【事件の表示】
　平成１０年特許願第２９９９０２号「磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　４月２８日出願公開、特開２０００−１２３３３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１０年１０月２１日の出願であって、平成１５年５月１６日付けで手続補正がなされ、その後平成１５年８月４日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成１５年９月１１日に審判請求がされるとともに、平成１５年１０月１４日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１５年１０月１４日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年１０月１４日付け手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　本件補正により、補正前の
　（ａ）　「【請求項７】　走行する磁気記録媒体に摺接し、この磁気記録媒体に記録された信号を読み取る再生用磁気ヘッドとして用いられ、上記磁気記録媒体に摺接する面は円弧形状を呈する磁気抵抗効果型磁気ヘッドを製造するに際し、
　薄膜形成面状に上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成する薄膜を形成する薄膜形成工程と、
　上記薄膜の一部で開口する逆テーパー型のレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
　上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気シールド部材となるＣｏ系アモルファス材料をスパッタするスパッタ工程と、
　上記レジスト膜及びレジスト膜上に形成されたＣｏ系アモルファス材料を除去するレジスト除去工程とを経ることによって、上記磁気シールド部材を形成することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。」は、
　（ｂ）　「【請求項５】　
回転ドラムに搭載されて、この回転ドラムに伴って回転し、走行する磁気記録媒体上を斜めに摺接して、
　
薄膜形成面上
　上記薄膜の一部で開口する逆テーパー型のレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
　上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気シールド部材となる
Ｃｏ
ａ
Ｚｒ
ｂ
Ｎｂ
ｃ
Ｍ
ｄ
（ただし、ＭはＭｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｗ，Ｖのうちの少なくとも一種であり、ａ，ｂ，ｃ，ｄは原子パーセントを示し、これらがそれぞれ７９≦ａ≦８３，２≦ｂ≦６，１０≦ｃ≦１４，１≦ｄ≦５である。）の組成からなるアモルファス
　上記レジスト膜及びレジスト膜上に形成された
上記アモルファス材料
　と補正された。
　本件補正は、補正前の請求項７に記載された発明の「走行する磁気記録媒体に摺接し」について、「
回転ドラムに搭載されて、この回転ドラムに伴って回転し、走行する磁気記録媒体上を斜めに摺接して
Ｃｏ
ａ
Ｚｒ
ｂ
Ｎｂ
ｃ
Ｍ
ｄ
（ただし、ＭはＭｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｗ，Ｖのうちの少なくとも一種であり、ａ，ｂ，ｃ，ｄは原子パーセントを示し、これらがそれぞれ７９≦ａ≦８３，２≦ｂ≦６，１０≦ｃ≦１４，１≦ｄ≦５である。）の組成からなるアモルファス
薄膜形成面上
　そこで、補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．引用例
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−１８５８０８号公報（以下「引用例１」という。）には、「複合型磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）　「【請求項３】　記録ヘッドコア及びＭＲヘッドを有する複合型磁気抵抗効果ヘッドの製造方法において、記録ヘッドコア及びＭＲヘッド用シールドを磁場中成膜Ｃｏ系アモルファスにて形成するようにしたことを特徴とする複合型磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。」（公報特許請求の範囲の請求項３）
　（イ）　「【０００１】【発明の属する技術分野】　本発明は磁気ディスク装置、あるいは
ＶＴＲ等の磁気テープ装置用の薄膜磁気ヘッドと再生専用ヘッドとして用いられる磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッドとの複合型磁気抵抗効果（ＭＲ）ヘッド及びその製造方法
　（ウ）　「【００１１】　薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッド）部２０ＡはＣｏ系アモルファスにて形成した下コア２、中間コア４、コイル６、上コア９とから構成されている。また、
ＭＲヘッド部２０ＢはＣｏ系アモルファスにて形成した下シールド９、ＭＲ素子１２、電極１３、上シールド１５とから構成されている
【００１２】　さらに、薄膜磁気ヘッド部２０Ａの上コア９がＭＲヘッド部２０Ｂの下シールド９を兼用しており、これらは磁場中で成膜されている。ＭＲ素子１２、電極１３は下側を上コア／下シールド９により遮蔽され、上側を上シールド１５により遮蔽され、更にその下側に中間コア（下コア）４が配設されるヘッド構造になされている。」（発明の実施の形態の実施例１の項、公報段落１１〜１２）
　（エ）　「【００１８】　
第５の製造工程（上コア／下シールド９の形成
　ここでは、薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッド）２Ａの上コア９とＭＲヘッド２Ｂの下シールド９とを兼用する上コア／下シールド９を形成する製造工程である。前記上コア／下シールド９をＣｏ系アモルファスにて、略３．０μｍの厚さに形成する。絶縁膜（ＳｉＯ２）１０を埋め込み、その表面を平坦化研磨する。これまでの従来のものでは、ここで、磁場中アニールが必要であったが、本発明では不必要である。その上に絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３）１１を形成する。［図４（Ｅ）参照］
【００１９】　
第６の製造工程（ＭＲヘッド部２０ＢのＭＲ素子１２、電極１３の形成
　
ＭＲヘッド部２０ＡのＭＲ素子（再生トラック幅ＴＲ　）１２を
形成する
【００２０】　ＳＡＬ膜には、（中略）、ＭＲ素子（膜）１２には（中略）。磁区制御層には、（中略）。更に、電極（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ膜）１３を、ＭＲ素子１２の上に蒸着にて、再生トラック幅がＴＲ　になるように形成する。［図４（Ｆ）参照］
【００２１】　第７の製造工程（ＭＲヘッド部２０Ｂの絶縁膜１４の形成）
　次に絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３）１４を電極１３の上に形成する。［図４（Ｇ）参照］
次にレジストを塗布する。前記絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３）１４の一部を除去する。［図５（Ｈ）参照］
【００２２】　
第８の製造工程（ＭＲヘッド部２０Ｂの上シールド１５の形成
　次に、前記絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３）１４の上に
上シールド１５をＣｏ系アモルファスにて
形成する
　（オ）　「【００３８】【発明の効果】　本発明の複合型磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法は、ＭＲ素子の耐熱温度を超える高い温度での熱処理をしなくとも、磁場を印加して２５０℃以下の温度（ＭＲ素子の耐熱温度）で熱処理を行なって、記録ヘッドとして十分良好な特性を得ることが出来る。
【００３９】　また、本発明の複合型磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法は、従来必要としたアニール工程を削減することが出来、所用時間を大幅に短縮出来る。」（発明の効果の項、公報段落３８〜３９）
　（カ）　第８の製造工程（ＭＲヘッド部２０Ｂの上シールド１５の形成）を説明するための図５（Ｉ）には、上シールド１５が、絶縁膜を１４を介し、電極１３の一部及びＭＲ素子１２の上に部分的に形成されていることが図示されている。
　
（２）　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５９−９８３１８号公報（以下「引用例２」という。）には、「薄膜磁気再生ヘッド」に関し、次の事項が記載されている。
　（サ） 「（５）磁気抵抗効果素子の両側に磁気シールド薄膜をそれぞれ形成してなる薄膜磁気再生ヘッドにおいて、前記
磁気シールド薄膜が、コバルトを主成分とし、それに少量のジルコニウムとタンタルとニオブとを添加した４成分系のアモルファス合金で構成
（６）特許請求の範囲（５）項記載において、前記ジルコニウムとタンタルとニオブのトータル含有率が約５〜２０重量％の範囲に規制されていることを特徴とする薄膜磁気再生ヘッド。」（特許請求の範囲の請求項５及び６、公報１頁右下欄４行〜１４行）
　（シ）　「本発明者らは、
スパッタリング
　（ス）　「磁気シールド薄膜３、７の他の例は、
Ｃｏ含有率が８５重量％、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの含有率がそれぞれ５重量％で、結局Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂのトータル含有率が１５重量％のＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ−Ｎｂの４成分系アモルファス合金
スパッタリング
　
（３）　原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−１０５５１０号公報（以下「引用例３」という。）には、「磁気変換素子、薄膜磁気ヘッド及び磁気変換素子の製造方法」に関し、次の事項が記載されている。
　（タ）　「【００２２】　上述の磁気変換素子を製造するに当り、第１の工程で、磁気抵抗効果膜の表面に磁気検出部形成のためのレジストを形成する。次に、第２の工程で、レジストの上から磁区制御膜を形成する。次に、第３の工程では、第２の工程に続いてレジストの上からリード電極膜を形成する。（中略）
【００２３】　次に、
第４の工程において、レジストをその上の付着膜とともに除去する
【００２４】　第２の工程では、望ましくは、付着粒子の付着方向性の高い成膜手段にって磁区制御膜を形成する。このような成膜手段の例はイオンビーム
スパッタ
スパッタ
リフトオフ工程
【００２５】　また、上述したスパッタ成膜手段をとる場合、第１の工程では、望ましくは、側壁面が
逆テーパを有するレジスト
側壁面が逆テーパを有するレジストを塗布しておくと、第２の工程及び第３の工程において、スッパタ時に発生した成膜成分粒子がレジストの側面に付着したとしても、側壁面からスパッタ成膜面に連続するようには成長しない
第４の工程において、レジストに側壁面に付着した成膜成分粒子をレジストと一緒に除去し、
　
３．対比判断
（１）対比
　補正後の発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記２で摘示した記載事項、特に（イ）（ウ）（エ）（下線部参照）によれば、引用例１には、
　「ＶＴＲ等の磁気テープ装置用の再生専用ヘッドとして用いられる磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッドの製造方法であって、
　ＭＲヘッド部は、下シールド、ＭＲ素子、電極、上シールドとから構成され、
　ＭＲヘッド部のＭＲ素子を下シールド上に絶縁膜を介して形成する工程、
　次に上シールドをＣｏ系アモルファスにて形成する工程、
　を備える製造方法。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッド」「磁気テープ」「上シールド」は、それぞれ補正後の発明の「磁気抵抗効果型磁気ヘッド」「磁気記録媒体」「磁気シールド部材」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッド」は、「ＶＴＲ等の磁気テープ装置用の再生専用ヘッドとして用いられる」ものであるところ、一般的にＶＴＲ等の磁気テープ装置用の再生ヘッドは、回転ドラムに搭載されて、この回転ドラムに伴って回転し、走行する磁気テープ上を斜めに摺接して、記録テープに記録された信号を読み取るものであることが、当業者の技術常識であるから、引用例１に記載された発明の「磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッド」は、「回転ドラムに搭載されて、この回転ドラムに伴って回転し、走行する磁気記録媒体上を斜めに摺接して、上記記録媒体に記録された信号を読み取る再生磁気ヘッドとして用いられ」る構成を実質的に備えている。
　引用例１に記載された発明の「ＭＲ素子」が「磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成する薄膜」に相当しているから、引用例１に記載された発明の「ＭＲヘッド部のＭＲ素子を下シールド上に絶縁膜を介して形成する工程」は、補正後の発明の「薄膜形成面上に磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成する薄膜を形成する薄膜形成工程」に実質的に相当している。
　
　よって、補正後の発明と引用例１に記載された発明は、
　「回転ドラムに搭載されて、この回転ドラムに伴って回転し、走行する磁気記録媒体上を斜めに摺接して、上記記録媒体に記録された信号を読み取る再生磁気ヘッドとして用いられる、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを製造するに際し、
　薄膜形成面上に上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成する薄膜を形成する薄膜形成工程と、
　上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気シールド部材をＣｏ系アモルファスで形成する工程を備える磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。」
　である点で共通し、以下の点で相違している。
　（相違点１）　「磁気抵抗効果型磁気ヘッド」が、補正後の発明では、「磁気記録媒体に摺接する面は円弧形状を呈する」と特定されているのに対し、引用例１に記載された発明では、そのような特定がない点。
　（相違点２）　「磁気シールド部材をＣｏ系アモルファスで形成する工程」が、補正後の発明では、「薄膜の一部で開口する逆テーパー型のレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気シールド部材となるＣｏａＺｒｂＮｂｃＭｄ（ただし、ＭはＭｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｗ，Ｖのうちの少なくとも一種であり、ａ，ｂ，ｃ，ｄは原子パーセントを示し、これらがそれぞれ７９≦ａ≦８３，２≦ｂ≦６，１０≦ｃ≦１４，１≦ｄ≦５である。）の組成からなるアモルファス材料をスパッタするスパッタ工程と、上記レジスト膜及びレジスト膜上に形成された上記アモルファス材料を除去するレジスト除去工程とを経ることによって、上記磁気シールド部材を形成する」と特定されているのに対して、引用例１に記載された発明では、そのような特定がない点。
　
（２）判断
　上記相違点について検討する。
（２−１）相違点１について
　ＶＴＲ等の磁気テープ装置用で、回転ドラムに搭載されて、この回転ドラムに伴って回転し、走行する磁気テープ上を斜めに摺接する磁気ヘッドにおいては、磁気テープに摺接する面は円弧形状に形成されることが、当業者の技術常識であるから、引用例１に記載された発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、その磁気記録媒体に摺接する面の具体的形状の特定がなくとも、円弧形状は、当業者が最も普通に採用する形状である。
（２−２）相違点２について
（２−２−１）材料について
　磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気シールド部材をＣｏ系アモルファスで形成する際に、コバルトを主成分とし、それに少量のジルコニウムとタンタルとニオブとを添加したＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ−Ｎｂの４成分系アモルファス合金をスパッタリングすることにより形成することが、引用例２に記載されている（上記（サ）（シ）（ス）参照）。
　よって、引用例１に記載された発明のＣｏ系アモルファスを具体化するにあたり、Ｃｏを主成分とするＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ−Ｎｂの４成分系アモルファス合金をスパッタリングにより形成する引用例２に記載された発明を採用することは、当業者が適宜なし得ることであり、その際、以下に述べるように、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔａ−Ｎｂの組成比を上記相違点１のように特定することに格別困難性を要したものではない。
　Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔａ−Ｎｂの組成比の特定の根拠について、本願明細書には、「形成される軟磁性薄膜４７は、優れた耐摩耗特性と耐熱特性とを示すようになる。」（段落９６）「Ｃｏ系アモルファス材料においては、ＣｏとＴａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ等とを組み合わせることによって、良好な軟磁気特性を得ることができる。また、Ｃｏ系アモルファス材料は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｗ，Ｖのうちの少なくとも一種を添加されることによって、耐摩耗性が向上する。」（段落９７）「Ｃｏ系アモルファス材料は、図２５に示すように、上述したような添加物の量を増やすほど、耐摩耗性が向上する。一方で、Ｃｏ系アモルファス材料は、添加物の量を増やすほど、軟磁気特性が劣化してしまう。なお、図２５は、Ｃｏ系アモルファス材料として上述したようなＣｏＺｒＮｂＭの組成から成る材料を選んでＭＲヘッド１を作製した場合の、添加物Ｍの量と１０ＭＨｚにおける透磁率及び磁気記録媒体を１０００時間摺動させた後の軟磁性薄膜４７（軟磁性薄膜６）の摩耗量との関係を示す図である。」（段落９８）と記載されて、Ｍ（Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｗ，Ｖのうちの少なくとも一種）が１〜５原子％の場合の作用効果が説明されている。しかしながら、上記図２５において、Ｍとして何を用いたかあるいはすべてのＭについての値であるのか、また図２５におけるＣｏ系アモルファスの具体的組成が明記されていないことから、図２５の根拠は不明確であって、上記特定の根拠は乏しいものといえ、組成比の特定に臨界的意義があるとすることはできない。また、例えば耐摩耗性を向上させる元素として合金の技術分野において周知の材料（Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗ等）を増加させて、当該合金の耐摩耗性を向上させることは、当業者が、記録媒体に摺接する磁気ヘッドにおいて一般的な要求である耐摩耗性を備える磁気ヘッド用の材料を具体化するにあたり適宜なし得ることでもある。また、磁気ヘッド用の軟磁性特性を示すＣｏ系アモルファス材料として、ＣｏａＺｒｂＮｂｃＭｄ（ただし、ＭはＭｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｗ，Ｖのうちの少なくとも一種であり、ａ，ｂ，ｃ，ｄは原子パーセントを示し、これらがそれぞれ７９≦ａ≦８３，２≦ｂ≦６，１０≦ｃ≦１４，１≦ｄ≦５である。）の範囲内の組成であるアモルファス材料をスパッタして成膜することは、周知の事項である（例えば、特開昭６２−２７４０４３号公報、表１、第１図等参照。）。
（２−２−２）工程について
　引用例１には、「上シールド」が、電極１３の一部及びＭＲ素子１２の上に部分的に形成されていること（上記（カ）参照）が示されているので、上シールドを部分的に形成する方法として、薄膜のパターン形成方法として常套手段であるリフトオフ法を採用することは、当業者が適宜なし得ることである。
　そして、引用例３には、磁気抵抗効果膜を備える薄膜磁気ヘッドを製造する方法において、電極及び磁区制御膜のパターンをリフトオフ法により形成するに際して、逆テーパ型のレジスト膜を用いることにより、スパッタ時に発生した成膜成分粒子がレジストの側面に付着したとしても、側壁面からスパッタ成膜面に連続するようには成長しない作用効果があることが、記載されており、そのリフトオフ方法は、具体的には、逆テーパ型のレジスト膜形成工程、付着膜（電極及び磁区制御膜）をスパッタするスパッタ工程、レジスト膜及びレジスト膜上に付着した付着膜を除去する除去工程からなることが、記載されている（上記（タ）参照）。ここで、上記逆テーパ型のレジスト膜による作用効果は、電極及び磁区制御膜に限らず、スパッタにより形成される薄膜のパターンの形成において有効であることが明らかである。
　してみれば、引用例１に記載された発明の上シールド（補正後発明の「磁気シールド部材」に相当）を部分的に形成するに際し、一部で開口する逆テーパ型のレジスト膜形成工程、特定の組成比のＣｏ系アモルファス材料をスパッタするスパッタ工程、レジスト膜及びレジスト膜上に形成された上記Ｃｏ系アモルファス材料を除去する除去工程とを経ることにより、形成することは、当業者が容易に想到しうることである。
　
　そして、上記相違点１及び２を総合的に検討しても、補正後の発明の効果は、引用例１〜３に記載された発明及び周知の事項から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、補正後の発明は、上記引用例１ないし３に記載された発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１５年１０月１４日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項７に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１５年５月１６日付け手続補正書によって補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項７に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項７】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
１．引用例
　原審の拒絶の理由に引用された引用例１〜３の記載事項は、上記「第２の２」に記載されたとおりである。
　
２．対比判断
　本願発明は、上記「第２」で検討した補正後の発明から、「走行する磁気記録媒体に摺接し」についての限定事項である「
回転ドラムに搭載されて、この回転ドラムに伴って回転し、走行する磁気記録媒体上を斜めに摺接して
Ｃｏ
ａ
Ｚｒ
ｂ
Ｎｂ
ｃ
Ｍ
ｄ
（ただし、ＭはＭｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｗ，Ｖのうちの少なくとも一種であり、ａ，ｂ，ｃ，ｄは原子パーセントを示し、これらがそれぞれ７９≦ａ≦８３，２≦ｂ≦６，１０≦ｃ≦１４，１≦ｄ≦５である。）の組成からなるアモルファス
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後の発明が、上記「第２の３」に記載したとおり、引用例１〜３に記載された発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。