(57)【要約】      （修正有）【課題】実施形態によれば、半導体発光素子の高密度実装が可能で、製造歩留りを向上できる発光装置を提供する。【解決手段】発光装置は、光を放射する第１の主面と、第２の主面に設けられた第１および第２のボンディングパッドと、を有する発光素子と、前記第１のボンディングパッドが接続された第１のランドパターン２１と、前記第２のボンディングパッドが接続された第２のランドパターン２３とを有する基板と、を備える。そして、前記第１のボンディングパッドと前記第２のボンディングパッドと、が並ぶ第１の方向における前記第１のボンディングパッドの幅は、前記第１のランドパターンの前記第１の方向における幅と同じであり、前記第１の方向に直交する第２の方向における前記第１のボンディングパッドの幅は、前記第２の方向における第１のランドパターンの幅よりも狭い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を放射する第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有し、前記第２の主面に設けられた第１のボンディングパッドと、前記第１のボンディングパッドから離間して前記第２の主面に設けられた第２のボンディングパッドと、を有する発光素子と、
前記第１のボンディングパッドが接続された第１のランドパターンと、前記第２のボンディングパッドが接続された第２のランドパターンと、を有する基板と、
を備え、
前記第１のボンディングパッドと前記第２のボンディングパッドと、が並ぶ第１の方向における前記第１のボンディングパッドの幅は、前記第１のランドパターンの前記第１の方向における幅と同じであり、
前記第２の主面内において前記第１の方向に直交する第２の方向における前記第１のボンディングパッドの幅は、前記第２の方向における第１のランドパターンの幅よりも狭く、
前記第２のランドパターンの面積は、前記第２のボンディングパッドの面積よりも広く、前記第１のランドパターンの面積と同じか、前記第１のランドパターンの面積よりも狭いことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第１の方向における前記第１のボンディングパッドと前記第２のボンディングパッドとの間隔は、前記第１の方向における前記第１のランドパターンと前記第２のランドパターンとの間隔と同じであることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２の方向における前記第１のランドパターンの幅は、前記第２の方向における前記発光素子の幅と同じか、それよりも狭いことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の発光装置。
【請求項４】
前記第２の方向における前記第２のランドパターンの幅は、前記第２の方向における前記発光素子の幅と同じか、それよりも狭いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１のボンディングパッドと前記第１のランドパターンとの間、および、前記第２のボンディングパッドと前記第１のランドパターンとの間は、ハンダにより接続されることを特徴とする請求項請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子を用いる発光装置は、照明、車載、アミューズメント等の多くの分野に使用される。そして、それぞれの用途に適合した小型、薄型、低コストの発光装置が求められている。
【０００３】
例えば、発光装置に搭載される発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）の多くは、パッケージの両側に接続端子を有しており、その端子をハンダ付けすることにより基板に実装される。そして、ＬＥＤの接続端子がハンダ付けされる基板側のランドパターンは、パッケージの外縁よりも大きいサイズに設けられる。このため、複数のＬＥＤを並べて実装する際に、これらのランドパターンが高密度の実装を阻害する要因となる場合がある。さらに、ランドパターンの形状に依存して、接続端子間のハンダ量のバランスが悪くなると、ＬＥＤが傾き実装不良となることがある。
【０００４】
そこで、複数の半導体発光素子の高密度実装が可能で、製造歩留りを向上できる発光装置が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３５２１０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
実施形態によれば、半導体発光素子の高密度実装が可能で、製造歩留りを向上できる発光装置が提供される。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係る発光装置は、光を放射する第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有し、前記第２の主面に設けられた第１のボンディングパッドと、前記第１のボンディングパッドから離間して前記第２の主面に設けられた第２のボンディングパッドと、を有する発光素子と、前記第１のボンディングパッドが接続された第１のランドパターンと、前記第２のボンディングパッドが接続された第２のランドパターンと、を有する基板と、を備える。そして、前記第１のボンディングパッドと前記第２のボンディングパッドと、が並ぶ第１の方向における前記第１のボンディングパッドの幅は、前記第１のランドパターンの前記第１の方向における幅と同じであり、前記第２の主面内において前記第１の方向に直交する第２の方向における前記第１のボンディングパッドの幅は、前記第２の方向における第１のランドパターンの幅よりも狭い。前記第２のランドパターンの面積は、前記第２のボンディングパッドの面積よりも広く、前記第１のランドパターンの面積と同じか、前記第１のランドパターンの面積よりも狭い。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視組み立て図である。
【図２】一実施形態に係る半導体発光素子を示す模式図である。
【図３】一実施形態に係る発光装置のランドパターンを示す模式図である。
【図４】第１の比較例に係るランドパターンを示す模式図である。
【図５】第２の比較例に係るランドパターンを示す模式図である。
【図６】第３の比較例に係るランドパターンを示す模式図である。
【図７】第４の比較例に係るランドパターンを示す模式図である。
【図８】一実施形態に係る半導体発光素子の実装例を示す写真である。
【図９】一実施形態に係る半導体発光素子の剥離強度を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。
【００１０】
図１は、実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す斜視組み立て図である。発光装置１００は、半導体発光素子１０と、それを実装した基板２０と、を備える。半導体発光素子１０は、例えば、樹脂封止されたＬＥＤであり、第１の主面である発光面１０ａと、その反対側の第２の主面である裏面１０ｂと、を有する。
【００１１】
図１に示すように、半導体発光素子１０は、発光面１０ａを上方に向け、裏面１０ｂの側を基板２０の表面に向けて実装される。基板２０の表面には、第１のランドパターン２１と、第２のランドパターン２３と、が設けられている。ランドパターン２１およびランドパターン２３には、それぞれ配線パターン２５および２７が接続され、例えば、半導体発光素子１０の駆動回路に接続される。
【００１２】
ランドパターン２１および２３は、半導体発光素子１０の裏面１０ｂに設けられたボンディングパッドに、例えば、ハンダを介して接続される。
【００１３】
図２は、実施形態に係る半導体発光素子１０を示す模式図である。図２（ａ）は、発光面１０ａの側から見た平面図である。図２（ｂ）は、発光面１０ａの短辺側の側面を示し、図２（ｃ）は、長辺側の側面を示している。図２（ｄ）は、発光面１０ａの反対側の裏面１０ｂを示している。
【００１４】
図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、半導体発光素子１０は、長さＬＤ、幅ＷＤ、高さＨＤの直方体の形状に加工された透明樹脂の中に、例えば、ＬＥＤチップ７を含み、発光面１０ａの側から光を放射する。さらに、ＬＥＤチップ７のカソード側に電気的に接続された金属フレーム３と、アノード側に電気的に接続された金属フレーム５を含む。図２（ｂ）および（ｃ）に示す側面には、金属フレーム３および５につながる吊りピン９の端面１３が露出する。
【００１５】
図２（ｄ）に示す半導体発光素子１０の裏面１０ｂには、樹脂面から露出した第１のボンディングパッド１５と、第２のボンディングパッド１７とが、離間して設けられる。ボンディングパッド１５の面積は、ボンディングパッド１７の面積よりも広い。
【００１６】
以下、図２（ｄ）に示すように、ボンディングパッド１５とボンディングパッド１７との間の間隔をＤＰとする。また、ボンディングパッド１５およびボンディングパッド１７の並び方向であるＸ方向におけるボンディングパッド１５の幅をＷＮとし、ボンディングパッド１７の幅をＷＰとする。さらに、裏面１０ｂ内においてＸ方向に垂直なＹ方向におけるボンディングパッド１５およびボンディングパッド１７の幅をＷＢとする。
【００１７】
例えば、ボンディングパッド１５は、ＬＥＤチップ７が搭載された金属フレーム３の裏面であり、ＬＥＤチップのカソードに電気的に接続される。一方、ボンディングパッド１７は、ＬＥＤチップ７のアノード側に電気的に接続された金属フレーム５の裏面である。例えば、金属フレーム５の表面側と、ＬＥＤチップ７のアノード電極と、の間が金属ワイヤ１１で接続される。
【００１８】
そして、例えば、ボンディングパッド１５とランドパターン２１とを接続し、ボンディングパッド１７とランドパターン２３とを接続して、半導体発光素子１０を基板２０の上に実装する（図１参照）。これにより、ランドパターン２１および２３につながった配線パターン２５および２７を介して駆動電流を供給し、ＬＥＤチップ７を発光させることができる。
【００１９】
図３は、発光装置１００のランドパターン２１および２３を示す模式図である。図３（ａ）は、ランドパターン２１および２３の形状を示す。図３（ｂ）は、ランドパターン２１および２３の上に、半導体発光素子１０を重ねた状態を示しており、同図中に示す破線は、半導体発光素子１０の外縁を示す。
【００２０】
図３（ａ）に示すように、ランドパターン２１およびランドパターン２３は、それぞれ四角形に設けられる。以下の説明では、ランドパターン２１とランドパターン２３との間隔をＤＬとし、Ｘ方向におけるランドパターン２１の幅をＬＮ、ランドパターン２３の幅をＬＰとする。また、ランドパターン２１および２３のＹ方向の幅は、共にＷＬである。
【００２１】
図３（ｂ）に示すように、面積が広い方のボンディングパッド１５のＸ方向における幅ＷＮと、それに接続されるランドパターン２１の幅ＬＮと、を同じサイズに設ける。そして、Ｙ方向におけるボンディングパッド１５の幅ＷＢが、ランドパターン２１の幅ＷＬよりも狭くなるようにする。さらに、ランドパターン２１の幅ＷＬは、半導体発光素子１０の幅ＷＤと同じか、もしくは、ＷＤよりも狭くする。
【００２２】
ここで、同じサイズとは、厳密に同じ場合だけでなく、例えば、加工精度に起因した寸法差がある場合も含める。
【００２３】
これに対し、面積が狭い方のボンディングパッド１７に接続されるランドパターン２３の場合、半導体発光素子１０と基板２０との間の接着強度を確保する観点から、少なくとも、ボンディングパッド１７の面積よりも広くすることが好ましい。さらに、例えば、ハンダを用いて半導体発光素子１０を基板２０に実装する場合、ランドパターン２１とランドパターン２３との面積を同じとし、それぞれの上に載せるハンダ量をバランスさせることが好ましい。
【００２４】
一方、複数の半導体発光素子１０を基板２０の上に並べて実装する場合、ランドパターン２１および２３の面積が狭い程、隣り合う半導体発光素子１０の間隔を狭くすることができる。すなわち、複数の半導体発光素子１０を高密度に実装するためには、ランドパターン２１および２３の面積を狭くすることが望ましい。
【００２５】
図３（ｂ）に示す例では、ランドパターン２１は、半導体発光素子１０の外縁の内側に収まるサイズに設けられる。これに対し、ランドパターン２３では、半導体発光素子１０の外縁をＸ方向にはみ出した部分２３ａがある。半導体発光素子１０の実装密度を高くするためには、このはみ出し部２３ａを狭くすることが望ましい。したがって、はみ出し部２３ａが広くなり過ぎないように、ランドパターン２３の面積は、ランドパターン２１の面積に等しいか、それよりも狭く設けることが好ましい。
【００２６】
例えば、ボンディングパッド１７の面積が、ボンディングパッド１５の面積と同じ場合には、ランドパターン２１と２３の面積を等しく設ける。そして、ボンディングパッド１７の面積が、ボンディングパッド１５の面積よりも狭い場合には、ランドパターン２３の面積は、ボンディングパッド１７の面積よりも広く、且つ、ランドパターン２１の面積に等しいか、それよりも狭く設ける。これにより、半導体発光素子１０の高密度実装が可能となる。
【００２７】
さらに、ランドパターン２３のＹ方向における幅を、半導体発光素子１０のＹ方向における幅ＷＤと同じ、もしくは、それよりも狭くする。これにより、複数の半導体発光素子１０をＹ方向に並べる場合の間隔を、ランドパターン２１および２３のサイズに左右されない限界まで狭くすることが可能となる。
【００２８】
このような実装の高密度化に関する効果は、複数の半導体発光素子１０を並べる場合に限らず、半導体発光素子１０と他のデバイスとを並べて実装する場合にも、同様に発揮される。
【００２９】
次に、実施形態における半導体発光素子１０を基板２０に実装した場合の歩留りおよび密着強度について説明する。図４〜図７は、比較例に係るランドパターンの形状を示す模式図である。
【００３０】
図４は、第１の比較例に係るランドパターン３１および３３を示す模式図である。図４（ａ）に示すように、ランドパターン３１および３３は、共に四角形であり、その間隔ＤＬ１は、ランドパターン２１および２３の間隔ＤＬと同じである。
【００３１】
図４（ｂ）に示すように、ランドパターン３１のＸ方向の幅ＬＮ１は、ボンディングパッド１５のＸ方向の幅ＷＮよりも広く設けられている。ランドパターン３１のＹ方向の幅ＷＬ１は、半導体発光素子１０のＹ方向の幅ＷＤと同じである。一方、ランドパターン３３のＸ方向の幅ＬＰ１も、ボンディングパッド１７のＸ方向の幅ＷＮよりも広く設けられる。Ｙ方向の幅ＷＬ１は、半導体発光素子１０のＹ方向の幅ＷＤと同じである。
【００３２】
第１の比較例では、ボンディングパッド１５に接続されるランドパターン３１のＸ方向の幅がボンディングパッド１５の幅よりも広い点で、実施形態と相違する。
【００３３】
図５は、第２の比較例に係るランドパターン４１および４３を示す模式図である。図５（ａ）に示すように、ランドパターン４１および４３では、双方が向き合う辺の両端に、それぞれＸ方向の幅がΔＬＮおよびΔＬＰである切り欠きが設けられている点で、第１の比較例と相違する。ランドパターン４１および４３の間の間隔ＤＬ２は、ランドパターン２１および２３の間隔ＤＬと同じである。
【００３４】
図５（ｂ）に示すように、切り欠きが設けられた辺の長さＷＬ５は、Ｙ方向におけるボンディングパッド１５の幅ＷＢよりも広く、半導体発光素子１０の幅ＷＤよりも狭い。すなわち、第２の比較例も、ボンディングパッド１５に接続されるランドパターン４１のＸ方向の幅がボンディングパッド１５の幅よりも広い点で、実施形態と相違する。
【００３５】
図６は、第３の比較例に係るランドパターン５１および５３を示す模式図である。図６（ａ）に示すランドパターン５１および５３の間隔ＤＬ３は、ランドパターン２１および２３の間隔ＤＬと同じである。
【００３６】
図６（ｂ）に示すように、ランドパターン５１のＸ方向の幅ＬＮ３は、ボンディングパッド１５のＸ方向の幅ＷＮと同じであり、Ｙ方向の幅ＷＬ３も、ボンディングパッド１５のＹ方向の幅ＷＢと同じである。一方、ランドパターン５３のＸ方向の幅ＬＰ３は、ボンディングパッド１７のＸ方向の幅ＷＮよりも広く設けられる。Ｙ方向の幅ＷＬ３は、ボンディングパッド１５のＹ方向の幅ＷＢと同じである。
【００３７】
第３の比較例では、ボンディングパッド１５に接続されるランドパターン５１のサイズがボンディングパッド１５と同じであり、ランドパターン５３のＹ方向の幅ＷＬ３がボンディングパッド１７のＹ方向の幅ＷＢと同じである点で、実施形態と相違する。
【００３８】
図７は、第４の比較例に係るランドパターン６１および６３を示す模式図である。図７（ａ）に示すランドパターン６１および６３の間隔ＤＬ４は、ランドパターン２１および２３の間隔ＤＬと同じである。
【００３９】
図７（ｂ）に示すように、ランドパターン６１のＸ方向の幅ＬＮ４は、ボンディングパッド１５のＸ方向の幅ＷＮよりも広く、Ｙ方向の幅ＷＬ４は、ボンディングパッド１５のＹ方向の幅ＷＢと同じである。一方、ランドパターン６３のＸ方向の幅ＬＰ４は、ボンディングパッド１７のＸ方向の幅ＷＮよりも広く設けられる。Ｙ方向の幅ＷＬ４は、ボンディングパッド１５のＹ方向の幅ＷＢと同じである。
【００４０】
第４の比較例では、ボンディングパッド１５に接続されるランドパターン６１のＸ方向の幅ＬＮ４がボンディングパッド１５の幅ＷＮよりも広く設けられ、ランドパターン５３のＹ方向の幅がボンディングパッド１７と同じである点で、実施形態と相違する。
【００４１】
表１は、第１〜第４の比較例および実施形態に係るランドパターンを有する基板に半導体発光素子１０を実装した場合の不良率を示している。Ａ〜Ｄは、順に第１〜第４の比較例に係るランドパターンを有する基板の実験結果であり、Ｅは、本実施形態に係る基板２０を用いた実験結果である。
【００４２】
【表１】
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【００４３】
実験に用いた半導体発光素子１０およびランドパターンのサイズは以下の通りである。
ＬＤ＝１．６ｍｍ、  ＷＤ（＝ＷＬ＝ＷＬ1＝ＷＬ２）＝０．８ｍｍ、  ＷＮ（＝ＬＮ＝ＬＮ３）＝０.８ｍｍ、  ＷＰ＝０.３ｍｍ、  ＤＰ（＝ＤＬ＝ＤＬ1〜ＤＬ４）＝０.３ｍｍ、  ＷＢ（＝ＷＬ３＝ＷＬ４）＝０．６ｍｍ
【００４４】
表１に示すメタルマスク厚は、クリームハンダをランドパターン上にスクリーン印刷する際に用いるマスクの厚さであり、クレームハンダの厚さを意味する。また、メタルマスクの開口率は、ランドパターンの全面積に対するハンダ塗布領域の割合を示す。すなわち、メタルマスクが厚く、開口率が高いほど、ランドパターン上に載せられるハンダ量が多くなる。
【００４５】
表１に示すように、第１〜第４の比較例に係るランドパターンが設けられた基板では、メタルマスクの厚さが１５０μｍ、開口率１００％の場合に不良が発生する。すなわち、ランドパターンに載せるハンダ量が多くなると実装不良が発生する。
【００４６】
図８は、実装不良となった半導体発光素子１０の例示する写真である。不良モードとしては、図８（ａ）に示すように、ランドパターンの並び方向（Ｘ方向）に対してズレ角θを持って実装されたものがある。また、図８（ｂ）に示すように、ズレ角θは０であるが、半導体発光素子１０の長辺側にボール状のハンダが突出したものがある。
【００４７】
第１および第２の比較例に係るランドパターンでは、図８（ａ）に示す角度ズレの不良が多い。一方、第３および第４の比較例に係るランドパターンでは、図８（ｂ）に示すハンダの突出部Ｐによる不良が多い。
【００４８】
面積が広い方のボンディングパッド１５が接続されるランドパターンに着目すると、第３の比較例に係るランドパターン５１は、ボンディングパッド１５と同じサイズであり、第４の比較例に係るランドパターン６１では、Ｙ方向における幅ＷＬ４がボンディングパッド１５の幅ＷＢと同じである。
【００４９】
このため、例えば、クリームハンダが溶融し液状となった場合に、ボンディングパッド１５とランドパターン５１との間では、Ｘ方向およびＹ方向に沿った双方の辺を一致させるように表面張力が働く。また、ボンディングパッド１５とランドパターン６１との間では、Ｘ方向に沿った双方の辺を一致させるように表面張力が働く。これにより、半導体発光素子１０の角度ズレが抑制される。
【００５０】
これに対し、第１および第２の比較例に係るランドパターン３１および４１では、Ｘ方向、Ｙ方向のいずれにおいても、ボンディングパッド１５の幅と、ランドパターン３１および４１の幅と、が異なるため、それぞれの辺の方向を一致させようとする表面張力が弱い。結果として、図８（ａ）に示す半導体発光素子１０の角度ズレによる実装不良が発生し易くなるものと考えられる。
【００５１】
一方、第３および第４の比較例に係るランドパターン５１および６１では、角度ズレによる実装不良は抑制されるが、図８（ｂ）に示すハンダの突出部Ｐが発生し易いという問題がある。すなわち、ランドパターン５１および６１の幅が、ボンディングパッド１５のサイズに狭められることからハンダの逃げ場が無くなり、ボール状の突出部Ｐが生じ易くなる。
【００５２】
このように、第１〜第４の比較例に係るランドパターンでは、ハンダ量が増えると実装不良が発生する。これに対し、表１のＥに示す実施形態に係るランドパターンでは、実装不良の発生は見られない。すなわち、実施形態に係るランドパターン２１では、Ｘ方向の幅をボンディングパッド１５と同じサイズとして角度ズレを抑制する。そして、Ｙ方向の幅をボンディングパッド１５よりも広くすることにより、ハンダの逃げ場を設け突出部Ｐの発生を抑えることができる。
【００５３】
第４の比較例に係るランドパターン６１においても、Ｙ方向の幅ＷＬ４をボンディングパッド１５の幅ＷＢと同じに設け、Ｘ方向の幅ＬＮ４をボンディングパッド１５よりも広げている。したがって、実施形態と同様に実装不良が抑制されても良いように思われる。しかしながら、第４の比較例に係るランドパターン６１では、Ｘ方向においてランドパターン６３と向き合う辺がボンディングパッド１５の辺と一致する。このため、ランドパターン６３に向かう方向へのハンダの拡がりが表面張力により抑制される。したがって、ハンダの逃げ場は、ランドパターン６３とは反対側の方向のみとなり、Ｙ方向におけるハンダの突出部Ｐが発生し易くなるものと考えられる。
【００５４】
さらに、表１に示す実験結果では、このようなハンダ量の増加に伴う実装不良の他に、ハンダ量が少ない場合にも実装不良が発生することがわかる。すなわち、第４の比較例において、メタルマスクの厚さを１２０μｍとし、開口率を５０％とした場合に不良が発生している。これは、次に示す半導体発光素子１０の接着強度に起因するものと考えられる。
【００５５】
図９は、半導体発光素子の接着強度（剥離強度）を示すグラフである。横軸にメタルマスクの開口率、縦軸に半導体発光素子１０の剥離強度を示している。図９のＡ〜Ｅに示すそれぞれのグラフは、順に第１〜第４の比較例、および、本実施形態のそれぞれに係るランドパターンの実験結果を示している。
【００５６】
図９では、第３の比較例（Ｃ）および第４の比較例（Ｄ）に係るランドパターンおいて、他のランドパターンよりも剥離強度が低いことがわかる。また、Ａ〜Ｅの全体に共通して、開口率が高くなると剥離強度が低下する傾向が見られる。
【００５７】
ハンダの逃げ場の少ない第３および第４の比較例に係るランドパターンの剥離強度が低いこと、および、ハンダ量が増えると剥離強度が低下する傾向があることを考え合わせると、第３および第４の比較例に係るランドパターンでは、ボンディングパッドとハンダの馴染みが悪く剥離強度度が低くなるものと考えられる。
【００５８】
これに対し、図９のグラフＥに示すように、実施形態に係るランドパターンでは、第１の比較例（Ａ）および第２の比較例（Ｂ）に係るランドパターンと同じ程度の剥離強度が維持されている。すなわち、本実施形態に係るランドパターン２１では、Ｘ方向の幅ＬＮを、ボンディングパッド１５の幅ＷＮと同じサイズに狭めて形成するが、Ｙ方向の幅ＷＬがボンディングパッドの幅ＷＢよりも広く、両側にハンダの逃げ場がある。このため、ボンディングパッド１５とハンダの馴染みが良くなり、剥離強度が向上するものと考えられる。
【００５９】
上記の通り、実施形態に係る発光装置では、半導体発光素子の実装時における角度ズレを抑制し剥離強度を向上させることにより、実装不良を低減し製造歩留まりを向上させることができる。そして、半導体発光素子の高密度実装を実現することも可能である。
【００６０】
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６１】
３、５・・・金属フレーム、  ７・・・ＬＥＤチップ、  ９・・・吊りピン、  １０・・・半導体発光素子、  １０ａ・・・発光面、  １０ｂ・・・裏面、  １１・・・金属ワイヤ、  １５、１７・・・ボンディングパッド、  ２０・・・基板、  ２１、２３、３１、３３、４１、４３、５１、５３、６１，６３・・・ランドパターン、  ２３ａ・・・はみ出し部、  ２５、２７・・・配線パターン、  １００・・・発光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図８】
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