の方法。
１６．前記機能材料を適用する工程ｄ）が、注入、流し込み、液体鋳造、ジェッティング、浸漬、吹付け、蒸着およびコーティングからなる群から選択される前記１に記載の方法。
１７．前記マスキング材料が液体中のポリマー材料を含み、前記方法が、少なくとも前記隆起表面に前記マスキング材料のフィルムが十分に形成されるように、前記液体を除去することをさらに含む前記１に記載の方法。
１８．前記マスキング材料を適用する工程ｂ）が、注入、流し込み、液体鋳造、ジェッティング、浸漬、吹付け、蒸着およびコーティングからなる群から選択される前記１に記載の方法。
１９．前記マスキング材料が溶液中にあり、前記方法が、前記マスキング材料の層を、前記スタンプの前記隆起表面に乾燥させて形成することをさらに含む前記１に記載の方法。
２０．前記基板上の前記マスキング材料の厚さが１００〜１００００オングストロームである前記１に記載の方法。
２１．前記マスキング材料が、アクリロニトリル−ブタジエンエラストマー、ポリ（アクリロニトリル）、スチレンホモポリマーおよびコポリマー、アクリレートおよびメタクリレートのホモポリマーおよびコポリマー、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリチオフェン、置換および非置換ポリフェニレン−ビニレンホモポリマーおよびコポリマー、ポリ（４−ビニルピリジン）、ポリ（ｎ−ヘキシルイソシアネート）、ポリ（１，４−フェニレンビニレン）、エポキシベース系、ポリ（ｎ−カルバゾール）、ポリノルボルネンのホモポリマーおよびコポリマー、ポリ（フェニレンオキシド）、ポリ（フェニレンスルフィド）、ポリ（テトラフルオロエチレン）、アルキド樹脂、ゼラチン、ポリ（アクリル酸）、ポリペプチド、プロテイン、ポリ（ビニルピリジン）、ポリ（ビニルピロリドン）、ヒドロキシポリスチレン、ポリ（ビニルアルコール）、ポリエチレングリコール、キトサン、ポリ（スチレン−コ−ビニルピリジン）、ポリ（ブチルアクリレート−コ−ビニルピリジン）、アリールアミンおよびフッ素化アリールアミン、セルロースおよびセルロース誘導体、アクリレートおよび／またはメタクリレートエマルジョンの分散液ならびにこれらの組み合わせおよびコポリマーからなる群から選択される前記１に記載の方法。
２２．前記機能材料が、前記マスキング材料と非相溶性または実質的に非相溶性である前記１に記載の方法。
２３．前記エラストマースタンプが、シリコーンポリマー、エポキシポリマー、共役ジオレフィンハイドロカーボンのポリマー、Ａ−Ｂ−Ａ型ブロックコポリマーのエラストマーブロックコポリマー（Ａは、非エラストマーブロックを表し、Ｂはエラストマーブロックを表す）、アクリレートポリマー、フルオロポリマーおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される組成物の層を含む前記１に記載の方法。
２４．前記エラストマースタンプが、感光性組成物の層を含む前記１に記載の方法。
２５．前記エラストマースタンプが、化学線に露光することにより重合可能なフッ素化化合物を含有する組成物の層を含む前記１に記載の方法。
２６．前記フッ素化化合物が、パーフルオロポリエーテル化合物である前記２５に記載の方法。
２７．前記エラストマースタンプが、可撓性フィルムの支持体をさらに含む前記１に記載の方法。
２８．前記エラストマースタンプが、加熱により硬化可能な組成物の層を含む前記１に記載の方法。
２９．前記基板が、プラスチック、ポリマーフィルム、金属、シリコン、ガラス、布帛、紙およびこれらの組み合わせからなる群から選択される前記１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能材料のパターンを基板上に形成する方法であって、順に、
ａ）隆起表面を備えたレリーフ構造を有するエラストマースタンプを準備し、
ｂ）マスキング材料を前記レリーフ構造の少なくとも前記隆起表面に適用し、
ｃ）前記マスキング材料を前記隆起表面から直接基板に転写して、前記基板上に開口領域のパターンを形成し、
ｄ）機能材料を前記基板の前記開口領域に適用してパターンを形成し、
前記機能材料は前記マスキング材料と非相溶性である、
ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月27日(2010.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ワークピース処理システムであって、
基板が通過するキャリア開口部及び前記キャリア開口部を封止するキャリアドアを備えたハウジングを有する基板キャリアと接合可能なフレームを有すると共に、前記基板を前記基板キャリアに対してローディング及びアンローディングするローディングポートを画定し、前記ローディングポートを封止するロードポートドア及び前記ローディングポートを実質的に囲繞しているロードポートリムを有するロードポートデバイスと、
前記キャリアハウジングを前記ロードポートリムに固定する第１のソリッドステートラッチングシステムと、
前記ロードポートドアを前記キャリアドアに固定する第２のソリッドステートラッチングシステムと、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体処理システムであって、前記第１のソリッドステートラッチングシステム及び前記第２のソリッドステートラッチングシステムのうちの少なくとも１つが磁気ラッチングシステムであることを特徴とするシステム。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体処理システムであって、鉄鋼材が前記基板キャリアハウジング内に配され、電磁石が前記ロードポートリム内に配されて前記鉄鋼材と相互作用し、前記電磁石の作動が、前記基板キャリアハウジングと前記ロードポートリムとの間の解除可能な結合をもたらすことを特徴とするシステム。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体処理システムであって、鉄鋼材が前記基板キャリアドア内に配され、電磁石が前記ロードポートドア内に配されて前記鉄鋼材と相互作用し、前記電磁石の作動が、前記基板キャリアドアと前記ロードポートドアとの間の解除可能な結合をもたらすことを特徴とするシステム。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体処理システムであって、鉄鋼材が前記ロードポートリム内に配され、電磁石が前記基板キャリアハウジング内に配されて前記鉄鋼材と相互作用し、前記電磁石の作動が、前記基板キャリアハウジングと前記ロードポートリムとの間の解除可能な結合をもたらすことを特徴とするシステム。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体処理システムであって、鉄鋼材が前記ロードポートドア内に配され、電磁石が前記基板キャリアドア内に配されて前記鉄鋼材と相互作用し、前記電磁石の作動が、前記基板キャリアドアと前記ロードポートドアとの間の解除可能な結合をもたらすことを特徴とするシステム。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体処理システムであって、前記ロードポートは、前記第１のソリッドステートラッチングシステム及び前記第２のソリッドステートラッチングシステムのうちの少なくとも１つと共に動作して前記基板キャリアを前記ロードポートに対してアラインメントするアラインメント機構を含んでいることを特徴とするシステム。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体処理システムであって、前記ロードポートは、少なくとも１つの基板キャリアアラインメント機構を含み、前記少なくとも１つの基板キャリアアラインメント機構と前記第１のソリッドステートラッチングシステム及び前記第２のソリッドステートラッチングシステムのうちの少なくとも１つとが前記ロードポートの共通の面に設けられていることを特徴とするシステム。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体処理システムであって、前記基板キャリアドアと前記基板キャリアハウジングとを解除可能に結合する第３のソリッドステートラッチングシステムを含むことを特徴とするシステム。
【請求項１０】
半導体ワークピース処理システムであって、
基板が通過するキャリア開口部及び前記開口部を封止するキャリアドアを有しかつ前記キャリアドアにドアラッチによって解除可能に結合されているハウジングを備えた基板キャリアに接合可能なフレームを有し、前記基板キャリアに対して基板をローディング及びアンローディングするローディングポートを画定し、前記ローディングポートを封止するロードポートドア及び前記ローディングポートを実質的に囲繞しているロードポートリムを有するロードポートデバイスと、
前記ロードポートドアを前記キャリアドアに固定する第１のソリッドステートラッチングシステムと、を含み、
前記第１のソリッドステートラッチングシステムと前記ドアラッチとが互いに協働して前記ロードポートドアと前記キャリアドアとの固定が前記ドアラッチの解除をもたらすことを特徴とするシステム。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体ワークピース処理システムであって、前記ドアラッチ及び前記第１のソリッドステートラッチングシステムのうちの少なくとも１つが磁気ラッチを含むことを特徴とするシステム。
【請求項１２】
請求項１０に記載の半導体ワークピース処理システムであって、前記ロードポートがキャリアアラインメント機構を含み、前記キャリアアラインメント機構は、前記ロードポートの表面に設けられ、前記表面に前記第１のソリッドステートラッチングシステムの少なくとも一部が配されていることを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月23日(2010.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロリソグラフィー投影露光装置用の照明システムであって、前記照明システムが：
−射出瞳面（１２１）を照明するための、波長領域≦１００ｎｍ、特にＥＵＶ波長領域内の光を放出する、光源、および
−位置において可変の多数のファセットミラーを備えた、ファセットされた光学素子（１１３）であって、射出瞳面（１２１）内で少なくとも１つの第１の照明（２２）を第２の照明（２４）へ変化させることができる、前記ファセットされた素子、
を有し、
前記照明システムが、光を検出するための少なくとも１つの検出器（１０６．１、１０６．２）および検出器（１０６．１、１０６．２）の少なくとも１つの光強度信号を記録して、少なくとも記録した光強度信号に従って制御信号（１６６）を提供する装置（１６４）を有しており、前記制御信号によって、マイクロリソグラフィー投影露光装置の像面（１２１）内で感光性の物体のスキャン速度を調節することができる、
マイクロリソグラフィー投影露光装置用の照明システム。
【請求項２】
検出器（１０６．１、１０６．２）が、光源（１００）から射出瞳面（１２１）への光の光路内で、光源（１００）と射出瞳面（１２１）との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の照明システム。
【請求項３】
前記装置が、前記ファセットされた光学素子の第１の調節を表す、第１の調節信号を記録し、前記第１の調節によって第１の照明（２２）が提供されることを特徴とする請求項１から２のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項４】
前記装置が、前記ファセットされた光学素子の第２の調節を表す、第２の調節信号を記録し、前記第２の調節によって第２の照明（２６）が提供されることを特徴とする請求項３に記載の照明システム。
【請求項５】
前記装置が、メモリユニットを備えた制御ユニット（１０３０、１６４）を有しており、前記メモリユニット内に、第１の照明のための少なくとも１つの第１の較正値と、第２の照明のための第２の較正値が格納されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項６】
メモリユニット内に、多数の較正値をもたらす較正テーブルが格納されていることを特徴とする請求項５に記載の照明システム。
【請求項７】
感光性の物体が、スキャンテーブル（５０２）上に配置されており、かつスキャン速度がスキャンテーブルの送り速度を定めることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項８】
感光性の物体（２００）が、ウェファであることを特徴とする請求項７に記載の照明システム。
【請求項９】
検出器（１６０．１）が、光源（１００）から射出瞳面（１２１）への光路内で、照明の調節を変化させるための前記ファセットされた光学素子（１３０）の後方に配置されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１０】
検出器（１６０．２）が、光源（１００）から射出瞳面（１２１）への光路内で、照明の調節を変化させるための前記ファセットされた光学素子（１３０）の前に配置されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１１】
検出器（１６０．１、１６０．２）が、射出瞳面の照明の調節を変化させるための前記ファセットされた光学素子（１３０）に、あるいはその近傍に配置されていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１２】
検出器（１６０．１、１６０．２）が、マイクロリソグラフィー投影露光装置の物体面（２００）または像面（２２１）に、あるいはその近傍に配置されていることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１３】
照明システムが、カトプトリックな照明システムであることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１４】
照明システムが、さらなるファセットされた光学素子（１１６）を有することを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１５】
前記さらなるファセットされた光学素子（１１６）が、多数のファセットミラー（１１５、１１５．１、１１５．２）を有していることを特徴とする請求項１８に記載の照明システム。
【請求項１６】
物体面（２００）と、物体面（３００）内に配置されている物体を像面（２２１）内へ結像させるためのプロジェクション対物レンズ（３００）とを有する、請求項１から１５のいずれか１項に記載の照明システムを有するマイクロリソグラフィー投影露光装置。
【請求項１７】
プロジェクション対物レンズ（３００）が、アパーチャ絞り（Ｂ）を有していることを特徴とする請求項１６に記載のマイクロリソグラフィー投影露光装置。
【請求項１８】
射出瞳面（１２１）の照明に関係なく、波長≦１００ｎｍ、特にＥＵＶ波長のためのマイクロリソグラフィー投影露光装置の像面内で、スキャンルートに沿って実質的に等しい光エネルギ、特に積分された光エネルギを調節する方法であって、
前記マイクロリソグラフィー投影露光装置が、射出瞳面内で照明を変化させるための、位置において可変の多数のファセットミラーを備えた、ファセットされた光学素子（１１３）と、検出器とを有し、前記方法が、以下のステップを有する；
−光エネルギが、射出瞳面内で照明を変化させる前に測定され、
−光エネルギが、射出瞳面内で照明を変化させた後に測定され、
−照明の変化の前と後に測定された光エネルギの差信号が形成されて、差信号に基づいて、像面内で感光性の物体のスキャン速度が調節される、
前記方法。
【請求項１９】
差信号が連続的に記録されて、制御ユニットへ供給され、かつ像面内で感光性の物体のスキャン速度が連続的に調節されることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
射出瞳面の照明に関係なく、波長≦１００ｎｍ、特にＥＵＶ波長のためのマイクロリソグラフィー投影露光装置の像面内でスキャンルートに沿って実質的に等しい光エネルギ、特に積分された光エネルギを調節する方法であって、
前記マイクロリソグラフィー投影露光装置が、射出瞳面内で照明を変化させるための、位置において可変の多数のファセットミラーを備えた、ファセットされた光学素子（１１３）と、検出器とを有し、前記方法が、以下のステップを有する：
−光エネルギが、射出瞳面内の様々な照明のために検出器によって測定され、
−測定された値が、較正値として制御ユニット内に格納され、
−較正値の格納後に、光エネルギが検出器によって求められて、格納されている較正値と比較され、
−較正値との比較に基づいて、像面内で感光性の物体のスキャン速度が調節される、
前記方法。
【請求項２１】
較正値が、較正テーブルおよび／または較正カーブの形式で格納されることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
検出器が、射出瞳面の照明の調節を変化させるための素子に、あるいはその近傍に配置されていることを特徴とする請求項１８から２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
マイクロリソグラフィー投影露光装置が、物体面と像面を有し、かつ検出器が、物体面および／または像面に、あるいはその近傍に配置されていることを特徴とする請求項１８から２１のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月16日(2010.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のドープウェル領域上の第１のフローティングゲート部および第２のドープウェル領域上の第２のフローティングゲート部を含むフローティングゲートであって、高電圧を印加することにより、前記第１のドープウェル領域から前記第１のフローティングゲート部への、及び前記第１のフローティングゲート部から前記第１のドープウェル領域へのファウラーノルドハイムトンネリングを発生させる適当な電圧カップリングが発生するように、前記第１のフローティングゲート部は第２のフローティングゲート部より実質的に小さくなっていることを特徴とするフローティングゲートを、基板内に形成された前記第１および第２のドープウェル領域により定義される２つの活性領域内のゲート酸化物上に配置する工程と、
前記フローティングゲートを囲むようにフローティングゲートシールド層を形成する工程を含む、フローティングゲートトンネリング素子構造体のシールド方法。
【請求項２】
前記第１および第２のドープウェル領域はNウェル領域であり、前記基板はP基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ファウラーノルドハイムトンネリングの方向は、前記ドープウェル領域の１つに前記高電圧をカップリングすることにより決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記高電圧の前記第１のドープウェル領域へのカップリングは、前記フローティングゲートからの電荷の除去を引き起こす、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記高電圧の前記第２のドープウェル領域へのカップリングは、前記フローティングゲート上への電荷の注入を引き起こす、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記フローティングゲートシールド層を形成する工程は、前記シールド層のエッチストップのために標準的なＣＭＯＳプロセスを用いてサリサイド排除層を堆積することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記シールド層を分離するために、前記堆積されたシールド層上にサリサイドブロックパターンを適用することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記シールド層は、ポリシリコンからなる導電層である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記シールド層は、金属膜からなる導電層である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属膜はＴｉＮ膜からなる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属膜はＴｉＷ膜からなる、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記サリサイド排除層は、約６００Aの厚さに堆積される、請求項６に記載の方法。
【請求項１３】
前記フローティングゲートシールド層を形成する工程は、導電層を堆積し、標準的なCMOSプロセスを用いて前記導電層をエッチングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ゲート酸化物は、７０オングストロームから１５０オングストロームの厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ゲート酸化物は、１２０オングストロームの厚さを有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
基板内に形成された第１および第２のドープウェル領域により定義される２つの活性領域内のゲート酸化物上に配置され、前記第１のドープウェル領域上の第１のフローティングゲート部および前記第２のドープウェル領域上の第２のフローティングゲート部を含むフローティングゲートであって、高電圧を印加することにより、前記第１のドープウェル領域から前記第１のフローティングゲート部への及び前記第１のフローティングゲート部から前記第１のドープウェル領域へのファウラーノルドハイムトンネリングを発生させる適当な電圧カップリングが発生するように、前記第１のフローティングゲート部は第２のフローティングゲート部より実質的に小さくなっていることを特徴とするフローティングゲートと、
前記フローティングゲートを囲むように形成されたフローティングゲートシールド層とを備える、シールドされたフローティングゲートトンネリング素子構造体。
【請求項１７】
P基板内に形成された第１および第２のNウェル領域により定義される２つの活性領域内のゲート酸化物上に配置され、前記第１のNウェル領域上の第１のフローティングゲート部および前記第２のNウェル領域上の第２のフローティングゲート部とを含むフローティングゲートであって、高電圧を印加することにより、前記第１のＮウェル領域から前記第１のフローティングゲート部への及び前記第１のフローティングゲート部から前記第１のＮウェル領域へのファウラーノルドハイムトンネリングを発生させる適当な電圧カップリングが発生するように、前記第１のフローティングゲート部は第２のフローティングゲート部より実質的に小さくなっていることを特徴とするフローティングゲートと、
前記第１のNウェル領域内に形成され、第１のチャネル領域により分離される第１および第２の拡散領域と、
前記第２のNウェル領域内に形成され、第２のチャネル領域により分離される第３および第４の拡散領域と、
前記第２および第３の拡散領域の間に形成される電界酸化物領域と、
前記P基板内の前記第１および第２のNウェル領域の間に形成されるPウェル領域、および、
前記フローティングゲートを囲むように形成されたフローティングゲートシールド層とを備える、シールドされたフローティングゲートトンネリング素子構造体。
【請求項１８】
前記第１、第２、第３および第４の拡散領域は、N型拡散領域である、請求項１７に記載のシールドされたフローティングゲートトンネリング素子構造体。
【請求項１９】
前記第１および第２の拡散領域は、P型拡散領域である、請求項１７に記載のシールドされたフローティングゲートトンネリング素子構造体。
【請求項２０】
前記P型拡散領域に隣接して形成される、前記Nウェル領域とのオーミックコンタクトを提供するN型拡散領域を更に含む、請求項１９に記載のシールドされたフローティングゲートトンネリング素子構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月26日(2010.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平に対して傾いて調整された太陽光発電ソーラーモジュール（１）の装置を有し、上記ソーラーモジュールが照射面（２）で太陽へ向けられているソーラー設備にして、上記ソーラー設備がフロー設備（３）を有し、上記フロー設備がソーラーモジュール（１）の照射面（２）に形成され環境に対して開放して流れる特には水からなる液体フィルム（４）を生じるために設けられている、ソーラー設備において、
ソーラーモジュール（１）の装置が建物（１８）の片流れ屋根に取付けられており、
水平に対しソーラーモジュール（１）の装置の角度（α）を調整するための手段（１５）が設けられており、
ヒンジ装置（１９）が第１の建物縁（２０）の領域でそれに沿って配設されており、また、角度（α）を調整するための手段（１５）が向かい側に存する第２の建物縁（２１）の領域に設けられていることを特徴とするソーラー設備。
【請求項２】
請求項１に記載のソーラー設備において、
均一な液体フィルム（４）を形成するための手段が、特には液体フィルム（４）中の界面活性剤の形及び／または照射面（２）の表面構造化（５）の形で設けられていることを特徴とするソーラー設備。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のソーラー設備おいて、
複数のソーラーモジュール（１）は共に、持続性のある透明なフィルム（６）によって覆われていることを特徴とするソーラー設備。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載のソーラー設備において、
ソーラーモジュール（１）の装置の上縁（７）の領域に、液体のためのフラットノズル（８）の少なくとも近似的に閉じた列が、液体フィルム（４）を形成するために、配設されていることを特徴とするソーラー設備。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載のソーラー設備において、
ソーラーモジュール（１）の装置の下縁（９）の領域に、液体フィルム（４）の液体用の収容溝（１０）が設けられていることを特徴とするソーラー設備。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載のソーラー設備において、
液体フィルム（４）が閉じた液体循環（１１）の一部であることを特徴とするソーラー設備。
【請求項７】
請求項６に記載のソーラー設備において、
閉じた液体循環（１１）に、特に液体フィルム（４）の液体を選択的に冷却又は加熱するための熱交換機（１２）が配設されていることを特徴とするソーラー設備。
【請求項８】
請求項７に記載のソーラー設備において、
熱交換機（１２）の２次循環（１３）が水を含んでおり、その際２次循環（１３）の水が熱リザーバとして利用される特にはプールの形態をした貯水槽（１４）を通って、案内されることを特徴とするソーラー設備。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載のソーラー設備において、
角度（α）を調整するための手段（１５）が、空気圧又は液圧シリンダ（１６）、スピンドルドライブ又はそれに類似の形態で形成されていることを特徴とするソーラー設備。
【請求項１０】
請求項９に記載のソーラー設備において、
水平に対するソーラーモジュール（１）の装置の角度（α）が２０°以上９０°以下の範囲で調整可能であることを特徴とするソーラー設備。
【請求項１１】
請求項１０に記載のソーラー設備において、
前記角度（α）が２５°以上４５°以下の範囲で調整可能であることを特徴とするソーラー設備。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月16日(2010.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造体の表面上に配置された少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタ（ｎＦＥＴ）であって、ゲート誘電体の上にある完全にシリサイド化されたゲート電極を含む材料スタックと、前記材料スタックの垂直側壁上に配置された少なくとも１つのスペーサとを含む、少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタ（ｎＦＥＴ）と、
前記半導体基板上に配置され、かつ、前記少なくとも１つのｎＦＥＴの前記ゲート電極の両側を部分的に囲む第１の応力ライナであって、前記少なくとも１つのｎＦＥＴの前記完全にシリサイド化されたゲート電極の上面と同一平面にある上面を有する、第１の応力ライナと、  前記第１の応力ライナのものとは反対の応力型の第２の応力ライナであって、前記第１の応力ライナの前記上面上及び前記少なくとも１つのｎＦＥＴの上に配置された、第２の応力ライナと、
を備える半導体構造体。
【請求項２】
前記第１の応力ライナは引張応力ライナであり、前記第２の応力ライナは圧縮応力ライナである、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項３】
前記半導体基板は、バルク半導体材料又は半導体オン・インシュレータである、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項４】
前記半導体基板は、異なる結晶配向の表面領域を有するハイブリッド基板であり、前記少なくとも１つのｎＦＥＴは、前記ハイブリッド基板の（１００）結晶面上に配置される、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項５】
前記完全にシリサイド化されたゲート電極は金属シリサイドを含み、前記金属は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、又はそれらの合金を含む、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項６】
前記完全にシリサイド化されたゲート電極は、１０ｎｍから５０ｎｍまでの垂直方向高さを有する、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項７】
少なくとも１つのｐＦＥＴをさらに備え、前記少なくとも１つのｐＦＥＴは、トレンチ分離領域によって前記少なくとも１つのｎＦＥＴから部分的に分離され、前記第２の応力ライナは、前記少なくとも１つのｐＦＥＴのゲート電極を完全に囲む、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項８】
半導体構造体の表面上に配置された少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタであって、ゲート誘電体の上にある完全にシリサイド化されたゲート電極を含む材料スタックと、前記材料スタックの垂直側壁上に配置された少なくとも１つのスペーサとを含む、少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタと、
前記半導体基板上に配置され、かつ、前記少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタの前記ゲート電極の両側を部分的に囲む引張応力窒化物ライナであって、前記完全にシリサイド化されたゲート電極の上面と同一平面にある上面を有する、引張応力窒化物ライナと、
前記引張応力窒化物ライナの前記上面上及び前記少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタの上に配置された圧縮応力窒化物ライナと、
を備える半導体構造体。
【請求項９】
前記引張応力窒化物ライナは内因性引張応力を有する、請求項８に記載の半導体構造体。
【請求項１０】
前記半導体基板は、バルク半導体材料又は半導体オン・インシュレータである、請求項８に記載の半導体構造体。
【請求項１１】
半導体構造体の表面上に配置された少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタ及び少なくとも１つのｐ型電界効果トランジスタであって、ゲート誘電体の上にある完全にシリサイド化されたゲート電極を含む材料スタックと、前記材料スタックの垂直側壁上に配置された少なくとも１つのスペーサとを含む、少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタ及び少なくとも１つのｐ型電界効果トランジスタと、
前記少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタを含む前記半導体基板の部分上に配置された引張応力ライナであって、前記少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタを部分的に包み込み、かつ、前記完全にシリサイド化されたゲート電極の上面と同一平面にある上面を有する、引張応力ライナと、
前記引張応力ライナの前記上面上及び前記少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタの上に配置された圧縮応力ライナであって、前記少なくとも１つのｐ型電界効果トランジスタを完全に囲む、圧縮応力ライナと、
を備える半導体構造体。
【請求項１２】
前記引張応力ライナ及び前記圧縮応力ライナは、両方とも窒化物である、請求項１１に記載の半導体構造体。
【請求項１３】
前記引張応力ライナは内因性引張応力を有する、請求項１２に記載の半導体構造体。
【請求項１４】
半導体構造体を形成する方法であって、
半導体構造体の表面上に少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタを準備することであって、前記少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタは、ゲート誘電体の上にある完全にシリサイド化されたゲート電極を含む材料スタックと、前記材料スタックの垂直側壁上に配置された少なくとも１つのスペーサとを含む、ことと、
前記半導体基板上に第１の応力ライナを形成することであって、前記第１の応力ライナは、前記少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタの前記ゲート電極の両側を部分的に囲み、かつ、前記ｎ型電界効果トランジスタの前記完全にシリサイド化されたゲート電極の上面と同一平面にある上面を有する、ことと、
前記第１の応力ライナの前記上面上及び前記少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタの上に、前記第１の応力ライナのものとは反対の応力型の第２の応力ライナを形成することと、
を含む方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタを準備することは、前記ゲート誘電体及びＳｉ含有材料を含むスタックを形成することと、前記スタックをパターン形成することと、前記パターン形成されたスタックの垂直側壁上にスペーサを形成することと、前記Ｓｉ含有材料の部分を選択的に除去し、一部のＳｉ含有材料が前記ゲート誘電体上に残るようにすることと、前記残りのＳｉ含有材料上に金属層を形成することと、前記金属層と前記残りのＳｉ含有材料との間に反応を引き起こす少なくとも１つのアニール・プロセスを行なうこととを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の応力ライナを形成することは、少なくとも１つの第１の応力誘起材料の化学気相堆積と、前記少なくとも１つの電界効果トランジスタの上に前記第１の応力ライナの部分を露出させる平坦化材料を形成することと、前記第１の応力ライナ材料の前記露出された部分を選択的に除去することと、前記平坦化材料を除去することとを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記半導体基板上の少なくとも１つのｐＦＥＴをさらに含み、前記少なくとも１つのｐＦＥＴは、分離領域によって前記少なくとも１つのｎＦＥＴから分離され、前記第２の応力ライナは、前記少なくとも１つのｐＦＥＴのゲート電極を完全に囲む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月25日(2009.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平行な前後の主面（４、５）と、側面（６、７）と、ワイヤ要素（１０，１１）用ハウジングを形成すると同時に、電気接続要素によりチップと外部との間の電気接続を構成する凹部と、を備えるマイクロエレクトロニクスチップ（１）であって、前記凹部は、クランプすることによって前記ワイヤ要素を固定するための主面と平行な軸を有する溝であり、前記ワイヤ要素は、前記チップ用の柔軟性機械的サポートを構成するマイクロエレクトロニクスチップ（１）。
【請求項２】
導電層（１２、１３、２４、２５）が前記凹部（８、９、２０、２１）を少なくとも部分的に被覆する、請求項１に記載のチップ。
【請求項３】
前記溝が少なくとも１つの側面（６、７）上にある、請求項１又は２に記載のチップ。
【請求項４】
前記溝が少なくとも１つの主面（４、５）上にある、請求項１又は２に記載のチップ。
【請求項５】
前記溝（８、９）が凹状、正方形または円形の断面を備える、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のチップ。
【請求項６】
前記溝（２０、２１）がＶ型または切型Ｖ型の断面を備える、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のチップ。
【請求項７】
大型ベース（１８ａ、１８ｂ）と鋭角を形成する少なくとも１つの傾斜した平らな側面（１９ａ、１９ｂ）によって接続された、相互に平行な平行小型ベース（１７ａ、１７ｂ）および前記大型ベース（１８ａ、１８ｂ）を各々が備える第１および第２の基本チップ（１６ａ、１６ｂ）を備えており、前記第１および第２の基本チップ（１６ａ、１６ｂ）が前記小型ベース（１７ａ、１７ｂ）によって相互に固定され、前記傾斜した平らな側面（１９ａ、１９ｂ）が前記Ｖ型または切型Ｖ型溝（２０、２１）を構成する、請求項３に記載のチップ。
【請求項８】
前記第１および第２の基本チップ（１６ａ、１６ｂ）の前記小型ベース（１７ａ、１７ｂ）が、前記Ｖ型溝（２０、２１）に平行な追加溝（３４ａ、３４ｂ）を備えており、前記第１および第２の基本チップ（１６ａ、１６ｂ）の前記追加溝（３４ａ、３４ｂ）が、ワイヤ要素（３５）用の追加ハウジングを形成するように重ねられる、請求項７に記載のチップ。
【請求項９】
前記溝が前記後部主面にあり、電気コンタクトが前記チップを介して前記前面から前記凹部まで通過する、請求項４に記載のチップ。
【請求項１０】
前記溝が主面（４，５）にあり、前記チップ（１）を通過する、請求項４に記載のチップ。
【請求項１１】
前記溝の前記側面が爪状に構成される、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のチップ。
【請求項１２】
前記溝の両側に切り込みが設けられる、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のチップ。
【請求項１３】
各々が２つの収束壁（２９ａ、２９ｂ）を備える、Ｖ型溝（２８）によって分離される複数の基本チップ（１６ａ、１６ｂ）を同一ウェーハ（２７、３３）上に同時に製造し、
前記基本チップ（１６ａ、１６ｂ）に一体化されたマイクロエレクトロニクスコンポーネント（２３ａ、２３ｂ）と、隣接溝（２８）の壁（２９ａ、２９ｂ）との間に配置された少なくとも１つのコンタクト（３１、３２）を各基本チップ（１６ａ、１６ｂ）に形成する導電性材料を堆積し、
前記溝（２８）が重なるように、前記溝（２８）を備える面によって２つのウェーハ（２７、３３）を組み立て、
前記溝（２８）の位置に前記組み立てられたウェーハ（２７、３３）を切断することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマイクロエレクトロニクスチップ（１）の製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の少なくとも２つのチップを接続する少なくとも１つのワイヤ要素を備える微細構造であって、前記ワイヤ要素が電気接続と、前記２つのチップ間の柔軟性機械的接続の両方を同時に構成する微細構造。
【請求項１５】
前記ワイヤ要素が前記凹部に接着される、請求項１４に記載の微細構造。
【請求項１６】
前記ワイヤ要素が前記凹部にはんだ付けされる、請求項１４に記載の微細構造。
【請求項１７】
前記ワイヤ要素が前記凹部にクランプされる、請求項１４に記載の微細構造。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月17日(2010.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方が通信ネットワークに接続され、他方が少なくとも一つの受信器／デコーダに接続される通信装置であって、前記受信器／デコーダからの要求の受信に応答して、前記通信ネットワークの利用可能なバンド幅に基づき、以下の異なる可能性について選択するための手段：
・前記要求を変更せずに通信ネットワークに伝送すること；または、
・より低い品質のストリームを求めるために要求を変更すること；または、
・前記要求をネットワークに伝送することを拒否し、かつ受信器／デコーダに予め設定されたマルチメディア・ファイルを送ること、
を有する通信装置。
【請求項２】
すべてのマルチキャストアドレス、および少なくとも一つの対応するストリームの特徴、例えばプログラム名、使用するコーデックまたは使用するバンド幅、を含んでいるサービス・プランを操作するための手段、
を有する請求項１記載の通信装置。
【請求項３】
前記要求は、確認されたＩＧＭＰ要求によって確立し、当該通信装置に接続している受信器／デコーダの各々に受信されているストリームの表を操作するための手段、
を有する請求項１または２記載の通信装置。
【請求項４】
前記サービス・プランおよび前記ストリームの表から、通信ネットワークに使用されているバンド幅を計算するための手段および、新しいＩＧＭＰ要求の新しいオンデマンドのストリームの受信のために必要とされる、通信ネットワークのバンド幅を計算するための手段、
を有する請求項２または３に記載の通信装置。
【請求項５】
ＡＤＳＬ（非同期デジタル加入者回線）と互換性を持つ、請求項１、２、３または４のいずれか１項記載の通信装置。
【請求項６】
コンフィギュレーション表にＵＲＬ（Ｕｎｉｆｏｒｍ  Ｒｅｓｏｕｒｃｅ  Ｌｏｃａｔｏｒ）を有し、かつ前記ＵＲＬから前記予め設定されたマルチメディア・ファイルを読み出すための手段、および前記マルチメディア・ファイルを前記受信器／デコーダにマルチキャスト・ストリームの状態で、およびループの状態で送信するための手段、
を有する請求項１ないし５のいずれか１項記載の通信装置。
【請求項７】
一方が通信ネットワークに接続され、他方が少なくとも一つの受信器／デコーダに接続される通信装置を使用した通信方法であって、前記受信器／デコーダからの要求の受信に応答して、前記通信ネットワークの利用可能なバンド幅に基づき、以下の異なる可能性について選択するステップ：
・前記要求を変更せずに通信ネットワークに伝送すること；または、
・より低い品質のストリームを求めるために要求を変更すること；または、
・前記要求をネットワークに伝送することを拒否し、かつ受信器／デコーダに予め設定されたマルチメディア・ファイルを送ること、
を有する通信方法。
【請求項８】
すべてのマルチキャストアドレス、および少なくとも一つの対応するストリームの特徴、例えばプログラム名、使用するコーデックまたは使用するバンド幅、を含んでいるサービス・プランを操作するステップ、
を有する請求項７記載の通信方法。
【請求項９】
前記要求は、確認されたＩＧＭＰ要求によって確立し、該通信装置に接続している受信器／デコーダの各々に受信されているストリームの表を操作するステップ、
を有する請求項７または８記載の通信方法。
【請求項１０】
前記サービス・プランおよび前記ストリームの表から、通信ネットワークに使用されているバンド幅を計算するステップおよび、新しいＩＧＭＰ要求の新しいオンデマンドのストリームの受信のために必要とされる、通信ネットワークのバンド幅を計算するステップ、
を有する請求項８または９に記載の通信方法。
【請求項１１】
コンフィギュレーション表にＵＲＬ（Ｕｎｉｆｏｒｍ  Ｒｅｓｏｕｒｃｅ  Ｌｏｃａｔｏｒ）を有し、かつ前記ＵＲＬから前記予め設定されたマルチメディア・ファイルを読み出すためのステップ、および前記マルチメディア・ファイルを前記受信器／デコーダにマルチキャスト・ストリームの状態で、およびループの状態で送信するステップ、
を有する請求項７ないし１０のいずれか１項記載の通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月13日(2010.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチビームＭＩＭＯシステムといったマルチビーム通信システムにおけるチャネル品質情報を信号伝達する方法において、複数のビームが同時に送信され、異なるビームに関して通信レートを独立に制御するため複数のセットのチャネル品質情報が送信されており、
異なる品質を備えるビームを決定するステップと、
前記ビームのチャネル品質情報の信号伝達オーバヘッドを減らすため、前記異なる品質を利用するステップとを有する、方法。
【請求項２】
前記異なる品質を備えるビームを決定するステップが、前記ビームに対するチャネル品質情報の通信におけるエラーの異なる効果を生じさせる、異なる品質を備えるビームを決定するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記決定ステップにおいて、複数のビームの中で、高い品質を備える１次ビームと、より低い品質を備える少なくとも１つの２次ビームとが決定され、結果として前記２次ビームに対するチャネル品質情報の通信におけるエラーの異なる効果が生じる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
差分信号伝達が、前記２次ビームに対するチャネル品質情報値を示すのに使用される、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記１次ビームに関するチャネル品質情報の絶対値が、信号伝達され、前記２次ビームに関するチャネル品質情報値は、前記１次ビームに対する値に対するオフセットを用いて信号伝達される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記オフセットが、前記個別の２次ビームと前記１次ビームとの間の品質における平均差から得られる、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記利用ステップにおいて、前記チャネル品質情報に対する異なる更新レートが異なるビームに対して与えられる、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記オフセットが、前記１次ビームに対する絶対チャネル品質情報値より低い更新レートで信号伝達される、請求項５又は７に記載の方法。
【請求項９】
前記１次ビームに関連する前記チャネル品質情報通信に対する更新レートと比べて前記２次ビームに関連する前記チャネル品質情報通信に対するより低い更新レートが与えられる、請求項３、７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記更新レートが、ノードのようなネットワーク要素からユーザ装置へ信号伝達される、請求項７乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記更新レートが、予め規定される、請求項７乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記利用ステップにおいて、異なるビームに対して異なるカットオフ閾値が与えられ、前記カットオフ閾値を下回ると、チャネル品質情報の通知が必要とされない、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記１次ビームより前記２次ビームに対してより高いカットオフ閾値が与えられる、請求項３又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記カットオフ閾値が、ノードといったネットワーク要素から移動端末といったユーザ装置へ信号伝達される、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記カットオフ閾値が、予め規定される、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記ネットワーク要素にチャネル品質情報を送信するため、スケジュールされた時刻が前記ユーザ装置に与えられ、ビームに対する前記チャネル品質が該ビームに対する前記個別のカットオフ閾値を下回ると前記ユーザ装置が推定するとき、前記ユーザ装置は、前記チャネル品質が前記個別のカットオフ閾値以上になるまで、前記スケジュールされた時刻でチャネル品質情報を送信しない、請求項１２乃至１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記ネットワーク要素が、スケジュールされた時刻でチャネル品質情報を受信しないとき、前記ネットワーク要素は、前記ユーザ装置から異なるチャネル品質情報値を受信するまで、前記個別のビーム上で追加的な通信を行わない、請求項１２乃至１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記利用ステップにおいて、異なるチャネル品質情報量子化精度が、異なるビームに対して与えられる、請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
１次ビームに対するチャネル品質情報通知に適用されるチャネル品質情報量子化精度と比べて、２次ビームに対してより粗いチャネル品質情報量子化精度が与えられる、請求項３又は１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記２次ビームに対する前記より粗いチャネル品質情報量子化精度が、前記チャネル品質情報範囲の下位部にのみあてはまる、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
ノードといったネットワーク要素が、移動端末といったユーザ装置に、異なるビームに対して異なるチャネル品質情報量子化精度を用いるよう指示する、請求項１８乃至２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記チャネル品質情報量子化精度が、予め規定される、請求項１８乃至２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
１つ以上のビームに関して送信される前記チャネル品質情報値が、移動端末といったユーザ装置からノードといったネットワーク要素に対する通信のため単一のコードワードに結合的にエンコードされる、請求項１乃至２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
請求項１乃至２３のいずれか一項に記載の方法を実行するコンピュータプログラム。
【請求項２５】
マルチビームＭＩＭＯシステムのようなマルチビーム通信システムであって、複数のビームが同時に送信され、異なるビームに関して通信レートを独立に制御するため複数のセットのチャネル品質情報が送信されており、
異なる品質を備えるビームを決定する決定デバイスと、
前記ビームのチャネル品質情報の信号伝達オーバヘッドを減らすため、前記異なる品質を利用する利用デバイスとを有する、マルチビーム通信システム。
【請求項２６】
マルチビームＭＩＭＯシステムのようなマルチビーム通信システムにおけるノードのようなネットワーク要素であって、複数のビームが同時に送信され、異なるビームに関して通信レートを独立に制御するため複数のセットのチャネル品質情報が送信されており、
異なる品質を備えるビームを決定する決定デバイスと、
前記ビームに関するチャネル品質情報の信号伝達オーバヘッドを減らすため、前記異なる品質を利用する利用デバイスとを有する、ネットワーク要素。
【請求項２７】
請求項２６に記載のネットワークを少なくとも含む基地局。
【請求項２８】
マルチビームＭＩＭＯシステムのようなマルチビーム通信システムにおける移動端末のようなユーザ装置であって、複数のビームが同時に送信され、異なるビームに関して通信レートを独立に制御するため複数のセットのチャネル品質情報が送信されており、
異なる品質を備えるビームを決定する決定デバイスと、
前記ビームに関するチャネル品質情報の信号伝達オーバヘッドを減らすため、前記異なる品質を利用する利用デバイスとを有する、ユーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月24日(2010.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１モータ部と第２モータ部および冷却システムを備えた電気モータであって、第２モータ部は第１モータ部と磁気的に協動し、第２モータ部に対して第１モータ部が２つの逆向きの運動方向に移動可能であり、冷却システムは第１モータ部に取付けられ、少なくとも第１モータ部を冷却するための冷却媒体を有するように構成された電気モータにおいて、
前記第１モータ部が２つの逆向きの運動方向の専ら一方にのみ加速することによって前記冷却媒体を冷却システム内で移動可能とした電気モータ。
【請求項２】
リニアモータとして形成され、第１モータ部（１）が一次側であり、この一次側の内部又は表面に冷却システムの冷却管（３、１１）が配置されている請求項１記載の電気モータ。
【請求項３】
冷却システムが少なくとも１つの遮断弁（１７、１８、２１、２２）を備えた冷却管（３、１１）を有し、この弁により冷却媒体（６）はこの冷却管内を１方向にのみ貫流可能とした請求項１または２記載の電気モータ。
【請求項４】
冷却システムがそれ自体閉じている請求項１から３のいずれか１つに記載の電気モータ。
【請求項５】
冷却システムが冷却管（３、１１）または容器内にピストン（２３）を有し、ピストンの密度（ρk、ρM、ρW）を冷却媒体（６）の密度とは異なることとした請求項１から４のいずれか１つに記載の電気モータ。
【請求項６】
冷却システムの１つの区域に、冷却媒体（６）の密度とは異なる密度（ρk、ρM、ρW）の物体（２３）がこの区域の内部横断面を少なくとも大部分覆う膜（２４）を用いて取付けられている請求項１から５のいずれか１つに記載の電気モータ。
【請求項７】
冷却システムが少なくとも１つのバランス容器（１２）を有し、このバランス容器内に液体冷却媒体（６）の他に気体バランス媒体を備えた請求項１から６のいずれか１つに記載の電気モータ。
【請求項８】
冷却システムが、各１つの遮断弁（１７、１８、２１、２２）を備えた並行に延びて互いに合流する２つの管部（１９、２０）を有し、そのうち両方の遮断弁が合流部の方を向くかまたは合流部から離れる方を向くかのいずれかであり、それにより冷却媒体（６）が第１モータ部の一方の運動方向（Ａ、Ｂ）のとき一方の管部のみを流れ、第１モータ部（１）の逆向きの運動方向（Ａ、Ｂ）のとき他方の管部のみを流れる請求項１から７のいずれか１つに記載の電気モータ。
【請求項９】
冷却システムが圧力容器（２６）とこれに接続された膨張部（２８）とを有し、第１モータ部の被冷却部が膨張部（２８）によって冷却される請求項１から８のいずれか１つに記載の電気モータ。
【請求項１０】
第１モータ部（１）と第２モータ部（２）および冷却システムを備えた電気モータのうち、第２モータ部（２）は第１モータ部（１）と磁気的に協動し、第２モータ部に対して第１モータ部が２つの逆向きの運動方向（A、B）に移動可能であり、冷却システムは第１モータ部（１）に取付けられ、少なくとも第１モータ部（１）を冷却するための冷却媒体（６）を有するように構成された電気モータを、第１モータ部（１）を２つの逆向きの運動方向（Ａ、Ｂ）の一方で第２モータ部（２）に対して加速することによって冷却するための方法において、
冷却媒体（６）が専ら第１モータ部（１）の加速によって冷却システム内で移動する方法。
【請求項１１】
冷却媒体（６）が一方の運動方向（Ａ、Ｂ）での第１モータ部（１）の加速時に一方の冷却管（３、１１）内を流れ、逆向きの運動方向（Ａ、Ｂ）での第１モータ部の移動時に遮断される請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
冷却媒体（６）がピストン（２３）によって移動させられ、このピストンが第１モータ部（１）の加速時に冷却媒体（６）内を移動する請求項１０または１１記載の方法。