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　特願２０１４−５２９３４８「光電変換素子、撮像装置及び光センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　２月１３日国際公開、ＷＯ２０１４／０２４５８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年（平成２５年）６月２１日（優先権主張　平成２４年８月９日）を国際出願日とする出願であって、その手続の概要は、以下のとおりである。
平成２８年１０月１８日付け：拒絶理由通知書
平成２８年１２月１９日　　：意見書、手続補正書
平成２９年　５月１１日付け：拒絶査定（同年５月１６日送達）
平成２９年　８月１５日　　：審判請求書の提出
平成３０年　５月１５日付け：拒絶理由通知書（当審）
平成３０年　７月１３日　　：意見書、手続補正書
平成３０年１１月　２日付け：拒絶理由（最後の拒絶理由）通知書（当審）平成３０年１２月２８日　　：意見書、手続補正書
第２　平成３０年１２月２８日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成３０年１２月２８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、平成３０年７月１３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５を、本件補正による特許請求の範囲の請求項１ないし５に補正するものであるところ、本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１、２を、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１、２に変更する補正事項を含むものである。
　そして、本件補正前の請求項１、２及び本件補正後の請求項１、２の各記載は、それぞれ、以下のとおりである。
　なお、本件補正後の請求項１、２における下線は補正箇所を表している。
〈本件補正前の請求項１、２〉
　「【請求項１】
　第１の電極と、
　第２の電極と、
　前記第１及び第２の電極間に設けられ、波長感度が異なる２種の有機半導体材料を含む有機光電変換部と、を有し、
　前記第１及び第２の電極間に印加する電圧を変化させて、波長感度をシフトさせ、
　前記有機光電変換部は、第１の有機半導体材料からなる層と、前記第１の有機半導体材料からなる層と波長感度が異なる第２の有機半導体材料からなる層とを含んで構成され、
　前記第１の有機半導体材料がｐ型有機半導体材料であり、
　前記第２の有機半導体材料がｎ型有機半導体材料である、
　光電変換素子。
　　【請求項２】
　前記第１の有機半導体材料がキナクドリンであり、前記第２の有機半導体材料がペリレンテトラカルボン酸ジイミドである、請求項１に記載の光電変換素子。」
〈本件補正後の請求項１、２〉
　「【請求項１】
　第１の電極と、
　第２の電極と、
　前記第１及び第２の電極間に設けられ、波長感度が異なる２種の有機半導体材料を含む有機光電変換部と、を有し、
　前記第１及び第２の電極間に印加する電圧を変化させて、
感度波長
て広げて、色分離し
　前記有機光電変換部は、第１の有機半導体材料からなる層と、前記第１の有機半導体材料からなる層と波長感度が異なる第２の有機半導体材料からなる層とを含んで構成され、
　前記第１の有機半導体材料がｐ型有機半導体材料であり、
　前記第２の有機半導体材料がｎ型有機半導体材料である、
　光電変換素子。
　　【請求項２】
　前記第１の有機半導体材料が
キナクリドン
２　補正の適合性
（１）補正事項
　本件補正は、請求項１、２に係る次の補正事項を含むものである。
（補正事項１）
　本件補正前の請求項１の「波長感度をシフトさせ」という記載を、「感度波長をシフトさせて広げて、色分離し」とする補正。
（補正事項２）
　本件補正前の請求項２の「キナクドリン」という記載を、「キナクリドン」とする補正。
（２）新規事項の追加の有無について
　補正事項１は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面の段落００３１、段落００３４の記載に基づくものである。
　補正事項２は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面の段落００５３の記載に基づくものである。
　よって、上記補正事項１、２は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、特許法第１７条の２第３項の規定を満たしている。
（３）補正の目的について
　補正事項１は、本件補正前の請求項１の「波長感度」を「感度波長」と誤記の訂正をするとともに、本件補正前の請求項１のその後に記載される「をシフトさせ」を「をシフトさせて広げて、色分離し」と特許請求の範囲の減縮を目的とする補正をするものであるから、誤記の訂正及び特許請求の範囲の減縮を目的とする補正といえる。
　補正事項２は、本件補正前の請求項２の「キナクドリン」を「キナクリドン」と誤記の訂正をするものであるから、誤記の訂正を目的とする補正といえる。
　よって、上記補正事項１、２は、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮及び特許法第１７条の２第５項第３号の誤記の訂正を目的とするものに該当する。
（４）独立特許要件について
　以上のように、上記補正事項１は、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正後の請求項１に記載された発明が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下において検討する。
ア　本件補正発明
　本件補正発明は、上記１に示した（本件補正後の請求項１）に記載された事項により特定されるとおりのものである。
イ　引用文献の記載事項
　平成３０年１１月　２日付けの拒絶理由（最後の拒絶理由）で引用された本願の優先日前に頒布された引用文献である、特開２００８−２２７０９２号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある（下線は当審で付した。）。
「【請求項５】
　被写体を撮像して撮像信号を出力する撮像素子であって、
　基板上方の同一平面上に配列された複数の
光電変換素子を備え
　前記複数の光電変換素子が、請求項１〜４のいずれか１項記載の光電変換素子であり、
　前記基板に形成され、前記複数の光電変換素子の各々で発生して前記電荷捕集用電極に移動した電荷に応じた信号を読み出す信号読み出し部を備える撮像素子。
【請求項６】
　請求項５記載の撮像素子と、
　前記撮像素子を駆動する撮像素子駆動手段とを備え、
　前記撮像素子駆動手段が、前記バイアス電圧を、各光電変換膜で発生した電荷を前記電荷捕集用電極に移動させるために最低限必要な前記バイアス電圧のいずれかに撮影モードに応じて切り替える
撮像装置。
「【００１４】
　
光電変換素子
は、
下部電極
と、
上部電極
と、下部電極
と上部電極
の間に設けられた光電変換膜１１０とを含む構成となっている。
【００１５】
　上部電極１１１には、その上方から入射光が入射される。
上部電極
は、
透明な導電性材料で構成され
【００１６】
　
下部電極
は、
透明又は不透明の導電性材料で構成される。
「【００２３】
　図２は、図１に示す
光電変換素子
　図２に示すように、
光電変換膜１１０は、
光電変換膜１１０ａと、光電変換膜１１０ａ上方に形成された光電変換膜１１０ｂとの２層構造となっている。
【００２４】
　光電変換膜１１０は、光電変換膜１１０ｂの一端（下部電極１０９側の端部）から他端（上部電極１１１側の端部）までの範囲で発生した電荷を下部電極１０９に移動させるために最低限必要な
上部電極
及び下部電極
間に加える
第１のバイアス電圧
上部電極
及び下部電極
間に加える
バイアス電圧
第２のバイアス電圧
【００２５】
　上述したように、有機半導体材料は、そこに加えるバイアス電圧の大きさによって電荷取り出し範囲を制御することができるため、
第１のバイアス電圧と第２のバイアス電圧の切り替えにより、光電変換膜１１０ａで発生した電荷のみを取り出すのか、光電変換膜１１０ａと光電変換膜１１０ｂの両方で発生した電荷を取り出すのかを切り替え
【００２６】
　
光電変換膜１１０ａは、
吸収スペクトルを有する。
吸収スペクトルとは、
吸収ピークを波長５３０ｎｍ〜５８０ｎｍの範囲に持ち
光電変換膜１１０ａは、材料として
、キナクリドンを用い
【００２７】
　光電変換膜１１０全体の吸収スペクトルは、図３に示したような人間の暗所視での分光感度特性と近似しており、このような分光感度特性となるように、
光電変換膜１１０ｂの吸収スペクトルが決められ
吸収スペクトルとは、
吸収ピークを波長４８０ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲に持ち、
光電変換膜１１０ｂ
は、材料として
、3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic-dianhydride (PTCDA)を用い
【００２８】
　図４は、光電変換膜１１０の吸収スペクトルの設計例を示した図である。
　光電変換膜１１０ａの吸収スペクトルと光電変換膜１１０ｂの吸収スペクトルを図４のようにすることで、光電変換膜１１０の吸収スペクトルを人間の暗所視での分光感度特性に近似したものにすることができる。
【００２９】
　以上のような構成の撮像素子の動作を説明する。
　上部電極１１１と下部電極１０９間に第２のバイアス電圧が印加された状態で露光期間が開始されると、入射光が光電変換膜１１０で吸収され、ここで入射光量に応じた電荷が発生する。上部電極１１１と下部電極１０９間には
第２のバイアス電圧が印加されているため、
光電変換膜１１０ａで発生した電子のみが
蓄積される。
蓄積された電子に応じた信号が撮像素子外部に出力
【００３０】
　一方、上部電極１１１と下部電極１０９間に第１のバイアス電圧が印加された状態で露光期間が開始されると、入射光が光電変換膜１１０で吸収され、ここで入射光量に応じた電荷が発生する。上部電極１１１と下部電極１０９間には
第１のバイアス電圧が印加されているため、
光電変換膜１１０ａで発生した電子と光電変換膜１１０ｂで発生した電子が
蓄積される。
蓄積された電子に応じた信号が撮像素子外部に出力
【００３１】
　このように、本実施形態の撮像素子によれば、上部電極１１１と下部電極１０９間に印加するバイアス電圧を第１のバイアス電圧と第２のバイアス電圧とで切り替えて撮像を行うことで、人間の明所視での分光感度に合った画像と、人間の暗所視での分光感度に合った画像とのいずれかを得ることができる。例えば、昼間の撮影時には第２のバイアス電圧を印加することで、人間が昼間に見ている被写体像と何ら遜色のないモノクロ画像を得ることができ、夜間の撮影時には第１のバイアス電圧を印加することで、人間が夜間に見ている被写体像と何ら遜色のないモノクロ画像を得ることができ、撮影シーンに応じた撮影が可能となる。」
　したがって、引用文献１には、図２〜４を参酌してまとめると、以下の発明が記載されている。
「下部電極と、上部電極と、下部電極と上部電極の間に設けられた光電変換膜１１０とを含む構成となっており、
　光電変換膜１１０は、光電変換膜１１０ａと、光電変換膜１１０ａ上方に形成された光電変換膜１１０ｂとの２層構造となっており、
　上部電極及び下部電極間に加える第１のバイアス電圧と第２のバイアス電圧の切り替えにより、光電変換膜１１０ａで発生した電荷のみを取り出すのか、光電変換膜１１０ａと光電変換膜１１０ｂの両方で発生した電荷を取り出すのかを切り替え、
　光電変換膜１１０ａは、吸収ピークを波長５３０ｎｍ〜５８０ｎｍの範囲に持つ吸収スペクトルを有し、光電変換膜１１０ａは、材料として、キナクリドンを用い、
　光電変換膜１１０ｂは、吸収ピークを波長４８０ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲に持つ吸収スペクトルが決められ、光電変換膜１１０ｂは、材料として、3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic-dianhydride (PTCDA)を用い、
　上部電極は、透明な導電性材料で構成され、下部電極は、透明又は不透明の導電性材料で構成される、
　光電変換素子を備える撮像装置。」（以下「引用発明」という。）
ウ　対比・判断
（ア）引用発明の「下部電極」は、本件補正発明の「第１の電極」に、引用発明の「上部電極」は、本件補正発明の「第２の電極」に、引用発明の「上部電極及び下部電極間に加える第１のバイアス電圧と第２のバイアス電圧の切り替えにより」は、本件補正発明の「第１及び第２の電極間に印加する電圧を変化させて」に、引用発明の「光電変換素子」は、本件補正発明の「光電変換素子」に、それぞれ相当する。
（イ）引用発明の「『下部電極と、上部電極と、下部電極と上部電極の間に設けられた光電変換膜１１０とを含む構成となっており、光電変換膜１１０は、光電変換膜１１０ａと、光電変換膜１１０ａ上方に形成された光電変換膜１１０ｂとの２層構造となっており、』『光電変換膜１１０ａは、吸収ピークを波長５３０ｎｍ〜５８０ｎｍの範囲に持つ吸収スペクトルを有し、光電変換膜１１０ａは、材料として、キナクリドンを用い、』『光電変換膜１１０ｂは、吸収ピークを波長４８０ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲に持つ吸収スペクトルが決められ、光電変換膜１１０ｂは、材料として、3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic-dianhydride (PTCDA)を用い、』」は、本件補正発明の「『前記第１及び第２の電極間に設けられ、波長感度が異なる２種の有機半導体材料を含む有機光電変換部と、を有し、』『有機光電変換部は、第１の有機半導体材料からなる層と、前記第１の有機半導体材料からなる層と波長感度が異なる第２の有機半導体材料からなる層とを含んで構成され、』」に相当する。
（ウ）「キナクリドン」は、ｐ型有機半導体材料であるので、引用発明の「キナクリドン」は、本件補正発明の「ｐ型有機半導体材料」に相当する。そうすると、引用発明の「光電変換膜１１０ａは、材料として、キナクリドンを用い、」は、本件補正発明の「前記第１の有機半導体材料がｐ型有機半導体材料であり、」に相当する。
（エ）「3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic-dianhydride (PTCDA)」は、ｎ型有機半導体材料であるので、引用発明の「3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic-dianhydride (PTCDA)」は、本件補正発明の「ｎ型有機半導体材料」に相当する。そうすると、引用発明の「光電変換膜１１０ｂは、材料として、3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic-dianhydride (PTCDA)を用い、」は、本件補正発明の「前記第２の有機半導体材料がｎ型有機半導体材料である、」に相当する。
（オ）引用発明の「光電変換膜１１０ａは、吸収ピークを波長５３０ｎｍ〜５８０ｎｍの範囲に持つ吸収スペクトル」、「光電変換膜１１０ｂは、吸収ピークを波長４８０ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲に持つ吸収スペクトル」と特定されているので、光電変換膜１１０ａ、光電変換膜１１０ｂの吸収スペクトルの吸収ピークは、ともに可視域の範囲内である。
　そして、引用発明では「上部電極及び下部電極間に加える第１のバイアス電圧と第２のバイアス電圧の切り替えにより、光電変換膜１１０ａで発生した電荷のみを取り出すのか、光電変換膜１１０ａと光電変換膜１１０ｂの両方で発生した電荷を取り出すのかを切り替え、」と特定されていること、光電変換膜１１０ａと光電変換膜１１０ｂの吸収スペクトルの吸収ピークは異なることから、第１のバイアス電圧と第２のバイアス電圧の切り替えにより、感度波長を切り替えている。
　また、引用文献１の図４を参照すると、光電変換膜１１０ａのみの光吸収の波長の範囲より、光電変換膜１１０ａと光電変換膜１１０ｂの２層構造の光電変換膜１１０の光吸収の波長の範囲の方が広い波長の範囲であることが見て取れるから、「光電変換膜１１０ａで発生した電荷のみを取り出す」場合より、「光電変換膜１１０ａと光電変換膜１１０ｂの両方で発生した電荷を取り出す」場合の方が、感度波長を広げている。
　そうすると、引用発明の「上部電極及び下部電極間に加える第１のバイアス電圧と第２のバイアス電圧の切り替えにより、光電変換膜１１０ａで発生した電荷のみを取り出すのか、光電変換膜１１０ａと光電変換膜１１０ｂの両方で発生した電荷を取り出すのかを切り替え、」は、本件補正発明の「前記第１及び第２の電極間に印加する電圧を変化させて、感度波長をシフトさせて広げて、色分離し、」に相当する。
（カ）上記（ア）ないし（オ）から、本件補正発明と引用発明は、以下の点で一致する。
　「第１の電極と、
　第２の電極と、
　前記第１及び第２の電極間に設けられ、波長感度が異なる２種の有機半導体材料を含む有機光電変換部と、を有し、
　前記第１及び第２の電極間に印加する電圧を変化させて、感度波長をシフトさせて広げて、色分離し、
　前記有機光電変換部は、第１の有機半導体材料からなる層と、前記第１の有機半導体材料からなる層と波長感度が異なる第２の有機半導体材料からなる層とを含んで構成され、
　前記第１の有機半導体材料がｐ型有機半導体材料であり、
　前記第２の有機半導体材料がｎ型有機半導体材料である、
　光電変換素子。」
　したがって、本件補正発明は、引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（キ）キナクリドン以外のｐ型有機半導体材料、3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic-dianhydride (PTCDA)以外のｎ型有機光電変換材料を用いた場合も想定されるので、仮に、本件補正発明が、引用発明であるとはいえないとした場合について、以下において検討する。
　引用文献１の【００１７】には「光電変換膜１１０は、有機光電変換材料を含んで構成される。有機光電変換材料として知られている材料としては、ペリレン誘導体、ナフタレン誘導体、フタロシアニン誘導体、キナクリドン誘導体、ポルフィリン誘導体、フラーレン、ポリメチン化合物が挙げられる。」と記載されているから、キナクリドン、3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic-dianhydride (PTCDA)以外の周知の有機光電変換材料を用いることは、当業者が適宜なし得る事項にすぎない。
  
　したがって、仮に、本件補正発明が、引用発明であるとはいえないとした場合であっても、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に規定する要件を満たさず、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　本件補正についてのむすび
　「本件補正発明」が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであることは以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないものである。
　よって、本件補正は、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　当審における拒絶の理由
　平成３０年１１月２日付けの拒絶理由通知書で当審が通知した拒絶の理由は、概略、以下のとおりである。
理由１　特許法第２９条第１項第３号について  
・請求項　　　１、３、４　  
・引用文献等　１ 
理由２　特許法第２９条第２項について  
・請求項　　　１−５　  
・引用文献等　１−４ 
理由３　特許法第３６条第６項第２号について  
・請求項　１−５  
（１）請求項１の「電圧を変化させて、波長感度をシフトさせ」は、不明確な記載である（本願明細書段落［００３１］、［００４０］には「バイアス電圧を変更することにより、感度波長をシフトさせる」と記載されており、「波長感度」は「感度波長」の誤記ではないか。）。 
（２）請求項２の「キナクドリン」は、不明確な記載である（本願明細書段落［００５３］には「キナクリドン」と記載されており、「キナクドリン」は「キナクリドン」の誤記ではないか。）。 
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞  
１．特開２００８−２２７０９２号公報 
２．特開平６−３１８７２５号公報（周知技術を示す文献） 
３．特開平６−１７７４１０号公報（周知技術を示す文献） 
４．特開２００３−１５８２５４号公報（周知技術を示す文献） 
第４　当審の判断
１　理由１（特許法第２９条第１項第３号）、理由２（特許法第２９条第２項）について
（１）本願発明
　平成３０年１２月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成３０年７月１３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１に示した（本件補正前の請求項１）に記載された事項により特定されるとおりのものである。
（２）引用発明
　当審の拒絶の理由に引用された引用文献１、及び、その記載事項は、上記第２の２（４）イに示したとおりであり、引用文献１に記載された発明（引用発明）は、上記第２の２（４）イに認定したとおりである。
（３）対比・判断
　本願発明は、上記第２の１の「本件補正の内容」で摘記した本件補正発明に追加された限定事項を省き、誤記の訂正をしていないものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の特定事項を付加し、誤記の訂正したものに相当する本件補正発明が、上記第２の２（４）ウで検討したとおり、引用発明であるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明であり、仮に、本件補正発明が、引用発明であるとはいえないとした場合であっても、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
２　理由３（特許法第３６条第６項第２号）について
　本願の請求項１の「電圧を変化させて、波長感度をシフトさせ」は、不明確な記載であり、本願の請求項２の「キナクドリン」は、不明確な記載である。
　したがって、請求項１、２に係る発明は明確でない。 
第５　請求人の主張について
　請求人は、平成３０年１２月２８日付けの意見書において「本願明細書の段落０００７に記載されていますように、引用文献１の光電変換素子（引用文献１に記載の発明）は、第１の光電変換膜が人間の明所視での分光感度特性に近似した吸収スペクトルを有し、第２の光電変換膜が可視域及び赤外域の範囲内において赤外域に吸収スペクトルの吸収ピーク波長をもつように設計されて、可視域での色変化は期待できません。一方、本願の補正後の請求項１に係る発明は、第１及び第２の電極間に印加する電圧を変化させて、感度波長をシフトさせて広げて、色分離することができます。したがって、本願発明と引用文献１に記載の発明とは明らかな有意差があると思料します。」と主張する。
　しかしながら、引用文献１の図５に示された光電変換膜１１０ｂは、可視域及び赤外域の範囲内において赤外域に吸収スペクトルの吸収ピーク波長をもつように設計されているものの、上記第２の２（４）イに記載したように、引用発明において、「光電変換膜１１０ｂは、吸収ピークを波長４８０ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲に持つ吸収スペクトルが決められ」るものであり、可視域及び赤外域の範囲内において赤外域に吸収スペクトルの吸収ピーク波長をもつように設計されているものではなく、光電変換膜１１０ａ、光電変換膜１１０ｂは、いずれも可視域の範囲内において吸収スペクトルの吸収ピークを有しているものであるから、可視域での色変化をすることができるものと認められる。
　したがって、審判請求人の上記主張は採用できない。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、仮に、本件補正発明が、引用文献１に記載された発明であるとはいえないとした場合であっても、本願発明は、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、この出願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。