【手続補正書】
【提出日】平成22年10月8日(2010.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも
a)0.5〜30重量部の、レーザー相関分光法を使用して決定された、最大で150 nm、好ましくは最大で100 nm、特に好ましくは40〜80 nmの有効径を有し、二峰性の粒度分布を有する、銀金属粒子、
b)50〜99.5重量部の水および必要に応じて30重量部までの溶媒、
c)0.01〜10重量部の、少なくとも一つの、特にポリマーの、分散剤、
d)0〜5重量部のフィルム形成剤、
e)0〜5重量部の添加剤、
f)0〜5重量部の導電性ポリマー、
を含有する銀含有分散性含水処方物であって、最大で150 mPa・sの粘度を有することを特徴とする、処方物。
【請求項２】
導電性および／または光学的反射性のコーティング、特に100 μm未満、好ましくは80 μm未満の線幅を有する導電体ストリップを製造するための、請求項１に記載の処方物の使用。
【請求項３】
100 μm未満、好ましくは80 μm未満の線幅を有する導電体ストリップの製造方法であって、請求項１に記載の処方物を、インクジェット技術を使用して基材表面上に印刷し、そして特に最大で140℃の温度にて、熱的に処理して、残留する水および必要に応じて溶媒を除去することを特徴とする、方法。
【請求項４】
20 μm未満の線幅を有する導電体ストリップの製造方法であって、請求項１に記載の処方物を、基材の＜20 μmの線幅を有する所定の構造中に導入し、そして付与された処方物を、特に最大で140℃の温度にて、熱的に処理して、残留する水および必要に応じて溶媒を除去することを特徴とする、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の処方物から得ることができる導電性および／または光学的反射性のコーティングを有する基材、特に透明なプラスチック基材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
得られた試料は、銀の光沢のある滴の形状が、インサート成形の間の一般的な高圧の影響および高温下、光学的に変化せず、したがって、実施例６に記載のインクは、インサート成形法における使用にも適当であることを示す。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］  少なくとも
a)0.5〜30重量部の、レーザー相関分光法を使用して決定された、最大で150 nm、好ましくは最大で100 nm、特に好ましくは40〜80 nmの有効径を有し、二峰性の粒度分布を有する、銀金属粒子、
b)50〜99.5重量部の水および必要に応じて30重量部までの溶媒、
c)0.01〜10重量部の、少なくとも一つの、特にポリマーの、分散剤、
d)0〜5重量部のフィルム形成剤、
e)0〜5重量部の添加剤、
f)0〜5重量部の導電性ポリマー、
を含有する銀含有分散性含水処方物であって、最大で150 mPa・sの粘度を有することを特徴とする、処方物。
［２］  分散剤が、以下の群：
アルコキシレート、アルキロールアミド、エステル、アミンオキシド、アルキルポリグルコシド、アルキルフェノール、アリールアルキルフェノール、水溶性ホモポリマー、水溶性ランダムコポリマー、水溶性ブロックコポリマー、水溶性グラフトポリマー、特にポリビニルアルコール、ポリビニルアルコールおよびポリ酢酸ビニルのコポリマー、ポリビニルピロリドン、セルロース、澱粉、ゼラチン、ゼラチン誘導体、アミノ酸ポリマー、ポリリシン、ポリアスパラギン酸、ポリアクリレート、ポリエチレンスルホネート、ポリスチレンスルホネート、ポリメタクリレート、芳香族スルホン酸およびホルムアルデヒドの縮合生成物、ナフタレンスルホネート、リグニンスルホネート、アクリルモノマーのコポリマー、ポリエチレンイミン、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、ポリ(2-ビニルピリジン)、ブロックコポリエーテル、ポリスチレンブロックを有するブロックコポリエーテルおよび／またはポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド
から選択される少なくとも一つの剤であることを特徴とする、［１］に記載の処方物。
［３］  分散剤が、以下の群：
ブロックコポリエーテルおよびポリスチレンブロックを有するブロックコポリエーテル
から選択されることを特徴とする、［１］または［２］に記載の処方物。
［４］  溶媒b)が、以下の組：
C1〜C5-アルコール(特にC1〜C3-アルコール)、エーテル(特にジオキソラン)、ケトン(特にアセトン)
から選択されることを特徴とする、［１］〜［３］のいずれかに記載の処方物。
［５］  フィルム形成剤d)が、以下の組：
ポリジメチルシロキサン、ポリアクリレート、ポリアクリレートのアンモニウム塩、シロキサン、ワックスの組合せ、顔料活性基を有するコポリマー、低分子量ポリマー、ヒドロキシエチルセルロース、ポリビニルアルコール
から選択されることを特徴とする、［１］〜［４］のいずれかに記載の処方物。
［６］  添加剤e)が、以下の組：
顔料、消泡剤、光安定剤、蛍光増白剤、腐食防止剤、抗酸化剤、殺藻剤、可塑剤、増粘剤、表面活性物質
から選択されることを特徴とする、［１］〜［５］のいずれかに記載の処方物。
［７］  導電性ポリマーf)が、以下の組：
ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリエチレン-ジオキシチオフェン、ポリフルオレン、ポリアセチレン、好ましくはポリエチレン-ジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸
から選択されることを特徴とする、［１］〜［６］のいずれかに記載の処方物。
［８］  銀粒子a)が、レーザー相関分光法で決定された、10〜150 nm、好ましくは40〜80 nmの有効粒径を有することを特徴とする、［１］〜［７］のいずれかに記載の処方物。
［９］  銀粒子a)が、1〜20重量部、好ましくは2〜6重量部の割合で存在することを特徴とする、［１］〜［８］のいずれかに記載の処方物。
［１０］  分散剤c)の濃度が、0.02〜5重量部、好ましくは0.04〜2重量部であることを特徴とする、［１］〜［９］のいずれかに記載の処方物。
［１１］  分散した銀粒子が、最大で100,000 Daのフィルターの細かさによる膜ろ過に付されたものであることを特徴とする、［１］〜［１０］のいずれかに記載の処方物。
［１２］  導電性および／または光学的反射性のコーティング、特に100 μm未満、好ましくは80 μm未満の線幅を有する導電体ストリップを製造するための、［１］〜［１０］のいずれかに記載の処方物の使用。
［１３］  100 μm未満、好ましくは80 μm未満の線幅を有する導電体ストリップの製造方法であって、［１］〜［１１］のいずれかに記載の処方物を、インクジェット技術を使用して基材表面上に印刷し、そして特に最大で140℃の温度にて、熱的に処理して、残留する水および必要に応じて溶媒を除去することを特徴とする、方法。
［１４］  20 μm未満の線幅を有する導電体ストリップの製造方法であって、［１］〜［１１］のいずれかに記載の処方物を、基材の＜20 μmの線幅を有する所定の構造中に導入し、そして付与された処方物を、特に最大で140℃の温度にて、熱的に処理して、残留する水および必要に応じて溶媒を除去することを特徴とする、方法。
［１５］  ［１］〜［１１］のいずれかに記載の処方物から得ることができる導電性および／または光学的反射性のコーティングを有する基材、特に透明なプラスチック基材。
［１６］  導電性コーティングが、100 μm未満、好ましくは80 μm未満の線幅を有する導電体ストリップであって、該導電体ストリップ中の導電率が少なくとも7・106 S/mである、導電体ストリップを含んでなることを特徴とする、［１５］に記載の基材。