(57)【要約】  検査システムに、２本のシア照明ビームによる照明に依拠し標本の画像を生成する微分干渉コントラスト撮像ツールに結合されたコントローラを、設ければよい。そのコントローラにより、第１照明スペクトルが選定され且つ２本のシア照明ビーム間の誘起位相差が二通り以上選定されている許で標本上の欠陥の画像の第１集合に基づき欠陥誘起性の第１位相シフトを求め、第２照明スペクトルが選定され且つ２本のシア照明ビーム間の誘起位相差が二通り以上選定されている許でその欠陥の画像の第２集合に基づき欠陥誘起性の第２位相シフトを求め、第１位相シフト対第２位相シフトの比較を踏まえその欠陥を金属か非金属に分類すればよい。
2022502676.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微分干渉コントラスト撮像ツールに可通信結合されたコントローラを備え、２本のシア照明ビームによる照明に依拠し標本の画像を１枚又は複数枚生成するようその微分干渉コントラスト撮像ツールが構成されており、それら２本のシア照明ビームの照明スペクトル並びに当該２本のシア照明ビーム間の誘起位相差をその標本のあらゆる個別画像に関し選定可能であり、そのコントローラが、プログラム命令を実行するよう構成された１個又は複数個のプロセッサを有し、それらプログラム命令に従い、当該１個又は複数個のプロセッサが、
第１照明スペクトルが選定され且つ前記２本のシア照明ビーム間の誘起位相差が二通り以上選定されている許で、前記標本上の欠陥の画像の第１集合を受け取り、
選定されている第１照明スペクトルに基づき欠陥誘起性の第１位相シフトを求め、
第１照明スペクトルとは異なる第２照明スペクトルが選定され且つ前記２本のシア照明ビーム間の誘起位相差が二通り以上選定されている許で、前記標本上の欠陥の画像の第２集合を受け取り、
選定されている第２照明スペクトルに基づき欠陥誘起性の第２位相シフトを求め、
第１位相シフト対第２位相シフトの比較を踏まえ前記欠陥を金属か非金属に分類する検査システム。
【請求項２】
請求項１に記載の検査システムであって、前記欠陥を金属か非金属に分類する際、
第１位相シフト対第２位相シフトの比を求め、
その比が指定公差内のものと等しい場合に前記欠陥を金属として分類し、
それ以外の場合に前記欠陥を非金属として分類する検査システム。
【請求項３】
請求項１に記載の検査システムであって、前記撮像ツールが、
照明ビームを生成するよう構成された照明源と、
前記照明源からの照明を、シアリング方向に沿い空間分離された前記２本のシア照明ビームへと分割するよう、構成されたシアリングプリズムと、
前記２本のシア照明ビームを前記標本に差し向けるよう構成された対物レンズであり、当該２本のシア照明ビームによる照明に応じその標本から発せられる光を含め、標本光を集光するようにも構成されている対物レンズと、を備え、前記シアリングプリズムが更に、当該標本光のうち当該２本のシア照明ビームに係る諸部分を結合させて共通ビームの態にするよう構成されており、且つ
前記撮像ツールが、前記共通ビームに依拠し前記標本の画像を１枚又は複数枚生成するよう構成された多画素検出器を備える検査システム。
【請求項４】
請求項３に記載の検査システムであって、前記シアリングプリズムが、
ウォラストンプリズムを備える検査システム。
【請求項５】
請求項３に記載の検査システムであって、前記シアリングプリズムが、
ノマルスキープリズムを備える検査システム。
【請求項６】
請求項３に記載の検査システムであって、前記多画素検出器が、
前記標本が静止している間にその標本の画像を生成するよう構成されたフレームモード検出器を備える検査システム。
【請求項７】
請求項６に記載の検査システムであって、前記フレームモード検出器が、
電荷結合デバイス（ＣＣＤ）及び相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）センサのうち少なくとも一方を備える検査システム。
【請求項８】
請求項３に記載の検査システムであって、前記多画素検出器が、
前記標本が走査方向に沿い運動している間にその標本の画像を生成するよう構成された走査モード検出器を備える検査システム。
【請求項９】
請求項８に記載の検査システムであって、前記走査モード検出器が、
ラインスキャンセンサ及び時間遅延積分型センサのうち少なくとも一方を備える検査システム。
【請求項１０】
請求項８に記載の検査システムであって、前記シアリング方向が前記走査方向に対し４５°角の向きである検査システム。
【請求項１１】
請求項３に記載の検査システムであって、前記撮像ツールの光軸に対し横方向に沿い、選定されている二通り以上の位置へと前記シアリングプリズムを並進させることによって、画像の第１集合及び画像の第２集合のうち少なくとも一方に関し前記２本のシア照明ビーム間の前記二通り以上の誘起位相差が選定される検査システム。
【請求項１２】
請求項１に記載の検査システムであって、前記微分干渉コントラスト撮像ツールが、
明視野微分干渉コントラスト撮像ツールを備える検査システム。
【請求項１３】
２本のシア照明ビームによる照明に依拠し標本の画像を１枚又は複数枚生成するよう構成されており、それら２本のシア照明ビームの照明スペクトル並びに当該２本のシア照明ビーム間の位相差をその標本のあらゆる個別画像に関し選定可能な微分干渉コントラスト撮像ツールと、
前記撮像ツールに可通信結合されたコントローラと、を備え、そのコントローラが、プログラム命令を実行するよう構成された１個又は複数個のプロセッサを有し、それらプログラム命令に従い、当該１個又は複数個のプロセッサが、
第１照明スペクトルが選定され且つ前記２本のシア照明ビーム間の誘起位相差が二通り以上選定されている許で、前記標本上の欠陥の画像の第１集合を受け取り、
選定されている第１照明スペクトルに基づき前記欠陥に係る第１位相シフトを求め、
第１照明スペクトルとは異なる第２照明スペクトルが選定され且つ前記２本のシア照明ビーム間の誘起位相差が二通り以上選定されている許で、前記標本上の欠陥の画像の第２集合を受け取り、
選定されている第２照明スペクトルに基づき前記欠陥に係る第２位相シフトを求め、
第１位相シフト対第２位相シフトの比較を踏まえ前記欠陥を金属か非金属に分類する検査システム。
【請求項１４】
請求項１３に記載の検査システムであって、前記欠陥を金属か非金属に分類する際、
第１位相シフト対第２位相シフトの比を求め、
その比が指定公差内のものと等しい場合に前記欠陥を金属として分類し、
それ以外の場合に前記欠陥を非金属として分類する検査システム。
【請求項１５】
請求項１３に記載の検査システムであって、前記撮像ツールが、
照明ビームを生成するよう構成された照明源と、
前記照明源からの照明を、シアリング方向に沿い空間分離された前記２本のシア照明ビームへと分割するよう、構成されたシアリングプリズムと、
前記２本のシア照明ビームを前記標本に差し向けるよう構成された対物レンズであり、当該２本のシア照明ビームによる照明に応じその標本から発せられる光を含め、標本光を集光するようにも構成されている対物レンズと、を備え、前記シアリングプリズムが更に、当該標本光のうち当該２本のシア照明ビームに係る諸部分を結合させて共通ビームの態にするよう構成されており、且つ
前記撮像ツールが、前記共通ビームに依拠し前記標本の画像を１枚又は複数枚生成するよう構成された多画素検出器を備える検査システム。
【請求項１６】
請求項１５に記載の検査システムであって、前記シアリングプリズムが、
ウォラストンプリズムを備える検査システム。
【請求項１７】
請求項１５に記載の検査システムであって、前記シアリングプリズムが、
ノマルスキープリズムを備える検査システム。
【請求項１８】
請求項１５に記載の検査システムであって、前記多画素検出器が、
前記標本が静止している間にその標本の画像を生成するよう構成されたフレームモード検出器を備える検査システム。
【請求項１９】
請求項１８に記載の検査システムであって、前記フレームモード検出器が、
電荷結合デバイス（ＣＣＤ）及び相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）センサのうち少なくとも一方を備える検査システム。
【請求項２０】
請求項１５に記載の検査システムであって、前記多画素検出器が、
前記標本が走査方向に沿い運動している間にその標本の画像を生成するよう構成された走査モード検出器を備える検査システム。
【請求項２１】
請求項２０に記載の検査システムであって、前記走査モード検出器が、
ラインスキャンセンサ及び時間遅延積分型センサのうち少なくとも一方を備える検査システム。
【請求項２２】
請求項２０に記載の検査システムであって、前記シアリング方向が前記走査方向に沿った向きである検査システム。
【請求項２３】
請求項１５に記載の検査システムであって、前記撮像ツールの光軸に対し横方向に沿い、選定された二通り以上の位置へと前記シアリングプリズムを並進させることによって、画像の第１集合及び画像の第２集合のうち少なくとも一方に関し前記２本のシア照明ビーム間の前記二通り以上の誘起位相差が選定される検査システム。
【請求項２４】
請求項１３に記載の検査システムであって、前記微分干渉コントラスト撮像ツールが、
明視野微分干渉コントラスト撮像ツールを備える検査システム。
【請求項２５】
第１照明スペクトルが選定され且つ２本のシア照明ビーム間の誘起位相差が二通り以上選定されている許で、標本上の欠陥の画像の第１集合を微分干渉コントラスト撮像ツールから受け取り、
選定されている第１照明スペクトルに基づき１個又は複数個のプロセッサで以て欠陥誘起性の第１位相シフトを求め、
第１照明スペクトルとは異なる第２照明スペクトルが選定され且つ前記２本のシア照明ビーム間の誘起位相差が二通り以上選定されている許で、前記標本上の欠陥の画像の第２集合を前記微分干渉コントラスト撮像ツールから受け取り、
選定されている第２照明スペクトルに基づき１個又は複数個のプロセッサで以て欠陥誘起性の第２位相シフトを求め、
欠陥誘起性の第１位相シフト対欠陥誘起性の第２位相シフトの比較を踏まえ１個又は複数個のプロセッサで以て前記欠陥を金属か非金属に分類する検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件開示は総じて半導体製造時欠陥分類に関し、より具体的には多波長インタフェロメトリ（干渉計測法）による欠陥分類に関する。
【背景技術】
【０００２】
（関連出願への総合参照）
本願は、「位相コントラスト撮像干渉計を用いた金属及び非金属欠陥の組成分析」(COMPOSITION ANALYSIS OF METAL AND NONMETAL DEFECTS BY USING PHASE CONTRAST IMAGING INTERFEROMETER)と題しＡｎｄｒｅｗ  Ｚｅｎｇ及びＨｅｌｅｎ  Ｈｅｎｇ  Ｌｉｕを発明者とする２０１８年９月４日付米国仮特許出願第６２／７２６７８２号に基づき米国特許法第１１９条（ｅ）の規定による利益を主張する出願であるので、参照によりその全容を本願に繰り入れることにする。
【０００３】
欠陥検出は半導体製造プロセス中の重要工程であり、歩留まりを制御するため様々な製造段階にて実行されうるものである。更に、察知された欠陥の組成を識別してその欠陥の根本原因の判別を行うことが、望ましかろう。例えば、察知された標本上粒子が金属か非金属（例．誘電体）かを識別することで、その汚染の源泉についての知見を提供することができよう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１１／０２４２３１２号
【特許文献２】米国特許出願公開第２００１／００１３９３６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、通常の欠陥検査システムは、察知された欠陥を組成に基づき分類するのに適していない。寧ろ、別体のツール、例えばエネルギ分散性Ｘ線（ＥＤＸ）ツールを用い組成分析を実行するのが普通であろうが、それでは計測時間が長めになりスループットに悪影響が及ぶこととなりうる。加えて、ツール間標本移送により標本が更なる汚染物質、ひいては更なるスループット低下にさらされる可能性がある。従って、上掲の短所を正せるシステム及び方法を開発する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本件開示の１個又は複数個の例証的実施形態に従い検査システムが開示される。ある例証的実施形態に係るシステムは、２本のシア(sheared)照明ビームによる照明に依拠し標本の画像を１枚又は複数枚生成する構成を採る微分干渉コントラスト撮像ツールに可通信結合されたコントローラを有し、それら２本のシア照明ビームの照明スペクトル並びに当該２本のシア照明ビーム間の誘起位相差をその標本のあらゆる個別画像に関し選定可能なものである。また、ある例証的実施形態では、そのコントローラが、第１照明スペクトルが選定され且つ２本のシア照明ビーム間の誘起位相差が二通り以上選定されている許で、その標本上の欠陥の画像の第１集合を受け取る。また、ある例証的実施形態では、そのコントローラが、選定されている第１照明スペクトルに基づき欠陥誘起性の（欠陥により引き起こされた）第１位相シフトを求める。また、ある例証的実施形態では、そのコントローラが、第１照明スペクトルとは異なる第２照明スペクトルが選定され且つ２本のシア照明ビーム間の誘起位相差が二通り以上選定されている許で、その標本上の欠陥の画像の第２集合を受け取る。また、ある例証的実施形態では、そのコントローラが、選定されている第２照明スペクトルに基づき欠陥誘起性の第２位相シフトを求める。また、ある例証的実施形態では、そのコントローラが、第１位相シフト対第２位相シフトの比較を踏まえその欠陥を金属か非金属に分類する。
【０００７】
本件開示の１個又は複数個の例証的実施形態に従い検査システムが開示される。ある例証的実施形態に係るシステムは、２本のシア照明ビームによる照明に依拠し標本の画像を１枚又は複数枚生成する微分干渉コントラスト撮像ツールを有し、それら２本のシア照明ビームの照明スペクトル並びに当該２本のシア照明ビーム間の位相差をその標本のあらゆる個別画像に関し選定可能なものである。また、ある例証的実施形態に係るシステムは、その撮像ツールに可通信結合されたコントローラを有する。また、ある例証的実施形態では、そのコントローラが、第１照明スペクトルが選定され且つ２本のシア照明ビーム間の誘起位相差が二通り以上選定されている許で、その標本上の欠陥の画像の第１集合を受け取る。また、ある例証的実施形態では、そのコントローラが、選定されている第１照明スペクトルに基づきその欠陥に係る第１位相シフトを求める。また、ある例証的実施形態では、そのコントローラが、第１照明スペクトルとは異なる第２照明スペクトルが選定され且つ２本のシア照明ビーム間の誘起位相差が二通り以上選定されている許で、その標本上の欠陥の画像の第２集合を受け取る。また、ある例証的実施形態では、そのコントローラが、選定されている第２照明スペクトルに基づきその欠陥に係る第２位相シフトを求める。また、ある例証的実施形態では、そのコントローラが、第１位相シフト対第２位相シフトの比較を踏まえその欠陥を金属か非金属に分類する。
【０００８】
本件開示の１個又は複数個の例証的実施形態に従い検査方法が開示される。ある例証的実施形態に係る方法では、第１照明スペクトルが選定され且つ２本のシア照明ビーム間の誘起位相差が二通り以上選定されている許で、標本上の欠陥の画像の第１集合を微分干渉コントラスト撮像ツールから受け取る。また、ある例証的実施形態に係る方法では、選定されている第１照明スペクトルに基づき欠陥誘起性の第１位相シフトを求める。また、ある例証的実施形態に係る方法では、第１照明スペクトルとは異なる第２照明スペクトルが選定され且つ２本のシア照明ビーム間の誘起位相差が二通り以上選定されている許で、その標本上の欠陥の画像の第２集合を微分干渉コントラスト撮像ツールから受け取る。また、ある例証的実施形態に係る方法では、選定されている第２照明スペクトルに基づき欠陥誘起性の第２位相シフトを求める。また、ある例証的実施形態に係る方法では、欠陥誘起性の第１位相シフト対欠陥誘起性の第２位相シフトの比較を踏まえ、その欠陥を金属か非金属に分類する。
【０００９】
理解し得るように、上掲の概略記述及び後掲の詳細記述は共に専ら例示的且つ説明的なものであり、特許請求の範囲記載の発明を必ずしも限定するものではない。添付図面は、明細書に組み込まれてその一部を構成し、本発明の諸実施形態を描出し、そしてその概略記述と相俟ち本発明の諸原理を説明する役目を有している。
【００１０】
添付図面を参照することで、本件技術分野に習熟した者（いわゆる当業者）には、本件開示の数多な長所をより良好に理解できよう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るＤＩＣ検査システムの概念図である。
【図２】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るシミュレーションプロット図であり、３６５ｎｍなる波長でのシリコン基板上のタングステン（Ｗ）及び銅（Ｃｕ）のＲＰＣを厚みの関数としてプロットしてある。
【図３】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るシミュレーションプロット図であり、３６５ｎｍなる波長でのシリコン基板上のＳｉＯ２のＲＰＣを厚みの関数としてプロットしてある。
【図４】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るプロット図であり、シリコン基板上の銅（Ｃｕ）を厚みの関数としてプロットしてある。
【図５】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るプロット図であり、シリコン基板上の銅ＳｉＯ２について厚みの関数としてプロットしてある。
【図６】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係る欠陥強度のシミュレーションプロット図であり、相異なる４通りのシステム誘起性位相シフトが選定されている許で複数回順次走査を用い生成されたものである。
【図７】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係る欠陥プロファイルのプロット図並びにシミュレーション及び再構築された欠陥誘起性位相シフトのプロット図であり、図６中のプロットに基づいている。
【図８】本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い無欠陥標本の計測画像を３枚示す図である。
【図９】図８の如く撮像された標本につき本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い再構築された位相シフトのプロット図である。
【図１０】本件開示の１個又は複数個の実施形態に係る欠陥分類方法にて実行される諸ステップを描いたフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面に描かれている被開示主題を詳細に参照する。本件開示を特定の諸実施形態及びその個別的特徴との関連で具体的に図示及び記述する。本願中で説明されている諸実施形態は、限定としてではなく例証として捉えられるべきである。いわゆる当業者には全く明らかな通り、本件開示の神髄及び技術的範囲から離隔することなく、その形態及び細部に様々な改変及び修正を施すことができる。
【００１３】
本件開示の諸実施形態は、欠陥識別（例．欠陥存在検出）、並びにその欠陥による反射位相変化（ＲＰＣ）に基づく識別済欠陥の組成分類、の双方を担う多波長干渉式顕微法システム及び方法を指向している。
【００１４】
本願での認識によれば、物質により反射された光には、その物質の反射率に応じた振幅変化と位相変化（例．反射位相変化（ＲＰＣ））とが現れる。所与物質により引き起こされるＲＰＣの量は、これに限られるものではないがその物質の組成及び入射光の波長を初め、幾つかの要因により変動しうる。例えば金属では、ほぼ一定のＲＰＣが広範な波長域に亘り現れよう。また例えば、誘電体では、現れるＲＰＣが波長の関数として変動することとなろう。
【００１５】
本件開示のある実施形態によれば、多波長微分干渉コントラスト（ＤＩＣ）顕微法を用い欠陥を識別（例．検出）し且つ分類することができる。ＤＩＣ検査システムでは、照明ビームを剪断（シアリング）して２本のシアビームとし、それらシアビームで以て標本を照明し、それらシアビームを再結合させることで像を形成して検出器により捉えることで、標本又はその一部分の画像を生成することができる。対応する画像におけるコントラスト（例．光強度ひいては検出信号強度の変動）は、結合されたシアビーム同士の検出器での干渉に関連しており、その根底にはその検出器上におけるその結合光の光位相がある。この光位相は、これに限られるものではないが、システム内を伝搬し標本にて反射されていく２本のシアビームの光路間の光路差（ＯＰＤ）や、反射を経てそれら２本のシアビームに入り込むＲＰＣ間の差を初め、複数の要因に影響されうる。検査システムの場合、標本上に欠陥が存在していると、欠陥高を根源とするＯＰＤ並びに欠陥・周囲物質間ＲＰＣ差の双方に係る、位相シフトが引き起こされることとなろう。ＤＩＣ検査システムでは、更に、それらシアビームの光路上にある部材の具体的構成に根源がある位相シフトが入り込むこともあろう。例えば、それらシアビームの光路は、シアリングプリズムの位置及び／又は向き次第で異なりうる。
【００１６】
本件開示の付加的諸実施形態は、位相復元分析を実行することでＤＩＣ信号への欠陥の寄与を分離例えば抽出することを、指向している。例えば、ＤＩＣ検査システムにて移相技術を利用することで、相異なる位相オフセットをシア照明ビーム間に誘起させて標本画像複数枚に基づき欠陥誘起性位相シフトを分離させることができる。
【００１７】
本件開示の付加的諸実施形態は、二通り以上の波長に係る欠陥誘起性位相シフトの比較を踏まえ欠陥を分類することを、指向している。例えば、ＤＩＣ検査システムにて二通り以上の波長で以て標本又はその一部分を撮像し、識別された欠陥を波長毎の欠陥誘起性位相シフトの比較を踏まえ分類すればよい。更に、そのＤＩＣ検査システムにて各波長での画像複数枚に基づく位相復元分析を実行することで、波長毎に欠陥誘起性ＯＰＤを抽出してもよい。
【００１８】
上述の通り、金属のＲＰＣが波長との関係では実質的に一定となりうるのに対し、これに限られるものではないが誘電体等、多くの非金属のＲＰＣは波長の関数として変動しうる。従って、相異なる波長で以て生成された欠陥誘起性位相シフト（直に求めるのであれば欠陥・周囲物質間ＲＰＣ差）の比較により、欠陥の組成についての知見を提供することができる。例えば、相異なる二通りの波長で生じた欠陥誘起性位相シフト同士の比を判別することで、識別された欠陥を分類することができる。一例としては、その比が１に対し指定公差以内に収まっている場合は金属質、そうでない場合は非金属（例．誘電体）として、欠陥を分類することができる。
【００１９】
幾つかの実施形態では、ＲＰＣが欠陥誘起性ＯＰＤから分離例えば抽出される。その際、欠陥高の寄与分は、撮像波長では変動しないので、除去することができる。例えば、二通り以上の波長でのＲＰＣの比較を踏まえ欠陥を分類すればよい。場合によっては、特定波長での特定物質（例．特定の金属又は誘電性物質）のＲＰＣを、理論及び／又は実験データから知ることができる。その場合、ＲＰＣの計測値をそれら既知値と比較し、それを踏まえ欠陥の組成を識別することができる。
【００２０】
以下、図１〜図９を参照し、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り多波長微分干渉コントラスト（ＤＩＣ）検査に依拠する欠陥識別及び分類システム及び方法につき記述する。
【００２１】
図１は、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るＤＩＣ検査システム１００の概念図である。
【００２２】
実施形態に係るＤＩＣ検査システム１００は、照明ビーム１０４を生成する照明源１０２、シアリング方向１１０に沿い分離された２本のシアビーム１０８の態へとその照明ビーム１０４を分割するシアリングプリズム１０６、それら２本のシアビーム１０８を標本１１４側、空間的に隔たった個所へと差し向ける対物レンズ１１２、並びにその標本１１４の像でありそれら２本のシアビーム１０８間の干渉に根差すものを捉える検出器１１６を有している。図１では標本１１４が基板１１８及び欠陥１２０として描かれている。更に、標本１１４を載せた並進ステージ１２２により、ＤＩＣ検査システム１００の視野内でその標本１１４の位置を制御することができる。例えば、その並進ステージ１２２を、これに限られるものではないがリニア、回動又はティップティルトアクチュエータを何らかの組合せで有するものとすることができよう。
【００２３】
また、実施形態では、対物レンズ１１２により更に、シアビーム１０８のうち標本１１４から反射されてきた諸部分（例．反射光１２４）が集光され、２本のシアビーム１０８に係る反射光１２４が共通光路沿いのシアリングプリズム１０６により再結合される。更に、図１に描かれているように、ＤＩＣ検査システム１００にビームスプリッタ１２６を設けることで、照明ビーム１０４を、共通光路に沿い検出器１１６へと向かう結合反射光１２４から分離させることができる。
【００２４】
シアリングプリズム１０６は、照明ビーム１０４をシアリングして２本のシアビーム１０８にするのに適し本件技術分野で既知な、何れの種類の光学素子であってもよい。シアリングプリズム１０６の例としては、偏向に基づき照明ビーム１０４を分離させてシアビーム１０８にする偏向プリズムがあろう。例えば、それら２本のシアビーム１０８が正常光線及び異常光線に相当する場合、それらシアリングプリズム１０６をノマルスキープリズム、ウォラストンプリズム、ローションプリズム等とすることができる。
【００２５】
また、実施形態に係るＤＩＣ検査システム１００は、標本１１４による反射を含め、同システム内を通る２本のシアビーム１０８の光路間の相対光路差（ＯＰＤ）を導入、調整その他制御するよう構成された、位相調整サブシステム１２８を有している。例えば、図１に描かれているように、位相調整サブシステム１２８にアクチュエータ（例．並進ステージ等）を設け、シアリングプリズム１０６を固持するマウントにそれを結合させることができる。そうした場合、その位相調整サブシステム１２８により、シアリングプリズム１０６の位置を調整することで、シアビーム１０８間ＯＰＤを制御することができる。また例えば、図示しないが、位相調整サブシステム１２８にド・セナルモント補償器を設けてもよい。
【００２６】
また、実施形態に係るＤＩＣ検査システム１００は、光偏向を修正する１個又は複数個の偏向制御光学系を随所に有している。例えば、ＤＩＣ検査システム１００にポラライザ１３０を設け、それによりシアリングプリズム１０６側に直線偏向照明ビーム１０４を供給することができる。また例えば、ＤＩＣ検査システム１００にアナライザ１３２を設け、それによりシアビーム１０８の反射に係る反射光１２４を分離して検出器１１６における高コントラスト干渉を実現することができる。また例えば、ＤＩＣ検査システム１００に半波長板１３４を設け、それによりその直線偏向照明ビーム１０４の向きを調整することで、シアビーム１０８同士を等強度にすることができる。例えば偏向シアリングプリズム１０６の場合、そのシアリングプリズム１０６を形成している一種類又は複数種類の複屈折素材の光軸に対し照明ビーム１０４の偏向が４５°の向きであるときに、シアビーム１０８同士が等強度となりうる。従って、照明源１０２の向き或いは初期偏向の如何によらず、半波長板１３４によって、シアリングプリズム１０６上における照明ビーム１０４の偏向の精密調整を実現することができる。
【００２７】
また、実施形態に係るＤＩＣ検査システム１００に、図示しないが、同ＤＩＣ検査システム１００内の任意点にて光特性を制御、整形その他調整するビーム調光光学系を、設けてもよい。例えば、そのビーム調光光学系を、これに限られるものではないが１個又は複数個の分光フィルタ、１個又は複数個の中性濃度フィルタ、１個又は複数個のアパーチャ、或いは１個又は複数個のホモジナイザを有するものと、することができる。
【００２８】
照明源１０２は、これに限られるものではないがレーザ光源、発光ダイオード（ＬＥＤ）光源、ランプ光源又はレーザ維持プラズマ（ＬＳＰ）光源を初め、照明ビーム１０４を生成するのに適し本件技術分野で既知な何れの種類の光源を有するものとしてもよい。更に、その照明源１０２により生成される照明ビーム１０４のスペクトルをどのように選定してもよい。例えば、照明ビーム１０４が紫外（ＵＶ）、可視又は赤外（ＩＲ）光をどのような組合せで含んでいてもよい。また例えば、照明ビーム１０４が、これに限られるものではないが極端紫外（ＥＵＶ）、深紫外（ＤＵＶ）又は真空紫外（ＶＵＶ）光等といった、短波長光を含んでいてもよい。
【００２９】
また、実施形態における照明源１０２は可調光源であり、照明ビーム１０４のスペクトル（例．中心波長、帯域幅等）を選択的に調整することができる。そのため、ＤＩＣ検査システム１００を多波長検査システムとして動作させることができる。
【００３０】
照明源１０２が、本件技術分野で既知な何れの種類の可調光源を有していてもよい。一例に係る照明源１０２は、これに限られるものではないが可調レーザ光源等、放射スペクトルが可調な発光器を有するものである。別例に係る照明源１０２は、広帯域光源を１個又は複数個の分光フィルタに結合させたものであり、ある選定されたスペクトルで以て照明ビーム１０４を供給することができる。例えば、それら分光フィルタのなかに、選択的に回動させうる１個又は複数個の角度可調フィルタが含まれている場合、光入射角を調整することで分光フィルタリング特性を調整することができる。また例えば、それら分光フィルタのなかに１個又は複数個の固定スペクトルフィルタが含まれていて、広帯域光源に発する広帯域光の光路に（例．フィルタホイール、独立な１個又は複数個のアクチュエータ等を用い）それを選択的に配置しうる場合、ある選定されたスペクトルで以て照明ビーム１０４を供給することができる。
【００３１】
また、実施形態における検出器１１６は多画素検出器であるので、ＤＩＣ検査システム１００を多画素撮像システムとして動作させることができる。例えば、シアビーム１０８により標本１１４の拡張部分を照明して検出器１１６上に（例．対物レンズ１１２と標本１１４を撮像するのに適した何らかの付加的レンズとを用い）像形成することができる。本願での認識によれば、多画素ＤＩＣ検査システム１００では単画素検査システム（例．走査型ＤＩＣシステム）よりも相対的に高い分解能及び／又は検出感度が得られる。例えば、ＤＩＣ検査システム１００にて高分解能対物レンズ１１２、低雑音検出器１１６及び低雑音照明源１０２を併用することで、長手（例．高さ）方向沿いではｎｍ以下オーダ、横方向沿いでは数μｍ以下オーダの分解能で以て、高感度な欠陥検出及び分類を達成することができる。
【００３２】
更に、検出器１１６にて生成される画像が静止標本１１４のものであっても可動標本１１４のものであってもよい。例えば、静止標本の像を捉えるのに適した検出器１１６には、これに限られるものではないが電荷結合デバイス（ＣＣＤ）や相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）デバイスがあろう。また例えば、可動標本の像を捉えるのに適した検出器１１６には、これに限られるものではないがラインスキャンセンサや時間遅延積分（ＴＤＩ）型センサがあろう。
【００３３】
また、実施形態に係るＤＩＣ検査システム１００はコントローラ１３６を有している。また、実施形態におけるコントローラ１３６は１個又は複数個のプロセッサ１３８を有しており、記憶媒体１４０又はメモリ内に保持されている一組のプログラム命令を実行するようその又はそれらのプロセッサが構成されている。更に、そのコントローラ１３６を、記憶媒体１４０内に格納されておりプロセッサ１３８により実行可能な１個又は複数個のプログラム命令が組み込まれた、１個又は複数個のモジュールを有するものとしてもよい。コントローラ１３６に備わるプロセッサ１３８には、本件技術分野で既知なあらゆる処理素子が含まれうる。その意味で、プロセッサ１３８には、アルゴリズム及び／又は命令を実行するよう構成されたあらゆるマイクロプロセッサ型デバイスが含まれうる。実施形態におけるプロセッサ１３８は、デスクトップコンピュータ、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、イメージコンピュータ、並列プロセッサその他何らかのコンピュータシステム（例．ネットワーク接続されたコンピュータ）であり、本件開示の随所に記載の如くＤＩＣ検査システム１００を動作させる構成を採るプログラムを実行するよう構成されたもので、構成されうる。更なる認識によれば、語「プロセッサ」は、非一時的記憶媒体１４０から得たプログラム命令を実行する処理素子を１個又は複数個有するデバイス全てが包括されるよう、広義に定義することができる。
【００３４】
記憶媒体１４０には、連携するプロセッサ１３８により実行可能なプログラム命令を格納するのに適し本件技術分野で既知な、あらゆる格納媒体が含まれうる。例えば、記憶媒体１４０に非一時的記憶媒体を含めてもよい。また例えば、記憶媒体１４０に、これに限られるものではないがリードオンリメモリ、ランダムアクセスメモリ、磁気又は光記憶デバイス（例．ディスク）、磁気テープ、固体ドライブ等を含めてもよい。更に注記されることに、記憶媒体１４０をプロセッサ１３８と共に共通コントローラハウジング内に収容してもよい。実施形態によっては、記憶媒体１４０が、プロセッサ１３８及びコントローラ１３６の物理的居所に対し遠隔配置されうる。例えば、コントローラ１３６に備わるプロセッサ１３８が、ネットワーク（例．インターネット、イントラネット等）を介しアクセス可能なリモートメモリ（例．サーバ）にアクセスするのでもよい。従って、上掲の記述は、本発明についての限定としてではなく、単に例証として解されるべきである。
【００３５】
コントローラ１３６は、ＤＩＣ検査システム１００の何れの部材にも可通信結合されうる。実施形態におけるコントローラ１３６は、ＤＩＣ検査システム１００の構成部材１個又は複数個からデータを受け取る。例えば、コントローラ１３６にて、検出器１１６から画像群又はその一部分を受け取ることができる。また、実施形態におけるコントローラ１３６は、本件開示の処理ステップ１個又は複数個を実行する。例えば、コントローラ１３６にて、標本１１４の画像群であり（例．位相調整サブシステム１２８の構成の違いがもとで）相異なる誘起位相で以て生成されたものを受け取り、１個又は複数個の分析ステップ（例．位相復元分析）を実行することで、欠陥誘起性位相シフトを分離することができる。また例えば、コントローラ１３６にて、標本１１４又はその一部分の画像群であり照明ビーム１０４中の相異なる波長を用い生成されたものを受け取り、波長毎に欠陥誘起性位相シフトに基づき一通り又は複数通りの子細を分類することができる。
【００３６】
また、実施形態では、コントローラ１３６にて１個又は複数個の制御信号を生成し、ＤＩＣ検査システム１００の構成諸部材に指令等してそれらを制御することができる。これに限られるものではないが検出器１１６、並進ステージ１２２又は照明源１０２を初め、ＤＩＣ検査システム１００の何れの部材向けに、コントローラ１３６にて制御信号を生成してもよい。
【００３７】
以下、図２〜図９を参照し、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り多波長ＤＩＣインタフェロメトリに依拠する欠陥検出及び分類につきより詳細に記述する。
【００３８】
ＤＩＣ検査システム１００（例．図１に描かれているそれ）により生成された画像におけるコントラストは、一般に、空間的にずれた標本部位からのシアビーム１０８の反射に係る反射光１２４間の干渉に、関連付けることができる。具体的には、図１に描かれているように、高さ（ｈｄ）を有する欠陥上にシアビーム１０８のうち一方が入射し他方が入射しない、といったことが起こりうる。この場合の光強度は、一般に、
Ｉ＝Ｉ１Ｒｄ＋Ｉ２Ｒｓ＋２（Ｉ１ＲｄＩ２Ｒｓ）１／２ｃｏｓφ      （１）
及び
φ＝Δφｄ＋Δφｓ＝（４πｈｄ）／λ＋Δφｒ＋Δφｓ      （２）
として特記することができる；但しＩ１及びＩ２は２本のシアビーム１０８の強度、Ｒｄは欠陥の反射率、Ｒｓは欠陥周囲での標本１１４の反射率、Δφｄは欠陥誘起性位相差、Δφｓはシステム誘起性位相差である。例えば、Δφｓの値を、シアリングプリズム１０６の具体的な居所及び／又は向きに関連付けることができる。
【００３９】
上述の通り、欠陥誘起性位相差（Δφｄ）は、周囲物質を基準とした欠陥高（ｈｄ）、並びに欠陥及び周囲物質のＲＰＣ間差の双方に基づき決めることができる。具体的には、欠陥誘起性位相差（Δφｄ）を、
Δφｄ＝２（２π／λ）ｎｈｄ＋Δφｒ＝２（２π／λ）ｎ（ｈｄ＋ｈＲＰＣ）＝２（２π／λ）ｎｈＴＯＴ      （３）
として様々に書き記すことができる；但しｎは屈折率、Δφｒはその標本１１４の欠陥及び周囲部分のＲＰＣ差に係る位相差、ｈＴＯＴは実際の高さｈｄ及び付加的寄与分ｈＲＰＣの双方に根差す見掛け上の欠陥高（例．その欠陥の見掛け上のＯＰＤ）であり、ｈＲＰＣはその欠陥と欠陥周囲の標本１１４との間のＲＰＣ差に根差している。等式（３）中の係数２は、ＤＩＣ検査システム１００内の反射光往復行程を勘案したものである。
【００４０】
本願での認識によれば、ＲＰＣは、一般に、これに限られるものではないが物質組成、物質サイズ及び入射光波長等、様々な要因に依存する。従って、複数通りの波長に係る欠陥誘起性位相差（Δφｄ）及び／又はＲＰＣ差（Δφｒ）自体を比較することで、それらの要因に基づく欠陥の分類を行うことができる。
【００４１】
図２及び図３に、ある共通波長での金属及び非金属のＲＰＣを欠陥厚（サイズ）の関数として示す。図２は本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るシミュレーションプロット図２０２であり、３６５ｎｍなる波長でのシリコン基板上の二種類の金属即ちタングステン（Ｗ）及び銅（Ｃｕ）のＲＰＣが、厚みの関数としてプロットされている。図３は本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るシミュレーションプロット図３０２であり、３６５ｎｍなる波長でのシリコン基板上のＳｉＯ２のＲＰＣが、厚みの関数としてプロットされている。
【００４２】
図２及び図３中の薄膜シミュレーションにて用いられた薄膜モデルは、関連する欠陥群のＲＰＣにつき第１近似を提供するものである。図２に描かれているように、金属に係るＲＰＣは、欠陥サイズが約１００ｎｍ超であるときに一定となる。更に、そのＲＰＣ量は、実質的にその金属の組成によって変動する。これに対し、図３に描かれているように、ＳｉＯ２のＲＰＣは厚みに強く依存している。更に、注記されることに、図３には３６０°（２πｒａｄ）を法とする包絡位相が描出されている。
【００４３】
図４及び図５に、本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い、複数通りの波長（３６５ｎｍ及び４０５ｎｍ）での金属及び非金属のＲＰＣを欠陥厚（サイズ）の関数として示す。即ち、図４及び図５には、波長の関数たるＲＰＣの変動を欠陥分類向けにどのように利用するかが描かれている。図４は本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るプロット図４０２であり、シリコン基板上の銅（Ｃｕ）が厚みの関数としてプロットされている。図５は本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るプロット図５０２であり、シリコン基板上の銅ＳｉＯ２が厚みの関数としてプロットされている。
【００４４】
図４に描かれているように、２００ｎｍ超のほぼ全てのサイズで、金属のＲＰＣが呈する波長依存性は比較的弱い（例．５°未満）。これに対し、図５に描かれているように、約２００ｎｍ超のサイズで、ＳｉＯ２のＲＰＣが呈する波長依存性は比較的強い（例．９０°超）。
【００４５】
以下に示す表１は、様々な物質及びサイズに係るＲＰＣ値を概括することで、物質組成、サイズ及び波長に対するＲＰＣの依存性をさらに鮮明化したものである。
【００４６】
【表１】
2022502676.tif 000003
【００４７】
図２〜図５及び表１から考えるに、金属のＲＰＣは、その金属の具体的組成により変動する反面、その組成によらず照明波長及びサイズとの関係では相対的に一定となる。これに対し、これに限られるものではないがＳｉＯ２をその例とする非金属のＲＰＣは、約２００ｎｍ超の欠陥サイズでは比較的強い欠陥サイズ依存性を呈する。ある実施形態によれば、波長の関数として計測されたＲＰＣ変動に基づき、所定閾値を上回る変動を以て非金属質欠陥を示すものとすることで、欠陥を金属か非金属かに分類することができる。
【００４８】
以下、図６〜図９を参照し、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り計測ＤＩＣ信号に依拠する欠陥分類につきより詳細に記述する。
【００４９】
上掲の等式（１）〜（３）に示されているように、検出器１１６上の個別位置における光強度Ｉは、部分的に、シアリングプリズム１０６により再結合された反射光１２４に係る、検出器１１６での光位相（φ）に依存する。更に、この光位相（φ）には、システム誘起性位相シフト（Δφｓ）及び欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）が入り込みうる。
【００５０】
ある実施形態によれば、位相復元分析を用い（例．コントローラ１３６により）システム誘起性位相シフト（Δφｓ）から欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）を分離、例えば抽出することで、強度Ｉに対するＲＰＣの影響が分離される。システム誘起性位相シフト（Δφｓ）から欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）を分離、例えば抽出する際に用いる技術は、本件技術分野で既知な何れの技術でも、またそれら技術のどのような組合せでもよい。ある実施形態によれば、移相分析を用い欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）を抽出することができる。例えば、識別された欠陥に係る欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）を、各波長にて、相異なる（例．選定された）システム誘起性位相シフト（Δφｓ）の許で、その欠陥の画像複数枚に基づき求めればよい。例えば、本願既述の通り、これに限られるものではないがシアリング方向１１０に沿いシアリングプリズム１０６を並進させるアクチュエータを有するもの等、位相調整サブシステム１２８を用いシステム誘起性位相シフト（Δφｓ）を調整すればよい。その場合、選定されたシステム誘起性位相シフト（Δφｓ）のシーケンスに応じた強度（Ｉ）の変動により、当該選定されたシステム誘起性位相シフト（Δφｓ）の寄与分を分離させることで、欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）を求めればよい。更に、二通り以上の波長それぞれにて複数枚の画像向けに位相復元分析を適用することで、それら二通り以上の波長それぞれに係る欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）を抽出すればよい。別の実施形態によれば、これに限られるものではないが移動メディアンフィルタ等、ローパスフィルタを用いることで、システム誘起性位相シフト（Δφｓ）から欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）を分離させることができる。本願での認識によれば、システム誘起性位相シフト（Δφｓ）の発生源には、これに限られるものではないが、シアビーム１０８（例．シアリングプリズム１０６からの異常ビーム及び正常ビーム）間の差の不均一性や、標本１１４の表面の天然又は標本ホルダ誘起性変動に係る局所勾配等があろう。更に、それらシステム誘起性位相シフト（Δφｓ）は比較的低い変動周波数を呈するであろうから、ローパスフィルタにより、システム誘起性位相シフト（Δφｓ）から欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）を分離させることができる。
【００５１】
加えて、選定された相異なるシステム誘起性位相シフト（Δφｓ）での複数枚の画像を、本件技術分野で既知な何れの撮像技術を用い生成してもよい。例えば、静止標本１１４を撮像するようＤＩＣ検査システム１００が構成されている場合、その標本１１４を静止状態に保持しつつ、選定された相異なるシステム誘起性位相シフト（Δφｓ）を用いそれら複数枚の画像を順次捉えればよい。また例えば、可動標本１１４を撮像するようＤＩＣ検査システム１００が構成されている場合、選定された相異なるシステム誘起性位相シフト（Δφｓ）を用い、複数回順次走査によりそれら複数枚の画像を捉えればよい。
【００５２】
図６は、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係る欠陥強度（Ｉ）のシミュレーションプロット図６０２〜６０８であり、相異なる４通りのシステム誘起性位相シフト（Δφｓ）（順に０°、９０°、１８０°及び２７０°）が選定されている許で複数回順次走査を用い生成されたものである。図７は、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係る欠陥プロファイル（例．高さ（ｈｄ））のプロット図７０２、並びにシミュレーション及び再構築された欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）のプロット図７０４であり図６中のプロット図に基づくものである。図７に描かれている通り、選定された相異なるシステム誘起性位相シフト（Δφｓ）に根差す複数枚の画像に基づく位相復元分析により、欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）を正確に抽出することができる。ひいては、ＤＩＣ検査システム１００により、二通り以上の波長に係る欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）の比較を踏まえ欠陥を分類することができる。
【００５３】
次に、図８及び図９に、静止標本の静止画像複数枚に基づく無欠陥標本１１４の位相抽出であり、１１通りのシステム誘起性位相シフト（Δφｓ）が選定されている許でのそれを示す。図８に、本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い、無欠陥標本１１４についての１１枚の計測画像のうち３枚８０２〜８０６を示す。図９は、図８の如く撮像された標本１１４につき本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い再構築された位相シフトのプロット図９０２である。具体的には、図８及び図９におけるシアリング方向１１０が個々のプロット図中で４５°とされている。更に、図８及び図９により明示されている通り、照明ビーム１０４による光不均一性が存在していても、本願開示の位相抽出技術を用い位相シフトを抽出（例．再構築）することができる。本願での認識によれば、本願開示の位相抽出技術を利用することで、標本１１４の表面の生来的変動により引き起こされる位相シフトや、１個又は複数個の欠陥により引き起こされる位相シフトを、解明することができる。
【００５４】
翻って上掲の等式（１）〜（３）によれば、標本１１４の周囲部分とＲＰＣとの間の差が欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）の変動として現れうるので、相異なる波長に係る欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）の比較により、それら欠陥の分類を行うことができる。下記の表２には、本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い、２００〜３５０ｎｍ域内の欠陥サイズに関し、複数通りの波長に係る欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）に関しシミュレーションデータが提示されている。具体的には、表２にはｈＲＰＣ及びｈＴＯＴのシミュレーション値が示されている。
【００５５】
【表２】
2022502676.tif 000004
【００５６】
実施形態によっては、二通りの波長に係る欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）の比、即ち上掲の等式（３）に基づき表２中に示したｈＴＯＴの比と等価なそれに基づき、欠陥が分類される。例えば、欠陥誘起性位相シフト（Δφｄ）の比の絶対値が所定閾値未満である場合に、欠陥を非金属として分類すればよい。その閾値としてはどのような値を選定してもよく、また具体的な注目素材及び／又は使用波長に基づきその閾値を調整することができる。例えば０．９なる閾値であれば、Ｃｕ性欠陥を金属、ＳｉＯ２性欠陥を非金属として分類することができよう。
【００５７】
図１０は、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係る欠陥分類方法１０００にて実行される諸ステップを描いたフロー図である。出願人の注記によれば、ＤＩＣ検査システム１００の文脈に沿い本願にて述べてきた諸実施形態及び実現テクノロジが、方法１０００に敷衍されるものと解されるべきである。とはいえ、更に注記されることに、本方法１０００はその構成のＤＩＣ検査システム１００に限定適用されるものではない。
【００５８】
実施形態に係る方法１０００のステップ１００２では、第１照明スペクトルが選定され且つ２本のシア照明ビーム間の誘起位相差が二通り以上選定されている許で、標本上の欠陥の画像の第１集合を微分干渉コントラスト撮像ツールから受け取る。また、実施形態に係る方法１０００のステップ１００４では、選定されている第１照明スペクトルに基づき欠陥誘起性の第１位相シフトを求める。また、実施形態に係る方法１０００のステップ１００６では、第１照明スペクトルとは異なる第２照明スペクトルが選定され且つそれら２本のシア照明ビーム間の誘起位相差が二通り以上選定されている許で、その標本上の欠陥の画像の第２集合をその微分干渉コントラスト撮像ツールから受け取る。また、実施形態に係る方法１０００のステップ１００８では、選定されている第２照明スペクトルに基づき欠陥誘起性の第２位相シフトを求める。例えば、ステップ１００４及び１００８にて、画像の第１集合を用いる移相技術を取り入れた位相復元アルゴリズムを適用してもよい。また、実施形態に係る方法１０００のステップ１０１０では、欠陥誘起性の第１位相シフト対欠陥誘起性の第２位相シフトの比較を踏まえその欠陥を金属か非金属に分類する。例えば、ステップ１０１０にて、これに限られるものではないが、欠陥誘起性の第１位相シフト対欠陥誘起性の第２位相シフトの比に基づき、その欠陥を金属か非金属に分類すればよい。ある例によれば、ステップ１０１０にて、欠陥誘起性の第１位相シフト対欠陥誘起性の第２位相シフトの比の絶対値が所定の閾値未満である場合に、その欠陥が非金属として分類される。
【００５９】
本願記載の主題は、ときに、他の諸部材に組み込まれ又は接続・連結された様々な部材を以て描出される。理解し得るように、それら図示アーキテクチャは単なる例示であり、実のところは、他の多くのアーキテクチャのなかにも、その実施により同じ機能が達成されるものがある。概念的には、どのような部材配置であれ同じ機能が達成されるものは、その所望機能が達成されるよう実質的に「連携」しているのである。従って、本願中の何れの二部材であれ、ある特定の機能を達成すべく組み合わされているものは、その所望機能が達成されるよう互いに「連携」していると見なせるのであり、アーキテクチャや介在部材の如何は問われない。同様に、何れの二部材であれそのように連携しているものは、その所望機能を達成すべく互いに「接続・連結」又は「結合」されているとも見ることができ、また何れの二部材であれそのように連携させうるものは、その所望機能を実現すべく互いに「結合可能」であるとも見ることができる。結合可能、の具体例としては、これに限られるものではないが、物理的に相互作用可能な及び／又は物理的に相互作用する諸部材、及び／又は無線的に相互作用可能な及び／又は無線的に相互作用する諸部材、及び／又は論理的に相互作用可能な及び／又は論理的に相互作用する諸部材等がある。
【００６０】
本件開示及びそれに付随する長所の多くについては上掲の記述により理解し得るであろうし、被開示主題から離隔することなく或いはその主要な長所全てを損なうことなく諸部材の形態、構成及び配置に様々な改変を施せることも明らかであろう。記述されている形態は単なる説明用のものであり、後掲の特許請求の範囲の意図はそうした改変を包括、包含することにある。更に、本発明を定義するのは別項の特許請求の範囲である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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