【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年10月7日(2010.10.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも９９．９９５％の純度、約７５μm以下の平均粒度および約２ｍｍ〜約３．８ｃm（約０．０８０〜約１．５０インチ）の厚みを有する金属タンタルであって、該金属タンタルの全厚みのいたるところで、
ａ）（１００）極点図が該タンタルのいかなる５％厚さ増分内でも約０ランダムから約５ランダムの中心ピーク強度を有する、および
ｂ）同一増分内での（１１１）：（１００）中心ピーク強度の比の自然対数が約−１．５〜約７．０または約−３．０〜約５．０である、
を満たす集合組織を有する、金属タンタル。
【請求項２】  該金属が十分に再結晶化される請求項１記載の金属タンタル。
【請求項３】  該金属が少なくとも部分的に再結晶化される請求項１記載の金属タンタル。
【請求項４】  該金属の約９８％以上が再結晶化される請求項１記載の金属タンタル。
【請求項５】  該金属の約８０％以上が再結晶化される請求項１記載の金属タンタル。
【請求項６】  該比の自然対数が約−１．５から約７．０である請求項１記載の金属タンタル。
【請求項７】  ９９．９９５％から約９９．９９９％の純度を有する請求項１記載の金属タンタル。
【請求項８】  請求項１記載の金属タンタルを使用してなるスパッタターゲット。
【請求項９】  請求項３記載の金属タンタルを使用してなるスパッタターゲット。
【請求項１０】  請求項１記載の金属タンタルを構成部材として含むキャパシタ缶。
【請求項１１】  請求項３記載の金属タンタルを構成部材として含むキャパシタ缶。
【請求項１２】  請求項１記載の金属タンタルを使用して抵抗膜層を製造する方法。
【請求項１３】  請求項３記載の金属タンタルを使用して抵抗膜層を製造する方法。
【請求項１４】  請求項１記載の金属タンタルを少なくとも１構成部材として含んでなる物品。
【請求項１５】  請求項３記載の金属タンタルを少なくとも１構成部材として含んでなる物品。
【請求項１６】  金属タンタルが実質的に微細で均一なミクロ構造を有する請求項１記載の金属タンタル。
【請求項１７】  金属タンタルが約２５〜約７５μｍの平均粒径を有する請求項１記載の金属タンタル。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
さらに、金属タンタルは微細な集合組織を有するのが好適である。もっと好適には、集合組織は、タンタルのいかなる５％厚さ増分内でも（１００）中心ピーク強度（以下「中心強度」または「強度」とも言う）が約１５ランダム（about 15 random）より小さく、および／または約−４．０より大きい（すなわち−４．０、−３．０、−２．０、−１．５、−１．０等を意味する）同一増分以内で（１１１）：（１００）中心ピーク強度比の自然対数（Ｌｎ）（以下「対数比」とも言う）を有し、またはその（１００）中心強度および比の両方を有する。中心ピーク強度は好ましくは約０ランダムから約１０ランダムであり、もっと好ましくは約０ランダムから約５ランダムである。他の（１００）中心強度の範囲は、約１ランダムから約１０ランダムそして約１ランダムから約５ランダムを含むが、これらに限定されない。さらに、（１１１）：（１００）中心ピーク強度の対数比は約−４．０から約１５であり、もっと好ましくは約−１．５から約７．０である。対数比の他の適した範囲は約−４．０から約１０、そして約−３．０から約５．０であるが、これらに限定されない。最も好適には、金属タンタルは少なくとも約９９．９９５％の望ましい純度、好適な粒径、ならびに（１００）増分中心ピーク強度（以下「増分強度」または「増分中心強度」とも言う）および増分中心強度の（１１１）：（１００）比について好適な集合組織を有する。集合組織を特徴づけるための使用されうる方法および装置は、Ａｄａｍｓらの Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｆｏｒｕｍ Ｖｏｌ．１５７〜１６２（１９９４）， ３１−４２頁； Ａｄａｍｓらの Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ Ａ．Ｖｏｌ．２４Ａ（１９９３年４月）Ｎｏ．４、８１９〜８３１頁； ＷｒｉｇｈｔらのＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ （１３７ Ｃｈａｏｎｅｉ Ｄａｊｉｅ，北京、１９９６）（Ｔｅｘｔｕｒｅｓ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌ： Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｅｌｅｖｅｎｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｔｅｘｔｕｒｅｓ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）； ＷｒｉｇｈｔのＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ−Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ， Ｖｏｌ．５， Ｎｏ．３（１９９３）に記載されており、すべてはここに引用により丸ごと組入れられる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
本発明の高純度金属タンタルは、多くの領域で使用されうる。たとえば高純度金属タンタルは、スパッタターゲットに、または高純度金属からなる化学エネルギー（ＣＥ）弾薬の弾頭ライナー（munitions warhead liner）に製造され得る。さらに高純度金属はキャパシタのアノードもしくは抵抗性膜層に使用され、形成されうる。本発明の金属タンタルは従来のタンタルが用いられているあらゆる物品もしくは部品に使用され得、従来のタンタルを含む種々の製品もしくは部品を製造する方法および手段が高純度金属タンタルを種々の物品もしくは部品に組入れる際にここで同様に使用されうる。たとえば、受板（backing plate）を使用するように、スパッタターゲットを製造するのに使用される次の処理は、米国特許第５，７５３，０９０、５，６８７，６００および５，５２２，５３５号明細書に記載されているが、ここでも使用され得、これらの特許は引用により丸ごとここに組入れられる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
タンタル粉末は、真空アーク再溶融（vacuum arc remelt: ＶＡＲ）、もしくは電子ビーム溶融のような数多くの方法で溶融されうる。通常、溶融時の真空は、高純度タンタルを得るために、回収タンタルから存在する不純物を実質的に除去するのに十分である。好ましくは、溶融は約１．３×１０−2Ｐａ（１０−４Ｔｏｒｒ）以上のような高真空で生じる。好ましくは、溶融タンタルへの圧力は、ニッケルおよび鉄のようなこれらの不純物が蒸発されるように金属不純物の蒸気圧よりも低い。鋳造インゴットの径はできるかぎり大きくあるべきであり、好ましくは約２４．１ｃｍ（９．５インチ）より大きい。大きい径は精製速度を高める真空界面に比較的大きい溶融表面を確保させる。加えて大きいインゴット径は比較的大量の冷間作用が処理中の金属に与えられ、最終製品の特性を改良する。いったん溶融タンタルの大部分が固化すると、形成されるインゴットは９９．９９５％以上、そして好ましくは９９．９９９％以上の純度を有する。電子ビーム処理は２０，０００〜２８，０００ボルトおよび１５〜４０Ａを用いて、約１．３×１０−1から約１．３×１０−４Ｐａ（約１×１０−3〜約１×１０−6Ｔｏｒｒ）の真空下で、約１３５〜約３６０kg／時間（約３００〜約８００ポンド／時間）の溶融速度で行なわれる。もっと好ましくは溶融速度は約１８０〜約２７０kg／時間（約４００〜約６００ポンド／時間であり、２４，０００〜２６，０００ボルトおよび１７〜３６Ａを用い、そして約１．３×１０−2〜１．３×１０−3Ｐａ（１×１０−４〜１０−5Ｔｏｒｒ）の真空下である。ＶＡＲ処理に関して、溶融速度は好ましくは２２５〜９００kg／時間（５００〜２０００ポンド／時間）であり、２．７〜１．３×１０−2Ｐａ（２×１０−2〜１０−４Ｔｏｒｒ）の真空下で２５〜４５ボルトおよび１２０００〜２２０００Ａを用い、もっと好ましくは３０〜３６ボルト，１６０００〜１８０００Ａで、２．７〜１．３×１０−2Ｐａ（２×１０−2〜１×１０−４Ｔｏｒｒ）の真空下で３６０〜５４０kg／時間（８００〜１２００ポンド／時間）である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
インゴットを獲得し、スパッタターゲットを形成することに関して、次の方法が使用されうる。１つの態様において、高純度金属タンタルから製造されるスパッタターゲットはタンタル金属の表面を機械的もしくは化学的に清浄化することにより製造され得、そこでは金属タンタルは下記のようなつづく処理工程を可能にするのに十分な開始断面領域を有する。好適には金属タンタルは少なくとも２４．１ｃｍ（９．５インチ）以上の断面領域を有する。次の工程は金属タンタルを１つ以上の圧延スラブに平形鍛造加工することを含む。圧延スラブは、十分な変形を有しており、下記のようにこの工程にすぐ続くアニ―ル工程後に、実質的に均一な再結晶化を達成する。ついで圧延スラブは圧延スラブの少なくとも部分的な再結晶化を達成するのに十分な真空および温度でアニールされる。好適なアニ―ル温度および時間は下記および実施例に記載される。ついで圧延スラブは少なくとも１つの板を形成するために開始金属タンタル（たとえばタンタルインゴット）の軸に垂直および平行の方向の両方に冷間および温間圧延に供される。ついで板はフラテニング（たとえば水平圧延）に供される。ついで板は約１５０μｍ以下の平均粒径および（１００）集合組織バンドを実質的に欠く集合組織を有するように十分な温度で十分な時間、最終的にアニールされる。好適には、（１００）集合組織バンドは存在しない。ついで、板は機械的もしくは化学的に再度清浄化され、所望の寸法を有するスパッタターゲットに形成される。通常、平形鍛造加工は、金属タンタルが大気〜約３７０℃の範囲の温度で空気中に少なくとも約４時間置かれた後に行なわれる。さらに、好適には冷間圧延の前に、圧延スラブは金属タンタルの少なくとも１部の再結晶化を達成するための温度（たとえば約９５０℃〜約１５００℃）および時間（たとえば約０．５〜約８時間）でアニールされる。好適には、冷間圧延は大気温度での横圧延であり、温間圧延は約３７０℃未満の温度である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
金属タンタルを処理してスパッタターゲットにするもう１つの方法は、金属タンタル（たとえばタンタルインゴット）の表面を機械的もしくは化学的に清浄化することを含み、そこでは金属タンタルは上述のように次の処理を可能にするのに十分な開始断面領域を有する。次の工程は金属タンタルを円形鍛造加工して少なくとも１つのロッドにすることを含み、そこでのロッドは、十分な変形を有しており、この工程の後にすぐに生じるアニール工程後に、または冷間圧延の前のアニール工程後に、実質的に均一な再結晶化を達成する。ついでタンタルロッドはビレットに切断され、表面を機械的もしくは化学的に清浄化される。任意のアニール工程は、少なくとも部分的な再結晶化を達成するためにあとで行なわれる。さらにビレットは軸方向に鍛造加工されプリフォームになる。再度、任意のアニール工程が少なくとも部分的な再結晶化を達成するために後で行なわれうる。しかし、任意のアニール工程の少なくとも１つもしくは両方が行なわれる。ついでプリフォームは冷間圧延に供され、少なくとも１つの板になる。後で、板の表面は任意に機械的もしくは化学的に清浄化されうる。ついで、最終アニール工程は、約１５０μｍ以下の平均粒径、および（１００）集合組織バンドが全くないわけではなくとも実質的に（１００）集合組織バンドのない集合組織を生じさせる。円形鍛造加工は、金属タンタルを約３７０℃以下の温度に供した後に行なうのが通常である。もっと高温が使用されうるが、表面の酸化の増大をもたらす。好適にはビレットの鍛造加工前に、ビレットはアニールされる。さらに、冷間圧延の前にプリフォームはアニールされうる。通常、これらのアニール温度は約９００℃〜約１，２００℃である。さらにアニールは金属タンタルの再結晶化を達成するのに十分な温度と時間での真空アニールであるのが好適である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８４】
上記の、０．２５０”板１２５Ｄ、０．２５０”板１２５Ｂ、０．２５０”板１２５Ｃ、０．４００”鍛造加工９５０Ａ、０．４００”鍛造加工９５０Ｂ、０．４００”鍛造加工９５０Ｃ、および０．４００”鍛造加工９５０Ｄは、各々参考例として記載したものである。
本出願では、参考例も含めて以下の態様が提供される。
１．  少くとも９９．９９５％の純度および約１５０μｍ以下の平均粒度を有する金属タンタル。
２．  該金属が十分に再結晶化される態様1記載の金属タンタル。
３．  該金属が少なくとも部分的に再結晶化される態様1記載の金属タンタル。
４．  該金属の約９８％以上が再結晶化される態様1記載の金属タンタル。
５．  該金属の約８０％以上が再結晶化される態様1記載の金属タンタル。
６．  該金属がａ）（１００）極点図が約１５ランダムより小さい中心ピーク強度を有する集合組織、ｂ）約−４．０より大きい（１１１）：（１００）中心ピーク強度の対数比；またはｃ）両方、を有する態様１記載の金属タンタル。
７．  該中心がピーク強度が約０ランダムから約１５ランダムである態様6記載の金属タンタル。
８．  該中心ピーク強度が約０から約１０ランダムである態様6記載の金属タンタル。
９．  該対数比が約−４．０から約１５である態様6記載の金属タンタル。
１０．  該対数比が約−１．５から約７．０である態様６記載の金属タンタル。
１１．  該中心ピーク強度が約０ランダムから約１５ランダムであり、そして該対数比が約−４．０から約１５である態様6記載の金属タンタル。
１２．  ９９．９９５％から約９９．９９９％の純度を有する態様1記載の金属タンタル。
１３．  態様1記載の金属タンタルを含有してなる金属合金。
１４．  態様6記載の金属タンタルを含有してなる金属合金。
１５．  態様3記載の金属タンタルを含有してなる金属合金。
１６．  態様1記載の金属タンタルを含有してなるスパッタターゲット。
１７．  態様6記載の金属タンタルを含有してなるスパッタターゲット。
１８．  態様3記載の金属タンタルを含有してなるスパッタターゲット。
１９．  態様1記載の金属タンタルを含有してなるキャパシタ缶。
２０．  態様6記載の金属タンタルを含有してなるキャパシタ缶。
２１．  態様3記載の金属タンタルを含有してなるキャパシタ缶。
２２．  態様1記載の金属タンタルを含有してなる抵抗膜層。
２３．  態様6記載の金属タンタルを含有してなる抵抗膜層。
２４．  態様3記載の金属タンタルを含有してなる抵抗膜層。
２５．  態様1記載の金属タンタルを少くとも１成分として含んでなる物品。
２６．  態様6記載の金属タンタルを少くとも１成分として含んでなる物品。
２７．  態様3記載の金属タンタルを少くとも１成分として含んでなる物品。
２８．  ａ）約５０μｍ以下の平均粒径、またはｂ）（１００）極点図が約１５ランダム以下の中心ピーク強度を有する集合組織、またはｃ）約−４．０より大きい（１１１）：（１００）中心ピーク強度の対数比、またはそれらの組合わせ、を有する金属タンタル。
２９．  約２５から約５０μｍの平均粒径を有する態様28記載の金属タンタル。
３０．  約−４．０より大きい（１１１）：（１００）中心ピーク強度の比を有する態様28記載の金属タンタル。
３１．  ａ）およびｂ）の両方を有する態様28記載の金属タンタル。
３２．  該金属が少くともタンタル９９．９９５％の純度を有する態様28記載の金属タンタル。
３３．  該金属が少くともタンタル９９．９９９％の純度を有する態様28記載の金属タンタル。
３４．  該金属が十分に再結晶化される態様28記載の金属タンタル。
３５．  該金属が十分に再結晶化される態様32記載の金属タンタル。
３６．  該金属が十分に再結晶化される態様33記載の金属タンタル。
３７．  該金属の約８０％以上が十分に再結晶化される態様28記載の金属タンタル。
３８．  該中心ピーク強度が約０ランダムから約１５ランダムである態様28記載の金属タンタル。
３９．  該対数比が約−４．０から約１５である態様28記載の金属タンタル。
４０．  態様28記載の金属タンタルを含有してなる物品。
４１．  態様33記載の金属タンタルを含有してなる物品。
４２．  態様28記載の金属タンタルを含有してなるスパッタターゲット。
４３．  態様33記載の金属タンタルを含有してなるスパッタターゲット。
４４．  タンタルを含有する塩を、攪拌機を有する反応容器中でその塩をタンタルおよび第２の塩に還元しうる少くとも１つの試薬を反応させることを含む態様１記載の金属タンタルの製造方法であり、反応容器もしくは反応容器の内張り、ならびに攪拌機もしくは攪拌機の外張りはタンタルの融点でタンタルの蒸気圧以上の蒸気圧を有する金属で製造されていることを特徴とする金属タンタルの製造方法。
４５．  タンタルを含有する塩がフッ化カリウムタンタルからなり、試薬がナトリウムからなる態様44記載の方法。
４６．  第２の塩がフッ化ナトリウムおよび１または塩化ナトリウムからなる態様45記載の方法。
４７．  タンタルを含有する該塩を反応させる前に、該方法は、タンタルおよび不純物からなる酸溶液を生成させること、不純物を含有する酸溶液からタンタルを含有する酸溶液の密度による分離を行うこと、ならびにタンタルを含有する酸溶液を再結晶化させて、タンタルを含有する塩を生成させること；からなる態様44記載の方法。
４８．  タンタルおよび不純物が、タンタルおよび不純物からなる破砕鉱石である態様47記載の方法。
４９．  タンタルおよび不純物からなる酸溶液が酸溶液をタンタルからなる破砕鉱石と一緒にすることにより生成される態様47記載の方法。
５０．  反応が、攪拌下に約８００℃〜１１００℃で生じる態様44記載の方法。
５１．  反応容器もしくは内張り、ならびに攪拌機もしくは攪拌機の外張りが金属にもとづき、該金属はニッケル、クロム、鉄、マンガン、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、テクネチウム、ルテニウム、コバルト、ロジウム、パラジウム、白金、もしくはそれらの組合わせ、である態様44記載の方法。
５２．  金属がニッケルもしくはニッケルにもとづく合金である態様51記載の方法。
５３．  金属がクロムもしくはクロムにもとづく合金である態様51記載の方法。
５４．  金属が鉄もしくは鉄にもとづく合金である態様51記載の方法。
５５．  水性溶液中に第２の塩を溶解させることによりタンタルを回収することをさらに含む態様44記載の方法。
５６．  十分な真空中で該回収タンタルを溶融して該回収タンタル中に存在する不純物を実質的に除去して、高純度タンタルを得ることをさらに含む態様55記載の方法。
５７．  真空が１０−４ｔｏｒｒ以下である態様56記載の方法。
５８．  溶融回収タンタルへの圧力は実質的にすべての不純物の蒸気圧よりも低い態様56記載の方法。
５９．  不純物が不純物の蒸発により除去される態様56記載の方法。
６０．  該溶融が電子ビーム溶融により行われる態様56記載の方法。
６１．  該溶融が真空アーク再溶融処理により行われる態様56記載の方法。
６２．  高純度タンタルが固体を形成し、圧延処理、鍛造加工処理もしくはその両方に供さる態様56記載の方法。
６３．  金属タンタルが実質的に微細で均一なミクロ構造を有する態様1記載の金属タンタル。
６４．  金属タンタルが約２５〜約１５０μｍの平均粒径を有する態様1記載の金属タンタル。
６５．  金属タンタルが約２５〜約１００μｍの平均粒径を有する態様1記載の金属タンタル。
６６．  金属タンタルが約２５〜約７５μｍの平均粒径を有する態様1記載の金属タンタル。
６７．  ａ）金属タンタルの表面を機械的もしくは化学的に清浄化すること、そして金属タンタルは工程（ｂ）〜（ｇ）を可能にするのに十分な開始断面領域を有すること；ｂ）金属タンタルを少なくとも１つの圧延スラブに平形に鍛造加工すること、そして少なくとも１つの圧延スラブは工程ｄ）におけるアニール後に実質的に均一な再結晶を達成するのに十分な変形を有すること；ｃ）少なくとも１つの圧延スラブの表面を機械的もしくは化学的に清浄化すること；ｄ）少なくとも１つの圧延スラブの少なくとも部分的再結晶化を達成するために十分な温度および十分な時間、少なくとも１つの圧延スラブをアニールすること；ｅ）少なくとも１つの板を形成するために開始金属タンタルの軸に垂直および平行な方向の両方に少なくとも１つの圧延スラブを冷間もしくは温間圧延すること；ｆ）少なくとも１つの板を平らにすること；ならびにｇ）約１５０μｍ以下の平均粒径および（１００）集合組織バンドを実質的に欠く集合組織、を有するように少なくとも１つの板をアニールすること、を含む、少なくとも９９．９９５％の純度を有する金属タンタルからスパッタターゲットを製造する方法。
６８．  金属タンタルが少なくとも９９．９９９％の純度を有する態様67記載の方法。
６９．  金属タンタルが空気中で少なくとも４時間、大気〜約１２００℃の温度に置かれた後に平形の鍛造加工が生じる態様67記載の方法。
７０．  冷間圧延が大気温度における横圧延であり、温間圧延が約３７０℃未満の温度である態様67記載の方法。
７１．  板のアニールが金属タンタルの再結晶化を達成するのに十分な温度と時間での真空アニールである態様67記載の方法。
７２．  ａ）金属タンタルの表面を機械的もしくは化学的に清浄化すること、そして金属タンタルは工程（ｂ）〜（ｉ）を可能にするのに十分な開始断面領域を有すること；ｂ）金属タンタルを少なくとも１つのロットに円形鍛造加工すること、そして少なくとも１つのロッドは工程ｄ）もしくは工程ｆ）におけるアニールの後に実質的に均一な再結晶を達成するのに十分な変形を有すること；ｃ）ロッドをビレットに切断すること、そしてビレットの表面を機械的もしくは化学的に清浄にすること；ｄ）少なくとも部分的に再結晶化を達成するためにビレットを任意にアニールすること；ｅ）ビレットを軸方向に鍛造加工してプリフォームにすること；ｆ）少なくとも部分的に再結晶化を達成させるためにプリフォームを任意にアニールすること；ｇ）プリフォームを冷間圧延して少なくとも1つの板にすること；ｈ）その少なくとも1つの板の表面を機械的もしくは化学的に、任意に清浄化すること；ならびにｊ）約１５０μｍ以下の平均粒径、および（１００）集合組織バンドを実質的に欠く集合組織、を有するように少なくとも１つの板をアニールすること、そしてアニールは少なくとも工程ｄ）もしくはｆ）または両方で生じる、を含む、少なくとも９９．９９５％の純度を有する金属タンタルからスパッタターゲットを製造する方法。
７３．  金属タンタルが少なくとも９９．９９９％の純度を有する態様72記載の方法。
７４．  円形鍛造加工が、金属タンタルを約３７０℃以下の温度にさらさせた後に生じる態様72記載の方法。
７５．  ビレットの鍛造加工の前にビレットがアニールされる態様72記載の方法。
７６．  プリフォームの冷間圧延の前にプリフォームがアニールされる態様72記載の方法。
７７．  プリフォームのアニールが再結晶化を達成するのに十分な温度での真空アニールである態様72記載の方法。
本発明の他の態様は、本明細書を考慮して、そしてここに開示された本発明の実施から当業者に明らかであろう。本明細書および実施例は例証的なものであり、発明の真の範囲および趣旨は請求範囲の記載に示される。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】図面の簡単な説明
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】
本発明の高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図１Ｂ】
本発明の高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図２Ａ】
本発明の高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図２Ｂ】
本発明の高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図３Ａ】
本発明の高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図３Ｂ】
本発明の高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図４Ａ】
本発明の高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図４Ｂ】
本発明の高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図５Ａ】
参考例としての高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図５Ｂ】
参考例としての高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図６Ａ】
参考例としての高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図６Ｂ】
参考例としての高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図７Ａ】
参考例としての高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図７Ｂ】
参考例としての高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図８Ａ】
参考例としての高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図８Ｂ】
参考例としての高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図９Ａ】
参考例としての高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図９Ｂ】
参考例としての高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図１０Ａ】
参考例としての高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図１０Ｂ】
参考例としての高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図１１Ａ】
参考例としての高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図１１Ｂ】
参考例としての高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。