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　平成　６年特許願第１０４３６７号「量子含有粒子スクリーンを有する蛍光装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年１１月　８日出願公開、特開平　６−３１４５６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成６年４月２０日（パリ条約による優先権主張１９９３年５月４日、米国）の出願であって、平成１６年９月３日付け（発送日同年９月１４日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年１２月１３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１７年１月１１日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
２．平成１７年１月１１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
平成１７年１月１１日付けの手続補正を却下する。
［理由］
本件補正は、特許請求の範囲の請求項１の
　
「【請求項１】　量子含有粒子スクリーンをもつ蛍光装置であって：
　蛍光刺激源（３２，３３，３５）；および
　刺激源に対して間隔を置いて装着された蛍光スクリーン（２０，３７）であって、光学的に透明な支持基板（２２）と、基板上に付着された蛍光層（２４）とを含み、この蛍光層には、被放出光の特定の所望の色により決まる寸法にそれぞれ量子が密閉される複数の量子含有粒子（２６）が含まれる蛍光スクリーン；
　によって構成されることを特徴とする蛍光装置。」
を、
　
「【請求項１】　量子含有粒子スクリーンをもつ蛍光装置であって：
　蛍光刺激源（３２，３３，３５）；および
　刺激源に対して間隔を置いて装着された蛍光スクリーン（２０，３７）であって、光学的に透明な支持基板（２２）と、基板上に付着された蛍光層（２４）とを含み、この蛍光層には、被放出光の特定の所望の色により決まる寸法にそれぞれ量子が密閉される複数の量子含有粒子（２６）が含まれ、前記粒子は材料組成、構造および寸法を制御することにより設計されるもの；
　を具備することを特徴とする蛍光装置。」
　
と補正することを含むものである。
　
　上記補正は、補正前の請求項１に記載した構成要件に「前記粒子は材料組成、構造および寸法を制御することにより設計される」を追加するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
（１）従来周知の蛍光ランプ
　いわゆる蛍光ランプは、従来より広く用いられており、その基本構成は、例えば、特開平３−２３６１５０号公報にみられるように、
「ガラスバルブ及び蛍光体層をもつ蛍光ランプであって：
　フィラメントコイル電極；および
　フィラメントコイル電極に対して間隔を置いて装着されたガラスバルブ及び蛍光体層であって、光学的に透明なガラスバルブと、ガラスバルブ上に付着された蛍光体層とを含むガラスバルブ及び蛍光体層；
　を具備することを特徴とする蛍光ランプ。」としたものであって、本願の優先権主張の日前周知である（以下、これを「従来周知の蛍光ランプ」という。）。
　　
（２）対比・判断
　本件補正発明１と従来周知の蛍光ランプとを対比する。
　従来周知の蛍光ランプにおける「ガラスバルブ及び蛍光体層」、「蛍光ランプ」、「フィラメントコイル電極」、「ガラスバルブ」、「蛍光体層」は、それぞれ、
　本件補正発明１における「スクリーン，蛍光スクリーン」、「蛍光装置」、「蛍光刺激源，刺激源」、「支持基板，基板」、「蛍光層」に相当する。
　
したがって、両者は、
　
【一致点】
「スクリーンをもつ蛍光装置であって：
　蛍光刺激源；および
　刺激源に対して間隔を置いて装着された蛍光スクリーンであって、光学的に透明な支持基板と、基板上に付着された蛍光層とを含む蛍光スクリーン；
　を具備することを特徴とする蛍光装置。」
で一致し、
　
【相違点】
　「本件補正発明１では、蛍光層には、被放出光の特定の所望の色により決まる寸法にそれぞれ量子が密閉される複数の量子含有粒子が含まれ、この粒子は材料組成、構造および寸法を制御することにより設計されるのに対して、
　従来周知の蛍光ランプでは、蛍光体層は、どのようなものか不明である点」
で相違する。
　　
　そこで、上記【相違点】について検討する。
蛍光体層として、励起子（量子）が密閉される複数の蛍光体マイクロクラスター（量子含有粒子）を埋め込んだ新しい蛍光体材料が使用できることは、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前の平成３年１月２５日に頒布された特開平３−１８０１３号公報（以下、「引用例」という。）における、
　
（ａ）「次に、新しい蛍光体材料として、ＧａＡｓマイクロクラスターの例を説明する。
　ガリュームヒ素（ＧａＡｓ）材料をＸｅイオンで衝撃し生成したマイクロクラスターをＮａＣｌ、ＫＣｌ等の絶縁体の蒸気とともに金属電極上に捕集すると、可視紫外光励起による発光スペクトルは、第４図に示すようにＧａＡｓそのもののバルクの発光スペクトルより大きく短波長側にずれたものとなる。」（４頁左下欄１６行〜同右下欄４行）
　
（ｂ）「本発明の装置で製作したデバイスは、絶縁体中に埋め込まれた量子サイズの点状粒子であり、その発光スペクトルは、ＧａＡｓの発光帯より短波長側に大きくづれ、マイクロクラスターの励起子発光の量子効果を実証するものである。」（４頁右下欄１１行〜同１６行）
　
（ｃ）「このように、マイクロクラスターは担体材料と異なる物質と見なすことができ、セラミックス中に蛍光体マイクロクラスターを埋め込んだ新しい蛍光体材料を作ることができる。」（４頁右下欄２０行〜５頁左上欄３行）
　
との記載にみられるごとく公知である。
　
　また、量子含有粒子が、被放出光の特定の所望の色により決まる寸法、材料組成、および、構造を制御することにより設計されることは、例えば、
　本願の優先権主張の日前の平成５年３月１２日に頒布された特開平５−６２２３９号公報における、
　
「【００３６】電子の世界は、量子力学の法則によって支配されている。これによれば、約１００Å以下の結晶（量子サイズ）では、通常のバルク結晶とは異なった性質や新しい現象が発現する可能性がある。
【００３７】そこで、本発明者は、３次元量子井戸（電子を微小な領域に閉じた状態）の作製に微結晶の析出現象を利用する新しいアプローチを試みた。
【００３８】まず、例えば、ゲルマニウムと二酸化シリコンとアルゴンガス中で同時に高周波スパッタリングして、非晶質の二酸化シリコンと非晶質ゲルマニウムとが固溶した状態を作る。これを熱処理すると、非晶質の二酸化シリコン中にゲルマニウム微結晶を無欠陥で析出させることができる。超高解像度電子顕微鏡観察から、直径１００Å以下の非晶質の二酸化シリコン絶縁体に埋め込まれた球状の完全結晶ゲルマニウムであることが分かる。析出という自然現象が作り出した３次元量子井戸といえる。
【００３９】ゲルマニウムは、シリコンと同じIV族元素で、光学的には発光不可能な間接遷移型半導体である。しかし、二酸化シリコン絶縁体中の欠陥のないゲルマニウム微結晶が、フォトルミネッセンス（光励起発光）測定において、室温で波長5600〜６０００Å（黄緑色から赤色に対応）で強く発光することを確認した。また、この発光ピークの波長がゲルマニウム微結晶の粒径に依存して変化することを見出した。この従来の常識では考えられない発光現象から、二酸化シリコン中に析出したゲルマニウム微結晶が、３次元量子井戸として十分に機能するという事実を見出すことができる。」
　
「【００４２】以下、本発明の原理等を順次説明する。
【００４３】（光学吸収の制御原理）図１に示される半導体ドープガラス（Semiconductor−doped glass） １２の量子サイズ効果について説明する。誘電体またはガラス１４の作るポテンシャルの大きさが無限大であるとき、埋め込まれた半導体超微粒子１３の電子状態は、３次元の量子閉じ込めと考えられる。閉じ込められる半導体超微粒子（結晶）が平均的に球形であると仮定すると、電子準位Ｅ(ｌ，ｎ)は、
【００４４】
　
【数２】
Ｅ（１，ｎ）＝Ｅｇ＋ｈ２／（８π２μＲ２）φ（１，ｎ）２　・・・（数２）
　
【００４５】で与えられる。ここで、Ｅg はバルク結晶のバンドギャップ、Ｒは半導体結晶粒子の半径、ｈはプランク定数、μは換算質量（１／μ＝１／ｍｅ＋１／ｍｈで表わされ、ｍｅは電子、ｍｈは正孔の有効質量である。）、ψ（ｌ，ｎ）はベッセル関数の固有値であり、最低状態の固有寧ψ（０，１）はπである。
【００４６】これから、半径Ｒが小さい程、最低エネルギーは高エネルギー側にシフトすることがわかる。半導体超微粒子にバンドギャップ以上のエネルギーの光を照射すると価電子帯の最高エネルギーの電子が励起され、励起された電子と正孔の対である励起子(エキシトン)とが生成する。励起子は、結晶の並進対称性から結晶全体を自由に伝播できる。これは、エキシトンの波動関数Ｗ(k,t)＝u(k)exp(-ikR-iωt)をBloch関数ｕ（ｋ）で展開できる性質による。こうした励起子はワニエ励起子といい、励起子の生成及び消滅は、遷移する電子準位間の双極子モーメントに依存する。遷移の双極子モーメントＰｎは
【００４７】
　
【数３】
Ｐｎ＝１／π（２Ｒ／ａ）３／２／ｎμ（ｃ，ｖ），（ｎ＝１，２・・・）　・・・（数３）
　
【００４８】で与えられる。μ（ｃ，ｖ）は、バンド間遷移の双極子モーメント、ｎは主量子数、ａは励起子の有効ボーア半径である。これより、最低エネルギー状態と第１励起状態との間の遷移ｎ＝１→２の双極子モーメントの変化が大きいことが分かる。さらに、超微粒子の直径と有効ボーア半径との比（２Ｒ／ａ）が大きい程、遷移強度が大きくなることが分かる。したがって、光の吸収過程は基本的には、数２から得られる最低エネルギーＥ(０，１)と第１励起状態Ｅ(０,２；１，２；−１，２)への遷移によって決められる。超微粒子の半径Ｒが小さくなると、Ｅ（０，１）は大きくなるために光学吸収端は短い波長にシフトすることになる。これは、ブルーシフトといわれている。以上の理論的原理から、量子サイズ効果の出現する範囲で半導体超微粒子の半径Ｒを制御すれば、半導体超微粒子の光学吸収端を任意にシフトさせることができる。」
　
「【００５６】（半導体材料及び誘電体材料の選別）誘電体の材料としては、二酸化シリコン，酸化アルミニウム，窒化シリコン，酸化ジルコニウム，窒化アルミニウム，酸化ゲルマニウム，酸化イットリウム，酸化ハフニウム，塩化ナトリウム，塩化カリウム，ポリエチレン，ポリエステル，ポリカーボネイト，ポリメチクルメタノールなど有機樹脂などが好ましい。また、ゼオライトや多孔質ガラスなども使用できる。半導体の材料としては、ゲルマニウム，シリコン，テルル，セレン，硫化鉛，塩化銅，硫化カドミウム，セレン化カドミウムおよび硫化カドミウムとセレン化カドミウムの混晶、ゲルマニウムテルル，錫テルル，インジウムテルル，ガリウム砒素系混晶などが好ましい。両者の組合わせには、誘電体の材料が閉じ込める半導体材料を固溶しないこと、または、固溶する場合でも、５ａｔ％以下であることが望ましい。更に、望ましくは、誘電体の材料の電子親和エネルギーρ1 が半導体材料の電子親和エネルギーρ2 よりも小さい。好ましくは｜ρ1−ρ2｜が０.５ｅＶ 以上である。」
　
との記載、及び、
　
　同じく平成４年１１月２６日に頒布された特開平４−３３８７３３号公報における、
　
「【０００７】この超微粒子分散ガラスの量子サイズ効果は最近（７〜８年前）になって見出され、注目されるようになったものであり、絶縁物例えばガラス中に数１００Å以下の半導体超微粒子を分散させたものである。超微粒子の材料としては、たとえばＣｄＳｘＳｅｙ（ｙ＝１−ｘ），ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｕＣｌ，ＧａＡｌ，ＺｎＳｅ，ＩｎＳｂ，ＩｎＰ，ＣｄＴｅ等の半導体、Ａｕ，Ａｇ等の金属が使用されている。また、製膜法としては、ＲＦスパッタ法が多く採用されている。」
　
「【００１１】準結晶は、６年程前に発見されて研究されているが、まだ研究段階で、それを具体的な用途に応用することは知られていない。この準結晶の超微粒子は、その粒径が１μｍ以下のものしか得られないが、比較的揃った粒径のものが得られる。本発明は、この準結晶が非線形性を有すること、およびその値が大きいことを見出し、これらの性質を利用して本発明を完成したものである。本発明で使用する超微粒子の粒径は、電子や励起子の量子サイズ効果が現れる範囲のものであるならば特に制限なく使用できるが、たとえば１００Å以下のものである。準結晶の超微粒子の材料は、準結晶を形成できるものであれば特にその種類は限定されないが、たとえば、Ａｌ−Ｃｕ−Ｒｕ系、Ｇａ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ａｌ−Ｃｉ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｃｕ−遷移金属系、Ａｌ−Ｃｕ−Ｏｓ系、Ａｌ−Ｐｂ−Ｍｎ系、Ａｌ−Ｐｂ−Ｒｅ系等がある。この準結晶については、例えば、日本結晶学会誌３２，１７０（１９９０）Ｐ１７０−１７４に具体的に説明されている。
【００１２】本発明の超微粒子分散薄板は、その非線形性が大きいのみならず、前記のように超微粒子のサイズコントロールを行うための加熱工程が不必要であるので、基板材料としては、ガラス、石英あるいは耐熱性プラスチックフィルムに限定されることなく、耐熱性のないプラスチックフィルムも使用することができる。プラスチックフィルムの素材としては、たとえばポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート等があげられる。また、製膜法としては特に制限はなく、ＰＶＤおよびＣＶＤの両方法が使用し得るが、結晶化が良好なイオンビームスパッタ法が好ましい。その膜厚も特に限定されないが、１００Å〜１μｍが適当である。超微粒子を分散させるためのマトリックス材料としては、従来非線形光学薄膜の製造に使用されているアモルファスＡｌ２Ｏ３やアモルファスＳｉＯ３が使用できるが、適宜他の酸化物、窒化物、フッ化物、ケイ化物等も用いられる。マトリックス材料が透明なものであれば、アモルファス状でなくても、結晶性のものも使用できる。
【００１３】・・・・
これらの透明膜をＸ線回折法で調べたところＡｌ２Ｏ３　，ＣｕＯ，Ｆｅ３Ｏ４のブロードな微小ピークとＡｌ６５Ｃｕ２０Ｆｅ１５の準結晶を示す回折ピークが観察された。ＴＥＭ像から求めた各試料の平均粒径は（Ａ）５２Å、（Ｂ）４４Å、（Ｃ）３１Å、（Ｄ）２０Åであり、よく揃っていた。室温で分光光度計を用いて調べた。光学吸収端の測定結果から高エネルギーシフト（ブルーシフト）が認められ、その大きさは微粒子の平均粒径の２乗に比例し量子サイズ効果を示した。又、吸収端の立上がりはシャープであった。」
　
との記載に見られる如く周知である。
　
　したがって、従来周知の蛍光ランプの蛍光体層として、引用例に記載の蛍光体材料を使用し、その際に、上記周知技術を用いて、蛍光体マイクロクラスターを、被放出光の特定の所望の色により決まる寸法、材料組成、および、構造を制御することにより設計することは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本件補正発明１の効果は、従来周知の蛍光ランプ、引用例に記載された公知技術及び周知技術に基づいて当業者が予測可能な範囲のものである。
　
　したがって、本件補正発明１は、従来周知の蛍光ランプ、引用例に記載された公知技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
３．本願発明について
　平成１７年１月１１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４に係る発明は、出願当初の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】　量子含有粒子スクリーンをもつ蛍光装置であって：
　蛍光刺激源（３２，３３，３５）；および
　刺激源に対して間隔を置いて装着された蛍光スクリーン（２０，３７）であって、光学的に透明な支持基板（２２）と、基板上に付着された蛍光層（２４）とを含み、この蛍光層には、被放出光の特定の所望の色により決まる寸法にそれぞれ量子が密閉される複数の量子含有粒子（２６）が含まれる蛍光スクリーン；
　によって構成されることを特徴とする蛍光装置。」
　
（１）従来周知の蛍光ランプ
　従来周知の蛍光ランプは、前記「２．（１）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明１は、前記「２．」で検討した本件補正発明１から「前記粒子は材料組成、構造および寸法を制御することにより設計される」点の構成要件を省いたものである。
　そうすると、本願発明１の構成を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正発明１が、前記「２．（２）」に記載したとおり従来周知の蛍光ランプ、引用例に記載された公知技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、本件補正発明１についての判断で示したのと同様の理由により、従来周知の蛍光ランプ、引用例に記載された公知技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明１は、従来周知の蛍光ランプ、引用例に記載された公知技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願発明１が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２〜４に係る発明について検討するもでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。