【事件の表示】
　特願２０１３−９１４４８「低再結合電気接点を含む太陽電池並びにそれを形成するシステム及び方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年２月１３日出願公開、特開２０１４−２９９８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 第１　手続の経緯
　本願は、平成２５年４月２４日（優先権主張２０１２年（平成２４年）４月２５日　米国（ＵＳ））を出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２８年１１月１７日付け：拒絶理由通知書
　平成２９年　２月２１日　　：意見書、手続補正書の提出
　平成２９年　６月１２日付け：拒絶理由通知書
　平成２９年　９月１９日　　：意見書、手続補正書の提出
　平成２９年１０月１９日付け：拒絶査定（同年同月２４日送達）
　平成３０年　２月２６日　　：審判請求書、手続補正書の提出
　平成３０年　４月　４日付け：前置報告書
　平成３０年　６月　５日　　：上申書の提出
第２　平成３０年２月２６日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成３０年２月２６日にされた手続補正についての補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。）
「前面１４と対向する背面１８を画定するセル本体２０であって、半導体材料から形成され、ベース層４８を含むセル本体２０と、
　セル本体の前面１４との電気的接続を形成する前面電気接点６０と、
　セル本体の背面１８との電気的接続を形成する背面電気接点８０と、
　少なくともセル本体２０と前面電気接点６０との間に配置される中間層１００であって、電気絶縁層１１０を含み、前記電気絶縁層１１０は堆積された電気絶縁層を含む中間層１００と
を備える太陽電池であって、
　前記太陽電池は、前記前面電気接点６０の一部を形成するエミッタ層４０
と電極
　前記ベース層４８は前記エミッタ層４０と前記セル本体２０の前記背面との間に配置され、
　前記
電極
（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の、平成２９年９月１９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである。
「前面１４と対向する背面１８を画定するセル本体２０であって、半導体材料から形成され、ベース層４８を含むセル本体２０と、
　セル本体の前面１４との電気的接続を形成する前面電気接点６０と、
　セル本体の背面１８との電気的接続を形成する背面電気接点８０と、
　少なくともセル本体２０と前面電気接点６０との間に配置される中間層１００であって、電気絶縁層１１０を含み、前記電気絶縁層１１０は堆積された電気絶縁層を含む中間層１００と
を備える太陽電池であって、
　前記太陽電池は、前記前面電気接点６０の一部を形成するエミッタ層４０をさらに含み、
　前記ベース層４８は前記エミッタ層４０と前記セル本体２０の前記背面との間に配置され、
　前記前面電気接点６０は、透光性を有する電極であり、インジウム・スズ酸化物、酸化亜鉛、酸化スズ又はセレン化亜鉛を含む材料によって形成される、太陽電池。」
２　補正の適否
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「前面電気接点６０」について、（太陽電池が）前面電気接点６０の一部を形成する「電極をさらに含み」、ここで、透光性を有する電極であり、インジウム・スズ酸化物、酸化亜鉛、酸化スズ又はセレン化亜鉛を含む材料によって形成されるものが「電極」であるとの限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。
（２）引用文献等の記載事項
ア　引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、米国特許出願公開第２０１１／０２７２０１２号明細書（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（下線は当審の付与したものである。以下同じ。）
ａ　「[0054] In operation 2B, 
a thin layer
dielectric material is deposited on the front and back surfaces of SG-Si substrate 200 to form the front and back passivation/tunneling layers 202 and 204, respectively.
[0055] In operation 2C, 
a layer of hydrogenerated, graded-doping a-Si is deposited on front passivation/tunneling layer 202 to form emitter layer 206.
[0056] In operation 2D, 
a layer of hydrogenerated, graded-doping a-Si is deposited on the surface of back passivation/tunneling layers 204 to form back surface field (BSF) layer 208.
[0057] In operation 2E, 
a layer of TCO material is deposited on the surface of emitter layer 206 to form a conductive anti-reflection layer 210. Examples of TCO include, but are not limited to: indium-tin-oxide (ITO), tin-oxide (SnOx), aluminum doped zinc-oxide (ZnO:Al or AZO), or gallium doped zinc-oxide (ZnO:Ga).
[0058] In operation 2F, 
back-side TCO layer 212 is formed on the surface of BSF layer 208.
[0059] In operation 2G, 
front-side electrode 214 and back-side electrode 216 are formed on the surfaces of TCO layers 210 and 212, respectively.
（当審仮訳：「［００５４］オペレーション２Ｂにおいて、高品質の（Ｄｉｔが１×１０１１／ｃｍ２）の
誘電体材料の簿層がＳＧ−Ｓｉ基板２００の前面及び背面に堆積され、前面及び背面パッシベーション／トンネリング層２０２及び２０４を形成する。
［００５５］オペレーション２Ｃにおいて、
水素化、傾斜ドープａ−Ｓｉの層が前面パッシベーション／トンネリング層２０２に堆積され、エミッター層２０２を形成する。
［００５６］オペレーション２Ｄにおいて、
水素化、傾斜ドープａ−Ｓｉの層が背面パッシベーション／トンネリング層２０４に堆積され、背面フィールド（ＢＳＦ）層２０８を形成する。
［００５７］オペレーション２Ｅにおいて、
ＴＣＯ材料の層がエミッター層２０６の表面に堆積され、導電性の反射防止層２１０を形成する。ＴＣＯの例には次のものが含まれるが、それらに限られるものではない：インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯｘ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ又はＡＺＯ）又はガリウムドープ酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｇａ）。
［００５８］オペレーション２Ｆにおいて、
背面ＴＣＯ層２１２がＢＳＦ層２０８の表面に形成される。
［００５９］オペレーション２Ｇにおいて、前面側電極２１４及び背面側電極２１６がＴＣＯ層２１０及び２１２の表面にそれぞれ形成される。一実施例において、前面側電極及び背面側電極はＡｇフィンガーグリッドを含む、・・・」）
ｂ　「[0060] FIG. 3 presents a diagram illustrating the process of fabricating a tunneling junction 
solar cell
[0063] In operation 3C, 
a layer of lightly doped c-Si is epitaxially grown on heavily doped c-Si EPI layer 302 to form a base layer 304.
[0064] After EPI growth of base layer 304, in operation 3D, SG-Si substrate 300 and heavily doped c-Si EPI layer 302 are removed. ...
[0066] The rest of the fabrication process is similar to the one shown in FIG. 2. In operation 3F, 
front and back passivation/tunneling layers 306 and 308 are formed using a process similar to operation 2B.
[0067] In operation 3G, 
emitter layer 310 and BSF layer 312 are formed using a process similar to the one used in operations 2C and 2D.
[0068] In operation 3H, 
front and back TCO layers 314 and 316 are formed using a process similar to the one used in operations 2E and 2F.
[0069] In operation 3I, 
front and back electrodes 318 and 320 are formed using a process similar to the one used in operation 2G.
（当審仮訳：「［００６０］図３に、本発明の実施例に沿ったトンネル接合
太陽電池
［００６３］オペレーション３Ｃにおいて、
低ドープｃ−Ｓｉが高ドープｃ−Ｓｉエピ層３０２にエピタキシャル成長され、ベース層３０４を形成する。
［００６４］ベース層３０４のエピ成長の後に、オペレーション３Ｄにおいて、ＳＧ−Ｓｉ基板３００及び高ドープｃ−Ｓｉエピ層３０２が取り除かれる。・・・
［００６６］その他の製造プロセスは図２に示されているものと同様である。オペレーション３Ｆにおいて、
前面及び背面パッシベーション／トンネリング層３０６及び３０８が、オペレーション２Ｂにおいて用いたものと同様のプロセスを用いて形成される。
［００６７］オペレーション３Ｇにおいて、
エミッタ層３１０及びＢＳＦ層３１２が、オペレーション２Ｃ及び２Ｄにおいて用いたものと同様のプロセスを用いて形成される。
［００６８］オペレーション３Ｈにおいて、
前面及び背面ＴＣＯ層３１４及び３１６が、オペレーション２Ｅ及び２Ｆにおいて用いたものと同様のプロセスを用いて形成される。
［００６９］オペレーション３Ｉにおいて、
前面及び背面電極３１８及び３２０が、オペレーション２Ｇにおいて用いたものと同様のプロセスを用いて形成される。
ｃ　引用文献１の図３において、
ベース層３０４は前面及び背面を有し、これらの前面及び背面は対向している
ｄ　上記ａの記載のとおり、「オペレーション２Ｂにおいて、高品質の（Ｄｉｔが１×１０１１／ｃｍ２）の誘電体材料の簿層がＳＧ−Ｓｉ基板２００の前面及び背面に堆積され、前面及び背面パッシベーション／トンネリング層２０２及び２０４を形成する」こと、及び、上記ｂの記載のとおり、「低ドープｃ−Ｓｉが高ドープｃ−Ｓｉエピ層３０２にエピタキシャル成長され、ベース層３０４を形成する」こと、「前面及び背面パッシベーション／トンネリング層３０６及び３０８が、オペレーション２Ｂにおいて用いたものと同様のプロセスを用いて形成される」ことから、
誘電体材料の簿層である、前面及び背面パッシベーション／トンネリング層３０６及び３０８が、低ドープｃ−Ｓｉの、ベース層３０４の前面及び背面に堆積されている
　同様に、上記ｂ及びａの記載から、
水素化、傾斜ドープａ−Ｓｉの、エミッタ層３１０及びＢＳＦ層３１２、前面及び背面パッシベーション／トンネリング層２０２に堆積されている
インジウム・スズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛の、前面及び背面ＴＣＯ層３１４及び３１６が、エミッタ層３１０及びＢＳＦ層３１２に堆積されている
　したがって、これらの記載及び図に示された事項から、引用文献１には以下の発明（以下「引用文献１発明」という。）が記載されていると認められる。
「前面と対向する背面を有する、低ドープｃ−Ｓｉの、ベース層３０４、
　ベース層３０４の前面及び背面に堆積された、誘電体材料の、前面パッシベーション／トンネリング層３０６及び背面パッシベーション／トンネリング層３０８、
　前面パッシベーション／トンネリング層３０６に堆積された、水素化、傾斜ドープａ−Ｓｉの、エミッタ層３１０、
　エミッタ層３１０に堆積された、インジウム・スズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛の、前面透明導電酸化物（ＴＣＯ）層３１８、
　背面パッシベーション／トンネリング層３０６に堆積された、水素化、傾斜ドープａ−Ｓｉの、背面フィールド（ＢＳＦ）層３１０、
　背面フィールド（ＢＳＦ）層３１０に堆積された、インジウム・スズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛の、背面透明導電酸化物（ＴＣＯ）層３１８、
　前面電極３１８及び背面電極３２０、
 を有する、太陽電池。」
 
イ　技術常識を示す文献
　原査定において示された、技術常識を示す文献である、特開２００６−１６４９６１号公報には、次の事項（以下「技術常識文献記載事項」という。）が記載されている。
　
「【０００２】
　従来、
ＩＴＯ膜やその他の透明電極膜
（３）本件補正発明と引用文献１発明の対比・判断
ア　本件補正発明と引用文献１発明を対比する。
（ア）引用文献１発明の「ベース層３０４」は、本件補正発明の「ベース層４８」に相当する。そして、引用文献１発明の「ベース層３０４」は、前面と対向する背面を有していることから、前面と背面を画定しており、半導体材料である低ドープｃ−Ｓｉから形成されているベース層３０４を含むから、本件補正発明の「前面１４と対向する背面１８を画定するセル本体２０であって、半導体材料から形成され、ベース層４８を含むセル本体２０」に相当する。
（イ）引用文献１発明の「エミッタ層３１０」は、本件補正発明の「エミッタ層４０」に相当する。そして、引用文献１発明のベース層３０４は、ベース層３０４の背面とエミッタ層の間に配置されているので、本件補正発明の「前記ベース層４８は前記エミッタ層４０と前記セル本体２０の前記背面との間に配置され」るという構成を備えている。
（ウ）引用文献１発明の「エミッタ層３１０」は、半導体材料からなるものであって、太陽電池を構成するため、ベース層３０４と電気的に接続されている。引用文献１発明の「前面透明導電酸化物（ＴＣＯ）層３１８」も、導電性の層であるため、エミッタ層３１０を介して、ベース層３０４と電気的に接続されている。したがって、これらは、本件補正発明の「セル本体の前面１４との電気的接続を形成する前面電気接点６０」に相当する。
（エ）引用文献１発明の「背面フィールド（ＢＳＦ）層３１０」は、半導体材料からなるものであって、ベース層３０４の背面に堆積されたものであるから、ベース層と電気的に接続されている。引用文献１発明の「背面透明導電酸化物（ＴＣＯ）層」も、導電性の層であるため、背面フィールド（ＢＳＦ）層３１０と電気的に接続されている。したがって、これらは、本件補正発明の「セル本体の背面１８との電気的接続を形成する背面電気接点８０」に相当する。
（オ）引用文献１発明の「誘電体材料」は、半導体材料や導電性の材料ではない、電気絶縁性の材料であることを意味し、このように電気絶縁性の材料から形成される、引用文献１発明の「前面パッシベーション／トンネリング層３０６」は、ベース層３０４の前面に堆積され、ベース層３０４とエミッタ層３１０の間に配置されているから、引用文献１発明の「前面パッシベーション／トンネリング層３０６」は、本件補正発明の「少なくともセル本体２０と前面電気接点６０との間に配置される中間層１００であって、電気絶縁層１１０を含み、前記電気絶縁層１１０は堆積された電気絶縁層を含む中間層１００」に相当する。
（カ）上記のとおり、引用文献１発明の「エミッタ層３１０」及び「前面透明導電酸化物（ＴＣＯ）層３１８」は、本件補正発明の「前面電気接点６０」に相当するが、引用文献１発明の「エミッタ層３１０」は、本件補正発明の「エミッタ層４０」に相当し、かつ、前面透明導電酸化物（ＴＣＯ）層３１８は、インジウム・スズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛という、透明すなわち透光性を有し、導電性を有する材料から形成されたものである。そして、技術常識文献記載事項のとおり、太陽電池における電極とは、正負の両極を電気的に接続して電流を流すため両極側に配置される導電性の部材を指すものであって、両極側に膜状すなわち層として形成された透明導電部材も電極といえることは技術常識であるから、引用文献１発明の「前面透明導電酸化物（ＴＣＯ）層３１８」は、本件補正発明の「前記前面電気接点６０の一部を形成」し、「透光性を有する電極であり、インジウム・スズ酸化物、酸化亜鉛、酸化スズ又はセレン化亜鉛を含む材料によって形成される」電極に相当する。
（キ）ここで、審判請求人（出願人）は、審判請求書及び上申書において、引用文献１発明の「前面電極３１８」が、本件補正発明の「電極」に相当するものであり、引用文献１発明の「前面透明導電酸化物（ＴＣＯ）層３１８」は本件補正発明の「電極」に相当しない旨の主張をしていることから、以下、この主張について検討する。
　確かに、引用文献１発明においては「前面電極３１８」が電極という用語によって示され、「前面透明導電酸化物（ＴＣＯ）層３１８」が透明導電酸化物層という用語によって示されていることから、用語のみを見れば、引用文献１発明においては「前面電極３１８」が本件補正発明の「電極」に近いともいえるが、上記（カ）のとおり、太陽電池における電極とは、正負の両極を電気的に接続して電流を流すため両極側に配置される導電性の部材を指すものであって、引用文献１発明の「前面電極３１８」のように両極側に最終的な集電のために前面又は背面の局所的な部分に厚い金属として形成されるもののみならず、両極側に膜状すなわち層として形成された透明導電部材も電極といえることは技術常識であるから、引用文献１の「前面透明導電酸化物（ＴＣＯ）層３１８」も太陽電池における電極であるといえるものである。
　さらに、引用文献１発明の「前面透明導電酸化物（ＴＣＯ）層３１８」が電極といえ、本件補正発明の「電極」に相当することは、次のａ及びｂからも明らかである。
ａ　当該前面透明導電酸化物（ＴＣＯ）層３１８が両極側に形成された導電性の部材であることのみならず、引用文献１の段落［００５５］及び［００５６］の上記記載から、引用文献１発明のエミッタ層２０６及び前面透明導電酸化物（ＴＣＯ）層３１８は層の全体としてオーミック接触すなわち電気を導通するように接触しているといえる。
ｂ　本願の図面及び例えば明細書の段落【００４９】の「光学的に透明な前面電極６８は、その上に入射する光に対して少なくとも部分的に透明であるため、光学的に透明な前面電極６８はセル本体２０の前面２４の大部分及び／又はすべてを占める」という記載、段落【００５０】の「前面電気接点６０は金属前面電極６４及び光学的に透明な前面電極６８を含みうる。前面電気接点６０が金属前面電極６４と光学的に透明な前面電極６８を共に含む場合には、光学的に透明な前面電極６８は電気的に分離された金属前面電極６４とセル本体２０との間に配置されてもよい。金属前面電極６４と光学的に透明な前面電極６８との組合せは、前面電気接点６０に接触し、近位にあり、及び／又は覆われている前面２４の比率を増やすことによって、セル本体２０の前面２４から前面電気接点６０までの可動キャリアの伝導を改善することができる。これは、金属前面電極６４を含むが光学的に透明な前面電極６８を含まない前面電気接点６０と比較して、金属前面電極６４に含まれる複数の金属線６６の間の間隔を増大させることができる。この間隔の増大は、入射する光の吸収に利用しうる前面２４の比率を増大させ、及び／又は金属前面電気接点６４による光の反射及び／又は吸収を減少させることができる」という記載等を考慮しても、本件補正発明の「前記前面電気接点６０の一部を形成」し、「透光性を有する電極であり、インジウム・スズ酸化物、酸化亜鉛、酸化スズ又はセレン化亜鉛を含む材料によって形成される」「電極」は、引用文献１発明の「前面透明導電酸化物（ＴＣＯ）層３１８」と同様に、他の金属電極とともに使われ得るものであって、太陽電池のセル本体の前面の大部分を覆うように形成された透明導電材料からなる層状の部材を当然含むものである。
　よって、審判請求人の上記主張は採用できず、本件補正発明と引用文献１発明を対比したとき、引用文献１発明は本件補正発明の構成要件を全て備え、両者は一致する。
イ　したがって、本件補正発明は、引用文献１発明であるから、特許法第２９条第１項３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成３０年２月２６日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１２に係る発明は、平成２９年９月１９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２［理由］１（２）に記載したとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１、３、７ないし１２に係る発明は、その優先権主張の日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができず、また、この出願の請求項１ないし１２に係る発明は、その優先権主張の日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１及び２に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
引用文献１：米国特許出願公開第２０１１／０２７２０１２号明細書
引用文献２：国際公開第２０１１／１４５７３１号
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１の記載事項は、上記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
４　対比・判断
　本願発明は、前記第２の［理由］２（３）で検討した本件補正発明から、「前面電気接点６０」について、前面電気接点６０が「電極をさらに含み」、透光性を有する電極であり、インジウム・スズ酸化物、酸化亜鉛、酸化スズ又はセレン化亜鉛を含む材料によって形成されるものが「電極」であるとの限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに上記限定事項を付加したものに相当する本件補正発明は、上記第２の［理由］２（３）に記載したとおり、引用文献１発明であるから、本願発明も、引用文献１発明である。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。