【事件の表示】
　特願２００１−３３２１１３「有機無機混成半導体を用いた薄膜電界効果トランジスタ構造およびその製作方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　７月１２日出願公開、特開２００２−１９８５３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年１０月３０日（パリ優先権主張、平成１２年１１月１日、米国）に出願された特許出願であって、平成１６年４月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１６年６月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに手続補正がなされ、その後、当審において、平成１７年４月２５日付けで審尋がなされ、同年７月２５日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１６年６月２８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年６月２８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１、１５及び２６を以下のとおりに補正するものである。
　
「【請求項１】
　電気伝導性ゲート電極が配置されている基板と、
　前記ゲート電極上に配置されたゲート絶縁体層であって、チタン酸バリウム・ストロンチウム、ジルコン酸チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸ビスマス、フッ化バリウム・マグネシウム、五酸化タンタル、二酸化チタンおよび三酸化イットリウム、三酸化アルミニウム、および室化ケイ素から成るグループから選択される材料で形成された前記ゲート絶縁体層と、
　前記ゲート絶縁体層の上に配置されたソース電極およびドレイン電極と、
　前記ゲート絶縁体層および前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に配置された有機無機混成半導体の層とを備えるフラット・パネル・ディスプレイ用のトランジスタ・デバイス構造。」
　
「【請求項１５】
　ゲート電極が配置されている基板を用意するステップと、
　前記ゲート電極及び前記基板上に、チタン酸バリウム・ストロンチウム、ジルコン酸チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸ビスマス、フッ化バリウム・マグネシウム、五酸化タンタル、二酸化チタンおよび三酸化イットリウム、三酸化アルミニウム、および室化ケイ素から成るグループから選択される材料のゲート絶縁体層を配置するステップと、
　前記ゲート絶縁体層の上にソース電極とドレイン電極を配置するステップと、
　前記ゲート絶縁体層および前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に有機無機混成半導体の層を配置するステップとを備えるフラット・パネル・ディスプレイ用のトランジスタ・デバイス構造を製作する方法。」
　
「【請求項２６】
　ゲート電極が配置されている基板と、
　前記ゲート電極上に配置された、チタン酸バリウム・ストロンチウム、ジルコン酸チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸ビスマス、フッ化バリウム・マグネシウム、五酸化タンタル、二酸化チタンおよび三酸化イットリウム、三酸化アルミニウム、および室化ケイ素から成るグループから選択される材料で形成されたゲート絶縁体層と、　前記ゲート絶縁体層の上に配置され、か
つ前記ゲート電極と重なり合う有機無機混成半導体の層と、
　前記ゲート電極と位置合わせして、前記有機無機混成半導体の層の上に配置されたソース電極とドレイン電極の複数の組とを備えるフラット・パネル・ディスプレイ用の薄膜トランジスタ・デバイス構造。」
　
（２）本件補正の整理
　本件補正を整理すると以下のとおりである。
　
［補正１］
　補正前の請求項１の「トランジスタ・デバイス構造」を「フラット・パネル・ディスプレイ用のトランジスタ・デバイス構造」とする補正。
　
［補正２］
　補正前の請求項１５の「トランジスタ・デバイス構造を製作する方法」を「フラット・パネル・ディスプレイ用のトランジスタデバイス構造を製作する方法」とする補正。
　
［補正３］
　補正前の請求項２６の「薄膜トランジスタ・デバイス構造」を「フラット・パネル・ディスプレイ用の薄膜トランジスタ・デバイス構造」とする補正。
　
（３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
　本願の願書に最初に添付した明細書又は図面には、「本発明は、薄膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）の半伝導性チャネルとしての有機無機混成（hybrid）材料の分野に関し、特に、フラット・パネル・ディスプレイなどの用途で、高誘電性ゲート絶縁体を使用する、そのようなトランジスタの低電圧動作に関する。」（０００１段落）と記載されているから、補正１〜３はいずれも、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものである。
　また、補正１〜３は、補正前の請求項１の「トランジスタ・デバイス構造」、補正前の請求項１５の「トランジスタ・デバイス構造を製作する方法」、及び補正前の請求項２６の「薄膜トランジスタ・デバイス構造」における「トランジスタ・デバイス構造」の用途を「フラット・パネル・ディスプレイ用」に限定するものであるから、各請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（４）独立特許要件についての検討
　
（４−１）本願の補正後の請求項１に係る発明
　本願の補正後の請求項１に係る発明は、本願の補正後の請求項１における「室化ケイ素」が「窒化ケイ素」の明らかな誤記である点を踏まえると、この点を修正した以下のとおりのものである。
「電気伝導性ゲート電極が配置されている基板と、
　前記ゲート電極上に配置されたゲート絶縁体層であって、チタン酸バリウム・ストロンチウム、ジルコン酸チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸ビスマス、フッ化バリウム・マグネシウム、五酸化タンタル、二酸化チタンおよび三酸化イットリウム、三酸化アルミニウム、および窒化ケイ素から成るグループから選択される材料で形成された前記ゲート絶縁体層と、
　前記ゲート絶縁体層の上に配置されたソース電極およびドレイン電極と、
　前記ゲート絶縁体層および前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に配置された有機無機混成半導体の層とを備えるフラット・パネル・ディスプレイ用のトランジスタ・デバイス構造。」
　
（４−２）刊行物記載の発明
　
（ａ）原査定において拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−２６０９９９号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図２、図３及び図５とともに、以下の事項が記載されている。
　
「【従来の技術】ＴＦＴとして知られる薄膜トランジスタは、電子回路中で、特にアクティブ・マトリックス液晶ディスプレイなどの大面積の応用例で、スイッチング素子として広く使用されている。」（０００２段落）
　
「【０００３】現在、大部分の装置内のＴＦＴは、アモルファス・シリコンを半導体として使用して作成されている。アモルファス・シリコンは、結晶シリコンの安価な代替物、すなわち大面積の応用例で使用されるトランジスタのコストを低減するための必要な条件を提供する。アモルファス・シリコンは、その移動度が〜１０−１ｃｍ２／Ｖｓｅｃで、結晶シリコンの移動度の１５，０００分の１なので、その応用例は比較的低速の装置に限られる。アモルファス・シリコンの付着は結晶シリコンより安価であるが、アモルファス・シリコンの付着には、プラズマ強化化学的気相付着など高コストのプロセスが必要である。」（０００３段落）
　
「【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は、薄膜ＦＥＴ内の半導体チャネルとして有機／無機混成材料を使用する。有機材料および無機材料の分子スケールの複合物を含む有機／無機混成材料は、アモルファス・シリコンより潜在的に高いキャリア移動度を提供するが、安価で簡単に付着できる。・・・加工しやすさに加えて、これらの材料の移動度が潜在的により高いため、アモルファス・シリコンまたは有機半導体を用いて現在可能な速度より高速のデバイスにそれらの適用を拡張することができる。」
　
「【００１８】図２は、ＴＦＴデバイス構造内に付着された有機／無機混成材料のヨウ化フェネチルアンモニウムスズ（ＰＥＡ）２ＳｎＩ４のＸ線回折パターンである。（００１）反射だけが存在することは、有機および無機薄板が半導体基板に平行（またはその構造のｃ軸が垂直）になった配向性に優れた結晶薄膜として、その材料が付着することを実証している。
【００１９】上述の有機／無機ペロブスカイトならびにその他の有機／無機混成材料は、無機の結晶半導体の利点と有機材料の利点を兼ね備える。無機成分要素は、拡張された無機の一次元、二次元または三次元ネットワークを形成して、無機の結晶性固体の高いキャリア移動度特性を潜在的に提供する。有機成分要素はこれらの材料の自己アセンブリを促進する。これにより、スピン・コーティング、浸漬コーティング、熱蒸着などの簡単な低温処理条件で材料が付着できるようになる。有機成分要素はまた無機成分要素の次元および無機ユニット間の電子結合を定義することにより無機フレームワークの電子特性を調整するのに使用される。
【００２０】図３は、典型的なＴＦＴデバイス構造３０の断面図を示す。ＴＦＴ３０は有機／無機混成材料層３２を含む。層３２は有機／無機ペロブスカイトであり、ソース電極３４とドレーン電極３６の間で半導体チャネルとして働く。Ｘ線回折で見られる材料の配向性は、二次元無機薄板１２がソース電極３４とドレーン電極３６の間の電気的接続を提供するようなものである。有機／無機半導体のコンダクタンスは、ＳｉＯ２薄膜などの電気絶縁層３８を横切って、（縮退ドープされたｎ＋＋シリコン層などの）ゲート電極４０によって変調される。これらはすべて基板４２によって支持される。」（００１８〜００２０段落）
　
「【００２３】有機／無機混成材料（ＰＥＡ）２ＳｎＩ４で作成されたＴＦＴの所望の電界変調されたコンダクタンスおよび電流飽和度を示す予備データを図５に示す。測定したデバイスでは、厚さ５０００ÅのＳｉＯ２ゲート酸化物上に約１００Åの（ＰＥＡ）２ＳｎＩ４層をアセトニトリルからスピン・コーティングした。半導体チャネルを、長さ７０μｍ、幅１５００μｍのＡｕ電極によって画定した。一般に、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔなど仕事関数の高い金属が、この有機／無機混成材料に対する「良好な」オーム接点を形成する。（ＰＥＡ）２ＳｎＩ４は、半導体層中で正孔を移動させるので、「ｐ−タイプ」材料である。半導体チャネル（ＩＤ）中を流れる電流が負のゲート・バイアス（ＶＧ）およびソース−ドレーン電圧（ＶＤＳ）と共に増加するので、このことは明白である。図６は、能動的半導体材料として有機／無機混成材料（ＰＥＡ）２ＳｎＩ４を備え、これまでに得られた最良の特性を示すＴＦＴのＩＤＳとＶＤＳの関係をプロットしたグラフである。」（００２３段落）
　
　したがって、刊行物１には以下の発明が記載されている。
「ゲート電極が配置されている基板と、
　前記ゲート電極上に配置されたＳｉＯ２薄膜などの電気絶縁層と、
　前記電気絶縁層の上に配置されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記電気絶縁層の上に配置された有機／無機混成材料層とを備えるアクティブ・マトリックス液晶ディスプレイ用のＴＦＴデバイス構造。」
　
（ｂ）原査定において拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−２６９５１５号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図２〜６とともに、以下の事項が記載されている。
　
「【請求項１０】作製時に約２５℃乃至１５０℃の温度範囲で処理され動作する薄膜トランジスタ・デバイスであって、
導電ゲート電極が被着される基板と、
前記基板上及び前記ゲート電極上に位置付けられる無機ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層と接触するよう位置付けられる有機半導体層と、
前記ゲート電極に対して位置合わせされて前記有機半導体層と接触するソースとドレーンの電極と、
を含む、トランジスタ・デバイス。
【請求項１１】前記無機ゲート電極は、誘電定数約１５のＢＺＴ（barium zirconate titanate）である、請求項１０記載のトランジスタ・デバイス。
【請求項１２】前記基板は、ガラス、プラスチック、水晶を含むグループから選択される、請求項１１記載のトランジスタ・デバイス。
【請求項１３】前記ゲート及び前記ソースとドレーンの電極の物質は、ドープしたシリコン、金属、導電ポリマのグループから選択される、請求項１２記載のトランジスタ・デバイス。
【請求項１４】前記無機ゲート絶縁層は、ＴａＯ、ＶＯ、ＴｉＯ、強誘電絶縁体ＢｉＴｉＯ、ＢａＭｇＦ、ＳｒＴｉＯ、混合酸化物ＳｒＢＴａＮｂＯ、ＰｂＺｒＴｉＯ、ＢａＺｒＴｉＯ、ＢａＳｒＴｉＯを含む無機酸化物のグループから選択される少なくとも１つの無機酸化物である、請求項１３記載のトランジスタ・デバイス。」（請求項１０〜１４）
　
「【０００２】
【従来の技術】現在の技術では、フラット・パネル・ディスプレイ用途で有益な薄膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）は、一面では、分離したソースとドレーンの電極によって、別の面ではチャネルに対して中央の位置を占める絶縁ゲート電極によってチャネルが定義される半導体層を伴う。通常、ＴＦＴデバイスの構造は、基板上の層を精密に制御する連続被着操作により作製される。ＴＦＴに求められる電気特性として、低電圧動作、チャネルでの高いキャリア移動度及び飽和領域の前に急峻な勾配を含む電流／電圧出力特性がある。
【０００３】通常、現行のＴＦＴデバイスは、アモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を半導体として、酸化シリコンや窒化シリコンをゲート絶縁体として使用する。半導体としてのアモルファス・シリコンの代用として、半導体の性質を示す有機化合物を使用することも検討されている。」（０００２〜０００３段落）
　
「【００１１】図２乃至図５に示した形成物の一部は、図６に示す新規のＴＦＴになる。」（００１１段落）
　
「【００１４】図４を参照する。ゲート誘電材１３は、本発明に従って、ゲート電極１２の表面１１に被着される無機酸化物である。被着は、低温法のスパッタリング、スピニング、蒸着、レーザ・アブレーションのいずれかで、約２５℃乃至１５０℃と室温に近い温度範囲で行われる。現在の技術に適した無機酸化物としては、ＴａＯ、ＶＯ、ＴｉＯ及び強誘電絶縁体ＢｉＴｉＯ、ＢａＭｇＦ、ＳｒＴｉＯ等があり、同じ種に、（ＰＺＴ）として知られる混合酸化物ＳｒＢＴａＮｂＯ、ＰｂＺｒＴｉＯ、（ＢＺＴ）として知られるＢａＺｒＴｉＯ、（ＢＳＴ）として知られるＢａＳｒＴｉＯがある。・・・本発明に従って、最大約１５０℃までの室温に近い温度範囲で無機ゲート酸化物の素材が被着され、誘電定数が１５以上の範囲のデバイスのゲート絶縁体が得られる。これは、作製されているデバイス・チャネルで許容できるキャリア移動度を示す。これまでの誘電定数は、約３００とかなり高く、高温のアニール・ステップが必要だったため、一部の物質は使用できなかった。更に、高誘電定数のデバイスに想定されていた用途は、ディスプレイではなく、シリコン基板上に作製されるデバイスだった。」（００１４段落）
　
「【００１６】図６を参照する。本発明のＴＦＴが示してある。ソース１６、およびドレーン１７が、ゲート１２上の中央にチャネル定義分離領域１８が位置するように、ゲート１２の位置に合わせて、室温に近い温度の低温被着プロセスにより有機半導体層１５の露出面に被着される。２５℃乃至１５０℃と室温に近い温度で被着され動作する層は、有機半導体に求められる適度な誘電性に適合し、かなりの低温に耐える基板（プラスチック等）での処理が可能になり、そのような基板の用途が開ける。」（００１６段落）
　
（４−３）対比・判断
　本願の補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正後発明１」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「ゲート電極」が電気伝導性を備えていることは技術的に明らかである。
（ｂ）刊行物１には「有機／無機半導体のコンダクタンスは、ＳｉＯ２薄膜などの電気絶縁層３８を横切って、・・・ゲート電極４０によって変調される。」（００２０段落）と記載されているから、刊行物発明の「電気絶縁層」は、補正後発明１の「ゲート絶縁体層」に相当する。
（ｃ）刊行物１には「ＴＦＴ３０は有機／無機混成材料層３２を含む。層３２は有機／無機ペロブスカイトであり、ソース電極３４とドレーン電極３６の間で半導体チャネルとして働く。」（００２０段落）と記載されているから、刊行物発明の「有機／無機混成材料層」は、補正後発明１の「有機無機混成半導体の層」に相当する。
（ｄ）刊行物発明の「アクティブ・マトリックス液晶ディスプレイ用のＴＦＴデバイス構造」は、補正後発明１の「フラット・パネル・ディスプレイ用のトランジスタ・デバイス構造」に相当する。
　
　したがって、補正後発明１と刊行物発明は
「電気伝導性ゲート電極が配置されている基板と、
　前記ゲート電極上に配置されたゲート絶縁体層と、
　前記ゲート絶縁体層の上に配置されたソース電極およびドレイン電極と、
　前記ゲート絶縁体層の上に配置された有機無機混成半導体の層とを備えるフラット・パネル・ディスプレイ用のトランジスタ・デバイス構造。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　補正後発明１は、「ゲート絶縁体層であって、チタン酸バリウム・ストロンチウム、ジルコン酸チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸ビスマス、フッ化バリウム・マグネシウム、五酸化タンタル、二酸化チタンおよび三酸化イットリウム、三酸化アルミニウム、および窒化ケイ素から成るグループから選択される材料で形成された前記ゲート絶縁体層」を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「ＳｉＯ２薄膜などの電気絶縁層」を備えている点。
　
［相違点２］
　補正後発明１は、「前記ゲート絶縁体層および前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に配置された有機無機混成半導体の層」を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「電気絶縁層の上に配置された有機／無機混成材料層」を備えている点。
　
　上記相違点について検討する。
　
［相違点１］について
　刊行物１の図５が「有機／無機混成材料（ＰＥＡ）２ＳｎＩ４で作成されたＴＦＴの所望の電界変調されたコンダクタンスおよび電流飽和度を示す予備データ」（００２３段落）であることを参酌すると、刊行物発明において所望のトランジスタ動作をするためには、１００Ｖ程度のゲート電圧を印加する必要があり、刊行物１の図６が「能動的半導体材料として有機／無機混成材料（ＰＥＡ）２ＳｎＩ４を備え、これまでに得られた最良の特性を示すＴＦＴのＩＤＳとＶＤＳの関係をプロットしたグラフ」（００２３段落）であることを参酌しても、刊行物発明において所望のトランジスタ動作をするためには、２０Ｖ程度のゲート電圧を印加する必要があるが、図５又は図６のいずれの場合を参酌しても、刊行物発明は、従来のチャネル層にアモルファスシリコンを用いたＴＦＴ（以下、「アモルファスシリコンＴＦＴ」という。）よりも高い動作電圧を必要とする。
　また、刊行物１に「本発明は、薄膜ＦＥＴ内の半導体チャネルとして有機／無機混成材料を使用する。有機材料および無機材料の分子スケールの複合物を含む有機／無機混成材料は、アモルファス・シリコンより潜在的に高いキャリア移動度を提供するが、安価で簡単に付着できる。・・・加工しやすさに加えて、これらの材料の移動度が潜在的により高いため、アモルファス・シリコンまたは有機半導体を用いて現在可能な速度より高速のデバイスにそれらの適用を拡張することができる。」（００１４段落）と記載されているように、刊行物発明は、従来のアモルファスシリコンＴＦＴの代替を目的とするものであるから、動作電圧をアモルファスシリコンＴＦＴと同等の動作電圧に下げる必要があることは、刊行物１に記載はないものの、当業者にとっては明らかな技術課題であり、このことは、刊行物２に「現在の技術では、フラット・パネル・ディスプレイ用途で有益な薄膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）は、一面では、分離したソースとドレーンの電極によって、別の面ではチャネルに対して中央の位置を占める絶縁ゲート電極によってチャネルが定義される半導体層を伴う。・・・ＴＦＴに求められる電気特性として、低電圧動作・・・がある。」（０００２段落）と、「低電圧動作」が「フラット・パネル・ディスプレイ用途」の「薄膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）」に共通して求められる「電気特性」である旨の記載からも明らかなことである。
　そして、薄膜トランジスタの低電圧動作のためにはゲート絶縁膜下のチャネル層に誘起されるキャリア数を増やすためにＭＯＳ容量を増やす必要があり、そのためには、ゲート絶縁膜の薄膜化又は高誘電率化のいずれかが必要であることも、例えば、特開平１０−２７０７１２号公報に「ペンタセンを基材とするこれらＴＦＴの主な欠点は、高いスレショルド電圧、高い移動度を実現し同時に高い電流変調を実現するのに要求される高い動作電圧（０．４μｍ厚さのＳｉＯ２絶縁体が用いられるときには、典型的に約１００Ｖ）・・・である。・・・ゲート絶縁体の厚さを小さくすることは、上述した特性を改善するが、絶縁体の厚さを減少させることには限界がある。」（０００４段落）、「ＳｉＯ２を、同様の厚さを有するが、かなり高い誘電率を有する絶縁体で置き換えることによって、電荷蓄積が容易になる」（００３０段落）と記載されているように、当業者にとって従来周知である。
　一方、刊行物２には「ゲート誘電材１３は、本発明に従って、ゲート電極１２の表面１１に被着される無機酸化物である。被着は、低温法のスパッタリング、スピニング、蒸着、レーザ・アブレーションのいずれかで、約２５℃乃至１５０℃と室温に近い温度範囲で行われる。現在の技術に適した無機酸化物としては、ＴａＯ、ＶＯ、ＴｉＯ及び強誘電絶縁体ＢｉＴｉＯ、ＢａＭｇＦ、ＳｒＴｉＯ等があり、同じ種に、（ＰＺＴ）として知られる混合酸化物ＳｒＢＴａＮｂＯ、ＰｂＺｒＴｉＯ、（ＢＺＴ）として知られるＢａＺｒＴｉＯ、（ＢＳＴ）として知られるＢａＳｒＴｉＯがある。・・・本発明に従って、最大約１５０℃までの室温に近い温度範囲で無機ゲート酸化物の素材が被着され、誘電定数が１５以上の範囲のデバイスのゲート絶縁体が得られる。」（００１４段落）と、「最大約１５０℃までの室温に近い温度範囲で・・・誘電定数が１５以上の範囲のデバイスのゲート絶縁体が得られる」ことが記載されているから、刊行物発明において、ゲート絶縁膜として機能する「ＳｉＯ２薄膜などの電気絶縁層」を、低電圧動作のために、刊行物２の上記記載に基づいて、より誘電率が高く「最大約１５０℃までの室温に近い温度範囲で」形成することが可能な「ＴａＯ、ＶＯ、ＴｉＯ、強誘電絶縁体ＢｉＴｉＯ、ＢａＭｇＦ、ＳｒＴｉＯ、混合酸化物ＳｒＢＴａＮｂＯ、ＰｂＺｒＴｉＯ、ＢａＺｒＴｉＯ、ＢａＳｒＴｉＯを含む無機酸化物のグループから選択される少なくとも１つの無機酸化物」（刊行物２請求項１４）で形成することは、当業者であれば容易に想到することができたことである。
　
［相違点２］について
　刊行物発明において、ＴＦＴのチャネル層として機能する「有機／無機混成材料層」は、動作上「電気絶縁層」上の「ソース電極」と「ドレイン電極」の間に形成されれば足りることは、当業者にとって技術的に明らかなことであるから、刊行物発明において「有機／無機混成材料層」を「ソース電極」及び「ドレイン電極」の上に形成するか否かは、当業者が必要に応じて適宜選択し得る単なる設計的事項に過ぎない。
　
　したがって、補正後発明１は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、補正後発明１は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、請求項２〜３０に係る発明について検討するまでもなく、適法ではない補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１６年６月２８日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本件の請求項１〜３０に係る発明は、平成１５年１０月２３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜３０に記載されたとおりのもの（ただし、請求項１、１５及び２６の「室化ケイ素」は、「窒化ケイ素」の明らかな誤記であるため、この修正したもの）であって、その請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである。
「　電気伝導性ゲート電極が配置されている基板と、
　前記ゲート電極上に配置されたゲート絶縁体層であって、チタン酸バリウム・ストロンチウム、ジルコン酸チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸ビスマス、フッ化バリウム・マグネシウム、五酸化タンタル、二酸化チタンおよび三酸化イットリウム、三酸化アルミニウム、および窒化ケイ素から成るグループから選択される材料で形成された前記ゲート絶縁体層と、
　前記ゲート絶縁体層の上に配置されたソース電極およびドレイン電極と、
　前記ゲート絶縁体層および前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に配置された有機無機混成半導体の層とを備えるトランジスタ・デバイス構造。」
　
４．刊行物記載の発明
　
（ａ）原査定において拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−２６０９９９号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図２、図３及び図５とともに、「２．［理由］（４）（４−２）（ａ）」に記載されたとおりの事項が記載されているから、刊行物１には以下の発明が記載されている。
「ゲート電極が配置されている基板と、
　前記ゲート電極上に配置されたＳｉＯ２薄膜などの電気絶縁層と、
　前記電気絶縁層の上に配置されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記電気絶縁層の上に配置された有機／無機混成材料層とを備えるＴＦＴデバイス構造。」。
　
（ｂ）原査定において拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−２６９５１５号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図２〜６とともに、「２．［理由］（４）（４−２）（ｂ）」に記載されたとおりの事項が記載されている。
　
５．対比・判断
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物第２発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物第２発明の「ゲート電極」が電気伝導性を備えていることは技術的に明らかである。
（ｂ）刊行物１には「有機／無機半導体のコンダクタンスは、ＳｉＯ２薄膜などの電気絶縁層３８を横切って、・・・ゲート電極４０によって変調される。」（００２０段落）と記載されているから、刊行物第２発明の「電気絶縁層」は、本願発明１の「ゲート絶縁体層」に相当する。
（ｃ）刊行物１には「ＴＦＴ３０は有機／無機混成材料層３２を含む。層３２は有機／無機ペロブスカイトであり、ソース電極３４とドレーン電極３６の間で半導体チャネルとして働く。」（００２０段落）と記載されているから、刊行物第２発明の「有機／無機混成材料層」は、本願発明１の「有機無機混成半導体の層」に相当する。
（ｄ）刊行物第２発明の「ＴＦＴデバイス構造」は、本願発明１の「トランジスタ・デバイス構造」に相当する。
　
　したがって、本願発明１と刊行物第２発明は
「電気伝導性ゲート電極が配置されている基板と、
　前記ゲート電極上に配置されたゲート絶縁体層と、
　前記ゲート絶縁体層の上に配置されたソース電極およびドレイン電極と、
　前記ゲート絶縁体層の上に配置された有機無機混成半導体の層とを備えるトランジスタ・デバイス構造。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明１は、「ゲート絶縁体層であって、チタン酸バリウム・ストロンチウム、ジルコン酸チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸ビスマス、フッ化バリウム・マグネシウム、五酸化タンタル、二酸化チタンおよび三酸化イットリウム、三酸化アルミニウム、および窒化ケイ素から成るグループから選択される材料で形成された前記ゲート絶縁体層」を備えているのに対して、
　刊行物第２発明は、「ＳｉＯ２薄膜などの電気絶縁層」を備えている点。
　
［相違点２］
　本願発明１は、「前記ゲート絶縁体層および前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に配置された有機無機混成半導体の層」を備えているのに対して、
　刊行物第２発明は、「電気絶縁層の上に配置された有機／無機混成材料層」を備えている点。
　
　上記相違点について検討する。
　
［相違点１］について
　刊行物１の図５が「有機／無機混成材料（ＰＥＡ）２ＳｎＩ４で作成されたＴＦＴの所望の電界変調されたコンダクタンスおよび電流飽和度を示す予備データ」（００２３段落）であることを参酌すると、刊行物第２発明において所望のトランジスタ動作をするためには、１００Ｖ程度のゲート電圧を印加する必要があり、刊行物１の図６が「能動的半導体材料として有機／無機混成材料（ＰＥＡ）２ＳｎＩ４を備え、これまでに得られた最良の特性を示すＴＦＴのＩＤＳとＶＤＳの関係をプロットしたグラフ」（００２３段落）であることを参酌しても、刊行物第２発明において所望のトランジスタ動作をするためには、２０Ｖ程度のゲート電圧を印加する必要があるが、図５又は図６のいずれの場合を参酌しても、刊行物第２発明は、従来のチャネル層にアモルファスシリコンを用いたＴＦＴ（以下、「アモルファスシリコンＴＦＴ」という。）よりも高い動作電圧を必要とする。
　また、刊行物１に「本発明は、薄膜ＦＥＴ内の半導体チャネルとして有機／無機混成材料を使用する。有機材料および無機材料の分子スケールの複合物を含む有機／無機混成材料は、アモルファス・シリコンより潜在的に高いキャリア移動度を提供するが、安価で簡単に付着できる。・・・加工しやすさに加えて、これらの材料の移動度が潜在的により高いため、アモルファス・シリコンまたは有機半導体を用いて現在可能な速度より高速のデバイスにそれらの適用を拡張することができる。」（００１４段落）と記載されているように、刊行物第２発明は、従来のアモルファスシリコンＴＦＴの代替を目的とするものであるから、動作電圧をアモルファスシリコンＴＦＴと同等の動作電圧に下げる必要があることは、刊行物１に記載はないものの、当業者にとっては明らかな技術課題であり、このことは、刊行物２に「現在の技術では、フラット・パネル・ディスプレイ用途で有益な薄膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）は、一面では、分離したソースとドレーンの電極によって、別の面ではチャネルに対して中央の位置を占める絶縁ゲート電極によってチャネルが定義される半導体層を伴う。・・・ＴＦＴに求められる電気特性として、低電圧動作・・・がある。」（０００２段落）と、「低電圧動作」が「フラット・パネル・ディスプレイ用途」の「薄膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）」に共通して求められる「電気特性」である旨の記載からも明らかなことである。
　そして、薄膜トランジスタの低電圧動作のためにはゲート絶縁膜下のチャネル層に誘起されるキャリア数を増やすためにＭＯＳ容量を増やす必要があり、そのためには、ゲート絶縁膜の薄膜化又は高誘電率化のいずれかが必要であることも、例えば、特開平１０−２７０７１２号公報に「ペンタセンを基材とするこれらＴＦＴの主な欠点は、高いスレショルド電圧、高い移動度を実現し同時に高い電流変調を実現するのに要求される高い動作電圧（０．４μｍ厚さのＳｉＯ２絶縁体が用いられるときには、典型的に約１００Ｖ）・・・である。・・・ゲート絶縁体の厚さを小さくすることは、上述した特性を改善するが、絶縁体の厚さを減少させることには限界がある。」（０００４段落）、「ＳｉＯ２を、同様の厚さを有するが、かなり高い誘電率を有する絶縁体で置き換えることによって、電荷蓄積が容易になる」（００３０段落）と記載されているように、当業者にとって従来周知である。
　一方、刊行物２には「ゲート誘電材１３は、本発明に従って、ゲート電極１２の表面１１に被着される無機酸化物である。被着は、低温法のスパッタリング、スピニング、蒸着、レーザ・アブレーションのいずれかで、約２５℃乃至１５０℃と室温に近い温度範囲で行われる。現在の技術に適した無機酸化物としては、ＴａＯ、ＶＯ、ＴｉＯ及び強誘電絶縁体ＢｉＴｉＯ、ＢａＭｇＦ、ＳｒＴｉＯ等があり、同じ種に、（ＰＺＴ）として知られる混合酸化物ＳｒＢＴａＮｂＯ、ＰｂＺｒＴｉＯ、（ＢＺＴ）として知られるＢａＺｒＴｉＯ、（ＢＳＴ）として知られるＢａＳｒＴｉＯがある。・・・本発明に従って、最大約１５０℃までの室温に近い温度範囲で無機ゲート酸化物の素材が被着され、誘電定数が１５以上の範囲のデバイスのゲート絶縁体が得られる。」（００１４段落）と、「最大約１５０℃までの室温に近い温度範囲で・・・誘電定数が１５以上の範囲のデバイスのゲート絶縁体が得られる」ことが記載されているから、刊行物第２発明において、ゲート絶縁膜として機能する「ＳｉＯ２薄膜などの電気絶縁層」を、低電圧動作のために、刊行物２の上記記載に基づいて、より誘電率が高く「最大約１５０℃までの室温に近い温度範囲で」形成することが可能な「ＴａＯ、ＶＯ、ＴｉＯ、強誘電絶縁体ＢｉＴｉＯ、ＢａＭｇＦ、ＳｒＴｉＯ、混合酸化物ＳｒＢＴａＮｂＯ、ＰｂＺｒＴｉＯ、ＢａＺｒＴｉＯ、ＢａＳｒＴｉＯを含む無機酸化物のグループから選択される少なくとも１つの無機酸化物」（刊行物２請求項１４）で形成することは、当業者であれば容易に想到することができたことである。
　
［相違点２］について
　刊行物第２発明において、ＴＦＴのチャネル層として機能する「有機／無機混成材料層」は、動作上「電気絶縁層」上の「ソース電極」と「ドレイン電極」の間に形成されれば足りることは、当業者にとって技術的に明らかなことであるから、刊行物第２発明において「有機／無機混成材料層」を「ソース電極」及び「ドレイン電極」の上に形成するか否かは、当業者が必要に応じて適宜選択し得る単なる設計的事項に過ぎない。
　
　したがって、本願発明１は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２〜３０に係る発明について判断するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。