Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月6日(2010.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高電圧の導体を囲周する、スリーブ状剛性絶縁材の殻体（１）と、該殻体の内部で、該殻体の内部壁に隣接して、前記導体を少なくとも部分的に囲周し、電気絶縁特性を備える材料からなる媒体（１１）が充填された間隙（１０）と、を有する細長部材であって、
前記媒体が、少なくとも部分的にガスが充填された、中空空間を包含する電気絶縁材料（１３）によって形成され、該電気絶縁材料が、前記中空空間を可逆的に圧縮して、該中空空間の容積を減少させることによって、前記電気絶縁材料の温度上昇の際に膨張する、ことを特徴とする細長部材。
【請求項２】
前記中空空間が、微小球（１４）によって形成されており、変形後の温度低下の結果、前記電気絶縁材料からの外部圧縮力が減少するときに、前記微小球が、その形状を回復することを特徴とする、請求項１に記載の細長部材。
【請求項３】
前記電気絶縁材料が、前記微小球を内蔵する架橋ゲルであることを特徴とする、請求項２に記載の細長部材。
【請求項４】
前記微小球が、非変形時に１０μｍ〜１００μｍの直径を有することを特徴とする、請求項３に記載の細長部材。
【請求項５】
前記架橋ゲルがシリコーンゲルであることを特徴とする、請求項３又は４に記載の細長部材。
【請求項６】
前記微小球が膨張する微小球であることを特徴とする、請求項２〜５のいずれか１項に記載の細長部材。
【請求項７】
前記微小球には、液体とガスとの混合体が充填され、該ガス含量が、前記電気絶縁材料の温度、したがって前記微小球の温度と共に増加することを特徴とする、請求項２〜６のいずれか１項に記載の細長部材。
【請求項８】
前記微小球には、ガスだけが充填されることを特徴とする、請求項２〜６のいずれか１項に記載の細長部材。
【請求項９】
前記中空空間の総容積が、室温において前記媒体したがって前記間隙の、総容積の１０〜５０％、好ましくは２０〜４０％であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の細長部材。
【請求項１０】
前記媒体が、前記間隙内に充填されて、該間隙内すなわち前記殻体の、内部壁にかかる、室温で、０＜Ｐ＜２バールの圧力Ｐを有することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の細長部材。
【請求項１１】
前記導体が、前記殻体のほぼ全体に延びる導体チューブであることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の細長部材。
【請求項１２】
前記間隙が、前記導体を含む前記部材の活性核部から前記殻体の内部壁を隔離することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の細長部材。
【請求項１３】
前記殻体が、外部突出フランジ部（２）付きのセラミック又はポリマのスリーブであることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の細長部材。
【請求項１４】
前記セラミック又はポリマのスリーブが、その両端部で金属フランジ（３、４）に固定されることを特徴とする、請求項１３に記載の細長部材。
【請求項１５】
前記部材が、前記導体に１２ｋＶ〜８００ｋＶ、特に５０ｋＶ〜８００ｋＶ、少なくとも１２ｋＶの電圧がかかることを特徴とする、請求項の１〜１４のいずれか１項に記載の細長部材。
【請求項１６】
前記部材が、該部材の前記導体に１Ａ〜１００ｋＡ、特に５００Ａ〜２５ｋＡ、少なくとも１Ａの電流が流れることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の細長部材。
【請求項１７】
前記部材が、高電圧の導体を導く套管であることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の細長部材。
【請求項１８】
前記活性核部が、前記導体を囲周する電界分散型コンデンサ（９）を含むことを特徴とする、請求項１２又は１７に記載の細長部材。
【請求項１９】
前記部材が、電流弁室と外部とを隔てる壁、又は１つの電流弁室とその他の電流弁室を隔てる壁を通して、高電圧の導体を導く、高電圧変換設備に配置される套管であることを特徴とする、請求項１７に記載の細長部材。
【請求項２０】
前記部材が、高電圧装置の外部ケーシングに接続される套管であることを特徴とする、請求項１７に記載の細長部材。
【請求項２１】
前記部材が、高電圧接続解除装置に接続される套管であることを特徴とする、請求項２０に記載の細長部材。
【請求項２２】
前記部材が、変圧器套管又は発電機套管であることを特徴とする、請求項１７に記載の細長部材。
【請求項２３】
前記部材が、壁套管であることを特徴とする、請求項１７に記載の細長部材。
【請求項２４】
前記部材が、套管からの電圧の分岐用に、壁を通して高電圧の導体を導くために、該套管の周囲に配置されることを特徴とする、請求項１〜２３のいずれか１項に記載の細長部材。
【請求項２５】
前記部材が、端部に接続される高電圧ケーブルを有するケーブル終端部であることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の細長部材。
【請求項２６】
高電圧の導体を囲周する、スリーブ状剛性絶縁材の殻体（１）と、該殻体の内部で、該殻体の内部壁に隣接して、前記導体を少なくとも部分的に囲周し、電気絶縁特性を備える材料からなる媒体（１１）が充填された間隙（１０）とを有する細長部材であって、
前記媒体が、少なくとも部分的にガスが充填された中空空間を包含する電気絶縁材料（１３）によって形成され、該電気絶縁材料が、前記中空空間を可逆的に圧縮して、該中空空間の容積を減少させることによって、前記電気絶縁材料の温度上昇の際に膨張し、前記中空空間が微小球（１４）によって形成されており、該微小球は変形後に、温度低下の結果、前記電気絶縁材料からの外部圧縮力が減少するときに形状を回復し、前記電気絶縁材料が、前記微小球を内蔵する架橋ゲルであり、前記微小球が、液体とガスとの混合体により充填され、該ガス含量が前記電気絶縁材料の温度したがって前記微小球の温度と共に増加することを特徴とする細長部材。
【請求項２７】
前記中空空間の総容積が、室温において、前記媒体したがって前記間隙の、総容積の１０〜５０％、好ましくは２０〜４０％であることを特徴とする、請求項２６に記載の細長部材。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電気的接続手段を有する第１電極層と、
第２電気的接続手段を有する柔軟な第２電極層と、
少なくとも第１電極層または第２電極層の一方に含まれる一つ以上の電極と、
前記第２電極層から前記第１電極層を分離し、間に空隙を形成する圧縮可能な誘電材料を形成する複数の幾何学的要素を含む圧縮可能な誘電構造と、
前記第１および第２電気的接続手段に接続され、前記第１および第２電極層の電極間でリアルタイムに静電容量を計測するように構成される制御手段と、
を有する再構成可能な触覚入力装置。
【請求項２】
前記幾何学的記要素は、反復するパターンに配列されており、前記入力装置は該装置の少なくとも一部上において均一な圧縮率を有する請求項１に記載の入力装置。
【請求項３】
前記空隙は大気空間へ通気されている請求項１または２に記載の入力装置。
【請求項４】
前記空隙は、密閉され、互いに接続されている請求項１または２に記載の入力装置。
【請求項５】
前記圧縮可能な誘電体構造の前記幾何学的要素の形状は、ストライプ、カラム、湾曲、正多角形およびドットからなる群から選択される請求項１〜４のいずれか一項に記載の入力装置。
【請求項６】
前記圧縮可能な誘電体構造は、弾性材料から形成されている請求項１〜５のいずれか一項に記載の入力装置。
【請求項７】
前記圧縮可能な誘電体構造の前記幾何学的要素は、所定のカラム強度を有し、ユーザへ触覚フィードバックを提供するため、所定の閾値を超えて装置に圧力が与えられるとつぶれる請求項１〜６のいずれか一項に記載の入力装置。
【請求項８】
前記圧縮可能な誘電体構造の前記幾何学的要素は、一度圧力が所定の閾値を超えると、圧縮の第１の線形局面に続く圧縮の第２の非線形局面を示す請求項１〜７のいずれか一項に記載の入力装置。
【請求項９】
前記圧縮可能な構造体の前記幾何学的要素は、前記装置に与えられた圧縮が一度所定の閾値を超えると、つぶれる点を定義する圧痕を含む請求項１〜８のいずれか一項に記載の入力装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年1月18日(2010.1.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間にある電解質膜と、この陰極及び陽極に配置された各１つの多孔質膜とを備えた高分子電解質膜燃料電池において、陰極側に、液体バリヤとして機能し、かつ陽極側の膜より小さい孔サイズを持つ疎水性の膜が配置され、反応水が陽極を通して排出されることを特徴とする高分子電解質膜燃料電池における反応水の排出方法。
【請求項２】
陽極と、陰極と、この陽極と陰極との間の電解質膜と、この陽極及び陰極に配置された各１つの多孔質の導電性膜とを備え、この陰極側の膜が疎水性であり、少なくともその表面に陽極側の膜より小さい孔サイズを持っている、請求項１の方法を実施するための高分子電解質膜燃料電池。
【請求項３】
陰極側の膜がこの陰極に接する表面に陽極側の膜より小さい孔サイズを持つことを特徴とする請求項２に記載の高分子電解質膜燃料電池。
【請求項４】
陰極側の膜が炭素のエーロゲル或いはキセロゲルからなることを特徴とする請求項２又は３に記載の高分子電解質膜燃料電池。
【請求項５】
エーロゲルもしくはキセロゲルの膜が、有機又は無機材料からなる支持骨組みを備えていることを特徴とする請求項４に記載の高分子電解質膜燃料電池。
【請求項６】
有機材料が、多孔質の膜並びに可撓性の繊維フリース及び繊維織布の形のセルローズ、ポリアミド、ポリエステル及びフェノール樹脂であることを特徴とする請求項５に記載の高分子電解質膜燃料電池。
【請求項７】
無機材料が、炭素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム或いは二酸化ケイ素の繊維であることを特徴とする請求項５に記載の高分子電解質膜燃料電池。
【請求項８】
陽極側の膜が多孔質のカーボンペーパーからなることを特徴とする請求項２乃至７の１つに記載の高分子電解質膜燃料電池。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
エーロゲルもしくはキセロゲルは有利なことに支持骨組みを持っている。これにより比較的薄い膜の機械的安定性が向上する。この骨組みは特に少なくとも部分的に、有機物からなるのがよい。これについては特にセルローズ、ポリアミド、ポリエステル及びフェノール樹脂（特にノボラック）が挙げられる。この有機物は多孔質の膜並びに可撓性の繊維フリース及び繊維織布の形で存在する。この支持骨組みはしかしまた無機物、特に炭素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム或いは二酸化ケイ素の繊維とすることもできる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年1月27日(2010.1.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
腫瘍関連抗原に特異的な少なくとも一つの結合部位を有し、無毒化された薬剤をより細胞毒性の強い形態に変換することができる酵素であって、グルクロニダーゼ、アミダーゼ、エステラーゼ、カルボキシルエステラーゼ、カルボキシペプチダーゼ、サルファターゼ、グリコシラーゼ、β−ラクタマーゼ、およびアルカリフォスファターゼから成る群から選ばれた酵素に結合したハプテンに特異的な別の結合部位を有する二重特異的なモノクローナル抗体または二重特異的なモノクローナル抗体断片、および前記酵素または前記酵素に結合したハプテンから成るものと、
グルクロニドを除く細胞毒性薬剤または細胞毒性薬剤のプロドラッグであって、哺乳類の通常の代謝過程により無毒化された中間体に変換され、該中間体が前記酵素によって前記細胞毒性薬剤に変換される細胞毒性薬剤または細胞毒性薬剤のプロドラッグと
を含む薬剤の標的特異的な毒性を増加するためのガン治療用のキット。
【請求項２】
前記二重特異的な抗体または二重特異的な抗体断片のためのクリアリング剤をさらに含む請求項１に記載のキット。
【請求項３】
前記酵素のためのクリアリング剤をさらに含む請求項１に記載のキット。
【請求項４】
細胞毒性薬剤を硫酸化した形態のプロドラッグをさらに含む請求項１に記載のキット。
【請求項５】
細胞毒性薬剤をグリコシル化した形態のプロドラッグをさらに含む請求項１に記載のキット。
【請求項６】
細胞毒性薬剤をアミド化した形態のプロドラッグをさらに含む請求項１に記載のキット。
【請求項７】
前記酵素がグルクロニダーゼである請求項１に記載のキット。
【請求項８】
前記プロドラッグがＣＰＴ−１１であり、前記無毒化された中間体がＳＮ−３８−グルクロニドである請求項１に記載のキット。
【請求項９】
前記酵素がエステラーゼである請求項１に記載のキット。
【請求項１０】
腫瘍関連抗原に特異的な少なくとも一つの結合部位と、無毒化された薬剤をより細胞毒性の強い形態に変換することができる酵素に結合したハプテンに特異的な別の結合部位とを有する二重特異的なモノクローナル抗体または二重特異的なモノクローナル抗体断片、並びにグルクロニダーゼ、アミダーゼ、エステラーゼ、カルボキシルエステラーゼ、カルボキシペプチダーゼ、サルファターゼ、グリコシラーゼ、β−ラクタマーゼ、およびアルカリフォスファターゼから成る群から選ばれた酵素であって、前記二重特異的なモノクローナル抗体または二重特異的なモノクローナル抗体断片に直接または間接的に結合することができる形態の酵素とを含み、前記酵素が哺乳類の標的部位にプレターゲティングされ、標的部位で作用する細胞毒性薬剤またはその場で該細胞毒性薬剤に変換される当該薬剤のプロドラッグが投与され、該細胞毒性薬剤が、哺乳類の通常の代謝過程により無毒化された低毒性の中間体に変換され、該中間体が前記プレターゲティングされた酵素によってより毒性の強い形態に再変換され、前記標的部位において高い細胞毒性を有するようにした方法に使用されるガン治療用の標的組成物。
【請求項１１】
前記二重特異的なモノクローナル抗体または二重特異的なモノクローナル抗体断片のためのクリアリング剤をさらに含む請求項１０に記載の標的組成物。
【請求項１２】
さらに他の薬剤またはプロドラッグを含む請求項１０に記載の標的組成物。
【請求項１３】
前記酵素のためのクリアリング剤をさらに含む請求項１０に記載の標的組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
エトポシドは、グルクロニドを形成することによって主に無毒化される広く使用されているガンの薬であり（Handeら、Cancer Res., 48: 1829-1834, 1988）、従って本発明の範囲内で使用されてもよい。グルクロニド接合体は細胞毒性薬剤から作製することができ、MAb-グルクロニダーゼ接合体をプレターゲティングした腫瘍の治療薬として注射することができる（Wangら、Cancer Res., 52: 4484-4491, 1992）。従って、このような接合体は本明細書に記載するbsMAb方法にも使用することができる。ダウノマイシンおよびドキソルビシンの誘導体に基づいてデザインされたプロドラッグがカルボキシルエステラーゼおよびグルクロニダーゼとともに使用するために記載されており（Bakinaら、J. Med. Chem., 40: 4012-4018, 1997）、これらは本発明の範囲内で使用することができる。本発明の範囲内で使用することができるプロドラッグと酵素のいくつかの他の組み合わせを掲載する。フェノールマスタードのヒドロキシ誘導体のグルクロニドプロドラッグ（Schmidtら、Bioorg. Med. Chem. Lett., 7: 1071-1076, 1997）とβ-グルクロニダーゼ。フェノールマスタードまたはCPT-11とカルボキシペプチダーゼ。メトトレキセート置換α-アミノ酸とカルボキシペプチダーゼA。β-ラクタマーゼと6-メルカプトプリンおよびドキソルビシンなどの薬剤のペニシリンまたはセファロスポリン接合体。アルカリフォスファターゼおよびリン酸エトポシド。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年9月2日(2010.9.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９９】
【表１１】
2002526575.tif 000001
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
押出可能な熱可塑性エラストマー性尿素鎖延長ポリウレタンであって、
（ａ）4,4'-ジシクロヘキシルメタンジイソシアネートである少なくとも１の脂肪族ジイソシアネートと、650〜3000の重量平均分子量を有する少なくとも１のポリエーテルグリコールとの反応生成物を含むポリウレタンプレポリマーであって、ジイソシアネートに基づくＮＣＯ当量とポリエーテルグリコールに基づくＯＨ当量との比が２未満である、ポリウレタンプレポリマーと、
（ｂ）2,4-ジアミノ-3,5-ジエチルトルエン、2,6-ジアミノ-3,5-ジエチルトルエン、トリ-メチレングリコールジ-パラアミノベンゾエート及びこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１のジアミン硬化剤と、
の反応生成物を含み、上記ポリウレタンは、ショアーＡ硬度７２〜８４、DMA Tg -80℃（マイナス80℃）より大、TMA軟化点２０５〜２０８℃を有し、熱的安定性及び加水分解安定度、耐微生物分解性を有することを特徴とするポリウレタン。
【請求項２】 
請求項１に記載のポリウレタンであって、少なくとも１のポリエーテルグリコールは、650〜3000の重量平均分子量を有するポリテトラメチレンエーテルグリコールであることを特徴とするポリウレタン。
【請求項３】 
請求項２に記載のポリウレタンであって、1.6当量の4,4'-ジシクロヘキシルメタンジイソシアネートが、1.0当量の上記ポリテトラメチレンエーテルグリコールと反応することを特徴とするポリウレタン。
【請求項４】 
請求項１に記載のポリウレタンであって、少なくとも１のポリエーテルグリコールは、1000の重量平均分子量を有するポリテトラメチレンエーテルグリコールと、2000の重量平均分子量を有するポリテトラメチレンエーテルグリコールとの混合物であることを特徴とするポリウレタン。
【請求項５】 
請求項４に記載のポリウレタンであって、1.6当量の4,4'-ジシクロヘキシルメタンジイソシアネートが、1000の重量平均分子量を有するポリテトラメチレンエーテルグリコール0.9当量及び2000の重量平均分子量を有するポリテトラメチレンエーテルグリコール0.1当量と反応することを特徴とするポリウレタン。
【請求項６】 
請求項１に記載のポリウレタンであって、少なくとも１のポリエーテルグリコールは、1000の重量平均分子量を有するポリテトラメチレンエーテルグリコールと、2900の重量平均分子量を有するポリテトラメチレンエーテルグリコールとの混合物であることを特徴とするポリウレタン。
【請求項７】 
請求項６に記載のポリウレタンであって、1.8当量の4,4'-ジシクロヘキシルメタンジイソシアネートが、1000の重量平均分子量を有するポリテトラメチレンエーテルグリコール0.2当量及び2900の重量平均分子量を有するポリテトラメチレンエーテルグリコール0.8当量と反応することを特徴とするポリウレタン。
【請求項８】 
生成物を形成する方法であって、
（ａ）4,4'-ジシクロヘキシルメタンジイソシアネートである少なくとも１の脂肪族ジイソシアネートと、650〜3000の重量平均分子量を有するポリエーテルグリコールである少なくとも１の水酸基含有中間体と、少なくとも１のジアミン硬化剤との反応生成物を含む熱可塑性エラストマー性尿素鎖延長ポリウレタン（ここでジイソシアネートに基づくＮＣＯ当量とポリエーテルグリコールに基づくＯＨ当量との比が２未満であり、ジアミン硬化剤が2,4-ジアミノ-3,5-ジエチルトルエン、2,6-ジアミノ-3,5-ジエチルトルエン、トリ-メチレングリコールジ-パラアミノベンゾエート及びこれらの混合物からなる群より選択される。）を加熱し、；
（ｂ）上記加熱されたポリウレタンを押出して、ショアーＡ硬度７２〜８４、DMA Tg -80℃より大、TMA軟化点２０５〜２０８℃を有し、熱的安定性及び加水分解安定度、耐微生物分解性を有する押出生成物を形成する各工程を備えることを特徴とする方法。
【請求項９】 
請求項８に記載の方法であって、少なくとも１のポリエーテルグリコールは重量平均分子量1000を有するポリテトラメチルエチレンエーテルグリコールであり、1.6当量の4,4'-ジシクロヘキシルメタンジイソシアネートが、1.0当量の上記ポリテトラメチルエチレンエーテルグリコールと反応することを特徴とする方法。
【請求項１０】 
請求項８に記載の方法であって、少なくとも１の水酸基含有中間体が、重量平均分子量1000を有するポリテトラメチレンエーテルグリコールと重量平均分子量2000を有するポリテトラメチレンエーテルグリコールとの混合物であり、1.6当量の4,4'-ジシクロヘキシルメタンジイソシアネートが、1000の重量平均分子量を有するポリテトラメチルエチレンエーテルグリコール0.9当量及び2000の重量平均分子量を有するポリテトラメチルエチレンエーテルグリコール0.1当量と反応することを特徴とする方法。
【請求項１１】 
請求項８に記載の方法であって、少なくとも１の水酸基含有中間体が、1000の重量平均分子量を有するポリテトラメチレンエーテルグリコールと、2900の重量平均分子量を有するポリテトラメチレンエーテルグリコールとの混合物であり、1.8当量の4,4'-ジシクロヘキシルメタンジイソシアネートが、1000の重量平均分子量を有するポリテトラメチルエチレンエーテルグリコール0.2当量及び2900の重量平均分子量を有するポリテトラメチルエチレンエーテルグリコール0.8当量と反応することを特徴とする方法。
【請求項１２】 
請求項８〜１１のいずれかに記載の方法により形成される生成物であって、72mil厚のサンプルシートを80℃で30日間蒸留水中に浸すことによって加水分解老化し、その後25℃で7日間空気中で乾燥させた後のサンプルシートの引っ張り強さが少なくとも100％保持されることを特徴とする生成物。
【請求項１３】 
請求項８〜１１のいずれかに記載の方法により形成される生成物であって、72mil厚のサンプルシートを105℃で30日間空気暴露により熱老化させ、その後室温で冷却した後のサンプルシートの引っ張り強さが少なくとも100％保持されることを特徴とする生成物。
【請求項１４】 
請求項８〜１１のいずれかに記載の方法により形成される生成物であって、72mil厚のサンプルシートを80℃で30日間蒸留水中に浸すことによって加水分解老化し、その後、105℃で30日間空気暴露により熱老化させ、次いで室温で冷却した後のサンプルシートの引っ張り強さが少なくとも100％保持されることを特徴とする生成物。
【請求項１５】 
請求項８〜１１のいずれかに記載の方法により形成される生成物であって、72mil厚のサンプルシートを105℃で30日間空気暴露により熱老化させ、その後、80℃で30日間蒸留水中に浸すことによって加水分解老化し、25℃で7日間空気中で乾燥させた後のサンプルシートの引っ張り強さが少なくとも100％保持されることを特徴とする生成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月20日(2010.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体の製造方法であって、
埋め込み酸化物（ＢＯＸ）層の上のエッチング停止層（ＥＳＬ）の上の活性半導体層を含む集積回路ウエハを形成することと、
前記活性半導体層のトランジスタチャネルの上にゲート誘電体の上のゲート電極を含むゲート構造を形成することと、
トランジスタチャネルの両側面に退けられたソース／ドレイン領域のエッチングを行い、前記ＥＳＬを露出するソース／ドレイン空隙を形成することと、
ソース／ドレイン・ストレッサを用いて前記ＥＳＬの上の前記ソース／ドレイン空隙を充填することと、前記ソース／ドレイン・ストレッサの格子定数は活性半導体層の格子定数と異なることと、
を含む方法。
【請求項２】
前記集積回路ウエハを形成することは、
ドナーウエハの半導体基板上に前記エッチング停止層を形成することと、
前記エッチング停止層上に誘電体層を堆積させることと、
前記ドナーウエハへ水素を注入し、前記ドナーウエハの前記半導体基板に損傷領域を形成することと、
ハンドルウエハの半導体基板上に誘電体層を堆積させることと、
ドナーウエハの誘電体層をハンドルウエハの誘電体層に接合することと、
前記損傷領域に沿って前記ドナーウエハを分断することと、
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記活性半導体層を形成することはシリコンを含み、前記ＥＳＬは半導体化合物を含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記半導体化合物は前記活性半導体層に擬似格子整合している請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記半導体化合物はシリコンゲルマニウム化合物Ｓｉ（１−Ｘ）ＧｅＸを含み、同シリコンゲルマニウム化合物中のゲルマニウムの百分率（Ｘ）は、約５〜１５％の範囲にある請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月11日(2010.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉのコポリマーを含む電子デバイス、
【化１】
2009532878.tif 000001
式中、
Ａｃは、２〜５個の縮合芳香族環を有するアセンの基であり、Ａｃは非置換であるか又はアルキル、アルコキシ、チオアルキル、アリール、アラルキル、ハロ、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、ヘテロアルキル、アルケニル、又はこれらの組み合わせから選択される置換基で置換されており；
Ｑは、式ＩＩの二価の基であり、
【化２】
2009532878.tif 000002
Ｒ１及びＲ２は、水素、アルキル、アルコキシ、チオアルキル、アリール、アラルキル、ハロ、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、ヘテロアルキル、アルケニル、又はこれらの組み合わせから独立して選択され；
Ｒ１、Ｒ２、又はＡｃの置換基の少なくとも１つは、少なくとも４個の炭素原子を有し；そして、
ｎは、少なくとも４に等しい整数である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月20日(2010.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続フィーチャと、接続フィーチャの上の１つ以上の接合層とを有する第１の集積回路と、
回路間トレースと、回路間トレースの上の１つ以上の接合層とを有する第２の集積回路と、第２の集積回路の１つ以上の接合層は、第１の集積回路の前記１つ以上の接合層に取り付けられていることと、
第２の集積回路を通じて、回路間トレースの開口部を通じて、第２の集積回路の前記１つ以上の接合層を通じて、かつ第１の集積回路の前記１つ以上の接合層を通じて接続フィーチャまで延びている導電性相互接続部と、導電性相互接続部は回路間トレースを接続フィーチャに電気的に接続することと、
コバルトおよびニッケルから選択される１つ以上の材料を含む回路間トレースに隣接し、回路間トレースと導電性相互接続部との間において回路間トレースの開口部に配置されたバリヤ層と、
を含む半導体デバイス。
【請求項２】
少なくとも部分的に回路間トレースを包囲する誘電体材料と、
回路間トレースに隣接した第２のバリヤ層と、第２のバリヤ層は導電性であり、第１のバリヤ層と異なることと、第２のバリヤ層は誘電体と回路間トレースとの間に配置されていることと、
を含む請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
接続フィーチャに隣接し、接続フィーチャと導電性相互接続部との間に配置された第２のバリヤ層と、接続フィーチャはコバルトおよびニッケルから選択される１つ以上の材料を含むことと、を含む請求項１に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月23日(2010.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ出力パルスを生成するガス放電レーザシステムであって、
レーザシステム出力パルス光軸に沿ってレーザ出力パルスの一部分を誘導し、かつ該出力パルスの一部分を光学遅延経路を有する光学遅延器内に方向転換させるレーザ出力パルス光学遅延開始光学器械、
を含むパルス伸長器、
を含み、かつ
前記光学遅延器の出力を前記レーザ出力パルス光学遅延開始光学器械に送出するように直列に整列した複数の共集点共振器と、
前記レーザ出力パルス光学遅延開始光学器械によって伝達された前記レーザシステム出力パルスの前記部分の前記光軸に沿って伝達された該レーザ出力パルスの該部分と整列するように前記光学遅延器の前記出力を位置決めするように作動可能な放射形ミラー位置決め機構を含む光軸アラインメント機構と、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記複数の共集点共振器は、偶数の共集点共振器を含み、該偶数の共集点共振器を通るパスの数は、該偶数の共集点共振器の倍数を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
１２パスミラー構成を含む４つの共集点共振器、
を更に含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記複数の共集点共振器の各々は、曲率半径を有する第１の凹面ミラーと、その同じ曲率半径を有し、かつ該曲率半径によって分離された第２の凹面ミラーとを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記凹面ミラーの少なくとも一方は、球面凹面ミラーを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記位置決め機構は、
前記それぞれのミラーの位置を半径方向に調節するための調節手段、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
レーザ出力パルスを生成するガス放電レーザシステムであって、
レーザシステム出力パルス光軸に沿ってレーザ出力パルスの一部分を伝達し、かつ該出力パルスの一部分を光学遅延経路を有する光学遅延器内に方向転換させるレーザ出力パルス光学遅延開始光学器械、
を含むパルス伸長器、
を含み、かつ
前記光学遅延器の出力を前記レーザ出力パルス光学遅延開始光学器械に送出するように直列に整列した複数の共集点共振器と、
前記レーザ出力パルス光学遅延開始光学器械によって伝達された前記レーザシステム出力パルスの前記部分の前記光軸に沿って伝達された該レーザ出力パルスの該部分と整列するように前記光学遅延器の前記出力を位置決めするように作動可能な光学透過性光学要素を含む光軸変更機構と、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項８】
前記複数の共集点共振器は、偶数の共集点共振器を含み、該偶数の共集点共振器を通るパスの数は、該偶数の共集点共振器の倍数を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記透過性光学要素は、ほぼ平坦な光学要素を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７又は８に記載の装置。
【請求項１０】
前記光学透過性要素は、楔形光学要素を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月5日(2010.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡張可能な耐障害性の記憶システムを構成するための方法であって、
Ｄが２以上であるとき、Ｄ個の記憶要素をまとめて、前記記憶システムを形成する段階と、
表登録項目が含まれる記憶領域割当て表を構築する段階と、
前記各記憶要素に対して、前記記憶システムにおける冗長データの配置に関する制約条件に依存した利用可能容量を計算する段階と、
前記利用可能容量を合計して、前記記憶システムの総利用可能容量を形成する段階と、
前記記憶領域割当て表の前記表登録項目を前記記憶要素の内の１つの各識別子に割り当てる段階とを備え、
前記各記憶要素の前記利用可能容量は、前記記憶システムの一部として用いられる場合、その有効記憶容量であり、
前記記憶システムを形成する前記Ｄ個の記憶要素の全てが、必ずしも同じ利用可能容量を有しておらず、
前記記憶要素の１つを識別する前記表登録項目の割合は、所定の小さな許容誤差Ｔの範囲内において、前記総利用可能容量のその割合に等しい、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記記憶システム内のどこに格納されるかとは独立して、データブロックを一意に識別するブロックアドレスを決定する段階と、
一組のＲ個の冗長データ構成要素として、前記データブロックを符号化する段階であって、前記ブロックを再構築するために、必ずしも一組のＲ個の冗長データ構成要素の全てを必要としない、前記符号化する段階と、
前記ブロックアドレスを用いて、前記記憶領域割当て表内に表入力項目を配置する段階と、
前記表入力項目を用いて、前記記憶要素の前記１つを識別する段階と、
前記組のＲ個の冗長データ構成要素の１つを前記記憶要素の前記１つに格納する段階とを更に備える方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記ブロックアドレスは、少なくともブロックアドレスの一部に対して、不規則な分布を生成するように構成された処理を用いて決定される、方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法であって、前記符号化する段階は、消去順応符号を利用する、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、新しい記憶要素が、前記記憶システムに付加され、前記総利用可能容量を増加させ、且つ前記記憶領域割当て表は、前記各記憶要素を識別する前記全表登録項目の割合が、前記総利用可能容量のその割合の（１＋Ｔ）倍以下であることを保証するように、更新される、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、前記総利用可能容量が、前記新記憶要素の前記利用可能容量を超えて増加する、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記記憶要素の前記１つが、故障して、前記記憶システムから除去され、前記総利用可能容量が減少すると、前記記憶領域割当て表は、前記記憶要素の前記１つを識別した表登録項目を再度割り当て、代わりに前記記憶要素の残りを識別するように更新され、前記再割り当ては、前記記憶要素の残りのいずれにも、前記総利用可能容量のその割合の（１＋Ｔ）倍より大きい割合の前記表登録項目が割り当てられないことを保証するように実施される、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記記憶領域配分表は、複数の表登録項目をまとめるように構成され、各複数の前記異なるメンバが、異なる記憶要素を識別する、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記記憶要素の前記１つには、少なくとも１つのディスクドライブに取り付けられたコンピュータが含まれ、また、前記記憶要素の前記１つは、前記記憶要素の他のものによって用いられるコピーとは別の前記記憶領域割当て表のコピーを利用する、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、記憶装置は、前記記憶システムに付加又は前記記憶システムから除去され、前記記憶領域割当て表は、一度に１つの入力項目を変更することによって更新され、幾つかの変更を行う判断は、割合の比較に依存し、前記各割合は、前記表中の登録項目の数を利用可能容量で除算したものを含む、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、記憶装置は、前記記憶システムに付加又は前記記憶システムから除去され、前記記憶領域割当て表は、幾つかの登録項目を変更することによって更新され、且つ、変わる前記表登録項目の割合は、付加又は除去された前記記憶装置によって表される前記総利用可能容量の前記割合にほぼ等しい、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、前記記憶要素の前記１つには、故障のリスクが大きくなったと確信された期間中、小利用可能容量が割り当てられる、方法。
【請求項１３】
請求項２に記載の方法であって、前記記憶要素の前記１つには、第２レベル記憶システムが含まれ、前記ブロックアドレスの一部分は、前記記憶領域割当て表内の表登録項目を特定するために用いられ、前記部分は、前記第２レベル記憶システム内で用いられる前記記憶領域割当て表内の表登録項目を特定するために用いられる前記ブロックアドレスの部分とは異なる、方法。
【請求項１４】
請求項２に記載の方法であって、前記記憶要素の前記１つが故障して、前記記憶システムから除去されると、前記記憶要素の前記１つを識別した前記表入力項目は、前記記憶要素の残りの１つを識別するように再度割り当てられ、前記組のＲ個の冗長データ構成要素の前記１つは、前記組のＲ個の冗長データ構成要素の残っているものからの前記記憶要素の前記残りの１つによって再構築される、方法。
【請求項１５】
請求項２に記載の方法であって、前記記憶要素の前記１つが、故障して前記記憶システムから除去されると、ＤをＲより小さくし、異なる冗長構成要素を異なる記憶要素置くという制約条件が緩和される、方法。
【請求項１６】
請求項２に記載の方法であって、２つの各データブロックは、そのデータの暗号ハッシュを計算することによって決定されたブロックアドレスを有し、前記２つのブロックは、前記記憶システムにおける記憶空間を共有する、方法。
【請求項１７】
請求項１に記載の方法であって、３つ以上の冗長データ構成要素として符号化された前記記憶システムにおいて記憶される少なくとも１つのデータブロックが存在し、前記少なくとも１つのデータブロックを再構築するために、必ずしも前記３つ以上の冗長データ構成要素の全てを必要としない、方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法であって、前記許容誤差Ｔは、前記記憶領域割当て表の不完全性により浪費されることが許容される前記総利用可能容量の最大部分である、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月5日(2010.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
購入を処理するために、ネットワークを介して通信する複数のマシーンを含む装置であって、前記マシーンは、
消費者に電子ショッピングカートを提供し、消費者に消費者識別子を入力するプロンプト(prompt)を提供し、該電子ショッピングカートの内容物及び該消費者識別子を提出する、商店主マシーンと、
前記ショッピングカートの前記内容物及び前記消費者識別子を受信し、該消費者に関する支払情報を認証し、該消費者の支払情報を用いて前記ショッピングカートの内容物に対する支払を処理し、支払の確認を前記商店主マシーンに送信するためのサービスプラットフォームマシーンと、
を備えた装置。
【請求項２】
前記消費者に関する支払情報は、口座番号及び出荷宛先を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記消費者の支払がトークン利用品(a token-enabled product)を用いて支払われる場合には、前記消費者に関する支払情報の前記認証は、該トークン利用品のためのトークンの発行者により、前記ネットワークの通信を介した前記サービスプラットフォームマシーンによって実行されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記商店主マシーンは、パスワードを入力するプロンプトを、前記ネットワークを介して前記消費者に更に提供することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
ハードウェアによって実行される複数のソフトウェア処理ステップを含む方法であって、
消費者によって購入される品目を含む精算要求を商店主から受信する段階と、
消費者識別子を受信する段階と、
前記消費者識別子を用いて、口座番号を含む前記消費者に関する支払い情報を検索する段階と、
前記消費者に関する支払情報を用いて前記品目に対する支払を処理する段階と、
支払処理の確認を前記商店主に送信する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記消費者識別子は、前記精算要求と共に受信されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記消費者識別子を入力するプロンプトを前記消費者に提供する段階を更に含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記消費者識別子の少なくとも部分であるパスワードを入力するプロンプトを前記消費者に提供する段階を更に含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記消費者に関する支払情報を認証する段階を更に含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記消費者に関する支払情報は、前記消費者がトークン利用品で支払う場合にはトークン発行者によって認証されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記消費者に関する支払情報は、出荷宛先を更に含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
前記消費者によって購入される品目に関する支払いをエスクロー(escrow)に認識させるために、エスクローサービス(escrow service)を開始する段階を更に含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１３】
ハードウェアによって実行される複数のソフトウェア処理ステップを含む方法であって、
消費者によって購入される品目のアイデンティティ及び該消費者を識別する情報を、取引中の商店主から受信する段階と、
前記消費者を識別する情報を用いて、前記消費者に関連する情報を検索する段階と、
前記消費者に関連する前記検索された情報を、前記取引中の商店主に送信する段階と、
前記品目のアイデンティティを含む精算要求を前記商店主から受信する段階と、
前記品目に対する支払を処理する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
前記消費者に関連する前記検索された情報は、過去に顧客によって購入された商品又はサービスのアイデンティティを含み、該顧客によって購入された商品又はサービスは、前記取引中の商店主以外の商店主から購入されたものであることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記消費者に関連する前記検索された情報は、該消費者のクレジット履歴を含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
ハードウェアによって実行される複数のソフトウェア処理ステップを含む方法であって、
口座番号を含む消費者の支払情報を記憶する段階と、
前記消費者の支払情報を記憶した後に、該消費者によって購入される品目を含む精算要求を商店主から受信する段階と、
前記精算要求を受信した後、前記消費者に関連する消費者識別子を受信する段階と、
前記消費者の支払情報を用いて、前記品目に対するエスクロー支払を処理して受信する段階と、
前記品目に対する支払を受け取った確認を、前記商店主に送信する段階と、
前記消費者が前記品目を受け取ったという確認を受信する段階と、
前記消費者が前記品目を受け取った受領の確認を受信した後に、前記商店主への前記品目に対するエスクローからの支払を解除する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記消費者識別子は、前記精算要求と共に受信されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記消費者識別子を入力するプロンプトを、前記消費者に提供する段階を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記消費者識別子はパスワードを含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記消費者の支払情報を認証する段階を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
消費者が、トークン発行者によって発行されるトークン利用品で支払う場合には、前記消費者の支払情報を前記トークン発行者により認証する段階を更に含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記支払情報は、出荷宛先を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
ハードウェアによって実行される複数のソフトウェア処理ステップを含む方法であって、
消費者によって購入される品目のアイデンティティ及び該消費者を識別する情報を、取引中の商店主から受信する段階と、
前記消費者を識別する情報を用いて、前記消費者に関連する記憶された消費者情報を検索する段階であって、該消費者に関連する記憶された消費者情報は、過去に顧客によって購入された商品又はサービスのアイデンティティを含み、該顧客によって購入された商品又はサービスは、前記取引中の商店主以外の商店主から購入されたものである当該段階と、
前記消費者に関連する前記記憶された情報を、前記取引中の商店主に送信する段階と、
前記取引中の商店主から精算要求を受信する段階であって、該精算要求は、
i)前記品目のアイデンティティ、及び
ii)過去に顧客によって購入され、かつ、前記取引中の商店主以外の商店主から購入された商品又はサービスのアイデンティティを含む当該段階と、
前記品目と、並びに過去に顧客によって購入され、かつ、前記取引中の商店主以外の商店主から購入された商品又はサービスと、に対する支払いを処理する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年10月13日(2010.10.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
ログ・エントリが或る新しい被マージイベント２１０（マージ・プロパティ１１２に定義されているように）についての開始のログ・エントリである場合、当該新しい被マージイベントが開かれる（２１２、構築中の処理における複数の被マージイベントの例として図５参照）。いくつかの実施形態では、その被マージイベントのタイムアウトクロックがスタートされる（２１２）。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
今や、BINDに設定されているOperationNameを有するメッセージがマージ処理を開始することを指定する。
merge[0].starts.count=1
merge[0].starts[0].token=OperationName
merge[0].starts[0].regex=BIND
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
我々はまた、イベントが同じグループに属することをどのように識別するかを定義する必要があり、Connection（接続）、Operation（オペレーション）およびMessageId（メッセージＩＤ）の値が同一でなければならないということを指定することでこれを行う（被マージイベントのためのＩＤを形成すること）。
merge[0].id.tokens=Connection, Operation,MessageId
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
このイベントが処理されるとき、BINDにセットされた名前で「トラック化された」イベント（mergedevent）が既にあるため、mergedevent.nameがBINDにセットされることに注目されたい。そこで、この場合、OperationNameは使用されず、mergedeventは値BINDを維持する。mergedeventの値はデフォルトによって置き換えられるであろうから、今はどのようにmergedevent.deviceReceiptTimeが18/Jul/2005 12:30:30にセットされたかに注目されたい。そこで、deviceReceiptTimeは最新の値と見なされるであろう。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図３】
2009532811.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月11日(2009.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池における使用に適したカソード電極であって、
前記カソード電極は、導電性基板に支持される複数の反応性金属又は金属合金ナノ粒子、白金粒子又は白金合金粒子、及びアイオノマーを含有する組成物を含む、カソード電極。
【請求項２】
前記白金粒子又は白金合金粒子は、白金ナノ粒子又は白金合金ナノ粒子を含む、請求項１に記載のカソード電極。
【請求項３】
前記基板は、炭素を含む、請求項１に記載のカソード電極。
【請求項４】
前記基板は、炭素粉末、カーボン紙及び炭素布の１つ又は複数を含む、請求項３に記載のカソード電極。
【請求項５】
前記アイオノマーの重量は、前記組成物中の反応性ナノ粒子、及び白金粒子又は白金合金粒子を組み合わせた重量の４０重量％未満である、請求項１に記載のカソード電極。
【請求項６】
前記アイオノマーは、パーフルオロ樹脂を含む、請求項１に記載のカソード電極。
【請求項７】
複数の前記反応性ナノ粒子の少なくとも大部分は、約１００ｎｍ未満の直径を有する、請求項１に記載のカソード電極。
【請求項８】
前記反応性ナノ粒子は、約１５ｎｍ未満の直径を有するナノ粒子を含む、請求項１に記載のカソード電極。
【請求項９】
前記反応性ナノ粒子の少なくとも一部分は、酸化シェルを含む、請求項１に記載のカソード電極。
【請求項１０】
複数の前記反応性ナノ粒子は、３族〜１６族中の金属及びランタノイドからなる群から選択された１つ又は複数の金属を含む、請求項１に記載のカソード電極。
【請求項１１】
複数の前記反応性ナノ粒子は、クロム、ルテニウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、パラジウム、銀及び金からなる群から選択された１つ又は複数の遷移金属を含む、請求項１０に記載のカソード電極。
【請求項１２】
前記反応性ナノ粒子の重量は、前記組成物中の反応性ナノ粒子、及び白金粒子又は白金合金粒子を組み合わせた重量の約５重量％以上である、請求項１に記載のカソード電極。
【請求項１３】
前記反応性ナノ粒子の重量は、前記組成物中の反応性ナノ粒子、及び白金粒子又は白金合金粒子を組み合わせた重量の約３０重量％である、請求項１２に記載のカソード電極。
【請求項１４】
前記反応性ナノ粒子の重量は、前記組成物中の反応性ナノ粒子、及び白金粒子又は白金合金粒子を組み合わせた重量の約５０〜７５重量％である、請求項１２に記載のカソード電極。
【請求項１５】
前記反応性ナノ粒子の重量は、前記組成物中の反応性ナノ粒子、及び白金粒子又は白金合金粒子を組み合わせた重量の約９０重量％以上である、請求項１２に記載のカソード電極。
【請求項１６】
請求項１に記載のカソード電極を含む、燃料電池。
【請求項１７】
前記燃料電池が、直接メタノール型燃料電池である、請求項１６に記載の燃料電池。
【請求項１８】
前記燃料電池は、プロトンをカソード電極に輸送するために構成されたプロトン交換膜をさらに含む、請求項１６に記載の燃料電池。