Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月15日(2009.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード線を有するパッケージ本体と、
前記パッケージ本体に載置された複数の発光セルと、
前記パッケージ本体と前記複数の発光セルとの間に位置する複数の接続部材とを含み、
前記複数の接続部材は前記複数の発光セルの少なくとも一部と電気的に接続し、第１の直列発光セルアレイを形成することを特徴とする発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記複数の発光セルは前記リード線上に載置されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
さらにヒートシンクを含み、
前記複数の発光セルは前記ヒートシンク上に載置されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
さらに前記パッケージ本体と前記複数の発光セルの間に配置されるサブマウント基板を含み、前記複数の発光セルはサブマウント基板上に位置し、前記複数の接続部材は前記複数の発光セルと前記サブマウント基板との間に位置することを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
さらにヒートシンクを含み、
前記サブマウント基板はヒートシンク上に位置することを特徴とする請求項４に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記サブマウント基板はボンディングパッドを含み、
前記ボンディングパッドは前記リード線と電気的に接続されることを特徴とする請求項４に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記ボンディングパッドはボンディングワイヤを介して前記リード線と接続されることを特徴とする請求項６に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
さらに前記サブマウント基板を貫通するボンディングパッドを含むことを特徴とする請求項４に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
さらに前記複数の発光セル上に位置する透明基板を含むことをことを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
さらに前記複数の発光セルを覆うモールド部材を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記モールド部材はレンズ形状であることを特徴とする請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記モールド部材は少なくとも蛍光体及び拡散剤のいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１３】
さらに前記モールド部材と発光セルとの間に介在する蛍光体を含むことを特徴とする請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１４】
前記パッケージ本体は前記リード線が印刷された回路基板であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１５】
前記接続部材はさらに前記複数の発光セルの一部と電気的に接続し、第２の直列発光セルアレイを形成することを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１６】
前記第１の直列発光セルアレイ及び前記第２の直列発光セルアレイは並列または逆並列に交流電源と接続されることを特徴とする請求項１５に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１７】
さらに前記発光セル上に形成された金属層を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１８】
前記金属層のそれぞれが透明電極及び反射膜のいずれか１つであることを特徴とする請求項１７に記載の発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月22日(2010.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型層と発光層と前記発光層から発せられた光の取り出し側に配置される第２導電型層とがこの順に積層された半導体多層膜と、
前記半導体多層膜を支持する基材と、
前記第１導電型層と接触して形成されている第１電極と、
前記第２導電型層と接触して形成されている第２電極と、
前記第１導電型層と電気的に接続された第１給電端子と、
前記第２導電型層と電気的に接続された第２給電端子とを含む半導体発光装置であって、
前記基材における前記半導体多層膜側に配置された主面には、第１導体パターンと第２導体パターンが形成されており、
前記第１導体パターンは、前記第１電極と電気的に接触されており、
前記第２導体パターンは、前記第２電極と電気的に接触されており、
前記基材における前記半導体多層膜側に配置された主面に対する裏面には、凸部が形成され、前記凸部を除く前記裏面の隅部には段差部が形成されており、
前記第１及び第２給電端子は、前記段差部に形成されており、
前記第１給電端子は、基材の厚み方向に形成されたビア導体を介して前記第１導体パターンと電気的に接触されており、
前記第２給電端子は、基材の厚み方向に形成されたビア導体を介して前記第２導体パターンと電気的に接触されており、
前記凸部の先端面は、前記第１及び第２給電端子と電気的に絶縁されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記凸部の高さは、０．０５〜０．５ｍｍである請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記凸部の先端面の面積は、前記基材裏面の全体面積の７５％以上である請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第１電極は、バンプを介して、前記第１導体パターンと電気的に接続されており、前記第２電極は、バンプを介して、前記第２導体パターンと電気的に接続されている請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記発光層から発せられた光を吸収して蛍光を発する蛍光体を含む蛍光体層が、前記半導体多層膜を覆うように形成されている請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記第１電極は、前記発光層から発せられた光を反射する導電材料で構成されている請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記第１及び第２導体パターンは、前記発光層から発せられた光を反射する導電材料で構成されている請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記基材の構成材料の熱伝導率は、１０Ｗ/（ｍ・ｋ）以上である請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記基材の構成材料の熱伝導率は、２０Ｗ/（ｍ・ｋ）以上である請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記基材の構成材料の熱伝導率は、１００Ｗ/（ｍ・ｋ）以上である請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記基材は、Ｓｉ，ＳｉＣ，Ａｌ2Ｏ3及びＡｌＮからなる群から選ばれる一種以上の材料で構成されている請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
実装基板と、前記実装基板上に実装された、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体発光装置とを含み、
前記実装基板と、前記半導体発光装置に設けられた前記凸部の先端面とが密着している発光モジュール。
【請求項１３】
前記実装基板には、前記凸部と嵌合する嵌合部が設けられ、
前記半導体発光装置は、前記凸部と前記嵌合部とが嵌合した状態で実装されている請求項１２に記載の発光モジュール。
【請求項１４】
前記実装基板と前記凸部の先端面とは、熱伝導性材料を介して密着している請求項１２に記載の発光モジュール。
【請求項１５】
前記熱伝導性材料は、熱伝導率が５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である請求項１４に記載の発光モジュール。
【請求項１６】
請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の発光モジュールを光源として含む照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の半導体発光装置は、第１導電型層と発光層と前記発光層から発せられた光の取り出し側に配置される第２導電型層とがこの順に積層された半導体多層膜と、前記半導体多層膜を支持する基材と、前記第１導電型層と接触して形成されている第１電極と、前記第２導電型層と接触して形成されている第２電極と、前記第１導電型層と電気的に接続された第１給電端子と、前記第２導電型層と電気的に接続された第２給電端子とを含む半導体発光装置であって、前記基材における前記半導体多層膜側に配置された主面には、第１導体パターンと第２導体パターンが形成されており、前記第１導体パターンは、前記第１電極と電気的に接触されており、前記第２導体パターンは、前記第２電極と電気的に接触されており、前記基材における前記半導体多層膜側に配置された主面に対する裏面には、凸部が形成され、前記凸部を除く前記裏面の隅部には段差部が形成されており、前記第１及び第２給電端子は、前記段差部に形成されており、前記第１給電端子は、基材の厚み方向に形成されたビア導体を介して前記第１導体パターンと電気的に接触されており、前記第２給電端子は、基材の厚み方向に形成されたビア導体を介して前記第２導体パターンと電気的に接触されており、前記凸部の先端面は、前記第１及び第２給電端子と電気的に絶縁されていることを特徴とする。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年12月4日(2009.12.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
新しい洞察は、コヒーレント漏話の効果が抑圧される第二レジームが存在することである。もしこれらのスペーサ層が「薄い」ならば、４分の１波長よりも一層良好な所要の平坦性を備えるスペーサ層を作成することが実現可能であるように思われる。もし開口数が大きいならば、他のデータ記憶層からのコヒーレント漏話の結果としてのノイズは、薄いスペーサ層を可能にするほど依然として十分に小さい。極めて大きな開口数は、近距離場記録を用いる主要な理由であり、故に、平坦で薄いスペーサ層は、具体的には、この技法のための新しいレジームを切り開く。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年6月23日(2010.6.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個人基地局からサービスを受けることを個人基地局の所有者によって認可された携帯電話を識別する携帯電話の識別情報と、前記携帯電話の前記識別情報に対応する個人基地局の識別情報とを、排他権データベースに格納する工程と、
前記排他権データベースにおいて、前記携帯電話識別情報および前記個人基地局情報に基づき、インターネットに接続された個人基地局により設定された無線受信範囲のセル内で、前記個人基地局が提供する通信事業者サービスを受けることを認可された前記携帯電話に許可する工程と、
前記排他権データベースにおいて、他の携帯電話が前記排他権データベースに登録されていないと判断することに応じて、前記通信事業者サービスの使用を前記他の携帯電話に許可しない工程とを含み、
前記個人基地局の機能は、他のネットワークに登録された携帯電話にサービスを提供する前記他のネットワークで、認可された前記携帯電話にサービスを提供し、前記他の携帯電話にサービスの使用を許可しないことであり、
前記許可しない工程は、サービスの使用拒否を示す否定応答（ＮＡＣＫ）を、前記他の携帯電話に提供する工程を含み、
前記ＮＡＣＫは、前記他の携帯電話に、前記個人基地局に関連した位置領域が認可されていないことを特定する位置領域識別子を格納するのではなく、ホームセルとして動作する別のセルを探すよう命じ、
前記ＮＡＣＫを提供する工程において、モバイルスイッチングセンターへ送信されることで携帯電話がサービスの使用を拒否されたことを前記他のネットワークに対して示す位置更新拒否メッセージを、基地局コントローラから前記モバイルスイッチングセンターに送信しない、方法。
【請求項２】
前記排他権データベースは、前記個人基地局からサービスを受けられるよう前記個人基地局の前記所有者によって選択された前記携帯電話に関する情報のすべてまたは一部を含み、
前記排他権データベースの前記許可／拒否工程において、前記排他権データベース内の前記携帯電話識別情報および前記個人基地局情報をチェックして携帯電話に通知し、
前記排他権データベースの更新／維持工程において、前記セル内の前記サービスを前記携帯電話が使用できるよう登録または登録抹消をするべく、前記個人基地局の前記所有者によって選択された携帯電話の携帯電話識別情報を前記排他権データベースに追加または前記排他権データベースから削除することにより、前記排他権データベースを更新および維持する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記許可／拒否工程は、前記、前記他の携帯電話にサービスの使用を許可しないことを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記排他権データベースにＩＭＳＩ情報を格納することにより、登録済み携帯電話を識別する工程をさらに含む請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記排他権データベース内に認証目的で前記個人基地局の所有者に関する個人情報を格納する工程をさらに含み、該個人情報は、母親の旧姓、所有者認証コード、ユーザネーム、および、パスワードの中の少なくとも１つを含む請求項２から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記排他権データベースは、前記個人基地局の基地局コントローラ、モバイルスイッチングセンター、または、ホームロケーションレジスタに導入される、請求項２から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記個人基地局の所有者によって、インターネットを使用して通信事業者のウェブサイトに接続する工程と、
前記ウェブサイトにより、前記排他権データベースを更新できるようにする予め決められた識別コード及び前記個人基地局識別情報を要求および獲得し、前記識別コード及び前記識別情報に基づき、前記排他権データベースに携帯電話の登録および登録抹消することを前記個人基地局の所有者に許可する工程をさらに含む、請求項２から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記個人基地局の所有者が、携帯電話の登録および登録抹消のために、前記排他権データベースの更新指示ができるコールセンターに電話する工程をさらに含む、請求項２から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
携帯電話が、ショートメッセージサービス（ＳＭＳ）通信を介して携帯電話または携帯電話使用者に関係する情報を通信事業者に送信する工程と、当該情報に基づき前記排他権データベースにおいて携帯電話の登録および登録抹消を行なう工程とをさらに含む、請求項２から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
特定の携帯電話に特定の個人基地局のセルにキャンプオンできるようにすべく、前記特定の携帯電話のＳＩＭカードをプログラミングする工程をさらに含み、前記ＳＩＭカードは、契約者に提供されるとき予めプログラミングされるか、または、ＳＩＭツールキットを用いてネットワークメッセージによりプログラミングされる、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
登録された携帯電話が特定の期間使用されないでいると、前記排他権データベースが、特定の期間使用されないでいる前記携帯電話の登録を抹消する工程をさらに含む、請求項２から１０のいずれかに記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
一方、その携帯電話が認可されていないことを認識したとき、ＥＤＢは、原因＃１５または＃１２の位置更新拒否（ＬＵｉＲ）メッセージに変換される否定応答（ＮＡＣＫ）をｉＢＳＣ、または、ｉＢＳに送信する。その後、携帯電話は、コントロールチャネルを去り、その個人基地局セルｉｄに閉鎖マークをつけ、別のコントロールチャネルを見つけようとする。ＮＡＣＫの場合、ＢＳＣは、ＬＵｉＲをＭＳＣに送信しない。従って、存続するネットワークは、この特定の携帯電話が、サービスへのアクセスを拒否されたことに気づかない。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月1日(2010.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
瘻を閉じるための移植片であって、ヒトドナーから提供された死体材料の原形を保った無細胞シート、あるいはヒト以外のドナーから提供された異種移植片の原形を保った無細胞シートから成る本体を持つプラグで構成され、該プラグは第一直径を備えた第一端と、該第一直径より小さい第二直径を備えた第二端を備えている、瘻を閉じるための移植片。
【請求項２】
該本体が、肛門直腸婁の一次口を塞ぐために内部に詰め込めるような大きさで構成された請求項１に記載の移植片。
【請求項３】
該移植片が湾曲した、請求項１もしくは２のいずれか１項に記載の該移植片。
【請求項４】
該移植片が先細になった、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の該移植片。
【請求項５】
該プラグの物質が生物学的に再建可能であって、該無細胞シート内の細胞進入および内部成長、および該無細胞シート内で被移植体組織の再建を促進する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の移植片。
【請求項６】
さらに該本体の外側表面に突起部を含有している、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の移植片。
【請求項７】
さらに薬剤を含有している、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の移植片。
【請求項８】
皮膚コラーゲンの原形を保った無細胞シートを含有している、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の移植片。
【請求項９】
粘膜下組織の原形を保った無細胞シートを含有する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の移植片。
【請求項１０】
該粘膜下組織が小腸粘膜下組織である、請求項９に記載の移植片。
【請求項１１】
ヒトドナーから提供された死体材料の原形を保った無細胞シート、あるいはヒト以外のドナーから提供された異種移植片物質の原形を保った該無細胞シートが、それらが得られた元の組織が元来有する成長因子を保持する、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の移植片。
【請求項１２】
ヒトの患者の肛門直腸瘻の治療に用いるプラグを製造する方法において、ヒトドナーから提供された死体材料の原形を保った無細胞シート、あるいはヒト以外のドナーから提供された異種移植片物質の原形を保った無細胞シートを用いて、第一直径を備えた第一端と、該第一直径より小さい第二直径を備えたプラグを形成するようにした方法。
【請求項１３】
ヒトドナーから提供された死体材料の該原形を保った無細胞シート、あるいはヒト以外のドナーから提供された異種移植片物質の該原形を保った無細胞シートが、取り出された皮膚コラーゲンの無細胞シートを含有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ヒト以外のドナーから提供された異種移植片の物質の該原形を保ったシートが粘膜下組織を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
該粘膜下組織が小腸粘膜下組織である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
該プラグに薬剤が組み込まれた、請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
該プラグがさらに粘着性のものを含む、請求項１２乃至１６のいずれか１項に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
（実施例６）
この実施例においては、我々は、gp120及びCD4のフラグメントの複合体が免疫原性であり、HIV-1中和抗体を誘導することを証明した。特に、gp120の結合に必要である、CD4の最初の2個のドメインのみを含むCD4の断片がクローニングされ、チャイニーズハムスター卵巣（CHO）細胞中で発現された。図８は、sCD4（SCD4として示される）及びCD4との対比における、このCD4（DID2として示される）の断片の略図を示す。CD4の断片は、CD4の第３及び第４のドメインを含まない。
次いで、CHO細胞の上清から、DID2断片を均一に精製した。精製されたDID2断片はgp120と複合化されることがわかり、該複合体は、ウサギ中で抗HIV-1応答を誘導した。DID2の調製、DID2の免疫学的反応性及びgp120-DID2複合体の免疫原性については以下の詳細に議論する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年11月8日(2010.11.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中を流れる流体の流れを調節するために管の内部に配置される整流器であって、
効果的に流れの中の大規模な渦を削減すべく複数のチェンバーを形成するように流体の流れの方向におおむね平行な羽根を並べて構成した本体を備えており、前記羽根が、チェンバー間の圧力調整を可能にする穿孔を表面に持ち、効果的に不規則な流れを削減し、流体抵抗を低減するものであり、前記本体が、この整流器の流入口及び流出口における流れの断面積にわずかな絞りを生み出すように形成されており、前記絞りが、前記流入口と流出口との間にチョーク部となる空間を形成するとともに、並んだ羽根の流入口及び流出口におけるそれぞれの端部に板を配置して形成されるものである整流器。
【請求項２】
前記板が円形である請求項１記載の整流器。
【請求項３】
前記板が、微細な渦の発生を増加させる粗いエッジを持つ請求項１記載の整流器。
【請求項４】
中心軸からそれぞれの羽根が放射状に延び、それら羽根が放射状に配置されている請求項１記載の整流器。
【請求項５】
羽根の数が計３枚である請求項４記載の整流器。
【請求項６】
それぞれの羽根表面の多孔率が３５％から７０％である請求項１記載の整流器。
【請求項７】
管と、中を流れる流体の流れを調節するために管の内部に配置される整流器とを含む整流装置であって、
前記整流器は、効果的に流れの中の大規模な渦を削減すべく複数のチェンバーを形成するように流体の流れの方向におおむね平行な羽根を並べて構成した本体を含み、前記羽根が、チェンバー間の圧力調整を可能にする穿孔を表面に持ち、効果的に不規則な流れを削減し、流体抵抗を低減するものであり、前記本体が、この整流器の流入口及び流出口における流れの断面積にわずかな絞りを生み出すように形成されており、前記絞りが、前記流入口と流出口との間にチョーク部となる空間を形成するとともに、並んだ羽根の流入口及び流出口におけるそれぞれの端部に板を配置して形成されるものである整流装置。
【請求項８】
前記板が円形である請求項７記載の整流装置。
【請求項９】
前記板が、微細な渦の発生を増加させる粗いエッジを持つ請求項７記載の整流装置。
【請求項１０】
中心軸からそれぞれの羽根が放射状に延び、それら羽根が放射状に配置されている請求項７記載の整流装置。
【請求項１１】
羽根の数が計３枚である請求項１０記載の整流装置。
【請求項１２】
それぞれの羽根表面の多孔率が３５％から７０％である請求項７記載の整流装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明の実施には、整流器を用いる。前記整流器は、複数のチェンバーを作り出すように流体の流れの方向におおむね平行な羽根またはひれを並べて構成した本体を含む。前記羽根は、効果的に流れの中の大規模な渦を削減する。効果的に不規則な流れを削減するために、前記羽根表面には細孔あるいは穿孔が形成されている。これらの細孔／穿孔は、チェンバー間の圧力の均一化により流体抵抗を低減する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
図１−３は、整流装置の第一実施形態を示す。その整流器は、中を流れる流体の流れを調節するために管の内部に配置されるもので、本体１０を含む。本体１０は、流体の流れの方向におおむね平行で、中心軸からそれぞれの羽根１２が放射状に延びている放射状配置の羽根１２を並べて構成される。羽根１２は、効果的に流れの中の大規模な渦を削減する複数のチェンバーを形成する。羽根１２は、効果的に不規則な流れを削減し、流体抵抗を低減するチェンバー間の圧力調整を可能にする穿孔１４を表面に持つ。３つの羽根１２は多孔率３５％から７０％の羽根表面を持つ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年4月27日(2010.4.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）金属有機骨格を電気化学的に製造する工程、
ｂ）電気化学的に製造された金属有機骨格を、吸収および貯蔵されるガスに適した条件下で、吸収および／または貯蔵されるガスと接触させる工程
を有する、ガスを吸収および／または貯蔵する方法であって、金属有機骨格は、金属イオンと、少なくとも二座の有機化合物とを含み、前記の少なくとも二座の有機化合物が、ジカルボン酸、トリカルボン酸またはテトラカルボン酸である、ガスを吸収および／または貯蔵する方法。
【請求項２】
吸収および／または貯蔵されるガスが、飽和炭化水素、不飽和炭化水素、飽和アルコール、不飽和アルコール、酸素、窒素、希ガス、ＣＯ、ＣＯ２、合成ガスまたは天然ガスである請求項１記載の方法。
【請求項３】
吸収および／または貯蔵されるガスがＨ２、Ｈ２含有ガス混合物、メタン、エタン、プロパン、ブタン、エチレン、プロピレン、アセチレン、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、ＣＯおよびＣＯ２から選択される請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
貯蔵を０〜１００℃の温度で実施する請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
貯蔵を１〜３００バール（絶対圧力）の圧力で実施する請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
圧力の減少または温度の上昇により貯蔵されたガスを再び放出する請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
金属有機骨格（ＭＯＦ）が気密容器中に存在する請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
容器が燃料電池またはその部品に接続されている請求項７記載の方法。
【請求項９】
燃料電池が発電所、動力車または電子機器のケーブルレスの用途に使用される請求項８記載の方法。
【請求項１０】
電気化学的に製造した金属有機骨格が元素周期表のＩａ、ＩＩａ、ＩＩＩａ、ＩＶａ〜ＶＩＩＩａおよびＩｂおよびＶＩｂ族の金属を含有する請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
金属がＺｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｆｅ、Ｍｎ、ＡｇおよびＣｏからなる群から選択される請求項１０記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
頭上攪拌機、熱電対、窒素入口、及び蒸留冷却器を装備した２リットル容の反応フラスコ中で、３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸メチルエステル（２．６６モル）、１，３−ブタンジオール（５．３２モル）及びｐ−トルエンスルホン酸（０．０３１モル）を合わせた。反応は１４５℃で６時間行った。反応が完了したら、試料をガスクロマトグラフィー分析のために取り出し、次に触媒を、３００のＴＢＮ（総塩基数）を有する、過塩基化されたスルホン酸カルシウム清浄剤であるＨＩＴＥＣ  ６１１で中和した。得られた生成物は、カルシウム塩副生物のために不透明であった。１２０℃及び水銀２９インチにおける真空蒸留を１時間、続いて５重量％の珪藻土濾過助剤及び１ミクロン濾過器を用いる圧力濾過により、透明な淡黄色の生成物が得られた。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年7月20日(2010.7.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
異方性薄膜は、たとえば、光学的位相差板、コレステリックカラーフィルタ、偏光干渉フィルタ、誘電鏡、液晶ディスプレイの可視角度を拡大するための位相差フィルム、光学的セキュリティ素子（コピー防止装置）、導波路成分（χ2結合あり、またはなし）などのような、非常に広い範囲の光学的または電気光学的装置および要素に用いられる。このような異方性薄膜を製造するひとつの方法は、液晶ポリマーまたは液晶モノマーを、適切に用意された基質に、スピンコートによって塗布することからなる、実施においてエレガントで効果的な方法である。液晶モノマーの場合、該モノマーは、続いて液晶相（ＬＣ相）中で架橋する。このような光学的要素は、以下、ＬＣＰフィルムといい、特定の課題を満足させることができる（ＬＣＰは、液晶ポリマー；単層または多層を包含するフィルムを示す）。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
この方法の不利な点は、架橋後に、いわゆる傾斜ドメインの形成が、しばしば観察されることである。傾斜ドメインは、光学軸と同じ配向を有するが、逆の傾斜の角度を有するＬＣＰ領域に隣接する。このような傾斜ドメインは、しばしば、欠損および効率損失の原因となる。たとえば、導波路では、それらは散乱損失を増し、光学フィルタでは、コントラスト、換言すると暗い状態が逆に影響される。特に、ＬＣＰ位相差層が、同時に、大きさと方向に関して正確に限定する傾斜の角度が一般に存在しなければならない、液晶セルの配向層として働く場合は、傾斜ドメインを許容することはできない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
の鎖で置き換えられていてもよい直鎖状アルキレン基を表し、
ここで、Ｒ3は、水素または低級アルキルを表し、ｗ′は、０〜２の整数であるが、但し、Ｆ1およびＦ2において、炭素原子とそれらを置換するヘテロ原子の合計数は４０を越えず；
Ｐ7およびＰ8は、他から独立して、場合によっては、メチル、メトキシ、シアノおよび／もしくはハロゲンで置換されていてもよい、アクリラート、メタクリラート、２−クロロアクリラート、２−フェニルアクリラート、アクリロイルフェニレン、アクリルアミド、メタクリルアミド、２−フェニルアクリルアミド、エポキシ、イタコン酸エステル類、ビニルオキシ、ビニルオキシカルボニル、スチレン誘導体、マレイン酸誘導体、フマル酸誘導体またはケイ皮酸誘導体のような架橋性基を表し；
ｑ′は、０または１であり；そして
ｌ′、ｏ′およびｐ′は、ｌ′＋ｏ′＋ｐ′≧１であるという前提で、０または１である）
の化合物に相当する液晶混合物である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
Ｍｏｎ１が７０重量％、Ｍｏｎ２が２０重量％、Ｍｏｎ３が１０重量％の混合物を調製した。Ciba-Geigyからの光開始剤Irgacure 369を２重量％と、２，６−ジ−tert−ブチル−ｐ−クレゾール２重量％を加え、アニソール（２０重量％）に溶解し、ついでガラス板に、１，０００回転／minでスピンコートによって塗布した。ガラス板は、あらかじめ４−〔４−〔６−（２−メタクリロイルオキシ）ヘキシルオキシ〕ベンゾイルオキシ〕−３−メトキシケイ皮酸メチルエステルで被覆し、直線偏光した光を照射して、ＬＰＰ配向層を製造したものである。ついで真空キャビネット中で、新しい層に、真空中、常温でキセノン光を照射した。そのようにして製造されたＬＣＰ層は、傾斜ドメインのない、架橋したネマチック構造を有していた。該層は、位相差層として用いることができた。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年4月15日(2010.4.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
よって、本発明は、感染症にかかりやすい素因を決定する方法を提供し、その方法は、被験者からＤＮＡを含むサンプルを得る工程と、前記サンプルを分析してマイクロサテライト遺伝子座Ｄ２２Ｓ９２９、Ｄ２２Ｓ２７７、Ｄ２２Ｓ２６４、Ｄ２２Ｓ１１６６、Ｄ２２Ｓ４２３、Ｄ２２Ｓ１１６９、Ｄ２２Ｓ４１８またはＤ２２Ｓ２７２の少なくとも１つに存在するアレルを同定する工程とを含み、マイクロサテライト遺伝子座Ｄ２２Ｓ９２９、Ｄ２２Ｓ２７７、Ｄ２２Ｓ２６４、Ｄ２２Ｓ１１６６、Ｄ２２Ｓ４２３、Ｄ２２Ｓ１１６９、Ｄ２２Ｓ４１８またはＤ２２Ｓ２７２における特定なアレルの存在は、感染症に対する抵抗性を示す。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
故に、本発明はまた、感染症に対する抵抗性を決定する方法を提供する。前記方法は、被験者からＤＮＡを含むサンプルを得る工程、および前記サンプルを分析し、マイクロサテライト遺伝子座Ｄ２２Ｓ９２９、Ｄ２２Ｓ２７７、Ｄ２２Ｓ２６４、Ｄ２２Ｓ４２３＆Ｄ２２Ｓ４１８またはＤ２２Ｓ２７２の少なくとも１つに存在する前記アレルを同定する工程を含み、マイクロサテライト遺伝子座Ｄ２２Ｓ９２９、Ｄ２２Ｓ２７７、Ｄ２２Ｓ２６４、Ｄ２２Ｓ４２３＆Ｄ２２Ｓ４１８またはＤ２２Ｓ２７２における特定なアレルの存在が、感染症に対する抵抗性を示す。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
本発明はまた、感染症に対する抵抗性を決定する方法を提供する。前記方法は、被験者からＤＮＡを含むサンプルを得る工程、および前記サンプルを分析し、マイクロサテライト遺伝子座Ｄ２２Ｓ９２９、Ｄ２２Ｓ２７７、Ｄ２２Ｓ２６４、Ｄ２２Ｓ４２３＆Ｄ２２Ｓ４１８またはＤ２２Ｓ２７２の少なくとも１つに存在するアレルを同定する工程を含み、マイクロサテライト遺伝子座Ｄ２２Ｓ９２９、Ｄ２２Ｓ２７７、Ｄ２２Ｓ２６４、Ｄ２２Ｓ４２３＆Ｄ２２Ｓ４１８またはＤ２２Ｓ２７２における特定なアレルの存在が、感染症に対する抵抗性を示す。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年6月24日(2010.6.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷間圧延された、金属のストリップ（１）、特に特殊鋼ストリップを連続的に製造する方法であって、熱間圧延された金属ストリップが巻解きユニットから巻解かれて、仕上げるべきストリップ（１）が搬送方向（Ｒ）において装置（２）によって案内され、その装置内においてストリップ（１）が圧延処理、加熱及び化学的処理を受ける方法において、化学的処理が酸洗処理であり、圧延処理はストリップの加熱後に且つ化学的処理後に初めて実施され、ストリップ（１）の加熱、ストリップ（１）の化学的処理と圧延処理がこの順序に実施され、ストリップ（１）の加熱前にストリップ（１）の脱脂処理が行われ、そして、ストリップ（１）の加熱とストリップ（１）の化学的処理との間には、ストリップ（１）の延伸矯正が行われることを特徴とする方法。
【請求項２】
圧延処理はタンデム圧延処理であることを特徴とする請求項１に記載の方法。        
【請求項３】
ストリップ（１）は圧延処理によってそのストリップ厚さを少なくとも２０％だけ減少されることを特徴とする請求項１或いは２に記載の方法。
【請求項４】
冷間圧延された、金属のストリップ（１）、特に特殊鋼ストリップを連続的に製造する、特に請求項１乃至請求項３のいずれか一項に基づく方法を実施する装置であって、熱間圧延された金属ストリップが巻解きユニットから巻解かれて、そして仕上げるべきストリップ（１）が装置（２）を搬送方向（Ｒ）に通過し、その装置（２）がストリップ（１）を加熱する装備（３）、ストリップ（１）を化学的処理する装備（４）及びストリップ（１）を圧延する装備（５）を有する装置において、ストリップ（１）を圧延する装備（５）は搬送方向（Ｒ）においてストリップ（１）を加熱する装備（３）とストリップ（１）を化学的処理する装備（４）との後に配置され、そしてストリップ（１）を圧延する装備（５）はタンデム圧延列（５ａ，５ｂ，５ｃ）を有し、搬送方向（Ｒ）においてストリップ（１）を加熱する装備（３）の前に脱脂装置（１２）が配置されていて、ストリップ（１）を加熱する装備（３）とストリップ（１）を化学的処理する装備（４）との間に延伸矯正ユニット（６）が配置されていることを特徴とする装置。        
【請求項５】
タンデム圧延列（５ａ，５ｂ，５ｃ）は６本組の或いはＺ本組の高圧延配列を備える複数圧延ー冷間圧延機として形成されていることを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
ストリップ（１）を加熱する装備（３）とストリップ（１）を化学的処理する装備（４）との間に金属粒放出ユニット（７）が配置されていることを特徴とする請求項４或いは５に記載の装置。
【請求項７】
搬送方向（Ｒ）においてストリップ（１）を化学的処理する装備（４）の後に縁取りユニット（８）が配置されていることを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
焼き鈍し炉３においてストリップ１は熱処理を受ける。引き続いてストリップは延伸矯正（指向性）ユニット６にまで到達し、このユニットにおいてストリップ１が研磨される。延伸矯正ユニット６の後に金属粒放出ユニット７が配置されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
１．．．．．ストリップ（金属ストランド）
２．．．．．装置
３．．．．．ストリップを加熱する装備（焼き鈍し炉）
４．．．．．ストリップを化学的処理する装備（酸洗ライン）
５．．．．．ストリップを圧延する装備（タンダム圧延列）
５ａ．．．．圧延スタンド
５ｂ．．．．圧延スタンド
５ｃ．．．．圧延スタンド
６．．．．．延伸矯正（指向性）ユニット
７．．．．．金属粒放出ユニット
８．．．．．縁取りユニット
９．．．．．ストリップ貯蔵部（流入貯蔵部）
１０．．．．ストリップ貯蔵部（流出貯蔵部）
１１．．．．ストリップ貯蔵部（中間貯蔵部）
１２．．．．脱脂装備
１３．．．．流入部分
１４．．．．流出部分
Ｒ．．．．．搬送方向
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年1月29日(2010.1.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キラル遷移金属触媒の存在下でのプロキラル有機化合物の水素付加のための方法において、少なくとも２つの構造的に異なるモノホスフォラス配位子が金属に結合しており、そのうちの少なくとも１つのモノホスフォラス配位子がキラルであり、かつ、キラルなモノホスフォラス配位子が、下式Ｂ、Ｃ又はＤタイプ
【化１】
2006502843.tif 000001
のモノホスフォラス化合物から選択されており、
ここで、Ｗは炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、又はハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、そして更に原子もしくは原子団がその自由原子価の数に従ってＷに結合しており、
そして、ここでＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、Ｒ５’、Ｒ６’、Ｒ７’及びＲ８’基は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、飽和及び不飽和、直鎖状及び分岐状のＣ１−Ｃ５０アルキル、Ｃ１−Ｃ５０アリール、Ｃ１−Ｃ５０ヘテロアリール、アルキニル、シリル、ニトロ、ニトリル、エステル、カルボキシル、カルボニル、アミド、アミン、ヒドロキシル、アルコキシ、スルフィド及びセレナイド基の群からなり、
ここでＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、Ｒ５’、Ｒ６’、Ｒ７’及びＲ８’は、更に置換基を有していてもよく、また官能化されていてもよく、
かつ、遷移金属がＲｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｐｄ又はＰｔである
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１で規定した方法において、少なくとも２つのモノホスフォラス配位子がキラルである方法。
【請求項３】
請求項１又は２で規定した方法において、モノホスフォラス配位子がホスフィン、ホスファイト、ホスフォナイト、ホスフィナイト、ホスフォラストリアミド、ホスフォラスモノエステルジアミド、ホスフォラスジエステルアミド、ホスフォナスジアミド、ホスフィナスアミド、ホスフォナスモノエステルアミド、ホスフォラスハライド、ホスフォラスジアミドハライド、チオホスファイト、チオホスフォラストリエステル、チオホスフォラスモノエステルジアミド、又はチオホスフォラスジエステルアミドである方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかで規定した方法において、少なくとも１つのアキラル配位子が下式ＨからＴタイプのモノホスフォラス化合物である方法。
【化２】
2006502843.tif 000002
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４基はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、飽和及び不飽和、直鎖状及び分岐状のＣ１−Ｃ５０アルキル、Ｃ１−Ｃ５０アリール、Ｃ１−Ｃ５０ヘテロアリール、アルキニル、シリル、ニトロ、ニトリル、エステル、カルボキシル、カルボニル、アミド、そしてセレナイド基の群からなり、
ここでＲ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、更に置換基を有していてもよくまた官能化されていても架橋されていてもよい。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかで規定した方法において、用いるキラルモノホスフォラス配位子が少なくとも下記タイプの２つの配位子であることを特徴とする方法。
【化３】
2006502843.tif 000003
ここで、Ｗは、それぞれ独立にＣＨ３、Ｃ（ＣＨ３）３、ｃ−Ｃ６Ｈ１１又はＯＣＨ３である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
【化１９】
2006502843.tif 000004
【化２０】
2006502843.tif 000005
【化２１】
2006502843.tif 000006
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
[実施例１]
Ｉ、II及びIIIタイプの配位子を用いてメチル Ｎ−アシルアクリレートのＲｈ−触媒による水素付加反応
【化２２】
2006502843.tif 000007
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
[実施例２]
Ｉタイプの配位子を用いてメチルフェニル−Ｎ−アシルアクリレートのＲｈ−触媒による水素付加反応
【化２３】
2006502843.tif 000008
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
[実施例３]
ＩとIIタイプの配位子を用いて１−Ｎ−アシルアミノスチレンのＲｈ−触媒による水素付加反応
【化２４】
2006502843.tif 000009
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
[実施例４]
1-N-アシルアミノ-1-p-クロロフェニルエチレンのRh-触媒による水素付加反応
【化２５】
2006502843.tif 000010
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
[実施例６]
Ｉタイプの配位子を用いた1-N-アシルアミノ-1-ナフチルエチレンのRh-触媒による水素付加反応
【化２６】
2006502843.tif 000011
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
[実施例７]
Ｉタイプの配位子を用いたイタコン酸ジメチルのRh-触媒による水素付加反応
【化２７】
2006502843.tif 000012
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年11月19日(2009.11.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの光源（５２、６８、８２、９４、１０２）によって放射された光を収集し、該収集された光を少なくとも１つの光検出装置（５４、７０、８４、９６、１０６）上に集束する光収集システム（５０、６６、８０）であって、
少なくとも２つのミラー、すなわち第１のミラーと第２のミラーを備えること、
光源が発光放電灯であり、該第１のミラー（５８、７４、８８）は該光源によって放射された光を収集すること及び該収集された光を該第２のミラー上に集束することが可能であり、該第２のミラー（６０、７６、９０）は該第１のミラーから受けた光を光検出装置上に集束することが可能であり、よって本システムは光束増幅型であり、色収差無発生型であることと、
このシステムには、
−紫外線放射光を含む全ての光に対して不透明で、内部に前記第１及び第２のミラーが配置される主チャンバ（１２０）、
−紫外線放射光を含む全ての光に対して不透明で、内部に前記光源が配置され、金属製ベロー（１２４）を介して前記主チャンバに接続される第１の補助チャンバ（１２２）、
−紫外線放射光を含む全ての光に対して不透明で、内部に前記光検出装置が配置され、金属製ベロー（１２８）を介して前記主チャンバに接続される第２の補助チャンバ（１２６）、並びに
−  これらのチャンバ内に真空を生成するか、又はこれらのチャンバ内に紫外線放射光に対して透明なガスを充填する手段が設けられていることとを特徴とする光収集システム。
【請求項２】
第１及び第２のミラー（５８、６０；７４、７６）が同一の軸（Ｘ１、Ｘ２）を有し、この同一の軸は該システムの光軸を形成し、第１及び第２のミラーのそれぞれの焦点（Ｆ１、Ｆ２；Ｆ３、Ｆ４）は該光軸上に位置する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
第１及び第２のミラーのそれぞれの焦点（Ｆ１、Ｆ２；Ｆ３、Ｆ４）が異なる、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
第１のミラーが中央穿孔部（６４、８０）を有することで、第２のミラーによって集束された光が該光検出装置へ向けて通過することが可能となる、請求項２又は３に記載のシステム。
【請求項５】
第１及び第２のミラー（８８、９０）が互いに対してオフセットされ、少なくとも第１及び第２のミラーのうちの１つが軸から外れている、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
該第１及び第２のミラー（５８、７４、８８；６０、７６、９０）の各々が、球面ミラー、放物面ミラー、及び楕円面ミラーの中から選択される、請求項１ないし５のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項７】
第１及び第２のミラー（５８、７４、８８；６０、７６、９０）の各々が、機械的破壊からミラーを保護するとともに放射光の吸収を最小化するための金属性堆積物、又は化学的侵食からミラーを保護するとともに放射光の吸収を最小化するための化学的堆積物によって覆われる、請求項１ないし６のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項８】
光検出装置が、入口スリット（５６、７２、８６、１１０）を有し、第２のミラーが、第１のミラーから受けた光を該入口スリット上に集束するように設計される、請求項１ないし７のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項９】
光検出装置が、入口スリットを有する光学的分光分析装置（９６）であり、第２のミラーが、第１のミラーから受けた光を該入口スリット上に集束するように設計される、請求項１ないし７のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１０】
光源によって放射された光が１つ以上の紫外線成分を含む、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の光収集システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
具体的には、本発明が目的とする光収集システムは、少なくとも１つの光源によって放射された光を収集し、該収集された光を少なくとも１つの光検出装置上に集束するシステムであって、
少なくとも２つのミラー、すなわち第１のミラーと第２のミラーを備え、
第１のミラーは光源によって放射された光を収集すること及び収集された光を第２のミラー上に集束することが可能であり、第２のミラーは第１のミラーから受けた光を光検出装置上に集束することが可能であり、このシステムが増幅型且つ収差無発生型であり、そして低吸収型（吸収低減型）、特に紫外線について低吸収型であることと、
このシステムには、
−  全ての光、特に紫外線放射光に対して不透明であって、内部に光源、光検出装置、及び前記ミラーが配置されるようなチャンバ、及び
−  このチャンバ内に真空を生成するか、又はこのチャンバ内に紫外線放射光に対して透明であるガスを充填する手段が設けられていることとを特徴とする光収集システムである。
光検出装置は入口スリットを備えても備えなくてもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
ここで、図６から図１０までの例を再度検討する。
検出装置５４、７０、及び８４を用いて、多色光、特にスペクトルに１つ以上の紫外線成分が含まれる多色光を研究する場合を考える。この可能性は上記で、詳しくは光源が発光放電電池又は発光放電灯である場合に既に検討した。
本発明によれば、全ての光、特に紫外線放射光に対して不透明なチャンバが設けられ、このチャンバの内部には、計測値が乱されないように光検出装置とミラーとが配置される。このチャンバ内に真空を生成するか、又はこの該チャンバ内に紫外線放射光に対して透明なガスを充填する手段も設けられる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
この配置を図６に概略的に例示する。図６はシールされ且つ全ての光に対して不透明なチャンバ１１４を示し、その内部に、光源５２、ミラー５８、６０、及び装置５４が配置されている。このチャンバは例えば、ステンレス鋼のような金属で作られる。
紫外線放射光を吸収する水蒸気又はジオキシゲン（ｄｉｏｘｙｇｅｎ）等の全てのガスを除去できるようにこのチャンバ内に真空を生成するため、ポンピング手段１１６が設けられる。
図９及び図１０にも、チャンバ１１４及びポンピング手段１１６が概略的に示されている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年2月16日(2010.2.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶媒体に向いた平面内に配置され、高さのばらつきのあるマイクロチップ（３）の２次元アレイ、及び前記記憶媒体上へのデータの記録を可能にするよう前記マイクロチップをアドレス指定して前記マイクロチップを制御する電子的手段を有するデータ記録装置において、前記記憶媒体は、複数のセルを形成するフレーム（１）によって支持された可撓性ダイヤフラム（２）を有し、少なくとも１つのマイクロチップ（３）は、前記セルの１つ以上と対向し、前記可撓性ダイヤフラムは前記マイクロチップの高さのばらつきを補償するように局所的に変形可能であることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記マイクロチップは、ナノメートル台の寸法の頂点を有していることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記セルは、矩形であることを特徴とする請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
前記セルは、６角形であることを特徴とする請求項１又は２記載の装置。
【請求項５】
前記記憶媒体の各側に設けられたマイクロチップ（３ａ，３ｂ）の２つのアレイを有していることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項６】
前記マイクロチップの２つのアレイは、フレーム（１）のいずれか１つのセルと関連したマイクロチップ（３ａ，３ｂ）が互いに正確に対向して配置されることはないように側方にずらされていることを特徴とする請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記フレーム（１）は、内部にセルを形成するシリコン層で形成されていることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項８】
前記可撓性ダイヤフラム（２）は少なくとも、メモリの機能を実行する第１の層（１０）及び前記可撓性ダイヤフラムの剛性を増加させるよう設計された第２の層（６）を有していることを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項９】
前記第２の層（６）は、セルの形成を前記シリコン層（７）の反対面に行う前に前記シリコン層（７）に被着された非晶質炭素又はダイヤモンド様炭素の層であることを特徴とする請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記第２の層（６）には硼素又は銀がドープされていることを特徴とする請求項９記載の装置。
【請求項１１】
前記可撓性ダイヤフラムは、前記フレーム（１）に対し側方にずらされたスペーサ要素（１２，１２ａ，１２ｂ）のアレイによって分離された第１の基本ダイヤフラム（２ａ）及び第２の基本ダイヤフラム（２ｂ）から成ることを特徴とする請求項１〜１０のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項１２】
前記スペーサ要素（１２）のアレイは、中間フレーム（１２ｂ）を構成していることを特徴とする請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
前記スペーサ要素は、スタッド（１２ａ）によって形成されていることを特徴とする請求項１１記載の装置。
【請求項１４】
スペーサスタッド（１２ａ）の２次元アレイによって前記ダイヤフラム（２）から分離されていて、各セルを各々が少なくとも１つのマイクロチップ（３）と関連した複数の基本セルに細分する可撓性プレート（１３）のアレイを有していることを特徴とする請求項１〜１０のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項１５】
前記アレイを構成するマイクロチップ（３）の数は、約１０，０００個であり、セルが細分されて形成された基本セルの数は、約１００個であることを特徴とする請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
マイクロチップ（３）のアレイは、前記スペーサスタッド（１２ａ）のアレイのピッチ（Ｐ２）とは僅かに異なるピッチ（Ｐ１）を有していることを特徴とする請求項１４又は１５記載の装置。
【請求項１７】
前記フレーム（１）及びプレート（１３）は、厚さが１００μｍ〜５００μｍのシリコン層（１４）中に形成されることを特徴とする請求項１４〜１６のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項１８】
前記スペーサ要素又はスタッド（１２，１２ａ，１２ｂ）は、厚さ５０ｎｍ〜５００ｎｍの２酸化シリコン、窒化珪素又は炭素で作られていることを特徴とする請求項１１〜１７のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項１９】
前記平面に平行な方向における記憶媒体とマイクロチップアレイの相対運動を可能にする手段を有していることを特徴とする請求項１〜１８のうちいずれか一に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
図１３及び図１４に示すプレートを備えた装置の図１５〜図１８に示す製作方法によれば、フレーム１及びプレート１３は、スペーサスタッド１２ａの形成のために設計され、それ自体ダイヤフラム２に被着された厚さ１００μｍ〜５００μｍのシリコンの単一層１４中で、厚さ５０ｎｍ〜５００ｎｍの２酸化シリコン層１５上に形成される。層１５も又、窒化シリコン又は炭素で作られたものであるとよい。