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【手続補正書】
【提出日】平成22年11月5日(2010.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
嵩高で目の粗い不織繊維ウェブと、
研磨粒子と、
研磨粒子を不織繊維ウェブに結合させるポリウレタン結合剤であって、
少なくとも１種のカチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、フッ素化非イオン性界面活性剤、又はシリコーン系非イオン性界面活性剤と、
硬化性ウレタンプレポリマー、
アミン硬化剤、及び
式
（ＲＯ）３Ｓｉ−Ｚ−（ＮＨ−Ｚ’）ｎ−Ｚ−Ｓｉ（ＯＲ）３
（式中、
各Ｒは独立してアルキル又はアリール基を表し、
各Ｚは独立して１〜４個の炭素原子を有するアルキレン基を表し、
各Ｚ’は、１個を超えるＺ’が共有結合を表さないという条件で、独立して共有結合又は１〜４個の炭素原子を有するアルキレン基を表し、
ｎは１、２又は３である）により表される二脚状アミノシランを含む、成分の反応生成物と、を含む、ポリウレタン結合剤と、を含む、嵩高で目の粗い不織布研磨物品。
【請求項２】
嵩高で目の粗い不織布研磨物品を製作方法であって、
嵩高で目の粗い不織繊維ウェブを提供する工程と、
不織繊維ウェブに、
研磨粒子と、
硬化性ウレタンプレポリマーと、
有効量のアミン硬化剤と、
少なくとも１種のカチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、フッ素化非イオン性界面活性剤、又はシリコーン系非イオン性界面活性剤と、
式
（ＲＯ）３Ｓｉ−Ｚ−（ＮＨ−Ｚ’）ｎ−Ｚ−Ｓｉ（ＯＲ）３
（式中、
各Ｒは独立してアルキル又はアリール基を表し、
各Ｚは独立して１〜４個の炭素原子を有するアルキレン基を表し、
各Ｚ’は、１個を超えるＺ’が共有結合を表さないという条件で、独立して共有結合又は１〜４個の炭素原子を有するアルキレン基を表し、
ｎは１、２又は３である）
により表される二脚状アミノシランと、を含む、硬化性組成物を含浸させる工程と、
硬化性ウレタンプレポリマーを少なくとも部分的に硬化させて、不織布研磨物品を提供する工程と、を含む、方法。
【請求項３】
外面を有する芯部材と、
芯部材の外面に貼着された回旋状不織布研磨材であって、
芯部材の周囲にらせん状に配置され、かつ、芯部材に貼着された層状不織繊維ウェブと、
研磨粒子と、
研磨粒子を層状不織繊維ウェブに結合させ、かつ、層状不織繊維ウェブの層を互いに結合させるポリウレタン結合剤であって、
少なくとも１種のカチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、フッ素化非イオン性界面活性剤又はシリコーン系非イオン性界面活性剤と、
硬化性ウレタンプレポリマー、
アミン硬化剤、及び
式
（ＲＯ）３Ｓｉ−Ｚ−（ＮＨ−Ｚ’）ｎ−Ｚ−Ｓｉ（ＯＲ）３
（式中、
各Ｒは独立してアルキル又はアリール基を表し、
各Ｚは独立して１〜４個の炭素原子を有するアルキレン基を表し、
各Ｚ’は、１個を超えるＺ’が共有結合を表さないという条件で、独立して共有結合又は１〜４個の炭素原子を有するアルキレン基を表し、
ｎは１、２又は３である）により表される二脚状アミノシラン、を含む、成分の反応生成物と、を含む、ポリウレタン結合剤と、を含む、回旋状不織布研磨材と、を含む、回旋状砥石車。
【請求項４】
回旋状砥石車の製作方法であって、
繊維ウェブに、
硬化性ポリウレタンプレポリマーと、
研磨粒子と、
有効量のアミン硬化剤と、
少なくとも１種のカチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、フッ素化非イオン性界面活性剤、又はシリコーン系非イオン性界面活性剤と、
式
（ＲＯ）３Ｓｉ−Ｚ−（ＮＨ−Ｚ’）ｎ−Ｚ−Ｓｉ（ＯＲ）３
（式中、
各Ｒは独立してアルキル又はアリール基を表し、
各Ｚは独立して１〜４個の炭素原子を有するアルキレン基を表し、
各Ｚ’は、１個を超えるＺ’が共有結合を表さないという条件で、独立して共有結合又は１〜４個の炭素原子を有するアルキレン基を表し、
ｎは１、２又は３である）により表される二脚状アミノシランと、を含む、硬化性組成物を含浸させる工程と、
芯部材の周囲に含浸した繊維ウェブをらせん状に巻き付けて、硬化性プリフォームを成形する工程と、
硬化性プリフォームを硬化させて、回旋状砥石車を提供する工程と、を含む、方法。
【請求項５】
中空の軸芯を有する円筒を形成する不織繊維ウェブのディスクと、
研磨粒子と、
研磨粒子を不織繊維ウェブの層に結合させ、かつ、不織繊維ウェブの層を互いに結合させるポリウレタン結合剤であって、
少なくとも１種のカチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、フッ素化非イオン性界面活性剤、又はシリコーン系非イオン性界面活性剤と、
硬化性ウレタンプレポリマー、
アミン硬化剤、及び
式
（ＲＯ）３Ｓｉ−Ｚ−（ＮＨ−Ｚ’）ｎ−Ｚ−Ｓｉ（ＯＲ）３
（式中、
各Ｒは独立してアルキル又はアリール基を表し、
各Ｚは独立して１〜４個の炭素原子を有するアルキレン基を表し、
各Ｚ’は、１個を超えるＺ’が共有結合を表さないという条件で、独立して共有結合又は１〜４個の炭素原子を有するアルキレン基を表し、
ｎは１、２又は３である）により表される二脚状アミノシラン、を含む、成分の反応生成物と、を含む、ポリウレタン結合剤と、を含む、一体型砥石車。
【請求項６】
中空の軸芯を有する一体型砥石車の製作方法であって、
硬化性ポリウレタンプレポリマーと、
研磨粒子と、
有効量のアミン硬化剤と、
少なくとも１種のカチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、フッ素化非イオン性界面活性剤、又はシリコーン系非イオン性界面活性剤と
式
（ＲＯ）３Ｓｉ−Ｚ−（ＮＨ−Ｚ’）ｎ−Ｚ−Ｓｉ（ＯＲ）３
（式中、
各Ｒは独立してアルキル又はアリール基を表し、
各Ｚは独立して１〜４個の炭素原子を有するアルキレン基を表し、
各Ｚ’は、１個を超えるＺ’が共有結合を表さないという条件で、独立して共有結合又は１〜４個の炭素原子を有するアルキレン基を表し、
ｎは１、２又は３である）により表される二脚状アミノシランと、を含む、硬化性組成物を含浸させた不織繊維ウェブの層を提供する工程と、
硬化性組成物を含浸させた不織繊維ウェブの層を圧縮して、硬化性プリフォームを提供する工程と、
硬化性プリフォームを硬化させて、硬化したプリフォームを提供する工程と、
硬化したプリフォームを一体型砥石車に成形する工程と、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月29日(2010.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）ピッチアクティビティ１１６〜１１９に関係のある風力タービンの運転条件またはパラメータのうちの少なくとも１つを決定するステップと、
ｂ）少なくとも前記運転条件または前記ピッチアクティビティパラメータ１１６〜１１９に応じて潤滑が必要とされるかどうかを決定するステップと、
ｃ）ステップｂ）の前記決定が肯定的な場合にピッチブレードの軸受の潤滑を実行するステップと
を含む、風力タービンのピッチブレードの軸受を動的に潤滑する方法。
【請求項２】
ステップｂ）の前記決定が肯定的な場合に潤滑モードを選択するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
潤滑モードが、少なくとも風力タービンの運転条件またはピッチアクティビティ１１６〜１１９に応じてある時間中ずっとグリースを注入するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
潤滑モードが、グリース注入中ずっと前記風力タービンの前記ブレードを回転させるステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記運転条件が、風力タービンの運転現場および風速から選択される前記パラメータのうちの少なくとも１つまたは複数を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ピッチアクティビティに関係のある前記パラメータが、前記風力タービンのピッチブレード機構によるブレード回転および前記風力タービンが作動している前記時間から選択される前記パラメータのうちの少なくとも１つまたは複数を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ピッチアクティビティに関係のあるパラメータが、少なくともカウンタ１１０〜１１３によって決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
風力タービンの運転条件を決定する手段と、ピッチアクティビティに関係のあるパラメータを決定する手段と、運転条件およびピッチアクティビティパラメータ１１６〜１１９に応じて潤滑が必要とされるかどうかを決定する風力タービンの主制御装置１００と、潤滑が必要とされる場合に前記ピッチブレードの軸受の潤滑を実行する手段とを備える、風力タービンのピッチブレードの軸受を動的に潤滑する装置。
【請求項９】
リザーバからグリースを押し出す少なくとも１つのポンプ１３０と、前記ピッチブレードの軸受の潤滑すべき箇所１３９および１４０にグリースを吐出する前記ポンプ１３０に連結される少なくとも１つの分配器１３７および分配器１３８とをさらに備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
少なくとも最小量の前記グリースが前記リザーバに存在することを感知する手段をさらに備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記ポンプの下流のグリース遮断を検出する手段をさらに備える、請求項１０に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月28日(2010.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒（ｒ、Ｑ、ｚ）または直交（ｘ、ｙ、ｚ）座標系において規定される少なくとも１つの永久磁石（１）と、少なくとも２つの磁気感応素子（２、３）とを備え、前記少なくとも１つの永久磁石（１）は前記２つの磁気感応素子（２、３）に対して移動可能な磁気式角度または直線位置センサであって、
前記少なくとも１つの永久磁石（１）は少なくとも、非定常関数として変化する寸法を有し、前記少なくとも１つの永久磁石（１）の磁化は、直交座標系において規定される磁石の場合にはｘ、ｙ、またはｚに、あるいは円筒座標系において規定される磁石の場合にはｒ、Ｑ、またはｚにおいて単一方向に向けられ、
前記寸法は、連続的な法則に従う実質的に正弦関数として変化することを特徴とする磁気式角度または直線位置センサ。
【請求項２】
前記磁気感応素子が、磁界の２つの成分を同じ箇所で測定することを特徴とする請求項１に記載の磁気式直線または角度位置センサ。
【請求項３】
位置の計算が、磁界の２つの成分の比率の計算または同じ比率の逆正接の計算によって行なわれることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気式直線または角度位置センサ。
【請求項４】
位置の計算が、考慮する磁界の２つの成分の比率に乗算係数を施した後で磁界の２つの成分の比率の逆正接を計算することによって行なわれることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の磁気式直線または角度位置センサ。
【請求項５】
磁界における２つの成分の比率の計算およびこの比率の逆正接の計算の少なくとも何れか一つが、専用の電子部品によって行なわれることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の磁気式直線または角度位置センサ。
【請求項６】
磁界の２つの成分の比率の計算素子およびこの比率の逆正接の計算の少なくとも何れか一つが、単一構成要素内の磁気感応素子によって統合されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の磁気式直線または角度位置センサ。
【請求項７】
前記少なくとも１つの永久磁石はその幅に従って磁化されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の磁気式直線または角度位置センサ。
【請求項８】
前記少なくとも１つの永久磁石はその厚みに従って磁化されていることを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載の磁気式直線または角度位置センサ。
【請求項９】
前記少なくとも１つの永久磁石はその長さに沿って磁化されていることを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載の磁気式直線または角度位置センサ。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの永久磁石が強磁性体ヨークに取り付けられおよび／または埋め込まれていることを特徴とする請求項１〜９の何れか一項に記載の磁気式直線または角度位置センサ。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの永久磁石がその厚みに従って磁化され、位置の計算が、接線方向Ｂｔ成分および径方向Ｂｒ成分または軸方向Ｂｚ成分を同じ箇所で測定することによって、かつ逆正接（ゲインＢｔ／Ｂｒ−オフセット）または逆正接（ゲインＢｔ／Ｂｚ−オフセット）を計算することによって得られることを特徴とする請求項１〜１０の何れか一項に記載の３６０°未満の移動範囲に対する角度位置センサ。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの永久磁石が厚みに従ってまたは径方向にもしくは接線方向に磁化され、かつ位置の計算が、θ１およびθ２だけオフセットされた３つの箇所で同じ接線方向Ｂｔ成分、または径方向Ｂｒ成分、あるいは軸方向Ｂｚ成分を測定することによって、かつ以下の等式系
Ｂ１＝振幅＊Ｃｏｓ（角度）＋オフセット
Ｂ２＝振幅＊Ｃｏｓ（角度＋θ１）＋オフセット
Ｂ３＝振幅＊Ｃｏｓ（角度＋θ２）＋オフセット
の解によって得られる角度位置を計算することによって得られることを特徴とする請求項１〜１１の何れか一項に記載の３６０°以下の移動範囲のための角度位置センサ。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの永久磁石は２つであり、前記２つの磁気感応素子が、軸方向に積層されて厚みが実質的に正弦関数として変化する前記２つの永久磁石の中間に位置する同じ箇所において磁束密度の２つの成分を測定することを特徴とする３６０°未満の移動範囲のための請求項１に記載の角度位置センサ。
【請求項１４】
２つの永久磁石が互いに角度的にずれていることを特徴とする請求項１〜１３の何れか一項に記載の３６０°付近の移動範囲のための角度位置センサ。
【請求項１５】
システムが外部磁界外装デバイスを組み込むことを特徴とする請求項１〜１４の何れか一項に記載の磁気式位置センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月7日(2010.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも1つの平面結晶性分子の原子構造を決定する方法であって：
少なくとも1つの平面結晶性分子の電子回折パターンを取得する手順；
前記電子回折パターンのうちの少なくとも1つの校正不要な特性を用いることによって、前記原子構造の少なくとも1つの特徴、及び/又は原子構造の範囲を計算する手順；並びに
前記電子ビームに対する前記平面結晶性分子の傾き角の効果を補正する手順；
を有する方法。
【請求項２】
前記回折パターンは、透過型電子顕微鏡を用いることによって、少なくとも1つの平面結晶性分子の試料から得られる、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも1つの平面結晶性分子はナノチューブを有する、請求項1-2のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも1つの分子はカーボンナノチューブ及び/又はカーボンナノ突起である、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記平面結晶性分子の結晶構造及び/又は結晶配向は、少なくとも2つの数学的に独立したパラメータによって一意的に特定される、請求項1-4のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記ナノチューブ又はナノ突起ベースの分子を一意的に特定する数学的パラメータはカイラル指数である、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記回折パターンの校正不要な特性は、層の線に沿った回折強度の擬周期性、及び/又は少なくとも2対の層の線間の間隔、及び/又は層の線に沿った回折強度における第1対の最小値間の間隔、及び/又は層の線に沿った回折強度における第1対の最大値間の間隔、及び/又は層の線の強度曲線下の面積、及び/又は回折層の群の下限、及び/又は回折層の群の上限、及び/又は回折層でのギャップの下限、及び/又は回折層でのギャップの上限である、請求項1-6のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも1つの校正不要な特性は、少なくとも1つの無次元化する校正不要な特性で割ることで無次元化される、請求項1-7のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記カイラル指数は、少なくとも2つの無次元化される校正不要な特性を、傾き補正されていないカイラル指数に関連づける少なくとも2つの結合した方程式を同時に解くことによって決定される、請求項6に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも2つの無次元化される校正不要な特性は、直径ではない層の線と直径層の線との間の間隔であり、かつ、
前記無次元化する校正不要な特性は前記直径層の線に沿った回折強度の擬周期性である、
請求項1-9のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記傾き補正されていないカイラル指数は、前記傾き補正されたカイラル指数を、平面結晶性分子の壁の蜂の巣格子構造に基づいて指数付けされた少なくとも2つの六角形の頂点に対応する少なくとも2つのベッセル関数の次数に関連づける少なくとも2つの結合した代数方程式を同時に解くことによって、決定される、請求項1-10のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
所与の層の線からの信号強度の変化を表す各ベッセル関数の次数は、少なくとも1つの無次元化される校正不要な特性から決定される、請求項1-11のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記無次元化される校正不要な特性は、少なくとも1つの直径ではない層の線に沿った回折強度における第1対の最大値間の間隔であり、かつ、
前記無次元化する校正不要な特性は、前記少なくとも1つの直径ではない層と同一の層の線に沿った回折強度の擬周期性である、
請求項1-12のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記傾き補正されていないカイラル指数は傾き補正される、請求項1-13のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記傾き補正は、前記傾き補正されていないカイラル指数を、該指数よりも小さな整数のうちで最も近いものに切り捨てることによって実現される、請求項1-14のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
結晶性平面分子の束中でのカイラル角の上限又は下限は、前記回折層の群の下限、及び/又は前記回折層の群の上限に対する回折層の群におけるギャップの下限、及び/又は前記回折層の群におけるギャップの上限を無次元化して、かつ、前記無次元化される下限を分子のカイラル角に関連づける方程式を解いて、前記束内に存在する最大及び/又は最小カイラル角を決定することによって、決定される、請求項1-15のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも1つの平面結晶性分子の原子構造を決定するコンピュータプログラムであって、データ処理装置上で実行されるときに：
少なくとも1つの平面結晶性分子の電子回折パターンを取得する手順；
前記電子回折パターンのうちの少なくとも1つの校正不要な特性を用いることによって、前記原子構造の少なくとも1つの特徴、及び/又は原子構造の範囲を計算する手順；並びに
前記電子ビームに対する前記平面結晶性分子の傾き角の効果を補正する手順；
を実行するように備えられているコンピュータプログラム。
【請求項１８】
少なくとも1つの平面結晶性分子の原子構造を決定する装置であって：
少なくとも1つの平面結晶性分子の電子回折パターンを取得する手段；
前記電子回折パターンのうちの少なくとも1つの校正不要な特性を用いることによって、前記原子構造の少なくとも1つの特徴、及び/又は原子構造の範囲を計算する手段；並びに
前記電子ビームに対する前記平面結晶性分子の傾き角の効果を補正する手段；
を有する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月15日(2010.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
ばね圧縮が事前に定められた長さに達したときにＬXを固定する手段が作用させられる、請求項１２または１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月8日(2010.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ
【化１】
2010511043.tif 000001
（式中、ＡｒはＣ６〜Ｃ２０アリーレンラジカルであり、ｎおよびｍはそれぞれ独立してゼロではない値であり、そしてｎ＋ｍは８以下である）
の構造で一般に記載されるヒドロキシ芳香族酸の製造方法であって、
（ａ）式ＩＩ
【化２】
2010511043.tif 000002
（式中、各Ｘは独立して、Ｃｌ、ＢｒまたはＩであり、そしてＡｒ、ｎおよびｍは上述の通りである）
の構造で一般に記載されるハロゲン化芳香族酸を水中で塩基と接触させて水中で前記ハロゲン化芳香族酸の相当するｍ−塩基性塩をそれから形成する工程と、
（ｂ）前記ハロゲン化芳香族酸のｍ−塩基性塩を水中で塩基と、および銅に配位するアミン配位子の存在下に銅源と接触させて、少なくとも８の溶液ｐＨでヒドロキシ芳香族酸のｍ−塩基性塩を前記ハロゲン化芳香族酸のｍ−塩基性塩から形成する工程であって、前記配位子のモル当量対ヒドロキシ芳香族酸のモル当量の比が０．１以下であり、そして前記配位子が、それがテトラアミンであるとき、少なくとも１つの第一級または第二級アミノ基を含む工程と、
（ｃ）場合により、前記ヒドロキシ芳香族酸のｍ−塩基性塩を、それが生じている反応混合物から分離する工程と、
（ｄ）前記ヒドロキシ芳香族酸のｍ−塩基性塩を酸と接触させてｎ−ヒドロキシ芳香族酸をそれから形成する工程と
を含む方法。
【請求項２】
工程（ａ）において、ハロゲン化芳香族酸を、ハロゲン化芳香族酸の１当量当たり少なくとも２規定当量の水溶性塩基と接触させる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ｂ）において、ハロゲン化芳香族酸のｍ−塩基性塩を、前記ハロゲン化芳香族酸のｍ−塩基性塩の１当量当たり少なくとも２規定当量の水溶性塩基と接触させる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
工程（ａ）および（ｂ）において、ハロゲン化芳香族酸の１当量当たり合計ｎ＋ｍ＋１規定当量の水溶性塩基を、反応混合物に加える請求項１に記載の方法。
【請求項５】
銅源がＣｕ（０）、Ｃｕ（Ｉ）塩、Ｃｕ（ＩＩ）塩、またはそれらの混合物を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
銅源がＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、Ｃｕ２ＳＯ４、ＣｕＮＯ３、ＣｕＣｌ２、ＣｕＢｒ２、ＣｕＩ２、ＣｕＳＯ４、Ｃｕ（ＮＯ３）２、およびそれらの混合物からなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
配位子がモノアミン、ジアミン、トリアミンまたはテトラアミンを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
銅源がＣｕＢｒを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
銅がハロゲン化芳香族酸のモルを基準として０．１〜５モル％の量で提供される請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
配位子が銅の１モル当たり１〜２モル当量の量で提供される請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
ｎ−ヒドロキシ芳香族酸をｎ−アルコキシ芳香族酸に転化する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ｎ−ヒドロキシ芳香族酸を、式Ｒ９Ｒ１０ＳＯ４（式中、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立して、置換または非置換Ｃ１-１０アルキル基である）のジアルキル硫酸と塩基性条
件下に接触させる請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ｎ−ヒドロキシ芳香族酸を、それから化合物、モノマー、オリゴマーまたはポリマーが製造される反応に供する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
製造されたポリマーがピリドビスイミダゾール−２，６−ジイル（２，５−ジヒドロキシ−ｐ−フェニレン）ポリマーを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ｎ−アルコキシ芳香族酸を、それから化合物、モノマー、オリゴマーまたはポリマーが製造される反応に供する工程をさらに含む請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月8日(2010.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）式ＩＩＩ
【化１】
2010511042.tif 000001
（式中、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩである）
で一般に記載されるような、２，５−ジハロテレフタル酸を水中で塩基と接触させて前記２，５−ジハロテレフタル酸の相当する二塩基性塩をそれから形成する工程と、
（ｂ）前記２，５−ジハロテレフタル酸の二塩基性塩を水中で塩基と、および銅に配位する配位子の存在下に銅源と接触させて少なくとも８の溶液ｐＨで２，５−ジヒドロキシテレフタル酸の二塩基性塩を前記２，５−ジハロテレフタル酸の二塩基性塩から形成する工程であって、前記配位子が、アミン窒素とカルボキシル炭素とが２個以下の炭素原子で分離されているアミノ酸を含む工程と、
（ｃ）場合により、前記２，５−ジヒドロキシテレフタル酸の二塩基性塩を、それが生じている反応混合物から分離する工程と、
（ｄ）前記２，５−ジヒドロキシテレフタル酸の二塩基性塩を酸と接触させて２，５−ジヒドロキシテレフタル酸をそれから形成する工程と
を含む２，５−ジヒドロキシテレフタル酸の製造方法。
【請求項２】
工程（ａ）において、２，５−ジハロテレフタル酸を、前記２，５−ジハロテレフタル酸の１当量当たり少なくとも２規定当量の水溶性塩基と接触させる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ｂ）において、２，５−ジハロテレフタル酸の二塩基性塩を、前記２，５−ジハ
ロテレフタル酸の二塩基性塩の１当量当たり少なくとも２規定当量の水溶性塩基と接触させる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
工程（ａ）および（ｂ）において、２，５−ジハロテレフタル酸の１当量当たり合計４〜５の規定当量の水溶性塩基を、反応混合物に加える請求項１に記載の方法。
【請求項５】
銅源がＣｕ（０）、Ｃｕ（Ｉ）塩、Ｃｕ（ＩＩ）塩、またはそれらの混合物を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
銅源がＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、Ｃｕ２ＳＯ４、ＣｕＮＯ３、ＣｕＣｌ２、ＣｕＢｒ２、ＣｕＩ２、ＣｕＳＯ４、Ｃｕ（ＮＯ３）２、およびそれらの混合物からなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
配位子がα−アミノ酸である請求項１に記載の方法。
【請求項８】
銅源がＣｕＢｒを含み、配位子がバリン、プロリン、またはアントラニル酸を含み、前記配位子が銅の１モル当たり２モル当量の量で提供され、そして前記ＣｕＢｒを水および空気の存在下に前記配位子と組み合わせる請求項１に記載の方法。
【請求項９】
銅が２，５−ジハロテレフタル酸のモルを基準として０．１〜５モル％の量で提供される請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
配位子が銅の１モル当たり１〜１０モル当量の量で提供される請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
２，５−ジヒドロキシテレフタル酸を２，５−ジアルコキシテレフタル酸に転化する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
２，５−ジヒドロキシテレフタル酸を、式Ｒ９Ｒ１０ＳＯ４（式中、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立して、置換または非置換Ｃ１-１０アルキル基である）のジアルキル硫酸
と塩基性条件下に接触させる請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
２，５−ジヒドロキシテレフタル酸を、それから化合物、モノマー、オリゴマーまたはポリマーが製造される反応に供する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
製造されたポリマーがピリドビスイミダゾール−２，６−ジイル（２，５−ジヒドロキシ−ｐ−フェニレン）ポリマーを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
２，５−ジアルコキシテレフタル酸を、それから化合物、モノマー、オリゴマーまたはポリマーが製造される反応に供する工程をさらに含む請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月8日(2010.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）式ＩＩＩ
【化１】
2010511047.tif 000001
（式中、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩである）
で一般に記載されるような、２，５−ジハロテレフタル酸を水中で塩基と接触させて、２，５−ジハロテレフタル酸の相当する二塩基性塩をそれから形成する工程と、
（ｂ）前記２，５−ジハロテレフタル酸の二塩基性塩を水中で塩基と、および銅に配位する配位子の存在下に銅源と接触させて少なくとも８の溶液ｐＨで２，５−ジヒドロキシテレフタル酸の二塩基性塩を前記２，５−ジハロテレフタル酸の二塩基性塩から形成する工程であって、前記配位子が、シッフ塩基を含む工程と、
（ｃ）場合により、前記２，５−ジヒドロキシテレフタル酸の二塩基性塩を、それが生じている反応混合物から分離する工程と、
（ｄ）前記２，５−ジヒドロキシテレフタル酸の二塩基性塩を酸と接触させて２，５−ジヒドロキシテレフタル酸をそれから形成する工程と
を含む２，５−ジヒドロキシテレフタル酸の製造方法。
【請求項２】
工程（ａ）において、２，５−ジハロテレフタル酸を、前記２，５−ジハロテレフタル酸の１当量当たり少なくとも２規定当量の水溶性塩基と接触させる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ｂ）において、２，５−ジハロテレフタル酸の二塩基性塩を、前記２，５−ジハロテレフタル酸の二塩基性塩の１当量当たり少なくとも２規定当量の水溶性塩基と接触さ
せる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
工程（ａ）および（ｂ）において、２，５−ジハロテレフタル酸の１当量当たり合計４〜５の規定当量の水溶性塩基を、反応混合物に加える請求項１に記載の方法。
【請求項５】
銅源がＣｕ（０）、Ｃｕ（Ｉ）塩、Ｃｕ（ＩＩ）塩、またはそれらの混合物を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
配位子が次式ＩＶ：
【化２】
2010511047.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立して、置換および非置換Ｃ１〜Ｃ１６のｎ−アルキル、イソ−アルキルおよび第三アルキル基；ならびに置換および非置換Ｃ６〜Ｃ３０アリールおよびヘテロアリール基から選択される）
で一般に記載される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
配位子が次式Ｖ
【化３】
2010511047.tif 000003
（式中、Ａは、
【化４】
2010511047.tif 000004
からなる群から選択され、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立して、置換および非置換Ｃ１〜Ｃ１６のｎ−アルキル、イソ−アルキルおよび第三アルキル基、ならびに置換および非置換Ｃ６〜Ｃ３０アリールおよびヘテロアリール基から選択され、
Ｒ５は、Ｈ、置換および非置換Ｃ１〜Ｃ１６のｎ−アルキル、イソ−アルキルおよび第三アルキル基、ならびに置換および非置換Ｃ６〜Ｃ３０アリールおよびヘテロアリール基、ならびにハロゲンから選択され、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９はそれぞれ独立して、Ｈまたは置換もしくは非置換Ｃ１〜Ｃ１６のｎ−アルキル、イソ−アルキルもしくは第三アルキル基から選択され、そして
ｎ＝０または１である）
で一般に記載される請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ｎ＝０であるか、またはＲ３およびＲ４が一緒になって２つの窒素原子に結合したＣＨ３−Ｃ−Ｃ−ＣＨ３部分を形成する請求項７に記載の方法。
【請求項９】
銅が２，５−ジハロテレフタル酸のモルを基準として０．１〜５モル％の量で提供される請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
配位子が銅の１モル当たり１〜２モル当量の量で提供される請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
２，５−ジヒドロキシテレフタル酸を２，５−ジアルコキシテレフタル酸に転化する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
２，５−ジヒドロキシテレフタル酸を、式Ｒ９Ｒ１０ＳＯ４（式中、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立して、置換または非置換Ｃ１-１０アルキル基である）のジアルキル硫酸
と塩基性条件下に接触させる請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
２，５−ジヒドロキシテレフタル酸を、それから化合物、モノマー、オリゴマーまたはポリマーが製造される反応に供する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
製造されたポリマーがピリドビスイミダゾール−２，６−ジイル（２，５−ジヒドロキシ−ｐ−フェニレン）ポリマーを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
２，５−ジアルコキシテレフタル酸を、それから化合物、モノマー、オリゴマーまたはポリマーが製造される反応に供する工程をさらに含む請求項１１に記載の方法
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月8日(2010.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２，５−ジヒドロキシテレフタル酸の製造方法であって、
（ａ）式ＩＩＩ
【化１】
2010511044.tif 000001
（式中、Ｘが、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩである）
によって一般に表されるような２，５−ジハロテレフタル酸を水中で塩基と接触させて、それから前記２，５−ジハロテレフタル酸の対応する二塩基性塩を形成する工程と；
（ｂ）前記２，５−ジハロテレフタル酸の二塩基性塩を、水中で塩基と、および銅に配位するアミン配位子の存在下で銅源と接触させて、少なくとも８の溶液ｐＨにおいて、前記２，５−ジハロテレフタル酸の二塩基性塩から２，５−ジヒドロキシテレフタル酸の二塩基性塩を形成する工程であって；前記配位子が、テトラアミンである場合、少なくとも１つの第１級または第２級アミノ基を含む工程と；
（ｃ）任意選択的に、形成された反応混合物から前記２，５−ジヒドロキシテレフタル酸の二塩基性塩を分離する工程と；
（ｄ）前記２，５−ジヒドロキシテレフタル酸の二塩基性塩を酸と接触させて、それから２，５−ジヒドロキシテレフタル酸を形成する工程と
を含む方法。
【請求項２】
工程（ａ）において、２，５−ジハロテレフタル酸を、前記２，５−ジハロテレフタル酸の当量当たり少なくとも２規定当量の水溶性塩基と接触させる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ｂ）において、２，５−ジハロテレフタル酸の二塩基性塩を、前記２，５−ジハロテレフタル酸の二塩基性塩の当量当たり少なくとも２規定当量の水溶性塩基と接触させる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
工程（ａ）および（ｂ）において、２，５−ジハロテレフタル酸の当量当たり合計で４〜５規定当量の水溶性塩基を、反応混合物に加える請求項１に記載の方法。
【請求項５】
銅源が、Ｃｕ（０）、Ｃｕ（Ｉ）塩、Ｃｕ（ＩＩ）塩、またはそれらの混合物を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
銅源が、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、Ｃｕ２ＳＯ４、ＣｕＮＯ３、ＣｕＣｌ２、ＣｕＢｒ２、ＣｕＩ２、ＣｕＳＯ４、Ｃｕ（ＮＯ３）２、およびそれらの混合物からなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
配位子が、モノアミン、ジアミン、トリアミンまたはテトラアミンを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
銅源がＣｕＢｒを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
銅が、２，５−ジハロテレフタル酸のモルを基準にして０．１〜５ｍｏｌ％の量で提供される請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
配位子が、銅１モル当たり１〜２モル当量の量で提供される請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
２，５−ジヒドロキシテレフタル酸を２，５−ジアルコキシテレフタル酸に変換する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
２，５−ジヒドロキシテレフタル酸を、塩基性条件下で、式Ｒ９Ｒ１０ＳＯ４（式中、Ｒ９およびＲ１０が、それぞれ独立して、置換または非置換のＣ１-１０アルキル基であ
る）の硫酸ジアルキルと接触させる請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
２，５−ジヒドロキシテレフタル酸を反応させて、それから化合物、モノマー、オリゴマーまたはポリマーを製造する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
製造されたポリマーが、ピリドビスイミダゾール−２，６−ジイル（２，５−ジヒドロキシ−ｐ−フェニレン）ポリマーを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
２，５−ジアルコキシテレフタル酸を反応させて、それから化合物、モノマー、オリゴマーまたはポリマーを製造する工程をさらに含む請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月8日(2010.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）式ＩＩＩ
【化１】
2010511048.tif 000001
（式中、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩである）
で一般に記載されるような、２，５−ジハロテレフタル酸を水中で塩基と接触させて前記２，５−ジハロテレフタル酸の相当する二塩基性塩をそれから形成する工程と、
（ｂ）前記２，５−ジハロテレフタル酸の二塩基性塩を水中で塩基と、および銅に配位する配位子の存在下に銅源と接触させて、少なくとも８の溶液ｐＨで２，５−ジヒドロキシテレフタル酸の二塩基性塩を前記２，５−ジハロテレフタル酸の二塩基性塩から形成する工程であって、前記配位子が式ＩＶ
【化２】
2010511048.tif 000002
（式中、Ａは、
【化３】
2010511048.tif 000003
であり、
Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、置換および非置換Ｃ１〜Ｃ１６のｎ−アルキル、イソ−アルキルおよび第三アルキル基；ならびに置換および非置換Ｃ６〜Ｃ３０アリールおよびヘテロアリール基から選択され、
Ｒ３は、Ｈ；置換および非置換Ｃ１〜Ｃ１６のｎ−アルキル、イソ−アルキルおよび第三アルキル基；置換および非置換Ｃ６〜Ｃ３０アリールおよびヘテロアリール基；ならびにハロゲンから選択され、
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７はそれぞれ独立して、Ｈまたは置換もしくは非置換Ｃ１〜Ｃ１６のｎ−アルキル、イソ−アルキルもしくは第三アルキル基であり、そして
ｎ＝０または１である）
で一般に記載されるジケトンを含む工程と、
（ｃ）場合により、前記２，５−ジヒドロキシテレフタル酸の二塩基性塩を、それが生じている反応混合物から分離する工程と、
（ｄ）前記２，５−ジヒドロキシテレフタル酸の二塩基性塩を酸と接触させて２，５−ジヒドロキシテレフタル酸をそれから形成する工程と
を含む２，５−ジヒドロキシテレフタル酸の製造方法。
【請求項２】
工程（ａ）において、２，５−ジハロテレフタル酸を、前記２，５−ジハロテレフタル酸の１当量当たり少なくとも２規定当量の水溶性塩基と接触させる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ｂ）において、２，５−ジハロテレフタル酸の二塩基性塩を、前記２，５−ジハロテレフタル酸の二塩基性塩の１当量当たり少なくとも２規定当量の水溶性塩基と接触させる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
工程（ａ）および（ｂ）において、２，５−ジハロテレフタル酸の１当量当たり合計４〜５の規定当量の水溶性塩基を、反応混合物に加える請求項１に記載の方法。
【請求項５】
銅源がＣｕ（０）、Ｃｕ（Ｉ）塩、Ｃｕ（ＩＩ）塩、またはそれらの混合物を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
銅源がＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、Ｃｕ２ＳＯ４、ＣｕＮＯ３、ＣｕＣｌ２、ＣｕＢｒ２、ＣｕＩ２、ＣｕＳＯ４、Ｃｕ（ＮＯ３）２、およびそれらの混合物からなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
Ｒ３がＨである請求項１に記載の方法。
【請求項８】
配位子が２，４−ペンタンジオン、２，３−ペンタンジオンまたは２，２’，６，６’−テトラメチルヘプタンジオン−３，５（下に示されるような）である請求項１に記載の方法。
【化４】
2010511048.tif 000004
【請求項９】
銅が２，５−ジハロテレフタル酸のモルを基準として０．１〜５モル％の量で提供される請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
配位子が銅の１モル当たり１〜２モル当量の量で提供される請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
２，５−ジヒドロキシテレフタル酸を２，５−ジアルコキシテレフタル酸に転化する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
２，５−ジヒドロキシテレフタル酸を、式Ｒ９Ｒ１０ＳＯ４（式中、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立して、置換または非置換Ｃ１-１０アルキル基である）のジアルキル硫酸
と塩基性条件下に接触させる請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
２，５−ジヒドロキシテレフタル酸を、それから化合物、モノマー、オリゴマーまたはポリマーが製造される反応に供する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
製造されたポリマーがピリドビスイミダゾール−２，６−ジイル（２，５−ジヒドロキシ−ｐ−フェニレン）ポリマーを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
２，５−ジアルコキシテレフタル酸を、それから化合物、モノマー、オリゴマーまたはポリマーが製造される反応に供する工程をさらに含む請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月7日(2010.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デング熱ウイルスに対する免疫付与のためのワクチン組成物であって、
（ａ）ＶＤＶ１株およびＶＤＶ２株からなる群より選択される、デング熱の第一血清型に対するワクチンウイルスを含む一価ワクチン、
（ｂ）デング熱の４種の血清型に対するワクチンウイルスを含む四価ワクチンを含み、該四価ワクチンは、一価ワクチンの投与の少なくとも３０日後、最長で１２ヶ月後に投与される、ワクチン組成物。
【請求項２】
四価ワクチンに用いられるワクチンウイルスがＣｈｉｍｅｒｉｖａｘ（商標）ＤＥＮ−１、２、３および４である、請求項１に記載のワクチン組成物。
【請求項３】
血清型１、２、３および４のデング熱ワクチンウイルスの量が１０３から１０６ＣＣＩＤ５０の範囲内である、請求項１または２に記載のワクチン組成物。
【請求項４】
一価ワクチンがＶＤＶ１またはＶＤＶ２を１０４ＣＣＩＤ５０含み、四価ワクチンがＣｈｉｍｅｒｉｖａｘ（商標）ＤＥＮ−１、２、３および４を１０５ＣＣＩＤ５０含む、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のワクチン組成物。
【請求項５】
一価ワクチンがＶＤＶ１またはＶＤＶ２を１０４ＣＣＩＤ５０含み、かつ四価ワクチンがＣｈｉｍｅｒｉｖａｘ（商標）ＤＥＮ−１、２、３を１０５ＣＣＩＤ５０およびＣｈｉｍｅｒｉｖａｘ（商標）ＤＥＮ−４を１０３ＣＣＩＤ５０含む、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のワクチン組成物。
【請求項６】
第二投与（ｂ）が第一投与（ａ）の３０日後から６０日後までに行われる、請求項１ないし５のいずれか一項に記載のワクチン組成物。
【請求項７】
少なくとも、
（ａ）ＶＤＶ１株およびＶＤＶ２株からなる群より選択される、デング熱の第一血清型のワクチンウイルスを含む一価ワクチンが入った第一容器、
（ｂ）デング熱の４種の血清型に対するワクチンウイルスを含む四価ワクチンが入った第二容器、
を含む箱を含む、デング熱ウイルスに対する免疫付与キット。
【請求項８】
少なくとも、
（ａ）ＶＤＶ１またはＶＤＶ２ワクチンウイルスを含む一価ワクチンが入った第一容器、
（ｂ）４種のＣｈｉｍｅｒｉｖａｘ（商標）ＤＥＮ−１、２、３および４を含む四価ワクチンが入った第二容器
を含む、請求項７に記載の免疫付与キット。
【請求項９】
一価ワクチンがＶＤＶ１またはＶＤＶ２を１０４ＣＣＩＤ５０含み、かつ四価ワクチンがＣｈｉｍｅｒｉｖａｘ（商標）ＤＥＮ−１、２、３および４を１０５ＣＣＩＤ５０含む、請求項８に記載の免疫付与キット。
【請求項１０】
一価ワクチンがＶＤＶ１またはＶＤＶ２を１０４ＣＣＩＤ５０含み、かつ四価ワクチンがＣｈｉｍｅｒｉｖａｘ（商標）ＤＥＮ−１、２、３を１０５ＣＣＩＤ５０およびＣｈｉｍｅｒｉｖａｘ（商標）ＤＥＮ−４を１０３ＣＣＩＤ５０含む、請求項８に記載の免疫付与キット。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート製品を製造する方法であって、
動いているクレーピング面に添加組成物を塗布するステップと、
前記添加組成物が塗布された後に、前記クレーピング面にベースシートを押し付けることにより、前記添加組成物により前記クレーピング面に前記ベースシートを付着させるステップと、
前記クレーピング面から前記ベースシートを剥離し、その際に、前記シート製品の坪量の少なくとも１重量％の量の前記添加組成物を前記ベースシートに転写させるステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記添加組成物が、前記シート製品の坪量の約２重量％ないし約５０重量％の量であることを特徴とする方法
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法であって、
前記ベースシートが、前記クレーピング面からクレーピングされることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の方法であって、
前記ベースシートが、エア形成ウェブ、スパンボンドウェブ、メルトブローンウェブ、水流絡合ウェブ、またはコフォームウェブを含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の方法であって、
前記ベースシートが、前記クレーピング面から剥離される前に、前記クレーピング面と約１２０ミリ秒間ないし約２０００ミリ秒間接触することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の方法であって、
前記添加組成物が、ローションを含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記ローションが、ワックス及び油を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の方法であって、
前記添加組成物が、前記シート製品の坪量の約２％ないし約３０％を構成することを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１ないし３のいずれかに記載の方法であって、
前記ベースシートが、織布、織布またはボンデッドカーデッドウェブを含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記ベースシートが、ポリエステル繊維、ナイロン繊維、ウール繊維、コットン繊維、またはそれらの混合物を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１、２、３、４、５、８、９または１０のいずれかに記載の方法であって、
前記添加組成物が、接着剤を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１、２、３、４、５、８、９または１０のいずれかに記載の方法であって、
前記添加組成物が、ラテックスポリマーを含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１、２、３、４、５、８、９または１０のいずれかに記載の方法であって、
前記添加組成物が、ローションと組み合わされた接着剤を含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１、２、３、４、５、８、９または１０のいずれかに記載の方法であって、
前記添加組成物が、ローションと組み合わされたラテックスポリマーを含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１１若しくは１３に記載の方法であって、
前記接着剤が、酢酸ビニル−エチレンポリマーを含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１１若しくは１３に記載の方法であって、
前記接着剤が、酢酸ビニル、エチレン一酸化炭素ポリマー、ポリアクリル酸塩、スチレンブタジエン、ポリウレタン、デンプン、またはそれらの混合物を含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１、２、３、４、５、８、９または１０のいずれかに記載の方法であって、
前記添加組成物が、剥離剤を含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１、２、３、４、５、８、９または１０のいずれかに記載の方法であって、
前記添加組成物が、柔軟剤を含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１、２、３、４、５、８、９または１０のいずれかに記載の方法であって、
前記添加組成物が、アロエ、ビタミンＥ、ワックス、酸化ポリエチレン、またはそれらの混合物を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月12日(2010.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試験ステーションを通る進行経路に沿って、運搬用試験板上に支持された電子的構成要素を試験するための装置であって、
前記装置は、
前記試験板および前記試験用試験板によって前記試験ステーションへ運搬される少なくとも１つの電子的構成要素の表面に沿って転動させるために、試験ステーションに配置された接触ローラと、
前記試験板が移動している間、前記試験板および支持された電子的構成要素上に前記接触ローラを通じて第１の所定の力を及ぼすように、第１のモードで動作可能であり、かつ、前記試験ステーションでの試験中に前記電子的構成要素が静止している間に、前記電子的構成要素上に前記接触ローラを通じて第２の所定の力を及ぼすように、第２のモードで動作可能である、増力印加アクチュエータと、
を特徴とする装置。
【請求項２】
前記増力印加アクチュエータは、前記接触ローラを通じて前記第１および第２の所定の力を印加するように選択的に動作可能な、空気圧アクチュエータを含む請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記増力印加アクチュエータは、前記接触ローラを通じて前記第１および第２の所定の力を印加するための、通電モードと断電モードとの間で選択的に動作可能な、ソレノイドを含む請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記増力印加アクチュエータは、前記接触ローラを通じて前記第１および第２の所定の力を印加するための、第１のモードと第２のモードとの間で選択的に動作可能な、圧電アクチュエータを含む請求項１に記載の装置。
【請求項５】
試験ステーションを通る進行経路に沿って、運搬用試験板によって支持された少なくとも１つの電子的構成要素を試験するための方法において、
接触ローラが、試験中に、前記電子的構成要素と接触するために、前記試験ステーションに配置され、
前記方法は、
前記接触ローラと、前記試験板および前記支持された電子的構成要素のうちの少なくとも１つとの接触を継続的に保持するステップと、
前記試験板が移動している間に、前記試験板および前記電子的構成要素のうちの少なくとも１つに、前記接触ローラによって第１の所定の力を及ぼすステップと、
前記電子的構成要素が前記試験ステーションに静止している時にのみ、前記電子的構成要素に、前記接触ローラによって、前記第１の所定の力よりも大きい第２の所定の力を及ぼすステップと、
を特徴とする方法。
【請求項６】
第１の所定の力を及ぼすステップは、前記接触ローラを通じて前記第１の所定の力を印加する第１の作動モードと、前記接触ローラを通じて前記第２の所定の力を印加する第２の作動モードとの間で、アクチュエータを作動させるステップを含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記アクチュエータを作動させるステップは、前記第１および第２の作動モード間を変化させるように、ソレノイドの通電および断電を行うステップ、または、前記第１および第２の作動モード間を変化させるように、流体作動式アクチュエータを第１および第２の圧力に加圧するステップを含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記電子的構成要素が前記試験ステーションに関して準備位置にある時に、前記試験板を停止するステップと、
前記準備位置で前記静止している電子的構成要素を試験するステップと、
前記試験中に、前記静止している電子的構成要素に前記第２の所定の力を保持するステップと、
前記試験が完了した後に、前記少なくとも１つの電子的構成要素から前記第２の所定の力を取り除くステップと、
をさらに含む請求項５〜７のうちのいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記第２の所定の力を取り除いた後に、前記試験板に前記第１の所定の力を保持するステップと、
前記試験ステーションを通って、前記進行経路に沿って前記試験板を移動させるステップと、
をさらに含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ソレノイドアクチュエータの作動または空気圧アクチュエータの作動に応答して、前記第１および第２の所定の力を印加するステップをさらに含む請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月13日(2010.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気部品電気試験装置のための電力分配システムであって、
複数のテストチャンネルを有するアクティブステーションと、
前記アクティブステーションの前記複数のテストチャンネルに配線を通じて電力を供給するために接続され、前記アクティブステーションの反対側は試験測定装置に接続された電源と、
前記アクティブステーションは、前記電源からの電力を受容するための別個の追加ケーブル導体入口を含み、前記電力は、試験チャンネル接点に接続することなく前記アクティブステーションの接点モジュールを通過するとともに、前記アクティブステーションに直接隣接したパッシブステーションに、電力導体出口を提供することを特徴とする、電力分配システム。 
【請求項２】
少なくとも１つのパッシブステーションをさらに備え、
各パッシブステーションは、前記電源からの電力を間接的に受容するための単一のケーブル導体入口を含み、前記供給された電力は、直接隣接したステーションの前記接点モジュールを通過するとともに、前記ケーブル導体は、各パッシブステーションの前記接点モジュールを通過し、各パッシブステーションに直接隣接したステーションに、電力導体出口を提供する、ことを特徴とする請求項１に記載の電力分配システム。
【請求項３】
前記アクティブステーション上に位置する前記電力導体出口に取り付けられる単一のケーブルを通じて、前記電源に間接的に接続可能なパッシブステーションをさらに備える、ことを特徴とする請求項１に記載の電力分配システム。
【請求項４】
第１のパッシブステーション上に位置する電力導体入口をさらに備え、
前記電源は、前記アクティブステーションの前記電力導体出口と、前記第１のパッシブステーションの前記電力導体入口との間に取り付け可能である単一のケーブルを通じて、前記第１のパッシブステーションに間接的に接続可能である、ことを特徴とする請求項１に記載の電力分配システム。
【請求項５】
前記第１のパッシブステーションの前記電力導体出口を通じて取り付けられる単一のケーブルを通じて、第２のパッシブステーションの電力導体入口に間接的に接続可能な、前記電源をさらに備える、ことを特徴とする請求項４に記載の電力分配システム。
【請求項６】
パッシブチャンネルレジスタを通じてループバックされる、各パッシブステーションの反対側をさらに備える、ことを特徴とする請求項４に記載の電力分配システム。
【請求項７】
前記電源から、パッシブステーション上に位置する電力導体入口に、電力を間接的に供給するために、前記アクティブステーション上に位置する電力導体出口に取り付け可能な、単一の電力ケーブルをさらに備える、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電力分配システム。
【請求項８】
複数のパッシブステーションをさらに備え、
各パッシブステーションは、前記アクティブステーション上に位置する前記電力導体出口を通じた接続により、前記電源により間接的に電力供給される、ことを特徴とする請求項１に記載の電力分配システム。
【請求項９】
前記アクティブステーションまでのプロセス順序において、上流に位置する隣接したステーションに接続される単一の電力ケーブルを通じて、前記電源により間接的に電力供給される、各パッシブステーションをさらに備える、ことを特徴とする請求項８に記載の電力分配システム。