【手続補正書】
【提出日】平成22年4月14日(2010.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空プラズマ処理チャンバ内で加工物をプラズマで処理する方法であって、いくつかの周波数の電気エネルギーで前記プラズマを励起するステップを有し、該いくつかの周波数によるプラズマの励起がプラズマ内にいくつかの異なる現象を同時に発生させ、該いくつかの現象はプラズマイオンエネルギー、プラズマイオン密度、及びプラズマ化学に影響を及ぼすもので、周波数が近い同士の各対の周波数は互いに少なくとも１オクターブ離れている。
【請求項２】
ワークピースの下側に底部電極を有する真空プラズマ処理チャンバ内で加工物をプラズマで処理する方法であって、底部電極にいくつかの周波数の電気エネルギーを供給することによるいくつかの周波数の電気エネルギーで前記プラズマを励起するステップを有し、該いくつかの周波数によるプラズマの励起がプラズマ内にいくつかの異なる現象を同時に発生させ、該いくつかの現象はプラズマイオンエネルギー、プラズマイオン密度、及びプラズマ化学に影響を及ぼすものである。
【請求項３】
前記周波数の数が３つである請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記いくつかの周波数が前記プラズマを同時に励起する請求項１、２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記各周波数のうち第１番目が１００ｋＨｚから１０ＭＨｚの範囲内であり、前記各周波数のうち２番目が１０ＭＨｚから１５０ＭＨｚの範囲内であり、前記各周波数のうち３番目が２７ＭＨｚから３００ＭＨｚの範囲内であり、３番面の周波数が２番目の周波数よりも大きく、２番面の周波数が１番目の周波数よりも大きい請求項１、２、３または４に記載の方法。
【請求項６】
前記チャンバの側壁から除去された領域に前記プラズマを閉じ込めることをさらに含む請求項１、２、３、４または５に記載の方法。
【請求項７】
前記領域内の前記プラズマの圧力を制御することをさらに含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記プラズマがその間で励起される前記チャンバ内の１対の電極間の間隔を変更することをさらに含む請求項１、２、３、４、５、６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記いくつかの周波数の少なくとも１つの出力を変更することをさらに含む請求項１、２、３、４、５、６、７または８に記載の方法。
【請求項１０】
真空プラズマ処理チャンバ内で加工物をプラズマで処理する方法であって、いくつかの周波数の電気エネルギーで前記プラズマを励起するステップを有し、該いくつかの周波数によるプラズマの励起がプラズマ内にいくつかの異なる現象を同時に発生させ、前記プラズマは１対の対向する電極で励起され、前記いくつかの周波数のうちの少なくとも１つの出力が前記電極のうちの少なくとも１つに結合され、および前記電極のうちの１つからの前記いくつかの周波数のうちの１つの出力がＲＦグランドに選択的に結合される。
【請求項１１】
真空プラズマ処理チャンバ内で加工物をプラズマで処理する方法であって、いくつかの周波数の電気エネルギーで前記プラズマを励起するステップを有し、該いくつかの周波数によるプラズマの励起がプラズマ内にいくつかの異なる現象を同時に発生させ、前記プラズマは１対の対向する電極で励起され、および前記加工物を処理する間、前記対向する電極の温度が制御される。
【請求項１２】
プラズマで加工物を処理する真空チャンバと、いくつかの周波数の電気エネルギーで前記プラズマを励起し、それによって前記いくつかの周波数による前記プラズマの励起が前記プラズマ中でいくつかの異なる現象を同時に発生させるプラズマ励起源構成とを備え、該いくつかの現象はプラズマイオンエネルギー、プラズマイオン密度、及びプラズマ化学に影響を及ぼすもので、周波数が近い同士の各対の周波数は互いに少なくとも１オクターブ離れている、プラズマで加工物を処理する装置。
【請求項１３】
プラズマで加工物を処理する真空チャンバを備え、前記チャンバは、前記プラズマに電気エネルギーを結合する底部電極と、前記底部電極にいくつかの周波数を供給するための電気エネルギー源構成とを有し、該いくつかの周波数によるプラズマの励起がプラズマ内にいくつかの異なる現象を同時に発生させ、該いくつかの現象はプラズマイオンエネルギー、プラズマイオン密度、及びプラズマ化学に影響を及ぼすものである、プラズマで加工物を処理する装置。
【請求項１４】
前記プラズマ励起源構成が、前記いくつかの周波数を前記プラズマに同時に印加させるように構成される請求項１２または１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記プラズマ励起源構成が、前記周波数のいくつかを前記チャンバの前記電極に印加するように構成される請求項１２に記載の装置
【請求項１６】
第１および第２電極ならびに前記プラズマ励起源構成が、前記第２電極を基準電位にし、前記プラズマ励起源構成に、前記第１電極に前記いくつかの周波数を同時に印加させるように構成される請求項１３に記載の装置。
【請求項１７】
前記プラズマ励起源構成が、少なくとも１つの可変周波数ＲＦ源を含む請求項１２、１３、１４、１５または１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記プラズマ励起源構成が、（ａ）前記各周波数のための前記各源と前記プラズマとの間のインピーダンス整合を提供し、（ｂ）異なる周波数源に関連する周波数を、他の周波数源のそれぞれから減結合する回路を含む請求項１２、１３、１４、１５、１６または１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記周波数源のうちの少なくとも１つが固定周波数を有する請求項１２、１３、１４、１５、１６または１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記周波数源のうちの少なくとも１つが可変出力電力を有する請求項１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８または１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記回路および前記チャンバが、前記複数の周波数のうちの少なくとも１つで実質的な電流が前記第２電極に流れるのを防止するように構成される請求項１３または１４に記載の装置。
【請求項２２】
前記複数の周波数のうちの少なくとも１つで実質的な電流が前記第２電極に流れるのを防止する前記回路および前記チャンバ構成が、（ａ）前記複数の周波数のうちの少なくとも１つで前記第１電極から前記表面に電流を流れさせる基準電位の前記チャンバ内の表面と、（ｂ）前記回路のフィルタ構成であって、前記複数の周波数のうちの少なくとも１つで実質的な電流が前記第２電極と前記基準電位との間で流れるのを防止するために前記第２電極に接続されるフィルタ構成とを含む請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記電気エネルギー源構成が、前記第１および第２電極に同一の周波数を供給するように構成される請求項１３に記載の装置。
【請求項２４】
前記電気エネルギー源構成が、第１加工物処理時間枠中に前記第２電極を基準電位に選択的に接続し、第２加工物処理時間枠中に前記第１および第２電極に同一の周波数を選択的に供給するコントローラを含む請求項１３に記載の装置。
【請求項２５】
前記コントローラが、前記第１時間枠の間に前記いくつかの周波数のそれぞれに応答して前記第１電極を選択的に接続するように構成される請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
加工物を処理する真空プラズマ・プロセッサであって、前記加工物を処理するプラズマに変換されるように適合された気体に応答するように適合されたチャンバの領域にプラズマ励起場を供給する電極構成を含む真空チャンバであって、前記電極構成が、前記領域の両側のそれぞれ第１および第２の側の第１および第２電極と、前記領域の前記第１の側の第３電極とを含み、前記第３電極が、前記第１電極の周辺にあり、前記第１電極から電気的に絶縁される真空チャンバと、複数の周波数で電気エネルギーを誘導するプラズマ励起源構成であって、前記複数の周波数のエネルギーを前記第１、第２、および第３電極に選択的に結合して、すべての前記周波数の電流が前記第３電極を通り抜けて流れることなく、前記複数の周波数のうちの少なくとも１つの電流を前記第３電極に流入させるように構成されたプラズマ励起源構成とを備える真空プラズマ・プロセッサ。
【請求項２７】
前記電極構成が、前記領域の前記第２の側に第４電極を含み、前記第４電極が、前記第２電極の周辺にあり、前記第２電極から電気的に絶縁され、前記プラズマ励起源構成が、エネルギーを前記第４電極に選択的に結合し、すべての前記周波数の電流が前記第４電極を通り抜けて流れることなく、複数の周波数のうちの少なくとも１つの電流を前記第４電極に流入させるように構成される請求項２６に記載のプロセッサ。
【請求項２８】
前記前記プラズマ励起源構成が、前記周波数のうちの少なくとも１つでエネルギーを前記第３電極に印加するように構成される請求項２６または２７に記載のプロセッサ。
【請求項２９】
前記プラズマ励起源構成が、前記周波数のうちの少なくとも１つでエネルギーを前記第４電極に印加するように構成される請求項２６、２７または２８に記載のプロセッサ。
【請求項３０】
前記プラズマ励起源構成が、前記周波数のうちの少なくとも１つが前記第３電極と基準電位の間で流れるのを防止すると共に、前記周波数のうちの少なくとも１つの電流が前記第３電極と基準電位の間で流れることを可能にするフィルタ構成を含む請求項２７に記載のプロセッサ。
【請求項３１】
前記プラズマ励起源構成が、前記周波数のうちの少なくとも１つが前記第４電極と基準電位の間で流れるのを防止すると共に、前記周波数のうちの少なくとも１つの電流が前記第４電極と基準電位の間で流れることを可能にするフィルタ構成を含む請求項２６、２７、２８、２９または３０に記載のプロセッサ。
【請求項３２】
真空プラズマ・プロセッサで加工物を処理する方法であって、加工物を処理するプラズマに変換される気体に応答してチャンバの領域にプラズマ励起場を供給する電極構成を含む真空チャンバであって、前記電極構成が、前記領域の両側のそれぞれ第１および第２の側の第１および第２電極と、前記領域の前記第１の側の第３電極とを含み、前記第３電極が、前記第１電極の周辺にあり、前記第１電極から電気的に絶縁される真空チャンバを含み、複数の周波数のエネルギーを前記第１、第２、および第３電極に結合して、その結果すべての前記周波数の電流が前記第３電極を通り抜けて流れることなく、前記複数の周波数のうちの少なくとも１つの電流を前記第３電極に流入させることを含む方法。
【請求項３３】
前記電極構成が、前記領域の前記第２の側に第４電極を含み、前記第４電極が、前記第２電極の周辺にあり、前記第２電極から電気的に絶縁され、エネルギーを前記第４電極に選択的に結合し、すべての前記周波数の電流が前記第４電極を通り抜けて流れることなく、複数の周波数のうちの少なくとも１つの電流を前記第４電極に流入させることをさらに含む請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記エネルギーが、前記周波数のうちの少なくとも１つを有する電源構成を前記第３電極に接続することによって前記第３電極に結合される請求項３２または３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記エネルギーが、前記周波数のうちの少なくとも１つを有する電源構成を前記第４電極に接続することによって前記第４電極に結合される請求項３３または３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記エネルギーが、前記周波数のうちの少なくとも１つを通過させ、前記周波数のうちの少なくとも１つをブロックするフィルタ構成を前記第３電極と基準電位の間に接続することによって前記第３電極に結合される請求項３２、３３、３４または３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記エネルギーが、前記周波数のうちの少なくとも１つを通過させ、前記周波数のうちの少なくとも１つをブロックするフィルタ構成を前記第４電極と基準電位の間に接続することによって前記第４電極に結合される請求項３３、３４、３５または３６に記載の方法。