【事件の表示】
　特願２０１３−２２７６５９「半導体素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　５月　７日出願公開、特開２０１５−　８８６７８、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　平成２５年１０月３１日　特許出願
　平成２９年　１月２０日　拒絶理由通知（同年１月３１日発送）
　平成２９年　３月１３日　意見書
　平成２９年　６月１６日　拒絶理由通知（同年６月２７日発送）
　平成２９年　８月２２日　意見書・手続補正書
　平成３０年　１月　９日　拒絶理由通知（最後、同年１月２３日発送）
　平成３０年　３月２２日　意見書
　平成３０年　７月　４日　拒絶査定（同年７月１０日送達）
　平成３０年１０月　４日　審判請求書・上申書
第２　原査定の概要
　原査定（平成３０年７月４日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　本願の請求項１−３に係る発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２−１２に開示される周知事項に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
　特開平６−１５１３５１号公報（以下「引用例１」という。）
　特開平８−１３９００６号公報（以下「引用例２」という。）
　特開平８−２２７８５０号公報（以下「引用例３」という。）
　特開平４−４６３４６号公報（以下「引用例４」という。）
　特開２００７−２１４２３２号公報（以下「引用例５」という。）
　特開昭５８−１６５３２２号公報（以下「引用例６」という。）
　特開平８−１３９０７３号公報（以下「引用例７」という。）
　特開昭６１−１４２７６１号公報（以下「引用例８」という。）
　特表２００５−５３９３７９号公報（以下「引用例９」という。）
　特開平１１−２６０８１６号公報（以下「引用例１０」という。）
　特開平８−２６２７０３号公報（以下「引用例１１」という。）
　特開２０００−５６４６９号公報（以下「引用例１２」という。）
第３　本願発明
　本願の請求項１−３に係る発明（以下、その順に「本願発明１」等といい、本願発明１−３を合わせて「本願発明」という。）は、平成２９年８月２２日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−３に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１−３は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　半導体ウエハの上面に形成された段差の上段及び下段の少なくとも一方に金属膜を形成する半導体素子の製造方法であって、
　前記半導体ウエハの上面全面に第１レジスト膜を形成する工程と、
　前記第１レジスト膜のうち少なくとも前記段差の境界部分を除いた領域を露光することにより、露光された領域の溶解度を高める工程と、
　前記露光された領域に形成されている第１レジスト膜を除去する工程と、
　前記半導体ウエハの上面全面に第２レジスト膜を形成する工程と、
　前記第２レジスト膜のうち少なくとも前記第１レジスト膜が形成されている領域を完全に含む領域を露光することにより、露光された領域の溶解度を高める工程と、
　前記半導体ウエハを加熱することにより前記第２レジスト膜における露光された領域の溶解度を低めた後、前記第２レジスト膜の全面を露光して前記溶解度を低めた領域以外の領域の溶解度を高める工程と、
　前記溶解度が高められた領域に形成されている第２レジスト膜を除去する工程と、
　前記半導体ウエハの上面全面に金属膜を形成する工程と、
　前記第２レジスト膜の上面に形成されている金属膜を前記第１レジスト膜及び前記第２レジスト膜とともに除去する工程と、
　をこの順に有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
　前記第２レジスト膜は、前記第１レジスト膜と同じ材料からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
　前記露光された領域に形成されている第１レジスト膜を除去した後、前記半導体ウエハを加熱する工程と、
　前記溶解度が高められた領域に形成されている第２レジスト膜を除去した後、前記第１レジスト膜を除去した後の加熱よりも低い温度で前記半導体ウエハを加熱する工程と、
　を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の製造方法。」
第４　引用例、引用発明等
１　引用例１について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例１には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【請求項１】  
エッチングにより段差を有するＳｉ基板表面に電極を形成する方法であって、
ａ）前記段差を有するＳｉ基板表面にレジストを塗布し、
ｂ）前記レジスト層を全面露光した後、更にレジストを塗布し、
ｃ）前記二層に塗布したレジスト層をパターン露光し、現像することによって前記二層レジスト層のパターンエッジをオーバーハング形状に形成し、
ｄ）リフトオフ法により電極を形成する
電極形成方法
イ　「【０００１】
【産業上の利用分野】Ｓｉマイクロマシニング等で形成される立体形状表面への電極形成方法に関する。」
ウ　「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】段差を有するＳｉ基板表面に成膜した
導電性金属膜
電極を形成
【０００４】本発明の目的とするところは、段差を有するＳｉ基板表面に電極パターン形成するに際して、段差斜面からの反射光の影響を受けない電極形成方法を提供することにある。」
エ　「【０００７】
【作用】
リフトオフ法により電極を形成するため、電極形成部のみを露光すれば良く、段差斜面部にＵＶ光が当たることがないため、段差底部のレジストパターンが段差斜面の反射光の影響を受けることがない
オ　「【０００８】
【実施例】図１に示すようなエッチングで作製した段差を有するＳｉ基板上へのＣｒ−Ａｕ電極の形成において、本発明の実施例について説明する。基板表面の結晶面方位を（１００）面とするＳｉ基板を水酸化カリウム水溶液を用いた異方性エッチングを行うと図１のＳｉ基板１１のような形状にエッチングされ、段差斜面１２には平滑な（１１１）面が形成される。このような溝状の段差を有するＳｉ基板１１に図１のように段差上面１３および段差下面１４を通るようにＣｒ−Ａｕ電極１５を形成する電極作製方法について、図２、図３、図４を用い説明する。電極を形成するエッチング加工済みの図２（ａ）のようなＳｉ基板２１を硫酸洗浄し、よく水洗した後、熱酸化炉で摂氏１１００度、４時間、Ｗｅｔ酸化の条件で図２（ｂ）のようにＳｉ基板表面に酸化膜２２を１．１ミクロン形成し、この酸化膜を電極とＳｉ基板を絶縁するための絶縁膜とする。次に図２（ｃ）のようにポジ型レジスト（第一層レジスト層）２３をスプレーコーティングにより１ミクロンの厚さに塗布する。摂氏８０度で１０分間プリベークした後、図２（ｄ）のようにＳｉ基板全面にＵＶ光２４を照射し第一層レジスト層２３を５００ｍＪ／ｃｍ2 の照度で全面露光する。さらにスプレーコーティングにより、図２（ｅ）のように１ミクロンのポジ型レジスト層（第二層レジスト層）を形成し、摂氏８０度で３０分間プリベークを行う。次に図３（ａ）のように電極を形成したい部分を透過にしたフォトマスクを用い、図３（ｂ）のように照度５００ｍＪ／ｃｍ2 でパターン露光を行う。そしてポジ型レジスト用現像液で１２０秒間現像すると第一層レジスト層３４が全面露光されているため、図３（ｃ）のように多層レジスト層３４，３５のパターンエッジがリフトオフ法に適したオーバーハング形状になる。なお、このオーバーハング量（第一層レジスト層パターンエッジの第二層レジスト層パターンエッジからの後退量）は現像時間により調節でき、現像時間を長くするとオーバーハング量が大きくすることができ、逆に現像時間を短くするとオーバーハング量は小さくなる。続けて現像後、ポストベークを摂氏１２０度で３０分間行うが、このときポストベーク温度が高すぎるとレジストが熱変形しオーバーハング形状が変形してしまうため、ポストベーク温度を摂氏１２０度とした。次に図４（ａ）のように、
パターンエッジにオーバーハング形状を有するレジストパターンを形成したＳｉ基板４１上の電極形成面全面に、Ｃｒ層をスパッタにより５００オングストローム成膜した後、Ｃｒ層上に更にＡｕ層をスパッタにより２０００オングストローム成膜しＡｕ−Ｃｒ膜４５を形成する
オーバーハング部分からレジスト層を容易に剥離できる
カ　「【００１２】
【発明の効果】パターン露光した第二層レジストを疑似マスクとした現像により、多層レジスト層のパターンエッジをオーバーハング形状にパターニングできるため、リフトオフ法による電極形成が可能であり、
段差斜面の反射光の影響を受けない電極形成ができる
カ　図１−４は、以下のとおりである。
（２）上記（１）の記載によれば、引用例１には、以下の発明が記載されている。
「エッチングにより段差を有するＳｉ基板表面に電極を形成する方法であって、
ａ）前記段差を有するＳｉ基板表面にレジストを塗布し、
ｂ）前記レジスト層を全面露光した後、更にレジストを塗布し、
ｃ）前記二層に塗布したレジスト層をパターン露光し、現像することによって前記二層レジスト層のパターンエッジをオーバーハング形状に形成し、
ｄ）Ｓｉ基板上の電極形成面全面にＣｒ層をスパッタにより成膜した後、Ｃｒ層上に更にＡｕ層をスパッタにより成膜してＡｕ−Ｃｒ膜を形成し、オーバーハング部分からレジスト層を剥離してリフトオフ法により電極を形成することにより、
　段差を有するＳｉ基板表面に電極パターン形成するに際して、段差斜面からの反射光の影響を受けない、エッチングにより段差を有するＳｉ基板表面に電極を形成する方法。」（以下「引用発明」という。）
２　引用例２について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例２には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【従来の技術】…
…
【０００４】ポジ型イメージリバーサルレジストによるリフトオフパターンの形成は、図２のＡに示すような工程で行う。まず
基板１０上にポジ型イメージリバーサルレジスト１２を塗布
マスク露光
リバースベーク
全面露光
現像
逆テーパー状のリフトオフパターン１６が得られる
イ　図２は以下のとおりである。
（２）上記（１）の記載によれば、引用例２には、基板上にポジ型イメージリバーサルレジストの塗布し、マスク露光し、リバースベークし、全面露光し、現像して逆テーパ状のリフトオフパターンを得るイメージリバーサル法が、従来の技術として開示されている。　
３　引用例３について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例３には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【０００２】
【従来の技術】最近、フォトリソグラフィ・プロセスのサブミクロンオーダーのパターニングを行なう際に、ステッパーを用いてパターンを形成し、基板上にゲート電極、パット電極などの導電層の形成を行ない、その後不要部分を除去するリフトオフ法が用いられる。この方法を用いる微細パターン形成には、前記ステッパーが基板に対して逆テーパー形状であることが必要である。現在、ポジ型フォトレジストを用いて、逆テーパーを形成することが試みられている。通常のポジ型フォトレジストを用いた場合、図６及び図７に示すように、
ポジ型フォトレジスト３を
半導体基板１上に塗布し
フォトマスク４を用いて
露光を行い
熱処理し
フォトレジスト３の全体を露光する
【０００３】このとき前記露光部５は、現像液に不溶なフォトレジストのままであるが、第１回目の露光における未露光部（第２の露光部）６は、露光されて使用する現像液に対して可溶なフォトレジストになっている。その後、所定のアルカリなどの現像液を用いて
現像
逆テーパー形状のフォトレジストパターンを得る
イメージリバース法
導電層を
堆積させ
リフトオフ法によりフォトレジストパターン及びその上の導電層を取り除いて所定形状の導電性の微細パターンを半導体基板１の上に形成する
イ　図６、図７は以下のとおりである。
（２）上記（１）の記載によれば、引用例３には、半導体基板上にポジ型フォトレジストを塗布し、フォトマスクを用いて露光を行い、熱処理し、ポジ型フォトレジストの全体を露光し、現像して逆テーパ形状のフォトレジストパターンを得るイメージリバース法が、従来の技術として開示されている。さらに、導電層を堆積し、リフトオフ法により所定形状の導電性の微細パターンを半導体基板上に形成することが開示されている。
４　引用例４について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例４には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「（従来の技術）
　通常イメージリバーサル処理におけるレジストの画像反転技術においては、例えば
ウェーハ上に塗布されたポジ型レジスト膜
第１の露光
マスクを使用して選択的に行なう
加熱処理を行なう
ウェーハ全面に
第２の露光を行なう
現像する
　このような
イメージリバーサル処理
レジストパターン
逆テーパー形状
　他方半導体装置の配線金属パターンを形成するためのリフトオフ法は、第４図のように、基板１上の配線部以外の場所にレジスト膜２をつけておき、次に
基板全面に金属膜３を被着し
レジスト膜２を溶解して、その上の金属膜を除去することにより、配線金属パターンを形成する
イ　第４図は以下のとおりである。
（２）上記（１）の記載によれば、引用例４には、ウェーハ上にポジ型レジスト膜を塗布し、マスクを使用して第１の露光を選択的に行い、加熱処理をし、ウェーハ全面に第２の露光を行い、現像することにより、逆テーパ形状のレジストパターンを得るイメージリバーサル処理が、従来の技術として開示されている。さらに、全面に金属膜を被着し、レジスト膜を溶解してその上の金属膜を除去することにより、配線金属パターンを形成するリフトオフ法が開示されている。
５　引用例５について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例５には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【００２１】
  また、図３に示す比較例は、図１（Ｃ）に示す段差形状の表面に、
スピンコート法によるレジスト塗布１回でレジスト層を形成
  図に示すように、この場合、段差上部表面及び段差底部のみにレジストが塗布され、
側壁部分の上部にはレジストが塗布されない
イ　図３は、以下のとおりである。
（２）上記（１）の記載によれば、引用例５には、スピンコート法によりレジスト層を形成すると、段差の側壁部分の上部にはレジストが塗布されないことが開示されている。
６　引用例６について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例６には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「〔発明の技術的背景〕
　半導体装置の製造において、シリコン基板（ウエハと略称する）の主面にメサエッチング溝を穿設し、この溝部を含めてフォトレジスト膜（レジスト膜と略称する）で被覆保護しておき、主面にパターニングを施す工程がある。このパターニング前のウエハの状態は第１図に示すように、ウエハ（１）にメサエッチング溝（２），（２）…が穿設され、この溝の側面にＰＮ接合（３））が露出しているのでレジスト膜（４）で被覆保護されている。
〔背景技術の問題点〕
　叙上の状態のウエハ上の
レジスト膜（４）のメサエッチング溝部の状態を観察すると、ウエハの主面からメサエッチング溝に移行する肩の部分が極度に薄くなっている
　なお、上記問題は一般に行なわれるレジスト膜の
スピンコーティング方式
イ　図１、図２は以下のとおりである。
（２）上記（１）の記載によれば、スピンコーティング方式でレジスト膜を形成すると、ウエハの主面からメサエッチング溝に移行する肩の部分において、レジスト膜が極度に薄くなることが開示されている。
７　引用例７について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例７には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フォトレジストを塗布する被露光基板表面が平坦な場合には問題がないものの、
被露光基板表面に大きな凹凸等の段差がある場合には、フォトレジストを塗布した場合に、段差部の肩部でフォトレジストの膜厚が薄くなり
イ　「【０００８】
【課題を解決するための手段】第１図乃至第２図は、本発明の原理的構成を説明するための製造工程を示す図であり、その製造工程をおいながら、課題を解決するための手段を説明する。
【０００９】図１（ａ）参照
まず、段差部を有す被露光基板であるシリコン半導体基板１表面に、被エッチング箇所の膜厚がエッチングに耐え得る膜厚で、且つ、段差部の肩部３の膜厚の一番薄い部分がエッチングに耐え得る膜厚以下になるようにポジ型の第１のフォトレジスト２を塗布する。
【００１０】図１（ｂ）参照
次いで、第１のフォトマスク４をマスクとして、露光用紫外線５により第１のフォトレジスト２を照射して露光する。
図１（ｃ）参照
次いで、第１のフォトレジストを現像することにより、露光された箇所に対応する開口部６を形成する。
【００１１】図１（ｄ）参照
次いで、ベーク用紫外線７を全面に照射して、第１のフォトレジスト２の少なくとも表面を変質させて、以降の露光・現像工程において、第１のフォトレジスト２に形成したパターンが再露光・現像等により変形しないようにする。
【００１２】図２（ｅ）参照
次いで、全面にポジ型の第２のフォトレジスト８を塗布する。
図２（ｆ）参照
次いで、第１のフォトレジスト２の膜厚がエッチングに耐え得ない厚さとなっている肩部３に対応する部分を少なくとも覆う第２のフォトマスク９をマスクとして露光用紫外線１０で露光する。
【００１３】図２（ｇ）参照
次いで、第２のフォトレジスト８を現像することにより、
第１のフォトレジスト２の膜厚がエッチングに耐え得ない厚さとなっている肩部３に対応する部分を少なくとも覆うフォトレジストパターン１１を形成する
【００１４】図２（ｈ）参照
最後に、この第１のフォトレジスト２及びフォトレジストパターン１１をマスクにして、シリコン半導体基板１の露出箇所を適当な手段によりエッチングして、エッチング開口１２を形成する。」
ウ　「【００１７】
【作用】第１のフォトレジストの膜厚を被エッチング箇所の膜厚がエッチングに耐え得る膜厚で、且つ、段差部の肩部の膜厚の一番薄い部分がエッチングに耐え得る膜厚以下になるようにすることにより、限界解像力及びフォーカスマージンの低下を防止するものであり、
フォトレジストの膜厚がエッチングに耐え得る膜厚以下になった段差部の肩部を第２のフォトレジストパターンが被覆することにより、被露光基板のエッチングの際の不所望なエッチングが生ずることを防止する
エ　図１、図２は、以下のとおりである。
（２）上記（１）の記載によれば、段差部の肩部でフォトレジストの膜厚が薄くなること、フォトレジストの膜厚がエッチングに耐え得ない厚さとなっている肩部に対応する部分をフォトレジストパターンで覆うことにより、エッチングの際の不所望なエッチングを防止する技術事項が開示されている。
８　引用例８について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例８には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「（発明が解決しようとする問題点）
　この様なリフトオフ法により金属電極層３３を形成するが、次の様な欠点があった。
　すなわち、第３図（ａ）に示す様に、
基板には溝３１が形成されている為、レジスト３２の溝３１に対するステップカバーが困難
溝３１の角で絶縁層２２が露出し、ここに被着した金属層３３は第３図（ｃ）の様にリフトオフにより除去しきれずに残存する
イ 「（作　用）
　本発明は、
電極のパターニングの際、既に表面張力の小さいレジストにより溝を埋めてステップ形状を緩やかにしである
レジストを半導体基板上に切れ目なく塗布する
ウ　「（実施例）
　第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明する為の工程断面図である。尚、説明の都合上、従来例で説明した材質と同じものは、第２図と同一符号を付している。
　第１図（ａ）は、溝３１が形成され、酸化膜２２が形成されたシリコン基板２１に、断面形状を改善する為、
レジスト層１１で溝３１を埋め
　第１図（ｂ）は、
リフトオフ用のレジスト層１２を塗布
パターンを形成
　第１図（ｃ）はこれらレジスト層１１，１２を形成したシリコン基板２１上にＴｉ−Ｐｔ−Ａｕの複合金属層からなる
金属電極層３１を形成
　第１図（ｄ）は、リフトオフ用のポジレジスト層１２を溶解する有機溶剤に浸漬し、
リフトオフにより、
金属電極層３１の所定のパターンを形成
　第１図（ｅ）は断面形状改善の為のネガレジスト１１をＲＡ液（関東化学、商品名）又はＯ２プラズマにより除去した状態を示す。この後、シリコン基板をダイスに分割しコンデンサが完成する。」
エ　図１、図２は、以下のとおりである。
（２）　上記（１）の記載によれば、引用例８には、基板に形成された溝の肩の部分で、レジストのステップカバーが困難であること、表面張力の小さいレジストにより溝を埋めてステップ形状を緩やかにすることでレジストを切れ目なく塗布することが記載されている。さらに、リフトオフ用のレジストを塗布し、パターンを形成し、金属電極層を形成し、リフトオフにより、所定のパターンの金属電極層を形成することが開示されている。
７　引用例９について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例９には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【請求項１】
  少なくとも１つのエッチング部（１２）が形成される上側面（１１）を有するダイ（５５）の微細加工表面を選択的に覆うための方法であって、
  ネガティブフォトレジストの膜（３０）を、前記少なくとも１つのエッチング部（１２）を覆うように前記上側面（１１）に配置する工程（１４０）と、
  前記ネガティブフォトレジストの膜（３０）を紫外放射（ＵＶ）にさらし、前記少なくとも１つのエッチング部（１２）を覆う領域（２７）の第１のマスク（３１）を使って、前記膜（３０）が前記領域（２７）に対応したところで重合されるようにする、工程（１４１）と、
  前記領域（２７）と対応したところで、
カバー（３３）が前記少なくとも１つのエッチング部（１２）を覆ったまま
  前記ダイ（５５）の前記上側面（１１）と前記カバー（３３）とに
リフトオフレジストの層（１６１）を形成する
  前記
リフトオフレジストの層（１６１）にポジティブフォトレジストの層（１６０）を形成する
  を備えることを特徴とする、方法。」
イ　「【０００１】
  本発明は、ｍｅｍｓ３Ｄ技術（mems：マイクロ電気機械システム）又はｍｏｅｍｓ３Ｄ技術（moems:マイクロ光学電気機械システム）に係り、より詳しくは、例えばエッチング部又は凹部のために不規則表面を有するダイ上に、フォトレジストを均一に配置する方法に関する。」
ウ　「【００１９】
  しかし、このプロセスは、幾つかの技術的問題が存在し、以下、これについて説明する。
  
エッチング部１２が
ダイ５１の面に形成されるとき
層６０及び６１は、エッチング部１２のために不均一に分布される
エ　「【００３９】
  図２１を援用して示された、ステップ１７６では、従来技術に関連して既に説明されたステップ７６に類似して、
例えば金属の真空蒸着が、無傷のまま残っている表面１１４と、該表面がステップ１７５に記載された現像の効果を通して露呈された面１１と、に実行される
第１の蒸着層（５２，５４）と
蒸着層１１６
…
【００４２】
  ステップ１７７では、従来技術に関連して既に説明されたステップ７７に類似して、図２２を援用して示されるように、
ポジティブフォトレジストの層１６０と、リフトオフレジストの層１６１とは、リフトオフプロセスを使って除去される
【００４３】
  … ステップ１４３では、ネガティブフォトレジストのカバー３３が、例えば既知のプラズマの作用を用いて除去される。
【００４４】
  ステップ１４３の終わりでは、サブアッセンブリ２４が、図２３に示されるように、ダイ５５、エッチング部１２、
外側パッド５２及び内側パッド５４
オ　図１１、図１５、図１７、図２１−２３は、以下のとおりである。
（２）上記（１）の記載によれば、引用例９には、エッチング部１２が形成されたダイ５１に層６０、６１を形成すると不均一分布する問題があること、エッチング部１２を覆うカバーにリフトオフレジスト層、ポジティブフォトレジスト層を形成することで前記問題を解決することが開示されている。そして、リフトオフ法によりダイ５１の面１１上に外側パッド５２及び内側パッド５４を形成することが開示されている。
１０　引用例１０について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例１０には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【請求項１】複数の高段差積層を有する半導体基板上に感光性合成樹脂を塗布し、
この複数の高段差積層間の感光性合成樹脂を加工し、
この感光性合成樹脂を加工した半導体基板上に１の電極配線を形成し、
複数の高段差積層上の感光性合成樹脂膜を剥離した後、
１の電極配線上、複数の高段差積層上に絶縁性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を塗布し、
複数の高段差積層上の絶縁性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を加工し、
この絶縁性合成樹脂膜および感光性合成樹脂を加工した半導体基板上に他の電極配線を形成し、
たことを特徴とする半導体製造方法。」
イ　「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような高段差の積層を有する大容量の半導体を形成するとき積層の上部とそれらの間では配線部材が均一に蒸着されないため、これらの上部に塗布されるレジストがある部分では厚くなり、また、他の部分では薄くなり、そのカバレージが悪くなり、配電部材を適切にウエットエッチングすることができないと言う問題があった。」
ウ　「【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体製造方法の第１工程を示す説明図。
【図２】本発明の半導体製造方法の第２工程を示す説明図。
【図３】本発明の半導体製造方法の第３工程を示す説明図。
【図４】本発明の半導体製造方法の第４工程を示す説明図。
【図５】本発明の半導体製造方法の第５工程を示す説明図。
【図６】本発明の半導体製造方法の第６工程を示す説明図。
【図７】本発明の半導体製造方法の第７工程を示す説明図。
【図８】本発明の半導体製造方法の第８工程を示す説明図。
【図９】本発明の半導体製造方法の第９工程を示す説明図。
【図１０】本発明の半導体製造方法の第１０工程を示す説明図。
…
【符号の説明】
１０、２０  半導体基板
１１、２１  積層
１２、２４  配線部材
１３  レジスト
１４  電極配線
１５、２６  絶縁性合成樹脂
２２  感光性合成樹脂
２３、２７  逆テーパ状開口
２５、２９  電極配線」
エ　図１−１０は、以下のとおりである。
（２）上記（１）の記載によれば、引用例１０には、高段差の積層を有する大容量の半導体を形成するとき積層の上部とそれらの間では配線部材が均一に蒸着されない問題点があること、リフトオフ法により電極配線２５を形成した後、リフトオフ法により電極配線２９を形成する技術事項が開示されている。
１１　引用例１１について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例１１には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、ｉ線の波長に対して最適化され、露光時のハレーションを防止し、感度低下が少なく、解像度の高いレジストパターン再現性よく形成しうるホトレジスト組成物を提供しようとするものである。さらにまた本発明は多層レジストプロセスに代わって架橋剤入りノボラック系ポジ型ホトレジストに吸光剤を添加してレジストの透過率を調整した合成レジストからなる単層レジストの
イメージリバースプロセス
イ　「【００１３】次に、本発明のホトレジスト組成物によるレジストパターンの形成方法を説明する。まず、所定の基板上に該レジストを回転塗布しレジスト膜を被覆したのち、所定温度、所定時間のプリベーク処理を行う。続いてこのレジスト膜に所定のマスクを介して露光した後、アルカリ水溶液で現像し、リンス処理を施してレジストパターンを形成する。また本発明の他のパターン形成方法に関して説明すれば、
画像反転に用いられる架橋剤入りのポジ型ホトレジスト膜を被処理基板上に形成し、プリベークした後、マスクを介した露光により潜像パターンを形成し、その後ベークしてポジネガ反転させたのち、レジスト膜全面をフラッド露光し現像処理して逆テーパー状のレジストパターンを形成する
（２）上記（１）の記載によれば、引用例１１には、イメージリバースプロセスに使用する単層レジスト材料が開示されている。
１２　引用例１２について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例１２には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【００１９】同図（Ａ）に示すように、まず、基板２０上にレジスト膜２１を塗布により成膜する。基板２０としては、薄膜磁気ヘッド等の薄膜デバイスの場合、例えばＡｌＴｉＣ基板が用いられる。レジスト膜２１としては、露光量に応じて感光深さが制御される
画像反転処理が可能なレジスト材料
イ　「【００２３】その後、同図（Ｄ）に示すように、
ポスト露光ベーク処理を行って画像反転させる
（２）上記（１）の記載によれば、引用例１２には、画像反転処理が可能なレジスト材料が開示されている。
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「Ｓｉ基板」は本願発明１の「半導体ウエハ」に相当し、引用発明の「段差を有するＳｉ基板表面」は本願発明１の「半導体ウエハの上面に形成された段差の上段及び下段の少なくとも一方」に相当する。
イ　引用発明においてリフトオフ法により形成した電極は、Ａｕ−Ｃｒ膜で形成されるところ、該「Ａｕ−Ｃｒ膜」は本願発明１の「金属膜」に相当する。
ウ　してみると、両者は、
「半導体ウエハの上面に形成された段差の上段及び下段の少なくとも一方に金属膜を形成する製造方法。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
相違点１：本願発明１の「製造方法」は「半導体素子の製造方法」であるのに対し、引用発明の「Ｓｉ基板表面に電極を形成する方法」は、「半導体素子」の製造方法であるのか否か明らかでない点。
相違点２：本願発明１は、
「前記半導体ウエハの上面全面に第１レジスト膜を形成する工程と、
　前記第１レジスト膜のうち少なくとも前記段差の境界部分を除いた領域を露光することにより、露光された領域の溶解度を高める工程と、
　前記露光された領域に形成されている第１レジスト膜を除去する工程と、
　前記半導体ウエハの上面全面に第２レジスト膜を形成する工程と、
　前記第２レジスト膜のうち少なくとも前記第１レジスト膜が形成されている領域を完全に含む領域を露光することにより、露光された領域の溶解度を高める工程と、
　前記半導体ウエハを加熱することにより前記第２レジスト膜における露光された領域の溶解度を低めた後、前記第２レジスト膜の全面を露光して前記溶解度を低めた領域以外の領域の溶解度を高める工程と、
　前記溶解度が高められた領域に形成されている第２レジスト膜を除去する工程と、
　前記半導体ウエハの上面全面に金属膜を形成する工程と、
　前記第２レジスト膜の上面に形成されている金属膜を前記第１レジスト膜及び前記第２レジスト膜とともに除去する工程と、
　をこの順に有する」
のに対し、引用発明は、
「ａ）前記段差を有するＳｉ基板表面にレジストを塗布し、
ｂ）前記レジスト層を全面露光した後、更にレジストを塗布し、
ｃ）前記二層に塗布したレジスト層をパターン露光し、現像することによって前記二層レジスト層のパターンエッジをオーバーハング形状に形成し、
ｄ）パターンエッジにオーバーハング形状を有するレジストパターンを形成したＳｉ基板上の電極形成面全面にＣｒ層をスパッタにより成膜した後、Ｃｒ層上に更にＡｕ層をスパッタにより成膜してＡｕ−Ｃｒ膜を形成し、オーバーハング部分からレジスト層を剥離してリフトオフ法により電極を形成する」
点。
（２）判断
　以下、上記相違点について検討する。
　事案に鑑み、はじめに、相違点２について検討する。
　引用例１の記載によれば、引用発明は、「段差を有するＳｉ基板表面に電極パターン形成するに際して、段差斜面からの反射光の影響を受けない電極形成方法を提供すること」を課題とし、「ａ）前記段差を有するＳｉ基板表面にレジストを塗布し、ｂ）前記レジスト層を全面露光した後、更にレジストを塗布し、ｃ）前記二層に塗布したレジスト層をパターン露光し、現像することによって前記二層レジスト層のパターンエッジをオーバーハング形状に形成し、ｄ）Ｓｉ基板上の電極形成面全面にＣｒ層をスパッタにより成膜した後、Ｃｒ層上に更にＡｕ層をスパッタにより成膜してＡｕ−Ｃｒ膜を形成し、オーバーハング部分からレジスト層を剥離してリフトオフ法により電極を形成する」ことで前記課題を解決する発明である。
　そうすると、引用発明は、二層に塗布したレジスト層を用いてそのエッジ部にオーバーハング形状を形成して上記課題を解決するものであるから、引用例２〜４に開示されるように逆テーパ形状を形成するイメージリバーサル法が周知であり、また、引用例１１、１２に記載されるようにイメージリバーサル法に使用するレジスト材料が周知であるとしても、当業者が、引用発明の上記課題を解決する形成方法に代えて、周知のイメージリバーサル法を採用しようとすることは、動機がない。
　したがって、上記相違点１について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用発明及び引用２〜１２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
２　本願発明２、３について
　本願発明２は、本願発明１の発明特定事項を全て備え、さらに、第２レジスト膜がダイ１レジスト膜と同じ材料からなることを特定する発明である。また、本願発明３は、本願発明２の発明特定事項を全て備え、さらに、露光された領域に形成されている第１レジスト膜を除去した後に、「前記半導体ウエハを加熱する工程」を備えるとともに、溶解度が高められた領域に形成されている第２レジスト膜を除去した後に「前記第１レジスト膜を除去した後の加熱よりも低い温度で前記半導体ウエハを加熱する工程」を備える発明である。
　そうすると、本願発明１は、当業者であっても、引用発明及び引用例２〜１２に開示された事項に基づいて容易に発明できたものとはいえないのであるから、本願発明１にさらに発明特定事項を付加した発明である本願発明２，３は、本願発明１と同様に、当業者であっても、引用発明及び引用例２〜１２に開示された事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第６　原査定に付記された理由について
　原査定には、本願発明は、特開平９−３２０９８１号公報（以下「引用例１３」という。）に記載された発明及び引用例２−１２に開示される周知事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない旨の付記があるので、以下、検討する。
１　引用例１３について
（１）引用例１３には、図面とともに次の事項が記載されている。　
ア　「【請求項１】
深さが２０μｍ以上ある溝部底面において、前記溝部の側壁から前記溝部の深さとほぼ等しい位置にまたはそれ以上の位置に電極パターン用金属膜をパターニングする方法において、ウエハの溝部内に金属膜をリフトオフ法によってパターニングする工程と、前記パターニングした金属膜と前記溝部を第一次レジストで覆うように塗布し前記第一次レジストをパターニングする工程と、前記レジストパターニング部分を含め再度第二次レジストを塗布し前記第二次レジストをパターニングする工程と、前記金属膜をウエットエッチングで取り除き複合レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを含めたウエハ全面に電極用金属膜を成膜する工程と、前記電極用金属膜をリフトオフ法によって所望の形状を得る工程とを含む
深溝底部における電極パターン形成方法
イ　「【発明が解決しようとする課題】このように光デハイス上にパターニングを行った電極は、画像処理用のマーカとして認識され、光半導体素子であるレーザダイオードやホトダイオードを所望の位置にボンディングするために用いられる。そのため電極パターンはできるだけ高精度の形状を保たなくてはならない。
【０００６】しかし、上記のような方法では以下のような欠点が存在するので、高精度の電極パターンは形成不可能であった。
【０００７】例えば、シリコンの異方性エッチングにより形成した深溝部の深さが３０μｍで、ポジ型レジストを使用する場合を例に挙げると、溝部全体を高粘性のポジ型レジストで覆うと溝部の中央部でレジストの膜厚はおよそ１０μｍ程度の厚さとなり、露光時の紫外線がレジスト下部まで十分届きにくい。また、電極の端部が溝部側壁からほぼ等しい位置ではレジストの膜厚は約２０μｍなので、この部分は中央部よりさらにレジストの膜厚が厚く紫外線がさらに届きにくい。…」
ウ　「【発明の実施の形態】以下本発明の一実施例を図を用いて説明する。
【００２０】図２は本発明の各工程における深溝部分の断面図である。ここで、深溝部の開口部の形状は矩形状で、開口径は１８７０×９００μｍ、深さは３０μｍである。溝部側壁からの距離が５０μｍから３６０μｍの位置に、最小パターン幅が９０μｍのＴｉ：１５０ｎｍ／Ｐｔ：３００ｎｍ／Ａｕ：３００ｎｍの三層電極用金属膜をパターニングする場合である。（ａ）で、基板２１をノボラック系ポジ型レジスト（OFPR800−８００ｃｐ：東京応化工業社製）を５００rpm５秒，２０００rpm ４０秒間スピンコートによって塗布し、８０℃で５０分間プリベークを行い、その後所望の電極パターンの幅より片側１０μｍ大きいパターンが形成されているホトマスクを介して、１５.５ｍＷ／cm2の紫外線を３０秒間照射した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの２.３８ｗ％ 水溶液（ＮＭＤ−３ ２.３８％：東京応化工業社製）で６０秒間現像後、純水で６０秒間リンスし、さらに同じ位置に同じ時間露光し、現像，リンスを同じ時間繰り返してレジストパターンを形成した後、１２０℃で８０分間ポストベークを行い犠牲層パターニング用レジスト３１を得たところを示す。ここで基板２１の材質は、シリコン単体またはガラス単体またはシリコン上にガラスが成膜されたものである。（ｂ）で、プレーナマグネトロン式スパッタ装置に基板２１を入れ３.０×１０~3Ｐａ以下の真空度にした後、アルゴンガスをチャンバ内に導入し圧力を０.６５Ｐａ にし、アルゴンイオンで基板２１をＲＦ電圧２００Ｗで１０分間逆スパッタ（エッチング）した後、基板加熱せずにＡｌを０.８μｍ スパッタリングによって犠牲層３２を成膜したところを示す。（ｃ）で、基板２１をアセトンで１０分間超音波洗浄を２度繰り返した後、９０℃のポジ型ホトレジスト用剥離液（剥離液−１０４：東京応化工業社製）に２０分間ディップした後、純水で１０分間以上流水洗浄し、スピンドライして犠牲層３２が得られたところを示す。（ｄ）で、基板２１を温風循環乾燥機で２００℃，３０分間ベークし、その後ＨＭＤＳ処理を犠牲層３２を含む基板２１に施した後、
ノボラック系ポジ型ホトレジスト
を
スピンコートによって塗布し
塗布した第一次レジスト３３をホトマスクを介して
紫外線を
照射した後
現像
リンス後
さらにこれらの作業をもう１回繰り返し
ポストベークを行い
第一次レジストパターン３４を得た
エ　図２は、以下のとおりである。
（２）上記（１）の記載によれば、引用例１３には、以下の発明が記載されている。
「深さが２０μｍ以上ある溝部底面において、前記溝部の側壁から前記溝部の深さとほぼ等しい位置にまたはそれ以上の位置に電極パターン用金属膜をパターニングする方法において、
　ウエハの溝部内に金属膜をリフトオフ法によってパターニングする工程と、
　前記パターニングした金属膜と前記溝部を第一次レジストで覆うように塗布し前記第一次レジストをパターニングする工程であって、該工程は、ノボラック系ポジ型ホトレジストをスピンコートによって塗布し、塗布した第一次レジスト３３をホトマスクを介して紫外線を照射した後、現像、リンス後、さらにこれらの作業をもう１回繰り返し、ポストベークを行い、ウエハの溝部内で金属膜が露出するように第一次レジストパターン３４を得る工程であり、
　前記レジストパターニング部分を含め再度第二次レジストを塗布し前記第二次レジストをパターニングする工程と、
　前記金属膜をウエットエッチングで取り除き複合レジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターンを含めたウエハ全面に電極用金属膜を成膜する工程と、
　前記電極用金属膜をリフトオフ法によって所望の形状を得る工程とを含む、
　深溝底部における電極パターン形成方法。」(以下「引用発明１３」という。）
２　対比(本願発明１）
（１）本願発明１と引用発明１３を対比する。
ア　引用発明１３の「深溝底部における電極パターン形成方法」は、本願発明１の「半導体ウエハの上面に形成された段差の」「下段」「に金属膜を形成する半導体素子の製造方法」に相当する。
イ　引用発明１３の「前記パターニングした金属膜と前記溝部を第一次レジストで覆うように塗布」することは、本願発明１の「前記半導体ウエハの上面全面に第１レジスト膜を形成する工程」に相当する。
ウ　引用発明１３において、「ウエハの溝部内で金属膜が露出するように第一次レジストパターン３４を得る」ように「塗布した第一次レジスト３３をホトマスクを介して紫外線を照射」することは、本願発明１の「前記第１レジスト膜のうち少なくとも前記段差の境界部分を除いた領域を露光することにより、露光された領域の溶解度を高める工程」に相当する。
エ　引用発明１３の「現像、リンス後、さらにこれらの作業をもう１回繰り返し、ポストベークを行い、ウエハの溝部内で金属膜が露出するように第一次レジストパターン３４を得る工程」は、本願発明１の「前記露光された領域に形成されている第１レジスト膜を除去する工程」に相当する。
オ　引用発明１３の「前記レジストパターニング部分を含め再度第二次レジストを塗布」することは、本願発明１の「前記半導体ウエハの上面全面に第２レジスト膜を形成する工程」に相当する。
カ　引用発明１３の「第二次レジストをパターニングする工程」は、本願発明１の「前記溶解度が高められた領域に形成されている第２レジスト膜を除去する工程」に相当する。
キ　引用発明１３の「前記レジストパターンを含めたウエハ全面に電極用金属膜を成膜する工程」は、本願発明の「前記半導体ウエハの上面全面に金属膜を形成する工程」に相当する。
ク　引用発明１３の「前記電極用金属膜をリフトオフ法によって所望の形状を得る工程」は、本願発明１の「前記第２レジスト膜の上面に形成されている金属膜を前記第１レジスト膜及び前記第２レジスト膜とともに除去する工程」に相当する。
ケ　以上によれば、本願発明１と引用発明１３は、
「半導体ウエハの上面に形成された段差の上段及び下段の少なくとも一方に金属膜を形成する半導体素子の製造方法であって、
　前記半導体ウエハの上面全面に第１レジスト膜を形成する工程と、
　前記第１レジスト膜のうち少なくとも前記段差の境界部分を除いた領域を露光することにより、露光された領域の溶解度を高める工程と、
　前記露光された領域に形成されている第１レジスト膜を除去する工程と、
　前記半導体ウエハの上面全面に第２レジスト膜を形成する工程と、
　と、
　前記溶解度が高められた領域に形成されている第２レジスト膜を除去する工程と、
　前記半導体ウエハの上面全面に金属膜を形成する工程と、
　前記第２レジスト膜の上面に形成されている金属膜を前記第１レジスト膜及び前記第２レジスト膜とともに除去する工程と、
　をこの順に有する半導体素子の製造方法。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
相違点３：本願発明１は、「前記第２レジスト膜のうち少なくとも前記第１レジスト膜が形成されている領域を完全に含む領域を露光することにより、露光された領域の溶解度を高める工程」を有するのに対し、引用発明１３はそのような工程を有しない点。
相違点４：本願発明１は、「前記半導体ウエハを加熱することにより前記第２レジスト膜における露光された領域の溶解度を低めた後、前記第２レジスト膜の全面を露光して前記溶解度を低めた領域以外の領域の溶解度を高める工程」を有するのに対し、引用発明１３は、そのような工程を有しない点。
　以下、上記相違点３、４について、まとめて検討する。
　上記相違点３、４に係る本願発明１の発明特定事項が有する技術的意義は、ウェットリバーサル法により逆テーパ形状のレジストを形成することにある。
　一方、引用発明１３は、「前記金属膜をウエットエッチングで取り除き複合レジストパターンを形成する工程」を発明特定事項として備えることにより複合レジストのひさしを形成するものである。
　そうすると、本願発明１と引用発明１３は、何れも、レジスト層に逆テーパ形状（ひさし）を形成する点で一致するものの、引用発明１３は「前記金属膜をウエットエッチングで取り除き複合レジストパターンを形成する工程」を備えることにより逆テーパ形状（ひさし）を形成することを特徴とする発明であるから、逆テーパ形状（ひさし）を形成する手段としてイメージリバーサル法が周知であるとしても、引用発明１３の上記工程に代えてウェットリバーサル法を採用することには、阻害要因があるといえる。
　してみると、引用例２〜４に開示されるようにウェットリバーサル法が周知であるとしても、引用発明１３に該周知技術を採用することは、当業者が容易に想到し得るものではない。
２　本願発明２、３について
　本願発明２は、本願発明１の発明特定事項を全て備え、さらに、第２レジスト膜がダイ１レジスト膜と同じ材料からなることを特定する発明である。また、本願発明３は、本願発明２の発明特定事項を全て備え、さらに、露光された領域に形成されている第１レジスト膜を除去した後に、「前記半導体ウエハを加熱する工程」を備えるとともに、溶解度が高められた領域に形成されている第２レジスト膜を除去した後に「前記第１レジスト膜を除去した後の加熱よりも低い温度で前記半導体ウエハを加熱する工程」を備える発明である。
　そうすると、本願発明１は、当業者であっても、引用発明１３及び引用例２〜１２に開示された事項に基づいて容易に発明できたものとはいえないのであるから、本願発明１にさらに発明特定事項を付加した発明である本願発明２，３は、本願発明１と同様に、当業者であっても、引用発明１３及び引用例２〜１２に開示された事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明１−３は、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて、あるいは、引用発明１３及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものではない。したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。