【事件の表示】
　平成５年特許願第１２１８３８号「磁気遮蔽装置」拒絶査定不服審判事件〔平成６年１０月２８日出願公開、特開平６−３０２９８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年４月１３日の出願であって、本願の請求項１及び２に係る発明は、平成１３年１２月１０日付け及び平成１４年２月６日付けの各手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりのものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】　一方を閉塞した円筒形状の第１超電導体の開放口から、該第１超電導体より径の小さな同じく一方を閉塞した円筒形状の第２超電導体をその開放口を先にして、両超電導体が同一中心軸を有するよう第１超電導体内の奥端部まで挿入し組合せて内部に減衰率（Ｈｔｒ／Ｈｅｘ）が１０−６倍以上の磁気遮蔽空間を形成することを特徴とする磁気遮蔽装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．引用例とその記載事項
　これに対して、当審が平成１８年１月１０日付けの拒絶理由通知で引用した、いずれも本願の出願前に日本国内において頒布された引用例とその記載事項は次のとおりである。
　
　第１引用例：特開昭５９−１２１９８６号公報
　第２引用例：特開平１−１０８７１４号公報
　
２−１．第１引用例（特開昭５９−１２１９８６号公報）の記載事項
　第１引用例には、「極低温用磁気遮蔽容器」に関して、図面第１図〜第３図とともに次の事項が記載されている。
　イ　「（２）　技術の背景
　ジョセフソン素子を用いたコンピューターにおいては、・・・コンピュータのメインフレームを外部磁場から遮へいして極低磁場にする必要があるので、液体ヘリウム中に超伝導材で作った超伝導遮へいを設けている。」（第１頁左下欄第１５行〜右下欄第３行）
　ロ　「第１図は本発明の容器に使用される超伝導遮へい容器１の透視図であり、第２図は使用状態における超伝導遮へい容器１の透視図である。第１図および第２図から明らかなように外側筒１ａおよび内側筒１ｂから構成され、互いに軸方向に摺動自在となっている。」（第２頁右上欄第４〜９行）
　ハ　「今、前記超伝導遮へい容器１を厚さ０．５ｍｍの鉛で作成した内径１００ｍｍ、長さ１５０ｍｍのシリンダーを組み合わせ第１図および第２図で示されるように外側筒１ａおよび内側筒１ｂが互いに摺動自在となるように構成し外側容器２とともにケース３内に収納した。次いで液体ヘリウム４を投入した。超伝導遮へい容器１が超電導状態になったら、外側筒１ａを上方に引き上げる。この操作により内容積が増加することになる。・・・内部にトラップされている磁束は、一定であるから磁束密度は減少する。」（第２頁右上欄第１９行〜左下欄第１０行）
　
　上記各記載事項及び図面第１図〜第３図の記載を総合すると、第１引用例には、
「一方を閉塞した円筒形状の外側筒１ａの開放口から、該外側筒１ａより径の小さな同じく一方を閉塞した円筒形状の内側筒１ｂをその開放口を先にして、両筒１ａ，１ｂが同一中心軸を有するよう外側筒１ａ内に挿入し組合せて内部に磁気遮蔽空間を形成する超伝導遮へい容器１」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
２−２．第２引用例（特開平１−１０８７１４号公報）の記載事項
　第２引用例には、「変流器」に関して、図面第１図〜第８図とともに次の事項が記載されている。
　ニ　「［産業上の利用分野］
　この発明は、・・・外部磁界に対するシールドが設けられている変流器に関するものである。」（第１頁左下欄第１３〜１７行）
　ホ　「［実施例］
　第１図はこの発明の一実施例を示し、図において、鉄心（２）および二次巻線（３）の両側端および外周部を囲むリング状の超電導体でなるシールド（６）が、保温容器（７）により臨界温度以下に保たれている。保温容器（７）には冷却材が入つており、かつ、鉄心（２）および二次巻線（３）を支持する構造となつている。
　以上の構成により、シールド（６）を形成する超電導体のマイスナー効果により、交流・直流成分すべての外部磁界がシールドされ、誤動作を防ぐとともに、いままで誤動作をしないように鉄心（２）の断面積を大きくしていたものが小さくでき、重量も軽減される。
　・・・
　第３図はさらに他の実施例を示す。超電導体でなるシールド（６）は、２つのコの字形のものが互いに向き合つて入りこんでおり、二次巻線（３）内に外部磁界が入りこまない構造としている。」（第２頁右上欄第７行〜左下欄第９行）
　
３．発明の対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「外側筒１ａ」、「内側筒１ｂ」及び「超伝導遮へい容器１」は、それぞれ、本願発明の「第１超電導体」、「第２超電導体」及び「磁気遮蔽装置」に相当するから、本願発明と引用発明とは、
《一致点》
「一方を閉塞した円筒形状の第１超電導体の開放口から、該第１超電導体より径の小さな同じく一方を閉塞した円筒形状の第２超電導体をその開放口を先にして、両超電導体が同一中心軸を有するよう第１超電導体内に挿入し組合せて内部に磁気遮蔽空間を形成する磁気遮蔽装置」
である点で一致するが、次の点で相違する。
《相違点１》
　本願発明では、第２超電導体を第１超電導体内の「奥端部」まで挿入しているのに対し、引用発明では、そのようになっていない点。
《相違点２》
　本願発明では、磁気の減衰率（Ｈｔｒ／Ｈｅｘ）が「１０−６倍以上」というのに対し、引用発明には、当該減衰率についての限定がない点。
　
４．当審の判断
　そこで、上記各相違点について以下で検討する。
（１）《相違点１》について
　２以上の円筒形状の超電導体を重合する状態にすると磁気遮蔽の効果が向上することは、周知の技術事項である（例えば、特開平３−１９７８９７号公報、特開平５−５５７８２号公報、参照）。また、第２引用例には、２つのコの字形のリング状のシールド（６）（磁気遮蔽体）を、互いに向き合って一方が他方の奥端部まで入り込んだ状態に配置することにより、シールド（６）内部に「外部磁界が入りこまない構造」となる旨が記載されている。
　そして、引用発明においては、内容積を増加させて磁束密度を減少させるために、超伝導遮へい容器１が超電導状態になったら、外側筒１ａを上方に引き上げて第２図に示す状態としている（記載事項ハ、参照）が、外側筒１ａを「上方に引き上げる」前の時点では、第１図に示すように、内側筒１ｂは外側筒１ａ内の「奥端部」まで挿入された状態になっているものと認められる。
　そうすると、引用発明において、内容積を増加させて磁束密度を減少させる必要がない場合には、外部の磁気や磁界に対する遮蔽効果についての上記周知の技術事項及び第２引用例の記載事項を考慮して、第１図に示す内側筒１ｂが外側筒１ａ内の「奥端部」まで挿入された状態で超伝導遮へい容器１を使用することは、当業者であれば容易に想到することができた事項である。
（２）《相違点２》について
　磁気遮蔽装置の実施化に際して、磁気の減衰率を具体的にどの程度にするかは、当然考慮されるべき設計事項であるし、本願発明の「減衰率（Ｈｔｒ／Ｈｅｘ）が１０−６倍以上」という数値も特段想到しがたいものともいえないから、上記数値の設定は、当業者にとって格別の創意のあることではない。
　
　また、本願発明が奏する作用効果も、第１，２引用例に記載された発明及び上記周知の技術事項から予測される程度以上のものでもない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明（請求項１に係る発明）は、第１，２引用例に記載された発明及び周知の技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、そのような本願発明（請求項１に係る発明）を含む本願は、請求項２に係る発明について検討するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。