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【手続補正書】
【提出日】平成22年6月29日(2010.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者のデングウイルスに対する持続的な交差中和免疫反応を誘導するための、黄熱ウイルスの外被タンパク質をコードする配列がデングウイルスの外被タンパク質をコードする配列で置換された黄熱ウイルス骨格を含む少なくとも一種類のキメラフラビウイルスを含む一回用量のキメラフラビウイルスワクチンであって、
黄熱ウイルスワクチンの投与から少なくとも30日後かつ10年以内に投与される、前記キメラフラビウイルスワクチン。
【請求項２】
黄熱ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列がデングウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列で置換された黄熱ウイルス骨格を、キメラフラビウイルスが含む、請求項1記載のキメラフラビウイルスワクチン。
【請求項３】
デング外被タンパク質および/またはデング膜タンパク質がシャッフルタンパク質（shuffled protein）である、請求項1または2記載のキメラフラビウイルスワクチン。
【請求項４】
キメラフラビウイルスワクチンが黄熱ワクチンの投与から30日後、60日後、または90日後に患者に投与される、請求項1〜3いずれか一項記載のキメラフラビウイルスワクチン。
【請求項５】
キメラフラビウイルスがYF17Dウイルス骨格で構成される、請求項1〜4いずれか一項記載のキメラフラビウイルスワクチン。
【請求項６】
黄熱ウイルスワクチンがYF17Dワクチン株17D-204、17D-213、または17DDを含む、請求項1〜5いずれか一項記載のキメラフラビウイルスワクチン。
【請求項７】
黄熱ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列がデング血清1型ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列で置換された黄熱ウイルス骨格を、一種類のキメラフラビウイルスが含む、請求項1〜6いずれか一項記載のキメラフラビウイルスワクチン。
【請求項８】
黄熱ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列がデング血清2型ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列で置換された黄熱ウイルス骨格を、一種類のキメラフラビウイルスが含む、請求項1〜6いずれか一項記載のキメラフラビウイルスワクチン。
【請求項９】
黄熱ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列がデング血清3型ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列で置換された黄熱ウイルス骨格を、一種類のキメラフラビウイルスが含む、請求項1〜6いずれか一項記載のキメラフラビウイルスワクチン。
【請求項１０】
黄熱ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列がデング血清4型ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列で置換された黄熱ウイルス骨格を、一種類のキメラフラビウイルスが含む、請求項1〜6いずれか一項記載のキメラフラビウイルスワクチン。
【請求項１１】
キメラフラビウイルスワクチンが1価ワクチンである、請求項1〜10いずれか一項記載のキメラフラビウイルスワクチン。
【請求項１２】
キメラフラビウイルスワクチンが4価ワクチンである、請求項1〜10いずれか一項記載のキメラフラビウイルスワクチン。
【請求項１３】
請求項1に記載のキメラフラビウイルスワクチンのブースター量を、最初のキメラフラビウイルスワクチン投与から6か月〜10年後に投与することをさらに含む、請求項1〜12いずれか一項記載のキメラフラビウイルスワクチン。
【請求項１４】
（i）黄熱ウイルスワクチン、および
（ii）黄熱ウイルスの外被タンパク質をコードする配列がデングウイルスの外被タンパク質をコードする配列で置換された黄熱ウイルス骨格を含む少なくとも一種類のキメラフラビウイルスを含むキメラフラビウイルスワクチン
を含むキット。
【請求項１５】
黄熱ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列がデングウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列で置換された黄熱ウイルス骨格を、キメラフラビウイルスが含む、請求項14記載のキット。
【請求項１６】
デング外被タンパク質および/またはデング膜タンパク質がシャッフルタンパク質である、請求項14または15記載のキット。
【請求項１７】
黄熱ウイルスワクチンがYF17D株を含む、請求項14〜16いずれか一項記載のキット。
【請求項１８】
キメラフラビウイルスがYF17Dウイルス骨格で構成される、請求項14〜17いずれか一項記載のキット。
【請求項１９】
黄熱ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列がデング血清1型ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列で置換された黄熱ウイルス骨格を含む一種類のキメラフラビウイルスを、キメラフラビウイルスワクチンが含む、請求項14〜18いずれか一項記載のキット。
【請求項２０】
黄熱ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列がデング血清2型ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列で置換された黄熱ウイルス骨格を含む一種類のキメラフラビウイルスを、キメラフラビウイルスワクチンが含む、請求項14〜18いずれか一項記載のキット。
【請求項２１】
黄熱ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列がデング血清3型ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列で置換された黄熱ウイルス骨格を含む一種類のキメラフラビウイルスを、キメラフラビウイルスワクチンが含む、請求項14〜18いずれか一項記載のキット。
【請求項２２】
黄熱ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列がデング血清4型ウイルスの膜タンパク質および外被タンパク質をコードする配列で置換された黄熱ウイルス骨格を含む一種類のキメラフラビウイルスを、キメラフラビウイルスワクチンが含む、請求項14〜18いずれか一項記載のキット。
【請求項２３】
少なくとも一回のブースター量のキメラフラビウイルスワクチンをさらに含む、請求項14〜22いずれか一項記載のキット。
【請求項２４】
患者のデングウイルスに対する持続的な交差中和免疫反応を誘導するための薬学的キットの製造における、（i）一回用量の黄熱ウイルスワクチン、および（ii）黄熱ウイルスの外被タンパク質をコードする配列がデングウイルスの外被タンパク質をコードする配列で置換された黄熱ウイルス骨格を含む少なくとも一種類のキメラフラビウイルスを含む一回用量のキメラフラビウイルスワクチンの使用であって、
キメラフラビウイルスワクチンが、黄熱ワクチンの投与から少なくとも30日後かつ10年以内に投与される、使用。
【請求項２５】
持続的な免疫反応が、血清において、キメラフラビウイルスワクチンの投与後、少なくとも6ヶ月、または少なくとも12ヶ月検出できる、請求項1〜13いずれか一項記載のキメラフラビワクチン。
【請求項２６】
持続的な免疫反応が、血清において、キメラフラビウイルスワクチンの投与後、少なくとも6ヶ月、または少なくとも12ヶ月検出できる、請求項14〜23いずれか一項記載のキット。
【請求項２７】
患者がヒトである、請求項1〜13いずれか一項記載のキメラフラビワクチン。
【請求項２８】
患者がヒトである、請求項14〜23いずれか一項記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月17日(2010.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パンチを受け入れるパンチ保持孔を有するパンチリテーナーに取り付け可能な自蔵式ストリッパーユニットであって、
底に孔、上部に上ボアを有する中空本体と、
前記中空本体内に配置され、且つ前記上ボアの中で移動可能なストリッパーと、
前記中空本体内で前記ストリッパーに係合するダイスプリングと、
前記中空本体の底の前記孔に受け入れられ、前記ダイスプリングに係合する精密プラグとを備え、
前記精密プラグは、内部を貫通する孔を有し、当該孔は、前記パンチに正確に接触するように寸法決めされており、これにより、当該ストリッパーユニットがパンチリテーナーに受け入れられたときに、当該孔が、当該ストリッパーユニットを前記パンチリテーナー上に正確に整合させるようになっている、
ことを特徴とする自蔵式ストリッパーユニット。
【請求項２】
前記上ボア及び前記ストリッパーは、前記中空本体に関して前記ストリッパーの回転を防止するために、Ｄ型を有する請求項１に記載のストリッパーユニット。
【請求項３】
前記中空本体の底の前記孔は、座ぐり棚を有し、前記精密プラグは前記座ぐり棚に着座している、請求項１に記載のストリッパーユニット。
【請求項４】
前記精密プラグは、ダイスプリングに予荷重を設定する、請求項３に記載のストリッパーユニット。
【請求項５】
前記中空本体の底の前記孔は、ねじ山付きの孔であり、前記精密プラグは、前記ねじ山付きの孔に係合するように螺合される、請求項１に記載のストリッパーユニット。
【請求項６】
前記ストリッパーは、前記パンチの形状に適合するように形作られた孔を有する、請求項１に記載のストリッパーユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月2日(2010.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲルマニウムの薄層（２２）を、シリコンから形成される第１の支持体（１８、２４）上に転写する薄膜転写方法であって、
少なくとも一部がゲルマニウムのバルク基板からもたらされる層（３）を含む構造を提供するステップを含み、層（３）が、シリコンから形成される第２の支持体（６、１０）に取り付けられ、前記層の厚みが、１μｍ〜５０μｍであり、前記薄膜転写方法がさらに、
少なくとも１つのガス種を注入することにより、薄層（２２）が転写される構造に境界を定める所定の深さで、層（３）内に埋設され弱められた領域（１４）を形成するステップと、
第２の支持体（６、１０）に取り付けられた層（３）を、第１の支持体（１８、２４）に接合するステップと、
少なくとも１つの熱処理ステップを含む、弱められた領域（１４）において層（３）を破断するステップとを含むことを特徴とする、方法。
【請求項２】
層（３）の厚みが、接合後に得られる構造の温度に応じる機械的挙動が、第２の支持体（６、１０）および第１の支持体によって付与されるようなものである、請求項１に記載の薄層転写方法。
【請求項３】
破断ステップが、さらに、機械的負荷を加えるステップを含む、請求項１または２に記載の薄層転写方法。
【請求項４】
第２の支持体（６、１０）に取り付けられた層（３）の厚みが、第２の支持体（６、１０）の厚みの１５％未満である、請求項１から３のいずれか一項に記載の薄層転写方法。
【請求項５】
ゲルマニウムのバルクプレート（２）を第２の支持体（６、８）に接合する予備ステップを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の薄層転写方法。
【請求項６】
接合する予備ステップが、１００℃〜２００℃の温度で行なわれる、請求項５に記載の薄層転写方法。
【請求項７】
第２の支持体（６、１０）に取り付けられた層（３）を得るために、前記ゲルマニウムのバルクプレート（２）を薄くするステップを含む、請求項５または６に記載の薄層転写方法。
【請求項８】
破断後に第２の支持体（６）に取り付けられた残存する層（３）の部分（２０）上にゲルマニウムをエピタキシャル堆積するステップを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の薄層転写方法。
【請求項９】
エピタキシャル層内に埋設され弱められた領域を形成するステップと、
エピタキシャル層を第３の支持体に接合するステップと、
弱められた領域においてエピタキシャル層を破断するステップとを含む、請求項８に記載の薄層転写方法。
【請求項１０】
第２の支持体に取り付けられた層が、完全にバルク基板から得られる、請求項１から９のいずれか一項に記載の薄層転写方法。
【請求項１１】
第２の支持体に取り付けられた層が、ゲルマニウムのエピタキシャル層を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の薄層転写方法。
【請求項１２】
第２の支持体に取り付けられた層が、ある材料のエピタキシャル層の結晶構造がゲルマニウムによって付与されるような厚みの前記材料のエピタキシャル層を含む、請求項１１に記載の薄層転写方法。
【請求項１３】
停止層として前記材料のエピタキシャル層を使用して、破断後のゲルマニウムのエピタキシャル層を取り除くステップを含む、請求項１２に記載の薄層転写方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月21日(2010.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微粒多結晶ダイヤモンド材料と、前記ダイヤモンド材料用の触媒／溶媒を含む第２の相とを含む多結晶ダイヤモンド研磨要素であって、前記多結晶ダイヤモンド材料が、０．６０μｍ未満の触媒／溶媒平均自由行程の平均値を有し、０．９０未満の標準誤差を有することを特徴とする、多結晶ダイヤモンド研磨要素。
【請求項２】
前記触媒／溶媒平均自由行程の標準誤差が、０．８５未満である、請求項１に記載の研磨要素。
【請求項３】
前記触媒／溶媒平均自由行程の標準誤差が、０．７０より大きい、請求項１又は２に記載の研磨要素。
【請求項４】
前記多結晶ダイヤモンド材料が、約０．１〜約１０．５μｍの平均粒径を有する、請求項１から３までのいずれか一項に記載の研磨要素。
【請求項５】
前記多結晶ダイヤモンド材料が、約０．１〜約６．５μｍの平均粒径を有する、請求項４に記載の研磨要素。
【請求項６】
前記多結晶ダイヤモンド材料が、約０．１〜約２．０μｍの平均粒径を有する、請求項５に記載の研磨要素。
【請求項７】
前記第２の相が、少なくとも一部は約１０ｎｍ〜約８００ｎｍの平均粒径を有する粒子状触媒／溶媒材料から形成される、請求項１から６までのいずれか一項に記載の研磨要素。
【請求項８】
前記粒子状触媒／溶媒材料が、約１０ｎｍ〜約４００ｎｍの平均粒径を有する、請求項７に記載の研磨要素。
【請求項９】
前記粒子状触媒／溶媒材料が、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの平均粒径を有する、請求項８に記載の研磨要素。
【請求項１０】
前記ダイヤモンド材料用の触媒／溶媒が多結晶ダイヤモンド材料に実質的に均質に分散されている、請求項１から９までのいずれか一項に記載の研磨要素。
【請求項１１】
前記触媒／溶媒が、コバルト、ニッケル、鉄、及び１種又は複数種の前記金属を含む合金からなる群から選択される、請求項１から１０までのいずれか一項に記載の研磨要素。
【請求項１２】
前記触媒／溶媒がコバルトである、請求項１１に記載の研磨要素。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか一項に記載の多結晶ダイヤモンド研磨要素の製造方法であって、基材を用意することによって未接着組立体を作製するステップと、微粒子状である多量のダイヤモンド粒子を前記基材の表面上に置くステップと、ナノサイズの粒子を少なくとも一部に含む前記ダイヤモンド粒子用ダイヤモンド触媒／溶媒を用意するステップと、前記未接着組立体を、前記多量のダイヤモンド粒子から多結晶ダイヤモンド材料を製造するのに適した高温高圧条件に曝すステップとを含む方法。
【請求項１４】
前記基材が超硬合金である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記基材が、前記ダイヤモンド粒子用の追加の触媒／溶媒を含む、請求項１３又は１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月18日(2009.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ発光体と、
前記ＬＥＤ発光体を少なくとも部分的に包囲するカプセル材とを備え、
前記カプセル材が内部レンズと外部レンズとを含み、前記内部レンズが屈折率ｎ１及び外曲面を有し、前記外部レンズが屈折率ｎ２＞ｎ１及び内部レンズの外曲面と実質的に接合した内曲面を有し、
前記内部レンズが前記ＬＥＤ発光体の第１虚像を生成し、前記外部レンズが前記第１虚像の第２虚像を生成し、前記第１虚像が前記ＬＥＤ発光体と前記第２虚像との間に配置されている光源。
【請求項２】
前記ＬＥＤ発光体が、軸角からグレージング角までの広角光を前記内部レンズに放射し、
前記内部レンズが、この広角光を集束して、外部レンズに伝送し、
前記広角光が、前記内部レンズ内で０〜９０度の範囲の極角を示し、この光が外部レンズから面角度０〜θ２ＭＡＸ（θ２ＭＡＸは４５度以下）の範囲で現れる、請求項１に記載の光源。
【請求項３】
前記ＬＥＤ発光体は、略平面で、最大面内寸法２ｈを有し、
前記外部レンズが半径Ｒ２の外曲面を有し、ｈ／Ｒ２が０．４以下であり、
ｎ１／ｎ２が０．７〜０．８の範囲である、請求項１に記載の光源。
【請求項４】
前記内部レンズが、光透過性の液体又はゲルで構成され、
前記外部レンズが、固体材料で構成される、請求項１に記載の光源。
【請求項５】
前記ＬＥＤ発光体が搭載される基板をさらに含み、前記非固体材料は前記外部レンズと前記基板との間に封入されている、請求項４に記載の光源。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月14日(2009.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１Ａ】  本発明の一実施形態にしたがった、基板表面から粒子状汚染を除去するための洗浄溶液の具体図を示している。
【図１Ｂ】  ゲルおよび固体化合物網をともなう洗浄溶液の具体図を示している。
【図１Ｃ】  非ニュートン流体について、応力および粘度の関数としてのせん断速度の図を示している。
【図１Ｄ】  図１Ａの洗浄溶液の固体成分が基板表面上の汚染物質に接近している様子の具体図を示している。
【図１Ｅ】  図１Ａの洗浄溶液の固体成分が基板表面上の汚染物質に接触している様子の具体図に示している。
【図１Ｆ】  図１Ａの洗浄溶液の固体成分が基板表面から汚染物質を遠ざけている様子の具体図を示している。
【図２】  基板の表面から粒子状汚染物質を除去するためのプロセスフローの一実施形態を示している。
【図３】  基板表面洗浄システムの一実施形態の概略図を示している。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月26日(2009.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）
１）第１及び第２面を有するポリマー電解質膜と、
２）隣合うパターン化された触媒層セグメントが互いに接触しないように前記膜の前記第１面にラミネートされた複数のパターン化された第１触媒層セグメントと、
３）隣合うパターン化された触媒層セグメントが互いに接触しないように前記膜の前記第２面にラミネートされた複数のパターン化された第２触媒層セグメントと、を備える触媒コーティング電解質膜ウェブを提供する工程と、
ｂ）前記触媒コーティング電解質膜ウェブを、ラミネートニップを形成する一対のラミネート用ローラーの間で引き伸ばし、ラミネートステーションを提供する工程と、
ｃ）第１ガス拡散層材の第１ウェブを打抜き第１ガス拡散層を形成する工程と、
ｄ）第２ガス拡散層材の第２ウェブを打抜き第２ガス拡散層を形成する工程と、
ｅ）前記第１ガス拡散層を前記ラミネートステーションに輸送する工程と、
ｆ）前記第２ガス拡散層を前記ラミネートステーションに輸送する工程と、
ｇ）前記第１ガス拡散層を前記触媒コーティング電解質膜ウェブに隣接する前記ラミネートニップに供給する工程と、
ｈ）前記第２ガス拡散層を前記第１ガス拡散層と同時に前記触媒コーティング電解質膜ウェブに隣接する前記ラミネートニップに供給する工程と、
ｉ）前記第１ガス拡散層、前記触媒コーティング電解質膜ウェブ及び前記第２ガス拡散層をラミネート加工してラミネートを形成する工程と、を含む５層膜電極接合体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月24日(2009.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量性素子と、ソレノイド誘導コイルと、該ソレノイド誘導コイルを貫いて移動するストリップ材料とを含む負荷回路に電力を供給するＡＣ電源を含み、前記ストリップ材料が該ＡＣ電源からのＡＣ電流によって確立される磁界により負荷回路と磁気カップリングされる、ストリップ材料を誘導加熱するための誘導加熱装置であって、
ストリップ材料の１つ以上のパラメーターが変化する際に、ソレノイド誘導コイルの少なくとも１つ以上のセクションを移動させて負荷回路の電気的インピーダンスを選択的に変化させる手段と、
ソレノイド誘導コイルの少なくとも１つ以上のセクションが移動される際に、負荷回路に供給される電力を実質的に共振周波数に維持するようにＡＣ電源の出力周波数を変調させる手段と、
を含む誘導加熱装置。
【請求項２】
ストリップ材料の１つ以上のパラメーターが、ストリップ材料の幅寸法と、ストリップ材料の組成と、ストリップ材料を誘導加熱する以前に該ストリップ材料に被着したコーティングの組成と、を含む請求項１の誘導加熱装置。
【請求項３】
ソレノイド誘導コイルの少なくとも１つ以上のセクションを移動するための手段が少なくとも１つのパワーアクチュエーターを含む請求項１の誘導加熱装置。
【請求項４】
少なくとも１つのパワーアクチュエーターと、ＡＣ電源の出力周波数を変調するための手段とが、プロセス処理システムによって制御される請求項３の誘導加熱装置。
【請求項５】
ソレノイド誘導コイルの少なくとも１つ以上のセクションの位置をプロセス処理システムに入力するための１つ以上の位置センサを更に含む請求項４の誘導加熱装置。
【請求項６】
プロセス処理システムに瞬間負荷電力を入力するための１つ以上の電力センサを更に含む請求項４の誘導加熱装置。
【請求項７】
ソレノイド誘導コイルの少なくとも１つ以上のセクションの位置をプロセス処理システムに入力するための１つ以上の位置センサと、プロセス処理システムに瞬間負荷電力を入力するための１つ以上の電力センサを更に含む請求項４の誘導加熱装置。
【請求項８】
ストリップ材料を誘電加熱するための方法であって、
容量性素子によってＡＣ電源に接続されて負荷回路を形成するソレノイド誘導コイルにストリップ材料を通すこと、
ストリップ材料の、負荷回路のインピーダンスを変更させる１つ以上のパラメーターが変化するのに応じて、ソレノイド誘導コイルの少なくとも１つ以上のセクションと、ソレノイド誘導コイルとの間の距離を選択的に変更すること、
負荷回路の動作周波数を実質的に共振周波数に維持するために電源の出力周波数を変調させること、
を含む方法。
【請求項９】
連続的なストリップ材料の単位時間当たりの被誘導加熱重量を、該連続的なストリップ材料の１つ以上の重量変化パラメーターが変化する際に一定に維持する方法であって、
容量性素子によってＡＣ電源に接続されて誘導加熱用の負荷回路を形成するソレノイド誘導コイルにストリップ材料を通すこと、
連続的なストリップ材料の１つ以上の重量変化パラメーターの変化に応じて、ソレノイド誘導コイルの１つ以上のセクションと、連続的なストリップ材料の表面との間の距離を選択的に変化させること、
負荷回路の周波数を実質的に共振周波数に維持するように電源の出力周波数を変調させること、
を含む方法。
【請求項１０】
ソレノイド誘導コイルの少なくとも１つ以上のセクションの位置を検出すること、検出したセクション位置をプロセス処理システムに入力すること、検出したセクション位置に応じて変化した出力周波数の信号をプロセス処理システムから出力させて、電源の出力周波数を実質的に共振周波数に維持するように電源の周波数を変調させること、を更に含む請求項８又は９の方法。
【請求項１１】
負荷回路の瞬間負荷電力を検出すること、検出した瞬間負荷電力をプロセス処理システムに入力すること、検出した瞬間負荷電力に応じて変化した出力周波数の信号をプロセス処理システムから出力させて、電源の出力周波数を実質的に共振周波数に維持するように電源の周波数を変調させること、を更に含む請求項８又は９の方法。
【請求項１２】
ソレノイド誘導コイルの少なくとも１つ以上のセクションの位置を検出すること、負荷回路の瞬間負荷電力を検出すること、検出したセクション位置及び瞬間負荷電力をプロセス処理システムに入力すること、検出したセクション位置及び瞬間負荷電力に応じて変化した出力周波数の信号をプロセス処理システムから出力させて、電源の出力周波数を実質的に共振周波数に維持するように電源の周波数を変調させること、を更に含む請求項８又は９の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月7日(2009.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの電気接点と；結合する電気コネクタにハウジングをラッチするためのラッチを有し、前記電気接点がハウジング内に位置するハウジングと；このハウジングに接続されたコネクタ位置保証（ＣＰＡ）部材であって、このＣＰＡ部材は、前記ハウジングが前記結合する電気コネクタと結合されるときに、ラッチが移動するのを防止するようになっており、さらにこのＣＰＡ部材は、前記ハウジングが前記結合する電気コネクタと結合された後に、前記ラッチを移動するようになっているＣＰＡ部材とを有する電気コネクタ。
【請求項２】
前記ＣＰＡ部材は、ロック解除位置とロック位置との間の前記ハウジングに移動可能に設置され、さらに、前記ＣＰＡ部材がロック解除位置で前記ハウジングに軸支するようになっている請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項３】
前記ＣＰＡ部材は、前記ハウジングの溝に摺動可能に位置される横方向に延びる軸支ラグを有する請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項４】
前記ＣＰＡ部材は、このＣＰＡ部材が前記ハウジングにおけるロック位置にあるときに、前記ラッチの部分を受入れるようになっている、内部に面するスロットを有する請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項５】
前記ＣＰＡ部材は、前記ラッチの部分と接触するそのＣＰＡ部材の前部に位置する前部ラッチ接触面を有する請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項６】
前記ラッチの部分は、そのラッチにおける横方向外方に延びるラグを有する請求項５記載の電気コネクタ。
【請求項７】
前記ラッチは、そのラッチにおける横方向外方に延びるラグを有する前記請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項８】
前記ＣＰＡ部材は、前記ハウジングに軸支可能に、かつ摺動可能に接続され、さらに、前記ハウジングは、前記ＣＰＡ部材がロック位置にあるときに、そのＣＰＡ部材が軸支回転するのを防止するようになっている請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項９】
前記ＣＰＡ部材がロック位置に位置するときに、そのＣＰＡ部材およびラッチを本質的に近づき難くするための手段を、さらに有する請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項１０】
少なくとも１つの電気接点と；結合する電気コネクタにハウジングをラッチするためのラッチを有するハウジングであって、前記電気接点がそのハウジング内に位置するハウジングと；このハウジングに接続されたコネクタ位置保証（ＣＰＡ）部材であって、前記結合する電気コネクタから前記ラッチを分離するために前記ラッチを偏位するようになっているＣＰＡ部材とを有する電気コネクタ。
【請求項１１】
コネクタ位置保証（ＣＰＡ）部材を電気コネクタのハウジングに挿入することと；このハウジングの溝内に前記ＣＰＡ部材の横方向に延びる軸支ラグを位置することと；前記ＣＰＡ部材の対向する接触面における前記ハウジングのラッチの横方向に延びる接続ラグを位置することとを有する、電気コネクタを組立てる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月25日(2009.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ．ｉ．ポリマーベースの層の総重量に基づいて４０〜９７重量パーセントの範囲の量の１種または複数種の誘電性ポリマー；および
ｉｉ．不均質なカチオン成分を有する結晶性構造を含み、ポリマーベース層の総重量に基づいて３〜６０重量パーセントの範囲で存在する非導電性、非活性化結晶性充填材；
を含むポリマーベースの層と、
Ｂ．前記ポリマーベースの層に界面に沿って結合した導電性金属であって、前記界面が活性化充填材の連続または非連続ネットワーク以外のいかなる金属化シード層もなく、活性化充填材の前記ネットワークが規則的または不規則的であり、前記活性化充填材が：
ｉ．自己触媒性であり、前記ポリマーベースの層をドリルまたはアブレーションするのに十分なエネルギーを有する電磁波による活性化によって前記非活性化充填材から誘導され；
ｉｉ．導電性であり；および
ｉｉｉ．ポリマーベース層と金属との間に、この両方と接触する関係で配置されている；
導電性金属と
を含むことを特徴とする電子基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６２】
有益性、他の利点、および問題に対する解答を、特定の実施形態に関して上述してきた。例えば、利点は、微細な配線機構の形成、基板上へ銅パターンを形成するリソグラフィプロセスと比した基板上への回路形成の生産プロセスの簡素化、パネル毎のバッチ加工方法とは対照的なめっき工程に追加したレーザ現像工程でのリール毎のプロセス能を含む。しかしながら、有益性、利点、問題への解答、およびいずれかの有益性、利点、または回答を生じさせ得るまたはより明確にさせ得るいずれかのエレメントは、重要であり、必要であり、または必須である機構またはいずれかのまたはすべての特許請求の範囲の要素として解釈されるべきではない。
本出願は、特許請求の範囲に記載の発明を含め以下の発明を包含する。
（１）  Ａ．ｉ．ポリマーベースの層の総重量に基づいて４０〜９７重量パーセントの範囲の量の１種または複数種の誘電性ポリマー；および
ｉｉ．不均質なカチオン成分を有する結晶性構造を含み、ポリマーベース層の総重量に基づいて３〜６０重量パーセントの範囲で存在する非導電性、非活性化結晶性充填材；
を含むポリマーベースの層と、
Ｂ．前記ポリマーベースの層に界面に沿って結合した導電性金属であって、前記界面が活性化充填材の連続または非連続ネットワーク以外のいかなる金属化シード層もなく、活性化充填材の前記ネットワークが規則的または不規則的であり、前記活性化充填材が：
ｉ．自己触媒性であり、前記ポリマーベースの層をドリルまたはアブレーションするのに十分なエネルギーを有する電磁波による活性化によって前記非活性化充填材から誘導され；
ｉｉ．導電性であり；および
ｉｉｉ．ポリマーベース層と金属との間に、この両方と接触する関係で配置されている；
導電性金属と
を含むことを特徴とする電子基板。
（２）  前記１種または複数種のポリマーが：
ポリイミド、
エポキシ樹脂、
シリカ充填エポキシ、
ビスマレイミド樹脂、
ビスマレイミドトリアジン、
フルオロポリマー、
ポリエステル、
ポリフェニレンオキシド／ポリフェニレンエーテル樹脂、
ポリブタジエン／ポリイソプレン架橋性樹脂、液晶ポリマー、
ポリアミド、
シアネートエステル、および
これらのコポリマー
からなる群から選択され、
前記導電性金属が、前記ポリマーベースの層に完全にまたは部分的に埋め込まれた回路パターンを含むことを特徴とする、（１）に記載の基板。
（３）  前記導電性金属がまた、前記ポリマーベースの層を貫通して突出する導電性相互接続を含むことを特徴とする、（２）に記載の基板。
（４）  前記基板が、０．０５〜０．６（両端を含む）／ミクロンの可視光−赤外光吸光係数を有し、および結晶性粒子が第１のカチオン性成分および第２のカチオン性成分を含み、前記第１のカチオン性成分が第２の触媒成分より高い原子価を有し、前記第１および第２のカチオン性成分が結晶性充填材粒子内に、０．１〜１０：１（第１のカチオン性成分：第２のカチオン性成分）の比で存在することを特徴とする、（１）に記載の基板。
（５）  前記基板が、０．６〜５０（両端を含む）／ミクロンの紫外光−可視光−赤外光吸光係数を有することを特徴とする、（１）に記載の基板。
（６）  前記非活性化結晶充填材が、ＡＢ２Ｏ４またはＢＡＢＯ４の化学式により表され、式中、Ａは２の原子価を有する金属カチオンであり、カドミウム、亜鉛、銅、コバルト、マグネシウム、錫、チタン、鉄、アルミニウム、ニッケル、マンガン、クロム、およびこれらの２つ以上の組み合わせからなる群から選択され、式中、Ｂは３の原子価を有する金属カチオンであり、カドミウム、マンガン、ニッケル、亜鉛、銅、コバルト、鉄、マグネシウム、錫、チタン、アルミニウム、クロム、およびこれらの２つ以上の組み合わせからなる群から選択されることを特徴とする、（１）に記載の基板。
（７）  ガラスファイバーのマトリックスをさらに含むことを特徴とする、（１）に記載の基板。
（８）  前記基板がプリプレグであることを特徴とする、（７）に記載の基板。
（９）  前記ポリマーベースの層に結合された第２の層をさらに含むことを特徴とする、（１）に記載の基板。
（１０）  前記第２の層が金属箔であることを特徴とする、（９）に記載の基板。
（１１）  前記ポリマーベースの層が、前記金属箔にラミネートまたはコートされていることを特徴とする、（１０）に記載の基板。
（１２）  前記第２の層が、熱伝導層、キャパシタ層および接着剤層または誘電体層であることを特徴とする、（９）に記載の基板。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月21日(2009.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
頭部の毛髪を立ち上げるための装置であって、
各々が毛髪梳き面を有する第１および第２のアームと、
枢軸であって、前記枢軸周りに前記アームを可動に結合するところの枢軸と、
前記毛髪梳き面のうちの少なくとも一方のための加熱源とを備え、
各毛髪梳き面は、前記毛髪の頭部近傍の部分の処理に適する幅を有しているところの装置において、
頭皮近傍の毛髪の部分を梳くことにより、頭部の毛髪を立ち上げてボリュームを与えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記加熱源は、電源に対して回路で接続される電気加熱機構を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記回路がスイッチを含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記毛髪梳き面は、毛髪を捲縮するための相補的パターンで形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
毛髪梳き面は、一連の相補的な梳き山部および谷部で形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
毛髪梳き面は、毛髪を捲縮するための鋸歯パターンとして形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記枢軸は、前記毛髪梳き面から離れた末端で前記アームに接続されている、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
毛髪捲縮器具を使用して頭部の毛髪を立ち上げるための方法であって、
頭部の毛髪から処理するための毛髪を選択するステップと、
前記器具を使用して、前記選択された毛髪の少なくとも一部の毛髪の根元の近傍を処理するステップと
を含む方法。
【請求項９】
前記器具を使用するステップに先立って、毛髪の表層部分を遠ざけるステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記器具を使用するステップの後に、選択された毛髪の第２の部分を回転させて、前記根元から離し、そして、被処理部近傍に位置させるステップと、前記器具を使用して、前記第２の部分を処理するステップとを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記器具を使用するステップは、必要に応じて、選択された毛髪の他の部分で繰り返され、前記器具を使用するステップの後、毛髪の前記表層部分を元に戻す、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
毛髪捲縮器具を使用して、頭部の毛髪を立ち上げるための方法であって、
頭部の毛髪から処理するための毛髪を選択するステップと、
毛髪の表層部分を遠ざけるステップと、
前記器具を使用して、前記選択された毛髪の少なくとも一部の毛髪の根元の近傍を処理するステップと、
前記選択された毛髪の第２の部分を回転させて、前記根元から離し、そして、被処理部近傍に位置させるステップと、
前記器具を使用して、前記第２の部分を処理するステップと、
毛髪の前記表層部分を元に戻すステップと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月15日(2009.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素燃料統合型汚染物質除去および燃焼システムであって、
燃焼システムであって、少なくとも１つのバーナーを有し、かつ空気の導入を実質的に妨げるように構成された炉と、２１パーセントよりも高い所定の純度で酸素を供給する酸素供給と、炭素ベース燃料を供給する炭素ベース燃料供給と、該酸素および該炭素ベース燃料を互いに制御された比率で炉の中に供給する手段と、該炭素ベース燃料の燃焼を制御して、３０００度Ｆを超える火炎温度、ならびにＣＯ２および他の気体を含み、燃焼によって生み出された気体化合物を含むが燃料に由来しない窒素を実質的に欠く煙道ガスストリームを生み出す手段とを含む、燃焼システムと、
汚染物質除去システムであって、該煙道ガスを冷却液と密接に接触させて、汚染物質に満ちた液体ストリームおよびストリッピングされた煙道ガスストリームを生み出す少なくとも１つの直接接触熱交換器と、該ストリッピングされた煙道ガスストリームを受取り、圧縮する少なくとも１つのコンプレッサとを含む、汚染物質除去システムと
を備えている、システム。
【請求項２】
前記冷却液は水である、請求項１に記載の統合型燃焼システム。
【請求項３】
少なくとも２つのコンプレッサを含む、請求項１に記載の統合型燃焼システム。
【請求項４】
前記ストリッピングされた煙道ガスストリームは、非凝結性気体および凝結性気体に分離される、請求項１に記載の統合型燃焼システム。
【請求項５】
前記凝結性気体は、実質的に液体状態に凝結される、請求項４に記載の統合型燃焼システム。
【請求項６】
前記実質的に液体状態に凝結された気体は隔離される、請求項５に記載の統合型燃焼システム。
【請求項７】
前記実質的に液体状態に凝結された気体は、大部分がＣＯ２である、請求項６に記載の統合型燃焼システム。
【請求項８】
前記炭素ベース燃料は固体燃料であり、前記ストリッピングされた煙道ガスストリームは、部分的に再循環され、該炭素ベース燃料を前記炉の中に搬送する、請求項１に記載の統合型燃焼システム。
【請求項９】
前記ストリッピングされた煙道ガスストリームは、実質的にＣＯ２である、請求項８に記載の統合型燃焼システム。
【請求項１０】
複数の熱交換器とコンプレッサとを含み、該熱交換器のうちの少なくとも２つは、冷却水を煙道ガスストリームと密接に接触させる直接接触熱交換器であり、少なくとも１つのコンプレッサは、該熱交換器の間で前記ストリッピングされた煙道ガスストリームを圧縮するために該熱交換器の間に配置される、請求項１に記載の統合型燃焼システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月22日(2009.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
担持されたヘテロポリ酸化合物を調製する方法であって、
ａ）  モリブデン化合物、リン化合物およびＭ’がセシウム、カリウム、ルビジウムまたはナトリウムであるＭ’化合物を液体中で混合して、溶液を形成し、
ｂ）  前記溶液にビスマス化合物を水性スラリーとして添加して、酸の不在下で混合物を形成し、
ｃ）  固体粒子を沈殿させ、
ｄ）  液体を蒸発させて、前記固体粒子を残し、
ｅ）  前記固体粒子を乾燥させ、
ｆ）  前記固体粒子をか焼して、ヘテロポリ酸触媒を形成する、
各工程を有してなる方法。
【請求項２】
硝酸の不在下で行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
銅化合物を前記液体に添加する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
バナジウム化合物を前記液体に添加する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
ホウ素、アンチモン、タングステン、セリウム、ニオブ、インジウム、鉄、クロム、コバルト、ニッケル、マンガン、ヒ素、銀、亜鉛、鉛、スズ、チタン、アルミニウム、ケイ素、タンタル、ゲルマニウム、ガリウム、ジルコニウム、マグネシウム、バリウムおよびランタンの１種類以上の化合物を前記液体に添加する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記アンチモン、タングステン、セリウム、ニオブ、インジウム、鉄、クロム、コバルト、ニッケル、マンガン、ヒ素、銀、亜鉛、鉛、スズ、チタン、アルミニウム、ケイ素、タンタル、ゲルマニウム、ガリウム、ジルコニウム、マグネシウム、バリウムまたはランタンの化合物が、硝酸塩、酸化物、塩化物もしくはそれらの混合物または組合せであることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記ヘテロポリ酸触媒が一般化学式：
Ｍｏ12ＶaＰbＣｓcＣｕdＢｉeＭfＯx
を有し、ここで、Ｍｏはモリブデンであり、Ｖはバナジウムであり、Ｐはリンであり、Ｃｓはセシウムであり、Ｃｕは銅であり、Ｂｉはビスマスであり、Ｍは、ホウ素、アンチモン、タングステン、セリウム、ニオブ、インジウム、鉄、クロム、コバルト、ニッケル、マンガン、ヒ素、銀、亜鉛、鉛、スズ、チタン、アルミニウム、ケイ素、タンタル、ゲルマニウム、ガリウム、ジルコニウム、マグネシウム、バリウムおよびランタンであり、Ｏは酸素であり、ａは０．０１から５．０であり、ｂは０．５から３．５であり、ｃは０．１から１．５であり、ｄは０．０から１．５であり、ｅは０．０から２．０であり、ｆは０．０から５．０であり、ｘは価数を満たすものであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記混合物が２から２４時間に亘りエージングされることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記混合物が０．１から５時間に亘りエージングされることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記蒸発工程が、５０℃から１２５℃の温度で行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記蒸発工程と前記乾燥工程が、噴霧乾燥により同時に行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記乾燥工程が空気または不活性ガス中で行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記乾燥工程が、２〜５時間に亘り１００〜１５０℃の温度で空気中において行われることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記か焼工程が、約２から約１２時間に亘り約３５０℃より高い温度で行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記か焼工程が二段階で行われ、第一段階が約１から約８時間に亘り約３５０℃より低い温度で行われ、第二段階が約２から約１２時間に亘り約３５０℃より高い温度で行われることを特徴とする請求項１４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月25日(2009.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人体の脈管内に埋め込まれる医療装置と通信するシステムであって、
埋込可能医療装置（ＩＭＤ）と、
前記ＩＭＤに電気的に連結された誘導コイルを含み、
前記誘導コイルは、前記脈管を通して展開可能である非膨張状態から、前記脈管内で膨張状態に膨張するように構成され、前記誘導コイルは、前記脈管の壁に摩擦により係合し、前記膨張状態で、前記脈管内に前記埋込可能医療装置を固定するように構成され、
前記埋込可能医療装置は、前記埋込可能医療装置を前記誘導コイルに電気的に連結するための複数の貫通接続を有するケーシングを含み、
振動する電磁界が前記誘導コイルの近くで作られる時に前記誘導コイル内に起電力（ＥＭＦ）が誘発されるシステム。
【請求項２】
前記ＩＭＤは、生理的センサを収容するケーシングを含む生理的センサ装置と、データを送受信するように作動可能な通信回路と、前記通信回路によるデータ送信及びデータ受信を制御するように作動可能なセンサ装置コントローラとを含み、かつ前記誘導コイルが前記通信回路に接続され、それにより前記誘導コイル内で誘発されたＥＭＦを使用して前記通信回路へ、かつ前記通信回路からデータを通信する請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ＩＭＤは、充電式電池と電池再充電コントローラとを更に含み、前記電池再充電コントローラは、前記電池の再充電を制御し、かつ前記誘導コイルが前記電池再充電コントローラに接続され、それにより前記誘導コイル内の電流を使用して前記電池を再充電する請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記電池再充電コントローラは、前記誘導コイルを介して受信された通信からのエネルギーを使用して前記電池を細流充電するように作動可能である請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記センサ装置コントローラは、電池再充電モードに入る指令を検出し、かつそれに応答して、前記誘導コイルを介して前記通信回路によって少なくともデータ送信を非活動化するように構成される請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記センサ装置コントローラは、電池再充電状態を監視し、かつ前記通信回路に、前記誘導コイルを介して電池再充電状態データを送信させるように更に作動可能である請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記電池再充電コントローラは、前記誘導コイルに差動的に連結される請求項３に記載のシステム。
【請求項８】
前記通信回路は、生理的データを前記誘導コイルを介して埋め込み通信モジュールに無線送信するように作動可能である請求項２に記載のシステム。
【請求項９】
前記通信回路は、パルス発生器からの指令に応答して前記生理的データを送信する請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記ＩＭＤと前記誘導コイルは、カテーテルを通して脈管に設置可能である請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記誘導コイルは、自己膨張するように構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記誘導コイルは、バルーン膨張可能である請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ＥＭＦは、人体の外側の第２誘導コイルによって発生する請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第２誘導コイルは、人によって運搬される装置内にある請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記ＩＭＤは、前記誘導コイル内で電流を発生させて、前記誘導コイルを介してデータを送信するように作動可能である通信回路を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記ＩＭＤは、充電式電池と、生理的センサ装置と、センサ装置コントローラとを更に含み、かつ前記センサ装置コントローラは、前記電池が再充電される間、前記通信回路の少なくとも一部を非活動化するように作動可能である請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記センサ装置コントローラは、前記ＩＭＤに電池再充電モードに入ることを指令する外部装置からの再充電指令を受信するように作動可能である請求項１６に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月16日(2009.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの中央ユニットに接続された複数のスキャニング部と複数の機械加工部とを有するシステムにおける、歯科補綴物を製造するために使用するデータを管理するための方法であって、
前記中央ユニットで、少なくとも１つのスキャニング部からデータを受信する工程、
前記中央ユニットで前記スキャニング部から受信した前記データを、機械加工部に割り当てる工程、および
割り当てられたデータを、前記機械加工部に送信する工程、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月24日(2009.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプラントを患者内の解剖学的部位に送出するための送出システムであって、
コネクタを備えた血管内カテーテルと、
前記コネクタに恒久的に接合された注射器作動型弁と、
前記インプラントを前記患者の前記解剖学的部位に送出するために、前記血管内カテーテル内に導入するためのポートと、を備え、
前記注射器作動型弁は、
近位端、遠位端、および軸方向ボアを備えた弁ハウジングであって、前記軸方向ボアが、近位円筒形ボア、遠位円筒形ボア、および近位円筒形ボアと遠位円筒形ボアとの間に位置されたテーパの肩部を備えた弁ハウジングと、
前記弁ハウジングによって包囲され、開位置および閉位置を備え、前記軸方向ボア内に摺動可能に軸方向に配設される略細長い単一の封止部材であって、前記封止部材は近位円筒形部分、遠位円筒形部分、および中間部分を備え、前記封止部材の前記中間部分がテーパの肩部を備え、該肩部は前記閉位置で前記軸方向ボアの前記テーパの肩部と結合しかつ協働する封止部材と、
前記封止部材の遠位部分の遠位である前記遠位ボア内に位置して、前記弁ハウジングの前記遠位端の近位で終わる戻止めと、を具備し、
前記封止部材は、前記閉位置で前記軸方向ボアを閉鎖し、前記開位置で前記軸方向ボアを開き、
前記封止部材の前記遠位部分は、前記開位置で前記戻止めに圧縮されている、送出システム。
【請求項２】
前記戻止めが１つまたは複数の穿孔をさらに備える請求項１に記載の注射器作動型弁。
【請求項３】
前記戻止めが、前記戻止めと前記弁ハウジングとの間に位置する１つまたは複数の間隙をさらに備える請求項１に記載の注射器作動型弁。
【請求項４】
前記戻止めが、前記戻止めの近位面から延びる１つまたは複数の突起をさらに備える請求項２に記載の注射器作動型弁。
【請求項５】
前記突起が十字形である請求項４に記載の注射器作動型弁。
【請求項６】
前記１つまたは複数の突起が円錐形の突起である請求項４に記載の注射器作動型弁。
【請求項７】
前記１つまたは複数の突起が矩形の突起である請求項４に記載の注射器作動型弁。
【請求項８】
前記戻止めが円板形状である請求項１に記載の注射器作動型弁。
【請求項９】
前記戻止めが円筒である請求項１に記載の注射器作動型弁。
【請求項１０】
前記封止部材の少なくとも一部が中空である請求項１に記載の注射器作動型弁。
【請求項１１】
前記戻止めが前記封止部材よりも低い弾性を有する請求項１に記載の注射器作動型弁。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月4日(2010.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体の処理方法であって：
ａ）  少なくとも１つの第１電極を少なくとも部分的に前記液体の表面よりも下方に配置し；
ｂ）  少なくとも１つの第２電極を、前記液体の前記表面よりも上方に配置し；
ｃ）  前記第２電極の少なくとも一部と前記液体表面の少なくとも一部との間にコロナ放電プラズマが形成されるように、前記第１電極と第２電極との間に電力を提供し；そして
ｄ）  前記液体の組成及び構造のうちの少なくとも一方に影響を与えるのに十分な時間にわたって、前記電力を印加する
ことを含む、液体の処理方法。
【請求項２】
水の少なくとも１つの物理特性を変化させる方法であって、
ａ）  少なくとも１つの第１電極を少なくとも部分的に前記水の表面よりも下方に配置し；
ｂ）  少なくとも１つの第２電極を、前記水の前記表面よりも上方に配置し；
ｃ）  前記第２電極と前記水の前記表面の少なくとも一部との間にコロナ放電プラズマを形成するのに十分な量の電力を提供し；そして
ｄ）  前記水の導電率を高めるのに十分な時間にわたって、前記電力の印加を続ける
ことを含む、水の少なくとも１つの物理特性を変化させる方法。
【請求項３】
前記方法がバッチプロセスで生じる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記方法が半連続プロセスで生じる、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記方法が実質的に連続的である、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記電力がＡＣ電源を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記プラズマが空気中に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの第２電極が少なくとも１種の金属を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの第１電極と前記少なくとも１つの第２電極が完全に異なる組成を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記電力がＡＣ電源によって適用され、前記プラズマが空気中に形成され、前記少なくとも１つの第１電極と前記少なくとも１つの第２電極が実質的に類似の金属組成を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項１１】
前記水ｐＨが減少する、請求項２に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの第１電極が白金を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの第２電極が白金を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１４】
前記電力が、５０００〜２０，０００ボルトの電圧範囲を有するＡＣ変圧器を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＡＣ変圧器が定電流変圧器である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの第１電極と前記少なくとも１つの第２電極が両方とも亜鉛を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの第１電極と前記少なくとも１つの第２電極が両方とも亜銅を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの第１電極と前記少なくとも１つの第２電極が両方とも亜銀を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記水が亜鉛成分を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記水が銅成分を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記水が銀成分を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
水の処理方法であって：
ａ）少なくとも１つの第１電極を少なくとも部分的に前記水の表面よりも下方に配置し；
ｂ）少なくとも１つの第２電極を、前記水の前記表面よりも上方に配置し；
ｃ）前記第２電極の少なくとも一部と前記水の前記表面の少なくとも一部との間にコロナ放電プラズマが形成されるのに十分な量で、前記第２電極と前記水の前記表面の少なくとも一部の間に電力を提供し；そして
ｄ）前記水の測定可能なｐＨを少なくとも１単位下げるのに十分な時間にわたって、前記電力を印加し続ける
ことを含む、液体の処理方法。
【請求項２３】
前記水の前記表面の上方の前記第１の電極からの少なくとも一部の金属成分が前記ｄ）工程の後で前記水中に存在する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記水の前記表面の下方の前記第２の電極からの少なくとも一部の金属成分が前記ｄ）工程の後で前記水中に存在する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１の電極が銀、亜鉛、銅、チタン及び白金からなる群から選ばれた少なくとも１種の金属を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記第２の電極が銀、亜鉛、銅、チタン及び白金からなる群から選ばれた少なくとも１種の金属を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
前記水が前記ｄ）工程の後、水和した電子を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
前記水が前記ｄ）工程の後、水和した電子を含む、請求項２７に記載の方法。