【事件の表示】
　特願２０１５−１９１３９７「パッケージ構造およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　６月２０日出願公開、特開２０１６−１１１３３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２７年９月２９日（パリ条約に基づく優先権主張　平成２６年１２月２日　台湾（ＴＷ））の出願であって、平成２８年８月３０日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年１２月６日付けで手続補正がなされたが、平成２９年２月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年７月５日付けで拒絶査定不服審判の請求及び手続補正がなされた。
　その後、当審の平成３０年６月１９日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年９月２０日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし１７に係る発明は、平成３０年９月２０日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】
　コア層と、前記コア層の対向する２つの面にそれぞれ配置した第１パターン化金属層および第２パターン化金属層と、を含む基板を提供するステップと、
　前記基板を貫通する貫通空洞を形成するステップと、
　前記基板をテープキャリア上へ配置するステップと、
　前記貫通空洞内に半導体部品を配置し前記テープキャリア上に位置決めして、前記貫通空洞の内壁および前記半導体部品の側面の両方により、溝の幅が、実質的に、５０μｍ〜１００μｍの範囲内である溝を画定するステップと、
　前記溝上に充填化合物を供給し、前記充填化合物の材料がエポキシ樹脂を含む、ステップと、
　前記充填化合物に、加熱温度が、実質的に、８０℃〜１００℃の範囲内である加熱プロセスを施して、前記充填化合物を前記テープキャリアの方へ流入させて前記溝を完全充填するステップと、
　第１積層を前記基板上に前記第１パターン化金属層に対して積層するステップであって、該第１積層は前記半導体部品の少なくとも一部を被覆する、ステップと、
　前記テープキャリアを取り外すステップと、
　第２積層を前記基板上に前記第２パターン化金属層に対して積層するステップであって、該第２積層は前記半導体部品の少なくとも一部を被覆する、ステップと、
を含み、
　前記第１積層は第１誘電層および第１回路層を備え、前記第１誘電層は前記半導体部品の少なくとも一部を被覆し、前記第２積層は第２誘電層および第２回路層を備え、前記第２誘電層は前記半導体部品の少なくとも一部を被覆する、パッケージ構造の製造方法。」
　
３．引用例
　これに対して、当審による拒絶の理由に引用された国際公開第２０１０／０３８４８９号（以下、「引用例」という。）には、「電子部品内蔵配線板及びその製造方法」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した）。
（１）「［００４６］　
電子部品３は、
ＩＣチップであり
　、コア基板２の通孔２１内に、いわゆるフェースアップ方式で収容されて
　いる。」 
　
（２）「［００５０］　続いて、
図１Ａ〜図４Ｂを参照して、この電子部品
　
内蔵配線板１の製造方法を説明する
［００５１］　先ず、
図１Ａに示すような、
コア基板２
　
の両主面に
銅箔１０１，１０２がラミネートされた銅張
　
積層板を準備する
　　　　　　　　・・・・・（中　略）・・・・・
［００５４］　
そして、
不要部分の銅めっき膜
　
１０４，１０５を溶解除去することで、導体パターン４，５，１０ａが形
　
成される（図１Ｄ参照）
［００５５］　
次に、
電子部
　
品３を収容するための通孔２１を形成する（図１Ｅ参照）
　ス（ＣＯ２）レーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザやエキシマレーザ等により、通　孔２１を形成してもよい。・・（以下、略）
［００５６］　なお、図７に示すように、
通孔２１の形成前に、予め導体パ
　
ターン１０を形成しておいてもよい。この場合、導体パターン４，５を形
　
成する工程で導体パターン１０も形成する
［００５７］　
続いて、図１Ｅの基板の第２面側にテープ２０１を貼付する
　
（図２Ａ参照）
　性が低下し、容易に剥離可能となるＵＶテープ（例えば、リンテック株式
　会社のＡｄｗｉｌｌ　Ｄシリーズ等）が採用できる。・・（以下、略）
　　　　　　　　・・・・・（中　略）・・・・・
［００５９］　
テープ２０１の貼付後、電子部品３をテープ２０１の接着（
　
粘着）面上に、
載置する（図２Ｂ参照）
　。ここで、上述したように、
テープ２０１が略水平に貼付されているため
　、電子部品３も上下方向に位置ずれすることなく正確に配置することがで
　きる
［００６０］　
続いて、図２Ｂの基板の第１面上に、厚さ約６０μｍのフィ
　
ルム状の樹脂材料（本実施形態ではプリプレグ）を真空ラミネーション法
　
によりラミネートする。これにより図３Ａに示すように、層間絶縁層６が
　
形成される
　内部に流入し、また、通孔２１内における電子部品３とコア基板２の内壁
　との隙間に流入する。これにより、電子部品３とコア基板２の内壁との隙
　間は、樹脂材料で充填される。
　　　　　　　　・・・・・（中　略）・・・・・
［００６２］　
続いて、
テープ２０１を剥離する（図３
　
Ｂ参照）。そして、図３Ｂの基板の第２面上に、厚さ約６０μｍのフィル
　
ム状の樹脂材料（本実施形態ではプリプレグ）を真空ラミネーション法に
　
よりラミネートする。これにより図３Ｃに示すように、層間絶縁層７が形
　
成される
　に流入することで、スルーホール導体２０の内部は、樹脂材料で充填され
　る。
［００６３］　なお、図８Ａ〜図８Ｃに示すように、電子部品３をフェース
　ダウン方式で収容することも勿論可能である。
［００６４］　
次に、
　より、
導体パターン８，９とビア導体６０，７０を形成することで、図５
　
に示す電子部品内蔵配線板１が得られる
  
（３）「［００８３］　また、
上記実施形態では、層間絶縁層６の形成の際
　
、電子部品３とコア基板２の内壁との隙間が、層間絶縁層６を構成する樹
　
脂材料で充填され、これにより、電子部品３が固定されるが、他の方法で
　
電子部品３を固定してもよい。例えば、層間絶縁層６の形成の前（即ち、
　
樹脂材料のラミネート前）に、絶縁性樹脂（例えば、熱硬化性樹脂と無機
　
フィラーとからなる）を電子部品３とコア基板２の内壁との隙間に充填す
　
ることで、電子部品３を固定してもよい
　
　・上記引用例に記載の「電子部品内蔵配線板及びその製造方法」のうちの製造方法は、上記（２）の記載事項、及び図１Ａ〜図４Ｂ、図５によれば、順に以下の(a)〜(h)の工程を有するものである。
 (a)コア基板２の両主面にそれぞれ銅からなる導体パターン４，導体パターン５、１０ａを形成する工程（図１Ａ〜図１Ｄ）、
 (b)導体パターン４，導体パターン５、１０ａがそれぞれ形成されたコア基板２に対して、電子部品３を収容するための通孔２１を形成する工程（図１Ｅ）、
 (c)コア基板２の第２面（下面）側にテープ２０１を貼付する工程（図２Ａ）、
 (d)電子部品３を通孔２１内のテープ２０１の接着面上に正確に配置する工程（図２Ｂ）、
 (e)コア基板２の第１面（上面）上に、フィルム状の樹脂材料をラミネートし、層間絶縁層６を形成する工程（図３Ａ）、
 (f)テープ２０１を剥離する工程（図３Ｂ）、
 (g)コア基板２の第２面（下面）上に、フィルム状の樹脂材料をラミネートし、層間絶縁層７を形成する工程（図３Ｃ）、
 (h)層間絶縁層６，層間絶縁層７上にそれぞれ導体パターン８，導体パターン９を形成する工程（図５）。
　・上記（１）の記載事項によれば、電子部品３は、ＩＣチップである。
　・上記（３）の記載事項によれば、電子部品３とコア基板２の内壁との隙間を樹脂材料で充填する方法として、層間絶縁層６の形成の際に、層間絶縁層６を構成する樹脂材料で充填する方法に代えて、層間絶縁層６の形成の前（上記(e)の樹脂材料のラミネート前）に、絶縁性樹脂（例えば、熱硬化性樹脂と無機フィラーとからなる）を電子部品３とコア基板２の内壁との隙間に充填するようにしてもよいものである。
　
　したがって、特に、層間絶縁層６の形成の前（即ち、樹脂材料のラミネート前）に、熱硬化性樹脂を含む絶縁性樹脂を電子部品３とコア基板２の内壁との隙間に充填するようにした場合に着目し、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
「コア基板の両主面にそれぞれ銅からなる導体パターン４，導体パターン５、１０ａを形成する工程と、
　前記導体パターン４，導体パターン５、１０ａがそれぞれ形成された前記コア基板に対して、ＩＣチップを収容するための通孔を形成する工程と、
　前記コア基板の第２面（下面）側にテープを貼付する工程と、
　前記ＩＣチップを前記通孔内の前記テープの接着面上に正確に配置する工程と、
　熱硬化性樹脂を含む絶縁性樹脂を前記ＩＣチップと前記コア基板の内壁との隙間に充填する工程と、
　前記コア基板の第１面（上面）上に、フィルム状の樹脂材料をラミネートし、層間絶縁層６を形成する工程と、
　前記テープを剥離する工程と、
　前記コア基板の第２面（下面）上に、フィルム状の樹脂材料をラミネートし、層間絶縁層７を形成する工程と、
　前記層間絶縁層６，層間絶縁層７上にそれぞれ導体パターン８，導体パターン９を形成する工程と、
を含む電子部品内蔵配線板の製造方法。」 
　
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、
（１）引用発明における「コア基板の両主面にそれぞれ銅からなる導体パターン４，導体パターン５、１０ａを形成する工程と」によれば、
　引用発明における「コア基板」、その両主面にそれぞれ形成される銅からなる「導体パターン４」、「導体パターン５、１０ａ」は、それぞれ本願発明でいう「コア層」、「第１パターン化金属層」、「第２パターン化金属層」に相当し、
　引用発明において、コア基板の両主面にそれぞれ銅からなる導体パターン４，導体パターン５、１０ａを形成してなるものが、本願発明でいう「基板」に相当するものであるといえるから、
　本願発明と引用発明とは、「コア層と、前記コア層の対向する２つの面にそれぞれ配置した第１パターン化金属層および第２パターン化金属層と、を含む基板を提供するステップ」とを含むものである点で一致する。
　
（２）引用発明における「前記導体パターン４，導体パターン５、１０ａがそれぞれ形成された前記コア基板に対して、ＩＣチップを収容するための通孔を形成する工程と」によれば、
　引用発明における「通孔」は、コア基板を貫通してなるものであり（引用例の図１Ｅも参照）、本願発明でいう「貫通空洞」に相当し、
　本願発明と引用発明とは、「前記基板を貫通する貫通空洞を形成するステップ」とを含むものである点で一致する。
（３）引用発明における「前記コア基板の第２面（下面）側にテープを貼付する工程と」によれば、
　引用発明における「テープ」は、本願発明でいう「テープキャリア」に相当し、
　本願発明と引用発明とは、「前記基板をテープキャリア上へ配置するステップ」とを含むものである点で一致する。
（４）引用発明における「前記ＩＣチップを前記通孔内の前記テープの接着面上に正確に配置する工程と、熱硬化性樹脂を含む絶縁性樹脂を前記ＩＣチップと前記コア基板の内壁との隙間に充填する・・」によれば、
　引用発明における「ＩＣチップ」は、本願発明でいう「半導体部品」に相当し、
　引用発明にあっても、ＩＣチップを通孔内のテープ接着面上に正確に配置、すなわち位置決めした際、ＩＣチップとコア基板の内壁との間に「隙間」が設けられるものであり（引用例の図２Ｂも参照）、当該「隙間」は、本願発明でいう「溝」に相当するといえるから、
　本願発明と引用発明とは、「前記貫通空洞内に半導体部品を配置し前記テープキャリア上に位置決めして、前記貫通空洞の内壁および前記半導体部品の側面の両方により、所定の幅の溝を画定するステップ」とを含むものである点で共通する。
　ただし、画定される溝の所定の幅について、本願発明では、「実質的に、５０μｍ〜１００μｍの範囲内」である旨特定するのに対し、引用発明では、具体的な値の特定はされていない点で相違している。
（５）引用発明における「熱硬化性樹脂を含む絶縁性樹脂を前記ＩＣチップと前記コア基板の内壁との隙間に充填する工程と」によれば、
　引用発明における、熱硬化性樹脂を含む「絶縁性樹脂」は、本願発明でいう「充填化合物」に相当し、両者はともに「熱硬化性樹脂を含む」ものである点で共通し、
　引用発明にあっても、絶縁性樹脂をＩＣチップとコア基板の内壁との隙間に充填するためには、当該絶縁性樹脂を隙間上に供給し、テープの方に流入させる必要があることは当然のことであるから、
　本願発明と引用発明とは、「前記溝上に充填化合物を供給し、前記充填化合物の材料が熱硬化性樹脂を含む、ステップ」と、「前記充填化合物を前記テープキャリアの方へ流入させて前記溝を充填するステップ」とを含むものである点で共通するといえる。
　ただし、充填化合物の材料として含む熱硬化性樹脂について、本願発明では、「エポキシ樹脂」と特定するのに対し、引用発明では、そのような特定を有していない点で相違し、さらに、充填化合物をテープキャリアの方へ流入させて溝を充填するステップについて、本願発明では、「前記充填化合物に、加熱温度が、実質的に、８０℃〜１００℃の範囲内である加熱プロセスを施」し、溝を「完全」充填する旨特定するのに対し、引用発明では、そのような特定を有していない点で相違している。
（６）引用発明における「前記コア基板の第１面（上面）上に、フィルム状の樹脂材料をラミネートし、層間絶縁層６を形成する工程と、前記テープを剥離する工程と、前記コア基板の第２面（下面）上に、フィルム状の樹脂材料をラミネートし、層間絶縁層７を形成する工程と、前記層間絶縁層６，層間絶縁層７上にそれぞれ導体パターン８，導体パターン９を形成する工程と」によれば、
 (a)引用発明における、コア基板の第１面（上面）上にラミネートされる「フィルム状の樹脂材料」、それにより形成される「層間絶縁層６」は、それぞれ本願発明でいう「第１積層」、「第１誘電層」に相当するといえ、
　引用発明にあっても、フィルム状の樹脂材料から形成される層間絶縁層６によってＩＣチップの上面が被覆されることになる（引用例の図３Ａも参照）ことから、
　本願発明と引用発明とは、「第１積層を前記基板上に前記第１パターン化金属層に対して積層するステップであって、該第１積層は前記半導体部品の少なくとも一部を被覆する、ステップ」とを含むものである点で一致し、
　また、本願発明と引用発明とは、「前記第１積層は第１誘電層を備え、前記第１誘電層は前記半導体部品の少なくとも一部を被覆」してなるものである点で共通するということができる。
 (b)引用発明における「前記テープを剥離する工程」は、本願発明における「前記テープキャリアを取り外すステップ」に相当する。
 (c)引用発明における、コア基板の第２面（下面）上にラミネートされる「フィルム状の樹脂材料」、それにより形成される「層間絶縁層７」は、それぞれ本願発明でいう「第２積層」、「第２誘電層」に相当するといえ、
　引用発明にあっても、フィルム状の樹脂材料から形成される層間絶縁層７によってＩＣチップの下面が被覆されることになる（引用例の図３Ｃも参照）ことから、
　本願発明と引用発明とは、「第２積層を前記基板上に前記第２パターン化金属層に対して積層するステップであって、該第２積層は前記半導体部品の少なくとも一部を被覆する、ステップ」とを含むものである点で一致し、
　また、本願発明と引用発明とは、「前記第２積層は第２誘電層を備え、前記第２誘電層は前記半導体部品の少なくとも一部を被覆」してなるものである点で共通するということができる。
　
　ただし、テープキャリアを取り外すステップ前に行われる第１積層を積層するステップにおける第１積層、テープキャリアを取り外すステップ後に行われる第２積層を積層するステップにおける第２積層について、本願発明では、それぞれ「第１誘電層および第１回路層」、「第２誘電層および第２回路層」を備える旨特定するのに対し、引用発明では、それぞれフィルム状の樹脂材料（層間絶縁層６）のみ、フィルム状の樹脂材料（層間絶縁層７）のみである点で相違している。
（７）そして、引用発明における「電子部品内蔵配線板」は、本願発明でいう「パッケージ構造」に相当するといえるものである。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「コア層と、前記コア層の対向する２つの面にそれぞれ配置した第１パターン化金属層および第２パターン化金属層と、を含む基板を提供するステップと、
　前記基板を貫通する貫通空洞を形成するステップと、
　前記基板をテープキャリア上へ配置するステップと、
　前記貫通空洞内に半導体部品を配置し前記テープキャリア上に位置決めして、前記貫通空洞の内壁および前記半導体部品の側面の両方により、所定の幅の溝を画定するステップと、
　前記溝上に充填化合物を供給し、前記充填化合物の材料が熱硬化性樹脂を含む、ステップと、
　前記充填化合物を前記テープキャリアの方へ流入させて前記溝を充填するステップと、
　第１積層を前記基板上に前記第１パターン化金属層に対して積層するステップであって、該第１積層は前記半導体部品の少なくとも一部を被覆する、ステップと、
　前記テープキャリアを取り外すステップと、
　第２積層を前記基板上に前記第２パターン化金属層に対して積層するステップであって、該第２積層は前記半導体部品の少なくとも一部を被覆する、ステップと、
を含み、
　前記第１積層は第１誘電層を備え、前記第１誘電層は前記半導体部品の少なくとも一部を被覆し、前記第２積層は第２誘電層を備え、前記第２誘電層は前記半導体部品の少なくとも一部を被覆する、パッケージ構造の製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　画定される溝の所定の幅について、本願発明では、「実質的に、５０μｍ〜１００μｍの範囲内」である旨特定するのに対し、引用発明では、具体的な値の特定はされていない点。
　
［相違点２］
　充填化合物の材料として含む熱硬化性樹脂について、本願発明では、「エポキシ樹脂」と特定するのに対し、引用発明では、そのような特定を有していない点。
［相違点３］
　充填化合物をテープキャリアの方へ流入させて溝を充填するステップについて、本願発明では、「前記充填化合物に、加熱温度が、実質的に、８０℃〜１００℃の範囲内である加熱プロセスを施」し、溝を「完全」充填する旨特定するのに対し、引用発明では、そのような特定を有していない点。
［相違点４］
　テープキャリアを取り外すステップ前に行われる第１積層を積層するステップにおける第１積層、テープキャリアを取り外すステップ後に行われる第２積層を積層するステップにおける第２積層について、本願発明では、それぞれ「第１誘電層および第１回路層」、「第２誘電層および第２回路層」を備える旨特定するのに対し、引用発明では、それぞれフィルム状の樹脂材料（層間絶縁層６）のみ、フィルム状の樹脂材料（層間絶縁層７）のみである点。
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　引用発明において、ＩＣチップとコア基板の内壁との隙間の大きさは、通孔へのＩＣチップの挿入精度や、全体の小型化の程度等を勘案して決定されるべき事項であるところ、当審による拒絶の理由に引用された特開２０１１−４９５５５号公報（以下、「引用例２」という。）の段落【００４４】〜【００４６】には、電子素子内蔵型印刷回路基板の構造について、電子素子１２０の水平方向の側面からキャビティ１１６の内壁までは、０〜６０μｍ程度とし、両側面からキャビティ１１６の内壁までの距離の和の値が６０μｍ以上になるようにすることが記載されており、引用発明においても、隙間の大きさを例えば５０〜６０μｍ程度として、本願発明で特定する「実質的に、５０μｍ〜１００μｍ」の範囲を満たすような値とすることも当業者が適宜なし得ることである。 
　なお、本願明細書の段落【００１５】には、「溝ｇ１の幅ｗ１は実質的に５０μｍ〜１００μｍの範囲内であり、・・・つまり、半導体部品１３０の側面と貫通空洞Ｃ１の内壁との間の距離が非常に近く、溝ｇ１は非常に狭く深い。本実施形態で開示した数値は例示としてのみ用いたものであることはもちろんであり、本発明を限定するものと解釈すべきではない。」とあり、単に溝幅の例示が記載されているだけであって、下限値を５０μｍとし、上限値を１００μｍとすることに臨界的意義は認められない。
　
［相違点２］及び［相違点３］について
　当審による拒絶の理由に引用された特開２００９−２６０３１８号公報（以下、「引用例３」という。）の段落【００３４】、【００５８】〜【００５９】には、部品内蔵配線基板において、ＩＣチップ６１と収容穴部９０との隙間に熱硬化性樹脂である「エポキシ樹脂」からなる樹脂充填剤９２を充填する際、支持テーブルを樹脂充填剤９２の硬化開始温度よりも低い例えば１００℃の温度に加熱を行い、樹脂充填剤９２をＩＣチップ６１と収容穴部９０との隙間に注入し、粘着テープ１７１とチップ主面６２との間のわずかな隙間を確実に埋めるようにしたこと、つまり、「エポキシ樹脂」からなる樹脂充填剤をわずかな隙間に確実に充填するために、当該樹脂充填剤を硬化開始温度よりも低い例えば１００℃の温度に加熱するようにした技術事項が記載されているといえ（なお、例えば特開２０１２−８００２４号公報の段落【０００７】にも記載のように、樹脂を硬化開始温度よりも低い所定の温度で加熱するにより、樹脂の粘度が低下し流動性が増すことは周知の技術事項である）、引用発明においても、熱硬化性樹脂を含む絶縁性樹脂をＩＣチップとコア基板の内壁との隙間に確実に充填できるようかかる技術事項を採用し、相違点２，３に係る構成とすることは当業者であれば容易になし得ることである。
［相違点４］について
　引用発明においては、テープを剥離する工程の前後の工程においてそれぞれ積層される層としては、フィルム状の樹脂材料（層間絶縁層６）のみ、フィルム状の樹脂材料（層間絶縁層７）のみでり、その後の工程において、ＩＣチップの上面，下面をそれぞれ被覆するように形成された層間絶縁層６，層間絶縁層７上にそれぞれ導体パターン８，導体パターン９を形成するようにしたものであるが、
　当審による拒絶の理由に引用された特開２０１３−８４６９２号公報（以下、「引用例４」という。）の段落【００５６】、図１４には、第２絶縁層２０７で電子部品３００の上面を被覆するに際し、第２絶縁層２０７（本願発明でいう「第１誘電層」に相当）及び銅箔２０５（のちに配線の一部を構成するものであり、本願発明でいう「第１回路層」に相当）の積層を配置するようにすることが記載され、また同様に、段落【００５８】、図１６には、第２絶縁層２０８で電子部品３００の下面を被覆するに際し、基板１００の第２面Ｆ２上に第２絶縁層２０８（本願発明でいう「第２誘電層」に相当）及び銅箔２０６（のちに配線の一部を構成するものであり、本願発明でいう「第２回路層」に相当）の積層を配置するようにすることが記載されており、引用発明においても、テープを剥離する工程の前後の工程においてそれぞれ積層される層として、フィルム状の樹脂材料（層間絶縁層６）のみ、フィルム状の樹脂材料（層間絶縁層７）のみとするのではなく、予め銅箔などの層（本願発明でいう第１回路層，第２回路層に相当する層）も積層してなるものを用いるようにし、相違点４に係る構成とすることは当業者であれば適宜なし得ることである。
　なお、請求人は平成３０年９月２０日付け意見書において、「・・当業者は、引用文献４の記載を見た後、引用文献４の絶縁及び隙間充填機能を有する第２絶縁層を絶縁材料又はエポキシ樹脂を充填材料としている引用文献１、３及び引用文献２に応用し、本願発明１の全体とした技術手段を完成することは容易に想到することはできません。」などと主張している。
　しかしながら、上記引用例４（当審による拒絶理由通知時の引用文献４）について認定した技術事項は、第２絶縁層２０７で電子部品３００の上面を被覆するに際し、第２絶縁層２０７及び銅箔２０５の積層を配置し、同様に、第２絶縁層２０８で電子部品３００の下面を被覆するに際し、基板１００の第２面Ｆ２上に第２絶縁層２０８及び銅箔２０６の積層を配置するようにしたこと、すなわち、絶縁層に対して予め銅箔を積層してなるものを配置するようにしたことであり、キャビティにおける基板と電子部品との隙間への絶縁体の充填方法とは直接関係のないことである。したがって、引用例４に記載された技術事項を引用発明に適用することに阻害要因はなく、上記したとおり、相違点４に係る構成とすることは当業者であれば適宜なし得ることである。
　よって、請求人の上記主張を採用することはできない。
　
　そして、上記各相違点を総合的に判断しても本願発明が奏する効果は、引用発明及び引用例２〜４に記載の技術事項から当業者が十分に予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。 
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用発明及び引用例２〜４に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。