【事件の表示】
　特願２０１４−２３１６３６「無機材料、デバイス及び有機電界発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　４月２３日出願公開、特開２０１５−　７９７５９、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特願２０１４−２３１６３６号（以下「本件出願」という。）は、特願２００９−７７６２６号（出願日：平成２１年３月２６日）の一部を、平成２６年１１月１４日に新たな特許出願としたものであって、その手続等の経緯は、概略、以下のとおりである。
平成２７年　９月　８日付け：拒絶理由通知書
平成２７年１２月１４日付け：意見書、手続補正書
平成２８年　５月　６日付け：拒絶理由通知書
平成２８年１１月１７日付け：意見書、手続補正書
平成２９年　３月　７日付け：補正の却下の決定（平成２８年１１月１７日にした手続補正の却下）、拒絶査定（以下「原査定」という。）
平成２９年　７月１４日付け：審判請求書、手続補正書
平成３０年　６月　８日付け：拒絶理由通知書
平成３０年　９月１０日付け：意見書、手続補正書
第２　原査定の拒絶の理由、及び平成３０年６月８日付けで通知した拒絶の理由の概要
　原査定の拒絶の理由、及び平成３０年６月８日付けで通知した拒絶の理由は、概略、本件出願の請求項１−９に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
引用文献１：特開平１１−２１７３９２号公報
引用文献２：特開２００５−８５７３１号公報
（当合議体注：原査定の拒絶の理由と、平成３０年６月８日付けで通知した拒絶の理由は、引用発明としたものが相違する。）
第３　本願発明
　本件出願の請求項１−９に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明９」という。）は、平成３０年９月１０日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−９に記載された事項により特定されるとおりの、以下の発明である。 
「　　【請求項１】
　下記一般式（１）で表される化合物で修飾されたことを特徴とする無機材料。
一般式（１）
Ｔ−Ｌ−Ｒ
〔一般式（１）において、Ｔは窒素原子を２つ以上含有するトリアリールアミンを表す。Ｌ−Ｒは−Ｏ（ＣＨ2）nＳｉ（ＯＣＨ2ＣＨ3）3を表す。ｎは１〜２０の整数を表す。一分子中の−Ｓｉ（ＯＣＨ2ＣＨ3）3の個数は１個である。〕
　　【請求項２】
　前記無機材料が、金属酸化物であることを特徴とする請求項１に記載の無機材料。
　　【請求項３】
　前記無機材料が、電極であることを特徴とする請求項１又は２に記載の無機材料。
　　【請求項４】
　前記無機材料が、透明電極であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の無機材料。
　　【請求項５】
　前記無機材料が、インジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の無機材料。
　　【請求項６】
　前記請求項１〜５に記載の無機材料を用いたことを特徴とするデバイス。
　　【請求項７】
　前記請求項１〜５に記載の無機材料を用いたことを特徴とする有機電界発光素子。
　　【請求項８】
　前記請求項１〜５に記載の無機材料が陽極であることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光素子。
　　【請求項９】
　前記請求項１〜５に記載の無機材料を用いた有機電界発光素子において、該有機電界発光素子が少なくとも１つ以上の塗布プロセスにより作成されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の有機電界発光素子。」
第４　引用文献、引用発明等
１　引用文献１の記載事項
　原査定の拒絶の理由、及び平成３０年６月８日付けで通知した拒絶の理由において引用文献１として引用され、本願の出願前（もとの特許出願前）に頒布された刊行物である特開平１１−２１７３９２号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当合議体が付したものであり、引用発明の認定に活用した箇所を示す。
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、含ケイ素化合物、該含ケイ素化合物を用いた電極の表面処理方法と該含ケイ素化合物を含む電極の表面処理剤および該含ケイ素化合物を用いて陽極を処理してなる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
・・・（中略）・・・
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規な含ケイ素化合物、透明導電性電極等の電極と有機層との機械的かつ電気的コンタクトを向上させた、該含ケイ素化合物を用いる電極の表面処理方法と該含ケイ素化合物を含む電極の表面処理剤、および該含ケイ素化合物を用いて陽極を処理してなる、電極と有機層との機械的かつ電気的コンタクトに優れた有機エレクトロルミネセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と記すことがある）を提供することにある。」
（２）「【０００８】本発明は、〔１〕ケイ素原子に少なくとも１個のアルコキシ基が結合し、かつ芳香族アミン骨格を有する基が少なくとも１個結合し、標準水素電極を基準とした酸化電位が０．３Ｖ以上１．５Ｖ以下である含ケイ素化合物に係るものである。
【０００９】さらに、本発明は、〔２〕構造式が一般式(１)
【化４】
［式中、Ｒ1は水素原子、置換されていてもよい、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基、１０個以下の炭素原子を有するシクロアルキル基、６〜２４個の炭素原子を有するアリール基または７〜２６個の炭素原子を有するアラルキル基を表し、Ｒ2は置換されていてもよい１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基を表し、Ｒ3は置換されていてもよい、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基、１０個以下の炭素原子を有するシクロアルキル基、６〜２４個の炭素原子を有するアリール基または７〜２６個の炭素原子を有するアラルキル基を表し、Ａｒ1は置換されていてもよい６〜２４個の炭素原子を有するアリーレン基を表し、  Ａｒ2は置換されていてもよい、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基、１０個以下の炭素原子を有するシクロアルキル基、６〜２４個の炭素原子を有するアリール基もしくは７〜２６個の炭素原子を有するアラルキル基、または下記一般式（２）
【００１０】
【化５】
（式中、Ａｒ3  は置換されていてもよい、６〜２４個の炭素原子を有するアリーレン基を表し、Ｒ4およびＲ5はそれぞれ独立に、置換されていてもよい、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基、１０個以下の炭素原子を有するシクロアルキル基、６〜２４個の炭素原子を有するアリール基または７〜２６個の炭素原子を有するアラルキル基を表す。）を表し、ｓおよびｔはそれぞれ独立に、２≦ｓ＋ｔ≦４を満たす１から３までの整数を表す。Ｒ3とＡｒ1の間あるいはＲ3とＡｒ2の間、Ａｒ1とＡｒ2の間、または、Ａｒ2が一般式（２）で表されるときＲ4とＡｒ3の間、Ｒ4とＲ5の間にそれぞれ独立に環を形成していてもよい。］で示される〔１〕記載の含ケイ素化合物に係るものである。
・・・（中略）・・・
【００４５】本発明において、一般式（１）および一般式（３）で示される含ケイ素化合物において、ｓおよびｔは、それぞれ独立に、２≦ｓ＋ｔ≦４を満たす１から３までの整数である。
・・・（中略）・・・
【０１２７】陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、酸化亜鉛等を用いて作成された膜、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ等が用いられる。作製方法としては真空蒸着法、スパッタリング法、メッキ法等が例示される。これら陽極は、本発明における前記含ケイ素化合物を用いて、前述の処理方法により表面処理して用いる。」
（３）「【０１５７】実施例１
表面処理剤の合成
３００ｍｌの二つ口丸底フラスコ内に、系内をアルゴンガスで満たし不活性雰囲気化した。そのフラスコ内にＮ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン２０ｇ、４−ヨードトルエン５０ｇ、銅粉末１５ｇ、水酸化カリウム６８ｇとドデカン１００  ｍｌ  を仕込み、１８０℃で３５時間攪拌を続けた。反応終了後、反応液を室温に冷却し、水１００ｍｌを加え、生成物をトルエン８０ｍｌで抽出した。抽出したトルエン溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥、濾過した後、減圧下で溶媒を留去濃縮し、固体を得た。得られた固体をトルエン／イソプロピルアルコールから再結晶することにより、Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン９．７ｇを淡黄色結晶として得た。
【０１５８】５００ｍｌの二つ口丸底フラスコに、Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン５ｇ、ジメチルホルムアミド２００ｍｌを仕込み、４０℃に加熱して溶解させた。Ｎ−ブロモサクシンイミド０．８６ｇを溶かしたＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶液１００ｍｌを激しく撹拌しながら室温で滴下ロートでゆっくり滴下し、滴下終了後１時間反応を続けた。反応終了後反応液に水１ｍｌを投入した後、溶媒を減圧化留去し、水１００ｍｌを加えて生成物を析出させた。濾過、減圧乾燥後、移動相としてトルエン／ヘキサンを用いてフラッシュクロマトグラフィーにより精製し、Ｎ’−（４”’−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン３．３ｇを得た。
【０１５９】１００ｍｌの二つ口丸底フラスコ内に上記で合成したＮ’−（４”’−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン３．３ｇと乾燥テトラヒドロフラン３０ｍｌを仕込み−７８℃に冷却した。１．６Ｍ（モラー）  ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液１．７４ｍｌを滴下し、滴下終了後さらに１時間反応を続けた。得られた反応溶液を反応溶液Ａという。
【０１６０】別の１００ｍｌの二つ口フラスコ内にクロロトリエトキシシラン２．１ｇと乾燥テトラヒドロフラン１０ｍｌを仕込み、−７８℃に冷却した。これに先に調整した反応溶液Ａを加えた。−７８℃で２時間反応を続け、室温で一晩さらに反応させた。反応終了後、溶媒を留去し、ヘキサン４０ｍｌを加えて塩を析出させた。析出した塩を濾過し、濾液を部分的に濃縮した。得られたヘキサン溶液を冷却することにより目的物を析出させ、淡黄色の粘稠な液体１．５ｇを得た。
【０１６１】核磁気共鳴吸収スペクトル（1Ｈ−ＮＭＲ）ならびにマススペクトル（ＦＤ−ＭＳ）の結果から、
この液体はＮ，Ｎ’−ジ（４”−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−Ｎ’−（４”’−トリエトキシシリルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４、４’−ジアミンであることを確認した。以下、これを表面処理剤１という。
・・・（中略）・・・
【０１６７】実施例４
実施例１で合成した表面処理剤１を乾燥窒素雰囲気下で０．６０ｇシャーレに入れ、これに金属ナトリム上で蒸留した乾燥トルエン１２．１ｇを加えて溶解した。さらにトリエチルアミン０．８ｇを添加して処理液とした。
【０１６８】
スパッタリング法によって、４０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板
を、２％に希釈した中性洗剤水溶液中に浸漬し、超音波洗浄器で３０分間洗浄した。洗浄後、超純水の流水で５分間洗剤を洗い流した。ついで、水洗したガラス基板をアセトン中に浸漬し、超音波洗浄器で３０分間洗浄した。アセトン超音波洗浄をもう一度繰り返し、窒素ブローにより乾燥後、プラズマ処理装置
にセットし真空引きした。３０分間酸素でプラズマで処理した後、大気圧にしてガラス基板を取り出し、直ちに乾燥窒素で置換したグローブボックス内に入れた。
【０１６９】
前記で前処理したＩＴＯ膜付きガラス基板を、前処理後すぐに乾燥窒素で置換したグローブボックス内で前記で調整した処理液に浸漬した。３５時間後に、ガラス基板を取り出し、トルエン中で超音波洗浄器で３０分間洗浄した。さらにトルエンをアセトンに替えて、３０分間超音波洗浄して、過剰な処理剤を取り除いた。超音波洗浄後、窒素ブローにより乾燥し、表面処理したＩＴＯ膜付きガラス基板を得た。
（当合議体注：【０１６７】における「金属ナトリム」は誤記であり、正しくは「金属ナトリウム」である。）
２　引用発明
　上記１より、引用文献１には、実施例４として次の発明が記載されている（以下「引用発明」という。）。
「　Ｎ，Ｎ'−ジ（４''−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−Ｎ'−（４'''−トリエトキシシリルフェニル）−１，１'−ビフェニル−４、４'−ジアミンを乾燥窒素雰囲気下で０．６０ｇシャーレに入れ、これに金属ナトリウム上で蒸留した乾燥トルエン１２．１ｇを加えて溶解し、さらにトリエチルアミン０．８ｇを添加して処理液とし、
　スパッタリング法によって、４０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板を、２％に希釈した中性洗剤水溶液中に浸漬し、超音波洗浄器で３０分間洗浄し、洗浄後、超純水の流水で５分間洗剤を洗い流し、ついで、水洗したガラス基板をアセトン中に浸漬し、超音波洗浄器で３０分間洗浄し、アセトン超音波洗浄をもう一度繰り返し、窒素ブローにより乾燥後、プラズマ処理装置にセットし真空引きし、３０分間酸素でプラズマで処理した後、大気圧にしてガラス基板を取り出し、直ちに乾燥窒素で置換したグローブボックス内に入れ、
　以上の前処理をしたＩＴＯ膜付きガラス基板を、前処理後すぐに乾燥窒素で置換したグローブボックス内で処理液に浸漬し、３５時間後に、ガラス基板を取り出し、トルエン中で超音波洗浄器で３０分間洗浄し、さらにトルエンをアセトンに替えて、３０分間超音波洗浄して、過剰な処理剤を取り除き、超音波洗浄後、窒素ブローにより乾燥して得た、表面処理したＩＴＯ膜付きガラス基板。」
３　引用文献２の記載事項
　原査定の拒絶の理由、及び平成３０年６月８日付けで通知した拒絶の理由において引用文献２として引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００５−８５７３１号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１）「【０００１】
　本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、並びに電子機器に関する。
・・・（中略）・・・
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
　しかしながら、上記従来技術においては、ホール輸送層及び発光層の各層を形成する工程が必要になり、工程増による生産効率の低下を招くという問題があった。」
（２）「【００２４】
　また、本発明の有機ＥＬ装置１は、図２に示したように赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）をそれぞれ発光するドットをその実表示領域４に有し、これによりフルカラー表示をなすものとなっている。図５に拡大図を示したように、発光機能層６０と陰極５０との間には、陰極５０からの電子を注入／輸送する電子輸送層６５が形成されており、当該電子輸送層６５は、青（Ｂ）、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）の発光色種類に応じて、その材料構成が選択されている。
・・・（中略）・・・
【００２６】
　陽極として機能する画素電極２３は、本例ではバックエミッション型であることから透明導電材料によって形成されている。透明導電材料としてはＩＴＯが好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide ：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）等を用いることができる。なお、本実施形態ではＩＴＯを用いるものとするが、これに代えて、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ等を用いることも可能である。
　画素電極２３の膜厚については、５０〜２００ｎｍとするのが好ましく、１５０ｎｍ程度とするのが特に好ましい。
・・・（中略）・・・
【００３０】
　発光機能層６０を形成するための材料は、発光材料と自己組織化単分子膜を形成する材料とを混合させたものが用いられる。
・・・（中略）・・・
【００３４】
　次に、自己組織化単分子膜ＳＡＭの分子構造について詳述する。
　本発明における自己組織化単分子膜の分子構成は、Ｘ−（ＣＨ２）ｎ−Ｙで表される。ここで、Ｘは電極と結合する基、Ｙは発光材料側に配置される基、（ＣＨ２）ｎは直鎖分子を、それぞれ示している。
【００３５】
  電極と結合する基Ｘとしては、例えば、シラノール基（−Ｓｉ（ＯＨ）３）、トリクロロシリル基（−ＳｉＣｌ３）、トリエトキシシリル基（−Ｓｉ（ＯＥｔ）３）、トリメトキシシリル基（−Ｓｉ（ＯＭｅ）３）、チオール基（−ＳＨ）、ヒドロキシル基（−ＯＨ）、アミノ基（−ＮＨ２）、リン酸基（−ＰＯ３Ｈ２）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、スルホン酸基（−ＳＯ３Ｈ）、リン酸クロリド基（−ＰＯ２Ｃｌ２）、カルボン酸クロリド基（−ＣＯＣｌ）、及びスルホン酸クロリド基（−ＳＯ２Ｃｌ）、のうちいずれかからなることが好ましい。
　また、このような基Ｘは、画素電極材料の種類に応じて適宜選択される。例えば、本実施形態に示すように画素電極材料がＩＴＯである場合には、シロキサン結合を形成する自己組織化単分子膜ＳＡＭを選択するが好適である。
　なお、電極材料が金や銀等の貴金属系である場合には、電極と結合する基としてチオール基を有した自己組織化単分子膜を採用するのが好適である。
【００３６】
　また、発光材料ＥＭ側に配置される基Ｙとしては、メチル基（ＣＨ３）、トリフルオロメチル基（ＣＦ３）、芳香族官能基、ベンゼン誘導体からなる基、ビフェニル誘導体からなる基、トリアリールアミン誘導体からなる基、及びフタロシアニン誘導体からなる基、のうちいずれかからなることが好ましい。
　また、このような基Ｙとして、芳香族官能基（ベンゼン核）を採用した場合には、ベンゼン核が電子供与性を有しているので、当該ベンゼン核の周辺の官能基が電子過剰状態になり、親液性を高めることができる。
　また、基Ｙとしてホール注入／輸送性を有する官能基であることが好ましい。
【００３７】
　また、直鎖分子（ＣＨ２）ｎにおけるｎの数は０〜１０であることが好ましい。このようにｎの数を規定することにより、導電性を有する自己組織単分子膜ＳＡＭを形成することが可能となり、ホール輸送性を好適に得ることができる。
【００３８】
　次に、自己組織化単分子膜ＳＡＭとなる具体的な材料として、下記の「化１」から「化５」に示す化学式を例示する。
　ここで、「化１」に示す物質は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−1，1’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine）、「化２」に示す物質は、４，４‘−ビス[（ｐ−トリメトキシシリルプロピルフェニル）フェニルアミノ]ビフェニル（4,4'-bis[(p-trimethoxysilylpropylphenyl)phenylamino]biphenyl）、「化３」に示す物質は、トリス（ｐ−トリメトキシシリルプロピルフェニル）アミン（tris(p-trimethoxysilylpropylphenyl)amine）、「化４」に示す物質は、n-ブチルトリメトキシシラン（n-butyltrimethoxysilane）、「化５」に示す物質は、メチルトリメトキシシラン（methyltrimethoxysilane）である。
【００３９】
【化１】
【００４０】
【化２】
【００４１】
【化３】
【００４２】
【化４】
【００４３】
【化５】
【００４４】
　上述したように、発光機能層６０が自己組織化単分子膜ＳＡＭを具備し、当該自己組織化単分子膜ＳＡＭが画素電極２３上に形成され、更に、その分子構成が好適に選択、規定されているので、発光機能層６０は発光能とホール注入／輸送性とを兼ね備えたものとなる。」
第５　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明を対比すると、引用発明の「ＩＴＯ膜」は、技術的にみて、本願発明１の「無機材料」に相当する。
（２）一致点及び相違点
　本願発明１と引用発明は、「無機材料。」である点で一致し、次の点で相違する。
（相違点）
　「無機材料」について、本願発明１は、「下記一般式（１）で表される化合物で修飾された」 ものであるのに対して、引用発明は、「下記一般式（１）」に該当しない化合物である「Ｎ，Ｎ'−ジ（４''−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−Ｎ'−（４'''−トリエトキシシリルフェニル）−１，１'−ビフェニル−４、４'−ジアミン」（以下「引用発明化合物」という。）で修飾されたものである点。
（当合議体注：「下記一般式（１）で表される化合物」は前記第３の【請求項１】に記載したとおりのものである。）
（３）相違点についての判断
　本願発明１と引用発明は、上記（２）に記載した相違点で相違するものであるから、両者が同一の発明であるとはいえない。
　ところで、引用発明化合物の「−トリエトキシシリル」（−Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３）を「「−Ｏ（ＣＨ2）nＳｉ（ＯＣＨ2ＣＨ3）3」に替えたものは、本願発明１の「下記一般式（１）で表される化合物」の要件を満たすものになる。しかしながら、引用文献１には、このように引用発明化合物を替えることについて、記載も示唆もない。
　また、引用文献２の【００３４】−【００３７】において、分子構成がＸ−（ＣＨ２）ｎ−Ｙで表され、画素電極表面に配置される自己組織化単分子膜ＳＡＭにおける、基Ｘは画素電極材料がＩＴＯである場合にはシロキサン結合を形成するものが好適であって、基Ｙはトリアリールアミン誘導体からなる基が好ましく、また基Ｙとしてホール注入／輸送性を有する官能基であることが好ましく、ｎの数は０〜１０であることが好ましいことが記載されている。さらに、引用文献２の【００３８】−【００４０】において、自己組織化単分子膜ＳＡＭの具体的な材料には、化２として、４，４‘−ビス[（ｐ−トリメトキシシリルプロピルフェニル）フェニルアミノ]ビフェニル（以下「ＴＰＤＳｉ２」という。）が例示されている。ここで、ＴＰＤＳｉ２は、上記Ｘ−（ＣＨ２）ｎ−Ｙにおいて、基Ｙがトリアリールアミン誘導体（Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テトラフェニル−１，１’−ビフェニル−４、４’−ジアミン）で、ｎの数が３、基Ｘが−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３で表される分子構成の化合物であって、本願発明１の「Ｌ−Ｒ」である「−Ｏ（ＣＨ2）nＳｉ（ＯＣＨ2ＣＨ3）3を有するものでない。加えて、引用文献２には、ＴＰＤＳｉ２以外で、本願発明１の「Ｌ−Ｒ」である「−Ｏ（ＣＨ2）nＳｉ（ＯＣＨ2ＣＨ3）3を有する化合物も記載されていない。
　そうしてみると、引用文献２にも、引用発明化合物を本願発明１の「下記一般式（１）で表される化合物」に該当するものに替えることは記載も示唆もされていないといえる。
　したがって、引用発明に引用文献１及び２の記載事項を組み合わせたとしても、「Ｌ−Ｒ」が「−Ｏ（ＣＨ2）nＳｉ（ＯＣＨ2ＣＨ3）3」である本願発明１の一般式（１）で表される化合物は作製し得ないものである。
　よって、本願発明１は、当業者といえども、引用発明と引用文献１及び２の記載事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２−本願発明９について
　本願発明２−本願発明９は、本願発明１の「無機材料」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明と引用文献１及び２の記載事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
第６　原査定について
　平成３０年９月１０日付けの手続補正により、本願発明１−本願発明９は、「一般式（１）で表される化合物」における「Ｌ−Ｒ」が「−Ｏ（ＣＨ2）nＳｉ（ＯＣＨ2ＣＨ3）3を表す」ものとなっている。そうしてみると、当業者であっても、原査定において引用された引用文献１及び２に基づいて、容易に発明できたとはいえない。
　したがって、原査定の理由を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によって、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由もない。
　よって、結論のとおり審決する。