【事件の表示】
　平成７年特許願第５４９５９号「電界シールド用低温焼成透明導電膜形成用処理液およびそれを用いた透明導電膜」拒絶査定不服審判事件〔平成８年８月２７日出願公開、特開平８−２１７４９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年２月２０日の出願であって、平成１７年６月３日に拒絶査定がされ、これに対し、平成１７年７月７日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに、同年８月８日付けで手続補正がされたものである。
　
２．平成１７年８月８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の結論］
　平成１７年８月８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
（１）本願補正発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「七価のレニウム化合物とジアセトンアルコール、アルキルシリケート部分加水分解重合物を主成分とするシリケート系バインダー、および有機溶媒とから実質的に構成される導電膜形成用処理液であって、該処理液中のレニウム化合物含有量が、ＲｅＯ３換算で、ＳｉＯ２の重量に対し８５〜１００：１５〜０であることを特徴とする電界シールド用低温焼成透明導電膜形成用処理液。」と補正された。
　前記補正は、請求項１に記載した発明の「その還元能を有する化合物」を「ジアセトンアルコール」とする補正を包含するものであって、段落【００２０】に記載された「４−ヒドロキシ−４−メチルペンタノン（ジアセトンアルコール、ＤＡＡ）」及び段落【００２４】の実施例２に記載された「ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）」を根拠に減縮するものであるから、平成６年改正前特許法第１７条の２第３項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
（２）引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−２３４４３３号公報（以下、「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている。
「【請求項１】レニウム化合物と、その他の金属化合物とを含む塗布液を基体上に塗布した後、加熱することを特徴とする酸化レニウムを含む導電膜の製造方法。
【請求項２】レニウム化合物以外の金属化合物が、加熱により、それぞれ、ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３となるＳｉ化合物、Ｚｒ化合物、Ｔｉ化合物、Ａｌ化合物のうち少なくとも１種であることを特徴とする請求項１の導電膜の製造方法。
【請求項３】レニウム化合物以外の金属化合物が、Ｓｉ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ａｌのアルコキシド、またはその加水分解物、あるいは塩のうち少なくとも１種であることを特徴とする請求項２の導電膜の製造方法。
【請求項４】請求項１〜３いずれか１項の製造方法によって得られた導電膜。
【請求項５】請求項１〜３いずれか１項の製造方法によってガラス基体上に導電膜を形成したガラス物品。
【請求項６】請求項１〜３いずれか１項の製造方法によってブラウン管表面に導電膜を形成したブラウン管。」（特許請求の範囲の請求項１〜６）
「【産業上の利用分野】本発明はブラウン管パネル等のガラス基体表面に塗布される導電膜に関するものである。」（段落【０００１】）
「【発明が解決しようとする課題】
　本発明は従来技術が有していた前述の欠点を解消しようとするものであり、低温熱処理が可能な高特性の導電膜を新規に提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
　本発明は前述の問題点を解決すべくなされたものであり、レニウム化合物と、その他の金属化合物とを含む塗布液を基体上に塗布した後、加熱することを特徴とする、酸化レニウムを含む導電膜の製造方法を提供するものである。
　本発明において用いる塗布液は、必須成分として、レニウム化合物を含むものである。かかるレニウム化合物としては、塩化レニウム等のレニウム塩や、オキシ四塩化レニウム等の酸塩化物、過レニウム酸ナトリウム等の塩等が挙げられる。
　かかる塩化レニウム等のレニウム化合物は水に溶解した後そのまま用いることもできるが、基体に対する塗布性を増すために、有機溶媒に分散して用いることも可能である。親水性有機溶媒としてはメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類、エチルセロソルブ等のエーテル類が任意に使用できる。
　また本発明に於て用いるレニウム化合物を含む塗布液は、レニウム化合物以外の金属化合物を含む液である。かかる金属酸化物としては、加熱によりそれぞれ、ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３となるＳｉ化合物、Ｚｒ化合物、Ｔｉ化合物、Ａｌ化合物のうち少なくとも１種が挙げられる。具体的には、Ｓｉ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ａｌのアルコキシド、またはその加水分解物、あるいは塩のうち少なくとも１種が挙げられる。
　なかでも、塗布液には、膜の付着強度及び硬度を向上させるためのバインダーとしてＳｉ（ＯＲ）ｙ・Ｒ´４−ｙ（ｙ＝３または４、Ｒ，Ｒ´はアルキル基）等のＳｉ化合物、またはその加水分解物を添加するのが好ましい。その際加水分解の触媒としては、ＨＣｌ，ＨＮＯ３，ＣＨ３ＣＯＯＨ，ＨＣＯＯＨ等を添加することができる。
　Ｓｉ化合物の添加割合としては、酸化物換算で、酸化レニウムＲｅＯ３と酸化ケイ素の重量比が、ＲｅＯ３：ＳｉＯ２＝１：６〜５：１以下が好ましい。ＲｅＯ３が少なすぎると導電膜の表面抵抗値が高くなり、また、ＳｉＯ２が少なすぎると、導電膜と基体（特にガラス基体の場合）の接着強度が弱くなる。従って、十分な導電性および接着強度を発現しうる範囲として、かかる重量比が好ましい。」（段落【０００５】〜【００１１】）
「塗布液中の固形分含量は、０．０５〜３０重量％であることが好ましく、さらに好ましくは０．３〜１０．０重量％である。固形分含量があまり小さいと、塗布液の粘度が小さくなり、膜が薄くなるため膜の均一性や十分な導電性が得られず、また、あまり大きいと、塗布液の保存安定性が悪くなるため、かかる固形分含量が好ましい。さらに基体との濡れ性を向上させるために、塗布液に種々の界面活性剤を添加することもできる。
　かかる塗布液の基体上への塗布方法としては、従来から知られている方法、即ちスピンコート、ディップコート、スプレーコート法等が好適に使用できる。また、スプレーコートして膜表面に凹凸を形成し防眩効果も併せて付与してもよく、その場合、かかる凹凸を有する導電膜の上にシリカ被膜等のハードコートを設けてもよい。
　本発明の導電膜を形成する基体としてはブラウン管パネル、複写機用ガラス板、計算機用パネル、クリーンルーム用ガラス、ＣＲＴ或いはＬＣＤ等の表示装置の前面板等の各種ガラス、プラスチック基板などを用いることができる。
　本発明における塗布液は直接基体上に塗布する。低沸点の溶媒を用いた場合は、室温での乾燥により均一な膜を得ることも可能であるが、高沸点溶媒を用いた場合や、膜の強度を向上させるために、塗布した後、加熱するのが好ましい。加熱温度の上限は基板に用いられるガラス、プラスチック等の軟化点によって決定される。この点も考慮すると好ましい温度範囲は１００〜５００℃である。」（段落【００１３】〜【００１６】）
「［実施例１］三塩化レニウムをエタノールにＲｅＯ３換算で３重量％となるように調製した溶液と、けい酸エチルを加水分解しエタノールにＳｉＯ２換算で３重量％となるように添加した溶液を、酸化物換算（ＲｅＯ３，ＳｉＯ２　）で種々の比になるように混合した溶液を直径７０ｍｍのガラス板表面に種々の回転速度で５秒間スピンコート法で塗布し、その後種々の温度で加熱した。その結果形成された膜の表面抵抗値を表１に示す。
【表１】
Ｎｏ　ＲｅＯ３／ＳｉＯ２　塗布回転数　加熱温度　加熱時間　表面抵抗値
　　　（重量比）　　　（回／分）　　（℃）　（分）　（Ω／□）
　１　　１／２　　　　　７５０　　　３８０　１０　３．８×１０８　
　２　　１／２　　　　３０００　　　３８０　１０　６．０×１０８　
　３　　１／２　　　　　７５０　　　４５０　１０　２．５×１０８　
　４　　１／２　　　　　７５０　　　３８０　３０　２．５×１０８　
　５　　１／１　　　　　７５０　　　３８０　１０　５．５×１０３　
　６　　１／１　　　　３０００　　　３８０　１０　１．０×１０４　
　７　　２／１　　　　　７５０　　　３８０　１０　６．０×１０２　
　８　　２／１　　　　３０００　　　３８０　１０　７．０×１０２」
（段落【００１９】〜【００２０】）
　
　同じく、特開平６−２３４５５２号公報（以下、「引用文献２」という。）には、次の事項が記載されている。
「【産業上の利用分野】
本発明は、ＯＡ機器のディスプレイ，テレビジョンのブラウン管などの前面ガラスの表面処理に用いる電界シールド用の透明導電膜に関する」（段落【０００１】）
「（実施例１）表１に示すＩＴＯ超微粉Ａを１５ｇ，Ｎ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ）を２０ｇ，ＮＮ’ジメチルフォルムアミド（ＤＭＦ）を７ｇ、及び４ヒドロキシ−メチル−２ペンタノン（ジアセトンアルコール）７０ｇを混合し、この溶液を、直径５ｍｍのジルコニアボールを用いて３６時間ボールミル混合してＩＴＯ分散溶液を作製した。一方、多摩化学工業製エチルシリケート４０を１．５ｇ，ジアセトンアルコール１６ｇ，蒸留水１．５ｇの混合溶液を撹拌しながら、５％塩酸水溶液３ｇ，ジアセトンアルコール２ｇ，蒸留水２．４ｇの混合溶液を滴下して、エチルシリケート溶液を調整した。これらの２液を混合し、１５０ｒｐｍで回転する２００×２００×３ｍｍの板ガラス上にビーカから滴下した。」（段落【００２８】）
　
（３）対比
　引用文献１には、「レニウム化合物と、その他の金属化合物とを含む塗布液」（請求項１参照）という発明が記載されている。
　上記「塗布液」は、「ブラウン管パネル等のガラス基体表面に塗布される」もの（段落【０００１】参照）、「低温熱処理が可能な高特性の導電膜を新規に提供する」もの（段落【０００５】参照）、「直接基体上に塗布する。低沸点の溶媒を用いた場合は、室温での乾燥により均一な膜を得ることも可能であるが、高沸点溶媒を用いた場合や、膜の強度を向上させるために、塗布した後、加熱するのが好ましい。加熱温度の上限は基板に用いられるガラス、プラスチック等の軟化点によって決定される。この点も考慮すると好ましい温度範囲は１００〜５００℃である。」（段落【００１６】）との記載からみて、本願補正発明の「電界シールド用低温焼成透明導電膜形成用処理液」と技術分野が共通するものである。
　「レニウム化合物」としては、「塩化レニウム等のレニウム塩や、オキシ四塩化レニウム等の酸塩化物、過レニウム酸ナトリウム等の塩等が挙げられる。」と七価の過レニウム酸ナトリウム等が挙げられている。
　「その他の金属化合物」として、「レニウム化合物以外の金属化合物が、Ｓｉのアルコキシドの加水分解物」（請求項３参照）、「加熱によりＳｉＯ２となる化合物・・・なかでも、塗布液には、膜の付着強度及び硬度を向上させるためのバインダーとしてＳｉ（ＯＲ）ｙ・Ｒ´４−ｙ（ｙ＝３または４、Ｒ，Ｒ´はアルキル基）等のＳｉ化合物、またはその加水分解物を添加するのが好ましい。」（段落【０００９】〜【００１０】参照）と「シリケート系バインダーとしてアリキルシリケート部分加水分解重合物を主成分とするもの」が挙げられている。
　酸化レニウムＲｅＯ３と酸化ケイ素の重量比について、「ＲｅＯ３：ＳｉＯ２＝１：６〜５：１以下が好ましい。ＲｅＯ３が少なすぎると導電膜の表面抵抗値が高くなり、また、ＳｉＯ２が少なすぎると、導電膜と基体（特にガラス基体の場合）の接着強度が弱くなる。従って、十分な導電性および接着強度を発現しうる範囲として、かかる重量比が好ましい。」（段落【００１１】参照）と記載されている。
　その他に溶媒に関して、「かかる塩化レニウム等のレニウム化合物は水に溶解した後そのまま用いることもできるが、基体に対する塗布性を増すために、有機溶媒に分散して用いることも可能である。親水性有機溶媒としてはメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類、エチルセロソルブ等のエーテル類が任意に使用できる。」（段落【０００８】参照）と有機溶媒を配合することが記載されている。
　それ故、本願補正発明の記載ぶりに則って整理すると、引用文献１には、「七価のレニウム化合物と、アルキルシリケート部分加水分解重合物を主成分とするシリケート系バインダー、および有機溶媒とから構成される導電膜形成用処理液であって、該処理液中のレニウム化合物含有量が、ＲｅＯ３換算で、ＳｉＯ２の重量に対し１：６〜５：１（１４．３〜８３．３：８５．５〜１６．７）である電界シールド用低温焼成透明導電膜形成用処理液。」という発明（以下、「引用文献１発明」という。）が記載されているといえる。
　そこで、本願補正発明と引用文献１発明とを対比すると、両者は、「七価のレニウム化合物と、アルキルシリケート部分加水分解重合物を主成分とするシリケート系バインダー、および有機溶媒とから構成される導電膜形成用処理液であって、該処理液中にレニウム化合物と、ＳｉＯ２を含有する電界シールド用低温焼成透明導電膜形成用処理液。」である点で一致するが、
（１）本願補正発明では、「ジアセトンアルコールおよび有機溶媒」を併用するのに対し、引用文献１発明には、「ジアセトンアルコールと有機溶媒」を併用するとの記載がない点、
（２）本願補正発明では、「該処理液中のレニウム化合物含有量が、ＲｅＯ３換算で、ＳｉＯ２の重量に対し８５〜１００：１５〜０である」のに対し、引用文献１発明には、「該処理液中のレニウム化合物含有量が、ＲｅＯ３換算で、ＳｉＯ２の重量に対し１４．３〜８３．３：８５．５〜１６．７である」点で相違する。
　
（４）判断
　上記相違点（１）及び（２）について検討する。
　ア．相違点（１）について
　引用文献２に記載された発明は、「電界シールド用の透明導電膜」に関する分野のものであり（段落【０００１】参照）、引用文献１発明と技術分野が同じである。
　上記引用文献２の実施例１に、「表１に示すＩＴＯ超微粉Ａを１５ｇ，Ｎ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ）を２０ｇ，ＮＮ’ジメチルフォルムアミド（ＤＭＦ）を７ｇ、及び４ヒドロキシ−メチル−２ペンタノン（ジアセトンアルコール）７０ｇを混合し、この溶液を、直径５ｍｍのジルコニアボールを用いて３６時間ボールミル混合してＩＴＯ分散溶液を作製した。・・・」（段落【００２８】参照）と、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（ジアセトンアルコール、ＤＡＡ）とＮ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ）、ＮＮ’ジメチルフォルムアミド（ＤＭＦ）等の他の有機溶媒とを併用することが明示されているように、ジアセトンアルコールと他の有機溶媒を併用するようにすることも公知であるから、引用文献１発明でジアセトンアルコールと有機溶媒とを併用するようにすることは当業者が容易に想到し得る事項にすぎない。
　
　イ．相違点（２）について
　本願の願書に最初に添付した明細書には、「低温で焼成可能であり、ＣＲＴの電界シールド用の高い導電性をもつ膜を形成できる導電膜形成用処理液」（段落【０００７】参照）、「このようなアルキルシリケート部分加水分解重合物は、処理液塗布後の焼成加熱時に縮重合反応がほぼ完結して硬いシリケートになる。・・・なお、導電膜形成用処理液にはこのアルキルシリケート部分加水分解重合物を含むシリケート系バインダーが含まれなくても使用できるが、この場合膜強度が格段に落ちると同時に基板ガラスとのなじみが悪くなって塗りムラ等をしょうずることがあるので、塗布液成分等に工夫を要する。」（段落【００１５】参照）と記載され、実施例には、「実施例１と同様（ＲｅＯ３換算でＳｉＯ２の重量比と比較して９０：１０になるようにしたもの）」（実施例２参照）、「実施例２で、ＲｅＯ３とＳｉＯ２の重量比を９５：５としたもの」（実施例３参照）、「焼成温度を４５０℃とした以外は、実施例２と同様の条件で焼成膜を得たもの」（実施例９参照）、「レニウム化合物をＲｅ２Ｏ７とし、７価のレニウム化合物を還元するための化合物としてＤＡＡを用いた以外は、実施例２と同様の条件で焼成膜を得たもの」（実施例１１参照）が挙げられている。
　本願明細書の上記記載を参酌すると、本願補正発明で、「該処理液中のレニウム化合物含有量が、ＲｅＯ３換算で、ＳｉＯ２の重量に対し８５〜１００：１５〜０である」という事項のＲｅＯ３の限定理由は、「十分な導電性発現しうる範囲」であり、ＳｉＯ２の限定理由は、「膜強度の確保、基板ガラスとのなじみの確保、塗りムラ等の防止」にあるものといえる。
　そこで、引用文献１の記載をみると、引用文献１には、ＲｅＯ３：ＳｉＯ２の数値の限定理由として、「ＲｅＯ３が少なすぎると導電膜の表面抵抗値が高くなり、また、ＳｉＯ２が少なすぎると、導電膜と基体（特にガラス基体の場合）の接着強度が弱くなる。従って、十分な導電性および接着強度を発現しうる範囲として、かかる重量比が好ましい。」（段落【００１１】参照）と記載されている。
　上記引用文献１の記載から、導電性を良くするには、ＲｅＯ３ の数値を大きくすること（ＳｉＯ２の数値を小さくすること）がよいことは直に理解できることである。
　してみれば、引用文献１発明においても、本願補正発明のＲｅＯ３：ＳｉＯ２の数値範囲を選択するようにすることは、容易に想定し得る事項でありその点に格別な創意・工夫を要するものとはいえない。
　そして、本願補正発明で、上記相違点（１）及び（２）を採用することにより奏する効果についても、引用文献１発明の実施例（【表１】、段落【００２０】参照）の効果の比較して、当業者が当然窺える程度のものが発現しているにすぎない。
　したがって、本願補正発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に適合しないものであり、特許法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１７年８月８日付けの手続補正は、前記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年２月１８日付けの手続補正書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「七価のレニウム化合物とその還元能を有する化合物、アルキルシリケート部分加水分解重合物を主成分とするシリケート系バインダー、および有機溶媒とから実質的に構成される電界シールド用低温焼成透明導電膜形成用処理液であって、該処理液中のレニウム化合物含有量が、ＲｅＯ３換算で、ＳｉＯ２の重量比に対し８５：１５〜１００：０であることを特徴とする電界シールド用低温焼成透明導電膜形成用処理液。」　
　
（２）引用例
　上記２．（２）に記載されたとおりである。
　
（３）対比
　上記２．（３）に記載された、相違点（１）の「ジアセトンアルコール」を「その還元能を有する化合物」とする以外は同旨である。
　
（４）判断
　相違点（１）については、引用文献１には、本願発明で、「その還元能を有する化合物」として掲げる水、アルコール等を用いることが記載されているから、この相違は格別な相違ではない。
　相違点（２）の判断については、上記２．（４）イに記載されたものと同様のことがいえる。
　したがって、本願発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。から、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願の請求項２ないし５に係る発明については判断するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。