【事件の表示】
　特願２０１６−　１２１５６「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　７月２１日出願公開，特開２０１６−１３１２４７，請求項の数（１）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１８年９月２７日に出願された特願２００６−２６２９９１号（優先権主張　平成１７年９月２９日（以下，「本願優先日」という。）の一部を平成２４年７月１９日に新たな特許出願（特願２０１２−１６０４０８号）とし，さらに，その一部を平成２５年１１月２０日に新たな特許出願（特願２０１３−２３９５２３号）とし，さらに，その一部を平成２６年１２月１９日に新たな特許出願（特願２０１４−２５７４２３号）とし，さらに，その一部を平成２８年１月２６日に新たな特許出願としたものであって，同年１２月２２日付け拒絶理由通知に対し，平成２９年２月６日に意見書が提出されるとともに手続補正がされ，同年６月１２日付け最後の拒絶理由通知に対し，同年６月２８日に意見書が提出されるとともに手続補正がされたが，同年１１月１０日付けで当該手続補正は却下されるとともに拒絶査定（以下，「原査定」という。）がされ，これに対し，平成３０年１月１９日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたところ，同年１２月１８日付けで当審から最後の拒絶理由（以下，「当審拒絶理由」という。）が通知され，これに対し，平成３１年２月１４日に意見書が提出されるとともに手続補正（以下，「本件補正」という。）がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定の理由の概要は以下のとおりである。
（進歩性）本願の下記の請求項に係る発明は，本願優先日前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，本願優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項　１ないし１２
・引用文献　１ないし５
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２００５−３３１７２号公報
２．特開２００３−３３７３５３号公報
３．特開２００４−１０３９５７号公報
４．特開平９−１３９５０６号公報
５．特開２００３−８６８０８号公報
第３　本願発明
　本願請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，本件補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される発明であって，以下のとおりである。
「【請求項１】
　第１のフィルムと，
　第２のフィルムと，
　前記第１のフィルム及び前記第２のフィルムの間の，画素部と，
　バッテリーと，を有し，
　前記バッテリーは，フィルム形状を有し，
　前記画素部は，
　酸化物半導体膜を有し，
　前記酸化物半導体膜は，Ｉｎと，Ｇａと，Ｚｎと，を有し，
　前記酸化物半導体膜は，第１の領域と，前記第１の領域と重なる第２の領域とを有し，
　前記第１の領域の結晶性は，前記第２の領域の結晶性よりも高く，
　前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域は，前記第１の領域及び前記第２の領域を有し，
　前記第１の領域は，結晶領域であることを特徴とする半導体装置。」
第４　引用文献，引用発明等
　１　引用文献１について
（１）　引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２００５−３３１７２号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審で加筆した。以下同じ。）。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
酸化亜鉛系の活性層を有する半導体装置
電子デバイスに用いられるスイッチング素子に好適な半導体装置およびそれを用いた電子デバイス
「【００２０】
　酸化亜鉛を活性層に使用した電界効果トランジスタにおいては，酸化亜鉛の雰囲気に対する敏感性から，保護層が必要不可欠である。しかし，上記のように，保護層の付与された電界効果トランジスタは，しきい値電圧がマイナスの大きな電圧となるため，実使用が不可能となる。
【００２１】
　本発明は，上記の問題に鑑みてなされたものであって，
酸化亜鉛を活性層に用い
「【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
　〔実施形態１〕
　・・・
【００３８】
　図１（ａ）ないし（ｃ）に示すように，
半導体装置としての薄膜トランジスタ１は，絶縁性基板２上に形成されたゲート電極３の上に，ゲート絶縁層４を介して半導体層５が積層され
【００３９】
　また，
この薄膜トランジスタ１が表示装置（例えば，実施形態４（※審決注；「実施形態５」の誤記と認められる。）のアクティブマトリクス型液晶表示装置）に用いられる場合
・・・
【００４１】
　
活性層としての半導体層５は，Ｉ族，III族，IV族，Ｖ族またはVII族元素が添加されたＺｎＯまたはＭｇ
ｘ
Ｚｎ
１−ｘ
Ｏの多結晶状態，アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体を用いて形成されている
「【０１１９】
　〔実施形態５〕
　本発明の第５の実施形態について，図１２および図１３に基づいて説明すれば，以下の通りである。
なお，本実施の形態において，前述の実施の形態１ないし４における構成要素と同等の機能を有する構成要素については，同じ符号を付記してその説明を省略する
【０１２０】
　図１２に示すように，
本実施の形態に係る表示装置は，アクティブマトリクス型の液晶表示装置であって，絵素アレイ３１と，ソースドライバ３２と，ゲートドライバ３３と，制御回路３４と，電源回路３５とを備えている
【０１２１】
　絵素アレイ３１，ソースドライバ３２およびゲートドライバ３３は，基板３６上に形成されている。基板３６は，ガラスのような絶縁性かつ透光性を有する材料により形成されている。
絵素アレイ３１は，ソースラインＳＬ…と，ゲートラインＧＬ…と，絵素３７…とを有している
【０１２２】
　絵素アレイ３１においては，多数のゲートラインＧＬｊ，ＧＬｊ＋１…と多数のソースラインＳＬｉ，ＳＬｉ＋１…とが交差する状態で配されており，隣接する２本のゲートラインＧＬ，ＧＬと隣接する２本のソースラインＳＬ，ＳＬとで包囲された部分に絵素（図中，ＰＩＸにて示す）３７が設けられている。このように，絵素３７…は，絵素アレイ３１内でマトリクス状に配列されており，１列当たりに１本のソースラインＳＬが割り当てられ，１行当たりに１本のゲートラインＧＬが割り当てられている。
【０１２３】
　
液晶ディスプレイの場合，各絵素３１（※審決注；「各絵素３７」の誤記と認められる。）は
スイッチング素子であるトランジスタＴと，液晶容量ＣＬを有する絵素容量ＣＰとによって構成されている
【０１２４】
　トランジスタＴのゲートは，ゲートラインＧＬｊに接続されている。また，液晶容量ＣＬおよび補助容量ＣS の一方の電極は，トランジスタＴのドレインおよびソースを介してソースラインＳＬｊに接続されている。ドレインに接続される液晶容量ＣＬの電極は，絵素電極３７ａを形成している。液晶容量ＣＬの他方の電極は，液晶セルを挟んで対向電極に接続され，補助容量ＣＳの他方の電極は，全絵素に共通の図示しない共通電極線（Cs on Common構造の場合），または隣接するゲートラインＧＬ（Cs on Gate構造の場合）に接続されている。
・・・
【０１２８】
　トランジスタＴは，ゲートドライバ３３からゲートラインＧＬｊを介して与えられるゲート信号によってＯＮすると，ソースドライバ３２からソースラインＳＬｉ＋１を介して与えられる画像信号を絵素３７（絵素電極３７ａ）に書き込む。
また，トランジスタＴは，前述の実施形態１ないし４における薄膜トランジスタ１，１１，２１
である
【０１２９】
　また，ソースドライバ３２およびゲートドライバ３３を構成する回路素子のうち，トランジスタで構成される回路において，各トランジスタとして前述の薄膜トランジスタ１，１１，２１を，実用上問題なく用いることができる。
【０１３０】
　また，絵素３７のトランジスタＴと駆動回路のトランジスタとを同じトランジスタ１，１１，２１で構成することによって，これらのトランジスタを同一の基板３６上に同じプロセスを用いて同時に作製することが可能になる。それゆえ，マトリクス表示装置の製造工程が削減されるので，マトリクス表示装置の低コストかを図ることができる。
【０１３１】
　以上のように，絵素３７用のトランジスタＴおよび駆動回路用のトランジスタとして薄膜トランジスタ１，１１，２１を用いても，しきい値が適正に制御されるので，動作の安定したマトリクス表示装置を提供することが可能になる。」
（２）　引用発明
　上記（１）によれば，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「絵素アレイ３１と，ソースドライバ３２と，ゲートドライバ３３と，制御回路３４と，電源回路３５とを備え，
　絵素アレイ３１は，ソースラインＳＬと，ゲートラインＧＬと，絵素３７とを有しており，
　各絵素３７は，スイッチング素子であるトランジスタＴ（薄膜トランジスタ１）と，液晶容量ＣＬを有する絵素容量ＣＰとによって構成されており，
　半導体装置としての薄膜トランジスタ１は，絶縁性基板２上に形成されたゲート電極３の上に，ゲート絶縁層４を介して半導体層５が積層されており，
　活性層としての半導体層５は，Ｉ族，III族，IV族，Ｖ族またはVII族元素が添加されたＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態，アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体を用いて形成されている，
　アクティブマトリクス型の液晶表示装置。」
　２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２００３−３３７３５３号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２０】図１は
画素部の構造を説明する縦断面図
「【００５２】図１１は携帯電話装置と組み合わせて利用する一例を示している。携帯電話装置は，本体６０１，筐体６０２，表示部６０３，音声入力部６０４，音声出力部６０５，操作キー６０６，赤外線通信手段６０７，アンテナ６０８等を含んでいる。表示装置は筐体に入っていても良く，本体６１０，
画像を表示する画素部６１１
フィルムバッテリー６１４
　３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（特開２００４−１０３９５７号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２８】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を詳細に説明する
実施例１
１．　
単結晶ＩｎＧａＯ
３
（ＺｎＯ）
５
薄膜
ＹＳＺ　（１１１）単結晶基板上にＰＬＤ法により厚み２ｎｍのＺｎＯ薄膜を基板温度７００℃でエピタキシャル成長させた。次に，基板温度を室温まで冷却し，該ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にＰＬＤ法により，厚み１５０ｎｍの多結晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５薄膜を堆積させた。こうして作製した二層膜を大気中に取り出し，電気炉を用いて，大気中，１４００℃，３０ｍｉｎ加熱拡散処理した後，室温まで冷却した。
【００２９】
ＸＲＤ測定の結果，図１に示すように，加熱して得られた薄膜は
単結晶ＩｎＧａＯ
３
（ＺｎＯ）
５
単結晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５薄膜の導電率を直流四端子法により測定しようと試みたが，膜の絶縁性が高いために測定できなかった。作製した単結晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５薄膜は絶縁体であると言える。室温で測定した光吸収スペクトルからＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５のバンドギャップは約３．３ｅＶと見積もられた。」
　４　引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（特開平９−１３９５０６号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００９】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の最良な実施形態を詳細に説明する。図１は本発明にかかる薄膜半導体装置製造方法の第１実施形態を示す工程図である。先ず（Ａ）に示す様に，透明基板１の上に薄膜トランジスタの基本構造を形成する成膜工程を行なう。透明基板１は低融点で低コストのガラス（例えばホヤガラス製のＮＡ−３５）を用いる。薄膜トランジスタの基本構造はゲート絶縁膜２を間にして互いに反対側に重ねられた
非晶質性の半導体薄膜３
【００１０】次に（Ｂ）に示す様に加熱工程を行ない，ゲート電極４側から熱線５を照射して金属性のゲート電極４に吸収させ，ゲート絶縁膜２を介してゲート電極４に対向する半導体薄膜３の領域を補助加熱する。具体的にはゲート電極４側となる透明基板１の裏面から熱線５を照射する。例えば熱線の一種である赤外光を大量に放射するハロゲンランプを用いて加熱工程を行ない，半導体薄膜３の温度が約４００℃になる様にランプ出力を調節する。メタルゲート電極４が加熱され，熱伝導で間接的に半導体薄膜３の領域が４００℃程度に速やかに昇温する。熱の伝導効率から考えるとゲート絶縁膜２の厚みは７００nm以下が望ましい。
【００１１】この加熱工程と同時に結晶化工程（結晶化アニール）を行なう。即ち，
ゲート電極４側と反対の半導体薄膜３側からエネルギービーム６を照射して補助加熱された領域の半導体薄膜３を非晶質性から多結晶性に転換し薄膜トランジスタの活性層３０とする
　５　引用文献５について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（特開２００３−８６８０８号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００７８】スタガ型の薄膜トランジスタ１１においては，半導体層５（ＺｎＯ）が，下地絶縁膜１２上に形成されている。
この下地絶縁膜１２は，前述の実施の形態２で第２絶縁膜４ｂの材料として用いた，ＺｎＯと格子整合性のよい酸化物であるので，半導体層５と下地絶縁膜１２とで形成される界面の特性が向上する
【００７９】また，下地絶縁膜１２を設けることによって，絶縁性基板２の材料が，半導体層５との格子整合性が良好でない材料であっても，半導体層５の特性の劣化が防止される。したがって，基板材料を，半導体層５との格子整合性が良好な材料に限定する必要がない。」
第５　対比及び判断
　１　対比
　本願発明と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
（１）　引用発明の「アクティブマトリクス型の液晶表示装置」は，「絵素アレイ３１と，ソースドライバ３２と，ゲートドライバ３３と，制御回路３４と，電源回路３５とを備え，絵素アレイ３１は，ソースラインＳＬと，ゲートラインＧＬと，絵素３７とを有して」おり，「絵素アレイ」及び「絵素」は，「画素アレイ」及び「画素」ともいえるから，引用発明は，「画素部」を有しているということができる。
（２）　引用発明の各「絵素３７」は，「薄膜トランジスタ１」を構成要素として含んでおり，「薄膜トランジスタ１」は，「ゲート電極３の上に，ゲート絶縁層４を介して半導体層５が積層されており」，「半導体層５」は，「ＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態，アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体を用いて形成されている」から，引用発明の「アクティブマトリクス型の液晶表示装置」は，「酸化物半導体膜」を有し，「前記酸化物半導体膜はチャネル形成領域を有する」ということができる。
（３）　本願発明の「半導体装置」について，本願明細書の発明の詳細な説明をみると，「また，本発明において，半導体装置とは半導体素子（トランジスタやダイオードなど）を含む回路を有する装置をいい，半導体装置として，半導体素子で構成された集積回路，表示装置，無線タグ，ＩＣタグ等が挙げられる。表示装置としては，代表的には液晶表示装置，・・・，電気泳動表示装置（電子ペーパー）等の表示装置があげられる。」（【００３８】）と記載されているから，引用発明の「アクティブマトリクス型の液晶表示装置」も「半導体装置」ということができる。
　そうすると，本願発明と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「画素部を有し，
　前記画素部は，酸化物半導体膜を有し，前記酸化物半導体膜はチャネル形成領域を有する半導体装置。」
（相違点）
（相違点１）
　本願発明では，「第１のフィルムと，第２のフィルムと，前記第１のフィルム及び前記第２のフィルムの間の，画素部と，バッテリーと，を有し，前記バッテリーは，フィルム形状を有し」ているのに対し，引用発明では，それらを有しているか不明である点。
（相違点２）
　本願発明では，「前記酸化物半導体膜は，Ｉｎと，Ｇａと，Ｚｎと，を有」するのに対し，引用発明の「半導体層５」は，そのように特定されていない点。
（相違点３）
　本願発明では，「前記酸化物半導体膜は，第１の領域と，前記第１の領域と重なる第２の領域とを有し，前記第１の領域の結晶性は，前記第２の領域の結晶性よりも高く，前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域は，前記第１の領域及び前記第２の領域を有し，前記第１の領域は，結晶領域である」のに対し，引用発明では，「半導体層５」の結晶性は不明である点。
　２　相違点についての判断
　事案にかんがみて，（相違点３）について判断する。
　「画素部」の「酸化物半導体膜」について，本願発明は，「第１の領域と，前記第１の領域と重なる第２の領域とを有し，前記第１の領域の結晶性は，前記第２の領域の結晶性よりも高く」構成されているところ，引用発明は，「Ｉ族，III族，IV族，Ｖ族またはVII族元素が添加されたＺｎＯまたはＭｇｘＺｎ１−ｘＯの多結晶状態，アモルファス状態または多結晶状態とアモルファス状態とが混在する状態である半導体を用いて形成されている」だけであり，引用文献１の記載をみても，「半導体層５」の領域を二つに分けて結晶性を異ならせることは記載も示唆もされておらず，引用文献２ないし５をみても何ら記載はなく，周知技術であるということもできないから，引用発明において，そのような変更を行う動機付けはない。
　そして，本願発明は，相違点３に係る構成を有することにより，「酸化物半導体膜は局所的にしか加熱されないため，基板の大半は加熱されずに済み，基板のシュリンク（縮み）やたわみを抑制しつつ結晶化工程を行うことができる。したがって，工程を簡略化しつつ，移動度特性を向上させた半導体素子を有する半導体装置を作製することができる。」（本願明細書【００４２】）という格別に有利な効果を奏するものと認められる。
　そうすると，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明は，引用発明に基づいて，当業者であっても容易に想到し得るものではない。
　３　まとめ
　したがって，本願発明は，当業者であっても引用発明，引用文献１ないし５に記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
第６　原査定について
　本件補正で補正された本願発明は，上記第５のとおり，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定の理由を維持することはできない。
第７　当審拒絶理由について
　当審では，平成２９年２月６日付け手続補正書でした手続補正は，願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないとの当審拒絶理由を通知したところ，本件補正において，本件補正前の請求項１及び２が削除されたことにより，上記当審拒絶理由は解消した。
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。