Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月18日(2010.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スマートカード（１）のためのＰＩＮサービスを実行する方法であって、
ａ．複数のＰＩＮサービス機能のうちのひとつを選択されることによって、ＰＩＮサービス要求（ＰＳＲＦ：ＰＩＮ service request）を開始するステップと、
ｂ．前記選択されたＰＩＮサービス要求（ＰＳＲＦ）に対応する暗号化された認証メッセージ（ＰＳＲＱ：authentication message）を生成するステップと、
ｃ．ＰＩＮサービス設備（５、６）に前記暗号化された認証メッセージ（ＰＳＲＱ）を送信するステップと、
ｄ．前記暗号化された認証メッセージ（ＰＳＲＱ）に対する、暗号化された応答メッセージ（ＰＳＲＳ：response message）を前記ＰＩＮサービス設備（５、６）から受信するステップと、
ｅ．前記選択されたＰＩＮサービス要求（ＰＳＲＦ）に対して前記暗号化された応答メッセージ（ＰＳＲＳ）を検証するステップと、成功した検証に応答して、
ｆ．前記スマートカード（１）のための前記ＰＩＮサービスを実行するステップと
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記暗号化された認証メッセージ（ＰＳＲＱ）は、１つの時間暗号を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記暗号化された認証メッセージ（ＰＳＲＱ）を生成するステップに用いられる暗号が、前記スマートカード（１）により生成されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ステップｃは、前記スマートカード（１）の認証されたユーザを特定するユーザ特定情報を、前記ＰＩＮサービス設備（５、６）に送信するステップを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記ステップｆは、検証成功を示すＰＩＮサービスメッセージを表示するステップを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記ステップｆは、前記スマートカード（１）に接続されたスマートカードリーダ（２）により実行されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ステップｂおよび前記ステップｅの少なくとも一方は、前記スマートカード（１）により実行されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記ステップｅは、前記スマートカード（１）に接続されたスマートカードリーダ（２）の手段により前記暗号化された応答メッセージ（ＰＳＲＳ）を前記スマートカード（１）に提供するステップを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ステップａは、前記スマートカード（１）に接続されたスマートカードリーダ（２）により実行されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記スマートカードリーダ（２）は、前記ＰＩＮサービスのうち対応する１つを選択するために複数のファンクションキー（９）を備えたことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ステップｃとｄとの間において、前記ＰＩＮサービス設備（５、６）により前記認証メッセージ（ＰＳＲＱ）を検証するステップと、前記ＰＩＮサービス設備（５、６）により前記認証メッセージ（ＰＳＲＱ）の検証成功に応答して前記応答メッセージ（ＰＳＲＳ）を生成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記記認証メッセージ（ＰＳＲＱ）は、既定の関係に従って、前記スマートカード（１）へのＰＩＮサービス要求の間において変わるコンポーネントを有し、および前記記認証メッセージ（ＰＳＲＱ）は、前記既定の関係に対して認証されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
スマートカード（１）のためのＰＩＮサービスを実行する装置であって、
複数のＰＩＮサービス機能のうちのひとつを選択されることによって、ＰＩＮサービス要求（ＰＳＲＦ：ＰＩＮ service request）を開始する手段と、
前記選択されたＰＩＮサービス要求（ＰＳＲＦ）に対応する暗号化された認証メッセージ（ＰＳＲＱ：authentication message）を生成する手段と、
ＰＩＮサービス設備（５、６）に前記暗号化された認証メッセージ（ＰＳＲＱ）を送信する手段と、
前記暗号化された認証メッセージ（ＰＳＲＱ）に対する、暗号化された応答メッセージ（ＰＳＲＳ：response message）を前記ＰＩＮサービス設備（５、６）から受信する手段と、
前記選択されたＰＩＮサービス要求（ＰＳＲＦ）に対して前記暗号化された応答メッセージ（ＰＳＲＳ）を検証する手段と、成功した検証に応答して、
前記スマートカード（１）のための前記ＰＩＮサービスを実行する手段と
を備えたことを特徴とする装置。
【請求項１４】
前記ＰＩＮサービス要求（ＰＳＲＦ：ＰＩＮ service request）を開始する手段は、スマートカードリーダ（２）を備えたことを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記スマートカードリーダ（２）は、前記ＰＩＮサービスのうち対応する１つを選択するために複数のファンクションキー（９）を備えたことを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月15日(2010.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ処理システムであって、
論理アドレスを受信し、前記論理アドレスを物理アドレスに変換して１つまたは複数のアドレス属性を提供するアドレス変換器と、
前記アドレス変換器に接続され、前記論理アドレスを、受信された前記論理アドレスの変換アドレスとして選択的に提供するバイパス回路であって、該選択的提供は、前記論理アドレスに関連する前記１つまたは複数のアドレス属性の提供前に行われる、バイパス回路と、
を備えるデータ処理システム。
【請求項２】
前記バイパス回路は、
前記論理アドレスに関連する前記１つまたは複数のアドレス属性の提供前に、受信された前記論理アドレスを前記アドレス変換器によって前記変換アドレスとして提供するか否かを判定する値を持つ１つまたは複数のビットを有する制御レジスタと、
リセット入力であって、リセット信号の受信に応答して、前記アドレス変換器によって提供される前記物理アドレスをバイパスするか否かを制御するための所定値を前記制御レジスタに設定するための前記リセット入力と、
を含む、請求項１のデータ処理システム。
【請求項３】
前記バイパス回路は、
前記論理アドレスに関連する前記１つまたは複数のアドレス属性の提供前に、受信された前記論理アドレスを前記アドレス変換器によって前記変換アドレスとして提供するか否かを判定する値を持つ１つまたは複数のビットを有する制御レジスタと、
リセット入力であって、所定値を有するリセット信号の受信に応答して前記バイパス回路が前記１つまたは複数のビットの値を決定するための前記リセット入力と、
を含む、請求項１のデータ処理システム。
【請求項４】
前記バイパス回路は、前記論理アドレスに関連する前記１つまたは複数のアドレス属性の提供前に、受信された前記論理アドレスを前記アドレス変換器によって前記変換アドレスとして提供するか否かを判定する値を持つ１つまたは複数のビットを有する制御レジスタを含み、
前記制御レジスタは、受信された前記論理アドレスが命令の論理アドレスのときに変換物理アドレス値のバイパスを制御する値を有する第１のビットと、受信された前記論理アドレスがデータの論理アドレスのときに変換物理アドレス値のバイパスを制御する値を有する第２のビットとを含む、請求項１のデータ処理システム。
【請求項５】
データ処理システムにおけるアドレス変換方法であって、
論理アドレスを受信すること、
物理アドレスおよび１つまたは複数の属性への前記論理アドレスの変換を開始すること
、
利用可能な前記１つまたは複数の属性の生成前に、制御信号に応答して前記論理アドレスを選択変換アドレスとして選択的に提供すること、
を備える、アドレス変換方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月12日(2010.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均化学量論組成ＣＦｘを有する部分フッ素化炭素質材料を含む正極であって、ｘは、フッ素原子の炭素原子に対する平均原子比であり、約０．３から約１．０の範囲から選択され、前記部分フッ素化炭素質材料は、非フッ素化炭素成分を有する多相材料である正極と、
負極と、
前記正極と負極の間に設けられた非水性電解質と
を含む、低温動作のための電気化学セル。
【請求項２】
前記炭素質材料が、グラファイト、コークス、マルチウォールカーボンナノチューブ、多層カーボンナノファイバー、多層カーボンナノ粒子、カーボンナノウィスカー及びカーボンナノロッドからなる群から選択される、請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項３】
ｘが、約０．５０から約０．８５の範囲から選択される、請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項４】
前記非フッ素化炭素成分が、前記部分フッ素化炭素質材料の約５質量％から約７０質量％である、請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項５】
前記部分フッ素化炭素質材料がナノ構造粒子を含み、前記ナノ構造粒子の各々が、複数のフッ素化領域及び複数の非フッ素化領域を含み、前記ナノ構造粒子の前記フッ素化領域が、平均化学量論組成ＣＦｙを有し、ｙがフッ素原子の炭素原子に対する平均原子比であり、約０．８から約０．９の範囲から選択される、請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項６】
前記フッ素化領域及び前記非フッ素化領域が、約５０ナノメートル未満の物理的寸法を有する、請求項５に記載の電気化学セル。
【請求項７】
前記フッ素化領域及び前記非フッ素化領域が、前記ナノ構造粒子全体を通じて実質的に均一に分布する、請求項５に記載の電気化学セル。
【請求項８】
前記負極が、元素周期律表の第１族、２族及び３族から選択される金属のイオン源であって、リチウムイオン源、リチウム金属、リチウム合金又は炭素−リチウム材料を含む、請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項９】
前記非水性電解質が非水性電解質溶液であり、前記非水性電解質溶液が、リチウム塩及び溶媒を含む、請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項１０】
前記リチウム塩が、前記非水性電解質溶液において１．０Ｍ未満の濃度を有する、請求項９に記載の電気化学セル。
【請求項１１】
前記リチウム塩が、前記非水性電解質溶液において、約０．７５Ｍから約０．２５Ｍの範囲から選択される濃度を有する、請求項９に記載の電気化学セル。
【請求項１２】
前記溶媒が、炭酸プロピレンと１，２−ジメトキシエタンの混合物を含み、前記溶媒が、約０．２５から約１の範囲から選択される容量対容量比の炭酸プロピレンと１，２−ジメトキシエタンを有する、請求項９に記載の電気化学セル。
【請求項１３】
前記非水性電解質溶液が、アニオン受容体をさらに含み、前記アニオン受容体が、フッ化物イオンアニオン受容体である、請求項９に記載の電気化学セル。
【請求項１４】
前記アニオン受容体が、以下の化学構造を有する、請求項１３に記載の電気化学セル。
【化１】
2009527875.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、フッ素を含む１つ又は複数のハロゲン、アルキル、アルコキシド、チオール、チオアルコキシド、芳香族、エーテル又はチオエーテルで置換されていてもよいアルキル基、芳香族基、エーテル基、チオエーテル基、複素環式基、アリール基又はヘテロアリール基からなる群から独立に選択される。）
【請求項１５】
前記アニオン受容体が、以下の化学構造を有する、請求項１３に記載の電気化学セル。
【化２】
2009527875.tif 000002
（式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、フッ素を含む１つ又は複数のハロゲン、アルキル、アルコキシド、チオール、チオアルコキシド、芳香族、エーテル又はチオエーテルで置換されていてもよいアルキル基、芳香族基、複素環式基、アリール基又はヘテロアリール基からなる群から選択される。）
【請求項１６】
前記アニオン受容体が、以下からなる群から選択される化学構造を有する請求項１３に記載の電気化学セル。
【化３】
2009527875.tif 000003
【請求項１７】
前記アニオン受容体が、（ＣＨ３Ｏ）３Ｂ、（ＣＦ３ＣＨ２Ｏ）３Ｂ、（Ｃ３Ｆ７ＣＨ２Ｏ）３Ｂ、［（ＣＦ３）２ＣＨＯ］３Ｂ、［（ＣＦ３）２Ｃ（Ｃ６Ｈ５）Ｏ］３Ｂ、（（ＣＦ３）ＣＯ）３Ｂ、（Ｃ６Ｈ５Ｏ）３Ｂ、（ＦＣ６Ｈ４Ｏ）３Ｂ、（Ｆ２Ｃ６Ｈ３Ｏ）３Ｂ、（Ｆ４Ｃ６ＨＯ）３Ｂ、（Ｃ６Ｆ５Ｏ）３Ｂ、（ＣＦ３Ｃ６Ｈ４Ｏ）３Ｂ、［（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３Ｏ］３Ｂ及び（Ｃ６Ｆ５）３Ｂ、からなる群から選択される式を有する、請求項１３に記載の電気化学セル。
【請求項１８】
Ｃが電気化学セルの容量であって、摂氏−４０度と等しい又はそれより低い温度において、Ｃ／５以上の放電率を与えることが可能である、請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項１９】
摂氏−４０度に等しい温度において、Ｃ／４０に等しいかそれより大きい放電率及び約２Ｖに等しいかそれより大きい放電電圧で、６２５ｍＡｈｇ−１に等しいかそれより大きい比容量を与えることが可能である、請求項１に記載の電気化学セル。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月22日(2009.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１記憶領域に関連する第１エラー訂正状態指標の状態を判定することであって、前記第１記憶領域には第１アクセス要求が行われることと；
前記第１エラー訂正状態指標が第１状態であるとの判定に応答して、前記第１アクセス要求に対するエラー処理を無効にすることと
を含むエラー訂正方法であって、
前記エラー処理は、エラー検出とエラー訂正を含むグループから選択されることを特徴とする、エラー訂正方法。
【請求項２】
前記第１アクセス要求は、部分的な書込動作である部分書込動作であり、
前記エラー訂正方法は更に、前記部分書込動作を、全体的な書込動作である全体書込動作に昇格させることを含む、請求項１記載のエラー訂正方法。
【請求項３】
前記エラー訂正方法は更に、前記全体書込動作に対するエラー訂正情報を算出することを含む、請求項２記載のエラー訂正方法。
【請求項４】
前記全体書込動作は、前記第１記憶領域に関連するエラー訂正データ単位の幅全体に亘って行なわれる、請求項２記載のエラー訂正方法。
【請求項５】
データ領域（１１０）とエラー訂正領域（１１２）を含む記憶領域を備えるメモリ（１０８）と；
前記記憶領域に関連する状態指標（３０４）と；
前記メモリ（１０８）に接続されるエラー訂正モジュール（２０４）であって、前記エラー訂正モジュール（２０４）は前記記憶領域に関連するエラー訂正を行なうことと；
アクセス制御モジュール（２０６）と
を備えるエラー訂正装置（１００）であって、
前記アクセス制御モジュール（２０６）は、前記状態指標（３０４）に接続される第１入力と、前記エラー訂正モジュール（２０４）に接続される出力とを有し、
前記アクセス制御モジュール（２０６）は、前記状態指標（３０４）が所定状態になるのに応答して、前記記憶領域に対するエラー処理を無効にし、
前記エラー処理は、エラー検出とエラー訂正を含むグループから選択されることを特徴とする、エラー訂正装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月16日(2010.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
命令エリアからの複数の命令を実行するプロセッサと、
前記複数の命令のうちの現在実行されている命令から次の命令に前進するためにパルスを供給するシーケンサと
を含み、前記複数の命令の各々は、ビットがセットされているときに前記シーケンサがアクションにトリガされるように前記シーケンサに入力を供給する前記ビットを含む
ことを特徴とするコンピュータ。
【請求項２】
前記ビットは、前記ビットが「１」のときにセットされている
ことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ。
【請求項３】
前記複数の命令は、より大きい命令ワードの一部である
ことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ。
【請求項４】
前記シーケンサに入力を供給する前記ビットがセットされていないときに、前記シーケンサは、アクションにトリガされない
ことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ。
【請求項５】
前記シーケンサに入力を供給する前記ビットがセットされていないときに、第１の通信状況信号線は、前記コンピュータと第２のコンピュータとの間でセットされる
ことを特徴とする請求項４に記載のコンピュータ。
【請求項６】
前記第１の通信状況信号線は、書込信号線である
ことを特徴とする請求項５に記載のコンピュータ。
【請求項７】
前記第１の通信状況信号線は、読取信号線である
ことを特徴とする請求項５に記載のコンピュータ。
【請求項８】
第２の通信状況信号線がセットされているときに、データは、前記コンピュータと前記第２のコンピュータとの間で転送される
ことを特徴とする請求項５に記載のコンピュータ。
【請求項９】
データは、前記コンピュータから前記第２のコンピュータに転送される
ことを特徴とする請求項８に記載のコンピュータ。
【請求項１０】
前記データは、命令を含む
ことを特徴とする請求項８に記載のコンピュータ。
【請求項１１】
前記第２の通信状況信号線がセットされているときに、入力は、前記シーケンサがアクションにトリガされるように前記シーケンサに供給される
ことを特徴とする請求項８に記載のコンピュータ。
【請求項１２】
コンピュータにその電力消費を一時的に減少させる方法であって、
（ａ）前記コンピュータに、外部実体との通信が試みられるときに動作を停止させることと、
（ｂ）前記コンピュータに、前記外部実体との前記通信の完了が肯定応答されるときに動作を再開させることと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記外部実体は、別のコンピュータである
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記コンピュータと前記外部実体との両方は、単一のチップ上にある
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記コンピュータが動作を停止するときに、前記コンピュータは、前記コンピュータと前記外部実体との間の第１の状況信号線の状況も変更する
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記コンピュータと前記外部実体との間に２つの通信状況信号線が存在し、
前記外部実体との通信は、前記２つの通信状況信号線の各々が同一の状況にセットされるときに肯定応答される
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記コンピュータ動作が停止しているときに、前記コンピュータと前記外部実体との間の２つの状況信号線のうちの第１の状況信号線は、セットされ、
前記２つの状況信号線のうちの第２の状況信号線がセットされているときに、データは、通信され、その後、前記コンピュータの動作は、再開される
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
シーケンサは、複数の命令のそれぞれの実行を引き起こすためにパルスを作り、
そのようなパルスは、前記外部実体との前記通信が試みられるときに即座に作られない
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記外部実体との前記通信の完了が肯定応答されるときに、パルスは、次の命令の実行を引き起こすために作られる
ことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
命令のうちの少なくともいくつかが外部実体と通信する命令である前記命令を実行するコンピュータであって、
前記外部実体と通信する命令が試みられるときに前記コンピュータに停止させる手段と、
前記外部実体と通信する前記命令が完了されるときに前記コンピュータに再始動させる手段と
を含むことを特徴とするコンピュータ。
【請求項２１】
前記外部実体と通信する命令が試みられるときに前記コンピュータに停止させる前記手段は、各命令が実行されるときに、前記命令が前記外部実体と通信する命令であるときにパルスが生成されないことを除いて、前記パルスを生成するパルス生成装置を含む
ことを特徴とする請求項２０に記載のコンピュータ。
【請求項２２】
前記外部実体と通信する前記命令が完了されるときに前記コンピュータに再始動させる前記手段は、前記パルス生成装置にパルスを生成させる手段を含む
ことを特徴とする請求項２１に記載のコンピュータ。
【請求項２３】
前記パルス生成装置は、前記外部実体が前記通信の完了を肯定応答するときにパルスを生成させられる
ことを特徴とする請求項２１に記載のコンピュータ。
【請求項２４】
前記シーケンサは、リング状に接続された奇数回反転させるロジック要素を有するリング発振器を含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ。
【請求項２５】
前記シーケンサは、前記ビットがセットされていることに応答するパルスを供給するように当該シーケンサをトリガするように作用する第１の入力端を有し、
前記シーケンサは、チップ上の第２のコンピュータと当該コンピュータとの間の通信の完了を示す肯定応答信号に応答するパルスを供給するように当該シーケンサをトリガするように作用する第２の入力端を有する
ことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ。
【請求項２６】
前記コンピュータは、１つのチップ上に統合されたコンピュータのアレイのうちの１つであることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ。
【請求項２７】
前記コンピュータは、シーケンサを有し、前記シーケンサは、リング状に接続された奇数回反転させるロジック要素を有するリング発振器を含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項２８】
前記シーケンサは、命令のビットが予め定められた値にセットされていることに応答するパルスを供給するように当該シーケンサをトリガするように作用する第１の入力端を有し、
前記シーケンサは、当該コンピュータと前記外部実体との間の通信の完了を示す肯定応答信号に応答するパルスを供給するように当該シーケンサをトリガするように作用する第２の入力端を有する
ことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月18日(2009.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体が中に配置されるキャビティと、
ＵＨＦまたはマイクロ波エネルギーをキャビティに供給する複数の給電体と、
所与の給電体に供給された電力から所与の給電体で反射されかつ他の複数の給電体に結合された電力をマイナスしたものとして規定された所与の周波数の所与の給電体内への正味電力から決定された物体内への正味電力伝達の効率を決定し、かつ物体内への正味電力伝達の効率が制御されるように複数の入力の周波数を調整するコントローラと
を含み、
コントローラは、周波数が０．２５％より大きい共振帯域幅を有する物体およびキャビティの共振内にあるように周波数を調整し、その周波数で電力を付与して物体を加熱する、物体の電磁加熱のための装置。
【請求項２】
給電体の数は３つ以上である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
コントローラは、加熱の開始から終了までの期間中に周波数を調整する、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
コントローラは、少なくとも１つの共振帯の幅にわたって加熱するために使用される周波数を掃引する、請求項１〜３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
コントローラは、複数の共振帯の幅にわたって周波数を掃引する、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
コントローラは、加熱が進行するときの効率の追加の決定に基づいて加熱が進行するときの周波数を調整する、請求項３〜５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
キャビティ内に位置する少なくとも１つの調整可能な電界調整要素を含み、コントローラは、正味電力伝達の効率を向上するように電界調整要素を調整する、請求項１〜６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
コントローラは、周波数が０．７５％より大きい共振帯域幅を有する物体およびキャビティの共振内にあるように加熱のために周波数を調整する、請求項１〜７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
加熱される物体をキャビティ内に配置する工程と、
複数の給電体を介してＵＨＦまたはマイクロ波エネルギーをキャビティ内に供給する工程と、
給電体の各々について、所与の周波数で所与の給電体に供給された電力から所与の給電体で反射されかつ他の複数の給電体に結合された電力をマイナスしたものとして規定された少なくとも１つの所与の周波数で所与の給電体内への正味電力の効率を、周波数の範囲全体にわたって周波数の関数として決定する工程と、
決定された効率関数に応答して、供給されるエネルギーの周波数を調整する工程と、
物体を加熱するために好適な電力で少なくとも１つの調整された周波数で給電体にエネルギーを付与する工程と、
を含み、
周波数は、周波数が加熱のために０．２５％より大きい共振帯域幅を有する物体およびキャビティの共振内にあるように調整される、電磁加熱の方法。
【請求項１０】
前記決定する工程と調整する工程は、任意選択的に給電体に供給される電力を減少しながら、物体が加熱される期間の間、周期的に実施される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
調整することは、前記共振の一つ以上にわたって周波数を掃引することを含む、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
周波数が調整されたときに効率関数に応答して各給電体の電力加熱を調整することを含む、請求項９〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
加熱される物体へのエネルギー伝達の全体的効率が、給電体に供給されるエネルギーと比較して、４０％より大きい、請求項９〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
複数の給電体で０．２５％より大きい共振帯域幅を有する物体を中に配置したキャビティの共振を決定することを含み、
加熱のために複数の給電体を介してＵＨＦまたはマイクロ波エネルギーをキャビティ内に供給することは、前記決定された共振内の周波数でのみである、請求項１０〜１３いずれかに記載の方法。
【請求項１５】
各周波数のエネルギーは、加熱時に物体内に伝達されるエネルギーが供給周波数の範囲にわたって一定である、請求項１０〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
２つの給電体に供給されるエネルギーの少なくとも幾つかの周波数は少なくとも８ＭＨｚだけ異なる、請求項１０〜１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
複数の給電体の各々から物体内へ供給される正味エネルギーは２５％以内である、請求項１０〜１６のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月1日(2009.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーならびに、複合材料の全重量に対して
a)  0.1〜30重量％の、少なくとも２個の炭素原子を有する電荷を釣り合わせるアニオンを含む、層状複水酸化物、および
b)  10〜70重量％の金属水酸化物
を含む複合材料。
【請求項２】
複合材料がナノ複合材料である請求項１記載の複合材料。
【請求項３】
有機的に変性された層状複水酸化物における層間の距離が少なくとも1.0nmである請求項１または２記載の複合材料。
【請求項４】
有機的に変性された層状複水酸化物が、モノカルボン酸およびロジンからなる群より選択される少なくとも１個の、電荷を釣り合わせる有機イオンを含む請求項１〜３のいずれか１項記載の複合材料。
【請求項５】
金属水酸化物が、水酸化マグネシウムまたは水酸化アルミニウム（好ましくは３水酸化アルミニウム）である請求項１〜４のいずれか１項記載の複合材料。
【請求項６】
有機的に変性されたカチオンクレー（好ましくは有機的に変性されたスメクタイト）をさらに含む請求項１〜５のいずれか１項記載の複合材料。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月12日(2010.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記１種以上の他の多価アルコールエステルが、潤滑油組成物の総重量に対し０．１〜２．０重量％の範囲の合計量で存在する請求項１又は２に記載の潤滑油組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車の外装を被覆するのに好適なエアロゾル組成物において、該エアロゾル組成物が高圧ガスを含む容器内で加圧されており、水、有機溶媒及びポリビニルアルコール組成物を含み、該ポリビニルアルコール組成物が、
（ａ）存在するポリビニルアルコールの全重量を基準として、約８０〜約９０％の範囲の加水分解度を有する部分的に加水分解された第１のポリビニルアルコール樹脂５０〜９９重量％；及び
（ｂ）存在するポリビニルアルコールの全重量を基準として、約９１〜約９５％の範囲の加水分解度を有するポリビニルアルコール樹脂および約９５〜約９９．５％の範囲加水分解度を有するポリビニルアルコール樹脂からなる群から選択される第２のポリビニルアルコール樹脂１〜５０重量％；
を含み、
ここで、該有機溶媒が水と混和性であり、該有機溶媒が６０℃〜１００℃の範囲の沸点を有する、上記エアロゾル組成物。
【請求項２】
ポリビニルアルコール組成物が、約６０〜約９５重量％の部分的に加水分解された第１のポリビニルアルコール樹脂、及び約５〜約４０重量％の第２のポリビニルアルコール樹脂を含む、請求項１に記載のエアロゾル組成物。
【請求項３】
ポリビニルアルコール組成物が、約７０〜約９０重量％の部分的に加水分解された第１のポリビニルアルコール樹脂、及び約１０〜約３０重量％の第２のポリビニルアルコール樹脂を含む、請求項１に記載のエアロゾル組成物。
【請求項４】
ポリビニルアルコール組成物が、約５０〜約９９重量％の部分的に加水分解された第１のポリビニルアルコール樹脂、及び約１〜約５０重量％の第２のポリビニルアルコール樹脂を含む、請求項１に記載のエアロゾル組成物。
【請求項５】
第２のポリビニルアルコール樹脂が、９５〜９９．５％加水分解されており、約１５ｃｐｓ未満の特性粘度を有する、請求項１に記載のエアロゾル組成物。
【請求項６】
第２のポリビニルアルコール樹脂が、９５〜９９．５％加水分解されており、１ｃｐｓ〜７ｃｐｓの範囲の特性粘度を有する、請求項１に記載のエアロゾル組成物。
【請求項７】
第２のポリビニルアルコール樹脂が約９１〜約９５％の加水分解度を有する、請求項１に記載のエアロゾル組成物。
【請求項８】
部分的に加水分解された第１のポリビニルアルコール樹脂が約１５ｃｐｓ未満の特性粘度を有する、請求項１に記載のエアロゾル組成物。
【請求項９】
部分的に加水分解された第１のポリビニルアルコール樹脂が１ｃｐｓ〜７ｃｐｓの範囲の特性粘度を有する、請求項１に記載のエアロゾル組成物。
【請求項１０】
部分的に加水分解された第１のポリビニルアルコール樹脂が約８５〜約９０％の加水分解度を有する、請求項１に記載のエアロゾル組成物。
【請求項１１】
ポリビニルアルコール組成物が、エアロゾル組成物の全重量を基準として約３〜約４０重量％の量でエアロゾルスプレー中に存在している、請求項１に記載のエアロゾル組成物。
【請求項１２】
ポリビニルアルコール組成物が、エアロゾル組成物の全重量を基準として約５〜約２５重量％の量でエアロゾルスプレー中に存在している、請求項１に記載のエアロゾル組成物。
【請求項１３】
ポリビニルアルコール組成物が、エアロゾル組成物の全重量を基準として約５〜約１５重量％の量でエアロゾルスプレー中に存在している、請求項１に記載のエアロゾル組成物。
【請求項１４】
エアロゾル組成物において、該エアロゾル組成物が、高圧ガスを含む容器内で加圧されており、水及びポリビニルアルコール樹脂を含み、該エアロゾル組成物が、
（ａ）水約２５〜約７５重量％；
（ｂ）有機溶媒約１０〜６０重量％；
（ｃ）約８０〜約９０％の範囲の加水分解度を有する部分的に加水分解された第１のポリビニルアルコール樹脂約５〜２５重量％；及び
（ｄ）約９５〜約９９．５％の範囲の加水分解度を有する第２のポリビニルアルコール樹脂約５〜約２５重量％；
を含む、上記エアロゾル組成物。
【請求項１５】
エアロゾル組成物が４０〜６０重量％の水を含む、請求項１４に記載のエアロゾル組成物。
【請求項１６】
エアロゾル組成物が２０〜５０重量％の有機溶媒を含む、請求項１４に記載のエアロゾル組成物。
【請求項１７】
有機溶媒がエタノールである、請求項１４に記載のエアロゾル組成物。
【請求項１８】
エアロゾル組成物が、更に、安息香酸ナトリウム、アンモニア、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される腐食抑制剤を含む、請求項１４に記載のエアロゾル組成物。
【請求項１９】
自動車の外装に被覆を施す方法において、該被覆がエアロゾルスプレーとして施されるエアロゾル組成物であり、該方法が請求項１に記載のエアロゾル組成物を施すことを含む、上記方法。
【請求項２０】
自動車の外装に被覆を施す方法において、該被覆がエアロゾルスプレーとして施されるエアロゾル組成物であり、該方法が請求項１４に記載のエアロゾル組成物を施すことを含む、上記方法。
【請求項２１】
第１のポリビニルアルコール樹脂が、第２のポリビニルアルコール樹脂の重量の少なくとも１．５倍の量で存在する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
ポリビニルアルコール組成物が、１ｃｐｓ〜７ｃｐｓの範囲の特性粘度を有する、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月13日(2009.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
懸濁粒子デバイスライトバルブの光変調エレメントとしての使用に好適なフィルムを製造する方法であって、前記方法は、
（ｉ）多量のポリマーマトリックス材料を用意する工程、ここで、前記ポリマーマトリックスは次のユニットのそれぞれを一つ以上含む少なくとも一つのシロキサンコポリマーを含み：
（ａ）シリコン含有非架橋性モノマー、シリコン含有非架橋性のオリゴマーおよび前記モノマーおよび前記オリゴマー両方の組合せから構成されるグループから選択される少なくとも一つのユニット、
（ｂ）少なくとも一つのシリコン含有架橋性モノマーのユニット、および
（ｃ）基材に接着可能な１以上のアンヒンダード極性基を含む非架橋ペンダント部分を含む少なくとも一つのシリコン含有モノマーであって、前記極性基は全体として前記マトリックスポリマーが架橋されることを妨げないユニット、
（ｉｉ）少なくとも前記ポリマーマトリックス材料の一部および多量のライトバルブ懸濁液の組合せからエマルジョンを形成する工程、前記懸濁液は液体ライトバルブ懸濁媒体中に懸濁された多数の粒子を含み、および
（ｉｉｉ）前記ポリマーマトリックスを架橋して実質的に前記マトリックスポリマーを固め、前記架橋されたポリマーマトリックス中に分布した前記ライトバルブ懸濁液の液滴を含むフィルムを生成する工程、前記架橋は、前記マトリックスポリマーエマルジョンを、前記エマルジョンをフィルムに実質的に変換させるのに十分な量の、熱、ＵＶ放射および電子ビーム放射からなる群から選択されるエネルギー形態に暴露させることで実行される、
とを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の前記方法において、更に、前記熱による前記フィルムの硬化に触媒作用を及ぼすのに十分な量の触媒を前記ポリマーマトリックスへ添加することを含む方法。
【請求項３】
請求項１に記載の前記方法において、更に、前記紫外線放射による前記フィルムの硬化を開始させるのに十分な量の光開始剤を前記ポリマーマトリックス材料に添加することを含む方法。
【請求項４】
請求項１に記載の前記方法において、モノマーユニット（ｃ）はモノマーユニット（ａ）およびモノマーユニット（ｂ）間の共重合が開始するまで前記ポリマーマトリックス材料へ添加されない方法。
【請求項５】
請求項１に記載の前記方法において、更に、前記少なくとも一つのポリマーの形成前に、（ｂ）および（ｃ）から選択される少なくとも一つのユニットを加水分解することを含む方法。
【請求項６】
請求項１に記載の前記方法において、前記ポリマーマトリックスは前記シロキサンコポリマーと共に少なくとも一つの追加のポリマーを更に含む混合ポリマーから形成され、前記少なくとも一つの追加のポリマーは前記ユニット（ｃ）を含まない方法。
【請求項７】
請求項１に記載の前記方法において、前記ポリマーマトリックスは前記シロキサンコポリマーと共に少なくとも一つの追加のポリマーを更に含む混合ポリマーから形成され、前記少なくとも一つの追加のポリマーは前記ユニット（ｃ）で構成される方法。
【請求項８】
請求項１に記載の前記方法において、前記ユニット（ｃ）は、その中のシリコン原子の二端に、（ａ）二つのヒドロキシ基、（ｂ）二つの加水分解性アルコキシ基、および（ｃ）一つのヒドロキシ基および一つの加水分解性アルコキシ基からなるグループから選択される一つを取り込み、前記取り込まれた基は前記シリコン原子に直接結合し、前記ユニットは更にシリコン原子の価数を十分に満足させる前記シリコン原子に結合した二つの追加の基を含み、前記二つの追加の基はヒドロキシ基でも加水分解性アルコキシ基でもない方法。
【請求項９】
請求項８に記載の前記方法において、前記ユニット（ｃ）中の前記１以上の極性基はヒドロキシル基、酸およびエポキシ官能基から構成されるグループから選択される官能基を含む方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の前記方法において、前記１以上の極性基は酸性官能基を含み、前記酸性官能基はカルボキシル基、イオウ含有酸、およびリン含有酸から構成されるグループから選択される方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の前記方法において、少なくとも一つの前記加水分解性アルコキシ基はメトキシ基またはエトキシ基である方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の前記方法において、少なくとも一つの前記ユニット（ｂ）および（ｃ）は前記少なくとも一つのポリマーの形成前に加水分解する方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の前記方法において、前記ポリマーマトリックスは架橋前に室温で約２，０００ｃｐｓ〜約５０，０００ｃｐｓの範囲の粘度である方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の前記方法において、前記マトリックスポリマーは架橋前に約１０，０００〜約４０，０００の範囲の数平均分子量である方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月17日(2009.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポンプ装置の分配チャンバの中に流体を導入することと、
該分配チャンバの容量を調整して該分配チャンバ内の圧力変動を補償するために、該ポンプ装置のポンプ手段のダイヤフラムを動かすことと
を含む方法であって、該ダイヤフラムはモータを用いて直接動かされる、方法。
【請求項２】
前記圧力変動は、弁の開口または弁の閉鎖による圧力降下である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記圧力変動は、前記弁のホールドバック容量にほぼ比例し、前記ダイヤフラムは、該弁の該ホールドバック容量に実質的に等しい量だけ前記分配チャンバの容量を増加させる用に動かされる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ダイヤフラムは、ほぼオーバーシュート容量分だけ前記分配チャンバの容量を増加させるように動かされ、次いで、ほぼ該オーバーシュート容量だけ該分配チャンバの容量を減少させるように動かされる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ダイヤフラムは、前記分配チャンバ内において所望の圧力が達成されるまで、該分配チャンバの容量を増加させるように動かされる、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記ダイヤフラムは、前記分配チャンバ内において所望の圧力よりも低い圧力が達成されるまで該分配チャンバの容量を増加させるように動かされ、次いで、ほぼ該所望の圧力が達成させられるまで該分配チャンバの容量を減少させるように動かされる、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
ポンプ装置の分配チャンバに流体を導入することと、
該分配チャンバの容量を調整して該分配チャンバ内の圧力変動を補償するために、該ポンプ装置のポンプ手段のダイヤフラムを動かすことと
のための翻訳可能な命令を含むコンピュータ読み取り可能媒体であって、
該ダイヤフラムは、モータを用いて直接動かされる、コンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項８】
前記圧力変動は、弁の開口または弁の閉鎖による圧力降下である、請求項７に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項９】
前記圧力上昇は、前記弁のホールドバック容量にほぼ比例し、前記ダイヤフラムは、該弁の該ホールドバック容量に実質的に等しい量だけ、前記分配チャンバの容量を増加させるように動かされる、請求項８に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項１０】
前記ダイヤフラムは、ほぼオーバーシュート容量だけ前記分配チャンバの容量を増加させるように動かされ、次いで、ほぼ該オーバーシュート容量だけ該分配チャンバの容量を減少させるように動かされる、請求項９に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項１１】
前記ダイヤフラムは、前記分配チャンバ内において所望の圧力が達成されるまで、該分配チャンバの容量を増加させるように動かされる、請求項９に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項１２】
前記ダイヤフラムは、前記分配チャンバ内において所望の圧力よりも低い圧力が達成されるまで該チャンバの容量を増加させるように動かされ、次いで、ほぼ該所望の圧力が達成されるまで該分配チャンバの容量を減少させるように動かされる、請求項９に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項１３】
供給チャンバと、分配するための流体を受け取るように動作可能な分配チャンバと、該分配チャンバ内のポンプ手段とを備えるポンプ装置であって、該ポンプ手段は、ダイヤフラムを直接動作するように動作可能なモータに連結されたダイヤフラムを備える、ポンプ装置と、
該分配チャンバの容量を調整して該分配チャンバ内の圧力変動を補償するために、該ポンプ装置の該ポンプ手段の動きを調整するように構成された制御器と
を備える、システム。
【請求項１４】
前記圧力変動は、弁の開口または弁の閉鎖による圧力降下である、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記圧力変動は、前記弁のホールドバック容量にほぼ比例し、前記分配チャンバの容量を調整することは、該弁の該ホールドバック容量にほぼ等しい量だけ、該分配チャンバの容量を増加させるように前記ダイヤフラムを動かすことを含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記分配チャンバの容量を調整することは、ほぼオーバーシュート容量だけ該分配チャンバの容量を増加させるように前記ダイヤフラムを動かし、次いで、ほぼ該オーバーシュート容量だけ該分配チャンバの容量を減少させるように動かされることを含む、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記分配チャンバの容量を調整することは、該分配チャンバ内において所望の圧力が達成されるまで、該チャンバの容量を増加させるように前記ダイヤフラムを動かすことを含む、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】
前記分配チャンバの容量を調整することは、該分配チャンバ内において所望の圧力よりも低い圧力が達成されるまで該分配チャンバの容量を増加させるように前記ダイヤフラムを動かし、次いで、ほぼ該所望の圧力が達成されるまで該分配チャンバの容量を減少させるように該ダイヤフラムが動かされることを含む、請求項１５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月15日(2010.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
削岩機用の入れ子式フィーダ（３０）において第二ビーム（５０）と協働して摺動するために用いられるように構成された第一ビーム（４０）において、
第一ビーム（４０）が、第二ビーム（５０）及び第一ビーム（４０）がエンドポジションまで縮められた時に、第二ビーム（５０）に設けられた凹所（１１０）内に案内されるように構成された少なくとも一つのガイドスタッド（１００）を有する
ことを特徴とする第一ビーム。
【請求項２】
第一ビーム（４０）が長手方向軸線に沿ってのび、
ガイドスタッドが、第一ビーム（４０）の長手方向軸線と同じ方向にのびる
ことを特徴とする請求項１に記載の第一ビーム。
【請求項３】
ガイドスタッド（１００）が、テーパー状に形成された前部（１２０）を有する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の第一ビーム。
【請求項４】
第一ビーム（４０）が、
掘削時に掘削されるべき対象物に面する端部である前端部（６０）と、
掘削時に掘削されるべき対象物から離れて位置する端部である後端部（６５）と
を備え、
ガイドスタッド（１００）が、第一ビーム（４０）の前端部（６０）及び／又は後端部（６５）に設けられている
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の第一ビーム。
【請求項５】
ガイドスタッド（１００）が、端部プレート（１４０）によって第一ビーム（４０）に設けられている
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の第一ビーム。
【請求項６】
第一ビーム（４０）が、第二ビーム（５０）のガイドスタッド（１６０）と協働するように構成された少なくとも一つの凹所（１５０）を備えている
ことを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の第一ビーム。
【請求項７】
凹所（１５０）が、第一ビーム（４０）の前端部（６０）又は後端部（６５）に設けられている
ことを特徴とする請求項６に記載の第一ビーム。
【請求項８】
第二ビーム（５０）を備えた削岩用の削岩機（２０）用入れ子式フィーダ（３０）において、
前記入れ子式フィーダ（３０）が、請求項１〜７の何れか一項に記載の第一ビーム（４０）を備えている
ことを特徴とする入れ子式フィーダ。
【請求項９】
第二ビーム（５０）が、第一ビーム（４０）上に摺動可能に設けられ、
第二ビーム（５０）が、少なくとも一つの凹所（１１０）を有し、
第二ビーム（５０）と第一ビーム（４０）とをエンドポジションまで完全に縮めた時に、前記凹所（１１０）内に第一ビーム（４０）のガイドスタッド（１００）が案内されるようにした
ことを特徴とする請求項８に記載の入れ子式フィーダ。
【請求項１０】
削岩機（２０）を備えた削岩用の掘削装置（１０）において、
削岩装置（１０）が、請求項８〜９の何れか一項に記載の入れ子式フィーダ（３０）を備えている
ことを特徴とする削岩装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月12日(2010.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリプロピレンポリマー、プロピレンコポリマー又はポリプロピレンポリマーブレンドの粘度を低下させる方法であって、該方法は、
連鎖移動剤及び開始剤を、ポリプロピレンポリマー、プロピレンコポリマー又はポリプロピレンポリマーブレンドに添加すること、及び得られた組成物を加熱することを含み、
ここで、該連鎖移動剤は、１３０℃でのエチレン重合において測定されたおよそ０．０４に等しいか又はそれより大きいＣｓ値を有する、方法。
【請求項２】
ポリプロピレンポリマー、プロピレンコポリマー又はポリプロピレンブレンド
連鎖移動剤、及び
開始剤
を含むポリマー組成物であって、
ここで、該連鎖移動剤は、１３０℃でのエチレン重合において測定されたおよそ０．０４に等しいか又はそれより大きいＣｓ値を有する、組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月16日(2010.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
滑車繰り返し曲げ(CBOS)の耐疲労性が改善されたロープであって、前記ロープは高靱性繊維を含み、且つ、前記ロープ及び／または前記繊維が、アミノ官能性シリコーン樹脂と中和低分子量ポリエチレンとを含む組成物でコーティングされていることを特徴とする、前記ロープ。
【請求項２】
前記高靱性繊維が、高靱性ポリエチレン繊維と、ポリオレフィン繊維ではない他の高靱性繊維とのブレンドを含み、前記他の繊維はアラミド繊維及び／または液晶コポリエステル繊維である、請求項１に記載のロープ。
【請求項３】
前記組成物は、前記ロープの重量を基準として少なくとも約５重量パーセントの量で前記ロープ中に存在する、請求項２に記載のロープ。
【請求項４】
さらにフルオロポリマー繊維を含む、請求項２に記載のロープ。
【請求項５】
ロープの滑車繰り返し曲げ(CBOS)の疲労寿命を改善する方法であって、前記方法は、
高靱性繊維から前記ロープを製造する工程、及び
前記ロープ及び／または前記ロープを形成している前記繊維を、アミノ官能性シリコーン樹脂と中和低分子量ポリエチレンとを含む組成物でコーティングする工程
を含み、前記高靱性繊維は、高靱性ポリエチレン繊維と他の高靱性繊維とのブレンドを含み、前記他の高靱性繊維はアラミド繊維及び／または液晶コポリエステル繊維を含むことを特徴とする、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月26日(2010.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記スタティックミキサが、前記プロファイルが前記シャフトに施される前に、前記スタティックミキサを前記内部穴に固定するための、接着リング及びチャンバのうちの少なくとも一方がその上に設けられた外表面を備える
請求項１または２に記載の注入ボルト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記接着リング及びチャンバのうちの少なくとも一方は、前記スタティックミキサの端部に設けられた
請求項３に記載の注入ボルト。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月16日(2010.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
六価クロムを含まない耐食性２層コーティングを有する耐食性基材であって、基材は主としてアルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム又はマグネシウム合金からなり、湿式化学で積層された無機の不動態化層を前記基材上に直接配置すること、有機修飾ポリシロキサン層を前記不動態化層上に直接配置すること、及び前記不動態化層が三価クロムを含むことを特徴とする耐食性基材。
【請求項２】
前記不動態化層がＮａ又はＫを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の耐食性基材。
【請求項３】
前記不動態化層が、堆積された前記不動態化層の成分及び前記基材の成分の両方を含む変換層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の耐食性基材。
【請求項４】
前記有機修飾ポリシロキサン層が、エポキシ基置換ポリシロキサン及びブロック化イソシアネートを含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の耐食性基材。
【請求項５】
前記有機修飾ポリシロキサン層が、ナノ結晶であるか、又はナノスケールの粒子からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の耐食性基材。
【請求項６】
Ａｌ、Ａｌ合金、Ｍｇ又はＭｇ合金の基材上における六価クロムを含まない耐食性２層コーティングの下部層としての、三価クロムを含む、湿式化学で積層された六価クロムを含まない無機層の使用。
【請求項７】
Ａｌ、Ａｌ合金、Ｍｇ又はＭｇ合金の基材上における六価クロムを含まない耐食性２層コーティングの上部層としての、ナノ結晶であるか又はナノスケールの粒子からなる六価クロムを含まない有機修飾ポリシロキサン層の使用。
【請求項８】
六価クロムを含まない耐食性２層コーティングで被覆された耐食性基材を製造する方法であって、該方法が、
主としてアルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム又はマグネシウム合金からなる基材を供給するステップと、
湿式化学法によって、三価クロムを含む、六価クロムを含まない無機の不動態化層を前記基材上に直接積層するステップと、
六価クロムを含まない有機修飾ポリシロキサン層を前記不動態化層上に直接積層するステップとを含む方法。
【請求項９】
前記不動態化層を浸漬又は吹付けを用いて積層することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記有機修飾ポリシロキサン層を浸漬、吹付け又は微粉化（ｐｕｌｖｅｒｉｚａｔｉｏｎ）を用いて積層することを特徴とする請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
前記不動態化層を１００ｍｇ／ｍ2〜５００ｍｇ／ｍ2の層重量で積層することを特徴とする請求項８から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
積層した前記不動態化層は、前記基材とその上に塗布した溶液との間で生じる化学反応により形成されることを特徴とする請求項８から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記有機修飾ポリシロキサン層を積層後、前記有機修飾ポリシロキサン層を硬化させ、前記硬化の間に、エポキシ基置換ポリシロキサンがブロック化イソシアネートを介してポリマーネットワークに架橋されることを特徴とする請求項８から１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
有機修飾ポリシロキサン層が、硬化工程においてナノスケールの粒子を介して形成されることを特徴とする請求項８から１３のいずれか１項に記載の方法。