【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年5月24日(2010.5.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜電極アッセンブリを作るために利用可能な方法であって、
再使用可能であるのに十分な構造的安定性を有する非多孔性基体を提供し、該非多孔性基体は金属フィルムを備え、該金属フィルムは追加の構造的安定性を提供する別のフィルム材料に積層されており、
イオン伝達材料、導電材料、触媒及び溶媒を含むスラリーを形成し、
前記スラリーを前記非多孔性基体上に塗布し、
塗布された前記スラリーを乾燥して、デカルコマニアを形成し、
前記デカルコマニアを膜に結合させ、
前記基体が再使用可能であるように事実上損傷を受けない条件で、該基体を前記デカルコマニアから剥離させ、
前記スラリーを前記非多孔性基体に塗布し、塗布された前記スラリーを乾燥して第２のデカルコマニアを形成し、該第２のデカルコマニアを膜に結合させ、前記非多孔性基体を前記第２のデカルコマニアから剥離させることによって、前記非多孔性基体を再使用する、各工程を備える、方法。
【請求項２】
前記剥離工程の後に、前記非多孔性基体をクリーニングする工程を更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記クリーニング工程は、前記非多孔性基体に、イソプロパノール及び通常のプロパノール、エタノール、メタノール、水、並びに、それらの混合物からなるグループから選択された溶媒を塗布する工程を更に備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
２つのデカルコマニアが形成され、該デカルコマニアの各々は、前記イオン伝達材料のガラス転移温度以上で前記膜の対向する両面にホットプレスされることにより結合されている、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記乾燥工程は、前記スラリーを赤外線灯にさらす工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記塗布工程は、印刷プロセス及びスプレー塗布プロセスからなるグループから選択されたコーティングプロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記結合工程は、前記イオン伝達材料のガラス転移温度以上でホットプレスする工程を更に備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記導電材料は、炭素であり、前記触媒は、金属である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記イオン伝達材料は、パーフルオロスルホン系イオノマーである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
膜電極アッセンブリを作る方法であって、
再使用可能であるのに十分な構造的安定性を有する非多孔性基体のループを提供し、該非多孔性基体は金属フィルムを備え、該金属フィルムは追加の構造的安定性を提供する別のフィルム材料に積層されており、
イオン伝達材料、導電材料、触媒及び溶媒を含むスラリーを形成し、
前記スラリーを離散的な領域のパターンをなすように前記非多孔性基体上に塗布し、
前記スラリーを乾燥して、前記離散的な領域に対応する複数のデカルコマニアを前記非多孔性基体上に形成し、
前記デカルコマニアを複数の膜の両側に結合させて、複数の膜電極アッセンブリを形成し、
前記非多孔性基体のループから前記膜電極アッセンブリを剥離させ、
前記非多孔性基体をクリーニングし、
前記非多孔性基体のクリーニングされたループに前記スラリーを再塗布し、
再塗布された前記スラリーを乾燥して複数の第２のデカルコマニアを形成し、
前記複数の第２のデカルコマニアを第２の複数の膜の両側に結合させて、複数の第２の膜電極アッセンブリを形成し、
前記複数の第２の膜電極アッセンブリを前記非多孔性基体のループから剥離させる、各工程を備える、方法。
【請求項１１】
前記クリーニング工程は、前記非多孔性基体に、イソプロパノール及び通常のプロパノール、エタノール、メタノール、水、並びに、それらの混合物からなるグループから選択された溶媒を塗布する工程を更に備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記デカルコマニアを両側に結合させる工程は、同時に実行される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記非多孔性基体のループを連続的に移動させる工程を更に備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記塗布工程は、印刷プロセス及びスプレー塗布プロセスからなるグループから選択されたコーティングプロセスを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記結合工程は、前記イオン伝達材料のガラス転移温度以上でホットプレスする工程を更に備えている、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記導電材料は、炭素であり、前記触媒は、金属である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記イオン伝達材料は、パーフルオロスルホン系イオノマーである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
膜電極アッセンブリを作るために利用可能な方法であって、
再使用可能であるのに十分な構造的安定性を有する非多孔性基体を提供し、
イオン伝達材料、導電材料、触媒及び溶媒を含むスラリーを形成し、
前記スラリーを前記非多孔性基体上に塗布し、
塗布された前記スラリーを乾燥して、デカルコマニアを形成し、
前記デカルコマニアを膜に結合させ、
前記基体が再使用可能であるように事実上損傷を受けない条件で、該基体を前記デカルコマニアから剥離させる、各工程を備え、
前記非多孔性基体は金属フィルムを含み、該金属フィルムは、前記非多孔性基体の前記構造的安定性の少なくとも一部分を提供する別のフィルム材料に前記金属フィルムを積層することにより形成されている、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
図５のステップ１０６で示されるように、触媒層は、例えば、上昇した圧力の下、イオノマーのためのガラス転移温度以上でホットプレスすることにより、ポリマー電解質膜に結合される。この温度で、イオノマー（例えば、ナフィオン）は、流れ始め、圧力に起因して、形成された多孔性構造内に分散する。ガラス転移温度以上で処理することによって、電極と膜との間で良好な結合が形成される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
図７に参照されるように、本プロセスは、ＳＰＥ膜４６の一方の側に乾燥した触媒７０のアノード層を備えた金属基体７２と、ＳＰＥ膜４６の他方の膜に乾燥した触媒７０のカソード層４４を備えた金属基体７２と、を配置する。かくして、ホットプレス工程では、乾燥した触媒層４２、４４の両方をＳＰＥ膜４６に同時に塗布するのが好ましい。これは、典型的に、デカルコマニアと称されている。転写プロセスは、乾燥した触媒層７０、即ち電極フィルム４０を膜４６に印加する工程を含んでいるからである。代替例として、各々のデカルコマニアを、順次、膜４６に結合してもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
図５に戻って参照すると、基体７２は、ステップ１０８で指し示されるように、乾燥した触媒層４０、７０から剥離され、例えば図２に示されているように形成された膜電極アッセンブリ１２を残している。基体７２は、ホットプレスの後の任意の時刻で除去されることができる。基体７２は、基体７２を僅かに冷却することを可能にした後に単に引き離すだけで済む。基体７２は、電極４０、７０への比較的低い接着性を有するのが好ましい。その低い接着性は、電極４０、７０の膜４６への結合後に基体７２が電極４０、７０から剥離するということを確実にするためである。次に、形成された膜電極アッセンブリ１２が取り出され、そこで引き続く使用のため巻き上げられてもよく、又は、直ちに加工処理されて燃料電池スタック内に配置されてもよい。基体７２は、ステップ１１０で示されるように及び上述されたように溶媒を使用してクリーニングされるのが好ましい。基体７２は、ステップ１１２で示されるように、再利用のため提供され、触媒スラリーがステップ１０２で基体上に再びコートされる。本プロセスは、多数回に亘って繰り返すことができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
ＳＰＥ膜４６の巻物は、電極４２、４４を形成する乾燥インクを載せた支持体７２の間の中央に提供されている。ホットプレスステーション１２２は、電極４２、４４（図７に示されるように、基体７２上に配置され配列されている）をＳＰＥ膜４６の両側にホットプレスするため、一対の加熱ローラーを使用する。代替例として、加熱プレートを、ローラーの代わりに使用してもよい。電極４０，７０を載せた支持体７２は、電極４０、７０が支持体７２と膜４６との間にあるところで、膜４６に対してホットプレスされる。ホットプレス工程に続いて、支持体７２は、剥離ステーション１２４のところで膜４６から剥離される。この剥離工程は、基体を、膜４６の両側に乾燥電極フィルム７０を残しつつローラー１１６の回りに回動させることによりなされる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
代替例として、支持部材（図示せず）が提供され、該支持部材上でＳＰＥ膜４６が移動される。該支持部材は、基体７２と同じ材料から作られるのが好ましい。電極デカルコマニア４０、７０は、第１のホットプレス作業の間に、ＳＰＥ膜４６の一方側が、それに結合されたデカルコマニアを有し、ＳＰＥ膜４６の他方の側が、支持部材と、それに対し押圧するブランク基体７２とを有するように、基体７２上で間隔を隔てている。次に、ＳＰＥ膜４６は、デカルコマニアに結合された結果として、その支持部材から引き離され、基体７２へと移動する。他の基体７２からの第２の電極デカルコマニア４０、７０が、ＳＰＥ膜４６の反対側に接触して配置され、第２のホットプレス作業によりそれに結合される。次に、基体７２は、このプロセスにより形成された結果としての膜電極アッセンブリから剥ぎ取られ、クリーニングされて再使用されるため、コーティングステーション１１８へと戻る。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
非多孔性基体層７２から剥離される前の膜電極アッセンブリは、図７に示されるものと同様である。該アッセンブリは、各側に電極４０、７０を備えた電解質膜４６と、各電極４０、７０上に形成された支持材料７２と、を備える。多孔性支持層を備える膜電極アッセンブリがホットプレスされ、電極４０、７０と膜４６との間に強力な結合を形成する。基体材料７２は、燃料電池内での膜電極アッセンブリの使用前に除去される。本処置は、膜電極アッセンブリを作る際のアノード及びカソードの作成にも適用可能である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
上述された実施例に対し多数の他の変形をなすことができる。例えば、ＳＥＰ膜の各側が同じ基体の異なるデカルコマニアに対してホットプレスされる状態で、単一基板ループを使用してもよい。かくして、第１のデカルコマニアは、第２のデカルコマニアがＳＰＥ膜の反対側にホットプレスされる前に剥離されてもよい。
（例）
以下は、本願で説明されたプロセスに従って準備された膜電極アッセンブリの例である。触媒インクは、好ましくは、残りの重量％を占める炭素上に支持される重量にして約２０％から約８０％のＰｔ又はＰｔ合金を含む触媒から準備される。詳しくは、５０％のＰｔ及び５０％の炭素Ｃの触媒が、この例では使用されている。この場合には、ＸＣ―７２バルカン炭素（マサチューセッツ、ナティック、Ｅ−Ｔｅｋ社）上に支持された５０重量％のＰｔの１グラムが使用される。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
上述されたように完全に形成され乾燥されたデカルコマニアは、ポリマー電解質膜の各側に配置されている。触媒デカルコマニアは、ポリマー電解質膜に接触して配置され、ホイル基体が外側にさらされている。この例では、その形態は、膜電極アッセンブリのサイズに依存して、約４分から約８分に亘って、約２．７６ＭＰａ（４００ｐｓｉ）、１４５℃でホットプレスされる。大よそ等しいサイズのデカルコマニアを含む、この例の５０ｃｍ２の膜電極アッセンブリに関しては、ホットプレス作業は、約４分から約５分に亘っている。