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　平成１０年特許願第１６７７７６号「ウエハおよび該ウエハを埋め込んだＩＣカード」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１２月１４日出願公開、特開平１１−３４５３０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成１０年６月２日の出願であって、その請求項１〜３に係る発明（以下、「本願発明１〜３」という。）は、平成１８年６月１５日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】　表面を砥石により研削し、次いで研磨パッドを用いて研磨して得られた肉厚が５０〜１５０μｍ、三点曲げ破断強度が５０ニュ−トン以上のシリコンウエハ（但し、三点曲げ破断強度は、縦１５ｍｍ、横１５ｍｍの正方形状のウエハ試料片を中央に直径７ｍｍの中空筒が設けられ、直径が２５０ｍｍ〜３００ｍｍの中ぐり円筒体よりなる治具上に試料片の中心点が治具の中心点に略一致するように載せ、試料片の上方より試料片の中心点に直径５ｍｍの円柱状錘を当接させ、１ｍｍ／分の速度で下降させた際、試料片が破損したときの錘にかかった荷重である。）。　 
 【請求項２】　請求項１に記載のシリコンウエハ表面にプリント配線を施したＩＣチップを樹脂に封入した肉厚１５０〜３００μｍのＩＣカ−ド。 
 【請求項３】　（１）研削作業テ−ブル上のシリコンウエハに、上方より砥石を押し当て、両者を回転させて得た研削されたウエハを、（２）剛体製吸着板の表面を穿孔した布で被覆した昇降および水平方向移動可能な吸着チャック搬送機構の前記布面にバキュ−ム吸着し、（３）上方に研磨パッドを、下方に回転可能な軸に軸承された吸着チャック機構を備える研磨装置の吸着チャック機構の上方に前記吸着チャック搬送機構を移動し、ついで該吸着チャック搬送機構を下降、バキュ−ムを解除して研磨装置の吸着チャック機構の上に研削されたシリコンウエハを載置した後、吸着チャック搬送機構をシリコンウエハ上より移動させ、（４）ついで研磨装置の研磨パッドを前記研削されたシリコンウエハの上面に押し当て、研磨パッドおよび吸着チャック機構を回転させて、研削されたシリコンウエハの研削面を少なくとも２μｍ以上の厚み研磨して研削されたシリコンウエハに生じていた破損傷を消滅させて肉厚が５０〜１５０μｍ、三点曲げ破断強度が５０ニュ−トン以上のシリコンウエハを製造することを特徴とするシリコンウエハの研磨仕上げ方法（但し、三点曲げ破断強度は、縦１５ｍｍ、横１５ｍｍの正方形状のウエハ試料片を中央に直径７ｍｍの中空筒が設けられ、直径が２５０ｍｍ〜３００ｍｍの中ぐり円筒体よりなる治具上に試料片の中心点が治具の中心点に略一致するように載せ、試料片の上方より試料片の中心点に直径５ｍｍの円柱状錘を当接させ、１ｍｍ／分の速度で下降させた際、試料片が破損したときの錘にかかった荷重である。）。」 
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．刊行物発明 
（１）当審において平成１８年５月２３日（発送日）付けで通知した拒絶理由に引用した特開平１−２３５６９９号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに、以下のように記載されている。 
（ア）「このようなＩＣカードに用いられるＩＣチップは、マイクロコンピュータ・Ｅ２ＰＲＯＭなどを搭載する関係から、チップサイズは５ｍｍ角程度以上の比較的大きなチップサイズが要求される。更に、ＩＣチップの厚みは、カード全体の厚みがＩＳＯ等の規格から０．７６ｍｍ程度に制限されるため、０．２ｍｍ程度以下に抑えなければならない。従って、ＩＣチップ自体が比較的大きな面積であり、且つ薄いため割れ易い構造にあるうえ、ＩＣカードは人がポケット等に入れて使用するため、折れ曲げ等のストレスが印加されるので、ＩＣカードの曲げ強度耐力は重要な課題となる。」（１ページ右下欄４〜１５行、なお、４ページ右下欄２〜３行の記載に基づき補正して記載した。） 
（イ）「第２図は従来のマイクロクラックの説明図であり、第２図（ａ）は、ＩＣウエハから、矩形のＩＣチップＡ、Ｂを切り出す方向を示している。図中の多数の平行な横線は、ＩＣウエハーの裏面研削（バックグラインド）の際に発生するキズ（マイクロクラック）が線状に残っていることを示している。」（１ページ右下欄１９行〜２ページ左上欄５行）
（ウ）「本発明は、裏面研削（バックグラインド）の際に発生するキズ（マイクロクラック）を完全に化学的なエッチングにより除去したＩＣチップを搭載したＩＣカードにある。又、かかるＩＣチップの製造方法にある。」（２ページ右上欄２〜６行） 
（エ）「ＩＣウエハーのウエハープロセス、即ちフォトリソグラフィ、拡散、蒸着等により、ウエハー上にＩＣを形成する工程は、従来とまったく変らない。 
　ウエハープロセスを完了したＩＣウエハーは、従来のＩＣカード用と同様に機械的研磨による裏面研削（バックグラインド）が行なわれる。 
　ウエハープロセスで厚み５６０μのＩＣウエハーは、機械的な研削方法であるダイアモンド入りアルミナ研磨材（♯４０００メッシュ）による研磨で、厚み目標値２００μの手前３０μ迄研削する。次に、同様に機械的な研削方法であるダイヤモンド入りアルミナ研磨材♯８０００メッシュによる研磨で目標値２００μの手前１０μ迄研削する。しかる後、ワックス又はピッチでＩＣウエハーの拡散面（表面）を中合せに金属又はサファイア板に張り付ける。そして、ケミカルエッチングを１０μ行いＩＣウエハー厚みを目標値２００μに合せ且つ鏡面仕上げとする。」（２ページ右上欄１５行〜左下欄１３行、なお、４ページ右下欄４〜５行の記載に基づき補正して記載した。） 
（オ）「ＩＣチップ１の表面には、電極２、拡散層３等がウエハープロセスにおいて形成され、ＩＣが作られている。ＩＣチップ１の裏面は♯４０００，♯８０００メッシュにより研削される機械的研磨層５及びケミカルエッチングにより除去される化学的研磨層６の両層が除去層４である。ここでマイクロクラック層６′は、機械的研磨によって生じるキズであり、厚みは、せいぜい５μ程度と考えられる。従って、ケミカルエッチングにより除去される１０μ程度の化学的研磨層６に完全に含まれ、マイクロクラック層６′は完全に除去される。」（２ページ右下欄７〜１８行） 
（カ）「第３図は、ＩＣチップ破断強度の実験結果の説明図であり、横軸にケミカルエッチング時間を、たて軸にＩＣチップ破断強度をとったものである。第４図は、ＩＣチップ破断強度の測定方法を示す説明図である。ＩＣチップ１をプローブ１０を介して荷重Ｗ１１を印加することにより、ＩＣチップ１の破断強度を測定する。ここで裏面押しとは、ＩＣチップ１の表面を下にして、裏面をプローブで押すものであり、表面押しとは、ＩＣチップ１の裏面を下にして、表面をプローブで押すものである。第３図の横軸の意味するところは、時間ｔ０は、エッチング時間０分を意味し、順次ｔ１，ｔ２・・・によりエッチング時間が長くなる、即ちケミカルエッチングによる除去層が厚くなることを意味する。従って、第４図（第３図の誤記）の意味するところは、表面押しにおいては、ケミカルエッチングをｔ３（分）行うことによって、ＩＣチップ破断強度はケミカルエッチングなしの３倍程度に向上し、以後はほぼ一定となるということである。このことは、エッチング時間ｔ３（分）により、マイクロクラック層６′が完全に除去され、ＩＣチップの破断強度を格段に向上させる効果のあることを示している。ここでケミカルエッチング時間ｔ３（分）は、エッチング厚み５μに相当するので、前述の実施例のケミカルエッチング除去厚み１０μは十分な値である。」（２ページ右下欄１９行〜３ページ右上欄４行、なお、４ページ右下欄８〜１３行の記載に基づき補正して記載した。） 
（キ）「第５図は本発明の一実施例のＩＣカードの断面図である。ＩＣチップ１は、メタル板例えば厚み０．２ｍｍのステンレス板の上に樹脂で裏面７が接着されており蓋１８をなしている。ＩＣチップの電気的端子の取出しは、バンプ１９又はワイヤボンドにより行なわれ、基板１５のスルーホール１６を介して、端子電極１７に取り出される。これら、ＩＣカードへのＩＣチップの実装については、従来のものと変るものではない。」（３ページ右上欄１６行〜左下欄４行、なお、４ページ右下欄１５〜１８行の記載に基づき補正して記載した。） 
　また、第４図には、空隙９を設けた台８上に、空隙９に架け渡すようにして、ＩＣチップ１を載置し、ＩＣチップ１にプローブ１０を介して荷重Ｗ１１を印加することにより、ＩＣチップ１の破断強度を測定することが示されている。 
 　 
　これらの記載および図面第１〜５図の記載を総合すると、刊行物１には、以下の各発明が記載されている。
「ダイアモンド入りアルミナ研磨材により研磨されたＩＣウエハー裏面の研磨面を、１０μｍの厚みでケミカルエッチングして、研磨面に生じていた裏面研削（バックグラインド）の際に発生するキズ（マイクロクラック）を消滅させて、肉厚が２００μｍ、破断強度が格段に向上したＩＣチップ１を製造することを特徴とするＩＣウエハーの研磨仕上げ方法（破断強度は、台８に空隙９を設け、空隙９に架け渡すようにして台８上にＩＣチップ１を載置し、ＩＣチップ１にプローブ１０を介して荷重Ｗ１１を印加することによって測定する。）。」（以下、「引用発明１−３」という。） 
「上記研磨仕上げ方法により製造された、肉厚が２００μｍ、破断強度が格段に向上したＩＣウエハー（破断強度は、台８に空隙９を設け、空隙９に架け渡すようにして台８上にＩＣチップ１を載置し、ＩＣチップ１にプローブ１０を介して荷重Ｗ１１を印加することによって測定する。）。」（以下、「引用発明１−１」という。） 
「上記ＩＣチップ１表面に電極２、拡散層３等がウエハープロセスにおいて形成され、ＩＣが作られたＩＣチップ１を樹脂に封入した肉厚０．７６ｍｍ程度のＩＣカ−ド。」（以下、「引用発明１−２」という。） 
 　 
（２）同じく、特開平８−２５０４５７号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面とともに、以下のように記載されている。 
（ア）「【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化の要求に伴い、ウエハの高密度化及び多層化が進み、ウエハ上に回路配線パターンを形成する露光装置の焦点深度が浅くなってきている。これにより、露光面となるウエハの平面度が高精度に要求されており、高精度の平坦化を実現する方法として化学的機械研磨方法（ＣＭＰ）が用いられている。従来のウエハ研磨装置は、研磨布を被覆した研磨定盤と吸着パッドとを水平に対面して配設し、前記吸着パッドに被研磨ウエハを吸着し、それを前記研磨定盤に押し付けるとともに、ケミカル研磨材（スラリー）を供給しながら両者を相対摺動させて該ウエハを研磨している。」（段落【０００２】） 
（イ）「・・・従来のウエハ研磨装置は、研磨定盤が水平（横型）に設けられている・・・」（段落【０００４】） 
 　 
　これらの記載および図１の記載を総合すると、刊行物２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。 
「研磨装置の研磨布を被覆した研磨定盤を被研磨ウエハに押し当て、研磨定盤および吸着パッドを相対摺動させて、被研磨ウエハを研磨すること。」 
 　 
（３）前審において、拒絶理由に引用された、特開平９−２２９３５号公報（以下、「刊行物３」という。）には、以下のように記載されている。 
（ア）「【従来の技術】液晶用ガラス板や半導体ウェハの精密切断、液晶用ガラス板や半導体ウェハへの精密塗工、偏光板と位相差板あるいはこれらとガラス板との精密貼り合わせ等の加工に際しては、これらの被加工体が位置ズレしないように固定して作業している。
　上記被加工体の固定には真空吸着法が採用されている。」（段落【０００２】〜【０００３】） 
（イ）「上記真空吸着法は被加工体の固定が容易であり、また、加工時の位置ズレを防止できる利点を有する反面、被加工体表面に基台との接触摩擦による微小な傷を生じ易い。この微小傷の発生を回避するため、基台３の通気孔形成面上にゴムシート、紙あるいは不織布を保護材５として介在させることが提案されている。」（段落【０００４】） 
（ウ）「本発明に係る吸着固定用シートはプラスチック多孔質シートから成るものであり、その材質は特に限定されないが、摩擦係数が低く、しかも耐摩耗性が優れている点からポリエチレン、超高分子量ポリエチレン（以下、「ＵＨＭＷＰＥ」という）あるいはナイロンから成るものが好適である。この吸着固定用シートは径が約１μｍ〜５ｍｍの孔を多数有するものであり、延伸法、抽出法あるいはプラスチックシートに貫通孔を形成する方法等により得ることができる。また、その厚さは通常約０．０５〜１０ｍｍである。」（段落【０００８】） 
 　 
　上記記載（ウ）からすると、ゴムシート、紙あるいは不織布には、貫通孔が形成されていると解するのが妥当であるから、これらの記載を総合すると、刊行物３には、次の発明（以下、「引用発明３」という。）が記載されている。
「基台３の通気孔形成面を穿孔した不織布で被覆した真空吸着手段により、半導体ウェハをバキューム吸着すること。」
 
（４）当審において平成１８年５月２３日付けで通知した拒絶理由に引用した特開平１０−７９４７１号公報（以下、「刊行物４」という。）には、以下のように記載されている。
（ア）「【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣカード又はマルチチップモジュール等に用いる半導体装置、その製造方法及びフレキシブルカードに関する。」（段落【０００１】） 
（イ）「【発明が解決しようとする課題】従来、通常用いられているＩＣカードのＬＳＩチップやコンデンサチップの基板の厚さは図８のようにＩＣカードの厚さよりも薄く、チップの強度を保つために約２００μｍ程度の厚さのものが使われている。一方、Ｆカード用のチップとしては、基板厚さが１００μｍ以下の薄いものを用いることが好ましい。」（段落【０００５】）
（ウ）「【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成するために、本発明の半導体装置は、厚さが１μｍから１００μｍの範囲にある半導体基板と、この半導体基板に配置された素子を有し、この素子を構成する成膜層の内の少なくとも一層を分割し、分割された各素子を並列に接続するようにしたものである。」（段落【０００９】）、 
（エ）「半導体基板は、Ｓｉ単結晶基板であることが好ましい。結晶欠陥の少ないＳｉ単結晶基板は１μｍから１００μｍの厚さになっても強靭であり、極端に曲げない限り割れない特徴があるためである。さらに強靭な半導体基板であるためには、その厚さを１０μｍから１００μｍの範囲とすることがより好ましい。」（段落【００１０】）
（オ）「続いて約５００μｍの厚さのＳｉ単結晶基板１の裏面側から約１８０μｍまでＳｉを研削除去し、さらにＨＦとＨＮＯ3を主成分とした化学エッチング液によってＳｉを溶解し、約４０μｍの基板厚さにする。研削でＳｉ単結晶内に生じた損傷は約４０μｍ以上の量の化学エッチングで完全に除去できる。これによって約４０μｍの厚さのＳｉ単結晶基板上にＭＩＭ型薄型コンデンサが製造される。」（段落【００２３】）。 
 　 
　これらの記載を総合すると、刊行物４には、次の発明（以下、「引用発明４」という。）が記載されている。
「肉厚が１０〜１００μｍのＳｉ単結晶基板（シリコンウエハ）」
 　 
３．対比・判断 
（本願発明３について） 
　本願発明３と引用発明１−３とを対比すると、後者における「ＩＣウエハー」、「ダイアモンド入りアルミナ研磨材により研磨されたＩＣウエハー裏面の研磨面」は、研削手段および研削対象を同じくすることから、前者における「シリコンウエハ」ないしは「ウエハ」、「シリコンウエハに、砥石を押し当てて得た研削面」、ないしは、「研削されたシリコンウエハの研削面」に相当し、後者における「ケミカルエッチング」は、「化学的研磨」（上記刊行物１記載（オ）参照）のことであるから、広義の「研磨」である限りにおいて、前者の「研磨」に相当する。また、後者における「研磨面に生じていた裏面研削（バックグラインド）の際に発生するキズ（マイクロクラック）」は、発生原因を同じくすることから、前者における「研削されたシリコンウエハに生じていた破損傷」に相当する。 
　そうすると、両者の一致点、相違点は、以下のとおりのものと認められる。 
（一致点） 
「砥石により研削されたウエハの研削面を少なくとも２μｍ以上の厚み研磨して研削されたシリコンウエハに生じていた破損傷を消滅させて破断強度が格段に向上したシリコンウエハを製造することを特徴とするシリコンウエハの研磨仕上げ方法。」 
（相違点） 
（相違点１）本願発明３においては、ウエハの研削を、研削作業テ−ブル上のシリコンウエハに、上方より砥石を押し当て、両者を回転させることにより行っているのに対し、引用発明１−３においては、砥石を押し当てているものの、ウエハの研削のその他の態様が不明である点 
（相違点２）本願発明３においては、シリコンウエハの研磨を、研磨装置の研磨パッドを前記研削されたシリコンウエハの上面に押し当て、研磨パッドおよび吸着チャック機構を回転させることにより行っているのに対し、引用発明１−３においては、ケミカルエッチングにより行っている点（平成１８年６月１５日付け意見書（以下、単に「意見書」という。）３．１（Ａ）に相当） 
（相違点３）本願発明３においては、研削工程から研磨工程へのウエハの搬送を、剛体製吸着板の表面を穿孔した布で被覆した昇降および水平方向移動可能な吸着チャック搬送機構の前記布面にバキュ−ム吸着し、上方に研磨パッドを、下方に回転可能な軸に軸承された吸着チャック機構を備える研磨装置の吸着チャック機構の上方に前記吸着チャック搬送機構を移動し、ついで該吸着チャック搬送機構を下降、バキュ−ムを解除して研磨装置の吸着チャック機構の上に研削されたシリコンウエハを載置した後、吸着チャック搬送機構をシリコンウエハ上より移動させることにより行っているのに対し、引用発明１−３においては、かかる搬送手法を用いていない点
（相違点４）本願発明３においては、研磨後のシリコンウエハが、肉厚が５０〜１５０μｍ、三点曲げ破断強度（縦１５ｍｍ、横１５ｍｍの正方形状のウエハ試料片を中央に直径７ｍｍの中空筒が設けられ、直径が２５０ｍｍ〜３００ｍｍの中ぐり円筒体よりなる治具上に試料片の中心点が治具の中心点に略一致するように載せ、試料片の上方より試料片の中心点に直径５ｍｍの円柱状錘を当接させ、１ｍｍ／分の速度で下降させた際、試料片が破損したときの錘にかかった荷重。）が５０ニュ−トン以上のものであるのに対し、引用発明１−３においては、肉厚が２００μｍ、破断強度（台８に空隙９を設け、空隙９に架け渡すようにして台８上にＩＣチップ１を載置し、ＩＣチップ１にプローブ１０を介して荷重Ｗ１１を印加することによって測定する。）が格段に向上したものである点（意見書３．１（Ｂ）、（Ｃ）に相当）  　 
　相違点１について検討する。
　研削作業テ−ブル上のシリコンウエハに、上方より砥石を押し当て、両者を回転させることにより、ウエハの研削を行うことは、本願出願前周知のことであるから（必要ならば、前審において拒絶理由に引用された、特開平８−３３９９８３号公報（以下、「周知例」という。）の段落【０００５】〜【０００６】、および、図２を参照）、引用発明１において、ＩＣウエハーの研磨にかかる周知手段を採用することは、当業者が容易に想到し得ることというべきである。 
 　 
　相違点２について検討する。
　高精度の平坦化を実現するための手法として、引用発明２（「研磨装置の研磨布を被覆した研磨定盤を被研磨ウエハに押し当て、研磨定盤および吸着パッドを相対摺動させて、被研磨ウエハを研磨すること。」。なお、「研磨定盤」、「吸着パッド」は、その機能からみて、本願発明３の「研磨パッド」、「吸着チャック機構」に相当する。また、「相対摺動」に「回転」が含まれることは、当該技術分野において周知であるから、「研磨定盤」および「吸着パッド」を「相対摺動」させることは、「研磨パッド」および「吸着チャック機構」を「回転」させることに相当する。）が本願出願前公知である。
　そして、凹凸のない表面が求められるウエハにおいては、機械的研削・研磨、化学的研磨、化学的機械研磨、いずれも知られており、求められる精度に応じて、選択、利用されていることから、高精度の平坦化を実現するものであれば、研磨手段の如何にかかわらず、更なる破損傷を発生させることなく、既に存在する破損傷を消滅させ得ることは、当業者が容易に予測できることである。
　したがって、引用発明１−３の、研削されたＩＣウエハーの研磨手段として、ケミカルエッチングに代え、引用発明２を採用することは、当業者ならば容易に想到できることというべきである。 
　なお、刊行物２には、研磨パッドを被研磨ウエハの上面に押し当てることまで記載されていないが、研削手段を被研削物の上面に押し当てることは、本願出願前周知であるから（必要ならば、上記周知例の図２を参照のこと。）、かかる態様によって研磨を行うことは、当業者が適宜設計変更し得ることというべきである。 
　請求人は、意見書において、引用発明２の研磨面が、本願発明３のシリコンウエハ面又はシリコンウエハ基板面ではない旨主張しているが、本願発明３において特定されておらず、根拠がない。（特定されていたとしても、特開昭６１−２４１０５９号公報にみられるごとく周知の事項にすぎない。さらに、研磨面がシリコンウエハ面であることは、刊行物１の第１図等に記載されており、研磨手段を置換したにすぎないから、「当業者には及びつかないことである。」とまで解することはできない。）
 　 
　相違点３について検討する。
　引用発明１−３の研磨工程として、引用発明２の研磨手段の採用が想到容易であることは、上述したとおりであるところ、引用発明２の研磨手段を採用すると、研削工程および研磨工程を、同一平面上で行い得ることは当業者が容易に想到できることである。そして、「研削工程から次研削工程へのウエハの搬送を、昇降および水平方向移動可能な吸着チャック搬送機構でバキュ−ム吸着し、上方に研削手段を、下方に回転可能な軸に軸承された吸着チャック機構を備える研削装置の吸着チャック機構の上方に前記吸着チャック搬送機構を移動し、ついで該吸着チャック搬送機構を下降、バキュ−ムを解除して研削装置の吸着チャック機構の上に研削されたシリコンウエハを載置した後、吸着チャック搬送機構をシリコンウエハ上より移動させること」は、本願出願前、工程間におけるシリコンウエハの移動手段として周知であるから（必要ならば、上記周知例、段落【０００７】を参照のこと。）、かかるシリコンウエハの移動手段を、引用発明１−３における研削工程から研磨工程へのシリコンウエハの移動手段として採用することも、当業者ならば容易に想到できることというべきである。
　請求人は、意見書において、引用発明２は、縦型である旨主張しているが、引用発明２の認定の基礎とした刊行物２の段落【０００２】、【０００４】によれば、かかる主張は失当である。
　また、引用発明３（「基台３の通気孔形成面を穿孔した不織布で被覆した真空吸着手段により、半導体ウェハをバキューム吸着すること。」。なお、「基台３の通気孔形成面」は、その機能、構造からみて、本願発明３における「剛体製吸着板の表面」に相当し、「不織布」は、広義の「布」であるから、その限りにおいて、本願発明３における「布」に相当する。）によれば、半導体ウェハに対する、微小傷の発生を回避できるのであるから（上記刊行物３の記載（イ）参照。）、上記移動手段の採用にあたり、引用発明３を併せて採用することは、当業者ならば容易に想到できることというべきである。 
　請求人は、意見書において、引用発明３は、割れ防止策を開示するものではなく、固定の目的が異なる旨主張しているが、引用発明３の認定の基礎とした刊行物３の段落【０００４】には「微小傷の発生を回避」と記載されており、「傷」により「割れ」が生じやすいことは技術常識であるから、かかる主張は失当である。
  
　相違点４について検討する。
　引用発明４は、Ｓｉ単結晶基板（シリコンウエハ）の肉厚を１０〜１００μｍとしたものであるし、刊行物４には、Ｓｉ単結晶基板（シリコンウエハ）は、極端に曲げない限り割れない特徴があり、その厚さを１０μｍから１００μｍの範囲とすることでさらに強靭な半導体基板とできる旨が記載されているから、引用発明１−３において、ＩＣウエハーの肉厚を、５０〜１００μｍとすることは、当業者が適宜行い得ることというべきである。
　また、本願明細書には、「シリコンウエハはインゴッドをスライシングした切片を研削盤を用いて研削し、次いで研磨して表面を鏡面化したものであるが、高精度にウエハを研削・研磨したウエハであっても、図６に示すように深さ０．５〜１．５μｍの破損傷が前記スライシング、研削・研磨加工により生じ、この破損傷の存在がウエハの強度を高々２０ニュートン（Ｎ）の三点曲げ破損強度に押し留めていた。」（段落【０００５】）と記載されており、この記載からすると、本願発明３においては、「研削されたシリコンウエハの研削面を少なくとも２μｍ以上の厚み研磨して研削されたシリコンウエハに生じていた破損傷を消滅させ」ることで、三点曲げ破断強度が５０ニュ−トン以上のものとすることができると解される。 
　他方、刊行物１には、「マイクロクラック層６′は、機械的研磨によって生じるキズであり、厚みは、せいぜい５μ程度」、「マイクロクラック層６′が完全に除去され、ＩＣチップの破断強度を格段に向上させる効果のある」（上記記載（オ）、（カ））と記載されており、これらの記載からすると、マイクロクラック層６′の除去により、破断強度が向上することは明らかである。 
　本願発明３においても、引用発明１−３においても、強度の向上は、破損傷を消滅させることによって得られるのであるし、研磨厚みも同程度のものと認められるから、同じウエハ厚さ、同じ測定法で測定するなら、同程度の破断強度が測定値として得られるものと推測される。 
　上述のとおり、引用発明１−３において、ＩＣウエハーの肉厚を、５０〜１００μｍとすることは、当業者が適宜行い得ることというべきであるところ、上記推測したところによれば、ＩＣウエハーの肉厚を、５０〜１００μｍとすれば、その破断強度は、本願発明３と同様に「三点曲げ破断強度が５０ニュ−トン以上」の値をとるはずであるから、本願発明３における破断強度が格別のものであるとはいうことはできない。 
　なお、刊行物１には、「ＩＣチップ破断強度はケミカルエッチングなしの３倍程度に向上」と記載されている（上記刊行物１の記載（カ）を参照。）。これに対し、本願明細書には、従来技術ウエハ強度は高々２０ニュートンである旨（段落【０００５】）が記載され、本願発明３により、これが５０ニュ−トン以上に高まっているのであるから、両者ともに、研磨を行わない場合に対して研磨を行う場合の破断強度の向上率は同程度のものであるといえ、このことからも、本願発明３における破断強度が格別のものであるということはできない。 
 　 
　以上のとおりであり、上記相違点１〜４は、いずれも、当業者が容易に想到し得るものであり、また、本願発明３により奏される作用効果が、当業者が予測できないものであると認めることはできないから、本願発明３は、引用発明１−３、および、引用発明２〜４ならびに本願出願前周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。 
 　 
（本願発明１について） 
　本願発明１と引用発明１−１とを対比すると、両者は、「肉厚が薄く、破断強度が大きいシリコンウエハ。」である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点５）研削後の研磨手段に関し、本願発明１は研磨パッドを用いて研磨しているが、引用発明１−１はケミカルエッチングによる。
（相違点６）本願発明１においては、肉厚が５０〜１５０μｍ、三点曲げ破断強度（縦１５ｍｍ、横１５ｍｍの正方形状のウエハ試料片を中央に直径７ｍｍの中空筒が設けられ、直径が２５０ｍｍ〜３００ｍｍの中ぐり円筒体よりなる治具上に試料片の中心点が治具の中心点に略一致するように載せ、試料片の上方より試料片の中心点に直径５ｍｍの円柱状錘を当接させ、１ｍｍ／分の速度で下降させた際、試料片が破損したときの錘にかかった荷重。）が５０ニュ−トン以上のものであるのに対し、引用発明１−１においては、肉厚が２００μｍ、破断強度（台８に空隙９を設け、空隙９に架け渡すようにして台８上にＩＣチップ１を載置し、ＩＣチップ１にプローブ１０を介して荷重Ｗ１１を印加することによって測定する。）が格段に向上したものである。 
 　 
　相違点５〜６について検討する。
　本願発明１のシリコンウエハは、本願発明３の研磨仕上げ方法によって製造されるものを含んでいると認められるのに対し、引用発明１−１のＩＣウエハーは、上記引用発明１−３の研磨仕上げ方法によって製造されるものである。 
　そうすると、相違点５〜６は、実質的に、上記相違点１〜４によって生ずるものといえるが、上述したとおり、上記相違点１〜４は、当業者が容易に想到できるものであるから、上記相違点５〜６も、当業者が容易に想到できるものであるといえる。 
 　 
　したがって、本願発明１は、引用発明１−３ないしは１−１、引用発明２〜４ならびに本願出願前周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。 
 　 
（本願発明２について） 
　本願発明２と引用発明１−２とを対比すると、両者は、「シリコンウエハ表面にプリント配線を施したＩＣチップを樹脂に封入したＩＣカ−ド。」である点で一致し、上記相違点５〜６のほか、前者においては、ＩＣカ−ドの肉厚が１５０〜３００μｍであるのに対し、後者においては、７６０μｍである点（以下、「相違点７」という。）で相違する。 
 　 
　相違点５〜７について検討すると、相違点５〜６が容易想到であることは上述のとおりである。 
　相違点７についてみると、ＩＣチップの肉厚を薄くできれば、それに対応して、ＩＣカードの肉厚を薄くできるのは当然であるから、ＩＣカードの肉厚を１５０〜３００μｍとすることは、当業者が適宜設計し得ることというべきである。 
 　 
　したがって、本願発明２は、引用発明１−３ないしは１−２、引用発明２〜４ならびに本願出願前周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。 
 　 
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明１〜３は、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。