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　特願２０１３−　１０５３７「電子デバイスの製造方法、電子デバイス及び発振器」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　８月　７日出願公開、特開２０１４−１４３５５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２５年１月２３日の出願であって，平成２８年７月１５日付けで拒絶理由が通知され，同年９月２０日付けで手続補正書が提出され，平成２９年２月２０日付けで拒絶査定がなされ，同年５月２３日に拒絶査定不服審判の請求がなされ，同時に手続補正書が提出されたものである。その後，平成３０年６月１１日付けで当審が拒絶理由を通知したところ，同年７月３０日付けで手続補正書が提出された。
第２　本願発明
　平成３０年７月３０日付けで補正された特許請求の範囲の請求項６に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
　「複数の貫通電極が形成される絶縁性のベース基板と，
前記ベース基板の一方の表面に実装される電子素子と，
前記電子素子を収容し前記ベース基板に接合される蓋体と，を備え，
前記ベース基板は，前記ベース基板の他方の表面に露出する前記貫通電極の端面と前記端面の周囲の前記表面とにニッケル膜が１μｍから５μｍの厚さにキャップされたように密着して覆って形成され，さらにその上にニッケル膜及び金属膜が形成された積層構造の外部電極を有し，
前記外部電極と前記表面との界面に金属触媒が形成される電子デバイス。」
第３　当審が通知した拒絶理由
　平成３０年６月１１日付けで当審が通知した拒絶理由（以下，「当審拒絶理由」という。）の概要は，この出願の請求項８に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　なお，本願発明は，上記請求項８に係る発明に対応する。
１．特開２０１２−１６０７７８号公報
２．特開２００８−２６３１２１号公報
３．特開２０１２−４４１０５号公報
第４　引用文献の記載，引用発明，周知技術等
　１　引用文献１及び引用発明
（１）当審拒絶理由で引用された特開２０１２−１６０７７８号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている（下線は当審による。以下同様。）。
　ア　「【請求項１】
　
互いに接合されたベース基板及びリッド基板と，両基板の間に形成された電子部品を封止可能なキャビティと，を備えたパッケージ
　前記ベース基板を厚み方向に貫通する金属芯材を有し，該金属芯材を介して前記電子部品と外部とを導通させる貫通電極を形成する貫通電極形成工程と，
　前記ベース基板の上面と前記リッド基板の下面とを互いに重ね合わせた状態で陽極接合し，両基板の間に前記キャビティを画成する接合工程と，
　前記ベース基板の下面に導電性材料を被膜して，前記貫通電極に導通する外部電極を形成する外部電極形成工程と，を備え，
　前記接合工程と前記外部電極形成工程との間に，前記ベース基板の下面を研磨して，該下面のうちの少なくとも前記外部電極が形成される部分と，前記金属芯材の下端面と，を同時に研磨する研磨工程を行うことを特徴とするパッケージの製造方法。」
　イ　「【００２９】
（パッケージ）
　次に，パッケージ９について詳細に説明する。
　
図１，図３及び図４に示すように，リッド基板３は，ガラス材料，例えばソーダ石灰ガラスからなる陽極接合可能な透明の基板であり，略板状に形成されている。そして，ベース基板２が接合される接合面側には，圧電振動片４が収まる矩形状の凹部３ａが形成されている。この凹部３ａは，両基板２，３が重ね合わされたときに，圧電振動片４を収容するキャビティＣとなるキャビティ用の凹部である。そして，リッド基板３は，この凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態で該ベース基板２に対して陽極接合されている。
【００３０】
　
ベース基板２は，リッド基板３と同様にガラス材料，例えばソーダ石灰ガラスからなる基板であり
　
このベース基板２には，該ベース基板２を貫通する一対のスルーホール（貫通孔）３０，３１と，一対の貫通電極３２，３３と，が形成されている
　ウ　「【００３９】
（圧電振動子及びパッケージの製造方法）
　次に，上述した圧電振動子１の製造方法を図８に示すフローチャートを参照しながら説明する。
　なお，本実施形態では，ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とを利用して，圧電振動子１を一度に複数製造する場合を例に挙げて説明すると共に，同時にパッケージ９の製造方法についても説明する。
　・・・中略・・・
【００４３】
　次に，上記工程と同時或いは前後のタイミングで，後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を，陽極接合を行う直前の状態まで作製するベース基板用ウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。
　まず，ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に，エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ３１）。次いで，ベース基板用ウエハ４０に一対の貫通電極３２，３３を複数形成する貫通電極形成工程を行う（Ｓ３２）。ここで，この貫通電極形成工程（Ｓ３２）について，詳細に説明する。
　・・・中略・・・
【００５３】
　次に，作製した複数の
圧電振動片４を，それぞれ引き回し電極３６，３７を介してベース基板用ウエハ４０の上面４０ａにバンプ接合する
　まず，一対の引き回し電極３６，３７上にそれぞれ金等のバンプＢを形成する。そして，圧電振動片４の基部１２をバンプＢ上に載置した後，バンプＢを所定温度に加熱しながら圧電振動片４をバンプＢに押し付ける。これにより，圧電振動片４は，バンプＢに機械的に支持されると共に，マウント電極１６，１７と引き回し電極３６，３７とが電気的に接続された状態となる。よって，この時点で圧電振動片４の一対の励振電極１５は，一対の貫通電極３２，３３に対してそれぞれ導通した状態となる。
　特に，圧電振動片４は，バンプ接合されるので，ベース基板用ウエハ４０の上面４０ａから浮いた状態で支持される。
【００５４】
　圧電振動片４のマウントが終了した後，ベース基板用ウエハ４０に対してリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる重ね合わせ工程を行う（Ｓ５０）。
　具体的には，図示しない基準マーク等を指標としながら，両ウエハ４０，５０を正しい位置にアライメントし，ベース基板用ウエハ４０の上面４０ａとリッド基板用ウエハ５０の下面とを互いに重ね合わせる。これにより，マウントされた圧電振動片４が，ベース基板用ウエハ４０に形成された凹部３ａと両ウエハ４０，５０とで囲まれるキャビティＣ内に収容された状態となる。
【００５５】
　次いで，重ね合わせた２枚のウエハ４０，５０を図示しない陽極接合装置に入れ，所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う（Ｓ６０）。
　具体的には，接合膜３５とリッド基板用ウエハ５０との間に所定の電圧を印加する。すると，
接合膜３５とリッド基板用ウエハ５０との界面に電気化学的な反応が生じ，両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより，圧電振動片４をキャビティＣ内に封止することができ，ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合した図１６に示すウエハ体６０を得ることができる。
　・・・中略・・・
【００６３】
  これにより，図１９に示すように，ベース基板用ウエハ４０の下面４０ｂを全面に亘って研磨加工することができ，後述する外部電極３８，３９が形成される部分と，芯材部７ｂの露出している下端面と，を同時に研磨することができる。そのため，
陽極接合によってベース基板用ウエハ４０の下面４０ｂに析出した図示しないＮａイオン（陽イオン）の析出物を除去することができると共に，芯材部７ｂの下端面に図示しない酸化膜が生成されていたとしても該酸化膜を除去することができる。
【００６４】
　続いて，上記研磨工程（Ｓ７０）が終了した後，
ベース基板用ウエハ４０の下面４０ｂに導電性材料を被膜して，一対の貫通電極３２，３３にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極３８，３９を複数形成する
【００６５】
  特に，上記したように，
Ｎａイオンの析出物及び酸化膜を取り除いた状態で，ベース基板用ウエハ４０の下面４０ｂに導電性材料を被膜して外部電極３８，３９を形成することができるので，外部電極３８，３９の密着性を高めることができ
（２）上記（１）に摘記した各記載事項及び図面，並びにこの分野における技術常識を考慮すると，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「一対の貫通電極が形成されガラス材料からなるベース基板と，
前記ベース基板の上面にバンプ接合される圧電振動片と，
前記圧電振動片を収容しベース基板と陽極接合されるリッド基板と，を備え，
前記ベース基板は，その下面に，前記一対の貫通電極と電気的に接続され，前記ベース基板との密着性を高めた，導電性材料を被膜して形成された外部電極を有する，
パッケージ。」
　２　引用文献２
（１）同じく当審拒絶理由で引用された特開２００８−２６３１２１号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
　「【０１０１】
　また，ヒートシンクを搭載することで高放熱の半導体装置に実現することができる。
（半導体装置の製造方法）
　図１２Ａから図１２Ｌは，本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造法を工程順に示す断面図である。本実施形態の製造方法は，図１に示したような第１実施形態の半導体装置を製造するためのものである。
　・・・中略・・・
【０１０６】
　
フルアディティブ法は，基板上に無電解めっき触媒を吸着させた後に，レジストでパターンを形成し，このレジストを絶縁膜として残したまま触媒を活性化し，無電解めっき法により絶縁膜の開口部に金属を析出させることで所望の配線パターンを得る方法である。
　・・・中略・・・
【０１１１】
　また，ビア１９の位置に予め通電用のポストを形成したあとに絶縁層２１を形成し，研磨・研削により絶縁層２１表面を削って通電用ポストを露出させてビア１９を形成する方法が用いられても構わない。また，下記に示す上層配線２０と同じ工程でビア１９を形成しても良い。
【０１１２】
　さらに，
ビア１９上に，例えば，サブトラクティブ法，セミアディティブ法またはフルアディティブ法等の方法により上層配線２０を形成する。
上層配線２０としては，例えば，
ニッケル
少なくとも１種の金属もしくはこれらを主成分とする合金が用いられる。
（２）上記（１）に摘記した記載事項及び図面，並びにこの分野における技術常識を考慮すると，引用文献２には，次の技術事項が記載されていると認められる。
　「ニッケルからなる金属の配線パターンと，ビアが形成された絶縁層の表面との界面に触媒を形成して，前記金属の無電解めっきを行うこと。」
　３　周知技術
（１）特開２００４−６９４４号公報（以下，「周知例１」という。）には，以下の事項が記載されている。
　ア　「【０００７】
ところで，この種の
配線基板１のパッド１１をなすメタライズ層には上記したようにニッケルメッキがかけられるが，そのメッキ層の厚さは，従来，１μｍ程度が耐蝕性において必要十分な厚さとされていた。
厚すぎればメッキ後に発生する内部応力
　イ　「【００１２】
本発明において，ニッケルメッキ層の厚さを２．５μｍ以上としたのは，これより薄いと，下地メタライズ層が部分的に露出し，メッキ層にピンホールができハンダが濡れない部分が残存し，その部分に起因してボイドが形成されるためである。一方，ニッケルメッキ層の厚さが８μｍを超えるようだと，メッキ析出時にメッキ層に発生する内部応力やセラミックや下地メタライズ層とメッキ層との熱膨張係数の違いに起因して，そのメッキ後において下地メタライズ層の密着性の低下や密着不良（剥離や基板との間のクラックの発生）を招いてしまい，この面において接続信頼性を低下させる危険性が増大する。
【００１３】
なお，ニッケルメッキは，電気的に独立したパッドには無電解メッキやバレルメッキによることになる
【００１４】
ここで無電解メッキによってニッケルメッキ層を形成する場合には，少なくともＮｉ−Ｂメッキによってニッケルメッキ層の最表面を形成するのが好ましい。具体的にはニッケルメッキ層全体をＮｉ−Ｂメッキによって形成するのが好ましく，その他，ニッケルメッキ層のうち下層をＮｉ−Ｐメッキなどによって形成し，その後，Ｎｉ−Ｂメッキにより最表層を形成してもよい。Ｎｉ−Ｂメッキによって形成されたＮｉ−Ｂメッキ層はハンダ濡れ性に優れるからである。
【００１５】
また，
ニッケルメッキ層の上には，
厚さ０．０１〜１μｍ，さらに好ましくは０．０３〜０．１μｍの金（Ａｕ）メッキ層を形成するのが好ましい。
　ウ　「【００２２】
そして，本発明に係る配線基板の製造に当たっては，ニッケルメッキ層に金メッキ層若しくは金ニッケル層を形成する場合も含め，ニッケルメッキ層の厚さが２．５〜８μｍ好ましくは３〜７μｍとなるように，そのニッケルメッキを複数回に分けてかけるのが好ましい。すなわち，こうしたニッケルメッキ層の厚さは１回のメッキでも得ることができるが，複数回でその厚さとなるようにメッキをかけ，複数のニッケルメッキ層とするのがより好ましい。複数回に分けてメッキをかけた場合には同じ厚さを１回でかけた場合に比べ，下地メタライズ層の被覆がより具合良くなされ，その露出を略皆無とし得る結果，ボイドの発生数を一層低減できるからである。
【００２３】
なお，このように複数回に分けてニッケルメッキをかける際には，各回のニッケルメッキ層の厚さをなるべく一定に設定するのがメッキ作業上から好ましい。またメッキの密着安定化のためや
メッキ層の内部応力の緩和のため，複数回に分けたニッケルメッキ工程の間に，少くとも１回の加熱処理工程を含めるとよく
（２）特開２０００−１１４４２２号公報（以下，「周知例２」という。）には，以下の事項が記載されている。
　「【０００２】
【従来の技術】この種の電子部品用パッケージは，例えばアルミナセラミックなどからなるパッケージ本体（以下，単に本体ともいう）の底面側に，例えば無酸素銅からなる放熱部材がＡｇ−Ｃｕ共晶合金でロー（ろう）付けされて構成される。
このようなパッケージは，放熱部材のロー付け後，酸化（腐食）防止等のため，本体のボンディングパッド（以下，パッドともいう）などの金属面（メタライズ面）及び放熱部材の露出面（放熱面）にニッケルメッキ（以下，Ｎｉメッキともいう）及び金メッキ（以下，Ａｕメッキともいう）がかけられるのが普通である。
【０００３】
ここにＮｉメッキは，耐蝕性さらにはＡｕメッキとの密着性を確保するためにかけられるのであるが，ピンホールの発生を防ぎ耐蝕性を高めるためには，なるべく厚めにかけるのが好ましく
メッキ後に発生する内部応力によりパッドなどをなすメタライズ層が剥離する危険性が高くなる
このため，Ｎｉメッキは複数回に分けてかけるのが好ましいとされている。
【０００４】そして複数回に分けてかける場合には，耐蝕性さらには生産効率（メッキ処理時間）やコスト面から，１回のメッキ厚は従来０．５〜１．３μｍの範囲とされるのがこの種の製品にかかわるメッキ技術における常識とされていた。そして，このようなメッキ工程では同メッキの密着性を高めるなどのため，１回目のＮｉメッキの後に，放熱部材のロー付け温度以下で例えば８００℃でロー付けした場合には５００〜７００℃で加熱処理（以下，熱処理ともいう）をし，その後２回目のＮｉメッキをかけていた。」
（３）特開２００７−６３６３３号公報（以下，「周知例３」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
　ア　「【００３２】
  
図１および図２によく表れているように，配線層３１，３２上には，半導体チップ４の端子部４０や回路基板２の端子パッド２０と電気的に接続する部位に，下地めっき層３５，３６
　イ　「【００３７】
  下地めっき層３５，３６は，固溶体層３５Ｂ，３６Ｂを含む合計の厚さＴ１が３〜８μｍに形成するのが好ましい。これは，下地めっき層３５，３６の厚みが不当に小さい場合には，下地めっき層３５，３６によって配線層３１，３２を確実に被覆できず，表面めっき層３７，３８を配線層３１，３２に充分強固に被着させることができない場合がある一方，
下地めっき層３５，３６の厚みが不当に大きい場合には，下地めっき層３５，３６の内部応力に起因して，配線層３１，３２から下地めっき層３５，３６自体が剥離したり
【００３８】
  なお，図示した下地めっき層３５，３６は，単一の合金層３５Ａ，３６Ａおよび固溶体層３５Ｂ，３６Ｂからなる構成であったが，下地めっき層は，最上層（表面めっき層３７，３８と接する表層部）が固溶体層３５Ｂ，３６Ｂであればよく，その他のめっき層を含んだ構成であってもよい。この場合のめっき層は，単一成分（微量成分を含有する場合を含む）からなるめっき層であっても，複数成分からなる合金めっき層であってもよい。
【００３９】
  すなわち，
下地めっき層３１，３２の厚さを５μｍ以上とする場合，一度にこの厚さまで下地めっき層３１，３２（固溶体層３５Ｂ，３６Ｂが形成されていない状態）を被着させるよりも，いったん薄く（1〜２μｍ程度の厚さで）１次の下地めっき層（図示せず）を被着させた後，所定の厚さまで２次以降のめっき層（図示せず）を被着させるようにすることが望ましい。
【００４０】
  
これにより，各下地めっき層３１，３２の内部で応力を分散させることができるため，下地めっき層３１，３２の厚みが大きい場合であっても，内部応力に起因する不具合を効果的に防止することができる。
【００４１】
  
また，上記１次のめっき層等，最上層以外の下地めっき層は，いったん被着させた後，最上層の下地めっき層を被着させる前に，少なくとも１回，熱処理することが好ましい。これにより，内部応力を緩和し，
【００４２】
  表面めっき層３７，３８は，配線層３１，３２および下地めっき層３５，３６の酸化腐食を防止するためのものであり，その厚みＴ２が０．３〜１．５μｍに形成されている。
この表面めっき層３７，３８は，たとえば金や白金などの耐食性に優れる金属により形成されている。
（４）例えば周知例１〜３の各記載（上記（１）〜（３））から，次の技術事項は周知技術と認められる。
　「外部電極等をニッケル等の膜及び金等の金属膜からなる積層構造で形成する際，応力の低減のため，めっきにより形成されるニッケル等の膜を複数の層とすること。」
　４　技術常識
（１）例えば周知例１（上記３（１）の特に段落【０００７】,【００１２】を参照），周知例２（同（２）の特に段落【０００３】,【０００４】を参照），周知例３（特に上記３（３）イを参照）の各記載からも明らかなように，「金属膜の厚さの上限及び下限を，応力及び耐食性を考慮して決定すること。」は技術常識（以下，「技術常識１」という。）である。
（２）例えば特開２０００−３１３９２７号公報（段落【０００３】等参照），特開平９−５９７７８号公報（段落【０００２】等参照）の各記載からも明らかなように，「無電解めっきの触媒として，金属触媒を用いること。」は技術常識（以下，「技術常識２」という。）である。
第５　対比・判断
　１　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「一対の貫通電極」は，複数の貫通電極である。
　引用発明の「ガラス材料」，「圧電振動片」は，それぞれ，絶縁性材料，電子素子の一種であり，引用発明の「バンプ接合」，「陽極接合」は，それぞれ，実装，接合の一形態である。
　引用発明の「リッド基板」，「パッケージ」は，それぞれ本願発明の「蓋体」，「電子デバイス」に相当する。
　引用発明の「外部電極」が，「ベース基板」の「下面に」，「前記一対の貫通電極と電気的に接続され，前記ベース基板との密着性を高めた，導電性材料を被膜して形成された」ものであることと，本願発明の「外部電極」が「前記ベース基板の他方の表面に露出する前記貫通電極の端面と前記端面の周囲の前記表面とにニッケル膜が１μｍから５μｍの厚さにキャップされたように密着して覆って形成され，さらにその上にニッケル膜及び金属膜が形成された積層構造の」ものであることとは，引用文献１の図３等も考慮すると，外部電極が，ベース基板の他方の表面に露出する貫通電極の端面と前記端面の周囲のベース基板の表面とに導電性材料の膜がキャップされたように密着して覆って形成されたものであることにおいて，共通している。
　２　したがって，本願発明と引用発明とは以下の点で一致し，また，相違する。
（一致点）「複数の貫通電極が形成される絶縁性のベース基板と，
前記ベース基板の一方の表面に実装される電子素子と，
前記電子素子を収容し前記ベース基板に接合される蓋体と，を備え，
前記ベース基板は，前記ベース基板の他方の表面に露出する前記貫通電極の端面と前記端面の周囲の前記表面とに導電性材料の膜がキャップされたように密着して覆って形成された外部電極を有する，
電子デバイス。」
（相違点）一致点の「導電性材料の膜」が形成された「外部電極」に関し，本願発明は，「ニッケル膜が１μｍから５μｍの厚さに」「形成され」，「さらにその上にニッケル膜及び金属膜が形成された積層構造の」ものであるとともに，「前記外部電極と前記表面との界面に金属触媒が形成される」ものであるのに対し，引用発明は，それらの特定がない点。
　３　そこで，上記相違点について検討する。
　引用発明の「外部電極」は「導電性材料を被膜して形成された」ものであるところ，被膜形成の具体化のために，引用文献２に記載の技術事項である「ニッケルからなる金属の配線パターンと，ビアが形成された絶縁層の表面との界面に触媒を形成して，前記金属の無電解めっきを行うこと」（上記第４の２（２））を適用して，引用発明の「外部電極」が，ベース基板の他方の表面に露出する貫通電極の端面と前記端面の周囲の前記表面とにニッケル膜がキャップされたように密着して覆って形成されたものとするとともに，前記外部電極と前記表面との界面に触媒が形成されるものとすることは，当業者が容易に想到し得ることである。
　その際，周知技術（上記第４の３（４））及び技術常識１（同４（１））に基づき，引用発明の「外部電極」を，上記ニッケル膜，その上に形成されたニッケル膜及び金属膜からなる，積層構造のものとするとともに，前者のニッケル膜の厚さの上限及び下限を応力及び耐食性に基づいて設定することは，上記技術事項の適用において当業者が適宜採用し得る程度のことであり，ここで，上限及び下限の具体的な数値は設計的事項である。
　また，上記界面に形成される無電解めっきの触媒が金属触媒であることは，技術常識２（上記第４の４（２））から明らかである。
　４　また，本願発明の作用効果は，引用発明，引用文献２に記載の技術事項，周知技術及び技術常識１，２から当業者が予測できる程度のものである。
第６　むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明，引用文献２に記載の技術事項，周知技術及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。