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　特願２００１−　３０３５２「プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月１６日出願公開、特開２００２−２３１７０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年２月７日の出願であって、平成１５年９月５日付けで拒絶理由が通知され、平成１５年１０月３１日付けで手続補正書が提出され、平成１６年１月２０日付けで拒絶査定がなされた。その後、平成１６年２月２５日付けで審判請求書が提出され、当審において平成１８年１月２５日付けで拒絶理由が通知され、それに対して、平成１８年３月７日付けで手続補正書が提出された。
　したがって、請求項１，２に係る発明は、平成１８年３月７日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１，２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである（以下、「本願発明」という。）。
　基板を収容し、該基板をプラズマを用いて処理する処理室と、
　前記処理室内に設けられ、前記基板を下方から支える基板ホルダと、
　前記処理室に高周波を導入する高周波導入手段と、
　前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
　プロセスガスを前記処理室内に導入するプロセスガス導入手段と、
　アルゴンおよび他の希ガスを用いて前記基板を冷却する基板冷却手段とを備え、
　前記基板冷却手段は、前記基板ホルダ内に設けられ、前記アルゴンを供給する第１希ガス供給路と、他の希ガスを供給する第２希ガス供給路とを含み、
　前記アルゴンおよび前記他の希ガスの流量を前記基板の場所によって変化させるための手段をさらに備えた、プラズマ処理装置。
　
２．刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平７−３３５６３０号公報（以下「刊行物１」という。）及び特開平８−１１７９３号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１
（１ａ）「本発明は、被処理物の温度ならびに温度分布を制御することのできる真空処理装置に係り、特に、半導体製造装置において、プロセス中のウエハの温度制御するのに有用な真空処理装置に関する。」（【０００１】）
（１ｂ）「図９に半導体製造装置の代表例として、マイクロ波プラズマエッチング装置を示す。マイクロ波プラズマエッチング装置は、マグネトロンで発生させたマイクロ波によって、プラズマを励起し、プラズマのウエハに対する物理，化学作用によってエッチングを行う装置である。このようなプラズマエッチング装置では、処理中、ウエハは、プラズマによって加熱されるので、ウエハの温度を所望の温度に保つためには、ウエハを冷却する必要がある。ウエハを冷却するための第一の従来技術は、特公昭56−53853 号，特公昭57−44747 号公報に記載のように、冷却したステージにウエハを静電吸着して処理を行う方法がある。また、第二の従来技術は、特公平2−27778号，特開平2−30128号公報に記載のようにウエハをステージ上にクランプ等によって機械的に保持した状態で、ウエハとステージの間に冷却を促進するためのガスを導入して、ウエハの冷却を図る方法がある。さらに、第三の従来技術として、特開昭58−32410 号，特開昭60−115226号公報のように、ウエハを静電吸着した状態で、ウエハとステージの間にガスを導入して、ウエハの冷却を図る方法がある。
　・・・これらの方法において、ウエハの温度は、プラズマからの入熱とステージとウエハの間の熱通過率によって決まる。第一の従来技術では、この熱通過率が十分でないためウエハを十分に冷却できないという問題がある。第二，第三の従来技術では、ステージとウエハの間のガス圧力は、ウエハの外周付近で低くなるので、プラズマからの入熱がウエハの面内で均一であっても、ウエハには外周が高くなるような温度分布が生じる。」（【０００３】〜【０００４】）
 （１ｃ）「ウエハを収容し、ウエハをプラズマを用いて処置する真空チャンバと、真空チャンバ内に設けられウエハを下方から支えるステージと、真空チャンバ内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、真空チャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、エッチングガスを真空チャンバ内に導入するエッチングガス導入手段とを具備したプラズマ処理装置」（図９）　　
　
（２）刊行物２
（２ａ）「【請求項１】 基板裏面と該基板を保持するステージとの間に導入するガス系統を少なくとも２系統に分け，基板裏面の中央部に第１のガスを流し, 周辺部には該第１のガスより熱伝導率の大きい第２のガスを流して該基板を冷却することを特徴とする基板の冷却方法。」（【特許請求の範囲】）
（２ｂ）「本発明は半導体装置の製造プロセスにおいて，半導体基板を冷却する方法に関する。」（【０００１】）
（２ｃ）「従来のドライエッチング工程における，基板裏面のガス冷却では，基板裏面におけるガス圧力が中心部で大きく周辺部で小さいため，中心部の冷却効果が周辺部より大きくなり，基板の中心部の温度が周辺部より低くなる。」（【０００３】）
（２ｄ）「・・・エッチレートの面内分布を一様にする上で，基板の面内温度のばらつきが問題となる。」（【０００６】）
（２ｅ）「図２は本発明の実施例１の説明図である。図において， 1はステージ,  2は被冷却基板で半導体基板,  3は静電チャックである。
　・・・ガス導入部は, 中央部はステージ中心から20mmのところに90°間隔に４箇所，周辺部はステージ中心から50mmのところに90°間隔に４箇所設ける。半導体基板は 150mmφの大きさで，中心点をＡ点，中心から70mmのところをＢ点とする。
　・・・中心部には，熱伝導率の小さいArガスを 6.0 SCCM , 周辺部には熱伝導率の大きいHeガスを 1.0 SCCM 流す。流量制御はマスフローコントローラ (MFC:質量流量制御器) により行う。」（【００１２】〜【００１４】）
（２ｆ）「本発明によれば，基板裏面からガスを導入するガス冷却法において，基板温度の面内ばらつきを抑制できる。この結果，ドライエッチングにおけるエッチレート及びエッチ断面形状のばらつきを低減し，デバイスの微細化に寄与できる。」（【００２３】）
（２ｇ）「ステージ内に設けられ、アルゴンをステージの中心部に供給する供給路とヘリウムをステージの周辺部に供給する供給路とを含み、アルゴン及びヘリウムの流量を制御するマスフロコントローラを備えた基板冷却手段」（図２）
　
３．対比・判断
　刊行物１には、上記摘記事項（１ａ），（１ｂ），(１ｃ）より、 
 「ウエハを収容し、ウエハをプラズマを用いて処置する真空チャンバと、真空チャンバ内に設けられ、ウエハを下方から支えるステージと、真空チャンバ内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、真空チャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、エッチングガスを真空チャンバ内に導入するエッチングガス導入手段と、ウエハのステージの間に冷却を促進するためのガスを導入したウエハの冷却手段と、を具備したプラズマ処理装置」(以下、「引用発明」という。）が開示されている。 
 　ここで、本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「ウエハ」，「真空チャンバ」，「ステージ」，「マイクロ波」，「エッチングガス」は、本願発明１の「基板」，「処理室」，「基板ホルダ」，「高周波」，「プロセスガス」 に相当するので、両者は、
　基板を収容し、該基板をプラズマを用いて処理する処理室と、
　前記処理室内に設けられ、前記基板を下方から支える基板ホルダと、
　前記処理室に高周波を導入する高周波導入手段と、
　前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
　プロセスガスを前記処理室内に導入するプロセスガス導入手段と、
　前記基板を冷却する基板冷却手段とを備えた、プラズマ処理装置。
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点
　本願発明では、前記基板冷却手段は、前記基板ホルダ内に設けられ、アルゴンを供給する第１希ガス供給路と、他の希ガスを供給する第２希ガス供給路とを含み、前記アルゴンおよび前記他の希ガスの流量を前記基板の場所によって変化させるための手段をさらに備えているのに対して、引用発明では、基板冷却手段の具体的構成について明記されていない点
　
　以下、上記相違点について検討する。
　刊行物２には、主に、上記摘記事項（２ｅ）から
　ステージ内に設けられ、アルゴンをステージの中心部に供給する供給路とヘリウムをステージの周辺部に供給する供給路とを含み、アルゴン及びヘリウムの流量を制御するマスフロコントローラを備えた基板冷却手段
　が開示されている。
　ここで、当該基板冷却手段における「ステージ」、「ヘリウム」は、本願発明の「基板ホルダ」、「第２の希ガス」に対応し、また、当該基板冷却手段における「アルゴンをステージの中心部に供給する供給路とヘリウムをステージの周辺部に供給する供給路とを含み、アルゴン及びヘリウムの流量を制御するマスフロコントローラを備えた」構成は、アルゴン及びヘリウムの流量を制御するマスフロコントローラによって、基板の中心部と周辺部という「基板の場所によって」供給する「アルゴンと他の希ガスの流量」を「変化させるための手段」を備えた基板冷却手段の構成にほかならないので、当該基板冷却手段は、上記相違点における基板冷却手段の具体的構成に相当する。
　また、上記摘記事項（２ｃ），（２ｄ）には、プラズマエッチングの面内均一性を確保するために、基板冷却手段には、基板の場所による基板の面内温度を一様にすることの必要性が技術的課題として開示されている。
　そして、当該技術的課題は、プラズマエッチング処理装置という同一技術分野においては、当業者がエッチング特性の向上のために通常配慮すべき共通の技術的課題である。
　とすれば、引用発明の基板冷却手段において、上記技術的課題に配慮し、刊行物２に開示されている基板冷却手段の具体的構成を採用することは、当業者が容易に想到し得たものである。
　また、本願発明のエッチングの均一性が向上するという効果も、予測できる程度の効果に過ぎない。
　したがって、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。