【手続補正書】
【提出日】平成22年2月22日(2010.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子の約５０％以上がＩＢ、ＩＩＩＡおよび／またはＶＩＡ族元素から選ばれる少なくとも一つの元素を含む非球状の平面形状マイクロフレークである粒子からインクを調製し、前記インクに含まれる全体量のＩＢ、ＩＩＩＡおよび／またはＶＩＡ族元素は所望の化学量論比を有し、前記インクにより基板をコーティングして前駆体層を形成し、好適な雰囲気下で前記前駆体層を加工して高密度の薄膜を形成することを含む方法。
【請求項２】
実質的に前記全粒子が非球状の平面形状である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マイクロフレークの平面形状が少なくとも前記光起電力装置の半導体光吸収体層の一方向において少なくとも約１．０μｍの粒子サイズを生成できる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記各マイクロフレークの長さが約３ミクロン未満で０．５ミクロンより長い請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記マイクロフレークが約２ミクロン未満の長さと、１００ｎｍ未満の厚さを持つ請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記マイクロフレークが少なくとも１０以上のアスペクト比を持つ請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記マイクロフレークが少なくとも１５以上のアスペクト比を持つ請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記前駆体層上にセレン薄膜を形成する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記好適な雰囲気が、カルコゲン分圧が加工温度および圧力下での前記カルコゲンの蒸気圧以上である前記カルコゲン蒸気を含む非酸素雰囲気を含み、前記前駆体層からの前記カルコゲンの損失を最小化し、前記加工圧力は非真空圧力であり、前記粒子が一以上のタイプの二成分カルコゲニドである請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記分散剤中の少なくとも一部の前記粒子がナノ球体の形態であり、前記粒子は少なくとも一つのＩＩＩＡ族元素を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記マイクロフレークの前記前駆体層から前記薄膜が形成され、前記前駆
体層は少なくとも一つの以下の物質を含む層と接触する請求項１に記載の方法：ＩＢ族元素、ＩＩＩＡ族元素、ＶＩＡ族元素、ＩＡ族  元素、前記元素の二成分および／または多成分合金、前記元素の固溶体、銅、インジウム、ガリウム、セレン、銅インジウム、銅ガリウム、インジウムガリウム、ナトリウム、ナトリウム化合物、フッ化ナトリウム、硫化ナトリウムインジウム、セレン化銅、硫化銅、セレン化インジウム、硫化インジウム、セレン化ガリウム、硫化ガリウム、セレン化銅インジウム、硫化銅インジウム、セレン化銅ガリウム、硫化銅ガリウム、セレン化インジウムガリウム、硫化インジウムガリウム、セレン化銅インジウムガリウム、および／または銅硫化インジウムガリウム。
【請求項１２】
前記マイクロフレークがナトリウムを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記マイクロフレークが約１原子％以下のナトリウムを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記マイクロフレークが、Ｃｕ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｎａ、Ｇａ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｇａ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｎａ、Ｎａ−Ｓｅ、Ｃｕ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｇａ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｇａ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｎａ−Ｓ、Ｃｕ−Ｓ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｓ−Ｎａ、Ｇａ−Ｓ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｇａ−Ｓ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓ−Ｎａ、またはＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓ−Ｎａのうちの一つの物質を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記マイクロフレークの前駆体層から前記薄膜が形成され、さらに、インクが有機カウンターイオンを持つナトリウム化合物または無機カウンターイオンを持つナトリウム化合物を含有する請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記前駆体層中の前記物質がマイクロフレークＩＢ−ＩＩＩＡ族元素合金およびＩＩＩＡ族元素物質のナノ球体である請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記マイクロフレークの前駆体層から前記薄膜が形成され、前記前駆体層および／またはマイクロフレークと接触しているナトリウム含む物質の層が、Ｃｕ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｎａ、Ｇａ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｇａ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｎａ、Ｎａ−Ｓｅ、Ｃｕ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｇａ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｇａ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ−Ｎａ、Ｎａ−Ｓ、Ｃｕ−Ｓ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｓ−Ｎａ、Ｇａ−Ｓ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｇａ−Ｓ−Ｎａ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓ−Ｎａ、またはＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓ−Ｎａのうちの一つの物質を含み、および／またはインクが前記マイクロフレークおよび有機カウンターイオンを持つナトリウム化合物または無機カウンターイオンを持つナトリウム化合物を含有する請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数のマイクロフレークに含まれるＩＢ族元素物質のＩＩＩＡ族元素物質に対するモル比が１．０より大きい請求項１に記載の物質。
【請求項１９】
前記前駆体粒子がカルコゲニド粒子であり、前記カルコゲニド粒子は、非平面状の開始形態から平面形状の形態を形成するに十分な脆さを提供する各元素の化学量論比を有することを特徴とする請求項１に記載の物質。
【請求項２０】
前記前駆体粒子がセレン化銅、セレン化インジウム、またはセレン化ガリウムよりなるグループから選択される請求項１に記載の物質。
【請求項２１】
前記粒子の少なくとも９０％がマイクロフレークである請求項１記載の方法。
【請求項２２】
前記金属間粒子は、Ｃｕ１Ｉｎ２、Ｃｕ６８Ｇａ３８、Ｃｕ７０Ｇａ３０またはＣｕ７５Ｇａ２５からなる群から選択される材料を含有する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記金属間粒子はＣｕ含有量の多いＣｕ−Ｇａからなる、請求項２１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のさらに他の実施形態は、実質的に全粒子がマイクロフレークである粒子のインクの製剤からなる方法を提供する。実施形態の一つでは、少なくとも全粒子の約９５％（全粒子の全重量に基づく）がマイクロフレークである。実施形態の一つでは、少なくとも全粒子の約９９％（全粒子の全重量に基づく）がマイクロフレークである。実施形態の一つでは、全粒子がマイクロフレークである。さらにもう一実施形態では、全粒子がマイクロフレークおよび／またはナノフレーク（ｎａｎｏｆｌａｋｅ）である。実質的に各マイクロフレークがＩＢ、ＩＩＩＡおよび／またはＶＩＡ族元素のうち一つの元素を含み、前記インクに含まれるＩＢ、ＩＩＩＡおよび／またはＶＩＡ族元素の全体量は、インクが少なくとも所望のまたは所望に近い化学量論比のＩＢおよびＩＩＩＡ族の元素を含むように調製される。前記マイクロフレークの平面形状が少なくとも前記光起電力装置の半導体光吸収体層の一方向において少なくとも約０．５μｍ、より好適には少なくとも約１．０μｍ、さらに好適には少なくとも約２．０μｍの粒子サイズを生成できる。マイクロフレークがランダムな平面形状および／またはランダムなサイズ分布を有していてもよく、あるいは、非ランダムな平面形状および／または非ランダムなサイズ分布を有するものであってもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のさらに他の実施形態は、全体の約５０％以上の粒子（全粒子の重量に基づく）がＩＢ、ＩＩＩＡおよび／またはＶＩＡ族元素のうち一つの元素を含む非球状の平面状フレークである粒子からのインクの製剤を含む方法を提供し、前記インク中のＩＢ、ＩＩＩＡおよび／またはＶＩＡ族元素の総量は、インクが所望の化学量論的な元素比率を有する。さらに他の実施形態では、インク中の、粒子数に基づいて全粒子中の５０％以上の粒子が上記のフレークであるインクが提供される。さらに他の実施形態では、少なくとも約７５％以上の粒子（全粒子の重量に基づく）がマイクロフレークである。上記方法は、前記インクによる基板のコーティングによる前駆体層の形成および該前駆体層の好適な加工条件による薄膜の形成を含む。薄膜は、光起電力装置の半導体光吸収体層製造に用いられる。当然ながら、好適な加工条件には、限定されないが、加工が行われる気体の組成、圧力および／または温度が含まれる。一実施形態では、実質的に全粒子が非球状の平面状フレークである。一実施形態では、全粒子のうち少なくとも９５％の粒子（全粒子の合計重量に基づく）がフレークである。他の実施形態は、全粒子のうち少なくとも９９％の粒子（全粒子の合計重量に基づく）がフレークである。フレークにはマイクロフレークが含まれる。他の実施形態では、フレークにはマイクロフレークとナノフレークの両方が含まれる。少なくとも前記インク中の一部の前記粒子が少なくとも一つのＩＢ−ＩＩＩＡ族元素の金属間合金相を含む金属間マイクロフレーク粒子である。前記高密度薄膜が光起電性装置の半導体光吸収体層に用いられる。前記粒子がマイクロフレークおよびナノフレークを含む。前記粒子の全重量の少なくとも約７５％以上がマイクロフレークである。各マイクロフレークの長さが約５ミクロン未満で０．５ミクロンより長い長さ、好適には約３ミクロン未満で０．５ミクロンより長い長さを持つ。各マイクロフレークが約１００ｎｍ未満の厚さ、好適には約２０ｎｍ未満の厚さを持つ。前記マイクロフレークが約２ミクロン未満の長さと、１００ｎｍ未満の厚さ、より好適には約１ミクロン未満の長さ及び５０ｎｍ未満の厚さを持つ。マイクロフレークが少なくとも１０以上のアスペクト比、好適には１５以上のアスペクト比を持つ。前駆体層上にさらにセレン薄膜を形成するものであってもよい。好適な雰囲気が、カルコゲン分圧が加工温度および圧力下での前記カルコゲンの蒸気
圧以上である前記カルコゲン蒸気を含む非酸素雰囲気を含み、前記前駆体層からの前記カルコゲンの損失を最小化し、前記加工圧力は非真空圧力であり、前記粒子が一以上のタイプの二成分カルコゲニドである。前記マイクロフレークの前記前駆体層から前記薄膜が形成され、前記前駆体層はナトリウムを含む物質の層と接触する。