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　特願２０１４−５５０７９２「選択的な領域粗化による制御されたＬＥＤ光出力」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　７月１８日国際公開、ＷＯ２０１３／１０５００４、平成２７年　２月　２日国内公表、特表２０１５−５０３８４９、請求項の数（１０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年（平成２５年）１月３日の出願（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１２年（平成２４年）１月１０日、米国）であって、その主な経緯は次のとおりである。
　平成２８年１０月２０日付け：拒絶理由通知
　平成２９年　４月２５日　　：意見書・手続補正書
　平成２９年　５月３０日付け：拒絶理由通知（最後）
　平成２９年　９月　６日　　：意見書・手続補正書
　平成２９年　９月２０日付け：平成２９年９月６日提出の手続補正書でし
　　　　　　　　　　　　　　　た補正の却下の決定・拒絶査定（送達日平
　　　　　　　　　　　　　　　成２９年９月２６日）
　平成３０年　１月２６日　　：審判請求書・手続補正書
　平成３０年１０月１１日付け：当審拒絶理由通知
　平成３１年　１月１５日　　：意見書・手続補正書
第２　原査定及び当審拒絶理由通知の概要
　１　平成２９年９月２０日付け拒絶査定（以下「原査定」という。）の概要は次のとおりである。
　本願の請求項１〜１５に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２〜９に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　２　当審拒絶理由通知の概要は次のとおりである。なお、本願の請求項１〜１０は、当審拒絶理由通知の対象とはなっていない。
（１）本願の請求項１１〜１５の記載は、特許法第３６条第６項第２号の規定に適合していない。
（２）本願の請求項１１に係る発明は、引用文献１０に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
（３）本願の請求項１１〜１５に係る発明は、引用文献１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　引用文献等一覧
　１　特開２００６−１９１１０３号公報
　２　国際公開第２００９／０８４３２５号（周知例）
　３　特開２０１１−１００８２９号公報（周知例）
　４　特表２００７−５２１６４１号公報（周知例）
　５　米国特許出願公開第２００５／００２３５４９号明細書（周知例）
　６　特開２００７−２７３９７５号公報（周知例）
　７　特開２００７−１５０３０４号公報（周知例）
　８　国際公開第２００９／０８４６７０号（周知例）
　９　特開２０１１−６６４５３号公報（周知例）
１０　国際公開第２００７／０９４４９０号
第３　本願発明の認定
　本願の請求項１〜１０に係る発明（以下、それぞれ、「本願発明１」〜「本願発明１０」という。）は、平成３１年１月１５日提出の手続補正書により補正（以下、この補正を「本件補正」という。）された特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定される発明であるところ、本願発明１は、以下のとおりの発明である。
「発光素子の目標光取り出し効率を決定し、
　粗化されていない表面領域に対する粗化された表面領域の割合であって、決定された当該割合に基づいて構成されたときに前記発光素子が前記目標光取り出し効率で発光することになる割合を、出力関数に基づいて決定し、
　発光面を通して光を発するように構成された前記発光素子を生成し、前記発光面は、コンタクトによって被覆されない前記発光素子の頂面であり、
　前記発光面に表面エッチングプロセスを適用して、前記粗化された表面領域を作り出し、粗化されない表面領域に対する粗化される表面領域が前記決定された割合に基づき、且つ
　前記発光面上にエッチング阻止パターンを適用して、前記粗化されていない領域を作り出し、粗化された表面領域の量に対する粗化されていない表面領域の量は前記決定された割合に基づき、前記粗化されていない表面領域は、前記粗化された表面領域を取り囲む、
　ことを有する方法。」
　なお、本願発明２〜１０は、本願発明１を減縮した発明である。
第４　原査定の理由についての判断
　１　引用文献等の記載事項
（１）引用文献１
　ア　引用文献１には、次の事項が記載されている。なお、下線は当審が付したものである（以下、同じ）。
（ア）「図１−１および図１−２は例えば特許文献１に記載されている従来の窒化物半導体発光素子及びフリップチップ窒化物半導体発光装置の側断面図である。こうした光取り出し効率の問題を改善するために、特許文献１においては、図１−１に示すように基板の下面を粗面としたフリップチップ窒化物発光素子を提案している。」（【０００６】）、
「図１−１によると、特許文献１による
窒化物半導体発光素子１０は、サファイア基板１１とそのサファイア基板１１上に順次に形成された第１導電型窒化物半導体層１４、活性層１５及び第２導電型窒化物半導体層１６を備える。
上記サファイア基板上面に窒化物半導体層の結晶性を向上させるためのバッファ層１２が形成され、上記窒化物半導体発光素子１０は上記第１導電型窒化物半導体層１４と上記第２導電型窒化物半導体層１６に各々接続された第１及び第２電極１９ａ、１９ｂを備える。
サファイア基板１１の下面をエッチング工程により粗くさせ光散乱面とする。
「さらに、図１−２に示すように、こうした窒化物半導体発光素子１０は第１及び第２導電ライン２２ａ、２２ｂを有するパッケージ基板２１に搭載され、各電極１９ａ、１９ｂと上記第１及び第２導電ライン２２ａ、２２ｂをハンダ付けのような接続手段Ｓで連結（「連結」は電気的連結を含む）させることによりフリップチップ窒化物半導体発光素子２０を製造することができる。この場合、
光散乱面であるサファイア基板１１の下面１１ａは光放出面に提供される
活性層１５において生成された光は直接光放出面１１ａに向かうか（ａ）、あるいは下面において反射され光放出面１１ａに向かうか（ｂ）のいずれかである。到達した光は上記サファイア基板１１の粗い下面において散乱するが、微細な凹凸パターンにより大きい臨界角が設けられ効果的に光を放出させることが可能になる。
（イ）図１−１及び図１−２は次のとおりである。
　イ　上記アの各記載事項によれば、引用文献１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「サファイア基板１１を準備し、
　そのサファイア基板１１上に、順次、第１導電型窒化物半導体層１４、活性層１５及び第２導電型窒化物半導体層１６を形成し、
　さらに、上記サファイア基板上面に窒化物半導体層の結晶性を向上させるためのバッファ層１２を形成し、
　上記第１導電型窒化物半導体層１４と上記第２導電型窒化物半導体層１６に各々接続された第１及び第２電極１９ａ、１９ｂを形成し、
　サファイア基板１１の下面をエッチング工程により粗くさせ光散乱面とした、
　窒化物系半導体素子の製造方法であって、
　光散乱面であるサファイア基板１１の下面１１ａは光放出面に提供される、
　窒化物系半導体素子の製造方法。」
（２）引用文献２
　引用文献２には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
「ＬＥＤ素子において、透明導電膜に覆われた第１半導体層の表面に、高出力化のための粗面部を設けるだけでなく、粗面部に混在させて平坦部を設けることにより、第１半導体層と透明導電膜との間の良好な電気的接触を保つこと、（［０００３］・［０００８］）
　平坦部と粗面部がなす混在パターンには、種々の態様が含まれること、（［００４８］〜［００５１］・図１０〜図１２）
　混在パターンに占める平坦部の面積比は、例えば、２０％〜９０％とすることができ、平坦部の面積比を小さくする程、光取り出し効率は高くなる一方、発光部に対し面内均一に電流を供給することが困難となるので、両者のバランスを考慮して投入電力に対する光出力の比率が最大となる面積比を選択すること。（［００５２］）」
（３）引用文献３
　引用文献３には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
「粗面化状態指数（粗面化処理を施された面における凹凸部の占める面積比率）が大きくなるにつれて、半導体発光装置の光出力が向上すること。（【００５４】・【００５５】・図８）」
（４）引用文献４
　引用文献４には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
「ＬＥＤは、エッチングによる粗面化処理を行った後、出力が増加すること、（【００５８】）
　上記のエッチング時間が長いほど、光出力がより増加すること。（図１０）」
（５）引用文献５
　引用文献５には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
「テクスチャ層１２が設けられた半導体発光素子は、それが設けられていない半導体発光素子よりも相対的外部量子効率が大きいこと。（［００４３］・Ｆｉｇ．１２・Ｆｉｇ．１６）」
　２　判断
（１）本願発明１について
　ア　本願発明１と引用発明１との対比
（ア）本願発明１の「発光素子の目標光取り出し効率を決定し、」との特定事項について
　引用発明１は、上記特定事項を備えない。
（イ）本願発明１の「粗化されていない表面領域に対する粗化された表面領域の割合であって、決定された当該割合に基づいて構成されたときに前記発光素子が前記目標光取り出し効率で発光することになる割合を、出力関数に基づいて決定し、」との特定事項について
　ａ　引用発明１の「光散乱面」は、本願発明１の「粗化された表面領域」に相当する。
　ｂ　しかし、引用発明１は、本願発明１の「粗化されていない表面領域」を備えず、本願発明１の「粗化されていない表面領域に対する粗化された表面領域の割合であって、決定された当該割合に基づいて構成されたときに前記発光素子が前記目標光取り出し効率で発光することになる割合を、出力関数に基づいて決定し、」との特定事項も備えない。
（ウ）本願発明１の「発光面を通して光を発するように構成された前記発光素子を生成し、前記発光面は、コンタクトによって被覆されない前記発光素子の頂面であり、」との特定事項について
　ａ　引用発明１の「窒化物系半導体素子」は、本願発明１の「発光素子」に相当する。
　ｂ　引用発明１の「光散乱面」は、「光散乱面であるサファイア基板１１の下面１１ａは光放出面に提供される」ものであるから、本願発明１の「発光面」に相当するとともに、「コンタクトによって被覆されない前記発光素子の頂面」ともいえる。
　ｃ　上記ｂからすると、引用発明１が、本願発明１の「発光面を通して光を発するように構成された前記発光素子を生成し、」との特定事項を備えることは、明らかである。
　ｄ　よって、引用発明１は、本願発明１の「発光面を通して光を発するように構成された」「発光素子を生成し、前記発光面は、コンタクトによって被覆されない前記発光素子の頂面であり、」との特定事項を備える。
（エ）本願発明１の「前記発光面に表面エッチングプロセスを適用して、前記粗化された表面領域を作り出し、」との特定事項について
　引用発明１は、「サファイア基板１１の下面をエッチング工程により粗くさせ光散乱面とし」ているから、本願発明１の「前記発光面に表面エッチングプロセスを適用して、」「粗化された表面領域を作り出し、」との特定事項を備える。
（オ）本願発明１の「粗化されない表面領域に対する粗化される表面領域が前記決定された割合に基づき、」との特定事項について
　引用発明１は、上記特定事項を備えない。
（カ）本願発明１の「前記発光面上にエッチング阻止パターンを適用して、前記粗化されていない領域を作り出し、粗化された表面領域の量に対する粗化されていない表面領域の量は前記決定された割合に基づき、」との特定事項について
　引用発明１は、上記特定事項を備えない。
（キ）本願発明１の「前記粗化されていない表面領域は、前記粗化された表面領域を取り囲む、」との特定事項について
　引用発明１は、上記特定事項を備えない。
（ク）本願発明１の「方法」との特定事項について
　引用発明１の「窒化物系半導体素子の製造方法」は、本願発明１の「方法」に相当する。
　イ　一致点及び相違点の認定
　上記アによれば、本願発明１と引用発明１とは、
「発光面を通して光を発するように構成された発光素子を生成し、前記発光面は、コンタクトによって被覆されない前記発光素子の頂面である、
　方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］本願発明１は、「発光素子の目標光取り出し効率を決定し、
　粗化されていない表面領域に対する粗化された表面領域の割合であって、決定された当該割合に基づいて構成されたときに前記発光素子が前記目標光取り出し効率で発光することになる割合を、出力関数に基づいて決定し、
　前記発光面に表面エッチングプロセスを適用して、前記粗化された表面領域を作り出し、粗化されない表面領域に対する粗化される表面領域が前記決定された割合に基づき、且つ
　前記発光面上にエッチング阻止パターンを適用して、前記粗化されていない領域を作り出し、粗化された表面領域の量に対する粗化されていない表面領域の量は前記決定された割合に基づき、」というものであるのに対し、
　引用発明１は、粗化された表面領域を備え、発光面に表面エッチングプロセスを適用して、前記粗化された表面領域を作り出しているけれども、その余の構成、特に、「発光素子の目標光取り出し効率を決定し、
　粗化されていない表面領域に対する粗化された表面領域の割合であって、決定された当該割合に基づいて構成されたときに前記発光素子が前記目標光取り出し効率で発光することになる割合を、出力関数に基づいて決定」するとの構成を備えない点。
［相違点２］本願発明１は、「前記粗化されていない表面領域は、前記粗化された表面領域を取り囲む」ものであるのに対し、引用発明１は、そうではない点。
　ウ　相違点１の判断
　上記相違点１のうち、「発光素子の目標光取り出し効率を決定し、
　粗化されていない表面領域に対する粗化された表面領域の割合であって、決定された当該割合に基づいて構成されたときに前記発光素子が前記目標光取り出し効率で発光することになる割合を、出力関数に基づいて決定」するとの構成は、引用文献２〜５のいずれにも記載されておらず、示唆すらない。
　したがって、当業者が、引用発明１及び引用文献２〜５に記載された技術的事項に基づいて、相違点１の構成に至ることはない。引用文献６〜９を考慮しても、この判断が左右されることはない。
　エ　本願発明１についての小括
　よって、相違点２を検討するまでもなく、本願発明１は、当業者が、引用発明１及び引用文献２〜９に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
（２）本願発明２〜１０について
　本願発明２〜１０は、本願発明１を減縮したものであるから、本願発明１と同様の理由により、当業者が、引用発明１及び引用文献２〜９に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
（３）原査定の理由についてのまとめ
　したがって、原査定を維持することはできない。
　なお、当審が原査定を維持せずに当審拒絶理由を通知したのは、次の判断、すなわち、当業者が、引用文献１に記載された発明から出発して、本件補正前の時点における請求項１１〜１５に記載された「前記粗化された表面領域を取り囲む粗化されていない表面領域であり、当該発光素子の目標光取り出し効率が、該粗化されていない表面領域に対する前記粗化された表面領域の割合に基づいて得られており、該割合は出力関数に基づいて決定されて、前記粗化された表面領域の量と該粗化されていない表面領域の量との前記決定された割合が、前記目標光取り出し効率を得ることをもたらしている、粗化されていない表面領域」との構成に至ることは、困難であるとの判断、に基づくものであることを付言する。
第５　当審拒絶理由についての判断
　本願発明１〜１０は、当審拒絶理由の対象となっていない。すなわち、当審拒絶理由が通知された対象は、上記第２の２のとおり、本件補正前の時点における請求項１１〜１５であり、本件補正前の時点における請求項１〜１０は対象ではなかった。そして、当該請求項１１〜１５は、本件補正により削除され、また、当該請求項１〜１０は、本件補正の前後で変化していない。
　よって、当審拒絶理由により、本願を拒絶することはできない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。