【事件の表示】
　特願２０１５−５５２１６６「発光サファイアをダウンコンバータとして使用するＬＥＤ」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　７月２４日国際公開、ＷＯ２０１４／１１１８２２、平成２８年　３月１７日国内公表、特表２０１６−５０８２９４、請求項の数（２０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年１月２日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　平成２５年１月１６日　アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２７年　７月１７日　　：手続補正書の提出
　平成２８年１２月２８日　　：手続補正書の提出
　平成２９年１１月１６日付け：拒絶理由通知書（最初）
　平成３０年　５月２１日　　：意見書の提出
　平成３０年　８月２７日付け：拒絶査定
　平成３１年　１月　４日　　：審判請求書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項１−２０に係る発明（以下、「本願発明１」〜「本願発明２０」という。）は、平成２８年１２月２８日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−２０に記載される発明であり、そのうち本願発明１は以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　Ｎ型層、一次光を放出する活性層、及びＰ型層を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）半導体層と、
　前記ＬＥＤ半導体層の発光面の上に取り付けられた、前記半導体層用の成長基板ではない発光サファイアと
　を有し、
　前記ＬＥＤ半導体層及び前記発光サファイアはＬＥＤダイの一部を形成し、前記発光サファイアは、所定の光吸収帯及びルミネッセンス発光帯を持つＦライク中心を生じさせる酸素空孔を含有し、
　前記発光サファイアは、前記Ｆライク中心を介して、前記一次光の一部を吸収し且つ前記一次光をダウンコンバートして二次光を放出することで、前記ＬＥＤダイからの発光が少なくとも前記一次光と前記二次光との組み合わせを含むようにする、
　発光デバイス。」
　なお、本願発明２−２０の概要は以下のとおりである。
　本願発明２−１４は、本願発明１を減縮した発明である。
　本願発明１５は、本願発明１に対応する方法の発明であり、本願発明１６−２０は、本願発明１５を減縮した発明である。
第３　原査定の概要
　この出願の請求項１−２０に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２００４−３６３１４９号公報
２．国際公開第２０１０／０７９７７９号
３．特表２００５−５１４３０１号公報
４．Subrata Sanyal, et al.，“Anisotropy of optical absorption and fluorescence in Al2O3:C,Mg crystals”，Journal of Applied Physics，2005年8月8日，
Vol.98，No.3，p.033518-1〜033518-12
５．特開２００２−３３５０１０号公報
６．特開２００２−３４４０２１号公報
第４　引用文献、引用発明
１　引用文献１について
原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２００４−３６３１４９号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は、当審で付与した。以下同じ。）。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、
発光ダイオードなどの半導体発光素子から放出された放射光を可視光に変換するための薄膜蛍光体及びこれを集積化した発光素子及びその製造方法に関するもの
「【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために
本発明の発光素子は、不純物を添加した母材基板と、前記母材基板に接する形で形成された半導体発光素子とを有し
「【００３８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、図面を参照して以下に説明する。
【００３９】
図１は本発明の実施形態における蛍光体及びこれを集積化した発光素子を示す図面である。
【００４０】
本発明の、蛍光体を集積化した発光素子は、
一般式がＢ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ−ｙ−ｚ
Ａｌ
ｙ
Ｉｎ
ｚ
Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表されるＩＩＩ族窒化物半導体からなる少なくとも一つの半導体層を含む発光素子１０１
その発光素子１０１から放出された青色光によって励起されて５５０ｎｍ付近（以下、緑色発光領域という）及び６５０ｎｍ付近（以下、赤色発光領域という）に発光ピークを有する波長を発光する母材基板１０２
母材基板１０２はサファイアよりなり
母材基板１０２中に５５０ｎｍ付近及び６５０ｎｍ付近に発光ピークを有する波長を発光する領域が形成されており、発光素子１０１から放出された青色光が母材基板１０２中の赤色発光領域の不純物を励起し、さらに緑色発光領域の不純物も励起する。
発光素子１０１から青色光、母材基板１０２から赤色及び緑色光がそれぞれ放出され白色光を得ることができる。
【００４１】
図２（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施形態における蛍光体及びこれを集積化した発光素子の製造工程図である。図
２（ａ）に示すように、母材基板２０１中にイオン注入法を用いて不純物であるＳｉイオン２０２を打ち込む。
【００４２】
イオン注入法では加速電圧を変化させることにより、打ち込むイオンの深さを変化させることができる。本発明では、このイオン注入時の加速電圧を調整することにより、
母材基板２０１に注入するＳｉイオン２０２の深さを制御し、発光素子から放出される青色光によって励起される不純物Ｓｉを赤色発光領域及び緑色発光領域の二領域に分ける。
【００４３】
また、母材基板２０１での発光色は、Ｓｉ注入量を制御することで紫外域から赤外域まで発光可能となる。本工程では、母材基板２０１中で発光した赤色光が吸収されないようにするために、緑色光を実現するために必要なイオン注入工程よりも先に赤色発光に必要なイオン注入工程を行うことが望ましい。その際、イオン注入の加速電圧は母材基板２０１中に深く形成するために１８０〜２００ｋｅＶの範囲で、注入量は１〜３×１０１７ｃｍ−２とする必要がある。
【００４４】
次に図２（ｂ）に示すように、緑色光に実現するために必要なイオン注入を母材基板２０１中に行う。その際、すでに注入された赤色発光領域２０３よりも表面付近に浅く形成するために、イオン注入の加速電圧は５０〜８０ｋｅＶの範囲で、注入量は１〜３×１０１６ｃｍ−２とする必要がある。
【００４５】
次に図２（ｃ）に示すように、イオン注入されたＳｉを母材基板２０１中で直径１〜１０ｎｍの粒子状に形成させるために、熱アニールを行う。効果的にＳｉ粒子を形成するためには、７００℃以上、３０分間、窒素雰囲気中で熱アニールを行うことが望ましい。
【００４６】
次に図２（ｄ）に示すように、
赤色発光領域２０３及び緑色発光領域２０４が形成された母材基板２０１を発光素子２０５上に実装する。
発光素子２０５と母材基板２０１を紫外線硬化樹脂などで密着させる。
発光素子２０５から放出された青色光が母材基板２０１中のＳｉを励起し、赤色光及び緑色光がそれぞれ放出され、合成光出力光として白色光が出力される。
　したがって、上記引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「少なくとも一つの半導体層を含む半導体発光素子と、
半導体発光素子上に実装されたサファイアよりなる母材基板と、
を有し、
母材基板にイオン注入法を用いて不純物であるＳｉイオンを打ち込み、
発光素子から放出された青色光が母材基板中のＳｉを励起し、赤色光及び緑色光がそれぞれ放出され、合成光出力光として白色光が出力される発光素子。」
２　引用文献２について
原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（国際公開第２０１０／０７９７７９号）には、次の事項が記載されている。
「[0001]
本発明は、酸化物中の酸素空孔による色中心（カラーセンター）を利用した紫外から可視域の波長可変レーザー発振酸化物結晶の作製方法に関する技術
「[0010]
　本発明者は、鋭意研究の結果、カーボン坩堝中で、高真空・還元雰囲気下、イオン性酸化物結晶の融点（マグネシアでは２８００℃、アルミナでは２０５０℃）よりも低い１６００℃程度の熱処理により、これら
イオン性酸化物中に多量の発光性酸素空孔を導入できる
[0011]
上記課題を達成すべく、本発明に係るレーザー発振酸化物結晶の作製方法は、イオン性酸化物結晶に対して、１０−３（Ｐａ）以下の高真空・還元雰囲気下、酸化物結晶の融点より低い温度で熱処理を行うことにより、イオン性酸化物結晶中に発光性酸素空孔を導入することを特徴とする。 　ここで、イオン性酸化物結晶は、例えば、マグネシア（ＭｇＯ），アルミナ（Ａｌ２Ｏ３），二酸化珪素（ＳｉＯ２）や、マグネシア（ＭｇＯ）−アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）−二酸化珪素（ＳｉＯ２）の三成分系の組成を有する酸化物結晶などである。イオン性酸化物結晶に対して、１０−３（Ｐａ）以下の高真空・還元雰囲気下で、イオン性酸化物結晶の融点よりも低い温度で熱処理を施すことにより、
イオン性酸化物結晶中に多量の発光性酸素空孔を導入して、紫外〜可視領域の幅広い波長域における波長可変レーザー発振酸化物結晶を生成する
[0012]
　特に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やマグネシア（ＭｇＯ）に対して、１０−３（Ｐａ）以下の高真空・還元雰囲気下、酸化物結晶の融点より低い温度で熱処理を行うことにより、レーザー発振のような鋭い発光ピークを出現させることができる。詳細は後述の実施例で示すように、
本発明の作製方法を施したイオン性酸化物に対して、励起パルスレーザー光（Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの４倍波，２６６ｎｍ）をレーザー発振閾値となるエネルギー以上のポンプエネルギーで照射すると、イオン性酸化物結晶がレーザー発振を生じるようになる。
「[0039]
図３（ｂ）に示すように、
球状試料を粉砕してＸ線回折（ＸＲＤ）測定を行ったところ、得られた物質は原料の酸化物と同じく、アルミナ（Ａｌ
２
Ｏ
３
）である
生成物質は、２３５ｎｍおよび２５９ｎｍに励起光ピークを有する３２８ｎｍの発光バンド（ＰＬ１）と、２１４ｎｍに励起光ピークを有する４０８ｎｍの発光バンド（ＰＬ２）の２種の発光バンドを有する
これらの２種の発光バンドは、これまでに報告されているアルミナ（Ａｌ
２
Ｏ
３
）中のＦ＋センター（ＰＬ１に相当）およびＦセンター（ＰＬ２に相当）の発光挙動と一致した。
[0040]
　以上の結果は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粉体をカーボン坩堝中で１６００℃の真空下で加熱することにより、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）が通常の融点（２０５０℃）以下で溶融し、かつ、
溶融過程で酸素空孔であるＦ＋センターおよびＦセンターが導入される
したがって、上記引用文献２には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
「２３５ｎｍおよび２５９ｎｍの励起光ピーク、３２８ｎｍの発光バンドを有する酸素空孔であるＦ＋センターと、２１４ｎｍの励起光ピーク、４０８ｎｍの発光バンドを有する酸素空孔であるＦセンターとが導入されたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる波長可変レーザー発振酸化物結晶。」
３　引用文献３について
原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（特表２００５−５１４３０１号公報）には、次の事項が記載されている。
「【０００１】
  
本発明は、光学データ記憶への適用を意図するドープした酸化アルミニウム結晶質材料に関する。
「【０１０８】
  本発明の
１つの好適な実施態様の酸化アルミニウム材料の１つの重要な特徴は、近くのＭｇ不純物原子により電荷補償されたＦ
＋
中心の形態における高濃度の単一および二重の酸素空格子点である。
Ｆ
＋
（Ｍｇ）−中心
この中心は、２３０および２５５ｎｍの少なくとも２つの吸収帯によって特徴づけられ
３３０ｎｍのルミネセンス帯を有する
２つのＦ
＋
−中心および２つのＭｇ不純物原子から構成される集合空格子点欠損を形成
Ｆ
２
２＋
（２Ｍｇ）
本発明の集合酸素空格子点欠損は、４３５ｎｍの領域の青色吸収−励起帯に寄与する
５２０ｎｍの領域の緑色蛍光帯によって特徴づけられ
緑色ルミネセンスを示すＡｌ
２
Ｏ
３
：Ｃ，Ｍｇ結晶は、
結晶に可視の緑色を与える青色吸収帯を有するいくつかのＵＶ吸収帯により特徴づけられる。
【０１０９】
  
他の特に好適な実施態様では、本発明のＡｌ
２
Ｏ
３
：Ｃ，Ｍｇ結晶質材料は、７５０±５ｎｍの領域の蛍光発光帯
３３５±５ｎｍの領域の吸収／励起帯
を示す。
「【０１３１】
  本発明のＡｌ２Ｏ３：Ｃ，Ｍｇ材料における
「書き込み」および「読み取り」操作中の好ましい電子プロセスを
説明する
データ記憶媒体は、一般的に、「０」および「１」状態に対応して割り当てられる少なくとも２つの安定な物理的状態で存在
到着または消去されたＡｌ
２
Ｏ
３
媒体の最初の配置（論理的０状態）は、４３５±５ｎｍの領域における強い吸収帯によって特徴づけられる高濃度のＦ
２
２＋
（２Ｍｇ）−中心を有する。上記の結晶欠損をイオン化するために十分に高い適切な光子エネルギーｈν
１
（または波長λ
１
）および強度の書き込みレーザー光（「書き込み」ビーム）の照射によって、予め存在する電子欠損にトラップされるべき遊離の電子を生成し得る。
量子系のこの第２の状態は、ここでは、準安定「荷電」配置（論理的「１」状態）である。媒体の状態を「読み取る」ために、書き込み光または他の光子エネルギーｈν
２
（または波長λ
２
）と同じ刺激光が適用され、そして光子エネルギーｈν
３
（または波長λ
３
）の蛍光光子が検出される。
・・・（中略）・・・
【０１３５】
  
データの書き込みは、上記のＦ
２
２＋
（２Ｍｇ）−中心による４３５±４０ｎｍ青色レーザー光の２光子吸収を用いて行われ得る
フォトクロミック変換の結果は、（ａ）３つの局在化電子を有しそして３３５ｎｍのＵＶ吸収帯によって特徴づけられる、他の荷電状態の集合欠損、Ｆ
２
＋
（２Ｍｇ）−中心、の生成、または（ｂ）２０５ｎｍのＵＶ吸収帯を有する中性のＦ−中心の生成
である。
光イオン化の結果として、Ｆ
２
２＋
（Ｍｇ）−中心は、６２０ｎｍの吸収帯を有するＦ
２
３＋
（Ｍｇ）に変換し、そして放出された電子は、３つの局在化電子を有しそして３３５ｎｍの吸収帯および７５０ｎｍの発光帯によって特徴づけられるＦ
２
＋
（Ｍｇ）−中心に変換する他のＦ
−２
２＋（Ｍｇ）−中心によってトラップされる。
【０１３６】
  
本発明は、データを読み取るための２つのタイプの蛍光プロセスを提供する
タイプ１すなわち「負の」プロセスは、４３５±４０ｎｍの青色レーザー光励起を用いるＦ
２
２＋
（２Ｍｇ）−中心の元の緑色蛍光の刺激を含む。
書き込み中に２光子イオン化を受けた少量のＡｌ
２
Ｏ
３
結晶（ボクセル）は蛍光の減少を示すかまたは蛍光を示さないが、未書き込みのボクセルは、高い強度の緑色蛍光を示す。
【０１３７】
  
データを読み取るための本発明のタイプ２の読み出しプロセス、いわゆる「正の」読み出しプロセスは、読み取り中に生じたＦ
２
＋
（２Ｍｇ）−中心の蛍光を刺激するために３３５±４０ｎｍのレーザー励起を用いることを含む。
８０ｎｓの寿命を有する７５０ｎｍの領域でのＦ
２
＋
（２Ｍｇ）−中心の蛍光の強度は、バイナリーまたは多重レベルデータ記憶のための「読み出し」プロセス中のデータの尺度として用いられる。
したがって、上記引用文献３には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
「４３５ｎｍの領域の青色吸収−励起帯及び５２０ｎｍの領域の緑色蛍光帯を有し、２つのＦ＋−中心及び２つのＭｇ不純物原子から構成される集合酸素空格子点欠損（Ｆ２２＋（２Ｍｇ）−中心）を含むＡｌ２Ｏ３：Ｃ，Ｍｇ結晶からなる光学データ記憶媒体。」
４　引用文献４について
原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（“Anisotropy of optical absorption and fluorescence in Al2O3:C,Mg crystals”）には、次の事項が記載されている。
「Spectroscopic properties of recently discovered fluorescent sapphire single crystals (Al2O3:C,Mg), developed for volumetric optical data storage, are investigated. Polarized optical absorption, excitation-emission spectra, and quantum yield of fluorescence of the crystal in two different photonic states are studied. The spatial distribution of intensity and polarization ratio of the fluorescence associated with the 435/520- and 620/750-nm excitation-emission bands, characteristic of the two photonic states of the crystal, display strong anisotropy. ・・・（中略）・・・ The anisotropic properties of optical absorption and fluorescence suggest a model of double oxygen vacancy.」（第１ページ要約）
「最近発見され、
容積光学データ記憶用に開発された蛍光サファイア単結晶（Ａｌ
２
Ｏ
３
：Ｃ，Ｍｇ）の分光特性
結晶の２つの光学状態に特徴的な、４３５／５２０ｎｍ及び６２０／７５０ｎｍの励起／発光帯
光吸収及び蛍光の異方性は、二重酸素空孔モデルを示唆している。
「The basic electronic point defects in α-Al2O3 are single oxygen vacancy F and F+ centers (trapping two or one electrons) and aggregate oxygen vacancies, in the form of dimer F2, F2+, and F22+centers (two nearest- or next-nearest-neighbor oxygen vacancies trapping two to four electrons; the superscript denotes the effective charge of the defects with respect to the ideal lattice).」（第１ページ左欄第１５−２１行）
「
α−Ａｌ
２
Ｏ
３
における基本的な電子点欠陥は、Ｆ及びＦ
＋
中心
の単一酸素空孔、又は二量体Ｆ
２
、Ｆ
２
＋
、及びＦ
２
２＋
中心
の形をとる凝集酸素空孔である。
「The high quantum yield of fluorescence is advantageous for various luminescence applications, for example, in volumetric optical data storage and radiation field imaging.」（第１２ページ左欄第５−９行）
「蛍光の高い量子収率は、
様々なルミネセンス用途、例えば容積光学データ記憶及び放射線フィールドイメージングに有利である。
したがって、上記引用文献４には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
「４３５／５２０ｎｍ及び６２０／７５０ｎｍの励起／発光帯の２つの光学状態を持ち、Ｆ及びＦ＋中心の単一酸素空孔又はＦ２、Ｆ２＋、及びＦ２２＋中心の凝集酸素空孔を含む、容積光学データ記憶や放射線フィールドイメージング等の様々なルミネセンス用途に用いられる蛍光サファイア単結晶。」
５　引用文献５について
原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（特開２００２−３３５０１０号公報）には、次の事項が記載されている。
「【００４５】
他にも
青色、青緑色や緑色を吸収して赤色が発光可能な蛍光体としては、Ｅｕ及び／又はＣｒで付活されたサファイア（酸化アルミニウム）蛍光体やＥｕ及び／又はＣｒで付活された窒素含有Ｃａ−Ａｌ
２
Ｏ
３
−ＳｉＯ
２
蛍光体（オキシナイトライド蛍光硝子）等が挙げられる。
したがって、上記引用文献５には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
「青色、青緑色や緑色を吸収して赤色が発光可能な蛍光体であるＥｕ及び／又はＣｒで付活されたサファイア（酸化アルミニウム）蛍光体及びＥｕ及び／又はＣｒで付活された窒素含有Ｃａ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２蛍光体（オキシナイトライド蛍光硝子）。」
６　引用文献６について
原査定の拒絶の理由に引用された引用文献６（特開２００２−３４４０２１号公報）には、次の事項が記載されている。
「【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発明に係る実施の形態について説明する。本実施の形態の発光装置は、青色光を発光する発光素子１０１を、例えば硝子エポキシからなる回路基板１０４上に設け、透光性を有するエポキシ樹脂１０７で封止したものであり、その
エポキシ樹脂１０７の中にセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体１と、クロム又はチタンのいずれか１つを少なくとも含むアルミナ蛍光体２とが分散して含有されている
したがって、上記引用文献６には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
「樹脂中に分散して含有されたセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体及びクロム又はチタンのいずれか１つを少なくとも含むアルミナ蛍光体。」
第５　当審の判断
１　本願発明１について
（１）対比
ア　本願発明１と引用発明とを対比する。
イ　引用発明の「少なくとも一つの半導体層を含む半導体発光素子」は、本願発明１の「発光ダイオード（ＬＥＤ）半導体層」に相当する。
ウ　引用発明の「母材基板」は「半導体発光素子上に実装され」るものであることから、当該「母材基板」は半導体発光素子の「発光面の上に取り付けられ」ているといえるとともに、当該「母材基板」が「半導体層用の成長基板でない」ことは明らかである。そうすると、引用発明の「半導体発光素子上に実装されたサファイアよりなる母材基板」は、本願発明１の「前記ＬＥＤ半導体層の発光面の上に取り付けられた、前記半導体層用の成長基板ではない発光サファイア」に相当する。
エ　引用発明においては、「母材基板」が「半導体発光素子上に実装され」ており、「半導体発光素子」及び「母材基板」は一体として発光素子のチップを形成しているといえるから、引用発明は、本願発明１の「前記ＬＥＤ半導体層及び前記発光サファイアはＬＥＤダイの一部を形成」するという構成を有していると認められる。
オ　引用発明の「青色光」、「赤色光及び緑色光」は、それぞれ本願発明１の「一次光」、「二次光」に相当するから、引用発明の「発光素子から放出された青色光が母材基板中のＳｉを励起し、赤色光及び緑色光がそれぞれ放出され、合成光出力光として白色光が出力される」という構成は、本願発明１の「前記一次光の一部を吸収し且つ前記一次光をダウンコンバートして二次光を放出することで、前記ＬＥＤダイからの発光が少なくとも前記一次光と前記二次光との組み合わせを含むようにする」という構成に相当する。
カ　引用発明の「発光素子」は、本願発明１の「発光デバイス」に相当する。
キ　したがって、本願発明１と引用発明とを対比したときの一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「発光ダイオード（ＬＥＤ）半導体層と、
前記ＬＥＤ半導体層の発光面の上に取り付けられた、前記半導体層用の成長基板ではない発光サファイアと
　を有し、
前記ＬＥＤ半導体層及び前記発光サファイアはＬＥＤダイの一部を形成し、
前記発光サファイアは、前記一次光の一部を吸収し且つ前記一次光をダウンコンバートして二次光を放出することで、前記ＬＥＤダイからの発光が少なくとも前記一次光と前記二次光との組み合わせを含むようにする、
発光デバイス。」
＜相違点１＞
発光ダイオード（ＬＥＤ）半導体層の構成について、本願発明１では、「Ｎ型層、一次光を放出する活性層、及びＰ型層を有する」のに対し、引用発明では、含まれる半導体層が明示されていない点。
＜相違点２＞
発光サファイアで「一次光をダウンコンバートして二次光を放出する」構成について、本願発明１では、発光サファイアが「所定の光吸収帯及びルミネッセンス発光帯を持つＦライク中心を生じさせる酸素空孔を含有し」、「前記Ｆライク中心を介して」行われるのに対し、引用発明では、サファイアよりなる母材基板中のＳｉを励起することにより行われる点。
（２）相違点２についての判断
ア　事案に鑑み、相違点２から判断する。
イ　引用文献２に記載されたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる酸化物結晶は、波長可変レーザーに用いられるものであり、励起光を吸収して、励起光より長波長で発光するものではあるが、引用文献２において励起光の波長として具体的に記載されているのは、２１４ｎｍ、２３５ｎｍ、２５９ｎｍといった紫外の波長のみである。
してみると、引用文献２に記載された酸化物結晶が青色光を波長変換するために利用できるものとは認識できないから、半導体発光素子からの青色光を波長変換することを前提とする引用発明における発光領域が形成された母材基板に換えて、引用文献２に記載された酸化物結晶を適用することには、困難があるといわざるを得ない。
ウ　引用文献３に記載されたＡｌ２Ｏ３：Ｃ，Ｍｇ結晶は、４３５ｎｍの領域の青色吸収−励起帯及び５２０ｎｍの領域の緑色蛍光帯を有するものであるが、引用文献３には、当該結晶を光学データ記憶に用いることしか記載されておらず、波長変換のために用いることは記載されていない。そして、引用文献３の【０１３１】−【０１３７】に記載された書き込み及び読み取りのプロセスを参酌しても、光学データ記憶という用途は、Ａｌ２Ｏ３：Ｃ，Ｍｇ結晶における、４３５ｎｍ付近の吸収・励起帯の有無及び３３５ｎｍ付近の吸収・励起帯の有無が切り替えられるという機能・特性に着目して見出されたものであって、蛍光を観測しているのはそれらの吸収・励起帯の有無を確認するためにすぎない。したがって、引用文献３の記載から、当該結晶を波長変換のために用いるという示唆は見出せない。
　してみると、引用文献３に記載された結晶を、技術分野が異なり、着目している機能・特性も異なる、波長変換のための構成として用いることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。
エ　引用文献４には、蛍光サファイア単結晶を様々なルミネセンス用途に利用できることが示唆されているが、具体的に例示されているのは、容積光学データ記憶及び放射線フィールドイメージングのみであり、波長変換のために用いることは明示的に記載されていない。そして、容積光学データ記憶については、上記における引用文献３に係る検討と同様、着目する機能・特性が異なるものであるし、放射線フィールドイメージングについては、具体的にどのようなものを想定しているのかが定かではないものの、少なくとも可視光を波長変換する機能を利用したものであるとはいえない。
してみると、引用文献４に記載された結晶を、引用発明における波長変換のための構成として用いることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。
オ　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（特開２００２−３３５０１０号公報及び引用文献６（特開２００２−３４４０２１号公報）は、相違点２に関連して引用されたものではなく、Ｆライク中心を生じさせる酸素空孔を含有する発光サファイアに関する記載は認められない。
カ．したがって、引用文献２−５に記載された技術事項を参酌しても、引用発明１において、相違点２に係る本願発明１の構成を備えることは、当業者が容易に想到し得たとはいえない。
（３）小括
　よって、上記相違点１について判断するまでもなく、本願発明１は、引用発明及び引用文献２−６に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものとはいえない。
２　本願発明２−１４について
　本願発明２−１４も、上記相違点２に係る、本願発明１の「発光サファイアは、所定の光吸収帯及びルミネッセンス発光帯を持つＦライク中心を生じさせる酸素空孔を含有」するという構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、引用発明及び引用文献２−６に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。
３　本願発明１５−２０について
　本願発明１５−２０は、上記相違点２に係る、本願発明１の「発光サファイアは、所定の光吸収帯及びルミネッセンス発光帯を持つＦライク中心を生じさせる酸素空孔を含有」するという構成に対応する構成を備える方法の発明であるから、本願発明１と同じ理由により、引用発明及び引用文献２−６に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明１−２０は、当業者が引用発明及び引用文献２−６に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。