【手続補正書】
【提出日】平成22年8月13日(2010.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
比較例６および７が、第２の層を含まない比較例２（約９６４ｎｍの転写された高さ）に対して、不適切な第２の層（架橋または他の方法で過度に高い分子量Ｍnを有するもの）の使用が、レシーバ要素上に達する転写層の量を減少させるとともに粗さおよび波形に悪影響を及ぼすことを示している。より厚い不適切な第２の層（比較用の層７は比較用の層６より厚い層を有する）が実際に、転写される高さを低下させ、明度を規格から外れたものにすることも注記される。
なお、本発明は、特許請求の範囲を含め、以下の発明を包含する。
１．熱転写プロセスに使用するためのドナー要素であって、
（ａ）支持層と；
（ｂ）前記支持層によって支持される転写層であって、顔料を含み、かつ前記ドナー要素が光に像様露光された際に前記支持層からレシーバ要素へと像様転写可能である転写層と；
（ｃ）前記支持層と前記転写層との間に配置された第２の層であって、バインダーを含むが実質的に顔料を含まない第２の層と
を含み、
前記第２の層のバインダーは、前記ドナー要素を露光させたときに、前記第２の層を前記転写層とともに実質的に転写させる分子量Ｍnを有する、ドナー要素。
２．前記第２の層が架橋剤をさらに含み、前記第２の層のバインダーが、前記架橋剤と反応性の複数の基を含む、１に記載のドナー要素。
３．（ｄ）前記支持層と前記転写層との間に配置され、光吸収材を含む光熱変換層
をさらに含む、１に記載のドナー要素。
４．層（ａ）、（ｂ）および（ｃ）のうちの少なくとも１つが光吸収材を含む、１に記載のドナー要素。
５．前記支持層が、ポリエステルポリマーを含む、１に記載のドナー要素。
６．前記ポリエステルポリマーが、グリコールと縮合されたジカルボン酸、自己縮合されたヒドロキシカルボン酸、およびそれらの組合せからなる群から選択される、５に記載のドナー要素。
７．前記ポリエステルポリマーが、脂肪族グリコールと縮合された芳香族ジカルボン酸を含む、５に記載のドナー要素。
８．前記転写層がポリマーを含む、１に記載のドナー要素。
９．前記ポリマーが、フェノール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニリデン、セルロースエーテルおよびエステル、ニトロセルロース、アクリレートポリマーおよびコポリマー、メタクリレートポリマーおよびコポリマー、エポキシ樹脂、エチレン性不飽和樹脂、ポリエステル、ポリスルホン、ポリイミド、ポリアミド、ポリスルフィド、ポリカーボネート、ならびにそれらの組合せおよびコポリマーからなる群から選択される、８に記載のドナー要素。
１０．前記転写層が、染料、分散剤、界面活性剤、安定剤、架橋剤、可塑剤、赤外線吸収材、偏光子、液晶材料、磁性粒子、絶縁粒子、伝導性粒子、液晶ディスプレイ用のスペーサ、放射性粒子、疎水性材料、親水性材料、微細構造またはナノ構造層、フォトレジスト、金属、ポリマー含有層、接着剤、バインダー、酵素、およびそれらの組合せからなる群から選択される１種または複数の添加剤をさらに含む、１に記載のドナー要素。
１１．前記第２の層のバインダーがポリマーを含む、１に記載のドナー要素。
１２．前記ポリマーが、フェノール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリレート、セルロースエーテルおよびエステル、ニトロセルロース、アクリレートおよびメタクリレートポリマーおよびコポリマー、エポキシ樹脂、エチレン性不飽和樹脂、ポリエステル、ポリスルホン、ポリイミド、ポリアミド、ポリスルフィド、ポリカーボネート、ならびにそれらのコポリマーおよび組合せからなる群から選択される、１１に記載のドナー要素。
１３．前記転写層および第２の層が両方とも、少なくとも１種の同一のバインダーを含む、１に記載のドナー要素。
１４．前記転写層および第２の層が両方とも、少なくとも１種の実質的に同一のバインダーを含む、１に記載のドナー要素。
１５．前記第２の層のバインダーが、約１０００〜約４００００の範囲の分子量Ｍnを有する、１に記載のドナー要素。
１６．前記第２の層のバインダーが、約１０００〜約１５０００の範囲の分子量Ｍnを有する、１５に記載のドナー要素。
１７．前記光熱変換層がポリマーを含む、３に記載のドナー要素。
１８．前記ポリマーが、フェノール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニリデン、セルロースエーテルおよびエステル、ニトロセルロース、アクリレートポリマーおよびコポリマー、メタクリレートポリマーおよびコポリマー、エポキシ樹脂、エチレン性不飽和樹脂、ポリエステル、ポリスルホン、ポリイミド、ポリアミド、ポリスルフィド、ポリカーボネート、ならびにそれらのコポリマーおよび組合せからなる群から選択される、１７に記載のドナー要素。
１９．前記光吸収材が、染料、顔料、金属化合物、金属元素、金属酸化物、炭素化合物、およびそれらの組合せからなる群から選択される、３に記載のドナー要素。
２０．前記架橋剤が、多価アルコールのポリアルキレンオキシド、ポリヒドロキシルポリアクリレート、多価アルコールのアクリレート、多価アルコールのポリアルキレンオキシドアクリレート、メラミンホルムアルデヒド、およびそれらの組合せからなる群から選択される、２に記載のドナー要素。
２１．前記架橋剤が、前記層の全固形分を基準にして４％〜２５％固形分の範囲の量で存在する、２に記載のドナー要素。
２２．前記架橋剤が、前記層の全固形分を基準にして６％〜２０％固形分の範囲の量で存在する、２１に記載のドナー要素。
２３．前記架橋剤が、前記層の全固形分を基準にして１０％〜１５％固形分の範囲の量で存在する、２２に記載のドナー要素。
２４．（１）レシーバ要素と；
（２）前記レシーバ要素上に配置され、かつ前記レシーバ要素を上に高さＨ1を有する第１の画像形成されたパターンであって、
（ａ）バインダーを含有するが実質的に顔料を含有しない第２の層；および
（ｂ）顔料を含有する第１の転写層であって、前記レシーバ要素と前記第２の層との間に配置された第１の転写層
を含む第１の画像形成されたパターンと
を含む、画像形成された集成体。
２５．前記レシーバ要素が、ガラス、フィルム、プラスチック、紙、金属、およびそれらの組合せからなる群から選択される、２４に記載の画像形成された集成体。
２６．前記第２の層が架橋剤を含む、２４に記載の画像形成された集成体。
２７．前記バインダーが架橋されている、２４に記載の画像形成された集成体。
２８．前記第１の転写層と反対側で前記第２の層と接触する伝導性層をさらに含む、２４に記載の画像形成された集成体。
２９．（３）前記レシーバ要素上に配置され、かつ前記レシーバ要素を上に高さＨ2を有する第２の画像形成されたパターンであって、
（ａ）バインダーを含有するが実質的に顔料を含有しない第３の層；および
（ｂ）前記第１の転写層の顔料と異なる顔料を含有する第２の転写層であって、受像基板と前記第３の層との間に配置された第２の転写層
を含む第２の画像形成されたパターン
をさらに含み、ここで、Ｈ1およびＨ2が、０．５ミクロン未満の高さの差を有する、２４に記載の画像形成された集成体。
３０．伝導性層が、前記レシーバ要素と反対側で、前記第１の画像形成されたパターンおよび前記第２の画像形成されたパターンと接触する、２９に記載の画像形成された集成体。
３１．前記高さの差が０．２ミクロン未満である、２９に記載の画像形成された集成体。
３２．前記高さの差が０．１ミクロン未満である、２９に記載の画像形成された集成体。
３３．２９に記載の画像形成された集成体を含むカラーフィルター。
３４．ドナー要素の転写層の熱転写法であって、
（１）レシーバ要素とドナー要素とを含む画像形成性集成体を形成する工程であって、前記ドナー要素が、
（ａ）支持層、および前記支持層によって支持される転写層であって、顔料を含みかつ前記支持層と前記レシーバ要素との間に配置された転写層；ならびに
（ｂ）前記支持層と前記転写層との間に配置された第２の層であって、バインダーを含むが実質的に顔料を含まない第２の層
を含む工程と、
（２）前記画像形成性集成体を光に像様露光する工程であって、前記第２の層が、前記転写層とともに、前記ドナー要素から受像要素へと実質的に像様転写される工程と；
（３）前記ドナー要素と前記受像要素とを分割する工程であって、前記第２の層の画像形成された部分が、前記転写層の画像形成された部分と一緒に、前記レシーバ要素とともに実質的に残る工程と
を順に含む方法。
３５．前記受像要素をアニーリングする工程をさらに含み、前記第２の層の表面が、５ナノメートル未満のＲq値を有する、３４に記載の方法。
３６．前記第２の層の表面が、１〜２ナノメートルのＲq値を有する、３４に記載の方法。
３７．（１）レシーバ要素と第１のドナー要素とを含む第１の画像形成性集成体を形成する工程であって、前記第１のドナー要素が、第１の支持層と、前記第１の支持層によって支持される第１の転写層とを含み、前記第１の転写層が、前記第１の支持層と前記レシーバ要素との間に配置される工程と；
（２）前記第１の画像形成性集成体を光に像様露光する工程であって、前記第１の転写層が、前記第１のドナー要素から前記レシーバ要素へと像様転写される工程と；
（３）前記使用済みの第１のドナー要素と前記画像形成されたレシーバ要素とを分割する工程であって、前記第１の転写層の画像形成された部分が、前記画像形成されたレシーバ要素とともに、高さＨ1を有する第１のパターンとして残る工程と；
（４）前記画像形成されたレシーバ要素と第２のドナー要素とを含む第２の画像形成性集成体を形成する工程であって；前記第２のドナー要素が、第２の支持層と、前記第２の支持層によって支持される第２の転写層とを含み、前記第２の転写層が、前記第２の支持層と、前記画像形成されたレシーバ要素の、前記第１の転写層の画像形成された部分を支持する側との間に配置される工程と；
（５）前記第２の画像形成性集成体を光に像様露光する工程であって、前記第２の転写層が、前記ドナー要素から前記レシーバ要素へと像様転写される工程と；
（６）前記第２のドナー要素と前記画像形成されたレシーバ要素とを分割する工程であって、前記第２の転写層の画像形成された部分が、前記レシーバ要素とともに、高さＨ2を有する第２のパターンとして残る工程と
を順に含む画像形成方法であって、
ここで、前記第１のドナー要素および前記第２のドナー要素のうちの少なくとも一方が、前記支持層と前記転写層との間に配置された介在層を含み、各介在層が、分子量Ｍnを有するバインダーを含み、これにより、前記ドナー要素を露光した際に、前記介在層を前記転写層とともに実質的に転写させる画像形成方法。
３８．Ｈ1およびＨ2が０．２ミクロン未満だけ異なる、３７に記載の画像形成方法。
３９．Ｈ1およびＨ2が０．１ミクロン未満だけ異なる、３７に記載の画像形成方法。
４０．前記レシーバ要素上の少なくとも１つの介在層の厚さが、０．１ミクロンを超え、かつ０．５ミクロン未満である、３７に記載の画像形成方法。
４１．前記介在層が実質的に顔料を含まない、３７に記載の画像形成方法。
４２．前記介在層が実質的に顔料を含まず、前記第１の転写層が顔料を含む、３７に記載の画像形成方法。
４３．前記介在層が実質的に顔料を含まず、前記第２の転写層が顔料を含む、３７に記載の画像形成方法。
４４．前記介在層が実質的に顔料を含まず、前記第１の転写層が実質的に顔料を含まず、前記第２の転写層が実質的に顔料を含まない、３７に記載の画像形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱転写プロセスに使用するためのドナー要素であって、
（ａ）支持層と；
（ｂ）前記支持層によって支持される転写層であって、顔料を含み、かつ前記ドナー要素が光に像様露光された際に前記支持層からレシーバ要素へと像様転写可能である転写層と；
（ｃ）前記支持層と前記転写層との間に配置された第２の層であって、架橋剤およびバインダーを含むが実質的に顔料を含まず、前記バインダーが、画像形成後まで、架橋されないままである前記架橋剤と反応性の複数の基を含む第２の層と
を含み、
前記第２の層のバインダーは、前記ドナー要素を露光させたときに、前記第２の層を前記転写層とともに実質的に転写させる１０００〜４０，０００の範囲の分子量Ｍnを有する、ドナー要素。
【請求項２】
（１）レシーバ要素と；
（２）前記レシーバ要素上に配置され、かつ前記レシーバ要素を上に高さＨ1を有する第１の画像形成されたパターンであって、
（ａ）架橋剤およびバインダーを含有するが実質的に顔料を含有しない第２の層であって、この第２の層（１３）中のバインダーは架橋されており、１０００〜４０，０００の範囲の分子量Ｍnを有する第２の層；および
（ｂ）顔料を含有する第１の転写層であって、前記レシーバ要素と前記第２の層との間に配置された第１の転写層
を含む第１の画像形成されたパターンと
を含む、画像形成された集成体。
【請求項３】
（３）前記レシーバ要素上に配置され、かつ前記レシーバ要素を上に高さＨ2を有する第２の画像形成されたパターンであって、
（ａ）架橋剤およびバインダーを含有するが実質的に顔料を含有しない第３の層であって、この第３の層中のバインダーは架橋されており、１０００〜４０，０００の範囲の分子量Ｍnを有する第３の層；および
（ｂ）前記第１の転写層の顔料と異なる顔料を含有する第２の転写層であって、レシーバ要素と前記第３の層との間に配置された第２の転写層
を含む第２の画像形成されたパターン
をさらに含み、ここで、Ｈ1およびＨ2が、０．５ミクロン未満の高さの差を有する、請求項２に記載の画像形成された集成体。
【請求項４】
請求項３に記載の画像形成された集成体を含むカラーフィルター。
【請求項５】
ドナー要素の転写層の熱転写法であって、
（１）レシーバ要素とドナー要素とを含む画像形成性集成体を形成する工程であって、前記ドナー要素が、
（ａ）支持層、および前記支持層によって支持される転写層であって、顔料を含みかつ前記支持層と前記レシーバ要素との間に配置された転写層；ならびに
（ｂ）前記支持層と前記転写層との間に配置された第２の層であって、架橋剤およびバインダーを含むが実質的に顔料を含まない第２の層
を含む工程と、
（２）前記画像形成性集成体を光に像様露光する工程であって、前記第２の層が、前記転写層とともに、前記ドナー要素から受像要素へと実質的に像様転写される工程と；
（３）前記ドナー要素と前記受像要素とを分割する工程であって、前記第２の層の画像形成された部分が、前記転写層の画像形成された部分と一緒に、前記レシーバ要素とともに実質的に残る工程と
を順に含む方法。
【請求項６】
（１）レシーバ要素と第１のドナー要素とを含む第１の画像形成性集成体を形成する工程であって、前記第１のドナー要素が、第１の支持層と、前記第１の支持層によって支持される第１の転写層とを含み、前記第１の転写層が、前記第１の支持層と前記レシーバ要素との間に配置される工程と；
（２）前記第１の画像形成性集成体を光に像様露光する工程であって、前記第１の転写層が、前記第１のドナー要素から前記レシーバ要素へと像様転写される工程と；
（３）前記使用済みの第１のドナー要素と前記画像形成されたレシーバ要素とを分割する工程であって、前記第１の転写層の画像形成された部分が、前記画像形成されたレシーバ要素とともに、高さＨ1を有する第１のパターンとして残る工程と；
（４）前記画像形成されたレシーバ要素と第２のドナー要素とを含む第２の画像形成性集成体を形成する工程であって；前記第２のドナー要素が、第２の支持層と、前記第２の支持層によって支持される第２の転写層とを含み、前記第２の転写層が、前記第２の支持層と、前記画像形成されたレシーバ要素の、前記第１の転写層の画像形成された部分を支持する側との間に配置される工程と；
（５）前記第２の画像形成性集成体を光に像様露光する工程であって、前記第２の転写層が、前記ドナー要素から前記レシーバ要素へと像様転写される工程と；
（６）前記第２のドナー要素と前記画像形成されたレシーバ要素とを分割する工程であって、前記第２の転写層の画像形成された部分が、前記レシーバ要素とともに、高さＨ2を有する第２のパターンとして残る工程と
を順に含む画像形成方法であって、
ここで、前記第１のドナー要素および前記第２のドナー要素のうちの少なくとも一方が、前記支持層と前記転写層との間に配置された介在層を含み、各介在層が、架橋剤およびバインダーを含むが実質的に顔料を含有せず、前記バインダーは画像形成露光中に架橋され、１０００〜４０，０００の範囲の分子量Ｍnを有し、これにより、前記ドナー要素を露光した際に、前記介在層を前記転写層とともに実質的に転写させる画像形成方法。