【事件の表示】
　特願２０１４−５１５８４０「水溶性ダイアタッチフィルムを用いたレーザ・プラズマエッチングウェハダイシング」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月２０日国際公開、ＷＯ２０１２／１７３７６０、平成２６年　９月　８日国内公表、特表２０１４−５２３１１１、請求項の数（１６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１２年（平成２４年）５月２３日（パリ条約による優先権主張２０１１年６月１５日（以下，「優先権主張日」という。），米国）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２８年　４月１２日付け　　拒絶理由通知書
　平成２８年１０月　３日　　　　意見書，手続補正書の提出
　平成２９年　１月　４日付け　　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
　平成２９年　４月２７日　　　　審判請求書（以下，「審判請求書」とい
　　　　　　　　　　　　　　　　う。）の提出
　平成３０年　６月２８日付け　　拒絶理由通知書（以下，「当審拒絶理由
　　　　　　　　　　　　　　　　」という。）
　平成３０年１２月２７日　　　　意見書，手続補正書の提出
第３　本願発明について
　本願の請求項に係る発明は平成３０年１２月２７日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるものであり，その請求項１ないし１６に係る発明（以下，「本願発明１」ないし「本願発明１６」という。）は，以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングする方法であって、
　水溶性ダイアタッチフィルム上に配置された半導体ウェハの上方に、集積回路を覆い、保護するマスクを形成する工程と、
　レーザスクライビングプロセスによってマスクをパターニングし、これによって集積回路間の半導体ウェハの領域を露出させるギャップをパターニングされたマスクに提供する工程と、
　パターニングされたマスク内のギャップを貫通して半導体ウェハをエッチングし、これによって個片化された集積回路を形成する工程と、
　水溶性ダイアタッチフィルムを水溶液によってパターニングする工程であって、パターニング後に保持された水溶性ダイアタッチフィルムの部分は、個片化された集積回路のエッジを僅かにアンダーカットする工程を含む方法。
　　【請求項２】
　水溶性ダイアタッチフィルムを水溶液によってパターニングする工程は、毎分約１〜１５ミクロンの範囲内のエッチング速度で水溶性ダイアタッチフィルムを個片化する工程を含む請求項１記載の方法。
　　【請求項３】
　水溶性ダイアタッチフィルム上に配置された半導体ウェハの上方にマスクを形成する工程は、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、デキストラン、ポリメタクリル酸、ポリエチレンイミン、及びポリエチレンオキシドからなる群から選択される材料を含む膜上に配置された半導体ウェハの上方にマスクを形成する工程を含む請求項１記載の方法。
　　【請求項４】
　フィルムの厚さは、約５〜６０ミクロンの範囲内である請求項３記載の方法。
　　【請求項５】
　水溶性ダイアタッチフィルムを水溶液によってパターニングする工程は、アルカリ性溶液、酸性溶液、及び脱イオン水からなる群から選択される溶液を使用する工程を含む請求項１記載の方法。
　　【請求項６】
　半導体ウェハの上方にマスクを形成する工程は、水溶性マスクを形成する工程を含み、水溶性ダイアタッチフィルムを水溶液によってパターニングする工程は、水溶性マスクを除去する工程を更に含む請求項１記載の方法。
　　【請求項７】
　レーザスクライビングプロセスによってマスクをパターニングする工程は、フェムト秒ベースのレーザスクライビングプロセスによってパターニングする工程を含み、パターニングされたマスク内のギャップを貫通して半導体ウェハをエッチングする工程は、高密度プラズマエッチングプロセスを使用する工程を含む請求項１記載の方法。
　　【請求項８】
　複数の集積回路を含む半導体ウェハを請求項１記載の方法でダイシングするためのシステムであって、
　ファクトリインタフェースと、
　ファクトリインタフェースに結合されたレーザスクライブ装置と、
　ファクトリインタフェースに結合されたプラズマエッチングチャンバと、
　ファクトリインタフェースに結合され、水溶性ダイアタッチフィルムをパターニングするように構成されたウェット／ドライステーションを含むシステム。
　　【請求項９】
　ウェット／ドライステーションは、アルカリ性溶液、酸性溶液、及び脱イオン水からなる群から選択される水溶液を送出するように構成される請求項８記載のシステム。
　　【請求項１０】
　ウェット／ドライステーションは、貯蔵タンクを満たすことによって、又は噴霧することによって水溶液を送出するように構成される請求項９記載のシステム。
　　【請求項１１】
　プラズマエッチングチャンバ及びウェット／ドライステーションは、ファクトリインタフェースに結合されたクラスタツール上に収容され、クラスタツールは、
　水溶性マスクを形成するように構成された堆積チャンバを含む請求項８記載のシステム。
　　【請求項１２】
　ウェット／ドライステーションは、水溶性ダイアタッチフィルムのパターニング時に、水溶性マスクを除去するように構成される請求項１１記載のシステム。
　　【請求項１３】
　複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングする方法であって、
　水溶性ダイアタッチフィルム上に配置されたシリコン基板の上方に、シリコン基板上に配置された集積回路を覆い、保護するマスクを形成する工程であって、集積回路は、低Ｋ材料の層及び銅の層の上方に配置された二酸化ケイ素の層を含む工程と、
　レーザスクライビングによってマスク、二酸化ケイ素の層、低Ｋ材料の層、及び銅の層をパターニングし、これによって集積回路間のシリコン基板の領域を露出させる工程と、
　露出された領域を貫通してシリコン基板をエッチングし、これによって個片化された集積回路を形成する工程と、
　水溶性ダイアタッチフィルムを水溶液によってパターニングする工程であって、パターニング後に保持された水溶性ダイアタッチフィルムの部分は、個片化された集積回路のエッジを僅かにアンダーカットする工程を含む方法。
　　【請求項１４】
　水溶性ダイアタッチフィルムを水溶液によってパターニングする工程は、毎分約１〜１５ミクロンの範囲内のエッチング速度で水溶性ダイアタッチフィルムを個片化する工程を含む請求項１３記載の方法。
　　【請求項１５】
　水溶性ダイアタッチフィルム上に配置されたシリコン基板の上方にマスクを形成する工程は、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、デキストラン、ポリメタクリル酸、ポリエチレンイミン、及びポリエチレンオキシドからなる群から選択される材料を含む膜上に配置されたシリコン基板の上方にマスクを形成する工程を含む請求項１３記載の方法。
　　【請求項１６】
　複数の集積回路を含む半導体ウェハを請求項１３記載の方法でダイシングするためのシステムであって、
　ファクトリインタフェースと、
　ファクトリインタフェースに結合されたレーザスクライブ装置と、
　ファクトリインタフェースに結合されたプラズマエッチングチャンバと、
　ファクトリインタフェースに結合され、水溶性ダイアタッチフィルムをパターニングするように構成されたウェット／ドライステーションを含むシステム。」
第３　原査定の拒絶の理由　
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１ないし５及び７ないし１５に係る発明は、その優先権主張日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先権主張日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用文献１.特開２００８−１９３０３４号公報
引用文献２.特開２００２−１１８０８１号公報
引用文献３.特開２０１０−１６５９６３号公報
引用文献４.特開２００６−２５３４０２号公報
引用文献５.特開平０７−１４２４４２号公報
第４　引用文献
１　引用文献１の記載
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は，当審で付した。以下同じ。）
「【０００１】
　本発明は、スクライブラインにテストパターンが形成された
半導体ウェハを個々の集積回路毎に分割して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法
「【００１０】
　まず図１を参照して、本実施の形態における半導体チップの製造に用いられる半導体ウェハ１について説明する。図１において半導体ウェハ１は、各半導体チップを切り分けるために格子状に配列されたスクライブライン２ａによって、複数の矩形状のチップ領域２（領域）に区画されている。半導体ウェハ１の回路形成面である表面１ａにおいて、各チップ領域２にはそれぞれ集積回路３が形成されており、スクライブライン２ａにはテストパターン４が形成されている。テストパターン４は、半導体チップの製造工程において特性試験などに用いられ、その機能を果たした後に除去されるものである。本実施の形態に示す半導体チップの製造方法は、半導体ウェハ１をプラズマエッチングを用いたプラズマダイシングによって個々の集積回路３毎に分割して、個片の半導体チップを製造するものである。
【００１１】
　次に、半導体チップの製造方法の詳細工程について、図２のフローに沿って各図を参照しながら説明する。図２において、まず
表面１ａに集積回路３およびテストパターン４が形成された半導体ウェハ１を対象として（図３（ａ）参照）、保持シート貼り付け（ＳＴ１）および保護シート貼り付け（ＳＴ２）が実行される。
【００１２】
　すなわち図３（ｂ）に示すように、表面１ａの反対側の裏面１ｂ側に、半導体ウェハ１が個片に分割された状態の半導体チップを保持するための保持シート８を貼り付ける。
保持シート８は、後工程のダイボンディングにおいて半導体チップを接着するための接着層として機能するダイアタッチフィルム６と樹脂シート７とを積層した構成となっており、この保持シート貼り付けにおいてはダイアタッチフィルム６を裏面１ｂに接触させて貼着する。
【００１３】
　また
表面１ａ側には、回路形成面を保護する保護シート５が貼り付けられる。
そして本実施の形態においては、後述するように、半導体ウェハ１に貼り付けられた保護シート５において、スクライブライン２ａに相当する範囲を除去して、半導体ウェハ１を個片の半導体チップに分割するためのプラズマエッチングにおけるマスクとして機能させるようにしている。
【００１４】
　すなわち、
（ＳＴ１）、（ＳＴ２）においては、半導体ウェハ１において集積回路３が形成された側の表面１ａにプラズマエッチングにおけるマスクとなる保護シート５を貼り付け、さらに裏面１ｂに個片に分割された状態の半導体チップを保持するための保持シート８を貼り付ける（シート貼り付け工程）。
【００１５】
　次に、テストパターン４の除去が行われる（ＳＴ３）。ここでは、図４に示すレーザ加工装置１０を用い、
レーザ光によって保護シート５をスクライブライン２ａに沿って除去して、上述のプラズマエッチングにおけるマスクを形成するマスク形成処理と同時に、テストパターン４の除去が行われる。
・・・　中　略　・・・
【００２０】
　半導体ウェハ１によるレーザ加工においては、レーザ加工装置１０に備えられたレーザ照射部９からレーザ光９ａを照射させ、図３（ｃ）に示すように、半導体ウェハ１においてスクライブライン２ａに沿ってレーザ照射部９を移動させる。これにより、
図３（ｄ）に示すように、レーザ照射部９から照射されるレーザ光９ａによって境界線領域５ａを除去して保護シート５を貫通する開口部５ｂを形成す
【００２１】
　すなわち（ＳＴ３）においては、
保護シート５が貼り付けられた半導体ウェハ１のスクライブライン２ａに沿ってレーザ光９ａを保護シート５側から照射することにより、スクライブライン２ａ上の保護シート５を前述のダイシング幅に相当する所定幅だけ除去してプラズマダイシングのマスクを形成する
【００２２】
　図５は、このテストパターン除去工程後の開口部５ｂの詳細を図示している。レーザ加工においては、保護シート５においてスクライブライン２ａに対応する境界線領域５ａの樹脂成分がレーザ光９ａによって除去されて開口部５ｂが形成される。そして開口部５ｂの底部が保護シート５の下面まで到達した後は、レーザ光９ａの作用は半導体ウェハ１の表面１ａに及ぶようになる。これにより表面１ａにおいてスクライブライン２ａの位置に存在していたテストパターン４が半導体ウェハ１の表面層とともに除去され、レーザ光９ａの作用はさらに半導体ウェハ１の内部まで及ぶ。このとき、レーザ光９ａによって半導体ウェハ１の表面層が除去されて形成された凹部１ｃの表面には、微小なクラックを含むダメージ層１ｄが形成される。
【００２３】
　ダメージ層１ｄはそのまま放置すると半導体ウェハ１の強度を低下させるため除去しなければならない。本実施の形態においては、半導体ウェハ１をプラズマエッチングによって分割するプラズマダイシングの過程において、ダメージ層１ｄも同時に除去するようにしている。このとき、ダメージ層１ｄの形成範囲が開口部５ｂの底部の開口範囲を超えて拡がっているような場合には、ダメージ層１ｄは部分的に保護シート５の下面に覆われた状態となる（図５に示す矢印ａ参照）。このような場合には、保護シート５の下面によって覆われた部分にはプラズマエッチングの作用は及ばず、プラズマダイシングによって半導体ウェハ１が個片の半導体チップに分割された後においても、ダメージ層１ｄが部分的に残留する場合が生じる。
【００２４】
　このため、このような
有害なダメージ層１ｄをプラズマダイシングにおいて完全に除去することを可能とするための処理、すなわちプラズマエッチングによって保護シート５の開口部５ｂの開口幅を拡げ、ダメージ層１ｄを全て開口部５ｂの底部に露呈させるためのアッシングが実行される（ＳＴ４）。このアッシングは、プラズマダイシング工程に先立って、レーザ光９ａによって除去された保護シート５の開口部５ｂの開口幅を拡げるための予備的なプラズマエッチングを行うことにより実行される。
【００２５】
　次いで、
プラズマダイシングが実行される。すなわち、テストパターン除去工程の後、保護シート５が除去された半導体ウェハ１の、前述のダイシング幅（所定幅）に対応する部分をプラズマエッチングすることにより、レーザ光９ａの照射によって生じたダメージ層１ｄを除去するとともに、半導体ウェハ１を個々の集積回路３毎に分割する（プラズマダイシング工程）。
・・・　中　略　・・・
【００３２】
　次いでプラズマダイシングが実行される（ＳＴ５）。すなわち、プラズマ処理装置２０において開閉バルブ２５ａ、２５ｂを操作することにより、プラズマ発生用ガス供給部２７ｂからフッ素系のプラズマ発生用ガスをガス供給孔２３ａに供給した状態でプラズマを発生させる。そして
発生したフッ素ガスプラズマＰ２を、開口部５ｂ内において露呈した半導体ウェハ１に作用させることにより、図７（ｂ）に示すように、シリコンを主成分とする半導体ウェハ１が開口部５ｂに対応した除去幅で除去される。
【００３３】
　これにより、
半導体ウェハ１を上下に貫くダイシング溝部１ｅが形成され、半導体ウェハ１は個片の半導体チップ１＊に分割される。
【００３４】
　すなわち（ＳＴ５）においては、テストパターン除去工程の後、半導体ウェハ１において、除去された所定幅の保護シート５、すなわち境界線領域５ａに対応する部分をプラズマエッチングすることにより、レーザ加工においてレーザ光９ａの照射によって生じたダメージ層１ｃを除去するとともに、半導体ウェハ１を個々の集積回路３毎に個片の半導体チップ１＊に分割する（プラズマダイシング工程）。
【００３５】
　次いで、
ＤＡＦプラズマエッチングが実行される（ＳＴ６）。
【００３６】
　これにより、
ダイシング溝部１ｅ内に露呈した有機物であるダイアタッチフィルム６が、酸素ガスプラズマＰ１によって灰化されて除去される。すなわちここではプラズマダイシング工程の後、隣接する個片の半導体チップ１＊間のダイアタッチフィルム７を、酸素もしくは酸素を含んだガスによるプラズマでエッチングして除去する。そしてこれにより、ダイシング溝部１ｅによって分割された複数の個片の半導体チップ１＊は、それぞれがダイアタッチフィルム６を介して樹脂シート７によって保持された状態となる。
【００３７】
　次いで、保護シート５の剥離を容易にするための紫外線照射を行う（ＳＴ７）。ここでは半導体ウェハ１の表面１ａ側から、紫外線を保護シート５に対して照射することにより、保護シート５を表面１ａに貼着させる粘着力を低下させる。なお（ＳＴ５）において、フッ素系ガスのプラズマからの紫外線が発生するが、この紫外線の光量が保護シート５の粘着力を低下させるのに十分であれば、（ＳＴ７）の工程は省略してもよい。そしてこの後、保護シート５を剥離除去するための粘着シート貼付を行う（ＳＴ８）。すなわち、図９（ａ）に示すように、保護シート５の上面側から、粘着シートであるダイボンディングシート３０を複数の半導体チップ１＊を対象として一括して貼り付ける。なお、（ＳＴ７）の紫外線照射と、（ＳＴ８）の粘着シート貼付は、紫外線が透過可能なダイボンディングシート３０を用いる場合には、どちらを先に行ってもよい。」
（２）上記「（１）」の記載から，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体ウェハを個々の集積回路毎に分割する方法であって，
　集積回路３が形成されたシリコンを主成分とする半導体ウェハ１を対象として，後工程のダイボンディングにおいて半導体チップを接着するための接着層として機能するダイアタッチフィルム６と樹脂シート７とを積層した構成を有する保持シートを裏面１ｂに接触させて貼着し，
　集積回路３が形成された半導体ウェハ１を対象として表面１ａに保護シート５を貼り付け，
　レーザ光によって保護シート５をスクライブライン２ａに沿って除去して，保護シート５を貫通する開口部５ｂを形成し，プラズマエッチングにおけるマスクとするマスク形成処理と，
　プラズマエッチングによって保護シート５の開口部５ｂの開口幅を拡げ，ダメージ層１ｄを全て開口部５ｂの底部に露呈させるためのアッシング処理と，
　半導体ウェハ１が開口部５ｂに対応した除去幅で除去し，半導体ウェハ１を上下に貫くダイシング溝部１ｅを形成し，半導体ウェハ１を個片の半導体チップ１＊に分割するプラズマダイシング工程と，
　ダイシング溝部１ｅによって分割された複数の個片の半導体チップ１＊を，それぞれがダイアタッチフィルム６を介して樹脂シート７によって保持された状態とするために，ダイシング溝部１ｅ内に露呈したダイアタッチフィルム６を酸素ガスプラズマＰ１によって灰化し除去するＤＡＦプラズマエッチングと，
を有する方法。」
２　引用文献２の記載
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製造方法に関するもので、特に先ダイシング法によって薄厚化及び個片化された半導体チップに、フィルム状のダイボンド剤を貼り付けた半導体チップの製造工程に適用されるものである。」
「【００２７】まず、図１（ａ）に示すように、先ダイシング法にて分割されたウェハー（個片化された半導体チップ）１を、主にポリイミドからなる熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を混合したフィルム状の接着剤（接着剤フィルム）２上に高温でラミネートにより接着させる。そして、ウェハー１に付着していない部分を取り除いた後、図１（ｂ）に示すように接着剤フィルム面を、ウェハーリング４に装着された、例えば塩化ビニルからなるダイシングテープ３に常温でラミネートして貼り付ける。これによって、図１（ｃ）に示すように、ダイシングテープ３上に接着剤フィルム２を介在して個片化されたウェハー（半導体チップ）１が等間隔に貼り付けられる。
【００２８】次に、図１（ｄ）に示すように、各半導体チップ１間の間隙に露出されているの接着剤フィルム２をジメチルアセトアミド（有機溶剤）で化学的にエッチングし、間隙の部分の接着剤フィルム２を除去する。
【００２９】その後、各半導体チップ１をダイシングテープ３の裏面側からピックアップニードル等で突き上げてピックアップし、図１（ｅ）に示すような接着剤付き半導体チップ１０を作製する。
【００３０】そして、上記接着剤付き半導体チップ１０の接着剤フィルム２面側を、金属フレームもしくは有機基板上に圧着してマウントする。
【００３１】このような製造方法によれば、接着剤フィルム２における各半導体チップ１間の間隙に露出された部分を化学的にエッチングして除去するので、接着剤フィルム２をダイシングして除去する必要がなく、製造工程の煩雑化を抑制できる。また、接着剤フィルム２が半導体チップ１に接着された状態でマウント工程が実施されるので、接着剤フィルム２と半導体チップ１との位置ずれが生ずることもなく、マウント位置の精度の低下を防止できる。
【００３２】なお、上記第１の実施の形態では、接着剤フィルム２がポリイミドからなる熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を混合した接着剤の場合を例にとって説明したが、熱可塑性樹脂、未硬化の熱硬化樹脂、未硬化の熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の混合物、あるいはこれらにガラスビーズ、ポリマー、銀フィラーのスペーサーを含むものであっても良い。また、化学的エッチングの際に、有機溶剤の一種であるジメチルアセトアミドを用いる場合について説明したが、接着剤フィルムの材質に応じて他の有機溶剤、酸性溶液及びアルカリ性溶液等を用いても良い。
【００３３】［第２の実施の形態］この発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、図１（ａ）〜（ｃ）及び図２（ａ）〜（ｄ）により説明する。
【００３４】ダイシングテープ３上に接着剤フィルム２を介在して半導体チップ１が等間隔に貼り付けられた構造を得るまでは、基本的には図１（ａ）〜（ｃ）に示した第１の実施の形態と同様である。すなわち、図１（ａ）に示したように、先ダイシング法にて分割されたウェハー（個片化された半導体チップ）１を、フィルム状の接着剤（接着剤フィルム）２上に高温でラミネートにより接着させる。この接着剤フィルム２は、主にポリイミドからなる熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を混合したものであるが、本第２の実施の形態では上記熱可塑性樹脂としてポリメタルクリル酸メチル構造を有し、ＵＶ照射によって解重合を起こす成分を含むものを用いる。そして、ウェハー１に接着されていない部分を取り除いた後、図１（ｂ）に示したように接着剤フィルム面を、ウェハーリング４に装着された、例えば塩化ビニルからなるダイシングテープ３に常温でラミネートして貼り付ける。これによって、図２（ａ）（図１（ｃ））に示すように、ダイシングテープ３上に接着剤フィルム２を介在して半導体チップ１が等間隔に貼り付けられた構造が得られる。
【００３５】次に、図２（ｂ）に示すように、ウェハー１の上面からＵＶ照射を行い、各半導体チップ１の間隙の部分の接着剤フィルム２の熱可塑性樹脂成分の解重合反応を起こす。その後、エタノールで各半導体チップ１の間隙の解重合反応を起こした領域（接着剤フィルム）５を除去する（図２（ｃ））。
【００３６】そして、各半導体チップ１をダイシングテープ３の裏面側からピックアップニードル等で突き上げてピックアップし、図１（ｄ）に示すような接着剤付き半導体チップ１０を作製する。
【００３７】その後、上記接着剤付き半導体チップ１０の接着剤フィルム２面側を、金属フレームもしくは有機基板上に圧着してマウントする。
【００３８】上記のような製造方法によれば、接着剤フィルム２における各半導体チップ１間の間隙に露出された領域に解重合反応を起こして除去するので、接着剤フィルム２をダイシングして除去する必要がなく、製造工程の煩雑化を抑制できる。また、接着剤フィルム２が半導体チップ１に接着された状態でマウント工程が実施されるので、接着剤フィルム２と半導体チップ１との位置ずれが生ずることもなく、マウント位置の精度の低下を防止できる。
【００３９】なお、接着剤フィルム２は、ＵＶ照射によって解重合を起こす成分を含む材料であれば、熱可塑性樹脂、未硬化の熱硬化樹脂、未硬化の熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の混合物、あるいはこれらにガラスビーズ、ポリマー、銀フィラーのスペーサーを含むものであっても良い。また、エタノールで各半導体チップ１間の間隙の部分の接着剤フィルム２を除去する場合について説明したが、接着剤フィルム２の材質に応じて他の有機溶剤、酸性溶液及びアルカリ性溶液等を用いても良い。」
３　引用文献３の記載
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　本発明は、半導体ウェハをチップに個片化する処理方法に関する発明である。」
「【００２３】
　次に、図１（ｃ）に示すように、研削された半導体ウェハ１の非パターン面に水溶性フィルム５を貼合する。水溶性フィルム５は、半導体ウェハ１に加熱により貼合する。
【００２４】
　次に、図１（ｄ）に示すように、レーザー光照射手段６から照射されたレーザー光７により、半導体ウェハ１のストリートに沿って、水溶性フィルム５のみ切断し、図２（ａ）に示すように、溝８を入れる。溝８の幅は、ストリート幅以下とすることが好ましい。このレーザー照射は、水溶性フィルム５が形成された半導体ウェハ１に対してレーザー光７を相対的に移動させながら行われる。
【００２５】
　なお、図１（ｄ）では、レーザー光７により水溶性フィルム５を切断して溝８を作成しているが、水溶性フィルム５の切断方法はこれに限定されるものでなく、例えばブレードによる切断等、溝８を形成することができれば任意の方法を用いることができる。
【００２６】
　次に、図２（ｂ）に示されるように、プラズマエッチング装置１０において、溝８が設けられて個片化された水溶性フィルム５側から半導体ウェハ１をプラズマ９による処理を行い、溝８においてむき出しにされたウェハをエッチングし、半導体ウェハ１がチップに個片化する。プラズマのエッチング効果により、溝８によりむき出しされた半導体ウェハ１がエッチングされ、個々のチップに分割される。」
「【００３９】
　水溶性フィルム５は、後述するプラズマ処理工程において用いられるマスクパターンを形成するためのものであり、フッ素系ガスを用いたプラズマに対して耐性を有する材質からなり、半導体ウェハの加工などに用いられる一般的な水溶性のフィルムを用いることができる。好ましくは、ポリビニルアルコールやポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイドなどの水溶性ポリマーを用いることができ、より好ましくは、水溶性ポリマーの部分けん化により製膜され、常温の水には溶解せず６０℃〜１００℃の温水に可溶であることを特徴とするフィルムである。水溶性フィルム５の厚さは１〜１００μｍ程度であり、好ましくは１０〜５０μｍである。」
「【００５６】
　次に、図６（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１のパターン面２側に、水溶性フィルム５を介して表面保護テープ３を貼合する。水溶性フィルム５はパターン面２に加熱により貼合する。
【００５７】
　次に、第１の実施形態と同様に、図６（ｃ）に示すように、半導体ウェハ１の非パターン面を研削する。
【００５８】
　次に、第１の実施形態と同様に、図７（ａ）に示すように、半導体ウェハ１の非パターン面を支持固定用テープ１２を用いてリングフレーム１４に固定する。
【００５９】
　次に、第１の実施形態と同様に、図７（ｂ）に示すように、表面保護テープ３の粘着剤層４と水溶性フィルム５との層間で剥離を行い、表面保護テープ３を除去する。
【００６０】
　次に、第１の実施形態と同様に、図７（ｃ）に示すように、レーザー光照射手段６から照射されたレーザー光７により、半導体ウェハ１のストリートに沿って、水溶性フィルム５を切断し、図８（ａ）に示されるように溝８を入れる。また、水溶性フィルム５の好ましい切断手段については、第１の実施形態における好ましい切断手段と同様である。
【００６１】
　次に、第１の実施形態と同様に、図８（ｂ）に示されるように、プラズマエッチング装置１０においてプラズマ９による処理を行い、溝８においてむき出しにされた半導体ウェハ１をエッチングし、チップに個片化する。
【００６２】
　次に、第１の実施形態と同様に、図８（ｃ）に示すように、水あるいは温水１１にて洗浄を行うことにより水溶性フィルムの溶解・除去を行う。」
４　引用文献４の記載
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にウェハ上に複数形成された半導体装置を個々の装置に分離する方法に関する。」
「【００２１】
　つづいて、保護膜１０５が設けられたシリコンウェハ１０１の素子形成面のダイシング線１２０（図３）上にレーザ光を照射して、溝部１０７を形成し、溝部１０７の形成領域のシリコンウェハ１０１、配線層１０３および保護膜１０５を取り除く。この溝部１０７は、保護膜１０５および配線層１０３を貫通するとともに、シリコンウェハ１０１の内部にわたる。
【００２２】
　次に、溝部１０７の底部から、シリコンウェハ１０１を深さ方向にさらに除去する（図１（ｃ））。このとき、溝部１０７におけるシリコンウェハ１０１の露出部から、ドライエッチングを用いてシリコンウェハ１０１を深さ方向に異方性エッチングする。
【００２３】
　そして、保護膜を除去した後（図２（ａ））、シリコンウェハ１０１の素子形成面全面に粘着テープ１０９を貼付する。粘着テープ１０９としては、たとえば既知のダイシングテープを用いる。つづいて、機械的研磨等を用いてシリコンウェハ１０１を裏面から研削して薄化する（図２（ｂ））。研削工程による薄化後のシリコンウェハ１０１の厚さは、たとえば数１０〜１００μｍ程度の厚さである。薄化により、溝部１０７がシリコンウェハ１０１を貫通する。その後、粘着テープ１０９を除去することにより、シリコンウェハ１０１が個片化されて、複数の半導体装置１００が得られる。
【００２４】
　保護膜１０５は、ステップ１０２におけるレーザ光照射およびステップ１０３におけるエッチングにおいて、配線層１０３の上面を保護できる材料であればよく、また、ステップ１０６において、比較的容易に除去可能であって、除去時に配線層１０３やシリコンウェハ１０１を汚染しない材料とすることが好ましい。
【００２５】
　具体的には、保護膜１０５の材料を非金属材料とすることができる。こうすれば、保護膜を除去する際に、酸やアルカリを剥離液として用いる必要がなく、シリコンウエハや配線層を汚染したりこれらの損傷を与えることを抑制できる。非金属材料としては、たとえば有機樹脂材料等の樹脂材料が挙げられる。
【００２６】
　樹脂材料としては、たとえば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）等の水溶性樹脂；
ノボラック樹脂、アクリル樹脂等の有機溶媒溶解性（有機溶媒系）の樹脂；および
　所定の温度以上の温度、たとえば６０℃以上の温度で昇華または気化する昇華性の樹脂材料等が挙げられる。これらのうち、昇華性の樹脂材料として、具体的には、日本曹達株式会社製染料ＰＳＤシリーズ等が挙げられる。」
「【００３３】
　ステップ１０６における保護膜１０５の除去方法は、保護膜１０５の材料に応じて選択される。たとえば、保護膜１０５の材料を水溶性樹脂とした場合、シリコンウェハ１０１の素子形成面の水洗により保護膜１０５を除去することができる。また、保護膜１０５の材料を有機溶媒溶解性材料を用いた場合、保護膜１０５を溶解させる溶媒を用いて、シリコンウェハ１０１の素子形成面を洗浄することができる。また、保護膜１０５の材料が昇華性の材料である場合、シリコンウェハ１０１を所定の温度以上、たとえば６０℃以上に加熱して昇華させる方法を用いることができる。また、保護膜１０５の材料に応じて、酸素プラズマ照射による除去（アッシング）または粘着テープによる引き剥がし等の方法を用いることもできる。」
「【００３８】
　凹凸面１１５は、配線層１０３の各層の加熱に対する耐久性を反映した形状となる。凹凸面１１５は、構成材料の融点に応じて、ダイシング面１１１端部から面内方向に向かう後退部の後退量が異なるために生じるものと推察される。たとえば、シリコン酸化膜、低誘電率層間絶縁膜、およびエッチングストッパ膜として機能する窒化膜等が所定の順序で積層されていている場合、これらの膜の融点を反映した凹凸面が形成される。また、たとえば、ダイシング線１２０において、配線層１０３に低誘電率層間絶縁膜と、金属配線と、ＳｉＯ2膜とが所定の位置に所定の順で積層されている場合、低誘電率層間絶縁膜、金属配線、ＳｉＯ2膜の順に端部が除去されて後退する度合いが大きい。」
「【００６２】
　（第二の実施形態）
　第一の実施形態においては、ステップ１０３のドライエッチング工程の後（図１（ｃ））、保護膜１０５を剥離し（図２（ａ））、シリコンウェハ１０１の裏面研削により複数の半導体装置１００を得た（図２（ｂ））。本実施形態では、裏面研削に代えて、シリコンウェハ１０１のドライエッチングをさらに行うことによりシリコンウェハ１０１を複数の半導体装置１００に個片化する。すなわち、ステップ１０４のシリコンウェハ１０１を個片化する工程が、溝部１０７の底部から、エッチングによりシリコンウェハ１０１を深さ方向にさらに除去する工程を含む。ステップ１０６の保護膜１０５を除去する工程は、ステップ１０４の個片化工程の後に行う。
【００６３】
　図７（ａ）〜図７（ｃ）および図８（ａ）〜図８（ｃ）は、本実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。まず、第一の実施形態と同様に、シリコンウェハ１０１の素子形成面に所定の素子、拡散層、配線層１０３を有するＬＳＩを形成する（図３）。そして、ＬＳＩを形成したシリコンウェハ１０１の素子形成面の全面に保護膜１０５を設け（図７（ａ））、その後、ダイシング線１２０（図３）上にレーザ光を照射して、保護膜１０５および配線層１０３を貫通するとともに、シリコンウェハ１０１の内部にわたる溝部１０７を形成する（図７（ｂ））。
【００６４】
　次に、シリコンウェハ１０１の裏面に粘着テープ１２１を貼付する（図７（ｃ））。粘着テープ１２１としては、たとえば既知のダイシングテープを用いる。そして、溝部１０７の底部から、シリコンウェハ１０１を深さ方向にさらに除去する（図８（ａ））。この後、本実施形態では、保護膜１０５を除去せずに、シリコンウェハ１０１の溝部１０７を深さ方向にさらにドライエッチングし、溝部１０７を裏面まで貫通させる（図８（ｂ））。そして、第一の実施形態に記載の方法を用いて保護膜１０５を除去する（図８（ｃ））。その後、粘着テープ１２１をシリコンウェハ１０１の裏面から取り除くことにより、シリコンウェハ１０１が個片化されて、複数の半導体装置１００が得られる。」
５　引用文献５の記載
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５には，以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物の半導体装置の製造方法に関し、特に支持板に接着固定されたウェハのチップ分離に関する。」
「【００１６】
【実施例】［第１の実施例］図１は本発明の第１の実施例の半導体装置を示す図である。図１において、２１はシリコン等の半導体基板、２２は金メッキ等の裏面電極、２３は前記半導体基板２１の分離部の側壁面である。そして、前記半導体基板２１の分離部の側壁面２３は、ハンドリング時等に欠けが生じるのを防止するよう、前記裏面電極２２の端部よりも内側に引き込まれかつ略平滑に形成されている。
【００１７】該半導体装置の製造方法を説明する。まず、ウェハとして複数のチップが縦横に連続並置された状態で、半導体基板２１の分離部（分割ライン）以外の上面をレジスト等でマスキングし、前記分離部の上面を５〜１５μｍの深さ程度に選択的にエッチング除去して、図２のような分離溝３２を形成する（分離溝形成工程）。そして、半導体基板２１（ウェハ）を厚み３０μｍ程度になるまで研削、研磨し、前記分離溝３２内および前記半導体基板２１の上面にレジストからなる犠牲層３３ａ，３３ｂをスピン式またはローラ式等にて形成する（犠牲層形成工程）。この際、該犠牲層３３ａ，３３ｂの全上面をほぼ面一となるよう形成しておく。次に、該犠牲層３３ａ，３３ｂの全上面にワックス３４を平坦に塗布し、さらに、図３の如く、該ワックス３４の全上面に例えばガラス等からなる一枚の支持板３５を接着する（支持板接着工程）。この状態で、半導体基板２１の下面を研削、研磨加工し、該下面の分離部以外の領域に、図４の如く、厚み３５μｍの金メッキ等の裏面電極２２を形成する（裏面電極形成工程）。その後、前記裏面電極２２をマスクとして、半導体基板２１の分離部に下面から基板溶解用のエッチャントＥ１を供給してウエットエッチングにより一部をエッチング除去する（下面分離部除去工程）。ここでのエッチャントＥ１としては、例えば酸化剤とフッ化水素水溶液との混合液等の一般的なものを用いる。そうすると、前記基板溶解用のエッチャントＥ１は隣合う裏面電極２２の間の間隙からのみ侵食進行するため、除去された部分の形状は図５および図６のように断面視略半円状となる。また、ここでのエッチング深さは、前記分離溝３２内の犠牲層３３ａの底部に達する程度とし、故に半導体基板２１の分離溝３２の底面に、下側に開放される所定幅ｗ１の条孔３６が形成される。しかる後、前記条孔３６からレジスト溶解用のエッチャントＥ２を前記分離溝３２内に侵食させ、図７のように分離溝３２内の犠牲層３３ａのみを下面側から選択的にエッチング除去する（犠牲層除去工程）。そうすると、各チップは半導体基板２１の側面方向に分離される。但し、全チップの半導体基板２１の上面が、犠牲層３３ｂおよびワックス３４を介して一枚の支持板３５に接着されているため、依然、全チップが縦横に連続並置された状態が維持される。」
「【００２６】しかる後、基板溶解用のエッチャントＥ１を下面側から供給しウエットエッチングを行う。そうすると、エッチャントＥ１は半導体基板２１の分離部の側壁面２３から内部側方へ向かって侵食し、図１３の如く、半導体基板２１の分離部の側壁面２３が裏面電極２２の端部よりも内側まで略平滑な状態を維持しながら、裏面電極２２の端部より内側まで後退する（基板側壁処理工程）。しかる後、前記支持板３５を前記半導体基板２１から離脱させ（支持板離脱工程）、ワックス３４を洗浄除去した後、レジスト溶解用のエッチャントＥ２にて半導体基板２１の上面および分離溝３２内の犠牲層３３ａ，３３ｂをエッチング除去し、図１に示した第１の実施例と同様、個々のチップに分離、完成される。」
第５　対比及び判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
ア　引用発明の「半導体ウェハ」及び「半導体ウェハを個々の集積回路毎に分割する方法」は，それぞれ，本願発明１の「半導体ウェハ」及び「複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングする方法」に相当する。
イ　引用発明の「集積回路３が形成されたシリコンを主成分とする半導体ウェハ１を対象として，後工程のダイボンディングにおいて半導体チップを接着するための接着層として機能するダイアタッチフィルム６と樹脂シート７とを積層した構成を有する保持シートを裏面１ｂに接触させて貼着」された「半導体ウェハ１」と，本願発明１の「水溶性ダイアタッチフィルム上に配置された半導体ウェハ」は，「ダイアタッチフィルム上に配置された半導体ウェハ」である点で共通する。
　そして，引用発明の「保護シート５」は，「レーザ光によって保護シート５をスクライブライン２ａに沿って除去して、保護シート５を貫通する開口部５ｂを形成し，プラズマエッチングにおけるマスク」としているからプラズマエッチングにおけるマスクとしての機能を有しており，引用発明の「集積回路３が形成されたシリコンを主成分とする半導体ウェハ１を対象として，後工程のダイボンディングにおいて半導体チップを接着するための接着層として機能するダイアタッチフィルム６と樹脂シート７とを積層した構成を有する保持シートを裏面１ｂに接触させて貼着し，集積回路３が形成された半導体ウェハ１を対象として表面１ａに保護シート５を貼り付け」ることと，本願発明１の「水溶性ダイアタッチフィルム上に配置された半導体ウェハの上方に、集積回路を覆い、保護するマスクを形成する工程」とは，「ダイアタッチフィルム上に配置された半導体ウェハの上方に、集積回路を覆い、保護するマスクを形成する工程」である点で共通する。
ウ　引用発明の「レーザ光によって保護シート５をスクライブライン２ａに沿って除去して、保護シート５を貫通する開口部５ｂを形成し，プラズマエッチングにおけるマスクとするマスク形成処理」は，本願発明１の「レーザスクライビングプロセスによってマスクをパターニングし、これによって集積回路間の半導体ウェハの領域を露出させるギャップをパターニングされたマスクに提供する工程」に相当する。
エ　引用発明の「半導体ウェハ１が開口部５ｂに対応した除去幅で除去し，半導体ウェハ１を上下に貫くダイシング溝部１ｅを形成し，半導体ウェハ１を個片の半導体チップ１＊に分割するプラズマダイシング工程」は，本願発明１の「パターニングされたマスク内のギャップを貫通して半導体ウェハをエッチングし、これによって個片化された集積回路を形成する工程」に相当する。
オ　上記「ア」ないし「エ」より，本願発明１と引用発明は，以下の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングする方法であって、
　ダイアタッチフィルム上に配置された半導体ウェハの上方に、集積回路を覆い、保護するマスクを形成する工程と、
　レーザスクライビングプロセスによってマスクをパターニングし、これによって集積回路間の半導体ウェハの領域を露出させるギャップをパターニングされたマスクに提供する工程と、
　パターニングされたマスク内のギャップを貫通して半導体ウェハをエッチングし、これによって個片化された集積回路を形成する工程を含む方法。」
［相違点１］
　本願発明１は，「ダイアタッチフィルム」が「水溶性ダイアタッチフィルム」であり，「水溶性ダイアタッチフィルムを水溶液によってパターニングする工程であって、パターニング後に保持された水溶性ダイアタッチフィルムの部分は、個片化された集積回路のエッジを僅かにアンダーカットする工程」を含んでいるのに対して，引用発明の「ダイアタッチフイルム」は水溶性でなく，又「水溶性ダイアタッチフィルムを水溶液によってパターニングする工程であって、パターニング後に保持された水溶性ダイアタッチフィルムの部分は、個片化された集積回路のエッジを僅かにアンダーカットする工程」を有していない点。
（２）相違点についての判断
　引用発明の「ダイアタッチフィルム」は，「酸素ガスプラズマＰ１によって灰化し除去する」ものであるから，引用発明の「ダイアタッチフィルム」を「水溶性ダイアタッチフィルム」とすることが自明であったとは言えない。
　また，「ダイアタッチフィルム」を水溶性とすることは，原査定に引用されたいずれの文献にも記載も示唆もない。
　そうすると，［相違点１］に係る工程は，引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
（３）本願発明１についてのまとめ
　したがって，本願発明１は，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２　本願発明２ないし７について
　本願発明２ないし７は，本願発明１を引用するものであり，本願発明１の発明特定事項を全て備えるから，前記「１」と同様の理由により，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
３　本願発明８ないし１２は，本願発明１を引用するものであり，本願発明１の発明特定事項を全て備える方法を行うためのシステムであるから，前記「１」と同様の理由により，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
４　本願発明１３について
（１）本願発明１３と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
ア　引用発明の「シリコンを主成分とする半導体ウェハ」及び「半導体ウェハを個々の集積回路毎に分割する方法」は，それぞれ，本願発明１３の「シリコン基板」及び「複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングする方法」に相当する。
イ　引用発明の「集積回路３が形成されたシリコンを主成分とする半導体ウェハ１を対象として，後工程のダイボンディングにおいて半導体チップを接着するための接着層として機能するダイアタッチフィルム６と樹脂シート７とを積層した構成を有する保持シートを裏面１ｂに接触させて貼着」された「シリコンを主成分とする半導体ウェハ１」と，本願発明１３の「水溶性ダイアタッチフィルム上に配置されたシリコン基板」は，「ダイアタッチフィルム上に配置されたシリコン基板」である点で共通する。
　そして，引用発明の「保護シート５」は，「レーザ光によって保護シート５をスクライブライン２ａに沿って除去して、保護シート５を貫通する開口部５ｂを形成し，プラズマエッチングにおけるマスク」としているからプラズマエッチングにおけるマスクとしての機能を有しており，引用発明の「集積回路３が形成されたシリコンを主成分とする半導体ウェハ１を対象として，後工程のダイボンディングにおいて半導体チップを接着するための接着層として機能するダイアタッチフィルム６と樹脂シート７とを積層した構成を有する保持シートを裏面１ｂに接触させて貼着し，集積回路３が形成された半導体ウェハ１を対象として表面１ａに保護シート５を貼り付け」ることと，本願発明１３の「水溶性ダイアタッチフィルム上に配置されたシリコン基板の上方に、シリコン基板上に配置された集積回路を覆い、保護するマスクを形成する工程」とは，「ダイアタッチフィルム上に配置されたシリコン基板の上方に、シリコン基板上に配置された集積回路を覆い、保護するマスクを形成する工程」である点で共通する。
ウ　引用発明の「レーザ光によって保護シート５をスクライブライン２ａに沿って除去して、保護シート５を貫通する開口部５ｂを形成し，プラズマエッチングにおけるマスクとするマスク形成処理」と，本願発明１３の「レーザスクライビングによってマスク、二酸化ケイ素の層、低Ｋ材料の層、及び銅の層をパターニングし、これによって集積回路間のシリコン基板の領域を露出させる工程」とは，「レーザスクライビングによってマスクをパターニングし、これによって集積回路間のシリコン基板の領域を露出させる工程」である点で共通する。
エ　引用発明の「半導体ウェハ１が開口部５ｂに対応した除去幅で除去し，半導体ウェハ１を上下に貫くダイシング溝部１ｅを形成し，半導体ウェハ１を個片の半導体チップ１＊に分割するプラズマダイシング工程」は，本願発明１３の「露出された領域を貫通してシリコン基板をエッチングし、これによって個片化された集積回路を形成する工程」に相当する。
オ　上記「ア」ないし「エ」より，本願発明１３と引用発明は，以下の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングする方法であって、
　ダイアタッチフィルム上に配置されたシリコン基板の上方に、シリコン基板上に配置された集積回路を覆い、保護するマスクを形成する工程と、
　レーザスクライビングによってマスクをパターニングし、これによって集積回路間のシリコン基板の領域を露出させる工程と、
　露出された領域を貫通してシリコン基板をエッチングし、これによって個片化された集積回路を形成する工程を含む方法。」
［相違点２］
　本願発明１３の「集積回路は、低Ｋ材料の層及び銅の層の上方に配置された二酸化ケイ素の層を含」み，「レーザスクライビングによってマスク、二酸化ケイ素の層、低Ｋ材料の層、及び銅の層をパターニングし、これによって集積回路間のシリコン基板の領域を露出させる工程」を有しているのに対して，引用発明の「集積回路」は，「低Ｋ材料の層及び銅の層の上方に配置された二酸化ケイ素の層」を含んでいるのか不明であって，また，「レーザ光によって保護シート５をスクライブライン２ａに沿って除去」するものであるものの，「レーザスクライビング」によって「二酸化ケイ素の層、低Ｋ材料の層、及び銅の層をパターニング」するものであるのか不明である点。
［相違点３］
　本願発明１３は，「ダイアタッチフィルム」が「水溶性ダイアタッチフィルム」であり，「水溶性ダイアタッチフィルムを水溶液によってパターニングする工程であって、パターニング後に保持された水溶性ダイアタッチフィルムの部分は、個片化された集積回路のエッジを僅かにアンダーカットする工程」を含んでいるのに対して，引用発明の「ダイアタッチフイルム」は水溶性であるとの記載はなく，又「水溶性ダイアタッチフィルムを水溶液によってパターニングする工程であって、パターニング後に保持された水溶性ダイアタッチフィルムの部分は、個片化された集積回路のエッジを僅かにアンダーカットする工程」を有していない点。
（２）相違点についての判断
　［相違点３］について，以下に検討する。
　引用発明の「ダイアタッチフィルム」は，「酸素ガスプラズマＰ１によって灰化し除去する」ものであるから，引用発明の「ダイアタッチフィルム」を「水溶性ダイアタッチフィルム」とすることが自明であったとは言えない。
　また，「ダイアタッチフィルム」を水溶性とすることは，原査定に引用されたいずれの文献にも記載も示唆もない。
　そうすると，［相違点３］に係る工程は，引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
（３）本願発明１３についてのまとめ
　したがって，本願発明１３は，他の相違点について検討するまでもなく，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
５　本願発明１４及び１５について
　本願発明１４及び１５は，本願発明１３を引用するものであり，本願発明１３の発明特定事項を全て備えるから，前記「４」と同様の理由により，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
６　本願発明１６は，本願発明１３を引用するものであり，本願発明１３の発明特定事項を全て備える方法を行うためのシステムであるから，前記「４」と同様の理由により，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
第６　原査定についての判断
　前記「第５　対比及び判断」のとおりであるから，本願発明１ないし１６は，拒絶査定において引用された引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。
第７　当審拒絶理由について
　当審では，補正前の請求項８ないし１２に係る発明について，特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていないとの拒絶の理由を通知したが，平成３０年１２月２７日にされた手続補正により，この拒絶の理由は解消した。
第８　むすび
　以上のとおり，本願発明１ないし１６は，当業者が引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。