【手続補正書】
【提出日】平成21年11月18日(2009.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
永久フォトレジスト組成物であって、
（Ａ）式Ｉによる１種又は複数のビスフェノールＡ−ノボラックエポキシ樹脂；
【化１】
2007522531.tif 000001
（ただし、式Ｉ中の各基Ｒはグリシジル又は水素から個別に選択され、又式Ｉ中のｋは０〜約３０の範囲にある実数である）と、
（Ｂ）１種又は複数のエポキシ樹脂であって、式ＢＩＩａ及びＢＩＩｂ
【化２】
2007522531.tif 000002
（式中、式ＢＩＩａにおける各Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、水素又は炭素原子１〜４個を有するアルキル基からなる群より独立に選択され、式ＢＩＩａ中のｐの値は１〜３０の範囲にある実数であり；式ＢＩＩｂ中のｎ及びｍの値は独立に１〜３０の範囲にある実数であり、式ＢＩＩｂ中の各Ｒ４、及びＲ５は、水素、炭素原子１〜４個を有するアルキル基、又はトリフルオロメチルからなる群より独立に選択される）により表される群から選択される樹脂と、
（Ｃ）１種又は複数のカチオン性光開始剤（光酸発生剤又はＰＡＧとしても知られる）と、
（Ｄ）１種又は複数の溶媒と
を含む組成物。
【請求項２】
１種又は複数のエポキシ樹脂（Ｅ）を更に含有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
１種又は複数の反応性モノマー（Ｆ）を更に含有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
反応性モノマーが、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル及びポリプロピレングリコールジグリシジルエーテルからなる群より選択される、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
０．１〜１０重量パーセントのカチオン性光開始剤（Ｃ）を含有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
カチオン性光開始剤が、ヘキサフルオロアンチモン酸アリールスルホニウム塩類の混合物である、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
カチオン性光開始剤が、ヘキサフルオロアンチモン酸オクチルフェノキシフェニルヨードニウムである、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
光増感剤化合物（Ｇ）を更に含有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
光増感剤が２−エチル−９，１０−ジメトキシアントラセンである、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
１種又は複数の接着性増進剤（Ｈ）を更に含有する、請求項１に記載の永久フォトレジスト組成物。
【請求項１１】
有機アルミニウム化合物（Ｋ）を含有する、請求項１に記載の永久フォトレジスト組成物。
【請求項１２】
ドライフィルムフォトレジスト組成物であって、請求項１に記載の永久フォトレジスト組成物から作製したフォトレジスト組成物。
【請求項１３】
ドライフィルムフォトレジスト組成物を形成する方法であって、
（１）請求項１に記載の永久フォトレジスト組成物をポリマーフィルム基板に塗布するプロセスステップと、
（２）被覆した基板を加熱することにより溶媒の大部分を蒸発させて、ポリマーフィルム基板上に前記フォトレジスト組成物の膜を形成するプロセスステップと、
（３）永久フォトレジストコーティングの表面に保護カバーフィルムを適用するプロセスステップと
を含む方法。
【請求項１４】
永久フォトレジストパターンを形成する方法であって、
（１）請求項１に記載のフォトレジスト組成物を基板に塗布するプロセスステップと、
（２）被覆した基板を加熱することにより溶媒の大部分を蒸発させて、前記基板上に前記組成物の膜を形成するプロセスステップと、
（３）前記被覆した基板にマスクを通して活性線を照射するプロセスステップと、
（４）加熱することにより、照射したセグメントを架橋させるプロセスステップと、
（５）溶媒により画像を現像して、前記フォトレジスト内に前記マスクのレリーフ画像を形成するプロセスステップと、
（６）場合によって、加熱することにより前記現像したレリーフ画像を架橋させるプロセスステップと、
を含む方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載のドライフィルムフォトレジスト組成物を使用して永久フォトレジストパターンを形成する方法であって、
（１）前記ドライフィルムフォトレジストを基板に積層するプロセスステップと、
（２）前記基板から担体フィルムを除去するプロセスステップと、
（３）被覆した基板にマスクを通して活性線を照射するプロセスステップと、
（４）加熱することにより、照射したセグメントを架橋させるプロセスステップと、
（５）溶媒により画像を現像して、前記フォトレジスト内に前記マスクのレリーフ画像を形成するプロセスステップと、
（６）場合によって、加熱することにより前記現像したレリーフ画像を架橋させるプロセスステップと、
を含む方法。
【請求項１６】
活性線が、紫外線、近赤外線、Ｘ線、又は電子ビーム放射線である、請求項１４に記載のフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１７】
活性線が、紫外線、近赤外線、Ｘ線、又は電子ビーム放射線である、請求項１５に記載のフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１８】
硬化生成物であって、請求項１に記載の永久フォトレジスト組成物から形成される生成物。
【請求項１９】
硬化生成物であって、請求項１２に記載のドライフィルムフォトレジストの硬化生成物。
【請求項２０】
画像アスペクト比が１〜１００である、請求項１４に記載の方法により作製した硬化生成物。
【請求項２１】
画像アスペクト比が１〜１００である、請求項１５に記載の方法により作製した硬化生成物。
【請求項２２】
電子部品、微小電子機械システム、μ−ＴＡＳパーツ、又はマイクロ流体部品若しくはシステムの製造において使用される場合における、請求項１４に記載の方法により作製した硬化生成物。
【請求項２３】
電子部品、微小電子機械システム、μ−ＴＡＳパーツ、又はマイクロ流体部品若しくはシステムの製造において使用される場合における、請求項１５に記載の方法により作製した硬化生成物。
【請求項２４】
電子部品が、誘電体層、絶縁層、光導電性波回路、又は樹脂基板である、請求項２２に記載の硬化生成物。
【請求項２５】
電子部品がインクジェットプリンターパーツである、請求項２２に記載の硬化生成物。
【請求項２６】
用途が、微小電子機械システム向けパーツの組立てにおけるものである、請求項１８に記載の硬化物。
【請求項２７】
用途が、マイクロ−ＴＡＳパーツの製作におけるものである、請求項１８に記載の硬化物。
【請求項２８】
用途が、マイクロ化学反応器パーツの製作におけるものである、請求項１８に記載の硬化物。
【請求項２９】
用途が、誘電体層である、請求項１８に記載の硬化物。
【請求項３０】
用途が、電気的又は熱的絶縁体としてのものである、請求項１８に記載の硬化物。
【請求項３１】
用途が、光導波路材料である、請求項１８に記載の硬化物。
【請求項３２】
用途が、インクジェットプリントヘッドの製作におけるものである、請求項１８に記載の硬化物。
【請求項３３】
用途が、微小電子機械システム向けパーツの組立てにおけるものである、請求項１９に記載の硬化物。
【請求項３４】
用途が、マイクロ−ＴＡＳパーツの製作におけるものである、請求項１９に記載の硬化物。
【請求項３５】
用途が、マイクロ化学反応器パーツの製作におけるものである、請求項１９に記載の硬化物。
【請求項３６】
用途が、誘電体層である、請求項１９に記載の硬化物。
【請求項３７】
用途が、電気的又は熱的絶縁体としてのものである、請求項１９に記載の硬化物。
【請求項３８】
用途が、光導波路材料である、請求項１９に記載の硬化物。
【請求項３９】
用途が、インクジェットプリントヘッドの製作におけるものである、請求項１９に記載の硬化物。
【請求項４０】
請求項１８に記載の硬化物であって、用途が、生化学分析向けのアレイ構造の組立てにおけるものである硬化物。
【請求項４１】
請求項１８に記載の硬化物であって、用途が、生物材料用の細胞成長プラットフォームの組立てにおけるものである硬化物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
したがって、本発明の一態様は、ネガ調永久フォトレジスト層を作製するのに有用なフォトレジスト組成物であって、
（Ａ）式Ｉによる１種又は複数のビスフェノールＡ−ノボラックエポキシ樹脂
【化１】
2007522531.tif 000003
（ただし、式Ｉ中の各基Ｒはグリシジル又は水素から個別に選択され、又式Ｉ中のｋは０〜約３０の範囲にある実数である）と、
（Ｂ）１種又は複数のエポキシ樹脂であり、式ＢＩＩａ及びＢＩＩｂ
【化２】
2007522531.tif 000004
（式中、式ＢＩＩａにおける各Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、水素又は炭素原子１〜４個を有するアルキル基からなる群より独立に選択され、式ＢＩＩａ中のｐの値は１〜３０の範囲にある実数であり；式ＢＩＩｂ中のｎ及びｍの値は独立に１〜３０の範囲にある実数であり、式ＢＩＩｂ中のＲ４、及びＲ５は、水素、炭素原子１〜４個を有するアルキル基、又はトリフルオロメチルからなる群より独立に選択される）により表される群から選択される樹脂と、
（Ｃ）１種又は複数のカチオン性光開始剤（光酸発生剤又はＰＡＧとしても知られる）と、
（Ｄ）１種又は複数の溶媒と
を含む組成物を対象とする。