Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月12日(2010.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを含む基板；
該基板上に形成されるチャネル領域；
前記基板上であって前記チャネル領域の第1側部に形成され、かつ前記チャネル領域へスピン偏極電流を拡散させるように備えられているスピンインジェクタ；
前記基板上であって前記チャネル領域の第2側部に形成され、かつ前記チャネル領域から前記スピン偏極電流を受けるように備えられているスピン検出器；及び
前記基板上であって前記チャネル領域の領域内に形成されるゲート；
を有する半導体デバイスであって、
前記チャネル領域はSiGe/Siヘテロ構造チャネルを有し、
該SiGe/Siヘテロ構造チャネルは、Si伝導帯中での縮退を解消し、かつ注入電子のスピンダイナミクスに影響を及ぼすため、閉じこめ層及び歪み源と両方の役割を果たす、
半導体デバイス。
【請求項２】
前記スピンインジェクタは、強磁性材料及び該強磁性材料と前記基板との間に設けられる誘電材料を有する、請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記スピン検出器は、強磁性材料及び該強磁性材料と前記基板との間に設けられる誘電材料を有する、請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
シリコンを含む基板；
該基板上に形成されるチャネル領域；
前記基板上であって前記チャネル領域の第1側部に形成され、かつ前記チャネル領域へスピン偏極電流を拡散させるように備えられているスピンインジェクタ；
前記基板上であって前記チャネル領域の第2側部に形成され、かつ前記チャネル領域から前記スピン偏極電流を受けるように備えられているスピン検出器；及び
前記基板上であって前記チャネル領域の領域内に形成されるゲート；
を有する半導体デバイスであって、
前記チャネル領域はレトログレードドーピング構造を有する、
半導体デバイス。
【請求項５】
前記基板は、シリコン、部分的に空乏化したシリコン・オン・インシュレータ、完全に空乏化したシリコン・オン・インシュレータ、若しくは疑似シリコンゲルマニウム、又はこれら2つ以上の混合物を有する、請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記ゲートは、ゲート電極材料及び該ゲート電極材料と前記基板との間に設けられた誘電材料を有し、
前記ゲート電極材料は多結晶シリコン及び金属のうちの1つであり、かつ
前記誘電材料は、二酸化シリコン、シリコン酸窒化物、及びhigh-k誘電材料のうちの1つである、
請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記スピンインジェクタ及び前記寸ピン検出器は強磁性金属を有する、請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記スピンインジェクタ及び前記寸ピン検出器はそれぞれ強磁性半導体を有する、請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記スピンインジェクタ及び前記寸ピン検出器のうちの少なくとも1つに係る強磁性金属はCoを含む、請求項7に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記強磁性材料はCoで構成される、請求項9に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記スピンインジェクタは固定された磁化構造を有し、
前記スピン検出器は切り換え可能な磁化構造を有し、かつ
前記スピン検出器の磁化が前記スピンインジェクタの磁化と平行であるときには、前記スピン偏極電流は前記スピンインジェクタから前記スピン検出器へ流れる、
請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記スピン検出器の磁化が前記スピンインジェクタの磁化と反平行であるときには、前記スピン偏極電流は前記スピンインジェクタから前記スピン検出器へ流れない、請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
前記スピンインジェクタ又は前記スピン検出器のうちの少なくとも1つは、前記基板内に形成された各対応する溝中に含まれる、請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記スピンインジェクタ又は前記スピン検出器のうちの少なくとも1つは、前記基板の上で少なくとも部分的に延びるように隆起する、請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記スピンインジェクタ又は前記スピン検出器のうちの少なくとも1つは：
前記基板上に形成される空乏化したn++半導体層；
該空乏化したn++半導体層上に形成される誘電層；及び
該誘電層上に形成される強磁性層；
を有する、
請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記スピン検出器は、該スピン検出器の磁化方向を切り換えるように備えられた切り換え機構を有する、請求項11に記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
前記スピンインジェクタは、スピン注入を最大にするように備えられたトンネルバリアを有し、
lNは非磁性半導体領域でのチャネル長、λNは非磁性半導体領域中でのスピン拡散長、rNは前記チャネル領域の実効抵抗、rcは前記トンネルバリアのトンネル抵抗で、かつrcが前記トンネルバリアの厚さに伴って変化する場合において、
前記トンネルバリアは、rN(lN/λN)<<rc<<rN(λN/lN)を満たすように選ばれる、
請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
前記誘電材料は、二酸化シリコン、シリコン酸窒化物、及びhigh-k誘電材料を有する、請求項2に記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
電荷トランジスタ及びスピントランジスタとして機能するように備えられる半導体デバイスであって、
前記ゲートへ印加される電圧が高く、かつ前記スピンインジェクタの磁化と前記スピン検出器の磁化とが平行である場合には、前記チャネル領域は大きなスピン偏極電流を通し、
前記ゲートへ印加される電圧が高く、かつ前記スピンインジェクタの磁化と前記スピン検出器の磁化とが反平行である場合には、前記チャネル領域はわずかな電流しか通さず、かつ
前記ゲートへ印加される電圧が低く、かつ前記スピンインジェクタの磁化と前記スピン検出器の磁化とが反平行である場合には、前記チャネル領域はわずかな電流しか通さない、
請求項1に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月24日(2010.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロリソグラフィ投影露光装置（１０）の照明システム（１２）であって、
ａ）光ビームの断面の少なくとも一部にわたって、光が、
−異なる偏光状態を有し、かつ
−少なくとも部分的に空間コヒーレントである、
光ビームを発生させるための第１の光学的配置（２６、３２；１３２）と、
ｂ）瞳平面（４２）と、
を有し、かつ
ｃ）−前記第１の光学的配置（２６、３２；１３２）と前記瞳平面（４２）の間に配置され、かつ
−前記瞳平面（４２）内の少なくとも２つの異なる位置（ＰX、Ｐ-X、ＰY、Ｐ-Y）上に前記光ビームを分割し、一方、前記第１の光学的配置によって発生された前記異なる偏光状態を重ね合わせて、該少なくとも２つの位置（ＰX、Ｐ-X、ＰY、Ｐ-Y）で異なっている瞳偏光状態を形成する、
第２の光学的配置（３６、３８）、
を有することを特徴とする照明システム。
【請求項２】
前記第１の光学的配置（２６、３２；１３２）によって発生された前記光ビームの前記偏光状態は、該光ビームの前記断面の少なくとも前記一部にわたって少なくとも１つの方向（Ｘ）に沿って連続的及び周期的に変化することを特徴とする請求項１に記載の照明システム。
【請求項３】
前記第１の配置は、
ａ）直線偏光されて少なくとも部分的に空間コヒーレントである投影光を発生させるための光源（２６）、及び
ｂ）通過する光ビームの前記偏光状態を１つの方向（Ｘ）に沿って周期的に修正する複屈折プリズム（３２；１３２）、
を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載の照明システム。
【請求項４】
前記プリズム（３２）は、楔形であり、通過する光ビームの前記偏光状態は、前記方向（Ｘ）に沿って連続的に変化することを特徴とする請求項３に記載の照明システム。
【請求項５】
前記プリズム（１３２）は、段付きの厚みプロフィールを有し、通過する光ビームの前記偏光状態は、前記方向（Ｘ）に沿って非連続的に変化することを特徴とする請求項３に記載の照明システム。
【請求項６】
前記プリズム（３２；１３２）は、前記直線偏光投影光の偏光方向と４５°の角度を成す光学複屈折軸を有することを特徴とする請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項７】
前記第２の配置（３８）は、局所的に変化する回折特性を有する回折光学要素（３６）を含むことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項８】
前記回折光学要素（３６）は、互いに平行に配置されて異なる回折特性を有する少なくとも２つのストリップ（６２Ｘ、６２Ｙ）を含むことを特徴とする請求項７に記載の照明システム。
【請求項９】
前記ストリップ（６２Ｘ、６２Ｙ）の前記回折特性は、周期的に変化することを特徴とする請求項８に記載の照明システム。
【請求項１０】
前記ストリップ（６２Ｘ、６２Ｙ）は、照明システム（１２）の光軸（ＯＡ）に対して直角に延び、かつ前記プリズム（３２；１３２）の前記厚みが変化する方向に対して直角に延びる方向（Ｙ）に対して平行に配置されることを特徴とする請求項４、及び請求項８及び請求項９のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１１】
第１のストリップ（６２Ｘ）が、前記光をＸ−Ｚ平面の複数の方向に回折させ、第２のストリップ（６２Ｙ）が、該光をＹ−Ｚ平面の複数の方向に回折させることを特徴とする請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１２】
前記第１のストリップ（６２Ｘ）は、遠視野で前記Ｘ方向に双極分布を発生させ、前記第２のストリップ（６２Ｙ）は、該遠視野で前記Ｙ方向に双極分布を発生させることを特徴とする請求項１１に記載の照明システム。
【請求項１３】
前記ストリップ（６２Ｘ、６２Ｙ）の幅は、個々のストリップ（６２Ｘ、６２Ｙ）を通過する前記光が、前記少なくとも２つの位置（ＰX、Ｐ-X、ＰY、Ｐ-Y）のうちの１つに重ね合わせられた時に優先偏光方向を有するように選択されることを特徴とする請求項８から請求項１２のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１４】
前記ストリップ（６２Ｘ、６２Ｙ）の前記幅（ｗ）は、通過する前記光ビームの前記偏光状態が周期的に変化する周期の半分に等しいことを特徴とする請求項１３に記載の照明システム。
【請求項１５】
前記ストリップ（６２Ｘ、６２Ｙ）の前記幅（ｗ）は、個々のストリップ（６２Ｘ、６２Ｙ）を通過する前記光が、前記少なくとも２つの位置（ＰX、Ｐ-X、ＰY、Ｐ-Y）のうちの１つに重ね合わせられた時に少なくとも本質的に直線偏光されるように選択されることを特徴とする請求項８から請求項１４のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１６】
前記ストリップ（６２Ｘ、６２Ｙ）は、ストリップ（６２Ｘ、６２Ｙ）を通過する前記光が空間コヒーレントであるほど小さい幅（ｗ）を有することを特徴とする請求項８から請求項１５のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１７】
前記光源（２６）としてエキシマレーザを有することを特徴とする請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１８】
前記ストリップ（６２Ｘ、６２Ｙ）は、０．５ｍｍよりも狭い幅（ｗ）を有することを特徴とする請求項１６及び請求項１７のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１９】
前記ストリップ（６２Ｘ、６２Ｙ）は、０．２５ｍｍよりも狭い幅（ｗ）を有することを特徴とする請求項１８に記載の照明システム。
【請求項２０】
微細構造構成要素を生産する方法であって、
ａ）請求項１から請求項１９のいずれか１項に記載の照明システム（１２）を有するマイクロリソグラフィ投影露光装置（１０）を準備する段階と、
ｂ）前記照明システム（１２）でマスク（１４）を照明する段階と、
ｃ）前記照明されたマスク（１４）を感光層（２２）上に投影する段階と、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法によって生産される微細構造構成要素。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月24日(2010.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィールド絶縁材料の表面の上に部分的にのびる半導体突起を形成するステップと、
前記半導体突起の丸められた部分を画定するために、フィールド絶縁材料の前記表面の上にのびる前記半導体突起の前記部分を等方性乾式エッチングするステップと、
を含む、半導体構造を形成する方法。
【請求項２】
前記半導体突起を形成するステップは、
シャロウトレンチアイソレーションによってフィールド絶縁領域で囲まれる半導体メサを画定するステップと、
前記酸化ケイ素表面を画定するために少なくとも前記メサの一部分を囲む前記フィールド絶縁領域を埋め込むステップと、
を含む、請求項１の方法。
【請求項３】
前記半導体メサのトランジスタチャネル領域に前記輪郭部分を制限するために、等方性乾式エッチングがマスクを通して行われる、請求項２の方法。
【請求項４】
前記フィールド絶縁領域を埋め込むステップは、前記輪郭部分を前記トランジスタチャネル領域に制限するために使用される前記マスクを通して行われる、請求項２の方法。
【請求項５】
前記半導体突起の前記輪郭部分をコンフォーマルに覆うトランジスタゲート誘電体とトランジスタゲート導電体を形成するステップをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項６】
等方性乾式エッチングするステップは、リモートプラズマユニットを利用するステップを含む、請求項１の方法。
【請求項７】
等方性乾式エッチングするステップは、フッ素源を供給するステップを含む、請求項１の方法。
【請求項８】
等方性乾式エッチングするステップは、酸素源を供給するステップをさらに含む、請求項７の方法。
【請求項９】
前記フッ素源はＣＦ４を含み、前記酸素源はＯ２を含み、Ｏ２：ＣＦ４の比は１５：１より大きい、請求項８の方法。
【請求項１０】
等方性乾式エッチングするステップは、約3〜5.5倍で前記酸化ケイ素表面をエッチングするよりも速い速度で前記半導体突起を選択的にエッチングするステップを含む、請求項１の方法。
【請求項１１】
等方性乾式エッチングするステップは、約10〜25倍で前記酸化ケイ素表面をエッチングするよりも速い速度で前記半導体突起を選択的にエッチングするステップを含む、請求項１の方法。
【請求項１２】
等方性乾式エッチングするステップは、約15〜25倍で前記酸化ケイ素表面をエッチングするよりも速い速度で前記半導体突起を選択的にエッチングするステップを含む、請求項１の方法。
【請求項１３】
前記輪郭部分が300Å未満の横幅寸法を持つ、請求項１の方法。
【請求項１４】
前記輪郭部分が約200Åから250Åの間の横幅を持つ、請求項１の方法。
【請求項１５】
前記輪郭部分の上にゲート導電体を堆積するステップ、マスキングするステップ、およびエッチングするステップをさらに含み、前記ゲート導電体をマスキングするステップは、約50nmから150nmの間のリソグラフィー限界を持つフォトリソグラフィープロセスを利用するステップを含む、請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記輪郭部分が、前記半導体メサを画定するために利用されるフォトリソグラフィープロセスのリソグラフィー限界未満の横幅を持つ、請求項１の方法。
【請求項１７】
ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソースおよびドレイン領域との間のチャネル領域とを含み、フィールド絶縁材料によって囲まれた活性領域メサと、
前記ソースおよびドレイン領域は実質的に平坦であり、前記メサの前記チャネル領域の上に上方へ突出する丸められた半導体突起と、
前記チャネル領域内の前記丸められた半導体突起の表面に適合するゲート電極と、
を含む、集積回路。
【請求項１８】
前記フィンが前記平坦なソースおよびドレイン領域に対して埋め込まれる、請求項１７の集積回路。
【請求項１９】
前記フィンに隣接する前記チャネル領域の部分が、前記平坦なソースおよびドレイン領域と前記フィンの両方に対して埋め込まれる、請求項１８の集積回路。
【請求項２０】
ゲート電極が、前記フィールド絶縁材料内に少なくとも部分的に埋め込まれたワード線の一部分を形成する、請求項１７の集積回路。
【請求項２１】
前記ソース領域によって前記チャネル領域から間隔のあいた第二のチャネル領域と、第二のゲート電極とをさらに含み、前記第二のチャネル領域はそこから突出する第二のフィンを含み、前記第二のゲート電極は前記第二のフィンの表面に適合する、請求項１７の集積回路。
【請求項２２】
前記第二のチャネル領域によって前記ソース領域から間隔のあいた第二のドレイン領域をさらに含み、
前記ソース、前記チャネル、前記ドレインおよび前記ゲート電極は前記半導体メサの第一のトランジスタを画定し、
前記ソース、前記第二のチャネル、前記第二のドレインおよび前記第二のゲート電極は前記半導体メサの第二のトランジスタを画定する、
請求項２１の集積回路。
【請求項２３】
前記ドレイン領域に電気的に接続された第一の蓄積キャパシタと、前記第二のドレイン領域に電気的に接続された第二の蓄積キャパシタと、前記活性領域メサの上に二つのメモリセルを画定するために前記ソース領域に電気的に接続されたビット線とをさらに含む、請求項２２の集積回路。
【請求項２４】
前記フィンが約300Å未満の幅を持つ、請求項１７の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月8日(2010.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
様々な形状の複数の捕捉パッドを有する回路基板の少なくとも１つの層にブラインドビアをレーザ成形する方法であって、
ブラインドビアを穴開けする前に、回路基板の少なくとも１つの層に穴開けされる少なくとも１つのブラインドビアに対して、穴開け位置に穴開けされるブラインドビアの形状値に対する前記穴開け位置から所定の距離にある捕捉パッドの形状値を評価するステップと、
ブラインドビアの穴開け後に所望の捕捉パッドの外見を得るために、前記評価の結果に基づいて少なくとも１つのレーザ照射パラメータを設定するステップと、
前記少なくとも１つのレーザ照射パラメータを設定した後、レーザを用いて前記回路基板の少なくとも１つの層にブラインドビアを穴開けするステップと、
を含むことを特徴とするブラインドビアのレーザ成形方法。
【請求項２】
ブラインドビアの穴開け後の捕捉パッドの外見を解析するステップ、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のブラインドビアのレーザ成形方法。
【請求項３】
ブラインドビアの穴開け後の捕捉パッドの外見を解析するステップは、
回路基板の少なくとも１つの層にあるブラインドビア穴開け位置から所定の距離内にある領域として画定された捕捉パッドの領域を画像化するステップと、
前記画像化された捕捉パッドの領域の外見値を、前記画像化された捕捉パッドの領域の主観的な品質判定を示す外見の数値として定量化するステップと、
前記定量化された外見値に基づいて前記画像化された捕捉パッドの領域の受容性を判断するステップと、
を含むことを特徴とする請求項２に記載のブラインドビアの成形方法。
【請求項４】
少なくとも１つのレーザ照射パラメータを設定するステップは、
捕捉パッドの形状値の、ブラインドビアの形状値に対する比率と、複数の捕捉パッドの領域に位置する穴開けされたブラインドビアを有する複数の捕捉パッドの領域の解析された捕捉パッドの外見との関係からのフィードバックに基づいて少なくとも１つのレーザ照射を調整するステップ、をさらに含むことを特徴とする請求項２又は３に記載のブラインドビアのレーザ成形方法。
【請求項５】
前記外見値を定量化するステップは、
フラクタル次元としての前記外見の数値を得るために、前記画像化された捕捉パッドの領域に対してフラクタル次元解析を行うステップであって、前記外見の数値のレベルが前記画像化された捕捉パッドの領域の主観的な表面組織に対応するステップ、及び
ヒストグラムにおける集団間の対称としての前記外見の数値を得るために、前記画像化された捕捉パッドの領域に対してヒストグラム解析を行うステップであって、前記対称のレベルが前記画像化された捕捉パッドの領域の主観的な表面組織に対応するステップ、
のうち少なくとも１つのステップを含むことを特徴とする請求項３に記載のブラインドビアのレーザ成形方法。
【請求項６】
設定される前記少なくとも１つのレーザ照射パラメータは、レーザフルエンス、レーザパルス数、及びレーザパルス幅のうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１又は３に記載のブラインドビアのレーザ成形方法。
【請求項７】
特定のドリル層における現実の、あるいは予期されるブラインドビア位置を、隣接したドリル層における現実の、あるいは予期されるブラインドビア位置と比較してブラインドビアが層から層に積層されているかどうかを判断するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のブラインドビアのレーザ成形方法。
【請求項８】
ドリル層を画定するステップと、
前記画定されたドリル層において穴開け位置に隣接した走査領域を画定するステップと、
一連の比率範囲を画定するステップであって、各比率が、前記穴開け位置に穴開けされる各ブラインドビアの形状値と比較された前記穴開け位置から前記所定の距離内にある各ブラインドビアの前記捕捉パッドの形状値として画定されるステップと、
各比率範囲に対応する穴開け工具の形成対象層を選択するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のブラインドビアのレーザ成形方法。
【請求項９】
様々な形状の複数の捕捉パッドを有する回路基板の少なくとも１つの層にブラインドビアをレーザ成形する方法であって、
回路基板の少なくとも１つの層にあるブラインドビア穴開け位置から所定の距離内にある領域として画定された捕捉パッドの領域を画像化するステップと、
前記画定された捕捉パッドの領域の表面組織に対応する外見値を定量化するステップと、
前記定量化された外見値に基づいて前記画像化された捕捉パッドの領域の受容性を判断するステップと、
を含むことを特徴とするブラインドビアのレーザ成形方法。
【請求項１０】
前記外見値を定量化するステップは、
フラクタル次元としての前記定量化された外見値を得るために、前記画像化された捕捉パッドの領域に対してフラクタル次元解析を行うステップであって、前記定量化された外見値のレベルが前記画像化された捕捉パッドの領域の主観的な表面組織に対応するステップ、及び
ヒストグラムにおける集団間の対称としての定量化された外見値を得るために、前記画像化された捕捉パッドの領域に対してヒストグラム解析を行うステップであって、前記対称のレベルが前記画像化された捕捉パッドの領域の主観的な表面組織に対応するステップ
のうち少なくとも１つのステップを含むことを特徴とする請求項９に記載のブラインドビアのレーザ成形方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記第２の窪みは好ましい実施態様において、前記第１の窪みに対して（側面図で見て）変位して配置されている。この場合、前記セラミック体は蛇行状の断面を有している。この実施態様において、前記セラミック体の厚さの半分を上回る深さを有することのできる特に深い窪みを形成することが可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記第２の窪みはさらに別の実施態様において（側面図で見て）前記第１の窪みに対向していてよい。この場合、前記第１と第２の窪みの深さは前記セラミック体の厚さの半分を下回っている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月1日(2010.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソードと、アノードと、その間にあって、一般式（I）：
LnM  （I）
（ただし各Lは、少なくとも1つのクマリン基を含むシクロメタル化リガンドであり、MはIrまたはPtであり、nは、MがIrである場合には3であり、MがPtである場合には2である）で表わされるリン光発光体を含む発光層とを備えるOLEDデバイス。
【請求項２】
一般式（I）で表わされる上記リン光発光体が面異性体である、請求項１に記載のOLEDデバイス。
【請求項３】
上記リン光発光体が、一般式（II）：
【化１】
2009544167.tif 000001
で表わされる（ただし、
MはIrまたはPtであり；
各Lは、独立にシクロメタル化リガンドを表わし；
各Xは、独立に、環を形成するのに必要な原子を表わし；
各Rは、独立に置換基を表わすが、隣り合った2つのR基が環を形成することもでき；
各pは、独立に3〜6の整数を表わし；
mは0〜2の整数であり；
qは1〜3の整数である）、請求項１に記載のOLEDデバイス。
【請求項４】
上記リン光発光体が、一般式（III）：
【化２】
2009544167.tif 000002
で表わされる（ただし、
各Lは、独立にシクロメタル化リガンドを表わし；
各Rは、独立に置換基を表わすが、隣り合った2つのR基が環を形成することもでき；
mは0〜2の整数であり；
qは1〜3の整数であり；
和m+qは3である）、請求項３に記載のOLEDデバイス。
【請求項５】
上記リン光発光体が、一般式（IV）：
【化３】
2009544167.tif 000003
で表わされる（ただし、
各Lは、独立にシクロメタル化リガンドを表わし；
mは0〜2の整数であり；
qは1〜3の整数であり；
和m+qは3である）、請求項４に記載のOLEDデバイス。
【請求項６】
上記発光層が、一般式（PHF-7）：
【化４】
2009544167.tif 000004
で表わされる化合物をさらに含む（ただし、
M1はAlまたはGaであり；
それぞれのR2〜R7は、独立に、水素または置換基を表わすが、隣り合った置換基R2〜R7が合わさって環基を形成してもよく；
Lは、6〜30個の炭素原子を有する芳香族置換基である）、請求項１に記載のOLEDデバイス。
【請求項７】
上記発光層が、
9,9'-[1,1'-ビフェニル]-4,4'-ジイルビス-9H-カルバゾール（CBP）；
2,2',2"-(1,3,5-フェニレン)トリス(1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール)（TPBI）；
4,4',4"-トリス(カルバゾリル)-トリフェニルアミン（TCTA）；
4,4',4"-トリス[(3-メチルフェニル)フェニルアミノ]トリフェニルアミン（MTDATA）；
4,4',4"-トリス(N,N-ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン（TDATA）；
テトラフェニル-p-フェニレンジアミン（TPPD）；
【化５】
2009544167.tif 000005
からなるグループの中から選択した1つまたは複数の化合物を含む、請求項１に記載のOLEDデバイス。
【請求項８】
カソードと、アノードと、その間にあって、一般式（V）：
【化６】
2009544167.tif 000006
（ただし
MはIrまたはPtであり；
各Lは、独立にシクロメタル化リガンドを表わし；
各Xは、独立に、置換された環または置換されていない環を形成するのに必要な原子を表わし；
各Rは、独立に、水素または置換基を表わすが、隣り合った2つのR基が環を形成することもでき；
YとZは、それぞれ独立に、酸素原子とカルボニル基であり、一方がカルボニル基である場合には他方は酸素原子であり；
pは2〜4の整数であり；
mは0〜2の整数であり；
qは1〜3の整数である）で表わされるリン光発光体を含む発光層とを備えるOLEDデバイス。
【請求項９】
上記リン光発光体が、一般式（VI）：
【化７】
2009544167.tif 000007
で表わされる（ただし、
各Lは、独立にシクロメタル化リガンドを表わし；
各Rは、独立に、水素または置換基を表わすが、隣り合った2つのR基が環を形成することもでき；
YとZは、それぞれ独立に、酸素原子とカルボニル基であり、一方がカルボニル基である場合には他方は酸素原子であり；
mは0〜2の整数であり；
qは1〜3の整数であり；
和m+qは3である）、請求項３に記載のOLEDデバイス。
【請求項１０】
上記リン光発光体が、一般式（VII）：
【化８】
2009544167.tif 000008
で表わされる（ただし、
各Lは、独立にシクロメタル化リガンドを表わし；
YとZは、それぞれ独立に、酸素原子とカルボニル基であり、一方がカルボニル基である場合には他方は酸素原子であり；
mは0〜2の整数であり；
qは1〜3の整数であり；
和m+qは3である）、請求項８に記載のOLEDデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月16日(2010.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基本的に規則的に配置されて、互いに離間している抵抗素子（２１、２２、２３）を含んでなる抵抗装置であって、
前記抵抗素子（２１、２２、２３）は２枚の柔軟な基板（１、３）の間に配置されて、これらの柔軟な基板と固定結合されており、
前記抵抗素子（２１、２２、２３）の間に設けられた中間スペースは、流れ方向に透過可能な網状組織を形成し、流れを通過させ、前記装置の厚さ方向に２つの境界面によって気密封止され、前記境界面は柔軟な基板（１）によって形成されている、抵抗装置。
【請求項２】
前記抵抗素子（２１、２２、２３）と前記基板（１）との間に電気絶縁接着層（１３）が配置され、前記電気絶縁接着層は前記抵抗素子（２１、２２、２３）と前記基板（１）とを導電接続させる開口部を有している、請求項１記載の抵抗装置。
【請求項３】
前記基板（１）は導電粒子で満たされた弾性プラスチックを母材として備える、請求項１および２のいずれか１項記載の抵抗装置。
【請求項４】
前記抵抗素子（２１、２２、２３）の間に溝の形の中間スペースが設けられている請求項１〜３のいずれか１項記載の抵抗装置。
【請求項５】
前記中間スペースは少なくとも部分的に非導電性材料で満たされている請求項１〜４のいずれか１項記載の抵抗装置。
【請求項６】
抵抗素子（２１、２２、２３）の第１の電極は互いに導電接続されている請求項１〜５のいずれか１項記載の抵抗装置。
【請求項７】
前記抵抗素子（２１、２２、２３）はそれぞれＰＴＣ特性を有するセラミック体を備え、
各々の抵抗素子（２１、２２、２３）につき前記セラミック体の第１の主面に前記第１の電極が配置されている請求項６記載の抵抗装置。
【請求項８】
前記基板（１）は弾性特性を有するフィルム（１１）を備える請求項１〜７のいずれか１項記載の抵抗装置。
【請求項９】
前記基板（１）は電気絶縁フィルム（１１）上に配置された金属層（１２）を含んでなり、
前記金属層（１２）と前記抵抗素子（２１、２２、２３）とは接着層（１３）によって互いに結合され、前記接着層は少なくともいくつかの領域に、前記金属層（１２）と前記抵抗素子（２１、２２、２３）とを電気的に接触させる開口部を有している請求項１記載の抵抗装置。
【請求項１０】
前記抵抗素子（２１、２２、２３）は少なくとも１本の行または列を形成している請求項１〜９のいずれか１項記載の抵抗装置。
【請求項１１】
前記基板（１）は前記抵抗素子（２１、２２、２３）が配置される開口部を有している請求項１〜１０のいずれか１項記載の抵抗装置。
【請求項１２】
前記基板（１）の厚さは前記抵抗素子（２１、２２、２３）の厚さを下回っている請求項１〜１１のいずれか１項記載の抵抗装置。
【請求項１３】
前記基板（１、３）の少なくとも１つの領域は導電性を有し、
前記抵抗素子（２１、２２、２３）の第１の電極は前記基板（１、３）の前記導電性領域によって互いに電気的に接続されている請求項１および２のいずれか１項記載の抵抗装置。
【請求項１４】
前記基板（１、３）の前記導電性領域は柔軟な電気絶縁支持フィルム上に配置された金属層として形成されている請求項１３記載の抵抗装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月12日(2010.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
HbA1cを測定する方法であって、
a)ヘモグロビンを含む試料と、
aa)バッファ、
ab)ペプシンおよび
ac)1,3-ジアルキル-イミダゾリウムカチオンおよび対イオンからなる1,3-ジアルキル-イミダゾリウム塩
を含むヘモグロビン消化用試薬とを混合する工程、
b)1〜60分間ヘモグロビンを消化して、それによってHbA1cの14個のN末端アミノ酸を含むヘモグロビン断片を得る工程、ならびに
c)該HbA1cのN末端断片を測定する工程
を含む、方法。
【請求項２】
ヘモグロビン消化用試薬のバッファがpH1〜pH4のpHを有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ヘモグロビン消化用試薬のバッファが10mM〜1Mの濃度を有する、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
ヘモグロビン消化用試薬に含まれるペプシンが30〜6000U/mlの濃度で存在する、請求項１〜３いずれかに記載の方法。
【請求項５】
ヘモグロビン消化用試薬に含まれる1,3-ジアルキル-イミダゾリウムの2つのアルキル残基が独立してメチル、エチルまたはプロピルから選択される、請求項１〜４いずれかに記載の方法。
【請求項６】
ヘモグロビン消化用試薬に含まれる対イオンが、リン酸イオン、アルキルリン酸イオン、スルフェートイオンまたはアルキルスルフェートイオンから選択される、請求項１〜５いずれかに記載の方法。
【請求項７】
ヘモグロビンを消化する方法であって、
a)ヘモグロビンを含む試料と、
aa)バッファ、
ab)ペプシンおよび
ac)1,3-ジアルキル-イミダゾリウムカチオンおよび対イオンからなる1,3-ジアルキル-イミダゾリウム塩を含むヘモグロビン消化用試薬とを混合する工程、ならびに
b)1〜60分間ヘモグロビンを消化して、それによってヘモグロビンの14個のN末端アミノ酸からなるヘモグロビン断片を得る工程
を含む、方法。
【請求項８】
ペプシンによるヘモグロビン消化における、1,3-ジアルキル-イミダゾリウムカチオンおよび対イオンからなる1,3-ジアルキル-イミダゾリウム塩の使用。
【請求項９】
ヘモグロビン消化用試薬を含むサンプリングチューブであって、該試薬が
a)バッファ、
b)ペプシンおよび
c)1,3-ジアルキル-イミダゾリウムカチオンおよび対イオンからなる1,3-ジアルキル-イミダゾリウム塩
を含む、サンプリングチューブ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変の光学および／またはエネルギー特性を有し、電気的に活性の層の第１のスタックと結合される導電性層を備える第１のキャリア基板と、電気的に活性の層の第２のスタックと結合される導電性層を備える第２のキャリア基板とを含む、電気化学的な／電気的に制御可能な素子であって、前記第１および第２のスタックそれぞれが、それらの表面の少なくとも一部分の上で、光学的に直列に機能し、有機材料の系統群、具体的には積層挿入体、または無機材料の系統群、具体的には気体から選択される、もしくは真空である、電気的に絶縁する手段によって分離されることを特徴とする、素子。
【請求項２】
第１および第２のスタックが、同じ供給部から電気を供給されることを特徴とする、請求項１に記載の素子。
【請求項３】
第１および第２のスタックが、直列に電気を供給されることを特徴とする、請求項２に記載の素子。
【請求項４】
第１および第２のスタックが、並列に電気を供給されることを特徴とする、請求項２に記載の素子。
【請求項５】
電気的に絶縁する手段が、積層挿入体であって、積層挿入体のそれぞれの面が、第１および第２のスタックとそれぞれ結合される導電性層と結合されることを特徴とする、請求項１に記載の素子。
【請求項６】
第１のスタックおよび第２のスタックが、ＴＣ１／ＥＣ１／ＥＬ／ＥＣ２／ＴＣ２構造を有する「全固体」エレクトロクロミックスタックであることを特徴とする、請求項１に記載の素子。
【請求項７】
電解質機能を有する層ＥＬが、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化アンチモン、酸化ニオブ、酸化クロム、酸化コバルト、酸化チタン、酸化スズ、酸化ニッケル、アルミニウムと任意選択で合金された酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、アルミニウムと任意選択で合金された酸化ケイ素、アルミニウムまたはホウ素と任意選択で合金された窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、アルミニウムと任意選択で合金された酸化バナジウム、酸化スズ亜鉛、任意選択で水素化され、または窒化されたこれらの酸化物のうちの少なくとも１つから選択された材料ベースの少なくとも１つの層を含むことを特徴とする、請求項６に記載の素子。
【請求項８】
電気的に活性の層ＥＣ１またはＥＣ２それぞれが、以下の化合物のうちの少なくとも１つ、タングステンＷ、ニオブＮｂ、スズＳｎ、ビスマスＢｉ、バナジウムＶ、ニッケルＮｉ、イリジウムＩｒ、アンチモンＳｂ、タンタルＴａの酸化物を、単独でまたは混合物として含み、任意選択でチタン、レニウム、コバルトなどの追加の金属を含むことを特徴とする、請求項６に記載の素子。
【請求項９】
導電性層ＴＣ１またはＴＣ２が、金属タイプ、もしくはＩｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２：Ｆ、ＺｎＯ：Ａｌで形成されているＴＣＯ（透明導電性酸化物）タイプであり、または金属が、具体的には銀、金、白金、銅から選択されるＴＣＯ／金属／ＴＣＯタイプの複数層であり、もしくは金属が同様に、銀、金、白金、銅から選択されるＮｉＣｒ／金属／ＮｉＣｒタイプの複数層であることを特徴とする、請求項６に記載の素子。
【請求項１０】
積層挿入体の各面が、導電性ストリップおよび／または導電性ワイヤ（６）を含む少なくとも１つの導電性層と結合されることを特徴とする、請求項５に記載の素子。
【請求項１１】
得られるコントラスト値が、９から１００００、好ましくは、１５から４０００であることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の素子。
【請求項１２】
具体的には、可変の光学ならびに／またはエネルギー透過部および／もしくは反射部を備え、プラスチックで形成されている基板、または透明もしくは部分的に透明な基板のうちの少なくとも一部を有し、好ましくは、複数および／もしくは積層グレイジングとして、またはダブルグレイジングとして組み立てられる、請求項１から１１のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック素子を含むことを特徴とする、エレクトロクロミックグレイジング。
【請求項１３】
電気化学的素子の層のうちの少なくとも１つが、任意選択で磁場によりアシストされるカソードスパッタリングなど、真空を含む技術によって、熱蒸発もしくは電子ビームによりアシストされる蒸発によって、レーザアブレーションによって、任意選択でプラズマもしくはマイクロ波によりアシストされるＣＶＤによって、または大気圧技術によって、具体的には、ディップタイプ、スプレイコーティングもしくはローラコーティングの、具体的には、ゾル−ゲル合成を使用して層を付着することによって、付着されることを特徴とする、請求項１から１１に記載の電気化学的素子。
【請求項１４】
建物向けグレイジング、自動車向けグレイジング、工業用または公共用輸送の鉄道車両、海洋船、航空機向けグレイジング、具体的には、窓、サイドミラー、ミラー、ディスプレイおよびモニタ、画像取得装置のためのシャッタとして、請求項１２に記載のグレイジングの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロマトグラフィ溶媒ポンプ用の逆止弁であって、
オリフィスを画定する弁座と、
少なくとも逆止弁の閉塞状態及び開放状態をそれぞれ形成する少なくとも２つの位置間で可動である可動部材と、
可動部材に取り付けられ、弁が閉塞状態にある場合に流体がオリフィスを通って流れるのを妨げるように弁座に接触し、弁が開放状態にある場合に流体がオリフィスを通って流れることができるように弁座から間隔をあけて配置される弾性部材と
を備え、
弾性部材と弁座との接触領域が、弁座のオリフィスを囲む開口を画定する、逆止弁。
【請求項２】
弁が開放状態にある場合に、可動部材が空洞の内部で横に浮く空洞を画定する弁本体をさらに備える、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項３】
弾性部材が、ガスケット又はＯリングを備える、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項４】
弁座に向かうように及び弁座から離れるように可動部材を交互に付勢する、可動部材に取り付けられた音声コイルをさらに備える、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項５】
弁座が、弾性部材に接触するための略平坦な表面を有する、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項６】
弁座が、約５０ｋｐｓｉよりも大きい降伏強度を有する金属からなる、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項７】
弁座が、機械仕上げ表面を有する、請求項６に記載の逆止弁。
【請求項８】
弾性部材が、非線形の弾性特性を有する、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項９】
閉塞状態から開放状態に逆止弁を能動的に移行するための作動信号に応じて弁座から離れるように弾性部材を付勢するために、弾性部材に隣接して移動可能に配設されたアクチュエータをさらに備える、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項１０】
アクチュエータが、作動信号に応じて、可動部材に固定的に取り付けられる又は可動部材に接触する、請求項９に記載の逆止弁。
【請求項１１】
アクチュエータが、開放状態から閉塞状態に逆止弁を能動的に移行するための第２の作動信号に応じて弁座に向かって弾性部材を付勢するために、可動部材に固定的に取り付けられる、請求項１０に記載の逆止弁。
【請求項１２】
開放状態から閉塞状態に逆止弁を能動的に移行するための作動信号に応じて弁座に向かって弾性部材を付勢するために、弾性部材に隣接して移動可能に配設されたアクチュエータをさらに備える、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項１３】
弁座に向かうように又は弁座から離れるように弾性部材を受動的に付勢する弾力のある部材をさらに備える、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項１４】
可動部材がその内部に完全に配設される弁本体をさらに備える、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項１５】
逆止弁が、弁ハウジング内での取り替え可能な配置のために構成されたカートリッジ型の逆止弁である、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項１６】
弁が閉塞状態にある場合に流体の漏洩を引き起こす、弁座と弾性部材との間の接触界面を埋めるのに十分な大きさを有する粒子を、流体から少なくとも部分的に除去するように構成されたフィルタユニットをさらに備える、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項１７】
フィルタユニットが、フリットを備える、請求項１６に記載の逆止弁。
【請求項１８】
弾性部材が、塑性特性を有する、請求項１に記載の逆止弁。
【請求項１９】
クロマトグラフィ溶媒送出システムであって、
溶媒ポンプと、
溶媒ポンプの吸入口又は排出口と流体連通している逆止弁と
を備え、
逆止弁が、オリフィスを画定する弁座と、
少なくとも逆止弁の閉塞状態及び開放状態をそれぞれ形成する少なくとも２つの位置間で可動である可動部材と、
可動部材に取り付けられ、弁が閉塞状態にある場合に流体がオリフィスを通って流れるのを妨げるように弁座に接触し、弁が開放状態にある場合に流体がオリフィスを通って流れることができるように弁座から間隔をあけて配置される弾性部材と
を備え、
弾性部材と弁座との接触領域が、弁座のオリフィスを囲む開口を画定する、システム。
【請求項２０】
クロマトグラフィ溶媒ポンプの呼び水方法であって、
ポンプの排出口と流体連通している逆止弁を提供することと、
逆止弁が最初に乾燥しているときにポンプによるポンピング動作を開始することにより、流体がポンプ内に引き込まれた後に逆止弁を介してポンプから排出され、その結果、逆止弁が濡らされることと
を備え、
逆止弁が、オリフィスを画定する弁座と、
少なくとも逆止弁の閉塞状態及び開放状態をそれぞれ形成する少なくとも２つの位置間で可動である可動部材と、
可動部材に取り付けられ、弁が閉塞状態にある場合に流体がオリフィスを通って流れるのを妨げるように弁座に接触し、弁が開放状態にある場合に流体がオリフィスを通って流れることができるように弁座から間隔をあけて配置される弾性部材とを備える、方法。
【請求項２１】
弾性部材が、ガスケット又はＯリングを備える、請求項２０に記載の呼び水方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月20日(2010.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
急性アテローム硬化性症候群に罹患した疑いのある患者中の自己抗体を検出する方法であって、
ａ）β２−糖タンパク質Ｉ（β２‐ＧＰＩ）に特異的なＩｇＡ自己抗体を含むことがあり得る血清または血漿サンプルを患者より獲得するステップと、
ｂ）前記血清または血漿サンプルを、β２−ＧＰＩドメイン４およびドメイン５からなるポリペプチドと接触させて、前記ポリペプチドと前記ＩｇＡ自己抗体との間に複合体を形成させるステップと、
ｃ）前記血清または血漿中のＩｇＡ自己抗体のレベルを確証するために、前記複合体中の前記ＩｇＡ抗体を検出するステップと、
ｄ）前記複合体中の前記ＩｇＡのレベルを、健常な対照者由来の血清または血漿中の対照レベルのＩｇＡ自己抗体と比較するステップ
とを含み、前記複合体中の前記ＩｇＡ自己抗体のレベルが、対照レベルよりも高い場合、前記患者は急性アテローム硬化性症候群である可能性があることを示唆する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月20日(2010.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー溶液に曝露された少なくとも１つの表面を含み、前記ポリマーは、電気泳動により分離された検体と結合するように選択的に誘発されることが可能である、マイクロ流体デバイス。
【請求項２】
少なくとも１つの表面が、キャピラリーの内部表面である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記ポリマーが、前記少なくとも１つの表面に吸着もしくは共有結合するかまたは吸着および共有結合するコーティングを形成する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記検体の結合が、光化学的に誘発される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記ポリマーが１つ以上の分子をさらに含み、誘発される前記分子がベンゾフェノンである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記ポリマーが１つ以上の分子をさらに含み、誘発される前記分子がアジドテトラフルオロベンゼンである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記検体の結合が、熱的に誘発される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
誘発される前記ポリマーが、熱感受性ポリマーである、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記検体の結合が、化学試薬、酵素、触媒、またはそれらの混合物の存在下で誘発される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記ポリマーが、ランダムコポリマーである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記ポリマーが、グラフトコポリマーである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記ポリマーが、ブロックコポリマーである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記ポリマーが、アクリルアミドを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記ポリマーが、ポリビニルピロリドンを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記ポリマーが、Ｎ−置換アクリルアミドまたはＮ，Ｎ−二置換アクリルアミドを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記ポリマーが、ポリビニルアルコールを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記ポリマーが、炭水化物ポリマーを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記検体が、生体分子である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記検体が、タンパク質である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記表面が、プラスチックである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記表面が、ガラスである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記表面が、前記ポリマー溶液への曝露前に該表面上に形成された官能基を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記官能基が、ポリマーを含む、請求項２２に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記官能基が、前記表面に共有結合した有機シランを含む、請求項２２に記載のデバイス。
【請求項２５】
前記有機シランが、アルキルシランもしくはアリールシラン、またはアルキルシランおよびアリールシランの両方を含む、請求項２４に記載のデバイス。
【請求項２６】
前記官能基が、ケイ素酸素結合を介して表面に結合する、請求項２２に記載のデバイス。
【請求項２７】
前記官能基が、ケイ素炭素結合を介して表面に結合する、請求項２２に記載のデバイス。
【請求項２８】
前記官能基が、塩化ベンジルを含む、請求項２２に記載のデバイス。
【請求項２９】
前記官能基が、ビニル基を含む、請求項２２に記載のデバイス。
【請求項３０】
電気泳動で用いるマイクロ流体デバイスを作製する方法であって、ポリマーが検体への結合を形成するように誘発されることが可能なポリマー溶液に、少なくとも１つの分離チャネルの表面を曝露する工程を含む方法。
【請求項３１】
前記ポリマーが、前記少なくとも１つの表面に吸着もしくは共有結合するか、または吸着および共有結合する、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記検体への結合が、光化学的に誘発される、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
前記検体への結合が、熱的に誘発される、請求項３０に記載の方法。
【請求項３４】
前記検体への結合が、化学試薬、酵素、触媒、またはそれらの混合物の存在下で誘発される、請求項３０に記載の方法。
【請求項３５】
前記ポリマーが１つ以上の分子をさらに含み、誘発される前記分子がベンゾフェノンである、請求項３０に記載の方法。
【請求項３６】
前記ポリマーが１つ以上の分子をさらに含み、誘発される前記分子がアジドテトラフルオロベンゼンである、請求項３０に記載の方法。
【請求項３７】
前記ポリマーが１つ以上の分子をさらに含み、誘発される前記分子が熱感受性ポリマーである、請求項３０に記載の方法。
【請求項３８】
前記ポリマーが、ランダムコポリマーである、請求項３０に記載の方法。
【請求項３９】
前記ポリマーが、グラフトコポリマーである、請求項３０に記載の方法。
【請求項４０】
前記ポリマーが、ブロックコポリマーである、請求項２９に記載の方法。
【請求項４１】
前記ポリマーが、アクリルアミドを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項４２】
前記ポリマーが、ポリビニルピロリドンを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項４３】
前記ポリマーが、Ｎ−置換アクリルアミドまたはＮ，Ｎ−二置換アクリルアミドを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項４４】
前記ポリマーが、ポリビニルアルコールを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項４５】
前記ポリマーが、炭水化物ポリマーを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項４６】
前記検体が、生体分子を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項４７】
前記生体分子が、タンパク質である、請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
前記表面が、ガラスを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項４９】
前記表面が、プラスチックを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項５０】
前記少なくとも１つの分離チャネルの表面をポリマー溶液に曝露する前に、前記表面を共有結合により官能化する工程をさらに含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項５１】
前記分離チャネル表面をポリマー溶液に曝露する前に、吸着を介して前記表面を官能化する工程を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項５２】
前記共有結合的な官能化が、前記表面に有機シランを結合させる工程を含む、請求項５０に記載の方法。
【請求項５３】
前記有機シランが、アルキルシランおよびアリールシランから成る、請求項５２に記載の方法。
【請求項５４】
前記共有結合的な官能化が、前記表面にポリマーを結合させる工程を含む、請求項５０に記載の方法。
【請求項５５】
前記共有結合的な官能化が、前記表面に有機金属化合物を結合させる工程を含む、請求項５０に記載の方法。