Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年12月25日(2009.12.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１６】
前記コーティング材料の厚さが０．２５ミクロンと５ミクロンの間である、請求項１２に記載の可変速度変速機。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１７】
前記コーティング材料の厚さが０．５ミクロンと４ミクロンの間である、請求項１２に記載の可変速度変速機。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２５】
前記コーティング材料の厚さが０．２５ミクロンと５ミクロンの間である、請求項２１に記載の可変速度変速機。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２６】
前記コーティング材料の厚さが０．５ミクロンと４ミクロンの間である、請求項２１に記載の可変速度変速機。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３４】
前記コーティング材料の厚さが０．２５ミクロンと５ミクロンの間である、請求項３０に記載の可変速度変速機。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３５】
前記コーティング材料の厚さが０．５ミクロンと４ミクロンの間である、請求項３０に記載の可変速度変速機。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年9月15日(2010.9.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
ほんの僅かにイソプレンに富むこの精製された最終C5留分に由来するイソプレンの単独重合化のこの可能性は、初期C5留分の濃縮操作の単純化、及びその結果、上記初期C5留分からポリイソプレンを得るための全体コストの実質的減少を及ぼす。
本発明の別の特徴によれば、上記流動床式接触分解された初期C5留分から上記イソプレンに富み、精製され、上記触媒系の存在下、イソプレンの選択的重合の媒体の形成に有効な最終C5留分を製造する方法は、以下の工程、
（１）中間体C5留分に適用される脱水素工程であり、メチルブテンを含み、上記初期C5留分から得られ、また上記最終C5留分を生成する工程、
（２）実質的に二置換アルキン、末端アルキン（ビニルアセチレンを含む）及びシクロペンタジエンを欠く上記精製された最終C5留分を得るために、このようにして得られた上記最終C5留分の精製工程、
を含み、上記精製された最終C5留分の製造方法は、上記中間体C5留分の上記メチルブテンの質量分率が、３０％未満であるようにすることである。
有利に、上記中間体C5留分の上記メチルブテンの質量分率は、２０％以下である。
この中間体C5留分（すなわち、脱水素前）のメチルブテンのこの質量分率は、高収量のイソプレンの選択的重合に対して、流動床式接触分解された留分のイソプレンの濃縮の既知の方法に使用される脱水素前のC5留分の特徴であるほぼ１００％のメチルブテンの質量分率に比べて非常に減少され、高いcis-1,4結合含有量を有するポリイソプレンを得ることに留意されたい。
本発明の別の特徴において、上記中間体C5留分のn-ペンテンは減少し、0.1%未満の質量分率でn-ペンテンを含む。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
この中間体C5留分（1,3-及び1,4-ペンタジエンの先駆体）からn-ペンテンの消耗によって、実質的に、最終C5留分から1,3-及び1,4-ペンタジエンを除外することが可能となる。
実際、本発明の別の特徴によれば、最終C5留分は、それぞれ0.5%以下及び0.2%以下でなくてならない質量比(1,3-ペンタジエン：イソプレン)及び(1,4-ペンタジエン：イソプレン)で1,3-ペンタジエン及び1,4-ペンタジエンを含み、イソプレンの単離された重合に関する転化動力学（即ち、単独で溶媒とイソプレンを含む重合媒体）に近い十分な転化動力学を有するこの最終留分から選択的にイソプレンを重合可能にし、単離によって得られたポリイソプレンの粘度に対し、高粘度誘導体のポリイソプレンを得る。
本発明の別の特徴において、イソプレンに富む上記最終C5留分の製造方法は、パラジウムベース触媒による触媒的水素化のような触媒的水素化反応であって、上記初期C5留分に適用され、また上記中間体C5留分を製造する反応を含む。
本発明の別の特徴によれば、上記精製された最終C5留分中質量比（メチルブテン：イソプレン）は、５０％以上である。
本発明の別の特徴によれば、上記精製された最終C5留分中の質量比（モノオレフィン：イソプレン）は、有利に５０％を超えてよい。
上記精製された最終C5留分を得るために、この最終C5留分は、以下の工程、
（１）無水マレイン酸を蒸留し、実質的にいかなる残渣シクロペンタジエンを除去する工程、
（２）水素化ジイソブチルアルミニウム(DiBAH)の蒸留により、選択的触媒水素化反応又は当業者に既知の他の操作による末端アルキン及び二置換アルキンの除去工程、及び
（３）アルミナ又はモリキュラーシーブを通し、残渣極性不純物を除去する工程、
を含む精製操作に付される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
このように精製される最終C5留分は、特に、メチルブテンとして2-メチル2-ブテンを含み、さらに最少量の
（１）質量比（二置換アルキン：イソプレン）が好ましくは０．７％以下である二置換アルキン、
（２）この精製された最終C5留分中の質量比（末端アルキン：イソプレン）が好ましくは１５ppm以下である末端アルキン、
（３）この精製された最終C5留分中の質量比（シクロペンタジエン：イソプレン）が好ましくは５ppm以下であるシクロペンタジエン、
を含む。
本発明の主題は、さらに９８．０％以上のcis-1,4結合含有量を有するイソプレンホモポリマーの製造方法であり、イソプレン及び少なくとも１種のメチルブテンを、質量比（メチルブテン：イソプレン）が５０％以上有利に１００％以上である重合媒体中本発明の触媒系の反応を含む。
この重合反応は、不活性炭化水素溶媒で、又は上記とは別に溶媒なしで実施され得ることに留意すべきである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
2)中間体留分A1、B5及びB6の脱水素化の例
水素化された中間体留分A1及びB2〜B6の中間体留分A1、B5及びB6は、以下に実施された例に対する脱水素化操作に付される。
a)本発明の最終留分A1'を得るために中間体留分A1の脱水素化
この中間体留分A1を、水蒸気流(currents of steam)下及び予め650℃に加熱された窒素の下で、600℃〜700℃の温度に加熱された触媒層を140ml含む反応器に導入する。
中間体留分A1、水蒸気及び窒素の流速は、それぞれ1.63ml/分、1460ml/分及び3.76ml/分である。
触媒層は、酸化鉄、クロム及び炭酸カリウムで形成され、名「Shell 105」によりSHELL社により販売される。
反応器から生じる時、及び水の大部分の濃縮後、廃液を、ドライアイス及びアセトンの浴（約-60℃）中濃縮する前に、塩化カルシウム「トラップ」及びアルミナ「トラップ」に接触させる。
以下の表６は、このように得られた最終流分A1'の組成物を示す。
表６:
2006519180.tif 000001
最終留分A1'は、特に以下、
（１）実質的に10%の質量留分のイソプレン、
（２）質量比（メチルブテン：イソプレン）が65%のメチルブテン、
（３）質量比（モノオレフィン：イソプレン）が85%のモノ-オレフィン、
の点で特徴を有することに留意されたい。
水素化段階において、もたらすn-ペンテンの量の有意な減少により、質量比（1,3-ペンタジエン：イソプレン）及び（1,4-ペンタジエン：イソプレン）がそれぞれ最終留分A1'において0.5%未満及び0.2%未満であるので最終留分A1'のペンタジエンの量を最小化させることを可能とし、これにより、イソプレンの選択的重合に対する精製後（二置換アルキン、末端アルキン及びシクロペンタジエンの除去を目的とする）使用可能となることに留意されたい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年12月14日(2009.12.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
一実施形態によれば、一実施形態によれば、毛細管チャネルの流れ横断面（すなわち、流れ作用横断面）は第１端部におけるガス供給管の流れ横断面及び／又は第２端部におけるガス・チャネルの流れ横断面より少なくとも５０％小さい。この実施形態では、毛細管チャネルの流れ横断面はガス供給管及び／又はガス・チャネルに関して引用されたものの５０％より極めて小さく、例えば、７０％、８０％、９０％より小さい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスが供給される第１端部と前記ガスが解放される第２端部と、の間に連続する部分（３、２、４、１）を具備する金属溶融物用耐火セラミック製ガス・パージング要素であって、
ａ）前記第１端部（Ｅ１）内に排出する少なくとも１つのガス供給管（５）と、
ｂ）第１ガス分配器チャンバ（３２）内に排出する前記ガス供給管（５）と、
ｃ）前記第１ガス分配器チャンバ（３２）から第２ガス分配器チャンバ（１６）まで前記ガス・パージング要素の軸線方向に伸びる多数の毛細管タイプチャネル（１０）と、
ｄ）前記第２ガス分配器チャンバ（１６）から前記ガス・パージング要素の第２端部（Ｅ２）まで延在する少なくとも１つのチャネル（６）と、
ｅ）前記毛細管チャネル（１０）の各々は前記第２端部（Ｅ２）における前記ガス・チャネル（６）の流れ横断面より少なくとも９０％小さな流れ横断面を有すること、
を備える金属溶融物用耐火セラミック製ガス・パージング要素。
【請求項２】
第１及び第２ガス分配器チャンバ（３２、１６）の各々は前記毛細管チャネル（１０）の横断面積の合計より大きな横断面を有する、請求項１に記載のガス・パージング要素。
【請求項３】
前記第１ガス分配器チャンバ（３２）内に排出する前記ガス供給管（５）は、前記第１端部（Ｅ１）と前記第１ガス分配器チャンバ（３２）との間の軸線方向距離より大きな長さを有する、請求項１に記載のガス・パージング要素。
【請求項４】
前記ガス供給管（５）は螺旋又は渦巻き線及び／又蛇行のように湾曲している、請求項３に記載のガス・パージング要素。
【請求項５】
前記ガス供給管（５）は処理されるべき前記金属溶融物の温度より下の温度で溶融する材料製である、請求項３に記載のガス・パージング要素。
【請求項６】
互いに対して連結される別々の部分（３、２、４、１）の各々は鋼製又は耐火セラミック材料製管（１４、１２、１７、９）内に配置される、請求項１に記載のガス・パージング要素。
【請求項７】
前記部分（３、２、４、１）は鋼製又は耐火セラミック材料製の共通管内に配置される、請求項１に記載のガス・パージング要素。
【請求項８】
前記第２端部（Ｅ２）における単数又は複数の前記ガス・チャネル（６）はスロット状タイプ、又は三角形流れ横断面を有する、請求項１に記載のガス・パージング要素。
【請求項９】
全長に亘る円形状横断面を有する、請求項１に記載のガス・パージング装置。
【請求項１０】
横断面が前記第１端部（Ｅ１）から第２端部（Ｅ２）に向けて減少する、請求項９に記載のガス・パージング装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
ダイヤモンド含有複合材料の製造方法において、
平均粒径５〜３００μｍのダイヤモンド粒子と、高熱伝導率の付随金属成分と、および／又は結合剤とを含む中間物を、無圧で或いは加圧下に成形し、その際成形工程後における中間物の総体積に対するダイヤモンド含有量を４０〜９０％とし、
中間物、および、少なくともＣｕ、Ａｇ、Ａｕの群からの元素或いは合金から成る高熱伝導率の金属成分とＳｉ、Ｙ、Ｓｃ、希土類金属の群からの少なくとも１つの元素とＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｆｅの群からの１つ或いは複数の付随的な元素の３原子％未満とから成る固相線温度が９００℃より低い共晶或いは近共晶浸透合金（この近共晶浸透合金が液相線温度９５０℃未満の組成を有する。）を、無圧或いは加圧下に、浸透合金の液相線温度より高いが１０００℃より低い温度に加熱し、中間物を浸透金属で浸透して中間物の気孔を少なくとも９７％充填する
工程を含むことを特徴とする方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
ダイヤモンド含有複合材料の製造方法において、
平均粒径５〜３００μｍの４０〜９０体積％のダイヤモンド粒子と、少なくともＣｕ、Ａｇ、Ａｕの群からの元素或いは合金から成る高熱伝導率の金属成分とＳｉ、Ｙ、Ｓｃ、希土類金属の群からの少なくとも１つの元素とＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｆｅの群からの１つ或いは複数の付随的な濡れ促進元素の３原子％未満とから成る固相線温度が９００℃より低い１０〜６０体積％の共晶或いは近共晶浸透合金（この近共晶浸透合金は、液相線温度が９５０℃より低い組成を有する。）とから成る中間物を、混合或いは粉砕し、
高温プレスの金型に中間物を充填し、５００℃＜Ｔ＜１０００℃の温度Ｔに加熱し、中間物を高温プレスする
工程を含むことを特徴とする方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
Ｙ、Ｓｃ、Ｓｉおよび希土類金属は、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇの固相線温度低下の他に、良好な濡れ性とダイヤモンド粒子へのＣｕ、ＡｕないしＡｇ豊富相の結合を生じさせる。Ａｇ・Ｓｉの場合、Ｓｉ・Ｃ化合物がｎｍ範囲の厚さで検出される。この相部分は僅かな分量のため、熱伝導率の顕著な悪化を生じさせない。なお、元素周期表のＩＶａ族およびＶａ族の元素の金属炭化物並びに炭化クロムに比べ、ＳｉＣは約２５０Ｗ／ｍＫの非常に高い熱伝導率を持つ。良好な濡れ性によって、中間物の気孔を少なくとも９７％充填できる。濡れ性は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｏおよび／又はＦｅの添加によって一層改善できるが、この元素の総含有量が３原子％を超えてはならない。さもないと熱伝導率が許容できない程大きく低下してしまう。本発明に基づく浸透合金の利点は、圧縮工程に高温プレスを利用するときにも生ずる。その際、平均粒径５〜３００μｍで４０〜９０体積％のダイヤモンド粒子と、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕの群の元素又は合金からなる少なくとも１つの高熱伝導率の金属成分、Ｓｉ、Ｙ、Ｓｃ、希土類金属の群からの少なくとも１つの元素及びＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｆｅの群からの１つ又は複数の付随的な３原子％以下の濡れ促進元素から成り、固相線温度が９００℃より低い１０〜６０体積％の共晶又は近共晶浸透合金（この近共晶合金は、９５０℃より低い液相線温度を有する。）、とから成る中間物を、混合又は粉砕により均質化する。例えば黒鉛から成る高温プレスの金型に、中間物を充填する。次いで中間物を、例えば金型の伝導加熱により、浸透合金の固相線温度より高いが１０００℃より低い温度にし、圧縮し、その際の圧力はラム運動により与える。本発明の利点は、浸透合金が液相又は部分液相領域、即ち固相線温度と液相線温度との間にあるときに得られる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子状酸素を含む気体流を使用し、固定床触媒の存在下に塩化水素を気相酸化して塩素を製造する方法であって、
反応が、連続して配置された複数の反応区分を有し、及び各反応区分は、周囲路（８）と中心空間部（６）を有している反応器（１）内で行なわれ、
且つ反応器（１）が、反応器（１）の長さ方向に配置され、且つ相互に間隔をおいて配置された複数の熱交換板（２）を有し、前記間隔を伝熱媒体が流れ、及び、
前記反応器（１）が、伝熱媒体の熱交換板（２）への導入を行なうための入口部と出口部（３、４）及び、熱交換板（２）間に固定床触媒が存在する間隙（５）を有し、及び、間隙（５）に塩化水素及び分子状酸素を含んだ気体流が通され、
反応器（１）が、円筒状であり、及び熱交換板（２）が、中心空間部（６）と周囲路（８）とを解放した状態に残すように、円筒状反応器（１）内に放射状に配置され、及び塩化水素と分子状酸素を含む気体流が、熱交換板（２）の間の間隙（５）内において放射状に供給され、
周囲路（８）は、反応気体混合物を集め、そして反応気体混合物を通し、及び反応気体混合物は、中心空間部（６）及び周囲路（８）を通ることを特徴とする方法。
【請求項２】
反応器（１）から取り出された生成物気体流が直接エチレンの塩素処理に通され、１,２−ジクロロエタンを形成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
更なる出発材料として、エチレンが反応器（１）に供給され、反応器（１）内で、１,２−ジクロロエタンが所望の生成物として得られることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
反応器（１）内で、熱交換板（２）が互いに平行に配置されることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
熱交換板（２）の放射方向の延長部（ｒ）が、反応器の半径（Ｒ）の０．１〜０．９５の範囲である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
反応器（１）が、２個以上の、着脱可能な反応器区分で構成されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
反応器（１）が、１個以上の立方形の熱交換板集合体（９）を備え、該熱交換板集合体（９）が、熱交換板（２）の間に間隙（５）を形成するように互いに平行に配置された２個以上の長方形の熱交換板（２）で構成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
反応器（１）が、それぞれが同一の寸法を有する、２個以上の立方形の熱交換板集合体（９）を備えていることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
反応器（１）が、４、７、１０又は１４個の熱交換板集合体（９）を備えていることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
熱交換板（２）が、それぞれ２枚の長方形の金属シートで形成され、
その長さ方向側部と端部がロール継目溶接によって接合され、及び金属シート端縁部が、ロール継目を越えて突出し、ロール継目の外縁で、又はロール継目自身で互いに分離していることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の方法。
【請求項１１】
反応器（１）が、円筒状であり、及び不活性気体が、熱交換板集合体（９）と反応器（１）の円筒状壁との間の間隙に供給されることを特徴とする請求項８〜１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
間隙（５）内の固定床触媒が異なる触媒活性を有する領域を形成するように配置されていることを特徴とする請求項１〜１１何れか１項に記載の方法。
【請求項１３】
固定床触媒が、２〜８ｍｍの範囲の等価粒径（ｄP）を有する粒子で構成されていることを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
間隙（５）の幅（s）が、１０〜５０ｍｍの範囲であり、及び間隙（５）の幅の前記等価粒径に対する割合(ｓ／ｄP)が、２〜１０の範囲であることを特徴とする請求項１、２又は５〜１３の何れか１項に記載の方法。
【請求項１５】
間隙（５）内の反応気体混合物のみかけ速度が、３．０ｍ／s以下であることを特徴とする請求項１〜１４の何れか１項に記載の方法。
【請求項１６】
反応気体混合物及び伝熱媒体が反応器（１）内で対向流として運搬されることを特徴とする請求項１〜１５の何れか１項に記載の方法。
【請求項１７】
予熱された不活性フラッシング気体のみが、反応器（１）の開始の間と閉鎖の間に１５０℃未満の温度で反応器中に通されることを特徴とする請求項１〜１６の何れか１項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
従って、発明者は、分子状酸素を含む気体流を使用し、固定床触媒の存在下に塩化水素を気相酸化して塩素を製造する方法であって、反応が、連続して配置された複数の反応区分を有し、及び各反応区分は、周囲路（８）と中心空間部（６）を有している反応器（１）内で行なわれ、且つ反応器（１）が、反応器（１）の長さ方向に配置され、且つ相互に間隔をおいて配置された複数の熱交換板（２）を有し、前記間隔を伝熱媒体が流れ、及び、前記反応器（１）が、伝熱媒体の熱交換板（２）への導入を行なうための入口部と出口部（３、４）及び、熱交換板（２）間に固定床触媒が存在する間隙（５）を有し、及び、間隙（５）に塩化水素及び分子状酸素を含んだ気体流が通され、反応器（１）が、円筒状であり、及び熱交換板（２）が、中心空間部（６）と周囲路（８）とを解放した状態に残すように、円筒状反応器（１）内に放射状に配置され、及び塩化水素と分子状酸素を含む気体流が、熱交換板（２）の間の間隙（５）内において放射状に供給され、周囲路（８）は、反応気体混合物を集め、そして反応気体混合物を通し、及び反応気体混合物は、中心空間部（６）及び周囲路（８）を通ることを特徴とする方法を見出した。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
円筒状の反応器の場合、中心部に解放された(free)内部空間を形成し、及び反応容器壁近傍に解放された周囲路を形成した状態で、熱交換板を放射状に配置することも有利である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
ある実施の形態では、隣り合う熱交換板集合体の長方形の安定化ボックスが互いにシールされる。このように、反応混合物は、個々の熱交換板集合体の間を流れることができず、熱交換集合体を迂回する。立方体の熱交換板集合体を、略円筒形である反応器に設置することにより、円筒状壁の近傍の外端に比較的大きな解放された空間部(free space)が残る。不活性気体は、熱交換板集合体と反応器の円筒状壁との間のこの空間部に供給されることが有利である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８９】
図１Ａにおける横断面は、反応器１を通る断面を示しており、反応器１は、内部に平行な熱交換板２を配置しており、そして熱交換板２の間に間隙５が解放された状態で残されており、間隙５には固体触媒が充填されている。入口ライン（入口部）及び出口ライン（出口部）３と４は、それぞれ熱交換板２を通り流通（循環）する伝熱媒体のために設けられている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
前記ディスプレイ内のノードと、前記複数ノード間の引渡品の流れと、前記追跡ディスプレイの形式と、前記追跡ディスプレイのソースとなる状態データを供給するデータフィードとを規定する追跡ディスプレイのためのテンプレートを創成するための創成モジュールを更に備える、請求項１のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年9月24日(2010.9.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３３】
請求項１記載の基材処理方法において、
前記事前プロセスメトロロジーデータは、少なくとも一つの孤立した形態についての孤立ＣＤのデータと、少なくとも一つの密集した形態についての密集ＣＤのデータを備え、
前記プロセスレシピは、前記孤立ＣＤのデータ及び前記密集ＣＤのデータを前記目標ＣＤのデータと比較することにより、決定される基材処理方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３４】
請求項３３記載の基材処理方法において、
前記孤立ＣＤのデータと前記目標ＣＤのデータとの差に基づいて第１トリミング処理を実行し；
前記密集ＣＤのデータと前記目標ＣＤのデータとの差に基づいて第２トリミング処理を実行する基材処理方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
ステップ２１０では、事前プロセスメトロロジーデータを得ることができる。メトロロジーデータは、現地測定データ及び／又はウエハデータを含むことができる。例えば、現地測定データは、決定係数（Goodness Of Fit: GOF）、格子厚さ（grating thickness）CD、材料厚さ、材料断面積、トレンチ断面積、側壁角度、差動幅（differential width）、現地の結果、及び／又はサイト数（site number）を含むことができる。ウエハデータは、ＣＤ測定フラグ、測定地点数、レシピ結果、Ｘ座標、及び／又はＹ座標を含むことができる。また、事前プロセスメトロロジーデータは、少なくとも一つの孤立した形態についての孤立ＣＤのデータと、少なくとも一つの密集した形態についての密集ＣＤのデータとを備えることができ、プロセスレシピは、孤立（isolated）ＣＤのデータ及び密集ＣＤのデータを目標ＣＤと比較することによって決定することができる。例えば、第1トリミングプロセスは、孤立ＣＤのデータと目標ＣＤデータとの差に基づいて実行することができ、第2トリミングプロセスは、密集ＣＤのデータと目標ＣＤのデータとの差に基づいて実行することができる。さらにまた、第1の差分は、第1の形態に対するＣＤデータと目標ＣＤデータとの差に基づいて決定することができ、第2の差分は、第2の形態に対するＣＤデータと目標ＣＤデータとの差に基づいて決定することができ、そして、トリミングプロセスは、第1の差分と第2の差分との差に基づいて実行することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年1月25日(2010.1.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一電極に結合された一対のＲＦ電源のインピーダンスを、半導体基板処理チャンバ内でプラズマのインピーダンスに整合させる為の装置であって、
第１のＲＦ電源により生成された第１のＲＦ信号のインピーダンスを前記プラズマのインピーダンスに整合させる為の第１の副回路と、
第２のＲＦ電源により生成された第２のＲＦ信号のインピーダンスを前記プラズマのインピーダンスに整合させる為の第２の副回路であって、電極に結合された共通の出力部を形成するように前記第１の副回路に結合される、該第２の副回路と、を備え、
前記第１の副回路によって画成される第１の整合同調空間は、前記第２の副回路によって画成される第２の整合同調空間によって影響されることなく、変更可能であり、
前記第１の副回路及び前記第２の副回路の各々は、直列構成要素とグランドに接続された分流器を有しており、
前記直列構成要素のインピーダンスは固定されており、
前記分流器の構成要素のインピーダンスは可変である、
装置。
【請求項２】
前記第１のＲＦ電源と前記第２のＲＦ電源の整合同調空間は、前記分流器の構成要素により制御可能である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１のＲＦ電源と前記第２のＲＦ電源の整合同調空間は、前記第１のＲＦ電源により生成された第１の信号と前記第２のＲＦ電源により生成された第２の信号のうち、少なくとも一つを変更することにより制御可能である、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１の副回路及び前記第２の副回路は、各々が５０オームの出力インピーダンスを有するＲＦ電源に結合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１の副回路と第２の副回路は、前記処理チャンバ内で特定処理が実行される前に、所定構成で固定され得る、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第１のＲＦ電源と第２のＲＦ電源のインピーダンスは、
前記処理チャンバの動作中、前記第１の副回路と第２の副回路の構成要素の少なくとも一つの値を変更すること、
前記第１のＲＦ電源と前記第２のＲＦ電源のうち、少なくとも一つの周波数を変更すること、
のうち、少なくとも一つにより処理中の前記処理チャンバのインピーダンスに整合可能である、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第１のＲＦ電源または第２のＲＦ電源のいずれか一方から供給される電力が、前記第１のＲＦ電源及び第２のＲＦ電源の他方に結合されることを妨げるため為の絶縁用副回路を更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
単一電極に結合された一対のＲＦ電源のインピーダンスを、半導体基板処理チャンバ内でプラズマのインピーダンスに整合させる為の装置であって、
少なくとも一つの第１電極を備える処理チャンバと、
第１のＲＦ電源と、
第２のＲＦ電源、
請求項１〜７の何れか一項に記載の二重周波数整合回路であって、
前記第１のＲＦ電源に結合された前記第１の副回路、
前記第２のＲＦ電源に結合された前記第２の副回路、及び
前記第１電極に結合された前記共通の出力部、
を有する、該二重周波数整合回路と、
を備える前記装置。
【請求項９】
前記第１のＲＦ電源及び前記第２のＲＦ電源の各々が、周波数同調型ＲＦ電源である、請求項８に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】二重周波数整合装置
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
[0021]例えば、図４は、図２の整合回路１０８を使用して見られる同調空間のプロットを示す。構成要素の値がプロセス実行（run）前に設定され、これらの値が全体の実行に対し固定されるか、或いは、回路１０８が、周波数／分流器の自動同調整合構成に組み込まれる場合、発生装置の周波数が、整合回路の方位（azimuthal）同調方向が達成するように同調され、可変分流器（コンデンサＣ２，Ｃ４）が放射同調方向を設定する場合、この構成が達成される。これら２つの同調メカニズム（周波数型同調および分流器型同調）は、同調空間内の特定方向で作動し、独立して、自動同調アルゴリズムに対する適切な時間応答が与えられた最適状態に同調可能である。このように、この形式の同調は、非可変同調可能な状態を生じさせる可能性がある２つのシステム間で不安定なフィードバックを防止する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月29日(2010.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
或る記憶領域に対する処理を実行するための要求に応じて、該記憶領域に関連付けられたふるいにアクセスするステップと、ここで、前記ふるいは、前記処理を表す特性と、該処理が実行され得る前記記憶領域内の１以上の記憶位置からなる一組の記憶位置を特定する情報とで構成されており、
前記ふるいによって特定される前記記憶領域の前記一組の記憶位置に含まれる記憶位置に対してのみ前記処理を実行するステップと、
を具えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記１以上の記憶位置からなる一組の記憶位置はアプリケーション・プログラムによって指定されることを特徴とする請求項１に記載した方法。
【請求項３】
前記処理は複製であることを特徴とする請求項１に記載した方法。
【請求項４】
更に、前記ふるいから一組の要素を特定する情報を求めるステップを具え、前記一組の要素のうち１の要素は、前記記憶領域の前記一組の記憶位置における各データに対して処理を行うことが許可されていることを特徴とする請求項１に記載した方法。
【請求項５】
前記記憶領域の前記一組の記憶位置はリクエスト手段によって指定されることを特徴とする請求項１に記載した方法。
【請求項６】
更に、実行される処理を指定することを特徴とする請求項５に記載した方法。
【請求項７】
前記リクエスト手段は前記記憶領域のデータを管理することを特徴とする請求項５に記載した方法。
【請求項８】
前記リクエスト手段は前記記憶領域に対する一組の管理機能のうち１の管理機能を実行することを特徴とする請求項５に記載した方法。
【請求項９】
前記リクエスト手段は前記記憶領域の前記一組の記憶位置の各記憶位置に対応する前記記憶領域中の各物理的記憶位置を特定することを特徴とする請求項５に記載した方法。
【請求項１０】
前記記憶領域の前記一組の記憶位置の各記憶位置は、開始記憶位置と、該開始記憶位置から開始する連続する記憶位置の数によって指定されることを特徴とする請求項５に記載した方法。
【請求項１１】
前記記憶領域の前記一組の記憶位置の各記憶位置は一組の指標によって指定され、該一組の指標は、前記記憶領域内の各記憶位置に対する指標から成り、前記一組の指標の各指標は、前記指標に対する前記各記憶位置が前記記憶領域の前記一組の記憶位置に含まれているか否かを示すことを特徴とする請求項５に記載した方法。
【請求項１２】
更に、前記記憶領域の前記一組の記憶位置に対して前記処理を実行した後に、前記記憶領域の１以上の記憶位置からなる別の一組の記憶位置内に含まれる記憶位置に対する第２の処理を実行するステップを具え、ここで、第２のふるいが、前記第２の処理を表す第２の特性と、前記記憶領域の１以上の記憶位置からなる前記別の一組の記憶位置を特定する別の情報とで構成されていることを特徴とする請求項５に記載した方法。
【請求項１３】
前記記憶領域の前記別の一組の記憶位置はリクエスト手段によって指定され、前記処理及び前記第２の処理は該リクエスト手段によって指定されることを特徴とする請求項１２に記載した方法。
【請求項１４】
前記ふるいが指定されている場合、前記ふるいによって特定される各処理が前記記憶領域の前記一組の記憶位置内に含まれる記憶位置に対して実行されることを特徴とする請求項５に記載した方法。
【請求項１５】
記憶領域と、
処理を実行するように構成されたコンピュータノードと、
を具え、前記コンピュータノードは、前記記憶領域に関連付けられたふるいにアクセスするように構成され、前記ふるいは、前記処理を表す特性と、該処理が実行され得る前記記憶領域内の１以上の記憶位置からなる一組の記憶位置を特定する情報とで構成されていることを特徴とするシステム。
【請求項１６】
更に、前記記憶領域に記憶されたデータを管理するように構成された第２のコンピュータノードを具え、該第２のコンピュータノードは、前記特性と前記情報を指定するように構成されていることを特徴とする請求項１５に記載したシステム。
【請求項１７】
更に、実行される処理を指定する指定モジュールから成る請求項１５に記載したシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年6月23日(2010.6.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
ここで図１〜図６を参照する。全般的に符号１で表されるオストミー器具は、外側パウチ２を含み、外側パウチ２は、体側または近位の壁２ａと、対向する遠位の壁２ｂとを有する。器具はさらに内側パウチ３を含み、内側パウチ３は近位壁３ａと遠位壁３ｂを有する。外側パウチ壁２ａおよび２ｂは不織材料のコンフォート層４で覆われている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月28日(2010.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
（ａ）配列番号２又は配列番号４のアミノ酸配列を含む単離ポリペプチド；
（ｂ）１個以上のアミノ酸残基が、非修飾分子と比較して修飾分子の生物学的特性に著しい影響を及ぼすことなく、付加されるか、削除されるか、又は置換される配列番号２又は配列番号４のアミノ酸配列を含み、配列番号２又は配列番号４のアミノ酸の少なくとも７０％が、非置換のままである単離ポリペプチド；
（ｃ）少なくとも８個のアミノ酸残基を含む配列番号２からの部分的な連続配列を含み、連続配列が、前記配列番号２における連続配列として含まれる単離ポリペプチド；及び
（ｄ）配列番号４のＣ末端から始まって１３個のアミノ酸残基の連続配列を含む単離ポリペプチド
からなる群から選択される単離ポリペプチド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明は、少なくとも８個のアミノ酸残基を含む完全Ｔ１０１ペプチドから部分的連続配列を含むペプチドをさらに提供し、連続配列が、前記完全Ｔ１０１ペプチド中の連続配列として含まれる。このようなペプチドは、本明細書において「部分的Ｔ１０１ペプチド」と称される。一実施形態において、本発明は、以下のとおりＴ１０１ペプチド（アミノ酸番号３９から５１）のＣ−終末末端から始まって１３個のアミノ酸残基の連続配列を含む部分的Ｔ１０１ペプチドを提供する：
【化４】
2008517998.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
以下の結論は、上記結果に基づいて到達できる：
１．変異体番号１は、Ｔ１０１ペプチドの１３個のＣ末端アミノ酸からなり、活性が高かった。この配列（又はその一部）は、測定される増殖刺激活性に関して必須であることが明らかである。
２．変異体番号２は、変異体番号１に対して２３個のアミノ酸上流からなり、比較的活性が低かった。このＴ１０１ペプチドの一部が、この生物学的活性にとって重要性が低い。
３．変異体番号３は、Ｔ１０１ペプチドの２３個のＣ末端アミノ酸からなり、変異体番号２と対照的に極めて活性であった。したがって、Ｔ１０１ペプチドの幾つかの部分は、刺激活性に関して他のものよりも重要であることが見ることができる。
４．変異体番号４は、Ｔ１０１ペプチドの８個のＣ末端アミノ酸からなり、殆ど活性はなかった。これは、変異体番号１の５個のＣ末端アミノ酸がその活性にとって重要であることを示している。
５．変異体番号５は、変異体番号１のものと部分的に重なる１３個のアミノ酸からなる。これは、Ｔ１０１ペプチドと同様の活性があったが、変異体番号１の活性よりも低かった。
６．変異体番号６は、逆順序で変異体番号５のアミノ酸配列からなる。驚くべきことに、これは、変異体番号５と同様の活性を有した。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年8月16日(2010.8.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して受信されたパケットを処理する方法であって、該方法は、
ネットワークを介してデータパケットと制御パケットとを受信することと、
前記制御パケットの処理と並行して前記データパケットを処理することと、
を包含し、
タグ情報が、前記データパケットの先頭に付加され、
前記タグ情報が、対応する前記パケットに関連するソケットハンドルを含み、
受信機（ＲＸ）バックエンドモジュールが、前記データパケットのうちの一つのデータパケットがバッファに完全に格納されると、該一つのデータパケットからパケットバッファヘッダを分析して取り除く、
方法。
【請求項２】
前記制御パケットは、第１処理経路を利用して処理され、前記データパケットは、該第１処理経路とは別個の第２処理経路を利用して処理される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パケットの前記処理は、該パケットに関係する正しいソケット制御ブロックを識別するために、ルックアップテーブルとキャッシュとを並行して利用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記データパケットの前記処理は、前記パケットに関係する正しいソケット制御ブロックを識別するために、実質的に２重のロジックを並行して利用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記パケットに関係する制御ブロックは、その後のパケットの処理と並行して更新される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記タグ情報は、前記データパケットの先頭に付加され、その一方で、受信機（ＲＸ）先入れ先出し（ＦＩＦＯ）バッファである前記バッファにおいてバッファされる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ネットワークを介して受信されたパケットを処理する方法であって、該方法は、
フロントエンドモジュールを利用して、受信したパケットを処理することと、
バックエンドモジュールを利用して、受信したパケットを処理することと
を包含し、
受信機（ＲＸ）先入れ先出し（ＦＩＦＯ）バッファが、前記フロントエンドモジュールと前記バックエンドモジュールとの間に結合され、該フロントエンドモジュールと該バックエンドモジュールとの間に境界を提供し、
前記受信したパケットの制御ブロックが、後続の受信パケットの処理と並行して更新され、
タグ情報が、前記受信したパケットの先頭に付加され、
前記タグ情報が、対応する前記パケットに関連するソケットハンドルを含み、
前記バックエンドモジュールが、前記受信したパケットのうちの一つのパケットが前記受信機先入れ先出しバッファに完全に格納されると、該一つのパケットからパケットバッファヘッダを分析して取り除く、
方法。
【請求項８】
バスと通信するオフロードエンジンであって、ネットワークを介してデータパケットと制御パケットを受信し、該制御パケットと並行して該データパケットを処理するオフロードエンジンを備え、
タグ情報が、前記データパケットの先頭に付加され、
前記タグ情報が、対応する前記パケットに関連するソケットハンドルを含み、
受信機（ＲＸ）バックエンドモジュールが、前記データパケットのうちの一つのデータパケットがバッファに完全に格納されると、該一つのデータパケットからパケットバッファヘッダを分析して取り除く、
サブシステム。
【請求項９】
バスと、
前記バスと通信するメモリと、
前記バスと通信するプロセッサと、
前記バスと通信するオフロードエンジンであって、ネットワークを介してデータパケットと制御パケットとを受信し、該該制御パケットと並行して該データパケットを処理するオフロードエンジンと、
を備え、
タグ情報が、前記データパケットの先頭に付加され、
前記タグ情報が、対応する前記パケットに関連するソケットハンドルを含み、
受信機（ＲＸ）バックエンドモジュールが、前記データパケットのうちの一つのデータパケットがバッファに完全に格納されると、該一つのデータパケットからパケットバッファヘッダを分析して取り除く、
システム。
【請求項１０】
前記システムは汎用コンピュータを含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記システムはゲームコンソールを含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記プロセッサは、中央処理装置と、グラフィック処理ユニットと、チップセットに内蔵された複数の集積回路のうちの１つの集積回路とからなる群から選択される、請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記システムは回路基板を含む、請求項９に記載のシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
一度パケットがＲＸＦＩＦＯバッファ３２２内に完全に格納され、パケットバッファヘッダが書き込まれると、ＲＸバックエンドモジュール３２６は、同内容の処理を開始する。ＲＸバックエンドモジュール３２６は、パケットバッファヘッダを分析および取り除くことによって開始し、データ調整およびＲＸバッファヘッダ分析モジュール５０２を利用する。これは、ＲＸバックエンドモジュール３２６に、パケットの種類（すなわち、例外またはＴＣＰデータパケット）と、パケットに関係するＣＢハンドルと、上述されるような、他の状態および制御情報とを述べる。一実施形態において、ヘッダは、２５６ビットの長さであり得る。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
パケットバッファヘッダが分析および、取り除かれた後、パケットは、再調整される。この再調整は、必要であり得るが、それは、通常ＴＣＰ（およびオプションでＵＤＰ）データパケットにとって、パケットイーサネット（登録商標）、ＩＰ、およびＴＣＰヘッダもまた、取り除かれるからである。これらのヘッダのストリッピングは、結果のデータを非ＦＩＦＯ語調整とさせ得、再調整は、実質的なロジックモジュールがパケットデータ上で動作することを単純化させる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
パケットバッファヘッダが分析された後、イーサネット（登録商標）ＩＰ、およびＴＣＰ／ＵＤＰヘッダ（オフロードされた接続で受信されたパケットに対する）とともに取り除かれ、データは再調整される。オペレーション７０６を参照されたい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月12日(2009.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個体からの試料が炎症性腸疾患（ＩＢＤ）と関連しているか分類する方法であって、
（ａ）前記試料における抗好中球抗体、抗サッカロミセス・セレビジエ抗体、抗菌抗体、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つのマーカーの存在或いは値の決定工程；及び
（ｂ）前記少なくとも１つのマーカーの存在或いは値に基づく統計的アルゴリズムを用いた前記試料のＩＢＤ試料又は非ＩＢＤ試料への分類工程、
を包含する、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記抗好中球抗体は、抗好中球細胞質抗体（ＡＮＣＡ）、核周辺型抗好中球細胞質抗体（ｐＡＮＣＡ）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記抗サッカロミセス・セレビジエ抗体は、抗サッカロミセス・セレビジエ免疫グロブリンＡ（ＡＳＣＡ−ＩｇＡ）、抗サッカロミセス・セレビジエ免疫グロブリンＧ（ＡＳＣＡ−ＩｇＧ）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記抗菌抗体は、抗外膜タンパク質Ｃ（抗ＯｍｐＣ）抗体、抗フラジェリン抗体、抗Ｉ２抗体、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記方法は、少なくとも２つのマーカー、少なくとも３つのマーカー、少なくとも４つのマーカー、少なくとも５つのマーカー、及び、少なくとも６つのマーカーからなる群から選択される存在或いは値の決定工程を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記方法は、ＡＮＣＡ、ＡＳＣＡ−ＩｇＡ、ＡＳＣＡ−ＩｇＧ、抗ＯｍｐＣ抗体、抗フラジェリン抗体、及びｐＡＮＣＡの存在或いは値の決定工程を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つのマーカーの存在或いは値は、免疫測定法を用いて決定される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記免疫測定法は、酵素免疫測定法（ＥＬＩＳＡ）である、ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つのマーカーの存在或いは値は、免疫組織化学検査を用いて決定される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記免疫組織化学検査は、免疫蛍光法である、ことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記免疫組織化学検査は、ＤＮａｓｅ処理され固定された好中球を用いて、ｐＡＮＣＡの有無を決定する、ことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記統計的アルゴリズムは、学習統計的分類子システムである、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記学習統計的分類子システムは、分類・回帰木、ブーストされた木、ニューラルネットワーク、ランダムフォレスト、サポートベクターマシン、一般的なカイ二乗による相互作用の自動検出モデル、相互作用的な木、多適応的回帰スプライン、機械学習分類子、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記学習統計的分類子システムは、少なくとも２つの学習統計的分類子システムの組み合わせである、ことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも２つの学習統計的分類子システムは、分類・回帰木又はランダムフォレスト及びニューラルネットワークを包含する、ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも２つの学習統計的分類子システムは、タンデムに用いられる、ことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記分類・回帰木又はランダムフォレストは、最初に前記少なくとも１つのマーカーの存在或いは値に基づく予測又は確率値の生成に用いられる、ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ニューラルネットワークは、その次に前記予測又は確率値及び前記少なくとも１つのマーカーの存在或いは値に基づく前記試料のＩＢＤ試料又は非ＩＢＤ試料への分類工程に用いられる、ことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記方法は、
（ｉ）前記分類工程で分類された結果を臨床医へ送信する工程、
（ｉｉ）前記個体がＩＢＤを有する確率の形式での診断を提供する工程、
（ｉｉｉ）前記ＩＢＤに関連する１つ又はそれ以上の症状の治療に有用な薬剤の治療学的有効量を前記個体へ投与する工程、
からなる群から選択される工程をさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記ＩＢＤ試料は、クローン病（ＣＤ）試料、又は、潰瘍性大腸炎（ＵＣ）試料に分類される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、炎症性腸疾患を診断する方法に関する。
（関連出願の相互参照）
本出願は、２００５年１２月１日に出願された米国特許出願第１１／２９３，６１６号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に援用される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月19日(2010.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体に実装するための静電容量型センサフィルム（５０）であって、片方の側に、前記本体に使用中に対面する後側主表面（２ａ）と、他方の側に、前側主表面（２ｂ）とを有する誘電体裏層（２）と、前記前側主表面（２ｂ）上にセンサ導体（７）と、前記センサ導体に電気的シールドを提供するために前記主表面（２ａ，２ｂ）の少なくとも１つの上にガード導体（１）と、を前記フィルムが含み、前記センサ導体（７）を少なくとも部分的に取り囲む前面導体（４）を前記前側主表面（２ｂ）が載置し、前記前面導体（４）が取り除かれて前記裏層（２）の、又は前記前面導体（４）下の別の層の、前記前側主表面（２ｂ）が露出される領域により、前記前面導体（４）に対して前記センサ導体が電気的に隔離される、静電容量型センサフィルム（５０）。
【請求項２】
前記前側主表面（２ｂ）が、前記前面導体（４）及び前記センサ導体（７）から前記前面導体（４）が除去された前記領域によって電気的に隔離された超保護導体（５）をさらに保持する、請求項１に記載の静電容量型センサフィルム（５０）。
【請求項３】
（ｉ）裏層（２）を提供する工程と、
（ｉｉ）前面導体（４）を前記裏層（２）の前側主表面（２ｂ）に適用する工程と、
（ｉｉｉ）前記前面導体（４）からセンサ導体（７）を少なくとも部分的に取り囲む前記前面導体（４）の領域を機械的に摩滅するかレーザーアブレーションにより除去することによって、前記裏層（２ｂ）又は前記前面導体（４）下の別の層の前記前側主表面を露出させて、センサ導体（７）を前面導体（４）から電気的に隔離して、前記センサ導体（７）を提供する工程と、を含む、請求項１又は２に記載の静電容量型センサフィルム（５０）の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月20日(2009.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光吸収要素を有する硬化透明フィルムを含む光コリメーティングフィルムであって、前記硬化透明フィルムが、二官能性（メタ）アクリレートモノマー、二官能性（メタ）アクリレートオリゴマー、及びこれらの混合物から選択される第１重合性成分及び第２重合性成分と少なくとも３つの（メタ）アクリレート基を有する架橋剤とを含む重合性樹脂の反応生成物である、光コリメーティングフィルム。
【請求項２】
前記第１重合性成分が、脂肪族ウレタンジアクリレートオリゴマーを含み、及び前記第２重合性成分が、ビスフェノール−Ａエトキシル化ジアクリレートを含む、請求項１に記載の光コリメーティングフィルム。
【請求項３】
前記第１重合性成分及び第２重合性成分が、ビスフェノール−Ａエトキシル化ジアクリレートである、請求項１に記載の光コリメーティングフィルム。
【請求項４】
前記第２重合性成分のホモポリマーが、ＡＳＴＭ  Ｄ５０２６−０１に従って測定したとき、２５℃において１×１０８Ｐａ未満の引張弾性率を有し、及び前記第１重合性成分のホモポリマーが、２５℃において少なくとも５×１０７Ｐａであって前記第２重合性成分の前記ホモポリマーより大きい弾性率を有する、請求項１に記載の光コリメーティングフィルム。
【請求項５】
前記硬化透明フィルムが、光吸収要素間にミクロ構造体を含み、並びに前記ミクロ構造体が、平均高さＤ、その最も広い部分での平均幅Ｗを有し、及びＤ／Ｗが少なくとも１．７５である、請求項１に記載の光コリメーティングフィルム。
【請求項６】
前記硬化透明フィルムが、前記光吸収要素間にミクロ構造体を含み、前記ミクロ構造体の壁の夾角が６°未満である、請求項１に記載の光コリメーティングフィルム。
【請求項７】
前記ミクロ構造体の壁の夾角が４°未満である、請求項１に記載の光コリメーティングフィルム。
【請求項８】
前記光コリメーティングフィルムが、０°の入射角で少なくとも５６％の透過率を有する、請求項１に記載の光コリメーティングフィルム。