【事件の表示】
　平成１１年特許願第１０１２３７号「超高真空装置の脱ガス方法およびそれを用いた超高真空装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１０月２０日出願公開、特開２０００−２９４５０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　本願は、平成１１年４月８日の出願であって、平成１５年７月１８日付けで拒絶理由が通知され、平成１５年９月２５日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成１５年１０月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１５年１１月２０日に審判請求がなされるとともに、平成１５年１２月５日付け手続補正書で明細書が補正され、平成１６年３月８日付けで前置報告がなされ、平成１８年２月２４日付けで審尋がなされ、これに対して平成１８年４月２６日付けで回答書が提出されたものである。
　　
II．補正について
　平成１５年１２月５日付け手続補正書による補正について、以下のとおり検討する。
(II-1)補正の内容
　本補正は、明細書の特許請求の範囲の請求項３及び８を、次のとおりに補正する内容を含む補正である。（以下、補正後の請求項３、８に記載された事項により特定される発明を「補正発明３」、「補正発明８」という。）
「【請求項３】内部が真空状態になるように排気が行われる密閉容器と、
上記密閉容器内の基板マニピュレータおよび基板ホルダを取り囲むように上記密閉容器内に設けられ、上記基板マニピュレータおよび上記基板ホルダを加熱する内部加熱手段とを備えたことを特徴とする超高真空装置。」
「【請求項８】請求項３に記載の超高真空装置において、
上記内部加熱手段は、結晶材料が充填されていない分子線セルの加熱部であることを特徴とする超高真空装置。」
　　
(II-2)補正についての検討
　上記補正後の請求項８は、請求項３を引用して記載したものであって、これより補正発明８は、以下のとおりに書き直すことができる。
「内部が真空状態になるように排気が行われる密閉容器と、
上記密閉容器内の基板マニピュレータおよび基板ホルダを取り囲むように上記密閉容器内に設けられ、上記基板マニピュレータおよび上記基板ホルダを加熱する内部加熱手段とを備えたことを特徴とする超高真空装置において、
上記内部加熱手段は、結晶材料が充填されていない分子線セルの加熱部であることを特徴とする超高真空装置。」
　この補正発明８について検討すると、出願当初の明細書には、
「第１実施形態」について、「上記第１実施形態では、基板マニピュレータ４の水平方向両側に加熱部６,７を配置したが、図４(ａ)に示すように、基板マニピュレータ４を取り囲む環状の加熱体４６を配置してもよいし、図４(ｂ)に示すように、基板マニピュレータ４の外周に沿って４つの加熱体４７,４７,４７,４７を等間隔に配置してもよい。
　また、上記第１実施形態では、内部加熱手段としての加熱部６,７にセラミックヒータ１１,２１を用いたが、内部加熱手段はこれに限らず、電球式の加熱体(ハロゲンランプ)を用いてもよい。」（段落【0032】〜【0033】）と、内部加熱手段について記載され、また、
「第４実施形態」について、「成長室１内の基板マニピュレータ４,基板ホルダ５を充分に加熱するために、上記分子線セル３のるつぼに結晶材料を充填せずに、分子線セル３が有する加熱部を内部加熱手段として用いる。」（段落【0048】）と、分子線セルを用いた場合について記載されている。
　しかし、出願当初の明細書及び図面を見ても、内部加熱手段が「基板マニピュレータおよび基板ホルダを取り囲むように」設けられた場合において、当該内部加熱手段を「分子線セルの加熱部」とすることの記載は見当たらない。
　そして、分子線セルは、超高真空中で、基板ホルダに向けて結晶材料の分子線を発射し、基板ホルダに保持された基板の結晶成長面に結晶を成長させる（段落【0002】〜【0003】参照。）装置である点からすると、分子線セルは、基板の結晶成長面側に配置される装置であり、したがって、通常は、基板の裏面側や側面側等にも配置されて、基板マニピュレータや基板ホルダを取り囲むように配置される装置とはいえない。したがって、内部加熱手段を分子線セルとした場合には、これを「基板マニピュレータおよび基板ホルダを取り囲むように」設けることが、本願明細書及び図面の記載からみて、自明の事項とすることはできない。
　以上のとおりであるから、本補正は、出願当初の明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした補正ということはできない。
　　
(II-3)補正についての結論
　以上のとおりであるから、本補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下する。
　　
III．本願発明
　平成１５年１２月５日付け手続補正書による補正は、上記「II．補正について」の欄に記載のとおり却下されたので、本願の各請求項に係る発明は、上記補正前の、平成１５年９月２５日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項３については、以下のとおりのものである。
「【請求項３】内部が真空状態になるように排気が行われる密閉容器と、
上記密閉容器内に設けられ、上記密閉容器内の基板マニピュレータおよび基板ホルダを加熱する内部加熱手段とを備えたことを特徴とする超高真空装置。」（以下、「本願発明３」という。）
　　
IV．原査定の引用文献
　原査定における引用文献のうち、本願出願前に頒布された刊行物である引用文献１及び２、並びにその記載事実は次のとおりである。
（１）引用文献１（特開平７−６６１２４号公報）
(1-1)「分子線エピタキシャル装置は、通常、分子線セル３への原料４の供給または装置の補修などのために装置を大気に開放する。装置を短時間でも大気に開放すると、真空密封容器１の内側面，シャッター板５および低温トラップ６の表面などに水分や酸素，窒素などの吸着が起き、真空ポンプにより排気しても高真空度に達するのに極めて長い時間を要する。ガスの脱離を容易にするためには、通常は約２００℃程度のベーキングを行い、短時間で高真空度に達するようにする。」（段落【0004】）
(1-2)「図３は、真空密封容器１の全体をベーキングするためのベーキングパネル１１をかぶせた様子を示しており、電熱ヒータ１２で加熱している。通常、高品質な結晶薄膜を成長させるためには、装置を約２００℃で約１００時間程度のベーキングを行う。」（段落【0005】）
　　
（２）引用文献２（特開昭５５−１５１３２８号公報）
(2-1)「１．プラズマ中での含水素非晶質半導体膜の製造方法において、該プラズマの発生装置内の所定の個所に設けた熱線発生装置によって予じめ該装置内所定の個所を照射させてなる工程を設けたことを特徴とする含水素非晶質半導体膜の製造方法。」（特許請求の範囲１）
(2-2)「２．プラズマ発生装置内部の所定の個所に可動部を有する熱線発生装置を設けることを特徴とする半導体膜を製造する製造装置。」（特許請求の範囲２）
(2-3)「従来真空蒸着装置などの吸着ガスの除去のために、装置の外部にヒータを設けて装置内を一様に加熱させて脱ガスする方法が取られている」（第２頁左上欄第４〜７行）、及び、上記脱ガス方法について、
「この方法では装置の内部に水冷しなければならない個所、たとえば電子ビーム蒸着ではルツボ、スパッタ装置ではターゲット部分および基板ホルダー（水冷しないとプラズマにより基板が加熱される）なども同時に加熱してしまい、適正に加熱することが難しく脱ガスはどうしても不十分となるという欠点がある。」（第２頁左上欄第７〜１３行）
(2-4)「本発明の構成は、赤外線ランプなどの熱線部分が露呈されていない熱線発生装置をプラズマ発生室内部に設けて、該赤外線ランプの照射角度を可変にして所定の個所を照射させる工程を設けたことにある。本発明は上記構成によるので赤外線ランプはガスが豊富に吸着している所定の各部品に適正な温度で加熱できる。従って吸着ガスが上記各部品から離脱し、離脱した吸着ガスは真空ポンプで引かれて脱ガス状態になる。」（第２頁左上欄第１６行〜右上欄第５行）
(2-5)「第１図は本発明の思想を説明するための装置の概略構成図である。
・・上記容器の内部にあって所定の位置に設置された熱線発生装置１０５とから構成され、上記熱線発生装置は、プラズマ発生前に予じめ、上記容器１０１の内壁、アノード、カソード、試料保持台などを中心として、前記各部品が所定の温度になるまで熱線の照射が行なわれる。
　前記各部品は、熱線によりエネルギーを受けるので吸着ガスとの結合が解け、吸着ガスは上記容器内空間に放出され、同時に排気装置・・・により排気され、上記容器内はクリーンな状態に保たれる。」（第２頁右上欄第９行〜左下欄第３行）
(2-6)「実施例１　まずスパッタリングによるａ−Ｓｉ：Ｈ膜の作成について説明する。
　上記第２図に示すように・・基板８を配置させ、１×１０−６torrまで排気する。ついで赤外線ランプ５を上下左右に回転させながら、プラズマ発生室内の内壁、基板ホルダー・・・、ターゲット７の各部分を２００〜２５０℃くらいまで加熱して吸着ガスの脱ガスを行なう。通常、水蒸気（水分）、酸素、窒素、一酸化炭素、二酸化炭素などの吸着ガスは上記温度範囲、及び真空雰囲気中で完全に脱ガスされる。」（第２頁左下欄第１８行〜右下欄第９行）
(2-7)「ベルジャー内を１×１０−６Torr程度に排気し、次いで、赤外線ランプ５を回転させながら上記ベルジャー内壁、基板ホルダー４、ターゲット７を中心としたベルジャー内各部分を２００〜２５０℃くらいまで加熱して吸着ガスの脱ガスを行なう。」（第３頁右下欄第８〜１３行）
　　
Ｖ．対比・判断
（ｉ）本願発明３について
　引用文献２には、プラズマ発生装置内部の所定の個所に可動部を有する熱線発生装置を設けた半導体膜を製造する製造装置（摘記2-2）が記載され、併せて、電子ビーム蒸着に用いる真空蒸着装置では装置内を一様に加熱させて脱ガスする方法が取られていたこと（摘記2-3）、１×１０−６torrまで排気すること（摘記2-6、2-7）が記載されており、これらプラズマ発生装置及び電子ビーム真空蒸着装置は、「内部が真空状態になるように排気が行われる密閉容器」を備えた「高真空装置」であると言える。
　引用文献２には、プラズマ発生室内部に設けた、赤外線ランプなどの熱線部分が露呈されていない熱線発生装置（摘記2-4〜2-7）が記載されており、この熱線発生装置は、容器の内部に設けてあるので（摘記2-1、2-2、2-4、2-5）「密閉容器内に設けられ」ているといえる。
　引用文献２には、ベルジャー内壁、基板ホルダー、ターゲットを中心としたベルジャー内各部分を加熱すること（摘記2-7）が記載されており、したがって、引用例２には、基板ホルダを加熱することが記載されており、また、その基板ホルダは、密閉容器内にあるといえる。
　以上のことから、引用文献２には、
「内部が真空状態になるように排気が行われる密閉容器と、
上記密閉容器内に設けられ、上記密閉容器内の基板ホルダを加熱する熱線発生装置とを備えたことを特徴とする高真空装置」
が記載されているといえる。（以下、これを「引用発明」という。）
　　
　本願発明３と、引用発明とを対比すると、引用発明における、密閉容器内に設けられた「熱線発生装置」は、本願発明３における「内部加熱手段」に相当すると言える。
　してみれば、両者は、
「内部が真空状態になるように排気が行われる密閉容器と、
上記密閉容器内に設けられ、上記密閉容器内の基板ホルダを加熱する内部加熱手段とを備えたことを特徴とする高真空装置」
の点で一致し、そして、
（イ）本願発明３では、基板ホルダとともに「基板マニピュレータ」をも加熱するものであるのに対して、引用発明では、基板マニピュレータについて言及していない点、及び、
（ロ）本願発明３では、『「超」高真空装置』と、高真空装置の真空度につき「超」を付して特定しているのに対して、引用発明では、そのような真空度の特定をしていない点、
で相違する。
　　
　そこで、上記相違点（イ）及び（ロ）について、以下検討する。
相違点（ロ）について
　本願発明３における『「超」高真空』の意味は、その具体的な真空度、圧力範囲等の特定が無く、明確とは言えない。しかし、これについて検討すると、引用文献２には、「水蒸気（水分）、酸素、窒素、一酸化炭素、二酸化炭素などの吸着ガスは上記温度範囲、及び真空雰囲気中で完全に脱ガスされる」（摘記2-6）と記載されて、真空雰囲気により脱ガスを行なうことが説明されている。一方、引用文献１には、本願明細書中で超高真空装置として具体的に挙げられたＭＢＥ（分子線エピタキシ）装置と同じく、分子線エピタキシャル装置について、水分や酸素，窒素などの吸着が起きた場合にも脱ガスをし、高真空度にすること（摘記1-1）が記載されている。
　してみれば、引用発明の高真空装置についての脱ガス技術を、同じく脱ガスが必要な超高真空装置に適用し、これにより、上記相違点（ロ）のとおり特定することに、格別の困難性があるとすることはできない。
　　
相違点（イ）について
　引用文献２には、加熱をする対象として、「容器１０１の内壁、アノード、カソード、試料保持台など」（摘記2-5）、及び、「ベルジャー内壁、基板ホルダー４、ターゲット７を中心としたベルジャー内各部分」（摘記2-7）と記載されて、基板ホルダのほかに、試料保持台をはじめ、装置の種々の部分を加熱し得ることが記載されている。また、基板ホルダのほかに、これと隣接した基板マニピュレータを具備した真空装置は、本願出願時周知である。（要すれば、特開昭６２−５４４２１号公報（特に第１図）、特開昭６２−１５２１２０号公報（特に第１図）、特開昭６２−２０７７９６号公報（特に第１図）を参照。）
　してみれば、基板ホルダとともに、これと隣接した「基板マニピュレータ」をも加熱することは、当業者が想到し得たことであり、したがって、相違点（イ）に係る特定事項は、当業者が容易になし得たことである。
　　
　以上のとおり、相違点（イ）及び（ロ）に係る特定事項は、当業者が容易に想到し得たことであり、かつ、本願明細書及び図面の記載を見ても、当該特定事項を採用したことによる効果は、当業者が予期できなかった程格別に顕著と認めることはできない。
　したがって、本願発明３は、引用文献１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であり、よって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
VI．むすび
　以上のとおり、本願の請求項３に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。