(57)【要約】      （修正有）【課題】インプリント装置にグローバルアライメント方式を適用した場合において、生産性の低下の防止に有利な技術を提供する。【解決手段】基板の上の複数のショット領域のそれぞれに形成されたマークを検出する検出部と、処理部と、を有し、前記処理部は、前記検出部によってサンプルショット領域に形成されたマークを検出し、統計処理して配列を表す第１統計量を求める第１処理と、前記第１統計量に基づいて前記サンプルショット領域を除くショット領域に前記インプリント処理を行う第２処理と、前記第２処理の後に、前記サンプルショット領域に形成されたマークを検出し、統計処理して第２統計量を求める第３処理と、前記第１統計量と前記第２統計量との差分が許容値以下である場合には、前記第２統計量に基づいて前記サンプルショット領域に前記インプリント処理を行い、差分が前記許容値以下でない場合にはエラー処理を行う第４処理と、を行う。【選択図】図３
2012227488.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板に前記モールドのパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記基板の上の複数のショット領域のそれぞれに形成されたマークを検出する検出部と、
処理部と、を有し、
前記処理部は、
前記検出部によって前記複数のショット領域のうちサンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第１統計量を求める第１処理と、
前記第１統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、前記複数のショット領域のうち前記サンプルショット領域を除くショット領域に前記インプリント処理を行う第２処理と、
前記第２処理の後に、前記検出部によって前記サンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第２統計量を求める第３処理と、
前記第１統計量と前記第２統計量との差分が許容値以下である場合には、前記第２統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、前記サンプルショット領域に前記インプリント処理を行い、前記第１統計量と前記第２統計量との差分が前記許容値以下でない場合には、前記サンプルショット領域に前記インプリント処理を行わずにエラー処理を行う第４処理と、
を行うことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記エラー処理は、前記基板を前記インプリント装置の外部に搬送する処理及び前記第１統計量と前記第２統計量との差分が前記許容値以下でないことを通知する処理の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
基板の上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板に前記モールドのパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記基板の上の複数のショット領域のそれぞれに形成されたマークを検出する検出部と、
処理部と、を有し、
前記複数のショット領域は、サンプルショット領域を除くショット領域を少なくとも１つ含む複数のグループに分割され、
前記処理部は、
前記検出部によって前記複数のショット領域のうちサンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第１統計量を求める第１処理と、
前記複数のグループのそれぞれについて、前記第１統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、前記複数のグループのそれぞれに含まれる前記サンプルショット領域を除くショット領域に前記インプリント処理を行った後に、前記検出部によって前記サンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第２統計量を求める第２処理と、
前記第１統計量と前記第２統計量との差分が許容値以下であるグループについては、前記第２統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、当該グループに含まれるサンプルショット領域に前記インプリント処理を行い、前記第１統計量と前記第２統計量との差分が前記許容値以下でないグループについては、当該グループに含まれるサンプルショット領域に前記インプリント処理を行わずにエラー処理を行う第３処理と、
を行うことを特徴とするインプリント装置。
【請求項４】
前記エラー処理は、前記第１統計量と前記第２統計量との差分が前記許容値以下でないグループを通知する処理を含むことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記複数のグループの全てが、前記第１統計量と前記第２統計量との差分が前記許容値以下でないグループとなる場合、前記エラー処理は、前記基板を前記インプリント装置の外部に搬送する処理を含むことを特徴とする請求項３又は４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
基板の上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板に前記モールドのパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント方法であって、
前記基板の上の複数のショット領域のうちサンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第１統計量を求める第１ステップと、
前記第１統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、前記複数のショット領域のうち前記サンプルショット領域を除くショット領域に前記インプリント処理を行う第２ステップと、
前記第２ステップの後に、前記サンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第２統計量を求める第３ステップと、
前記第１統計量と前記第２統計量との差分が許容値以下である場合には、前記第２統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、前記サンプルショット領域に前記インプリント処理を行い、前記第１統計量と前記第２統計量との差分が前記許容値以下でない場合には、前記サンプルショット領域に前記インプリント処理を行わずにエラー処理を行う第４ステップと、
を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項７】
基板の上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板に前記モールドのパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント方法であって、
前記基板の上の複数のショット領域は、サンプルショット領域を除くショット領域を少なくとも１つ含む複数のグループに分割され、
前記複数のショット領域のうちサンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第１統計量を求める第１ステップと、
前記複数のグループのそれぞれについて、前記第１統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、前記複数のグループのそれぞれに含まれる前記サンプルショット領域を除くショット領域に前記インプリント処理を行った後に、前記サンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第２統計量を求める第２ステップと、
前記第１統計量と前記第２統計量との差分が許容値以下であるグループについては、前記第２統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、当該グループに含まれるサンプルショット領域に前記インプリント処理を行い、前記第１統計量と前記第２統計量との差分が前記許容値以下でないグループについては、当該グループに含まれるサンプルショット領域に前記インプリント処理を行わずにエラー処理を行う第３ステップと、
を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項８】
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて樹脂のパターンを基板に形成するステップと、
前記ステップで前記パターンが形成された前記基板を加工するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化が進み、半導体デバイスを製造するための技術として、微細なパターンが形成されたモールド（原版）と基板に供給（塗布）された樹脂とを接触させた状態で樹脂を硬化させるインプリント技術が使用されている。
【０００３】
インプリント技術には、幾つかの樹脂硬化法があり、かかる樹脂硬化法の１つとして光硬化法が知られている。光硬化法を適用したインプリント装置では、紫外線硬化型の樹脂に透明なモールドを接触させた状態で紫外線を照射し、樹脂を感光及び硬化させてからモールドを剥離（離型）することで、基板の上に樹脂のパターンを形成する。
【０００４】
このようなインプリント装置では、基板とモールドとのアライメント（位置合わせ）方式として、ダイバイダイアライメント方式が採用されている。ダイバイダイアライメント方式とは、基板の上の複数のショット領域ごとに、かかるショット領域に形成されたマークとモールドに形成されたマークとを光学的に検出して基板とモールドとの位置関係のずれを補正するアライメント方式である。但し、ダイバイダイアライメント方式では、下地層の膜減りなどのプロセス要因によるマークずれがショット領域ごとに検出されるため、基板とモールドとを正しくアライメントすることができないことがある。
【０００５】
一方、レチクル又はマスクのパターンを基板に投影する投影光学系を備えた露光装置のアライメント方式として一般的なグローバルアライメント方式をインプリント装置に適用した技術も提案されている（特許文献１参照）。グローバルアライメント方式とは、代表的な幾つかのショット領域（サンプルショット領域）に形成されたマークの検出結果を統計処理して得られる指標に基づいて（即ち、全てのショット領域に対して同一の指標で）アライメントを行うアライメント方式である。グローバルアライメント方式では、サンプルショット領域を適正に選択することにより、プロセス要因によるマークずれの影響を回避できるため、アライメント精度の安定性を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１０８９７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、グローバルアライメント方式をインプリント装置に適用した場合には、以下の課題を招いてしまう。グローバルアライメント方式では、上述したように、基板の上の樹脂にモールドを接触させる際にはショット領域に形成されたマークを検出せず、統計処理から得られる指標に基づいてアライメントが行われる。但し、インプリント装置では、基板の上の樹脂にモールドを接触させる際の反力に起因してモールドや基板に位置ずれ及び変形が生じることがある。従って、インプリント装置にグローバルアライメント方式を適用してアライメントを行ったとしても、モールドや基板の目標位置に対して位置ずれや変形による誤差成分が含まれてしまうため、基板とモールドとを正しくアライメントすることができないことがある。このように、基板とモールドとを正しくアライメントすることができなかった場合には、生産性の低下を防止するために、かかる基板（即ち、正しくアライメントすることができなかったショット領域）に次のプロセスを行わないようにする必要がある。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、インプリント装置にグローバルアライメント方式を適用した場合において、生産性の低下の防止に有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板の上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板に前記モールドのパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板の上の複数のショット領域のそれぞれに形成されたマークを検出する検出部と、処理部と、を有し、前記処理部は、前記検出部によって前記複数のショット領域のうちサンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第１統計量を求める第１処理と、前記第１統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、前記複数のショット領域のうち前記サンプルショット領域を除くショット領域に前記インプリント処理を行う第２処理と、前記第２処理の後に、前記検出部によって前記サンプルショット領域に形成されたマークを検出し、当該マークの検出結果を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す第２統計量を求める第３処理と、前記第１統計量と前記第２統計量との差分が許容値以下である場合には、前記第２統計量に基づいて前記モールドと前記基板との位置関係を調整しながら、前記サンプルショット領域に前記インプリント処理を行い、前記第１統計量と前記第２統計量との差分が前記許容値以下でない場合には、前記サンプルショット領域に前記インプリント処理を行わずにエラー処理を行う第４処理と、を行うことを特徴とする。
【００１０】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、例えば、インプリント装置にグローバルアライメント方式を適用した場合において、生産性の低下の防止に有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】インプリント装置における基板の上のアライメントマークの検出状態を示す図である。
【図３】図１に示すインプリント装置の第１の実施形態における動作を説明するためのフローチャートである。
【図４】基板の上の複数のショット領域の配列の一例を示す図である。
【図５】図１に示すインプリント装置の第２の実施形態における動作を説明するためのフローチャートである。
【図６】基板の上の複数のショット領域の配列の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１４】
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１の構成を示す図である。インプリント装置１は、モールドのパターンを基板に転写するリソグラフィ装置である。インプリント装置１は、基板の上の樹脂とモールドとを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを剥離することで基板にモールドのパターンを転写するインプリント処理を行う。
【００１５】
インプリント装置１は、図１に示すように、基板ステージ１０２と、干渉計１０８と、インプリント構造体１１６と、第１検出部１２０と、照射部１２２と、樹脂供給部１２６と、第２検出部１２８と、制御部１３０とを有する。
【００１６】
基板ステージ１０２は、シリコンウエハやガラスプレートなどの基板１０４を保持し、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に駆動可能に構成される。基板１０４の上、詳細には、基板１０４の上の複数のショット領域のそれぞれには、アライメントマーク１０６が形成されている。
【００１７】
基板ステージ１０２の位置は、干渉計１０８によって計測される。また、基板ステージ１０２の上には、ステージの基準となる基準部材１１０が配置されている。基準部材１１０には、アライメントマーク１１２が形成されている。
【００１８】
モールド１１４は、基板１０４に転写すべきパターン（回路パターン）が形成された原版であって、インプリント構造体１１６に保持される。モールド１１４には、基板１０４に形成されたアライメントマーク１０６に対応するアライメントマーク１１８が形成されている。また、インプリント構造体１１６は、本実施形態では、モールド１１４だけではなく、第１検出部１２０や照射部１２２なども保持する。
【００１９】
第１検出部１２０は、基板１０４に形成されたアライメントマーク１０６と、モールド１１４に形成されたアライメントマーク１１８とを光学的に検出する。換言すれば、第１検出部１２０は、アライメントマーク１０６（即ち、基板１０４）とアライメントマーク１１８（即ち、モールド１１４）との相対位置関係を検出する。第１検出部１２０は、例えば、アライメントマーク１０６及び１１８からの干渉信号やモアレなどの相乗効果による信号を検出する検出系で構成される。
【００２０】
照射部１２２は、レンズなどの光学系を含み、基板１０４の上に供給（塗布）された樹脂１２４とモールド１１４とが接触した状態において（即ち、モールド１１４を介して）、樹脂１２４に光（本実施形態では、紫外線）を照射する。
【００２１】
樹脂供給部１２６は、樹脂１２４を液滴として吐出する複数のディスペンサを含み、基板１０４の上の各ショット領域に樹脂１２４を供給（塗布）する。具体的には、樹脂供給部１２６を構成するディスペンサから樹脂１２４を吐出しながら基板ステージ１０２を駆動（スキャン駆動やステップ駆動）することで、基板１０４の上に樹脂１２４を塗布する。
【００２２】
第２検出部１２８は、モールド１１４やインプリント構造体１１６から離れた位置に配置され、モールド１１４を介さずに基板１０４の上の複数のショット領域のそれぞれに形成されたアライメントマーク１０６を検出する。第２検出部１２８が基板１０４の上のアライメントマーク１０６を検出する際には、図１に点線で示す位置に基板ステージ１０２を駆動する。第２検出部１２８は、例えば、結像光学系を含み、基板１０４の上のアライメントマーク１０６を画像として検出する検出系で構成される。
【００２３】
制御部１３０は、ＣＰＵやメモリを含み、後述するように、インプリント装置１の各処理（例えば、モールド１１４のパターンを基板１０４に転写するための処理）を行う処理部として機能する（即ち、インプリント装置１を動作させる）。
【００２４】
以下、インプリント装置１の動作について説明する。インプリント装置１は、基板１０４とモールド１１４とのアライメント方式として、グローバルアライメント方式を採用する。但し、インプリント装置１では、基板１０４の上の複数のショット領域のうち一部のショット領域にインプリント処理を行った後にも、インプリント処理を行う前と同様に、基板１０４の上のアライメントマーク１０６の検出を行う。これにより、インプリント処理に起因して基板１０４に位置ずれや変形が生じ、基板１０４とモールド１１４とを正しくアライメントすることができなかった場合を検出することが可能となる。
【００２５】
なお、グローバルアライメント方式を採用する露光装置では、基板を露光装置に搬入する前に、基板の全面にレジスト（感光剤）を塗布するため、レジストが塗布された状態で、基板の上のアライメントマークが検出される。従って、基板を露光した後にアライメントマークを検出（再検出）しても、検出結果に変化は生じにくい。
【００２６】
一方、インプリント装置では、一般的に、基板の上のショット領域にインプリント処理を行う直前に、インプリント処理の対象となるショット領域のみに樹脂を供給する。これは、基板に供給する樹脂として、高い揮発性を有する樹脂が用いられることが多いからである。従って、基板ＳＴの上のアライメントマークＡＭは、インプリント処理前では、図２（ａ）に示すように、樹脂ＲＳが供給されていない状態で検出され、インプリント処理後では、図２（ｂ）に示すように、樹脂ＲＳが供給された状態で検出されることになる。このような場合、例えば、図２（ｂ）に示すように、基板ＳＴの上に供給された樹脂ＲＳの厚さが不均一であると、アライメントマークＡＭで反射される光の光軸ＯＡが傾いてしまうため、インプリント処理の前後で検出結果に変化が生じる可能性がある。
【００２７】
そこで、インプリント装置１では、サンプルショット領域に形成されたアライメントマーク１０６の検出を行った後に、基板１０４の上の複数のショット領域のうちサンプルショット領域を除くショット領域にインプリント処理を行う。次いで、サンプルショット領域に形成されたアライメントマーク１０６の検出（再検出）を行う。この場合、サンプルショット領域には樹脂１２４が供給されていないため、樹脂１２４に起因して検出結果に変化が生じることはない。そして、基板１０４とモールド１１４とを正しくアライメントすることができているかどうかを確認（判定）した後に、基板１０４の上のサンプルショット領域にインプリント処理を行う。
【００２８】
＜第１の実施形態＞
図３は、インプリント装置１の第１の実施形態における動作（即ち、モールド１１４のパターンを基板１０４に転写するための動作）を説明するためのフローチャートである。制御部１３０がインプリント装置１の各部を統括的に制御することで、インプリント装置１は、図３に示すように動作する。
【００２９】
Ｓ３０２では、インプリント装置１に、モールド１１４のパターンを転写すべき基板１０４を搬入し、かかる基板１０４を基板ステージ１０２に保持させる。
【００３０】
Ｓ３０４（第１処理）では、基板ステージ１０２に保持された基板１０４の上の複数のショット領域の配列を表す第１統計量を算出する。具体的には、まず、基板ステージ１０２（基板１０４）を第２検出部１２８の視野内（図１に点線で示す位置）に配置（駆動）する。次いで、干渉計１０８の計測結果に基づいて基板ステージ１０２の位置制御を行いながら、第２検出部１２８によって基板１０４の上の複数のショット領域のうちサンプルショット領域に形成されたアライメントマーク１０６を検出する。なお、図４に示すように、基板１０４の上の複数のショット領域ＳＲのうちアライメントマーク１０６の劣化の少ないショット領域（斜線で示す領域）がサンプルショット領域ＳＳＲとして予め選択されている。次に、第２検出部１２８によるアライメントマーク１０６の検出結果を統計処理して基板１０４の上の複数のショット領域の配列を表す第１統計量、即ち、グローバル補正値を算出する。グローバル補正値は、基板１０４の上の複数のショット領域のそれぞれのシフト成分、倍率成分及び回転成分の少なくとも１つを含み、従来のグローバルアライメント方式と同様に算出することができる。
【００３１】
ここで、グローバル補正値の算出について具体的に説明する。例えば、サンプルショット領域の中心位置の設計位置（Ｘ，Ｙ）とサンプルショット領域の中心位置の検出位置（Ｐｘ，Ｐｙ）とは、以下の式１及び式２の関係にあると近似する。
【００３２】
【数１】
2012227488.tif 000003
【００３３】
【数２】
2012227488.tif 000004
【００３４】
式１及び式２（の係数）から、グローバル補正値として、基板１０４の上の複数のショット領域の配列を表す統計量であるシフト成分（Ｓｘ１，Ｓｙ１）、倍率成分（Ｍｘ１，Ｍｙ１）及び回転成分（Ｒｘ１，Ｒｙ１）を算出する。具体的には、式１及び式２の係数を、サンプルショット領域の中心位置の設計位置（Ｘ，Ｙ）と検出位置（Ｐｘ，Ｐｙ）を用いて公知の最小自乗法で求める。
【００３５】
ここでは、上述したグローバル補正値を算出する場合を例に説明するが、式１及び式２の代わりにＮ次多項式を用いてもよいし、各サンプルショット領域で複数のアライメントマークを検出することで各ショット領域の形状を統計値としてもよい。
【００３６】
Ｓ３０６では、基板１０４の上の対象ショット領域（これからモールド１１４のパターンを転写するショット領域）がサンプルショット領域であるかどうかを判定する。対象ショット領域がサンプルショット領域でない場合には、Ｓ３１４に移行する。また、対象ショット領域がサンプルショット領域である場合には、Ｓ３０８に移行する。
【００３７】
Ｓ３０８では、樹脂供給部１２６によって基板１０４の上の対象ショット領域に樹脂１２４を供給（塗布）する。具体的には、基板１０４の上の対象ショット領域を樹脂供給部１２６の下に配置し、樹脂供給部１２６から樹脂１２４を吐出しながら基板ステージ１０２をスキャン駆動する。
【００３８】
Ｓ３１０（第２処理）では、基板１０４の上の対象ショット領域に対して、モールド１１４のパターンを転写するインプリント処理を行う。具体的には、まず、Ｓ３０４で算出した第１統計量に基づいて基板１０４（の上の対象ショット領域）とモールド１１４との位置関係を調整する（即ち、グローバルアライメントを行う）。次いで、基板１０４の上の対象ショット領域に供給された樹脂１２４とモールド１１４とを接触させる（モールド１１４を押印する）。なお、グローバルアライメントを行う際には、第２検出部１２８とモールド１１４との間の距離（所謂、ベースライン）は、第１検出部１２０及び第２検出部１２８を用いて予め求めておく必要がある。ベースラインは、第１検出部１２０でモールド１１４の上のアライメントマーク１１８及び基準部材１１０の上のアライメントマーク１１２を検出すると共に、第２検出部１２８で基準部材１１０の上のアライメントマーク１１２を検出することで求められる。次に、基板１０４の上の対象ショット領域に供給された樹脂１２４とモールド１１４とを接触させた状態において、照射部１２２によって樹脂１２４に光を照射して樹脂１２４を硬化させる。そして、硬化した樹脂１２４からモールド１１４を剥離することで、基板１０４の上の対象ショット領域にモールド１１４のパターンが転写される。
【００３９】
Ｓ３１２では、基板１０４の上のサンプルショット領域を除く全てのショット領域に対してインプリント処理を行ったかどうかを判定する。基板１０４の上のサンプルショット領域を除く全てのショット領域に対してインプリント処理を行っていない場合には、Ｓ３１４に移行する。一方、基板１０４の上のサンプルショット領域を除く全てのショット領域に対してインプリント処理を行った場合には、Ｓ３１６に移行する。
【００４０】
Ｓ３１４では、基板１０４の上の複数のショット領域から次のショット領域を対象ショット領域として選択し、Ｓ３０６に移行する。このように、基板１０４の上の複数のショット領域の全てのショット領域を対象ショット領域として選択するまでＳ３０６〜Ｓ３１４を繰り返すことで、サンプルショット領域を除く全てのショット領域にインプリント処理が行われることになる。
【００４１】
Ｓ３１６（第３処理）では、基板１０４の上の複数のショット領域の配列を表す第２統計量を算出する。Ｓ３０４と同様に、第２検出部１２８によって基板１０４の上のサンプルショット領域に形成されたアライメントマーク１０６を検出し、かかる検出結果を統計処理することで第２統計量、即ち、グローバル補正値を算出することができる。なお、ここでは、グローバル補正値として、基板１０４の上の複数のショット領域の配列を表す統計量であるシフト成分（Ｓｘ２，Ｓｙ２）、倍率成分（Ｍｘ２，Ｍｙ２）及び回転成分（Ｒｘ２，Ｒｙ２）を算出する。
【００４２】
Ｓ３１８では、Ｓ３０４で算出した第１統計量とＳ３１６で算出した第２統計量との差分が許容値以下であるかどうかを判定する。ここでは、第１統計量と第２統計量との差分（Ｅｓｘ、Ｅｓｙ、Ｅｍｘ、Ｅｍｙ、Ｅｒｘ、Ｅｒｙ）は、以下の式３、式４、式５、式６、式７及び式８で表される。
【００４３】
【数３】
2012227488.tif 000005
【００４４】
【数４】
2012227488.tif 000006
【００４５】
【数５】
2012227488.tif 000007
【００４６】
【数６】
2012227488.tif 000008
【００４７】
【数７】
2012227488.tif 000009
【００４８】
【数８】
2012227488.tif 000010
【００４９】
Ｓ３１８において、第１統計量と第２統計量との差分（本実施形態では、差分Ｅｓｘ、Ｅｓｙ、Ｅｍｘ、Ｅｍｙ、Ｅｒｘ及びＥｒｙの全て）が許容値以下である場合には、Ｓ３２０に移行する。Ｓ３２０では、基板１０４の上のサンプルショット領域から１つのサンプルショット領域を対象ショット領域として選択し、Ｓ３０８と同様に、樹脂供給部１２６によって基板１０４の上の対象ショット領域に樹脂１２４を供給（塗布）する。
【００５０】
Ｓ３２２（第４処理）では、基板１０４の上の対象ショット領域（即ち、サンプルショット領域）に対して、モールド１１４のパターンを転写するインプリント処理を行う。ここでは、Ｓ３１６で算出した第２統計量に基づいて基板１０４（の上の対象ショット領域）とモールド１１４との位置関係を調整しながら、サンプルショット領域にインプリント処理を行う。
【００５１】
Ｓ３２４では、基板１０４の上の全てのサンプルショット領域に対してインプリント処理を行ったかどうかを判定する。基板１０４の上の全てのサンプルショット領域に対してインプリント処理を行っていない場合には、Ｓ３２６に移行する。一方、基板１０４の上の全てのサンプルショット領域に対してインプリント処理を行った場合には、Ｓ３２８に移行する。
【００５２】
Ｓ３２６では、基板１０４の上の次のサンプルショット領域を対象ショット領域として選択し、Ｓ３２０に移行する。このように、基板１０４の上の全てのサンプルショット領域を対象ショット領域として選択するまでＳ３２０〜Ｓ３２６を繰り返すことで、全てのサンプルショット領域にインプリント処理が行われることになる。
【００５３】
Ｓ３２８では、インプリント装置１から、基板１０４の上の全てのショット領域（サンプルショット領域を除くショット領域、及び、サンプルショット領域）にモールド１１４のパターンが転写された基板１０４を搬出して、動作を終了する。
【００５４】
一方、Ｓ３１８において、第１統計量と第２統計量との差分（本実施形態では、差分Ｅｓｘ、Ｅｓｙ、Ｅｍｘ、Ｅｍｙ、Ｅｒｘ及びＥｒｙのうちの少なくとも１つ）が許容値以下でない場合には、Ｓ３３０に移行する。Ｓ３３０（第４処理）では、基板１０４の上のサンプルショット領域にインプリント処理を行わずに、エラー処理を行う。ここで、エラー処理とは、生産性の低下を防止するために、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下でない基板に対して次のプロセスを行わないようにするための処理である。本実施形態では、エラー処理は、基板１０４をインプリント装置１の外部に搬送する処理及び第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下でないことを通知する処理の少なくとも一方を含む。なお、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下でないことを通知する処理としては、例えば、インプリント装置１に備えられた表示部（不図示）にエラーメッセージを表示する処理が考えられる。また、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下でないことを通知する処理として、インプリント装置１を含む半導体デバイスの製造に関わる装置（露光装置や加工装置など）の全体を制御するホストコンピュータにエラーを通知する処理も考えられる。
【００５５】
本実施形態では、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下であれば、サンプルショット領域にインプリント処理を行い、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下でなければ、サンプルショット領域にインプリント処理を行わずにエラー処理を行う。これにより、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下でない場合には、サンプルショット領域へのインプリント処理を含めて次のプロセスを行わないようにすることができるため、生産性の低下を防止することができる。
【００５６】
なお、本実施形態では、Ｓ３１６において、基板１０４の上のサンプルショット領域に形成されたアライメントマーク１０６を、第２検出部１２８を用いて検出しているが、第１検出部１２０を用いて検出してもよい。また、本実施形態では、Ｓ３１８において、第１統計量と第２統計量とを比較しているが、Ｓ３０４におけるアライメントマーク１０６の検出結果（サンプルショット領域の位置）とＳ３１６におけるアライメントマーク１０６の検出結果とを比較してもよい。
【００５７】
＜第２の実施形態＞
図５は、インプリント装置１の第２の実施形態における動作（即ち、モールド１１４のパターンを基板１０４に転写するための動作）を説明するためのフローチャートである。制御部１３０がインプリント装置１の各部を統括的に制御することで、インプリント装置１は、図５に示すように動作する。本実施形態では、基板１０４の上の複数のショット領域は、サンプルショット領域を除くショット領域を少なくとも１つ含む複数のグループに分割され、例えば、図６に示すように、４つのグループＧ１、Ｇ２、Ｇ３及びＧ４に分割されている。そして、インプリント処理やショット領域の配列を表す統計量の算出（サンプルショット領域に形成されたアライメントマークの検出）をグループ単位で行う。これにより、基板１０４とモールド１１４とを正しくアライメントすることができているかどうかをグループ単位で確認（判定）することが可能となる。
【００５８】
Ｓ５０２は第１の実施形態におけるＳ３０２と同じであり、Ｓ５０４（第１処理）は第１の実施形態におけるＳ３０４と同じであるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００５９】
Ｓ５０６では、基板１０４の上のサンプルショット領域を除くショット領域を少なくとも１つ含む複数のグループから、これからモールド１１４のパターンを転写する対象グループを選択する。
【００６０】
Ｓ５０８では、Ｓ５０６で選択したグループにおいて、対象ショット領域（これからモールド１１４のパターンを転写するショット領域）がサンプルショット領域であるかどうかを判定する。対象ショット領域がサンプルショット領域でない場合には、Ｓ５１６に移行する。また、対象ショット領域がサンプルショット領域である場合には、Ｓ５１０に移行する。
【００６１】
Ｓ５１０は第１の実施形態におけるＳ３０８と同じであり、Ｓ５１２（第２処理）は第１の実施形態におけるＳ３１０と同じであるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００６２】
Ｓ５１４では、Ｓ５０６で選択したグループにおいて、サンプルショット領域を除く全てのショット領域に対してインプリント処理を行ったかどうかを判定する。サンプルショット領域を除く全てのショット領域に対してインプリント処理を行っていない場合には、Ｓ５１６に移行する。一方、サンプルショット領域を除く全てのショット領域に対してインプリント処理を行った場合には、Ｓ５１８に移行する。
【００６３】
Ｓ５１６では、Ｓ５０６で選択したグループにおいて、次のショット領域を対象ショット領域として選択し、Ｓ５０８に移行する。このように、１つのグループに含まれる全てのショット領域を対象ショット領域として選択するまでＳ５０８〜Ｓ５１６を繰り返すことで、１つのグループにおいて、サンプルショット領域を除く全てのショット領域にインプリント処理が行われることになる。
【００６４】
Ｓ５１８（第２処理）は第１の実施形態におけるＳ３１６と同じであり、Ｓ５２０は第１の実施形態におけるＳ３１８と同じであるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００６５】
Ｓ５２０において、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下である場合には、Ｓ５２２に移行する。Ｓ５２２では、全てのグループを対象グループとして選択したかどうかを判定する。全てのグループを対象グループとして選択していない場合には、Ｓ５０６に移行して、次のグループを対象グループとして選択する。一方、全てのグループを対象グループとして選択した場合には、Ｓ５２６に移行する。
【００６６】
また、Ｓ５２０において、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下でない場合には、Ｓ５２４に移行する。Ｓ５２４（第３処理）では、エラー処理を行う。ここで、エラー処理とは、生産性の低下を防止するために、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下でないグループに対して次のプロセスを行わないようにするための処理である。本実施形態では、エラー処理は、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下でないグループを通知する処理を含む。なお、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下でないグループを通知する処理としては、例えば、インプリント装置１に備えられた表示部（不図示）にエラーメッセージを表示する処理が考えられる。また、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下でないグループを通知する処理として、インプリント装置１を含む半導体デバイスの製造に関わる装置（露光装置や加工装置など）の全体を制御するホストコンピュータにエラーを通知する処理も考えられる。
【００６７】
Ｓ５２６では、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下であるグループがあるかどうかを判定する。第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下であるグループがない、即ち、全てのグループが第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下でないグループである場合には、Ｓ５２８に移行する。一方、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下であるグループがある場合には、Ｓ５３０に移行する。
【００６８】
Ｓ５２８では、基板１０４の上のサンプルショット領域にインプリント処理を行わずにエラー処理を行って、動作を終了する。ここでは、全てのグループが第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下でないため、全てのグループ（即ち、基板１０４）に対して次のプロセスを行わないようにする必要がある。従って、エラー処理として、例えば、基板１０４をインプリント装置１の外部に搬送する。
【００６９】
Ｓ５３０では、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下であるグループから、これからモールド１１４のパターンを転写する対象グループを選択する。
【００７０】
Ｓ５３２では、Ｓ５３０で選択したグループにおいて、サンプルショット領域から１つのサンプルショット領域を対象ショット領域として選択し、樹脂供給部１２６によって基板１０４の上の対象ショット領域に樹脂１２４を供給する。
【００７１】
Ｓ５３４（第３処理）では、基板１０４の上の対象ショット領域（即ち、サンプルショット領域）に対して、モールド１１４のパターンを転写するインプリント処理を行う。
【００７２】
Ｓ５３６では、Ｓ５３０で選択したグループにおいて、全てのサンプルショット領域に対してインプリント処理を行ったかどうかを判定する。全てのサンプルショット領域に対してインプリント処理を行っていない場合には、Ｓ５３８に移行する。一方、全てのサンプルショット領域に対してインプリント処理を行った場合には、Ｓ５４０に移行する。
【００７３】
Ｓ５３８では、Ｓ５３０で選択したグループにおいて、次のサンプルショット領域を対象ショット領域として選択し、Ｓ５３２に移行する。このように、Ｓ５３０で選択したグループにおいて、全てのサンプルショット領域を対象ショット領域として選択するまでＳ５３２〜Ｓ５３８を繰り返すことで、全てのサンプルショット領域にインプリント処理が行われることになる。
【００７４】
Ｓ５４０では、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下である全てのグループを対象グループとして選択したかどうかを判定する。第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下である全てのグループを対象グループとして選択していない場合には、Ｓ５３０に移行して、次のグループを対象グループとして選択する。一方、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下である全てのグループを対象グループとして選択した場合には、Ｓ５４２に移行する。
【００７５】
Ｓ５４２では、インプリント装置１から、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下であるグループに含まれる全てのショット領域にモールド１１４のパターンが転写された基板１０４を搬出して、動作を終了する。
【００７６】
本実施形態では、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下であるグループに含まれるサンプルショット領域に対しては、インプリント処理を行う。一方、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下でないグループに含まれるサンプル領域に対しては、インプリント処理を行わずに、エラー処理、例えば、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下でないグループを通知する処理を行う。これにより、第１統計量と第２統計量との差分が許容値以下でないグループに含まれるサンプルショット領域へのインプリント処理を含めて次のプロセスを行わないようにすることができるため、グループ単位で生産性の低下を防止することができる。
【００７７】
物品としてのデバイス（半導体デバイス、液晶表示素子等）の製造方法は、インプリント装置１を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）に樹脂のパターンを転写（形成）するステップを含む。かかる製造方法は、パターンが転写された基板をエッチングするステップを更に含む。なお、かかる製造方法は、パターンドットメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンが転写された基板を加工する他の加工ステップを含む。
【００７８】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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