【事件の表示】
　平成　８年特許願第１９４２６５号「パターン形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　２月１３日出願公開、特開平１０−　４１２１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成８年７月２４日の出願であって、平成１６年６月２３日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年７月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月２４日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年８月２４日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年８月２４日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、平成１６年３月２９日付の手続補正による「基板の水滴に対する接触角を５０〜８０度程度とする密着剤処理を行う工程と、前記基板上に前記化学増幅型レジストを塗布する工程と、所望のマスクを用いて前記化学増幅型レジストに対して露光を行う工程と、前記露光を行った後前記化学増幅型レジストをアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを有するパターン形成方法。」を、「基板の水滴に対する接触角を５０〜８０度程度とする密着剤処理を行う工程と、前記基板上に化学増幅型レジストを塗布する工程と、所望のマスクを用いて前記化学増幅型レジストに対して露光を行う工程と、前記露光を行った後前記化学増幅型レジストをアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを有し、前記密着剤処理条件の制御として、密着剤のバブリング時間を制御することを特徴とするパターン形成方法。」と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「密着剤処理」に関し、「密着剤処理条件の制御として、密着剤のバブリング時間を制御する」と限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例１
　国際公開第９６／１５８６１号パンフレット（特表平１１−５１１９００号公報参照）
　
（２）．１　引用例１の記載内容
　引用例１の第２頁第５行ないし第１７行には、
「初期のフォトレジスト塗布方法には、フォトレジストの基板上へのコーティング不良…を含む問題があった。…
　上記の問題は、フォトレジストの塗布前にヘキサメチルジシラザン（「ＨＭＤＳ」）を用いてシリコン基板を前処理…することで大部分が解消された。」
と記載されている。
　引用例１の第３頁第１３行ないし第４頁第２３行には、
「ＨＭＤＳなどの物質によるプライミング中に達成される表面シリル化の程度は、「表面接触角」を計測することによって評価可能である。知られているように、この接触角が大きくなるほど、シリル化の程度は高い。また、知られているように、このシリル化された表面上に置かれた１滴の水に、…ゴニオメータの焦点を合わせることにより表面接触角を計測することができる。…ケイ素、二酸化ケイ素、および窒化ケイ素などの基板に関するこれまでの報告は、６５ないし８５度の接触角が、これらの接触角より上下ではフォトレジストのディウェッティング（ｄｅｗｅｔｔｉｎｇ）が発生することから望ましいことを示している。
　ＨＭＤＳを用いた基板のプライミングに関する改良は、…ＨＭＤＳの蒸気を基板表面に加える蒸気プライミング、を含んでいる。
…
　高解像度フォトレジストは一般的に、化学的に増幅された…組成物である。」
と記載されている。
　引用例１の第１頁第３２行ないし第３６行には、　
「フォトレジスト薄膜をシリコンなどの基板上に配置またはコーティングし、露光させ、化学現像液によって所望のパターンに現像するフォトリソグラフィ技術」
と記載されている。
　
（２）．２　引用例１に記載された発明
　上記引用例の記載を参照すると、引用例１には、「基板の水滴に対する接触角を６５〜８５度程度とするＨＭＤＳ処理を行う工程と、前記基板上に化学的に増幅されたレジストを塗布し、レジストを露光させ、化学現像液によって所望のパターンに現像する方法。」の発明が記載されている。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例１に記載された発明とを比較する。
　引用例１に記載された発明の、「ＨＭＤＳ処理」及び「化学的に増幅されたフォトレジスト」は、それぞれ、本願補正発明の、「密着剤処理」及び「化学増幅型レジスト」に相当する。
　また、引用例１に記載された発明では、マスクを用いて露光を行う点の記載がないが、引用例１に記載された発明においても、レジストを露光させ、化学現像液によって所望のパターンに現像するものであるから、所望のパターンに現像するため当然マスクを用いて露光を行うことは明らかである。
　
　そうすると両者は、
「基板に密着剤処理を行う工程と、前記基板上に前記化学増幅型レジストを塗布する工程と、所望のマスクを用いて前記化学増幅型レジストに対して露光を行う工程と、前記露光を行った後前記化学増幅型レジストを現像してレジストパターンを形成する工程とを有するパターン形成方法。」
において一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点
　本願補正発明が、「接触角を５０〜８０度程度とする」のに対し、引用例１に記載された発明は、「接触角を６５〜８５度程度とする」点で相違（以下、「相違点１」という。）する。
　
　本願補正発明は、「化学増幅型レジストをアルカリ現像してレジストパターンを形成する」のに対し、引用例１に記載された発明は、その旨の記載がない点で相違（以下、「相違点２」という。）する。
　
　本願補正発明が、「密着剤処理条件の制御として、密着剤のバブリング時間を制御する」のに対し、引用例１に記載された発明は、その旨の記載がない点で相違（以下、「相違点３」という。）する。
　
（４）判断
　相違点１について検討する。
　本願補正発明は、「接触角を５０〜８０度程度とする」のであるが、当該５０及び８０度については、詳細な説明を参照しても臨界的意義は認められず、単に目安程度のものにすぎないところ、引用例１に記載された発明は、「接触角を６５〜８５度程度とする」ものであり、この数値は本願補正発明と重複している。
　そうすると、相違点１に係る構成については、当業者が容易に想到できた程度のことである。
　
　相違点２について検討する。
　化学増幅型レジストをアルカリ現像してレジストパターンを形成することは、当該技術分野において周知手段（例えば、特開平４−２２１９５９号公報、特開平４−３４２２６０号公報及び特開平５−１３６０２８号公報等参照）であり、相違点２に係る構成については、当業者が容易に想到できたことである。
　
　相違点３について検討する。
　基板に対するレジスト塗布に先だって基板に対し密着剤処理すること及び当該密着剤処理をバブリングによって行うことは、周知手段（例えば、特開昭６３−２１６３４４号公報、特開平３−１５３０１７号公報、特開平５−５７２３１号公報及び特開平８−５１０５９号公報等参照）であり、また、密着剤処理において、適切な密着剤処理時間が必要であることは当業者において自明のことにすぎないから、密着剤処理条件の制御として、密着剤のバブリング時間を制御する程度のことは、当業者が容易に想到できたことである。
　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１記載の発明及び周知手段から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１記載の発明及び周知手段に基づいて当業者が容易に想到しえたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１６年８月２４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１６年３月２９日付けで補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　請求項１
　基板の水滴に対する接触角を５０〜８０度程度とする密着剤処理を行う工程と、前記基板上に化学増幅型レジストを塗布する工程と、所望のマスクを用いて前記化学増幅型レジストに対して露光を行う工程と、前記露光を行った後前記化学増幅型レジストをアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを有するパターン形成方法。
　なお、平成１６年３月２９日付けで補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された「前記基板上に前記化学増幅型レジストを塗布する工程」は、「前記基板上に化学増幅型レジストを塗布する工程」の誤記であると認められるから、上記のように認定した。
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例
　特開平７−３３５６０３号公報
（１）−１　引用例の記載内容
　引用例の【０００５】ないし【０００８】段落には、
「【０００５】図４（ａ）に示すように、半導体基板１の表面には、Ｈ，Ｏの元素が存在している。この半導体基板１の表面には、その表面を撥水性とするための図示せぬ処理剤が供給される。この処理剤としては、下記化６に示すＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラン）が使用される。これにより、半導体基板１の表面に前記ＨＭＤＳが化学的又は物理的に吸着される。
　…
【０００７】次に、図４（ｂ）に示すように、前記ＨＭＤＳと前記Ｈ，Ｏの元素とが反応することにより、半導体基板１の表面は−ＣＨ3基で覆われる。この結果、半導体基板１の表面は撥水性とされる。このとき、半導体基板１の表面においては、前記反応によって塩基性物質であるＮＨ3やＮＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）3が発生する。
【０００８】この後、前記半導体基板１の表面上にはポジ型の図示せぬフォトレジスト層が形成される。次に、このフォトレジスト層は、フォトリソグラフィ法によって所定の微細パタ−ンが露光される。この後、前記フォトレジスト層には図示せぬ現像液であるテトラメチルアンモニウムヒドロキジド等のアルカリ水溶液が供給される。これにより、前記フォトレジスト層は現像される。この際、前記半導体基板１の表面が撥水性とされているため、前記フォトレジスト層と半導体基板１との間に前記現像液がしみ込むことが抑制される。この結果、現像時のパタ−ン剥がれが起こる原因の一つを抑えることができる。
　次に、前記フォトレジスト層が水洗されることにより、前記現像液は半導体基板１上から洗い流される。」
と記載されている。
　引用例の【００２８】段落には、
「【００２８】…
　上記実施例によれば、シリコン基板１１の表面を表面改質剤によって処理することにより、その基板１１の表面を図１に示すような状態、即ち表面改質を行うことができる。このため、基板１１表面を撥水性とすることができると共にレジスト液との相溶性をも向上させることができる。…」
と記載されている。
　引用例の【００３０】段落には、
「【００３０】…酸を触媒とした化学増幅型のレジストを使用しても、従来の処理剤のように前記塩基性物質がレジストに影響を与えることがなく、レジストのパタ−ン形成に支障を生じさせることがない。…」
と記載されている。
　引用例の【００３９】段落には、
「【００３９】図２からは、従来の表面処理剤を用いた場合の対レジストの接触角に比べ、上記実施例の表面処理剤を用いた場合のそれの方が小さいことがわかる。これは、従来の表面処理剤に比べ実施例のそれを用いた場合の方がＳｉウエハ表面とレジストとのぬれ性が良いことを示している。」
と記載されている。
　
（１）−２　引用例に記載された発明　
　上記引用例の記載からみて、引用例には、「半導体基板の表面に当該表面を撥水性とするための処理剤を供給し、半導体基板の表面上に化学増幅型のレジスト層を形成し、当該レジスト層は、フォトリソグラフィ法によって所定の微細パタ−ンを露光し、レジスト層に現像液であるアルカリ水溶液が供給され、フォトレジスト層を現像する発明」が記載されている。
　
（２）対比      
　そこで、本願発明と引用例に記載された発明とを比較する。
　本願明細書を参照すると、本願発明における「密着剤」は、「基板１の表面を疎水性にする」（本願明細書【０００５】段落参照）ためのものであるから、引用例に記載された発明の、「半導体基板の表面に当該表面を撥水性とするための処理剤」は、本願発明における「密着剤」に相当する。
　
　　そうすると両者は、
「基板に密着剤処理を行う工程と、前記基板上に化学増幅型レジストを塗布する工程と、前記化学増幅型レジストに対して露光を行う工程と、前記露光を行った後前記化学増幅型レジストをアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを有するパターン形成方法。」
において一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点
　本願発明が、「基板の水滴に対する接触角を５０〜８０度程度とする密着剤処理を行う」のに対し、引用例１に記載された発明は、基板を撥水性とする点が記載されているものの、上記数値の記載がない点で相違（以下、「相違点１」という。）する。
　
　本願発明は、「所望のマスクを用い」るのに対し、引用例１に記載された発明は、その旨の記載がない点で一応相違（以下、「相違点２」という。）する。
　
（３）判断
　相違点１について検討する。
　本願発明の「基板の水滴に対する接触角を５０〜８０度程度とする」における数値について、本願明細書を参照しても特に臨界的意義は認められず、単に目安程度のものであり、また、当該技術分野において、基板の水滴に対する接触角が、上記数値程度が最適であることは周知事項（例えば、国際公開第９６／１５８６１号パンフレット（特表平１１−５１１９００号公報参照）及び特開平５−５７２３１号公報等参照）であるから、相違点１に係る構成については、当業者が容易に想到できた程度のことである。
　
　相違点２について検討する。
　フォトリソグラフィ法によって所定の微細パタ−ンを露光する際にマスクを用いることは周知手段（例えば、特開平１−２８４８５１号公報及び特開平１−２６２６２２号公報等参照）であるから、相違点１に係る構成については、当業者が容易に想到できた程度のことである。
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用例記載の発明、周知手段及び周知事項から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用例記載の発明、周知手段及び周知事項に基づいて当業者が容易に想到しえたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例記載の発明、周知手段及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。