(57)【要約】【課題】コンタクト或いはビアの位置の特定を容易にする。【解決手段】半導体装置は、コンタクト又はビア（例えば、孤立コンタクト１０ａ）と、コンタクト又はビアよりも上層に配置されたダミーパターン２０と、を有する。ダミーパターン２０は、コンタクト又はビアの真上の所定範囲の領域Ｒ１には存在せず、且つ、所定範囲の領域Ｒ１の周囲の領域においては、所定の規則性に従って平面視において分散して配置されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクト又はビアと、
前記コンタクト又は前記ビアよりも上層に配置されたダミーパターンと、
を有し、
前記ダミーパターンは、前記コンタクト又は前記ビアの真上の所定範囲の領域には存在せず、且つ、前記所定範囲の領域の周囲の領域においては、所定の規則性に従って平面視において分散して配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ダミーパターンを前記所定範囲の領域も含めた領域に前記所定の規則性に従って配置したと仮定した場合に、前記コンタクト又は前記ビアの最も近くに配置される１つ又は複数の前記ダミーパターンが、存在しないことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダミーパターンが平面視において千鳥状に配置され、且つ、各ダミーパターンが平面視矩形状に形成され、平面視において前記コンタクト又は前記ビアを取り巻く４つの前記ダミーパターンの１つずつの辺の延長線の交点と重なる位置に、前記コンタクト又は前記ビアが配置されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
平面視において、前記コンタクト又は前記ビアの中心が、前記交点と重なっていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
コンタクト又はビアと、
前記コンタクト又は前記ビアよりも上層に配置されたダミーパターンと、
を有し、
前記ダミーパターンは、前記コンタクト又は前記ビアの真上の所定範囲の領域にのみ配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記ダミーパターンは、前記コンタクト又は前記ビアの真上に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
平面視において、前記ダミーパターンの中心と、前記コンタクト又は前記ビアの中心と、が重なっていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記コンタクトの真上に前記ビアが配置されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
コンタクト又はビアを形成する工程と、
前記コンタクト又は前記ビアよりも上層にダミーパターンを形成する工程と、
を有し、
前記ダミーパターンを形成する工程では、前記ダミーパターンが、前記コンタクト又は前記ビアの真上の所定範囲の領域には存在せず、且つ、前記所定範囲の領域の周囲の領域においては所定の規則性に従って平面視において分散して配置されるように、前記ダミーパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ダミーパターンの配置パターンを決定する工程を更に有し、
前記ダミーパターンを形成する工程では、前記ダミーパターンの配置を決定する工程にて決定された配置パターンで前記ダミーパターンを形成し、
前記ダミーパターンの配置パターンを決定する工程は、
前記ダミーパターンの格子状の配置パターンを自動生成する工程と、
前記自動生成された配置パターンにおける前記ダミーパターンのうち、平面視において前記コンタクト又は前記ビアの最も近くに位置する前記ダミーパターンを削除する工程と、
を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
コンタクト又はビアを形成する工程と、
前記コンタクト又は前記ビアよりも上層にダミーパターンを形成する工程と、
を有し、
前記ダミーパターンを形成する工程では、前記コンタクト又は前記ビアの真上の所定範囲の領域にのみ前記ダミーパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の所定のコンタクトやビアの位置を特定する必要がある場合がある。その一例として、半導体装置の所定のコンタクトやビアの解析を行う場合が挙げられる。所定のコンタクトやビアを解析するためには、例えば、その位置を狙ってＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）装置などを用いて観察断面を形成し、ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）やＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）などの観察装置を用いて断面観察を行う。
【０００３】
なお、特許文献１には、孤立パターニング（例えば貫通するスルーホールパターン）を含む配線の周辺にダミーパターンを配置することが記載されているが、孤立パターニングを含む配線と、ダミーパターンとは、同層に存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２３０２５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
複数のコンタクト或いはビアが規則的に配置されている場合、所定のコンタクト或いはビアの位置を特定する作業も比較的容易である。
しかしながら、コンタクト或いはビアの配置が疎な場合には、所定のコンタクト或いはビアの位置を特定することが非常に困難となる。
【０００６】
このように、コンタクト或いはビアの位置を特定することが困難な場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、コンタクト又はビアと、
前記コンタクト又は前記ビアよりも上層に配置されたダミーパターンと、
を有し、
前記ダミーパターンは、前記コンタクト又は前記ビアの真上の所定範囲の領域には存在せず、且つ、前記所定範囲の領域の周囲の領域においては、所定の規則性に従って平面視において分散して配置されていることを特徴とする半導体装置を提供する。
【０００８】
この半導体装置によれば、コンタクト又はビアよりも上層に配置されたダミーパターンが、コンタクト又はビアの真上の所定範囲の領域には存在せず、且つ、所定範囲の領域の周囲の領域においては、所定の規則性に従って平面視において分散して配置されているので、ダミーパターンの配置に基づいてコンタクトの位置又はビアの位置を特定することができる。つまり、ダミーパターンを観察し、その位置を確認することにより、コンタクト又はビアの位置を特定することができる。よって、例えば、コンタクト又はビアの断面形状観察などの物理解析を容易に行うことができる。
【０００９】
また、本発明は、コンタクト又はビアと、
前記コンタクト又は前記ビアよりも上層に配置されたダミーパターンと、
を有し、
前記ダミーパターンは、前記コンタクト又は前記ビアの真上の所定範囲の領域にのみ配置されていることを特徴とする半導体装置を提供する。
【００１０】
この半導体装置によれば、コンタクト又はビアよりも上層に配置されたダミーパターンが、コンタクト又はビアの真上の所定範囲の領域にのみ配置されているので、ダミーパターンの配置に基づいてコンタクトの位置又はビアの位置を特定することができる。つまり、ダミーパターンを観察し、その位置を確認することにより、コンタクト又はビアの位置を特定することができる。よって、例えば、コンタクト又はビアの断面形状観察などの物理解析を容易に行うことができる。
【００１１】
また、本発明は、コンタクト又はビアを形成する工程と、
前記コンタクト又は前記ビアよりも上層にダミーパターンを形成する工程と、
を有し、
前記ダミーパターンを形成する工程では、前記ダミーパターンが、前記コンタクト又は前記ビアの真上の所定範囲の領域には存在せず、且つ、前記所定範囲の領域の周囲の領域においては所定の規則性に従って平面視において分散して配置されるように、前記ダミーパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【００１２】
また、本発明は、コンタクト又はビアを形成する工程と、
前記コンタクト又は前記ビアよりも上層にダミーパターンを形成する工程と、
を有し、
前記ダミーパターンを形成する工程では、前記コンタクト又は前記ビアの真上の所定範囲の領域にのみ前記ダミーパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、コンタクト或いはビアの位置を容易に特定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の一連の製造工程を示す断面図及び平面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の一連の製造工程を示す断面図及び平面図である。
【図３】第２の実施形態に係る半導体装置の一連の製造工程を示す断面図及び平面図である。
【図４】第２の実施形態に係る半導体装置の一連の製造工程を示す断面図及び平面図である。
【図５】第３の実施形態に係る半導体装置の断面図及び平面図である。
【図６】第４の実施形態に係る半導体装置の断面図及び平面図である。
【図７】第５の実施形態に係る半導体装置の断面図及び平面図である。
【図８】第６の実施形態に係る半導体装置の断面図及び平面図である。
【図９】コンタクトの平面レイアウトの例を示す平面図である。
【図１０】ダミーパターンの平面レイアウトの例を示す平面図である。
【図１１】複数の孤立コンタクトの各々の周辺におけるダミーパターンの平面レイアウトの例を示す平面図である。
【図１２】比較例１に係る半導体装置の断面図及び平面図である。
【図１３】比較例２に係る半導体装置の断面図及び平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。
各平面図においては、絶縁膜の図示を省略しており、対応する断面図に示される金属層のうち最上層のメタル膜（コンタクト又はビア）を実線で示している。
【００１６】
図１及び図２は第１の実施形態に係る半導体装置の一連の製造工程を示す図である。図１（ｂ）、図２（ｂ）は、それぞれ平面図である。図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図２（ａ）は図２（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、図２は、第１の実施形態に係る半導体装置の断面図及び平面図でもある。図９はコンタクト１０の平面レイアウトの例を示す平面図である。図１０はダミーパターン２０の平面レイアウトの例を示す平面図である。図１１は複数の孤立コンタクト１０ａの各々の周辺におけるダミーパターン２０の平面レイアウトの例を示す平面図である。図１２は比較例１に係る半導体装置を示す図であり、このうち図１２（ｂ）は平面図、図１２（ａ）は図１２（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００１７】
第１の実施形態に係る半導体装置を説明する前に、図１２を参照して、比較例１に係る半導体装置を説明する。
【００１８】
図１２に示される比較例１のように、半導体装置は、平面的に孤立したレイアウトのコンタクト１０（以下、孤立コンタクト１０ａ）、或いは、平面的に孤立したレイアウトのビア（図示略、以下孤立ビア）を有する場合がある。
【００１９】
孤立コンタクト１０ａ及び孤立ビアの孤立の程度（周囲のコンタクト１０或いはビアからの距離）は、コンタクト１０及びビアの平面寸法などにより異なるが、例えば、リソグラフィーにおいて光近接効果（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：ＯＰＣ）が影響する範囲には他のコンタクト１０が存在しないコンタクト１０を孤立コンタクト１０ａとすることが挙げられる。同様に、リソグラフィーにおいて光近接効果が影響する範囲には他のビアが存在しないビアを孤立ビアとすることが挙げられる。
【００２０】
孤立コンタクト１０ａ或いは孤立ビアについて、例えば、断面形状観察などの物理解析を行う必要がある場合には、その位置を特定した上で、ＦＩＢ装置などにより試料としての半導体装置をボックス状に掘っていくことにより、該当箇所の観察断面を形成し、ＴＥＭやＳＥＭなどの観察装置を用いて断面観察を行う。
その際、孤立コンタクト１０ａは、周囲に別のコンタクト１０が存在していないため、その位置を特定することが困難である。同様の理由から、孤立ビアの位置を特定することも困難である。
このため、ＦＩＢ装置により掘られた箇所に所望の孤立コンタクト１０ａ或いは孤立ビアを露出させることができないことが非常に多く、検査効率が非常に悪いという課題がある。
実際の製品の場合は、半導体装置の各構成要素の配置パターンが非常に複雑であるため、尚更、孤立コンタクト１０ａ或いは孤立ビアの位置特定が困難となる。
なお、ＴＥＭやＳＥＭなどの観察装置では、電子線を利用して観察を行うが、コンタクトやビアが層間絶縁膜により覆われた状態では、コンタクトやビアを観察することが非常に困難である。
【００２１】
なお、孤立コンタクト１０ａ以外の通常のコンタクト１０の近傍には、別のコンタクト１０が存在している。同様に、孤立ビア以外の通常のビアの近傍には、別のビアが存在している。よって、通常のコンタクト１０或いはビアについては、それらの配置の規則性に基づき、位置を比較的容易に特定することができる。
【００２２】
また、半導体装置には、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈ）加工の際の平坦性を確保するために、例えば図１２に示すようにダミーパターン２０を設ける場合がある。
しかしながら、一般的な半導体装置では、図１２の比較例１と同様に、ダミーパターン２０が所定の規則的な配置となっているが、ダミーパターン２０の配置と孤立コンタクト１０ａ或いは孤立ビアの配置とに関連性がない。このため、ダミーパターン２０の配置に基づいて、孤立コンタクト１０ａ或いは孤立ビアの位置を特定することは困難である。
【００２３】
なお、比較例１に係る半導体装置のダミーパターン２０の平面レイアウトは、具体的には、例えば、以下のようになっている。
【００２４】
図１２（ｂ）に示すように、比較例１においては、ダミーパターン２０は、平面視において千鳥状に配置されている。より具体的には、例えば、縦方向に隣り合うダミーパターン２０は、ダミーパターン２０の一辺の長さの半分ずつ、横方向における一方向に互いにずれており、且つ、横方向に隣り合うダミーパターン２０は、ダミーパターン２０の一辺の長さの半分ずつ、縦方向における一方向に互いにずれている。
【００２５】
ここで、ダミーパターン２０の４つの辺を、時計回りにそれぞれ第１の辺２１、第２の辺２２、第３の辺２３、第４の辺２４と称する。各ダミーパターン２０は、それの最も近傍に位置して当該ダミーパターン２０を取り巻く４つのダミーパターン２０の１つずつの辺の延長線の交点に位置している。すなわち、各ダミーパターン２０は、その右隣のダミーパターン２０の第１の辺２１の延長線と、その手前側に隣接するダミーパターン２０の第２の辺２２の延長線と、その左隣のダミーパターン２０の第３の辺２３の延長線と、その奥に隣接するダミーパターン２０の第４の辺２４の延長線と、の交点に位置している。
【００２６】
比較例１に係る半導体装置におけるダミーパターン２０の平面レイアウトでは、図２（ｂ）に示される領域Ｒ１に相当する位置にもダミーパターン２０（以下、このダミーパターン２０をダミーパターン２０ａという）が存在している。それ以外の点では、比較例１での平面レイアウトは、第１の実施形態に係る半導体装置（後述）におけるダミーパターン２０の平面レイアウトと同一である。
【００２７】
図１２に示すように、具体的には、ダミーパターン２０ａは、孤立コンタクト１０ａの真上に位置している。より具体的には、平面視において、ダミーパターン２０ａの中心と孤立コンタクト１０ａの中心とは一致している。
【００２８】
〔第１の実施形態〕
本実施形態に係る半導体装置は、コンタクト又はビア（例えば、孤立コンタクト１０ａ）と、コンタクト又はビアよりも上層に配置されたダミーパターン２０と、を有し、ダミーパターン２０は、コンタクト又はビアの真上の所定範囲の領域Ｒ１には存在せず、且つ、所定範囲の領域Ｒ１の周囲の領域においては、所定の規則性に従って平面視において分散して配置されている。以下、詳細に説明する。
【００２９】
図９に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、例えば、複数のコンタクト１０を有している。これらコンタクト１０には、平面的に孤立した配置のコンタクト１０（孤立コンタクト１０ａ）が含まれる。孤立コンタクト１０ａの近傍には、他のコンタクト１０が存在していない。
一方、孤立コンタクト１０ａ以外のコンタクト１０（以下、通常コンタクト１０ｂ）の近傍には、別のコンタクト１０（別の通常コンタクト１０ｂ）が存在している。
各コンタクト１０（孤立コンタクト１０ａ、１０ｂを含む）は、同一の層に配置されている。
【００３０】
図２に示すように、コンタクト１０が配置されている層よりも上の層（例えば、コンタクト１０が配置されている層の１つ上の層）には、ダミーパターン２０が配置されている。ダミーパターン２０は、孤立コンタクト１０ａと所定の関連性のある位置に配置されている。
よって、ダミーパターン２０の配置を確認することにより、孤立コンタクト１０ａの位置を特定できる。
具体的には、半導体装置を上層から研磨し、ダミーパターン２０が配置されている層を露出させ、その層を観察することにより、ダミーパターン２０の配置を確認し、その確認した配置から、孤立コンタクト１０ａの位置を特定することができる。
このため、比較例１のようにダミーパターン２０の配置が孤立コンタクト１０ａの位置と全く関連性が無い場合と比べると、極めて容易に、孤立コンタクト１０ａの位置を特定することができる。
【００３１】
ダミーパターン２０は、孤立コンタクト１０ａの真上の所定範囲の領域Ｒ１（図２（ｂ））には存在していない。そして、この所定範囲の領域Ｒ１の周囲の領域においては、複数のダミーパターン２０が、所定の規則性に従って平面視において分散して配置されている。
つまり、孤立コンタクト１０ａの近傍の領域である領域Ｒ１においては、ダミーパターン２０の配置の規則性が崩れており、それ以外の場所においては、ダミーパターン２０が規則的に配置されている。よって、ダミーパターン２０の規則性が崩れている箇所を探し出すことにより、容易に、孤立コンタクト１０ａの位置の目星をつけることができる。
従って、孤立コンタクト１０ａの位置を領域Ｒ１内に絞り込んだ上で、ＦＢＩ装置などによる観察断面の形成を試みることができるので、比較例１のようにダミーパターン２０の配置が孤立コンタクト１０ａの位置と全く関連性が無い場合と比べると、極めて容易に、孤立コンタクト１０ａの位置を特定することができる。
【００３２】
本実施形態に係る半導体装置におけるダミーパターン２０の平面レイアウトは、具体的には、例えば、図２及び図１０（ａ）に示すように、図１２（上記比較例１）におけるダミーパターン２０ａを削除した（抜かした）ものに相当する。すなわち、本実施形態に係る半導体装置は、ダミーパターン２０を配置する設計の半導体装置において、孤立コンタクト１０ａの位置を特定できるように、孤立コンタクト１０ａの真上の所定範囲の領域Ｒ１のダミーパターン２０ａを抜かした構造となっている。
なお、このように削除する（抜かす）ダミーパターン２０の数は、１つとは限らず、複数のダミーパターン２０を抜かすことによって、孤立コンタクト１０ａの位置を特定できるようにしても良い。
【００３３】
領域Ｒ１は、例えば、ダミーパターン２０ａ（図１２）を取り巻く４つのダミーパターン２０における孤立コンタクト１０ａ側を向く辺により囲まれる領域（矩形状の領域）である。
より具体的には、図２及び図１０（ａ）の平面レイアウトにおいては、ダミーパターン２０を所定範囲の領域Ｒ１も含めた領域に所定の規則性に従って配置したと仮定した場合に、孤立コンタクト１０ａの最も近くに配置される１つ又は複数のダミーパターン（例えば、図１２に示される１つのダミーパターン２０ａ）が、存在しない。これにより、孤立コンタクト１０ａの真上の所定範囲の領域Ｒ１（図２（ｂ））にダミーパターン２０が存在しない構造となっている。
このような構造を採用することにより、より容易に、孤立コンタクト１０ａの位置を特定することができる。
【００３４】
より具体的には、図２及び図１０（ａ）の平面レイアウトにおいては、個々のダミーパターン２０が平面視において千鳥状に配置され、且つ、各ダミーパターン２０が平面視矩形状（例えば、正方形状）に形成され、平面視において孤立コンタクト１０ａを取り巻く４つのダミーパターン２０の何れか１つずつの辺（図１０（ａ）の辺２１、２２、２３、２４）の延長線の交点と重なる位置に、孤立コンタクト１０ａが配置されている。
これにより、上記交点の下に孤立コンタクト１０ａが存在することが分かるため、より容易且つ正確に、孤立コンタクト１０ａの位置を特定することができる。
【００３５】
より具体的には、平面視において、上記４つのダミーパターン２０の何れか１つずつの辺（辺２１、２２、２３、２４）の延長線の交点と、孤立コンタクト１０ａの中心と、が重なっている。
これにより、上記交点の下に孤立コンタクト１０ａの中心が位置することが分かるため、より容易且つ正確に、孤立コンタクト１０ａの位置を特定することができる。
【００３６】
次に、図２（ａ）に示される構成において、上述した構成以外の構成についても説明する。
【００３７】
本実施形態に係る半導体装置は、基板（例えば、半導体基板）３１と、この基板３１の表層に形成されたシリサイド層３２と、このシリサイド層３２上及び基板３１上に形成されたコンタクト層間絶縁膜３３と、コンタクト層間絶縁膜３３上に形成された層間絶縁膜３４と、この層間絶縁膜３４上に形成された層間絶縁膜３５と、を有している。
コンタクト１０（孤立コンタクト１０ａ、通常コンタクト１０ｂを含む）は、コンタクト層間絶縁膜３３に埋め込まれている。
また、ダミーパターン２０は、層間絶縁膜３４に埋め込まれている。
【００３８】
なお、上記においては、ダミーパターン２０の配置パターンが千鳥格子状の例を説明したが、例えば、図１０（ｂ）に示すように、ダミーパターン２０の配置パターンは正格子状であっても良い。
【００３９】
図１０（ｂ）の場合も、領域Ｒ１は、ダミーパターン２０ａを取り巻く４つのダミーパターン２０における孤立コンタクト１０ａ側を向く辺により囲まれる領域（矩形状の領域）である。
また、ダミーパターン２０を所定範囲の領域Ｒ１も含めた領域に所定の規則性に従って配置したと仮定した場合に、孤立コンタクト１０ａの最も近くに配置される１つ又は複数のダミーパターン（例えば、１つのダミーパターン２０ａ）が、存在しない。
【００４０】
より具体的には、図１０（ｂ）の平面レイアウトにおいては、個々のダミーパターン２０が平面視において正格子状に配置され、且つ、各ダミーパターン２０が平面視矩形状（例えば、正方形状）に形成され、平面視において孤立コンタクト１０ａを取り巻く４つのダミーパターン２０の何れか１つずつの辺（図１０（ｂ）の辺２１、２２、２３、２４）のうち、対向する辺（辺２１と２３、辺２２と２４）の中点どうしを結ぶ線の交点と重なる位置に、孤立コンタクト１０ａが配置されている。より具体的には、平面視において、その交点と、孤立コンタクト１０ａの中心と、が重なっている。
【００４１】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
この製造方法は、コンタクト又はビア（例えば、コンタクト１０）を形成する工程と、コンタクト又はビアよりも上層にダミーパターン２０を形成する工程と、を有し、ダミーパターン２０を形成する工程では、ダミーパターン２０が、コンタクト又はビアの真上の所定範囲の領域Ｒ１には存在せず、且つ、所定範囲の領域Ｒ１の周囲の領域においては所定の規則性に従って平面視において分散して配置されるように、ダミーパターン２０を形成する。以下、詳細に説明する。
【００４２】
例えば、予め、半導体装置の設計を行う。この際に、コンタクト１０（孤立コンタクト１０ａ、通常コンタクト１０ｂを含む）の配置パターン、及び、ダミーパターン２０の配置パターンを決定する。具体的には、例えば、先ず、ダミーパターン２０の配置パターンとして、格子状（例えば、千鳥格子状、或いは、正格子状）の配置パターンを自動生成する。そして、自動生成された配置パターンにおけるダミーパターン２０のうち、平面視において孤立コンタクト１０ａの最も近くに位置するダミーパターン２０（例えば、図１２におけるダミーパターン２０ａ）を削除する。つまり、例えば、ダミーパターン２０の配置パターンを決定する前に、孤立コンタクト１０ａの配置を決定しておき、孤立コンタクト１０ａの配置に合わせて、ダミーパターン２０の配置パターンを決定する。
【００４３】
なお、例えば、図１１に示すように、半導体装置が複数の孤立コンタクト１０ａを有している場合がある。その場合に、半導体装置の全域においてダミーパターン２０を一定の規則性で配置してしまうと、ある孤立コンタクト１０ａの周囲にはダミーパターン２０を所望の配置（例えば、図２及び図１０（ａ）の配置、或いは、図１０（ｂ）の配置）に出来ても、他の孤立コンタクト１０ａの周囲にはダミーパターン２０を所望の配置にすることができない場合がある。
そこで、例えば、図１１に示すように、各孤立コンタクト１０ａの周囲において、ダミーパターン２０が所望の配置で配置されるように、ダミーパターン２０の配置パターンを各孤立コンタクト１０ａ毎に、個別に設定する。つまり、図１１の左側の孤立コンタクト１０ａの周囲のダミーパターン２０と、右側の孤立コンタクト１０ａの周囲のダミーパターン２０とでは、規則性が互いにずれており、このように各孤立コンタクト１０ａの位置に合わせてその周囲のダミーパターン２０の規則性をずらすことにより、各孤立コンタクト１０ａの周囲においてダミーパターン２０を所望の配置にすることができる。
【００４４】
このように半導体装置の設計を行った後で、以下のように半導体装置を製造する。
【００４５】
図１に示すように、基板３１を準備し、その基板３１の表層にシリサイド層３２を形成する。
次に、シリサイド層３２上及び基板３１上にコンタクト層間絶縁膜３３を形成し、このコンタクト層間絶縁膜３３にコンタクト１０（孤立コンタクト１０ａ、通常コンタクト１０ｂを含む）を埋め込み形成する。
【００４６】
次に、図２に示すように、コンタクト層間絶縁膜３３上に層間絶縁膜３４を形成し、この層間絶縁膜３４にダミーパターン２０を埋め込み形成する。この工程では、予め設計された配置パターンにて、ダミーパターン２０を配置する。
次に、層間絶縁膜３４上に層間絶縁膜３５を形成する。
【００４７】
こうして、本実施形態に係る半導体装置を製造することができる。
【００４８】
以上のような第１の実施形態によれば、コンタクト又はビア（例えば、コンタクト１０）よりも上層に配置されたダミーパターン２０が、コンタクト又はビアの真上の所定範囲の領域Ｒ１には存在せず、且つ、所定範囲の領域Ｒ１の周囲の領域においては、所定の規則性に従って平面視において分散して配置されているので、ダミーパターン２０の配置に基づいてコンタクトの位置又はビアの位置を特定することができる。つまり、ダミーパターン２０を観察し、その位置を確認することにより、コンタクト又はビアの位置を特定することができる。よって、例えば、コンタクト又はビア（例えば、孤立コンタクト１０ａ）の断面形状観察などの物理解析を容易に行うことができる。
【００４９】
〔第２の実施形態〕
図３及び図４は第２の実施形態に係る半導体装置の一連の製造工程を示す図である。図３（ｂ）及び図４（ｂ）は、それぞれ平面図である。図３（ａ）は図３（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図４（ａ）は図４（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
なお、図４は、第２の実施形態に係る半導体装置の断面図及び平面図でもある。
【００５０】
本実施形態に係る半導体装置は、以下に説明する点でのみ、上記の第１の実施形態に係る半導体装置（図２）と相違し、その他の点では第１の実施形態に係る半導体装置と同様に構成されている。
【００５１】
図４に示すように、本実施形態の場合、層間絶縁膜３４には、ダミーパターン２０ではなく、配線４０が埋め込み形成されている。そして、層間絶縁膜３４の上層の層間絶縁膜３５の更に１つ上の層の層間絶縁膜３６に、ダミーパターン２０が埋め込み形成されている。層間絶縁膜３６上には層間絶縁膜３７が形成されている。
【００５２】
本実施形態の場合も、ダミーパターン２０と孤立コンタクト１０ａとの平面的な位置関係は、第１の実施形態と同様である。
【００５３】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
【００５４】
本実施形態の場合も、コンタクト１０、ダミーパターン２０等の配置パターンの決定を含む設計を行った後で、半導体装置を製造する。
【００５５】
図１に示す工程を第１の実施形態と同様に行った後、図３に示すように、コンタクト層間絶縁膜３３上に層間絶縁膜３４を形成し、この層間絶縁膜３４に配線４０を埋め込み形成する。
【００５６】
次に、図４に示すように、層間絶縁膜３４上に層間絶縁膜３５を形成する。次に、層間絶縁膜３５上に層間絶縁膜３６を形成し、この層間絶縁膜３６にダミーパターン２０を埋め込み形成する。この工程では、予め設計された配置パターンにて、ダミーパターン２０を配置する。
次に、層間絶縁膜３６上に層間絶縁膜３７を形成する。
【００５７】
こうして、第２の実施形態に係る半導体装置を製造することができる。
【００５８】
以上のような第２の実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００５９】
〔第３の実施形態〕
図５は第３の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、このうち図５（ａ）は断面図、図５（ｂ）は平面図である。
図１３は比較例２に係る半導体装置を示す図であり、このうち図１３（ｂ）は平面図、図１３（ａ）は図１３（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００６０】
第３の実施形態に係る半導体装置を説明する前に、図１３を参照して、比較例２に係る半導体装置を説明する。図１３に示すように、比較例２に係る半導体装置は、ダミーパターン２０を有していない点で、比較例１に係る半導体装置（図１２）と相違し、その他の点では、比較例１に係る半導体装置と同様に構成されている。
比較例２に係る半導体装置の場合も、比較例１に係る半導体装置の場合と同様の理由から、孤立コンタクト１０ａの位置を特定することが困難である。
【００６１】
一方、第３の実施形態に係る半導体装置は、以下に説明する点でのみ、比較例２に係る半導体装置（図１３）と相違し、その他の点では、比較例２に係る半導体装置と同様に構成されている。
図５に示すように、第３の実施形態に係る半導体装置においては、コンタクト又はビア（例えば、孤立コンタクト１０ａ）の真上の所定範囲の領域Ｒ２にのみ、ダミーパターン２０が配置されている。
そして、領域Ｒ２の外には、ダミーパターン２０が配置されていない。
よって、ダミーパターン２０の配置を確認することにより、孤立コンタクト１０ａの位置を特定できる。
【００６２】
より具体的には、ダミーパターン２０は、例えば、孤立コンタクト１０ａの真上に配置されており、平面視において、ダミーパターン２０と孤立コンタクト１０ａとが重なっている。
よって、より容易且つ正確に、孤立コンタクト１０ａの位置を特定することができる。
【００６３】
より具体的には、平面視において、ダミーパターン２０の中心と、孤立コンタクト１０ａの中心と、が重なっている。
よって、より容易且つ正確に、孤立コンタクト１０ａの位置を特定することができる。
【００６４】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
【００６５】
本実施形態の場合も、コンタクト１０、ダミーパターン２０等の配置パターンの決定を含む設計を行った後で、半導体装置を製造する。
【００６６】
図１に示す工程を第１の実施形態と同様に行った後、図５に示すように、コンタクト層間絶縁膜３３上に層間絶縁膜３４を形成し、この層間絶縁膜３４にダミーパターン２０を埋め込み形成する。この工程では、予め設計された配置パターンにて、ダミーパターン２０を配置する。
次に、層間絶縁膜３４上に層間絶縁膜３５を形成する。
こうして、本実施形態に係る半導体装置を製造することができる。
【００６７】
以上のような第３の実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
また、特に、コンタクト又はビア（例えば、孤立コンタクト１０ａ）の真上の所定範囲の領域Ｒ２にのみ、ダミーパターン２０が配置されているため、ダミーパターン２０を見つけ出すことができれば、その近傍にコンタクト又はビアが存在することを認識することができる。
【００６８】
〔第４の実施形態〕
図６は第４の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、このうち図６（ａ）は図６（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、図６（ｂ）は平面図である。
【００６９】
本実施形態に係る半導体装置は、以下に説明する点でのみ、上記の第３の実施形態に係る半導体装置（図５）と相違し、その他の点では第３の実施形態に係る半導体装置と同様に構成されている。
【００７０】
図６に示すように、本実施形態の場合、層間絶縁膜３４には、ダミーパターン２０ではなく、配線４０が埋め込み形成されている。そして、層間絶縁膜３４の上層の層間絶縁膜３５の更に１つ上の層の層間絶縁膜３６に、ダミーパターン２０が埋め込み形成されている。層間絶縁膜３６上には層間絶縁膜３７が形成されている。
【００７１】
本実施形態の場合も、ダミーパターン２０と孤立コンタクト１０ａとの平面的な位置関係は、第３の実施形態と同様である。
【００７２】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
【００７３】
本実施形態の場合も、コンタクト１０、ダミーパターン２０等の配置パターンの決定を含む設計を行った後で、半導体装置を製造する。
【００７４】
図１に示す工程を第１の実施形態と同様に行った後、図３に示す工程を第２の実施形態と同様に行う。
【００７５】
次に、図６に示すように、層間絶縁膜３４上に層間絶縁膜３５を形成する。次に、層間絶縁膜３５上に層間絶縁膜３６を形成し、この層間絶縁膜３６にダミーパターン２０を埋め込み形成する。この工程では、予め設計された配置パターンにて、ダミーパターン２０を配置する。
次に、層間絶縁膜３６上に層間絶縁膜３７を形成する。
【００７６】
こうして、第４の実施形態に係る半導体装置を製造することができる。
【００７７】
以上のような第４の実施形態によっても、第３の実施形態と同様の効果が得られる。
【００７８】
〔第５の実施形態〕
図７は第５の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、このうち図７（ａ）は図７（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、図７（ｂ）は平面図である。
【００７９】
本実施形態に係る半導体装置は、以下に説明する点でのみ、上記の第２の実施形態に係る半導体装置（図４）と相違し、その他の点では第２の実施形態に係る半導体装置と同様に構成されている。
【００８０】
図７に示すように、本実施形態の場合、孤立コンタクト１０ａの真上に孤立ビア５０ａが配置されている。ここで、本実施形態に係る半導体装置においては、例えば、層間絶縁膜３５に複数のビア５０（図７では１つのビア５０のみを図示）が配置されており、そのうち、孤立ビア５０ａは、平面的に孤立したレイアウトのビア５０である。
【００８１】
本実施形態の場合も、第２の実施形態と同様の配置パターンでダミーパターン２０が配置されている。このため、ダミーパターン２０の配置を確認することにより、容易に、孤立コンタクト１０ａ及び孤立ビア５０ａの位置を特定することができる。
【００８２】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜３５に対し、予め決定した配置パターンでビア５０（孤立ビア５０ａを含む）を埋め込み形成する点でのみ、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法と相違し、その他の点は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様である。
【００８３】
以上のような第５の実施形態によれば、第２の実施形態と同様の効果が得られる他、ダミーパターン２０の配置に基づいて孤立ビア５０ａの位置を特定することもできる。
【００８４】
〔第６の実施形態〕
図８は第６の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、このうち図８（ａ）は図８（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、図８（ｂ）は平面図である。
【００８５】
本実施形態に係る半導体装置は、以下に説明する点でのみ、上記の第４の実施形態に係る半導体装置（図６）と相違し、その他の点では第４の実施形態に係る半導体装置と同様に構成されている。
【００８６】
図８に示すように、本実施形態の場合、孤立コンタクト１０ａの真上に孤立ビア５０ａが配置されている。ここで、本実施形態に係る半導体装置においては、例えば、層間絶縁膜３５に複数のビア５０（図８では１つのビア５０のみを図示）が配置されており、そのうち、孤立ビア５０ａは、平面的に孤立したレイアウトのビア５０である。
【００８７】
本実施形態の場合も、第４の実施形態と同様の配置パターンでダミーパターン２０が配置されている。このため、ダミーパターン２０の配置を確認することにより、容易に、孤立コンタクト１０ａ及び孤立ビア５０ａの位置を特定することができる。
【００８８】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜３５に対し、予め決定した配置パターンでビア５０（孤立ビア５０ａを含む）を埋め込み形成する点でのみ、第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法と相違し、その他の点は、第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様である。
【００８９】
以上のような第６の実施形態によれば、第４の実施形態と同様の効果が得られる他、ダミーパターン２０の配置に基づいて孤立ビア５０ａの位置を特定することもできる。
【００９０】
上記の第１乃至第４の各実施形態では、ダミーパターン２０の配置に基づいて孤立コンタクト１０ａの位置を特定できるような構造の半導体装置について具体的に説明したが、孤立コンタクト１０ａを有さず、孤立ビア５０ａを有する構造の半導体装置において、上記の第１乃至第４の各実施形態での孤立コンタクト１０ａとダミーパターン２０との平面的な位置関係と同様に、孤立ビア５０ａとダミーパターン２０との平面的な位置関係を設定することにより、ダミーパターン２０の配置に基づいて孤立ビア５０ａの位置を特定できるようにすることができる。
【００９１】
また、ダミーパターン２０を配置するレイヤーは、上記において図示したレイヤー以外であっても良い。
【符号の説明】
【００９２】
１０ コンタクト
１０ａ 孤立コンタクト
１０ｂ 通常コンタクト
２０ ダミーパターン
２０ａ ダミーパターン
２１ 第１の辺
２２ 第２の辺
２３ 第３の辺
２４ 第４の辺
３１ 基板
３２ シリサイド層
３３ コンタクト層間絶縁膜
３４ 層間絶縁膜
３５ 層間絶縁膜
３６ 層間絶縁膜
３７ 層間絶縁膜
４０ 配線
５０ ビア
５０ａ 孤立ビア
Ｒ１ 領域
Ｒ２ 領域
【図１】
2012227283.tif 000003
【図２】
2012227283.tif 000004
【図３】
2012227283.tif 000005
【図４】
2012227283.tif 000006
【図５】
2012227283.tif 000007
【図６】
2012227283.tif 000008
【図７】
2012227283.tif 000009
【図８】
2012227283.tif 000010
【図９】
2012227283.tif 000011
【図１０】
2012227283.tif 000012
【図１１】
2012227283.tif 000013
【図１２】
2012227283.tif 000014
【図１３】
2012227283.tif 000015