【手続補正書】
【提出日】平成21年12月15日(2009.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の形状及び第２の形状を画成し、前記第２の形状は、前記第２の形状上の位置に応じて前記第１の形状から可変の間隔を有するフラグと、
前記フラグがイオンビームの少なくとも一部を遮断するよう前記フラグを並進路に沿って並進させるメカニズムと、
前記並進路に沿っての複数の異なるフラグ位置に対して前記イオンビームを検出し、検出された前記イオンビームに応じてセンサ信号を生成するセンスデバイスと、
を含み、
前記センサ信号及び前記フラグの対応する複数の位置は、垂直面における前記イオンビームの垂直ビーム角を表す、角度測定システム。
【請求項２】
前記センスデバイスは、
マスクと、
前記マスクを第１の位置と第２の位置との間で並進させるメカニズムと、
を含み、
前記第１の位置における前記マスクは、関連するファラデーセンサの一部の上にビーム電流センサを画成し、
前記ビーム電流センサは、前記センサ信号を生成する、請求項１に記載の角度測定システム。
【請求項３】
前記一部は、約９０平方ミリメートル未満の表面積を有する矩形形状を有する、請求項２に記載の角度測定システム。
【請求項４】
前記マスクは、前記マスクが前記第１の位置にある場合に、前記ビーム電流センサを画成する少なくとも１つのアパーチャを含む、請求項２に記載の角度測定システム。
【請求項５】
前記マスクは、前記マスクが前記第１の位置にある場合に、関連する複数のファラデーセンサ上に１つの関連のビーム電流センサを画成する複数のアパーチャを含む、請求項２に記載の角度測定システム。
【請求項６】
前記複数のアパーチャは、
前記マスクが前記第１の位置にある場合に、第１のファラデーセンサの一部の上に第１のビーム電流センサを画成する第１のアパーチャと、
前記マスクが前記第１の位置にある場合に、第２のファラデーセンサの一部の上に第２のビーム電流センサを画成する第２のアパーチャと、
前記マスクが前記第１の位置にある場合に、第３のファラデーセンサの一部の上に第３のビーム電流センサを画成する第３のアパーチャと、
を含む、請求項５に記載の角度測定システム。
【請求項７】
前記センサ信号に応じて、前記ビーム電流センサにおける、前記垂直面における前記垂直ビーム角及び水平面における水平ビーム角を決定する処理デバイスを更に含む、請求項２に記載の角度測定システム。
【請求項８】
前記センサ信号は、
前記第１の形状を表す第１の信号成分と、
前記第２の形状を表す第２の信号成分と、
を有し、
前記第１の信号成分と前記第２の信号成分との間の距離は、前記垂直ビーム角を表す、請求項２に記載の角度測定システム。
【請求項９】
前記第１の形状及び前記第２の形状は、前記フラグの外側エッジを含む、請求項１に記載の角度測定システム。
【請求項１０】
前記第１の形状及び前記第２の形状は、直線であり、且つ、鋭角を成して方向付けられる、請求項９に記載の角度測定システム。
【請求項１１】
前記鋭角は、約２２．５度である、請求項１０に記載の角度測定システム。
【請求項１２】
前記第１の形状は、前記並進路に直交し、
前記第２の形状は、前記フラグの傾斜外側エッジを含む、請求項１０に記載の角度測定システム。
【請求項１３】
第１の形状及び第２の形状を画成し、前記第２の形状は、前記第２の形状上の位置に応じて前記第１の形状から可変の間隔を有するフラグを供給することと、
前記フラグがイオンビームの少なくとも一部を遮断するよう前記フラグを並進路に沿って並進させることと、
前記並進路に沿っての複数の異なるフラグ位置に対して前記イオンビームを検出することと、
検出された前記イオンビームに応じてセンサ信号を生成することと、
を含み、
前記センサ信号及び前記フラグの対応する複数の位置は、垂直面における前記イオンビームの垂直ビーム角を表す、方法。
【請求項１４】
マスクを第１の位置と第２の位置との間で並進させることを更に含み、
前記第１の位置における前記マスクは、関連するファラデーセンサの一部の上にビーム電流センサを画成し、
前記ビーム電流センサは、前記センサ信号を生成する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記マスクは、前記マスクが前記第１の位置にある場合に、関連する複数のファラデーセンサ上に１つの関連のビーム電流センサを画成する複数のアパーチャを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数のアパーチャは、
前記マスクが前記第１の位置にある場合に、第１のファラデーセンサの一部の上に第１のビーム電流センサを画成する第１のアパーチャと、
前記マスクが前記第１の位置にある場合に、第２のファラデーセンサの一部の上に第２のビーム電流センサを画成する第２のアパーチャと、
前記マスクが前記第１の位置にある場合に、第３のファラデーセンサの一部の上に第３のビーム電流センサを画成する第３のアパーチャと、
を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ビーム電流センサにおける、前記垂直面における前記垂直ビーム角及び水平面における水平ビーム角を決定するよう前記センサ信号を処理することを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
モニタリングされた前記垂直角を所望の垂直角と比べることと、
モニタリングされた前記垂直角が前記所望の垂直角の所定限度内にない場合に、前記イオンビームを調節する、又は、前記イオンビームに対して基板を傾斜させることで前記垂直角を調節することと、
を更に含む、請求項１７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図８を参照するに、垂直角は一定のままで異なる水平ビーム角θｈに対してビーム電流センサ１６２ａにより生成されるセンサ信号を示す。センサ信号２００は、水平ビーム角の中間値を、センサ信号２０２は、水平ビーム角のより小さい値を、また、センサ信号２０４は、水平ビーム角のより大きい値を表す。どの場合も、センサ信号におけるバンプ２００ａといったバンプのＸ位置は、水平ビーム角の値を表す。センサ信号２００、２０２、及び２０４におけるバンプのＸ位置は、ビームレット１９０がビーム電流センサ１６２ａによって遮断されるときのスロット１４４のＸ座標に対応する。遷移２００ｂといったスロット１４４のエッジ１４２によるセンサ信号における遷移は、垂直角が一定のままである場合に、各バンプと同量分移動することが観察されうる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図６を参照するに、バンプ１８８のＸ位置は、ビームレット１９０がスロット１４４を通過し、Ｚ座標ｚｐｘにおけるビーム電流センサ１６２ａによって遮断されるときのフラグ１２０におけるスロット１４４のＸ座標ｘｂｃを表す。ビーム電流センサ１６２ａのＸ座標ｘｐｘ及びＺ座標ｚｐｘは既知であり、固定されるので、スロット１４４のＸ座標ｘｂｃは、バンプ１８８の位置から求められ、水平ビーム角θｈは、上述の方程式（１）から求めることができる。なお、センサアレイ１２４の異なる列におけるビーム電流センサ１６２は異なるＸ座標ｘｐｘを有することは理解されよう。バンプ１８８の中心は、ビームレット１９０のＸ座標を求めるよう使用される。バンプ１８８の中心は、積分電流の半分がバンプの両側にあるポイントとして定義される。この位置は、物理的には、スロットの中心が、ウェハ面のビームレット領域の重心を横断した位置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
センスデバイス１４２３は更に、マスク１４２５からＺ方向において更に下流に位置付けられる複数のファラデーセンサ１４７０を含みうる。チャンバ１４３６が、ファラデーセンサ１４３６を支持しうる。チャンバ１４７０は更に、関連するファラデーセンサのための細長いアパーチャが画成されたアパーチャプレート１４６２に付加される。キャビティ１４７３が、チャンバ１４３６とアパーチャプレート１４６２との間に画成され、マスク１４２５の支持を支援しうる。キャビティ１４７３は更に、キャビティ１４７３内のマスク１４２５の並進を可能にするのに十分なサイズでありうる。