【事件の表示】
　特許第３４７１５９５号「ベアＩＣ実装方法および封止材料」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４７１５９５号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３４７１５９５号の発明についての出願は、平成１０年２月１３日の出願であって、平成１５年９月１２日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、石原庸男より特許異議の申立がなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１７年７月２０日に訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正の適否
１．訂正の内容
（１）訂正事項１
　請求項１を次のとおり訂正する。
　「【請求項１】熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上であるベアＩＣ実装用の封止材料であって、
　前記封止材料は有機物及び無機物を混合した混合物であり、前記無機物は球形で粒子直径が１０μｍ以下であるＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、またはＮｉ（ニッケル）であり、前記無機物が当該無機物の酸化物で構成された絶縁膜で被膜されている、ベアＩＣ実装用の封止材料。」
（２）訂正事項２
　請求項２〜５を削除する。
（３）訂正事項３
　明細書段落【００２０】中の「封止材料は６は、」を「封止材料６は、」と、又「フェノール下型エポキシ樹脂」を「フェノールＦ型エポキシ樹脂」と訂正する。
　　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１は、請求項１において、無機物の粒子形状を「球形で粒子直径が１０μｍ以下である」と限定し、無機物である金属について、択一的記載の要素を一部削除し、この無機物が絶縁膜で被覆されていることを「前記無機物が当該無機物の酸化物で構成された絶縁膜で被膜されている」と絶縁膜の材質を限定したものであるから、この訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。
　そして、無機物の粒子形状が球形であることは、請求項５に、更に無機物の粒子直径が１０μｍ以下であること、及び絶縁膜が当該無機物の酸化物で構成されていることは、特許明細書段落【００２０】の記載に裏付けられている。
（２）訂正事項２は、請求項２〜５を削除する訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。
（３）訂正事項３は、いずれも明細書の他の記載からも明らかな誤記と認められる記載の訂正であって、誤記の訂正を目的とするものである。
　そして、上記訂正事項１〜３は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議申立について
１．本件発明
　本件特許第３４７１５９５号の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、上記のとおり訂正が認められるから、平成１７年７月２０日付の訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上であるベアＩＣ実装用の封止材料であって、
　前記封止材料は有機物及び無機物を混合した混合物であり、前記無機物は球形で粒子直径が１０μｍ以下であるＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、またはＮｉ（ニッケル）であり、前記無機物が当該無機物の酸化物で構成された絶縁膜で被膜されている、ベアＩＣ実装用の封止材料。」
　
２．取消理由の概要
　本件特許の訂正前の請求項１〜５に係る発明は、下記刊行物１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、訂正前の請求項１〜５に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記　
　刊行物１：特開平９−６４２４５号公報（甲第１号証）
　刊行物２：特開昭６４−５１４４７号公報（甲第２号証）
　刊行物３：特開平８−９７３３５号公報（甲第５号証）
　刊行物４：特開平７−１１８５０６号公報（甲第６号証）
　
（１）刊行物１の記載事項
（１ａ）「【請求項１】熱伝導率が５ｗ／ｍＫ以上で平均粒径が１０μｍ以下の高熱伝導性粒子を、バインダーとして下記一般式（１）
Ｒ１（４−ｍ）Ｓｉ（ＯＲ２）ｍ            （１）
（式中、Ｒ１は一価の有機基又はハロゲン原子、Ｒ２は一価炭化水素基を示し、ｍは１〜４の整数である。）で示されるシラン化合物を用いて造粒し、７００〜１９００℃で焼結してなり、球状で平均粒径が３〜８５μｍである高熱伝導性充填剤を、全充填剤中の５０〜１００重量％の割合で含有することを特徴とする半導体装置封止用樹脂組成物。
【請求項２】請求項１記載の組成物の硬化物で封止された半導体装置。」（特許請求の範囲）
（１ｂ）「【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】高発熱性のパワートランジスター、パワーＩＣ、高速ＬＳＩ、ＣＰＵ等の半導体素子は、通常セラミックパッケージもしくは高熱伝導性プラスチックパッケージ等により封止され、半導体装置化されている。・・」（段落【０００２】）
（１ｃ）「・・、本発明の半導体装置封止用樹脂組成物は、上述したように特定の高熱伝導性充填剤を樹脂組成物に配合するものであるが、この樹脂組成物としてはエポキシ樹脂及びその硬化物を主成分とするものが好適である。」（段落【０００７】）
（１ｄ）「・・、本発明においては、熱伝導率が５ｗ／ｍＫ以上で平均粒径が１０μｍ以下の高熱伝導性粒子を、バインダーとして下記一般式（１）
Ｒ１（４−ｍ）Ｓｉ（ＯＲ２）ｍ   　　　　　　　　（１）
（式中、Ｒ１は一価の有機基又はハロゲン原子、Ｒ２は一価炭化水素基を示し、ｍは１〜４の整数である。）で示されるシラン化合物を用いて造粒し、７００〜１９００℃で焼結してなり、球状で平均粒径が３〜８５μｍである高熱伝導性充填剤（複合粒子）を充填剤の主成分として配合する。」（段落【００１２】）
（１ｅ）「このような熱伝導粒子を具体的に挙げると、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、アルミナ、酸化マグネシウム、銅粉、銀粉等があり、これらは１種を単独で又は２種以上を混合して使用することができる。この場合、特に、比較的低線膨張であると共に高熱伝導率を有し、電気特性も良好な窒化アルミニウム、窒化ケイ素、アルミナを単独で又はこれら２種以上の混合物を用いることが望ましい。
　ここで、本発明で充填剤として用いる熱伝導性複合粒子は、球状に形成するもので、複合粒子の形状を従来の充填剤にみられた破砕状や落花生状等の球状以外にすると、充填剤として配合する際、添加した組成物の流動性を著しく劣化させ、成形性が悪くなってしまう。」（段落【００１５】、【００１６】）
（１ｆ）「更に、こうして得られた高熱伝導性複合粒子はその目的に応じてシランカップリング剤、熱可塑性樹脂、高Ｔｇ樹脂等によりコーティングを行うことが耐湿信頼性を向上させるために好ましい。ここで、半導体装置用封止樹脂組成物の耐湿性を低下させないためにはシランカップリング剤によるコーティングを行うことが最も好ましい。」（段落【００２９】）
（１ｇ）表１及びその（注）には充填剤の熱伝導率として次の記載がある。
充填剤Ｎｏ．1,2：（アルミナ　平均粒径０．６μｍ　１００％）１５ｗ／　　　　　　　　ｍＫ
充填剤Ｎｏ．４：（結晶性シリカ　平均粒径０．９μｍ　１００％）　　　　　　　　　　　クリストライト，１３ｗ／ｍＫ
充填剤Ｎｏ．５：（窒化アルミニウム　平均粒径１．０μｍ　１００％）　　　　　　　　　１４０ｗ／ｍＫ
（１ｈ）表２には充填剤Ｎｏ．1〜5を用いた樹脂組成物の熱伝導率として次の記載がある。
実施例Ｎｏ．1：（充填剤Ｎｏ．1）１５１（×１０−４ｃａｌ／ｃｍ・℃）
実施例Ｎｏ．2：（充填剤Ｎｏ．2）１５２（×１０−４ｃａｌ／ｃｍ・℃）
実施例Ｎｏ．4：（充填剤Ｎｏ．4）　８７（×１０−４ｃａｌ／ｃｍ・℃）
実施例Ｎｏ．5：（充填剤Ｎｏ．5）２３７（×１０−４ｃａｌ／ｃｍ・℃）
　
（２）刊行物２の記載事項
（２ａ）「本発明者らは樹脂組成物の上記の問題点、すなわち耐サーマルショック性や熱伝導性を改善するには充てん材を高充てんする方法が最善であると考え、」（２頁左上欄１４〜１７行）
（２ｂ）「球状粉末と破砕粉末との割合は、重量比で１００：０〜１０：９０好ましくは１００：０〜３０：７０特に好ましくは１００：０〜５０：５０である。」（２頁左下欄４〜７行）
（２ｃ）「球状粉末を得るために使用される無機質の破砕粉末としては、生シリカ、クリストパライト化シリカ、タルク、溶融シリカ、ペリリア、アルミナ、アルミニウムシリケート、三酸化アンチモン、シリカ−チタニア系ガラス、リチア−アルミノケイ酸塩、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化チタン、ジルコン、マグネシア、ケイ酸マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、金属シリコン、金属アルミニウム等が挙げられ、特に生シリカ、溶融シリカ、シリカーチタニア系ガラス、窒化ケイ素、窒化アルミニウムが好ましい。」（３頁左上欄１１行〜右上欄３行）
（２ｄ）「本発明の充填材の樹脂組成物中の含有率は、８０〜９７重量％好ましくは８０〜９５重量％特に好ましくは８０〜９３重量％である。含有率が９７重量％を超えると得られる樹脂組成物の成形性が低下する。」（５頁左上欄１〜５行）
（２ｅ）「窒化ケイ素粉末・・・を乾式分級し、平均粒径２．３μｍの粉末を得た。この窒化ケイ素粉末１００部、水２００部及びシリカ微粉・・・８部を・・・球状化造粒乾燥し、・・・焼成した。冷却後、解砕・篩分け・ブレンドを行い、球状粉末（６）及び（７）を得た。」（６頁右上欄１２行〜左下欄１行）
（２ｆ）「（発明の効果）本発明の充填材を用いると、樹脂への高充てんができ、耐サーマルショック性ないし熱伝導率にすぐれた半導体封止樹脂を得ることができる。」（９頁左下欄１〜４行）
（２ｇ）第６表（窒化ケイ素を含む充填材）には、球状粉末（６）及び（７）を用いた樹脂組成物として、次の記載がある。
実施例１３：無機質粉末（球状粉末（６）９０２部　球状粉末（７）２２６　　　　部）熱伝導率７．８×１０−３ （ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃）
実施例１５：無機質粉末（球状粉末（６）１２７８部　球状粉末（７）３２　　　　０部）熱伝導率９．６×１０−３ （ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃）
実施例１６：無機質粉末（球状粉末（６）１５３８部　球状粉末（７）３８　　　　４部）熱伝導率１０．３×１０−３ （ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃）
　
（３）刊行物３の記載事項
（３ａ）「【請求項１】粒子外部に連通する開気孔または陥没孔を有する粒状の窒化アルミニウムフィラーを樹脂基材に混合したことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
【請求項２】窒化アルミニウムフィラーの混合比率が２０〜８０体積％であることを特徴とする請求項１記載の半導体封止用樹脂組成物。」（特許請求の範囲）
（３ｂ）「【産業上の利用分野】本発明は半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体パッケージに係り、特に熱伝導率が高く、かつ実効誘電率が従来のものと同程度に低い半導体封止用樹脂組成物およびその組成物を封止部材として使用し、放熱性や高速応答性に優れた半導体パッケージに関する。」（段落【０００１】）
（３ｃ）表１には、ＡｌＮフィラーを添加した半導体封止用樹脂組成物として、次の記載がある。
実施例６：樹脂基材エポキシ樹脂　ＡｌＮフィラーの平均粒径１５μｍ　混　　　　　合比率７０体積％　　熱伝導率１．５〜１．８（Ｗ／ｍＫ）
実施例７：樹脂基材低粘度エポキシ樹脂　ＡｌＮフィラーの平均粒径１５μ　　　　　ｍ　混合比率８０体積％　熱伝導率２．０（Ｗ／ｍＫ）
　
（４）刊行物４の記載事項
（４ａ）「【請求項１】エポキシ樹脂と硬化剤と無機質充填材とを含有する半導体封止用樹脂組成物において、上記無機質充填材として、（ｉ）平均粒径が５μｍ以上のアルミナ粒子を充填材全体の６０〜１００重量％、及び、（ｉｉ）平均粒径が１０μｍ以下のシリカ粒子もしくは平均粒径が７０μｍ以上の球状結晶シリカ粒子又はこれらの混合シリカ粒子を充填材全体の０〜４０重量％含有し、かつ上記（ｉ），（ｉｉ）から構成される無機質充填材の粒径１μｍから最大粒径までのロジン−ラムラー式のｎ値が０．６０〜０．９３、回帰直線の相関係数が０．９９０以下の粒度分布を有する無機質充填材を使用したことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
【請求項２】請求項１記載の組成物の硬化物で封止した半導体装置。」（特許請求の範囲）
（４ｂ）「アルミナの充填率を上げる方法としては、平均粒径が８〜３５μｍの粗粒アルミナに平均粒径が０．１〜４μｍの微粒の球状アルミナ及び／又はシリカを充填材の２〜３５重量％混合して流動性を向上させる方法（特開平４−１８４４５号公報）等が知られているが、この方法では流動性が粒度分布の形状や累積粒度分布曲線の傾きに左右されることに注目しておらず、結果として流動性の向上が不十分となっている。」（２頁右欄２〜９行）
（４ｃ）表１には、無機質充填材を含有する半導体封止用樹脂組成物として、次の記載がある。
　実施例１：フィラー配合部数９００部　高熱伝導性フィラー中の各成分の　　　　　　うちアルミナの球状（平均粒径７．７１μｍ）１００重量％　　　　　　　熱伝導率１０−４ （ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃）１０３
　
３．対比・判断
　本件発明は、電気特性とともに放熱性が優れたベアＩＣを提供することを目的とし、熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上であるベアＩＣ実装用の封止材料であって、前記封止材料は有機物及び無機物を混合した混合物であり、前記無機物は球形で粒子直径が１０μｍ以下であるＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、またはＮｉ（ニッケル）であり、前記無機物が当該無機物の酸化物で構成された絶縁膜で被膜されている、ベアＩＣ実装用の封止材料であることを特徴とするものである。
　これに対して、刊行物１〜４には、熱伝導率の良好なる熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上であるＩＣ実装用の封止材料であって、封止材料は有機物及び無機物を混合した混合物からなることが記載され、更に、刊行物１には、本件発明の無機物に相当する金属からなる熱伝導粒子として、銅粉、銀粉が例示され、球形であること（摘記（１ｅ））、熱伝導粒子の平均粒径が１０μｍ以下であること（摘記（１ｇ））は記載されている。刊行物２には、同じく本件発明の無機物に相当する金属からなる無機質の破砕粉末として、金属アルミニウムが例示され（摘記（２ｃ））、粉末が球形であること、平均粒径が１０μｍ以下であること（摘記（１ｅ））が記載され、又刊行物３には、窒化アルミニウムフィラーが充填剤として記載され、刊行物４には、無機質充填材として、（ｉ）アルミナ粒子、及び（ｉｉ）シリカ粒子もしくは球状結晶シリカ粒子又はこれらの混合シリカ粒子、アルミナの球状（平均粒径７．７１μｍ）粒子（摘記（４ｃ））は記載されている。
　しかしながら、刊行物１〜４には、本件発明が特徴とする無機物は「球形で粒子直径が１０μｍ以下であるＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、またはＮｉ（ニッケル）であり、前記無機物が当該無機物の酸化物で構成された絶縁膜で被膜されている」点について記載されておらず、又当該無機物が該無機物自体の酸化物で構成された絶縁膜で被膜されている点について示唆するものはなにもなく、上記構成を当業者が容易に想到し得るものではない。
　そして、本件発明は、上記構成により本件特許明細書に記載されている、ベアＩＣのインダクタンスの減少による電気特性の向上とベアＩＣからの発熱の封止材中での放散性の向上の両者が同時に達成されるとともに、粒子形状は球形で粒子直径が１０μｍ以下であるので、ＩＣの回路パターン面の損傷や、断線を防ぐことができるという刊行物１〜４の記載からは予測することのできない顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、刊行物１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることはできない。
　
　また、その他の異議申立の証拠は、本件請求項１に係る発明を取り消すべき理由として採用することができない。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明ついての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年１０月２６日（２００５．１０．２６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
ベアＩＣ実装方法および封止材料
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上であるベアＩＣ実装用の封止材料であって、
　前記封止材料は有機物及び無機物を混合した混合物であり、前記無機物は
球形で粒子直径が１０μｍ以下である
であり、前記無機物が当該無機物の酸化物で構成された
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、ベアＩＣを回路基板上に実装する方法、及びその実装に用いる封止材料に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ベアＩＣを回路基板上に実装する従来の方法としては、大別して２つの方法が用いられている。
　その一つ（以下、従来例１という）は、現在ベアＩＣ実装方法として最も広く利用されているワイヤボンディングと称される方法であり、これを図２を用いて説明する。この方法では、まずベアＩＣ２２をベアＩＣ２２の回路パターン面２３を上向きにして（以下、フェイスアップという）、基板２１又はリードフレームに固定する。次に、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）などの金属でつくられたワイヤ２４により、ベアＩＣ２２のＩＣ電極と基板２１上の基板電極を電気的に接続する。その後、封止材料２５でワイヤ２４を含めてベアＩＣ２２を被覆する。
　【０００３】
　他の従来方法（以下、従来例２という）は、フリップチップ実装と称されるものであり、図３を用いて説明する。この方法では、まずベアＩＣ３３の回路パターン面３４が基板３１と対向するように回路パターン面３４を下向きにして（以下、フェイスダウンとよぶ）、あらかじめベアＩＣ３３のＩＣ電極又は基板３１の基板電極３２上に形成されたバンプ３５を介してベアＩＣ３３のＩＣ電極と基板３１の基板電極３２を電気的に接続する。その後、封止材料３６により封止する。このようにしてベアＩＣを構成すれば、従来例１の方法により製造されたベアＩＣよりも小型化が可能となり、電気特性が向上する。
　近年の電子機器の小型軽量化に伴い、フリップチップ実装を用いたベアＩＣ実装工法が開発されて実用化に至り、携帯電話機やノートパソコンなどの電子機器の小型化に貢献している。
　【０００４】
　さらに他の従来方法（以下、従来例３という）について図４を用いて説明する。この方法では、ベアＩＣ４３にウェット又はドライエッチングにより貫通スルーホールを形成し、その貫通スルーホール内部をメッキするか、貫通スルーホール内部に金属粒子を充填することにより貫通導体４５を作る。
　ベアＩＣ４３を回路パターン面４４の裏面が基板４１と対向するように、かつ貫通導体４５と基板電極４２が接するように基板４１に装着する。そして、はんだ接合などを行い、貫通導体４５によりベアＩＣ４３のＩＣ電極と基板電極４２とを電気的に接合する。その後、従来例１の方法で用いられるのと同じ封止材料４６で封止する。この場合には、ワイヤを利用しないため、ワイヤによるインダクタンス成分がなく、ベアＩＣの電気特性が向上する。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　ベアＩＣとして要求される特性として、ベアＩＣの電気特性のほかに、ベアＩＣを動作させたときに生じる熱を外部へ放熱する放熱性がある。
　従来例１のベアＩＣはワイヤを含むため、インダクタンス成分が生じ、周波数が高くなるとともに電気特性が劣化するという問題がある。さらに封止材料の熱伝導がよくないため、ベアＩＣが発生する熱を外部へ放熱する放熱性にも問題がある。従来例２のベアＩＣは、ワイヤによるインダクタンス成分を含まないため電気特性としては従来例１のものに比べ優れている。しかし、従来例２のベアＩＣは、回路パターン面で発生した熱が外部に放出されにくいという問題がある。また、従来例３のベアＩＣは、従来例２のベアＩＣと同様、電気特性は優れているが、封止材料の熱伝導がよくないため、放熱性に問題がある。
　本発明は、上記問題点を解決することを課題とし、電気特性とともに放熱性が優れたベアＩＣを提供することを目的とする。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明のベアＩＣ実装方法は、ベアＩＣの取付面であるところのＩＣ回路面の裏面が基板の表面と対向するように前記ＩＣ回路面を上向きにして基板に装着する工程、前記ベアＩＣに設けられた貫通スルーホール内部の導体により前記ベアＩＣの電極と前記基板に設けられた電極とを電気的に接続する工程、及び前記ベアＩＣを高放熱性封止材料により封止する工程、を有する。
　ベアＩＣを以上のように実装することにより、ベアＩＣのインダクタンスの減少による電気特性の向上とベアＩＣからの発熱の封止材中での放散性の向上の両者が同時に達成される。
　【０００７】
　上述のベアーＩＣ実装方法において、高放熱性封止材料は、熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上の材料が好ましい。
　そのような材料の使用により、ベアーＩＣが発生する熱の放熱性が向上する。
　【０００８】
　上述のベアーＩＣ実装方法において、前記高放熱性封止材料は、有機物及び無機物を含むことが好ましい。
　このような材料の使用により、ベアーＩＣが発生する熱の放熱性が向上する。
　【０００９】
　上述のベアーＩＣ実装方法において、前記有機物は、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂の少なくとも一方を含むことが好ましい。
　そのような材料の使用により、熱軟化または熱硬化により、ベアーＩＣの封止を行うことができる。
　【００１０】
　上述のベアーＩＣ実装方法において、前記無機物は、粒子形状をした金属、窒化物、炭化物または酸化物であることが好ましい。
　【００１１】
　前記金属は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｎｉ（ニッケル）またはＣｕ（銅）から選ばれた少なくとも１つであり、絶縁膜で被膜されたものであることが好ましい。
　【００１２】
　前記窒化物は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）またはＢＮ（窒化ボロン）であることが好ましい。
　【００１３】
　前記炭化物は、ＳｉＣ（シリコンカーバイト）またはＣ（カーボン）であり、絶縁膜で被膜されたものであることが好ましい。
　【００１４】
　前記酸化物はＡｌ２Ｏ３（アルミナ）であることが好ましい。
　上記材料の使用により、封止材料の熱伝導性が向上する。
　【００１５】
　上述のベアーＩＣ実装方法において、前記粒子形状は球形であることが好ましい。そのような粒子の使用により、ＩＣの回路パターン面の損傷を防ぐことができる。
　【００１６】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
　本発明のベアＩＣ実装方法について図１を用いて説明する。図１の（ａ）はベアＩＣを回路基板に実装する前の状態を示す図であり、図１の（ｂ）は回路基板上にベアＩＣを実装した後の状態を示す図であり、図１の（ｃ）はベアＩＣを封止した後の状態を示す図であり、図１の（ｄ）は封止材料のフィラ８とバインダ７を示すため図１の（ｃ）のＡ部を拡大して示した図である。
　図１の（ａ）では、基板１上に複数の基板電極２が形成されている。図１の（ｂ）では、複数の基板電極２上に複数の貫通導体５を有するベアＩＣ３が装着されている。貫通導体５は、ベアＩＣ３に、あらかじめウェット又はドライエッチングにより貫通スルーホールを形成し、その貫通スルーホールの内部に金属粒子を充填することにより作る。なお、貫通スルーホール内部に金属粒子を充填する代わりに、貫通スルーホール内部をメッキするようにしてもよい。図１の（ｃ）では、基板１の上面に、基板電極２とベアＩＣ３を覆って、ベアＩＣ３を気密に絶縁的に封止する封止材料６が設けられている。
　【００１７】
　以下、ベアＩＣ実装工程について説明する。
　まず、基板１上には、メタルマスクを用いる既知のホトリソグラフ法で基板電極２が形成される。また、ベアＩＣ３には、あらかじめウェットエッチング又はドライエッチングにより貫通スルーホールが形成され、その貫通スルーホールの内部に金属粒子を充填することにより貫通導体５が設けられている。
　【００１８】
　実装機を用いてベアＩＣ３を基板１上に装着する。装着は、回路パターン４が設けられたベアＩＣ３の表面であるところのパターン面３ｂの反対側の反対面３ａが基板１と対向するようにし、かつベアＩＣ３の反対面３ａ側の貫通導体５の一端面５ａが基板電極２に接するように行う。装着の際、ベアＩＣ３の貫通導体５の一端面５ａと基板電極２を、はんだ接合や熱圧着等により電気的に接続する。このようにベアＩＣ３を基板１上に装着する。ベアＩＣ３の回路パターン面４と、基板電極２とが、貫通導体５により電気的に接続される。
　この方法では、従来のワイヤボンディング法の場合に用いられるワイヤ２４（図２）と比べ、貫通導体５の導通長が短いため、好ましくないインダクタンスは小さい。そのため、貫通導体５を用いた従来のベアＩＣの電気特性はワイヤを用いたベアＩＣのそれよりも優れている。
　【００１９】
　ベアＩＣ３を基板１に装着した後、既知の塗布装置により封止材料６を、図１（ｃ）に示すようにベアＩＣ３に塗布する。封止材料６が塗布された基板をオーブン炉内に入れ１５０度の温度で１時間加熱し、加熱後放置して封止材料を固化させる。なお、封止材料の別の加熱条件として、１００度から２００度の温度で０．５時間から２時間の間を選びうる。
　【００２０】
　次に、封止材料６について詳細に説明する。
　封止材料６は、バインダ７と粒子状のフィラ８からできている。封止材
料６
　本発明の封止材料は上記のようにフィラとして金属または半導体のように熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上のものを用いたものであり、これに対して、従来の封止材料は熱伝導率が０．２から０．５Ｗ／ｍＫと低いガラスのフィラに本発明の実施例と同様の
フェノールＦ型エポキシ樹脂
　実施例では、ベアＩＣから発生した熱は、封止材料６のフィラ８間を伝導して効率よく外部へ放熱される。本発明を実施したフィラの熱伝導率は、従来から利用されている封止材料のそれよりも高いため、本発明によりベアＩＣの温度上昇を小さくすることができる。
　【００２１】
　以下、ベアＩＣ機能時のベアＩＣの温度、１０ＧＨｚでの最大電流利得の測定結果を、従来のベアＩＣのそれらとともに表１に示す。なお、測定したベアＩＣは、機能時の温度が１５０度で破損するものである。
　【００２２】
　【表１】
　【００２３】
　従来のベアＩＣとしては、以下の３種類のベアＩＣがある。
　表中に示した従来例の比較例１は従来例１で説明した製造方法によるものであり、比較例２は従来例２で説明した製造方法によるものであり、比較例３は従来例３で説明した構成のものである。なお、従来のベアＩＣに用いられている封止材料は熱伝導率が０．２から０．５Ｗ／ｍＫのガラスのフィラに、本発明実施例と同様ノボラックフェノール型エポキシ樹脂を用いた。
　次に、本発明のベアＩＣは、封止材料６として、９重量部のフィラ８に、１重量部のバインダ７が混合されたものが用いられている。バインダ７は、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂である。フィラ８として、実施例１ではＡｌ（アルミニウム）、実施例２ではＡｇ（銀）、実施例３ではＡｕ（金）、実施例４ではＮｉ（ニッケル）、実施例５ではＡｌＮ（窒化アルミニウム）、実施例６ではＢＮ（窒化ボロン）、実施例７ではＳｉＣ（シリコンカーバイト）、実施例８ではＣ（カーボン）、また実施例９ではＡｌ２Ｏ３（アルミナ）である。また、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｎｉ（ニッケル）、ＳｉＣ（シリコンカーバイト）、及びＣ（カーボン）は、樹脂コート（絶縁膜）で被膜されている。樹脂コートの材料は、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂である。
　表１からわかるように、従来例ではベアＩＣ機能時のベアＩＣの温度は１５０度を超えるのに対し本発明の実施例ではベアＩＣ機能時のベアＩＣの温度は１５０度未満である。従って、実施例のベアＩＣはベアＩＣ機能時に破損することはない。
　また、従来例の比較例１では最大電流利得は１０ｄＢであるのに対し、本発明の実施例では従来例の比較例２と比較例３と同様最大電流利得は２０ｄＢである。従って、実施例のベアＩＣの電気特性は従来例の比較例１のベアＩＣよりも優れている。
　【００２４】
　発明者は、封止材料中のフィラの形状が不定形と球形の場合でベアＩＣの回路パターン面につく傷を評価した。なお、回路パターン面の傷を評価するのに利用した封止材料中のフィラはＡｌ２Ｏ３（アルミナ）である。
　回路パターン面につく傷は以下のように評価した。フィラがＡｌ２Ｏ３（アルミナ）である封止材料をベアＩＣ上に塗布する。そして、封止材料を硬化させずに別の用材で洗い落とす。その後、ベアＩＣの回路パターン面を顕微鏡で目視観察する。
　その結果、不定形のフィラを使用したものは、回路パターン面内の配線に大小の傷がついており、中には断線に至っているものもあることが、確認された。一方、球形のフィラを使用したものについては、傷、断線はなく、初期と同様の表面であることが確認された。
　【００２５】
　【発明の効果】
　本発明によれば、ベアＩＣの無用のインダクタンスを減少することで得られる電気的特性の向上と封止材料中でのベアＩＣからの熱の放散の向上が同時に実現できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】図１の（ａ）：ベアＩＣを実装する前の状態を示す図。
　図１の（ｂ）：ベアＩＣを実装した後の状態を示す図。
　図１の（ｃ）：ベアＩＣを封止した後の状態を示す図。
　図１の（ｄ）：封止材料中のフィラとバインダを示す図。
　【図２】図２：従来例１の方法によりベアＩＣを基板上に実装した後の状態を示す図。
　【図３】図３：従来例２の方法によりベアＩＣを基板上に実装した後の状態を示す図。
　【図４】図４：従来例３の方法によりベアＩＣを基板上に実装した後の状態を示す図。
　【符号の説明】
　１　基板
　２　基板電極
　３　ベアＩＣ
　３ｂ　パターン面
　４　回路パターン
　５　貫通導体
　６　封止材料
　７　フィラ
　８　バインダ