【事件の表示】
　特願２０１４−５５２２９５「基板を処理する方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　７月１８日国際公開、ＷＯ２０１３／１０６５５２、平成２７年　４月　２日国内公表、特表２０１５−５１０２６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２５年（２０１３年）１月１０日を国際出願日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１２年１月１３日（以下，「本願優先日」という。），米国及び２０１３年１月９日，米国）とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２８年１１月１０日付け　拒絶理由通知
平成２９年　２月　９日　　　意見書・手続補正
平成２９年　３月３１日付け　拒絶理由通知
平成２９年　７月　７日　　　意見書・手続補正
平成２９年　９月２９日付け　補正却下決定・拒絶査定
平成３０年　２月１３日　　　審判請求・手続補正
平成３０年１０月３０日付け　拒絶理由通知（以下，その理由を「当審拒絶理由」という。）
　そして，当審拒絶理由を通知し，期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが，請求人からは何らの応答もない。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，審判請求と同時に補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項で特定される次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　処理チャンバ内に配置された基板を処理する方法であって，
　基板を支持するように構成された基板支持リングと前記基板の裏側の最も近くに配置された反射板とを有する処理チャンバ内に配置された前記基板に対して処理を実行するステップと，
　前記基板に対して前記処理を実行している間，酸素を含むガスまたは窒素を含むガスのうちの一方のガスを含む第１のガスを，前記反射板内に配置された１つまたは複数の貫通穴を通して前記基板の裏側に供給するステップと，
　前記処理チャンバにおいて，前記基板の表側の最も近くを第１の圧力に維持するとともに，前記基板の裏側の最も近くを第２の圧力に維持するステップであって，処理中に前記基板支持リングから前記基板が外れることがないように，前記第１の圧力及び前記第２の圧力を制御するステップと，
　前記第１のガスからプラズマを形成するステップと，
　前記基板の裏側を前記プラズマによって形成された励起種にさらすことによって，前記基板の裏側にキャッピング層を形成するステップと
を含み，
　前記第２の圧力が前記第１の圧力よりも２トル以上は大きくならないように制御し，
　さらに，
　前記第２の圧力が前記第１の圧力よりも２トル以上は大きくならないという条件を満たすべく，前記１つまたは複数の貫通穴のうちの１つまたは複数の貫通穴に真空を与えて，前記基板の裏側から離れる前記第１のガスの流れを生み出すステップを含む，方法。」
　
第３　当審拒絶理由
　当審拒絶理由は，本願発明は，本願優先日前日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，本願優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２００１−１０２３２１号公報
２．特開平０８−２５５８００号公報
３．特開平０８−３３３６８１号公報
４．特開２００２−０３３３１４号公報
　
第４　引用文献及び引用発明
１　引用文献１の記載
（１）引用文献１
　当審拒絶理由で引用された引用文献１には，図面とともに次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体ウェハ（基板）の加熱を行う半導体製造装置における
基板加熱方法
「【００１４】例えば，
改質層形成用ガスとしてＯ
2
ガスを使用し，改質層として酸化膜を形成する。この場合，基板の裏面には，ＳｉＯの昇華を防ぐことが可能な酸化膜であるＳｉＯ
2
が形成される。
【００１５】また，改質層形成用ガスとしてＮＨ3ガス，ＮＯガス，Ｎ2Ｏガスのいずれを使用し，改質層として窒化膜または酸窒化膜を形成してもよい。例えば，改質層形成用ガスとしてＮＨ3ガスを使用した場合には，基板の裏面にはＳｉ3Ｎ4が形成される。また，好ましくは，第２のガスとして，改質層形成用ガスと第１のガスとを含むガスを使用する。これにより，使用するガスが必要最小限で済み，低コスト化が図れる。」
「【００３１】図１は，本発明に係る半導体製造装置として熱処理装置の一部断面を示す斜視図であり，図２は，その熱処理装置の部分拡大断面図である。同図において，
熱処理装置１は，
処理チャンバ２を備えている。
【００３２】この
処理チャンバ２内には，ウェハＷを支持する基板支持部材３が設置されている。
リングフレーム６の内側縁部には，ウェハＷのエッジ部が支持される支持用段部６ａが形成されている。ここで，ウェハＷが基板支持部材３に支持された状態（図２）では，ウェハＷの裏面側に，ベース部２ａと基板支持部材３とウェハＷとで囲まれた閉空間（以下，ウェハ裏面側閉空間という）Ｓａが形成される。
【００３３】ベース部２ａの下部には，搬送ロボット（図示せず）により処理チャンバ２内に搬送されたウェハＷを基板支持部材３に支持するためのリフト部材７が設けられている。このリフト部材７は，ベース部２ａを貫通してウェハＷを持ち上げる複数本（例えば３本）の支持ピン８を有している。
【００３４】処理チャンバ２の蓋部２ｃの上方には，基板支持部材３に支持されたウェハＷを加熱する複数の加熱ランプ９からなるランプ群９Ｇが配置されている。蓋部２ｃには円形のランプ用窓部Ｌｗが設けられており，加熱ランプ９の熱はそのランプ用窓Ｌｗを介してウェハＷに伝えられる。また，ベース部２ａには，ウェハＷの温度を光学的に検出する温度センサ１０が設けられている。この温度センサ１０は，ベース部２ａにおける基板支持部材３に囲まれた円形プレート１１において，その中心と周縁の一部を含み所定の角度（例えば９０度）をもった略扇形のセンサ設置領域内に複数組み込まれている。なお，上述した
ウェハ裏面側閉空間Ｓａは光学的には完全な閉空間となっており，光学的温度センサ１０による閉空間Ｓａを利用してのウェハＷの温度検出が支障なく行える
【００３５】処理チャンバ２の側壁部２ｂには，ガス供給口１２とガス排出口１３とが対向して設けられている。ガス供給口１２には，
処理チャンバ２内におけるウェハ裏面側空間Ｓａの外部（以下，ウェハ表面側空間という）Ｓｂにプロセスガス（第１のガス）を供給するためのガス供給系１４（図３参照）が接続されている。
【００３６】
ベース部２ａの円形プレート１１には，ガス供給口１６及びガス排出口１７が設けられている。ガス供給口１６には，ウェハ裏面側閉空間Ｓａ内に改質層形成用を含むガス（第２のガス）を供給するためのガス供給系１８が接続され，ガス排出口１７には，ウェハ裏面側閉空間Ｓａ内のガスを処理チャンバ２の外部に排出するためのガス排出系１９が接続されている。
【００３７】ここで，
改質層形成用ガスとしては，ウェハＷの裏面に二酸化珪素ＳｉＯ
2
の改質層（化学的な保護膜）を形成するための酸素ガス（Ｏ
2
ガス）が使用され，改質層形成用ガスを含むガスとしては，Ｏ
2
ガスとＮ
2
ガスの混合ガス（以下，酸素含有ガスという）が使用される。
【００３８】円形プレート１１の周縁におけるセンサ設置領域を含む部位には，断面Ｌ字型の突起片２０が設けられ，この突起片２０の内側にガス供給口１６が形成されている。また，ガス排出口１７は，円形プレート１１においてその中心からガス供給口１６の反対側にわずかにずれた位置に形成され，ガス供給口１６とガス排出口１７との間にセンサ設置領域が設けられた構成となっている。これにより，
ガス供給口１６から導入された酸素含有ガスは，円形プレート１１におけるセンサ設置領域全範囲の上方を通ってガス排出口１７から排出される。
「【００５２】その後，ｔ2時間経過すると，以下の
熱処理プロセスが開始される。
ウェハ裏面側閉空間Ｓａ内に酸素含有ガスが供給される。
ウェハ表面側空間Ｓｂ内のＮ
2
ガスの一部がウェハ裏面側閉空間Ｓａ内に引き込まれることになり，これにより，ウェハ裏面側閉空間Ｓａ内のＯ
2
ガスがウェハ表面側空間Ｓｂに入り込むことはほとんど無い。
【００５３】上記のプロセスガス及び酸素含有ガスの供給とほぼ同時に，駆動手段（図示せず）により基板支持部材３を回転駆動させてウェハＷを回転させると共に，複数の加熱ランプ９を点灯させる。これにより，ウェハＷの温度は，図５に示すように，室温（２５℃）から徐々に上昇していく。そして，ｔ3時間経過した時点で，ウェハＷの温度が７５０℃程度に達し，
ウェハＷの裏面に，自然酸化膜であるシリコン亜酸化物ＳｉＯの昇華を抑える二酸化珪素ＳｉＯ
2
の酸化膜が形成される。
【００５４】その後，ｔ5時間経過すると，熱処理プロセスが終了する。つまり，ウェハＷの回転を停止させ，複数の加熱ランプ９の温度がウェハ搬出温度（７５０℃）となるように制御されると共に，制御装置３８からＭＦＣ２８，２９に流量ゼロ信号が送出され，処理チャンバ２内への酸素含有ガスの供給が終了する。これにより，ウェハＷの温度は，ほぼ７５０℃まで徐々に下降していく。その後，ｔ6時間経過すると，搬送ロボット（図示せず）によりウェハＷが処理チャンバ２の外部に取り出される。」
「【００７５】また，上記実施形態では，ガス排出系１９にニードルバルブ３１を設けると共に，ガス供給系１８にＭＦＣ２８，２９を設けたが，ニードルバルブ３１及びＭＦＣ２８，２９のいずれか一方のみ設けてもよく，
あるいはウェハＷの自重等によりウェハ裏面側閉空間Ｓａ内の酸素含有ガスがウェハ表面側空間Ｓｂにほとんど漏れないような場合
（２）引用発明
　前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板加熱方法において，改質層形成用ガスとして酸素ガスを使用し，改質層として酸化膜を形成し，基板の裏面からＳｉＯの昇華を防ぐこと，処理チャンバ２内のリングフレーム６でウェハのエッジ部を支持し，円形プレート１１に設けられたガス供給口１６から導入された酸素含有ガスは円形プレート１１の上方を通ってガス排出口１７から排出されること，熱処理プロセスが開始されると，ウェハ裏面側閉空間Ｓａ内に酸素含有ガスが供給され，ウェハ表面側空間Ｓｂ内のガスの一部がウェハ裏面側閉空間Ｓａ内に引き込まれ，これにより，ウェハ裏面側閉空間Ｓａ内の酸素ガスがウェハ表面側空間Ｓｂに入り込むことはほとんど無いこと。」
２　引用文献２の記載
　当審拒絶理由で引用された引用文献２には，図面とともに次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板の放射率を向上させることにより，並びに，基板温度の測定を収集することにより，
半導体基板の非接触の温度測定を改良する技術
「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】温度測定におけるウエハ放射率の変化の影響を減少させる技術は知られている。この技術の１つに，
ターゲット基板の裏面の近くに熱反射器を置き，基板からの熱放射が基板に反射し返される反射キャビティを形成することがある。
反射キャビティからの放射を集め，集められた光をパイロメータに与える。
「【００３０】（ＲＴＰシステムの概要の本発明を包含したＲＴＰシステム）本発明に従って改良されたＲＴＰシステムが図３（ａ）に示される。この
ＲＴＰシステムは，ディスク形状の直径８インチ（２００ｍｍ）のシリコン基板１０６を処理するための処理チャンバ１００を有している。
基板１０６の下方には，水冷式のステンレス鋼のベース１１６上に載置される反射器１０２が存在する。
基板１０６の下側と反射器１０２の頂部との間には，基板の有効放射率を増加させるための反射キャビティ１１８が形成されている。
３　引用文献３の記載
　当審拒絶理由で引用された引用文献３には，図面とともに次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化学反応によって平らなサンプルの表面上に薄膜を成膜したり，エッチングする装置に関するものである。本発明は特に「冷却壁型反応器 (reacteurs a murs froids)」すなわち装置壁を低温に保持した状態で
被処理サンプルのみを必要温度に加熱する
被処理サンプルとしては直径が 100〜200 nmのシリコンウエハ
「【０００５】サンプル１とサンプル支持体５との間にガスを注入して圧力を 10 Torr (1330Pa) 以上にすると上記の問題は避けられるが，反応室２を低圧にすることができなくなる。逆に
低圧にするとサンプルを締付け手段で機械的に保持しない限りサンプル１がサンプル支持体５から浮き上がり，サンプル支持体５がサンプル１と同じ化学反応に曝され，同じ薄膜で覆われて，装置が極めて単時間で汚染されてしまう。
「【００１５】反応室12の下側空間21内に不活性ガスが存在することによってサンプル支持体の下側表面上への付着を防ぐことができる。この場合，
不活性ガスの循環によって下側空間21内の圧力P1を活性ガスの循環で生じる上側空間22内の圧力P2よりもごくわずかに高くする。従って，サンプル11はその自重によって着脱自在なリング15上に当接され，
２つの空間21，22の間の圧力差はサンプル１にその自重よりもわずかに小さい垂直方向の上向きの力が加わるように調節される。
「【００２１】活性ガスの反応圧力は約 0.5Torr(66Pa)であり，10Torr(1330 Pa) の圧力に較正された圧力計26によって調節される。圧力計24は不活性ガス出口23に設けられた第１の調節弁25を制御し，１Torr(130Pa) に較正された圧力計24によって
下部空間21と上部空間22との間の圧力差を約 0.03Torr(4Pa)に調節する。
４　引用文献４の記載
　当審拒絶理由で引用された引用文献４には，図面とともに次の記載がある。
「【０００１】発明分野
本発明は，一般に，
複合基板の加工のための方法
「【００５６】ストリッピングチャンバ
図７は，本発明の例示的な基板ストリッピングチャンバの横断面図である。特に，図７は，処理された膜の非反応性ガスアニール及び酸化ガスストリップのいずれも行える
高速熱アニールチャンバ
「【００６４】好ましくは，ガス入口９３６が囲い部９０２の側壁９１０を貫通するように配置され，アニール処理加工の間，選択されたガスがＲＴＡチャンバ内に流れ込むのを可能とする。ガス入口９３６は，ＲＴＡチャンバ１１８内へのガスの流を制御するために，バルブ９４０を通じてガス供給源９３８に連結している。
ガス供給源９３８は，
露出した基板膜の酸化のために，酸化ガス好ましくはオゾンプラズマをアニーリングチャンバ１１８に供給する遠隔ユニット
「【００６６】基板の酸化ストリップのために，ＲＴＡチャンバ１１８は，約１トール〜約１０トールの圧力に近い圧力に維持され，酸化ガスは，高温にて酸素及びオゾン，或いは
プラズマを含んだ酸素を含む。
酸素供給源はまたガスを処理して，遠隔のプラズマ発生装置ＲＦ又は遠隔のマイクロ波発生装置（図示せず）から酸素種を提供する。
　
第５　対比及び判断
（１）本願発明と引用発明との対比
　ア　引用発明の「基板加熱方法」は「処理チャンバ２内のリングフレーム６でウェハのエッジ部を支持し」て行われるから，本願発明の「処理チャンバ内に配置された基板を処理する方法」に相当する。
　イ　引用発明の「円形プレート１１」は，「ウェハＷの裏面側に，ベース部２ａとウェハＷとで囲まれた閉空間」を形成する「ベース部２ａ」の一部である（前記第４の１（１）【００３２】及び【００３６】）から，本願発明の「前記基板の裏側の最も近くに配置された反射板」とは，「前記基板の裏側の最も近くに配置された板」という点で共通する。そして，引用発明の「熱処理プロセス」は，「処理チャンバ２内のリングフレーム６でウェハのエッジ部を支持し」て行われるから，本願発明の「基板を支持するように構成された基板支持リングと前記基板の裏側の最も近くに配置された板とを有する処理チャンバ内に配置された前記基板に対して処理を実行するステップ」に相当する。
　ウ　引用発明の「円形プレート１１に設けられたガス供給口１６から導入された酸素含有ガス」「熱処理プロセスが開始されると，ウェハ裏面側閉空間Ｓａ内に酸素含有ガスが供給され」は，本願発明の「前記基板に対して前記処理を実行している間，酸素を含むガスまたは窒素を含むガスのうちの一方のガスを含む第１のガスを，前記板内に配置された１つまたは複数の貫通穴を通して前記基板の裏側に供給するステップ」に相当する。
　エ　引用発明の「改質層として酸化膜を形成し，基板の裏面からＳｉＯの昇華を防ぐこと」は，本願発明の「前記基板の裏側にキャッピング層を形成するステップ」に相当する。
　オ　引用発明の「円形プレート１１に設けられたガス供給口１６から導入された酸素含有ガスは円形プレート１１の上方を通ってガス排出口１７から排出されること」は，本願発明の「前記１つまたは複数の貫通穴のうちの１つまたは複数の貫通穴に真空を与えて，前記基板の裏側から離れる前記第１のガスの流れを生み出すステップ」に相当する。
　カ　すると，本願発明と引用発明とは，下記キの点で一致し，下記クの点で相違する。
　キ　一致点
「処理チャンバ内に配置された基板を処理する方法であって，
　基板を支持するように構成された基板支持リングと前記基板の裏側の最も近くに配置された板とを有する処理チャンバ内に配置された前記基板に対して処理を実行するステップと，
　前記基板に対して前記処理を実行している間，酸素を含むガスまたは窒素を含むガスのうちの一方のガスを含む第１のガスを，前記板内に配置された１つまたは複数の貫通穴を通して前記基板の裏側に供給するステップと，
　前記基板の裏側にキャッピング層を形成するステップと
を含み，
　さらに，
　前記１つまたは複数の貫通穴のうちの１つまたは複数の貫通穴に真空を与えて，前記基板の裏側から離れる前記第１のガスの流れを生み出すステップを含む，方法。」
　ク　相違点
（ア）相違点１
　本願発明の「前記基板の裏側の最も近くに配置された板」は「反射板」であるのに対し，引用発明の前記「板」は「円形プレート１１」である点。
（イ）相違点２
　本願発明では「前記処理チャンバにおいて，前記基板の表側の最も近くを第１の圧力に維持するとともに，前記基板の裏側の最も近くを第２の圧力に維持するステップであって，処理中に前記基板支持リングから前記基板が外れることがないように，前記第１の圧力及び前記第２の圧力を制御」し「前記第２の圧力が前記第１の圧力よりも２トル以上は大きくならないように制御」するのに対し，引用発明では「ウェハ表面側空間Ｓｂ内のガスの一部がウェハ裏面側閉空間Ｓａ内に引き込まれ，これにより，ウェハ裏面側閉空間Ｓａ内の酸素ガスがウェハ表面側空間Ｓｂに入り込むことはほとんど無い」点。
（ウ）相違点３
　本願発明では「前記第１のガスからプラズマを形成するステップと，前記基板の裏側を前記プラズマによって形成された励起種にさらすことによって」キャッピング層を形成するのに対し，引用発明ではこのステップが無い点。
（２）判断
　ア　相違点１について
　引用発明では「ウェハ裏面側閉空間Ｓａは光学的には完全な閉空間となっており，光学的温度センサによる閉空間Ｓａを利用してのウェハＷの温度検出が支障なく行える」（前記第４の１（１）【００３４】）とあり，温度検出を行うために反射器を用いて反射キャビティを形成することが引用文献２（前記第４の２）に記載されているから，引用発明において，温度検出のための閉空間を実現するために，引用文献２に記載された「反射器」を採用することは，当業者が容易になし得ることである。
　イ　相違点２について
　引用文献３（前記第４の３）には，シリコンウエハである被処理サンプルを処理するにあたり，サンプルがサンプル支持体から浮き上がらないように，下側空間内の圧力Ｐ１を上側空間内の圧力Ｐ２よりもごくわずかに高くし，２つの空間の圧力差はサンプルにその自重よりもわずかに小さい上向きの力が加わるように調節すること，具体的に下部空間と上部空間との圧力差を約０．０３Ｔｏｒｒに調節することが記載されており，引用発明において「ウェハ裏面側閉空間Ｓａ内の酸素ガスがウェハ表面側空間Ｓｂに入り込むことはほとんど無い」ようにするためにはそもそも「ウェハ裏面側閉空間Ｓａ」の「閉空間」を保持する必要があること，また引用文献１にはウェハＷの自重を利用することが示唆されている（前記第４の１（１）【００７５】）ことから，ウェハが「浮き上がらないように」引用文献３に記載された技術的事項を採用することにより相違点２を解消することは，当業者が容易になし得ることである。
　ウ　相違点３について
　引用文献４（前記第４の４）には，ガス供給源９３８は露出した基板膜の酸化のために，オゾンプラズマをアニーリングチャンバ１１８に供給する遠隔ユニットであることが記載されており，引用発明において「改質層として酸化膜を形成」するために，引用文献４に記載された技術的事項を採用してプラズマを供給することは，当業者が容易になし得ることである。
（３）まとめ
　よって，本願発明は引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものである。
　
第６　結言
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明については，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。