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【手続補正書】
【提出日】平成22年7月22日(2010.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ヒューズをプログラムする方法であって、
チップ上の１つ又は複数のメモリ・ビット内にストアされたヒューズ・プログラミング条件識別子にアクセスするステップと、
１つ又は複数の最適ヒューズ・プログラミング条件を前記ヒューズ・プログラミング条件識別子に関連付けるステップと、
前記１つ又は複数の最適ヒューズ・プログラミング条件を用いて前記チップ上の１つ又は複数のヒューズをプログラムするステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記アクセスするステップは、前記チップが前記チップの製造業者から前記チップの購入者に引き渡された後に実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１つ又は複数のメモリ・ビットは電子チップ識別マクロ内に含まれる、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記１つ又は複数のメモリ・ビットは電子ヒューズを含む、請求項１、請求項２、又は請求項３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記１つ又は複数の最適ヒューズ・プログラミング条件は、前記チップの製造テスト中にチップ毎に決定される、前記請求項の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記１つ又は複数の最適ヒューズ・プログラミング条件を前記決定するステップは、
複数のテスト・チップを１つ又は複数の最適チップ・プログラミング条件に対してテストするステップと、
前記複数のテスト・チップからの関連付けパラメータの複数のテスト値であって、各々が複数のヒューズ・プログラミング条件セットの１つに対する前記複数のテスト値を決定するステップと、
前記チップを、前記関連付けパラメータの実際の値に対してテストするステップと、
前記実際の値を前記複数のテスト値と比較して、前記チップに対する前記複数のヒューズ・プログラミング条件セットの内の最適の１つを決定するステップと、
前記複数のヒューズ・プログラミング条件セットの内の前記最適の１つのインジケータを、前記ヒューズ・プログラミング条件識別子としてストアするステップと
を含む、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記関連付けパラメータは前記チップのヒューズ・プログラミング電流である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ヒューズ・プログラミング電流は、
前記チップの電子ヒューズのヒューズ・プログラミング電源ライン上のバックグラウンド電流を計測することと、
前記ヒューズ・プログラミング電源ライン上の「オン」電流を、チップ・プログラミング・パラメータの所定の値において、前記電子ヒューズを前記「オン」電流に晒さずに計測することと、
前記「オン」電流と前記バックグラウンド電流の間の差を決定することと
によって決定される、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記１つ又は複数の最適ヒューズ・プログラミング条件は、ヒューズ・プログラミング電源電圧、ヒューズ・プログラミング・ゲート電圧、ヒューズ・プログラミング時間、及びそれらの任意の組合せから成る群から選択される条件を含む、前記請求項の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
チップの電子ヒューズをフィールドにおいて、該チップの製造業者の顧客によりプログラミングするための方法であって、
チップの１つ又は複数の電子ヒューズに対する１つ又は複数の最適ヒューズ・プログラミング条件を決定するステップと、
前記１つ又は複数の最適ヒューズ・プログラミング条件のインジケータを、前記チップ上の１つ又は複数のメモリ・ビット内にストアするステップと、
前記チップを前記フィールドにおける顧客に供給するステップと、
前記顧客に、前記１つ又は複数のメモリ・ビットからの前記１つ又は複数の最適ヒューズ・プログラミング条件にアクセスすることを教示して、前記顧客が前記１つ又は複数の電子ヒューズの少なくとも１つをプログラムすることを可能にするステップと
を含む方法。
【請求項１１】
前記１つ又は複数のメモリ・ビットは電子チップ識別マクロ内に含まれる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記１つ又は複数のメモリ・ビットは電子ヒューズを含む、請求項１０又は請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記１つ又は複数の最適ヒューズ・プログラミング条件を前記決定するステップは、前記チップの製造テスト中にチップ毎に実施される、請求項１０、請求項１１又は請求項１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記１つ又は複数の最適ヒューズ・プログラミング条件を前記決定するステップは、
複数のテスト・チップを、最適チップ・プログラミング条件に対してテストするステップと、
前記複数のテスト・チップからの関連付けパラメータの複数のテスト値であって、各々が複数のヒューズ・プログラミング条件セットの１つに対する前記複数のテスト値を決定するステップと、
前記チップを前記関連付けパラメータの実際の値に対してテストするステップと、
前記実際の値を前記複数のテスト値と比較することにより、前記チップに関する前記複数のヒューズ・プログラミング条件セットのうちの最適の１つを決定するステップと、
前記複数のヒューズ・プログラミング条件セットのうちの前記最適の１つのインジケータを、前記ヒューズ・プログラミング条件識別子としてストアするステップと
を含む、請求項１０乃至請求項１３の何れか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記関連付けパラメータは前記チップのヒューズ・プログラミング電流である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ヒューズ・プログラミング電流は、
前記チップの電子ヒューズのヒューズ・プログラミング電源ライン上のバックグラウンド電流を計測することと、
前記ヒューズ・プログラミング電源ライン上の「オン」電流を、チップ・プログラミング・パラメータの所定の値において、前記電子ヒューズを前記「オン」電流に晒さずに計測することと、
前記「オン」電流と前記バックグラウンド電流の差を決定することと
によって決定される、
請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記１つ又は複数の最適ヒューズ・プログラミング条件は、ヒューズ・プログラミング電源電圧、ヒューズ・プログラミング・ゲート電圧、ヒューズ・プログラミング時間、及びこれらの任意の組合せから成る群から選択される条件を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
チップの電子ヒューズをプログラミングするための設計構造体であって、
チップの１つ又は複数の電子ヒューズに対する１つ又は複数の最適ヒューズ・プログラミング条件を決定する手段と、
前記１つ又は複数の最適ヒューズ・プログラミング条件のインジケータを、前記チップ上の１つ又は複数のメモリ・ビット内にストアする手段と、
前記チップをフィールドにおける顧客に提供する手段と、
前記顧客に、前記１つ又は複数のメモリ・ビットからの前記１つ又は複数の最適ヒューズ・プログラミング条件にアクセスすることを教示して前記顧客が前記１つ又は複数の電子ヒューズの少なくとも１つをプログラミングすることを可能にする手段と
を含む設計構造体。
【請求項１９】
前記１つ又は複数のメモリ・ビットは電子チップ識別マクロ内に含まれる、請求項１８に記載の設計構造体。
【請求項２０】
前記１つ又は複数のメモリ・ビットは電子ヒューズを含む、請求項１８又は請求項１９に記載の設計構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月5日(2010.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱処理炉で使用するライナ・アセンブリであって、
側壁が中心軸に沿って延び、複数のウェハを水平方向に支持するタワーを内蔵した、円筒状のライナと、
通り貫けできる通路を有し、前記通路は前記中心軸に対して少なくとも一部が傾いた通路軸に沿って延在する、前記ライナの上面を覆うカバーと、を具備し、
前記中心軸に対して平行にのみ延在する通路は前記カバー内に形成されないことを特徴とするライナ・アセンブリ。
【請求項２】
前記円筒状のライナには、複数の側板が固着されていることを特徴とする請求項１に記載のライナ・アセンブリ。
【請求項３】
前記カバーは、前記ライナに固定されていないことを特徴とする請求項１に記載のライナ・アセンブリ。
【請求項４】
前記カバーは、前記ライナに固定されていることを特徴とする請求項１に記載のライナ・アセンブリ。
【請求項５】
前記通路の他の部分が前記中心軸に平行して延在していることを特徴とする請求項１に記載のライナ・アセンブリ。
【請求項６】
前記ウェハを支える前記タワーの脚部には、上面板が固定され、
前記上面板には中央開口部が設けられ、前記カバーは部分的に前記中央開口部に嵌合していることを特徴とする請求項１に記載のライナ・アセンブリ。
【請求項７】
前記カバーは、環状で平坦な外周部分と、前記環状部分の中央開口に嵌合し、
前記通路を含む中央部材とを含むことを特徴とする請求項１に記載のライナ・アセンブリ。
【請求項８】
前記カバーは、ディスク状の平板を有し、前記通路が前記平板に１つ又はそれ以上の傾斜した角度でくり貫かれていることを特徴とする請求項１に記載のライナ・アセンブリ。
【請求項９】
前記ライナと前記カバーとは、少なくとも９９ａｔ％シリコンで構成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のライナ・アセンブリ。
【請求項１０】
前記ライナと前記カバーとは、水晶と炭化シリコンとからなるグループから選択された少なくとも１つの多成分シリコン含有物質で構成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のライナ・アセンブリ。
【請求項１１】
熱処理炉で使用するライナ・アセンブリであって、
側壁が中心軸に沿って延び、複数のウェハを水平方向に支持するタワーを内蔵した、円筒状のライナと、
通り貫けできる開口を有し、前記開口は前記ライナの上面の面積の０．５％以上１０％以下を占め、少なくとも一部が前記中心軸に直交する、前記ライナ上面を覆うカバーと、を具備することを特徴とするライナ・アセンブリ。
【請求項１２】
前記開口は、少なくとも部分的には前記中心軸に対して傾斜した方向に沿って延在していることを特徴とする請求項１１に記載のライナ・アセンブリ。
【請求項１３】
前記ライナと前記カバーとは、水晶と炭化シリコンとからなるグループから選択された共通多成分シリコン含有物質で構成されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載のライナ・アセンブリ。
【請求項１４】
前記ライナと前記カバーが共に、共通の物質であるシリコンで構成されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載のライナ・アセンブリ。
【請求項１５】
基板を支持するタワーを内蔵するように構成された円筒状ライナの上面に整合させるように覆うバッフル・ライナ・カバーであって、
軸の周りに面状に延在し、前記ライナによって支持される周辺端と、中央開口と有する上面板と、
上部に、前記中央開口に整合させるためのリムと、
前記上面板の面内で上端が開口し、前記軸に平行に延び、水平方向に貫通する複数の孔を有し、前記軸に直交するように延在する連続した床を下部で支える、ほぼ円筒状の側壁と、
を備えたバッフル・アセンブリと、を具備することを特徴とするバッフル・ライナ・カバー。
【請求項１６】
前記バッフル・アセンブリが、
前記床の外周部に結合され、前記上面板に向って延在し、前記水平方向に貫通する複数の孔の近傍の前記円筒状の側壁との間で環状の垂直通路を形成する環状フランジと、
前記上面板の底面との間で連結された環状の水平通路と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載のバッフル・ライナ・カバー。
【請求項１７】
前記上面板と前記バッフル・アセンブリとが共に、水晶と炭化シリコンとからなるグループから選択された多成分シリコン含有物で構成されていることを特徴とする請求項１５又は１６に記載のバッフル・ライナ・カバー。
【請求項１８】
前記上面板と前記バッフル・アセンブリが共に、物質であるシリコンで構成されていることを特徴とする請求項１５又は１６に記載のバッフル・ライナ・カバー。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月22日(2010.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光化学用途での使用のためのニッケル−コバルト合金を含む集電体又は導電性配線。
【請求項２】
前記ニッケル−コバルト合金組成が、ニッケル０．１〜９９．９％、コバルト９９．９〜０．１％の範囲にある、請求項１に記載の集電体又は導電性配線。
【請求項３】
非導電性材料で更に保護された、請求項１又は２に記載の集電体又は導電性配線。
【請求項４】
前記非導電性材料が、無機及び／又は有機被膜、ポリマー材料、ホットメルトシール箔、低温溶融ガラスフリット又はセラミック釉薬である、請求項３に記載の集電体又は導電性配線。
【請求項５】
ニッケル−コバルト合金が堆積されている透明導電性酸化物（ＴＣＯ）。
【請求項６】
前記ＴＣＯが、フッ素でドープされた酸化錫（ＦＴＯ）又は錫でドープされた酸化インジウム（ＩＴＯ）である、請求項５に記載のＴＣＯ。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）で作製された光化学用途のための電極。
【請求項８】
前記光化学用途が、色素増感太陽電池（ＤＳＳＣ）、浄水又は光触媒作用である、請求項７に記載の電極。
【請求項９】
集電体が堆積されている透明導電性酸化物（ＴＣＯ）電極を含み、前記集電体がニッケル−コバルト合金を含む、色素増感太陽電池（ＤＳＳＣ）。
【請求項１０】
少なくとも２つの色素増感太陽電池（ＤＳＳＣ）を含み、各色素増感太陽電池（ＤＳＳＣ）が請求項９に記載のものであって、前記少なくとも２つのＤＳＳＣの各２つが導電性配線で接続され、前記導電性配線がニッケル−コバルト合金を含むアレイ。
【請求項１１】
透明導電性酸化物（ＴＣＯ）表面上への堆積金属又は合金の良好な接着を伴う、ＴＣＯ表面上への金属又は合金の電気化学的又は化学的堆積方法であって、
（ａ）ＴＣＯ表面の上層の還元、
（ｂ）還元されたＴＣＯ表面への金属イオンの接着の改良のための、還元されたＴＣＯ表面の増感、及び
（ｃ）前記増感還元されたＴＣＯ表面上への前記金属又は合金の電気化学的又は無電解堆積
を含む、上記方法。
【請求項１２】
前記ＴＣＯが、フッ素でドープされた酸化錫（ＦＴＯ）又は錫でドープされた酸化インジウム（ＩＴＯ）である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記金属が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、又はＳｎで、前記合金が、ニッケル−コバルト合金、ニッケル−鉄合金、ニッケル−クロム−鉄合金、ニッケル−パラジウム合金、ニッケル−タングステン合金、ニッケル−錫合金、ニッケル−モリブデン合金、ニッケル−コバルト−レニウム合金、ニッケル−ルテニウム合金又はコバルト−タングステン合金である、請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記合金がニッケル−コバルト合金である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記還元工程（ａ）及び前記増感工程（ｂ）が一工程に組み合わされるか、又は工程（ａ）における前記ＴＣＯ表面の還元が、還元プラズマ、化学的方法、電気化学的方法、若しくは電気化学的還元で実施される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記電気化学的還元が、電気化学電池で実施され、（ｉ）前記ＴＣＯが陰極極性に接続され、（ｉｉ）陽極が不活性の不溶性導電性材料で作製され、（ｉｉｉ）電解質が純水或いは水及び／又は極性有機溶媒中の少なくとも１つのハロゲン化物塩の希釈溶液である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
（ｉ）陽極が、黒鉛、白金、ＴＣＯ又は白金で被覆されたチタンで作製され、（ｉｉ）電解質が極性有機溶媒を補充した水又は水を補充した極性有機溶媒中の少なくとも１つのハロゲン化物塩の希釈溶液であるか、又は（ｉｉｉ）電解質が純水であって高電圧が使用されている、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記極性有機溶媒が、Ｃ１〜Ｃ６アルカノール、好ましくはエタノールである、請求項１６又は１７に記載の方法。
【請求項１９】
工程（ｂ）における前記ＴＣＯ表面の増感が、水又は極性有機溶媒中の錫（ＩＩ）又はチタン（ＩＩＩ）塩の溶液中で実施される、請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
前記増感工程（ｂ）の前の還元工程（ａ）で得られる還元金属のエッチングを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２１】
前記還元金属のエッチングが、酸性若しくは塩基性溶液中、又は錯化剤と一緒の酸化剤の溶液中で実施される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
工程（ｂ）における前記ＴＣＯ表面の増感が、（ｉ）水又は極性有機溶媒中の錫（ＩＩ）又はチタン（ＩＩＩ）塩の酸性溶液又は塩基性溶液から選択される溶液中において実施、又は（ｉｉ）水又は極性有機溶媒中の錫（ＩＩ）塩の酸性溶液又は塩基性溶液であって、それによって前記錫（ＩＩ）イオンがＴＣＯ表面上に吸着し、その後の水での洗浄中に加水分解し、加水分解生成物がＴＣＯ表面上に吸着し、このようにして、次工程の電気化学的又は無電解堆積（ｃ）で前記表面への前記金属イオンの接着が改良される前記酸性溶液又は塩基性溶液中において実施される前記ＴＣＯ表面上の前記還元金属のエッチングに付随する、請求項１１に記載の方法。
【請求項２３】
透明導電性酸化物（ＴＣＯ）表面上への堆積金属又は合金の良好な接着を伴う、ＴＣＯ表面上への金属又は合金の電気化学的又は化学的堆積方法であって、
（ａ）ＴＣＯ表面の上層の還元、及び
（ｂ）前記還元されたＴＣＯ表面上への前記金属又は合金の電気化学的又は無電解堆積
を含む、上記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月29日(2010.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェブページソースドキュメント内の要求を識別するステップと、
各要求は、コンテンツアイテム要求が生成されたかどうかを判定し、もしコンテンツアイテム要求が生成されていなかったならば、ウェブページソースドキュメント内の全要求に対するコンテンツアイテム要求を生成するステップとを具備することを特徴とする方法。
【請求項２】
コンテンツアイテム要求に応答してコンテンツアイテムを受信するステップと、
前記受信されたコンテンツアイテムを記憶するステップとを具備することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ウェブページ内のコンテンツアイテム環境を定義するステップを備え、該ステップは、
コンテンツ環境に対応する要求に応答する記憶されたコンテンツアイテムを検索するステップと、
コンテンツアイテム環境内の検索されたコンテンツアイテムを描画するステップとを具備することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
コンテンツアイテム環境はインラインフレームを具備するとともに、コンテンツアイテムは広告を具備することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ウェブページソースドキュメントのヘッドセクション内のコンテンツ環境を定義するステップを具備することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
コンテンツアイテム要求が生成されたかどうかを判定するステップを備え、該ステップは、
受信されたコンテンツアイテムがデータ記憶デバイスに記憶されたかどうかを判定するステップを具備することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
コンテンツアイテム要求が生成されたかどうかを判定するステップを備え、該ステップは、
コンテンツアイテム要求がコンテンツアイテムサーバに送信されたかどうかを判定するステップを具備することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
プロセッサによって実行可能な命令を記憶しているデータ記憶デバイスを備え、前記命令は、
ページ環境内のコンテンツアイテム環境を定義するために構成された第１命令と、
前記各コンテンツアイテム環境に関連付けられるとともに、コンテンツアイテム要求が任意の第２命令によって生成されたかどうかを判定するために構成された第２命令とを具備し、
コンテンツアイテム要求が任意の第２命令によって生成されていなかったと判定された場合に応答して、各コンテンツアイテム環境のためのコンテンツアイテムためにコンテンツアイテム要求を生成することを特徴とするシステム。
【請求項９】
第１及び第２命令は、ソースドキュメント内に記憶されることを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
第１及び第２命令は、解釈・実行された命令を具備することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
第１及び第２命令は、スクリプトを具備することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
ソースドキュメントは、ハイパーテキストマークアップ言語ドキュメントを具備することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
第１命令はヘッドセクションに配置されるとともに、
第２命令はボディセクションに配置されることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】
コンテンツアイテム環境は、ディブを具備することを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１５】
コンテンツアイテムは、広告を具備することを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
各コンテンツアイテム環境のためのコンテンツアイテムのためのコンテンツアイテム要求は、組み合わされた広告要求を具備することを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
第１命令及び第２命令は、第１命令が第２命令の前に実行されるように記憶されることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１８】
ウェブページソースファイルを記憶しているデータ記憶デバイスを備え、前記ウェブページソースファイルは、
広告スロットを定義するために構成された宣言命令と、
前記広告スロットに関連付けられるとともに、広告要求が生成されたかどうかを決定するために構成された描画命令とを具備し、
広告要求が生成されていなかったと判定された場合に応答して、各広告スロットのための広告要求を送信することを特徴とするシステム。
【請求項１９】
宣言命令は、各広告スロットに対応する宣言断片を具備するとともに、
描画命令は、各広告スロットに対応する描画断片を具備することを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
宣言断片及び描画断片は、ジャバスクリプト適合性であることを特徴とする請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
宣言断片は、ウェブページソースファイルのヘッドセクションに記憶されることを特徴とする請求項１９に記載のシステム。
【請求項２２】
データ記憶デバイスはさらに、各広告スロットのための送信された広告要求に応答して受信された広告データを記憶するために構成されることを特徴とする請求項１９に記載のシステム。
【請求項２３】
各描画断片はさらに、データ記憶デバイス内に記憶される受信された広告データを検索するために構成された命令を具備し、
前記受信された広告データは、描画断片が関連付けられた広告スロットに対応することを特徴とする請求項２２に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月12日(2010.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄型、柔軟性基板；
前記基板内に配置された電池；
動的トークン値ジェネレータが前記電池より電源を供給される、前記基板内に配置された前記動的トークン値ジェネレータ；
前記動的トークン値ジェネレータにより生成されるトークン値を出力するために前記基板上の電子出力デバイス；
機械スイッチ；及び
ユーザーの指紋がそこに入力されると基板における回路が起動されるように構成されるバイオメトリックセンサー、を含み、
前記回路がバイオメトリックセンサーによって起動されているときに機械スイッチが閉じられると前記基板の前記回路が完成し、それによって前記動的トークン値ジェネレータが電子出力デバイスにより出力されるトークン値を生成し、前記トークン値が事前にはアクセス不可能な電子情報へのアクセスを提供するためのバックエンドトークン値保護識別システムと組み合わせて用いられるよう構成される、電池式カード。
【請求項２】
機械スイッチが押しボタンである、請求項１記載の電池式カード。
【請求項３】
電池式金融情報アクセスカードであり、事前にはアクセス不可能な電子情報が電子ネットワークを介する金融情報又は取引である、請求項１又は２記載の電池式カード。
【請求項４】
電池式ビデオゲームプレイカードであり事前にはアクセス不可能な電子情報がビデオゲームのロックされた部分であるか、又は、電池式投票カードであり事前にはアクセス不可能な電子情報が投票者を認証するために使用される保護識別システムである、請求項１記載の電池式カード。    
【請求項５】
電池式投票カードであって、表示されたトークン値が、認証のためにバックエンドトークン値保護識別システムと通信することを目的としてネットワーク端末に入力されるよう構成されるか、又は、認証のためにバックエンドトークン値保護識別システムと通信することを目的としてポーリングステーション端末に入力されるよう構成されるか、請求項１記載の電池式カード。
【請求項６】
電子出力デバイスがディスプレイである、請求項１記載の電池式カード。
【請求項７】
動的トークン値ジェネレータ、回路、電池及び電子出力デバイスを含み、回路が起動されると該トークン値ジェネレータによりトークン値が生成され、電子出力デバイスによりトークン値が出力される、多数のカードを配布し；
静的識別値を用いた事前登録によって達成される前記多数のカードのうち特定の１枚と特定のユーザーとを関連付けし、ここでユーザーが静的識別値をカードに入力することによって回路が起動され；
動的トークン値ジェネレータによって生成されたトークン値をネットワークを通じて受信（前記トークン値はユーザーによって入力される）し；
バックエンドトークン値保護識別システムにより前記の受信されたトークン値を認証し；および
前記トークン値が認証された場合は、事前にはアクセス不可能な電子情報へのアクセスを提供することを含む、電子情報へのアクセスを提供する方法。
【請求項８】
前記トークン値が暗号化光アレイ、英数字、グラフィック、あるいは音声メッセージである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記電子情報がオンラインビデオゲームの一部分又はメディアファイルである、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ユーザーに関連付けられたパスワードを前記ネットワークを通じて受信し；
前記ユーザーが電子情報にアクセスする回数を監視し、及び
事前に規定された回数を超えたアクセスを制限することをさらに含む、請求項７〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記の関連付けがバイオメトリック指紋スキャンによって達成される、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
各投票カードが薄型且つ柔軟な形態を有し且つその中に動的トークン値ジェネレータが搭載される、多数の投票カードを投票者へ配布し；
静的識別子と投票カードを受け取る投票者とを関連付けし；および
個別の投票者の個人識別を示す入力を受信し；
静的識別子が前記個別の投票者に関連付けられていることを確認することにより前記個別の投票者が一次認証される、前記静的識別子に対応する入力を受信し；
バックエンド保護個人識別システムによってバイオメトリック指紋スキャンおよび即時トークン値のうち少なくとも１つを確認することにより前記個別の投票者が二次認証される、バイオメトリック指紋スキャンおよび前記個別の投票者によって受け取られた前記投票カード上に表示される即時トークン値のうち少なくとも１つに対応する入力の受信による前記個別の投票者の認証を含み、
前記個別の投票者が一次および二次認証された場合、前記個別の投票者に対して投票に進むことを許可する、投票を管理する方法。
【請求項１３】
各投票カードが薄型且つ柔軟な形態を有し且つその中に動的トークン値ジェネレータが搭載される、多数の投票カードを投票者へ配布し；
各静的識別子がその関連付けされた投票カードと共に提供および配布される、バックエンドシステムにおける各投票カードと静的識別子とを関連付けし；および
静的識別子に対応する入力を受信し；
静的識別子に対応する入力に基づきバックエンド保護個人識別システムによってバイオメトリック指紋スキャンおよび即時トークン値のうち少なくとも１つを確認することにより個別の投票者カードが認証される、バイオメトリック指紋スキャンおよび前記個別の投票カード上に表示される即時トークン値のうち少なくとも１つに対応する入力の受信による前記個別の投票者カードの認証を含み、
前記個別の投票者カードが認証された場合、前記個別の投票者に対して投票に進むことを許可する、投票を管理する方法。
【請求項１４】
前記のバイオメトリック指紋スキャンおよび即時トークン値のうち少なくとも１つに対応する受信された入力が即時トークン値に対応し、且つ前記即時トークン値が固定あるいは携帯電話、コンピュータ端末、又は、ショートメッセージサービスによりモバイル機器を経て投票者により入力される、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
機械スイッチ、光センサー、音声センサー、モーションセンサー、バイオメトリックセンサー、およびワイヤレスシグナルのうち少なくとも１つによるカード回路の起動時に前記カードが前記ユーザー又は投票者にトークン値を表示する、請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
電子情報が電子ネットワークを介する金融情報又は金融取引である、請求項７又は８記載の方法。
【請求項１７】
静的識別値がユーザーに関連付けられた指紋であり、カードがユーザーの指紋をスキャンすることによって該静的識別値がカードに入力されるよう構成されるバイオメトリックセンサーを含む、請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月26日(2010.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３１】
前記専用ＭＢＭＳキャリア上での他のサービスに関するデータを、該データと符号分割多重化されている前記ブロードキャスト制御チャネルが受信される区間において、受信するステップ
をさらに含むことを特徴とする請求項２４ないし３０のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月23日(2010.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の品質レベルを有する第１のビデオプログラムを搬送する、第１のビデオプログラムストリームを第１のチャネルを介して提供し、
第２のビデオプログラムストリームの各々が、第１の品質レベル未満の第２の品質レベルを有する第２のビデオプログラムを搬送する、複数の第２のビデオプログラムストリームを第２のチャネルを介して提供し、
前記第１のビデオプログラムストリームと前記第２のビデオプログラムストリームが、第１のビデオプログラムを第１の品質レベルで提示することから、第２のビデオプログラムのうちの選択された１つを第２の品質レベルで提示することにローカルに切り替える際、クライアント装置によって使用されるように構成される、クライアント装置にプログラムを提供する方法。
【請求項２】
第２のチャネルを介して第２のビデオプログラムストリームを提供することが、
クライアント装置から受信する要求を使用して、プロファイルを識別することと、
プロファイルから複数の好まれるチャネルを決定することと、
好まれるチャネルに従って第２のビデオプログラムを取得することとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第２のビデオプログラムのうちの選択された１つを求める要求を、クライアント装置から受信することと、
第２のビデオプログラムのうちの選択された１つを取得することと、
第３のビデオプログラムストリームを使用して、第２のビデオプログラムのうちの前記選択された１つを前記クライアント装置に提供することとをさらに含み、前記第３のビデオプログラムストリームが前記第１のチャネルを介して提供され、前記第３のビデオプログラムが第１の品質レベルで提供される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
クライアント装置に関連付けられる嗜好情報をアップデートすることをさらに含み、嗜好情報の少なくとも一部分の変更のローカル決定またはクライアント装置から受信される通信のうちの少なくとも１つに応答して嗜好情報がアップデートされる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第１の品質レベルが、高解像度テレビフォーマット、または標準解像度テレビフォーマットのうちの１つを含み、
第１の品質レベルが高解像度テレビフォーマットを含む場合、第２の品質レベルが標準解像度テレビフォーマット、または標準未満の解像度のテレビフォーマットのうちの１つを含むか、
第１の品質レベルが標準解像度テレビフォーマットを含む場合、第２の品質レベルが標準未満の解像度のテレビフォーマットを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第１の品質レベルを有する第１のビデオプログラムを搬送する、第１のビデオプログラムストリームを第１のチャネルを介して提供する手段と、
第２のビデオプログラムストリームの各々が、第１の品質レベル未満の第２の品質レベルを有する第２のビデオプログラムを搬送する、複数の第２のビデオプログラムストリームを第２のチャネルを介して提供する手段とを備え、
前記第１のビデオプログラムストリームと前記第２のビデオプログラムストリームが、第１のビデオプログラムを第１の品質レベルで提示することから、第２のビデオプログラムのうちの選択された１つを第２の品質レベルで提示することにローカルに切り替える際、クライアント装置によって使用されるように構成される、クライアント装置にプログラムを提供する装置。
【請求項７】
第２のチャネルを介して第２のビデオプログラムストリームを提供する手段が、
クライアント装置から受信する要求を使用して、プロファイルを識別する手段と、
プロファイルから複数の好まれるチャネルを決定する手段と、
好まれるチャネルに従って、第２のビデオプログラムを取得する手段とを含む、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
第２のビデオプログラムのうちの選択された１つを求める要求を、クライアント装置から受信する手段と、
第２のビデオプログラムのうちの選択された１つを取得する手段と、
第３のビデオプログラムストリームを使用して、第２のビデオプログラムのうちの前記選択された１つを前記クライアント装置に提供する手段とをさらに含み、前記第３のビデオプログラムストリームが前記第１のチャネルを介して提供され、前記第３のビデオプログラムが第１の品質レベルで提供される、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
第１の品質レベルが、高解像度テレビフォーマット、または標準解像度テレビフォーマットのうちの１つを含み、
第１の品質レベルが高解像度テレビフォーマットを含む場合、第２の品質レベルが標準解像度テレビフォーマット、または標準未満の解像度のテレビフォーマットのうちの１つを含むか、
第１の品質レベルが標準解像度テレビフォーマットを含む場合、第２の品質レベルが標準未満の解像度のテレビフォーマットを含む、請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
第１のビデオプログラムを第１の品質レベルで搬送する、第１のビデオプログラムストリームを第１のチャネルを介して受信し、
複数の第２のビデオプログラムの各々を第１の品質レベル未満の第２の品質レベルで搬送する、複数の第２のビデオプログラムストリームを第２のチャネルを介して受信し、
ユーザが第２のビデオプログラムストリームのうちの１つを選択するチャネル変更操作に応答して、第１のビデオプログラムを第１の品質レベルで提示することから、第２のビデオプログラムのうちの選択された１つによって搬送される第２のビデオプログラムを第２の品質レベルで提示することにローカルに切り替える、クライアント装置でビデオプログラムを受信する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月1日(2010.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置したセパレータと、
水性アルカリ電解質と、
第１の電極ケーシング及び第２の電極ケーシング、及び前記第１の電極ケーシングと第２の電極ケーシングとの間に配置した電気的絶縁ガスケットを含むとともに前記第１の電極、第２の電極、セパレータ及び電解質を収容するハウジングと、
を含み、
前記第１の電極ケーシングは、前記第１の電極と接触するとともに内面及び外面を有し、少なくとも第１の層と該第１の層の上に配置された第２の層とでコーティングされた基材を含み、前記第１の層及び第２の層は、銅、スズ及び亜鉛を独立して含み、前記第１の層の銅の重量パーセントが前記第２の層よりも大きく、前記第２の層のスズの重量パーセントが前記第１の層よりも大きく、
前記第１の電極ケーシングの基材が、該電極ケーシングの基材の内面に、銅層を含む少なくとも２つの層を含む、
ことを特徴とする電気化学セル。
【請求項２】
前記第１の電極は亜鉛を含む負極であり、前記第２の電極は、二酸化マンガン、酸化銀、及び酸素を減少させるため或いは水素又は酸素を発生させるための触媒物質のうちの少なくとも１つを含む正極である、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項３】
前記基材は、外面から前記内面までに、ニッケル層、ステンレス鋼層、及び前記銅層を有し、前記第１の層の厚さは前記第２の層の厚さよりも厚く、前記第１の電極には水銀が加えられていない、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項４】
前記第２の層は、少なくとも前記第１の電極ケーシングの前記外面の露出した部分に存在する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項５】
前記第１の層は、ＳＥＭ／ＥＤＳにより前記第１の電極ケーシングの前記外面の中心部分で測定した場合、銅が５０から７０重量パーセント、スズが２６から４２重量パーセント、亜鉛が３から９重量パーセントの比率を有し、前記第２の層は、ＳＥＭ／ＥＤＳにより前記第１の電極ケーシングの前記外面の中心部分で測定した場合、銅が３６から４６重量パーセント、スズが４２から５７重量パーセント、亜鉛が６．５から９．５重量パーセントの比率を有する、
ことを特徴とする請求項４に記載の電気化学セル。
【請求項６】
酸素を減少させ、或いは水素又は酸素を発生させるための触媒電極と、
活物質として金属を含む対極と、
水性アルカリ電解質と、
前記触媒電極と前記対極との間に配置したセパレータと、
触媒電極ケーシング及び対極ケーシングを含むハウジングと、
前記触媒電極ケーシングと対極ケーシングとの間に配置した電気的絶縁ガスケットと、を含み、前記ハウジングは、前記触媒電極、対極、セパレータ及び電解質を収容し、
前記対極ケーシングは、前記対極と接触するとともに、内面及び外面を有するめっき基材を含み、前記基材は、少なくとも第１の層と該第１の層の上に配置された第２の層とでめっきされ、前記第１の層及び第２の層は、銅、スズ及び亜鉛を独立して含み、前記第１の層の銅の含有量が前記第２の層よりも大きく、前記第２の層のスズの含有量が前記第１の層よりも大きく、
前記第２の層は、少なくとも前記対極ケーシングの前記外面の露出部分に存在し、前記対極ケーシングの基材は、外面から前記内面までに、ニッケル層、ステンレス鋼層、及び前記銅層を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項７】
前記対極は、ゲル化剤及び亜鉛を含むゲル状電極であり、前記触媒電極は、炭素、結合剤、及び酸化マンガンを含む、
ことを特徴とする請求項６に記載の電気化学セル。
【請求項８】
前記第１の層の厚さは前記第２の層の厚さよりも厚く、前記対極には水銀が加えられていない、
ことを特徴とする請求項６に記載の電気化学セル。
【請求項９】
前記第１の層が、ＳＥＭ／ＥＤＳにより前記対極ケーシングの中心部分で測定した場合、銅が５０から７０重量パーセント、スズが２６から４２重量パーセント、亜鉛が３から９重量パーセントの比率を有し、前記第２の層は、ＳＥＭ／ＥＤＳにより前記対極ケーシングの中心部分で測定した場合、銅が３６から４６重量パーセント、スズが４２から５７重量パーセント、亜鉛が６．５から９．５重量パーセントの比率を有する、
ことを特徴とする請求項８に記載の電気化学セル。
【請求項１０】
前記基材の内面及び外面は、該基材の成形後に前記第１及び第２の層でめっきされる、ことを特徴とする請求項８に記載の電気化学セル。
【請求項１１】
ＸＰＳによって測定した前記第２の層は、銅が７３から８４原子パーセント、スズが１１から１７原子パーセント、亜鉛が４から１０原子パーセントの表面値の比率を有する、ことを特徴とする請求項１または６のいずれか１項に記載の電気化学セル。
【請求項１２】
請求項１に記載の電気化学セルを形成する方法であって、
内面及び外面を有する金属基材を含む第１の電極ケーシングを提供するステップと、
前記第１の電極ケーシングがめっき溶液と接触している間に可変電流密度を利用して前記第１の電極ケーシングをめっきすることによりめっきケーシングを作製するステップと、
を含み、
前記めっきケーシングの表面に露出しためっきと比較した場合、前記基材と接触している前記めっきの部分から得られるスズの含有量が増加し、
めっき前に前記内面に銅層を有する前記第１の電極ケーシングの前記内面に接触している第１の電極と水性アルカリ電解質とを含む電気化学セルを形成するステップをさらに含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記可変電流密度めっきの第１の電流密度は１０から１，０７６アンペア／平方メートルの範囲であり、前記可変電流密度めっきの第２の電流密度は、該第２の電流密度の方が前記第１の電流密度よりも低いという条件で、１．０から２７．０アンペア／平方メートルの範囲である、
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも第１の層及び第２の層がめっきされ、前記めっきした第２の層は、前記第１のめっき層と比較してスズの重量パーセントが高いとともに銅の重量パーセントが低く、前記第１及び第２のめっき層は、各々が銅、スズ及び亜鉛を独立して含む、
ことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ＸＰＳによって測定した前記第２の層は、銅が７３から８４原子パーセント、スズが１１から１７原子パーセント、亜鉛が４から１０原子パーセントの表面値の比率を有する、ことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の電極は亜鉛を含む負極であり、前記第２の電極は、二酸化マンガン、酸化銀、及び酸素を減少させるため或いは水素又は酸素を発生させるための触媒物質のうちの少なくとも１つを含む正極であり、前記セルはボタンセルであり、前記第１の層の厚さは前記第２の層の厚さよりも厚く、前記第１の電極には水銀が加えられていない、
ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月5日(2010.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングペーストの形態の、シリコン表面および層をエッチングするための印刷可能で施工可能なアルカリ性エッチング媒体であって、
ａ）少なくとも１種の塩基性エッチング成分と、
ｂ）少なくとも１種の溶媒と、
ｃ）融点が低い極めて微細な有機粒子、および所望により無機粒子と、
ｄ）所望により増粘剤と、
ｅ）所望により、消泡剤、チキソトロープ剤、流れ調整剤、脱泡剤、接着促進剤などの添加剤と
を含むエッチング媒体。
【請求項２】
融点が８０℃を超え２００℃未満である極めて微細な有機粒子を含む、請求項１に記載のエッチング媒体。
【請求項３】
エッチング成分として、総量に基づき２〜５０重量％、好ましくは５〜４８重量％の濃度で有機または無機塩基を含むことを特徴とする、請求項１から２のいずれか一項に記載のエッチング媒体。
【請求項４】
７０℃を超える温度で、好ましくは１５０℃を超える温度で前記粒子が溶融しつつ効果を奏する、請求項１から３のいずれか一項に記載のエッチング媒体。
【請求項５】
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、エタノールアミン、エチレンジアミンおよび水酸化テトラアルキルアンモニウムの群から選択される少なくとも１種のエッチング成分、あるいは混合物エチレンジアミン／ピロカテコールおよびエタノールアミン／没食子酸のうちの１種を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載のエッチング媒体。
【請求項６】
水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムの群から選択される少なくとも１種のエッチング成分を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のエッチング媒体。
【請求項７】
１０ｎｍ〜３０μｍ、好ましくは１〜１０μｍの範囲にある相対粒径を有する極めて微細な有機粒子を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載のエッチング媒体。
【請求項８】
水、イソプロパノール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、グリセロール、１，５−ペンタンジオール、２−エチル−１−ヘキサノールもしくはこれらの混合物の群から選択される、またはアセトフェノン、メチル−２−ヘキサノン、２−オクタノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、１−メチル−２−ピロリドン、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、［２，２−ブトキシ（エトキシ）］エチルアセテートなどのカルボン酸エステル、プロピレンカーボネートの群から選択される少なくとも１種の溶媒を、それ自体でまたは混合物で、前記媒体の総量に基づき１０〜９０重量％、好ましくは１５〜８５重量％の量で含む、請求項１から７のいずれか一項に記載のエッチング媒体。
【請求項９】
ヒドロキシアルキルグア、キサンタンガム、セルロースおよび／またはエチル−、ヒドロキシプロピル−もしくはヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ナトリウムカルボキシメチルヒドロキシエチルセルロース、アクリル酸の官能化ビニル単位をベースとするホモポリマーまたはコポリマー、アクリレートおよびアルキルメタクリレート（Ｃ10〜Ｃ30）の群から選択される増粘剤を、個々にまたは混合物で、前記エッチング媒体の総量に基づき０．５〜２５重量％、好ましくは１〜１０重量％の量で含む、請求項１から８のいずれか一項に記載のエッチング媒体。
【請求項１０】
組成物の総量に基づき０〜２重量％の量で、消泡剤、チキソトロープ剤、流れ調整剤、脱泡剤、接着促進剤の群から選択される添加剤を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載のエッチング媒体。
【請求項１１】
シリコン表面および層を、あるいはシリコン誘導体からなるガラス状表面および層をエッチングするための方法であって、請求項１から１０のいずれか一項に記載のエッチング媒体を、前記表面に選択的に塗布し、前記エッチング媒体中に存在するポリマー粉末が溶融し、前記エッチング媒体上に薄いポリマー層を形成する温度までの曝露時間の間加熱することを特徴とする方法。
【請求項１２】
ａ）請求項１から１０のいずれか一項に記載のエッチング媒体を、全面にわたって、または特にエッチングが望まれる表面の領域に対してのみエッチング構造マスクに従って、極めて微細な線または構造の形で塗布し、
ｂ）前記エッチング媒体を、前記エッチングペースト中に存在する前記ポリマー粒子の融点をわずかに超える温度で、３０秒〜５分の曝露時間中、前記表面に作用させ、
ｃ）前記エッチングが完了したら、溶媒もしくは溶媒混合物を用いて、または熱の作用によって、前記エッチング媒体を再度除去すること
を特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記エッチング媒体が、所望によりエネルギーの投入によって活性化され、８０℃を超える温度で、好ましくは２００℃未満の温度で作用することを特徴とする、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記エッチング媒体が、熱（赤外ランプまたはホットプレート）に曝露することによって、活性化されることを特徴とする、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記エッチング媒体を、スクリーン、テンプレート、パッド、スタンプ、インクジェットもしくは手を用いた印刷プロセスによって、または施工法によってエッチングしようとする前記表面に塗布することを特徴とする、請求項１０から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
太陽光発電技術、半導体技術、高性能電子機器、ディスプレイ製造における、およびフォトダイオード、回路および電子部品の製造のための、請求項１から１０のいずれか一項に記載のエッチング媒体の使用。
【請求項１７】
太陽電池にｐ−ｎ接合を分離するためにシリコン表面および層をエッチングするための、請求項１から１０のいずれか一項に記載のエッチング媒体の使用。
【請求項１８】
太陽電池用選択エミッタの製造のためにシリコン表面および層をエッチングするための、請求項１から１０のいずれか一項に記載のエッチング媒体の使用。
【請求項１９】
反射防止挙動を向上させるために太陽電池のシリコン表面および層をエッチングするための、請求項１から１０のいずれか一項に記載のエッチング媒体の使用。
【請求項２０】
半導体構成部品およびその回路の製造のためのプロセスにおいてシリコン表面および層をエッチングするための、請求項１から１０のいずれか一項に記載のエッチング媒体の使用。
【請求項２１】
高性能電子機器における構成部品の製造のためのプロセスにおいてシリコン表面および層をエッチングするための、請求項１から１０のいずれか一項に記載のエッチング媒体の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月16日(2010.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）第１の放射源及び
（ｉｉ）無定形の又は部分結晶性の網目を基礎とする発光物質層を含み、
この網目がＮ及びＰ、Ｓｉ、Ｂ及びＡｌから選択された少なくとも２種の元素を含有し、その際、この網目中に少なくとも１種の活性化剤が組み込まれており、部分結晶性の網目が直径≧１００ｎｍを有する微結晶を有しない、光源。
【請求項２】
活性化剤が、Ｂａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ又は／及びＢｉから選択されていることを特徴とする、請求項１記載の光源。
【請求項３】
発光物質層が、Ｓｉ3Ｂ3Ｎ7の組成の網目を基礎とすることを特徴とする、請求項１又は２記載の光源。
【請求項４】
第１の放射源が、２５０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長範囲の光を放出することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の光源。
【請求項５】
第１の放射源が、ＬＥＤであることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の光源。
【請求項６】
第１の放射源が、ＧａＮ-又はＧａ（Ｉｎ）Ｎ−ＬＥＤであることを特徴とする、請求項５記載の光源。
【請求項７】
発光物質層が、直接的に又は非直接的に、第１の放射源と接触していることを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載の光源。
【請求項８】
発光物質層が、光を４８０〜７４０ｎｍの波長で放出する発光物質を含有することを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項記載の光源。
【請求項９】
発光物質層が、更に固形粒子を含有することを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載の光源。
【請求項１０】
固形粒子が、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2又は／及びＴａ2Ｏ5から選択されていることを特徴とする、請求項９記載の光源。
【請求項１１】
発光物質層が、２００〜３０００ｎｍの層厚を有することを特徴とする、請求項１から１０までのいずれか１項記載の光源。
【請求項１２】
発光物質前駆体が、液状の形態で又は懸濁体として、第１の放射源に直接的に又は非直接的に設けられ、かつ、引き続き硬化されることを特徴とする、請求項１から１１までのいずれか１項記載の光源の製造方法。
【請求項１３】
発光物質が、プレセラミック材料として、特にプレセラミックオリゴマーとして設けられることを特徴とする、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
発光物質が、分子状前駆体から形成されることを特徴とする、請求項１２又は１３記載の方法。
【請求項１５】
分子状前駆体が、一成分前駆体であり、特に、Ｃｌ3Ｓｉ（ＮＨ）ＢＣｌ2（ＴＡＢＤ）、Ｃｌ3ＰＮＳｉＣｌ3、Ｃｌ4Ｐ（Ｎ）（ＢＣｌ2）ＳｉＣｌ3、（Ｃｌ3Ｓｉ）2ＮＢＣｌ2、Ｃｌ3ＳｉＮ（ＢＣｌ2）2、（Ｈ3Ｓｉ）2ＮＢＣｌ2、Ｃｌ3Ｓｉ（ＮＨ）（ＢＣｌ）（ＮＨ）ＳｉＣｌ3、［（Ｃｌ3Ｓｉ）（ＮＨ）（ＢＮＨ）］3、Ｃｌ3Ｓｉ（ＮＨ）（ＡｌＣｌ）（ＮＨ）ＳｉＣｌ3、（Ｃｌ3Ｓｉ（ＮＨ）ＡｌＣｌ2）2又は［Ｃｌ3ＰＮ（ＰＣｌ2）2Ｎ］+［ＡｌＣｌ4］-から選択されていることを特徴とする、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
発光物質前駆体が、浸漬コーティングにより、スピンコーティングにより、又は、吹付けコーティングにより設けられることを特徴とする、請求項１２から１５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
発光物質前駆体の粘度が、０．０１〜１０Ｐａ．ｓに調節されることを特徴とする、請求項１２から１６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
発光物質が、複数の層で設けられることを特徴とする、請求項１２から１７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１９】
発光物質前駆体が、熱分解により硬化されることを特徴とする、請求項１２から１８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
請求項１に定義されるような発光物質層を含有する、波長変換材料。