【手続補正書】
【提出日】平成22年9月14日(2010.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、一般的に、シロキサン化合物、より具体的には、ヘテロ元素を含むシロキサン化合物に関し、また、ヘテロ元素を含むシロキサン化合物およびヘテロ元素を含むシロキサンポリマーの製造方法に関する。本発明はまた、ＩＩＢ、ＩＩＩＡ、ＩＶＡ、ＩＶＢ、ＶＢおよびＶＩＢ族からの元素に基づいたポリマーの屈折率を制御および増加させる方法に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は、一般的に、ヘテロ元素を含むシロキサン化合物（ｈｅｔｅｒｏｅｌｅｍｅｎｔ  ｓｉｌｏｘａｎｅ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、より具体的には、ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーで作製されるヘテロ元素を含むシロキサン化合物に関し、また、ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーの製造方法に関する。ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーは、金属修飾されたシロキサンポリマーであり、加えて、有機性の置換基を有する主族元素で修飾されたシロキサンポリマーも含まれる。ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、加えて、Ｍ−Ｏ−Ｓｉ結合、および／または、Ｍ−Ｏ−Ｍ結合を含み、ここでＭは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族およびＶＩＢ族から選択されるヘテロ元素である。好ましいヘテロ元素としては、これらに限定されないが、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族および、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌが挙げられる。便宜上、考察は、ゲルマニウムベースの有機化合物種で修飾されたシロキサンポリマーに焦点を当てることとする。しかしながら、当業者であれば、このようなポリマーおよび方法は、他のＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族およびＶＩＢ族にも同様に適用が可能であることを認識しているものと思われる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
本発明を説明するために所定の代表的な実施態様および詳細を示したが、当業者には明らかであろうが、添付の請求項で定義された本発明の範囲から逸脱することなく、本明細書において開示された組成および方法の様々な変化を施すことが可能である。
［本発明の態様］
１．ヘテロ元素を含むシロキサン化合物で作製された物品であって、該物品は、約１．５より大きい屈折率を有し、該物品は、０〜５０原子パーセントの水素を含み、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサン化合物は、Ｓｉ、Ｏ、ＣおよびＭを含むヘテロ元素を含むシロキサンポリマーで作製され、ここでＭは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサン化合物は、実験式：ＳｉｗＭｘＯｙＣｚで示され、ここでＭは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；０．５＊ｙ＜ｗ＋ｘ＜１．５＊ｙ；および、０．１＊ｙ＜ｗ＋ｘ＜６ｚである、上記物品。
２．前記ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーが：
（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｎ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｍ
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１であり；および、ｎ＋ｍの合計は、４８未満であり；および、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーは、環状構造を有する］；
または、
Ｒ５Ｒ６Ｒ７ＺＯ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ−ＺＲ５Ｒ６Ｒ７
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、独立して、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４、または、水酸化物から選択され；Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１であり；および、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーは、直鎖状構造を有する］；
または、
Ｘ−（Ｒ１Ｒ２Ｓｉ−Ｏ）ｎ−（Ｒ３Ｒ４Ｍ−Ｏ）ｍ−Ｘ’
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ＸおよびＸ’は、ハロゲン化物、水酸化物、および、アルコキシドから選択され；ｍおよびｎは正の整数であり、ここでｎ＋ｍは３より大きく；および、ｎ／（ｎ＋ｍ）は、０．６０より大きい］；
または、
−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ８Ｒ９ＺＯ）ｐ
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；および、Ｒ８およびＲ９の少なくとも一方は、ヒドリド、または、アリールもしくは置換されたアリール基であり；Ｚは、独立して、ＭまたはＳｉから選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｎ、ｍおよびｐは正の整数であり、ここでｎ＋ｍ＞３であり、ｎ／ｎ＋ｍ＋ｐは０．０１〜０．９９の範囲であり、および、ｐ≧１である］；
または、
−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ１０ＺＯ３／２）ｑ−
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ１０は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｚは、独立して、ＭまたはＳｉから選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｍ、ｎおよびｑは正の整数であり；ｍ＋ｎ＋ｑは、４より大きく；および、ｑは、分岐点の数である］；
または、
［（Ｒ１Ｒ２Ｒ２ＳｉＯ１／２）ｗ（Ｒ１’Ｒ２’Ｒ２’ＭＯ１／２）ｖ（Ｒ２Ｒ２ＳｉＯ）ｙ（Ｒ２’Ｒ２’ＭＯ）ｘ（Ｒ１ＳｉＯ３／２）ｚ（Ｒ１’ＭＯ３／２）ｒ（ＳｉＯ４／２）ｓ（ＭＯ４／２）ｔ］
［式中Ｒ１およびＲ１’は、独立して、脂肪族不飽和を含まないＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、または、脂肪族不飽和を含まないハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基から選択され；Ｒ２およびＲ２’は、独立して、Ｒ１、Ｒ１’、アルケニル基、または、水素であり；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；および、ｗ、ｖ、ｙ、ｘ、ｚ、ｒ、ｓ、ｔは、加水分解性の前駆体の量によって予め決定されたモル分率であり、ｖ、ｘ、ｒまたはｔの少なくとも１つは、ゼロではない］
を含む、１に記載の物品。
３．前記物品が、約１．７〜約２．８の屈折率を有する、１または２に記載の物品。
４．Ｍが、Ｇｅである、１〜３のいずれか一項に記載の物品。
５．ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーの製造方法であって、該方法は：
式：Ｒ１Ｒ２ＳｉＸ’２およびＲ３Ｒ４ＭＸ”２［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；および、Ｘ’２およびＸ”２は、独立して、ハロゲン、および、アルコキシ基から選択される］で示される前駆体を溶媒系中で加水分解して、縮合し、
式：（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｎ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｍ
［式中ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１であり；および、ｎ＋ｍの合計は、４８未満である］
で示される環状構造を形成すること、
を含む、上記方法。
６．前記溶媒系が、非極性有機溶媒、および、水相を含む、５に記載の方法。
７．前記非極性有機溶媒が、トルエン、ベンゼン、ヘプタン、石油エーテル、および、それらの組み合わせから選択される、６に記載の方法。
８．前記前駆体が、塩基性条件下で加水分解され、縮合される、５〜７のいずれかに記載の方法。
９．前記前駆体が、同時に添加される、５〜８のいずれかに記載の方法。
１０．前記前駆体が、連続的に添加される、５〜８のいずれかに記載の方法。
１１．Ｒ３Ｒ４ＭＸ”２前駆体が加水分解される前に、前記Ｒ１Ｒ２ＳｉＸ’２前駆体が加水分解される、５〜１０のいずれかに記載の方法。
１２．Ｘ’２およびＸ”２がハロゲンであり、ここで該ハロゲン化物前駆体は、Ｒ１Ｒ２ＳｉＯＨおよびＲ３Ｒ４ＭＯＨに加水分解され、さらに加水分解および縮合されて前記環状構造を形成する、５〜１１のいずれかに記載の方法。
１３．前記ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーを硬化することをさらに含む、５〜１２のいずれかに記載の方法。
１４．ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーの製造方法であって、該方法は：
式：（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｎ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｍ
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１であり；および、ｎ＋ｍの合計は、４８未満である］
で示される環状構造を提供すること；
溶媒系中で、触媒の存在下で、該環状構造を反応させて、
式：Ｐ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ−Ｐ’
［式中ＰおよびＰ’は、Ｘ、または、末端をブロックする基から選択され；Ｘは、独立して、ハロゲン化物、水酸化物、または、アルコキシドから選択され；および、ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１である］
で示される直鎖状構造を形成すること；
を含む、上記方法。
１５．式中ＰおよびＰ’は、末端をブロックする基であり、ここで前記環状構造は、Ｒ５Ｒ６Ｒ７ＺＸ、Ｒ５Ｒ６Ｒ７Ｚ−Ｏ−ＺＲ７Ｒ６Ｒ５［式中Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、独立して、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４、または、水酸化物から選択され；Ｘは、ハロゲン化物、アルコキシド、または、水酸化物から選択され；および、Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択される］、または、それらの組み合わせから選択される末端をブロックする前駆体と反応し、直鎖状構造：
Ｒ５Ｒ６Ｒ７ＺＯ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ−ＺＲ５Ｒ６Ｒ７
［式中ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１である］
を形成する、１４に記載の方法。
１６．前記環状構造が、酸性または塩基性条件下で反応する、１４または１５に記載の方法。
１７．前記環状構造が、式：Ｒ１Ｒ２ＳｉＸ’２およびＲ３Ｒ４ＭＸ”２［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；および、Ｘ’２およびＸ”２は、独立して、ハロゲン、および、アルコキシ基から選択される］で示される前駆体を、溶媒系中で加水分解および縮合することによって形成される、１４〜１６のいずれかに記載の方法。
１８．前記環状構造を、式：（Ｒ８Ｒ９ＺＯ）ｐ［式中Ｒ８およびＲ９の少なくとも一方は、ヒドリド、または、アリールもしくは置換されたアリール基である］で示される前駆体と反応させ、
式：Ｐ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ８Ｒ９ＺＯ）ｐ−Ｐ’
［式中ＰおよびＰ’は、Ｘ、または、末端をブロックする基から選択され、Ｘは、独立して、ハロゲン化物、水酸化物、または、アルコキシドから選択され、Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され；および、ｎ、ｍおよびｐは正の整数であり、ここでｎ＋ｍ＞３であり、ｎ／ｎ＋ｍ＋ｐは０．０１〜０．９９の範囲であり、および、ｐ≧１である］で示される直鎖状構造を形成することをさらに含む、１４〜１７のいずれかに記載の方法。
１９．前記環状構造を、式：Ｒ１０ＺＸ３［式中Ｒ１０は、アルキル、アルケニル、官能化したアルキル、または、官能化したアルケニル基から選択され、Ｘは、ハロゲン、水酸化物基、または、アルコキシ基であり、Ｚは、ＳｉおよびＭから選択される］で示される前駆体と反応させて、
式：Ｐ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ１０ＺＯ３／２）ｑ−Ｐ’
［式中ＰおよびＰ’は、Ｘ、または、末端をブロックする基から選択され；Ｘは、独立して、ハロゲン化物、水酸化物、または、アルコキシドから選択され；Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され；ｑは、正の整数であり；および、ｍ＋ｎ＋ｑは、４より大きい］で示される直鎖状構造を形成することをさらに含む、１４〜１７のいずれかに記載の方法。
２０．ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーの製造方法であって、該方法は、溶媒系中で、触媒の存在下で、環状（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｎ化合物、および、環状（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｍ化合物を反応させて、
式：Ｐ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ−Ｐ’
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、アルキル、アルケニル、官能化したアルキル、または、官能化したアルケニル基から選択され；ＰおよびＰ’は、Ｘ、または、末端をブロックする基から選択され；Ｘは、独立して、ハロゲン化物、水酸化物、および、アルコキシドから選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；および、ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１である］
で示される直鎖状構造を形成することを含む、上記方法。
２１．ＰおよびＰ’が末端をブロックする基であり、ここで前記環状化合物は、Ｒ５Ｒ６Ｒ７ＺＸ、Ｒ５Ｒ６Ｒ７Ｚ−Ｏ−ＺＲ７Ｒ６Ｒ５、または、それらの組み合わせから選択される末端をブロックする前駆体と反応し、ここで式中Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、独立して、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４、または、水酸化物から選択され；Ｘは、ハロゲン化物、アルコキシド、または、水酸化物から選択され；および、Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され、直鎖状構造：
Ｒ５Ｒ６Ｒ７ＺＯ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ−ＺＲ５Ｒ６Ｒ７
［式中ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１である］
を形成する、２０に記載の方法。
２２．前記環状化合物が、酸性または塩基性条件下で反応する、２０または２１に記載の方法。
２３．前記環状化合物を、式：（Ｒ８Ｒ９ＺＯ）ｐ［式中Ｒ８およびＲ９の少なくとも一方は、ヒドリド、または、アリールもしくは置換されたアリール基である］で示される前駆体と反応させ、
式：Ｐ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ８Ｒ９ＺＯ）ｐ−Ｐ’
［式中ＰおよびＰ’は、Ｘ、または、末端をブロックする基から選択され、Ｘは、独立して、ハロゲン化物、水酸化物、または、アルコキシドから選択され、Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され；および、ｎ、ｍおよびｐは正の整数であり、ここでｎ＋ｍ＞３であり、ｎ／ｎ＋ｍ＋ｐは０．０１〜０．９９の範囲であり、および、ｐ≧１である］で示される直鎖状構造を形成することをさらに含む、２０〜２２のいずれかに記載の方法。
２４．前記環状化合物を、式：Ｒ１０ＺＸ３［式中Ｒ１０は、アルキル、アルケニル、官能化したアルキル、または、官能化したアルケニル基から選択され、Ｘは、ハロゲン、水酸化物基、または、アルコキシ基であり、Ｚは、ＳｉおよびＭから選択される］で示される前駆体と反応させて、
式：Ｐ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ１０ＺＯ３／２）ｑ−Ｐ’
［式中ＰおよびＰ’は、Ｘ、または、末端をブロックする基から選択され；Ｘは、独立して、ハロゲン化物、水酸化物、または、アルコキシドから選択され；Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され；ｑは、正の整数であり；および、ｍ＋ｎ＋ｑは、４より大きい］で示される直鎖状構造を形成することをさらに含む、２０〜２２のいずれかに記載の方法。
２５．ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーの製造方法であって、該方法は、
式：Ｘ−（ＳｉＲ１Ｒ２Ｏ）ｚ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｘ’
［式中Ｒ１およびＲ２は、独立して、アルキル、アルケニル、官能化したアルキル、または、官能化したアルケニル基から選択され、ＸおよびＸ’は、独立して、ハロゲン化物、水酸化物、および、アルコキシドから選択され、ｚは、１より大きい整数であるか、または、１である］で示される直鎖状ポリシロキサン前駆体を、
Ｒ３Ｒ４ＭＸ２［式中Ｒ３およびＲ４は、独立して、アルキル、アルケニル、官能化したアルキル、または、官能化したアルケニル基から選択され、Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり、Ｘ２は、ハロゲン化物、水酸化物、および、アルコキシドから選択される］、または、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族からの元素を含む環状有機化合物から選択される第二の前駆体と溶媒系の存在下で反応させ；
式：Ｐ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ−Ｐ’
［式中ＰおよびＰ’は、Ｘ、または、末端をブロックする基から選択され；Ｘは、ハロゲン化物、水酸化物、および、アルコキシドから選択され；および、ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１である］
で示される直鎖状構造を形成すること；
を含む、上記方法。
２６．Ｐが、末端をブロックする基であり、ここで前記直鎖状ポリシロキサン前駆体および第二の前駆体は、Ｒ５Ｒ６Ｒ７ＺＸ、Ｒ５Ｒ６Ｒ７Ｚ−Ｏ−ＺＲ７Ｒ６Ｒ５、または、それらの組み合わせから選択される末端をブロックする前駆体［式中Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、独立して、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４、または、水酸化物から選択され；Ｘは、ハロゲン化物、アルコキシド、または、水酸化物から選択され；および、Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され］と反応し、直鎖状構造：
Ｒ５Ｒ６Ｒ７ＺＯ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ−ＺＲ５Ｒ６Ｒ７
［式中ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１である］
を形成する、２５に記載の方法。
２７．前記直鎖状ポリシロキサン前駆体が、酸性または塩基性条件下で反応する、２５または２６に記載の方法。
２８．前記直鎖状ポリシロキサン前駆体および第二の前駆体を、
式：（Ｒ８Ｒ９ＺＯ）ｐ
［式中Ｒ８およびＲ９の少なくとも一方は、ヒドリド、または、アリールもしくは置換されたアリール基である］で示される前駆体と反応させ、
式：Ｐ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ８Ｒ９ＺＯ）ｐ−Ｐ’
［式中ＰおよびＰ’は、Ｘ、または、末端をブロックする基から選択され、Ｘは、独立して、ハロゲン化物、水酸化物、または、アルコキシドから選択され、Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され；および、ｎ、ｍおよびｐは正の整数であり、ここでｎ＋ｍ＞３であり、ｎ／ｎ＋ｍ＋ｐは０．０１〜０．９９の範囲であり、および、ｐ≧１である］で示される直鎖状構造を形成することをさらに含む、２５〜２７のいずれかに記載の方法。
２９．前記直鎖状ポリシロキサン前駆体および第二の前駆体を、
式：Ｒ１０ＺＸ３
［式中Ｒ１０は、アルキル、アルケニル、官能化したアルキル、または、官能化したアルケニル基から選択され、Ｘは、ハロゲン、水酸化物基、または、アルコキシ基であり、Ｚは、ＳｉおよびＭから選択される］で示される前駆体と反応させ、
式：Ｐ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ１０ＺＯ３／２）ｑ−Ｐ’
［式中ＰおよびＰ’は、Ｘ、または、末端をブロックする基から選択され；Ｘは、独立して、ハロゲン化物、水酸化物、または、アルコキシドから選択され；Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され；ｑは、正の整数であり；および、ｍ＋ｎ＋ｑは、４より大きい］で示される直鎖状構造を形成することをさらに含む、２５〜２７のいずれかに記載の方法。
３０．前記触媒が、酸触媒、塩基性触媒、酸触媒の塩、塩基性触媒の塩、または、それらの組み合わせから選択される、１４〜２９のいずれかに記載の方法。
３１．前記溶媒系が、トルエン、ベンゼン、キシレン、メシチレン、クロロメタン、トリクロロエタン、ブロモベンゼン、クロロベンゼン、石油エーテル、ｎ−ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、イソオクタン、ドデカン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルイソブチルケトン、イソプロパノール、ブタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、または、それらの組み合わせから選択される、１４〜３０のいずれかに記載の方法。
３２．前記ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーを硬化することをさらに含む、１４〜３１のいずれかに記載の方法。
３３．ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーの製造方法であって、該方法は：
１種またはそれ以上のＲ１ＳｉＯ３／２前駆体、Ｒ１’ＭＯ３／２前駆体、ＳｉＯ４／２前駆体、および、ＭＯ４／２前駆体を、１種またはそれ以上のＲ１Ｒ２Ｒ２ＳｉＯ１／２前駆体、Ｒ１’Ｒ２’Ｒ２’ＭＯ１／２前駆体、Ｒ２Ｒ２ＳｉＯ前駆体、および、Ｒ２’Ｒ２’ＭＯ前駆体［式中Ｒ１およびＲ１’は、独立して、脂肪族不飽和を含まないＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、または、脂肪族不飽和を含まないハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基から選択され、Ｒ２およびＲ２’は、独立して、Ｒ１またはＲ１’基、アルケニル基、または、水素から選択され；および、Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族の金属から選択される元素である］と反応させ、
式：［（Ｒ１Ｒ２Ｒ２ＳｉＯ１／２）ｗ（Ｒ１’Ｒ２’Ｒ２’ＭＯ１／２）ｖ（Ｒ２Ｒ２ＳｉＯ）ｙ（Ｒ２’Ｒ２’ＭＯ）ｘ（Ｒ１ＳｉＯ３／２）ｚ（Ｒ１’ＭＯ３／２）ｒ（ＳｉＯ４／２）ｓ（ＭＯ４／２）ｔ］
［式中ｗ、ｖ、ｙ、ｘ、ｚ、ｒ、ｓ、ｔは、加水分解性の前駆体の量によって予め決定されたモル分率であり、ｖ、ｘ、ｒまたはｔの少なくとも１つは、ゼロではない］で示される樹脂を形成すること、
を含む、上記方法。
３４．溶媒をさらに含む、３３に記載の方法。
３５．前記溶媒が、飽和脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、環状エーテル、ケトン、ハロゲン化アルカン、ハロゲン化芳香族炭化水素、および、それらの組み合わせから選択される、３４に記載の方法。
３６．ヒドロシリル化架橋剤をさらに含む、３３〜３５のいずれかに記載の方法。
３７．前記ヒドロシリル化架橋剤が、ケイ素に結合した水素原子を有する化合物、Ｍに結合した水素原子を有する化合物、ケイ素に結合したアルケニル基を有する化合物、Ｍに結合したアルケニル基を有する化合物、または、それらの組み合わせから選択される、３６に記載の方法。
３８．前記ヒドロシリル化架橋剤が、オルガノハイドロジェンシラン、オルガノハイドロジェンシロキサン、オルガノハイドロジェンゲルマン、オルガノハイドロジェンゲルモキサン、オルガノハイドロジェンゲルモシラン、オルガノハイドロジェンゲルマノシロキサン、または、それらの組み合わせから選択される、３６〜３７のいずれかに記載の方法。
３９．ヒドロシリル化触媒をさらに含む、３３〜３８のいずれかに記載の方法。
４０．前記ヒドロシリル化触媒が、白金族金属、白金族金属を含む化合物、または、それらの組み合わせから選択される、３９に記載の方法。
４１．前記ヒドロシリル化触媒が、担持触媒である、３９〜４０のいずれかに記載の方法。
４２．前記前駆体が、約０〜約１５０℃の温度で反応する、３３〜４１のいずれかに記載の方法。
４３．縮合触媒をさらに含む、３３〜４２のいずれかに記載の方法。
４４．前記縮合触媒が、アミン、および、鉛、スズ、亜鉛および鉄のカルボン酸との錯体から選択される、４３に記載の方法。
４５．縮合架橋剤をさらに含む、３３〜４４のいずれかに記載の方法。
４６．前記縮合架橋剤が、式：（Ｒ７）ｑＳｉＸ４−ｑまたは（Ｒ７’）ｑＭＸ４−ｑ［式中Ｒ７およびＲ７’は、Ｃ１〜Ｃ８ヒドロカルビル、または、Ｃ１〜Ｃ８のハロゲンで置換されたヒドロカルビルから選択され、Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり、Ｘは、加水分解性の基であり、ｑは、０または１である］で示される、４５に記載の方法。
４７．前記反応が、塩基の存在下で起こる、３３〜４６のいずれかに記載の方法。
４８．フリーラジカル開始剤をさらに含む、３３〜４７のいずれかに記載の方法。
４９．前記フリーラジカル開始剤が、ベンゾフェノン、ハロゲン化ベンゾフェノン、アセトフェノン、ポリシラン、有機過酸化物、または、それらの組み合わせから選択される、４８に記載の方法。
５０．炭素、酸素、および、少なくとも２種のＩＶ族／ＩＶＢ族元素の組み合わせの濃度を制御して、対応するシロキサンポリマーの屈折率よりも高い目的の屈折率を達成することを含む、高分子材料の製造方法。
５１．ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーであって：
（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｎ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｍ
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１であり；および、ｎ＋ｍの合計は、４８未満であり；および、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーは、環状構造を有する］
を含む、上記シロキサンポリマー。
５２．ｎ＋ｍの合計が、１２未満である、５１に記載のヘテロ元素を含むシロキサンポリマー。
５３．Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４が、メチル基である、５１または５２に記載のヘテロ元素を含むシロキサンポリマー。
５４．（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）および（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）単位が、前記環状構造中でランダムに配置されている、５１〜５３のいずれかに記載のヘテロ元素を含むシロキサンポリマー。
５５．ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーであって、
Ｒ５Ｒ６Ｒ７ＺＯ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ−ＺＲ５Ｒ６Ｒ７
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、独立して、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４、または、水酸化物から選択され；Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１であり；および、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーは、直鎖状構造を有する］
を含む、上記シロキサンポリマー。
５６．（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）単位が、前記ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーの１〜９９モル％を構成し、および、（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）単位が、前記ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーの９９〜１モル％を構成する、５５に記載のヘテロ元素を含むシロキサンポリマー。
５７．Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７が、メチル基である、５５または５６に記載のヘテロ元素を含むシロキサンポリマー。
５８．（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）および（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）単位が、前記直鎖状構造中でランダムに配置されている、５５〜５７のいずれかに記載のヘテロ元素を含むシロキサンポリマー。
５９．ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーであって、
Ｘ−（Ｒ１Ｒ２Ｓｉ−Ｏ）ｎ−（Ｒ３Ｒ４Ｍ−Ｏ）ｍ−Ｘ’
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ＸおよびＸ’は、ハロゲン化物、水酸化物、および、アルコキシドから選択され；ｍおよびｎは正の整数であり、ここでｎ＋ｍは３より大きく；および、ｎ／（ｎ＋ｍ）は、０．６０より大きい］
を含む、上記シロキサンポリマー。
６０．ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーであって、
−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ８Ｒ９ＺＯ）ｐ
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；および、Ｒ８およびＲ９の少なくとも一方は、ヒドリド、または、アリールもしくは置換されたアリール基であり；Ｚは、独立して、ＭまたはＳｉから選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｎ、ｍおよびｐは正の整数であり、ここでｎ＋ｍ＞３であり、ｎ／ｎ＋ｍ＋ｐは０．０１〜０．９９の範囲であり、および、ｐ≧１である］
を含む、上記シロキサンポリマー。
６１．ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーであって、
−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ１０ＺＯ３／２）ｑ−
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ１０は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｚは、独立して、ＭまたはＳｉから選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｍ、ｎおよびｑは正の整数であり；ｍ＋ｎ＋ｑは、４より大きく；および、ｑは、分岐点の数である］
を含む、上記シロキサンポリマー。
６２．ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーであって、
［（Ｒ１Ｒ２Ｒ２ＳｉＯ１／２）ｗ（Ｒ１’Ｒ２’Ｒ２’ＭＯ１／２）ｖ（Ｒ２Ｒ２ＳｉＯ）ｙ（Ｒ２’Ｒ２’ＭＯ）ｘ（Ｒ１ＳｉＯ３／２）ｚ（Ｒ１’ＭＯ３／２）ｒ（ＳｉＯ４／２）ｓ（ＭＯ４／２）ｔ］
［式中Ｒ１およびＲ１’は、独立して、脂肪族不飽和を含まないＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、または、脂肪族不飽和を含まないハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基から選択され；Ｒ２およびＲ２’は、独立して、Ｒ１、Ｒ１’、アルケニル基、または、水素であり；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；および、ｗ、ｖ、ｙ、ｘ、ｚ、ｒ、ｓ、ｔは、加水分解性の前駆体の量によって予め決定されたモル分率であり、ｖ、ｘ、ｒまたはｔの少なくとも１つは、ゼロではない］
を含む、上記シロキサンポリマー。
６３．前記アルケニル基が、２〜１０個の炭素原子を有する、６２に記載のヘテロ元素を含むシロキサンポリマー。
６４．前記ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーが、約５００〜約１００，０００の数平均分子量を有する、６２または６３に記載のヘテロ元素を含むシロキサンポリマー。
６５．Ｍが、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、または、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌから選択される元素である、５１〜６４のいずれかに記載のヘテロ元素を含むシロキサンポリマー。
６６．前記ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーで作製されたフィルム、コーティングまたはゲルが、約１．７〜２．８の屈折率を有する、５１〜６５のいずれかに記載のヘテロ元素を含むシロキサンポリマー。
６７．半導体の発光活性を有する素子、レンズ、および、ヘテロ元素を含むシロキサン化合物を含む発光装置であって、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサン化合物は、Ｓｉ、Ｏ、ＣおよびＭを含むヘテロ元素を含むシロキサンポリマーで作製され、ここでＭは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサン化合物は、実験式：ＳｉｗＭｘＯｙＣｚで示され、ここでＭは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；０．５＊ｙ＜ｗ＋ｘ＜１．５＊ｙ；および、０．１＊ｙ＜ｗ＋ｘ＜６ｚであり、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサン化合物は、装置の光の放出／輸送特性効率を調節するために用いられる、上記装置。
６８．半導体の発光活性を有する素子、レンズ、および、ヘテロ元素を含むシロキサン化合物を含む発光装置であって、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサン化合物は、Ｓｉ、Ｏ、ＣおよびＭを含むヘテロ元素を含むシロキサンポリマーで作製され、ここでＭは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサン化合物は、実験式：ＳｉｗＭｘＯｙＣｚで示され、ここでＭは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；０．５＊ｙ＜ｗ＋ｘ＜１．５＊ｙ；および、０．１＊ｙ＜ｗ＋ｘ＜６ｚであり、ここで該装置は、該ヘテロ元素を含むシロキサン化合物でカプセル化される、上記装置。
６９．ヘテロ元素を含むシロキサン化合物で構成される少なくとも１つの素子で形成された光導波路構造であって、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサン化合物は、Ｓｉ、Ｏ、ＣおよびＭを含むヘテロ元素を含むシロキサンポリマーで作製され、ここでＭは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサン化合物は、実験式：ＳｉｗＭｘＯｙＣｚで示され、ここでＭは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；０．５＊ｙ＜ｗ＋ｘ＜１．５＊ｙ；および、０．１＊ｙ＜ｗ＋ｘ＜６ｚであり、該ヘテロ元素を含むシロキサン化合物の屈折率を制御することによって光路およびエネルギー損失を制御することができる、上記構造。
７０．ヘテロ元素を含むシロキサン化合物を含む光ファイバー材料であって、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサン化合物は、Ｓｉ、Ｏ、ＣおよびＭを含むヘテロ元素を含むシロキサンポリマーで作製され、ここでＭは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサン化合物は、実験式：ＳｉｗＭｘＯｙＣｚで示され、ここでＭは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；０．５＊ｙ＜ｗ＋ｘ＜１．５＊ｙ；および、０．１＊ｙ＜ｗ＋ｘ＜６ｚである、上記材料。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘテロ元素を含むシロキサン化合物で作製された物品であって、
該物品は、約１．７〜約２．８の屈折率を有し、該物品は、０〜５０原子パーセントの水素を含み、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサン化合物は、Ｓｉ、Ｏ、ＣおよびＭを含むヘテロ元素を含むシロキサンポリマーで作製され、ここでＭは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり、ここで該へテロ元素を含むシロキサン化合物は、実験式：ＳｉｗＭｘＯｙＣｚで示され、ここでＭはＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；０．５＊ｙ＜ｗ＋ｘ＜１．５＊ｙ；および、０．１＊ｙ＜ｗ＋ｘ＜６ｚであり；
該ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーが：
（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｎ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｍ
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１であり；および、ｎ＋ｍの合計は、４８未満であり；および、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーは、環状構造を有する］；
または、
Ｒ５Ｒ６Ｒ７ＺＯ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ−ＺＲ５Ｒ６Ｒ７
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、独立して、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４、または、水酸化物から選択され；Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１であり；および、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーは、直鎖状構造を有する］；
または、
Ｘ−（Ｒ１Ｒ２Ｓｉ−Ｏ）ｎ−（Ｒ３Ｒ４Ｍ−Ｏ）ｍ−Ｘ’
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ＸおよびＸ’は、ハロゲン化物、水酸化物、および、アルコキシドから選択され；ｍおよびｎは正の整数であり、ここでｎ＋ｍは３より大きく；および、ｎ／（ｎ＋ｍ）は、０．６０より大きい］；
または、
−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ８Ｒ９ＺＯ）ｐ
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；および、Ｒ８およびＲ９の少なくとも一方は、ヒドリド、または、アリールもしくは置換されたアリール基であり；Ｚは、独立して、ＭまたはＳｉから選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｎ、ｍおよびｐは正の整数であり、ここでｎ＋ｍ＞３であり、ｎ／ｎ＋ｍ＋ｐは０．０１〜０．９９の範囲であり、および、ｐ≧１である］；
または、
−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ１０ＺＯ３／２）ｑ−
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ１０は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｚは、独立して、ＭまたはＳｉから選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｍ、ｎおよびｑは正の整数であり；ｍ＋ｎ＋ｑは、４より大きく；および、ｑは、分岐点の数である］；
または、
［（Ｒ１Ｒ２Ｒ２ＳｉＯ１／２）ｗ（Ｒ１’Ｒ２’Ｒ２’ＭＯ１／２）ｖ（Ｒ２Ｒ２ＳｉＯ）ｙ（Ｒ２’Ｒ２’ＭＯ）ｘ（Ｒ１ＳｉＯ３／２）ｚ（Ｒ１’ＭＯ３／２）ｒ（ＳｉＯ４／２）ｓ（ＭＯ４／２）ｔ］
［式中Ｒ１およびＲ１’は、独立して、脂肪族不飽和を含まないＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、または、脂肪族不飽和を含まないハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基から選択され；Ｒ２およびＲ２’は、独立して、Ｒ１、Ｒ１’、アルケニル基、または、水素であり；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；および、ｗ、ｖ、ｙ、ｘ、ｚ、ｒ、ｓ、ｔは、加水分解性の前駆体の量によって予め決定されたモル分率であり、ｖ、ｘ、ｒまたはｔの少なくとも１つは、ゼロではない］；
から選択される、上記物品。
【請求項２】
ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーの製造方法であって、該方法は：
式：（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｎ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｍ
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１であり；および、ｎ＋ｍの合計は、４８未満である］で示される環状構造を提供すること；
溶媒系中で、触媒の存在下で、該環状構造を反応させて、
式：Ｐ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ−Ｐ’
［式中ＰおよびＰ’は、Ｘ、または、末端をブロックする基から選択され；Ｘは、独立して、ハロゲン化物、水酸化物、または、アルコキシドから選択され；および、ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１である］で示される直鎖状構造を形成すること；
を含む、上記方法。
【請求項３】
式中ＰおよびＰ’は、末端をブロックする基であり、ここで前記環状構造は、Ｒ５Ｒ６Ｒ７ＺＸ、Ｒ５Ｒ６Ｒ７Ｚ−Ｏ−ＺＲ７Ｒ６Ｒ５［式中Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、独立して、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４、または、水酸化物から選択され；Ｘは、ハロゲン化物、アルコキシド、または、水酸化物から選択され；および、Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択される］、または、それらの組み合わせから選択される末端をブロックする前駆体と反応し、直鎖状構造：
Ｒ５Ｒ６Ｒ７ＺＯ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ−ＺＲ５Ｒ６Ｒ７
［式中ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１である］
を形成する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記環状構造が、式：Ｒ１Ｒ２ＳｉＸ’２およびＲ３Ｒ４ＭＸ”２［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；および、Ｘ’２およびＸ”２は、独立して、ハロゲン、および、アルコキシ基から選択される］で示される前駆体を、溶媒系中で加水分解および縮合することによって形成される、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記環状構造を、式：（Ｒ８Ｒ９ＺＯ）ｐ［式中Ｒ８およびＲ９の少なくとも一方は、ヒドリド、または、アリールもしくは置換されたアリール基である］で示される前駆体と反応させ、
式：Ｐ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ８Ｒ９ＺＯ）ｐ−Ｐ’
［式中ＰおよびＰ’は、Ｘ、または、末端をブロックする基から選択され、Ｘは、独立して、ハロゲン化物、水酸化物、または、アルコキシドから選択され、Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され；および、ｎ、ｍおよびｐは正の整数であり、ここでｎ＋ｍ＞３であり、ｎ／ｎ＋ｍ＋ｐは０．０１〜０．９９の範囲であり、および、ｐ≧１である］で示される直鎖状構造を形成することをさらに含む、請求項２〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記環状構造を、式：Ｒ１０ＺＸ３［式中Ｒ１０は、アルキル、アルケニル、官能化したアルキル、または、官能化したアルケニル基から選択され、Ｘは、ハロゲン、水酸化物基、または、アルコキシ基であり、Ｚは、ＳｉおよびＭから選択される］で示される前駆体と反応させて、
式：Ｐ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ１０ＺＯ３／２）ｑ−Ｐ’
［式中ＰおよびＰ’は、Ｘ、または、末端をブロックする基から選択され；Ｘは、独立して、ハロゲン化物、水酸化物、または、アルコキシドから選択され；Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され；ｑは、正の整数であり；および、ｍ＋ｎ＋ｑは、４より大きい］で示される直鎖状構造を形成することをさらに含む、請求項２〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーの製造方法であって、該方法は、
式：Ｘ−（ＳｉＲ１Ｒ２Ｏ）ｚ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｘ’［式中Ｒ１およびＲ２は、独立して、アルキル、アルケニル、官能化したアルキル、または、官能化したアルケニル基から選択され、ＸおよびＸ’は、独立して、ハロゲン化物、水酸化物、および、アルコキシドから選択され、ｚは、１より大きい整数であるか、または、１である］で示される直鎖状ポリシロキサン前駆体を、
Ｒ３Ｒ４ＭＸ２［式中Ｒ３およびＲ４は、独立して、アルキル、アルケニル、官能化したアルキル、または、官能化したアルケニル基から選択され、Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり、Ｘ２は、ハロゲン化物、水酸化物、および、アルコキシドから選択される］、または、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族からの元素を含む環状有機化合物から選択される第二の前駆体と溶媒系の存在下で反応させ；
式：Ｐ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ−Ｐ’
［式中ＰおよびＰ’は、Ｘ、または、末端をブロックする基から選択され；Ｘは、ハロゲン化物、水酸化物、および、アルコキシドから選択され；および、ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１である］で示される直鎖状構造を形成すること；
を含む、上記方法。
【請求項８】
Ｐが、末端をブロックする基であり、ここで前記直鎖状ポリシロキサン前駆体および第二の前駆体は、Ｒ５Ｒ６Ｒ７ＺＸ、Ｒ５Ｒ６Ｒ７Ｚ−Ｏ−ＺＲ７Ｒ６Ｒ５、または、それらの組み合わせから選択される末端をブロックする前駆体［式中Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、独立して、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４、または、水酸化物から選択され；Ｘは、ハロゲン化物、アルコキシド、または、水酸化物から選択され；および、Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され］と反応し、直鎖状構造：
Ｒ５Ｒ６Ｒ７ＺＯ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ−ＺＲ５Ｒ６Ｒ７
［式中ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１である］
を形成する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記直鎖状ポリシロキサン前駆体および第二の前駆体を、
式：（Ｒ８Ｒ９ＺＯ）ｐ
［式中Ｒ８およびＲ９の少なくとも一方は、ヒドリド、または、アリールもしくは置換されたアリール基である］で示される前駆体と反応させ、
式：Ｐ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ８Ｒ９ＺＯ）ｐ−Ｐ’
［式中ＰおよびＰ’は、Ｘ、または、末端をブロックする基から選択され、Ｘは、独立して、ハロゲン化物、水酸化物、または、アルコキシドから選択され、Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され；および、ｎ、ｍおよびｐは正の整数であり、ここでｎ＋ｍ＞３であり、ｎ／ｎ＋ｍ＋ｐは０．０１〜０．９９の範囲であり、および、ｐ≧１である］で示される直鎖状構造を形成することをさらに含む、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記直鎖状ポリシロキサン前駆体および第二の前駆体を、
式：Ｒ１０ＺＸ３
［式中Ｒ１０は、アルキル、アルケニル、官能化したアルキル、または、官能化したアルケニル基から選択され、Ｘは、ハロゲン、水酸化物基、または、アルコキシ基であり、Ｚは、ＳｉおよびＭから選択される］で示される前駆体と反応させ、
式：Ｐ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ１０ＺＯ３／２）ｑ−Ｐ’
［式中ＰおよびＰ’は、Ｘ、または、末端をブロックする基から選択され；Ｘは、独立して、ハロゲン化物、水酸化物、または、アルコキシドから選択され；Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され；ｑは、正の整数であり；および、ｍ＋ｎ＋ｑは、４より大きい］で示される直鎖状構造を形成することをさらに含む、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１１】
ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーの製造方法であって、該方法は：
１種またはそれ以上のＲ１ＳｉＯ３／２前駆体、Ｒ１’ＭＯ３／２前駆体、ＳｉＯ４／２前駆体、および、ＭＯ４／２前駆体を、１種またはそれ以上のＲ１Ｒ２Ｒ２ＳｉＯ１／２前駆体、Ｒ１’Ｒ２’Ｒ２’ＭＯ１／２前駆体、Ｒ２Ｒ２ＳｉＯ前駆体、および、Ｒ２’Ｒ２’ＭＯ前駆体［式中Ｒ１およびＲ１’は、独立して、脂肪族不飽和を含まないＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、または、脂肪族不飽和を含まないハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基から選択され、Ｒ２およびＲ２’は、独立して、Ｒ１またはＲ１’基、アルケニル基、または、水素から選択され；および、Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族の金属から選択される元素である］と反応させ、
式：［（Ｒ１Ｒ２Ｒ２ＳｉＯ１／２）ｗ（Ｒ１’Ｒ２’Ｒ２’ＭＯ１／２）ｖ（Ｒ２Ｒ２ＳｉＯ）ｙ（Ｒ２’Ｒ２’ＭＯ）ｘ（Ｒ１ＳｉＯ３／２）ｚ（Ｒ１’ＭＯ３／２）ｒ（ＳｉＯ４／２）ｓ（ＭＯ４／２）ｔ］
［式中ｗ、ｖ、ｙ、ｘ、ｚ、ｒ、ｓ、ｔは、加水分解性の前駆体の量によって予め決定されたモル分率であり、ｖ、ｘ、ｒまたはｔの少なくとも１つは、ゼロではない］で示される樹脂を形成すること、
を含む、上記方法。
【請求項１２】
ヒドロシリル化架橋剤をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーであって：
（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｎ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｍ
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１であり；および、ｎ＋ｍの合計は、４８未満であり；および、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーは、環状構造を有する］；
または、 
Ｒ５Ｒ６Ｒ７ＺＯ−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ−ＺＲ５Ｒ６Ｒ７
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、独立して、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４、または、水酸化物から選択され；Ｚは、独立して、ＳｉまたはＭから選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｍおよびｎは、１より大きい整数であるか、または、１であり；および、ここで該ヘテロ元素を含むシロキサンポリマーは、直鎖状構造を有する］；
または、
Ｘ−（Ｒ１Ｒ２Ｓｉ−Ｏ）ｎ−（Ｒ３Ｒ４Ｍ−Ｏ）ｍ−Ｘ’
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ＸおよびＸ’は、ハロゲン化物、水酸化物、および、アルコキシドから選択され；ｍおよびｎは正の整数であり、ここでｎ＋ｍは３より大きく；および、ｎ／（ｎ＋ｍ）は、０．６０より大きい］；
または、
−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ８Ｒ９ＺＯ）ｐ
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；および、Ｒ８およびＲ９の少なくとも一方は、ヒドリド、または、アリールもしくは置換されたアリール基であり；Ｚは、独立して、ＭまたはＳｉから選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｎ、ｍおよびｐは正の整数であり、ここでｎ＋ｍ＞３であり、ｎ／ｎ＋ｍ＋ｐは０．０１〜０．９９の範囲であり、および、ｐ≧１である］；
または、
−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ）ｍ（Ｒ３Ｒ４ＭＯ）ｎ（Ｒ１０ＺＯ３／２）ｑ−
［式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ１０は、独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、ハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、水素、または、アルケニル基から選択され；Ｚは、独立して、ＭまたはＳｉから選択され；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；ｍ、ｎおよびｑは正の整数であり；ｍ＋ｎ＋ｑは、４より大きく；および、ｑは、分岐点の数である］；
または、
［（Ｒ１Ｒ２Ｒ２ＳｉＯ１／２）ｗ（Ｒ１’Ｒ２’Ｒ２’ＭＯ１／２）ｖ（Ｒ２Ｒ２ＳｉＯ）ｙ（Ｒ２’Ｒ２’ＭＯ）ｘ（Ｒ１ＳｉＯ３／２）ｚ（Ｒ１’ＭＯ３／２）ｒ（ＳｉＯ４／２）ｓ（ＭＯ４／２）ｔ］
［式中Ｒ１およびＲ１’は、独立して、脂肪族不飽和を含まないＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基、または、脂肪族不飽和を含まないハロゲンで置換されたＣ１〜Ｃ１０ヒドロカルビル基から選択され；Ｒ２およびＲ２’は、独立して、Ｒ１、Ｒ１’、アルケニル基、または、水素であり；Ｍは、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族またはＶＩＢ族から選択される元素であり；および、ｗ、ｖ、ｙ、ｘ、ｚ、ｒ、ｓ、ｔは、加水分解性の前駆体の量によって予め決定されたモル分率であり、ｖ、ｘ、ｒまたはｔの少なくとも１つは、ゼロではない］；
から選択される、上記シロキサンポリマー。