【事件の表示】
　特願２０１８−５１７２３７「半導体光素子」拒絶査定不服審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１７年１２月８日を国際出願日とする出願であって、 その手続の経緯は以下のとおりである。
　
　平成３０年　４月　２日：出願審査請求書の提出
　　　　同年　５月２２日：拒絶理由通知（５月２９日発送）
　　　　同年　７月　５日：手続補正書・意見書の提出
　　　　同年　８月　８日：拒絶査定（８月２１日送達）
　　　　同年１０月２６日：審判請求書・手続補正書の提出
　平成３１年　１月１７日：上申書の提出
　　
第２　本件補正
１　本件補正の内容
（１）平成３０年７月５日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１は、以下のとおりである（なお、下線は、当審で付した。以下同じ。）。
     　
　「【請求項１】
　埋込部で両側が挟まれ、第１端部と第２端部とを有する光導波路と、
　前記光導波路の第１端部に接続され、少なくとも出力側の端面が前記埋込部と接する光合波器と、
　前記埋込部の中に設けられた凹部からなる反射溝と、を含み、
　前記光合波器から出た光が前記光導波路を通って前記第２端部から出射する半導体光素子であって、
　
前記反射溝のすべての側面
　
前記側面
（２）平成３０年１０月２６日付け手続補正（以下「本件補正」という。）により補正され特許請求の範囲の請求項１は、以下のとおりである。
　「【請求項１】
　埋込部で両側が挟まれ、第１端部と第２端部とを有する光導波路と、
　前記光導波路の第１端部に接続され、少なくとも出力側の端面が前記埋込部と接する光合波器と、
　前記埋込部の中に設けられた凹部からなる反射溝と、を含み、
　前記光合波器から出た光が前記光導波路を通って前記第２端部から出射する半導体光素子であって、
　前記
反射溝のすべての側面
　前記反射溝の側面は、前記光合波器の前記出力側の端部から出た迷光を前記光導波路から遠ざかるように
反射する側面を有し
　前記反射溝の側面は、前記迷光が前記反射溝と前記光導波路との間を伝搬する距離を抑制し、
前記反射溝と前記光導波路との間を伝搬する前記迷光が回折現象により広がる形状
２　補正の適否について 
（１）本件補正は、本件補正前の明細書及び特許請求の範囲について補正しようとするものであるところ、本件補正前の請求項１の下から三行目の「前記側面」であって、「（迷光を）前記光導波路から遠ざかるように反射する」ものとは、その前段の「前記反射溝のすべての側面」のうち、一部の側面であるか又はすべての側面であるのか定かでなかったところ、本件補正により、一部の側面であってもよいことが明らかになった、
　   　
（２）また、本件補正により追加された「前記反射溝と前記光導波路との間を伝搬する前記迷光が回折現象により広がる形状」との文言は、本件補正前の「反射溝の側面」の有する機能を明示的に示したものであって、形状を何ら限定するものではない。
　
（３）そうすると、本件補正は、特許法１７条の２第５項４号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする補正であると認められる。
３　本件補正についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は適法になされたものである。
          　
第３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１ないし１０に係る発明は、下記の引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　　　
　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１　特開２００７−２５０８８９号公報（２００７年９月２７日公開）　
２　国際公開第２０１０／１１０１５２号（周知技術を示す文献）
３　特開２００５−３１１３０８号公報
　　
第４　引用文献の記載及び引用発明
１　引用文献に記載の事項  
　原査定の拒絶の理由において引用された、特開２００７−２５０８８９号公報（以下「引用文献」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
　　　　　    　
（１）「【請求項１】
　複数の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光を合流させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器とを集積した集積型半導体レーザ素子であって、
　前記光合流器の出力ポート側の端面の前部に前記半導体光増幅器の出力端側へ伝搬する光を後方に反射する
反射手段
【請求項２】
　前記
反射手段は、前記半導体光増幅器を埋め込む埋め込み部に幅方向にわたって設けた溝である
【請求項３】
　……
【請求項４】
　前記
反射手段の反射面と前記光合流器の出力ポート側の端面とのなす角度が０度より大きく４５度より小さい
【請求項５】
　
前記半導体光増幅器と前記反射手段の該半導体光増幅器に近い端部との距離は、該半導体光増幅器を導波する光の幅方向の強度分布が最大値から１／ｅ
２
となる位置よりも離れている
　
（２）「【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　ところが、従来の集積型半導体レーザ素子を備える半導体レーザモジュールにおいては、上記の制御方法を用いても光ファイバ出力が一定にならない場合があった。図１９はパワーモニタＰＤに流れる電流と光ファイバ出力との関係を示す図である。図１９に示すように、
パワーモニタＰＤに流れる電流と光ファイバ出力との間にはオフセットがある
【０００８】
　……
【０００９】
　…特に、光合流器が、半導体埋め込み型の導波路からなる場合は、
出力ポートに結合しない光のほとんどが出力ポート側の端面から放射する
【００１０】
　すなわち、従来の集積型半導体レーザ素子は、
内部で発生する迷光が半導体光増幅器の出力端側へ伝搬して素子の前方へ出射するという課題
【００１１】
　本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、
内部で発生する迷光
　
（３）「【発明の効果】
【００２１】
　本発明によれば、光合流器の出力ポート側の端面の前部に半導体光増幅器の出力端側へ伝搬する光を後方に反射する反射手段を設けたことにより、
内部で発生する迷光の伝搬を阻止することができるので、迷光の前方への放射を抑制することができる
　
（４）「【００２３】
（実施の形態１）
　まず、本発明の実施の形態１に係る集積型半導体レーザ素子の構造と製造方法について説明する。図１は、本発明の実施の形態１に係る集積型半導体レーザ素子を模式的に表した平面概略図である。
【００２４】
　図１に示すように、
本実施の形態１に係る集積型半導体レーザ素子１０は、複数のＤＦＢレーザストライプ１１−１〜１１−ｎ（ｎは２以上の整数）と、複数の光導波路１２−１〜１２−ｎと、ＭＭＩ合流器１３と、半導体光増幅器１４とを一つの半導体基板上に集積し、埋め込み部１５により埋め込んだ構造を有する。そして、ＭＭＩ光合流器１３の出力ポート１３ａ側の端面１３ｂの前部の埋め込み部に、半導体光増幅器１４の出力端１４ａ側へ伝搬する光を後方に反射する反射手段である反射溝１６ａ、１６ｂを幅方向（半導体光増幅器１４の光の伝搬方向に直交する方向）にわたって設けている。
【００２５】
　
ＤＦＢレーザストライプ１１−１〜１１−ｎ
ストライプ状の埋め込み構造を有する端面発光型レーザ
出力光の波長が１５３０ｎｍ〜１５７０ｎｍの範囲で相違する
【００２６】
　ＭＭＩ合流器１３は集積型半導体レーザ素子１０の中央部付近に形成されている。また、光導波路１２−１〜１２−ｎはＤＦＢレーザストライプ１１−１〜１１−ｎとＭＭＩ合流器１３との間に形成されており、ＤＦＢレーザストライプ１１−１〜１１−ｎとＭＭＩ合流器１３とを光学的に接続する。半導体光増幅器１４は集積型半導体レーザ素子１０のＤＦＢレーザストライプ１１−１〜１１−ｎとは反対側の一端に形成されている。
【００２７】
　この集積型半導体レーザ素子１０の動作を説明する。まず、ＤＦＢレーザストライプ１１−１〜１１−ｎの中から選択した１つのＤＦＢレーザストライプを駆動する。トレンチ溝１７−１〜１７−ｍはＤＦＢレーザストライプ１１−１〜１１−ｎ間を電気的に分離するのでＤＦＢレーザストライプ間の分離抵抗が大きくなり、ＤＦＢレーザストライプ１１−１〜１１−ｎの中の１つを選択して駆動することが容易にできる。
【００２８】
　つぎに、複数の光導波路１２−１〜１２−ｎのうち駆動するＤＦＢレーザストライプと光学的に接続している光導波路は、駆動するＤＦＢレーザストライプからの出力光を導波する。ＭＭＩ合流器１３は、光導波路を導波した光を通過させて出力ポート１３ａから出力する。半導体光増幅器１４は、出力ポート１３ａから出力した光を増幅して出力端１４ａから出力する。
【００２９】
　半導体光増幅器１４は、駆動するＤＦＢレーザストライプからの出力光のＭＭＩ合流器１３による光の損失を補い、出力端から所望の強度の光出力を得るために用いられる。
【００３０】
　この集積型半導体レーザ素子１０が動作する際には、光導波路１２−１〜１２−ｎの曲がった部分からの放射光や、ＭＭＩ光合流器１３の出力ポート１３ａ側の端面１３ｂからの放射光が迷光となる。しかし、図２に示すように、反射溝１６ａ、１６ｂの内側面が反射面となって半導体光増幅器１４の出力端１４ａ側へ伝搬する図中矢印で示される迷光を後方に反射するので、
迷光の素子の前方への放射を抑制することができる
【００３１】
　
反射溝１６ａの内側面とＭＭＩ光合流器１３の端面１３ｂとのなす角度θ（図１参照）は、０度より大きく４５度より小さい
【００３２】
　また、半導体光増幅器１４と反射溝１６ａの半導体光増幅器１４に近い端部との
距離ｌ（図２参照）
２μｍ以上
５μｍ以下
　
（５）「【００４９】
（実施の形態２）
　次に、本発明の実施の形態２に係る集積型半導体レーザ素子について説明する。本実施の形態２に係る集積型半導体レーザ素子は、実施の形態１に係る集積型半導体レーザ素子と同様の構造を有し、同様の方法で製造できるが、
反射溝が素子の前方に向かって複数設けられている点が異なる
【００５０】
　…… 
【００５１】
　この集積型半導体レーザ素子５０が動作する際には、光導波路５２−１〜５２−ｎの曲がった部分からの放射光や、ＭＭＩ光合流器５３の出力ポート５３ａ側の端面５３ｂからの放射光が迷光となる。しかし、図１５に示すように、素子の前方に向かって設けられた複数の反射溝５６ａ、５６ｂが半導体光増幅器５４の出力端５４ａ側へ伝搬する図中矢印で示される迷光を後方に反射するので、迷光の素子前方への放射を抑制することができる。そして、一つの反射溝を透過した迷光も、図中幅のある矢印で示されるように複数の反射溝によって順次反射されて減衰する。また、
半導体光増幅器５２と一つの反射溝の間を抜けて前方へ伝搬する迷光も、図中矢印で示されるように外側に広がることにより次の反射溝により反射される
　　
（６）実施の形態１に関する図１及び図２は、以下のものである。　　　
　図１　
            　
　１０…集積型半導体レーザ素子
　１１−１〜１１−ｎ…ＤＦＢレーザストライプ
　１２−１〜１２−ｎ…光導波路
　１３…ＭＭＩ光合流器
　１３ａ…出力ポート
　１３ｂ…出力側端面
　１４…半導体光増幅器
　１４ａ…出力端
　１５…埋め込み部
　１６ａ、１６ｂ…反射溝
　θ…反射溝１６ａの内側面とＭＭＩ光合流器１３の端面１３ｂとのなす角度
　　　　　
　図２    　　　
　ｌ（エル）…半導体光増幅器１４と反射溝１６ａの半導体光増幅器１４に近い端部との距離　　　
  　
（７）実施の形態２に関する図１５は、以下のものである。
   　
　５０… 集積型半導体レーザ素子
　５３… ＭＭＩ光合流器     　
　５４… 半導体光増幅器　
　５５・・埋め込み部　
　５６ａ、５６ｂ…複数の反射溝
   　　　　
２　引用文献に記載された発明
（１）上記１（１）の記載からして、引用文献には、
　「複数の半導体レーザと、
　前記複数の半導体レーザからの出力光を合流させることができる光合流器と、
　前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器と、
　前記光合流器の出力ポート側の端面の前部に前記半導体光増幅器の出力端側へ伝搬する光を後方に反射する反射手段と、を集積した集積型半導体レーザ素子であって、
　前記反射手段は、前記半導体光増幅器を埋め込む埋め込み部に幅方向にわたって設けた溝であり、前記反射手段の反射面と前記光合流器の出力ポート側の端面とのなす角度が０度より大きく４５度より小さく、
　前記半導体光増幅器と前記反射手段の該半導体光増幅器に近い端部との距離は、該半導体光増幅器を導波する光の幅方向の強度分布が最大値から１／ｅ２となる位置よりも離れている、集積型半導体レーザ素子。」（請求項１−２−４−５）が記載されているものと認められる。
（２）上記１（２）及び（３）の記載からして、
　上記アの「（反射手段により後方に反射される）出力端側へ伝搬する光」とは、出力ポートに結合しない光などの「埋め込み部１５」を伝搬する迷光であることが理解できる。
　
（３）上記１（４）の記載を踏まえて、本実施の形態１に関する図１及び図２を見ると、以下のことが理解できる。
　ア　上記（１）の「集積型半導体レーザ素子」は、
　「複数の端面発光型レーザ」、「ＭＭＩ合流器１３」、「半導体光増幅器１４」及び「反射手段１６」を、矩形の半導体基板上に集積し、「埋め込み部１５」により埋め込んだ構造を有する「集積型半導体レーザ素子１０」であってももよいこと。　　
　
　イ　上記（１）の「複数の半導体レーザ」は、
　「出力光の波長が１５３０ｎｍ〜１５７０ｎｍの範囲で相違する」こと。
　
　ウ　上記（１）の「半導体光増幅器」は、
　光合流器１３の出力ポート
１３ａ
　エ　上記（１）の「光合流器の出力ポート側の端面の前部」とは、
　「光合流器の出力ポート側の端面
１３ｂ
　オ　上記（１）の「距離」は、
　具体的には、半導体光増幅器１４と反射溝（１６ａ、１６ｂ）の該半導体光増幅器１４に近い端部との距離であって、「例えば、２μｍ〜５μｍ」であること。
　　
（４）上記１（５）の記載を踏まえて、本実施の形態２に関する図１５を見ると、「半導体光増幅器５４」と「反射溝（５６ａ、５６ｂ）」の間を抜けて前方へ伝搬する迷光（黒矢印）は、そのまま直進するのではなく、外側に広がることから、図１及び図２に示された本実施の形態１においても、「半導体光増幅器１４」と「反射溝（１６ａ、１６ｂ）」の間を抜けて前方へ伝搬する迷光は、外側に広がるものと解される。
　　
（５）上記（１）ないし（４）を総合すると、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
  　
　「出力光の波長が１５３０ｎｍ〜１５７０ｎｍの範囲で相違する複数の
端面発光型レーザ
　前記複数の端面発光型レーザからの出力光を合流させることができる
光合流器１３
　前記光合流器１３の出力ポート１３ａから出力した光を増幅して出力端１４ａから出力する
半導体光増幅器１４
　前記光合流器１３の出力ポート側の端面１３ｂの前部（前方）に前記半導体光増幅器１４の出力端１４ｂ側へ伝搬する迷光を後方に反射する
反射手段１６
　前記
反射手段１６
　前記半導体光増幅器１４と前記反射溝（１６ａ、１６ｂ）の該半導体光増幅器１４に近い端部との距離は、該半導体光増幅器１４を導波する光の幅方向の強度分布が最大値から１／ｅ２となる位置より大きい、例えば、２μｍ〜５μｍ程度であり、
　前記半導体光増幅器１４と前記反射溝（１６ａ、１６ｂ）の間を抜けて前方へ伝搬する迷光が外側に広がる、集積型半導体レーザ素子１０。」
          　
第５　対比 
１　本願発明と引用発明を対比すると、以下のとおりとなる。
　ア　引用発明の「半導体光増幅器１４」は、「矩形の半導体基板上に集積」され、「埋め込み部１５」に埋め込まれたものであるから、本願発明の「埋込部で両側が挟まれ、第１端部と第２端部とを有する光導波路」に相当する。
　
　イ　引用発明の「光合流器１３」は、「（その）出力ポート１３ａ」が「半導体光増幅器１４」に接続され、「（その）出力ポート側の端面１３ｂ」が「埋め込み部１５」によって埋め込まれているから、本願発明の「光導波路の第１端部に接続され、少なくとも出力側の端面が埋込部と接する光合波器」に相当する。
　
　ウ　引用発明の「反射手段１６」は、「半導体光増幅器１４を埋め込む埋め込み部１５に幅方向にわたって設けた反射溝（１６ａ、１６ｂ）」であるから、引用発明は、「埋込部の中に設けられた凹部からなる反射溝」を備えているといえる。
　エ　本願明細書の【００１０】における「図１に示すように、集積型半導体光素子１００は、光合波器３０と、光合波器３０の出力ポート３１に接続された埋め込み型の光導波路２０を含む。」との記載によれば、引用発明の「集積型半導体レーザ素子１０」は、本願発明の「半導体光素子」に相当する。
　オ　ここで、上記アないしエを整理すると、
　本願発明と引用発明とは、
　「埋込部で両側が挟まれ、第１端部と第２端部とを有する光導波路と、
　前記光導波路の第１端部に接続され、少なくとも出力側の端面が前記埋込部と接する光合波器と、
　前記埋込部の中に設けられた凹部からなる反射溝と、を含み、
　前記光合波器から出た光が前記光導波路を通って前記第２端部から出射する半導体光素子」である点で一致する。
　カ　引用発明においては、「反射溝（１６ａ、１６ｂ）の反射面と光合流器１３の出力ポート１３ａ側の端面とのなす角度が０度より大きく４５度より小さく」設定されていることから、反射面で反射した迷光が「半導体光増幅器１４」から遠ざかることは、明らかである。
　よって、本願発明と引用発明とは、
　「反射溝の側面は、光導波路に対して平行ではない側面を含み、
　前記反射溝の側面は、光合波器の出力側の端部から出た迷光を光導波路から遠ざかるように反射する側面を有している」点で一致する。
　　
　キ　また、引用発明においても、「半導体光増幅器１４」と「反射溝（１６ａ、１６ｂ）」との間（以下「隙間」などと表記することがある。）を抜けて前方へ伝搬する迷光が外側に広がるものであるから、引用発明の「反射溝（１６ａ、１６ｂ）」の側面は、「反射溝と光導波路との間を伝搬する迷光が広がる形状」であるといえる。
　
　２　上記「１」の検討からして、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致する。
　＜一致点＞
　「埋込部で両側が挟まれ、第１端部と第２端部とを有する光導波路と、
　前記光導波路の第１端部に接続され、少なくとも出力側の端面が前記埋込部と接する光合波器と、
　前記埋込部の中に設けられた凹部からなる反射溝と、を含み、
　前記光合波器から出た光が前記光導波路を通って前記第２端部から出射する半導体光素子であって、
　前記反射溝の側面は、前記光導波路に対して
平行ではない側面を含み
　前記反射溝の側面は、前記光合波器の前記出力側の端部から出た迷光を前記光導波路から遠ざかるように反射する側面を有し、
　前記反射溝の側面は、前記反射溝と前記光導波路との間を伝搬する前記迷光が
広がる形状
３　一方、両者は、以下の点で相違する。
　＜相違点＞
　反射溝の側面に関して、
　本願補正発明は、
（１）「反射溝のすべての側面は、光導波路に対して平行ではない側面」であって、
（２）「迷光が反射溝と光導波路との間を伝搬する距離を抑制し、前記反射溝と光導波路との間を伝搬する迷光が回折現象により広がる形状を有する」のに対して、
　引用発明は、すべての側面が光導波路に対して平行ではない側面であるか否か不明であり、迷光の伝搬する距離を抑制し、迷光が回折現象により広がる形状であるか否かも不明である点。
   　
第６　判断 
１　＜相違点＞について
（１）まず、本願発明において、上記＜相違点＞に係る構成を採用する技術的意義について、本願明細書の記載を参酌して検討する。
　
　ア　本願明細書には、以下の記載がある。
　「【００２３】
　…しかしながら、反射溝１０、１１の
平面形状のうち
部分が光導波路２０と平行になるように設けられているため、光導波路２０と反射溝１０、１１との間の隙間を迷光が長い距離伝搬してしまう
   　
　「【００２４】　
　…すなわち反射溝１０、１１は、光導波路２０に対して平行な側面を有さない構造を採用した。これにより、入射した迷光を反射溝１０、１１で光導波路２０から遠ざかるように反射すると共に、光導波路２０と反射溝１０、１１との間の隙間を光が伝搬する距離が短くなり、さらに
隙間を通過してもすぐに回折現象により光が広がる
　　
　イ　上記記載からして、
　上記技術的意義は、反射溝と光導波路が平行となる部分では、迷光は回折現象により広がることなく、その部分をそのまま伝搬してしまうために、平行となる部分をなくすことで、いち早く、迷光を広げることにあるものと認められる。
　
（２）一方、引用発明における「迷光」は、引用文献の図１５に示された黒矢印からして、引用発明の「半導体光増幅器１４」と「反射溝（１６ａ、１６ｂ）」の隙間では、迷光の広がりが抑えられた状態でそのまま前方へ伝搬し、隙間の出口から、広がりが抑えられていた迷光が外側に広がり始めるものと解される。   　
　そして、引用発明においては、端面発光型レーザの出力光の波長（１５３０ｎｍ〜１５７０ｎｍ）と半導体光増幅器１４と反射溝（１６ａ、１６ｂ）との間の距離（例えば、２０００ｎｍ〜５０００ｎｍ程度）が、概ね同等の大きさであるから、下記の図に示すように、その迷光は、回折現象により「反射溝（１６ａ、１６ｂ）」の背後に回り込むものと解される。  　
　９１１…スリット
　９１２…開口部　　　
　　　　　　　　　　　　　（特開２０１３−１０４７８９号公報の図１）
（３）そうすると、その隙間の長さ（入口から出口までの距離）が短いほど、いち早く、迷光が広がり、前方へ伝搬する迷光を抑制できることは、当業者にとって明らかである。
　　
（４）そして、平成３０年５月２２日付け拒絶理由通知で指摘したように、光導波路の両側に配置する「迷光を遮断する部材」の形状について、その側面を光導波路と平行配置としないものは、本願の国際出願日（２０１７年１２月８日）時点で周知である（以下「周知技術」という。）。
　必要ならば、下記の文献を参照。
　国際公開第２０１０／１１０１５２号（図９）
　特開２０１４−１３８００５号公報（図８）
　特開２０１０−１３５５８６号公報（図７）
　特開２００６−２７６５１８号公報（図４）
　実願昭６３−３８２５４号（実開平１−１４２９０７号）のマイクロ
　フィルム（第１図）
      　
　ちなみに、
　ア　国際公開第２０１０／１１０１５２号の図９は、以下のものである。
　　　　                          　
　１４，１６…導波路
　１５…光合流器 　
　１７…半導体光増幅器 　
　１８…曲げ導波路 　
　２０…漏洩光阻止部 　　　
    　
　イ　また、実願昭６３−３８２５４号（実開平１−１４２９０７号）のマイクロフィルムの第１図は、以下のものである。
　　　            　
　２０…基板　
　２１…光導波路
　２２，２３…溝
　２４…受光側光フアイバ
　　
（５）そして、引用発明において、上記周知技術のような「『反射溝のすべての側面が、光導波路（半導体光増幅器１４）に対して平行ではない側面』からなる『反射溝（１６ａ、１６ｂ）』」を採用しても、半導体光増幅器１４と反射溝（１６ａ、１６ｂ）の間を抜けて前方へ伝搬する迷光は（回折現象により）外側に広がるものと認められ、その適用を妨げる特段の事情は見あたらない。
　
（６）上記（５）のようにした引用発明においては、隙間の長さ（入口から出口までの距離）が短くなるから、いち早く、迷光が広がり、前方へ伝搬す迷光を抑制できることは、当然のことである。
　　
（７）以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術に基いて容易になし得たことである。
  　
２　効果
　本願発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果及び上記周知技術の奏する効果から予測し得る範囲内のものである。
３　審判請求書における主張について
（１）請求人は、審判請求書において、以下のように主張することから、この点について検討する。
　ア　「しかしながら、引用文献２の漏洩光阻止部２０は、段落［００３４］の記載から光を吸収する部材等で半導体デバイスに新たに設けられるものであり、反射溝であることについての記載も示唆もありません。」（第８頁後段）
　当審注：引用文献２は、上記「周知技術」で引用する国際公開第２０１０／１１０１５２号である。　　
　
　引用文献２の図９に関する［００３４］には「…なお、漏洩光阻止部２０は、
空間的に遮断
　よって、引用発明において、引用文献２に記載された「（空間的に遮断する）漏洩光阻止部２０」の採用を妨げるものではない。
　
　イ　「
たとえ（引用文献２に記載された）図９の漏洩光阻止部２０の形状が光導波路に対して平行でない側面としたとしても
　上記主張は、引用文献２の図９に示された「漏洩光阻止部２０」のすべての側面が光導波路に対して平行でない側面であるとしても、それは、迷光の伝搬する距離を抑制し、迷光が回折現象により広がる形状ではない旨をいうものと解される。
　しかしながら、審判請求時の補正の根拠として指摘している［００２８］には、「反射溝１０、１１は、光導波路２０に平行な側面１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄおよび側面１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄを有さない。
このため
　　
　ウ　「そのため、引用文献２は、光合波器の出力側の端部から出た迷光が、反射溝と光導波路との間を光導波路に沿って伝搬するのを抑制し、信号光と迷光との干渉を抑制して、出射光のビーム形状を良好にすることができるという格別な効果を奏するものではありません。」（第９頁上段）
　しかしながら、引用文献２の図９に関する［００３４］には、「…これによって、光合流器１５からの漏洩光がＦＦＰに影響することがないので、安定したＦＦＰを得ることができる。」と記載されており、引用発明において、図９に示された「（空間的に遮断する）漏洩光阻止部２０」を採用することにより、安定したＦＦＰを得ることができること、つまり、出射光のビーム形状が良好になることは予測し得るものである。
　
（２）以上のことから、請求人の上記各主張は、いずれも採用できない。
　　
４　平成３１年１月１７日提出の上申書における補正案（第４頁中段）について
　以下の理由により、補正案を採用することはできない。
　【理由】　　　
（１）「（１）補正案の説明
［請求項１］
　埋込部で両側が挟まれ、第１端部と第２端部とを有する光導波路と、
　前記光導波路の第１端部に接続され、少なくとも出力側の端面が前記埋込部と接する光合波器と、
　前記埋込部の中に設けられた凹部からなる反射溝と、を含み、
　前記光合波器から出た光が前記光導波路を通って前記第２端部から出射する半導体光素子であって、
　前記反射溝のすべての側面は、前記光導波路に対して平行ではない側面であり、
　前記反射溝の側面は、前記光合波器の前記出力側の端部から出た迷光を前記光導波路から遠ざかるように反射する側面を有し、
　前記反射溝の側面は、前記光合波器と平行な方向に延在する第１側面と、前記第１側面の前記光導波路に近い端部から、前記反射溝と前記光導波路との間を伝搬する前記迷光が回折現象により広がるように延在する第２側面とを有し、
　前記第１側面及び前記第２側面は、前記迷光が前記反射溝と前記光導波路との間を伝搬する距離を抑制し、前記反射溝と前記光導波路との間を伝搬する前記迷光が回折現象により広がる形状であることを特徴とする半導体光素子。」　
（２）判断
　ア　上記「１　＜相違点＞について」で検討したように、隙間の出口において、回折により迷光が外側に拡がり始めることから、隙間の長さ（入口から出口までの距離）が短いほど、いち早く、迷光が広がり、前方へ伝搬する迷光を抑制できることは、当業者にとって明らかである。
　
　イ　補正案における「反射溝」の形状は、本願の図１に示された形状に特定するものではあるが、本願明細書の【００１７】には「…言い換えれば光導波路２０に近接している側面が埋込部４０、４１を挟んで光導波路２０と平行配置とならなければ、以下で述べる図３のような
三角形、矩形、他の多角形とすることも可能である。また、直線ではなく湾曲した形状でも構わない
  　
（３）まとめ
　仮に、補正案のとおり補正されたとしても、進歩性を認めることはできない。
　　　   
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。