【事件の表示】
　平成　９年特許願第３１１５１８号「窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　５月２１日出願公開、特開平１１−１３５８３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１０月２６日に出願された特許出願であって、原審において平成１５年５月３０日付けで通知された拒絶理由に対して、同年８月８日付けで手続補正書が提出された後、平成１６年２月１８日付けで拒絶査定がなされたものである。
　これに対し、平成１６年３月２５日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月２６日付けで手続補正がなされた後、平成１８年３月１５日付けで審尋がなされ、同年５月２６日付けで回答があったものである。
　
２．平成１６年４月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年４月２６日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「シリコン（Ｓｉ）基板と、
　前記シリコン基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る第３の層と、前記第３の層の上に形成され、前記第３の層の露出部が散在するように、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態に形成され、窒化ガリウム系化合物半導体がその上にエピタキシャル成長しない第１の層と、
　前記第１の層で覆われていない前記第３の層の露出部を核として、エピタキシャル成長させ、前記第１の層の上部では、横方向にエピタキシャル成長させることで形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る第２の層と
　を備え、
　前記第１の層の幅ａは１〜１０μｍであり、前記露出部の間隔ｂは１〜１０μｍであり、幅の割合ａ／ｂは１〜１０であり、
　前記第３の層は、ＡｌxＧａ1-xＮ（０＜ｘ≦１)から成る層上にＧａＮから成る層が形成された２層構造を成すことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体。」と補正された。
　上記補正は、「第１の層の幅ａ」を「１〜１０μｍ」と限定し、「露出部の間隔ｂ」を「１〜１０μｍ」と限定し、「幅の割合ａ／ｂ」を「１〜１０」と限定する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第４項の規定による特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
（２）引用刊行物
　審尋において示した前置報告書に引用された、本願出願の日前の出願であって本願出願後に公開された特願平９−２６６８９８号（特開平１１−１３５７７０号公報参照）（以下、「先願」という。）の願書に最初に添付された明細書及び図面には、次のア．〜ク．の事項が記載されている。 
　
　ア．「【００１４】次に、第１の３−５族化合物半導体からなる層については、一般式ＧａvＡｌwＮ（式中、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、ｖ＋ｗ＝１）で表される３−５族化合物半導体、第２の３−５族化合物半導体からなる層については、一般式ＧａyＡｌzＮ（式中、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を用いると、高品質な結晶として成長できるので、特に好ましい。」
　イ．「【００１５】また、本発明において、３−５族化合物半導体の結晶成長用基板としては、サファイア、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＮＧＯ（ＮｄＧａＯ3）、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）、ＧａＮ等が用いられる。特にサファイアは、大面積の高品質の結晶が得られるため好ましい。また、ＳｉＣ，Ｓｉ，ＧａＡｓ等の導電性基板を用いた場合、電極を基板の裏面に形成することができるため、素子作製プロセスの簡易化、素子の放熱効率の向上が図れる場合があり好ましい。これらの基板を用いた成長において、該基板上にさらにＺｎＯ、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮの薄膜またはそれらの積層膜をバッファ層として成長する方法、いわゆる２段階成長法が、高い結晶性の３−５族化合物半導体を成長できるため好ましい。」
　ウ．「【００１６】第１の３−５族化合物半導体からなる層の上に形成する、第１の３−５族化合物半導体とも異なり、第２の３−５族化合物半導体とも異なる材料からなるパターン（マスク）に用いる材料としては、再成長の温度、成長雰囲気でも安定な材質のものであれば好適に用いることができるが、ＳｉＯ2、ＳｉＮx、またはタングステンなどの金属等が挙げられる。該マスクを第１の３−５族化合物半導体からなる層の上に成膜する方法としては、蒸着法、スパッタ法、化学気相堆積法等を用いることができる。
【００１７】該マスクに用いる材料によっては、マスク上に異常な成長が起き、最終的に平坦な表面を得られにくいことがある。このような場合には、マスク上にさらに適切な材料からなるマスクを積層することが好ましい。特に、異常成長が生じにくいマスク用の材料としては、ＳｉＯ2、ＳｉＮxなどが挙げられる。これらのマスクに用いる材料を、異常成長が生じやすいマスク上に積層した後、ラインパターンを形成することで、好ましい効果を得ることができる。また、高温で安定ではあっても、再成長の雰囲気に対しては化学的に不安定な材料をマスクとして用いる場合、やはり、安定な材料からなるマスクを積層して用いることで、再成長時に不安定な材料を保護して用いることができる。」
　エ．「【００１８】次に、本発明の３−５族化合物半導体素子について詳細に説明する。本発明の３−５族化合物半導体素子は、一般式ＩｎuＧａvＡｌwＮ（式中、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１）で表される第１の３−５族化合物半導体からなる層の上に、前記の第１の３−５族化合物半導体とも異なり、後記の第２の３−５族化合物半導体とも異なる材料からなるパターンを有し、該第１の３−５族化合物半導体と該パターンの上に、一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される第２の３−５族化合物半導体からなる層を有する３−５族化合物半導体素子において、該パターンが第１の３−５族化合物半導体の［１−１００］方向に概ね平行なラインパターンである３−５族化合物半導体上に形成されたことを特徴とする。
　オ．「【００２１】低い欠陥密度の該化合物半導体を得るためのマスクの形状について、以下説明する。マスクの形状は、マスクの幅とマスク間の間隔（マスク間の下地層が露出した部分の幅）によって決められる。マスク間の間隔は、４μｍ以下１００Å以上であることが好ましく、より好ましくは３μｍ以下２００Å以上である。マスクの幅は、０．１μｍ以上６μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．２μｍ以上４μｍ以下である。こうしてできる低転位密度の結晶は、半導体素子、発光素子として利用することが可能である。」
　カ．「【００６２】再成長後、試料をマスクパターンのライン方向と垂直方向に劈開し、断面形状を走査型電子顕微鏡により観察したところ、実施例１では、マスクパターンと結晶表面内で垂直方向である、［１１−２０］方向への成長速度が７６．８ｎｍ／分、基板の上方向であるｃ軸方向への成長速度が３３．４ｎｍ／分であり、速やかにマスクパターンが埋め込まれ、早い段階で平坦なｃ面が成長表面となることが分かった。一方、比較例１では、マスクパターンと結晶表面内で垂直方向である［１−１００］方向への成長速度は、５６．８ｎｍ／分、ｃ軸方向へは１０５．８ｎｍ／分と、上方への結晶成長速度が早いため、ファセット面で囲まれた結晶成長がおこり、成長初期に見られたＣ面も次第に小さくなることが分かった。このため、実施例１に比べて、結晶表面が平坦なＣ面となるのにより長い時間の結晶成長が必要なことが分かる。」
　キ．「【００３２】次に、本発明の半導体素子の別の例として、図３に示す静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）について説明する。第１の３−５族化合物半導体からなる層（下地層）１であるＳｉドープｎ+型ＧａＮ層の上に、ＴｉＡｕからなる［１−１００］方向のストライプ状の第１のマスク２−１を形成し、この上に第１の再成長層３−１であるノンドープＧａＮ層を成長して、第１のマスクを完全に埋め込む。」
　ク．図４から、基板４上に、第１の３−５族化合物半導体からなる層（下地層）１、第１のマスク２−１、第１の再成長層３−１を備えた層構造がみてとれる。
　
　そして、上記ア．〜ク．の記載事項から、以下のことがいえる。
　ケ．上記ア．〜エ．，ク．のとおり、先願には、Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板上に形成された一般式ＧａvＡｌwＮ（式中、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、ｖ＋ｗ＝１）で表される第１の３−５族化合物半導体からなる層と、第１の３−５族化合物半導体からなる層の上に形成された平行なラインパターンである第１のマスクと、一般式ＧａyＡｌzＮ（式中、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｙ＋ｚ＝１）で表される第２の３−５族化合物半導体からなる層と、を備えた一般式ＩｎuＧａvＡｌwＮ（式中、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１）で表される３−５族化合物半導体素子が記載されている。
　コ．上記オ．に摘記のとおり、平行なラインパターンであるマスクは、マスクの幅が０．２μｍ以上４μｍ以下であり、マスク間の間隔は２００Å以上３μｍ以下である。
　サ．上記イ．に摘記のとおり、先願には、基板上にさらにＧａＡｌＮの薄膜をバッファ層として成長することが記載されている。
　
　したがって、上記ア．〜ク．の記載事項からみて、先願には以下の発明が記載されていると認められる。 
　「Ｓｉ基板と、
　Ｓｉ基板上に形成された一般式ＧａvＡｌwＮ（式中、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、ｖ＋ｗ＝１）で表される第１の３−５族化合物半導体からなる層と、前記第１の３−５族化合物半導体からなる層の上に形成され、平行なラインパターンであるマスクと、
　第１の３−５族化合物半導体からなる層とマスク上に形成された一般式ＧａyＡｌzＮ（式中、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｙ＋ｚ＝１）で表される第２の３−５族化合物半導体からなる層と
　を備え、
　マスクの幅ａは０．２μｍ〜４μｍであり、マスク間の間隔ｂは２００Å〜３μｍであり、
　Ｓｉ基板上にはさらに、ＧａＡｌＮのバッファ層が形成された、一般式ＩｎuＧａvＡｌwＮ（式中、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１）で表される３−５族化合物半導体素子。」（以下、「先願発明」という。）
　
（３）対比・判断
　次に、本願補正発明と先願発明とを対比すると、  
　ア．先願発明の「Ｓｉ基板」は、本願補正発明の「シリコン（Ｓｉ）基板」に相当する。
　イ．先願発明では、Ｓｉ基板上に「ＧａＡｌＮのバッファ層」及び「一般式ＧａvＡｌwＮ（式中、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、ｖ＋ｗ＝１）で表される第１の３−５族化合物半導体からなる層」が形成されており、各層は共に「第２の３−５族化合物半導体からなる層」を高品質に形成するのための下地層であることから１つの機能層としてみることができる。
　よって、先願発明の当該２層構造は本願補正発明の「窒化ガリウム系化合物半導体から成る第３の層」に相当するものである。
　ウ．先願発明の「平行なラインパターン」及び「マスク」は、本願補正発明の「ストライプ状」及び「第１の層」に相当し、「平行なラインパターン」であることから、その下地層である第１の層の露出部が散在することは明らかであり、「異常成長が生じにくいマスク用の材料としては、ＳｉＯ2、ＳｉＮxなどが挙げられる。」（上記（２）ウ．参照）と記載されているように、「マスク」は「窒化ガリウム系化合物半導体がその上にエピタキシャル成長しない」ものである。
　よって、先願発明の「平行なラインパターンであるマスク」は、本願補正発明の「第３の層の露出部が散在するようにストライプ状の島状態に形成され、窒化ガリウム系化合物半導体がその上にエピタキシャル成長しない第１の層」に相当するものである。
　エ．先願発明の「第２の３−５族化合物半導体からなる層」が選択マスクを用いた所謂横方向成長により形成された層であることは明らかであり、先願にも「実施例１では、マスクパターンと結晶表面内で垂直方向である、［１１−２０］方向への成長速度が７６．８ｎｍ／分、基板の上方向であるｃ軸方向への成長速度が３３．４ｎｍ／分であり、速やかにマスクパターンが埋め込まれ、早い段階で平坦なｃ面が成長表面となることが分かった。」（上記「（２）カ．」参照）と記載されている。
　よって、先願発明の「第２の３−５族化合物半導体からなる層」は、本願補正発明の「第１の層で覆われていない第３の層の露出部を核として、エピタキシャル成長させ、第１の層の上部では、横方向にエピタキシャル成長させることで形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る第２の層」に相当するものである。
　オ．先願発明のマスクの幅ａは０．２μｍ〜４μｍであり、マスク間の間隔ｂは２００Å〜３μｍであるから、本願補正発明の「第１の層の幅ａは１〜１０μｍであり、露出部の間隔ｂは１〜１０μｍであり、幅の割合ａ／ｂは１〜１０である」構成に相当する範囲を含んでいる。
　カ．上記イ．のとおり、先願発明において本願補正発明の「第３の層」に相当する層は２層構造を成しており、先願発明の「ＧａＡｌＮのバッファ層」が、本願補正発明の「ＡｌxＧａ1-xＮ（０＜ｘ≦１)から成る層」に相当する。
　また、先願発明の「一般式ＧａvＡｌwＮ（式中、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、ｖ＋ｗ＝１）で表される第１の３−５族化合物半導体からなる層」が、本願補正発明の「ＧａＮから成る層」に相当することは、当該一般式においてＶ＝１，Ｗ＝０が含まれることから明らかなばかりでなく、先願実施例の対応する層としてＧａＮ層が記載されている（上記「（２）キ．」参照）ことからみても明らかである。
　
　以上のとおり、先願発明と本願補正発明とを対比してみると、両者に相違はなく同一である。
　したがって、本願補正発明は先願発明と同一であり、しかも、本願補正発明の発明者が上記先願発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記先願の出願人と同一であるとも認められないので、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１６年４月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年８月８日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は、以下のものである。 
　「シリコン（Ｓｉ）基板と、
　前記シリコン基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る第３の層と、前記第３の層の上に形成され、前記第３の層の露出部が散在するように、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態に形成され、窒化ガリウム系化合物半導体がその上にエピタキシャル成長しない第１の層と、
　前記第１の層で覆われていない前記第３の層の露出部を核として、エピタキシャル成長させ、前記第１の層の上部では、横方向にエピタキシャル成長させることで形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る第２の層と
　を備え、
　前記第３の層は、ＡｌxＧａ1-xＮ（０＜ｘ≦１)から成る層上にＧａＮから成る層が形成された２層構造を成すことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体。」（以下、「本願発明」という。）
　
（１）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である信学技報Vol.97 No59(1997) p.41-46（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
　ア．「本実験では、metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE)法によりサファイア(0001)面上にＡｌＮバッファ層を介してＧａＮを約１．５μｍ成長させたアンドープＧａＮ(0001)基板を用いた。この基板上に高周波スパッタ装置により、ＳｉＯ2膜を約７０ｎｍ堆積させたＳｉＯ2マスクとした。……次に、He-Cdレーザ（波長λ＝４４２ｎｍ）を用いてレーザ干渉露光を行い、レジスト膜へパターンを形成した。今回作成したパターンはドットパターン１種及びストライプパターン２種（11-20方向及び1-100方向）の合計３種である。」（第４２頁右欄１４〜第４３頁左欄１行）
　イ．「同様に1-100方向のラインパターン上へＧａＮ選択成長した表面ＳＥＭ像及び断面ＳＥＭ像を図４に示す。……成長時間を７minに延ばすとＳｉＯ2マスク上へラテラル成長することにより(0001)面の大きさは増加する。」（第４４頁右欄１２〜第４５頁左欄３行）
　エ．図１（２）から、ＳｉＯ2マスクがＡｌＮ及びＧａＮからなる層の露出部が散在するようにストライプパターンの島状態に形成されたＳｉＯ2マスクが見てとれる。
　オ．図５から、ＳｉＯ2膜で覆われていないＡｌＮ及びＧａＮからなる層の露出部を核としてＧａＮが成長し、ＳｉＯ2マスク上にＧａＮはエピタキシャル成長せず、ＳｉＯ2膜の上部では、ＧａＮはラテラル成長しているようすがみてとれる。
　
　よって、上記ア．〜オ．の記載事項から、引用例１には次の発明が記載されていると認められる。
　「サファイア基板と、
　サファイア基板上に形成されたＡｌＮ及びその上に形成されたＧａＮからなる層と、該ＡｌＮ及びＧａＮからなる層の上に形成され、その上に、ＡｌＮ及びＧａＮからなる層の露出部が散在するように、ストライプパターンの島状態に形成され、ＧａＮがその上にエピタキシャル成長しないＳｉＯ2膜と、
　ＳｉＯ2膜で覆われていないＡｌＮ及びＧａＮからなる層の露出部を核として、エピタキシャル成長させ、ＳｉＯ2膜の上部では、ラテラル成長させることで形成されたＧａＮからなる層と
　を備えた窒化ガリウム系化合物半導体。」（以下、「引用例１発明」という。）
　
　また、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平５−３４３７４１号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
　カ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ワイドギャップ半導体として産業界より注目されている（Ｇａ1-xＡｌx）1-yＩｎyＮの単結晶からなる窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体素子及びその作製方法に関し、特に、シリコン（Ｓｉ）を基板として、その上に、特に波長にして２００〜７００ｎｍ帯の発光及び受光素子用材料として期待されている（Ｇａ1-xＡｌx）1-yＩｎyＮの高品質単結晶を作製する方法に関する。」
　キ．「【０００７】
【問題点を解決するための手段】本発明は、（Ｇａ1-xＡｌx）1-yＩｎyＮ単結晶をＳｉ基板に作製する場合において、（Ｇａ1-xＡｌx）1-yＩｎyＮ単結晶の成長前に、少なくともＡｌを含む有機金属化合物、及び窒素化合物の両方を成長炉内に導入して、少なくともＡｌ及びＮを含む化合物、例えばＡｌＮ薄層をＳｉ基板表面の一部分ないし全体に形成した後、次にＡｌを含む有機金属化合物の供給のみを一旦止め、必要とする混晶組成に見合った分のＡｌを含む有機金属化合物、Ｇａを含む有機金属化合物、及びＩｎを含む有機金属化合物を引続き供給することにより、Ａｌ及びＮを含む化合物の薄層、即ち中間層上に（Ｇａ1-xＡｌx）1-yＩｎyＮ結晶（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，但し、ｘ＝１かつｙ＝０の場合は除く）を作製する工程を含む製造方法によって、窒化ガリウム系半導体素子を製造することを特徴とする。」
　ク．「【００２１】（iii）ＡｌxＧａ1-xＮ（ｘ≠１）中間層の利用
図６の成長プロセスの概略に示すように、まず、Ｓｉ基板１上にＡｌＮ中間層のかわりにＡｌxＧａ1-xＮ（ｘ≠１）中間層２を一様に形成する（図６ａ）。ＡｌxＧａ1-xＮは、ドナー不純物の添加により低抵抗化が可能であるため、Ｓｉ基板１と電気的に接続される。実際には、ＡｌxＧａ1-xＮ中でＳｉはドナーとして働き、また、成長中にＳｉは基板からオートドープされることから、故意に不純物を添加しなくても、ＡｌxＧａ1-xＮ中間層２は低抵抗ｎ型になり、好都合である。混晶組成に関してはｘが（０．１）以上が好ましく、これによりＡｌxＧａ1-xＮ中間層２は上記のＡｌＮ中間層と同程度の効果を奏する。この中間層２上にＧａＮ単結晶が作製される（図６ｂ）。図７にＡｌＧａＮ中間層を形成した発光素子の概略構造図を示し、この発光素子は、順に積層されたＡｕ−Ｓｂ電極、Ｓｉ基板、ＡｌＧａＮ中間層、ｎ型ＧａＮ単結晶層、ｐ型ＧａＮ単結晶層及びＡｕ電極からなる。」
　
（２）対比
　次に、本願発明と引用例１発明とを対比すると、  
　ア．引用例１発明における「ＡｌＮ及びその上に形成されたＧａＮからなる層」、「ストライプパターン」、「ＧａＮ」、「ＳｉＯ2膜」及び「ＧａＮからなる層」は、それぞれ、本願発明における「窒化ガリウム系化合物半導体から成る第３の層」、「ストライプ状」、「窒化ガリウム系化合物半導体」、「第１の層」及び「窒化ガリウム系化合物半導体から成る第２の層」に相当する。
　イ．引用例１発明における「ラテラル成長」が、本願発明における「横方向にエピタキシャル成長」に相当することは明らかである。
　ウ．引用例１発明の「ＡｌＮ及びその上に形成されたＧａＮからなる層」は明らかに２層構造を成しており、本願発明の「ＡｌxＧａ1-xＮ（０＜ｘ≦１)から成る層上にＧａＮから成る層が形成された２層構造」に相当する。
　
　したがって、本願発明と引用例１発明とは、 
　「基板と、
　前記基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る第３の層と、第３の層の上に形成され、第３の層の露出部が散在するようにストライプの島状態に形成され、窒化ガリウム系化合物半導体がその上にエピタキシャル成長しない第１の層と、
　前記第１の層で覆われていない前記第３の層の露出部を核として、エピタキシャル成長させ、第１の層の上部では、横方向にエピタキシャル成長させることで形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る第２の層と
　を備え、
　前記第３の層は、ＡｌxＧａ1-xＮ（０＜ｘ≦１)から成る層上にＧａＮから成る層が形成された２層構造を成す窒化ガリウム系化合物半導体。」である点で一致し、次の点で相違している。
　
　［相違点］  
　本願発明における基板は「シリコン（Ｓｉ）基板」であるのに対して、引用例１発明における基板は「サファイア基板」である点。
　
（３）判断
　上記相違点について、以下に検討する。
　上記「３．（１）カ．〜ク．」に摘記したとおり、引用例２には、Ｓｉ基板上に少なくともＡｌ及びＮを含む化合物の薄層を中間層として形成し、その上に窒化ガリウム系化合物半導体層を形成することが記載されている。
　してみれば、引用例１発明と引用例２記載のものは、基板がサファイアかＳｉかで相違するとしても、バッファ層としてＡｌＮ層を利用している点で共通しており、そして、両者とも当該ＡｌＮバッファ層上にＧａＮ層を形成することができるものであることから、ＡｌＮバッファ層を形成する基板であるサファイア基板とＳｉ基板とが置き換え可能であることは難なく想起し得ることであって、引用例１発明を上記相違点の構成とすることは当業者であれば容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明の作用効果は、引用例１，２に記載された発明から予測できる程度のことであって、格別のものではない。 
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１，２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。