【手続補正書】
【提出日】平成22年7月26日(2010.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバであって、
少なくとも一つのライトパイプを有する静電チャックであって、基板裏面上の少なくとも一つの地点に温度感受性感光物質を備える基板を受け取り可能な静電チャックと、
前記少なくとも一つのライトパイプに接続される光源であって、前記少なくとも一つのライトパイプに光を供給することにより、前記基板が前記静電チャック上にある状態で、前記基板裏面上の前記少なくとも一つの地点に光を当てる光源と、
前記ライトパイプに接続される検出器であって、前記基板裏面上の少なくとも一つの前記地点における前記温度感受性感光物質から放出された光を受け取ることによって、前記基板裏面上の少なくとも一つの前記地点における基板温度を検出する検出器と、
検出された基板温度を用いて、前記静電チャックの温度制御パラメータを調整することにより、前記静電チャック上で処理される複数の基板の温度を所望の基板温度範囲内に保持するチャンバ制御部と、
を備える処理チャンバ。
【請求項２】
請求項１記載の処理チャンバであって、
前記基板裏面上の少なくとも一つの前記地点における前記温度感受性感光物質から放出され、受け取られた前記光を処理することによって、前記基板裏面上の少なくとも一つの前記地点における前記基板温度を検出する解析部をさらに備える、処理チャンバ。
【請求項３】
請求項１記載の処理チャンバであって、
前記チャンバ制御部が、検出された基板温度に基づき、前記基板裏面上の複数の地点のいずれか一つで臨界温度変化が生じたか否かを判定する、処理チャンバ。
【請求項４】
請求項３記載の処理チャンバであって、
前記臨界温度変化は、前記基板裏面上の少なくとも一つの前記地点のいずれかで前記所望の基板温度範囲外の温度が検出された場合に生じる、処理チャンバ。
【請求項５】
請求項１記載の処理チャンバであって、
前記温度制御パラメータは、一つあるいは複数の加熱／冷却要素を用いて、設定される、処理チャンバ。
【請求項６】
請求項５記載の処理チャンバであって、
前記加熱／冷却要素の一つは、裏面ヘリウム（Ｈｅ）圧力により設定される、処理チャンバ。
【請求項７】
請求項１記載の処理チャンバであって、
前記基板裏面上の複数の地点に前記温度感受性感光物質を備え、前記複数の地点に対応する前記静電チャックの個別制御区域ごとに温度制御パラメータを調整して、個別制御区域の温度を個別に制御する、処理チャンバ。
【請求項８】
請求項１記載の処理チャンバであって、
前記基板裏面上の少なくとも一つの地点に温度感受性感光物質を備える前記基板は、基板移送チャンバに接続されるステーションあるいはロードロック内に配置される、処理チャンバ。
【請求項９】
請求項１記載の処理チャンバであって、
前記光源は、前記ライトパイプ内に埋め込まれた光ファイバーを介して光を供給する、処理チャンバ。
【請求項１０】
請求項１記載の処理チャンバであって、
前記温度感受性感光物質は、前記光源から光を受け取った後に、蛍光を発する、処理チャンバ。
【請求項１１】
請求項１０記載の処理チャンバであって、
前記基板温度は、放出された前記蛍光の前記光源オフ後の減衰を測定することによって、決定される、処理チャンバ。
【請求項１２】
クラスターツールシステムであって、
基板温度を示す信号を放出可能な基板を保持するための基板保持ステーションと、
前記基板保持ステーションから前記基板を受け取り、前記基板を内部に保持した状態で処理プロセスを実施する処理チャンバと、
前記処理チャンバにおいて処理プロセスが進行する際に前記基板から放出される信号を検出し、前記基板温度を示す前記放出された信号を受け取る信号検出器と、
を備えるクラスターツールシステム。
【請求項１３】
請求項１２記載のクラスターツールシステムであって、
前記基板から放出された前記信号に基づき前記基板温度を検出する解析部と、
前記基板温度が所定の制御範囲外にあるか否かを判定し、前記処理チャンバの温度制御パラメータを調整することにより、前記処理チャンバ内で処理される複数の基板の基板温度を所定の制御範囲内に維持するチャンバ制御部と、
をさらに備える、クラスターツールシステム。
【請求項１４】
請求項１２記載のクラスターツールシステムであって、
前記信号検出器が前記処理チャンバに組み込まれている、クラスターツールシステム。
【請求項１５】
請求項１２記載のクラスターツールシステムであって、
前記基板から放出された信号は、基板温度測定装置によって受け取られ、後に読み出すために記憶装置に伝達され、前記基板温度測定装置と前記記憶装置とは、前記基板に組み込まれている、クラスターツールシステム。
【請求項１６】
請求項１５記載のクラスターツールシステムであって、
前記基板には、さらに、前記基板温度測定装置と前記記憶装置とを充電するためのバッテリが組み込まれている、クラスターツールシステム。
【請求項１７】
請求項１６記載のクラスターツールシステムであって、
前記基板保持ステーションは、前記基板に組み込まれたバッテリを充電するバッテリ充電ステーションを備える、クラスターツールシステム。
【請求項１８】
請求項１２記載のクラスターツールシステムであって、
前記信号検出器は前記基板保持ステーションに組み込まれている、クラスターツールシステム。
【請求項１９】
請求項１２記載のクラスターツールシステムであって、
前記信号検出器は無線装置である、クラスターツールシステム。
【請求項２０】
請求項１２記載のクラスターツールシステムであって、
前記信号検出器は赤外線信号あるいは光信号を検出する、クラスターツールシステム。
【請求項２１】
請求項１２記載のクラスターツールシステムであって、
前記基板保持ステーションがロードロックである、または、ロードロック、真空移送モジュール、もしくはクラスターツールシステムの大気輸送モジュールのいずれかに接続される、クラスターツールシステム。
【請求項２２】
処理チャンバ内で基板の処理を実行する際にその場で基板温度をモニターし制御する方法であって、
前記処理チャンバ内に基板を置く工程と、
前記処理チャンバ内で処理手順を開始する工程と、
基板から温度測定信号を受け取る工程であって、それにより、前記基板の一または複数の区域における一または複数の基板処理温度が検出される工程と、
前記一または複数の基板処理温度が所定の制御範囲内であるか否かを判定する工程と、
を備える方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の方法であって、
前記処理チャンバに制御信号を送信する工程であって、前記制御信号の送信により前記一ないし複数の基板処理温度のいずれかが前記所定の制御範囲外にある場合には、前記一ないし複数の基板処理温度が前記所定の制御範囲内に入るように、基板温度制御因子が調整される工程をさらに備える、方法。
【請求項２４】
請求項２２記載の方法であって、
前記温度測定信号を受け取る工程は、処理手順における所定の処理ステップの所定の時間範囲に実行される、方法。
【請求項２５】
請求項２４記載の方法であって、
前記温度測定信号を受信する工程は、処理手順における所定の瞬間に実行される、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
一実施例において、検出器１７０は、光ファイバー１６３からの光信号（光）を電気信号に変換し、解析装置１７１で電子的処理する。解析装置１７１は、電気信号を処理して、基板温度を算出する。本実施例では、解析装置１７１は、時間の関数としての発光強度の減衰データから減衰時間（τ）を計算する。次に、図１Ｂおよび図１Ｃを参照して上述したように、減衰時間（τ）から基板温度を算出する。解析装置１７１で得られた算出結果はチャンバ制御装置１８０に送信される。チャンバ制御装置１８０は、基板温度が所定の制御範囲内であるか否かを判定する。チャンバ制御装置１８０のソフトウェア構成ならびにハードウェア構成に従って、ＥＳＣ冷却素子１６３、ＥＳＣ加熱素子１６２、ＥＳＣ裏面のＨｅ圧力部１６１等の電磁チャック（ＥＳＣ）加熱素子／冷却素子の制御部に制御信号が送信され、基板温度が制御範囲内に維持されるように、加熱素子／冷却素子のパラメータが調整される。例えば、基板温度が高すぎる場合には、チャンバ制御装置１８０は、Ｈｅ圧力制御部１８１に信号を送信して、基板裏面のＨｅ圧力を増加することによって、ＥＳＣ温度と基板温度とを低下させることができる。逆に、チャンバ制御装置１８０は、加熱素子制御部１８２に信号を送信して、電磁チャック（ＥＳＣ）の加熱出力を増大させることによって、あるいは、ＥＳＣ冷却素子に信号を送信して、ＥＳＣ冷却液の温度を上昇させることによって、ＥＳＣ温度と基板温度とを上昇させることができる。上述したような機構により、基板温度のモニターと制御が可能になる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３Ａ】
2010503231.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３Ｂ】
2010503231.tif 000002