【事件の表示】
　特願２０１７−　９１６９６「固体撮像装置、および電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　８月１０日出願公開、特開２０１７−１３９４９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２６年２月２８日の出願である特願２０１４−０３８５８４号の一部を，平成２９年５月２日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２９年　５月　２日　　　上申書
平成２９年１１月３０日付け　拒絶理由通知
平成３０年　２月　１日　　　意見書・手続補正
平成３０年　４月２７日付け　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成３０年　８月　８日　　　審判請求
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成３０年２月１日に補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりである。
「【請求項１】
　１共有の形状が長方形であり，１共有単位に８つの光電変換素子が含まれる光電変換素子群と，
　前記光電変換素子群の長辺方向に，１つの群として配置され，リセットトランジスタ，増幅トランジスタ，および選択トランジスタが含まれる画素トランジスタ群と
　を備え，
　前記８つの光電変換素子は，それぞれ４つの光電変換素子で１つのフローティングディフュージョンを共有し，
　前記光電変換素子群で共有される２つのフローティングディフュージョンの配列方向は，前記光電変換素子群の長辺方向と同じであり，
　前記増幅トランジスタは，前記光電変換素子群の長辺方向において，前記光電変換素子群で共有される２つのフローティングディフュージョンの間に配置される
　固体撮像装置。」
　
第３　原査定の拒絶の理由
　本願発明について，原査定の拒絶の理由は次のとおりである。
　本願発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
　１．特開２０１３−０６２７８９号公報
　２．特開２００８−２７０２９９号公報
　３．特開２００７−０９５９１７号公報
　
第４　引用文献及び引用発明
１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１３−０６２７８９号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は，当審で付加した。以下同じ。）
「【技術分野】
【０００１】
　本開示は，
固体撮像装置
「【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
　上述のように，従来，ＣＭＯＳイメージセンサでは，様々な画素のレイアウト技術が提案されている。しかしながら，画素サイズを例えば１μｍ以下程度まで微細化すると，上述のような画素共有技術を用いても，例えばトランジスタ等のレイアウトに制限を受ける。
【００１４】
　具体的には，画素サイズの微細化に伴い，フォトダイオードの開口率が最大となるように設計するために，その分，トランジスタの占有面積をさらに縮小（最小化）する必要がある。この場合，例えば，画素サイズやトランジスタのレイアウト手法によっては，共有画素内の複数のフォトダイオード間で例えば感度（出力）等の特性に，ばらつきが生じる可能性がある。
【００１５】
　本開示は，上記問題を解消するためになされたものである。本開示の目的は，例えば画素サイズの微細化がさらに進行しても，
複数のフォトダイオード間の例えば感度等の特性のばらつきを抑制することができる固体撮像装置
「【００３２】
［固体撮像装置の全体構成］
　次に，第１の実施形態に係る固体撮像装置の全体構成について，図面を参照しながら具体的に説明する。なお，本実施形態では，
固体撮像装置として，４トランジスタ型の裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサ
【００３３】
　図１に，第１の実施形態に係るＣＭＯＳイメージセンサの概略ブロック構成を示す。
ＣＭＯＳイメージセンサ１００は，画素アレイ部１０１
を備える
【００３４】
　さらに，ＣＭＯＳイメージセンサ１００は，信号処理部１０８及びデータ格納部１０９を備える。なお，信号処理部１０８及びデータ格納部１０９は，ＣＭＯＳイメージセンサ１００とは別の基板に設けられた，例えばＤＳＰ(Digital Signal Processor)やソフトウェアにより処理を行う外部信号処理部で構成してもよい。また，信号処理部１０８及びデータ格納部１０９を，例えば画素アレイ部１０１等が形成される半導体基板と同じ半導体基板上に搭載してもよい。
【００３５】
　
画素アレイ部１０１は，行列状に２次元配置された複数の単位画素（以下，単に画素という）を備える。また，各画素には，入射光量に対応した電荷量の光電荷（以下，単に電荷という）を発生して内部に蓄積する光電変換素子（本実施形態ではフォトダイオード）が設けられる。なお，本実施形態では，複数の画素を共有する構成とするので，共有される複数の画素からなる共有単位部（以下，共有画素単位部という）を行列状に２次元配置して，画素アレイ部１０１が構成される。
「【００５６】
［共有画素単位部のレイアウト］
（１）共有画素単位部全体のレイアウト
　図４に，本実施形態のＣＭＯＳイメージセンサ１００（固体撮像装置）における共有画素単位部１１０のレイアウト構成の概略平面図を示す。なお，図４に示す共有画素単位部１１０のレイアウト構成において，図３に示す共有画素単位部１１０の等価回路内の構成と対応する構成には同じ符号を付して示す。
【００５７】
　
共有画素単位部１１０は，第１受光部２１と，第２受光部２２とを有する。第１受光部２１及び第２受光部２２は，共有画素単位部１１０内において，縦方向（図４中のＹ方向）に配列する。
８つの画素で共有されるＦＤ領域１６（フローティングディフュージョン部）は，各受光部にそれぞれ分けて設けられる（第１ＦＤ領域１６ａ及び第２ＦＤ領域１６ｂ）。
【００５８】
　また，
共有画素単位部１１０は，第１トランジスタ群３１と，第２トランジスタ群３２とを有する。すなわち，
８つの画素で共有する各種トランジスタを２つのトランジスタ群に分けて配置する。
第１トランジスタ群３１に増幅トランジスタ１３及び選択トランジスタ１５を配置し，第２トランジスタ群３２にリセットトランジスタ１４を配置する
【００５９】
　また，
第１トランジスタ群３１は，図４に示すように，第１受光部２１と第２受光部２２との間に配置される。さらに，第２トランジスタ群３２は，第２受光部２２の周辺領域において，第２受光部２２の第１トランジスタ群３１の配置側とは反対側の領域に配置される。
【００６０】
　なお，本実施形態では，
各トランジスタ群は，横方向（図４中のＸ方向）に沿って，受光部の一方の端部付近の位置から他方の端部付近の位置まで延在して形成される
「【００７１】
　また，本実施形態の
ＣＭＯＳイメージセンサ１００では，より良好な特性を得るために，増幅ゲート１３ａの面積をより大きくする
増幅ゲート１３ａの横方向（Ｘ方向）の延在長さを，選択ゲート１５ａのそれより長くする
「【００７９】
　上述のようにして各トランジスタ群を構成した場合，第１トランジスタ群３１のレイアウト構成（第１のレイアウト構成：ゲート及びソース／ドレインのパターン及びサイズ）が，第２トランジスタ群３２のレイアウト構成（第２のレイアウト構成）と略対称となる。より詳細には，
図４に示すように，第１トランジスタ群３１及び第２トランジスタ群３２間の中心を通りかつ両トランジスタ群間の配置方向（Ｙ方向）と直交する方向（Ｘ方向）に延在する直線Ｌ１に対して両トランジスタ群のレイアウト構成が互いに略対称になる。
【００８０】
　
それゆえ，本実施形態のＣＭＯＳイメージセンサ１００では，第１トランジスタ群３１及び第２トランジスタ群３２間のレイアウト構成の非対称性により発生する上記問題を解消することができる。具体的には，各種トランジスタのゲート及び／又は各種ソース／ドレインの各フォトダイオードの出力（感度）への影響を，共有する複数のフォトダイオード間で略均一にすることができる。その結果，本実施形態の第１トランジスタ群３１及び第２トランジスタ群３２のレイアウト構成では，共有画素単位部１１０内の８つのフォトダイオード間における例えば感度（出力）等の特性のばらつきを抑制することができる。
「【０１７１】
［共有画素単位部のレイアウト］
（１）共有画素単位部全体のレイアウト
　
図１０に，本実施形態の共有画素単位部１７０のレイアウト構成
【０１７２】
　
共有画素単位部１７０は，受光部６０と，
第１トランジスタ群６１と，第２トランジスタ群６２とで構成される。
【０１７３】
　また，本実施形態では，受光部６０の横方向（図１０中のＸ方向）において，ウエルコンタクト２３は，受光部６０の一方の側（図１０では左側）の周辺領域に配置され，各トランジスタ群は，受光部６０の他方の側（図１０では右側）の周辺領域に配置される。この際，ウエルコンタクト２３は，受光部６０内のＦＤ領域１６と対向する位置に配置される。ただし，ウエルコンタクト２３及び各トランジスタ群の配置位置は，図１０に示す例
に限定されず，受光部６０に対するウエルコンタクト２３と各トランジスタ群との配置関係が，図１０に示す配置関係と逆になっていてもよい。
【０１７４】
　
第１トランジスタ群６１及び第２トランジスタ群６２は，受光部６０の縦方向（図１０中のＹ方向）に沿って，互いに所定間隔，離して配置される。
　
（２）引用発明
　前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「固体撮像装置であって，
　その画素アレイ部を構成する共有画素単位部は，第１受光部と，第２受光部とを有し，第１受光部及び第２受光部は，共有画素単位部内において，縦方向に配列され，８つの画素で共有される２つのフローティングディフュージョン部は，各受光部にそれぞれ分けて設けられ，
　共有画素単位部は，第１トランジスタ群と，第２トランジスタ群とを有し，第１トランジスタ群に増幅トランジスタ及び選択トランジスタを配置し，第２トランジスタ群にリセットトランジスタを配置し，
　第１トランジスタ群は，第１受光部と第２受光部との間に配置され，さらに，第２トランジスタ群は，第２受光部の周辺領域において，第２受光部の第１トランジスタ群の配置側とは反対側の領域に配置され，各トランジスタ群は，横方向に沿って，受光部の一方の端部付近の位置から他方の端部付近の位置まで延在して形成されること。」
２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００８−２７０２９９号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，複数の光電変換素子を含む単位セルがウェルに配列された光電変換装置及びそれを含む撮像装置に関する。」
「【００１３】
　図２は，１つの単位セルの構成例を示す回路図である。
各単位セル２０は，回路要素として，例えば，複数の光電変換素子２１ａ〜２１ｄ，複数の転送トランジスタ２２ａ〜２２ｄ，１つのフローティングディフュージョン（以下，ＦＤ）２５，１つの増幅トランジスタ２３及び１つのリセットトランジスタ２４を含む。
「【００２４】
　
図３は，図２に示す単位セルの構造の一例を示す平面パターン図（レイアウト図）である。
ＦＤ４３ａ〜４３ｄは，
ゲート電極４６，ソース領域４７及びドレイン領域４５ｂは，増幅トランジスタ２３を構成している。ゲート電極４４，ソース領域４３ｅ及びドレイン領域４５ａは，リセットトランジスタ２４を構成している。
　図３には，ゲート電極４６で構成される
増幅トランジスタと
リセットトランジスタは，単位セルの長辺方向において，長辺に沿って配置されること
３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７−０９５９１７号公報（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，画素領域のウェル電圧を制御可能な固体撮像装置に関する。」
「【００３６】
　（第４の実施形態）
　図１３は，本発明の第４の実施形態に係る
固体撮像装置における一組の画素ＰＸＬａ〜ＰＸＬｈ
図１４は，図１３に示す画素の組が行列状に配置された画素領域ＰＸＲのレイアウトを示している。
【００３７】
　本実施形態に係る固体撮像装置では，ＰＤ１ａ〜１ｈと転送ゲート２０ａ〜２０ｈとは，各画素ＰＸＬａ〜ＰＸＬｈに個別に設けられている。その一方で，
増幅トランジスタＡＴｒやリセットトランジスタＲＴｒは，組をなす８画素ＰＸＬａ〜ＰＸＬｈで共用されている。
【００３８】
　主ウェル配線４は，ｎ（＝８）列毎に敷設されており，より詳しくは，画素の組の端（境界部）を列方向に延伸している。そして，組をなす８個の画素ＰＸＬａ〜ＰＸＬｈのうち，端の一つ（ＰＸＬａ）に，ドープ領域２およびコンタクト３が設けられている。ドープ領域２は，主ウェル配線４と隣接して設けられている。また，リセットトランジスタＲＴｒと増幅トランジスタＡＴｒとは，組をなす８個の画素のうち，両端から２画素目（ＰＸＬｂ，ＰＸＬｅ）と３画素目（ＰＸＬｃ，ＰＸＬｄ）とに設けられている。」　
　図１４には，
増幅トランジスタＡＴｒとリセットトランジスタＲＴｒは，組をなす８画素ＰＸＬａからＰＸＬｈの長辺方向において，長辺方向に沿って配置される
　
第５　対比及び判断
１　対比
（１）本願発明と引用発明との対比
　ア　引用発明では「共有画素単位部は，第１受光部と，第２受光部とを有し，第１受光部及び第２受光部は，共有画素単位部内において，縦方向に配列され」ており，第１受光部及び第２受光部はそれぞれ略正方形である（前記第４の１（１）図４）から，「共有画素単位部」の「形状は長方形であり，」また，「８つの画素で共有されるフローティングディフュージョン部」を有するから，引用発明の「共有画素単位部」は，本願発明の「１共有の形状が長方形であり，１共有単位に８つの光電変換素子が含まれる光電変換素子群」に相当する。
　イ　引用発明では「第１トランジスタ群に増幅トランジスタ及び選択トランジスタを配置し，第２トランジスタ群にリセットトランジスタを配置」するから，これらの「トランジスタ群」は，本願発明の「画素トランジスタ群」と，「リセットトランジスタ，増幅トランジスタ，および選択トランジスタが含まれる画素トランジスタ群」である点で共通する。
　ウ　引用発明では「８つの画素で共有される２つのフローティングディフュージョン部は，各受光部にそれぞれ分けて設けられ」るから，「前記８つの光電変換素子は，それぞれ４つの光電変換素子で１つのフローティングディフュージョンを共有」するといえる。
　エ　引用発明では「第１受光部及び第２受光部は，共有画素単位部内において，縦方向に配列され，８つの画素で共有される２つのフローティングディフュージョン部は，各受光部にそれぞれ分けて設けられ」るから，「前記光電変換素子群で共有される２つのフローティングディフュージョンの配列方向は，前記光電変換素子群の長辺方向と同じ」といえる。
　オ　すると，本願発明と引用発明とは，下記（２）の点で一致し，下記（３）の点で相違する。
（２）一致点
「１共有の形状が長方形であり，１共有単位に８つの光電変換素子が含まれる光電変換素子群と，
　リセットトランジスタ，増幅トランジスタ，および選択トランジスタが含まれる画素トランジスタ群と
　を備え，
　前記８つの光電変換素子は，それぞれ４つの光電変換素子で１つのフローティングディフュージョンを共有し，
　前記光電変換素子群で共有される２つのフローティングディフュージョンの配列方向は，前記光電変換素子群の長辺方向と同じである，
　固体撮像装置。」
（３）相違点
　本願発明では「画素トランジスタ群」が「前記光電変換素子群の長辺方向に，１つの群として配置され」「前記増幅トランジスタは，前記光電変換素子群の長辺方向において，前記光電変換素子群で共有される２つのフローティングディフュージョンの間に配置される」のに対し，引用発明では「第１トランジスタ群は，第１受光部と第２受光部との間に配置され，さらに，第２トランジスタ群は，第２受光部の周辺領域において，第２受光部の第１トランジスタ群の配置側とは反対側の領域に配置され，各トランジスタ群は，横方向に沿って，受光部の一方の端部付近の位置から他方の端部付近の位置まで延在して形成される」点。
２　相違点についての判断
（１）容易想到性について
　引用発明の目的は，固体撮像装置において「複数のフォトダイオード間の例えば感度等の特性のばらつきを抑制すること」（前記第４の１（１）【００１５】）であり，このために，「図４に示すように，第１トランジスタ群３１及び第２トランジスタ群３２間の中心を通りかつ両トランジスタ群間の配置方向（Ｙ方向）と直交する方向（Ｘ方向）に延在する直線Ｌ１に対して両トランジスタ群のレイアウト構成が互いに略対称になる」（同【００７９】）ようにするというものである。ここで，同図４をみると，「直線Ｌ１」は「第２受光部」の縦方向における中心を通っているから，「両トランジスタ群のレイアウト構成が互いに略対称」とするのは「受光部」についてであることがわかる。もし，「受光部」でなく「共有画素単位部」について略対称とするのであれば，図４の直線Ｌ１は「第１受光部」と「第２受光部」との間に位置するはずである。
　そして，引用発明は，「共有画素単位部を行列状に２次元配置」する際に「行列状に２次元配置された複数の単位画素」が前提となっており（同【００３５】），すなわち，略正方形の「受光部」が行列状に２次元配置されることが前提となっている。
　してみると，「受光部」は略正方形で「長辺方向」と「短辺方向」の区別はなく，しかも行列状に２次元配置されるのであるから，縦方向と同様に横方向にも繰り返し配置されるものであることは，当業者に自明のことである。
　すると，引用発明においてその目的を達成するためには，略正方形の受光部について「両トランジスタ群のレイアウト構成が互いに略対称」とする際に，縦方向に略対称としても横方向に略対称としても，等価であることは，当業者が容易に了解することである。
　そして，それぞれの受光部について横方向に略対称とすれば，両トランジスタ群はそれぞれの受光部の縦方向に沿って配置され，横方向に隣接する受光部のトランジスタ群と横方向に略対称となり，また，縦方向に隣接する受光部のそれぞれのトランジスタ群は「長辺方向に，１つの群として配置」されることになる。ここで，このようなトランジスタ群の配置は引用文献１（前記第４の１（１）図１０），引用文献２（前記第４の２）及び引用文献３（前記第４の３）に記載されているように周知技術であるから，引用発明において相違点に係る構成とすることは，当業者が容易になし得ることである。
（２）効果について
　本願発明の「固体撮像装置１０１において，Tr.のpoly-Siの密度が異なることによる影響を軽減し，PRNU(Photo Response Non Uniformity:感度不均一性)を改善することができる」（本願明細書段落００６６）という効果は，対称性を高めることにより奏されるもの（同段落）であり，本願発明のようにトランジスタ群を縦方向に配置しようが引用発明のように横方向に配置しようが，対称性の点で変わらないことは，前記（１）で述べたとおりである。
　また，本願発明の「Tr.（特に増幅Tr.）のL長を長くすることができるので，RN（ランダムノイズ）を改善することができる」（本願明細書段落００６１）という効果は，引用文献１の記載（前記第４の１（１）【００７１】）から，当業者が予測できる程度のものである。
　してみると，本願発明について格別の効果は認められない。
３　まとめ
　以上のとおりであるから，本願発明は，引用文献１−３に記載された発明に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　結言
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。