【事件の表示】
　特願２０１４−　１７８２０「ＥＦＥＭシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　８月１３日出願公開，特開２０１５−１４６３４８，請求項の数（７）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２６年１月３１日の出願であって，その手続の経緯は，概略，以下のとおりである。
平成２９年　９月　８日：拒絶理由通知（起案日）
平成２９年１１月１６日：意見書，手続補正書
平成３０年　１月３０日：拒絶理由通知（最後）（起案日）
平成３０年　３月２３日：意見書，手続補正書
平成３０年　４月２６日：応対記録
平成３０年　５月　７日：平成３０年３月２３日付け手続補正についての補正の却下の決定（起案日），拒絶査定（起案日）（以下「原査定」という。）
平成３０年　８月　７日：手続補正書，審判請求
令和　元年　５月１０日：拒絶理由通知（最後）（起案日）
令和　元年　６月１０日：意見書，手続補正書（以下，この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。）
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
１　本願請求項１ないし３に係る発明は，本願出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて，また，本願請求項４ないし８に係る発明は，本願出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，本願出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．特開平１１−２９４８１７号公報
２．特開２００１−９３８２７号公報
３．特開平１１−２８８９９０号公報
４．特開２００５−１４２１８５号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　令和元年５月１０日付け拒絶理由通知（最後）（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は次のとおりである。
１　この出願は，特許請求の範囲の請求項７の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
第４　本願発明
１　本願請求項１ないし７に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明７」という。）は，令和元年６月１０日付けの手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　内部でウェーハを搬送するための，外部から区画されたウェーハ搬送室をそれぞれ備えた複数のＥＦＥＭと，
　当該ＥＦＥＭの外部に設けられ，ガスの清浄化を行うためのダストフィルタを備えるガス清浄装置と，
　当該ガス清浄装置によって清浄化されたガスを分配し，各ＥＦＥＭのガス供給口に接続され前記ガス供給口に前記ガスを供給するガス供給ダクトと，
　各ウェーハ搬送室から排出されるガスを前記ガス清浄装置へ帰還させるガス帰還路とを具備し，
　前記ウェーハ搬送室と前記ガス清浄装置との間で，前記外部にガスを流出させることなくガスを循環させるものであって，
　前記ガスは不活性ガスであることを特徴とするＥＦＥＭシステム。」
２　本願発明２ないし７の概要は以下のとおりである。
（１）本願発明２ないし７は，本願発明１を減縮した発明である。
第５　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　拒絶査定に引用された引用文献１（特開平１１−２９４８１７号公報，平成１１年１０月２９日出願公開）には，図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審で付した。以下，同じ。）。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体基板，液晶表示装置用ガラス基板，フォトマスク用ガラス基板，光ディスク用基板等（以下，「基板」と称する）に対して層間絶縁膜の塗布等を行う基板処理装置およびその基板処理装置を配置したクリーンルーム内における基板処理システムに関する
「【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記のクリーンルーム３００においては，基板処理装置３１０内部に流入した空気を工場の排気ユーティリティーにて処理しているため，当該排気ユーティリティーに負荷を課することとなる。一般に，一つの工場内には，複数のクリーンルームが設けられている場合が多く，また，一つのクリーンルーム内に複数の基板処理装置が設置されていることもある。このような場合には，大容量の排気ユーティリティーが必要となる。
【００１１】また，基板処理装置３１０内部に流入した温調された空気は，クリーンルーム３００の外部へ放出されるため，開孔３０５から新たに取り入れられた空気を温調して利用している。一旦温調された空気を再度温調する場合に比べて，新たに取り入れられた空気を温調する場合は，温調ユニットの負荷が大きくなるため，大型の温調ユニットが必要となり，クリーンルームを維持するコストも上昇することになる。
【００１２】さらに，近年においては，基板の層間絶縁膜として低誘電体材料や強誘電体材料が適用されることもある。これらの材料を扱う処理部からは他の基板処理装置に有害なガス成分や環境に有害な重金属を含む雰囲気を発生することもあり，そのような有害物質についてはなるべく基板処理装置の外部に放出しない方が好ましい。
【００１３】
本発明は，上記課題に鑑み，処理部から発生した有害な物質を装置外部に放出することを防止できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１４】
また，本発明は，クリーンルーム外部の排気ユーティリティーの負荷を軽減するとともに，小型の温調ユニットが使用可能な基板処理システムを提供することを目的とする
「【００２５】
【発明の実施の形態】以下，図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２６】
図１は，本発明に係る基板処理システムを適用したクリーンルーム１００内の概略構成を模式的に示す縦断面図である
このクリーンルーム１００には，基板処理が行われる作業空間ＣＲ１と，グレーチング１３０の下方の床下空間ＣＲ２と，当該作業空間ＣＲ１および床下空間ＣＲ２と壁１０２によって隔てられたダウンフロー発生部ＣＲ３が設けられている
【００２７】
作業空間ＣＲ１には，２台の基板処理装置１１０の本体部が設置されている
基板処理装置１１０は，基板に低誘電体材料を塗布するコータ（低誘電体対応コータ）ＳＣと，基板に加熱処理を行う加熱部（ホットプレート）および冷却処理を行う冷却部（クーリングプレート）が積層されてなる熱処理部群１１１と，コータＳＣと熱処理部群１１１とに挟まれた基板搬送部Ｒ１とをハウジング１１０Ｈ中に備えるとともに，ハウジング１１０Ｈ外部（床下空間ＣＲ２）にはフィルタボックス１７０を備えている。基板搬送部Ｒ１には基板搬送装置ＴＲが図中の紙面に対して直交する方向に移動自在に設けられている
【００２８】
床下空間ＣＲ２には，基板処理装置１１０の一部を構成するフィルタボックス１７０およびそれに連通する排気管１６０が設けられている。フィルタボックス１７０は，種類の異なる２種類のフィルタ，すなわちウルパフィルタ１７３とケミカルフィルタ１７１とを備えている
作業空間ＣＲ１と床下空間ＣＲ２との境界には，すのこ状の床であるグレーチング１３０が設けられており，作業空間ＣＲ１内を流れるダウンフローは，そのまま床下空間ＣＲ２に流れ込むようにされている
【００２９】ダウンフロー発生部ＣＲ３には，そこを流れる空気の温度調節を行う温調ユニット１５０が設けられている。また，ダウンフロー発生部ＣＲ３と作業空間ＣＲ１との境界にはメインフィルタ１２０が設けられるとともに，ダウンフロー発生部ＣＲ３と床下空間ＣＲ２との間には送風ファン１４０が設けられている。
【００３０】次に，
クリーンルーム１００内における空気の流れ
【００３１】
まず，メインフィルタ１２０からパーティクルの除去された清浄な空気が作業空間ＣＲ１内にダウンフローを形成して流入する
【００３２】
作業空間ＣＲ１に流入したダウンフローの一部は，基板処理装置１１０の上部に設けられたフィルタ１１３を通過して基板搬送部Ｒ１に流入する
基板搬送部Ｒ１に流入したダウンフローは，基板搬送装置ＴＲの移動に伴って発生したパーティクルとともに，加熱部から漏れ出たアンモニア成分を含んだガスも回収して基板搬送部Ｒ１の下方に流出する
【００３３】アンモニアは，他の基板処理装置（例えば現像処理装置）に悪影響を与えることがある。そこで，
基板搬送部Ｒ１の下方には，搬送ユニット用ダクト１１５が設けられており，パーティクルおよびアンモニアを含んだダウンフローは搬送ユニット用ダクト１１５に回収される。搬送ユニット用ダクト１１５は排気管１６０を介してフィルタボックス１７０に接続されている。排気管１６０は，２台の基板処理装置１１０のそれぞれからグレーチング１３０を貫通して床下空間ＣＲ２の底部近傍まで鉛直方向に配設され，さらに，床下空間ＣＲ２の底部近傍において水平方向に屈曲され，相互に合流された後，フィルタボックス１７０に接続されている
【００３４】
一方，同じく基板処理装置１１０の上部に設けられたフィルタ１１２を通過したダウンフローは，コータＳＣに流入する
コータＳＣ内にアンモニアが流入した場合であっても，アンモニアを含むダウンフローは排出管１１４から排出される
排出管１１４は，搬送ユニット用ダクト１１５とともに排気管１６０を介してフィルタボックス１７０に接続されている
【００３５】
搬送ユニット用ダクト１１５および排出管１１４から排出された空気は，排気管１６０に導かれてフィルタボックス１７０に回収される。フィルタボックス１７０は，ケミカルフィルタ１７１と，ブロワファン１７２と，ウルパフィルタ１７３とを備えている
【００３６】
ウルパフィルタ１７３は，基板搬送部Ｒ１にて発生し，搬送ユニット用ダクト１１５によって回収されたパーティクルを主として除去するためのフィルタである。一方，ケミカルフィルタ１７１は，加熱部から漏れ出て，搬送ユニット用ダクト１１５，排出管１１４から排出されるアンモニアを主として除去するためのフィルタである
【００３７】また，ケミカルフィルタ１７１とウルパフィルタ１７３との間にはブロワファン１７２が設けられており，当該ブロワファン１７２を作動させて搬送ユニット用ダクト１１５および排出管１１４からフィルタボックス１７０に向かう気流を強制的に発生させることにより，搬送ユニット用ダクト１１５および排出管１１４内が負圧状態となり，パーティクルやアンモニアを含んだ空気がスムーズに回収されフィルタボックス１７０に送られる。なお，フィルタボックス１７０を構成するケミカルフィルタ１７１，ブロワファン１７２およびウルパフィルタ１７３の配置は図１に限定されるものではなく，排気管１６０における任意の位置に任意の順序で設けることが可能である。
【００３８】
フィルタボックス１７０に送られた空気は，フィルタボックス１７０に備えられたウルパフィルタ１７３およびケミカルフィルタ１７１を通過して床下空間ＣＲ２中に放出される。このときに，空気中に含まれていたパーティクルはウルパフィルタ１７３によって除去される。また，ガス成分であるアンモニアはウルパフィルタ１７３によって除去することはできないが，ケミカルフィルタ１７１によって除去される。このため，床下空間ＣＲ２中にはフィルタボックス１７０から清浄な空気が放出されることになる
【００３９】
一方，基板処理装置１１０の外部を通過したダウンフローは，そのままグレーチング１３０を通過し，床下空間ＣＲ２に流入する。そして，床下空間ＣＲ２に流入した空気は，フィルタボックス１７０から放出された空気と合流し，床下空間ＣＲ２の下部に設けられた送風ファン１４０によって取り込まれ，ダウンフロー発生部ＣＲ３に送られる。ダウンフロー発生部ＣＲ３に送られた空気は，当該ダウンフロー発生部ＣＲ３に設けられた温調ユニット１５０によって，ダウンフローとして再利用できるように，基板処理装置１１０の処理に適した温度に温調される。その後，温調された空気は，ダウンフロー発生部ＣＲ３中を上方に流れ，やがて，メインフィルタ１２０の上面に達し，当該メインフィルタ１２０を通過することによってパーティクルが除去されて，再びダウンフローを形成する
「【００５１】
【発明の効果】以上説明したように，
請求項１の発明によれば，所定の処理を行う複数の処理部と，その複数の処理部に対して基板の搬送を行う基板搬送手段と，基板処理装置内部を通過する空気とともに複数の処理部のうちのいずれかから発生した有害物質を回収し，排出する排気経路と，排気経路のいずれかの部位に設けられ，有害物質を除去するフィルタとを備えているため，前記処理部から有害な物質が発生した場合であっても，その有害物質はフィルタによって除去されることとなり，有害物質を基板処理装置の外部に放出することを防止できる
＜＜途中省略＞＞
【００５６】
また，請求項６の発明によれば，クリーンルーム内に設けられ，所定の処理を行う複数の処理部と，その複数の処理部に基板の搬送を行う基板搬送手段とを備える基板処理装置と，その基板処理装置に設けられ，クリーンルーム内のダウンフローのうち基板処理装置内部を通過する空気を複数の処理部のうちのいずれかから発生した有害物質とともに，基板処理装置外を通過した空気と分離して回収し，クリーンルーム内に再び放出する排気経路と，排気経路のいずれかの部位に設けられ，有害物質を除去する第２のフィルタとを備え，放出された空気をダウンフローのうち基板処理装置外を通過した空気と混合させて送風ファンにより吸引しつつ，循環利用しているため，クリーンルーム外に排気される空気がなくなり，クリーンルーム外部の排気ユーティリティーの負荷を軽減することができる。また，前記放出された空気は，既に温調された空気であるため，温調ユニットの負荷が低減され，当該温調ユニットは小型のものが使用可能であるため，クリーンルームを維持するコストも低減することができる
「【図１】
」
（２）引用発明
　上記（１）の記載から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「基板処理装置を配置したクリーンルーム内における基板処理システムであって，
基板処理システムを適用したクリーンルーム１００には，基板処理が行われる作業空間ＣＲ１と，グレーチング１３０の下方の床下空間ＣＲ２と，当該作業空間ＣＲ１および床下空間ＣＲ２と壁１０２によって隔てられたダウンフロー発生部ＣＲ３が設けられ，
作業空間ＣＲ１には，２台の基板処理装置１１０の本体部が設置され，
基板処理装置１１０は，基板に低誘電体材料を塗布するコータ（低誘電体対応コータ）ＳＣと，基板に加熱処理を行う加熱部（ホットプレート）および冷却処理を行う冷却部（クーリングプレート）が積層されてなる熱処理部群１１１と，コータＳＣと熱処理部群１１１とに挟まれた基板搬送部Ｒ１とをハウジング１１０Ｈ中に備えるとともに，ハウジング１１０Ｈ外部（床下空間ＣＲ２）にはフィルタボックス１７０を備え，基板搬送部Ｒ１には基板搬送装置ＴＲが設けられており，
床下空間ＣＲ２には，基板処理装置１１０の一部を構成するフィルタボックス１７０およびそれに連通する排気管１６０が設けられ，フィルタボックス１７０は，種類の異なる２種類のフィルタ，すなわちウルパフィルタ１７３とケミカルフィルタ１７１とを備えていること，
作業空間ＣＲ１と床下空間ＣＲ２との境界には，すのこ状の床であるグレーチング１３０が設けられており，作業空間ＣＲ１内を流れるダウンフローは，そのまま床下空間ＣＲ２に流れ込むようにされていること，
クリーンルーム１００内における空気の流れとしては，
まず，メインフィルタ１２０からパーティクルの除去された清浄な空気が作業空間ＣＲ１内にダウンフローを形成して流入すること，
作業空間ＣＲ１に流入したダウンフローの一部は，基板処理装置１１０の上部に設けられたフィルタ１１３を通過して基板搬送部Ｒ１に流入し，基板搬送部Ｒ１に流入したダウンフローは，基板搬送装置ＴＲの移動に伴って発生したパーティクルとともに，加熱部から漏れ出たアンモニア成分を含んだガスも回収して基板搬送部Ｒ１の下方に流出すること，
基板搬送部Ｒ１の下方には，搬送ユニット用ダクト１１５が設けられており，パーティクルおよびアンモニアを含んだダウンフローは搬送ユニット用ダクト１１５に回収され，搬送ユニット用ダクト１１５は排気管１６０を介してフィルタボックス１７０に接続されており，排気管１６０は，２台の基板処理装置１１０のそれぞれからグレーチング１３０を貫通して床下空間ＣＲ２の底部近傍まで鉛直方向に配設され，さらに，床下空間ＣＲ２の底部近傍において水平方向に屈曲され，相互に合流された後，フィルタボックス１７０に接続されていること，
一方，同じく基板処理装置１１０の上部に設けられたフィルタ１１２を通過したダウンフローは，コータＳＣに流入し，アンモニアを含むダウンフローは排出管１１４から排出され，排出管１１４は，搬送ユニット用ダクト１１５とともに排気管１６０を介してフィルタボックス１７０に接続されていること，
搬送ユニット用ダクト１１５および排出管１１４から排出された空気は，排気管１６０に導かれてフィルタボックス１７０に回収され，ここで，フィルタボックス１７０は，ケミカルフィルタ１７１と，ブロワファン１７２と，ウルパフィルタ１７３とを備えていること，
ウルパフィルタ１７３は，基板搬送部Ｒ１にて発生し，搬送ユニット用ダクト１１５によって回収されたパーティクルを主として除去するためのフィルタであり，一方，ケミカルフィルタ１７１は，加熱部から漏れ出て，搬送ユニット用ダクト１１５，排出管１１４から排出されるアンモニアを主として除去するためのフィルタであること，
フィルタボックス１７０に送られた空気は，フィルタボックス１７０に備えられたウルパフィルタ１７３およびケミカルフィルタ１７１を通過して床下空間ＣＲ２中に放出され，このときに，空気中に含まれていたパーティクルはウルパフィルタ１７３によって除去され，また，ガス成分であるアンモニアはウルパフィルタ１７３によって除去することはできないが，ケミカルフィルタ１７１によって除去されるため，床下空間ＣＲ２中にはフィルタボックス１７０から清浄な空気が放出されることになること，
一方，基板処理装置１１０の外部を通過したダウンフローは，そのままグレーチング１３０を通過し，床下空間ＣＲ２に流入し，そして，床下空間ＣＲ２に流入した空気は，フィルタボックス１７０から放出された空気と合流し，床下空間ＣＲ２の下部に設けられた送風ファン１４０によって取り込まれ，ダウンフロー発生部ＣＲ３に送られること，
ダウンフロー発生部ＣＲ３に送られた空気は，当該ダウンフロー発生部ＣＲ３に設けられた温調ユニット１５０によって，ダウンフローとして再利用できるように，基板処理装置１１０の処理に適した温度に温調され，その後，温調された空気は，ダウンフロー発生部ＣＲ３中を上方に流れ，やがて，メインフィルタ１２０の上面に達し，当該メインフィルタ１２０を通過することによってパーティクルが除去されて，再びダウンフローを形成する，
基板処理システム。」
２　その他の引用文献について
（１）引用文献２について
　拒絶査定に引用された引用文献２（特開２００１−９３８２７号公報，平成１３年４月６日出願公開）には，図面とともに以下の記載がある。
「【００３９】図６はこのように構成された塗布現像処理システム１における清浄エアー供給系の構成を示す図である。
【００４０】図６に示すように，この塗布現像処理システム１の上部には清浄エアーをシステム内に導入するための供給口１２１〜１２４が設けられ，塗布現像処理システム１の下部には清浄エアーをシステム外に排気するための排出口１２５〜１２８が設けられている。例えば供給口１２１〜１２４や排出口１２５〜１２８は，それぞれ処理の種類に応じた領域に対応して設けられている。ここでは，供給口１２１及び排気口１２５は第１搬送装置５０に対応する位置，供給口１２２及び排気口１２６は第２の搬送装置６０に対応する位置，供給口１２３及び排気口１２７はレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０に対応する位置，供給口１２４及び排気口１２８は現像処理ユニット群３０に対応する位置に設けられている。
【００４１】供給口１２１〜１２４と排出口１２５〜１２８との間は，エアー循環用の配管１２９を介して接続され，配管１２９上には温調装置１３０が配置されている。また，各供給口１２１〜１２４にはファン・フィルタ・ユニット１３１〜１３４が配置され，各排出口１２５〜１２８には排気ファン１３５〜１３８が配置されている。排気ファン１３５〜１３８は制御部１３９によって排気量の制御が行われるようになっている。
【００４２】そして，供給口１２１〜１２４からシステム１内に供給された清浄エアーはシステム１内でダウンフローを形成し，排出口１２５〜１２８からシステム１外に排出され，配管１２９を通り温調及び清浄が行われ，再び供給口１２１〜１２４からシステム１内に供給されるようになっている。
【００４３】ここで，本実施形態では，第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４の両方が同時に下方向に移動するとき，制御部１３９の制御によって排気ファン１３５，１３６の排気量が多くなり，これにより清浄エアーのダウンフローが強まるようになっている。
【００４４】従って，本実施形態のシステム１では，第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４の両方が同時に下方向に移動した場合に生じる気流の乱れは，上記のように強められたダウンフローによって吸収される。よって，パーティクルがシステム１内で拡散することなく，排出口１２５，１２６から排出される。」
（２）引用文献３について
　拒絶査定に引用された引用文献３（特開平１１−２８８９９０号公報，平成１１年１０月１９日出願公開）には，図面とともに以下の記載がある。
「【００２４】図１は，本発明に係る半導体ウェハ製造ラインにおける，半導体ウェハ搬送システムの構成図である。
【００２５】半導体ウェハ製造ラインは，ウェハ（被処理基板）（ａ１１，ａ１２等），ウェハ（被処理基板）（ａ１１，ａ１２等）を収納するキャリア（ａ，ｂ等），ウェハの処理を行う製造装置（ＥＱ１，ＥＱ２），キャリア（ａ，ｂ等）を収納するストッカ（ＳＴＫ）から構成され，ストッカ（ＳＴＫ）と製造装置（ＥＱ１，ＥＱ２），および製造装置（ＥＱ１，ＥＱ２）間でライン内のキャリアを搬送するキャリア搬送装置（ＣＴＲ）を持ち，前記キャリア搬送装置（ＣＴＲ）とのキャリア（ａ，ｂ等）の受け渡しを行い，更に製造装置（ＥＱ１，ＥＱ２）とキャリア（ａ，ｂ等）内のウェハの受け渡しを行うウェハ移載装置（ＥＦＥＭ１，ＥＦＥＭ２）を持つ。」
（３）引用文献４について
　拒絶査定に引用された引用文献４（特開２００５−１４２１８５号公報，平成１７年６月２日出願公開）には，図面とともに以下の記載がある。
「【００７４】
　このようにフィルタ類を加熱しながらフィルタボックス５内を不活性ガスで置換することにより，フィルタ類に吸着していた水分のより多くが脱離して不活性ガス中に蒸発し，この水分を含んだ不活性ガスは不活性ガス排気経路Ｓ２を経て外部に排気される。フィルタボックス５内の雰囲気の水分濃度は，加熱初期においては殆ど飽和状態となっており，さらに加熱と不活性ガスによる置換を続けることにより急速に水分濃度を低下させることができる。この後に不活性ガスの置換を続けたままで，加熱装置１５を停止してフィルタ類やその雰囲気の温度を常温に戻すことにより，フィルタから脱離していた水分の量が減少し，さらに急激に周囲空間の水分濃度が低下する。また凝縮水がドレインタンク２５に溜まる場合には，フィルタ類や雰囲気の温度が常温に戻った時点で，ドレインタンク２５より上流の開閉バルブＶ１を閉じ，さらに下流の開閉バルブＶ２を開けることで外部にこの凝縮水を排出すればよい。これらの作業を行うことにより，フィルタボックス５内の水分濃度を数時間という短期間で数百〜数ｐｐｍレベルまで低下させることができる。」
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１（上記第４の１）と，引用発明（上記第５の１（２））とを対比すると，以下のとおりとなる。
　ア　「区画」とは，通常，「一定の土地・場所をしきること。しきり。境界。しきった土地。[株式会社岩波書店 広辞苑第六版]」を意味し，一定の場所をしきる程度の意味合いで用いられるものであるから，引用発明の「コータＳＣと熱処理部群１１１とに挟まれた基板搬送部Ｒ１」も「コータＳＣと熱処理部群１１１とに」よりしきられており，さらに，「基板搬送部Ｒ１」に設けられた「基板搬送装置ＴＲ」により基板を搬送するものであるので，引用発明の「基板搬送部Ｒ１」を備えた「基板処理装置１１０」と，本願発明１の「ＥＦＥＭ」とを対比すると，「内部でウェーハを搬送するための，外部から区画されたウェーハ搬送室をそれぞれ備え」た複数の「装置」である点で共通する。
　イ　引用発明の「フィルタボックス１７０」は，「基板処理装置１１０」の外部に設けられており，「空気中に含まれていたパーティクル」を除去する「ウルパフィルタ１７３」を備えているので，本願発明１の「ガス清浄装置」に相当する。
　ウ　本願発明１の「ガス供給ダクト」と，引用発明の「ダウンフロー発生部ＣＲ３」とを対比すると「ガス供給ダクト」という点で共通する。
　エ　引用発明においては，「基板搬送部Ｒ１に流入したダウンフローは，基板搬送装置ＴＲの移動に伴って発生したパーティクルとともに」「基板搬送部Ｒ１の下方に流出」し，「搬送ユニット用ダクト１１５に回収され」，「排気管１６０を介してフィルタボックス１７０に接続されており，排気管１６０は，２台の基板処理装置１１０のそれぞれからグレーチング１３０を貫通して床下空間ＣＲ２の底部近傍まで鉛直方向に配設され」，「相互に合流された後，フィルタボックス１７０に接続」するものであるので，引用発明の「搬送ユニット用ダクト１１５」及び「排気管１６０」は本願発明１の「ガス帰還路」に相当する。
　オ　引用発明においては「基板搬送部Ｒ１」へ流入したダウンフローは，「フィルタボックス１７０」を通って，「ダウンフロー発生部ＣＲ３」に送られ，ダウンフローとなり「基板搬送部Ｒ１」へと流入するものであるので，空気は「循環」しており，したがって，本願発明１と引用発明とは「ガスを循環させるものであ」る点で共通する。
　カ　上記アないしオより，本願発明１の「ＥＦＥＭシステム」と引用発明の「基板処理システム」とは「システム」である点で共通する。
　キ　したがって，本願発明１と，引用発明とは，下記クの点で一致し，下記ケの点で相違する。
　ク　一致点
「内部でウェーハを搬送するための，外部から区画されたウェーハ搬送室をそれぞれ備えた複数の装置と，
　当該装置の外部に設けられ，ガスの清浄化を行うためのダストフィルタを備えるガス清浄装置と，
　当該ガス清浄装置によって清浄化されたガスを供給するガス供給ダクトと，
　各ウェーハ搬送室から排出されるガスを前記ガス清浄装置へ帰還させるガス帰還路とを具備し，
　ガスを循環させるものであるシステム。」
　ケ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１においては，「内部でウェーハを搬送するための，外部から区画されたウェーハ搬送室をそれぞれ備えた複数のＥＦＥＭ」「とを具備した」「ＥＦＥＭシステム」であるのに対して，引用発明においては，複数の基板処理装置１１０を備えた基板処理システムであり，ＥＦＥＭシステムではない点。
（イ）相違点２
　本願発明１においては，「ガス供給ダクト」は「当該ガス清浄装置によって清浄化されたガスを分配し，各ＥＦＥＭのガス供給口に接続され前記ガス供給口に前記ガスを供給する」ものであり，「各ウェーハ搬送室から排出されるガスを前記ガス清浄装置へ帰還させるガス帰還路」とを具備することとあわさって，「前記ウェーハ搬送室と前記ガス清浄装置との間で，前記外部にガスを流出させることなくガスを循環させるもの」であるのに対して，引用発明においては，「ダウンフロー発生部ＣＲ３」は，ウェーハ搬送室とガス清浄装置との間で，ガスを循環させる流路の一部を構成するものではあるが，複数の基板処理装置１１０の上部に設けられたフィルタ１１３にダウンフロー発生部ＣＲ３が「接続」されることで「分配」されるものではなく，そのため，作業空間ＣＲ１や，床下空間ＣＲ２などの外部に空気を流出させてしまっており，したがって，「基板搬送部Ｒ１」と「フィルタボックス１７０」との間で，ガスを流出させることなく循環させるものではない点。
（ウ）相違点３
　本願発明１においては，「ガスは不活性ガスである」のに対して，引用発明においては空気である点。
（２）相違点についての判断
　ア　相違点２について
　事案に鑑みて，まず，相違点２（上記（１）ケ（イ））について検討をする。
（ア）引用発明は，「基板処理装置を配置したクリーンルーム内における基板処理システム」であって，基板処理装置外のクリーンルーム内に有害物質の放出を防止することを第一の目的としている（段落【０００１】，【００１３】，【００５１】）。
（イ）さらに，引用発明は，クリーンルーム内に空気を放出するという前提において，クリーンルームを維持するコストを低減することを第二の目的としている（段落【００１４】，【００５６】）。
　すなわち，引用発明は，「基板処理装置１１０の上部に設けられたフィルタ１１２を通過したダウンフローは，コータＳＣに流入し，アンモニアを含むダウンフローは排出管１１４から排出され，排出管１１４は，搬送ユニット用ダクト１１５とともに排気管１６０を介してフィルタボックス１７０に接続されていること」および「基板処理装置１１０の外部を通過したダウンフローは，そのままグレーチング１３０を通過し，床下空間ＣＲ２に流入し，そして，床下空間ＣＲ２に流入した空気は，フィルタボックス１７０から放出された空気と合流し，床下空間ＣＲ２の下部に設けられた送風ファン１４０によって取り込まれ，ダウンフロー発生部ＣＲ３に送られること」という構成を備えた発明である。
（ウ）ここで仮に，引用発明において，作業空間ＣＲ１や，床下空間ＣＲ２などの基板処理装置外部に空気を流出させることなく，「ウェーハ搬送室」と「ガス清浄装置」との間で外部にガスを流出させることなく循環させる相違点２に係る構成を採用した場合には，ウェーハ搬送室以外の，作業空間ＣＲ１や床下空間ＣＲ２およびコータＳＣ等の空気を清浄化することができなくなることから，上記（ア），（イ）で説示したような発明の前提を変更するものとなってしまい，そもそも引用文献１に記載された発明において上記態様だからこそ解決したい課題である，「処理部から発生した有害な物質を装置外部に放出することを防止できる」ことや，「クリーンルーム外部の排気ユーティリティーの負荷を軽減するとともに，小型の温調ユニットが使用可能」であることの技術的な意味がなくなってしまう。
（エ）そうすると，上記（ウ）のように，引用発明において，作業空間ＣＲ１や，床下空間ＣＲ２などの外部に空気を流出させることなく循環させる構成を採用することは，引用文献１に記載された発明におけるその達成したい目的を無意味にする設計変更であるので，引用文献１において当該構成を採用することに阻害要因があるといえる。
（オ）また，引用文献２ないし４の記載を検討しても，上記技術的事項が周知な設計変更とも認められない。
（カ）してみれば，引用発明において，本願発明１のように「前記ウェーハ搬送室と前記ガス清浄装置との間で，前記外部にガスを流出させることなくガスを循環させる」構成へと設計変更することには阻害要因があるといえ，引用発明において，上記相違点２の構成を備えることは当業者が容易になし得たこととはいえない。
　イ　そして，本願発明１は，上記相違点１ないし３に係る構成を備えることによって，本願の発明の詳細な説明に記載された，「本発明によれば，複数のＥＦＥＭを運用する場合に，搬送中のウェーハを，表面性状の変化やパーティクルの付着を生じさせる雰囲気に晒すことなく，ウェーハへのパーティクルの付着の抑制やウェーハ表面の性状の管理を適切に行うことを，単純な構造によって実現し，設置面積の削減やコストダウンを図ることができるＥＦＥＭシステムを提供することが可能となる。」（本願明細書，段落【００２３】）という顕著な効果を奏するものと認められる。
　ウ　したがって，相違点１，３についての検討をするまでもなく，本願発明１は，引用発明，引用文献２ないし４に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２ないし７について
　本願発明２ないし７はＥＦＥＭシステムの発明であって，本願発明１の発明特定事項を全て有するものであるので，本願発明２ないし７もまた，本願発明１と同じ理由により，引用発明，引用文献２ないし４に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　当審拒絶理由について
１　特許法第３６条第６項第２号（明確性）について
　当審では，当審拒絶理由においてこの出願は，特許請求の範囲の請求項７の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない旨の拒絶の理由を通知しているが，本件補正により，請求項７の誤記が補正された結果，この拒絶の理由は解消した。
第８　原査定についての判断
　原査定は，請求項１ないし３について上記引用文献１ないし３に基づいて，請求項４ないし８について上記引用文献１ないし４に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかしながら，本件補正後の請求項１ないし７はそれぞれ，上記第６の１（２），第６の２にて検討したように，引用文献１に記載された発明，引用文献２ないし４に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえないものであるので，本願発明１ないし７は，上記引用文献１ないし４に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであったとは認められない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第９　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。