【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年3月15日(2010.3.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子メモリーであって、前記分子メモリーが電気化学的セルアレーを含み、前記セルアレーが複数のナノスケール電気化学的セルを含み、
前記メモリーを構成するセルが、最上部の壁を有し、また、前記セルが１０フェムトリットル未満の容積を有するウェルであり；
前記ウェルの壁が第一の電極および第二の電極を含み、前記第一の電極および第二の電極は不導体または半導体によって分離され、前記ウェルの内部に暴露される前記第一の電極の表面積の前記ウェルの内部に暴露される前記第二の電極の表面積に対する比が少なくとも２：１であり；さらに
レドックス活性を有する分子が前記第二の電極に電気的に結合されてある前記分子メモリー。
【請求項２】
前記レドックス活性を有する分子が、ポルフィリン系マクロサイクル、メタロセン、直鎖状ポリエン、環状ポリエン、ヘテロ原子置換直鎖状ポリエン、ヘテロ原子置換環状ポリエン、テトラチアフルバレン、テトラセレナフルバレン、金属配位錯塩、バッキーボール、トリアリールアミン、１，４−フェニレンジアミン、キサンテン、フラビン、フェナジン、フェノチアジン、アクリジン、キノリン、２，２'−ビピリジル、４，４'−ビピリジル、テトラチオテトラセンおよびペリブリッジ化−ナフタレンジカルゴゲナイドから成る群から選択される分子である請求項１のメモリー。
【請求項３】
前記レドックス活性を有する分子が、ポルフィリン、膨張ポルフィリン、収縮ポルフィリン、フェロセン、直鎖状ポルフィリンポリマー、ポルフィリンサンドイッチ複合体およびポルフィリンアレーから成る群から選択される分子である請求項１又は請求項２のメモリー。
【請求項４】
前記有機分子がβ−位またはメソ−位で置換されたポルフィリン系マクロサイクルを含む請求項３のメモリー。
【請求項５】
前記の比が予め決められる請求項１から請求項４のいずれか1項のメモリー。
【請求項６】
前記の比が少なくとも５：１である請求項１から請求項５のいずれか1項のメモリー。
【請求項７】
前記アレーが少なくとも１００のウェルを含む請求項１から請求項６のいずれか1項のメモリー。
【請求項８】
前記メモリーを構成する２つのウェルの間の中心から中心までの距離が２５０ｎｍまたはそれ未満である請求項１から請求項７のいずれか1項のメモリー。
【請求項９】
前記メモリーを構成する複数のセルがそれぞれ別個にアドレス可能である請求項１から請求項８のいずれか1項のメモリー。
【請求項１０】
前記第一の電極が、底部の壁および前記最上部の壁を除いて前記ウェルを構成する全ての壁を含む請求項１から請求項９のいずれか1項のメモリー。
【請求項１１】
前記第一の電極および前記第二の電極が、底部の壁および前記最上部の壁を除いて前記ウェルを構成する全ての壁を含む請求項１から請求項９のいずれか1項のメモリー。
【請求項１２】
前記第一の電極および第二の電極が、銅、銀、クロム、金、白金、導電性ポリマー、アルミニウム、ケイ素、ゲルマニウム、砒化ガリウム、ルテニウム、チタン、タンタルから成る群からそれぞれ別個に選択される請求項１から請求項１１のいずれか1項のメモリー。
【請求項１３】
前記第一の電極が半導体である請求項１から請求項１２のいずれか1項のメモリー。
【請求項１４】
前記絶縁体または半導体が絶縁体である請求項１から請求項１３のいずれか1項のメモリー。
【請求項１５】
前記絶縁体が二酸化ケイ素および窒化ケイ素から成る群から選択される請求項１４のメモリー。
【請求項１６】
前記第一の電極が銀電極であり、前記第二の電極が金電極である請求項１から請求項１５のいずれか1項のメモリー。
【請求項１７】
前記アレーがケイ素の基材上で形成されている請求項１から請求項１６のいずれか1項のメモリー。
【請求項１８】
前記メモリーの複数のセルがそれぞれ別個にアドレス可能である請求項１から請求項１７のいずれか1項のメモリー。
【請求項１９】
分子メモリーを製造する方法であって：
非導電性基材の上に第一の導体を付着させること；
前記導体の上に半導体または不導体を付着させること；
前記半導体または不導体の上に第二の導体を付着させること；
前記第二の導体と前記不導体または半導体と前記第一の導体とを貫く孔を形成することであって、それによって前記孔が１０フェムトリットル未満の容積を有するウェルを形成し、さらに前記第一の導体、前記絶縁体または半導体および前記第二の導体が前記ウェルの壁を構成すること；さらに前記第二の導体にレドックス活性を有する分子を結合させること、
を含む方法。
【請求項２０】
前記非導電性基材が、二酸化ケイ素および窒化ケイ素から成る群から選択される非導電性基材である請求項１９の方法。
【請求項２１】
前記第一の導体を、電子ビーム蒸着、熱蒸着、電気化学的還元および非電気的付着から成る群から選択される方法によって付着させる請求項１９又は請求項２０の方法。
【請求項２２】
前記第二の導体を、電子ビーム蒸着、熱蒸着、電気化学的還元および非電気的付着から成る群から選択される方法によって付着させる請求項１９から請求項２１のいずれか1項の方法。
【請求項２３】
前記第一の導体の付着が、導電性材の層を付着させ、前記導電性材の領域を選択的に除去してパターン化導電性材を形成する工程を含む請求項１９から請求項２２のいずれか1項の方法。
【請求項２４】
前記第二の導体の付着が、導電性材の層を付着させ、前記導電性材の領域を選択的に除去してパターン化導電性材を形成する工程を含む請求項１９から請求項２３のいずれか1項の方法。
【請求項２５】
前記選択的除去が、パターン化レジストを前記導体上に付着させ、続いて前記導体をエッチングする工程を含む請求項２３または請求項２４のいずれかの方法。
【請求項２６】
前記第一の導体が銀の層を含む請求項１９から請求項２５のいずれか1項の方法。
【請求項２７】
前記第二の導体が金の層を含む請求項１９から請求項２６のいずれか1項の方法。
【請求項２８】
前記不導体または半導体が誘電体を含む請求項１９から請求項２７のいずれか1項の方法。
【請求項２９】
前記孔が、レーザー穿孔、反応性イオンエッチング、化学的補助イオンビームミリングおよび湿式エッチングからなる群から選択される方法によって形成される請求項１９から請求項２８のいずれか1項の方法。
【請求項３０】
前記孔が複数の孔の１つである請求項１９から請求項２９のいずれか1項の方法。
【請求項３１】
前記ウェルの内部に暴露される前記第一の導体の表面積の前記ウェルの内部に暴露される前記第二の導体の表面積に対する比が少なくとも２：１である請求項１９から請求項３０のいずれか1項の方法。
【請求項３２】
前記の比が予め決められる請求項３１の方法。
【請求項３３】
前記複数のウェルが少なくとも１０のウェルを含む請求項３０から請求項３２のいずれか1項の方法。
【請求項３４】
前記アレーを構成する２つのウェルの間の中心から中心までの距離が２．５ミクロンまたはそれ未満である請求項３０から請求項３３のいずれか1項の方法。
【請求項３５】
前記第一の導体が、底部の壁および最上部の壁を除いて前記ウェルを構成する全ての壁を含む請求項１９から請求項３４のいずれか1項の方法。
【請求項３６】
前記第一の導体および前記第二の導体が、底部の壁および最上部の壁を除いて前記ウェルを構成する全ての壁を含む請求項１９から請求項３５のいずれか1項の方法。
【請求項３７】
前記第一の電極が前記ウェルを構成する全ての壁を含む請求項１９から請求項３６のいずれか1項の方法。
【請求項３８】
前記第一および第二の導体が、銅、銀、クロム、金、白金、導電性ポリマー、アルミニウム、ケイ素、ゲルマニウム、砒化ガリウム、ルテニウム、チタン、タンタルから成る群からそれぞれ別個に選択される請求項１９から請求項３７のいずれか1項の方法。
【請求項３９】
前記第一の導体が半導体である請求項１９から請求項３８のいずれか1項の方法。
【請求項４０】
前記絶縁体または半導体が絶縁体である請求項１９から請求項３９のいずれか1項の方法。
【請求項４１】
前記絶縁体が二酸化ケイ素、窒化ケイ素から成る群から選択される請求項４０の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
発明の要旨
ある実施態様では、本発明はナノスケールの電気化学的セルを提供する。好ましい実施態様では、前記セルは、典型的には約１ミクロン×１ミクロン未満（例えば１μｍ2）、好ましくは１００ｎｍ×１００ｎｍ未満、より好ましくは約５０ｎｍ×５０ｎｍ未満、もっとも好ましくは約２５ｎｍ×２５ｎｍ未満の断面積を有するウェルを含む。前記ウェルの壁は、第一の電極、場合によって第二の電極を含む。前記第一の電極および第二の電極は不導体または半導体によって分離され、さらに、前記ウェルの内部に暴露される第一の電極の表面積の前記ウェルの内部に暴露される第二の電極の表面積に対する比は、少なくとも約２：１、好ましくは少なくとも約５：１、より好ましくは少なくとも１０：１または２０：１である。前記の比は典型的には予め決められる（例えばウェルの製造の前に決められる）。好ましい実施態様では、前記ウェルは約１００フェムトリットル未満、より好ましくは約５０フェムトリットル未満、もっとも好ましくは約１０または５フェムトリットル未満の容積を有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
本方法はさらに、分子（例えばレドックス活性を有する分子、結合パートナーなど）を前記第二および／または第一の導体に結合させることを含む。前記の孔は複数の孔の１つであってもよい。ある種の実施態様では、前記ウェルの内部に暴露される前記第一の導体の表面積の前記ウェルの内部に暴露される前記第二の導体の表面積に対する比は、少なくとも約２：１、好ましくは少なくとも約５：１、より好ましくは少なくとも約１０：１または２０：１である。前記の比は予め決めることができる。本発明にしたがって製造されるウェルには本明細書に記載される一切のウェルまたはセルアレーが含まれるが、ただしこれらに限定する必要はない。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
前記のようなウェルの３つの断面が図２に示されている。図示されている実施態様では、基材（１０）は第一の導体（１２）、第二の導体（１６）および第三の導体（１４）で被覆され、絶縁層（１８）が各導電層の間に存在する。この図では、３つのウェルが示されてあり、それらはエッチングによって、導電層および絶縁層（１８）を貫通し、さらに導電層（１２）を部分的に貫通する。これによって、３つの異なる導電表面、低部の導電表面（導体（１２））およびウェルの側部上に２つの導電表面（導体（１４）および（１６））を有するウェル（モルホール）が形成される。導体（１４）に結合した有機分子（２０）（例えばレドックス活性を有する分子、結合パートナーなど）が示されてあり、前記は電気化学的測定のために指示電極として用いることができる。各ウェルはしたがって個々の指示電極をもつ電気化学的セルを形成し、前記電極は各々のセルにのみアドレスする。電気化学的測定は、個々のセルでまたは集合セルで容易に実施することができる。第三の導体（１２）は任意であるが、前記が存在するときは単一セルまたは集合セルのバイアスのために都合よく使用することができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
ある種の実施態様では、前記モルホールはそれぞれ分断された別個のウェルに限定されない。他の幾何学構造もまた利用することができる。したがって、ある好ましい実施態様では、モルホールは実際には溝（ｃｈａｎｎｅｌ）のように形成される（例えば図５を参照されたい）。前記の溝が１つまたは２つ以上の導体の長軸に沿って配置される場合は、前記導体は前記溝の全長に沿って露出された表面を提供する（例えば図５の導体（１６）を参照）。逆に、溝が導体を横切る場合は、前記導体はちょうどその位置に存在する表面を提供するだけである。溝が多数の導体を横切る場合、各導体は前記溝に沿ってそれぞれ分断された位置で１つの表面を提供するであろう（例えば図５の導体（１４）を参照）。
そのような溝はチップデバイスのラブの製造に特に有用である。そのようなデバイスの好ましい実施態様では、結合パートナー（２０）（例えば抗体、核酸、レクチン、レセプターなど）は１つまたは２つ以上の電極（前記溝の壁を構成する）に結合される。分析物が溝（２４）を流れるとき、特定の分析物が結合パートナー（２０）によって捕捉され、前記捕捉された分析物を電気化学的に検出することができる。好ましい溝は、約１μｍまたはそれ未満、より好ましくは約１００ｎｍまたはそれ未満、もっとも好ましくは約５０、２５または１０ｎｍまたはそれ未満の幅を有する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】全図
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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