【事件の表示】
　特許第３４５７４７７号「静電チャック」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４５７４７７号の請求項１ないし８に係る特許を取り消す。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第３４５７４７７号の請求項１ないし８に係る発明についての出願は、平成８年８月２０日（優先権主張平成７年９月６日）に特許出願され、平成１５年８月１日にその特許権の設定の登録がされ、その後、特許異議申立人茂木治美及び京セラ株式会社により請求項１ないし８に係る特許について、また、村上慶子により請求項１ないし５に係る特許について特許異議の申立てがなされ、平成１５年４月２６日付けで取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１７年７月８日に意見書の提出及び訂正請求がなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
第２　訂正の適否
１．訂正請求の内容
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１に記載の
「【請求項１】　被処理物を吸着するための静電チャックであって、基体と、絶縁性誘電層と、前記基体と前記絶縁性誘電層との間に形成されている電極とを備えており、前記電極上に前記絶縁性誘電層を介して前記被処理物を吸着するように構成されており、前記基体と前記絶縁性誘電体層の材質が窒化アルミニウムであり、常温における前記絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０９　Ωｃｍ以上、１×１０１６Ωｃｍ以下であり、使用温度が常温以上、５００℃以下の範囲内にあり、前記使用温度において前記絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０７　Ωｃｍ以上、１×１０１３Ωｃｍ以下、前記絶縁性誘電層の平均厚さが０．５ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下、単位面積あたりの漏れ電流が０．０２７ｍＡ／ｃｍ２　以下、前記絶縁性誘電層の表面粗さの最大高さＲｍａｘが３μｍ以下、気孔率が３％以下であることを特徴とする、静電チャック。」を、
「【請求項１】　被処理物を吸着するための静電チャックであって、基体と、絶縁性誘電層と、前記基体と前記絶縁性誘電層との間に形成されている電極とを備えており、前記電極上に前記絶縁性誘電層を介して前記被処理物を吸着するように構成されており、前記基体と前記絶縁性誘電体層の材質が窒化アルミニウムであり、常温における前記絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０９　Ωｃｍ以上、１×１０１６Ωｃｍ以下であり、使用温度が常温以上、５００℃以下の範囲内にあり、前記使用温度において前記絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０７　Ωｃｍ以上、１×１０１３Ωｃｍ以下、前記絶縁性誘電層の平均厚さが０．５ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下、単位面積あたりの漏れ電流が
０．０００６７ｍＡ／ｃｍ
２　
以上、
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項５に記載の
「【請求項５】　前記絶縁性誘電層の吸着面に開口するガス導入孔が少なくとも前記絶縁性誘電層に形成されており、この絶縁性誘電層の前記吸着面側にガス分散用凹部が形成されており、前記ガス分散用凹部が前記ガス導入孔に連通しており、前記ガス分散用凹部の底面と前記電極との間隔が５００μｍ以上、５．０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載の静電チャック。」を、
「【請求項５】　前記絶縁性誘電層の吸着面に開口するガス導入孔が少なくとも前記絶縁性誘電層に形成されており、この絶縁性誘電層の前記吸着面側に
放射状に延びる
（３）訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項６の記載の
「【請求項６】　被処理物を吸着するための静電チャックであって、基体と、絶縁性誘電層と、前記基体と前記絶縁性誘電層との間に形成されている電極とを備えており、前記電極上に前記絶縁性誘電層を介して前記被処理物を吸着するように構成されており、前記絶縁性誘電層の吸着面に開口するガス導入孔が少なくとも前記絶縁性誘電層に形成されており、前記絶縁性誘電層の前記吸着面側に台状部およびこの台状部上の突起が形成されており、前記台状部によってガス分散用凹部が形成されており、前記ガス分散用凹部が前記ガス導入孔に連通しており、前記ガス分散用凹部の深さが１００μｍ以上、５．０ｍｍ以下であることを特徴とする、静電チャック。」を、
「【請求項６】　被処理物を吸着するための静電チャックであって、基体と、絶縁性誘電層と、前記基体と前記絶縁性誘電層との間に形成されている電極とを備えており、前記電極上に前記絶縁性誘電層を介して前記被処理物を吸着するように構成されており、前記絶縁性誘電層の吸着面に開口するガス導入孔が少なくとも前記絶縁性誘電層に形成されており、前記絶縁性誘電層の前記吸着面側に台状部およびこの台状部上の突起が
多数
放射状に延びる
前記吸着面からの
り、前記突起の高さが前記ガス分散用凹部の深さよりも低い
（４）訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項７の記載の
「【請求項７】　前記吸着面側から平面的に見て、前記ガス分散用凹部と前記基体との間に前記電極が存在していることを特徴とする、請求項６記載の静電チャック。」を、
「【請求項７】　前記吸着面側から平面的に見て、前記ガス分散用凹部
の底面
（５）訂正事項ｅ
　特許明細書の段落【００１５】の記載の
「単位面積あたりの漏れ電流が０．０２７ｍＡ／ｃｍ２　以下」を、
「単位面積あたりの漏れ電流が
０．０００６７ｍＡ／ｃｍ
２　
以上、
（６）訂正事項ｆ
　特許明細書の段落【００１６】の記載の
「突起が形成されており、台状部によってガス分散用凹部が形成されており、ガス分散用凹部がガス導入孔に連通しており、ガス分散用凹部の深さが１００μｍ以上、５．０ｍｍ以下である」を、
「突起が
多数
放射状に延びる
吸着面からの
り、突起の高さがガス分散用凹部の深さよりも低い
　なお、下線は訂正箇所を明示するために付されたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａについて
　この訂正は、特許請求の範囲の請求項１において、「単位面積あたりの漏れ電流が０．０２７ｍＡ／ｃｍ２　以下」の「漏れ電流」の下限値について、「０．０００６７ｍＡ／ｃｍ２　以上」と規定して限定することから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この訂正は、特許明細書の段落【００７４】の表３における「絶縁性誘電層の厚さが請求項１に記載の上限値５．０ｍｍのときの８インチサイズ漏れ電流が０．２ｍＡ」、及び段落【００７３】の「・・・半導体ウエハーの面積は、８インチの場合、約３００ｃｍ２　である・・・」という記載に基づいて、漏れ電流０．２ｍＡを半導体ウエハーの面積３００ｃｍ２ で除算することにより求められるものである。
　したがって、漏れ電流の下限値が０．０００６７ｍＡ／ｃｍ２　であることは、特許明細書の記載から自明な事項であるから、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項ｂについて
　この訂正は、特許請求の範囲の請求項５において、「ガス分散用の凹部」について「放射状に延びる」と、その形成状態を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この訂正は、特許明細書の段落【００６２】及び図７の記載に基づくものであるから、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）訂正事項ｃについて
　この訂正は、特許請求の範囲の請求項６において、「突起」の数について「多数（形成され）」と、「ガス分散用凹部」について「放射状に延びる」と、その形成状態を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この訂正は、特許明細書の段落【００６１】、段落【００６２】及び図６，７の記載に基づくものであり、また、「ガス分散用凹部の深さ」及び「突起の高さ」について、それぞれ、「吸着面からの」及び「ガス分散用凹部の深さよりも低い」ことを明確にするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そして、この訂正は、明細書の段落【００３３】、段落【００８４】及び図６の記載に基づくものであるから、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（４）訂正事項ｄについて
　この訂正は、特許請求の範囲の請求項７において、「電極」の存在位置について、「ガス分散用凹部の底面と基体との間」であることを明確にするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そして、この訂正は、特許明細書の段落【００３４】及び図６の記載に基づくものであるから、願書に添付した明細書又は図面記載した事項の範囲内の訂正であって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（５）訂正事項ｅ及びｆについて
　これらの訂正は、訂正事項ａ及びｃによる特許請求の範囲の請求項１及び６の訂正に伴い、発明の詳細な説明の記載をこれに整合するように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そして、この訂正は、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．むすび
　以上のとおりであるから、前記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第３項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
第３　特許異議の申立てについて
１．当審の通知した取消しの理由の概要
　前記取消しの理由は、刊行物１（特開平５−３６８１９号公報：特許異議申立人茂木治美の提出した甲第４号証、同京セラ株式会社の提出した甲第２号証及び同村上慶子の提出した甲第３号証）、刊行物２（特開平５−８１４０号公報：同茂木治美の提出した甲第６号証及び同村上慶子の提出した甲第５号証）、刊行物３（特開平６−１７７２３１号公報：同茂木治美の提出した甲第５号証及び同京セラ株式会社の提出した甲第１号証）、刊行物４（特開平７−２２６４３１号公報：同村上慶子の提出した甲第１号証）、刊行物５（特開平４−３０４９４２号公報：同茂木治美の提出した甲第１号証）、刊行物６（特開平５−２６７４３６号公報：同茂木治美の提出した甲第９号証）、刊行物７（実願平１−２９６３７号（実開平２−１２０８３１号）のマイクロフィルム：同茂木治美の提出した甲第１０号証）、刊行物８（特開平７−１５３８２５号公報：同茂木治美の提出した甲第１１号証及び同村上慶子の提出した甲第４号証）、刊行物９（特開平７−８６３８２号公報：同京セラ株式会社の提出した甲第４号証）、刊行物１０（特開平４−３０４９４１号公報：同茂木治美の提出した甲第７号証）及び刊行物１１（特開平２−１６０４４４号公報：本件特許明細書に記載の従来技術）を引用し、本件請求項１ないし５に係る発明は、前記刊行物１〜５、７、８、１０、１１に記載された発明に基づいて、本件請求項６ないし８に係る発明は、刊行物５〜９に記載された発明に基づいて、それぞれ当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、
　また、本件請求項１ないし５、並びに６ないし８に係る発明は、その記載が不備であるから、それぞれ特許法第３６条第４項、並びに特許法第３６条第４項及び同条第６項第２号に規定する要件を満たさない特許出願に対してされたものであるから、特許を取り消すべきというものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．本件発明
　本件の請求項１ないし８に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明８」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
「【請求項１】　被処理物を吸着するための静電チャックであって、基体と、絶縁性誘電層と、前記基体と前記絶縁性誘電層との間に形成されている電極とを備えており、前記電極上に前記絶縁性誘電層を介して前記被処理物を吸着するように構成されており、前記基体と前記絶縁性誘電体層の材質が窒化アルミニウムであり、常温における前記絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０９　Ωｃｍ以上、１×１０１６Ωｃｍ以下であり、使用温度が常温以上、５００℃以下の範囲内にあり、前記使用温度において前記絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０７　Ωｃｍ以上、１×１０１３Ωｃｍ以下、前記絶縁性誘電層の平均厚さが０．５ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下、単位面積あたりの漏れ電流が０．０００６７ｍＡ／ｃｍ２　以上、０．０２７ｍＡ／ｃｍ２　以下、前記絶縁性誘電層の表面粗さの最大高さＲｍａｘが３μｍ以下、気孔率が３％以下であることを特徴とする、静電チャック。
【請求項２】　前記基体が緻密質セラミックスからなり、前記電極が面状の金属バルク体からなり、前記基体、前記絶縁性誘電層および前記電極が一体に焼結されていることを特徴とする、請求項１記載の静電チャック。
【請求項３】　前記基体中に抵抗発熱体が埋設されていることを特徴とする、請求項１または２記載の静電チャック。
【請求項４】　前記被処理物上にプラズマを発生させるための高周波電力を前記電極に供給する、高周波電源を備えていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの請求項に記載の静電チャック。
【請求項５】　前記絶縁性誘電層の吸着面に開口するガス導入孔が少なくとも前記絶縁性誘電層に形成されており、この絶縁性誘電層の前記吸着面側に放射状に延びるガス分散用凹部が形成されており、前記ガス分散用凹部が前記ガス導入孔に連通しており、前記ガス分散用凹部の底面と前記電極との間隔が５００μｍ以上、５．０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載の静電チャック。
【請求項６】　被処理物を吸着するための静電チャックであって、基体と、絶縁性誘電層と、前記基体と前記絶縁性誘電層との間に形成されている電極とを備えており、前記電極上に前記絶縁性誘電層を介して前記被処理物を吸着するように構成されており、前記絶縁性誘電層の吸着面に開口するガス導入孔が少なくとも前記絶縁性誘電層に形成されており、前記絶縁性誘電層の前記吸着面側に台状部およびこの台状部上の突起が多数形成されており、前記台状部によって放射状に延びるガス分散用凹部が形成されており、前記ガス分散用凹部が前記ガス導入孔に連通しており、前記ガス分散用凹部の前記吸着面からの深さが１００μｍ以上、５．０ｍｍ以下であり、前記突起の高さが前記ガス分散用凹部の深さよりも低いことを特徴とする、静電チャック。
【請求項７】　前記吸着面側から平面的に見て、前記ガス分散用凹部の底面と前記基体との間に前記電極が存在していることを特徴とする、請求項６記載の静電チャック。
【請求項８】　前記ガス分散用凹部の底面と前記電極との間隔が５００μｍ以上、５．０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項６または７記載の静電チャック。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．引用刊行物記載の発明（事項）
　当審が通知した取消しの理由に引用した刊行物１〜５、７〜１１には、次の事項が記載されている。
（１）刊行物１
ａ．「【請求項１】窒化珪素、窒化アルミニウムなどの窒化物を主成分とするセラミック板状体に内部電極を備えるとともに、該セラミック板状体の表面に物体を吸着するための吸着面を形成してなる静電チャック。」（第１欄第２〜５行）
ｂ．「【作用】本発明によれば、静電チャックを構成する母材および絶縁膜が窒化アルミニウム、窒化珪素などの窒化物セラミックスから成るため、漏れ電流が極めて小さく、かつ機械的強度に優れているため、上記したセラミック製静電チャックの課題を解決することが可能である。」（第２欄第１４〜１９行）
ｃ．「さらに、上記セラミック板状体１の吸着面１ａは、表面粗さ（Rmax）０．８ｓ以下の滑らかな面としてあり、そのため、優れた吸着力を得ることができる。
　また、本発明の静電チャックは、セラミック板状体１中の微小な漏れ電流によるジョンソン・ラーベック力によって吸着力を得るものであり、適正な吸着力を得るためには、セラミック板状体１の体積固有抵抗値が重要となる。そこで、この点に関し種々実験の結果、セラミック板状体１の体積固有抵抗が１０１１Ω・ｃｍより小さいと、漏れ電流が大きすぎてシリコンウェハに形成した回路を破壊する恐れがあり、逆に体積固有抵抗が１０１５Ω・ｃｍより大きいと必要な吸着力を得ることができなかった。したがって、セラミック板状体１の体積固有抵抗値は１０１１〜１０１５Ω・ｃｍ、好ましくは１０１２〜１０１４Ω・ｃｍとしたものが良く、この範囲内のものは漏れ電流が小さく、かつ実用上充分な吸着力を有していた。例えば図３に３種類の体積固有抵抗値を持った材質からなる静電チャックの、印加電圧と吸着力の関係を示すように、体積固有抵抗値１０１２〜１０１４Ω・ｃｍのものは実用上充分な吸着力を得ることができた。
　さらに、本発明のセラミック板状体１を上記体積固有抵抗値とするためには、窒化珪素質セラミックスあるいは窒化アルミニウム質セラミックス単体でもよいが、さらに炭素（Ｃ）などの導電性物質を添加して、体積固有抵抗値を好適な範囲に調整することができる。」（第３欄第７〜３３行）
ｄ．「そして、これらのセラミック原料をテープ成形法、乾式プレス成形法、静水圧プレス成形法等により板状に成形し、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）などからなる内部電極２を形成した後、板状成形体を積層して一体焼成することにより、内部電極２を有するセラミック板状体１を得ることができる。また、上記シート状セラミック成形体を焼成した後、Ｔｉ基合金からなる活性金属を用いて接合し、この活性金属層を内部電極２とすることも可能である。さらに、この内部電極２は必ずしもセラミック板状体１中に埋設する必要はなく、図示していないが、セラミック板状体１の吸着面１ａと反対側の面に内部電極２を形成し、この上に接合剤３を介してベース板４を固定することも可能である。」（第３欄第３４行〜第４欄第７行）
ｅ．「セラミック板状体１として、９９．５重量％のＡｌＮと、０．５重量％のＣからなるセラミック原料を乾式プレスで板状に成形し、この板状成形体上にＡｇ−Ｐｄによって内部電極２を形成し、他の板状成形体を積層して焼成一体化した（実施例３）。」（第４欄第２１〜２５行）
ｆ．「いずれも、大きさは直径１５０ｍｍで、内部電極２と吸着面１ａの距離は３００μｍとし、吸着面１ａはラップ加工して、表面粗さ（Ｒａ）０．２μｍとした。」（第４欄第２９〜３２行）
ｇ．「ＨＩＰにより作成されたもの（実施例２）の方が吸着力が高かった。これはＨＩＰにより、セラミック板状体１の表面及び内部に介在するポアが消滅し、静電チャックと被吸着物６との接触面積が増えているためであると考えられる。」（第５欄第８〜１２行）
ｈ．「実験例２
次に、上記実施例２、３および比較例の静電チャックについて、窒素雰囲気中での吸着力を調べる試験を行った。条件は、印加電圧１ｋＶ、真空度１０−２torr、温度１５０℃とした。それぞれ、窒素濃度と吸着力の関係を図５に示す。」（第５欄第１３行〜第６欄第１行）
ｉ．「これに対し、窒化物セラミックスを用いた実施例２、３ではそのようなことがなく、安定した吸着力を示していた。
　さらに、上記実施例２、３の静電チャックを単極で動作させて、被測定物６と内部電極２間を流れる電流を測定してみたところ、この漏れ電流は数十〜数μＡの電流値であり問題とされるレベルではないことが確認された。」（第６欄第６〜１３行）
ｊ．「また、窒化物セラミックスとして窒化アルミニウムを用いれば、放熱性に優れることから、エッチャー装置等に使用される静電チャックとして好適に用いられる。」（第７欄第１９〜２２行及び表１）
　前記摘記事項ａ〜ｊ及び表１の記載からみて、刊行物１には、「被吸着物６を吸着するための静電チャックであって、母材と、絶縁膜と、前記母材と前記絶縁膜との間に形成されている内部電極２とを備えており、前記内部電極２上に前記絶縁膜を介して前記被吸着物６を吸着するように構成されており、前記母材と前記絶縁膜の材質が窒化アルミニウムであり、前記絶縁膜の体積固有抵抗値が１×１０１１Ωｃｍ以上、１×１０１５Ωｃｍ以下、好ましくは１×１０１２Ωｃｍ以上、１×１０１４Ωｃｍ以下であり、前記絶縁膜の表面粗さ（Ｒｍａｘ）０．８ｓ（μｍ）以下、前記絶縁膜の大きさは直径１５０ｍｍで、内部電極２と吸着面１ａの距離は３００μｍとし、表面粗さ（Ｒａ）０．２μｍとし、漏れ電流は数十〜数μＡであり、
　前記母材が緻密質セラミックスからなり、前記内部電極２を銀、パラジウム、白金などから形成し、前記基体、前記絶縁膜および前記内部電極２が一体に焼結されている静電チャック。」の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
（２）刊行物２
ａ．「図中１は膜状電極であり、円盤状セラミックス基体４の一方の主面4aに形成されている。そして、この膜状電極１を覆うように、円盤状セラミックス基体４の一方の主面4a上に、窒化珪素からなる絶縁性誘電層２が形成され、一体化されている。」（第３欄第１〜５行）
ｂ．「静電チャックにおいて大きな吸着力を得るには、ある程度誘電層の抵抗が低いことが条件となり、具体的には体積抵抗率が１０１０〜１０１２Ω・cm程度が最適とされている。
　本実施例の絶縁性誘電層は窒化珪素から構成されているので、例えば熱ＣＶＤ装置等の半導体製造装置に使用することができる。すなわち、熱ＣＶＤ装置では、絶縁性誘電層は最大６００℃にも加熱されるが、この温度に加熱されても窒化珪素で構成された絶縁性誘電層２の体積抵抗率は１０１０Ω・cmであり、静電的に吸着力を得るに好適な値に留まるからである。さらに、本実施例では絶縁性誘電層２として、気孔率が３％以下、最大気孔の気孔径が５μｍ以下の窒化珪素を用いていることから、６００℃の高温でも、絶縁性誘電層２の絶縁耐圧が高いため、ウエハー等を吸着するに必要な直流電圧の印加が可能となり、十分な吸着力が得られる。絶縁性誘電層２に上記の窒化珪素を用いた本実施例では、誘電層２の膜厚を３００μｍとし、温度６００度としたとき、印加直流電圧１０００Ｖに対し１０００ｇ／cm2 　の吸着力が得られた。」（第３欄第１８〜３７行）
ｃ．「高温、例えば６００℃において、体積抵抗率が１０１０〜１０１２Ω・cm、比誘電率が窒化珪素と同等であれば、他の誘電性材料を使用できるものであることは、上記の説明から容易に推察されるところである。窒化珪素以外の材料としては、例えば、窒化アルミニウム、ベリリア、マグネシア、スピネル、純度９７％以上のアルミナ等を挙げることができる。・・・。
　なお、本実施例では絶縁性誘電層の材料について示したが、図１に示すセラミックス基体４を上記絶縁性誘電層と同一の材料で構成することもできる。この場合は、絶縁性誘電層とセラミックス基体の熱膨脹が一致し、両者を一体に成形することが可能であるから、より好適である。」（第４欄第２３〜３８行）
ｄ．「円盤状のセラミックス基体４の内部に抵抗発熱体10が埋設されている。」（第５欄第４４〜４５行）
　前記摘記事項ａ〜ｃから、刊行物２には、
「静電チャックにおける絶縁性誘電層が窒化珪素からなり、その体積抵抗率が６００℃において１０１０〜１０１２Ωｃｍ、また、絶縁性誘電層として窒化アルミニウムが使用できること」という技術的事項が記載されていると認める。
（３）刊行物３
ａ．「実験例１
本発明の静電チャックは微少な漏れ電流によって吸着力を得るものであり、適正な吸着力を得るためには体積固有抵抗が重要になってくる。そこで常温における体積固有抵抗が１０１４Ωｃｍ以上のアルミナをセラミック体１として用い、図２に示すヒータ５を内蔵した単極型の静電チャックを作製して、１０−１Ｔｏｒｒの真空中において静電チャックの静電電極２と被吸着物３間に３００Ｖの電圧４を印加し、昇温しながら被吸着物３を垂直に剥すことにより吸着力の測定を行った。」（第５欄第２１〜３０行）
（４）刊行物４
ａ．「本発明の静電チャックは、少なくとも室温〜６００℃における体積固有抵抗が１×１０８　〜１×１０１３Ω−ｃｍの窒化アルミニウムを主体とする絶縁層により表面を形成することにより、安定した吸着力を有し、かつ印加電圧を切ったときには残留吸着力がなく、静電チャックとして良好な特性を示した。」（第２欄第２７〜３２行）
ｂ．「図１によれば、静電チャックは、絶縁体からなる基体１と、その基体１表面に形成された電極２および絶縁層３により構成される。絶縁層３は、少なくともシリコンウエハ４の載置面、あるいは半導体製造装置内に露出している基体面全体に形成される。なお、基体１内にヒータを内蔵させても何ら差し支えない。
　本発明において、絶縁層３は、窒化アルミニウムからなり、しかも室温〜６００℃における体積固有抵抗が１×１０８　〜１×１０１３Ω−ｃｍ、好ましくは１×１０９　〜１×１０１２Ω−ｃｍの範囲にあるような特性を有するものであることが重要である。これは、絶縁層の体積固有抵抗が１×１０８　Ω−ｃｍより小さいとリーク電流が大きくなり、１×１０１３Ω−ｃｍより大きいと残留吸着力が発生するという問題が生じるためである。このうち、漏れ電流や耐電圧、応答性を考慮すれば１×１０１０〜５×１０１１Ω−ｃｍが最も好ましい。更に安定した動作を行なうためには体積固有抵抗の変化が室温〜６００℃の温度範囲において３桁以内、好ましくは２桁以内が良い。」（第２欄第３４行〜第３欄第２行）
（５）刊行物５
ａ．「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、この静電チャックについてはその残留静電力を低下させる目的において、絶縁性誘電体層の材質に酸化すず、酸化チタン、チタン酸鉛などの低抵抗な遷移金属を添加するという方法も提案されている（特開昭６２−９４９５３号公報参照）が、この場合には耐電圧が著しく低下するし、静電力を得るために電圧を印加すると、絶縁破壊による放電やチャック表面に流れるリーク電流によってデバイス機能にダメージが与えられるという不利が生じる。」（第２欄第４〜１２行）
ｂ．「また、この静電チャック基板を構成する絶縁性誘電体層はアルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、石英、窒化ほう素、サイアロンあるいはこれらの混合物からなるセラミックスの焼結体あるいはこれらのセラミックスのプラズマによる溶射により作られたものとすればよいが、このセラミックスはその抵抗を低下させない範囲で高誘電体を添加したものであってもよい。なお、この絶縁性誘電体層については、この静電チャックの静電力は印加電圧の２乗に比例し、基板を吸着する絶縁性誘電体層の厚さの２乗に反比例することから、この厚さは薄ければ薄いほうがよいのであるが、加工のし易さ、基板と電極との間で放電が生じない範囲とするということから１００〜４，０００μｍの範囲とすればよい。」（第２欄第４６行〜第３欄第９行）
（６）刊行物７
ａ．「１）ドライエッチング及びＣＶＤ等の処理装置に用いられる静電吸着装置に於いて、真空容器内に配設され、所要の熱授受手段で熱授受が行われる板状絶縁物に静電吸着用電極を埋設し、該静電吸着用電極に直流電源を接続し、前記板状絶縁物の被処理基板載置面に該被処理基板によって閉塞される溝を刻設し、該溝にヘリウムガスを供給するヘリウムガス供給装置を連通したことを特徴とする静電吸着装置。」（第１頁第５〜１４行）
ｂ．「ウェーハ４が載置される範囲内に同心多重に円周溝18a を刻設し、又直径方向に全ての円周溝18a を連通せしめる経線溝18ｂを刻設する。 」（第７頁第１６〜１８行）
ｃ．経線溝１８ｂは、放射状に延びていること。（第２図参照。）
　前記摘記事項ａ〜ｃの記載から刊行物７には、
「静電吸着装置において、板状絶縁物に静電吸着用電極を埋設し、前記板状絶縁物の吸着面側に放射状に延びる経線溝が形成されており、該溝にヘリウムガス供給装置を連通したこと」の事項（以下、刊行物７記載の技術的事項」という。）が記載されていると認められる。
（７）刊行物８
ａ．「【請求項１】  誘電体層内に設けた内部電極に電圧を印加することで生じる静電力で半導体ウェハ等の被吸着体を吸着するようにした静電チャックにおいて、前記誘電体層の体積固有抵抗は１０９　Ωｍ以下で、また誘電体層の上面には多数の突起が設けられ、この突起の吸着面となる上面はＲmax（最大高さ）が２．０μｍ以下またはＲa（中心線平均粗さ）が０．２５μｍ以下で、且つ突起の上面の合計面積の誘電体層の上面に対する面積比率が１％以上１０％未満であることを特徴とする静電チャック。」（第１欄第２〜１１行）
ｂ．「【作用】静電チャックを構成する誘電体層の体積固有抵抗を１０９　Ωｍ以下、突起上面のＲmaxを２．０μｍ以下またはＲａを０．２５μｍ以下とすることにより、吸着力が大きく」（第２欄第３６〜３９行）
ｃ．「前記内部電極４には直流電源回路７が接続され、誘電体層３下面の導体部８には高周波電源回路９が接続されている。また、高周波電源回路９は内部電極４に接続してもよい。尚、プラズマ処理装置内において、静電チャック１上方にはアースされた対向電極１０が位置している。而して、静電チャック１にウェハＷを載置し、内部電極４に直流電圧を印加することで静電力が生じ、ウェハＷは誘電体層３、具体的には突起５…の上面に吸着される。また、高周波電源回路９によって高周波を印加することで、対向電極１０との間に活性なラジカル１１が発生し、ウェハＷ表面のＳi酸化膜等がエッチングされる。」（第３欄第１４〜２５行）
（８）刊行物９
ａ．「冷却面の段差を冷却ガスの平均自由行程の１００倍程度以下にすることで十分な冷却効果が得られる。さらに、基板と冷却面を全面的に接触させている従来の冷却方法に比較すると、基板裏面と冷却面間のギャップが大きい。このため、両面間のコンダクタンスが大きくなり、冷却ガスの供給および排気が容易に行われる、すなわち冷却ガスの吸排気時間が短くなり、基板処理時間を短縮することもできる。」（第７欄第１１〜１８行）
ｂ．「図２は、本発明の基板保持方法により基板を保持するための基板保持装置の断面を示したものである。基板１が基板の支持部材２の凸部３に載せられ、かつ支持部材２の凸部３は静電吸着回路（後述）に接続されており、凸部３で基板１は支持部材２に係止される。・・・また、支持部材２の中央には冷却ガス７の流路が設けられており、冷却ガス７の供給及び排気を行う。基板１の温度コントロールは、支持部材２の凹部８に充填された冷却ガス７が温度コントロールされた支持部材２と基板１の熱伝導を担うことにより達成される。静電吸着力は、支持部材２の表面に貼付あるいは形成された誘電体１８によって発生される。」（第８欄第３１〜４５行）
ｃ．「係止された基板１の裏面に、冷却ガス７が供給される。冷却ガス７は、支持部材２の凹部８に充填されるが、その圧力は、数トールから数１０トールの範囲とする。また、凹部８のギャップは、１５μｍから０．１ないし０．２ｍｍとすれば、冷却効率の低下も無視できるほどとなる。」（第９欄第１１〜１６行）
ｄ．「基板保持装置９をリング状としたのが図５に示した実施例である。・・・なお、凹部８への冷却ガス７の給排気を速やかに行うため、リング状凸部２２の一部を切りかき、冷却ガス７が通り易くなるようにしてある。」（第１１欄第１１〜１９行）
ｅ．リング状凸部２２によって切りかきが形成されており、前記切りかきは径方向に延びており、また、リング状凸部２２の内側の凹部８の中央に冷却ガス７の流路の冷却ガス吸排気口２１が設けられていて、前記切りかきが冷却ガス７の流路に連通している。（図５参照。）
　前記摘記事項ａ〜ｅの記載から、刊行物９には、
「基板１を静電吸着力により保持する基板保持装置９であって、誘電体１８の吸着面に冷却ガス吸排気口２１により開口する冷却ガス７の流路が誘電体１８に形成されており、この誘電体１８の吸着面側にリング状凸部２２及び凹部８が形成されており、前記リング状凸部２２によって径方向に延びる切りかきが形成されており、前記切りかきが前記冷却ガス流路に連通していること。」の事項（以下、刊行物９記載の技術的事項」という。）が記載されていると認められる。
（９）刊行物１０
ａ．「静電チャックを高温下で使用するためには、少なくとも静電チャック表面の誘電体層を、窒化珪素、アルミナ等の緻密質セラミックスで形成する必要がある。」（第１欄第３４〜３７行）
ｂ．「円盤状のセラミックス基体１の内部には抵抗発熱体２が埋設され、・・・。
　円盤状のセラミックス基体１の一方の主面1bに沿って、例えば円形の膜状電極５が形成されている。そして、この膜状電極５を覆うように、一方の主面1b上にセラミックス誘電体層６が形成され、一体化されている。これにより、膜状電極５は、セラミックス基体１とセラミックス誘電体層６との間に内蔵される。この膜状電極５は、パンチングメタルのような穴明き形状とすると、」（第２欄第第２５〜４２行）
ｃ．「図６は、本発明の方法によって凹部を形成した静電チャックの一例を示す概略断面図である。円盤状セラミックス基体21の一方の主面21a に沿って、例えば円形の膜状電極５が形成されている。そして、この膜状電極５を覆うように、一方の主面21a 上にセラミックス誘電体層６が形成され、一体化されている。これにより、膜状電極５は、セラミックス基体21とセラミックス誘電体層６との間に内蔵される。この膜状電極５は、パンチングメタルのような穴明きの形状とすると、誘電体層６の密着性が良好となる。・・・そして、半導体ウエハー９をウエハー設置面22B に設置し、吸着する。・・・。
　このウエハー設置面22B の平面形状の一部を拡大して図７に示す。平面略正方形の突起18が図７において上下方向及び左右方向に一定間隔で基盤目状に設けられており、各突起18の間の領域に凹部19が形成されている。この凹部19によって、前述したように、半導体ウエハー９のチャック解除後の残留吸着力を減らし、かつ温度上昇時の応答性を高める。」（第６欄第３４行〜第７欄第７行）
ｄ．「深さ数10μm 程度以下の凹部・・・また、この凹部にガスを残し、また、ガスを供給する・・・この凹部による半導体ウエハーの吸着力が安定し、温度上昇時の応答性が良くなり、半導体ウエハーの均熱性が向上する。」（第７欄第１４行〜第８欄第１行）
　前記摘記事項ｃ及びｄの記載から、図６，７を参照すると、刊行物１０には、
「半導体ウエハー９を吸着するための静電チャックであって、セラミックス基体２１と、セラミックス誘電体層６と、前記セラミックス基体２１と前記セラミックス誘電体層６との間に形成されている膜状電極５とを備えており、前記膜状電極５上に前記セラミックス誘電体層６を介して前記半導体ウエハー９を吸着するように構成されており、前記セラミックス誘電体層６の前記ウエハー載置面２２Ｂ側に突起１８が多数形成されており、前記各突起１８の間に、該突起１８の間の領域に凹部１９が形成されており、該凹部１９にガスを供給し、前記凹部１９の前記吸着面からの深さが数１０μｍ程度以下であり、
　ウエハー載置面２２Ｂ（吸着面）側から平面的に見て、前記凹部１９の底面と前記セラミックス基体２１との間に前記膜状電極５が存在している静電チャック。」の発明（以下、「刊行物１０記載の発明」という。）が記載されていると認める。
（１０）刊行物１１
ａ．「絶縁誘電層をセラミックスにて構成した場合、セラミックスは温度が高くなるにつれて絶縁抵抗値（体積固有抵抗）が低くなる特性があるため、上記した適当な抵抗値よりも低くなり、リーク電流が大きくなり」（第２頁左上欄第１〜５行）
ｂ．「尚、絶縁抵抗Ｒと体積固有抵抗ρとは以下の関係がある。
　Ｒ＝ρ・ｌ／Ｓ　ｌ：絶縁距離
　　　　　　　　　Ｓ：絶縁面積」（第２頁左下欄第５〜８行）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４．対比・判断
（本件発明１について）
　本件発明１と刊行物１記載の発明とを対比すると、後者の「被吸着物６」は前者の「被処理物」に、同様に、「母材」は「基体」に、「絶縁膜」は「絶縁性誘電層」に、「内部電極２」は「電極」に、「体積固有抵抗値」は「体積抵抗率」に、それぞれ相当することは明らかである。また、後者の漏れ電流数十〜数μＡを０．００２〜０．０２ｍＡとし、被処理物の直径１５０ｍｍから算出した面積で除算すると、単位面積あたりの漏れ電流は、０．００００１１〜０．０００１１ｍＡ／ｃｍ２　となる。
　そうすると、両者は、
「被処理物を吸着するための静電チャックであって、基体と、絶縁性誘電層と、前記基体と前記絶縁性誘電層との間に形成されている電極とを備えており、前記電極上に前記絶縁性誘電層を介して前記被処理物を吸着するように構成されており、前記基体と前記絶縁性誘電層の材質が窒化アルミニウムである静電チャック。」である点で一致し、以下の点で相違している。
　相違点１：前者では、常温における絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０９　Ωｃｍ以上、１×１０１６Ωｃｍ以下であり、使用温度が常温以上、５００℃以下の範囲内にあり、前記使用温度において前記絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０７　Ωｃｍ以上、１×１０１３Ωｃｍ以下であるのに対して、後者では、絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０１１Ωｃｍ以上、１×１０１５Ωｃｍ以下、好ましくは１×１０１２Ωｃｍ以上、１×１０１４Ωｃｍ以下であるものの、使用温度が不明であり、また、前記絶縁性誘電層の体積抵抗率が何れの温度のものであるか不明である点。
　相違点２：前者では、絶縁性誘電層の平均厚さが０．５ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下であって、単位面積あたりの漏れ電流が０．０００６７ｍＡ／ｃｍ２　以上０．０２７ｍＡ／ｃｍ２　以下であるのに対して、後者では、絶縁性誘電層の厚さが３００μｍであって、単位面積あたりの漏れ電流が０．００００１１〜０．０００１１ｍＡ／ｃｍ２　である点。
　相違点３：前者では、絶縁性誘電層の表面粗さの最大高さ（Ｒｍａｘ）が３μｍ以下であって、気孔率が３％以下であるのに対して、後者では、絶縁性誘電層の表面粗さ（Ｒｍａｘ）が０．８μｍ（ｓ）以下であって、気孔率が不明である点。
　そこで、各相違点について検討すると、
　相違点１については、刊行物４には、静電チャックにおける絶縁層の材質が窒化アルミニウムであり、その体積抵抗率（体積固有抵抗）が少なくとも室温〜６００℃において１×１０８　〜１×１０１３Ωｃｍであること（前記摘記事項３（４）ｂ参照。）、また、刊行物２には、静電チャックにおける絶縁性誘電層が窒化珪素からなり、その体積抵抗率が６００℃において１０１０〜１０１２Ωｃｍ、また、絶縁性誘電層として窒化アルミニウムが使用できること（前記摘記事項３（２）ｂ，ｃ参照。）が記載されている。また、使用温度が高くなると体積抵抗率が小さくなることは従来周知の事項である（前記摘記事項３（１０）ａ参照。）。
　刊行物１記載の発明と、刊行物４及び刊行物２記載の技術的事項とは、静電チャックにおいて、絶縁性誘電層の材質が窒化アルミニウムであり、その体積抵抗率が低下する温度領域でも吸着力を高く保持する点で技術課題が一致し、しかも、刊行物１記載の発明に刊行物４及び刊行物２記載の技術的事項の摘要を阻害する特段の事由も見出せない。
　そうすると、前記周知の技術的事項を参酌して刊行物１記載の発明の絶縁性誘電層の体積抵抗率として前記刊行物２及び４に記載のものを採用することにより、刊行物１記載の発明の静電チャックの使用温度及び絶縁性誘電層の体積抵抗率を本件発明１のような数値範囲とすることは、当業者であれば容易になし得た設計的事項である。
　相違点２については、使用温度が高くなると体積抵抗率が小さくなり、その結果漏れ電流が増大すること、また、絶縁抵抗と体積固有抵抗とは以下の関係にあることは、いずれも従来周知の事項である。
　Ｒ＝ρ・ｌ／Ｓ（Ｒ：絶縁抵抗、ρ：体積固有抵抗、ｌ：絶縁距離、Ｓ：絶縁面積）（前記摘記事項３（１０）コａ，ｂ参照。）
　したがって、漏れ電流を減少させるために、絶縁性誘電層の絶縁抵抗Ｒを大きくすべく絶縁距離、即ち、絶縁性誘電層の厚さを大きくすることは当業者が容易になし得ることである。
　また、刊行物５には、静電チャックにおいて、絶縁性誘電層（絶縁性誘電体層）の材質が窒化アルミニウムであり、また、静電チャックの吸着力については、絶縁性誘電層の厚さは薄ければ薄いほうがよいのであるが、被処理物（基板）との間で放電が生じない範囲とするということから、その厚さを１００〜４，０００μｍの範囲とすることが記載されている（前記摘記事項３（５）ａ，ｂ参照。）。
　そして、刊行物１記載の発明と、刊行物５記載の技術的事項とは、静電チャックにおいて、絶縁性誘電層が窒化アルミニウムであり、洩れ電流による被処理物への悪影響を防止する点で技術課題が共通し、しかも、刊行物１記載の発明に刊行物５記載の技術的事項の適用を阻害する特段の事由も見出せない。
　そうすると、前記周知の技術的事項を参酌して刊行物１記載の発明に前記刊行物５に記載の技術的事項を適用することにより、刊行物１記載の発明の絶縁性誘電層の平均厚さを、本件発明１のような数値範囲とすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　相違点３については、例えば、刊行物８には、静電チャックの吸着面のＲmax（最大高さ）を２．０μｍ以下またはＲa（中心線平均粗さ）が０．２５μｍ以下とすることにより吸着力を大きくする旨記載され（前記摘記事項３（７）ａ，ｂ参照。）、また、刊行物２には、十分な吸着力を得るために、絶縁性誘電層として気孔率が３％以下、最大気孔の気孔径が５μｍ以下としたことが記載されている（前記摘記事項３（２）ｂ参照。）ように、絶縁性誘電層の表面粗さの最大高さ（Ｒｍａｘ）が３μｍ以下であって、気孔率が３％以下とすることは、静電チャックの分野において、従来周知の事項である。
　そうすると、刊行物１記載の発明に前記周知の技術的事項を採用して刊行物１記載の発明の絶縁性誘電層の表面粗さの最大高さ及び気孔率を本件発明１のような数値範囲とすることは、当業者が適宜なし得た設計変更にすぎないことである。
　また、本件発明１の奏する効果も、刊行物１記載の発明、刊行物２，４，５に記載の技術的事項及び前記各周知技術から当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別なものでもない。
　したがって、本件発明１は、刊行物１記載の発明、刊行物２，４，５に記載の技術的事項及び前記各周知の技術的事項から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（本件発明２について）
　本件発明２と刊行物１記載の発明とを対比すると、両者は、前記相違点１ないし３に加えて更に次の点で相違している。
　相違点４：前者では、電極が面状の金属バルク体からなり、緻密質セラミックスからなる基体、絶縁性誘電層及び前記電極が一体に焼結されているのに対して、後者では、基体が緻密質セラミックスからなり、基体、絶縁性誘電層及び前記電極が一体に焼結されているものの、電極が面状の金属バルク体であることについては不明である点。
　そこで相違点４について検討すると、基体が緻密質セラミックスからなり、前記基体、絶縁性誘電層および電極が一体化され、前記電極が面状の金属バルク体からなるものは、例えば、刊行物１０にも記載されているように、静電チャックの分野において、従来周知の事項である（前記摘記事項３（９）ａ，ｂ参照。）。
　そうすると、刊行物１記載の発明に前記周知の技術的事項を適用して、刊行物１記載の発明の電極を本願発明２のように面状の金属バルク体とすることは当業者が容易になし得た設計的事項にすぎないことである。
　また、本件発明２の奏する効果も、刊行物１記載の発明、刊行物２，４，５に記載の技術的事項及び前記各周知の技術的事項から当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別なものでもない。
　したがって、本件発明２は、刊行物１記載の発明、刊行物２，４，５に記載の技術的事項及び前記各周知の技術的事項から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（本件発明３について）
　本件発明３と刊行物１記載の発明とを対比すると、両者は、前記相違点１ないし３に加えて更に次の点で相違している。
　相違点５：前者では、基体中に抵抗発熱体が埋設されているのに対して、後者では、基体中に抵抗発熱体が埋設されていない点。
　そこで相違点５について検討すると、例えば、刊行物２及び刊行物１０にも記載されている（それぞれ、前記摘記事項３（２）ｄ及び３（９）ｂ参照。）ように、静電チャックの分野において、静電チャックの基体中に抵抗発熱体を埋設することは、従来周知の事項である。
　そうすると、刊行物１記載の発明に前記周知の技術的事項を採用して、刊行物１記載の発明の基体中に抵抗発熱体を埋設することは当業者が適宜なし得た設計的事項にすぎないことである。
　また、本件発明３の奏する効果も、刊行物１記載の発明、刊行物２，４，５に記載の技術的事項及び前記各周知の事項から当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別なものでもない。
　したがって、本件発明３は、刊行物１記載の発明、刊行物２，４，５に記載の技術的事項及び前記各周知の技術的事項から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（本件発明４について）
　本件発明４と刊行物１記載の発明とを対比すると、両者は、前記相違点１ないし３に加えて更に次の点で相違している。
　相違点６：前者では、被処理物上にプラズマを発生させるための高周波電力を（基体と絶縁性誘電層との間に形成されている）電極に供給する、高周波電源を備えているのに対して、後者では、そのようにされていない点。
　そこで相違点６について検討すると、刊行物８には、静電チャックにおいて、内部電極には直流電源回路が接続され、誘電体層下面の導体部には高周波電源回路が接続されていて、この高周波電源回路は内部電極に接続してもよい旨が記載されている（前記摘記事項３（７）ｃ参照。）。
　そして、刊行物１記載の発明と前記刊行物８に記載の技術的事項は、静電チャックである点で技術分野が一致し、刊行物１記載の発明に刊行物８記載の技術的事項の適用を阻害する特段の事由も見出せない。
　そうすると、刊行物１記載の発明に前記刊行物８に記載の技術的事項を適用して、刊行物１記載の発明の電極に被処理物上にプラズマを発生させるための高周波電源を接続して該電源を備えるようにすることは当業者であれば容易になし得たことである。
　また、本件発明４の奏する効果も、刊行物１記載の発明、刊行物２，４，５，８に記載の技術的事項及び前記各周知の技術的事項から当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別なものでもない。
　したがって、本件発明４は、刊行物１記載の発明、刊行物２，４，５，８に記載の技術的事項及び前記各周知の技術的事項から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（本件発明５について）
　本件発明５と刊行物１記載の発明とを対比すると、両者は、前記相違点１ないし３に加えて更に次の点で相違している。
　相違点７：前者では、絶縁性誘電層の吸着面に開口するガス導入孔が少なくとも絶縁性誘電層に形成されており、この絶縁性誘電層の前記吸着面側に放射状に延びるガス分散用凹部が形成されており、前記ガス分散用凹部が前記ガス導入孔に連通しており、前記ガス分散用凹部の底面と前記電極との間隔が５００μｍ以上、５．０ｍｍ以下であるのに対して、後者では、そのようにされていない点。
　そこで、相違点７について検討すると、
　刊行物９記載の技術的事項の「基板１」は本件発明６の「被処理物」に、同様に、「基板保持装置９」は「静電チャック」に、「冷却ガス７の流路」は「ガス導入孔」に、「誘電体１８」は「絶縁性誘電層」に、それぞれ、相当することは明らかである。
　また、「切りかき」は、リング状凸部２２の内側の凹部８から外側へ冷却ガスの給排気を速やかに行うため冷却ガス７が通り易くなるように形成したものであるから、「ガス分散用凹部」ということができる。
　そうすると、刊行物９には、「被処理物を吸着するための静電チャックであって、絶縁性誘電層の吸着面に開口するガス導入孔が絶縁性誘電層に形成されており、この絶縁性導電層の吸着面側に径方向に延びるガス分散用凹部が形成されており、前記ガス分散用凹部が前記ガス導入孔に連通している」という技術的事項が記載されていると認められる。
　また、静電チャックの分野において、絶縁性誘電層の吸着面側に径方向に延びる又はその数を増やして放射状に延びるガス分散用凹部が形成され、前記ガス分散用凹部がガス導入孔に連通しているものは、前記刊行物９、及び刊行物７にも記載されている（前記刊行物７記載の技術的事項では「経線溝１８ｂ」が「ガス分散用凹部」に相当する。）ように従来周知の事項である。
　そして、刊行物１記載の発明と刊行物９記載の発明及び前記周知技術は静電チャックである点で技術分野が共通し、しかも、刊行物１記載の発明に前記刊行物９記載の技術的事項及び前記周知技術の適用を阻害する特段の事由も見出せない。
　したがって、刊行物１記載の発明に前記周知技術を適用することにより、刊行物１記載の発明において、絶縁性誘電層の吸着面側に放射状に延びるガス分散用凹部が形成され、前記ガス分散用凹部がガス導入孔に連通するようになすことは当業者であれば容易になし得たことであり、その際に、刊行物９記載の技術的事項のようにガス導入孔を絶縁性誘電層の吸着面に開口するように絶縁性誘電層に形成することは、当業者が適宜なし得た設計変更にすぎず、
　また、前記相違点２について検討したように、刊行物１記載の発明において、絶縁性誘電層の平均厚さを０．５ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下とすることは当業者が容易に想到し得たことから、該絶縁性誘電層の平均厚さから前記ガス分散用凹部の何ら規定されていない深さを減算して算出されるガス分散用凹部の底面と電極との間隔を、本件発明５のような０．５ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下とすることは、絶縁破壊等を考慮することにより当業者が容易になし得た設計的事項にすぎないことである。
　そして、本件発明５の奏する効果も、刊行物１記載の発明、刊行物２，４，５，９に記載の技術的事項及び前記各周知の技術的事項から当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別なものでもない。
　したがって、本件発明５は、刊行物１記載の発明、刊行物２，４，５，９に記載の技術的事項及び前記各周知の技術的事項から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（本件発明６について）
　本件発明６と刊行物１０記載の発明とを対比すると、後者の「半導体ウエハー９」は前者の「被処理物」に、同様に、「セラミックス基体１」は「基体」に、「セラミックス誘電体層６」は「絶縁性誘電層」に、「膜状電極５」は「電極」に、「ウエハー載置面２２Ｂ」は「吸着面」に、「突起１８」は「突起」に、それぞれ、相当することは明らかである。
　そうすると、両者は、
「被処理物を吸着するための静電チャックであって、基体と、絶縁性誘電層と、前記基体と絶縁性誘電層との間に形成されている電極とを備えており、電極上に前記絶縁性誘電層を介して前記被処理物を吸着するように構成されており、前記絶縁性誘電層の前記吸着面側に突起が多数形成されており、前記多数の突起の間にガスが供給される静電チャック。」である点で一致し、次の点で相違している。
　相違点８：前者では、絶縁性誘電層の吸着面に開口するガス導入孔が少なくとも前記絶縁性誘電層に形成されており、多数の突起が台状部上に形成され、前記台状部によって放射状に延びるガス分散用凹部が形成されており、前記ガス分散用凹部が前記ガス導入孔に連通しており、ガス分散用凹部の深さが１００μｍ以上、５．０ｍｍ以下であり、前記突起の高さが前記ガス分散用凹部の深さよりも低いのに対して、後者では、絶縁性誘電層の吸着面に開口するガス導入孔が絶縁性誘電層に形成されているのか否か不明であり、また、高さが数１０μｍ程度以下である多数の突起が絶縁性誘電層の吸着面側に形成されているものの放射状に延びるガス分散用凹部が形成されていない点。
　そこで、相違点８について検討すると、
　前記相違点７において示したように、刊行物９には、
「被処理物を吸着するための静電チャックであって、絶縁性誘電層の吸着面に開口するガス導入孔が絶縁性誘電層に形成されており、この絶縁性導電層の吸着面側に径方向に延びるガス分散用凹部が形成されており、前記ガス分散用凹部が前記ガス導入孔に連通している」という技術的事項が記載されていると認められる。
　そして、刊行物１０記載の発明と刊行物９に記載された技術的事項とは静電チャックにおいて、被処理物と吸着面との間にガスを供給して熱伝達を均一化する点で技術課題が共通しており、しかも両者を組み合わせることを妨げる特段の事情も見出せない。
　してみると、刊行物１０記載の発明の突起が多数形成された吸着面に、刊行物９記載の技術的事項を適用し、その際に、ガス分散用凹部が冷却ガスの給排気を速やかに行うためのものであるから、径方向の数を増やして放射状とすることや、その吸着面からの深さを１００μｍ〜５ｍｍとすることは、吸着面と電極との間隔等を勘案して当業者が適宜なし得た設計的事項にすぎないことである。
　また、突起の高さが数１０μｍ程度以下であることから、前記ガス分散用凹部の深さよりも低くなることは自明である。
　そして、本件発明６の奏する効果も、刊行物１０記載の発明及び刊行物９記載の技術的事項から当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別なものでもない。
　したがって、本件発明６は、刊行物１０記載の発明および刊行物９記載の技術的事項から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（本件発明７について）
　本件発明７と刊行物１０記載の発明とを対比すると、両者は、前記相違点８に加えて更に次の点で相違している。
　相違点９：前者では、吸着面側から平面的に見て、前記ガス分散用凹部の底面と前記基体との間に前記電極が存在しているのに対して、後者では、吸着面側から平面的に見て、多数の突起によって形成された空間の底面と基体との間に電極が存在しているものの、ガス分散用凹部が形成されていない点。
　そこで相違点９について検討すると、前記相違点８において検討したように、絶縁性誘電層の吸着面側にガス分散用凹部を形成することは、当業者が容易になし得たことであって、前記ガス分散用凹部を形成する際に、刊行物１０記載の発明において存在している電極をそのままにして、吸着面の全体にわたって吸着力を発生させ、より吸着力を高めるようにする程度のことは、当業者が必要により適宜なし得た設計的事項にすぎないことである。
　また、本件発明７の奏する効果も、刊行物１０記載の発明及び刊行物９記載の技術的事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別なものでもない。
　したがって、本件発明７は、刊行物１０記載の発明及び刊行物９記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（本件発明８について）
　本件発明８と刊行物１０記載の発明とを対比すると、両者は、前記相違点８に加えて更に次の点で相違している。
　相違点１０：前者では、ガス分散用凹部の底面と前記電極との間隔が５００μｍ以上、５．０ｍｍ以下であるのに対して、後者では、ガス分散用凹部の底面と前記電極との間隔については特定されていない点。
　そこで相違点１０について検討すると、前記相違点８において検討したように、絶縁性誘電層の吸着面側にガス分散用凹部を形成することは、当業者が容易になし得たことであって、前記ガス分散用凹部を形成する際に、ガス分散用凹部の底面と前記電極との間隔を５００μｍ以上、５．０ｍｍ以下であるようにすることは、当業者が絶縁破壊等を考慮することによって容易になしえた設計的事項にすぎないことである。
　そして、本件発明８の奏する効果も、刊行物１０記載の発明及び刊行物９記載の技術的事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別なものでもない。
　したがって、本件発明８は、刊行物１０記載の発明及び刊行物９記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１ないし８についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　したがって、本件発明１ないし８についての特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１７年８月２４日（２００５．８．２４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
静電チャック
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】被処理物を吸着するための静電チャックであって、基体と、絶縁性誘電層と、前記基体と前記絶縁性誘電層との間に形成されている電極とを備えており、前記電極上に前記絶縁性誘電層を介して前記被処理物を吸着するように構成されており、前記基体と前記絶縁性誘電体層の材質が窒化アルミニウムであり、常温における前記絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０９Ωｃｍ以上、１×１０１６Ωｃｍ以下であり、使用温度が常温以上、５００℃以下の範囲内にあり、前記使用温度において前記絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０７Ωｃｍ以上、１×１０１３Ωｃｍ以下、前記絶縁性誘電層の平均厚さが０．５ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下、単位面積あたりの漏れ電流が
０．０００６７ｍＡ／ｃｍ２以上、
　【請求項２】前記基体が緻密質セラミックスからなり、前記電極が面状の金属バルク体からなり、前記基体、前記絶縁性誘電層および前記電極が一体に焼結されていることを特徴とする、請求項１記載の静電チャック。
　【請求項３】前記基体中に抵抗発熱体が埋設されていることを特徴とする、請求項１または２記載の静電チャック。
　【請求項４】前記被処理物上にプラズマを発生させるための高周波電力を前記電極に供給する、高周波電源を備えていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの請求項に記載の静電チャック。
　【請求項５】前記絶縁性誘電層の吸着面に開口するガス導入孔が少なくとも前記絶縁性誘電層に形成されており、この絶縁性誘電層の前記吸着面側に
放射状に延びる
　【請求項６】被処理物を吸着するための静電チャックであって、基体と、絶縁性誘電層と、前記基体と前記絶縁性誘電層との間に形成されている電極とを備えており、前記電極上に前記絶縁性誘電層を介して前記被処理物を吸着するように構成されており、前記絶縁性誘電層の吸着面に開口するガス導入孔が少なくとも前記絶縁性誘電層に形成されており、前記絶縁性誘電層の前記吸着面側に台状部およびこの台状部上の突起が
多数
放射状に延びる
前記吸着面からの
り、前記突起の高さが前記ガス分散用凹部の深さよりも低い
　【請求項７】前記吸着面側から平面的に見て、前記ガス分散用凹部
の底面
　【請求項８】前記ガス分散用凹部の底面と前記電極との間隔が５００μｍ以上、５．０ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項６または７記載の静電チャック。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、静電チャックに関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　現在、半導体ウエハーの搬送、露光、ＣＶＤ、スパッタリング等の成膜プロセス、微細加工、洗浄、エッチング、ダイシング等の工程において、半導体ウエハーを吸着し、保持するために、静電チャックが使用されている。特公平５−８７１７７号公報においては、第一の絶縁層、第一の接着層、電極層、第二の接着層および第二の絶縁層を順次に積層して、膜厚３０〜４００μｍの積層体を作成し、この積層体を金属基板に対して接着することで、静電チャックを作成している。電極層と被処理物との間に第一の絶縁層が位置するが、この絶縁層の厚さは５〜７５μｍとすることが好ましく、印加電圧に耐えうる限りできる限り絶縁層を薄くすることを目指している。これは、絶縁性誘電層の厚さが小さく、薄い静電チャックの方が、吸着力が高いという理論に従ったものである。
　【０００３】
　この点について更に説明すると、静電吸着力（クーロン力）は、この力が働く物体の距離の二乗に反比例する。静電チャックにおいては、絶縁性誘電層の厚さが大きくなると、これに比例して電極と被処理物との間隔が大きくなる。これに伴って、絶縁性誘電層の厚さの二乗に反比例して、静電吸着力が減少してくる。このために、可能な限り絶縁膜を薄くして、静電吸着力を増大させる必要がある。
　【０００４】
　特開平２−１６０４４４号公報においては、電極と絶縁膜とからなる積層構造を、基体の上に２層以上形成しており、各々の絶縁膜の絶縁抵抗を互いに異ならせ、各々の電極に対する印加電圧を、選択的に制御可能としている。この際、各々の絶縁膜の厚さは、３００μｍ程度が適当であると記載されている。なぜなら、上記したように静電吸着力を増大させるためには絶縁膜を薄くする必要があるが、高い電圧を印加しても絶縁破壊が生じないようにするためには、ある程度の厚さを必要とするため、この相反する条件によって数十μｍから３００μｍ程度の厚さが適当であった。また、特開平２−１６０４４４号公報に記載されているように、温度が上昇するのに従って、絶縁膜の体積抵抗が低下してくるので、温度が上昇すると絶縁膜における漏れ電流が増大し、半導体ウエハーの既に成膜された半導体膜を破壊するといった問題を生ずる。
　【０００５】
　また、実開平２−１２０８３１号公報によれば、半導体ウエハーの載置面に溝を形成し、この溝の中にヘリウムガスを供給することが開示されている。即ち、半導体ウエハー等の被処理基板は、そのプロセスの目的に応じて、加熱または冷却する必要がある。そのためには、静電チャックの基体の下側に加熱源や冷却源を設置し、これらと基体との間で熱の授受を行わせる必要がある。この際、半導体ウエハーと静電チャックの吸着面との間は、単に接触するのみであるので、半導体製造装置の真空チャンバー内では真空断熱状態である。即ち、対流による熱伝導がないために、熱伝達が極めて低い。このため、上記したように、溝中にヘリウムガスを充満させ、このヘリウムガスを通して、半導体ウエハーと吸着面との間で熱の伝達を良好に行わせるようにしている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、例えば半導体ウエハーを静電チャックによって吸着し、処理する際には、静電チャックが幅広い温度範囲で使用される。前述したように、数十μｍ〜３００μｍ程度の厚さの絶縁膜を使用していると、例えば常温では極めて高い吸着力が得られる場合にも、３００℃を越えると、絶縁膜における漏れ電流が著しく増大し、半導体ウエハーの既に成膜された半導体膜を破壊することがあることがわかった。このため、高温領域で静電チャックを使用するためには、特開平２−１６０４４４号に記載されているような特定の構成を採用する必要があったが、これは構成がきわめて複雑であるし、上記の問題点に対して直接に解決を与えるものではない。
　【０００７】
　また、高温でも高い体積抵抗率を保持するような材料を選定したり、開発したりすることも考えられる。しかし、体積抵抗率の高いプラスチック系の材料は、一般に耐熱性が低く、高温領域ではもともと使用が難しい。耐熱性の高いセラミックスの多くは、高温領域では体積抵抗率が減少してくる。しかも、静電チャックの基材は、この他に機械的強度等の他の条件を満足しなければならず、このような材料の開発や選定は一般に困難である。実開平２−１２０８３１号公報においても、これとまったく同様の問題がある。
　【０００８】
　特に、本発明者は、種々のセラミックス材料によって、数十μｍ〜３００μｍ程度の厚さの絶縁性誘電層を形成し、その吸着力および漏れ電流について検討した。一般には、十分に高い吸着力を得るためには、使用温度範囲で１×１０１３Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を有する必要がある。
　【０００９】
　例えば、常温での体積抵抗率が１×１０１１〜１×１０１３Ω・ｃｍである絶縁性誘電層を有する静電チャックの場合には、常温〜２００℃では高い吸着力を有しているが、２００℃以上となると、漏れ電流が著しく上昇し、半導体ウエハーに損傷を与えうることがわかった。常温での体積抵抗率が１×１０１４Ω・ｃｍ〜１×１０１６Ω・ｃｍである絶縁性誘電層を有する静電チャックにおいては、１００〜５００℃の温度範囲では高い吸着力を有しているが、５００℃以上となると、漏れ電流が著しく上昇し、半導体ウエハーに損傷を与えうることがわかった。常温での体積抵抗率が１×１０９Ω・ｃｍ〜１×１０１０Ω・ｃｍである絶縁性誘電層を有する静電チャックにおいては、−２０℃〜１００℃の温度範囲では高い吸着力を有しているが、１００℃以上となると、漏れ電流が著しく上昇し、半導体ウエハーに損傷を与えうることがわかった。
　【００１０】
　このように、従来のセラミックス静電チャックは、いずれも最適温度範囲においては十分に高い吸着力を有しているが、その使用温度が上昇し、セラミックス絶縁性誘電層の体積抵抗率が１０９Ω・ｃｍ以下になると、漏れ電流が著しく上昇することが判明した。このため、従来の静電チャックは、特に半導体ウエハーをチャックして種々の処理を行う用途のように、使用温度範囲が広い用途では問題があることがわかった。
　【００１１】
　また、実開平２−１２０８３１号公報では、更に、半導体ウエハーと静電チャックとの熱伝達を、吸着面の方から平面的に見て均一に行う必要がある。なぜなら、溝内にヘリウムガスが充満している部分と充満していない部分との間では、たとえ静電チャックの吸着面の温度が同じであったとしても、半導体ウエハーの面内に著しい温度差が発生し、このために半導体膜の膜質に差が生じて、製造段階で不良品の原因となるからである。このため、溝内の各部分において、ヘリウムガスの圧力を一定に保持する必要がある。
　【００１２】
　しかし、実際の静電チャックにおいては、ヘリウムガスの供給箇所は限られており、各供給口の位置も離れているので、ヘリウムガスの吹き出し口から離れるのにつれてガスの圧力が急激に低下する。特に、前記したように絶縁性誘電層の厚さは数十〜３００μｍ程度しかなく、特に必要な絶縁破壊強度を保持するために最低限必要な厚さしか通常は有していない。そして、この絶縁破壊強度は、絶縁性誘電層の厚さが最も小さい部分の値となる。これらの理由から、溝の深さは数μｍ〜数十μｍとする他はない。しかし、数μｍ〜数十μｍ程度の深さの溝では、ガスの拡散に対する抵抗が大きく、十分にガスが拡散しないために、溝の中で顕著な圧力差が発生し、その結果、半導体ウエハー内に温度差が生じて、成膜された膜質が不均一になることがわかった。これと同時に、溝の深さを大きくしてくるのにつれて、この部分と電極との間での絶縁破壊の可能性も大きくなるという二律背反があった。
　【００１３】
　本発明の課題は、被処理物を吸着するための静電チャックにおいて、絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０９Ω・ｃｍ以下、更には１×１０８以下にまで低下する温度領域で静電チャックを使用する場合においても、絶縁膜における漏れ電流を減少させ、これによる被処理物への悪影響を防止できるようにすることであり、これと同時に、被処理物の吸着力を十分に高く保持できるようにすることである。
　【００１４】
　また、本発明の課題は、被処理物を吸着するための静電チャックにおいて、静電チャックの絶縁性誘電層の吸着面に開口するガス導入孔を設け、この吸着面側の溝にガスを供給した場合に、吸着面と被処理物との隙間におけるガス圧力差を減少させることによって、被処理物と吸着面との間の熱伝達を均一化できるようにすることである。
　【００１５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明に係る静電チャックは、基体と、絶縁性誘電層と、基体と絶縁性誘電層との間に形成されている電極とを備えており、電極上に絶縁性誘電層を介して被処理物を吸着するように構成されており、基体と絶縁性誘電体層の材質が窒化アルミニウムであり、常温における絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０９Ωｃｍ以上、１×１０１６Ωｃｍ以下であり、使用温度が常温以上、５００℃以下の範囲内にあり、この使用温度において絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０７Ωｃｍ以上、１×１０１３Ωｃｍ以下、絶縁性誘電層の平均厚さが０．５ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下、単位面積あたりの漏れ電流が
０．０００６７ｍＡ／ｃｍ２以上、
　【００１６】
　また、本発明に係る静電チャックは、被処理物を吸着するためのものであり、基体と、絶縁性誘電層と、基体と絶縁性誘電層との間に形成されている電極とを備えており、電極上に絶縁性誘電層を介して被処理物を吸着するように構成されており、絶縁性誘電層の吸着面に開口するガス導入孔が少なくとも絶縁性誘電層に形成されており、絶縁性誘電層の前記吸着面側に台状部およびこの台状部上の突起が
多数
放射状に延びる
吸着面からの
り、突起の高さがガス分散用凹部の深さよりも低い
　【００１７】
　本発明においては、ガス分散用凹部の底面と電極との間隔を５００μｍ以上、５．０ｍｍ以下とすることが好ましい。
　【００１８】
　本発明者は、絶縁性セラミックスからなる基材を備えた静電チャックによって、真空条件下で種々の温度領域で、漏れ電流を減少させ、吸着力を向上させる研究に取り組んでいた。この過程で、絶縁性誘電層の厚さを５００μｍ以上に厚くすることによって、漏れ電流を低く抑制できることを見いだした。これは、従来の静電チャックの絶縁性誘電層の厚さの約１０倍であるので、同一の材料を使用した場合には、漏れ電流の量を約１０分の１に減少させることができる。
　【００１９】
　しかも、これと同時に、絶縁性誘電層の厚さを５００μｍ以上に大きくしても、半導体ウエハーの吸着力は、顕著には減少せず、半導体ウエハーを吸着するのには十分な吸着力を確保できることを見いだし、本発明に到達した。即ち、従来は、絶縁性誘電層の厚さを厚くすると、この厚さの二乗に反比例して吸着力が減少していくために、このような厚さの大きい絶縁性誘電層を有する静電チャックは使用できないと考えられていた。
　【００２０】
　絶縁性誘電層の体積抵抗率が低い静電チャックを用いると、電圧を印加したとき、電極から電荷が移動し、誘電層の表面に現れ、半導体ウエハーとの間に強い静電力が生じるという機構があるといわれている。しかし、絶縁性誘電層の厚さと吸着力との関係は、これまで定式化されておらず、予見できなかった。従って、従来理論と合わせて、絶縁性誘電層の厚さが従来よりも極めて大きい静電チャックは検討すらされていなかった。
　【００２１】
　しかしながら、本発明者は、実際には５００μｍ〜５．０ｍｍの範囲内の厚さの絶縁性誘電層を有する静電チャックによって、前記のように絶縁性誘電層の体積抵抗率が低下する温度領域で、十分に高い吸着力が得られることを発見し、本発明を完成するに至った。しかも、これによって漏れ電流は著しく減少し、被吸着物に対して損傷を与える可能性はなくなった。
　【００２２】
　具体的には、常温での体積抵抗率が１×１０１１〜１×１０１３Ω・ｃｍである絶縁性誘電層を有する静電チャックの場合には、常温〜２００℃では高い吸着力を有しており、２００℃以上でも、半導体ウエハーを安定して吸着することができ、半導体ウエハーと吸着面との間に１０〜２０ｔｏｒｒの圧力のガスを通常のように流しても、半導体ウエハーが脱着しないことを見いだした。常温での体積抵抗率が１×１０１４Ω・ｃｍ〜１×１０１６Ω・ｃｍである絶縁性誘電層を有する静電チャックにおいても、５００℃以上であっても、同様の結果が得られることがわかった。また、常温での体積抵抗率が１×１０９Ω・ｃｍ〜１×１０１０Ω・ｃｍである絶縁性誘電層を有する静電チャックにおいても、１００℃以上でも、同様の結果が得られることがわかった。
　【００２３】
　このように、従来当業者が想到しなかった厚さの絶縁性誘電層を有する静電チャックでも、良好な吸着力を得ることができ、これと同時に漏れ電流を顕著に減少させうることを確認した。
　【００２４】
　また、特に、静電チャックが半導体製造装置に使用される場合には、エッチングガスやクリーニングガス等としてハロゲン系腐食性ガスにさらされる。また、スパッタ、ＣＶＤ、エッチング等のプロセスでは、プラズマにさらされる。絶縁性誘電層がセラミックスであっても、ハロゲン系腐食性ガスにさらされると、表面に反応物が生成し、かつ、プラズマにさらされると、長時間の使用中に、反応物層のいずれかを起点として、絶縁破壊等が発生する場合がある。こうした耐腐食性、耐プラズマ性という点からも、絶縁性誘電層の厚さを５００μｍ以上とすることによって、絶縁破壊を確実に防止できるようになった。
　【００２５】
　本発明においては、絶縁性誘電層の厚さを１．０ｍｍ以上とすることによって、漏れ電流が一層顕著に減少し、絶縁性誘電層の厚さを３．０ｍｍ以下とすることによって、前記の吸着力は一層高くなる。
　【００２６】
　また、本発明の静電チャックにおいては、絶縁性誘電層の表面粗さ（最大高さ）Ｒｍａｘを３μｍ以下とすることが好ましく、これによって特に吸着力が増大した。絶縁性誘電層の表面粗さ（最大高さ）Ｒｍａｘが４μｍ以上であると、絶縁性誘電層に印加される電圧を上昇させても、吸着力の向上はほとんど見られないのに対して、表面粗さ（最大高さ）Ｒｍａｘが３μｍ以下であると、吸着力が著しく向上するだけでなく、絶縁性誘電層への印加電圧の増大に対して、吸着力が鋭敏に反応することがわかった。
　【００２７】
　また、絶縁性誘電層の最大気孔径を５μｍ以下とすることによって、その表面粗さ（最大高さ）Ｒｍａｘを３μｍ以下に制御することができ、最大気孔径が５μｍを越えると、いかに精密研磨加工を行っても、絶縁性誘電層の表面の表面粗さ（最大高さ）Ｒｍａｘを３μｍとすることはできなかった。
　【００２８】
　また、絶縁性誘電層の気孔率は３％以下とすることが好ましかった。なぜなら、絶縁性誘電層の厚さを本願発明の範囲内とし、かつ表面粗さ（最大高さ）Ｒｍａｘを３μｍ以下とした場合に、気孔率を３％以下とすることによって、やはり吸着力が最も向上することがわかったからである。この気孔率が３％を越えると、いかに絶縁性誘電層の厚さおよびＲｍａｘを前述の範囲内に制御しても、吸着力の向上は顕著にはならなかった。
　【００２９】
　本発明の静電チャックにおいては、絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０１３Ω・ｃｍ以下の範囲内で、高い吸着力を得ることができ、良好に使用できる。特に、前述したように、絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０９Ω・ｃｍ以下、１×１０７Ω・ｃｍ以上の範囲内でも、十分に高い吸着力が得られるのと共に、漏れ電流を顕著に減少させることができる。
　【００３０】
　なお、絶縁性誘電層の体積抵抗率は、漏れ電流の減少という点では１×１０８Ω・ｃｍ以上とすることが一層好ましい。しかし、８インチウエハーで１０ｍＡ程度までの漏れ電流が許容される場合には、絶縁性誘電層の体積抵抗率が１×１０７〜１×１０８Ω・ｃｍである場合も、本発明に従って良好な結果が得られる。
　【００３１】
　また、本発明の静電チャックにおいては、前記したように絶縁性誘電層の吸着面に台状部を設け、台状部の隙間にガス分散用凹部を形成し、この凹部の深さを１００μｍ以上とすると共に、台状部上に突起を設け、突起上に被処理物を吸着する。これによって、被処理物と吸着面との間の隙間にガスを均一に分散、拡散させ、半導体ウエハー等の被処理物において温度を均一化できるようになった。また、前記したように絶縁性誘電層の厚さが５．０ｍｍを越えると吸着力の低下が見られたので、ガス分散用凹部の厚さを５．０ｍｍ以下とすることが好ましい。
　【００３２】
　ここで、本発明を、図１に示すような態様の静電チャックに対して適用できる。ここで、基体３１上に電極３３が形成されており、電極３３上に絶縁性誘電層３２が積層されている。絶縁性誘電層３２の表面側にガス分散用凹部３４が開口しており、ガス分散用凹部３４に対してガス導入孔３５が連通しており、ガス導入孔３５が基体３１の表面側に開口し、図示しないガス供給装置に連結されている。ガス導入孔３５から矢印Ｅのようにガスを流し、ガス分散用凹部３４中に分散させる。
　【００３３】
　ガス分散用凹部３４の吸着面から見た深さｔは、電極３３の吸着面から見た深さｇよりも大きく、この結果、ガス分散用凹部３４の領域を避けるように電極３３が形成され、基材中に埋設されている。この際、ガス分散用凹部３４の存在する領域中では電極３３を削除し、かつ電極３３の周縁部分がガス分散用凹部に対して露出しないように、電極３３を基材中に埋設する。この際、電極３３の周縁部分とガス分散用凹部３４との間隔ｌは、絶縁破壊を防止するために、１ｍｍ程度の大きさを有していなければならない。このため、電極３３がガス分散用凹部３４およびその周辺を含む広い領域で存在しないことになり、この部分で吸着力がまったく得られなくなる。
　【００３４】
　従って、好ましくは、ガス分散用凹部の下にも電極が存在するようにする。これによって、吸着面の全体にわたって、ガス分散用凹部の領域を含んで吸着力を発生させることができる。この際、ガス分散用凹部の底面と電極との間の間隔を５００μｍ以上とすることによって、絶縁破壊を確実に防止することができる。
　【００３５】
　本発明の特に好適な態様においては、絶縁性誘電層の厚さを１ｍｍ以上とし、ガス分散用凹部の深さを１００μｍ以上、特に好ましくは５００μｍ以上とし、同時にガス分散用凹部の下側に電極を設け、電極とガス分散用凹部の底面との間隔を５００μｍ以上と厚くする。このように絶縁性誘電層を厚くすると、ガス分散用凹部の深さをガスの良好な拡散に対して十分なほどに大きくしても、電極を削除する必要はなく、広い範囲で静電吸着力を発生させることができる。この態様において更に好ましくは、絶縁性誘電層の厚さを５．０ｍｍ以下、更に好ましくは３．０ｍｍ以下とし、ガス分散用凹部の深さを３．０ｍｍ以下、特に好ましくは２．０ｍｍ以下とし、電極とガス分散用凹部の底面との間隔を３．０ｍｍ以下、特に好ましくは２．０ｍｍ以下とする。
　【００３６】
　従来は、絶縁性誘電層の厚さが３００μｍ以下であったので、セラミックのグリーンシート積層法、気相成長法、プラズマ溶射法を採用する必要があったが、これらの方法は製造コストが高いという問題があった。しかし、本発明においては、厚さ数ｍｍの絶縁性誘電体を焼結法によって製造し、この絶縁性誘電体を平面研削加工によって研削し、絶縁性誘電層の吸着面を平坦とし、かつ機械加工によってガス分散用凹部を形成することができ、これによって製造コストを顕著に減少させることができる。
　【００３７】
　【発明の実施の形態】
　電極に対して高周波電源を接続し、この電極に対して直流電圧と同時に高周波電圧を供給することによって、本発明の静電チャックをプラズマ発生用電極として使用することができる。この場合には、例えば電極がタングステンであり、周波数が１３．５６ＭＨｚの場合、電極の厚さは４３０μｍ以上が望ましい。しかし、この厚さの電極を、スクリーン印刷法で形成することは困難であるので、電極を金属バルク体によって構成することが好ましい。また、絶縁性誘電層の厚さが０．５ｍｍ〜５．０ｍｍの範囲内では、誘電正接が当該周波数で０．１以下であれば、誘電体損失による自己発熱はさほど大きくなく、高周波電極として問題なく使用できる。
　【００３８】
　本発明の静電チャックが、ハロゲン系腐食性ガスを使用する半導体製造装置内に設置される場合には、ＣｌＦ３等のハロゲン系腐食性ガスによって、静電チャック電極が腐食することがあった。このようにハロゲン系腐食性ガスに暴露される静電チッャクにおいては、緻密質セラミックスからなる基体と、緻密質セラミックスからなる絶縁性誘電層と、面状の金属バルク体からなる電極とが一体に焼結された静電チャックを使用することが好ましい。この静電チャックにおいては、電極を包囲する基体が、接合面のない一体焼結品であるので、電極の腐食を防止することができる。
　【００３９】
　基体および絶縁性誘電層を構成するセラミックスとしては、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、サイアロン等の窒化物系セラミックス、炭化珪素及びアルミナ−炭化珪素複合材料が好ましい。耐熱衝撃性の観点からは、窒化珪素が特に好ましく、ハロゲン系腐食性ガス等に対する耐蝕性の点では、窒化アルミニウムが特に好ましい。
　【００４０】
　ただし、窒化アルミニウムは特に焼結しにくい材料である。このため、特に従来の常圧焼結方法では、高い相対密度を有する焼結体を得ることは困難である。従って、従来は、窒化アルミニウム粉末中に多量の焼結助材を含有させてその焼結を促進することが行われていた。しかし、特に半導体製造装置内に設置される場合には、こうした焼結助材等が不純物となり、半導体汚染の原因になりうる。
　【００４１】
　ところが、窒化アルミニウム粉末に５％のイットリアを焼結助剤として加え、ホットプレス焼結した焼結体は、相対密度が９９％を越え、かつハロゲン系腐食性ガスに対して良好な耐蝕性を示した。更に、窒化アルミニウムにおける不純物の含有量が１％以下の粉末を使用した場合にも、この粉末をホットプレス焼結させることによって、相対密度が９９％を越える緻密な焼結体を得ることができた。これにより、耐食性が良好な純度９５％以上、特に好ましくは９９％以上の窒化アルミニウム製の静電チャックを製造できるようになった。
　【００４２】
　本発明の静電チャックは、次の方法によって製造できる。まず、セラミックス成形体に、金属バルク体からなる面状の電極を埋設する。この過程では、次の方法を例示できる。
方法（１）予備成形体を製造し、この予備成形体の上に前記電極を設置する。次いで、この予備成形体及び電極の上にセラミックス粉末を充填し、一軸プレス成形する。
方法（２）コールドアイソスタティックプレス法によって、平板状の成形体を２つ製造し、２つの平板状成形体の間に電極を挟む。この状態で２つの成形体及び電極をホットプレスする。
　【００４３】
　方法（２）においては、コールドアイソスタティックプレス法によって、予め成形体の密度が大きくなっており、かつ成形体中における密度のバラツキが、方法（１）の場合に比べて少なくなっている。従って、方法（１）の場合に比べて、ホットプレス時における成形体の収縮量が小さくなり、かつ焼成後におけるバラツキも小さい。この結果、基体の平均絶縁耐圧が、相対的に大きくなる。
　【００４４】
　この作用効果は、静電チャックにおいては特に重要である。なぜなら、上記した理由から、静電チャックの誘電体層における平均絶縁耐圧を、より一層大きくし、その信頼性を飛躍的に向上させることができるからである。
　【００４５】
　この意味で、コールドアイソスタティックプレス法によって得られた成形体の相対密度は、６０％以上とすることが最も好ましい。
　【００４６】
　更に、コールドアイソスタティックプレス法によって得られた成形体の表面に、電極をスクリーン印刷する方法は、印刷後、非酸化性雰囲気下において長時間の脱脂工程を実施する必要がある。この点、コールドアイソスタティックプレス法によって得られた成形体の間に電極を挟む態様では、こうした長時間の脱脂工程が存在しないので、量産の観点から有利である。
　【００４７】
　更に、仮にスクリーン印刷によって電極膜を形成したと仮定すると、ホットプレス工程の際に電極膜が変形し、この結果、電極膜の上にある誘電体層の厚さが不均一となるという問題が生ずると考えられる。この点、面状の金属バルク体からなる電極を埋設すれば、ホットプレスの際に電極の剛性によって電極の変形を防止できるので、誘電体層の厚さの不均一を防止できる。静電チャックの場合には、この誘電体層の厚さがチャック性能を決定するので、重要である。ここで言う「面状の金属バルク体」とは、例えば、線体あるいは板体をらせん状、蛇行状に配置することなく、例えば、図３、図４、図５に示すように、金属を一体の面状として形成したものをいう。
　【００４８】
　電極としては、その厚さ方向に向かってホットプレスをするため、ホットプレス時の歪みを防止するという観点から、平板形状の電極が好ましい。この電極としては、最高６００℃以上の高温にまで温度が上昇する用途においては、高融点金属で形成することが好ましい。
　【００４９】
　こうした高融点金属としては、タンタル，タングステン，モリブデン，白金，レニウム、ハフニウム及びこれらの合金を例示できる。半導体汚染防止の観点から、更に、タンタル、タングステン、モリブデン、白金及びこれらの合金が好ましい。被処理物としては、半導体ウエハーの他、アルミニウムウエハー等を例示できる。
　【００５０】
　電極の形態は、薄板からなる面状の電極の他、多数の小孔を有する板状体からなる面状の電極や、網状の電極をも含む。電極が、多数の小孔を有する板状体である場合や網状の電極である場合には、これらの多数の小孔や網目にセラミックス粉末が流動して回り込むので、電極の両側における基体と絶縁性誘電層との接合力が大きくなり、基体の強度が向上する。また、電極の形態が薄板である場合には、電極と基体との熱膨張係数の差によって、電極の周縁部分に特に大きな応力が加わり、この応力のために基体が破損することがあった。しかし、電極が、多数の小孔を有する板状体である場合や網状体であるには、この応力が多数の小孔や編目によって分散される。
　【００５１】
　多数の小孔を有する板状体としてはパンチングメタルを例示できる。ただし、電極が高融点金属からなり、かつパンチングメタルである場合には、高融点金属の硬度が高いので、高融点金属からなる板に多数の小孔をパンチによって開けることは困難であり、加工コストも非常に高くなる。
　【００５２】
　この点、電極が金網である場合には、高融点金属からなる線材が容易に入手できるので、この線材を編組すれば金網を製造できる。従って、電極の製造が容易である。
　【００５３】
　こうした金網のメッシュ形状、線径等は特に限定しない。しかし、線径φ０．０３ｍｍ、１５０メッシュ〜線径φ０．５ｍｍ、６メッシュにおいて、特に問題なく使用できた。また、金網を構成する線材の幅方向断面形状は、円形の他、楕円形、長方形等、種々の圧延形状であってよい。
　【００５４】
　以下、図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態を説明する。図２は、静電チャックを概略的に示す断面図である。図３は、図２の静電チャックのうち一部を切り欠いて示す斜視図である。図４は、金網からなる電極３を示す斜視図である。
　【００５５】
　略円盤形状の基体１の側周面１ｄにリング状のフランジ１ｃが設けられており、基体１の内部に、金網３からなる電極９が埋設されている。半導体ウエハー等の被処理物の設置面１ａ側には、所定厚さの絶縁性誘電層４が形成されている。この厚さを本発明に従って選択する。支持部分８側には端子１０が埋設されており、端子１０が電極９に接続されている。端子１０の端面が、基体１の裏面１ｂに露出している。基体１の所定箇所に、半導体ウエハーを昇降するためのピンを通す孔２が形成されている。
　【００５６】
　端子１０に電線５Ａを介して直流電源７が接続されている。吸着力を測定する目的で、ステンレス製おもり６を吸着面１ａ上に設置し、ステンレス製おもり６に電線（アース線）５Ｂを接触させた。ステンレス製おもり６を、荷重測定用のロードセル１１に接続し、ステッピングモーター１２によって、ロードセル１１に接続されたステンレス製おもり６を、矢印Ａ方向へと引き上げる。吸着力は、（おもりが剥離したときの荷重−おもりの質量）／（おもりの吸着面の断面積）によって求めることができる。
　【００５７】
　この電極９は、図３、図４に示すような金網３によって形成されている。金網３は、円形の枠線３ａと、枠線３ａの内部に縦横に形成されている線３ｂとからなっており、これらの間に網目１３が形成されている。
　【００５８】
　図５（ａ）は、電極９として使用できるパンチングメタル１４を示す斜視図である。パンチングメタル１４は円形をしており、円形の平板１４ａ内に多数の円形孔１４ｂが、碁盤目形状に多数形成されている。
　【００５９】
　図５（ｂ）は、電極９として使用できる円形の薄板１５を示す斜視図である。図５（ｃ）は、電極９として使用できる薄板１６を示す平面図である。薄板１６内には、細長い直線状の切り込み１６ｂ、１６ｃが、互いに平行に合計６列形成されている。このうち、３列の切り込み１６ｂは、図５（ｃ）において下側に開口しており、残り３列の切り込み１６ｃは、上側に開口している。切り込み１６ｂと１６ｃとは、交互に配置されている。こうした形状を採用した結果、薄板によって細長い導電路が形成されている。この導電路の両端１６ａに端子を接続する。
　【００６０】
　図６は、本発明の他の好適な実施形態に係る静電チャック１７を概略的に示す断面図であり、図７は、図６の静電チャックを概略的に示す平面図である。略円盤形状の基体１８の側周面１８ｄにリング状のフランジ１８ｃが設けられており、基体１８の内部に電極９が埋設されている。半導体ウエハー等の被処理物の設置面１８ａ側には、絶縁性誘電層４０が形成されている。支持部分８側には端子１０が埋設されており、端子１０が電極９に接続されている。端子１０の端面が、基体１８の裏面１８ｂに露出している。
　【００６１】
　端子１０に電線５Ａを介して直流電源７が接続されている。吸着面１８ａ側に被処理物４１が設置されており、被処理物４１が電線５Ｂを介して直流電源７の負極およびアース２３に対して接続されている。基体１８の所定箇所にガス導入孔４２が形成されており、ガス導入孔４２がガス分散用凹部に連続している。本実施形態では、ガス分散用凹部２４Ａが円形台状部２７を取り囲むように形成されており、ガス分散用凹部２４Ａに対して開口するように、ガス導入孔が対称的な位置に等間隔に４箇所形成されている。円形台状部２７には、円形の小さい突起２６が多数規則的に形成されている。
　【００６２】
　ガス分散用凹部２４Ａから外側に向かって放射状に延びるように、それぞれ直線状のガス分散用凹部２４Ｂが形成されている。各ガス分散用凹部２４Ｂの間の領域には、それぞれ台状部２９が形成されており、台状部２９は合計で８個形成されている。各台状部２９には小さい円形突起２６が多数規則的に形成されている。各台状部２９の外側には、円環形状の突起２５が吸着面の全体を取り囲むように形成されており、各ガス分散用凹部２４Ｂの外側の末端が突起２５によって区画されている。
　【００６３】
　各ガス導入孔４２の背面１８ｂ側の開口に供給管２２が接続されており、これが図示しない供給装置に接続されている。基体１８の支持部分８側には抵抗発熱体１９が埋設されており、抵抗発熱体１９の両端部分に端子２０が接続されている。各端子に対して電力供給用のケーブル２１が接続されており、このケーブル２１は、図示しない電源に接続されている。
　【００６４】
　本発明に従って、絶縁性誘電層４０の厚さｇは、５００μｍ〜５．０ｍｍの範囲内で選択する。また、ガス分散用凹部２４Ａ、２４Ｂの深さｔおよびガス分散用凹部の底面と電極との間隔ｓは、本発明に従って選択する。この静電チャックを稼働させるときには、供給管２２から矢印Ｂのようにガスを供給し、ガス導入孔４２内を通過させ、ガス導入孔４２の吸着面側の出口から矢印Ｃ、Ｄのように吹き出させる。このガスは、矢印Ｄのようにガス分散用凹部２４Ａ内を、平面的に見て円形に流れ、同時に、矢印Ｃのように各ガス分散用凹部２４Ｂ内を突起２５の方へと向かって流れる。そして、ガスは台状部２７、２９の円形の突起２６を除く部分にも分散し、被処理物の裏面全体にわたりガスが均一に分散する。
　【００６５】
　また、各突起２６によって、被処理物の吸着面への残留吸着力が大きくなりすぎないように、制御することができる。
　【００６６】
　【実施例】
　以下、更に具体的な実験結果について述べる。
（実施例１）
　図６および図７に示すような形態の静電チャックを製造した。純度９９．９％の窒化アルミニウムの粉末からなる成形体の中に電極を埋設し、この成形体をホットプレス焼結させて焼結体を製造した。ホットプレス温度を１９１０℃とし、絶縁性誘電層の常温での体積抵抗率を１×１０１１Ω・ｃｍに制御した。
　【００６７】
　電極としては、モリブデン製の金網を使用した。金網は、直径φ０．１２ｍｍのモリブデン線を、１インチ当たり５０本の密度で編んだ金網を使用した。絶縁性誘電層の表面を機械加工し、絶縁性誘電層の厚さを調節した。背面側からマシニングセンターによって孔を形成し、また端子を電極に接合した。基体および絶縁性誘電層を構成する窒化アルミニウム焼結体の相対密度は９９％であった。
　【００６８】
　絶縁性誘電層の平均厚さを、表１に示すように変更した。各静電チャックを真空チャンバー内に設置し、抵抗発熱体１９に電力を供給し、静電チャックが２００℃となるように制御した。２００℃での絶縁性誘電層の体積抵抗率は、２×１０８Ω・ｃｍである。図２を参照しつつ説明した前記の方法に従って、吸着力を測定した。電圧の値は５００Ｖまたは１０００Ｖとした。電圧が５００Ｖの場合について表１に示し、電圧が１０００Ｖの場合について表２に示す。ただし、測定値は５ｇ／ｃｍ２単位に丸めた。
　【００６９】
　【表１】
　【００７０】
　【表２】
　【００７１】
　この結果からわかるように、絶縁性誘電層の厚さが０．５〜５．０ｍｍの範囲、特に好ましくは１．０〜３．０ｍｍの範囲内では、絶縁性誘電層の厚さが大きくなっても、吸着力の低下は相対的に少ないことが判明した。特に、半導体ウエハーと絶縁性誘電層との間に流すガスの圧力が２０ｔｏｒｒ程度の場合には、半導体ウエハーを十分に安定して吸着することが可能であった。
　【００７２】
（実施例２）
　実施例１と同様にして静電チャックを製造し、実施例１と同様に吸着力を試験した。ただし、ホットプレス温度を１８００℃とし、絶縁性誘電層の常温での体積抵抗率を１×１０１５Ω・ｃｍに制御した。
　【００７３】
　静電チャックを半導体製造用のチャンバー中に設置し、抵抗発熱体内に電力を供給し、４００℃にまで温度を上昇させた。４００℃における絶縁性誘電層の体積抵抗率は、５×１０８Ω・ｃｍであった。静電チャック電極への印加電圧は５００Ｖとした。絶縁性誘電層の平均厚さを種々変更した結果を表３に示す。吸着力を試験するために使用したステンレス製おもり６の吸着部の面積は１ｃｍ２であり、これに流れる漏れ電流も同時に測定した。半導体ウエハーの面積は、８インチの場合、約３００ｃｍ２であるので、測定値を３００倍して８インチウエハーに流れる漏れ電流を予測し、表３に表示した。
　【００７４】
　【表３】
　【００７５】
　表３からわかるように、絶縁性誘電層の厚さが小さいと、電界強度（電圧／厚さ）が大きいが、電界強度が大きいほど、電流が流れやすいらしく、電流は厚さと反比例の関係になかった。
　【００７６】
　このように、絶縁性誘電層の体積抵抗率が１０８Ω・ｃｍにまで低下した場合にも、本願発明によれば、８インチウエハーといった大面積のウエハーにおける漏れ電流を著しく減少させることができ、かつ吸着力もこうした大面積のウエハーを保持するのに十分であった。
　【００７７】
（実施例３）
　実施例１と同様にして、図６および図７に示すような形態の静電チャックを製造した。ただし、ホットプレス温度を１９１０℃とし、絶縁性誘電層の常温での体積抵抗率を１×１０１１Ω・ｃｍに制御した。絶縁性誘電層の厚さを１．０ｍｍに調節した。
　【００７８】
　絶縁性誘電層の気孔率、最大気孔径、表面粗さ（最大高さ）を、表４、５に示すように制御した。ホットプレス圧力を２００ｋｇ／ｃｍ２に設定することにより、気孔率０．１％、最大気孔径０．５μｍを得た。また、ホットプレス圧力を５０ｋｇ／ｃｍ２以下にして緻密化を抑制し、気孔率が３％または５％、最大気孔径が１μｍまたは２μｍの焼結体を得た。また、原料粉末中に、金属アルミニウムを造孔剤として混入させ、最大気孔径５μｍまたは１０μｍの焼結体を得、加工条件による表面粗さ（最大高さ）Ｒｍａｘへの影響を種々検討した。
　【００７９】
　各静電チャックを真空チャンバー内に設置し、抵抗発熱体１９に電力を供給し、静電チャックが１００℃となるように制御した。１００℃での絶縁性誘電層の体積抵抗率は、８×１０９Ω・ｃｍである。図２を参照しつつ説明した前記の方法に従って、吸着力を測定した。電圧の値は２５０Ｖ、５００Ｖまたは７５０Ｖとした。吸着力の測定結果を、表４、５および図８に示す。
　【００８０】
　【表４】
　【００８１】
　【表５】
　【００８２】
　この結果から判るように、絶縁性誘電層の表面粗さ（最大高さ）Ｒｍａｘが４μｍ以上であると、絶縁性誘電層に印加される電圧を上昇させても、吸着力の向上はほとんど見られないのに対して、表面粗さ（最大高さ）Ｒｍａｘが３μｍ以下であると、吸着力が著しく向上するだけでなく、絶縁性誘電層への印加電圧の増大に対して、吸着力が鋭敏に反応することがわかった。また、表面粗さ（最大高さ）Ｒｍａｘを３μｍ以下とした場合に気孔率を３％以下とすることによって、やはり吸着力が最も向上することがわかった。また、種々の表面加工条件を試みた結果、絶縁性誘電層の最大気孔径を５μｍ以下とすることによって、その表面粗さ（最大高さ）Ｒｍａｘを３μｍ以下に制御することができた。
　【００８３】
（実施例４）
　図６および図７に示すような静電チャックを製造した。ただし、焼結助剤としてイットリアを含有する純度９５％の窒化アルミニウム粉末を使用し、この粉末からなる成形体の中に電極を埋設し、この成形体をホットプレス焼結させて焼結体を製造した。電極としては、モリブデン製の金網を使用した。金網は、直径φ０．３ｍｍのモリブデン線を、１インチ当たり２０本の密度で編んだ金網を使用した。抵抗発熱体としてモリブデン製のワイヤーを埋設した。絶縁性誘電層表面を機械加工し、絶縁性誘電層の厚さを３．０ｍｍとした。背面側からマシニングセンターによって孔を形成し、また端子を電極に接合した。
　【００８４】
　円形突起２６および台状部はサンドブラストによって形成し、円形突起２６の台状部からの高さは２０μｍとした。ガス分散用凹部の幅は３．０ｍｍとし、深さは１．０ｍｍとした。ガス分散用凹部の底面から電極までの深さは２．０ｍｍとした。
　【００８５】
　基体および絶縁性誘電層を構成する窒化アルミニウム焼結体の相対密度は９９．９％であった。この場合には、絶縁破壊耐圧は少なくとも１０ｋＶ／ｍｍであり、ガス分散用凹部の底面と電極との間隔が５００μｍであれば、絶縁破壊耐圧は５ｋＶ以上となる。これは、静電チャック駆動電圧である５００Ｖ〜１０００Ｖから見て５倍以上の安全率がある。また、絶縁性誘電層の平均厚さを３．０ｍｍとしたことで、ガス分散用凹部の深さを１．０ｍｍとしても、ガス分散用凹部の底面と電極との間隔を２．０ｍｍとることができ、この部分で電極を削除する必要はない。
　【００８６】
　【発明の効果】
　以上述べたように、本発明によれば、被処理物を吸着するための静電チャックにおいて、絶縁性誘電層の体積抵抗率が低下する温度領域で静電チャックを使用する場合においても、絶縁膜における漏れ電流を減少させ、これと同時に、被処理物の吸着力を十分に高く保持できる。
　【００８７】
　また、静電チャックの絶縁性誘電層の吸着面に開口するガス導入孔を設け、この吸着面側の溝等にガスを供給した場合に、この溝等の内部における圧力差を減少させることによって、被処理物の各部分と吸着面との間の熱伝達を均一化でき、また、この溝等と電極との間での絶縁破壊を防止できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の実施例に係る静電チャックの一部分を概略的に示す断面図である。
　【図２】本発明の他の実施例に係る静電チャックを概略的に示す断面図である。
　【図３】図２の静電チャックの電極およびその周辺を示す破断斜視図である。
　【図４】電極として好適な網状電極を示す斜視図である。
　【図５】（ａ）は、電極として好適なパンチングメタル１４を示す斜視図である。（ｂ）は、電極として使用できる円形の薄板１５を示す斜視図である。（ｃ）は、電極として使用できる薄板１６を示す平面図である。
　【図６】本発明の更に他の実施例に係る静電チャックを概略的に示す断面図である。
　【図７】図６の静電チャックを概略的に示す平面図である。
　【図８】絶縁性誘電層の表面粗さＲｍａｘ、絶縁性誘電層への印加電圧と静電チャックの吸着力との関係を示すグラフである。
　【符号の説明】
　１、１８　基体　１ａ、１８ａ　吸着面　４、３２、４０　絶縁性誘電層　７　静電チャック電源　９、３３　静電チャック電極　１０　静電チャックの端子　２１　電力供給用のケーブル　２２　ガス供給管　２４Ａ、２４Ｂ　ガス分散用凹部　２６　円形の小突起　２７、２９　台状部　Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ　ガスの流れ　ｓ　ガス分散用凹部の底面と電極との間隔　ｔ　ガス分散用凹部の深さ　ｇ　絶縁性誘電層の平均厚さ