【手続補正書】
【提出日】平成22年8月30日(2010.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性フラッシュメモリチップであって、
各々が一斉にプログラムされるかまたは読み出される蓄積単位の複数ページに構成されたメモリアレイと、
隠しエリアに蓄積されたコードであって、複数ページの１ページのデータの符号化を反転させるか、さもなくば現状のまま残すかを各々指定する複数の疑似ランダムビットであるコードと、
メモリアレイ上でメモリ動作を制御するコントローラであって、前記コントローラの動作には、
前記不揮発性メモリチップから前記コードの前記複数のビットを蓄積するために割り当てられたチップ上のレジスタに前記コードを転送することと、
前記レジスタにおける前記ビットの各々を前記複数ページの１ページのページアドレスに割り当てることと、
前記不揮発性メモリチップでユーザデータをプログラムするかまたは読み出すためにユーザコマンドを受信するのに際し、前記ユーザデータの符号化をランダム化するために１ブロックの前記ユーザデータに対して前記コードの適用をトリガし、前記コードの前記ビットの各々は、前記ブロックの１つ以上のページからなる対応するグループが現状のまま蓄積されるか、さもなくば蓄積に先立ち反転されるかを決定し、前記コードが前記対応するグループとともに前記不揮発性メモリチップに蓄積されることと、が含まれるものであるコントローラと、
を備える不揮発性フラッシュメモリチップ。
【請求項２】
請求項１記載の不揮発性フラッシュメモリチップにおいて、
前記コントローラの動作には前記コードを多重化することがさらに含まれ、かくして前記コードは前記複数のページからなる１グループに適用され、前記グループの符号化は前記コードの単一ビットによって決定される不揮発性フラッシュメモリチップ。
【請求項３】
請求項１記載の不揮発性フラッシュメモリチップにおいて、
前記コードは、１７ビット以上を備える不揮発性フラッシュメモリチップ。
【請求項４】
請求項１記載の不揮発性フラッシュメモリチップにおいて、
前記不揮発性メモリチップの隠し区画に前記コードを蓄積する不揮発性フラッシュメモリチップ。
【請求項５】
請求項１記載の不揮発性フラッシュメモリチップにおいて、
前記コントローラは、前記不揮発性メモリチップの電源投入中に行われる前記不揮発性メモリから前記コードを読み出すことを制御する不揮発性フラッシュメモリチップ。
【請求項６】
請求項１記載の不揮発性フラッシュメモリチップにおいて、
前記コントローラの動作には、１つ以上のユーザデータページを読み出すことがさらに含まれ、前記読み出すことは、読み出される各ページの極性を前記ページアドレスによって決定することを含む不揮発性フラッシュメモリチップ。
【請求項７】
フラッシュ記憶装置であって、
ユーザデータとその他のデータを蓄積するために使われるフラッシュメモリアレイと、
フラッシュメモリアレイ上でメモリ動作を制御するメモリコントローラであって、前記メモリ動作には、
前記アレイで前記ユーザデータをプログラムするかまたは読み出すためにユーザコマンドを受信することと、
前記ユーザコマンドを受信するのに際し、前記ユーザデータの符号化をランダム化するために１ブロックの前記ユーザデータに対して複数の疑似ランダムビットを備えるコードの適用をトリガし、前記コードの前記ビットの各々は、前記ブロックの１つ以上のページからなる対応するグループが現状のまま蓄積されるか、さもなくば蓄積に先立ち反転されるかを決定し、前記コードが前記対応するグループとともに前記アレイに蓄積されることと、が含まれるメモリコントローラと、
を備えるフラッシュ記憶装置。
【請求項８】
請求項７記載のフラッシュ記憶装置において、
前記コードは、１７ビット以上を備えるフラッシュ記憶装置。
【請求項９】
請求項７記載のフラッシュ記憶装置において、
前記コードは、ユーザコマンドの合間に更新されるフラッシュ記憶装置。
【請求項１０】
請求項７記載のフラッシュ記憶装置において、
前記コードのビット数が１ブロック内のページ数に満たない場合、前記コードは１つ以上のページからなる２つ以上のグループに繰り返し適用されるフラッシュ記憶装置。
【請求項１１】
請求項７記載のフラッシュ記憶装置において、
前記メモリ動作には、
各セグメントにつき蓄積された前記コードを読み出すことと、
各セグメントにつき、前記コードが適用される前の符号化方式に前記ユーザデータをビットごとに戻すことと、
がさらに含まれるフラッシュ記憶装置。
【請求項１２】
不揮発性フラッシュメモリであって、
ユーザデータとその他のデータを蓄積するために使われるフラッシュメモリアレイと、
フラッシュメモリアレイ上でメモリ動作を制御するメモリコントローラであって、前記メモリ動作には、
前記メモリで前記ユーザデータをプログラムするかまたは読み出すためにユーザコマンドを受信するのに際し、前記ユーザデータの符号化をランダム化するために１ブロックの前記ユーザデータに対して複数の疑似ランダムビットを備えるコードの適用をトリガし、前記コードの前記ビットの各々は、前記ブロックの１つ以上のページからなる対応するグループが現状のまま蓄積されるか、さもなくば蓄積に先立ち反転されるかを決定し、前記コードが前記対応するグループとともに前記アレイに蓄積されることと、
シフトレジスタに前記蓄積されたコードをロードすることと、
ユーザ生成コマンド信号の立ち上がりで前記シフトレジスタを次のビットへシフトさせることと、
前記シフトレジスタの位置に蓄積された値を監視することと、
前記シフトレジスタの前記監視対象位置に第１の値がある場合、ユーザデータの一部分の符号化方式を反転させることと、
前記シフトレジスタの前記監視対象位置に第２の値がある場合、前記ユーザデータの一部分の符号化方式を現状のまま残すことと、が含まれるメモリコントローラと、
を備える不揮発性フラッシュメモリ。
【請求項１３】
請求項１２記載の不揮発性フラッシュメモリにおいて、
前記一部分は、１つ以上のページを備える方法。
【請求項１４】
請求項１２記載の不揮発性フラッシュメモリにおいて、
前記ユーザ生成コマンド信号は、プログラムコマンドのものである不揮発性フラッシュメモリ。
【請求項１５】
請求項１２記載の不揮発性フラッシュメモリにおいて、
前記ユーザ生成コマンド信号は、読み出しコマンドのものである不揮発性フラッシュメモリ。
【請求項１６】
請求項１２記載の不揮発性フラッシュメモリにおいて、
前記ユーザ生成コマンド信号は、消去コマンドのものである不揮発性フラッシュメモリ。
【請求項１７】
請求項１２記載の不揮発性フラッシュメモリにおいて、
前記メモリ動作には、ユーザデータの各部分につき前記監視対象値を前記不揮発性メモリに蓄積することがさらに含まれる不揮発性フラッシュメモリ。
【請求項１８】
請求項１７記載の不揮発性フラッシュメモリにおいて、
前記メモリ動作には、
特定のデータ部分のために前記不揮発性メモリから前記蓄積値を読み出すことと、
前記蓄積値が前記第１の値の場合、前記データ部分の符号化方式を前記部分の読み出しに先立ち当初の状態に戻すために反転させるか、さもなくば
前記蓄積値が前記第２の値の場合、前記部分の読み出しに先立ち前記部分の符号化方式を現状のまま残すことと、
がさらに含まれる不揮発性フラッシュメモリ。
【請求項１９】
不揮発性フラッシュメモリチップであって、
各々が一斉にプログラムされるかまたは読み出される蓄積単位の複数ページに構成されたメモリアレイと、
複数のユーザデータページと、
メモリアレイ上でメモリ動作を制御するコントローラであって、前記コントローラの動作には、
前記フラッシュメモリチップによって生成された、２つの状態間を交替するタイミングを有する第１の信号を提供することと、
前記第１の信号のタイミングとは一致しないタイミングを有する第２の信号を有する前記チップでユーザコマンドを受信するのに際し、ユーザデータの対応する一部分とともに前記フラッシュメモリチップに蓄積される極性コード値としての参照時間で前記第１の信号の状態を得るために、タイミング参照値として前記第２の信号を使って前記第１の信号を調整することと、
前記値が参照時に第１の状態にある場合、ユーザデータの一部分の符号化方式を反転させるか、さもなくば
前記値が参照時に第２の状態にある場合、前記ユーザデータの一部分の符号化方式を現状のまま残すことと、が含まれるコントローラと、
を備える不揮発性フラッシュメモリチップ。
【請求項２０】
請求項１９記載の不揮発性フラッシュメモリチップにおいて、
前記第１の信号は、ユーザコマンドによって生成される第２の信号の立ち上がりで参照される不揮発性フラッシュメモリチップ。
【請求項２１】
請求項１９記載の不揮発性フラッシュメモリチップにおいて、
前記ユーザコマンドは、キャッシュプログラムコマンドである不揮発性フラッシュメモリチップ。
【請求項２２】
請求項１９記載の不揮発性フラッシュメモリチップにおいて、
前記一部分は、１つ以上のユーザデータページを備える不揮発性フラッシュメモリチップ。
【請求項２３】
複数のデータページを有する不揮発性ＮＡＮＤフラッシュメモリチップにおける方法であって、
複数ページの１ページのデータの符号化を反転させるか、さもなくば現状のまま残すかを各々指定する複数の疑似ランダムビットを備えるコードを前記不揮発性メモリチップに蓄積するステップと、
前記不揮発性メモリチップから前記コードの前記複数のビットを蓄積するために割り当てられたチップ上のレジスタに前記コードを転送するステップと、
前記レジスタにおける前記ビットの各々を前記複数ページの１ページのページアドレスに割り当てるステップと、
前記不揮発性メモリチップでユーザデータをプログラムするかまたは読み出すためにユーザコマンドを受信するのに際し、前記ユーザデータの符号化をランダム化するために１ブロックの前記ユーザデータに対して前記コードの適用をトリガするステップであって、前記コードの前記ビットの各々は、前記ブロックの１つ以上のページからなる対応するグループが現状のまま蓄積されるか、さもなくば蓄積に先立ち反転されるかを決定し、前記コードが前記対応するグループとともに前記不揮発性メモリチップに蓄積されるようにしたトリガするステップと、
を含む方法。
【請求項２４】
請求項２３記載の方法において、
前記コードを多重化するステップをさらに含み、かくして前記コードは前記複数のページからなる１グループに適用され、前記グループの符号化は前記コードの単一ビットによって決定される方法。
【請求項２５】
請求項２３記載の方法において、
前記コードは、１７ビット以上を備える方法。
【請求項２６】
請求項２３記載の方法において、
前記コードを前記不揮発性メモリチップに蓄積するステップは、前記不揮発性メモリチップの隠し区画に前記コードを蓄積するステップを含む方法。
【請求項２７】
請求項２３記載の方法において、
前記不揮発性メモリから前記コードを読み出すことは、前記不揮発性メモリチップの電源投入中に行われる方法。
【請求項２８】
請求項２３記載の方法において、
１つ以上のユーザデータページを読み出すステップをさらに含み、前記読み出すステップは、読み出される各ページの極性を前記ページアドレスによって決定するステップを含む方法。
【請求項２９】
メモリコントローラとフラッシュメモリアレイとを備えるフラッシュ記憶装置において、ユーザデータとその他のデータとを蓄積するために使われる前記アレイで実装される方法であって、
前記アレイで前記ユーザデータをプログラムするかまたは読み出すためにユーザコマンドを受信するステップと、
前記ユーザコマンドを受信するのに際し、前記ユーザデータの符号化をランダム化するために１ブロックの前記ユーザデータに対して複数の疑似ランダムビットを備えるコードの適用をトリガするステップであって、前記コードの前記ビットの各々は、前記ブロックの１つ以上のページからなる対応するグループが現状のまま蓄積されるか、さもなくば蓄積に先立ち反転されるかを決定し、前記コードが前記対応するグループとともに前記アレイに蓄積されるようにしたトリガするステップと、
を含む方法。
【請求項３０】
請求項２９記載の方法において、
前記コードは、１７ビット以上を備える方法。
【請求項３１】
請求項２９記載の方法において、
前記コードは、ユーザコマンドの合間に更新される方法。
【請求項３２】
請求項２９記載の方法において、
前記コードのビット数が１ブロック内のページ数に満たない場合、前記コードは１つ以上のページからなる２つ以上のグループに繰り返し適用される方法。
【請求項３３】
請求項２９記載の方法において、
各セグメントにつき蓄積された前記コードを読み出すステップと、各セグメントにつき、前記コードが適用される前の符号化方式に前記ユーザデータをビットごとに戻すステップとをさらに含む方法。
【請求項３４】
不揮発性ＮＡＮＤフラッシュメモリにおける方法であって、
前記メモリでユーザデータをプログラムするかまたは読み出すためにユーザコマンドを受信するのに際し、前記ユーザデータの符号化をランダム化するために１ブロックの前記ユーザデータに対して複数の疑似ランダムビットを備えるコードの適用をトリガするステップであって、前記コードの前記ビットの各々は、前記ブロックの１つ以上のページからなる対応するグループが現状のまま蓄積されるか、さもなくば蓄積に先立ち反転されるかを決定し、前記コードが前記対応するグループとともに前記アレイに蓄積されるようにしたトリガするステップと、
シフトレジスタに前記蓄積されたコードをロードするステップと、
ユーザ生成コマンド信号の立ち上がりで前記シフトレジスタを次のビットへシフトさせるステップと、
前記シフトレジスタの位置に蓄積された値を監視するステップと、
前記シフトレジスタの前記監視対象位置に第１の値がある場合、ユーザデータの一部分の符号化方式を反転させるステップと、
前記シフトレジスタの前記監視対象位置に第２の値がある場合、前記ユーザデータの一部分の符号化方式を現状のまま残すステップと、
を含む方法。
【請求項３５】
請求項３４記載の方法において、
前記一部分は、１つ以上のページを備える方法。
【請求項３６】
請求項３４記載の方法において、
前記ユーザ生成コマンド信号は、プログラムコマンドのものである方法。
【請求項３７】
請求項３４記載の方法において、
前記ユーザ生成コマンド信号は、読み出しコマンドのものである方法。
【請求項３８】
請求項３４記載の方法において、
前記ユーザ生成コマンド信号は、消去コマンドのものである方法。
【請求項３９】
請求項３４記載の方法において、
ユーザデータの各部分につき前記監視対象値を前記不揮発性メモリに蓄積するステップをさらに含む方法。
【請求項４０】
請求項３９記載の方法において、
特定のデータ部分のために前記不揮発性メモリから前記蓄積値を読み出すステップと、
前記蓄積値が前記第１の値の場合、前記データ部分の符号化方式を前記部分の読み出しに先立ち当初の状態に戻すために反転させるか、さもなくば
前記蓄積値が前記第２の値の場合、前記部分の読み出しに先立ち前記部分の符号化方式を現状のまま残すステップと、
をさらに含む方法。
【請求項４１】
複数のユーザデータページを備える不揮発性ＮＡＮＤフラッシュメモリチップにおける方法であって、
前記フラッシュメモリチップによって生成された、２つの状態間を交替するタイミングを有する第１の信号を提供するステップと、
前記第１の信号のタイミングとは一致しないタイミングを有する第２の信号を有する前記チップでユーザコマンドを受信するのに際し、ユーザデータの対応する一部分とともに前記フラッシュメモリチップに蓄積される極性コード値としての参照時間で前記第１の信号の状態を得るために、タイミング参照値として前記第２の信号を使って前記第１の信号を調整するステップと、
前記値が参照時に第１の状態にある場合、ユーザデータの一部分の符号化方式を反転させ、さもなくば
前記値が参照時に第２の状態にある場合、前記ユーザデータの一部分の符号化方式を現状のまま残すステップと、
を含む方法。
【請求項４２】
請求項４１記載の方法において、
前記第１の信号は、ユーザコマンドによって生成される第２の信号の立ち上がりで参照される方法。
【請求項４３】
請求項４１記載の方法において、
前記ユーザコマンドは、キャッシュプログラムコマンドである方法。
【請求項４４】
請求項４１記載の方法において、
前記一部分は、１つ以上のユーザデータページを備える方法。