【事件の表示】
　平成　９年特許願第２９２４６５号「マトリクス基板及び液晶表示装置と投写型液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　５月１１日出願公開、特開平１１−１２５８３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１０月２４日に出願された特許出願であって、原審において平成１４年８月１５日付けで通知された拒絶理由通知書に対して、同年１０月１８日付けで手続補正書が提出された後、平成１５年２月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年３月２０日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月１８日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年４月１８付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年４月１８日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　平成１５年４月１８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、
「複数の画素電極と複数の画素トランジスタを有する表示領域と、前記表示領域の外側に設けられた駆動用トランジスタを有する駆動回路領域と、を有し、前記表示領域及び前記駆動回路領域の外周のシール領域に付与されるシール材及びスペーサを用いて対向基板と貼り合わされて表示装置を形成し得るマトリクス基板において、
　前記画素電極より下の層であって、且つ前記画素トランジスタ及び前記駆動用トランジスタより上に設けられた第１の導電層と、前記画素電極より下の層であって、且つ前記シール領域内に設けられた第２の導電層と、が電気的に分離されていることを特徴とするマトリクス基板。」と補正された。
　上記補正は、「シール領域に設けられた第２の導電層」を「シール領域内に設けられた第２の導電層」とする補正であって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定される特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　よって、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第４項の規定による特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
（２）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特公平２−６１７２５号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。 
（ａ）「また図において１は水平方向のシフトレジスタ、バツフア回路入力回路等を含む水平方向の制御回路部を示し、２は垂直方向のシフトレジスタ、バツフア回路等を含む垂直方向の制御回路部で、水平方向制御回路部１に表示信号が与えられて順次的にスイツチングＭＯＳトランジスタによつて各液晶表示部を表示するようになされる。」（第１頁２欄４−１０行）
（ｂ）「基板１１上には、第３図に示すように、液晶表示部を駆動制御する制御回路及び各絵素に対応して設けられる駆動回路を構成する半導体回路が設けられる。半導体基板１１の周辺部には、前述したように、第１図で説明した制御回路１及び２を構成する周辺回路部Ｓが設けられ、これより内側において表示部Ｅの複数の絵素部が基板１１及び１２の板面方向に沿つて水平及び垂直方向にすなわちマトリクス状に配列される。そして半導体基板１１の液晶１３が配置される側にはこれらの表示部に対応して例えばＮ型のソース及びドレイン領域１４ｓ及び１４ｄがイオン注入法、拡散法等によつて形成され、これら間上にゲート絶縁層１５例えばＳｉＯ２層が形成され、更にこれの上にゲート電極１６が設けられて第１図で説明したスイツチング用のＭＯＳトランジスタが形成される。またこれらソース領域１４ｓ及びドレイン領域１４ｄ上にオーミツクに連結して夫々ソース電極及びドレイン電極となり且つこれらよりの配線部となる導電層１７が設けられる。またこれら各ＭＯＳに隣合つて基板１１の表面に基板１１と同導電型の高濃度領域１８が設けられ、これの上には例えばゲート絶縁層１５と同時に形成されたＳｉＯ２等の薄い誘電体層１９が形成され、これの上にＭＯＳのドレイン電極に連結された導電層１７が延在して高濃度領域１８との間に第１図で説明した容量Ｃが構成される。導電層１７が周辺回路部Ｓにおける配線或いは電極等の導電層２０と共に例えば低比抵抗の多結晶半導体層例えばソース及びドレイン、領域１４ｓ及び１４ｄと同導電型のＮ型の多結晶シリコン層によつて形成し得る。２１は基体１１の表面に形成された絶縁層、例えば厚いＳｉＯ２酸化物層である。また、導電層１７及び２０上を含んで例えば全面的に燐ガラス或いは砒素ガラス等の絶縁層３３を形成し、これの導電層１７及び２０上の所定部に窓が穿設され、これら窓を通じて導電層１７及び２０と電気的に連結する端子導出或いは各導電層１７及び２０の相互の接続等を行う金属配線層例えばＡｌ層２２が所定のパターンに形成されてこれの上に表面が平滑化されるようにいわゆるガラスフローされた燐ガラス或いはポリイミド系樹脂等による絶縁層２３が被着される。そしてこの絶縁層２３上に液晶１３に電圧を与えるための電極特に表示部Ｅすなわち各絵素に対応して設けられる絵素電極２４と、周辺回路部Ｓ上に対向する部分、言い換えれば本来の表示部以外で且つ液晶１３の四周に対する例えばリング状の周辺電極２５と、更に端子部３２とを配置する。各絵素電極２４はこれの下の例えば容量Ｃの一方の電極となる導電層１７に接続された金層配線層２２に、絶縁層２３に穿設された窓を通じて電気的に接続される。電極２４及び２５上とこれらが形成されていない絶縁層２３上に渡つて全面的にＳｉＯ２等の液晶の配向効果を得るための配向処理がなされた配向層２６が全面的に被着される。」（第２頁３欄１２−４欄２３行）
（ｃ）「３０は基板１１及び透明基板１２間の間隔を規制して液晶１３の封入空間の厚さを規制するスペーサとなり且つ液晶封入空間を液密に保持する障壁でまた３１はＡｇペースト或いはＩｎバンプ等よりなる導電体で、例えば遮光電極２７とこれに対応する端子部３２とを電気的に接続する。」（第２頁４欄３８−４４行）
（ｄ）第３図から、基板１１及び透明基板１２間の間隔を規制して液晶１３の封入空間の厚さを規制するスペーサとなり且つ液晶封入空間を液密に保持する障壁３０（以下、スペーサ且つ障壁３０という。）が形成された領域に、周辺電極２５と端子部３２で接続された金属配線層２２が見てとれる。
　
　そして、上記（ｂ）に記載のとおり、表示部Ｅの複数の絵素部が基板１１及び１２の板面方向に沿つて水平及び垂直方向にすなわちマトリクス状に配列されていることから、基板１１はマトリクス基板である。
　また、絵素電極２４と周辺電極２５とが電気的に分離されていることは明らかであり、それぞれと接続される金属配線層２２も電気的に分離されていることは自明である。
　
　したがって、上記（ａ）−（ｄ）の記載事項からみて、引用例には以下の発明が記載されていると認められる。 
　「複数の絵素電極と複数のスイッチング用のＭＯＳトランジスタを有する表示部Ｅと、前記表示部Ｅの外側に設けられた周辺回路部Ｓと、を有し、前記表示部Ｅ及び前記周辺回路部Ｓの外周のスペーサ且つ障壁３０が形成された領域に付与されるスペーサ且つ障壁３０を用いて対向基板と貼り合わされて表示装置を形成し得るマトリクス基板において、
　前記絵素電極より下の層であって、且つ前記スイッチング用のＭＯＳトランジスタ及び前記周辺回路部Ｓより上に設けられた導電層１７に接続された金属配線層２２と、前記絵素電極より下の層であって、且つ前記スペーサ且つ障壁３０が形成された領域に設けられた周辺電極２５に接続された金属配線層２２と、が電気的に分離されていることを特徴とするマトリクス基板。」（以下、引用例発明という。）
　
（３）対比・判断
　次に、本願補正発明と引用例発明とを対比すると、  
（ａ）引用例発明における「絵素電極」、「スイッチング用ＭＯＳトランジスタ」、「表示部Ｅ」及び「周辺回路部Ｓ」は、本願補正発明における「画素電極」、「画素トランジスタ」、「表示領域」及び「駆動回路領域」に相当する。 
（ｂ）上記「（２）（ｂ）」に記載のとおり、周辺回路部Ｓは制御回路１及び２を構成するものであって、上記「（２）（ａ）」には、制御回路１及び２はシフトレジスタ、バツフア回路等を含むものである、と記載されていることから、周辺回路部Ｓがトランジスタを有していることは明らかであり、当該トランジスタは絵素の駆動に用いられるものである。
　よって、周辺回路部Ｓは駆動用トランジスタを有するものである。
（ｃ）上記（ｂ）のとおり、周辺回路部Ｓは駆動用トランジスタを有しているので、周辺回路部Ｓの上に設けられた金属配線層２２は駆動用トランジスタの上に設けられたものとなる。
（ｄ）引用例発明における「スペーサ且つ障壁３０が形成された領域」は液晶封入空間を液密に保持している領域であることから、本願補正発明における「シール領域」に相当するものであって、当該「スペーサ且つ障壁３０」は「スペーサ」の機能と「液晶封入空間を液密に保持する障壁」即ち「シール材」の機能を有するものであることから、本願補正発明の「シール材及びスペーサ」に相当するものである。
（ｅ）引用例発明における「金属配線層２２」が導電性を有していることは明らかであるから、引用例発明における「導電層１７に接続された金属配線層２２」及び「周辺電極２５に接続された金属配線層２２」は、本願補正発明の「第１の導電層」及び「第２の導電層」に相当するものである。
（ｆ）引用例発明における「スペーサ且つ障壁３０が形成された領域に設けられた周辺電極２５に接続された金属配線２２」とは「領域
内に
　
　以上のとおり、本願補正発明と引用例発明とを対比すると相違点は認められず、実質的に同一のものである。
　したがって、本願補正発明は引用例に記載された発明と実質的に同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法等の一部を改正する法律（平成１５年法第律４７号）附則第２条第７項の規定によりなお従前の例によるものとされた（同法［第１条の規定］による）改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１５年４月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１４年１０月１８日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１−８に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は、以下のものである。 
　「複数の画素電極と複数の画素トランジスタを有する表示領域と、前記表示領域の外側に設けられた駆動用トランジスタを有する駆動回路領域と、を有し、前記表示領域及び前記駆動回路領域の外周のシール領域に付与されるシール材及びスペーサを用いて対向基板と貼り合わされて表示装置を形成し得るマトリクス基板において、
　前記画素電極より下の層であって、且つ前記画素トランジスタ及び前記駆動用トランジスタより上に設けられた第１の導電層と、前記画素電極より下の層であって、且つ前記シール領域に設けられた第２の導電層と、が電気的に分離されていることを特徴とするマトリクス基板。」（以下、「本願発明」という。）
　
（１）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、および、その記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。  
　
（２）対比・判断
　本願発明は、上記「２．」で検討した本願補正発明の「シール領域内に設けられた第２の導電層」が「シール領域に設けられた第２の導電層」となったものであり、上記 「２．（３）（ｆ）」のとおり、両者の相違は表現上の違いであって、実質的に同一である。
　したがって、本願補正発明は、上記「２．（３）」に記載したとおり、引用例に記載された発明と実質的に同一であるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明と実質的に同一である。
　
　なお、原査定の拒絶理由は、特許法第２９条第１項第３号に該当するというものではないが、審判請求人は、平成１４年１０月１８日付け手続補正書において、本件発明と引例１（上記引用例と同じ）とを対比する上で、引例１の開示内容に関し言及しているから、容易性のみならず、同一性についても検討していることは明らかである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明と実質的に同一であるから、特許法第２９条第１項３号の規定により特許を受けることができない。  
　よって、結論のとおり審決する。