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　平成　８年特許願第２０６７８１号「バンプ付電子部品の実装方法及び回路モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　２月２０日出願公開、特開平１０−　５０７７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
 　本願は、平成８年８月６日の出願であって、平成１６年５月２４日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２７日付けで意見書及び手続補正がなされ、同年８月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年９月３０日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされ、平成１６年１０月１２日付けで手続補正がなされ、平成１８年３月３日付けで審尋がなされ、平成１８年４月２０日付けで回答書が提出されたものである。  
 　  
２．平成１６年１０月１２日付けの手続補正について  
 　  
［補正却下の決定の結論］  
 　平成１６年１０月１２日付けの手続補正を却下する。  
 　  
［理由］  
（１）補正後の本願発明  
 　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、  
 「バンプ付電子部品を電極を備えた基板に実装する方法であって、バンプ付電子部品と弾性を有する基板との間に絶縁性ボンドを介在させた状態でバンプを基板の電極にプリコートされた半田に押しつけてバンプの中央部から突出する突部を半田に食込ませ、バンプの前記突部を電極に直接圧接させるとともにこの電極を基板側へ凹状に変形させる工程と、この変形を残した状態で絶縁性ボンドを硬化させてバンプ付電子部品を基板に固着するとともにバンプ及び前記突部と半田との境界部分に合金を形成する工程とを含むことを特徴とするバンプ付電子部品の実装方法。」 
　と補正された。  
　上記請求項１に対する補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「バンプを基板の電極にプリコートされた半田に押しつけて食込ませ」という事項について、バンプは、「バンプの中央部から突出する突部を半田に食込ませ」るという限定を付加し、また「バンプを電極に圧接させる」という事項について、「バンプの前記突部を電極に直接圧接させる」という限定を付加し、さらに、「バンプと半田との境界部分」という事項について「バンプ及び前記突部と半田との境界部分」という限定を付加したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定される特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
 　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか。）について以下に検討する。
  
（２）刊行物 
 　原査定の拒絶理由に引用された刊行物、特開平６−３４９８９２号公報（以下、「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。 
（１ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子基板を半導体装置回路基板上に半田付けする半導体装置の製造方法に関するものである。」（第２頁左欄４０〜４４行）
（１ｂ）「【００２３】図１において、半導体素子としてのＬＥＤアレイチップ１は、一導電型半導体基板２を有し、一導電型半導体基板２の主面上に他導電型半導体領域が直線状に配列されている。複数のアルミ電極３が、ＬＥＤアレイチップ１の主面上に直線状に配列され、アルミ電極３の一端部は他導電型半導体領域と接続し、他端部には電極部を有している。電極部は、本実施例においては金により形成された突起状電極４になっている。
【００２４】半導体装置であるＬＥＤプリントヘッド５は、半導体装置回路基板としてＬＥＤアレイチップ１の発光波長に対して透明な絶縁性基板６を有し、透明な絶縁性基板６の主面上に前記突起状電極４と対応する接続端子部８を有する導体パターン７があり、導体パターン７の接続端子部８は半田によって形成されている。特に本実施例では導体パターン７の接続端子部８の半田は融点１８３℃とする。」（第３頁右欄１７〜３２行）
（１ｃ）「【００２６】第１実施例の動作を図１〜図４に基づいて説明する。
【００２７】先ず、図１に示すように、ＬＥＤプリントヘッド５の透明な絶縁性基板６をステージ１０上に載置する。ＬＥＤアレイチップ１の複数の突起状電極４を複数の導体パターン７の接続端子部８の半田に当接し、ＬＥＤアレイチップ１を０．５〜１ｋｇｆ／ｃｈｉｐで加圧し、突起状電極４の先端部を図５に示すように接続端子部８の半田内に挿入する。これを所要のＬＥＤアレイチップ１の数だけ繰り返し、図１に示すように複数のＬＥＤアレイチップ１を透明な絶縁性基板６上に直線状に配列する。
【００２８】図２において、加圧・加熱ツール９を降下させ、ＬＥＤアレイチップ１の裏面に当接し、１〜２ｋｇｆ／ｃｈｉｐで加圧すると共に加圧・加熱ツール９の温度を１９０℃に加熱する。加圧・加熱ツール９の加熱により接続端子部８の半田が融解し、加熱開始より約２０〜６０秒経過すると接続端子部８の半田と突起状電極４の金との接触領域で合金が形成され、接続端子部８の半田が突起状電極４に付着する。
【００２９】図３において、加圧・加熱ツール９の加熱を停止させ、接続端子部８の半田の温度が凝固点１８３℃以下になった後に、加圧・加熱ツール９をＬＥＤアレイチップ１の裏面より上昇させてこのＬＥＤアレイチップ１の半田付けを終了する。
【００３０】図４に示すように、図１〜図３の工程をＬＥＤプリントヘッド５の透明な絶縁性基板６上に配列されたＬＥＤアレイチップ１の数だけ繰り返し、複数のＬＥＤアレイチップ１のＬＥＤプリントヘッド５への実装を終了する。
【００３１】第１実施例での半田付け状態の詳細を図５〜図１０に基づいて説明する。
【００３２】図５〜図９は、図１〜図４の各製造工程における突起状電極４と接続端子部８の半田の状態を拡大した断面図である。
【００３３】図５では、ＬＥＤアレイチップ１が０．５〜１ｋｇｆ／ｃｈｉｐで加圧されているため、突起状電極４の先端部分は接続端子部８の半田内に埋め込まれ、突起状電極４と接続端子部８の半田は接着されている。
【００３４】図６では、加圧・加熱ツール９が下降して、一つのＬＥＤアレイチップ１の裏面と接触して１〜２ｋｇｆ／ｃｈｉｐで加圧し、突起状電極４の先端部分は接続端子部８の半田内に更に食い込んで潰れる。ここで、加圧・加熱ツール９の温度を１９０℃にするとＬＥＤアレイチップ１からアルミ電極３を通じて熱が伝わり、突起状電極４が加熱される。突起状電極４が加熱されると、接続端子部８の半田は突起状電極４と接触している半田表面から融解が開始され、突起状電極４の周辺部からの半田が融解する。
【００３５】図７では、接続端子部８の半田が融解し始めるとその濡れ性より、接続端子部８の半田が突起状電極４の上部に吸い上がり、加熱開始より２０〜６０秒経過すると、突起状電極４と接続端子部８の半田の接触領域において、突起状電極４の金と接続端子部８の半田の合金が形成され、突起状電極４に接続端子部８の半田が十分付着する。」（第３頁右欄４６行〜第４頁右欄１行）
（１ｄ）突起状電極を有するＬＥＤアレイチップを接続端子部を備えた絶縁性基板に実装する方法における各工程毎の接続端子部の接合断面図において、特に、突起状電極の先端部分は、突起状電極の中央部から突出している構成（図５〜図９）
　
　上記摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）において、 特に、上記摘記事項（１ｄ）には、
 「突起状電極を有するＬＥＤアレイチップを導体パターンを備えた絶縁性基板に実装する方法」
　が開示されている。
　ここで、当該実装する方法の各工程については、上記摘記事項（１ｃ）、（１ｄ）に、
「突起状電極を絶縁性基板の導体パターンの接続端子部の半田に当接し、突起状電極の中央部から突出する先端部分を半田に食い込ませ、突起状電極の先端部分を半田に更に食い込んで潰れさせる工程、突起状電極付きＬＥＤアレイチップを絶縁性基板に固着するとと共に、突起状電極と半田との接触領域に合金を形成する工程を含むことを特徴とする突起状電極付きＬＥＤアレイチップの実装方法。」
が開示されている。 
　以上の開示内容を総合すると、刊行物１には、
「突起状電極を有するＬＥＤアレイチップを導体パターンを備えた絶縁性基板に実装する方法において、
　突起状電極を絶縁性基板の導体パターンの接続端子部の半田に当接し、突起状電極の中央部から突出する先端部分を半田に食い込ませ、突起状電極の先端部分を半田に更に食い込んで潰れさせる工程、突起状電極付きＬＥＤアレイチップを絶縁性基板に固着するとと共に、突起状電極と半田との接触領域に合金を形成する工程を含むことを特徴とする突起状電極付きＬＥＤアレイチップの実装方法。 」
との発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　次に、原査定の拒絶理由通知に引用された刊行物、特開平２−２８５５５０号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
（２ａ）「産業上の利用分野
　本発明は、半導体装置、特に多端子、狭ピッチのＩＣ、ＬＳＩのパッケージングの製造方法に関するものである。」（第２頁左上欄２〜５行）
（２ｂ）「実施例
　本発明の一実施例を第１図と共に説明する。まず第１図ａに示す様に、セラミック，ガラス等よりなる絶縁性の配線基板１の配線２の後に半導体素子２の電極４が固着される領域とガラス，金属等よりなる加圧ステージ５の凹部６と位置あわせを行う。加圧ステージ５の凹部６は、半導体素子３の電極より大きく、配線２はＣｒ−Ａｕ、Ａｌ，Ｃｕ，ＩＴＯ、タングステン，Ａｇ／Ｐｄ等であり、その厚みは０．１〜５０μｍ程度である。
　次に第１図ｂに示す様に、配線基板１の、後に半導体素子３が固着される領域に、導体配線２を含んで接着剤７を塗布する。接着剤７は熱硬化型又は紫外線硬化型のエポキシ，シリコーン，アクリル等の樹脂である。接着剤７の塗布方法は、ディスペンサ等を用いる。
　次に第１図ｃに示す様に、半導体素子３の突起電極４と基板配線２を一致する様に固定し、加圧ツール８により加圧する。この時、配線基板１の加圧ステージ５の凹部６に配置された領域では、配線基板１が半導体素子３の電極４に加圧されるので、配線基板１は凹部６方向に変形する。つまり、電極が合致される部分の厚さｌ１と、半導体素子の中央領域の厚さｌ２の関係が
ｌ１＞ｌ２となる。
　接着剤７が熱硬化型ならば熱を加え又紫外線硬化型ならば紫外線を加え、硬化完了を待ち、加圧ツール８を解除する。この時、配線基板１の半導体素子３の電極４が固着された領域は、加圧ステージ５の凹部６の空洞の存在により弾性変形を引き起こした状態で固着される。すなわち、第１図ｄに示すように、半導体素子と配線基板５の間隔において半導体素子領域の間隔ｌ１が他の領域ｌ２より大きい状態固着される為、半導体素子３の電極４は接着剤７の接着力と、第３図のごとく配線基板１の弾性応力により導体配線２と接触した状態が保持され、電気的な接続を得るものである。」（第３頁左上欄５行〜同頁左下欄２行）
（２−ｃ）「発明の効果
　以上のように、本発明では半導体素子の電極と導体配線を接続に、樹脂の収縮力だけでなく配線基板の変形復元力や復元力に対する抗力も利用する方法である。ゆえに高温で接着剤の収縮力が減少した場合あっても、配線基板の変形の復元力や抗力が働くことにより常に、半導体素子の電極と導体配線は圧接され電気的な接続を得ることが可能である為、半導体装置の高温下での使用に有利な方法である。又、大規模ＬＳＩなどで高温を発生する半導体装置に適する。」（第３頁左下欄１４行〜同頁右下欄４行）
（２−ｄ）突起電極付き半導体部品と凹部方向に変形する配線基板との間にエポキシ、シリコーン、アクリル等の接着剤を介在させた状態で突起電極を配線基板の配線に押しつけて、配線を基板側へ凹状に変形させ、この変形を残した状態で接着剤を硬化させて突起電極付き半導体素子を配線基板に固着する突起電極付き半導体素子の実装方法の各工程（図１ａ〜図１ｄ）
　　
（３）対比・判断 
　本願補正発明と刊行物１発明とを比較すると、刊行物１発明の「突起状電極」、「ＬＥＤアレイチップ」、「導体パターン」、「絶縁性基板」、「先端部分」、「接触領域」は、本願補正発明の「バンプ」、「電子部品」、「電極」、「基板」、「突部」、「境界部分」に各々相当する。
　ここで、刊行物１発明の「絶縁性基板の導体パターンの接続端子部の半田」とは、絶縁性基板に形成された導体パターン上に接続端子部として外部端子に接する表面に半田が形成されていることを意味するから、本願補正発明の「基板の電極にプリコートされた半田」に相当する。
　また、刊行物１発明の「突起状電極の先端部分を半田に更に食い込んで潰れさせる工程」とは、当初は半田に対して突起状電極を押圧しているが、当該押圧によって半田に食い込むのであるから、その下にある導電パターンに達していると解され、その結果、導電パターンを圧接することなるので、当該工程は、本願補正発明の「バンプの突部を電極に直接圧接させる」工程に相当する。
　さらに、刊行物１発明の「突起状電極と半田との接触領域に合金を形成する工程」とは、突起状電極が突起状電極の先端部分（本願補正発明のバンプの突部）を含む概念あるから、当該工程は、本願補正発明の「バンプ及び前記突部と半田との境界部分に合金を形成する工程」に相当する。
　
　そうすると、両者は、 
 「バンプ付電子部品を電極を備えた基板に実装する方法であって、バンプを基板の電極にプリコートされた半田に押しつけてバンプの中央部から突出する突部を半田に食い込ませ、バンプの前記突部を電極に直接圧接させる工程と、バンプ付電子部品を基板に固着するとともにバンプ及び前記突部と半田との境界部分に合金を形成する工程とを含むことを特徴とするバンプ付電子部品の実装方法。」  
の点で一致し、以下の点で相違する。  
　
　相違点  
　本願補正発明では、バンプ付電子部品と弾性を有する基板との間に絶縁性ボンドを介在させた状態で、電極を基板側へ凹状に変形させ、この変形を残した状態で絶縁性ボンドを硬化させるのに対して、刊行物１発明では、弾性を有する基板及び絶縁性ボンドを用いていない点
　
　以下、上記相違点について検討する。 
　バンプ付電子部品の実装技術分野において、安定した接着性を得るということは、周知の技術的課題である。
　また、安定した接着性を得るため、刊行物２には、絶縁性ボンド及び弾性を有する基板を同時に用い、絶縁性ボンドによる樹脂の収縮力による接着性に加えて、弾性を有する基板に変形を加えることにより変形復元力や変形復元力に対する抗力を利用して、特に高温時に樹脂の収縮力の低下を補い、温度依存性の少ない安定した接着性を得る技術が開示されている。　
　より具体的には、「突起電極付き半導体部品と凹部方向に変形する配線基板との間にエポキシ、シリコーン、アクリル等の接着剤を介在させた状態で突起電極を配線基板の配線に押しつけて、配線を基板側へ凹状に変形させ、この変形を残した状態で接着剤を硬化させて突起電極付き半導体素子を配線基板に固着する突起電極付き半導体素子の実装技術」である。
　ここで、当該実装技術において「突起電極」、「半導体部品」、「凹部方向に変形する配線基板」、「エポキシ、シリコーン、アクリル等の接着剤」は、本願補正発明の「バンプ」、「電子部品」、「弾性を有する基板」、「絶縁性ボンド」に相当し、当該実装技術における「配線」は、半導体素子を実装する際、半導体素子の外部端子であるバンプと電気的接続をとるため、本願補正発明の「電極」に相当するので、刊行物２には、
「バンプ付電子部品と弾性を有する基板との間に絶縁性ボンドを介在させた状態で、バンプを配線基板の配線に押しつけて、電極を基板側へ凹状に変形させ、この変形を残した状態で絶縁性ボンドを硬化させるバンプ付き電子部品の実装技術」が開示されている。
　したがって、刊行物１発明のバンプ付き電子部品の実装方法において、上記技術的課題に配慮し、刊行物２に開示された技術を採用することは、当業者であれば容易に想到し得た事項である。
　そして、本願補正発明の作用効果も、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が予測できる範囲のものである。
　
　よって、本願補正発明は、刊行物１，２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
（４）むすび  
　本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 
３．本願発明について 
（１）本願発明
　平成１６年１０月１２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１，２に係る発明は、平成１６年７月２７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１，２に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は、以下のとおりのものと認める。  
 「バンプ付電子部品を電極を備えた基板に実装する方法であって、バンプ付電子部品と弾性を有する基板との間に絶縁性ボンドを介在させた状態でバンプを基板の電極にプリコートされた半田に押しつけて食込ませ、バンプを電極に圧接させるとともにこの電極を基板側へ凹状に変形させる工程と、この変形を残した状態で絶縁性ボンドを硬化させてバンプ付電子部品を基板に固着するとともにバンプと半田との境界部分に合金を形成する工程とを含むことを特徴とするバンプ付電子部品の実装方法。」 （以下、「本願発明」という。）
　  
（２）刊行物  
 　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１（特開平６−３４９８９２号公報）及び刊行物２（特開平２−２８５６５０号公報）の記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。  
 　 
（３）対比・判断  
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、「バンプの中央部から突出する突部を半田に」、「前記突部」、「直接」、「及び前記突部」との構成を省いたものである。
　とすれば、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（３）」に記載したとおり、刊行物１及び刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび  
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。