【事件の表示】
　特願２０１８−１２６３６１「紫外線発光素子パッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年１１月２２日出願公開，特開２０１８−１８６２８４，請求項の数（１２）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年８月２２日（パリ条約による優先権主張平成２３年８月２２日，同年８月２４日，同年１２月９日，同年１２月２２日（２件），同年１２月２７日（２件），同年１２月３０日，いずれも韓国）を出願日とする出願（以下「原出願」という。）の一部を，平成２８年９月８日に新たな特許出願としたものについて，さらにその一部を平成３０年７月２日に新たな特許出願としたものであって，以降の手続は次のとおりである。
平成３０年　７月１０日　拒絶理由通知（同年同月１７日発送）
　　　同年　８月１３日　手続補正・意見書提出
　　　同年　９月　４日　拒絶査定（同年同月１１日謄本送達）
　　　同年１１月２０日　審判請求・手続補正
第２　平成３０年１１月２０日にされた手続補正について
　以下，平成３０年１１月２０日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）の適否を検討する。
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，補正前後の特許請求の範囲は以下のものである。
〈補正前〉
「　【請求項１】
　キャビティの周囲に配置されている上部及び前記キャビティの下に配置されている下部を含むパッケージ本体と，
　前記下部内に配置されている放熱部と，
　前記下部内に配置され，且つ，垂直方向に延在する複数の第１導電層と，
　前記下部内に配置され，且つ，水平方向に延在する複数の第２導電層と，
　前記下部及び前記放熱部の下に配置されている第１突出防止層と，
　前記第１突出防止層内に配置され，且つ，前記垂直方向に延在する第３導電層と，
　前記第１突出防止層の下に配置され，且つ，前記水平方向に延在する第１電極パッドと
，
　前記放熱部の上に配置されている紫外線発光素子と，を含み，
　前記上部は，
　　第１セラミック層と，
　　前記第１セラミック層の下に配置されている第２セラミック層と，を含み，
　前記下部は，複数のセラミック層を含み，
　前記放熱部は，前記下部の前記複数のセラミック層の内部に配置され，
　前記複数の第１導電層のそれぞれは，前記複数のセラミック層のうちいずれか一つのセラミック層と接し，且つ，それ以外のセラミック層と接触せず，
　前記複数の第２導電層のそれぞれは，前記複数のセラミック層のうち互いに接触する二つのセラミック層と接し，且つ，それら以外のセラミック層と接触せず，
　前記第１突出防止層は，前記放熱部，及び，前記複数のセラミック層のうち最も下に位置するセラミック層と接し，
　前記第３導電層は，前記第１突出防止層と接し，
　前記第１電極パッドは，前記第１突出防止層と接し，
　前記紫外線発光素子は，前記紫外線発光素子の上面にボンディングされているワイヤを介して前記複数の第１導電層，前記複数の第２導電層，前記第３導電層及び前記第１電極パッドと電気的に接続されている，紫外線発光素子パッケージ。
　　【請求項２】
　・・・（中略）・・・
　　【請求項３】
　前記第１電極パッドは，前記放熱部と前記垂直方向において重ならない，請求項１または２に記載の，紫外線発光素子パッケージ。
　　【請求項４】
　・・・（後略）」
〈補正後〉
「　【請求項１】
　キャビティの周囲に配置されている上部及び前記キャビティの下に配置されている下部
を含むパッケージ本体と，
　前記下部内に配置されている放熱部と，
　前記下部内に配置され，且つ，垂直方向に延在する複数の第１導電層と，
　前記下部内に配置され，且つ，水平方向に延在する複数の第２導電層と，
　前記下部及び前記放熱部の下に配置されている第１突出防止層と，
　前記第１突出防止層内に配置され，且つ，前記垂直方向に延在する第３導電層と，
　前記第１突出防止層の下に配置され，且つ，前記水平方向に延在する第１電極パッドと，
　前記放熱部の上に配置されている紫外線発光素子と，を含み，
　前記上部は，
　　第１セラミック層と，
　　前記第１セラミック層の下に配置されている第２セラミック層と，を含み，
　前記下部は，複数のセラミック層を含み，
　前記放熱部は，前記下部の前記複数のセラミック層の内部に配置され，
　前記複数の第１導電層のそれぞれは，前記複数のセラミック層のうちいずれか一つのセラミック層と接し，且つ，それ以外のセラミック層と接触せず，
　前記複数の第２導電層のそれぞれは，前記複数のセラミック層のうち互いに接触する二つのセラミック層と接し，且つ，それら以外のセラミック層と接触せず，
　前記第１突出防止層は，前記放熱部，及び，前記複数のセラミック層のうち最も下に位置するセラミック層と接し，
　前記第３導電層は，前記第１突出防止層と接し，
　前記第１電極パッドは，前記第１突出防止層と接し，
　前記紫外線発光素子は，前記紫外線発光素子の上面にボンディングされているワイヤを介して前記複数の第１導電層，前記複数の第２導電層，前記第３導電層及び前記第１電極パッドと電気的に接続され，
　前記紫外線発光素子は，導電性物質によって前記放熱部と電気的に接続されている，紫外線発光素子パッケージ。
　　【請求項２】
　・・・（中略）・・・
　　【請求項３】
　前記導電性物質は，Ａｇ，ＡｕまたはＳｎを含み，
　前記第１電極パッドは，前記放熱部と前記垂直方向において重ならない，請求項１または２に記載の紫外線発光素子パッケージ。
　　【請求項４】
　・・・（後略）」
２　補正事項の整理
《補正事項１》
　補正前の請求項１の「前記紫外線発光素子は，前記紫外線発光素子の上面にボンディングされているワイヤを介して前記複数の第１導電層，前記複数の第２導電層，前記第３導電層及び前記第１電極パッドと電気的に接続されている」を，補正後の請求項１の「前記紫外線発光素子は，前記紫外線発光素子の上面にボンディングされているワイヤを介して前記複数の第１導電層，前記複数の第２導電層，前記第３導電層及び前記第１電極パッドと電気的に接続され，前記紫外線発光素子は，導電性物質によって前記放熱部と電気的に接続されている」と補正すること。
《補正事項２》
　補正前の請求項３の「前記第１電極パッドは，前記放熱部と前記垂直方向において重ならない」を，補正後の請求項３の「前記導電性物質は，Ａｇ，ＡｕまたはＳｎを含み，前記第１電極パッドは，前記放熱部と前記垂直方向において重ならない」と補正すること。
３　本件補正の目的の適否についての検討
　補正事項１は，補正前の請求項１の「紫外線発光素子」及び「放熱部」について，補正後の「前記紫外線発光素子は，導電性物質によって前記放熱部と電気的に接続されている」として，それらの接続関係について技術的に限定するものであり，また，補正事項２は，当該導電性物質について限定するものであるから，両補正事項は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
４　本件補正の新規事項の追加の有無についての検討
　前記各補正事項に係る，「前記紫外線発光素子は，導電性物質によって前記放熱部と電気的に接続されている」点，及び「前記導電性物質は，Ａｇ，ＡｕまたはＳｎを含」む点は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００８８】及び段落【０１３１】に記載されている。よって，前記補正事項は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
５　本件補正後の発明の独立特許要件についての検討
　上記３で検討したとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる限定的減縮を目的とするものを含むから，以下においては，本件補正が，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否かについて更に検討する。
（１）刊行物に記載された発明
ア　引用例１：特開２００６−２１６７６４号公報
（ア）本願の最先の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００６−２１６７６４号公報（以下「引用例１」という。）には，図とともに，以下の記載がある。
ａ　「【０００１】
　
本発明は，例えば発光ダイオードのような発光素子を実装するための発光素子実装用配線基板に関する
【背景技術】
【０００２】
　発光素子を実装する配線基板においては，かかる発光素子を実装するキャビティの側面に金属からなる光反射層を形成すると共に，当該キャビティ内に封止用樹脂を表面が平坦になるようにして充填することで，上記発光素子から発光された光を鮮明なものとすることができる。
　そこで，発光素子からの光を外部に効率良く反射するため，セラミックからなる基体の上面に貫通孔を内側に有し且つセラミックからなる枠体を接合し，前記貫通孔の内面に，ＷおよびＭｏを含む金属層を被着し，かかる金属層の上にＮｉメッキ層およびＡｇメッキ層を順次被着する発光素子収納用パッケージが提案されている（例えば，特許文献１参照）。また，上記発光素子を実装する搭載部および当該発光素子とワイヤを介して導通するメタライズ配線導体は，Ｗ，Ｍｏ，Ｍｎなどから形成されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２０７６７２　（第１〜８頁，図１，４）
【０００４】
　しかしながら，前記発光素子収納用パッケージのように，ＷやＭｏなどを配線導体として用いた場合，それらの電気抵抗が大きい（例えば，Ｒ（Ｗ）＝約１２ｍΩ／□）ため，電圧低下により，発光素子の発光性能が低下する，という問題があった。更に，上記発光素子をＷまたはＭｏからなる搭載部の上に実装した場合，それらの熱伝導率が低い（例えば，Ｗ＝２５Ｗ／ｍ・Ｋ（Ｒ．Ｔ．））ため，当該発光素子から発生する熱を外部に効率良く放熱できない。この結果，上記発光素子自体の温度上昇を招くため，当該発光素子自体の発光効率が低下してしまう，という問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　本発明は，前述した背景技術における問題点を解決し，実装すべき発光素子から発生する熱を外部に効率良く放熱できると共に，上記発光素子に接続される内部配線もしくは導体層の抵抗値を低下させ，且つ発光素子の発光効率を向上し得る発光素子実装用配線基板を提供する，ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
　本発明は，前記課題を解決するため，発光素子を実装する導体層などをＡｇまたはその合金により形成する，ことに着想して成されたものである。
　即ち，
本発明の発光素子実装用配線基板（請求項１）は，表面および裏面を有し且つ焼成温度が１３００℃以下の絶縁材からなる基板本体と，かかる基板本体の表面に開口し且つ底面に発光素子が実装されるキャビティと，かかるキャビティの少なくとも底面に離間して形成され且つＡｇを含む一対の導体層と，を含み，上記基板本体の側面には，上記一対の導体層に個別に導通し且つＡｇを含む複数の電極が形成されている
　尚，上記「Ａｇを含む」とは，ＡｇおよびＡｇ合金の少なくとも一方を指す。
【０００７】
　これによれば，上記一対の導体層およびこれらに個別に導通する複数の電極は，それぞれＡｇまたはＡｇ合金により形成されているため，後述するように，一方または双方の導体層の上に発光素子を実装した場合，熱伝導率が高い（例えば，Ａｇ＝４２７Ｗ／ｍ・Ｋ（Ｒ．Ｔ．））ことにより，上記発光素子から発生する熱を外部に効率良く放熱することができる。また，ＡｇまたはＡｇ合金は，電気抵抗が小さい（例えば，Ｒ（Ａｇ）＝約３ｍΩ／□）ため，上記一方または一対の導体層および複数の電極を介して，配線基板の内部配線や外部の取付基板（例えば，マザーボードなど）との導通に際して，従来のＷやＭｏなどを用いた場合に比べて，電圧低下を少なくできる。従って，実装すべき発光素子から発生する熱を外部に効率良く放熱できると共に，上記発光素子の発光効率を向上させることが可能となる。
【０００８】
　尚，基板本体を形成する前記絶縁材には，１０００℃以下の比較的低温で焼成可能なガラス−セラミックのほか，約１２５０℃で焼成可能なガラス（ＳｉＯ２−ＭｎＯ２−ＴｉＯ２−ＭｇＯ−ＢａＯ−ＺｒＯ２系ガラス）−セラミックも含まれる。また，前記Ａｇ合金には，例えばＡｇ−Ｗ系やＡｇ−Ｍｏ系合金が含まれる。更に，前記発光素子には，発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザ（ＬＤ）などが含まれる。加えて，前記キャビティは，底面の周囲から傾斜して基板本体の表面に向けて広がる側面を有する全体がほぼ円錐形状のほか，円筒形の側面を有する全体が円柱形の形態も含まれる。
　・・・（中略）・・・
【００１１】
　また，本発明には，前記キャビティの側面は，前記基板本体の表面に向かって広がる傾斜面である，発光素子実装用配線基板も含まれ得る。これによる場合，発光素子から発光された光を所定の範囲に集光し且つ効率良く外部に放射することが可能となる。
　更に，
本発明には，前記キャビティの底面の中央に位置する実装エリア付近と前記基板本体の裏面との間には，Ａｇを含むビア導体が貫通している，発光素子実装用配線基板も含まれ得る。これによる場合，一方または双方の導体層上の実装エリアに実装された発光素子から発生する熱を，導体層および複数の電極による放熱経路のほか，上記ビア導体を介して基板本体の裏面側にも放熱することが可能となる。
　また，本発明には，前記ビア導体は，前記基板本体の裏面寄りの断面が前記実装エリア寄りの断面よりも大である，発光素子実装用配線基板も含まれ得る。
　これによる場合，前記一方または双方の導体層上の実装エリアに実装された発光素子から発生する熱を，基板本体を貫通し且つ裏面寄りほど太くなる上記ビア導体を介して，効率良く裏面側に放熱することが可能となる。
ｂ「【００１３】
　以下において，本発明を実施するための最良の形態について説明する。
　図１は，本発明における一形態の発光素子実装用配線基板（以下，単に配線基板と称する）１を示す平面図，図２は，図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図である。
　
配線基板１は，図１，図２に示すように，表面３および裏面４を有する基板本体２と，かかる基板本体２の表面３に開口するキャビティ５と，かかるキャビティ５の底面７上に離間して形成される一対の導体層１５，１６と，を備えている
　
基板本体２は，一体に積層されたガラス−セラミック（絶縁材）層ｓ１〜ｓ７からなり，平面視がほぼ正方形で約１ｍｍの厚みを有する
　尚，基板本体２の絶縁材に低温焼成のガラス−セラミックを用いる際には，導体層１５，１６や後述する光反射層１０には，Ａｇが適用され，上記アルミナ系焼成体を用いる際には，例えばＡｇ−Ｗ系のようなＡｇ合金が適用される。
　・・・（中略）・・・
【００１６】
　図１，図２に示すように，
一方の導体層１５におけるキャビティ５の底面７上の先端部には，実装エリアが位置し，かかる実装エリアには，例えばＳｎ−Ａｇ系などの低融点合金のロウ材９またはエポキシ系樹脂を介して，発光ダイオード（発光素子）８が実装される。導体層１５は，上記ロウ材９を介して，発光ダイオード８底面に位置する図示しない電極と導通する。
　図１，図２に示すように，
発光ダイオード８と他方の導体層１６の先端部との間には，ボンディングワイヤｗがボンディング（ロウ付け）により結線される。
【００１７】
　図２に示すように，
基板本体２を形成するガラス−セラミック層ｓ１〜ｓ７間には，ＡｇまたはＡｇ合金からなり所定パターンを有する配線層２０，２１が形成されると共に，これらの間には，同じＡｇなどからなるビア導体２２，２３が形成されている。
　グランド回路を形成する一方の導体層１５は，ビア導体２２を介して配線層２０，および基板本体２の裏面４に位置する裏面電極２４と導通可能とされている。一方，信号回路を形成する他方の導体層１６は，ビア導体２３を介して配線層２１，および基板本体２の裏面４に位置する裏面電極２５と導通可能とされている。
　尚，裏面電極２４，２５や前記裏面電極１７，１８は，当該配線基板１自体を実装する図示しないマザーボードなどの取付基板との導通に活用される。
　・・・（中略）・・・
【００２２】
　以上のような配線基板１によれば，前記一対の導体層１５，１６およびこれらに個別に導通する複数の電極１２，１４は，ＡｇまたはＡｇ合金からなるため，一方の導体層１５上に発光ダイオード８などの発光素子を実装した場合，かかる発光素子から発生する熱を外部に効率良く放熱することができる。しかも，ＡｇやＡｇ合金は，電気抵抗が小さいため，一対の導体層１５，１６や電極１２，１４などを介して，配線基板１内の配線層２０，２１や外部の取付基板との導通に際して，低抵抗とすることができる。
【００２３】
　従って，配線基板１では，キャビティ５に実装すべき発光素子から発生する熱を外部に効率良く放熱できると共に，発光素子の発光効率を向上させることが可能となる。
　尚，発光ダイオード８などが底面７上に実装されたキャビティ５内には，追ってエポキシ系などからなる封止用樹脂が充填され，発光ダイオード８などから発光され且つ光反射層１０で反射した光を，外部に透過して放射させる。」
ｃ「【００２９】
　また，前記配線基板１，１ａにおいて，
発光ダイオード８あるいは半導体レーザを実装する一方の導体層１５，３５，あるいは一対の導体層１５，１６，３５，３６の直下と基板本体２の裏面４との間を貫通するように，ＡｇまたはＡｇ合金からなる比較的太径のビア導体を形成しても良い
　上記ビア導体は，基板本体２の裏面４寄りの断面が実装エリア寄りの断面よりも大としたり，かかる実装エリア付近に位置する上端面の面積を，実装される発光ダイオード８などの底面の面積の少なくとも５０％以上とされる。
　例えば，図７の断面図で示す配線基板１ｂのように，
前記キャビティ５および光反射層１０を有し，導体層１５の上にＣｕからなる接合材２８を介して，発光素子８を実装すると共に，その実装エリアの直下から基板本体２の裏面４に向けて断面が拡大するＡｇまたはＡｇ合金からなるビア導体４０を形成しても良い。かかるビア導体４０の裏面４側には，Ａｇからなる裏面電極２７を介して，Ｃｕからなる放熱板２９が配置される
ｄ　ここで，図７は次のものである。
ｅ　上記図７から，キャビティ５は，ガラス−セラミック層ｓ１〜ｓ３に形成された開口により形成されていることが見て取れる。
（イ）以上を総合すると，引用例１には，図７に示されたものに関して，次の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明１」という。）。
「発光素子実装用配線基板１であって，
　配線基板１は，表面３および裏面４を有する基板本体２と，基板本体２の表面３に開口するキャビティ５と，キャビティ５の底面７上に離間して形成される一対の導体層１５，１６と，を備え，
　基板本体２は，一体に積層されたガラス−セラミック（絶縁材）層ｓ１〜ｓ７からなり，前記キャビティ５はガラス−セラミック層ｓ１〜ｓ３に形成された開口により形成されており，
　一方の導体層１５におけるキャビティ５の底面７上の先端部には，実装エリアが位置し，実装エリアには，例えばＳｎ−Ａｇ系などの低融点合金のロウ材９またはエポキシ系樹脂を介して，発光ダイオード（発光素子）８が実装され，
　導体層１５は，上記ロウ材９を介して，発光ダイオード８底面に位置する電極と導通するものであり，
　発光ダイオード８と他方の導体層１６の先端部との間は，ボンディングワイヤｗがボンディング（ロウ付け）により結線され，
　基板本体２を形成するガラス−セラミック層ｓ１〜ｓ７間には，ＡｇまたはＡｇ合金からなり所定パターンを有する配線層２０，２１が形成されると共に，これらの間には，同じＡｇなどからなるビア導体２２，２３が形成されており，
　グランド回路を形成する一方の導体層１５は，ビア導体２２を介して配線層２０，および基板本体２の裏面４に位置する裏面電極２４と導通可能とされており，
　信号回路を形成する他方の導体層１６は，ビア導体２３を介して配線層２１，および基板本体２の裏面４に位置する裏面電極２５と導通可能とされており，
　導体層１５の上にはＣｕからなる接合材２８を介して，発光素子８を実装すると共に，その実装エリアの直下から基板本体２の裏面４に向けて断面が拡大するＡｇまたはＡｇ合金からなるビア導体４０を形成し，ビア導体４０の裏面４側には，Ａｇからなる裏面電極２７を介して，Ｃｕからなる放熱板２９が配置されるものである，
　発光素子実装用配線基板１。」
イ　引用例２：特開２０１０−１８６８９１４号公報
（ア）原査定の拒絶の理由に引用され，本願の最先の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１０−１８６８９１４号公報（以下「引用例２」という。）には，図とともに，以下の記載がある。
ａ　「【０００１】
　
本発明は，半導体発光素子を搭載した半導体発光装置に関し，より詳細には，光取り出し効率を向上させた半導体発光装置に関する
【背景技術】
【０００２】
　近年，発光ダイオード（ＬＥＤ）の高出力化に伴い，支持基板として，耐熱性及び耐光性に優れたセラミックスを主原料とするパッケージが好適に利用されている（例えば，特許文献１：ＷＯ２００６／０４６６５５号を参照。）。
　このようなパッケージの導電配線は，通常，発光素子の載置部を含む表面の導電配線と，パッケージを実装する基板に施された導電配線と接続するため，パッケージ裏面の導電配線と，セラミックスの内部に埋設されて，表面の導電配線と裏面の導電配線とを結ぶ内層配線とから構成されている。
　一般に，これら配線の原材料は黒色又はそれに近い色であるため，配線によって発光素子からの光が吸収されることがある。そこで，パッケージから露出した配線には，光の吸収を抑制するために金や銀などの金属により電解メッキが施されているが，パッケージに埋設された内層配線は電解メッキを施すことができず，黒色のままである。また，セラミックスは，一般に，多孔質で，光透過性のある材料であるため，発光ダイオードから出射された光の一部がセラミックスを透過し，セラミックスに埋設された配線によって吸収されることもある。その結果，発光装置の光取り出し効率が低下するという課題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
　本発明は，上記課題に鑑みなされたものであり，高発光効率化を実現することができる半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
　
本発明の半導体発光装置は，上面に正負一対の導電配線が形成された第１絶縁層と，その第１絶縁層の下の内層配線と，その内層配線の下の第２絶縁層とが積層されて構成されたパッケージと，
　同一面側に正負一対の電極を有し，それらの電極を前記導電配線に対向して配置された半導体発光素子と，
　前記半導体発光素子を被覆する封止部材とを備えた半導体発光装置であって，
　前記導電配線の一部が，前記第１絶縁層の上面において，前記半導体発光素子の直下から前記封止部材の外縁まで延長されて形成され，さらに前記パッケージの厚み方向に配置された導電配線を介して前記内層配線に接続されており，
　前記パッケージを前記第１絶縁層の上面側から透過して見て，前記内層配線が，前記半導体発光素子の外周から間隔を空けて配置されていることを特徴とする。
【０００５】
　このような半導体発光装置では，前記内層配線が，前記封止部材の外縁の外側に配置されていることが好ましい。
　また，前記第１絶縁層の上面にマークが形成されており，該マークは，前記半導体発光素子の外周から間隔を空けて配置されていることが好ましい。
　前記パッケージは，半導体発光素子の直下に熱伝導性部材を備えていることが好ましい。
　
前記熱伝導性部材は，前記半導体発光素子の直下から前記パッケージの裏面に向かって広がる形状を有することが好ましい。
　前記熱伝導性部材は，前記半導体発光素子の直下の第１熱伝導層と，その下の絶縁層と，その絶縁層の下の第２熱伝導層とから構成されていることが好ましい。
　前記絶縁層がセラミックスからなる層であることが好ましい。
　前記熱伝導性部材または熱伝導層が，ＣｕＷまたはＣｕＭｏを材料としていることが好ましい
【発明の効果】
【０００６】
　本発明によれば，半導体発光素子から出射した光が内層配線に吸収されることを抑制することができるので，半導体発光装置の高発光効率化を実現することができる。」
ｂ「【００１９】
　図１Ａを参照して説明すると，半導体発光素子１２の外周領域１２ｂとは，半導体発光素子１２の外縁１２ａから所定幅Ａを有する領域である。従って，第１絶縁層と第２絶縁層とを含むパッケージ１１では，外周領域１２ｂ内であって，外周領域の直下に位置する領域（かつ第１絶縁層と第２絶縁層との間に存在する領域）には，パッケージを第１絶縁層の上面側から透過して見て，実質的に内層配線が存在しない。このような外周領域は，例えば，半導体発光素子１２の外縁１２ａから少なくとも０．２ｍｍ程度の幅Ａを有することが適しており，少なくとも０．３ｍｍ程度，さらに，少なくとも０．４ｍｍ程度を有することが好ましい。さらに，外周領域は，後述する封止部材１３の外縁１３ａの内側の領域であることがより好ましい。すなわち，封止部材の外縁１３ａの外側に，内層配線が配置されていることが好ましい。
【００２０】
　
パッケージの裏面，例えば，第２絶縁層の裏面には，通常，上述した導電配線又は内層配線と電気的に接続された裏面配線が形成されている。これにより，実装基板や回路基板への電気的接続を，外部端子として裏面の導電配線によって実現することができる。
　絶縁層を３層以上含む場合には，任意の絶縁層の間に，内層配線を配置していてもよい。第１絶縁層と第２絶縁層との間以外の内層配線は，パッケージのいずれの領域において配線されていてもよい
【００２１】
　
パッケージは，さらに，半導体発光素子の載置領域の下に熱伝導性部材を備えていることが好ましい。ここで，載置領域の下とは，図１Ａにおける半導体発光素子１２の外縁１２ａのほぼ内側であって，半導体発光素子の下方の領域である。この場合には，通常，熱伝導性部材は，絶縁層でその表面が被覆され，その絶縁層の上面に半導体発光素子の電極と接続する導電配線が配置されている。
【００２２】
　例えば，第１絶縁層は，図１Ｃの断面図に示したように，第１絶縁層２１がその内側に熱導電性部材収容用の凹部２１ｃを備えるために，層２１ａ，層２１ｂが一体的に成形され，その一方の層２１ａが熱導電性部材の表面を被覆するものが挙げられる。熱導電性部材は，パッケージの内部に埋設されるように配置されていることが好ましい。ここで，埋設とは，熱伝導性部材の全体が，ほぼ完全に絶縁層に被覆される状態を指す。
【００２３】
　具体的には，
熱伝導性部材は，半導体発光素子の載置面を形成する絶縁層（第１絶縁層であってもよい）を介して，導電配線の下方に配置されている。
【００２４】
　熱伝導性部材は、パッケージの裏面、つまり、実装基板又は回路基板への実装面では、絶縁層を介して、導電配線の下方に配置されている。この場合の絶縁層は、上述したものが例示され、その厚みは０．１ｍｍ以下、好ましくは０．０９ｍｍ以下、より好ましくは０．０８ｍｍ以下、さらに好ましくは０．０５ｍｍ程度である。このように薄膜とすることにより、熱伝導性部材による裏面からの放熱性を十分確保することが可能となる。さらに、絶縁性を確実にしながら、外部端子となる裏面側の裏面配線と、熱伝導性部材とをオーバーラップさせることができる。これにより、半導体発光装置の小型化を実現しながら、外部端子の表面積を稼いで、回路基板との接触面積を増加させて、半田クラック等による影響を最小限にとどめ、密着性を向上させることが可能となる。
【００２５】
　・・・（中略）・・・
【００２６】
　熱伝導性部材は，放熱性及びパッケージの小型化を考慮して，例えば，０．０５ｍｍ以上の厚みであることが適しており，０．１７５ｍｍ以上であることが好ましい。また，０．５ｍｍ以下の厚みであることが適している。熱伝導性部材の形状は，特に限定されないが，半導体発光素子の直下からパッケージの裏面に向かって広がる形状，つまり，平面形状が大きくなるような形状を有することが好ましい。これにより，放熱性を向上させることができる。
【００２７】
　
熱伝導性部材は，例えば，半導体発光素子の直下に配置される第１熱伝導層と，その下に配置される絶縁層と，その絶縁層の下に配置される第２熱伝導層とから構成されていることが好ましい。これにより，絶縁層により，内層配線と熱伝導層との接触を回避することができるので，短絡を防ぎ，信頼性の高い半導体発光装置とすることができる。
　ここでの絶縁層の膜厚は特に限定されるものではなく，第１及び第２熱伝導層の材料，膜厚，発光素子の種類，パッケージの大きさ及び厚み等によって適宜調整することができる。この絶縁層は，上述したセラミックスからなる層であることが好ましい。
【００２８】
　・・・（中略）・・・
【００３０】
　
半導体発光素子は，通常，いわゆる発光ダイオードと呼ばれる素子であることが好ましい
得られる発光素子の発光波長は，
紫外領域から赤色まで変化させることができる
　本形態の半導体発光素子は，活性層に対して同じ側に正負一対の電極を有する。
【００３１】
　半導体発光素子は，パッケージの導電配線に載置される。例えば，Ａｕ−Ｓｎ共晶などの半田，低融点金属等のろう材，銀，金，パラジウムなどの導電性ペースト等を用いて，半導体発光素子をパッケージの所定領域にダイボンディングすることができる。
【００３２】
　また，
半導体発光素子に形成された電極は，パッケージにおける導電配線と接続される。同一面側に正及び負電極を有する半導体発光素子の正電極とパッケージの正電極（導電配線），半導体発光素子の負電極とパッケージの負電極（導電配線）とを半田やバンプで接続する
ｃ「【００５２】
実施例２
　この実施例の半導体発光装置４０は，図８示したように，パッケージ４１表面の封止部材１３の外縁近傍に凹部４２を設け，その凹部４２内に保護素子４３が搭載されていること，ＬＥＤチップ１２の直下に，２段構造の熱伝導性部材が埋め込まれていること以外は，実質的に実施例１の半導体発光装置１０と同様に，導電配線１４ａ，１４ｂ，アライメントマーク１８等が形成され，半導体発光素子１２が搭載されている。
【００５３】
　つまり，
パッケージ４１は，図９Ａに示す第１絶縁層５１（厚み：０．０５ｍｍ），図１０に示す第２絶縁層５２（厚み：０．１７５ｍｍ），図１１に示す第３絶縁層５３（厚み：０．１７５ｍｍ），図１２に示す第４絶縁層５４（厚み：０．０５ｍｍ）が積層され，焼成されることによって形成されている。これらの絶縁層は，アルミナを材料とするセラミックスグリーンシートから形成されている
【００５４】
　このような半導体発光装置４０を構成するパッケージ４１は，図９に示すように，第１絶縁層５１の上面に，実施例１と同様に，導電配線１４ａ，１４ｂ及びアライメントマーク１８が形成されている。封止部材１３の外縁１３ａに相当する位置に開口４２ａが形成されている。
　また，図９Ｃに示すように，
導電配線１４ａ，１４ｂの直下であって，第１絶縁層５１内を貫通するように埋め込まれた導電配線（図示せず）が形成されている
【００５５】
　図１０に示すように，
第２絶縁層５２の表面には，内層配線２３と，内層配線２３直下であって，第２絶縁層５２内を厚み方向に貫通するように埋め込まれた導体配線（図示せず）が形成されている
【００５６】
　図１１に示すように，第３絶縁層５３の表面には，保護素子４３用の配線パターン５６が，その一部が第１絶縁層５１の開口４２ａ（図９Ａを参照。）及び第２絶縁層５２の開口４２ｂ（図１０を参照。）から露出するように，それ以外の部分が第２絶縁層５２と第３絶縁層５３との間に配置されるように，形成されている。また，図９Ｂ及び図９Ｃに示されるように，第３絶縁層５３の中央には，貫通孔が設けられ，その貫通孔のＬＥＤチップ１２の直下に相当する位置に，直径１．６ｍｍ程度の円盤状のＣｕＷからなる熱伝導性部材５５ｂ（厚み約０．１７５ｍｍ）が嵌め込まれている。
【００５７】
　図１２に示すように，第４絶縁層５３の上面には配線パターンは形成されておらず，裏面には，図６と同様に，裏面配線パターンが形成されている。この
第４絶縁層５３によって，熱伝導性部材５５ｂの裏面側を完全に被覆することができる
【００５８】
　この実施例の半導体発光装置によれば，実施例１の効果に加え，特に，第３絶縁層５３に嵌め込まれている熱伝導性部材５５ｂの直径が，第２絶縁層５２に嵌め込まれている熱伝導性部材５５ａの直径よりも大きい。これにより，熱伝導性部材５５ａおよび熱伝導性部材５５ｂにより形成された熱伝導性部材全体の形状の側面に段差を形成している。つまり，熱伝導性部材は，半導体発光素子の直下からパッケージの背面に向かって広がる形状とされている。このような形状とすることにより，ＬＥＤチップ直下での熱伝導性部材による光吸収を最小限に抑えることができる。
【００５９】
　さらに，この効果を向上させるために，ＬＥＤチップ直下の第２絶縁層に嵌め込まれる熱伝導性部材の水平方向の面積を，ＬＥＤチップの水平方向の面積とほぼ同じ大きさとすることが好ましい。
　また，パッケージの裏面の側で，熱伝導性部材が広く形成されているので，半導体発光素子からパッケージの裏面へかけての放熱も良好に行うことができる。」
ｄ　ここで，図９Ｃは以下のものである。
（イ）以上を総合すると，引用例２には，図９Ａ〜Ｃに示されたものに関して，次の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明２」という。）。
「半導体発光素子を搭載した半導体発光装置であって，
　上面に正負一対の導電配線が形成された第１絶縁層と，その第１絶縁層の下の内層配線と，その内層配線の下の第２絶縁層とが積層され，絶縁層を３層以上含み，任意の絶縁層の間に，内層配線を配置しており，第１絶縁層と第２絶縁層との間以外の内層配線は，パッケージのいずれの領域において配線されてもよいものである，パッケージと，
　同一面側に正負一対の電極を有し，それらの電極を前記導電配線に対向して配置された半導体発光素子と，
　前記半導体発光素子を被覆する封止部材とを備え，
　前記各絶縁層がセラミックスからなる層であり，
　パッケージは，第１絶縁層，第２絶縁層，第３絶縁層５３，及び第４絶縁層５４が積層され，焼成されることによって形成されており，
　第１絶縁層上の導電配線１４ａ，１４ｂの直下であって，第１絶縁層５１内を貫通するように埋め込まれた導電配線が形成されており，
　第２絶縁層５２の表面には，内層配線２３と，内層配線２３直下であって，第２絶縁層５２内を厚み方向に貫通するように埋め込まれた導体配線が形成されており，
　前記導電配線の一部が，前記第１絶縁層の上面において，前記半導体発光素子の直下から前記封止部材の外縁まで延長されて形成され，さらに前記パッケージの厚み方向に配置された導電配線を介して前記内層配線に接続されており，
　前記パッケージを前記第１絶縁層の上面側から透過して見て，前記内層配線が，前記半導体発光素子の外周から間隔を空けて配置されており，
　パッケージの裏面には，上述した導電配線又は内層配線と電気的に接続された裏面配線が形成されており，これにより，実装基板や回路基板への電気的接続を，外部端子として裏面の導電配線によって実現でき，
　パッケージは，さらに，半導体発光素子の載置領域の下に熱伝導性部材を備え，ここで，載置領域の下とは，半導体発光素子の外縁のほぼ内側であって，半導体発光素子の下方の領域であり，
　第４絶縁層５３によって，熱伝導性部材の裏面側を完全に被覆され，
　前記熱伝導性部材は，半導体発光素子の直下から前記パッケージの裏面に向かって広がる形状を有し，
　前記熱伝導性部材は，前記半導体発光素子の直下の第１熱伝導層と，その下の絶縁層と，その絶縁層の下の第２熱伝導層とから構成されており，
　前記熱伝導性部材または熱伝導層が，ＣｕＷまたはＣｕＭｏを材料としていることが好ましいものであり，
　半導体発光素子の発光波長は，紫外領域から赤色までであり，
　同一面側に正及び負電極を有する半導体発光素子の正電極とパッケージの正電極（導電配線），半導体発光素子の負電極とパッケージの負電極（導電配線）とが半田やバンプで接続された，
半導体発光装置。」
（２）対比
　前記引用発明１と，本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）とを対比する。
ア　引用発明１においては，「発光素子実装用配線基板１であって，　配線基板１は，表面３および裏面４を有する基板本体２と，基板本体２の表面３に開口するキャビティ５と，キャビティ５の底面７上に離間して形成される一対の導体層１５，１６と，を備え」，「基板本体２は，一体に積層されたガラス−セラミック（絶縁材）層ｓ１〜ｓ７からなり，前記キャビティ５はガラス−セラミック層ｓ１〜ｓ３に形成された開口により形成されて」いるものであるから，
　引用発明１の「キャビティ５」は，補正発明の「キャビティ」に相当し，
引用発明１の「ガラス−セラミック層ｓ１〜ｓ３」は，補正発明の「キャビティの周囲に配置されている上部」であって，「前記上部は，第１セラミック層と，前記第１セラミック層の下に配置されている第２セラミック層と，を含」むことに相当し，
　引用発明１の「一体に積層されたガラス−セラミック（絶縁材）層ｓ１〜ｓ７」のうちの「ガラス−セラミック層」ｓ４〜ｓ７は，補正発明の「前記キャビティの下に配置されている下部」であって，「前記下部は，複数のセラミック層を含」むことに相当し，
　引用発明１の「配線基板１」は，補正発明の「パッケージ本体」に相当する。
イ　引用発明１においては，「キャビティ５の底面７上に離間して形成される一対の導体層１５，１６」があり，「導体層１５，１６」は「キャビティ５の底面７」すなわち「ガラス−セラミック層ｓ４」上に形成されるところ，「導体層１５の上にはＣｕからなる接合材２８を介して，発光素子８を実装すると共に，その実装エリアの直下から基板本体２の裏面４に向けて断面が拡大するＡｇまたはＡｇ合金からなるビア導体４０を形成し，ビア導体４０の裏面４側には，Ａｇからなる裏面電極２７を介して，Ｃｕからなる放熱板２９が配置されるものである」から，「ビア導体４０」が「ガラス−セラミック層」ｓ４〜ｓ７中に配置されることは明らかである。よって，引用発明１の「ビア導体４０」は，補正発明の「前記下部内に配置されている放熱部」であって，「前記放熱部は，前記下部の前記複数のセラミック層の内部に配置され」ることに相当する。
ウ　引用発明１においては，「基板本体２を形成するガラス−セラミック層ｓ１〜ｓ７間には，ＡｇまたはＡｇ合金からなり所定パターンを有する配線層２０，２１が形成されると共に，これらの間には，同じＡｇなどからなるビア導体２２，２３が形成されて」いるところ，当該「ビア導体２２，２３」及び「配線層２０，２１」は，それぞれ，補正発明の「前記下部内に配置され，且つ，垂直方向に延在する複数の第１導電層」，及び「前記下部内に配置され，且つ，水平方向に延在する複数の第２導電層」であって，さらに「前記複数の第１導電層のそれぞれは，前記複数のセラミック層のうちいずれか一つのセラミック層と接し，且つ，それ以外のセラミック層と接触せず，
　前記複数の第２導電層のそれぞれは，前記複数のセラミック層のうち互いに接触する二つのセラミック層と接し，且つ，それら以外のセラミック層と接触せず」との構成に相当する。
エ　引用発明１においては，「導体層１５の上にはＣｕからなる接合材２８を介して，発光素子８を実装すると共に，その実装エリアの直下から基板本体２の裏面４に向けて断面が拡大するＡｇまたはＡｇ合金からなるビア導体４０を形成」されるから，当該「発光素子８」と，補正発明の「前記放熱部の上に配置されている紫外線発光素子」とは，「前記放熱部の上に配置されている発光素子」である点で一致する。
オ　引用発明１においては，「グランド回路を形成する一方の導体層１５は，ビア導体２２を介して配線層２０，および基板本体２の裏面４に位置する裏面電極２４と導通可能とされており，信号回路を形成する他方の導体層１６は，ビア導体２３を介して配線層２１，および基板本体２の裏面４に位置する裏面電極２５と導通可能とされて」いるところ，
「発光ダイオード８と他方の導体層１６の先端部との間は，ボンディングワイヤｗがボンディング（ロウ付け）により結線され」るから，当該構成は，
　補正発明の「前記紫外線発光素子は，前記紫外線発光素子の上面にボンディングされているワイヤを介して前記複数の第１導電層，前記複数の第２導電層，前記第３導電層及び前記第１電極パッドと電気的に接続され」ることとは，「前記発光素子は，前記発光素子の上面にボンディングされているワイヤを介して前記複数の第１導電層，及び前記複数の第２導電層と電気的に接続され」る点で一致する。
カ　引用発明１においては，「導体層１５の上にはＣｕからなる接合材２８を介して，発光素子８を実装すると共に，その実装エリアの直下から基板本体２の裏面４に向けて断面が拡大するＡｇまたはＡｇ合金からなるビア導体４０を形成し，ビア導体４０の裏面４側には，Ａｇからなる裏面電極２７を介して，Ｃｕからなる放熱板２９が配置されるものであ」り，発光素子８から裏面電極に渡る導電経路があるものといえるから，当該構成は，補正発明の「前記紫外線発光素子は，導電性物質によって前記放熱部と電気的に接続されている」こととは，「前記発光素子は，導電性物質によって前記放熱部と電気的に接続されている」点で一致する。
キ　引用発明１の「発光素子実装用配線基板１」と，補正発明の「紫外線発光素子パッケージ」とは，「発光素子パッケージ」である点で一致する。
ク　よって，引用発明１と補正発明とは，
「キャビティの周囲に配置されている上部及び前記キャビティの下に配置されている下部を含むパッケージ本体と，
　前記下部内に配置されている放熱部と，
　前記下部内に配置され，且つ，垂直方向に延在する複数の第１導電層と，
　前記下部内に配置され，且つ，水平方向に延在する複数の第２導電層と，
　前記放熱部の上に配置されている発光素子と，を含み，
　前記上部は，
　　第１セラミック層と，
　　前記第１セラミック層の下に配置されている第２セラミック層と，を含み，
　前記下部は，複数のセラミック層を含み，
　前記放熱部は，前記下部の前記複数のセラミック層の内部に配置され，
　前記複数の第１導電層のそれぞれは，前記複数のセラミック層のうちいずれか一つのセラミック層と接し，且つ，それ以外のセラミック層と接触せず，
　前記複数の第２導電層のそれぞれは，前記複数のセラミック層のうち互いに接触する二つのセラミック層と接し，且つ，それら以外のセラミック層と接触せず，
　前記発光素子は，前記発光素子の上面にボンディングされているワイヤを介して前記複数の第１導電層，前記複数の第２導電層，前記第３導電層及び前記第１電極パッドと電気的に接続され，
　前記発光素子は，導電性物質によって前記放熱部と電気的に接続されている，発光素子パッケージ。」
である点で一致する。
ケ　一方，両者は以下の各点で相違する。
《相違点１》
　補正発明は「前記下部及び前記放熱部の下に配置されている第１突出防止層と，前記第１突出防止層内に配置され，且つ，前記垂直方向に延在する第３導電層と，前記第１突出防止層の下に配置され，且つ，前記水平方向に延在する第１電極パッドと」を構成，及び，「前記第１突出防止層は，前記放熱部，及び，前記複数のセラミック層のうち最も下に位置するセラミック層と接し，前記第３導電層は，前記第１突出防止層と接し，前記第１電極パッドは，前記第１突出防止層と接し」との構成を備えるが，引用発明１は「前記下部及び前記放熱部の下に配置されている第１突出防止層」を備えず，これに伴い，「前記第１突出防止層内に配置され，且つ，前記垂直方向に延在する第３導電層と，前記第１突出防止層の下に配置され，且つ，前記水平方向に延在する第１電極パッド」，及び「前記第１突出防止層は，前記放熱部，及び，前記複数のセラミック層のうち最も下に位置するセラミック層と接し，前記第３導電層は，前記第１突出防止層と接し，前記第１電極パッドは，前記第１突出防止層と接し」との構成も備えない点。
《相違点２》
　補正発明は，「紫外線発光素子パッケージ」であり，「紫外線発光素子」を備えるが，引用発明１は「発光素子」を備えるものの，「紫外線発光素子」を備える「紫外線発光素子パッケージ」とまでは特定されていない点。
（３）判断
ア　まず相違点１について検討する。
（ア）本願明細書には，「第１突出防止層」に関して以下の記載がある。
「【００７０】
　第３の実施例に係る発光素子パッケージ２００は，図７に示したように，本体２１０，放熱部２２０，及び発光素子２３０を備えることができる。
【００７１】
　・・・（中略）・・・
【００７３】
　　・・・（中略）・・・
前記第３の層２１３は支持層と称することもできる。前記第３の層２１３は前記発光素子２３０を支持し，前記放熱部２２０が形成される工程で支持役割をすることもできる。すなわち，
前記第３の層２１３は，放熱部２２０が熱によって膨張して発光素子２３０方向に突出することを防止する突出防止層の役割をすることができる
「【００９８】
　第７の実施例に係る発光素子パッケージは，図１１に示したように，本体２１０，放熱部２２０，及び発光素子２３０を備えることができる。
【００９９】
　前記本体２１０は，発光素子２３０と放熱部２２０との間に位置する突出防止層２６０と，
放熱部２２０の下部に位置する突出防止層２７０とを有する
【０１００】
　
放熱部２２０が上面のみならず下面にも凸状に突出し得るので，放熱部２２０の上下面の全てに突出防止層を形成することができる
（イ）すなわち，突出防止層とは，放熱部が熱によって膨張して下面に凸状に突出することを防止するものとして設けられるものということができる。
（ウ）なお，前記（１）イ（ア）ｃに摘記したとおり，引用例２には，熱伝導性部材を埋め込むように第４絶縁層５４を設けることが記載されているが，当該層は同文献の段落【００５７】に記載されているように，熱伝導性部材５５ｂの裏面側を完全に被覆するものであり，これにより，「絶縁性を確実にしながら，外部端子となる裏面側の裏面配線と，熱伝導性部材とをオーバーラップさせることができ」，「半導体発光装置の小型化を実現しながら，外部端子の表面積を稼いで，回路基板との接触面積を増加させ」（ともに段落【００２４】）るものと解され，前記突出防止層として設けられるものとはいえない。
（エ）さらに，引用発明１においては，「ビア導体４０の裏面４側には，Ａｇからなる裏面電極２７を介して，Ｃｕからなる放熱板２９が配置されるもの」であって，ビア導体４０自体も導電経路とされていることを勘案すると，熱伝導性部材と導電配線とを絶縁するものである上記（ウ）の引用例２に係る技術を，引用発明１に適用することには阻害要因があるというべきである。
イ　よって，《相違点２》について検討するまでもなく，補正発明は，引用例２に記載を参酌しても，引用発明１から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
ウ　また，本件補正後の請求項１を引用する請求項２〜１２に係る発明は，補正発明に係る構成を全て含むものであるから，上記検討と同様に，引用例２に記載を参酌しても，引用発明１から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（４）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおりであり，また，他に，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定を満たさない事項は発見しないので，本件補正は特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定を満たすものである。
６　小括
　以上のとおりであるから，本件補正は適法にされたものである。
第３　本件発明について
１　本件発明
　本件発明１〜１２は，平成３０年１１月２０日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された，以下のとおりのものである。
「　【請求項１】
　キャビティの周囲に配置されている上部及び前記キャビティの下に配置されている下部を含むパッケージ本体と，
　前記下部内に配置されている放熱部と，
　前記下部内に配置され，且つ，垂直方向に延在する複数の第１導電層と，
　前記下部内に配置され，且つ，水平方向に延在する複数の第２導電層と，
　前記下部及び前記放熱部の下に配置されている第１突出防止層と，
　前記第１突出防止層内に配置され，且つ，前記垂直方向に延在する第３導電層と，
　前記第１突出防止層の下に配置され，且つ，前記水平方向に延在する第１電極パッドと，
　前記放熱部の上に配置されている紫外線発光素子と，を含み，
　前記上部は，
　　第１セラミック層と，
　　前記第１セラミック層の下に配置されている第２セラミック層と，を含み，
　前記下部は，複数のセラミック層を含み，
　前記放熱部は，前記下部の前記複数のセラミック層の内部に配置され，
　前記複数の第１導電層のそれぞれは，前記複数のセラミック層のうちいずれか一つのセラミック層と接し，且つ，それ以外のセラミック層と接触せず，
　前記複数の第２導電層のそれぞれは，前記複数のセラミック層のうち互いに接触する二つのセラミック層と接し，且つ，それら以外のセラミック層と接触せず，
　前記第１突出防止層は，前記放熱部，及び，前記複数のセラミック層のうち最も下に位置するセラミック層と接し，
　前記第３導電層は，前記第１突出防止層と接し，
　前記第１電極パッドは，前記第１突出防止層と接し，
　前記紫外線発光素子は，前記紫外線発光素子の上面にボンディングされているワイヤを介して前記複数の第１導電層，前記複数の第２導電層，前記第３導電層及び前記第１電極パッドと電気的に接続され，
　前記紫外線発光素子は，導電性物質によって前記放熱部と電気的に接続されている，紫外線発光素子パッケージ。
　　【請求項２】
　前記第２セラミック層の上面は，
　　前記第１セラミック層が配置されている第１領域と，
　　前記第１セラミック層が配置されていない第２領域と，を含み，
　前記第２領域は，前記第１領域よりも前記紫外線発光素子に近接する領域である，請求項１に記載の紫外線発光素子パッケージ。
　　【請求項３】
　前記導電性物質は，Ａｇ，ＡｕまたはＳｎを含み，
　前記第１電極パッドは，前記放熱部と前記垂直方向において重ならない，請求項１または２に記載の紫外線発光素子パッケージ。
　　【請求項４】
　前記放熱部の上側の前記水平方向における幅と下側の前記水平方向における幅は相互異なる，請求項１から３のいずれか一項に記載の紫外線発光素子パッケージ。
　　【請求項５】
　前記放熱部の上側の前記水平方向における幅が前記放熱部の下側の前記水平方向における幅より大きい，請求項４に記載の紫外線発光素子パッケージ。
　　【請求項６】
　前記上部は，前記キャビティの内側面に階段形状を含む，請求項１から５のいずれか一項に記載の紫外線発光素子パッケージ。
　　【請求項７】
　前記第２セラミック層の上にガラスをさらに含む，請求項１から６のいずれか一項に記載の紫外線発光素子パッケージ。
　　【請求項８】
　前記第１突出防止層の前記水平方向における幅は前記放熱部の前記水平方向における幅より大きい，請求項１から７のいずれか一項に記載の紫外線発光素子パッケージ。
　　【請求項９】
　前記第３導電層は，前記放熱部と前記垂直方向において重ならない，請求項１から８のいずれか一項に記載の紫外線発光素子パッケージ。
　　【請求項１０】
　前記上部と前記下部の間に配置されている第２突出防止層と，
　前記第２突出防止層の上に配置されている第２電極パッドと，
　前記第２突出防止層内に配置され，且つ，前記垂直方向に延在する第４導電層と，をさらに含み，
　前記第４導電層は，前記第２突出防止層と接し，
　前記第２電極パッドは，前記第２突出防止層と接し，
　前記紫外線発光素子は，前記第２電極パッドの上面にボンディングされている前記ワイヤを介して前記第４導電層及び前記第２電極パッドと電気的に接続されている，請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の紫外線発光素子パッケージ。
　　【請求項１１】
　前記第２突出防止層の前記水平方向における幅は，前記放熱部の前記水平方向における幅より大きい，請求項１０に記載の紫外線発光素子パッケージ。
　　【請求項１２】
　前記第４導電層は，前記放熱部と前記垂直方向において重ならない，請求項１０に記載の紫外線発光素子パッケージ。」
２　原査定の拒絶の理由について
　原査定の拒絶の理由は，本願に係る発明は，周知技術を勘案して引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
３　検討
（１）刊行物に記載された発明
　引用例２に記載された発明は，前記第２　５（１）イ（イ）に記載したとおりのものである。
（２）対比
　引用発明２を本件発明１と対比する。
ア　引用発明２においては「半導体発光素子の発光波長は，紫外領域から赤色までであ」るから，本件発明１の「紫外線発光素子」に相当するといえる。
イ　引用発明２においては「絶縁層を３層以上含み，」「前記各絶縁層がセラミックスからなる層であり，パッケージは，第１絶縁層，第２絶縁層，第３絶縁層５３，」「が積層され，焼成されることによって形成されて」いるから，当該構成は，本件発明１の「前記下部は，複数のセラミック層を含」むこととは「複数のセラミック層を含」む点で一致する。
ウ　引用発明２においては，「上面に正負一対の導電配線が形成された第１絶縁層と，その第１絶縁層の下の内層配線と，その内層配線の下の第２絶縁層とが積層され，絶縁層を３層以上含み，任意の絶縁層の間に，内層配線を配置しており，第１絶縁層と第２絶縁層との間以外の内層配線は，パッケージのいずれの領域において配線されてもよいものであ」り，また，「第１絶縁層上の導電配線１４ａ，１４ｂの直下であって，第１絶縁層５１内を貫通するように埋め込まれた導電配線が形成されており，第２絶縁層５２の表面には，内層配線２３と，内層配線２３直下であって，第２絶縁層５２内を厚み方向に貫通するように埋め込まれた導体配線が形成されてもよいものである，パッケージ」であるから，当該「第１絶縁層と，その第１絶縁層の下の内層配線と，その内層配線の下の第２絶縁層とが積層され，絶縁層を３層以上含み，任意の絶縁層の間に，内層配線を配置して」いる各「内層配線」は，本件発明１の「前記下部内に配置され，且つ，水平方向に延在する複数の第２導電層」に相当し，引用発明２に係る「第１絶縁層５１内を貫通するように埋め込まれた導電配線」及び「第２絶縁層５２内を厚み方向に貫通するように埋め込まれた導体配線」は，ともに本件発明１の「前記下部内に配置され，且つ，垂直方向に延在する複数の第１導電層」に相当する。
　また，上記引用発明２に係る各構成は，本件発明１の「前記複数の第１導電層のそれぞれは，前記複数のセラミック層のうちいずれか一つのセラミック層と接し，且つ，それ以外のセラミック層と接触せず，　前記複数の第２導電層のそれぞれは，前記複数のセラミック層のうち互いに接触する二つのセラミック層と接し，且つ，それら以外のセラミック層と接触せず」との構成にも相当するといえる。
エ　引用発明２の「パッケージ」と，本件発明１の「キャビティの周囲に配置されている上部及び前記キャビティの下に配置されている下部を含むパッケージ本体」とは，「パッケージ本体」である点で一致する。
オ　引用発明２の「パッケージは，さらに，半導体発光素子の載置領域の下に熱伝導性部材を備え」ることと，本件発明１の「前記下部内に配置されている放熱部」及び「前記放熱部の上に配置されている紫外線発光素子」と構成とは，「パッケージ内に配置されている放熱部」及び「前記放熱部の上に配置されている紫外線発光素子」である点で一致する。
カ　引用発明２の「第４絶縁層５３によって，熱伝導性部材５５ｂの裏面側を完全に被覆され」ることと，本件発明１の「前記第１突出防止層は，前記放熱部，及び，前記複数のセラミック層のうち最も下に位置するセラミック層と接」することとは，「最下層は，前記放熱部，及び，前記複数のセラミック層のうち最も下に位置するセラミック層と接」する点で一致する。
キ　引用発明２の「同一面側に正及び負電極を有する半導体発光素子の正電極とパッケージの正電極（導電配線），半導体発光素子の負電極とパッケージの負電極（導電配線）とが半田やバンプで接続された」ことと，
本件発明１の「前記紫外線発光素子は，前記紫外線発光素子の上面にボンディングされているワイヤを介して前記複数の第１導電層，前記複数の第２導電層，前記第３導電層及び前記第１電極パッドと電気的に接続され」ることとは，「前記紫外線発光素子は，前記複数の第１導電層，及び前記複数の第２導電層と電気的に接続され」る点で一致する。
ク　引用発明２の「半導体発光素子を搭載した半導体発光装置」は，本件発明１の「紫外線発光素子パッケージ」に相当する。
ケ　よって，引用発明２と本件発明１とは，
　前記下部内に配置されている放熱部と，
　前記下部内に配置され，且つ，垂直方向に延在する複数の第１導電層と，
　前記下部内に配置され，且つ，水平方向に延在する複数の第２導電層と，
　前記放熱部の上に配置されている紫外線発光素子と，を含み，
　パッケージは，複数のセラミック層を含み，
　前記放熱部は，前記下部の前記複数のセラミック層の内部に配置され，
　前記複数の第１導電層のそれぞれは，前記複数のセラミック層のうちいずれか一つのセラミック層と接し，且つ，それ以外のセラミック層と接触せず，
　前記複数の第２導電層のそれぞれは，前記複数のセラミック層のうち互いに接触する二つのセラミック層と接し，且つ，それら以外のセラミック層と接触せず，
　最下層は，前記放熱部，及び，前記複数のセラミック層のうち最も下に位置するセラミック層と接し，
　前記紫外線発光素子は，前記複数の第１導電層，及び前記複数の第２導電層と電気的に接続された，
　紫外線発光素子パッケージ。」
である点で一致する。
ケ　一方，両者は以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本件発明１は「キャビティの周囲に配置されている上部及び前記キャビティの下に配置されている下部を含むパッケージ本体」を備え「前記上部は，
　　第１セラミック層と，前記第１セラミック層の下に配置されている第２セラミック層と，を含」むが，
引用発明２は当該構成を備えない点。
《相違点２》
　本件発明１は，「前記下部及び前記放熱部の下に配置されている第１突出防止層と，前記第１突出防止層内に配置され，且つ，前記垂直方向に延在する第３導電層と，　前記第１突出防止層の下に配置され，且つ，前記水平方向に延在する第１電極パッド」であって，「前記第１突出防止層は，前記放熱部，及び，前記複数のセラミック層のうち最も下に位置するセラミック層と接し」，「前記第３導電層は，前記第１突出防止層と接し，前記第１電極パッドは，前記第１突出防止層と接」する構成を備えるが，引用発明２は「最下層は，前記放熱部，及び，前記複数のセラミック層のうち最も下に位置するセラミック層と接」する構成はそなえるものの，その他の構成は備えない点。
《相違点３》
本件発明１は「前記紫外線発光素子の上面にボンディングされているワイヤを介して前記複数の第１導電層，前記複数の第２導電層，前記第３導電層及び前記第１電極パッドと電気的に接続され」る構成を備えるが，引用発明２は「前記紫外線発光素子は，前記複数の第１導電層，及び前記複数の第２導電層と電気的に接続され」る構成は備えるものの，「前記紫外線発光素子の上面にボンディングされているワイヤを介して」「前記第３導電層及び前記第１電極パッドと電気的に」接続される構成までは備えない点。
《相違点４》
本件発明１は「前記紫外線発光素子は，導電性物質によって前記放熱部と電気的に接続されている」構成を備えるが，引用発明２は当該構成を備えない点。
（３）判断
ア　事案に鑑み，まず相違点４から検討する。
イ　引用発明２においては，第１絶縁層を備えるが，これにより，「絶縁性を確実にしながら，半導体発光素子の電極と接続するための電極となる導電配線と，熱伝導性部材とをオーバーラップさせることにより半導体発光装置の小型化を実現」（段落【００２３】）するものであり，熱伝導性部材は，半導体発光素子にいたる導電経路とは絶縁して設けられたものである。
　それゆえ，例えば，引用発明１のように，導電性物質によって，発光ダイオード８（発光素子）とビア導体４０（放熱部）を電気的に接続する先行技術が存在しても，当該技術を引用発明２に適用することには阻害要因があるというべきである。
ウ　よって，《相違点１》ないし《相違点３》について検討するまでもなく，本件発明１は，周知技術を勘案しても引用発明２から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
エ　また，本件発明２〜１２は，本件発明１に係る構成を全て含むものであるから，上記検討と同様に，周知技術を勘案しても引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
第４　むすび
　以上のとおり，本願の請求項１〜１２に係る発明は，周知技術を勘案しても，引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。