【事件の表示】
　平成　６年特許願第　８３７４５号「半導体装置の熱処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年１０月２０日出願公開、特開平　７−２７３１００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年３月３１日の出願であって、平成１４年７月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１４年８月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、さらに、当審において、平成１６年４月２６日付けで拒絶理由が通知され、同年６月２４日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１６年６月２４日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　加熱体を一定温度に加熱維持する段階と、
　半導体基板の表面が所定の温度に達するまで前記半導体基板を一定温度に加熱維持された前記加熱体に近づける段階と、
　前記半導体基板の表面が前記所定の温度に達した後、前記半導体基板の移動を止めてその熱処理を行う段階と、
　この熱処理が終了してから、前記半導体基板を前記加熱体から遠ざけることにより冷却する段階と、
　前記半導体基板が前記所定の温度に達する直前に少なくとも１度単位面積当り単位時間に前記半導体基板に照射される熱量を減ずることによって、前記所定の温度に近付くに従って生ずる上昇温度速度の低下を防ぐ段階とを備え、
　前記照射される熱量を減ずる段階として、前記半導体基板を前記加熱体から０〜１０秒の間で遠ざけることを特徴とする半導体装置の熱処理方法。」
　
３．当審の拒絶理由
　一方、当審において平成１６年４月２６日付けで通知した拒絶の理由は、本願発明は、本願の出願前に頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、という拒絶理由を含むものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　　　　　　　刊行物：特開平５−２０６０４３号公報
　
４．刊行物の記載事項
　刊行物：特開平５−２０６０４３号公報には、
（ａ）「【請求項１】　一端に出入口を有する筒状の反応管の他端側に加熱源を配置し、被処理体を反応管の出入口から進入させて設定位置において熱処理を行う熱処理方法において、 
　被処理体を設定位置に移動させる際に、当該設定位置よりも加熱源に近い接近位置に一旦移動させ、次いで設定位置まで戻すことを特徴とする熱処理方法。
【請求項２】　一端に出入口を有する筒状の反応管の他端側に加熱源を配置し、被処理体を反応管の出入口から進入させて設定位置において熱処理を行う熱処理方法において、
　被処理体の熱処理中において、設定位置における実際の処理温度が変化した場合には、被処理体の加熱源に対する位置を変化させて設定処理温度に一致させることを特徴とする熱処理方法。」 
（ｂ）「【０００２】　【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハの酸化拡散処理、ＣＶＤ処理等が行われる。特に、最近においては、０．４μｍから０．２μｍへと半導体デバイスのデザインルールの微細化が進み、また、半導体ウエハについても８インチから１２インチへと大径化が進み、このような大面積の極薄膜形成技術に対応すべく急速熱処理装置の開発が緊急の課題となっている。
【０００３】具体的に説明すると、半導体ウエハのプロセス処理では、サーマルバジェット（熱履歴）を小さくすることが必須の条件であり、例えば５０〜１００Åのドーピング処理、ゲート酸化膜やキャパシター絶縁膜の極薄膜形成においては、急速熱処理すなわち短時間で熱処理を行うことが不可欠である。また、例えばＰＮ接合を０．１μｍ以下と浅くして、低抵抗化を図り、任意形状表面への接合形成を可能にするためには、接合時の膜劣化や結晶欠陥の発生を防止する必要があるが、ＰＮ接合の活性領域が狭いために急速熱処理を行うことが必要である。
（ｃ）「【０００６】　【発明が解決しようとする課題】・・・・
【０００７】このような事情から、本発明者は、一端に出入口を有する筒状の反応管の他端側に加熱源を配置し、被処理体を反応管の出入口から進入させて設定位置において熱処理を行うことにより、半導体ウエハの面内温度の均一化を図る技術について鋭意研究を重ねてきたところ、この熱処理方法においても、半導体ウエハを反応管の出入口から設定位置にそのまま到達させただけでは、半導体ウエハの温度が設定処理温度になかなか達せず、設定処理温度で安定するまでに時間を要することが判明した。また、被処理体の熱処理中において設定位置における被処理体の実際の温度が設定処理温度からずれた場合には、加熱源による温度制御では、迅速に設定処理温度に戻すことが困難であることが判明した。」
（ｄ）「【００１０】　【作用】一端に出入口を有する筒状の反応管の他端側に加熱源を配置した構造では、反応管の内部において、加熱源からの距離に応じた温度勾配が形成される。従って、被処理体を反応管の出入口から進入させると進入距離に応じて、すなわち加熱源に接近するに従って徐々に温度が上昇することになる。しかるに、本発明では、被処理体を設定位置に移動させる際に、当該設定位置よりも加熱源に近い接近位置まで一旦移動させるので、被処理体の温度が設定処理温度に近い温度に迅速に到達する。次いで、被処理体を設定位置まで戻すと設定位置に対応する設定処理温度で直ちに安定するようになる。このように本発明は、被処理体を設定位置に到達させる際に、被処理体を加熱源に過剰に接近させて過剰の熱エネルギーを受けるようにすることにより、当該被処理体の温度を迅速に設定処理温度にまで到達させることができるようにしたものである。また、被処理体の熱処理中において、被処理体の温度が設定処理温度からずれた場合には、被処理体の加熱源に対する位置を変化させるので、加熱源からの距離に応じた温度制御が可能となり、加熱源自体を温度制御するよりも迅速に設定処理温度に戻すことができる。」 
（ｅ）「【００１１】　【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。なお、以下の実施例は被処理体として半導体ウエハを使用した例であるが、本発明では、半導体ウエハに限定されることはなく、例えばＬＣＤ等のようにその他の被処理体を用いることもできる。
【００１２】〔実施例１〕本実施例では、半導体ウエハの酸化拡散処理を行う場合について説明する。本実施例においては、図１、図２、図３に示すように、一端に出入口１１を有する筒状の反応管１の他端側に加熱源３を配置し、半導体ウエハＷを反応管１の出入口１１から進入させて設定位置Ｌ１において熱処理を行う熱処理方法において、反応管１の下方に位置された半導体ウエハＷを設定位置Ｌ１に上昇移動させる際に、図２に示すように、当該設定位置Ｌ１よりも加熱源３に近い接近位置Ｌ２に一旦上昇移動させ、次いで、図３に示すように、下降移動させて設定位置Ｌ１まで戻す。
【００１３】設定位置Ｌ１は、設定処理温度に対応する位置であり、接近位置Ｌ２は、この設定処理温度よりも高い温度に対応する位置である。設定位置Ｌ１と接近位置Ｌ２との間の距離は、例えば１０〜２０ｍｍ程度である。接近位置Ｌ２で静止させる時間は、例えば１〜３秒程度である。・・・」 
（ｆ）「【００１５】加熱源３は、反応管１の上端側において、当該反応管１内の設定位置Ｌ１に位置された半導体ウエハＷの処理面に対向するよう断熱材４の上部内壁に固定配置されている。・・・」
（ｇ）「【００１９】移動手段６は、半導体ウエハＷの熱処理を行うときは半導体ウエハＷを保持したウエハ保持具２を反応管１内に上昇させ、熱処理が終了したらウエハ保持具２を反応管１外に下降させるものである。熱処理を行うために半導体ウエハＷを加熱するときには、半導体ウエハＷの内部温度の上昇速度がその表面温度の上昇速度に比較して遅いので、図１のようにウエハ保持具２に保持された半導体ウエハＷを、図２のように移動手段６により反応管１の設定位置Ｌ１を越えた接近位置Ｌ２にまで急速に上昇させる。次いで、図３のように移動手段６により半導体ウエハＷが設定位置Ｌ１にまで戻される。熱処理後は、移動手段６によりウエハ保持具２に保持された半導体ウエハＷが反応管１の外部に急速に下降させられる。ウエハ保持具２の移動距離は例えば３００〜６００ｍｍ程度であり、移動速度は５０ｍｍ／ｓｅｃ以上の急速とするのが好ましい。半導体ウエハＷの移動速度は、一定でもよいが、図４に示すように、最初は２５０ｍｍ／ｓｅｃ程度の高速とし、徐々に減速するのが好ましい。」
（ｈ）「【００２２】反応管１には、ガス導入管７１およびガス排出管７２が接続され、これらによりプロセスガスの導入および排気が行われる。酸化拡散処理時は、ガス導入管７１から反応管１内にプロセスガスを導入し、加熱源３による輻射熱によって、反応管１の設定位置Ｌ１における温度を酸化拡散処理に必要な設定処理温度、例えば９５０〜１２００℃となるように制御する。半導体ウエハＷの昇降時は、加熱源３による輻射熱によって、反応管１の出入口側部分の温度を２００〜３００℃となるように制御する。」
（ｉ）「【００２４】本実施例の熱処理方法によれば、半導体ウエハＷを設定位置Ｌ１に移動させる際に、当該設定位置Ｌ１よりも加熱源３に近い接近位置Ｌ２まで一旦移動させるので、半導体ウエハＷの温度は設定処理温度に近い温度に迅速に到達し、次いで、半導体ウエハＷを設定位置Ｌ１まで戻すので、半導体ウエハＷの温度を迅速に設定位置Ｌ１に対応する設定処理温度で安定化することができる。」
　と記載されており、さらに、
（ｊ）図１〜図３として、実施例１に係る熱処理方法の説明図が図示され、図４には、実施例１に係る熱処理方法において、半導体ウエハの移動速度と到達温度との関係がグラフとして示されている。 
 　 
５．対比・判断 
　摘記事項（ａ）、（ｅ）〜（ｊ）を総合すると、刊行物には、「下端に出入口を有する筒状の反応管の上端側に加熱源を配置し、半導体ウエハＷを反応管の出入口から進入させて設定位置において熱処理を行う熱処理方法において、反応管下端の出入口から被処理体としての半導体ウエハを進入させ、設定処理温度である９５０〜１２００℃に対応する設定位置よりも加熱源に近く、該設定処理温度よりも高い温度に対応する接近位置まで一旦上昇移動させ、１〜３秒程度静止させ、半導体ウエハを加熱源に過剰に接近させて過剰の熱エネルギーを受けるようにすることにより、半導体ウエハの温度が設定処理温度に近い温度に迅速に到達させ、次いで、半導体ウエハを下降移動させて、接近位置から１０〜２０ｍｍ程度の距離にある設定位置まで戻し、半導体ウエハの温度を設定位置に対応する設定処理温度で安定化させ、当該設定処理温度において熱処理を行い、熱処理後は、半導体ウエハを反応管の外部に急速に下降させる半導体ウエハの熱処理方法。」（以下、「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
　そこで、本願発明と引用発明とを対比検討する。
　引用発明における「加熱源」、「設定処理温度」は、それぞれ、本願発明における「加熱体」「所定の温度」に相当し、引用発明の「半導体ウエハ」は本願発明の「半導体基板」あるいは「半導体装置」に相当するものである。
　また、引用発明における加熱源についてみると、摘記事項（ｄ）に示されるとおり、引用発明では、反応管の内部は、加熱源からの距離に応じた温度勾配が形成され、この温度勾配を基にして設定位置等が設定されていること、及び熱処理中の温度制御は、加熱源自体の温度制御ではなく、加熱源からの距離に応じた温度制御を行うものであることから、当該引用発明における加熱源は、一定温度に加熱維持されているものを前提としていると解するのが相当である。
　さらに、引用発明において、半導体ウエハを反応管の出入口から設定位置まで移動させること、設定位置において設定処理温度で熱処理を行うこと、及び熱処理後に半導体ウエハを反応管の外部に急速に下降させることは、それぞれ、本願発明における「半導体基板の表面が所定の温度に達するまで前記半導体基板を加熱体に近づける段階」、「前記半導体の表面が前記所定の温度に達した後、前記半導体基板の移動を止めてその熱処理を行う段階」、及び「この熱処理が終了してから、前記半導体基板を前記加熱体から遠ざけることにより冷却する段階」に相対応するものである。
　そして、引用発明において接近位置から設定位置まで戻すことは、半導体ウエハの温度が設定処理温度において安定化する直前に行われるものであるとともに、半導体ウエハに照射される熱量を減ずるという作用を伴うものであるから、本願発明における「前記半導体基板が前記所定の温度に達する直前に少なくとも１度単位面積当り単位時間に前記半導体基板に照射される熱量を減ずる」段階であり、かつ「前記照射される熱量を減ずる段階として、前記半導体基板を前記加熱体から遠ざけること」を意味するものといえる。
　してみると、両者は、
「加熱体を一定温度に加熱維持する段階と、
　半導体基板の表面が所定の温度に達するまで前記半導体基板を一定温度に加熱維持された前記加熱体に近づける段階と、
　前記半導体基板の表面が前記所定の温度に達した後、前記半導体基板の移動を止めてその熱処理を行う段階と、
　この熱処理が終了してから、前記半導体基板を前記加熱体から遠ざけることにより冷却する段階と、
　前記半導体基板が前記所定の温度に達する直前に少なくとも１度単位面積当り単位時間に前記半導体基板に照射される熱量を減ずる段階とを備え、
　前記照射される熱量を減ずる段階として、前記半導体基板を加熱体から遠ざけることを特徴とする半導体装置の熱処理方法。」
　という点で一致し、以下の点で相違している。
　
相違点１：本願発明は、所定の温度に近付くに従って生ずる上昇温度速度の低下を防ぐことを明示しているのに対して、引用発明は、これを明示していない点。
相違点２：本願発明は、照射される熱量を減ずる段階として、半導体基板を加熱体から０〜１０秒の間で遠ざけているのに対して、引用発明は、半導体基板を加熱体から遠ざける際の時間については規定していない点。
　
　上記相違点について以下検討する。
相違点１について：
　引用発明は、半導体ウエハを反応管の出入口から設定位置にそのまま到達させただけでは、半導体ウエハの温度が設定処理温度になかなか達せず、設定処理温度で安定するまでに時間を要するという課題を解決しようとするものであるが（摘記事項（ｃ）参照）、当該課題は、半導体ウエハの温度が設定処理温度に達し安定化するまでに、上昇温度速度の低下がみられることを教示するものであり、本願明細書の段落【０００５】において「半導体基板が受ける熱輻射量が一定の場合には避けられない」としている同明細書の図１２に示されるような現象を示唆すると考えるのが妥当であるから、上記課題を解決するための工程として引用発明が具備する、接近位置まで一旦上昇移動させ、当該接近位置から設定位置まで戻すことは、少なからず本件発明における「所定の温度に近付くに従って生ずる上昇温度速度の低下を防ぐ」作用と同等の機能を奏するものと解される。さらに、本願発明における「前記所定の温度に近付くに従って生ずる上昇温度速度の低下を防ぐ」という事項は、「前記半導体基板が前記所定の温度に達する直前に少なくとも１度単位面積当り単位時間に前記半導体基板に照射される熱量を減ずること」により得られる作用効果を示したものであり、熱処理方法における特別な工程を表したものではないことを考え合わせると、本願発明における当該相違点に係る事項に格別の創意を見い出すことはできない。
　
相違点２について：
　摘記事項（ｇ）によると、引用発明においては、ウエハ保持具の移動距離は３００〜６００ｍｍ程度であり、その移動速度は、５０ｍｍ／ｓｅｃ以上の急速で、かつ一定速度であるものも想定しているわけであるから、反応管の出入口から接近位置までの上昇移動に要する時間はたかだか６〜１２秒程度であるといえる。一方、接近位置と設定位置の間の距離は１０〜２０ｍｍ程度であり、この間の移動に要する時間は、前記出入口から接近位置までの上昇移動に要する時間に比して、かなり短い時間であると推認するのが自然である。加えて、引用発明においても、サーマルバジェット（熱履歴）を小さくし、急速熱処理すなわち短時間で熱処理を行うことを課題としている点を踏まえると（摘記事項（ｂ）参照）、接近位置から設定位置まで戻すことも、できる限り短時間で行う必要があることは明らかである。
　してみると、引用発明において、接近位置から設定位置まで戻すことを、０〜１０秒という短時間で行うことは、当業者が当然考慮すべきことの帰結にすぎないから、本願発明における当該相違点に係る事項についても当業者が容易に想到し得るものである。
　
　そして、本願発明が、上記相違点１、２に係る事項を具備することにより得られる、「半導体基板を熱処理するに際し、基板温度が目的とする熱処理温度に達する前に半導体基板に到達する熱輻射量を減少させることで昇温速度の低下を防ぐことができ、その結果、半導体基板の拡散領域や薄膜の特性劣化を減少させる。」といった明細書記載の作用効果も、上記刊行物の記載から当業者が容易に予測し得る程度のものである。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。