【事件の表示】
　特願２０００−１２５８０５「基板乾燥装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月　２日出願公開、特開２００１−３０８０５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本件出願は、平成１２年４月２６日の出願であって、平成１６年１０月２５日付けで拒絶査定がされ、平成１６年１１月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１６年１２月２４日付けで明細書について手続補正がなされた。 
　これに対し、当審において、平成１７年７月１９日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同年１０月７日に意見書の提出がなされた。その後、同年１０月１８日付けで最後の拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同年１２月２０日付けで意見書の提出とともに明細書について再度手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。 
　 
第２　平成１７年１２月２０日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　本件補正を却下する。 
　 
［理由］ 
 １．補正の内容の概要 
　本件補正は、特許請求の範囲を含む明細書について補正するものであって、その請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。 
 　 
（１）補正前の請求項１ 
「【請求項１】　純水によって洗浄された後の基板を乾燥させる基板乾燥装置であって、
　純水を貯留し、その純水中に基板を浸漬することによって当該基板を洗浄する洗浄槽と、
　前記洗浄槽から洗浄後の基板を引き揚げる引き揚げ手段と、
　前記引き揚げ手段によって引き揚げられつつある基板の主面にシリコーンガスを含む乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段と、
　乾燥すべき基板よりも１０℃以上高い温度に前記乾燥ガスを加熱して前記乾燥ガス供給手段に送給する乾燥ガス加熱手段と、
を備え、
　前記乾燥ガス供給手段は、前記引き揚げ手段によって前記洗浄槽から引き揚げられつつある基板の側方に設けられるとともに、前記洗浄槽中の純水の気液界面上に略水平方向に前記乾燥ガスの気流を形成することを特徴とする基板乾燥装置。」　 
 　 
（２）補正後の請求項１ 
「【請求項１】　純水によって洗浄された後の基板を乾燥させる基板乾燥装置であって、
　純水を貯留し、その純水中に基板を浸漬することによって当該基板を洗浄する洗浄槽と、
　前記洗浄槽から洗浄後の基板を引き揚げる引き揚げ手段と、
　前記引き揚げ手段によって引き揚げられつつある基板の主面にシリコーンガス
および１０体積％以下の水溶性溶剤のガス
　乾燥すべき基板よりも１０℃以上高い温度に前記乾燥ガスを加熱して前記乾燥ガス供給段に送給する乾燥ガス加熱手段と、
を備え、
　前記乾燥ガス供給手段は、前記引き揚げ手段によって前記洗浄槽から引き揚げられつつある基板の側方に設けられるとともに、前記洗浄槽中の純水の気液界面上に略水平方向に前記乾燥ガスの気流を形成することを特徴とする基板乾燥装置。」 
 　 
２．補正の適否　　　 
　上記特許請求の範囲における補正は、シリコーンガスを含む乾燥ガスについて、「１０体積％以下の水溶性溶剤のガス」を含むとの限定事項を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とすることが明らかである。 
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。 
　 
（１）本件補正発明 
　本件補正発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、前記１（２）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 
　 
（２）引用刊行物の記載内容及び引用発明  
　これに対して、平成１７年１０月１８日付けで通知された拒絶の理由には、本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である次の刊行物１〜７が引用されており、各刊行物には、以下の技術的事項が記載されている。 
［引用刊行物］  
　刊行物１：特開平１１−３５４４８８号公報  
　刊行物２：特開平１１−１７６７９８号公報  
　刊行物３：特開平７−２１６３８７号公報  
　刊行物４：特開平１０−３０８３７７号公報 
　刊行物５：特開平８−４５８９３号公報 
　刊行物６：特開平１１−３５１７４７号公報 
　刊行物７：特開平１１−８７３０２号公報 
　  
ア．刊行物１  
（１−イ）【特許請求の範囲】の【請求項１】  
「基板を所定の処理液に浸漬させた後、基板を処理液から相対的に引き上げて基板を乾燥させる基板処理装置において、
　所定の処理液を貯留する貯留手段と、
　その主面が鉛直方向とほぼ平行になるように基板を支持しつつ前記処理液中と当該処理液の上方との間で基板を相対的に昇降させる昇降手段と、
　前記処理液の液面近傍で、前記昇降手段により前記処理液の上方に露出した基板の主面に沿ったほぼ水平方向に気流を発生させて、基板の主面に気体を吹き付ける気体吹き付け手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。」
 　  
（１−ロ）段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液晶表示器用基板等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板（以下「基板」という）に対して、所定の処理液に浸漬させた後、基板を処理液から相対的に引き上げて基板を乾燥させる基板処理装置および基板処理方法に関する。」
　 
（１−ハ）段落【０００６】〜【０００７】  
「また、近年、ＥＨＳ（Environment,Health,Safety）についての問題意識が高まってきており、ＩＰＡなどのアルコールの使用はできるだけ削減することが望ましい。
　そこで、本発明は前記問題点に鑑み、アルコール蒸気による基板の汚染を防止できて、基板を十分に乾燥することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。」
 　  
（１−ニ）段落【００３４】
「窒素ガス噴射部５６５は、ケーシング５６０の内部の一側面に窒素ガス供給管５６５ａがブラケット５６５ｂにより取り付けられるという構成を有する。また、窒素ガス供給管５６５ａには、ノズル形状の複数の噴射口５６５Ｊが略水平方向に設けられており、この噴射口５６５Ｊから、基板表面の付着液を除去して基板を乾燥させるための窒素（Ｎ２）ガスＦＧを供給する。この窒素ガスＦＧは、乾燥した低湿度（すなわち低露点）の窒素であることが好ましく、たとえば、その露点はマイナス２０℃以下であることが好ましい。なお、窒素ガス噴射部５６５などから本発明の気体吹き付け手段が構成されている。」
　
（１−ホ）段落【００４９】〜【００５１】
「＜Ｂ２．乾燥処理＞図５（ａ）は、洗浄処理終了後、基板Ｗが浸漬位置ＤＰに存在する状態を示す図である。基板Ｗは純水Ｌ１に浸漬されている。その後、リフタ駆動部５６４によってリフタ５６３が駆動され、基板Ｗはリフタ５６３とともに中間位置ＤＲへ向けて上昇を開始する。これに伴い、基板Ｗは純水Ｌ１から外部雰囲気中に徐々に露出していく。ただし、本実施形態における「外部雰囲気」とは、ケーシング５６０中の雰囲気を意味する。図５（ｂ）は浸漬位置ＤＰと中間位置ＤＲとの中間位置に基板Ｗが存在する状態を示す図である。
　図５に示す基板Ｗと純水Ｌ１の液面ＴＬ１との相対移動と並行して、窒素ガス噴射部５６５から窒素ガスＦＧを液面直上付近の基板表面に対して連続的に噴射して供給する。また、この様子を図６の斜視図にも示す。図６は、基板Ｗ、窒素ガス噴射部５６５、窒素ガス排気部５６８の関係を模式的に示すものである。
　これらの図に示すように、複数の基板Ｗは、その主面が鉛直方向（矢印ＡＲ１の向き）とほぼ平行になるように支持されつつ、処理槽５６２中の純水Ｌ１より上方に、鉛直方向に引き上げられ、純水Ｌ１の液面ＴＬ１の上方に露出する。そして、複数の基板Ｗの配列間隔の間隙に対応するように設けられる複数の噴射口５６５Ｊのそれぞれは、略水平方向に窒素ガスＦＧを噴射する。これにより、液面ＴＬ１の近傍において、基板Ｗの主面に沿ったほぼ水平方向（基板Ｗの主面および液面ＴＬ１のそれぞれに略平行な方向）に窒素ガスＦＧの気流が発生し、窒素ガスＦＧが基板Ｗの主面に吹き付けられる。」
　
（１−へ）段落【００６９】
「さらに、上記実施形態においては、純水による洗浄処理後、基板Ｗがリフタ５６３によって上昇され、液面ＴＬ１の上側に徐々に現れる基板表面の純水を窒素ガスＦＧを供給することによって乾燥させている。・・・・」
　 
（１−ト）図２，３及び図５，６の記載によれば、窒素ガス噴射部５６５は、前記リフタ５６３によって前記処理槽５６２から引き揚げられつつある基板の側方に設けられるとともに、前記処理槽５６２中の純水の気液界面上に略水平方向に前記窒素ガスの気流を形成することが看取できる。
　
　上記記載事項及び図面の記載からみて、刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。  
［引用発明］  
　純水によって洗浄された後の基板を乾燥させる基板乾燥装置であって、  
　純水を貯留し、その純水中に基板を浸漬することによって当該基板を洗浄する処理槽５６２と、  
　前記処理槽５６２から洗浄後の基板を引き揚げるリフタ５６３と、  
　前記リフタ５６３によって引き揚げられつつある基板の主面に基板を乾燥させるための窒素ガスを供給する窒素ガス噴射部５６５と、  
　を備え、  
　前記窒素ガス噴射部５６５は、前記リフタ５６３によって前記処理槽５６２から引き揚げられつつある基板の側方に設けられるとともに、前記処理槽５６２中の純水の気液界面上に略水平方向に前記窒素ガスの気流を形成する基板乾燥装置。 　  
　
イ．刊行物２  
（２−イ）【特許請求の範囲】の【請求項９】 
「前記乾燥蒸気は、イソプロピルアルコールの乾燥蒸気またはシリコーンの乾燥蒸気であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７または８記載の基板洗浄・乾燥装置。」
　
（２−ロ）段落【００１９】 
「一方、洗浄・乾燥槽２７の上部には、洗浄・乾燥槽２７の外部に設けられたＩＰＡ蒸気供給源から供給されるＩＰＡ蒸気１１を装置内部に導入するＩＰＡ蒸気配管１９が設けられている。ＩＰＡ蒸気配管１９は、洗浄・乾燥槽２７内の上部にＩＰＡ蒸気が充満するようにＩＰＡ蒸気の流量・流速を調節して槽内に排出する。ＩＰＡ蒸気供給源としては、種々の構成をとることが可能であるが、例えば、図１に示すように、温度調整用のガスであるＮ2、Ａｒなどのキャリアガスが導入されているＩＰＡ温調槽２１を用いることができ、ＩＰＡ温調槽２１内で生成されたＩＰＡ蒸気を上記ＩＰＡ蒸気配管１９を介して導入すればよい。そして、上記キャリアガスによってＩＰＡ温度の制御が可能となる。なお、水との反発性、及びＩＰＡと同等の揮発性を有し、半導体基板１上の水分の表面張力を低下
させる性質を有しており、半導体基板１上の水分と置換可能であれば、ＩＰＡ蒸気に代えて他の蒸気を用いても良く、例えば、シリコーン蒸気などでも良い。」
 　  
（２−ハ）図５の記載によれば、引き揚げられつつある基板に対し気液界面上にＩＰＡ蒸気を吹き付けることが看取できる。
　
ウ．刊行物３  
（３−イ）【特許請求の範囲】の【請求項９】  
「請求項８記載の液切り洗浄剤において、前記低分子量ポリオルガノシロキサン 100重量部に対して、20重量部以下の前記界面活性剤および 100重量部以下の前記親水性溶剤から選ばれた少なくとも 1種が配合されていることを特徴とする液切り洗浄剤。」
　
（３−ロ）段落【０００４】
「なお、ここで言う水切り洗浄剤とは、水洗した後の被洗浄物を浸漬ないしはシャワーリンスすることによって、被洗浄物に付着した水分と置換（水置換）した後、室温ないしは333K以下の温風で揮散させることで、被洗浄物を乾燥させ得る洗浄剤のことである。」
　
（３−ハ）段落【００１１】  
「一方、前述したような有機溶剤の水切り洗浄剤としての代替品としては、イソプロピルアルコールのような低級アルコールの使用が検討されている。しかし、上記イソプロピルアルコールは、引火点が284.7Kと室温より低く、通常の使用条件下では常に火災の危険が伴うという欠点がある。さらに、イソプロピルアルコールは水との相溶性が高く、初期の水切り性能は保持されても、連続して使用する場合には溶解した水の再付着が起こるため、経時的な水切り性能の低下は免れない。このような水を含んだイソプロピルアルコールから水を除去して再使用するための精製には、多大な設備の投資を必要とする。さらに、イソプロピルアルコールは人体に対する毒性も高く、この面での使用規制が進行しているのが現状である。」
 　  
（３−ニ）段落【００９３】
「・・・・これに対して、本発明による水切り洗浄剤はいずれも金属膜やプラスチックに対して安定で、しかも表面粗度の大きいセラミックスに対しても十分な水切り性を有し、金属部品、メッキ部品、電子部品、半導体部品、プラスチック部品、セラミックス部品等に対して十分な信頼性をもって使用し得ることが分る。なお、イソプロピルアルコールは水が相溶してしまい、これにより基材への水の再付着が発生した。さらに、界面活性剤や親水性溶剤を配合することによって、さらに水切り性が向上し、工業用用途に有効であることが分る。」
　
（３−ホ）表３の実施例１６において、低分子量ポリオルガノシロキサン１００重量部に対して１０重量部の親水性溶剤を配合することが記載されている。
　
エ．刊行物４　  
（４−イ）段落【０００７】〜【０００９】  
「次いで、前記ＩＰＡガスが送給されている状態において、排液用ポンプ９を作動させ、吸液管６によって洗浄液槽１内の純水２を所定の速度で吸い出していく。これによって洗浄液槽１内の純水２の液面は一定の速度で下がっていき、これに伴って純水２中に浸漬されたウェーハ３が徐々に露出されていき、この露出されていくウェーハ３と純水２の接触液面部に前記Ｎ2 ガスと混合されたＩＰＡガスが吹き付けられる。
　前記ウェーハ３と純水２の接触部分は、図３に示すように、表面張力のために純水２がウェーハ３の表面に沿ってある高さまで登り、あたかも山のすそ野のような凹状の界面形状を呈している。この凹状の界面部分にＮ2 ガスに混合されて運ばれてきた親水性のＩＰＡガスが吹き付けられると、ＩＰＡガスは純水２中に溶け込んでいき、ＩＰＡガスが溶け込むに従って溶け込んだ部分の純水２の表面張力が小さくなっていく。前記凹状の界面部分のＩＰＡガスの溶け込み濃度は、純水２の液面が上から下に向かって下がっていく関係上、上部側が濃く、下部側に行くに従って薄くなり、ＩＰＡ濃度の勾配を生じる。この濃度勾配が発生すると、ＩＰＡ濃度の小さい下側部分の表面張力がＩＰＡ濃度の高い上側部分の表面張力よりも大きくなり、表面張力の勾配を生じる。この表面張力の勾配が発生すると、前記凹状の界面部分には表面張力の小さな側から大きな側、すなわち上側から下側に向かう引き戻し力が発生する（これをマランゴニ効果という）。
　この引き戻し力が発生すると、前記凹状の界面の先端部分は、その表面張力に抗して常に下側に向かって引かれ、液面の下降に従って速やかに後退していく。このため、純水２がウェーハ３の表面に水滴痕となって残るようなことがなくなり、洗浄液槽１内の純水２の液面が下降するに従って、ウェーハ３の表面は極めて静澄な状態で乾燥処理されていく。このマランゴニ効果を利用した乾燥方法によるときは、他の乾燥方法では困難であった０．３μｍ以下の微粒子もウェーハ表面に残存させることなく乾燥処理を行なうことができる。」
 　  
（４−ロ）図３の記載によれば、露出されていくウェーハ３と純水２の気液界面上にＩＰＡガスを吹き付けることが看取できる。
  
オ．刊行物５  
（５−イ）段落【００２６】〜【００２７】 
「ここでは、加熱部４２上に蒸気発生部４３ａ〜４３ｃが積層配置されているので、蒸気発生装置の占有容積が小さく、構成がコンパクトである。また静かにオーバーフローさせて蒸気を発生させているので、発生した蒸気の内部に液滴が混在しにくい。さらに、発生したＩＰＡ蒸気の供給直前にヒータ４７により加熱しているので、蒸気供給中においてＩＰＡの結露が生じにくい。
　このようにして密閉チャンバ１７内にＩＰＡ蒸気が供給された状態で、基板Ｗを保持部材２８により徐々に引き上げる。この結果、純水中から引き上げられている途中の基板Ｗの周囲へＩＰＡ蒸気が供給される。このＩＰＡ蒸気の供給は、純水中からの基板Ｗの引き上げが完了するまで行う。この引き上げ時においては、純水の界面がＩＰＡ蒸気に接触しかつ基板Ｗの面にＩＰＡ蒸気が付着する。これによって、基板Ｗに親水面及び撥水面が混在していても、結果的に均質な撥水面となり、表面張力が緩和されて基板Ｗに水滴が残留しにくくなる。このため、基板Ｗに乾燥マークが発生しにくくなる。・・・・」 　  
　
カ．刊行物６  
（６−イ）段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、イソプロピルアルコール（以下、ＩＰＡと記す）の蒸気を用いて、半導体や液晶等のワークの洗浄および乾燥を行うためのＩＰＡ蒸気洗浄乾燥装置に関するものである。」 
　  
（６−ロ）段落【０００６】
「ＩＰＡ蒸気洗浄乾燥装置では、ＩＰＡの蒸気とワークとの温度差が大きいほど、ワーク表面において水からＩＰＡへの置換がうまく進み、ＩＰＡによるワーク表面の洗浄が効率的に行える。しかしながら、上記従来の装置によれば、ワークの温度上昇が生じるため、ＩＰＡの蒸気とワークとの温度差が小さくなり、洗浄度の低下を招くという問題を生じている。」
　
キ．刊行物７  
（７−イ）段落【００３６】〜【００３７】
「また、この多機能処理部５６のＩＰＡ供給源５６７ｅとＩＰＡ・Ｎ2供給部５６５との間の配管５６５ｃには温度加熱手段が設けられていない。そのため、この実施の形態ではＩＰＡ・Ｎ2供給部５６５からケーシング５６０に供給されるＩＰＡベーパーの温度は常温（室温とほぼ等しく２０℃前後）程度であり、それに対して上記純水ＤＩＷの所定温度を１０℃程度低い温度、すなわち約１０℃に一定に維持するものとしている。なお、温度センサおよび冷却手段は公知のものを用いることができる。
　そして、上記の温度調節を行う処理工程では、温度調節を行った純水ＤＩＷを処理槽５６２に供給し、それに基板Ｗを浸漬することによって、基板Ｗの温度も常温のＩＰＡベーパーに対して１０℃前後低い約１０℃に維持することができる。そのため、この実施の形態ではＩＰＡベーパーを加熱しなくても、基板Ｗ表面に付着した純水についてＩＰＡの凝縮が発生し、基板Ｗを処理槽から引き上げる際にも速やかに基板Ｗから純水を除去することができるのである。」
　
（７−ロ）段落【００６７】〜【００６９】
「また、この実施の形態における多機能処理部５６ではＩＰＡベーパーを常温としたが、この発明はこれに限られず、多少加熱する等、基板Ｗ引き上げ前の純水ＤＩＷよりＩＰＡベーパーの方が高温であればその他の温度でもよい。
・・・・（中略）・・・・
　さらに、この実施の形態における多機能処理部５６では純水ＤＩＷを冷却、温度調節を行って供給して基板Ｗを冷却、温度調節するものとしたが、必ずしも冷却、温度調節を行わず、代わりに高温のＩＰＡベーパーを供給するものとしてもよい。」
　
（３）対比
　本件補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「処理槽５６２」及び「リフタ５６３」は、それぞれ、本件補正発明における「洗浄槽」及び「引き揚げ手段」に相当する。
　そして、引用発明における「基板を乾燥させるための窒素ガス」は、乾燥ガスということができ、引用発明における「窒素ガス噴射部５６５」は、乾燥ガス供給手段ということができるものであることは明らかである。
　したがって、両者の一致点及び相違点は、次のとおりと認められる。  
 ［一致点］  
「純水によって洗浄された後の基板を乾燥させる基板乾燥装置であって、  
　純水を貯留し、その純水中に基板を浸漬することによって当該基板を洗浄する洗浄槽と、
　前記洗浄槽から洗浄後の基板を引き揚げる引き揚げ手段と、  
　前記引き揚げ手段によって引き揚げられつつある基板の主面に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段と、  
　を備え、  
　前記乾燥ガス供給手段は、前記引き揚げ手段によって前記洗浄槽から引き揚げられつつある基板の側方に設けられるとともに、前記洗浄槽中の純水の気液界面上に略水平方向に前記乾燥ガスの気流を形成する基板乾燥装置。」である点。  
［相違点１］  
　乾燥ガスが、本件補正発明では、シリコーンガスおよび１０体積％以下の水溶性溶剤のガスを含むものであるのに対し、引用発明では、窒素ガスである点。  
［相違点２］  
　本件補正発明では、「乾燥すべき基板よりも１０℃以上高い温度に前記乾燥ガスを加熱して前記乾燥ガス供給手段に送給する乾燥ガス加熱手段」を備えているのに対し、引用発明では、乾燥ガス加熱手段について特定されていない点。
　
（４）相違点についての検討
ア．相違点１について 
　刊行物２には、基板洗浄・乾燥装置に用いる乾燥ガスとしてシリコーンガスを用いることが記載されており（上記摘記事項（２−イ）、（２−ロ）参照）、基板に対し純水との気液界面上に有機溶媒の乾燥ガスを吹き付けることも刊行物２の図５、刊行物４の図３に記載されている（同（２−ハ）、（４−ロ）参照）。
　そして、刊行物１に、ＩＰＡなどのアルコールの使用はできるだけ削減することが望ましいと記載されていることを勘案すれば、引用発明における乾燥ガスとしてシリコーンガスを含むものとすることに格別困難性は見出せない。なお、本願明細書段落【００４６】において、シリコーンは非水溶性であるからマランゴニ対流に起因した転写の問題は生じないとされているが、一方で、親水性の有機溶媒ガスによるマランゴニ効果を利用した乾燥方法が知られており（例えば、刊行物４の摘記事項（４−イ）参照）、上記マランゴニ効果を利用しないのであれば有機溶媒ガスとして非水溶性のガスを用いればよいことも明らかである。
　また、刊行物３には、液切り洗浄剤として、シリコーンである低分子量ポリオルガノシロキサン１００重量部に対して１０重量部の親水性溶剤を配合することが記載されている（摘記事項（３−ホ）参照）。ここで、刊行物３における親水性溶剤は、水溶性溶剤ということができるものである。
　上記刊行物３における液切り洗浄剤は、液体状態ではあるが、被洗浄物に付着した水分と置換した後、揮散させることにより被洗浄物を乾燥させるものであり（同（３−ロ）参照）、刊行物２に記載の発明における水と置換して乾燥させる有機溶剤と同じ技術分野に属するものであるとともに、水溶性溶剤の気体状態での体積割合をどの程度にするかは当業者が必要に応じて設定することができる事項にすぎない。
　したがって、引用発明に刊行物２〜４に記載された発明を適用して上記相違点１に係る本件補正発明の特定事項とすることは当業者が容易になし得たことである。
 　  
イ．相違点２について
　有機溶剤の蒸気を含む乾燥ガスを加熱して基板に供給することは刊行物５に記載されている（摘記事項（５−イ）参照）。 
　また、刊行物６には、有機溶剤の蒸気とワークとの温度差が大きいほど水との置換がうまく進むことが記載されており（同（６−ロ）参照）、刊行物７には、有機溶剤の蒸気を凝縮させることにより基板から水を除去するものにおいて、蒸気の温度を乾燥すべき基板よりも１０℃高い温度とすることも記載されている（同（７−イ）参照）。
　してみると、引用発明に刊行物５〜７に記載された発明を適用して上記相違点２に係る本件補正発明の特定事項とすることは当業者が容易になし得たことである。  
　  
　また、本件補正発明の作用効果についてみても、引用発明及び刊行物２〜７に記載された発明から当業者が十分予測しうる範囲内のものであって、格別顕著なものとはいえない。
  
　したがって、本件補正発明は引用発明及び刊行物２〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
 　 
　なお、請求人は平成１７年１２月２０日付け意見書において、概略、「しかしながら、刊行物３に記載された液切り洗浄剤は、液体として対象物に供給されるものであります。このため、使用する液量を抑えつつ、液切り洗浄剤を基板の表面にむらなく凝縮させることは困難と考えられます。また、刊行物３に記載された液切り洗浄剤は、低分子量ポリオルガノシロキサン１００重量部に対して、１００重量部以下の親水性溶剤を配合したものであります（請求項９）。このため、シリコーンの高い揮発性を享受しにくく、また、親水性溶剤の廃棄も困難と考えられます。このように、刊行物３には、「引き揚げ手段によって引き揚げられつつある基板の主面にシリコーンガスおよび１０体積％以下の水溶性溶剤のガスを含む乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段」を備えることは記載されておりません。」として、本件補正発明が刊行物１〜７に記載された技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない旨を主張している。 
　しかしながら、上述のように、刊行物３に記載された液切り洗浄剤は、液体状態ではあるが、被洗浄物に付着した水分と置換した後、揮散させることにより被洗浄物を乾燥させるものであり、刊行物２に記載された発明と同じ技術分野に属するものであるから、刊行物２に記載された発明における、蒸気の状態で基板上に供給し、基板上の水分と置換して乾燥させる有機溶剤として適用することは当業者が容易になし得た事項というべきである。また、刊行物３の請求項９には、低分子量ポリオルガノシロキサン１００重量部に対して、１００重量部以下の親水性溶剤を配合するとされているが、表３の実施例１６の欄には、１０重量部の親水性溶剤を配合することが記載されており、この場合には、直ちにシリコーンの高い揮発性を享受しにくく、また、親水性溶剤の廃棄も困難ということはできない。
　よって、請求人の上記主張は採用することができない。　 
 　 
３．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
第３　本件発明について 
１．本件発明 
　平成１７年１２月２０日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１乃至５に係る発明は、平成１６年１２月２４日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、本件出願の請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、前記第２の１（１）に示す補正前の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
２．引用刊行物 
　これに対して、平成１７年１０月１８日付けで通知された拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載内容は、前記第２の２（２）に示したとおりである。 
　 
３．対比・検討 
　本件発明は、前記第２の２で検討した本件補正発明から「１０体積％以下の水溶性溶剤のガス」を含むという事項を削除したものである。 
　そうすると、本件発明を特定する事項の全てを含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が前記第２の２（４）で示したとおり、引用発明及び刊行物２〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
４．むすび 
　以上のとおり、本件発明は、引用発明及び刊行物２〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。