【手続補正書】
【提出日】平成21年9月10日(2009.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に有機金属化学気相蒸着法を用いてＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜を製造する方法であって、
基板上に、ＩＩＩ族及びＶＩ族元素を含む単一前駆体と、Ｉ族金属を含む前駆体と、ＶＩ族元素を含む前駆体またはＶＩ族元素を含有するガスとを共に供給しながら蒸着させ、単一の有機金属化学気相蒸着工程によりＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜を形成することを特徴とする単一の有機金属化学気相蒸着工程によるＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜の製造方法。
【請求項２】
基板上に有機金属化学気相蒸着法を用いてＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜を製造する方法であって、
基板上に、ＩＩＩ族及びＶＩ族元素を含む単一前駆体、Ｉ族金属を含む前駆体、及びＶＩ族元素を含む前駆体またはＶＩ族元素を含有するガスを使用して単一の有機金属化学気相蒸着工程によりＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜を成長させる過程において、前記ＩＩＩ族元素と異なるＩＩＩ'族元素を含む前駆体を共に供給しながら蒸着させ、Ｉ-ＩＩＩ1-xＩＩＩ'x-ＶＩ２化合物薄膜を形成することを特徴とする単一の有機金属化学気相蒸着工程によるＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜の製造方法。
【請求項３】
基板上に有機金属化学気相蒸着法を用いてＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜を製造する方法であって、
基板上にＩＩＩ族及びＶＩ族元素を含む単一前駆体、Ｉ族金属を含む前駆体、及びＶＩ族元素を含む前駆体またはＶＩ族元素を含有するガスを使用して単一の有機金属化学気相蒸着工程によりＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜を成長させる過程において、前記ＶＩ族元素と異なるＶＩ'族元素を含む前駆体またはＶＩ'族元素を含有するガスを共に供給しながら蒸着させ、Ｉ-ＩＩＩ-(ＶＩ1-yＶＩ'y)2化合物薄膜を形成することを特徴とする単一の有機金属化学気相蒸着工程によるＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜の製造方法。
【請求項４】
基板上に有機金属化学気相蒸着法を用いてＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜を製造する方法であって、
基板上に、ＩＩＩ族及びＶＩ族元素を含む単一前駆体、Ｉ族金属を含む前駆体、及びＶＩ族元素を含む前駆体またはＶＩ族元素を含有するガスを使用して単一の有機金属化学気相蒸着工程によりＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜を成長させる過程において、前記ＩＩＩ族元素と異なるＩＩＩ'族元素を含む前駆体及び前記ＶＩ族元素と異なるＶＩ'族元素を含む前駆体またはＶＩ'族元素を含有するガスを共に供給しながら蒸着させ、単一のＭＯＣＶＤ工程によりＩ-ＩＩＩ1-xＩＩＩ'x-(ＶＩ1-yＶＩ'y)2化合物薄膜を形成することを特徴とする単一の有機金属化学気相蒸着工程によるＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜の製造方法。
【請求項５】
前記ＩＩＩ族及びＶＩ族元素を含む単一前駆体として、[R2M(μ-ER')]2構造を有する単一前駆体（ここで、Mは、In、Ga、Alから選択されたＩＩＩ族金属元素を表し、RとR'は、それぞれ独立的にC1〜C6のアルキル基を表し、Eは、S、Se、Teから選択されたＶＩ族カルコゲン元素を表し、μは、MとEとが二重にブリッジされた結合をしているということを表す）を使用することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の単一の有機金属化学気相蒸着工程によるＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜の製造方法。
【請求項６】
前記Ｉ族元素を含む前駆体として、(hfac)Cu(DMB)形態のCu １価前駆体（ここで、hfacはヘキサフルオロアセチルアセト（hexafluoroacetylaceto）の略記であり、DMBは、３,３−ジメチル−１−ブテン（3,3-dimethyl-１-butene）の略記である）を使用することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の単一の有機金属化学気相蒸着工程によるＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜の製造方法。
【請求項７】
前記ＶＩ族元素を含む前駆体として、R2E形態の前駆体（ここで、Eは、S、Se、Teから選択されたＶＩ族カルコゲン元素を表し、Rは、C1〜C6のアルキル基を表す。）を使用することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の単一の有機金属化学気相蒸着工程によるＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜の製造方法。
【請求項８】
前記ＶＩ族元素を含有するガスとして、H2E形態のガス（ここで、Eは、S、Se、Teから選択されたＶＩ族カルコゲン元素を表す）を使用することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の単一の有機金属化学気相蒸着工程によるＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜の製造方法。
【請求項９】
前記ＩＩＩ'族元素を含む前駆体として、R3M形態の前駆体（ここで、Rは、C1〜C6のアルキル基を表し、Mは、Al、In、Gaなどを表す。）を使用することを特徴とする請求項２または請求項４に記載の単一の有機金属化学気相蒸着工程によるＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜の製造方法。
【請求項１０】
前記ＩＩＩ'族元素を含む前駆体として、ＩＩＩ'族元素及びＶＩ族元素を含む[R2M(μ-ER')]2構造を有する単一前駆体（ここで、Mは、In、Ga、Alから選択されたＩＩＩ族金属元素を表し、R及びR'は、それぞれ独立的にC1〜C6のアルキル基を表し、Eは、S、Se、Teから選択されたＶＩ族カルコゲン元素を表し、μは、MとEとが二重にブリッジされた結合をしているということを表す）を使用することを特徴とする請求項２に記載の単一の有機金属化学気相蒸着工程によるＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜の製造方法。
【請求項１１】
前記ＶＩ'族元素を含む前駆体として、R2E形態の前駆体（ここで、Eは、S、Se、Teから選択されたＶＩ族カルコゲン元素を表し、Rは、C1〜C6のアルキル基を表す）を使用することを特徴とする請求項３または請求項４に記載の単一の有機金属化学気相蒸着工程によるＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜の製造方法。
【請求項１２】
前記ＶＩ'族元素を含む前駆体として、ＩＩＩ族元素及びＶＩ'族元素を含む[R2M(μ-ER')]2構造を有する単一前駆体（ここで、Mは、In、Ga、Alから選択されたＩＩＩ族金属元素を表し、R及びR'は、それぞれ独立的にC1〜C6のアルキル基を表し、Eは、S、Se、Teから選択されたＶＩ族カルコゲン元素を表し、μは、MとEとが二重にブリッジされた結合をしているということを表す）を使用することを特徴とする請求項３に記載の単一の有機金属化学気相蒸着工程によるＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜の製造方法。
【請求項１３】
前記ＶＩ'族元素を含有するガスとして、H2E形態のガス（ここで、Eは、S、Se、Teから選択されたＶＩ族カルコゲン元素を表す）を使用することを特徴とする請求項３または請求項４に記載の単一の有機金属化学気相蒸着工程によるＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜の製造方法。
【請求項１４】
前記ＩＩＩ'族元素を含む前駆体として、ＩＩＩ'族元素及びＶＩ族元素またはＩＩＩ'族元素及びＶＩ'族元素を含む[R2M(μ-ER')]2構造を有する単一前駆体（ここで、Mは、In、Ga、Alから選択されたＩＩＩ族金属元素を表し、R及びR'は、それぞれ独立的にC1〜C6のアルキル基を表し、Eは、S、Se、Teから選択されたＶＩ族カルコゲン元素を表し、μは、MとEとが二重にブリッジされた結合をしているということを表す）を使用することを特徴とする請求項４に記載の単一の有機金属化学気相蒸着工程によるＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜の製造方法。
【請求項１５】
前記ＶＩ'族元素を含む前駆体として、ＩＩＩ族元素及びＶＩ'族元素またはＩＩＩ'族元素及びＶＩ'族元素を含む[R2M(μ-ER')]2構造を有する単一前駆体（ここで、Mは、In、Ga、Alから選択されたＩＩＩ族金属元素を表し、R及びR'は、それぞれ独立的にC1〜C6のアルキル基を表し、Eは、S、Se、Teから選択されたＶＩ族カルコゲン元素を表し、μは、MとEとが二重にブリッジされた結合をしているということを表す）を使用することを特徴とする請求項４に記載の単一の有機金属化学気相蒸着工程によるＩ-ＩＩＩ-ＶＩ２化合物薄膜の製造方法。