【事件の表示】
　特願２０１４−５５９８９３「ロードロック構成内の除害・剥離処理チャンバ」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　９月　６日国際公開、ＷＯ２０１３／１３０１９１、平成２７年　５月２８日国内公表、特表２０１５−５１５７４２、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年１月１８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１２年２月２９日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２８年１１月１５日付けで拒絶理由通知がされ、平成２９年５月１９日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出され、同年９月２７日付けで拒絶査定（原査定）がされ、これに対し、同年１１月１４日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされた。
　その後、当審において、平成３０年８月２８日付けで拒絶理由通知がされ、平成３１年３月４日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出されたものである。
第２　本願発明
　本願請求項１〜９に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明９」という。）は、平成３１年３月４日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定される発明であり、そのうちの本願発明１及び７は、それぞれ以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　互いに分離した第１チャンバ容積及び第２チャンバ容積を画定するチャンバ本体アセンブリであって、第１チャンバ容積は、基板を搬送するために構成された２つの開口部を介して２つの環境に選択的に接続可能であり、第２チャンバ容積は、２つの環境のうちの少なくとも１つに選択的に接続され、第１チャンバ容積及び第２チャンバ容積は鉛直方向に積み重ねられているチャンバ本体アセンブリと、
　第１チャンバ容積内に配置され、基板を上で支持して冷却するように構成された冷却基板支持アセンブリと、
　第１チャンバ容積内の冷却基板支持アセンブリの上方に移動可能に配置された基板支持棚と、
　冷却基板支持アセンブリに対して移動可能であり、冷却基板支持アセンブリと外部基板ハンドリング装置との間で基板を搬送するように操作可能なリフトピンアセンブリと、
　リフトピンアセンブリと基板支持棚を同時に移動させるように構成されたリフトアセンブリと、
　第２チャンバ容積内に配置され、基板を上で支持するように構成された加熱基板支持アセンブリと、
　第２チャンバ容積内に配置されたガス分配アセンブリであって、
　　加熱基板支持アセンブリの上方に配置され、内部に配置された基板を処理するための第２チャンバ容積に処理ガスを供給するように構成されたガス分配シャワーヘッドを含むガス分配アセンブリを含むロードロックチャンバ。」
「【請求項７】
　単一のチャンバ本体アセンブリ内に並んで配置された第１ロードロックチャンバ及び第２ロードロックチャンバであって、第１ロードロックチャンバ及び第２ロードロックチャンバの各々は、
　　互いに分離した第１チャンバ容積及び第２チャンバ容積であって、第１チャンバ容積は、基板を搬送するために構成された２つの開口部を介して２つの環境に選択的に接続可能であり、第２チャンバ容積は、２つの処理環境のうちの少なくとも１つに選択的に接続され、第１チャンバ容積及び第２チャンバ容積は鉛直方向に積み重ねられている第１チャンバ容積及び第２チャンバ容積と、
　　第１チャンバ容積内に配置され、基板を上で支持して冷却するように構成された冷却基板支持アセンブリと、
　　第１チャンバ容積内の冷却基板支持アセンブリの上方に移動可能に配置された基板支持棚と、
　　冷却基板支持アセンブリに対して移動可能であり、冷却基板支持アセンブリと外部基板ハンドリング装置との間で基板を搬送するように操作可能なリフトピンアセンブリと、
　　リフトピンアセンブリと基板支持棚を同時に移動させるように構成されたリフトアセンブリと、
　　第２チャンバ容積内に配置され、基板を上で支持するように構成された加熱基板支持アセンブリと、
　　第２チャンバ容積内に配置されたガス分配アセンブリであって、
　　　加熱基板支持アセンブリの上に配置され、内部に配置された基板を処理するための第２チャンバ容積に処理ガスを供給するように構成されたガス分配シャワーヘッドを含むガス分配アセンブリを含む第１ロードロックチャンバ及び第２ロードロックチャンバを含むデュアルロードロックチャンバ。」
　なお、本願発明２〜６は、本願発明１を減縮した発明であり、本願発明８、９は、本願発明７を減縮した発明である。
第３　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２００６−３０３０１３号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、基板を処理する処理システム等に用いられるロードロック装置及び処理方法に関する。」
「【００２８】
　以下、本発明の第一の実施の形態を、基板の一例としてのＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ；液晶表示装置）用のガラス基板Ｇに対して、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理により薄膜を成膜する工程を実施する処理システムに基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態にかかる処理システム１の概略的な構成を示した平面図である。図１に示す処理システム１は、いわゆるマルチチャンバー型の処理システムであり、処理システム１の外部に対して基板Ｇを搬入出させる搬入出部２と、基板ＧのＣＶＤ処理を行う処理部３とを備えている。
搬入出部２と処理部３との間には、ロードロック装置５が設置されている
【００２９】
　搬入出部２には、複数枚の基板Ｇを収納したカセットＣを載置する載置台１１と、基板Ｇを搬送する第一の搬送装置１２とが設けられている。載置台１１上には、図１において略水平方向のＸ軸方向に沿って、複数のカセットＣが並べられる。図２に示すように、載置台１１上のカセットＣ内には、略長方形の薄板状の基板Ｇが、略水平な姿勢で複数枚上下に並べて収納されている。
…（略）…
【００３１】
　図２に示すように、
ロードロック装置５は
第一のロードロック装置２１及び第二のロードロック装置２２によって構成されている
第一のロードロック装置２１と第二のロードロック装置２２は、上下に積み重ねて備えられており
ロードロック装置２１の搬入口６３を開閉するゲートバルブ２５が設けられており
ロードロック装置２１の搬出口６４を開閉するゲートバルブ２６が設けられている
ロードロック装置２２の搬出口１０４を開閉するゲートバルブ２８が設けられている
かかる構成において、各ゲートバルブ２５、２８を閉じることにより、搬入出部２の雰囲気とロードロック装置２１、２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっている。また、各ゲートバルブ２６、２７を閉じることにより、処理部３の雰囲気とロードロック装置２１、２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっている
【００３２】
　図１に示すように、処理部３には、基板Ｇを収納してプラズマＣＶＤ処理を施す複数、例えば５つの基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅ、及び、ロードロック装置５と各基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅとの間で基板Ｇを搬送する第二の搬送装置３１が備えられている。第二の搬送装置３１は、密閉構造のチャンバ３２内に設けられた搬送室３３に格納されている。チャンバ３２は、Ｙ軸方向においてロードロック装置５の後方に設けられている。また、ロードロック装置５、及び、基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅは、チャンバ３２の周囲を囲むように配置されている。
【００３３】
　搬送室３３とロードロック装置２１、２２の間には、前述したゲートバルブ２６、２７がそれぞれ設けられており、各ゲートバルブ２６、２７によって搬送室３３内の雰囲気とロードロック装置２１、２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっている。搬送室３３と各基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅとの間には、それぞれゲートバルブ３５が設けられており、各ゲートバルブ３５によって基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅの開口を気密に閉塞し、搬送室３３内の雰囲気と各基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅ内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっている。また、図２に示すように、搬送室３３内を強制排気して減圧させるための排気路３６が設けられている。処理システム１における処理時、処理部３の搬送室３３、基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅ内は、搬入出部２よりも減圧雰囲気にされ、例えば真空状態にされる。
…（略）…
【００３５】
　次に、前述したロードロック装置２１の構成について詳細に説明する。図３に示すよう
に、
ロードロック装置２１は、密閉構造のチャンバ６１を備えている
チャンバ６１の内部は、基板Ｇを収納するロードロック室６２となっている
…（略）…
【００３７】
　
ロードロック室６２内には、基板Ｇを支持する複数の保持部材７０が備えられている。各保持部材７０は略棒状をなし、チャンバ６１の底部から上方に突出するように設けられており、各保持部材７０の上端部に基板Ｇの下面を載せることにより、基板Ｇを略水平に支持するようになっている
【００３８】
　さらに、
ロードロック室６２内には、保持部材７０に支持された基板Ｇを加熱する第一の加熱用プレートとしての上面加熱用プレート７１、及び、第二の加熱用プレートとしての下面加熱用プレート７２が備えられている
【００３９】
　上面加熱用プレート７１は、保持部材７０に支持される基板Ｇの上面（例えばデバイスが形成される表面）側に配置され、チャンバ６１に対して固定されている。図４に示すように、
上面加熱用プレート７１は、多孔質（ｐｏｒｏｕｓ）の基材からなり通気性を有するプレート本体７５と、プレート本体７５中に通過させる加熱用ガスを供給する加熱用ガス供給路７６とを備えている
…（略）…
【００４２】
　かかるプレート本体７５を構成する多孔質材は、基質材の中に互いに連通した多数の細孔が形成された構造になっており、細孔同士の間で流体が流通可能である。そのため、
加熱用ガス供給路７６に加熱用ガスを供給すると、プレート本体７５中に加熱用ガスを浸透させることができる
加熱用ガスは、プレート本体７５の下面に向かい、通気性保護膜８１を通過して、下方に噴き出すようになっている
このようにプレート本体７５の下面から加熱用ガスを吹き付けることによって、また、通過する加熱用ガスによって加熱されたプレート本体７５から放射される熱によって、基板Ｇが加熱されるようになっている
…（略）…
【００４６】
　図３に示すように、
下面加熱用プレート７２は
保持部材７０に支持された基板Ｇの下面（例えばデバイスが形成されない裏面）側に配置される。前述した保持部材７０は、下面加熱用プレート７２に形成された複数の孔８５内にそれぞれ配置されている
【００４７】
　
下面加熱用プレート７２の内部には
発熱体８６が内蔵されている
発熱体８６からの伝熱によって下面加熱用プレート７２が昇温されるようになってい
【００４８】
　また、下面加熱用プレート７２は昇降可能になっている。例えば図３に示すように、チャンバ６１の下方に昇降機構としてのシリンダ９１が設けられており、シリンダ９１に接続されたロット９２が、チャンバ６１の底部を上下に貫通するように設けられている。下面加熱用プレート７２は、ロット９２の下端部に取り付けられている。そして、シリンダ９１の駆動によって、ロット９２がＺ軸方向に昇降することにより、
下面加熱用プレート７２が
保持部材７０に沿って移動させながら昇降する
【００４９】
　
さらに、下面加熱用プレート７２の上面には、加熱時に基板Ｇを支持するための複数の支持部材９３が設けられている
下面加熱用プレート７２は、両者の間に収納された基板Ｇに対して、それぞれ相対的に近接及び離隔可能な構成となっている
下面加熱用プレート７２を昇降させる構成
…（略）…
【００５１】
　次に、前述したロードロック装置２２の構成について詳細に説明する。図３に示すように、
ロードロック装置２２は、密閉構造のチャンバ１０１を備えている
チャンバ１０１は下段のロードロック装置２１のチャンバ６１の上面に載せられている。チャンバ１０１の内部は、基板Ｇを収納するロードロック室１０２となっている
【００５２】
　チャンバ１０１の処理部３側、即ち、Ｙ軸方向において後側には、ロードロック室１０２に基板Ｇを搬入するための搬入口１０３が設けられている。搬入口１０３には、前述し
たゲートバルブ２７が設けられており、ゲートバルブ２７によって気密に閉塞可能になっている。チャンバ１０１の搬入出部２側、即ち、Ｙ軸方向において前側には、ロードロック室１０２から基板Ｇを搬出するための搬出口１０４が設けられている。搬出口１０４には、前述したゲートバルブ２８が設けられており、ゲートバルブ２８によって気密に閉塞可能になっている。
【００５３】
　
ロードロック室１０２内には、基板Ｇを保持するための複数の支持部材１１０が備えられている。各支持部材１１０は略棒状をなし、チャンバ１０１の底部から上方に突出するように設けられており、各支持部材１１０の上端部に基板Ｇの下面を載せることにより、基板Ｇを略水平に保持するようになっている
【００５４】
　さらに、
ロードロック室１０２内には、基板Ｇを冷却する第一の冷却用プレートとしての上面冷却用プレート１１１、及び、第二の冷却用プレートとしての下面冷却用プレート１１２が備えられている
【００５５】
　図５に示すように、上面冷却用プレート１１１は、支持部材１１０に支持された基板Ｇの上面（例えばデバイスが形成される表面）側に配置されている。上面冷却用プレート１１１は、多孔質材からなり通気性を有するプレート本体１１５と、プレート本体１１５中に通過させる冷却用ガスを供給する冷却用ガス供給路１１６とを備えている。
…（略）…
【００６２】
　また、上面冷却用プレート１１１は昇降可能に構成されており、支持部材１１０に支持された基板Ｇに対して近接及び離隔することができる。例えば図３に示すように、チャンバ１０１の上方に昇降機構としてのシリンダ１２５が設けられており、シリンダ１２５に接続されたロット１２６が、チャンバ１０１の天井を上下に貫通するように設けられている。上面冷却用プレート１１１は、ロット１２６の下端部に取り付けられている。そして、シリンダ１２５の駆動によって、ロット１２６がＺ軸方向に昇降することにより、上面冷却用プレート１１１がロット１２６と一体的に昇降するようになっている。上面冷却用プレート１１１は、例えば支持部材１１０に支持された基板Ｇから離隔する上方の待機位置Ｐ３と、基板Ｇに近接する下方の冷却処理位置Ｐ４とに移動する。このように、上面冷却用プレート１１１を昇降させる構成とすれば、基板Ｇを支持部材１１０に受け渡す際に上面冷却用プレート１１１を待機位置Ｐ３に上昇させることで、余裕を持って受け渡しを行うことができ、基板Ｇの冷却時には冷却処理位置Ｐ４に下降させることで、基板Ｇを効率的に冷却することができる。なお、上面冷却用プレート１１１は多孔質材が使用されているので、軽量であり、少ない駆動力で容易に昇降させることができる。
【００６３】
　
下面冷却用プレート１１２は
支持部材１１０に支持された基板Ｇの下面
側に配置され、チャンバ１０１に対して固定されている
前述した支持部材１１０は、下面冷却用プレート１１２に形成された複数の孔１２８内にそれぞれ配置されている
【００６４】
　下面冷却用プレート１１２の内部には、冷却水を通過させる冷却水送水路１３０が内蔵されている。冷却水送水路１３０は、チャンバ１０１の外部に設けられた図示しない冷却水供給源に接続されている。冷却水は、冷却水供給源から供給され、下面冷却用プレート１１２内の冷却水送水路１３０を循環して、下面冷却用プレート１１２を冷却した後、下面冷却用プレート１１２の外に回収されるようになっている。
…（略）…
【００６６】
　次に、以上のように構成された処理システム１における基板Ｇの処理工程について説明する。先ず、複数枚の基板Ｇが収納されたキャリアＣが、開口１６を搬送装置１２側に向けた状態で載置台１１上に載置される。そして、搬送装置１２の搬送アーム１５が開口１６に進入させられ、一枚の基板Ｇが取り出される。基板Ｇを保持した搬送アーム１５は、下段に配置されたロードロック装置２１のゲートバルブ２５の前方に対向する位置に移動させられる。
【００６７】
　一方、ロードロック装置２１では、ゲートバルブ２５、２６によって搬入口６３、搬出口６４がそれぞれ閉塞されており、ロードロック室６２が密閉されている。ロードロック装置２２では、ゲートバルブ２７、２８によって搬入口１０３、搬出口１０４が閉塞されており、ロードロック室１０２が密閉されている。従って、搬入出部２の雰囲気と
処理部３の搬送室３３
搬入出部２は例えば大気圧となっているのに対して、搬送室３３内は真空引きされている
…（略）…
【００７１】
　下面加熱用プレート７２の上面は、発熱体８６からの伝熱により均一に昇温され、基板Ｇの下面は、下面加熱用プレート７２の上面からの輻射熱によって均一に加熱される。一方、
上面加熱用プレート７１においては、供給管７７から隙間７５ｃに加熱用ガスが供給される。
加熱用ガスは、下部板７５ｂ中の細孔に流入する。そして、下部板７５ｂ内に拡散しながら下面に向かい、通気性保護膜８１の細孔を通過して、通気性保護膜８１から下方に噴き出し、基板Ｇの上面に向かって吐出される
【００７２】
　なお、
供給管７７から
導入された加熱用ガス
下部板７５ｂ全体に均等に加熱用ガスが通過し、通気性保護膜８１の下面の細孔全体から、加熱用ガスが均等な流量で噴き出すので、基板Ｇの上面全体を均等に加熱することができる
…（略）…
【００７９】
　一方、基板Ｇは上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２とによって両面から冷却される。冷却時は、上面冷却用プレート１１１を下降させて冷却処理位置Ｐ４に配置させる。即ち、基板Ｇの上面全体に上面冷却用プレート１１１の下面を近接させ、下面全体に下面冷却用プレート１１２の上面を近接させた状態にする。上面冷却用プレート１１１と基板Ｇとの間、下面冷却用プレート１１２と基板Ｇとの間には、それぞれ略均一な幅の隙間が形成される。上面冷却用プレート１１１の下面周縁部から突出するように設けられた非通気性保護材１２２２の下縁部は、図５に示すように下面冷却用プレート１１２の上面周縁部に近接し、基板Ｇを囲むように配置される。
…（略）…
【００９８】
　また、以上の実施形態では、上面冷却用プレート１１１をチャンバ１０１に対して昇降可能とし、基板Ｇに対して近接及び離隔させることが可能な構成とし、下面冷却用プレート１１２をチャンバ１０１に対して固定させた構成としたが、勿論、
下面冷却用プレート１１２も基板Ｇに対して近接及び離隔させることが可能な構成としても良い
ロードロック装置２１における下面加熱用プレート７２と同様に、下面冷却用プレート１１２の上面に、基板Ｇを支持するための支持部材を設け、基板Ｇの冷却時に支持部材１１０から基板Ｇを受け取る構成としても良い
【００９９】
　以上の実施形態では、上面冷却用プレート１１１を多孔質材からなるプレート本体１１５及び冷却用ガスを噴き出す構成を備えることとしたが、上面冷却用プレート１１１に代えて下面冷却用プレート１１２を、多孔質材からなるプレート本体及び加熱用ガスを噴き出す構成を備えるものとしても良い。そうすれば、基板Ｇの裏面に冷却用ガスを均一に吹き付けて、基板Ｇの裏面を効率的かつ均一に冷却することができる。また、上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２の両方を、いずれも多孔質材からなるプレート本体及び加熱用ガスを噴き出す構成を備えるものにしても良い。
【０１００】
　また、上面冷却用プレート１１１又は
下面冷却用プレート１１２の表面に静電吸着用電極を備え、基板Ｇを静電吸着させるようにしても良い
下面冷却用プレート１９０は
プレート本体１９１と、プレート本体１９１に冷却用ガスを供給する冷却用ガス供給路１９２とを備えている
プレート本体１９１の上面には、通気性保護膜２０１が形成され
基板Ｇは、下面冷却用プレート１９０の上面において通気性保護膜２０１の表面に発生する静電気力により、通気性保護膜２０１の表面に吸着される。従って、基板Ｇは下面冷却用プレート１９０に密着した状態で確実に保持される
また、冷却用ガスは、プレート本体１９１、通気性保護膜２０１、静電吸着用電極２０３、通気性保護膜２０１を順に通過して、基板Ｇの下面全体に供給される
　図２〜５、１１は、それぞれ以下のとおりである。
　したがって、上記引用文献１には、図１１に示される下部冷却用プレート１９０を備えたロードロック装置に関して、次の発明（以下、「引用発明Ａ」という。）が記載されていると認められる。
「搬入出部２と処理部３との間に設置されており、搬入口６３、及び、搬出口６４を有する第一のロードロック装置２１と、搬入口１０３及び搬出口１０４を有する第二のロードロック装置２２によって構成されているロードロック装置であって、
　第一のロードロック装置２１と第二のロードロック装置２２は、上下に積み重ねて備えられており、
　ロードロック装置２１には、搬入口６３を開閉するゲートバルブ２５と、ロードロック装置２１の搬出口６４を開閉するゲートバルブ２６が設けられており、
　ロードロック装置２２には、搬入口１０３を開閉するゲートバルブ２７と、搬出口１０４を開閉するゲートバルブ２８が設けられており、
　かかる構成において、各ゲートバルブ２５、２８を閉じることにより、搬入出部２の雰囲気とロードロック装置２１、２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっており、また、各ゲートバルブ２６、２７を閉じることにより、処理部３の雰囲気とロードロック装置２１、２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっており、
　ロードロック装置２１は、密閉構造のチャンバ６１を備え、チャンバ６１の内部は、基板Ｇを収納するロードロック室６２となっており、
　　ロードロック室６２内には、基板Ｇを支持する複数の保持部材７０が備えられており、各保持部材７０は略棒状をなし、チャンバ６１の底部から上方に突出するように設けられており、各保持部材７０の上端部に基板Ｇの下面を載せることにより、基板Ｇを略水平に支持するようになっており、
　　ロードロック室６２内には、保持部材７０に支持された基板Ｇを加熱する上面加熱用プレート７１、及び、下面加熱用プレート７２が備えられており、
　　　上面加熱用プレート７１は、多孔質（ｐｏｒｏｕｓ）の基材からなり通気性を有するプレート本体７５と、プレート本体７５中に通過させる加熱用ガスを供給する加熱用ガス供給路７６とを備えており、
　　　加熱用ガス供給路７６に加熱用ガスを供給すると、プレート本体７５中に加熱用ガスを浸透させることができ、加熱用ガスは、プレート本体７５の下面に向かい、通気性保護膜８１を通過して、下方に噴き出すようになっており、このようにプレート本体７５の下面から加熱用ガスを吹き付けることによって、また、通過する加熱用ガスによって加熱されたプレート本体７５から放射される熱によって、基板Ｇが加熱されるようになっており、
　　　上面加熱用プレート７１においては、供給管７７から導入された加熱用ガスは、下部板７５ｂ全体に均等に加熱用ガスが通過し、通気性保護膜８１の下面の細孔全体から、加熱用ガスが均等な流量で噴き出すので、基板Ｇの上面全体を均等に加熱することができ、
　　　下面加熱用プレート７２は、保持部材７０に支持された基板Ｇの下面側に配置され、前述した保持部材７０は、下面加熱用プレート７２に形成された複数の孔８５内にそれぞれ配置されており、下面加熱用プレート７２の内部には、発熱体８６が内蔵され、発熱体８６からの伝熱によって下面加熱用プレート７２が昇温されるようになっており、さらに、下面加熱用プレート７２の上面には、加熱時に基板Ｇを支持するための複数の支持部材９３が設けられており、
　ロードロック装置２２は、密閉構造のチャンバ１０１を備え、チャンバ１０１は下段のロードロック装置２１のチャンバ６１の上面に載せられており、チャンバ１０１の内部は、基板Ｇを収納するロードロック室１０２となっており、
　　　ロードロック室１０２内には、基板Ｇを冷却する上面冷却用プレート１１１、及び、下面冷却用プレート１９０が備えられており、
　　　下面冷却用プレート１９０は、プレート本体１９１と、プレート本体１９１に冷却用ガスを供給する冷却用ガス供給路１９２とを備えており、プレート本体１９１の上面には、通気性保護膜２０１が形成され、基板Ｇは、下面冷却用プレート１９０の上面において通気性保護膜２０１の表面に発生する静電気力により、通気性保護膜２０１の表面に吸着され、従って、基板Ｇは下面冷却用プレート１９０に密着した状態で確実に保持され、また、冷却用ガスは、プレート本体１９１、通気性保護膜２０１、静電吸着用電極２０３、通気性保護膜２０１を順に通過して、基板Ｇの下面全体に供給され、
　下面冷却用プレート１９０は、基板Ｇの下面側に配置され、チャンバ１０１に対して固定されている、ロードロック装置。」
　さらに、引用文献１の段落【００９８】に記載された、「下面冷却用プレート１１２も基板Ｇに対して近接及び離隔させることが可能な構成」とし、更に、「ロードロック装置２１における下面加熱用プレート７２と同様に、下面冷却用プレート１１２の上面に、
基板Ｇを支持するための支持部材
　したがって、上記引用文献１には、下部冷却プレートとして、図５に示される下部冷却用プレート１１２を、段落【００９８】に記載の「下面冷却プレート１１２も基板Ｇに対して近接及び離隔させることが可能な構成」としたものを備えたロードロック装置５に関して、次の発明（以下、「引用発明Ｂ」という。）が記載されていると認められる。
「搬入出部２と処理部３との間に設置されており、搬入口６３、及び、搬出口６４を有する第一のロードロック装置２１と、搬入口１０３及び搬出口１０４を有する第二のロードロック装置２２によって構成されているロードロック装置５であって、
　第一のロードロック装置２１と第二のロードロック装置２２は、上下に積み重ねて備えられており、
　ロードロック装置２１には、搬入口６３を開閉するゲートバルブ２５と、ロードロック装置２１の搬出口６４を開閉するゲートバルブ２６が設けられており、
　ロードロック装置２２には、搬入口１０３を開閉するゲートバルブ２７と、搬出口１０４を開閉するゲートバルブ２８が設けられており、
　かかる構成において、各ゲートバルブ２５、２８を閉じることにより、搬入出部２の雰囲気とロードロック装置２１、２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっており、また、各ゲートバルブ２６、２７を閉じることにより、処理部３の雰囲気とロードロック装置２１、２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっており、
　ロードロック装置２１は、密閉構造のチャンバ６１を備え、チャンバ６１の内部は、基板Ｇを収納するロードロック室６２となっており、
　　ロードロック室６２内には、基板Ｇを支持する複数の保持部材７０が備えられており、各保持部材７０は略棒状をなし、チャンバ６１の底部から上方に突出するように設けられており、各保持部材７０の上端部に基板Ｇの下面を載せることにより、基板Ｇを略水平に支持するようになっており、
　　ロードロック室６２内には、保持部材７０に支持された基板Ｇを加熱する上面加熱用プレート７１、及び、下面加熱用プレート７２が備えられており、
　　　上面加熱用プレート７１は、多孔質（ｐｏｒｏｕｓ）の基材からなり通気性を有するプレート本体７５と、プレート本体７５中に通過させる加熱用ガスを供給する加熱用ガス供給路７６とを備えており、
　　　加熱用ガス供給路７６に加熱用ガスを供給すると、プレート本体７５中に加熱用ガスを浸透させることができ、加熱用ガスは、プレート本体７５の下面に向かい、通気性保護膜８１を通過して、下方に噴き出すようになっており、このようにプレート本体７５の下面から加熱用ガスを吹き付けることによって、また、通過する加熱用ガスによって加熱されたプレート本体７５から放射される熱によって、基板Ｇが加熱されるようになっており、
　　　上面加熱用プレート７１においては、供給管７７から導入された加熱用ガスは、下部板７５ｂ全体に均等に加熱用ガスが通過し、通気性保護膜８１の下面の細孔全体から、加熱用ガスが均等な流量で噴き出すので、基板Ｇの上面全体を均等に加熱することができ、
　　　下面加熱用プレート７２は、保持部材７０に支持された基板Ｇの下面側に配置され、前述した保持部材７０は、下面加熱用プレート７２に形成された複数の孔８５内にそれぞれ配置されており、
　　　下面加熱用プレート７２の内部には、発熱体８６が内蔵され、発熱体８６からの伝熱によって下面加熱用プレート７２が昇温されるようになっており、さらに、下面加熱用プレート７２の上面には、加熱時に基板Ｇを支持するための複数の支持部材９３が設けられており、
　ロードロック装置２２は、密閉構造のチャンバ１０１を備え、チャンバ１０１は下段のロードロック装置２１のチャンバ６１の上面に載せられており、チャンバ１０１の内部は、基板Ｇを収納するロードロック室１０２となっており、
　　ロードロック室１０２内には、基板Ｇを保持するための複数の支持部材１１０が備えられており、各支持部材１１０は略棒状をなし、チャンバ１０１の底部から上方に突出するように設けられており、各支持部材１１０の上端部に基板Ｇの下面を載せることにより、基板Ｇを略水平に保持するようになっており、
　　ロードロック室１０２内には、基板Ｇを冷却する上面冷却用プレート１１１、及び、下面冷却用プレート１１２が備えられており、
　　　下面冷却用プレート１１２は、支持部材１１０に支持された基板Ｇの下面側に配置され、前述した支持部材１１０は、下面冷却用プレート１１２に形成された複数の孔１２８内にそれぞれ配置されており、
　　　下面冷却用プレート１１２も基板Ｇに対して近接及び離隔させることが可能な構成とされており、また、ロードロック装置２１における下面加熱用プレート７２と同様に、下面冷却用プレート１１２の上面に、基板Ｇを支持するための支持部材を設け、基板Ｇの冷却時に支持部材１１０から基板Ｇを受け取る構成としても良い、ロードロック装置５。」
２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２００２−１５８２７３号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００３２】
　図１はこの発明の真空処理装置の構成例を示す説明図である。また、図２は、図１のI−I線に沿って切った断面図である。図３は、図１のV−V線に沿って切った断面図である。
【００３３】
　図１に示す真空処理装置１０は、枚葉式装置であって搬送機構を具える搬送室１２に隣接させて、第１および第２真空処理室１４および１６が配置されている。また、搬送室１２に隣接させて、ロードロック室１８も配置されている。
【００３４】
　これら搬送室１２と真空処理室１４および１６との間、搬送室１２とロードロック室１８との間は、基板の搬入および搬出ができ、かつ、各室をそれぞれ隔離するように、それぞれ仕切り弁（ゲートバルブ）２０で仕切られている。また、各ロードロック室１８と大気側との間にも仕切り弁２０が設けられている、なお、この例では、真空処理室が２つ設けられているが、図１の点線で示すように、基板に対して行う処理の種類に応じてもう１つ処理室を増設することが可能である。この処理室は、基板に対する加熱処理あるいは冷却処理を行う熱処理室としてもよい。
【００３５】
　また、図２の断面図から明らかなように、この真空処理装置１０において、ロードロック室１８は２つ設けられている。これら２つのロードロック室１８ａおよび１８ｂは搬送室１２に、互いに離間した状態で鉛直方向（図２のＺ方向）に重ねて配置されている。また、各ロードロック室１８ａ（１８ｂ）は、基板１９を水平保持している。すなわち、基板１９の面積の広い被処理面１９ｘが水平面と平行となっており、かつ基板の面積の狭い側面１９ｙが鉛直方向（Ｚ方向）と平行となるように保持されている。なお、水平面は、図１のＸ方向とＹ方向とで形成される平面（ＸＹ面と称する場合もある。）とする。」
「【００４９】
　図４は図１の装置を応用したものである。図４では、第１および第２ロードロック室１８ａおよび１８ｂとは別に第３および第４ロードロック室１８ｃおよび１８ｄが設けられている。例えば第３ロードロック室１８ｃは加熱手段を具え、第４ロードロック室１８ｄは冷却手段を具えているものとする。これにより、第１および第３ロードロック室１８ａおよび１８ｃでそれぞれ加熱処理を行うことができ、同様に第２および第４ロードロック室１８ｂおよび１８ｄでそれぞれ冷却処理を行うことができるので、装置の処理能力を向上させることができる。これら第１〜第４ロードロック室１８ａ〜１８ｄは、搬送室１２の１つの壁面１２ａにそれぞれゲートバルブ２０を介して設けられており、互いに離間した状態で鉛直方向（Ｚ方向：垂直方向とも称する。）に重ねて配置されている（図４）。
【００５０】
　ロードロック室の数は、上限が４つに限定されるものではなく、配置に余裕があり、目標のスループットを達成するのに必要であれば、これ以上設けてあってもよい。
【００５１】
　また、真空処理装置で行う処理で冷却処理を行う必要が無い場合には、第１〜第４ロードロック室１８ａ〜１８ｄのうちの全ての室を加熱手段を具えたロードロック室としてもよい。逆に加熱処理を行う必要が無い場合には、第１〜第４ロードロック室１８ａ〜１８ｄのうちの全ての室を冷却手段が設けられたロードロック室としてもよい。加熱手段および冷却手段は、ヒートポンプその他の好適な加熱または冷却手段とする。複数のロードロック室のうち、加熱手段を設ける室の数および冷却手段を設ける室の数の設定は、装置の処理能力および処理条件によって、適宜設定すればよい。」
３　引用文献３について
　原査定で、周知技術を示す文献として引用された引用文献３（特開２００３−２８２４６２号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のシャワープレートは、プロセスガスをウェハ表面に供給する
プラズマ発生装置用のシャワープレートであって
セラミック多孔質体からなる
４　引用文献４について
　原査定で、周知技術を示す文献として引用された引用文献４（特開２００８−２０５２１９号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【要約】      （修正有）
【課題】成膜用のガスのイオン化率を向上させ成膜効率を向上させるとともに、製作が容易なシャワーヘッドおよびこれを用いたCVD装置の提供。
【解決手段】処理チェンバー１０内にワーク２０に対向する配置にシャワーヘッド４０が配置され、シャワーヘッドの背面側に設けられたガス導入口１２からワークの表面に窒化物を成膜するためのガスをシャワーヘッドに供給し、シャワーヘッドとワークとの間に高周波を印加して、プラズマを発生させ、ワークに成膜するCVD装置であって、
前記シャワーヘッドが、金属からなるシャワープレート４２と、その背面側にシャワープレートに当接して配置される多孔質プレート４４とを備え
５　引用文献５について
　原査定で、周知技術を示す文献として引用された引用文献５（特開２０１１−１１９２９号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２５】
本発明のセラミックス多孔質焼結体において、多孔質とは、少なくとも１０％の気孔率を有することを意味する。気孔率は１０〜４０％とすることが好ましい。このような範囲であれば、フィルター、ガス分散板、真空吸着装置等に好適である。特に、本発明の
セラミックス多孔質焼結体は、プラズマに対する耐食性に優れているので、プラズマに曝されるシャワープレート等の半導体製造装置用部材に適用することができる。
第４　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
ア　本願発明１と引用発明Ａとを対比すると、次のことがいえる。
（ア）引用発明Ａの「第二のロードロック装置２２」、「第一のロードロック装置２１」、「下面冷却用プレート１９０」、「下面加熱用プレート７２」は、それぞれ、本願発明１の「第１チャンバ容積」、「第２チャンバ容積」、「冷却基板支持アセンブリ」、「加熱基板支持アセンブリ」に相当する。 
  
（イ）引用発明Ａのロードロック装置は、「搬入出部２と処理部３との間に設置されており」、第一のロードロック装置２１は、「搬入口６３、及び、搬出口６４を有する」ものであり、第二のロードロック装置２２は、「搬入口１０３及び搬出口１０４を有する」ものであり、「第一のロードロック装置２１と第二のロードロック装置２２は、上下に積み重ねて備えられており」、「ロードロック装置２１には、搬入口６３を開閉するゲートバルブ２５と、ロードロック装置２１の搬出口６４を開閉するゲートバルブ２６が設けられており、ロードロック装置２２には、搬入口１０３を開閉するゲートバルブ２７と、搬出口１０４を開閉するゲートバルブ２８が設けられており、かかる構成において、各ゲートバルブ２５、２８を閉じることにより、搬入出部２の雰囲気とロードロック装置２１、２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっており、また、各ゲートバルブ２６、２７を閉じることにより、処理部３の雰囲気とロードロック装置２１、２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになって」いるから、本願発明１と引用発明Ａとは、「第１チャンバ容積は、基板を搬送するために構成された２つの開口部を介して２つの環境に選択的に接続可能であり、第２チャンバ容積は、２つの環境のうちの少なくとも１つに選択的に接続され、第１チャンバ容積及び第２チャンバ容積は鉛直方向に積み重ねられている」ものである点で一致する。
　また、引用発明Ａでは、「第一のロードロック装置２１と第二のロードロック装置２２は、上下に積み重ねて備えられており」、「ロードロック装置２１は、密閉構造のチャンバ６１を備え」「ロードロック装置２２は、密閉構造のチャンバ１０１を備え、チャンバ１０１は下段のロードロック装置２１のチャンバ６１の上面に載せられて」いるから、本願発明１と引用発明Ａとは、「互いに分離した第１チャンバ容積及び第２チャンバ容積」を含むロードロック装置である点で共通する。
（ウ）引用発明Ａにおける「下面冷却用プレート１９０」は、第二のロードロック装置２２が備えるチャンバ１０１の内部のロードロック室１０２内に備えられており、「基板Ｇは下面冷却用プレート１９０に密着した状態で確実に保持され」、また、冷却用ガスは、「基板Ｇの下面全体に供給され、下面冷却用プレート１９０は、基板Ｇの下面側に配置され」ているから、本願発明１と引用発明Ａとは、「第１チャンバ容積内に配置され、基板を上で支持して冷却するように構成された冷却基板支持アセンブリ」を含む点で一致する。
（エ）引用発明Ａにおける「下面加熱用プレート７２」は、第一のロードロック装置２１が備えるチャンバ６１の内部のロードロック室６２内に備えられており、「下面加熱用プレート７２の上面には、加熱時に基板Ｇを支持するための複数の支持部材９３が設けられている」いるから、本願発明１と引用発明Ａとは、「第２チャンバ容積内に配置され、基板を上で支持するように構成された加熱基板支持アセンブリ」を含む点で一致する。
（オ）引用発明Ａにおける「上面加熱用プレート７１」は、第一のロードロック装置２１が備えるチャンバ６１の内部のロードロック室６２内に備えられており、「多孔質（ｐｏｒｏｕｓ）の基材からなり通気性を有するプレート本体７５と、プレート本体７５中に通過させる加熱用ガスを供給する加熱用ガス供給路７６とを備えており、加熱用ガス供給路７６に加熱用ガスを供給すると、プレート本体７５中に加熱用ガスを浸透させることができ、加熱用ガスは、プレート本体７５の下面に向かい、通気性保護膜８１を通過して、下方に噴き出すようになっており、このようにプレート本体７５の下面から加熱用ガスを吹き付けることによって、また、通過する加熱用ガスによって加熱されたプレート本体７５から放射される熱によって、基板Ｇが加熱されるようになって」、「上面加熱用プレート７１においては、供給管７７から導入された加熱用ガスは、下部板７５ｂ全体に均等に加熱用ガスが通過し、通気性保護膜８１の下面の細孔全体から、加熱用ガスが均等な流量で噴き出すので、基板Ｇの上面全体を均等に加熱することができ」るものであるから、供給管７７から導入された加熱用ガスを分配し、基板に対してシャワー状にガスを供給するものといえる。 
　したがって、本願発明１と引用発明Ａとは、「第２チャンバ容積内に配置されたガス分配アセンブリであって、加熱基板支持アセンブリの上方に配置され、内部に配置された基板を処理するための第２チャンバ容積に処理ガスを供給するように構成されたガス分配シャワーヘッドを含むガス分配アセンブリ」を含む点で一致する。 
  
（カ）したがって、本願発明１と引用発明Ａとの間には、次の一致点、相違点があるといえる。
＜一致点Ａ＞
 「互いに分離した第１チャンバ容積及び第２チャンバ容積を含み、
　第１チャンバ容積は、基板を搬送するために構成された２つの開口部を介して２つの環境に選択的に接続可能であり、第２チャンバ容積は、２つの環境のうちの少なくとも１つに選択的に接続され、第１チャンバ容積及び第２チャンバ容積は鉛直方向に積み重ねられており、
　第１チャンバ容積内に配置され、基板を上で支持して冷却するように構成された冷却基板支持アセンブリと、
　第２チャンバ容積内に配置され、基板を上で支持するように構成された加熱基板支持アセンブリと、
　第２チャンバ容積内に配置されたガス分配アセンブリであって、
　　加熱基板支持アセンブリの上方に配置され、内部に配置された基板を処理するための第２チャンバ容積に処理ガスを供給するように構成されたガス分配シャワーヘッドを含むガス分配アセンブリを含むロードロック装置。」
＜相違点＞ 
＜相違点Ａ１＞ 
　本願発明１は、「互いに分離した第１チャンバ容積及び第２チャンバ容積を画定するチャンバ本体アセンブリ」を含む「ロードロックチャンバ」であるのに対し、引用発明Ａは、第二のロードロック装置２２と第一のロードロック装置２１は「互いに分離した」ものであるものの、本願発明１のように「チャンバ本体アセンブリ」であるか否か不明であり、また、ロードロック装置が「ロードロックチャンバ」であるか否か不明である点。 
＜相違点Ａ２＞ 
　本願発明１は、「冷却基板支持アセンブリに対して移動可能であり、冷却基板支持アセンブリと外部基板ハンドリング装置との間で基板を搬送するように操作可能なリフトピンアセンブリ」を含むのに対し、引用発明Ａでは、下面冷却用プレート１９０は、そのようなものではない点。
＜相違点Ａ３＞
　本願発明１は、「第１チャンバ容積内の冷却基板支持アセンブリの上方に移動可能に配置された基板支持棚」を含むのに対し、引用発明Ａは、そのような構成を含むものではない点。
＜相違点Ａ４＞
　本願発明１は、「リフトピンアセンブリと基板支持棚を同時に移動させるように構成されたリフトアセンブリ」を含むのに対し、引用発明Ａでは、本願発明１のようなリフトアセンブリを含むものではない点。
イ　同様に、本願発明１と引用発明Ｂとを対比する。
　引用発明Ｂにおいて、「下面冷却用プレート１１２」は、「保持部材に沿って移動させながら昇降するようになって」おり、「略棒状」の「複数の保持部材」を含むから、本願発明１と引用発明Ｂとは、「ピンアセンブリ」を含み、「冷却基板支持アセンブリは、ピンアセンブリに対して相対移動可能」である点で共通する。
　したがって、本願発明１と引用発明Ｂとの間には、次の一致点、相違点があるといえる。
＜一致点Ｂ＞
 「互いに分離した第１チャンバ容積及び第２チャンバ容積を含み、
　第１チャンバ容積は、基板を搬送するために構成された２つの開口部を介して２つの環境に選択的に接続可能であり、第２チャンバ容積は、２つの環境のうちの少なくとも１つに選択的に接続され、第１チャンバ容積及び第２チャンバ容積は鉛直方向に積み重ねられており、
　第１チャンバ容積内に配置され、基板を上で支持して冷却するように構成された冷却基板支持アセンブリと、
　ピンアセンブリと、
　第２チャンバ容積内に配置され、基板を上で支持するように構成された加熱基板支持アセンブリと、
　第２チャンバ容積内に配置されたガス分配アセンブリであって、
　　加熱基板支持アセンブリの上方に配置され、内部に配置された基板を処理するための第２チャンバ容積に処理ガスを供給するように構成されたガス分配シャワーヘッドを含み、
　冷却基板支持アセンブリは、ピンアセンブリに対して相対移動可能である、ガス分配アセンブリを含むロードロック装置。」
＜相違点＞ 
＜相違点Ｂ１＞ 
　本願発明１は、「互いに分離した第１チャンバ容積及び第２チャンバ容積を画定するチャンバ本体アセンブリ」を含む「ロードロックチャンバ」であるのに対し、引用発明Ｂは、第二のロードロック装置２２と第一のロードロック装置２１は「互いに分離した」ものであるものの、本願発明１のように「チャンバ本体アセンブリ」であるか否か不明であり、また、ロードロック装置５が「ロードロックチャンバ」であるか否か不明である点。 
＜相違点Ｂ２＞ 
　本願発明１は、「冷却基板支持アセンブリに対して移動可能であり、冷却基板支持アセンブリと外部基板ハンドリング装置との間で基板を搬送するように操作可能なリフトピンアセンブリ」を含むのに対し、引用発明Ｂでは、下面冷却用プレート１１２は、「保持部材に沿って移動させながら昇降するようになって」おり、保持部材に対して「相対移動可能」となっているものの、本願発明１のようなものではない点。
＜相違点Ｂ３＞
　本願発明１は、「第１チャンバ容積内の冷却基板支持アセンブリの上方に移動可能に配置された基板支持棚」を含むのに対し、引用発明Ｂは、そのような構成を含むものではない点。
＜相違点Ｂ４＞
　本願発明１は、「リフトピンアセンブリと基板支持棚を同時に移動させるように構成されたリフトアセンブリ」を含むのに対し、引用発明Ｂでは、本願発明１のようなリフトアセンブリを含むものではない点。
（２）相違点についての判断
ア　引用発明Ａに対する進歩性について（相違点Ａ１〜Ａ４について）
（ア）まず、相違点Ａ２〜Ａ４について、まとめて検討する。
　相違点２、３に係る本願発明１の「移動可能に配置された基板支持棚」という構成は、「冷却支持アセンブリに対して移動可能」である、「リフトピンアセンブリ」と「同時に移動させるように構成された」ものと解される。
　一方、引用発明Ａは、下面冷却用プレート１９０に対して移動可能なリフトピンアセンブリを含むものではなく、引用文献１には、第二のロードロック室２２内に、下面冷却用プレート１９０に対して移動可能なリフトピンアセンブリに加え、更に、「移動可能に配置された基板支持棚」を含む構成は記載も示唆もされていない。
　また、基板の冷却を行うロードロックチャンバにおいて、冷却を行う基板支持部材に対して移動可能なリフトピンを備えるものは周知であり、下記の周知例Ａ〜Ｃに記載されているものの、当該リフトピンに加え、更に、「移動可能に配置された基板支持棚」を含む構成は、周知例Ａ〜Ｃには記載も示唆もされていない。
ａ　周知例Ａ：特開２０１１−１６６１０７号公報
「【００３８】
＜ロードロック装置＞
　次にロードロック装置について説明する。上記２つのロードロック装置２０Ａ、２０Ｂは全く同様に構成されているで、ここでは一方のロードロック装置２０Ａの構成について説明する。
【００３９】
まず、このロードロック装置２０Ａは、例えばアルミニウム合金等により箱状に成形されたロードロック用容器７０を有している。このロードロック用容器７０内に設けられる上記本発明に係る保持体構造２６Ａは、図３にも示すように容器底部より起立された支柱７２の上端に取り付けられている。ここでは上記保持体構造２６Ａは、半導体ウエハＷのサイズよりも少し大きな厚肉の円板状に形成されている。また、この保持体構造２６Ａ上には、
半導体ウエハＷの搬出入時にこの半導体ウエハＷを押し上げ、押し下げるリフタ機構７４
【００４０】
　具体的には、この
リフタ機構７４は、３本
の昇降ピン７６を有して
【００４１】
　そして、上記保持体構造２６Ａには、上記昇降ピン７６を挿通させるためのピン挿通孔８６が設けられており、
半導体ウエハＷの搬出入時に上記昇降ピン７６を昇降
【００４２】
　また容器底部には排気口９４が設けられており、この排気口９４には、ロードロック用容器７０内の雰囲気を排気するための排気手段９６が設けられる。具体的には、上記排気手段９６は、上記排気口９４に連結されたガス通路９８を有している。そして、このガス通路９８には、開閉弁１００及び真空ポンプ１０２が順次介設されており、ロードロック用容器７０内の雰囲気を真空引きできるようになっている。
【００４３】
　上記保持体構造２６Ａは、図３乃至図５にも示すように、上記半導体ウエハＷの荷重を受けるための保持体本体１０４と、この上面に形成された複数の支持体収容部１０６と、この支持体収容部１０６内に収容されて上端で上記半導体ウエハＷを当接して支持しつつ転動可能になされた支持体１０８とを主に有している。
【００４４】
　具体的には、上記保持体本体１０４は、上記半導体ウエハＷの直径よりも僅かに大きな肉厚な円板状に成形されており、その上面は平坦面になされている。この保持体本体１０４は、例えばアルミニウム合金やニッケル合金、或いは窒化アルミニウムやアルミナ等のセラミック材により構成されている。この保持体本体１０４内には、半導体ウエハＷを加熱及び／又は冷却する熱源部１１０が設けられている。ここでは上記熱源部１１０としては、冷媒を流す冷却ジャケット１１２が上記保持体本体１０４の略全面に亘って埋め込むようにして設けられており、この上面側に支持される半導体ウエハＷに冷熱を与えてこれを冷却するようになっている。
【００４５】
　ここで処理されるべき半導体ウエハＷを予熱する場合には、上記熱源部１１０として上記冷却ジャケット１１２に替えて抵抗加熱ヒータ等を設けて半導体ウエハＷに温熱を与えるようにすればよい。また、半導体ウエハＷの冷却と加熱とを選択的にできるようにする場合には、上記熱源部１１０としてペルチェ素子のような熱電変換素子を設けて、これに流れる電流の方向を必要に応じて切り替えることによって加熱と冷却とを選択的に行うことができるようにすればよい。
【００４６】
　そして、上記保持体本体１０４の平坦な上面に、上記支持体収容部１０６が凹部状に複数個形成されている。ここでは、支持体収容部１０６は、上記保持体本体１０４の中周部分に１２０度間隔で３個設けられ、外周部分に６０度間隔で６個設けられ、全体で９個設けられている。尚、これらの個数は特に限定されるものではない。そして、上記各支持体収容部１０６内にそれぞれ１個の上記支持体１０８が収容されている。すなわち、上記１つの支持体収容部１０６とこれに収容される１つの支持体１０８とで１つの支持体ユニット１１４が形成され、ここでは全体で９つの支持体ユニット１１４が設けられることになる。」
ｂ　周知例Ｂ：特開２０１１−１７４１０８号公報
「【００２４】
　図２は、この発明の一実施形態に係る冷却装置４２が配置されたロードロック室４１（４１ａ又は４１ｂ）の一例を概略的に示す断面図である。
【００２５】
　図２に示すように、ロードロック室４１（４１ａ又は４１ｂ）は、内部の圧力を、真空処理の圧力と大気圧との間で変換することが可能な真空容器として構成される。このため、ロードロック室４１（４１ａ又は４１ｂ）は、ガス排気口４３を介して内部を排気する排気装置４４、及びガス供給口４５を介して内部に冷却ガスや大気を供給するガス供給装置４６に接続されている。冷却ガスの例としては、窒素（Ｎ２）ガスやヘリウム（Ｈｅ）ガスを挙げることができる。
【００２６】
　この発明の一実施形態に係る冷却装置４２はロードロック室４１（４１ａ又は４１ｂ）の内部に配置される。
【００２７】
　冷却装置４２は、下部冷却部材１０１と、下部冷却部材１０１の上方に設けられた上部冷却部材１０２と、加熱されたウエハＷを、下部冷却部材１０１と上部冷却部材１０２との間で昇降させる被処理体昇降機構１０３と、を具備する。
【００２８】
　本例の下部冷却部材１０１は、内部に冷却機構１０４ａを備え、ウエハＷを接触又は近接させた状態で冷却するクーリングプレートとして構成されている。図２に示すクーリングプレートは、ウエハＷとの対向面１０５上にストッパ１０６を備え、ウエハＷを近接させた状態で冷却するタイプのクーリングプレートが示されている。クーリングプレートは、例えば、ロードロック室４１（４１ａ又は４１ｂ）の底壁上に載置される。
【００２９】
　上部冷却部材１０２もまた、内部に冷却機構１０４ｂを備え、ウエハＷを接触又は近接させた状態で冷却するクーリングプレートとして構成される。冷却機構１０４ａ及び１０４ｂの例としては、冷却水循環型（水冷型冷却機構）や、ヒートパイプ型（空冷型冷却機構）を挙げることができる。
【００３０】
　
被処理体昇降機構１０３は、下部冷却部材１０１の対向面１０５から突没可能に構成された複数のリフトピン１０７と、これら複数のリフトピン１０７を同時に昇降させるリフトピン昇降装置１０８とを含んで構成されている
【００３１】
　また、一実施形態に係る冷却装置４２には、上部冷却部材１０２を昇降させる上部冷却部材昇降機構１０９を備えている。本例の上部冷却部材昇降機構１０９は、ロードロック室４１（４１ａ又は４１ｂ）の底壁を介して上部冷却部材１０２を、本例では下部冷却部材１０１側から支持する複数の支持ピン１１０と、これら複数の支持ピン１１０を同時に昇降させる支持ピン昇降装置１１１とを含んで構成されている。
【００３２】
　次に、冷却装置４２の動作について説明する。
【００３３】
　図３Ａ〜図３Ｃは、冷却装置４２の動作の一例を示す側面図である。
【００３４】
　図３Ａ〜図３Ｃに示すように、冷却装置４２は、ウエハＷと下部冷却部材１０１との間隔ｄ１と、ウエハＷと上部冷却部材１０２との間隔ｄ２とを互いに等しくしながら、ウエハＷを下部冷却部材１０１に近づけていく。
【００３５】
　具体的には、図３Ａに示すように、図１に示した搬送装置３３を用いて、処理が終了し、加熱されているウエハＷをロードロック室４１（４１ａ又は４１ｂ）に搬入し、
ウエハＷを、ピック３５ａ又は３５ｂからリフトピン１０７に受け渡す
被処理体昇降機構１０３を作動させ
ウエハＷを、例えば、降下させる
【００３６】
　次いで、図３Ｂ及び図３Ｃに示すように、
被処理体昇降機構１０３を用いてウエハＷを、さらに、下部冷却部材１０１側に降下させていく
ｃ　周知例Ｃ：特開２００７−１８６７５７号公報
「【００４３】
　再び図２において、ロードロック・モジュールＬＬＭjは、ロードロック室１４内に、ウエハＷを載置して支持する載置台４０を設けている。この
載置台４０の中には、ウエハＷを搬送ロボットＲＢ
1
，ＲＢ
2
との受け渡しの際に水平姿勢で上げ下げするためのリフトピン機構（図示せず）が設けられている
載置台４０に
冷却機構が設けられる
（イ）したがって、引用発明Ａにおいて、相違点Ａ３に係る本願発明１の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことということはできない。そうすると、相違点Ａ４に係る本願発明１の構成を採用することも、当業者が容易になし得たことということはできない。
　さらに、周知例Ａ〜Ｃを参照した当業者であっても、下面冷却用プレート１９０に対して、「移動可能」であるリフトピンアセンブリを含むものとする動機付けは見出せない。よって、相違点Ａ２に係る本願発明１の構成を採用することも、当業者が容易になし得たことということはできない。
（ウ）したがって、上記相違点Ａ１について判断するまでもなく、本願発明１は、周知例Ａ〜Ｃを参照したとしても、引用発明Ａに基づいて、当業者が容易に発明できたものとはいえない。　
イ　引用発明Ｂに対する進歩性について（相違点Ｂ１〜Ｂ４について）
（ア）まず、相違点Ｂ２〜Ｂ４について、まとめて検討する。
　相違点Ｂ３とＢ４は、それぞれ、相違点Ａ３とＡ４と同様な相違点であり、相違点Ｂ２も相違点Ａ２と同様に、本願発明１の「冷却基板支持アセンブリに対して移動可能であり、冷却基板支持アセンブリと外部基板ハンドリング装置との間で基板を搬送するように操作可能なリフトピンアセンブリ」との構成に係る相違点である。
　上記ア（ア）で検討したように、引用文献１には、第二のロードロック室２２内に、下面冷却用プレート１９０、１１２に対して移動可能なリフトピンに加え、更に、「移動可能に配置された基板支持棚」を含む構成は記載も示唆もされていない。
　また、上記の周知例Ａ〜Ｃに記載されているように、基板の冷却を行うロードロックチャンバにおいて、冷却を行う基板支持部材に対して移動可能なリフトピンを備えるものは周知であるものの、当該リフトピンに加え、更に、「移動可能に配置された基板支持棚」を含む構成は、周知例Ａ〜Ｃには記載も示唆もされていない。
（イ）したがって、引用発明Ｂにおいて、相違点Ｂ３に係る本願発明１の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことということはできない。そうすると、相違点Ｂ４に係る本願発明１の構成を採用することも、当業者が容易になし得たことということはできない。
　さらに、周知例Ａ〜Ｃを参照した当業者であっても、下面冷却用プレート１９０に対して、「移動可能」であるリフトピンアセンブリを含むものとする動機付けは見出せない。よって、相違点Ｂ２に係る本願発明１の構成を採用することも、当業者が容易になし得たことということはできない。
（ウ）したがって、上記相違点Ｂ１について判断するまでもなく、本願発明１は、周知例Ａ〜Ｃを参照したとしても、引用発明Ｂに基づいて、当業者が容易に発明できたものとはいえない。
ウ　小括
　以上のとおり、本願発明１は、周知例Ａ〜Ｃを参照したとしても、引用発明Ａまたは引用発明Ｂに基づいて、当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２〜６について
　本願発明２〜６も、本願発明１の「第１チャンバ容積内の冷却基板支持アセンブリの上方に移動可能に配置された基板支持棚」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、周知例Ａ〜Ｃを参照したとしても、引用発明Ａまたは引用発明Ｂに基づいて、当業者が容易に発明できたものとはいえない。
３　本願発明７〜９について
　本願発明７〜９は、デュアルロードロックチャンバに係る発明であり、「第１ロードロックチャンバ及び第２ロードロックチャンバの各々」は、本願発明１の「第１チャンバ容積内の冷却基板支持アセンブリの上方に移動可能に配置された基板支持棚」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、周知例Ａ〜Ｃを参照したとしても、引用発明Ａまたは引用発明Ｂに基づいて、当業者が容易に発明できたものとはいえない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
１　原査定は、請求項１、２、５、６、１０、１２に係る発明について、引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないというものであり、また、請求項１〜６、１０〜１３に係る発明について、上記引用文献１、引用文献２に記載された発明及び引用文献３〜５に記載の周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
２　しかしながら、平成３１年３月４日付け手続補正において、請求項１に係る発明（本願発明１）は、「第１チャンバ容積内の冷却基板支持アセンブリの上方に移動可能に配置された基板支持棚」という構成を有するものとなっており、請求項７（原査定時の請求項１０）に係る発明（本願発明７）は、「第１ロードロックチャンバ及び第２ロードロックチャンバの各々」は、「第１チャンバ容積内の冷却基板支持アセンブリの上方に移動可能に配置された基板支持棚」を含むという構成を有するものとなっているところ、上記第４の１（２）ア、イと３で検討したとおり、本願発明１、７は、周知例Ａ〜Ｃを参照したとしても、引用発明Ａまたは引用発明Ｂ（上記引用文献１に記載された発明）に基づいて、当業者が容易に発明できたものとはいえない。
　また、引用文献２〜５には、第二のロードロック室２２内に、下面冷却用プレート１９０、１１２に対して移動可能なリフトピンに加え、更に、「移動可能に配置された基板支持棚」を含む構成は記載も示唆もされていない。
　したがって、本願発明１、７は、引用文献１、引用文献２に記載された発明並びに引用文献３〜５及び周知例Ａ〜Ｃに記載の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものとはいえない。
３　そして、原査定時の請求項２、５、６及び１２は、平成３１年３月４日付けの補正において削除されているから、本願発明１、７は、引用文献１に記載された発明であるとはいえず、また、本願発明１〜９は、引用文献１、引用文献２に記載された発明及び引用文献３〜５及び周知例Ａ〜Ｃに記載の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　したがって、原査定を維持することはできない。
第６　当審拒絶理由について
１　理由１：特許法第２９条第２項（進歩性）について
（１）当審では、請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明、及び下記の周知例１、２に記載の周知技術１、周知例３〜５（それぞれ上記周知例Ａ〜Ｃ）に記載の周知技術２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項２、３、１０に係る発明は、引用文献１に記載された発明、並びに下記の周知例１、２に記載の周知技術１、周知例３〜５（上記周知例Ａ〜Ｃ）に記載の周知技術２、周知例１、２及び下記の周知例６（原査定の拒絶の理由で引用された上記引用文献２）に記載の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項９に係る発明は、引用文献１に記載された発明、並びに下記の周知例１、２に記載の周知技術１、周知例３〜５（上記周知例Ａ〜Ｃ）に記載の周知技術２、下記の周知例６（原査定の拒絶の理由で引用された上記引用文献２）及び下記の周知例７に記載の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項１２に係る発明は、引用文献１に記載された発明、並びに下記の周知例１、２に記載の周知技術１、周知例３〜５（上記周知例Ａ〜Ｃ）に記載の周知技術２、及び周知例１、２に記載の技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとの拒絶の理由を通知している。
ア　周知例１：特表２０１２−５０１５４９号公報
「【００１６】
　図１は、大面積基板（例えば、約１．０平方メートルを超える面積を有する基板）を処理するのに適したプロセスシステム１５０の一実施形態の上面図である。プロセスシステム１５０は、ロードロックチャンバ１００によってファクトリインタフェース１１２に結合される搬送チャンバ１０８を含んでもよい。搬送チャンバ１０８は、複数の外接するプロセスチャンバ１３２とロードロックチャンバ１００の間で基板を搬送するために適合される、少なくとも１つのデュアルブレード真空ロボット１３４を内部に配置してもよい。一実施形態では、プロセスチャンバ１３２のうちの１つは、システム１５０のスループットを高めるために、処理前に基板を熱的に調整するプレヒート（前加熱）チャンバである。搬送チャンバ１０８は真空状態に維持されてもよく、これによって夫々の基板の移動後に、搬送チャンバ１０８と個々のプロセスチャンバ１３２の間における圧力を調整する必要性を排除できる。
【００１７】
　ファクトリインタフェース１１２は、複数の基板格納カセット１３８及びデュアルブレード大気用ロボット１３６を含んでもよい。カセット１３８は、ファクトリインタフェース１１２の片側に形成される複数のベイ１４０内に取り外し可能に配置されてもよい。大気用ロボット１３６は、カセット１３８とロードロックチャンバ１００の間で基板１１０を搬送してもよい。ファクトリインタフェース１１２は、大気圧に、又は大気圧より若干高く維持されてもよい。
【００１８】
　図２は、マルチチャンバロードロックチャンバ２００の一実施形態の断面図である。
ロードロックチャンバ２００は、垂直に積み重ねられ、周囲から隔離される複数のチャンバを含むチャンバ本体２１２を有し、これらのチャンバは、耐真空性の水平な内壁２１４によって分離される
【００１９】
　チャンバ本体２１２は、第１側壁２０２、第２側壁２０４、第３側壁２０６、底面２０８、及び上面２１０を含む。本体２１２は、真空条件下の使用に適した堅い材料で作られてもよい。一実施形態では、チャンバ本体２１２は、アルミニウムの単一ブロック（例えば、１つの部材）で作られる。あるいはまた、チャンバ本体２１２は、モジュールセクションで作られてもよく、夫々のモジュールセクションは、基板チャンバ２２０、２２２、２２４のうちの１つの部分を含み、真空保全を維持するのに適した方式（参照番号２１８で示される連続溶接など）で組み立てられてもよい。
【００２０】
　図２に示される実施形態では、内壁２１４と、第２側壁２０６以外のチャンバ本体２１２の残りの部分は、１つの接触する材料の塊から作られてもよい。第２側壁２０６は、チャンバ本体２１２の他の部分に密閉可能に結合されてもよく、これによって基板チャンバ２２０、２２２、２２４の機械加工を容易にし、製造及び組立の間に、チャンバ本体２１２の内部にアクセスできる。
【００２１】
　チャンバ本体２１２内に画定される夫々の基板チャンバ２２０、２２２、２２４は、２つの基板アクセスポートを含む。ポートは、ロードロックチャンバ２００からの基板２０１の出入りを促進するように構成される。図２に示される実施形態では、チャンバ本体２１２の底部２０８に配置される第１基板チャンバ２２０は、第１基板アクセスポート及び第２基板アクセスポート２３２を含む。第１基板アクセスポート２３０は、チャンバ本体２１２の第１側壁２０２を貫通して形成され、第１基板チャンバ２２０を処理システムの中央の搬送チャンバ２０９に結合する。第２基板アクセスポート２３２は、チャンバ本体２１２の第２壁２０４を貫通して形成され、第１基板チャンバ２２０をファクトリインタフェース２１１に結合する。図２に示される実施形態では、基板アクセスポート２３０、２３２は、チャンバ本体２１２の反対側に配置される。しかしながら、ポート２３０、２３２は、その代わりに本体２１２の隣接する壁上に配置されてもよい。」
「【００３１】
　図５は、本発明の一実施形態に係るロードロックチャンバ５００の概略図である。図５に示される実施形態では、ロードロックチャンバ５００は、垂直に積み重ねられるモジュールセクション５０４、５０６、５０８を含むチャンバ本体５０２を含む。夫々のモジュールセクション５０４、５０６、５０８は、基板アクセスポート５１４、５１６、５１８を含む。夫々のモジュールセクション５０４、５０６、５０８の側壁上には、複数の真空ポート５２４、５２６、５２８がある。一実施形態では、真空ポート５２４、５２６、５２８は、基板平面の上方の側壁に配置されるかもしれない。別の実施形態では、真空ポート５２４、５２６、５２８は、基板平面の下方の側壁に配置されるかもしれない。真空ポート５２４、５２６、５２８は、１組として垂直にグループ化されてもよく、真空パイプ５１２を通して
真空ポンプ５１０に接続されてもよい
イ　周知例２：特開２００６−５３４８号公報
「【００１４】
　[0026]図２は、大面積基板（例えば、平面積が約０.１６平方メートルより大きなガラス又はポリマー基板）を処理するのに適した処理システム２５０の一実施形態の平面図である。プロセスシステム２５０は、典型的には、ロードロックチャンバ２００のによってファクトリインタフェース２３２に結合した搬送チャンバ２０８を含んでいる。搬送チャンバ２０８は、そこに配置される少なくとも１つの真空ロボット２３４を有し、複数の外接プロセスチャンバ２３２とロードロックチャンバ２００との間で基板を搬送させるように適合している。任意により、プロセスチャンバ２３２の１つは、システム２５０の処理量を高めるために処理前に基板を熱的に調整する予熱チャンバであってもよい。典型的には、搬送チャンバ２０８は、各基板搬の送後に搬送チャンバ２０８と個々のプロセスチャンバ２３２間の圧力を調節する必要性を取り除くために真空条件に維持される。
【００１５】
　[0027]ファクトリインタフェース２１２は、一般的には、複数の基板保管カセット２３８と少なくとも１つの大気ロボット２３６を含んでいる。カセット２３８は、一般的には、ファクトリインタフェース２１２の片側に形成される複数のベイ２４０に移動可能に配置される。大気ロボット２３６は、カセット２３８とロードロックチャンバ２００間で基板２１０を搬送するように適合している。典型的には、ファクトリインタフェース２１２は、大気圧で又は大気圧よりわずかに高い圧力で維持される。
【００１６】
　[0028]図３は、図２のロードロック２００の一実施形態の断面図である。ロードロックチャンバ２００は、ファクトリインタフェース２１２と搬送チャンバ２０８間で通路３１６をシールするように適合したスリットバルブドアアセンブリ３００iを含んでいる。…（略）…
【００１７】
　[0029]図３に示される実施形態においては、
ロードロックチャンバ２００は、真空密着水平内部壁３１４によって分けられた、垂直に積重ねた環境的に分離された複数の基板搬送チャンバを含むチャンバ本体３１２を有する
３つの単一基板搬送チャンバ３２０、３２２、３２４は図３に示される実施形態で示されている
【００１８】
　[0030]基板搬送チャンバ３２０、３２２、３２４は、各々単一大面積基板２１０を収容するように構成されるので、速い排気と吸気サイクルを強化するために各チャンバ容積は最小にすることができる。図３に示される実施形態においては、各基板搬送チャンバ３２０、３２２、３２４の内容積は、平面積が約３.７平方メートルである基板を収容するために約２０００リットル未満、一実施形態においては１０００リットルである。他の幅、長さ及び/又は高さを有する本発明の基板搬送チャンバは、異なるサイズの基板を収容するように構成することができることが予想される。
【００１９】
　[0031]チャンバ本体３１２は、第一側壁３０２、第二側壁３０４、第三側壁３０６、底面３０８及び最上面３１０を含んでいる。第四側壁３１８（部分的に図３に示されている）は、第三側壁３０６の反対側にある。本体３１２は、真空条件下に用いるのに適した剛体材料から製造される。チャンバ本体３１２は、アルミニウム又は他の適した物質の単一ブロック（例えばワンピース）から製造され、又はモジュラーセクションからも製造される。」
ウ　周知例６：特開２００２−１５８２７３号公報（原査定の拒絶の理由で引用された上記引用文献２）
「【００５２】次に図５に示す構成の
真空処理装置３０では、搬送室１２に隣接させて
基板搬入用ロードロック室（単にロードロック室とも称する。）４０および基板搬出用ロードロック室（単にアンロードロック室とも称する。）４２が配設されている
【００５３】この構成例の
ロードロック室４０および４２は、互いに離間した状態で水平方向（Ｘ方向：ロードロック室と真空処理室とを結ぶ方向（Ｙ方向）に直交する方向）に並べて配置されている
【００５４】これらロードロック室４０，４２と搬送室１２との間、各真空処理室３２，３４，３６，３８と搬送室１２との間は、基板の搬入および搬出ができるように、それぞれ仕切り弁（ゲートバルブ）２０で仕切られている。
【００５５】このような真空処理装置３０での基板処理は、例えば、まず、
基板をロードロック室４０に搬送した後、このロードロック室４０内を所定圧力まで真空排気する
アンロードロック室４２内を真空雰囲気から大気圧雰囲気に戻して、処理済の基板を取り出す
【００５６】上記第１〜第４真空処理室３２，３４，３６，３８は、それぞれ基板に対して異なる処理が行われる処理室であってもよいし、同じ処理が行われる処理室であってもよい。また、第１〜第４真空処理室３２，３４，３６，３８内で、基板に対する処理を順次に行ってもよいし、必要な処理を、第１〜第４真空処理室３２，３４，３６，３８から任意に選んで行ってもよい。また、真空処理室のうち、少なくとも１つ以上を熱処理室とする構成も当然可能である。
【００５７】また、
ロードロック室４０を図６（Ａ）に示すように、２つ、互いに離間した状態で垂直方向に重ねて配置してもよい。これを第１ロードロック室４０ａおよび第２ロードロック室４０ｂとする
図６（Ｂ）に示すように、アンロードロック室４２として、第１アンロードロック室４２ａおよび第２アンロードロック室４２ｂの２つの室を、互いに離間した状態で垂直方向（Ｚ方向）に重ねて配置してあってもよい
【００５８】ロードロック室４０は、第１および第２ロードロック室４０ａおよび４０ｂの２つに限られるものではなく、垂直方向（Ｚ方向）にさらに設けることが出来る。アンロードロック室４２についても同様である。
【００５９】以上、このような装置を用いることによって、ロードロック室内で、基板を１つずつ加熱処理および／または冷却処理することができる。また、ロードロック室およびアンロードロック室を複数設けてあるので、スループットを向上させることができる。また、ロードロック室およびアンロードロック室は、装置の鉛直（垂直）方向（Ｚ方向）に重ねて配置されているので配置面積は小さくて済む。よって装置の小型化が図れる。
【００６０】以上説明した実施の形態では、それぞれ、基板取り入れ専用のロードロック室、基板取り出し専用のアンロードロック室としたが、基板の取り入れに用いたロードロック室に処理済の基板を搬入させて、取り出すような構成としてもよい。
エ　周知例７：特表２００６−５０６８１８号公報
「【請求項１】
　二次元的に拡大化された基板を真空処理するための装置であって、
　（ａ）運搬ロボット装置を備える真空運搬チャンバと、
　（ｂ）少なくとも１つの加工物通過開口部により前記真空運搬チャンバと連通する少なくとも１つの処理ステーションを備える処理装置と、
　（ｃ）少なくとも１つの加工物通過開口部により
前記真空運搬チャンバと
前記処理装置外部の雰囲気と連通するロードロック装置
　（ｄ1）
１つずつ垂直に配置された前記処理装置と前記ロードロック装置とで形成された単一ロードロックおよび処理タワーとを含む
【請求項２】
　（ｄ2）各々が１つのロードロック装置と１つの処理装置とで形成された、少なくとも２つのロードロックおよび処理タワーをさらに含む請求項１の特徴（ａ）（ｂ）および（ｃ）に記載の装置。
…（略）…
【請求項１６】
　
前記ロードロック及び処理タワーのうち排他的２つは、前記真空運搬チャンバの一方の側に互いに並んで配置されるように設けられ
「【００３３】
　図１において、本発明の１つの要部として
ロードロックおよび処理タワーＬＬＰＴ１
ＬＬＰＴはロードロック装置ＬＬＡおよび処理装置ＰＭＡを含む垂直タワーである
ロードロック装置ＬＬＡは少なくとも１つの単一基板投入／排出ロードロックチャンバと、少なくとも１つの単一基板投入ロードロックチャンバと、少なくとも１つの単一基板排出ロードロックチャンバと、少なくとも１つの基板一括投入／排出ロードロックチャンバと、少なくとも１つの基板一括投入ロードロックチャンバと、少なくとも１つの基板一括排出ロードロックチャンバとを含み得る
【００３４】
　このように、原則的にはＬＬＰＴ１のロードロック装置ＬＬＡは、少なくとも１つのロードロックチャンバを含む。図１のような
ロードロック装置ＬＬＡは、一方で周囲雰囲気としての外部雰囲気ＡＴと連通し、他方で運搬装置ＴＡ２における真空雰囲気Ｖと連通する
二重線／双方向矢印は、雰囲気ＡＴ、ロードロック装置ＬＬＡの内部および運搬装置ＴＡ２間における、１つ以上の基板の最も一般的な双方向ハンドリングを示す
「【００７１】
　図１７乃至図１９によると、図１２および図１３のようなＩ字型構成に装置を組み合わせる代わりに、Ｕ字型装置として設計される。図１７によると、
２つのＬＬＰＴ１ａおよび１ｂは、並んだ位置に設けられる
（２）しかしながら、平成３１年３月４日付けの補正において、請求項１に係る発明（本願発明１）は、「第１チャンバ容積内の冷却基板支持アセンブリの上方に移動可能に配置された基板支持棚」という構成を有するものとなっており、請求項７（補正前の請求項９）に係る発明（本願発明７）は、「第１ロードロックチャンバ及び第２ロードロックチャンバの各々」は、「第１チャンバ容積内の冷却基板支持アセンブリの上方に移動可能に配置された基板支持棚」を含むという構成を有するものとなっているところ、上記第４の１（２）ア、イと３で検討したとおり、本願発明１、７は、周知例Ａ〜Ｃを参照したとしても、引用発明Ａまたは引用発明Ｂ（上記引用文献１に記載された発明）に基づいて、当業者が容易に発明できたものとはいえない。
（３）また、周知例１〜７（うち、周知例１〜３は周知例Ａ〜Ｃと同じ。）には、第二のロードロック室２２内に、下面冷却用プレート１９０、１１２に対して移動可能なリフトピンに加え、更に、「移動可能に配置された基板支持棚」を含む構成は記載も示唆もされていない。
（４）したがって、本願発明１〜３（それぞれ補正前の請求項１〜３に係る発明）、本願発明７〜９（それぞれ補正前の請求項９、１０、１２に係る発明）は、引用文献１に記載された発明並びに周知技術１、２及び周知例１、２、６、７に記載の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。よって、この拒絶の理由は解消した。
２　理由２：特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
　当審では、請求項１、９では、第１チャンバ容積と第２チャンバ容積が、「鉛直方向に積み重ねられた」ものであることは特定されておらず、請求項１、９及び請求項１、９を引用する請求項４〜８、１１、１２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではないとの拒絶の理由を通知しているが、平成３１年３月４日付けの補正において、請求項１は、「第１チャンバ容積及び第２チャンバ容積は鉛直方向に積み重ねられているチャンバ本体アセンブリ」と補正され、請求項７（補正前の請求項９）は、「第１チャンバ容積及び第２チャンバ容積は鉛直方向に積み重ねられている第１チャンバ容積及び第２チャンバ容積」と補正された結果、この拒絶の理由は解消した。
３　理由３：特許法第３６条第６項第２号（明確性）について
（１）当審では、請求項１１には、「冷却基板支持体」と記載されているが、「冷却基板支持アセンブリ」の誤記と認められ、請求項１１に係る発明は、明確でないとの拒絶の理由を通知しているが、平成３１年３月４日付けの補正において、請求項１１が削除された結果、この拒絶の理由は解消した。
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明１、７は、引用文献１に記載された発明であるとはいえず、また、本願発明１〜９は、引用文献１、引用文献２に記載された発明及び引用文献３〜５及び周知例Ａ〜Ｃに記載の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。