【事件の表示】
　平成８年特許願第１０９１７号「半導体装置とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成９年８月５日出願公開、特開平９−２０５１３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　
　本願は、平成８年１月２５日の出願であって、平成１３年６月２９日付けでこれについて拒絶の理由が通知され、この拒絶の理由の通知に対して、平成１３年９月５日付けで明細書の発明の名称、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を補正する補正がなされ、平成１４年６月７日付けで本願について拒絶をすべき旨の査定がなされたところ、平成１４年７月１０日に拒絶査定不服の審判が請求され、その後同年８月１日に、審判請求の理由を補充する補正及び明細書の特許請求の範囲のみを補正する補正がなされ、かつその後、平成１７年５月２３日付けで審尋がなされ、これに対する回答が同年７月２２日付けでなされているものである。　
　
第２　補正の却下　
　
　平成１４年８月１日付けの明細書の特許請求の範囲を補正する補正を、以下の理由により、却下する。　
　
１　平成１４年８月１日付けの明細書の特許請求の範囲を補正する補正について　
　
　上記補正（以下「今回補正」という。）に係る特許請求の範囲の「請求項３」及び「請求項５」には、それぞれ以下のとおり記載されている。　
　
（１）「請求項３」　
　「一導電型の半導体基板上に素子形成領域上に少なくとも酸化膜及び耐酸化性膜を積層形成する工程と、　
　前記酸化膜及び耐酸化性膜上にレジスト膜を形成した後に、当該酸化膜と耐酸化性膜とレジスト膜をマスクにして一導電型の不純物をイオン注入して基板内にチャネルストッパ層形成領域を形成する工程と、
　前記レジスト膜を除去した後に前記酸化膜及び耐酸化性膜をマスクにして前記基板を選択酸化して素子分離用のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成すると共に、当該ＬＯＣＯＳ酸化膜下から素子形成領域側に広がるようにチャネルストッパ層を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」　
　
（２）「請求項５」　
　「一導電型の半導体基板上に素子形成領域上に少なくとも酸化膜及び耐酸化性膜を積層形成する工程と、　
　前記酸化膜及び耐酸化性膜上にレジスト膜を形成した後に、当該酸化膜と耐酸化性膜とレジスト膜をマスクにして一導電型の不純物をイオン注入することにより基板内にチャネルストッパ層形成領域を形成する工程と、　
　前記レジスト膜を除去した後に前記酸化膜及び耐酸化性膜をマスクにして前記基板を選択酸化して素子分離用のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成すると共に、当該ＬＯＣＯＳ酸化膜下からソース・ドレイン拡散層形成領域側の横方向に広がるようにチャネルストッパ層を形成する工程と、　
　前記ＬＯＣＯＳ酸化膜をマスクにして前記素子形成領域上の酸化膜及び耐酸化性膜を除去した後に、前記基板上を熱酸化して膜厚が７００〜１０００Åとなるゲート酸化膜を形成する工程と、　
　前記ＬＯＣＯＳ酸化膜をマスクにして基板全面にチャネルイオン注入層用としてリンイオンをイオン注入する工程と、　
　前記素子形成領域上にゲート電極を形成した後に当該ゲート電極をマスクにして逆導電型の不純物をイオン注入して逆導電型のソース・ドレイン拡散層を形成する際に、前記ソース・ドレイン拡散層形成領域側に広がるように形成されたチャネルストッパ層によりその拡散が抑制されるようにしたことで、前記ソース・ドレイン拡散層が前記チャネルストッパ層よりも浅く形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。」　
　
２　平成１３年９月５日付けの明細書の補正における特許請求の範囲の補正について　
　
　今回補正の直前の平成１３年９月５日付けの明細書の補正（以下「前回補正」という。）における特許請求の範囲の「請求項３」には、以下のとおり記載されている。　
　
　「請求項３」　
　「一導電型の半導体基板上に素子形成領域上に少なくとも酸化膜及び耐酸化性膜を積層形成する工程と、　
　前記酸化膜及び耐酸化性膜上にレジスト膜を形成した後に、当該酸化膜と耐酸化性膜とレジスト膜をマスクにして一導電型の不純物を高加速電圧でイオン注入して基板内深くにチャネルストッパ層形成領域を形成する工程と、　前記レジスト膜を除去した後に前記酸化膜及び耐酸化性膜をマスクにして前記基板を選択酸化して素子分離用のＬＯＣＯＳ酸化膜を形成すると共に、当該ＬＯＣＯＳ酸化膜下から素子形成領域側に広がるようにチャネルストッパ層を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」　
　
３　判断　
　
（１）「請求項３」について　
　請求項３の前回補正内容と今回補正内容を対比すると、今回補正は、前回補正における「一導電型の不純物を
高加速電圧で
深く
　また、今回補正は、誤記の訂正又は拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明を目的とするものでもない。　
　したがって、今回補正は特許法第１７条の２第４項の規定に違反してなされたものである。　
　
（２）「請求項５」について　
　請求項５についての今回補正は、「前記ＬＯＣＯＳ酸化膜をマスクにして基板全面にチャネルイオン注入層用として
リンイオンを
　しかしながら、本願の願書に最初に添付した明細書・図面には、ＬＯＣＯＳ酸化膜をマスクにして基板全面にチャネルイオン注入層用として
リンイオンを
　したがって、今回補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものではないから、特許法第１７条の２第３項の規定に違反してなされたものである。　
　
４　結び　
　
　以上「３」のとおりであるから、今回補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項の各規定に違反してなされたものであるから、他の補正事項について検討するまでもなく、同法１５９項第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により、却下されるべきものである。　
　
第３　本件発明について　
　
１　請求項１に係る発明及び請求項２に係る発明の認定　
　
　今回補正は上記「第２」のとおり却下された。したがって、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項５に係る各発明は、平成１３年９月５日付けの手続補正書により補正された（前回補正）明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１及び請求項２に係る各発明は、それぞれ、次のとおりのものと認める。　
　
（１）請求項１に係る発明　
　「半導体基板上に形成された素子分離膜下にチャネルストッパ層が形成されて成る半導体装置において、　
　前記チャネルストッパ層がソース・ドレイン拡散層形成領域方向に広がるように形成されていることを特徴とする半導体装置。」　
　
（２）請求項２に係る発明
　「一導電型の半導体基板上に形成された素子分離膜下にチャネルストッパ層が形成されて成る半導体装置の製造方法において、
　前記チャネルストッパ層を形成する工程が、前記基板に一導電型の不純物を高加速電圧で基板内深くにイオン注入した後に、前記基板上を選択酸化して素子分離膜を形成することで当該チャネルストッパ層をソース・ドレイン拡散層形成領域方向に広がるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」　
　
２　引用刊行物の記載事項　
　
　原査定の拒絶の理由に「引用文献２」として引用された、本願出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平１−２５３９３３号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下のとおり記載されている。　
　
（１）「この発明は……電界効果トランジスタでのナローチャネル効果…を少なくし、十分な反転電圧、パンチスルー電圧が得られる半導体装置の製造方法を提供するものである。」（第２頁右下欄１６〜２０行目・「発明が解決しようとする課題」の項）、　
　
（２）「基板の表面から注入不純物の濃度分布のピーク位置までの距離が、基板の表面からこの後の工程で形成される素子分離酸化膜の底部までの距離、つまり素子分離酸化膜18とシリコン基板11との境界領域Ａに位置するように設定された加速電圧でイオン注入している。」（第２頁右上欄９〜１４行目・「従来の技術」の項）、　
　
（３）「Ｐ型シリコン基板１上に…熱酸化膜２を形成する。つづいて上記熱酸化膜２上に…シリコン窒化膜３を堆積する……上記シリコン窒化膜３に開口部６を形成する。その後、露出した熱酸化膜２を貫通させてシリコン基板１内部に反転防止用の不純物、例えばボロン原子をイオン注入することにより不純物層７を形成する（第１図（ｂ））。このときのイオン注入の条件は加速電圧約２００ｋｅＶ、ドーズ量６×１０１２ｃｍ−２程度に設定する。これは、…基板の表面から注入不純物の濃度分布のピーク領域Ｂまでの距離が、基板の表面からこの後に形成される素子分離酸化膜の底部までの距離の２倍前後となるように設定したものである。　
　次に、上記レジスト膜４を除去した後、残存したシリコン窒化膜３をマスクとして酸化性雰囲気で熱酸化を行い、厚さ約６０００Åの素子分離酸化膜８を形成する。この熱処理によって上記不純物層７は拡散し、素子分離酸化膜８の下の基板１の領域内には反転防止層９が形成される（第１図（ｃ））。この熱酸化工程後には不純物イオン（ボロン）が拡散し、……」（第３頁右上欄１１行目〜右下欄１行目・「実施例」の項）、　
　
（４）「次に、上記シリコン窒化膜３をドライエッチング法等で除去した後、素子分離酸化膜８で囲まれた島状の素子領域にＮ型不純物拡散層10等を形成し、所望の半導体装置を製造する（（第１図（ｄ））。」（第３頁右下欄５〜９行目・「実施例」の項））、　
　
（５）「従って、電界効果トランジスタ等でのナローチャネル効果…を少なくし、しかも十分な反転電圧、パンチスルー電圧が得られるようになる。」（第４頁左上欄２〜５行目・「実施例」の項））、　
　
（６）「９…Ｐ型反転防止層」（「図面の簡単な説明」の欄）、
　
　と記載されている。　
　
（７）また、引用刊行物の図面第１図（一実施例）（ｂ）と第３図（従来）（ｂ）とを見比べると、前者においては不純物（ボロン）層７が後者の不純物（ボロン）層17よりも基板内深くに形成されていることが、明らかに見てとれる。　
　　
（８）以上を総合すると、引用刊行物には、　
　
　（ア）「Ｐ型のシリコン基板１上に形成された素子分離酸化膜８の下にＰ型反転防止層９が形成されている電界効果トランジスタ」、　
　
　（イ）「Ｐ型のシリコン基板１上に形成された素子分離酸化膜８下にＰ型反転防止層９が形成されてなる電界効果トランジスタの製造方法において、
　前記Ｐ型反転防止層９を形成する工程が、前記Ｐ型のシリコン基板１にボロンを約２００ｋｅＶの加速電圧で基板内にイオン注入した後に、前記Ｐ型のシリコン基板１上を、開口部６が形成されたシリコン窒化膜３をマスクとして酸化性雰囲気で熱酸化を行い、素子分離酸化膜８を形成することで当該Ｐ型反転防止層９を形成することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法」、　
　
という各発明（以下、それぞれ「発明（ア）」、「発明（イ）」という。）が、それぞれ記載されているものと認められる。　
　
３　対比・判断　
　
（１）本願の請求項１に係る発明と引用刊行物に記載されている発明（ア）との対比　　
　
　引用刊行物に記載されている発明（ア）における「電界効果トランジスタ」、「Ｐ型のシリコン基板１」、「素子分離酸化膜８」、「Ｐ型反転防止層９」は、それぞれ、本願の請求項１に係る発明における「半導体装置」、「半導体基板」、「素子分離膜」、「チャネルストッパ層」に相当する。　
　したがって、本願の請求項１に係る発明と引用刊行物に記載されている発明（ア）は、　
　「半導体基板上に形成された素子分離膜下にチャネルストッパ層が形成されて成る半導体装置。」　
である点で一致し、　
　本願の請求項１に係る発明では「チャネルストッパ層がソース・ドレイン拡散層形成領域方向に広がるように形成されている」ものであるのに対し、引用刊行物に記載されている発明（ア）ではこの事項が明らかでない点、　
で相違している。　
　
（２）本願の請求項１に係る発明と引用刊行物に記載されている発明（ア）との相違点についての判断　
　
　上記相違点について検討する。　
　引用刊行物に記載されている発明（ア）におけるように、「半導体基板上に形成された素子分離膜の下にチャネルストッパ層が形成されている半導体装置」にあっては、その製造に当たって、前記素子分離膜を熱処理して形成する際に、前記半導体基板内にイオン注入された不純物は上下左右のいずれの方向にも拡散しようとするが、前記素子分離膜が形成される箇所である上方向への拡散は制限されていることから、この拡散は下方向及び左右各方向に広がり、その結果、これら拡散方向に向かってチャネルストッパ層も形成されることは、当業者には自明の事項である。　
　そしてその際、当該半導体装置の特性に悪影響を及ぼすことのない範囲内において、上記不純物が当該半導体装置の形成領域、すなわち、当該半導体装置のソース・ドレイン拡散層形成領域、の方向にも拡散するようにチャネルストッパ層を形成することは、当業者が適宜なし得ることである。　
　　
（３）本願の請求項２に係る発明と引用刊行物に記載されている発明（イ）との対比　
　
　ア　引用刊行物に記載されている発明（イ）における「電界効果トランジスタ」、「Ｐ型のシリコン基板１」、「素子分離酸化膜８」、「Ｐ型反転防止層９」、「ボロン」は、それぞれ、本願の請求項２に係る発明における「半導体装置」、「一導電型の半導体基板」、「素子分離膜」、「チャネルストッパ層」、「一導電型の不純物」に相当する。　
　イ　また、前記「２（２）」（「従来の技術」の項）ではイオン注入の際の加速電圧に言及していないのに対して、前記「２（３）」（「実施例」の項）では、イオン注入の際の加速電圧が「約２００ｋｅＶ」であると明記しているのであるから、〔さらに言うならば、本願明細書には、従来はボロンイオンをおよそ４０ＫｅＶの加速電圧で注入していた（段落「０００２」・「従来の技術」の項）けれども本願発明の実施例では、ボロンイオンを「従来の加速電圧に比して高い加速電圧、例えばおよそ１６０ＫｅＶの高加速で注入して」（段落「００１１」・「発明の実施の形態」の項）と記載されているのであるから、〕ボロンの「約２００ｋｅＶ」という加速電圧は「高加速電圧」に相当する。　
　ウ　さらに、本願の請求項２に係る発明において「一導電型の不純物を…『基板内深くに』イオン注入」するということは、「一導電型の不純物を『高加速電圧で』…イオン注入」した結果として必然的にもたらされる事項を単に規定したものと認められる。　
　したがって、引用刊行物に記載されている発明（イ）においても本願の請求項２に係る「高加速電圧」に相当する「約２００ｋｅＶの加速電圧」を用いている以上、一導電型の不純物は「基板内に深く」にイオン注入されているものと認められる（さらに言うと、前記「２（７）」の事項は、一導電型の不純物が「基板内に深く」にイオン注入されているということを示すものであると認められる）。　
　エ　以上のとおりであるから、引用刊行物に記載されている発明（イ）における「Ｐ型のシリコン基板１上に形成された素子分離酸化膜８の下にＰ型反転防止層９が形成されてなる電界効果トランジスタの製造方法」、「前記Ｐ型反転防止層９を形成する工程が、前記Ｐ型のシリコン基板１にボロンを約２００ｋｅＶの加速電圧で基板内にイオン注入」すること、「前記Ｐ型のシリコン基板１上を、開口部６が形成されたシリコン窒化膜３をマスクとして酸化性雰囲気で熱酸化を行い、素子分離酸化膜８を形成することで当該Ｐ型反転防止層９を形成すること」、は、　
　それぞれ、本願の請求項２に係る発明における「一導電型の半導体基板上に形成された素子分離膜下にチャネルストッパ層が形成されて成る半導体装置の製造方法」、「前記チャネルストッパ層を形成する工程が、前記基板に一導電型の不純物を高加速電圧で基板内深くにイオン注入」すること、「前記基板上を選択酸化して素子分離膜を形成すること」に相当する。　
　オ　以上のとおりであるから、本願の請求項２に係る発明と引用刊行物に記載されている発明（イ）は、　
　「一導電型の半導体基板上に形成された素子分離膜下にチャネルストッパ層が形成されて成る半導体装置の製造方法において、　
　前記チャネルストッパ層を形成する工程が、前記基板に一導電型の不純物を高加速電圧で基板内深くにイオン注入した後に、前記基板上を選択酸化して素子分離膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」　
である点で一致し、　
　本願の請求項２に係る発明では「素子分離膜を形成することで当該チャネルストッパ層をソース・ドレイン拡散層形成領域方向に広がるように形成する」ものであるのに対し、引用刊行物に記載されている発明（イ）では「素子分離酸化膜８を形成することで当該Ｐ型反転防止層９を形成する」ものである点、　
で相違している。　
　
（４）本願の請求項２に係る発明と引用刊行物に記載されている発明（イ）との相違点についての判断　
　
　上記相違点について検討する。　
　引用刊行物に記載されている発明（イ）もまた、本願の請求項２に係る発明と同様に「一導電型の半導体基板上に形成された素子分離膜下にチャネルストッパ層が形成されて成る半導体装置の製造方法において、前記基板に一導電型の不純物を高加速電圧で基板内深くにイオン注入した後に、前記基板上を選択酸化して素子分離膜を形成すること」で当該チャネルストッパ層を形成するという工程を有するものであり、その際には、前記イオン注入された一導電型の不純物は上下左右のいずれの方向にも拡散しようとするが、当該素子分離膜が形成される箇所である上方向への拡散は制限されていることから、この拡散は下方向及び左右各方向に広がり、その結果、これら拡散方向に向かってチャネルストッパ層も形成されることは、当業者には自明の事項である。　
　そしてその際、半導体装置の特性に悪影響を及ぼすことのない範囲内において、前記一導電型の不純物が当該半導体装置の形成領域、すなわち、当該半導体装置のソース・ドレイン拡散層形成領域、の方向にも拡散するようにチャネルストッパ層を形成することは、当業者が適宜なし得ることである。　
　
第４　結び　
　
　以上のとおりであるから、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明及び請求項２に係る発明は、本願出願前に日本国内で頒布された引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。　したがって、本願の特許請求の範囲の他の請求項に係る各発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　
　
　
　よって、結論のとおり審決する。