【事件の表示】
　特許第３４１５７６２号「セラミックパッケージ基体及びその製造方法」の請求項３ないし１１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、
　次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４１５７６２号の請求項３ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続の経緯
　特許第３４１５７６２号の発明は、平成１０年３月１６日に特許出願され、平成１５年４月４日にその特許権の設定登録がなされ、その後、京セラ株式会社より特許異議の申立てがなされ、平成１７年５月３１日付けで第１回目の取消理由が通知され、その指定期間内である平成１７年８月９日付けで訂正請求がなされたものであるが、さらにその後、平成１７年８月２３日付けで第２回目の取消理由が通知され、その指定期間内である平成１７年９月２８日付けで前記平成１７年８月９日付けの訂正請求が取下げられ、新たに平成１７年９月２８日付けで訂正請求がなされたものである。
　　　
【２】平成１７年９月２８日付け訂正の適否判断
［１］訂正内容
　訂正事項ａ；【発明の名称】を、
「セラミックパッケージ基体」と訂正する。
　訂正事項ｂ；【特許請求の範囲】の【請求項３】を、
「略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、前記枠体のコーナー上部外側面、前記枠体の高さ方向中間部に形成された接続水平パターン、スルーホール、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部側面を介して、前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続され、前記底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続されていることを特徴とするセラミックパッケージ基体。」と訂正する。
　訂正事項ｃ；【特許請求の範囲】の【請求項５】を、
「略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、前記枠体のコーナー部に垂直方向に形成されたスルーホール、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部側面を介して、前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続され、前記底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続されていることを特徴とするセラミックパッケージ基体。」と訂正する。
　訂正事項ｄ；【特許請求の範囲】の【請求項７】を、
「前記底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１、２、４、６のいずれかの項に記載のセラミックパッケージ基体。」と訂正する。
　訂正事項ｅ；【特許請求の範囲】の【請求項８】〜【請求項１１】を削除する。
　訂正事項ｆ；段落【0001】の【発明の属する技術分野】を、
「本発明はセラミックパッケージ基体に関し、より詳細には、ＳＡＷ（surface acoustic wave）フィルタや、ＭＣＦ（monolithic crystal filter）等のパッケージとして使用されるセラミックパッケージ基体に関する。」と訂正する。
　訂正事項ｇ；段落【0010】を、
「本発明は上記課題に鑑みなされたものであって、封止に用いられる半田ペーストがパッケージ基体の裏面へ回り込むのを防止することができ、なおかつ封止の信頼性を確保することのできるセラミックパッケージ基体を提供することを目的としている。」と訂正する。
　訂正事項ｈ；段落【0013】を、
「また、本発明に係るセラミックパッケージ基体（３）は、略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、前記枠体のコーナー上部外側面、前記枠体の高さ方向中間部に形成された接続水平パターン、スルーホール、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部側面を介して、前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続され、前記底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続されていることを特徴としている。」と訂正する。
　訂正事項ｉ；段落【0016】を、
「また、本発明に係るセラミックパッケージ基体（５）は、略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、前記枠体のコーナー部に垂直方向に形成されたスルーホール、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部側面を介して、前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続され、前記底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続されていることを特徴としている。」と訂正する。
　訂正事項ｊ；段落【0019】を、
「また、本発明に係るセラミックパッケージ基体（７）は、上記セラミックパッケージ基体（１）、（２）、（４）、（６）のいずれかにおいて、前記底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続されていることを特徴としている。」と訂正する。
　訂正事項ｋ；段落【0021】〜【0025】を削除する。
　　　
［２］訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、訂正前の特許明細書(以下、「訂正前明細書」という)の、特許請求の範囲から「セラミックパッケージ基体の製造方法」に関する請求項を削除したことに応じて、発明の名称を明確にしたもので、明りようでない記載の釈明を目的としている。
　上記訂正事項ｂは、訂正前明細書の【請求項３】に「底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続されている」という発明特定事項を付加して限定するもので、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　上記訂正事項ｃは、訂正前明細書の【請求項５】に「底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続されている」という発明特定事項を付加して限定するもので、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　上記訂正事項ｄは、訂正前明細書の【請求項７】における引用請求項から、請求項３，５を除外するもので、実質的に請求項７の範囲を減縮しているので、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　上記訂正事項ｅは、請求項の削除であり、特許請求の範囲の減縮を目的としている。
　上記訂正事項ｆ〜ｋは、訂正後の特許明細書(以下、「訂正明細書」という)の発明の詳細な説明の記載を、訂正明細書の特許請求の範囲の記載と整合させるためのものであり、明りようでない記載の釈明を目的としている。
　　　
　上述のとおり、前記訂正事項ａ〜ｋは、特許請求の範囲の減縮を目的としたもの、及び、明りようでない記載の釈明を目的としたものであり、かつ、新規事項の追加にはあたらず、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものではない。
　　　
［３］まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び同条第３項において準用する同法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　
【３】特許異議申立て理由
【３-1】特許異議申立人の主張
　特許異議申立人　京セラ株式会社は、甲第１〜８号証及び参考資料１〜９を提示し、
　本件の請求項３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であり、特許法第２９条の２に該当し特許を受けることができない。また、請求項３に係る発明は、甲第２号証、甲第３号証および甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　本件の請求項４に係る発明は、甲第２号証および甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　本件の請求項５に係る発明は、甲第１号証または甲第６号証に記載された発明と同一であり、特許法第２９条の２に該当し特許を受けることができない。また、請求項５に係る発明は、甲第３号証および甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　本件の請求項６に係る発明は、甲第５号証および甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　本件の請求項７に係る発明は、甲第２〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　本件の請求項８に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であり、特許法第２９条の２に該当し特許を受けることができない。また、請求項８に係る発明は、甲第２〜５，７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　本件の請求項９に係る発明は、甲第２〜４，８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　本件の請求項１０に係る発明は、甲第２〜４，７，８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　本件の請求項１１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であり、特許法第２９条の２に該当し特許を受けることができない。また、請求項１１に係る発明は、甲第３，４，８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件の請求項３〜１１に係る各発明の特許は、特許法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきである。
　　　
【３-2】本件特許の訂正と特許異議申立てとの論点整理
　特許異議申立ての対象は請求項３〜１１であるのに対して、上記【２】段落に記載したように、本件特許の請求項８〜１１は削除された。
　したがって、本件特許の請求項３〜７と特許異議の申立て理由及び証拠とを対比して整理すると、
　請求項３；甲第１号証と同一、特許法第２９条の２。また、甲第２号証、甲第３号証および甲第４号証から容易、特許法第２９条第２項。さらに、参考資料１〜６参照。
　請求項４；甲第２号証および甲第５号証から容易、特許法第２９条第２項。加えて、参考資料７〜９参照。
　請求項５；甲第１号証または甲第６号証と同一、特許法第２９条の２。また、甲第３号証および甲第４号証から容易、特許法第２９条第２項。加えて、参考資料１〜６参照。
　請求項６；甲第５号証および甲第４号証から容易、特許法第２９条第２項。加えて、参考資料７〜９参照。
　請求項７；甲第２〜５号証から容易、特許法第２９条第２項。加えて、参考資料１〜９参照。
　　　
　以上、証拠は甲第１〜６号証及び参考資料１〜９。
甲第１号証；特願平１０−１０８３８号(特開平１１−２１４９４４号公報)
甲第２号証；特開平９−２３２３５１号公報
甲第３号証；特開平１−１６２３５５号公報
甲第４号証；特開平６−１１２３５２号公報
甲第５号証；特開平１−２１４０５１号公報
甲第６号証；特願平９−２９２７６９号(特開平１１−１２６８３７号公報)
　　　
参考資料１；特開昭５３−８４６８１号公報
参考資料２；特公昭５６−２５７８１号公報
参考資料３；特開昭６２−２９０１５７号公報
参考資料４；特開平６−３５０３９０号公報
参考資料５；実開平４−１３１０３３号公報
参考資料６；特開平６−９０１３５号公報
参考資料７；特開昭６３−１７７５４１号公報
参考資料８；特開平４−２０６８５４号公報
参考資料９；特開平１０−１２８１０号公報
　　　
【４】本件特許発明(特許異議申立て対象)
　本件については、上記【２】段落で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項３〜７に係る発明(以下、「本件発明３〜７」という)は、本件訂正明細書の、特許請求の範囲の請求項３〜７に記載された事項により特定されるとおりの、
「【請求項３】略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、前記枠体のコーナー上部外側面、前記枠体の高さ方向中間部に形成された接続水平パターン、スルーホール、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部側面を介して、前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続され、前記底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続されていることを特徴とするセラミックパッケージ基体。
　【請求項４】略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、前記枠体のコーナー上部外側面、前記枠体の高さ方向中間部に形成された接続水平パターン、スルーホール、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及びスルーホールを介して、前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続されていることを特徴とするセラミックパッケージ基体。
　【請求項５】略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、前記枠体のコーナー部に垂直方向に形成されたスルーホール、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部側面を介して、前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続され、前記底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続されていることを特徴とするセラミックパッケージ基体。
　【請求項６】略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、前記枠体のコーナー部に垂直方向に形成されたスルーホール、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部に垂直方向に形成されたスルーホールを介して、前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続されていることを特徴とするセラミックパッケージ基体。
　【請求項７】前記底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１、２、４、６のいずれかの項に記載のセラミックパッケージ基体。」である。
　　　
【５】甲第１〜６号証及び参考資料１〜９の記載内容
【５-1】甲第１〜６号証の記載内容
［１］甲第１号証
　特許請求の範囲の請求項１に、
「絶縁ベースと、該絶縁ベースの上に接合され、枠形状に構成された絶縁素材からなる絶縁枠と、該絶縁枠の上面部を閉鎖する蓋板とが積層された箱状のケース体を備え、前記絶縁枠には上下に貫通する開口部が形成され、該開口部内に充填された導通材を介して前記絶縁枠の上面側と下面側とを導通させた上下導電構造を備え、前記導通材の露出した前記絶縁枠の上面部と前記蓋板の下面部との間に前記導通材に導電接続される導電層を介在させ、前記絶縁枠の周回方向に前記導電層を前記絶縁枠と前記蓋板とに固着させ、内部を封止してなる電子部品」と記載され、
　段落【0001】の【発明の属する技術分野】に、
「本発明は電子部品及びその製造方法に係り、特に、水晶振動子、水晶発振器などのように電子素子をケース体内に封止する構造を備えた電子部品に好適な技術に関する」と記載され、
　段落【0003】〜【0005】に、
「図９には、従来の表面実装型の水晶振動子又は水晶発振器のケース体１０の構造を示す。このケース体１０は、セラミックスからなる平面矩形のベース板１１と、このベース板１１の上に積層された、セラミックスからなる矩形枠状の下側絶縁枠１２及び上側絶縁枠１３と、上側絶縁枠１３の上面部を閉鎖するコバルト合金などの磁性材料からなる平面矩形の蓋板１４とから構成されている。ベース板１１、下側絶縁枠１２及び上側絶縁枠１３は、それぞれ、アルミナなどの粉体に溶媒その他の添加物を混入した焼成前の未硬化シート（グリーンシート）を入手し、製造工程に合わせて複数のケース体１０を形成できる大判形状に適宜にカットした後、下側絶縁枠１２においてはスルーホール１２ｂの穿設を行い、スルーホール１２ｂの内部に金属ペーストなどの導通材５を充填する。さらに、それぞれの表面若しくは裏面上に、タングステンペーストなどの導電材料を用いたパターン印刷によって導電性印刷層６を形成する。次に、上述のようにして形成したベース板１１を複数含むシート、下面絶縁枠１２を複数含むシート及び上面絶縁枠１３を複数含むシートを３層に積層し、適宜に切断し、さらに、後工程において個々に切断するためのハーフカット線を入れておく。そして、乾燥させた後に炉内において焼成することにより、３層を一体化する。次に、このように一体化したものの表面のうち、予め上述の導電性印刷層６が形成されている表面部に選択的にＮｉ、Ａｕのメッキ処理を順次に施してメッキ層７を形成する。このメッキ層７の形成によって、ベース板１１の底面上に４つの電極部を備え、上側絶縁枠１３の上面全体にメッキ層が形成される・・・」と記載され、
　段落【0024】〜【0027】に、
「ベース板２１においては、矩形状の４つの角部に表面が円筒凹面に形成されたカット部２１ａが形成されている。これらのカット部２１ａは、予めセラミックスの未硬化シートにカット部形成孔を穿設し、このカット部形成孔の間を結ぶようにハーフカット線を切り込んだ後に焼成し、最後にハーフカット線に沿って破断させて個々のケース本体部に分割することによって形成されている。カット部形成孔の内面には、未硬化シートの状態においてタングステンペーストなどの導電性ペーストが印刷される。具体的には、未硬化シートの裏面側から真空引きを行いながら印刷を行うことによって、導電性ペーストをカット部形成孔の内面にまんべんなく付着させる。また、未硬化シートにおける各ベース板領域の表面の対角位置や、未硬化シートにおける各ベース板領域の裏面に後述する電極部となるべき部分にも、タングステンペーストなどの導電性ペーストを用いてパターン印刷が施され、導電性印刷層２６が形成される。絶縁枠２２もまた、ベース板２１と同様に、未硬化シートに複数のカット部形成孔を穿設することによって形成されたカット部２２ａが４つの角部に設けられている。ただし、この場合にはカット部形成孔の内面には導電性印刷層は被着されない。絶縁枠２２を形成するための未硬化シートには、カット部形成孔の他に内径が０．１５〜０．２ｍｍのスルーホール２２ｂが形成され、このスルーホール２２ｂ内には上記と同様の導電性ペーストが充填され、導通材２５となる。スルーホール２２ｂの裏面側の開口縁部と、表面側の全面にはそれぞれ導電性ペーストが印刷され、上記と同じ導電性印刷層２６が形成される。これらの各場所の導電性印刷層２６の厚さは、通常５〜２０μｍ程度である。ただし、ベース板２１の内面上において水晶振動片の両面に形成された電極に接合される端子部となるべき部分には印刷を２回繰り返して３０μｍ以上になるように厚くする。同様に、絶縁枠２２の上面部にも厚く印刷を行い、好ましくは３０〜８０μｍ、例えば５０μｍ程度に厚く形成する。このようにして形成したベース板２１を構成するための未硬化シートと、絶縁枠２２を構成するための未硬化シートとを重ね合わせ、この積層体の表裏面に個々のケース本体部に分割するためのハーフカット線を付けて乾燥させ、真空下若しくは不活性雰囲気下において１６００度程度で焼成を行う。焼成が終了した積層体には、所定のパターンにて、上記の導電性印刷層２６のうち、表面上に露出した部分の上に電解メッキによってＮｉ／Ａｕのメッキ層２７を形成する。このメッキ層２７の厚さは全体で１〜１０μｍ程度でよい。このメッキ層２７の形成によって、上述の導電性印刷層２６を厚く形成した部分には、図３に示すように、ベース板２１の内面上に２つの端子部２７ａ，２７ｂが形成され、また、絶縁枠２２の上面上に接合部２７ｃが形成される。端子部２７ａ，２７ｂの下地となる導電性印刷層を厚肉にしたのは、これらの端子部２７ａ，２７ｂが水晶振動子の電極に接合されるために形成されており、水晶振動片１の電極に対する接合を確実に行うためである。また、接合部２７ｃの下地を厚肉にしたのは、特に、導通材２５の上端部において乾燥、焼成時にひけが発生し、くぼみが生ずること��より、蓋板２４の接合時に接合不良が発生することを防止するためである。特に、接合部２７ｃにおいては、同様の理由により、下地層となる導電性印刷層２６を焼成前に厚肉に形成するだけでなく焼成後に再度印刷層をかさね塗りしてもよく、また、メッキ層２７を厚肉に形成してもよい。以上のように処理した後、上記積層体を上記のハーフカット線に沿って分割することによって、図１に示す個々のケース本体部が形成される」と記載され、
　段落【0030】に、
「本実施形態では、上記のように形成したケース本体部に対して、上方から蓋板２４を固着している。図３及び図４に示すように、蓋板２４の裏面上は銀ロウ層２８が圧延処理により１０〜２０μｍの厚さに形成されている。そしてケース本体部の開口を閉鎖するように蓋板２４を載せ、内部の空気を抜いた状態で、蓋板２４における銀ロウ層２８の形成された裏面と、上記ケース本体部の接合部２７ｃとを溶着させることにより、ケース本体部と蓋板２４とを相互に固着させ、ケース体内部を真空状態で封止する。銀ロウ層の代わりに銀ペーストや比較的低温で溶融可能な導電物質（例えば鉛錫合金などの高温半田など）を用いることができる。ここで、蓋板２４は磁性材で形成されていることにより磁気シールドとなっており、さらに、接地電位などの定電位に接続された電極部２１ｃに導電接続されていることにより、電磁シールドとしても機能するようになっている。基本的には蓋板２４は金属製であり、ＥＭＩ対策としての電気シールドとして機能し、上記材料の他にステンレス鋼などの金属類を用いることができる」と記載されている。
　　　
［２］甲第２号証
　段落【0001】の【発明の属する技術分野】に、
「本発明は電子素子用パッケージに係り、特に圧電素子等の電子素子をキャップを用いてチップキャリアに形成されたキャビティ内に封止する電子素子用パッケージに関する」と記載され、
　段落【0044】，【0045】に、
「また、基板本体７ａの上面は後述するようにキャップ４が接合される封止面３７とされており、この封止面３７の全面にはキャップ４と電気的に接続される上面配線膜（梨地で示す）が形成されている。この上面配線膜は、例えばタングステンメタライズにニッケル／金メッキを施した膜により形成されている。また、基板本体７ａの四隅には切欠部３８ａ〜３８ｄが形成されており、各切欠部３８ａ〜３８ｄにはキャップ接続配線３９ａ〜３９ｄ（梨地で示す）が夫々形成されている。このキャップ接続配線３９ａ〜３９ｄは、封止面３７に形成された上面配線膜と電気的に接続された構成とされている」と記載され、
　段落【0047】〜【0049】に、
「これにより、第１のセラミック基板５に形成された各フットパターン１０ａ〜１５ａは、各端子１０〜１５により第２のセラミック基板６に形成された各パッド２７〜３１に電気的に接続された構成となる。また、第１のセラミック基板５に形成されているダイアタッチ部１６は、各グランド接続部１８〜２１を介して入力側及び出力側の各グランド端子１１，１２，１４，１５に夫々接続された構成となる。また、前記したように第３のセラミック基板７の四隅位置には夫々キャップ接続配線３９ａ〜３９ｄが形成されており、第２のセラミック基板６には出力側グランド用パッド３１と接続されたキャップ接続パターン４０が切欠部３４ｃに引き出された構成とされている。従って、第２のセラミック基板６と第３のセラミック基板７とを積層した状態で、出力側グランド用パッド３１はキャップ接続配線３９ｃを介して第３のセラミック基板７の封止面３７に形成された上面配線膜と電気的に接続される。一方、表面弾性波素子３は、前述したように第１のセラミック基板５に形成されたダイアタッチ部１６上に搭載されると共に、その上面に形成された電極部は第２のセラミック基板６に形成されたパッド２７〜３２とワイヤ１７により接続される。これにより、表面弾性波素子３は入力側端子８及び出力側端子９に電気的に接続された構成となる」と記載されている。
　　　
［３］甲第３号証
　第１頁左下欄第１３〜１５行に、
「本発明は半導体装置のパッケージに関し、特に超高速デバイス用のセラミック製パッケージに好適の半導体装置のパッケージに関する」と記載され、
　第２頁左下欄第２行〜同頁右下欄第１７行に、
「セラミック製の４層の絶縁体層２，３，４，５が積層されており、絶縁体層２はパッケージの底部を構成している。また、絶縁体層３，４，５が絶縁体層２上に積層されてパッケージの側壁を構成している。底部絶縁体層２上には第１金属導体層６が形成されている。一方、絶縁体層３と絶縁体層４との間及び絶縁体層４と絶縁体層５との間には夫々第２金属導体層７及び第３金属層導体層８が形成されている。第３金属導体層８は絶縁体層４の上面に露出しており、ステッチを構成している。絶縁体層４にはその厚さ方向に貫通するスルーホールコンタクト９が形成されており、このスルーホールコンタクト９により第２金属導体層７と第３金属導体層８とが電気的に接続されている。そして、絶縁体層２，３，４，５の積層体から構成されるパッケージ側壁の外面には、垂直に延びる半月状の複数個の凹所が形成されており、この凹所にメッキ配線１０が被着されている。第１層及び第２層の金属導体層６，７はメッキ配線１０に電気的に接続されている。また、パッケージの裏面（絶縁体層２の下面）には外部電極１１が形成されており、第１層及び第２層の金属導体層６，７はメッキ配線１０を介して外部電極１１に電気的に接続されている。半導体チップ１のＶｃｃパッドはワイヤーボンディングによりステッチ第３金属導体層８に接続されており、更にスルーホールコンタクト９を介して２層目の金属導体層７に接続されている。この導体層７には他のＶｃｃパッドも同様に接続される。従って、Ｖｃｃ電位はこの２層目の金属導体層７とパッケージ側面の半月状のメッキ配線１０とを介して、パッケージ裏面の外部電極１１に接続される。なお、Ｖｃｃ以外の入出力パッドは一層目のステッチ金属導体層６を介して直接側面のメッキ配線１０に接続されている」と記載されている。
　　　
［４］甲第４号証
　【特許請求の範囲】に、
「【請求項１】セラミックからなるフレームに信号線路とＤＣ線路とを備えたパッケージであって、前記信号線路上方とその下方の前記フレームにグランド層をそれぞれ備えて、それらのグランド層により前記信号線路をマイクロストリップ線路構造、ストリップ線路構造、マイクロストリップ線路構造に順次形成した高周波素子用パッケージにおいて、前記ＤＣ線路両側のフレームに前記信号線路上方とその下方のグランド層を電位差なく接続するビアをそれぞれ備えると共に、前記信号線路両側のフレームに前記グランド層に接続されたグランドビアを、信号線路のマイクロストリップ線路構造、ストリップ線路構造を損なわぬようにして、信号線路に接近させてそれぞれ備えて、それらのグランドビアと前記グランド層とで囲まれた前記信号線路の擬似矩形同軸壁の横幅を狭めたことを特徴とする高周波素子用パッケージ。
　【請求項２】セラミックからなるフレームに信号線路を備えたパッケージであって、前記信号線路上方とその下方の前記フレームにグランド層をそれぞれ備えて、それらのグランド層により前記信号線路をマイクロストリップ線路構造、ストリップ線路構造、マイクロストリップ線路構造に順次形成した高周波素子用パッケージにおいて、前記信号線路両側のフレームに前記グランド層に接続されたグランドビアを、信号線路のマイクロストリップ線路構造、ストリップ線路構造を損なわぬようにして、信号線路に接近させてそれぞれ備えると共に、前記信号線路両側のフレーム表面に前記信号線路上方とその下方のグランド層を電位差なく接続するグランド壁を、信号線路のマイクロストリップ線路構造、ストリップ線路構造を損なわぬようにして、信号線路に接近させてそれぞれ備えて、それらのグランドビアとグランド壁と前記グランド層とで囲まれた前記信号線路の擬似矩形同軸壁の横幅を狭めたことを特徴とする高周波素子用パッケージ。」と記載され、
　段落【0001】の【産業上の利用分野】に、
「本発明は、高周波信号で動作させる半導体チップ等を収容する高周波素子用パッケージに関する」と記載され、
　段落【0017】に、
「図において、２０は、ほぼ方形枠体状をしたセラミックからなるフレームであって、パッケージ側壁を形成している」と記載され、
　段落【0020】，【0021】に、
「信号線路１０上方とその下方に当たるフレーム２０の上下面には、メタライズからなるグランド層４０、４２を連続して広く層状にそれぞれ備えている。そして、それらのグランド層４０、４２により、信号線路１０を、その内側から外側へとマイクロストリップ線路構造、ストリップ線路構造、マイクロストリップ線路構造にそれぞれ順次形成している。そして、それらのマイクロストリップ線路構造、ストリップ線路構造、マイクロストリップ線路構造をした信号線路１０の特性インピーダンスを、パッケージに収容する半導体チップ等の内部信号回路の持つ特性インピーダンスの５０Ω等にマッチングさせている。フレーム四隅のコーナー部２０ａには、フレーム２０の上下面に備えたグランド層４０、４２を接続する太めのビア５０をフレーム２０を上下に貫通してそれぞれ備えている。そして、フレーム上下面のグランド層４０、４２をほぼ同一グランド電位に保持できるようにしている」と記載され、
　段落【0023】に、
「フレーム２０下面には、高熱放散性の金属板からなるヒートシンク６０を接合している。詳しくは、ヒートシンク６０をフレーム２０下面に備えたメタライズからなるグランド層４２にろう付け接合している」と記載されている。
　　　
［５］甲第５号証
　特許請求の範囲に、
「グランド電位である底グランド面７と、底グランド面７に一端が接続されている適数個の抵抗１２、１２、・・・と、抵抗１２、・・・の他端につながる下パッド１５、１５、・・・とを下面に有しグランド電位である下グランド面６を上面に有する盲板である第１セラミック板１と、中央に開口があって線幅が一定で中央の開口縁から外縁に向けて放射状に設けられたメタライズ配線８、９を上面に有し第１セラミック板１の上に積層される第２セラミック板２と、メタライズ配線８、９の外縁に取付けられたリードフレーム１１、１１、・・・と、中央により広い開口を有しグランド電位である上グランド面５を上面に有し第２セラミック板２の上に積層される第３セラミック板３と、中央にさらに広い開口を有し電源電位或いはグランド電位であるキャップ用メタライズ面１８、・・・を上面に設け蓋板によって被覆されるべき１枚あるいはそれ以上のセラミック板４、・・・と、メタライズ配線９のうちグランド電位、電源電位の配線と下グランド面６、上グランド面５、キャップ用メタライズ面１８、底グランド面７とを接続するスルーホール２１、２２、２３、２４と、第２セラミック板２の上面で開口の近傍に於て、メタライズ配線８、９、・・・の中間に設けられた上パッド１７、・・・と、抵抗１２につながる底面の下パッド１５、・・・と上パッド１７、・・・とを上下に接続するスルーホール１６、１６、・・・とを有し、メタライズ配線８、９は一定の線幅をもち上下を誘電体であるセラミック及びグランド面５、６で挟まれていることにより所定の特性インピーダンスＺ０を有し、パッケージ底面の抵抗１２の抵抗値は特性インピーダンスＺ０に等しくしてある事を特徴とする集積回路パッケージ」と記載され、
　第２頁左上欄第２〜４行に、
「（ア）　技術分野　この発明は、数100Mb/s以上の高速信号を処理するデイジタル集積回路用パッケージに関する」と記載され、
　第３頁右下欄第１８〜第４頁左上欄第１０行に、
「最下底の第１セラミック板１は開口のない盲板である。これの上面には、広い面積にわたって、下グランド面６が形成されている。これは第４図と第３図に示している。中央の部分にはＩＣチップがダイボンドされる。第２セラミック板２は、中央に正方形状の開口がある。これを第１セラミック板１に重ね合わせると、上方の開口した凹部ができる。これをキャビティ１９と呼ぶ。ここにＩＣチップをとりつけるので、ＩＣチップより少し広い凹部である。第２セラミック板２の重要な役割は、その上に多数の信号線、電源線、グランド線を形成するという事である」と記載され、
　第５頁左上欄第７行〜同頁右上欄第１２行に、
「第３セラミック板３の上には、中央により広い開口を有する第４セラミック板４が積層される。第４セラミック板４の上もメタライズ面となっている。この上に、セラミックの蓋板をとりつけて内部を密封する。この蓋板をキャップという。これはグランド電位であってもよいし電源電位であってもよい。これを電源電位とすれば、１層下のグランド面６との間に大きい容量が形成される。このため、電源電位を安定化させる事ができる。第１セラミック板１の下面にも、底グランド面７がある。これは全面にではなく四辺の一部だけでよい。
　下グランド面６、上グランド面７は、グランドメタライズ配線９と、上下方向に延びるスルーホール２１、２２によって結合される。またキャップ用メタライズ面１８は、スルーホール２３によって、グランドメタライズ配線９（グランド又は電源配線のいずれか）に結合される。底グランド面７は、スルーホール２４によって下グランド面６と結合される。もちろん、底グランド面７を、直接に、１本のスルーホールによって、グランドメタライズ配線９とつないでもよい」と記載され、
　第５頁右下欄第３行〜第６頁左上欄第８行に、
「下パッド１５は第１セラミック板の下面にあるが、２層上の第２セラミック板の上面には、これらと上下対応するように、同数の上パッド１７が設けられる。下パッド１５と上パッド１７とは、同数のスルーホール１６によって接続される。上パッド１７は、第１図に現れるように、メタライズ配線８、９の内縁近傍であって、隣接配線８、９の中間に位置しなければならない。上パッド１７はキャビティ１９の近傍で、隣接配線の中間にあるので、位置が決まる。薄膜抵抗１２の位置に制限はないが、平行に並べた方が作りやすいので、第５図に示すようになる。このため、連絡配線１４が必要になる。上パッド１７は、グランド電位と５０Ωの抵抗によってつながれている。そこで第８図に示すように、信号用メタライズ配線８の内縁と上パッド１７とをワイヤ２９で接続すると、その配線が５０Ωで終端されたことになる。このように、薄膜抵抗１２は終端用の抵抗として利用できる。すると、薄膜抵抗１２、スルーホール１６、上下パッド１７、１５の数は入力信号線の数だけあればよい事になる」と記載されている。
　　　
［６］甲第６号証
　【特許請求の範囲】の【請求項１】に、
「上面外周部に四角形状の枠部を有するセラミックス基体と、該セラミックス基体に形成されたメタライズ配線層と、前記セラミックス基体の枠部上面に被着され、表面がメッキ金属層で被覆されている方形環状のメタライズ金属層と、該メタライズ金属層にロウ付けされた金属枠体と、該金属枠体に溶接される金属製蓋体とから成り、前記方形環状のメタライズ金属層はその４隅が枠部内部に配された貫通導体を介してメタライズ配線層に接続されていることを特徴とする電子部品収納用パッケージ」と記載され、
　段落【0001】の【発明の属する技術分野】に、
「本発明は半導体素子や水晶振動子、弾性表面波素子等の電子部品を収容するための電子部品収納用パッケージに関するものである」と記載され、
　段落【0013】に、
「また前記セラミックス基体１には枠部２の内側からセラミックス基体１の下面にかけて導出する複数個のメタライズ配線層５が被着形成されており、該メタライズ配線層５の枠部２内側には半導体素子４の電極がボンデイングワイヤ６を介して電気的に接続され、またセラミックス基体１の下面に導出した部位は外部電気回路基板の配線導体（不図示）が半田等を介して電気的に接続される」と記載され、
　段落【0019】に、
「また前記セラミックス基体１の枠部２上面には方形環状のメタライズ金属層７が被着形成されているとともに該方形環状のメタライズ金属層７はその４隅において枠部２の内部に配した貫通導体１２を介してメタライズ配線層５に電気的に接続されている」と記載されている。
　　　
【５-2】参考資料１〜９の記載内容
　［１］参考資料１〜３に、
「パッケージのコーナー部側面に導体を形成する構成」が記載されている。
　［２］参考資料４〜６に、
「キャビティを有するパッケージの枠部において、スルーホールを有する構成」が記載されている。
　［３］参考資料７〜９に、
「複数のセラミック板に形成したスルーホールを介して、セラミック板の上下に形成したグランド同士を電気的に接続する構成」が記載されている。
　［４］また、参考資料９に、
「半導体チップが接続される配線及び底部の基板下面に形成された配線をそれぞれ入出力端子及び入出力パッドとして用いること」が記載されている。
　　　
【６】特許異議申立てに対する当審の判断
　以下、本件発明３〜７について、上記【３-2】段落で示した特許異議申立て理由に関し各発明ごとに判断する。
　　　
［１］本件発明３について、
　甲第１号証には、本件発明３の「底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続されている」という事項(3a)について、記載も示唆もなく、また当該事項が甲第１号証の内容から自明でもない。したがって、本件発明３が甲第１号証に記載の発明と同一であるとはいえない。(２９条の２に該当せず)
　　　
　甲第２〜４号証には、本件発明３の前記事項(3a)に加え、さらに「枠体の高さ方向中間部に形成された接続水平パターン、スルーホール・・・を介して、前記枠体の上面と底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続され」るという事項(3b)も記載ないし示唆されていない。また、参考資料１〜６を参照しても、これらの事項(3a)，(3b)は記載も示唆もされていない。したがって、本件発明３の発明特定事項のほとんどを開示していないこれらの刊行物から本件発明３が容易に想到されたと認めることはできない。(２９条第２項に該当せず)
　　　
［２］本件発明４について、
　本件発明４は、「枠体のコーナー上部外側面、前記枠体の高さ方向中間部に形成された接続水平パターン、スルーホール・・・を介して、前記枠体の上面と底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続されて」いることを、その発明特定事項としている。
　一方、甲第２，５号証および参考資料７〜９には、前記の発明特定事項が記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明４は、前記の発明特定事項により、訂正明細書記載の「シールリングに半田ペーストを塗布して蓋体を固着させる際に、半田ペーストが枠体のコーナー部外側面を伝って流れ落ち、底板の下面にまで回り込むことを防止することができる。また、前記シールリングのコーナー部に流れ止めを形成する必要もないので、シールパスを充分に確保することができ、封止の信頼性を向上させることができる」という作用効果を奏する。
　したがって、本件発明４が、甲第２，５号証および参考資料７〜９の記載内容から、当業者が容易に想到できたものとは認められない。
　　　
［３］本件発明５について、
　甲第１号証または甲第６号証には、本件発明５の「底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続されている」という事項(5a)について、記載も示唆もなく、また当該事項が甲第１，６号証の内容から自明でもない。したがって、本件発明５が甲第１号証または甲第６号証に記載の発明と同一であるとはいえない。(２９条の２に該当せず)
　　　
　甲第３，４号証には、本件発明５の前記事項(5a)に加え、さらに「枠体のコーナー部に垂直方向に形成されたスルーホール、底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部側面を介して、前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続され」ているという事項(5b)も記載ないし示唆されていない。また、参考資料１〜６を参照しても、これらの事項(5a)，(5b)は記載も示唆もされていない。したがって、本件発明５の発明特定事項のほとんどを開示していないこれらの刊行物から本件発明５が容易に想到されたと認めることはできない。(２９条第２項に該当せず)
　　　
［４］本件発明６について、
　本件発明６は、「枠体のコーナー部に垂直方向に形成されたスルーホール、底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部に垂直方向に形成されたスルーホールを介して、前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続されている」ことを、その発明特定事項としている。
　一方、甲第５，４号証および参考資料７〜９には、前記の発明特定事項が記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明６は、前記の発明特定事項により、訂正明細書記載の「シールリングに半田ペーストを塗布して蓋体を固着させる際に、半田ペーストが枠体のコーナー部外側面を伝って流れ落ち、底板の下面にまで回り込むことを防止することができる。また、前記シールリングのコーナー部に流れ止めを形成する必要もないので、シールパスを充分に確保することが可能となり、封止の信頼性を向上させることができる」という作用効果を奏する。
　したがって、本件発明６が、甲第５，４号証および参考資料７〜９の記載内容から、当業者が容易に想到できたものとは認められない。
　　　
［５］本件発明７(請求項４又は６を引用する発明)について、
　本件発明７は、本件発明４又は６を引用し、さらなる発明特定事項を付加して限定するものである。
　ところで、本件発明７で引用されている本件発明４又は６が、上記［２］，［４］段落に記載したように、甲第２，４，５号証および参考資料７〜９の記載内容から、当業者が容易に想到できたものとは認められない。
　したがって、必然の帰結として、本件発明７は甲第２，４，５号証および参考資料７〜９の記載内容から当業者が容易に想到できたものとすることはできない。
　　　
【７】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由および証拠によっては、本件発明３〜７に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明３〜７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年１１月９日（２００５．１１．９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
セラミックパッケージ基体
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、
　前記枠体のコーナー上部外側面、前記枠体の高さ方向中間部に形成された接続水平パターン、前記枠体のコーナー下部内側面、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部側面を介して、
　前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続されていることを特徴とするセラミックパッケージ基体。
　【請求項２】略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、
　前記枠体のコーナー上部外側面、前記枠体の高さ方向中間部に形成された接続水平パターン、前記枠体のコーナー下部内側面、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及びスルーホールを介して、
　前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続されていることを特徴とするセラミックパッケージ基体。
　【請求項３】略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、
　前記枠体のコーナー上部外側面、前記枠体の高さ方向中間部に形成された接続水平パターン、スルーホール、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部側面を介して、
　前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続され
、
　
前記底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続され
　【請求項４】略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、
　前記枠体のコーナー上部外側面、前記枠体の高さ方向中間部に形成された接続水平パターン、スルーホール、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及びスルーホールを介して、
　前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続されていることを特徴とするセラミックパッケージ基体。
　【請求項５】略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、
　前記枠体のコーナー部に垂直方向に形成されたスルーホール、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部側面を介して、
　前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続され
、
　
前記底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続され
　【請求項６】略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、
　前記枠体のコーナー部に垂直方向に形成されたスルーホール、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部に垂直方向に形成されたスルーホールを介して、
　前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続されていることを特徴とするセラミックパッケージ基体。
　【請求項７】前記底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１
、２、４、
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は
セラミックパッケージ基体
セラミックパッケージ基体
　【０００２】
　【従来の技術】
　図１１（ａ）は、従来のセラミックパッケージ基体を概略的に示した斜視図であり、（ｂ）は下から見た斜視図である。また、図１２は分解斜視図である。
　【０００３】
　このパッケージ基体は底板１０と枠体２０とを含んで構成されており、枠体２０の上面導体層（以下、シールリングとも記す）２３と底板１０の上面に形成されたグラウンドパターン１４とが、枠体２０の凹部（コーナー部外側面）２１ａ〜２１ｄを介して電気的に接続され、さらに底板１０の凹部（コーナー部側面）１１ａ〜１１ｄを介して、シールリング２３及びグラウンドパターン１４と、グラウンドパッド１６ａ〜１６ｄとが電気的に接続されている。ここで言うシールリングとは、蓋体（図示せず）が半田付けされる部分である。
　【０００４】
　また、底板１０の上面に形成された入出力端子１３ａ、１３ｂと底板１０の下面に形成された入出力パッド１５ａ、１５ｂとが、底板１０の側面に形成された凹部１２ａ、１２ｂを介して電気的に接続されている。
　【０００５】
　また、凹部１１ａ〜１１ｄ、１２ａ、１２ｂ、及び２１ａ〜２１ｄにはメタライズ処理が施されており、底板１０と枠体２０とが積層され、焼成された後にめっき処理が施される部分である。なお、めっき付けが行なわれない図中２２ａ、２２ｂ部分が凹部形状となっているのは、凹部１２ａ、１２ｂへ適切にめっき液が流れるようにするためである。この凹部２２ａ、２２ｂが形成されていないと、途中でバブル等ができてしまい、適切にめっき付けができなくなる虞れがある。
　【０００６】
　図１１、図１２に示したパッケージ基体を封止する際、すなわちシールリング２３に半田ペーストを塗布して蓋体を固着させる際、シールリング２３に半田ペーストを塗布すると、めっきの付いている凹部２１ａ〜２１ｄ、１１ａ〜１１ｄを伝って半田ペーストが流れ落ちて、底板１０の下面にまで回り込んでしまい、プリント基板への実装に支障をきたす虞れがある。
　【０００７】
　上記問題を解決するための手段としては、図１３に示したようにシールリング２３のコーナー部に半田ペーストの流れ止めとして、絶縁ペースト２４ａ〜２４ｄを塗布しておくこと等が考えられる。これによって、底板１０の下面、すなわちパッケージ基体の裏面へ半田ペーストが回り込むのを防止することができる。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、最近のパッケージ基体はますます小型化が図られてきており、上記したようにシールリング２３のコーナー部に絶縁ペースト２４ａ〜２４ｄを塗布すると、蓋体を固着させるためのシールパスの確保が難しくなるといった問題がある。特に、コーナー部における距離ｄは著しく短くなってしまい、シールパスの確保がほとんど不可能な状態になる。
　【０００９】
　また、パッケージ基体の小型化が進むにつれて生ずる別の問題点として、距離ｓが短くなることによって封止時の信頼性が低下するといったことや、凹部２２ａ、２２ｂ形成時にクラック等が発生し易くなるといったことがある。
　【００１０】
　本発明は上記課題に鑑みなされたものであって、封止に用いられる半田ペーストがパッケージ基体の裏面へ回り込むのを防止することができ、なおかつ封止の信頼性を確保することのできる
セラミックパッケージ基体
　【００１１】
　【課題を解決するための手段及びその効果】
　上記目的を達成するために本発明に係るセラミックパッケージ基体（１）は、略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、前記枠体のコーナー上部外側面、前記枠体の高さ方向中間部に形成された接続水平パターン、前記枠体のコーナー下部内側面、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部側面を介して、前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続されていることを特徴としている。
　【００１２】
　また、本発明に係るセラミックパッケージ基体（２）は、略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、前記枠体のコーナー上部外側面、前記枠体の高さ方向中間部に形成された接続水平パターン、前記枠体のコーナー下部内側面、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及びスルーホールを介して、前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続されていることを特徴としている。
　【００１３】
　また、本発明に係るセラミックパッケージ基体（３）は、略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、前記枠体のコーナー上部外側面、前記枠体の高さ方向中間部に形成された接続水平パターン、スルーホール、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部側面を介して、前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続され
、前記底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続され
　【００１４】
　また、本発明に係るセラミックパッケージ基体（４）は、略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、前記枠体のコーナー上部外側面、前記枠体の高さ方向中間部に形成された接続水平パターン、スルーホール、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及びスルーホールを介して、前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続されていることを特徴としている。
　【００１５】
　上記セラミックパッケージ基体（１）〜（４）のいずれかによれば、前記枠体の上面と電気的に接続されている前記接続水平パターンと、前記グラウンドパターンとの電気的接続を前記枠体のコーナー下部内側面、又はスルーホールを介して行なうことによって、前記枠体の上面（シールリング）と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとの電気的接続を前記枠体のコーナー下部外側面を介さずに行なうことができる。
　従って、シールリングに半田ペーストを塗布して蓋体を固着させる際に、半田ペーストが前記枠体のコーナー部外側面を伝って流れ落ち、前記底板の下面にまで回り込むことを防止することができる。
　また、前記シールリングのコーナー部に流れ止めを形成する必要もないので、シールパスを充分に確保することができ、封止の信頼性を向上させることができる。
　【００１６】
　また、本発明に係るセラミックパッケージ基体（５）は、略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、前記枠体のコーナー部に垂直方向に形成されたスルーホール、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部側面を介して、前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続され
、前記底板の上面に形成された入出力端子と、前記底板の下面に形成された入出力パッドとがスルーホールを介して電気的に接続され
　【００１７】
　また、本発明に係るセラミックパッケージ基体（６）は、略矩形状の底板と、キャビティ部を形成する枠体とを含んで構成されたセラミックパッケージ基体において、前記枠体のコーナー部に垂直方向に形成されたスルーホール、前記底板の上面に形成されたグラウンドパターン、及び前記底板のコーナー部に垂直方向に形成されたスルーホールを介して、前記枠体の上面と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとが電気的に接続されていることを特徴としている。
　【００１８】
　上記セラミックパッケージ基体（５）又は（６）によれば、前記枠体の上面と前記グラウンドパターンとの電気的接続を前記スルーホールを介して行なうことによって、前記枠体の上面（シールリング）と前記底板の下面に形成されたグラウンドパッドとの電気的接続を前記枠体のコーナー部外側面を介さずに行なうことができる。
　従って、シールリングに半田ペーストを塗布して蓋体を固着させる際に、半田ペーストが前記枠体のコーナー部外側面を伝って流れ落ち、前記底板の下面にまで回り込むことを防止することができる。
　また、前記シールリングのコーナー部に流れ止めを形成する必要もないので、シールパスを充分に確保することが可能となり、封止の信頼性を向上させることができる。
　【００１９】
　また、本発明に係るセラミックパッケージ基体（７）は、上記セラミックパッケージ基体（１）
、（２）、（４）、
　【００２０】
　上記セラミックパッケージ基体（７）によれば、前記入出力端子と前記入出力パッドとの電気的接続が、従来のように前記底板の側面部を介するものではなく、スルーホールを介したものとなっているので、前記接続のためのメタライズ処理、及びめっき処理を前記底板の側面部に施す必要がない。
　従って、該側面部に適切にめっき付けを行なうために設けられていた凹部２２ａ、２２ｂ（図１１参照）形成の必要性がなくなり、凹部２２ａ、２２ｂの形成時にクラックが発生し易くなるといった問題や、凹部２２ａ、２２ｂによって生じていたシールパスの充分な確保が難しいといった問題が解決される。
　【００２１】
　【００２２】
　【００２３】
　【００２４】
　【００２５】
　【００２６】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明に係るセラミックパッケージ基体の実施の形態を図面に基づいて説明する。
　図１（ａ）は実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（１）を概略的に示した斜視図であり、（ｂ）は下から見た斜視図である。また、図２は分解斜視図であり、図３（ａ）は平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’線断面図である。
　【００２７】
　実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（１）は、底板３０と、第１の枠体４０と、第２の枠体５０とを含んで構成されており、第２の枠体５０の上面導体層（以下、シールリングとも記す）５３と底板３０の上面に形成されたグラウンドパターン３３とが、第２の枠体５０の凹部（コーナー部外側面）５１ａ〜５１ｄ、第１の枠体４０の上面に形成された接続水平パターン４３ａ〜４３ｄ、及び第１の枠体４０の凹部（コーナー部内側面）４２ａ〜４２ｄを介して電気的に接続され、さらに底板３０の凹部（コーナー部側面）３１ａ〜３１ｄを介して、シールリング５３及びグラウンドパターン３３と、グラウンドパッド３６ａ〜３６ｄとが電気的に接続されている。
　【００２８】
　また、底板３０の上面に形成された入出力端子３２ａ、３２ｂと底板３０の下面に形成された入出力パッド３４ａ、３４ｂとが、スルーホール３５ａ、３５ｂを介して電気的に接続されている。
　【００２９】
　また、凹部４２ａ〜４２ｄ、３１ａ〜３１ｄ、及び５１ａ〜５１ｄにはメタライズ処理が施されており、底板３０と第１の枠体４０と第２の枠体５０とが積層され、焼成された後にめっき処理が施される部分である。なお、めっき付けが行なわれない図中４１ａ〜４１ｄ部分が凹部形状となっているのは、凹部３１ａ〜３１ｄ、及び５１ａ〜５１ｄへ適切にめっき液が流れるようにするためである。この凹部４１ａ〜４１ｄが形成されていないと、途中でバブル等ができてしまい、適切にめっき付けができなくなる虞れがある。
　【００３０】
　上記実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（１）によれば、第２の枠体の上面５３と第２の枠体５０の凹部５１ａ〜５１ｄを介して電気的に接続されている接続水平パターン４３ａ〜４３ｄと、グラウンドパターン３３との電気的接続を第１の枠体４０の凹部４２ａ〜４２ｄを介して行なうことによって、第２の枠体５０の上面（シールリング）５３と底板３０の下面に形成されたグラウンドパッド３６ａ〜３６ｄとの電気的接続を第１の枠体４０の凹部４１ａ〜４１ｄを介さずに行なうことができる。
　【００３１】
　すなわち、第１の枠体４０の凹部（コーナー部外側面）４１ａ〜４１ｄにおけるサイドメタライズ層の廃除によって（図３（ｂ）参照）、半田ペーストが流れ落ちるのを阻止することが可能になる。従って、シールリング５３に半田ペーストを塗布して蓋体を固着させる際に、半田ペーストが凹部５１ａ〜５１ｄ、４１ａ〜４１ｄ、及び３１ａ〜３１ｄを伝って流れ落ち、底板３０の下面にまで回り込むことを防止することができる。
　また、シールリング５３のコーナー部に流れ止めを形成する必要もないので、シールパスを充分に確保することができ、封止の信頼性を向上させることができる。
　【００３２】
　さらに、入出力端子３２ａ、３２ｂと入出力パッド３４ａ、３４ｂとの電気的接続が、従来のように底板１０（図１１参照）の側面部に形成されていた２２ａ、２２ｂ（図１１参照）を介するものではなく、スルーホール３５ａ、３５ｂを介したものとなっているので、前記接続のためのメタライズ処理、及びめっき処理を底板３０の側面部に施す必要がない。
　【００３３】
　従って、該側面部に適切にめっき付けを行なうために、枠体２０（図１１参照）の側面に設けられていた凹部２２ａ、２２ｂ形成の必要性がなくなり、凹部２２ａ、２２ｂの形成時にクラックが発生し易くなるといった問題や、凹部２２ａ、２２ｂによって生じていたシールパスの充分な確保が難しいといった問題が解決される。
　【００３４】
　また、上記実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（１）では、凹部（コーナー部内側面）４２ａ〜４２ｄを介して、接続水平パターン４３ａ〜４３ｄとグラウンドパターン３３とが電気的に接続されているが、スルーホール４４を介して前記接続を行なうこともできる。図４（ａ）はその要部を概略的に示した部分断面図である。
　【００３５】
　また、上記実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（１）では、凹部（コーナー部側面）３１ａ〜３１ｄを介して、グラウンドパターン３３とグラウンドパッド３６ａ〜３６ｄとが電気的に接続されているが、これもまたスルーホール３７を介して前記接続を行なうことができる。図４（ｂ）（ｃ）はその要部を概略的に示した部分断面図である。
　【００３６】
　図５（ａ）は実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（２）を概略的に示した斜視図であり、（ｂ）は下から見た斜視図である。また、図６は分解斜視図であり、図７（ａ）は平面図であり、（ｂ）はＢ−Ｂ’線断面図である。
　【００３７】
　実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（２）は、底板６０と、枠体７０とを含んで構成されており、枠体７０の上面導体層（以下、シールリングとも記す）７３と底板６０の上面に形成されたグラウンドパターン６３とが、枠体７０に形成されたスルーホール７４ａ〜７４ｄを介して電気的に接続され、さらに底板６０の凹部（コーナー部側面）６１ａ〜６１ｄを介して、シールリング７３及びグラウンドパターン６３と、グラウンドパッド６６ａ〜６６ｄとが電気的に接続されている。
　【００３８】
　また、底板６０の上面に形成された入出力端子６２ａ、６２ｂと底板６０の下面に形成された入出力パッド６４ａ、６４ｂとが、スルーホール６５ａ、６５ｂを介して電気的に接続されている。
　【００３９】
　また、凹部６１ａ〜６１ｄにはメタライズ処理が施されており、底板６０と枠体７０とが積層され、焼成された後にめっき処理が施される部分である。なお、めっき付けが行なわれない図中７１ａ〜７１ｄ部分が凹部形状となっているのは、凹部６１ａ〜６１ｄへ適切にめっき液が流れるようにするためである。この凹部６１ａ〜６１ｄが形成されていないと、途中でバブル等ができてしまい、適切にめっき付けができなくなる虞れがある。
　【００４０】
　上記実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（２）によれば、枠体７０の上面７３とグラウンドパターン６３との電気的接続をスルーホール７４ａ〜７４ｄを介して行なうことによって、枠体７０の上面（シールリング）７３と底板６０の下面に形成されたグラウンドパッド６６ａ〜６６ｄとの電気的接続を枠体７０の凹部７１ａ〜７１ｄを介さずに行なうことができる。
　【００４１】
　すなわち、枠体７０の凹部（コーナー部外側面）７１ａ〜７１ｄにおけるサイドメタライズ層の廃除によって（図７（ｂ）参照）、半田ペーストが流れ落ちるのを阻止することが可能になる。従って、シールリング７３に半田ペーストを塗布して蓋体を固着させる際に、半田ペーストが凹部７１ａ〜７１ｄ、及び６１ａ〜６１ｄを伝って流れ落ち、底板６０の下面にまで回り込むことを防止することができる。
　また、シールリング７３のコーナー部に流れ止めを形成する必要もないので、シールパスを充分に確保することができ、封止の信頼性を向上させることができる。
　【００４２】
　さらに、入出力端子６２ａ、６２ｂと入出力パッド６４ａ、６４ｂとの電気的接続が、従来のように底板１０（図１１参照）の側面部に形成されていた２２ａ、２２ｂ（図１１参照）を介するものではなく、スルーホール６５ａ、６５ｂを介したものとなっているので、前記接続のためのメタライズ処理、及びめっき処理を底板６０の側面部に施す必要がない。
　【００４３】
　従って、該側面部に適切にめっき付けを行なうために、枠体２０（図１１参照）の側面に形成されていた凹部２２ａ、２２ｂ形成の必要性がなくなり、凹部２２ａ、２２ｂの形成時にクラックが発生し易くなるといった問題や、凹部２２ａ、２２ｂによって生じていたシールパスの充分な確保が難しいといった問題が解決される。
　【００４４】
　また、上記実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（２）では、凹部６１ａ〜６１ｄを介して、グラウンドパターン６３とグラウンドパッド６６ａ〜６６ｄとが電気的に接続されているが、スルーホール６７を介して前記接続を行なうこともできる。図８はその要部を概略的に示した部分断面図である。
　【００４５】
　これによって、凹部６１ａ〜６１ｄにメタライズ処理、及びめっき処理を施す必要がなくなる。従って、凹部６１ａ〜６１ｄへ適切にめっき付けを行なうために設ける凹部７１ａ〜７１ｄを形成する必要がなくなるので、シールリング７３のコーナー部においてシールパスをより一層十分に確保することができるようになる。
　【００４６】
　続いて、上記実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（１）の製造方法を図９に示したフローチャートに基づいて説明する。また、図１０は後で説明する第２工程終了後のグリーンシート８１〜８３を概略的に示した平面図である。
　【００４７】
●第１工程
　略矩形の板状に成形したグリーンシート８１〜８３にスルーホール８４〜８６を形成する。
　第１のグリーンシート８１には、第２の枠体５０の凹部（コーナー部外側面）５１ａ〜５１ｄを得るためのスルーホール８４を形成する。
　第２のグリーンシート８２には、第１の枠体４０の凹部（コーナー部外側面）４１ａ〜４１ｄを得るためのスルーホール８５を形成する。
　第３のグリーンシート８３には、底板３０の凹部（コーナー部側面）３１ａ〜３１ｄを得るためのスルーホール８６を形成する。
　【００４８】
●第２工程
　グリーンシート８１ー８３間の電気的接続を可能とするために、スルーホール８４、８６へメタライズ処理を施すと共に、グリーンシート８１〜８３の片面に、メタライズ印刷処理を施して、それぞれのグリーンシート８１〜８３にグラウンド用や、入出力用のペースト層を形成する。
　第１のグリーンシート８１は第２の枠体５０を形成するためのものであり、シールリング５３用のペースト層を形成する。
　第２のグリーンシート８２は第１の枠体４０を形成するためのものであり、接続水平パターン４３ａ〜４３ｄ用のペースト層を形成する。
　第３のグリーンシート８３は底板３０を形成するためのものであり、グラウンドパターン３３、及び入出力端子３２ａ、３２ｂ用のペースト層を形成する。
　【００４９】
●第３工程
　ペースト層が形成されていない内側部分、すなわちキャビティ部５４、４５を打ち抜く。
●第４工程
　グリーンシート８１〜８３を所定の位置で積層し、熱プレスによって一体化させ、さらにスルーホール８４（８５、８６）を切断交叉部として、この積層体を切断（第６工程）できるように切れ目をいれる。
●第５工程
　還元性雰囲気で焼成し、その後、めっき処理を施す。
●第６工程
　切れ目に沿って、所定の外形寸法に積層体を切断する。
　【００５０】
　上記セラミックパッケージ基体の製造方法によれば、導体ペーストが塗布された１つのスルーホール８４（８６）から、電気的接続の可能なコーナー部側面５１ａ〜５１ｄ（３１ａ〜３１ｄ）を一度に４つ形成することが可能となり、効率良くセラミックパッケージ基体を製造することができる。
　【００５１】
　また、上記セラミックパッケージ基体の製造方法は、実施の形態に係るパッケージ（１）についてのみ有効であるのではなく、電気的接続に用いるコーナー部側面を具備したセラミックパッケージ基体を製造する場合に有効である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
（ａ）は本発明の実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（１）を概略的に示した斜視図であり、（ｂ）は下からの斜視図である。
　【図２】
　実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（１）を概略的に示した分解斜視図である。
　【図３】
（ａ）は実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（１）を概略的に示した平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’線断面図である。
　【図４】
（ａ）〜（ｃ）は、別のセラミックパッケージ基体の要部を概略的に示した部分断面図である。
　【図５】
（ａ）は実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（２）を概略的に示した斜視図であり、（ｂ）は下からの斜視図である。
　【図６】
　実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（２）を概略的に示した分解斜視図である。
　【図７】
（ａ）は実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（２）を概略的に示した平面図であり、（ｂ）はＢ−Ｂ’線断面図である。
　【図８】
　別のセラミックパッケージ基体の要部を概略的に示した部分断面図である。
　【図９】
　実施の形態に係るセラミックパッケージ基体（１）の製造方法を示したフローチャートである。
　【図１０】
　第２工程終了後のグリーンシートを概略的に示した平面図である。
　【図１１】
（ａ）は、従来のセラミックパッケージ基体を概略的に示した斜視図であり、（ｂ）は下からの斜視図である。
　【図１２】
　従来のセラミックパッケージ基体を概略的に示した分解斜視図である。
　【図１３】
　流れ止めを設けたセラミックパッケージ基体を概略的に示した平面図である。
　【符号の説明】
　２３、５３、７３　シールリング
　２４ａ〜２４ｄ　絶縁ペースト
　４０　第１の枠体
　５０　第２の枠体
　８１　第１のグリーンシート
　８２　第２のグリーンシート
　８３　第３のグリーンシート