【事件の表示】
　特願２０１３−２０２１２３「撮像素子およびその製造方法ならびに電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　４月１３日出願公開，特開２０１５−　７００７０，請求項の数（１２）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２５年９月２７日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２８年　２月２４日　手続補正
平成２８年１２月２０日　拒絶理由通知
平成２９年　２月１３日　意見書提出・手続補正
平成２９年　５月１１日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２９年　８月１０日　審判請求・手続補正
平成３０年　４月２０日　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由通知１」という。）
平成３０年　６月２０日　意見書提出・手続補正
平成３０年　７月１９日　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由通知２」という。）
平成３０年　８月　３日　手続補正
第２　本願発明
　本願請求項１−１２に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明１２」という。）は，平成３０年８月３日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１２に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１−本願発明１２は以下のとおりの発明である。
　「　　【請求項１】
　画素ごとに光電変換部を有する半導体基板と，
　前記半導体基板に設けられた画素分離溝と，
　前記半導体基板の受光面側に設けられた固定電荷膜とを備え，
　前記固定電荷膜は，前記受光面から前記画素分離溝の壁面および底面にかけて連続して設けられた第１絶縁膜と，前記第１絶縁膜上の少なくとも前記受光面に部分的に設けられた第２絶縁膜と，前記受光面から前記画素分離溝の壁面および底面にかけて連続して設けられた第３絶縁膜とが，前記半導体基板側から，前記第１絶縁膜，前記第２絶縁膜および前記第３絶縁膜の順に形成され，
　前記第１絶縁膜および前記第３絶縁膜は，酸化ハフニウム（ＨｆＯ2），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）または酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）のいずれか１種によって形成され，前記第２絶縁膜は，酸化ハフニウム（ＨｆＯ2），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2），酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3），酸化チタン（ＴｉＯ2）および酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）のうちの前記半導体基板上に設けられる前記第１絶縁膜よりも高屈折率材料を用いて形成されている
　撮像素子。
　　【請求項２】
　前記第２絶縁膜は，前記受光面から前記画素分離溝の壁面の一部にかけて連続している，請求項１に記載の撮像素子。
　　【請求項３】
　前記第１絶縁膜の膜厚は１ｎｍ以上２５ｎｍ以下である，請求項１または２に記載の撮像素子。
　　【請求項４】
　前記第２絶縁膜の膜厚は１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である，請求項１乃至３のうちのいずれかに記載の撮像素子。
　　【請求項５】
　前記第３絶縁膜の膜厚は１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である，請求項１乃至３のいずれかに記載の撮像素子。
　　【請求項６】
　前記第１絶縁膜及び前記第３絶縁膜は酸化ハフニウムである，請求項１乃至５のいずれかに記載の撮像素子。
　　【請求項７】
　前記半導体基板と前記第１絶縁膜との間に酸化シリコン膜が設けられている，請求項１乃至６のいずれか記載の撮像素子。
　　【請求項８】
　前記酸化シリコン膜の膜厚は１ｎｍである，請求項７に記載の撮像素子。
　　【請求項９】
　画素ごとに光電変換部を有すると共に，画素分離溝を有する半導体基板の受光面に固定電荷膜を成膜する工程を含み，前記固定電荷膜の製造工程では，
　前記半導体基板の前記受光面から前記画素分離溝の壁面および底面にかけて連続した第１絶縁膜を形成したのち，
　前記第１絶縁膜上の少なくとも前記受光面に部分的に，酸化ハフニウム（ＨｆＯ2），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2），酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3），酸化チタン（ＴｉＯ2）および酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）のうちの前記半導体基板上に設けられる前記第１絶縁膜よりも高屈折率材料によって構成される第２絶縁膜を形成し，
　前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜上に，酸化ハフニウム（ＨｆＯ2），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2），酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3），酸化チタン（ＴｉＯ2）および酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）のうちの前記半導体基板上に設けられる前記第１絶縁膜よりも高屈折率材料によって構成される第３絶縁膜を形成する
　撮像素子の製造方法。
　　【請求項１０】
　前記第１絶縁膜および前記第３絶縁膜を原子層蒸着法または有機金属化学気相成長法によって形成する，請求項９に記載の撮像素子の製造方法。
　　【請求項１１】
　前記第２絶縁膜を物理的気相成長法によって形成する，請求項９または１０に記載の撮像素子の製造方法。
　　【請求項１２】
　撮像素子を含み，
　前記撮像素子は，
　画素ごとに光電変換部を有する半導体基板と，
　前記半導体基板に設けられた画素分離溝と，
　前記半導体基板の受光面側に設けられた固定電荷膜とを備え，
　前記固定電荷膜は，前記受光面から前記画素分離溝の壁面および底面にかけて連続して設けられた第１絶縁膜と，前記第１絶縁膜上の少なくとも前記受光面に部分的に設けられた第２絶縁膜と，前記受光面から前記画素分離溝の壁面および底面にかけて連続して設けられた第３絶縁膜とが，前記半導体基板側から，前記第１絶縁膜，前記第２絶縁膜および前記第３絶縁膜の順に形成され，
　前記第１絶縁膜および前記第３絶縁膜は，酸化ハフニウム（ＨｆＯ2），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）または酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）のいずれか１種によって形成され，前記第２絶縁膜は，酸化ハフニウム（ＨｆＯ2），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2），酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3），酸化チタン（ＴｉＯ2）および酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）のうちの前記半導体基板上に設けられる前記第１絶縁膜よりも高屈折率材料を用いて形成されている
　電子機器。」
第３　引用文献及び引用発明
　１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　当審拒絶理由通知１に引用された引用文献１（特開２０１３−１７５４９４号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
　「【技術分野】
【０００１】
　本開示は，裏面照射型の固体撮像装置とその製造方法及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年，基板上の配線層が形成される側とは反対側から光を照射する，裏面照射型の固体撮像装置が提案されている（下記特許文献１参照）。裏面照射型の固体撮像装置では，光照射側に配線層や回路素子等が形成されないため，基板に形成された受光部の開口率を高くできる他，入射光が配線層等に反射されることなく受光部に入射されるので，感度の向上が図られる。
　特許文献１の固体撮像装置は，光学混色を低減するために，画素境界に遮光膜を設けている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１８６８１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　このような固体撮像装置において，光学混色の低減等のさらなる特性向上が求められている。
【０００５】
　本開示は，光学混色の低減等の特性をさらに向上させた固体撮像装置を提供する。また，その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。」
　「【００２５】
［１−２　要部の構成］
　図２に，本実施形態の固体撮像装置１の画素領域３における断面構成を示し，図３に，本実施形態の固体撮像装置１の画素領域３の平面レイアウトを示す。
本実施形態の固体撮像装置１は，裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置を例としたものであり，４つの光電変換部に対して所要の画素トランジスタを共有させた，いわゆる４画素共有を１単位とした例である。
【００２６】
　図２に示すように，本実施形態の固体撮像装置１は，複数の画素を有する基板１２と，基板１２の表面側に形成された配線層１３と，支持基板３１とを備える。また，基板１２の裏面側に順に形成された固定電荷を有する絶縁膜（以下，固定電荷膜）２０と，絶縁膜２１と，遮光膜２５と，平坦化膜２６と，カラーフィルタ層２７と，オンチップレンズ２８とをさらに備える。
【００２７】
　基板１２は，シリコンからなる半導体基板で構成され，例えば１μｍ〜６μｍの厚みを有して形成されている。基板１２の画素領域３にはフォトダイオードからなる光電変換部４０と，画素回路部を構成する複数の画素トランジスタ（Ｔｒ１〜Ｔｒ４）とから構成される画素が複数個，二次元マトリクス状に形成されている。そして，隣接する光電変換部４０間は素子分離部１９により電気的に分離されている。また，図２では図示を省略するが，基板１２に形成された画素領域の周辺領域には，周辺回路部が構成されている。
【００２８】
　光電変換部４０は，基板１２の表面側及び裏面側に形成される第１導電型（以下ｐ型）半導体領域２３，２４と，その間に形成される第２導電型（以下ｎ型）半導体領域２２とで構成されている。光電変換部４０では，そのｐ型半導体領域２３，２４とｎ型半導体領域２２との間のｐｎ接合で主なフォトダイオードが構成されている。光電変換部４０では，入射した光の光量に応じた信号電荷が生成され，ｎ型半導体領域２２に蓄積される。また，基板１２の界面で発生する暗電流の原因となる電子は基板１２の表面及び裏面に形成されたｐ型半導体領域２３，２４の多数キャリアである正孔に吸収されることにより，暗電流が抑制される。
　また，
各光電変換部４０はｐ型半導体領域で構成された画素分離層１８と，その画素分離層１８内に形成された素子分離部１９によって電気的に分離されている。
　「【００３４】
　
素子分離部１９は，基板１２の裏面側から深さ方向に形成された溝部３９内に順に埋め込んで形成された固定電荷膜２０，及び絶縁膜２１とで構成され，基板１２に形成された画素分離層１８内に彫り込まれて形成されている。すなわち，素子分離部１９は，図に示すように画素を取り囲むように格子状に形成されている
　「【００３６】
　
また，溝部３９に形成される固定電荷膜２０は溝部３９の内周面及び底面に成膜されると共に，基板１２の裏面全面に形成されている。なお，以下の説明では，溝部３９の内周面及び底面を合わせて，「内壁面」として説明する。固定電荷膜２０としては，シリコン等の基板上に堆積することにより固定電荷を発生させてピニングを強化させることが可能な材料を用いることが好ましく，負の電荷を有する高屈折率材料膜または高誘電体膜を用いることができる。具体的な材料としては，例えば，ハフニウム（Ｈｆ），アルミニウム（Ａｌ），ジルコニウム（Ｚｒ），タンタル（Ｔａ）及びチタン（Ｔｉ）のうち少なくとも１つの元素を含む酸化物または窒化物を適用することができる。成膜方法としては，例えば，化学気相成長法（以下，ＣＶＤ（Chemical　Vapor　Deposition）法），スパッタリング法，原子層蒸着法（以下，ＡＬＤ(Atomic　Layer　Deposition)法）等が挙げられる。
ＡＬＤ法を用いれば，成膜中に界面準位を低減するＳｉＯ２膜を同時に１ｎｍ程度の膜厚に形成することができる。また，上記以外の材料としては，ランタン（Ｌａ），プラセオジム（Ｐｒ），セリウム（Ｃｅ），ネオジム（Ｎｄ），プロメチウム（Ｐｍ），サマリウム（Ｓｍ），ユウロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウム（Ｄｙ），ホルミウム（Ｈｏ），ツリウム（Ｔｍ），イッテルビウム（Ｙｂ），ルテチウム（Ｌｕ）及びイットリウム（Ｙ）のうち少なくとも１つの元素を含む酸化物または窒化物等が挙げられる。さらに，上記固定電荷膜は，酸窒化ハフニウム膜または酸窒化アルミニウム膜で形成することも可能である。
【００３７】
　上述の固定電荷膜２０の材料には，絶縁性を損なわない範囲で，膜中にシリコン（Ｓｉ）や窒素（Ｎ）が添加されていてもよい。その濃度は，膜の絶縁性が損なわれない範囲で適宜決定される。このように，シリコン（Ｓｉ）や窒素（Ｎ）が添加されることによって，膜の耐熱性やプロセスの中でイオン注入の阻止能力を上げることが可能になる。
【００３８】
　本実施形態では，溝部３９の内壁面及び基板１２の裏面に負の電荷を有する固定電荷膜２０が形成されているため，固定電荷膜２０に接する面に反転層が形成される。これにより，シリコン界面が反転層によりピンニングされるため，暗電流の発生が抑制される。また，基板１２に溝部３９を形成する場合，溝部３９の側壁及び底面に物理的ダメージが発生し，溝部３９の周辺部でピニング外れが発生する可能性がある。この問題点に対し，本実施形態では，溝部３９の側壁及び底面に固定電荷を多く持つ固定電荷膜２０を形成することによりピニング外れが防止される。
【００３９】
　絶縁膜２１は，固定電荷膜２０が形成された溝部３９内に埋め込まれると共に，基板１２の裏面側全面に形成されている。絶縁膜２１の材料としては，固定電荷膜２０とは異なる屈折率を有する材料で形成することが好ましく，例えば，酸化シリコン，窒化シリコン，酸窒化シリコン，樹脂などを用いることができる。また，正の固定電荷を持たない，又は正の固定電荷が少ないという特徴を持つ材料を絶縁膜２１に用いることができる。
【００４０】
　そして，溝部３９が絶縁膜２１に埋め込まれることにより，各画素を構成する光電変換部４０が絶縁膜２１を介して分離される。これにより，隣接画素に信号電荷が漏れ込みにくくなるため，飽和電荷量（Ｑｓ）を超えた信号電荷が発生した場合において，溢れた信号電荷が隣接する光電変換部４０へ漏れ込むことを低減することができる。このため，電子混色を抑制することができる。
【００４１】
　また，基板１２の入射面側となる裏面側に形成された固定電荷膜２０と絶縁膜２１の２層構造はその屈折率の違いにより，反射防止膜の役割を有する。これにより，基板１２の裏面側から入射した光の基板１２の裏面側における反射が防止される。」
　「【００９９】
〈６．第６の実施形態：固体撮像装置〉
　次に，本開示の第６の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。本実施形態の固体撮像装置の全体構成は，図１と同様であるから図示を省略する。図１６は，本実施形態の固体撮像装置４１の要部の断面構成図である。図１６において，図２に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
【０１００】
　
本実施形態の固体撮像装置４１は，素子分離部４２の構成が第１の実施形態と異なる。本実施形態では，素子分離部４２は，溝部３９内に順に埋め込んで形成された第１固定電荷膜４３，第２固定電荷膜４４，第１絶縁膜４５及び第２絶縁膜４６を備える。
【０１０１】
　
第１固定電荷膜４３は，溝部３９の内壁面及び基板１２の裏面を被覆するように形成されており，ＣＶＤ法又はＡＬＤ法を用いて形成されている。第１固定電荷膜４３を形成する材料としては，第１の実施形態における固定電荷膜２０の材料と同様の材料を用いることができる。
【０１０２】
　ＣＶＤ法又はＡＬＤ法を用いて第１固定電荷膜４３を形成する場合，成膜中に界面準位を低減するＳｉＯ２膜が同時に形成される。このＳｉＯ２膜は，１ｎｍ程度の厚さで形成することが好ましい。この基板界面に形成されるＳｉＯ２膜の厚みを除いた場合，第１固定電荷膜４３は，３ｎｍ以上の厚さで形成されることが好ましく，例えば，３ｎｍ以上２０ｎｍ以下に形成されるのが好ましい。
【０１０３】
　第２固定電荷膜４４は，第１固定電荷膜４３を被覆するように溝部３９内及び基板１２の裏面に形成されており，例えば，ＰＶＤ（Physical　Vapor　Deposition）法を用いて形成されている。第２固定電荷膜４４を形成する材料についても，第１固定電荷膜４３と同様，第１の実施形態における固定電荷膜２０の材料と同様の材料を用いることができる。また，第２固定電荷膜４４は，第１固定電荷膜４３と同じ材料で形成されてもよく，また，異なる材料で形成されてもよい。
【０１０４】
　第２固定電荷膜４４は，基板１２の裏面において，例えば４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の膜厚で形成されるのが好ましい。第２固定電荷膜４４を４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の膜厚に形成することにより，基板１２の裏面側におけるピニングの効果や，後述する反射防止膜の効果をより確実に得ることができる。
【０１０５】
　第１絶縁膜４５は，第２固定電荷膜４４を被覆するように溝部３９内及び基板１２の裏面に形成されており，ＰＶＤ法やＣＶＤ法で形成される異方性酸化膜，例えば，ＴＥＯＳ（Tetra　Ethyl　Ortho　Silicate）材料やシラン材料を含む酸化膜で形成される。第１絶縁膜４５は，基板１２の裏面において，例えば，０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の膜厚で形成されるのが好ましい。
【０１０６】
　第２絶縁膜４６は，第１絶縁膜４５を被覆するように溝部３９内及び基板１２の裏面に形成されており，本実施形態では，ＡＬＤ法やＣＶＤ法を用いて形成された等方性酸化膜，例えば，シリコン酸化膜等で形成されている。本実施形態では，第２絶縁膜４６により溝部３９内を全て埋め込む。また，第２絶縁膜４６は，基板１２の裏面において，例えば０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚で形成されるのが好ましく，第１絶縁膜４５と第２絶縁膜４６とを合わせた膜厚が１０ｎｍ以上９００ｎｍ以下，好ましくは５０ｎｍ以上７００ｎｍ以下，より好ましくは，１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下となるように形成される。
【０１０７】
　
また，基板１２の裏面側及び溝部３９内部に形成された第１固定電荷膜４３，第２固定電荷膜４４，第１絶縁膜４５及び第２絶縁膜４６からなる積層膜は，反射防止膜の役割も果たす。
　なお，本実施形態では，第１絶縁膜４５，第２絶縁膜４６の２層の絶縁膜を形成する場合について説明しているが，本開示はこれに限らず，第１，第２絶縁膜４５，４６のいずれかが形成されればよい。また，第１絶縁膜４５として異方性酸化膜，第２絶縁膜４６として等方性酸化膜を形成する場合について説明しているが，逆の場合であってもよい。
　さ
らに，溝部３９の内周面は，第１固定電荷膜４３，第２固定電荷膜４４，第１絶縁膜４５及び第２絶縁膜４６の全てまたは一部が積層されている構造であっても，上記いずれの膜も積層されていない構造であってもよい。
（２）引用発明１
　前記（１）より，引用文献１には，第６の実施形態について，次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「　画素領域３にはフォトダイオードからなる光電変換部４０と，画素回路部を構成する複数の画素トランジスタ（Ｔｒ１〜Ｔｒ４）とから構成される画素が複数個，二次元マトリクス状に形成されている基板１２と，
　各光電変換部４０は画素分離層１８と，その画素分離層１８内に形成された素子分離部１９によって電気的に分離されている基板１２の裏面側から深さ方向に形成された溝部３９と，
　溝部３９の内壁面及び基板１２の裏面を被覆するように形成された第１固定電荷膜４３と，
　第１固定電荷膜４３を被覆するように基板１２の裏面に形成された第２固定電荷膜４４を有し，
　第１固定電荷膜４３は，ハフニウム（Ｈｆ），アルミニウム（Ａｌ），ジルコニウム（Ｚｒ），タンタル（Ｔａ）及びチタン（Ｔｉ）のうち少なくとも１つの元素を含む酸化物または窒化物によって形成され，
　第２固定電荷膜４４は，第１固定電荷膜４３と同じ材料で形成されてもよく，また，異なる材料で形成されてもよい
　裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置。」
（３）引用発明２
　また，前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「光電変換部４０と，画素回路部を構成する複数の画素トランジスタ（Ｔｒ１〜Ｔｒ４）とから構成される画素が複数個，二次元マトリクス状に形成されており，基板１２の裏面側から深さ方向に形成された溝部３９を有する基板１２の裏面を被覆するように第１固定電荷膜４３及び第２固定電荷膜４４を形成する工程を含み，
　溝部３９の内壁面及び基板１２の裏面を被覆するように第１固定電荷膜４３を形成し，
　第１固定電荷膜４３を被覆するように基板１２の裏面に第２固定電荷膜４４を形成し，
　第２固定電荷膜４４は，第１固定電荷膜４３と同じ材料で形成されてもよく，また，異なる材料で形成されてもよい
　裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置の製造方法。」
　２　引用文献２について
　当審拒絶理由通知１に引用された引用文献２（特開２０１２−１９１００５号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　「【技術分野】
【０００１】
　本開示は，固体撮像素子，固体撮像素子の製造方法および撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）型やＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ　Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型の固体撮像素子では，フォトダイオードにおける結晶欠陥や，半導体基板に形成された受光部とその上の絶縁層との界面における界面準位が，暗電流の原因となることが知られている。
【０００３】
　そこで，暗電流の発生を抑制する技術として，半導体基板の全面，例えば，受光画素領域(以下，「有効領域」という)および光学的黒領域（以下，「ＯＢ領域」という）上に，負の固定電荷を持つ膜を形成する技術が提案されている。この技術では，半導体基板上に負の固定電荷を持つ膜を形成し，受光部と絶縁層との界面付近に正電荷（ホール）を蓄積することで，界面準位に起因する暗電流の発生を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２３９１１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　しかしながら，界面準位に起因する暗電流は，有効領域とＯＢ領域とでは，その案電流量が異なる。従って，上述した負の固定電荷を有する膜を半導体基板の全面に形成する場合には，全体的な暗電流量は低減するものの，有効領域とＯＢ領域との暗電流差が発生し，いわゆるＯＢ段差が発生することが問題となっている。
【０００６】
　かかる問題に鑑みて，本発明は，有効領域における暗電流と光学的黒領域における暗電流との差を小さくすることができ，いわゆるＯＢ段差を改善することができる固体撮像素子，固体撮像素子の製造方法および撮像装置を提供するものである。」
　「【０１２２】
　（変形例２）
　次に，第２変形例の固体撮像素子１Ｂについて説明する。図８は，第３の実施形態に係る固体撮像素子の構成を示す図である。本実施形態に係る固体撮像素子１Ｂは，上述した固体撮像素子１Ｂの負の固定電荷を有する膜の膜構成を変えたものであり，その他の構成については同一符号を付して説明を省略する。
【０１２３】
　図８に示すように，固体撮像素子１Ｂは，半導体基板２の有効領域２１上に第１の膜６１を備え，ＯＢ領域２２上に第２の膜６２を備えている。
【０１２４】
　第１の膜６１は，半導体基板２上に形成された第１層６１ａと，この第１層６１ａ上に形成された第２層６１ｂと，この第２層６１ｂ上に形成された第３層６１ｃとが積層された構成を有する。
【０１２５】
　第１層６１ａは，例えば，酸化ハフニウム膜，酸化アルミニウム膜，酸化ジルコニウム膜，酸化タンタル膜および酸化チタン膜のうちいずれかの１つの膜からなり，ＡＬＤ法またはＭＯＣＶＤ法により形成される。
【０１２６】
　また，第２層６１ｂは，例えば，酸化ハフニウム膜，酸化アルミニウム膜，酸化ジルコニウム膜，酸化タンタル膜および酸化チタン膜のうちいずれかの１つの膜からなり，ＰＶＤ法により形成される。
【０１２７】
　また，第３層６１ｃは，例えば，酸化ハフニウム膜，酸化アルミニウム膜，酸化ジルコニウム膜，酸化タンタル膜および酸化チタン膜のうちいずれかの１つの膜からなり，ＡＬＤ法またはＭＯＣＶＤ法により形成される。
【０１２８】
　上第２の膜６２は，半導体基板２上に形成された第１層６２ｃを有する。この第１層６２ｃは，例えば，酸化ハフニウム膜，酸化アルミニウム膜，酸化ジルコニウム膜，酸化タンタル膜および酸化チタン膜のうちいずれかの１つの膜からなり，ＡＬＤ法またはＭＯＣＶＤ法により形成される。
【０１２９】
　次に，図９を参照して上記固体撮像素子１Ｂの製造方法について説明する。ここでは，本変形例の固体撮像素子１Ｂの特徴的な構成である第１の膜６１および第２の膜６２を形成する工程について説明し，その他の工程については説明を省略する。
【０１３０】
　まず，図９（ａ）に示すように，ＡＬＤ法またはＭＯＣＶＤ法により，半導体基板２の有効領域２１およびＯＢ領域２２上に，負の固定電荷を有する膜６３を形成する。この負の固定電荷を有する膜６３の材料としては，例えば，酸化ハフニウム，酸化アルミニウム，酸化ジルコン，酸化タンタルおよび酸化チタンのうちいずれか１つの酸化物が挙げられる。
【０１３１】
　ＡＬＤ法で形成する場合の形成条件は，例えば，形成基板温度２００〜５００℃，プリカーサ流量が１０〜５００ｓｃｃｍ，照射時間１〜１５秒，Ｏ3流量１０〜５００ｓｃｃｍ，とする。第１の膜の膜厚は，好ましくは１ｎｍ以上である。なお，第１の膜をＡＬＤ法により形成した場合には，同時に，半導体基板２の表面に，酸化シリコン膜（厚さ１ｎｍ程度）が形成されることがある。
【０１３２】
　次に，図９（ｂ）に示すように，ＰＶＤ法により，負の固定電荷を有する膜６３上に負の固定電荷を有する膜６４を形成する。負の固定電荷を有する膜６４の材料としては，例えば，酸化ハフニウム，酸化アルミニウム，酸化ジルコン，酸化タンタルおよび酸化チタンのうちいずれか１つの酸化物が挙げられる。
【０１３３】
　なお，ＰＶＤ法で形成する際の形成条件は，例えば，圧力０．０１〜５０Ｐａ，ＤＣパワー５００〜２０００Ｗ，Ａｒ流量５〜５０ｓｃｃｍ，Ｏ2流量５〜５０ｓｃｃｍとする。
【０１３４】
　次に，図９（ｃ）に示すように，有効領域２１上に形成された負の固定電荷を有する膜６４上にレジスト４０を形成した後，ウェットエッチングすることにより，ＯＢ領域２２上に形成された２層の負の固定電荷を有する膜６３，６４を選択的に除去し，有効領域２１上に第１の膜６１の第１層６１ａおよび第２層６１ｂを形成する。
【０１３５】
　次に，図９（ｃ）に示すように，ＡＬＤ法またはＭＯＣＶＤ法により，第１の膜６１の第２層６１ｂ上，およびＯＢ領域２２における半導体基板２上に，負の固定電荷を有する膜６５を形成する。これにより，第１の膜６１の第３層６１ｃを形成するとともに，半導体基板２のＯＢ領域２２上に，第２の膜６２の第１層６２ｃを形成する。第１の膜６１の第３層６１ｃおよび第２の膜６２の第１層６２ｃの材料としては，例えば，酸化ハフニウム，酸化アルミニウム，酸化ジルコン，酸化タンタルおよび酸化チタンのうちいずれか１つの酸化物が挙げられる。
【０１３６】
　なお，ＡＬＤ法で形成する場合の形成条件は，例えば，形成基板温度２００〜５００℃，プリカーサ流量が１０〜５００ｓｃｃｍ，照射時間１〜１５秒，Ｏ3流量１０〜５００ｓｃｃｍとする。
【０１３７】
　第１層６１ａ上に第２層６１ｂを形成し，第２層６１ｂ上に第３層６１ｃを形成することによって，３層６１ａ，６１ｂ，６１ｃが積層された第１の膜６１が構成される。この第１の膜６１によって，有効領域２１における電荷蓄積領域４の表面に正電荷蓄積領域５ａが形成される。
【０１３８】
　また，第１層６２ｃにより構成された第２の膜６２によって，ＯＢ領域２２における電荷蓄積領域４の表面に正電荷蓄積領域５ｂが形成される。
　第１の膜６１の第３層６１ｃと第２の膜６２の第１層６２ｃは，膜５５を形成することで一体として形成される。
【０１３９】
　次に，上述した工程と同様の工程により，絶縁膜６，遮光膜７，平坦化膜８，カラーフィルタ９およびオンチップレンズ１０を形成し，図８に示す固体撮像素子１Ｂが製造される。
【０１４０】
　図１０は，固体撮像素子１Ｂの第２の膜６２を，ＡＬＤ法などで成膜した層とＰＶＤ法で成膜した層との２層の積層構造とした場合と，ＡＬＤ法などで成膜した第１層６２ｃの１層とした場合の暗電流量を示す図である。図１０に示すように，第２の膜６２を２層とするより，本変形例のように１層（単層）とした方がＯＢ領域における暗電流量が低減する。
【０１４１】
　ＰＶＤ法で成膜した層は，ＡＬＤ法で成膜した層に比べて緻密でないため負の固定電荷を阻害する水素などを含みやすい。本変形例のように，第２の膜６２をＰＶＤ法で成膜した層を含まないＡＬＤ法などで成膜した層の構造としたことで，水素などの負の固定電荷を阻害する物質が侵入しにくくなる。これにより，固体撮像素子１Ｂの第２の膜６２中の負の固定電荷密度を高くすることができ，負バイアス効果が増加して暗電流が改善すると考えられる。
【０１４２】
　このように，有効領域より暗電流が多く発生するＯＢ領域に形成する第２の膜６２の暗電流量を減らすことで，有効領域の暗電流量とＯＢ領域の暗電流量との差（ＯＢ段差）を小さくすることができる。」
　３　引用文献３について
　当審拒絶理由通知１に引用された引用文献３（特開２００６−２８２４８０号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，薄膜付きガラス基板，その製造方法およびそれを用いた半導体装置に関し，詳しくは，イメージセンサのような半導体素子を実装可能な薄膜付きガラス基板に関する。」
　「【００２３】
　
さらに，これらの結果は垂直方向からのスパッタによるものであるが，ターゲットをガラス基板から離れた位置に設置し，シャドーイング効果を利用した成膜手法がより効果的な場合もある。すなわち，図９（実施の形態４）および１０（実施の形態５）に示すように，溝側面が垂直およびテーパ状の溝を有するガラス基板に対して，入射方向を斜め（矢印方向）にしたスパッタリングを行なうことにより（例えば入射角θ１＝４５°），一方の溝側面および溝底面に薄膜材料が入射し難くなり，溝内において薄膜の切断状態を容易かつ確実に生じさせることができる。なお，図１０に示すようなテーパ状の溝の場合，スパッタ入射角θ１は溝のテーパ角θよりも大きい方が段差被覆性をより悪化させる上で好ましい。
　４　引用文献４について
　当審拒絶理由通知１に引用された引用文献４（国際公開第２０１３／０８０７６９号）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，ＣＭＯＳ（Complementary　Metal　Oxide　Semiconductor）イメージセンサやＣＣＤ（Charge　Coupled　Device）イメージセンサなどに代表される固体撮像素子に関する。」
　「【０００６】
　しかしながら，この固体撮像素子では，ｐ型の注入量や注入面積を増やすと光電変換の特性や飽和電荷量など電気特性などが劣化する。また，ｐ型の不純物を活性化するために高温の熱処理を行うと，当該熱処理によって素子構造がダメージを受けたり変質したりすることが懸念される。具体的に例えば，この高温の熱処理によって，当該熱処理までに基板に注入したドーパントが意図せず拡散することで，光電変換の特性や飽和電荷量など電気特性などが劣化し得る。また，裏面照射型の固体撮像素子では，基板の裏面にｐ型の注入を行った時点で，当該基板の表面に素子や配線が形成されているため，その後の熱処理における制約が多くなる。
【０００７】
　そこで，例えば特許文献２及び３では，受光部を設けた基板の表面に，負の固定電荷を有する固定電荷層を設けた固体撮像素子が提案されている。この固体撮像素子では，固定電荷層を設けることで基板の表面に正孔を集積させ，当該正孔と暗電流を成す電子とを再結合させることで，当該電子の蓄積部への移動を防ぎ，暗電流を低減する。」
　「【０１４０】
［８］　
固定電荷層を，例えば酸化ハフニウムなどで構成すると，他の層を構成する材料（例えば，酸化シリコン）よりも屈折率を大きくすることができる。この場合，固定電荷層を，インナーレンズとして利用することが可能となり，混色を低減することができるため，好ましい。ただし，固定電荷層と，隣接する他の層との屈折率差が大きくなると，基板１０内に入射しようとする光が固定電荷層で反射され，固体撮像素子の感度が低下することが懸念される。
【０１４１】
　そこで，固定電荷層の膜厚を調整して，反射を抑制すると好ましい。例えば，カラーフィルタを透過する光の中で，波長が中間となる緑の光（例えば，５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下）を基準として，当該緑の光の反射が抑制されるように，固定電荷層の膜厚を調整すると好ましい。
【０１４２】
　具体的に例えば，固定電荷層の，蓄積部１１の直上となる領域の中心の膜厚が，下記式（１）を満たすように調整すると好ましい。なお，下記式（１）中のＮは固定電荷層の屈折率であり，Ｋは０以上である任意の１つの整数である。また，固定電荷層の膜厚は，光の反射が最小となる膜厚から所定の範囲内であれば，十分に反射を抑制することができる。そのため，下記式（１）では，固定電荷層の膜厚が当該範囲（例えば±２５％）内の値となることを，許容したものとしている。
【０１４３】
　０．７５×｛５００／（４×Ｎ）＋Ｋ×５００／（２×Ｎ）｝ｎｍ以上，かつ，
　１．２５×｛５６０／（４×Ｎ）＋Ｋ×５６０／（２×Ｎ）｝ｎｍ以下　　・・・（１）
【０１４４】
　
カラーフィルタを透過する光には，緑の他に赤や青が含まれる。そのため，赤や青の光の反射も抑制されるように，固定電荷層の膜厚を調整すると，さらに好ましい。
第４　対比及び判断
　１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明１との対比
　ア　引用発明１の「光電変換部４０」は，本願発明１の「光電変換部」に相当し，「画素ごとに光電変換部を有する」ものといえる。
　イ　引用発明１の「基板１２」は，「シリコンからなる半導体基板で構成され」（第３の１（１）【００２７】）ており，本願発明１の「半導体基板」に相当する。
　ウ　引用発明１の「溝部３９」は，本願発明１の「画素分離溝」に相当し，「半導体基板に設けられた」ものといえる。
　エ　引用発明１の「第１固定電荷膜４３」及び「第２固定電荷膜４４」は，本願発明１の「固定電荷膜」に相当する。
　また，引用発明１の「第１固定電荷膜４３」及び「第２固定電荷膜４４」は，裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置の基板１２の裏面に形成されており，「前記半導体基板の受光面側に設けられた」ものといえる。
　オ　引用発明１の「第１固定電荷膜４３」は，本願発明１の「第１絶縁膜」に相当する。
　また，引用発明１の「第１固定電荷膜４３」は，溝部３９の内壁面及び基板１２の裏面を被覆するように形成されたものであり，溝部３９の内周面及び底面を合わせて，「内壁面」（第３の１（１）【００３６】）であるから，「前記受光面から前記画素分離溝の壁面および底面にかけて連続して設けられた」ものといえる。
　カ　引用発明１の「第２固定電荷膜４４」は，本願発明１の「第２絶縁膜」に相当する。
　また，引用文献１には，「溝部３９の内周面は，第１固定電荷膜４３，第２固定電荷膜４４，第１絶縁膜４５及び第２絶縁膜４６の全てまたは一部が積層されている構造であっても，上記いずれの膜も積層されていない構造であってもよい。」（第３の１（１）【０１０７】）ことが記載されており，引用発明１の「第２固定電荷膜４４」は，溝部の内周面に設けられない構造，もしくは，溝部の内周面途中で切断される構造等が記載されているから，これは本願発明１の「少なくとも前記受光面に部分的に設けられた」に相当する。
　よって，引用発明１の「第２固定電荷膜４４」は，「前記第１絶縁膜上の少なくとも前記受光面に部分的に設けられた」ものといえ，本願発明１と引用発明１とは「前記半導体基板側から，前記第１絶縁膜，前記第２絶縁膜」「の順に形成され」ている点で一致する。
　キ　引用発明１の「第１固定電荷膜４３」は，「ハフニウム（Ｈｆ），アルミニウム（Ａｌ），ジルコニウム（Ｚｒ），タンタル（Ｔａ）及びチタン（Ｔｉ）のうち少なくとも１つの元素を含む酸化物」「よって形成され」ることは，本願発明１の「前記第１絶縁膜」は，「酸化ハフニウム（ＨｆＯ2），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）または酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）のいずれか１種によって形成され」ることに相当する。
　ク　引用発明１の「裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置」は，本願発明１の「撮像素子」に相当する。
　ケ　すると，本願発明１と引用発明１とは，下記コの点で一致し，下記サの点で相違する。
　コ　一致点
　「　画素ごとに光電変換部を有する半導体基板と，
　前記半導体基板に設けられた画素分離溝と，
　前記半導体基板の受光面側に設けられた固定電荷膜とを備え，
　前記固定電荷膜は，前記受光面から前記画素分離溝の壁面および底面にかけて連続して設けられた第１絶縁膜と，前記第１絶縁膜上の少なくとも前記受光面に部分的に設けられた第２絶縁膜とが，前記半導体基板側から，前記第１絶縁膜，前記第２絶縁膜の順に形成され，
　前記第１絶縁膜は，酸化ハフニウム（ＨｆＯ2），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）または酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）のいずれか１種によって形成される
　撮像素子。」
　サ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１は，「前記固定電荷膜」は，「第１絶縁膜」と「第２絶縁膜」と「前記受光面から前記画素分離溝の壁面および底面にかけて連続して設けられた第３絶縁膜」が，「前記半導体基板側」から順に形成されているのに対し，引用発明１は，固定電荷膜には第３絶縁膜が形成されていない点。
　また，本願発明１は，第３絶縁膜が「酸化ハフニウム（ＨｆＯ2），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）または酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）のいずれか１種によって形成される」のに対し，引用発明１は，固定電荷膜には第３絶縁膜が形成されていない点。
（イ）相違点２
　本願発明１は，「前記第２絶縁膜は，酸化ハフニウム（ＨｆＯ2），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2），酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3），酸化チタン（ＴｉＯ2）および酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）のうちの前記半導体基板上に設けられる前記第１絶縁膜よりも高屈折率材料を用いて形成されている」のに対して，引用発明１は，第２固定電荷膜４４は，第１固定電荷膜４３と同じ材料で形成されてもよく，また，異なる材料で形成されてもよい点。
（２）相違点についての判断
　相違点２について検討する。
　引用文献１には，「また，基板１２の裏面側及び溝部３９内部に形成された第１固定電荷膜４３，第２固定電荷膜４４，第１絶縁膜４５及び第２絶縁膜４６からなる積層膜は，反射防止膜の役割も果たす。」（第３の１（１）【０１０７】）こと，また，引用文献４（（第３の４【０１４０】−【０１４４】）には光の波長，固定電荷層の屈折率を考慮して固定電荷層の膜厚を調整して，反射を抑制する技術が記載されているが，いずれの文献においても，積層膜のいずれの膜の屈折率をどのように調整するかまで認識しておらず，引用発明１において，第２絶縁膜は，第１絶縁膜よりも高屈折率材料を用いて形成する動機付けがない。
　そして，本願発明１は，相違点２に係る構成を備えることによって，「第１絶縁膜２３Ａよりも厚膜に形成される第２絶縁膜２３Ｂに高屈折率の材料を用いることによって反射防止効果を効率よく得られるほかに，光電変換部２２へ入射する光を増やして撮像素子１０の感度を向上させることが可能となる。」（本願明細書【００２６】）という格別の効果を奏すると認められる。
（３）まとめ
　したがって，本願発明１は，引用文献１−４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　２　本願発明２−８について
　本願発明２−８は，本願発明１の発明特定事項をすべて含むものであるから，本願発明１と同じ理由により，引用文献１−４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　３　本願発明９について
（１）本願発明９と引用発明２との対比
　ア　引用発明２の「光電変換部４０」は，本願発明９の「光電変換部」に相当し，「画素ごとに光電変換部を有する」ものといえる。
　イ　引用発明２の「溝部３９」は，本願発明９の「画素分離溝」に相当する。
　ウ　引用発明２の「基板１２」は，「シリコンからなる半導体基板で構成され」（第３の１（１）【００２７】）ており，本願発明９の「半導体基板」に相当し，基板１２の裏面側から深さ方向に形成された溝部３９を有するから，「画素分離溝を有する半導体基板」といえる。
　エ　引用発明２の「基板１２の裏面」は，裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置であるから「受光面」といえる。
　オ　引用発明２の「第１固定電荷膜４３」及び「第２固定電荷膜４４」は，本願発明９の「固定電荷膜」に相当する。
　カ　引用発明２の「基板１２の裏面を被覆するように第１固定電荷膜４３及び第２固定電荷膜４４を形成する工程」は，上記エ，オを考慮すると，本願発明９の「半導体基板の受光面に固定電荷膜を成膜する工程」に相当し，「前記固定電荷膜の製造工程」といえる。
　キ　引用発明２の「第１固定電荷膜４３」は，本願発明９の「第１絶縁膜」に相当する。
　また，引用発明２の「第１固定電荷膜４３」は，溝部３９の内壁面及び基板１２の裏面を被覆するように形成されたものであり，溝部３９の内周面及び底面を合わせて，「内壁面」（第３の１（１）【００３６】）であるから，引用発明２の「溝部３９の内壁面及び基板１２の裏面を被覆するように第１固定電荷膜４３を形成し，」は，本願発明９の「前記半導体基板の前記受光面から前記画素分離溝の壁面および底面にかけて連続した第１絶縁膜を形成し」に相当する。
　ク　引用発明２の「第２固定電荷膜４４」は，本願発明９の「第２絶縁膜」に相当する。
　また，引用文献１には，「溝部３９の内周面は，第１固定電荷膜４３，第２固定電荷膜４４，第１絶縁膜４５及び第２絶縁膜４６の全てまたは一部が積層されている構造であっても，上記いずれの膜も積層されていない構造であってもよい。」（第３の１（１）【０１０７】）ことが記載されており，引用発明２の「第２固定電荷膜４４」は，溝部の内周面に設けられない構造，もしくは，溝部の内周面途中で切断される構造等が記載されているから，これは本願発明９の「少なくとも前記受光面に部分的に」「形成した」に相当する。
　よって，引用発明２の「第２固定電荷膜４４」は，「少なくとも前記受光面に部分的に」「形成した」ものといえ，本願発明９と引用発明２とは，「前記第１絶縁膜上の少なくとも前記受光面に部分的に，」「第２絶縁膜を形成し」ている点で一致する。
　ケ　引用発明２の「裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置の製造方法」は，本願発明９の「撮像素子の製造方法」に相当する。
　コ　すると，本願発明９と引用発明２とは，下記サの点で一致し，下記シの点で相違する。
　サ　一致点
　「　画素ごとに光電変換部を有すると共に，画素分離溝を有する半導体基板の受光面に固定電荷膜を成膜する工程を含み，前記固定電荷膜の製造工程では，
　前記半導体基板の前記受光面から前記画素分離溝の壁面および底面にかけて連続した第１絶縁膜を形成したのち，
　前記第１絶縁膜上の少なくとも前記受光面に部分的に，第２絶縁膜を形成した
　撮像素子の製造方法。」
　シ　相違点
（ア）相違点３
　本願発明９は，第２絶縁膜が「酸化ハフニウム（ＨｆＯ2），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2），酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3），酸化チタン（ＴｉＯ2）および酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）のうちの前記半導体基板上に設けられる前記第１絶縁膜よりも高屈折率材料によって構成される」を有するのに対し，引用発明２は，第２固定電荷膜４４は，第１固定電荷膜４３と同じ材料で形成されてもよく，また，異なる材料で形成されてもよい点。
（イ）相違点４
　本願発明９は，「前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜上に，酸化ハフニウム（ＨｆＯ2），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2），酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3），酸化チタン（ＴｉＯ2）および酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）のうちの前記半導体基板上に設けられる前記第１絶縁膜よりも高屈折率材料によって構成される第３絶縁膜を形成する」のに対して，引用発明２は，第３絶縁膜を形成していない点。
（２）相違点についての判断
　相違点３について検討する。
　引用文献１には，「また，基板１２の裏面側及び溝部３９内部に形成された第１固定電荷膜４３，第２固定電荷膜４４，第１絶縁膜４５及び第２絶縁膜４６からなる積層膜は，反射防止膜の役割も果たす。」（第３の１（１）【０１０７】）こと，また，引用文献４（（第３の４【０１４０】−【０１４４】）には光の波長，固定電荷層の屈折率を考慮して固定電荷層の膜厚を調整して，反射を抑制する技術が記載されているが，いずれの文献においても，積層膜のいずれの膜の屈折率をどのように調整するかまで認識しておらず，引用発明２において，第２絶縁膜は，第１絶縁膜よりも高屈折率材料を用いて形成する動機付けがない。
　そして，本願発明９は，相違点４に係る構成を備えることによって，「第１絶縁膜２３Ａよりも厚膜に形成される第２絶縁膜２３Ｂに高屈折率の材料を用いることによって反射防止効果を効率よく得られるほかに，光電変換部２２へ入射する光を増やして撮像素子１０の感度を向上させることが可能となる。」（本願明細書【００２６】）という格別の効果を奏すると認められる。
（３）まとめ
　したがって，本願発明９は，引用文献１−４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　４　本願発明１０−１１について
　本願発明１０−１１は，本願発明９の発明特定事項をすべて含むものであるから，本願発明９と同じ理由により，引用文献１−４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　５　本願発明１２について
　本願発明１２は，独立請求項であるが，本願発明１の発明特定事項をすべて含むものであるから，本願発明１と同じ理由により，引用文献１−４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定は，平成２９年８月１０日付け手続補正による補正前の請求項１，３−９に記載された発明について，上記引用文献１，２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　また，平成２９年８月１０日付け手続補正による補正前の請求項２に記載された発明について，上記引用文献１−３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかしながら，平成３０年８月３日付け手続補正により補正された請求項１−１２に記載された発明は，上記のとおり，引用文献１−３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものではない。したがって，原査定を維持することはできない。
第６　当審拒絶理由について
　１　当審拒絶理由１の概要及び判断
　特許法第２９条第２項について
　当審では，平成３０年６月２０日付け手続補正による補正前の請求項１−７は，引用文献１−４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものとの拒絶の理由を通知しているが，上記のとおり，引用文献１−４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものではない。したがって，当審拒絶理由１を維持することはできない。
　
　２　当審拒絶理由２の概要及び判断
　特許法第３６条第６項第２号及び第１号について
　当審では，平成３０年８月３日付け手続補正による補正前の請求項９，１４は，明確性要件に適合しない，また，サポート要件に適合しないとの拒絶の理由を通知しているが，平成３０年８月３日付け手続補正において，上記の請求項９，１４を削除する補正がされた結果，この拒絶の理由は解消した。
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明１−１２は，当業者が引用文献１−４に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。