【事件の表示】
　平成　７年特許願第５２６４３４号「半導体デバイス及び方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年１０月１９日国際公開、ＷＯ９５／２８００３、平成　９年１１月２５日国内公表、特表平　９−５１１８７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成７年４月６日（パリ条約による優先権主張１９９４年４月８日、米国）の特許出願であって、平成１６年７月２７日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月１日付で手続補正がなされたものである。
　
第２．平成１６年１２月１日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１６年１２月１日付の手続補正を却下する。
［理由］
　１．補正の内容及び目的の適否
　本件補正は、補正前の請求項数２５の特許請求の範囲を、請求項数２７のものに補正しようとする事項（以下、「補正事項」という。）を含むものであるが、このような特許請求の範囲の請求項数を増加する補正は、請求項の削除に該当しないことは明らかであり、また、この増加した請求項は、引用形式で記載された請求項を独立形式の請求項に変更するのに伴いやむを得ず請求項数を増やし表現したものでも、上位の請求項の削除に伴いやむを得ず請求項数を増やし表現したものでもない。
　そして、本件の補正事項は、誤記の訂正や、明りょうでない記載の釈明を目的とするものでもないので、特許法第１７条の２第３項各号に掲げる事項のいずれにも該当しない。
　したがって、その他の補正に係る事項の適否について判断するまでもなく、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合しないので、当該補正を認めることができない。
　
２．むすび　
　以上のとおりであるから、本件補正は、第１５９条第１項において準用する特許法５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成１６年１２月１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１６年３月２３日付の手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「１．少なくとも１つの層がアルミニウムを含むIII−Ｖ族の半導体材料であり、該III−Ｖ族の半導体材料の層を有する構造を形成する段階と、
　メタライズされた半導体構造を形成するために前記構造に金属電極を与える段階と、
　含水環境内で前記メタライズされた構造を加熱して、前記アルミニウムを含むIII−Ｖ族の半導体材料の一部分をアルミニウムの自然酸化膜に変換する段階とを備えた半導体デバイスの製造方法。」
　
 ２．刊行物記載の発明
　これに対し、原審の拒絶理由に引用された、この出願前公知の刊行物である特開昭５１−１４０５８６号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに下記の記載が認められる。
（１）「薄いＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ層をＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層ｙｘではさんだダブルへテロ接合レーザ結晶側面の露出した上記ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ層及びＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層上に夫々の生来の酸化物を形成せしめたことを特徴とするダブルへテロ接合形半導体レーザ素子。」（特許請求の範囲）
（２）「次に本発明について図面を参照しながら説明する。
第１図はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓダブルへテロ接合レーザ結晶の断面図である。ｎ−ＧａＡｓ基板１１上にｎ−Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層１２（３μ厚）,ｐ−Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ層１３（０．２μ厚）１３（注；この符号「１３」は重複の誤記と認める。）,ｐ−Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層１４（２μ厚），ｐ−ＧａＡｓ層１５（１μ厚）が連続液相エピタキシャル法によって作られている。
劈開で作られた一対の平行平滑な反射面１６上には、Ｈ２Ｏ２中で約１時間煮沸することによりｐ−Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ層１３及びｎ−Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層１２,ｐ−Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層１４上にＡｌＧａＡｓの生来の酸化膜１７が約２０００Å成長させられる。勿論反射面ではない側面にも同種の生来の酸化膜が成長する。
従って、ｐｎ接合１８は直接外気にさらされることなく生来の酸化膜によって保護される。・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・第３図は、１０ｍＡ以下の微少電流で動作する半導体レーザの反射面側から見た断面図であり、層構造は第１図と同様である。フォトレジスト技術と化学エッチング又はイオン加工により巾２μの活性領域１３が形成され他の領域はｎ−Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ迄除去されている。
　エッチング前にＡｕ系の非酸化性オーミック電極３１が設けられているから処理された側面全体にのみＡｌＧａＡｓ酸化膜３２を成長させることができる。この後Ｔｉ−Ａｕ等の酸化膜に密着性のよい金属３３を全体に蒸着すればｐ形領域のオーミック電極３１は表面全体に拡げられたことになる。従ってリード線３４の接着を容易に行うことができる。勿論活性領域１３及びｐｎ接合１８はＡｌＧａＡｓ酸化膜で外気から保護されている。・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ＡｌＧａＡｓ酸化膜はＨ２Ｏ２中での煮沸以外にも酸素雰囲気中での高温酸化等の方法で作られうる。」（第２頁左下欄第１１行〜第３頁右上欄第１４行）
　
 ３．対比
　本願発明と引用例記載の発明とを対比する。
（１）引用例記載の発明における「ｎ−Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層１２,ｐ−Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ層１３,ｐ−Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層１４」は、本願発明の「少なくとも１つの層がアルミニウムを含むIII−Ｖ族の半導体材料」に相当するので、上記引用例に記載された「ｎ−ＧａＡｓ基板１１上にｎ−Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層１２,ｐ−Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ層１３,ｐ−Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層１４，ｐ−ＧａＡｓ層１５が連続液相エピタキシャル法によって作られている。」は、本願発明の「少なくとも１つの層がアルミニウムを含むIII−Ｖ族の半導体材料であり、該III−Ｖ族の半導体材料の層を有する構造を形成する段階」に相当することは明らかであり、
（２）引用例記載の発明における「非酸化性オーミック電極３１」は、本願発明の「金属電極」に相当するので、上記引用例に記載された「エッチングにより巾２μの活性領域１３が形成され他の領域はｎ−Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ迄除去されている。エッチング前にＡｕ系の非酸化性オーミック電極３１が設けられている」は、巾２μの活性領域１３が形成され他の領域がｎ−Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ１２迄除去される前には、既に非酸化性オーミック電極３１が設けられているので、本願発明の「メタライズされた半導体構造を形成するために前記構造に金属電極を与える段階」に相当し、
（３）引用例記載の発明における「処理された側面全体」、「ＡｌＧａＡｓ酸化膜３２」は、それぞれ本願発明の「アルミニウムを含むIII−Ｖ族の半導体材料の一部分」、「アルミニウムの自然酸化膜」に相当するので、上記引用例に記載された「エッチング前にＡｕ系の非酸化性オーミック電極３１が設けられているから処理された側面全体にのみに、Ｈ２Ｏ２中での煮沸あるいは、酸素雰囲気中での高温酸化等の方法でＡｌＧａＡｓ酸化膜３２を成長させることができる」は、本願発明の「メタライズされた構造を加熱して、前記アルミニウムを含むIII−Ｖ族の半導体材料の一部分をアルミニウムの自然酸化物に変換する段階」に相当するので、
　結局、両者は、
「少なくとも１つの層がアルミニウムを含むIII−Ｖ族の半導体材料であり、該III−Ｖ族の半導体材料の層を有する構造を形成する段階と、
　メタライズされた半導体構造を形成するために前記構造に金属電極を与える段階と、
　前記メタライズされた構造を加熱して、前記アルミニウムを含むIII−Ｖ族の半導体材料の一部分をアルミニウムの自然酸化膜に変換する段階とを備えた半導体デバイスの製造方法」の点で一致し、下記の点で相違する。
（相違点）アルミニウムを含むIII−Ｖ族の半導体材料の一部分をアルミニウムの自然酸化膜に変換する段階において、本願発明は該変換を「含水環境内で」行なっているのに対して、引用例に記載の発明では、酸素雰囲気中で行なっている点。
　
４．判断
　上記相違点に付き検討する。
（相違点）
　従来、半導体デバイスの製造方法において、アルミニウムを含むIII−Ｖ族の半導体材料の一部分をアルミニウムの自然酸化物に変換する段階において、該変換を含水環境内で行うことは周知(例えば、国際公開第９２／１２５３６号パンフレット（１９９２）、国際公開第９３／２０５８１号パンフレット（１９９３）を参照)の事項であり、引用例に記載されたアルミニウムを含むIII−Ｖ族の半導体材料の一部分をアルミニウムの自然酸化物へ変換することを酸素雰囲気中で行うことに代えて、これら周知技術を適用して本願発明とすることに格別の困難は見出せない。　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用例発明及び上記周知技術から、当業者が予測し得る程度のものであり、格別とはいえない。
　
　なお、請求人は審判請求書（平成１６年１２月１日付手続補正書）第２頁下から１１行〜同２行において、上記引用例の記載「酸化物上に金属を蒸着することによって、反射率が制御される」、「ある領域のみにオーミック電極を作り、電気的配線を施することは困難であり、外気から活性層を保護することも要する」、「エッチングされた領域を〜の酸化物で絶縁し、この上にもオーミック電極金属を取り付ける」を引用し、即ち、引用例は、酸化形成された後でメタライゼーションがなされたものであり、本願発明のように、メタライゼーションがなされた後で酸化するものではないと主張する。
　しかしながら、上記引用例において、酸化物上に蒸着された金属膜３３は、電気的配線の容易化を図るために設けられたものであって、ｐ形オーミック電極３１そのもの（本願発明の金属電極）とは異なるものである。つまり、本願発明は、上記引用例における金属膜３３を蒸着させる前までの製造方法において、メタライゼーション後に酸化する工程が引用例に内在するものである。
　よって、上記主張は認めることはできない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。