【事件の表示】
　特願２０１４−５５３１１３「多環芳香族ビニル化合物を含む自己組織化膜の下層膜形成組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年６月２６日国際公開、ＷＯ２０１４／０９７９９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２５年１２月１３日（パリ条約による優先権主張　平成２４年１２月１８日（以下「本件優先日」という。）　日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２９年１１月２８日付の拒絶理由通知がされ、平成３０年３月３０日に意見書の提出と共に手続補正がされ、同年６月２７日付で拒絶査定がされ（謄本送付は同年７月４日）、それに対して、同年１０月４日に本件審判請求と同時に手続補正がされたものである。
第２　平成３０年１０月４日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定］
　平成３０年１０月４日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
　１　本件補正の内容について
（１）本件補正１
　ア　本件補正は、請求項１の補正（以下「本件補正１」という。）を含むものである。
　イ　本件補正後の請求項１の記載
「ポリマーの全単位構造あたり芳香族ビニル化合物の単位構造を６０〜９５モル％有し、ヒドロキシ基、エポキシ基、保護されたヒドロキシ基又は保護されたカルボキシル基を含む架橋形成基を有する単位構造を５〜４０モル％有し、且つ該芳香族ビニル化合物の全単位構造あたり多環芳香族ビニル化合物の単位構造を１モル％以上有するポリマーを含み、前記芳香族ビニル化合物が、各々置換されていてもよいビニルナフタレン、アセナフチレン又はビニルカルバゾールを含む自己組織化膜の下層膜形成組成物であって、
前記自己組織化膜が、有機モノマー（ａ）を単位構造として含む有機ポリマー鎖（Ａ）と、有機モノマー（ａ）とは異なるモノマー（ｂ）を単位構造として含み且つ該有機ポリマー鎖（Ａ）に結合してなるポリマー鎖（Ｂ）とを含むブロックポリマーより成る膜である、自己組織化膜の下層膜形成組成物。」
　ウ　本件補正前の請求項１の記載
「ポリマーの全単位構造あたり芳香族ビニル化合物の単位構造を６０〜９５モル％有し、且つ該芳香族ビニル化合物の全単位構造あたり多環芳香族ビニル化合物の単位構造を１モル％以上有するポリマーを含む、自己組織化膜の下層膜形成組成物であって、
前記自己組織化膜が、有機モノマー（ａ）を単位構造として含む有機ポリマー鎖（Ａ）と、有機モノマー（ａ）とは異なるモノマー（ｂ）を単位構造として含み且つ該有機ポリマー鎖（Ａ）に結合してなるポリマー鎖（Ｂ）とを含むブロックポリマーより成る膜である、自己組織化膜の下層膜形成組成物。」
（２）本件補正２
　ア　本件補正は、本件補正前に存在しなかった次の請求項２を新たに追加する補正（以下「本件補正２」という。）を含むものである。
　イ　本件補正後の請求項２
「ポリマーの全単位構造あたり前記芳香族ビニル化合物の単位構造を９０〜９５モル％有し、前記ヒドロキシ基、エポキシ基、保護されたヒドロキシ基又は保護されたカルボキシル基を含む架橋形成基を有する単位構造を５〜１０モル％有する、請求項１に記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物。」
（３）本件補正３
　ア　本件補正は、請求項４を次のように補正する補正（以下「本件補正３」という。）を含むものである。
　イ　本件補正後の請求項４
「前記芳香族ビニル化合物が、置換されていてもよいスチレンと、各々置換されていてもよいビニルナフタレン、アセナフチレン又はビニルカルバゾールとからなり、前記多環芳香族ビニル化合物が、各々置換されていてもよいビニルナフタレン、アセナフチレン又はビニルカルバゾールである、請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物。」
　ウ　本件補正前の請求項４
「前記芳香族ビニル化合物が、置換されていてもよいスチレンと、各々置換されていてもよいビニルナフタレン、アセナフチレン又はビニルカルバゾールであり、前記多環芳香族ビニル化合物が、各々置換されていてもよいビニルナフタレン、アセナフチレン又はビニルカルバゾールである、請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の自己組織化膜の下層膜形成組成物。」
　２　本件補正１についての検討
（１）補正の目的
　ア　補正の目的について
（ア）下層膜形成のためのポリマーについて
　本件補正１によって、本件補正前の下層膜形成のためのポリマーに含まれるモノマーの特定が「ヒドロキシ基、エポキシ基、保護されたヒドロキシ基又は保護されたカルボキシル基を含む架橋形成基を有する単位構造を５〜４０モル％有」するものと特定された。この補正事項は、「下層膜形成のためのポリマー」を限定的に減縮するものといえる。
（イ）芳香族ビニル化合物について
　本件補正１によって、本件補正前には、芳香族ビニル化合物の特定がなかったところ、本件補正後は「芳香族ビニル化合物が、各々置換されていてもよいビニルナフタレン、アセナフチレン又はビニルカルバゾールを含む」と特定されているから、この補正事項は、「芳香族ビニル化合物」を限定的に減縮するものといえる。
　イ　小括
　以上より、本件補正１は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「下層膜形成のためのポリマー」及び「芳香族ビニル化合物」について、上記のとおり限定を付加するものであって、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（２）独立特許要件について
　特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とする本件補正１については、特許法１７条の２第６項の規定により、特許法１２６条７項の規定が準用されるため、本件補正後の請求項１の記載により特定される発明（以下「補正後発明」という。）が、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるという要件を満たす必要がある。以下、検討する。
（３）引用刊行物の記載
　ア　引用文献３
　原査定において引用された文献３（国際公開第２０１２／０３６１２１号）には、次の記載がある。
（ア）「［請求項１］基板上に形成した複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層を相分離させるために用いられる下地剤であって、
　樹脂成分を含有し、該樹脂成分全体の構成単位のうち２０モル％〜８０モル％が芳香族環含有モノマー由来の構成単位であることを特徴とする下地剤。」
（イ）「［０００２］　近年、大規模集積回路（ＬＳＩ）のさらなる微細化に伴い、より繊細な構造体を加工する技術が求められている。このような要望に対して、互いに非相溶性のポリマー同士を結合させたブロックコポリマーの自己組織化により形成される相分離構造を利用して、より微細なパターンを形成する試みが始まっている。
［０００３］　ブロックコポリマーの相分離を利用するためには、ミクロ相分離により形成された自己組織化ナノ構造を特定の領域のみに形成し、かつ所望の方向へ配列させることが必須となる。これらの位置制御及び配向制御を実現するために、ガイドパターンによって、相分離パターンを制御するグラフォエピタキシーと、基板の化学状態の違いによって相分離パターンを制御するケミカルエピタキシーといった方法が提案されている（例えば、非特許文献１参照。）。
［０００４］　これらに好適に用いられる方法として、基板の上に２つのブロック鎖の表面自由エネルギーの中間の値の表面自由エネルギーとされた中性層を形成することで、基板の上のブロック共重合体が接触する面が、２つのブロック鎖の表面自由エネルギーの中間の値の表面自由エネルギーとされている状態とする方法が開示されている・・・」
（ウ）「［００２８］　＜基板＞　本発明において用いられる基板としては、下地剤およびブロックコポリマーを塗布する際に溶解あるいは混和するものでなければ特に限定されず、例えば、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板、ガラス基板などの金属酸化物からなる基板、ポリマーフィルム（ポリエチレン、ポリエチレンテレフタラート、ポリイミド、ベンゾシクロブテン等）等が挙げられる。また、前記基板の大きさや形状は、特に限定されるものではなく、平板状であること以外は、適宜選択することができる。」
（エ）「［００３０］　＜中性化処理＞
　中性化処理とは、基板表面を、ブロックコポリマーを構成するいずれのポリマーとも親和性を有するように改変する処理をいう。中性化処理を行うことにより、相分離によって特定のポリマーからなる相のみが基板表面に接することを抑制することができる。本発明においては、ブロックコポリマーを含む層を形成する前に、基板表面に、用いるブロックコポリマーの種類に応じた中性化処理を行っておく。該処理工程は、相分離によって基板表面に対して自在に配向されたシリンダー構造、ドット構造、ジャイロイド構造等を形成させるに必要な工程である。
［００３１］　具体的には、中性化処理としては、基板表面に、ブロックコポリマーを構成するいずれのポリマーとも親和性を有する下地剤を含む薄膜（中性化膜）を形成する処理を行う。
　このような中性化膜としては、樹脂組成物からなる膜を用いることができる。下地剤として用いられる樹脂組成物は、ブロックコポリマーを構成するポリマーの種類に応じて、薄膜形成に用いられる従来公知の樹脂組成物の中から適宜選択することができるが、本発明においては、樹脂成分全体の構成単位のうち２０モル％〜８０モル％が芳香族環含有モノマー由来の構成単位である。すなわち、本発明の下地剤は、芳香族環含有モノマー由来の構成単位と非芳香族環含有モノマー由来の構成単位とを上記割合で含有することでブロックコポリマーを構成するいずれのポリマーとも親和性を有する。
［００３２］　下地剤に用いられる樹脂組成物としては、（１）非感光性、非熱重合性樹脂組成物、（２）感光性樹脂組成物、（３）熱重合性樹脂組成物、（４）化学増幅ポジ型レジスト組成物、（５）ノボラック系レジスト組成物が挙げられる。
［００３３］　本発明においては、樹脂成分全体の構成単位のうち２０モル％〜８０モル％が芳香族環含有モノマー由来の構成単位であるれば特に限定されないが、このような下地剤としては、例えば、ブロックコポリマーを構成する各ポリマーの構成単位をいずれも含む樹脂組成物や、ブロックコポリマーを構成する各ポリマーと親和性の高い構成単位をいずれも含む樹脂等が挙げられる。　例えば、ＰＳ−ＰＭＭＡブロックコポリマーを用いる場合には、下地剤として、ＰＳとＰＭＭＡの両方を構成単位として含む樹脂組成物や、芳香環のＰＳと親和性が高い部位と、極性の高い官能基等のＰＭＭＡと親和性の高い部位の両方を含む化合物又は組成物を用いることが好ましい。
　ＰＳとＰＭＭＡの両方を構成単位として含む樹脂組成物としては、例えば、ＰＳとＰＭＭＡのランダムコポリマー、ＰＳとＰＭＭＡの交互ポリマー（各モノマーが交互に共重合しているもの）等が挙げられる。　以下、下地剤として用いられる樹脂組成物について詳細に説明する。」
（オ）実施例
　ａ　［０２９３］
「［ネガ型感光性樹脂組成物−Ｎｏ．１］
　表６、７にポリマー２０〜３８の合成に用いたモノマー及びその構成比（単位はモル％）、合成したポリマーの分子量を示す。表８〜１２の成分表に従って、実施例２０〜４５、比較例６〜１０の樹脂組成物を調製した（単位は質量部）。尚、表８〜１２中、用いた組成物の詳細を表２８〜３０に示す。」
　ｂ　［０２９４］［表６］
「
」
　ｃ　［０２９５］［表７］
「
」
　ｄ　［０２９６］［表８］
「
」
　ｅ　［０２９７］［表９］
「
」
　ｆ　［０２９８］［表１０］
「
」
　ｇ　［０２９９］［表１１］
「
」
　ｈ　［０３００］［表１２］
「
」
　ｉ　［０３０１］
「［垂直ラメラ形成能の評価］
　０．５〜２％濃度に調製した実施例２０〜４５、比較例６〜１０の樹脂組成物を膜厚７０ｎｍになるように回転数を調整し、８インチシリコン基板上にスピンコートとし、９０℃で６０秒間のベーク処理を行った。
　次いで、ＨＭＷ−５３２Ｄ(ＯＲＣ社製)を用いて、ｇｈｉ線（２０００ｍＪ／ｃｍ２の露光量）を照射した。露光後、光酸発生剤を使用したサンプルでは１２０℃で９０秒間露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行った。
　この基板に、ＰＳ−ＰＭＭＡブロックコポリマー１（Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｏｕｒｃｅ社製、ＰＳの分子量：５３０００、ＰＭＭＡの分子量：５４０００、分散度（Ｐｏｌｙ　ｄｉｓｐｅｒｓｉｔｙ　ｉｎｄｅｘ：ＰＤＩ）：１．１６）のトルエン溶液（１７．５ｍｇ／ｍｌ）をスピンコート（回転数：１０００ｒｐｍ、６０秒間）した後、１１０℃で６０秒間加熱乾燥した。
　次いで、当該基板を、窒素気流下、２００℃で６時間加熱し、相分離構造を形成させた。その後、ＴＣＡ−３８２２(東京応化工業製)を用いて、当該基板を酸素プラズマ処理（２００ｓｃｃｍ、４０Ｐａ、２００Ｗ、３０秒間）を行ってＰＭＭＡからなる相を選択的に除去し、得られた基板の表面を走査型電子顕微鏡ＳＥＭＳ４７００(日立製作所)で観察した。垂直ラメラが観察された樹脂組成物をＡ、垂直ラメラが観察されない樹脂組成物をＢと評価した。結果を表８〜１２に示す。
　この結果から、ネガ型感光性樹脂組成物においても、樹脂成分を含有し、該樹脂成分全体の構成単位のうち２０モル％〜８０モル％が芳香族環含有モノマー由来の構成単位である下地剤を用いることにより、基板上に垂直ラメラを形成できることが明らかである。」
　イ　引用文献１
　原査定において引用された引用文献１（国際公開第２００７／０２３７１０号）には次の記載がある。
（ア）請求の範囲［１］
「式（１）：
［化１］
（式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を示し、Ｘはナフタレン環に置換したハロゲン原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、チオール基、シアノ基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、又はチオアルキル基を示し、ｎは０ないし７の整数を示し、ｎが７以外の場合は残部が水素原子である。）
で表される単位構造と、
式（２）：
［化２］
（式中、Ｒ１は前記式（１）における定義と同意義であり、Αは芳香族性水酸基又は水酸基含有エステルを含む有機基である。）で表される単位構造とを、ポリマーを構成する単位構造のすべてに基いて、それぞれモル比で０．０２以上含有するポリマーを含む多層膜によるリソグラフィープロセスに用いる塗布型下層膜形成組成物。」
（イ）「［０００４］　本発明は、半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるための塗布型下層膜形成組成物を提供することである。また本発明は、フォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、優れたフォトレジストパターンが得られ、フォトレジストに近いドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用塗布型下層膜、フォトレジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用塗布型下層膜や半導体基板に比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用塗布型下層膜を提供することにある。また本発明は、248nm、193nm、157nm等の波長の照射光を微細加工に使用する際に基板からの反射光を効果的に吸収する性能を付与することもできる。さらに、本発明は該塗布型下層膜形成組成物を用いたフォトレジストパターンの形成法を提供することにある。」
（ウ）実施例について
　ａ　［００２９］
「合成例１
２−ビニルナフタレン３５ｇ（０．２２７モル）、２−ヒドロキシエチルアクリレート２．９ｇ（０．０２５モル）をシクロへキサノン１１２ｇに溶解させた後、フラスコ内を窒素にて置換し６０℃まで昇温した。昇温後、シクロへキサノン４７ｇに溶解したアゾビスイソブチロニトリル１．９ｇを窒素加圧下添加し、２４時間６０℃で反応させた。反応溶液を冷却後、メタノールに投入し、ポリマーを再沈殿、加熱乾燥して式[５−１]のポリマーを得た。得られたポリマー重量平均分子量Ｍｗは１２０００（ポリスチレン換算）であった。
［化１１]
」
　ｂ　［００３２］
「実施例１
上記合成例１で得たポリマー６ｇにテトラブトキシメチルグリコールウリル０．５ｇとピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸０．０５ｇを混合し、シクロヘキサノン１２６ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテル５４ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過して、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いる塗布型下層膜溶液を調製した。」
　ｃ　［００３４］
「・・・
（ドライエッチング速度の測定）
ドライエッチング速度の測定に用いたエッチャー及びエッチングガスは以下のものを用いた。
ES401（日本サイエンティフィック製）：ＣＦ４
RIE−10NR（サムコ製）：Ｃ４Ｆ８／Ａｒ、ＣＨＦ３／Ａｒ
TCP9400（ラムリサーチ製）：Ｃｌ２」
　ｄ　［００３５］
「実施例１ないし４で調製した塗布型下層膜溶液及び比較例１、２で調製した塗布型下層膜溶液をスピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で２０５℃１分間加熱し、塗布型下層膜（膜厚０．１０μｍ）を形成し、エッチングガスとしてＣＦ４ガスを使用してドライエッチング速度を測定した。
　また、同様にフォトレジスト溶液（シプレー社製・商品名UV113）をスピナ一を用い、シリコンウェハー上に塗膜を形成した。エッチングガスとしてＣＦ４ガスを使用してドライエッチング速度を測定し、実施例１ないし５及び比較例１、２の塗布型下層膜及び反射防止膜のドライエッチング速度との比較を行った。結果を表２に示す。
　また、半導体基板上の被加工膜としてＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用いた。半導体基板上のＳｉＯ２膜にはエッチングガスとしてＣ４Ｆ８／Ａｒガスを用いドライエッチング速度を測定し、一方で、シリコンウェハー上に作成した塗布型下層膜を同様にエッチングガスとしてＣ４Ｆ８／Ａｒガスを用いドライエッチング速度を測定し、その速度比を表２に示す。
　半導体基板上のＳｉＮ膜にはエッチングガスとしてＣＨＦ３／Ａｒガスを用いドライエツチング速度を測定し、一方で、シリコンウェハー上に作成した塗布型下層膜を同様にエッチングガスとしてＣＨＦ３／Ａｒガスを用いドライエッチング速度を測定し、その速度比を表２に示す。
　半導体基板上のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜にはエッチングガスとしてＣｌ２ガスを用いドライエッチング速度を測定し、一方で、シリコンウェハー上に作成した塗布型下層膜を同様にエッチングガスとしてＣｌ２ガスを用いドライエッチング速度を測定し、その速度比を表２に示す。」
　ｅ　［表２］
「
」
（４）引用発明の認定
　以下、引用文献３から引用発明を認定する。
　ア　ポリマー２６
　前記（３）ア（オ）ｂに摘記した表６によると、ポリマー２６は、モノマーとして、１−ビニルナフタレンを５０モル％及びメタクリル酸グリシジルを５０モル％を共重合させたポリマーである。
　イ　実施例２８
　前記（３）ア（オ）ｅに摘記した表９によると、実施例２８は、ポリマー２６を１００質量部、光酸発生剤を２質量部それぞれ含有する樹脂組成物であって、前記（３）ア（ア）の記載から、その樹脂組成物は下地剤でもある。
　ウ　前記（３）ア（オ）ｉに摘記したように、前記イの樹脂組成物は、シリコン基板上にスピンコートされ、ｇｈｉ線を照射され、加熱処理される。
　エ　その後、ポリスチレンとポリメタクリル酸メチルとのブロックポリマー溶液がスピンコートされ、ブロックポリマーが相分離構造をとるような加熱処理がされるということになる。
　オ　そうすると、引用文献３から次の発明（以下「引用発明」という。）が認定できる。
　カ　引用発明
「ポリマーの全単位構造あたり１−ビニルナフタレンを５０モル％有し、メタクリル酸グリシジルを５０モル％有するポリマーを含む
　相分離構造膜の下地剤であって、
　前記相分離構造膜が、ポリスチレンとポリメタクリル酸メチルとのブロックポリマーより成る膜である、相分離構造膜の下地剤。」
（５）対比・判断
　ア　本件補正発明
　本件補正後の請求項１は、前記１（１）イに摘記したが再掲し、以下、この記載により特定される発明を「本件補正発明」という。
「ポリマーの全単位構造あたり芳香族ビニル化合物の単位構造を６０〜９５モル％有し、ヒドロキシ基、エポキシ基、保護されたヒドロキシ基又は保護されたカルボキシル基を含む架橋形成基を有する単位構造を５〜４０モル％有し、且つ該芳香族ビニル化合物の全単位構造あたり多環芳香族ビニル化合物の単位構造を１モル％以上有するポリマーを含み、前記芳香族ビニル化合物が、各々置換されていてもよいビニルナフタレン、アセナフチレン又はビニルカルバゾールを含む自己組織化膜の下層膜形成組成物であって、
前記自己組織化膜が、有機モノマー（ａ）を単位構造として含む有機ポリマー鎖（Ａ）と、有機モノマー（ａ）とは異なるモノマー（ｂ）を単位構造として含み且つ該有機ポリマー鎖（Ａ）に結合してなるポリマー鎖（Ｂ）とを含むブロックポリマーより成る膜である、自己組織化膜の下層膜形成組成物。」
　イ　対比
（ア）引用発明における「１―ビニルナフタレン」は、本件補正発明における「ビニルナフタレン」に相当する。
（イ）引用発明における「メタクリル酸グリシジル」は、グリシジル基はエポキシ基を含むから、本件補正発明における「ヒドロキシ基、エポキシ基、保護されたヒドロキシ基又は保護されたカルボキシル基を含む架橋形成基を有する単位構造」に相当する。
（ウ）引用発明においては、芳香族ビニル化合物として、多環芳香族ビニル化合物である１―ビニルナフタレンのみを用いているから、多環芳香族ビニル化合物の構成単位を１００モル％有していることになり、本件補正発明における「該芳香族ビニル化合物の全単位構造あたり多環芳香族ビニル化合物の単位構造を１モル％以上有するポリマー」と、一致している。
（エ）引用発明における「下地剤」は、本件補正発明における「下層膜形成組成物」に相当する。
（オ）引用発明における「相分離構造膜」は、前記（３）ア（オ）ｉに摘記したように垂直ラメラ形成能を有するものであるから、本件補正発明における「自己構造化膜」に相当する。また、引用発明の「ポリスチレンとメタクリル酸メチルのブロックポリマーよりなる膜」は、「有機モノマー（ａ）を単位構造として含む有機ポリマー鎖（Ａ）と、有機モノマー（ａ）とは異なるモノマー（ｂ）を単位構造として含み且つ該有機ポリマー鎖（Ａ）に結合してなるポリマー鎖（Ｂ）とを含むブロックポリマーより成る膜」と一致する。
（カ）一致点
　そうすると、本件補正発明と引用発明とは次の点で一致する。
「ポリマーの全単位構造あたり芳香族ビニル化合物の単位構造を有し、ヒドロキシ基、エポキシ基、保護されたヒドロキシ基又は保護されたカルボキシル基を含む架橋形成基を有する単位構造を有し、且つ該芳香族ビニル化合物の全単位構造あたり多環芳香族ビニル化合物の単位構造を１モル％以上有するポリマーを含み、前記芳香族ビニル化合物が、各々置換されていてもよいビニルナフタレン、アセナフチレン又はビニルカルバゾールを含む自己組織化膜の下層膜形成組成物であって、
前記自己組織化膜が、有機モノマー（ａ）を単位構造として含む有機ポリマー鎖（Ａ）と、有機モノマー（ａ）とは異なるモノマー（ｂ）を単位構造として含み且つ該有機ポリマー鎖（Ａ）に結合してなるポリマー鎖（Ｂ）とを含むブロックポリマーより成る膜である、自己組織化膜の下層膜形成組成物。
　ウ　相違点及び判断
（ア）相違点１
　本件補正発明と引用発明とは次の点で相違する。
＜＜相違点＞＞
　下層膜を形成するポリマーについて、本件補正発明においては、芳香族ビニル化合物の単位構造を６０〜９５モル％有し、ヒドロキシ基、エポキシ基、保護されたヒドロキシ基又は保護されたカルボキシル基を含む架橋形成基を有する単位構造を５〜４０モル％有するのに対し、引用発明においては、１−ビニルナフタレンの単位構造を５０モル％有し、メタクリル酸グリシジルの単位構造を５０モル％有する点。（以下、相違点１という。）
（イ）相違点１についての検討
　ａ　前記（３）ア（ア）に摘記したように、引用文献３の請求項１には、下地剤の樹脂成分について、「該樹脂成分全体の構成単位のうち２０モル％〜８０モル％が芳香族環含有モノマー由来の構成単位」と記載されている。
　ｂ　そして、その数値範囲の下限と上限は、前記（３）ア（オ）ｂで摘記した表６のポリマー２０及びポリマー２１を用いた、前記（３）ア（オ）ｄで摘記した表８の実施例２０及び実施例２１によって、芳香族環含有モノマー由来の構成単位としてスチレンを用いて実証されていることが読み取れる。
　ｃ　そうすると、引用発明において、Ａ）メタクリル酸グリシジルを５０モル％から２０モル％に減少させ、１−ビニルナフタレンを５０モル％から８０モル％に増加するか、または、Ｂ）メタクリル酸グリシジルを５０モル％から２０モル％に減少させ、スチレンを３０モル％加える、のＡかＢのいずれかの変更により本件補正発明に到達することに動機づけは十分にあって、当業者が容易になし得ることといえる。
　ｄ　また、前記ｂにおける実施例２１の記載から、引用文献３には、スチレン８０モル％、メタクリル酸グリシジル２０モル％の実施例が記載されている以上、前記ｃのＡまたはＢのいずれの変更にも阻害事由があるといえない。
　エ　請求人の主張について
（ア）請求人は、審判請求書において、本件補正発明と引用文献３とを対比して、「引用文献３にはドライエッチング速度を向上させる点については記載も示唆もない。従って、本発明の構成と効果が記載も示唆もない引用文献３を読んでも当業者は、本願請求項１に係る発明を容易に想到することはできない。」と主張する。
（イ）この主張は、本件補正発明は、相違点１により予測できない効果を奏する旨の主張と解される。しかし、本願明細書に、相違点１による作用効果上の差異についての記載はないから、この主張は斟酌されるべきものではない。
　ただし、念のため、本願明細書のどこから「ドライエッチング速度を向上」が読み取れるかを、以下検討する。
（ウ）本願明細書の記載
　ａ　段落【００９３】
「（ドライエッチング速度の測定）
　ドライエッチング速度の測定に用いたエッチャー及びエッチングガスは以下のものを用いた。
ＲＩＥ−１０ＮＲ（サムコ製）：ＣＦ４
　実施例１〜実施例９、比較例１で調製した自己組織化膜の下層膜形成組成物の溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハ上に塗布した。ホットプレート上で２４０℃１分間焼成し、自己組織化膜の下層膜形成組成物（膜厚０．２０μｍ）を形成した。エッチングガスとしてＣＦ４ガスを使用してドライエッチング速度を測定した。
　また、クレゾールノボラック樹脂（市販品、重量平均分子量は４，０００）の溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハ上に２０５℃１分間焼成し、有機ハードマスク層（膜厚０．２０μｍ）を形成した。エッチングガスとしてＣＦ４ガスを使用して実施例１〜実施例９、比較例１と同様にドライエッチング速度を測定し、実施例１〜実施例９、比較例１と、有機ハードマスク層のドライエッチング速度との比較を行った。結果を表２に示した。速度比（１）は（実施例１〜実施例９及び比較例１で用いた自己組織化膜の下層膜、２４０℃１分間焼成膜）／（クレゾールノボラック樹脂、２０５℃１分間焼成膜）のドライエッチング速度比である。」
　ｂ　段落【００９４】
「【表２】
」
（エ）検討
　ところで、前記実施例１〜９及び比較例１との対比に用いられているクレゾールノボラック樹脂は、フォトレジストとして一般的なものであるから、前記（ウ）ｂの速度比は、フォトレジストのエッチング速度に対する比が、実施例１〜９において１．００以下であることを表していると解される。そして、フォトレジストは、基板と比較してドライエッチング速度が低いことは技術常識である。
（オ）そうすると、前記（ア）の「ドライエッチング速度を向上させる」という効果を読み取ることは困難であるから、「ドライエッチング速度を低下させる」という効果の主張と善解して以下検討する。なお、このように解することは、前記（ウ）ｂにおいて、比較例１（芳香族ビニル化合物としてスチレンのみを用いた例）のドライエッチング速度がレジスト比で最も高いこととも整合する。
（カ）前記（ウ）ｂの実施例５
　ａ　前記実施例５は、本願明細書【００８２】に記載されたように、本願明細書【００７０】の合成例５で合成された高分子を唯一の樹脂成分とする樹脂組成物である。
　ｂ　そして、合成例５を参照すると、多環芳香族ビニル化合物としてビニルナフタレンの構成単位を５０モル％、４−ｔｅｒｔブトキシスチレンの構成単位を５０モル％とした高分子であり、このようなものでも、レジストに対する速度比が０．８３となっている。
　ｃ　そうすると、多環芳香族ビニル化合物の構成単位が５０モル％であっても、「ドライエッチング速度を低下させる」効果は認められるから、多環芳香族ビニル化合物の構成単位が５０モル％の場合と６０〜９５モル％の場合とで作用効果の差異がないことが推測される。
（キ）予備的検討
　ａ　仮に「ドライエッチング速度を低下させる」効果について、多環芳香族ビニル化合物の構成単位が５０モル％の場合と６０〜９５モル％の場合とで、差異があるとして検討する。
　ｂ　前記（３）イ（ウ）に摘記したように、引用文献１の実施例１において、多環芳香族ビニル化合物（２−ビニルナフタレン）の構成単位が９０モル％の場合に、エッチング速度がレジスト比で０．８であることが記載されている。
　ｃ　そうすると、前記ａの効果があるとしても、本件優先日前に頒布された引用文献１の記載から当業者であれば予測可能なものであり、当業者が予測できない格別の作用効果があるということはできない。
（６）小括
　ア　以上のように、本件補正発明は、引用発明及び引用文献３に記載された事項に基いて、当業者が本件優先日前に容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　イ　よって、本件補正１は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　３　本件補正２についての検討
（１）補正の目的について検討する
　ア　本件補正は、特許法１７条の２第１項４号の規定された時期にされたものであるから、本件補正２は、特許法１７条の２第５項に規定する要件を満たす必要がある。
　イ　本件補正２の内容は、前記１（２）のとおりであるが、本件補正前の請求項２〜１５には、「芳香族ビニル化合物の単位構造」及び「ヒドロキシ基、エポキシ基、保護されたヒドロキシ基又は保護されたカルボキシル基を含む架橋形成基を有する単位構造」の組成比を発明特定事項とする請求項はないから、前記アに記載したように、本件補正後の請求項２は新たに追加されたものといえる。
　ウ　また、本件補正後の請求項２に係る発明は、本件補正後の請求項１に係る発明に包含される発明となっている。
　エ　前記イのとおり、本件補正２は、請求項を追加する補正であるから、請求項の削除、限定的減縮、誤記の訂正、明瞭でない記載の釈明のいずれにもあたらない。
　オ　そうすると、本件補正２は、前記アの特許法１７条の２第５項に規定する要件を満たさない補正であるから、不適法な補正である。
（２）小括
　本件補正２は、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たさないため、特許法１５９条の規定により読み替えて準用する特許法５３条の規定により却下すべきものである。
　４　本件補正３についての検討
（１）補正の目的について検討する
　ア　前記３（１）アと同様に、本件補正３は、特許法１７条の２第５項に規定する要件を満たす必要がある。
　イ　本件補正３は、「前記芳香族ビニル化合物が、置換されていてもよいスチレンと、各々置換されていてもよいビニルナフタレン、アセナフチレン又はビニルカルバゾールであり、」を「前記芳香族ビニル化合物が、置換されていてもよいスチレンと、各々置換されていてもよいビニルナフタレン、アセナフチレン又はビニルカルバゾールとからなり」と補正するものである。（以下、置換されていてもよいスチレンを「スチレン類」などという。）
　ウ　本件補正３は、請求項の削除には明らかに該当しないので、他の目的について順次検討する。
　エ　本件補正３が、特許法第１７条の２第５項４号の明瞭でない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る）と解することはできない。なぜなら、平成２９年１１月２８日付の拒絶理由通知及び平成３０年６月２７日付拒絶査定においては、請求項の記載不備が指摘されていないからである。
　オ　本件補正３が、特許法第１７条の２第５項３号の「誤記の訂正」に該当するか検討する。補正前の芳香族ビニル化合物は、スチレン類（ａ）及びビニルナフタレン類（ｂ）、アセナフチレン類（ｃ）、ビニルカルバゾール類（ｄ）とすると、（ａ＋ｂ）、（ａ＋ｃ）、（ａ＋ｄ）のいずれかを指すことは読み取れることであるから、本件補正前の請求項４に誤記があるともいえないから、本件補正３は、特許法第１７条の２第５項３号の「誤記の訂正」を目的とするものとはいえない。
　カ　本件補正３が、特許法第１７条の２第５項２号の「限定的減縮」に該当するか検討する。
（ア）本件補正前の本願請求項４は、前記オに示したとおりであるが、発明特定事項としては、上記ａ〜ｄ以外の芳香族ビニル化合物を用いることも許容されるものである。
（イ）一方、仮に本件補正後の本願請求項４における「からなる」が、「ｃｏｎｓｉｓｔ　ｏｆ」を指し、いわゆるクローズクレームを意味するとすると、上記ａ〜ｄ以外の芳香族ビニル化合物を用いることが許容されないから、本件補正３が「限定的減縮」に該当するとも解する余地がある。
（ウ）しかしながら、本件補正３における「からなる」が、前記クローズクレームの意味で用いられているか、「ｃｏｍｐｒｉｓｅ　ｏｆ」を意味し、いわゆるオープンクレームを示すものとして用いられているかは、本願特許請求の範囲及び明細書の記載から判然としない。
（エ）したがって、本件補正３が、限定的減縮を目的としていると認めることができない。
（２）小括
　本件補正３は、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たさないため、特許法１５９条の規定により読み替えて準用する特許法５３条の規定により却下すべきものである。
　５　本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正１は、特許法１７条の２第６項において準用する特許法１２６条７項に規定する要件を満たさず、本件補正２及び３は、いずれも特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たさない。したがって、本件補正１〜３を含む本件補正は、特許法１５９条の規定により読み替えて準用する特許法５３条の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
　１　本願発明
　平成３０年１０月４日にされた手続補正は、前記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成３０年３月３０日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］（１）ウに記載のとおりのものである。
　２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、本願発明は、本件優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献３に記載された発明に基いて、本件優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、という理由を含むものである。
　引用文献３：国際公開第２０１２／０３６１２１号
　３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献３の記載事項は、前記第２の［理由］２（３）アに記載したとおりである。
　４　対比・判断
　本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「下層膜形成のためのポリマー」及び「芳香族ビニル化合物」についての限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（５）に記載したとおり、引用発明及び引用文献３に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明及び引用文献３に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。