【事件の表示】
　特願２００１−１３２４３５「ハイブリッド位相シフト・マスク」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１２月２６日出願公開、特開２００１−３５６４６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年４月２７日（パリ条約による優先権主張２０００年５月１日、米国）の出願であって、平成１４年１２月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年３月６日付けで審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後、審判請求の日から３０日以内である平成１５年４月７日に更に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年４月７日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年４月７日付け手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正の内容及び目的の適否
　平成１５年４月７日付け手続補正（以下、「本件第２補正」という。）は、平成１５年３月６日付け手続補正（以下、「本件第１補正」という。）により補正された請求項数１の特許請求の範囲を、請求項数１４のものに補正する事項（以下、「補正事項」という）を含むものであって、理由なく請求項の数を増やすものである。
　そうしてみると、この補正事項は、特許法第１７条の２第４項第１ないし４号に規定する目的の何れにも該当しない。
　したがって、その他の補正に係る事項の適否について判断するまでもなく、本件第２補正は適法なものではない。
　
（２）むすび
　以上のとおり、本件第２補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本件第２補正により補正された請求項１に係る発明について
（念のため、仮に、本件第２補正が適法なものとした場合に、本件第２補正により請求項１が補正されたとして、請求項１に係る発明（以下、「却下発明」という。）が特許すべきものか否かについて検討する。）
　
（１）却下発明
　却下発明は以下のとおりのものである。
　「リソグラフィ露光装置を使用してウェハ上にリソグラフィ・パターンを転写するためのハイブリッド・マスクであって、基板と、該基板上に形成される低透過率位相シフト部分および非位相シフト部分の少なくとも一方を含み、非クリティカル・フィーチャを形成するのに利用される第１の区域と、前記基板をエッチングすることによって形成されるクロムレス位相シフト部分を含み、クリティカル・フィーチャを形成するのに利用される第２の区域と、を有するハイブリッド・マスク。」
　
（２）先行発明
　平成７年６月１６日に頒布された特開平７−１５２１４４号公報（以後、「先行文献１」という。）には、図８が示されるとともに、
　「【００１２】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明する。なお、ここでは露光装置として縮小率１／５，ＮＡ＝０．４５，σ＝０．３のｉ線（波長λ＝３６５ｎｍ）ステッパを用い、ポジ型レジストの塗布された半導体基板上に所謂ドックボーン形状のパターンを露光するものとする。」
　「【００２１】図８は本発明の第３実施例を示しており、前記第２実施例を改良したものである。図８（ａ）のように、この位相シフトマスクは、クロムの遮光パターン２ａ，２ｂ間に位相シフタ３Ａを形成し、その両側に異なるエッジ間隔でダミーパターン４Ｂａ，４Ｂｂ，４Ｂｃ，４Ｂｄを形成したものである。これらの位相シフタとダミーパターンはＳＯＧにより同時に形成するものであることは言うまでもない。そして、位相シフタ３Ａの図示右側のエッジに対して配置したダミーパターン４Ｂａ，４Ｂｂは、位相シフタ３Ａに対しては図４のエッジ間隔となるようにし、かつダミーパターン４Ｂａ，４Ｂｂ相互は図５のエッジ間隔となるように形成される。また、位相シフタ３Ａの図示左側のエッジに対して配置したダミーパターン４Ｂｃ，４Ｂｄは、位相シフタ３Ａに対するエッジ間隔とダミーパターン４Ｂｃ，４Ｂｄ相互のエッジ間隔がそれぞれ図５のエッジ間隔となるように形成される。
【００２２】したがって、この位相シフトマスクを用いて露光を行うと、図８（ｂ）のように、位相シフタ３Ａの右側エッジではダミーパターン４Ｂａ，４Ｂｂにより微細な幅の露光パターンとなる。また、位相シフタ３Ａの左側エッジではダミーパターン４Ｂｃ，４Ｂｄにより露光が防止される。これにより、図８（ｃ）のように、微細幅のレジストパターン５Ｂを形成することができる。この実施例では、不要シフタエッジを露光するための第２のマスクが不要となり、かつ工程も簡略化できる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、位相シフタのエッジの少なくとも一部にエッジに沿うように位相シフタの一部で形成されたダミーパターンを設けているので、このダミーパターンによって位相シフタのエッジの光強度を調整することが可能となり、不要なパターンの露光を防止し、或いは露光パターンの幅寸法を縮小することが可能となる。これにより、所要の露光パターンを得るための２回露光や第２位相シフタを有するマスクが不要となり、リソグラフィ工程の簡略化を図るとともに、パターン毎に幅寸法を自由に設定でき、パターン形成の自由度を高めることができる効果がある。ここで、ダミーパターンと位相シフタのエッジの間隔Ｐを得る式Ｐ＝ｋ・λ／ＮＡにおいて、ｋを０．６２から０．４９の範囲の実数に設定することで、位相シフタのエッジにより生じる不要パターンを露光しないようにすることができる。また、ダミーパターンと位相シフタのエッジの間隔Ｐを得る式Ｐ＝ｋ・λ／ＮＡにおいて、ｋを１．１から０．７の範囲の実数に設定することで、位相シフタのエッジにより露光されるパターンの幅寸法を縮小して微細パターンの露光を行うことができる。」
なる記載がある。
  この記載より、
（ａ）半導体基板上にパターンを露光する露光装置に使用するもの（【００１２】段落）
（ｂ）透明基板（１）上にクロムの遮光パターン（２ａ、２ｂ）部分を含む区域とＳＯＧで形成された位相シフタ（３Ａ）とダミーパターン（４Ｂａ、４Ｂｂ、４Ｂｃ、４Ｂｄ）を有する位相シフト部分を含む区域を有する位相シフトマスク（【００２１】段落および図８）
（ｃ）露光を行うと位相シフト部分により微細幅のパターン５Ｂを形成（【００２２】段落および図８）
（ｄ）２回露光や第２位相シフタを有するマスクが不要（【００２３】段落）
なる技術的事項を読みとることができるので、先行文献１には、
　「露光装置を使用して半導体基板上にパターンを露光するための位相シフトマスクであって、透明基板と、該基板上に形成される遮光パターン部分を含む第１の区域と、ＳＯＧで形成された位相シフト部分を含む第２の区域と、を有する位相シフトマスク。」
の発明（以下、「先行発明１」という。）が記載されている。
　
　また、「位相シフトフォトマスクの製造方法」の発明が記載された特開平７−４３８８５号公報（以下、「先行文献２」という。）には、
　「【０００５】このような位相シフトフォトマスクの１つとして、透過型位相シフトフォトマスク又はクロムレス位相シフトフォトマスクと呼ばれるものが提案されている。これは、透明基板上に隣接する２つの透明な領域を有し、両領域間の位相差が実質的に１８０°になる構成のものであり、半導体素子のライン、スペース、ドット等において解像度が上がり、焦点深度が広がることが示されている。このときの位相差を与える透明膜の膜厚をｄとし、露光波長をλ、その露光波長での屈折率をｎとすると、
ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝
の関係を満たすとき最も効果がある。
【０００６】このような透過型位相シフトフォトマスクの構造としては、図１に断面を示したような構造が提案されている。図中、１は石英基板、２は第１の透過部、３は第２の透過部を示す。このようなフォトマスクに露光光が入射すると、第１透過部２と第２透過部３を通過した光の間に１８０°の位相差が生じ、この２つの光が結像面上の両者の境界に対応する位置で干渉して、実質的に強度がゼロになり、解像限界以下のパターンが描画できるものである。
【０００７】このようなフォトマスクの製法を以下に示す。まず、石英基板上に電子線感光レジストを塗布する。このレジスト上にアルミニウムを蒸着により成膜する。次に、常法に従い電子線露光を行い、アルミニウム膜剥離後、現像、リンスすることによりレジストパターンを形成する。次に、このレジストパターンをマスクとして、ドライエッチングにより石英基板を深さｄがｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝を満たすようにエッチングする。次に、このレジストを剥離することにより、所望の透過型位相シフトフォトマスクが完成する。」
なる記載、および【図１】を参照すれば「石英基板上をドライエッチングして作成するクロムを含まない透過型位相シフトフォトマスク」（以下、「先行発明２」という。）が発明が記載されている。
　
（３）対比
　却下発明と先行発明１を対比・検討する。
　先行発明１における「露光装置」は却下発明における「リソグラフィ露光装置」に、以下同様に「半導体基板」は「ウェハ」に、「パターンを露光する」は「リソグラフィ・パターンを転写する」に、「透明基板」は「基板」に、「遮光パターン部分」は「非位相シフト部分」に、「遮光パターン部分」は「低透過率位相シフト部分および非位相シフト部分の少なくとも一方」にそれぞれ相当し、却下発明における「ハイブリッド・マスク」と先行発明１における「位相シフトマスク」は共に「マスク」である点で共通し、却下発明における「基板をエッチングすることによって形成されるクロムレス位相シフト部分」も先行発明１における「ＳＯＧで形成された位相シフト部分」も共に「位相シフト部分」である点で共通するので、両者は、
　「リソグラフィ露光装置を使用してウェハ上にリソグラフィ・パターンを露光するためのマスクであって、基板と、該基板上に形成される低透過率位相シフト部分および非位相シフト部分の少なくとも一方を含む第１の区域と、位相シフト部分を含む第２の区域と、を有するシフトマスク。」
で一致するが、以下の点で相違する。
［相違点１］
　却下発明では、第１の区域が「非クリティカル・フィーチャを形成するのに利用される」とされ、第２の区域が「クリティカル・フィーチャを形成するのに利用される」とされているのに対し、先行発明１ではそのような記載がない点
［相違点２］
　却下発明では、位相シフト部分は「基板をエッチングすることによって形成されるクロムレス位相シフト部分」であるのに対し、先行発明１では「ＳＯＧで形成され（透過光部分を厚くし）た位相シフト部分」である点
［相違点３］
　却下発明では、「ハイブリッド・マスク」であるのに、先行発明１では「位相シフトマスク」である点
　
（４）当審の判断
［相違点１］について
　「非クリティカル・フィーチャ」なる意味は、本願明細書【００１７】段落に「本発明の目的は、イメージすべき所望のデバイス（例えば集積回路）のクリティカルなフィーチャのみを強い位相シフト・マスク・パターンによって形成し、他の「クリティカルでない」フィーチャは弱い位相シフトまたは非位相シフト・クロム・マスク・パターンによって形成する「ハイブリッド」マスクを提供することである。」と記載されていることから、位相シフトによりパターンを転写するのでなく、位相シフトによらないクロム・マスク・パターンによって形成されるものと解することができる。
　とするならば、先行発明１における「遮光パターン部分」は位相シフト部分とは異なる「クロムの遮光パターン」（先行文献１の【００２１】段落）であって、位相シフト・マスク・パターンではないので、先行発明１における第１の区域も「非クリティカル・フィーチャを形成するのに利用される」ということができる。また同様に「クリティカル・フィーチャを形成するのに利用される」とは位相シフトによりパターンを転写することであるので、先行発明１における「位相シフト部分」を含む第２の区域も「クリティカル・フィーチャを形成するのに利用される」ということができ、相違点１として摘記した点は単なる表現上の相違であって、実質的な相違点ではない。
　
［相違点２］について
　「石英基板上をドライエッチングして作成するクロムを含まない透過型位相シフトフォトマスク」なる先行発明２が知られていることから、先行発明１における「位相シフト部分をＳＯＧで形成する」なる構成に替えて、先行発明２を適用して「基板をエッチングすることによって形成されるクロムレス位相シフト部分」とすることに何ら困難性はなく、当業者が容易に想到することができたものであるので、相違点２に係る却下発明の構成要件は格別のものではない。
　
［相違点３］について
　「ハイブリッド・マスク」の意味は、本願明細書【０００１】段落に「ただ１回の露光によって位相シフト・フィーチャと非位相シフト・フィーチャの両方を形成することを可能にするハイブリッド・マスク」なる記載があることから、位相シフトによる部分と位相シフトによらない部分の両方を備え、１回の露光によってパターン転写を行うマスクであると解することができる。
　一方、先行発明１は、相違点１の判断で示したように、遮光パターン部分と位相シフト部分を有し、先行文献１の【００２３】に記載のように、２回露光や第２位相シフタを有するマスクが不要であるという効果を有することから、先行発明１における位相シフトマスクは、却下発明における「ハイブリッド・マスク」と異なる点はなく、単なる呼称の相違に過ぎないので、相違点３は実質的な相違点ではない。
　以上、相違点１および３は、実質的な相違点ではなく、相違点２に係る却下発明の構成要件は格別のものではなく、それによる作用効果も格別のものではない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、却下発明は先行文献１および先行文献２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到することができたものであるので、仮に本件第２補正が特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものでないとしても、却下発明が独立特許要件を満たさないから、本件第２補正は、平成６年改正前特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
４．本願発明について
（１）本願発明
　本件第２補正は上記２．のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲は、本件第１補正により補正されたものとなる。
　そして、本件第１補正は、補正前の請求項２ないし１７を削除するものであるので、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とする補正に該当する。
  そこで、本件第１補正により残された請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）
　「リソグラフィ露光装置を使用して基板上にリソグラフィ・パターンを転写するためのハイブリッド・マスクであって、低透過率位相シフト部分および非位相シフト部分の少なくとも一方を含み、非クリティカル・フィーチャを形成するのに利用される第１の区域と、高透過率位相シフト部分を含み、クリティカル・フィーチャを形成するのに利用される第２の区域と、を有するハイブリッド・マスク。」
が特許されるべきものか否かを検討する。　
　
（２）引用例
  原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−２２３９３０号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、図面【図４】および【図５】が示されるとともに、
　「【００２０】本発明による半導体集積回路装置の製造方法は、上記透過型露光用位相シフトマスクを用いた半導体集積回路装置の製造方法であって、半導体基板上に複数のシェアードゲートトランジスタのゲート配線のための薄膜を堆積する工程と、前記薄膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記透過型露光用位相シフトマスクを用いて、前記ゲート配線のためのパターンを前記レジスト膜に転写する工程と、を包含する。」
　「【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明による透過型露光用位相シフトマスクの実施形態を説明する。図４は、本実施形態の位相シフトマスクの部分平面図である。図５は、その位相シフトマスクの拡大断面図である。この位相シフトマスクは、一の方向に沿って配列された複数のシェアードセンスアンプと、複数のシェアードセンスアンプの両側に配置された複数のシェアードゲートトランジスタとを備えた半導体集積回路装置を製造するために使用される。
【００２３】図４では、二つのセンスアンプの片側に位置する４つのシェアードゲートトランジスタＳ1〜Ｓ4が示されるとともに、わかりやすさのため、シェアードゲートトランジスタＳ1〜Ｓ4の活性領域１０１が模式的に示されている。この位相シフトマスクの不図示の領域には、シェアードゲートトランジスタのゲート配線パターン以外の配線パターン形成されていても良い。なお、活性領域１０１のためのパターンは、実際にこの位相シフトマスク上には形成されているわけではなく、他のレイヤー用のマスク（不図示）上に形成されている。
【００２４】本実施形態にかかる位相シフトマスクは、シェアードゲートトランジスタのためのゲート配線パターン１０２と、ゲート配線パターン１０２の両側に配置された幅０．０８μｍの補助パターン１０３とを備えている。ゲート配線パターン１０２は一の方向に沿って直線状に延びている領域と、その領域から垂直に突出するコンタクト用支線領域１０２ａとを有している。ゲート配線パターン１０２および補助パターン１０３は、図５に示されるように、透光性マスク基板（厚さ：例えば０．２５インチ）５０の上に形成されたクロム等からなる遮光層５１の開口部によって規定されている。マスク基板５０のうち補助パターン１０３が形成されている部分は、図５に示されているように、マスク基板５０の他の部分よりも薄く加工されている。その結果、補助パターン１０３は、補助パターン１０３を透過する露光用光の位相とゲート配線パターン１０２を透過する露光用光の位相とを実質的に逆位相にする「位相シフタ」として機能する。本実施形態の場合、位相差が１８０度になるように、補助パターン１０３を形成する部分の凹部深さを調整している。具体的には、マスク基板５０の厚さを０．２５インチとする一方、補助パターン１０３を形成する部分の凹部の深さを約２４４ｎｍとしている。補助パターン１０３を形成する部分を他の部分よりも薄くするかわりに、補助パターン１０３を形成すべき部分に「位相シフタ」として機能する透明薄膜を形成しても良い。重要な点は、ゲート配線パターン１０２と補助パターン１０３と間で光路差が生じ、ゲート配線パターン１０２を透過した光と補助パターン１０３を透過した光との間で干渉が生じる構造がマスクに与えられていることにある。」
なる記載がある。
　上記記載並びに図面【図４】および【図５】を参照すると、
（ａ）引用刊行物に記載された位相シフトマスクは透過型露光用位相シフトマスクであること（【００２２】段落）から、「透過型露光装置」で使用する位相シフトマスクであり、
（ｂ）補助パターン１０３は露光用光を透過する「位相シフタ」として作用することによりゲート配線パターン１０２とともに位相シフト部分を形成（【００２４】段落）しており、
（ｃ）コンタクト用支線領域１０２ａには補助パターンが存在せず、非位相シフト部分である（【００２３】段落および図面【図４】）、
ので引用刊行物には、
　「透過型露光装置に使用する半導体基板上に配線パターンを転写するための位相シフトマスクであって、非位相シフト部分であるコンタクト用支線領域１０２ａを含む第１の区域と、露光用光を透過する補助パターン１０３を有する位相シフト部分を含む第２の区域と、を有する位相シフトマスク。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（３）対比
　本願発明と引用発明とを比較する。
　引用発明における「透過型露光装置」は本願発明における「リソグラフィ露光装置」に、おなじく、「半導体基板」は「基板」に、「配線パターンを転写」は「リソグラフィ・パターンを転写する」に、「非位相シフト部分であるコンタクト用支線領域１０２ａ」は「低透過率位相シフト部分および非位相シフト部分の少なくとも一方」に、「補助パターン１０３を有する位相シフト部分」は「位相シフト部分」にそれぞれ相当し、また、引用発明における「位相シフトマスク」と本願発明における「ハイブリッド・マスク」は「マスク」である点で共通するので、本願発明と引用発明の両者は、
　「リソグラフィ露光装置に使用する基板上にリソグラフィ・パターンを転写するするためのマスクであって、低透過率位相シフト部分および非位相シフト部分の少なくとも一方を含む第１の区域と、位相シフト部分を含む第２の区域と、を有するマスク。」
で一致するが、以下の点で相違する。
［相違点Ａ］
　第２の区域に含まれる位相シフト部分が、本願発明では「高透過率」であるのに対し、引用発明では、「露光用光を透過」とされている点
［相違点Ｂ］
　本願発明では、第１の区域が「非クリティカル・フィーチャを形成するのに利用される」とされ、第２の区域が「クリティカル・フィーチャを形成するのに利用される」とされているのに対し、引用発明では、そのような記載がない点
［相違点Ｃ］
　本願発明では、「ハイブリッド・マスク」であるのに対し、引用発明では、「位相シフトマスク」である点
　
（４）当審の判断
　上記［相違点Ａ］ないし［相違点Ｃ］について検討する。
［相違点Ａ］について
　本願発明の「高透過率」は、本願出願当初の請求項５において「高透過率位相シフト・マスクが、少なくとも１０％透過率減衰位相シフト・マスク」と記載されていることから、１０〜１００％の透過率を有するものと解することができるが、引用発明における「透過する」がどの程度のものかは引用刊行物には記載がない。
　しかしながら、本願発明も、引用発明も、透過光は位相シフトを生じさせるためのものであるので、本願発明において「高透過率」と規定することは、それが、たとえ１０〜１００％を意味するとしても、感光材の感度等、他の構成との関係において当業者が適宜設定することができるものであるから、相違点Ａに係る本願発明の構成要件は格別のものではない。
　
［相違点Ｂ］について
　上記３．（４）の却下発明と先行発明１の比較における「［相違点１］について」で示したように、「非クリティカル・フィーチャを形成するのに利用される」とは位相シフトによらない露光を意味し、「クリティカル・フィーチャを形成するのに利用される」とは位相シフトを利用した露光を意味しているのであるから、引用発明における第１の区域と第２の区域はそれぞれ「非クリティカル・フィーチャを形成するのに利用される第１の区域」と「クリティカル・フィーチャを形成するのに利用される第２の区域」ということができ、相違点Ｂは単なる表現上の相違に基づくものであり、実質的な相違点ではない。
　
［相違点Ｃ］について
　同じく、上記３．（４）の「［相違点３］について」で示したように、「ハイブリッド・マスク」の意味は、位相シフトによる部分と位相シフトによらない部分の両方を備え、１回の露光によってパターン転写を行うマスクであると解することができる。
　とすると、引用発明においても「非位相シフト部分であるコンタクト用支線領域１０２ａ」と「露光用光を透過する補助パターン１０３を有する位相シフト部分」を有するので、引用刊行物に明示的な記載が無いとしても、引用発明の位相シフトマスクは、非位相シフト部分と位相シフト部分が混在して形成されたマスクであり１回の露光により非位相シフト部分と位相シフト部分の転写を行うものであることは引用刊行物全体から読みとることができるから、引用発明における「位相シフトマスク」は、本願発明における「ハイブリッド・マスク」ということができ、相違点Ｃは、実質的な相違点ではない。
　
　このように、［相違点Ｂ］及び［相違点Ｃ］は実質的な相違点ではなく、［相違点Ａ］に係る本願発明の構成要件は格別のものではなく、それによる作用効果も格別のものではないので、本願発明は、引用発明に基づき当業者が容易に発明することができたものである。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。