【事件の表示】
　特願２０１５−１２５５０１「光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１０月１５日出願公開、特開２０１５−１８１２０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年７月２０日に出願した特願２００６−１９８４８９号（国内優先権主張　平成１８年２月３日）の一部を平成２５年２月４日に新たな特許出願とした特願２０１３−１９５３６号の一部を平成２７年６月２３日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２８年３月２３日付け　：拒絶理由通知書
　平成２８年７月２８日　　　：意見書、手続補正書の提出
　平成２８年１２月１５日付け：拒絶理由（最後の拒絶理由）通知書
　平成２９年４月１８日　　　：意見書、手続補正書の提出
　平成２９年８月３１日付け　：平成２９年４月１８日の手続補正についての補正の却下の決定、拒絶査定
　平成２９年１２月５日　　　：審判請求書、手続補正書の提出
第２　平成２９年１２月５日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２９年１２月５日にされた手続補正についての補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。）
「【請求項１】
　光半導体素子搭載領域となる
一体に形成されたマトリックス状に並ぶ
　
が
　前記配線基板と前記硬化物とが直接接着しており、
　
おらず
　前記配線基板が、めっきが施されたプリント配線板又はめっきが施されたリードフレームであり、
　光半導体素子を搭載した後に分割して用いられる、
　【請求項２】
　光半導体素子を１つ有する光半導体装置を得るために用いられる、請求項
１に
　【請求項３】
　前記２つ以上の凹部が、縦３列以上、横３列以上のマトリックス状に形成されている、請求項１
又は２
　【請求項４】
　請求項１〜
３
（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の、平成２８年７月２８日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の記載は、次のとおりである。
「【請求項１】
　光半導体素子搭載領域となる２つ以上の凹部を有し、前記２つ以上の凹部の各々は、配線基板と、当該配線基板の一方の面上に位置し、酸無水物系硬化剤又はフェノール系硬化剤を含有する光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いてなる硬化物からなる内周側面とを少なくとも有し、前記配線基板の前記一方の面とは反対の面上に、光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いてなる硬化物を有していない、光半導体素子搭載用パッケージ基板。
　【請求項２】
　光半導体素子を搭載した後に分割して用いられる、請求項１に記載の光半導体素子搭載用パッケージ基板。
　【請求項３】
　光半導体素子を１つ有する光半導体装置を得るために用いられる、請求項１又は２に記載の光半導体素子搭載用パッケージ基板。
　【請求項４】
　前記２つ以上の凹部が、縦３列以上、横３列以上のマトリックス状に形成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光半導体素子搭載用パッケージ基板。
　【請求項５】
　前記配線基板が、リードフレーム、プリント配線板、フレキシブル配線板、及びメタルベース配線板からなる群から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の光半導体素子搭載用パッケージ基板。
　【請求項６】
　請求項１〜５のいずれか一項に記載の光半導体素子搭載用パッケージ基板と、前記２つ以上の凹部の各底面に搭載された光半導体素子と、前記光半導体素子を覆うように形成された透明な封止樹脂と、を少なくとも備える、光半導体装置。」
２　補正の適否
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「２つ以上の凹部」、「配線基板」及び「光半導体素子搭載用パッケージ基板」及び配線基板と硬化物の接着について、上記のとおり限定を付加するものであって、平成１８年改正前特許法特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。　
（２）引用例等の記載事項
ア　引用例１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された又は電気回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開平１１−３０７８２０号公報（原査定時の引用文献５。以下「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（下線は当審で付したものである。以下同じ。）
ａ　「【００１３】最初に図１には、
平板状の導電性ブロック部１
ｂ　「【００１４】続いて図２に示すように、図１で並べた
平板状の導電性ブロック部１に絶縁部２を一体に成形する。
絶縁部２は、使用条件から光（可視光、赤外光）の反射率の高いもの、耐熱性に優れるもの、形成が容易なものが望ましい。
ｃ　「【００１５】
このことから、
エポキシ
熱硬化性樹脂が望ましい。
凹部３は、絶縁部２によって、形成された反射ホ−ンである。
複数のＬＥＤチップが実装されたユニットが示されており、破線に沿ってダイサ−等で裁断する
ｄ　また、図２に、
凹部３は、内周側面も含めて同じ材料であり、一体に形成された２つ以上の凹部３がマトリックス状に並び、凹部３の各々が導電性ブロック部の一方の面上に位置しており、その反対の面上には樹脂を有していない
ＬＥＤチップ４は、凹部３の領域に実装される
（イ）上記記載及び図に示された事項から、引用例１は、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「平板状の導電性ブロック部と、
　その領域にＬＥＤチップが実装される、平板状の導電性ブロック部と一体に成形され、熱硬化性エポキシ樹脂からなり、その内周側面も含めて同じ材料であり、反射ホーンである、一体に形成されたマトリックス状に並ぶ２つ以上の凹部とを有し、
　凹部の各々が導電性ブロック部の一方の面上に位置しており、その反対の面上には樹脂を有しておらず、
　ダイサ−等で裁断される、複数のＬＥＤチップが実装されたユニット。」
イ　周知技術１
（ア）周知例１
　原査定の拒絶の理由で示された、本願の優先日前に頒布された又は電気回線を通じて公衆に利用可能となった周知例である、特開２００３−２７７４７９号公報（原査定時の引用文献６。以下「周知例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
ａ　「【００１５】本発明に係る
ＬＥＤベアチップ搭載用基板の樹脂組成物Ｃは、エポキシ樹脂、硬化剤、及び少なくとも１種の無機充填剤Ａを含有する。
ｂ　「【００１８】
本発明に用いる硬化剤としては、酸無水物、フェノール樹脂
から適宜選択して用いることが出来る
ｃ　「【００２３】無機充填剤Ａとして上記で例示した材料の中には、アルミナ、酸化珪素、酸化チタン、窒化チタン、酸化ジルコニウム等のように白色系顔料としての機能を有するものがあり、斯かる性質を併有する無機充填剤Ａは、基板に高い白色度を持たせて、
光の反射率を高めることができるため、ＬＥＤベアチップ搭載用基板に適している。
（イ）周知例２
　原査定の拒絶の理由で示された、本願の優先日前に頒布された又は電気回線を通じて公衆に利用可能となった周知例である、特開２００３−３０４３号公報（原査定時の引用文献７。以下「周知例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
ａ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＥＤ、フォトトランジスタ、フォトダイオード、ＣＣＤ、ＥＰＲＯＭ等の光半導体素子を封止するために用いられる光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれにより封止された光半導体装置に関するものである。
ｂ　「【００２２】
硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応するものであれば、特に制限なく用いることができるが、比較的着色のないものが好ましい。例えば、無水ヘキサヒドロフタル酸等の酸無水物、フェノール、キシレノール、レゾールシン等とホルムアルデヒドとを縮合反応して得られるノボラック型フェノール樹脂
を挙げることができる。
（ウ）周知例３
　本審決において示す、本願の優先日前に頒布された又は電気回線を通じて公衆に利用可能となった周知例である、特開平１１−２９３０９３号公報（以下「周知例３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
ａ　「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、白色顔料の樹脂中での分散を良くして光反射率を高めることができるプリント配線板用エポキシ樹脂組成物及びその製造法、さらにそのエポキシ樹脂組成物を用いて製造されるプリプレグ及び積層板を提供することを目的とするものである。
ｂ　「【００１８】
本発明のエポキシ樹脂化合物に含有される硬化剤は、
フェノール系硬化剤（フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂など）、
酸無水物系硬化剤（メチルヘキサヒドロフタル酸無水物）等の硬化剤が例示でき、これらの硬化剤を単独あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
（エ）周知例４
　本審決において示す、本願の優先日前に頒布された又は電気回線を通じて公衆に利用可能となった周知例である、特開昭５６−１２７８６号公報（以下「周知例４」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
ａ　「
本発明は光結合半導体装置に係り、特に光電変換効率の向上を目的とした樹脂モールド型光結合半導体装置に関する。
ｂ　「
本発明において用い得るエポキシ化合物としては、一分子中に少なくとも１個のエポキシ基を有するもので、例えばビスフェノールＡ形エポキシ樹脂、フェノールノボラック形エポキシ樹脂、クレゾールノボラック形エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などのハロゲン非置換エポキシ樹脂またはブロム化ビスフェノールＡ形エポキシ樹脂、ブロム化フェノールノボラック形エポキシ制脂などのハロゲン置換エポキシ化合物などが挙げられる。
　
本発明において用いる硬化剤としてのフェノールノボラック樹脂としては例えばフェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、クロルフェノール、フェニルフェノール、ビスフェノールＡなどの１種または２種以上の混合物とホルムアルデヒドもしくはパラホルムアルデヒドとを酸や中性塩など触媒として反応させて得たものなどである。
　
本発明において用いる硬化剤としての有機酸無水物は、例えば無水フタル酸、無水マレイン酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水エンドメチレンテトラヒドロフタル酸、無水トリメリット酸、シクロヘキセン１，２−ジカルボン酸、シクロヘキセン３，４−ジカルボン酸などが挙げられる。
ｃ　「また、各モールド樹脂層について、フォトカプラーの変換効率を左右する波長８００ｍμにおける光反射率をそれぞれ測定した結果を表１に記載した。
　表−１から明らかのように
本発明に係る光結合半導体装置の場合は高い光反射率特性を持ち、かつ長時間に亘って安定した耐湿特性を示すという顕著な利点を有する。
（カ）周知技術１
　上記周知例１ないし４に記載されている、以下の技術は周知技術（以下「周知技術１」という。）である。
「光半導体装置において、フェノール系又は酸無水物系硬化剤を含む熱硬化性エポキシ樹脂を用いる技術」
ウ　周知技術２
（ア）周知例５
　本審決において示す、本願の優先日前に頒布された又は電気回線を通じて公衆に利用可能となった周知例である、特開２００４−２４１７６６号公報（以下「周知例５」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
ａ　「【０００５】
　上記問題を解決するため、
本発明のリードフレームは、リードフレーム素材の上に複数層の金属被膜が形成されてなる半導体装置用リードフレームであって、前記半導体装置の外囲器に囲繞されることとなるインナー部を有し、前記インナー部の最表層に形成される金属被膜は銀又は銀合金被膜であることを特徴とする。
　また、前記インナー部を除いた部分の最表層に形成される金属被膜は金又は金合金被膜であるとしてもよい。」
ｂ　「【０００７】
　この構成によれば、前記インナー部では銀又は銀合金被膜の特性である優れた光反射率とワイヤーボンディング性が発揮され、前記インナー部を除いた部分では金又は金合金被膜の特性である優れた耐食性とはんだ付け性が発揮される。
　
このリードフレームはインナー部において光反射率に優れるため、特に半導体発光装置に用いた場合に発光素子の後方光を効率よく反射して装置全体として高い発光効率を実現できる。
ｃ　「【００１６】
  
リードフレーム１００は、リードフレーム素材１０１に、ニッケルめっき１０２、パラジウムめっき１０３、及び金フラッシュめっき１０４がこの順に施され、さらにインナー部の一部分に銀めっき１０５が施されてなる。
  それぞれのめっき厚は、例えばニッケルめっきが０．５から２．０μｍ、パラジウムめっきが０．００５から０．０７μｍ、金フラッシュめっきが０．００３から０．０１μｍ、及び銀めっきが０．１μｍ以上である。」
ｄ　「【００２０】
  
半導体発光素子４００の光の一部分６０１は直接放出され、他の一部分６０２はインナー部及び台部２００で反射した後放出される。
  発明者らは、上述した構成によるリードフレームが以下に説明する優れた特性を有していることを確認した。」
（イ）周知例６
　本審決において示す、本願の優先日前に頒布された又は電気回線を通じて公衆に利用可能となった周知例である、国際公開第２００４／０３６６６０号（以下「周知例６」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
ａ　「The present idea is to solute problem of such usual SMD the smallest Chip LED device, surface emitting LED chip(InGaN, GaN LED Chip)(390nm~470nm) has within die pad cup of lead frame by an insulated light transmitted die glue(UV glue, an insulated transparency glue) and the use of silver epoxy glue exclude, therefore the short badness between the anode and the cathode solute completely. 
The light emitting by the opposite of emitting surface among the light emitting of surface LED was transmitted by an insulated light transmission epoxy glue, this transmitted light offer chip LED to improve the brightness as that the light reflected from die pad cup plated silver with reflection rate high and focused on emitting direction.
（当審仮訳：「本発明は、そのような通常のＳＭＤ超小型チップＬＥＤデバイスの問題を解決するため、
表面実装ＬＥＤチップ
はリードフレームのダイパッドカップ内にあって
ＬＥＤ表面から放出される光のうち、放出面の反対側から放出される光は絶縁透明接着剤を透過し、この透過光は、銀でめっきされ、高い反射率を有するダイパッドカップによって反射され、放出方向に集光されることから、チップＬＥＤの明るさを改善する。
（カ）周知技術２
　上記周知例５及び６に記載されている、以下の技術は周知技術（以下「周知技術２」という。）である。
「半導体発光素子から放出される光を反射するため、半導体発光素子が置かれるリードフレームにめっきをする技術」
（３）引用発明との対比
ア　本件補正発明と引用発明を対比する。
（ア）リードフレームとは、通常、金属からなる平板状の導電性の部材を意味する用語であるから、引用発明の「平板状の導電性ブロック部」は、本件補正発明の「リードフレーム」に相当し、本件補正発明においてリードフレームであり得る「配線基板」にも相当する。
（イ）引用発明の「凹部」、「ＬＥＤチップ」、「実装」は、それぞれ本件補正発明の「凹部」、「光半導体素子」、「搭載」に相当する。引用発明の、凹部は反射ホーンであることから、その内周側面も含めた材料である熱硬化性エポキシ樹脂は光反射用であるといえ、引用発明の「熱硬化性エポキシ樹脂」は、「光反射用熱硬化性樹脂組成物」に相当する。引用発明の凹部も、一体に形成されたマトリックス状に並ぶ２つ以上の凹部が並ぶものであり、その内周側面も含めて熱硬化性エポキシ樹脂からなり、凹部の各々は導電性ブロック部の一方の面上に位置しており、その反対の面上には樹脂を有していない。そして、引用発明において、凹部は平板状の導電性ブロック部と一体に成形されていることから、凹部の材料である熱硬化性エポキシ樹脂は平板状の導電性ブロック部と直接接着されているといえる。
（ウ）引用発明において、複数のＬＥＤチップが実装されたユニットのダイサ−等による裁断は、複数のＬＥＤチップが実装すなわち搭載された後に個々の表面実装型ＬＥＤとして分割するためになされるものであるから、「ダイサ−等で裁断される」、「複数のＬＥＤチップが実装されたユニット」は、それぞれ「光半導体素子を搭載した後に分割して用いられる」、「光半導体素子搭載用パッケージ基板」に相当する。
イ　以上のことから、本件補正発明と引用発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。
【一致点】
「光半導体素子搭載領域となる一体に形成されたマトリックス状に並ぶ２つ以上の凹部を有し、
　前記２つ以上の凹部の各々が、配線基板と、当該配線基板の一方の面上に位置し、光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いてなる硬化物からなる内周側面とを少なくとも有し、
　前記配線基板と前記硬化物とが直接接着しており、
　前記配線基板の前記一方の面とは反対の面上に、光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いてなる硬化物を有しておらず、
　前記配線基板が、リードフレームであり、
　光半導体素子を搭載した後に分割して用いられる、光半導体素子搭載用パッケージ基板。」
【相違点１】
　本件補正発明においては、凹部の内周側面が「無水物系硬化剤又はフェノール系硬化剤を含有する光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いてなる硬化物からなる」のに対し、引用発明においては、反射ホーンである凹部の内周側面も含めた材料である熱硬化性エポキシ樹脂が、無水物系硬化剤又はフェノール系硬化剤を含有するか否かが特定されていない点。
【相違点２】
　本件補正発明においては、「前記配線基板が、めっきが施されたプリント配線板又はめっきが施されたリードフレームであ」るのに対し、引用発明においては、平板状の導電性ブロック部にめっきが施されていない点。
（４）判断
　以下、相違点について検討する。
ア　相違点１について
　引用発明においては、反射ホーンである凹部の内周側面も含めた材料である熱硬化性エポキシ樹脂が、無水物系硬化剤又はフェノール系硬化剤を含有するか否かが特定されていないが、引用発明の凹部は、熱硬化性エポキシ樹脂からなるものであることから、上記２（２）イに記載したとおり、光半導体装置の技術分野において広く用いられているものである、「光半導体装置において、フェノール系又は酸無水物系硬化剤を含む熱硬化性エポキシ樹脂を用いる」という周知技術１を、引用発明の熱硬化性エポキシ樹脂に適用して、上記相違点１に係る構成を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　ここで、上記のとおり、周知技術１は半導体装置の技術分野において広く用いられていることに加えて、周知例１について上記２（２）イ（ア）ｃで、周知例３について上記２（２）イ（ウ）ａで、周知例４について上記２（２）イ（エ）ｃでそれぞれ摘記した箇所において、高い反射特性が求められる、反射のための部材にこの周知技術１が用いられていることが記載されていることからしても、同じく反射のための部材である、反射ホーンである引用発明１の凹部の熱硬化性エポキシ樹脂における周知技術１の適用に困難性があったとは認められない。
イ　相違点２について
　引用発明においては、平板状の導電性ブロック部にめっきが施されていないが、引用発明も、反射ホーンである凹部によってＬＥＤチップから放出される光を反射していることから、反射により発光素子である発光ダイオードの発光効率を向上させることを課題としていることは自明である。
　このような自明の課題に基づき、引用発明１の平板状の導電性ブロック部に「半導体発光素子から放出される光を反射するため、半導体発光素子が置かれるリードフレームにめっきをする」という周知技術２を適用して、上記相違点２に係る構成を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　ここで、引用例１の段落【０００７】に「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記説明の製造方法にもあるように上下の導通をとるために、図１７でも示すような無電解メッキなどの手法で全面を銅などの導電性皮膜で覆う工程が必要である。従って、コストが高くなるばかりでなく、生産性も著しく低下してしまう。また、プリント基板部分の加工の制度から発生する誤差と、メッキ工程によるメッキ厚みの誤差により、仕上がり寸法の精度が低下してしまう問題も抱えている。」、段落「【００１６】に、「・・・更に、プリント基板を使用した表面実装型ＬＥＤと比べメッキ等の工程がない為に、コストダウンも期待できる。」、段落【００２１】に、「・・・更に、プリント基板を使用した表面実装型ＬＥＤと比べメッキ等の工程がない為に、コストダウンも期待できる。」、段落【００２４】に「・・・【発明の効果】以上説明したように、本発明による表面実装型ＬＥＤとその製造方法には、さまざまな効果が挙げられる。製造方法では、プリント基板を使用したものに比べプレス加工によるスロットを形成させる工程やスロット内面にプリント基板の上下導通をとる為無電解メッキによる導電性被膜の形成といった工程をなくすことにより、工程の簡略化をはかり大幅にコストを低減させることができる。・・・」と記載されているが、これらの記載は、プリント基板において上下導通をとるためのめっきによる問題を記載しているにすぎず、引用発明における、上記の反射により発光素子である発光ダイオードの発光効率を向上させるという自明の課題に基づく周知技術２の適用の阻害要因とはならない。
　なお、上記の対比において、リードフレームとは、通常、金属からなる平板状の導電性の部材を意味する用語であるから、引用発明の「平板状の導電性ブロック部」は、本件補正発明の「リードフレーム」に相当するとしたが、ここで、仮に、「平板状の導電性ブロック部」と「リードフレーム」は用語が異なることから、この点を相違点として認定したとしても、引用発明の平板状の導電性ブロック部を周知技術２のめっきをされたリードフレームとすることも容易である。
ウ　そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明並びに周知技術１及び２の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものではない。
エ　したがって、本件補正発明は、引用発明並びに周知技術１及び２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　本件補正についてのむすび
　よって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２９年１２月５日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成２８年７月２８日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２［理由］１（２）に記載したとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１ないし６に係る発明は、その優先権主張の日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
引用文献１：特開平１１−３４０５１７号公報
引用文献２：特開昭６１−２３７４８５号公報
引用文献３：米国特許第６５９９７６８号明細書
引用文献４：特開２００２−３６８２８１号公報
引用文献５：特開平１１−３０７８２０号公報
引用文献６：特開２００３−２７７４７９号公報
引用文献７：特開２００３−３０４３号公報
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由の引用文献５は、上記第２［理由］２（２）アの引用例１であり、原査定の拒絶の理由の引用文献６は、上記第２［理由］２（２）イ（ア）の周知例１であり、原査定の拒絶の理由の引用文献６は、上記第２［理由］２（２）イ（イ）の周知例２であり、それぞれに記載された事項並びに引用発明及び周知技術１は、上記第２［理由］２（２）ア及びイに記載したとおりである。
４　対比・判断
　本願発明は、上記第２［理由］２で検討した本件補正発明から、２つ以上の凹部について「一体に形成されたマトリックス状に並ぶ」という限定事項を、配線基板と硬化物について「前記配線基板と前記硬化物とが直接接着して」いるという限定事項を、配線基板について「前記配線基板が、めっきが直接接着して」いるという限定事項を、光半導体素子搭載用パッケージ基板について「光半導体素子を搭載した後に分割して用いられる」という限定事項をそれぞれ除いたものである。
　上記第２［理由］２で検討した本件補正発明と引用発明の対比を踏まえ、本願発明と引用発明を対比すると、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
【一致点】
「光半導体素子搭載領域となる２つ以上の凹部を有し、
　前記２つ以上の凹部の各々は、配線基板と、当該配線基板の一方の面上に位置し、光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いてなる硬化物からなる内周側面とを少なくとも有し、
　前記配線基板の前記一方の面とは反対の面上に、光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いてなる硬化物を有していない、
　光半導体素子搭載用パッケージ基板。」
【相違点１】
　本件補正発明においては、凹部の内周側面が「無水物系硬化剤又はフェノール系硬化剤を含有する光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いてなる硬化物からなる」のに対し、引用発明においては、反射ホーンである凹部の内周側面も含めた材料である熱硬化性エポキシ樹脂が、無水物系硬化剤又はフェノール系硬化剤を含有するか否かが特定されていない点。
　上記相違点１については、上記第２［理由］２（４）に記載したとおりであって、本願発明も、引用発明及び周知技術１に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。