【事件の表示】
　平成１０年特許願第１０２３５５号「窒化物系化合物半導体の成長方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１０月２９日出願公開、特開平１１−２９７６３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成１０年４月１４日に出願したものであって、平成１６年５月１３日に、審判請求され、当審において、平成１８年４月３日付で拒絶理由を通知し、平成１８年６月１日付で補正されたものである。その請求項１〜４に係る発明は、平成１８年６月１日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　 
「　【請求項２】　結晶成長装置内にて基板を基板保持体に保持し、前記基板上に窒化物系化合物半導体を結晶成長する窒化物系化合物半導体の成長方法において、III族窒化物系化合物半導体からなる厚さが３０μｍ以上かつ転位密度が１×１０6ｃｍ-2以下である基板の表面に対し直接、一般式がＩｎyＡｌzＧａ1-y-zＮ（ただし、０＜ｙ≦１、０≦ｚ＜１、０≦ｙ＋ｚ≦１）で示される化合物半導体を、前記基板の裏面を前記基板保持体に接しつつ７００℃以上かつ前記化合物半導体の分解温度よりも低い成長温度で有機金属気相成長法により成長させることを特徴とする窒化物系化合物半導体の成長方法。」 
　 
２．刊行物及びその記載事項 
　当審の拒絶の理由に引用された、本願出願前に国内において頒布された刊行物である特開平８−１１６０９０号公報「半導体発光素子の製法（発明の名称）」（以下、「刊行物１」という。）には、図１〜図６が示されると共に、以下の事項が記載されている。
　 
（ａ）段落１４に、
「【００１４】本発明はこのような問題を解決し、格子定数の不整合や熱膨張係数の相違に基づく結晶欠陥や転位の発生を極力抑えた半導体発光素子の製法を提供することを目的とする。」
　
（ｂ）段落２３〜２９に、 
「【００２３】まず、図１（ａ）に示されるように、半導体単結晶基板１の表面にＭＯＣＶＤ法によりチッ化ガリウム系化合物半導体層からなる低温バッファ層２および高温バッファ層３を成長する。
【００２４】半導体単結晶基板１としては、たとえば結晶面がそれぞれ（１１１）面であるＧａＡｓ単結晶基板、・・・を使用することができる。結晶面が（１１１）面の半導体単結晶基板を使用するのは、チッ化ガリウム系化合物半導体層の結晶品質のためである。またＧａＡｓなど前述の半導体単結晶基板を使用するのは、他の材料と比較してチッ化ガリウム系化合物半導体と格子定数などが比較的近く、チッ化ガリウム系化合物半導体層にかかる歪を小さくできるためである。
【００２５】またＭＯＣＶＤ法により半導体層を成長させるには、反応炉内に基板を配設し、気相成長のための原料ガス、たとえばＡｌx Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｎ層を成長させるにはキャリアガスのＨ2 にＡｌの原料ガス・を・・それぞれの流量で導入して炉内で反応させる。・・・
【００２６】チッ化ガリウム系化合物半導体を成長させる際の成長温度は単結晶を成長させるには７００〜１２００℃の高温で反応させて成長させるが、格子定数などが異なる異種材料の基板上に直接成長させるばあいは完全には単結晶の結晶方向が一致しないため４００〜７００℃の低温で多結晶膜として成長させる低温バッファ層２を０．０１〜０．２μｍ程度介在させ、その上に７００〜１２００℃の高温で５０〜２００μｍ程度の高温バッファ層３を成長させることが好ましい。・・・
【００２７】つぎに図１（ｂ）に示されるように、半導体単結晶基板１の裏面側から機械的研磨または化学的研磨をし、半導体結晶基板１および低温バッファ層２を除去する。・・・
【００２８】つぎに図１（ｃ）に示されるように、残されたチッ化ガリウム系化合物半導体層からなる高温バッファ層（チッ化ガリウム系化合物半導体層）３を新たな基板として反応炉内に配設し、前述と同様の方法でチッ化ガリウム系化合物半導体からなる低温バッファ層４を０．０１〜０．２μｍ程度、高温バッファ層５を１〜４０μｍ程度設ける。チッ化ガリウム系化合物半導体を成長する基板は同種のチッ化ガリウム系単結晶層であるため、低温バッファ層４および高温バッファ層５を設けないで直接つぎのクラッド層や活性層とするチッ化ガリウム系化合物半導体単結晶を成長させてもよいが、ここで新たに基板とするチッ化ガリウム系化合物半導体層基板３は異種の半導体結晶基板１上に形成されたもので、格子不整合に基づく結晶欠陥や転位が発生している可能性があり、そのばあい、その上に成膜されるチッ化ガリウム系化合物半導体単結晶層にも結晶欠陥や転位が進む可能性がある。そのため、再度低温バッファ層４および高温バッファ層５を設けることが好ましい。この低温バッファ層４および高温バッファ層５の成長方法や効用などは図１（ａ）の低温バッファ層２および高温バッファ層（チッ化ガリウム系化合物半導体層基板）３と同様である。
【００２９】つぎに図１（ｄ）に示されるように、ｎ型クラッド層６、ノンドープまたはｎ型もしくはｐ型の活性層７、ｐ型クラッド層８、キャップ層９を順次形成する。クラッド層６、８は通常０．１〜２μｍ程度の厚さに形成され、活性層７は０．０５〜０．１μｍ程度の厚さに形成される。活性層７は結晶欠陥や転位が発生しえない程度に非常に薄く形成されるが、クラッド層は薄くするのに限界があり、厚いため、これらが異種材料で構成されると歪みが入り易く、高温バッファ層５とともに厚い層は同じ組成の材料で形成されることが好ましい。」 
　
（ｃ）段落３９、４０に、 
「【００３９】
【実施例】
実施例１
図２は本発明の製法により製造したチッ化ガリウム系ダブルヘテロ接合ＬＥＤの断面説明図である。チッ化ガリウム系化合物半導体としてＡｌx Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）を用い、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの比率を変えることによりダブルヘテロ接合を形成したものである。
【００４０】まず、前述の図１（ｂ）に示されるような５０〜２００μｍの厚さに形成されたｎ型Ａｌx Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｎの半導体層からなる新たな基板とされたチッ化ガリウム系化合物半導体層基板３の表面に・・・低温バッファ層４を・・・成長し、・・・高温バッファ層５を１〜４０μｍ程度の厚さに設けた。さらに７００〜１２００℃でｎ型Ａｌx Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｎからなるｎ型クラッド層６を０．１〜２μｍ程度の厚さに設け、・・・活性層７を０．０５〜０．１μｍ程度の厚さに成長させ、さらに・・・ｐ型クラッド層８を１〜２μｍ成長させた。その上に・・・キャップ層９を０．２μｍ程度の厚さ設ける。」 
　
　当審の拒絶の理由に引用された、本願出願前に国内において頒布された刊行物６である特開平９−１９９７５９号公報（以下、「刊行物６」という。）には、図１、図２が示されると共に、以下の事項が記載されている。 
　
（ｄ）段落５に、
「【０００５】・・・素子を形成するための半導体層における格子欠陥密度は低くなり、異種物質の基板上にも良質なAlx3GaY3In1-X3-Y3Nから成る単結晶半導体が得られる。又、その単結晶の半導体を基底層として素子を形成した場合には、素子を形成する層の結晶性が高くなり、素子の特性を向上させることができる。特に、発光素子を形成した場合には、発光効率、素子寿命、発光輝度を改善することができる。」
　
（ｅ）段落８〜１３に、 
「【０００８】
【実施例】サファイア基板上に次のように目的とするAlx3GaY3In1-X3-Y3Nから成る層を形成した。各層は、有機金属化合物気相成長法( 以下「M0VPE 」と記す) による気相成長により形成された。・・・
【０００９】まず、・・・単結晶のサファイア基板１をM0VPE 装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。・・・
【００１０】次に、・・・バッファ層２１が約 500Åの厚さに形成された。次に、・・・単結晶層３１を形成した。
【００１１】・・・そして、サファイア基板１の温度を、再度、1150℃に上げて、単結晶層３１の形成と同一条件で、厚さ1.5 μｍのGaN から成る目的とする単結晶層３３を形成した。
【００１２】この単結晶層３３をKOH によりエッチングして、エッチピット法により表面の転位密度を電子走査顕微鏡で撮像して測定した。その結果は、８×１０5 cm2 であった。従来のように、サファイア基板１上に１層のAlN から成るバッファ層２２を形成し、その上に目的とするGaN から成る単結晶層を形成した場合のエッチピット密度が４×１０7 /cm2であるので、本実施例の製造方法により、エッチピット密度は1/50に低下した。
【００１３】バッファ層を多層構造とすることで、エッチピットを減少できる理由は、次のように考えられる。ピットの形状は電子顕微鏡による観察により六角形である。AlN のバッファ層上に形成されるGaN の成長初期は、六角形の島状結晶である。その後、結晶成長と共にバッファ層はGaN に覆われることになるが、格子欠陥部分は残されてやはり六角形のピットとなるものと考えられる。しかし、AlN のバッファ層とGaN の単結晶層を多重周期構造とすることで、AlN 層がGaN 層とうまく干渉して格子欠陥が塞がれたものと思われる。」
　
（ｆ）段落１４〜１７に
「【００１４】上記実施例では、バッファ層には・・・他の２元系のGaN 、InN や３元系のAlGaN 、InGaN 、４元系のAlGaInN 等を用いることができる。・・・バッファ層上に形成される単結晶層の物質は、バッファ層と物質及び組成比が同一でも、異種物質又は同種物質でも組成比が異なるものでも良い。この単結晶層には、GaN の他、任意組成比の３元系のAlGaN 、InGaN 、任意組成比の４元系のAlGaInN を用いることができる。この単結晶層の成長温度は単結晶が成長できる温度である。・・・又、バッファ層と単結晶層との繰り返し回数は任意である。
【００１５】さらに、目的とする単結晶の半導体層は、２元、３元、４元系の３族窒化物半導体Alx3GaY3In1-X3-Y3N(0≦X3≦1, 0≦Y3≦1, 0≦X3+Y3 ≦1)を用いることができる。「【００１６】次に、本製造方法を用いてレーザダイオード１０を製造した。図１において、レーザダイオード１０は、サファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１上に中間層２が形成されている。中間層２は、図１に示す構造と同一である。即ち、中間層２は、厚さ500 ÅのAlN から成るバッファ層２１、厚さ0.3 μm から成る単結晶層３１、500 ÅのAlN から成るバッファ層２２、厚さ0.3 μm から成る単結晶層３２、500 ÅのAlN から成るバッファ層２３の多層構造で構成されている。
【００１７】そして、その中間層２の上には、順に、・・・シリコンドープGaN から成る高キャリア濃度ｎ+ 層３、・・・シリコンドープのAlGaN から成るｎ伝導型のクラッド層４、膜厚約0.05μｍのInGaN から成る活性層５、・・・マグネシウムがドープされたAlGaN から成るｐ伝導型のクラッド層６１、・・・マグネシウムドープのGaN から成るコンタクト層６２が形成されている。そして、コンタクト層６２上にはSiO2層９が形成され、SiO2層９の窓部を介してコンタクト層６２に接合するNiから成る電極７が形成されている。さらに、高キャリア濃度ｎ+ 層３の上にその層３に接合するNiから成る電極８が形成されている。」
　
（ｇ）段落３２、３３に
「【００３２】このように中間層２を低温成長のAlN から成るバッファ層の多重層とすることで、高キャリア濃度ｎ+ 層３、クラッド層４、活性層５、クラッド層６１、コンタクト層６２の結晶性を向上させることができた。
【００３３】・・・本実施例では、レーザダイオードについて説明したが、発光ダイオード、受光素子等の光素子を含む各種のGaN 系電子デバイスに適用できることは言うまでもない。」
 
　 
３．対比・判断 
　上記摘記事項（ａ）〜（ｃ）を総合的に考慮すると、
刊行物１には、上記摘記事項（ｂ）の第２８段落に「低温バッファ層４および高温バッファ層５を設けないで直接つぎのクラッド層や活性層とするチッ化ガリウム系化合物半導体単結晶を成長させてもよい」が記載されているので、 
「５０〜２００μｍの厚さに形成されたｎ型Ａｌx Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）の高温バッファ層（チッ化ガリウム系化合物半導体層）３を、新たな基板として反応炉内に配設し、ＭＯＣＶＤ法によりその表面に直接、ｎ型Ａｌx Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｎからなるｎ型クラッド層６を７００〜１２００℃で成長させる半導体発光素子の製法」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
  また、刊行物２には、特に、上記摘記事項（ｅ）から、
「エッチピット法により表面の転位密度を電子走査顕微鏡で撮像して測定した結果、８×１０5 cm2 であった。」点が記載されている。
 
　ここで、本願発明と刊行物１発明とを対比する。 
　刊行物１発明において、「新たな基板とされた高温バッファ層（チッ化ガリウム系化合物半導体層）３」、「ＭＯＣＶＤ法」、「Ａｌx Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）」は、各々本願発明の「基板」、「有機金属気相成長法」、「ＩｎyＡｌzＧａ1-y-zＮ（ただし、０＜ｙ≦１、０≦ｚ＜１、０≦ｙ＋ｚ≦１）」に相当する。
　また、「結晶成長装置内にて基板を基板保持体に保持」することは、「基板を反応炉内に配設」することに相当し、さらに、結晶を成長させる際に「基板の裏面を前記基板保持体に接しつつ」行うことは、通常実施される状態であるから、
　両者は、「結晶成長装置内にて基板を基板保持体に保持し、前記基板上に窒化物系化合物半導体を結晶成長する窒化物系化合物半導体の成長方法において、III族窒化物系化合物半導体からなる厚さが３０μｍ以上かつである基板の表面に対し直接、一般式がＩｎyＡｌzＧａ1-y-zＮ（ただし、０＜ｙ≦１、０≦ｚ＜１、０≦ｙ＋ｚ≦１）で示される化合物半導体を、前記基板の裏面を前記基板保持体に接しつつ７００℃以上で、かつ有機金属気相成長法により成長させることを特徴とする窒化物系化合物半導体の成長方法。」の点で一致し、以下の各点で相違する。　 
　 
　相違点（１） 
　本願発明では、基板の転位密度が１×１０6ｃｍ-2以下であるのに対して、刊行物１発明では、基板の転位密度については明記していない点 
　 
　相違点（２） 
　本願発明では、成長温度が前記化合物半導体の分解温度よりも低い温度であるのに対して、刊行物１発明では、この点について明記していない点 
　 
　以下、上記各相違点について検討する。 
　 
　相違点（１）について 
　刊行物１、６は、共に発光素子を形成する 技術分野に属し、上記摘記事項（ａ）や（ｄ）に記載されているように、どちらも、結晶欠陥をなくし、結晶性を改善することにより、発光素子の特性を改良することを目的としている。また、結晶欠陥の少ない基板を用いることにより、その上に成長させる単結晶層に結晶欠陥の少ない半導体層を形成できることは技術常識である。そして、基板の転位密度を１×１０6ｃｍ-2以下とすると、成長した半導体層の欠陥が減少し得る基板は、刊行物６に記載されている。したがって、刊行物１発明の基板について、上記技術常識に配慮し、刊行物６に記載された基板を刊行物１発明に適用し本願発明をなすことは、当業者が容易に想到し得る事項である。
　 
　相違点（２）について 
　温度が高すぎて化合物半導体が分解してしまうと組成が変化してしまうので、分解しない温度範囲で処理することは当業者が当然考慮すべき技術事項である。 
　したがって、当該上限値の設定については、格別な技術的意味を見いだせない。
 
　また、本願発明による効果についても、刊行物１〜６の記載から予測される程度のものであって格別なものではない。 
　 
　したがって、本願発明は、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。