【事件の表示】
　特願２０１４−２２５６１３「太陽電池及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　５月２３日出願公開、特開２０１６−　９２２３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２６年１１月５日の特許出願であって、以後の主な手続の経緯は、以下のとおりである。
　
　平成２９年　１月１３日：出願審査請求書の提出
　　　　同年　４月１０日：拒絶理由通知（４月１８日発送）
　　　　同年　６月１６日：手続補正書・意見書の提出
　　　　同年　６月２１日：拒絶査定（６月２７日送達）
　　　　同年　９月２０日：審判請求書・手続補正書の提出
　平成３０年　７月１２日：拒絶理由通知（７月１７発送）
　　　　同年　９月１２日：手続補正書・意見書の提出　
　　　　同年　９月２０日：拒絶理由通知（９月２５発送）
　　　　同年１１月２１日：手続補正書・意見書の提出　
　  
第２　本願発明  
　本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成３０年１１月２１日付け手続補正により補正された請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。  
          
　「一方の主表面を受光面とし、もう一方の主表面を裏面とするＰ型シリコン基板を備え、前記裏面上に正電荷を有する誘電体膜を備え、前記Ｐ型シリコン基板が前記受光面の少なくとも一部にＮ型導電型層を有する太陽電池であって、
　前記Ｐ型シリコン基板がガリウムがドープされたシリコン基板であり、
　前記Ｐ型シリコン基板の前記裏面の全域に、拡散された第ＩＩＩ族の元素としてボロンを含むものであり、
　前記裏面における前記第ＩＩＩ族の元素の拡散表面濃度が
前記裏面の全域にわたって
の範囲内
　　　　　             　　　             
第３　刊行物　　　　　　　　　　  
１　引用文献の記載　
（１）平成３０年９月２０日付け拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由」という。）において引用文献１として引用した、特開２００６−３１０３６８号公報（以下「引用文献」という。）には、図とともに以下の記載がある（なお、下線は当審で付した。以下同じ。）。
  　 
　ア　「【請求項１】
　第１導電型の半導体基板にｐｎ接合を形成して太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、前記第１導電型の半導体基板上にドーパントを含む第１塗布剤を塗布し、気相拡散熱処理により、第１塗布剤の塗布により形成される第１拡散層と、気相拡散により第１拡散層に接するように形成され、第１拡散層より導電率が低い第２拡散層とを同時に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
　……
【請求項９】
　請求項１乃至請求項８のいずれか一項の製造方法により製造した太陽電池であって、
前記半導体基板が有する第１導電型とは反対導電型の第１拡散層及び該反対導電型の第１拡散層より導電率の低い第２拡散層とが前記半導体基板の受光面に形成されたものである
【請求項１０】
　請求項９に記載の太陽電池において、さらに、少なくとも
第１導電型と同一導電型の拡散層が前記受光面の裏面に形成されたものであることを特徴とする太陽電池
　
　イ　「【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
　以下、本発明の実施の形態について具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　図１は本発明に従う太陽電池の
実施形態の一例
　この太陽電池１００は、半導体基板１が有する第１導電型とは反対導電型の
第１拡散層である高濃度エミッタ層２及び高濃度エミッタ層２より導電率の低い第２拡散層である低濃度エミッタ層３
ＢＳＦ層５
【００２８】
　……    　
【００３１】
　……印刷した基板を７００℃で３０分間ベークし、その後、このように作製したサンプル基板を熱処理炉に入れ、
ＰＯＣｌ
３
等の気相拡散ソース雰囲気下、８８０℃で３０分間保持して気相拡散熱処理を行ない
低濃度エミッタ層である拡散ペースト印刷部以外の箇所、すなわち気相拡散のみを行った箇所のシート抵抗は、８０から１１０Ω／□とできる。また、拡散ペーストを印刷した部分のドーパントの表面濃度は２×１０
２０
ｃｍ
−２
程度とできる
【００３２】
　……　
【００４３】
　図５に本発明に従う太陽電池の製造方法の
第二の実施形態
【００４４】
　……
【００４６】
　図６に本発明の太陽電池の
実施形態の別の一例
　一般的なスクリーン印刷技術による太陽電池は、図１に示すように、ＡｌによるＢＳＦ層５に裏面全面が覆われた構造となっている。このＢＳＦ層の面積を小さくし、裏面の残りの領域を高品質なパッシベーション膜で覆うと開放電圧が高まり、その結果、出力が増大することが知られている。
【００４７】
　図６に示す太陽電池はこのようにＢＳＦ層の面積を小さくしたものであり、図６（ａ）に示す実施形態（以下サンプル（Ａ）とする）は基板１と同一導電型のローカルＢＳＦ層１０を裏面櫛形電極１２とのコンタクト直下近傍のみに形成し、図６（ｂ）に示す実施形態（以下サンプル（Ｂ）とする）は基板１と同一導電型の高濃度ＢＳＦ層１４を裏面櫛形電極１２とのコンタクト直下近傍のみに形成し、さらに基板１と同一導電型の低濃度ＢＳＦ層１５を裏面全面に形成するものである。
【００４８】
　これまでなら、前述のように、面内のある部分に拡散層を形成するには拡散マスクを必要としていたが、本発明の製造方法であればこれを必要とせず、簡単に所望の構造を作ることが可能である。
　
以下、上記太陽電池を製造するための、本発明に係る太陽電池の製造方法の第三の実施形態について説明する
【００４９】
　まず、半導体基板１として、例えば結晶面方位（１００）、１５ｃｍ角２５０μｍ厚、アズスライスでの比抵抗０．５Ω・ｃｍ（ドーパント濃度３．２６×１０１６ｃｍ−３）、ガリウムドープで導電型がｐ型の単結晶シリコン基板を用意し、図２（ａ）に示す工程と同様の方法を用い、両面合計で３０μｍ程度ダメージエッチングを行い、さらに、表面に反射防止構造であるテクスチャ形成を行う。
【００５０】
　引き続き、基板を洗浄した後、受光面側に二段エミッタを作ることを目的として、
高濃度拡散層を作る領域には拡散ペーストを印刷し、その後ＰＯＣｌ３等の気相拡散ソース雰囲気下、８８０℃で３０分間保持して受光面側のみ気相拡散熱処理を行ない、取り出す
【００５１】
　次に、裏面側に０．１ｇ／ｍｌの割合で基板１と同一導電型のドーパントである酸化ボロンを含んだペーストを例えば２ｍｍピッチ、２００μｍ幅のラインパターンで印刷する。ここまでのプロセスを経たサンプルのうち、このまま７００℃で３０分間ベークし、続いて裏面上にアルコキシシランを含む塗布剤を３０００ｒｐｍ、１５秒の条件でスピン塗布したものをサンプル（Ａ）とする。一方、前記プロセスを経たサンプルのうち、続けて酸化ボロンとシリカを含むペーストを全面印刷し、７００℃で３０分間ベークしたものを、サンプル（Ｂ）とする。」
　
　ウ　「【実施例】
【００５７】
　以下に本発明の実施例および比較例をあげてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１、２、比較例１）
　
実施例１、２として、図２（ａ）の工程に従い
ガリウムドープ、第１導電型がｐ型の単結晶シリコン基板
【００５８】
　引き続き、基板を洗浄した後、ここまでのプロセスを経たサンプルのうち、半分の基板の受光面にリン酸を含有した拡散ペーストをスクリーン印刷機によって印刷し、塗布した。このときの印刷パターンは２ｍｍピッチ、１５０μｍ幅ラインのラインパターンとした。印刷した基板を７００℃で３０分間ベークし、その後、このように作製したサンプル基板を熱処理炉に入れ、
ＰＯＣｌ
３
雰囲気下、８８０℃で３０分間保持して気相拡散熱処理を行ない、取り出した。これにより、拡散ペーストを印刷した部分に高濃度エミッタ層を、気相拡散のみを行った部分に低濃度エミッタ層を形成した。これをサンプル（ａ）とする（実施例１）
【００５９】
　一方、残りの半分の基板については、その受光面にリン酸を含有した拡散ペーストをスクリーン印刷機によって印刷し、塗布した。このときの印刷パターンは、上記サンプル（ａ）のような印刷のラインパターンの部分には印刷をしないものとした。印刷した基板を７００℃で３０分間ベークし、その後、このように作製したサンプル基板を熱処理炉に入れ、
ＰＯＣｌ
３
雰囲気下、８８０℃で３０分間保持して気相拡散熱処理を行ない、取り出した。これにより、拡散ペーストを印刷した部分に低濃度エミッタ層を、気相拡散のみを行った部分に高濃度エミッタ層を形成した。これをサンプル（ｂ）とする（実施例２）
【００６０】
　上記
サンプル（ａ）、（ｂ）について
高濃度エミッタ層では、ドーパントの表面濃度として２×１０
２０
ｃｍ
−２
を得た
【００６１】
　……
【００６２】
　次に、スクリーン印刷装置等を用い、裏面にアルミニウムからなるペーストを塗布し、乾燥させた。さらに受光面側にもスクリーン印刷装置等を用い、櫛形電極パターン印刷版を用いて幅８０μｍのＡｇ電極を印刷し、乾燥させた。この際、アライメント機構を利用し、拡散ペーストをストライプ状に印刷した箇所に櫛形電極が乗るよう印刷した。
　その後、所定の熱プロファイルにより焼成を行い、裏面電極および表面櫛形電極を形成し、太陽電池を作製した。」　
　
　エ　「【００７０】 
（実施例５、６） 
　図６（ａ）、（ｂ）に示すような太陽電池を作製した。 
　具体的には、結晶面方位（１００）、１５ｃｍ角２５０μｍ厚、
アズスライスでの比抵抗０．５Ω・ｃｍ（ドーパント濃度３．２６×１０
１６
ｃｍ
−３
）、ガリウムドープで導電型がｐ型の単結晶シリコン基板
【００７１】 
　引き続き、基板を洗浄した後、受光面側に二段エミッタを作ることを目的として、
図２（ａ）と同様の方法で高濃度拡散層を作る領域には拡散ペーストを印刷し、その後ＰＯＣｌ
３
の気相拡散ソース雰囲気下、８８０℃で３０分間保持して受光面側のみ気相拡散熱処理を行ない、取り出した
【００７２】 
　次に、
裏面側に０．１ｇ／ｍｌの割合で酸化ボロンを含んだペーストを２ｍｍピッチ、２００μｍ幅のラインパターンで印刷した
【００７３】 
　引き続き、これらのサンプルを熱処理炉に入れ、９８０℃で１０分間保持し、その後取り出し、次に図２（ａ）のように、プラズマエッチャーを用い、接合分離を行った後、表面に形成されたリンおよびボロンガラスをフッ酸でエッチングした。 
【００７４】 
　その後、ダイレクトプラズマＣＶＤ装置を用い、
両面に窒化膜を厚さ８５ｎｍで堆積
　　 
　オ　「【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明に従う太陽電池の実施形態の一例の断面構造を示す図である。
【図２】（ａ）は本発明に従う太陽電池の製造方法の
第一の実施形態
示すフロー図である。
【図３】図２（ａ）に示す太陽電池の製造方法を説明するための説明図である。
【図４】単結晶太陽電池の反射防止構造（ランダムテクスチャ）を示す図である。
【図５】本発明に従う太陽電池の製造方法の
第二の実施形態
【図６】本発明の太陽電池の
実施形態の別の一例
【図７】実施例２、３、４における外部量子効率を示す図である。　　　
【符号の説明】 
【００８０】 
１…半導体基板、１ａ…受光面、１ｂ…裏面、２…高濃度エミッタ層、３…低濃度エミッタ層、４…パッシベーション膜兼反射防止膜、５…ＢＳＦ層、
６…裏面電極、７…表面櫛形電極、 ８、８’…拡散ペースト、１０…ローカルＢＳＦ層、１１…裏面パッシベーション膜、１２…裏面櫛形電極、１４…高濃度ＢＳＦ層、１５…低濃度ＢＳＦ層、１００…太陽電池。」 
  
　カ　図６は、以下のものである。 
 　　
（２）引用文献の記載から把握される事項 
　ア　上記（１）アの記載からして、引用文献には、
　「半導体基板が有する第１導電型とは反対導電型の第１拡散層及び該反対導電型の第１拡散層より導電率の低い第２拡散層とが前記半導体基板の受光面に形成され、
　前記第１導電型と同一導電型の拡散層が前記受光面の裏面に形成された、
　太陽電池。」が記載されているものと認められる。
　
　イ　上記（１）イの【発明を実施するための最良の形態】に関する記載からして、以下のことが理解できる。
（ア）上記アの「第１拡散層」は高濃度エミッタ層２であり、「第２拡散層」は低濃度エミッタ層３であること。
（イ）上記アの「『第１導電型』の『半導体基板』」は、ガリウムドープｐ型単結晶シリコン基板であってもよいこと。
（ウ）上記アの「第１拡散層」におけるドーパントの表面濃度は２×１０２０ｃｍ−２であってもよいこと。
  　
　ウ　上記（１）ウ及びエの【実施例】に関する記載を踏まえて、実施例６の図６（ｂ）を見ると、上記アの「太陽電池」は、以下の太陽電池であってもよいことが理解できる。　
　
　「比抵抗０．５Ω・ｃｍ（ドーパント濃度３．２６×１０１６ｃｍ−３）、ガリウムドープｐ型の単結晶シリコン基板（１）と、 
　前記ｐ型の単結晶シリコン基板（１）の受光面（１ａ）側に形成された
高濃度エミッタ層（２）及び低濃度エミッタ層（３）
　前記ｐ型の単結晶シリコン基板（１）の裏面（１ｂ）側に、０．１ｇ／ｍｌの割合で酸化ボロンを含んだペーストを２ｍｍピッチ、２００μｍ幅の
ラインパターン
高濃度ＢＳＦ層（１４）
　前記ｐ型の単結晶シリコン基板（１）の裏面（１ｂ）側の
全面
低濃度ＢＳＦ層（１５）
　前記ｐ型の単結晶シリコン基板（１）の裏面（１ｂ）に形成された窒化膜（１１）と、 
　前記高濃度エミッタ層（２）及び前記高濃度ＢＳＦ層（１４）にあわせて櫛形電極パターンをＡｇからなる電極ペーストを用い印刷・焼成してなる、表面櫛形電極（７）及び裏面櫛形電極（１２）と、 
　を有する太陽電池。」　　　
　
２　引用文献に記載された発明
　上記２の検討からして、引用文献には、図６（ｂ）に関する次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる
  　
　「比抵抗０．５Ω・ｃｍ（ドーパント濃度３．２６×１０１６ｃｍ−３）、ガリウムドープｐ型の単結晶シリコン基板（１）と、 
　前記ｐ型の単結晶シリコン基板（１）の受光面（１ａ）側に形成された
高濃度エミッタ層（２）及び低濃度エミッタ層（３）
　前記ｐ型の単結晶シリコン基板（１）の裏面（１ｂ）側に、０．１ｇ／ｍｌの割合で酸化ボロンを含んだペーストを２ｍｍピッチ、２００μｍ幅の
ラインパターン
高濃度ＢＳＦ層（１４）
　前記ｐ型の単結晶シリコン基板（１）の裏面（１ｂ）側の
全面
低濃度ＢＳＦ層（１５）
　前記ｐ型の単結晶シリコン基板（１）の裏面（１ｂ）に形成された窒化膜（１１）と、 
　前記高濃度エミッタ層（２）及び前記高濃度ＢＳＦ層（１４）にあわせて櫛形電極パターンをＡｇからなる電極ペーストを用い印刷・焼成してなる、表面櫛形電極（７）及び裏面櫛形電極（１２）と、 
　を有する太陽電池。」　
　　　 　 　　　　　　　  　　   　
第４　対比・判断
１　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「ｐ型の単結晶シリコン基板（１）」は、「受光面（１ａ）側」と「裏面（１ｂ）側」を有していることから、本願発明の「一方の主表面を受光面とし、もう一方の主表面を裏面とするＰ型シリコン基板」に相当する。
　以下、同様に、
　「ｐ型の単結晶シリコン基板（１）の裏面（１ｂ）に形成された窒化膜（１１）」は、「裏面上に正電荷を有する誘電体膜」に、
　「ｐ型の単結晶シリコン基板（１）の受光面（１ａ）側に形成された高濃度エミッタ層（２）及び低濃度エミッタ層（３）」は、「Ｎ型導電型層」に、
　「比抵抗０．５Ω・ｃｍ（ドーパント濃度３．２６×１０１６ｃｍ−３）、ガリウムドープｐ型の単結晶シリコン基板（１）」は、「ガリウムがドープされたシリコン基板」に、
　「太陽電池」は、「太陽電池」に、それぞれ、相当する。　
　
（２）上記（１）を整理すると、
　本願発明と引用発明とは、
　「一方の主表面を受光面とし、もう一方の主表面を裏面とするＰ型シリコン基板を備え、前記裏面上に正電荷を有する誘電体膜を備え、前記Ｐ型シリコン基板が前記受光面の少なくとも一部にＮ型導電型層を有する太陽電池であって、
　前記Ｐ型シリコン基板がガリウムがドープされたシリコン基板である」点で一致する。　
　
（３）引用発明の「酸化ボロン」における「ボロン」は、第ＩＩＩ族の元素であって、「ｐ型の単結晶シリコン基板（１）」の裏面（１ｂ）側には、「（ラインパターンで印刷形成した）高濃度ＢＳＦ層（１４）」と「（全面に印刷形成した）低濃度ＢＳＦ層（１５）」が形成されているから、
　本願発明と引用発明とは、「Ｐ型シリコン基板の裏面の全域に、拡散された第ＩＩＩ族の元素としてボロンを含むものであり、
　前記裏面における前記第ＩＩＩ族の元素の拡散表面濃度が前記裏面の全域にわたって
所定の範囲内
   　
（４）以上のことから、本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。
　＜一致点＞  
　「一方の主表面を受光面とし、もう一方の主表面を裏面とするＰ型シリコン基板を備え、前記裏面上に正電荷を有する誘電体膜を備え、前記Ｐ型シリコン基板が前記受光面の少なくとも一部にＮ型導電型層を有する太陽電池であって、
　前記Ｐ型シリコン基板がガリウムがドープされたシリコン基板であり、
　前記Ｐ型シリコン基板の裏面の全域に、拡散された第ＩＩＩ族の元素としてボロンを含むものであり、
　前記裏面における前記第ＩＩＩ族の元素の拡散表面濃度が前記裏面の全域にわたって
所定の範囲内
　　  　　　 　
（５）一方で、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点＞
　拡散表面濃度の所定の範囲内に関して、
　本願発明は、「（拡散表面濃度が）５．０×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ３以上２．０×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３以下の範囲内」であるのに対して、
　引用発明は、そのようなものであるか否か不明である点。
２　判断
（１）上記＜相違点＞について検討する。
　ア　まず、上記＜相違点＞に係る「（拡散表面濃度が）５．０×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ３以上２．０×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３以下の範囲内」の技術的意義を本願明細書の記載を参酌して検討する。
    　
（ア）本願明細書には、図とともに、以下の記載がある。　
　ａ　「【背景技術】
【０００２】
　…このようにして得られたボロンがドープされたシリコン基板には、基板中に存在するボロンと酸素による影響で強い光を太陽電池に当てるとライフタイムが低下し光劣化が起こるという問題があった。
【０００３】
　このような光劣化の問題を解決するため、
特許文献１では、Ｐ型ドーパントとしてボロンの代わりにガリウムを使用することが提案されている
【０００４】
　……
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２０００／０７３５４２号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　上記のＰＥＲＣ構造又はＰＥＲＬ構造等の構造を有する太陽電池の製造において、裏面に誘電体膜を形成する際、特にガリウムがドープされたシリコン基板（以下、ガリウムドープ基板とも記載する。）を用いた場合に、
ドープしたガリウム原子が誘電体膜側に拡散し、基板側の裏面のガリウム（Ｐ型ドーパント）の表面濃度が低下するという問題がある
【０００９】
　上記のように基板側の裏面のガリウムの表面濃度が低下すると、ｉ）コンタクト抵抗が増大する、
ｉｉ）正電荷を有する誘電体膜を形成した場合、図６に示すように基板表面に反転層１１８が形成され、コンタクト近傍（接触領域）でリーク電流が発生し、太陽電池の特性が大幅に低下する、といった問題に発展する
【００１０】
　……
【課題を解決するための手段】
【００１１】
　上記目的を達成するために、本発明では、一方の主表面を受光面とし、もう一方の主表面を裏面とするＰ型シリコン基板を備え、前記裏面上に誘電体膜を備え、前記Ｐ型シリコン基板が前記受光面の少なくとも一部にＮ型導電型層を有する太陽電池であって、
　前記Ｐ型シリコン基板がガリウムがドープされたシリコン基板であり、
　前記Ｐ型シリコン基板の前記裏面に、拡散された第ＩＩＩ族の元素を含むものであることを特徴とする太陽電池を提供する。
【００１２】
　……
【００１３】
　また、前記裏面における前記
第ＩＩＩ族の元素の拡散表面濃度が５．０×１０
１７
ａｔｏｍ／ｃｍ
３
以上２．０×１０
１９
ａｔｏｍ／ｃｍ
３
以下
【００１４】
　このような濃度で第ＩＩＩ族の元素が裏面表面に拡散された太陽電池であれば、裏面におけるＰ型ドーパントの濃度の低下を抑制しつつ、電池特性の悪化を低減できる。
【００１５】
　また、
前記第ＩＩＩ族の元素がボロン、ガリウム、又はアルミニウムであることが好ましい
【００１６】
　……
【発明の効果】
【００２１】
　本発明の太陽電池であれば、基板の裏面に拡散された第ＩＩＩ族の元素を含むものであるため、ガリウムドープ基板の裏面上に誘電体膜が形成されたものであっても、基板の裏面においてＰ型ドーパントの濃度が十分なものとなる。また、本発明の太陽電池の製造方法であれば、裏面にボロン等の
第ＩＩＩ族の元素を導入し、Ｐ型ドーパント量を補償することにより
　ｂ　「【００３４】
　また、裏面における第ＩＩＩ族の元素の拡散表面濃度は、特に限定されない。拡散表面濃度は、例えば、
１．０×１０
１５
ａｔｏｍ／ｃｍ
３
以上１．０×１０
２０
ａｔｏｍ／ｃｍ
３
以下とすることができる。好ましくは、５．０×１０
１７
ａｔｏｍ／ｃｍ
３
以上２．０×１０
１９
ａｔｏｍ／ｃｍ
３
以下である
拡散表面濃度が５．０×１０
１７
ａｔｏｍ／ｃｍ
３
以上であれば、裏面におけるＰ型ドーパントの濃度の低下を十分抑制することができる。２．０×１０
１９
ａｔｏｍ／ｃｍ
３
以下であれば電圧が低下することなく、変換効率が低下せず、電池特性の悪化を低減できる
元々含まれているガリウムの濃度は含まないものである
　
　ｃ　「【００５５】
　次に、図２（ｊ）に示すように、ガリウムドープ基板の裏面上に誘電体膜を形成する。誘電体膜としては上述の太陽電池の項で記載したものと同様のものを用いることができる。本発明の太陽電池の製造方法であれば、
工程（ｅ）で基板の裏面に第ＩＩＩ族の元素を拡散させているため、シリコン窒化膜等の正電荷を有する誘電体膜を形成した場合に、基板裏面の表面領域に反転層が形成されるのを防ぐことができる
　  　
　ｄ　「【００７９】
　図５は、図１（実施例の構造）及び図６（比較例の構造）の破線で示す横断面のエネルギーバンド図を概念的に示した図である。
図５に示すように、第ＩＩＩ族の元素を拡散させた実施例では、基板内部に比べて裏面側の方がＰ型ドーパントの濃度が高いので、基板内部に比べて裏面側の方が伝導帯の下端が高くなっている。これにより、裏面側でキャリアが再結合するのを防ぐことができる
　
　ｅ　図５は、以下のものである。
　
（イ）上記（ア）の記載から、以下のことが理解できる。
　ａ　第ＩＩＩ族の元素は、（基板の裏面の）Ｐ型ドーパント量を補償するものであって、「ボロン」だけではなく、「ガリウム、又はアルミニウム」であってもよいこと。
　ｂ　第ＩＩＩ族の元素の拡散表面濃度の下限値「５．０×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ３」は、Ｐ型ドーパントの濃度の低下を抑制できるという観点から、上限値「２．０×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３」は、光変換効率が低下しないという観点から決められたものであること。
　ｃ　第ＩＩＩ族の元素を「（拡散表面濃度が）５．０×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ３以上２．０×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３以下」となるように拡散させることで、正電荷を有する誘電体膜を形成した場合に、反転層の形成を防止できること。
　ｄ　ガリウムドープ基板の裏面に第ＩＩＩ族の元素を拡散させることにより、ガリウムドープ基板内部と比較して
ｐ型ドーパントの濃度の高い領域
　　
（ウ）上記（イ）のことを踏まえると、
　上記「（拡散表面濃度が）５．０×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ３以上２．０×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３以下の範囲内」の技術的意義は、
　正電荷を有する誘電体膜を形成した太陽電池において、（基板の裏面の）Ｐ型ドーパント量を補償して反転層の形成を防止するとともに、裏面側の伝導帯レベルを高くすることでキャリアの再結合を防止することにあるものと解される。
　また、拡散表面濃度を上記範囲内することで、Ｐ型ドーパントの濃度の低下を抑制できるとともに、光変換効率が低下しないものと認められる。
　
　イ（ア）一方、引用発明の「高濃度ＢＳＦ層（１４）」及び「低濃度ＢＳＦ層（１５）」は、「ガリウムドープｐ型の単結晶シリコン基板（１）」と比較してｐ型ドーパントの濃度の高い領域（裏面電界層）であって、少数キャリアを内部電界によりシリコン基板（１）内部へ押し戻し、キャリアの再結合を抑制するものであることは、当業者にとって明らかである。
　
　必要ならば、下記の文献を参照。
　特開２０１３−１１５２５８号公報（【００２８】ないし【００３０】）
　特開２０１１−２４０６２３号公報（【００３８】及び【００３９】）
　特開２００７−２９４４９４号公報（【００５９】）
　特開２００７−２６６３２８号公報（【００８０】ないし【０１０４】）
　特開２００６−３１９３３５号公報（【００１６】）
　特開２００５−１１６７８３号公報（【０００８】及び【０００９】）
　特開２００５−７９１４３号公報（【００４８】）
　特開２００４−１９３３３７号公報（【００１２】及び図２）
　特開２００４−６４０２８号公報（【００３３】及び図１２）
　特開２００２−８３９８３号公報（【００３４】）
　特開平１０−１９００３３号公報（【要約】）　
  　
　ちなみに、特開２００４−６４０２８号公報の図１２は、以下のものである。
     　
（イ）そうすると、引用発明の「高濃度ＢＳＦ層（１４）」及び「低濃度ＢＳＦ層（１５）」の伝導帯レベルは、「ガリウムドープｐ型の単結晶シリコン基板（１）」の伝導帯レベルよりも高くなるように、つまり、ドーパント濃度は「（基板のドーパント濃度である）３．２６×１０１６ｃｍ−３」よりも大きくなるように設定されているものと解される。
  　
（ウ）また、「高濃度ＢＳＦ層（１４）」及び「低濃度ＢＳＦ層（１５）」のドーパント濃度が大きくなると、膜質が劣化したり、光電変換効率が低下することから、上限をどの程度にするかは、当業者が適宜決め得ることである。
　
（エ）以上の検討によれば、引用発明の「高濃度ＢＳＦ層（１４）」及び「低濃度ＢＳＦ層（１５）」のドーパント濃度を「（基板のドーパント濃度である）３．２６×１０１６ｃｍ−３　」よりも大きな、「５．０×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ３以上２．０×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３以下の範囲内」とすることに何ら困難性は認められない。
　また、本願明細書の記載を見ても、その上限値及び下限値に臨界的な技術的意義は認められない。　　
　　
　ウ　よって、引用発明において、上記＜相違点＞に係る本願発明の構成を備えることは、当業者が容易になし得たことである。
  　　　 　   　 　 　　 
（２）効果 
　本願発明の、（基板の）Ｐ型ドーパント量を補償して反転層の形成を防止するとともに、裏面側の伝導帯レベルを高くすることでキャリアの再結合を防止するという効果は、引用発明が奏する効果である。
　　
３　平成３０年１１月２１日提出の意見書について
（１）請求人は、意見書において、以下のように主張するので、この点について検討する。　
　
　ア　「引用発明１に基づいて本願補正後の請求項１に係る発明とするためには、引用発明１の『高濃度ＢＳＦ層（１４）』及び『低濃度ＢＳＦ層（１５）』の両方で『５．０×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ３以上２．０×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３以下の範囲内』を満たすことが必要ですが、『周知技術２』の各文献には、ＢＳＦ層として機能させることを目的とした層において、『５．０×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ３以上２．０×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３以下の範囲内』とすることを示唆する記載はありません。」（第５頁上段）
　
　以下、上記主張について検討する。
（ア）「周知技術２」として指摘しているのは、ボロンを用いて「高濃度拡散層」及び「低濃度拡散層」を形成する際の、それぞれの、典型的なドーパント濃度は、「１．０×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３程度」及び「１．０×１０１８ａｔｏｍ／ｃｍ３程度」であるということである。
　　
（イ）そして、引用発明の「高濃度ＢＳＦ層（１４）」及び「低濃度ＢＳＦ層（１５）」におけるドーパント濃度は、ｐ型シリコン基板のドーパント濃度よりも大きいことから、当審拒絶理通知においては、引用発明においても、上記と同程度の濃度に設定されているものと認められると説示したまでである。　　
　　　
　イ　「本発明では、『Ｐ型ドーパント量を補償する』ためにボロン拡散層を導入するため、ＢＳＦ層形成の場合よりも、拡散させたボロンの拡散表面濃度が低いものとなっています。」（第５頁中段）
　　
　以下、上記主張について検討する。
（ア）本願明細書の記載及び図５を見れば、裏面側にドーパント濃度の高い領域が形成され、電子が基板内部に押し戻されていることが理解できる。
　　
（イ）また、本願明細書には、「ガリウムがドープされたＰ型シリコン基板」のドーパント濃度については、具体的に記載されていないが、本願明細書【０００７】において、特許文献１として引用されている「国際公開第ＷＯ２０００／０７３５４２号」には、以下の記載がある。
                 　
　「あるいは、本発明は、Ｇａを添加したシリコン単結晶であって、結晶中に含まれる
Ｇａの濃度が５×１０
１７
ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３
〜３×ｌ０
１５
ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３
　これは太陽電池の基板としては、低抵抗率でライフタイムの高い基板が望まれるが、基板ウエーハの抵抗率が極度に低いものは、基板内部にオージェ（Ａｕｇｅｒ）再結合による少数キャリアのライフタイム（寿命）の低下が発生し変換効率が低下する。　従って、本発明のシリコ　ン単結晶中に含まれるガリウムの量は、…あるいは、
ガリウムの濃度は５×１０
１７
ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３
以下とするのが好ましい
　また、…
抵抗率が５Ω・ｃｍ以下
　
　上記記載からして、
　「（特許文献１に記載された）Ｇａを添加したシリコン単結晶」のガリウム濃度は「５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜３×ｌ０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３」であることが理解できる。　
　
（ウ）そうすると、本願発明は、「（ドーパント濃度が３×ｌ０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ ）であるガリウムがドープされたＰ型シリコン基板」の裏面に、第ＩＩＩ族の元素（ボロン）を「（拡散表面濃度が）１．０×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３」となるように拡散させた太陽電池を包含することになる。
（エ）上記（ウ）のような太陽電池においては、ドーパント濃度の差からして、基板の裏面に、ＢＳＦ層が形成されているものと認められる。
　　
　ウ　「ＢＳＦ層形成を目的とした場合、当業者であれば、２．０×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３のような上限値とはせず、もっと高い濃度で拡散ドーパントを導入します。『５．０×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ３以上２．０×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３以下』のようなＢＳＦ層としては低いドーパント濃度で追加ドーパントを導入するくらいであれば、当業者はそもそもそのような拡散層を導入しようとしません。」（第５頁中段）
　
　以下、上記主張について検討する。　
（ア）一般に、ＢＳＦ層による内部電界の大きさは、二つの隣接する領域（層）の、ドーパント濃度の差に依存するものと解されることから、ＢＳＦ層のドーパント濃度は、「ガリウムドープｐ型の単結晶シリコン基板（１）」のドーパント濃度を勘案して決めるべきであって、ＢＳＦ層側のドーパント濃度だけを高くしても、膜質が劣化したりする等の問題が生じるのであるから、その上限をどの程度にするかは、設計事項である。
（イ）また、当審拒絶理由通知の「【理由１】（明確性）」において引用した特開２０１１−２４０６２３号公（出願人：信越化学工業株式会社）には、以下の記載がある。
　
　「【００３８】
　裏面への高濃度ドープ層形成工程
　次に、
シリコン基板３１の裏面
高濃度ドープ層３６
シリコン基板よりも
ドーピング割合が多い層
内部電界を形成するものである
【００３９】
　不純物元素としては、
ボロン（Ｂ）
１×１０
１８
〜５×１０
２１
ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３
程度の高濃度
オーミックコンタクトを得ることができる
　上記記載からして、
　高濃度拡散層の不純物濃度を１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上とすればオーミックコンタクトの得られることが理解できる。
　そうすると、引用発明の「高濃度ＢＳＦ層（１４）」を、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上にしなければならないというものではない。
　       　
（２）よって、請求人の主張は、上記「２」の判断を左右するものではない。
　　　  　
４　まとめ
　本願発明は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。　
　　　
第５　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　
　よって、結論のとおり審決する。