【事件の表示】
　特願２０００−１５９５１８「磁気記録媒体およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月２６日出願公開、特開２００１−　２３１４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年５月３０日（パリ条約による優先権主張、１９９９年６月２日、米国）の出願であって、平成１３年１２月１３日付け拒絶理由通知に応答して平成１４年６月１８日付けで手続補正がなされたが、平成１４年７月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年１０月９日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１４年１０月９日付けの手続補正（以下、「本件補正」ともいう。）を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜１４が請求項１〜７にされるとともに、特許請求の範囲の請求項１に関し、
　【請求項１】「ａ）基板と、
　ｂ）前記基板上の下地層と、
　ｃ）前記下地層上に形成され、１〜３０ナノメートルの範囲の厚さを有し、
ＣｏＰｔＣｒＢで形成された粒状強磁性ホスト層
　ｄ）前記ホスト層上に形成され、これと接触しており、
ＣｏＣｒ、Ｃｏ、ＮｉＦｅ
材料からなり
　を含む、磁気記録媒体。」　
とする補正を含むものである。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項であるホスト層と強磁性オーバレイに関し、（イ）ホスト層について、「Ｂからなる偏析材料を含む粒状強磁性Ｃo合金のホスト層」を「ＣｏＰｔＣｒＢで形成された粒状強磁性ホスト層」と補正し、（ロ）強磁性オーバレイについて、「Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選択された少なくとも１つの元素を含み」を「ＣｏＣｒ、Ｃｏ、ＮｉＦｅからなる群から選択された材料からなり」と補正するものであり、それぞれ実質的に材質を更に具体的なものに限定するものである。　ところで、（イ）に関しては、「偏析材料」の用語が削除されているが、実質的に変更がないものと一応解する。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前の刊行物である、特開平１０−３３４４４３号公報（以下、「引用例」という。）には、次のような記載がある（なお、下線は、便宜上当審が付与した。）。
　（i）「【請求項１】
非磁性基板と該非磁性基板上に設けられた下地膜を介して形成された垂直磁化膜上に軟磁性膜もしくは面内磁気異方性を有する磁性膜を形成し、これら２種類の磁性膜を加えた厚さが１００ｎｍ以下で、かつ垂直磁化膜の厚さがその上に設けた磁性膜の厚さより大きいことを特徴とする垂直磁気記録媒体
　【請求項２】請求項１記載の磁気記録媒体において、
垂直磁化膜の上に設けた磁性膜の厚さが３ｎｍ以上，１０ｎｍ以下
　（ii）「【００１６】これらの磁性膜の膜厚が適当に薄いと垂直磁化膜表面に存在する長周期，短周期の磁気揺らぎは垂直磁化膜の表面に形成した磁性膜に吸収されるが、記録ビットから発生するより強い磁束は吸収しきれない場合がおこる。この場合、磁気揺らぎに起因する磁束は磁性膜表面に漏洩しないため、磁気ヘッドで検出されなくなり、媒体ノイズが減少する。磁気揺らぎに起因する磁束を吸収し、しかも記録ビットから発生する磁束をあまり吸収しない垂直磁化膜と表面に設ける磁性膜の厚さ等の組み合わせは、垂直磁化膜の厚さや飽和磁化，保磁力の値等に依存して変化するため、それぞれの場合で最適な組み合わせを選択することが必要となる。
　【００１７】一般的に
表面に設ける磁性膜の厚さは、製膜の制御性やディスク表面全域における膜厚分布の制御性などの要因から考えて、２〜１０ｎｍさらに望ましくは３〜５ｎｍの範囲が適当である
パーマロイ
CoNbZrなど
Ｃｏ
Ｎｉ
Ｆｅ
ＣｏＮｉ
CoNiCr
　（iii）「【００１８】図１は単層型の垂直磁気記録媒体の改良に本発明を適用した場合の例を示す。単層型の垂直磁気記録媒体は、通常、非磁性基板１１上に磁性膜の垂直配向性向上や結晶粒径制御を目的とした下地層１２を介して垂直磁化膜１３が形成される。通常はこの上にカーボン等からなる保護膜が形成される。
　【００１９】
磁性膜１３としては、合金元素としてＣｒ
Ｔａ
Ｐｔ
Ｂ
選ばれたすくなくとも１種の元素を含むＣｏ合金が用いられる
結晶粒界面には非磁性元素が優先的に偏析させた構造が用いられる
　【００２０】媒体ノイズを低減するために、既に述べたように、この垂直磁化膜１３の上に垂直磁化膜の膜厚に比べ薄い軟磁性膜もしくは面内磁化膜１４を形成する。・・・（中略）・・・。
　【００２１】垂直磁化膜１３上に軟磁性膜１４を設けることにより、垂直磁化膜１３の表面に存在する磁気揺らぎから発生する磁束が磁性膜に吸収され、この結果媒体ノイズが低減する。また薄い磁性膜が形成されることにより表面にミクロな起伏や組成偏析が存在しても磁気揺らぎは容易には形成されなくなる。ここで、１５は保護膜である。」（段落【００１８】〜【００２１】参照）こと、
　（iv）「【００２７】【発明の実施の形態】
＜実施例１＞　直径２.５ インチのガラス基板を用いて、直流マグネトロンスパッタ法によって、図１に示す断面構造を持つ磁気記録媒体を作製した。
基板
下地層
垂直磁化膜
軟磁性膜
をこの順序で形成した
垂直磁化膜用にＣｏ
Ｃｒ
Ｐｔ
第１垂直磁化膜を３０ｎｍ
軟磁性膜であるCoNbZr膜を４ｎｍ
　【００２８】さらに
軟磁性膜１４に、Ｆｅ−Ｎｉ
軟磁性膜１４の代わりに面内磁気異方性を持つＣｏ
を４ｎｍの厚さに形成した
　（v）「【００３３】＜実施例２＞直径２.５ インチのシリコン基板を用いて、直流マグネトロンスパッタ法によって、図２に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。
基板
下地層
垂直磁化膜
磁性膜
をこの順序で形成
垂直磁化膜用にＣｏ
Ｃｒ
Ｐｔ
Ｔａ
磁性膜用にＦｅ
Ｎｉ
垂直磁化膜を２５ｎｍ
軟磁性膜であるＦｅＮｉ膜を３ｎｍ
　
　これらの記載からみて、引用例には、
　「非磁性基板と該非磁性基板上に設けられた下地膜を介して形成された垂直磁化膜上に軟磁性膜もしくは面内磁気異方性を有する磁性膜を形成し、
　垂直磁化膜としてはＣr、Ｔa、Ｐt、Ｂなどから選ばれたすくなくとも１種の元素を含むＣｏ合金（実施例１でＣｏＣｒＰｔ、実施例２でＣｏＣｒＰｔＴａ）を用い、軟磁性膜もしくは面内磁気異方性を有する磁性膜としてはパーマロイ、ＣｏＮｂＺｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒなど（実施例１，２でＦｅＮｉ、Ｃｏなど）を用い、
　これら２種類の磁性膜を加えた厚さが１００ｎｍ以下で、かつ垂直磁化膜の厚さ（実施例１で３０ｎｍ、実施例２で２５ｎｍ）がその上に設けた磁性膜の厚さ（望ましくは３〜５ｎｍ、実施例１で４ｎｍ、実施例２で３ｎｍ）より大きい
　垂直磁気記録媒体。」
の発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（３）対比、判断
　そこで、本願補正発明と引用例発明とを対比する。
　（α）引用例発明の「非磁性基板」と「下地膜」、「垂直磁化膜」、「軟磁性膜もしくは面内磁気異方性を有する磁性膜」は、本願補正発明の「強磁性ホスト層」が単に記録層としての役割を有する強磁性層と認められ、同じく「強磁性オーバレイ」がその記録層の上に重ねて設けられる強磁性の層と認められることから、それぞれ本願補正発明の「基板」と「下地層」、「強磁性ホスト層」、「強磁性オーバレイ」に相当する。
　（β）「強磁性ホスト層」（「垂直磁化膜」）の材質に関し、引用例発明の「Ｃｒ、Ｔa、Ｐｔ、Ｂなどから選ばれたすくなくとも１種の元素を含むＣｏ合金（実施例１でＣｏＣｒＰｔ、実施例２でＣｏＣｒＰｔＴａ）」は、本願補正発明の「ＣｏＰｔＣｒＢで形成された」に対応し、いずれもＣｏＣｒＰｔ系合金である点で一致している。
　（γ）「強磁性ホスト層」（「垂直磁化膜」）の膜厚に関し、引用例発明の「（実施例１で３０ｎｍ、実施例２で２５ｎｍ）」は、本願補正発明の「１〜３０ナノメートル」とは、少なくとも２５〜３０ナノメートルの点で一致している。
　（δ）「強磁性オーバレイ」（「軟磁性膜もしくは面内磁気異方性を有する磁性膜」）の材質に関し、引用例発明の「パーマロイ、ＣｏＮｂＺｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒなど（実施例でＦｅＮｉ、Ｃｏなど）」は、本願補正発明の「ＣｏＣｒ、Ｃｏ、ＮｉＦｅからなる群から選択された材料」に対応し、すくなくともＣｏ，ＮｉＦｅである点で一致している。
　（ε）「強磁性オーバレイ」（「軟磁性膜もしくは面内磁気異方性を有する磁性膜」）の膜厚に関し、引用例発明の「（望ましくは３〜５ｎｍ、実施例１で４ｎｍ、実施例２で３ｎｍ）」は、本願補正発明の「０．１〜４ナノメートル」とは、少なくとも３〜４ナノメートルの点で一致している。
　
　してみると、両発明は、
「ａ）基板と、
　ｂ）前記基板上の下地層と、
　ｃ）前記下地層上に形成され、２５〜３０ナノメートルの範囲の厚さを有し、ＣｏＰｔＣｒ系合金で形成された強磁性ホスト層と、
　ｄ）前記ホスト層上に形成され、これと接触しており、Ｃｏ、ＮｉＦｅからなる群から選択された材料からなり、３〜４ナノメートルの範囲の有効厚さを有する強磁性オーバレイと
　を含む、磁気記録媒体。」
の発明である点で一致し、次の相違点で一応相違している。
　＜相違点＞
　「ＣｏＰｔＣｒ系合金で形成された強磁性ホスト層」に関し、本願補正発明では、「ＣｏＰｔＣｒＢで形成された粒状」としているのに対し、引用例発明では、「Ｃｒ、Ｔa、Ｐｔ、Ｂなどから選ばれたすくなとも１種の元素を含むＣｏ合金（実施例１でＣｏＣｒＰｔ、実施例２でＣｏＣｒＰｔＴａ）」としている点。
　
　この相違点について検討する。
　引用例発明の実施例では「ＣｏＣｒＰｔＢ」の実施例は示されていないけれども、実施例１においてＣｏＣｒＰｔが用いられていること、摘示の如く段落【００１９】にはＣｏ合金に含ませる元素としてＴaやＢが例示されていること、及び実施例２においてＣｏＣｒＰｔＴａの４元が用いられていることに鑑み、更に、当該技術分野において、ＣｏＣｒＰｔＢの磁性層を用いることは知られている［例えば、特開平７−２６２５４６号公報（段落【００１６】など）、国際公開第９６／２７１８７号（第５頁２行目、第８頁１６行など）参照］ことを勘案すると、当業者であれば、磁性層材料として「ＣｏＣｒＰｔＢ」を用いることは容易に思い至る程度のことというべきである。
　ところで、補正前の「Ｂからなる偏析材料」であることは本願補正発明の構成としては明示されなくなったが、仮にその明示があったところで、引用例発明に、「結晶粒界面には非磁性元素が優先的に偏析させた構造が用いられる」ことが明示（前記摘示の段落【００１９】参照）されていることに鑑みれば、Ｂが偏析材料といえるものであり、そのような偏析構造とすることは示唆された構造といえる。更に、結晶粒界面があることは、粒状であることを意味していると解される。
　そして、この「ＣｏＣｒＰｔＢ」を用いたことや「粒状」強磁性ホスト層としたことによって格別予想外の作用効果を奏するとは認められないし、本願明細書においても単にその実施例があるだけで、そのようにしたことによって格別予想外に優れていることを説明しているわけではない。
　したがって、引用例発明において、「ＣｏＰｔＣｒＢで形成された粒状」強磁性ホスト層とすることは、格別の創意工夫が必要であるとは認められない。
　
　よって、本願補正発明は、周知技術を勘案し引用例発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１４年１０月９日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１４にかかる発明は、平成１４年６月１８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定されるものと認められるところ、そのうち請求項１にかかる発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　【請求項１】「ａ）基板と、
　ｂ）前記基板上の下地層と、
　ｃ）前記下地層上に形成され、１〜３０ナノメートルの範囲の厚さを有し、Ｂからなる偏析材料を含む粒状強磁性Ｃｏ合金のホスト層と、
　ｄ）前記ホスト層上に形成され、これと接触しており、Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選択された少なくとも１つの元素を含み、０．１〜４ナノメートルの範囲の有効厚さを有する強磁性オーバレイと
　を含む、磁気記録媒体。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶理由に引用された引用例およびその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比、判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明の限定事項である（イ’）ホスト層に関する「ＣｏＰｔＣｒＢで形成された粒状強磁性ホスト層」との構成を、上位概念の「Ｂからなる偏析材料を含む粒状強磁性Ｃo合金のホスト層」とし、及び同じく（ロ’）強磁性オーバレイに関する「ＣｏＣｒ、Ｃｏ、ＮｉＦｅからなる群から選択された材料からなり」との構成を、上位概念の「Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選択された少なくとも１つの元素を含み」としたものである。
　ところで、（イ’）に関しては、「偏析材料」の用語が追加されているが、実質的に変更がないものと認められ、乃至は、少なくとも前記「２．（３）」に記載したとおり引用例に示唆されている技術事項にすぎないものと認められる。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（３）」に記載したとおり、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、周知技術を勘案し引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、周知技術を勘案し引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願はその余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。