【事件の表示】
　特願２０１４−２５７０４６「フェムト秒レーザ及びプラズマエッチングを用いたウェハダイシング」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　６月１１日出願公開、特開２０１５−１０９４５０、請求項の数（１５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１１年（平成２３年）６月２０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１１年６月１５日，２０１０年６月２２日，米国）を国際出願日とする出願である特願２０１３−５１６６５８号の一部を平成２６年１２月１９日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２８年　３月２９日付け　拒絶理由通知書
　平成２８年　９月２９日　　　意見書・手続補正書の提出
　平成２９年　１月１８日付け　拒絶査定
　平成２９年　５月　９日　　　審判請求書の提出
　平成３０年　６月２８日付け　拒絶理由通知書
　平成３１年　１月　１日　　　意見書・手続補正書の提出　
第２　原査定の概要
　原査定（平成２９年１月１８日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　この出願の請求項１ないし７に係る発明は，以下の引用文献１に記載された発明に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　＜引用文献等一覧＞
引用文献１　米国特許出願公開第２０１０／０１２９９８４号明細書
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由（平成３０年６月２８日付け拒絶理由）の概要は次のとおりである。
　この出願の請求項１ないし１５に係る発明は，以下の引用文献２ないし７に記載された発明に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　＜引用文献等一覧＞
引用文献２　特開２００８−１９３０３４号公報
引用文献３　特表２００７−５３３１３９号公報
引用文献４　特表２０１１−５１７３６８号公報
引用文献５　国際公開第２０１０／０８０９８３号
引用文献６　特開２０１０−１６５９６３号公報
引用文献７　特表２０１１−５１７６２２号公報
第４　本願発明
　本願請求項１ないし１５に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１５」という。）は，平成３１年１月１日提出の手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１ないし１５は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングするシステムにおいて、
　アーム又はブレードを備えるロボットを含むファクトリインタフェースと、
　前記ファクトリインタフェースに連結されたレーザスクライブ装置と、
　ロードロックにより前記ファクトリインタフェースに連結され、プラズマエッチングチャンバと、前記プラズマエッチングチャンバに連結された搬送チャンバを備えるクラスタツールを備え、
　前記レーザスクライブ装置は前記クラスタツールに含まれず、半導体ウェハは前記レーザスクライブ装置から前記ファクトリインタフェースの前記ロボットに搬送され、前記ファクトリインタフェースの前記ロボットから、前記クラスタツールの前記ロードロックを介して、前記クラスタツールの前記搬送チャンバに搬送され、前記クラスタツールの前記搬送チャンバから前記プラズマエッチングチャンバに搬送されるシステム。
　　【請求項２】
　前記レーザスクライブ装置が、半導体ウェハの集積回路間のストリートのレーザアブレーションを実行するように構成され、前記プラズマエッチングチャンバが、前記レーザアブレーションの後に、前記半導体ウェハをエッチングして、前記集積回路を個片化するように構成された請求項１記載のシステム。
　　【請求項３】
　前記クラスタツールが、前記半導体ウェハの前記集積回路上にマスク層を形成するように構成された成膜チャンバを含む請求項２記載のシステム。
　　【請求項４】
　前記クラスタツールが、前記レーザアブレーション又は前記エッチングの後に前記半導体ウェハを洗浄するように構成されたウェット／ドライステーションを含む請求項２記載のシステム。
　　【請求項５】
　前記フェムト秒ベースのレーザの波長が約５４０ナノメートル以下であり、レーザパルス幅が約４００フェムト秒以下である請求項１記載のシステム。
　　【請求項６】
　プラズマエッチングチャンバは高密度プラズマを生成するように構成される請求項１記載のシステム。
　　【請求項７】
　成膜チャンバはポリマ層を堆積するように構成される請求項３記載のシステム。
　　【請求項８】
　計量ステーションを含む、請求項１記載のシステム。
　　【請求項９】
　システムの全体的設置面積は、約３５００ｍｍ×３８００ｍｍである、請求項１記載のシステム。
　　【請求項１０】
　レーザスクライブ装置は、フェムト秒ベースのレーザを含む、請求項１記載のシステム。
　　【請求項１１】
　複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングするためのシステムであって、
　アーム又はブレードを備えるロボットを含むファクトリインタフェースと、
　前記ファクトリインタフェースに結合され、フェムト秒ベースのレーザを含むレーザスクライブ装置であって、半導体ウェハの集積回路間のストリートのレーザアブレーションを実行するように構成されるレーザスクライブ装置と、
　ロードロックにより前記ファクトリインタフェースに結合されたクラスタツールであって、
　　レーザアブレーションに続いて集積回路を個片化するために半導体ウェハをエッチングするように構成されたプラズマエッチングチャンバと、
　　前記プラズマエッチングチャンバに連結された搬送チャンバと、
　　前記半導体ウェハの集積回路の上方にマスク層を形成するように構成された成膜チャンバと、
　　レーザアブレーション又はエッチングに続いて、前記半導体ウェハを洗浄するように構成されたウェット／ドライステーションとを含むクラスタツールとを含み、
　前記レーザスクライブ装置は、前記クラスタツールに含まれておらず、
　システムの全体的設置面積は、約３５００ｍｍ×３８００ｍｍであり、
　前記半導体ウェハは前記レーザスクライブ装置から前記ファクトリインタフェースの前記ロボットに搬送され、前記ファクトリインタフェースの前記ロボットから、前記クラスタツールの前記ロードロックを介して、前記クラスタツールの前記搬送チャンバに搬送され、前記クラスタツールの前記搬送チャンバから前記プラズマエッチングチャンバに搬送されるシステム。
　　【請求項１２】
　フェムト秒ベースのレーザは、約５４０ナノメートル以下の波長と、約４００フェムト秒以下のレーザパルス幅を有する、請求項１１記載のシステム。
　　【請求項１３】
　プラズマエッチングチャンバは、高密度プラズマを生成するように構成される、請求項１１記載のシステム。
　　【請求項１４】
　成膜チャンバは、ポリマ層を堆積させるように構成される、請求項１１記載のシステム。
　　【請求項１５】
　計量ステーションを含む、請求項１１記載のシステム。」
第５　引用文献，引用発明等
１　引用文献１記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は，当審で付与した。以下，同じ。）
「[0002] 1. Field of the Invention
[0003] The present invention relates to a field of semiconductor fabrication and, more specifically, 
to an apparatus for and method of singulating a wafer
（当審訳：［０００２］　１．発明の分野
［０００３］　本発明は，半導体製造の分野に関し，より具体的には，大量生産において，
ウェハを個片化するための装置および方法
「[0018] In an embodiment of the present invention, the substrate 300 includes a hermetic passivation layer, such as silicon nitride or polyimide.」
（当審訳：［００１８］　本発明の一実施形態では，基板300は，気密パッシベーション層は，窒化シリコンまたはポリイミド等を含む。）
「[0033] 
In an embodiment of the present invention, wafer dicing removes bulk material, such as Silicon, from the remaining thickness of the substrate 300 by a process of ablation.
[0034] Wafer dicing is also known as wafer singulation. 
In an embodiment of the present invention, wafer dicing removes bulk material, such as Silicon, from the remaining thickness of the substrate 300 by a process of laser-assisted chemical etching.
（当審訳：［００３３］　
本発明の一実施形態において，ウェハダイシングは，アブレーションのプロセスによって，基板300の残りの厚さから，シリコンなどのバルク材料を除去する。
［００３４］　ウェハダイシングは，ウェハの個片化として知られている。
本発明の一実施形態において，ウェハダイシングは，レーザアシスト化学エッチングのプロセスによって，基板300の残りの厚さから，シリコンなどのバルク材料を除去する。
「[0045] Next, a singulation apparatus 10 according to the present invention that performs laser scribing and laser-assisted chemical etching will be described. 
In an embodiment of the present invention as shown in FIG. 1, a substrate transport mechanism 430 transfers the mounted substrate 300 and tape frame from a cartridge, cassette, or magazine in and out of the singulation apparatus 10.
（当審訳：［００４５］　次に、レーザスクライブ及びレーザアシスト化学エッチングを行う本発明の個片化装置10について説明する。
図1に示すように、本発明の一実施形態では、基板搬送機構430は、実装基板300とテープフレームをカートリッジ、カセットまたはマガジンから個片化装置10へ転送する。
「[0057] In an embodiment of the present invention, 
the singulation apparatus 10 includes at least one process chamber 1010 inside the enclosure 1000. During operation, the process chamber 1010 is sealed off from an environment surrounding the enclosure 1000.
（当審訳：［００５７］　本発明の一実施形態では、
個片化装置10は、少なくとも1つのプロセスチャンバ1010が筐体1000に内設される。動作中、プロセスチャンバ1010は、筐体1000により周囲の環境から密封されている。
「[0096] In an embodiment of the present invention, the laser beam 200 is from an excimer laser. 
In an embodiment of the present invention, the laser beam 200 has a wavelength of 351 nm (XeF). In an embodiment of the present invention, the laser beam 200 has a wavelength of 308 nm (XeCl). In an embodiment of the present invention, the laser beam 200 has a wavelength of 248 nm (KrF). In an embodiment of the present invention, the laser beam 200 has a wavelength of 193 nm (ArF). In an embodiment of the present invention, the laser beam 200 has a wavelength of 157 nm (F
2
).
（当審訳：［００９６］　本発明の一実施形態において，レーザビーム200は，エキシマレーザからのものである。
本発明の一実施形態において，レーザビーム200は351nm(XeF)の波長を有する。本発明の一実施形態において，レーザビーム200は，308nm(XeCl)の波長を有する。本発明の一実施形態において，レーザビーム200は，248nm(KrF)の波長を有する。本発明の実施形態では，レーザビーム200は，193nm(ArF)の波長を有する。本発明の一実施形態において，レーザビーム200は，157nm(F
2
)の波長を有する。
「[0100] 
In an embodiment of the present invention, the laser beam 200 is a femtosecond laser with a pulse width of 5-35 (10
-15
) femtoseconds. In an embodiment of the present invention, the laser beam 200 is a femtosecond laser with a pulse width of 35-175 (10
-15
) femtoseconds. 
（当審訳：［０１００］　
本発明の一実施形態において，レーザビーム200は，5-35(10
-15
)フェムト秒のパルス幅を有するフェムト秒レーザである。本発明の一実施形態において，レーザビーム200は，35-175(10
-15
)フェムト秒のパルス幅を有するフェムト秒レーザである。
「[0189] In an embodiment of the present invention, 
the robots in the substrate transport mechanism 430 are articulated to provide random access to various processing chambers 1010, 1020.
[0190] In an embodiment of the present invention, the singulation apparatus 10 includes multiple process chambers 1010, 1020 arranged in a horizontal plane. In an embodiment of the present invention, the multiple process chambers 1010, 1020 are arranged from left to right. In an embodiment of the present invention, the multiple process chambers 1010, 1020 are arranged from front to back. In an embodiment of the present invention, the multiple process chambers 1010, 1020 are arranged radially in a horizontal plane.」
（当審訳：［０１８９］　本発明の一実施形態では，
基板搬送機構430のロボットは，種々のプロセスチャンバ1010，1020へのランダムアクセスを提供するように連接されている。
［０１９０］　本発明の一実施形態では，個片化装置10は，水平面内に配置された複数のプロセスチャンバ1010，1020を含む。本発明の実施形態では，複数のプロセスチャンバ1010，1020は，左から右に配置されている。本発明の一実施形態では，複数のプロセスチャンバ1010，1020は，前方から後方に配置されている。本発明の一実施形態では，複数のプロセスチャンバ1010，1020は，水平平面内で半径方向に配置されている。）
「[0194] In an embodiment of the present invention, the multiple process chambers 1010, 1020 offer a choice of different processes in parallel for different products.
[0195] In an embodiment of the present invention, 
the multiple process chambers 1010, 1020 run different processes in series, such as in sequential processing of a product.
（当審訳：［０１９４］　本発明の一実施形態では、複数のプロセスチャンバ1010，1020は，異なる製品のために並行に異なるプロセスの選択を提供する。
［０１９５］　本発明の実施形態では，
複数のプロセスチャンバ1010，1020は，一連の順次処理のような異なるプロセスを実行する。
「[0197] In an embodiment of the present invention, 
the different processes include (a) a laser scribe process, such as with small energy pulses at a high repetition rate, to remove surface layers, such as metal and oxide, of the substrate 300 with a thickness of about 10 um, followed by (b) a laser dice process, such as with large energy pulses, to etch underlying layers, such as bulk silicon in the substrate 300.
（当審訳：［０１９７］　本発明の異なるプロセスは、
(a)レーザスクライブプロセスによって，高繰り返し率での小さいエネルギーパルスを用いるなどして，基板300の厚さ約20μｍの表面層，例えば，金属及び酸化物を除去し，続いて，(b)レーザ切断プロセスによって，大きなエネルギーパルスを用いるなどして，基板内300のバルクシリコンのような，下層をエッチングする。
「[0213] In an embodiment of the present invention, the substrate 300 is cleaned with a plasma.」
（当審訳：［０２１３］　本発明の実施形態では，基板300はプラズマで洗浄される。）
　上記記載から，引用文献１には，以下の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されている。
「ウェハを個片化するための装置であって，
　筐体1000にプロセスチャンバ1010，1020が内設され，筐体1000により，プロセスチャンバ1010，1020が周囲の環境から密封され，
　筐体内1000の基板搬送機構430のロボットは，プロセスチャンバ1010，1020へのランダムアクセスを提供するように連接され，
　プロセスチャンバ1010，1020は，一連の順次処理のような異なるプロセスを実行し，
　異なるプロセスは，フェムト秒ベースのレーザを用いた，レーザスクライブプロセス及び，続いて行われるレーザ切断プロセスである，
　ウェハを個片化するための装置。」
２　引用文献２記載事項
　当審の拒絶の理由に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、スクライブラインにテストパターンが形成された
半導体ウェハを個々の集積回路毎に分割して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法
「【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
　次に本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態の半導体チップの製造方法に用いられる半導体ウェハの詳細説明図、図２は本発明の一実施の形態の半導体チップの製造方法を示すフロー図、図３は本発明の一実施の形態の半導体チップの製造方法を示す工程説明図、図４は本発明の一実施の形態の半導体チップの製造方法において使用されるレーザ加工装置の斜視図、図５は本発明の一実施の形態の半導体チップの製造方法における半導体ウェハの部分断面図、図６は本発明の一実施の形態の半導体チップの製造方法において使用されるプラズマ処理装置の断面図、図７、図９は本発明の一実施の形態の半導体チップの製造方法を示す工程説明図、図８は本発明の一実施の形態の半導体チップの製造方法における半導体ウェハの部分斜視図である。
【００１０】
　まず図１を参照して、本実施の形態における半導体チップの製造に用いられる半導体ウェハ１について説明する。図１において半導体ウェハ１は、各半導体チップを切り分けるために格子状に配列されたスクライブライン２ａによって、複数の矩形状のチップ領域２（領域）に区画されている。半導体ウェハ１の回路形成面である表面１ａにおいて、各チップ領域２にはそれぞれ集積回路３が形成されており、スクライブライン２ａにはテストパターン４が形成されている。テストパターン４は、半導体チップの製造工程において特性試験などに用いられ、その機能を果たした後に除去されるものである。本実施の形態に示す半導体チップの製造方法は、半導体ウェハ１をプラズマエッチングを用いたプラズマダイシングによって個々の集積回路３毎に分割して、個片の半導体チップを製造するものである。
【００１１】
　次に、半導体チップの製造方法の詳細工程について、図２のフローに沿って各図を参照しながら説明する。図２において、まず表面１ａに集積回路３およびテストパターン４が形成された半導体ウェハ１を対象として（図３（ａ）参照）、保持シート貼り付け（ＳＴ１）および保護シート貼り付け（ＳＴ２）が実行される。なお、ここに示す保持シート貼り付け（ＳＴ１）および保護シート貼り付け（ＳＴ２）は、どちらを先に行ってもよい。
【００１２】
　すなわち図３（ｂ）に示すように、表面１ａの反対側の裏面１ｂ側に、半導体ウェハ１が個片に分割された状態の半導体チップを保持するための保持シート８を貼り付ける。保持シート８は、後工程のダイボンディングにおいて半導体チップを接着するための接着層として機能するダイアタッチフィルム６と樹脂シート７とを積層した構成となっており、この保持シート貼り付けにおいてはダイアタッチフィルム６を裏面１ｂに接触させて貼着する。ここでは、樹脂シート７として紫外光によって粘着力が低下する粘着層を備えたＵＶテープを用いるようにしており、後工程のダイボンディング工程において下面側から紫外光を照射することにより、個片の半導体チップの取り出しを容易に行うことができる。
【００１３】
　また
表面１ａ側には、回路形成面を保護する保護シート５が貼り付けられる。
半導体ウェハ１に貼り付けられた保護シート５において、スクライブライン２ａに相当する範囲を除去して、半導体ウェハ１を個片の半導体チップに分割するためのプラズマエッチングにおけるマスクとして機能させるようにしている。
【００１４】
　すなわち、（ＳＴ１）、（ＳＴ２）においては、半導体ウェハ１において集積回路３が形成された側の表面１ａにプラズマエッチングにおけるマスクとなる保護シート５を貼り付け、さらに裏面１ｂに個片に分割された状態の半導体チップを保持するための保持シート８を貼り付ける（シート貼り付け工程）。そしてここでは保持シート８として、ダイアタッチフィルム６を備えた樹脂シート７を使用し、シート貼り付け工程においてこのダイアタッチフィルム６を半導体ウェハ１の裏面１ｂに接触させて、この保持シート８を貼り付けるようにしている。
【００１５】
　次に、テストパターン４の除去が行われる（ＳＴ３）。ここでは、
図４に示すレーザ加工装置１０を用い、レーザ光によって保護シート５をスクライブライン２ａに沿って除去して、上述のプラズマエッチングにおけるマスクを形成するマスク形成処理
【００１６】
　レーザ加工装置１０の構造を図４を参照して説明する。図４において、ウェハ保持部１１上には表面に保護シート５が貼り付けられた半導体ウェハ１が保持されている。ウェハ保持部１１の上方には、レーザ照射部９およびカメラ１９が装着された移動プレート１８が、移動機構１７によって移動自在に配設されている。レーザ照射部９はレーザ発生部１４によって発生したレーザ光９ａを下方の半導体ウェハ１に対して照射する。
【００１７】
　カメラ１９は赤外線カメラであり、下方に位置した半導体ウェハ１を赤外光により撮像する。このとき、保護シート５を透視して半導体ウェハ１の集積回路３や認識マークなどを撮像することができる。そして撮像結果を認識部１６によって認識処理することにより、半導体ウェハ１における集積回路３やスクライブライン２ａの配列位置を検出できるようになっている。
【００１８】
　レーザ発生部１４、認識部１６、移動機構１７は制御部１５によって制御され、制御部１５が操作・入力部１２からの操作指令に基づきこれら各部を制御する際には、ワークデータ記憶部１３に記憶されたデータが参照される。ワークデータ記憶部１３には、スクライブライン２ａの配列位置に関するデータや、スクライブライン２ａの幅であるダイシング幅に関するデータが記憶されている。ダイシング幅は、図３（ｂ）に示すように、保護シート５において半導体ウェハ１におけるスクライブライン２ａに対応する領域、すなわち境界線領域５ａの幅に一致する。ワークデータ記憶部１３へのデータ書き込みは、操作・入力部１２によって行えるようになっている。
【００１９】
　このレーザ加工装置１０によって半導体ウェハ１を対象としたレーザ加工を実行する際には、制御部１５は、認識部１６によって検出された半導体ウェハ１の実際の位置と、ワークデータ記憶部１３に記憶されたスクライブライン２ａの位置を示すデータに基づき、移動機構１７を制御する。これにより、移動機構１７はレーザ照射部９を半導体ウェハ１の上面においてスクライブライン２ａに沿って移動させる。そして制御部１５がダイシング幅に関するデータに基づいてレーザ発生部１４を制御することにより、レーザ照射部９からダイシング幅に応じた除去幅で保護シート５の境界線領域５ａを除去するのに適切な出力のレーザ光９ａが照射される。そしてこのレーザ加工により、半導体ウェハ１表面の保護シート５において、半導体チップ相互を切り分けるスクライブライン２ａに対応した境界線領域５ａのみが除去されて、溝状の開口部５ｂが形成されたプラズマダイシング用のマスクパターンが形成される。
【００２０】
　半導体ウェハ１によるレーザ加工においては、レーザ加工装置１０に備えられたレーザ照射部９からレーザ光９ａを照射させ、図３（ｃ）に示すように、半導体ウェハ１においてスクライブライン２ａに沿ってレーザ照射部９を移動させる。これにより、図３（ｄ）に示すように、レーザ照射部９から照射されるレーザ光９ａによって境界線領域５ａを除去して保護シート５を貫通する開口部５ｂを形成するとともに、半導体ウェハ１の表面１ａに形成されたテストパターン４をレーザ光９ａによって除去する。
【００２１】
　すなわち（ＳＴ３）においては、
保護シート５が貼り付けられた半導体ウェハ１のスクライブライン２ａに沿ってレーザ光９ａを保護シート５側から照射することにより、スクライブライン２ａ上の保護シート５を前述のダイシング幅に相当する所定幅だけ除去してプラズマダイシングのマスクを形成するとともに、半導体ウェハ１においてスクライブライン２ａに相当する位置に形成されていたテストパターン４を、半導体ウェハ１の表面層とともに除去する（テストパターン除去工程）。
【００２２】
　図５は、このテストパターン除去工程後の開口部５ｂの詳細を図示している。レーザ加工においては、保護シート５においてスクライブライン２ａに対応する境界線領域５ａの樹脂成分がレーザ光９ａによって除去されて開口部５ｂが形成される。そして開口部５ｂの底部が保護シート５の下面まで到達した後は、レーザ光９ａの作用は半導体ウェハ１の表面１ａに及ぶようになる。これにより表面１ａにおいてスクライブライン２ａの位置に存在していたテストパターン４が半導体ウェハ１の表面層とともに除去され、レーザ光９ａの作用はさらに半導体ウェハ１の内部まで及ぶ。このとき、レーザ光９ａによって半導体ウェハ１の表面層が除去されて形成された凹部１ｃの表面には、微小なクラックを含むダメージ層１ｄが形成される。
【００２３】
　ダメージ層１ｄはそのまま放置すると半導体ウェハ１の強度を低下させるため除去しなければならない。本実施の形態においては、半導体ウェハ１をプラズマエッチングによって分割するプラズマダイシングの過程において、ダメージ層１ｄも同時に除去するようにしている。このとき、ダメージ層１ｄの形成範囲が開口部５ｂの底部の開口範囲を超えて拡がっているような場合には、ダメージ層１ｄは部分的に保護シート５の下面に覆われた状態となる（図５に示す矢印ａ参照）。このような場合には、保護シート５の下面によって覆われた部分にはプラズマエッチングの作用は及ばず、プラズマダイシングによって半導体ウェハ１が個片の半導体チップに分割された後においても、ダメージ層１ｄが部分的に残留する場合が生じる。
【００２４】
　このため、このような有害なダメージ層１ｄをプラズマダイシングにおいて完全に除去することを可能とするための処理、すなわちプラズマエッチングによって保護シート５の開口部５ｂの開口幅を拡げ、ダメージ層１ｄを全て開口部５ｂの底部に露呈させるためのアッシングが実行される（ＳＴ４）。このアッシングは、プラズマダイシング工程に先立って、レーザ光９ａによって除去された保護シート５の開口部５ｂの開口幅を拡げるための予備的なプラズマエッチングを行うことにより実行される。
【００２５】
　次いで、
プラズマダイシングが実行される。すなわち、テストパターン除去工程の後、保護シート５が除去された半導体ウェハ１の、前述のダイシング幅（所定幅）に対応する部分をプラズマエッチングすることにより、レーザ光９ａの照射によって生じたダメージ層１ｄを除去するとともに、半導体ウェハ１を個々の集積回路３毎に分割する（プラズマダイシング工程）。
【００２６】
　ここで、
上述の予備的なプラズマエッチングおよびプラズマダイシングにおいて使用されるプラズマ処理装置２０
【００２７】
　ガス供給電極２３に設けられたガス供給孔２３ａには、開閉バルブ２５ａ、２５ｂおよび流量制御バルブ２６ａ、２５ｂを介してそれぞれプラズマ発生用ガス供給部２７ａ、２７ｂが接続されている。プラズマ発生用ガス供給部２７ａは、保護シート５やダイアタッチフィルム６を除去するアッシングを目的とするプラズマ処理において用いられる酸素または酸素の混合ガスを供給する。プラズマ発生用ガス供給部２７ｂは、半導体ウェハ１の主成分であるシリコンを除去してダイシング溝を形成することを目的とするプラズマダイシングにおいて用いられるフッ素系のプラズマ発生用ガスを供給する。開閉バルブ２５ａ、２５ｂおよび流量制御バルブ２６ａ、２５ｂを制御することにより、ガス供給孔２３ａに供給されるプラズマ発生用ガスの種類の切換および供給流量の調整が行えるようになっている。
【００２８】
　供給されたプラズマ発生用ガスは、ガス供給電極２３の下面に装着された多孔質プレート２４を介して、高周波側電極２１上の半導体ウェハ１に対して均一に吹き付けられる。この状態で、高周波電源部２８を駆動して高周波側電極２２に高周波電圧を印加することにより、ガス供給電極２３と高周波側電極２２との間には酸素ガスのプラズマまたはフッ素系ガスのプラズマが発生し、これによりそれぞれの場合において目的とするプラズマ処理が実行される。このプラズマ処理過程においては、冷却ユニット２９を駆動して冷媒を高周波電極２２内に循環させ、プラズマの熱によって半導体ウェハ１が昇温するのを防止する。
【００２９】
　すなわち（ＳＴ３）後の半導体ウェハ１を対象として、酸素ガスまたは酸素ガスの混合ガスをプラズマ発生用ガスとするプラズマ処理を実行することにより、図７（ａ）に示すように、保護シート５に開口部５ｂが設けられた半導体ウェハ１に対して酸素ガスプラズマＰ１が作用し、これにより保護シート５や開口部５ｂの内部には酸素ガスプラズマＰ１による等方性のエッチング作用が及び、有機物である保護シート５を酸素ガスププラズマＰ１によって灰化して除去するアッシングが行われる。
【００３０】
　このアッシングによる効果の詳細を、図８を参照して説明する。図８（ａ）は、レーザ光によるテストパターン除去後の開口部５ｂの状態を示している。図８（ａ）に示すように、レーザ加工後の開口部５ｂにおいては、内側面５ｃは平滑面ではなく、微細な筋状の凹凸部が形成された状態となる。そして開口部５ｂの上端の上縁部５ｄには、溶融した保護シート５が上方に盛り上がって固化したカエリ部が形成され、また上縁部５ｄの近傍には一旦溶融した保護シート５の樹脂成分が微粒状に固化したスパッタ５ｅが付着した状態となり、さらに開口部５ｂの底部には未除去部分が部分的に残留した残渣５ｆが存在している。そしてこの状態では、開口部５ｂの底部における開口幅は保護シート５の上面における開口幅よりも小さいＢ１となっている。
【００３１】
　図８（ｂ）は、図８（ａ）の状態に対して酸素ガスプラズマＰ１によるアッシングを実行した後の状態を示している。ここに示すように、酸素ガスプラズマＰ１の等方性エッチング作用により、保護シート５の表面や内側面５ｃの内部に存在する凹凸部分が平滑化され、内側面５ｃや上縁部５ｄは滑らかな表面となり、スパッタ５ｅや残渣５ｆは消失する。そしてエッチング作用が内側面５ｃや開口部５ｂの底部に及ぶことにより、開口部５ｂの開口幅は、図８（ａ）に示すＢ１よりも大きいＢ２に拡大する。これにより、図５に示すように、ダメージ層１ｄが部分的に両端部（矢印ａ参照）において保護シート５によって覆われていた状態から、図７（ａ）に示すように、ダメージ層１ｄが開口部５ｂ内で全
て露呈した状態に改善される。以下に説明するプラズマダイシングは、この状態で行われる。
【００３２】
　次いでプラズマダイシングが実行される（ＳＴ５）。すなわち、プラズマ処理装置２０において開閉バルブ２５ａ、２５ｂを操作することにより、プラズマ発生用ガス供給部２７ｂからフッ素系のプラズマ発生用ガスをガス供給孔２３ａに供給した状態でプラズマを発生させる。そして発生したフッ素ガスプラズマＰ２を、開口部５ｂ内において露呈した半導体ウェハ１に作用させることにより、図７（ｂ）に示すように、シリコンを主成分とする半導体ウェハ１が開口部５ｂに対応した除去幅で除去される。
【００３３】
　これにより、半導体ウェハ１を上下に貫くダイシング溝部１ｅが形成され、半導体ウェハ１は個片の半導体チップ１＊に分割される。このとき、レーザ加工により凹部１ｃの表面に形成されたダメージ層１ｄもプラズマの作用によりともに除去されるが、前述のようにダメージ層１ｄは開口部５ｂ内で完全に露呈されていることからダメージ層１ｄは完全に除去され、未除去のダメージ層１ｄが部分的に残留することによる半導体チップの強度低下などの不具合が生じない。
【００３４】
　すなわち（ＳＴ５）においては、
テストパターン除去工程の後、半導体ウェハ１において、除去された所定幅の保護シート５、すなわち境界線領域５ａに対応する部分をプラズマエッチングすることにより、レーザ加工においてレーザ光９ａの照射によって生じたダメージ層１ｃを除去するとともに、半導体ウェハ１を個々の集積回路３毎に個片の半導体チップ１＊に分割する（プラズマダイシング工程）
【００３５】
　次いで、ＤＡＦプラズマエッチングが実行される（ＳＴ６）。ここではレーザ加工装置１０において開閉バルブ２５ａ、２５ｂを操作することにより、プラズマ発生用ガスの供給元を再びプラズマ発生用ガス供給部２７ａに切り換え、プラズマ発生用ガス供給部２７ａから酸素または酸素の混合ガスをプラズマ発生用ガスとしてガス供給孔２３ａに供給した状態でプラズマを発生させる。すなわち、図７（ｃ）に示すように、酸素または酸素系のプラズマ発生用ガスを供給することにより発生した酸素ガスプラズマＰ１を、プラズマダイシング工程において形成されたダイシング溝部１ｅを介して、ダイアタッチフィルム６に作用させる。
【００３６】
　これにより、ダイシング溝部１ｅ内に露呈した有機物であるダイアタッチフィルム６が、酸素ガスプラズマＰ１によって灰化されて除去される。すなわちここではプラズマダイシング工程の後、隣接する個片の半導体チップ１＊間のダイアタッチフィルム７を、酸素もしくは酸素を含んだガスによるプラズマでエッチングして除去する。そしてこれにより、ダイシング溝部１ｅによって分割された複数の個片の半導体チップ１＊は、それぞれがダイアタッチフィルム６を介して樹脂シート７によって保持された状態となる。
【００３７】
　次いで、保護シート５の剥離を容易にするための紫外線照射を行う（ＳＴ７）。ここでは半導体ウェハ１の表面１ａ側から、紫外線を保護シート５に対して照射することにより、保護シート５を表面１ａに貼着させる粘着力を低下させる。なお（ＳＴ５）において、フッ素系ガスのプラズマからの紫外線が発生するが、この紫外線の光量が保護シート５の粘着力を低下させるのに十分であれば、（ＳＴ７）の工程は省略してもよい。そしてこの後、保護シート５を剥離除去するための粘着シート貼付を行う（ＳＴ８）。すなわち、図９（ａ）に示すように、保護シート５の上面側から、粘着シートであるダイボンディングシート３０を複数の半導体チップ１＊を対象として一括して貼り付ける。なお、（ＳＴ７）の紫外線照射と、（ＳＴ８）の粘着シート貼付は、紫外線が透過可能なダイボンディングシート３０を用いる場合には、どちらを先に行ってもよい。
【００３８】
　次いで、保護シート５を半導体ウェハ１の表面から除去する保護シート除去を行う（ＳＴ９）（保護シート除去工程）。すなわち、図９（ｂ）に示すように、ダイボンディングシート３０を上方に引きはがすことにより、それぞれの個片の半導体チップ１＊において、保護シート５を上面１ａから剥離させる。そしてこれにより、図１に示す半導体ウェハ１を集積回路３毎に個片に分割して製造された半導体チップ１＊を、ダイアタッチフィルム６を介して樹脂シート７に保持させた構成の半導体チップの集合体１０１が完成する。
【００３９】
　この半導体チップの集合体１０１は、ウェハリングなどの治具によって保持された状態でダイボンディング工程に送られ、ここで図９（ｃ）に示すように、個片の半導体チップ１＊は、１つづつ樹脂シート７から順次取り出される。半導体チップ１＊の取り出しに際しては、ＵＶテープである樹脂シート７の下面側から予め紫外線を照射することにより、ダイアタッチフィルム６を貼着する粘着力が低下し、取り出し時の剥離が容易となる。そして取り出された半導体チップ１＊は、接着層であるダイアタッチフィルム６を介して基板にボンディングされる。
【００４０】
　上記説明したように、本実施の形態に示す半導体チップの製造方法においては、半導体ウェハ１において集積回路３が形成された側の表面１ａに、ダイシングのためのプラズマエッチングにおけるマスクとなる保護シート５を貼り付け、保護シート５が貼り付けられた半導体ウェハ１のスクライブライン２ａに沿ってレーザ光を保護シート５側から照射してスクライブライン２ａ上の保護シート５を所定幅だけ除去してマスクを形成するとともに、このレーザ光によってテストパターン４を半導体ウェハ１の表面層とともに除去するようにしたものである。」
　上記記載から，引用文献２には，以下の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されている。
「半導体ウェハを個々の集積回路毎に分割して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法に用いられる装置であって，
プラズマエッチングにおけるマスクとして機能させる半導体ウェハ１に貼り付けられた保護シート５を，スクライブライン２ａに沿ってダイシング幅に相当する所定幅だけ除去し，プラズマエッチングにおけるマスクを形成するとともに，半導体ウェハ１においてスクライブライン２ａに相当する位置に形成されていたテストパターン４を，半導体ウェハ１の表面層とともに除去する工程（テストパターン除去工程）に使用される，レーザ加工装置１０を有し，
テストパターン除去工程の後，保護シート５が除去された半導体ウェハ１の，前記ダイシング幅（所定幅）に対応する部分をプラズマエッチングすることにより，レーザ光の照射によって生じたダメージ層１ｄを除去するとともに，半導体ウェハ１を個々の集積回路毎に分割する工程（プラズマダイシング工程）において使用される，プラズマ処理装置２０を有する，
半導体チップの製造方法に用いられる装置。」
３　引用文献３記載事項
　当審の拒絶の理由に引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　発明の分野
　[0001]本発明の実施形態は、一般的には、インサイチュで金属材料とシリコン材料の多層膜スタック除去処理のための方法及び装置に関する。本発明は、フラットパネルディスプレイのための薄膜トランジスタ製造に特に有用である。」
「【００１３】
　[0020]図１は、大面積基板（例えば、少なくとも０.２５平方メートルのデバイス側表面積を有する基板）上に形成される異なる材料を含む膜スタックのインサイチュ処理（即ち、ツールから基板を取り出さずに）のために構成された半導体処理システム又はクラスタツール１００を示す一実施形態である。
例示的な処理ツール１００は、一般的には、１つ以上のプロセスチャンバ１０４Ａ-Ｅによって取り囲まれた搬送チャンバ１０２と、ファクトリインタフェース１１０と、１つ以上のロードロックチャンバ１０６と、ポストエッチング残渣除去ステーション１４２とを含む。処理ツール１００は、任意にコーティングステーション１４０を含んでもよい。図１に示された実施形態においては、搬送チャンバ１０２で維持される真空環境とファクトリインタフェース１１０で維持されるほぼ周囲環境との間で基板搬送を容易にするために、１つのロードロックチャンバ１０６が搬送チャンバ１０２とファクトリインタフェース１１０との間に配置される。搬送ロボット１０８は、チャンバ１０４Ａ-Ｅ、１０６の間に基板を移動させるために搬送チャンバ１０２の中央に配置される。
【００１４】
　[0021]
ファクトリインタフェース１１０は、一般的には、１つ以上の基板ストレージカセット１１４、インタフェースロボット１１６、ポストエッチング残渣除去ステーション１４２、コーティングステーション１４０を収容する。
インタフェースロボット１１６は、一般的には、カセット１１４とポストエッチング残渣除去ステーション１４２と搬送チャンバ１０２との間に基板を移動させるように構成される。
【図１】
４　引用文献４記載事項
　当審の拒絶の理由に引用された引用文献４には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
（発明の分野）
　本発明の実施形態は、概ね、半導体処理システムに関する。特に、本発明の実施形態は半導体製造中に基板の背面からポリマーを除去するのに用いられる半導体処理システムに関する。」
「【００４４】
　図４は本発明を実行するのに好適なポリマー除去チャンバ１００及び基板処理チャンバ３０２の一実施形態を含む例示的な処理システム４００の概略平面図である。一実施態様において、プロセスシステム４００はカリフォルニア州サンタクララにあるアプライドマテリアルズ社から市販されているＣＥＮＴＵＲＡ（商標名）インテグレーテッドプロセッシングシステムであるかもしれない。（他のメーカーからの他の装置を含む）他の処理システムも本発明の恩恵を受けることは考えられる。
【００４５】
　
システム４００は真空処理プラットフォーム４０４、ファクトリインターフェース４０２、及びシステムコントローラ４４４を含む。プラットフォーム４０４は複数のプロセスチャンバ１００、３０２、４２０、４３２、４５０を含み、真空基板搬送チャンバ４３６に結合された少なくとも１つのロードロックチャンバ４２２を含む。１つのロードロックチャンバ４２２が図４に示されている。
ファクトリインターフェース４０２はロードロックチャンバ４２２により搬送チャンバ４２６に接続され結合される。
【００４６】
　
一実施態様において、ファクトリインターフェイス４０２は、基板１１０の搬送を行うために少なくとも１つのドッキングステーション４０８と少なくとも１つのファクトリインターフェースロボット４１４を含む。ドッキングステーション４０８は、少なくとも１つ以上の上面開口統合ポッド（ＦＯＵＰ）を受入れるように構成される。２つのＦＯＵＰＳ４０６Ａ−Ｂが図４の実施態様の中に示されている。ロボット４１４の一端に設けられたブレード４１６を有するファクトリインターフェースロボット４１４は、ファクトリーインターフェース４０２から、ロードロックチャンバ４２２を介して、処理プラットフォーム４０４へ基板１１０を搬送するよう構成される。追加的に、１つ以上の計測用ステーション４１８がＦＯＵＰＳ４０６Ａ−Ｂからの基板の計測を行うためにファクトリーインターフェース４０２のターミナル４２６に接続されるかもしれない。
【００４７】
　
ロードロックチャンバ４２２はファクトリーインターフェース４０２に結合された第１のポート及び搬送チャンバ４３６に結合された第２のポートを有する。ロードロックチャンバ４２２は、搬送チャンバ４３６の真空環境と、ファクトリーインターフェース４０２の周囲（例えば、大気圧）環境との間で基板のやり取りを行うために、ロードロックチャンバ４２２を排気、及び、吸気する圧力制御システム（図示せず）に接続されている。
【００４８】
　
搬送チャンバ４３６はその中に設けられた真空ロボット４３０を有する。真空ロボット４３０は、ロードロックチャンバ４２２とプロセスチャンバ１００、３０２、４２０、４３２、４５０との間で基板１１０の搬送を可能とするブレード４３４を有する。
【００４９】
　一実施態様において、
エッチングチャンバ３０２は塩素含有ガス、炭素含有ガス、シリコンフッ化ガス、窒素含有ガス等の反応性ガスを用いて、その中の基板１１０をエッチングする。
【００５０】
　システムコントローラ４４４はプロセス処理システム４００に接続されている。システムコントローラ４４４は、システム４００のプロセスチャンバ１００、３０２、４２０、４３２、４５０を直接制御することにより、若しくは、選択的に、プロセスチャンバ１００、３０２、４２０、４３２、４５０及びシステム４００と関連するコンピュータ（若しくはコントローラ）を制御することにより、システム４００の動作を制御する。動作中、システムコントローラ４４４はシステム４００の動作を最適化するために、各チャンバ及びシステムコントローラ４４４からのデータ収集及びフィードバックを可能とする。
【００５１】
　システムコントローラ４４４は主に、中央処理ユニット（ＣＰＵ）４３８、メモリ４４０、サポート回路４４２を含む。ＣＰＵ４３８は産業用の用途に使用され得る一般的な目的のコンピュータプロセッサのいかなるタイプのうちの１つであってもよい。サポート回路４４２は従来の方式によりＣＰＵ４３８に接続され、キャッシュ、クロック回路、入出力サブシステム、電源等を含むかもしれない。図５を参照して以下に説明されるポリマー残渣を除去するための方法５００等のソフトウェアルーチンは、ＣＰＵ４３８により実行されるとき、ＣＰＵ４３８を特定な目的のコンピュータ（コントローラ）４４２に変換する。また、このソフトウェアルーチンは、システム４００から遠隔に存在する第二のコントローラ（図示せず）により、保持、及び／または、実行されるかもしれない。」
【図４】
５　引用文献５記載事項
　当審の拒絶の理由に引用された引用文献５には，図面とともに次の事項が記載されている。
「FIELD OF THE INVENTION
 The present invention relates to electronic device manufacturing, and more specifically to systems, apparatus and methods for transporting substrates.」（第１頁１２行乃至１５行）
（当審訳：発明の分野
　本発明は，電子デバイス製造に関し，より詳細には，基板を搬送するためのシステム，装置，および方法に関する。）
「
FIG. 1 is a schematic diagram of an exemplary embodiment of a substrate processing system 100 according to the present invention. The substrate processing system 100 may include a transfer chamber 102 within which a robot apparatus 104 in accordance with another aspect of the invention may be housed. The robot apparatus 104 may be adapted to put or pick a substrate 105 to or from a destination. The destination may be a chamber coupled to the transfer chamber 102. For example, the destination may be one or more process chambers 106 and/or one or more load lock chambers 108 which may be coupled to the transfer chamber 102. Process chambers 106 
deposition
cleaning,
（当審訳：
図１は，本発明による基板処理システム１００の例示的な一実施形態の概略図である。基板処理システム１００は，搬送チャンバ１０２を備えてもよく，この搬送チャンバ１０２の中には，本発明の別の態様によるロボット装置１０４が収容されうる。ロボット装置１０４は，基板１０５を目的地に配置するまたは目的地から取り出すことができる。目的地は，搬送チャンバ１０２に結合されたチャンバであってもよい。例えば，目的地は，１つまたは複数のプロセスチャンバ１０６，および／または搬送チャンバ１０２に結合されうる１つまたは複数のロードロックチャンバ１０８であってもよい。プロセスチャンバ１０６は，堆積，
洗浄，
６　引用文献６記載事項
　当審の拒絶の理由に引用された引用文献６には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
半導体ウェハをチップに個片化する処理方法
「【００５４】
　次に、第２の実施形態について説明する。図６〜図８は、第２の実施形態にかかる半導体ウェハの処理方法を断面概略図を用いて説明する図である。以下の実施形態で第１の実施形態と同一の様態を果たす要素には同一の番号を付し、重複した説明は避ける。
【００５５】
　図６（ａ）に示すように、水溶性フィルム５と半導体ウェハ裏面研削用の表面保護テープ３とを粘着剤層４を介して積層する。
【００５６】
　次に、図６（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１のパターン面２側に、水溶性フィルム５を介して表面保護テープ３を貼合する。水溶性フィルム５はパターン面２に加熱により貼合する。
【００５７】
　次に、第１の実施形態と同様に、図６（ｃ）に示すように、半導体ウェハ１の非パターン面を研削する。
【００５８】
　次に、第１の実施形態と同様に、図７（ａ）に示すように、半導体ウェハ１の非パターン面を支持固定用テープ１２を用いてリングフレーム１４に固定する。
【００５９】
　次に、第１の実施形態と同様に、図７（ｂ）に示すように、表面保護テープ３の粘着剤層４と水溶性フィルム５との層間で剥離を行い、表面保護テープ３を除去する。
【００６０】
　次に、第１の実施形態と同様に、図７（ｃ）に示すように、レーザー光照射手段６から照射されたレーザー光７により、半導体ウェハ１のストリートに沿って、水溶性フィルム５を切断し、図８（ａ）に示されるように溝８を入れる。また、水溶性フィルム５の好ましい切断手段については、第１の実施形態における好ましい切断手段と同様である。
【００６１】
　次に、第１の実施形態と同様に、図８（ｂ）に示されるように、プラズマエッチング装置１０においてプラズマ９による処理を行い、溝８においてむき出しにされた半導体ウェハ１をエッチングし、チップに個片化する。
【００６２】
　
次に、第１の実施形態と同様に、図８（ｃ）に示すように、水あるいは温水１１にて洗浄を行うことにより水溶性フィルムの溶解・除去を行う。
【００６３】
　次に、第１の実施形態と同様に、図８（ｄ）に示すように、個別化された半導体ウェハ１のチップは、ピックアップ工程に移される。」
７　引用文献７記載事項
　当審の拒絶の理由に引用された引用文献７には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００２】
　本開示は一般に、パルスレーザ、及び高繰返し率パルスレーザを使用する材料の機械加工に関する。」
「【００１８】
　
スクライビング、ダイシング、
「【００９３】
　幾つかの実施例では、レーザシステム１０４は、１つ以上の極短パルス（ＵＳＰ）を出力するように構成されたＵＳＰレーザを含むことができる。極短パルスは、例えば、約１０ピコ秒未満などの持続時間を有することができる。図１Ｆに示す例示的なシステム１００では、レーザシステム１０４は、超高速パルス列を生成することが可能なファイバベースのレーザを含むことができる。例えば、このレーザは、ＩＭＲＡ　Ａｍｅｒｉｃａ，Ｉｎｃ．（ミシガン州アナーバー）から入手可能なＦＣＰＡ　μＪｅｗｅｌレーザを含むことができる。レーザパルスの波長は約１μｍとすることができる。
幾つかの実施例では、例えば波長約５２０ｎｍの緑色光パルスなど、より短い波長のレーザパルスが使用される。
例えば、パルス幅は約１００フェムト秒から約１ピコ秒の範囲内とすることができる。幾つかの実施例では、パルス幅は約１０フェムト秒から約５００ピコ秒の範囲内である。
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）引用発明１を主引例とする検討
ア　本願発明１と引用発明１を対比する。
（ア）　引用発明１の「ウェハを個片化するための装置」は，「プロセスチャンバ1010，1020」や「基板搬送機構430」を備えているから，システムであると言える。
　また，引用発明１の「ウェハを個片化するための装置」において，ウェハを個片化する際には，ウェハ上に複数の集積回路が形成されていることは技術常識であるから，引用発明１の「ウェハを個片化するための装置」は，本願発明１の「複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングするシステム」に相当する。
（イ）　引用発明１の「筐体内1000の基板搬送機構430のロボット」は，本願発明１の「アーム又はブレードを備えるロボット」と，「ロボット」である点で共通する。
（ウ）　引用発明１の「プロセスチャンバ1010，1020」のうち，一方は，「レーザスクライブプロセス」を実行するから，引用発明１の「レーザスクライブプロセス」を実行する「プロセスチャンバ」は，本願発明１の「レーザスクライブ装置」に相当する。
（エ）　引用発明１の「プロセスチャンバ1010，1020」のうち，一方は，「レーザ切断プロセス」を実行するから，引用発明１は「レーザ切断プロセス」を実行する「プロセスチャンバ」を備えていると言える。
　また，「レーザ切断プロセス」を実行する「プロセスチャンバ」は，ウェハを個片化しているから，本願発明１の「プラズマエッチングチャンバ」と，ウェハを個片化するチャンバである点で共通する。
（オ）　してみれば，本願発明１と引用発明１とは，以下の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングするシステムにおいて，
　ロボットと，
　レーザスクライブ装置と，
　ウェハを個片化するチャンバとを備えるシステム。」
［相違点１］
　「ロボット」について，本願発明１は「アーム又はブレードを備えるロボット」であり，また，「ファクトリインタフェース」に含まれているのに対して，引用発明１の「ロボット」は，「アーム又はブレードを備える」のか不明であり，又，「ファクトリインタフェース」に含まれていない点。
［相違点２］
　「レーザスクライブ装置」について，本願発明１は「前記ファクトリインタフェースに連結され」，又「前記レーザスクライブ装置は前記クラスタツールに含まれ」ていないのに対して，引用発明１はそのようになっていない点。
［相違点３］
　「ウェハを個片化するチャンバ」について，本願発明１は「プラズマエッチングチャンバ」であり，「ロードロックにより前記ファクトリインタフェースに連結され」ているのに対して，引用発明１はそのようになっていない点。
［相違点４］
　本願発明１は「前記プラズマエッチングチャンバに連結された搬送チャンバを備えるクラスタツール」を備えているのに対して，引用発明１はそのようになっていない点。
［相違点５］
　本願発明１は「半導体ウェハは前記レーザスクライブ装置から前記ファクトリインタフェースの前記ロボットに搬送され、前記ファクトリインタフェースの前記ロボットから、前記クラスタツールの前記ロードロックを介して、前記クラスタツールの前記搬送チャンバに搬送され、前記クラスタツールの前記搬送チャンバから前記プラズマエッチングチャンバに搬送される」のに対して，引用発明１はそのようになっていない点。
イ　相違点についての判断
（ア）　以下，［相違点２］について検討する。
　「レーザスクライブ装置」について，上記［相違点２］に係る構成は，引用文献２ないし７には記載されておらず，又，周知の構成であるとも認められない。
　そうすると，引用発明１を，引用文献２ないし７に記載された事項から，［相違点２］に係る構成と同様の構成を有する発明とすることが，容易であったとは言えない。
（イ）　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明１及び引用文献２ないし７に記載された事項に基づいて容易に発明できたものあるとは言えない。
（２）引用発明２を主引例とする検討
ア　本願発明１と引用発明２を対比する。
（ア）　引用発明２は，「半導体ウェハを個々の集積回路毎に分割して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法に用いられる装置」であって，「レーザ加工装置１０」及び「プラズマ処理装置２０」を備えているから，システムであると言える。
　そうすると，引用発明２の「半導体ウェハを個々の集積回路毎に分割して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法に用いられる装置」は，本願発明１の「複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングするシステム」に相当する。
（イ）　引用発明２の「レーザ加工装置１０」は，「半導体ウェハ１に貼り付けられた保護シート５を，スクライブライン２ａに沿ってダイシング幅に相当する所定幅だけ除去し，プラズマエッチングにおけるマスクを形成するとともに、半導体ウェハ１においてスクライブライン２ａに相当する位置に形成されていたテストパターン４を、半導体ウェハ１の表面層とともに除去する工程（テストパターン除去工程）」に使用されており，この「テストパターン除去工程」は，本願明細書段落【００１３】の「レーザスクライブ工程は、マスク層、有機及び無機誘電体層及びデバイス層をきれいに除去するために用いてもよい。」の「レーザスクライブ工程」に相当する。
　そうすると，引用発明２の「レーザ加工装置１０」は，本願発明１の「レーザスクライブ装置」に相当する。
（ウ）　引用発明２の「プラズマ処理装置２０」は，「保護シート５が除去された半導体ウェハ１の、前記ダイシング幅（所定幅）に対応する部分をプラズマエッチングすることにより、レーザ光の照射によって生じたダメージ層１ｄを除去するとともに、半導体ウェハ１を個々の集積回路毎に分割する工程（プラズマダイシング工程）」に使用されており，この「プラズマダイシング工程」は，本願明細書段落【００１３】の「ダイシング工程のプラズマエッチング部を用いて、ウェハ又は基板のバルクの全厚、例えばバルク単結晶シリコンの全厚をエッチングすることにより、ダイ又はチップの個片化、即ち、ダイシングを行ってもよい。」の「ダイシング工程」に相当する。
　そうすると，引用発明２の「プラズマ処理装置２０」は，本願発明１の「プラズマエッチングチャンバ」に相当する。
（エ）　してみれば，本願発明１と引用発明２とは，以下の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングするシステムにおいて，
　レーザスクライブ装置と，
　プラズマエッチングチャンバを備えるシステム。」
［相違点６］
　本願発明１は，「アーム又はブレードを備えるロボットを含むファクトリインタフェース」を備えているのに対して，引用発明２は対応する構成を備えていない点。
［相違点７］
　「レーザスクライブ装置」について，本願発明１は「前記ファクトリインタフェースに連結され」，又「前記レーザスクライブ装置は前記クラスタツールに含まれ」ていないのに対して，引用発明２はそのようになっていない点。
［相違点８］
　「プラズマエッチングチャンバ」について，本願発明１は「ロードロックにより前記ファクトリインタフェースに連結され」ているのに対して，引用発明２はそのようになっていない点。
［相違点９］
　本願発明１は「前記プラズマエッチングチャンバに連結された搬送チャンバを備えるクラスタツール」を備えているのに対して，引用発明２は対応する構成を備えていない点。
［相違点１０］
　本願発明１は「半導体ウェハは前記レーザスクライブ装置から前記ファクトリインタフェースの前記ロボットに搬送され、前記ファクトリインタフェースの前記ロボットから、前記クラスタツールの前記ロードロックを介して、前記クラスタツールの前記搬送チャンバに搬送され、前記クラスタツールの前記搬送チャンバから前記プラズマエッチングチャンバに搬送される」のに対して，引用発明２はそのようになっていない点。
イ　相違点についての判断
（ア）　以下，［相違点７］について検討する。
　「レーザスクライブ装置」について，上記［相違点７］に係る構成は，引用文献１及び引用文献３ないし７には記載されておらず，又，周知の構成であるとも認められない。
　そうすると，引用発明２を，引用文献１及び引用文献３ないし７に記載された事項から，［相違点７］に係る構成と同様の構成を有する発明とすることが，容易であったとは言えない。
（イ）　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明２及び引用文献１並びに引用文献３ないし７に記載された事項に基づいて容易に発明できたものあるとは言えない。
２　本願発明２ないし１０について
　本願発明２ないし１０は，本願発明１を引用するものであり，上記１（１）で検討した［相違点１］ないし［相違点５］及び，上記１（２）で検討した［相違点６］ないし［相違点１０］に係る構成を全て備える「システム」であるから，上記１（１）イ及び上記１（２）イで検討したと同様の理由により，引用発明１及び引用文献２ないし７に記載された事項，並びに，引用発明２及び引用文献１並びに引用文献３ないし７に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
３　本願発明１１について
（１）引用発明１を主引例とする検討
ア　本願発明１１と引用発明１を対比する。
（ア）　引用発明１の「ウェハを個片化するための装置」は，「プロセスチャンバ1010，1020」や「基板搬送機構430」を備えているから，システムであると言える。
　また，引用発明１の「ウェハを個片化するための装置」において，ウェハを個片化する際には，ウェハ上に複数の集積回路が形成されていることは技術常識であるから，引用発明１の「ウェハを個片化するための装置」は，本願発明１１の「複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングするシステム」に相当する。
（イ）　引用発明１の「筐体内1000の基板搬送機構430のロボット」は，本願発明１１の「アーム又はブレードを備えるロボット」と，「ロボット」である点で共通する。
（ウ）　引用発明１の「プロセスチャンバ1010，1020」のうち，一方は，「フェムト秒ベースのレーザを用いた，」「レーザスクライブプロセス」を実行するから，引用発明１の「フェムト秒ベースのレーザを用いた，」「レーザスクライブプロセス」を実行する「プロセスチャンバ」は，本願発明１１の「フェムト秒ベースのレーザを含むレーザスクライブ装置」に相当する。
　また，「ウェハを個片化」するためには，個片化の際の切断箇所となる，「半導体ウェハの集積回路間のストリート」にレーザ当てる必要があることは技術常識であるから，引用発明１の「レーザスクライブプロセス」においても，半導体ウェハの集積回路間のストリートのレーザアブレーションを実行していると認められる。
（エ）　引用発明１の「プロセスチャンバ1010，1020」のうち，一方は，「レーザ切断プロセス」を実行するから，引用発明１は「レーザ切断プロセス」を実行する「プロセスチャンバ」を備えていると言える。
　また，「レーザ切断プロセス」を実行する「プロセスチャンバ」は，「フェムト秒ベースのレーザを用いた」プロセスの後に，ウェハを個片化しているから，本願発明１１の「プラズマエッチングチャンバ」と，レーザアブレーションに続いて集積回路を個片化するチャンバである点で共通する。
（オ）　してみれば，本願発明１１と引用発明１とは，以下の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングするためのシステムであって、
　ロボットと、
　フェムト秒ベースのレーザを含むレーザスクライブ装置であって、半導体ウェハの集積回路間のストリートのレーザアブレーションを実行するように構成されるレーザスクライブ装置と、
　レーザアブレーションに続いて集積回路を個片化するチャンバと，
　前記半導体ウェハは前記レーザスクライブ装置から前記ファクトリインタフェースの前記ロボットに搬送され、前記ファクトリインタフェースの前記ロボットから、前記クラスタツールの前記ロードロックを介して、前記クラスタツールの前記搬送チャンバに搬送され、前記クラスタツールの前記搬送チャンバから前記プラズマエッチングチャンバに搬送されるシステム。」
［相違点１１］
　「ロボット」について，本願発明１１は「アーム又はブレードを備えるロボット」であり，また，「ファクトリインタフェース」に含まれているのに対して，引用発明１の「ロボット」は，「アーム又はブレードを備える」のか不明であり，又，「ファクトリインタフェース」に含まれていない点。
［相違点１２］
　「フェムト秒ベースのレーザを含むレーザスクライブ装置」について，本願発明１１は，「前記ファクトリインタフェースに連結され」，又「前記レーザスクライブ装置は前記クラスタツールに含まれ」ていないのに対して，引用発明１はそのようになっていない点。
［相違点１３］
　「集積回路を個片化するチャンバ」について，本願発明１１は，「ロードロックにより前記ファクトリインタフェースに結合されたクラスタツール」に含まれた「半導体ウェハをエッチングするように構成されたプラズマエッチングチャンバ」であるのに対して，引用発明１はそのようになっていない点。
［相違点１４］
　本願発明１１は，「ロードロックにより前記ファクトリインタフェースに結合されたクラスタツール」を備えており，この「クラスタツール」について，上記［相違点１３］の「半導体ウェハをエッチングするように構成されたプラズマエッチングチャンバ」に加え，「前記半導体ウェハの集積回路の上方にマスク層を形成するように構成された成膜チャンバと、レーザアブレーション又はエッチングに続いて、前記半導体ウェハを洗浄するように構成されたウェット／ドライステーションとを含むクラスタツールとを含」んでいるのに対して，引用発明１は対応する構成を有していない点。
［相違点１５］
　本願発明１１は「システムの全体的設置面積は、約３５００ｍｍ×３８００ｍｍであ」るのに対して，引用発明１は「システムの全体的設置面積」が不明である点。
［相違点１６］
　本願発明１１は「前記半導体ウェハは前記レーザスクライブ装置から前記ファクトリインタフェースの前記ロボットに搬送され、前記ファクトリインタフェースの前記ロボットから、前記クラスタツールの前記ロードロックを介して、前記クラスタツールの前記搬送チャンバに搬送され、前記クラスタツールの前記搬送チャンバから前記プラズマエッチングチャンバに搬送される」のに対して，引用発明１はそのようになっていない点。
イ　相違点についての判断
（ア）　以下，［相違点１２］について検討する。
　「レーザスクライブ装置」について，上記［相違点１２］に係る構成は，引用文献２ないし７には記載されておらず，又，周知の構成であるとも認められない。
　そうすると，引用発明１を，引用文献２ないし７に記載された事項から，［相違点１２］に係る構成と同様の構成を有する発明とすることが，容易であったとは言えない。
（イ）　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１１は，当業者であっても引用発明１及び引用文献２ないし７に記載された事項に基づいて容易に発明できたものあるとは言えない。
（２）引用発明２を主引例とする検討
ア　本願発明１と引用発明２を対比する。
（ア）　引用発明２は，「半導体ウェハを個々の集積回路毎に分割して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法に用いられる装置」であって，「レーザ加工装置１０」及び「プラズマ処理装置２０」を備えているから，システムであると言える。
　そうすると，引用発明２の「半導体ウェハを個々の集積回路毎に分割して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法に用いられる装置」は，本願発明１１の「複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングするためのシステム」に相当する。
（イ）　引用発明２の「レーザ加工装置１０」は，「半導体ウェハ１に貼り付けられた保護シート５を，スクライブライン２ａに沿ってダイシング幅に相当する所定幅だけ除去し，プラズマエッチングにおけるマスクを形成するとともに、半導体ウェハ１においてスクライブライン２ａに相当する位置に形成されていたテストパターン４を、半導体ウェハ１の表面層とともに除去する工程（テストパターン除去工程）」に使用されており，この「テストパターン除去工程」は，本願発明１１の「半導体ウェハの集積回路間のストリートのレーザアブレーションを実行する」ことに相当する。
　そうすると，引用発明２の「レーザ加工装置１０」は，本願発明１１の「半導体ウェハの集積回路間のストリートのレーザアブレーションを実行するように構成されるレーザスクライブ装置」に相当する。
（ウ）　引用発明２の「プラズマ処理装置２０」は，「テストパターン除去工程の後，保護シート５が除去された半導体ウェハ１の、前記ダイシング幅（所定幅）に対応する部分をプラズマエッチングすることにより、レーザ光の照射によって生じたダメージ層１ｄを除去するとともに、半導体ウェハ１を個々の集積回路毎に分割する工程（プラズマダイシング工程）」に使用されており，この「プラズマダイシング工程」は，本願発明１１の「レーザアブレーションに続いて集積回路を個片化するために半導体ウェハをエッチングする」ことに相当する。
　そうすると，引用発明２の「プラズマ処理装置２０」は，本願発明１１の「レーザアブレーションに続いて集積回路を個片化するために半導体ウェハをエッチングするように構成されたプラズマエッチングチャンバ」に相当する。
（エ）　してみれば，本願発明１１と引用発明２とは，以下の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「複数の集積回路を含む半導体ウェハをダイシングするためのシステムであって，
　半導体ウェハの集積回路間のストリートのレーザアブレーションを実行するように構成されるレーザスクライブ装置と，
　レーザアブレーションに続いて集積回路を個片化するために半導体ウェハをエッチングするように構成されたプラズマエッチングチャンバと，
　を備えるシステム。」
［相違点１７］
　本願発明１１は，「アーム又はブレードを備えるロボットを含むファクトリインタフェース」を備えているのに対して，引用発明２は対応する構成を備えていない点。
［相違点１８］
　「レーザスクライブ装置」について，本願発明１１は「前記ファクトリインタフェースに結合され」，又「前記レーザスクライブ装置は前記クラスタツールに含まれ」ていないのに対して，引用発明２はそのようになっていない点。
［相違点１９］
　「レーザスクライブ装置」について，本願発明１１は「フェムト秒ベースのレーザを含むレーザスクライブ装置」であるのに対して，引用発明２はそのようになっていない点。
［相違点２０］
　本願発明１１は「ロードロックにより前記ファクトリインタフェースに結合されたクラスタツールであって、レーザアブレーションに続いて集積回路を個片化するために半導体ウェハをエッチングするように構成されたプラズマエッチングチャンバと、前記プラズマエッチングチャンバに連結された搬送チャンバと、前記半導体ウェハの集積回路の上方にマスク層を形成するように構成された成膜チャンバと、レーザアブレーション又はエッチングに続いて、前記半導体ウェハを洗浄するように構成されたウェット／ドライステーションとを含むクラスタツールとを含」んでいる「クラスタツール」を備えているのに対して，引用発明２は，本願発明１１の「レーザアブレーションに続いて集積回路を個片化するために半導体ウェハをエッチングするように構成されたプラズマエッチングチャンバ」に相当する構成である「プラズマ処理装置２０」を備えているものの，上記「クラスタツール」を備えていない点。
［相違点２１］
　本願発明１１は「システムの全体的設置面積は、約３５００ｍｍ×３８００ｍｍであ」るのに対して，引用発明２は「システムの全体的設置面積」が不明である点。
［相違点２２］
　本願発明１１は「前記半導体ウェハは前記レーザスクライブ装置から前記ファクトリインタフェースの前記ロボットに搬送され、前記ファクトリインタフェースの前記ロボットから、前記クラスタツールの前記ロードロックを介して、前記クラスタツールの前記搬送チャンバに搬送され、前記クラスタツールの前記搬送チャンバから前記プラズマエッチングチャンバに搬送される」のに対して，引用発明２はそのようになっていない点。
イ　相違点についての判断
（ア）　以下，［相違点１８］について検討する。
　「レーザスクライブ装置」について，上記［相違点１８］に係る構成は，引用文献１及び引用文献３ないし７には記載されておらず，又，周知の構成であるとも認められない。
　そうすると，引用発明２を，引用文献１及び引用文献３ないし７に記載された事項から，［相違点１８］に係る構成と同様の構成を有する発明とすることが，容易であったとは言えない。
（イ）　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１１は，当業者であっても引用発明２及び引用文献１並びに引用文献３ないし７に記載された事項に基づいて容易に発明できたものあるとは言えない。
４　本願発明１２ないし１５について
　本願発明１２ないし１５は，本願発明１１を引用するものであり，上記３（１）で検討した［相違点１１］ないし［相違点１６］及び，上記３（２）で検討した［相違点１７］ないし［相違点２２］に係る構成を全て備える「システム」であるから，上記３（１）イ及び上記３（２）イで検討したと同様の理由により，引用発明１及び引用文献２ないし７に記載された事項，並びに，引用発明２及び引用文献１並びに引用文献３ないし７に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
第７　原査定について
　上記第６のとおりであるから，本願発明１ないし１５は，拒絶査定において引用された引用文献１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。
第８　当審拒絶理由について
　上記第６のとおりであるから，本願発明１ないし１５は，当審拒絶理由において引用された引用文献２ないし７に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，当審拒絶理由によって，本願を拒絶することはできない。
第９　むすび
　以上のとおり，本願発明１ないし１５は，当業者が引用文献１に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。