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　特願２００２−　２２５００「エッチング液、エッチング方法及び半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月　８日出願公開、特開２００３−２２４１１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年１月３０日の出願であって、平成１６年６月２９日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内である同年８月９日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年８月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月４日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜１２に係る発明は、平成１６年８月９日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載されたとおりであるところ、その請求項９に係る発明は次のとおりである。
　「表面を構成する層がＡｌを含む半導体ウェーハの該表面上に、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層を含む積層体を形成する工程と、
　前記Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層をエッチング液によりエッチングして、前記積層体を電極パターンに形成する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
　前記エッチング液として、ヨウ素とヨウ化カリウムとアルコールとを含む溶液を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
（以下、「本願発明」という。）。
　
３．刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開昭５８−６７０７８号公報（以下、「刊行物１」という。）及び特公昭４８−８７０６号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１
（１−ａ）第１頁左欄１４行〜同頁右欄２０頁
「この発明はＧａｘＡｌ１−ｘＡｓをはじめとする三元素、・・・の化合物半導体素子製造方法に関する。
　従来よりＧａＡｓ、ＧａＰを始めとする化合物半導体は発光素子をはじめ各種の半導体デバイスとして広く用いられている。・・・まず、従来のＧａＡｓ、ＧａＰの化合物半導体の製造方法を第１図を用いて説明する。第１図（ａ）において、１１はｐ型ＧａＡｓ単結晶基板である。この基板１１上にエピタキシャル成長によって、ｐ型ＧａｘＡｌ１−ｘＡｓ層１２、ｎ型ＧａｙＡｌ１−ｙＡｓ層１３を順次成長させる。このようなウエハから発光ダイオードを製造するにはｎ型ＧａｙＡｌ１−ｙＡｓ層１３にＡｕに微量のＧｅを添加した合金膜１４を基板１１上にＡｕに微量のＢｅを添加した合金膜１５を形成し、不活性ガス雰囲気中で５００℃程度の高温処理を行うことによりオーミック電極とする（第１図（ｂ）参照）。次に、第１図（ｃ）に示すように、上記合金膜１４上純金膜１６を形成する。さらに、フォトエッチングにより上記合金膜１４及び純金膜１６を第１図（ｄ）に示すように所望の形状とすることにより電極とする。そして、ブレードダイシング等を行うことにより第１図（ｅ）に示すように所望の発光ダイオードが得られる。」
　なお、原文１４行の「ＧａｘＡｌｒｘＡｓ」は、上記のとおり「ＧａｘＡｌ１−ｘＡｓ」の誤記と認める。
　
（２）刊行物２
（２−ａ）第１頁左欄１９〜２８行
「本発明は金層を最上層に有する多重金属膜の蝕刻において、沃素、沃化アルカリ塩、水及び水溶性有機溶媒より成る沃素溶液によって金層の所望の部分を蝕刻除去し、この除去された金層の下地金属層の表面にこの下地金属の沃化物を形成せしめ、次にこの沃化物を除去した後この沃化物の除去された下地金属層部分をこれを蝕刻する蝕刻液によって蝕刻し、以下の下地金属に同様の蝕刻処理を施こすようにしたことを特徴とする多重金属膜の蝕刻方法に関するものである。」
　
（２−ｂ）第１頁右欄１６〜２３行
「また特公昭４７−３０８２０号「モリブデン−金２重膜導体の食刻による製造方法」にはヨード、ヨー化アンモニウムの水溶液で、金を蝕刻する方法が示されている。この方法には蝕刻の周辺が粗れる傾向を持ち、界面活性剤を加えて直線に保つよう改善している。しかし周辺の粗れは充分に除くことが困難であり、より平滑に蝕刻できる蝕刻液が求められる。」
　
（２−ｃ）第２頁左欄６〜２８行
「・・・金層の厚さは比較的薄く、１０００〜２０００Å程度である。この場合金を蝕刻する沃素溶液の蝕刻速度は数１００Å／分程度が望ましいので、沃素及び沃化アンモニウム濃度の低い蝕刻液を用いなければならない。而して本発明に用いる沃素溶液はエチルアルコール、アセトン、メチルアルコールなどの水溶性有機溶媒で希釈し、蝕刻速度を１０００Å／分以下に低下せしめている。
　また前記沃素溶液において沃化アンモニウムは沃素を水に溶かす役割を演じている。アルコールなどの水溶性有機溶媒はそれ自身沃素を溶解するので、このアルコールを溶媒に用いると沃化アンモニウム濃度を低下せしめることができる。またこの沃化アンモニウムは沃化カリウムあるいは沃化ナトリウムなどの沃化アルカリ塩と置換えても同等の効果を果すことができる。
　本発明は上記のような方法であるから、次のような作用効果を有している。
（１）金を蝕刻する沃素溶液はアルコールなどの水溶性性有機溶媒を含むため、蝕刻によって生ずる金属層の辺の部分が滑らかになり、蝕刻精度が向上する。」
　
４．対比・判断
　刊行物１には、上記摘記事項（１−ａ）より、 
 「表面にｐ型ＧａｘＡｌ１−ｘＡｓ層１２及びｎ型ＧａｙＡｌ１−ｙＡｓ層１３を有するｐ型ＧａＡｓ単結晶基板の表面上に、Ａｕに微量のＧｅを添加した合金膜１４及び純金膜１６を形成する工程と、上記合金膜１４及び純金膜１６をフォトエッチングにより所望の電極の形状とする工程を含む発光ダイオードの製造方法」（以下、「刊行物１発明」という。）が開示されている。
　ここで、本願発明と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「表面にｐ型ＧａｘＡｌ１−ｘＡｓ層１２及びｎ型ＧａｙＡｌ１−ｙＡｓ層１３を有するｐ型ＧａＡｓ単結晶基板」「Ａｕに微量のＧｅを添加した合金膜１４及び純金膜１６」、「発光ダイオード」は、本願発明の「表面を構成する層がＡｌを含む半導体ウェーハ」、「Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層を含む積層体」、「半導体装置」に相当するので、両者は、
「表面を構成する層がＡｌを含む半導体ウェーハの該表面上に、Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層を含む積層体を形成する工程と、
　前記Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層をエッチングして、前記積層体を電極パターンに形成する工程とを含む半導体装置の製造方法」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点
　本願発明では、前記Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層は、エッチング液によるエッチングを行い、当該エッチング液として、ヨウ素とヨウ化カリウムとアルコールとを含む溶液を用いるのに対して、刊行物１発明では、前記Ａｕ又はＡｕ合金にて構成される層をフォトエッチングすると記載されているものの、エッチング液について明記していない点
 
　以下、上記相違点について検討する。
　刊行物２には、上記摘記事項（２−ａ）、（２−ｂ）、（２−ｃ）から、
　「金層を所望の形状にエッチングする際に、周辺の粗れを抑え、平滑にエッチングできる、ヨウ素、ヨウ化カリウム、及びアルコールとを含むエッチング液」
　が開示されている。
　そして、金層を含む半導体素子の電極構造は、マスクパターンどおりの形状であることが電気的あるいは物理的特性上望ましく、また、微細加工の必要とされるエッチング技術の分野において、被エッチング層の材料に対し粗れなどの影響の少ないエッチング精度の高いエッチング液を選択することは、当業者であれば通常配慮する技術的課題である。
　とすれば、当業者が、刊行物１発明において、上記技術的課題に配慮し、金層をエッチングする際のエッチング液として、刊行物２に開示されたエッチング液を採用することは、容易に想到し得た事項である。
　また、本願発明のエッチング精度の向上という効果は、予測できる程度の効果にしか過ぎない。
　したがって、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。