【手続補正書】
【提出日】平成22年2月24日(2010.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２コンポーネント検出器であって、
フォトダイオードアレイに接合された第１面と、前記フォトダイオードアレイに電気結合された第２面とを有する第１の基板と、
前記第１の基板の前記第２面に取り付けられたシールドと、
処理チップに直接フリップチップボンディングされた第１面、および受動電子素子に接合される第２面を有する第２の基板と、
を備え、
前記処理チップは、前記第２の基板の前記第１面に電気結合され、
前記受動電子素子は前記処理チップに電気結合され、
前記第１の基板の前記第１面の一部は、前記第２の基板の第２面の一部に物理的および電気的に接合されて、前記フォトダイオードアレイ内の複数のフォトダイオードからの、前記第１の基板と前記第２の基板とを通る個々の第１の通路を経由して伝えられる電気情報を前記処理チップにより処理させ、
前記処理チップからの電気情報は、前記第２の基板を通る個々の第２の通路を経由して前記受動電子素子へ伝えられ、
前記第２の通路は前記第１の通路から絶縁される２コンポーネント検出器。
【請求項２】
前記シールドと前記処理チップとは、物理的に接触しない、請求項１に記載の２コンポーネント検出器。
【請求項３】
前記シールドは、Ｘ線照射が前記処理チップに到達するのを妨げる、請求項１または２に記載の２コンポーネント検出器。
【請求項４】
前記第１の基板および前記フォトダイオードアレイは第１のコンポーネントを含み、
前記第２の基板および前記処理チップは第２のコンポーネントを含み、
各コンポーネントの動作機能は別個に決定されうる、請求項１から３の何れか１項に記載の２コンポーネント検出器。
【請求項５】
２コンポーネント検出器であって、
各々が光を電気信号に変換することができる２以上のフォトダイオードを含むフォトダイオードアレイと、
第１面および前記第１面の反対側の第２面を有する第１の基板と、
前記第１の基板の前記第２面に取り付けられるシールドと、
第１面および第２面を有する第２の基板と、
各電気信号を処理する回路を有するダイと、
を備え、
前記第１の基板の前記第１面は前記フォトダイオードアレイに接合され、
前記第１の基板は、前記第１の基板の前記第１面から前記第１の基板の前記第２面の一部に連通する、個々が前記第１の基板を経由する２以上の第１の導電路を有し、
各フォトダイオードは前記第１の基板の前記第１面における前記２以上の第１の導電路の１つに連結され、
前記第２の基板の前記第１面の一部が前記第１の基板の前記第２面の前記一部に接合されることで、前記第１の基板の前記２以上の第１の導電路の各々が、個々が前記第２の基板を経由する２以上の第２の導電路の固有の１つに連結され、
前記ダイは前記第２の基板の前記第１面に直接フリップチップ接合され、前記第２の基板の前記第１面は前記第２の基板の前記第２の導電路の各々を前記ダイに連結し、
前記第２の基板の前記第２面に直接接合される受動電子素子に前記ダイをつなぐ、個々が前記第２の基板を経由する２以上の第３の導電路をさらに備え、
前記第３の導電路は、前記第２の導電路と絶縁される検出器。
【請求項６】
前記シールドは、前記第１の基板の前記第２面の窪み領域に収容され、
前記窪み領域は前記シールドを収容するのに十分な容積を有する、請求項５に記載の検出器。
【請求項７】
前記シールドは前記ダイ以上の大きさを有する、請求項５または６に記載の検出器。
【請求項８】
前記シールドは、Ｘ線照射に対して半透過性を有する、請求項５から７の何れか１項に記載の検出器。
【請求項９】
前記シールドは、原子番号が７０を超える材料から実質的に形成される、請求項５から８の何れか１項に記載の検出器。
【請求項１０】
前記第２の基板の前記２以上の第２の導電路の各々は、ボールグリッドアレイはんだバンプを利用して、前記第１の基板の前記２以上の第１の導電路の１つに連結される、請求項５から９の何れか１項に記載の検出器。
【請求項１１】
前記第２の基板の前記第２面は、略平面状であり、受動電子素子を収容できる、請求項５から１０の何れか１項に記載の検出器。
【請求項１２】
前記ダイは、前記第２の基板の前記第１面上に配設され、前記フォトダイオードアレイから見ると前記シールドの下に位置する、請求項５から１１の何れか１項に記載の検出器。
【請求項１３】
前記シールドおよび前記ダイは、前記ダイおよび前記シールド間に熱絶縁バッファを作成するよう配設される、請求項５から１２の何れか１項に記載の検出器。
【請求項１４】
Ｘ線照射検出器であって、
第１の基板と、
第２の基板と、
シールドと
を備え、
前記第１の基板の第１面は、各々が電気信号を生成することのできる２以上の検出器を有する検出器アレイに接合され、
前記第１の基板は、個々が前記第１の基板を経由する２以上の第１の導電路を有し、
各検出器について、前記第１の基板の前記第１の導電路の１つが前記第１の基板の第２面上の２以上のパス接続点のうちの１つに対して前記電気信号を搬送し、
前記第２の基板は、第１面と、個々が前記第２の基板を経由する２以上の第２の導電路と、前記第２の基板の前記第１面上の２以上のパス受信点と、を有し、
前記２以上のパス受信点の１つは、前記第１の基板の前記２以上のパス接続点のうちの前記１つに対応しており、
前記第１の基板の前記パス接続点の各々は、前記第２の基板の前記パス受信点の各々に、ボールグリッドアレイはんだバンプを利用して接合され、
前記パス受信点の各々は、前記２以上の第２の導電路の１つを介して回路ダイに連結され、
前記回路ダイは、前記第２の基板に直接フリップチップボンディングされ、
前記シールドは、前記回路ダイと前記シールドとの間に絶縁間隙が残るよう、前記検出器アレイと前記回路ダイとの間に介在する前記第１の基板に取り付けられ、
前記第２の基板の前記第２面に直接接合される受動電子素子に前記回路ダイをつなぐ、個々が前記第２の基板を経由する２以上の第３の導電路をさらに備え、
前記第３の導電路は、前記第２の導電路と絶縁されるＸ線照射検出器。
【請求項１５】
各検出器は、フォトダイオードを含み、
前記フォトダイオードの少なくとも１面は、Ｘ線照射を光に変換することのできるシンチレータ結晶に接合され、
各フォトダイオードは光を電気に変換することができる、請求項１４に記載のＸ線照射検出器。
【請求項１６】
前記回路ダイはカプセル化されている、請求項１４または１５に記載のＸ線照射検出器。
【請求項１７】
前記シールドは、前記第１の基板の前記第２面上に配設される、請求項１４から１６の何れか１項に記載のＸ線照射検出器。
【請求項１８】
フォトダイオード検出器アレイの回路ダイを遮蔽する方法であって、
電気信号を生成することのできる各フォトダイオードを含む前記フォトダイオード検出器アレイを、第１の基板の第１面に接合する段階と、
前記フォトダイオードの各々の前記電気信号を、個々が前記第１の基板を経由する、前記フォトダイオードの各々に固有の第１の導電路により、前記第１の基板の第２面の少なくとも第１の部分上の固有の接続点に搬送する段階と、
ボールグリッドアレイはんだバンプを利用して、前記第１の基板の前記固有の接続点の各々を、第２の基板の第１面の第１の部分上の対応する固有の受信点に電気接続する段階と、
前記フォトダイオードの各々の前記電気信号を、個々が前記第２の基板を経由する、前記固有の受信点の各々に固有の第２の導電路により、前記固有の受信点から、前記第２の基板の前記第１面の第２の部分に直接フリップチップボンディングされた前記回路ダイへと伝送する段階と、
前記フォトダイオード検出器アレイと前記回路ダイとの間に介在し前記フォトダイオード検出器アレイから見ると前記回路ダイを覆うよう、シールドを前記第１の基板の前記第２面の第２の部分に取り付ける段階と
前記固有の第２の導電路と絶縁され、個々が前記第２の基板を経由する固有の第３の導電路によって、前記回路ダイから前記第２の基板の前記第２面の一部に直接接合される受動電子素子へ電気信号を伝送する段階と
を備える方法。
【請求項１９】
前記シールドは、前記第２の基板の窪み領域に配設される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
材料がない間隙が前記シールドと前記回路ダイとの間に残る、請求項１８または１９に記載の方法。