【事件の表示】
　特願２０１６−１９２２５５「レーザ照射装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　２月１６日出願公開、特開２０１７−　３８０７３、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２７年２月２７日に出願した特願２０１５−３９３１３号の一部を平成２８年９月２９日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２８年　９月３０日　　　上申書の提出
　平成２９年　４月２４日付け　拒絶理由通知書
　平成２９年　６月１５日　　　意見書・手続補正書の提出
　平成２９年１１月２７日付け　拒絶査定
　平成３０年　３月　５日　　　審判請求書・手続補正書の提出
　平成３０年１２月１７日付け　拒絶理由通知書
　平成３１年　２月１８日　　　意見書・手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定（平成２９年１１月２７日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　この出願の請求項１ないし１５に係る発明は，以下の引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　＜引用文献等一覧＞
引用文献１　特開２００４−１７９６５３号公報
引用文献２　特開２０１２−５４６０３号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由（平成３０年１２月１７日付け拒絶理由）の概要は次のとおりである。
Ａ．この出願は，特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
Ｂ．この出願の請求項１ないし６に係る発明は，以下の引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　＜引用文献等一覧＞
引用文献１　特開２００４−１７９６５３号公報
引用文献２　特開２０１２−５４６０３号公報
引用文献３　特開２０００−７２２５１号公報 
第４　本願発明
　本願請求項１ないし５に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明５」という。）は，平成３１年２月１８日提出の手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１ないし５は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　レーザ光を出射するレーザ照射部；
　前記レーザ光が照射されるワークに第１の不活性ガスを噴出することで浮上させて搬送可能なフロートユニット；
　前記レーザ光の照射位置において、第２の不活性ガスを前記ワークに噴出する下方ガス噴出部；および
　前記フロートユニットおよび前記ワークの上方であって、前記下方ガス噴出部の下方に位置する上部壁面部、を有するレーザ処理装置であって、
　前記上部壁面部は開口部を有し、
　前記レーザ光は前記開口部を介して前記ワークに照射され、
　前記第２の不活性ガスは前記ワークと前記上部壁面部の間を流れ、
　前記第１および第２の不活性ガスは同一種のガスであり、
　前記下方ガス噴出部および前記上部壁面部によって、前記第２の不活性ガスによる局所的な雰囲気が形成可能であり、
　前記第１および第２の不活性ガスは窒素であるレーザ処理装置。
　　【請求項２】
　前記ワークは非晶質半導体膜が形成されたガラス基板である請求項１記載のレーザ処理装置。
　　【請求項３】
　前記フロートユニットは、平面視において前記レーザ光の前記照射位置を含む第１の領域と、前記第１の領域に隣接する第２の領域を有し、
前記第１の不活性ガスは、前記第１の領域から噴出される請求項１または２にに記載のレーザ処理装置。
　　【請求項４】
　前記上部壁面部は、平面視において前記フロートユニットの前記第１の領域と重なっている請求項３に記載のレーザ処理装置。
　　【請求項５】
　前記上部壁面部および前記フロートユニットの前記第１の領域との間に、前記第１および第２の不活性ガスによる局所的な雰囲気が形成可能な請求項３に記載のレーザ処理装置。」
第５　引用文献，引用発明等
１　引用文献１記載事項
　原査定及び当審の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は，当審で付与した。以下，同じ。）
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、結晶構造を有する半導体膜の作製方法及びそれを用いた半導体装置の作製方法に関し、具体的には半導体膜にレーザー光を照射して結晶化又は結晶性を向上させる技術に関するものである。また、本発明は、当該半導体膜又は半導体装置の作製に用いるレーザー処理装置に関する。」
「【発明の効果】
【００２６】
　本発明によれば、レーザー光を照射して半導体膜の結晶化又は結晶性の改質を行うに際し、基板の外周部を保持して超音波振動を与えることにより、不純物の偏析を抑制することができる。超音波振動のエネルギーは、レーザー光の照射により表面に形成された酸化物又は窒化物を粉砕する作用があり、結晶粒界には酸化物の切片が集まるのが抑制され、電気抵抗のばらつきを低減することが可能となる。」
「【００２９】
（第１の実施の形態）
　
図１は本発明に係るレーザー処理装置の一態様を示す図である。この装置はレーザー発振器１０１、光学系１０２、ステージ１０３、基板浮上手段１０４、基板１１４を狭持して移動させる移動手段１０５と、そのチャック１０７に超音波振動を与える超音波振動源１０６とを含んでいる。
【００３０】
　光学系１０２は、レーザー発振器１０１から放射されるレーザー光を集光及び伸張して、照射面形状を細い線状に成形するものである。光学系１０２の構成は適宜設計すれば良いが、例えば、シリンドリカルレンズアレイ１１０、シリンドリカルレンズ１１１、ミラー１１２、ダブレットシリンドリカルレンズ１１３などを用いて構成する。レンズの大きさにもよるが、長手方向は１００〜４００mm程度、短手方向は１００〜５００μm程度の線状レーザービームを照射することが可能である。
【００３１】
　また、
レーザー光の照射部周辺の雰囲気制御を目的として、気体供給手段１０８とノズル１０９が備えられていても良い。
気体供給手段１０８からは、酸化性気体、還元性気体、不活性気体などの供給が可能である。気体の選択により酸素を半導体膜中に積極的に取り込ませたり、アルゴンなどの希ガスを取り込ませたりすることができる。
【００３２】
　さらに、この雰囲気制御を行う手段に加熱手段を付加して、加熱された気体をノズル１０９から噴出させる構成としても良い。その結果、レーザー光の照射部周辺にある基板又は基板上の半導体膜などの形成物を加熱することができる。これにより、レーザー光の照射で溶融した半導体膜の溶融時間が長くなり、基板に与える超音波振動の周波数は１MHz以下であっても平坦化の効果を得ることができる。
【００３３】
　勿論、特段このような手段を設けずに、空気中でレーザー光の照射を行っても良いし、ステージ１０３をチャンバー内に保持して減圧下（若しくは真空中）でレーザー光の照射を可能としても良い。
【００３４】
　レーザーは波長４００nm以下の光を発振するエキシマレーザーなどの気体レーザーや、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザー、ＹＬＦレーザーなどの固体レーザーを用いる。Ｃｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍがドーピングされたＹＡＧレーザーやＹＶＯ4レーザーでは、ＹＡＧレーザーでは基本波（１０６４nm）の他に、第２高調波（５３２nm）や第３高調波（３５４．７nm）などを用いることができる。これらのレーザーはパルス発振するものを用い、発振周波数は５〜３００Hz程度のものが採用される。
【００３５】
　
ステージ１０３は基板浮上手段１０４が備えられている。気体を噴出する開孔と吸引する開孔を設け、それそれの流量や流速を制御して基板１１４をステージ１０３上で浮上させるものである。この基板浮上手段１０４と、基板の周辺部を狭持して一軸方向又は二軸方向に移動させる移動手段１０５とを組み合わせることにより、基板１１４を空間に浮かせて支持して搬送する搬送手段を構成することができる。
移動手段１０５のチャック部１０７に超音波震動源１０６から供給される超音波振動を与える
【００３６】
　
このようなレーザー照射装置は、特に一辺が１０００mmを超え、かつ厚さが１mm以下のガラス基板を処理する場合に有用である。
【００３７】
　また、レーザー照射装置は、ノズル１０９から吹き付ける気体を酸化性気体、還元性気体、不活性気体から選択することで、適宜結晶化の条件を選択することができる。このようなレーザー照射装置の構成は、レーザービームの照射時の雰囲気の制御をするためのチャンバーを必要とせず、基板が大型化してもレーザー照射装置の小型化を図ることができる。
【００３８】
　図２（Ａ）（Ｂ）は、ステージ１０３周辺の詳細を示す図である。（Ａ）は上面図であり（Ｂ）は断面図を示している。ステージ１０３上の基板１１４は、基板浮上手段１０４によって浮上し、チャック１０７に狭持されている。基板浮上手段１０４は、ステージ１０３に設けられた開孔から気体の吹き付けと吸引を同時に行って基板の浮上する高さを調整している。チャック１０７には超音波震動源１０６から超音波振動が与えられる仕組みとなっている。
【００３９】
　基板１１４は、例えば、市販の無アルカリガラス基板が選択可能であり、厚さに限定はないが、０．２〜２mm程度のものが好ましい。この基板１１４上には、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成する下地絶縁膜１１５が形成され、その上に２０〜２００nmの半導体膜１１６が形成されている。この半導体膜１１６は非晶質半導体膜であっても良いし、すでに熱処理などで結晶化している結晶性の半導体膜を適用しても良い。なお、図２で示す構成は、チャック１０７を用いて２点で基板１１４を狭持する構成を示しているが、本発明はこれに限定されず、基板の周辺部の複数箇所を狭持して超音波振動源との接点を多くする構成としても良い。或いは、基板の端部側面を押さえるように固定しても良い。」
　上記【００３１】及び【図１】から，引用文献１に記載されたレーザー処理装置の「ノズル１０９」は，「基板１１４」のレーザー光が照射される位置に，アルゴンなどの希ガス（不活性気体）を噴出していると認められる。
　そうすると，上記記載から，引用文献１には以下の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されている。
「ガラス基板を処理するレーザー処理装置であって，
　レーザー発振器１０１と，
　光学系１０２と，
　気体を噴出する開孔を有する基板浮上手段１０４と，基板の周辺部を狭持して一軸方向又は二軸方向に移動させる移動手段１０５とを組み合わせることにより，ガラス基板１１４を空間に浮かせて支持して搬送する搬送手段と，
　移動手段１０５のチャック１０７に超音波振動を与える超音波振動源１０６と，
　レーザー光の照射部周辺の雰囲気制御を目的とし，レーザー光が照射される位置に，アルゴンなどの希ガス（不活性気体）を噴出する，気体供給手段１０８及びノズル１０９と，
　を含んでいる，レーザー処理装置。」
２　引用文献２記載事項
　原査定及び当審の拒絶の理由に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　この発明は、非晶質半導体薄膜などの被処理体にレーザ光を照射して結晶化などの処理を行うレーザ処理装置に関するものである。」
「【００１２】
　また、雰囲気を形成するガスの種類は本発明としては特に限定されるものではないが、通常は窒素などの不活性ガスが用いられる。このガスをレーザ光照射部近傍に向けて照射するガス噴射部としては、通常は、レーザビームを囲む形状に形成された噴射口を用いることができる。」
「【００１７】
　請求項４記載のレーザ処理装置の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、
前記ガス噴射部近傍から前記走査方向に沿って前記被処理体表面と距離を保ちつつ伸張する整流面を備えることを特徴とする。
【００１８】
　請求項４記載の発明によれば、ガス噴射部から噴射されたガスがレーザ光照射部近傍から周囲に流れる際に、
整流面によって上方への拡散が阻止されて被処理体の面方向に沿って走査方向に流れるため、整流面の下方側で広い範囲に亘ってガス雰囲気を形成することができる。
　また、広範囲にガス雰囲気が形成されることで、最大走査速度を大きくすることも可能になる。」
３　引用文献３記載事項
　当審の拒絶の理由に引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、板状基体に対する気体の噴出によって、板状基体を浮上した状態にし、この状態で板状基体を移動、停止、静止および方向転換させる場合、重い板状基体でも確実に、かつ高速で移動、停止、静止および方向転換をさせることができる浮上搬送装置および浮上搬送システムに関する。本発明は、液晶ディスプレイ等に用いられるガラス板や半導体装置が形成されるウエハ等の気流搬送をする浮上搬送システムに好適に用いられる。」
「【０００３】移送ユニット１００は、ガラス板３００を直線的に移動させるために、通常、連結されて用いられる。この移送ユニット１００の一例を図２３に示す。移送ユニット１００は、基台１１０と囲い材１２０とを備える。基台１１０には、ウエハを浮上させるための気体、例えば、ガラス板３００に影響を与えない窒素ガス、アルゴンガスやその他のガスを供給する供給系１１１が配管されている。囲い材１２０が覆う、基台１１０の面１１２が搬送路の搬送面であり、搬送面１１２には、複数の噴出孔１１３が空けられている。」
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明を対比する。
ア　引用発明の「レーザー発振器１０１」及び「光学系１０２」は，本願発明１の「レーザ光を出射するレーザ照射部」に相当する。
イ　引用発明は「ガラス基板を処理するレーザー処理装置」であるから，「レーザー処理装置」のレーザー光は「ガラス基板」に照射されると認められる。そうすると，引用発明の「ガラス基板」は，本願発明１の「前記レーザ光が照射されるワーク」に相当する。
ウ　引用発明の「搬送手段」は，「気体を噴出する開孔を有する基板浮上手段１０４」によりガラス基板を空間に浮かせて支持して搬送するものであるから，引用発明の「気体を噴出する開孔を有する基板浮上手段１０４」と，本願発明１の「前記レーザ光が照射されるワークに第１の不活性ガスを噴出することで浮上させて搬送可能なフロートユニット」は，「前記レーザ光が照射されるワークにガスを噴出することで浮上させて搬送可能なフロートユニット」である点で共通する。
エ　引用発明の「レーザー光の照射部周辺の雰囲気制御を目的とし，レーザー光が照射される位置に，アルゴンなどの希ガス（不活性気体）を噴出する，気体供給手段１０８及びノズル１０９」は，本願発明１の「前記レーザ光の照射位置において、第２の不活性ガスを前記ワークに噴出する下方ガス噴出部」に相当する。
オ　引用発明の「レーザー処理装置」は，本願発明１の「レーザ処理装置」に相当する。
カ　そうすると，本願発明１と引用発明は，以下の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「レーザ光を出射するレーザ照射部；
　前記レーザ光が照射されるワークにガスを噴出することで浮上させて搬送可能なフロートユニット；
　前記レーザ光の照射位置において，第２の不活性ガスを前記ワークに噴出する下方ガス噴出部；
　を有するレーザ処理装置。」
［相違点１］
　「フロートユニット」が噴出する「ガス」について，本願発明１は「第１の不活性ガス」であるのに対して，引用発明の「気体」はどのような「ガス」であるのか不明である点。
　また，本願発明１は，「前記第１および第２の不活性ガスは同一種のガスであり」又「前記第１および第２の不活性ガスは窒素である」のに対して，引用発明はそのようになっていない点。
［相違点２］
　本願発明１は「前記フロートユニットおよび前記ワークの上方であって、前記下方ガス噴出部の下方に位置する上部壁面部」を有し，「前記上部壁面部は開口部を有し」，「前記レーザ光は前記開口部を介して前記ワークに照射され」，「前記第２の不活性ガスは前記ワークと前記上部壁面部の間を流れ」，「前記下方ガス噴出部および前記上部壁面部によって、前記第２の不活性ガスによる局所的な雰囲気が形成可能」であるのに対して，引用発明は対応する構成を有していない点。
（２）相違点についての判断
ア　以下，［相違点２」について検討する。
　本願発明１の［相違点２］に係る構成は，「照射するレーザは周りの流体の影響を受けるとされているため、噴出する不活性ガスは、レーザ照射部において極力乱れのない整流が望まれる。」（本願明細書段落【０００５】）との課題を解決するためのものであり，この課題を有さない，引用文献１ないし３の記載から，引用発明に，［相違点２］に係る構成を付加することを想到し，本願の課題を解決することを，当業者が容易に為し得たとは認められないし，また，本願発明１は［相違点２］に係る構成を有することにより，この課題を解決するという，格別の効果を有するものである。
イ　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明及び引用文献１ないし３に記載された事項に基づいて容易に発明できたものあるとは言えない。
２　本願発明２ないし５について
　本願発明２ないし５は，本願発明１を引用するものであり，本願発明１の発明特定事項を全て備えるから，前記１と同様の理由により，引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
第７　原査定について
　前記第６のとおりであるから，本願発明１ないし５は，拒絶査定において引用された引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。
第８　当審拒絶理由について
１　特許法第３６条第６項第２号について
　平成３１年２月１８日にされた手続補正により，特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないとの拒絶の理由は解消した。
２　特許法第２９条第２項について
　前記第６のとおり，本願発明１ないし５は，当審拒絶理由において引用された引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
第９　むすび
　以上のとおり，本願発明１ないし５は，当業者が引用文献１及び２に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。