【手続補正書】
【提出日】平成22年9月24日(2010.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ダイに形成されるＭＯＳＦＥＴであって、
ダイの表面から延在するゲートトレンチを含み、ゲートトレンチはゲート電極を含み、ゲート電極は第１の誘電体層によってダイから分離され、第１の誘電体層はゲートトレンチの底に第１の部分を含み、ゲートトレンチの側壁に第２の部分を含み、第１の部分は第２の部分より厚く、さらに
ダイの表面から延在する窪んだフィールドプレート（ＲＦＰ）トレンチを含み、ＲＦＰトレンチはＲＦＰ電極を包含し、ＲＦＰ電極は第２の誘電体層によってダイから分離され、ＲＦＰ電極の底はゲート電極の底よりもより深いレベルでダイの表面の下に位置し、ＲＦＰ電極はゲート電極から電気的に分離され、さらに
ゲートトレンチとＲＦＰトレンチとの間のダイのメサと、
メサにおけるダイの表面に隣接した第１の導電型のソース領域とを含み、ソース領域はＲＦＰトレンチの側壁とゲートトレンチの側壁と間のメサにわたって延在し、さらに
メサにおいて第１の導電型とは反対の第２の導電型のボディ領域を含み、ボディ領域はソース領域に隣接してＲＦＰトレンチの側壁とゲートトレンチの側壁との間のメサにわたって延在し、さらに
ボディ領域に隣接した第１の導電型のドレイン−ドリフト領域を含み、
ボディ領域はＲＦＰトレンチの側壁に隣接するボディコンタクト領域を含み、ボディコンタクト領域は第２の導電型のドーパントでドープされており、ボディ領域の残りの部分のドーピング濃度よりもドーピング濃度が高く、ＭＯＳＦＥＴはさらにソースコンタクト層を含み、ソースコンタクト層は導電材料を含み、ＲＦＰ電極の上面はダイの表面よりも下のレベルまで窪み、その結果ソースコンタクト層はソース領域およびボディコンタクト領域に接しており、
ボディコンタクト領域はボディ領域の残りの部分の底よりもより深いレベルまでダイの表面の下に延在する、ＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２】
ソースコンタクト層はタングステンプラグを含み、タングステンプラグはボディコンタクト領域に接している、請求項１に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項３】
ＲＦＰトレンチの深さはゲートトレンチの深さに実質的に等しい、請求項１に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項４】
ダイの表面から延在する第２のＲＦＰトレンチを含み、第２のＲＦＰトレンチは第２のＲＦＰ電極を包含し、第２のＲＦＰ電極は第３の誘電体層によってダイから分離され、第２のＲＦＰ電極の底はゲート電極の底よりもより深いレベルでダイの表面の下に位置し、
ゲートトレンチと第２のＲＦＰトレンチとの間のダイの第２のメサと、
第２のメサにおけるダイの表面に隣接した第１の導電型の第２のソース領域とを含み、第２のソース領域は第２のＲＦＰトレンチの側壁とゲートトレンチの第２の側壁と間の第２のメサにわたって延在し、さらに
メサにおいて第２の導電型の第２のボディ領域を含み、第２のボディ領域は第２のソース領域に隣接してＲＦＰトレンチの側壁とゲートトレンチの第２の側壁との間の第２のメサにわたって延在する、請求項１に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項５】
ＲＦＰトレンチおよび第２のＲＦＰトレンチの各々の深さはゲートトレンチの深さに実質的に等しい、請求項４に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項６】
半導体ダイに形成されるＭＯＳＦＥＴであって、
ダイの表面から延在するゲートトレンチを含み、ゲートトレンチはゲート電極を含み、ゲート電極は第１の誘電体層によってダイから分離され、第１の誘電体層はゲートトレンチの底に第１の部分を含み、ゲートトレンチの側壁に第２の部分を含み、第１の部分は第２の部分より厚く、さらに
ダイの表面から延在する第１の窪んだフィールドプレート（ＲＦＰ）トレンチを含み、第１のＲＦＰトレンチは第１のＲＦＰ電極を包含し、第１のＲＦＰ電極は第２の誘電体層によってダイから分離され、さらに
ダイの表面から延在する第２のＲＦＰトレンチを含み、第２のＲＦＰトレンチは第２のＲＦＰ電極を包含し、第２のＲＦＰ電極は第３の誘電体層によってダイから分離され、ゲートトレンチは第１および第２のＲＦＰトレンチの間に位置し、さらに
ゲートトレンチと第１のＲＦＰトレンチとの間のダイのメサと、
メサにおけるダイの表面およびゲートトレンチの側壁に隣接した第１の導電型のソース領域と、
ゲートトレンチの側壁およびソース領域に隣接した第１の導電型とは反対の第２の導電型のボディ領域と、
ボディ領域に隣接した第１の導電型のドレイン−ドリフト領域とを含み、
第１および第２のＲＦＰ電極のそれぞれの底はゲート電極の底よりもより深いレベルでダイの表面の下に位置し、第１および第２のＲＦＰトレンチの各々の深さはゲートトレンチの深さの５０％より多く８０％未満の範囲である、ＭＯＳＦＥＴ。
【請求項７】
ＭＯＳＦＥＴを製造する方法であって、
半導体ダイを与えるステップと、
ゲートトレンチおよび窪んだフィールドプレート（ＲＦＰ）トレンチを形成するためにダイをエッチングするステップとを含み、ゲートトレンチおよびＲＦＰトレンチはダイの表面から延在して実質的に等しい深さであり、さらに
ゲートトレンチの底に絶縁層を形成するステップと、
絶縁層の上のゲートトレンチの側壁にゲート誘電体層を形成するステップと、
ＲＦＰトレンチの壁に沿って第２の誘電体層を形成するステップと、
ゲート電極を形成するためにゲートトレンチに導電材料を導入するステップと、
ＲＦＰ電極を形成するためにＲＦＰトレンチに導電材料を導入するステップと、
ボディ領域を形成するためにゲートトレンチの側壁に隣接するメサにおいて第１の導電型のドーパントを注入するステップと、
ソース領域を形成するためにダイの表面に隣接するメサにおいて第１の導電型とは反対の第２の導電型のドーパントを注入するステップと、
ソース領域に接するダイの表面にソースコンタクト層を堆積させるステップとを含み、ソースコンタクト層は導電材料を含む、方法。
【請求項８】
ソースコンタクト層がゲート電極に接しないようにゲート電極の上に第３の誘電体層を形成するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ソースコンタクト層を堆積させるステップはソースコンタクト層がＲＦＰ電極に接することを引起す、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ボディ領域およびＲＦＰトレンチの側壁に隣接するボディコンタクト領域を形成するために第１の導電型のドーパントを注入するステップを含み、方法はさらに、ソースコンタクト層を堆積させるステップが、ソースコンタクト層がボディコンタクト領域に接することを引起すように、ＲＦＰ電極をＲＦＰトレンチにエッチングするステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ダイの表面にマスク層を形成するステップと、
３つの開口部を形成するためにマスク層をパターニングするステップとを含み、第１の開口部はＲＦＰトレンチが形成されるべき場所に位置し、第２の開口部はゲートトレンチが位置するべき場所に位置し、第３の開口部は第２のＲＦＰトレンチが位置するべき場所に位置し、第２の開口部は第１および第３の開口部の間に位置してこれらから等距離であり、さらに
ダイをエッチングするステップは、ＲＦＰトレンチ、ゲートトレンチおよび第２のＲＦＰトレンチを形成するために、それぞれ第１、第２および第３の開口部を通ってダイをエッチングするステップを含み、ゲートトレンチはＲＦＰおよび第２のＲＦＰトレンチの間に位置してこれらから等距離である、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
ダイをエッチングするステップは、ゲートトレンチおよびＲＦＰトレンチのそれぞれの深さが＋／−１０％以内の許容誤差を有するようにする、請求項１１に記載の方法。