【事件の表示】
　平成　９年特許願第２７１０３８号「半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　４月１３日出願公開、特開平１１−１０３０９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１０月３日（優先日　平成９年７月３０日）の出願であって、平成１６年３月１５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年５月６日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに平成１６年６月７日付で特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年６月７日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年６月７日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を下記のように補正することを含むものである。
「【請求項１】一端部に湾曲状の凹部が形成された板状の第１のリードと、該第１のリードと並置して設けられる板状の第２のリードと、前記第１のリードの凹部内にダイボンディングされ、
サファイア基板上に
層が積層され
り、前記保護素子は、前記湾曲状凹部の下側で平坦部分の位置における前記第１および第２のリードのいずれか一方のリードで該リードの幅を広くして形成されるダイパッド部にボンディングされ、該ボンディングにより前記保護素子の一方の電極が前記一方のリードと直接電気的に接続され、前記保護素子の他方の電極が前記第１および第２のリードの他方で、前記ダイパッド部の位置とほぼ同じ高さの位置にワイヤボンディングにより接続されてな
　
　上記補正は、補正前の請求項１のチッ化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子チップがサファイア基板上に積層されるものであることを限定すると共に、保護素子をさらに具体的に限定しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するので、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（２）刊行物記載の発明
　原審の拒絶理由に引用された実願昭５０−８１８７６号（実開昭５１−１６２６７０号）のマイクロフィルム（以下、「引用例」という。）には、下記の事項が記載されている。
「従来の半導体発光装置・・・においてはたとえばＧａＰでなる発光ダイオードのみを内装するのでその順方向最大電圧（ＶFMAX）は約２．５〜３．０Ｖであり、この値をこえる印加電圧によって寿命の短化およびまたは破損を生ずるに至る。」（明細書１頁９行〜１４行）、
「本考案の発光素子は１の外囲器中に発光ダイオードまたはそのペレットを定電圧ダイオードまたはそのペレットとを逆並列接続に配設したことを特徴とする。以下に図面を参照して本考案の発光装置の一実施例につき詳細に説明する。
　第１図は本考案一実施例の発光装置内の回路を示し、電極導出端子（１ａ）（１ｂ）に発光ダイオード（２）またはそのペレット（２）’とツェナーダイオード（３）またはそのペレット（３）’とが逆並列に配置されてなる。そして第２図から第５図までにわたって本考案の発光装置を説明するための４例の実施例を示す。まづ第１実施例の第２図は内部構造を示すために一部を透視的に示した側面図で、金属条で形成された一例の電極導出端子（１ａ）（１ｂ）の各１端に発光ダイオードのペレット（２）’とツェナーダイオードのペレット（３）’とが逆並列に配設され、前記電極導出端子の少くとも前記各１端部をエポキシの如き合成樹脂でモールド成型した外囲器（４）内に封入されてなる。第３図、第４図、および第５図に夫々示す本考案の発光装置の図２、図３、および第４の各実施例はいづれも上記第１実施例と同様に示した側面図で、以下に上記第１実施例との相違点のみについて説明する。
　第２実施例はツェナーダイオード（３）を用いている。（これは上記第１実施例のツェナーダイオードのペレット（３）’を用いる点と異なる）即ちツェナーダイオード（３）はこのペレット（３）’を内装し、この外囲をエポキシの如き合成樹脂でモールド形成したツェナーダイオードの，外囲器（３）’’を備え、リード端子を外囲器から突出してなる。そして図示の如く、電極導出端子の側方に上記ツェナーダイオードをそのリード端子にて配設する。かゝる構造にすることによってツェナーダイオードを発光装置の外囲器内の任意の部位に配設できまた配設が容易であること、組立中におけるツェナーダイオードのペレットの保護が充分になされること、さらには第３図の通りすれば発光ダイオードの発光がツェナーダイオードのリード端子によって損ぜられることが著減される利点を備える。」（同１頁１９行〜３頁１７行）
　また、第２図には、一方の電極導出端子（１ｂ）上にツェナーダイオードペレット（３）’が配設されていること、並びに、発光ダイオードペレット（２）’及びツェナーダイオードペレット（３）’がそれぞれ他方のリードに一本のワイヤーで接続されていることがみてとれ、また第３図には、リードの側面の位置にツェナーダイオード（３）（ツェナーダイオードペレット（３）’及び外囲器（３）’’）が配設され、該ツェナーダイオード（３）が両リードに接続されていることがみてとれる。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用例記載の発明（以下「引用発明」という。）とを対比する。
（１）引用例の「電極導出端子（１ａ）」、「電極導出端子（１ｂ）」、「発光ダイオードのペレット（２）’」、「ツェナーダイオード（３）」、「半導体発光装置」は、それぞれ本願補正発明の「第１のリード」、「第２のリード」、「発光素子チップ」、「保護素子」、「半導体発光素子」に相当することは明らかである。
（２）引用例の第２図には、一方の電極導出端子（１ｂ）上にツェナーダイオードペレット（３）’が配設され、発光ダイオードペレット（２）’及びツェナーダイオードペレット（３）’がもう一方のリードに一本のワイヤーで接続されているものがみてとれることから、引用発明は、「発光素子チップの２つの電極をそれぞれ前記第１および第２のリードと電気的に接続するワイヤボンディング手段」及び「該ボンディングにより前記保護素子の一方の電極が前記一方のリードと直接電気的に接続され、前記保護素子の他方の電極が前記第１および第２のリードの他方にワイヤボンディングにより接続されてなる」に相当する技術的事項を有する。
　また、引用発明の発光ダイオードはＧａＰ系のものであるから、基板も導電性であるのが通常であること、また、ツェナーダイオードペレット（３）からもう一方の電極導出端子（１ａ）には、一本のリードのみが接続されていることから、第２図のツェナーダイオードペレット（３）’は電極導出端子（１ｂ）に直接ボンディングしたものであると把握できることから、引用発明は、「保護素子は、いずれか一方のリードにボンディングされ」に相当する技術的事項をも有する。
　よって、両者は、
「一端部に板状の第１のリードと、該第１のリードと並置して設けられる板状の第２のリードと、前記第１のリードにダイボンディングされる発光素子チップと、該発光素子チップの２つの電極をそれぞれ前記第１および第２のリードと電気的に接続するワイヤボンディング手段と、前記第１および第２のリードの間に電気的に接続されて前記発光素子チップに印加され得る少なくとも逆方向電圧に対して前記発光素子チップを保護する保護素子とからなり、前記保護素子は、いずれか一方のリードにボンディングされ、該ボンディングにより前記保護素子の一方の電極が前記一方のリードと直接電気的に接続され、前記保護素子の他方の電極が前記第１および第２のリードの他方にワイヤボンディングにより接続されてなる半導体発光素子」である点で一致し、下記の点で相違する。
　
相違点１：
　本願補正発明は、板状の第１のリードの「湾曲状の凹部」にダイボンディングされているのに対して、引用発明は、板状の第１のリードに湾曲状の凹部を有さない点。
相違点２：
　本願補正発明の発光素子チップは、「サファイア基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層される」ものであるのに対し、引用発明のものは、ＧａＰでなる発光素子チップであって、上記規定を有するものではない点。
相違点３：
　本願補正発明の保護素子は、「前記湾曲状凹部の下側で平坦部分の位置における前記第１および第２のリードの」いずれか一方のリードで「該リードの幅を広くして形成されるダイパッド部に」ボンディングされ、また、保護素子の他方の電極が「前記ダイパッド部の位置とほぼ同じ高さの位置に」ワイヤボンディングにより接続されてなるのに対し、引用発明のものは、上記規定を有するものではない点。
　
（４）判断
　上記相違点につき検討する。
相違点１及び相違点２について：
　サファイア基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層された発光ダイオードを用いることは、本願出願前周知（必要であれば、査定時に引用した特開平７−８６６４０号公報参照）のことにすぎないばかりでなく、チッ化ガリウム系発光ダイオードにおいて、湾曲状の凹部を有するリードにダイボンディングすることも周知のことにすぎず、また適用に当たり何ら困難性を有するものでもないから、上記相違点１及び相違点２の構成とすることは、引用発明にチッ化ガリウム系発光ダイオードの周知技術を適用したことにより必然的に生ずる構成を記載したにすぎないものであって、当業者が容易になし得る程度のことである。
　
相違点３について：
　リードの側面の位置に保護素子（ツェナーダイオード）を配置することは、引用例第３図に記載されており、第２図には、一方の電極導出端子（１ｂ）上にツェナーダイオードペレット（３）’をボンディングにより配設したものがみてとれる。
　また、発光ダイオードのリードでツェナーダイオードを配置しうるような幅広部分を有するものは周知（例えば、拒絶理由に引用した特開平７−１２２７８５号、特開平１−１５２６７６号参照。）のことにすぎない。
　そして、ツェナーダイオードをもう一方のリードにワイヤボンディングする際に、ほぼ同じ高さの位置に接続することは、ワイヤの長さを短くするとの要請から、当業者が適宜設計し得る程度のことである。（第３図のものも、
ほぼ同じ高さ
　よって、相違点３の技術的事項とすることは、周知技術を勘案して、当業者が容易になし得る程度のことである。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知技術から予測し得る程度のものであり、格別とはいえない。
　
　よって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１６年６月７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年１月９日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
「【請求項１】一端部に湾曲状の凹部が形成された板状の第１のリードと、該第１のリードと並置して設けられる板状の第２のリードと、前記第１のリードの凹部内にダイボンディングされ、チッ化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子チップと、該発光素子チップの２つの電極をそれぞれ前記第１および第２のリードと電気的に接続するワイヤボンディング手段と、前記第１および第２のリードのいずれか一方の側面の平坦部にボンディングされ、前記第１および第２のリード間に電気的に接続されて前記発光素子チップに印加され得る少なくとも逆方向電圧に対して前記発光素子チップを保護する保護素子とからなる半導体発光素子。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用した実願昭５０−８１８７６号（実開昭５１−１６２６７０号）のマイクロフィルムには、上記２．（２）刊行物記載の発明で摘記した事項が記載されている。
　
（３）対比・判断
　本願補正発明と比べると、本願発明は、補正前のチッ化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子チップが、サファイア基板上に積層されるものであることを欠くとともに、保護素子の具体的な限定を欠くものである。
　よって、本願発明は、上記２．（３）対比、（４）判断における、サファイア基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層される点及び相違点３を除いて、本願補正発明に対するとほぼ同様の理由により、当業者が容易に発明し得たものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。