【事件の表示】
　特許第３２８８７２１号「理想的な酸素析出シリコンウエハおよびそれのための酸素外方拡散の無い方法」の請求項１ないし７０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３２８８７２１号の請求項１ないし６８に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３２８８７２１号の請求項１ないし７０に係る発明についての出願は、１９９８年２月２５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９７年２月２６日、アメリカ合衆国）を国際出願日とするものであって、平成１４年３月１５日にその発明についての特許権の設定がなされ、その後、その特許について、特許異議申立人三菱住友シリコン株式会社より特許異議の申立てがなされ、平成１５年２月７日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成１５年８月２１日に訂正請求がなされ（後日、取り下げ）、平成１７年１２月６日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成１７年１２月１３日に訂正請求がなされたものである。
　
第２　訂正の適否
　
１．平成１７年１２月１３日付けの訂正の内容
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の
「【請求項１】　一方はウエハの前表面であり、他方はウエハの裏面である平行な２つの主表面、前表面と裏面の間の中央面、前表面と裏面とをつなぐ周縁部、前表面と、前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの領域を含んでなる表面層、および中央面と第１領域との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層を有する単結晶シリコンウエハであって、
　ウエハは、バルク層中の空格子点濃度が表面層中の空格子点濃度よりも高く、空格子点が空格子点ピーク密度は中央面上にある濃度分布を有し、該濃度がピーク密度位置からウエハの前表面の方向に減少するという結晶空格子点の非均一分布を有していることを特徴とする単結晶シリコンウエハ。」を、
「【請求項１】　一方はウエハの前表面であり、他方はウエハの裏面である平行な２つの主表面、前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面、前表面と裏面とをつなぐ周縁部、前表面と、前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層、および中央面と第１領域との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層を有する単結晶シリコンウエハであって、
　ウエハは、バルク層中の空格子点濃度が表面層中の空格子点濃度よりも高く、空格子点が空格子点ピーク密度は中央面上にある濃度分布を有し、該濃度がピーク密度位置からウエハの前表面の方向に減少するという結晶空格子点の非均一分布を有しており、
　中央面から、ウエハの前表面から３μmの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも５０％であることを特徴とする単結晶シリコンウエハ。」と訂正する。
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項５を削除する。
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の
「【請求項６】　ウエハ表面から１０μmを越える距離にある格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも８０％である請求項１に記載のウエハ。」を、
「【請求項５】　中央面から、ウエハの前表面から１０μmの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも８０％である請求項１に記載のウエハ。」と訂正する。
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の
「【請求項７】　Ｄ１は少なくとも２０μmである請求項６に記載のウエハ。
【請求項８】　Ｄ１は少なくとも５０μmである請求項６に記載のウエハ。
【請求項９】　Ｄ１は３０〜１００μmである請求項６に記載のウエハ。」を、
「【請求項６】　Ｄ１は少なくとも２０μmである請求項５に記載のウエハ。
【請求項７】　Ｄ１は少なくとも５０μmである請求項５に記載のウエハ。
【請求項８】　Ｄ１は３０〜１００μmである請求項５に記載のウエハ。」と訂正する。
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の
「【請求項１０】　ウエハ表面から１５μmを越える距離にある格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも９０％である請求項１に記載のウエハ。」を、
「【請求項９】　中央面から、ウエハの前表面から１５μmの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも９０％である請求項１に記載のウエハ。」と訂正する。
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の
「【請求項１１】　ウエハ表面上にエピタキシャル層をさらに有する請求項１に記載のウエハ。」を、
「【請求項１０】　ウエハの前表面上にエピタキシャル層をさらに有する請求項１に記載のウエハ。」と訂正する。
（７）訂正事項７
　特許請求の範囲の
「【請求項１２】　一方はウエハの前表面であり、他方はウエハの裏面である平行な２つの主表面、前表面と裏面の間の中央面、前表面と裏面とをつなぐ周縁部、前表面から中央面の方向で測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１までにあるウエハの領域を含んでなり、格子間酸素を含むデニューデッドゾーンを有する単結晶シリコンウエハであって、
　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも７５％である単結晶シリコンウエハ。」を、
「【請求項１１】　一方はウエハの前表面であり、他方はウエハの裏面である平行な２つの主表面、前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面、前表面と裏面とをつなぐ周縁部、前表面から中央面の方向で測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１までにあるウエハの領域を含んでなり、格子間酸素を含むデニューデッドゾーンを有する単結晶シリコンウエハであって、
　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも７５％である単結晶シリコンウエハ。」と訂正する。
（８）訂正事項８
　特許請求の範囲の
「【請求項１３】　Ｄ１は少なくとも２０μmである請求項１２に記載のウエハ。
【請求項１４】　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも８０％である請求項１３に記載のウエハ。
【請求項１５】　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも９０％である請求項１３に記載のウエハ。
【請求項１６】　Ｄ１は少なくとも５０μmである請求項１２に記載のウエハ。
【請求項１７】　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも８５％である請求項１６に記載のウエハ。
【請求項１８】　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも９５％である請求項１６に記載のウエハ。
【請求項１９】　Ｄ１は３０〜１００μmである請求項１２に記載のウエハ。
【請求項２０】　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも８５％である請求項１９に記載のウエハ。」を、
「【請求項１２】　Ｄ１は少なくとも２０μmである請求項１１に記載のウエハ。
【請求項１３】　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも８０％である請求項１２に記載のウエハ。
【請求項１４】　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも９０％である請求項１２に記載のウエハ。
【請求項１５】　Ｄ１は少なくとも５０μmである請求項１１に記載のウエハ。
【請求項１６】　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも８５％である請求項１５に記載のウエハ。
【請求項１７】　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも９５％である請求項１５に記載のウエハ。
【請求項１８】　Ｄ１は３０〜１００μmである請求項１１に記載のウエハ。
【請求項１９】　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも８５％である請求項１８に記載のウエハ。」と訂正する。
（９）訂正事項９
　特許請求の範囲の
「【請求項２１】　ウエハ表面上にエピタキシャル層をさらに有する請求項１２に記載のウエハ。」を、
「【請求項２０】　ウエハの前表面上にエピタキシャル層をさらに有する請求項１１に記載のウエハ。」と訂正する。
（１０）訂正事項１０
　特許請求の範囲の
「【請求項２２】　前表面、裏面、前表面と裏面の間の中央面、前表面と、前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの領域を含んでなるバルク層を有する単結晶シリコンウエハを、後の熱処理工程におけるウエハ中の酸素の析出挙動に影響を与えるように熱処理することを含むシリコンウエハの製造方法であって、
　非窒素化雰囲気中でウエハを熱処理して表面層およびバルク層中に結晶空格子点を形成する工程、
　熱処理されたウエハの冷却速度を少なくとも５℃／秒に制御して、空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度はピーク密度位置からウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、バルク層中の酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する工程
を含んでなる方法。」を、
「【請求項２１】　前表面、裏面、前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面、前表面と、前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層を有する単結晶シリコンウエハを、後の熱処理工程におけるウエハ中の酸素の析出挙動に影響を与えるように熱処理することを含むシリコンウエハの製造方法であって、
　非窒化雰囲気中でウエハを熱処理して表面層およびバルク層中に結晶空格子点を形成する工程、
　熱処理されたウエハの冷却速度を少なくとも５℃／秒に制御して、空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度はピーク密度位置からウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、バルク層中の酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する工程
を含んでなる方法。」と訂正する。
（１１）訂正事項１１
　特許請求の範囲の
「【請求項２３】　該熱処理は、酸素含有雰囲気中で１１７５℃を超える温度において、５０００ppma未満の酸素分圧下、６０秒未満の時間、ウエハを加熱することからなる請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも５０℃／秒である請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも１００℃／秒である請求項２３に記載の方法。」を、
「【請求項２２】　該熱処理は、酸素含有雰囲気中で１１７５℃を超える温度において、５０００ppma未満の酸素分圧下、６０秒未満の時間、ウエハを加熱することからなる請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも５０℃／秒である請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも１００℃／秒である請求項２２に記載の方法。」と訂正する。
（１２）訂正事項１２
　特許請求の範囲の
「【請求項２７】　該加熱処理は、酸素分圧が５０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項２２に記載の方法。」を、
「【請求項２６】　該熱処理は、酸素分圧が５０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項２１に記載の方法。」と訂正する。
（１３）訂正事項１３
　特許請求の範囲の
「【請求項２８】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも５０℃／秒である請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも１００℃／秒である請求項２７に記載の方法。」を、
「【請求項２７】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも５０℃／秒である請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも１００℃／秒である請求項２６に記載の方法。」と訂正する。
（１４）訂正事項１４
　特許請求の範囲の
「【請求項３１】　該加熱処理は、酸素分圧が１０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１１７５℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項２２に記載の方法。」を、
「【請求項３０】　該熱処理は、酸素分圧が１０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１１７５℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項２１に記載の方法。」と訂正する。
（１５）訂正事項１５
　特許請求の範囲の
「【請求項３２】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも５０℃／秒である請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも１００℃／秒である請求項３１に記載の方法。」を、
「【請求項３１】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも５０℃／秒である請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも１００℃／秒である請求項３０に記載の方法。」と訂正する。
（１６）訂正事項１６
　特許請求の範囲の
「【請求項３５】　該加熱処理は、酸素分圧が１０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項２２に記載の方法。」を、
「【請求項３４】　該熱処理は、酸素分圧が１０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項２１に記載の方法。」と訂正する。
（１７）訂正事項１７
　特許請求の範囲の
「【請求項３６】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも５０℃／秒である請求項３５に記載の方法。
【請求項３８】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも１００℃／秒である請求項３５に記載の方法。」を、
「【請求項３５】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも５０℃／秒である請求項３４に記載の方法。
【請求項３７】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも１００℃／秒である請求項３４に記載の方法。」と訂正する。
（１８）訂正事項１８
　特許請求の範囲の
「【請求項３９】　前表面、裏面、前表面と裏面の間の中央面、前表面と、前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの領域を含んでなるバルク層を有する、チョクラルスキー法により成長された単結晶シリコンインゴットから切り出された単結晶シリコンウエハを、後の熱処理工程におけるウエハ中の酸素の析出挙動に影響を与えるように熱処理することを含むシリコンウエハの製造方法であって、
　ウエハを酸素含有雰囲気の存在下に加熱することにより、ウエハ前表面上に酸化物層を成長させる工程、
　酸化されたウエハを少なくとも１１５０℃の温度で加熱処理して、表面層およびバルク層に結晶空格子点を形成する工程、
　９００℃未満の温度にウエハを冷却する工程、
　加熱温度と９００℃との間で加熱処理されたウエハの冷却速度を少なくとも５℃／秒に制御して、空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度は、ウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、バルク層中の酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する工程
を含んでなる方法。」を、
「【請求項３８】　前表面、裏面、前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面、前表面と、前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層を有する、チョクラルスキー法により成長された単結晶シリコンインゴットから切り出された単結晶シリコンウエハを、後の熱処理工程におけるウエハ中の酸素の析出挙動に影響を与えるように熱処理することを含むシリコンウエハの製造方法であって、
　ウエハを酸素含有雰囲気の存在下に加熱することにより、ウエハ前表面上に酸化物層を成長させる工程、
　酸化されたウエハを少なくとも１１５０℃の温度で熱処理して、表面層およびバルク層に結晶空格子点を形成する工程、
　９００℃未満の温度にウエハを冷却する工程、
を含み、
　前記ウエハを冷却する工程においては、前記熱処理されたウエハを加熱温度から900℃までの間での冷却速度を少なくとも5℃/秒に制御するように冷却して、
空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度は、ウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、バルク層中の酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する方法。」と訂正する。
（１９）訂正事項１９
　特許請求の範囲の
「【請求項４０】　冷却速度は、少なくとも５０℃／秒である請求項３９に記載の方法。」を、
「【請求項３９】　冷却速度は、少なくとも５０℃／秒である請求項３８に記載の方法。」と訂正する。
（２０）訂正事項２０
　特許請求の範囲の
「【請求項４１】　該加熱処理は、酸素分圧が５０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】　該加熱処理は、酸素分圧が１０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項４０に記載の方法。」を、
「【請求項４０】　該熱処理は、酸素分圧が５０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】　該熱処理は、酸素分圧が１０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項３９に記載の方法。」と訂正する。
（２１）訂正事項２１
　特許請求の範囲の
「【請求項４３】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項４０に記載の方法。
【請求項４４】　該雰囲気は主として窒素である請求項４０に記載の方法。
【請求項４５】　冷却速度は、少なくとも１００℃／秒である請求項３９に記載の方法。」を、
「【請求項４２】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項３９に記載の方法。
【請求項４３】　該雰囲気は主として窒素である請求項３９に記載の方法。
【請求項４４】　冷却速度は、少なくとも１００℃／秒である請求項３８に記載の方法。」と訂正する。
（２２）訂正事項２２
　特許請求の範囲の
「【請求項４６】　該加熱処理は、酸素分圧が５０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】　該加熱処理は、酸素分圧が１０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項４５に記載の方法。」を、
「【請求項４５】　該熱処理は、酸素分圧が５０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】　該熱処理は、酸素分圧が１０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項４４に記載の方法。」と訂正する。
（２３）訂正事項２３
　特許請求の範囲の
「【請求項４８】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項４５に記載の方法。
【請求項４９】　該雰囲気は主として窒素である請求項４５に記載の方法。」を、
「【請求項４７】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項４４に記載の方法。
【請求項４８】　該雰囲気は主として窒素である請求項４４に記載の方法。」と訂正する。
（２４）訂正事項２４
　特許請求の範囲の
「【請求項５０】　前表面、裏面、前表面と裏面の間の中央面、前表面と、前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの領域を含んでなるバルク層を有する、チョクラルスキー法により成長された単結晶シリコンインゴットから切り出された単結晶シリコンウエハを、後の熱処理工程におけるウエハ中の酸素の析出挙動に影響を与えるように熱処理することを含むシリコンウエハの製造方法であって、
　ウエハを酸素含有雰囲気中で加熱することにより、表面層およびバルク層に結晶空格子点を形成する工程、
　加熱処理されたウエハの冷却速度を少なくとも５℃／秒に制御して、空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度は、ウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する工程
を含んでなる方法。」を、
「【請求項４９】　前表面、裏面、前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面、前表面と、前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層を有する、チョクラルスキー法により成長された単結晶シリコンインゴットから切り出された単結晶シリコンウエハを、後の熱処理工程におけるウエハ中の酸素の析出挙動に影響を与えるように熱処理することを含むシリコンウエハの製造方法であって、
　ウエハを酸素含有雰囲気中で加熱することにより、表面層およびバルク層に結晶空格子点を形成する工程、
　熱処理されたウエハの冷却速度を少なくとも５℃／秒に制御して、空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度は、ウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する工程
を含んでなる方法。」と訂正する。
（２５）訂正事項２５
　特許請求の範囲の
「【請求項５１】　該加熱処理は、酸素分圧が５０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１１７５℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項５０に記載の方法。」を、
「【請求項５０】　該熱処理は、酸素分圧が５０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１１７５℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項４９に記載の方法。」と訂正する。
（２６）訂正事項２６
　特許請求の範囲の
「【請求項５２】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】　雰囲気は主として窒素である請求項５１に記載の方法。
【請求項５４】　冷却速度は、少なくとも５０℃／秒である請求項５１に記載の方法。
【請求項５５】　冷却速度は、少なくとも１００℃／秒である請求項５１に記載の方法。」を、
「【請求項５１】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】　雰囲気は主として窒素である請求項５０に記載の方法。
【請求項５３】　冷却速度は、少なくとも５０℃／秒である請求項５０に記載の方法。
【請求項５４】　冷却速度は、少なくとも１００℃／秒である請求項５０に記載の方法。」と訂正する。
（２７）訂正事項２７
　特許請求の範囲の
「【請求項５６】　該加熱処理は、酸素分圧が１０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１１７５℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項５０に記載の方法。」を、
「【請求項５５】　該熱処理は、酸素分圧が１０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１１７５℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項４９に記載の方法。」と訂正する。
（２８）訂正事項２８
　特許請求の範囲の
「【請求項５７】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項５６に記載の方法。
【請求項５８】　雰囲気は主として窒素である請求項５６に記載の方法。
【請求項５９】　冷却速度は、少なくとも５０℃／秒である請求項５６に記載の方法。
【請求項６０】　冷却速度は、少なくとも１００℃／秒である請求項５６に記載の方法。」を、
「【請求項５６】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】　雰囲気は主として窒素である請求項５５に記載の方法。
【請求項５８】　冷却速度は、少なくとも５０℃／秒である請求項５５に記載の方法。
【請求項５９】　冷却速度は、少なくとも１００℃／秒である請求項５５に記載の方法。」と訂正する。
（２９）訂正事項２９
　特許請求の範囲の
「【請求項６１】　加熱処理は、１２００℃を越える温度にウエハを加熱することを含む請求項５６に記載の方法。」を、
「【請求項６０】　熱処理は、１２００℃を越える温度にウエハを加熱することを含む請求項５５に記載の方法。」と訂正する。
（３０）訂正事項３０
　特許請求の範囲の
「【請求項６２】　デニューデッドゾーンを含む近表面領域および酸素析出物を含むバルク領域を有する単結晶シリコンウエハを製造する方法であって、
　前表面、裏面、前表面と裏面の間の中央面、前表面と裏面とをつなぐ周縁部、前表面と、前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの領域を含んでなる表面層、および中央面と第１領域との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層を有し、バルク層中の空格子点濃度は、表面層中の空格子点濃度よりも高い不均一な結晶空格子点分布を持つ単結晶シリコンウエハを、少なくとも８００℃の温度でウエハをアニールする酸素析出加熱処理に付す工程を含んでなる方法において、デニューデッドゾーンが表面層中に形成され、酸素析出物がバルク層中に形成され、ウエハ中でのデニューデッドゾーンの形成および酸素析出物の形成は、ウエハのこれら領域中の酸素濃度の差に依存しない方法。」を、
「【請求項６１】　デニューデッドゾーンを含む近表面領域および酸素析出物を含むバルク領域を有する単結晶シリコンウエハを製造する方法であって、
　前表面、裏面、前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面、前表面と裏面とをつなぐ周縁部、前表面と、前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層、および中央面と第１領域との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層を有し、バルク層中の空格子点濃度は、表面層中の空格子点濃度よりも高い不均一な結晶空格子点分布を持つ単結晶シリコンウエハを、少なくとも８００℃の温度でウエハをアニールする酸素析出熱処理に付す工程を含んでなる方法において、デニューデッドゾーンが表面層中に形成され、酸素析出物がバルク層中に形成され、ウエハ中でのデニューデッドゾーンの形成および酸素析出物の形成は、ウエハのこれら領域中の酸素濃度の差に依存しない方法。」と訂正する。
（３１）訂正事項３１
　特許請求の範囲の
「【請求項６３】　前表面、裏面、前表面と裏面の間の中央面、前表面と裏面とをつなぐ周縁部、前表面と、前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの領域を含んでなる表面層、および中央面と第１領域との間にあるウエハの第２領域を含んでなり、バルク層中の空格子点濃度が表面層中の空格子点濃度よりも高い結晶空格子点の非均一分布を有しているバルク層を有する単結晶シリコンウエハであって、酸素析出加熱処理に付した場合に、デニューデッドゾーンが表面層中に形成され、酸素析出物がバルク層中に形成され、ウエハ中でのデニューデッドゾーンの形成および酸素析出物の形成は、ウエハのこれら領域中の酸素濃度の差に依存しない単結晶シリコンウエハ。」を、
「【請求項６２】　前表面、裏面、前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面、前表面と裏面とをつなぐ周縁部、前表面と、前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層、および中央面と第１領域との間にあるウエハの第２領域を含んでなり、バルク層中の空格子点濃度が表面層中の空格子点濃度よりも高い結晶空格子点の非均一分布を有しているバルク層を有する単結晶シリコンウエハであって、
　該結晶空格子点の非均一分布は、酸素析出熱処理に付した場合に、デニューデッドゾーンが表面層中に形成され、酸素析出物がバルク層中に形成され、ウエハ中でのデニューデッドゾーンの形成および酸素析出物の形成は、ウエハのこれら領域中の酸素濃度の差に依存しないという非均一分布となっており、
　中央面から、ウエハの前表面から３μmの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも５０％である単結晶シリコンウエハ。」と訂正する。
（３２）訂正事項３２
　特許請求の範囲の
「【請求項６４】　ウエハ表面から１０μmを越える距離にある格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも８０％である請求項６３に記載のウエハ。」を、
「【請求項６３】　中央面から、ウエハの前表面から１０μmの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも８０％である請求項６２に記載のウエハ。」と訂正する。
（３３）訂正事項３３
　特許請求の範囲の
「【請求項６５】　Ｄ１は少なくとも２０μmである請求項６３または６４に記載のウエハ。
【請求項６６】　Ｄ１は少なくとも５０μmである請求項６３または６４に記載のウエハ。
【請求項６７】　Ｄ１は３０〜１００μmである請求項６３または６４に記載のウエハ。」を、
「【請求項６４】　Ｄ１は少なくとも２０μmである請求項６２または６３に記載のウエハ。
【請求項６５】　Ｄ１は少なくとも５０μmである請求項６２または６３に記載のウエハ。
【請求項６６】　Ｄ１は３０〜１００μmである請求項６２または６３に記載のウエハ。」と訂正する。
（３４）訂正事項３４
　特許請求の範囲の請求項６８を削除する。
（３５）訂正事項３５
　特許請求の範囲の
「【請求項６９】　ウエハ表面から１５μmを越える距離にある格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも９０％である請求項６３に記載のウエハ。」を、
「【請求項６７】　中央面から、ウエハの前表面から１５μmの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも９０％である請求項６２に記載のウエハ。」と訂正する。
（３６）訂正事項３６
　特許請求の範囲の
「【請求項７０】　ウエハ表面上にエピタキシャル層をさらに有する請求項６３に記載のウエハ。」を、
「【請求項６８】　ウエハの前表面上にエピタキシャル層をさらに有する請求項６２に記載のウエハ。」と訂正する。
（３７）訂正事項３７
　特許明細書第９頁第１０行〜第１２行の
「雰囲気は、空格子点濃度の形成を抑制する充分な量のシリコン自己格子間原子を注入するのに不充分であるそのようなガスの分圧または酸化ガスの全不存在を有する。」（なお、特許公報第１４欄第３０行の「哀打」は、公報編纂時の誤記である。）を、
「雰囲気は、空格子点濃度の形成を抑制するのに充分な量のシリコン自己格子間原子を注入させないよう、低い酸化ガスの分圧を有するか、あるいは酸化ガスが全く存在しない。」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項及び拡張・変更の有無
　
（２−１）訂正事項１について
　訂正事項１は、
（ａ）「前表面と裏面の間の中央面」を「前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面」と訂正すること（訂正事項１−１）、
（ｂ）「前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの領域を含んでなる表面層」を「前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層」と訂正すること（訂正事項１−２）、及び、
（ｃ）「有している」を「有しており、」とし、これに続けて、「中央面から、ウエハの前表面から３μｍの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも５０％である」という事項を追加するように訂正すること（訂正事項１−３）
に区分できるので、これらに分けて順次検討する。
・訂正事項１−１について
　訂正事項１−１は、「前表面」及び「裏面」と「中央面」との位置関係を明確にするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、本件特許明細書第７頁第２８行〜第８頁第１０行（特許公報第１３欄第２５〜４０行）には、「図１を参照すると、本発明の理想的な析出ウエハ１のための出発材料が、前表面３、後表面５、および前表面と後表面との間の仮想的な中央面７を有する。本明細書において、用語「前」および「後」とは、ウエハの２つのほぼ平面状の主表面を区別するために使用される。用語としてのウエハの前表面は、電子デバイスが後に設けられる表面を必ずしも意味するのではなく、また、用語としてのウエハの後表面は、電子デバイスが設けられる表面と反対側の主表面を必ずしも意味するのではない。加えて、シリコンウエハは典型的にいくらかの総合厚さ変化（ＴＴＶ）、たわみおよび反りを有するので、前表面の全ての地点と後表面の全ての地点との間の中間点は、正確に平面内にないことがある。実際に、ＴＴＶ、あわみおよび反りは一般にはわずかなものであるので、近似的には、中間点は、前表面と後表面との間のほぼ等距離である仮想的な中間平面内にあると言うことができる。」と記載されているので、訂正事項１−１は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
・訂正事項１−２について
　訂正事項１−２は、「前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの領域を含んでなる表面層」の部分の「領域」が、これに続く、「中央面と第１領域との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層」の部分の「第１領域」と同一のものであることを明確にするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正前の請求項２２、３９及び５０には、「前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの領域を含んでなる表面層」及び「中央面と表面層との間にあるウエハの領域を含んでなるバルク層」と記載されており、訂正前の請求項１の「中央面と第１領域との間にあるウエハの第２領域を含んであるバルク層」と訂正前の請求項２２等の「中央面と表面層との間にあるウエハの領域を含んでなるバルク層」とを対比すれば、訂正前の請求項１における「第１領域」が「表面層」、すなわち、前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの「領域」を指していることは明らかであるから、訂正事項１−２は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
・訂正事項１−３について
　訂正事項１−３は、実質的に、「中央面から、ウエハの前表面から３μｍの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも５０％である」という事項を追加するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、訂正事項１−３において追加された事項は、訂正前の請求項１を引用する訂正前の請求項５に記載された、「ウエハ表面から３μｍを越える距離にある格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも５０％である」において、「ウエハ表面」、すなわち、「ウエハ前表面および裏面の各表面」（本件特許明細書第１２頁第７行〜第８行（特許公報第１６欄第４７行〜第４８行））を、「ウエハ前表面」に限定して、特許請求の範囲を減縮するとともに、明りょうでない記載の釈明を目的として、「ウエハ表面から３μｍを越える距離にある」を「中央面から、ウエハの前表面から３μｍの距離までの」と訂正したものに相当するが、「ウエハ表面から３μｍを越える距離にある」と「中央面から、ウエハの前表面から３μｍの距離までの」が同義であることは、本件特許明細書第１２頁第７行〜第１８行（特許公報第１６欄第４７行〜第１７欄第１３行）の「本発明のこの工程に使用される急速加熱処理は、ウエハ前表面および裏面の各表面からの少量酸素の外方拡散をもたらしうるが、外方拡散の程度は、デニューデッドゾーン形成用の従来法で観察されるものよりも実質的により小さい。その結果、本発明の理想的な析出ウエハは、実質的に均一な格子間酸素濃度を、シリコン表面からの距離の関数として有する。例えば、酸素析出加熱処理の前に、ウエハは、実質的に均一な濃度の格子間酸素を、ウエハ中心から、シリコン表面の約15μm以内のウエハ領域に、好適にはシリコン中心から、シリコン表面の約10μm以内のウエハ領域に、より好適にはシリコン中心から、シリコン表面の約5μm以内のウエハ領域に、最も好適にはシリコン中心から、シリコン表面の約3μm内のウエハ領域に有する。本明細書に用いられる「実質的に均一な酸素」なる用語は、約50％未満、好適には約20％未満、より好適には約10％未満の酸素濃度変化を意味する。」との記載から明らかである。
　よって、訂正事項１−３は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　以上のとおりであるから、訂正事項１は、全体として、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とし、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−２）訂正事項２について
　訂正事項２は、請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（２−３）訂正事項３について
　訂正事項３は、請求項の番号を繰り上げる（訂正事項３−１）とともに、「ウエハ表面から１０μｍを越える距離にある」を「中央面から、ウエハの前表面から１０μｍの距離までの」と訂正する（訂正事項３−２）ものである。
　訂正事項３−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項３−２は、上記「訂正事項１−３について」で「訂正前の請求項５」に関して検討したと同様の理由により、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−４）訂正事項４について
　訂正事項４は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、各々の請求項の番号及び各々の請求項が引用する請求項の番号を繰り上げるように変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２−５）訂正事項５について
　訂正事項５は、請求項の番号を繰り上げる（訂正事項５−１）とともに、「ウエハ表面から１５μｍを越える距離にある」を「中央面から、ウエハの前表面から１５μｍの距離までの」と訂正する（訂正事項５−２）ものである。
　訂正事項５−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項５−２は、上記「訂正事項１−３について」で「訂正前の請求項５」に関して検討したと同様の理由により、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−６）訂正事項６について
　訂正事項６は、請求項の番号を繰り上げる（訂正事項６−１）とともに、「ウエハ表面」を「ウエハの前表面」と訂正する（訂正事項６−２）ものである。
　訂正事項６−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項６−２は、「ウエハ表面」、すなわち、「ウエハ前表面および裏面の各表面」（本件特許明細書第１２頁第７行〜第８行（特許公報第１６欄第４７行〜第４８行））を、「ウエハ前表面（ウエハの前表面）」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとともに、本件特許明細書第１５頁第３行〜第４行（特許公報第１９欄第１３行〜第１５行）には、「エピタキシャル層を、理想的な析出ウエハ上に蒸着する必要がある場合、本発明の方法は、エピタキシャル蒸着の前後のいずれかに実施することができる。」こと、すなわち、「ウエハ上」に「エピタキシャル層」を設けることが記載されているから、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−７）訂正事項７について
　訂正事項７は、請求項の番号を繰り上げる（訂正事項７−１）とともに、「前表面と裏面の間の中央面」を「前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面」と訂正する（訂正事項７−２）ものである。
　訂正事項７−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項７−２は、上記「訂正事項１−１について」で検討したと同様の理由により、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−８）訂正事項８について
　訂正事項８は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、各々の請求項の番号及び各々の請求項が引用する請求項の番号を繰り上げるように変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２−９）訂正事項９について
　訂正事項９は、請求項の番号及び引用する請求項の番号を繰り上げる（訂正事項９−１）とともに、「ウエハ表面」を「ウエハの前表面」と訂正する（訂正事項９−２）ものである。
　訂正事項９−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項９−２は、上記「訂正事項６について」で「訂正事項６−２」について検討したと同様の理由により、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−１０）訂正事項１０について
　訂正事項１０は、
（ａ）請求項の番号を繰り上げること（訂正事項１０−１）、
（ｂ）「前表面と裏面の間の中央面」を「前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面」と訂正すること（訂正事項１０−２）、
（ｃ）「前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの領域を含んでなるバルク層」を、「前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層」と訂正すること（訂正事項１０−３）、及び、
（ｄ）「非窒素化雰囲気」を「非窒化雰囲気」と訂正すること（訂正事項１０−４）
に区分できるので、これらに分けて順次検討する。
・訂正事項１０−１について
　訂正事項１０−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
・訂正事項１０−２について
　訂正事項１０−２は、上記「訂正事項１−１について」で検討したと同様の理由により、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
・訂正事項１０−３について
　訂正事項１０−３は、「前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの領域を含んでなる表面層」における「領域」を「第１領域」とし、「中央面と表面層との間にあるウエハの領域を含んでなるバルク層」における「領域」を「第２領域」とすることにより、それぞれの「領域」が異なるものであることを明確にするとともに、訂正後の請求項１等と表現を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、「前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの領域を含んでなる表面層」中の「ウエハの領域」と、「中央面と表面層との間にあるウエハの領域を含んでなるバルク層」中の「ウエハの領域」とが、互いに異なる領域であることは明らかであるから、訂正事項１０−３は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
・訂正事項１０−４について
　訂正事項１０−４は、「窒素化」という不明りょうな表現を明確化するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであるとともに、例えば、本件特許明細書第１３頁第１行（特許公報第１７欄第３０行）に記載されている「非窒化雰囲気」に基づくものであるから、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　以上のとおりであるから、訂正事項１０は、全体として、明りょうでない記載の釈明を目的とし、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−１１）訂正事項１１について
　訂正事項１１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、各々の請求項の番号及び各々の請求項が引用する請求項の番号を繰り上げるように変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２−１２）訂正事項１２について
　訂正事項１２は、請求項の番号及び引用する請求項の番号を繰り上げる（訂正事項１２−１）とともに、「該加熱処理」を「該熱処理」と訂正する（訂正事項１２−２）ものである。
　訂正事項１２−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項１２−２は、「該加熱処理」が、当該請求項が引用する訂正前の請求項２２（訂正後の請求項２１）に記載された「熱処理」を受けているのは明らかであり、これと表現を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−１３）訂正事項１３について
　訂正事項１３は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、各々の請求項の番号及び各々の請求項が引用する請求項の番号を繰り上げるように変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２−１４）訂正事項１４について
　訂正事項１４は、請求項の番号及び引用する請求項の番号を繰り上げる（訂正事項１４−１）とともに、「該加熱処理」を「該熱処理」と訂正する（訂正事項１４−２）ものである。
　訂正事項１４−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項１４−２は、「該加熱処理」が、当該請求項が引用する訂正前の請求項２２（訂正後の請求項２１）に記載された「熱処理」を受けているのは明らかであり、これと表現を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−１５）訂正事項１５について
　訂正事項１５は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、各々の請求項の番号及び各々の請求項が引用する請求項の番号を繰り上げるように変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２−１６）訂正事項１６について
　訂正事項１６は、請求項の番号及び引用する請求項の番号を繰り上げる（訂正事項１６−１）とともに、「該加熱処理」を「該熱処理」と訂正する（訂正事項１６−２）ものである。
　訂正事項１６−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項１６−２は、「該加熱処理」が、当該請求項が引用する訂正前の請求項２２（訂正後の請求項２１）に記載された「熱処理」を受けているのは明らかであり、これと表現を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−１７）訂正事項１７について
　訂正事項１７は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、各々の請求項の番号及び各々の請求項が引用する請求項の番号を繰り上げるように変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２−１８）訂正事項１８について
　訂正事項１８は、
（ａ）請求項の番号を繰り上げること（訂正事項１８−１）、
（ｂ）「前表面と裏面の間の中央面」を「前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面」と訂正すること（訂正事項１８−２）、
（ｃ）「前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの領域を含んでなるバルク層」を、「前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層」と訂正すること（訂正事項１８−３）、
（ｄ）「１１５０℃の温度で加熱処理して」を「１１５０℃の温度で熱処理して」と訂正すること（訂正事項１８−４）、及び、
（ｅ）「９００℃未満の温度にウエハを冷却する工程、
　加熱温度と９００℃との間で加熱処理されたウエハの冷却速度を少なくとも５℃／秒に制御して、空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度は、ウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、バルク層中の酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する工程
を含んでなる方法」を、
　「９００℃未満の温度にウエハを冷却する工程、
を含み、
　前記ウエハを冷却する工程においては、前記熱処理されたウエハを加熱温度から900℃までの間での冷却速度を少なくとも5℃/秒に制御するように冷却して、
空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度は、ウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、バルク層中の酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する方法」と訂正すること（訂正事項１８−５）
に区分できるので、これらに分けて順次検討する。
・訂正事項１８−１について
　訂正事項１８−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
・訂正事項１８−２について
　訂正事項１８−２は、上記「訂正事項１−１について」で検討したと同様の理由により、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
・訂正事項１８−３について
　訂正事項１８−３は、上記「訂正事項１０−３について」で検討したと同様の理由により、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
・訂正事項１８−４について
　訂正事項１８−４は、「加熱処理して」を「熱処理して」と訂正するものであるが、これは、当該請求項に記載された「単結晶シリコンウエハを、後の熱処理工程におけるウエハ中の酸素の析出挙動に影響を与えるように熱処理することを含むシリコンウエハの製造方法」の部分の「熱処理する」と表現を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
・訂正事項１８−５について
　訂正事項１８−５は、「９００℃未満の温度にウエハを冷却する工程」と、「加熱温度と９００℃との間で加熱処理されたウエハの冷却速度を少なくとも５℃／秒に制御して、空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度は、ウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、バルク層中の酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する工程」という、異なる２つの工程を含む方法であるかのような表現であったものを、後者の記載事項が、前者の「９００℃未満の温度にウエハを冷却する工程」の技術的内容を規定するものであることを明確にするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、本件特許明細書には、「工程Ｓ2において、ウエハを高温に加熱し、ウエハ１における結晶格子空孔１３の数密度を増加させる熱処理にウエハを付」し（第８頁第２０行〜第２１行（特許公報第１４欄第３行〜第５行）、「工程Ｓ2の完了後、ウエハは、工程Ｓ3において、結晶格子空格子点が単結晶において比較的移動しやすい温度範囲を通って、急速に冷却される。・・・ウエハの急冷によって、結晶格子空格子点の非−均一性拡散を達成することができ、その最大空格子点濃度は、中央面7またはその付近であり、空格子点濃度は、ウエハの前表面3および裏面5の方向に減少する。一般に、この温度範囲内の平均冷却速度は、１秒当たり少なくとも約5℃で・・・ある。」（第１０頁第１３行〜第２４行（特許公報第１５欄第２４行〜第４１行）と記載されており、「熱処理」に続いて行われる「冷却」が、「空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度は、ウエハの前表面の方向に減少」するような空格子点濃度の分布を形成するためのものであることは明らかであるから、訂正事項１８−５は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　以上のとおりであるから、訂正事項１８は、全体として、明りょうでない記載の釈明を目的とし、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−１９）訂正事項１９について
　訂正事項１９は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号及び引用する請求項の番号を繰り上げるように変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２−２０）訂正事項２０について
　訂正事項２０は、各々の請求項の番号及び各々の請求項が引用する請求項の番号を繰り上げる（訂正事項２０−１）とともに、「該加熱処理」を「該熱処理」と訂正する（訂正事項２０−２）ものである。
　訂正事項２０−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項２０−２は、「該加熱処理」が、当該請求項が訂正前の請求項４０（訂正後の請求項３９）を介して引用する訂正前の請求項３９（訂正後の請求項３８）に記載された「熱処理」を受けているのは明らかであり、これと表現を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−２１）訂正事項２１について
　訂正事項２１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、各々の請求項の番号及び各々の請求項が引用する請求項の番号を繰り上げるように変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２−２２）訂正事項２２について
　訂正事項２２は、各々の請求項の番号及び各々の請求項が引用する請求項の番号を繰り上げる（訂正事項２２−１）とともに、「該加熱処理」を「該熱処理」と訂正する（訂正事項２２−２）ものである。
　訂正事項２２−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項２２−２は、「該加熱処理」が、当該請求項が訂正前の請求項４５（訂正後の請求項４４）を介して引用する訂正前の請求項３９（訂正後の請求項３８）に記載された「熱処理」を受けているのは明らかであり、これと表現を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−２３）訂正事項２３について
　訂正事項２３は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、各々の請求項の番号及び各々の請求項が引用する請求項の番号を繰り上げるように変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２−２４）訂正事項２４について
　訂正事項２４は、
（ａ）請求項の番号を繰り上げること（訂正事項２４−１）、
（ｂ）「前表面と裏面の間の中央面」を「前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面」と訂正すること（訂正事項２４−２）、
（ｃ）「前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの領域を含んでなるバルク層」を、「前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層」と訂正すること（訂正事項２４−３）、及び、
（ｄ）「加熱処理されたウエハ」を「熱処理されたウエハ」と訂正すること（訂正事項２４−４）
に区分できるので、これらに分けて順次検討する。
・訂正事項２４−１について
　訂正事項２４−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
・訂正事項２４−２について
　訂正事項２４−２は、上記「訂正事項１−１について」で検討したと同様の理由により、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
・訂正事項２４−３について
　訂正事項２４−３は、上記「訂正事項１０−３について」で検討したと同様の理由により、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
・訂正事項２４−４について
　訂正事項２４−４は、「加熱処理された」を「熱処理された」と訂正するものであるが、これは、当該請求項に記載された「単結晶シリコンウエハを、後の熱処理工程におけるウエハ中の酸素の析出挙動に影響を与えるように熱処理することを含むシリコンウエハの製造方法」の部分の「熱処理する」と表現を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　以上のとおりであるから、訂正事項２４は、全体として、明りょうでない記載の釈明を目的とし、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−２５）訂正事項２５について
　訂正事項２５は、請求項の番号及び引用する請求項の番号を繰り上げる（訂正事項２５−１）とともに、「該加熱処理」を「該熱処理」と訂正する（訂正事項２５−２）ものである。
　訂正事項２５−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項２５−２は、「該加熱処理」が、当該請求項が引用する訂正前の請求項５０（訂正後の請求項４９）に記載された「熱処理」を受けているのは明らかであり、これと表現を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−２６）訂正事項２６について
　訂正事項２６は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、各々の請求項の番号及び各々の請求項が引用する請求項の番号を繰り上げるように変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２−２７）訂正事項２７について
　訂正事項２７は、請求項の番号及び引用する請求項の番号を繰り上げる（訂正事項２７−１）とともに、「該加熱処理」を「該熱処理」と訂正する（訂正事項２７−２）ものである。
　訂正事項２７−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項２７−２は、「該加熱処理」が、当該請求項が引用する訂正前の請求項５０（訂正後の請求項４９）に記載された「熱処理」を受けているのは明らかであり、これと表現を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−２８）訂正事項２８について
　訂正事項２８は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、各々の請求項の番号及び各々の請求項が引用する請求項の番号を繰り上げるように変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２−２９）訂正事項２９について
　訂正事項２９は、請求項の番号及び引用する請求項の番号を繰り上げる（訂正事項２９−１）とともに、「加熱処理」を「熱処理」と訂正する（訂正事項２９−２）ものである。
　訂正事項２９−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項２９−２は、当該請求項が引用する訂正前の請求項５６（訂正後の請求項５５）において、上記訂正事項２７−２により「該加熱処理」が「該熱処理」と訂正されたことに伴い、これと表現を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−３０）訂正事項３０について
　訂正事項３０は、
（ａ）請求項の番号を繰り上げること（訂正事項３０−１）、
（ｂ）「前表面と裏面の間の中央面」を「前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面」と訂正すること（訂正事項３０−２）、
（ｃ）「前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの領域を含んでなる表面層」を「前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層」と訂正すること（訂正事項３０−３）、及び、
（ｄ）「酸素析出加熱処理」を「酸素析出熱処理」と訂正すること（訂正事項３０−４）
に区分できるので、これらに分けて順次検討する。
・訂正事項３０−１について
　訂正事項３０−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
・訂正事項３０−２について
　訂正事項３０−２は、上記「訂正事項１−１について」で検討したと同様の理由により、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
・訂正事項３０−３について
　訂正事項３０−３は、上記「訂正事項１−２について」で検討したと同様の理由により、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
・訂正事項３０−４について
　訂正事項３０−４は、「加熱処理」を「熱処理」と訂正するものであるが、これは、他の請求項で用いられている「熱処理」という用語と表現を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　以上のとおりであるから、訂正事項３０は、全体として、明りょうでない記載の釈明を目的とし、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−３１）訂正事項３１について
　訂正事項３１は、
（ａ）請求項の番号を繰り上げること（訂正事項３１−１）、
（ｂ）「前表面と裏面の間の中央面」を「前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面」と訂正すること（訂正事項３１−２）、
（ｃ）「前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの領域を含んでなる表面層」を「前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層」と訂正すること（訂正事項３１−３）、
（ｄ）「結晶空格子点の非均一分布を有しているバルク層を有する単結晶シリコンウエハであって、酸素析出加熱処理に付した場合に、デニューデッドゾーンが表面層中に形成され、酸素析出物がバルク層中に形成され、ウエハ中でのデニューデッドゾーンの形成および酸素析出物の形成は、ウエハのこれら領域中の酸素濃度の差に依存しない」を、
　「結晶空格子点の非均一分布を有しているバルク層を有する単結晶シリコンウエハであって、
　該結晶空格子点の非均一分布は、酸素析出熱処理に付した場合に、デニューデッドゾーンが表面層中に形成され、酸素析出物がバルク層中に形成され、ウエハ中でのデニューデッドゾーンの形成および酸素析出物の形成は、ウエハのこれら領域中の酸素濃度の差に依存しないという非均一分布となっており、」と訂正すること（訂正事項３１−４）、及び、
（ｅ）「中央面から、ウエハの前表面から３μｍの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも５０％である」という事項を追加するように訂正すること（訂正事項３１−５）
に区分できるので、これらに分けて順次検討する。
・訂正事項３１−１について
　訂正事項３１−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
・訂正事項３１−２について
　訂正事項３１−２は、上記「訂正事項１−１について」で検討したと同様の理由により、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
・訂正事項３１−３について
　訂正事項３１−３は、上記「訂正事項１−２について」で検討したと同様の理由により、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
・訂正事項３１−４について
　訂正事項３１−４は、「結晶空格子点の非均一分布を有しているバルク層を有する単結晶シリコンウエハ」を「酸素析出加熱処理」するかのような表現であったものを、「酸素析出加熱処理に付した場合に、デニューデッドゾーンが表面層中に形成され、酸素析出物がバルク層中に形成され、ウエハ中でのデニューデッドゾーンの形成および酸素析出物の形成は、ウエハのこれら領域中の酸素濃度の差に依存しない」という事項が、「結晶空格子点の非均一分布」の技術的内容を規定するものであることを明確にするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　なお、訂正前の「酸素析出加熱処理」という用語を「酸素析出熱処理」に変更している点は、他の請求項で用いられている「熱処理」という表現との整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
・訂正事項３１−５について
　訂正事項３１−５は、上記「訂正事項１−３について」で検討したと同様の理由により、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　以上のとおりであるから、訂正事項３１は、全体として、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とし、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−３２）訂正事項３２について
　訂正事項３２は、請求項の番号及び引用する請求項の番号を繰り上げる（訂正事項３２−１）とともに、「ウエハ表面から１０μｍを越える距離にある」を「中央面から、ウエハの前表面から１０μｍの距離までの」と訂正する（訂正事項３２−２）ものである。
　訂正事項３２−１は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項３２−２は、上記「訂正事項１−３について」で「訂正前の請求項５」に関して検討したと同様の理由により、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−３３）訂正事項３３について
　訂正事項３３は、訂正事項２の請求項の削除に伴い、各々の請求項の番号及び各々の請求項が引用する請求項の番号を繰り上げるように変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２−３４）訂正事項３４について
　訂正事項３４は、請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（２−３５）訂正事項３５について
　訂正事項３５は、請求項の番号及び引用する請求項の番号を繰り上げる（訂正事項３５−１）とともに、「ウエハ表面から１５μｍを越える距離にある」を「中央面から、ウエハの前表面から１５μｍの距離までの」と訂正する（訂正事項３５−２）ものである。
　訂正事項３５−１は、訂正事項２及び訂正事項３４の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項３５−２は、上記「訂正事項１−３について」で「訂正前の請求項５」に関して検討したと同様の理由により、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−３６）訂正事項３６について
　訂正事項３６は、訂正事項３６は、請求項の番号及び引用する請求項の番号を繰り上げる（訂正事項３６−１）とともに、「ウエハ表面」を「ウエハの前表面」と訂正する（訂正事項３６−２）ものである。
　訂正事項３６−１は、訂正事項２及び訂正事項３４の請求項の削除に伴い、請求項の番号を変更するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項３６−２は、上記「訂正事項６について」で「訂正事項６−２」について検討したと同様の理由により、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２−３７）訂正事項３７について
　訂正事項３７は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　なお、「雰囲気は、空格子点濃度の形成を抑制する充分な量のシリコン自己格子間原子を注入するのに不充分であるそのようなガスの分圧または酸化ガスの全不存在を有する。」という記載は、本件特許明細書第９頁第８行〜第１０行（特許公報第１４欄第２６行〜第２９行）の「急速な熱的アニール工程を行う雰囲気は、酸素、水蒸気および他の酸化ガスのかなり小さい分圧しか有しないことが好ましい。」という記載を、「すなわち、雰囲気は、空格子点濃度の形成を抑制する充分な量のシリコン自己格子間原子を注入するのに不充分であるそのようなガスの分圧または酸化ガスの全不存在を有する。」として言い換えているものであるから、「そのようなガスの分圧」が「酸化ガスのかなり小さい分圧」、すなわち、「低い酸化ガスの分圧」を意味していることは明らかである。
　
３．訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立についての判断
　
１．本件発明
　上記第２　３．で示したように上記訂正は認められるから、本件の請求項１ないし６８に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明６８」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし６８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　一方はウエハの前表面であり、他方はウエハの裏面である平行な２つの主表面、前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面、前表面と裏面とをつなぐ周縁部、前表面と、前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層、および中央面と第１領域との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層を有する単結晶シリコンウエハであって、
　ウエハは、バルク層中の空格子点濃度が表面層中の空格子点濃度よりも高く、空格子点が空格子点ピーク密度は中央面上にある濃度分布を有し、該濃度がピーク密度位置からウエハの前表面の方向に減少するという結晶空格子点の非均一分布を有しており、
　中央面から、ウエハの前表面から３μmの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも５０％であることを特徴とする単結晶シリコンウエハ。
【請求項２】　Ｄ１は少なくとも２０μmである請求項１に記載のウエハ。
【請求項３】　Ｄ１は少なくとも５０μmである請求項１に記載のウエハ。
【請求項４】　Ｄ１は３０〜１００μmである請求項１に記載のウエハ。
【請求項５】　中央面から、ウエハの前表面から１０μmの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも８０％である請求項１に記載のウエハ。
【請求項６】　Ｄ１は少なくとも２０μmである請求項５に記載のウエハ。
【請求項７】　Ｄ１は少なくとも５０μmである請求項５に記載のウエハ。
【請求項８】　Ｄ１は３０〜１００μmである請求項５に記載のウエハ。
【請求項９】　中央面から、ウエハの前表面から１５μmの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも９０％である請求項１に記載のウエハ。
【請求項１０】　ウエハの前表面上にエピタキシャル層をさらに有する請求項１に記載のウエハ。
【請求項１１】　一方はウエハの前表面であり、他方はウエハの裏面である平行な２つの主表面、前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面、前表面と裏面とをつなぐ周縁部、前表面から中央面の方向で測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１までにあるウエハの領域を含んでなり、格子間酸素を含むデニューデッドゾーンを有する単結晶シリコンウエハであって、
　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも７５％である単結晶シリコンウエハ。
【請求項１２】　Ｄ１は少なくとも２０μmである請求項１１に記載のウエハ。
【請求項１３】　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも８０％である請求項１２に記載のウエハ。
【請求項１４】　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも９０％である請求項１２に記載のウエハ。
【請求項１５】　Ｄ１は少なくとも５０μmである請求項１１に記載のウエハ。
【請求項１６】　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも８５％である請求項１５に記載のウエハ。
【請求項１７】　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも９５％である請求項１５に記載のウエハ。
【請求項１８】　Ｄ１は３０〜１００μmである請求項１１に記載のウエハ。
【請求項１９】　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも８５％である請求項１８に記載のウエハ。
【請求項２０】　ウエハの前表面上にエピタキシャル層をさらに有する請求項１１に記載のウエハ。
【請求項２１】　前表面、裏面、前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面、前表面と、前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層を有する単結晶シリコンウエハを、後の熱処理工程におけるウエハ中の酸素の析出挙動に影響を与えるように熱処理することを含むシリコンウエハの製造方法であって、
　非窒化雰囲気中でウエハを熱処理して表面層およびバルク層中に結晶空格子点を形成する工程、
　熱処理されたウエハの冷却速度を少なくとも５℃／秒に制御して、空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度はピーク密度位置からウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、バルク層中の酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する工程
を含んでなる方法。
【請求項２２】　該熱処理は、酸素含有雰囲気中で１１７５℃を超える温度において、５０００ppma未満の酸素分圧下、６０秒未満の時間、ウエハを加熱することからなる請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも５０℃／秒である請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも１００℃／秒である請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】　該熱処理は、酸素分圧が５０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも５０℃／秒である請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも１００℃／秒である請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】　該熱処理は、酸素分圧が１０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１１７５℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項２１に記載の方法。
【請求項３１】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも５０℃／秒である請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも１００℃／秒である請求項３０に記載の方法。
【請求項３４】　該熱処理は、酸素分圧が１０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項２１に記載の方法。
【請求項３５】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも５０℃／秒である請求項３４に記載の方法。
【請求項３７】　該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも１００℃／秒である請求項３４に記載の方法。
【請求項３８】　前表面、裏面、前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面、前表面と、前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層を有する、チョクラルスキー法により成長された単結晶シリコンインゴットから切り出された単結晶シリコンウエハを、後の熱処理工程におけるウエハ中の酸素の析出挙動に影響を与えるように熱処理することを含むシリコンウエハの製造方法であって、
　ウエハを酸素含有雰囲気の存在下に加熱することにより、ウエハ前表面上に酸化物層を成長させる工程、
　酸化されたウエハを少なくとも１１５０℃の温度で熱処理して、表面層およびバルク層に結晶空格子点を形成する工程、
　９００℃未満の温度にウエハを冷却する工程、
を含み、
　前記ウエハを冷却する工程においては、前記熱処理されたウエハを加熱温度から900℃までの間での冷却速度を少なくとも5℃/秒に制御するように冷却して、
空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度は、ウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、バルク層中の酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する方法。
【請求項３９】　冷却速度は、少なくとも５０℃／秒である請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】　該熱処理は、酸素分圧が５０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】　該熱処理は、酸素分圧が１０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項３９に記載の方法。
【請求項４２】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項３９に記載の方法。
【請求項４３】　該雰囲気は主として窒素である請求項３９に記載の方法。
【請求項４４】　冷却速度は、少なくとも１００℃／秒である請求項３８に記載の方法。
【請求項４５】　該熱処理は、酸素分圧が５０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】　該熱処理は、酸素分圧が１０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１２００℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項４４に記載の方法。
【請求項４７】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項４４に記載の方法。
【請求項４８】　該雰囲気は主として窒素である請求項４４に記載の方法。
【請求項４９】　前表面、裏面、前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面、前表面と、前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層を有する、チョクラルスキー法により成長された単結晶シリコンインゴットから切り出された単結晶シリコンウエハを、後の熱処理工程におけるウエハ中の酸素の析出挙動に影響を与えるように熱処理することを含むシリコンウエハの製造方法であって、
　ウエハを酸素含有雰囲気中で加熱することにより、表面層およびバルク層に結晶空格子点を形成する工程、
　熱処理されたウエハの冷却速度を少なくとも５℃／秒に制御して、空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度は、ウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する工程
を含んでなる方法。
【請求項５０】　該熱処理は、酸素分圧が５０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１１７５℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】　雰囲気は主として窒素である請求項５０に記載の方法。
【請求項５３】　冷却速度は、少なくとも５０℃／秒である請求項５０に記載の方法。
【請求項５４】　冷却速度は、少なくとも１００℃／秒である請求項５０に記載の方法。
【請求項５５】　該熱処理は、酸素分圧が１０００ppma未満である酸素含有雰囲気中、１１７５℃を越える温度でウエハを加熱することからなる請求項４９に記載の方法。
【請求項５６】　該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】　雰囲気は主として窒素である請求項５５に記載の方法。
【請求項５８】　冷却速度は、少なくとも５０℃／秒である請求項５５に記載の方法。
【請求項５９】　冷却速度は、少なくとも１００℃／秒である請求項５５に記載の方法。
【請求項６０】　熱処理は、１２００℃を越える温度にウエハを加熱することを含む請求項５５に記載の方法。
【請求項６１】　デニューデッドゾーンを含む近表面領域および酸素析出物を含むバルク領域を有する単結晶シリコンウエハを製造する方法であって、
　前表面、裏面、前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面、前表面と裏面とをつなぐ周縁部、前表面と、前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層、および中央面と第１領域との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層を有し、バルク層中の空格子点濃度は、表面層中の空格子点濃度よりも高い不均一な結晶空格子点分布を持つ単結晶シリコンウエハを、少なくとも８００℃の温度でウエハをアニールする酸素析出熱処理に付す工程を含んでなる方法において、デニューデッドゾーンが表面層中に形成され、酸素析出物がバルク層中に形成され、ウエハ中でのデニューデッドゾーンの形成および酸素析出物の形成は、ウエハのこれら領域中の酸素濃度の差に依存しない方法。
【請求項６２】　前表面、裏面、前表面と裏面の間のほぼ等距離にある中央面、前表面と裏面とをつなぐ周縁部、前表面と、前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの第１領域を含んでなる表面層、および中央面と第１領域との間にあるウエハの第２領域を含んでなり、バルク層中の空格子点濃度が表面層中の空格子点濃度よりも高い結晶空格子点の非均一分布を有しているバルク層を有する単結晶シリコンウエハであって、
　該結晶空格子点の非均一分布は、酸素析出熱処理に付した場合に、デニューデッドゾーンが表面層中に形成され、酸素析出物がバルク層中に形成され、ウエハ中でのデニューデッドゾーンの形成および酸素析出物の形成は、ウエハのこれら領域中の酸素濃度の差に依存しないという非均一分布となっており、
　中央面から、ウエハの前表面から３μmの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも５０％である単結晶シリコンウエハ。
【請求項６３】　中央面から、ウエハの前表面から１０μmの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも８０％である請求項６２に記載のウエハ。
【請求項６４】　Ｄ１は少なくとも２０μmである請求項６２または６３に記載のウエハ。
【請求項６５】　Ｄ１は少なくとも５０μmである請求項６２または６３に記載のウエハ。
【請求項６６】　Ｄ１は３０〜１００μmである請求項６２または６３に記載のウエハ。
【請求項６７】　中央面から、ウエハの前表面から１５μmの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも９０％である請求項６２に記載のウエハ。
【請求項６８】　ウエハの前表面上にエピタキシャル層をさらに有する請求項６２に記載のウエハ。」
　
２．特許異議申立の理由及び取消理由の概要
（１）特許異議申立の理由
　特許異議申立人三菱住友シリコン株式会社は、証拠として、本件の優先日前に頒布された刊行物である、
甲第１号証：特開平２−３２５３５号公報
甲第２号証：特公平３−９０７８号公報
甲第３号証：特開平４−２９４５４０号公報
甲第４号証：特開平３−１８５８３１号公報
甲第５号証：特開昭５９−１１９８４２号公報
甲第６号証：特開平７−２０１８７４号公報
甲第７号証：伊東芳子ら、「熱処理におけるシリコン中酸素濃度分布の変化」、電子通信学会技術研究報告、Vol．８１、No．２５１、ＳＳＤ８１−１２１、（1982-2-19）、pp.47-54
甲第８号証：R.S.Hockett et al., OXYGEN AND CARBON DEFECT　CHARACTERIZATION IN SILICON BY SIMS, MATERIALS RESEARCH SOCIETY　SYMPOSIA PROCEEDINGS, Vol.59, Ed. J.C.Mikkelsen, Jr. et. al., Dec. 2-5, 1985, Boston, (1985-12), pp.433-438
を提出して、（ａ）訂正前の本件請求項１ないし１０、２２及び３９に係る発明は甲第１ないし３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、訂正前の本件請求項１１、２１及び７０に係る発明は甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、訂正前の本件請求項１２及び６４ないし６９に係る発明は甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、訂正前の本件請求項１３ないし２０に係る発明は甲第１及び３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、訂正前の本件請求項２４、２８、３２、３６、４３、４８、５２及び５７に係る発明は甲第１、３及び６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、訂正前の本件請求項２３、２７、３１、３５、４１、４２、４６、４７、５１及び５６に係る発明は甲第６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、訂正前の本件請求項２５、２６、２９、３０、３３、３４、３７、３８、４０、４５、５４、５５、５９、６０及び６１に係る発明は甲第１及び２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、訂正前の本件請求項４４、４９、５３及び５８に係る発明は甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、訂正前の本件請求項５０に係る発明は甲第１、２、３及び６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、訂正前の本件請求項６２及び６３に係る発明は甲第１、３及び５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、訂正前の本件請求項１ないし７０に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである旨（異議理由１）の主張をし、また、（ｂ）甲第７及び８号証を参照しながら、訂正前の本件請求項１ないし１０、１２ないし２０、２３、２７、３１、３５、４１、４２、４６、４７、５１、５６及び６２ないし６９に係る発明は、明確に記載されていないか、又は、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、当業者がその発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていないから、これらの請求項に係る発明についての特許は、特許法第３６条第４項又は第６項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである旨（異議理由２）の主張をしている。
　
（２）取消理由の概要
　当審で通知した取消理由の概要は以下のとおりである。
「理由Ａ
（１）本件発明
　本件の請求項１乃至７０に係る発明は、それぞれ本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至７０に記載されたとおりのものである。
　
（２）刊行物記載の発明
１．刊行物１（甲第１号証）　：特開平２−３２５３５号公報
２．刊行物２（甲第２号証）　：特公平３−９０７８号公報
３．刊行物３（甲第３号証）　：特開平４−２９４５４０号公報
４．刊行物４（甲第４号証）　：特開平３−１８５８３１号公報
５．刊行物５（甲第５号証）　：特開昭５９−１１９８４２号公報
６．刊行物６（甲第６号証）　：特開平７−２０１８７４号公報
７．刊行物７（甲第７号証）　：伊東芳子等「熱処理におけるシリコン中酸素濃度分布の変化」、電子通信学会技術研究報告、Vol．８１、No．２５１、ＳＳＤ８１−１２１，（1982-2-19），pp.47-54
８．刊行物８（甲第８号証）　：R.S.Hockett et al. OXYGEN AND CARBON DEFECT CHARACTERIZATION IN SILICON BY SIMS, MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS Vol.59, Ed. J.C.Mikkelsen,Jr. et. al.,Dec. 2-5,1985,Boston,(1985-12),pp.433-438
　
　上記刊行物１〜８には、それぞれ、特許異議申立人三菱住友シリコン株式会社が提出した特許異議申立書の「４．申立の理由（４）具体的理由（本件特許を取り消すべき理由）イ．根拠の説明」の欄（第２６頁最下行より第４行〜第３０頁第１０行）に記載乃至は開示されていると主張された事項が記載乃至は開示されている（ただし、「甲第１号証」〜「甲第８号証」はそれぞれ「刊行物１」〜「刊行物８」と読み替える。）。
　
（３）対比・判断
　本件請求項１〜７０に係る発明は、特許異議申立人三菱住友シリコン株式会社が提出した特許異議申立書の「４．申立の理由（４）具体的理由（本件特許を取り消すべき理由）ウ．本件特許発明と証拠に記載された発明との対比」の欄（第３０頁第１１行〜第５４頁最下行より第５行）に記載された理由（ただし、「甲第１号証」〜「甲第８号証」はそれぞれ「刊行物１」〜「刊行物８」と読み替える。）により、その出願前に頒布された上記刊行物１〜刊行物８に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本件請求項１〜７０に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１〜７０に係る発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものである。 
　
理由Ｂ
　本件特許は明細書の記載が下記の点で不備であるため、特許法第３６条第４項又は第６項に規定する要件を満たしていない出願についてなされたものである。
　
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
（１）本件特許は、明細書及び図面の記載が、特許異議申立人三菱住友シリコン株式会社が提出した特許異議申立書の「４．申立の理由（４）具体的理由（本件特許を取り消すべき理由）エ．記載不備の理由」の欄（第５４頁最下行より第４行〜第６０頁第７行）に記載された理由により不備と認められ、特許法第３６条第４項又は第６項に規定する要件を満たしていない。」
　
３．各刊行物の記載事項
（１）刊行物１：特開平２−３２５３５号公報（特許異議申立人の提出した甲第１号証）
　刊行物１には、第２図とともに、以下の事項が記載されている。
「この発明は、半導体デバイス用シリコン基板にキセノンランプ又はハロゲンランプによる光を照射して1200℃以上に加熱した後、常温まで 2.2℃／sec 以上の速度で急冷することにある。
　この発明は、シリコン基板をデバイス製造工程以前において、前記のごとく熱処理を施すことにより、デバイス製造工程でシリコン基板間及びシリコン基板面内均一に内部欠陥を形成する性質を付与することにある。
　前記熱処理により、シリコン基板の格子間酸素が外方拡散し表面近傍の格子間酸素濃度が減少する。又、シリコン単結晶育成時に導入される内部欠陥の発生核は温度に依存する臨界サイズにより、その成長、消滅が左右されるため、当該シリコン基板の内部欠陥発生核は、そのほとんどが減少、消滅する。加えて、格子間シリコン原子は拡散によりその濃度が減少し、当該シリコン基板は原子空孔濃度が高くなる。
　前記熱処理における加熱温度は、1200℃未満では格子間酸素の外方拡散及び内部欠陥発生核の消滅に要する時間が長くなる。
　又、加熱後は外気に触れる等の手段により常温まで急冷するが、この急冷処理により冷却中における新たな内部欠陥の発生核の導入が抑制される。さらに高濃度の原子空孔は当該シリコン基板内に均一に分布した状態で凍結される。
　又、加熱方法としてキセノンランプ又はハロゲンランプを使用するのは、拡散炉に比べより高温に加熱することができ、さらに昇温速度が大きく加熱時間を短縮できるためである。なお、この光ランプによる加熱は高純度窒素ガス等の不活性ガス雰囲気で行うことが望ましい。その理由は、格子間酸素の外方拡散を増し、又加熱中の雰囲気による汚染を少なくすることにある。
　なお、内部欠陥の発生密度はシリコン基板の加熱温度及び急冷速度等の処理条件により制御することができる。
　　　　　　　　　作　　　用
　この発明の実施により熱処理されたシリコン基板は、シリコン単結晶育成時に導入された不均一な内部欠陥発生核は、そのほとんどが消滅し、新たな高濃度の均一に分布する原子空孔により、シリコン基板はデバイス製造工程中均一に内部欠陥が発生する。そして、表面近傍のデバイス活性領域は、格子間酸素濃度が減少しているため内部欠陥の発生は皆無となり、いわゆる無欠陥領域（ＤＺ層）が形成される。」（第２頁左上欄第５行〜同頁左下欄第１１行）
「前記実施例による試料と共に比較のため、前記シリコン基板のままの試料を採り1000℃で16hr熱酸化後、選択エッチング液（ライト液）で 5分間処理して内部欠陥を調べた。その結果を第２図に示す。そのＡ図はこの発明の実施によるシリコン基板であり、内部欠陥は表面近傍には皆無であり、内部のみに均一に発生し、その平均密度は105 個/cm2であった。一方Ｂ図は従来の熱処理を施さない場合のシリコン基板であり、内部欠陥は基板外周に高密度で発生しており、その平均密度は104 個/cm2で全体に不均一に発生していた。」（第２頁右下欄第１４行〜第３頁左上欄第４行）
　
（２）刊行物２：特公平３−９０７８号公報（特許異議申立人の提出した甲第２号証）
　刊行物２には、以下の事項が記載されている。
「１　高温において熱平衡的に存在する点欠陥を低温において過飽和に含有することを特徴とするゲツタリング用結晶欠陥層となる析出核の形成速度が速いシリコン単結晶ウエハ。
２　シリコン単結晶ウエハの内部でゲツタリング効果を有する結晶欠陥層となる析出核を形成するための低温熱処理を施すに先だつて、シリコン単結晶ウエハに、1100〜1280℃の範囲内の温度に加熱後、少なくとも500℃以下の温度まで200℃／min以上の冷却速度で急冷の熱処理を施すことを特徴とするゲツタリング用結晶欠陥層となる析出核の形成速度が速いシリコン単結晶ウエハの製造法。」（特許請求の範囲）
「〔従来の技術〕
　一般に、デバイスプロセスにおいて、表面部に結晶の無欠陥層が形成され、一方内部にはゲツタリング効果を有する結晶欠陥層が形成されたシリコン単結晶ウエハを得るためには、これに先だつて、前記ウエハには、例えば、500〜900℃の範囲内の温度に、10〜50時間保持後、徐冷の条件での低温熱処理、並びに1050〜1250℃の範囲内の所定温度に４〜６時間保持後、徐冷の条件での高温熱処理が施され、前者の低温熱処理は、結晶欠陥層となる析出核形成のためのものであり、また後者の高温熱処理は、ウエハ表面近傍の格子間酸素または析出核を外方に拡散して無欠陥層を形成するためのものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
　しかし、上記のように結晶欠陥層となる析出核形成のための低温熱処理は、その所要時間が10〜50時間ときわめて長く、操業上問題があるものであつた。
〔問題点を解決するための手段〕
　そこで、本発明者等は、上述のような観点から、析出核形成のための低温熱処理時間の短縮化をはかるべく研究を行なつた結果、シリコン単結晶ウエハには、点欠陥、すなわちSi原子が格子間に侵入した格子間型点欠陥と、格子を形成するSi原子が欠除した空孔型点欠陥が存在し、この点欠陥は熱平衡的に存在するもので、例えば1200℃では、格子間型点欠陥：１×1017個／cm3、
　空孔型点欠陥：１×1015個／cm3　
また、600℃では、
　格子型点欠陥：１×1016個／cm3、
　空孔型点欠陥：１×105個／cm3、
存在するが、この点欠陥が析出核の形成促進に著しく寄与し、したがつて、前記ウエハを急冷することにより高温において熱平衡的に相対的に多量存在する点欠陥を低温で過飽和に多量存在するようにし、この状態のウエハに上記の析出核形成低温熱処理を施すと、前記の多量の過飽和点欠陥が核となつて析出核の形成が促進されるようになり、この結果熱処理時間の著しい短縮化が可能となるという知見を得たのである。
　この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであつて、シリコン単結晶ウエハの内部でゲツタリング効果を有する結晶欠陥層となる析出核を形成するための低温熱処理を施すに先だつて、シリコン単結晶ウエハに、1100〜1280℃の範囲内の温度に加熱後、少なくとも500℃以下の温度まで200℃／min以上の冷却速度で急冷の熱処理を施すことによつて、高温において熱平衡的に存在する点欠陥を低温において過飽和に含有する、すなわちゲツタリング用結晶欠陥層となる析出核の形成速度が速いシリコン単結晶ウエハを製造することに特徴を有するものである。」（第２欄第３行〜第３欄第３３行）
「この発明の過飽和点欠陥の存在するシリコン単結晶ウエハは、これの存在しないシリコン単結晶ウエハに比して、デバイスプロセスで結晶欠陥層となる析出核の形成速度が著しく速いので、従来長時間を要していた析出核形成のための低温熱処理時間を著しく短縮することを可能とするものであり、操業上有用な効果をもたらすものである。」（第６欄第２９行〜第３６行）
　
（３）刊行物３：特開平４−２９４５４０号公報（特許異議申立人の提出した甲第３号証）
　刊行物３には、以下の事項が記載されている。
「【請求項２】　チョクラルスキー法により製造されたシリコン半導体結晶から加工されたシリコン基板の表面に絶縁誘電体膜用のシリコン酸化膜を形成する半導体の製造方法において、該シリコン酸化膜を形成する処理の前に、該シリコン基板の表面に５オングストローム以上２０オングストローム以下の膜厚を有する酸化膜を形成し、不活性ガス雰囲気中で、熱処理温度Ｔが１０５０℃以上１３５０℃以下の範囲で、
【数１】
ｔｃ（ｈ）＝ｅｘｐ〔１０５０−Ｔ（℃）／１３０〕
で表せる時間ｔｃ以上の熱処理を施すことを特徴とする半導体の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項２）
「不活性ガス雰囲気中で１０５０℃以上の高温にＣＺシリコンウェハを保持すると、格子間酸素原子は外方拡散してウェハの表面から雰囲気ガス中に放出され、またシリコン原子空孔も外方拡散してウェハ表面では消滅し、ウェハ中ではそれぞれの濃度が低下する。ウェハ内の格子間酸素原子とシリコン原子空孔の濃度は表面から下がり始める。シリコン原子空孔の拡散定数は格子間酸素原子のそれよりも大きいので、早く平衡濃度に達する。」（００１３段落）
「ウエハの表面にシリコン酸化膜があると、格子間酸素原子の外方拡散の障害となるので、許容されるシリコン酸化膜の厚さには限度がある・・・５オングストローム未満では安定成膜が難しく、２０オングストローム超では格子間酸素の外方拡散が困難となる。」（００１８段落）
　
（４）刊行物４：特開平３−１８５８３１号公報（特許異議申立人の提出した甲第４号証）
　刊行物４には、第１図とともに、以下の事項が記載されている。
「［実施例１］
　酸素濃度14.0×1017atoms/cc［Old ASTM規格による］の鏡面シリコンウェーハを、第一の温度域(600℃)で４時間保持した後、第二の温度域(800℃)まで、0.5℃/分で昇温して、昇温後２時間保持した。さらに、上記条件で熱処理した鏡面ウェーハの上に５μmの厚さでシリコンエピタキシャル層を常法により成長させた。
　こうして処理を終えたシリコンウェーハを、1000℃で16時間熱処理し、劈開して欠陥の観察を行なった。
　第１図は、この劈開面の拡大図である。第１図からも明らかなように、本実施例によるものは、エピタキシャル層の下、シリコン基板本体表層にも、無欠陥層が10〜30μm、制御よく形成され、さらに基板内部には、ゲッタ効果を発揮する結晶欠陥が充分に作られている。」（第２頁右下欄第４行〜第３頁左上欄第１行）
　
（５）刊行物５：特開昭５９−１１９８４２号公報（特許異議申立人の提出した甲第５号証）
　刊行物５には、第１図、第２図、第４図〜第６図とともに、以下の事項が記載されている。
「本発明は半導体装置の製造方法に関する。詳しくは、イントリンシックゲッタリング方法（以下、ＩＧ方法という。）にもとづいてシリコン（Si）ウェーハ表面にデニューデッドゾーンを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、使用されるシリコン（Si）ウェーハに含まれる酸素（Ｏ）及びその析出物が、如何なる濃度分布を示していても、イントリンシックゲッタリング効果が有効に機能するようにする工程を含む半導体装置の製造方法に関する。」（第１頁左下欄第１９行〜同頁右下欄第８行）
「シリコン（Si）ウェーハの表層にデニューデッドゾーンを形成する方法が開発された。この方法は、ウェーハ内に酸素原子（Ｏ）に起因して形成された結晶欠陥が、ウェーハ表面の有害不純物や欠陥を吸着し、消滅させるという効果、いわゆる、イントリンシックゲッタリング効果（以下、ＩＧ効果という。）を利用したものでＩＧ方法と呼ばれており、一般に1,000℃程度以上の高温熱処理工程をもってウェーハ表面の酸素原子（Ｏ）をアウトディフュージョンさせるとともにウェーハ内部にのみ結晶欠陥を形成する。・・・
　ところで、このＩＧ方法が有効であるためには、ウェーハ内部に高密度の結晶欠陥を確実に発生させることが必須である。しかしながら、この高密度の結晶欠陥は、・・・シリコン（Si）結晶中の酸素原子（Ｏ）及びその析出物（SiOx）の分布と密接な関係があるため、従来技術において、必ずしも所望の結晶欠陥を発生させることができない場合があった。例えば、いわゆるスワールデフェクト（Swirl defect）に起因する場合である。スワールデフェクトとはＣＺ法を使用してシリコン（Si）単結晶を製造した場合酸素（Ｏ）濃度の濃淡領域が引き上げ方向から視た状態で渦巻き状に発生することをいう。引き上げ方向に直交する方向から視た状態においてはこの酸素（Ｏ）濃度の濃淡の縞は第１図の如くなり、斜線で示された領域１が酸素原子（Ｏ）及びその析出物を高濃度に含む領域である。第２図に、このウェーハに対してＩＧ方法にもとづく工程を行なった後のウェーハ断面を示す。２はＩＧ方法にもとづく工程により結晶欠陥が集中して形成された領域であり、２´は結晶欠陥が形成されなかった領域であり、３はＩＧ方法にもとづく工程によりデニューデッドゾーン（無欠陥層）が形成される領域である。ただ、従来技術にあっては、本来結晶欠陥が形成されるべき領域のうち、領域２´には欠陥が形成されず、図において領域ＡではＩＧ効果が有効であるが、領域ＢではＩＧ効果が有効でない・・・」（第２頁左上欄第１３行〜同頁左下欄第１６行）
「本発明の発明者らは、ＩＧ処理以前のシリコン（Si）ウェーハに何らかの手段を講じて酸素原子（Ｏ）の濃度分布を均一な状態となせば上記の欠点を解消しうるとの着想を得て、・・・ＩＧ処理に先立ち、シリコン（Si）ウェーハに対し第１の工程として、窒素（N2）ガス等、不活性ガス中において、1,300〜1,400℃の温度をもって熱処理を施したのち、第２の工程として、上記の高温から300℃程度以下の低温まで20℃／min以上の冷却速度をもって急冷すると、続くＩＧ処理後にウェーハ内部には均一で高密度の結晶欠陥が発生しうること、すなわち、結果として、ＩＧ効果が有効に作用しうることを見い出して本発明を完成した。」（第３頁左上欄第１０行〜同頁右上欄第４行）
「第４図参照
　このシリコン（Si）ウェーハに対し、第１の工程として窒素（N2）雰囲気中1,300℃において１時間熱処理を実行したのち、第２の工程として、上記の状態、すなわち、窒素（N2）雰囲気中1,300℃に加熱された状態から100℃／min程度の冷却速度で300℃程度まで空気中にとり出して急冷する。これらの工程終了後のウェーハ断面を観察した結果、領域12（破線により斜線が施こされ破線により囲まれた領域）に酸素原子（Ｏ）が均一に分散されかつ析出物（SiOx）が消滅していることがわかった。・・・また、図において13は、上記の熱処理工程により、酸素原子（Ｏ）がアウトディフュージョンして形成された外拡散層であり、表面からの深さは40〔μｍ〕程度である。
　・・・
第５図参照
　更に、第３の工程として、上記のシリコン（Si）ウェーハ表層に形成された厚さ40〔μｍ〕程度の外拡散層13をフッ化水素酸（ＨＦ）とリン酸（Ｈ3ＰＯ4）との混合液でバブルエッチすることにより除去したのち、その表面を機械的手段を用いて鏡面となす。この工程は、続くＩＧ処理工程における無欠陥層幅の制御に極めて有効である。
　上記の第１、第２及び第３の工程終了後、ウェーハに対して通常のＩＧ処理（当初窒素中700℃において24時間アニールし、その後1,100℃４時間においてアニールして続行する。・・・）を行なった後のウェーハ断面図を第６図に示す。図において、14はウェーハの表層に形成された無欠陥層であり、15は酸素原子（Ｏ）に起因してウェーハ内部に発生した結晶欠陥等よりなる欠陥層である。」（第３頁右下欄第２行〜第４頁右上欄第２行）
　
（６）刊行物６：特開平７−２０１８７４号公報（特許異議申立人の提出した甲第６号証）
　刊行物６には、以下の事項が記載されている。
「【請求項１】　シリコン基板を１１００℃以上の温度で熱処理を行って酸素の外方拡散および空孔の埋め合わせを行うシリコン基板の製造方法であって、雰囲気を入炉から出炉まで通して酸化性雰囲気とし、かつ少なくとも前半の酸素の外方拡散が支配的な段階においては酸素分圧比を熱処理温度に応じて求められた最大酸素分圧比ＶOmax以下に設定して熱処理を行うことを特徴とするシリコン基板の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
「【従来の技術】近年、半導体素子は集積度が高くなるにつれてシリコン基板表面近傍の結晶を無欠陥層（denuded zone）とすることが必要となってきている。チョコラルスキー法によって引き上げられたシリコン基板中には、格子間酸素、微小欠陥を含み、そのままでは、満足すべき半導体素子の電気特性を得ることができないため、シリコン基板に熱処理を施し、格子間酸素、微小欠陥を外方拡散させ、シリコン基板表面を無欠陥化することが行われているのである。」（０００２段落）
「従来方法では、シリコン基板内の格子間酸素の外方拡散には効果があるが、高温熱処理時にシリコン基板に発生する空孔が、シリコン基板表面上に形成された酸化膜によってブロックされ、外方拡散することがなく、かつこの空孔を埋めるようなシリコン原子が供給されることがないため、シリコン基板表面近傍には空孔が残ってしまう問題がある。」（０００６段落）
「熱処理温度を１１００、１１４０、１２００℃、熱処理時間を２、４、６時間と変え、酸素および窒素からなる酸化性雰囲気中でシリコン基板に熱処理を施した。」（００１０段落）
「【００１６】以上から本発明の作用を次のようにまとめることができる。まず、本発明において、１１００℃以上の工程前半（約１時間）に酸素分圧比の制限を設けて、シリコン基板内部に存在する格子間酸素を外方拡散させやすくして熱処理を行う。これは、シリコン基板表面に作成されている酸化膜が薄いほど格子間酸素は外方拡散しやすいため、熱酸化膜の成長を抑制する必要があるからである。
【００１７】その後さらに熱処理を続けることにより、格子間酸素の外方拡散によって発生した空孔および最初から含まれていた空孔が埋められる。これは、酸化性雰囲気を保ちつつ熱処理を行って、シリコン基板表面に６０ｎｍ以上の酸化膜を成長させることによって達成される。酸化性雰囲気中での高温熱処理によって、シリコン基板（Ｓｉ）と酸素（Ｏ2 ）が反応しシリコン基板表面に酸化膜（ＳｉＯ2 ）が形成されるが、その際、ＳｉＯ2 はＳｉより占有体積が大きいため、余ったシリコン原子が格子位置から押出されシリコン基板内へ内方拡散し、空孔を埋める。シリコン基板表面に６０ｎｍ以上酸化膜を形成することにより、半導体素子電気特性に影響を与える空孔は、内方拡散するシリコン原子によって埋められる。これにより、シリコン基板表面近傍は無欠陥化され、ゲート酸化膜絶縁耐圧は改善され、半導体装置製造歩留りが向上する。」（００１６段落〜００１７段落）
「酸化性雰囲気中の酸素以外の気体については窒素に代え水素やアルゴン等他のものを使用することができる。」（００２５段落）
「【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、１１００℃以上の高温処理前半の期間（約１時間）に酸素分圧比を制限し、格子間酸素の外方拡散を円滑に行い、かつその後の熱処理を、シリコン基板内の空孔を十分に埋め合わせるまで継続しているので、シリコン基板表面近傍が無欠陥化され、ゲート酸化膜絶縁耐圧が改善され、半導体素子製造歩留りを向上させることができる。」（００２６段落）
　
（７）刊行物７：伊東芳子等「熱処理におけるシリコン中酸素濃度分布の変化」、電子通信学会技術研究報告、Vol．８１、No．２５１、ＳＳＤ８１−１２１，（1982-2-19），pp.47-54（特許異議申立人の提出した甲第７号証）
　刊行物７には、以下の事項が記載されている。
「シリコン中酸素の検出法としては、普通よく使われる方法として波長９μｍの格子間酸素による赤外吸収法（ＩＲ法）と低温熱処理によりドナー化してひろがり抵抗を測る方法（ＳＲ法）酸素起因の欠陥によるエッチピットの光学的観察等があげられる。　他にもX-rayによる格子定数の変化によりしらべる方法もある。　以上の方法はいずれも間接的に酸素を検出する方法であり、結晶に含まれる格子欠陥や他の不純物によってその測定値は大きく影響をうけるため正確な定量化は困難である。
　以上の方法と異なり直接酸素を検出定量する方法としてはイオンマイクロアナリシス（ＩＭＡ）と荷電粒子放射化分析法（ＣＰＡＡ）があげられる。　ＩＭＡでは最近、セシウムイオン源を用いて、酸素の１×1017atoms cm-3まで分析可能であると報告されているが、表面酸素の影響を受けやすい等の困難な測定上の問題を残している。　ＣＰＡＡによる酸素の検出は1015cm-3の感度をもち、また、表面酸素や他の不純物の影響をうけない直接的な測定法であり、シリコン中の酸素の検出には有効な方法であると考えられる。　ＣＰＡＡには18Ｏ（ｐ，ｎ）18Ｆ反応を用いる方法と16Ｏ（3He，ｐ）18Ｆ反応を用いる方法とがある。　前者を用いてＦＺシリコン中への酸素の拡散をしらべた報告はあるがこの反応の励起関数は複雑であり、バルク中の深さ方向に含まれる酸素を均一に放射化することはむづかしい。このため、分布をしらべる場合に困難な点が多い。　また、18Ｏを拡散源として用いる点でも一般的でなく、ＣＺ結晶中に含まれる酸素のOut-diffusionを測定することはできない。そのためには16Ｏを直接放射化する後者の反応を用いることが考えられるが、この反応を用いてシリコン中酸素の熱処理によるOut-diffusion profileをしらべた例はない。　それはこの反応のExcitation curveがエネルギーによって急激に変化するために深さ方向を均一に放射化することができないためである。　　我々は3Heビームのエネルギーを段階的に変化させて、深さ方向を均一に放射化できる装置を新しく作成し、これを用いてシリコン中20〜250μｍの酸素を均一に放射化し、深さ方向酸素分布を測定する方法を開発した。」（第４７頁左欄第１８行〜同頁右欄第３０行）
　
（８）刊行物８：R.S.Hockett et al., OXYGEN AND CARBON DEFECT CHARACTERIZATION IN SILICON BY SIMS, MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS Vol.59, Ed. J.C.Mikkelsen,Jr. et. al., Dec. 2-5, 1985, Boston,(1985-12), pp.433-438（特許異議申立人の提出した甲第８号証）
　刊行物８には、図１（Fig.1)とともに、以下の事項が記載されている。
「熱処理後のシリコン中の酸素と炭素の凝集がSIMSプロファイル法とSIMS画像化法で特性づけられ、このプロファイル中の酸素SIMS信号における変動がFTIRで測定された熱処理後の格子間酸素及びTEMで測定されたその析出物サイズにおける変化と相関する。」（第４３３頁第９行〜第１３行）
「熱処理による格子間酸素の変化量（Δ[Oi]）に対するSIMS［O］プロファイルが図１に示される。サンプルはすべて初期酸素濃度が14〜17ppmaのCZシリコンであり、シミュレートされたCMOS法で熱処理される。Δ[Oi]はこれら６つのサンプルで0.0から8.0ppmaに変化し、SIMSの酸素変動がΔ[Oi]と相関があることが図示される。
　窒素雰囲気中1050℃で24時間熱処理した後の広範囲の酸素析出物を示す２つの他のサンプルをエッチングし、SIMSプロファイル用とTEM解析用に供した。たとえ初期酸素濃度が各サンプルでほぼ同じ（15〜15.5ppma）であっても、１つのサンプルのΔ[Oi]は0.1ppmaであり、他のサンプルは9.9ppmaであった。」（第４３４頁第３２行〜第４４行）
　
４．取消理由の検討
　
（１）本件発明と刊行物に記載された発明との対比・判断（新規性及び進歩性について）
　
（１−１）本件発明１ないし１０について
　刊行物１には、半導体デバイス用シリコン基板（単結晶シリコンウエハ）であって、該シリコン基板に内部欠陥が形成されることになるデバイス製造工程より前の段階において、高濃度の均一に分布する原子空孔（結晶空格子）を有し、表面近傍の格子間酸素濃度が減少しているシリコン基板が記載されている。
　また、このシリコン基板に1000℃で16hrの熱酸化処理を施すと、高濃度の均一に分布する原子空孔により、シリコン基板に均一に内部欠陥が発生し、表面近傍のデバイス活性領域には、格子間酸素濃度が減少しているため内部欠陥の発生が皆無の、いわゆる無欠陥領域（ＤＺ層）が形成されることが記載されている。
　刊行物２には、シリコン単結晶ウエハ（単結晶シリコンウエハ）であって、該シリコン単結晶ウエハに結晶欠陥層が形成されることになるデバイスプロセスより前の段階において、格子間型点欠陥と空孔型点欠陥（結晶空格子）からなる点欠陥を過飽和に含有するシリコン単結晶ウエハが記載されている。
　また、このシリコン単結晶ウエハに対して、後のデバイスプロセスにおいて結晶欠陥層が形成されるように、低温熱処理を施して析出核を発生させるが、その際に、過飽和点欠陥が核となって析出核の形成が促進され、従来より熱処理時間が短縮されること、さらに、後のデバイスプロセスにおいて表層部には無欠陥層が形成されるように、引き続き高温熱処理を施して、ウエハ表面近傍の格子間酸素または析出核を外方拡散させることが記載されている。
　刊行物３には、ＣＺシリコンウェハ（単結晶シリコンウエハ）であって、ウェハ表面の格子間酸素原子及びシリコン原子空孔（結晶空格子）を外方拡散させて消滅させたＣＺシリコンウェハが記載され、この外方拡散の際、ウェハ内の格子間酸素原子及びシリコン原子空孔の濃度は表面から下がり始めて平衡濃度に達すること、シリコン原子空孔の拡散定数は格子間酸素原子の拡散定数よりも大きいので、早く平衡濃度に達することも記載されている。
　刊行物４には、鏡面シリコンウェーハ（単結晶シリコンウエハ）上にシリコンエピタキシャル層を形成したものにおいて、前記鏡面シリコンウェーハは、表層に無欠陥層が10〜30μm形成され、さらに内部には結晶欠陥が作られたものが記載されている。
　刊行物５には、シリコン（Si）ウェーハ（単結晶シリコンウエハ）であって、ＩＧ（イントリンシックゲッタリング）方法を施す前の段階において、ウェーハ内の酸素原子（Ｏ）が均一に分散しているシリコン（Si）ウェーハが記載され、さらに、40〜100 〔μｍ〕の深さまで酸素原子（Ｏ）がアウトディフージョンして形成された外拡散層をエッチング法等により除去して、酸素原子（Ｏ）の分散の均一性をより向上させることも記載されている。
　また、この酸素原子（Ｏ）が均一に分散しているシリコン（Si）ウェーハを、ＩＧ（イントリンシックゲッタリング）方法で処理して、ウェーハ表面の酸素原子（Ｏ）をアウトディフージョンさせるとともに、ウェーハ内部にのみ結晶欠陥を形成することが記載されている。
　刊行物６には、チョコラルスキー法によって引き上げられたシリコン基板（単結晶シリコンウエハ）であって、シリコン基板表面近傍の酸素（格子間酸素）を外方拡散させるとともに、シリコン原子をシリコン基板の表面側からシリコン基板内に内方拡散させて空孔（結晶空格子）を埋め合わせたシリコン基板が記載されている。そして、空孔（結晶空格子）は、シリコン基板の表面側からシリコン基板内に内方拡散させたシリコン原子により埋められるのであるから、シリコン基板中の空孔（結晶空格子）の濃度分布は、表面側ほど濃度が減少した、不均一分布になっているものと認められる。
　刊行物７及び８には、シリコン中の酸素濃度を測定する方法が記載されている。
　しかし、本件発明１の「単結晶シリコンウエハ」は、結晶空格子点及び格子間酸素に関し、「バルク層中の空格子点濃度が表面層中の空格子点濃度よりも高く、空格子点が空格子点ピーク密度は中央面上にある濃度分布を有し、該濃度がピーク密度位置からウエハの前表面の方向に減少するという結晶空格子点の非均一分布を有し」、かつ、「中央面から、ウエハの前表面から３μmの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも５０％である」ことを特徴とするものであるが、刊行物１ないし８には、上記の本件発明１を特定するために必要と認める事項については記載も示唆もされていない。
　さらに、上記の本件発明１を特定するために必要と認める事項が記載も示唆もされていない刊行物１ないし８に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、上記の本件発明１を特定するために必要と認める事項を特徴とする単結晶シリコンウエハを、当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　そして、本件発明１は、上記の構成により、「デニューデッドゾーンの形成が酸素の外方拡散に依存しない」という明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　よって、本件発明１は、刊行物１ないし８に記載された発明ではなく、刊行物１ないし８に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
　また、本件発明２ないし１０は、本件発明１の構成をさらに限定したものに相当するから、刊行物１ないし８に記載された発明ではなく、刊行物１ないし８に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
（１−２）本件発明１１ないし２０について
　刊行物１ないし８には、上記「（１−１）本件発明１ないし１０について」で示したとおりの事項が記載されている。
　しかし、本件発明１１の「単結晶シリコンウエハ」は、「前表面から中央面の方向で測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１までにあるウエハの領域を含んでなり」、「Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも７５％である」ことを特徴とするものであるが、刊行物１ないし８には、上記の本件発明１１を特定するために必要と認める事項については記載も示唆もされていない。　
　さらに、上記の本件発明１１を特定するために必要と認める事項が記載も示唆もされていない刊行物１ないし８に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、上記の本件発明１１を特定するために必要と認める事項を特徴とする単結晶シリコンウエハを、当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　そして、本件発明１１は、上記の構成により、「デニューデッドゾーンの形成が酸素の外方拡散に依存しない」という明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　よって、本件発明１１は、刊行物１ないし８に記載された発明ではなく、刊行物１ないし８に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
　また、本件発明１２ないし２０は、本件発明１１の構成をさらに限定したものに相当するから、刊行物１ないし８に記載された発明ではなく、刊行物１ないし８に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
（１−３）本件発明２１ないし３７について
　刊行物１には、半導体デバイス用シリコン基板（シリコンウエハ）を、1200℃以上に加熱した後、常温まで2.2℃／sec以上の温度で急冷することにより、高濃度の原子空孔（結晶空格子）を均一に分布させ、表面近傍の格子間酸素濃度を減少させるシリコン基板の製造方法が記載され、前記加熱は望ましくは窒素ガス等の不活性ガス雰囲気で行うことが記載されている。
　また、このシリコン基板には、デバイス製造工程において、高濃度の均一に分布する原子空孔により均一に内部欠陥が発生し、表面近傍のデバイス活性領域には、格子間酸素濃度が減少しているため内部欠陥の発生が皆無の、いわゆる無欠陥領域（ＤＺ層）が形成されることが記載されている。
　刊行物２には、シリコン単結晶ウエハ（シリコンウエハ）を、1100〜1280℃の範囲内の温度に加熱後、少なくとも500℃以下の温度まで200℃／min以上の冷却速度で急冷することにより、格子間型点欠陥と空孔型点欠陥（結晶空格子）からなる点欠陥を過飽和に含有させるシリコン単結晶ウエハの製造方法が記載されている。
　また、このシリコン単結晶ウエハに低温熱処理を施すと、過飽和点欠陥が核となって従来よりも短時間で析出核が形成され、さらに高温熱処理を施すと、ウエハ表面近傍の格子間酸素または析出核が外方拡散した状態になり、その後のデバイスプロセスにおいて、表面部には無欠陥層が、内部には結晶欠陥層が、それぞれ形成されることが記載されている。
　刊行物３には、ＣＺシリコンウェハ（シリコンウエハ）を、１０５０℃以上の高温に保持することにより、ウェハ表面の格子間酸素原子濃度及びシリコン原子空孔（結晶空格子）を外方拡散させて消滅させるＣＺシリコンウェハの製造方法が記載され、この外方拡散の際、ウェハ内の格子間酸素原子及びシリコン原子空孔の濃度は表面から下がり始めて平衡濃度に達すること、シリコン原子空孔の拡散定数は格子間酸素原子の拡散定数よりも大きいので、早く平衡濃度に達することも記載されている。
　刊行物４には、鏡面シリコンウェーハ（シリコンウエハ）上にシリコンエピタキシャル層を形成する半導体装置の製造方法が記載され、前記鏡面シリコンウェーハは、表層に無欠陥層が10〜30μｍ形成され、さらに内部には結晶欠陥が作られたものであることが記載されている。
　刊行物５には、シリコン（Si）ウェーハ（シリコンウエハ）に、窒素ガス等の不活性ガス中において、1,300〜1,400℃の温度をもって熱処理を施したのち、上記の高温から300℃程度以下の低温まで20℃／min以上の冷却速度をもって急冷することにより、ウェーハ内に酸素原子（Ｏ）を均一に分散させるシリコン（Si）ウェーハの製造方法が記載され、さらに、40〜100 〔μｍ〕の深さまで酸素原子（Ｏ）がアウトディフュージョンして形成された外拡散層をエッチング法等により除去して、酸素原子（Ｏ）の分散の均一性をより向上させることも記載されている。
　また、この酸素原子（Ｏ）が均一に分散しているシリコン（Si）ウェーハを、ＩＧ（イントリンシックゲッタリング）方法で処理して、ウェーハ表面の酸素原子（Ｏ）をアウトディフュージョンさせるとともに、ウェーハ内部にのみ結晶欠陥を形成することが記載されている。
　刊行物６には、チョコラルスキー法によって引き上げられたシリコン基板（シリコンウエハ）を、酸素分圧比を所定の値以下に制御した酸化性雰囲気中で１１００℃以上の温度で熱処理することにより、シリコン基板表面近傍の酸素（格子間酸素）を外方拡散させるとともに、シリコン原子をシリコン基板の表面側からシリコン基板内に内方拡散させて空孔（結晶空格子）を埋め合わせるシリコン基板の製造方法が記載されている。そして、空孔（結晶空格子）は、シリコン基板の表面側からシリコン基板内に内方拡散させたシリコン原子により埋められるのであるから、シリコン基板中の空孔（結晶空格子）の濃度分布は、表面側ほど濃度が減少した、不均一分布になっているものと認められる。
　刊行物７及び８には、シリコン中の酸素濃度を測定する方法が記載されている。
　しかし、本件発明２１の「シリコンウエハの製造方法」は、「熱処理されたウエハの冷却速度を少なくとも５℃／秒に制御して、空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度はピーク密度位置からウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、バルク層中の酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差である」ことを特徴とするものであるが、刊行物１ないし８には、上記の本件発明２１を特定するために必要と認める事項については記載も示唆もされていない。
　さらに、上記の本件発明２１を特定するために必要と認める事項が記載も示唆もされていない刊行物１ないし８に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、上記の本件発明２１を特定するために必要と認める事項を特徴とするシリコンウエハの製造方法を、当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　そして、本件発明２１は、上記の構成により、「デニューデッドゾーンの形成が酸素の外方拡散に依存しない」という明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　よって、本件発明２１は、刊行物１ないし８に記載された発明ではなく、刊行物１ないし８に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
　また、本件発明２２ないし３７は、本件発明２１の構成をさらに限定したものに相当するから、刊行物１ないし８に記載された発明ではなく、刊行物１ないし８に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
（１−４）本件発明３８ないし４８について
　刊行物１ないし８には、上記「（１−３）本件発明２１ないし３７について」で示したとおりの事項が記載されている。
　しかし、本件発明３８の「シリコンウエハの製造方法」は、「ウエハを冷却する工程においては、前記熱処理されたウエハを加熱温度から900℃までの間での冷却速度を少なくとも5℃/秒に制御するように冷却して、空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度は、ウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、バルク層中の酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差である」ことを特徴とするものであるが、刊行物１ないし８には、上記の本件発明３８を特定するために必要と認める事項については記載も示唆もされていない。
　さらに、上記の本件発明３８を特定するために必要と認める事項が記載も示唆もされていない刊行物１ないし８に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、上記の本件発明３８を特定するために必要と認める事項を特徴とするシリコンウエハの製造方法を、当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　そして、本件発明３８は、上記の構成により、「デニューデッドゾーンの形成が酸素の外方拡散に依存しない」という明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　よって、本件発明３８は、刊行物１ないし８に記載された発明ではなく、刊行物１ないし８に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
　また、本件発明３９ないし４８は、本件発明３８の構成をさらに限定したものに相当するから、刊行物１ないし８に記載された発明ではなく、刊行物１ないし８に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
（１−５）本件発明４９ないし６０について
　刊行物１ないし８には、上記「（１−３）本件発明２１ないし３７について」で示したとおりの事項が記載されている。
　しかし、本件発明４９の「シリコンウエハの製造方法」は、「熱処理されたウエハの冷却速度を少なくとも５℃／秒に制御して、空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度は、ウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差である」ことを特徴とするものであるが、刊行物１ないし８には、上記の本件発明４９を特定するために必要と認める事項については記載も示唆もされていない。
　さらに、上記の本件発明４９を特定するために必要と認める事項が記載も示唆もされていない刊行物１ないし８に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、上記の本件発明４９を特定するために必要と認める事項を特徴とするシリコンウエハの製造方法を、当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　そして、本件発明４９は、上記の構成により、「デニューデッドゾーンの形成が酸素の外方拡散に依存しない」という明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　よって、本件発明４９は、刊行物１ないし８に記載された発明ではなく、刊行物１ないし８に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
　また、本件発明５０ないし６０は、本件発明４９の構成をさらに限定したものに相当するから、刊行物１ないし８に記載された発明ではなく、刊行物１ないし８に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
（１−６）本件発明６１について
　刊行物１ないし８には、上記「（１−３）本件発明２１ないし３７について」で示したとおりの事項が記載されている。
　しかし、本件発明６１の「単結晶シリコンウエハを製造する方法」は、「バルク層中の空格子点濃度は、表面層中の空格子点濃度よりも高い不均一な結晶空格子点分布を持つ単結晶シリコンウエハを、少なくとも８００℃の温度でウエハをアニールする酸素析出熱処理に付す工程を含んでなる方法において、デニューデッドゾーンが表面層中に形成され、酸素析出物がバルク層中に形成され、ウエハ中でのデニューデッドゾーンの形成および酸素析出物の形成は、ウエハのこれら領域中の酸素濃度の差に依存しない」ことを特徴とするものであるが、刊行物１ないし８には、上記の本件発明６１を特定するために必要と認める事項については記載も示唆もされていない。
　さらに、上記の本件発明６１を特定するために必要と認める事項が記載も示唆もされていない刊行物１ないし８に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、上記の本件発明６１を特定するために必要と認める事項を特徴とする単結晶シリコンウエハを製造する方法を、当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　そして、本件発明６１は、上記の構成により、「デニューデッドゾーンの形成が酸素の外方拡散に依存しない」という明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　よって、本件発明６１は、刊行物１ないし８に記載された発明ではなく、刊行物１ないし８に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
（１−７）本件発明６２ないし６８について
　刊行物１ないし８には、上記「（１−１）本件発明１ないし１０について」で示したとおりの事項が記載されている。
　しかし、本件発明６２の「単結晶シリコンウエハ」は、結晶空格子点及び格子間酸素に関し、「結晶空格子点の非均一分布は、酸素析出熱処理に付した場合に、デニューデッドゾーンが表面層中に形成され、酸素析出物がバルク層中に形成され、ウエハ中でのデニューデッドゾーンの形成および酸素析出物の形成は、ウエハのこれら領域中の酸素濃度の差に依存しないという非均一分布となっており」、かつ、「中央面から、ウエハの前表面から３μmの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも５０％である」ことを特徴とするものであるが、刊行物１ないし８には、上記の本件発明６２を特定するために必要と認める事項については記載も示唆もされていない。
　さらに、上記の本件発明６２を特定するために必要と認める事項が記載も示唆もされていない刊行物１ないし８に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、上記の本件発明６２を特定するために必要と認める事項を特徴とする単結晶シリコンウエハを、当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　そして、本件発明６２は、上記の構成により、「デニューデッドゾーンの形成が酸素の外方拡散に依存しない」という明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　よって、本件発明６２は、刊行物１ないし８に記載された発明ではなく、刊行物１ないし８に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
　また、本件発明６３ないし６８は、本件発明６２の構成をさらに限定したものに相当するから、刊行物１ないし８に記載された発明ではなく、刊行物１ないし８に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
　以上のとおり、本件発明１ないし６８は、いずれも、刊行物１ないし８に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明１ないし６８についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではない。
　よって、異議申立人の異議理由１は理由のないものである。
　
（２）明細書の記載不備について
　
（２−１）「第１領域」について
　異議申立人は、訂正前の請求項１、６２及び６３に記載された「中央面と第１領域との間にあるウエハの第２領域」の部分における「第１領域」が、ウエハのどの部分を指しているのか不明である旨の主張をしているが、訂正前の当該請求項に対応する訂正後の請求項１、６１及び６２において、「第１領域」は「前表面から中央面に向かって測定して少なくとも１０μmの距離Ｄ１との間にあるウエハの第１領域」であることが明確になったので、上記の主張に関する記載不備は解消された。
　
（２−２）「格子間酸素の濃度」について
　異議申立人は、本件特許明細書には、格子間酸素の濃度の測定法について開示がなく、さらに、甲第７号証及び甲第８号証の記載を参照すれば、シリコンウエハ表面近傍の格子間酸素の深さ方向の濃度プロファイルを精密に測定することは不可能である旨の主張をしているが、ＳＩＭＳ法（二次イオン質量分析法）を用いれば、シリコンウエハ中の格子間酸素濃度プロファイルを測定できることは、当該技術分野において周知の技術的事項であり（必要であれば、ＵＣＳ半導体基盤技術研究会編、シリコンの科学、第１刷、１９９６年６月２８日、株式会社リアライズ社、ｐ．７４５−７４９を参照されたい。）、また、甲第７号証及び甲第８号証に、ＳＩＭＳ法によってはシリコンウエハ中の格子間酸素の濃度プロファイルの測定ができないことを裏付けるような記載を見いだすことはできない。
　
（２−３）「Ｄ１の定義」について
　異議申立人は、本件特許明細書には、「Ｄ１」の数値範囲の臨界的意義、及び、そのような数値範囲を得るための製造方法が開示されていない旨の主張をしているが、「Ｄ１」、すなわち、デニューデッドゾーン、あるいは、酸素析出熱処理によってデニューデッドゾーンが形成されることになる表面層の厚さは、当業者が必要に応じて適宜設定しうる事項であって、特に臨界的意義が求められるものではなく、また、「Ｄ１」の厚さが、結晶空格子の不均一分布を得るための製造条件（熱処理温度及びその雰囲気、冷却速度等）により制御できることは明らかである。
　
（２−４）「低酸素分圧の役割」について
　異議申立人は、本件特許明細書には、シリコンウエハを熱処理時する際に、酸素分圧を所定の値未満の低い分圧に抑えることの技術的意義が明らかにされていない旨の主張をしているが、訂正後の本件特許明細書の「すなわち、雰囲気は、空格子点濃度の形成を抑制するのに充分な量のシリコン自己格子間原子を注入させないよう、低い酸化ガスの分圧を有するか、あるいは酸化ガスが全く存在しない。」との記載から、酸素分圧を低く抑えることにより、空格子点を消滅させるシリコン自己格子間原子の注入を抑制して、所望の空格子点濃度プロファイルを得ていることは、明らかである。
　
　以上のとおり、本件発明１ないし６８の構成は明確であり、また、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明１ないし６８を実施できる程度に明確かつ十分に記載されているので、本件発明１ないし６８についての特許は、特許法第３６条第４項又は第６項の規定に違反してなされたものではない。
　よって、異議申立人の異議理由２は理由のないものである。
　
５．特許異議申立についての判断のむすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由及び取消理由によっては、本件発明１ないし６８についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１ないし６８についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１８年１月１０日（２００６．１．１０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
理想的な酸素析出シリコンウエハおよびそれのための酸素外方拡散の無い方法
【発明の詳細な説明】
発明の背景
　本発明は、電子部品の製造において使用される半導体材料基板、特にシリコンウエハの製造に関する。特に、本発明は、本質的にいずれかの任意の電子デバイス製造法の熱処理サイクル中に、酸素析出物の理想的な不均一深さ分布をウエハが形成することを可能にするシリコンウエハの処理法に関する。
　半導体電子部品のほとんどの製造方法のための出発材料である単結晶シリコンは、種単結晶を溶融シリコンに浸漬し次いで遅い引出によって成長させるいわゆるチョクラルスキー法によって一般に製造されている。溶融シリコンは、石英ルツボに収容されているので、種々の不純物によって汚染され、不純物の中で主たるものは酸素である。固化シリコンにおける酸素の実際の凝離係数によっておよび溶融塊の温度でのシリコン中における酸素の溶解性によって決まる濃度に酸素が達するまで、シリコン溶融塊の温度で、酸素が結晶格子に入る。当該濃度は、電子デバイスの製造方法に典型的な温度における固形シリコンにおける酸素の溶解性よりも高い。結晶が溶融塊から成長し冷却されると、酸素の溶解性は急速に減少し、これにより、得られるスライスまたはウエハにおいて、酸素は過飽和濃度で存在する。
　電子デバイスの製造において一般的に使用される熱処理サイクルは、酸素が過飽和になっているシリコンウエハにおいて酸素の析出を生じさせる。ウエハにおける析出位置に依存して、析出は有害または有益である。ウエハの活性デバイス領域に位置する酸素析出物は、デバイスの動作を損い得る。しかし、ウエハのバルクに位置する酸素析出物は、ウエハに接触するようになり得る望ましくない金属不純物を捕捉し得る。金属を捕捉するウエハのバルクに位置する酸素析出物の使用は、内的または本質的なゲタッリング（ＩＧ）と一般に呼ばれる。
　歴史的に、電子デバイス製造法は、酸素析出物の無いウエハの表面付近の領域または地域（一般に、「デニューデッドゾーン」または「無析出領域」と呼ばれる。）を有するシリコンを製造するように設計されている一連の工程を有していた。なお、ウエハの残り、すなわちウエハバルクは、ＩＧ目的のために充分な数の酸素析出物を有する。デニューデッドゾーンは、例えば、高−低−高熱シークエンスにおいて、例示すれば、（ａ）少なくとも４時間にわたる不活性周囲における高温（＞１１００℃）における酸素外方拡散の熱処理、（ｂ）低温（６００〜７５０℃）における酸素析出物核形成、（ｃ）高温（１０００〜１１５０℃）における酸素（ＳｉＯ２）析出物の成長において、形成され得る。例えば、シムラ（Ｆ．Ｓｈｉｍｕｒａ）の「Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」、Ａｃａｄｅｍｉｃ　ｐｒｅｓｓ，Ｉｎｃ．（１９８９年）（カリフォルニア、サンジェゴ在）の第３６１〜３６７頁およびそれに引用された文献を参照できる。
　しかしながら、ごく最近、先進の電子デバイス製造法、例えばＤＲＡＭ製造法が始められており、高温プロセス工程の使用を最小限にしている。これらプロセスの幾つかは、充分なバルク析出密度およびデニューデッドゾーンを与えるように充分な高温プロセス工程を維持しているが、材料に対する許容性がきつくて工業的に実行できる製品を与えることができない。他の現在の高度に先進の電子デバイス製造法は、外方拡散工程を全く含んでいない。活性デバイス領域における酸素析出物に伴う問題のために、これら電子デバイスの製造業者は、プロセス条件下でウエハにおけるいずれかでの酸素析出物を形成できないシリコンウエハを使用しなければならない。結果として、すべてのＩＧポテンシャルが失われる。
発明の概要
　本発明の目的の中には、本質的にいずれかの電子デバイス製造法の熱処理サイクル間に、酸素析出物の理想的な不均一深さ分布を形成する単結晶シリコンウエハを提供すること；ウエハバルクにおける酸素析出物の充分な密度および充分な深さのデニューデッドゾーンを最適にかつ再現性よく形成するそのようなウエハを提供すること；ウエハバルクにおける酸素析出物の形成およびデニューデッドゾーンの形成が、ウエハのこれら領域における酸素濃度における差に依存しないウエハを提供すること；デニューデッドゾーンの形成が酸素の外方拡散に依存しないそのようなプロセスを提供すること；得られるデニューデッドゾーンの厚さが、ＩＣ製造法シーケンスの詳細に本質的に依存しないそのようなウエハを提供すること；ならびにウエハバルクにおける酸素析出物の形成およびデニューデッドゾーンの形成が、シリコンウエハをスライスするチョクラルスキー成長単結晶シリコンインゴットの酸素濃度および熱履歴によって影響されないそのようなウエハを提供することがある。
　したがって、簡潔には、本発明は、一方はウエハの前表面であり、他方はウエハの裏面である一般的に平行な２つの主表面、前表面と裏面の間の中央面、前表面と裏面とをつなぐ周縁部、前表面と、前表面から中央面に向かって測定して少なくとも約１０μｍの距離Ｄ１との間にあるウエハの領域を含んでなる表面層、および中央面と第１領域との間にあるウエハの第２領域を含んでなるバルク層を有する単結晶シリコンウエハを提供する。特に、ウエハは、バルク層中の空格子点濃度が表面層中の空格子点濃度よりも高く、空格子点が空格子点ピーク密度は中央面上またはその近傍にある濃度分布を有し、該濃度が一般にピーク密度位置からウエハの前表面の方向に減少するという結晶空格子点の非均一分布を有している。
　さらに、本発明は、一方はウエハの前表面であり、他方はウエハの裏面である一般的に平行な２つの主表面、前表面と裏面の間の中央面、前表面と裏面とをつなぐ周縁部、前表面から約１５μｍを越えない距離Ｄ２内にあるウエハ領域からなる前表面層、および中央面と前表面層との間のウエハ領域を含んでなるバルク層を有してなる単結晶シリコンウエハを提供する。特に、バルク層は実質的に均一な酸素濃度と、以下のような結晶空格子点濃度を有する：
　ウエハを８００℃で４時間、次いで１０００℃で１６時間アニールすることから本質的になる酸素析出熱処理に付した場合に、ウエハは、バルク層中の酸素析出物のピーク密度が中央面またはその近傍にあり、バルク層中の酸素析出物の濃度が前表面層の方向に一般に減少する濃度分布を持つ酸素析出物を含む。
　さらに、本発明は、一方はウエハの前表面であり、他方はウエハの裏面である一般的に平行な２つの主表面、前表面と裏面の間の中央面、前表面と裏面とをつなぐ周縁部を含んでなる単結晶シリコンウエハを提供する。ウエハは、格子間酸素を含むデニューデッドゾーンであり、前表面から中央面に向かって測定して、前表面から少なくとも約１０μｍの距離Ｄ１にあるウエハの領域を含んでなるデニューデッドゾーンを有してなることを特徴とする。ウエハは、Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも約７５％であることを特徴とする。
　さらに、本発明は、前表面、裏面、前表面と裏面の間の中央面、前表面と、前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの領域を含んでなるバルク層を有する単結晶シリコンウエハを、後の熱処理工程におけるウエハ中の酸素の析出挙動に影響を与えるように熱処理する方法を提供する。該方法は、非窒素化雰囲気中でウエハを熱処理して表面層およびバルク層中に結晶空格子点を形成する工程；熱処理されたウエハの冷却速度を制御して、空格子点ピーク密度は中央面上またはその近傍にある空格子点濃度分布を有し、該濃度は一般にピーク密度位置からウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、バルク層中の酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する工程を含んでなる。
　さらに、本発明は、チョクラルスキー法により成長された単結晶シリコンインゴットから切り出された単結晶シリコンウエハを、後の熱処理工程におけるウエハ中の酸素の析出挙動に影響を与えるように熱処理する方法に関する。シリコンウエハは、前表面、裏面、前表面と裏面の間の中央面、前表面と、前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの領域を含んでなるバルク層を有する。該方法は、（ｉ）ウエハを酸素含有雰囲気の存在下に加熱することにより、ウエハ前表面上に酸化物層を成長させる工程；（ｉｉ）酸化されたウエハを少なくとも約１１７５℃の温度で加熱処理して、表面層およびバルク層に結晶空格子点を形成する工程；（ｉｉｉ）９００℃未満の温度にウエハを冷却する工程；（ｉｖ）加熱温度と９００℃との間で加熱処理されたウエハの冷却速度を制御して、空格子点ピーク密度は中央面上またはその近傍にある空格子点濃度分布を有し、該濃度は、ウエハの前表面の方向に一般に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、バルク層中の酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する工程を含んでなる。
　さらに、本発明は、チョクラルスキー法により成長された単結晶シリコンインゴットから切り出された単結晶シリコンウエハを、後の熱処理工程におけるウエハ中の酸素の析出挙動に影響を与えるように熱処理する方法に関する。シリコンウエハは、前表面、裏面、前表面と裏面の間の中央面、前表面と、前表面から中央面に向かって測定した距離Ｄとの間にあるウエハの領域を含んでなる表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハの領域を含んでなるバルク層を有する。該方法は、（ｉ）ウエハを酸素含有雰囲気中で加熱することにより、表面層およびバルク層に結晶空格子点を形成する工程、（ｉｉ）加熱処理されたウエハの冷却速度を制御して、空格子点ピーク密度は中央面上またはその近傍にある空格子点濃度分布を有し、該濃度は、ウエハの前表面の方向に一般に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する工程を含んでなる。
　本発明の他の目的および特徴は、部分的に明らかであり、部分的に以下に説明する。
図面の簡単な説明
　図１は、本発明の方法を概略的に示す図である。
　図２は、実施例１に記載されたように処理されたウエハ（試料４−７）の断面の写真である。
　図３は、実施例１に記載された一連の工程に付されたウエハ（試料４−８）の断面の写真である。
　図４は、実施例１に記載された一連の工程に付されたウエハ（試料３−１４）の断面の写真である。
　図５は、実施例１に記載された一連の工程に付されたウエハ（試料４−７）の表面からの深さと、白金濃度（原子／ｃｍ３）の対数との関係を示すグラフである。
　図６は、実施例２に記載された一連の工程に付されたウエハ（試料３−４）の断面の写真である。
　図７は、実施例２に記載された一連の工程に付されたウエハ（試料３−５）の断面の写真である。
　図８は、実施例２に記載された一連の工程に付されたウエハ（３−６）の断面の写真である。
　図９は、実施例３に記載された一連の工程に付されたウエハ（試料１−８）の断面の写真である。
　図１０は、実施例４に記載されたように、本発明に従って単結晶シリコンウエハを急速に熱アニーリングする間に雰囲気において存在する酸素の分圧と、バルク微細欠陥（ＢＭＤ）の数密度との対数グラフである。
好ましい態様の詳細な説明
　本発明によれば、本質的に電子デバイス製造プロセスの間に、ＩＧ目的のために充分な密度の酸素析出物を有するウエハバルクおよび充分な深さのデニューデッドゾーンを形成する理想的な析出ウエハを見いだした。好都合なことには、この理想的な析出ウエハは、半導体シリコン製造工業において通常に使用されている用具を使用してかなり短時間で製造される。この方法は、酸素が電子デバイス製造プロセスの間に析出する手順を「プリント」または決めるシリコンにおける「鋳型」を創り出す。
　本発明の理想的な析出ウエハのための出発材料は、従来のチョクラルスキー結晶成長法に従って成長された単結晶インゴットからスライスされた単結晶シリコンウエハである。そのような方法、ならびに標準的なシリコンのスライス、ラッピング、エッチングおよび磨き技術が、例えば、シムラ（Ｆ．Ｓｈｉｍｕｒａ）の「Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」、Ａｃａｄｅｍｉｃ　ｐｒｅｓｓ，Ｉｎｃ．、１９８９年および「Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｅｔｃｈｉｎｇ」（Ｊ．Ｇｒａｂｍａｉｅｒ編）、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ、Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ、１９８２年に開示されている。
　チョクラルスキー成長シリコンは、典型的には、約５ｘ１０１７〜約９ｘ１０１７原子／ｃｍ３（ＡＳＴＭ標準Ｆ−１２１−８３）の範囲の酸素濃度を有する。ウエハの酸素析出挙動は理想的な析出ウエハにおける酸素濃度から本質的に切り離されるようになるので、出発ウエハは、チョクラルスキー法によって得られる範囲内または範囲外さえに入る酸素濃度を有していてよい。
　シリコンの融点（約１４１０℃）から約７５０〜３５０℃までの単結晶シリコンインゴットの冷却速度に依存して、酸素析出物核中心が、ウエハをスライスする単結晶シリコンインゴットにおいて形成することがある。出発材料におけるこれら核中心の存在または不存在は本発明において重要ではなく、これら中心は、約１３００℃を越えない温度でシリコンを熱処理することによって溶解し得る。いくつかの熱処理、例えば、約４時間にわたって約８００℃の温度でシリコンをアニールすることは、これら中心を安定化させ、中心が、約１１５０℃を越えない温度で溶解しなくなる。酸素析出物の検出限界は、現在、約５ｘ１０６析出物／ｃｍ３である。酸素析出物核中心の存在（または密度）は、現在使用されている技術を使用して、直接に測定することはできない。しかし、その存在を間接的に検出するために、種々の技術が使用できる。前にも説明したように、シリコンにおける予め存在する酸素析出物核中心を安定化でき、析出物を、シリコンを酸素析出熱処理に付すことによってこれら部位で成長させることができる。したがって、これら核中心の存在は、酸素析出熱処理の後に、例えば、４時間にわたって８００℃の温度で次いで１６時間にわたって１０００℃の温度でウエハをアニールした後に、間接的に測定することができる。
　単結晶シリコンにおいて不純物として存在する場合に、置換カーボンは、酸素析出物核中心の形成を触媒する能力を有する。この理由および他の理由から、単結晶シリコン出発材料が低濃度の炭素を含有することが好ましい。すなわち、単結晶シリコンは、約５ｘ１０１６原子／ｃｍ３未満、より好ましくは約１ｘ１０１６原子／ｃｍ３未満、最も好ましくは約５ｘ１０１５原子／ｃｍ３未満の炭素濃度を有することが好ましい。
　図１を参照すると、本発明の理想的な析出ウエハ１のための出発材料が、前表面３、後表面５、および前表面と後表面との間の仮想的な中央面７を有する。本明細書において、用語「前」および「後」とは、ウエハの２つのほぼ平面状の主表面を区別するために使用される。用語としてのウエハの前表面は、電子デバイスが後に設けられる表面を必ずしも意味するのではなく、また、用語としてのウエハの後表面は、電子デバイスが設けられる表面と反対側の主表面を必ずしも意味するのではない。加えて、シリコンウエハは典型的にいくらかの総合厚さ変化（ＴＴＶ）、たわみおよび反りを有するので、前表面の全ての地点と後表面の全ての地点との間の中間点は、正確に平面内にないことがある。実際に、ＴＴＶ、あわみおよび反りは一般にはわずかなものであるので、近似的には、中間点は、前表面と後表面との間のほぼ等距離である仮想的な中間平面内にあると言うことができる。
　本発明の方法の第１の態様において、ウエハ１は工程Ｓ１において酸素含有雰囲気中で熱処理され、ウエハ１を包囲する表面酸化物層９を成長させる。一般に、酸化物層は、シリコン上に形成する本来の酸化物層（約１５オングストローム）よりも大きい厚さを有する。好ましくは、酸化物層は、少なくとも約２０オングストロームの厚さを有する。いくつかの態様において、少なくとも約２５オングストローム、さらに少なくとも約３０オングストロームの厚さを有する。現在まで得られている実験的証拠は、約３０オングストローム越える厚さを有する酸化物層は、望ましい効果を阻害しない状態で、付加的な利点をほとんどまたは全く与えない。
　工程Ｓ２において、ウエハを高温に加熱し、ウエハ１における結晶格子空孔１３の数密度を増加させる熱処理にウエハを付す。好ましくは、この熱処理工程は、ウエハを急速に目標温度に加熱し、かなり短時間で該温度でアニールする急速熱的アニーラーにおいて行われる。一般に、ウエハは、１１５０℃以上、好ましくは少なくとも１１７５℃、より好ましくは少なくとも１２００℃、最も好ましくは少なくとも１２００℃〜１２７５℃の温度に付される。
　本発明の第１の態様において、急速熱的アニール工程は、窒化雰囲気、すなわち、露出シリコン表面を窒化できるアンモニアなどの窒素含有化合物ガスまたは窒素ガス（Ｎ２）を含有する雰囲気の存在下で、行う。雰囲気は、全体的に窒素または窒素化合物ガスからなってよく、あるいはアルゴンのような非窒化ガスを付加的に含んでいてよい。ウエハにおける空格子点濃度の増加は、即時でない場合に、アニール温度達成時に、ほとんど達成される。ウエハは、少なくとも１秒間、典型的には少なくとも数秒間（例えば少なくとも３秒間）、好ましくは数十秒間（例えば、２０、３０、４０または５０秒間）、ウエハの所望特性に応じて、約６０秒までの時間で（これは、工業的な急速熱的アニーラーの限界に近い）、ほぼこの温度で一般に保持される。得られるウエハは、ウエハにおけるかなり均一な空格子点濃度（数密度）を有する。
　現在まで得られる実験的証拠に基づけば、急速な熱的アニール工程を行う雰囲気は、酸素、水蒸気および他の酸化ガスのかなり小さい分圧しか有しないことが好ましい。すなわち、雰囲気は、空格子点濃度の形成を抑制する
のに
させないよう、低い酸化ガスの分圧をするか、あるいは酸化ガスが全く存在しない
　結晶格子空孔の形成を生じさせることに加えて、急速な熱的アニール工程は、シリコン出発材料中に存在するいずれかの非安定化酸素析出物核中心の溶解を生じさせる。これらの核中心は、例えば、ウエハをスライスする単結晶シリコンインゴットの成長中に、あるいはウエハをスライスするインゴットまたはウエハの予備熱履歴における他の出来事の結果として、形成される。したがって、これら核中心が急速熱的アニール工程中に溶解できるのであれば、これら核中心の存在または不存在は重要でない。
　急速加熱アニール（ｒａｐｉｄ　ｔｈｅｒｍａｌ　ａｎｎｅａｌ）は、ウエハを別々に一群の高電力ランプによって加熱するような、種々の市販の急速加熱アニール（ＲＴＡ）炉によって、実施することができる。ＲＴＡ炉は、シリコンウエハを急速に加熱しうるもので、例えば、ＲＴＡ炉は、ウエハを室温から１２００℃に数秒で加熱することができる。このような市販のＲＴＡ炉の１つは、ＡＧ　Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ（カリフォルニア、マウンテンビュー）から市販のモデル６１０である。
　固有の点欠陥（空格子点およびシリコン自己格子間（ｓｅｌｆ−ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ）欠陥）は、単結晶シリコン中を拡散することができ、その拡散速度は、温度に依存する。したがって、固有の点欠陥の濃度分布は、固有の点欠陥についての拡散率の関数であり、再結合速度は、温度の関数である。例えば、固有の点欠陥は、ウエハが急速加熱アニール工程でアニールされる温度の付近の温度で、比較的移動しやすいが、商業的に実用的な時間については、７００℃ほどの温度でも本質的に移動しない。現在までに得られた実験データの示唆するとろによれば、空格子点の有効拡散速度は、約７００℃未満の温度で著しく遅く、恐らくは８００℃、９００℃または１，０００℃もの高温でも、空格子点は、商業的に実用的な時間について移動しないようである。
　工程Ｓ２の完了後、ウエハは、工程Ｓ３において、結晶格子空格子点が単結晶において比較的移動しやすい温度範囲を通って、急速に冷却される。この温度範囲を通って、ウエハの温度が低下するにつれて、空格子点は、酸化物層９に拡散して消滅し、その結果、空格子点の濃度分布の変化につながり、その変化の程度は、ウエハがこの温度範囲内に維持される時間の長さに依存する。ウエハがこの温度範囲で、無限の時間維持されれば、空格子点濃度は、ウエハバルク１１全体が、再度実質的に均一になり、その濃度は、加熱処理工程の完了直後の結晶格子空格子点の濃度よりも実質的に小さい平衡値である。しかしながら、ウエハの急冷によって、結晶格子空格子点の非−均一性拡散を達成することができ、その最大空格子点濃度は、中央面７またはその付近であり、空格子点濃度は、ウエハの前表面３および裏面５の方向に減少する。一般に、この温度範囲内の平均冷却速度は、１秒当たり少なくとも約５℃で、好適には１秒当たり少なくとも約２０℃である。デニューデッドゾーンの所望の深さに応じて、平均冷却速度は、好適には１秒当たり少なくとも約５０℃、より好適には１秒当たり少なくとも約１００℃であり、１秒当たり約１００〜約２００℃の範囲の冷却速度がある種の用途について現在好適である。ウエハを、結晶格子空格子点が単結晶シリコンにおいて比較的移動しやすい、上記温度範囲からはずれた温度に冷却しても、冷却速度は、ウエハの析出特性に対し実質的に影響を与えないようであるため、ごく狭い限界的なものではないようである。好適には、冷却工程は、加熱工程が実施されるのと、同じ雰囲気下に実施することができる。
　工程Ｓ４において、ウエハは、酸素析出加熱処理に付される。例えば、ウエハは、温度８００℃で４時間、次いで温度１０００℃で６時間アニールする。これとは別の態様として、好適には、ウエハは、電子デバイス製造法の第１工程として温度約８００℃の炉に装入する。この温度で炉に装入すると、予め急速加熱アニールしたウエハは、酸素析出に関し、異なった挙動を示す別の領域を有する。高濃度空格子点領域（ウエハバルク）において、酸素は、ウエハが炉内部に入るにつれて急速にクラスター化する。装入温度に達する時点までに、クラスター化工程は、終了し、空格子点の初期濃度のみに応じてクラスター分布が達成される。低濃度空格子点領域（ウエハ表面付近）では、ウエハは、予め存在する酸素析出物核形成中心を欠如する、通常のウエハに類似の挙動を示す。すなわち、酸素のクラスター化が観察されない。温度が８００℃を越えて上昇するつれて、または温度が一定である場合、空格子点豊富領域のクラスターは、成長して析出物を形成し、これにより消費される一方、空格子点欠乏領域においては何も生じない。ウエハを種々の空格子点濃度領域に分割することによって、テンプレートは、ウエハを炉に装入すると瞬時に固定される酸素析出パターンが描かれれることによって、効果的に形成される。
　図１に示すように、ウエハにおける、得られた酸素析出物の深さ分布は、酸素析出物−非含有材料（デニューデッドゾーン）１５，１５’の透明領域を特徴とし、これら１５，１５’は、各々、前表面３および裏面５から深さｔ，ｔ’に延在する。酸素析出物−非含有領域１５と１５’の間に、実質的に均一密度の酸素析出物を含む領域１７が存在する。
　領域１７の酸素析出物濃度は、一次的には加熱工程の関数であって、二次的には冷却速度の関数である。一般に、酸素析出物の濃度は、加熱工程における温度の上昇およびアニール時間の延長につれて増加し、約１×１０７〜約５×１０１０析出物／ｃｍ３範囲の析出物密度が通常得られる。
　酸素析出物−非含有材料（デニューデッドゾーン）１５および１５’の、前表面および裏面からの各深さｔおよびｔ’は、一次的には、結晶格子空格子点がシリコンにおいて比較的移動しやすい温度範囲を介する、冷却速度の関数である。一般に、深さｔ，ｔ’は、冷却速度の減少につれて増加し、少なくとも約１０、２０、３０、４０、５０、７０または１００μｍのデニューデッドゾーン深さが達成される。実質的には、デニューデッドゾーンの深さは、電子デバイス製造法の詳細には本質的に依存せず、加えて、従来から実施されている酸素の外方拡散にも依存しない。
　本発明のこの工程に使用される急速加熱処理は、ウエハ前表面および裏面の各表面からの少量酸素の外方拡散をもたらしうるが、外方拡散の程度は、デニューデッドゾーン形成用の従来法で観察されるものよりも実質的により小さい。その結果、本発明の理想的な析出ウエハは、実質的に均一な格子間酸素濃度を、シリコン表面からの距離の関数として有する。例えば、酸素析出加熱処理の前に、ウエハは、実質的に均一な濃度の格子間酸素を、ウエハ中心から、シリコン表面の約１５μｍ以内のウエハ領域に、好適にはシリコン中心から、シリコン表面の約１０μｍ以内のウエハ領域に、より好適にはシリコン中心から、シリコン表面の約５μｍ以内のウエハ領域に、最も好適にはシリコン中心から、シリコン表面の約３μｍ内のウエハ領域に有する。本明細書に用いられる「実質的に均一な酸素」なる用語は、約５０％未満、好適には約２０％未満、より好適には約１０％未満の酸素濃度変化を意味する。
　代表的には、酸素析出加熱処理は、加熱処理ウエハから、実質的な量の酸素外方拡散をもたらさない。その結果、ウエハ表面から数ミクロンを越える距離のデニューデッドゾーンにおける格子間酸素の濃度は、析出加熱処理の結果としては実質的に変化しない。例えば、ウエハのデニューデッドゾーンが、シリコン表面と距離Ｄ１（少なくとも約１０μｍ、前表面から中央面に向かって測定）との間のウエハ領域からなる場合、Ｄ１の半分に等しいシリコン表面からの距離におけるデニューデッドゾーン内の地点の酸素濃度は、代表的には、デニューデッドゾーンのいずれの箇所にもおける格子間酸素ピーク濃度の少なくとも約７５％である。ある種の酸素析出加熱処理について、このような地点の格子間酸素濃度は、上記濃度よりも大きくてもよく、すなわち、デニューデッドゾーンのいずれの箇所にもおける最大酸素濃度の少なくとも８５％、９０％または９５％である。
　本発明の第２具体例によれば、非窒化雰囲気を、第１具体例の加熱（急速加熱アニール）および冷却工程に使用の窒化雰囲気に代えて、使用する。好適な非窒化雰囲気には、アルゴン、ヘリウム、ネオン、二酸化炭素および他の非酸化性、非窒化性元素および化合物ガスまたはそれらのガスの混合物が包含される。非窒化雰囲気は、窒化雰囲気と同様に、比較的低い酸素分圧、すなわち、０．０１ａｔｍ（１０，０００ｐｐｍａ）未満、より好適には０．００５ａｔｍ（５，０００ｐｐｍａ）未満、最も好適には０．００２ａｔｍ（２，０００ｐｐｍａ）未満、特に好適には０．００１ａｔｍ（１，０００ｐｐｍａ）未満の分圧である。
　本発明の第３具体例によれば、工程Ｓ１（熱酸化工程）は、省略し、出発ウエハは、天然酸化物層以外の酸化物層を有しない。しかしながら、このようなウエハを窒素雰囲気下にアニールすると、その効果は、天然酸化物層よりも厚みがより厚い酸化物層（強化酸化物層）を有するウエハを窒素中でアニールしたときに観察される効果とは、異なったものになる。強化酸化物層を含有するウエハをアニールすると、直後ではないにしても、アニール温度に達することによって、実質的に均一な空格子点濃度の増加が、ウエハのほぼ全体で達成される。さらに、空格子点濃度は、所定のアニール温度でアニール時間の関数として実質的に増加しないようである。しかしながら、ウエハが天然酸化物層以外のいずれの酸化物層をも欠如する場合で、ウエハの前表面および裏面を窒素中でアニールすると、得られるウエハは、ウエハの断面積についてほぼＵ字形の空格子点濃度（数密度（ｎｕｍｂｅｒ　ｄｅｎｓｉｔｙ））分布を有する。すなわち、最大濃度は、前表面および裏面から数ミクロンの位置または数ミクロン以内の位置に存在し、相対的に一定でより小さい濃度は、ウエハバルク全体に存在し、はじめて、ウエハバルクの最小濃度は、強化酸化物層を有するウエハで得られる濃度にほぼ等しくなる。さらに、アニール時間の増加は、天然酸化物層以外の酸化物層を欠如するウエハにおける空格子点濃度の増加をもたらす。
　実験結果の示唆するところによれば、天然酸化物層以外に酸化物層を有しないウエハと、強化酸化物層を有するウエハとについての、この挙動上の差異は、酸素分子または他の酸化性ガスを雰囲気中に含めることで、回避することができる。別の方法で説明すると、天然酸化物層以外に酸化物層を有しないウエハを、酸素を低分圧で含む窒素雰囲気下にアニールすると、ウエハは、強化酸化物層を有するウエハと同じ挙動を示す。したがって、いずれの理論にも拘束されることはないが、天然酸化物層よりも厚みがより厚い表面酸化物層は、シリコンの窒化を抑制するシールドとして役立つようである。すなわち、この酸化物層は、出発ウエハ上に存在しうるか、または、系内で、アニール工程の間に強化酸化物層の成長によって形成することができる。
　したがって、本発明によれば、急速加熱アニール工程の間の雰囲気は、好適には、少なくとも約０．０００１ａｔｍ（１００ｐｐｍａ）、より好適には少なくとも約０．０００２ａｔｍ（２００ｐｐｍａ）の分圧を有する。しかしながら、前記した理由のため、酸素の分圧は、好適には０．０１ａｔｍ（１０，０００ｐｐｍａ）を越えず、より好適には０．００５ａｔｍ（５，０００ｐｐｍａ）未満、さらに好適には０．００２ａｔｍ（２，０００ｐｐｍａ）未満、最も好適には０．００１ａｔｍ（１，０００ｐｐｍａ）未満である。
　本発明の他の具体例によれば、ウエハの前表面および裏面を、異なる雰囲気にさらすことができ、これらの各々は、１またはそれ以上の窒化または非窒化ガスを含むことができる。例えば、ウエハの前表面を非窒化雰囲気にさらしつつ、裏面を窒化雰囲気にさらすことができる。これとは別の態様として、複数のウエハ（例えば２、３またはそれ以上のウエハ）を、各面が対向した配置で積層しながら、同時にアニールすることができる。この方法でアニールすると、面と面が接触した状態であるため、各面は、アニールの間に雰囲気から物理的にシールドされる。これとは別の態様として、急速加熱アニール工程の間に使用される雰囲気およびウエハの所望の酸素析出分布に応じて、酸化物層は、デニューデッドゾーンとして望まれるウエハ面、例えばウエハの前表面３（図１を参照されたし）のみに形成することができる。
　本発明の方法の出発物質は、研磨シリコンウエハであってよく、これとは別の態様として、予めラップされ、エッチングされているが、研磨していないシリコンウエハであってもよい。加えて、ウエハは、空格子点または自己格子間点欠陥（主要な固有の点欠陥）を有することができる。例えば、ウエハは、中心から周縁部にかけて優勢な空格子点であってもよく、中心から周縁部にかけて優勢な自己格子間欠陥であってよく、またはウエハは、自己格子間欠陥優勢材料の軸方向に沿って対称的なリングによって囲まれた、空格子点優勢材料の中心コアーを有することができる。
　エピタキシャル層を、理想的な析出ウエハ上に蒸着する必要がある場合、本発明の方法は、エピタキシャル蒸着の前後のいずれかに実施することができる。蒸着前に実施する場合、本発明方法の実施後でエピタキシャル蒸着の前にウエハの酸素析出核形成中心を安定化させることが、望ましい。蒸着後に実施する場合、本発明の方法に必要な冷却速度を達成できる限り、エピタキシャル蒸着の直後にエピタキシャル反応器によって本発明の方法を実施することが望ましい。
　単結晶シリコンの結晶格子空格子点の測定は、白金拡散分析法で実施することができる。一般に、白金は、試料上に蒸着して水平面に拡散し、その拡散時間および温度は、好適には、Ｆｒａｎｋ−Ｔｕｒｎｂｕｌｌメカニズムが白金の拡散を支配するが白金原子によって空格子点装飾（ｄｅｃｏｒａｔｉｏｎ）の安定状態に達するのに十分なように選択することができる。本発明にとって代表的な空格子点濃度を有するウエハについて、７３０℃×２０分間の拡散時間および温度を使用することができるが、より正確な飛跡（ｔｒａｃｋｉｎｇ）は、より低い温度、例えば約６８０℃で達成できるようである。加えて、ケイ化プロセスによる有りうる影響を最小にするため、白金蒸着法は、好適には１未満の単一層の表面濃度をもたらす。白金拡散技術は、例えば、次のような種々の文献に記載されている：Ｊａｃｏｂら，
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ
Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ａ
　実施例１〜４は、本発明の理想的な酸素析出法を説明する。よって、これらの実施例は、本発明を制限する意図は７ない。
実施例１
　シリコン単結晶をチョクコラルスキー法によって引き出し、スライスし、研磨してシリコンウエハを形成した。次いで、ウエハを表面酸化工程（Ｓ１）、急速加熱アニール工程（窒素またはアルゴン雰囲気）（Ｓ２）、急冷工程（Ｓ３）、酸素安定化工程および成長工程（Ｓ４）に、以下の表１に示した条件下に付した。工程Ｓ１〜Ｓ４前のウエハ初期酸素濃度（Ｏｉ）、工程Ｓ４後のウエハバルク中酸素析出物濃度（ＯＰＤ）、および工程Ｓ４後のデニューデッドゾーンの深さ（ＤＺ）も、表１に報告した。
　図２、３および４は、得られたウエハの断面を示す（これらの図面は、倍率２００倍で撮った写真の拡大図である）。試料４〜７は、図２に示し、試料４〜８は、図３に示し、試料３〜１４は、図４に示す。
　加えて、白金拡散法を用いて、試料４〜７の結晶格子空格子点濃度を測定した。白金濃度−ウエハ表面（ウエハの前表面側に相当する０μｍの深さ）からの深さのプロットは、図５に示す。
実施例２
　本発明の方法は、チョクラルスキー成長シリコンウエハの酸素濃度から相対的に独立していることを証明するために、異なる酸素濃度を有する３つのウエハを、実施例１に記載したと同様な一連の工程に付した。３つの工程の各条件、工程Ｓ１〜Ｓ４前のウエハ初期酸素濃度（Ｏｉ）、工程Ｓ４後のウエハバルク中酸素析出物濃度（ＯＰＤ）、および工程Ｓ４後のデニューデッドゾーンの深さ（ＤＺ）（ウエハ表面から測定）は、表２に示した。図６、７および８は、得られたウエハの断面を示す（これらの図面は、倍率２００倍で撮った写真の拡大図である）。試料３〜４は図６に示し、試料３〜５は図７に示し、試料３〜６は、図８に示す。
実施例３
　本発明の方法は、酸素析出物安定化および成長工程（Ｓ４）に用いた条件から相対的に独立していることを証明するために、同じ初期酸素濃度を有するウエハ（試料１〜８）を、試料３〜４について実施例２に記載したと同様な一連の工程に付した。ただし、商業的な１６Ｍｂ特許方法を、酸素析出物安定化および成長工程（Ｓ４）に用いた。図９は、得られたウエハの断面である（これらの図面は、倍率２００倍で撮った写真の拡大図である）。工程Ｓ４の後、試料１〜８および３〜４は、匹敵するバルク酸素析出物密度（試料１〜８については７×１０１０／ｃｍ３、試料３〜４については４×１０１０／ｃｍ３）および匹敵するデニューデッドゾーンの深さ（約４０μｍ）を有する。
実施例４
　この実施例は、バルク微小欠陥（ｂｕｌｋ　ｍｉｃｒｏｄｅｆｅｃｔｓ）（ＢＭＤ）の密度において観察されうる特性、すなわち、酸素析出物の密度、および加熱処理の間に雰囲気中で酸素濃度の増加から得られたデニューデッドゾーン（ＤＺ）の深さを説明する。３つの異なるウエハセットを、種々のプロセス条件下に急速加熱アニールに付した。セットＡのウエハは、１２００℃×３０秒で窒素雰囲気下にアニールし、セットＢのウエハは、同じ条件下に２０秒間アニールし、セットＣのウエハは、アルゴン雰囲気下に１２００℃×３０秒間アニールした。この実施例では、いずれのウエハについても予備酸化工程を行わなかった。
　以下の表３に示すように、酸素分圧は、所定のセットにおいて各ウエハについて増加させた。アニールの完了後、各ウエハのＢＭＤ密度およびＤＺ深さを常法で測定した。結果を以下の表３に示す。
　　ＮＤ＝測定せず
　以上のデータが示すように、雰囲気中の酸素分圧が増加するにつれて、バルク微小欠陥の数密度は減少する。加えて、酸素分圧が１０，０００ｐｐｍａに達すると、バルク微小欠陥の数密度は、本発明に従い、前もった急速加熱アニールを行わずに酸素析出加熱処理に付したウエハにおいて観察されるバルク微小欠陥の数密度から区別がつかない。
　以上の結果を考慮に入れると、本発明のいくつかの目的が達成されたことがわかる。
　以上の構成および方法において、本発明の精神を逸脱しない限り、種々の変形例をなすことができ、前記した記載に含まれる全ての事項は、単なる例示であって、制限する意図はない。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】一方はウエハの前表面であり、他方はウエハの裏面である平行な２つの主表面、前表面と裏面の間の
ほぼ等距離にある
第１
　ウエハは、バルク層中の空格子点濃度が表面層中の空格子点濃度よりも高く、空格子点が空格子点ピーク密度は中央面上にある濃度分布を有し、該濃度がピーク密度位置からウエハの前表面の方向に減少するという結晶空格子点の非均一分布を有して
おり、
　
中央面から、ウエハの前表面から３μｍの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも５０％である
　【請求項２】Ｄ１は少なくとも２０μｍである請求項１に記載のウエハ。
　【請求項３】Ｄ１は少なくとも５０μｍである請求項１に記載のウエハ。
　【請求項４】Ｄ１は３０〜１００μｍである請求項１に記載のウエハ。
　【請求項５】
中央面から、
の前
の距離までの
　【請求項６】Ｄ１は少なくとも２０μｍである請求項
５
　【請求項７】Ｄ１は少なくとも５０μｍである請求項
５
　【請求項８】Ｄ１は３０〜１００μｍである請求項
５
　【請求項９】
中央面から、
の前
の距離までの
　【請求項１０】ウエハ
の前
　【請求項１１】一方はウエハの前表面であり、他方はウエハの裏面である平行な２つの主表面、前表面と裏面の間の
ほぼ等距離にある
　Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも７５％である単結晶シリコンウエハ。
　【請求項１２】Ｄ１は少なくとも２０μｍである請求項１
１
　【請求項１３】Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも８０％である請求項１
２
　【請求項１４】Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも９０％である請求項１
２
　【請求項１５】Ｄ１は少なくとも５０μｍである請求項１
１
　【請求項１６】Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも８５％である請求項１
５
　【請求項１７】Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも９５％である請求項１
５
　【請求項１８】Ｄ１は３０〜１００μｍである請求項１
１
　【請求項１９】Ｄ１の２分の１に等しい距離におけるデニューデッドゾーン中の格子間酸素の濃度は、デニューデッドゾーン中の最大格子間酸素濃度の少なくとも８５％である請求項１
８
　【請求項２０】ウエハ
の前
１
　【請求項２１】前表面、裏面、前表面と裏面の間の
ほぼ等距離にある
第１
第２
　非
窒化
　熱処理されたウエハの冷却速度を少なくとも５℃／秒に制御して、空格子点ピーク密度は中央面上にある空格子点濃度分布を有し、該濃度はピーク密度位置からウエハの前表面の方向に減少し、表面層とバルク層との間の空格子点濃度の差は、７５０℃を越える温度でのウエハの熱処理によって表面層中にデニューデッドゾーンおよびバルク層中に酸素クラスターまたは析出物を形成することができ、バルク層中の酸素クラスターまたは析出物の濃度は主として空格子点濃度に依存しているような差であるウエハを製造する工程
を含んでなる方法。
　【請求項２２】該熱処理は、酸素含有雰囲気中で１１７５℃を超える温度において、５０００ｐｐｍａ未満の酸素分圧下、６０秒未満の時間、ウエハを加熱することからなる請求項２
１
　【請求項２３】該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項２
２
　【請求項２４】該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも５０℃／秒である請求項２
２
　【請求項２５】該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも１００℃／秒である請求項２
２
　【請求項２６】
該
１
　【請求項２７】該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項２
６
　【請求項２８】該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも５０℃／秒である請求項２
６
　【請求項２９】該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも１００℃／秒である請求項２
６
　【請求項３０】
該
１
　【請求項３１】該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項３
０
　【請求項３２】該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも５０℃／秒である請求項３
０
　【請求項３３】該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも１００℃／秒である請求項３
０
　【請求項３４】
該
１
　【請求項３５】該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項３
４
　【請求項３６】該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも５０℃／秒である請求項３
４
　【請求項３７】該冷却速度は、結晶空格子点がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通して、少なくとも１００℃／秒である請求項３
４
　【請求項３８】前表面、裏面、前表面と裏面の間の
ほぼ等距離にある
第１
第２
　ウエハを酸素含有雰囲気の存在下に加熱することにより、ウエハ前表面上に酸化物層を成長させる工程、
　酸化されたウエハを少なくとも１１５０℃の温度で
熱
　９００℃未満の温度にウエハを冷却する工程、
を含み、
　
前記ウエハを冷却する工程においては、前記熱処理されたウエハを加熱温度から９００℃までの間での
するように冷却
る方
　【請求項３９】冷却速度は、少なくとも５０℃／秒である請求項３
８
　【請求項４０】
該
３９
　【請求項４１】
該
３９
　【請求項４２】該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項
３９
　【請求項４３】該雰囲気は主として窒素である請求項
３９
　【請求項４４】冷却速度は、少なくとも１００℃／秒である請求項３
８
　【請求項４５】
該
４
　【請求項４６】
該
４
　【請求項４７】該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項４
４
　【請求項４８】該雰囲気は主として窒素である請求項４
４
　【請求項４９】前表面、裏面、前表面と裏面の間の
ほぼ等距離にある
第１
第２
　ウエハを酸素含有雰囲気中で加熱することにより、表面層およびバルク層に結晶空格子点を形成する工程、
　
熱
を含んでなる方法。
　【請求項５０】
該
４９
　【請求項５１】該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項５
０
　【請求項５２】雰囲気は主として窒素である請求項５
０
　【請求項５３】冷却速度は、少なくとも５０℃／秒である請求項５
０
　【請求項５４】冷却速度は、少なくとも１００℃／秒である請求項５
０
　【請求項５５】
該
４９
　【請求項５６】該雰囲気は主としてアルゴンまたはヘリウムである請求項５
５
　【請求項５７】雰囲気は主として窒素である請求項５
５
　【請求項５８】冷却速度は、少なくとも５０℃／秒である請求項５
５
　【請求項５９】冷却速度は、少なくとも１００℃／秒である請求項５
５
　【請求項６０】
熱
５
　【請求項６１】デニューデッドゾーンを含む近表面領域および酸素析出物を含むバルク領域を有する単結晶シリコンウエハを製造する方法であって、
　前表面、裏面、前表面と裏面の間の
ほぼ等距離にある
第１
熱
　【請求項６２】前表面、裏面、前表面と裏面の間の
ほぼ等距離にある
第１
　
該結晶空格子点の非均一分布は、
熱
という非均一分布となっており、
　
中央面から、ウエハの前表面から３μｍの距離までの格子間酸素の濃度は、バルク層中の格子間酸素の濃度の少なくとも５０％である
　【請求項６３】
中央面から、
の前
の距離までの
２
　【請求項６４】Ｄ１は少なくとも２０μｍである請求項６
２
３
　【請求項６５】Ｄ１は少なくとも５０μｍである請求項６
２
３
　【請求項６６】Ｄ１は３０〜１００μｍである請求項６
２
３
　【請求項６７】
中央面から、
の前
の距離までの
２
　【請求項６８】ウエハ
の前
２