【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２１０６８０９号「アクティブマトリクス型表示装置」の特許無効審判事件についてされた平成１７年　４月１１日付け審決に対し、知的財産高等裁判所において審決取消の決定（平成１７年（行ケ）第１０４４７号　平成１７年　５月２４日決定言渡）があったので、さらに審理のうえ、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２１０６８０９号に係る手続の経緯は以下のとおりである。
平成　２年　５月１１日　出願
平成　８年１１月　６日　設定登録（特公平８−２０６４６，特許２１０６　　　　　　　　　　　　８０９）
平成１６年　６月１８日　判定２００４−６００５４請求
平成１６年　９月２７日　判定（属するとの判断）
平成１６年１０月１３日　本件無効２００４−８０１８６請求
平成１６年１２月２８日　無効２００４−８０２８１請求
平成１７年　２月２３日　無効２００４−８０２８１取り下げ
平成１７年　３月２３日　口頭審理
平成１７年　４月１１日　審決
　　　　　　　　　　　　　請求項１，２に係る特許は無効
　　　　　　　　　　　　　請求項３に係る特許は維持
平成１７年　４月２８日　被請求人が知財高裁出訴（平成１７年（行ヶ）１　　　　　　　　　　　　０４４７）
平成１７年　５月１０日　訂正２００５−３９０７６請求（後に取消しの決　　　　　　　　　　　　定によりみなし取下）
平成１７年　５月２４日　知財高裁において取消しの決定
平成１７年　６月１５日　訂正請求
平成１７年　７月２７日　弁駁書
　
２．訂正の適否について
２−１．訂正の内容
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１を、次のとおり訂正する。
「少なくとも一方が透光性を有する一対の絶縁性基板と、該一対の基板の何れか一方の基板上に縦横に配線された走査線及び信号線と、該走査線及び該信号線とにスイッチング素子を介して接続された絵素電極と、を備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、
　該絵素電極の下方と該当する該信号線の下方とにわたり、該信号線及び該絵素電極の各々に対して一部を重畳して設けられた導電層と、
　該導電層と、該信号線及び該絵素電極との間に設けられ、該導電層と該信号線とを絶縁し、かつ、該導電層と該絵素電極とを絶縁する絶縁膜と、
　該絵素電極と該絶縁膜との間に形成され、該絵素電極に電気的に接続された導電片と、を備え
、
　
上記信号線は、該信号線が突出した突出部を有し、
　
該導電層の一方の端部に該絶縁膜を挟んで該信号線の該突出部が重畳し、該導電層の該信号線と重畳されていない端部に該絶縁膜を挟んで該導電片が重畳している、
（２）訂正事項２
　請求項２を削除する。
（３）訂正事項３
　請求項２の削除に伴い、もとの請求項３を請求項２に繰り上げ、「請求項１又は２に記載のアクティブマトリクス型表示装置。」を、「請求項
１に
（４）訂正事項４
　請求項２の削除に伴い、もとの請求項４を請求項３に繰り上げ、「請求項１又は２に記載のアクティブマトリクス型表示装置。」を、「請求項
１に
（５）訂正事項５
　特許第２１０６８０９号の明細書の「本発明の……達成される。」（公告公報４欄４２行〜５欄２０行）との記載を、「本発明のアクティブマトリックス型表示装置は、少なくとも一方が透光性を有する一対の絶縁性基板と、該一対の基板の何れか一方の基板上に縦横に配線された走査線及び信号線と、該走査線及び該信号線とにスイッチング素子を介して接続された絵素電極とを備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、該絵素電極の下方と該当する該信号線の下方とにわたり、該信号線及び該絵素電極の各々に対して一部を重畳して設けられた導電層と、該導電層と、該信号線及び該絵素電極との間に設けられ、該導電層と該信号線とを絶縁し、かつ、該導電層と該絵素電極とを絶縁する絶縁膜と、該絵素電極と該絶縁膜との間に形成され、該絵素電極に電気的に接続された導電片とを備え
、上記信号線は、該信号線が突出した突出部を有し、該導電層の一方の端部に該絶縁膜を挟んで該信号線の該突出部が重畳し、該導電層の該信号線と重畳されていない端部に該絶縁膜を挟んで該導電片が重畳している
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項１について
　特許明細書には、「第４Ａ図〜第４Ｃ図に本発明の表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の他の実施例を示す。第４Ａ図の基板では、ソースバス配線２３に突出部２３ａが設けられ、導電層３４はこの突出部２３ａに重畳されている。他の導電片３５等の構成は第１図のそれと同様である。」と記載されている。
　また第４Ａ図には、ソースバス配線２３と突出部２３ａの間に境界線等が記載されていないことがみてとれる。そして、この点では第４Ｃ図の、ソースバス配線２３から分岐するソースバス支線２３ｂと同様の描き方であることがみてとれる。
　してみれば、上記記載のみからも、突出部は、
ソースバス配線２３が突出した部分
　そして、上記訂正は、信号線を限定するとともに、限定した事項と他の部材との関連構成を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に当たるものであって、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
　なお、請求人は、弁駁書において、
「（ｃ）さらに、訂正発明１によれば、構成要件１−ｂにおいて、導電層は信号線の下方で一部重畳している（ｉ）項）とあるから、両者の重畳状態はiii）項に示す態様のみに限定される訳ではなく、訂正発明１は、一方の端部が信号線の突出部に重畳しているものの、導電層の一部が信号線とも重畳している様な形態である必要がある。
　例えば、第２Ａ図において、ソースバス配線２３の
左側に突出部を設け
　訂正発明１の文言によっても、上述した形態のものが訂正発明１に包含されていることは明白である。
　しかしながら、このような形態の実施例は出願時の明細書又は図面に全く記載されておらず、訂正発明１が、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものでないことは明らかである。」
と主張するが、請求人の上記主張は、ソースバス配線の接続しない側に突出部を設けるというように、本件明細書の記載事項から通常では発想し得ない事項を捻出して、訂正によりそれが本件特許発明の技術的範囲に含まれることになったので、「記載した事項の範囲内においてなされたものでない」と主張するものであって、牽強付会のそしりを免れないものである。
　そして、訂正事項１が、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内においてなされたことは上記の通りであるから、上記主張は採用するに足らないものである。
（２）訂正事項２について
　上記訂正は、請求項の削除であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正に該当し、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（３）訂正事項３，４について
　上記訂正は、請求項２を削除したことに伴って引用請求項の番号を請求項１のみに訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正に該当し、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（４）訂正事項５について
　上記訂正は、請求項１を減縮したことに伴い発明の詳細な説明を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
２−３．独立特許要件の判断
　無効請求のなされていない請求項３に係る発明（訂正前の請求項４に係る発明）について、上記訂正請求がなされたので、該請求項に係る発明が独立特許要件を満たしているかどうかを検討するに、下記「７．対比・判断」で述べるように、請求項１に係る発明が、甲第１号証発明または甲２号証発明と同一であるとも、また甲第３〜８号証を見ても、甲第１号証及び甲第２号証から容易になしえたとも言うことができないのであるから、これに更に限定した請求項３に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
 
２−４．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書及び特許法第１３４条の２第５項において準用する特許法第１２６条第３項ないし第５項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．本件発明
　上記のとおり請求項２の削除を含む訂正請求が認められたので、本件無効審判事件の請求項に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１，２により特定される次のものである。
「【請求項１】少なくとも一方が透光性を有する一対の絶縁性基板と、該一対の基板の何れか一方の基板上に縦横に配線された走査線及び信号線と、該走査線及び該信号線とにスイッチング素子を介して接続された絵素電極と、を備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、
　該絵素電極の下方と該当する該信号線の下方とにわたり、該信号線及び該絵素電極の各々に対して一部を重畳して設けられた導電層と、
　該導電層と、該信号線及び該絵素電極との間に設けられ、該導電層と該信号線とを絶縁し、かつ、該導電層と該絵素電極とを絶縁する絶縁膜と、
　該絵素電極と該絶縁膜との間に形成され、該絵素電極に電気的に接続された導電片と
、を備え、
　
上記信号線は、該信号線が突出した突出部を有し、
　
該導電層の一方の端部に該絶縁膜を挟んで該信号線の該突出部が重畳し、該導電層の該信号線と重畳されていない端部に該絶縁膜を挟んで該導電片が重畳している、
【請求項２】前記導電層が、前記絵素電極に接続された前記走査線に隣接する走査線に電気的に接続され、該導電層上には陽極酸化膜が形成されている、請求項
１に
　
　そして、本件発明１，２を分節すると次のようになる。
本件発明１：
「１−Ａ　少なくとも一方が透光性を有する一対の絶縁性基板と、該一対の基板の何れか一方の基板上に縦横に配線された走査線及び信号線と、該走査線及び該信号線とにスイッチング素子を介して接続された絵素電極と、を備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、
１−Ｂ　該絵素電極の下方と該当する該信号線の下方とにわたり、該信号線及び該絵素電極の各々に対して一部を重畳して設けられた導電層と、
１−Ｃ　該導電層と、該信号線及び該絵素電極との間に設けられ、該導電層と該信号線とを絶縁し、かつ、該導電層と該絵素電極とを絶縁する絶縁膜と、
１−Ｄ　該絵素電極と該絶縁膜との間に形成され、該絵素電極に電気的に接続された導電片
と、を備え、
１−Ｅ　
上記信号線は、該信号線が突出した突出部を有し、
１−Ｆ　
該導電層の一方の端部に該絶縁膜を挟んで該信号線の該突出部が重畳し、該導電層の該信号線と重畳されていない端部に該絶縁膜を挟んで該導電片が重畳している、
１−Ｇ　アクティブマトリクス型表示装置。」
本件発明２：
「２−Ａ　前記導電層が、前記絵素電極に接続された前記走査線に隣接する走査線に電気的に接続され、
２−Ｂ　該導電層上には陽極酸化膜が形成されている、
２−Ｃ　請求項
１に
　
４．請求人の主張する無効理由
４−１．無効理由の概要
無効理由１：
　訂正前の請求項１の発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項の規定に該当し特許を受けることができないものであり、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきである。
無効理由２：
　訂正前の請求項１〜３の各発明は、甲第２号証に記載された発明と実質的に同一であるから、特許法第２９条第１項の規定に該当し特許を受けることができないものであり、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきである。
無効理由３：
　訂正前の請求項１〜３の各発明は、甲第１号証に記載された発明と甲第２号証に記載された発明とに基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に該当し、特許を受けることができないものであり、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証　特開昭５９−１０１６９３号公報
甲第２号証　特開昭６０−５９３８３号公報
　
４−２．弁駁の概要
　請求人は、訂正がなされたことにより、特許法第２９条第２項に関する無効理由３に関し、下記甲第３号証〜甲第８号証を追加し、弁駁書において以下のように詳述する。
　なお、弁駁書において、
甲第３号証を主たる証拠として主張していた理由Ｂ
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第３号証　特開昭５８−１８４７５８公報
甲第４号証　特開昭６２−２２４５５号公報
甲第５号証　特開平２−１０８０２７号公報
甲第６号証　実願昭５９−１２１ｌ１３号（実開昭６１−３６８２５号）の　　　　　　マイクロフィルム
甲第７号証　特表平１−５０１１００号公報
甲第８号証　特開昭５８−１７１８４５号公報
　　　　　　　
４−２−１．本件発明１について（理由Ａ，Ｃ）
＜甲第１号証に記載された発明との対比＞（理由Ａ）
（ａ）本件発明１と甲第１号証の発明との一致点　
　本請求人は、訂正前の本件発明１については、甲第１号証の発明との対比を行い、本件発明１と甲第１号証の発明とは同一であることを主張し（平成１６年１０月１３日付審判請求書、第８頁第４行〜同第９頁第２２行の記載参照）、平成１７年４月１１日付の審決においてもこれが認められた。
　訂正発明１は、訂正前の本件発明１に、
　(i)信号線に突出部を設けたこと。
　(ii)該突出部が導電層の一方の端部と絶縁膜を挟んで重畳していること。
の２点を加えたものである。
　よって、甲第１号証には、上記(i)、(ii)以外の構成を全て備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置が記載されている。
（ｂ）相違点に関する主張
　ところで、甲第１号証には、第１１図に記載されている修理構造が、修理時に絵素電極と信号線との接続のために使用されるという積極的な記載がない。
　この点につき、被請求人は、「信号線と絵素電極とを電気的に接続しようとする技術的思想は全くないのであるから、…」（平成１７年６月５日付訂正請求書第９頁第９行〜同第１０行）と述べている。
　しかし、甲第１号証の発明は、レーザ接続による欠陥修正のための配線構造の構築を目的としているから、発明者の主観的意図が絵素電極同士の接続による欠陥修正であるとしても、当業者は、甲第１号証の発明が修理時に信号線と絵素電極とを接続できる配線構造となっていることを容易に理解できるのである。
　被請求人の、「信号線と絵素電極とを電気的に接続しようとする技術的思想は全くないのであるから、」という主張は、発明者がそれを意図していないという意味であり、甲第１号証の発明に、信号線と絵素電極とを電気的に接続しようとする技術的思想が存在していないという意味ではない。
　そもそも、公知文献にどのような技術が記載されているのかということは、単に、その著者や発明者が積極的に認識している技術のみを指すのではなく、たとえ文章中に積極的な記載がなくても、その時点での技術水準に照らし当業者がそのことを容易に読み取ることができるのであれば、記載されているに等しいとしてもよいことは、審査基準にも明記してあることである。
　既に説明したように、欠陥の修理構造とは、欠陥のある絵素電極に、正規の信号又はこれに近い信号を供給できるようにした配線構造である。本件特許の出願時には絵素電極を信号線に接続して修理することが公知であったのであるから、甲第１号証の第１１図に示される構成は、絵素電極同士の接続は勿論のこと、絵素電極を信号線に接続して修理する方式にもそのままそっくり使用できることは、当業者であれば、容易に理解できることであったと言うべきである。
　ところで、甲第３号証、甲第４号証、又は甲第７号証には、導電性部材と信号線との接続は、信号線に設けた突出部に所望の導電性部材を重畳させて両者を接続するという構成が記載されているし、この構成は周知技術でもある。
　したがって、当業者であれば、甲第１号証の第１１図の構成において、その信号線に突出部を設け、該突出部に導電層の一方の端部を絶縁膜を挟んで重畳させる構成に変更することにより訂正発明１を発明することは、容易になしえた程度のことであり、したがって、訂正発明１は、当業者が、甲第１号証と甲第３号証（第３図）、又は甲第１号証と甲第４号証（第１図、第５図）、あるいは甲第１号証と甲第７号証（図２、図１１、図１２）に基づいて、容易に発明することができたものである。
　また、信号線に突出部を設け、該突出部に絶縁膜を介して導電材を重畳した接続構造は周知技術であるから、訂正発明１は、当業者が甲第１号証の発明に周知技術を適用して容易に発明することができたものでもある。
　
＜甲第２号証に記載された発明との対比＞（理由Ｃ）
（ａ）本件発明１と甲第２号証の発明との一致点　
　本請求人は、訂正前の本件発明１については、既に甲第２号証の発明との対比を行い、本件発明１と甲第２号証との発明とは、導電片を備えていない点でのみ相違しているが、これは実質的な相違点とはいえず、仮に導電片を備えていない点が相違点であったとしても、導電片の使用は甲第１号証に記載されているので、当業者であれば、甲第２号証の発明と甲第１号証の発明とに基づいて容易に発明することができたものであることを説明した（平成１６年１０月１３日付審判請求書、第１１頁第１２行〜同第１４頁第１５行の記載参照）。
　そして、訂正発明１は、訂正前の本件発明１に、
　(i)信号線に突出部を設けたこと。
　(ii)該突出部が導電層の一方の端部と絶縁膜を挟んで重畳していること。
の２点を加えたものであることについては、既に説明した通りである。
　よって、甲第２号証には、実質的に、上記(i)、(ii)以外の構成を全て備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置が記載されている。
（ｂ）相違点に関する主張
　ところで、甲第２号証には、第３図に記載されている修理構造が、修理時に絵素電極と信号線との接続のために使用されるという積極的な記載がない。
　この点につき、被請求人は、「信号線と絵素電極とを電気的に接続しようとする技術的思想は全くないのであるから、…」（平成１７年６月５日付訂正言請求書第９頁第９行〜同第１０行）と述べているが、この主張が失当であることは既に説明した通りである。したがって、甲第２号証の第３図に示される構成は、絵素電極同士の接続は勿論のこと、絵素電極を信号線に接続して修理する方式にもそのままそっくり用いることができることは、当業者であれば、容易に理解できることであったと言うべきである。
　ところで、甲第３号証、甲第４号証、又は甲第７号証には、導電性部材と信号線との接続を、信号線に設けた突出部に所望の導電性部材を重畳させて行うという構成が記載されているし、この構成は周知技術でもある。
　したがって、甲第２号証の発明において、その信号線に突出部を設け、該突出部に導電層の一方の端部を絶縁膜を挟んで重畳させる構成とすることにより訂正発明１を発明することは、当業者が容易になしえた程度のことであ。
　よって、訂正発明１は、当業者が、甲第２号証と甲第３号証（第３図）とに基づいて、甲第２号証と甲第４号証（第１図、第５図）とに基づいて、甲第２号証と甲第７号証（図２、図１１、図１２）に基づいて、または、甲第２号証の発明と周知技術とに基づいて、容易に発明することがきたものである。
　かりに、導電片を備えていないことが相違点であるとした場合には、これらに加えて、甲第１号証を考慮することにより、訂正発明１は、当業者が容易に発明することができたものである。
　すなわち、当業者であれば、甲第２号証と甲第３号証（第３図）と甲第１号証とに基づいて、甲第２号証と甲第４号証（第１図、第５図）と甲第１号証とに基づいて、甲第２号証と甲第７号証（図２、図１１、図１２）と甲第１号証に基づいて、または甲第２号証と甲第１号証と周知技術とに基づいて、容易に発明することができたものである。
　
４−２−２．本件発明２について（理由Ｄ）
　本件発明２は、訂正前の本件発明３において、導電層が、さらに、
（１）前記絵素電極に接続された前記走査線に隣接する走査線に電気的に接続され、
（２）該導電層上には陽極酸化膜が形成されている
　というものである。
　甲第２号証には、ゲート配線材料を用いて不良画素修正パッド２９を構成した構成が開示されており、実施例中には、「上記ゲート配線材料を不良画素修正パッドとして設けるものであり、ゲート配線形成時のパターニングを工夫することにより、同時に形成することができる。」（甲第２号証第２頁右下欄第６行〜同第９行）と記載されている。
　また、甲第２号証の第２頁右下欄第１２行〜同第１３行には、ゲート電極の表面を酸化することが記載されている。ゲート配線についての酸化は記載されていないが、ゲート配線についてもその表面を酸化することは通常行われていることである。
　このように、甲第２号証には本件発明２の特徴事項が全て開示されている。したがって、上述した本件発明１の無効理由において、甲第２号証の上述の記載を考慮することによって、本件発明２が当業者によって容易に発明できたものであることは明らかである。
　
５．被請求人の主張
　被請求人は、訂正後の請求項に関し、以下のように主張する。
５−１．本件発明１について（訂正請求書における主張）
　本件発明１と甲第１号証発明および甲第２号証発明とは、少なくとも以下の点において、構成上明確に相違する。
　甲第１号証発明および甲第２号証発明においてはいずれも、導電体（接続用シリコン薄膜２５，不良画素修正パッド２９）が、一方の端部を画素電極（液晶駆動電極１７，ドレイン電極２８）に重畳させ、他方の端部を隣接する画素電極に重畳させて設けられているのに対し、本件発明１においては、導電層が、一方の端部を信号線の突出部に絶縁膜を介して重畳させ、他方の端部を絵素電極に電気的に接続した導電片に絶縁膜を介して重畳させて設けられている。すなわち、甲第１号証発明および甲第２号証発明においては、導電体が隣接する画素電極間に設けられているのに対し、本件発明１においては、導電層が信号線の突出部と、絵素電極に電気的に接続された導電片との間に設けられているのである。
　この相違点は、甲第１号証発明および甲第２号証発明が、欠陥絵素電極を隣接する画素電極に電気的接続することで欠陥を修正する技術であるのに対し、本件発明１は、欠陥絵素電極を信号線に電気的接続することで欠陥を修正し得るように表示装置を構成する技術であるという、意図する欠陥修正に際しての技術思想の違いに起因する。すなわち、甲第１号証発明および甲第２号証発明と本件発明１とは、その出発点となる技術思想が全く異なり、その結果、両者の構造は明確に相違することになっているのである。
　また、本件発明１においては、欠陥修正に関し信号線を欠陥の生じた絵素電極に電気的接続し得る構造である点に鑑み、信号線が突出部を有することを特定し、その突出部と導電層とが重畳していることを特定しているが、甲第１号証および甲第２号証には、信号線に突出部を設けることは開示も示唆もされていない。
　甲第１号証発明および甲第２号証発明には、信号線と絵素電極とを電気的に接続しようとする技術思想は全くないのであるから、信号線に突出部を設け、突出部に導電層を重畳させるという本件発明１特有の構成が、甲第１号証発明または甲第２号証発明あるいはこれらの組み合わせに基づいて創出されることはあり得ないのである。
　このように、本件発明１は、甲第１号証発明および甲第２号証発明と同一でもなく、また同甲号証から当業者が容易になし得たものでもないことは明らかである。
　
５−２．本件発明２について（答弁書における主張、訂正後の請求項にあわせて書き換えたもの。）
　本件発明２は、本件発明１を前提とするものであるが、上述したとおり、前提となる本件発明１が甲１号証発明と甲２号証発明に基づいて当業者が容易に発明できるものではないので、本件発明２も、甲１号証発明と甲２号証発明に基づいて当業者が容易に発明できるものではない。
　更に、甲２号証発明には、本件発明２の構成要件である「前記導電層が、前記絵素電極に接続された前記走査線に隣接する走査線に電気的に接続されている」点及び「該導電層上には陽極酸化膜が形成されている」点について記載されていない。
　甲第１号証にもこれらの点についての記載は存在しないので、甲１号証発明及び甲２号証発明から本件発明２を想到することは困難である。
　
６．甲号証の記載事項
　甲第１号証には、次のことが記載されている。
ア）「レーザー光線を照射することにより、互いに隣り合う該駆動電極間を接続するパターンを有することを特徴とするアクティブマトリックス基板」（１頁左下欄８〜１１行、特許請求の範囲）、
イ）「本発明は、アクティブマトリックス基板に関するものである。さらに本発明は、アクティブマトリックス基板の修正方法に関するものである。」（１頁左下欄末行〜同頁右下欄２行）、
ウ）「本発明は、アクティブマトリックス方式の液晶パネルに用いるアクティブマトリックス基板の欠陥修正方法に関するものであり以下実施例を示しながら説明する。
　第１図は、ガラス基板あるいは石英基板を用いその上にアクティブマトリックス素子としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成したアクティブマトリックス方式の液晶パネルの断面図である。図中の１はガラスあるいは石英板等の透明基板である。２及び３はシリコン薄膜であり、ＴＦＴチャンネル領域及びソース・ドレイン領域を形成している。４はゲート電極、５はシリコン酸化膜、６は金属層であり・・・図中の８は液晶層であり９は上側ガラス基板、１０は上側ガラス基板全面に形成された透明電極である。１１及び１２は液晶パネルの上下に配置された偏光板、１３は反射板である。第１図中のＰで示された領域が一画素である。第２図は、アクティブマトリックス基板上の一画素の回路を示す。図中の１４はビデオ信号線、１５はタイミング信号線である。１６がＴＦＴであり１７がＴＦＴのドレイン側に接続された液晶駆動電極である。１８は液晶層、１９は上側ガラス基板上の透明電極である。ビデオ信号ラインから入力されたＴＶ信号はＴＦＴがオン状態の時に液晶層等の容量に書き込まれ、次の信号が入力されるまでの間、液晶層に一定の電圧を印加する。２０にて示された領域が一画素の回路を示す。第３図はさらに詳しく駆動回路まで含めた回路図である。」（２頁左下欄１１行〜３頁左上欄８行）、
エ）「一方２４で示した画素回路は不良である。不良のモードはトランジスタのゲート酸化膜リークであってもよいし、またコンタクト不良であってもよい。ゲート酸化膜がリークしている場合には、第４図中のタイミング信号ライン１５−２と、ビデオ信号ライン１４−２がショート状態となり、お互いの電位に引っ張り合うためタイミング信号ライン１５−２とビデオ信号ライン１４−２は共にライン欠陥となり、常に黒表示もしくは白表示となる。この様な場合には第５図にて示す如く不良のトランジスタは、タイミング信号ライン及びビデオ信号ラインから切り離す必要がある。」（３頁右上欄８行〜１９行）、
オ）「この液晶駆動電極は、どの信号レベルからも切り離された状態となる。この様な状態で用いることも可能であるが、実際には隣り合った液晶駆動電極へ接続する方が望ましい。・・・第９図は、左右の液晶駆動電極を具体的に接続する方法及びその時に用いる接続パターンの一例を示す。第９図中の１４〜１７までの番号は、第９図以前に用いた番号と同じである。図中の２５は、隣り合う液晶駆動電極を電気的に接続するためのパターンであり、不純物がドープされたシリコン薄膜にて形成されている。このシリコン薄膜は、ＴＦＴのソース・ドレイン及びチャンネル部分を構成するシリコン薄膜と同一工程にて形成してもよいし、また、ゲート電極あるいはタイミング信号ラインを構成するシリコン薄膜の形成工程と同一工程にて形成してもよい。図中の２６は、金属層パターンである。この金属層パターンは、レーザー光線にて液晶駆動電極１７と下側のシリコン薄膜パターン２５を溶かして溶接する際、お互いに電気的に接続しやすい様に金属層を上層として配置し、金属層の溶融により、液晶駆動電極と、下側シリコン薄膜パターンがより接続しやすい様にするものであり、金属層はあった方が容易に接続出来る。しかし、レーザの照射条件によっては金属層を用いない場合においても液晶駆動電極とシリコン薄膜パターンが接続することも可能である。この金属層はＡｌあるいはＡｌ合金薄膜でもよいし、Ｃｒ，Ｎｉ等の金属でも良いし、それらの多層構造薄膜でも構わない。さらにこの金属層はアクティブマトリックス基板の周辺に形成される外部接続用取り出し電極用金属パターンと同一工程にて形成してもよい。またデータ信号ラインが金属配線の場合にはこの金属配線と同一工程にて形成してもよい。第９図中の２７は、スルーホールである。例えば第９図の実施例においては、左側の液晶駆動電極はこのスルーホールを介して、接続用シリコン薄膜パターン２５とあらかじめ接続している。したがって、例えばこの左右隣り合う液晶駆動電極を電気的に接続するためには、図中の○ｃにて示した部分をレーザーにて溶融、接続すればよい。第９図の実施例においては、右側の画素のＴＦＴが不良であるため、このＴＦＴのソース領域○ａ及びゲート電極領域○ｂをレーザーにて溶断後、○ｃにて示した部分をレーザーにて溶融し接続すれば、左側の画素のＴＦＴにて、２画素分の液晶駆動電極を駆動することになるため、実質的には画素欠陥が修正されたことになる。量産レベルにおいては、この様な修正が必要な画素欠陥は、パネル当り０．１〜０．３箇所程度であるため、１０パネル当り、１〜３箇所この様なレーザー照射による修正を行なうだけで画素欠陥が無いパネルの製造が可能となる。第１０図は第９図のＡ−Ａ’断面図を示したものである。図中の１７は液晶駆動電極である透明導電膜である。２５は接続用シリコン薄膜、２６は金属層パターン、２７はスルーホール、２８は透明基板、２９は酸化膜層である。第１０図（ａ）中の金属層２６はあってもよいし、なくてもよい。また第１０図（ｂ）にて示す如く片側は無くてもよい。第１０図（ｃ）は、スルーホールの無い側の金属層パターン上をレーザーにて溶融したところである。例えば金属としてＡｌ層を用いた場合、図の如く、透明導電膜１７及びシリコン薄膜パターン２５が溶融し互いに電気的に接続する。第１１図は、液晶駆動電極１７の下側に金属層２６を形成した場合である。この様な構造においても第１０図の場合と同様にレーザー光線を照射することによりこれらの配線層を溶融・接続することができる。」（３頁左下欄２０行〜４頁左下欄１０行）、
カ）「第１２図は、第８図に示した回路図の如く、上下の液晶駆動電極を接続する場合である。…第１３図（ａ）、（ｂ）は第１２図のＢ−Ｂ’断面図である。」（同頁左下欄１１〜１７行）
キ）「図面の簡単な説明・・・
１４……データ信号線（Ｙ信号線）
１５……タイミング信号線（Ｘ信号線）
・・・
２９……絶縁膜」
（なお、「○ａ」等は、○の記号の中にアルファベット(“ａ”など)がある記号を示す。審決注）
　
　甲第２号証には、薄膜トランジスタの動作不良画素を隣接する正常な画素に電気的に接続することにより画素欠陥を修正するための構造に関して、第３図とともに次のことが記載されている。
ク）「透明絶縁基板上に形成した薄膜トランジスタをマトリックス状に配置したアクティブマトリックス基板において、前記薄膜トランジスタのゲート配線材料を、直交するソース配線材料に交差し、隣接する画素に交差する不良画素修正パッドとして設けたことを特徴とするアクティブマトリックス基板。」（特許請求の範囲）、
ケ）「本発明は、石英ガラスあるいはソーダガラス等の透明絶縁基板上に形成した薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いたアクティブマトリックス基板の不良画素修正方法に関する。」（１頁左下欄１３〜１６行）、
コ）「第１図（ａ）はスタティック駆動方式の透過型液晶マトリックス表示装置に用いる薄膜トランジスタ回路基板上の液晶駆動素子のマトリックス状配置図である。図中１で囲まれた領域が表示領域であり、その中に液晶駆動用素子２がマトリックス状に配置されている。３は液晶駆動用素子２へのビデオ信号ライン（ソース配線）であり、４は液晶駆動素子２へのタイミング信号ライン（ゲート配線）である。
　液晶駆動素子２の回路図を第１図（ｂ）に示す。５はスイッチングトランジスタであり、通常ＭＯＳ型トランジスタが用いられる。６はコンデンサーであり、データ信号の保持用として用いられる。７は液晶パネルであり、７−１は薄膜トランジスタ回路基板上の各液晶駆動素子に対応して形成された液晶駆動電極（ドレイン電極）であり、７−２は上側ガラスパネルである。」（２頁左上欄５行〜同頁右上欄１行）、
サ）「しかしながら、この種のアクティブマトリックス基板は、テレビ画像表示用としては数万個の画素を必要とし、この為歩留りを考慮し最小パターン巾を１０μｍとしても１パネル当り数個から十数個の不良画素が生じる。この不良画素は薄膜トランジスタの動作不良が原因であり、パネル点灯時には白欠陥となり、表示品質の低下につながる。
　しかしながら従来のアクティブマトリックス基板では１パネル当り数個から十数個発生した不良薄膜トランジスタの修正が困難であり、非点灯画素のまま画像表示を行なっているのが現状である。
　又、アクティブマトリックス基板製作プロセスの各工程品質を上げ、高歩留りのパネルを作り込む事にも限界がある。」（２頁右上欄１７行〜同頁左下欄１２行）、
シ）「具体的には、薄膜トランジスタのゲート配線形成時に、隣接する画素に交差する様にゲート配線材料を不良画素修正パッドとして設け、後にレーザー光により、不良画素のドレイン電極と正常な画素のドレイン電極とを接続することにより、目的が達せられる。
　また本発明は、上記ゲート配線材料を不良画素修正パッドとして設けるものであり、ゲート配線形成時のパターニングを工夫することにより、同時に形成することができる。
　第３図（ａ）、（ｂ）により本発明による実施例を説明する。
　ガラス基板２１上に多結晶シリコン膜の島２２を形成したのちに、表面を酸化し、ゲート電極となる多結晶シリコン膜２４を形成すると共に、不良画素修正パッド２９を形成する。次にイオン打込み法により、ソース・ドレイン拡散層２５を形成する。
　次に層間絶縁膜２６を形成したのちにコンタクトホールを開口し、ソース配線２７、ドレイン電極２８を形成する。
　この様に形成したアクティブマトリックス基板の特性を測定し、薄膜トランジスタの動作不良画素を見つけ出し、レーザー光３０により隣接する正常な画素に交差する不良画素修正パッドと各々のドレイン電極とをショートする。
　この結果、薄膜トランジスタの動作不良画素のドレイン電極は、隣接する正常な画素の薄膜トランジスタの動作時と同じドレイン電極電圧が得られ、正常な表示が可能となる。」（２頁左下欄２０行〜３頁左上欄９行）
　
　甲第３号証には、図面とともに次のことが記載されている。
「図中１で囲まれた領域が表示領域であり、その中にスイッチング素子２がマトリックス状に配置されている。３はスイッチング素子２へのデータ信号ライン（ソースライン）であり、４はスイッチング素子２へのタイミング信号ライン（ゲートライン）である。」（１頁右下欄１１行〜１７行）、
「５はＭＯＳ型電界効果トランジスターでありデータ信号のスイッチングを行なう。６はコンデンサーでありデータ信号の保持用として用いられる。７は液晶パネルであり、７−１は液晶駆動素子に対応して形成された液晶駆動電極であり、７−２は上側ガラスパネルである。」（２頁左上欄６行〜１２行）、
「この為従来は、ゲートラインとソースラインのショートを修正する為に例えば第３図中のイで示される位置でトランジスターのソース電極とソースラインを切断した。この修正によつて、ソースラインとゲートライン間のショートは無くなるが、当該画素へのデータ信号が入らなくなる為にその画素は常に非点燈である為に、欠陥が非常に目立ち、表示装置の使用上大きな支障になっていた。
　本発明は以上の欠点に鑑てなされたものでありソースラインとゲートライン間のショートを修正するとともに、欠陥画素を実際の使用上全く目立たなくしたものであり、パネルの量産効率を大巾に高めるものである。」（２頁右上欄８行〜末行）、
「以下本発明を図面により詳細に説明する。
　第４図はＭＯＳ型電界効果トランジスターをスイッチング素子として用いたマトリックスアレーの代表例を示したものでありその一画素についての平面図と断面図であり、これにより本発明の説明を行なう。尚第４図（ｂ）は平面図（ａ）の中の一点鎖線ハ−ニに従って切断した断面図である。ガラス基板１２の表面へ半導体薄膜１０を形成してＭＯＳ電界効果トランジスターを構成する。１３はトランジスターのゲート絶縁膜、１４はソース電極でソースライン９と接続されており、１５はドレイン電極であり画素駆動電極１１と接続されている。又８はゲートラインであるとともに半導体薄膜１０の上に延在しトランジスターのゲート電極となつている。このトランジスターに不良が生じ、ゲートライン８とソースライン９間がショートした場合まず第４図（ａ）の中の破線イ−ロに従って、ゲートラインとトランジスターのゲート電極を分離する。ゲートライン８の枚数は通常、多結晶シリコン等の半導体か又はアルミニューム等の金属が用いられるのでこれらの薄膜の切断は例えばレーザー光線を照射する事により容易に行なえるので第４図（ａ）の中の破線イ−ロに沿つてレーザー光線をゲート部材８に照射すればゲートラインとトランジスターのゲート電極の分離が出来る。次に第４図（ｂ）の中の矢印（ａ），（ｂ）の位置でゲート電極とソース電極１４及びドレイン電極をショートさせる。このショートの方法は例えばレーザー光線を基板の上方向より図中（ａ），（ｂ）で示された矢印に従ってショートさせる個所に照射するとゲート電極とドレイン又はソース電極及びゲート絶縁膜が溶融し合いゲート電極とドレイン及びソース電極が接続される。」（２頁左下欄１行〜同頁右下欄１３行）、
「第５図は本発明の他の実施例を示す断面図であり各部材の番号は第４図と同じである。第４図の実施例においてゲート電極８及び半導体薄膜１０がシリコンの様な高融点金属の場合、レーザーで溶融する時のレーザー光線の出力、照射時間の条件に大きな制限が生じる。これを回避したものが第５図の例であり、第４図の場合と異なりアルミニューム等の低融点金属を図中の１７の様にゲート電極の上へ絶縁膜１６を介して設けてある。修正方法は、ゲート電極の切り離しは第４図の場合と全く同一に行なう。トランジスターのソースとドレイン間のショートは第５図の矢印（ａ），（ｂ）で示した位置にやはりレーザー光線を照射しこの位置の絶縁膜１６を破壊するとともにアルミニューム１７を溶融し、アルミニューム１７とソース電極１４及びドレイン電極１５とを接続し、ソース・ドレイン間をショートさせる。この場合の様にアルミニューム１７を介してソース・ドレインを直接接続せず、図中の矢印（ａ），（ｂ）で示された部分にのみアルミニュームを形成し、レーザーを照射して、このアルミニュームによりソース・ゲート間及びゲート・ドレイン間をショートさせる事によりゲート電極を介してソース・ドレイン間をショートする事も可能である。
　第６図はさらに他の本発明の実施例を示したものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の中の一点鎖線ホ−ヘに沿つた断面図である。この実施例では画素駆動電極１１からトランジスターのソース電極１４にかけて導電材料１８が形成されている。
　導電材料１８はアルミニューム等の低融点物質が最も良く、又ソースライン９と同一工程で形成可能である。この導電材料１８は画素駆動電極１１とは直接接しているがトランジスターのソース電極とは絶縁膜１６により絶縁されている。欠陥の修正方法は、トランジスターのゲート電極とゲートラインの切り離しは第４図の場合と同様に行なう。次に第６図（ｂ）の矢印で示されている方向にレーザー光線を照射して、この部分の絶縁層１６を破壊し、導電材料１８とソース電極１４とを接続する。これによりトランジスターのソース電極とドレイン電極は、導電材料１８と画素駆動電極１１を介してショートする。さらに他の実施例として画素駆動電極１１をソースライン９まで延在せしめるか又は、ソースライン９を画素駆動電極１１まで延在せしめて、あらかじめトランジスターのソースとドレインを短絡しておいて、ゲートラインとソースラインとが短絡している個所のトランジスターについてはゲート電極とゲートラインを第４図の場合と同様に切り離し、ゲートラインとソースラインが短絡していないトランジスターについてはソースラインと画素駆動電極の短絡個所を切断するという方法も有る。」（３頁左上欄４行〜同頁左下欄１５行）、
「以上本発明の実施例のいくつかについて図面により詳細に述べたが、本発明の主旨はゲートとソースがショートしたＭＯＳ電界効果トランジスターは、ゲート電極とゲートラインを切り離し、ソースとドレインを短絡する事でありこれにより、従来画素欠陥としてパネル表示時に画素欠陥として欠陥の存在が目立ったものを、欠陥画素内のトランジスターのソースとドレインをショートする事によりデータ信号の平均的な電圧が画素駆動電極に加わり、欠陥の存在が全く目立たなくしたものであり、その応用において、マトリックスアレーの量産効率を大巾に向上するものである。尚本発明の実施例は液晶表示装置について述べてある」（４頁左下欄１６行〜同頁右上欄８行）
　
　甲第４号証には、図面とともに次のことが記載されている。
「第２図に薄膜能動素子として薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと略す）を用いた液晶パネル型ディスプレイの概念図を示す。（２１）が液晶層であり、（２２）が前記液晶層を駆動するためのスイッチングトランジスタである。（２３）は液晶を駆動するために必要な電圧を印加するためのデータ線であり、（２４）は薄膜トランジスタ（２２）のゲートを制御する選択信号線である。（２５）及び（２６）は、透明電極である。」（２頁左上欄１０行〜１８行）、
「薄膜能動素子に起因する欠陥としては、電極間相互の短絡、各電極の断線といった構造的欠陥や、薄膜能動素子特性の不良といった欠陥等がある。
　電極間相互の短絡は、電極間絶縁膜中の塵等の原因により発生するが、短絡がある場合には、一方の電極の信号が短絡点を通じて逃げてしまうために線欠陥等の表示欠陥の原因となってしまう。
　また薄膜能動素子の電気的特性が不良の場合には、信号電圧が印加されても薄膜能動素子が充分な動作をしないために選択時に非点灯欠陥となる。」（２頁左下欄７行〜１９行）、
「本発明は前述の問題点を解決すべくなされたものであり、あらかじめ補助配線を設けこれを用いて欠陥修復を行えるようにした薄膜能動素子基板を提供することを目的としたものであり」（２頁右下欄２０行〜３頁左上欄４行）、
「ここで本方式による接続法の簡単な説明を加える。三層構造部分の断面図を第４図（ａ）に示す。（４１）はガラス基板、（４２），（４４）は導電性薄膜を、（４３）は絶縁性薄膜を示す。この構造の基板に対し上方からレーザを照射すると、（ｂ）に示すような形状になる。この時上部もしくは、下部の導電性材料が絶縁膜露出面を覆い、上下の導電性薄膜の導通がとれるようになる。」（３頁左上欄１８行〜同頁右上欄５行）、
「本発明では、ゲートラインとソースラインの交差する重なり部分（１２）での短絡の修復のためにソースラインの形成と同時にゲートラインを横切る位置に第２の補助配線（１１）を形成し、ゲートラインの形成と同時にソースラインと補助配線（１１）上にその両端が位置するように補助配線（９Ｂ）を重なり部分１個に対し２個形成しており、このような構成をとることにより、補助配線（９Ｂ）とソースライン（２）、補助配線（９Ｂ）と補助配線（１１）は絶縁されており、万一補助配線（１１）とゲートライン（７）が短絡を生じていても補助配線（１１）とソースライン（２）を導通させない限り、ソースラインには何ら影響を与えなく不良を増加させない。
　又、第２のトランジスタのソース電極（４）とソースライン（２）上にゲートラインの形成と同時に補助配線（９Ａ）を形成しており、これも補助配線（９Ａ）とソースライン（２）、ソース電極（４）の両方とも短絡を生じるかレーザで導通をとらない限り、第２のトランジスタはソースラインに接続されないため、不良を生じることはない」（４頁左上欄８行〜同頁右上欄９行）、
「この例においては、第１のトランジスタにおいて、ゲート・ドレイン短絡、ゲート・ソース短絡、特性の不良等がおこった場合には、ＡもしくはＢの部分または両方の部分において、このトランジスタをレーザトリマ等により切断し、その後ソースライン（２）と第２のトランジスタのソース電極（４）とを補助配線（９Ａ）との重なり部分で上下方向に導通させることにより補助配線（９Ａ）を介して接続し、さらにＣの透明電動膜（１０）／絶縁膜／金属（６）の三層構造の部分でレーザにより上下方向に導通をとることによって接続し、この第２のトランジスタを用いて、動作させるようにすることができる。修復後の状態を第５図に示す。Ａ，Ｂの部分で電極が切断され、（１３）にはレーザによる上下導通時の穴が開いている。Ｃの部分でも同様に穴が開いている。この部分では、コンタクトを確実にするために複数回、レーザを照射している状態を示す。また、ゲートライン（７）とソースライン（２）との重なり部分（１２）においてゲートソース短絡が発生したような場合には、Ｄの部分でソースラインを切断し、補助配線（９Ｂ）及び補助配線（１１）の重なり部分（１４）及びソースライン（２）と補助配線（９Ｂ）の重なり部分（１５）において、レーザにより上下方向導通をとることで欠陥を回避し表示欠陥をなくすことが可能になる。」（４頁右上欄１９行〜同頁右下欄５行）、
　
　甲第５号証には、図面とともに次のことが記載されている。
「本発明は、薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」と称す）等のスィッチング素子を有し、液晶等と組合わせてマトリクス表示装置を構成するためのアクティブマトリクス基板の構造に関するものである。」（１頁左下欄２０行〜同頁右下欄４行）、
「本発明のアクティブマトリクス基板は、絶縁性基板上にマトリクス状に配された絵素電極、該絵素電極のそれぞれに接続されたスイッチング素子、該スイッチング素子を駆動するための走査線及び信号線、並びに該絵素電極のそれぞれの近傍に配され、該絵素電極には接続されていない予備スイッチング素子を有するアクティブマトリクス基板であって、該信号縁の下方に形成された、該予備スイッチング素子のための予備配線を備え、該予備配線の一端が該予備スィッチング素子の開閉端子に接続されており、該予備配線の他端が該信号線の下方より側方に延伸され、該走査線の近傍に配設されており、そのことにより上記目的が達成される。」（２頁左下欄７行〜末行）、
「次にレーザＣＶＤ等により、予備のＴＦＴ５のドレイン電極９と絵素電極３との間、及び接触部７を電気的に接続する。」（３頁右上欄１４〜１７行）
　
　甲第６号証には、図面とともに次のことが記載されている。
「（ホ）作用
　本考案の表示装置に於いては、ゲートラインとドレインラインとが交差するスイッチングトランジスタ箇所に於いてこれ等両ラインの短絡事故が発生した場合に、この短絡箇所のゲートライン又はドレインラインを切断してスイッチングトランジスタを孤立せしめると共に、ゲートライン又はドレインラインに対して補助ライン及びブリッジ部を電気的に結合して上記孤立したスイッチングトランジスタを迂回したバイパス配線を得るものである。」（明細書７頁６〜１６行）、
「斯る本考案実施例装置が従来装置と異なる所は第２図（ａ）に示す如く、ガラス基板（１０）上にゲートライン（１６）…を形成すると同時にこのゲートライン（１６）…ゲ−ト電極（１７）（１７）…箇所付近、即ち、スイッチングトランジスタを構成する箇所に対して独立した補助ゲートライン（１６’）（１６’）…を並列状態で設け、さらにこの補助ゲートライン（１６’）の両端部とゲートライン（１６）とを跨ぐ位置に絶縁膜（１２）を介してドレインライン（１４）…を形成すると同時にブリッジ部（１９）（１９）…を設けた点にある。」（明細書８頁１２行〜９頁１行）
　
　甲第７号証には、図面とともに次のことが記載されている。
「本発明は、マトリックス状に集積されたトランジスタによって制御される電気的光学材料層を含むディスプレイパネルに関する。」（３頁右下欄７行〜９行）
　また、図２、図１１、図１２には、信号線ＣＬが突出した接続要素ＣＤＣがあること、及び制御用トランジスタのドレインＤＲは該接続要素ＣＤＣと重畳していることが見て取れる。
　
　甲第８号証には、図面とともに次のことが記載されている。
「第１図に電気光学装置を構成する薄膜トランジスタの外観図を示す。図面に於いて１０１はソースライン、１０２はゲートライン、１０３はゲート電極、１０４は１ｓｔ多結晶シリコン薄膜、１０５はソースコンタクト、１０６はドレインコンタクト、１０７は透明導電膜であるところの液晶駆動電極である。ソースライン及びゲートラインには画素外に、外部ドライブ回路又は電気特性測定装置との電気的接続を取る為の端子が形成されている。」（１頁左下欄１行〜９行）
　また、図１には、ソースライン１０１はソースコンタクト１０５が形成されている部分において幾分幅広に形成されていることが見て取れる。
　
７．対比・判断
７−１．本件発明１について
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明（甲１号証発明）とを対比する。
（１）甲第１号証には、「第１図は、ガラス基板あるいは石英基板を用いその上にアクティブマトリックス素子としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成したアクティブマトリックス方式の液晶パネルの断面図である。図中の１はガラスあるいは石英板等の透明基板である。２及び３はシリコン薄膜であり、ＴＦＴチャンネル領域及びソース・ドレイン領域を形成している。４はゲート電極、５はシリコン酸化膜、６は金属層であり、７は液晶駆動電極であり透明度の高いＩＴＯ膜・・・が用いられる。・・・図中の８は液晶層であり９は上側ガラス基板、１０は上側ガラス基板全面に形成された透明電極である。」（上記ウ）、「第２図は、アクティブマトリックス基板上の一画素の回路を示す。図中の１４はビデオ信号線、１５はタイミング信号線である。１６がＴＦＴであり１７がＴＦＴのドレイン側に接続された液晶駆動電極である。１８は液晶層、１９は上側ガラス基板上の透明電極である。ビデオ信号ラインから入力されたＴＶ信号はＴＦＴがオン状態の時に液晶層等の容量に書き込まれ、次の信号が入力されるまでの間、液晶層に一定の電圧を印加する。」（同）と記載されており、甲第１号証が、構成要件１−Ａ及び１−Ｅの「少なくとも一方が透光性を有する一対の絶縁性基板と、該一対の基板の何れか一方の基板上に縦横に配線された走査線及び信号線と、該走査線及び該信号線とにスイッチング素子を介して接続された絵素電極と、を備えたアクティブマトリクス型表示装置」に相当する技術的事項を有するものであることは明らかである。
（２）甲第１号証には、「第９図は、左右の液晶駆動電極を具体的に接続する方法及びその時に用いる接続パターンの一例を示す。・・・図中の２５は、隣り合う液晶駆動電極を電気的に接続するためのパターンであり・・・シリコン薄膜にて形成されている。・・・図中の２６は、金属層パターンである。この金属層パターンは、レーザー光線にて液晶駆動電極１７と下側のシリコン薄膜パターン２５を溶かして溶接する際、お互いに電気的に接続しやすい様に金属層を上層として配置し、金属層の溶融により、液晶駆動電極と、下側シリコン薄膜パターンがより接続しやすい様にするものであり、金属層はあった方が容易に接続出来る。・・・またデータ信号ラインが金属配線の場合にはこの金属配線と同一工程にて形成してもよい。・・・○ｃにて示した部分をレーザーにて溶融し接続すれぱ、左側の画素のＴＦＴにて、２画素分の液晶駆動電極を駆動することになるため、実質的には画素欠陥が修正されたことになる。」（上記オ）と記載されている。金属層パターン２６は、データ信号ラインと同一工程にて形成してもよいことが把握でき、また、第１１図は、第９図のＡ−Ａ’断面であるから、第１１図には、両画素に接する２つの金属層パターン２６の間の位置にデータ信号線１４（ビデオ信号線）が存在することも把握できる。これらの記載と第１１図から、甲第１号証の「シリコン薄膜パターン２５」は、構成要件１−Ｂの「該絵素電極の下方と該当する該信号線の下方とにわたり、該信号線及び該絵素電極の各々に対して一部を重畳して設けられた導電層」に相当し、また、甲第１号証の「金属層パターン２６」は、構成要件１−Ｄの「該絵素電極と該絶縁膜との間に形成され、該絵素電極に電気的に接続された導電片」に相当する。
（なお、平成１７年３月２３日の口頭審理において、被請求人は、甲第１号証の第１１図に、「２つの金属層パターン２６の間で、シリコン薄膜２５上の絶縁層２９上にデータ信号線１４が存在すること」自体は認めた。）
（３）上記（２）の記載、第１１図及び甲１号証発明の目的の記載から、甲第１号証の絶縁層２９は、構成要件１−Ｃの「該導電層と、該信号線及び該絵素電極との間に設けられ、該導電層と該信号線とを絶縁し、かつ、該導電層と該絵素電極とを絶縁する絶縁膜」に相当する。
　
　したがって、両者は、
「少なくとも一方が透光性を有する一対の絶縁性基板と、該一対の基板の何れか一方の基板上に縦横に配線された走査線及び信号線と、該走査線及び該信号線とにスイッチング素子を介して接続された絵素電極と、を備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、
　該絵素電極の下方と該当する該信号線の下方とにわたり、該信号線及び該絵素電極の各々に対して一部を重畳して設けられた導電層と、
　該導電層と、該信号線及び該絵素電極との間に設けられ、該導電層と該信号線とを絶縁し、かつ、該導電層と該絵素電極とを絶縁する絶縁膜と、
　該絵素電極と該絶縁膜との間に形成され、該絵素電極に電気的に接続された導電片と、を備えるアクティブマトリクス型表示装置」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　本件発明１が、「上記信号線は、該信号線が突出した突出部を有し、該導電層の一方の端部に該絶縁膜を挟んで該信号線の該突出部が重畳し、該導電層の該信号線と重畳されていない端部に該絶縁膜を挟んで該導電片が重畳している」との事項を有するのに対し、甲１号証発明は、突出部に係る上記技術的事項を有するものではない点。
　
　請求人が提出した甲２号証にも、上記相違点が記載されていないことは明らかである。
　弁駁書で追加して提示した甲第３〜８号証を検討する。
　甲第３号証には、「トランジスタ部の欠陥による表示欠陥が生じた場合、これを使用上全く目立たなくするため、欠陥画素の画素電極を書き込みバスに接続して修正を行う」ことが記載されているが、甲第３号証のものは、欠陥が生じたトランジスタそのものを修復に用いるものであって、本件発明のように信号線に修復のための突出部を設けて修復構造を構成したものとは基本的な技術思想が相違するものである。それ故、詳細に検討すると（下記、「７−３．甲第３号証に主たる証拠とする主張について」参照。）、本件発明との正確な対応付けが困難であり、本件発明の前提技術とはなり得ないものである。
　また、甲第４号証のものは、薄膜能動素子の各部の欠陥により生じた表示点欠陥を、補助配線を用いて修理できるようにするものであり、不良となった第１のトランジスタに代えて第２のトランジスタを使用するため、補助配線９Ａによってそのソース電極４をソースラインに接続しようとすること、またはソースライン２の不良箇所を補助配線１１によりバイパス接続することは記載されているが、これは本件発明のような、スイッチング素子の不良による欠陥を、信号線と絵素電極をスイッチング素子を介することなく電気的に接続するものとは相違する。
　さらに、甲第７号証のものは、制御用トランジスタを形成するために信号線ＣＬに突出した接続要素ＣＤＣを設けているだけのものであって、本件発明１を導くことができるようなものではない。
　そして、相違点の技術的意義は、信号線に突出部を設け、導電層の一方の端部を該信号線の突出部、他方の端部を導電片の各々に重畳させることにより、導電層が信号線の突出部と導電片までしか存在せず、信号線と絵素電極とを直接接続する点にあるが、甲第３〜８号証には、「６．甲号証の記載事項」で摘記した事項は記載されているものの、本件発明１の導電層及び導電片に対応する構成並びに該導電層に重畳するように突出部を形成する構成は記載されていない。結局、甲第３〜８号証は、導電層を信号線の突出部と導電片まで存在せしめたものでも、不良欠陥が生じた場合に信号線と絵素電極とを直接接続するものでもないから、上記相違点を開示するものとはいえない。
　
　そして、上記相違点の事項は任意に設計し得る事項ともいえないから、本件発明１は、甲第１号証発明または甲２号証発明と同一であるとも、また甲第３〜８号証を見ても、甲第１号証及び甲第２号証から容易になしえたとも言うことはできない。
　
　なお、請求人は、弁駁書（１７頁６行〜１８頁１５行）において、
（１）甲第１号証には、第１１図に記載されている修理構造が、修理時に絵素電極と信号線との接続のために使用されるという積極的な記載がないが、甲第１号証の発明は、レーザ接続による欠陥修正のための配線構造の構築を目的としているから、発明者の意図が絵素電極同士の接続による欠陥修正であるとしても、当業者は、甲第１号証の発明が修理時に信号線と絵素電極とを接続できる配線構造となっていることを容易に理解できる。
（２）欠陥の修理構造とは、欠陥のある絵素電極に、正規の信号又はこれに近い信号を供給できるようにした配線構造であって、本件特許の出願時には絵素電極を信号線に接続して修理することが公知であったのであるから、甲第１号証の第１１図に示される構成は、絵素電極同士の接続は勿論のこと、絵素電極を信号線に接続して修理する方式にもそのままそっくり使用できることは、当業者が容易に理解できる。
（３）ところで、甲第３号証、甲第４号証、又は甲第７号証には、導電性部材と信号線との接続は、信号線に設けた突出部に所望の導電性部材を重畳させて両者を接続するという構成が記載され、周知でもある。
（４）したがって、当業者であれば、甲第１号証の第１１図の構成において、その信号線に突出部を設け、該突出部に導電層の一方の端部を絶縁膜を挟んで重畳させる構成に変更することにより訂正発明１を発明することは、容易になしえた程度のことである。
などと主張する。
　しかし、甲第３号証のものは、ゲートとソースがショートしたＭＯＳ電界効果トランジスターの、ゲート電極とゲートラインを切り離し、ソースとドレインを短絡する事によりデータ信号の平均的な電圧を画素駆動電極に加わえるものであるが、該甲第３号証を適用すべき甲１号証発明は、画素電極同士を接続して修復を行うものである。そして、本件発明１と甲第３号証等は欠陥画素の修復がレーザによる切断溶融による点で共通し、またトランジスターを介して絵素電極と信号線を接続して修復する技術が上記甲第３号証に見られるように公知であるとはいえ、トランジスターを介しての上記修復技術は、トランジスター部を短絡しようとするものであるから、トランジスターとは異なる部位において絵素電極同士を接続する甲１号証発明に上記修復技術を適用する動機付けとはなりえない。
　また、甲第３号証のものは、上記のように本件発明１及び甲１号証発明とは共通点が少なく、むしろ甲１号証発明との正確な対応関係を見いだすことが困難であることから、適用に当たっては阻害要因を有するともいえるものであるので、やはり甲第３号証のものを甲１号証発明に適用することが容易とはいえない。
　よって、上記請求人の主張は採用するに足らないものである。
　
７−２．本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１をさらに「前記導電層が、前記絵素電極に接続された前記走査線に隣接する走査線に電気的に接続され、」（構成要件２−Ａ）、「該導電層上には陽極酸化膜が形成されている」（構成要件２−Ｂ）と限定するものであるから、本件発明１と同様に、甲第１号証発明または甲２号証発明と同一であるとも、甲第１号証及び甲第２号証から容易になしえたとも言うことはできない。
　なお、上記構成要件２−Ａ，２−Ｂの点に付き念のため言及すると、甲第２号証に、ゲート電極の表面を酸化することが記載されているとしても、甲第２号証において、不良画素修正パッド２９は独立したパターンであるから、構成要件２−Ａを開示するものではなく、また、電気的に接続されていない（すなわち上記構成要件２−Ａを有しない）層に対して陽極酸化膜は形成できないことから見て、甲第２号証の記載は、この点において陽極酸化膜を形成することを意味するものではない。また、甲第２号証において、表面が酸化されたのは、「多結晶シリコン膜の島２２」であるが、「陽極酸化膜」が形成されるのは、
金属電極
　そして、上記構成要件２−Ａにより、構成要件２−Ｂの陽極酸化膜を形成することが可能となるものである。（本件特許公報９欄１３〜１８行）
　
７−３．甲第３号証を主たる証拠とする主張について
　甲第３号証を主たる証拠とする主張（理由Ｂ：弁駁書１８頁１９行〜２３頁下から３行）は、審理を不当に遅延させるものであるから、許可されるものではないが、念のため、甲第３号証に基づく主張について言及する。
　
　請求人は、甲第３号証の第４〜６図を挙げて、本件発明は、これから容易になし得ると主張している。
　しかしながら、甲第３号証に、「トランジスタ部の欠陥による表示欠陥が生じた場合、これを使用上全く目立たなくするため、欠陥画素の画素電極を書き込みバスに接続して修正を行う」ことが記載されているとしても、甲第３号証のものは、欠陥が生じたトランジスタそのものを修復に用いるものであって、本件発明のように信号線に修復のための突出部を設けて修復構造を構成したものとは基本的な技術思想が相違するから、以下に詳述するように、本件発明との正確な対応付けが困難であり、本件発明の前提技術とはなり得ないものである。
　
　具体的な構造について詳述すると、甲第３号証の第４図のものでは、
i)該図においては、信号線に突出した部分が形成はされているが、これは信号線をトランジスターのソース電極１４に接続するために突出した形状を有しているものであって、修復のために突出部を突出させたものではない、
ii)ａ，ｂの部分にレーザ照射しているが、甲第３号証に「次に第４図（ｂ）の中の矢印ａ，ｂの位置でゲート電極とソース電極１４及びドレイン電極をショートさせる。このショートの方法は例えばレーザー光線を基板の上方向より図中ａ，ｂで示された矢印に従ってショートさせる個所に照射するとゲート電極とドレイン又はソース電極及びゲート絶縁膜が溶融し合いゲート電極とドレイン及びソース電極が接続される。」と記載されているように、ゲート電極８とソース電極１４及びドレイン電極１５をショートさせることにより、ゲート電極８を通じて信号線からの電圧を画素電極１１に印加するものであって、該ゲート電極８は、本件発明のような信号線と重畳関係を有するような導電層にはなり得ないものであることは明らかであるから、第４図のものは、本件発明の導電層に対応する層を有するものではない、
iii)画素駆動電極１１に電気的に接続された導電片に相当する部材を有していないばかりでなく、導電層に対応する層がないことから、対応する絶縁膜を有するものでもなく、絶縁膜と上記導電層，導電片との関連構成（重畳関係）を有するものでもない、
等の点で、正確な対応付けが困難である。
　また、同第５図のものでは、
i)導電層に相当するとされるアルミニューム１７は、最上層として形成されていることから、下方に設けられたものでないばかりか、信号線に相当するソースライン９及び画素駆動電極１１とも重畳していない、
ii)上記のように重畳関係が異なることから、アルミニューム１７及びソースライン９あるいは画素駆動電極１１間に介在する絶縁膜を有していない、
iii)画素駆動電極１１に電気的に接続された導電片に相当する部材を有しておらず、上記ii)に示したように対応する絶縁膜を有していないことから、絶縁膜との関連構成を有するものでもない、
iv)ソースライン９は、信号線をトランジスターのソース電極１４に接続するために突出した形状を有しているものであって、修復のために突出部を突出させたものではなく、修復の目的等も異なる（ソースラインとゲートラインのショートを修復）ことから、他の部材との重畳関係も相違する、
等の点で、正確な対応付けが困難である。
　さらに、同第６図のものは、ソース電極１４の上に、ソース−ドレイン方向とは直交する方向に絶縁層１６を介して導電材料１８を配置し修復を行うものであって、導電材料１８が画素駆動電極１１に直接接続されている点で第５図のものとは相違するものの、第５図において指摘したi)，ii)の点で同様に相違するばかりでなく、
iii)２カ所で絶縁するとの思想がないことから、導電材料１８が画素駆動電極１１に直接接続されているものであり、したがって画素駆動電極１１の上に絶縁層を設けるものでも、その上に導電片を設けるものでもない、
iv)ソースライン９は、信号線をトランジスターのソース電極１４に接続するために突出した形状を有しているものであって、修復のために突出部を突出させたものではない、
等の点で、正確な対応付けが困難である。
　
　結局、請求人の主張は、本件発明とは基本的な技術思想が相違する文献を提示し、上記のように詳細に検討すると正確に対応付けができないところを、相違するところは適宜対応（別部材であるソース電極１４を信号線９の突出部と見做すことなど）すると主張し、またそれぞれの図面に断片的に記載されている構成を集め（第６図の構成に、第５図の絶縁膜を介した修正構造を用いることなど）、さらにその余は実質的相違ではない（導電材料１８を上下いずれに配置するかなど）と主張するものであるから、甲第３号証を主たる証拠として採用した請求人の主張は、解決すべき課題及び動機付けを考慮した適切な論理を構成するものではないので、採用するに足らないものである。
　
８．むすび
　以上のとおりであるから、請求人が主張する理由及び提出した証拠方法によっては、訂正後の本件発明１及び本件発明２を無効とすることはできない。
　よって、結論のとおり審決する。