【事件の表示】
　特願２０００−１１２０１２「発光装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月３０日出願公開、特開２００１−　２８４５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年４月１３日（優先権主張平成１１年５月１３日）に出願された特許出願であって、原審において平成１４年９月２７日付けで通知された拒絶理由に対して、同年１２月１１日付けで手続補正がなされたところ、平成１５年１２月１１日付けで拒絶査定がなされたものであり、これに対し、平成１６年１月１４日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月１３日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年２月１３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年２月１３日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「ｎ型ＺｎＳｅ基板と、
　電極基体と、
　ＩｎあるいはＩｎ合金からなり、前記ｎ型ＺｎＳｅ基板および前記電極基体と接し、前記ｎ型ＺｎＳｅ基板を前記電極基体に固定するとともに前記ｎ型ＺｎＳｅ基板に対するオーミック電極として機能する導電層とを備え、
　前記ｎ型ＺｎＳｅ基板中のキャリア濃度が３×１０17ｃｍ-3以上３×１０18ｃｍ-3未満である、発光装置。」と補正された。
　上記補正は、「ｎ型ＺｎＳｅ基板」のキャリア濃度を「３×１０17ｃｍ-3以上３×１０18ｃｍ-3未満である」と限定する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項の規定による特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
（２）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平６−３７３５６号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 
　ア．「【０００９】【実施例】本発明の第１の実施例を図面に基づいて説明する。図１（ａ）は、ＺｎＳｅ青色半導体レーザ（ＬＤ）の構造断面図を示す。１１はＩドープｎ型ＺｎＳｅ基板、……Ｉドープｎ型ＺｎＳｅ１１の電子濃度、Ｎドープｐ型ＺｎＳｅ１３およびＳｂドープｐ型ＺｎＴｅ１４の濃度はともに１×１０18ｃｍ-3である。１５および１６はそれぞれＡｕおよびＩｎ電極である。……」
　イ．図１から、Ｉドープｎ型ＺｎＳｅ基板１１と基板下面に形成されたＩｎ電極１６がみてとれる。
　
　したがって、上記ア，イの記載事項からみて、引用例には以下の発明が記載されていると認められる。 
　「ｎ型ＺｎＳｅ基板と、
　Ｉｎからなり、ｎ型ＺｎＳｅ基板と接する電極を備え、
　ｎ型ＺｎＳｅ基板中の電子濃度が１×１０18ｃｍ-3である、半導体レーザ。」（以下、「引用発明」という。）
　
（３）対比
　次に、本願補正発明と引用発明とを対比すると、  
　ア．引用発明における「電子濃度」及び「半導体レーザ」は、それぞれ、本願補正発明における「キャリア濃度」及び「発光装置」に相当する。
　イ．引用発明におけるＩｎ電極は、導電体であり、ｎ型ＺｎＳｅ基板に対するオーミック電極であることは明らかであるから、引用発明の「Ｉｎからなり、ｎ型ＺｎＳｅ基板と接する電極」は本願補正発明における「ＩｎあるいはＩｎ合金からなり、ｎ型ＺｎＳｅ基板と接し、ｎ型ＺｎＳｅ基板に対するオーミック電極として機能する導電層」に相当するものである。
　ウ．引用発明のｎ型ＺｎＳｅ基板中の電子濃度は「１×１０18ｃｍ-3」であり、本願補正発明のｎ型ＺｎＳｅ基板のキャリア濃度である「３×１０17ｃｍ-3以上３×１０18ｃｍ-3未満」に含まれる値である。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、
　「ｎ型ＺｎＳｅ基板と、
　Ｉｎからなり、ｎ型ＺｎＳｅ基板および前記電極基体と接し、ｎ型ＺｎＳｅ基板に対するオーミック電極として機能する導電層とを備え、
　ｎ型ＺｎＳｅ基板中のキャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3である、発光装置。」である点で一致し、次の点で相違している。
　
　［相違点］
・相違点１
　本願補正発明では「電極基体」を備えているのに対して、引用発明ではこれに対応する構成が不明である点。
・相違点２
　本願補正発明では「導電体」がｎ型ＺｎＳｅ基板を前記電極基体に固定する機能を有するのに対して、引用発明ではその機能を有するか否かは不明である点。
　
（４）判断
　以下、上記相違点について検討する。
　ア．相違点１について
　引用例に発光装置（半導体レーザ）を実装する「電極基体」についての記載はないが、発光装置として構成する際、当該半導体レーザを基体に実装することは当然に行う程度のことである。
　したがって、発光装置として必要な構成である「電極基体」含んだ相違点１の構成とすることは、当業者が適宜設計し得る事項である。
　イ．相違点２について
　発光素子を実装する際にはんだ材を用いることは、慣用手段にすぎない。しかも、特開平７−３２１４１２号公報（【０００３】参照）に記載されているように、ＩｎはＺｎＳｅ系化合物半導体に用いるはんだ材として周知な材料である。
　したがって、引用発明の半導体レーザを電極基体に実装するに際してＩｎはんだを用いることは当業者であれば容易に想到し得ることである。そして、その結果として、半導体レーザのＩｎ電極とＩｎはんだとが一体となることは自明である。
　してみると、半導体レーザと電極基体との間に存在するＩｎより成る導電体（Ｉｎ電極とＩｎはんだとが一体化したもの）は、本願補正発明の「ｎ型ＺｎＳｅ基板を前記電極基体に固定するとともにｎ型ＺｎＳｅ基板に対するオーミック電極として機能する」ものということができる。
　なお、上記文献では、実施例として、活性層側を基体に固定する所謂ジャンクションダウンの例が挙げられているが、半導体レーザの基板側を基体に固定する所謂ジャンクションアップの構造も慣用される構成（例えば、特開平６−３３４２５７号公報，特開平１０−３３５７４１号公報参照）であり、上記文献に記載されたＩｎはんだをジャンクションアップの実装へ適用することを阻害する要因はない。
　
　そして、本願補正発明の奏する作用効果は、上記引用発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲内のものに過ぎない。
　したがって、本願補正発明は、上記引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１６年２月１３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１４年１２月１１日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至１２に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は、以下のものである。 
　「ｎ型ＺｎＳｅ基板と、
　電極基体と、
　ＩｎあるいはＩｎ合金からなり、前記ｎ型ＺｎＳｅ基板および前記電極基体と接し、前記ｎ型ＺｎＳｅ基板を前記電極基体に固定するとともに前記ｎ型ＺｎＳｅ基板に対するオーミック電極として機能する導電層と、
　を備えた、発光装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
（１）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、および、その記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。  
　
（２）対比・判断
　本願発明は、上記「２．」で検討した本願補正発明から「ｎ型ＺｎＳｅ基板」の限定事項である「キャリア濃度が３×１０17ｃｍ-3以上３×１０18ｃｍ-3未満である」を省いたものである。
　したがって、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を限定したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。