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【手続補正書】
【提出日】平成22年1月20日(2010.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）支持材の上に配置した架橋された感圧性接着剤層を含む物品を準備することと、
（ｂ）前記架橋された感圧性接着剤層の表面をエンボス加工して微細構造化接着表面を有する架橋された感圧性接着剤層を形成すること、
とを含む、微細構造化接着物品を製造する方法。
【請求項２】
エンボス加工は前記架橋された感圧性接着剤層の表面を微細構造化ライナと接触させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（ａ）請求項１に記載の方法によって調製した、支持材上に配置した微細構造化接着表面を有する架橋された感圧性接着剤層を含む微細構造化接着物品を準備することと、
（ｂ）第１の基材に前記物品の微細構造化接着表面をドライラミネートしてラミネート形成すること、
とを含んでなる、ラミネートの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
本発明の多数の実施形態を記載してきた。しかし、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、様々な修正を行ってもよいことが理解されるであろう。従って、その他の実施形態は請求項の範囲内である。
以下に、本願発明に関連する発明の実施の形態を列挙する。
実施形態１
（ａ）支持材の上に配置した架橋された感圧性接着剤層を含む物品を準備することと、
（ｂ）前記架橋された感圧性接着剤層の表面をエンボス加工して微細構造化接着表面を有する架橋された感圧性接着剤層を形成すること、
とを含む、微細構造化接着物品を製造する方法。
実施形態２
エンボス加工は前記架橋された感圧性接着剤層の表面を微細構造化ライナと接触させることを含む、実施形態１に記載の方法。
実施形態３
エンボス加工は前記架橋された感圧性接着剤層の表面を微細構造化成形ツールと接触させることを含む、実施形態１に記載の方法。
実施形態４
前記架橋された感圧性接着剤層は共有結合架橋された感圧性接着剤層を含む、実施形態１に記載の方法。
実施形態５
前記架橋された感圧性接着剤層は物理的架橋された感圧性接着剤層を含む、実施形態１に記載の方法。
実施形態６
前記化架橋された感圧性接着剤は架橋されたアクリル接着剤層を含む、実施形態１に記載の方法。
実施形態７
前記架橋された感圧性接着剤層をその上に配置される前記支持材が、前記接着剤層から取り外し可能である、実施形態１に記載の方法。
実施形態８
前記架橋された感圧性接着剤層をその上に配置される前記支持材が、微細構造化剥離ライナを含む、実施形態１に記載の方法。
実施形態９
微細構造化接着表面を有する前記架橋された感圧性接着剤層は基材にドライラミネートしてラミネート形成可能であって、前記接着剤層は、ＡＳＴＭ  Ｄ  １００３−９５によって測定したラミネートした後のヘイズ値が、ラミネートする前の前記層のヘイズ値の約５０％未満である、実施形態１に記載の方法。
実施形態１０
微細構造化接着表面を有する前記架橋された感圧性接着剤層は基材にドライラミネートしてラミネート形成可能であって、前記接着剤層は、ＡＳＴＭ  Ｄ  １００３−９５によって測定したラミネートした後の視感透過率値が、少なくとも約８５％であり、且つ約２５％未満のヘイズ値を有する、実施形態１に記載の方法。
実施形態１１
微細構造化接着表面を有する前記架橋された感圧性接着剤層は基材にドライラミネートしてラミネート形成可能であって、前記接着剤層が、ラミネートした後で約３％未満の不透明度値を有する、実施形態１に記載の方法。
実施形態１２
微細構造化接着表面を有する前記架橋された感圧性接着剤層は基材にドライラミネートしてラミネート形成可能であって、前記接着剤層は、ＡＳＴＭ  Ｄ  １００３−９５によって測定したラミネートした後のヘイズ値が、ラミネートする前の前記層のヘイズ値の約５０％未満であり；ＡＳＴＭ  Ｄ  １００３−９５によって測定したラミネートした後の視感透過率値が、約８５％超であり；ラミネートした後で約２５％未満のヘイズ値を有し；ラミネートした後で約３％未満の不透明度値を有する、実施形態１に記載の方法。
実施形態１３
実施形態１に記載の方法によって調製される微細構造化接着物品。
実施形態１４
（ａ）実施形態１に記載の方法によって調製した、支持材上に配置した微細構造化接着表面を有する架橋された感圧性接着剤層を含む微細構造化接着物品を準備することと、
（ｂ）第１の基材に前記物品の微細構造化接着表面をドライラミネートしてラミネート形成すること、
とを含んでなる、ラミネートの製造方法。
実施形態１５
前記第１の基材が、実質的に鏡面の基材を含んでなる、実施形態１４に記載の方法。
実施形態１６
前記第１の基材が、光学装置を含んでなる、実施形態１４に記載の方法。
実施形態１７
前記光学装置が、光学ディスプレイを含んでなる、実施形態１６に記載の方法。
実施形態１８
前記第１の基材が、硬質基材を含んでなる、実施形態１４に記載の方法。
実施形態１９
前記硬質基材が、ガラス基材を含んでなる、実施形態１８に記載の方法。
実施形態２０
前記硬質基材が、車両のフロントガラスを含んでなる、実施形態１８に記載の方法。
実施形態２１
前記硬質基材が、窓を含んでなる、実施形態１８に記載の方法。
実施形態２２
前記接着剤を配置した前記支持材が、取り外し可能であり、前記接着剤層から前記支持材を取り外して接着剤表面を暴露させ、前記暴露された接着剤表面に第２の基材をラミネートすることを更に含んでなる、実施形態１４に記載の方法。
実施形態２３
前記第２の基材が、硬質基材を含んでなる、実施形態２２に記載の方法。
実施形態２４
前記第１および第２の基材が、硬質基材を含んでなる、実施形態２２に記載の方法。
実施形態２５
構造化ライナの上に配置した架橋された感圧性接着剤層を含んでなる物品であって、前記架橋された感圧性接着剤が、微細構造化表面構造を有し、前記構造は前記構造化ライナを取り外した時に不安定である、物品。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
格子構造と複数の浮体式構造物とより構成され、
前記格子構造の部材はそれぞれ前記浮体式構造物に接合され、前記浮体式構造物は前記格子構造の部材を包み固定接続するために用いられ、
前記浮体式構造物の浮力により前記格子構造の部材が浮体式部材になり、前記浮体式部材によりさらに前記格子構造は浮体式構造になり、水において半潜水または水中浮遊の状態を維持させ、前記格子構造はグリッド構造である
ことを特徴とする水上格子構造。
【請求項２】
前記格子構造は、格子グリッド構造である
ことを特徴とする請求項１に記載の水上格子構造。
【請求項３】
格子グリッド構造のロッド部材としての腹材と下弦材とが浮体式構造物に接合され、
前記浮体式構造物は、中空部の断面がロッド部材の断面と同じで、腹材と下弦材とに被せる中空の柱状浮体式部材である
ことを特徴とする請求項２に記載の水上格子構造。
【請求項４】
ロッド部材としての腹材と下弦材とが浮体式構造物に接合され、
前記浮体式構造物はそれぞれ、二つの半中空の柱状浮体式部材を組み合わせることにより形成される中空の柱状浮体式構造物であり、組み合わせた場合、中空部の断面形状がロッド部材の断面と同じとなり、
前記二つの半中空の柱状浮体式部材は、合わせて腹材と下弦材とを包み、
前記二つの半中空の柱状浮体式部材同士はヒンジにより接続され、またはテープなどにより縛られて接続される
ことを特徴とする請求項２に記載の水上格子構造。
【請求項５】
部材より格子構造を構成する水上格子構造において、
前記格子構造にある部材は、前記格子構造の自重及び最大荷重の和と、部材の体積の和との比が９８００Ｎ／ｍ３より小さい浮体式部材で、当該浮体式部材から構成され、または当該浮体式部材を含んで構成される格子構造は浮体式格子構造になり、半潜水または水中浮遊の状態を維持させる
ことを特徴とする水上格子構造。
【請求項６】
前記浮体式部材から構成され、または前記浮体式部材を含んで構成される浮体式格子構造は、浮体式格子グリッド構造である
ことを特徴とする請求項５に記載の水上格子構造。
【請求項７】
浮体式格子グリッド構造の下弦節点が腹材や弦材に接続するための装置を備える浮体式部材である水上格子構造であって、
前記下弦節点は変形体であり、構成される浮体式格子グリッド構造において水中へ突出する浮体式部材である
ことを特徴とする請求項６に記載の水上格子構造。
【請求項８】
前記浮体式格子グリッド構造において、水平面に垂直する腹材が備えられ、下弦節点や、水平面に垂直する腹材が浮体式部材である水上格子構造であって、
前記下弦節点や、前記水平面に垂直する腹材は、一体形成されるとともに、構成される浮体式格子グリッド構造において水中へ突出する浮体式部材である
ことを特徴とする請求項６に記載の水上格子構造。
【請求項９】
浮体式部材には節点または腹材や弦材に接続するための装置を備える水上格子構造であって、
その本体部は水密性を有する中空のシェル構造で、
その殻壁は、剛性的に被覆される二層格子シェル構造であり、または外面にセメントモルタルが塗布された鉄筋格子グリッド−フォームプラスチックのサンドイッチ構造である
ことを特徴とする請求項８に記載の水上格子構造。
【請求項１０】
浮体式格子グリッド構造において、腹材と下弦材とのうちの少なくとも一つが、両端に節点に接続するための装置を備える浮体式部材である水上格子構造であって、
前記浮体式部材の本体部は、その空間内にフォームプラスチック浮体が充填される立体トラス構造である
ことを特徴とする請求項６に記載の水上格子構造。
【請求項１１】
その上弦面は、板構造である場合に、そのまま支持面とされ、板構造ではない場合に、板構造が被覆して固定接続された後に支持面とされる請求項２、３、６、８、１０のいずれかに記載の水上格子構造において、
水上輸送、水上建築、水上工場、水上浮体式プラットホーム、海上石油掘削プラットホーム、海上空港、浮体式埠頭、人工島、海上都市などの水上浮体工事における支持構造に用いられる水上格子構造の用途。
【請求項１２】
請求項２、３、６、８、１０のいずれかに記載の水上格子構造において、
浮橋の支持構造として、その上弦面に橋床系が被覆して固定接続され、水上格子構造の平面軸線が橋床系の平面軸線と一致し、水上格子構造の軸方向の両側において水底ボラードまたはケーソンに接続するための位置決めケーブル系を備えて、浮橋が構成される水上格子構造の用途。
【請求項１３】
前記格子構造が二層以上のアーチ型柱状格子シェル構造である請求項５に記載の水上格子構造において、
柱状格子シェル構造が軸線を水平状態にして水面に浮かび、浮橋の支持構造として、その上弦面に橋床系が設置且つ固定接続され、前記柱状格子シェル構造の軸方向の両側において、水底ボラードまたはケーソンに接続するための位置決めケーブル系を備えるとともに、格子シェル構造が波によって左右に揺れることを防ぐための平衡翼も固定接続されて、浮橋が構成される水上格子構造の用途。
【請求項１４】
腹材や弦材と、節点とより構成される二層以上の球状格子シェル、箱形格子シェル、柱状格子シェルや、変形中空格子シェルを含み、前記格子シェルの外周部材に板構造が被覆して固定接続され、剛性的に被覆される二層以上の格子シェル構造が形成される水上格子シェル構造において、
剛性的に被覆される空間は水密性を有し、
前記格子シェル構造は水上に用いられると、水密的且つ剛性的に被覆される球状格子シェル構造浮体物、箱形格子シェル構造浮体物、柱状格子シェル構造浮体物や、変形中空格子シェル構造浮体物になる
ことを特徴とする水上格子シェル構造。
【請求項１５】
格子シェル構造は軸心線が水面に平行する、水密的且つ剛性的に被覆される柱状の二層以上の格子シェル構造である水上格子シェル構造であって、
前記水密的且つ剛性的に被覆される柱状の二層以上の格子シェル構造は、その軸方向の両側に、前記格子シェル構造が波によって左右に揺れることを防ぐための平衡翼が固定接続される
ことを特徴とする請求項１４に記載の水上格子シェル構造。
【請求項１６】
船側及び船底の骨組と、バルクヘッド骨組と、甲板骨組とを含む船体構造において、
前記船側及び船底の骨組は、二層以上の格子シェル構造で、
前記バルクヘッド骨組と前記甲板骨組とのいずれもが格子グリッド構造であり、または、前記バルクヘッド骨組だけは格子グリッド構造である
ことを特徴とする船体構造。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年9月8日(2010.9.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
蛋白材料上に存在する反応する可能性のあるアミン部分を、Ｎ−ヒドロキシスルホスクシンイミドの酢酸エステル（スルホ−ＮＨＳ酢酸エステル）、無水酢酸、マレイン酸無水物、シトラコン酸無水物等の一定の保護剤で滅菌前に効果的に遮断することができ、その後、滅菌前に濯ぎを行うことができる。代替の手法は、カルボジイミド等のカップリング剤の存在下で、活性アミン部分と選択的にアミド結合を形成し、それによって滅菌中に、これらの部分が蛋白材料上の他のどこかにあるカルボキシレート基と架橋を形成するのを防止すると思われる保護剤として、ヒドロキシプロリン、酢酸、プロピオン酸等のモノカルボン酸を使用することである。しかし、モノカルボン酸を保護剤として使用するとき、カップリング剤の一部が主要な滅菌機能から逸脱する恐れがあるので、カップリング剤の濃度をやや高めにするのが望ましいかもしれない。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
前記の遮断剤が滅菌中に最適と思われるが、他のカルボキシルまたはアミン遮断剤を、滅菌前に組織のアミンまたはカルボキシル基と反応させることができる。このような遮断剤の例は、シトラコン酸無水物、無水酢酸、マレイン酸無水物およびＮ−ヒドロキシスルホスクシンイミドの酢酸エステルを含む。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年11月26日(2009.11.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
の化合物を、塩基を用い加水分解して式Ｉａの塩またはカルボン酸を分離させ、必要に応じてそのカルボン酸から誘導してエステルまたはハロゲン化物を形成させることを含む方法である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年10月21日(2010.10.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
多数の添加物によりスラリーの凝結および硬化が制御されてもよい。無機酸およびそのカリウム塩など、または硫酸および硫酸塩類などの 促進剤は特に有用である。ＣａＳＯ4.２H2Ｏ (石鹸混合の研磨石膏鉱物(Ｎａｎｓａ))は広く用いられている。促進剤により、部分的に石膏の溶解度を増加させることにより、スラリーをより早く凝固さ せることが可能となる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
事故状況において車両が衝突した歩行者を保護するよう自動車に取り付けられる安全装置であって、
自動車のフード又はボンネット（１）を車両に連結するヒンジ装置（２）を有し、
前記ヒンジ装置（２）は、前記自動車のフード又はボンネットに設けられた第１の部品（１３）と、第２の部品（７）と、前記第１の部品（１３）及び前記第２の部品（７）を解除自在に連結する連結部（１５）と、を備え、
前記第１の部品（１３）は、ピストン（３６）を受け入れる室（３５）を構成するユニット（３０）を支持し、
前記ピストン（３６）は、前記室内に受け入れられたピストンヘッド（３７）と、該ピストンヘッド（３７）から延びるピストンロッド（３８）とを有し、
前記ピストンロッド（３８）の端部（３９）は、前記室（３５）から突き出、
前記第２の部品（７）は、前記ピストンロッド（３８）の前記端部（３９）を受け入れるよう形作られた孔（９）を構成し、
これらの前記第２の部品（７）の孔（９）と前記ピストンロッド（３８）の端部（３９）が、前記連結部（１５）により解除自在に連結され、
前記ヒンジ装置は、更に、ガスを前記ピストン（３６）に供給するガス発生器ユニット（４６）を備え、
該ガス発生器ユニット（４６）は、前記ピストンロッド（３８）から前記ピストンの軸方向に沿って所定距離に位置する前記室（３５）の端部にガスを供給するように、前記室（３５）内に設けられたスリーブ（４５）に取り付けられ、
前記ガス発生器ユニット（４６）から前記ピストン（３６）の軸方向に沿って所定距離に位置する前記ピストンヘッド（３７）の作用面まで前記ガス発生器ユニット（４６）から延びるガス流れダクトが設けられ、
前記ガス発生器ユニットの作動時に、前記ピストンが前記ピストンロッドから前記ピストン（３６）の軸方向に沿って所定距離に位置する前記室（３５）の端に向かって移動して、前記ピストンロッド（３８）の前記端部（３９）が前記第２の部品（７）の孔（９）から引っ込められるようになっている、安全装置。
【請求項２】
前記ピストン（３６）は、前記室（３５）内で、前記ピストンロッド（３８）から前記ピストン（３６）の軸方向に沿って所定距離に位置する前記室（３５）の前記端に向かって延びる中空のスピゴット（４４）を備え、
該中空のスピゴットは、前記ガス発生器ユニットから前記ピストン（３６）の軸方向に沿って所定距離に位置する前記ピストンヘッド（３７）の前記作用面まで前記ガス発生器ユニット（４６）から延びるガス流路の一部を形成する、請求項１記載の安全装置。
【請求項３】
前記スピゴット（４４）は、前記室（３５）内に設けられたスリーブ（４５）内に滑り嵌め状態にある、請求項２記載の安全装置。
【請求項４】
前記ガス発生器ユニット（４６）は、前記ピストンロッド（３８）から前記ピストン（３６）の軸方向に沿って所定距離に位置する前記室（３５）の端に取り付けられた火工ユニットである、請求項２又は３記載の安全装置。
【請求項５】
前記ユニット（３０）は、このユニット（３０）を形成するハウジングから突出する突出部分を形成すると共に、この突出部分からピストンロッド（３８）の端部（３９）を突出させる円筒形延長部（４０）を備え、
前記第１の部品（１３）は、前記連結部（１５）により前記円筒形延長部（４０）に回動自在に取り付けられると共に、ナット（４２）によって保持されている、請求項１記載の安全装置。
【請求項６】
前記ヒンジ装置は、更に、前記連結部（１５）によって前記第１の部品（１３）に回動自在に連結されるガス式スプリングユニット（１６）を備え、このガス式スプリングユニット（１６）は、ガス式スプリングと、このガス式スプリングの一端部及び前記第１の部品（１３）を前記第２の部品（７）の孔（９）に解除自在に係止する係止要素と、を備え、前記ガス式スプリングは、前記係止要素による前記第２の部品（７）の孔（９）の係止が解除されることにより伸長できるように構成されている、請求項１記載の安全装置。
【請求項７】
前記ガス式スプリングユニット（１６）は、高圧下でガスを収容するシリンダ（２０）を有し、該シリンダ（２０）は、ユニット（３０）の入口ポート（３４）を経て室（３５）に連通するガス流れダクト（３２）を密封する破裂可能なシール（３３）を備え、前記ユニット（３０）の室（３５）は、ピストンロッド（３８）の端部（３９）からピストンヘッド（３７）まで延びて大気に通ずるガス流れ通路（４３）と連通し、前記破裂可能なシールは、ガス発生器ユニット（４６）を作動させると、このガス発生器ユニット（４６）からのガスが、前記ユニット（３０）の室（３５）内のスリーブ（４５）を経て中空のスピゴット（４４）を流れ、次にピストン（３６）のピストンヘッド（３７）とピストン（３６）が動く室（３５）の端との間に残されている空間に注入され、前記ユニット（３０）の入口ポート（３４）及びガス流れダクト（３２）を通って流れた高圧ガスが、破裂可能なメンブレン（３３）を破裂させるように構成されている、請求項６記載の安全装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
図４に示すガス式スプリングユニットは、その上端部のところにコネクタ又はアクチュエータユニット３０を備え、このコネクタ又はアクチュエータユニットは、円筒形ハウジング２０の上端部に取り付けられている。コネクタ及びアクチュエータユニット３０は、円筒形ハウジング２０の上端部内にガス密嵌合状態で受け入れられたプラグ３１を有している。このプラグは、当初破裂可能なメンブレン３３により密封されたガス流れダクト３２を備えている。メンブレンは、ガス流れダクトをハウジング２０の内部から密封するのに役立つ。ガス流れダクト３２は、円筒形室３５の入口ポート３４に通じている。室３５内には、ピストン要素３６が収容され、このピストン要素３６は、室３５内に滑り嵌め状態にあるピストンヘッド３７を有している。ピストンヘッドからピストンロッド３８が延び、このピストンロッドは、コネクタ及びアクチュエータユニット３０を形成するハウジングの突出部分４０から延びる終端部３９を有している。ハウジングの突出部分４０は、円筒形の形態のものであり、ボンネット１に設けられたフランジ１３に形成されている適当な孔を貫通して延びている。例えば自己潤滑性材料の適当なブッシュ又はワッシャ４１が、ハウジング部分とフランジ１３との間に設けられている。ハウジングの突出部分４０のねじ山付き終端部分には保持ナット４２が装着されている。図４に示すように、ピストンロッド３８の端部３９は、上方取付けアーム７に形成された孔９を貫通している。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年1月13日(2010.1.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
軸方向取り付け支柱４９、５０／近位部７５は、プロテ−ゼ（と弁構造体１２）の縦軸６４に対して軸方向を向いている（例えば、プロテ−ゼの縦軸６４と平行である）。小葉接触（接合）領域５７の遠位端８９近傍の点において、隣接する取り付け通路７４の遠位部７６は、互いに離れ（略Ｙ型形状の通路構造を形成する）、通路の近位部７５よりもより円周方向に向いた形を採る。その結果、各小葉２６の側面外側エッジ８７、８８は、小葉の内側エッジ８４の側方の位置で収束して、ポケット５５の底部９６を規定する小葉２６の遠位部９６を形成する。小葉は、強く湾曲した形状を採り、折り曲げられた外径を採る。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年10月25日(2010.10.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接線方向に関する曲面マッチングを行う方法で、該方法が、
第１曲面１つと少なくとも１つの隣接曲面とを指定することで、該第１曲面と該隣接曲面が共通の境界線を有する、ことと、
該第１曲面の該境界線上のポイントに対応する該隣接曲面の該境界線上のポイントの単位法線を決定することと、
該第１曲面の境界線に沿って最小２乗フィットを行うことで、最小２乗項が接線の非連続性の尺度である、ことと、
から成る、該接線方向に関する曲面マッチングを行う方法。
【請求項２】
該最小２乗フィットが、
ｕ、ｖが該第１曲面のパラメータであり、Ｎｉ（ｕ）、Ｎｊ（ｖ）がＢスプライン基底関数であり、αｋ及びβｋが０．０もしくは０．１であり、αｋ＋βｋ＝１．０であり、ｎｋがサンプルポイントｋにおける単位曲面法線を表し、ＥＧ１は接線非連続性の尺度となる最小２乗項であり、Ｅ２、Ｅ３及びＥｂｌｅｎｄが結果として得られるマッチング曲面のスムーズさをコントロールするエネルギー項であり、ＣｉｊがコントロールポイントＰｉｊの座標を表すとして、方程式
【数１】
2006524398.tif 000001
を用いて行なわれること、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該第１曲面と該隣接曲面との境界線上の接線連続性が特定の許容値内にあることを確認すること、から更に成る請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該第１曲面の該境界線にノットを加えること、から更に成る請求項１に記載の方法。
【請求項５】
曲率マッチングを行う方法で、該方法が、
第１曲面１つと少なくとも１つの隣接曲面とを指定することで、該第１曲面と該隣接曲面が共通の境界線を有する、ことと、
該第１曲面の該境界線上のポイントに対応する該隣接曲面の該境界線上のポイントでの法曲率を決定することと、
該第１曲面の境界線に沿って最小２乗フィットを行うことで、最小２乗項が曲率の非連続性の尺度である、ことと、
から成る、該曲率マッチングを行う方法。
【請求項６】
該最小２乗フィットが、
ｋｎが該法曲率を示し、ａｋ、ｂｋ、ｃｋ、ｄｋが対応する各ポイントでの該隣接曲面の法曲率値であり、ｕ、ｖが該第１曲面のパラメータであり、αｋ及びβｋが０．０もしくは１．０であり、またαｋ＋βｋ＝１．０として、方程式
【数２】
2006524398.tif 000002
を用いて行なわれること、を特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
該第１曲面と該隣接曲面との境界線上の曲率連続性が特定の許容値内にあることを確認すること、から更に成る請求項５に記載の方法。
【請求項８】
該第１曲面の該境界線にノットを加えること、から更に成る請求項５に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
このプロセスにおいて、位置連続性マッチング曲面は以下のように定義される。
Ｘ（ｕ，ｖ）＝ΣΣｗｉｊＰｉｊＮｉ（ｕ）Ｎｊ（ｖ）／ΣΣｗｉｊＮｉ（ｕ）Ｎｊ（ｖ）
ここで、ｕ，ｖは曲面のパラメータであり、Ｎｉ（ｕ）、Ｎｊ（ｖ）はそれぞれｕパラメータ方向、ｖパラメータ方向に沿ったＢスプラインベースの関数である。ステップ３の拘束最小２乗フィッティングによって下記の２次目的関数を最小化する試みが行なわれる。
Ｅ＝ｗ１ＥＧ１＋ｗ２Ｅ２＋ｗ３Ｅ３＋ｗ４Ｅｂｌｅｎｄ＋ｗ５Ｅｓｐｒｉｎｇ
ここで、
【数１】
2006524398.tif 000003
である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
αｋ及びβｋは、０．０もしくは０．１のどちらでも良い。αｋ＋βｋ＝１．０であり、ｎｋはサンプルポイントｋにおける単位曲面法線を表す。サンプルポイントｋが、ｕが一定の等パラメトリック曲線である曲面エッジ上にある場合、αｋ＝１であり、βｋ＝０．０である。（ｖが一定の場合はそれぞれαｋ＝０．０、βｋ＝１．０である。）完全な接線連続性を得るためには、マッチングエッジに沿った全てのポイントにおける１次クロス偏導関数は、隣接曲面上の対応するポイントで曲面法線に対して垂直でなければならない。ＥG1は接線の非連続性の尺度である最小２乗項として定義される。
【数２】
2006524398.tif 000004
Ｅ２、Ｅ３、及びＥｂｌｅｎｄは結果として得られるマッチング曲面のスムーズさをコントロールするためのエネルギー項である。これらのエネルギー項無くしては、特にマッチング曲面が高い次数を有する場合、コントロールポイントは急激に変化するようになる可能性がある。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
【数３】
2006524398.tif 000005
であり、ここでｃｉｊは、前のステップからのコントロールポイントＰｉｊの座標を表す。Ｅｓｐｒｉｎｇは、マッチング曲面の形が元々の曲面に近くなるよう、コントロールポイントの動きの制限を試みるスプリングエネルギー項である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
古典的な３接線定理とは、２つの曲面ポイントが接線連続で、それらの曲面ポイントの３つの異なる接線方向に沿った法曲率値がマッチしている場合に限り、２つの曲面ポイントは曲率連続性を有するというものである。リンケージ曲線定理とは、スムーズな曲線に沿って接線連続性を有する２つの曲面は、その曲線に沿った全てのポイントにおいて、その２つの曲面の法曲率がその曲線の接線以外の方向に沿って一致する場合に限り曲率連続性を有するというものである。曲率の非連続性の尺度となる最小２乗項Ｅｇ２は以下のように定義される。
【数４】
2006524398.tif 000006
ここで、ｋｎは法曲率を表し、
【数５】
2006524398.tif 000007
である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月18日(2010.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各プロセッサ・クロック・サイクルで、各スレッドが特定のプロセッサ・サイクル状態にあるか否かを決定するステップと、
相対的なリソース使用率を検出するステップと、
前記決定ステップに応答して、前記相対的なリソース使用率に合わせてそれぞれが複数のスレッドのうちの特定の１つに関連付けられた複数のプロセッサ・リソース使用率カウントを更新するステップであって、前記更新するステップが、前記複数のスレッドのうちのいずれも前記特定のサイクル状態にない旨を決定するステップに応答して、前記複数の前記プロセッサ・リソース使用率カウントのそれぞれを均等に更新する、ステップと、
を有する、前記複数のスレッドの並列実行が可能なプロセッサ内のプロセッサ時間使用率をアカウントする方法。
【請求項２】
さらに前記決定するステップが、各スレッドが特定のサイクル状態にあるリソースの数を決定する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記更新するステップが、前記関連付けられたスレッドによって使用されるリソースの前記決定された数に合わせて、前記複数の前記プロセッサ・リソース使用率カウントのそれぞれを分数値に更新する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記特定のサイクル状態がスレッドへの命令ディスパッチを示す状態である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のスレッドのうちの１つまたは複数が前記特定のサイクル状態にある旨を決定する前記決定ステップに応答して、前記更新するステップが前記１つまたは複数のスレッドに関連付けられた前記複数の前記プロセッサ・リソース使用率カウントのそれぞれを均等に更新する、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記更新するステップが、前記複数のスレッドのうちのいずれも前記特定のサイクル状態にない旨をさらに決定する前記決定ステップに応答して、前記定期的な間隔のうちの先行する１つからの前記関連付けられたスレッドによって使用されるリソースの前記決定された数に合わせて、前記複数の前記プロセッサ・リソース使用率カウントのそれぞれを分数値に更新する、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記更新するステップが、前記複数のスレッドのうちのいずれも前記特定のサイクル状態にない旨を決定する前記決定ステップに応答して、前記関連付けられたスレッドの優先順位レベルに合わせて、前記プロセッサ・リソース使用率カウントのそれぞれを分数値に更新する、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記プロセッサが単一スレッド・モードのオペレーションおよびマルチスレッド・モードのオペレーションを有し、
前記プロセッサが前記単一スレッド・モードであるか否かを決定するステップと、
前記プロセッサが前記単一スレッド・モードである旨の決定ステップに応答して、各プロセッサ・サイクルが前記プロセッサ内で実行する単一スレッドに属するように前記更新を実行するステップと、
をさらに有する、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
複数のスレッドによって使用される複数のリソースと、
前記複数のリソースに結合された命令制御ユニットであって、前記命令制御ユニットが各プロセッサ・クロック・サイクルで前記プロセッサによって使用されるいくつかのリソースを制御する、命令制御ユニットと、
それぞれが前記複数のスレッドのうちの特定の１つに関連付けられる、複数のプロセッサ・リソース使用率サイクル・カウンタと、
前記命令制御ユニットおよび前記プロセッサ・リソース使用率サイクル・カウンタに結合された論理回路であって、前記論理回路が、前記関連付けられたスレッドによる相対的なリソース使用率の決定に合わせて前記プロセッサ・リソース使用率サイクル・カウンタのそれぞれを更新し、前記論理回路が、各サイクルが特定のサイクル状態にあるか否かを決定し、前記論理回路が、前記複数のスレッドのうちのいずれも前記特定のサイクル状態にない旨の決定ステップに応答して、前記複数の前記プロセッサ・リソース使用率カウントのそれぞれを均等に更新する、論理回路と、
を有する、複数のスレッドの並列実行をサポートするプロセッサ。
【請求項１０】
さらに前記論理回路が、各スレッドが特定のサイクル状態にあるリソースの数を決定する、請求項９に記載のプロセッサ。
【請求項１１】
前記論理回路が、前記関連付けられたスレッドによって使用されるリソースの前記決定された数に合わせて、前記複数の前記プロセッサ・リソース使用率カウントのそれぞれを分数値に更新する、請求項１０に記載のプロセッサ。
【請求項１２】
前記特定のサイクル状態がスレッドへの命令ディスパッチを示す状態である、請求項９、１０、または１１に記載のプロセッサ。
【請求項１３】
前記論理回路が、前記複数のスレッドのうちの１つまたは複数が前記特定のサイクル状態にある旨の決定ステップに応答して、前記１つまたは複数のスレッドに関連付けられた前記複数の前記プロセッサ・リソース使用率カウントのそれぞれを均等に更新する、請求項９から１２のいずれかに記載のプロセッサ。
【請求項１４】
前記論理回路が、前記複数のスレッドのうちのいずれも前記特定のサイクル状態にない旨の決定ステップに応答して、前記定期的な間隔のうちの先行する１つの前記関連付けられたスレッドによって使用されるリソースの前記決定された数に合わせて、前記複数の前記プロセッサ・リソース使用率カウントのそれぞれを分数値に更新する、請求項９から１３のいずれかに記載のプロセッサ。
【請求項１５】
前記論理回路が、前記複数のスレッドのうちのいずれも前記特定のサイクル状態にない旨の前記決定ステップに応答して、前記関連付けられたスレッドの優先順位レベルに合わせて、前記複数のプロセッサ・リソース使用率カウントのそれぞれを分数値に更新する、請求項９から１４のいずれかに記載のプロセッサ。
【請求項１６】
前記プロセッサが単一スレッド・モードのオペレーションおよびマルチスレッド・モードのオペレーションを有し、前記論理回路が、前記プロセッサが前記単一スレッド・モードであるか否かを決定し、前記プロセッサが前記単一スレッド・モードである旨の決定ステップに応答して、各サイクルで、前記プロセッサ内で実行する単一スレッドに関連付けられた前記プロセッサ・リソース使用率サイクル・カウンタを更新する、請求項９から１５のいずれかに記載のプロセッサ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年9月6日(2010.9.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高耐荷重性油のための潤滑剤組成物であって、
（ａ）  次の一般式に相当する化合物から選択される中性アルキル燐化合物；
・  中性ジアルキルアルコキシアルキル燐酸エステル
【化１】
2006524734.tif 000001
（式中、Ｒ２及びＲ３は、同じか又は異なり、１〜１８個の炭素原子を有するアルキル基であり、Ｒ４は、−Ｃ２Ｈ４又はＣ３Ｈ８であり、Ｒ５は、同じか又は異なり、１〜８個の炭素原子を有するアルキル基であり、及びｎは１〜６である。）
及び
（ｂ）  硫化合成エステル、硫化植物性油脂、金属スルホン酸塩及びジアルキルポリスルフィドからなる群の一種以上から選択される、活性又は不活性硫黄を含有する硫黄キャリヤー、
を含む上記潤滑剤組成物。
【請求項２】
中性アルキル燐化合物及び硫黄キャリヤーを、１：５０〜１：１のＰ対Ｓ含有量の重量比で用いる、請求項１に記載の潤滑剤組成物。
【請求項３】
中性アルキル燐化合物及び硫黄キャリヤーを、１：５０〜１：１のＰ対Ｓ含有量の重量比で用いる、請求項２に記載の潤滑剤組成物。
【請求項４】
中性アルキル燐化合物及び硫黄キャリヤーを、１：１〜１：３０のＰ対Ｓ含有量の重量比で用いる、請求項２に記載の潤滑剤組成物。
【請求項５】
燐化合物が、燐酸トリイソブチル、燐酸トリｎ−ブチル、燐酸トリイソプロピル、燐酸トリオクチル、燐酸トリ−２−エチルヘキシル、燐酸トリブトキシエチル、及び燐酸ブトキシエチルジオクチルの一種以上から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の潤滑剤組成物。
【請求項６】
硫黄キャリヤーが、硫化脂肪酸エステル、ジアルキルペンタスルフィド、又はそれらの混合物である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の潤滑剤組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の潤滑剤組成物を含有する高耐荷重性油。
【請求項８】
金属加工用流体、ギアーオイル、極圧タービンオイル、又は油圧オイルである、請求項７に記載の高耐荷重性油。
【請求項９】
（ａ）請求項１〜６のいずれか１項に記載の潤滑剤組成物を有効量含む金属加工用流体と金属加工片を接触すること、及び（ｂ）前記金属加工片を加工することを含む金属加工方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
硫黄キャリヤーは、硫化脂肪酸エステル、ジアルキルペンタスルフィド、又はそれらの混合物であるのが好ましい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
好ましい硫黄キャリヤーは、硫化合成エステル、硫化炭化水素（例えば、硫化オレフィン）、硫化植物性油脂、金属スルホン酸塩、金属ジアルキルジチオ燐酸塩、及びチオ燐酸トリアリールの少なくとも一種類から選択される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年11月2日(2010.11.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性粒子を投入された検査対象物の検査エリアにおける、機械的、物理的、化学的及び／又は生物学的な特性又は状態変数、及び／又は機械的、物理的、化学的及び／又は生物学的な特性又は状態変数の変化の空間分解測定を、
ａ）前記検査エリアにおいて、相対的に低い磁場の強さを持つ第１の部分エリアとこれより高い磁場の強さを持つ第２の部分エリアとを生成するように、磁場の強さの空間プロファイルを用いて前記磁場を生成するステップ、
ｂ）前記磁性粒子の少なくとも幾つかが振動又は回転するように、当該低い磁場の強さを持つ前記第１の部分エリアにおいて重ねられた振動又は回転磁場を少なくとも部分的に生成するステップ、
ｃ）少なくとも１つの放射源を用いて前記検査エリアに電磁放射線を照射するステップ、及び
ｄ）少なくとも１つの検出器を用いて反射及び／又は散乱した前記電磁放射線を検出し、前記反射及び／又は散乱した電磁放射線の強さ、吸収及び／又は偏光を判定するステップ
を実行する装置の方法。
【請求項２】
前記検査エリアにおける前記２つの部分エリアの特に相対的な空間位置は、前記粒子の磁化が局部的に変化するように変更され、この変更により影響を及ぼされる前記検査エリアにおける磁化に依存する信号は、前記検査エリアにおける磁性粒子の空間分布及び空間分布の変化に関する情報を得るために、検出及び評価されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記磁性粒子は、有効な異方性を持つ超常磁性粒子、強磁性のモノドメイン粒子であって、当該粒子がなお懸濁液においてのみ超常磁性の態様をとるのに十分である有効な異方性を持つ強磁性のモノドメイン粒子、異方性を持つ軟質磁性粒子、及び／又は硬質磁性粒子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記磁性粒子は、前記検査エリアにおいて液体、粘性若しくはゲル状の外殼にあるか、又は前記外殼に投入されるかであることを特徴とする請求項１、２又は３に記載の方法。
【請求項５】
使用される前記電磁放射線は、マイクロ波、赤外線、ＶＩＳ、紫外線及び／又はＸ線放射線であることを特徴とする請求項１、２、３又は４に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つの光学造影剤、特に蛍光造影剤が前記検査エリアに投入される又は存在していることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記散乱及び／又は反射した電磁放射線は、方向に依存して検出され評価されることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記散乱及び／又は反射した電磁放射線の強さの変化は、振動モード又は回転速度の関数として検出されることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つの特定波長及び／又は波長スペクトルからなる電磁放射線が用いられることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記放射源は、特にカテーテル又は内視鏡に組み込まれた光学ファイバ又は複数の光学ファイバであることを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記コイル装置を稼動させる及び／又は動かすことにより、低い磁場の強さを持つ前記部分エリアが移動するか、又は低い磁場の強さを持つ静止した部分エリアの場合、前記検査対象物が移動するか、若しくは前記検査対象物及び低い磁場の強さを持つ前記部分エリアが同時に相対的に移動するかであることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか一項に記載の方法を実行する装置において、
ａ）前記検査対象物の少なくとも１つの検査エリアに勾配磁場を生成するための少なくとも１つのデバイスであり、低い磁場の強さを持つ第１の部分エリアと、高い磁場の強さを持つ第２の部分エリアとを前記検査エリアに生成するように、磁場の強さの空間プロファイルを用いて前記磁場を生成する手段を有するデバイス、
ｂ）前記磁性粒子の少なくとも幾つかが振動又は回転するように、低い磁場の強さを持つ前記第１の部分エリアにおいて重ねられた振動又は回転磁場を少なくとも部分的に生成する手段、
ｃ）電磁放射線を生じさせるための少なくとも１つの放射源、及び
ｄ）反射及び／又は散乱した前記電磁放射線を記録するための少なくとも１つの検出器
を有する装置。
【請求項１３】
前記粒子の磁化が局所的に変化するように、前記検査エリアにおける前記２つの部分エリアの特に相対的な空間位置を変更する手段と、この変更により影響が及ぼされる前記検査エリアにおける前記磁化に依存する信号を検出する手段と、前記検査エリアにおける前記磁性粒子の空間分布に関する情報を得るために、前記信号を評価する手段とをさらに有する請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記磁場を生成する前記手段は、前記検査エリアの前記第１の部分エリアにおいて、その向きを反転させ、零交差を持つ勾配磁場を生成するための勾配コイル装置を有することを特徴とする請求項１２又は１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記検査エリアにおいて前記２つの部分エリアを動かすことを目的に、前記勾配磁場に重ねられる時間で変化する磁場を生成する手段を特徴とする請求項１２、１３又は１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記検査エリアにおいて時間による前記磁化の変化により誘導される信号を入力するためのコイル装置を特徴とする請求項１２、１３、１４又は１５に記載の装置。
【請求項１７】
勾配磁場に重ねられる前記第１及び少なくとも第２の磁場を生成する手段を備え、前記第１の磁場は、時間に関し相対的に緩慢でかつ相対的に大なる振幅で変化し、前記第２の磁場は、時間に関しそれよりも俊敏でかつ小なる振幅で変化することを特徴とする請求項１２乃至１６の何れか一項に記載の装置。
【請求項１８】
前記２つの磁場は本質的に前記検査エリアにおいて互いに直交していることを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記放射源と前記検査エリアとの間に少なくとも１つのモノクロメータ、チョッパー及び／又は偏光子があることを特徴とする請求項１２乃至１８の何れか一項に記載の装置。
【請求項２０】
前記放射源はレーザーであることを特徴とする請求項１２乃至１９の何れか一項に記載の装置。
【請求項２１】
前記検出器と前記検査エリアとの間に特に偏光フィルタ形式である少なくとも１つの分析器及び／又は１つのモノクロメータがあることを特徴とする請求項１２乃至２０の何れか一項に記載の装置。
【請求項２２】
検出された放射信号を決定及び／又は評価する評価ユニットを特徴とする請求項１２乃至２１の何れか一項に記載の装置。
【請求項２３】
前記検出器は、カメラであるか、又はカメラ及び／又はマイクロプロセッサその他の評価ユニットに接続され若しくは有効接続状態にあることを特徴とする請求項１２乃至２２の何れか一項に記載の装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年4月20日(2010.4.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステント搬送システムを製造するに際して搬送鞘部材に自己拡張型ステントを装填する方法であって、放射方向に拘束された搬送形状を取っているステントが、ステント設置部位に搬送され、ステント設置部位で、鞘部材が引き出されてステントを解放し、その部位でステントを放射方向に拡張させるようにするために、軸線方向に前進させられることで鞘部材の中に入れられる、搬送鞘部材に自己拡張型ステントを装填する方法において、
（i）ステントを被覆ステントとして設ける段階を含み、被覆ステントは、管腔外被および非管腔外被の輪郭を定めている複数表面がステントの壁厚さ分だけ互いに間隔を離されているステント配列と、ステント配列に接着されて管腔外被の放射方向内側に位置している被覆材とから構成されており、
（ii）ステントの管腔内にステントプッシャを設ける段階を含み、ステントプッシャはステント管腔の長さに沿って分布する、放射方向外向きに張出した突起部を設けており、
（iii）突起部が被覆材を変形させて、それでもなお、ステント配列の管腔外被が突起部によって放射方向に変形されないままであるまで、ステントを放射方向内向きに圧縮する段階と、
（iv）ステントプッシャに端部からの力を付与することにより圧縮状態のステントを前進させて鞘部材の中に入れ、ステントプッシャの突起部からステント配列へ押し力を被覆材に伝達させるようにする段階とを含んでいる、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
突起部を螺旋状に配置し、鞘部材の内側で、ステント管腔に対してステントプッシャを反対にねじることで、ステントの管腔からステントプッシャを引き出すことができるようにするようにした段階を更に含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
自己拡張型ステントと経皮経管型の搬送カテーテルを含む自己拡張型ステント搬送装置であって、前記経皮経管型の搬送カテーテルは、前記自己拡張型ステントを取り囲み、近位方向に引き出されるとステント設置部位でステントを解放する鞘部材と、鞘部材の内部に置かれて、鞘部材を引き出している間もステントをステント設置部位に保持するプッシャとを有している、自己拡張型ステント搬送装置において、
（i）プッシャはステントの管腔に沿って延びるとともに、ステント管腔の長さに沿って分布させられた放射方向外向きに張出した突起部を設けており、
（ii）ステントは、管腔外被および非管腔外被の輪郭を定める複数表面がステントの壁厚さ分だけ互いに間隔を離されているステント配列と、ステント配列に接着されて管腔外被の放射方向内側に位置している被覆材とから構成されている被覆ステントであり、
（iii）突起部が被覆材を変形させて、それでもなお、ステント配列の管腔外被が突起部によって放射方向に変形されないままであることを特徴とする、自己拡張型ステント搬送装置。
【請求項４】
前記ステント配列は金属製であり、前記被覆材は発泡ポリテトラフルオロエチレン製であることを特徴とする、請求項３に記載の自己拡張型ステント搬送装置。
【請求項５】
前記ステント配列は複数開口が設けられており、前記被覆材は複数開口を通して非管腔ステント被覆層に接着されていることを特徴とする、請求項３または請求項４に記載の自己拡張型ステント搬送装置。
【請求項６】
前記ステント配列はニッケルチタン形状記憶合金から形成されていることを特徴とする、請求項４または請求項５に記載の自己拡張型ステント搬送装置。
【請求項７】
前記突起部は螺旋状の渦巻き体であることを特徴とする、請求項３から請求項６のいずれか１項に記載の自己拡張型ステント搬送装置。
【請求項８】
先細り状の遠位先端部は前記鞘部材に設けられていることを特徴とする、請求項３から請求項７のいずれか１項に記載の自己拡張型ステント搬送装置。
【請求項９】
先細り状の遠位先端部は前記鞘部材より遠位で前記プッシャに設けられていることを特徴とする、請求項３から請求項７のいずれか１項に記載の自己拡張型ステント搬送装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、一つの観点では、自己拡張型ステントを搬送用鞘部材に装填する方法に関するものであり、この方法では、放射方向に拘束された搬送形状を取っているステントが、ステント設置部位に搬送され、ステント設置部位で、鞘部材が引き出されてステントを解放し、ステントを放射方向に拡張させるようにするために、軸線方向に前進させられることで鞘部材（シース）の中に入れられる。別な観点では、本発明は、鞘部材と鞘部材内のプッシャ部材とを備えている経皮経管型の搬送用カテーテル内の自己拡張型ステントに関するものであり、鞘部材が近位方向に引き出されるとステントをステント設置部位で解放し、プッシャ部材は鞘部材の引き出し中にステント設置部位にステントを維持する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
本発明の一観点によれば、添付の特許請求の範囲の請求項１に記載されているような、搬送用鞘部材に自己拡張型ステントを装填する方法が提供される。
本発明の別な観点によれば、添付の特許請求の範囲の請求項３に記載されているような、自己拡張型ステントと経皮経管型の搬送カテーテルを含む自己拡張型ステント搬送装置が提供される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年7月27日(2010.7.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊離形または塩形の、式Ｉ
【化１】
2006524660.tif 000001
〔式中、
Ｒ１はＣ１−６アルキル；ヒドロキシ、Ｃ１−２アルコキシまたは１個から６個のフッ素原子で置換されているＣ１−６アルキル；Ｃ２−６アルケニル；またはＣ２−６アルキニルであり；
Ｘは、Ｏであり；
Ｙは、ＯまたはＳであり；
Ｒ２は、フェニル；ハロゲン、Ｃ１−２アルキルおよびＣ１−２アルコキシからなる群から選択される１個または２個の置換基で置換されたフェニル；シアノフェニル；ナフチル；またはベンゾ[１,３]ジオキソール−５−イルであり；
Ｒ３は、Ｚ−Ｘ２であり、ここで、ＺはＣＨ２、ＣＨＦまたはＣＦ２であり、Ｘ２はＯＨまたは式(ａ)
【化２】
2006524660.tif 000002
(式中、Ｚ１は直接結合、ＣＨ２、ＣＨＦ、ＣＦ２またはＯであり、そしてＲ８およびＲ９の各々は、独立して、Ｈ、または所望により１個、２個または３個のハロゲン原子で置換されているＣ１−４アルキルである)
の残基であり；そして
Ｒ４およびＲ５の各々は、独立して、Ｈであり；
Ｒ６は、水素、メトキシ、メチルまたはクロロであり；
Ｒ７は、水素、メトキシ、メチルまたはクロロであり；そして
ｎは、２または３である。〕
で示される化合物。
【請求項２】
Ｒ３が、ＣＨ２−ＯＨまたはＣＨ２−ＯＰＯ３Ｈ２である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
医薬として使用するための、および、医薬の製造において使用するための、請求項１または２に記載の化合物。
【請求項４】
有効成分として、請求項１または２に記載の化合物を含む、急性もしくは慢性移植拒絶反応またはＴ細胞介在炎症性もしくは自己免疫性疾患の処置用医薬。
【請求項５】
請求項１または２に記載の化合物と少なくとも１個の併用剤を含む、急性もしくは慢性移植拒絶反応またはＴ細胞介在炎症性もしくは自己免疫性疾患の処置用医薬的組み合わせ剤。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
式Ｉの化合物において、下記の意義が個々にまたは任意のサブコンビネーションで好ましい：
１. ＸがＯである；
２. ＹがＯまたはＳである；
３. Ｒ１がＣＨ３またはＣＨ２−ＯＨである；
４. Ｒ２がフェニル；ハロゲン、Ｃ１−２アルキルまたはＣ１−２アルコキシから選択される１個または２個の置換基で置換されたフェニル；シアノフェニル；ナフチル；または２−ベンゾ[１,３]ジオキソール−５−イルである；
５. Ｒ３がＣＨ２−ＯＨまたはＣＨ２−ＯＰＯ３Ｈ２である；
６. Ｒ４およびＲ５の各々が水素である；
７. Ｒ６が水素、メトキシ、メチルまたはクロロである；そして
８. Ｒ７が水素、メトキシ、メチルまたはクロロである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年5月31日(2010.5.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
実施例１
エポキシ‐アミン系のプレポリマー及び物理的ブレンドのサンプルを調製した。ビスフェノール‐Ａのジグリシジルエーテルとビスフェノール‐Ｆのジグリシジルエーテルの混合物（東都化成（株）からＺＳ１０５９として商業的に入手可能）５５．５６重量％、及び４４．４４重量％のポリ（オキシ（メチル‐１，２‐エタンジイル）、α‐（２‐アミノメチルエチル）ω‐２（２‐アミノメチルエエトキシ）（Ｈｕｎｔｓｍａｎ Ｐｅｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．からＪｅｆｆａｍｉｎｅ（登録商標）Ｄ‐２０００として商業的に入手可能）を混合することによって、エポキシとアミンの物理的ブレンド（配合剤Ａ）を作製した。その物理的ブレンドを通常のオーブン中で１２０℃に６時間加熱することによって、プレポリマー（配合剤Ｂ）を生成した。ＩＲスペクトルによって配合剤Ａと配合剤Ｂを試験し、そして配合剤Ｂがサンプル中のヒドロキシル官能性基の存在を示す波長３４３９ｃｍ-1でのピークを示した。配合剤Ａは波長３４３９ｃｍ-1でのピークを有さなかった。そのことは、ヒドロキシル官能性基が無いことを示す。アミンとエポキシ系の典型的な重合反応は、ヒドロキシル官能性基を有する線状鎖の形成をもたらす。プレポリマーのスペクトルがその証拠を示している。