【事件の表示】
　特許第３４０６０７３号「樹脂封止型半導体装置」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３４０６０７３号の請求項１ないし７に係る特許を取り消す。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３４０６０７３号の発明についての出願は、平成６年８月１２日の出願であって、平成１５年３月７日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、近藤利喜三より特許異議の申立がなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１７年５月２日に意見書が提出されたものである。
　
II．特許異議の申立について
１．特許異議の申立の概要
　申立人は、証拠として下記の甲第１〜１４号証を提出して、請求項１〜７に係る発明は、甲第１〜１４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜７に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、また請求項１及び発明の詳細な説明の記載には不備があり、該特許は特許法第３６条第４項又は第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、これを取り消すべき旨主張する。
　　　　　　　　　　　　　　　　記　
甲第１号証：特開平６−１１２３５４号公報（以下、「刊行物１」という。）
甲第２号証：「電子材料」ｖｏｌ．２５　ＮＯ．１０（１９８６年１０月号）第７８〜８４頁（以下、「刊行物２」という。）
甲第３号証：特開平２−１８９９９７号公報（以下、「刊行物３」という。）
甲第４号証：特開平６−２１６２８０号公報（以下、「刊行物４」という。）
甲第５号証：特開平６−２５３８４号公報（以下、「刊行物５」という。）
甲第６号証：特開平６−１７７２８４号公報（以下、「刊行物６」という。）
甲第７号証：特開昭６３−２２６９５１号公報（以下、「刊行物７」という。）
甲第８号証：特開平６−２００１２５号公報（以下、「刊行物８」という。）
甲第９号証：「エポキシ樹脂ハンドブック」昭和６２年１２月２５日、日刊工業新聞社、第４７０〜４７２頁（以下、「刊行物９」という。）
甲第１０号証：「熱硬化性高分子の精密化」１９８６年１２月１日（株）シーエムシー　第１７４〜１７６頁（以下、「刊行物１０」という。）
甲第１１号証：特開平６−２０４２９１号公報（以下、「刊行物１１」という。）
甲第１２号証：特開平６−６１３７１号公報（以下、「刊行物１２」という。）
甲第１３号証：特開平３−２０９７４９号公報（以下、「刊行物１３」という。）
甲第１４号証：特開平６−９７６１７号公報（以下、「刊行物１４」という。）
　
２．本件発明
　本件特許第３４０６０７３号の請求項１〜７に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明７」という。）は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】回路基板、該回路基板に固着された一個又は二個以上の半導体素子、該回路基板の配線部と半導体素子の電極間又は素子間を電気的に接続する接合部材及び該回路基板に搭載された素子を封止しかつ素子の外周部が回路基板と密着するように設けられた封止材から構成される半導体装置において、回路基板のガラス転移温度Ｔｇ（Ｓ）、封止材のガラス転移温度Ｔｇ（Ｅ）及び封止材の成形温度Ｔ（Ｍ）との間に
室温（２５℃）＜Ｔｇ（Ｅ）≦Ｔ（Ｍ）＜Ｔｇ（Ｓ）なる関係が有り、Ｔｇ（Ｅ）が１２０〜１８０℃の範囲に有り、かつ、回路基板の熱膨張係数α（Ｓ）１と封止材のガラス転移温度より低温側（ガラスの領域）の熱膨張係数α（Ｍ）１とガラス転移温度より高温側（ゴム領域）の熱膨張係数α（Ｍ）２との間に
｛［α（Ｍ）２×（Ｔ（Ｍ）−Ｔｇ（Ｅ））］＋［α（Ｍ）１×（Ｔｇ（Ｅ）−２５）］｝／［α（Ｓ）１×（Ｔ（Ｍ）−２５）］＝０．７〜１．３
なる関係が成り立つことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】回路基板の配線部と半導体素子の電極間が金ワイヤあるいは金属バンプを介して電気的に接続されている請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】回路基板がガラス繊維を用いた不織布あるいは織布にエポキシ樹脂又はビスマレイミドトリアジン系樹脂を含浸硬化させた積層板である請求項１又は２記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】回路基板に搭載された素子を封止しかつ素子外周部が回路基板と密着するように設けられた封止材が熱硬化性エポキシ樹脂に充填剤を全量に対し８０〜９０重量％配合した組成物の硬化物である請求項１〜３のいずれか記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】不織布あるいは織布に含浸硬化させるエポキシ樹脂が末端あるいは側鎖に反応性官能基を有する分子量が５００−１００，０００の有機シリコーン化合物を微粒子状に分散させたエポキシ樹脂である請求項３又は４いずれか記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項６】回路基板がガラス繊維からなる織布にエポキシ樹脂又はビスマレイミドトリアジン系樹脂を含浸硬化させたガラス転移温度１８０−３００℃、熱膨張係数６−１３ｐｐｍの積層板からなり、封止材の熱膨張係数α（Ｍ）１が６−１３ｐｐｍである請求項１〜５いずれか記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項７】封止材がビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂系硬化剤、リン化合物系の硬化促進剤及び溶融シリカを主成分とする充填剤からなる組成物の硬化物である請求項１〜６いずれか記載の樹脂封止型半導体装置。」
　
３．当審における取消理由において引用した刊行物１〜１４（甲第１〜１４号証）、刊行物１５（「サイラ（反応性シリコーン）」チッソ（株）カタログ（カタログＮｏ．００１−８７．５）（本件特許の平成１５年１月２２日付意見書に添付の資料））のうち刊行物１、２、４〜８、１１、１２及び１５の記載事項
　
（１）刊行物１（特開平６−１１２３５４号公報）
（１ａ）「【請求項１】薄型オーバーモールデッド半導体デバイス（４８）であって：第１表面，第２表面，および複数のスルーホール（４４）を有する基板（４０）であって、前記第１表面は、前記複数のスルーホールの上に置かれる複数のはんだパッド（４７）を終端とする導電金属トレース（４６）のパターンを有する基板（４０）；前記第１表面の上にマウントされた半導体ダイ（５０）であって、前記半導体ダイは、前記導電金属トレースの前記パターンに電気的に結合されている半導体ダイ（５０）；封入材によって形成され、少なくとも前記半導体ダイを被覆するパッケージ・ボディ（５４）；および前記第２表面から延在する複数のはんだボール（５６）であって、前記複数のはんだボールは、前記複数のスルーホールによって前記第１表面上の複数のはんだパッドに接続されている複数のはんだボール（５６）；によって構成されることを特徴とする薄型オーバーモールデッド半導体デバイス。」（【請求項１】）
（１ｂ）従来の技術欄には、「リードレス・パッド・アレイ・キャリアの全体的な作りは、基板の上面にマウントされた半導体ダイ、および基板の下面に付着された複数のはんだボールを含む。既存の基板はビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂などのプリント回路板材であり、上下両面が銅で被覆されている。半導体ダイをマウントする最終的な基板を作るには複雑な製造工程が必要である。この基板はパネル形状で加工し、後でストリップ形状にカットしてデバイスを組み立てる。」（段落【０００３】）
（１ｃ）「・・・。改良基板４０は高分子材基板４２から構成され、この基板は上面に、導電金属トレース４６のパターンを有する。高分子材基板４２は銅張りのＢＴ樹脂を使用できるが、これに限定されない。銅張りＢＴ樹脂を使用する場合には、銅をパターニングもしくはエッチングして、導電金属トレース４６のパターンを形成する。・・・」（段落【００１２】）
（１ｄ）「・・・。図５は、完全に組立てられた薄型オーバーモールデッド・バッド・アレイ・キャリア４８を示したものである。図５において、半導体ダイ５０が基板４０の上にマウントされている。ダイ５０は複数のワイヤ・ボンド５２によってトレース４６に電気的に結合されている。ワイヤボンディング後、パッケージ・ボディ５４は、トランスファ・モールディング工程またはグローブ・トップ工程によって、基板上にオーバーモールドされて、ダイ５０，ワイヤ・ボンド５２およびトレース４６を完全に被覆する。パッケージ・ボディ５４は、高分子封止樹脂などの封入材を使用できるが、これに限定されない。パッケージ・ボディ５４に用いる材料および高分子材基板４２は、モールド・デバイスの潜在的な反りを最小にするために、ほぼ同じ範囲の熱膨張係数を有することが望ましい。オーバーモールディング工程は、従来のトランスファ・モールディング装置を用いて実施する。・・・」（段落【００１３】）
（１ｅ）図５に記載のパッケージ・ボディの充填の程度からみて、パッケージ・ボディは半導体ダイの外周部と基板とを密着するように封止していることは明らかである。
　
（２）刊行物２（「電子材料」ｖｏｌ．２５　ＮＯ．１０）
（２ａ）「ここではＣＯＢ用に適したＢＴレジン（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）使用耐熱性銅張積層板について述べる。」（７８頁左欄１９〜２１行）
（２ｂ）「現在，一般用エポキシ樹脂ガラス布基材銅張積層板（Ｇ−１０，ＦＲ−４）は，・・・超音波ボンディングする方法や，ＴＡＢをリフローソルダにより接続する方法に対して使用される」（７９頁右欄１７〜２１行）
（２ｃ）ガラス布エポキシ板について、熱膨張率１３〜１８×１０−６／℃、ガラス転移温度１２０〜１４５℃のものが記載され、ガラス布ＢＴレジン板について、熱膨張率１１〜１６×１０−６／℃、ガラス転移温度１７０〜２６０℃のもの（７８頁表１）が記載されている。
　
（４）刊行物４（特開平６−２１６２８０号公報）
  実験例４の半導体封止用エポキシ樹脂の組成が、エポキシ樹脂１００部、硬化剤１２０．３部、硬化促進剤（トリフェニルホスフィン）２部、無機充填剤（溶融シリカ）７１５部、その他の材料１６部であって、ガラス転移温度１７５℃、熱膨張係数１２．８×１０−６／℃のもの、また、実験例１〜３、５、６では、ガラス転移温度１５０〜１６６℃のもの（段落【０１４９】表１、段落【０１５０】表２）を、トランスファー成形して（１７５℃、２分間）、硬化試験片およびアルミ配線されたテスト用２８ピンのＳＯＪパッケージを作製したこと（段落【０１３２】）が記載されている。
　
（５）刊行物５（特開平６−２５３８４号公報）
（５ａ）比較例３の半導体装置の封止用エポキシ樹脂の組成が、エポキシ樹脂６０．８部、フェノール樹脂３９．３部、トリフェニルフォスフィン０．５部、溶融シリカ５５０部、その他１０数部であって、ガラス転移温度１３４℃、線膨張係数１０×１０−６／℃のもの（段落【００４５】〜段落【００５２】表１）が記載されている。
　
（６）刊行物６（特開平６−１７７２８４号公報）
（６ａ）比較例２の樹脂封止型半導体装置の封止樹脂の組成が、ビフェニル骨格エポキシ樹脂８５部、臭素化エポキシ樹脂１５部、フェノールノボラック樹脂硬化剤５０部、硬化促進剤ＤＢＵ２．７部、溶融シリカ充填剤（７４容量％）８６５部であって、ガラス転移温度１３４℃、線膨張係数１２×１０−６／℃もの、また、実施例１〜１１、比較例１、３では、ガラス転移温度１２０〜１５０℃のもの（段落【００２７】〜段落【００５３】表１）
（６ｂ）半導体チップを成形時温度１６０〜１８０℃で封止すること（段落【００２４】）が記載されている。
　
（７）刊行物７（特開昭６３−２２６９５１号公報）
（７ａ）実施例４の樹脂封止型半導体装置の封止樹脂の組成が、エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂、トリフェニルホスフィン、溶融シリカであって、膨張係数（２５〜１８０℃）１９×１０−６／℃、ガラス転移温度１８０℃のもの（７頁第１表）が記載されている。
（７ｂ）樹脂封止後でも半導体装置の反り量は著しく小さいこと（６頁右下欄１６行〜７頁左上欄１８行）が記載され、反り量の測定に際しては、成形温度１６０℃、３分の条件で成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーすること（７頁左下欄１０〜１６行）が記載されている。
　
（８）刊行物８（特開平６−２００１２５号公報））
（８ａ）実施例１〜４、比較例１〜３の半導体封止用低圧トランスファ成形材料は、その組成が、主剤としてのエポキシ樹脂（３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニル−４，４’−ジグリシジルエーテル）９０部、臭素化エポキシ樹脂１０部、フェノールノボラック５０部、トリフェニルフォスフィン硬化促進剤１．６部、全組成物中の球状溶融シリカ充填剤量８８重量以上であること（段落【００３６】〜段落【００３９】表１）
（８ｂ）充填剤の高充填により吸湿の原因である樹脂成分の含有量を最低限に抑えたこと（段落【００３３】）が記載されている。
　
（１１）刊行物１１（特開平６−２０４２９１号公報）
　実装基板のリードパッドと半導体素子の電極間が金属バンプを介して電気的に接続されること（要約参照）が記載されている。
　
（１２）刊行物１２（特開平６−６１３７１号公報）
　インナーリードと半導体チップの電極間が金線を介して電気的に接続されること（要約参照）が記載されている。
　
（１５）刊行物１５（「サイラ（反応性シリコーン）」）
　末端に反応性官能基としてエポキシ基を有する、分子量が１，０００〜１０，０００の反応性シリコーンが記載されている（両末端サイラプレーン、片末端サイラプレーンの表参照）。
　
４．対比・判断
（１）本件発明１について
　上記摘記事項（１ｄ）には、半導体ダイ５０が基板４０の上にマウントされ、ダイ５０は複数のワイヤ・ボンド５２によってトレース４６に電気的に結合され、ワイヤボンディング後、パッケージ・ボディ５４は、トランスファ・モールディング工程またはグローブ・トップ工程によって、基板上にオーバーモールドされて、ダイ５０，ワイヤ・ボンド５２およびトレース４６を完全に被覆し、薄型オーバーモールデッド・バッド・アレイ・キャリア４８を組立てること、パッケージ・ボディ５４に用いる材料および高分子材基板４２は、モールド・デバイスの潜在的な反りを最小にするために、ほぼ同じ範囲の熱膨張係数を有することが記載されている。
　そして、上記刊行物１の摘記事項（１ａ）〜（１ｅ）を総合すると、刊行物１には、「高分子材基板の上面にマウントされた半導体ダイ、該基板の上のトレースと半導体ダイを電気的に結合するワイヤ・ボンド、及びワイヤ・ボンディング後に、半導体ダイ、ワイヤ・ボンド、トレースを完全に被覆するパッケージ・ボディから構成され、パッケージ・ボディは半導体ダイの外周部が基板と密着するように設けられ、パッケージ・ボディに用いる材料および高分子材基板は、モールド・デバイスの潜在的な反りを最小にするために、ほぼ同じ範囲の熱膨張係数を有するものである薄型オーバーモールテッド・パッド・アレイ・キャリア」（以下、「刊行物１記載発明」という。）が記載されていることになる。
　
　そこで、本件発明１と刊行物１記載発明とを対比すると、刊行物１記載発明の「パッケージ・ボディに用いる材料」、「高分子材基板」、「半導体ダイ」、「ワイヤ・ボンド」は、それぞれ本件発明１の「封止材」、「回路基板」、「半導体素子」、「接合部材」に相当するから、両者は、「回路基板、該回路基板に固着された一個又は二個以上の半導体素子、該回路基板の配線部と半導体素子の電極間又は素子間を電気的に接続する接合部材及び該回路基板に搭載された素子を封止しかつ素子の外周部が回路基板と密着するように設けられた封止材から構成される樹脂封止型半導体装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
ａ）本件発明１は、「回路基板のガラス転移温度Ｔｇ（Ｓ）、封止材のガラス転移温度Ｔｇ（Ｅ）及び封止材の成形温度Ｔ（Ｍ）との間に　室温（２５℃）＜Ｔｇ（Ｅ）≦Ｔ（Ｍ）＜Ｔｇ（Ｓ）　なる関係が有」るのに対し、刊行物１記載発明はそのような関係が有ることは不明である点。
ｂ）本件発明１は、「Ｔｇ（Ｅ）が１２０〜１８０℃の範囲に有」るのに対し、刊行物１記載発明のパッケージ・ボディに用いる材料のガラス転移温度は不明である点。
ｃ）本件発明１は、「回路基板の熱膨張係数α（Ｓ）１と封止材のガラス転移温度より低温側（ガラスの領域）の熱膨張係数α（Ｍ）１とガラス転移温度より高温側（ゴム領域）の熱膨張係数α（Ｍ）２との間に　｛［α（Ｍ）２×（Ｔ（Ｍ）−Ｔｇ（Ｅ））］＋［α（Ｍ）１×（Ｔｇ（Ｅ）−２５）］｝／［α（Ｓ）１×（Ｔ（Ｍ）−２５）］＝０．７〜１．３　なる関係が成り立つ」のに対し、刊行物１記載発明はパッケージ・ボディに用いる材料および高分子材基板は、モールド・デバイスの潜在的な反りを最小にするために、ほぼ同じ範囲の熱膨張係数を有するものの、そのような関係が成り立つことが不明である点。
　
　そこで、上記相違点ａ）〜ｃ）について次に検討する。
　
相違点ａ）について
　刊行物１に記載の半導体デバイスのパッケージ・ボディに用いる材料の成形温度を、高分子材基板のガラス転移温度より低くする必要があることは、その成形加工時の加工の容易性、熱の影響等を考慮すると同基板の形状を保持してパッケージ・ボディを成形するために当然のことにすぎない。また、同成形温度をその材料のガラス転移温度に等しいか（刊行物４）又はより高くすること（刊行物４、６）は、周知のことである。
　そうすると、刊行物１記載発明において、室温（２５℃）＜パッケージ・ボディに用いる材料のガラス転移温度≦パッケージ・ボディに用いる材料の成形温度＜高分子材基板のガラス転移温度、すなわち、本件発明１の、室温（２５℃）＜Ｔｇ（Ｅ）≦Ｔ（Ｍ）＜Ｔｇ（Ｓ）なる関係に設定することは、当業者ならば適宜なし得ることである。
　            
相違点ｂ）について
　封止材のガラス転移温度として、刊行物４の実験例４には半導体封止用エポキシ樹脂で１７５ ℃のもの、刊行物５の比較例３には封止用エポキシ樹脂で１３４ ℃のもの、刊行物６の比較例２には封止用エポキシ樹脂で１３４ ℃のもの、さらに、刊行物７には封止用エポキシ樹脂で１８０ ℃のものが記載されている。
　このように、エポキシ樹脂封止材のガラス転移温度として、１３４ ℃〜１８０ ℃程度のものは周知の温度であると認められ、一方本件発明１の実施例ではエポキシ樹脂封止材を用いているから、刊行物１記載発明のパッケージ・ボディに用いる材料のガラス転移温度として、１２０〜１８０℃の範囲の内、１３４ ℃〜１８０ ℃の範囲に入るような温度を選択する程度のことは当業者ならば容易に想到することができたものである。
　
相違点ｃ）について
　本件発明１の、封止材のガラス転移温度Ｔｇ（Ｅ）≦封止材の成形温度Ｔ（Ｍ）の関係のうち、封止材のガラス転移温度Ｔｇ（Ｅ）＝封止材の成形温度Ｔ（Ｍ）の場合について検討する。
　本件発明１において、回路基板の熱膨張係数α（Ｓ）１と封止材のガラス転移温度より低温側（ガラスの領域）の熱膨張係数α（Ｍ）１とガラス転移温度より高温側（ゴム領域）の熱膨張係数α（Ｍ）２との間に成り立つ、
｛［α（Ｍ）２×（Ｔ（Ｍ）−Ｔｇ（Ｅ））］＋［α（Ｍ）１×（Ｔｇ（Ｅ）−２５）］｝／［α（Ｓ）１×（Ｔ（Ｍ）−２５）］＝０．７〜１．３　という関係は、
封止材のガラス転移温度Ｔｇ（Ｅ）＝封止材の成形温度Ｔ（Ｍ）を当てはめると、［α（Ｍ）１×（Ｔ（Ｍ）−２５）］｝／［α（Ｓ）１×（Ｔ（Ｍ）−２５）］＝０．７〜１．３となる。そして、この関係は、封止材のガラス転移温度より低温側（ガラスの領域）の熱膨張係数と回路基板の熱膨張係数の比である、α（Ｍ）１／α（Ｓ）１＝０．７〜１．３となることは自明のことである。
　これに対し、刊行物１記載発明は、パッケージ・ボディに用いる材料と高分子材基板は、モールド・デバイスの潜在的な反りを最小にするために、ほぼ同じ範囲の熱膨張係数を有するとしている。そして、刊行物１記載発明において、Ｔｇ（Ｅ）＝Ｔ（Ｍ）に適宜に設定できることは、上記「相違点ａ）について」で述べたとおりである。
　してみると、刊行物１記載発明のパッケージ・ボディに用いる材料と高分子材基板がほぼ同じ範囲の熱膨張係数を有することは、そのパッケージ・ボディに用いる材料のガラス転移温度より低温側の熱膨張係数と高分子材基板の熱膨張係数とをほぼ同じ範囲とすることを含み、これと本件発明１の上記α（Ｍ）１／α（Ｓ）１＝０．７〜１．３とは実質的に相違しない。
　　
　そして、本件発明１における効果も刊行物１に記載された発明及び周知の技術から当業者ならば予測し得る程度のことであって、格別なものとは認められない。
　したがって、本件発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１を引用する発明であって、本件発明１の構成要件をすべて含み、さらに、「回路基板の配線部と半導体素子の電極間が金ワイヤあるいは金属バンプを介して電気的に接続されている」点を構成要件としているので、この点について検討する。
　刊行物１記載発明では、基板の上のトレースと半導体ダイを電気的に結合するワイヤ・ボンドと記載されているが、ワイヤが金であるかの明記がされていない。しかし、刊行物１２には、金線を介して、インナーリードと半導体チップの電極間を接続することが記載され、また、刊行物１１には、金属バンプを介して実装基板のリードパッドと半導体素子の電極間を接続することが記載されているように、基板の配線部と半導体素子の電極間を金ワイヤあるいは金属バンプを介して電気的に接続することは周知の技術である。
　そして、刊行物１に記載の高分子材基板と半導体ダイの電極間のワイヤ・ボンディングを、上記周知の金ワイヤあるいは金属バンプを介して電気的に接続することに限定することは当業者ならば適宜なし得ることである。
　したがって、本件発明２は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）本件発明３について
　本件発明３は、本件発明１又は２を引用する発明であって、本件発明１又は２の構成要件をすべて含み、さらに、「回路基板がガラス繊維を用いた不織布あるいは織布にエポキシ樹脂又はビスマレイミドトリアジン系樹脂を含浸硬化させた積層板である」点を構成要件としているので、この点について検討する。
　刊行物１には、高分子材基板４２は銅張りのＢＴ樹脂を使用できるが、これに限定されないこと（摘記事項（１ｃ））が記載されており、また、刊行物２には、ＣＯＢ用に適したＢＴレジン（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）使用耐熱性銅張積層板、ガラス布エポキシ板、ガラス布ＢＴレジン板が記載されているように、基板が、ガラス繊維を用いた不織布あるいは織布にエポキシ樹脂又はビスマレイミドトリアジン系樹脂を含浸硬化させた積層板は周知のものである。
　そして、刊行物１記載発明の高分子材基板として、上記周知のガラス繊維を用いた不織布あるいは織布にエポキシ樹脂又はビスマレイミドトリアジン系樹脂を含浸硬化させた積層板を採用することは当業者ならば適宜なし得ることである。
　したがって、本件発明３は、刊行物１、２に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）本件発明４について
　本件発明４は、本件発明１〜３を引用する発明であって、本件発明１〜３の構成要件をすべて含み、さらに、「回路基板に搭載された素子を封止しかつ素子外周部が回路基板と密着するように設けられた封止材が熱硬化性エポキシ樹脂に充填剤を全量に対し８０〜９０重量％配合した組成物の硬化物である」点を構成要件としているので、この点について検討する。
　刊行物５には、半導体装置の封止用樹脂として、エポキシ樹脂６０．８部、フェノール樹脂３９．３部、トリフェニルフォスフィン０．５部、その他１３．５部、溶融シリカ５５０部のもの（充填剤／封止材全量：８２．８重量％）が記載され、刊行物８には、半導体封止用低圧トランスファ成形材料の主剤としてエポキシ樹脂を用い、球状溶融シリカとして全組成物中の充填剤量が８８重量以上のものが記載されている。
　このように、基板に搭載された素子を封止する封止材として、熱硬化性エポキシ樹脂に充填剤を全量に対し８０〜９０重量％配合した組成物の硬化物により形成することは周知の技術である。
　そして、刊行物１記載発明のパッケージ・ボディに用いる材料として、上記周知の熱硬化性エポキシ樹脂に充填剤を全量に対し８０〜９０重量％配合した組成物の硬化物により形成することは当業者ならば適宜なし得ることである。
　したがって、本件発明４は、刊行物１、２に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）本件発明５について
　本件発明５は、本件発明３又は４を引用する発明であって、本件発明３又は４の構成要件をすべて含み、さらに、「不織布あるいは織布に含浸硬化させるエポキシ樹脂が末端あるいは側鎖に反応性官能基を有する分子量が５００−１００，０００の有機シリコーン化合物を微粒子状に分散させたエポキシ樹脂である」点を構成要件としているので、この点について検討する。
　刊行物１５には、末端に反応性官能基としてエポキシ基を有する、分子量が１，０００〜１０，０００の反応性シリコーンが記載されている。
　そして、この有機シリコーン化合物を、例えば、特開平５−２９５０８８号公報に記載の（Ａ）．１分子中に２個以上のエポキシ基を含有するエポキシ樹脂、（Ｂ）．硬化剤および（ｃ）．分子中に反応性官能基を含有するポリシロキサン化合物を必須成分とする積層用樹脂組成物において、エポキシ樹脂中に反応性官能基を含有するポリシロキサン化合物を細かく分散した相構造とすること（段落【００１５】）の記載があるように積層用エポキシ樹脂組成物での反応性官能基を含有するポリシロキサン化合物として用いることは周知のことである。（特許権者は、平成１５年１月２２日付意見書において、「反応性官能基を有する有機シリコーン化合物」の例示として、信越化学工業の株式会社の「信越シリコーン技術資料」、及び刊行物１５を提出しているものである。）
　そうすると、刊行物１記載発明の高分子材基板の含浸樹脂として、不織布あるいは織布に含浸硬化させるエポキシ樹脂が末端あるいは側鎖に反応性官能基を有する分子量が５００−１００，０００の有機シリコーン化合物を微粒子状に分散させたエポキシ樹脂であるとすることは当業者ならば容易に想到することができたものである。
　したがって、本件発明５は、刊行物１、２に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（６）本件発明６について
　本件発明６は、本件発明１〜５を引用する発明であって、本件発明１〜５の構成要件をすべて含み、さらに、「回路基板がガラス繊維からなる織布にエポキシ樹脂又はビスマレイミドトリアジン系樹脂を含浸硬化させたガラス転移温度１８０−３００℃、熱膨張係数６−１３ｐｐｍの積層板からなり、封止材の熱膨張係数α（Ｍ）１が６−１３ｐｐｍである」点を構成要件としているので、この点について検討する。
　刊行物２には、ガラス布ＢＴレジン板であって、熱膨張率１１〜１６ｐｐｍ、ガラス転移温度１７０〜２６０℃のものが記載されており、基板として、ガラス繊維からなる織布にビスマレイミドトリアジン系樹脂を含浸硬化させたガラス転移温度１８０−２６０℃、熱膨張係数１１−１３ｐｐｍの範囲に含まれる積層板は周知のものである。
　さらに、刊行物４には、半導体封止用エポキシ樹脂の熱膨張係数が１２．８ｐｐｍのもの、刊行物５には、半導体装置の封止用エポキシ樹脂の線膨張係数が１０ｐｐｍのもの、刊行物６には、樹脂封止型半導体装置のエポキシ封止樹脂の線膨張係数が１２ｐｐｍのものが記載され封止材として、熱膨張係数が１０−１２．８ｐｐｍの範囲に含まれるものは周知のことである。
　そして、刊行物１記載発明のパッケージ・ボディに用いる材料として、上記周知の熱膨張係数が１０−１２．８ｐｐｍの範囲に含まれる封止材を採用し、さらに、高分子材基板に用いる材料として、上記刊行物２に記載のガラス繊維からなる織布にビスマレイミドトリアジン系樹脂を含浸硬化させたガラス転移温度１８０−２６０℃、熱膨張係数１１−１３ｐｐｍの範囲に含まれる積層板を採用する程度のことは当業者ならば容易に想到することができたものである。
　したがって、本件発明６は、刊行物１、２に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（７）本件発明７について
　本件発明７は、本件発明１〜６を引用する発明であって、本件発明１〜６の構成要件をすべて含み、さらに、「封止材がビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂系硬化剤、リン化合物系の硬化促進剤及び溶融シリカを主成分とする充填剤からなる組成物の硬化物である」点を構成要件としているので、この点について検討する。
　刊行物８には、実施例１〜４、比較例１〜３の半導体封止用低圧トランスファ成形材料は、その組成が、主剤としてのエポキシ樹脂（３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニル−４，４’−ジグリシジルエーテル）９０部、臭素化エポキシ樹脂１０部、フェノールノボラック５０部、トリフェニルフォスフィン硬化促進剤１．６部、全組成物中の球状溶融シリカ充填剤量８８重量以上であること（摘記事項（８ａ））が記載され、このように、封止材が、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂系硬化剤、リン化合物系の硬化促進剤及び溶融シリカを主成分とする充填剤からなる組成物の硬化物からなるものは周知の技術である。
　そして、刊行物１記載発明のパッケージ・ボディに用いる材料として、上記周知のビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂系硬化剤、リン化合物系の硬化促進剤及び溶融シリカを主成分とする充填剤からなる組成物の硬化物を採用する程度のことは当業者ならば適宜なし得ることである。
　したがって、本件発明７は、刊行物１、２に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
III．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜７は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件発明１〜７についての特許は、特許法第２９条第２項の規定により拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものである。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年９月２７日（２００５．９．２７）