Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月19日(2010.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）接触分解条件下で接触分解活性を有する少なくとも１つのゼオライト粒子と、最終触媒組成物中で少なくとも５重量％のアルミナをもたらすのに充分な量の硫酸アルミニウムを含む、均質なもしくは実質的に均質な水性スラリーを形成すること；
ｂ）スラリーを噴霧乾燥して、粒子を形成すること；
ｃ）場合によっては、噴霧乾燥された粒子を１５０℃から６００℃の範囲の温度で２時間から１０分間カ焼すること；
ｄ）カ焼粒子を塩基水溶液中７から１３のｐＨで、全部もしくは実質的に全部の硫酸イオンを除去するのに充分な時間および温度で再スラリー化すること；
ｅ）得られる粒子を回収し、乾燥して、硫酸アルミニウムから得られる少なくとも５重量％のアルミナを含む最終触媒組成物を得ること
を含んでなる、少なくとも３０のダビソンインデックスを有する接触分解触媒組成物を形成する方法。
【請求項２】
硫酸アルミニウムが最終触媒組成物中で硫酸アルミニウムから得られる５から２５重量％のアルミナをもたらすのに有意な量でスラリー中に存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
噴霧乾燥された粒子が２５０℃から４５０℃の範囲の温度で２時間から１０分間カ焼される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
再スラリー段階時の温度が１分間から３時間で１℃から１００℃の範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つのゼオライトがフォージャサイトゼオライト、モルデナイト、ベータゼオライト、ＺＳＭ−５タイプゼオライト、およびこれらの混合物からなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項６】
フォージャサイトゼオライトがＹ−タイプゼオライト、ＵＳＹゼオライト、ＲＥＵＳＹゼオライトまたはこれらの混合物からなる群から選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ゼオライトが希土類金属イオン、アルカリ土類金属イオン、アンモニウムイオン、酸イオン、およびこれらの混合物からなる群から選択されるイオンにより部分的にイオン交換されている、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
スラリーがクレイを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
スラリーがアルミナ、シリカ、シリカ−アルミナ、周期率表の新表記法の３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２族から選択される遷移金属の酸化物、希土類金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物、およびこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つのマトリックス材料を更に含む、請求項１もしくは８に記載の方法。
【請求項１０】
（ａ）水性スラリーを、均質なもしくは実質的に均質なスラリーを形成するために、ミル掛けする；または
（ｂ）スラリーの形成前にスラリーの成分をミル掛けする
請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
接触分解触媒組成物であって、接触分解条件下で接触分解活性を有する少なくとも１つのゼオライトと、粒子を結合し、３０未満のダビソンインデックスを有する粒状無機金属酸化物組成物を形成するのに充分な量の、硫酸アルミニウムから得られるアルミナを含み、請求項１−１０に記載の方法によって得られる接触分解触媒組成物。
【請求項１２】
組成物が４０から１５０ミクロンの範囲、好適には６０から１２０ミクロンの範囲の平均粒子サイズを有する、請求項１１に記載の触媒組成物。
【請求項１３】
少なくとも１つのゼオライトが触媒組成物の１０から８０重量％、好適には２０から６５重量％を占める、請求項１１に記載の触媒組成物。
【請求項１４】
炭化水素フィード原料を接触分解触媒と高められた温度で接触させ、低分子量炭化水素成分を形成し、前記分解触媒が請求項１１の組成物を含んでなる、炭化水素フィード原料を低分子量成分に接触分解する方法。
【請求項１５】
前記接触させる段階から分解触媒を回収すること、ならびに使用済の触媒を再生域中で処理して、前記触媒を再生することを更に含んでなる、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月24日(2010.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通アパーチャーを有し且つ研磨面を有する不透明な研磨層と、
上記アパーチャーにおける個体の光透過窓と、
を備え、上記個体の光透過窓は、
上記研磨層に固定された外側部分であって、上記研磨面に対してくぼんだ上面を有する外側部分、及び
上記外側部分に固定された内側部分であって、上記研磨面と実質的に同一平面である上面を有する内側部分、
を含むものである、研磨パッド。
【請求項２】
上記外側部分が上記内側部分を取り巻く、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
上記内側部分及び上記研磨層は、実質的に同じ硬度を有する、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項４】
上記外側部分は、上記内側部分よりも硬い、請求項３に記載の研磨パッド。
【請求項５】
上記外側部分は、上記研磨層と実質的に同じ硬度を有する、請求項３に記載の研磨パッド。
【請求項６】
上記外側部分の上面より上に突出する上記内側部分の角が平滑化される、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項７】
上記外側部分の上面より上に突出する上記研磨層の内縁の角が平滑化される、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項８】
上記内側部分は、上記外側部分に成形される、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項９】
上記研磨層、上記第１部分及び上記第２部分の底面は、実質的に同一平面上にある、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項１０】
上記研磨層は、微孔性フェールト基板上に配設されたポロメリック被覆を含む、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項１１】
研磨パッドを製造する方法において、
不透明な研磨層のアパーチャーに、該研磨層の研磨面に対してくぼんだ上面を有する第１の光透過層を形成するステップと、
上記第１の光透過層のアパーチャーに、上記研磨面と実質的に同一平面である上面を有する第２の光透過層を形成するステップと、
を備えた方法。
【請求項１２】
第１の光透過層のアパーチャーに第２の光透過層を形成する上記ステップは、上記第１の光透過層に穴をカットする段階を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第１の光透過層のアパーチャーに第２の光透過層を形成する上記ステップは、上記第１の光透過層の穴を液体先駆体で埋めて、上記研磨面より上に突出するメニスカスを生成する段階と、上記先駆体を硬化させる段階とを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
上記第２部分の上面が上記研磨面と実質的に同一平面となるまで上記本体を磨く段階を更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
上記第１部分の上面より上に突出する上記第２部分の角を平滑化するステップを更に備えた、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月14日(2010.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
押出による積層堆積システムを使用して、一層毎に三次元物体を構築する方法であって、
該方法は、
前記押出による積層堆積システムの構築チャンバ内に金属部品を配置することであって、該金属部品がポリマー被覆表面を備えている、前記押出による積層堆積システムの構築チャンバ内に金属部品を配置することと、
前記押出による積層堆積システムの押出ヘッドから構築材料を押し出すことであって、前記構築材料は、熱可塑性材料を含んでいる、前記押出による積層堆積システムの押出ヘッドから構築材料を押し出すことと、
堆積した構築材料の道筋を形成するために、前記金属部品の前記ポリマー被覆表面上に前記押し出された構築材料を堆積させることであって、前記堆積した構築材料が冷却して前記三次元物体の１つの層の少なくとも一部分を形成し、前記構築材料と前記ポリマー被覆表面との間の接着力が前記構築材料と前記金属部品との間の接着力よりも大きい、前記金属部品の前記ポリマー被覆表面上に前記押し出された構築材料を堆積させることと
を備えていることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記ポリマー被覆表面は、前記金属部品の外面に付着したポリマー薄膜を備えている
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記ポリマー薄膜は、アクリレート含有ポリマー、アルキドポリマー、エポキシ含有ポリマー、ポリウレタン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択された材料を備えている
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記構築材料は、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン、ポリカーボネート、ポリフェニルスルホン、ポリスルホン、ナイロン、ポリスチレン、非晶質ポリアミド、ポリエステル、ポリフェニレンエーテル、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記構築チャンバ内に前記金属部品を配置することは、先に堆積した前記構築材料の層上に前記金属部品を配置することを備えている
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記押出による積層堆積システムは、前記構築材料が、押出ヘッドによって搬送されるノズルを介して押し出され、Ｘ−Ｙ平面における基板上に、一連の道筋として堆積されて、先に堆積した構築材料と融合し、温度が下がると固化する溶融堆積モデリングシステムを備えている
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記金属部品を前記構築チャンバの動作温度に加熱することをさらに備えている
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記構築材料を堆積させることは、特定のシーケンスで前記構築材料の道筋を堆積するように、前記押出による積層堆積システムに指示する命令群である堆積タイミングシーケンスに少なくとも部分的に基づき、
前記方法は、前記堆積タイミングシーケンス中に一時停止時間を生成することをさらに備えている
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記三次元物体の前記１つの層は、第２の層であり、
前記ポリマー被覆表面上に堆積された前記構築材料は、前記構築材料の第２の部分であり、
前記方法は、さらに、
前記構築チャンバ内に前記構築材料の第１の部分を堆積させることであって、前記構築材料の前記堆積した第１の部分が冷却して前記三次元物体の第１の層を形成する、前記チャンバ内に前記構築材料の第１の部分を堆積させること
をさらに備え、
前記構築チャンバ内に前記金属部品を配置することは、
前記第１の層の第１の部分上に前記金属部品を配置することを備えている
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記ポリマー被覆表面は、接着力促進高分子材料を備えている
ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月9日(2010.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンと、基布系と、接着剤系とを含むカーペットであって、前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンが、ヤーンの重量に基づいて約２５〜約３０００ｐｐｍの範囲内のキャリヤー、および／または約２５００ｐｐｍまでの量の耐電防止剤を含み、カーペットが難燃剤を実質的に含有しない、カーペット。
【請求項２】
請求項１に記載の、難燃剤を実質的に含有しないカーペットを製造する方法であって：
（ａ）ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンをタフティングして、ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンと、基布系と、接着剤系とを含むカーペットを製造するステップと；
（ｂ）キャリヤーを前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンに適用するステップと；
（ｃ）前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンを染色するステップと
を含む方法。
【請求項３】
請求項１に記載の、難燃剤を実質的に含有しないカーペットを製造する方法であって：
（ａ）ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンをタフティングして、ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンと、基布系と、接着剤系とを含むカーペットを製造するステップと；
（ｂ）前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンを染色するステップと；
（ｃ）帯電防止剤を前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンに適用するステップと
を含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
表５のカーペットサンプルは、２５〜３００ｐｐｍの範囲内の残留キャリヤーおよび残留リン酸ジブチルで測定して１５０ｐｐｍ（検出限界）未満の残留帯電防止剤を含有する異なる住居用カットパイルカーペットの典型的なピル試験結果である。燃焼距離は典型的には３．５ｉｎを超え、優秀な結果であった。
次に、本発明の態様を示す。
1.  ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンと、基布系と、接着剤系とを含むカーペットであって、前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンが、ヤーンの重量に基づいて約２５〜約３０００ｐｐｍの範囲内のキャリヤー、および／または約２５００ｐｐｍまでの量の耐電防止剤を含み、カーペットが難燃剤を実質的に含有しない、カーペット。
2.  前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンが、前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンの重量に基づいて約２５〜約２０００ｐｐｍの範囲内の前記キャリヤーを含む上記１に記載のカーペット。
3.  前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンが、前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンの重量に基づいて約２５〜約１０００ｐｐｍの範囲内の前記キャリヤーを含む上記１に記載のカーペット。
4.  前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンが、前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンの重量に基づいて約２５〜約５００ｐｐｍの範囲内の前記キャリヤーを含む上記１に記載のカーペット。
5.  前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンが帯電防止剤を実質的に含まない上記１〜４のいずれか１項に記載のカーペット。
6.  前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンが、前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンの重量に基づいて約２５００ｐｐｍまでの量の前記帯電防止剤を含む上記１〜４のいずれか１項に記載のカーペット。
7.  前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンが、前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンの重量に基づいて約２５００ｐｐｍまでの量の前記帯電防止剤を含み、キャリヤーを含まない上記１に記載のカーペット。
8.  前記カーペットが、前記カーペットの重量に基づいて約２０００ｐｐｍ（０．２ｗｔ％）未満の難燃剤を含有する上記１〜７のいずれか１項に記載のカーペット。
9.  前記カーペットが、前記カーペットの重量に基づいて、約１７５５ｐｐｍ（０．１７５５ｗｔ％）以下のアルミニウム、約１１００ｐｐｍ（０．１１ｗｔ％）以下のリン、および約１１００ｐｐｍ（０．１１ｗｔ％）以下の亜鉛を含有する上記１〜８のいずれか１項に記載のカーペット。
10.  前記カーペットが、ＡＳＴＭ−Ｅ６４８に基づく試験によって測定される際、クラスＩ燃焼性評価を有する上記１〜９のいずれか１項に記載のカーペット。
11.  上記１〜６および８〜１０のいずれか１項に記載の、難燃剤を実質的に含有しないカーペットを製造する方法であって：
（ａ）ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンをタフティングして、ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンと、基布系と、接着剤系とを含むカーペットを製造するステップと；
（ｂ）キャリヤーを前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンに適用するステップと；
（ｃ）前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンを染色するステップと
を含む方法。
12.  帯電防止剤を前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンに適用するステップをさらに含む上記１１に記載の方法。
13.  上記１〜４および６〜１０のいずれか１項に記載の、難燃剤を実質的に含有しないカーペットを製造する方法であって：
（ａ）ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンをタフティングして、ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンと、基布系と、接着剤系とを含むカーペットを製造するステップと；
（ｂ）前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンを染色するステップと；
（ｃ）帯電防止剤を前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンに適用するステップと
を含む方法。
14.  染色ステップの前に、キャリヤーを前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンに適用するステップをさらに含む上記１３に記載の方法。
15.  前記タフティングステップ（ａ）が：
（ａ１）前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ヤーンを一次基布中にタフティングするステップと；
（ａ２）ラテックス接着剤を前記一次基布に適用するステップと；
（ａ３）二次基布を前記ラテックス接着剤上に適用するステップと
を含む上記１１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
既知の同期チャネル（ＳＣＨ）を等間隔に送信するとともに、複数のサブキャリヤのうちの一部のサブキャリヤで既知のパイロットシンボルを送信するＯＦＤＭＡシステムにおいて、在圏セル（ＳＣ）に接続されたユーザ端末（ＵＥ）において測定を実行するための方法であって、
前記ＵＥにおいて、受信信号と前記既知のＳＣＨとの相関演算により、前記ＵＥにおけるＳＣ用の同期時刻及びＳＣＨ信号強度を決定するステップと、
前記ＵＥにおいて、周波数領域におけるパイロットシンボルを取得するために、前記受信信号に対して高速フーリエ変換（ＦＦＴ）を実行し、かつ、パイロット信号強度を推定するために、取得した前記パイロットシンボルを使用するステップと、
前記ＵＥにおいて、前記受信信号と少なくとも１つの隣接（ＮＢ）セル用の既知のＳＣＨとの相関演算により、少なくとも１つのＮＢセル用の前記同期時刻及び前記ＳＣＨ信号強度を決定するステップと、
前記ＵＥにおいて、少なくとも１つのＮＢセル用の前記ＳＣＨ信号強度と、ＳＣ用の前記パイロット信号強度及びＳＣ用の前記ＳＣＨ信号強度の比率であって、一定である比率γとに基づいて、少なくとも１つのＮＢセル用の前記パイロット信号強度を決定するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
移動通信システムにおいて測定を実行するために同期チャネル（ＳＣＨ）を使用する方法であって、
移動通信ネットワークの在圏セル（ＳＣ）に対して、ユーザ端末（ＵＥ）を接続又は滞在させるステップと、
前記ＵＥにおいて、ＳＣ用のＳＣＨのタイミング及びＳＣＨ電力を取得するために、前記ＳＣ用のＳＣＨと受信信号とを相関演算するステップと、
前記ＳＣの前記ＵＥにおいて、パイロットシンボルとデータシンボルとを取得するために、前記受信信号の高速フーリエ変換（ＦＦＴ）を実行するステップと、
前記ＵＥにおいて、ＳＣの前記パイロットシンボルに基づいてパイロット電力を算出するステップと、
前記パイロット電力とＳＣの前記ＳＣＨ電力との比率であって、一定である比率γ＝Ｐｐｉｌｏｔ／ＰＳＣＨを取得するステップと、
前記ＵＥにおいて、ＳＣ用のＳＣＨ、及び検出されたセットに含まれる全ての隣接（ＮＢ）セル用のＳＣＨに対して、前記受信信号を定期的に相関演算するステップと、
前記ＵＥにおいて、複数のＮＢセル用の前記ＳＣＨ電力を算出するステップと、
前記ＵＥにおいて、前記比率と複数のＮＢセル用の前記ＳＣＨ電力（ＰＳＣＨ、ＮＢｉ）とを乗算して、
2009542061.tif 000001
により、複数のＮＢセル用の前記パイロット電力（Ｐｐｉｌｏｔ、ＮＢｉ）を算出するステップと、
前記ＵＥにおいて、複数のＮＢセル用の前記パイロット電力とＳＣ用の前記パイロット電力とを比較するステップと、
当該比較に基づいて、ハンドオーバ（ＨＯ）が必要か否かを決定するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
既知の同期チャネル（ＳＣＨ）を等間隔に送信するとともに、複数のサブキャリヤのうちの一部のサブキャリヤで既知のパイロットシンボルを送信するＯＦＤＭＡシステムにおいて、在圏セル（ＳＣ）に接続された際に測定を実行する装置であって、
受信信号と前記既知のＳＣＨとの相関演算により、ユーザ端末（ＵＥ）におけるＳＣ用の同期時刻とＳＣＨ信号強度とを決定する手段と、
周波数領域におけるパイロットシンボルを取得するために、前記受信信号に対して高速フーリエ変換（ＦＦＴ）を実行する手段と、
パイロット信号強度を推定するために、取得した前記パイロットシンボルを使用する手段と、
前記パイロット信号強度と前記ＳＣＨ信号強度との比率γを決定する手段と、
前記受信信号と少なくとも１つの隣接（ＮＢ）セル用の既知のＳＣＨとの相関演算により、少なくとも１つのＮＢセルの前記同期時刻及び前記ＳＣＨ信号強度を決定する手段と、
少なくとも１つのＮＢセル用の前記ＳＣＨ信号強度と、ＳＣ用の前記パイロット信号強度及び前記ＳＣＨ信号強度の比率であって、一定である前記比率γとに基づいて、少なくとも１つのＮＢセル用の前記パイロット信号強度を決定する手段と
を備えることを特徴とする装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
既知の同期チャネル（ＳＣＨ）を等間隔に送信するとともに、複数のサブキャリヤのうちの一部のサブキャリヤで既知のパイロットシンボルを送信するＯＦＤＭＡシステムにおいて、在圏セル（ＳＣ）に接続された際に測定を実行する装置であって、
アンテナと、
前記アンテナに接続され、ベースバンド信号をダウンコンバートするフロントエンド受信機と、
前記フロントエンド受信機に接続された高速フーリエ変換（ＦＦＴ）部及びセルサーチ（ＣＳ）部と、
チャネル（ＣＨ）推定部と、
前記ＣＨ推定部に接続され、比率γを取得するγ推定部と、
前記γ推定部に接続された制御部と、
レイヤ３（Ｌ３）処理部と
を備え、
前記ＣＳ部は、ＳＣ及び隣接（ＮＢ）セルのタイミングと同様に、受信信号をＳＣＨ信号に対して相関演算することにより新たなセルを検出し、
前記ＦＦＴ部は、何れの位置でＦＦＴを実行するかを決定するためのタイミング情報を受信し、
パイロット信号を抽出し、前記ＣＨ推定部へ当該信号を送信し、
前記ＣＨ推定部は、抽出した前記パイロット信号に基づいてチャネルを推定し、
ＳＣ用のパイロット電力を更に算出し、
ＳＣ用の前記パイロット電力とＳＣ用のＳＣＨ電力推定値とを前記γ推定部へ送り、
前記γ推定部は、ＳＣ用の前記パイロット電力と前記ＳＣＨ電力推定値との比率であって、一定である前記比率γを取得し、前記制御部におけるＮＢセル用のＳＣＨ電力推定値に対して該比率γを適用し、
前記制御部は、取得され適用された前記比率γに基づいてＮＢセル用のパイロット電力を算出し、算出した該パイロット電力を前記Ｌ３処理部へ送り、
前記Ｌ３制御部は、ＳＣ用の前記パイロット電力と複数のＮＢセル用のパイロット電力とを比較し、ハンドオーバが必要か否かを決定することを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月11日(2010.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式Ｉ及び一般式ＩＩの遷移金属−カルベン錯体から選ばれる遷移金属カルベン錯体を少なくとも一種含む有機発光ダイオードであって：
【化１】
2009542026.tif 000001
式中、記号は、それぞれ以下の通りであり：
Ｍ1は、Ｐｔ（ＩＩ）またはＰｄ（ＩＩ）であり；
Ｌは、単座のモノアニオン性配位子であり；
Ｒ1とＲ1’は、各々独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、またはアラルキルであり；
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ2’、およびＲ3’は、各々独立して、水素、アルキル、またはアリールであり；
ＸとＸは、各々独立して、アルキレン、
【化２】
2009542026.tif 000002
であり；
Ｗ-は、モノアニオン性対イオンである；
式（Ｉ）と式（ＩＩ）の遷移金属−カルベン錯体は、他の炭素原子またはヘテロ原子を介してのカルベン配位子のシクロメタル化が全くなされていないことを特徴とする有機発光ダイオード。
【請求項２】
式Ｉ及び式ＩＩの遷移金属−カルベン錯体中の前記記号と以下の基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ1’、Ｒ2’、Ｒ3’Ｘ、Ｘ’、Ｍ1、Ｌ及びＷが、それぞれ以下の通りである：
Ｍ1は、Ｐｔ（ＩＩ）またはＰｄ（ＩＩ）であり；
Ｌは、各々独立して、ハライド類、擬ハライド類、アルコキシ、およびＯＡｃ-から選ばれ、好ましくはＢｒ-、Ｉ-またはＯＡｃ-であり；
Ｒ1とＲ1’は、各々独立して、水素、Ｃ1−Ｃ4−アルキル、シクロヘキシル、２，４，６−トリメチルフェニルまたはベンジルであり；
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ2’、およびＲ3’は、各々水素であり；
ＸとＸ’は、各々独立して、（ＣＲ42）nまたは
【化３】
2009542026.tif 000003
であり、式中、Ｒ4はＨまたはアルキルであり、ｎは１〜３であり；
Ｗ-は、ハライド、擬ハライドまたはＯＡｃ-である
請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項３】
一般式Ｉの遷移金属−カルベン錯体が用いられ、
Ｍ1は、Ｐｔ（ＩＩ）またはＰｄ（ＩＩ）であり；
Ｘは、ＣＨ2または
【化４】
2009542026.tif 000004
であり；
Ｒ1は、ＣＨ3、イソプロピル、ｎ−ブチル、シクロヘキシル、ベンジル、２，４，６−トリメチルフェニル；ＬはＢｒ-、Ｉ-、またはＯＡｃ-である
請求項１または２に記載の有機発光ダイオード。
【請求項４】
一般式ＩＩの単一配位子遷移金属カルベン錯体が用いられ、
Ｍ1は、Ｐｔ（ＩＩ）またはＰｄ（ＩＩ）であり；
ＸとＸ’は、各々ＣＨ2であり；
Ｒ1とＲ1は、それぞれＣＨ3、イソプロピル、ｎ−ブチル、シクロヘキシル、ベンジルまたは２，４，６−トリメチルフェニルであり；
ｗはＢｒ-またはＩ-である
請求項１または２に記載の有機発光ダイオード。
【請求項５】
一般式ＩＩの複合配位子遷移金属カルベン錯体が用いられ、
Ｍ1は、Ｐｔ（ＩＩ）またはＰｄ（ＩＩ）である；
ＸとＸ’は、各々ＣＨ2であり；
Ｒ1とＲ1’は、各々独立して、メチル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ベンジル、シクロヘキシル、またはあ２，４，６−トリメチルフェニルであり、
Ｒ1とＲ1’の定義は異なり；
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ2’、およびＲ3’はそれぞれＨであり；
ｗはＢｒ-またはＩ-である
請求項１または２に記載の有機発光ダイオード。
【請求項６】
一般式Ｉ及び／又は一般式ＩＩの少なくとも一種の遷移金属−カルベン錯体が、発光層、電子遮断層、励起子遮断層及び／又は空孔遮断層に存在する請求項１〜５に記載の有機発光ダイオード。
【請求項７】
請求項１〜５のいずか一項に記載の一般式Ｉ及び／又は一般式ＩＩの遷移金属−カルベン錯体を少なくとも一種を含むことを特徴とする発光層。
【請求項８】
請求項７に記載の発光層を少なくとも一つ含むことを特徴とする有機発光ダイオード。
【請求項９】
請求項１〜６、または９に記載の有機発光ダイオードを少なくとも一種を含むことを特徴とする、コンピューターの画像表示装置、テレビ、プリンターの画像表示装置、厨房装置、宣伝用パネル、照明、情報パネルなどの据置型の画像表示装置と携帯電話の画像表示装置、ラップトップコンピューター、デジタルカメラ、車両、バスや列車の行き先表示などの携帯型画像表示装置からなる群から選ばれる装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月14日(2010.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザーの外耳道の中に置くために構成され、かつ、ある可聴周波信号を聴力損失補償用の可聴周波信号に処理するための信号処理装置を収容するハウジングと、前記信号処理装置の出力部へ接続され、処理された補償ずみ可聴周波信号を音声信号に変換するための受信機とを有している、補聴器への取り外し可能な相互接続のために構成された細長部材。
【請求項２】
補聴器への取り外し可能な取り付けのために構成されたコネクターを備えている請求項１に記載の細長部材。
【請求項３】
前記コネクターは、前記補聴器ハウジングへの取り外し可能な取り付けのために構成された電池蓋を備えている請求項２に記載の細長部材。
【請求項４】
マイクロホンをさらに備えている請求項１〜３のいずれか１つに記載の細長部材。
【請求項５】
第１端部および第２端部を有し、かつ、前記マイクロホンが前記第２端部に配置されている請求項４に記載の細長部材。
【請求項６】
信号線をさらに有している請求項４または５に記載の細長部材。
【請求項７】
前記細長部材は、標準寸法に製造されている請求項１〜６のいずれか１つに記載の細長部材。
【請求項８】
前記細長部材は、使用の際に外耳道の中に前記ハウジングを保持するために、ユーザーの耳介の中と外耳道の外側とに置かれるように構成されている請求項１〜７のいずれか１つに記載の細長部材。
【請求項９】
前記細長部材は、対耳輪に当接するように構成され、かつ、使用の際に対耳輪の少なくとも下脚まで延びる請求項１〜８のいずれか１つに記載の細長部材。
【請求項１０】
前記細長部材は、前記第２端部が使用の際にユーザーの三角窩の下方に置かれるように構成されている請求項５〜９のいずれか１つに記載の細長部材。
【請求項１１】
前記細長部材は、前記ハウジングが外耳道の中に挿入されたときに対珠で耳甲介の一部に当接し、それによって、前記ハウジングをそれが外耳道の内部の解剖学的特徴部へ押し付けられる位置に保持する、外耳道へ向かう力を前記ハウジングに加えるように構成されている請求項１〜１０のいずれか１つに記載の細長部材。
【請求項１２】
前記細長部材は、曲げやすいものであり、かつ、予備成形されている請求項１〜１１のいずれか１つに記載の細長部材。
【請求項１３】
前記細長部材は、その長手方向に実質的に堅いものである請求項１〜１２のいずれか１つに記載の細長部材。
【請求項１４】
前記マイクロホンを収容している前記細長部材の一部が、そこから前記第１端部へ向かって延びている前記細長部材の残り部分の断面積よりも大きい断面積を有している請求項５〜１３のいずれか１つに記載の細長部材。
【請求項１５】
２つのマイクロホンを備えている請求項１〜１４のいずれか１つに記載の細長部材。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１つに記載の細長部材を備えてなる補聴器。
【請求項１７】
前記ハウジングは、外耳道壁の一部と前記ハウジングの一部との間に通路を残しており、それによって、前記ハウジングがユーザーの外耳道の中に置かれると、音波が前記ハウジングの後方から前記通路を介してユーザーの外部環境へ抜け出る請求項１６に記載の補聴器。
【請求項１８】
前記ハウジングは、ユーザーの外耳道の中に完全に置かれるように構成されている請求項１６または１７に記載の補聴器。
【請求項１９】
前記ハウジングは、標準寸法に製造されている請求項１６〜１８のいずれか１つに記載の補聴器。
【請求項２０】
前記ハウジングは、ユーザーの外耳道の中における前記ハウジングの収容を容易にする、その長手延長部に沿ったある角度を形成している請求項１６〜１９のいずれか１つに記載の補聴器。
【請求項２１】
前記ハウジングは、前記角度の変更のために曲げやすいものである請求項２０に記載の補聴器。
【請求項２２】
ラウドスピーカーにスナップ留め連結で取り付けられるように構成された耳垢フィルターをさらに備えている請求項１６〜２１のいずれか１つに記載の補聴器。
【請求項２３】
電子的フィードバック抑制部をさらに備えている請求項１６〜２２のいずれか１つに記載の補聴器。
【請求項２４】
前記ハウジングは、ユーザーの外耳道の中における前記ハウジングの位置決めおよび保持のための柔軟性イアピース部をさらに備えている請求項１６〜２３のいずれか１つに記載の補聴器。
【請求項２５】
前記ハウジングは、ユーザーの外耳道の中における前記ハウジングの位置決めおよび保持のための特別あつらえ部をさらに備えている請求項１６〜２３のいずれか１つに記載の補聴器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微結晶シリコン膜層を堆積する方法において、
約１平方メートルより大きな表面積を有する基板を内部に有するプロセスチャンバにシランベースガスおよびＨ２ガスを含むガス混合物を流すステップと、
前記プロセスチャンバにおいて前記ガス混合物から形成されたプラズマを維持するステップと、
前記ガス混合物に供給されたシランベースガスに対するＨ２ガスの比を徐々に減少しながら前記微結晶シリコン膜を堆積し、毎分約２０ｎｍより大きな堆積レートで前記微結晶シリコン膜を堆積するステップであって、前記微結晶シリコン膜が約２０パーセント〜約８０パーセントの結晶化容積を有するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記ガス混合物を流す前記ステップがさらに、
約３トールより大きな範囲にプロセス圧力を維持する工程と、
前記基板を支持する上部側部を有する導電本体、前記導電本体内部に埋め込まれた１つ以上の冷却チャネルを備えた基板支持アセンブリを提供する工程と、
摂氏約１００度〜摂氏約４００度に前記基板の温度をコントロールする工程と、
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
表面に複数のオリフィスを有する拡散器を前記プロセスチャンバ内で更に備え、前記複数のオリフィスのうち内側領域に置かれたオリフィスは、前記複数のオリフィスのうち外側領域に置かれたオリフィスより高いキャビティ容積及び密度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ガス混合物に供給されたＨ２ガスとシランベースガスの比が、
約２００：１〜約２０：１である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
微結晶シリコン膜層を堆積する方法において、
約１平方メートルより大きな表面積を有する基板を内部に有するプロセスチャンバにシランベースガスおよびＨ２ガスを含むガス混合物を流すステップと、
前記プロセスチャンバにおいて前記ガス混合物から形成されたプラズマを維持するステップと、
微結晶シリコン膜を堆積するステップであって、
毎分２０ｎｍ未満の堆積レートで微結晶シリコンシード層を堆積する工程であって、前記ガス混合物に供給されたシランベースガスとＨ２ガスの比が１：１００〜１：２０００の間にある前記工程、
前記ガス混合物に供給されたシランベースガスに対するＨ２ガスの比を徐々に減少しながら、毎分約２０ｎｍより大きな堆積レートで微結晶シリコンバルク層を堆積する工程であって、前記微結晶シリコン膜が約２０パーセント〜約８０パーセントの結晶化容積を有する前記工程、
を備える、前記ステップと、
を備える、前記方法。
【請求項６】
前記微結晶シリコンシード層が約５０Å〜３００Åの厚さを有する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ガス混合物に供給されたＨ２ガスとシランベースガスの比が、前記微結晶バルク層の堆積中、約２００：１〜約２０：１である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
基板上にシリコンベースの光電変換器を形成するステップを備える、光起電装置を形成する方法において、
前記光電変換器を形成するステップが、
プロセスチャンバ内の基板にｐ型半導体層を堆積する工程と、
前記ｐ型半導体層に微結晶シリコン膜を備えるｉ型半導体層を堆積する工程と、
前記ｉ型半導体層にｎ型半導体層を堆積する工程と；
を備え、前記微結晶シリコン膜の堆積が、
毎分２０ｎｍ未満の堆積レートで微結晶シリコンシード層を堆積する段階であって、前記ガス混合物に供給されたシランベースガスとＨ２ガスの比が１：１００〜１：２０００の間にある前記段階、
前記ガス混合物に供給されたシランベースガスに対するＨ２ガスの比を徐々に減少しながら、毎分約２０ｎｍより大きな堆積レートで微結晶シリコンバルク層を堆積する段階であって、前記微結晶シリコン膜が約２０パーセント〜約８０パーセントの結晶化容積を有する前記段階、
を備える、前記方法。
【請求項９】
前記微結晶シリコンシード層が約５０Å〜３００Åの厚さを有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ガス混合物に供給されたＨ２ガスとシランベースガスの比が、前記微結晶バルク層の堆積中、約２００：１〜約２０：１である、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
シリコンベースの光電変換器を製造するための方法であって、
プロセスチャンバに基板を提供するステップと、
前記基板上に光電変換器を形成するステップと、
を備え、前記光電変換器を形成するステップが、
前記基板にｐ型半導体層を堆積する工程と、
前記プロセスチャンバにシランベースのガスとＨ２ガスを含むガス混合物を流し、同時に前記ガス混合物内に供給されたシランベースのガスに対するＨ２ガスの比を徐々に減少させ、ＣＶＤプロセスにより毎分約２０ｎｍより大きな堆積レートで微結晶シリコン膜を堆積することにより前記基板に微結晶シリコン膜を備えるｉ型半導体層を堆積する工程であって、前記微結晶シリコン膜が約２０パーセント〜約８０パーセントの結晶化容積を有する前記工程と、
前記微結晶シリコン膜にｎ型半導体層を堆積する工程と、
を備える、前記方法。
【請求項１２】
前記シランベースのガスが、少なくとも約０．２ｓｌｍ／ｍ２で流され、前記Ｈ２ガスが少なくとも約１０ｓｌｍ／ｍ２で流される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ガス混合物内に供給されたＨ２ガスが、比較的高いＨ２ガス比から比較的低いＨ２ガス比に供給される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記微結晶シリコン膜は、約０．１原子百分率〜約２０原子百分率の水素含有量を有する水素化シリコン膜である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
シリコンベースの光電変換器を製造するための方法であって、
プロセスチャンバに配置された基板支持アセンブリに基板を提供するステップであって、前記基板支持アセンブリは内部に埋め込まれた冷却チャネルを有する、前記ステップと、
ｐ型半導体層とｎ型半導体層との間に配置されるｉ型半導体層として微結晶シリコン膜を堆積することにより前記基板上に光電変換器を形成するステップと、
を備え、
前記微結晶シリコン膜は、拡散器から供給されるガス混合物により堆積され、前記拡散器は、曲面と、前記曲面に複数のオリフィスを有し、前記拡散器の内側領域に置かれたオリフィスは、前記拡散器の外側領域に置かれたオリフィスより高いキャビティ容積及び密度を有する、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月30日(2010.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下を含む、光起電力導電性機能物の形成方法：
（ａ）基板の少なくとも一部に組成物を付着させるステップであって、前記組成物が金属含有粒子を含み、前記金属含有粒子が、一次粒子サイズが１０ナノメートルから５００ナノメートル未満までであってかつセラミック材料の連続又は非連続コーティングを有する金属含有粒子である、ステップ；及び
（ｂ）前記組成物が光起電力導電性機能物の少なくとも一部を形成するように、前記組成物を加熱するステップ。
【請求項２】
粒子のサイズ分布が、粒子の少なくとも９０質量％のサイズが２μｍ未満となる分布である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
粒子のサイズ分布が、粒子の少なくとも１質量％のサイズが１μｍ超となる分布である、請求項１〜２に記載の方法。
【請求項４】
粒子の、金属とセラミック材料の体積比が、少なくとも９：１である、請求項１〜３に記載の方法。
【請求項５】
組成物が、セラミック材料マトリックス中の複数の金属含有粒子のアグリゲートを含み、前記アグリゲートの粒子サイズが５００ナノメートル未満である、請求項１〜４に記載の方法。
【請求項６】
アグリゲートが、前記アグリゲート１個当たり、平均２０個未満の金属含有粒子を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
付着ステップが、リソグラフ印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、光パターニング印刷、ドロップオンデマンド印刷、シリンジ印刷、及びエアロゾルジェットからなる群から選択される、請求項１〜６に記載の方法。
【請求項８】
組成物が分散剤を含み、前記分散剤がポリアクリル酸のアンモニウム塩又はナトリウム塩、スチレン−アクリル重合体、縮合ナフタレンスルホン酸塩、重合アルキルナフタレンスルホン酸、ＥＯ−ＰＯ−ＥＯブロック重合体のリン酸塩、及びＥＯ−ＰＯ−アクリル重合体からなる群から選択される、請求項１〜７に記載の方法。
【請求項９】
金属含有粒子が１又は複数の官能基で官能化され、前記官能基がシラン又はシロキサンを含む、請求項１〜８に記載の方法。
【請求項１０】
（ａ）シリコン含有基板と電気的接触をしている、金属を含む金属粒子のパーコレーションネットワークと、
（ｂ）５質量％未満の量のセラミック材料とを含み、
前記パーコレーションネットワークの抵抗が前記金属のバルク抵抗の５倍未満である、請求項１〜９の方法で作製される光起電力導電性機能物。
【請求項１１】
パーコレーションネットワークの抵抗が金属のバルク抵抗の３倍未満である、請求項１０に記載の導電性機能物。
【請求項１２】
セラミック材料が、鉛、ストロンチウム、ナトリウム、カルシウム、ビスマス、及びホウ素から選択される少なくとも１つの元素の酸化物を含む、請求項１０〜１１に記載の導電性機能物。
【請求項１３】
金属が、銀、銅、金、パラジウム、白金、ニッケル、コバルト、亜鉛、モリブデン、タングステン、及びそれらの合金から選択され、セラミック材料が、シリコン、亜鉛、ジルコニウム、アルミニウム、チタン、ルテニウム、スズ、及びセリウムから選択される少なくとも１つの元素の酸化物を含む、請求項１０〜１２に記載の導電性機能物。
【請求項１４】
金属が銀を含み、セラミック材料がシリカを含む、請求項１０〜１３に記載の導電性機能物。
【請求項１５】
導電性機能物が、フィンガーラインと前記フィンガーラインに対してほぼ直角に付着されたコレクターラインとの組を含み、平行なフィンガーライン又はコレクターラインの、いずれか又は両方の幅が２００μｍ未満である、請求項１０〜１４に記載の導電性機能物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月14日(2010.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ基板上に形成させたＳｉ(1-x)ＭxＣ（式中、ＭがＡｌ又はＩｎであり、ｘが０〜１である）のヘテロ接合を含み、前記ヘテロ接合が、Ｓｉ(1-x)ＭxＣ又はＳｉＣチャネル層、前記チャネル層それぞれの上のＳｉＣ又はＳｉ(1-x)ＭxＣバリア層、及び前記バリア層それぞれの上のｎ＋ＳｉＣ又はｎ＋Ｓｉ(1-x)ＧｅxＣ層とを含む半導体デバイス。
【請求項２】
前記ヘテロ接合が、ドープされた（００１）ＳｉＣから形成される請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記ｘが約０．０６である請求項１又は２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記Ｓｉ(1-x)ＭxＣのヘテロ接合が、約１２μｍの厚さのＳｉ(1-x)ＭxＣ層を含む請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記ＭがＡｌである請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記ＭがＩｎである請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記ｘが０．０００１〜０．１である請求項１，２及び４〜６のいずれか１つに記載の半導体デバイス。
【請求項８】
ＳｉＣ基板、
前記基板上に形成させたＳｉ(1-x)ＭxＣ（式中、ＭがＡｌ又はＩｎであり、ｘが０〜１である）のエピタキシャルフィルム、
前記Ｓｉ(1-x)ＭxＣフィルム上に形成させたＳｉＣ又はＳｉ(1-x)ＧｅxＣ層、及び
前記エピタキシャルフィルム上に形成させた少なくとも一つのトランジスタ構造を含む
半導体デバイス。
【請求項９】
前記トランジスタ構造が、高周波移動度トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ又は高電子移動度トランジスタを含む請求項８に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記ｘが約０．０６である請求項８又は９に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記エピタキシャルフィルムが、ドープされた（００１）ＳｉＣから形成される請求項８〜１０のいずれか１つに記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
Ｓｉ(1-x)ＭxＣの前記エピタキシャルフィルムが、約１２μｍの厚さを有する請求項８〜１１のいずれか１つに記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
ＳｉＣ緩衝層を前記基板と前記エピタキシャルフィルムとの間に形成させた請求項８〜１２のいずれか１つに記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記ＳｉＣ緩衝層とＳｉＣチャネル層が、前記基板とエピタキシャルフィルムとの間に形成されている請求項８〜１３のいずれか１つに記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記ＭがＡｌである請求項８〜１４のいずれか１つに記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記ＭがＩｎである請求項８〜１４のいずれか１つに記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
前記ｘが０．０００１〜０．１である請求項８，９及び１１〜１６のいずれか１つに記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
ベース基板がＳｉＣであり、前記ベース基板上に形成させたＳｉ(1-x)ＭxＣ（式中、ＭがＡｌ、Ｇｅ又はＩｎであり、ｘが０．００１〜０．１である）ヘテロ接合、及び
前記ＳｉＣ／Ｓｉ(1-x)ＭxＣヘテロ接合上に形成させたｎ＋ＳｉＣ又はｎ＋Ｓｉ(1-x)ＧｅxＣ層を含む半導体デバイスであり、及び
前記半導体デバイスが、Ｓｉのみの層を実質的に含まない半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月25日(2010.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
例えば、テルル化ビスマス（Ｂｉ２Ｔｅ３）およびテルル化鉛（ＰｂＴｅ）は、２００μＶ／Ｋを超える最適化されたゼーベック係数を有するものとして一般に使用される半導体熱電材料の２つである。
材料のゼーベック係数最適化には、一般に、出発物質の化学量論的作用をドーパント材料でわずかに修正した合成方法が伴う。多くの場合、これにより完全に組成の異なる材料が生まれる。また、特定の材料組成のゼーベック係数を予測する容易な方法もない。
そのため、ゼーベック係数の絶対値が大きい材料が依然として必要とされている。さらに、必ずしも材料へのドーパント追加を必要とせずに材料のゼーベック係数を向上させる方法も依然として必要とされている。本明細書の実施形態は、以上に述べた必要性等に応えるものである。
【先行技術文献】  
【特許文献】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【特許文献１】      米国特許出願公開第２００６／００５３９６９
【非特許文献】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【非特許文献１】ＫＩＳＨＩＭＯＴＯ  ｅｔ  ａｌ．，  "Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｓｉｎｔｅｒｅｄ  ｄｅｇｅｎｅｒａｔｅ  ｎ−ｔｙｐｅ  ＰｂＴｅ  ｗｉｔｈ  ａ  ｓｍａｌｌ  ｇｒａｉｎ  ｓｉｚｅ  ａｎｄ  ｉｔｓ  ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ"，  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，  Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ  １，  ２００２，  ２５４４−２５４９，  Ｖｏｌｕｍｅ  ９２，  Ｎｕｍｂｅｒ  ５，  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ
【非特許文献２】ＺＨＵ，  ｅｌ  ａｌ．，  "Ｇｉａｎｔ  ｉｍｐｒｏｖｅｄ  ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｉｎ  ＰｂＴｅ  ｂｙ  ＨＰＨＴ  ａｔ  ｒｏｏｍ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ"，  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒ，  Ｖｏｌｕｍｅ  ３５９（２００２）  ｐｐ．  ８９−９４
【非特許文献３】ＴＡＩＣＨＡＯ  ｅｔ  ａｌ．，  "Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ａｎｄ  ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  ＰｂＴｅ  ｄｏｐｅｄ  ｗｉｔｈ  Ｓｂ２Ｔｅ３  ｐｒｅｐａｒｅｄ  ｂｙ  ｈｉｇｈ−ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ａｎｄ  ｈｉｇｈ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ"，  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｌｌｏｙｓ  ａｎｄ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，  Ｖｏｌｕｍｅ  ４２２  （２００６）  ｐｐ．  ３２８−３３１．
【非特許文献４】Ｐ．Ｗ．  ＺＨＵ  ＥＬ  ＡＬ："Ａ  ｎｅｗ  ｍｅｔｈｏｄ  ｏｆ  ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ...．"  ＳＯＬＩＤ  ＳＴＡＴＥ  ＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮＳ，  ｖｏｌ．  １２３，  ２００２，  ｐａｇｅｓ  ４３−４７
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月7日(2010.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
肥満又は過体重のヒトにおける、肥満又は過体重の治療に用いる薬剤の製造における、飽食因子のアゴニストの使用。
【請求項２】
前記肥満又は過体重のヒトが、25kg/m2を超える肥満度指数(「BMI」)を有する、請求項1記載の使用。
【請求項３】
前記肥満又は過体重のヒトが、30kg/m2を超える肥満度指数(「BMI」)を有する、請求項1記載の使用。
【請求項４】
前記肥満又は過体重のヒトが、35kg/m2を超える肥満度指数(「BMI」)を有する、請求項1記載の使用。
【請求項５】
前記飽食因子がペプチドである、請求項1記載の使用。
【請求項６】
前記飽食因子がアジポネクチン、アグーチ関連タンパク質(AGRP)、アミリン、アポリポタンパク質A-IV、ビーコン、ボムベシン又はボムベシン様ペプチド、脳由来神経因子(BDNF)、カルシトニン遺伝子関連ペプチド(CGRP)、βカソモルフィン、コレシストキニン(CCK)、毛様体神経栄養因子(CNTF)、コカイン及びアンフェタミン調節転写物(CART)、コルチコトロピン放出ホルモン(CRH)、シクロ-his-pro、ダイノルフィン、β-エンドルフィン、エンテロスタチン、ガラニン、ガラニン様ペプチド(GALP)、グレリン、成長ホルモン放出ホルモン(GHRH)、ヒポクレチン/オレキシン、インシュリン、インシュリン様成長因子I及びII(IGF-I及びIGF-II)、レプチン、メラニン濃縮ホルモン(MCH)、メラノサイト刺激ホルモン(α-MSH)、モチリン、ネスファチン、ニューロメディンB及びニューロメディンU、神経ペプチドB(NPB)及び(NPW)、神経ペプチドK(NPK)、神経ペプチドY(NPY)、ニューロテンシン(NT)、オベスタチン、オキシトシン、膵臓ペプチド、ペプチドYY、プログルカゴン由来ペプチド、プロラクチン放出ペプチド、プロオピオメラノコルチン(POMC)、プロトポルフィリン、QRFP43(RFアミドペプチド、26Rfa)、ソマトスタチン、チロトロピン放出ホルモン(TRH)、ウロコルチン及びバソプレシンからなる群から選択される、請求項1記載の使用。
【請求項７】
前記プログルカゴン由来ペプチドがグルカゴン、グルカゴン様ペプチド1(GLP-1)、グルカゴン様ペプチド2(GLP-2)、オキシントモジュリン、グリセンチン、グリセンチン関連膵臓ペプチド又は主要プログルカゴン断片である、請求項6記載の使用。
【請求項８】
前記飽食因子が非消化管ペプチドである、請求項1記載の使用。
【請求項９】
前記飽食因子が消化管ペプチドである、請求項1記載の使用。
【請求項１０】
前記飽食因子がアミリン、ボムベシン又はボムベシン様ペプチド、コレシストキニン、エンテロスタチン、グレリン、グルカゴン様ペプチド1、オベスタチン、オキシントモジュリン、膵臓ポリペプチド及びペプチドYYからなる群から選択される、請求項9記載の使用。
【請求項１１】
前記肥満又は過体重のヒトからのサンプル中の前記飽食因子の量が正常値未満である場合に、前記肥満又は過体重のヒトが望ましくないレベルの前記飽食因子を有する、請求項1記載の使用。
【請求項１２】
前記飽食因子がアミリン、ボムベシン又はボムベシン様ペプチド、コレシストキニン、エンテロスタチン、グルカゴン様ペプチド1、オベスタチン、オキシントモジュリン、膵臓ポリペプチド及びペプチドYYからなる群から選択される、請求項11記載の使用。
【請求項１３】
前記薬剤が、肥満又は過体重を治療するのに有効な量の前記飽食因子のアゴニストを前記肥満又は過体重のヒトに投与できるように形成されている、請求項11記載の使用。
【請求項１４】
前記薬剤が経口投与、鼻内投与、肺内投与、静脈内投与、皮下投与、経皮投与、胃内投与、腹腔内投与、脳室内投与又は直腸投与できるように形成されている、請求項1記載の使用。
【請求項１５】
前記薬剤が食事前に投与されるものである、請求項1記載の使用。
【請求項１６】
前記薬剤が食事時間の前後に投与されるものである、請求項1記載の使用。
【請求項１７】
前記薬剤が、連続的に投与されるものである、請求項1記載の使用。
【請求項１８】
前記薬剤が、消化管ペプチド飽食因子のアゴニスト及び非消化管ペプチド飽食因子のアゴニストを含む、請求項1記載の使用。
【請求項１９】
肥満又は過体重のヒトにおける食物摂取を低減する薬剤の製造における飽食因子のアゴニストの使用であって、該薬剤が、食物摂取を低減するのに有効な量の前記飽食因子のアゴニストを含む、前記使用。
【請求項２０】
前記食物が脂肪を含む、請求項19記載の使用。
【請求項２１】
前記食物が脂肪である、請求項19記載の使用。
【請求項２２】
前記食物が炭水化物を含む、請求項19記載の使用。
【請求項２３】
前記食物が炭水化物である、請求項19記載の使用。
【請求項２４】
前記食物がタンパク質を含む、請求項19記載の使用。
【請求項２５】
前記食物がタンパク質である、請求項19記載の使用。
【請求項２６】
飽食因子の1つ以上のアゴニストにより、肥満又は過体重のヒトにおける肥満又は過体重の治療の対象を選択する方法であって、前記肥満又は過体重のヒトからのサンプル中の飽食因子の量を測定する工程を含み、前記対象は、前記肥満又は過体重のヒトからの前記サンプル中の1つ以上の飽食因子の量が、独立に、正常値を超える、又は正常値未満である場合に、治療するために選択される、前記方法。
【請求項２７】
前記対象からのサンプル中の飽食因子のパネルの量が測定される、請求項26記載の方法。
【請求項２８】
前記パネルが、アミリン、ボムベシン又はボムベシン様ペプチド、コレシストキニン、エンテロスタチン、グレリン、グルカゴン様ペプチド1、オベスタチン、オキシントモジュリン、膵臓ポリペプチド及びペプチドYYからなる群から選択される2個、3個、4個、5個、6個、7個、8個、9個又は10個の飽食因子を含む、請求項27記載の方法。
【請求項２９】
飽食因子のアゴニストによる、肥満又は過体重のヒトにおける肥満又は過体重の治療の対象を選択するためのキットであって、前記肥満又は過体重のヒトの体液を得ることが可能な装置、及び前記体液中の前記飽食因子を検出することが可能な試薬を含む、前記キット。
【請求項３０】
肥満又は過体重のヒトにおける肥満又は過体重を治療するためのキットであって、前記肥満又は過体重のヒトの体液における飽食因子を検出することが可能な試薬、及び有効量の前記飽食因子のアゴニストを含む、前記キット。