【事件の表示】
　平成　８年特許願第　　７８３７号「薄膜サーミスタの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　７月３１日出願公開、特開平　９−１９９３０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成８年１月１９日の出願であって、平成１６年８月９日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年９月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年９月１６日付け及び同年１０月１８日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１６年１０月１８日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１６年１０月１８日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
　１　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「プラズマＣＶＤ法を用いてサーミスタ素子として機能する半導体薄膜を形成するにあたり、放電の電力密度を１１０ｍＷ／ｃｍ２以上とし、かつ原料ガスにカーボンを混入し、原料ガスを希釈する水素ガスの原料ガスに対する流量比を４以下としたことを特徴とする薄膜サーミスタの製造方法。」と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項として「原料ガスを希釈する水素ガスの原料ガスに対する流量比を４以下とした」ことを限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　２　独立特許要件について
　（１）特許法第２９条第２項について
　　（ア）刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−１９６３０７号公報（以下、「刊行物１」という。）には、以下の点が記載されている。
「【００４３】以下に、その製造方法について説明する。図１において、まず、ガラス等の絶縁基板１０上にクロム電極２ａを電子ビーム蒸着法により２０００Å程度形成した。次に、クロム電極２ａ上にボロンをＢ２Ｈ６／ＳｉＨ４：０．２５％添加してｐ型アモルファスシリコン層１２ａを３００Å程度形成した。
【００４４】次に、アモルファス合金半導体薄膜１１として、アモルファスシリコンカーバイト層を５０００Å程度積層した。このアモルファスシリコンカーバイトは、容量結合型のプラズマＣＶＤ法により下記に示す表１に示すような条件で形成した。」
　【００４５】の【表１】には、ａ−ＳｉＣ形成条件として、「ＳｉＨ４：１００ｓｃｃｍ、Ｂ２Ｈ６（０．５％Ｈ２ベース）：５０ｓｃｃｍ、ＣＨ４：４００ｓｃｃｍ、・・・、放電パワー：２０Ｗ、・・・電極サイズ：３０ｍｍ×３０ｍｍ、・・・」が記載されている。
「【００４６】その後、Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４：０．２５％のｐ型アモルファスシリコン層１２ｂを３００Å程度形成し、最後に、クロム電極２ｂを電子ビーム蒸着法により２０００Å程度形成して半導体薄膜サーミスタを作製した。・・・」
　以上の記載から、刊行物１には、「プラズマＣＶＤ法を用いてサーミスタとして機能するアモルファス合金半導体薄膜１１を形成するにあたり、ＳｉＨ４：１００ｓｃｃｍ、Ｂ２Ｈ６（０．５％Ｈ２ベース）：５０ｓｃｃｍ、ＣＨ４：４００ｓｃｃｍ、放電パワー：２０Ｗ、電極サイズ：３０ｍｍ×３０ｍｍとしたことを特徴とする半導体薄膜サーミスタの製造方法。」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　　（イ）本願補正発明と引用発明との対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「サーミスタ」、「アモルファス合金半導体薄膜」、「半導体薄膜サーミスタ」は、それぞれ本願補正発明の「サーミスタ素子」、「半導体薄膜」、「薄膜サーミスタ」に相当し、さらに、引用発明ではＣＨ４を用いているので、本願補正発明の「原料ガスにカーボンを混入し」たことに相当するので、両者は、
「プラズマＣＶＤ法を用いてサーミスタ素子として機能する半導体薄膜を形成するにあたり、原料ガスにカーボンを混入したことを特徴とする薄膜サーミスタの製造方法。」で一致し、
　
相違点１： 本願補正発明では、「放電の電力密度を１１０ｍＷ／ｃｍ２以上とし」ているのに対して、引用発明では、そのような記載がない点、
相違点２： 本願補正発明では、「原料ガスを希釈する水素ガスの原料ガスに対する流量比を４以下とし」ているのに対して、引用発明では、そのような記載がない点で、相違する。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
［相違点１］
　引用発明の放電パワー：２０Ｗと電極サイズ：３０ｍｍ×３０ｍｍとから、放電の電力密度＝２００００ｍＷ／（３×３）ｃｍ２≒２２２２ｍＷ／ｃｍ２となり、本願補正発明の放電の電力密度１１０ｍＷ／ｃｍ２以上に含まれており、放電の電力密度１１０ｍＷ／ｃｍ２以上とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
［相違点２］
　引用発明ではＢ２Ｈ６（０．５％Ｈ２ベース）：５０ｓｃｃｍ、すなわち水素ガスの流量は約５０ｓｃｃｍで、原料ガスに対する流量比≒５０ｓｃｃｍ／（１００＋４００）ｓｃｃｍ＝０．１となり、本願補正発明の「原料ガスを希釈する水素ガスの原料ガスに対する流量比を４以下としたこと」に含まれており、原料ガスを希釈する水素ガスの原料ガスに対する流量比を４以下とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　（２）特許法第３６条第６項第２号について
　請求人は、回答書において「すなわち、特許請求の範囲において、「水素ガスの原料ガスに対する流量比が４以下」であるとしか記載されておらず下限が示されていないとしても、水素ガスが「原料ガスを希釈する」というとき、その水素ガスの原料ガスに対する流量比の下限が０．１よりも大きいことは技術常識である。」と主張している。
　仮にこの主張が正しいとした場合、「原料ガスを希釈する水素ガスの原料ガスに対する流量比を４以下とした」の「４以下」との記載では、流量比の下限が不明確であり、本願発明の範囲が不明確である。
　したがって、本願補正発明は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　（３）独立特許要件についてのむすび
　したがって、本願補正発明は、特許法第２９条第２項又は特許法第３６条第６項第２号のいずれかの理由により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。　
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　平成１６年１０月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１６年９月１６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「プラズマＣＶＤ法を用いてサーミスタ素子として機能する半導体薄膜を形成するにあたり、放電の電力密度を１１０ｍＷ／ｃｍ２以上とし、かつ原料ガスにカーボンを混入したことを特徴とする薄膜サーミスタの製造方法。」
　
　２　刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、及びその記載事項は、前記「第２（１）（ア）」に記載したとおりである。　
　
　３　本願発明と引用発明との対比・判断
　本願発明は、前記第２で検討した本願補正発明から「原料ガスを希釈する水素ガスの原料ガスに対する流量比を４以下とした」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記第２（１）（イ）に記載したとおり、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。