【事件の表示】
　平成１１年特許願第２５７１３８号「磁気ディスク装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年３月３０日出願公開、特開２００１−８４５３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１１年９月１０日の出願であって、平成１５年４月２日付け拒絶理由通知に対して、平成１５年７月１０日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１５年９月１日付けで拒絶すべき旨の査定がされ、これに対し、平成１５年１０月９日に拒絶査定に対する審判が請求されるとともに、平成１５年１１月１０日付けで明細書について手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２　平成１５年１１月１０日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１５年１１月１０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
〔理　由〕
１．本件補正前及び本件補正後の本願発明
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするもので、特許請求の範囲については全１３請求項のうち、請求項３乃至１３については記載上変更がなく、請求項１及び２について、本件補正前に、
「【請求項１】　下地軟磁性膜及び垂直磁化膜を有する垂直磁気記録媒体と、記録用の単磁極ヘッドと再生用のＭＲヘッドとからなる単磁極／ＭＲ複合ヘッドを有する磁気記録再生系とを備えた磁気ディスク装置において、
　前記ＭＲヘッドを挟持する一対の磁気シールド層間の間隙である再生ギャップ長が０．１［μｍ］以下であり、
　前記単磁極／ＭＲ複合ヘッドを用いて前記垂直磁気記録媒体に対して情報の再生を行うときの、当該単磁極／ＭＲ複合ヘッドと当該垂直磁気記録媒体との間隙である磁気スペーシングが２０［ｎｍ］以下であり、
　前記垂直磁化膜の膜厚が５０［ｎｍ］以下であり、
　前記下地軟磁性膜の膜厚が２００［ｎｍ］以下である、
　ことを特徴とする磁気ディスク装置。
　　【請求項２】　下地軟磁性膜及び垂直磁化膜を有する垂直磁気記録媒体と、記録用のＩＤヘッドと再生用のＭＲヘッドとからなるＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを有する磁気記録再生系とを備えた磁気ディスク装置において、
　前記ＭＲヘッドを挟持する一対の磁気シールド層間の間隙である再生ギャップ長が０．１［μｍ］以下であり、
　前記ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて前記垂直磁気記録媒体に対して情報の再生を行うときの、当該ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドと当該垂直磁気記録媒体との間隙である磁気スペーシングが２０［ｎｍ］以下であり、
　前記垂直磁化膜の膜厚が５０［ｎｍ］以下であり、
　前記下地軟磁性膜の膜厚が２００［ｎｍ］以下である、
　ことを特徴とする磁気ディスク装置。」
とあったものを、
　
「【請求項１】　下地軟磁性膜及び垂直磁化膜を有する垂直磁気記録媒体と、記録用の単磁極ヘッドと再生用のＭＲヘッドとからなる単磁極／ＭＲ複合ヘッドを有する磁気記録再生系とを備えた磁気ディスク装置において、
　前記ＭＲヘッドを挟持する一対の磁気シールド層間の間隙である再生ギャップ長が０．０５［μｍ］以上かつ０．１［μｍ］以下であり、
　前記単磁極／ＭＲ複合ヘッドを用いて前記垂直磁気記録媒体に対して情報の再生を行うときの、当該単磁極／ＭＲ複合ヘッドと当該垂直磁気記録媒体との間隙である磁気スペーシングが１２［ｎｍ］以上かつ２０［ｎｍ］以下であり、
　前記垂直磁化膜の膜厚が２０［ｎｍ］以上かつ５０［ｎｍ］以下であり、
　前記下地軟磁性膜の膜厚が１００［ｎｍ］以上かつ２００［ｎｍ］以下である、
　ことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項２】　下地軟磁性膜及び垂直磁化膜を有する垂直磁気記録媒体と、記録用のＩＤヘッドと再生用のＭＲヘッドとからなるＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを有する磁気記録再生系とを備えた磁気ディスク装置において、
　前記ＭＲヘッドを挟持する一対の磁気シールド層間の間隙である再生ギャップ長が０．０５［μｍ］以上かつ０．１［μｍ］以下であり、
　前記ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて前記垂直磁気記録媒体に対して情報の再生を行うときの、当該ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドと当該垂直磁気記録媒体との間隙である磁気スペーシングが１２［ｎｍ］以上かつ２０［ｎｍ］以下であり、
　前記垂直磁化膜の膜厚が２０［ｎｍ］以上かつ５０［ｎｍ］以下であり、
　前記下地軟磁性膜の膜厚が１００［ｎｍ］以上かつ２００［ｎｍ］以下である、
　ことを特徴とする磁気ディスク装置。」
と補正しようとするものである。
　
　すると、特許請求の範囲についての補正は、再生ギャップ長、磁気スペーシング、垂直磁化膜の膜厚及び下地軟磁性膜の膜厚のそれぞれに対して数値範囲の下限を特定することで前記数値範囲を限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものである。
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項に規定する要件を満たすか）否かを、請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）について以下に検討する。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−２３５００２号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
　
（ａ）
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置に係り、例えば垂直磁気記録方式の磁気ディスクを用いる磁気ディスク装置に関する。」
　
（ｂ）
「【００６０】実施例３
図１３には、本発明の第３の実施例になる磁気ディスク装置の要部が、図１２と同様の断面図として模式的に示されている。
【００６１】本実施例の磁気ディスク装置も、磁気ヘッド３０１と磁気ディスク３０２とを備えている。
【００６２】磁気ヘッド３０１は、垂直磁気記録方式の磁気ディスク３０２に情報を記録し記録された情報を再生するためのヘッドであり、磁化信号を再生するためのＭＲ素子を具備している。磁気ヘッド３０１は、アーム３０３を介して磁気ディスク３０２に接触するように設けられている。また、磁気ディスク３０２は同心円状の複数のトラックが形成されており、磁気ヘッド３０１は、図示しないアクチュエータによって所望のトラック上に位置決めされる。
【００６３】磁気ディスク３０２は、円板状の非磁性体基板３０５の上に、軟磁性裏打ち層３０６、垂直磁気異方性を有する磁化記録層３０７を順次積層し、さらにその上に保護膜３０８が形成することにより製造されている。具体的には、１．８インチ径で厚さ０．４ｍｍのガラス基板３０５の上に、アルゴンガス雰囲気中での高周波スパッタ法によりＣｏＺｒＮｂ微結晶からなる厚さ（ｄｂ）が０．２，μｍ（当審注：明らかに「０．２μｍ」の誤記であると認めた）軟磁性裏打ち層３０６を形成される。その上に、アルゴンガス雰囲気中でのＤＣマグネトロンスパッタ法により、厚さ（ｄｒ）が０．０７μｍのＣｏＰｔからなる垂直磁気異方性を有する磁化記録層３０７が形成される。該磁化記録層７の上にさらにヘッドの接触に対する耐久性と絶縁性を確保するためにＲＦスパッタ法によりＺｒＯ２、からなる厚さ（ｄｐ）が０．０１μｍの保護膜３０８が形成される。
【００６４】上記の磁気ディスク３０２において、軟磁性裏打ち層３０６の面内方向保磁力（Ｈｅｓ）は５Ｏｅであり、その飽和磁束密度（Ｂｓｂ）は１１００Ｇであった。一方、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察した結果、磁化記録層３０７の平均結晶粒径は０．０１５μｍ、すなわち膜厚の約１／５であった。また、磁化記録層３０７垂直方向磁気異方性定数は２．５×１０５Ｊ／ｍ３以上であり、垂直方向保磁力（Ｈｃｈ）は２５００Ｏｅ、飽和磁化（Ｉｓｒ）は１００００Ｇであった。軟磁性裏打ち層３０６の膜厚（ｄｂ）と飽和磁束密度（Ｂｓｂ）との積（ｄｂ・Ｂｓｂ）は２２００Ｇμｍ、磁化記録層３０７の膜厚（ｄｒ）と飽和磁化Ｉｓｒとの積（ｄｒ・Ｉｓｒ）は７００Ｇμｍであった。したがって、上記磁気ディスク３０２は、Ｂｓｂ・ｄｂ＞Ｉｓｒ・ｄｒの関係を満足している。この関係を満足する磁気ディスクでは、軟磁性裏打ち層３０６が飽和し難いため、磁気ヘッドとの磁気的結合が強くなる効果が得られる。
【００６５】磁気ヘッド３０１は次のように構成されている。
【００６６】図中、３０３はセラミックス製の針状アームを示している。針状アーム３０３の端部には、ＤＣスパッタによりＣｏＺｒＮｂ高透磁率材よりなる厚さ０．５μｍの磁気シールド膜３０９が形成されている。磁気シールド膜３０９外側には、厚さ０．２μｍの非磁性絶縁層３１０を介して、ＭＲ素子３１１がイオンビームスパッタ法により形成されている。
【００６７】ＭＲ素子３１１はＮｉＦｅ合金からなり、その膜厚Ｔｍは０．０８μｍ、高さは６μｍである。すなわち、ＭＲ素子３１１の膜厚Ｔｍは、磁化記録層３０７の平均結晶粒径０．０１５μｍよりも十分に大きい。また、磁気シールド膜３０９とＭＲ素子３１１との間隔ｇは、非磁性絶縁層３１０の膜厚と同じ０．２μｍである。
【００６８】ＭＲ素子３１１の外面側（すなわち、図では左側面）には、非磁性絶縁層３１２、磁気シールド膜３１３および非磁性絶縁層３１４が形成されている。磁気シールド膜３１３とＭＲ素子３１１との間隔ｇは、０．２μｍである。
【００６９】非磁性絶縁層３１４の図中左側面は平滑加工されており、この平滑加工された側面には、記録用の種磁極３１５が形成されている。主磁極３１５は、高周波マグネトロンスパッタ法で作成された厚さＴｒ＝０．５μｍのＦｅＳｉ薄膜からなっている。主磁極３１５の中央には、突起が形成されている。この突起によって、絶縁材料３１７で覆われた記録コイル３１６により発生された記録磁束は、効率良く主磁極つ３１５を貫通することができる。
【００７０】信号再生用のＭＲ素子３１１の先端（図中では下端）は、磁気ヘッドの下端に露出している。しかし、磁気ディスクの保護膜３０８とＭＲ素子３１１との間の距離（ｄｓ）は、これらの表面粗さに起因して、両者を接触させた場合でも平均で約０．０１μｍである。また、既述したように、保護膜３０８の厚さ（ｄｐ）は０．０１μｍである。したがって、ＭＲ素子３１１の先端と磁化記録層３０７との間の距離（ｄｓ＋ｄｐ）は０．０２μｍである。その結果、ヘッド／媒体スペーシング（ｄｓ＋ｄｐ）と、ＭＲ素子３１１の膜厚（Ｔｍ＝０．０８μｍ）および磁化記録層３０７の膜厚（ｄｒ＝０．０７μｍ）とは、次式の関係を満たしている。
【００７１】ｄｓ＋ｄｐ＜Ｔｍ，  かつ    ｄｓ＋ｄｐ＋ｄｒ＜２Ｔｍ
主磁極３１５の先端と保護膜３０８との距離（ｄｓｗ）も、同様に０．０１μｍであるから、記録用主磁極３１５の先端と磁化記録層３０７との距離（ｄｓｗ＋ｄｐ）も、０．０２μｍである。したがって、ヘッド／媒体スペーシング（ｄｓｗ＋ｄｐ）と、主磁極３１５の膜厚（Ｔｒ＝０．５μｍ）とは次式の関係を満足している。
【００７２】２（ｄｓｗ＋ｄｐ）＜Ｔｒ
上記実施例の磁気ディスク装置において、信号記録時には、記録コイル３１６に記録電流を流すことによって主磁極３１５に強い磁束を発生させる。このとき、主磁極３１５と磁気ディスクのＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層３０６との間の静磁気的な結合により、両者に挾まれたＣｏＰｔ磁化記録層３０７の内部には、大きくて鋭い分布の記録磁界が発生する。その結果、磁化記録層３０７はこの記録磁界に対応した方向に磁化される。
【００７３】一方、信号再生時には、ＭＲ素子３１１の前面を磁気ディスク３０２の磁化転移点が通過する際に、磁化記録層３０７からＭＲ素子３１１に流れる磁束量が変化し、その電気抵抗を急峻に変化させる。ＭＲ素子３１１に一定のセンス電流を流すことにより、この抵抗変化を電圧変化に変換し、再生信号電圧を得ることができる。
【００７４】図１４には、ヘッド／媒体スペーシング（ｄｓ＋ｄｐ）をかえた場合に、パルス幅（ＰＷ５０）が変化する様子が示されている。なお、パルス幅ＰＷ５０は、ＭＲ素子３１１の出力電圧をＶ（ｘ）としたとき、その微分信号（ｄＶ（ｘ）／ｄｘ）の半値幅で定義される。
【００７５】図１４から明らかなように、ヘッド／媒体スペーシング（ｄｓ＋ｄｐ）がＭＲ素子３１１の膜厚（Ｔｍ）に比べて大きいとき、ＰＷ５０は、分解能がＴｍ＋ｇで規定される曲線に漸近する。既述したように、ｇは、ＭＲ素子３１１と磁気シールド３０９との間の間隔である。これに対して、スペーシング（ｄｓ＋ｄｐ）がＴｍに比べて小さいときには、ＰＷ５０は、分解能がＴｍで規定される曲線に漸近する。この結果は、次のことを意味している。
【００７６】すなわち、上記実施例の磁気ディスク装置では、スペーシング（ｄｓ＋ｄｐ）をＭＲ素子３１１の膜厚（Ｔｍ）に比べて十分小さい場合には、ＭＲ素子３１１と磁気シールド膜３０９との間隔ｇにはほぼ無関係に、ＭＲ素子３１１の膜厚（Ｔｍ）のみで分解能が決まる。したがって、最短記録波長λminがＴｍ＋ｇより短い信号であっても再生することが可能となる。
【００７７】なお、面内記録媒体とシールド型ＭＲヘッドとの組合せでは、ｄｓ＋ｄｐを小さくしても、再生分解能はＴｍ＋ｇよりも高くはなり得ない。これに対して、軟磁性裏打ち層３０６と垂直磁気異方性の磁化記録層３０７と有する磁気ディスク３０２と、シールド型ＭＲヘッドのとを組合せた場合には、ｄｓ＋ｄｐをＴｍに比べて十分小さくすることによって、再生分解能を最大Ｔｍ／（Ｔｍ＋ｇ）倍にまで高めることができる。
【００７８】図１５は、記録用主磁極３１５の厚さ（Ｔｒ）を変えたときに、再生パルス幅（ＰＷ５０）が変化する様子を示している。図から明らかなように、主磁極３１５の厚さ（Ｔｒ）がスペーシング（ｄｓｗ＋ｄｐ）の２倍よりも小さくなると、急激にパルス幅（ＰＷ５０）が増加し、分解能が低下する。これは、主磁極３１５が薄くなり過ぎると、主磁極が発生する記録磁界の傾きが小さくなり、磁化転移幅が広がってしまうためである。従って、２（ｄｓｗ＋ｄｐ）＜Ｔｒの条件を満足することによって、より高密度の記録が可能となる。なお、この関係は、実施例１および実施例２の磁気ディスク装置でも同様である。」
　
　上記引用例記載事項及び図面を総合勘案すると、第１引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認める。
　
「円板状の非磁性体（ガラス）基板３０５の上に、ＣｏＺｒＮｂ微結晶からなる厚さ（ｄｂ）が０．２μｍの軟磁性裏打ち層３０６、その上に厚さ（ｄｒ）が０．０７μｍのＣｏＰｔからなる垂直磁気異方性を有する磁化記録層３０７を順次積層し、さらにその上にＺｒＯ２からなる厚さ（ｄｐ）が０．０１μｍの保護膜３０８が形成することにより製造されている垂直磁気記録方式の磁気ディスク３０２と、
　記録用の主磁極３１５と、磁化信号を再生するためのＭＲ素子３１１を備えた磁気ヘッド３０１と、
　を備えた垂直磁気記録方式の磁気ディスクを用いる磁気ディスク装置において、
　磁気ヘッドは、ＣｏＺｒＮｂ高透磁率材よりなる厚さ０．５μｍの磁気シールド膜３０９、厚さ０．２μｍの非磁性絶縁層３１０、ＮｉＦｅ合金からなる膜厚Ｔｍは０．０８μｍのＭＲ素子３１１、非磁性絶縁層３１２、磁気シールド膜３１３（磁気シールド膜３１３とＭＲ素子３１１との間隔ｇは、０．２μｍ）、非磁性絶縁層３１４が形成され、非磁性絶縁層３１４の平滑加工された側面に厚さＴｒ＝０．５μｍのＦｅＳｉ薄膜からなる記録用の主磁極３１５が形成され、
　磁気ディスクの保護膜３０８とＭＲ素子３１１との間の距離（ｄｓ）と保護膜３０８の厚さ（ｄｐ）を合わせたヘッド／媒体スペーシング（ｄｓ＋ｄｐ）は、０．０２μｍである、
　磁気ディスク装置。」
　
３．対比
　本願補正発明を、引用発明と比較すると、まず、両者は磁気ディスク装置に関するものである点において一致している。
　引用発明における「軟磁性裏打ち層」は、本願補正発明における「下地軟磁性膜」に相当し、引用発明における「垂直磁気異方性を有する磁化記録層」は、本願補正発明における「垂直磁化膜」に相当するから、引用発明における「磁気ディスク」は、本願補正発明における「垂直磁気記録媒体」に相当する。
　引用発明における「主磁極」は、本願補正発明における「単磁極ヘッド」に相当し、引用発明における「ＭＲ素子」「磁気シールド膜」及び「非磁性絶縁層」からなる磁気ヘッドの構造は、本願補正発明における「ＭＲヘッド」に相当する。したがって、引用発明における「磁気ヘッド」は、本願補正発明における「単磁極／ＭＲ複合ヘッド」に相当する。
　引用発明において「ヘッド／媒体スペーシング（ｄｓ＋ｄｐ）は、０．０２μｍである」ことは、本願補正発明において、「磁気スペーシングが２０［ｎｍ］」である場合に相当する。
　引用発明において前記「軟磁性裏打ち層」が「厚さ（ｄｂ）が０．２μｍ」であることは、本願補正発明において「下地軟磁性膜の膜厚が２００［ｎｍ］である」場合に相当する。
　
　すると、本願補正発明と、引用発明とは、次の点で一致する。
（一致点）
　下地軟磁性膜及び垂直磁化膜を有する垂直磁気記録媒体と、記録用の単磁極ヘッドと再生用のＭＲヘッドとからなる単磁極／ＭＲ複合ヘッドを有する磁気記録再生系とを備えた磁気ディスク装置において、
　前記単磁極／ＭＲ複合ヘッドを用いて前記垂直磁気記録媒体に対して情報の再生を行うときの、当該単磁極／ＭＲ複合ヘッドと当該垂直磁気記録媒体との間隙である磁気スペーシングが１２［ｎｍ］以上かつ２０［ｎｍ］以下であり、
　前記下地軟磁性膜の膜厚が１００［ｎｍ］以上かつ２００［ｎｍ］以下である、
　磁気ディスク装置。
　
　一方で、以下の各相違点で相違する。
（相違点１）
　本願補正発明においては、「前記ＭＲヘッドを挟持する一対の磁気シールド層間の間隙である再生ギャップ長が０．０５［μｍ］以上かつ０．１［μｍ］以下」であると特定されているのに対し、引用発明では、明らかに再生ギャップ長となる磁気シールド膜３０９と同３１３との間隔は、本願補正発明の数値範囲に含まれない点。
　
（相違点２）
　本願補正発明においては、「前記垂直磁化膜の膜厚が２０［ｎｍ］以上かつ５０［ｎｍ］以下」であると特定されているのに対し、引用発明では、垂直磁化膜に相当する垂直磁気異方性を有する磁化記録層３０７は、厚さ（ｄｒ）が０．０７μｍ、すなわち７０ｎｍのＣｏＰｔからなる点。
　
４．判断
（１）相違点１について
　磁気記録再生技術においては、磁気ヘッドのギャップ長が、記録・再生における記録密度の上限に大きく関係することは技術常識であり、このことは例えば特開平１０−２８９４２３号公報、特開平１１−１２０５２３号公報において従来技術又は発明の課題等に説明されているように、垂直磁気記録方式においても同様であることが明らかである。
　さらに具体的には、本件出願当時、例えば特開平１１−１７５９３４号公報（第２９段落等にギャップ長０．０５μｍまたは０．１μｍの場合に言及。）、特開平１１−２０３６３４号公報（第４６〜４８段落、図９，１０等に開示される実施例にギャップ長０．０５μｍ、０．１μｍのものが含まれている。）の開示事項からすると、再生ギャップ長について０．０５［μｍ］以上かつ０．１［μｍ］以下との数値範囲は、本件出願当時の磁気記録再生技術において周知の値であったことが明らかである。
　すると、引用発明に対して、このような本件出願当時において周知の値を適用しようとすることは、当業者が通常試みる程度のことにすぎず、適用に格別困難な事情も見当たらないから、当業者が容易に想到しうるものである。また、本件特許出願の明細書及び図面をみても、単に、異なる再生ギャップ長間における比較がされているにすぎず、その他の変数との組み合わせに関して、予想外の作用効果をもたらす結果が得られたとまで認めるに足るデータが示されているわけでもないから、結局のところ、このような周知の値を採用することによる作用効果についても、当業者が予測しうる程度のものにすぎない。
　
（２）相違点２について
　垂直磁気記録方式に用いられる磁気記録媒体の記録層の厚さについて、記録密度またはノイズ減少等の観点からは薄い方が好ましいことは技術常識であり、このことは例えば特開平１０−１３４３３３号公報（第１１段落）、特開平１１−２３２６３３号公報（第５段落）に開示されている。
　さらに具体的には、４０ｎｍ以下（前記特開平１０−１３４３３３号公報、第１１段落）、２５ｎｍ（前記特開平１１−２３２６３３号公報第１３段落他、及び特開平１１−２５４０２号公報第５２段落）、「通常、１０〜５０ｎｍの範囲にあり、好ましくは１５〜３０ｎｍの範囲である」（特開平１１−１３４６３３号公報、第２４段落）などの開示事項からすると、「垂直磁化膜の膜厚について、２０［ｎｍ］以上かつ５０［ｎｍ］以下との数値範囲は、本件出願当時周知の値であったことが明らかである。
　すると、引用発明に対して、このような本件出願当時において周知の値を適用しようとすることは、当業者が通常試みる程度のことにすぎず、適用に格別困難な事情も見当たらないから、当業者が容易に想到しうるものである。また、明細書及び図面をみても、単に異なる記録層の膜厚間における比較がされているにすぎず、その他の変数との組み合わせに関して、予想外の作用効果をもたらす結果が得られたとまで認めるに足るデータが示されているわけでもないから、結局のところ、このような周知の値を採用することによる作用効果についも、当業者が予測しうる程度のものにすぎない。
　
５．本件補正についての結び
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１５年１１月１０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至１３に係る発明は、平成１５年７月１０日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至１３に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、上記「第２　〔理由〕１．」に本件補正前の請求項１として掲げたとおりのものである。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「第２　〔理由〕２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２　〔理由〕」で検討した本願補正発明から、再生ギャップ長について「０．０５［μｍ］以上かつ」、磁気スペーシングについて「１２［ｎｍ］以上かつ」、垂直磁化膜の膜厚について「２０［ｎｍ］以上かつ」、及び下地軟磁性膜の膜厚について「１０［ｎｍ］以上かつ」と、それぞれに対して数値範囲の下限に対する限定のあるところを、削除したものに相当する。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、更に他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２　〔理由〕４．」に記載したとおり、引用発明及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。