Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月11日(2010.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イン・サイチュの裏側ポリマー除去を含むプラズマエッチング方法であって、
カーボンドープされた酸化ケイ素誘電体層を有するワークピースを提供する工程と、
前記ワークピースの表面にフォトレジストマスクを画定する工程と、
前記ワークピースを、エッチングリアクタチャンバにおいて静電チャック上にクランプする工程と、
フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを導入し、ＲＦバイアス電力を前記静電チャックへ、ＲＦソース電力をオーバーヘッド電極へ印加して、前記誘電体層の露出した部分をエッチングし、一方で、保護フルオロ−カーボンポリマーを前記フォトレジストマスクに堆積する工程と、
前記フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを除去し、水素ベースのプロセスガスを導入し、前記静電チャックのリフトピンを伸ばして、前記静電チャック上に前記ワークピースを上昇し、前記ワークピースの裏側をリアクタチャンバのプラズマに露出し、ポリマーが前記裏側から除去されるまで、ＲＦソース電力を前記オーバーヘッド電極に適用して、前記裏側に以前に堆積したポリマーを還元する工程とを含む方法。
【請求項２】
前記水素ベースのプロセスガスの導入の際に、前記オーバーヘッド電極に印加された前記ＲＦソース電力がＶＨＦ周波数である請求項１記載の方法。
【請求項３】
約数百ミリトルの低チャンバ圧で前記裏側から前記ポリマーを除去する間、チャンバ圧を維持する工程を含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記リフトピンを伸ばす工程の直前に、約６０〜１００℃より低いウェハ温度を設定する工程を含む請求項３載の方法。
【請求項５】
前記水素ベースのプロセスガスを除去してフォトレジスト除去プロセスガスを導入する工程と、ＲＦバイアス電力を前記静電チャックに印加して、全てのフォトレジストを前記ワークピースから除去する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記水素プロセスガスが純粋な水素を含有する請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記水素プロセスガスが水素ガスと水蒸気の両方を含有する請求項１記載の方法。
【請求項８】
水素ベースのプロセスガスを導入する工程が、水素ガスを第１の速度で、水蒸気を第２の速度で、プラズマ生成領域に流す工程を含み、前記第１の速度が前記第２の速度より早い請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記第１の速度が前記第２の速度の１０倍以上である請求項８記載の方法。
【請求項１０】
イン・サイチュの裏側ポリマー除去を含むプラズマエッチング方法であって、
カーボンドープされた酸化ケイ素誘電体層を有するワークピースを提供する工程と、
前記ワークピースの表面にフォトレジストマスクを画定する工程と、
前記ワークピースを、エッチングリアクタチャンバにおいて静電チャック上にクランプする工程と、
フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを導入し、ＲＦバイアス電力を前記静電チャックへ、ＲＦソース電力をオーバーヘッド電極へ印加して、前記誘電体層の露出した部分をエッチングし、一方で、保護フルオロ−カーボンポリマーを前記フォトレジストマスクに堆積する工程と、
前記フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを除去し、水素ガスと少量の水蒸気の水素ベースのプロセスガスを導入し、前記静電チャックのリフトピンを伸ばして、前記静電チャック上に前記ワークピースを上昇し、前記ワークピースの裏側をリアクタチャンバのプラズマに露出し、ポリマーが前記裏側から除去されるまで、ＶＨＦ周波数および数千ワットの電力レベルのＲＦソース電力を前記オーバーヘッド電極に適用し、約数百ミリトルの低チャンバ圧を維持し、一方で、バルクウェハ温度を約６０〜１００℃未満に設定して、前記裏側に以前に堆積したポリマーを還元する工程とを含む方法。
【請求項１１】
前記水素ベースのプロセスガスを除去してフォトレジスト除去プロセスガスを導入する工程と、ＲＦバイアス電力を前記静電チャックに印加して、全てのフォトレジストを前記ワークピースから除去する工程を含む請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記フォトレジスト除去プロセスガスがアンモニアである請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
水素ベースのプロセスガスを導入する工程が、水素ガスを第１の速度で、水蒸気を第２の速度でプラズマ生成領域に流す工程を含み、前記第１の速度が前記第２の速度より早い請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の速度が前記第２の速度の１０倍以上である請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
多孔性炭素ドープ酸化ケイ素誘電体層を有するワークピースを用意し、
フォトレジストマスクをワークピースの表面上に画成し、
エッチングリアクタ内において、
フォトレジストマスク上に保護用のフルオロカーボン重合体を堆積しながら、フルオロカーボン系のエッチング処理をワークピースに行って誘電体層の露出部位をエッチングし、
前記ワークピースを灰化リアクタに移動させ、前記灰化リアクタ内において、
ワークピースを１００℃を越える温度にまで加熱し、
前記ワークピースの背面の周縁部位を露出させ、
水素処理ガスのプラズマからの生成物を送り込こんで前記ワークピース上の重合体及びフォトレジストを還元することを、重合体が前記ワークピースの背面から除去されてしまうまで行うことを含む、プラズマエッチング方法。
【請求項１６】
前記水素処理ガスが、純粋な水素を含有する請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記水素処理ガスが、水素ガス及び水蒸気の双方を含有する請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
ウェハの背面の周縁部位を露出させる工程が、前記灰化リアクタのウェハ支持体内で昇降ピンを延ばしてウェハを持ち上げ、ウェハの背面を露出させることを含む請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
ウェハの背面の周縁部位を露出させる工程が、ウェハの直径より小さい直径を有するウェハ支持体を灰化リアクタ内に設けることを含む請求項１５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月12日(2010.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
百万重量部当たり約１５０〜約１，０００重量部（ｐｐｍ）の脂肪酸アミドのエチレン共重合体とブレンドされた架橋エチレン共重合体を含む組成物で封入された電子部品を含む電子デバイス。
【請求項２】
百万重量部当たり約１５０〜５００重量部（ｐｐｍ）未満の脂肪酸アミドのエチレン共重合体とブレンドされたエチレン共重合体を含む組成物。
【請求項３】
透明ガラスまたは他の硬質透明材料の少なくとも１つの層と、百万重量部当たり約１５０〜１，０００重量部の脂肪酸アミドのエチレン共重合体とブレンドされたエチレン共重合体を含む透明な組成物の少なくとも１つの層とを含む透明ラミネート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
本発明の実施形態の前述の開示は、例示および説明の目的のために提示されてきた。包括的であること、または開示された正確な形態に本発明を限定することは意図されない。本明細書に記載された実施形態の多くの変形および修正は、上記の開示に照らして当業者に明らかであろう。
次に、本発明の好ましい態様を示す。
1.  百万重量部当たり約１５０〜約１，０００重量部（ｐｐｍ）の脂肪酸アミドのエチレン共重合体とブレンドされた架橋エチレン共重合体を含む組成物で封入された電子部品を含む電子デバイス。
2.  太陽光電池モジュールであって、前記電子部品が光電池を含み、前記組成物が透明な組成物である上記１に記載の電子デバイス。
3.  前記太陽光電池モジュールが、ガラスグレイジングと、前記組成物で封入されたシリコンウェーハおよび関連配線と、保護バックシートとを含む上記２に記載の電子デバイス。
4.  前記太陽光電池モジュールが、薄い透明ポリマーフィルムと、可撓性保護バックシートとして、前記組成物で封入された光電池および関連配線とを含む上記２に記載の電子デバイス。
5.  透明カバー層、透明層の反対側上のバックシート、前記透明カバー層と前記バックシートとの間に配置され、かつそれぞれ前記組成物を含む第１および第２シート、ならびに前記第１支持シートと第２支持シートとの間に配置された電気的に相互接続された光電池のアレイを含むラミネートから製造された上記２に記載の電子デバイス。
6.  百万重量部当たり約１５０〜５００重量部（ｐｐｍ）未満の脂肪酸アミドのエチレン共重合体とブレンドされたエチレン共重合体を含む組成物。
7.  透明ガラスまたは他の硬質透明材料の少なくとも１つの層と、百万重量部当たり約１５０〜１，０００重量部の脂肪酸アミドのエチレン共重合体とブレンドされたエチレン共重合体を含む透明な組成物の少なくとも１つの層とを含む透明ラミネート。
8.  前記組成物が５００ｐｐｍ未満の脂肪酸アミドを含有する上記１〜７のいずれか一項に記載の電子デバイス、組成物または透明ラミネート。
9.  前記組成物が約４５０ｐｐｍ以下の脂肪酸アミドを含有する上記８に記載の電子デバイス、組成物または透明ラミネート。
10.  前記組成物が少なくとも約２００ｐｐｍの脂肪酸アミドを含有する上記１〜８のいずれか一項に記載の電子デバイス、組成物または透明ラミネート。
11.  前記脂肪酸アミドがオレフィン系ビスオレイン酸アミド、エルカ酸アミド、ステアリン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、およびそれらの混合物からなる群から選択される上記１〜１０のいずれか一項に記載の電子デバイス、組成物または透明ラミネート。
12.  前記脂肪酸アミドがオレフィン系ビスオレイン酸アミドおよびそれらの混合物からなる群から選択される上記１１に記載の電子デバイス、組成物または透明ラミネート。
13.  前記脂肪酸アミドがＮ，Ｎ’−エチレンビスオレイン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−エチレンビスエルカ酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ジオレイルアジピン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ジエルシルアジピン酸アミド、およびそれらの混合物からなる群から選択される上記１１に記載の電子デバイス、組成物または透明ラミネート。
14.  前記組成物が約２０以下のヘイズ値を有する上記１〜１３のいずれか一項に記載の電子デバイス、組成物または透明ラミネート。
15.  前記組成物が少なくとも約２５℃の粘着温度を有する上記１〜１３のいずれか一項に記載の電子デバイス、組成物または透明ラミネート。
16.  前記エチレン共重合体がエチレン酢酸ビニル共重合体である上記１〜１５のいずれか一項に記載の電子デバイス、組成物または透明ラミネート。
17.  前記エチレン共重合体がエチレン−アルキル（メタ）アクリレート共重合体からなる群から選択される上記１〜１５のいずれか一項に記載の電子デバイス、組成物または透明ラミネート。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月16日(2010.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）研磨パッド、研磨剤及びそれらの組み合わせからなる群より選択される研磨構成材と、
（ｂ）液体キャリヤーと、
（ｃ）基材の少なくとも一部を酸化する酸化剤であって、前記液体キャリヤー及びそれに溶解又は懸濁した任意の成分の質量に基づいて０．５ｗｔ％以下の量で存在する酸化剤と、
（ｄ）塩化物、臭化物及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるハロゲンアニオンと
を含み、任意の成分が溶解又は懸濁した前記液体キャリヤーが３以下のｐＨを有する、基材を研磨するための化学機械研磨系。
【請求項２】
前記基材が少なくとも１つのタンタル層と少なくとも１つの銅層を含む、請求項１に記載の化学機械研磨系。
【請求項３】
前記液体キャリヤー中に懸濁された研磨剤を含む、請求項１に記載の化学機械研磨系。
【請求項４】
前記研磨剤が、アルミナ、セリア、シリカ、ジルコニア、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項３に記載の化学機械研磨系。
【請求項５】
研磨パッド及び該研磨パッドに固定された研磨剤を含む、請求項１に記載の化学機械研磨系。
【請求項６】
前記ハロゲンアニオンが、酸の塩化物又は臭化物、アルカリ金属の塩化物又は臭化物、第ＩＩＩＡ族の塩化物又は臭化物、アンモニウム又はアンモニウム誘導体の塩化物又は臭化物塩、遷移金属の塩化物又は臭化物、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される供給源によって生成される、請求項１に記載の化学機械研磨系。
【請求項７】
前記ハロゲンアニオンが、塩化水素、塩化マグネシウム、塩化カルシウム、塩化ストロンチウム、塩化バリウム、塩化カリウム、塩化セシウム、塩化リチウム、塩化ナトリウム、塩化ルビジウム、塩化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム、塩化テトラプロピルアンモニウム、アルキルがＣ1〜Ｃ20アルキルである塩化アルキルベンジルジメチルアンモニウム、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、塩化タリウム、塩化亜鉛、塩化銅、塩化第二鉄、塩化第一鉄、臭化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラエチルアンモニウム、臭化テトラプロピルアンモニウム、アルキルがＣ1〜Ｃ20アルキルである臭化アルキルベンジルジメチルアンモニウム、臭化水素、臭化リチウム、臭化カリウム、臭化セシウム、臭化ルビジウム、臭化ナトリウム、臭化マグネシウム、臭化カルシウム、臭化ストロンチウム、臭化バリウム、臭化アルミニウム、臭化ガリウム、臭化インジウム、臭化タリウム、臭化亜鉛、臭化銅、臭化第二鉄、臭化第一鉄、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される供給源によって生成される、請求項６に記載の化学機械研磨系。
【請求項８】
前記ハロゲンアニオンの濃度が０．５ｍＭ〜５０ｍＭである、請求項６に記載の化学機械研磨系。
【請求項９】
（ｉ）基材を請求項１〜８のいずれか１項に記載の化学機械研磨系と接触させる工程、
（ｉｉ）前記基材に対して前記研磨構成材を動かす工程、及び
（ｉｉｉ）該基材の少なくとも一部を削って該基材を研磨する工程
を含む、基材を化学機械研磨する方法。
【請求項１０】
前記基材が少なくとも１つのタンタル層と少なくとも１つの銅層を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記銅層が１０００Å／分以下の速度で前記基材から除去される、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月15日(2010.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧を上げる、絶縁する、及び／又は下げるための電気コイル、並びに前記電気コイルを分離及び絶縁する別個のスペーサ要素を含む、電気変圧器であって、別個のスペーサ要素が液晶ポリマーで作られ、液晶ポリマーが、４，４’−ビフェノール／１，４−ジヒドロキシベンゼン／１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸／４−ヒドロキシ安息香酸又はこれらの誘導体（５０／５０／８８／１２／３２０モル部）から作られ、約３５０℃の融点を有し、１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸のモル部が、約７０／３０〜約９０／１０の範囲である、あるいは、液晶ポリマーが、１，４−ジヒドロキシベンゼン／１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸／４−ヒドロキシ安息香酸又はこれらの誘導体（１００／５／９５／１００モル部）から作られ、約３５０℃の融点を有し、１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸のモル部が、約５／９５〜約３０／７０の範囲であり、４−ヒドロキシ安息香酸のモル部が、更に約１００〜約３００の範囲である、電気変圧器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
2009530860.tif 000001
本発明のＬＣＰスペーサが優れた誘電強度を有することは明らかである。
次に、本発明の好ましい態様を示す。
1.  変圧器の導電性コイルを分離及び絶縁するために使用される別個のスペーサ要素であって、液晶ポリマー（ＬＣＰ）で作られる、スペーサ要素。
2.  前記液晶ポリマーが液晶ポリエステルである、上記１に記載のスペーサ要素。
3.  前記ＬＣＰが、４，４’−ビフェノール／１，４−ジヒドロキシベンゼン／１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸／４−ヒドロキシ安息香酸又はこれらの誘導体（５０／５０／８８／１２／３２０モル部）から作られ、約３５０℃の融点を有し、１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸のモル部が、約７０／３０〜約９０／１０の範囲である、あるいは、ＬＣＰが、１，４−ジヒドロキシベンゼン／１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸／４−ヒドロキシ安息香酸又はこれらの誘導体（１００／５／９５／１００モル部）から作られ、約３５０℃の融点を有し、１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸のモル部が、約５／９５〜約３０／７０の範囲であり、４−ヒドロキシ安息香酸のモル部が、更に約１００〜約３００の範囲である、上記１に記載のスペーサ要素。
4.  シート状形態を有する、上記１に記載のスペーサ要素。
5.  棒状形態を有する、上記１に記載のスペーサ要素。
6.  射出成形により製造される、上記１に記載のスペーサ要素。
7.  押出成形により製造される、上記１に記載のスペーサ要素。
8.  電圧を上げる、絶縁する、及び／又は下げるための電気コイル、並びに前記電気コイルを分離及び絶縁する別個のスペーサ要素を含む、電気変圧器であって、別個のスペーサ要素が液晶ポリマーで作られる、電気変圧器。
9.  前記液晶ポリマーが液晶ポリエステルである、上記８に記載の電気変圧器。
10.  前記ＬＣＰが、４，４’−ビフェノール／１，４−ジヒドロキシベンゼン／１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸／４−ヒドロキシ安息香酸又はこれらの誘導体（５０／５０／８８／１２／３２０モル部）から作られ、約３５０℃の融点を有し、１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸のモル部が、約７０／３０〜約９０／１０の範囲である、あるいは、ＬＣＰが、１，４−ジヒドロキシベンゼン／１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸／４−ヒドロキシ安息香酸又はこれらの誘導体（１００／５／９５／１００モル部）から作られ、約３５０℃の融点を有し、１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸のモル部が、約５／９５〜約３０／７０の範囲であり、４−ヒドロキシ安息香酸のモル部が、更に約１００〜約３００の範囲である、上記８に記載の電気変圧器。
11.  前記スペーサ要素がシート状形態を有する、上記８に記載の電気変圧器。
12.  前記スペーサ要素が棒状形態を有する、上記８に記載の電気変圧器。
13.  前記スペーサ要素が射出成形により製造される、上記８に記載の電気変圧器。
14.  前記スペーサ要素が押出成形により製造される、上記８に記載の電気変圧器。
15.  ＬＣＰを所望の形態に射出成形又は押出成形することを含む、電気変圧器用の絶縁スペーサ要素の製造方法。
16.  前記ＬＣＰが、４，４’−ビフェノール／１，４−ジヒドロキシベンゼン／１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸／４−ヒドロキシ安息香酸又はこれらの誘導体（５０／５０／８８／１２／３２０モル部）から作られ、約３５０℃の融点を有し、１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸のモル部が、約７０／３０〜約９０／１０の範囲である、あるいはＬＣＰが、１，４−ジヒドロキシベンゼン／１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸／４−ヒドロキシ安息香酸又はこれらの誘導体（１００／５／９５／１００モル部）から作られ、約３５０℃の融点を有し、１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸のモル部が、約５／９５〜約３０／７０の範囲であり、４−ヒドロキシ安息香酸のモル部が、更に約１００〜約３００の範囲である、上記１５に記載の方法。
17.  前記スペーサがシート状形態を有する、上記１５に記載の方法。
18.  前記スペーサが棒状形態を有する、上記１５に記載の方法。
19.  ＬＣＰで作られる絶縁スペーサを導電性ワイヤーのコイル間に挿入する工程を含む、電気変圧器の製造方法。
20.  前記ＬＣＰが、４，４’−ビフェノール／１，４−ジヒドロキシベンゼン／１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸／４−ヒドロキシ安息香酸又はこれらの誘導体（５０／５０／８８／１２／３２０モル部）から作られ、約３５０℃の融点を有し、１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸のモル部が、約７０／３０〜約９０／１０の範囲である、あるいはＬＣＰが、１，４−ジヒドロキシベンゼン／１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸／４−ヒドロキシ安息香酸又はこれらの誘導体（１００／５／９５／１００モル部）から作られ、約３５０℃の融点を有し、１，４−ベンゼンジカルボン酸／２，６−ナフタレンジカルボン酸のモル部が、約５／９５〜約３０／７０の範囲であり、４−ヒドロキシ安息香酸のモル部が、更に約１００〜約３００の範囲である、上記１９に記載の方法。
21.  前記スペーサ要素がシート状形態を有する、上記１９に記載の方法。
22.  前記スペーサ要素が棒状形態を有する、上記１９に記載の方法。
23.  前記スペーサ要素が射出成形により製造される、上記１９に記載の方法。
24.  前記スペーサ要素が押出成形により製造される、上記１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記送信ＲＦインバランス補正係数を、ある時間にわたって平均することをさらに含む請求項２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記受信ＲＦインバランス補正係数を、ある時間にわたって平均することをさらに含む請求項４に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
その較正手順において、特定のアンテナに接続されるＲＦ回路系統のための補償を、αｍｉｎ｛Ｌｉ｝ｉ（Ｔｘ）またはβｍｉｎ｛Ｌｊ｝ｊ（Ｒｘ）以外の係数に関して適用することもできる。任意の送信または受信アンテナが等価チャネルに対して一定のＲＦ応答をもたらたす任意の較正手順を用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月15日(2010.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線構造において誘電性バリア層をエッチングするための方法であり、
誘電性バルク絶縁層を介してその一部が露出している誘電性バリア層を有する基板をエッチングリアクタ内に配置し、誘電性バリア層は窒素ドープ炭素含有ケイ素（ＳｉＣＮ）フィルムであり、
少なくともＨ２ガスを含有するガス混合物をリアクタ内に流し、
ガス混合物から形成されるプラズマの存在下で、ＳｉＣＮ誘電性バリア層の露出部位を誘電性バルク絶縁層に対して選択的にエッチングすることを含む方法。
【請求項２】
ガス混合物を流す工程が、フッ素含有ガスをＨ２ガスと共にリアクタ内に流すことを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
エッチングする工程が、
処理圧力を約１０ｍＴｏｒｒから約２００ｍＴｏｒｒに維持し、
基板温度を約０℃から約５０℃に制御し、
約１００ワットから約８００ワットのプラズマパワーを印加することを更に含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
フッ素含有ガスを流す工程が、フッ素含有ガスを流量約０ｓｃｃｍから約８０ｓｃｃｍで流すことを含む請求項２記載の方法。
【請求項５】
フッ素含有ガスがＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３、ＣＨ３Ｆ、Ｃ２Ｆ６、ＣＦ４及びＣ３Ｆ８から成る群から選択される請求項２記載の方法。
【請求項６】
ＳｉＣＮ誘電性バリア層が５．５未満の誘電率を有しており、誘電性バルク絶縁層が４未満の誘電率を有している請求項１記載の方法。
【請求項７】
誘電性バルク層が炭素含有酸化ケイ素フィルムである請求項１記載の方法。
【請求項８】
露出したＳｉＣＮ誘電性バリア層を除去し、
ＳｉＣＮ誘電性バリア層の下に配置された、基板上の下層である導電層を露出させることを含む請求項１記載の方法。
【請求項９】
配線構造において誘電性バリア層をエッチングするための方法であり、
誘電性バルク絶縁層を介してその一部が露出している誘電性バリア層を有する基板をエッチングリアクタ内に配置し、誘電性バリア層が５．５未満の誘電率を有し、誘電性バリア層は窒素ドープ炭素含有ケイ素（ＳｉＣＮ）フィルムであり、
Ｈ２ガスとフッ素含有ガスを含有するガス混合物をリアクタ内に流し、
ガス混合物から生成されたプラズマの存在下で、ＳｉＣＮ誘電性バリア層の露出部位を、誘電性バルク絶縁層に対して選択的にエッチングすることを含む方法。
【請求項１０】
ガス混合物を流す工程が、
Ｈ２ガスを流量約５ｓｃｃｍから約１００ｓｃｃｍで流し、
フッ素含有ガスを流量約０ｓｃｃｍから約８０ｓｃｃｍで流すことを含む請求項９記載の方法。
【請求項１１】
ガス混合物を流す工程が、
処理圧力を約１０ｍＴｏｒｒから約２００ｍＴｏｒｒに維持し、
基板温度を約０℃から約５０℃に制御し、
約１００ワットから約８００ワットのプラズマを印加することを含む請求項９記載の方法。
【請求項１２】
フッ素含有ガスがＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３、ＣＨ３Ｆ、Ｃ２Ｆ６、ＣＦ４及びＣ３Ｆ８から成る群から選択される請求項９記載の方法。
【請求項１３】
配線構造において誘電性バリア層をエッチングするための方法であり、
誘電性バルク絶縁層を介してその一部が露出している誘電性バリア層を有する基板をエッチングリアクタ内に配置することを含み、誘電性バリア層は窒素ドープ炭素含有ケイ素（ＳｉＣＮ）フィルムであり、誘電性バルク絶縁層は炭素含有酸化ケイ素フィルムであり、
Ｈ２ガス、フッ素含有ガス及び少なくとも１つのインサートガスを含有するガス混合物をリアクタ内に流し、
ガス混合物から生成されるプラズマの存在下で、誘電性層の露出部位を誘電性バルク絶縁層に対して選択的にエッチングすることを含む方法。
【請求項１４】
ガス混合物を流す工程が、
Ｈ２ガスを流量約５ｓｃｃｍから約１００ｓｃｃｍで流し、
フッ素含有ガスを流量約０ｓｃｃｍから約８０ｓｃｃｍで流し、フッ素含有ガスがＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３、ＣＨ３Ｆ、Ｃ２Ｆ６、ＣＦ４及びＣ３Ｆ８から成る群から選択され、
インサートガスを流量約５０ｓｃｃｍから約５００ｓｃｃｍで流し、インサートガスがＡｒ、Ｏ２、ＣＯ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、Ｈｅ及びＮ２から成る群から選択される請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
ガス混合物を流す工程が、
処理圧力を約１０ｍＴｏｒｒから約２００ｍＴｏｒｒに維持し、
基板温度を約０℃から約５０℃に制御し、
約１００ワットから約８００ワットのプラズマを印加することを含む請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月11日(2010.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイス製造システムにおいて圧力を制御する方法であって、
前記電子デバイス製造システムの現在の状況に関連する情報を取得する工程と、
前記取得した情報に基づいて、前記電子デバイス製造システムの第１のパラメータの所望の値を求める工程と、
ポンプの少なくとも１つのパラメータを調整して、前記電子デバイス製造システムの前記第１のパラメータの前記所望の値を得る工程とを含む方法。
【請求項２】
前記第１のパラメータの所望の値を求める工程が、前記電子デバイス製造システムの前記現在の状況に関連する情報を用いて、参照データベースにアクセスすることを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
第１のパラメータの所望の値を求める工程が、前記参照データベースからアクセスされた情報を用いて、前記第１のパラメータの前記所望の値を示す予測解を生成することを含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
電子デバイス製造ツールとポンプとを含む電子デバイス製造システムに、保守を行う方法であって、
前記電子デバイス製造ツール及びポンプの少なくとも１つの現在の状況に関連する情報を取得する工程と、
前記電子デバイス製造ツール及びポンプの少なくとも１つの前記現在の状況に関連する情報を処理する工程と、
前記処理された情報に基づいて、前記ポンプにとっての予測保守の必要性を判断する工程とを含む方法。
【請求項５】
前記電子デバイス製造ツール及びポンプの少なくとも１つの前記現在の状況に関連する前記情報を処理する工程が、前記電子デバイス製造ツール及びポンプの少なくとも１つの現在の状況に関連する取得された情報を時系列で蓄積し、前記蓄積された情報を分析する工程を含む請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記予測保守の必要性に基づいて、前記ポンプのための保守計画を提供する工程を含む請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記電子デバイス製造ツール及びポンプの少なくとも１つの現在の状況に関連する情報を取得する工程が、ポンプの性能又は出力の少なくとも１つにおける変化を測定する工程を含む請求項４記載の方法。
【請求項８】
前記電子デバイス製造システムに含まれる軽減ユニットに関連する情報を取得する工程を含む請求項４記載の方法。
【請求項９】
ポンプを含む電子デバイス製造システムにおいて、対応の真空ラインパラメータを平衡させる方法であって、
第１の真空ラインのパラメータに関連する情報及び第２の真空ラインのパラメータに関連する情報を取得する工程と、
前記第１の真空ラインの前記パラメータに関連する前記情報を、前記第２の真空ラインの前記パラメータに関連する前記情報と比較する工程と、
前記ポンプの少なくとも１つのパラメータを調整して、前記第１と第２の真空ラインの対応するパラメータを平衡させる工程とを含む方法。
【請求項１０】
前記第１の真空ラインの前記パラメータに関連する前記情報が、前記第１の真空ラインの長さを含み、前記第２の真空ラインの前記パラメータに関連する前記情報が、前記第２の真空ラインの長さを含む請求項９記載の方法。
【請求項１１】
電子デバイス製造システムであって、
プロセスチャンバを有する電子デバイス製造ツールと、
前記プロセスチャンバに結合したポンプと、
前記電子デバイス製造ツール及びポンプから現在の状況パラメータ情報を受信し、操作を調整するよう適合された、前記電子デバイス製造ツール及び前記ポンプに通信するように結合され、前記電子デバイス製造ツール又は前記ポンプの少なくとも１つのパラメータの所望の値を得るためのインタフェースとを含む電子デバイス製造システム。
【請求項１２】
前記インタフェースが参照データベースに接続され、前記インタフェースが、前記受信した現在の状況パラメータ情報に応答して、制御信号を介して、前記ポンプの速度を制御するのに適合されている請求項１１記載の電子デバイス製造システム。
【請求項１３】
前記ポンプから下流に結合した軽減ユニットを含む請求項１２記載の電子デバイス製造システム。
【請求項１４】
前記現在の状況パラメータ情報が、プロセスチャンバ圧力と前記軽減ユニットにおける流出物の流速を含む請求項１３記載の電子デバイス製造システム。
【請求項１５】
前記インタフェースが、前記現在の状況パラメータ情報を用いて、前記参照データベースから予測情報を得ることにより、前記電子デバイス製造ツール及びポンプの所望のパラメータ値を求めるように適合されている請求項１２記載の電子デバイス製造システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月9日(2010.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的にポンプ（励起）された広範に調整可能な中赤外レーザに関する半導体利得媒体であって、
ホストと不純物イオンとの離散準位の重複と、引き離されたホストキャリアから不純物への効率的なエネルギー移動とを可能にするように調整された閉じ込めの特徴的な空間寸法を有するドープ量子閉じ込めホスト材料(DQCH)を備え、前記DQCH材料が、式TM:MeZおよび/またはMeX2Z4を有し、ここで、Meが、Zn、Cd、Ca、Mg、Sr、Ba、Hg、Pb、Cu、Al、Ga、Inからなる群から選択され、Zが、S、Se、Te、O、N、P、As、Sb、およびそれらの混合物からなる群から選択され、Xが、Ga、In、およびAlからなる群から選択され、TMが、V、Cr、Mn、Fe、Co、およびNiからなる群から選択される半導体利得媒体。
【請求項２】
前記DQCH材料が、
導電性バルク無機またはポリマーホスト中に埋め込まれた量子ドット、
活性層内でのキャリアと光子との同時閉じ込めを提供する二重ヘテロ構造システムの一部として、量子ドットの活性層、または
活性量子井戸層内でのキャリアと光子との同時閉じ込めを提供する二重ヘテロ構造システムの一部として、少なくとも1つの2次元量子井戸活性層、
を備える請求項1に記載の半導体レーザ利得媒体。
【請求項３】
前記DQCH材料が、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、およびそれらの混合物からなる群から選択される請求項1または2に記載の半導体レーザ利得媒体。
【請求項４】
前記遷移金属イオンが、Fe、Cr、およびCoイオンからなる群から選択される請求項3に記載の半導体レーザ利得媒体。
【請求項５】
前記DQCH材料が、材料の立方センチメートル当たり約1016〜1020の間、または必要に応じて材料の立方センチメートル当たり約1017〜1019の間の濃度でTMイオンを含む請求項1または4に記載の半導体レーザ利得媒体。
【請求項６】
前記DQCH材料が、約100ナノメートル未満、または必要に応じて約1〜15ナノメートルの間の閉じ込めの特徴的な空間寸法を有する請求項5に記載の半導体レーザ利得媒体。
【請求項７】
DQCH半導体利得媒体を製造するための方法であって、
a.単結晶または多結晶ZnSeまたはZnSバルク材料を成長させるステップと、
b.選択された遷移金属イオンを用いて前記バルク材料をドープするステップと、
c.前記ドープされたバルク材料から、ドープされたDQCHを形成するステップと
を含む方法。
【請求項８】
前記ドープするステップが、前記バルク材料への遷移金属イオンの熱拡散によって行われる請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記形成するステップが、液体、気体、または真空中でのドープされたバルク材料のレーザアブレーションによって行われ、
前記液体が、水(H2O)、重水(D2O)、有機物、または無機物の溶媒から選択され、
前記溶媒が、固体、液体、または気体溶質を溶解する液体であり、
前記有機物が、炭素含有化学物質である
請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
a)DQCH材料および活性TMイオンの電気的励起を提供する、DQCH利得材料に関連付けられる励起手段と、
b)前記励起手段に結合された請求項1または2に記載のDQCH利得材料と、
c)前記出力放射を中赤外スペクトル領域内に調整するために、前記励起手段およびDQCHに結合される分散性の正のフィードバックと
を備える中赤外調整可能レーザシステム。
【請求項１１】
中赤外レーザにおいて、ホストと遷移金属イオンとの離散準位の重複と、引き離されたホストキャリアから前記遷移金属イオンへの効率的なエネルギー移動とを可能にする閉じ込めの特徴的な空間寸法を有し、かつ広く調整可能な中赤外範囲内での強いルミネッセンスを有する、遷移金属イオンでドープされた結晶から選択される電気的に励起可能なドープ量子閉じ込めホスト材料を備える改良であり、
前記遷移金属イオンは、必要に応じて、Fe、Cr、およびCoイオンからなる群から選択される改良。
【請求項１２】
前記ドープ量子閉じ込めホスト材料が、式TM:MeZおよび/またはMeX2Z4を有し、ここで、Meが、Zn、Cd、Ca、Mg、Sr、Ba、Hg、Pb、Cu、Al、Ga、Inからなる群から選択され、Zが、S、Se、Te、O、N、P、As、Sb、およびそれらの混合物からなる群から選択され、Xが、Ga、In、およびAlからなる群から選択され、TMが、V、Cr、Mn、Fe、Co、およびNiからなる群から選択される請求項11に記載の改良。
【請求項１３】
前記遷移金属イオンが、材料の立方センチメートル当たり約1016〜1020の間、または必要に応じて材料の立方センチメートル当たり約1017〜1019の間の濃度で前記ドープ量子閉じ込めホスト材料中に存在する請求項11に記載の改良。
【請求項１４】
前記ドープ量子閉じ込めホスト材料が、約100ナノメートル未満、または必要に応じて約1〜15ナノメートルの間の閉じ込めの特徴的な空間寸法を有する請求項11に記載の改良。
【請求項１５】
前記ドープ量子閉じ込めホスト材料が、
a.多結晶ZnSeまたはZnSから選択されるバルク材料を成長させるプロセスと、
b.選択された遷移金属イオンを用いて前記バルク材料をドープするプロセスと、
c.前記ドープされた多結晶材料から、ドープ量子閉じ込めホスト材料を形成するプロセスと
によって製造され、
前記ドープするステップは、必要に応じて、前記多結晶バルク材料への遷移金属イオンの熱拡散によって行われ、
前記形成するステップは、必要に応じて、ドープされた多結晶バルク材料のレーザアブレーションによって行われる請求項11に記載の改良。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１００ミクロン以下の平均厚と、少なくとも９００平方センチメートルの表面積とを有する、シリコン、ゲルマニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、それらのドープされた材料、またはそれらの合金を含むシートであって、前記シートは自由であるか、または１つの面に沿って自由であり、反対面に沿って基板に剥離可能に接合されていることを特徴とする、シート。
【請求項２】
シートがシリコンを含むことを特徴とする、請求項１に記載のシート。
【請求項３】
シートが２０ｎｍ〜５０ミクロンの平均厚を有することを特徴とする、請求項１に記載のシート。
【請求項４】
シートが、１センチメートルの縁除外部を有して、基板全体を通して５ミクロン未満の厚さの標準偏差を有することを特徴とする、請求項１に記載のシート。
【請求項５】
シートが少なくとも３０ミクロンの少数キャリヤ拡散長を有し、それらキャリヤが少なくとも５ｃｍ2／Ｖｓの電子移動性を有することを特徴とする、請求項１に記載のシート。
【請求項６】
少なくとも４０パーセントの多孔率を有する基層材料上に無機材料を蒸着することを含むことを特徴とする、分離可能な無機物層の形成方法。
【請求項７】
無機物層が、シリコン、ゲルマニウム、炭化ケイ素、それらのドープされた材料、またはそれらの合金を含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
１００ミクロン以下の平均厚の第１の無機材料による複数のパターン島を備える構造であって、前記パターン島が第２の無機材料層の上に配置され、前記第２の無機材料が透明基板または剥離層を含んでおり、前記第１の無機材料は、シリコン、ゲルマニウム、炭化ケイ素、それらのドープされた材料、またはそれらの合金を含んでいることを特徴とする、構造。
【請求項９】
選択された面積と１００ミクロン以下の平均厚とを有する個別の島を形成する方法であって、基板に固定された大型シートを切断して、前記選択された面積を有する複数の前記島を形成することを含み、前記シートが結晶無機材料を含んでいることを特徴とする、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法によって形成される個別の島を備える太陽電池モジュールであって、前記個別の島が、結晶シリコン、結晶ゲルマニウム、またはそれらの結晶合金を含み、基板が透明無機ガラスを含むことを特徴とする、太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）研磨剤、
（ｂ）マロン酸０．１ｍＭ〜１０ｍＭ、
（ｃ）アミノカルボン酸０．１ｍＭ〜１００ｍＭ、
（ｄ）硫酸イオン０．１ｍＭ〜１００ｍＭ、及び
（ｅ）水、
を含む化学機械研磨用組成物であって、ｐＨが１〜６である化学機械研磨用組成物。
【請求項２】
研磨剤が縮合重合シリカである、請求項１に記載の研磨用組成物。
【請求項３】
縮合重合シリカが０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％の量で存在している、請求項２に記載の研磨用組成物。
【請求項４】
アミノカルボン酸がグリシンである、請求項１〜３のいずれか一つに記載の研磨用組成物。
【請求項５】
グリシンが１０ｍＭ〜３０ｍＭの濃度で存在する、請求項４に記載の研磨用組成物。
【請求項６】
（ａ）研磨剤、
（ｂ）アリールジカルボン酸、フェニル酢酸、及びそれらの組合せからなる群から選択される有機酸０．１ｍＭ〜２５ｍＭ、及び
（ｃ）水、
を含む化学機械研磨用組成物であって、ｐＨが１〜６である化学機械研磨用組成物。
【請求項７】
研磨剤が縮合重合シリカである、請求項６に記載の研磨用組成物。
【請求項８】
アリールジカルボン酸がフタル酸である、請求項６又は７に記載の研磨用組成物。
【請求項９】
フェニル酢酸がマンデル酸である、請求項６又は７に記載の研磨用組成物。
【請求項１０】
有機酸がフタル酸とマンデル酸の組合せである、請求項６又は７に記載の研磨用組成物。
【請求項１１】
（ａ）研磨剤、
（ｂ）スズ酸カリウム０．００１ｍＭ〜１００ｍＭ、及び
（ｃ）水、
を含む化学機械研磨用組成物であって、ｐＨが１〜６である化学機械研磨用組成物。
【請求項１２】
研磨剤が縮合重合シリカである、請求項１１に記載の研磨用組成物。
【請求項１３】
（ａ）研磨剤、
（ｂ）尿酸０．００１ｗｔ％〜１ｗｔ％、及び
（ｃ）水、
を含む化学機械研磨用組成物であって、ｐＨが１〜６である化学機械研磨用組成物。
【請求項１４】
研磨剤が縮合重合シリカである、請求項１３に記載の研磨用組成物。
【請求項１５】
研磨用パッド及び請求項１〜１４のいずれか一つに記載の研磨用組成物を含む化学機械研磨用システム。
【請求項１６】
基材を化学機械研磨する方法であって、
（ｉ）窒化ケイ素及び酸化ケイ素を含む基材を、研磨用パッド及び請求項１〜５のいずれか一つに記載の研磨用組成物と接触させること、
（ｉｉ）研磨用パッドを基材に対し相対的に移動させること、及び
（ｉｉｉ）基材の少なくとも一部分を摩滅させて基材を研磨すること、
を含む化学機械研磨方法。
【請求項１７】
基材を化学機械研磨する方法であって、
（ｉ）窒化ケイ素及び酸化ケイ素を含む基材を、研磨用パッド及び請求項６〜１０のいずれか一つに記載の研磨用組成物と接触させること、
（ｉｉ）研磨用パッドを基材に対し相対的に移動させること、及び
（ｉｉｉ）基材の少なくとも一部分を摩滅させて基材を研磨すること、
を含む化学機械研磨方法。
【請求項１８】
基材を化学機械研磨する方法であって、
（ｉ）窒化ケイ素及び酸化ケイ素を含む基材を、研磨用パッド及び請求項１１又は１２に記載の研磨用組成物と接触させること、
（ｉｉ）研磨用パッドを基材に対し相対的に移動させること、及び
（ｉｉｉ）基材の少なくとも一部分を摩滅させて基材を研磨すること、
を含む化学機械研磨方法。
【請求項１９】
基材を化学機械研磨する方法であって、
（ｉ）窒化ケイ素及び酸化ケイ素を含む基材を、研磨用パッド及び請求項１３又は１４に記載の研磨用組成物と接触させること、
（ｉｉ）研磨用パッドを基材に対し相対的に移動させること、及び
（ｉｉｉ）基材の少なくとも一部分を摩滅させて基材を研磨すること、
を含む化学機械研磨方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月3日(2010.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）アミノ化合物、
（ｂ）ラジカル発生型酸化剤、
（ｃ）ヒドロキシル置換ポリ不飽和環状化合物、窒素化合物、又はこれらの組み合わせを含み、アミノ化合物のラジカル誘発型酸化を抑制できるラジカル捕捉剤、及び
（ｄ）上記成分のための水性キャリヤー
を含む化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物。
【請求項２】
ラジカル捕捉剤が、芳香族ニトロ化合物、複素環式芳香族ニトロ化合物、脂肪族ニトロ化合物、ニトロソ化合物、窒素フリーラジカル型化合物、Ｎ‐オキシド化合物、Ｎ‐ヒドロキシル‐イミン化合物、アシルアミノ置換芳香族化合物、Ｎ‐アシル‐エナミン化合物、及びこれら窒素化合物の２つ以上の組み合わせからなる群から選択される窒素化合物を含む請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項３】
ラジカル捕捉剤が、ヒドロキノン型化合物、ヒドロキシル置換キノン化合物、ヒドロキシル置換クマリン化合物、ヒドロキシル置換ナフタレン化合物、アルキルオキシ置換フェノール化合物、アルキル置換フェノール化合物、ヒドロキシル置換複素環式芳香族化合物、スルホン酸置換フェノール化合物、これらの塩及びこれらの化合物の２つ以上の組み合わせからなる群から選択されるヒドロキシル置換ポリ不飽和環状化合物を含む請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項４】
ラジカル発生型酸化剤が、ペルオキシ化合物及びハロゲン化合物からなる群から選択される少なくとも１つの酸化剤を含む請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項５】
ラジカル発生型酸化剤が過酸化水素を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項６】
ラジカル発生型酸化剤が過硫酸塩を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項７】
ラジカル発生型酸化剤がヨウ素を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項８】
アミノ化合物が、少なくとも１つの第一級アミン基、少なくとも１つの窒素を含有する複素環基、少なくとも１つの第四級アンモニウム基、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含む請求項１〜７のいずれか１項に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項９】
シリカ、アルミナ、チタニア、セリア、ジルコニア、及びこれらの研磨剤の２つ以上の組み合わせからなる群から選択される金属酸化物研磨剤をさらに含む請求項１〜８のいずれか１項に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１０】
（ａ）研磨パッド及び請求項１〜９のいずれか１項に記載の水性ＣＭＰ組成物を基板の表面に接触させる工程、並びに
（ｂ）前記表面の少なくとも一部を研磨するのに十分な時間、ＣＭＰ組成物の一部をパッド及び基板の間の前記面と接触させながら、研磨パッド及び基板の間に相対運動を起こす工程
を含む基板を研磨する化学機械研磨（ＣＭＰ）方法。
【請求項１１】
アミノ化合物及びラジカル発生型酸化剤を含むＣＭＰ組成物の可使時間を増加させる方法であって、アミン酸化を抑制する量のラジカル捕捉剤（ただし、ラジカル捕捉剤は、ヒドロキシル置換ポリ不飽和環状化合物、窒素化合物、又はこれらの組み合わせを含む。）をＣＭＰ組成物に添加する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
ラジカル捕捉剤が、芳香族ニトロ化合物、複素環式芳香族ニトロ化合物、脂肪族ニトロ化合物、ニトロソ化合物、窒素フリーラジカル型化合物、Ｎ‐オキシド化合物、Ｎ‐ヒドロキシル‐イミン化合物、アシルアミノ置換芳香族化合物、Ｎ‐アシル‐エナミン化合物、及びこれら窒素化合物の２つ以上の組み合わせからなる群から選択される窒素化合物を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ラジカル捕捉剤が、ヒドロキノン型化合物、ヒドロキシル置換キノン化合物、ヒドロキシル置換クマリン化合物、ヒドロキシル置換ナフタレン化合物、アルキルオキシ置換フェノール化合物、アルキル置換フェノール化合物、ヒドロキシル置換複素環式芳香族化合物、スルホン酸置換フェノール化合物、これらの塩及びこれらの化合物の２つ以上の組み合わせからなる群から選択されるヒドロキシル置換ポリ不飽和環状化合物を含む請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
ラジカル発生型酸化剤が、ペルオキシ化合物及びハロゲン化合物からなる群から選択される少なくとも１つの酸化剤を含む請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
アミノ化合物が少なくとも１つの第一級アミン基を含む請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
アミノ化合物が少なくとも１つの第四級アンモニウム基を含む請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月5日(2010.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を研磨するための化学機械研磨用組成物であって、
（ａ）０．０５ｗｔ％〜１０ｗｔ％の研磨剤と、
（ｂ）０．０５ｗｔ％〜４ｗｔ％のヨウ素酸イオンと、
（ｃ）窒素含有Ｃ4-20複素環及びＣ1-20アルキルアミンからなる群より選択される０．０１ｗｔ％〜１ｗｔ％の窒素含有化合物と、
（ｄ）水を含む液体キャリヤーと
を含み、前記化学機械研磨用組成物のｐＨが１〜５である、基材を研磨するための化学機械研磨用組成物。
【請求項２】
前記窒素含有化合物が、１Ｈ−１，２，３−ベンゾトリアゾール、１Ｈ−１，２，３−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸、１，２，４−トリアゾール、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−アミノ−１，２，４−トリアゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−カルボキシアルデヒド、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール−５−カルボン酸、ピラゾール、２−ピラジンカルボン酸、２，６−ピリジンカルボン酸、４−ピリジル酢酸、１Ｈ−１，２，３−トリアゾロ［４，５−ｂ］ピリジン、メチルアミン、トリメチルアミン、それらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項３】
前記ヨウ素酸イオンが０．０５ｗｔ％〜０．４ｗｔ％の量で存在する、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項４】
前記窒素含有化合物が０．１ｗｔ％〜０．２５ｗｔ％の量で存在する、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項５】
前記研磨剤が０．２５ｗｔ％〜０．５ｗｔ％の量で存在する、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項６】
前記研磨剤が、コロイドシリカ、ヒュームドシリカ、ヒュームドアルミナ、αアルミナ、及びセリアからなる群より選択される、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項７】
前記化学機械研磨用組成物のｐＨが２〜４である、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物。
【請求項８】
（ａ）基材を用意する工程、
（ｂ）該基材を、研磨パッド及び請求項１〜７のいずれか１項に記載の化学機械研磨用組成物と接触させる工程、
（ｃ）前記基材に対して前記研磨パッドを該化学機械研磨用組成物をそれらの間に置いて動かす工程、及び
（ｄ）該基材の少なくとも一部を削って該基材を研磨する工程
を含む、基材を化学機械研磨する方法。
【請求項９】
前記基材が金属層を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属層がタンタルを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属層が銅をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月20日(2010.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスの形成方法であって、
基板の上に位置する半導体層の上にパターン形成された耐酸化層を形成することと、
半導体層をパターン形成して第１の半導体島を形成することと、第１の半導体島は第１の表面と、第１の表面に対向する第２の表面とを含むことと、第１の表面は第２の表面と比較して基板のより近くに位置していることと、
第１の半導体島の側面に沿って耐酸化材料を形成することと、
パターン形成された耐酸化層、第１の半導体島および耐酸化材料を酸素含有雰囲気に露出することと、パターン形成された耐酸化層、第１の半導体島および耐酸化材料を酸素含有雰囲気に露出している間に、第１の表面に沿った第１の半導体島の第１の部分は酸化されることと、からなる方法。
【請求項２】
パターン形成された耐酸化層、第１の半導体島および耐酸化材料を酸素含有雰囲気に露出した後で、パターン形成された耐酸化層を除去することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
パターン形成された耐酸化層、第１の半導体島および耐酸化材料を酸素含有雰囲気に露出した後で、耐酸化材料を除去することを含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
パターン形成された耐酸化層および耐酸化材料は窒化物を含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
パターン形成された耐酸化層、第１の半導体島および耐酸化材料を酸素含有雰囲気に露出することは、約８００℃以上の温度で実行される請求項４に記載の方法。