【事件の表示】
　平成１１年特許願第２５６９０５号「閾動作式半導体型静電力装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　３月１４日出願公開、特開２０００−　７７７４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成４年５月１９日に出願された特願平４−１５１３８５号の一部を平成１１年９月１０日に新たな特許出願としたものであって、平成１５年１０月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、当審において平成１７年１２月１９日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内である平成１８年２月２０日に意見書と共に手続補正書が提出されたものであって、「閾動作式半導体型静電力装置」に関するものである。
　
２．当審の拒絶理由通知に係る拒絶の理由
　当審において平成１７年１２月１９日付けで通知した拒絶の理由の概要は、本願明細書及び図面の記載が不備であるため、本願は、特許法第３６条第４項、第５項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない、というものであり、その内容は以下のとおりである。
　
「本件出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項及び第５項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。  　　
　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　　
（１）いわゆる「半導体力学スレッショルド効果」について
　審判請求人は、審判請求書において、提出された卒業論文を根拠として、「半導体力学スレッショルド効果」が事実として存在することが証明できた旨主張している。
　しかしながら、上記卒業論文に理論値を超えた測定値が記載されているとしても、直ちに「半導体力学スレッショルド効果」なる現象が存在するとは断定できず、また、上記卒業論文の他には、第三者による学会での発表等が何らなされていないことを考慮すると、本願明細書記載の「半導体力学スレッショルド効果」が充分に検証され、第三者にその特性が利用可能な物理現象であるとは認められない。
　また、審判請求人は、審判請求書において、「本書でもこの追試データを証拠資料１として補足書に添付して提出します。この追試は日本工業大学工学部システムエ学科の学生・・・による平成５年度卒業研究の一環として行なわれたものであり、同大学・・・教授の指導を受けております。提出した証拠資料は卒業論文（以下単に論文）の複写であり、同大学システムエ学科主任の認印が押されています。本論文の謝辞（７３頁）にある様に、この追試は通商産業省工業技術院電子技術総合研究所光技術部において行なわれ、研究方針、実験等、あらゆる面において・・・博士・・・研究官・・・研究員の指導監督の下に行なわれました。よって、この追試データは、十分「信頼し得べき第三者の証明書」に該当するものと確信いたします。」と主張しているが、上記卒業論文の「謝辞」には、「研究方針、実験等、あらゆる面において」指導を受けた旨の記載はあるものの、上記研究官等の責任においてなされたものでなく、第三者により検証されたものと認めることはできない。
　さらに、仮に、上記卒業論文が「追試」に相当するとしても、上記卒業論文に記載される実験データ（図５−１〜図５−９）の全てにおいて、印加電圧に対する天秤指示値は滑らかな曲線であって、印加電圧の「閾値」は観測されておらず、「半導体力学スレッショルド効果」が「確認できないこと」を確認したものと認められる。
　よって、本願明細書記載の「半導体力学スレッショルド効果」が充分に検証され、第三者にその特性が利用可能な物理現象であるとは認められない。
　したがって、本願明細書の発明の詳細な説明には、当業者が容易にその実施をすることができる程度に、発明の目的、構成及び効果が記載されているとは認められない。
　
（２）特許請求の範囲請求項の記載について
　請求項１について
（ａ）「所定の閾値を越える静電界に応答して電界方向に移動する電荷を保持する半導体領域を備えた作用手段」、「該半導体領域に対して静電界を印加する為の対向手段」、「該静電界を制御する事により所定の閾値を越えた時該半導体領域内で電荷を局在化させ静電力を生み出す為の制御手段」は、機能のみが記載されており、構成が明りょうでない。
（ｂ）「閾値以上では静電界の増加に伴い発生する静電力が急激に増大する」ことは、詳細な説明に開示されていないので、どのような現象を意味するか明りょうでなく、また、明細書に記載されたものでもない。
（ｃ）「閾値以下では静電界の増加に伴い静電力が徐々に増大するのに比べ、閾値以上では静電界の増加に伴い発生する静電力が急激に増大する閾動作式半導体型静電力装置」は、明細書に記載されたものではない。
　なお、請求項の記載の検討においては上記（１）での検討を前提としている。
　
　請求項２，３について
　請求項１を引用する請求項２又は３においては、「作用手段」又は「対向手段」について限定しているものの、請求項２又は３に記載された「手段」により、請求項１に記載される「手段」として記載された「機能」を達成できるものであるか明りょうでなく、この点は、明細書にも明りょうに記載されていないから、構成が明りょうでない。
　
　請求項４について
　「制御手段」の構成について限定しているものの、「互いに対面する作用手段と対向手段の間隙距離の２乗より大きな値に反比例する静電力を生み出す」ことができるか否か、明細書の記載から確認できず、「制御手段」がどのような構成であるか明りょうでない。
　
  さらに、上記（１）において検討したように、本願明細書記載の「半導体力学スレッショルド効果」が充分に検証され、第三者にその特性が利用可能な物理現象であるとは認められないから、いわゆる「半導体力学スレッショルド効果」を前提とした特許請求の範囲の請求項に係る発明は、その構成が明りょうでない。
　
（３）明細書の記載について
（ａ）０００６段落の記載について
　「この点に鑑み、本発明は静電型半導体アクチュエータ自体に判断能力、情報処理能力あるいは知的能力を付与する事を目的とする。」との目的が記載されているが、これらの「目的」を達成するための、具体的手段が明細書に記載されていない。
（ｂ）０００７段落の記載について
　「上述した本発明の目的を達成する為に閾動作式半導体型静電力装置を発明した。図１の（Ａ）を参照して本装置の基本的な構成例を説明する。本装置は、所定の閾値を越える静電界に応答して電界方向に移動する電荷を保持する半導体領域を備えた作用手段１を備えている。又、該半導体領域に対して静電界を印加する為の対向手段２を備えている。さらに、該静電界を制御する事により所定の閾値を越えた時該半導体領域内で電荷を局在化させ静電力を生み出す為の制御手段３を備えており、閾値以下では静電界の増加に伴い静電力が徐々に増大するのに比べ、閾値以上では静電界の増加に伴い発生する静電力が急激に増大する。」と記載されているが、「所定の閾値を越える静電界に応答して電界方向に移動する電荷を保持する半導体領域を備えた作用手段１」、「該静電界を制御する事により所定の閾値を越えた時該半導体領域内で電荷を局在化させ静電力を生み出す為の制御手段３」がどのような「手段（構成）」であるか明りょうでなく、また、「作用手段１」、「対向手段２」及び「制御手段３」を備えることにより、「閾値以下では静電界の増加に伴い静電力が徐々に増大するのに比べ、閾値以上では静電界の増加に伴い発生する静電力が急激に増大する」との効果が奏せられるとの根拠は、明細書に記載されておらず、本願発明の構成及び効果が明りょうでない。
（ｃ）００１３段落及び００１４段落の記載について
  「静電界が所定の閾値を越えると、Ｐ型可動子の不純物領域に含まれるアクセプタ正孔が大量に励起され、間隙側表面に向って移動し局在化される。」、「他方のＮ型固定子の半導体領域に含まれるドナー電子も所定の閾値を越える静電界に応答して大量にドナー準位から伝導帯に励起され、間隙側表面に向って移動し局在化される。」と記載されているが、どのようなメカニズムで「アクセプタ正孔」又は「ドナー電子」が「大量に励起され」るのか明りょうでない。
　また、この段落には、「静電界が閾値を越えた途端に急激に応答し力学的変位を行なう。」と記載されているが、その根拠は明細書に記載がなく、どのような現象を意味するか明りょうでない。
　よって、「半導体力学スレッショルド効果」と呼ばれる効果がどのような現象を意味するか、またどのような効果が奏せられるのか明りょうでない。
（ｄ）００１５段落及び図２の記載について    
  「この様な静電界中において、電界強度が所定の閾値を越えると、Ｐ型不純物半導体内において、充満帯の電子が大量に禁止帯中のアクセプタ準位に励起され、その後に正孔を残す。この正孔は伝導帯中を移動できるので、正極性の電圧により反発を受け間隙側の表面に局在化し正孔の高密度層１６を形成する。正孔が局在化した後のＰ型不純物半導体バルク部分には不純物がイオン化した領域１７が残される。一方、対向手段２を構成するＮ型不純物半導体中において、静電界が所定の閾値を越えると大量のドナー電子が禁止帯中の不純物準位から伝導帯に励起され移動度が増す。従って、負極性の電圧から反発力を受け間隙側表面に局在し電子の高密度層１８を形成する。この際Ｎ型不純物半導体のバルク部分に拡散されたドナー不純物は陽イオン化される。電圧印加過渡期においてこのバルク部分には電子が流入するのでドナー不純物が中和された中性領域１９が形成される。」なる記載において、なぜ、「電界強度が所定の閾値を越えると、Ｐ型不純物半導体内において、充満帯の電子が大量に禁止帯中のアクセプタ準位に励起され」、「Ｎ型不純物半導体中において、静電界が所定の閾値を越えると大量のドナー電子が禁止帯中の不純物準位から伝導帯に励起され移動度が増す。」のか、そのメカニズムが明りょうでなく、また、なぜ、「正孔の高密度層１６」、「電子の高密度層１８」、「不純物がイオン化した領域１７」及び「中和された中性領域１９」が形成されるのか、明りょうでない。
（ｅ）００２２段落、００２３段落、表１及び図６について
　「サンプル２は不純物濃度が１０15atom／cm3 のＮ型半導体であり、印加電圧が３０Ｖを越える領域で静電引力が特異的に増大している。この事から、不純物濃度が１０15atom／cm3 以上の領域で多数キャリアの挙動に起因する特異的な半導体力学スレッショルド効果が発生する事がわかる。さらに、サンプル１の不純物濃度は１０18atom／cm3 である。３０Ｖ近傍で静電引力が急峻な立ち上がりを示しており、極めて特異的な半導体力学スレッショルド効果が顕著に観察される。」（００２３段落）と記載しているが、サンプル２でも図６での変化はなだらかであり、また、サンプル１のデータについて検討すると、サンプル１とサンプル２では、印加電圧３０Ｖでは重量変化にそれほど差はないものの、他の印加電圧（２０Ｖ、４０Ｖ〜６０Ｖ）ではサンプル１はサンプル２より重量変化が遙かに大きくなっているので、サンプル１の３０Ｖでのデータが正しくない可能性が高く、サンプル１については、３０Ｖで「閾値」となるとの判断は正しくなく、「半導体力学スレッショルド効果」が確認できたものとは言えない。
　また、電子天秤は、「＋」の重さ（重力の働く方向にかかる「ものの重さ」）を秤量するためのものであり、「−」の重さ（重力の働く方向と反対方向にかかる「ものの重さ」）を秤量するためには構成されてはいないので、本願明細書００２２段落の如くデータが「−」で表示される「−」の重さを測定した場合に、測定結果が正確であることは、通常保証されておらず、表１に記載される測定データそのものの信頼性にも疑問がある。
（ｆ）００２４段落の記載について
　上記「００２３段落の記載について」においても検討したとおり、表１に記載される測定データそのものの信頼性に問題があるので、表１の測定データを基とした００２４段落の説明は、根拠がなく、その記載も明りょうでない。
　また、いわゆる「半導体力学スレッショルド効果」については、上記（１）を参照されたい。
（ｇ）００２４−００４６の記載について
　いわゆる「半導体力学スレッショルド効果」を前提とした明細書の記載の００２４段落〜００４６段落の記載については、「半導体力学スレッショルド効果」が学問的に検証されていないので、明細書の記載内容については、検討していない。」
　
３．平成１８年２月２０日付け意見書の概要
　請求人は、上記意見書においては、以下の（１）ないし（４）のとおり主張している。
（１）特許請求の範囲の請求項１ないし３は、「作用手段」、「対向手段」及び「制御手段」をそれぞれ「不純物半導体材料」、「対向電極」及び「電圧供給源」と補正したので、それらの構成は明りょうとなり、請求項４は削除したので、特許請求の範囲の請求項１ないし３に係る発明は、明りょうとなった。
（２）「閾値以下では静電界の増加に伴い静電力が徐々に増大するのに比べ、閾値以上では静電界の増加に伴い発生する静電力が急激に増大する」点は、本願明細書及び図６に明確に記載されている。
「例えば、サンプル１に着目すると、「閾値（およそ３０Ｖの近傍）以下では静電界の増加（例えば１０Ｖから３０Ｖまで２０Ｖの増加）に伴い静電力が徐々に増大する・・・のに比べ、閾値（およそ３０Ｖの近傍）以上では静電界の増加（例えば３０Ｖから５０Ｖまで同じく２０Ｖの増加）に伴い発生する静電力が急激に増大・・・しています。
「ここで注意すべきは、「閾値以下の値に比べて閾値以上の値が急激に増加する」と相対的に規定していることです。絶対的な意味での「急激」は特定できませんが、請求項１に記載のとおり、相対的な比較では、確かに閾値以下での変化が相対的に「徐々」で、閾値以上での変化が相対的に「急激」となっています。」
（３）「電子天秤」での重さの秤量で「−」の重さを測定した場合の測定値の信頼性について
　秤を用いてものの重さを量る場合、二通りの方法があります。第１は、秤に試料を乗せて、目盛りを直読する方法です。この場合には、測定値は、通常＋の値となります。第２は、あらかじめ容器に入れた試料を秤に載せておき、これから所望量を計り取って測定する方法です。この場合には、測定値は初期値からの減量分となり、通常−の値となります。いずれの方法もものの重さを量っている点で変わりは無く、原理的には全く等価であり、測定精度に変わりはありません。本明細書に記載のデータは、装置の構成便宜上、第２の方法で重量変化を測定したのであり、決して負の質量を測定したものでは有りません。よって、表１に記載される測定データそのものの信頼性には、何ら問題はありません。
（４）参考資料として提出された卒業論文の他には、第三者による学会での発表等が何らなされていないことを考慮すると、本願明細書記載の「半導体力学スレッショルド効果」が充分に検証され、第三者にその特性が利用可能な物理現象であるとは認められないとする点について
　参考資料として提出した卒業論文は日本工業大学工学部システム工学科の学生千葉修氏による平成５年度卒業研究の一環として行なわれたものであり、同大学轡田昇教授の指導を受けております。提出した証拠資料は卒業論文の複写であり、同大学システム工学科主任の認印が押されています。この追試は、第三者たる千葉修氏によってなされたものであり、文字通り、本願明細書に記載のデータを第三者たる千葉修氏が検証したものです。
　また、卒業論文に記載される実験データのうち、少なくとも図５−７のデータは強く「半導体力学スレッショルド効果」の存在を指示するものです。即ち、作用電極と対向電極の距離（ギャップ）をパラメータにした４種類のサンプルに付き、印加電圧／重量変化特性が測定されています。・・・ギャップが０．２２０ｍｍのサンプルについては、印加電圧の増加とともに、重量の急激な増大が観測されています。これは、ギャップの縮小とともに、半導体中の不純物に加わる電界が強くなるためです。・・・
　卒業論文に記載された図５−７のデータで、ギャップが０．２２０ｍｍのサンプルですが、例えば所定の閾値をめのこで１００Ｖ近傍に設定した場合、閾値以下では特性カーブの傾きは、約１ｍｇ／５０Ｖで有るのに対し、閾値以上では約２ｍｇ／５０Ｖで二倍の開きがあります。・・・以上の次第でありますから、上記卒業論文は「半導体力学スレッショルド効果」を正しく確認したものと認められ、よって、本願明細書記載の「半導体力学スレッショルド効果」が充分に検証され、第三者にその特性が利用可能な物理現象であります。
　　
４．当審の判断
（１）いわゆる「半導体力学スレッショルド効果」について
　(1a)「所定の閾値を越える静電界に応答して電界方向に移動する電荷を保持する半導体領域を備えた不純物半導体材料」において、「半導体力学スレッショルド効果」が明確な現象として確認されたのであれば、「所定の閾値」を定量的に規定することができるはずである。
　にもかかわらず、本願明細書の図６のサンプル１においては「３０Ｖ近傍」が「所定の閾値」であり、提出された卒業論文の図５−７においては「１００Ｖ近傍」が「所定の閾値」であると主張しているが、その定量的な根拠が何ら示されておらず、請求人の主張する「所定の閾値」で静電力が急激に増大しているものとは認められない。
　また、物理現象において、「閾値」である場合には、測定値が急激に増加する程度でなく、明らかな変曲点であって、且つ、第３者が追試を行っても明らかな変曲点として観測できるものでなければ「閾値」とは言わない。
　上記卒業論文の図５−７においては、印加電圧が増加するにつれて天秤指示値が急増しているとしても、その変化は「極めて滑らか」なものであり、通常、物理現象として観測される「閾値」での急激な測定値の変化とは認められない程度のものである。
　(1b)上記卒業論文の図５−７の実験値についての近似曲線は、下に凸の滑らかな曲線、即ち、ｙ＝ａｘｂ（ａ＞０，ｂ＞１、ｂは正の数、ｘ＞０）として近似でき、このとき、ｘが大きくなるほど、ｘの一定量の変化に対するｙの変化量が大きくなることは数学的にも簡単に証明できる程度の事項である。
　ここで、図５−７の○（GAP　0.220mm）に対する実験値の近似曲線において、ｘ即ち、印加電圧が大きくなるほど、印加電圧の一定の変化量に対する、ｙ即ち、天秤指示値の変化量が大きくなることは、一般式ｙ＝ａｘｂ（ａ＞０、ｂ＞１、ｂは正の数、ｘ＞０）で示される曲線についての極めて当たり前の特性に過ぎず、請求人が主張する「半導体スレッショルド効果」が確認された根拠とすることはできない。
　(1c)したがって、上記卒業論文の他には、第三者による学会での発表等が何らなされておらず、また、上記(1b)で検討したとおり、上記卒業論文は「半導体力学スレッショルド効果」を確認したものとは言えないから、本願明細書記載の「半導体力学スレッショルド効果」が充分に検証され、第三者にその特性が利用可能な物理現象であるとは認められない。
　よって、本願の明細書の記載は、添付された図面を参照しても、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易にその実施をすることができる程度に、その発明の目的、構成及び効果が記載されているとは認められないから、本願の明細書は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（２）特許請求の範囲の請求項の記載について
　(2a)平成１８年２月２０日付けの手続補正により、請求項１ない３を補正し、請求項４を削除したとしても、上記手続補正は、特許請求の範囲の請求項１ないし３は、「作用手段」、「対向手段」及び「制御手段」をそれぞれ「不純物半導体材料」、「対向電極」及び「電圧供給源」と補正したものに過ぎない。
　(2b)補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載される「閾値以下では静電界の増加に伴い静電力が徐々に増大するのに比べ、閾値以上では静電界の増加に伴い発生する静電力が急激に増大する」点については、何ら補正されておらず、また、「（１）いわゆる「半導体力学スレッショルド効果」について」において検討したとおり、上記効果が充分に検証され、第三者にその特性が利用可能な物理現象であるものとは認められない。
　(2c)したがって、補正後の請求項１は、依然として、発明の構成に欠くことができない事項のみを記載したものでなく、また、本願の明細書及び図面に実質的に記載されたものとも認められず、補正後の請求項１を引用する補正後の請求項２及び３についても同様である。
　よって、特許請求の範囲の請求項１ないし３は、依然として、特許法第３６条第５項第１号及び第２号に規定される要件を満たしていない。
　
（３）明細書の記載について
　(3a)請求人の主張及び補正した本願の明細書を検討しても、いわゆる「半導体力学スレッショルド効果」がどのような現象を意味するか、またどのような効果が奏せられるか明確ではなく、「（１）いわゆる「半導体力学スレッショルド効果」について」において検討したとおり、上記効果が充分に検証され、第三者にその特性が利用可能な物理現象であるものとは認められない。
　(3b)明細書の００１３段落及び００１４段落に記載される、「静電界が所定の閾値を越えると、Ｐ型可動子の不純物領域に含まれるアクセプタ正孔が大量に励起され、間隙側表面に向って移動し局在化される。」及び「他方のＮ型固定子の半導体領域に含まれるドナー電子も所定の閾値を越える静電界に応答して大量にドナー準位から伝導帯に励起され、間隙側表面に向って移動し局在化される。」において、どのようなメカニズムで「アクセプタ正孔」又は「ドナー電子」が「大量に励起され」るのか明りょうでなく、また、００１４段落に記載される、「静電界が閾値を越えた途端に急激に応答し力学的変位を行なう。」は、その根拠が明細書に記載されておらず、「半導体力学スレッショルド効果」と呼ばれる効果がどのような現象を意味するか、またどのような効果が奏せられるのか明りょうでないと当審における拒絶の理由により通知したにも拘わらず、平成１８年２月２０日付けの意見書において、上記の点について何らの主張もしていない。
　したがって、上記の点については、依然として明細書の記載は、当業者が容易に実施できる程度に、その発明の構成及び効果が記載されているとは認められない。　
　(3c)００１５段落及び図２に記載される、「この様な静電界中において、電界強度が所定の閾値を越えると、Ｐ型不純物半導体内において、充満帯の電子が大量に禁止帯中のアクセプタ準位に励起され、その後に正孔を残す。この正孔は伝導帯中を移動できるので、正極性の電圧により反発を受け間隙側の表面に局在化し正孔の高密度層１６を形成する。正孔が局在化した後のＰ型不純物半導体バルク部分には不純物がイオン化した領域１７が残される。一方、対向手段２を構成するＮ型不純物半導体中において、静電界が所定の閾値を越えると大量のドナー電子が禁止帯中の不純物準位から伝導帯に励起され移動度が増す。従って、負極性の電圧から反発力を受け間隙側表面に局在し電子の高密度層１８を形成する。この際Ｎ型不純物半導体のバルク部分に拡散されたドナー不純物は陽イオン化される。電圧印加過渡期においてこのバルク部分には電子が流入するのでドナー不純物が中和された中性領域１９が形成される。」において、なぜ、「電界強度が所定の閾値を越えると、Ｐ型不純物半導体内において、充満帯の電子が大量に禁止帯中のアクセプタ準位に励起され」、「Ｎ型不純物半導体中において、静電界が所定の閾値を越えると大量のドナー電子が禁止帯中の不純物準位から伝導帯に励起され移動度が増す。」のか、そのメカニズムが明りょうでなく、また、なぜ、「正孔の高密度層１６」、「電子の高密度層１８」、「不純物がイオン化した領域１７」及び「中和された中性領域１９」が形成されるのか、明りょうでないと当審における拒絶の理由により通知したにも拘わらず、平成１８年２月２０日付けの意見書において、上記の点について何らの主張もしていない。
　したがって、上記の点については、依然として明細書の記載は、当業者が容易に実施できる程度に、その発明の構成及び効果が記載されているとは認められない。
　(3d)よって、本願の明細書は、添付された図面を参照しても、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易にその実施をすることができる程度に、その発明の目的、構成及び効果が記載されているとは認められないから、本願の明細書は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
　したがって、少なくとも上記の点においては、本願明細書及び特許請求の範囲は、特許法第３６条第４項、第５項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。
　　
５．むすび
　したがって、本願は、前記手続補正書によっても、特許法第３６条第４項及び第５項第１項及び第２号に規定する要件を満たしていないので、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。