【事件の表示】
　特願２０００−２２７９９４「磁気ヘッド、磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドを用いたビデオ装置および磁気ヘッドを用いたムービー装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月１３日出願公開、特開２００１−１０１６１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１２年７月２７日（優先権主張平成１１年７月２７日）の出願であって、平成１４年９月２７日付けで手続補正がなされ、その後平成１５年３月７日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成１５年４月１０日に審判請求がなされたものである。
　本願の請求項１乃至２６に係る発明は、上記平成１５年３月７日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、それぞれ本願特許請求の範囲の請求項１乃至２６に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】一対の磁気コア半体と、
　前記一対の磁気コア半体の間に形成され前記一対の磁気コア半体を接合する非磁性材料とを備え、
　前記一対の磁気コア半体のそれぞれは、酸化物磁性体と、前記酸化物磁性体のそれぞれの上に形成される少なくとも１層の下地膜と、
　前記下地膜のそれぞれと前記非磁性材料との間に形成される金属磁性薄膜とを備え、
　前記金属磁性薄膜は、平均体積Ｖａと平均表面積Ｓａとが、
　Ｓａ＞４．８４Ｖａ２／３　を満たす磁性結晶粒を母相とする磁性膜を含む磁性薄膜であり、
　前記磁気コア半体の少なくとも一方には巻き線窓が形成され、
　前記一対の磁気コア半体のそれぞれは、他方の磁気コア半体と前記非磁性材料を介して接合する接合面と、被記録媒体と摺動する摺動面と、前記接合面と前記摺動面とに連続する側面とを有し、
　前記金属磁性薄膜は、前記接合面にのみ形成され、前記側面には形成されておらず、
　前記磁気コア半体はそれぞれ単結晶フェライトを含み、
　前記金属磁性薄膜は、（ＭａＸｂＺｃ）１００−ｄＡｄで示される組成を有し、
　ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種の磁性金属元素を含み、ＸはＳｉ、Ａｌ、Ｇａ及びＧｅから選ばれる少なくとも１種の元素を含み、
　ＺはＩＶａ族、Ｖａ族、Ａｌ、Ｇａ及びＣｒから選ばれる少なくとも１種の元素を含み、
　ＡはＯおよびＮの少なくとも１種の元素を含み、
　ａ、ｂ、ｃおよびｄは、
　０．１≦ｂ≦２６、０．１≦ｃ≦５、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００および１≦ｄ≦１０
なる関係式を満たし、
　前記金属磁性薄膜は、前記金属磁性薄膜内に発生する好ましくない内部応力により前記酸化物磁性体が割れないように形成される磁気ヘッド。」
　
２　引用例
（１）　原査定の拒絶の理由で引用された特開平１０−２２３４３５号公報（以下「引用例１」という。）には、「磁性薄膜およびこれを用いた磁気デバイス」に関して次の事項が記載されている。
　（ア）　「【０００５】　磁気ヘッドが例えば
フェライト上に磁性薄膜を形成したメタルインギャップ（ＭＩＧヘッド）
　（イ）　「【０００８】　他方、多くの薄膜材料に共通の課題として膜の内部応力による基板からの膜剥がれ、あるいは基板の微細な割れがある。例えば一般にスパッタリング法などで基板上に形成される膜の内部応力は、圧縮応力または引っ張り応力を持つ。基板と膜の付着強度が弱い時や基板材料の破壊強度が弱い時には、基板の形状、表面状態に依存して膜剥がれなどの問題が発生する。　【０００９】　本発明は、軟磁性薄膜材料の高飽和磁束密度化に伴う熱安定性、耐食性など前述の諸問題に鑑み、結晶粒径構造およびサイズにおける諸条件、さらには元素組成を研究し、また最適構造を実現する下地層の条件、組成を研究することにより前記従来の課題を解決し、信頼性と軟磁気特性に優れた磁性薄膜およびこの薄膜を用いた磁気デバイスを提供することを目的とする。また、本発明は膜内部応力による基板からの剥がれ、基板の破壊の問題に鑑み、基板−磁性膜間の下地構造を研究することにより前記従来の課題を解決し、信頼性と軟磁気特性に優れた磁性薄膜および磁気デバイスを提供することも目的とする。」（「発明が解決しようとする課題」の項）
　（ウ）　「【００１０】【課題を解決するための手段】　前記目的を達成するべく、
本発明の磁性薄膜は、平均体積Ｖａと平均表面積Ｓａとが下記関係式を満たす磁性結晶粒を母相とする磁性膜を含むことを特徴とする。　【００１１】　Ｓａ＞４．８４Ｖａ
２／３
　
　（エ）　「【００２１】　また、
前記磁性薄膜においては、
ＯおよびＮから選ばれる少なくとも１種の軽元素と、Ｆｅよりも酸化物および／または窒化物生成自由エネルギ−が低い元素とを含むことが好ましい。
結晶粒体積当たり表面積が大きい形状とした膜構造
　（オ）　「【００２５】　また、
前記磁性薄膜においては、Ｆｅよりも酸化物および／または窒化物生成自由エネルギ−が低い元素が、ＩＶａ族元素、Ｖａ族元素、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、ＧｅおよびＣｒから選ばれる少なくとも１種の元素であることが好ましい。
　（カ）　「【００３２】　また、
前記磁性薄膜においては、少なくとも１層からなる下地膜と、この下地膜上に形成された磁性膜とを含み、
フェライト上に磁性膜を形成するＭＩＧヘッド
　（キ）　「【００５０】　また、
前記磁性薄膜においては、少なくとも１層からなる下地膜と、この下地膜上に形成された磁性膜とを含み、
　（ク）　「【００５４】　前述のように薄膜材料の共通課題として、膜剥がれ、基板破壊があるが、磁性材料においては、成膜後に膜を成膜温度よりも数百度程度高い温度で熱処理し、さらに熱処理した状態で基板と膜の熱応力を含む内部応力がゼロ近辺にする必要がある。熱処理により膜内部に応力緩和が起こるために、成膜直後と熱処理後における膜内部応力には著しい差が生じる。従って、薄膜材料の中でも特に磁性薄膜においては、わずかに数μｍの膜厚でも膜剥がれや、基板割れが起こりやすく、本発明の範囲の微細化層を設ける意義、効果は大きい。」（「課題を解決するための手段」の項）
　（ケ）　「【００７０】　例えば、
ＭＩＧヘッドの作製プロセス
基板上に膜形成をする
下地層を形成する
　（コ）　「【００７５】　また、
本発明の磁性薄膜の別の構成は、（Ｍ
ａ
Ｘ
１
ｂ
Ｚ
１
ｃ
）
１００−ｄ
Ａ
ｄ
により示される組成を有する磁性膜を含むことを特徴とする。
ただし、ＭはＦｅ、ＣｏおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の磁性金属元素であり、Ｘ
１
はＳｉ、Ａｌ、ＧａおよびＧｅから選ばれる少なくとも１種の元素であり、Ｚ
１
はＩＶａ族、Ｖａ族およびＣｒから選ばれる少なくとも１種の元素であり、ＡはＯおよびＮの少なくとも１種の元素であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、以下の関係式を満たす数値である
０．１≦ｂ≦２６
０．１≦ｃ≦５
ａ＋ｂ＋ｃ＝１００
１≦ｄ≦１０
この磁性膜は、前述の下地層、
基板と適宜組み合わせて磁性薄膜とすることが好ましい
　（サ）　「【００９４】　用いる基板としては、例えば
本発明の磁性膜をＭＩＧヘッドに加工する場合には、フェライト基板を用い
下地層
を形成して
　（シ）　「【０１７８】　（実施例１１）一般に、
フェライト上に形成されたメタル磁性膜
ＭＩＧヘッドを試作し
・ヘッド仕様
　　トラック幅：１７μｍ
　　ギャップデプス：１２．５μｍ
　　ギャップレングス：０．２μｍ
　　タ−ン数Ｎ：１６
　　フェライト上のバリア膜：アルミナ４ｎｍ
　　磁性膜厚：４．５μｍ
　　Ｃ／Ｎ特性：
　　　相対速度＝１０．２ｍ／ｓ
　　　録再周波数＝２０．９ＭＨｚ
　　　テ−プ：ＭＰテ−プ」
　（ス）　「【０１８６】　以上の実施例から、下地膜が材料によらず、平均結晶粒径が２０ｎｍ以下のときに、基板割れを抑制できることがわかる。　【０１８７】　以上の結果を踏まえ、前述の平均結晶粒径が３０ｎｍまたは２０ｎｍである窒素添加の下地１００ｎｍを用いて下記のような
ＭＩＧヘッドを試作
　（セ）　「【０１９８】　【発明の効果】　以上説明したように、本発明の磁性薄膜によれば、従来の平均結晶粒径が小さい微結晶材料に比べ、単位体積中の界面エネルギ−の総量が小さいために、熱処理による粒成長が抑制され、軟磁気特性を広い温度範囲で安定化することができる。また、磁性膜は、成膜直後から結晶質であるために、非晶質化のために多量の添加物を必要とせず、従って飽和磁束密度が高くでき、また成膜直後から高飽和磁束密度ヘッド用材料として使用し得る。また結晶粒のサイズにより、局部電池による腐食が小さく耐食性に優れた磁性膜を得ることができる。　【０１９９】　また、基板と磁性膜との間の下地膜に微細化層を含ませる本発明の好ましい態様によれば、基板表面状態や形状によらず、膜剥がれや基板破壊が抑制された膜形成が実現できるという効果がある。」
　
（２）　同じく引用された特開平２−１３９７０５号公報（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
　（タ）　「本発明はＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）、ＤＡＴ（デジタルオーディオテープレコーダ）等の磁気記録再生装置に使用される磁気ヘッドに関し、特に磁気コアの作動ギャップ近傍に強磁性金属薄膜が被着形成されている複合型の磁気ヘッドの製造方法に関する。」（公報２頁右上欄１０行〜１５行、「（イ）産業上の利用分野」の項）
　（チ）　「磁気飽和現象の最も生じやすい作動ギャップ近傍部分を、磁気コアとして使用されるフェライトよりも飽和磁化の大きな金属磁性材料（たとえば、パーマロイ、センダスト、アモルファス磁性体）で構成した磁気ヘッド（複合型の磁気ヘッドと称する）が提案されている。この複合型の磁気ヘッドは信頼性、磁気特性、耐摩耗性等の点で優れた特性を有する。この複合型の磁気ヘッドには、第１０図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に夫々示すように様々な形状がある。図中、（１）（１’）はＭｎ−Ｚｎフェライト等の強磁性酸化物よりなる一対の磁気コア半体、（２）は作動ギャップであり、前記磁気コア半体（１）（１’）の作動ギャップ（２）近傍にはセンダスト等の強磁性金属薄膜（３）（３）が被着形成されている。（４）は巻線溝、（５）は前記磁気コア半体（１）（１’）を結合するためのガラスである。」（公報２頁右下欄２行〜１８行、「（ロ）従来の技術」の項）
　（ツ）　「第１０図（ｂ）に示す磁気ヘッドは磁気コア半体（１）（１’）の作動ギャップ衝き合わせ面の両側にも強磁性金属薄膜（３）（３）が被着形成されている。即ち、作動ギャップ（２）の両側では磁気コア半体（１）（１’）と強磁性金属薄膜（３）（３）とガラス（５）の３種類の各々の熱膨張係数が異なる異種材料が隣接しているため、互いに応力を及ぼし合って歪みが発生し擬似ギャップ現象が多大になる。また、前記強磁性金属薄膜（３）（３）とガラス（５）とは濡れ性等の馴染みが悪いため磁気コア半体（１）（１’９同士の接合力も第１０図（ａ）に示す磁気ヘッドに比べて弱い。上述の全ての点を考慮すると第１０図（ａ）に示す磁気ヘッドが最も有効である。」（公報３頁左上欄１９行〜右上欄１２行、「（ロ）従来の技術」の項。なお、公報記載の上記「（１’９」は「（１’）」の誤記であることが明白である。）
　（テ）　「第３図に示すようにＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライト等の強磁性酸化物よりなる基板（７）の上面にトラック幅規制溝（１４）を形成して、（後略）」（公報５頁左上欄５行〜７行、「（ヘ）実施例」の項」）
　（ト）　第１０図（ａ）には、磁気コア半体（１）（１’）の作動ギャップ衝き合わせ面の両側に強磁性金属薄膜（３）（３）が被着形成されていない点で、第１０図（ｂ）と異なる複合型磁気ヘッドが、図示されている。
　
３　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、上記２（ア）（ウ）（エ）（オ）（カ）（キ）（ケ）（コ）（サ）（シ）（ス）（下線参照）に摘示した記載事項によれば、
　「フェライト上に磁性薄膜を形成するメタルインギャップの磁気ヘッドであって、
上記磁性薄膜においては、少なくとも１層からなる下地膜と、この下地膜上に形成された磁性膜とを含み、
上記磁性薄膜は、
  平均体積Ｖａと平均表面積Ｓａとが
　Ｓａ＞４．８４Ｖａ２／３　
　の関係式を満たす磁性結晶粒を母相とする磁性膜を含むものであり、
上記磁性薄膜は、　
　（ＭａＸ１ｂＺ１ｃ）１００−ｄＡｄにより示される組成を有する磁性膜を含むものであり、
　ただし、ＭはＦｅ、ＣｏおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の磁性金属元素であり、Ｘ１はＳｉ、Ａｌ、ＧａおよびＧｅから選ばれる少なくとも１種の元素であり、Ｚ１はＩＶａ族、Ｖａ族およびＣｒから選ばれる少なくとも１種の元素であり、ＡはＯおよびＮの少なくとも１種の元素であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、
　０．１≦ｂ≦２６
　０．１≦ｃ≦５
　ａ＋ｂ＋ｃ＝１００
　１≦ｄ≦１０
　である関係式を満たす数値である、磁気ヘッド。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の磁気ヘッドは、メタルインギャップ（ＭＩＧ）の一般構造である、フェライト上にメタルの磁性薄膜が形成されてなる一対の磁気コア半体を、ギャップを構成する非磁性材料を挟んで接合した構造を備えるものであり、また上記磁性薄膜においては、少なくとも１層からなる下地膜を含み、「フェライト」は「酸化物磁性体」の代表例であるので、引用例１に記載された磁気ヘッドは、本願発明の「一対の磁気コア半体と、前記一対の磁気コア半体の間に形成され前記一対の磁気コア半体を接合する非磁性材料とを備え、前記一対の磁気コア半体のそれぞれは、酸化物磁性体と、前記酸化物磁性体のそれぞれの上に形成される少なくとも１層の下地膜と、前記下地膜のそれぞれと前記非磁性材料との間に形成される金属磁性薄膜とを備え」に相当する構成を備えている。
　引用例１に記載された磁気ヘッドは、メタルインギャップであって、所定のターン数の巻線が施されて、テープ記録媒体に記録再生する摺動型の磁気ヘッドである（上記（シ）参照）から、本願発明の「磁気コア半体の少なくとも一方には巻き線窓が形成され、一対の磁気コア半体のそれぞれは、他方の磁気コア半体と非磁性材料を介して接合する接合面と、被記録媒体と摺動する摺動面と、前記接合面と前記摺動面とに連続する側面とを有し」に相当する構成を備えている。
　してみると、本願発明と引用例１に記載された発明は、
　「一対の磁気コア半体と、
　前記一対の磁気コア半体の間に形成され前記一対の磁気コア半体を接合する非磁性材料とを備え、
　前記一対の磁気コア半体のそれぞれは、酸化物磁性体と、前記酸化物磁性体のそれぞれの上に形成される少なくとも１層の下地膜と、
　前記下地膜のそれぞれと前記非磁性材料との間に形成される金属磁性薄膜とを備え、
　前記金属磁性薄膜は、平均体積Ｖａと平均表面積Ｓａとが、
　Ｓａ＞４．８４Ｖａ２／３　を満たす磁性結晶粒を母相とする磁性膜を含む磁性薄膜であり、
　前記磁気コア半体の少なくとも一方には巻き線窓が形成され、
　前記一対の磁気コア半体のそれぞれは、他方の磁気コア半体と前記非磁性材料を介して接合する接合面と、被記録媒体と摺動する摺動面と、前記接合面と前記摺動面とに連続する側面とを有し、　
　前記金属磁性薄膜は、（ＭａＸｂＺｃ）１００−ｄＡｄで示される組成を有し、
　ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種の磁性金属元素を含み、ＸはＳｉ、Ａｌ、Ｇａ及びＧｅから選ばれる少なくとも１種の元素を含み、
　ＺはＩＶａ族、Ｖａ族、Ａｌ、Ｇａ及びＣｒから選ばれる少なくとも１種の元素を含み、
　ＡはＯおよびＮの少なくとも１種の元素を含み、
　ａ、ｂ、ｃおよびｄは、
　０．１≦ｂ≦２６、０．１≦ｃ≦５、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００および１≦ｄ≦１０
なる関係式を満たす、
　磁気ヘッド。」
　である点で一致しており、以下の点で相違している。
　
　（相違点）本願発明では、「金属磁性薄膜は、接合面にのみ形成され、側面には形成されておらず、磁気コア半体はそれぞれ単結晶フェライトを含み」、「前記金属磁性薄膜は、前記金属磁性薄膜内に発生する好ましくない内部応力により酸化物磁性体が割れないように形成される」と特定しているのに対し、引用例１に記載された発明では、特定されていない点。
　
（２）相違点についての判断
　引用例２には、磁気コアの作動ギャップ近傍に強磁性金属薄膜が被着形成されている複合型の磁気ヘッド、即ちメタルインギャップの磁気ヘッドとして、磁気コア半体の作動ギャップ衝き合わせ面の両側に強磁性金属薄膜が被着形成されていない複合型磁気ヘッド（第１０図（ａ）、上記（ト）参照）と、磁気コア半体の作動ギャップ衝き合わせ面の両側にも強磁性金属薄膜が被着形成されている複合型磁気ヘッド（第１０図（ｂ）、上記（ツ）参照）とがあることが記載されている。そして、後者は、作動ギャップの両側では磁気コア半体と強磁性金属薄膜とガラスの３種類の各々の熱膨張係数が異なる異種材料が隣接しているため、互いに応力を及ぼし合って歪みが発生していること、及び歪みの発生に起因する理由等により、前者の、作動ギャップ衝き合わせ面の両側に強磁性金属薄膜が被着形成されていない複合型磁気ヘッドが、メタルインギャップの磁気ヘッドの中で最も有効であること（上記（ツ）参照）が、記載されている。
　また、引用例２には、メタルインギャップの磁気ヘッドに用いるフェライトとして、単結晶フェライトが例示されている（上記（テ）参照）。
　してみれば、引用例１に記載されたメタルインギャップの磁気ヘッドの具体的な構造として、引用例２に記載された、フェライトとして単結晶フェライトを用い、磁気コア半体の作動ギャップ衝き合わせ面の両側に強磁性金属薄膜が被着形成されていない構造を採用することは、当業者が適宜なし得ることにすぎない。
　そして、引用例１に記載されたメタルインギャップの磁気ヘッドにおいては、金属磁性薄膜内に発生する内部応力によりフェライト基板が割れないように金属磁性薄膜を形成する技術課題があり、下地膜等の存在により基板割れが抑制されること（上記（イ）（カ）（キ）（ク）（ケ）（ス）（セ）参照）が、引用例１に開示され、かつ、ギャップ衝き合わせ面の両側に強磁性金属薄膜が被着形成されていない複合型磁気ヘッドでは、ギャップの両側で磁気コア半体と強磁性金属薄膜とガラスの３種類の各々の熱膨張係数が異なる異種材料が隣接することがないため、互いに応力を及ぼし合って歪みが発生する欠点がないことが、引用例２に示唆されているので、上記相違点の「金属磁性薄膜は、前記金属磁性薄膜内に発生する好ましくない内部応力により酸化物磁性体が割れないように形成される」構成及び上記相違点に基づく作用効果は、引用例１及び引用例２に記載された発明から、当業者であれば予測することができる程度のものにすぎず、格別顕著なものではない。
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。