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　平成　７年特許願第２８４０７３号「発光素子と発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　５月１６日出願公開、特開平　９−１２９９２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成７年１０月３１日に特許出願したものであって、その請求項に係る発明は、平成１５年１月２７日付手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】基板と、該基板上に形成された第１導電型の半導体層と、該第１導電型の半導体層上に形成された第２導電型の半導体層と、該第２導電型の半導体層側から上記第１導電型の半導体層に達する凹部と、前記第２導電型の半導体層上に設けられた第２導電型側電極と、を備え、前記凹部の側壁上に絶縁膜が形成されると共に、該凹部に露出した第１導電型の半導体層上及び前記絶縁膜の前記凹部の側壁上に連なって第１導電型側電極が形成されていることを特徴とする発光素子。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．刊行物に記載された発明
　原審における拒絶理由に引用した特開平７−９４７８３号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに下記の事項が記載されている。
「【請求項１】同一面側にｎ層の電極とｐ層の電極とが形成されており、それらの電極側を発光観測面側とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｐ層の電極がｐ層のほぼ全面に形成された透光性の第一の電極よりなり、さらに前記第一の電極の表面には、絶縁性および透光性の保護膜が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
・・・
【請求項３】前記保護膜は前記第一の電極と連続して、前記ｎ層の電極の表面にも形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
・・・
【０００４】一方、電極側を発光観測面とする発光素子は、１チップを１つのリードフレーム上に載置できるためチップサイズを小さくできる。しかも、発光観測面側から正、負両方の電極を取り出すことができるので、生産技術上有利であるという利点がある反面、発光観測面側の電極により発光が阻害されることにより、基板側を発光観測面とする発光素子に比して外部量子効率が悪いという欠点がある。また、ｎ層の電極にワイヤーボンディングする際、ボールが電極からずれてｐ層と接触してショートする危険性がある。
・・・
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る発光素子の構造を示す模式断面図であり、この素子はサファイア基板１の上にｎ型層２とｐ型層３とを順に積層したホモ構造の発光素子を示している。
【００１２】ｐ層３の上に形成した第一の電極１１は透光性としているため、前記のようにｐ−ｎ接合界面の発光を発光面側に有効に取り出すことができる。しかもｐ層３のほぼ全面に形成してあるために、電界が均一に広がりｐ−ｎ接合面のほぼ全面に亙って均一な発光が得られる。・・・
【００１３】本発明の発光素子は、以上のような第一の電極１１の表面に透光性および絶縁性の保護膜１３を形成している。このように保護膜１３は第一の電極１１の表面を保護しているため、保護膜が形成された部分は外部から傷が入りにくい。特に、ｎ層の電極４と、ボンディング用の第二の電極１２との間は、ボンディング時に、ボールが電極４と電極１１との間に跨りショートしやすいのであるが、保護膜１３がそれを防止している。
・・・
【００１５】図２は本発明の他の実施例に係る発光素子の構造を示す模式断面図であり、図１と異なるところは、保護膜１３を第一の電極１１とｎ層２とに連続して形成したことである。このように保護膜１３をｎ層の電極４、ボンディング用の第二の電極１２を残して全面に形成することにより、発光素子の信頼性が図１の素子に比べてさらに向上する。」
　また、図１，２には、基板上にｎ型層２、ｐ型層３、第一の電極１１が積層され、左方にはｎ型層２が露出するように段差部が設けられ、該露出部にｎ層の電極４が配されていることが見て取れる。そして、該段差部には保護膜１３が形成されていることが見て取れる。
　
３．対比
　本願発明と引用例に記載されたもの（以下、「引用発明」という。）を対比する。
（ａ）引用例の請求項１の記載事項、【００１１】及び【００１３】の記載事項並びに図１からみて、引用発明は、「基板と、該基板上に形成された第１導電型の半導体層と、該第１導電型の半導体層上に形成された第２導電型の半導体層と、前記第２導電型の半導体層上に設けられた第２導電型側電極と、絶縁膜と、第１導電型側電極を備えている発光素子」との事項を有する。
（ｂ）引用例の図１から見て取れる事項からみて、引用発明は、「第２導電型の半導体層側から第１導電型の半導体層に達する凹部」との事項を有する。
（ｃ）引用例には、「【００１３】本発明の発光素子は、以上のような第一の電極１１の表面に透光性および絶縁性の保護膜１３を形成している。このように保護膜１３は第一の電極１１の表面を保護している・・・【００１５】図２は・・・、図１と異なるところは、保護膜１３を第一の電極１１とｎ層２とに連続して形成したことである。このように
保護膜１３をｎ層の電極４、ボンディング用の第二の電極１２を残して全面に形成する
（ｄ）引用例の【００１１】及び【００１５】の記載事項並びに図面から見て取れる事項から、引用発明は、「該凹部に露出した第１導電型の半導体層上に第１導電型側電極が形成されている」との事項を有する。
　従って、引用例には、
「基板と、該基板上に形成された第１導電型の半導体層と、該第１導電型の半導体層上に形成された第２導電型の半導体層と、該第２導電型の半導体層側から上記第１導電型の半導体層に達する凹部と、前記第２導電型の半導体層上に設けられた第２導電型側電極と、を備え、前記凹部の側壁上に絶縁膜が形成され、該凹部に露出した第１導電型の半導体層上に第１導電型側電極が形成されている発光素子」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　
　本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、「基板と、該基板上に形成された第１導電型の半導体層と、該第１導電型の半導体層上に形成された第２導電型の半導体層と、該第２導電型の半導体層側から上記第１導電型の半導体層に達する凹部と、前記第２導電型の半導体層上に設けられた第２導電型側電極と、を備え、前記凹部の側壁上に絶縁膜が形成されると共に、該凹部に露出した第１導電型の半導体層上に第１導電型側電極が形成されている発光素子」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　本願発明は、「絶縁膜の前記凹部の側壁上に連なって」第１導電型側電極が形成されているのに対して、引用発明の第１導電型側電極は、絶縁膜に接しているのみで、絶縁膜の凹部の側壁上には形成されていない点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　発光素子の技術分野において、電極を側壁に形成した絶縁膜上にまで配置することは、特開昭６２−６０２７８号公報（第３図ｎ型電極１７参照。）及び特開平２―３２５７０号公報（第１６図の負電極８参照。）に記載されるように周知の技術であるから、これを引用発明の第１導電型電極に適用して、上記相違点を含む本願発明の技術的事項とすることは、当業者が容易になし得る程度のことである。
　
　なお、請求人の主張する「本願請求項１の発明は、凹部に露出した第１導電型の半導体層上及び絶縁膜の前記凹部の側壁上に連なって第１導電型側電極が形成されることにより、凹部を小さくしても、第１導電型側電極にワイヤーボンディングする際に、第２導電型の半導体層等にワイヤー等が接触する恐れがなく、加えて、この様に凹部を小さくしても第１導電型側電極の面積を大きくすることができます。その結果、凹部の大きさを小さくすることができるので、第２導電型側電極の面積を大きくすることができます。従って、本願請求項１に係る発明は、凹部底面の大きさを小さくした場合においても第１導電型側電極とワイヤーとの接続を確実に行うことができるとともに、凹部底面の大きさを小さくすることによる第２導電型側電極の面積の大型化によって発光素子の特性向上を実現できるという、いずれの引例にもない格別な効果を奏する」旨の効果に関する主張は、側壁上に絶縁膜が形成されていることから必然的に生ずる効果を主張するものであるから、引用発明も有するものである。
　したがって、本願発明による格別の効果と認めることはできず、請求人の主張は採用するに足らないものである。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。