【事件の表示】
　平成　４年特許願第　５４２５９号「スパッタリングターゲット，それを用いて形成されてなる金属シリサイド薄膜，半導体装置およびスパッタリングターゲットの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　５年　８月２４日出願公開、特開平　５−２１４５２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成４年２月５日の出願であって、平成１４年７月４日付けで拒絶査定がなされ、平成１４年８月１５日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされると共に、平成１４年９月１３日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
２．本願発明１について
　本願請求項１乃至１９に係る発明は、平成１４年９月１３日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１乃至１９に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という）は、その請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】金属珪化物（化学量論組成がＭＳｉ２、但しＭはタングステン、モリブデン、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、バナジウム、コバルト、クロムおよびニッケルから成る群より選択された少なくとも一種の金属）が連鎖状に結合して金属珪化物相が形成され、珪素粒子が結合して形成された珪素相が上記金属珪化物の間隙に不連続に存在する微細な混合組織を有し、アルミニウム含有量が１ｐｐｍ以下であり、酸素含有量が１５０ｐｐｍ以下であり、かつ炭素含有量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。」
　
３．当審の判断
３−１．引用例とその主な記載事項
　原査定の理由で引用された引用例１乃至１０のうち、その主な引用例の記載事項は次のとおりである。
（１）引用例１：国際公開第９１／０１８１２５号パンフレット（国際公開日：１９９１年１１月２８日）
（１ａ）「本発明は上述した点を考慮してなされたものであり、パーティクルの発生を実質的に防止でき、良質の薄膜を形成できる高品質のスパッタリングターゲットならびにその製造方法を提供することを目的とする。」（第５頁第５行乃至第７行）
（１ｂ）「発明の開示
　本発明に係るスパッタリングターゲットは、金属珪素化物（化学量論組成がＭＳｉ２、但しＭは金属）が連鎖状に結合して金属珪化物相が形成され、珪素粒子が結合して形成された珪素相が上記金属珪素化物相の間隙に不連続に存在する微細な混合組織を有し、炭素含有量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。
　さらに、混合組織断面１mm2内に粒径０．５〜３０μｍの金属珪化物が４００〜４００×１０４個存在し、Ｓｉの最大粒径が３０μｍ以下である。
　また金属珪化物の平均粒径は２〜１５μｍである一方、珪素の平均粒径は２〜１０μｍである。
　ここでいう粒径とは、粒子に外接する最少円の直径である。
　さらにターゲットの密度比は９９％以上であり、酸素の含有量は１５０ｐｐｍ以下に設定される。
　また、金属珪化物の金属（Ｍ）は、タングステン，モリブデン，チタン，ジルコニウム，ハフニウム，ニオブ，タンタル，バナジウム，コバルト，クロムおよびニッケルから成る群より選択された少なくとも一種である。」（第５頁第８行乃至第２３行）
（１ｃ）「また、本発明者らは、他のパーティクル発生源として、ターゲット中に混入した炭素に着目した。すなわち、スパッタリング操作後において、ターゲットのエロージョン面を拡大観察したところ、炭素によって汚染した部分は良好に飛散せずにエロージョン面に突起状に残存し、その結果、その部分でプラズマ放電が不安定となり、異常な放電を繰り返してパーティクルの発生を引き起こすことを発見した。」（第７頁第１８行乃至第２３行）
（２）引用例２：特開平２−１６６２７６号公報
（２ａ）「本発明は、高純度の高融点金属シリサイドターゲットおよびその製造方法に関する。」（第２頁左上欄第４行乃至第５行）
（２ｂ）「以上の製法によれば、不純物の混入を極力防止し、上記組成の高純度の高融点金属シリサイドターゲットを製造することが可能となる。」（第３頁左下欄第９行乃至第１１行）と記載され、第４頁右上欄の表２には、不純物の含有量に関し、「Ａｌ（ｐｐｍ）＜１」、「Ｆｅ：＜１」、「Ｃ：２５」及び「Ｏ：２６５」等と記載されている。
（３）引用例３：特開昭６０−６６４２５号公報
（３ａ）「本発明は、ＬＳＩ電極用被膜形成に用いられる高純度モリブデンターゲットならびに高純度モリブデンシリサイドターゲット及びその製造方法に関するものである。」（第１頁右欄第１１行乃至第１４行）
（３ｂ）「すなわち、モリブデンシリサイド膜の形成は、・・・あるいは高純度モリブデンターゲットと高純度シリコンターゲットを用意して同時スパッタリングを行うかによってなされる。周知のとおりシリコンは低放射性元素、低アルカリ金属で９−ｎｉｎｅ以上の高純度のものが容易に入手されるので、これと本発明にかゝる高純度モリブデンを組み合せれば、９９．９９９％以上の高純度モリブデンシリサイドターゲットが得られ、従ってきわめて好性能の高純度モリブデンシリサイド膜が得られることが容易に理解される。」（第６頁左下欄第１行乃至第１６行）
（３ｃ）第５頁第１表には、高純度モリブデンターゲットの不純物の含有量に関し、「Ａｌ：＜０．０３ｐｐｍ」、「Ｆｅ：０．５ｐｐｍ」等が記載されている。
（４）引用例５：特開昭６３−２２７７７１号公報
（４ａ）「（１）金属不純物が１０ｐｐｍ以下、炭素が５０ｐｐｍ以下、ガス成分が酸素５００ｐｐｍ以下、水素１０ｐｐｍ以下、窒素５０ｐｐｍ以下、その他の成分はすべて１ｐｐｍ以下であり、純度が９９．９９％以上で相対密度が８０％以上の高純度チタンシリサイドからなるスパッタリング用ターゲット。」（第１頁特許請求の範囲）
　
３−２．対比・判断
　引用例１の上記（１ｂ）には、「スパッタリングターゲット」に関し、「本発明に係るスパッタリングターゲットは、金属珪素化物（化学量論組成がＭＳｉ２、但しＭは金属）が連鎖状に結合して金属珪化物相が形成され、珪素粒子が結合して形成された珪素相が上記金属珪素化物相の間隙に不連続に存在する微細な混合組織を有し、炭素含有量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。」と記載され、このスパッタリングターゲットの酸素含有量については、「酸素の含有量は１５０ｐｐｍ以下に設定される。」と、金属珪化物の金属（Ｍ）についても、「タングステン，モリブデン，チタン，ジルコニウム，ハフニウム，ニオブ，タンタル，バナジウム，コバルト，クロムおよびニッケルから成る群より選択された少なくとも一種である。」とそれぞれ記載されているから、これら記載を本願発明１の記載ぶりに則って整理すると、引用例１には、「金属珪素化物（化学量論組成がＭＳｉ２、但しＭはタングステン，モリブデン，チタン，ジルコニウム，ハフニウム，ニオブ，タンタル，バナジウム，コバルト，クロムおよびニッケルから成る群より選択された少なくとも一種の金属）が連鎖状に結合して金属珪化物相が形成され、珪素粒子が結合して形成された珪素相が上記金属珪素化物相の間隙に不連続に存在する微細な混合組織を有し、炭素含有量が１００ｐｐｍ以下であり、酸素の含有量が１５０ｐｐｍ以下であるスパッタリングターゲット」という発明（以下、「引用例１発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本願発明１と引用例１発明とを対比すると、両者は、「金属珪化物（化学量論組成がＭＳｉ２、但しＭはタングステン、モリブデン、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、バナジウム、コバルト、クロムおよびニッケルから成る群より選択された少なくとも一種の金属）が連鎖状に結合して金属珪化物相が形成され、珪素粒子が結合して形成された珪素相が上記金属珪化物の間隙に不連続に存在する微細な混合組織を有し、酸素含有量が１５０ｐｐｍ以下であり、かつ炭素含有量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット」という点で一致し、次の点で相違するのみであると云える。
　
相違点：本願発明１は、アルミニウム含有量が１ｐｐｍ以下であるのに対し、引用例１発明は、このアルミニウム含有量が明らかでない点
　
　次に、この相違点について検討するに、金属シリサイドからなるスパッタリング用ターゲットとしては、その不純物が極めて少ない「高純度」の材料が要求されていることは周知の事項であり、そのためにターゲット材料中の例えば「Ｆｅ、Ｎｉ、Ａｌ等の金属や炭素、ガス成分の酸素、窒素及び水素」等の代表的な不純物の含有量をｐｐｍオーダーまで低減させる処理操作を行うことも、例えば引用例２、３及び５に記載されているように周知の事項であり、そしてそのような不純物処理によってＡｌの含有量を１ｐｐｍ以下まで低減させた「スパッタリング用ターゲットターゲット」も、例えば引用例２及び引用例３の具体例や例えば特開昭６３−２３５４５９号公報第４頁表１の具体例にみられるように、周知の事項である。　
　そうであれば、高純度の材料が求められる金属シリサイドからなるスパッタリング用ターゲットの場合には、酸素や炭素などの不純物と同様に「Ａｌ」についても、これが代表的な不純物の一つである以上、その含有量を可能な限り低減させる（１ｐｐｍ以下まで低減させる）処理操作が通常行われているとするのが相当であるから、本願発明１に係る上記相違点は、「Ａｌ」を低減させる動機付けはともかくも、金属シリサイドからなるスパッタリング用ターゲットにおける通常の不純物処理操作の一貫として当業者が容易に想到することができたと云うべきである。
　してみると、本願発明１は、引用例１に記載された発明とスパッタリング用ターゲットに係る上記周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと云うべきである。
　審判請求人は、審判請求書において、本願発明１の「アルミニウム含有量が１ｐｐｍ以下である」点に関し、「Ａｌによって汚染した部分はスパッタ時に良好に飛散せずにエロージョン面に突起状に残存し、その結果、その部分でプラズマ放電が不安定となり、異常な放電を繰り返してパーティクルの発生を引き起こすことを見出し、本願発明に至ったのである。」と主張し、その結果パーティクルを大幅に減少させることができたと主張している。
　しかしながら、審判請求人が主張するＡｌ不純物とパーティクルの発生のメカニズム（動機付け）は、パーティクルの減少を目的とした引用例１発明における炭素不純物とパーティクルの発生のメカニズムと同一のものであり（引用例１の上記（１ｃ）参照）、Ａｌの不純物に限って新規に見出されたものではない。むしろ、高純度の材料が求められる金属シリサイドからなるスパッタリング用ターゲットにおいて、他の代表的な不純物の一つである「Ａｌ」についても「炭素」と同様のパーティクルの発生のメカニズムを単に確認した程度のことであると云うべきである。
　してみると、審判請求人の主張する上記動機付けやＡｌ不純物の低減による「パーティクルの大幅な減少」という効果も、引用例１の記載から当業者が容易に予測することができる程度のものと云うべきであるから、審判請求人の上記主張は、採用することができない。
　
４．むすび
　したがって、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。