Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年2月5日(2010.2.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明によれば、３個またはそれ以上のカチオン性残基をもつ７ないし２５量体細胞毒性ペプチドであって、任意に両極性α−ヘリックスを形成することができ、１個以上の非遺伝性の嵩高い及び／又は親油性アミノ酸を持つか、または公知のまたは天然の細胞毒性ペプチドの少なくとも４０％の配列同族体をもち更に１個またはそれ以上の嵩高い及び／又は親油性アミノ酸を有するペプチド、及びそのエステル、アミド、塩及び環状誘導体を提供する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明の好ましい実施態様によれば、３個またはそれ以上のカチオン性残基を有する７ないし２５量体細胞毒性ペプチドであって、任意に両極性α−ヘリックスを形成することができそして１個またはそれ以上の非遺伝性の嵩高い親油性アミノ酸を有するペプチド、及びそのエステル、アミド、塩及びその環状誘導体を提供する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
従って本発明の更なる態様は、３個又はそれ以上のカチオン性残基をもつ７ないし２５量体の細胞毒性ペプチドであって、これは任意に両極性のα−ヘリックスを形成することができ、そのN-末端は、５個、好ましくは６個以上の非水素原子からなる環状基によって変更されているペプチド、並びにそのエステル、アミド、塩及び環状誘導体を与えることである。そのような変更されたペプチドを薬剤的に許容される希釈剤または担体と共に含有する医薬組成物及びそのようなペプチドを治療方法、特に細菌感染を阻止または治療する方法または抗腫瘍剤として使用すること（良性及び悪性腫瘍、腹水の数及び大きさを減少させることまたは破壊すること及び転移の防止の両方）は本発明の更なる態様を構成する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
このように、本発明の更に別の態様は、３個またはそれ以上のカチオン残基を有し、任意に両極性のα-ヘリックスを形成することができ、そのC-末端基は少なくとも４個の非水素原子を含む有機基によって変更されている７ないし２５量体細胞毒性ペプチド、及びその塩、及び環状誘導体を与えることである。そのような変更されたペプチドを薬剤として許容されている希釈剤または担体と共に含む医薬組成物及びそのような治療方法に使用するためのペプチド、特に細菌感染の治療または阻止に使用すること、または抗腫瘍剤として（腹水であってもよい良性または悪性腫瘍の大きさまたは数の減少または破壊及び転移の防止の両方）の使用は本発明の更に別の態様を構成する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
このように本発明による更に別の態様では３個またはそれ以上のカチオン残基を有し、任意に両極性α-ヘリックスを形成することのできる７ないし２５量体細胞毒性ペプチドであって、公知のまたは天然の細胞毒性ペプチドをもつ配列同族体を少なくとも４０％有し、その上に１個以上の遺伝性の嵩高く親油性アミノ酸（例えばトリプトファン）を有する該ペプチド、並びにそのエステル、アミド、塩及び環状誘導体を提供する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年10月14日(2010.10.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本出願の図５Ａ、５Ｂ、７Ａ、および７Ｂを参照して当業者が容易に理解するであろうように、競合検出法は、通常、検出電極表面に過剰のレセプター部位があることに依存する。分析物と結合しないレセプターは競合分子と結合するのに利用されよう。レセプター部位の総数が一定のままであるとすると、結合競合分子の量は、存在する分析物の量と反比例するであろう。
分析物の濃度と結びついた化学的信号を測定可能な電気信号に変換するには、第二レセプターまたは競合分子と結合する荷電標識は以下の特性を有するあらゆる荷電標識であり得る。（ｉ）パートｄ）の電解液のｐＨで正味の荷電を保持し、（ii）この荷電の大きさが一定ｐＨでの電解液のイオン強度の変化に応じて変化する。
好ましい荷電標識は、高度に荷電されており、１静電単位（ｅ）より大きいパート（ｄ）の電解質のｐＨで正味の荷電を有する。適切な荷電標識には、金、フェロセン、およびラテックスミクロスフェアが含まれる。荷電標識の荷電の大きさは、工程（ｄ）および（ｅ）間のイオン強度のステップ変化が検出電極と参照電極間の検出可能な電位差の変化を生じるように検出電極上の電導性ポリマーコーティングの酸化還元組成に影響を与える。荷電標識は、レセプター／分析物／第二レセプター複合体（サンドイッチアッセイ）、またはレセプター／競合分子複合体（競合アッセイ）の形成において電導性ポリマーに極めて接近するのみである。すなわち、荷電標識を用いることにより、正しい定量結果を得ることができ、小さな非荷電の分析物を試験する能力に関して、試験可能な分析物の範囲がかなり広がる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年5月12日(2010.5.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
ゴムコンパウンド３（非ナノスケールの磁性充填剤ＭａｇｎｉＦ  １０を含有する比較ゴムコンパウンド）；８８℃までの加熱が観察されたのみであった。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
ゴムコンパウンド３（非ナノスケールの磁性充填剤ＭａｇｎｉＦ  １０を含有する比較ゴムコンパウンド）；７８℃までの加熱が観察されたのみであった。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
ゴムコンパウンド３（非ナノスケールの磁性充填剤ＭａｇｎｉＦ  １０を含有する比較ゴムコンパウンド）；７０℃までの加熱が観察されたのみであった。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の非磁性充填剤と、２５０ｎｍより小さい粒径を有する少なくとも１種のナノスケールの磁性充填剤とを含有し、ナノスケールの磁性充填剤は、ナノスケールの磁性金属酸化物ドメインを有する非磁性金属酸化物マトリックスのアグリゲートからなるゴムコンパウンド。
【請求項２】
ナノスケールの磁性金属酸化物ドメインが、磁鉄鉱および／またはマグヘマイトであることを特徴とする、請求項１記載のゴムコンパウンド。
【請求項３】
ナノスケールの磁性金属酸化物ドメインが、少なくとも２種類の金属と、金属成分の鉄、コバルト、ニッケル、スズ、亜鉛、マンガン、銅、バリウム、マグネシウム、リチウムまたはイットリウムとの混合された酸化物であることを特徴とする、請求項１記載のゴムコンパウンド。
【請求項４】
ナノスケールの磁性金属酸化物ドメインが、一般式ＭIIＦｅ2Ｏ4を有することを特徴とする、請求項３記載のゴムコンパウンド。
【請求項５】
金属酸化物マトリックスが、二酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化セリウム、二酸化チタン、酸化亜鉛または酸化ジルコニウムからなることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載のゴムコンパウンド。
【請求項６】
ゴムが、天然ゴム、ポリブタジエン、ポリイソプレン、フッ素ゴム、スチレン／ブタジエンコポリマー、イソブチレン／イソプレンコポリマー、ハロゲン化イソブチレン／イソプレンコポリマー、ブタジエン／アクリロニトリルコポリマー（ＮＢＲ）、部分的に水素化されたもしくは完全に水素化されたＮＢＲ（ＨＮＢＲ）、部分的に水素化されたもしくは完全に水素化されたカルボキシル化ＮＢＲ、エチレン／プロピレン／ジエンコポリマー、エチレン／プロピレンコポリマー、臭素化イソブチレン／パラメチルスチレンコポリマー、シリコーンゴム、及びこれらの混合物からなる群から選択されていることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載のゴムコンパウンド。
【請求項７】
非磁性充填剤が、二酸化ケイ素であり、オルガノシランおよび／またはカーボンブラックを一緒に含有することを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載のゴムコンパウンド。
【請求項８】
ナノスケールの磁性充填剤または非磁性充填剤の比率が、それぞれゴムコンパウンドの全量に対して、０．１〜８０質量％であることを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項記載のゴムコンパウンド。
【請求項９】
ゴム用添加剤を含有することを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載のゴムコンパウンド。
【請求項１０】
少なくとも１種の架橋剤および／または加硫促進剤の存在下に、請求項１から９までのいずれか１項記載のゴムコンパウンドを含有する加硫性混合物。
【請求項１１】
熱処理および／または
交番電界、磁界または電磁界の作用
により請求項１０記載の加硫性混合物から得られる成形体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月9日(2009.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質のリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウムの粉末の粒子1個につき１個以上の空隙を含む、非晶質のリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウムであって、該空隙が15〜130℃の範囲の温度で形成されたものである、前記非晶質のリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウム。
【請求項２】
１立方センチメートル当り1.95〜2.30グラムの嵩密度である、請求項１記載のリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウム。
【請求項３】
前記非晶質のリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウムの粉末の粒子1個につき１〜４個の空隙を含む、請求項１記載のリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウム。
【請求項４】
リン対アルミニウムのモル比が0.8を超える、請求項１記載のリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウム。
【請求項５】
前記リン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウムが乾燥粉末の形態であり、かつさらに、約20〜40ナノメートルの平均個別粒子半径である、請求項１記載のリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウム。
【請求項６】
塗料の構成又は塗布工程において不透明度又は白色度が向上する、請求項１記載のリン酸アルミニウムを含む塗料。
【請求項７】
前記リン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウムが塗料の成分である、請求項１記載のリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウム。
【請求項８】
前記リン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウムが、ワニス、印刷インク、又はプラスチックの成分である、請求項１記載のリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウム。
【請求項９】
前記空隙が、40〜130℃の範囲の温度で粒子乾燥中に形成されたものである、請求項１記載のリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウムの粉末。
【請求項１０】
前記リン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウムが粉末形態であり、かつ粉末中の粒子の少なくとも10％が乾燥時の合着に抵抗する、請求項１記載のリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウム。
【請求項１１】
前記リン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウムがスラリー形態である、請求項１記載の非晶質のリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウム。
【請求項１２】
前記リン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウムがスラリー形態であり、かつスラリー中の固体濃度が10〜55％である、請求項１記載の非晶質のリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウム。
【請求項１３】
130℃未満の温度で乾燥して10〜20重量％の水を含む粉末を生成する能力がある、請求項１記載のリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウムを含むスラリー。
【請求項１４】
リン酸を硫酸アルミニウム及びアルカリ溶液と接触させてリン酸アルミニウムをベースにした生成物を製造すること；及び任意に、リン酸アルミニウムをベースにした生成物を高温で仮焼することを含む方法から得ることのできるリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウムをベースにした顔料製品であって、該方法が有機酸を実質上含まず、かつ該リン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウムをベースにした顔料が、非晶質のリン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウムの粉末の粒子1個につき１個以上の空隙を含む非晶質の乾燥粉末であって、該空隙が15〜130℃の範囲の温度で形成されたものである、前記顔料製品。
【請求項１５】
リン酸、硫酸アルミニウム及びアルカリ溶液が、同時方式で一緒に添加される、請求項１３記載の顔料。
【請求項１６】
前記混合物が約4.0〜約4.5の範囲のｐＨを有する、請求項１３記載の顔料。
【請求項１７】
前記顔料がワニス、印刷インク又はプラスチック中の成分である、請求項１３記載の顔料。
【請求項１８】
前記顔料が塗料中の成分である、請求項１３記載の顔料。
【請求項１９】
前記顔料が、１立方センチメートル当り1.95〜2.30グラムの嵩密度を特徴とし、かつ乾燥リン酸アルミニウム又はポリリン酸アルミニウムの個別粒子の平均粒子半径が20〜40ナノメートルである、請求項１３記載の顔料。
【請求項２０】
リン酸供給源とアルミニウム供給源及びアルカリ溶液とを混合してスラリーを形成する工程；
該スラリーを分離させて固体成分物質を得る工程；及び
該固体成分物質を約130℃未満の温度に曝露し、該固体成分物質を乾燥して、該乾燥固体成分物質において粒子1個につき１個以上の空隙を形成する工程
を含む、非晶質のリン酸アルミニウム組成物の製造方法。
【請求項２１】
前記曝露する工程の間、温度が約15〜130℃の範囲である、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
塗料組成物から膜を形成し、該膜を乾燥させることによって、硬化塗膜を形成することをさらに含み、該乾燥膜が、結合ポリマーとリン酸アルミニウムとの網状化された配列を含む、請求項２０記載の方法。
【請求項２３】
リン酸と硫酸アルミニウム及び中和剤とを混合してスラリーを形成する工程；
該スラリーを処理して固体成分物質を単離させる工程；及び
該固体成分物質を乾燥して非晶質のリン酸アルミニウムの粉末を形成する工程
を含む、非晶質のリン酸アルミニウム組成物の製造方法。
【請求項２４】
乾燥する工程を、約15〜130℃の範囲の温度で行う、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
リン酸塩含有物質とアルミニウム含有物質とを中和剤の存在下で混合して、混合物を形成すること；及び
約130℃未満の温度で該混合物を乾燥すること、及び粒子1個につき１個以上の空隙を有する粉末を形成すること、
によって非晶質のリン酸アルミニウムの粉末を形成する工程：並びに
該粉末と結合ポリマーとを混合して、塗料組成物を形成する工程
を含む、塗料組成物の製造方法。
【請求項２６】
リン酸供給源とアルミニウム供給源とを中和剤の存在下で混合してスラリーを形成すること；
スラリーにおいて固体成分を分離すること、及び該固体成分を約130℃未満の温度で乾燥して粒子1個につき１個以上の空隙を有する非晶質のリン酸アルミニウムを形成すること；
該非晶質のリン酸アルミニウムと結合ポリマーとを混合して、塗料組成物を形成すること；並びに
該塗料組成物から膜を形成すること、及び該膜を乾燥させて硬化塗膜を形成すること
によって製造される硬化塗膜であって、
結合ポリマーとリン酸アルミニウムとの網状化された配列を含む、前記硬化塗膜。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年11月10日(2009.11.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項９】
センサデータからの合理性検査（２００）および／またはトリガ検査（１００）に対して、第１の積分値および／または第２の積分値および／または異なった持続時間のウィンドウ積分値および／または絶対値積分値および／または減速度および／または加速度の最大値および／または最小値を含んでいる特徴が抽出および／または計算される
請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
付加的に、センサデータからの合理性検査および／またはトリガ検査に対して、第１の積分値および／または第２の積分値および／または種々の持続時間のウィンドウ積分値および／または絶対値積分値および／または減速度および／または加速度の最大値および／または最小値を含んでいる特徴を抽出および／または計算することができる。これにより歩行者保護装置の所望しないトリガに対する保護を一段と改善することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月23日(2010.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
睡眠中肺胞低換気の患者に使用される人工呼吸器の適切な設定値を決定するための方法であって、
前記患者が起きており、前記患者の換気を行っている前記人工呼吸器がサーボ制御によって運転されておらず、気分を楽にさせるレベルにて前記患者が換気されている間の検査期間の少なくともある一部分において、前記患者の換気量を測定するステップと、
前記検査期間の平均換気量のある割合による目標換気量を設定するステップと、
人工呼吸器のコントローラーにより実行されるプログラムされたスケジュールに従って、前記目標換気量を前記患者が睡眠中換気されている間の一定時間にわたって設定した値から徐々に変更するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記目標換気量を一定時間にわたって変更する前記ステップは、前記換気量を第１レベルから第２レベルまで増加させ、その後、前記換気量が第２レベルに留まる、請求項１に記載の人工呼吸器の適切な設定値を決定するための方法。
【請求項３】
前記患者の睡眠中、前記目標換気量は、所定の初期保持時間の間第１レベルに保持され、その次に、第２レベルに至るまで一定比率で増加させ、その後は第２レベルに保持される、請求項２に記載の人工呼吸器の適切な設定値を決定するための方法。
【請求項４】
前記患者の睡眠中、前記目標換気量は、圧支持レベルが高すぎる場合、下げられた比率で増加される、請求項１に記載の人工呼吸器の適切な設定値を決定するための方法。
【請求項５】
睡眠中肺胞低換気の患者に使用される人工呼吸器の適切な設定値を決定するための方法であって、
人工呼吸器を用いて、患者の起きている時の換気量を確認するステップと、
初期目標換気量を、前記起きている時の換気量のある割合に設定するステップと、
最終目標換気量を、所望のＰＣＯ２値と前記患者の起きている時の換気量における前記ＰＣＯ２値との比に前記初期目標換気量をかけて得られる値に設定するステップと、
目標換気量圧上昇時間を、睡眠中の前記患者が換気されているときの前記ＰＣＯ２値の低下に好ましい量に応じた、ある値に設定するステップと、
を含む、方法。
【請求項６】
睡眠中肺胞低換気の患者を換気するためのものであり、
前記患者が起きており、前記患者がサーボ制御ではなく気分を楽にさせるレベルにて換気されている間の検査期間の少なくともある一部分において、前記患者の換気量を測定することによって、前もって決められた最適な前記換気量の設定値を用いる人工呼吸器であって、
前記検査期間の平均換気量のある割合による目標換気量を設定する手段と、
プログラムされたスケジュールに従って、前記目標換気量を前記患者が睡眠中換気されている間の一定時間にわたって設定した値から徐々に変更するコントローラーと、を備える人工呼吸器。
【請求項７】
前記目標換気量を一定時間にわたって変更する前記コントローラーは、前記換気量を第１レベルから第２レベルまで増加させ、その後、前記換気量が第２レベルに留まるようにコントロールする、請求項６に記載の人工呼吸器。
【請求項８】
前記患者の睡眠中、前記コントローラーは、前記目標換気量を、所定の初期保持時間の間第１レベルに保持し、その次に、第２レベルに至るまで一定比率で増加させ、その後は第２レベルに保持する、請求項７に記載の人工呼吸器。
【請求項９】
前記患者の睡眠中、前記コントローラーは、前記圧支持レベルが高すぎる場合、前記目標換気量を下げられた比率で増加させる、請求項６記載の人工呼吸器。
【請求項１０】
睡眠中肺胞低換気の患者を換気するためのものであり、
前記患者が起きている間の検査期間の少なくともある一部分において、前記患者の換気量を測定することによって、前もって決められた最適な前記換気量の設定値を用いる人工呼吸器であって、
初期目標換気量を、起きている時の前記換気量のある割合に設定する手段と、
最終目標換気量を、所望のＰＣＯ２値と前記患者の起きている時の換気量における前記ＰＣＯ２値との比に前記初期目標換気量をかけて得られる値に設定する手段と、
目標換気量圧上昇時間を、睡眠中の前記患者が換気されているときの前記ＰＣＯ２値の低下に好ましい量に応じた、ある値に設定する手段と、
前記設定値に従って、前記人工呼吸器の運転を制御する手段と、
を備える人工呼吸器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月13日(2010.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用者の視覚系を訓練するための方法であって、
（Ａ）一連の連続した画像であって、（１）少なくとも第１の連続した画像と第２の連続した画像、及び（２）少なくとも１つのターゲット構造または少なくとも１つのターゲット画像を備える、前記一連の連続した画像を前記使用者に提示する工程と、
（Ｂ）前記少なくとも１つのターゲット構造または少なくとも１つのターゲット画像を前記使用者が特定できたかどうかのフィードバック応答を前記使用者から受信する工程と、
（Ｃ）前記使用者の視覚の進歩とともに、前記第１の連続した画像の提示と前記第２の連続した画像の提示との間の時間間隔を短くする工程とを備える、使用者の視覚系を訓練するための方法。
【請求項２】
前記一連の連続した画像中の少なくとも１つの連続した画像を、残りの連続した画像に比べて短期間または長期間にわたって前記使用者に提示する工程を更に備える、請求項１の方法。
【請求項３】
前記一連の連続した画像は、少なくとも１つのターゲット画像と少なくとも１つのマスキング画像とを備える、請求項１の方法。
【請求項４】
前記一連の連続した画像は、少なくとも１つのターゲット構造と少なくとも１つの側面構造とを備える、請求項１の方法。
【請求項５】
前記ターゲット画像と前記マスキング画像とは強度が異なる、請求項３の方法。
【請求項６】
前記ターゲット構造と前記側面構造とは強度が異なる、請求項４の方法。
【請求項７】
前記少なくとも第１の連続した画像と第２の連続した画像には少なくとも１つの英数字文字が含まれる、請求項１の方法。
【請求項８】
前記提示は単一視野内である、請求項１の方法。
【請求項９】
使用者の視覚系の能力を訓練するための装置であって、
（ａ）演算部と、
（ｂ）前記演算部によって生成された一連の連続した画像であって、（１）少なくとも第１の連続した画像と第２の連続した画像、及び（２）少なくとも１つのターゲット構造または少なくとも１つのターゲット画像を備える、前記一連の連続した画像を提示するディスプレイと
を備え、前記演算部は、前記使用者の視覚系の能力の進歩とともに、前記第１の連続した画像の提示と前記第２の連続した画像の提示との間の時間間隔を短くするように構成されている、使用者の視覚系の能力を訓練するための装置。
【請求項１０】
前記演算部は、前記一連の連続した画像中の少なくとも１つの連続した画像を提示する時間を、残りの連続した画像に比べて短くまたは長くする、請求項９の装置。
【請求項１１】
前記一連の連続した画像は、少なくとも１つのターゲット画像と少なくとも１つのマスキング画像とを備える、請求項９の装置。
【請求項１２】
前記一連の連続した画像は、少なくとも１つのターゲット構造と少なくとも１つの側面構造とを備える、請求項９の装置。
【請求項１３】
前記ターゲット画像と前記マスキング画像とは強度が異なる、請求項１１の装置。
【請求項１４】
前記ターゲット構造と前記側面構造とは強度が異なる、請求項１２の装置。
【請求項１５】
前記提示は単一視野内である、請求項９の装置。
【請求項１６】
前記一連の連続した画像中において前記ターゲット画像またはターゲット構造を特定したことを前記使用者が信号で伝えられるように構成された入力手段を更に備える、請求項９の装置。
【請求項１７】
使用者の視覚系を訓練するためのシステムであって、
（ａ）演算部と、
（ｂ）前記演算部によって生成された一連の連続した画像であって、（１）少なくとも第１の連続した画像と第２の連続した画像、及び（２）少なくとも１つのターゲット構造または少なくとも１つのターゲット画像を備える、前記一連の連続した画像を提示するディスプレイと
を備え、前記演算部は、前記使用者の視覚系の進歩とともに、前記第１の連続した画像の提示と前記第２の連続した画像の提示との間の時間間隔を短くするように構成されている、使用者の視覚系の能力を訓練するためのシステム。
【請求項１８】
前記一連の連続した画像中において前記ターゲット画像またはターゲット構造を特定したことを前記使用者が信号で伝えられるように構成された入力手段を更に備える、請求項１７のシステム。
【請求項１９】
サーバを更に備える、請求項１７のシステム。
【請求項２０】
前記サーバは、
前記使用者の許可と、
装置への訓練プログラムのダウンロードと、
前記使用者の訓練進行状態のモニタと、
（１）少なくとも第１の連続した画像と第２の連続した画像及び（２）少なくとも１つのターゲット構造または少なくとも１つのターゲット画像を備える一連の連続した画像の生成と、
前記画像または構造の生成に用いられるパラメータの変更と、
からなるリストからの少なくとも１つの処理を実行する、請求項１９のシステム。
【請求項２１】
前記サーバが前記演算部を備える、請求項１９のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年10月22日(2009.10.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化粧品、デオドラント製品、医療製品若しくは薬品、プラスチック若しくはポリマー、衛生紙製品、食品、洗浄剤、発汗抑制製品、塗料及びラッカ、または、皮膚に対する刺激による反応、急性若しくは慢性の傷を処置するための製品に使用される、炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末であって、
該ガラス粉末のガラスが酸化物ベースの重量％で以下の成分：
２０〜８０重量％ＳｉＯ２
０〜４０重量％Ｎａ２Ｏ
０〜４０重量％Ｋ２Ｏ
０〜４０重量％Ｌｉ２Ｏ
０〜４０重量％ＣａＯ
０〜４０重量％ＭｇＯ
０〜４０重量％Ａｌ２Ｏ３
０      重量％Ｐ２Ｏ５
０〜４０重量％Ｂ２Ｏ３
０〜１０重量％ＺｎＯ
を有し、このとき、Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ＋Ｌｉ２Ｏ＋ＣａＯ＋ＭｇＯの合計が１５〜８０重量％の量とされ、該ガラス粉末のガラスにＡｇが含まれておらず、該ガラス粉末のガラスの粒子の大きさが平均で５０μｍ未満とされている、ガラス粉末。
【請求項２】
前記ガラス粉末のガラスの粒子の大きさが平均で２０μｍ未満である、請求項１に記載の炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末。
【請求項３】
Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ＋Ｌｉ２Ｏの合計が５〜５０重量％の量とされていることを特徴とする請求項１または２に記載の炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末。
【請求項４】
ＣａＯ＋ＭｇＯの合計が５〜５０重量％の量とされていることを特徴とする請求項１または２に記載の炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末。
【請求項５】
化粧品、デオドラント製品、医療製品若しくは薬品、プラスチック若しくはポリマー、衛生紙製品、食品、洗浄剤、発汗抑制製品、塗料及びラッカ、または、皮膚に対する刺激による反応、急性若しくは慢性の傷を処置するための製品に使用される、炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末であって、
該ガラス粉末のガラスが酸化物ベースの重量％で以下の成分：
６８〜７５重量％ＳｉＯ２
１０〜２０重量％Ｎａ２Ｏ
５〜１５重量％ＣａＯ
０〜１０重量％ＭｇＯ
０〜３重量％Ａｌ２Ｏ３
０      重量％Ｐ２Ｏ５
を有し、該ガラス粉末のガラスにＡｇが含まれておらず、該ガラス粉末のガラスの粒子の大きさが平均で５０μｍ未満とされている、ガラス粉末。
【請求項６】
前記ガラス粉末のガラスの粒子の大きさが平均で２０μｍ未満である、請求項５に記載の炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末。
【請求項７】
前記ガラス粉末のガラスは、ＸがＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａとなることができかつｙ＝１又はｙ＝２であるときに、０〜３０重量％のＸＦｙをさらに有していることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末。
【請求項８】
前記ガラス粉末のガラスは、ＸがＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａとなることができかつｙ＝１又はｙ＝２であるときに、０〜１０重量％のＸＩｙをさらに有していることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末。
【請求項９】
化粧品、デオドラント製品、医療製品若しくは薬品、プラスチック若しくはポリマー、衛生紙製品、食品、洗浄剤、発汗抑制製品、塗料及びラッカ、または、皮膚に対する刺激による反応、急性若しくは慢性の傷を処置するための製品に使用される、炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末であって、
該ガラス粉末のガラスが酸化物ベースの重量％で以下の成分：
２０〜８０重量％ＳｉＯ２
０〜３０重量％Ｎａ２Ｏ
０〜３０重量％Ｋ２Ｏ
０〜３０重量％ＣａＯ
０〜３０重量％ＭｇＯ
０〜３０重量％Ａｌ２Ｏ３
０      重量％Ｐ２Ｏ５
０〜４０重量％Ｂ２Ｏ３
を有し、該ガラス粉末のガラスにＡｇが含まれておらず、該ガラス粉末のガラスの粒子の大きさが平均で５０μｍ未満とされている、炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末。
【請求項１０】
前記ガラス粉末のガラスの粒子の大きさが平均で２０μｍ未満である、請求項９に記載の炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末。
【請求項１１】
前記ガラス粉末のガラスは、次の元素：Ｃｕ，Ｚｎ、のグループから選択された重金属イオンをさらに有していることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末。
【請求項１２】
前記ガラス粉末のガラスは、重金属を含まないことを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末。
【請求項１３】
前記ガラス粉末のガラスは、Ｃｕ，Ｚｎを含有していないことを特徴とする請求項１２に記載の炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末。
【請求項１４】
平均した前記ガラス粒子の大きさは１０μｍ未満とされていることを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末。
【請求項１５】
平均した前記ガラス粒子の大きさは５μｍ未満とされていることを特徴とする請求項１４に記載の炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末。
【請求項１６】
平均した前記ガラス粒子の大きさは１μｍ未満とされていることを特徴とする請求項１５に記載の炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末。
【請求項１７】
原材料からガラスを溶融し、
溶融したガラスをリボンへと加工し、
前記リボンをガラス粉末に粉砕し、このとき、粒子の大きさを平均で５０μｍ未満とする工程を有する請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末を製造する方法。
【請求項１８】
前記リボンをガラス粉末に粉砕する工程は、粒子の大きさを平均で２０μｍ未満とする工程を有する請求項１７に記載の炎症を抑えかつ傷を癒す効果のあるガラス粉末を製造する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明により、上記課題は、請求項１又は請求項５又は請求項９に記載の炎症を抑えかつ傷を癒す作用を持つガラス粉末により解決される。上記ガラス粉末のガラスは、２０〜８０重量％のＳｉＯ２，０〜４０重量％のＮａ２Ｏ，０〜４０重量％のＫ２Ｏ，０〜４０重量％Ｌｉ２Ｏ，０〜４０重量％のＣａＯ，０〜４０重量％のＭｇＯ，０〜４０重量％のＡｌ２Ｏ３，０〜１重量％のＰ２Ｏ５，０〜４０重量％のＢ２Ｏ３を含有できることが好ましい。上記ガラスは、０〜３０重量％のＸＦｙ，（ここで、ＸはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａとすることができ、ｙ＝１又はｙ＝２である）、および／または、０〜１０重量％のＸＩｙ（ここで、ＸはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａとすることができ、ｙ＝１又はｙ＝２である）も含有することができることが好ましい。Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ＋Ｌｉ２Ｏ＋ＣａＯ＋ＭｇＯの合計が１５〜８０重量％となることが好ましい。とりわけＮａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ＋Ｌｉ２Ｏの合計が５〜５０重量％となることが好ましい。これとは異なり、ＣａＯ＋ＭｇＯの合計が５〜５０重量％となるものでもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年1月18日(2010.1.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
（表２）抗原/ペプチドが由来する病原体の例
2005501532.tif 000001
2005501532.tif 000002
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
（表３）ウイルスの選択用抗原の例
2005501532.tif 000003
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
（表４）上記ウイルス/抗原に由来するB細胞およびT細胞のエピトープの例
2005501532.tif 000004
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年11月11日(2009.11.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５０〜４００ｍｇ／ｌメタミトロンを含む即使用可能な摘果製剤を、後期結果期に、植物器官に塗布することを特徴とする、果実作物の摘果方法。
【請求項２】
前記摘果製剤が、１００〜３７５ｍｇ／ｌメタミトロンを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
０．０５〜０．４ｋｇ／ｈａメタミトロンを、後期結果期に、植物器官に適用することを特徴とする、果実作物の摘果方法。
【請求項４】
前記果実作物が、仁果作物または核果作物である、請求項１、２、もしくは３に記載の方法。
【請求項５】
前記後期結果期が、８〜３０ｍｍの結果期である、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記即使用可能な摘果製剤が、
葉肥料、植物保護剤、および植物補強剤からなる群から選択される添加剤
を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
５０〜４００ｍｇ／ｌメタミトロンと、
葉肥料、植物保護剤、および植物補強剤からなる群から選択される添加剤と
を含む、即使用可能な摘果製剤。
【請求項８】
１００〜３７５ｍｇ／ｌメタミトロンを含む請求項７に記載の即使用可能な摘果製剤。
【請求項９】
前記添加剤として尿素を含む、請求項７もしくは８に記載の即使用可能な摘果製剤。
【請求項１０】
０．１〜５０ｇ／ｌギ酸カルシウムをさらに含む、請求項７もしくは８に記載の即使用可能な摘果製剤。
【請求項１１】
果樹園における、摘果のための請求項７から１０のいずれか一項に記載の摘果製剤の使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
Ｇｕｚｅｗｓｋｉの公開から数年後、驚くべきことに、５０〜４００ｍｇ／ｌのメタミトロンを含む即使用可能な（anwendungsfertiges）摘果製剤（例えば散布混合物）を植物器官、特に果実に塗布した場合、植物被害のない効率的な摘果（摘花ではなく）が生じ得ることが今回判明している。散布速度７００ｍｇ／ｌとは対照的に、減収量を伴う過度に多量の摘果も、葉のネクローシスも観察されていない。作物への被害は観察されず、またはほとんど識別されていない。したがって、この製剤は植物によって十分に許容される。さらに、本発明による方法は栽培物の隔年結果を防止する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明による方法は、新規で同様に本出願の主題である、１５０〜４００ｍｇ／ｌメタミトロンを含む即使用可能な摘果製剤を使用する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明による即使用可能な摘果製剤は、好ましくは１５０〜３７５ｍｇ／ｌ、非常に特に好ましくは２００〜３５０ｍｇ／ｌメタミトロンを含み、３５０ｍｇ／ｌのメタミトロン含有量がほとんどの目的で理想的と見なされる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年7月28日(2010.7.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明の実施態様によれば、触媒ペーストは、金属触媒及び高沸点の溶媒の他に、さらにポリマーＢ、好ましくは焼失温度が４００℃以下であるポリマー、特に好ましくは例えばポリブチルアクリレート−ポリメタクリレート共重合体（Polybutylacrylat-Poymethacrylat-Copolymerisat）が結合剤として添加される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
電極触媒層とは、ここでは、電極の特にガス透過性かつ導電性の固体の支持体上に設けられ、触媒表面でプロトンに対する燃料の陽極酸化又は酸素の陰極還元が行われる層を言う。この電極触媒層は少なくとも１つの金属触媒を有しており、この金属触媒が白金黒として純粋な形で又は白金担持カーボンとして希薄化された形で触媒ペースト内で使用される白金を含有していると好ましい。好ましいことに、この電極触媒層は他の成分を含んでいない。何故ならば、この優れた実施例によれば、加工のために触媒ペーストに添加されたスクリーン印刷媒体は、完成したすなわち被覆された電極の乾燥及び加熱によって除去されているからである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
加工のために、スクリーン印刷ペースト（作業工程に応じて、カーボンペースト又は触媒ペーストとも称される）には、スクリーン印刷媒体としてさらに少なくとも１つの高沸点の溶媒（例えば、エステル、ケトン及び／又はアルコール、特にグリコール酸ブチルエステル、シクロヘキサノン及び／又はテルピネオール）が添加される。スクリーン印刷媒体として高沸点の溶媒だけが添加されるのではなく、さらに結合剤としてポリマーＢ（例えば、ポリブチルアクリレート−ポリメチルアクリレート共重合体、ポリビニルアルコール及び／又はポリエチレンオキシド）が添加されると好ましい。このポリマーＢが特に焼失温度が４００℃以下であるか、又は燃料電池運転を妨げない残留物のみを残すのならば好ましい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年11月26日(2009.11.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の層および第２の成形可能な層の、少なくとも２層の層を含んでなる層状製品の製造方法であって、第１の層の材料が連続的に供給され、成形可能な材料が供給され、上記第１の層の材料および上記成形可能な材料が成形用キャビティ中で組み合わせられる製造方法であり、エンドレスループに配置されている成形用キャビティを用意すること、並びに、上記成形用キャビティの上にあり、かつ／または上記成形用キャビティと接触している上記第１の層の上に上記成形可能な材料を配置することによって上記成形可能な材料および上記第１の層を組み合わせることを特徴とする製造方法。
【請求項２】  上記成形可能な材料を、厚みを変化させながら、連続的なコーティングとして、上記第１の層の上に提供することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  上記第１の層を上記成形用キャビティと接触させる際に、上記第１の層と上記成形用キャビティの壁との間に減圧を作る、請求項１または２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】  上記成形用キャビティの壁を、上記第１の層の材料を緩和させる温度に加熱する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】  上記成形用キャビティの壁を、上記成形可能な材料を可塑化状態に保つ温度に加熱する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】  第３の構成要素を、剥離ライナーといっしょに上記成形可能な材料と上記第１の層との積層物と組み合わせることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】  第１の層および第２の成形可能な接着材料層の、少なくとも２層の層を含んでなる手当て用品の製造方法であって、第１の層の材料が連続的に供給され、成形可能な接着材料が供給され、上記第１の層の材料および上記成形可能な接着材料が成形用キャビティ中で組み合わせられ、成形される製造方法であり、エンドレスループに配置されている成形用キャビティを用意すること、上記成形用キャビティの上にあり、かつ／または上記成形用キャビティと接触している上記第１の層の上に上記成形可能な接着材料を配置することによって上記成形可能な接着材料および上記第１の層の材料を組み合わせること、上記接着材料の上に剥離ライナーを積層すること、並びに、上記過程と同時または上記過程の後に、少なくとも上記第１の層または上記剥離ライナーと上記接着材料層とを輪郭付けし、個々の輪郭付けされた手当て用品とすること、上記成形用キャビティから上記手当て用品を取り出すことを特徴とする製造方法。
【請求項８】  上記手当て用品を個々の手当て用品に分離することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  上記手当て用品を包装することをさらに含む、請求項７または８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】  第３の構成要素を、剥離ライナーといっしょに上記接着材料と第１の層との積層物と組み合わせることを特徴とする、請求項７〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】  上記第３の構成要素を、上記成形用キャビティの各々の間隔あたりに１つまたはそれ以上のユニットに対応する間隔で上記剥離ライナー上に配置されている別個のユニットの形で提供し、前記ユニットを、上記組み合わせの際に上記接着材料層中にプレスすることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  上記第３の構成要素が、上記接着材料層中にプレスされるべき表面に頂部フィルムを有する積層物であり、前記第３の構成要素が、２種またはそれ以上の材料またはウェブを含んでなることを特徴とする、請求項１０または１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】  前記第３の構成要素が、接着材料、計量された量の発泡体材料もしくは吸収発泡体材料、または繊維状および／もしくは非繊維状の多孔質材料から選択される２種またはそれ以上の材料またはウェブを含んでなることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年1月26日(2010.1.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）単結晶シリコン基板の温度を、４００〜５００℃の第１の所定の温度（Ｔ1)に安定させる工程と、
（ｂ）前記基板上に、所望の最終的な厚さ未満の所定の厚さのゲルマニウムベース層が得られるまで、前記第１の所定の温度（Ｔ1)で、ゲルマニウムの化学気相成長（ＣＶＤ）を行う工程と、
（ｃ）前記ゲルマニウムのＣＶＤの温度を、前記第１の所定の温度（Ｔ1)から７５０〜８００℃の第２の所定の温度（Ｔ2)に上昇させる工程と、
（ｄ）前記所望の最終的な厚さの前記単結晶ゲルマニウム層が得られるまで、前記第２の所定の温度（Ｔ2)で前記ゲルマニウムのＣＶＤを継続する工程とを含むことを特徴とする単結晶シリコン基板上に単結晶ゲルマニウム層を形成する方法。
【請求項２】
（ａ）単結晶シリコン基板の温度を、４００〜５００℃の第１の所定の温度（Ｔ1)に安定させる工程と、
（ｂ）前記基板上に、所望の最終的な厚さ未満の所定の厚さのゲルマニウムベース層が得られるまで、前記第１の所定の温度（Ｔ1)で、ゲルマニウムの化学気相成長（ＣＶＤ）を行う工程と、
（ｃ）前記ゲルマニウムのＣＶＤの温度を、前記第１の所定の温度（Ｔ1)から７５０〜８５０℃の第２の所定の温度（Ｔ2)に上昇させる工程と、
（ｃ1)前記ゲルマニウムのＣＶＤを停止し、その温度を前記第２の所定の温度（Ｔ2)から５００〜６００℃の第３の所定の温度（Ｔ3 まで下げる工程と、
（ｃ2)所定の厚さのＳｉ1-X ＧｅX 合金（Ｘ≧０．９）の中間層が得られるまで、前記第３の所定の温度でＳｉ1-X ＧｅX 合金のＣＶＤを行う工程と、
（ｃ3)前記第３の所定の温度（Ｔ3)で前記Ｓｉ1-X ＧｅX 合金のＣＶＤから純粋なゲルマニウムのＣＶＤに移行する工程と、
（ｃ4)前記ゲルマニウムベース層と、前記Ｓｉ1-X ＧｅX 合金の中間層およびゲルマニウム上層を有する、厚さが所望の最終的な厚さ未満の多層スタックを得るために前記第３の所定の温度（Ｔ3)で前記純粋なゲルマニウムのＣＶＤを継続する工程と、
（ｃ5)前記純粋なゲルマニウムのＣＶＤの温度を、前記第３の所定の温度（Ｔ3)から７５０〜８００℃の第４の所定の温度（Ｔ4）に上昇させる工程と、
（ｄ）前記所望の最終的な厚さの前記単結晶ゲルマニウム層が得られるまで、前記第４の所定の温度（Ｔ4)でＣＶＤを継続する工程とを含むことを特徴とする単結晶シリコン基板上に単結晶ゲルマニウム層を形成する方法。
【請求項３】
前記第３の所定の温度（Ｔ3)が、５４０〜５６０℃の温度範囲から選ばれることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第４の所定の温度（Ｔ4)が、８００〜８５０℃の温度範囲から選ばれることを特徴とする請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｓｉ1-X ＧｅX 合金（Ｘ≧０．９）の中間層が、５〜１０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記Ｓｉ1-X ＧｅX 合金のＣＶＤが、ＧｅＨ4 およびＳｉＨ4 を含む前駆体ガスの混合物を用いて実施させることを特徴とする請求項２ないし５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記第２の所定の温度（Ｔ2)が、８００〜８５０℃の温度範囲から選択されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記第１の所定の温度（Ｔ1)が、４３０〜４６０℃の温度範囲から選択されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記ゲルマニウムのＣＶＤに前駆体ガスとしてＧｅＨ4 を用いることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記（ａ）ないし（ｄ）の工程全てを水素の存在下で実施することを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記の工程を全て大気圧下で実施することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記工程（ａ）の前に、５００〜６００℃の範囲の温度でシリコン含浸層のＣＶＤを行う工程を含むことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記シリコン含浸層が、１〜５ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記シリコン含浸層のＣＶＤを大気圧下で実施することを特徴とする請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記純粋な単結晶ゲルマニウム層を化学機械研磨する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
枚葉式の反応装置で実施することを特徴とする請求項１ないし１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
（ｅ）前記工程（ｄ）で得られた前記ゲルマニウム層を安定化するためのアニール工程を含む請求項１ないし１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記アニール工程を６５０℃以上９００℃未満の温度で実施することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記アニール工程を少なくとも１０分間継続することを特徴とする請求項１７または１８に記載の方法。
【請求項２０】
さらに、周期表のIII族からＶ族の元素またはそれらの化合物をエピタキシャル再成長させる工程を含むことを特徴とする請求項１７ないし１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
前記エピタキシャル再成長元素または化合物が、ＧｅまたはＧａＡｓであることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記エピタキシャル再成長層を化学機械研磨する工程を含むことを特徴とする請求項２０または２１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
上記方法は、それ故、シリコン上に、非常に高品質で、かつ周期表のIII族〜Ｖ族の元素ならびにＧａＡｓのようなこれらの元素の化合物のヘテロエピタキシー(III−Ｖヘテロエピタキシー）によってさらなる堆積が可能な単結晶構造のゲルマニウム層を得ることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
しかし、得られたＧｅ層は、わずかにひずんでおり（格子パラメータがバルクＧｅよりもわずかに小さい）、その後のヘテロエピタキシー層の堆積、例えばＧｅ上でのＧａＡｓの堆積に有害である可能性がある。Ｇｅ層は、このひずみをその後の温度上昇で緩和できるが、これは、表面を再び粗くするという残念な影響をもたらし、それゆえ、例えば、欠陥の発生により、その後のIII−Ｖへテロエピタキシー堆積を阻害する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
例えば、オゾン化水浴、希釈ＨＦ浴およびＩＰＡ存在下での乾燥を用いてウェハを洗浄した後、ヘテロエピタキシー層、例えばＧｅまたはＧａＡｓを堆積させてもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年7月22日(2010.7.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
式中、式ＩＶａの化合物の置換基は製造される式Ｉａの化合物と同様である（二量体化合物の製造の場合、−Ｔ−Ｒ’−Ｔ−によってＣ８を介して連結されたモノマーは式ＩＶａの両方である。同様のコメントは二量体合成の他の中間体にも当てはまる。）。好ましい酸化方法はスワン（Swern）酸化である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
「保護アルデヒド」−ＣＰＱは、アセタールまたはチオアセタール（例：Ｐ＝Ｑ＝ＳＥｔまたはＯＭｅ）であることができ、それらは環状であって良く、その場合環化には脱保護が関与する。別法として、保護アルデヒドはアルコール、−ＣＨＯＨなどのアルデヒド前駆体であることができ、その場合反応には、例えばＴＰＡＰまたはＤＭＳＯによる酸化（スワン酸化）が関与する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８７】
アルコール（ＩＶａ）（プロ−１０−窒素がアミドカーバメートとして保護されている）のＡ４シーブス上での過ルテニウム酸テトラプロピルアンモニウム（ＴＰＡＰ）／Ｎ−メチルモルホリンＮ−オキサイド（ＮＭＯ）への曝露によって、自然Ｂ環閉環を伴う酸化が生じて所望の生成物が得られる。このＴＰＡＰ／ＮＭＯ酸化法は、少量反応において特に簡便であることが認められており、ＤＭＳＯに基づく酸化法、特にスワン酸化の使用は比較的大量の作業に優れていることがわかっている（例：＞１ｇ）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月14日(2010.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  式Ｉ
2004509890.tif 000001
（式中、Ｒ2またはＲ3は同一または異なり、そして水素、Ｃ１−１５アルキル、Ｃ１−１５アルケニル、Ｃ１−１５アルキニル、Ｃ１−１５アルコキシ、Ｃ１−１５アルキルアミノ、アリール、Ｃ６−１５アリールアルキル、Ｃ１−１５アルキルカルボキシ、Ｃ２−１５アルキルアルキルカルボキシレート、Ｃ１−１５アルキルチオ、Ｃ１−１５アルキルヒドロキシの群から選ばれ、ここで該基は場合によってハロゲンにより置換されていることができる。）
を有する化合物、または２−ヒドロキシメチル−３，３−ジヒドロキシ−１−アザビシクロ［２，２，２］オクタンを含む癌の治療用薬剤。
【請求項２】  前記化合物が、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−アザビシクロ［２，２，２］オクタン−３−オン、９−［２−（１−アザビシクロ［２，２，２］３−オキソオクチル）］−メチル−６−クロロ−９Ｈ−プリンまたは２−ヒドロキシメチル−３，３−ジヒドロキシ−１−アザビシクロ［２，２，２］オクタンである、請求項１記載の薬剤。
【請求項３】  製剤上許容できるエンハンサーキャリアー、希釈剤および／または賦形剤も一緒に含む請求項１または２に記載の薬剤。