【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年4月5日(2010.4.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバと、
この処理チャンバ内に設けられた基板ホルダと、
第１のガス並びに第２のガスを、この処理チャンバ中に供給するように構成されたガス噴射システムと、
第１のガスのフローが、この処理チャンバ中に連続的に流れ、また、第１の時間に、基板の露出表面付近のガス圧力の増加を導くために第２のガスのフローが、この処理チャンバ中にパルス的に流れるように、前記ガス噴射システムを制御するように構成されたコントローラとを具備し、このコントローラは、第２の時間に、プラズマシースの厚さが増すためにＲＦパワーを前記基板ホルダにパルス的に印加するように構成され、
前記処理チャンバ中へ第２のガスのフローのパルス的に流れている期間と、前記ＲＦパワーをパルス的に印加している期間とが重なる部分がある、プラズマ処理システム。
【請求項２】
前記ガス噴射システムのガス噴射プレートが、前記基板ホルダの基板受け面に対し、ほぼ並行であり、このガス噴射プレートは、前記第１のガスのフローと前記第２のガスのフローとの少なくとも一方を、この基板ホルダの基板受け面に対し、ほぼ直交する方向に、前記処理チャンバに導入するよう構成された、請求項１のシステム。
【請求項３】
前記コントローラは、前記ＲＦパワーのパルス幅と実質的に同じである、前記第２のガスのフローのパルス幅を与えるよう構成された、請求項１のシステム。
【請求項４】
前記コントローラは、前記ＲＦパワーのパルス時間と実質的に同じである、前記第２のガスのフローのパルス時間を与えるよう構成された、請求項１のシステム。
【請求項５】
前記コントローラは、前記ＲＦパワーのパルス動作サイクルと実質的に同じである、前記第２のガスのフローのパルス動作サイクルを与えるよう構成された、請求項１のシステム。
【請求項６】
前記コントローラは、前記第２のガスのフローの前記パルス的な流れの第１の時間が、前記ＲＦパワーの前記パルス的な印加の第２の時間と実質的に同じであることを与えるよう構成された、請求項１のシステム。
【請求項７】
前記コントローラは、前記第２のガスのフローの前記パルス的な流れの第１の時間が、前記ＲＦパワーの前記パルス的な印加の第２の時間とはオフセットされることを与えるよう構成された、請求項１のシステム。
【請求項８】
前記コントローラは、前記処理チャンバ内のバックグラウンド圧力を調整するよう構成された請求項１のシステム。
【請求項９】
前記ＲＦパワーを印加するように、前記基板ホルダに接続された発生器を更に具備し、この発生器はＲＦ信号を発生する請求項１のシステム。
【請求項１０】
前記発生器に接続された増幅器を更に具備する請求項９のシステム。
【請求項１１】
前記増幅器は、リニアＲＦ増幅器である請求項１０のシステム。
【請求項１２】
前記増幅器を前記基板ホルダに接続しているインピーダンス整合ネットワークを更に具備する請求項１０のシステム。
【請求項１３】
前記コントローラは、前記増幅器と前記インピーダンス整合ネットワークに接続されて、これらを制御するよう構成された請求項１２のシステム。
【請求項１４】
入力信号を発生するように構成され、前記増幅器に接続された波形発生器を更に具備し、前記ＲＦ信号は、前記増幅器によって受信され、また、前記波形発生器から、前記増幅器によって受信された入力信号によって振幅変調される請求項１０のシステム。
【請求項１５】
前記入力信号は、パルス波形である請求項１４のシステム。
【請求項１６】
前記コントローラは、前記波形発生器に接続されて、これを制御するよう構成された請求項１４のシステム。
【請求項１７】
前記ガス噴射システムは、マスフローコントローラに接続された第１のガスの供給源と、パルス化されたガスの噴射マニホールドに接続された第２のガスの供給源とを具備する請求項1のシステム。
【請求項１８】
前記パルス化されたガスの噴射マニホールドは、圧力調整器と、パルス化されたガスの噴射バルブと、ガス分配マニホールドとを具備する請求項１７のシステム。
【請求項１９】
前記コントローラは、前記第１のガスの供給源と、前記マスフローコントローラと、前記第２のガスの供給源と、前記パルス化されたガスの噴射マニホールドとに接続されて、これらを制御するよう構成された請求項１７のシステム。
【請求項２０】
処理チャンバと、
この処理チャンバ内に設けられた基板ホルダと、
第１のガス並びに第２のガスを、前記処理チャンバ中に供給するように構成されたガス噴射システムと、
前記ガス噴射システムを通して、前記処理チャンバ中へ第１のガスの連続したフローを与えると共に、第1の時間に、前記ガス噴射システムを通して、基板の露出表面付近のガス圧力の増加を導くために前記処理チャンバ中へ第２のガスのフローのパルス的な流れを与え、第２の時間に、前記基板ホルダへ、プラズマシースの厚さが増すためにＲＦパワーをパルス的な印加を与えるための制御手段と具備し、
前記処理チャンバ中へ第２のガスのフローのパルス的に流れている期間と、前記ＲＦパワーをパルス的に印加している期間とが重なる部分がある、プラズマ処理システム。
【請求項２１】
前記ガス噴射システムのガス噴射プレートが、前記基板ホルダの基板受け面に対し、ほぼ並行であり、このガス噴射プレートは、前記第１のガスのフローと前記第２のガスのフローの少なくとも一方を、この基板のホルダの基板受け面に対し、ほぼ直交する方向に、前記処理チャンバに導入するよう構成された、請求項２０のシステム。
【請求項２２】
前記制御手段は、前記ＲＦパワーのパルス幅と実質的に同じである、前記第２のガスのフローのパルス幅を与えるよう構成された請求項２０のシステム。
【請求項２３】
前記制御手段は、前記ＲＦパワーのパルス時間と実質的に同じである、前記第２のガスのフローのパルス時間を与えるよう構成された、請求項２０のシステム。
【請求項２４】
前記制御手段は、前記ＲＦパワーのパルス動作サイクルと実質的に同じである、前記第２のガスのフローのパルス動作サイクルを与えるよう構成された、請求項２０のシステム。
【請求項２５】
前記制御手段は、前記第２のガスのフローの前記パルス的な流れの第１の時間が、前記ＲＦパワーの前記パルス的な印加の第２の時間と実質的に同じであることを与えるよう構成された、請求項２０のシステム。
【請求項２６】
前記制御手段は、前記第２のガスのフローの前記パルス的な流れの第１の時間が、前記ＲＦパワーの前記パルス的な印加の第２の時間とはオフセットされることを与えるよう構成された、請求項２０のシステム。
【請求項２７】
前記制御手段は、前記処理チャンバ内のバックグラウンド圧力を調整するよう構成された請求項２０のシステム。
【請求項２８】
前記ＲＦパワーを印加するように、前記基板ホルダに接続された発生器を更に具備し、この発生器がＲＦ信号を発生する、請求項２０のシステム。
【請求項２９】
前記発生器に接続された増幅器を更に具備する請求項２８のシステム。
【請求項３０】
前記増幅器は、リニアＲＦ増幅器である請求項２９のシステム。
【請求項３１】
前記増幅器を前記基板ホルダに接続しているインピーダンス整合ネットワークを更に具備する請求項２９のシステム。
【請求項３２】
前記制御手段は、前記増幅器と前記インピーダンス整合ネットワークに接続されて、これらを制御するよう構成された請求項３１のシステム。
【請求項３３】
入力信号を発生するように構成され、前記増幅器に接続された波形発生器を更に具備し、前記ＲＦ信号は、前記増幅器によって受信され、また、前記ＲＦ信号は、前記波形発生器から、前記増幅器によって受信された入力信号によって振幅変調される、請求項２９のシステム。
【請求項３４】
前記入力信号は、パルス波形である請求項３３のシステム。
【請求項３５】
前記制御手段は、前記波形発生器に接続されて、これを制御するよう構成された請求項３３のシステム。
【請求項３６】
前記ガス噴射システムは、マスフローコントローラに接続された第１のガスの供給源と、パルス化されたガスの噴射マニホールドに接続された第２のガスの供給源とを具備する、請求項２０のシステム。
【請求項３７】
前記パルス化されたガスの噴射マニホールドは、圧力調整器と、パルス化されたガスの噴射バルブと、ガス分配マニホールドとを具備する請求項３６のシステム。
【請求項３８】
前記制御手段は、前記第１のガスの供給源と、前記マスフローコントローラと、前記第２のガス供給源と、前記パルス化されたガスの噴射マニホールドとに接続されて、これらを制御するよう構成された、請求項３６のシステム。
【請求項３９】
プラズマ処理システムを動作させる方法であり、この方法は、
ガス噴射システムを使用して、第１のガスのフローを流すことによって発生される、処理チャンバ内のバックグラウンド圧力を調整する工程と、
前記処理チャンバ内に処理プラズマを発生させる工程と、
第1の時間に、ガス噴射システムを使用して、基板の露出表面付近のガス圧力の増加を導くために第２のガスのフローをパルス的に流す工程と、第２の時間に、プラズマシースの厚さが増すために基板ホルダへＲＦパワーをパルス的に印加する工程とを具備し、
前記処理チャンバ中へ第２のガスのフローのパルス的に流れている期間と、前記ＲＦパワーをパルス的に印加している期間とが重なる部分がある、方法。
【請求項４０】
前記第２のガスのフローをパルス的に流す工程は、所定のパルス幅で実行される請求項３９の方法。
【請求項４１】
前記第２のガスのフローをパルス的に流す工程は、所定のパルス時間で実行される請求項３９の方法。
【請求項４２】
前記第２のガスのフローをパルス的に流す工程は、所定のパルス動作サイクルを得るために実行される請求項３９の方法。
【請求項４３】
前記ＲＦパワーをパルス的に印加する工程は、所定のパルス幅で実行される請求項３９の方法。
【請求項４４】
前記ＲＦパワーをパルス的に印加する工程は、所定のパルス時間で実行される請求項３９の方法。
【請求項４５】
ＲＦパワーをパルスするステップは、所定のパルス動作サイクルを得るために実行される請求項３９の方法。
【請求項４６】
前記第２のガスのフローをパルス的に流す工程は、第１のパルス幅で実行され、前記ＲＦパワーをパルス的に印加する工程は、第２のパルス幅で実行され、この第１のパルス幅は、この第２のパルス幅と実質的に同じである、請求項３９の方法。
【請求項４７】
前記第２のガスのフローをパルス的に流す工程は、第１のパルス時間で実行され、前記ＲＦパワーをパルス的に印加する工程は、第２のパルス時間で実行され、この第１のパルス時間は、この第２のパルス時間と実質的に同じである、請求項３９の方法。
【請求項４８】
前記第２のガスのフローをパルス的に流す工程は、第１のパルス動作サイクルを得るために実行され、前記ＲＦパワーをパルス的に印加する工程は、第２のパルス動作サイクルを得るために実行され、この第１のパルス動作サイクルは、この第２のパルス動作サイクルと実質的に同じである、請求項３９の方法。
【請求項４９】
前記第２のガスのフローのパルス的な流れの第１の時間は、前記ＲＦパワーのパルス的な印加の第２の時間と実質的に同じである請求項３９の方法。
【請求項５０】
前記第２のガスのフローのパルス的な流れの第１の時間は、ＲＦパワーのパルス的な印加の第２の時間とはオフセットされる請求項３９の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明は、有効的な、処理チャンバ、並びにこの処理チャンバ内に設けられた基板ホルダ、並びにこの処理チャンバへ第１のガスと第２のガスとを供給するよう構成されたガス噴射システムを含んでいる、プラズマ処理システムを提供する。このシステムは、更に、第１のガスのフローがこの処理チャンバへ連続的に流れ、また、第1の時間に、第２のガスのフローが、この処理チャンバへパルス的に流れるように、ガス噴射システムを制御するよう構成されたコントローラを含んでいる。このコントローラは、第２の時間に、この基板ホルダへＲＦパワーをパルス的に印加するように構成されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本発明は、更に、有効的にプラズマ処理システムの動作方法を提供する。この方法は、ガス噴射システムを使って第１のガスのフローを流すことによってバックグラウンド圧力が発生される、前記処理チャンバ内のバックグラウンド圧力を調整する工程、並びに前記処理チャンバ内の処理プラズマを発生させる工程を含んでいる。この方法は、更に、第1の時間に、ガス噴射システムを使用して第２のガスのフローをパルス的に流す工程、並びに第２の時間に、基板ホルダにＲＦパワーをパルス的に印加する工程を含んでいる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
ガスのフローをパルス的に流すことは、基板の露出表面付近のガスの圧力の増加を導き、このため、平均自由行程の局部的な減少、即ち基板面に局部的な衝突の可能性を高める。また、基板ホルダへＲＦパワーをパルス的に印加することは、シースの厚さが増すようなパルス幅の持続特性として、シースの間の電圧降下の増加を生じさせる。この後起こるこのシースの厚さ以下の値への平均自由行程の低下は、イオン−中性粒子衝突のためのこの短い期間、電荷交換衝突、もしくは単なる運動量移動衝突の非常に大きな可能性を高める。その結果、基板面に対して直交して入射する方向に動く、比較的大きな高エネルギーで指向性のある中性の種の個体群を作り出す。それゆえ、質量と運動量の標準のフラックスは、フィーチャーの入口付近で増加する。本発明によるこのプラズマ処理システム並びにこの動作方法は、ここに述べる通りである。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
図２には、図１に示された実施形態の動作方法の概略的な説明が示されている。第１のガスのフロー２０の流量に関する第１の時間履歴は、全体を通して１１０で示されており、流量１１２は、この処理中一定値を保っている。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
第２のガスのフロー３０のフロー特性に関する第２の時間履歴は、全体を通して１２０で示されており、このフロー特性１２２は、好ましくは噴射全圧力である。この噴射全圧力は、パルス振幅１２２とパルス幅１２６とパルス時間１２４とを有する、パルス化されたガスの噴射マニホールド３４によってパルス変調される。パルス時間１２４に対するパルス幅１２６の比率は、更に、パルス動作サイクルと呼ぶことができる。そしてまた、パルス化されたフロー特性１２２は、第２のガスのフロー３０のマスフローになり得る。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
この第１並びに第２の時間履歴と共に、このＲＦバイアスパワーに関する第３の時間履歴は、全体を通して１３０で示されており、このＲＦパワーは、第１のパワーレベル１３４と第２のパワーレベル１３２との間でパルス変調される。このＲＦバイアスパワーは、パルス幅１３８とパルス時間１３６とを有する。このパルス時間１３６に対するパルス幅１３８の比率は、更に、パルス動作サイクルと呼ぶことができる。好ましい実施形態においては、このＲＦパワーパルス幅１３８とパルス時間１３６とは、夫々第２の処理ガスパルス幅１２２とパルス時間１２４と実質的には同じである。他の実施形態においては、このＲＦパワーパルス動作サイクルは、実質的には第２のガスのフローのパルス動作サイクルと同じである。更に他の実施形態では、この第２のガスのフローのパルス幅は、ＲＦパワーパルス幅と実質的に異なっている。また、他の実施形態では、第２のガスのフローのパルス時間は、ＲＦパワーのパルス時間と実質的に異なっている。他の実施形態では、この第２のガスのフローの動作周期は、ＲＦパワーのパルス動作サイクルと実質的に異なっている。更に、他の実施形態では、このＲＦパワーのパルス波形は、第２のガスのフローのガスパルス波形に対して、期間１４０中に偏移もしくはオフセットされる。