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　平成１１年特許願第　７５７４３号「半導体レーザ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　９月２９日出願公開、特開２０００−２６９５８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年３月１９日に出願された特許出願であって、原審において、平成１４年１０月１７日付で拒絶理由が通知され、同年１２月１２日に手続補正がなされ、次いで、平成１５年４月２２日付で最後の拒絶理由が通知され、同年６月２５日に手続補正がなされたところ、同年１１月２０日付で当該手続補正が却下されるとともに拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年１月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同年２月４日に手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１６年２月４日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１６年２月４日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正は、平成１４年１２月１２日付の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１である
「【請求項１】　半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子の前方出力光の出斜面と対向する入射面を有しており出射された前方出力光を伝送する光ファイバと、前記半導体レーザ素子の後方出力光の出射面と異なる角度の入射面を有しており出射された後方出力光をモニタするモニタフォトダイオード素子とをシリコン基板上に実装し、
　前記半導体レーザ素子と前記光ファイバと前記モニタフォトダイオード素子とを透明樹脂で被覆して成る半導体レーザ装置であって、
　前記半導体レーザ素子の後方出力光の一部を、前記透明樹脂と空気との界面で前記モニタフォトダイオード素子の入射面に向けて反射するように、
前記透明樹脂の屈折率を空気の屈折率以上前記光ファイバの屈折率以下とすること
を、
「【請求項１】　半導体レーザ素子と、
　前記半導体レーザ素子の前方出力光の出
射
　前記半導体レーザ素子と実装位置に段差が設けられ、前記半導体レーザ素子の後方出力光の出射面と直交する入射面を有し、出射された後方出力光をモニタする表面入射型モニタフォトダイオード素子と
をシリコン基板上に実装し、
　前記半導体レーザ素子と前記光ファイバと前記モニタフォトダイオード素子とを透明樹脂で被覆して、
　前記半導体レーザ素子の後方出力光の一部を、前記透明樹脂と空気との界面で前記モニタフォトダイオード素子の入射面に向けて反射するように
構成して成る
と補正することを含むものである。
　　
（２）特許法１７条の２第４項違反について
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「
前記透明樹脂の屈折率を空気の屈折率以上前記光ファイバの屈折率以下とすること
　そこで、上記削除を含む本件補正が特許法１７条の２第４項に規定する要件を満たしているかについて検討するに、特許法１７条の２第１項第４号の規定により拒絶査定に対する審判請求のときに特許請求の範囲についてする補正は、同条第４項第１〜４号の規定に掲げる事項を目的にするものに限られるところ、特許請求の範囲に記載した発明を特定するために必要な事項を削除する上記補正が、その何れにも該当しないことは明らかであるから、本件補正は特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。
　
　なお、請求人は、上記発明を特定するために必要な事項を削除する補正に関し、平成１６年３月２６日付手続補正（方式）で、
「（ｆ）平成１４年１２月１２日付けの手続き補正書では、ここの部分が『前記半導体レーザ素子の後方出力光の一部を、前記透明樹脂と空気との界面で前記モニタフォトダイオード素子の入射面に向けて反射するように、前記透明樹脂の屈折率を空気の屈折率以上前記光ファイバの屈折率以下とする』と記載されていた。この文言の内『前記透明樹脂の屈折率を空気の屈折率以上前記光ファイバの屈折率以下とする』という文言を削除する補正を行った。
この補正は、平成１５年４月２２日付け（起案日）の拒絶理由通知書に付記された指摘に基づいて行ったものである
と、主張しているのでこれについて念のため検討しておく。
　平成１５年４月２２日付拒絶理由には、以下のような「付記」がある。
「付記：
　請求項１には、『半導体レーザ素子の後方出力光の一部を、前記透明樹脂と空気との界面で前記モニタフォトダイオード素子の入射面に向けて反射するように、前記透明樹脂の屈折率を空気の屈折率以上前記光ファイバの屈折率以下とすることを特徴とする』と記載されているが、モニタフォトダイオード素子への反射に対して、透明樹脂の屈折率が光ファイバの屈折率以下である必要はないものと考えられる。また、樹脂において、空気よりも屈折率の小さい樹脂は（その存在も一般に知られていないと思われるが）通常用いられることはなく、例えば一般に用いられるシリコン樹脂やエポキシ樹脂は、当然に空気よりも屈折率は大きいものと認められる。
　また、本願発明において光ファイバのどの部分の屈折率と比較しているかが明確ではないが、その趣旨から、光ファイバのコアよりは低いのであると認められる。そして、本願発明において実施例でシリコン樹脂を用いているが、例えば前回拒絶理由通知で引用した文献１、３、４は、用いる樹脂としてシリコン樹脂が記載されている。また、シリコン樹脂は、光ファイバのコアよりも屈折率が低いので、光ファイバ周辺に慣用されている。」
　上記「付記」によれば、平成１６年２月４日付手続補正で削除された事項に関し、審査官が技術的な見解を述べていることは認められるものの、係る技術的見解が当該事項を削除すべきとの積極的な示唆を与える内容であるとまではいえず、結局、当該事項の削除は専ら請求人の自由な意思によるものと解するのが相当であるから、請求人の上記主張は採用し得ないものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、平成１６年２月４日付手続補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１６年２月４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１４年１２月１２日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子の前方出力光の出斜面と対向する入射面を有しており出射された前方出力光を伝送する光ファイバと、前記半導体レーザ素子の後方出力光の出射面と異なる角度の入射面を有しており出射された後方出力光をモニタするモニタフォトダイオード素子とをシリコン基板上に実装し、
　前記半導体レーザ素子と前記光ファイバと前記モニタフォトダイオード素子とを透明樹脂で被覆して成る半導体レーザ装置であって、
　前記半導体レーザ素子の後方出力光の一部を、前記透明樹脂と空気との界面で前記モニタフォトダイオード素子の入射面に向けて反射するように、前記透明樹脂の屈折率を空気の屈折率以上前記光ファイバの屈折率以下とすることを特徴とする半導体レーザ装置。」
　
（２）平成１５年４月２２日付の拒絶理由
　本願発明に対し、平成１５年４月２２日付で以下のような拒絶理由が通知されている。
「理　由
　平成１４年１２月１２日付けでした手続補正は、下記の点で願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　本願の請求項１には、「半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子の前方出力光の出斜面と対向する入射面を有しており出射された前方出力光を伝送する光ファイバと、前記半導体レーザ素子の後方出力光の出射面と異なる角度の入射面を有しており出射された後方出力光をモニタするモニタフォトダイオード素子とをシリコン基板上に実装し、前記半導体レーザ素子と前記光ファイバと前記モニタフォトダイオード素子とを透明樹脂で被覆して成る半導体レーザ装置であって、前記半導体レーザ素子の後方出力光の一部を、前記透明樹脂と空気との界面で前記モニタフォトダイオード素子の入射面に向けて反射するように、前記透明樹脂の屈折率を空気の屈折率以上前記光ファイバの屈折率以下とすることを特徴とする半導体レーザ装置」が記載されている。
　出願人は、補正の根拠として「本願明細書の段落番号[００２８]〜[００３４]等および本願図１に基づいて変更したものである」としているので、その点を検討する。
　段落２８−３４には、前記「半導体レーザ素子の後方出力光の出射面と異なる角度の入射面を有しており出射された後方出力光をモニタするモニタフォトダイオード素子」という記載はない。そして、段落２８−３４に記載された実施例においては、その図面上たしかに「半導体レーザ素子の後方出力光の出射面と異なる角度の入射面を有しており出射された後方出力光をモニタするモニタフォトダイオード素子」が記載されているものの、段落２８−３４に記載された発明は、明らかに「半導体レーザ素子とモニタＰＤとの実装位置に段差をつけた」発明であって、角度を異ならせたモニタＰＤ一般が開示されているものではない（例えば実装位置に段差が無く、平坦面に設けられていて、モニタＰＤの入射面が傾斜しているモニタＰＤ素子は記載されていない）。
　してみると、前記「半導体レーザ素子の後方出力光の出射面と異なる角度の入射面を有しており出射された後方出力光をモニタするモニタフォトダイオード素子」は、出願当初明細書又は図面に記載された事項から直接的且つ一義的に導かれる事項ではない。」
　　
　これに対し、請求人は、係る拒絶理由を解消すべく平成１５年６月２５日付で手続補正をなしたが、当該補正は同年１１月２０日付で却下された（「１．手続の経緯」参照）。
　したがって、本願発明は、上記拒絶理由のとおり、依然として特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないものである。
　　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲外の技術事項を含むものであり、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないので、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。