【事件の表示】
　特願２０１６−１８０１５１「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　２月　９日出願公開、特開２０１７−　３４２６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２５年（２０１３年）３月２５日を国際出願日とする特願２０１５−５０７７０９号の一部を平成２８年９月１５日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２９年　６月　９日付け　拒絶理由通知
平成２９年　８月　４日　　　意見書・手続補正
平成３０年　１月２２日付け　拒絶査定
平成３０年　３月２８日　　　審判請求・手続補正
平成３０年１１月２２日付け　拒絶理由通知
平成３１年　１月２８日　　　意見書・手続補正
平成３１年　２月１８日付け　拒絶理由通知（最後）（以下，「当審拒絶理由」という。）
　そして，当審拒絶理由を通知し，期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが，請求人からは何らの応答もない。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成３１年１月２８日に補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項で特定される次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　半導体基板と，
　前記半導体基板上に第１絶縁膜を介して形成された第１コイルと，
　前記半導体基板上に，前記第１絶縁膜および前記第１コイルを覆うように形成された積層絶縁膜と，
　前記積層絶縁膜上に形成され，且つ前記第１コイルの上方に配置された第２コイルと，
　前記積層絶縁膜上に形成され，且つ前記第２コイルの内側に配置され，且つ平面視において多角形状を有する第１パッドと，
　前記積層絶縁膜上に形成され，且つ前記第２コイルの外側に配置された第２パッドと，
　前記積層絶縁膜，前記第２コイル，前記第１パッドの一部および前記第２パッドの一部を覆うように形成された樹脂膜である第２絶縁膜と，
　を有する半導体装置であって，
　前記第２絶縁膜は，前記第１パッドが露出する第１開口部を有しており，
　前記第１開口部の前記第１パッドの露出部は，第１ボンディングワイヤを介して半導体チップに接続されており，
　前記第１ボンディングワイヤの一端は，平面視において前記第１開口部内の前記第１パッドの中央部に接続されており，
　前記第１パッドは，平面視において複数の角および複数の辺を有し，
　前記第１パッドの前記複数の角のそれぞれは，平面視において鈍角であり，
　前記第１パッドの前記複数の辺は，第１辺および平面視において前記第１辺の延在方向と交差する方向に延在する第２辺を含み，
　前記第２コイルの一端は，平面視において第１接続部を介して前記第１パッドの前記第１辺と接続されており，
　前記第２コイルの他端は，平面視において第２接続部を介して前記第２パッドに接続されており，
　前記第１パッドの前記第１辺の延在方向における前記第１接続部の幅は，平面視において前記第１辺から前記第２コイルの一端に近づくにつれて漸減しており，
　前記第１接続部は，平面視において前記第１辺の中央よりも前記第１辺の延在方向と前記第２辺の延在方向の交差する角の近くに接続されており，
　前記第１コイルと前記第２コイルとは，電気的に絶縁されており，
　前記第１コイルと前記第２コイルは，平面視において前記第１パッドと重なっていない，半導体装置。」
　
第３　当審拒絶理由
　本願発明に係る当審拒絶理由は，本願発明は，国際出願日前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，国際出願日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
引用文献１　米国特許出願公開第２００６／０２６３７２７号明細書
引用文献２　特開昭６１−２５５０３９号公報
引用文献３　特開２００９−２７７９７２号公報
引用文献５　特表２００８−５０２２１５号公報 
　
第４　引用文献及び引用発明
１　引用文献１について
（１）引用文献１
　引用文献１には，図面とともに次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）（訳文は当審で作成した。）
　ア　「FIELD OF THE INVENTION
[0002] The invention relates in general to a chip having passive components and a process for forming the same. More particularly, the invention relates to the chip having two coupled induced coils and a process for forming the same. 」
（訳：発明の分野
[0002]　本発明は，一般に，受動素子を有するチップおよびそれを形成する工程に関するものである。より詳細には，本発明は，２つの結合された誘導コイルを有するチップおよびそれを形成する方法に関するものである。）
　イ　「[0043] FIG. 1a is a cross-sectional view showing 
a semiconductor chip
A semiconductor chip  100  comprises a semiconductor substrate  110 , multiple thin-film isolating layers  122 ,  124 ,  126  and  128 , multiple thin-film circuit layers  132 ,  134 ,  136 ,  138 , a passivation layer  140 , a thick circuit layer and a polymer layer  168
（中略）
[0062] 
The topmost thin-film circuit layer  138  below the passivation layer  140  comprises a bottom coil  200
（中略）
[0065] The thick metal circuit layer over the passivation layer  140  comprises a top coil  300 .  FIG. 1c is a top view of the top coil  300. The cross-sectional view of the top coil  300  is shown in  FIG. 1a, which is made along the cross-sectional line  3 - 3  cut in the top coil  300  shown in  FIG. 1c. 
The top coil  300  comprises two electrical contact points  302  and  304  used to be connected to some components, such as wirebonded wires, 
The top coil  300  can be electrically connected to an external circuit through two electrical contact points  302  and  304
[0066]
 A polymer layer  168 , such as polyimide or benzo-cyclobutene (BCB), can be formed on the passivation layer  140  and on the top coil  300  by using a spin-on-coating process
 Then, multiple openings  168  are formed in the polymer layer  168
 to expose the contact points  130 ,  302  and  304
[0067] In the present invention, 
between two coils  200  and  300 , the passivation layer  140  can prevent the two coils  200  and  300  from ohmic contact
the passivation layer  140  sustains the coupling effect between the two coils  200  and  300
（訳：[0043]　図1aは，本発明の第１の実施形態に係る
半導体チップ
半導体チップ100は，半導体基板110と，複数の薄膜絶縁層122，124，126および128と，複数の薄膜回路層132，134，136，138，保護層140，厚膜回路層およびポリマー層168を備える。
（中略）
[0062]　
保護層140の下の最上部の薄膜回路層138は，底部コイル200を備える
（中略）
[0065]　保護層140の上の厚い金属回路層は，上部コイル300を備えている。図1cは，上部コイル300の上面図である。上部コイル300の断面図は，図1Aに示され，それは図1cに示されるコイル300を切断した断面線3-3に沿って作図されている。
上部コイル300は，ワイヤボンディングワイヤ
などいくつかの部品に接続するために使用される，２個の電気的接点302，304を備える。上部コイル300は，２個の電気的接点302，304を介して外部回路と電気的に接続することができる。
[0066]
 ポリイミドやベンゾシクロブテン(BCB)などのポリマー層168は，スピン・オン・コーティングプロセスを用いて保護層140上，および，上部コイル300上に，形成される。
複数の開口部168は，
接触点130，302，304を露出させるように，ポリマー層168に形成されている。
[0067]　本発明では，
２つのコイル200と300との間の保護層140は，２つのコイル200，300とがオーミック接触することを防止することができる
前記保護層140は，２つのコイル200と300との間のカップリング効果を維持する。
　ウ　「[0083] In another case, 
as shown in FIG. 9 , a polymer layer 162 is first formed on the passivation layer 140 by using a spin-on coating process.
a top coil 300 is formed on the polymer layer 162
（中略）
[0089] Referring to FIGS. 8-11 , a conducting wire 143 is formed, for instance, by using wirebonding process to be connected with the electrical contact points 130. The semiconductor chip shown in FIGS. 8-11 
can be connected
to an external circuit, such as another semiconductor chip
（訳：[0083]　別の場合には，
図9に示すように，スピンオンコーティング法を用いて保護層140上にポリマー層162がまず形成される。
ポリマー層162上に上部コイル300が形成され
（中略）
[0089]　図8-11につき説明すると，例えば，ワイヤボンディングプロセスを用いて，電気的接点130に接続されるために，導電性ワイヤ143が形成される。図8-11に示された半導体チップは，導電性のワイヤ143を介して，
他の半導体チップ，
等の外部回路に接続されてもよい。
　エ　図1cには，
平面視において，上部コイル300の外側に配置された電気的接点302と，上部コイル300の内側に配置された電気的接点304，とそれぞれ上部コイル300の両端が接続されており，電気的接点302，304は略四辺形であること
（２）引用発明
　前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体チップであって，半導体基板と，複数の薄膜絶縁層と，保護層およびポリマー層168を備え，保護層の下に底部コイルを備え，保護層上にポリマー層162がまず形成され，ポリマー層162上に上部コイルが形成され，
　上部コイルは，ワイヤボンディングワイヤを接続する，２個の電気的接点302，304を備え，上部コイルは，２個の電気的接点302，304を介して外部回路と電気的に接続し，
　ポリマー層168は，保護層および上部コイル上に形成され，複数の開口部は接触点302，304を露出させるように，ポリマー層168に形成されており，
　２つのコイルとの間の保護層は，２つのコイルとがオーミック接触することを防止し，２つのコイルとの間のカップリング効果を維持すること。」
２　引用文献２について
（１）引用文献２
　引用文献２には，図面とともに次の記載がある。
　ア　「
産業上の利用分野
　この発明は，
半導体素子に関し，その配線パターンの平面視形状
　イ　「したがってこのように鋭いコーナー部を持つ配線パターンを形成した半導体素子表面に保護膜を被着させると，保護膜の内部応力がこのコーナー部に集中し，保護膜のクラックを誘発していた。特にパターンの中で１００μｍ四方程度の大きな面積を占める部分，例えば
ワイヤボンディング時の機械的精度の関係から広面積が必要なボンディングパッド
のコーナー部でクラックの発生が起こりやすい
　この発明は
半導体素子表面を覆う保護膜にクラックが発生するのを防ぎ，半導体素子の耐湿面での信頼性を高めることを目的とする。
問題点を解決するための手段
　
半導体素子における配線パターンを，平面視形状における周縁のコーナー部について，その内角を鈍角に
形成した。
作用
　配線パターンのコーナー部が保護膜に対して線接触あるいは面接触となるので，コーナー部への保護膜の内部応力の集中及びコーナー部での保護膜の膜厚の減少が避けられる。
実施例
　第１図は本発明に係る半導体素子の一部を示す部分斜視図であるが図を簡単にするため
図中破線で囲まれたいわゆるボンディングエリアを除いて表面を覆う保護膜は省略してある
　
半導体素子１は，
外部への電気的接続はボンディングワイヤ４を介して行われる。
　同図において配線パターン３は機能領域から導出された
配線リード部１１とこれに連続したボンディングパッド１２によりなり
平面視形状における周縁のコーナー部具体的には凸状コーナー部１３ａ及び凹状コーナー部１３ｂにおいてその内角θａ，θｂはそれぞれ１３５度と２２５度の鈍角になっている。
　ウ　第１図には，
平面視において，略八角形状のボンディングパッド１２とし，ボンディングパッド１２と配線リード部１１との接続部の幅は漸減しており，接続部はボンディングパッドの配線リード部の延長方向に垂直な辺の中央よりも同平行な辺との交差する角の近くに接続されること，
（２）公知技術２
　前記（１）より，引用文献２には，次の技術的事項（以下，「公知技術２」という。）が記載されていると認められる。
「ボンディングパッドのコーナ部でクラックの発生が起こりやすいことから，半導体素子表面を覆う保護膜にクラックが発生するのを防ぐために，配線リード部とこれに連続したボンディングパッドよりなる配線パターンは，平面視形状における周縁の凸状コーナー部及び凹状コーナ部においてその内角を鈍角に形成し，略八角形状のボンディングパッドとし，ボンディングパッド１２と配線リード部１１との接続部の幅は漸減しており，接続部はボンディングパッドの配線リード部の延長方向に垂直な辺の中央よりも同平行な辺との交差する角の近くに接続されること。」
３　引用文献３について
　引用文献３には，図面とともに次の記載がある。
「【００１０】
　図１は本発明の実施の形態１におけるコイル部品のコイル部を透視した斜視図であり，図２はコイル部品のコイル部の構成を説明するための図１のＡＡ部における断面図である。図１および図２において，１００はチップ部品であるコイル部品の外観形状を示す点線であり，このチップコイルは感光性樹脂を硬化した絶縁性樹脂の内部にコイルパターン１０２が螺旋形状になるように，めっき技術とフォトリソ技術を用いて積層しながら形成したコイル部品の構造を示している。
【００１１】
　そして，ビア電極１０４は複数のコイルパターン１０２の層間接続部分に相当しており，複数層で形成されたコイルパターン１０２は，所定位置に形成されたビア電極１０４によって螺旋状もしくはコイル状に接続されている。」
「【００２０】
　また，１０８は硬化済のレジスト層を示しており，
このレジスト層１０８はコイルパターン１０２を形成するときのマスク材料となり，最終的には積層されてコイル部品の外観形状を構築している。
このような用途に適した有機材料としては，エポキシ樹脂
４　引用文献５について
　引用文献５には，図面とともに次の記載がある。
「【００１９】
　次に図７を参照すると，本開示のＲＦ絶縁リンク６００の好ましい実施の形態が示されている。この実施の形態では，振幅変調が，リンクを介してデータを送信するのに使用される。ＲＦ絶縁リンク６００は，送信機回路部７０２及び受信機回路部７０４から成る。送信機回路部７０２は，ＮＡＮＤゲート７０８から成る。ＮＡＮＤゲート７０８は，ＲＦ絶縁リンク６００を介して送信されるデータを受信するように接続される第１の入力と，ＲＦ搬送波信号を受信するように接続される第２の入力とを有する。この好ましい実施の形態におけるＲＦ搬送波は，２ＧＨｚ信号を含む。ＮＡＮＤゲート７０８の第１の入力に入力されるデータは，論理「１」又は「０」のいずれかから成り，論理「１」が存在する状態では，ＲＦ搬送波信号をＮＡＮＤゲート７０８の出力へ選択的にゲート制御する。これによって，ＮＡＮＤゲート７０８の出力７０９は，データビットが「１」である場合にＲＦ搬送波信号を提供し，データビットが「０」である場合にＲＦ信号を提供しない。ＮＡＮＤゲートの出力７０９は，ｐチャネルトランジスタ７１０のゲートに接続されている。ｐチャネル抵抗器７１０のドレイン−ソース経路は，抵抗器７１２及び第１のトランス７１４を通ってＶＤＤと接地との間に接続されている。
トランス７１４は，ライン７１６を介してＲＦ搬送波信号をトランス７１８に電磁結合する。これによって，第１のトランス７１４及び第２のトランス７１８を介してチップ６０２間に電圧絶縁が提供されると同時に，ＲＦ搬送波信号により表されるデータが，第１のチップ６０２ａと第２のチップ６０２ｂとの間でリンクされる。
　
第５　対比及び判断
１　本願発明と引用発明との対比
（１）対比
　引用発明の「半導体基板」，「複数の薄膜絶縁層」，「底部コイル」，「上部コイル」及び「半導体チップ」は，それぞれ本願発明の「半導体基板」，「第１絶縁膜」，「第１コイル」，「第２コイル」及び「半導体装置」に相当する。
　引用発明において「保護層の下に底部コイルを備え，保護層上にポリマー層162がまず形成され，ポリマー層162上に上部コイルが形成され」ており，この「保護層」と「ポリマー層162」は積層しているから，本願発明の「積層絶縁膜」に相当する。
　引用発明の「電気的接点304」及び「電気的接点302」は，「平面視において，上部コイル300の外側に配置された電気的接点302と，上部コイル300の内側に配置された電気的接点304」（前記第４の１（１）エ）であるから，それぞれ本願発明の「前記積層絶縁膜上に形成され，且つ前記第２コイルの内側に配置され」た「第１パッド」及び「前記積層絶縁膜上に形成され，且つ前記第２コイルの外側に配置された第２パッド」に相当する。
　引用発明において「ポリマー層168は，保護層および上部コイル上に形成され，複数の開口部は接触点302，304を露出させるように，ポリマー層168に形成されて」いるから，この「ポリマー層168」は，本願発明の「前記積層絶縁膜，前記第２コイル，前記第１パッドの一部および前記第２パッドの一部を覆うように形成された樹脂膜である第２絶縁膜」に相当し，引用発明においても「前記第２絶縁膜は，前記第１パッドが露出する第１開口部を有して」いるといえる。
　引用発明において「上部コイルは，ワイヤボンディングワイヤを接続する，２個の電気的接点302，304を備え，上部コイルは，２個の電気的接点302，304を介して外部回路と電気的に接続し」また，「外部回路」として「他の半導体チップ」が例示されており（前記第４の１（１）ウ[0089]），ワイヤボンディングする際にはパッドの中央部に接続することは技術常識であるから，引用発明においても「前記第１開口部の前記第１パッドの露出部は，第１ボンディングワイヤを介して半導体チップに接続されており，前記第１ボンディングワイヤの一端は，平面視において前記第１開口部内の前記第１パッドの中央部に接続されて」いるといえる。
　引用発明において「電気的接点302，304，とそれぞれ上部コイルの両端が接続されており，電気的接点302，304は略四辺形であること」（前記第４の１（１）エ）から，引用発明においても「前記第１パッドの前記複数の辺は，第１辺および平面視において前記第１辺の延在方向と交差する方向に延在する第２辺を含み，前記第２コイルの一端は，平面視において第１接続部を介して前記第１パッドの前記第１辺と接続されており，前記第２コイルの他端は，平面視において第２接続部を介して前記第２パッドに接続されて」いるといえる。
　引用発明において「２つのコイルとの間の保護層は，２つのコイルとがオーミック接触することを防止し」ているから，引用発明においても「前記第１コイルと前記第２コイルとは，電気的に絶縁されて」いるといえる。
　引用発明において「２つのコイルとの間のカップリング効果を維持」しており，かつ「電気的接点304」は「上部コイル300の内側に配置され」ている（前記第４の１（１）エ）から，引用発明においても「前記第１コイルと前記第２コイルは，平面視において前記第１パッドと重なっていない」といえる。
　すると，本願発明と引用発明とは，下記（２）の点で一致し，下記（３）の点で相違する。 
（２）一致点
「半導体基板と，
　前記半導体基板上に第１絶縁膜を介して形成された第１コイルと，
　前記半導体基板上に，前記第１絶縁膜および前記第１コイルを覆うように形成された積層絶縁膜と，
　前記積層絶縁膜上に形成され，且つ前記第１コイルの上方に配置された第２コイルと，
　前記積層絶縁膜上に形成され，且つ前記第２コイルの内側に配置された第１パッドと，
　前記積層絶縁膜上に形成され，且つ前記第２コイルの外側に配置された第２パッドと，
　前記積層絶縁膜，前記第２コイル，前記第１パッドの一部および前記第２パッドの一部を覆うように形成された樹脂膜である第２絶縁膜と，
　を有する半導体装置であって，
　前記第２絶縁膜は，前記第１パッドが露出する第１開口部を有しており，
　前記第１開口部の前記第１パッドの露出部は，第１ボンディングワイヤを介して半導体チップに接続されており，
　前記第１ボンディングワイヤの一端は，平面視において前記第１開口部内の前記第１パッドの中央部に接続されており，
　前記第１パッドの前記複数の辺は，第１辺および平面視において前記第１辺の延在方向と交差する方向に延在する第２辺を含み，
　前記第２コイルの一端は，平面視において第１接続部を介して前記第１パッドの前記第１辺と接続されており，
　前記第２コイルの他端は，平面視において第２接続部を介して前記第２パッドに接続されており，
　前記第１コイルと前記第２コイルとは，電気的に絶縁されており，
　前記第１コイルと前記第２コイルは，平面視において前記第１パッドと重なっていない，半導体装置。」
（３）相違点 
 　本願発明の「第１パッド」は「平面視において多角形状を有」し，「前記第１パッドは，平面視において複数の角および複数の辺を有し，前記第１パッドの前記複数の角のそれぞれは，平面視において鈍角であり」，「前記第１パッドの前記第１辺の延在方向における前記第１接続部の幅は，平面視において前記第１辺から前記第２コイルの一端に近づくにつれて漸減しており，前記第１接続部は，平面視において前記第１辺の中央よりも前記第１辺の延在方向と前記第２辺の延在方向の交差する角の近くに接続されて」いるのに対し，引用発明の「電気的接点304」はそうなっていない点。 
２　相違点についての判断
　上記相違点について検討すると，公知技術２には，ボンディングパッドのコーナー部での保護膜のクラックの発生を防止するために凸状コーナー部及び凹状コーナー部において鈍角とすることが開示されており，引用発明におけるボンディングワイヤと接続するために用いられる電気的接点304においてコーナー部でのクラックを防止するために，公知技術２を採用することは，当業者が容易になしうることである。 
３　まとめ
　以上のとおりであるから，本願発明は，引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものである。
　
第６　結言
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明については，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。