【事件の表示】
　平成　９年特許願第２７４１８４号「走査電子顕微鏡および走査電子顕微鏡における２次電子像表示方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　４月２３日出願公開、特開平１１−１１１２１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯／本願発明
  本願は、平成９年１０月７日の出願であって、その請求項１乃至８に係る発明は、平成１５年４月４日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至８に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである（以下、請求項１に係る発明を「本願発明」という。）。
「【請求項１】　内側磁極と外側磁極を有し、磁極の下端面より下方の試料面に漏れるレンズ磁場を形成する対物レンズを備え、この対物レンズによって電子ビームを集束して試料に照射すると共に、内側磁極の下端面より上の位置で該内側磁極に２次電子を通過させる開口を設け、内側磁極の外側に該開口を通過した２次電子を検出する検出器を設けるように構成した走査電子顕微鏡において、
　内側磁極の内面に、２次電子発生効率の高い膜を設けたことを特徴とする走査電子顕微鏡。」
　
２．引用刊行物
２−１．刊行物１ 
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−２２６１８０号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
１ａ．「【特許請求の範囲】
【請求項１】　内側磁極と外側磁極を有し、磁極の下端面より下方に単一のレンズ磁場を形成する対物レンズを備え、この対物レンズによって電子ビームを集束して試料に照射すると共に、試料から発生した２次電子を検出するようにした電子ビーム装置において、内側磁極の下端面より上の位置で該内側磁極に２次電子を通過させる開口を設け、内側磁極の外側に該開口を通過した２次電子を検出する検出器を設けるように構成した電子ビーム装置。」
１ｂ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料上に対物レンズの磁界が漏れるような対物レンズにより電子ビームを集束し、試料から発生した２次電子を検出するようにした走査電子顕微鏡などの電子ビーム装置に関する。」
１ｃ．「【００１９】上記したように、試料１４からの２次電子は、対物レンズ１３のレンズ磁場によって拘束され、対物レンズ１３の内部を上方に向かう。そして、内側磁極１８の下端面に近い位置に穿たれた開口２１による磁界により集束され、更に、２次電子検出器２２の前面に形成された電界により開口２１を通過して２次電子検出器２２に入射する。しかしながらこの際、２次電子の一部は開口２１の上部の内側磁極１８に衝突することが実験的および計算上確認された。」
　
２−２．刊行物２
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開昭６１−１２８４５３号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
２ａ．「第２図は二次電子像を利用する方式の従来例を示したもので、試料６の側方に二次電子検出器２を配置し、正電位を与えて二次電子を吸引し検出するようになつている。３は対物レンズである。電子ビーム５は試料６の上面に収束し、その部分から放出される二次電子７が、二次電子検出器２の前面部に印加されている高電圧に引き寄せられて、検出器２に入射し電気信号に変換されるのであるが、このとき試料面から放出されるのは二次電子７ばかりでなく、電子ビーム５の一部が試料面で散乱されて高エネルギーの反射電子９として再放出されており、この反射電子９が対物レンズ３の下面などに当たり、それによつて発生する二次電子１０もまた二次電子検出器２で検出されるために、試料面からの二次電子像のみを観察することができず、像が不鮮明になるという欠点があつた。」（１ページ左下欄１７行〜右下欄１３行）
２ｂ．「本発明による走査電子顕微鏡は、対物レンズ下面のレンズ開口以外の部分を覆うように、同レンズ下面と小間隔を隔ててグリツドを張設し、このグリツドに負電圧を印加して構成した。・・・グリツド電圧を適当に選ぶことにより、比較的大きなエネルギーを有する反射電子はグリツドを透過し、対物レンズ下面に当つて二次電子を発生させるがエネルギーの小さな二次電子は上記グリツドにより反撥されてグリツドを透過しないようにして、対物レンズ下面から発生する二次電子が二次電子検出器に検出されることを防止したものである。」（１ページ右下欄１９行〜２ページ左上欄１１行）
　
２−３．刊行物３
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−２６４１４９号公報（以下、「刊行物３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
３ａ．「【００２７】電子ビーム５は、図示外の電子銃によって発生された電子ビームである。加速管６は、円筒状の形状を持って加速電圧を形成するものであり、上側のレンズ電極８および下側のレンズ電極７の間に電圧を印加して徐々に電圧の変化する加速電圧を形成するものである。この加速管６は、半導電性であって、内壁を２次電子が発生し易い物質で形成あるいは内壁に２次電子を発生し易い物質を塗布や蒸着や気相法などによって形成しておく。
【００２８】検出器９は、試料３から放出された２次電子を検出するものである。電極１０は、負電圧を印加し、加速管６によって加速された２次電子が検出器９の位置を通過してしまうのを阻止して検出器９の方向に押しやるものである。
【００２９】　軌道１１は、試料３から放出された２次電子の軌道ある。この軌道１１のうち、対物レンズの軸上の磁界による螺旋運動の半径が大きくなって図示のように加速管６の内壁に衝突した場合には、当該内壁が２次電子発生効率の良好な物質で形成されているため、更に２次電子を発生させ、当該発生された２次電子は加速管６の加速電圧によって図示のように上方に加速され、更に加速管６に衝突したときに更に２次電子が発生されることを繰り返し、軌道１２に示すように、検出器９に向けて走行し、試料３から発生した２次電子を極めて効率的に検出器９で検出することが可能となる。」
　
３．対比・判断
　刊行物１には、上記「２−１．」の「１ａ．」及び「１ｂ．」の記載から、以下の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
「内側磁極と外側磁極を有し、磁極の下端面より下方に単一のレンズ磁場を形成する対物レンズを備え、この対物レンズによって電子ビームを集束して試料に照射すると共に、内側磁極の下端面より上の位置で該内側磁極に、試料から発生した２次電子を通過させる開口を設け、内側磁極の外側に該開口を通過した２次電子を検出する検出器を設けるように構成した走査電子顕微鏡などの電子ビーム装置。」
　本願発明（前者）と上記刊行物１記載の発明（後者）とを対比する。
　後者の「内側磁極と外側磁極を有し、磁極の下端面より下方に単一のレンズ磁場を形成する対物レンズを備え、この対物レンズによって電子ビームを集束して試料に照射すると共に、内側磁極の下端面より上の位置で該内側磁極に、試料から発生した２次電子を通過させる開口を設け、内側磁極の外側に該開口を通過した２次電子を検出する検出器を設けるように構成した」点は、前者の「内側磁極と外側磁極を有し、磁極の下端面より下方の試料面に漏れるレンズ磁場を形成する対物レンズを備え、この対物レンズによって電子ビームを集束して試料に照射すると共に、内側磁極の下端面より上の位置で該内側磁極に２次電子を通過させる開口を設け、内側磁極の外側に該開口を通過した２次電子を検出する検出器を設けるように構成した」点に相当する。また、後者の「走査電子顕微鏡などの電子ビーム装置」は、前者の「走査電子顕微鏡」に相当する。
　したがって、両者は、
「内側磁極と外側磁極を有し、磁極の下端面より下方の試料面に漏れるレンズ磁場を形成する対物レンズを備え、この対物レンズによって電子ビームを集束して試料に照射すると共に、内側磁極の下端面より上の位置で該内側磁極に２次電子を通過させる開口を設け、内側磁極の外側に該開口を通過した２次電子を検出する検出器を設けるように構成した走査電子顕微鏡」
　の点の構成で一致し、以下の点で相違する。
［相違点］
　前者が、内側磁極の内面に２次電子発生効率の高い膜を設けているのに対し、後者は、このような構成を有していない点。
　
　上記相違点について検討する。
　内側磁極の内面に２次電子発生効率の高い膜を設けた点の意義について、本願明細書には、「【００１３】しかしながら、周知のように反射電子信号は試料の凹凸の情報を多く含んでおり、一般の走査電子顕微鏡（例えば、対物レンズの下部に２次電子検出器が配置されている）では、２次電子検出器に反射電子も検出されているため、試料の凹凸が強調された像となっている。【００１４】このように、図１に示した走査電子顕微鏡で得られる２次電子像は、極端に試料の凹凸の情報がなくなった画像となり、従来からの走査電子顕微鏡で得られる２次電子像とはかなり異なった画像となっている。【００１５】本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、その目的は、２次電子の検出効率を高めると共に、反射電子に基づく信号も検出できる走査電子顕微鏡を実現するにある。」、「【００３３】【発明の効果】以上説明したように、第１の発明では、内側磁極の内側に、２次電子発生効率の高い面を設け、反射電子をこの面に衝突させ、２次電子を発生させて検出するように構成したので、一般の走査電子顕微鏡像と同種の試料の凹凸情報を含んだ像を観察することができる。」等、記載されている。
　他方、刊行物２には、試料面から放出される二次電子ばかりでなく、試料面で再放出された高エネルギーの反射電子９が対物レンズの下面などに当たり、それによつて発生する二次電子（以下、「反射電子由来の二次電子」という。）を二次電子検出器で検出することが従来例として示されており、また、二次電子及び反射電子由来の二次電子を測定に用いるために、反射電子を二次電子に変換する変換手段を設けることも従来周知である（例えば、特開昭５１−１１２１６９号公報［特に、３ページ右上欄１７行〜左下欄８行には、「試料１からは反射電子の他に二次電子も発生されるが、・・・素子１５（当審注；「反射電子−二次電子変換素子１５」を意味する。）に−数１０Ｖ程度の電圧を印加すると、上記試料１から発生される二次電子は抑制されるためにより純度の高い反射電子の検出が可能にされる。逆にバイアス電源２０から＋数１０Ｖ程度の電圧を素子１５に印加すると、試料１からの二次電子が素子１５に衝突してそこから更に二次電子が発生する割合が増大し、更に試料１からの二次電子が素子１５を通過する割合が増大するので検出器１６によつて検出されるべき情報量がより増大する。」と記載されており、試料面から放出される二次電子と反射電子由来の二次電子を二次電子検出器で検出して、得られる情報量をより増大させる点が示されている。］参照。）。
　したがって、刊行物１の段落【００１９】の「２次電子の一部は開口２１の上部の内側磁極１８に衝突することが実験的および計算上確認された。」（「２−１．」の記載「１ｃ．」参照。）との記載、及び、上記刊行物２の従来例の記載等からみて、一般に二次電子よりも大きな運動エネルギーを有する反射電子が、刊行物１記載の発明の内側磁極に衝突することは、生じ得るものと認められ、また、反射電子由来の二次電子を発生させて試料面からの二次電子と併せ二次電子検出器で検出することが上記のように従来周知の事項であり、更に、内壁を２次電子が発生し易い物質で形成あるいは内壁に２次電子を発生し易い物質を塗布や蒸着や気相法などによって形成することも刊行物３に示される（「２−３．」の記載「３ａ．」参照。）ところであるから、これらの事項を勘案すれば、刊行物１記載の発明の内側磁極の内側に２次電子発生効率の高い膜を設けて本願発明のように構成することは、当業者が格別の推考力を要することとは認められない。
　そして、本願発明による効果も、刊行物１乃至３の記載並びに周知事項から当業者が予測しうる範囲内のものにすぎない。
  以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物１乃至３に記載された発明並びに周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、請求項１に係る発明（本願発明）は、刊行物１乃至３に記載された発明並びに周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、請求項１に係る発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。