【事件の表示】
　平成１０年特許願第５５９１３号「ニッケル粉の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年８月３１日出願公開，特開平１１−２３６６０５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明 
　本願は，平成１０年２月２０日の出願であって，平成１５年７月３日付けで拒絶査定がされ，同年８月２６日に拒絶査定不服の審判が請求され，当審において平成１７年８月９日付けで拒絶理由通知がされ，同年１０月１１日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものであって，その発明は，上記手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。 
　「塩化炉内に金属ニッケルを上方から供給し、上記塩化炉の上部に設けた塩素ガス供給管から内部に塩素ガスを導入し金属ニッケルを塩化してＮｉＣｌ２ガスを生成し、分圧０．５〜１．０のＮｉＣｌ２ガスを、水素ガス雰囲気とされた還元炉内に供給するにあたり、ＮｉＣｌ２ガスが炉内に略垂直下方に噴出され、かつ水素ガスの供給部がＮｉＣｌ２ガスの噴出部よりも上方に配置されている縦型還元炉を使用し、ＮｉＣｌ２ガスを線速１〜３０ｍ／秒で供給することを特徴とするニッケル粉の製造方法。」（以下，「本願発明」という。）
　
２　当審の拒絶理由
　当審において通知した上記平成１７年８月９日付けの拒絶理由の概要は，上記補正前の請求項１に係る発明は，本出願日前に頒布された刊行物である特開平６−１２２９０６号（以下「刊行物１」という。），「第３回　新素材交流会議　講演集」日本鉱業協会、平成６年７月発行、第８頁乃至第１３頁」（以下「刊行物２」という。），特公昭５９−７７６５号公報に記載された発明と周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　
３　刊行物１に記載された発明
(1)　刊行物１は「粒状金属コバルトまたは粒状金属ニッケルと塩素含有ガスとを反応させ、そこで生じた金属塩化物蒸気を、直接、還元炉に導いて該金属塩化物蒸気を還元ガスにより気相還元して、コバルトまたはニッケルを含む金属磁性粉を得ることを特徴とする金属磁性粉の製造方法。」（【請求項３】）等の発明に関するものであり，そこには以下の記載がされている。
・　「図１は本発明を実施するための反応装置の一例を示す図である。図１おいて参照符号１は反応管であり、その中にるつぼ２が配置されている。るつぼ２はその上端に原料としての粒状金属が供給される供給口２ａが形成され、その底部にガス供給管９を介して塩素含有ガスを導入するガス導入口２ｃが形成されており、その内部にガス分散板２ｂが設けられている。反応管１の上方には粒状金属コバルト又は粒状金属ニッケル３を貯留するホッパ５が設けられており、このホッパ５の底部には反応管１内のるつぼ２の供給口２ａに至る供給管６が接続されている。・・また、反応管１の側壁上部には、金属塩化物ガスを後述する金属磁性粉製造装置内に供給するガス供給口８が形成されている。ホッパ５は塩素化反応により消費される粒状金属コバルト又は粒状金属ニッケル３を一定量で補給するように構成され、るつぼ２内の金属粒子の層厚を一定に保持して反応量を一定に保つようになっている。」（【００１５】〜【００１６】。（摘示１））
・　「このような装置においては、ヒーター７を所定温度に設定しておき、ホッパ５から供給管６を介してるつぼ２内に粒状金属コバルト又は粒状金属ニッケル３を一定量で供給し、下方からガス導入口２ｂ及び分散板２ｃを介してるつぼ２内の粒状金属３に塩素含有ガスを供給する。これにより、塩素化反応が生じて塩化コバルト又は塩化ニッケルの蒸気が生成され、この蒸気がガス供給口８を通って金属磁性粉製造装置内に供給される。このようにるつぼ２内に粒状金属コバルト又はニッケル３及び塩素含有ガスを一定量で供給し、るつぼ２内の金属粒子の層厚を一定に保持して塩素化反応を生じさせるので、塩素含有ガスがるつぼ２内で消費され、高温部で塩素含有ガスが反応管１に接触することが防止されると共に、塩素含有ガスが金属磁性粉製造装置へ供給されるコバルト又はニッケルの塩化物蒸気に混入することが防止される。」（【００１９】。（摘示２））
・　「反応ガスとして用いられる塩素含有ガスとしては、塩素と不活性ガスとの混合ガスあるいは純塩素ガスが用いられる」（【００１１】。（摘示３））
・　「図２（注：「図１の装置から供給された塩化コバルト又は塩化ニッケルの蒸気から金属磁性粉を製造する金属磁性粉製造装置を示す図」（【図面の簡単な説明】））において参照符号１１は反応器であり、この反応器１１の上方から上述した反応装置で生成された塩化コバルト又は塩化ニッケルの蒸気を導入する導入管１２が反応容器１１に挿入されている。・・・反応器１１の側壁上部には水素ガス供給管１７が接続されており、還元ガスとしての予熱された水素ガスがこの供給管１７を通って反応器１１内に供給される。（【００２１】〜【００２２】。（摘示４））
・　「このような装置においては、供給管１２を介して塩化コバルト又は塩化ニッケルの蒸気を直接反応器１１に導入し、かつ水素ガス供給管１７から水素ガスを導入する。これにより反応部８（注：１８の誤記）において、塩化コバルト又は塩化ニッケル蒸気と水素ガスとの間で還元反応が生じ・・・金属磁性粉が生成される。」（【００２４】。（摘示５））
　
　以上の記載及び図１，２の記載によれば，図１には塩化物の供給方法を実施するための反応装置が記載され，その反応装置においてその装置内に金属ニッケルは上方から，塩素ガスは下部の供給管から供給され，その金属ニッケルは塩化され塩化ニッケルガスを生成するものであると認められる（摘示１，２及び図１）。
　そうすると，図１に記載される反応装置は塩化炉ということができ，その塩化炉内に金属ニッケルを上方から供給し，上記塩化炉に下方に設けた塩素ガス供給管から内部に塩素ガスを導入し金属ニッケルを塩化して塩化ニッケルガスを生成するものであると認められる。なお，その供給される塩素ガスは，塩素と不活性ガスとの混合ガスあるいは純塩素ガスが用いられるものであるから（摘示４），生成する塩化ニッケルガスは，高塩化ニッケル濃度（すなわち高塩化ニッケル分圧）のものを含む，何らかの塩化ニッケル分圧を有するガスであるということができる。
　そして，上記塩化炉で生成した塩化ニッケルガスは「図１の装置から供給された塩化コバルト又は塩化ニッケルの蒸気から金属磁性粉を製造する」（摘示４）ものである図２に記載された金属磁性粉製造装置に供給される。この金属磁性粉製造装置においてはその塩化ニッケルガスは略垂直下方に供給され，水素ガスは塩化ニッケルガスの供給部よりも上方に配置されている供給部から供給され，それらが反応部において還元反応をしニッケル粉が生成されるものであると認められる（摘示４，５及び図２）。
　そうすると，図２の金属磁性粉製造装置は縦型の還元炉ということができ，塩化ニッケルガスは略垂直下方へ供給
管
　ここで，刊行物１に記載の塩化ニッケルはＮｉＣｌ２である（後述の刊行物２第８頁（１）式等参照）から，ＮｉＣｌ２を用いて表すと，刊行物１には，
　「塩化炉内に金属ニッケルを上方から供給し，上記塩化炉に下方に設けた塩素ガス供給管から内部に塩素ガスを導入し金属ニッケルを塩化してＮｉＣｌ２ガスを生成し，何らかの分圧のＮｉＣｌ２ガスを何らかの線速で還元炉内に供給するにあたり，ＮｉＣｌ２ガスが炉内に略垂直下方に供給され，かつ水素ガスの供給部がＮｉＣｌ２ガスの供給部よりも上方に配置されている縦型還元炉を使用するニッケル粉の製造方法。」
の発明（以下「刊行物１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
４　対比
　本願発明と刊行物１発明とを対比すると，両者は，
　「塩化炉内に金属ニッケルを上方から供給し，上記塩化炉に設けた塩素ガス供給管から内部に塩素ガスを導入し金属ニッケルを塩化してＮｉＣｌ２ガスを生成し，何らかの分圧のＮｉＣｌ２ガスを何らかの線速で還元炉内に供給するにあたり，ＮｉＣｌ２ガスが炉内に略垂直下方に供給され，かつ水素ガスの供給部がＮｉＣｌ２ガスの供給部よりも上方に配置されている縦型還元炉を使用するニッケル粉の製造方法。」の点で一致し，以下の点で一応相違すると認められる。
ア　塩化炉において塩素ガス供給管が本願発明においては塩化炉の「上部」に設けられているのに対し，刊行物１発明においては「下部」に設けられている点（相違点ア）
イ　還元炉内へＮｉＣｌ２ガスを供給するにあたり，本願発明においては，「水素ガス雰囲気とされた」炉内に供給されるのに対し，刊行物１発明の発明においては「水素ガス雰囲気とされた」炉内に供給されるか否かは不明である点（相違点イ）
ウ　還元炉内へＮｉＣｌ２ガスを供給するにあたり，本願発明においてはそのＮｉＣｌ２分圧が「０．５〜１．０」であり，かつ線速「１〜３０ｍ／秒」で「噴出部」から「噴出され」るのに対し，刊行物１発明ではＮｉＣｌ２分圧も線速も規定されておらず，供給管から「噴出され」るのか，したがって供給部が「噴出部」であるのか不明である点（相違点ウ）
　
５　当審の判断
　上記相違点について検討する。
(1)　相違点アについて
（ア）　気体流を固体粒子層と接触・反応させる方法において気体を固体粒子層下方から上方へ通過させ，或いは下方から上方へ通過させて反応させることは何れも周知の方法であって，刊行物１発明の塩化炉においていずれを採用するか，すなわち，塩素ガス供給管を塩化炉の下部に設けるか，上部に設けるかは当業者が適宜なし得る設計事項にすぎない。そして，特に上方に設けたことによって本願発明が格別顕著な効果を奏するものとも認められない。
　よって，刊行物１発明において相違点アとすることは当業者にとって格別のことではない。
（イ）　なお，審判請求人は，刊行物１発明において「金属ニッケルの下層に空洞ができ・・反応が不十分となる・・未反応塩素ガスが・・還元工程へ供給される」が，本願発明では「凹部が形成された場合であっても、供給される金属ニッケルによって凹部が埋められ・・・未反応塩素ガスの発生を防止する」ことができる旨主張する（上記平成１７年１０月１１日付け意見書（３）（ハ））。
　しかし，そもそも引用例１発明において空洞ができること，さらに空洞ができると未反応塩素ガスが供給されることは何ら裏付けのない主張である。しかも，刊行物１発明においては未反応の塩素が還元炉へ供給されるＮｉＣｌ２ガスに混入することを防止しようとするもの（摘示２）であるから，未反応の塩素ガスが還元炉へ供給され，ＮｉＣｌ２ガスに混入することを防ぐべく反応が十分起こらないような事態を防止するよう対応することも上記設計変更の範囲内のことである。
　よって，上記審判請求人の主張は上記（ア）の認定・判断を左右するものではない。
(2)　相違点イについて
　刊行物１には「供給管１２を介して・・塩化ニッケルの蒸気を直接反応器１１に導入し、かつ水素ガス供給管１７から水素ガスを導入する。これにより反応部８（注：１８の誤記）において、・・塩化ニッケル蒸気と水素ガスとの間で還元反応が生じ」（摘示５）と記載され，還元反応は供給管直下の反応部１８（図１）で生じるものである。すると，ＮｉＣｌ２が反応部に導入されるときには，すでに反応相手である水素は反応部に存在した状態となっている，すなわち，水素は還元炉の上部から供給され反応部に存在する状態となっているといえる。この状態となっていることは還元炉内が水素ガス雰囲気になっているということに他ならない。すると刊行物１発明においてもＮｉＣｌ２ガスは「水素ガス雰囲気とされた還元炉内に供給される」ということができる。
　したがって，相違点イは実質的な相違点ではない。
(3)　相違点ウについて
　この点も以下のとおり，刊行物２の記載事項等に基づいて当業者が容易に想到しうるところである。
(ア)　刊行物２の記載事項
　刊行物２は「ＣＶＤ法によるＮｉ超微粉の製造」に関するものであって，そこには「図３　水平型反応器６）」及び「図４　生成ニッケル超微粉粒径のキャリアガス流量依存性」が記載されている。
　そして，図３について「図３は水平型の最も手軽な反応器である。反応器は，発熱体が２箇所あり独立に温度制御出来る横型の管状炉に石英管を設置したものである。蒸発部において蒸発した塩化ニッケルを，Ａｒガスをキャリアとして反応部へ導入し水素と混合・反応させ，超微粉を生成させる。」（９頁「３−２．製造方法」１〜４行）と記載され，図４について「図４は石川ら６）がこの装置で生成したニッケル超微粉粒径とキャリアガス流量（塩化ニッケル蒸気分圧）の関係を示している。キャリアガス流量を変えることにより，平均粒径を０．１〜０．５μｍの範囲で任意にコントロールする事が可能である。」（９頁「３−２．製造方法」６〜８行）と記載されている（塩化ニッケルはＮｉＣｌ２ である（８頁（１）式）から，以下刊行物２の記載についても塩化ニッケルはＮｉＣｌ２と記載する。）。
　図３で示される反応管を用いてニッケル超微粉を生成させる際に，アルゴンは反応管左端から流入させてＮｉＣｌ２蒸気を蒸発部から反応部，冷却部，粉末捕集器へと運ぶキャリアガスとして流される。図４にはその「キャリアアルゴン流量（ｌ／ｍｉｎ）」に対して生成したニッケル微粉の「平均粒径（μｍ）」及び「塩化ニッケル蒸気分圧」の関係が示されている。図４によれば，「キャリアアルゴン流量」を多くした場合，生成したニッケル微粉の平均粒径は小さくなり，塩化ニッケル蒸気分圧は小さくなることが示されている。
　刊行物２に記載されるニッケル微粉は「気相での均一核の生成と生長によって生成する」（８頁「３−１」１０行）ものであるから，その粒径は生成した核の成長速度と成長時間に依存するといえる。     
　「キャリアアルゴン流量」を多くした場合，「塩化ニッケル蒸気分圧」は低くなり（これは反応部に供給されるＮｉＣｌ２ガスにおけるアルゴンガスの量が増えるのであるから当然のことである。図４にも示される。），そのとき生成したニッケル微粉の平均粒径は小さくなる。すると，図４の記載から反応部におけるＮｉＣｌ２分圧を小さくすると（恐らく反応部において塩化ニッケルは希薄で核の成長速度は遅くなるため），生成したニッケル微粉の粒径は小さくなると理解できる。加えて「キャリアアルゴン流量」を多くした場合，反応部に供給されるガスの全体量が多くなるのであるから，ガス全体の線速も大きくなるといえ，生成した微粉は反応部から冷却部，粉末捕集部へ速やかに運ばれると認められる。そして，そのとき生成したニッケル微粉の平均粒径は小さくなるのであるから，第４図の記載から反応部におけるガスの線速を大きくすると（恐らく生成したニッケル微粉の成長時間は短くなるため），粒径は小さくなるとも理解できる。
　してみると，図４の記載から，反応部におけるＮｉＣｌ２ガス分圧又はその線速を上記のように調整することにより生成するニッケル微粉の粒径を制御できることが教示されているということができる。
(イ)　刊行物２の図４には０．１弱，０．２強及び０．３強の分圧のＮｉＣｌ２ガスが使用されたことが示され，０．５以上の分圧のＮｉＣｌ２ガスを使用することは記載されていない。
　しかしながら，物の製造方法において生産効率を上げることは自明の課題である。ＮｉＣｌ２ガスの分圧が大きくなればより単位時間当たりに生成する均一核の生成が増加し，より多量の微粉が得られ生産効率が上るであろうことは容易に予測されることであるから，生産効率を上げるために，ＮｉＣｌ２ガスとしてその分圧が刊行物２に記載されたものより大きいもの，例えば０．５ないしそれ以上のもの，を適用しようと試みることは当然のことである。そして，刊行物１発明において純塩素を使用することも記載されている（摘示３）のであるから，そのような大きい分圧のＮｉＣｌ２ガスを使用できることも明らかである。
(ウ)　刊行物１発明において反応部におけるＮｉＣｌ２ガスの分圧を大きくすると反応部のＮｉＣｌ２の濃度が大きくなるから生成する微粉の粒径が大きくなることが予測され，同等の粒径の微粉を製造するためには成長速度を遅く又は成長時間を短くする等何らかの調整をしなければならないことは当然のことである。そのとき，上記刊行物２の教示に従いＮｉＣｌ２ガスの線速をより大きく調整してみることは当業者が容易に想到するところである。
　してみると，刊行物１発明において，刊行物２に開示されたものより高い分圧である「０．５〜１．０」のＮｉＣｌ２ガスを供給すること，その際にはその線速をより大きい値に調整することは当業者にとって格別困難なことではない。
（エ）　ところで，本願発明の発明特定事項にはＮｉＣｌ２ガスの分圧の数値範囲，線速の数値範囲の反応条件が規定されるにすぎない。しかしながら，所定の粒径の微粉とするための最適の線速はＮｉＣｌ２ガスの分圧のほかニッケル微粉の反応部における成長速度や成長時間に影響する条件（例えばＮｉＣｌ２ガスの供給量や水素の供給条件，使用される還元炉の内容積等の装置条件，反応部の温度等の反応条件が考えられる。）にも影響されると認められる。したがって，これらを規定しないでする線速「１〜３０ｍ／秒」の数値範囲の規定には格別の臨界的意義があるとは認められず，このような範囲は当業者が，上記刊行物２の教示に従いその使用する還元炉や還元条件等に応じ実験により容易に決定される程度のものであるといわざるを得ない。
　なお，本願発明においてＮｉＣｌ２ガスは還元炉内へ線速「１〜３０ｍ／秒」で供給管から供給することをもって「噴出部」から「噴出され」るとしているが，これは，大きい線速で供給管からガスを供給するときの表現ぶりの相違にすぎないものと解されるから，線速度を最適なものに設定したとき当然に満たされる要件であるといえる。
（オ）　したがって，刊行物１発明において，相違点ウとすることは当業者が容易になし得ることである。
(4)　そして，本願発明が，予測を超える顕著な効果を奏するものとも認められない。
　以上のとおりであるから，本願発明は，刊行物１，２に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
６　むすび
　したがって，本願は，当審で通知した上記拒絶の理由によって拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。