【事件の表示】
　特願２０１６−２０９６６２「レーザー光源及び該レーザー光源の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　１月１９日出願公開、特開２０１７−　１７３６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２０年１２月１７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理平成１９年１２月２１日・平成２０年３月６日、独国）を国際出願日とする特願２０１０−５３８３３８号の一部を平成２７年２月１３日に新たな特許出願とした特願２０１５−２６６１３号の一部を平成２８年１０月２６日に新たな特許出願としたものであって、その主な手続の経緯は次のとおりである。
　平成２８年１１月１１日　　：手続補正書
　平成２９年　９月　４日付け：拒絶理由通知書
　平成２９年１２月　５日　　：意見書・手続補正書
　平成３０年　２月２８日付け：拒絶査定（平成３０年３月５日謄本送達）
　平成３０年　６月２１日　　：審判請求書・手続補正書
　なお、平成３０年６月２１日提出の手続補正書は、本願の特許請求の範囲の請求項１を補正するものではない。
第２　本願発明の認定
　本願の請求項１〜１８に係る発明は、平成３０年６月２１日提出の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜１８に記載されたとおりのものであるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「半導体層列と、
　フィルタ構造部とを含み、
　前記半導体層列は、活性領域とビーム出力結合面を備え、前記ビーム出力結合面は第１の部分領域と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域を有している、レーザー光源において、
　前記活性領域は、動作モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビームと、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビームとを生成し、
　前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んでおり、
　前記コヒーレントな第１の電磁ビームは、前記第１の部分領域から放射方向に沿って放射され、
　前記インコヒーレントな第２の電磁ビームは、前記第１の部分領域と前記第２の部分領域から放射され、
　前記フィルタ構造部は、前記活性領域から放射された前記インコヒーレントな第２の電磁ビームを放射方向に沿って少なくとも部分的に減衰するように構成されており、
　前記フィルタ構造部は、第１のフィルタ素子、第２のフィルタ素子、および、第３のフィルタ素子の内の少なくとも１つ、又は、その組み合わせを有しており、
　前記第１のフィルタ素子は、前記放射方向で見て前記半導体層列の後方に配置され、そして、前記第１のフィルタ素子は、電磁ビームに対して非透過性の材料を有する少なくとも１つの層を有し、前記非透過性の材料は少なくとも部分的に前記第２の部分領域上に配置され、かつ、前記第１のフィルタ素子は、前記基板の表面の全体に適用されており、
　前記第２のフィルタ素子は、前記放射方向と平行な方向に延在し、かつ、基板から離間した、前記半導体層列の領域上に配置され、そして、前記第２のフィルタ素子は、少なくとも１つのトレンチとして構造化された少なくとも１つの凹部を有する表面構造を有しており、かつ、前記トレンチは、前記基板まで延在しており、
　前記第３のフィルタ素子は、前記放射方向と平行な方向に延在する、前記半導体層列の領域上に配置され、そして、前記第３のフィルタ素子は、粗面を有した表面構造と、非透過性材料を有した少なくとも１つの層との組み合わせを有しており、かつ、前記第３のフィルタ素子の少なくとも１つの層は、基板と、前記活性領域から離間した基板表面上の電気コンタクト層との間に配置された非透過性材料を有している
　ことを特徴とするレーザー光源。」
第３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由の概要は次のとおりである。
　本願の請求項１に係る発明は、本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　本願の請求項１に係る発明は、本願の優先日前に前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　本願の請求項１に係る発明は、本願の優先日前に前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１：特開２００１−６８７８４号公報
引用文献２：特開２００３−１９８０６５号公報
第４　引用文献の記載事項等の認定
　１　引用文献１
（１）原査定が引用した、本願の優先日前に前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１（特開２００１−６８７８４号公報）には、次の記載がある（下線は、当審が付した。以下同じ。）。
　ア　【特許請求の範囲】、
「
基板上に形成された第１導電型の窒化物半導体からなる第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層の上に形成された窒化物半導体からなる活性層と、前記活性層の上に形成された第２導電型の窒化物半導体からなる第２のクラッド層とを有するレーザ素子本体を備え、前記レーザ素子本体における前記活性層のレーザ光出射部を除く出射端面と該出射端面と反対側の反射端面とに、前記活性層から放出される自然放出光を
反射する自然放出光防止膜が形成されている
半導体レーザ装置
「
基板上に形成された第１導電型の窒化物半導体からなる第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層の上に形成された窒化物半導体からなる活性層と、前記活性層の上に形成された第２導電型の窒化物半導体からなる第２のクラッド層と、前記第２のクラッド層の上に形成され、前記活性層に対してストライプ状に電流を注入する電極とを備え、前記活性層におけるストライプ状の電流注入領域の側方には、該電流注入領域に沿って溝部が形成され、前記溝部には、前記活性層から放出される自然放出光を吸収する自然放出光吸収材が充填されている
半導体レーザ装置
　イ　「この自然放出光は、位相が揃ったレーザ光ではないため、レーザ光に混入すると種々の悪影響を及ぼす。例えば、レーザ装置を光ディスクの光ピックアップとして用いる場合には、自然放出光成分はレーザ光の雑音となり、情報読み取り動作時のＳＮ比を低下させる。また、レーザチップのレーザ出射端面以外から放出される自然放出光は、レーザチップが光検出器又は電子回路と集積されてなる光電子集積素子における光検出器に対するバイアス光となって検出動作に悪影響を及ぼすこととなる。」（【００１０】）
　ウ　「本発明に係る第４の半導体レーザ装置は、基板上に形成された第１導電型の窒化物半導体からなる第１のクラッド層と、第１のクラッド層の上に形成された窒化物半導体からなる活性層と、活性層の上に形成された第２導電型の窒化物半導体からなる第２のクラッド層とを有するレーザ素子本体を備え、レーザ素子本体における活性層のレーザ光出射部を除く出射端面と該出射端面と反対側の反射端面とに、活性層から放出される自然放出光を吸収又は反射する自然放出光防止膜が形成されている。」（【００２３】）、
「第４の半導体レーザ装置によると、レーザ素子本体における活性層のレーザ光出射部を除く出射端面と該出射端面と反対側の反射端面とに、活性層から放出される自然放出光を吸収又は反射する自然放出光防止膜が形成されているため、自然放出光防止膜が活性層から第２のクラッド層の上に設けられた電極側へ放出される自然放出光の外部への漏出を防止する。なお、本明細書において
レーザ素子
本体とは、基板上に形成された共振器構造を含む複数の半導体層部分をいう
　エ　「本発明に係る第６の半導体レーザ装置は、基板上に形成された第１導電型の窒化物半導体からなる第１のクラッド層と、第１のクラッド層の上に形成された窒化物半導体からなる活性層と、活性層の上に形成された第２導電型の窒化物半導体からなる第２のクラッド層と、第２のクラッド層の上に形成され、活性層に対してストライプ状に電流を注入する電極とを備え、活性層におけるストライプ状の電流注入領域の側方には、該電流注入領域に沿って溝部が形成され、溝部には、活性層から放出される自然放出光を吸収する自然放出光吸収材が充填されている。」（【００２８】）、
「第６の半導体レーザ装置によると、電流注入領域の側方に該電流注入領域に沿って設けられた溝部を有し、該溝部に活性層から放出される自然放出光を吸収する自然放出光吸収材が充填されているため、自然放出光吸収材が活性層からレーザ素子本体の側面方向へ放出される自然放出光の外部への漏出を防止する。」（【００２９】）、
「第６の半導体レーザ装置において、自然放出光吸収材が、シリコン又は金を含む金属からなることが好ましい。」（【００３０】）
　オ　「前述したように、窒化物半導体レーザ装置１Ａのｐ側電極２１及びｎ側電極１４に対して電流を注入すると、活性層１７からは、しきい値電流を超える電流が注入されている場合であっても、レーザ発振に寄与しない自然放出光が周囲に放出され続ける。さらに、発振波長が４１０ｎｍ程度の放出光は、サファイアからなる基板１１、ＡｌＧａＮからなるｎ型及びｐ型クラッド層１６，１８並びにＧａＮからなるｎ型及びｐ型コンタクト層１３，１９に対していずれも透明であるため、活性層１７の周囲のすべての方向にわたって放出される。」（【００４９】）
　カ　「（第２の実施形態）以下、本発明の第２の実施形態について図面を参照しながら説明する。」（【００７８】）、
「図５は本発明の第２の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の断面構成を示している。図５において、図１に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。本実施形態においては、第１の実施形態のように自然放出光吸収層をエピタキシャル層中に設けるのではなく、レーザチップ本体の外面上に自然放出光防止膜を設ける構成とする。」（【００７９】）、
「図５に示すように、本実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置１Ｅは、サファイアからなる基板１１の素子形成面と反対側の面（裏面）に、活性層１７からの自然放出光を吸収するか又は反射する自然放出光防止膜３１Ａが形成されている。」（【００８０】）、
「ここで、ＩｎＧａＮからなる活性層１７から放出される自然放出光を吸収する材料として、自然放出光のエネルギーよりも小さいエネルギーギャップを有する結晶シリコン又はアモルファスシリコンを用いる。このシリコン（Ｓｉ）膜は、例えばスパッタ法等を用いて形成する。なお、Ｓｉに限らず、エネルギーギャップが自然放出光のエネルギーよりも小さく且つプロセスになじみやすい材料であればよい。」（【００８１】）、
「また、活性層１７から放出される自然放出光を高度に反射する材料として、例えば、Ａｕ膜、又はＡｕと他の金属とを積層した、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる積層膜が好ましい。これらの金属膜又は積層膜は電子ビーム蒸着法又は抵抗加熱蒸着法等を用いる。」（【００８２】）、
「また、自然放出光防止膜３１Ａの材料として、Ａｕ、Ｔｉ及びＰｔ以外にも、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ又はＩｎ等の金属、又はこれらの積層膜、合金（例えば、ＡｕとＳｎ等）を用いる。」（【００８３】）、
「さらに、吸収膜と高反射膜とを組み合わせても良く、例えば、Ｓｉからなる吸収膜の上にＡｕからなる高反射膜を積層すると一層効果的である。」（【００８４】）、
「このように、本実施形態によると、窒化物半導体レーザ装置１Ｅがサブマウント２に実装された状態では、活性層１７の基板１１側に放出される自然放出光の漏出を防止できるため、窒化物半導体レーザ装置１Ｅにおける基板１１側の周辺部に配置される光素子に対する光学的ノイズを除去できる。」（【００８５】）
　キ　「（第２の実施形態の第１変形例）以下、本発明の第２の実施形態の第１変形例について図面を参照しながら説明する。」（【００８６】）、
「図６は本実施形態の第１変形例に係る窒化物半導体レーザ装置の外観を示している。図６において、図１に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。図６に示すように、本変形例に係る窒化物半導体レーザ装置１Ｆは、レーザチップ本体における活性層のレーザ光出射部を除く出射端面上と該出射端面と反対側の反射端面上とに、活性層から放出される自然放出光を吸収又は反射する自然放出光防止膜３１Ｂが形成されている。」（【００８７】）、
「レーザ光出射部のスポットサイズは５μｍ角程度である。また、反射端面から例えばモニター用のレーザ光を取り出さないような場合には反射端面の全面に自然放出光防止膜３１Ｂを形成することが好ましい。このようにすると、発振しきい値をより低減できる。」（【００８８】）、
「吸収膜としては、第２の実施形態と同様にＳｉ膜が好ましい。また、
高反射膜としては、
金属膜
「ここで、本変形例に係る自然放出光防止膜３１Ｂは、レーザチップ本体におけるレーザ光の共振方向と垂直な方向の端面に設けられているため、吸収膜とするよりは、反射膜とするほうが好ましい。このようにすると、自然放出光防止膜３１Ｂで反射される自然放出光がレーザ発振に寄与できるからである。」（【００９０】）、
「また、高反射膜は、例えば、ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 のように共に誘電体からなる積層膜を用いてもよい。この場合は、自然放出光の波長の１／４に相当する膜厚を有するＳｉＯ2 膜とＴｉＯ2 膜とを交互に積層することにより、例えば、６層構造とすると９４％までの反射率を得ることができる。」（【００９１】）、
「このように、本変形例によると、活性層１７から共振器に対してほぼ平行な方向に放出される自然放出光の漏出を防止できるため、窒化物半導体レーザ装置１Ｆにおけるレーザ光の出射方向又は該出射方向と反対方向の周辺部に配置される光素子に対する光学的ノイズを除去できる。」（【００９２】）
　ク　「（第３の実施形態）以下、本発明の第３の実施形態について図面を参照しながら説明する。」（【０１００】）、
「図９は本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置の断面構成を示している。図９において、図５に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。図９に示すように、本実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置１Ｈは、レーザチップ本体におけるｐ側電極２１から電流が注入される電流注入領域（いわゆるストライプ領域）の側方の領域であって、ｐ型コンタクト層１９からｎ型コンタクト層１３にまで達することにより活性層１７を共振器の長手方向に分断すると共に、電流注入領域とほぼ平行に延びる溝部２６がエッチングにより形成されていることを特徴とする。」（【０１０１】）、
「また、基板１１の素子形成面と反対側の面上には、例えばシリコンからなる自然放出光防止膜３１Ａが形成されている。」（【０１０２】）、
「溝部２６の壁面上には、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２７が形成されており、溝部２６は、絶縁膜２７上に、例えば金（Ａｕ）のように自然放出光を吸収可能な自然放出光吸収材２８が蒸着等により充填されている。」（【０１０３】）、
「ＭＯＶＰＥ法によって積層されたレーザチップ本体は、総膜厚が約５μｍと小さいものの、積層体からなるため、各半導体層から基板面の面内方向に放出される自然放出光も無視できない。」（【０１０４】）、
「本実施形態によると、レーザチップ本体における電流注入領域の側方の領域に、自然放出光吸収材２８が充填された溝部２６により活性層１７を分断する自然放出光吸収領域が形成されているため、基板１１の面内方向に放出される自然放出光を吸収させることができる。」（【０１０５】）、
「なお、自然放出光吸収材２８としてＡｕを用いたが、これに限らず、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｐｔ若しくはＩｎ等の金属、又はこれらのうちの複数の金属（例えば、Ｔｉ／Ａｕ等）を含む積層膜や合金を用いてもよい。また、単結晶シリコン又はアモルファスシリコン等のエネルギーギャップが比較的小さい半導体を用いてもよい。」（【０１０６】）、
「また、本実施形態においては、レーザチップ本体における電流注入領域に対してｎ側電極１４と反対側の領域にのみ自然放出光吸収材２８を設けたが、電流注入領域に対してｎ側電極１４側の領域に設けてもよい。」（【０１０７】）、
「なお、図９に示すように、電流注入領域に対してｎ側電極側の領域に溝部２６を設けない場合でも、ｎ側電極１４とｎ側端子電極２５との間に介在させた半田材２４によって、自然放出光は吸収され得る。また、Ｐｂ及びＳｎ等を含む半田材２２の代わりに、自然放出光を吸収可能な材料、例えば、導電性接着材又は銀ペースト材を用いてもよい。」（【０１０８】）、
「また、この溝部２６は、活性層１７から導波路以外に放出される自然放出光を抑制すればよく、必ずしも電流注入領域に平行に設けられる必要はない。」（【０１０９】）、
「本実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置における注入電流に対する光出力特性は、図８に示す曲線３とほぼ同等の特性を示すことを観察している。」（【０１１０】）、
「このように、本実施形態によると、レーザチップ本体の内部に設けられた自然放出光吸収材２８、及び基板１１の素子形成面と反対側の面上に設けられた自然放出光防止膜３１Ａにより、レーザチップから放出される自然放出光が低減されるため、コヒーレントなレーザ光を確実に得ることができる。また、光出力モニタ用のフォトダイオードに対する自然放出光の影響を小さくできるため、レーザ光の光出力の制御性を向上させることができる。」（【０１１１】）
　ケ　「前述したように、半導体レーザチップ７４の基板に、サファイア、ＳｉＣ又はＧａＮを用いる、発振波長が４００ｎｍ付近のＩｎＧａＡｌＮ系レーザ装置においては、基板が自然放出光を吸収しないため、半導体レーザチップ７４から漏れる自然放出光が、発振波長が６５０ｎｍ程度の赤色レーザ装置の場合よりも多い。従って、本実施形態のように、半導体レーザチップ７４と光出力モニタ用のフォトダイオード７５との間に、自然放出光における遮光板７６の通過後の減衰量が、後方光Ｌbにおける遮光板７６の通過後の減衰量よりも多くなるように設けられた遮光板７６を有する構成は極めて効果が大きい。」（【０１６２】）
　コ　図６から、
出射端面に形成された自然放出光防止膜３１Ｂが、基板１１の側面の全体に適用されている
（２）上記（１）によれば、引用文献１には、次の２つの発明（以下「引用発明１Ａ」及び「引用発明１Ｂ」という。）が記載されていると認められる。なお、参考までに、引用発明の認定に用いた引用文献の記載箇所等を、括弧内に示してある（以下同じ）。
［引用発明１Ａ］
「基板上に形成された第１導電型の窒化物半導体からなる第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層の上に形成された窒化物半導体からなる活性層と、前記活性層の上に形成された第２導電型の窒化物半導体からなる第２のクラッド層とを有するレーザ素子本体を備え、前記レーザ素子本体における前記活性層のレーザ光出射部を除く出射端面と該出射端面と反対側の反射端面とに、前記活性層から放出される自然放出光を反射する自然放出光防止膜が形成されている半導体レーザ装置であって、（請求項８）
　自然放出光防止膜としての高反射膜としては、金属膜を用い、（【００８９】）
　出射端面に形成された自然放出光防止膜３１Ｂが、基板１１の側面の全体に適用されており、（上記（１）コ）
　レーザ素子本体とは、基板上に形成された共振器構造を含む複数の半導体層部分をいう、（【００２４】）
　半導体レーザ装置。」
［引用発明１Ｂ］
「基板上に形成された第１導電型の窒化物半導体からなる第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層の上に形成された窒化物半導体からなる活性層と、前記活性層の上に形成された第２導電型の窒化物半導体からなる第２のクラッド層と、前記第２のクラッド層の上に形成され、前記活性層に対してストライプ状に電流を注入する電極とを備え、前記活性層におけるストライプ状の電流注入領域の側方には、該電流注入領域に沿って溝部が形成され、前記溝部には、前記活性層から放出される自然放出光を吸収する自然放出光吸収材が充填されている半導体レーザ装置。（【請求項１１】）」
　２　引用文献２
（１）原査定が引用した、本願の優先日前に前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献２（特開２００３−１９８０６５号公報）には、次の記載がある。
　ア　「【特許請求の範囲】」、
「
窒化物半導体より成るレーザ素子であって、素子内の電流路のうちレーザ光を生成する活性層に達する一方の部分が、活性層における光の共振方向に対して垂直な方向に狭窄しているものにおいて、活性層で生成されるレーザ光の波長を含む波長範囲の光を吸収する特性を有し、電流路の狭窄した部分から僅かに離間して活性層における光の共振方向に延びる光吸収部を備える
レーザ素子。
「
電流路の狭窄した部分を形成するために、活性層における光の共振方向に延びるリッジ構造と、リッジ構造の側方に位置してリッジ構造に接する絶縁膜を備え、絶縁膜と活性層との間の層が溝を有し、光吸収部が絶縁膜と活性層との間の層の溝を埋めている
　イ　「【従来の技術】」、
「次世代の光記録再生装置用の光源には、高記録密度の実現のため、より集光径を小さくすることが可能な短波長の光を発するものが用いられる。しかし、コスト低減のために、光記録再生装置におけるレンズや記録媒体である光ディスク等に安価なプラスチック系の材料を用いることが望ましく、一般にそのような材料は吸収端が３９０ｎｍ程度であるため、光源が発する光の波長を４００ｎｍ前後とすることが求められる。このような短波長光源には、窒化ガリウムに代表される窒化物より成る半導体レーザ素子が適する。」（【０００２】）、
「窒化物半導体レーザ素子の代表的な構造は特開平９−２８９３５８号に開示されており、図１３に示したようになっている。このレーザ素子は、基板側から順に、Ｎ電極１１１、ＳｉＣ基板１０１、ＡｌＮバッファ層１０２、ｎ−ＧａＮ層１０３、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０４、ＩｎＧａＮ活性層１０５、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０６、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０７、Ａｌ2Ｏ3保護膜１０９、Ｐ電極１１０、ＳｉＯ2絶縁膜１１２を有する。ＩｎＧａＮより成る活性層１０５を有するこのレーザ素子が発するレーザ光の波長は４０５ｎｍ程度である。なお、レーザ素子の上部には、素子内を流れる電流の流路を活性層１０５における光の共振方向に対して垂直な方向に狭窄するために、一般の長波長のレーザ素子と同様に、リッジ構造（ｐ−クラッド層の凸部）が形成され、その傍らに絶縁性のＳｉＯ2膜１１２が設けられている。」（【０００３】）
　ウ　「【発明が解決しようとする課題】」、
「上記レーザ素子における窒化物半導体層１０２〜１０７およびＳｉＣ基板１０１は、発振波長に対してほとんど透明であって、レーザ発振時に発生する自然放出光の吸収が少ない。基板としてサファイアを使用することも一般的であり、また、窒化物半導体の光ガイド層で活性層を上下から挟む構造とすることもあるが、これらも同様である。そのため、レーザ素子の出射端面からレーザ光と共に出射する自然放出光の割合が高い。本発明者が上記構造のレーザ素子を作製して、一方の出射端面からの出力強度を測定したところ、自然放出光成分の強度は０．５〜１ｍＷであった。」（【０００４】）、
「自然放出光は波長範囲（スペクトル幅）が広いため雑音が大きい。このため、レーザ素子を例えば１０ｍＷ以下の低出力で動作させるときには、自然放出光成分が相対的に多くなって、全体の雑音も大きくなる。また、レーザ光の出力をステム等と共にパッケージングされたモニター用ＰＤ（フォトダイオード）の検知電流によって制御する場合、自然放出光成分の割合が大きいと、出力の揺らぎが大きくなって制御が困難になる。レーザ素子の後方に直接設置される内部ＰＤでは、自然放出光を多く受光することになり、レーザ素子の前方に集光光学系を介して設置される外部ＰＤでは、相対的に雑音が高くなるからである。さらに、ホログラムレーザにおいては、レーザ素子の側面等から出射する自然放出光が迷光となって、制御が困難になることもある。」（【０００５】）、
「リッジ構造を有する窒化物半導体レーザ素子においては、リッジ構造の側方に設けられる絶縁膜の屈折率は一般に窒化物半導体の屈折率よりも小さく、このため、活性層からリッジ構造の側方に向かう自然放出光は、絶縁膜と窒化物半導体層の界面で反射され易い。例えば、屈折率の大きいＧａＮから屈折率の小さいＳｉＯ2に光が入射する場合、入射角が４０゜程度以上になると全反射する。こうして反射された自然放出光は活性層側に戻ることになり、本来のレーザ光と共に出射端面から出射し易い。」（【０００６】）
　エ　「【課題を解決するための手段】」、
「上記目的を達成するために、本発明では、窒化物半導体より成るレーザ素子であって、素子内の電流路のうちレーザ光を生成する活性層に達する一方の部分が、活性層における光の共振方向に対して垂直な方向に狭窄しているものにおいて、活性層で生成されるレーザ光の波長を含む波長範囲の光を吸収する特性を有し、電流路の狭窄した部分から僅かに離間して活性層における光の共振方向に延びる光吸収部を備えるようにする。」（【０００９】）、
「このレーザ素子では、
活性層から全方位に向かう自然放出光の一部は、光吸収部に入射して吸収される
「電流路の狭窄した部分を形成するために、活性層における光の共振方向に延びるリッジ構造と、リッジ構造の側方に位置してリッジ構造に接する絶縁膜を備え、絶縁膜と活性層との間の層が溝を有し、光吸収部が絶縁膜と活性層との間の層の溝を埋めている構成とすることもできる。この構成では、絶縁膜と活性層との間の層の溝を深くすることにより、光吸収部を活性層に近づけて、活性層に対する角度の小さい自然放出光も吸収することが可能になる。」（【００１２】）
　オ　「レーザ発振の際には共振せずに活性層１６からあらゆる方向に出る自然放出光も生じるが、レーザ素子１では、その一部を吸収膜２２によって吸収する。吸収膜２２はＭｏで作製されており、レーザ光の波長を含む波長範囲に対して所定の吸収率を有する。また、Ｍｏより成る吸収膜２２はＡｌＧａＮより成るｐ−クラッド層１９よりも屈折率が大きい。吸収膜２２の屈折率がｐ−クラッド層１９の屈折率よりも小さいと、両者の界面での反射率が高くなり、入射角が大きければ全反射も生じるが、このように吸収膜２２の屈折率をｐ−クラッド層１９の屈折率と同等以上とすることで、そのような反射を防止することができる。」（【００２０】）
　カ　「第３の実施形態のレーザ素子３の構成を図９の縦断面図に模式的に示す。レーザ素子３は、Ｎ電極５０、ｎ−ＧａＮ基板５１、ｎ−ＧａＮ層５２、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層５３、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層５４、ｎ−ＧａＮガイド層５５、ｎ−ＩｎＧａＮ活性層５６、ｐ−ＡｌＧａＮバリア層５７、ｐ−ＧａＮガイド層５８、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層５９、ｐ−ＧａＮコンタクト層６０、絶縁膜６１、吸収壁６２、およびＰ電極６３より成る。吸収膜２２に代えて吸収壁６２を備えたことを除き、レーザ素子３の各構成要素の材料や配置は第１の実施形態のレーザ素子１と同様である。」（【００５５】）、
「ｐ−クラッド層５９およびｐ−ガイド層５８には電流狭窄領域に沿って２本の溝が形成されており、これらの溝を充填するように吸収壁６２が設けられている。溝は、２０μｍの幅を有し、ｐ−クラッド層５９の上面からｐ−ガイド層５８の半ばまで達している。吸収壁６２は、ＴｉＯ2で作製されており、絶縁体である。」（【００５６】）、
「レーザ素子３はレーザ素子１とほぼ同様にして製造することができる。すなわち、ｐ−クラッド層５９を成長させた段階で、エッチングにより上記の溝を形成し、吸収壁６２を設ける際に、溝に対向する窓を有するマスクを用いればよい。」（【００５７】）、
「吸収壁６２とリッジ構造の下端との離間距離Ｄを０．８μｍとしたレーザ素子３について特性を調べたところ、雰囲気温度２５℃において４０ｍＡで連続発振し、発振波長は４０５±５ｎｍであった。また、発振モードは基本モードであった。レーザ発振時の自然放出光は０．５ｍＷ以下であり、出力を２ｍＷとしたときの雑音特性は、ＲＩＮmax＜−１２５ｄＢ／Ｈｚであった。」（【００５８】）、
「さらに、第１の実施形態と同様にして、離間距離Ｄや吸収壁６２の材料の異なる種々のレーザ素子３を製造して、それらが特性に及ぼす影響を調べた。その結果、レーザ素子１と同じく、離間距離ＤがＤ≧０．３μｍを満たし、発振波長に対する吸収壁６２の吸収係数κがκ≧０．１を満たせば、レーザ発振時の自然放出光は０．５ｍＷ以下となり、出力が２ｍＷのときの雑音特性も、ＲＩＮmax＜−１２５ｄＢ／Ｈｚとなることが判った。」（【００５９】）、
「絶縁壁６２が活性層５６に近いため、レーザ素子３では、活性層５６に対する角度の小さい自然放出光を吸収することができる。
絶縁壁６２の下端の位置（溝の深さ）に制限はなく、活性層５６に達していてもよい
「吸収壁６２の幅にも制限はなく、いくら幅を広くしてもよい。このような変形例を図１１に示す。この構成では、吸収壁６２がレーザ素子３の側面まで達しており、ｐ−クラッド層５９はリッジ構造と電流狭窄領域の周囲に存在するだけになっている。」（【００６１】）、
「なお、反射を防止するために、吸収壁６２の屈折率をこれに接する各層の屈折率と同程度以上にするのが望ましいことは前述のとおりであるが、吸収壁６２の屈折率がリッジ構造と吸収壁６２の間の垂直モード屈折率以上であれば、その条件は満たされる。」（【００６２】）
　キ　図１０からは、絶縁壁６２の下端の位置が活性層５６を超えていることが、見て取れる。
（２）上記（１）によれば、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「窒化物半導体より成るレーザ素子であって、素子内の電流路のうちレーザ光を生成する活性層に達する一方の部分が、活性層における光の共振方向に対して垂直な方向に狭窄しているものにおいて、活性層で生成されるレーザ光の波長を含む波長範囲の光を吸収する特性を有し、電流路の狭窄した部分から僅かに離間して活性層における光の共振方向に延びる光吸収部を備えるレーザ素子であって、（【請求項１】）
　電流路の狭窄した部分を形成するために、活性層における光の共振方向に延びるリッジ構造と、リッジ構造の側方に位置してリッジ構造に接する絶縁膜を備え、絶縁膜と活性層との間の層が溝を有し、光吸収部が絶縁膜と活性層との間の層の溝を埋めているものであり、（【請求項３】）
　活性層から全方位に向かう自然放出光の一部は、光吸収部に入射して吸収されるものであり、（【００１０】）
　絶縁壁６２の下端の位置（溝の深さ）に制限はなく、活性層５６に達していてもよい、（【００６０】）
　レーザ素子。」
第５　対比・判断
　本願発明は、「前記フィルタ構造部は、第１のフィルタ素子、第２のフィルタ素子、および、第３のフィルタ素子の内の少なくとも１つ、又は、その組み合わせを有して」いるものである。そうすると、本願発明は、「前記フィルタ構造部」が「第１のフィルタ素子」のみを備える態様（以下「第１態様」という。）であってもよく、また、「前記フィルタ構造部」が「第２のフィルタ素子」のみを備える態様（以下「第２態様」という。）であってもよいものと認められる。
　これを踏まえ、当審は、本願発明が、引用発明１Ａに基づき新規性を欠如するものであり、引用発明１Ｂに基づき進歩性を欠如するものであり、引用発明２に基づき進歩性を欠如するものであると判断する。その理由は次のとおりである。
　１　引用発明１Ａに基づく新規性欠如について
（１）本願発明と引用発明１Ａとの対比
　本願発明の第１態様を念頭において、本願発明と引用発明１Ａとを対比する。
　ア　本願発明の「半導体層列と、」との特定事項について
（ア）引用発明１Ａの「基板上に形成された第１導電型の窒化物半導体からなる第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層の上に形成された窒化物半導体からなる活性層と、前記活性層の上に形成された第２導電型の窒化物半導体からなる第２のクラッド層」は、本願発明の「半導体層列」に相当する。
（イ）よって、引用発明１Ａは「本願発明の「半導体層列と、」との特定事項を備える。
　イ　本願発明の「フィルタ構造部とを含み、」との特定事項について
（ア）引用発明１Ａの「前記レーザ素子本体における前記活性層のレーザ光出射部を除く出射端面と該出射端面と反対側の反射端面とに」「形成されている」「前記活性層から放出される自然放出光を反射する自然放出光防止膜」は、本願発明の「フィルタ構造部」に相当する。
（イ）よって、引用発明１Ａは、本願発明の「フィルタ構造部とを含み、」との特定事項を備える。
　ウ　本願発明の「前記半導体層列は、活性領域とビーム出力結合面を備え、前記ビーム出力結合面は第１の部分領域と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域を有している、」との特定事項について
（ア）引用発明１Ａの「半導体層列」に相当する構成（上記ア（ア））は、「前記第１のクラッド層の上に形成された窒化物半導体からなる活性層」を備えるから、本願発明でいう「活性領域」を備えるといえる。
（イ）引用発明１Ａは、「半導体レーザ装置」である以上、引用発明１Ａの「半導体層列」に相当する構成が「ビーム出力結合面」を備えることは、明らかである。
（ウ）引用発明１Ａの「前記レーザ素子本体における前記活性層のレーザ光出射部」は、上記（イ）を踏まえれば、本願発明の「前記ビーム出力結合面」が「有している」「第１の部分領域」に相当する。
（エ）引用発明１Ａの「出射端面」は、「第１の部分領域」に相当する部位（上記（ウ））以外の部位をも備えると解されるところ、上記（イ）を踏まえれば、引用発明１Ａは、「前記ビーム出力結合面」が「有している」「該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域」を備えるといえる。
（オ）よって、引用発明１Ａは、本願発明の「前記半導体層列は、活性領域とビーム出力結合面を備え、前記ビーム出力結合面は第１の部分領域と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域を有している、」との特定事項を備える。
　エ　本願発明の「レーザー光源において、」との特定事項について
（ア）引用発明１Ａの「半導体レーザ装置」は、本願発明の「レーザー光源」に相当する。
（イ）よって、引用発明１Ａは、本願発明の「レーザー光源において、」との特定事項を備える。
　オ　本願発明の「前記活性領域は、動作モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビームと、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビームとを生成し、」との特定事項について
（ア）引用発明１Ａは、「半導体レーザ装置」である以上、本願発明でいう「前記活性領域は、動作モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビーム」を「生成」するものであるといえる。
（イ）引用発明１Ａは、「前記活性層から放出される自然放出光」を生成するものであるから、本願発明でいう「前記活性領域は、動作モード中に、」「第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビーム」を「生成」するものであるといえる。
（ウ）よって、引用発明１Ａは、本願発明の「前記活性領域は、動作モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビームと、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビームとを生成し、」との特定事項を備える。
　カ　本願発明の「前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んでおり、」との特定事項について
　引用発明１Ａは、「半導体レーザ装置」である以上、上記オを踏まえれば、本願発明の「前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んでおり、」との特定事項を備えるといえる。
　キ　本願発明の「前記コヒーレントな第１の電磁ビームは、前記第１の部分領域から放射方向に沿って放射され、」との特定事項について
　引用発明１Ａは、「半導体レーザ装置」である以上、上記オ（ア）を踏まえると、本願発明の「前記コヒーレントな第１の電磁ビームは、前記第１の部分領域から放射方向に沿って放射され」るとの特定事項を備えるといえる。
　ク　本願発明の「前記インコヒーレントな第２の電磁ビームは、前記第１の部分領域と前記第２の部分領域から放射され、」との特定事項について
　引用発明１Ａは、「半導体レーザ装置」である以上、上記オ（イ）を踏まえると、引用発明１Ａは、本願発明の「前記インコヒーレントな第２の電磁ビームは、前記第１の部分領域と前記第２の部分領域から放射され」るとの特定事項を備えるといえる。このことは、引用発明１Ａが「前記レーザ素子本体における前記活性層のレーザ光出射部を除く出射端面」に「前記活性層から放出される自然放出光を反射する自然放出光防止膜が形成されている」ことからも明らかである。
　ケ　本願発明の「前記フィルタ構造部は、前記活性領域から放射された前記インコヒーレントな第２の電磁ビームを放射方向に沿って少なくとも部分的に減衰するように構成されており、」との特定事項について
　引用発明１Ａの「フィルタ構造部」に相当する構成（上記イ（ア））は、「前記レーザ素子本体における前記活性層のレーザ光出射部を除く出射端面」に「前記活性層から放出される自然放出光を反射する自然放出光防止膜」を「形成」するものであるから、引用発明１Ａは、本願発明でいう「前記フィルタ構造部は、前記活性領域から放射された前記インコヒーレントな第２の電磁ビームを放射方向に沿って少なくとも部分的に減衰するように構成されており、」との特定事項を備える。
　コ　本願発明の「前記フィルタ構造部は、第１のフィルタ素子、第２のフィルタ素子、および、第３のフィルタ素子の内の少なくとも１つ、又は、その組み合わせを有しており、」との特定事項について
　引用発明１Ａの「フィルタ構造部」に相当する構成（上記イ（ア）は、本願発明の「第１のフィルタ素子」に相当する。
　サ　本願発明の「前記第１のフィルタ素子は、前記放射方向で見て前記半導体層列の後方に配置され、そして、前記第１のフィルタ素子は、電磁ビームに対して非透過性の材料を有する少なくとも１つの層を有し、前記非透過性の材料は少なくとも部分的に前記第２の部分領域上に配置され、かつ、前記第１のフィルタ素子は、前記基板の表面の全体に適用されており、」との特定事項について
（ア）引用発明１Ａの「フィルタ構造部」に相当する構成（上記イ（ア））は、「自然放出光防止膜」が「出射端面」に「形成」されたものであるから、引用発明１Ａは、本願発明でいう「前記第１のフィルタ素子は、前記放射方向で見て前記半導体層列の後方に配置され」ていることになる。
（イ）引用発明１Ａの「フィルタ構造部」に相当する構成は、「自然放出光防止膜としての高反射膜としては、金属膜を用い」るものであるから、引用発明１Ａは、本願発明でいう「前記第１のフィルタ素子は、電磁ビームに対して非透過性の材料を有する少なくとも１つの層を有し」ていることになる。
（ウ）引用発明１Ａの「フィルタ構造部」に相当する構成は、「自然放出光防止膜」が「前記レーザ素子本体における前記活性層のレーザ光出射部を除く出射端面」に形成されているものであるから、上記（イ）及び上記クを踏まえれば、引用発明１Ａは、本願発明でいう「前記非透過性の材料は少なくとも部分的に前記第２の部分領域上に配置され」ていることになる。
（エ）引用発明１Ａの「フィルタ構造部」に相当する構成は、「自然放出光防止膜」が「基板１１の側面の全体に適用されている」から、引用発明１Ａは、本願発明でいう「前記第１のフィルタ素子は、前記基板の表面の全体に適用されて」いることになる。
（オ）よって、引用発明１Ａは、本願発明の「前記第１のフィルタ素子は、前記放射方向で見て前記半導体層列の後方に配置され、そして、前記第１のフィルタ素子は、電磁ビームに対して非透過性の材料を有する少なくとも１つの層を有し、前記非透過性の材料は少なくとも部分的に前記第２の部分領域上に配置され、かつ、前記第１のフィルタ素子は、前記基板の表面の全体に適用されており、」との特定事項を備える。
　シ　本願発明の「レーザー光源」との特定事項について
　上記エのとおり、引用発明１Ａは、本願発明の「レーザー光源」との特定事項を備える。
（２）一致点及び相違点の認定・判断
　ア　上記（１）によれば、本願発明と引用発明１Ａとは、
「半導体層列と、
　フィルタ構造部とを含み、
　前記半導体層列は、活性領域とビーム出力結合面を備え、前記ビーム出力結合面は第１の部分領域と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域を有している、レーザー光源において、
　前記活性領域は、動作モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビームと、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビームとを生成し、
　前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んでおり、
　前記コヒーレントな第１の電磁ビームは、前記第１の部分領域から放射方向に沿って放射され、
　前記インコヒーレントな第２の電磁ビームは、前記第１の部分領域と前記第２の部分領域から放射され、
　前記フィルタ構造部は、前記活性領域から放射された前記インコヒーレントな第２の電磁ビームを放射方向に沿って少なくとも部分的に減衰するように構成されており、
　前記フィルタ構造部は、第１のフィルタ素子を有しており、
　前記第１のフィルタ素子は、前記放射方向で見て前記半導体層列の後方に配置され、そして、前記第１のフィルタ素子は、電磁ビームに対して非透過性の材料を有する少なくとも１つの層を有し、前記非透過性の材料は少なくとも部分的に前記第２の部分領域上に配置され、かつ、前記第１のフィルタ素子は、前記基板の表面の全体に適用されている、
　レーザー光源。」である点で一致し、相違点は存在しない。
　よって、本願発明は、引用発明１Ａである。
　イ　これに対し、請求人は、「第１のフィルタ素子」が形成されている箇所について、本願発明では、専ら基板表面であるのに対し、引用発明１Ａでは、ファセット面によって形成される側面全体である旨主張する。
　しかしながら、本願発明の「前記第１のフィルタ素子は、前記放射方向で見て前記半導体層列の後方に配置され、」「前記非透過性の材料は少なくとも部分的に前記第２の部分領域上に配置され、かつ、前記第１のフィルタ素子は、前記基板の表面の全体に適用されている」との特定事項の文言によれば、本願発明の「第１のフィルタ素子」が形成されている箇所は、専ら「基板の表面の全体」であるとは解されず、むしろ、「基板の表面の全体」を少なくとも含むが、それ以外の箇所を含むことを排除しない、と解することが自然である。このことは、本願明細書の【０１２５】〜【０１２８】及び図５に、「第１のフィルタ素子」が形成されている箇所が、請求人の主張するところの「ファセット面によって形成される側面全体」である実施例が記載されていることからも裏付けられる。
　したがって、請求人の主張は、請求項１の記載にも、本願明細書及び図面の記載にも基づかないものに帰する。請求人の主張は、採用できない。
　２　引用発明１Ｂに基づく進歩性欠如について
（１）本願発明と引用発明１Ｂとの対比
　本願発明の第２態様を念頭において、本願発明と引用発明１Ｂとを対比する。
　ア　本願発明の「半導体層列と、」との特定事項について
（ア）引用発明１Ｂの「基板上に形成された第１導電型の窒化物半導体からなる第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層の上に形成された窒化物半導体からなる活性層と、前記活性層の上に形成された第２導電型の窒化物半導体からなる第２のクラッド層」は、本願発明の「半導体層列」に相当する。
（イ）よって、引用発明１Ｂは、本願発明の「半導体層列と、」との特定事項を備える。
　イ　本願発明の「フィルタ構造部とを含み、」との特定事項について
（ア）引用発明１Ｂの「前記活性層におけるストライプ状の電流注入領域の側方には、該電流注入領域に沿って溝部が形成され、前記溝部には、前記活性層から放出される自然放出光を吸収する自然放出光吸収材が充填されている」構成は、本願発明の「フィルタ構造部」に相当する。
（イ）よって、引用発明１Ｂは、本願発明の「フィルタ構造部とを含み、」との特定事項を備える。
　ウ　本願発明の「前記半導体層列は、活性領域とビーム出力結合面を備え、前記ビーム出力結合面は第１の部分領域と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域を有している、」との特定事項について
（ア）引用発明１Ｂの「半導体層列」に相当する構成（上記ア（ア））は、「前記第１のクラッド層の上に形成された窒化物半導体からなる活性層」を備えるから、本願発明でいう「活性領域」を備えるといえる。
（イ）引用発明１Ｂは、「半導体レーザ装置」である以上、引用発明１Ｂの「半導体層列」に相当する構成が「ビーム出力結合面」を備えることは、明らかである。
（ウ）引用発明１Ｂは、「半導体レーザ装置」である以上、引用発明１Ｂの「ビーム出力結合面」に相当する部位が「第１の部分領域」を有していることは、明らかである。
（エ）引用発明１Ｂは、「半導体レーザ装置」であって、「前記活性層から放出される自然放出光」が存在するものであるから、引用発明１Ｂの「ビーム出力結合面」に相当する部位が「該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域」を有していることは、明らかである。
（オ）よって、引用発明１Ｂは、本願発明の「前記半導体層列は、活性領域とビーム出力結合面を備え、前記ビーム出力結合面は第１の部分領域と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域を有している、」との特定事項を備える。
　エ　本願発明の「レーザー光源において、」との特定事項について
（ア）引用発明１Ｂの「半導体レーザ装置」は、本願発明の「レーザー光源」に相当する。
（イ）よって、引用発明１Ｂは、本願発明の「レーザー光源において、」との特定事項を備える。
　オ　本願発明の「前記活性領域は、動作モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビームと、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビームとを生成し、」との特定事項について、
（ア）引用発明１Ｂは、「半導体レーザ装置」である以上、本願発明でいう「前記活性領域は、動作モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビーム」を「生成」するものであるといえる。
（イ）引用発明１Ｂは、「前記活性層から放出される自然放出光」が存在するものであるから、本願発明でいう「前記活性領域は、動作モード中に、」「第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビーム」を「生成」するものであるといえる。
（ウ）よって、引用発明１Ｂは、本願発明の「前記活性領域は、動作モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビームと、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビームとを生成し、」との特定事項を備える。
　カ　本願発明の「前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んでおり、」との特定事項について
　引用発明１Ｂは、「半導体レーザ装置」である以上、上記オを踏まえれば、本願発明の「前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んでおり、」との特定事項を備えるといえる。
　キ　本願発明の「前記コヒーレントな第１の電磁ビームは、前記第１の部分領域から放射方向に沿って放射され、」との特定事項について
　引用発明１Ｂは、「半導体レーザ装置」である以上、上記オ（ア）を踏まえると、本願発明の「前記コヒーレントな第１の電磁ビームは、前記第１の部分領域から放射方向に沿って放射され、」との特定事項を備えるといえる。
　ク　本願発明の「前記インコヒーレントな第２の電磁ビームは、前記第１の部分領域と前記第２の部分領域から放射され、」との特定事項について
　引用発明１Ｂは、「半導体レーザ装置」である以上、上記オ（イ）を踏まえると、本願発明の「前記インコヒーレントな第２の電磁ビームは、前記第１の部分領域と前記第２の部分領域から放射され」るとの特定事項を備えるといえる。
　ケ　本願発明の「前記フィルタ構造部は、前記活性領域から放射された前記インコヒーレントな第２の電磁ビームを放射方向に沿って少なくとも部分的に減衰するように構成されており、」との特定事項について
　引用発明１Ｂの「フィルタ構造部」に相当する構成（上記イ（ア））は、「該電流注入領域に沿って溝部が形成され、前記溝部には、前記活性層から放出される自然放出光を吸収する自然放出光吸収材が充填されている」のであるから、引用発明１Ｂは、本願発明でいう「前記フィルタ構造部は、前記活性領域から放射された前記インコヒーレントな第２の電磁ビームを放射方向に沿って少なくとも部分的に減衰するように構成されており、」との特定事項を備える。
　コ　本願発明の「前記フィルタ構造部は、第１のフィルタ素子、第２のフィルタ素子、および、第３のフィルタ素子の内の少なくとも１つ、又は、その組み合わせを有しており、」との特定事項について
　引用発明１Ｂの「フィルタ構造部」に相当する構成（上記イ（ア））は、本願発明の「第２のフィルタ素子」に相当する。
　サ　本願発明の「前記第２のフィルタ素子は、前記放射方向と平行な方向に延在し、かつ、基板から離間した、前記半導体層列の領域上に配置され、そして、前記第２のフィルタ素子は、少なくとも１つのトレンチとして構造化された少なくとも１つの凹部を有する表面構造を有しており、かつ、前記トレンチは、前記基板まで延在しており、」との特定事項について
（ア）引用発明１Ｂの「フィルタ構造部」に相当する構成（上記イ（ア））は、「ストライプ状の電流注入領域の側方に」、「該電流注入領域に沿って溝部が形成され」たものであるから、引用発明１Ｂは、本願発明でいう「前記第２のフィルタ素子は、前記放射方向と平行な方向に延在し、かつ、基板から離間した、前記半導体層列の領域上に配置され」ているものといえる。
（イ）引用発明１Ｂの「溝部」は、本願発明の「トレンチ」に相当する。
　そうすると、引用発明１Ｂは、本願発明でいう「前記第２のフィルタ素子は、少なくとも１つのトレンチとして構造化された少なくとも１つの凹部を有する表面構造を有し」ているものといえる。
（ウ）よって、引用発明１Ｂは、本願発明の「前記第２のフィルタ素子は、前記放射方向と平行な方向に延在し、かつ、基板から離間した、前記半導体層列の領域上に配置され、そして、前記第２のフィルタ素子は、少なくとも１つのトレンチとして構造化された少なくとも１つの凹部を有する表面構造を有しており、」との特定事項を備える。
（エ）しかし、引用発明１Ｂの「フィルタ構造部」に相当する構成では、「溝部」（本願発明の「トレンチ」に相当。）が、「前記基板まで延在して」いない。
　シ　本願発明の「レーザー光源」との特定事項について
　上記エのとおり、引用発明１Ｂは、本願発明の「レーザー光源」との特定事項を備える。
（２）一致点及び相違点の認定
　上記（１）によれば、本願発明と引用発明１Ｂとは、
「半導体層列と、
　フィルタ構造部とを含み、
　前記半導体層列は、活性領域とビーム出力結合面を備え、前記ビーム出力結合面は第１の部分領域と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域を有している、レーザー光源において、
　前記活性領域は、動作モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビームと、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビームとを生成し、
　前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んでおり、
　前記コヒーレントな第１の電磁ビームは、前記第１の部分領域から放射方向に沿って放射され、
　前記インコヒーレントな第２の電磁ビームは、前記第１の部分領域と前記第２の部分領域から放射され、
　前記フィルタ構造部は、前記活性領域から放射された前記インコヒーレントな第２の電磁ビームを放射方向に沿って少なくとも部分的に減衰するように構成されており、
　前記フィルタ構造部は、第２のフィルタ素子を有しており、
　前記第２のフィルタ素子は、前記放射方向と平行な方向に延在し、かつ、基板から離間した、前記半導体層列の領域上に配置され、そして、前記第２のフィルタ素子は、少なくとも１つのトレンチとして構造化された少なくとも１つの凹部を有する表面構造を有している、
　レーザー光源。」である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　「トレンチ」について、本願発明は、「前記基板まで延在して」いるのに対し、引用発明１Ｂは、そうなっていない点。
（３）相違点１の判断
　ア　引用発明１Ｂは、「前記活性層におけるストライプ状の電流注入領域の側方には、該電流注入領域に沿って溝部が形成され、前記溝部には、前記活性層から放出される自然放出光を吸収する自然放出光吸収材が充填されている」ものである。そして、引用発明１Ｂは、このように構成することにより、自然放出光吸収材が、活性層からレーザ素子本体の側面方向へ放出される自然放出光の外部への漏出を防止することができるものである（【００２９】）。
　このように、引用発明１Ｂでは、自然放出光の漏出を防止できる方向が「レーザ素子本体の側面方向」となっているところ、当業者からすれば、その作用原理が、溝部が形成されて自然放出光吸収材が充填されている領域が「電流注入領域の側方」に存在することにあると理解できる。そうであれば、当業者は、引用発明１Ｂの作用原理について、より一般的に、溝部が形成されて自然放出光吸収材が充填されている領域がどこまで及んでいるのかが、レーザ素子本体から放出される自然放出光の漏出を防止したい方向に影響するということを、たやすく理解できる。
　イ　他方で、引用文献１には、基板に、サファイア、ＳｉＣ又はＧａＮを用いる、発振波長が４００ｎｍ付近のＩｎＧａＡｌＮ系レーザ装置においては、基板が自然放出光を吸収せず（【０１６２】）、そして、自然放出光がすべての方向にわたって放出されるものである（【００４９】）ことが記載されている。また、引用文献１Ｂには、レーザチップのレーザ出射端面以外から放出される自然放出光が、光検出器又は電子回路と集積されてなる光電子集積素子における光検出器に対するバイアス光となって検出動作に悪影響を及ぼすこと（【００１０】）が記載されている。
　このように、半導体レーザ装置では、自然放出光がすべての方向にわたって放出されるとともに、光検出器の検出動作に悪影響を及ぼすのである。そうであれば、当業者は、引用発明１Ｂにおいて、すべての方向にわたって放出される自然放出光に関して、その漏出を防止できる方向を増加させようとの動機をもつということができる。
　ウ　上記アのとおり、当業者は、引用発明１Ｂの作用原理につき、より一般的に、溝部が形成されて自然放出光吸収材が充填されている領域がどこまで及んでいるのかが、レーザ素子本体から放出される自然放出光の漏出を防止したい方向に影響するということを理解することができる。
　そうすると、当業者であれば、引用発明１Ｂにおいて、すべての方向にわたって放出される自然放出光に関して、その漏出を防止できる方向を増加させようとの動機（上記イ）に従い、溝部が形成されて自然放出光吸収材が充填されている領域を、さらに広く及ばせるように構成することは、容易に推考し得たことであるというべきである。そして、その際、その領域を、活性層を超えて「前記基板まで延在して」いるように構成すれば、すべての方向にわたって放出される自然放出光のうち、相当程度に広い範囲のものの漏出を防止できることは明らかであり、そうである以上、そのように構成することは、光検出器の検出動作に悪影響を及ぼす観点からの必要性に応じて、当業者が適宜設計し得たことにすぎないといえる。
　エ　よって、本願発明は、引用発明１Ｂ及び引用文献１に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　３　引用発明２に基づく進歩性欠如について
（１）本願発明と引用発明２との対比
　本願発明の第２態様を念頭において、本願発明と引用発明２とを対比する。
　ア　本願発明の「半導体層列と、」との特定事項について
　引用発明２は、「窒化物半導体より成るレーザ素子」であるから、本願発明の「半導体層列と、」との特定事項を備えることが、明らかである。
　イ　本願発明の「フィルタ構造部とを含み、」との特定事項について
（ア）引用発明２の「絶縁膜と活性層との間の層が」「有し」ている「溝」と、「活性層で生成されるレーザ光の波長を含む波長範囲の光を吸収する特性を有し、電流路の狭窄した部分から僅かに離間して活性層における光の共振方向に延びる光吸収部」であって、「絶縁膜と活性層との間の層の溝を埋めている」「光吸収部」とからなる構成が、本願発明の「フィルタ構造部」に相当する。
（イ）よって、引用発明２は、本願発明の「フィルタ構造部とを含み、」との特定事項を備える。
　ウ　本願発明の「前記半導体層列は、活性領域とビーム出力結合面を備え、前記ビーム出力結合面は第１の部分領域と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域を有している、」との特定事項について
（ア）引用発明２は「活性層」を備えるから、引用発明２の「半導体層列」に相当する構成（上記ア）は、本願発明でいう「活性領域」を備えるといえる。
（イ）引用発明２は、「窒化物半導体より成るレーザ素子」である以上、引用発明２の「半導体層列」に相当する構成が「ビーム出力結合面」を備えることは、明らかである。
（ウ）引用発明２は、「窒化物半導体より成るレーザ素子」である以上、引用発明２の「ビーム出力結合面」に相当する部位が「第１の部分領域」を有していることは、明らかである。
（エ）引用発明２は、「窒化物半導体より成るレーザ素子」であって、「活性層から全方位に向かう自然放出光」が存在し、「活性層で生成されるレーザ光の波長を含む波長範囲の光を吸収する」ことが予定されているものであるから、引用発明２の「ビーム出力結合面」に相当する部位が「該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域」を有していることは、明らかである。
（オ）よって、引用発明２は、本願発明の「前記半導体層列は、活性領域とビーム出力結合面を備え、前記ビーム出力結合面は第１の部分領域と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域を有している、」との特定事項を備える。
　エ　本願発明の「レーザー光源において、」との特定事項について
（ア）引用発明２の「レーザ素子」は、本願発明の「レーザ光源」に相当する。
（イ）よって、引用発明２は、本願発明の「レーザー光源において、」との特定事項を備える。
　オ　本願発明の「前記活性領域は、動作モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビームと、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビームとを生成し、」との特定事項について
（ア）引用発明２は、「窒化物半導体より成るレーザ素子」である以上、本願発明でいう「前記活性領域は、動作モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビーム」を「生成」するものであるといえる。
（イ）引用発明２は、「窒化物半導体より成るレーザ素子」であって、「活性層から全方位に向かう自然放出光」が存在し、「活性層で生成されるレーザ光の波長を含む波長範囲の光を吸収する」ことが予定されているものであるから、「前記活性領域は、動作モード中に、」「第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビーム」を「生成」するものであるといえる。
（ウ）よって、引用発明２は、本願発明の「前記活性領域は、動作モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビームと、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビームとを生成し、」との特定事項を備える。
　カ　本願発明の「前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んでおり、」について
　引用発明２は、「窒化物半導体より成るレーザ素子」であって、「活性層から全方位に向かう自然放出光」が存在し、「活性層で生成されるレーザ光の波長を含む波長範囲の光を吸収する」ことが予定されているものであるから、本願発明の「前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んでおり、」との特定事項を備える。
　キ　本願発明の「前記コヒーレントな第１の電磁ビームは、前記第１の部分領域から放射方向に沿って放射され、」との特定事項について
　引用発明２は、「窒化物半導体より成るレーザ素子」である以上、上記オ（ア）を踏まえると、本願発明の「前記コヒーレントな第１の電磁ビームは、前記第１の部分領域から放射方向に沿って放射され、」との特定事項を備えるといえる。
　ク　本願発明の「前記インコヒーレントな第２の電磁ビームは、前記第１の部分領域と前記第２の部分領域から放射され、」との特定事項について
　引用発明２は、「窒化物半導体より成るレーザ素子」である以上、上記オ（イ）を踏まえると、本願発明の「前記インコヒーレントな第２の電磁ビームは、前記第１の部分領域と前記第２の部分領域から放射され」るとの特定事項を備えるといえる。
　ケ　本願発明の「前記フィルタ構造部は、前記活性領域から放射された前記インコヒーレントな第２の電磁ビームを放射方向に沿って少なくとも部分的に減衰するように構成されており、」との特定事項について
　引用発明２の「フィルタ構造部」に相当する構成（上記イ（ア））は、「光吸収部」が「活性層における光の共振方向に延び」ているものであるから、上記オ（イ）を踏まえると、引用発明２は、本願発明でいう「前記フィルタ構造部は、前記活性領域から放射された前記インコヒーレントな第２の電磁ビームを放射方向に沿って少なくとも部分的に減衰するように構成されており、」との特定事項を備えるといえる。
　コ　本願発明の「前記フィルタ構造部は、第１のフィルタ素子、第２のフィルタ素子、および、第３のフィルタ素子の内の少なくとも１つ、又は、その組み合わせを有しており、」との特定事項について
　引用発明２の「フィルタ構造部」に相当する構成（上記イ（ア））は、本願発明の「第２のフィルタ素子」に相当する。
　サ　本願発明の「前記第２のフィルタ素子は、前記放射方向と平行な方向に延在し、かつ、基板から離間した、前記半導体層列の領域上に配置され、そして、前記第２のフィルタ素子は、少なくとも１つのトレンチとして構造化された少なくとも１つの凹部を有する表面構造を有しており、かつ、前記トレンチは、前記基板まで延在しており、」との特定事項について
（ア）引用発明２の「フィルタ構造部」に相当する構成（上記イ（ア））は、「光吸収部」が「活性層における光の共振方向に延び」ているとともに、「絶縁膜と活性層との間の層が溝を有し」ているのであるから、引用発明２は、本願発明でいう「前記第２のフィルタ素子は、前記放射方向と平行な方向に延在し、かつ、基板から離間した、前記半導体層列の領域上に配置され」ているものといえる。
（イ）引用発明２の「溝」は、本願発明の「トレンチ」に相当する。
　そうすると、引用発明２は、本願発明でいう「前記第２のフィルタ素子は、少なくとも１つのトレンチとして構造化された少なくとも１つの凹部を有する表面構造を有し」ているものといえる。
（ウ）よって、引用発明２は、「本願発明の「前記第２のフィルタ素子は、前記放射方向と平行な方向に延在し、かつ、基板から離間した、前記半導体層列の領域上に配置され、そして、前記第２のフィルタ素子は、少なくとも１つのトレンチとして構造化された少なくとも１つの凹部を有する表面構造を有しており、」との特定事項を備える。
（エ）しかし、引用発明２の「フィルタ構造部」に相当する構成では、「溝」（本願発明の「トレンチ」に相当。）が、「前記基板まで延在して」いない。
　シ　本願発明の「レーザー光源」との特定事項について
　上記エのとおり、引用発明１Ｂは、本願発明の「レーザー光源」との特定事項を備える。
（２）一致点及び相違点の認定
　上記（１）によれば、本願発明と引用発明２とは、
「半導体層列と、
　フィルタ構造部とを含み、
　前記半導体層列は、活性領域とビーム出力結合面を備え、前記ビーム出力結合面は第１の部分領域と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域を有している、レーザー光源において、
　前記活性領域は、動作モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビームと、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビームとを生成し、
　前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んでおり、
　前記コヒーレントな第１の電磁ビームは、前記第１の部分領域から放射方向に沿って放射され、
　前記インコヒーレントな第２の電磁ビームは、前記第１の部分領域と前記第２の部分領域から放射され、
　前記フィルタ構造部は、前記活性領域から放射された前記インコヒーレントな第２の電磁ビームを放射方向に沿って少なくとも部分的に減衰するように構成されており、
　前記フィルタ構造部は、第２のフィルタ素子を有しており、
　前記第２のフィルタ素子は、前記放射方向と平行な方向に延在し、かつ、基板から離間した、前記半導体層列の領域上に配置され、そして、前記第２のフィルタ素子は、少なくとも１つのトレンチとして構造化された少なくとも１つの凹部を有する表面構造を有している、
　レーザー光源。」である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点２］
　「トレンチ」について、本願発明は、「前記基板まで延在して」いるのに対し、引用発明２は、そうなっていない点。
（３）相違点２の判断
　ア　引用発明２は、「活性層で生成されるレーザ光の波長を含む波長範囲の光を吸収する特性を有し、電流路の狭窄した部分から僅かに離間して活性層における光の共振方向に延びる光吸収部を備える」とともに、「絶縁膜と活性層との間の層が溝を有し、光吸収部が絶縁膜と活性層との間の層の溝を埋めているものであり」、「絶縁壁６２の下端の位置（溝の深さ）に制限はなく、活性層５６に達していてもよい」ものである。そして、この構成では、「絶縁膜と活性層との間の層の溝を深くすることにより、光吸収部を活性層に近づけて、活性層に対する角度の小さい自然放出光も吸収することが可能になる」（【００１２】）とされている。
　そうすると、当業者は、引用発明２の作用原理につき、絶縁壁の下端の位置（溝の深さ）をどこにするかにより、活性層に対してどの角度範囲の自然放出光までを吸収させることができるのかを設計できるということを、たやすく理解できる。
　イ　他方で、引用文献２には、レーザ素子における窒化物半導体層（ＧａＮなどで形成されている。【０００３】参照。）、ＳｉＣ基板及びサファイア基板は、発振波長に対してほとんど透明であって、レーザ発振時に発生する自然放出光の吸収が少なく（【０００４】）、そして、自然放出光は、活性層からあらゆる方向に出る（【００２０】）ことが記載されている。また、引用文献２には、ホログラムレーザにおいては、レーザ素子の側面等から出射する自然放出光が迷光となって、制御が困難となることもあること（【０００５】）が記載されている。
　このように、窒化物半導体レーザ素子では、自然放出光があらゆる方向に出るとともに、迷光となって、ホログラムレーザにおける制御を困難とするのである。そうすると、当業者は、引用発明２において、あらゆる方向に出る自然放出光に関して、活性層に対してできるだけ大きな角度範囲の自然放出光をも吸収させようとの動機をもつということができる。
　ウ　上記アのとおり、当業者は、引用発明２の作用原理につき、絶縁壁の下端の位置（溝の深さ）をどこにするかにより、活性層に対してどの角度範囲の自然放出光までを吸収させることができるのかを設計できることを理解することができる。
　そうすると、当業者であれば、引用発明２において、あらゆる方向に出る自然放出光に関して、活性層に対してできるだけ大きな角度範囲の自然放出光をも吸収させようとの動機（上記イ）に従い、絶縁壁の下端の位置（溝の深さ）を、より深くするように構成することは、容易に推考し得たことであるというべきである。そして、その際、絶縁壁の下端の位置（溝の深さ）を、活性層を超えて「前記基板まで延在して」いるように構成すれば（なお、引用文献２の図１０には、絶縁壁６２の下端の位置が活性層５６を超えていることが記載されている。上記第４の２（１）キ参照。）、あらゆる方向に出る自然放出光のうち、活性層に対して相当程度に大きな角度範囲のものを吸収できることは明らかであり、そうである以上、そのように構成することは、迷光除去という観点からの必要性に応じて、当業者が適宜設計し得たことにすぎないといえる。
　エ　よって、本願発明は、引用発明２及び引用文献２に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１Ａであるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができず、
　本願発明は、引用発明１Ｂ及び引用文献１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、
　本願発明は、引用発明２及び引用文献２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。