【事件の表示】
　平成１１年特許願第３０８５２７号「スピン・バルブ・センサ、磁気ヘッド、磁気ディスク・ドライブ、及びこれらの形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　５月３０日出願公開、特開２０００−１４９２２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１１年１０月２９日（パリ条約による優先権主張１９９８年１１月９日、米国）の出願であって、その請求項１ないし３３に係る発明は、平成１３年１１月１５日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、本願特許請求の範囲の請求項１ないし３３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】　反強磁性ピン止め層と、
　該反強磁性ピン止め層との交換結合によりピン止めされる逆平行（ＡＰ）被ピン止め層と、
　該逆平行（ＡＰ）被ピン止め層に接する非磁性且つ導電性のスペーサ層と、
　該スペーサ層に接する強磁性自由層とを有し、
　前記逆平行（ＡＰ）被ピン止め層が、前記反強磁性ピン止め層に接する第１の強磁性膜と、該第１の強磁性膜に接するＡＰ結合膜と、該ＡＰ結合膜に接する第２の強磁性膜とを有し、
　前記第１及び第２の強磁性膜の材料がＣｏ９０Ｆｅ１０であることを特徴とする、スピン・バルブ・センサ。」
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された特開平９−１６９２０号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
　（ア）「【請求項１２】　基板と、
　前記基板上に形成され、酸化ニッケル（Ｎｉ１−ｘＣｏｘ）Ｏ（ｘは０．０〜０．５）、（Ｆｅ−Ｍｎ）合金およびＣｒを含むグループから選択された反強磁性材料の交換バイアス層と、
　前記交換バイアス層に隣接する積層逆平行ピン止め層であって、前記交換バイアス層に隣接しそれと反強磁性的に結合した第１の強磁性フィルムと、第２の強磁性フィルムと、第１と第２の強磁性フィルムの間にあってそれらと接続する、第１および第２の強磁性フィルムの磁化が、相互に逆平行に整列され、印加磁界の存在下で前記交換バイアス層によって逆平行にピン止めされたままとなるように第１の強磁性フィルムと第２の強磁性フィルムを反強磁性的に結合して、逆平行結合フィルムを備えるピン止め層と、
　前記積層逆平行ピン止め層の第２の強磁性フィルムに隣接した非磁性スペーサ層と、
　前記スペーサ層と隣接し、それと接触し、印加磁界の不在下で、前記積層逆平行ピン止め層中の第１および第２の強磁性フィルムの磁化軸に垂直な、優先磁化軸を有する自由強磁性層と
　を備えるスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
　【請求項１８】　前記積層逆平行ピン止め層中の第１と第２の強磁性フィルムがＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉおよびその合金から成るグループから選択される材料ででき、前記第２の強磁性層中の前記逆平行結合フィルムがＲｕ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｉｒおよびその合金から成るグループから選択された材料でできていることを特徴とする、請求項１２に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
　【請求項１９】　前記積層逆平行ピン止め層中の第１と第２の強磁性フィルムが本質的にコバルトから成ることを特徴とする、請求項１８に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。」（公報の特許請求の範囲請求項１２、１８、１９）
　（イ）「【００２５】　（前略）強磁性フィルムおよびＡＰＣフィルムとしてそれぞれＣｏとＲｕの好ましい材料を使用したＳＶＭＲセンサ中の積層ＡＰピン止め層を示したが、別の強磁性材料（Ｃｏ、Ｆｅ、ＮｉおよびＮｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｏのようなそれらの合金など）を別のＡＰＣフィルム（クロム（Ｃｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、Ｃｕおよびそれらの化合物）と組み合わせることも可能である。（後略）」
　
３　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、上記２（ア）（イ）に摘示した記載事項によれば、
　「基板と、
　前記基板上に形成され、酸化ニッケル（Ｎｉ１−ｘＣｏｘ）Ｏ（ｘは０．０〜０．５）、（Ｆｅ−Ｍｎ）合金およびＣｒを含むグループから選択された反強磁性材料の交換バイアス層と、
　前記交換バイアス層に隣接する積層逆平行ピン止め層であって、前記交換バイアス層に隣接しそれと反強磁性的に結合した第１の強磁性フィルムと、第２の強磁性フィルムと、第１と第２の強磁性フィルムの間にあってそれらと接続する、第１および第２の強磁性フィルムの磁化が、相互に逆平行に整列され、印加磁界の存在下で前記交換バイアス層によって逆平行にピン止めされたままとなるように第１の強磁性フィルムと第２の強磁性フィルムを反強磁性的に結合して、逆平行結合フィルムを備えるピン止め層と、
　前記積層逆平行ピン止め層の第２の強磁性フィルムに隣接した非磁性スペーサ層と、
　前記スペーサ層と隣接し、それと接触し、印加磁界の不在下で、前記積層逆平行ピン止め層中の第１および第２の強磁性フィルムの磁化軸に垂直な、優先磁化軸を有する自由強磁性層と
　を備えるスピン・バルブ磁気抵抗センサであって、
　前記積層逆平行ピン止め層中の第１と第２の強磁性フィルムがＣｏ、Ｆｅ、ＮｉおよびＮｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｏのようなそれらの合金から成るグループから選択される材料でできているスピン・バルブ磁気抵抗センサ。」
　の発明が記載されている。
　
  引用例１に記載された発明の「スピン・バルブ磁気抵抗センサ」は、本願発明の「スピン・バルブ・センサ」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「反強磁性材料の交換バイアス層」は、本願発明の「反強磁性ピン止め層」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「積層逆平行ピン止め層」は、交換バイアス層に隣接し交換バイアス層によってピン止めされるので、本願発明の「反強磁性ピン止め層との交換結合によりピン止めされる逆平行（ＡＰ）被ピン止め層」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「積層逆平行ピン止め層」を構成する「第１の強磁性フィルム」「第２の強磁性フィルム」「逆平行結合フィルム」は、本願発明の「逆平行（ＡＰ）被ピン止め層」を構成する「第１の強磁性膜」「第２の強磁性膜」「ＡＰ結合膜」にそれぞれ相当している。
　引用例１に記載された発明の「非磁性スペーサ層」は、スピン・バルブ磁気抵抗センサにおいて電流が流れる導電性の層であり、「積層逆平行ピン止め層の第２の強磁性フィルムに隣接」しているので、本願発明の「非磁性且つ導電性のスペーサ層」に相当し、「逆平行（ＡＰ）被ピン止め層に接する」構成を備えている。
　　引用例１に記載された発明の「自由強磁性層」は、本願発明の「強磁性自由層」に相当している。
　してみると、本願発明と引用例１に記載された発明は、
　「反強磁性ピン止め層と、
　該反強磁性ピン止め層との交換結合によりピン止めされる逆平行（ＡＰ）被ピン止め層と、
　該逆平行（ＡＰ）被ピン止め層に接する非磁性且つ導電性のスペーサ層と、
　該スペーサ層に接する強磁性自由層とを有し、
　前記逆平行（ＡＰ）被ピン止め層が、前記反強磁性ピン止め層に接する第１の強磁性膜と、該第１の強磁性膜に接するＡＰ結合膜と、該ＡＰ結合膜に接する第２の強磁性膜とを有するスピン・バルブ・センサ。」
　である点で一致しており、以下の点で相違している。
　
　（相違点）　「第１及び第２の強磁性膜の材料」が、本願発明は、「Ｃｏ９０Ｆｅ１０」と特定しているのに対して、引用例１に記載された発明では、ＣｏやＦｅ−Ｃｏ合金から選択された材料である点。
　
（２）相違点についての判断
　Ｃｏ９０Ｆｅ１０は、スピンバルブ磁気抵抗センサにおいて、反強磁性体との交換結合によりピン止めされる強磁性層の材料として、周知の組成比の合金である。例えば、特開平６−３２５９３４号公報（「Ｃｏ系強磁性膜において、Ｃｏ９０Ｆｅ１０に代表されるｆｃｃ格子を有する強磁性膜を用いる」との記載（段落２１）、段落１０４、１１８、１１９等参照）、特開平１０−１１７２３号公報（段落４〜６の従来例に関する記載参照）、特開平１０−２６１８２４号公報（段落４３、７４、７５等参照）、特開平１０−１９８９２６号公報（段落６，図４等参照）。
　してみれば、引用例１に記載された発明における、「ピン止めされる逆平行（ＡＰ）被ピン止め層」を構成する「第１及び第２の強磁性膜の材料」として示されているＣｏやＦｅ−Ｃｏ合金から選択された材料として、その実施に際してＣｏ９０Ｆｅ１０ を採用することは当業者が容易になし得ることであり、その作用効果は、引用例１に記載された発明及び上記周知の事項から、当業者であれば予測することができる程度のものにすぎず、格別顕著なものではない。
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。