【事件の表示】
　特願２０１６−５３３０８４「熱的隔離および熱制限ピラーを有する集積熱光学スイッチ」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　９月１１日国際公開、ＷＯ２０１５／１３１８０５、平成２９年　１月　５日国内公表、特表２０１７−５００６０１、請求項の数（１５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成２７年３月３日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　平成２６年３月５日　アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯の概要は、以下のとおりである。  
  
　平成２９年　４月２８日付け：拒絶理由通知書  
　平成２９年　７月２８日　　：意見書、手続補正書  
　平成２９年１２月２０日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。平成３
　　　　　　　　　　　　　　　０年１月９日送達） 
　平成３０年　５月　８日　　：審判請求書  
　平成３１年　２月１９日付け：拒絶理由通知書  
　令和　元年　５月２４日　　：意見書、手続補正書  
  
第２　本願発明  
　本願の請求項１−請求項１５に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明１５」という。）は、令和元年５月２４日の手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−請求項１５に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうち請求項１は以下のものである。  
  
「　　【請求項１】
　熱光学スイッチであって、
　光導波管と、
　前記光導波管の表面との熱的接点における抵抗性ヒータと、
　前記光導波管と基盤との間に形成されたギャップによって前記光導波管の下にある前記基盤から前記光導波管が実質的に熱的に隔離されるように、前記光導波管の側面に接続されるとともに前記光導波管を支持する複数の熱フロー制限ピラーであって、前記ピラーが前記光導波管から前記ピラーを支持する支持構造への熱フローを制限する、複数の熱フロー制限ピラーとを備え、
　前記ピラーの各々の前記光導波管により近い断面は、前記ピラーの各々の前記光導波管からより遠い断面より小さく、前記ピラーの各々は、基盤側およびその反対側が台形形状である四角柱を含む、熱光学スイッチ。」 
  
　なお、本願発明２−１５の概要は以下のとおりである。
　本願発明２−５は、本願発明１を減縮した発明である。
　本願発明６は、請求項１の熱光学スイッチを備えたネットワークコンポーネントであり、本願発明７−１０は、本願発明６を減縮した発明である。 
　本願発明１１は、請求項１の熱光学スイッチを備えた光集積回路であり、本願発明１２−１５は、本願発明１１を減縮した発明である。
第３　原査定の概要及び原査定について当審の判断  
１　原査定の概要 
　この出願の請求項１−２１に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  
　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開平１−１５８４１３号公報
２．特開平１１−１０９１５７号公報
３．米国特許出願公開第２００４／０２５８３４４号明細書
  
２　原査定について当審の判断 
ア　引用文献、引用発明 
（ア）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開平１−１５８４１３号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は、当審で付した。以下同じ。）。 
  
「実施例２
　第２図に本発明の第２の実施例の構成例を示す。第２図（ａ）はその平面図、第２図（ｂ）および（ｃ）は、第２図（ａ）における、それぞれ、Ｃ−Ｃ′線およびＤ−Ｄ′線に沿った断面図である。
　第２図（ｂ）に示したＣ−Ｃ′線断面の部分は第１図に示した構成と同じである。本実施例では、実施例１と異なって、
複数の溝２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂを設け、溝２１ａ，２１ｂと２２ａ，２２ｂおよび溝２２ａ，２２ｂと２３ａ，２３ｂの間にブリッジ構造部３１ａ，３１ｂおよび３２ａ，３２ｂ
を配設する。
分離光導波路部１３
　このような構成をとることにより、加熱された光導波路部１３から基板１への熱伝導を抑制するように構成することができる。ここで、分離光導波路部１３はコア部２の長手方向に沿って複数個に分割され、ブリッジ構造部３１ａ，３１ｂ，３２ａおよび３２ｂによってシリコン基板１により支持される。
　本実施例のコア部２の断面寸法は実施例１と同様に定めることができる。また、本例では、各溝２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３ａおよび２３ｂの長手方向の長さは４４０μｍと定め、ブリッジ構造部３１ａ，３１ｂ，３２ａおよび３２ｂの幅は６０μｍとした。このようにして、溝とブリッジ構造部の幅との合計長である５００μｍを周期としてブリッジ構造を繰り返して、１０ｍｍの長さの分離光導波路部１３および
シリコン基板除去領域１２を形成した。
分離光導波路部１３の上面には、
薄膜ヒータ４を形成した。
　上述のようなブリッジ構造の採用により、数ｍｍ長以上に及ぶ比較的長い薄膜ヒータ４を装荷した分離光導波部１３も破損することなく形成維持することができた。」 （第３頁右上欄第１６行−右下欄第１８行）
「
実施例３
　第３図は、本発明の第３の実施例の構成を示し、これは光スイッチアレイに応用した一例である。
　
第３図
光スイッチ
  
「
第３図
本実施例の薄膜ヒータ付光導波路は、第２図示の実施例２と同様の分離光導波路構造を有し
　一般に、同一シリコン基板上に複数個の
光スイッチ
 
　また、第２図（ａ）の記載から、分離光導波路部１３の側面に接続されるとともに分離光導波路部１３を支持するブリッジ構造部３１ａ，３１ｂおよび３２ａ，３２ｂが見て取れ、第２図（ｂ）の記載から、分離光導波路部１３とシリコン基板１との間に形成されたシリコン基板除去領域１２が見て取れる。
  
　したがって、上記引用文献１には、次の発明が記載されている 
  
「分離光導波路部１３と、
　分離光導波路部１３の上面に形成した薄膜ヒータ４と、
　分離光導波路部１３とシリコン基板１との間に形成されたシリコン基板除去領域１２と、
　複数の溝２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂを設け、溝２１ａ，２１ｂと２２ａ，２２ｂおよび溝２２ａ，２２ｂと２３ａ，２３ｂの間にブリッジ構造部３１ａ，３１ｂおよび３２ａ，３２ｂを配設し、
　分離光導波路部１３の側面に接続されるとともに分離光導波路部１３を支持するブリッジ構造部３１ａ，３１ｂおよび３２ａ，３２ｂとを形成した、光スイッチ。」（以下、引用発明１という。） 
  
（イ）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開平１１−１０９１５７公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００１７】図１は本発明の
ガラス導波路素子
【００１８】石英基板１上にアンダークラッド２が形成され、
アンダークラッド２の上に光の伝搬方向に沿って屈折率が周期的に変化する回折格子を有するコア３が形成されている。コア３はオーバークラッド４で覆われている。コア３及びその周辺部には、石英基板１及び両クラッド２、４から断続的に離れた状態にするための凹字断面形状の空隙（ピット）５が形成されている。
【００１９】尚、
コア３の下に位置するアンダークラッド２と石英基板１との間は、
ガラス導波路素子の長手方向全長にわたり空隙となっている。
【００２０】
オーバークラッド４上のコア３に対応する位置に
ヒータ６が設けられている。
　また、図１の記載から、コア３の下に位置するアンダークラッド２と石英基板１との間は、ガラス導波路素子の長手方向全長にわたり空隙となるように、コア３に対応する位置のオーバークラッド４の側面に接続されるとともに、アンダークラッド２及びオーバークラッド４で覆われているコア３を支持する複数の部分であって、複数の空隙（ビット）５の間に設けられている複数の部分を備えるガラス導波路素子が見て取れる。
　したがって、上記引用文献２には、次の発明が記載されている 
「アンダークラッド２の上に光の伝搬方向に沿って屈折率が周期的に変化する回折格子を有するコア３が形成され、コア３はオーバークラッド４で覆われ、コア３及びその周辺部には、石英基板１及び両クラッド２、４から断続的に離れた状態にするための凹字断面形状の空隙（ピット）５が形成されている、
　オーバークラッド４上のコア３に対応する位置にヒータ６が設けられ、
　コア３の下に位置するアンダークラッド２と石英基板１との間は、ガラス導波路素子の長手方向全長にわたり空隙となるように、コア３に対応する位置のオーバークラッド４の側面に接続されるとともに、アンダークラッド２及びオーバークラッド４で覆われているコア３を支持する複数の部分であって、複数の空隙（ビット）５の間に設けられている複数の部分を備える、ガラス導波路素子。」（以下、引用発明２という。）
 
（ウ）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（米国特許出願公開第２００４／０２５８３４４号明細書）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「[0017]  Referring to  FIG. 6 , the trenches  18  may guide the anisotropic etching from the bottoms of the regions  20 . The etchant is more selective of the substrate  10  than of the cladding  11  or  14 . As a result, an anisotropically etched trench  22  extends below the regions  20  formed by isotropic etching. A substantial portion of the substrate  10  material underneath the core  12  and the heater  16  is removed, leaving a relatively thin pillar  24  of substrate  10 . 
 [0018]  The inventors of the present invention have determined that a substantial portion of the heat loss from heater  16  occurs through the semiconductor substrate  10 . By reducing the amount of available substrate  10  underneath the heater  16 , this heat loss may be reduced. The heat loss may increase the power needs of the device and dispersed heat may adversely affect the optical properties of surrounding components. 」
「[0017]  図6 に関して、トレンチ18は、領域20の底部から異方性エッチングを進めてもよい。エッチング液はクラッド11又は14よりも基板10により選択的である。その結果、異方的にエッチングされたトレンチ22は、等方性エッチングによって形成された領域20の下に延びている。
コア12及び加熱部16の下の基板10の材料の実質的な部分は除去され、基材10の比較的薄い支柱24を残す。
[0018] 本発明の発明者らは、
ヒータ16からの熱損失の実質的な部分は、半導体基板10から生じると判断した。
　したがって、上記引用文献３には、次の技術的事項が記載されている。
「コア12及び加熱部16の下の基板10の材料の実質的な部分は除去され、残された材10の比較的薄い支柱24。」 
イ　対比・判断 
（ア）本願発明１について 
ａ　引用発明１の「光スイッチ」は、本願発明１の「熱光学スイッチ」に、引用発明１の「分離光導波路部１３」は、本願発明１の「光導波管」に、引用発明１の「分離光導波路部１３の上面に形成した薄膜ヒータ４」は、本願発明１の「前記光導波管の表面との熱的接点における抵抗性ヒータ」に、引用発明１の「『分離光導波路部１３とシリコン基板１との間に形成されたシリコン基板除去領域１２と、』『分離光導波路部１３の側面に接続されるとともに分離光導波路部１３を支持するブリッジ構造部３１ａ，３１ｂおよび３２ａ，３２ｂ』」は、本願発明１の「前記光導波管と基盤との間に形成されたギャップによって前記光導波管の下にある前記基盤から前記光導波管が実質的に熱的に隔離されるように、前記光導波管の側面に接続されるとともに前記光導波管を支持する複数の熱フロー制限ピラー」に、それぞれ相当する。
　また、引用発明１では「複数の溝２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂを設け、溝２１ａ，２１ｂと２２ａ，２２ｂおよび溝２２ａ，２２ｂと２３ａ，２３ｂの間にブリッジ構造部３１ａ，３１ｂおよび３２ａ，３２ｂを配設し」ていることから、複数の溝２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂにより、熱フローを制限している。そうすると、引用発明１の「分離光導波路部１３とシリコン基板１との間に形成されたシリコン基板除去領域１２と、複数の溝２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂを設け、溝２１ａ，２１ｂと２２ａ，２２ｂおよび溝２２ａ，２２ｂと２３ａ，２３ｂの間にブリッジ構造部３１ａ，３１ｂおよび３２ａ，３２ｂを配設し、分離光導波路部１３の側面に接続されるとともに分離光導波路部１３を支持するブリッジ構造部３１ａ，３１ｂおよび３２ａ，３２ｂ」は、本願発明１の「前記光導波管と基盤との間に形成されたギャップによって前記光導波管の下にある前記基盤から前記光導波管が実質的に熱的に隔離されるように、前記光導波管の側面に接続されるとともに前記光導波管を支持する複数の熱フロー制限ピラーであって、前記ピラーが前記光導波管から前記ピラーを支持する支持構造への熱フローを制限する、複数の熱フロー制限ピラー」に相当する。
　そうすると、本願発明１と引用発明１は、以下の構成で一致する。 
「熱光学スイッチであって、
　光導波管と、
　前記光導波管の表面との熱的接点における抵抗性ヒータと、
　前記光導波管と基盤との間に形成されたギャップによって前記光導波管の下にある前記基盤から前記光導波管が実質的に熱的に隔離されるように、前記光導波管の側面に接続されるとともに前記光導波管を支持する複数の熱フロー制限ピラーであって、前記ピラーが前記光導波管から前記ピラーを支持する支持構造への熱フローを制限する、複数の熱フロー制限ピラーとを備えた、熱光学スイッチ。」 
  
　本願発明１と引用発明１は、以下の構成で相違する。 
相違点１ 
　熱フロー制限ピラーについて、本願発明１は、前記ピラーの各々の前記光導波管により近い断面は、前記ピラーの各々の前記光導波管からより遠い断面より小さく、前記ピラーの各々は、基盤側およびその反対側が台形形状である四角柱を含むのに対し、引用発明１は、そのようなものか明らかでない点。 
  
ｂ　相違点１について 
　引用文献３では、ヒータ16からの熱損失の実質的な部分は、半導体基板10から生じると判断して、コア12及び加熱部16の下の基板10の材料の実質的な部分は除去され、基材10の比較的薄い支柱24を残している。
　そうすると、引用発明１では、分離光導波路部１３とシリコン基板１との間に形成されたシリコン基板除去領域１２が設けられており、すでに、分離光導波路部１３とシリコン基板１とは、実質的に熱的に隔離されているので、引用文献３の技術的事項を適用する動機はない。
　また、断面積が他より小さい構造体を、光導波管の近くに配して、熱フロー制限に利用する旨が、引用文献３等から周知な技術思想だとしても、上記同様動機付けがなく、さらに、本願請求項１に係る発明では、ピラーの各々は、基盤側およびその反対側が台形形状である四角柱を含むとの特定の形状とすることで、光導波管を支持し、熱フローをより制限するとの効果を奏すると認められることを踏まえると、引用発明１において、「前記ピラーの各々の前記光導波管により近い断面は、前記ピラーの各々の前記光導波管からより遠い断面より小さく、前記ピラーの各々は、基盤側およびその反対側が台形形状である四角柱を含む」とすることは、周知の技術思想の具現化における微差とはいえない。
ｃ　したがって、本願発明１は、当業者であっても引用発明１及び引用文献３に記載された技術的事項又は引用発明１及び周知技術に基づいて容易に発明ができたものであるとはいえない。 
ｄ　引用発明２の「『アンダークラッド２』と『コア３』と『オーバークラッド４』」は、本願発明１の「光導波管」に、引用発明２の「『オーバークラッド４上のコア３に対応する位置に』『設けられ』た『ヒータ６』」は、本願発明１の「光導波管の表面との熱的接点における抵抗性ヒータ」に、引用発明２の「コア３の下に位置するアンダークラッド２と石英基板１との間は、ガラス導波路素子の長手方向全長にわたり空隙となるように、コア３に対応する位置のオーバークラッド４の側面に接続されるとともに、アンダークラッド２及びオーバークラッド４で覆われているコア３を支持する複数の部分であって、複数の空隙（ビット）５の間に設けられている複数の部分」は、本願発明１の「前記光導波管と基盤との間に形成されたギャップによって前記光導波管の下にある前記基盤から前記光導波管が実質的に熱的に隔離されるように、前記光導波管の側面に接続されるとともに前記光導波管を支持する複数の熱フロー制限ピラーであって、前記ピラーが前記光導波管から前記ピラーを支持する支持構造への熱フローを制限する、複数の熱フロー制限ピラー」に、それぞれ相当する。
　また、引用発明２の「ガラス導波路素子」と本願発明１の「熱光学スイッチ」は、素子である点で一致する。
「素子であって、
　光導波管と、
　前記光導波管の表面との熱的接点における抵抗性ヒータと、
　前記光導波管と基盤との間に形成されたギャップによって前記光導波管の下にある前記基盤から前記光導波管が実質的に熱的に隔離されるように、前記光導波管の側面に接続されるとともに前記光導波管を支持する複数の熱フロー制限ピラーであって、前記ピラーが前記光導波管から前記ピラーを支持する支持構造への熱フローを制限する、複数の熱フロー制限ピラーとを備えた、素子。」
　本願発明１と引用発明２は、以下の構成で相違する。 
相違点２ 
　熱フロー制限ピラーについて、本願発明１は、前記ピラーの各々の前記光導波管により近い断面は、前記ピラーの各々の前記光導波管からより遠い断面より小さく、前記ピラーの各々は、基盤側およびその反対側が台形形状である四角柱を含むのに対し、引用発明２は、そのようなものか明らかでない点。 
相違点３
　本願発明１は、「熱光学スイッチ」であるのに対し、引用発明２は、そのようなものか明らかでない点。 
ｅ　相違点２について 
　引用文献３では、ヒータ16からの熱損失の実質的な部分は、半導体基板10から生じると判断して、コア12及び加熱部16の下の基板10の材料の実質的な部分は除去され、基材10の比較的薄い支柱24を残している。
　そうすると、引用発明２では、コア３の下に位置するアンダークラッド２と石英基板１との間は、ガラス導波路素子の長手方向全長にわたり空隙となっており、すでに、コア３と石英基板１とは、実質的に熱的に隔離されているので、引用文献３の技術的事項を適用する動機はない。
　また、断面積が他より小さい構造体を、光導波管の近くに配して、熱フロー制限に利用する旨が、引用文献３等から周知な技術思想だとしても、上記同様動機付けがなく、さらに、本願請求項１に係る発明では、ピラーの各々は、基盤側およびその反対側が台形形状である四角柱を含むとの特定の形状とすることで、光導波管を支持し、熱フローをより制限するとの効果を奏すると認められることを踏まえると、引用発明２において、「前記ピラーの各々の前記光導波管により近い断面は、前記ピラーの各々の前記光導波管からより遠い断面より小さく、前記ピラーの各々は、基盤側およびその反対側が台形形状である四角柱を含む」とすることは、周知の技術思想の具現化における微差とはいえない。
ｆ　したがって、相違点３について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても引用発明２及び引用文献３に記載された技術的事項又は引用発明２及び周知技術に基づいて容易に発明ができたものであるとはいえない。   
（イ）本願発明２−１５について 
　本願発明２−１５も、相違点１−３に係る本願発明１の構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明１及び引用文献３に記載された技術的事項又は引用発明１及び周知技術、又は、引用発明２及び引用文献３に記載された技術的事項又は引用発明２及び周知技術に基づいて容易に発明できたものとはいえない。   
  
第４　当審拒絶理由について  
　平成３１年２月１９日付けで、請求項１−２１について発明が不明確である、及び、この出願は、発明の詳細な説明の記載が不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない、との拒絶の理由を通知しているが、令和元年５月２４日の手続補正により補正された結果、この拒絶理由は解消した。  
  
第５　むすび  
　以上のとおり、原査定の拒絶理由及び当審の拒絶理由によっては、拒絶することができない。  
　また、他に本件出願を拒絶すべき理由を発見しない。  
　よって、結論のとおり審決する。