【事件の表示】
　特願２０１６−１７５４１０「太陽電池の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　１月１９日出願公開，特開２０１７−　１７３３１，請求項の数（６）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００８年４月２８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００８年１月２３日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする特願２０１０−５４３３９３号の一部を平成２６年１２月４日に新たな特許出願とした特願２０１４−２４５８７８号の一部を新たな特許出願としたものであって，平成２８年１２月６日に手続補正書が提出され，平成２９年７月２７日付けで拒絶理由通知がされ，平成３０年２月５日に意見書と手続補正書が提出され，平成３０年２月２２日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，平成３０年７月４日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされ，平成３０年８月８日に手続補正書が提出され，平成３０年９月１８日付けで前置報告がされ，平成３０年１０月３日及び平成３０年１２月２７日に審判請求人から上申書が提出されたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（平成３０年２月２２日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
１．本願請求項１−６に係る発明は，以下の引用文献１−２に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１.特開２００７−１８０５１９号公報
２.ARANA, L.R., et al.，Isotropic etching of silicon in fluorine gas for MEMS micromachining，Journal of Micromechanics and Microengineering，英国，IOP Publishing，２００７年　２月２８日，Vol.17, No.2，pp.384-392
第３　審判請求時の補正について
　審判請求時の補正は，特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
　審判請求時の補正における，請求項１に記載されたフッ素の含有量の上限を「２５体積％」から「２２体積％」へと減少させる補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，前記「２２体積％」という上限は，当初明細書の【００１６】に記載されているから，新規事項を追加するものではない。
　そして，「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」までに示すように，補正後の請求項１−６に係る発明は，独立特許要件を満たすものである。
第４　本願発明
　本願請求項１−６に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明６」という。）は，平成３０年７月４日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−６に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　シリコンウェーハから太陽電池を製造する方法であって，フッ素及び窒素の混合物から成るエッチングガスで前記シリコンウェーハをエッチングするステップを含み，前記フッ素の含有量が１体積％以上かつ２２体積％以下であり，前記シリコンウェーハの表面をエッチングして前記表面を粗面化する，方法。
【請求項２】
　Ｎ型ドープコーティングを伴うＰ型ドープシリコンウェーハが処理される，請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　少なくとも一つの亀裂を有するウェーハがエッチングされる，請求項１に記載の方法。
【請求項４】
　リン‐ガラス様コーティングを有するウェーハがエッチングされる，請求項１に記載の方法。
【請求項５】
　エッチングの後に前記シリコンウェーハに対して接点電極が適用される，請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
　請求項１から５のいずれか一項に記載の方法によって製造された二つ以上の太陽電池を組立てる，ソーラーパネルの製造方法。」
第５　引用文献，引用発明等
１．引用文献１について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
　
第１のチャンバ内に太陽電池素子用の基体を配置し，第１のガスを供給して前記基体の一主面をエッチングすることで，エッチング残渣を付着させつつ前記一主面を粗面化する粗面化工程
　
第２のチャンバの内部に前記基体を配置し，前記第１のガスより低反応性の第２のガスを供給し，前記第２のガスをプラズマ状態とすることによって，前記一主面に残存する前記エッチング残渣を除去する残渣除去工程
を含むことを特徴とする
太陽電池素子の製造方法
・・・
【請求項４】
　
前記粗面化工程は，反応性イオンエッチングにより行われる
「【背景技術】
【０００２】
　
太陽電池は表面に入射した太陽光などの光エネルギーを電気エネルギーに変換
電気エネルギーへの変換効率を向上
そのひとつに基板の表面に照射された光の反射を低減することで電気エネルギーヘの変換効率を高める技術がある
「【０００５】
　
シリコン基板を用いて太陽電池素子を形成する場合に，基板の表面を水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液でエッチングすると，基板の表面に微細な表面凹凸構造が形成され，基板の表面の反射をある程度低減させることができる
【０００６】
　例えば，面方位が（１００）面の単結晶シリコン基板を用いた場合は，このような方法でピラミッド状の表面凹凸構造を基板の表面に均一に形成することができる。
しかしながら，アルカリ水溶液によるエッチングでは結晶の面方位に依存することから，多結晶シリコン基板で太陽電池素子を形成する場合，表面凹凸構造を均一には形成できず，全体の反射率も効果的には低減できないという問題がある
【０００７】
　
このような問題を解決するために，太陽電池素子を多結晶シリコン基板で形成する場合，反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法を用いて，基板の一主面に表面凹凸構造を形成することが提案されている
【０００８】
　
ドライエッチングするとシリコンは基本的には気化するが，一部は気化しきれず，シリコン分子同士が吸着して基板の表面にエッチング残渣として残る
このことを利用し
基板の表面を反応性イオンエッチング法および類似のドライエッチング法でエッチングすることで生じる，基板材料を主成分とするエッチング残渣が，基板の表面に再付着する速度を促進させ，このエッチング残渣を該エッチングのマスクとして利用することで，基板の表面を粗面化することができる
【０００９】
　
この方法を用いると
多結晶シリコン基板を用いた場合でも，その面方位の影響を受けにくいエッチングが可能となり，その表面に，多数の微細な突起からなる表面凹凸構造を均一に形成することができる
すなわち，多結晶シリコンを用いた太陽電池素子であっても，反射率をより効果的に低減し，変換効率を向上させることができる
「【００２８】
　　＜太陽電池素子の構成概要＞
　図１は本実施の形態に係る太陽電池素子の製造方法を用いて形成される太陽電池素子１０の構成を概略的に示す断面模式図である。図１に示すように，
太陽電池素子１０は，表面側（受光面側）に表面凹凸構造２を有する半導体基板１
構成される
【００２９】
　半導体基板１の極性はｐ型，ｎ型いずれでもよいが，
本実施の形態では便宜上ドーピング不純物元素としてＢ（ホウ素）をＳｉ（シリコン）に含有したｐ型のシリコン基板を半導体基板１として用いる場合について説明する
「【００３３】
　
半導体基板１の表面側には，入射する光を反射させずに有効に取り込むための表面凹凸構造２が形成されてなる
【００３４】
　
この表面凹凸構造２のアスペクト比（高さ／幅）は０．１〜２の範囲とすることが望ましい
【００３５】
　この表面凹凸構造２の形成については，後で詳細に説明する。」
「【００５３】
　なお，
エッチングガス（第１のガス）としては，半導体基板１に対するエッチング作用が大きい，特に化学的な反応性が高い，１７族の元素を含むガスを用いる
【００５４】
　例えば，エッチングガスとして塩素系ガスとフッ素系ガスと酸素ガスとを所定流量で流しながら，反応圧力を５〜１５Ｐａ程度とし，ＲＦ電力を５〜１０ｋＷ程度で印加してプラズマを発生させることで，半導体基板１の表面を粗面化することができる。
【００５５】
　
より具体的にいえば，チャンバ１７内に，塩素（Ｃｌ
2
）と酸素（Ｏ
2
）と三フッ化メタン（ＣＨＦ
3
）を流量比で１：６：４の割合で導入しながら，反応圧力を７Ｐａとし，プラズマを発生させるＲＦ電力５ｋＷとして，５分間程度のエッチングを行うのが，その好適な一例である
【００５６】
　
ただし，第１のガスは，塩素（Ｃｌ
2
），三フッ化メタン（ＣＨＦ
3
）に限定されることはなく，例えば，塩素系ガスとしてＨＣｌ，ＣｌＦ
3
，フッ素系ガスとしてＦ
2
，ＮＦ，ＣＦ
4
，Ｃ
2
Ｆ
6
，Ｃ
3
Ｆ
8
，ＣｌＦ
3
，ＳＦ
6
等の他の気体を組み合わせて使用しても構わない
【００５７】
　図３（ａ）は，このようにして，半導体基板１の表面を粗面化した直後の状態を示す図である。粗面化工程を経た直後の半導体基板１の表面には，図３（ａ）に示すような，突起部２３の上にピラー部２２を介してエッチング残渣２１が付着した構造が，微細均一に形成されてなる。
【００５８】
　半導体基板１の表面をエッチングすると，該表面の構成成分は基本的には離脱する。しかしながら，該構成成分の一部は離脱しきれずに半導体基板１の表面に残り，離脱した物質の一部は再度，半導体基板の表面に吸着する。これらがエッチング残渣２１となることによって，図３（ａ）のような構造が形成される。すなわち，
粗面化工程においては，エッチングされた半導体基板１の材料を主成分とするエッチング残渣２１を半導体基板１の表面に意図的に再付着させ，これをエッチングのマスクとして利用することで，ひいては表面凹凸構造２の形成につながる半導体基板１の表面の粗面化を実現している
【００５９】
　
このように，ガス条件，反応圧力，ＲＦ電力などを適宜に調整し，半導体基板１と同一材料からなるエッチング残渣２１が，半導体基板１の表面に再付着するような条件でドライエッチングを行うと，係る半導体基板１の表面を確実に粗面化することができる
逆に半導体基板１の表面に，図３（ａ）に示すようなエッチング残渣２１が残らない，即ちエッチング残渣をエッチングマスクとして利用できないような条件でドライエッチングを行ったとしても，基板表面をエッチングすることで形成された凹部の内底面がフラットになることから，粗面化およびこれに引き続く表面凹凸構造２の形成は困難である
「【００７７】
　
第２のガスには，不活性ガスを含むことが好適である
【００７８】
　ここで，不活性ガスとは，１８族に属する，ヘリウム（Ｈｅ），ネオン（Ｎｅ），アルゴン（Ａｒ），クリプトン（Ｋｒ），キセノン（Ｘｅ），ラドン（Ｒｎ）等の元素からなるガスを指すこととする。
【００７９】
　不活性ガスを構成する原子は，化学的に非常に不活性であるため，半導体基板１に対するエッチング作用もなく，また，半導体基板１に対して不純物として作用することもなく，単にエッチング残渣２１を除去する作用のみを有するからである。
【００８０】
　ここで，不活性ガスのひとつである窒素ガスを第２のガスに使用した場合を例にとって説明する。
【００８１】
　粗面化工程の後，一度，チャンバ内の気体を真空引きする減圧工程を経て，チャンバ内に第２のガスとして窒素ガスを供給する。そして，ＲＦ電源１５からＲＦ電力をＲＦ電極１２に印加すると，気体温度に比べて電子温度が高くなったいわゆる非平衡プラズマである窒素プラズマが形成される。このような窒素プラズマの状態を形成し，窒素分子や窒素イオン，窒素ラジカルなどの活性種によって，一定時間プラズマ放電を起こすことにより，エッチング残渣２１を除去することができる。
【００８２】
　
窒素プラズマによるエッチング残渣除去は，フッ素系エッチングガスを用いた場合よりも，半導体基板１との反応性が低いため，半導体基板１に損傷を与えることなく，微細な突起部２３を保持しつつエッチング残渣２１を除去することができる
【００８３】
　ここで，半導体基板１との反応性が低いということは，窒素には半導体基板１との間で，エッチング作用が働きにくいことを示している。従って，
エッチング残渣２１は，窒素分子や窒素イオン，窒素ラジカルなどのプラズマ種による衝突などにより，除去されたものだと考えられる
（２）したがって，上記引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「第１のチャンバ内に太陽電池素子用の基体を配置し，第１のガスを供給して前記基体の一主面をエッチングすることで，エッチング残渣を付着させつつ前記一主面を粗面化する粗面化工程であって，
　前記粗面化工程が，反応性イオンエッチングにより行われる工程と，
　第２のチャンバの内部に前記基体を配置し，前記第１のガスより低反応性の第２のガスを供給し，前記第２のガスをプラズマ状態とすることによって，前記一主面に残存する前記エッチング残渣を除去する残渣除去工程と，
を含む太陽電池素子の製造方法であって，
　前記太陽電池素子用の基体は，ドーピング不純物元素としてＢ（ホウ素）をＳｉ（シリコン）に含有したｐ型のシリコン基板であり，
　前記第１のガス（エッチングガス）としては，半導体基板１に対するエッチング作用が大きい，特に化学的な反応性が高い，１７族の元素を含むガスを用いるものであって，例えば，エッチングガスとして塩素系ガスとフッ素系ガスと酸素ガスとを所定流量で流しながら，反応圧力を５〜１５Ｐａ程度とし，ＲＦ電力を５〜１０ｋＷ程度で印加してプラズマを発生させることで，半導体基板１の表面を粗面化するものであり，より具体的にいえば，チャンバ内に，塩素（Ｃｌ2）と酸素（Ｏ2）と三フッ化メタン（ＣＨＦ3）を流量比で１：６：４の割合で導入しながら，反応圧力を７Ｐａとし，プラズマを発生させるＲＦ電力５ｋＷとして，５分間程度のエッチングを行うのが，その好適な一例である，
　太陽電池素子の製造方法。」
（３）さらに，上記引用文献１には，次の技術的事項が記載されていると認められる。
ア　太陽電池は表面に入射した太陽光などの光エネルギーを電気エネルギーに変換するものであり，この電気エネルギーへの変換効率を向上させるため，基板の表面に照射された光の反射を低減して電気エネルギーヘの変換効率を高める技術があること。
イ　シリコン基板を用いて太陽電池素子を形成する場合に，基板の表面を水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液でエッチングすると，基板の表面に微細な表面凹凸構造が形成され，基板の表面の反射をある程度低減させることができるが，アルカリ水溶液によるエッチングでは結晶の面方位に依存することから，多結晶シリコン基板で太陽電池素子を形成する場合，表面凹凸構造を均一には形成できず，全体の反射率も効果的には低減できないという問題があること。
ウ　ドライエッチングするとシリコンは基本的には気化するが，一部は気化しきれず，シリコン分子同士が吸着して基板の表面にエッチング残渣として残るので，これを利用して，基板の表面を反応性イオンエッチング法および類似のドライエッチング法でエッチングすることで生じる，基板材料を主成分とするエッチング残渣が，基板の表面に再付着する速度を促進させ，このエッチング残渣を該エッチングのマスクとして利用して，基板の表面を粗面化すると，多結晶シリコン基板を用いた場合でも，その面方位の影響を受けにくいエッチングが可能となり，その表面に，多数の微細な突起からなる表面凹凸構造を均一に形成することができるので，多結晶シリコンを用いた太陽電池素子であっても，反射率をより効果的に低減し，変換効率を向上させることができること。
エ　一主面に残存する前記エッチング残渣を除去する残渣除去工程で用いられる第２のガスには，不活性ガスを含むことが好適であり，窒素プラズマによるエッチング残渣除去は，フッ素系エッチングガスを用いた場合よりも，半導体基板１との反応性が低いため，半導体基板１に損傷を与えることなく，微細な突起部を保持しつつエッチング残渣を除去することができるものであり，エッチング残渣は，窒素分子や窒素イオン，窒素ラジカルなどのプラズマ種による衝突などにより，除去されると考えられること。
オ　第１のガスは，塩素（Ｃｌ2），三フッ化メタン（ＣＨＦ3）に限定されることはなく，例えば，塩素系ガスとしてＨＣｌ，ＣｌＦ3，フッ素系ガスとしてＦ2，ＮＦ，ＣＦ4，Ｃ2Ｆ6，Ｃ3Ｆ8，ＣｌＦ3，ＳＦ6等の他の気体を組み合わせて使用しても構わないこと。
２．引用文献２について
　また，原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献２の第３８５頁右欄から第３８６頁左欄にかけての2.2. F2 etching system及び第３８７頁左欄から第３８９頁左欄にかけての3.1. Etching of silicon with F2には，２５体積％のフッ素を含有するフッ素及び窒素の混合物から成るエッチングガスによってシリコンをエッチングすることと，エッチングにおいてシリコン表面が粗面化されるという技術的事項が記載されていると認められる。
３．その他の文献について
　また，前置報告書において周知技術を示す文献として引用された引用文献３（特開２００５−３５４０４８号公報）の【０００２】，【００１４】−【００１８】，引用文献４（特表２００２−５３９０９６号公報）の【００１５】，及び，引用文献５（特開平０３−１３８０８２号公報）の第５頁左上欄第１５行〜右上欄第１８行には，エッチング等の処理を行うに際し，処理ガスであるフッ素ガスを不活性ガスとしての窒素ガスで希釈するという技術的事項が記載されていると認められる。
第６　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
ア　引用発明における「ドーピング不純物元素としてＢ（ホウ素）をＳｉ（シリコン）に含有したｐ型のシリコン基板」，「太陽電池素子」は，本願発明１における「シリコンウェーハ」，「太陽電池」に相当する。
イ　引用発明における「第１のガスを供給して前記基体の一主面をエッチングすることで，エッチング残渣を付着させつつ前記一主面を粗面化する粗面化工程」は，本願発明１の「シリコンウェーハの表面をエッチングして前記表面を粗面化する」に相当する。
　したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
＜一致点＞
「シリコンウェーハから太陽電池を製造する方法であって，前記シリコンウェーハの表面をエッチングして前記表面を粗面化する，方法。」
＜相違点＞
　本願発明１は，「フッ素及び窒素の混合物から成るエッチングガスで前記シリコンウェーハをエッチングするステップを含み，前記フッ素の含有量が１体積％以上かつ２２体積％以下であり」という構成を備えるのに対し，引用発明は，「『第１のガスを供給して前記基体の一主面をエッチングすることで，エッチング残渣を付着させつつ前記一主面を粗面化する粗面化工程』であって，『前記第１のガス（エッチングガス）としては，半導体基板１に対するエッチング作用が大きい，特に化学的な反応性が高い，１７族の元素を含むガスを用いるものであって，例えば，エッチングガスとして塩素系ガスとフッ素系ガスと酸素ガスとを所定流量で流しながら，反応圧力を５〜１５Ｐａ程度とし，ＲＦ電力を５〜１０ｋＷ程度で印加してプラズマを発生させることで，半導体基板１の表面を粗面化するものであり，より具体的にいえば，チャンバ内に，塩素（Ｃｌ2）と酸素（Ｏ2）と三フッ化メタン（ＣＨＦ3）を流量比で１：６：４の割合で導入しながら，反応圧力を７Ｐａとし，プラズマを発生させるＲＦ電力５ｋＷとして，５分間程度のエッチングを行うのが，その好適な一例である』」と特定されている点。
（２）相違点についての判断
　引用文献２には，２５体積％のフッ素を含有するフッ素及び窒素の混合物から成るエッチングガスによってシリコンをエッチングすることと，エッチングにおいてシリコン表面が粗面化されるという技術的事項が記載されていると認められる。
　一方，上記第５の１．（３）ウのとおり，引用文献１には，基板の表面を反応性イオンエッチング法および類似のドライエッチング法でエッチングすることで生じる，基板材料を主成分とするエッチング残渣が，基板の表面に再付着する速度を促進させ，このエッチング残渣を該エッチングのマスクとして利用して基板の表面を粗面化することで，多数の微細な突起からなる表面凹凸構造を均一に形成することができるとする技術的事項が記載されていることから，引用発明の「第１のガス（エッチングガス）」として，「『半導体基板１に対するエッチング作用が大きい，特に化学的な反応性が高い，１７族の元素を含むガス』，『例えば，エッチングガスとして塩素系ガスとフッ素系ガスと酸素ガス』，『より具体的にいえば，チャンバ内に，塩素（Ｃｌ2）と酸素（Ｏ2）と三フッ化メタン（ＣＨＦ3）』」を用いるのは，当該組成を有するガスを選択することによって，基板材料を主成分とするエッチング残渣が，基板の表面に再付着する速度を促進して，その結果として，多数の微細な突起からなる表面凹凸構造を均一に形成するためであると認められる。
　さらに，上記第５の１．（３）エのとおり，引用文献１には，一主面に残存する前記エッチング残渣を除去する残渣除去工程で用いられる第２のガスには，不活性ガスを含むことが好適であり，窒素プラズマによるエッチング残渣除去は，フッ素系エッチングガスを用いた場合よりも，半導体基板１との反応性が低いため，半導体基板１に損傷を与えることなく，微細な突起部を保持しつつエッチング残渣を除去することができるものであり，エッチング残渣は，窒素分子や窒素イオン，窒素ラジカルなどのプラズマ種による衝突などにより，除去されると考えられるとする技術的事項が記載されており，窒素イオンなどのプラズマ種による衝突により，エッチング残渣が除去されるといえる。
　してみれば，基板材料を主成分とするエッチング残渣が，基板の表面に再付着する速度を促進して，その結果として，多数の微細な突起からなる表面凹凸構造が均一に形成された粗面化された表面を得る引用発明において，当該粗面化された表面を得るための反応性イオンエッチング工程で用いる第１のガスとして，引用発明で選択されている「『半導体基板１に対するエッチング作用が大きい，特に化学的な反応性が高い，１７族の元素を含むガス』，『例えば，エッチングガスとして塩素系ガスとフッ素系ガスと酸素ガス』，『より具体的にいえば，チャンバ内に，塩素（Ｃｌ2）と酸素（Ｏ2）と三フッ化メタン（ＣＨＦ3）』」に替えて，引用文献２に記載された「２５体積％のフッ素を含有するフッ素及び窒素の混合物から成るエッチングガス」を用いると，前記窒素のイオン化によって形成される窒素イオンの衝突により前記エッチング残渣が除去されることなり，その結果，エッチング残渣が，基板の表面に再付着する速度が減少してしまい，多数の微細な突起からなる表面凹凸構造が均一に形成されることが妨げられるものと認められる。
　すなわち，引用発明の第１のガスとして，「『半導体基板１に対するエッチング作用が大きい，特に化学的な反応性が高い，１７族の元素を含むガス』，『例えば，エッチングガスとして塩素系ガスとフッ素系ガスと酸素ガス』，『より具体的にいえば，チャンバ内に，塩素（Ｃｌ2）と酸素（Ｏ2）と三フッ化メタン（ＣＨＦ3）』」を用いることに替えて，引用文献２に記載された「２５体積％のフッ素を含有するフッ素及び窒素の混合物から成るエッチングガス」を用いることには阻害要因があるといえる。
　そして，上記引用文献３〜５に記載された上記技術的事項によっても，上記判断は左右されるものではない。
　したがって，上記相違点におけるフッ素の含有量の違いについてまでは判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明，引用文献２に記載された技術的事項及び上記周知技術に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２．本願発明２ないし６について
　本願発明２ないし６も，本願発明１の「フッ素及び窒素の混合物から成るエッチングガスで前記シリコンウェーハをエッチングするステップを含み，前記フッ素の含有量が１体積％以上かつ２２体積％以下であり」という構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明，拒絶査定において引用された引用文献２に記載された技術的事項及び上記周知技術に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第７　原査定について
１．理由１（特許法第２９条第２項）について
　審判請求時の補正により，本願発明１−６は「フッ素及び窒素の混合物から成るエッチングガスで前記シリコンウェーハをエッチングするステップを含み，前記フッ素の含有量が１体積％以上かつ２２体積％以下であり」という事項を有するものとなっており，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用文献１−２に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定の理由１を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。