【手続補正書】
【提出日】平成21年12月4日(2009.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に絶縁構造を形成する方法であって、
半導体基板においてトレンチを形成するステップと、
トレンチに第１の誘電体材料を堆積させるステップと、
第１の誘電体材料の表面が基板の表面の第２のレベルよりも下の第１のレベルに位置するように第１の誘電体材料の一部を取除いて、それによって凹部を形成するステップと、
凹部に第２の誘電体材料を堆積させるステップと、
第２の誘電体材料の表面が基板の表面と実質的に同一平面上になるように第２の誘電体材料の一部を取除いて、それによってトレンチに保護キャップを形成するステップとを含む、方法。
【請求項２】
第２の誘電体材料は、第１の誘電体材料と比較して、通常の半導体エッチングプロセスによる除去に対して相対的により耐性がある、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第２の誘電体材料は、窒化ケイ素とポリイミドとから構成されるグループから選択した１つ以上の材料を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
第１の誘電体は、ドープされたかまたはドープされていない酸化ケイ素とケイ酸塩ガラスとから構成されるグループからの１つ以上の材料を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
トレンチの底部から保護キャップの底部までの距離が保護キャップの厚さより著しく大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
フィールド酸化領域を半導体基板の表面に熱により形成するステップを含み、フィールド酸化領域は基板の表面上および表面下の両方に延在し、かつ
フィールド酸化領域の表面が基板の表面と実質的に同一平面上になるようにフィールド酸化領域の一部を取除くステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
フィールド酸化領域の表面が第２のレベルより下の第３のレベルにあるようにフィールド酸化領域の一部を取除いて、それによってフィールド酸化領域の残りの部分の上に第２
の凹部を形成するステップと、
第２の凹部に第２の誘電体材料を堆積させるステップと、
第２の凹部の第２の誘電体材料の表面が基板の表面と実質的に同一平面上になるように第２の誘電体材料の一部を取除いて、それによってフィールド酸化領域の残りの部分の上に第２の保護キャップを形成するステップとを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
半導体基板に絶縁構造を形成する方法であって、
基板上に第１のマスク層を堆積させるステップと、
第１のマスク層上に第２のマスク層を堆積させるステップと、
第１の幅を有する第１の開口部を形成するために第２のマスク層をパターニングするステップと、
第１の幅と実質的に等しい幅を有する第２の開口部を形成するために第１の開口部を通して第１のマスク層をエッチングするステップと、
第１の幅と実質的に等しい幅を有する第１のトレンチを形成するために第２の開口部を通して基板をエッチングするステップと、
第２のマスク層を取除くステップと、
第１のマスク層の残りの部分の上に第３のマスク層を堆積させるステップと、
第２の幅を有する第３の開口部を形成するために第３のマスク層をパターニングするステップとを含み、第２の幅は第１の幅に等しくなく、
第２の幅と実質的に等しい幅を有する第４の開口部を形成するために第３の開口部を通して第１のマスク層をエッチングするステップと、
第２の幅と実質的に等しい幅を有する第２のトレンチを形成するために第４の開口部を通して基板をエッチングするステップと、
第１および第２のトレンチを満たすために第１の誘電体材料の層を堆積させるステップと、
第１のトレンチにおける第１の誘電体材料の表面および第２のトレンチにおける第１の誘電体材料の表面が第１のレベルにあるように第１の誘電体材料の一部を取除くステップとを含み、第１のレベルは基板の表面と実質的に同一平面上の面よりも低い、方法。
【請求項９】
第１のレベルは基板の表面と実質的に同一平面上にある、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
第１の誘電体材料の一部を取除くステップは、第１のトレンチにおける第１の誘電体材料の表面および第２のトレンチにおける第１の誘電体材料の表面が基板の表面によって規定される面よりも下に位置するように第１の誘電体材料の一部を取除いて、それによって第１のトレンチに第１の凹部を形成し、第２のトレンチに第２の凹部を形成するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
第１および第２の凹部に第２の誘電体材料を堆積させるステップと、
第１のトレンチにおける第２の誘電体材料の表面および第２のトレンチにおける第２の誘電体材料の表面が基板の表面と実質的に同一平面上になるように第２の誘電体材料の一部を取除いて、それによって第１のトレンチに第１の保護キャップを形成し、第２のトレンチに第２の保護キャップを形成するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
第２の誘電体材料は、第１の誘電体材料と比較して、通常の半導体プロセスによる除去に対して相対的により耐性がある、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第２の誘電体材料は、窒化ケイ素とポリイミドとから構成されるグループから選択した１つ以上の材料を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
第１の誘電体は、ドープされたかまたはドープされていない酸化ケイ素およびケイ酸塩
ガラスから構成されるグループからの１つ以上の材料を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
半導体基板に絶縁構造を形成する方法であって、
基板上に第１のマスク層を堆積させるステップと、
第１のマスク層上に第２のマスク層を堆積させるステップと、
第２のマスク層に第１の開口部を形成するために第２のマスク層をパターニングするステップと、
第１のマスク層に第２の開口部を形成するために第１の開口部を通して第１のマスク層をエッチングするステップと、
第２の開口部の下に第１の導電型の第１の領域を形成するために第２の開口部を通して第１の導電型の第１のドーパントを注入するステップと、
第２のマスク層を取除くステップと、
第１のマスク層の第２の開口部に第１のフィールド酸化領域を形成するために基板を加熱するステップと、
基板にトレンチを形成するステップと、
トレンチに第１の誘電体材料を堆積させるステップと、
第１の誘電体材料の表面が基板の表面の第２のレベルよりも下の第１のレベルに位置するように第１の誘電体材料の一部を取除いて、それによって第１の誘電体材料の残りの部分の上に第１の凹部を形成するステップと、
第１のフィールド酸化領域の表面が第２のレベルより下の第３のレベルにあるように第１のフィールド酸化領域の一部を取除いて、それによって第１のフィールド酸化領域の残りの部分の上に第２の凹部を形成するステップと、
凹部に第２の誘電体材料を堆積させるステップと、
凹部の第２の誘電体材料の表面が基板の表面と実質的に同一平面上になるように第２の誘電体材料の一部を取除くステップとを含む、方法。
【請求項１６】
第２の誘電体材料は、第１の誘電体材料と比較して、通常の半導体エッチングプロセスによる除去に対して相対的により耐性がある、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
第２の誘電体材料は、窒化ケイ素とポリイミドとから構成されるグループから選択した１つ以上の材料を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
第１の誘電体は、ドープされたかまたはドープされていない酸化ケイ素とケイ酸塩ガラスとから構成されるグループからの１つ以上の材料を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
半導体基板のトレンチに形成された絶縁構造であって、
トレンチの下部に位置する第１の誘電体材料と、
トレンチの上部に位置する第２の誘電体材料とを含み、下部は上部よりも大きく、
第２の誘電体材料の表面は基板の表面と実質的に同一平面上にある、絶縁構造。
【請求項２０】
第２の誘電体材料は、第１の誘電体材料と比較して、通常の半導体エッチングプロセスによる除去に対して相対的により耐性がある、請求項１９に記載の絶縁構造。
【請求項２１】
第２の誘電体材料は、窒化ケイ素とポリイミドとから構成されるグループから選択した１つ以上の材料を含む、請求項１９に記載の絶縁構造。
【請求項２２】
第１の誘電体は、ドープされたかまたはドープされていない酸化ケイ素およびケイ酸塩ガラスから構成されるグループからの１つ以上の材料を含む、請求項１９に記載の絶縁構造。
【請求項２３】
トレンチの側壁に沿った第１の酸化層を含み、第１の酸化層は第１の誘電体層を基板から分離する、請求項１９に記載の絶縁構造。
【請求項２４】
トレンチの側壁に沿った第２の酸化層を含み、第２の酸化層は第２の誘電体層を基板から分離する、請求項２３に記載の絶縁構造。
【請求項２５】
半導体基板であって、
半導体基板に形成された第１のトレンチを含む第１の絶縁構造を含み、第１のトレンチは第１の誘電体材料で満たされ、第１の誘電体材料の表面は基板の表面と実質的に同一平面上にあって、
半導体基板に形成された第２のトレンチを含む第２の絶縁構造を含み、第２のトレンチは第２の誘電体材料で満たされ、第２の誘電体材料の表面は基板の表面と実質的に同一平面上にあって、
第１のトレンチは第２のトレンチより深く、第２のトレンチは第１のトレンチより幅広い、半導体基板。
【請求項２６】
第１の誘電体材料が第３の誘電体材料の第１の層および第４の誘電体材料の第２の層を含み、第２の層は第１のトレンチにおいて第１の層の上に配置され、第２の層の表面は基板の表面と実質的に同一平面上にあって、
第２の誘電体材料は第３の誘電体材料の第３の層および第４の誘電体材料の第４の層を含み、第４の層は第２のトレンチにおいて第３の層の上に配置され、第４の層の表面は基板の表面と実質的に同一平面上にある、請求項２５に記載の半導体基板。
【請求項２７】
第４の誘電体材料は、第３の誘電体材料と比較して、通常の半導体エッチングプロセスによる除去に対して相対的により耐性がある、請求項２６に記載の半導体基板。
【請求項２８】
半導体基板であって、
半導体基板に形成されたトレンチを含む第１の絶縁構造を含み、トレンチは第１の誘導体材料で満たされ、第１の誘導体材料の表面は基板の表面と実質的に同一平面上にあって、
フィールド酸化領域を含む第２の絶縁構造を含み、フィールド酸化領域の表面は基板の表面と実質的に同一平面上にあって、
トレンチはフィールド酸化領域より深く、フィールド酸化領域はトレンチより幅広い、半導体基板。
【請求項２９】
半導体基板であって、
トレンチを含む第１の絶縁構造を含み、トレンチは第１の誘電体材料の第１の層と第２の誘電体材料の第２の層とを含み、第２の層はトレンチにおいて第１の層の上に配置され、第２の層の表面は基板の表面と実質的に同一平面上にあって、第２の誘電体材料は、第１の誘電体材料と比較して、通常の半導体エッチングプロセスによる除去に対して相対的により耐性があり、
フィールド酸化領域を含む第２の絶縁構造を含み、第１のフィールド酸化領域の表面は基板の表面に対して凹んでおり、第２の誘電体材料の第３の層はフィールド酸化領域に重なり第３の層の表面は基板の表面と実質的に同一平面上にあって、第２の誘電体材料は、フィールド酸化領域と比較して、通常の半導体エッチングプロセスによる除去に対して相対的により耐性がある、半導体基板。
【請求項３０】
半導体基板におけるトレンチに形成された絶縁構造であって、第１の誘電体材料および第２の誘電体材料の混合物を含み、混合物における第２の誘電体材料の割合はトレンチにおける深さが減少するにつれて増加し、第２の誘電体材料は、第１の誘電体材料と比較し
て、通常の半導体エッチングプロセスによる除去に相対的により耐性がある、絶縁構造。