(57)【要約】      （修正有）【課題】高い生産性と良品率、層間の接合面の信頼性を高めたウェハの積層構造、圧電デバイス、圧電モジュール、圧電デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】互いに隣り合う第１基板１４に対応する第１の個片同士を第１の梁６８Ａ、６８Ｂで連結して形成された第１ウェハ６６と、互いに隣り合う圧電振動基板２６に対応する第２の個片同士を第２の梁７２Ａ，７２Ｂで連結して形成され前記第１ウェハに積層された圧電振動ウェハ７０と、を有し、前記第１の個片及び前記第２の個片には、前記第１の個片及び前記第２の個片を連通して前記第１の個片及び前記第２の個片の一辺を二分するように切り欠くスリット２０及び３０が設けられ、前記第２の個片は、前記スリット３０を挟んで配置される一対の接続部３２Ａ、３２Ｂを有し、前記接続部には、振動部３４に設けられた励振電極に電気的に接続するパッド電極４２Ａ、４２Ｂが配置された構造とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、前記第１基板に積層され振動部を有する圧電振動基板と、を備える圧電デバイスに対応する複数の個片積層体を連結して配置したウェハの積層構造であって、
前記第１基板に対応する複数の第１の個片が配置されるとともに、互いに隣り合う前記第１の個片同士を第１の梁で連結して形成された第１ウェハと、
前記圧電振動基板に対応する複数の第２の個片が配置されるとともに、互いに隣り合う前記第２の個片同士を第２の梁で連結して形成され前記第１ウェハに積層された圧電振動ウェハと、を有し、
前記第１の個片及び前記第２の個片には、
前記第１の個片及び前記第２の個片を連通して前記第１の個片及び前記第２の個片の一辺を二分するように切り欠くスリットが設けられ、
前記第２の個片は、
前記スリットを挟んで配置される一対の接続部を有し、
前記接続部には、
前記振動部に設けられた励振電極に電気的に接続するパッド電極が配置されたことを特徴とするウェハの積層構造。
【請求項２】
前記第２の個片は、
前記振動部の両端に接続された一対の基部と、
前記接続部に横並びに接続され、前記振動部及び前記一対の基部を囲み前記一対の基部を支持した状態で前記第１の個片に積層される枠部と、を有し、
前記圧電振動ウェハには、
前記振動部及び前記一対の基部に対向する位置に配置された凹部を有し前記枠部に積層される第３の個片が複数配列され、互いに隣り合う第３の個片同士を第３の梁により連結して形成された第２ウェハが積層されたことを特徴とする請求項１に記載のウェハの積層構造。
【請求項３】
前記第３の個片は、
前記凹部の底面に配置され、前記一対の基部を支持する一対の支持部が接続されたダイアフラムを有することを特徴とする請求項２に記載のウェハの積層構造。
【請求項４】
前記第１の梁、前記第２の梁、前記第３の梁は、積層方向から見て互いに重なる位置に配置され、
前記第２の梁は、前記第１の梁及び前記第３の梁に挟まれた状態で、前記第１の梁及び前記第３の梁に接合されていることを特徴とする請求項２または３に記載のウェハの積層構造。
【請求項５】
前記第１の梁は、
前記第１の個片の前記二分された前記一辺に接続され、
前記第２の梁は、
前記第２の個片の前記二分された前記一辺に接続され、
前記第３の梁は、
前記第３の個片の前記接続部側の一辺に接続されていることを特徴とする請求項３または４に記載のウェハの積層構造。
【請求項６】
前記第１の梁は、
前記第１の個片の前記二分された前記一辺の前記スリットにより形成された端部に接続され、
前記第２の梁は、
前記第２の個片の前記二分された前記一辺の前記スリットにより形成された端部に接続され、
前記第３の梁は、
前記接続部の前記スリット側に積層されたことを特徴とする請求項３または４に記載のウェハの積層構造。
【請求項７】
前記第１の梁は、
前記第１の個片の前記二分された前記一辺の外側端部となる位置に接続され、
前記第２の梁は、
前記第２の個片の前記二分された前記一辺の外側端部となる位置に接続され、
前記第３の梁は、
前記接続部の外側端部に積層されたことを特徴とする請求項３または４に記載のウェハの積層構造。
【請求項８】
前記第１の梁は、
前記第１の個片の前記二分された前記一辺の外側端部と、前記スリットと、の間となる位置で接続され、
前記第２の梁は、
前記第２の個片の前記二分された前記一辺の外側端部と、前記スリットと、の間となる位置で接続され、
前記第３の梁の前記接続部に対向する部分は、前記第３の梁の他の部分の厚みより薄く形成され、前記接続部との間に隙間が設けられたことを特徴とする請求項３または４に記載のウェハの積層構造。
【請求項９】
前記第３の梁の前記接続部に対向する部分の前記第３の個片の外側の主面側には前記第３の梁の厚み方向に切り込みが形成されたことを特徴とする請求項８に記載のウェハの積層構造。
【請求項１０】
前記振動部は、少なくとも一以上の柱状ビームにより形成され屈曲振動をすることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のウェハの積層構造。
【請求項１１】
前記振動部は、ＡＴカット振動片により形成され厚みすべり振動をすることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のウェハの積層構造。
【請求項１２】
前記第１の梁の中央部には、第１の折り取り部が配置され、
前記第２の梁の前記第１の折り取り部に対向する位置には、第２の折り取り部が配置され、
前記第３の梁の前記第２の折り取り部に対向する位置には、第３の折り取り部が配置され、
各折り取り部は、各梁の厚み方向、及び／若しくは、厚み方向に切れ込みを入れることにより形成されたことを特徴とする請求項２乃至１１のいずれか１項に記載のウェハの積層構造。
【請求項１３】
第１基板と、
振動部を有し前記第１基板に積層された圧電振動基板と、を有する圧電デバイスであって、
前記第１基板及び前記圧電振動基板には、
前記第１基板及び前記圧電振動基板を連通して前記第１基板及び前記圧電振動基板の一辺を二分するように切り欠くスリットが設けられ、
前記圧電振動基板には、
前記スリットにより一対の接続部が形成され、
前記接続部には、
前記振動部に電気的に接続するパッド電極が配置されたことを特徴とする圧電デバイス。
【請求項１４】
前記圧電振動基板は、
前記振動部の両端に接続された一対の基部と、
前記接続部が横並びに接続され、
前記振動部を囲み、前記一対の基部を支持した状態で前記第１基板に積層された枠部と、を有し、
前記枠部には、
前記振動部及び前記一対の基部に対向する位置に配置された凹部を有する第２基板が積層されたことを特徴とする請求項１３に記載の圧電デバイス。
【請求項１５】
前記第２基板の前記接続部側の側面には剥離痕を有することを特徴とする請求項１４に記載の圧電デバイス。
【請求項１６】
前記第１基板の前記二分された前記一辺に接続された第１の凸部と、
前記圧電振動基板の前記二分された前記一辺に接続された第２の凸部と、
前記第２基板の前記スリット側の一辺から延出した延出部と、を有し、
前記第１の凸部、前記第２の凸部、前記延出部は、
積層方向から見て互いに重なるように配置されるとともに前記第１の凸部、前記第２の凸部、前記延出部の順に積層され、
前記延出部は、前記接続部に積層されたことを特徴とする請求項１４に記載の圧電デバイス。
【請求項１７】
前記第１基板の前記二分された前記一辺の外側端部に接続された第１の凸部と、
前記圧電振動基板の前記二分された前記一辺の外側端部に接続された第２の凸部と、
前記第２基板の前記接続部側の一辺の外側端部から延出した延出部と、を有し、
前記第１の凸部、前記第２の凸部、前記延出部は、
積層方向から見て互いに重なるように配置されるとともに前記第１の凸部、前記第２の凸部、前記延出部の順に積層され、
前記延出部は、前記接続部に積層されたことを特徴とする請求項１４に記載の圧電デバイス。
【請求項１８】
前記圧電振動基板の振動部は、屈曲振動若しくは厚みすべり振動をすることを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれか１項に記載の圧電デバイス。
【請求項１９】
前記第２基板は、
前記凹部の底面に配置され、前記一対の基部を支持する一対の支持部が接続されたダイアフラムを有することを特徴とする請求項１３乃至１８のいずれか１項に記載の圧電デバイス。
【請求項２０】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のウェハの積層構造から個片化された圧電デバイス、または、請求項１３乃至１９のいずれか１項に記載の圧電デバイス、を実装基板に実装してなる圧電モジュールであって、
前記圧電デバイスは、
前記第１基板の前記圧電振動基板と積層する面とは反対面の主面の中央部、または、前記第１基板の前記圧電振動基板と積層する面とは反対面の主面の前記一対の接続部に対向する位置が、接合部材により前記実装基板に接合されることにより前記実装基板に実装されたことを特徴とする圧電モジュール。
【請求項２１】
前記第１基板と実装基板との間は充填材で充填されたことを特徴とする請求項２０に記載の圧電モジュール。
【請求項２２】
前記圧電デバイスに電気的に接続する集積回路を搭載したことを特徴とする請求項２０または２１に記載の圧電モジュール。
【請求項２３】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のウェハの積層構造から個片化された圧電デバイス、または、請求項１３乃至１９のいずれか１項に記載の圧電デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項２４】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のウェハの積層構造から個片化された圧電デバイス、または、請求項１３乃至１９のいずれか１項に記載の圧電デバイスを備えることを特徴とする電子システム。
【請求項２５】
アレイ状に複数配置された第１基板と、互いに隣接する前記第１基板同士を連結する第１の梁と、を有する第１ウェハを形成し、
アレイ状に複数配置されるとともに前記第１基板に積層され、振動部を有する圧電振動基板と、
互いに隣接する前記圧電振動基板同士を連結するとともに前記第１の梁に積層される第２の梁と、を有する圧電振動ウェハを形成し、
前記第１基板及び前記圧電振動基板を連通して前記第１基板及び前記圧電振動基板の一辺を二分するように切り欠くスリットを形成し、
前記スリットにより前記圧電振動基板の一辺に形成された一対の接続部に前記振動部と電気的に接続するパッド電極を配置し、
前記第１ウェハに前記第２ウェハを積層することにより、前記第１基板と、前記第１基板に積層された圧電振動基板との積層構造を有する圧電デバイスを複数形成し、
前記第１の梁及び前記第２の梁を切断することにより、前記圧電デバイスを個片化することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハの積層構造、圧電デバイス、圧電モジュール、電子機器、電子システム、圧電デバイスの製造方法に関し、特に、量産性を向上させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ダイアフラムに感圧素子を接続し、感圧素子がダイアフラムの撓み変形による応力を検知するタイプの圧力センサーが知られている。
図２１に、特許文献１に記載の圧力センサーの模式図を示し、図２１（ａ）は分解斜視図、図２１（ｂ）は断面図を示す。特許文献１には、第１層３０２と、感圧素子３１０（振動部）を有する感圧素子層３０８と、ダイアフラム３２４及びダイアフラム３２４に接続された一対の力伝達部３２６を有する第２層３１８と、の３層構造からなる圧力センサー３００が開示されている。ここで、力伝達部３２６は、感圧素子３１０を構成する一対の基部３１２に接続される。また感圧素子３１０（振動部）は所定の共振周波数で振動可能なものである。
【０００３】
上記構成において、ダイアフラム３２４が外部から圧力を受けることにより、ダイアフラム３２４が圧力センサー３００の内側に撓み変形する。そして、この撓み変形により力伝達部３２６同士の間隔が広がるため、基部３１２同士の間隔も広がることになる。よって、感圧素子３１０に対して引張応力が印加されこれにより感圧素子３１０の共振周波数が変化する。したがって、この共振周波数の変化をモニターすることにより圧力を検知することができる。
【０００４】
図２２に、特許文献２に記載の圧力センサーの模式図を示し、図２２（ａ）は分解斜視図、図２２（ｂ）は上面図を示す。特許文献２の圧力センサー４００は、特許文献１の圧力センサー３００と同様に第１層４０１、感圧素子層４０２、第２層４１２の３層構造を有し、全体的に平面矩形状に形成されている。感圧素子層４０２の枠部４０４の一方の短辺には、その両端部に振動部４０８に電気的に接続する一対のパッド電極４１０が配置されている。また、第２層４１２のパッド電極４１０に対向する部分にはパッド電極４１０を露出させる切欠き部４１４が形成されている。そして、第１層４０１、感圧素子層４０２、第２層４１２を積層することにより、切欠き部４１４に挟まれた領域に配置された凸部４１６が、切欠き部４１４により露出されたパッド電極４１０を互いに隔離させた圧力センサー４００となる。
【０００５】
このような３層構造の圧電デバイスを製造する場合、例えば特許文献３に開示されたような製造工程が提案されている。図２３に、特許文献３に記載の３層構造の圧電デバイスの製造工程を示し、図２３（ａ）のウェハの積層前の工程、図２３（ｂ）はウェハの積層時の工程、図２３（ｃ）は個片化の工程を示す。
【０００６】
即ち、図２３（ａ）に示すように、各層は個片（例えば上述の第１層３０２、感圧素子層３０８、第２層３１８）をアレイ状に連結してなる母基板５０２、５０４、５０６として構成し、図２３（ｂ）に示すように、これら３つの母基板５０２、５０４、５０６を積層し、図２３（ｃ）に示すように、ダイシングにより個片化して複数の圧電デバイス５００を得ており、同様技術は特許文献４にも開示されている。
【０００７】
図２４に特許文献５に記載の３層構造の圧電デバイスの製造工程を示し、図２４（ａ）は溝形成工程、図２４（ｂ）は積層工程、図２４（ｃ）は個片化工程、図２４（ｄ）は、図２４（ｃ）の圧電デバイスの分解斜視図である。
【０００８】
特許文献５では、感圧素子基板６１８をアレイ状に配置した感圧素子ウェハ６０２を中央にして、第１基板６１６をアレイ状に配置した第１のウェハ６０４、第２基板６２０をアレイ状に配置した第２のウェハ６０６の３枚のウェハを重ね合わせて陽極接合を行い、圧電デバイス６００の縁辺に対応する位置で切断して複数の圧電デバイス６００を製造する方法である。特許文献５では陽極接合に起因する各ウェハに生じる熱歪みを緩和するため、第１のウェハ６０４、第２のウェハ６０６の非接合面の圧電デバイス６００の縁辺に対応する位置において、断面がベベル形状の溝６１０（ハーフカット）をハーフカット用のダイシングブレード６１２で形成し（図２４（ａ））、陽極接合により３層を積層したのち（図２４（ｂ））、前記溝６１０に沿ってフルカット用のダイシングブレード６１４にてフルカットして（図２４（ｃ））、図２４（ｄ）に示すように、第１基板６１６、感圧素子基板６１８、第２基板６２０の３層構造を有する圧電デバイス６００を個片化している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１０−２３０４０１号公報
【特許文献２】特開２０１０−２４３２０７号公報
【特許文献３】特開２００７−３２５２５０号公報
【特許文献４】特開２００９−０６５５２０号公報
【特許文献５】特開２００６−１５７８７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述のように３層の母基板（ウェハ）をダイシングして圧電デバイスを個片化するとき、ダイシングによる振動が各層の切り代に隣接する層間の接合部に伝達して、接合部の剥離が発生する虞があるという問題があった。また、その剥離に伴って圧電デバイスの切断位置においてチッピングによる損傷が発生する虞があるという問題があった。さらに、ダイシングの振動により感圧素子自体に破損が生じてしまうという虞があるという問題があった。
【００１１】
一方、上述の基板間の剥離の問題を回避するため、圧電デバイスを構成する各基板をダイシングにより個片化したのち、各基板の積層を行なうことも可能である。しかし各基板を個片化したのち積層する場合は、各基板間のアライメントが困難となり、圧電デバイスの製造の歩留が低下するという問題があった。
【００１２】
そこで、本発明は、上記問題点に着目し、積層されたウェハから圧電デバイスを個片化するときに生じる不具合を解消し、高い生産性と良品率、基板間の接合面の信頼性を高めたウェハの積層構造、圧電デバイス、圧電モジュール、圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
［適用例１］第１基板と、前記第１基板に積層され振動部を有する圧電振動基板と、を備える圧電デバイスに対応する複数の個片積層体を連結して配置したウェハの積層構造であって、前記第１基板に対応する複数の第１の個片が配置されるとともに、互いに隣り合う前記第１の個片同士を第１の梁で連結して形成された第１ウェハと、前記圧電振動基板に対応する複数の第２の個片が配置されるとともに、互いに隣り合う前記第２の個片同士を第２の梁で連結して形成され前記第１ウェハに積層された圧電振動ウェハと、を有し、前記第１の個片及び前記第２の個片には、前記第１の個片及び前記第２の個片を連通して前記第１の個片及び前記第２の個片の一辺を二分するように切り欠くスリットが設けられ、前記第２の個片は、前記スリットを挟んで配置される一対の接続部を有し、前記接続部には、前記振動部に設けられた励振電極に電気的に接続するパッド電極が配置されたことを特徴とするウェハの積層構造。
【００１４】
上記構成において、第１の梁、第２の梁は、アレイ状に配置された圧電デバイスの間に配置されている。よって、ダイシングに用いるダイシングブレードを、圧電デバイスの間に沿って走らせ、第１の梁、第２の梁を切断することにより圧電デバイスを個片化することができる。
【００１５】
このとき、第１の梁、第２の梁は、それぞれ第１基板に対応する第１の個片、圧電振動基板に対応する第２の個片の幅より十分細くなるように設計することができる。よって、ダイシングブレードの第１ウェハ、圧電振動ウェハとの切断時の接触断面積を小さくすることができる。したがって、ダイシングにより発生する振動を抑制して基板間の剥離や振動部の破損を防止して、歩留の高い圧電デバイスを量産することができる。また、第１基板、圧電振動基板をダイシングすることはないので、ダイシング時の各基板のチッピングを回避することができる。
【００１６】
そして、第１基板の前記接続部に対向する位置には一対のマウント部が形成され、マウント部は接続部の真下に配置されることになる。よってマウント部の下面に接合部材を塗布して、圧電デバイスを実装基板側に実装する場合は、接続部上のパッド電極の真下に接合部材が来る形となるので、ワイヤーを容易に接続することができる。またマウント部において二点支持状態で圧電デバイスを実装基板に実装した場合は、マウント部間に熱歪み等の応力が発生し得るが、マウント部の間にはスリットが配置されているので、マウント部は応力に応じて屈曲変形することができる。よってマウント部において応力を緩和させ振動部への悪影響を低減させることができる。したがって、電気的接続を容易にするとともに振動部への熱歪みの影響を緩和した圧電デバイスを量産することが可能なウェハの積層構造となる。
【００１７】
［適用例２］前記第２の個片は、前記振動部の両端に接続された一対の基部と、前記接続部に横並びに接続され、前記振動部及び前記一対の基部を囲み前記一対の基部を支持した状態で前記第１の個片に積層される枠部と、を有し、前記圧電振動ウェハには、前記振動部及び前記一対の基部に対向する位置に配置された凹部を有し前記枠部に積層される第３の個片が複数配列され、互いに隣り合う第３の個片同士を第３の梁により連結して形成された第２ウェハが積層されたことを特徴とする適用例１に記載のウェハの積層構造。
【００１８】
上記構成において、第３の梁も、第３の個片の幅より十分細くなるように設計することができる。よって、ダイシングにより発生する振動を抑制して基板間の剥離や振動部の破損を防止して、歩留の高い三層構造の圧電デバイスを量産することができる。また、第３の個片をダイシングすることはないので、ダイシング時の第３の個片のチッピングを回避することができる。
【００１９】
［適用例３］前記第３の個片は、前記凹部の底面に配置され、前記一対の基部を支持する一対の支持部が接続されたダイアフラムを有することを特徴とする適用例２に記載のウェハの積層構造。上記構成により、圧力を測定可能な圧電デバイスを高い歩留で製造することができる。
【００２０】
［適用例４］前記第１の梁、前記第２の梁、前記第３の梁は、積層方向から見て互いに重なる位置に配置され、前記第２の梁は、前記第１の梁及び前記第３の梁に挟まれた状態で、前記第１の梁及び前記第３の梁に接合されていることを特徴とする適用例２または３に記載のウェハの積層構造。
【００２１】
上記構成により、基板間の接着層を形成する接着剤が圧電デバイスの側面に流出することを防止し、この流出した接着剤による圧電デバイス全体応力分布のバラつきに起因する振動部の特性のバラつきを抑制し、圧電デバイスの特性のバラつきを抑制することができる。
【００２２】
［適用例５］前記第１の梁は、前記第１の個片の前記二分された前記一辺に接続され、前記第２の梁は、前記第２の個片の前記二分された前記一辺に接続され、前記第３の梁は、前記第３の個片の前記接続部側の一辺に接続されていることを特徴とする適用例３または４に記載のウェハの積層構造。
【００２３】
上記構成により、第１の梁、第２の梁はスリットに形成された側面には接続されることはなく、第１の梁、第２の梁は、第３の梁よりも短くなる。また第２の梁が、第１の梁、第３の梁に挟まれる態様で第１の梁、第２の梁、第３の梁は接合され、この接合位置においてダイシングが行われる。よって、第１の梁及び第２の梁のダイシング位置と、各梁の個片積層体（圧電デバイス）との接続位置と、が互いに接近するため、ダイシング時の個片積層体（圧電デバイス）に対するモーメントを小さくすることができる。したがって、ダイシング時に個片構造体（圧電デバイス）に印加される応力を緩和し、これに起因する個片構造体（圧電デバイス）の特性のバラつきの発生を抑制することができる。
【００２４】
［適用例６］前記第１の梁は、前記第１の個片の前記二分された前記一辺の前記スリットにより形成された端部に接続され、前記第２の梁は、前記第２の個片の前記二分された前記一辺の前記スリットにより形成された端部に接続され、前記第３の梁は、前記接続部の前記スリット側に積層されたことを特徴とする適用例３または４に記載のウェハの積層構造。
【００２５】
上記構成において、第１の梁、第２の梁、第３の梁をダイシングして圧電デバイスを個片化したとき、第３の梁の接続部に積層した部分は、積層方向から見てスリットの幅方向の両端となる位置に残ることになる。したがって、一対のパッド電極間に第３の梁が障壁として配置されることになるので、パッド電極間の短絡を防止することができる。
【００２６】
［適用例７］前記第１の梁は、前記第１の個片の前記二分された前記一辺の外側端部となる位置に接続され、前記第２の梁は、前記第２の個片の前記二分された前記一辺の外側端部となる位置に接続され、前記第３の梁は、前記接続部の外側端部に積層されたことを特徴とする適用例３または４に記載のウェハの積層構造。
【００２７】
圧電デバイスを実装後パッド電極にワイヤーを接続したのち、ワイヤー接続部を保護するため、ワイヤー接続部に導電性の接着剤を塗布する場合がある。一方、上記構成において、第１の梁、第２の梁、第３の梁をダイシングして圧電デバイスを個片化したとき、第３の梁の接続部に積層した部分は、圧電振動基板の周縁に沿ってそのまま残ることになる。したがって、ワイヤー接続部に塗布する接着剤の圧電デバイスの側面への流れ出しを防止して、ワイヤーの保護を効率よく行うことができる。
【００２８】
［適用例８］前記第１の梁は、前記第１の個片の前記二分された前記一辺の外側端部と、前記スリットと、の間となる位置で接続され、前記第２の梁は、前記第２の個片の前記二分された前記一辺の外側端部と、前記スリットと、の間となる位置で接続され、前記第３の梁の前記接続部に対向する部分は、前記第３の梁の他の部分の厚みより薄く形成され、前記接続部との間に隙間が設けられたことを特徴とする適用例３または４に記載のウェハの積層構造。
【００２９】
上記構成において、第１の梁、第２の梁、第３の梁をダイシングして圧電デバイスを個片化したとき、第３の梁は接続部には積層されていないので折り取ることができる。また接続部に接触していないので接続部に配置されたパッド電極への損傷を回避することができる。
【００３０】
［適用例９］前記第３の梁の前記接続部に対向する部分の前記第３の個片の外側の主面側には前記第３の梁の厚み方向に切り込みが形成されたことを特徴とする適用例８に記載のウェハの積層構造。
【００３１】
上記構成において、第１の梁、第２の梁、第３の梁をダイシングして圧電デバイスを個片化したとき、第３の梁はダイシングの振動により第２基板から切断される。また切断されない場合であっても切り込みにより第３の梁を第２基板から容易に折り取ることができる。
【００３２】
［適用例１０］前記振動部は、少なくとも一以上の柱状ビームにより形成され屈曲振動をすることを特徴とする適用例１乃至９のいずれか１例に記載のウェハの積層構造。
上記構成により、例えば柱状ビームが一本であれば高い感度を有する振動部となる。また２本以上であれば振動漏れを抑制したＱ値の高い振動部を構築することができる。
【００３３】
［適用例１１］前記振動部は、ＡＴカット振動片により形成され厚みすべり振動をすることを特徴とする適用例１乃至９のいずれか１例に記載のウェハの積層構造。
上記構成により、厚みすべり振動を利用した圧電デバイスを構築することができる。
【００３４】
［適用例１２］前記第１の梁の中央部には、第１の折り取り部が配置され、前記第２の梁の前記第１の折り取り部に対向する位置には、第２の折り取り部が配置され、前記第３の梁の前記第２の折り取り部に対向する位置には、第３の折り取り部が配置され、各折り取り部は、各梁の厚み方向、及び／若しくは、厚み方向に切れ込みを入れることにより形成されたことを特徴とする適用例２乃至１１のいずれか１項に記載のウェハの積層構造。
【００３５】
上記構成により、ダイシングによらず、第１の梁、第２の梁、第３の梁を折り取って、圧電デバイスを個片化することができる。よって、層間の剥離や振動部の破損を効率的に防止して、歩留の高い圧電デバイスを量産することができる。
【００３６】
［適用例１３］第１基板と、振動部を有し前記第１基板に積層された圧電振動基板と、を有する圧電デバイスであって、前記第１基板及び前記圧電振動基板には、前記第１基板及び前記圧電振動基板を連通して前記第１基板及び前記圧電振動基板の一辺を二分するように切り欠くスリットが設けられ、前記圧電振動基板には、前記スリットにより一対の接続部が形成され、前記接続部には、前記振動部に電気的に接続するパッド電極が配置されたことを特徴とする圧電デバイス。
【００３７】
上記構成において、第１基板にはスリットにより一対のマウント部が形成され、マウント部は接続部の真下に配置されることになる。よってマウント部の下面に接合部材を塗布して、圧電デバイスを実装基板側に実装する場合は、接続部上のパッド電極の真下に接合部材が来る形となるので、ワイヤーを容易に接続することができる。
【００３８】
またマウント部において二点支持状態で圧電デバイスを実装基板に実装した場合は、マウント部間に熱歪み等の応力が発生し得るが、マウント部の間にはスリットが配置されているので、マウント部は応力に応じて屈曲変形することができる。よってマウント部において応力を緩和させ振動部に対する熱歪みの影響を緩和することができる。したがって、電気的接続を容易にするとともに振動部への熱歪みの影響を緩和した圧電デバイスとなる。
【００３９】
［適用例１４］前記圧電振動基板は、前記振動部の両端に接続された一対の基部と、前記接続部が横並びに接続され、前記振動部を囲み、前記一対の基部を支持した状態で前記第１基板に積層された枠部と、を有し、前記枠部には、前記振動部及び前記一対の基部に対向する位置に配置された凹部を有する第２基板が積層されたことを特徴とする適用例１３に記載の圧電デバイス。
上記構成により、圧電振動基板のパッド電極が露出した三層構造の圧電デバイスとなる。
【００４０】
［適用例１５］前記第２基板の前記接続部側の側面には剥離痕を有することを特徴とする適用例１４に記載の圧電デバイス。
上記構成により、適用例９のウェハの積層構造から個片化された圧電デバイスとなる。
【００４１】
［適用例１６］前記第１基板の前記二分された前記一辺に接続された第１の凸部と、前記圧電振動基板の前記二分された前記一辺に接続された第２の凸部と、前記第２基板の前記スリット側の一辺から延出した延出部と、を有し、前記第１の凸部、前記第２の凸部、前記延出部は、積層方向から見て互いに重なるように配置されるとともに前記第１の凸部、前記第２の凸部、前記延出部の順に積層され、前記延出部は、前記接続部に積層されたことを特徴とする適用例１４に記載の圧電デバイス。
上記構成により、適用例５のウェハの積層構造から個片化された圧電デバイスとなる。
【００４２】
［適用例１７］前記第１基板の前記二分された前記一辺の外側端部に接続された第１の凸部と、前記圧電振動基板の前記二分された前記一辺の外側端部に接続された第２の凸部と、前記第２基板の前記接続部側の一辺の外側端部から延出した延出部と、を有し、前記第１の凸部、前記第２の凸部、前記延出部は、積層方向から見て互いに重なるように配置されるとともに前記第１の凸部、前記第２の凸部、前記延出部の順に積層され、前記延出部は、前記接続部に積層されたことを特徴とする適用例１４に記載の圧電デバイス。
【００４３】
圧電デバイスを実装後パッド電極にワイヤーを接続したのち、ワイヤー接続部を保護するため、ワイヤー接続部に導電性の接着剤を塗布する場合がある。このため、上記構成のように延出部が圧電デバイスの外周に沿って配置されているので、ワイヤー接続部に塗布する接着剤の圧電デバイスの側面への流れ出しを防止して、ワイヤーの保護を効率よく行うことができる。
【００４４】
［適用例１８］前記圧電振動基板の振動部は、屈曲振動若しくは厚みすべり振動をすることを特徴とする適用例１３乃至１７のいずれか１例に記載の圧電デバイス。
上記構成により、高感度な振動部とすることができる。
【００４５】
［適用例１９］前記第２基板は、前記凹部の底面に配置され、前記一対の基部を支持する一対の支持部が接続されたダイアフラムを有することを特徴とする適用例１３乃至１８のいずれか１例に記載の圧電デバイス。
上記構成により、圧力を測定可能な圧電デバイスとなる。
【００４６】
［適用例２０］適用例１乃至１２のいずれか１例に記載のウェハの積層構造から個片化された圧電デバイス、または、適用例１３乃至１９のいずれか１例に記載の圧電デバイス、を実装基板に実装してなる圧電モジュールであって、前記圧電デバイスは、前記第１基板の前記圧電振動基板と積層する面とは反対面の主面の中央部、または、前記第１基板の前記圧電振動基板と積層する面とは反対面の主面の前記一対の接続部に対向する位置が、接合部材により前記実装基板に接合されることにより前記実装基板に実装されたことを特徴とする圧電モジュール。
【００４７】
上記構成において、接合部材と第１基板との間で熱歪み等の応力が発生するが、この応力は圧電デバイスを伝播するに従って緩和される。そして、圧電デバイスを第１基板の中央部に一点支持状態で実装基板した場合は、第１基板の接合部材が配置された位置から振動部への経路が最も長くなる。よって効率的に応力を緩和させ振動部への悪影響を低減させることができる。
【００４８】
一方、第１基板の前記圧電振動基板と積層する面とは反対面の主面の前記一対の接続部に対向する位置は一対のマウント部となる。そして、このマウント部において二点支持状態で実装基板に実装した場合は、マウント部間に熱歪み等の応力が発生し得るが、マウント部の間にはスリットが配置されているので、マウント部は応力に応じて屈曲変形することができる。よってマウント部において応力を緩和させ振動部への悪影響を低減させることができる。したがって、いずれの場合においても、熱歪み等の応力の伝達を緩和して振動部への悪影響を低減した圧電モジュールとなる。
【００４９】
［適用例２１］前記第１基板と実装基板との間は充填材で充填されたことを特徴とする適用例２０に記載の圧電モジュール。
上記構成により、圧電モジュールの耐衝撃性を高めることができる。
【００５０】
［適用例２２］前記圧電デバイスに電気的に接続する集積回路を搭載したことを特徴とする適用例２０または２１に記載の圧電モジュール。
上記構成により、自ら発振する発振器としての機能、または自ら圧力を測定する圧力センサーとしての機能を有する圧電モジュールを構築することができる。
【００５１】
［適用例２３］適用例１乃至１２のいずれか１例に記載のウェハの積層構造から個片化された圧電デバイス、または、適用例１３乃至１９のいずれか１例に記載の圧電デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
上記構成より、電気的接続を容易にするとともに振動部への熱歪みの影響を緩和した電子機器となる。
【００５２】
［適用例２４］適用例１乃至１２のいずれか１例に記載のウェハの積層構造から個片化された圧電デバイス、または、適用例１３乃至１９のいずれか１例に記載の圧電デバイスを備えることを特徴とする電子システム。
上記構成により、電気的接続を容易にするとともに振動部への熱歪みの影響を緩和した電子システムとなる。
【００５３】
［適用例２５］アレイ状に複数配置された第１基板と、互いに隣接する前記第１基板同士を連結する第１の梁と、を有する第１ウェハを形成し、アレイ状に複数配置されるとともに前記第１基板に積層され、振動部を有する圧電振動基板と、互いに隣接する前記圧電振動基板同士を連結するとともに前記第１の梁に積層される第２の梁と、を有する圧電振動ウェハを形成し、前記第１基板及び前記圧電振動基板を連通して前記第１基板及び前記圧電振動基板の一辺を二分するように切り欠くスリットを形成し、前記スリットにより前記圧電振動基板の一辺に形成された一対の接続部に前記振動部と電気的に接続するパッド電極を配置し、前記第１ウェハに前記第２ウェハを積層することにより、前記第１基板と、前記第１基板に積層された圧電振動基板との積層構造を有する圧電デバイスを複数形成し、前記第１の梁及び前記第２の梁を切断することにより、前記圧電デバイスを個片化することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【００５４】
上記方法において、第１の梁、第２の梁は、それぞれ第１基板、圧電振動基板の幅より十分細くなるように設計することができる。よって、ダイシングブレードの第１ウェハ、第２ウェハとの切断時の接触断面積を小さくすることができる。したがって、ダイシングにより発生する振動を抑制して層間の剥離や振動部の破損を防止して、歩留の高い圧電デバイスを量産することができる。
【００５５】
また第１基板の接続部に対向する位置には一対のマウント部が形成され、マウント部は接続部の真下に配置されることになる。よってマウント部の下面に接合部材を塗布して、圧電デバイスを実装基板側に実装する場合は、接続部上のパッド電極の真下に接合部材が来る形となるので、ワイヤーを容易に接続することができる。
【００５６】
またマウント部において二点支持状態で圧電デバイスを実装基板に実装した場合は、マウント部間に熱歪み等の応力が発生し得るが、マウント部の間にはスリットが配置されているので、マウント部は応力に応じて屈曲変形することができる。よってマウント部において応力を緩和させ振動部に対する熱歪みの影響を緩和することができる。したがって、電気的接続を容易にするとともに振動部への熱歪みの影響を緩和した圧電デバイスを量産することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】第１実施形態のウェハの積層構造の分解斜視図と、これを積層したのちに個片化して得られる第１実施形態の圧電デバイス（図中右下）の斜視図である。
【図２】第１実施形態の圧電デバイスの拡大斜視図である。
【図３】図２の分解斜視図である。
【図４】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】図２のＢ−Ｂ線断面図であり、図５（ａ）は第１基板、圧電素子基板、第２基板の断面図、図５（ｂ）は図５（ａ）における圧電素子基板の拡大図である。
【図６】第１実施形態のウェハの積層構造においてダイシングを行なう場合の模式図であり、図６（ａ）はダイシング前、図６（ｂ）はダイシング後である。
【図７】第２実施形態のウェハの積層構造の分解斜視図と、これを積層したのちに個片化して得られる第２実施形態の圧電デバイス（図中右下）の斜視図である。
【図８】第３実施形態のウェハの積層構造の分解斜視図と、これを積層したのちに個片化して得られる第３実施形態の圧電デバイス（図中右下）の斜視図である。
【図９】第４実施形態のウェハの積層構造の分解斜視図である。
【図１０】第４実施形態の圧電デバイスの模式図であり、図１０（ａ）は圧電デバイスを構成する圧電素子基板の下面を示し、図１０（ｂ）は図８のウェハの積層構造を個片化して得られる第３実施形態の圧電デバイスの斜視図である。
【図１１】第４実施形態の圧電デバイスの拡大斜視図である。
【図１２】第５実施形態のウェハの積層構造の分解斜視図と、これを積層したのちに個片化して得られる第５実施形態の圧電デバイス（図中右下）の斜視図である。
【図１３】本実施形態のウェハの積層構造において、折り取り部を形成した場合の模式図であり、図１３（ａ）は、第１ウェハ、圧電素子ウェハ、第２ウェハのそれぞれの折り取り部の平面図、図１３（ｂ）は第１ウェハ、圧電素子ウェハ、第２ウェハを積層した場合の各折り取り部の側面図である。
【図１４】本実施形態の電子デバイスを実装基板に搭載する場合の模式図であり、図１４（ａ）は斜視図、図１４（ｂ）は第１基板の下面の中央部と実装基板とを接続部材により接合する場合、図１４（ｃ）は第１基板に形成されたマウント部と実装基板とを接続部材により接合する場合を示す。
【図１５】本実施形態のウェハの積層構造及び圧電デバイスにおいて、振動部としてＡＴカット振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電デバイス（図中右下）の斜視図を示す。また図中左上に圧電振動基板の下面の斜視図を示す。
【図１６】本実施形態の圧電デバイスにおいて、振動部として音叉型振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電振動基板の下面の模式図である。
【図１７】本実施形態の圧電デバイスにおいて、振動部としてＡＴカット振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電振動基板の下面の模式図である。
【図１８】本実施形態の圧電デバイスを燃料電池システムに搭載した場合の系統図である。
【図１９】本実施形態の圧電デバイスを車両用情報記録装置に搭載した場合のブロック図である。
【図２０】本実施形態の圧電デバイスを側面衝突検出装置に搭載した場合の模式図である。
【図２１】特許文献１に記載の圧力センサーの模式図であり、図２１（ａ）は分解斜視図、図２１（ｂ）は断面図である。
【図２２】特許文献２に記載の圧力センサーの模式図であり、図２２（ａ）は分解斜視図、図２２（ｂ）は上面図である。
【図２３】特許文献３に記載の３層構造の圧電デバイスの製造工程を示す図であり、図２３（ａ）のウェハの積層前の工程、図２３（ｂ）はウェハの積層時の工程、図２３（ｃ）は個片化の工程である。
【図２４】特許文献５に記載の３層構造の圧電デバイスの製造工程を示す図であり、図２４（ａ）は溝形成工程、図２４（ｂ）は積層工程、図２４（ｃ）は個片化工程、図２４（ｄ）は、図２４（ｃ）の圧電デバイスの分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００５８】
以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
【００５９】
第１実施形態においては、先ず、圧電デバイスの構成について説明し、次いで圧電デバイスを複数製造するウェハの積層構造について説明する。図２に、第１実施形態の圧電デバイスの拡大斜視図を示す。また、図３に、図２の分解斜視図を示し、図４に、図２のＡ−Ａ線断面図を示す。
【００６０】
第１実施形態の圧電デバイス１０は、第１基板１４と、振動部３４を有する圧電振動基板２６と、ダイアフラム５６を有しダイアフラム５６に印加された圧力に伴う力を振動部３４に伝達する第２基板４８と、の順に積層された構造を有し、積層された後に壁面の一部がダイアフラム５６となり内部空間１３（図４）を有するパッケージ１２が形成されたものである。また、内部空間１３には、ダイアフラム５６に接続した振動部３４が配置されている。そして、ダイアフラム５６が外部の圧力により撓み変形し、この撓み変形に伴う力を振動部３４が受けることにより、振動部３４の共振周波数が変化する。よって、振動部３４の共振周波数の変化をモニターすることにより外部の圧力を測定可能な構成となっている。また第１基板１４、圧電振動基板２６、第２基板４８は、それぞれ短辺と長辺を有する矩形の水晶基板により形成されている。
【００６１】
第１基板１４は、圧電デバイス１０の最下層を構成するものである。第１基板１４の圧電振動基板２６に対向する面には凹部１６が配置されている。凹部１６は圧電振動基板２６を構成する後述の振動部３４、第１基部３６、第２基部３８、支持部４０Ａ、４０Ｂに対向する位置に配置され、これらの構成要素と第１基板１４との干渉を防止している。また第１基板１４において、この凹部１６の周囲を囲むように外周部１８が配置される。外周部１８は、第１基板１４の一方の短辺側に偏って配置される。そして、外周部１８には圧電振動基板２６を構成する後述の枠部２８が積層される。
【００６２】
一方、第１基板１４の他方の短辺側には、その短辺側の周縁部を二分するように第１基板１４の厚み方向であって一方の主面から他方の主面に亘って貫通して切り欠いたスリット２０が配置されている。そしてスリット２０の隣り合う側面の幅方向の両端、すなわち第１基板１４の前記周縁部には、このスリット２０より一対のマウント部２２Ａ、２２Ｂが形成される。後述のように、このマウント部２２Ａ、２２Ｂにおいて、その上面には圧電振動基板２６を構成する接続部３２Ａ、３２Ｂがそれぞれ積層され、その下面は実装基板に実装するための接合部材の塗布位置となる。
【００６３】
また第１基板１４の側面には第１の凸部２４が複数形成されている。第１の凸部２４は、第１基板１４の長辺を形成する２つの側面に１つずつ、一方の短辺（スリット２０が形成されていない短辺）を形成する側面に２つ形成されている。また、第１の凸部２４は、第１基板１４のスリット２０が形成された他方の短辺の側面、すなわち一対のマウント部２２Ａ、２２Ｂの端面にもそれぞれ形成されている。よって第１の凸部２４は、スリット２０が形成された第１基板１４の（辺）他方の短辺側の前記周縁部において、その前記他方の短辺の両端となる位置と、スリット２０の隣り合う側面と、の間のそれぞれの位置においてスリット２０を挟むように一対で配置されることになる。これら長辺側並びに短辺側に設けられた第１の凸部２４は、後述の第１の梁６８Ａ、６８Ｂをダイシングで切断することにより形成される。
【００６４】
圧電振動基板２６は、水晶の結晶軸である、電気軸としてのＸ軸と、機械軸としてのＹ軸と、光学軸としてのＺ軸と、からなる直交座標系のＸ軸を回転軸として、Ｚ軸を＋Ｙ軸の方向へ約２度回転させた軸をＺ′軸とし、このＺ′軸を法線とした主面を有する水晶基板を用いている。そして圧電振動基板２６には、矩形の枠形状を有する枠部２８が配置される。枠部２８は、圧電振動基板２６の一方の短辺に偏って配置され、外周部１８上に積層される。
【００６５】
一方、圧電振動基板２６の他方の短辺側の周縁部を二分する位置において、圧電振動基板２６の厚み方向であって一方の主面から他方の主面に亘って貫通して切り欠いたスリット３０が配置されている。よって、このスリット３０により、圧電振動基板２６のスリット３０が形成された前記周縁部には、圧電振動基板２６の前記他方の短辺に沿って並べて配置された一対の接続部３２Ａ、３２Ｂが形成される。よって枠部２８と一対の接続部３２Ａ、３２Ｂは圧電振動基板２６の長辺方向に横並びに配置される。そして枠部２８内には、振動部３４、第１基部３６、第２基部３８、支持部４０Ａ、４０Ｂが配置される。なお、第１基板１４に形成されたスリット２０と、圧電振動基板２６に形成されたスリット３０は、積層後に、第１基板１４及び圧電振動基板２６の前記他方の短辺において厚み方向（積層方向）に連通する一つのスリットとなる。
【００６６】
振動部３４は、圧電振動基板２６の長辺方向に長手方向を有する２本の平行した柱状ビームにより形成され、双音叉型の振動片となっている。即ち、圧電振動基板２６の前記長辺に沿って、前記柱状ビームは伸びており、これを長手方向としている。そして振動部３４の長手方向の両端のうちの一方には第１基部３６が接続され、他方には第２基部３８が接続される。また枠部２８の長辺方向の内側側面の第１基部３６に対向する位置からは、支持部４０Ａが第１基部３６を圧電振動基板２６の短辺方向から挟むように延出し、第１基部３６に接続される。同様に枠部２８の長辺方向の内側側面の第２基部３８に対向する位置からは、支持部４０Ｂが第２基部を圧電振動基板２６の短辺方向から挟むように延出し、第２基部３８に接続される。これにより、振動部３４は、第１基部３６、第２基部３８、支持部４０Ａ、支持部４０Ｂを介して枠部２８に支持される。
【００６７】
第１基部３６及び第２基部３８は、振動部３４を支持するものであるが、後述の力伝達部５４Ａ、５４Ｂからの力を受けて、圧電振動基板２６の長辺方向に相対位置を互いに変化させるものである。よってこの相対位置の変化により振動部３４に応力を印加することができる。支持部４０Ａ、支持部４０Ｂは圧電振動基板２６の短辺方向に長手方向を有し、圧電振動基板２６の長辺方向に屈曲する部材である。よって、支持部４０Ａ、４０Ｂは、それぞれ第１基部３６、第２基部３８を支持するものの、第１基部３６、第２基部３８の変位に干渉しないようになっている。
【００６８】
一方、振動部３４には互いに絶縁した一対の励振電極（不図示）が配置される。そして一対の接続部３２Ａ、３２Ｂにそれぞれパッド電極４２Ａ、４２Ｂが配置される。そして振動部３４（一方の励振電極）からは、引出電極４４Ａが引き出され、第１基部３６、支持部４０Ａ、枠部２８、接続部３２Ａを経路してパッド電極４２Ａに接続される。また振動部３４（他方の励振電極）からは引出電極４４Ｂが引き出され、第１基部３６、支持部４０Ａ、枠部２８、接続部３２Ｂを介してパッド電極４２Ｂに接続される。
【００６９】
よって振動部３４（一対の励振電極）とパッド電極４２Ａ、４２Ｂとは電気的に接続され、パッド電極４２Ａ、４２Ｂに交流電圧を印加することにより振動部３４は所定の共振周波数で振動する。
【００７０】
ここで、第１基部３６、第２基部３８が圧電振動基板２６の長辺方向に互いに離れる方向に変位した場合は、振動部３４は引張応力を受けるので共振周波数は高くなり、逆に互いに近づく方向に変位した場合は、振動部３４は圧縮応力を受けるので共振周波数は低くなる。
【００７１】
また圧電振動基板２６の側面には第２の凸部４６が複数形成されている。第２の凸部４６は、圧電振動基板２６の長辺（枠部２８の長辺）を形成する２つの側面に１つずつ、短辺の一方（枠部２８の短辺の一方）を形成する側面に２つ形成されている。また第２の凸部４６は、スリット３０が形成された側面、すなわち一対の接続部３２Ａ、３２ｂの側面にもそれぞれ形成されている。よって第２の凸部４６は、スリット３０が形成された圧電振動基板２６の辺（短辺）において、その両端となる位置と、スリット３０の幅方向（圧電振動基板２６の短辺方向）の両端となる位置と、の間の位置においてスリット３０を挟むように一対で配置されることになる。この第２の凸部４６は、後述の第２の梁７２Ａ、７２Ｂをダイシングで切断することにより形成される。そして第２の凸部４６は第１の凸部２４に積層される。
【００７２】
第２基板４８は、振動部３４に力を伝達するダイアフラム５６を有する基板である。第２基板４８は、圧電振動基板２６に対向する面に凹部５０を有する。この凹部５０は振動部３４、第１基部３６、第２基部３８、支持部４０Ａ、４０Ｂに対向する位置に形成されている。この凹部５０により凹部５０の周囲には、第２基板４８の周縁に沿って外形が形成された外周部５２が配置され、外周部５２は、圧電振動基板２６の枠部２８に積層される。よって圧電振動基板２６を構成する接続部３２Ａ、３２Ｂは、第２基板４８の積層後も外部に露出することになる。
【００７３】
一方、凹部５０の第１基部３６に対向する位置には凸状の力伝達部５４Ａが配置され、第２基部３８に対向する位置には凸状の力伝達部５４Ｂが配置される。そして、積層後に力伝達部５４Ａは第１基部３６と接合し、力伝達部５４Ｂは第２基部３８に接合する。さらに凹部５０の底面は、外力により撓み変形するダイアフラム５６となっている。また、第２基板４８の側面には第３の凸部５８が配置されている。第３の凸部５８は、第２基板４８の長辺を形成する側面に１つずつ、一方の短辺を形成する側面に２つ配置されている。この第３の凸部５８は後述の第３の梁７６Ａ、７６Ｂをダイシングで切断することにより形成される。そして第３の凸部５８は第２の凸部４６に積層される。
【００７４】
さらに、第２基板４８のスリット３０に対向する側面には剥離痕６０（図４参照）が形成されている。この剥離痕６０は、後述のように、第３の梁７６Ｂを、第２基板４８の側面であって、この剥離痕６０が形成される位置に形成して、積層時に第３の梁７６Ｂを剥離した際に生じるものである。よって、第３の梁７６Ｂ（剥離痕６０）は、スリット３０に対向する辺（短辺）において、その両端となる位置と、積層方向から見てスリット３０を幅方向の両端となる位置から挟む位置、との間の位置においてスリット３０を挟むように一対で形成される。
【００７５】
図４に示すように、圧電デバイス１０は、第１基板１４、圧電振動基板２６、第２基板４８の順に積層して形成されるが、各基板間には接着剤による接着層６２が形成される。このとき、第１基板１４の外周部１８と圧電振動基板２６の枠部２８とが接合し、マウント部２２Ａと接続部３２Ａとが接合し、マウント部２２Ｂと接続部３２Ｂが接合する。また圧電振動基板２６の枠部２８は第２基板４８の外周部５２と接合し、第１基部３６は力伝達部５４Ａに接合し、第２基部３８は力伝達部５４Ｂに接合する。そして第２の凸部４６は、第１の凸部２４及び第３の凸部５８に挟まれる形で、第１の凸部２４、第３の凸部５８に接合する。
【００７６】
このような積層構造の場合、これら構成要素の接合面が積層後に露出しないように設計することが好適である。これにより、層間の接着層６２を形成する接着剤が圧電デバイス１０の側面に流出することを防止し、この流出した接着剤による圧電デバイス１０全体応力分布のバラつきに起因する振動部３４の特性のバラつきを抑制し、圧電デバイス１０の特性のバラつきを抑制することができる。
【００７７】
そして、上述のように各基板を積層することにより、内部空間１３を有するパッケージ１２が形成され、上面にはダイアフラム５６が配置され、下面にはマウント部２２Ａ、２２Ｂが配置され、マウント部２２Ａ上であって圧電振動基板２６が露出した位置には接続部３２Ａ（パッド電極４２Ａ）が配置され、マウント部２２Ｂ上であって圧電振動基板２６が露出した位置には接続部３２Ｂ（パッド電極４２Ｂ）が配置された圧電デバイス１０となる。よって、例えば内部空間１３を真空とすることにより、真空を基準とした圧力を測定可能な圧電デバイス１０となる。
【００７８】
上記構成において、ダイアフラム５６に圧力が印加されると、ダイアフラム５６は内部空間１３側に撓み変形する。これにより力伝達部５４Ａ、５４Ｂは互いに離間する方向に変位し、力伝達部５４Ａに接続された第１基部３６、力伝達部５４Ｂに接続された第２基部３８に互いに離間する方向に力を受ける。よって、振動部３４には引張応力が印加され振動部３４の共振周波数が高くなる。したがって、振動部３４の共振周波数の変化量をモニターすることによりダイアフラム５６に印加された圧力を検知可能な圧電デバイス１０となる。
【００７９】
なお、本実施形態では、振動部を２つの柱状ビームにより構成しているが、これを１つの柱状ビーム（シングルビーム）により構成することもできる。これにより、柱状ビームに対して第１基部３６、第２基部３８から印加される力が大きくなるので、共振周波数の変化量が大きくなり、圧電デバイス１０の感度を向上させることができる。また振動部３４を２つ以上の柱状ビームにより構成することが可能である。この場合、各柱状ビームの振動に対称性を持たせることにより、振動漏れを抑制してＱ値の高い圧電デバイス１０とすることができる。本実施形態のように柱状ビームが２つの場合は、柱状ビームの長手方向の中央が互いに離れ、且つ互いに近づく変位を繰り返す振動とすることにより一対の振動ビームは対称性を有する振動となり、外部への振動漏れを抑制することができる。
【００８０】
図１に、第１実施形態のウェハの積層構造の分解斜視図と、これを積層したのちに個片化して得られる第１実施形態の圧電デバイス（図中右下）の斜視図を示す。本実施形態のウェハの積層構造６４は、第１基板１４に対応する複数の第１の個片が配置されるとともに、互いに隣り合う第１の個片同士を第１の梁６８Ａ、６８Ｂで連結して形成された第１ウェハ６６を有する。また圧電振動基板２６に対応する複数の第２の個片が配置されるとともに、互いに隣り合う第２の個片同士を第２の梁７２Ａ、７２Ｂで連結して形成され第１ウェハに６６積層された圧電振動ウェハ７０を有する。さらに、第２基板４８に対応する複数の第３の個片が配置されるとともに、互いに隣り合う第３の個片同士を第３の梁７６Ａ，７６Ｂで連結して形成され圧電振動ウェハ７０に積層された第２ウェハ７４を有する。
【００８１】
ここで、第１の個片、第２の個片、第３の個片は、それぞれ各ウェハにおいてダイシングされる前の第１基板１４、圧電振動基板２６、第２基板４８であり、図中において、それぞれ第１基板１４、圧電振動基板２６、第２基板４８と同一番号が付されたものである。そして、第１ウェハ６６、圧電振動ウェハ７０、第２ウェハ７４と積層することにより、第１の個片、第２の個片、第３の個片による積層構造体が形成される。よって、ウェハの積層構造６４において、互いに隣り合う積層構造体同士が、第１の梁６８Ａ、６８Ｂ、第２の梁７２Ａ、７２Ｂ、第３の梁７６Ａ、７６Ｂにより連結された形となる。また本実施形態において、第１の梁６８Ｂは、第１基板１４のスリット２０により二分された一辺（短辺）の外側端部と、スリット２０と、の間となる位置で接続されている。また、第２の梁７２Ｂは、圧電振動基板２６のスリット３０により二分された一辺（短辺）の外側端部と、スリット３０と、の間となる位置で接続されている。
【００８２】
そして、図１に示すように、このウェハの積層構造６４に対して二点鎖線で囲まれた範囲をダイシング領域（Ｄ）とするダイシングブレード９４（図６）によりダイシングを行なうことにより、積層構造体がウェハの積層構造６４から分離され、複数の圧電デバイス１０を個片化することができる。
【００８３】
第１ウェハ６６は、第１基板１４（第１の個片）と同一の厚みとなる水晶基板により形成され、第１基板１４をアレイ状に配置した上で、互いに隣接する第１基板１４を第１の梁６８Ａ、６８Ｂで連結するように水晶基板を刳り貫いて形成される。ここで、第１基板１４の長辺同士が対向する位置では１本の第１の梁６８Ａで連結している。一方、マウント部２２Ａ、２２Ｂ（スリット２０）が配置された一の第１基板１４の短辺と、前記短辺に対向する他の第１基板１４の短辺との間は２本の第１の梁６８Ｂにより連結されており、第１の梁６８Ｂはマウント部２２Ａ、２２Ｂにそれぞれ接続されている。
【００８４】
圧電振動ウェハ７０は、上述のＺ′軸を法線に持つ主面を有し、圧電振動基板２６と同一の厚みとなる水晶基板により形成されている。そして、圧電振動基板２６（第２の個片）をアレイ状に配置した上で、互いに隣接する圧電振動基板２６を第２の梁７２Ａ、７２Ｂで連結するように水晶基板を刳り貫いて形成される。ここで、圧電振動基板２６の長辺同士が対向する位置では１本の第２の梁７２Ａで連結している。一方、接続部３２Ａ、３２Ｂ（スリット３０）が配置された一の圧電振動基板２６の短辺と、前記短辺に対向する他の圧電振動基板２６の短辺との間は２本の第２の梁７２Ｂにより連結されており、第２の梁７２Ｂは接続部３２Ａ、３２Ｂにそれぞれ接続されている。
【００８５】
第２ウェハ７４は、第２基板４８（第３の個片）と同一の厚みとなる水晶基板により形成され、第２基板４８をアレイ状に配置した上で、互いに隣接する第２基板４８を第３の梁７６Ａ、７６Ｂで連結するように水晶基板を刳り貫いて形成される。ここで、第２基板４８の長辺同士が対向する位置では１本の第３の梁７６Ａで連結している。一方、第２基板４８の短辺同士が対向する位置では２本の第３の梁７６Ｂにより連結している。そして、第３の梁７６Ｂは、積層後に接続部３２Ａ、３２Ｂに対向する位置及び、前記位置に連続しダイシングにより消失する部分の一部となる位置は、圧電振動基板２６に対向する面側から掘り込まれて第３の梁７６Ｂの他の部分の厚みより薄く形成されている（図１左上拡大図、図６参照）。よって第２ウェハ７４を圧電振動ウェハ７０に積層すると、第３の梁７６Ｂと接続部３２Ａ、３２Ｂとの間には隙間７８が形成される（図６参照）。また第３の梁７６Ｂの第２基板４８との接続位置には厚み方向に切り込み８０が形成されている（図６参照）。
【００８６】
図５に、図２のＢ−Ｂ線断面図を示し、図５（ａ）は第１基板、圧電素子基板、第２基板の断面図、図５（ｂ）は図５（ａ）における圧電素子基板の拡大図を示す。本実施形態において、第１ウェハ６６、第２ウェハ７４は、サンドブラストにより外形を形成し、圧電振動ウェハ７０はエッチングにより外形を形成することが好適である。
【００８７】
第１基板１４及び第１の梁６８Ａ、６８Ｂは、第１基板１４の母基板となる第１ウェハ６６（図１参照）の両面から研削して外形を形成する。第２基板４８及び第３の梁７６Ａ、７６Ｂは、第２基板４８の母基板となる第２ウェハ７４（図１参照）の片面から研削して外形を形成する。また積層後に接続部３２Ａ、３２Ｂに対向する第３の梁７６Ｂは、圧電振動基板２６に対向する面側からサンドブラストにより薄肉に形成する。
【００８８】
サンドブラストは、シリカ等の研削用粒子をエアとともに対象となる基板に吹き付けて機械的に基板を研削するものであるが、深さ方向を研削すると同時に横方向にも研削が進行する。例えば、サンドブラストにより基板に穴を形成すると、穴の底部から開口部に向かうにつれて内径が大きくなるテーパー状の穴が形成される。このため、基板の外形をサンドブラストにより形成すると、基板の側面は上述のテーパー状の穴を一方向に移動させて得られる軌跡として形成され、側面の法線は基板の法線と直交せず傾斜することになる。
【００８９】
よって、図５（ａ）に示すように、第１ウェハ６６の両面からサンドブラストを行って第１基板１４の外形を形成する場合は、第１基板１４の側面は、厚み方向の中央部の側面が尖った形となる。また第１の梁６８Ａ、６８Ｂも、第１基板１４の厚み方向の中央部で側面が尖った形となる。
【００９０】
また、図５（ａ）に示すように、第２ウェハ７４の圧電振動基板２６に対向する面側からサンドブラストを行なって第２基板４８の外形を形成する場合は、第２基板４８の側面の法線が圧電振動基板２６に対向する面側に傾斜することになる。また第３の梁７６Ａ、７６Ｂも、その側面の法線が圧電振動基板２６に対向する面側に傾斜することになる。なお、第１基板１４の凹部１６は、上述のサンドブラストにより形成してもよく、またエッチングにより形成してよい。また第２基板４８の凹部５０（ダイアフラム５６）は、サンドブラストにより形成し、サンドブラストにより生じた凹部５０（ダイアフラム５６）への残留応力及び表面粗さを除去するため、短時間エッチングして凹部５０（ダイアフラム５６）の表面を平坦化するとともに残留応力を除去する。
【００９１】
圧電振動基板２６及び第２の梁７２Ａ、７２Ｂは、その母基板となる圧電振動ウェハ７０（水晶基板）に対して、フッ酸等のエッチング液を用いて、その外形に合わせたエッチングを行なうことにより形成される。一方、水晶は結晶方位に起因したエッチング速度の異方性を有するため、エッチングの進行方向によりエッチングの進行速度が異なる。本実施形態の圧電振動基板２６は、上述のようにＺ′軸に平行な方向を主面の法線とするとともに、図５（ｂ）の断面図から分かるように、Ｙ′軸に平行な方向を長辺とし、Ｘ軸に平行な方向を短辺としている。よって圧電振動基板２６においては、図５（ｂ）に示すように、−Ｘ軸を向く側面及び＋Ｘ軸に向く側面において、平坦とはならずに複数の側面が形成される。即ち、−Ｘ軸を向く圧電振動基板２６の側面では、圧電振動基板２６の厚み方向の中央部を境界として第１基板１４側に配置された第１側面８２と第２基板４８側に配置された第２側面８４と、の２つの側面が形成される。第１側面８２の法線は、第１基板１４側に傾斜し、第２側面８４の法線は、第２基板４８側に傾斜している。
【００９２】
また＋Ｘ軸を向く圧電振動基板２６の側面では、圧電振動基板２６の厚み方向の中央部を境界として第１基板１４側に配置された第１側面８６及び第２側面８８、第２基板４８側に配置された第３側面９０及び第４側面９２が形成される。第１側面８６は、第２側面８８よりも第１基板１４側に配置された側面であり、その法線が第１基板１４側に傾斜している。第２側面８８は中央部を境界とする側面であり、その法線が第１側面８６の法線よりもさらに第１基板１４側に傾斜している。第３側面９０は、第４側面９２よりも第２基板４８側に配置された側面であり、その法線が第２基板４８側に傾斜している。第４側面９２は中央部を境界とする側面であり、その法線が第３側面９０の法線よりもさらに第２基板４８側に傾斜している。よって圧電振動基板２６の＋Ｘ軸側の側面の厚み方向の中央部には、第２側面８８及び第４側面９２により幅方向が突出し＋Ｙ′軸方向に延びる稜線が形成されることになる。したがって、本実施形態では枠部２８、振動腕３４、第１基部３６、第２基部３８、第２の凸部４６（第２の梁７２Ｂ）の＋Ｘ軸側の側面に上述の稜線が形成される（図２、図３、図５（ａ）参照）。
【００９３】
図６に、第１実施形態のウェハの積層構造においてダイシングを行なう場合の模式図を示し、図６（ａ）はダイシング前、図６（ｂ）はダイシング後を示す。図１に示すように、ウェハの積層構造６４においては、積層後に二点鎖線で囲まれた範囲をダイシング領域（Ｄ）とするダイシングブレード９４によりダイシングを行なって、複数の圧電デバイス１０を個片化することができる。よって図１、図６（ａ）に示すように、ダイシング領域（Ｄ）に沿ってダイシング（フルカット）を行なうと、第１の梁６８Ａ、６８Ｂ、第２の梁７２Ａ、７２Ｂ、第３の梁７６Ａ、７６Ｂをダイシングすることになる。そして、図６（ａ）に示すように、第３の梁７６Ｂ（第１の梁６８Ｂ、第２の梁７２Ｂ）をダイシングする場合は、第３の梁７６Ｂの第２の梁７２Ｂに接合する領域と、第３の梁７６Ｂが薄肉に形成された部分とをダイシングすることになる。よって、ダイシング後の第３の梁７６Ｂは第２の梁７２Ｂから分離する。また、第３の梁７６Ｂの接続部３２Ａ、３２Ｂに対向する部分は、第３の梁７６Ｂの他の部分の厚みより薄く形成され、接続部３２Ａ，３２Ｂとの間に隙間７８が設けられている。これにより、第３の梁７６Ｂは、接続部３２Ａ、３２Ｂに積層されることはない。よって、第３の梁７６Ｂは、ウェハの積層構造６４から圧電デバイス１０を個片化したのち折り取ることができる。また、第３の梁７６Ｂは、接続部３２Ａ、３２Ｂに接触することはないので、接続部３２Ａに配置されたパッド電極４２Ａ，接続部３２Ｂに配置されたパッド電極４２Ｂへの損傷を回避することができる。さらに第３の梁７６Ｂの第２基板４８に接続する部分には、ハーフダイシング等により切り込み８０が形成されているので、図６（ｂ）に示すように、上述のフルカット時の振動で第３の梁７６Ｂは第２基板４８から剥離し、第２基板４８には剥離痕６０が形成される。またフルカット時の振動で第３の梁７６Ｂが剥離しなくても、切り込み８０において第３の梁７６Ｂを容易に折り取ることができる。
【００９４】
上述のように本実施形態において、第１の梁６８Ａ、６８Ｂ、第２の梁７２Ａ、７２Ｂ、第３の梁７６Ａ、７６Ｂは、アレイ状に配置された圧電デバイス１０の間に配置されている。よって、ダイシングに用いるダイシングブレード９４を、圧電デバイス１０の間に沿って走らせ、第１の梁６８Ａ、６８Ｂ、第２の梁７２Ａ、７２Ｂ、第３の梁７６Ａ、７６Ｂを切断することにより圧電デバイス１０を個片化することができる。
【００９５】
このとき、第１の梁６８Ａの一部は、第１の凸部２４として第１基板１４の長辺に配置され、第１の梁６８Ｂの一部は、第１の凸部２４として第１基板１４の短辺に配置される。また、第２の梁７２Ａの一部は、第２の凸部４６として圧電振動基板２６の長辺に配置され、第２の梁７２Ｂの一部は、第２の凸部４６として圧電振動基板２６の短辺に配置される。さらに第３の梁７２Ａの一部は、第３の凸部５８として第２基板４８の長辺に配置される。そして、第３の梁７２Ｂは、上述のダイシングにより、第２基板４８の短辺に第３の凸部５８として配置される部分と、第２基板４８から分離するとともに第２基板４８の接続部３２Ａ、３２Ｂに対向する側面に剥離痕６０を形成する部分と、に分離する。
【００９６】
上記構成において、第１の梁６８Ａ、６８Ｂ、第２の梁７２Ａ、７２Ｂ、第３の梁７６Ａ、７６Ｂは、それぞれ第１基板１４、圧電振動基板２６、第２基板４８の幅より十分細くなるように設計することができる。よって、ダイシングブレード９４の第１ウェハ６６、圧電振動ウェハ７０、第２ウェハ７４との切断時の接触断面積を小さくすることができる。したがって、ダイシングにより発生する振動を抑制して層間の剥離や振動部３４の破損を防止して、歩留の高い圧電デバイス１０を量産することができる。また、第１基板１４、圧電振動基板２６、第２基板４８をダイシングすることはないので、ダイシング時の各基板のチッピングを回避することができる。
【００９７】
また本実施形態において、第１の梁６８Ｂは、第１基板１４のスリット２０により二分された一辺に接続され、第２の梁７２Ｂは、圧電振動基板２６のスリット２０により二分された一辺に接続され、第３の梁７６Ｂは、第２基板４８の接続部３２Ａ、３２Ｂ側の一辺に接続されている。
【００９８】
これにより、第１の梁６８Ｂ、第２の梁７２Ｂはそれぞれスリット２０、スリット３０に形成された側面には接続されることはなく、第１の梁６８Ｂ、第２の梁７２Ｂは、第３の梁７６Ｂよりも短くなる（図１、図６参照）。また第２の梁７２Ｂが、第１の梁６８Ｂ、第３の梁７６Ｂに挟まれる態様で第１の梁６８Ｂ、第２の梁７２Ｂ、第３の梁７６Ｂは接合され、この接合位置においてダイシングが行われる。よって、第１の梁６８Ｂ及び第２の梁７２Ｂのダイシング位置と、各梁の個片積層体（圧電デバイス１０）との接続位置と、が互いに接近するため、ダイシング時の個片積層体（圧電デバイス１０）に対するモーメントを小さくすることができる。したがって、ダイシング時に個片構造体（圧電デバイス１０）に印加される応力を緩和し、これに起因する個片構造体（圧電デバイス１０）の特性のバラつきの発生を抑制することができる。
【００９９】
図７に、第２実施形態のウェハの積層構造の分解斜視図と、これを積層したのちに個片化して得られる第２実施形態の圧電デバイス（図中右下）の斜視図を示す。なお、以後の実施形態において、第１実施形態と共通する構成要素については同一の番号を付するものとし、必要な場合を除いてその説明を省略する。
【０１００】
第２実施形態のウェハの積層構造１１０および圧電デバイス１００は、基本的には第１実施形態と構成が共通するが、第２実施形態において、第１の梁１０２は、スリット２０により二分された第１基板１４の一辺（短辺）のスリット２０により形成された端部に接続されている。また、第２の梁１０４は、スリット３０により二分された圧電振動基板２６の一辺（短辺）のスリット３０により形成された端部に接続されている。さらに、第３の梁１０６は、接続部３２Ａ、３２Ｂのスリット２０、３０側に積層されている。
【０１０１】
すなわち、第１の梁１０２は、スリット２０が形成された第１基板１４の辺（短辺）において、スリット２０の幅方向の両端となる位置でスリット２０を挟むように一対で配置されている。また、第２の梁１０４は、スリット３０が形成された圧電振動基板２６の辺（短辺）において、スリット３０の幅方向の両端となる位置でスリット３０を挟むように一対で配置されている。さらに第３の梁１０６は、スリット３０（スリット２０）に対向する第２基板４８の辺（短辺）において、積層方向から見てスリット３０（スリット２０）の幅方向の両端となる位置でスリット３０（スリット２０）を挟むように一対で配置されている。そして、第３の梁１０６は、各ウェハの積層後に接続部３２Ａ、３２Ｂに積層される。
【０１０２】
第１の梁１０２、第２の梁１０４は、ウェハの積層後のダイシングにより、それぞれ第１の凸部２４、第２の凸部４６となる。またウェハの積層により接続部３２Ａ、３２Ｂに積層される第３の梁１０６は、ウェハの積層後のダイシングにより延出部１０８として接続部３２Ａ、３２Ｂ上に配置される。また残りの第３の梁１０６はウェハの積層後のダイシングにより第３の凸部５８となる。
【０１０３】
上記構成において、第１の梁１０２、第２の梁１０４、第３の梁１０６をダイシングして圧電デバイス１００を個片化したとき、第３の梁１０６の接続部３２Ａ、３２Ｂに積層した部分（延出部１０８）は、積層方向から見てスリット３０（スリット２０）の幅方向の両端となる位置に残ることになる。したがって、一対のパッド電極４２Ａ、４２Ｂ間に第３の梁１０６（延出部１０８）が障壁として配置されることになるので、パッド電極４２Ａ、４２Ｂ間の短絡を防止することができる。
【０１０４】
なお、本実施形態において、第３の梁１０６の接続部３２Ａ、３２Ｂに積層される部分（延出部１０８）は、第１実施形態のように薄肉に形成する必要はない。また第１ウェハ６６、圧電振動ウェハ７０、第２ウェハ７４のダイシングの位置は第１実施形態と同様である。
【０１０５】
図８に、第３実施形態のウェハの積層構造の分解斜視図と、これを積層したのちに個片化して得られる第３実施形態の圧電デバイス（図中右下）の斜視図を示す。第３実施形態のウェハの積層構造１３０および圧電デバイス１２０は、基本的には第１実施形態と構成が共通するが、第１の梁１２２は、第１基板１４のスリット２０により二分された一辺（短辺）の外側端部となる位置に接続され、第２の梁１２４は、圧電振動基板２６のスリット３０により二分された一辺（短辺）の外側端部となる位置に接続され、第３の梁１２６は、接続部３２Ａ、３２Ｂの外側端部に積層されている。
【０１０６】
すなわち、第１の梁１２２は、第１基板１４のスリット２０が形成された辺（短辺）の両端となる位置でスリット２０を挟むように一対で配置されている。また、第２の梁１２４は、圧電振動基板２６のスリット３０が形成された辺（短辺）の両端となる位置でスリット３０を挟むように一対で配置されている。さらに第３の梁１２６は、第２基板４８のスリット３０（スリット２０）に対向する辺（短辺）の両端となる位置でスリット３０（スリット２０）を挟むように一対で配置されている。第３の梁１２６は、各ウェハの積層後に接続部３２Ａ、３２Ｂに積層されている。
【０１０７】
第１の梁１２２、第２の梁１２４は、ウェハの積層後のダイシングにより、それぞれ第１の凸部２４、第２の凸部４６となる。また、ウェハの積層により接続部３２Ａ、３２Ｂに積層される第３の梁１２６は、ウェハの積層後のダイシングにより延出部１２８として接続部３２Ａ、３２Ｂ上に配置される。また残りの第３の梁１２６はウェハの積層後のダイシングにより第３の凸部５８となる。
【０１０８】
圧電デバイス１０を実装後パッド電極にワイヤー１９６（図１４参照）を接続したのち、パッド電極４２Ａ、４２Ｂのワイヤー接続部を保護するため、ワイヤー１９６のパッド電極４２Ａ、４２Ｂとの接合部分に導電性の接着剤を塗布する場合がある。一方、本実施形態において、第１の梁１２２、第２の梁１２４、第３の梁１２６をダイシングして圧電デバイス１２０を個片化したとき、第３の梁１２６の接続部３２Ａ、３２Ｂに積層した部分（延出部１２８）は、圧電振動基板２６の周縁に沿ってそのまま残ることになる。したがって、ワイヤー１９６に塗布する接着剤の圧電デバイス１２０の側面への流れ出しを防止して、ワイヤー１９６の保護を効率よく行うことができる。
【０１０９】
図９に、第４実施形態のウェハの積層構造の分解斜視図を示す。図１０に、第４実施形態の圧電デバイスの模式図であり、図１０（ａ）は圧電デバイスを構成する圧電素子基板の下面を示し、図１０（ｂ）は図８のウェハの積層構造を個片化して得られる第３実施形態の圧電デバイスの斜視図である。また、図１１に、第４実施形態の圧電デバイスの拡大斜視図である。第４実施形態のウェハの積層構造１６２及び圧電デバイス１４０において、第１の梁１４２は、第１基板１４のスリット２０が形成された辺（短辺）において、その両端となる位置と、スリット２０の幅方向の両端となる位置と、の間となる位置でスリット２０を挟むように一対で配置されている。
【０１１０】
第２の梁１４４は、圧電振動基板２６のスリット３０が形成された辺（短辺）において、その両端となる位置と、スリット３０の幅方向の両端となる位置と、の間となる位置でスリット３０を挟むように一対で配置されている。第３の梁１４６は、第２基板４８のスリット３０（スリット２０）に対向する辺（短辺）において、その両端となる位置と、積層方向から見てスリット３０（スリット２０）の幅方向の両端となる位置と、の間となる位置でスリット３０（スリット２０）を挟むように一対で配置されるとともに接続部３２Ａ、３２Ｂに積層されている。
【０１１１】
第１の梁１４２、第２の梁１４４は、ウェハの積層後のダイシングにより、それぞれ第１の凸部２４、第２の凸部４６となる。またウェハの積層により接続部３２Ａ、３２Ｂに積層される第３の梁１４６は、ウェハの積層後のダイシングにより延出部１４８として接続部３２Ａ、３２Ｂに配置される。また残りの第３の梁１４６はウェハの積層後のダイシングにより第３の凸部５８となる。
【０１１２】
接続部３２Ａは、第３の梁１４６（延出部１４８）が接続部３２Ａに積層されることにより、スリット３０に隣接する第１の分割接続部１５０Ａと、第３の梁１４６により第１の分割接続部１５０Ａと隔てられた第２の分割接続部１５２Ａとに分割される。
【０１１３】
同様に、接続部３２Ｂは、第３の梁１４６（延出部１４８）が接続部３２Ｂに積層されることにより、スリット３０に隣接する第１の分割接続部１５０Ｂと、第３の梁１４６により第１の分割接続部１５０Ｂと隔てられた第２の分割接続部１５２Ｂとに分割される。
【０１１４】
圧電振動基板１５４は、上述の振動部３４、第１基部３６、第２基部３８、支持部４０Ａ、４０Ｂ、枠部２８を有する。また圧電振動基板１５４は、一対の基部（第１基部３６、第２基部３８）、または枠部２８に接続された音叉型圧電振動片１５６と、第１の分割接続部１５０Ａに配置され、音叉型圧電振動片１５６に電気的に接続する第２のパッド電極１５８Ａと、第１の分割接続部１５０Ｂに配置され、音叉型圧電振動片１５６に電気的に接続する第２のパッド電極１５８Ｂと、を有する。そして、本実施形態において、振動部３４に電気的に接続するパッド電極４２Ａは、第２の分割接続部１５２Ａに配置され、パッド電極４２Ｂは第２の分割接続部１５２Ｂに配置される。
【０１１５】
音叉型圧電振動片１５６は、２本の振動腕により形成されている。そして振動腕には一対の励振電極（不図示）が形成されている。そして、一対の励振電極（不図示）のうちの一方の励振電極（不図示）と第２のパッド電極１５８Ａとは引出電極１６０Ａを介して電気的に接続され、他方の励振電極（不図示）と第２のパッド電極１５８Ｂとは引出電極１６０Ｂを介して電気的に接続される。
【０１１６】
引出電極１６０Ａは、一方の励振電極（不図示）から枠部２８の第１基板１４に対向する面を経由し、スリット３０の内側の側面を経由し、第１の分割接続部１５０Ａ側に配置された第２のパッド電極１５８Ａに接続する。同様に、引出電極１６０Ｂは、一方の励振電極（不図示）から枠部２８の第１基板１４に対向する面であって引出電極１６０Ａと短絡しない部分を経由し、スリット３０の内側の側面を経由し、第１の分割接続部１５０Ｂ側に配置された第２のパッド電極１５８Ｂに接続する。
【０１１７】
一方、振動部３４に形成された一対の励振電極（不図示）のうち一方の励振電極（不図示）と第２の分割接続部１５２Ａに配置されたパッド電極４２Ａとを接続する引出電極４４Ａは、励振電極（不図示）から枠部２８の第２基板４８に対向する面を経由してパッド電極４２Ａに接続する。同様に、一対の励振電極（不図示）のうち他方の励振電極（不図示）と第２の分割接続部１５２Ｂに配置されたパッド電極４２Ｂとを接続する引出電極４４Ｂは、励振電極（不図示）から枠部２８の第２基板４８に対向する面であって引出電極４４Ａと短絡しない部分を経由してパッド電極４２Ａに接続する。よって引出電極４４Ａ、４４Ｂと引出電極１６０Ａ、１６０Ｂとは互いに短絡することはない。
【０１１８】
図９では、音叉型圧電振動片１５６は、圧電振動基板１５４と一体的に形成され、枠部２８に接続されているが、第１基部３６または第２基部３８に接続してもよい。また、音叉型圧電振動片１５６は、温度に対応して共振周波数が変化する。よって音叉型圧電振動片１５６の共振周波数をモニターすることにより、振動部３４の温度を測定することができる。したがって、振動部３４の温度を測定することにより振動部３４の共振周波数の温度補償を高精度に行うことが可能となる。
【０１１９】
上記構成により、パッド電極４２Ａ、４２Ｂと第２のパッド電極１５８Ａ、１５８Ｂとは、延出部１４８（第３の梁１４６）により互いに隔てられているので、パッド電極４２Ａ、４２Ｂと第２のパッド電極１５８Ａ、１５８Ｂとの短絡を防止して音叉型圧電振動片１５６を有する圧電デバイス１４０の製造の歩留を高めることができる。
【０１２０】
図１２に、第５実施形態のウェハの積層構造の分解斜視図と、これを積層したのちに個片化して得られる第５実施形態の圧電デバイス（図中右下）の斜視図を示す。第５実施形態のウェハの積層構造１８０及び圧電デバイス１７０は、第１基板１４と圧電振動基板１５４を連通し、第１基板１４及び圧電振動基板２６のスリット（スリット２０、スリット３０）が形成された辺に対向する辺を二分するように切り欠く第２のスリット（第２のスリット１７２、第２のスリット１７６）が設けられている。圧電振動基板１５４は、一対の基部（第１基部３６、第２基部３８）、または枠部２８に接続された音叉型圧電振動片１５６と、第２のスリット１７６により形成された一対の第２の接続部１７８Ａ、１７８Ｂが形成されている。枠部２８は、接続部３２Ａ、３２Ｂと第２の接続部１７８Ａ、１７８Ｂとの間に配置されている。そして、第２の接続部１７８Ａには、音叉型圧電振動片１５６に電気的に接続する第２のパッド電極１５８Ａが配置され、第２の接続部１７８Ａには、音叉型圧電振動片１５６に電気的に接続する第２のパッド電極１５８Ｂが配置される。
【０１２１】
ここで、第２の接続部１７８Ａ、１７８Ｂは、接続部３２Ａ、３２Ｂ同様、圧電振動基板１５４に第２基板４８を積層したのちも露出することになる。また第２のスリット１７２により、第１基板１４の第２の接続部１７８Ａが積層される位置には第２のマウント部１７４Ａが形成され、第１基板１４の第２の接続部１７８Ｂが積層される位置には第２のマウント部１７４Ｂが形成される。上記構成により、パッド電極４２Ａ、４２Ｂと第２のパッド電極１５８Ａ、１５８Ｂは第２基板４８を挟んで互いに反対側に配置されることになる。したがってパッド電極４２Ａ、４２Ｂと第２のパッド電極１５８Ａ、１５８Ｂとの短絡を防止して音叉型圧電振動片１５６を有する圧電デバイス１７０の製造の歩留を高めることができる。
【０１２２】
図１３に、本実施形態のウェハの積層構造において、折り取り部を形成した場合の模式図を示し、図１３（ａ）は、第１ウェハ、圧電素子ウェハ、第２ウェハのそれぞれの折り取り部の平面図、図１３（ｂ）は第１ウェハ、圧電素子ウェハ、第２ウェハを積層した場合の各折り取り部の側面図を示す。本実施形態は、上述の全ての実施形態に適用可能であるが、第１実施形態を例に説明する。さらに本実施形態では、第１の梁６８Ｂ、第２の梁７２Ｂ、第３の梁７６Ｂに適用した場合について説明する。第１実施形態においては、第１の梁６８Ａ、６８Ｂ、第２の梁７２Ａ、７２Ｂ、第３の梁７６Ａ、７６Ｂをダイシングすることにより圧電デバイス１０を個片化することを前提として述べてきたが、本実施形態により、折り取りによっても個片化することが可能である。
【０１２３】
図１３（ａ）に示すように、第１の梁６８Ｂには、第１の折り取り部１８２が配置され、第２の梁７２Ｂには、第２の折り取り部１８４が配置され、第３の梁７６Ｂには、第３の折り取り部１８６が配置されている。第１の折り取り部１８２は、第１の梁６８Ｂの中央部において、その幅方向及び厚み方向にサンドブラストを施すことにより形成することができる。第３の折り取り部１８６も、第３の梁７６Ｂの中央部において、その幅方向及び厚み方向にサンドブラストを施すことにより形成することができる。一方、第２の折り取り部１８４はエッチングにより形成することが可能である。すなわち、第２の折り取り部１８４を形成するための第２の梁７２Ｂの幅方向のエッチングは、圧電振動基板２６の外形（第２の梁７２Ｂを含む）をエッチングで形成する工程と同時に形成することができる。一方、振動部３４の発振効率を高めるため、振動部３４を構成する柱状ビームに柱状ビームの厚み方向から溝を形成するハーフエッチングを施して柱状ビームの重量を軽減することが行なわれる。この工程は圧電振動基板２６の外形を形成したのち、振動部３４の厚み方向の両面に行なう。したがって、第２の折り取り部１８４を形成するための第２の梁７２Ｂの厚み方向のハーフエッチングは、この溝の形成と同時に行うことができ、第２の梁７２Ｂの厚み方向の両面からハーフエッチングを行なうことができる。
【０１２４】
このようにして形成された、第１の折り取り部１８２、第２の折り取り部１８４、第３の折り取り部１８６は、積層方向から見て重なるように配置される。したがって各折り取り部に力を印加することにより、各折り取り部を破断させることができる。したがって、ダイシングによらず、第１の梁６８Ｂ、第２の梁７２Ｂ、第３の梁７６Ｂを折り取ることができる。同様に、第１の梁６８Ａにも第１の折り取り部１８２を形成し、第２の梁７２Ａに第２の折り取り部１８４を形成し、第３の梁７６Ａに第３の折り取り部１８６を形成し、第１の梁６８Ａ、第２の梁７２Ａ、第３の梁７６Ａを破断することができる。これにより、圧電デバイス１０を個片化することができる。よって、層間の剥離や振動部３４の破損を効率的に防止して、歩留の高い圧電デバイス１０を量産することができる。
【０１２５】
図１４に、本実施形態の電子デバイスを実装基板に搭載する場合の模式図であり、図１４（ａ）は斜視図、図１４（ｂ）は第１基板の下面の中央部と実装基板とを接続部材により接合する場合、図１４（ｃ）は第１基板に形成されたマウント部と実装基板とを接続部材により接合する場合を示す。本実施形態においても第１実施形態を例にとって説明する。図１４（ａ）に示すように、圧電デバイス１０を実装基板１９２上に搭載した圧電モジュール１９０を構成することができる。図１４（ａ）に示すように、パッド電極４２Ａ、４２Ｂと実装基板上の接続電極１９４Ａ、１９４Ｂをワイヤー１９６により接続することができる。そして圧電デバイス１０と実装基板１９２の搭載方法としては図１４（ｂ）、図１４（ｃ）に示す方法で行なうことができる。
【０１２６】
図１４（ｂ）では、第１基板１４の下面の中央部にエポキシ系樹脂等の接合部材１９８を塗布し、この中央部において一点支持状態で実装基板１９２に接合している。さらに圧電デバイス１０（第１基板１４）と実装基板１９２との間には接合部材１９８による隙間が形成されるが、この隙間にシリコン系樹脂等による緩衝材２００を充填している。
【０１２７】
図１４（ｃ）では、第１基板１４のマウント部２２Ａ、２２Ｂの下面に接合部材１９８をそれぞれ塗布している。そして圧電デバイスの長手方向の一端となるマウント部２２Ａ、２２Ｂの２点を固定端とし、圧電デバイス１０の長手方向の他端を自由端とした片持ち支持状態で実装基板１９２に接合されている。そして、図１４（ｂ）と同様に圧電デバイス１０と実装基板１９２との間を緩衝材２００により充填している。
【０１２８】
上記いずれの構成においても、接合部材１９８と第１基板１４との間で熱歪み等の応力が発生するが、この応力は圧電デバイス１０を伝播するに従って緩和される。そして、図１４（ｂ）に示すように、圧電デバイス１０を第１基板の中央部に一点支持状態で実装基板１９２に実装した場合は、第１基板１４の接合部材１９８が配置された位置から振動部３４への経路が最も長くなる。よって効率的に応力を緩和させ振動部３４への悪影響を低減させることができる。
【０１２９】
また図１４（ｃ）に示すように、マウント部２２Ａ、２２Ｂにおいて二点支持状態で実装基板１９２に実装した場合は、マウント部２２Ａ、２２Ｂ間に熱歪み等の応力が発生し得るが、マウント部２２Ａ、２２Ｂの間にはスリット２０が配置されているので、マウント部２２Ａ、２２Ｂは応力に応じて屈曲変形することができる。よってマウント部２２Ａ、２２Ｂにおいて応力を緩和させ振動部３４への悪影響を低減させることができる。また、マウント部２２Ａ、２２Ｂは接続部３２Ａ、３２Ｂの真下に配置されることになる。よってマウント部２２Ａ、２２Ｂの下面に接合部材１９８を塗布して、圧電デバイス１０を実装基板１９２に実装する場合は、接続部３２Ａ、３２Ｂ上のパッド電極４２Ａ、４２Ｂの真下に接合部材１９８が来る形となるので、ワイヤー１９６を容易に接続することができる。
【０１３０】
したがって、いずれの場合においても、熱歪み等の応力の伝達を緩和して振動部３４への悪影響を低減した圧電モジュール１９０となる。なお第５実施形態（図１２）においては、マウント部２２Ａ、２２Ｂ、第２のマウント部１７４Ａ、１７４Ｂいずれか一方で二点支持を行なうことができる。また圧電デバイス１０と実装基板１９２との間の隙間にシリコン系樹脂等の充填剤を充填することにより、圧電モジュール１９０の耐衝撃性を高めることができる。
【０１３１】
図１５に、本実施形態のウェハの積層構造及び圧電デバイスにおいて、振動部としてＡＴカット振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電デバイス（図中右下）の斜視図を示す。また図中左上に圧電振動基板の下面の斜視図を示す。
【０１３２】
上記実施形態において、振動部３４は柱状ビームを用いたものであったが、図１５に示すように、本実施形態の圧電デバイス２１０において、その振動部２０２としてＡＴカット振動片を適用することができる。なお、その他の構成要素は、例えば第１実施形態と同様となっている。振動部２０２の圧電振動基板２６の長辺方向の両端には、第１実施形態と同様に第１基部３６と第２基部３８が接続されている。そして振動部２０２の両面にはＡＴカット振動片において厚みすべり振動を励振する励振電極２０４Ａ、２０４Ｂが配置されている。
【０１３３】
パッド電極４２Ａ、４２Ｂは、第１実施形態と同様に接続部３２Ａ、３２Ｂ（上面）に配置されている。このうち、パッド電極４２Ａは、第２基板４８（ダイアフラム５６）に対向する励振電極２０４Ａと引出電極２０６Ａを介して接続される。引出電極２０６Ａは、圧電振動基板２６の第２基板４８に対向する面に配置され、励振電極２０４Ａから、第１基部３６、支持部４０Ａ、枠部２８、接続部３２Ａ（上面）を経由してパッド電極４２Ａに接続する。
【０１３４】
一方、パッド電極４２Ｂは、第１基板１４に対向する励振電極２０４Ｂと引出電極２０６Ｂを介して接続される。引出電極２０６Ｂは、圧電振動基板２６の第１基板１４の対向する面に配置され、励振電極２０４Ｂから、第１基部３６、支持部４０Ａ、枠部２８、接続部３２Ｂのマウント部２２Ｂに対向する面を経由し、スリット３０の側面を経由して接続部３２Ｂ（上面）に引き出されパッド電極４２Ｂに接続する。よってパッド電極４２Ａ、４２Ｂに交流電圧を印加すると振動部２０２は励振電極２０４Ａ、２０４Ｂに印加された交流電圧により所定の共振周波数で厚みすべり振動を共振する。そして振動部２０２には第１実施形態と同様にダイアフラム５６が受けた圧力に応じた引張応力を受けるため、この応力に応じて共振周波数が変化する。したがって、この共振周波数の変化をモニターすることによりダイアフラム５６に印加された圧力を検知することができる。このように本実施形態の圧電デバイス１０等の振動部としては双音叉型振動片やＡＴカット振動片を用いることができ、感度の高い圧力センサーとして利用することができる。
【０１３５】
いずれの実施形態においても、第１ウェハ６６、圧電振動ウェハ７０、第２ウェハ７４の積層構造を形成したのち、ダイシング（若しくは折り取り）して圧電デバイス１０等を個片化する旨説明したが、これに限定されない。即ち、上述の各ウェハにおいて、第１基板１４、圧電振動基板２６、第２基板４８をそれぞれ個片化したのち、第１基板１４、圧電振動基板２６、第２基板４８を積層して圧電デバイス１０等を構築することができる。このとき第１の凸部２４、第２の凸部４６、第３の凸部５８が互いに重なるように配置されているので、各凸部を積層の際のアライメントの目印に用いることができ、積層を容易に行うことができる。またいずれの実施形態においても振動部３４（振動部２０２）の長手方向（第１基部３６と第２基部３８とを結ぶ線の方向）が圧電デバイス１０等の長辺に平行な方向に配置され、スリット２０、３０が圧電デバイス１０等の短辺に配置されているが、振動部３４（振動部２０２）の長手方向を圧電デバイス１０等の短辺に平行な方向に配置し、スリット２０、３０を圧電デバイス１０等の長辺に配置してもよい。
【０１３６】
また上述の圧電モジュール１９０において、圧電デバイス１０等に電気的に接続する集積回路（不図示）、すなわち振動部３４（振動部２０２）を駆動させるとともに振動部３４（振動部２０２）の周波数の情報を取得可能な集積回路（不図示）を搭載することが可能である、また上述の圧電デバイス１０等において、第２基板４８を取り払った場合は、振動部３４（振動部２０２）を発振源とする発振器として機能させることができる。したがって、自ら発振する発振器としての機能、または自ら圧力を測定する圧力センサーとしての機能を有する圧電モジュール１９０を構築することができる。
【０１３７】
なお、上述した実施形態では、圧電デバイスとして圧力センサーについて説明したが、本発明は、上記実施例に限定されるものでなく、その技術的範囲内で様々な変形又は変更を加えて実施することができる。
【０１３８】
図１６に、本実施形態の圧電デバイスにおいて、振動部として音叉型振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電振動基板の下面の模式図を示す。また、図１７に、本実施形態の圧電デバイスにおいて、振動部としてＡＴカット振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電振動基板の下面の模式図を示す。
【０１３９】
例えば、本発明は、３層以上の構造を有し且つ中間層として圧電振動基板が含まれる温度センサー、圧電振動子等の圧電デバイスに適用することができる。圧電振動基板の振動部としては、図１７に示すように音叉型振動片や、図１８に示すようにＡＴカット水晶振動片を適用することができる。また、水晶のＸ軸（電気軸）を中心にして所定の角度だけ回転して得られる回転Ｙ板を用いた水晶振動子、その他のカットで切断された水晶振動子、水晶以外の圧電材料を用いた圧電振動子、等を広く適用できる。
【０１４０】
図１６においては、第１基板１４、振動部２１２を有する圧電振動基板２６、第２基板４８からなる３層構造の圧電デバイス１１となっている。そして圧電振動基板２６において、パッド電極４２Ａに接続された引出電極２１４Ａが振動部２１２に配置された励振電極２１６Ａに接続され、パッド電極４２Ｂに接続された引出電極２１４Ｂが振動部２１２に配置された励振電極２１６Ｂに接続されている。そして、パッド電極４２Ａ、４２Ｂに交流電圧を印加することにより振動部２１２が屈曲振動をする。
【０１４１】
図１７においては、第１基板１４、振動部２１８を有する圧電振動基板２６、第２基板４８からなる３層構造の圧電デバイス１１ａとなっている。そして圧電振動基板２６において、パッド電極４２Ａに接続された引出電極２２０Ａが振動部２１８に配置された励振電極２２２Ａに接続され、パッド電極４２Ｂに接続された引出電極２２０Ｂが振動部２１８に配置された励振電極２２２Ｂに接続されている。そして、パッド電極４２Ａ、４２Ｂに交流電圧を印加することにより振動部２１８が厚みすべり振動をする。なお、図１７、図１８における他の構成要素は第１実施形態等と同様なので説明を省略する。
【０１４２】
本発明の圧電デバイスは、上述した圧電モジュール以外に、例えば携帯電話、ハードディスク、パーソナルコンピューター、ＢＳ及びＣＳ放送用の受信チューナー、同軸ケーブルや光ケーブル中を伝搬する高周波信号や光信号用の各種処理装置、広い温度範囲で高周波・高精度クロック（低ジッタ、低位相雑音）を必要とするサーバー・ネットワーク機器、無線通信用機器等の様々な電子機器、加速度センサー、回転速度センサー等の各種センサー装置にも広く適用することができる。
【０１４３】
このような各種センサー装置及び電子機器としては、例えば一般工業用計測機器、電子血圧計、高度・気圧・水深計測機能付き電子機器、携帯機器、自動車などが挙げられる。そして、上述のように外力によるダイアフラムの機械的な変形を電気的信号として計測するものとして圧力センサーは携帯電話機やパソコン等の小型の携帯機器での高度計測に前記圧力センサーを応用してマイクロホンとして利用可能である。
【０１４４】
更に、近年注目をされるようになった水素やメタノール等の燃料電池は、軽量化や利便性等に起因して、例えば、ビデオカメラ、ノート型パーソナルコンピューター、携帯用電話機、携帯情報端末機（ＰｅｒｓｏｎａｌＤｉｇｉｔａｌ   Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ：ＰＤＡ）、オーディオプレーヤ、プロジェクタ載置台、カプセル型医療機器の通信機能を具備した電子機器といった各種情報処理装置の燃料電池としての用途が考えられる。
【０１４５】
図１８に、本実施形態の圧電デバイスを燃料電池システムに搭載した場合の系統図を示す。図１８に示すように、燃料電池システム２２４は、水素を燃料として電力を発生させる燃料電池セル２２６と、該燃料電池セル２２６に水素を供給する水素吸蔵合金容器２２８と、該水素吸蔵合金容器２２８と上記燃料電池セル２２６との間に配設された圧力検出用の圧力センサー２３０と、圧力調整弁２３２と安全弁２３４とを備えている。この燃料電池システム２２４において、本発明に係る圧電デバイス１０等を圧力センサー２３０として使用することができる。
【０１４６】
図１９に、本実施形態の圧電デバイスを車両用情報記録装置に搭載した場合のブロック図を示す。図１９に示すように、事故等のイベント発生時前後の必要な時間のみについて、デジタルタコグラフ２３８とドライブレコーダ２４８の双方が生成するデータを関連付けて記録し、その後の解析等に有用なデータを提供することが可能な車両用情報記録装置２３６がある。
【０１４７】
この車両用情報記録装置２３６において、前記デジタルタコグラフ２３８は、車両の走行状況を検出する走行状況検知手段２４０と、前記ドライブレコーダ２４８との間で情報を送受信するデジタルタコグラフ通信手段２４２と、情報を記録するデジタルタコグラフ記録手段２４４と、前記走行状況検知手段２４０から入力した走行状況および前記デジタルタコグラフ通信手段２４２から受信した情報を受けて、前記デジタルタコグラフ記録手段２４４に情報を記録するデジタルタコグラフ制御部２４６と、を有しているが、走行状況検知手段２４０として、高精度な圧力（高度）検出が可能な本発明に係る圧電デバイス１０を圧力センサーとして適用できる。
【０１４８】
更に、被測定者にかかる負荷を検出する活動量計側システムにおいて、前記負荷を圧力として検出する場合においては、検出器として、本発明に係る圧力センサー（圧電デバイス１０等）を適用できる。
【０１４９】
また、警戒モードと、非警戒モードとに設定可能なセキュリティシステムであって、人体の少なくとも一部を検知可能な人体検知手段と、前記人体検知手段が前記人体の少なくとも一部を検知したことに応じて、信号を出力する出力手段と、前記出力手段からの出力信号を受けて、前記警戒モードを設定する警戒モード設定手段と、を備えるセキュリティシステムがある。このセキュリティシステムにおいて、外部からの侵入または異常を検知する異常検知センサーと、前記異常検知センサーが異常を検知したときに警報を発する警報手段とをさらに含み、前記警戒モード設定手段は、前記警戒モードに応じて、前記異常検知センサーと、前記警報手段とによる警戒動作を作動させる。このセキュリティシステムを構成する前記異常検知センサーとして、本発明に係る圧力センサー（圧電デバイス１０等）を適用できる。
【０１５０】
更に、本発明の電子機器の一例である腕時計型電子機器の本体には、本発明に係る圧力センサー（圧電デバイス１０等）を備えることができ、ダイナミックレンジやリニアリティなどの特性に優れた圧力センサー（圧電デバイス１０等）を備えた電気機器となる。
【０１５１】
更に、特に自動車においては、例えばインテークマニホールド圧若しくはチャージ圧、ブレーキ圧、エアサスペンション圧、タイヤ圧、ハイドロリック貯蔵圧、ショックアブソーバ圧、冷却媒体圧、自動変速機における変調圧、ブレーキ圧、タンク圧用の圧力検出に本発明に係る圧力センサー（圧電デバイス１０等）を適用できる。
【０１５２】
図２０に、本実施形態の圧電デバイスを側面衝突検出装置に搭載した場合の模式図を示す。車両２５２のサイドドア２５４の内部に配設された圧力センサー２５８により、車両２５２の側面に加わる衝撃を検出する側面衝突検出装置２５０を構成することができる。この側面衝突検出装置２５０において、前記圧力センサー２５８は、圧力を検出するダイアフラム（ダイアフラム５６）を有し、そのダイアフラムの受圧面が前記サイドドア２５４の内部空間２５６の圧力変動により歪むことを検出することによって車両２５２の側面に加わる衝撃を検出することができる。そして、例えば、ダイアフラムの受圧面の法線と、水平な前記車両２５２の前後方向の直線とのなす角を６０度から９０度に設定することにより、衝突時に圧力センサー２５２のダイアフラムが衝撃力を受けた場合に、これを圧力変化として検出する度合いを少なくして、圧力の変化をより高精度に検出することができる。この側面衝突検出装置２５０に用いる圧力センサー２５０として本実施形態の圧電デバイス１０等を適用することができる。
【符号の説明】
【０１５３】
１０………圧電デバイス、１１………圧電デバイス、１１ａ………圧電デバイス、１２………パッケージ、１３………内部空間、１４………第１基板、１６………凹部、１８………外周部、２０………スリット、２２Ａ………マウント部、２２Ｂ………マウント部、２４………第１の凸部、２６………圧電振動基板、２８………枠部、３０………スリット、３２Ａ………接続部、３２Ｂ………接続部、３４………振動部、３６………第１基部、３８………第２基部、４０Ａ………支持部、４０Ｂ………支持部、４２Ａ………パッド電極、４２Ｂ………パッド電極、４４Ａ………引出電極、４４Ｂ………引出電極、４６………第２の凸部、４８………第２基板、５０………凹部、５２………外周部、５４Ａ………力伝達部、５４Ｂ………力伝達部、５６………ダイアフラム、５８………第３の凸部、６０………剥離痕、６２………接着層、６４………積層構造、６６………第１ウェハ、６８Ａ………第１の梁、６８Ｂ………第１の梁、７０………圧電振動ウェハ、７２Ａ………第２の梁、７２Ｂ………第２の梁、７４………第２ウェハ、７６Ａ………第３の梁、７６Ｂ………第３の梁、７８………隙間、８０………切り込み、８２………第１側面、８４………第２側面、８６………第１側面、８８………第２側面、９０………第３側面、９２………第４側面、９４………ダイシングブレード、１００………圧電デバイス、１０２………第１の梁、１０４………第２の梁、１０６………第３の梁、１０８………延出部、１１０………積層構造、１２０………圧電デバイス、１２２………第１の梁、１２４………第２の梁、１２６………第３の梁、１２８………延出部、１３０………積層構造、１４０………圧電デバイス、１４２………第１の梁、１４４………第２の梁、１４６………第３の梁、１４８………延出部、１５０Ａ………第１の分割接続部、１５０Ｂ………第１の分割接続部、１５２Ａ………第２の分割接続部、１５２Ｂ………第２の分割接続部、１５４………圧電振動基板、１５６………音叉型圧電振動片、１５８Ａ………第２のパッド電極、１５８Ｂ………第２のパッド電極、１６０Ａ………引出電極、１６０Ｂ………引出電極、１６２………積層構造、１７０………圧電デバイス、１７２………第２のスリット、１７４Ａ………第２のマウント部、１７４Ｂ………第２のマウント部、１７６………第２のスリット、１７８Ａ………第２の接続部、１７８Ｂ………第２の接続部、１８０………積層構造、１８２………第１の折り取り部、１８４………第２の折り取り部、１８６………第３の折り取り部、１９０………圧電モジュール、１９２………実装基板、１９４Ａ………接続電極、１９４Ｂ………接続電極、１９６………ワイヤー、１９８………接合部材、２００………緩衝材、２０２………振動部、２０４Ａ………励振電極、２０４Ｂ………励振電極、２０６Ａ………引出電極、２０６Ｂ………引出電極、２１０………圧電デバイス、２１２………振動部、２１４Ａ………引出電極、２１４Ｂ………引出電極、２１６Ａ………励振電極、２１６Ｂ………励振電極、２１８………振動部、２２０Ａ………引出電極、２２０Ｂ………引出電極、２２２Ａ………励振電極、２２２Ｂ………励振電極、２２４………燃料電池システム、２２６………燃料電池セル、２２８………水素吸蔵合金容器、２３０………圧力センサー、２３２………圧力調整弁、２３４………安全弁、２３６………車両用情報記録装置、２３８………デジタルタコグラフ、２４０………走行状況検出手段、２４２………デジタルタコグラフ通信手段、２４４………デジタルタコグラフ記録手段、２４６………デジタルタコグラフ制御部、２４８………ドライブレコーダ、２５０………側面衝突検出装置、２５２………車両、２５４………サイドドア、２５６………内部空間、２５８………圧力センサー、３００………圧力センサー、３０２………第１層、３０８………感圧素子層、３１０………感圧素子、３１２………基部、３１８………第２層、３２４………ダイアフラム、３２６………力伝達部、４００………圧力センサー、４０１………第１層、４０２………感圧素子層、４０４………枠部、４０８………振動部、４１０………パッド電極、４１２………第２層、４１４………切欠き部、４１６………凸部、５００………圧電デバイス、５０２………母基板、５０４………母基板、５０６………母基板、６００………圧電デバイス、６０２………感圧素子ウェハ、６０４………第１のウェハ、６０６………第２のウェハ、６１０………溝、６１２………ダイシングブレード、６１４………ダイシングブレード、６１６………第１基板、６１８………感圧素子基板、６２０………第２基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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