【手続補正書】
【提出日】平成22年7月23日(2010.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（ＶＩ）
【化１】
2009544663.tif 000001
（式中、
Ａは、水素またはＯＲ2基を表し、そして
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ’1およびＲ’2は、互いに独立に、１つ以上のアルコキシ基またはハロゲン基で任意に置換される、１から６個の炭素原子を含む直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基または７から１６個の炭素原子を含むアラルキル基を表し、更にＲ1およびＲ2はｎ＝１から３の−（ＣＨ2）n−構造の炭化水素鎖を形成してもよい。）
の（Ｅ）−スチルベン誘導体を合成する方法であって、式（ＩＩＩ）
【化２】
2009544663.tif 000002
｛式中、Ａ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ’1およびＲ’2は上記定義の通りであり、Ｒは１から６個の炭素原子を含む直鎖または分岐鎖のアルキル基であってこれから脱カルボキシル化によって式（ＩＶ）、
【化３】
2009544663.tif 000003
（式中、Ａ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ’1およびＲ’2は上記定義の通りである。）
の化合物が得られる。｝
の化合物を合成中間体として反応させ、次いで、
−式（ＩＶ）の化合物をアルコール中で還元し、次いで形成されたアルコールを脱水するか、
−または、アリールスルホニルヒドラジドと反応させ、次いでこれにより形成されるアリールスルホニルヒドラゾンを塩基と反応させることによって、
前記式（ＶＩ）の（Ｅ）−スチルベン誘導体を得ることを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記式（ＩＶ）の化合物を還元して式（Ｖ）
【化４】
2009544663.tif 000004
（式中、
Ａは、水素またはさもなければＯＲ2基を表し、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ’1およびＲ’2は、互いに独立に、１つ以上のアルコキシ基またはハロゲン基で任意に置換される、１から６個の炭素原子を含む直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基または７から１６個の炭素原子を含むアラルキル基を表し、更にＲ1およびＲ2はｎ＝１から３の−（ＣＨ2）n−構造の炭化水素鎖を形成してもよい。）
のアルコールを形成し、前記の反応が式（ＩＶ）の化合物の還元からなり、続いて式（Ｖ）の１，２−ジアリールエタノール誘導体を脱水して請求項１に記載の式（ＶＩ）の化合物を形成することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記還元反応を、金属水素化物の存在下で行なうことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記還元反応を、水素化ホウ素ナトリウムの存在下で行なうことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記還元反応を、式（ＩＶ）のケトンであって、式中、
Ａが、水素またはさもなければＯＲ2基を表し、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ’1およびＲ’2が、互いに独立に、１から６個の炭素原子を含む直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基を表し、更にＲ1およびＲ2がｎ＝１から３の−（ＣＨ2）n−構造の炭化水素鎖を形成してもよいケトンの水素化によって行なうことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
式（Ｖ）の化合物の脱水を、触媒量の強酸の存在下で行なうことを特徴とする、請求項２〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
請求項１に記載の式（ＩＶ）の化合物を、アリールスルホニルヒドラジド化合物と反応させて、式（ＶＩＩ）
【化５】
2009544663.tif 000005
（式中、
Ａｒは、フェニル基またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−トリル基を表し、
Ａは、水素またはさもなければＯＲ2基を表し、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ’1およびＲ’2は、互いに独立に、１つ以上のアルコキシ基またはハロゲン基で任意に置換される、１から６個の炭素原子を含む直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基または７から１６個の炭素原子を含むアラルキル基を表し、更にＲ1およびＲ2はｎ＝１から３の−（ＣＨ2）n−構造の炭化水素鎖を形成してもよい。）
の中間体アリールスルホニルヒドラゾン化合物を生成し、続いて前記式（ＶＩＩ）の化合物を強塩基と反応させることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
請求項１に記載の式（ＶＩ）の化合物を得るために、前記式（ＶＩＩ）の化合物をアルカリ金属アルコキシド、アルカリ金属水素化物、アルカリ塩基、または炭酸ナトリウムもしくは炭酸カリウムの存在下で処理することを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
式（ＶＩＩ）の化合物と強塩基との反応を、沸点が少なくとも９０℃である溶媒の存在下で行なうことを特徴とする、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
式（ＶＩＩ）の化合物と強塩基との反応を、非水酸化溶媒の存在下で行なうことを特徴とする、請求項７〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記式（ＩＩＩ）の化合物が、式（Ｉ）のエーテル／エステル誘導体と式（ＩＩ）のエーテル／エステル誘導体
【化６】
2009544663.tif 000006
（式中、
Ａは、水素またはさもなければＯＲ2基を表し、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ’1およびＲ’2は、互いに独立に、１つ以上のアルコキシ基またはハロゲン基で任意に置換される、１から６個の炭素原子を含む直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基または７から１６個の炭素原子を含むアラルキル基を表し、更にＲ1およびＲ2はｎ＝１から３の−（ＣＨ2）n−構造の炭化水素鎖を形成してもよく、
ＲおよびＲ’は、互いに独立に、１から６個の炭素原子を含む直鎖または分岐鎖のアルキル基を表す。）
の間の、強塩基存在下での縮合によって得られることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ヒドロキシ芳香族酸、ヒドロキシ芳香族エステルまたはエーテル化ヒドロキシ芳香族酸から式（Ｉ）および（ＩＩ）のエーテル／エステルを得ることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ヒドロキシ芳香族酸が、４−ヒドロキシフェニル酢酸、レソルシル酸または３，４−ジヒドロキシフェニル酢酸から選択されることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
式（ＶＩ）の（Ｅ）−スチルベン誘導体が、（Ｅ）−トリメチルレスベラトロール、（Ｅ）−トリベンジルレスベラトロールまたは（Ｅ）−テトラメチルピセアタンノールから選択されることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
式（ＶＩ）
【化７】
2009544663.tif 000007
（式中：
−Ａが水素を表し、かつＲ1、Ｒ’1およびＲ’2が各々ベンジル基を表すか、
−または、Ａが−ＯＣＨ3基を表し、かつＲ1、Ｒ’1およびＲ’2が各々メチル基を表すか
のいずれかである。）
の（Ｅ）−スチルベン誘導体を合成する方法であって、式（ＩＶ）
【化８】
2009544663.tif 000008
（式中、Ａ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ’1およびＲ’2は上記定義の通りである）
の化合物を合成中間体として反応させ、
式（Ｖ）
【化９】
2009544663.tif 000009
（式中、Ａ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ’1およびＲ’2は上記定義の通りである）
のアルコール中で還元し、次いで、形成されたアルコールを脱水して前記式（ＶＩ）の（Ｅ）−スチルベン誘導体を得ることを特徴とする、方法。
【請求項１６】
式（ＩＶ）の化合物の前記還元反応を、金属水素化物の存在下で行なうことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
式（ＩＶ）の化合物の前記還元反応を、水素化ホウ素ナトリウムの存在下で行なうことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
式（ＶＩ）の化合物の前記還元反応を水素化によって行なうことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
式（Ｖ）の化合物の脱水を、触媒量の強酸の存在下で行なうことを特徴とする、請求項１５〜１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
式（ＶＩ）
【化１０】
2009544663.tif 000010
（式中、
Ａは、水素またはＯＲ2基を表し、そして
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ’1およびＲ’2は、互いに独立に、１つ以上のアルコキシ基またはハロゲン基で任意に置換される、１から６個の炭素原子を含む直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基または７から１６個の炭素原子を含むアラルキル基を表し、更にＲ1およびＲ2はｎ＝１から３の−（ＣＨ2）n−構造の炭化水素鎖を形成してもよい。）
の（Ｅ）−スチルベン誘導体を合成する方法であって、式（ＩＶ）、
【化１１】
2009544663.tif 000011
（式中、Ａ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ’1およびＲ’2は上記定義の通りである。）
の化合物を合成中間体としてアリールスルホニルヒドラジドと反応させて、式（ＶＩＩ）、
【化１２】
2009544663.tif 000012
（式中、Ａ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ’1およびＲ’2は上記定義の通りであり、そしてＡｒは、フェニル基またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−トリル基を表す。）
のアリールスルホニルヒドラゾンを得て、
次いでこれにより形成されるアリールスルホニルヒドラゾンを塩基と反応させて前記式（ＶＩ）の（Ｅ）−スチルベン誘導体を得ることを特徴とする、方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の式（ＩＶ）の化合物を、アリールスルホニルヒドラジド化合物と反応させて請求項２０に記載の式（ＶＩＩ）の中間体アリールスルホニルヒドラゾン化合物を生成し、続いて前記式（ＶＩＩ）の化合物を強塩基と反応させることを特徴とする、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
請求項２０に記載の式（ＶＩ）の化合物を得るために、前記式（ＶＩＩ）の化合物をアルカリ金属アルコキシド、アルカリ金属水素化物、アルカリ塩基、または炭酸ナトリウムもしくは炭酸カリウムの存在下で処理することを特徴とする、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
式（ＶＩＩ）の化合物と強塩基との反応を、沸点が少なくとも９０℃である溶媒の存在下で行なうことを特徴とする、請求項２１または２２に記載の方法。
【請求項２４】
式（ＶＩＩ）の化合物と強塩基との反応を、非水酸化溶媒の存在下で行なうことを特徴とする、請求項２１〜２３のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
式（ＩＩＩ）、
【化１３】
2009544663.tif 000013
（式中、
Ｒはメチル基を表し、そして
−Ａが水素を表し、かつＲ1、Ｒ’1およびＲ’2基がメチル基またはベンジル基を表すか、
−または、Ａが−ＯＣＨ3基を表し、かつＲ1、Ｒ’1およびＲ’2基が各々メチル基を表すか、
−または、Ａが水素を表し、Ｒ’1およびＲ’2がメチル基を表し、かつＲ1がイソプロピル基を表すか、
−または、ＡがＯＲ2基を表し、Ｒ’1およびＲ’2がメチル基を表し、かつＲ1およびＲ2がｎ＝１の−（ＣＨ2）n−構造の炭化水素鎖を形成するか
のいずれかである。）
の化合物。
【請求項２６】
式（ＩＶ）、
【化１４】
2009544663.tif 000014
（式中、
−Ａが水素を表し、かつＲ1、Ｒ’1およびＲ’2が各々ベンジル基を表すか、
−または、Ａが−ＯＣＨ3基を表し、かつＲ1、Ｒ’1およびＲ’2が各々メチル基を表すか、
−または、Ａが水素を表し、Ｒ’1およびＲ’2がメチル基を表し、かつＲ1がイソプロピル基を表すか、
−または、ＡがＯＲ2基を表し、Ｒ’1およびＲ’2がメチル基を表し、かつＲ1およびＲ2がｎ＝１の−（ＣＨ2）n−構造の炭化水素鎖を形成するか
のいずれかである。）
の化合物。
【請求項２７】
式（Ｖ）、
【化１５】
2009544663.tif 000015
（式中、
Ａは水素を表し、そしてＲ1、Ｒ’1およびＲ’2が各々ベンジル基を表す。）
の化合物であって、１−（３，５−ジベンジルオキシフェニル）−２−（４−ベンジルオキシフェニル）エタノールからなる化合物。
【請求項２８】
式（ＶＩＩ）、
【化１６】
2009544663.tif 000016
（式中、
Ａｒは、ｐ−トリル基を表し、そして
−Ａが水素を表し、かつＲ1、Ｒ’1およびＲ’2基がメチル基もしくはベンジル基を表すか、
−または、Ａが−ＯＣＨ3基を表し、かつＲ1、Ｒ’1およびＲ’2基がメチル基を表すか、
−または、Ａが水素を表し、Ｒ’1およびＲ’2がメチル基を表し、かつＲ1がイソプロピル基を表すか、
−または、ＡがＯＲ2基を表し、Ｒ’1およびＲ’2がメチル基を表し、かつＲ1およびＲ2がｎ＝１の−（ＣＨ2）n−構造の炭化水素鎖を形成するか
のいずれかである。）
の化合物。
【請求項２９】
請求項１１〜２８のいずれかに記載の式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）または（ＶＩＩ）の化合物の、式（ＶＩ）の（Ｅ）−スチルベン誘導体の合成における中間体としての使用。
【請求項３０】
式（ＶＩ）のスチルベン誘導体が、（Ｅ）−トリメチルレスベラトロール、（Ｅ）−トリベンジルレスベラトロールまたは（Ｅ）−テトラメチルピセアタンノールから選択されることを特徴とする、請求項２９に記載の使用。
【請求項３１】
請求項１１〜２９のいずれかに記載の式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）または（ＶＩＩ）の化合物の、ポリヒドロキシスチルベン化合物の合成における中間体としての使用。
【請求項３２】
ポリヒドロキシスチルベン化合物が、レスベラトロールまたはピセアタンノールであることを特徴とする、請求項３１に記載の使用。