【手続補正書】
【提出日】平成22年3月3日(2010.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
Ｃｈｅｍ．Ｍａｔａｅｒ．２００２年、１４、５８〜６３頁のＡ．アンブロシーニ（Ａｍｂｒｏｓｉｎｉ）著「Ｚｉｎｃ  Ｄｏｐｉｎｇ  ｉｎ  Ｃｏｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ  Ｉｎ２−２ｘＳｎｘＺｎｘＯ３−δ」という題の刊行物では、Ｉｎ２−ｘ−ｙＳｎｘＺｎｙＯ３−δ（ｙ＞ｘ）を形成するべくＺｎ２＋でアクセプタドープされた同時置換固溶体Ｉｎ２−２ｘＳｎｘＺｎｘＯ３−δについて言及している。ビクスビアイト構造を維持しながら４％のＺｎ２＋余剰分をＩｎ１．６Ｚｎ０．２Ｏ３−δの中に導入することができる。ドープされた材料のｎ型伝導率は亜鉛置換に伴って減少する。ＺｎドープされたＩｎ１．６Ｓｎ０．２Ｚｎ０．２Ｏ３−δは、高い酸素圧力（１７０ａｔｍ）下でアニーリングされ、アニオン空孔、Ｖｏ¨を除去した。１０２０から１０１８個までの担体／ｃｍ３という最高２桁分の担体濃度の減少のため、アニールされた材料の伝導率は減少する。ホール測定は、担体がｎ型としてとどまることを示している。結果は、Ｚｎ２＋による正孔の付与を妨げる中性Ｚｎ−Ｖｏ¨錯体の存在を暗示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明の方法の有利な一実施形態に従うと、成形されたセラミックは、
（Ｉ）  ＥαｋＯβ２−が前記基本材料を表わし、かつ
−  ｘ’がαより小さく（好ましくは０．１α以上である）置換度を表わし、βが２β＝αｋまたはβ＝αｋ／２となるような実数を表わし、
−  Ｅが元素周期表のＩ族からＶＩＩＩ族までの少なくとも１つの金属、例えばＦｅ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＳｎおよびＩｎであり、記号ｋが化学式に従って計算されたＥの平均酸化度を表わし、記号ｍが、Ｅに部分置換する元素Ｊの平均酸化度を表わし、ｍはｋより小さく、
−  α、ｋおよびβが、αｋ−２β＝０となるような好ましくは１〜２０の間の正の数であり、ｍおよびｘ’はｘ’＜αおよびｍ＜ｋとなるような正の整数を表わすものとして、
Ｅα−ｘ’ｋＪｘ’ｍＯβ−ｘ’（Ｋ−ｍ）／２２−□ｘ’（ｋ−ｍ）／２、
（ＩＩ）  Ｍｘ−ｘ’ｑＪｘ’ｍＴｙｎＯｚ−ｘ’（ｑ−ｍ）／２２−□ｘ’（ｑ−ｍ）／２または
（ＩＩＩ）  ＭｘｑＴｙｎＯｚ２−が基本材料を表わし、
−  ｘ’が置換度を表わし、化学式（ＩＩ）中ではｘより小さく（好ましくは０．１ｘ以上であり）、
−  ｘ’は本開示内で示されているような化学式（ＩＩＩ）中でｙより小さく（好ましくは０．１ｙ以上であり）、ＭおよびＴは元素周期表の少なくとも２つの異なる金属、例えば、ＭについてはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ａｇ、Ｃｕ、およびＴｉそしてＴについてはＮｉ、Ｃｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、ＶおよびＴｉを表わし、
−  空孔レベルは、Ｍｘ−ｘ’ｑＪｘ’ｍＴｙｎＯｚ−ｘ’（ｑ−ｍ）／２２−□ｘ’（ｑ−ｍ）／２についてはｘ’（ｑ−ｍ）／２に等しく、ＭｘｑＴｙ−ｘ’ｎＪｘ’ｍＯｚ−ｘ’（ｎ−ｍ）／２２−□ｘ’（ｎ−ｍ）／２についてはｘ’（ｎ−ｍ）／２に等しく、
−  ｘ、ｙ、ｑ、ｎおよびｚは、ｑｘ＋ｎｙ＝２ｚという等式を満たす好ましくは１以上２０以下の正の整数であり、
−  ｑは、Ｍの酸化度であり、
−  ｚは、示されている通り２ｚ＝ｑｘ＋ｎｙとなるような実数であり、
−  ｎはＴの平均酸化度であり、
−  ｍは、ドーパントＪの平均酸化度であり、化学式（ＩＩ）においてはｑ未満、化学式（ＩＩＩ）においてはｎ未満であり、
−  ＭおよびＴがそれぞれ、元素周期表のＩ族からＶＩＩＩ族までの少なくとも１つの金属、例えばＦｅ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＳｎおよびＩｎであるものとして、
ＭｘｑＴｙ−ｘ’ｎＪｘ’ｍＯｚ−ｘ’（ｎ−ｍ）／２２−□ｘ’（ｎ−ｍ）／２、
という化学式（Ｉ）、（ＩＩ）または（ＩＩＩ）のうちの１つによってかまたは焼結後のドープされた材料を表わすこれらの化学式の混合によって表わされ、アニオン空孔が□という記号で表わされている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
【図１Ａ】本発明に従った高密度セラミックを生産するために実施された異なるステ
ップと共に、実施例１’において定義されている圧密された粉末混合物が満たされたるつぼそして本発明の方法に従って圧密された粉末の熱処理後に得られた対応するセラミックの写真を表わしている。
【図１Ｂ】本発明に従った高密度セラミックを生産するために実施された異なるステ
ップと共に、実施例１’において定義されている圧密された粉末混合物が満たされたるつぼそして本発明の方法に従って圧密された粉末の熱処理後に得られた対応するセラミックの写真を表わしている。
【図１Ｃ】本発明に従った高密度セラミックを生産するために実施された異なるステ
ップと共に、実施例１’において定義されている圧密された粉末混合物が満たされたるつぼそして本発明の方法に従って圧密された粉末の熱処理後に得られた対応するセラミックの写真を表わしている。
【図１Ｄ】本発明に従った高密度セラミックを生産するために実施された異なるステ
ップと共に、実施例１’において定義されている圧密された粉末混合物が満たされたるつぼそして本発明の方法に従って圧密された粉末の熱処理後に得られた対応するセラミックの写真を表わしている。
【図１Ｅ】本発明に従った高密度セラミックを生産するために実施された異なるステ
ップと共に、実施例１’において定義されている圧密された粉末混合物が満たされたるつぼそして本発明の方法に従って圧密された粉末の熱処理後に得られた対応するセラミックの写真を表わしている。
【図２Ａ】先行技術に従って実施例０で得られたＩＴＯセラミックのＳＥＭ写真を表
わす。
【図２Ｂ】ドーパント元素が添加された同じ粉末の処理により実施例１’で得られた
ＩＴＺＯセラミックの写真を表わす。
【図３】従来の（ＲＦ）スパッタリングプロセスと関与するさまざまな要素を表わす
図である。
【図４】実施例０で調製されたＩＴＯセラミックについて得られた電気抵抗率（上の
曲線）および実施例１’で調製されたＩＴＺＯセラミックについての電気抵抗率（下の曲線）を表わす。
【図５】（↓）がルチルＳｎＯ２に対応するピークを示している、公称組成［Ｉｎ２
Ｏ３：Ｓｎ０．１０］：Ｚｎｙ、０≦ｙ≦０．１０を有する焼結されたＩＴＺＯ粉末についてのＸ線回折パターンである。
【図６】ＩＴＯ等価物（ＪＣＰＤＳ８９−４５９６基準パターン）と比較した焼結Ｉ
ＴＺＯ粉末についてのＸ線ピーク（２２２）の変位を示す。
【図７Ａ】Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ０．１０という公称組成を有するセラミックについての
ＳＥＭ顕微鏡写真を表わす。
【図７Ｂ】［Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ０．１０］：Ｚｎ０．０４という公称組成を有するセ
ラミックについてのＳＥＭ顕微鏡写真を表わす。
【図７Ｃ】［Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ０．１０］：Ｚｎ０．０８という公称組成を有するセ
ラミックについてのＳＥＭ顕微鏡写真を表わす。
【図７Ｄ】［Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ０．１０］：Ｚｎ０．１０という公称組成を有するセ
ラミックについてのＳＥＭ顕微鏡写真を表わす。
【図８】（０．０１５ｍｏｌ％が閾値である文書［１１］中の推定値に従った）低い
および高いドーピング濃度（ｘ）についての、Ｉｎ２Ｏ３をドープするＳｎのエネルギーバンドの概略的モデルを表わしている。
【図９】０≦ｙ≦０．１０としたＩＴＺＯセラミック（［Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ０．１０
］：Ｚｎｙ）内のさまざまな公称Ｚｎ含有量（Ｚｎｙ）についての温度に伴う抵抗率の変化を表わしており、大気温度での抵抗率の変化が挿入部分内で示されている。
【図１０】０≦ｙ≦０．１０としたＩＴＺＯセラミック（［Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ０．１
０］：Ｚｎｙ）内のさまざまな公称Ｚｎ含有量についての温度に伴うゼーベック係数の変化を表わす。
【図１１】Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ０．１０（ＩＴＯ）および［Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ０．１０
］：Ｚｎ０．１０（ＩＴＺＯ）（公称組成）についての熱重量分析（ＴＧＡ）データを表わす。
【図１２】［Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ０．１０］：ＺｎｙセラミックについてのＺｎｙに伴
う相対的見かけ密度の変動（ｄ／ｄ０）を表わしている。
【図１３】格子アニオン（ｌａｔｔｉｃｅ  ａｎｉｏｎ）および構造的空孔を伴う、
ビクスビアイト型の構造内の部位ｂカチオンと部位ｄカチオンの概略的表示である。
【図１４】（ａ）未ドープのＩｎ２Ｏ３および１３００℃でアニールされたＩｎ２Ｏ
３：Ｓｎ０．１０（ＩＴＯ）粉末についてのＸ線回折パターンデータを表わし、ＩＴＯピーク（２２２）の変化が挿入部分内に示され、（↓）はルチルＳｎＯ２に対応するピークを示している。
【図１５Ａ】高密度のＩＴＺＯセラミックの調製の概略的表示であり、アルミナるつ
ぼ内の軽くプレス加工された粉末の混合物の写真である。
【図１５Ｂ】高密度のＩＴＺＯセラミックの調製の概略的表示であり、収縮を示す、
焼結後に得られた高密度のＩＴＺＯセラミックの写真であり、焼結温度は１２時間で１３００℃である。
【図１５Ｃ】高密度のＩＴＺＯセラミックの調製の概略的表示であり、写真に対応す
るダイアグラムである。
【図１５Ｄ】高密度のＩＴＺＯセラミックの調製の概略的表示であり、写真に対応す
るダイアグラムである。
【図１６】０≦ｙ≦０．１０とした、ＩＴＺＯセラミック（［Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ０．
１０］；Ｚｎｙ）内のさまざまな公称Ｚｎ含有量（Ｚｎｙ）についての温度に伴う抵抗率の変化を表わし、ｙ＝０（Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ０．１０）がＩＴＯセラミックを表わす。
【図１７】ＩＴＺＯ薄膜の被着速度に対する出力密度の影響を表わす（ＰＯ２＝０．
２％）。
【図１８】ＩＴＺＯ薄膜の被着速度に対する酸素の分圧を表わす（Ｐ＝１Ｗ／ｃｍ２
）。
【図１９】さまざまな出力密度で被着されたＩＴＺＯ薄膜についての透明度スペクト
ルを表わし（ＰＯ２＝０．２％）、フィルムの厚みは全てのフィルムについて４００ｎｍ前後に固定され、挿入部分は、透明度を示す可視領域を拡大して示している。
【図２０】さまざまな出力密度でのＩＴＺＯ薄膜についての禁止帯の光エネルギーの
決定を表わす。
【図２１】さまざまな酸素分圧（Ｐ＝０．５Ｗ／ｃｍ２）下で調製されたさまざまな
薄膜についての光透過を表わし、フィルムの厚みは２５０〜２８０ｎｍの間である。
【図２２】さまざまな酸素分圧下で被着されたＩＴＺＯ薄膜についての禁止帯の光エ
ネルギーの決定を表わす。
【図２３】出力密度に伴う抵抗率の変化を表わす（ＰＯ２＝０．２％）
【図２４】薄膜についての酸素分圧の関数としての抵抗率の変化を表わす（Ｐ＝０．
５Ｗ／ｃｍ２）。
【図２５】さまざまな出力密度でのガラス基板上のＩＴＺＯ薄膜のＸ線回折パターン
を表わしており、ＩＴＯのＸ線回折パターン（基準ＪＣＰＤＳ第８９−４９５６号）が比較を目的として示されている（垂直線）。
【図２６Ａ】０．５Ｗ／ｃｍ２のＲＦスパッタリング出力で被着されたＩＴＺＯ薄膜
フィルムについてのＳＥＭ顕微鏡写真を表わす。
【図２６Ｂ】１．５Ｗ／ｃｍ２のＲＦスパッタリング出力で被着されたＩＴＺＯ薄膜
フィルムについてのＳＥＭ顕微鏡写真を表わす。
【図２６Ｃ】２．５Ｗ／ｃｍ２のＲＦスパッタリング出力で被着されたＩＴＺＯ薄膜
フィルムについてのＳＥＭ顕微鏡写真を表わす。
【図２７Ａ】ｚ軸のさまざまな目盛における０．５Ｗ／ｃｍ２のスパッタリング出力
で被着されたＩＴＺＯ薄膜についてのＡＦＭ画像を表わす。
【図２７Ｂ】ｚ軸のさまざまな目盛における１．５Ｗ／ｃｍ２のスパッタリング出力
で被着されたＩＴＺＯ薄膜についてのＡＦＭ画像を表わす。
【図２７Ｃ】ｚ軸のさまざまな目盛における２．５Ｗ／ｃｍ２のスパッタリング出力
で被着されたＩＴＺＯ薄膜についてのＡＦＭ画像を表わす。
【図２８Ａ】ｚ軸のさまざまな目盛におけるＩＴＯガラスフィルムについてのＡＦＭ
画像を表わす。
【図２８Ｂ】ｚ軸のさまざまな目盛におけるＩＴＺＯ−ＰＥＴフィルムについてのＡ
ＦＭ画像を表わす。
【図２９】ガラス基板（ＩＴＺＯ−ガラス）上またはプラスチック基板（ＩＴＺＯ−
ＰＥＴ）上のＩＴＺＯ薄膜についてのＸ線回折パターンを表わしており、ＰＥＴ基板のＸ線回折パターンは比較を目的として示されている。
【図３０】異なる厚みをもつＩＴＺＯガラス薄膜についての光透過を表わし、ＩＴＯ
ガラスの透明度が比較を目的として示されている。
【図３１】異なる厚みをもつＩＴＺＯ−ＰＥＴ薄膜についての光透過を表わしており
、ＩＴＯ−ＰＥＴの透明度が比較を目的として示されている。
【図３２】ガラス製基板（ＩＴＯＺ−ガラス（２６０ｎｍ））およびプラスチック製
基板（ＩＴＺＯ−ＰＥＴ（２６０ｎｍ））上に被着されたＩＴＺＯ薄膜についての光学ＩＲ反射を表わし、市販のＩＴＯガラス（１００ｎｍ）およびＩＴＯ−ＰＥＴ（２００ｎｍ）の反射率曲線が比較を目的として示されている。
【図３３】プラスチック製基板（ＩＴＺＯ−ＰＥＴ）およびガラス製基板（ＩＴＺＯ
−ガラス）上に被着されたＩＴＺＯ薄膜についての温度に伴う抵抗率の変化を示しており、フィルムの厚みは２６０ｎｍである。
【図３４】実施例中で使用されている「ボールミル粉砕」方法を実施するために使用
される材料を示す。
【発明を実施するための形態】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
化学式中、Ｅは、例えばＦｅ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＳｎおよびＩｎといった元素周期表のＩ族からＶＩＩＩ族までの少なくとも１つの金属である。ＭおよびＴは、例えばＭについてはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ａｇ、ＣｕおよびＴｌそしてＴについてはＮｉ、Ｃｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、ＶおよびＴｉといった周期表からの少なくとも２つの異なる金属を表わす。ｋ、ｑおよびｎといった記号は、それぞれにＥ、ＭおよびＴの平均酸化度を表わす。パラメータαおよびβは、αｋ−２β＝０という式を満たす正の整数であり、ｘ、ｙおよびｚは、ｑｘ＋ｎｙ−２ｚ＝０となる正の整数を表わす。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
実施例２’−マイクロジェネレータおよびエレクトロクロミックデバイス用の電極を調製するためにＺｎでドープされたＬｉ４Ｔｉ５Ｏ１２ベースの標的
出発生成物が炭酸リチウム、二酸化チタンおよび一酸化亜鉛または一酸化マグネシウムであったという点を除いて、ＩＴＺＯのために使用した実験プロトコルを使用した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８７】
さまざまな酸素分圧についての担体濃度、移動度および抵抗率の値は表ＶＩに記載されている。最低の抵抗率（約４．４×１０−４Ω・ｃｍ）は、ｐＯ２＝０．２％で被着されたフィルムについて得られている（図２４）。より低いｐＯ２（０．１％）で被着されたフィルムについては、担体濃度は、低い透明度（図２１）、および最高のＥｇ（図２２）を説明する最高の値（表ＶＩ）に対応する。それでも、移動度は、ｐＯ２＝０．２％で被着されたフィルムのものよりも低く（表ＶＩ）、これにより、抵抗率がより高いことの説明がつく。０．２％より大きいｐＯ２で被着されたフィルムについては、担体濃度はｐＯ２と共に低下する。その上、移動度も又、ｐＯ２と共に減少し、これは、以下に実証される非晶質構造内の酸素の挿入により誘発される構造的無秩序に起因する可能性がある。その結果、フィルムの抵抗率は、それが高いｐＯ２（１％）で被着させられた場合に劇的に増大する（約１．７×１０−１Ω・ｃｍ）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
元素Ｊがドープされた無機基本材料からセラミックを調製するための方法であって、前記セラミックが、式（Ｉ）Ｅα−ｘ’ｋＪｘ’ｍＯβ−ｘ’（Ｋ−ｍ）／２２−□ｘ’（ｋ−ｍ）／２
（式中：
−  ＥαｋＯβ２−が前記無機基本材料であり；
−  Ｅが元素周期表のＩ族からＶＩＩＩ族までの少なくとも１つの金属であり、ｋが前記式Ｉ中のＥの平均酸化度を表わし；
−  Ｊが元素周期表のＩ族からＶＩＩＩ属までの少なくとも１つの金属であり、ｍが、元素Ｊの平均酸化度を表わし、ｍはｋより小さく；
−  α、ｋおよびβが、αｋ−２β＝０となるような１〜２０の間の正の数であり；
−  ｘ’はｘ’＜αとなるような正の整数を表わし；そして
−  □はアニオン空孔を示す）
あるいは、式（ＩＩ）Ｍｘ−ｘ’ｑＪｘ’ｍＴｙｎＯｚ−ｘ’（ｑ−ｍ）／２２−□ｘ’（ｑ−ｍ）／２または式（ＩＩＩ）ＭｘｑＴｙ−ｘ’ｎＪｘ’ｍＯｚ−ｘ’（ｎ−ｍ）／２２−□ｘ’（ｎ−ｍ）／２
（式中、
−  ＭｘｑＴｙｎＯｚ２−が前記無機基本材料を表わし；
−  ＭおよびＴは各々、元素周期表のＩ族からＶＩＩＩ属までの少なくとも１つの金属であり、ＭおよびＴは異なっており；
−  Ｊが元素周期表のＩ族からＶＩＩＩ属までの少なくとも１つの金属であり；
−  ｘ、ｙ、ｑ、ｎおよびｚは、ｑｘ＋ｎｙ＝２ｚという等式を満たす正の整数であり；
−  ｑは、Ｍの酸化度であり、ｎはＴの平均酸化度であり、そしてｍは、Ｊの平均酸化度であり、
−  式（ＩＩ）においては、０＜ｘ’＜ｘ、ｍ＜ｑであり；
−  式（ＩＩＩ）においては、ｍ＜ｎ、０＜ｘ’＜ｙである）
のうちの１つによって表わされ、
前記方法が、粉末形態である前記無機基本材料と、粉末形態である無機ドーパント材料とを混合するステップ；及び８００℃を超える温度で実施される焼結ステップとを含み；
前記焼結ステップ前の前記粉末に対し及ぼされる力が５ｋｇ／ｃｍ２以下であることを特徴とする、前記方法。
【請求項２】
前記無機基本材料が、
−  式（Ｉ）  ＥαｋＯβ２−
（式中、Ｅが、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＳｎおよびＩｎからなる群から選択される）；または
−  式ＭｘｑＴｙｎＯｚ２−
（式中、ＭおよびＴは異なり、Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ａｇ、ＣｕおよびＴｉからなる群から選択され、Ｔは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、ＶおよびＴｉからなる群から選択される）
を満たす、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記無機ドーパント材料が、前記無機基本材料を構成する１つまたは複数のカチオンよりも低い酸化度を有する１つまたは複数のカチオンを含有する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
無機ドーパント材料／無機基本材料のモル比が、０．００１〜０．４の間で変動する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
焼結ステップを、１〜１００時間の間、不活性雰囲気下で、８００℃〜１７００℃の温度で実施する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記無機基本材料が、酸化物、オキシハロゲン化物、およびこれらの混合物からなる群から選択されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記酸化物がＴｉＯ２、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、Ｌｉ４Ｔｉ５Ｏ１２、ＭｏＯ３、ＷＯ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ｘを０．１〜２の間の値としてＬｉｘＮｉＯ２、ｘを１〜２の間の値としてＬｉｘＣｒＯ２．５、ＬｉＦｅＯ２、およびこれらの混合物からなる群から選択されている、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
無機基本材料／無機ドーパント材料の対が、
−  Ｎｂ５＋、Ｔａ５＋、Ｖ５＋、Ｔｉ４＋、Ｓｎ４＋、Ｍｎ４＋、Ｍｇ２＋、Ｚｎ２＋、Ｎｉ３＋、Ｎｉ２＋、Ｃｕ２＋、Ｃｏ３＋、Ｃｏ２＋、Ｆｅ３＋、Ｃｒ３＋およびＭｎ３＋、からなる群から選択された少なくとも１つのカチオンＪを有する無機ドーパント材料と組合せた状態でのカチオンとしてのＷ６＋またはＭｏ６＋を有する無機基本材料、
−  Ｔｉ４＋、Ｓｎ４＋、Ｍｎ４＋、Ｎｉ３＋、Ｃｏ３＋、Ｆｅ３＋、Ｃｒ３＋、Ｍｎ３＋、Ｚｎ２＋、Ｍｇ２＋、Ｎｉ２＋、Ｃｕ２＋およびＣｏ２＋、からなる群から選択された少なくとも１つのカチオンＪを有する無機ドーパント材料と組合せた状態でのカチオンとしてのＶ５＋、Ｎｂ５＋、またはＴａ５＋を有する無機基本材料、
−  Ｚｎ２＋、Ｍｇ２＋、Ｃｕ２＋、Ｃｏ２＋、Ｍｎ２＋およびＦｅ２＋、からなる群から選択された少なくとも１つのカチオンＪを有する無機ドーパント材料と組合せた状態でのカチオンとしてのＭｎ３＋、Ｃｏ３＋、またはＩｎ３＋を有する無機基本材料であって、前記無機基本材料のカチオンがＩｎ３＋である場合はＳｎがＪと組み合わせた状態であることができるもの、または
−  カチオンＪとして少なくとも１つのＬｉ＋カチオンを有する無機ドーパント材料と組合せた状態でのカチオンとしてのＣｏ２＋、Ｆｅ２＋、Ｚｎ２＋、Ｍｇ２＋、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋およびＭｎ２＋を有する無機基本材料
から選択されている、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記無機基本材料及び無機ドーパント材料の前記粉末の前記混合が、有機または水性溶媒または少なくとも１つの有機溶媒と１つの水性溶媒との混合物の存在下で実施される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記有機溶媒が、アルコール、ケトン、エーテルおよびこれらの混合物からなる群から選択されている、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記混合ステップの間に、無機基本材料としての８２．２３ｍｏｌ％のＩｎ２Ｏ３、ならびに、無機ドーパント材料としての８．６６ｍｏｌ％のＳｎＯ２および９．１１ｍｏｌ％のＺｎＯを含有する混合物を調製する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
得られる前記セラミックの抵抗率が、前記焼結に供される粉末混合物内に存在する無機ドーパント材料の量を制御することにより調整され、無機ドーパント材料の量の増加により前記抵抗率の減少が促進される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
１．７×１０−１３Ω・ｃｍ前後未満またはそれに等しい抵抗率を有するセラミックを得るために、
−  前記ドーパント元素Ｊは、Ｚｎ２＋、Ｍｇ２＋、Ｃｕ２＋、Ｃｏ２＋、Ｍｎ２＋、およびＦｅ２＋からなる群から選択され；そして、
−  無機基本材料／無機ドーパント材料の混合物内に存在する無機ドーパント材料の量が、１０ｍｏｌ％超であるかそれに等しい
ことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
得られる前記セラミックの電荷移動度は、前記焼結に供される粉末混合物中に存在する無機ドーパント材料の量を制御することによって調整され、前記無機ドーパント材料の量の増加が、前記セラミックの電荷移動度の増加を促進する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法の実施により得られるセラミックであって、前記セラミックは、式（Ｉ）Ｅα−ｘ’ｋＪｘ’ｍＯβ−ｘ’（Ｋ−ｍ）／２２−□ｘ’（ｋ−ｍ）／２
（式中：
−  ＥαｋＯβ２−が前記無機基本材料であり：
−  Ｅが元素周期表のＩ族からＶＩＩＩ族までの少なくとも１つの金属であり、ｋが前記式Ｉ中のＥの平均酸化度を表わし；
−  Ｊが元素周期表のＩ族からＶＩＩＩ属までの少なくとも１つの金属であり、ｍが、元素Ｊの平均酸化度を表わし、ｍはｋより小さく；
−  α、ｋおよびβが、αｋ−２β＝０となるような１〜２０の間の正の数であり；
−  ｘ’はｘ’＜αとなるような正の整数を表わし；そして
−  □はアニオン空孔を示す）
あるいは、式（ＩＩ）Ｍｘ−ｘ’ｑＪｘ’ｍＴｙｎＯｚ−ｘ’（ｑ−ｍ）／２２−□ｘ’（ｑ−ｍ）／２または式（ＩＩＩ）ＭｘｑＴｙ−ｘ’ｎＪｘ’ｍＯｚ−ｘ’（ｎ−ｍ）／２２−□ｘ’（ｎ−ｍ）／２
（式中：
−  ＭｘｑＴｙｎＯｚ２−が前記無機基本材料を表わし；
−  ＭおよびＴは各々、元素周期表のＩ族からＶＩＩＩ属までの少なくとも１つの金属であり、ＭおよびＴは異なっており；
−  Ｊが元素周期表のＩ族からＶＩＩＩ属までの少なくとも１つの金属であり；
−  ｘ、ｙ、ｑ、ｎおよびｚは、ｑｘ＋ｎｙ＝２ｚという等式を満たす正の整数であり；
−  ｑは、Ｍの酸化度であり、ｎはＴの平均酸化度であり、そしてｍは、Ｊの平均酸化度であり；
−  式（ＩＩ）においては、０＜ｘ’＜ｘ、ｍ＜ｑであり；
−  式（ＩＩＩ）においては、ｍ＜ｎ、０＜ｘ’＜ｙである）
のうちの１つによって表わされ
前記セラミックが、
−  １ｃｍあたり３００ジーメンス超という、ケースレー（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ）デバイス（モデル２４００ソースメータ）を用いた４点方法（４プローブ測定）に従って測定された巨視的電気伝導率；
−  ５ｇ／ｃｍ３超である、水銀ポロシメータ方法に従って測定された改善された見かけ密度；
−  ５ｃｍ２超の（合計）表面積；
−  元素の添加無しで調製された対応するセラミックのものの３０％未満である、高解像度電子顕微鏡方法に従って測定された、改善された粒界不規則性百分率；および
−  ０．１〜０．８マイクロメートルの間にある高解像度のＳＥＭ方法により測定される、前記セラミック中に存在する気孔のサイズ、
という特性のうちの少なくとも１つを有することを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法の実施により得られるセラミック。
【請求項１６】
Ｘ線回折方法に従って測定された場合に、１００〜２００ｎｍの間の微結晶サイズに対応する非常に高い結晶化度を特徴とする、請求項１５に記載のセラミック。
【請求項１７】
４．２Ｋから大気温度まで変動する温度の関数として、かつ４点方法に従って測定された場合に、１ｃｍあたり２００〜１００００ジーメンスの間、である伝導率を有する、請求項１５に記載のセラミック。
【請求項１８】
ゼーベック（Ｓｅｅｂｅｃｋ）効果方法に従って測定された場合に、０．０１〜３００ｃｍ２／体積・秒−１の間である改善された電荷移動度を有する、請求項１５に記載のセラミック。
【請求項１９】
８２．２３ｍｏｌ％のＩｎ２Ｏ３という化学式の無機基本材料および８．６６ｍｏｌ％のドーパントＳｎＯ２および９．１１ｍｏｌ％のドーパントＺｎＯを含有する混合物から得られ、後者のドーパント（ＺｎＯ）が緻密化を提供し、かつ、
−  １ｃｍあたり３００〜５００ジーメンスの間そして好ましくは１ｃｍあたり３３０ジーメンスの電気伝導率、
−  ６〜７．１ｇ／ｃｍ３の間、好ましくは６．５７ｇ／ｃｍ３前後の密度、
−  １〜１０００ｃｍ２の間の（総）表面積、および
−  ５〜２０％の間、好ましくは１０％未満の不規則性百分率、
を特徴とする、請求項１５に記載のセラミック。
【請求項２０】
請求項１５に記載のセラミックにより形成された標的をＲＦまたはＤＣカソードスパッタリングに供することからなる、フィルムを製造するための方法。
【請求項２１】
δが０．００１〜０．０３の間であるものとして式Ｉｎ１．８０５Ｓｎ０．０９５Ｚｎ０．１０Ｏ３−δまたは式Ｉｎ１．９４Ｚｎ０．０６Ｏ２．９７を有する伝導性セラミックから製造される標的から、あるいは、式Ｌｉ４Ｔｉ４．５Ｍｇ０．５Ｏ１１．５、Ｌｉ４Ｔｉ４．５Ｚｎ０．５Ｏ１１．５、またはＬｉ４Ｔｉ４．５Ｎｉ０．５Ｏ１１．７５のうちひとつを有する絶縁性セラミックから製造される標的から、請求項２０に記載の方法により得られるフィルム。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2009537426.tif 000001