【手続補正書】
【提出日】平成21年10月22日(2009.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浸透圧ポンプシステムが、
環境内に配置するために構成された本体構造と； 
前記環境へ送達されるべき送達流体を収容することが出来るデリバリーリザーバーと；
浸透室と；
前記浸透室内に収容される浸透圧生成材料であって、前記浸透圧生成材料による浸透圧の生成は電磁界制御信号によって制御可能な浸透圧生成材料と；
前記浸透室と前記デリバリーリザーバーを分離する圧力応答型移動バリヤであって、前記浸透圧生成材料に対しては実質的に不浸透であり、前記浸透室内の圧力変化に応答して移動し、前記デリバリーリザーバー内の圧力または容積のうち少なくとも一つの変化をもたらすように構成される圧力応答型移動バリヤと；
前記浸透室と浸透圧流体源を分離する半透膜であって、前記浸透圧流体源からの流体に対しては実質的に浸透性であるが、前記浸透圧生成材料に対しては実質的に不浸透性である半透膜と、を備える浸透圧ポンプシステム。
【請求項２】
前記浸透圧流体源は前記環境である、請求項１の浸透圧ポンプシステム。
【請求項３】
前記浸透圧生成材料による浸透圧の生成を制御するために、前記電磁界制御信号に応答する遠隔活性化可能制御要素を含む、請求項１の浸透圧ポンプシステム。
【請求項４】
前記遠隔活性化可能制御要素は磁気的または電気的活性材料を含む、請求項３の浸透圧ポンプシステム。
【請求項５】
前記磁気的または電気的活性材料は、永久磁化可能材料、強磁性材料、フェリ磁性材料、第一鉄材料、第二鉄材料、誘電性材料または強誘電性材料または圧電性材料、反磁性材料、常磁性材料、および反強磁性材料、の少なくとも一つを含む、請求項４の浸透圧ポンプシステム。
【請求項６】
前記遠隔活性化可能制御要素は、少なくとも以下のうちの一つ：
形状記憶材料；
バイメタル構造；
ポリマー、セラミック、誘電体もしくは金属；
ヒドロゲル、フェロゲルもしくは強誘電体；
ポリマーおよび磁気的もしくは電気的活性成分；または
加熱要素もしくは冷却要素
を含む、請求項３の浸透圧ポンプシステム。
【請求項７】
前記遠隔活性化可能制御要素は形状記憶材料を含み、該形状記憶材料は形状記憶ポリマーまたは形状記憶金属を含む、請求項３の浸透圧ポンプシステム。
【請求項８】
前記遠隔活性化可能制御要素は冷却要素を含み、該冷却要素は熱電装置である、請求項３の浸透圧ポンプシステム。
【請求項９】
前記遠隔活性化可能制御要素は膨張または収縮要素である、請求項３の浸透圧ポンプシステム。
【請求項１０】
前記デリバリーリザーバーは、前記送達流体が前記デリバリーリザーバー内の圧力または容積のうち少なくとも一つの変化に応答して前記環境へ通り抜ける、出口を有する、請求項１の浸透圧ポンプシステム。
【請求項１１】
前記デリバリーリザーバーと流体流通し、かつ前記デリバリーリザーバー内の圧力または容積のうち少なくとも一つの変化に応答して、前記デリバリーリザーバーから放出される流体を受けとるように構成された下流流体処理構造を有する、請求項１の浸透圧ポンプシステム。
【請求項１２】
前記下流流体処理構造は、チャネルまたは室の少なくとも一つを有する、請求項１１の浸透圧ポンプシステム。
【請求項１３】
前記圧力応答型移動バリヤは、少なくとも以下のうちの一つ：
柔軟な膜；または
ピストン
を含む、請求項１の浸透圧ポンプシステム。
【請求項１４】
前記浸透圧生成材料は、少なくとも以下のうちの一つ：
イオンもしくは非イオンの、親水性もしくは吸水性材料；
不揮発性水溶性種；
塩、砂糖、多糖類、ポリマー、ヒドロゲル、オスモポリマー、親水性ポリマー、もしくは吸収性ポリマーの少なくとも一つ；
ヒドロゲル；または
ポリマー
を含む、請求項１の浸透圧ポンプシステム。
【請求項１５】
前記浸透圧生成材料の浸透圧生成能力は、少なくとも以下のうちの一つ：
前記浸透圧流体内の前記浸透圧生成材料の溶解度；または
前記浸透圧流体内の前記浸透圧生成材料の濃度
に依存する、請求項１の浸透圧ポンプシステム。
【請求項１６】
前記浸透圧流体内の前記浸透圧生成材料の前記濃度は、少なくとも以下のうちの一つ：
前記電磁界制御信号に応答した前記浸透圧生成材料の溶解度の変化；
前記電磁界制御信号に応答した前記浸透室の容積における変化；または
電磁界制御信号に応答した前記浸透圧流体における変化
により修正可能である、請求項１の浸透圧ポンプシステム。
【請求項１７】
前記浸透圧流体における温度を上昇させることが可能な電磁界活性化加熱要素を有する浸透圧ポンプシステムであって、前記浸透圧生成材料は、前記浸透圧流体における温度上昇に応答して変化する浸透圧流体における溶解度を有する、請求項１６の浸透圧ポンプシステム。
【請求項１８】
前記電磁界活性化加熱要素は、第一鉄、第二鉄、強磁性または誘電性材料からなる、請求項１７の浸透圧ポンプシステム。
【請求項１９】
前記浸透圧流体内の前記浸透圧生成材料の溶解度は、
温度上昇に伴って増加するか；または
温度上昇に伴って減少する
のいずれか一方である、請求項１７の浸透圧ポンプシステム。
【請求項２０】
前記浸透圧流体における温度を下降させることが可能な電磁界活性化冷却要素を有する浸透圧ポンプシステムであって、前記浸透圧生成材料は、前記浸透圧流体における温度下降に応答して変化する浸透圧流体において溶解度を有する、請求項１６の浸透圧ポンプシステム。
【請求項２１】
前記電磁界活性化冷却要素は熱電要素を含む、請求項２０の浸透圧ポンプシステム。
【請求項２２】
前記浸透圧生成材料の前記溶解度は、
温度下降に伴って増加するか；または
温度下降に伴って減少する
のいずれか一方である、請求項２０の浸透圧ポンプシステム。
【請求項２３】
前記浸透室内に、前記電磁界制御信号により修正可能な少なくとも一つの特性を有する、前記浸透室内の二次材料を含む浸透圧ポンプシステムであって、前記浸透圧生成材料の前記濃度は前記二次材料の少なくとも一つの特性における変化により修正可能である、請求項１の浸透圧ポンプシステム。
【請求項２４】
前記二次材料は、前記浸透圧生成材料と結合し、反応し、相互作用し、化合物または合成物を形成することが可能な材料を含む、請求項２３の浸透圧ポンプシステム。
【請求項２５】
前記少なくとも一つの特性は、溶解度、反応性、浸透室内の配分、密度、温度、構造、方向性、配列、または化学ポテンシャル、の少なくとも一つを含む、請求項２３の浸透圧ポンプシステム。
【請求項２６】
少なくとも以下のうちの一つ：
有機体の体、水体、または収容された流体容積から選択された環境内に配置すること；または
産業流体容積、農業流体容積、水泳プール、水槽、飲料水供給、およびＨＶＡＣシステム冷却水供給から選択された、収容された流体容積内に配置すること
に適合する本体構造を含む、請求項１の浸透圧ポンプシステム。
【請求項２７】
前記浸透室内の前記浸透圧生成材料に対する複数の相互作用サイトを有し、前記浸透圧生成材料の、前記電磁界制御信号により制御可能な相互作用サイトとの相互作用が見込まれる浸透圧ポンプシステムであって、前記浸透圧生成材料と前記相互作用サイトとの相互作用は、前記浸透室内の浸透圧における変化を惹起する、請求項１の浸透圧ポンプシステム。
【請求項２８】
前記相互作用サイトは、前記浸透圧生成材料と結合、反応、相互作用、または合成物の形成、の少なくとも一つ以上によって前記浸透圧生成材料と相互作用することが可能な、請求項２７の浸透圧ポンプシステム。
【請求項２９】
前記相互作用サイトは、前記相互作用サイトと前記浸透圧生成材料との間の相互作用を修正する少なくとも一つの特性の変化により電磁界制御信号に応答する、請求項２７の浸透圧ポンプシステム。
【請求項３０】
前記少なくとも一つの特性は、溶解度、反応性、浸透室内の配分、密度、温度、構造、方向性、配列、または化学ポテンシャル、の少なくとも一つを含む、請求項２９の浸透圧ポンプシステム。
【請求項３１】
前記相互作用サイトを収容する前記浸透室の少なくとも部分は、相互作用サイトの数、または前記浸透圧生成材料の前記相互作用サイトとの相互作用の見込み、の少なくとも一つを修正する表面面積の変更によって電磁界制御信号に応答する、請求項２７の浸透圧ポンプシステム。
【請求項３２】
前記表面面積の変更は、
前記浸透室の部分を引伸ばすこと；または
前記浸透室の部分の折畳みを広げること
によってなされる、請求項３１の浸透圧ポンプシステム。
【請求項３３】
前記本体構造、前記デリバリーリザーバー、前記浸透室、前記浸透圧生成材料、前記圧力応答型移動バリヤ、浸透圧ポンプ装置の少なくとも一部を含む前記半透膜；および
前記浸透圧ポンプ装置の前記浸透室内にある前記浸透圧生成材料による浸透圧生成を制御するのに十分な電磁界制御信号を生成することが可能な遠隔制御信号源をさらに含む、
請求項１の浸透圧ポンプシステム。
【請求項３４】
前記遠隔制御信号源は、前記電磁界制御信号の生成を制御するように構成された、ハードウエア、ファームウエア、またはソフトウエアの少なくとも一つを有する、請求項３３の浸透圧ポンプシステム。
【請求項３５】
前記浸透圧ポンプ装置は、前記浸透圧生成材料によって前記浸透圧の生成を制御するために、前記電磁界制御信号に応答する遠隔活性化可能制御要素を含む、請求項３３の浸透圧ポンプシステム。
【請求項３６】
前記遠隔活性化可能制御要素は、少なくとも以下のうちの一つ：
永久磁化可能材料、強磁性材料、フェリ磁性材料、第一鉄材料、第二鉄材料、誘電性材料または強誘電性材料または圧電性材料、反磁性材料、常磁性材料、または反強磁性材料、の少なくとも一つを含む磁気的または電気的活性材料；
ポリマー、セラミック、誘電体もしくは金属；
形状記憶材料；または
ポリマーおよび磁気的もしくは電気的活性成分
を含む、請求項３５の浸透圧ポンプシステム。
【請求項３７】
少なくとも以下のうちの一つ：
所望のやりかたで前記浸透圧の生成を制御するために、前記遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分な静的または準静的電界制御信号；
所望のやりかたで前記浸透圧の生成を制御するために、前記遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分な静的または準静的磁界制御信号；
所望のやりかたで前記浸透圧の生成を制御するために、前記遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分な無線周波数電磁界制御信号；
所望のやりかたで前記浸透圧の生成を制御するために、前記遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分なマイクロウエーブ電磁界制御信号；
所望のやりかたで前記浸透圧の生成を制御するために、前記遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分な赤外線電磁界制御信号；
所望のやりかたで前記浸透圧の生成を制御するために、前記遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分なミリメータウエーブ電磁界制御信号；
所望のやりかたで前記浸透圧の生成を制御するために、前記遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分な光学的電磁界制御信号；
所望のやりかたで前記浸透圧の生成を制御するために、前記遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分な紫外線電磁界制御信号
を生成するように構成された遠隔制御信号源を含む、請求項３５の浸透圧ポンプシステム。
【請求項３８】
浸透圧ポンプ装置のための遠隔制御装置であって：
浸透圧ポンプ装置の浸透室内の浸透圧生成材料濃度を変更するために、環境内に置かれた前記浸透圧ポンプ装置の遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分な電磁信号を生成することが可能な電磁信号生成装置と；
前記電磁信号を前記遠隔活性化可能制御要素へ無線送信可能な電磁信号送信器と、
を備える遠隔制御装置。
【請求項３９】
前記電磁信号生成装置は、
電気回路；または
マイクロプロセッサ
を含む、請求項３８の遠隔制御装置。
【請求項４０】
前記電磁信号は、少なくとも部分的に予め決定された活性化パターンに従って生成される、請求項３８の遠隔制御装置。
【請求項４１】
前記予め決定された活性化パターンを格納可能なメモリーを含む、請求項４０の遠隔制御装置。
【請求項４２】
前記電磁信号は、モデルベースの計算に基づいて生成される、請求項３８の遠隔制御装置。
【請求項４３】
前記モデルベースの計算において使用されるモデルパラメータを格納可能なメモリーを含む、請求項４２の遠隔制御装置。
【請求項４４】
前記環境から探知されたフィードバック信号の受取りに適合した信号入力を有する遠隔制御装置であって、前記電磁信号は、前記環境から探知されたフィードバック信号に少なくとも部分的に基づいて生成される、請求項３８の遠隔制御装置。
【請求項４５】
前記フィードバック信号は、
前記環境の浸透圧濃度またはペーハーの少なくとも一つ；
前記環境内の化学物質の濃度もしくは化学的活性；または
前記環境の温度もしくは圧力
に対応する、請求項４４の遠隔制御装置。
【請求項４６】
前記浸透圧ポンプ装置からのフィードバック信号の受取りに適合した信号入力を有する遠隔制御装置であって、前記電磁信号は、前記浸透圧ポンプ装置から探知された前記フィードバック信号に少なくとも部分的に基づいて生成される、請求項３８の遠隔制御装置。
【請求項４７】
前記フィードバック信号は、
前記浸透圧ポンプ装置内もしくは周辺の前記浸透圧濃度もしくは前記ペーハーの少なくとも一つ；
前記浸透圧ポンプ装置内もしくは周辺の化学物質の前記濃度もしくは化学的活性；
前記浸透圧ポンプ装置内もしくは周辺の温度もしくは圧力；または
前記浸透圧ポンプ装置のポンプ流量
に対応する、請求項４６の遠隔制御装置。
【請求項４８】
前記電磁信号は、少なくとも以下のうちの一つ：
規定の磁界強度
規定の電界強度；
前記遠隔活性化可能制御要素の大きさの変化の生成に十分な信号特性；
前記遠隔活性化可能制御要素の温度の変化の生成に十分な信号特性；
前記遠隔活性化可能制御要素の構成の変化の生成に十分な信号特性；または
前記遠隔活性化可能制御要素の方向性もしくは位置の変化の生成に十分な信号特性
を有する、請求項３８の遠隔制御装置。
【請求項４９】
前記電磁信号生成装置は、少なくとも以下のうちの一つ：
電磁石もしくは電気分極性要素；または
少なくとも一つの永久磁石またはエレクトレット
を含む、請求項３８の遠隔制御装置。
【請求項５０】
前記電磁信号は、少なくとも部分的に予めプログラムされたパターンに従って生成される、請求項３８の遠隔制御装置。
【請求項５１】
前記電磁信号は、少なくとも以下のうちの一つ：
前記遠隔活性化可能制御要素における、浸透圧ポンプ装置の浸透室内における浸透圧生成材料の濃度の変化を惹起する大きさの変化、を生成するのに十分な信号特性；
前記遠隔活性化可能制御要素における、浸透圧ポンプ装置の浸透室内における浸透圧生成材料の濃度の変化を惹起する温度の変化、を生成するのに十分な信号特性；
前記遠隔活性化可能制御要素における、浸透圧ポンプ装置の浸透室内における浸透圧生成材料の濃度の変化を惹起する形状、容積、表面面積または構成の一つ以上の変化、を生成するのに十分な信号特性；
形状記憶材料を含む遠隔活性化可能制御要素における形状の変化を生成するのに十分な信号特性；
バイメタル構造を含む遠隔活性化可能制御要素における形状の変化を生成するのに十分な信号特性；または
重合体材料を含む遠隔活性化可能制御要素における形状の変化を生成するのに十分な信号特性
を有する、請求項３８の遠隔制御装置。
【請求項５２】
前記電磁信号は、少なくとも以下のうちの一つ：
規定の磁界強度もしくは空間的方向性；または
規定の電界強度または空間的方向性
を有する、請求項３８の遠隔制御装置。
【請求項５３】
少なくとも以下のうちの一つ：
所望のやり方で前記浸透室内の前記浸透圧生成材料の前記濃度を制御するために、前記遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分な静的または準静的電界制御信号；
所望のやり方で前記浸透室内の前記浸透圧生成材料の前記濃度を制御するために、前記遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分な静的または準静的磁界制御信号；
所望のやり方で前記浸透室内の前記浸透圧生成材料の前記濃度を制御するために、前記遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分な無線周波数電磁信号；
所望のやり方で前記浸透室内の前記浸透圧生成材料の前記濃度を制御するために、前記遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分なマイクロウエーブ電磁信号；
所望のやり方で前記浸透室内の前記浸透圧生成材料の前記濃度を制御するために、前記遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分な赤外線電磁信号；
所望のやり方で前記浸透室内の前記浸透圧生成材料の前記濃度を制御するために、前記遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分なミリメータウエーブ電磁信号；
所望のやり方で前記浸透室内の前記浸透圧生成材料の前記濃度を制御するために、前記遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分な光学的電磁信号；または
所望のやり方で前記浸透室内の前記浸透圧生成材料の前記濃度を制御するために、前記遠隔活性化可能制御要素を活性化するのに十分な紫外線電磁信号
を生成するように構成された電磁信号生成装置を含む、請求項３８の遠隔制御装置。