【事件の表示】
　平成１０年特許願第２２４８５４号「磁気ヘッド、その製造方法及びディスク装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　２月２５日出願公開、特開２０００−　５７５３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１０年８月７日の出願であって、その請求項１乃至４に係る発明は、平成１６年５月７日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下「本願発明という。」）は次のとおりである。
　「【請求項１】　基板上に積層された磁気抵抗型再生ヘッド部を具備する磁気ヘッドにおいて、
　基板の上に配置される磁気抵抗素子層と、
　前記基板の上に前記磁気抵抗素子層に隣接して配置される端子層と、
　前記磁気抵抗素子層及び前記端子層の上に配置され、下面が平坦な第１絶縁層と、
　前記基板と前記磁気抵抗素子層及び前記端子層との間に配置される第２絶縁層と、
　前記基板と前記第２絶縁層との間に配置されるシールド層とを備え、
　前記シールド層は、前記磁気抵抗素子層の下に位置する第１部分と、該第１部分よりも薄く、前記端子層の下に位置する第２部分とを備えて、上面に段差を有し、
　前記第２絶縁層の上面は、前記磁気抵抗素子層に接する第１領域と、前記シールド層の前記上面の前記段差に対応して該第１領域よりも低い位置に配置され、その上に前記端子層が配置される第２領域とを有し、該第２領域が、前記シールド層の前記第１部分における前記上面よりも高い位置に配置されること、
を特徴とする磁気ヘッド。」
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された、特願平９−１６３７８６号（特開平１１−１６１２６号公報）の願書に最初に添付された明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には、「磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法」に関し、次の事項が記載されている。
　（ア）「【請求項１】
強磁性体からなる上下のシールド磁性層間にそれぞれ絶縁層を介して、所定の長さと幅をもつ少なくとも磁気抵抗効果素子層よりなる中央能動領域部を設け、この中央能動領域部の両側に連接して縦バイアス層および電極層よりなる受動領域部を設けてなっている磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記下シールド磁性層は、山形状に形成された頂部に平坦な中央部と、この平坦中央部の両側に連接した傾斜裾部とを有し、前記平坦中央部上に前記中央能動領域部が設けられ、前記傾斜裾部上にこの傾斜を埋めるようにして平坦化された前記受動領域部が設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド
【請求項２】
平坦な前記中央能動領域部上および前記受動領域部上に、前記絶縁層と前記上シールド磁性層がそれぞれほぼ平坦に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果ヘッド。
　（イ）「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク等の磁気記憶媒体に書き込まれた情報を、磁気抵抗効果（略）を利用して読み出し再生する磁気抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと呼ぶ）およびその製造方法に関する。」
　（ウ）「【００１７】図１は、本実施の形態のＭＲヘッドを磁気記録媒体に対向するＡＢＳ（浮揚）面側から見た構成断面図、図２（ａ）〜（ｃ）はそのＭＲヘッドの製造工程を示す各断面図である。
【００１８】図１において、所定の長さと幅による軟磁性の横バイアス層２１、非磁性の中間層２２およびＭＲ素子層２３の三層よりなる中央能動領域２０を有し、この中央能動領域２０の両側に隣接して受動領域２４，２７が形成されている。一方の受動領域２４は、縦バイアス層２５と電極層２６よりなっており、また他方の受動領域２７も縦バイアス層２８と電極層２９よりなっている。これら両受動領域２４，２７は、絶縁層３０，３１を介して、強磁性体からなる上下のシールド磁性層３２，３３間に形成されている。
【００１９】本発明の構成の特徴は、
基板３４上に形成された強磁性体からなる下シールド磁性層３３
　（エ）「【００２３】中央能動領域２０は、下シールド磁性層３３の平坦中央部３３ａ上に形成され、受動領域２４，２７は両側の山形状の傾斜部３３ｂ，３３ｃ上に形成される。このように構成することにより、受動領域２４，２７の膜厚が中央能動領域２０の膜厚よりも大きくならないよう、傾斜部３３ｂ，３３ｃによる凹みで吸収することができる。
【００２４】その結果、中央能動領域２０と両側の受動領域２４，２７の上に形成される絶縁層３１および上シールド磁性層３２としては、ほぼ平坦化される。すなわち、記録を行うインダクティブヘッド部としてもそれに倣って平坦化し、絶縁層からなる記録ギャップ３６と上ポール磁性層３７の断面形状も、曲がりや変形のない適正な矩形断面を呈したものを得ることができる。」
　（オ）「【００２９】【発明の効果】以上説明したように、本発明のＭＲヘッドおよびその製造方法は、下シールド磁性層の上面が山形状に形成され、その山形状の平坦な頂部にＭＲ素子層などよりなる平坦な中央能動領域部を設け、また、山形状の傾斜裾部を埋めるようにして両側の受動領域部が平坦に設けられていることで、この平坦な中央能動領域部と受動領域部の上に記録ギャップを変形なく平坦に設けることができる。その結果、特に狭トラックＭＲヘッドにおいて高品質のものが得られる。」
　（カ）ＭＲヘッドの実施の形態についてＡＢＳ面から見た構成を示す断面図である図１には、中央部では、
基板３４、下シールド磁性層３３（平坦な中央部３３ａ）、絶縁層３０、中央能動領域部２０（軟磁性の横バイアス層２１、非磁性中間層２２、ＭＲ素子層２３）、絶縁層３１、上シールド磁性層３２、
基板３４、下シールド磁性層３３（山形状の傾斜部３３ｂ、３３ｃ）、絶縁層３０、受動領域部２７（縦バイアス層２５、２８、電極層２６、２９）、絶縁層３１、上シールド磁性層３２、
　
３　対比判断
（１）対比
　本願発明と先願明細書に記載された発明とを対比する。
　先願明細書には、上記２に摘示した記載事項（特に下線部参照。）によれば、
　「強磁性体からなる上下のシールド磁性層間にそれぞれ絶縁層を介して、所定の長さと幅をもつ少なくとも磁気抵抗効果素子層よりなる中央能動領域部を設け、この中央能動領域部の両側に連接して縦バイアス層および電極層よりなる受動領域部を設けてなっている磁気抵抗効果ヘッドにおいて、
　下シールド磁性層は、山形状に形成された頂部に平坦な中央部と、この平坦中央部の両側に連接した傾斜裾部とを有し、平坦中央部上に中央能動領域部が設けられ、傾斜裾部上にこの傾斜を埋めるようにして平坦化された受動領域部が設けられ、
　平坦な中央能動領域部上および受動領域部上に、上の絶縁層と上シールド磁性層がそれぞれほぼ平坦に設けられ、
  基板上に、下シールド磁性層、下の絶縁層、磁気抵抗効果素子層と縦バイアス層と電極層、上の絶縁層、上シールド磁性層の順序で形成されている、磁気抵抗効果ヘッド。」
　の発明が記載されている。
　先願明細書に記載された発明の「磁気抵抗効果ヘッド」は、磁気抵抗効果を利用して読み出し再生する磁気抵抗効果ヘッドのこと（上記（イ）参照。）であるから、本願発明の「磁気抵抗型再生ヘッド部を具備する磁気ヘッド」に相当している。
　先願明細書に記載された発明の「磁気抵抗効果素子層」「電極層」「下シールド磁性層」は、それぞれ本願発明の「磁気抵抗素子層」「端子層」「シールド層」に相当している。
　先願明細書に記載された発明の磁気抵抗効果ヘッドは、「強磁性体からなる上下のシールド磁性層間にそれぞれ絶縁層を介して、所定の長さと幅をもつ少なくとも磁気抵抗効果素子層よりなる中央能動領域部を設け、この中央能動領域部の両側に連接して縦バイアス層および電極層よりなる受動領域部を設けてなっている」から、先願明細書に記載された発明の「それぞれ絶縁層」のうち、「上シールド磁性層」と、「磁気抵抗効果素子層」及び「電極層」との間の「上の絶縁層」は、先願明細書に記載された発明の「第１絶縁層」に相当し、「下シールド磁性層」と、「磁気抵抗効果素子層」及び「電極層」との間の「下の絶縁層」は、先願明細書に記載された発明の「第２絶縁層」に相当している。
　先願明細書に記載された発明の「磁気抵抗効果ヘッド」は、「基板上に、下シールド磁性層、下の絶縁層、磁気抵抗効果素子層と縦バイアス層と電極層、上の絶縁層、上シールド磁性層の順序で形成され」、「平坦な中央能動領域部上および受動領域部上に、上の絶縁層と上シールド磁性層がそれぞれほぼ平坦に設けられている」から、本願発明の「基板上に積層された磁気抵抗型再生ヘッド部を具備する磁気ヘッド」に相当する構成を備え、「基板の上に配置される磁気抵抗素子層と、前記基板の上に前記磁気抵抗素子層に隣接して配置される端子層と、前記磁気抵抗素子層及び前記端子層の上に配置され、下面が平坦な第１絶縁層と、前記基板と前記磁気抵抗素子層及び前記端子層との間に配置される第２絶縁層と、前記基板と前記第２絶縁層との間に配置されるシールド層とを備え」に相当する構成を備えている。
　先願明細書に記載された発明の「平坦な中央部」は、「平坦中央部上に中央能動領域部が設けられ」ているから、本願発明の「磁気抵抗素子層の下に位置する第１部分」に相当している。
　先願明細書に記載された発明の「傾斜裾部」は、「傾斜裾部上にこの傾斜を埋めるようにして平坦化された受動領域部が設けられ」るものであって、「受動領域部」とは縦バイアス層及び電極層よりなるものであるから、本願発明の「端子層の下に位置する第２部分」に相当している。
　先願明細書に記載された発明の「下シールド磁性層」は、「山形状に形成された頂部に平坦な中央部と、この平坦中央部の両側に連接した傾斜裾部とを有し」ているから、平坦な中央部より、傾斜裾部の膜厚が薄く、平坦な中央部と傾斜裾部で下シールド磁性層の上面に段差があることが、明らかである。よって、先願明細書に記載された発明の「下シールド磁性層」は、本願発明の「シールド層は、磁気抵抗素子層の下に位置する第１部分と、該第１部分よりも薄く、端子層の下に位置する第２部分とを備えて、上面に段差を有し」に相当する構成を備えている。
　先願明細書に記載された発明の「下の絶縁層」は、下シールド磁性層平坦中央部上に形成された領域と、下シールド磁性層傾斜裾部上に形成された領域からなり、絶縁層の上面の形状は、下シールド磁性層の山形状を反映しているから、下シールド磁性層傾斜裾部上に形成された領域での絶縁層の上面は、下シールド磁性層の上面の段差に対応して、下シールド磁性層平坦中央部上に形成された領域での絶縁の上面より低い位置に配置されている。よって、先願明細書に記載された発明の「下の絶縁層」は、その上面が、本願発明の「第２絶縁層の上面は、磁気抵抗素子層に接する第１領域と、シールド層の前記上面の前記段差に対応して該第１領域よりも低い位置に配置され、その上に前記端子層が配置される第２領域とを有し」に相当する構成を備えている。
　
　してみると、本願発明と先願明細書に記載された発明は、
「基板上に積層された磁気抵抗型再生ヘッド部を具備する磁気ヘッドにおいて、
　基板の上に配置される磁気抵抗素子層と、
　前記基板の上に前記磁気抵抗素子層に隣接して配置される端子層と、
　前記磁気抵抗素子層及び前記端子層の上に配置され、下面が平坦な第１絶縁層と、
　前記基板と前記磁気抵抗素子層及び前記端子層との間に配置される第２絶縁層と、
　前記基板と前記第２絶縁層との間に配置されるシールド層とを備え、
　前記シールド層は、前記磁気抵抗素子層の下に位置する第１部分と、該第１部分よりも薄く、前記端子層の下に位置する第２部分とを備えて、上面に段差を有し、
　前記第２絶縁層の上面は、前記磁気抵抗素子層に接する第１領域と、前記シールド層の前記上面の前記段差に対応して該第１領域よりも低い位置に配置され、その上に前記端子層が配置される第２領域とを有する、磁気ヘッド。」
である点で一致している。
　ところで、本願発明では、「第２絶縁層の上面」について、「第２領域が、シールド層の第１部分における上面よりも高い位置に配置される」と特定しているのに対し、先願明細書にはそのような特定はされていない。
　
（２）判断　
　「第２絶縁層の上面は、第２領域が、シールド層の第１部分における上面よりも高い位置に配置される」構成について、以下検討する。
　（ア）先願明細書には、絶縁層の厚さや下シールド磁性層の山形状のサイズについて特段記載はない。また、図面は、明細書の内容を説明するために描かれた概略図であって、各サイズ及び相互の層の関係を正確に図示するものでないから、先願の図１は、図面の中の、絶縁層の３０の膜厚を特定して図示するものでなく、また絶縁層３０の上面と下シールド磁性層の平坦部上面との高低の関係を特定しているものでもない。先願明細書に記載された発明においては、絶縁層は、その膜厚として、絶縁の目的で十分な厚さが適宜選定されていることが当然のことであるといえるから、先願明細書に記載された発明は、下の絶縁層の膜厚については、絶縁性が確保される膜厚であれば、傾斜裾部と中央平坦部との段差より、薄いものから厚いものまで、すなわち、第２絶縁層の上面の第２領域が、シールド層の第１部分における上面よりも低い位置のものから高い位置のものまで、実質的に含むものである。
　（イ）次に、本願における記載を検討する。
　明細書の発明の詳細な説明の項には、上記構成についての記載はなく、図９において、再生下部絶縁層７４の上面７４ｂ（端子層が配置される第２領域）が、再生下部シールド層７２の厚肉部分７２ａ（磁気抵抗素子層の下に位置する第１部分）における上面よりも高くなっている。そして、明細書には、絶縁層の厚さが数百Å（「再生下部絶縁層７４を数百Åに一様に薄膜形成し」（段落４５）参照。）、シールド層の厚さが数百Å〜数μｍ（段落４４参照。）、三層構造の磁気抵抗素子層の厚さが数十Å〜数百Å（段落４５参照。）であることが、図９に関して例示されている。また、明細書には、図９の磁気ヘッドの構成要素の一部は図１と共通の参照符号が付されて詳細な説明が省かれているので、図１に関する記載を参照すると、三層構造の磁気抵抗素子層の厚み（例えば３００Å）、硬質磁性体層の厚み（例えば３００Å）、端子層の厚み（例えば７００Å）が例示され（段落２６）、下部層の第１部分と第２部分との厚みの差が、磁気抵抗素子層の全体厚みと硬質磁性体層及び端子層の合計厚みとの差に実質的に相当するように構成される旨（段落３０）が記載されているから、これらの記載に基づけば、下部層の第１部分と第２部分との厚みの差、すなわち、図９におけるシールド層の第１部分と第２部分との段差は、例えば７００Å程度であるとみられる。そうすると、明細書には、絶縁層の厚さが数百Åで、シールド層の第１部分と第２部分との段差が例えば７００Å程度であることが、示されているのみであって、数百Åとは、「数」が通常２〜３あるいは５〜６程度を漠然と示す語（広辞苑参照。）であるから、絶縁層の厚さが段差より薄いものが例示されているとはいえたとしても、絶縁層の厚さが段差より厚いことが記載されているとは到底いえない。
　そうであるから、明細書には、上記構成について記載がないうえ、上記構成に基づく作用効果について記載も示唆もない。よって、本願発明の上記構成に基づく作用効果はないというべきである。
　（ウ）なお、請求人は、意見書及び審判請求の理由において、上記構成について、「第２絶縁層の厚みをシールド層の上面の段差寸法よりも厚くできる点で、両者は明らかに相違する。」及び「本願発明の構成によれば、第２絶縁層の厚みがシールド層の上面の段差寸法よりも厚くなるから、シールド層に対する第２絶縁層のステップカバレージが確保されてその絶縁性が向上する、という極めて有利な作用効果が奏される。」旨、主張している。
　しかしながら、上記主張は、本願の明細書の記載に基づくものではなく、もし、上記構成に基づく作用効果を新たに明細書に追加しようとすれば、新規事項の追加となりうるものであるから、作用効果についての上記主張は採用できない。また、絶縁層の膜厚は、絶縁性を確保するよう適宜設計されるものであることは、先に述べたとおりであるから、本願発明の、第２絶縁層の厚みが、十分厚くて絶縁性が向上するという作用効果は、上記構成を特定したことにより奏する新たな作用効果とはいえない。
　
　よって、本願発明は、先願明細書に記載された発明において、その「第２絶縁層の上面」について、「第２領域が、シールド層の第１部分における上面よりも高い位置に配置される」構成に限定したことにより、新たな作用効果を奏するものでないから、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一である。
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。