(57)【要約】【課題】  レーザの発振を安定化させてＳＭＳＲ特性を向上させ、かつ、光半導体素子の活性層の高さと平面光波回路基板の導波路の高さを合致させる。【解決手段】  平面光波回路基板３のマウント面６から離間したアプローチ開始位置に光半導体素子５をジャンクションアップの状態で保持し、光半導体素子５の上面高さが平面光波回路基板３の表面高さ３ａと一致する高さまで光半導体素子５をマウント面６に向けて接近させ、光半導体素子５の上面高さと平面光波回路基板３の表面高さ３ａを一致させる。更に、平面光波回路基板３の表面３ａから導波路２の中心に至る設計上の距離の基準値Ａと光半導体素子５の上面から活性層４の中心に至る設計上の距離の基準値Ｂの差分Ａ−Ｂだけ光半導体素子５をマウント面６に向けて接近させることで、光半導体素子５の活性層４の高さを平面光波回路基板３の導波路２の高さに一致させる。【選択図】図１
2012227464.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザモジュールの一部を構成する平面光波回路基板の一部を平面光波回路基板における導波路形成面側の表面から其の法線方向に向けて切り欠いて平面光波回路基板上に形成したマウント面にレーザモジュールの他部を構成する光半導体素子を半田層を介して実装することにより光半導体素子の活性層の高さと平面光波回路基板の導波路の高さを導波路形成面の法線方向の向きで合致させるようにしたレーザモジュールの製造方法であって、
導波路を形成された平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から光半導体素子の設計上の基準厚と，半田層の設計上の基準厚と，平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分とを加算した深さに亘って平面光波回路基板を切り欠くことによって前記マウント面を形成した後、
前記マウント面から離間したアプローチ開始位置に光半導体素子をジャンクションアップの状態で保持し、光半導体素子の上面高さが平面光波回路基板の導波路形成面側の表面高さと一致する高さまで光半導体素子を前記マウント面に向けて接近させ、
更に、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分だけ光半導体素子を前記マウント面に向けて接近させてマウント面と光半導体素子の間で前記半田層を圧壊して光半導体素子を平面光波回路基板に実装することを特徴としたレーザモジュールの製造方法。
【請求項２】
アプローチ開始位置に光半導体素子を保持した状態で、光半導体素子の上面高さと平面光波回路基板の導波路形成面側の表面の高さを求め、
光半導体素子の上面高さから平面光波回路基板の導波路形成面側の表面の高さを減じ、更に、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値から光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値を減じた値を加算して光半導体素子を前記マウント面に向けて接近させるべき距離を求め、
前記求められた距離だけ光半導体素子を前記マウント面に向けて連続的に接近させるようにしたことを特徴とする請求項１記載のレーザモジュールの製造方法。
【請求項３】
アプローチ開始位置に光半導体素子を保持した状態で、前記マウント面に向かう光半導体素子の接近移動を開始させ、
平面光波回路基板の導波路形成面側の表面の高さと光半導体素子の上面高さとが一致したことを検知した後、
更に、その位置から、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値から光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値を減じた値に相当する距離だけ前記マウント面に向けて光半導体素子を接近移動させるようにしたことを特徴とする請求項１記載のレーザモジュールの製造方法。
【請求項４】
レーザモジュールの一部を構成する平面光波回路基板の一部を平面光波回路基板における導波路形成面側の表面から其の法線方向に向けて切り欠いて平面光波回路基板上に形成したマウント面にレーザモジュールの他部を構成する光半導体素子を半田層を介して実装したレーザモジュールであって、
前記マウント面が、導波路を形成された平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から光半導体素子の設計上の基準厚と，半田層の設計上の基準厚と，平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分とを加算した深さに亘って平面光波回路基板を切り欠いて形成されると共に、
前記マウント面上には、光半導体素子が、圧壊された状態で設計上の基準厚と同等の厚みを有する半田層を介して、光半導体素子の上面高さが、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面高さよりも、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分だけ低くなるようにしてジャンクションアップの状態で実装されていることを特徴としたレーザモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面光波回路基板と光半導体素子によって構成されるレーザモジュールの製造方法およびレーザモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
平面光波回路もしくは平面光波回路に代わる光ファイバと光半導体素子によって構成されるレーザモジュールとしては、例えば、特許文献１に開示される「光半導体素子と光伝送路の結合構造」，特許文献２に開示される「光モジュール」，特許文献３に開示される「光送受信器」等が既に公知である。
【０００３】
特許文献１に開示される結合構造は、レーザモジュールの一部を構成する平面光波回路基板の一部を平面光波回路基板における導波路形成面の側から法線方向に向けて切り欠いて平面光波回路基板上に形成したマウント面に電極用パッドを設け、レーザモジュールの他部を構成する光半導体素子を電極用パッド上にジャンクションダウンの状態で半田層を介して実装することにより光半導体素子の活性層の高さと平面光波回路基板の導波路の高さを導波路形成面の法線方向の向きで合致させるようにしたものである。
この構造では光半導体素子の活性層が平面光波回路基板のマウント面に近接するジャンクションダウンの状態で光半導体素子が平面光波回路基板に実装されるため、平面光波回路基板における導波路形成面側の表面から其の法線方向に向けて深い切り欠きを入れなくても光半導体素子の活性層の高さと平面光波回路基板の導波路の高さを導波路形成面の法線方向の向きで合致させることが可能であって深い切り欠きを必要としないこと、および、光半導体素子の活性層の高さと平面光波回路基板の導波路の高さが元々近接していることから、加工誤差や組立誤差が生じにくいといったメリットがある反面、平面光波回路基板のマウント面に直近した光半導体素子の活性層に半田層の応力が働くため、レーザの発振が不安定となってＳＭＳＲ特性（Sub-Mode Suppression Ratio）が低下する不都合が生じる。
【０００４】
これに対し、特許文献２に開示される光モジュールにあっては、光ファイバを取り付けるためのＶ溝基板を上面側から其の法線方向に向けて切り欠くことでＶ溝基板上に形成したマウント面に光半導体素子をジャンクションアップの状態で取り付けるようにしているため、Ｖ溝基板を上面側から其の法線方向に向けて深く切り欠いて光半導体素子の活性層の高さとＶ溝基板上の光ファイバの高さを合致させる必要があるが、光半導体素子の活性層はＶ溝基板上のマウント面から光半導体素子の厚み相当分だけ離間することになるので、光半導体素子の活性層に半田層の応力が直接的に働くといった不都合は解消され、レーザの発振を安定化させてＳＭＳＲ特性を向上させることができるようになる。
特許文献２に開示される光モジュールでは、Ｖ溝基板を上面側から其の法線方向に向けて深く切り欠くことで生じる加工誤差、および、光半導体素子の厚みのバラツキつまり最終的にはマウント面と活性層の離間距離のバラツキで生じる組立誤差が冗長するのを防止するため、Ｖ溝基板のマウント面と光半導体素子との間に半田層を介在させ、光半導体素子をハンドリングする実装用基板（治具）の面が光半導体素子の活性層側の表面とＶ溝基板の上面（非マウント面）に同時に当接するまで実装用基板の面で光半導体素子の活性層側の表面を押圧して半田層を圧壊させることにより、光半導体素子の活性層側の表面とＶ溝基板の上面とが面一の状態となるようにして、光半導体素子をＶ溝基板上のマウント面に実装するようにしている。
しかしながら、実際に高さを合わせる必要があるのは、光半導体素子の活性層の高さとＶ溝基板上の光ファイバの高さであるから、光半導体素子の活性層側の表面とＶ溝基板の上面とを面一の状態とすることに必ずしも重要な意味はない。つまり、光ファイバがＶ溝基板上のＶ溝に取り付けられるのは、Ｖ溝基板上に光半導体素子が実装された後の工程であるから（特許文献２の段落００５２参照）、Ｖ溝基板に適切に光ファイバが取り付けられない限り、光半導体素子の活性層の高さとＶ溝基板上の光ファイバの高さとの相対位置の関係は保障され得ない。
従って、特許文献２に開示される光モジュールには、光半導体素子の活性層の高さとＶ溝基板上の光ファイバの高さとが一致しなくなる不都合が依然として残る。
【０００５】
特許文献３では、導波路を形成する基板をエッチングして形成したマウント面に光半導体素子をジャンクションアップの状態で実装する点が開示されているが、光半導体素子をジャンクションアップの状態で実装することの技術的な意義に関しては特に開示されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２３１０４１号公報（段落００１５−段落００１６，図１）
【特許文献２】特開２００５−１７３８８号公報（段落００４８−段落００５２，図１，図２）
【特許文献３】特開平８−３０４６７１号公報（段落００１１，図２，図４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、レーザの発振を安定化させてＳＭＳＲ特性を向上させ、しかも、光半導体素子の活性層の高さと平面光波回路基板の導波路の高さを導波路形成面の法線方向の向きで的確に合致させることのできレーザモジュールの製造方法およびレーザモジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のレーザモジュールの製造方法は、レーザモジュールの一部を構成する平面光波回路基板の一部を平面光波回路基板における導波路形成面側の表面から其の法線方向に向けて切り欠いて平面光波回路基板上に形成したマウント面にレーザモジュールの他部を構成する光半導体素子を半田層を介して実装することにより光半導体素子の活性層の高さと平面光波回路基板の導波路の高さを導波路形成面の法線方向の向きで合致させるようにしたレーザモジュールの製造方法であって、前記目的を達成するため、特に、
導波路を形成された平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から光半導体素子の設計上の基準厚と，半田層の設計上の基準厚と，平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分とを加算した深さに亘って平面光波回路基板を切り欠くことによって前記マウント面を形成した後、
前記マウント面から離間したアプローチ開始位置に光半導体素子をジャンクションアップの状態で保持し、光半導体素子の上面高さが平面光波回路基板の導波路形成面側の表面高さと一致する高さまで光半導体素子を前記マウント面に向けて接近させ、
更に、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分だけ光半導体素子を前記マウント面に向けて接近させてマウント面と光半導体素子の間で前記半田層を圧壊して光半導体素子を平面光波回路基板に実装することを特徴とした構成を有する。
【０００９】
また、本発明のレーザモジュールは、レーザモジュールの一部を構成する平面光波回路基板の一部を平面光波回路基板における導波路形成面側の表面から其の法線方向に向けて切り欠いて平面光波回路基板上に形成したマウント面にレーザモジュールの他部を構成する光半導体素子を半田層を介して実装したレーザモジュールであって、前記と同様の目的を達成するため、特に、
前記マウント面が、導波路を形成された平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から光半導体素子の設計上の基準厚と，半田層の設計上の基準厚と，平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分とを加算した深さに亘って平面光波回路基板を切り欠いて形成されると共に、
前記マウント面上には、光半導体素子が、圧壊された状態で設計上の基準厚と同等の厚みを有する半田層を介して、光半導体素子の上面高さが、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面高さよりも、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分だけ低くなるようにしてジャンクションアップの状態で実装されていることを特徴とした構成を有する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のレーザモジュールの製造方法およびレーザモジュールは、導波路を形成された平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から光半導体素子の設計上の基準厚と，半田層の設計上の基準厚と，平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分とを加算した深さに亘って平面光波回路基板を切り欠くことによってマウント面を形成し、マウント面から離間したアプローチ開始位置に光半導体素子をジャンクションアップの状態で保持し、光半導体素子の上面高さが平面光波回路基板の導波路形成面側の表面高さと一致する高さまで光半導体素子をマウント面に向けて接近させ、更に、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分だけ光半導体素子をマウント面に向けて接近させてマウント面と光半導体素子の間で半田層を圧壊して光半導体素子を平面光波回路基板に実装するようにしたので、切り欠きによって形成されたマウント面の深さや光半導体素子の厚みにバラツキがあった場合でも、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る距離の設計上の公差の絶対値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る距離の設計上の公差の絶対値と光半導体素子をハンドリングする実装装置の位置決め精度の公差の絶対値の積算値の範囲内で、光半導体素子の活性層の高さと平面光波回路基板の導波路の高さを導波路形成面の法線方向の向きで的確に合致させることができる。
しかも、光半導体素子を平面光波回路基板に実装した状態で、光半導体素子の活性層が平面光波回路基板のマウント面から光半導体素子の厚み相当分だけ離間することになるので、光半導体素子の活性層に半田の応力が直接的に働くといった不都合が解消され、レーザの発振を安定化させてＳＭＳＲ特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明のレーザモジュールの製造方法を適用して製造された一実施形態のレーザモジュールの構成について簡略化して示した平面図である。
【図２】同実施形態のレーザモジュールの構成について簡略化して示した側断面図である。
【図３】同実施形態のレーザモジュールの構成について簡略化して示した斜視図である。
【図４】光半導体素子をハンドリングする実装装置のアームを駆動してマウント面から上方に離間したアプローチ開始位置で光半導体素子をジャンクションアップの状態で保持した様を示した作用原理図である。
【図５】光半導体素子をハンドリングする実装装置のアームを下降させて光半導体素子の上面の高さが平面光波回路基板の上面の高さと一致したときの状態を示した作用原理図である。
【図６】光半導体素子をハンドリングする実装装置のアームの下降が完了して平面光波回路基板の上面よりも光半導体素子の上面が差分〔Ａ−Ｂ〕に相当する距離だけ低くなった状態を示した作用原理図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
次に、本発明を実施するための形態について図面を参照して具体的に説明する。
【００１３】
図１は本発明のレーザモジュールの製造方法を適用して製造された一実施形態のレーザモジュール１の構成について簡略化して示した平面図、図２は同実施形態のレーザモジュール１の構成について簡略化して示した側断面図、また、図３は同実施形態のレーザモジュール１の構成について簡略化して示した斜視図である。
【００１４】
この実施形態におけるレーザモジュール１は、導波路２を形成された平面光波回路基板（PLC:Planar Lightwave Circuit）３と、活性層４を備えた光半導体素子（レーザチップ）５によって構成される。
【００１５】
平面光波回路基板３の一部には、図２に示されるように、平面光波回路基板３における導波路形成面側の表面３ａから其の法線方向、つまり、図２中の上から下に向かう方向に向けて平坦な切り欠きが設けられ、光半導体素子５を実装するためのマウント面６とされている。そして、このマウント面６上に、光半導体素子５が、半田層７を介してジャンクションアップの状態で実装されている。
【００１６】
平面光波回路基板３における導波路形成面側の表面３ａを基準とする切り欠きの深さ〔Ｚ〕は、図２に示されるように、光半導体素子５の設計上の基準厚〔Ｘ〕と，半田層７の設計上の基準厚〔Ｙ〕と，平面光波回路基板３の導波路形成面側の表面３ａから平面光波回路基板３の導波路２の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ａ〕と光半導体素子５の上面から光半導体素子５の活性層４の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ｂ〕の差分〔Ａ−Ｂ〕（但し、Ａ＞Ｂ）とを加算した深さとされている。
【００１７】
従って、仮に、その光半導体素子５が設計上の公差の範囲内で最も厚い厚みを有する光半導体素子５の上面を、平面光波回路基板３の導波路形成面側の表面３ａから平面光波回路基板３の導波路２の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ａ〕と光半導体素子５の上面から光半導体素子５の活性層４の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ｂ〕の差分〔Ａ−Ｂ〕に相当する距離だけ導波路形成面側の表面３ａよりも低くなるようにした状態で平面光波回路基板３のマウント面６に半田層７を介して実装したとしても、マウント面６と光半導体素子５の間で圧壊された半田層７の厚みが設計上の基準厚〔Ｙ〕に対して僅かに薄くなるだけであって、半田層７には、光半導体素子５をマウント面６に固着するに十分な厚みが保証される。
【００１８】
また、これとは逆に、光半導体素子５が設計上の公差の範囲内で最も薄い厚みを有する光半導体素子５であったとしても、マウント面６と光半導体素子５の間で圧壊される半田層７の厚みが設計上の基準厚〔Ｙ〕に対して僅かに厚くなり、その圧壊量が僅かに減少するだけであり、この圧壊量の減少が、光半導体素子５をマウント面６に固着する際の支障となることはない。
【００１９】
何れの場合も、圧壊された半田層７の厚みは、設計上の基準厚〔Ｙ〕に対して僅かに増減するのみであり、その厚みは実質的に設計上の基準厚〔Ｙ〕と同等である。
【００２０】
なお、図１および図２中の太い矢印は光半導体素子５の活性層４から照射されるレーザ光の進行方向を示したものである。
【００２１】
また、図１に示される基準面メタルマーク８，８は平面光波回路基板３の導波路２に対して光半導体素子５の活性層４を水平方向に位置決めする際に利用されるマークであるが、水平面内での位置決めに関しては既に特許文献１，特許文献２等でも公知であるので、ここでは特に説明しない。
【００２２】
次に、図４ないし図６を参照して、この実施形態におけるレーザモジュールの製造方法について具体的に説明する。
【００２３】
但し、平面光波回路基板３の導波路２や光半導体素子５の活性層４は平面光波回路基板３や光半導体素子５の製造段階で既に形成されている。
ここでは、図２に示すように、平面光波回路基板３の導波路形成面側の表面３ａから平面光波回路基板３の導波路２の中心に至る設計上の距離の基準値を〔Ａ〕とし、また、光半導体素子５の上面から光半導体素子５の活性層４の中心に至る設計上の距離の基準値を〔Ｂ〕と規定している。
【００２４】
但し、平面光波回路基板３の導波路形成面側の表面３ａから平面光波回路基板３の導波路２の中心に至る距離〔Ａ〕には、平面光波回路基板３のロット等によって或る程度のバラツキがある。ここでは、図２に示すように、その誤差を許容する上限公差を〔＋ａ〕、また、下限公差を〔−ａ〕と規定している。同様に、光半導体素子５の上面から光半導体素子５の活性層４の中心に至る距離の上限公差を〔＋ｂ〕、また、下限公差を〔−ｂ〕と規定している。
【００２５】
つまり、正常に製造された全ての平面光波回路基板３において、その表面３ａから導波路２の中心に至る距離の実際の値は〔Ａ±ａ〕の範囲内にあり、また、正常に製造された全ての光半導体素子５において、その上面から活性層４の中心に至る距離の実際の値は〔Ｂ±ｂ〕の範囲内にある。なお、〔ａ〕，〔ｂ〕は共に正の値である。
【００２６】
既に述べた通り、平面光波回路基板３における導波路形成面側の表面３ａを基準とする切り欠きの深さ〔Ｚ〕は、光半導体素子５の設計上の基準厚〔Ｘ〕と，半田層７の設計上の基準厚〔Ｙ〕と，平面光波回路基板３の導波路形成面側の表面３ａから平面光波回路基板３の導波路２の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ａ〕と光半導体素子５の上面から光半導体素子５の活性層４の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ｂ〕の差分〔Ａ−Ｂ〕とを加算した距離であり、この切欠は公知のエッチング処理等を利用して平面光波回路基板３上に形成される。
【００２７】
次いで、図４に示されるように、光半導体素子５を平面光波回路基板３に実装する際に使用する実装装置のテーブル１０上に平面光波回路基板３を載置し、平面光波回路基板３のマウント面６上に公知のディスペンサ等で半田を塗布して溶融させることによって半田層７を形成し、真空引き等の吸着手段を備えて光半導体素子５をハンドリングする実装装置のアーム９を作動させて、マウント面６から上方に離間したアプローチ開始位置でアーム９の下面側に設けられた半導体保持面９ａに光半導体素子５をジャンクションアップの状態、つまり、活性層４を上方に位置させた状態で保持させる。
【００２８】
光半導体素子５を平面光波回路基板３に実装する際に使用する実装装置については既に様々なものが公知である。
【００２９】
この実施形態で採用した実装装置は数値制御装置（図示せず）で駆動制御される実装装置であり、特に、テーブル１０の上面を機械原点とするアーム９の現在位置すなわち光半導体素子５を保持するアーム９の半導体保持面９ａの高さを逐次更新して記憶するＺ軸現在位置記憶レジスタや、機械原点となるテーブル１０の上面から平面光波回路基板３における導波路形成面側の表面３ａまでの垂直離間距離を測定するためのレーザ測距装置（図示せず）を備える。
【００３０】
次いで、数値制御装置は、マウント面６から上方に離間したアプローチ開始位置で光半導体素子５をアーム９の半導体保持面９ａに保持させたまま、図４に示されるように、アーム９を停止させた状態でＺ軸現在位置記憶レジスタの現在値〔Ｒ１〕すなわちテーブル１０の上面を基準とする光半導体素子５の上面高さ〔Ｒ１〕を読み込むと共に、レーザ測距装置を作動させてテーブル１０の上面を基準とする平面光波回路基板３の表面３ａの高さ〔Ｌ１〕を測定し、まず、光半導体素子５の上面高さ〔Ｒ１〕と平面光波回路基板３の上面高さ〔Ｌ１〕の差分〔Ｒ１−Ｌ１〕を求める。
【００３１】
仮に、差分〔Ｒ１−Ｌ１〕をアーム９の下降動作のためのインクリメンタルな移動指令〔Ｓ〕として図４の状態からアーム９の駆動制御を開始するとすれば、この移動指令〔Ｒ１−Ｌ１〕によってアーム９は図４に示されるアプローチ開始位置から図５に示されるような位置、つまり、光半導体素子５の上面の高さを平面光波回路基板３の表面３ａの高さに一致させる位置にまで下降することになる。
【００３２】
しかし、実際には、光半導体素子５の上面の高さが平面光波回路基板３の表面３ａの高さと一致した状態では、平面光波回路基板３の導波路形成面側の表面３ａから平面光波回路基板３の導波路２の中心に至る設計上の距離の基準値が〔Ａ〕である一方、平面光波回路基板３の導波路形成面側の表面３ａと同じ高さにある光半導体素子５の上面から光半導体素子５の活性層４の中心に至る設計上の距離の基準値が〔Ｂ〕であることから、光半導体素子５の活性層４の中心位置は、図５に示される通り、理論上、平面光波回路基板３の導波路２の中心位置よりも差分〔Ａ−Ｂ〕だけ上方に位置することになる。
【００３３】
従って、光半導体素子５の活性層４の中心を平面光波回路基板３の導波路２の中心に対して高さ方向の向き、つまり、平面光波回路基板３の導波路形成面側の表面３ａの法線方向の向きに沿って一致させるためにアーム９に必要とされる下降移動のためのインクリメンタルな移動量の値は、この差分〔Ａ−Ｂ〕を考慮して、実際には、図４に示されるようなアプローチ開始位置を基点として、〔Ｒ１−Ｌ１〕＋〔Ａ−Ｂ〕となる。
【００３４】
従って、数値制御装置は、実際には、マウント面６から上方に離間したアプローチ開始位置で光半導体素子５をアーム９に保持させ、アーム９を停止させた図４の時点において、Ｚ軸現在位置記憶レジスタの現在値〔Ｒ１〕を読み込むと共に、レーザ測距装置を作動させてテーブル１０の上面を基準とする平面光波回路基板３の表面３ａの高さ〔Ｌ１〕を測定し、更に、数値制御装置のメモリにパラメータとして予め記憶させておいた平面光波回路基板３の導波路形成面側の表面３ａから平面光波回路基板３の導波路２の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ａ〕の値と光半導体素子５の上面から光半導体素子５の活性層４の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ｂ〕の値、あるいは、これらの値〔Ａ〕，〔Ｂ〕に代えてメモリに記憶させておいた差分の値〔Ａ−Ｂ〕に基いて、光半導体素子５の活性層４の中心を平面光波回路基板３の導波路２の中心に一致させるために必要とされるアーム９の下降移動のためのインクリメンタルな移動指令〔Ｓ〕の値、つまり、〔Ｒ１−Ｌ１〕＋〔Ａ−Ｂ〕の値を求め、この〔Ｓ〕＝〔Ｒ１−Ｌ１〕＋〔Ａ−Ｂ〕の値をアーム９の下降動作のためのインクリメンタルな移動指令〔Ｓ〕として、図４に示したアプローチ開始位置からアーム９の下降動作を開始させ、アーム９の半導体保持面９ａに保持した光半導体素子５を平面光波回路基板３のマウント面６に接近させていく。
【００３５】
そして、〔Ｓ〕＝〔Ｒ１−Ｌ１〕＋〔Ａ−Ｂ〕の移動指令のうち、〔Ｒ１−Ｌ１〕の移動距離に相当する移動指令が実行されると、図５を参照して既に説明したように、光半導体素子５の上面の高さが平面光波回路基板３の表面３ａの高さと一致する位置にまで光半導体素子５がマウント面６に接近する。
【００３６】
更に、移動指令〔Ｓ〕の残り分である〔Ａ−Ｂ〕の移動距離に相当する移動指令が実行されると、光半導体素子５の上面の高さが平面光波回路基板３の表面３ａの高さと一致した図５の状態から、更に、平面光波回路基板３の導波路形成面側の表面３ａから平面光波回路基板３の導波路２の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ａ〕と光半導体素子５の上面から光半導体素子５の活性層４の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ｂ〕の差分〔Ａ−Ｂ〕に相当する距離だけアーム９に下降方向の送りが掛けられ、アーム９の半導体保持面９ａに保持された光半導体素子５の下降に伴ってマウント面６と光半導体素子５の間で半田層７が圧壊され、最終的に、図６および図２に示される通り、導波路形成面側の表面３ａよりも光半導体素子５の上面が差分〔Ａ−Ｂ〕に相当する距離だけ低くなった状態で、平面光波回路基板３のマウント面６上に半田層７を介して光半導体素子５が実装される。
【００３７】
但し、実際には、平面光波回路基板３の表面３ａから導波路２の中心に至る距離の実際の値は基準値〔Ａ〕に対して〔±ａ〕の範囲で製造上の誤差が許容され、また、光半導体素子５の上面から活性層４の中心に至る距離の実際の値も基準値〔Ｂ〕に対して〔±ｂ〕の範囲で製造上の誤差が許容されているので、数値制御上の演算に利用される〔Ａ〕，〔Ｂ〕の値は必ずしも平面光波回路基板３の表面３ａから導波路２の中心に至る実際の距離や光半導体素子５の上面から活性層４の中心に至る実際の距離とは一致しない。
【００３８】
また、差分〔Ａ−Ｂ〕は設計上の基準値〔Ａ〕，〔Ｂ〕に基いた値であるから其れ自体に誤差の概念はないが、実装装置におけるアーム９の現在位置検出精度およびレーザ測距装置の測定精度には一定の誤差があるので、Ｚ軸現在位置記憶レジスタの現在値〔Ｒ１〕やレーザ測距装置が検出する平面光波回路基板３の上面高さ〔Ｌ１〕の値は必ずしも真の値ではない。
更に、移動指令〔Ｓ〕に基いてアーム９に上下方向の送りを掛ける際に使用される実装装置の動力源や動力伝達系にもバックラッシや摩擦抵抗および慣性等に起因したアンダートラベルやオーバートラベル等の誤差が生じるので、〔Ｓ〕＝〔Ｒ１−Ｌ１〕＋〔Ａ−Ｂ〕の移動指令が数値制御装置によって適切に実行されたからといって、必ずしも、アーム９が〔Ｓ〕＝〔Ｒ１−Ｌ１〕＋〔Ａ−Ｂ〕の距離だけ下降するといった保証はない。
ここでは、アーム９の現在位置検出精度の誤差とレーザ測距装置の測定誤差とアーム９を駆動する際の誤差を合わせて、目標位置を基準としたアーム９の位置決め精度が〔±ｃ〕の公差内で保障されているものとする。なお、ｃは正の値である。
【００３９】
従って、前述した〔Ｓ〕＝〔Ｒ１−Ｌ１〕＋〔Ａ−Ｂ〕の移動指令に基いて送られたアーム９の下降量は、実際には、
〔Ｒ１の真の値−Ｌ１の真の値〕＋〔Ａ−Ｂ〕＋〔±ｃ〕・・・（式１）
の範囲内となる。
但し、式１における第３項の〔±ｃ〕は、既に述べた通り、〔Ｒ１〕の検出誤差と〔Ｌ１〕の測定誤差とアーム９のアンダートラベルやオーバートラベルによる位置決めの誤差を組み合わせた公差であるから、式１の第１項における〔Ｒ１の真の値〕や〔Ｌ１の真の値〕は誤差を含んでいない。
【００４０】
一方、平面光波回路基板３の表面３ａから導波路２の中心に至る距離の実際の値が保障されているのは〔Ａ±ａ〕の範囲であり、また、光半導体素子５の上面から活性層４の中心に至る距離の実際の値が保障されているのは〔Ｂ±ｂ〕の範囲であるから、式１における基準値〔Ａ〕と実際の値〔Ａ±ａ〕との間に最大で〔±ａ〕の誤差が生じ、同様に、式１における基準値〔Ｂ〕と実際の値〔Ｂ±ｂ〕との間にも最大で〔±ｂ〕の誤差が生じる可能性がある。
【００４１】
従って、アーム９の位置決め精度の最大誤差〔±ｃ〕と、基準値〔Ａ〕と実際の値〔Ａ±ａ〕との間の最大誤差〔±ａ〕と、基準値〔Ｂ〕と実際の値〔Ｂ±ｂ〕との間の最大誤差〔±ｂ〕を全て勘案すると、光半導体素子５の活性層４の中心と平面光波回路基板３の導波路２の中心との間に生じる上下方向の誤差、つまり、平面光波回路基板３の導波路形成面側の表面３ａの法線方向の向きに沿って発生する誤差は、最大でも、平面光波回路基板３の導波路形成面側の表面３ａから平面光波回路基板３の導波路２の中心に至る距離の設計上の公差の絶対値ａと光半導体素子５の上面から光半導体素子５の活性層４の中心に至る距離の設計上の公差の絶対値ｂと光半導体素子５をハンドリングする実装装置におけるアーム９の位置決め精度の公差の絶対値ｃの積算値、つまり、±〔ａ＋ｂ＋ｃ〕の範囲内で完全に保証されることになる。
【００４２】
要するに、光半導体素子５の活性層４の中心と平面光波回路基板３の導波路２の中心との間に生じる上下方向の誤差が最大となるのは、平面光波回路基板３の表面３ａから導波路２の中心に至る距離の実際の値が〔Ａ＋ａ〕、かつ、光半導体素子５の上面から活性層４の中心に至る距離の実際の値が〔Ｂ−ｂ〕であって、しかも、アーム９の現在位置検出精度の誤差とレーザ測距装置の測定精度の誤差とアーム９を駆動する際の誤差の組み合わせが最大となってアーム９の下降動作に〔＋ｃ〕のオーバートラベルが発生して＋〔ａ＋ｂ＋ｃ〕の誤差が発生した場合と、これとは逆に、平面光波回路基板３の表面３ａから導波路２の中心に至る距離の実際の値が〔Ａ−ａ〕、かつ、光半導体素子５の上面から活性層４の中心に至る距離の実際の値が〔Ｂ＋ｂ〕であって、しかも、アーム９の現在位置検出精度の誤差とレーザ測距装置の測定精度の誤差とアーム９を駆動する際の誤差の組み合わせが最大となってアーム９の下降動作に〔−ｃ〕のアンダートラベルが発生して−〔ａ＋ｂ＋ｃ〕の誤差が発生した場合のみである。
【００４３】
ａは平面光波回路基板３の製造精度によって特定される値、また、ｂは光半導体素子５の製造精度によって特定される値、そして、ｃは実装装置の性能によって特定される値であるから、光半導体素子５の活性層４と平面光波回路基板３の導波路２の間に生じる上下方向の位置ずれの量は、理論的にも、±〔ａ＋ｂ＋ｃ〕の範囲内で抑制するのが限度である。
【００４４】
この実施形態にあっては、特に、平面光波回路基板３における導波路形成面側の表面３ａと光半導体素子５の上面を基準とし、平面光波回路基板３の製造や光半導体素子５の製造において精度が出やすい箇所、つまり、平面光波回路基板３の導波路形成面側の表面３ａから平面光波回路基板３の導波路２の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ａ〕と光半導体素子５の上面から光半導体素子５の活性層４の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ｂ〕とに基いて、アプローチ開始位置からのアーム９の下降量つまり光半導体素子５の下降量を算出するようにしているので、平面光波回路基板３の全体的な厚みのバラツキや光半導体素子５の全体的な厚みのバラツキが活性層４と導波路２の上下方向の位置決め精度に影響を与えるといった不都合が解消される。
これにより、マウント面６を活性層４の高さ調整のための基準面としてジャンクションアップの状態で光半導体素子５を実装することによって活性層４と導波路２の上下方向の高さを一致させるようにした公知の実装方法、つまり、平面光波回路基板３の全体的な厚みや光半導体素子５の全体的な厚み、および、マウント面６を形成する切り欠きの深さのバラツキが精度に影響を与える公知の実装方法に比べ、高い精度の実装作業を行うことができるようになる。
【００４５】
光半導体素子５の全体的な厚みにバラツキがあった場合には、その結果として光半導体素子５の下面とマウント面６との間の垂直離間距離に微妙な変動が生じることになるが、両者間には半田層７が介在し、既に述べた通り、この半田層７が圧壊することによって離間距離の変動を吸収するので、光半導体素子５をマウント面６に適切に固着することが可能である。
【００４６】
しかも、光半導体素子５の活性層４が平面光波回路基板３のマウント面６から光半導体素子５の厚み相当分だけ離間しているので、光半導体素子５の活性層４に半田層７の応力が直接的に働くといった不都合も解消され、レーザのＳＭＳＲ特性を向上させることができる。
【００４７】
半田層７としてはＡｕＳｎ，ＡｕＳｉ，ＡｕＳｂ，ＢｉＳｎ，ＳｎＰｂ等を利用することが可能である。
【００４８】
以上、一実施形態として、平面光波回路基板３のマウント面６から上方に離間したアプローチ開始位置でアーム９の半導体保持面９ａに光半導体素子５を保持した状態でテーブル１０の上面を基準とする光半導体素子５の上面高さ〔Ｒ１〕をＺ軸現在位置記憶レジスタから求めると共にレーザ測距装置でテーブル１０の上面を基準とする平面光波回路基板３の表面３ａの高さ〔Ｌ１〕を測定し、上面高さ〔Ｒ１〕と上面高さ〔Ｌ１〕の差分〔Ｒ１−Ｌ１〕と数値制御装置のメモリにパラメータとして予め記憶させておいた基準値〔Ａ〕および基準値〔Ｂ〕の値に基いてアーム９の下降移動のために必要とされるインクリメンタルな移動指令〔Ｓ〕の値を求め、数値制御装置から実装装置への移動指令の出力によってアーム９を最終目標位置、つまり、アプローチ開始位置を基準として〔Ｒ１−Ｌ１〕＋〔Ａ−Ｂ〕の距離だけ下方の位置に連続的に下降させるようにした実施形態について述べたが、レーザ測距装置に代えて接触式のセンサを利用し、この接触式のセンサで平面光波回路基板３の表面３ａの高さと半導体保持面９ａの高さ、すなわち、光半導体素子５の上面高さとが一致したことを検知し、その位置から更に半導体保持面９ａを〔Ａ−Ｂ〕の距離だけ下方に移動させる構成としてもよい。
【００４９】
例えば、図４に示される構成をモデファイし、半導体保持面９ａとアーム９の下面との間に圧電素子等を配置して微小送り用のアクチュエータとすると共に、サーボモータやボールナット＆スクリュー等からなる昇降機構によってアーム９を上下動させて微小送り用のアクチュエータとして機能する圧電素子とアーム９を一体に上下移動可能な構成とし、更に、平面光波回路基板３における表面３ａの上方に位置するアーム９の下面に、アーム９の下面からの突出量が、微小送り用のアクチュエータとして機能する圧電素子を完全に縮退させた際の半導体保持面９ａの突出量と同等となる突出量を有する接触式のセンサを設けるようにする。
【００５０】
このような構成を適用した場合には、まず、図４のように、マウント面６から上方に離間したアプローチ開始位置でアーム９の半導体保持面９ａに光半導体素子５を保持した状態で微小送り用のアクチュエータとして機能する圧電素子を完全に縮退させてアーム９の下面からの半導体保持面９ａの突出量とアーム９の下面からの接触式センサの突出量とを一致させ、数値制御装置のパルス分配処理によってサーボモータを低トルク・低速度で駆動して、目標位置を指定せずにアーム９を低速で下降させ、接触式のセンサが平面光波回路基板３における表面３ａを接触検知した時点で直ちにサーボモータを停止させて、アーム９の現在位置を保持する。
【００５１】
この時点ではアーム９の下面を基準とする接触式センサの突出量と半導体保持面９ａの突出量が同じであるから、前述のようにしてサーボモータの駆動が停止された時点で、半導体保持面９ａの高さ、すなわち、光半導体素子５の上面の高さが平面光波回路基板３の表面３ａの高さと一致し、平面光波回路基板３の表面３ａの高さと光半導体素子５の上面高さとの相対関係が図５と全く同様の状態となる。
【００５２】
次いで、数値制御装置のメモリにパラメータとして予め記憶させておいた基準値〔Ａ〕および基準値〔Ｂ〕の値に基いてアーム９の下降移動距離〔Ａ−Ｂ〕を求め、微小送り用のアクチュエータとして機能する圧電素子を駆動制御して、完全な縮退状態から〔Ａ−Ｂ〕の距離だけ下方に向けて突出させ、アーム９の現在位置を維持したまま半導体保持面９ａのみを下方に移動させる。
【００５３】
この場合も結果は前記と同様であり、最終的に、図６および図２に示される通り、導波路形成面側の表面３ａよりも光半導体素子５の上面が差分〔Ａ−Ｂ〕に相当する距離だけ低くなった状態で、平面光波回路基板３のマウント面６上に半田層７を介して光半導体素子５が実装されることになる。
【００５４】
更には、接触式のセンサを省略し、微小送り用のアクチュエータとして機能する圧電素子を完全に縮退させた状態の半導体保持面９ａの突出量と同等の突出量を有するストッパを平面光波回路基板３の表面３ａの上方に位置するアーム９の下面に固設するといったことも可能である。
この場合は、数値制御装置の側でサーボモータの電流ループを監視してサーボモータの駆動電流の上昇を検知し、駆動電流の上昇つまり反動トルクの作用をストッパと平面光波回路基板３の表面３ａとの当接として認識して、サーボモータの駆動を停止させることになる。
【００５５】
以上に開示した実施形態の一部または全部は、以下の付記に示す記載によって適切に表現され得るが、発明を実施するための形態や発明の技術思想は、これらのものに制限されるものではない。
【００５６】
〔付記１〕
レーザモジュール（１）の一部を構成する平面光波回路基板（３）の一部を平面光波回路基板（３）における導波路形成面側の表面（３ａ）から其の法線方向に向けて切り欠いて平面光波回路基板（３）上に形成したマウント面（６）にレーザモジュール（１）の他部を構成する光半導体素子（５）を半田層（７）を介して実装することにより光半導体素子（５）の活性層（４）の高さと平面光波回路基板（３）の導波路（２）の高さを導波路形成面の法線方向の向きで合致させるようにしたレーザモジュール（１）の製造方法であって、
導波路（２）を形成された平面光波回路基板（３）の導波路形成面側の表面（３ａ）から光半導体素子（５）の設計上の基準厚〔Ｘ〕と，半田層（７）の設計上の基準厚〔Ｙ〕と，平面光波回路基板（３）の導波路形成面側の表面（３ａ）から平面光波回路基板（３）の導波路（２）の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ａ〕と光半導体素子（５）の上面から光半導体素子（５）の活性層（４）の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ｂ〕の差分〔Ａ−Ｂ〕とを加算した深さに亘って平面光波回路基板（３）を切り欠くことによって前記マウント面（６）を形成した後、
前記マウント面（６）から離間したアプローチ開始位置に光半導体素子（５）をジャンクションアップの状態で保持し、光半導体素子（５）の上面高さが平面光波回路基板（３）の導波路形成面側の表面（３ａ）の高さと一致する高さまで光半導体素子（５）を前記マウント面（６）に向けて接近させ、
更に、平面光波回路基板（３）の導波路形成面側の表面（３ａ）から平面光波回路基板（３）の導波路（２）の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ａ〕と光半導体素子（５）の上面から光半導体素子（５）の活性層（４）の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ｂ〕の差分〔Ａ−Ｂ〕だけ光半導体素子（５）を前記マウント面（６）に向けて接近させてマウント面（６）と光半導体素子（５）の間で前記半田層（７）を圧壊して光半導体素子（５）を平面光波回路基板（３）に実装することを特徴としたレーザモジュール（１）の製造方法。
【００５７】
〔付記２〕
アプローチ開始位置に光半導体素子（５）を保持した状態で、光半導体素子（５）の上面高さ〔Ｒ１〕と平面光波回路基板（３）の導波路形成面側の表面（３ａ）の高さ〔Ｌ１〕を求め、
光半導体素子（５）の上面高さ〔Ｒ１〕から平面光波回路基板（３）の導波路形成面側の表面（３ａ）の高さ〔Ｌ１〕を減じ、更に、平面光波回路基板（３）の導波路形成面側の表面（３ａ）から平面光波回路基板（３）の導波路（２）の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ａ〕から光半導体素子（５）の上面から光半導体素子（５）の活性層（４）の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ｂ〕を減じた値を加算して光半導体素子（５）を前記マウント面（６）に向けて接近させるべき距離[〔Ｒ１−Ｌ１〕＋〔Ａ−Ｂ〕]を求め、
前記求められた距離[〔Ｒ１−Ｌ１〕＋〔Ａ−Ｂ〕]だけ光半導体素（５）を前記マウント面（６）に向けて連続的に接近させるようにしたことを特徴とする付記１記載のレーザモジュール（１）の製造方法。
【００５８】
〔付記３〕
アプローチ開始位置に光半導体素子（５）を保持した状態で、前記マウント面（６）に向かう光半導体素子（５）の接近移動を開始させ、
平面光波回路基板（３）の導波路形成面側の表面（３ａ）の高さと光半導体素子（５）の上面高さとが一致したことを検知した後、
更に、その位置から、平面光波回路基板（３）の導波路形成面側の表面（３ａ）から平面光波回路基板（３）の導波路（２）の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ａ〕から光半導体素子（５）の上面から光半導体素子（５）の活性層（４）の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ｂ〕を減じた値〔Ａ−Ｂ〕に相当する距離だけ前記マウント面（６）に向けて光半導体素子（５）を接近移動させるようにしたことを特徴とする付記１記載のレーザモジュール（１）の製造方法。
【００５９】
〔付記４〕
レーザモジュール（１）の一部を構成する平面光波回路基板（３）の一部を平面光波回路基板（３）における導波路形成面側の表面（３ａ）から其の法線方向に向けて切り欠いて平面光波回路基板（３）上に形成したマウント面（６）にレーザモジュール（１）の他部を構成する光半導体素子（５）を半田層（７）を介して実装したレーザモジュール（１）であって、
前記マウント面（６）が、導波路（２）を形成された平面光波回路基板（３）の導波路形成面側の表面（３ａ）から光半導体素子（５）の設計上の基準厚〔Ｘ〕と，半田層（７）の設計上の基準厚〔Ｙ〕と，平面光波回路基板（３）の導波路形成面側の表面（３ａ）から平面光波回路基板（３）の導波路（２）の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ａ〕と光半導体素子（５）の上面から光半導体素子（５）の活性層（４）の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ｂ〕の差分〔Ａ−Ｂ〕とを加算した深さに亘って平面光波回路基板（３）を切り欠いて形成されると共に、
前記マウント面（６）上には、光半導体素子（５）が、圧壊された状態で設計上の基準厚〔Ｙ〕と同等の厚みを有する半田層（７）を介して、光半導体素子（５）の上面高さが、平面光波回路基板（３）の導波路形成面側の表面（３ａ）の高さよりも、平面光波回路基板（３）の導波路形成面側の表面（３ａ）から平面光波回路基板（３）の導波路（２）の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ａ〕と光半導体素子（５）の上面から光半導体素子（５）の活性層（４）の中心に至る設計上の距離の基準値〔Ｂ〕の差分〔Ａ−Ｂ〕だけ低くなるようにしてジャンクションアップの状態で実装されていることを特徴としたレーザモジュール（１）。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、平面光波回路と光半導体素子によって構成されるレーザモジュールの製造に適用できる。
【符号の説明】
【００６１】
１  レーザモジュール
２  導波路
３  平面光波回路基板
３ａ  導波路形成面側の表面
４  活性層
５  光半導体素子
６  マウント面
７  半田層
８  基準面メタルマーク
９  実装装置のアーム
９ａ  半導体保持面
１０  実装装置のテーブル
Ａ  平面光波回路基板の表面から導波路の中心に至る設計上の距離の基準値
＋ａ  平面光波回路基板の表面から導波路の中心に至る距離の上限公差
−ａ  平面光波回路基板の表面から導波路の中心に至る距離の下限公差
Ｂ  光半導体素子の上面から活性層の中心に至る設計上の距離の基準値
＋ｂ  光半導体素子の上面から活性層の中心に至る距離の上限公差
−ｂ  光半導体素子の上面から活性層の中心に至る距離の下限公差
Ｌ１  テーブルの上面を基準とする平面光波回路基板の上面高さ
Ｒ１  テーブルの上面を基準とする光半導体素子の上面高さ
Ｘ  光半導体素子の設計上の基準厚
Ｙ  半田層の設計上の基準厚
Ｚ  切り欠きの深さ
【図１】
2012227464.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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