【事件の表示】
　特許第３６１１２３６号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３６１１２３６号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び図面のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１．請求の要旨
　本件審判の請求の要旨は、特許第３６１１２３６号発明（平成１０年９月３０日特許出願、平成１６年１０月２９日設定登録）の明細書を請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正することを求めるものであって、その訂正の内容は次のとおりである。
２．訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の「１０８０℃から１０５０℃の温度領域通過時間が１５分以内となるように操作し」を「１１５０℃から１０８０℃の温度領域通過時間が１５分以内となるように操作し」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許明細書の段落【００１８】の「１０８０℃から１０５０℃の温度領域通過時間が１５分以内となるように操作し」を「１１５０℃から１０８０℃の温度領域通過時間が１５分以内となるように操作し」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　特許明細書の段落【００２３】の「１０８０から１０５０℃の温度領域通過時間が１５分以内となるように操作し」を「１１５０℃から１０８０℃の温度領域通過時間が１５分以内となるように操作し」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　特許明細書の段落【００２９】の「１０８０乃至１０５０℃温度領域通過時間が１５分以内となるように操作し」を「１１５０℃から１０８０℃温度領域通過時間が１５分以内となるように操作し」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　特許明細書の段落【００３１】の「１０８０乃至１０５０℃温度領域通過時間が１５分以内となるように操作し」を「１１５０℃から１０８０℃温度領域通過時間が１５分以内となるように操作し」と訂正する。
３．当審の判断
（１）訂正の目的の適否
　訂正事項ａは請求項１の「温度領域通過時間」の温度領域を「１０８０℃から１０５０℃」から、「１１５０℃から１０８０℃」に訂正しようとするものである。この温度領域通過時間に関し、本件特許明細書（本件発明に関する箇所）をみてみると、訂正事項ｂ〜ｅの対象にもなっている段落【００１８】、【００２３】、【００２９】及び【００３１】を含め、以下のことが記載されている。
ア．「【課題を解決するための手段】本発明にかかるシリコン単結晶ウエハの製造方法は、・・・単結晶直胴部の引き上げ時における引き上げ速度を１．０乃至１．２ｍｍ／ｍｉｎの範囲の速度で引き上げることにより、１０８０℃から１０５０℃の温度領域通過時間が１５分以内となるように操作し、・・・することを特徴としている。」（段落【００１８】）
イ．「ここで、前記単結晶直胴部の引き上げ時における引き上げ速度を１．０５乃至１．１０ｍｍ／ｍｉｎの範囲の略一定の速度で引き上げることが好ましい。」（段落【００１９】）
ウ．「本発明の上記特定単結晶ウエハは、・・・単結晶直胴部の引き上げ時における引き上げ速度を１．０乃至１．２ｍｍ／ｍｉｎの範囲の速度で可及的に定速度で引き上げることにより、単結晶の１０８０℃から１０５０℃の温度領域通過時間が１５分以内となるように操作して得られたシリコン単結晶を用いて作製される。」（段落【００２３】）
エ．「上記製造方法は、高性能輻射シールドと特定磁力強度のカスプ磁場印加機構を備えた特定チョクラルスキー型シリコン単結晶引上装置中で、通常の引き上げ速度（０．７乃至０．８ｍｍ／ｍｉｎ程度、この通常条件による引き上げ速度では、単結晶の１１５０℃から１０８０℃温度帯の通過時間は３０分以上）よりやや速い特定範囲の引き上げ速度（上記の通過時間１５分以内）でシリコン単結晶直胴部を引き上げる点が顕著な構成上の特徴である。」（段落【００２４】）
オ．「本発明の上記シリコン単結晶引き上げ方法においては、・・・・単結晶直胴部の引き上げ時における引き上げ速度を１．０乃至１．２ｍｍ／ｍｉｎ、特に好ましくは１．０５乃至１．１０ｍｍ／ｍｉｎの範囲内で、かつ引き上げ時の速度変動幅を可及的に小さく制御してほぼ定速で引き上げ、これにより、単結晶の１０８０乃至１０５０℃温度領域通過時間が１５分以内となるように操作することが特に重要である。」（段落【００２９】）
カ．「また、引き上げ速度を１．０乃至１．２ｍｍ／ｍｉｎとするのは、単結晶の１０８０乃至１０５０℃温度領域通過時間が１５分以内とするためであり、これにより引き上げ速度が速い場合には、単結晶が切れるという弊害があり、引き上げ速度が遅い場合には、ボイドのサイズが大きくなり過ぎ、消滅させることができないよい弊害がある。」（段落【００３１】）
キ．「『実施例１』図１に示したような特定構造の・・・・更に、シリコン単結晶直胴部の引き上げ速度を約１．０５〜１．１０ｍｍ／ｍｉｎの範囲でかつ可及的に定速になるように制御した。」（段落【００４２】）
ク．「この装置の輻射熱シールド４の構造と上記引き上げ速度の組合せでは、上記いずれの場合も引き上げ時の単結晶における１１５０〜１０８０℃温度領域通過時間が１５分以内となる。」（段落【００４４】）
　これらの記載に基づいて、訂正事項ａに係る訂正前の請求項１の「１０８０℃から１０５０℃の温度領域通過時間が１５分以内となるように操作し」についてみてみると、記載ア、ウ、オ、カにおいては、「温度領域」が請求項１の記載と同じ「１０８０℃から１０５０℃」であるのに対し、記載エ、あるいは記載クの実施例においては、「温度領域」が「１１５０℃から１０８０℃」と異なったものとなっている。これは、明細書中で温度領域に関して整合が図られておらず、明細書は明りょうでない記載を含むものといえる。
　ここで、「温度領域通過時間」についてみておくと、記載エによれば、「通常の引き上げ速度を０．７乃至０．８ｍｍ／ｍｉｎ程度で行った」結果として「単結晶の１１５０℃から１０８０℃温度帯の通過時間は３０分以上」となると認識され、それより、やや速い特定範囲の引き上げ速度（単結晶の１１５０℃から１０８０℃温度帯の通過時間は１５分以内）で引き上げるのが顕著な構成上の特徴であるとしている。この「やや速い特定範囲の引き上げ速度」は、記載カからみれば「引き上げ速度を１．０乃至１．２ｍｍ／ｍｉｎ」とみれる。そして、記載カには、「引き上げ速度を１．０乃至１．２ｍｍ／ｍｉｎとする」ことの技術的な意義として「これより引き上げ速度が速い場合には、単結晶が切れるという弊害があり、引き上げ速度が遅い場合には、ボイドのサイズが大きくなり過ぎ、消滅させることができないよい弊害がある」と記載されている。
　以上のことから、「特定の温度領域通過時間が１５分以内となる」ことは、「引き上げ速度を１．０乃至１．２ｍｍ／ｍｉｎの範囲で引き上げることによって」もたらされた結果を表わしているとみれる。一方文言上から、特定の温度領域通過時間を得るために引き上げ速度を操作する意味とも解することができる。いずれにせよ、温度領域通過時間と引き上げ速度の両者が表裏一体の密接な関係となっているといえる。また、この引き上げ速度が１．０乃至１．２ｍｍ／ｍｉｎの範囲に操作することに技術的意義があるといえる。
　してみると、上記した記載のいずれにおいても「単結晶直胴部の引き上げ時における引き上げ速度を１．０乃至１．２ｍｍ／ｍｉｎの範囲の速度で引き上げること」に違いはないのであるから、上記したことからみれば「１５分以内となる温度領域通過時間」の「温度領域」に違いがあるとはいえない。然るに、「１５分以内となる温度領域通過時間」の「温度領域」として本件発明の効果が達成できたことが検証できる実施例の「１１５０℃から１０８０℃」を以て、上記した記載の整合を図ることは、明りょうでない記載の不備を改めようと意図するものとみれ、訂正事項ａは、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正に該当するといえる。
　また、訂正事項ｂ〜ｅもまた、同じ理由により、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正に該当するといえる
　なお、請求人は、審判請求書（第３頁１行〜に第４頁下から４行）において、訂正は、錯誤により生じたもので、誤記の訂正を目的とするものである述べている。しかしながら、仮に事実そうであるにしても、誤記であるという確固たる根拠はないというべきで、訂正が誤記の訂正を目的とすることに該当するとまではいえない。
（２）新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　当該訂正は、上記したとおり、記載エ及びクに記載されるのであるから、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされるものであって、新規事項の追加には当たらない。そして、上記したとおり、「１５分以内となる温度領域通過時間」の「温度領域」が訂正されて「１０８０℃から１０５０℃」から「１１５０℃から１０８０℃」になされたとしても、「単結晶直胴部の引き上げ時における引き上げ速度を１．０乃至１．２ｍｍ／ｍｉｎの範囲の速度で引き上げる」ことについてはを些かも変更するものでなく、また、同範囲の引き上げ速度で操作する以上上記した技術的意義に基づく効果が達成できるのであるから、該訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものであるとはいえない。
４．むすび
　以上のとおり、本件審判請求は、特許法第１２６条第１項ただし書き第３号に掲げる事項を目的とするものであって、同条第１項ただし書き及び第２〜４項の規定に適合するものである。
　よって、結論のとおり審決する。