Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月22日(2010.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工製品を処理するための工具であって、
（ａ）下記（ｉ）〜（ｖ）を備える細長い部材：
（ｉ）軸方向、角度方向、および、半径方向を規定する中央軸、
（ｉｉ）第一端部および第二端部、
（ｉｉｉ）上記第一端部に配置された少なくとも２つの先端部であって、上記少なくとも２つの先端部のうちの少なくとも１つが少なくとも１つの刃材を備えており、上記少なくとも２つの先端部が加圧媒体に応答して離間するように動作可能である、少なくとも２つの先端部、
（ｉｖ）上記先端部と流体連通された導管、および、
（ｖ）上記導管と流体連通された１対のベントであって、上記ベントが上記導管を通って伝えられた流体を放出するように動作可能であり、上記導管の第一部が上記１対のベントの近位にあり、上記導管の第二部が上記１対のベントの遠位にある、１対のベント、
（ｂ）開口部を規定する内面を備えたカム部材であって、上記開口部が上記細長い部材の少なくとも一部を受け入れるように構成されており、上記カム部材の内面が略テーパーの形状を有する、カム部材、
を備えた工具。
【請求項２】
成形孔の形成方法であって、
（ａ）下記（ｉ）〜（ｉｖ）を有する細長い円筒形部材を設けるステップ：
（ｉ）工具の軸上に配置された、第一端部、および、回転駆動装置に連結されるように構成された第二端部、
（ｉｉ）ある長さを有する導管、
（ｉｉｉ）上記第一端部の近位に配置された１つ以上の切削部材であって、上記軸から各第一距離に配置された１つ以上の各切削部材、および、
（ｉｖ）上記導管から外側に延びた２つ以上のベントであって、上記導管を通って伝えられる流体の一部を放出するように構成され、少なくとも２つが上記軸の周りに異なる角度位置ではあるが、上記軸に対して共通の長手方向の位置に配置された２つ以上の各ベント、
（ｂ）開口部を規定する内面を備えたカムを設けるステップ；
（ｃ）上記カムの開口部を介して上記細長い円筒形部材の少なくとも一部を挿入するステップ；
（ｄ）上記細長い円筒形部材を回転させるステップ；
（ｅ）上記導管を介して加圧流体を伝えるステップ；
（ｆ）上記細長い円筒形部材を被加工製品に向けて前進させるステップ；
（ｇ）上記導管の長さの一部に沿って上記導管内部の加圧流体の圧力を変化させ、上記圧力を変化させる行為が、上記カムの内面に対して上記２つ以上のベントのうち少なくとも２つのベントを介して上記加圧流体の一部を放出することを含む、ステップ；および、
（ｈ）上記１つ以上の切削部材を上記被加工製品と係合させ、上記係合の行為が、上記細長い円筒形部材の少なくとも一部を上記被加工製品の中に、または、上記被加工製品に対して前進させるステップ、を有する方法。
【請求項３】
上記１つ以上の切削部材を上記被加工製品に係合させる行為が、非円筒形の形状を有する孔を形成する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
上記ベントが、上記少なくとも１つの刃材と上記第二端部との間に縦方向（longitudinally）に配置されている、請求項１に記載の工具。
【請求項５】
上記各ベントが、挿管位置決めねじを備える、請求項１に記載の工具。
【請求項６】
上記各挿管位置決めねじの一部が、上記細長い部材から半径方向外側に延びている、請求項５に記載の工具。
【請求項７】
上記カム部材が上記中央軸に沿って配置される、請求項１に記載の工具。
【請求項８】
上記カム部材の上記内面が、上記ベントからの流体の放出を抑制するように構成されている、請求項１に記載の工具。
【請求項９】
上記カム部材の上記内面は、上記ベントからの上記流体の排出に対する抑制が、上記内面に沿った長手方向の位置に応じて変化するようにさらに構成されている、請求項８に記載の工具。
【請求項１０】
上記細長い部材は、上記導管の上記第二部における流体の圧力が、上記カム部材の上記内面による上記ベントからの上記流体の放出に対する抑制に応じて変化するように構成されている、請求項８に記載の工具。
【請求項１１】
上記細長い部材は、上記細長い部材の軸に対する上記少なくとも１つの刃材の半径距離が上記導管の上記第二部における流体の圧力に応じて変化するように構成されている、請求項１０に記載の工具。
【請求項１２】
上記細長い部材は、上記導管の上記第一部における流体の圧力が実質的に一定であるとき、上記細長い部材の軸に対する上記少なくとも１つの刃材の半径距離が上記導管の上記第二部における流体の圧力に応じて変化するように構成されている、請求項１１に記載の工具。
【請求項１３】
（ａ）下記（ｉ）〜（ｉｖ）を備える細長い円筒形部材：
（ｉ）工具の軸上に配置された、第一端部、および、回転駆動装置に連結されるように構成された第二端部、
（ｉｉ）上記第二端部および上記第一端部に流体連通された導管、
（ｉｉｉ）上記第一端部の近位に配置された１つ以上の切削部材であって、上記工具の軸からの各第一距離に配置された１つ以上の各切削部材、および、
（ｉｖ）上記導管から外側に延びた１つ以上のベントであって、上記導管と連通された流体の一部を放出するように構成された１つ以上の各ベント、
（ｂ）上記工具の軸に沿って配置されたカムであって、当該カムにおいて、上記細長い円筒形部材が上記カムに対して上記軸方向に変位可能であり、上記ベントが上記カムの内部に配置されるとき、上記ベントから放出された流体の排出を抑制するように構成され、上記カムは所定の長さを有して内径を規定し、上記細長い円筒形部材の一部は上記カムの上記内径の内側に配置され、上記内径は上記カムの長さに沿って変化するカム、を備える工具。
【請求項１４】
２つ以上の先端部をさらに備えており、上記１つ以上の切削部材が、上記２つ以上の先端部のうちの少なくとも１つ上に配置されている、請求項１３に記載の工具。
【請求項１５】
上記２つ以上の各先端部のうちの１つが上記導管と連通された加圧流体に応じて半径方向外側に変位するように構成された、請求項１４に記載の工具。
【請求項１６】
上記円筒形部材および上記カムは、上記導管内部の流体の圧力が、上記カムによって上記ベントを介して放出された流体の排出に対する抑制に応じて変化するようにそれぞれ構成されている、請求項１５に記載の工具。
【請求項１７】
上記カムが、開口部および長さを規定する内面を有しており、上記円筒形部材と上記開口部との間の半径方向の距離が上記カムの長さに沿って一定ではない、請求項１６に記載の工具。
【請求項１８】
上記カムの開口部が、上記孔の形状に対して略逆の形状を有する、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月12日(2010.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用の際の高温条件にさらされたケイ素を含有するフェライト系ステンレス鋼の物品上に電気抵抗性のシリカの層が形成される傾向を低減する方法であって：
該物品を使用する前に、ケイ素を該鋼から該鋼の表面へと選択的に偏析させ、酸化させてシリカ層を該鋼の表面上に形成する条件の下に該物品をさらすこと
を含む、前記方法。
【請求項２】
物品を使用する前にシリカ層の少なくとも一部を該物品の表面から除去することをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項３】
ケイ素を該鋼から該鋼の表面へと選択的に偏析させ、酸化させてシリカ層を該鋼の表面上に形成する条件の下に物品をさらすことが、該鋼に由来する該ケイ素を含むシリカ層が該鋼の表面上に形成されるのに十分な期間該物品を酸化性雰囲気において加熱することを含む、請求項１および２のいずれかの方法。
【請求項４】
フェライト系ステンレス鋼の表面付近の領域からケイ素の一部を減少させる、請求項３の方法。
【請求項５】
フェライト系ステンレス鋼が少なくとも０．１５重量パーセントのケイ素を含む、請求項４の方法。
【請求項６】
フェライト系ステンレス鋼が：１５〜３０重量％のクロム；０〜６重量％のモリブデン；２重量％までのマンガン；１重量％までのニッケル；１重量％までのケイ素；１重量％までのアルミニウム；０．１重量％までの炭素；０．１重量％までの窒素；１重量％までのチタン；１重量％までのニオブ；１重量％までのジルコニウム；１重量％までのバナジウム；鉄；および付随的な不純物；
を含む、請求項４の方法。
【請求項７】
フェライト系ステンレス鋼が、ＡＩＳＩタイプ４３０ステンレス鋼、ＡＩＳＩタイプ４３９ステンレス鋼、ＡＩＳＩタイプ４４１ステンレス鋼、ＡＩＳＩタイプ４４４ステンレス鋼、およびＵＮＳ  Ｓ４４６２７ステンレス鋼を含む群から選択される、請求項４の方法。
【請求項８】
物品を加熱することが、実際に用いるときにさらされる温度よりも高い温度において該物品を加熱することを含む、請求項３の方法。
【請求項９】
物品を加熱することが、実際に用いるときにさらされる温度よりも少なくとも１００℃高い温度において該物品を加熱することを含む、請求項３の方法。
【請求項１０】
物品を加熱することが、実際に用いるときにさらされる温度よりも少なくとも２００℃高い温度において該物品を加熱することを含む、請求項３の方法。
【請求項１１】
物品を加熱することが、少なくとも６００℃の温度において該物品を加熱することを含む、請求項３の方法。
【請求項１２】
物品を加熱することが、６００℃〜１１００℃の範囲の温度において該物品を加熱することを含む、請求項３の方法。
【請求項１３】
酸化性雰囲気が、１×１０−２０気圧より高くない分圧で酸素を含む気体雰囲気である、請求項３の方法。
【請求項１４】
物品を加熱することが、６００℃〜１１００℃の範囲の温度において該物品を加熱することを含む、請求項１３の方法。
【請求項１５】
酸化性雰囲気が、水素、１×１０−２０気圧より高くない分圧の酸素、および付随的な不純物から本質的になる気体雰囲気である、請求項３の方法。
【請求項１６】
物品を加熱することが、６００℃〜１１００℃の範囲の温度において該物品を加熱することを含む、請求項１５の方法。
【請求項１７】
物品を酸化性雰囲気において加熱することが、少なくとも６００℃の温度において少なくとも２分間該物品を加熱することを含む、請求項３の方法。
【請求項１８】
表面上に形成されたシリカ層が、物品の１ミリメートルの厚さあたり少なくとも０．５ミクロンの厚さを有する層である、請求項３の方法。
【請求項１９】
シリカ層の少なくとも一部を除去することが、シリカ層を機械的、化学的、および熱化学的処理の少なくとも１種類に供することを含む、請求項２の方法。
【請求項２０】
シリカ層の少なくとも一部を除去することが、シリカ層を、水酸化ナトリウム、フッ化水素酸、硝酸、および塩酸からなる群から選択される化合物を含む液体と、その一部を除去するのに十分な期間接触させることを含む、請求項２の方法。
【請求項２１】
シリカ層の少なくとも一部を除去することが、シリカ層の下にある鋼を物品から除去することがない、請求項１９の方法。
【請求項２２】
物品が、圧延製品、シート、および燃料電池のインターコネクトからなる群から選択される、請求項１および２のいずれかの方法。
【請求項２３】
フェライト系ステンレス鋼の残りの部分と比べてケイ素が減少した表面付近の領域を含むフェライト系ステンレス鋼を含む製造物品。
【請求項２４】
物品が高温酸化性条件にさらされた際に鋼に由来するケイ素を含む電気抵抗性のシリカの層が形成される傾向が低減された、請求項２３の製造物品。
【請求項２５】
フェライト系ステンレス鋼が、ＡＩＳＩタイプ４３０ステンレス鋼、ＡＩＳＩタイプ４３９ステンレス鋼、ＡＩＳＩタイプ４４１ステンレス鋼、ＡＩＳＩタイプ４４４ステンレス鋼、およびＵＮＳ  Ｓ４４６２７ステンレス鋼を含む群から選択される、請求項２３の製造物品。
【請求項２６】
物品が燃料電池のインターコネクトである、請求項２４および２５のいずれかの物品。
【請求項２７】
ケイ素を含有するフェライト系ステンレス鋼を、ケイ素を該鋼から該鋼の表面へと選択的に偏析させ、酸化させてシリカ層を該鋼の表面上に形成する条件の下に該鋼をさらすことにより処理すること；および
処理された該鋼から燃料電池のインターコネクトを製作すること；
を含む、燃料電池のインターコネクトを作る方法。
【請求項２８】
ケイ素を含有するフェライト系ステンレス鋼を処理することが、燃料電池のインターコネクトを製作する前にその表面からシリカ層の少なくとも一部を除去することを更に含む、請求項２７の方法。
【請求項２９】
インターコネクトを実際に用いる前に、ケイ素を該鋼から該鋼の表面へと選択的に偏析させ、酸化させてシリカ層を該鋼の表面上に形成する条件の下に該インターコネクトをさらすこと；
を含む、実際に用いるときに高温条件にさらされた際にインターコネクトの表面上に電気抵抗性のシリカのスケールが形成される傾向を低減させるための、ケイ素を含有するフェライト系ステンレス鋼を含む燃料電池のインターコネクトを処理する方法。
【請求項３０】
インターコネクトを実際に用いる前に、ステンレス鋼の表面からシリカ層の少なくとも一部を除去することを更に含む、請求項２９の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月25日(2010.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともモータおよびブレーキを含む駆動装置の試験方法であって、
ａ）ブレーキを閉じるステップと、
ｂ）モータを既知の出発角度位置から閉じたブレーキに抗して第１の回転方向に試験トルクにて駆動し、この際試験トルクがブレーキの拘束トルクよりも小さく、モータを閉じたブレーキに抗して第１の回転方向に第１の限界位置に到達する迄駆動するステップと、
ｃ）既知の出発角度位置と第１の限界位置から第１のねじり角度を求めるステップと、
ｄ）求めた第１のねじり角度と第１のねじり基準角度とを比較するステップと
を有し、
前記試験方法が、試験ルーチンとして、駆動装置に含まれているモータ制御のための電力変換装置において実現されていることにより、方法ステップが電力変換装置によって実行される方法。
【請求項２】
ステップｂ）とｃ）の間に、モータを第１の限界位置から閉じたブレーキに抗して第１とは反対方向の第２の回転方向に試験トルクにて駆動し、モータを閉じたブレーキに抗して第２の回転方向に、第２の限界位置に到達する迄駆動するステップを挿入し、
ステップｃ）の後に、第１と第２の限界位置から第２のねじり角度を求めるステップを挿入し、
ステップｄ）の後に、求めた第２のねじり角度と第２のねじり基準角度とを比較するステップを挿入した
請求項１記載の方法。
【請求項３】
第１と第２のねじり角度から総合ねじり角度が形成され、第１と第２のねじり基準角度から形成された総合ねじり基準角度と比較される請求項２記載の方法。
【請求項４】
少なくともモータおよびブレーキを含む駆動装置の試験方法であって、
１）ブレーキを閉じるステップと、
２）モータを閉じたブレーキに抗して第１の回転方向に試験トルクにて駆動し、この際試験トルクがブレーキの拘束トルクよりも小さく、モータを閉じたブレーキに抗して第１の回転方向に第１の限界位置に到達する迄駆動するステップと、
３）モータを第１の限界位置から閉じたブレーキに抗して第１とは反対方向の第２の回転方向に試験トルクにて駆動し、モータを閉じたブレーキに抗して第２の回転方向に第２の限界位置に到達する迄駆動するステップと、
４）第１および第２の限界位置からねじり角度を求めるステップと、
５）ねじり角度とねじり基準角度とを比較するステップと
を有し、
前記試験方法が、試験ルーチンとして、駆動装置に含まれているモータ制御のための電力変換装置において実現されていることにより、方法ステップが電力変換装置によって実行される方法。
【請求項５】
ブレーキがばね圧ブレーキとして構成されている請求項１乃至４の１つに記載の方法。
【請求項６】
第１又は第２の限界位置は、試験トルクが第１又は第２の回転方向においてモータをブレーキの拘束トルクに抗して回転させるためには最早足りなくなるモータの角度位置、従ってモータが静止状態に至るモータの角度位置に相当する請求項１乃至５の１つに記載の方法。
【請求項７】
ねじり基準角度がブレーキの許容し得るねじり遊びのための尺度である請求項１乃至６の１つに記載の方法。
【請求項８】
比較が許容できない偏差を表わす場合に、試験後における駆動装置の作動が阻止される請求項１乃至７の１つに記載の方法。
【請求項９】
請求項１乃至８の１つに記載の方法を実施するためにソフトウェア技術的に装備された、少なくとも１つのモータおよび１つのブレーキの制御のための駆動装置用の電力変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月4日(2010.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ローカライゼーションシステムで生成された３次元のローカライゼーション場にある物体の位置を決定する方法であり、
隣接する電極からの距離が既知である複数個の電極を備えているカテーテルを用意する工程と、
物体が種々の位置にある際の、ローカライゼーション場にある物体の位置とローカライゼーションシステムによる測定値を関連付けるレファレンスデータを備えており、ローカライゼーションシステムで使用する３次元の参照用の表を用意する工程と、
カテーテルをローカライゼーション場に置く工程と、
ローカライゼーションシステムを使用して、３次元の参照用の表のレファレンスデータを用いて複数個の電極のそれぞれの位置を計測する工程と、
計測された個々の電極の位置から少なくとも隣接する電極同士の間の距離の各々を計算する工程と、
少なくとも一対の電極同士の間の計測された距離を既知の距離と比較して誤差信号を決定する工程と、
より正確な電極対間距離が計測されるように、誤差信号に基づいて３次元の参照用の表のレファレンスデータを調整する工程
を備える方法。
【請求項２】
誤差信号に基づいて３次元の参照用の表のレファレンスデータを調整する工程が、カーネル関数を用いて３次元の参照用の表のレファレンスデータを適合的に更新すること
を含む、請求項１の方法。
【請求項３】
カーネル関数は、調整されるポイントの複数個の電極からの距離が増加するにつれて、大きさが小さくなるようにレファレンスデータを更新する収束関数の一種である、請求項２の方法。
【請求項４】
カーネル関数はガウス関数の一つである、請求項２の方法。
【請求項５】
カーネル関数は、以下の式を満たす、請求項４の方法。
【数４】
2010520780.tif 000001
【請求項６】
ローカライゼーション場に物体を置く工程と、
３次元の参照用の表の調整されたレファレンスデータを用いて物体の位置を決定する工程
をさらに備える、請求項１の方法。
【請求項７】
レファレンスデータは、電圧の測定値をローカライゼーション場内の物理的位置に関連付ける情報を含んでいる、請求項１の方法。
【請求項８】
３次元の参照用の表を用意する工程は、ローカライゼーション場が完全に均一であるとしたときのレファレンスデータを予測して３次元の参照用の表を作成する過程を備えている、請求項１の方法。
【請求項９】
ローカライゼンーション場の不均一性から生じる誤差の補正機能を備えたローカライゼンーションシステムであり、
ローカライゼンーション場にある物体の位置を決定するのに利用可能なローカライゼンーション場を作り出す少なくとも一つのローカライゼンーション場の生成装置と、
その少なくとも一つのローカライゼンーション場の生成装置によって生成されたローカライゼンーション場の値を検出する少なくとも一つの検出装置と、
ローカライゼンーション場にある物体の測定された位置を決める基準となる複数個の参照ポイントを備えているローカライゼンーション場の３次元座標系を生成するモデリング処理装置と、
観測された距離と実際の距離の差を求める誤差処理装置と、
モデリング処理装置と誤差処理装置に接続されており、観測された距離と実際の距離の差が減少するように、３次元座標系の少なくとも２個の参照ポイントの位置を調整し、誤差処理装置で検出された誤差を調整する補正処理装置
を備えるシステム。
【請求項１０】
補正処理装置は、少なくとも２個の参照ポイントの位置を適合的に調整するカーネル関数を用いる、請求項９のシステム。
【請求項１１】
補正処理装置は、観測された距離が実際の距離よりも長い場合に、３次元の座標系に含まれる二つの参照ポイントを隔てている距離を減少させ、観測された距離が実際の距離よりも短い場合に、３次元の座標系に含まれる二つの参照ポイントを隔てている距離を増大させることによって、少なくとも２個の参照ポイントの位置を適合的に調整する、請求項９のシステム。
【請求項１２】
既知の距離だけ隔てられている複数個の補正用の要素を備えている補正用のツールをさらに備えており、
補正用の要素間の観測された距離が補正用の要素間の実際の距離と比較される、
請求項９のシステム。
【請求項１３】
モデリング処理装置は、参照ポイントが少なくとも一つの検出器で検出される検出値に関連付けられている３次元の参照表を備えている３次元座標系を生成する、請求項９のシステム。
【請求項１４】
少なくとも一つのローカライゼンーション場の生成装置は、３つの軸のそれぞれに沿って離反している３つの電極対を備えており、その３つの電極対がローカライゼンーション空間における物体の位置を決定するのに利用可能な３つの電場を生成し、
少なくとも一つの検出装置は、３個の電場の各々における電圧レベルを検出することができ、
モデリング処理装置は、座標系の参照ポイントを、少なくとも一つの検出装置で３個の電場の各々で検出される値に関連付けている３次元の参照用の表を備えている３次元座標系を作り出す
請求項９のシステム。
【請求項１５】
補正処理装置は、３つの電場の不均一性を調整する、請求項１４のシステム。
【請求項１６】
ローカライゼンーション場は磁場であり、
少なくとも一つの検出器は、磁場の異なる成分を検出する３個のコイルを備えている
請求項９のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月7日(2010.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端で入力光信号を受信し、他端で変調された光信号を出力するように構成された半導体平面光導波路コアと、
前記半導体平面光導波路コアの両側に隣接するように配置され、前記入力光信号が前記半導体平面光導波路コアに沿って伝播する間、前記入力光信号の伝播方向に横切って前記半導体平面光導波路コアに電圧を印加することができる第１および第２のドープされた半導体接続パスと、
電圧源と、
を含む光変調器を備える装置であって、
前記半導体平面光導波路コアならびに前記第１および第２のドープされた半導体接続パスが、背面ＰＮ半導体接合部を有する構造を形成し、
前記半導体平面光導波路コアが、前記接合部の両方に側部を形成し、
前記第１および第２のドープされた半導体接続パス、前記背面ＰＮ半導体接合部ならびに前記電圧源が直列に接続されている装置。
【請求項２】
前記背面ＰＮ半導体接合部の少なくとも１つが、真性半導体層または絶縁層をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記電圧源が、直流バイアス電圧０の交流信号を出力するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
導波路の半導体光導波路コア中の端部に入力光信号を送り込む工程と、
前記入力光信号の伝播方向に横切って、前記半導体光導波路コアの幅または高さの両端間に印加される電圧源からの出力電圧を変調する工程であって、前記半導体平面光導波路コアの両側に隣接するように配置された第１および第２のドープされた半導体接続パスを介して前記出力電圧が印加されることで、前記半導体光導波路コアに沿って前記入力光信号が伝播している間、前記第１および第２のドープされた半導体接続パスならびに前記半導体光導波路コアによって形成された背面ＰＮ半導体接合部付近のキャリア密度が変調される工程と、
前記導波路の半導体光導波路コアの端部から変調された光信号を出力する工程と、
を含む前記入力光信号を変調する工程を備える半導体平面光導波路の動作方法であって、
各ＰＮ半導体接合部の一部分が、前記半導体光導波路コア中に配置され、
前記半導体平面光導波路コアが、前記接合部の両方に側部を形成し、
前記第１および第２のドープされた半導体接続パス、前記背面ＰＮ半導体接合部ならびに前記電圧源が直列に接続されている方法。
【請求項５】
前記変調された光学信号が、前記電圧源の出力電圧の変調周波数の２倍で変調される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記背面ＰＮ半導体接合部の少なくとも１つが、ドープされた半導体層の間に挟まれた真性半導体層または絶縁層をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つのＰＮ半導体接合部がその中に配置された突条部分を含み、一端で入力光信号を受信し、他端で変調された光信号を出力するように構成された半導体平面光導波路コアと、
前記突条部分の横に隣接するように配置され、前記入力光信号が前記半導体平面光導波路コアに沿って伝播する間、前記入力光信号の伝播方向に横切って前記突条部分に電圧を印加することができる第１および第２のドープされた半導体接続パスと、
電圧源と、
を含む光変調器を備える装置であって、
前記突条部分が、背面ＰＮ半導体接合部を形成するＮＰＮまたはＰＮＰの順で形成された半導体層を含み、
前記半導体平面光導波路コアが、前記接合部の両方に側部を形成し、
前記第１および第２のドープされた半導体接続パス、前記背面ＰＮ半導体接合部ならびに前記電圧源が直列に接続されている装置。
【請求項８】
前記１つまたは複数のドープされた半導体接続パスの少なくとも１つと、前記突出部分との間に配置された絶縁層をさらに含む、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
一端で入力光信号を受信し、他端で変調された光信号を出力するように構成された半導体平面光導波路コアと、
前記半導体平面光導波路コアのＮ型領域に隣接するように配置されたＮ型にドープされた半導体接続パス、ならびに前記半導体平面光導波路コアのＰ型領域に隣接するように配置されたＰ型にドープされた半導体接続パスであって、前記Ｎ型領域が前記Ｎ型にドープされた半導体接続パスおよび前記Ｐ型領域の間に配置され、前記Ｐ型領域が前記Ｐ型にドープされた半導体接続パスおよび前記Ｎ型領域の間に配置され、前記Ｎ型およびＰ型にドープされた半導体接続パスが前記入力光信号の伝播方向に横切って前記半導体平面光導波路コアに電圧を印加することができる半導体接続パスと、
を含む光変調器を備える装置であって、
前記半導体平面光導波路コアが、前記Ｎ型およびＰ型にドープされた領域に形成されたＰＮ接合部を含み、
真性半導体層または絶縁層が、前記Ｎ型およびＰ型にドープされた半導体接続パスの少なくとも１つと前記半導体平面光導波路コアとの間に配置されている装置。
【請求項１０】
前記真性半導体層または前記絶縁層が、前記Ｎ型およびＰ型にドープされた半導体接続パスの各々と前記半導体平面光導波路コアとの間に配置されている、請求項９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月12日(2010.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の装置によって第２の装置の能力を発見するステップと、
前記第１の装置及び前記第２の装置の能力の少なくとも一部に基づいて、前記第１の装置及び前記第２の装置のいずれが制御ブートイメージを実行するのかを前記第１の装置によって判別するステップと、
前記第１の装置が前記制御ブートイメージを実行すると判別されたとき、前記第１の装置によって第１のブートイメージを実行し、前記第２の装置を前記第１のブートイメージ用のリソースとするステップと、
前記第２の装置が前記制御ブートイメージを実行すると判別されたとき、前記第１の装置に記憶された第２のブートイメージを前記第１の装置によって実行用の前記第２の装置に送信し、前記第１の装置を前記第２のブートイメージ用のリソースとするステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１の装置によって、前記第２のブートイメージが前記第２の装置と適合するか否かを判別するステップ
を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の装置によって、前記第２の装置で前記第２のブートイメージを実行することが前記第１の装置に記憶されたブート方針に従っているか否かを判別するステップ
を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の装置で前記第２のブートイメージを実行することが前記第１の装置に記憶された前記ブート方針に従っているか否かを判別する前に、前記第１の装置によって、中央サイトに接続することにより前記ブート方針を更新するステップ
を備えることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２のブートイメージを前記第２の装置に送信する前に、前記第１の装置によって前記第２のブートイメージを更新するステップ
を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のブートイメージを前記第２の装置に送信した後に、前記第１の装置で実行するオペレーティングシステムによってスリープ状態に入るステップと、
前記第１の装置と前記第２の装置との間の接続が切断されたとき、前記スリープ状態から起動するステップと、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の装置と前記第２の装置との間の接続を確立するステップであって、前記第１の装置はオペレーティングシステムが実行中であり、前記第２の装置はプリブートにあるステップ
を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の装置の能力を発見するステップは、前記第１の装置からの能力のクエリに応答して前記第２の装置から能力報告データを前記第１の装置で受信するステップを備える
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の装置によって前記第２の装置を認証するステップ
を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の装置及び前記第２の装置のいずれが制御ブートイメージを実行するかを判別するステップは、ユーザから当該判別の確認を前記第１の装置で受信するステップを備える
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
モバイル装置とドックとの間の接続を行うステップであって、前記モバイル装置は第１のブートイメージを実行中で、前記ドックはプリブートにある、ステップと、
前記モバイル装置及び前記ドックの能力の少なくとも一部に基づいて、前記モバイル装置及び前記ドックのいずれが制御ブートイメージを実行するのかを判別するステップと、
前記ドックが前記制御ブートイメージを実行するとき、前記モバイル装置から前記ドックに第２のブートイメージを送信し、前記ドックで前記第２のブートイメージを実行するステップであって、前記第２のブートイメージは前記制御ブートイメージを含む、ステップと、
前記モバイル装置が前記制御ブートイメージを実行するとき、前記第１のブートイメージを前記モバイル装置で実行するステップであって、前記第１のブートイメージは前記制御ブートイメージを含む、ステップと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記モバイル装置及び前記ドックのいずれが制御ブートイメージを実行するのかを判別するステップは、前記ドックが前記モバイル装置に記憶された１以上のブートイメージと適合するか否かを判別するステップを備える
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２のブートイメージは前記ドックの仮想マシン環境で実行される
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２のブートイメージを前記ドックでの実行のために前記ドックに送信する前に、前記モバイル装置によって前記第２のブートイメージを更新するステップ
を備えることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ドックが前記制御ブートイメージを実行するとき、前記モバイル装置で実行する前記第１のブートイメージによってスリープ状態に入るステップ
を備えることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記モバイル装置からの能力のクエリに応答して前記ドックから能力報告データを前記モバイル装置で受信するステップ
を備えることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
第２の計算装置と接続される第１の計算装置を備え、前記第１の計算装置は、第１の計算装置によって実行されるときに処理を実行するコンピュータ可読命令を記憶したシステムであって、
前記第２の計算装置の能力を発見するステップと、
前記第１の計算装置及び前記第２の計算装置の能力の少なくとも一部に基づいて、前記第１の計算装置及び前記第２の計算装置のいずれが制御ブートイメージを実行するかを判別するステップと、
前記第１の計算装置が前記制御ブートイメージを実行すると判別されたとき、前記第１の計算装置によって第１のブートイメージを実行し、前記第２の計算装置を前記第１のブートイメージ用のリソースとするステップと、
前記第２の計算装置が前記制御ブートイメージを実行すると判別されたとき、前記第１の計算装置に記憶された第２のブートイメージを実行用の前記第２の計算装置に送信し、前記第１の計算装置を前記第２のブートイメージ用のリソースとするステップと
を備えた動作を行うことを特徴とするシステム。
【請求項１８】
前記第１の計算装置と前記第２の計算装置とのいずれが制御ブートイメージを実行するかを判別するステップは、前記第２の計算装置が前記第１の計算装置に記憶された１以上のブートイメージと適合するか否かを判別するステップを備える
ことを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記第１の計算装置と前記第２の計算装置とのいずれが制御ブートイメージを実行するかを判別するステップは、前記第１の計算装置に記憶された方針を適用するステップを備える
ことを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項２０】
前記第１の計算装置と前記第２の計算装置とのいずれが制御ブートイメージを実行するかを判別するステップは、ユーザから当該判別の確認を受信するステップを備える
ことを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月24日(2010.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
列として配置されたNANDフラッシュメモリセルストリングの少なくとも1つのブロックを有するメモリアレイであって、前記NANDフラッシュメモリセルストリングのそれぞれは、フラッシュメモリセルを有し、前記少なくとも1つのブロックが、第1ワード線から最終ワード線への所定の方向にプログラム可能なページを有し、さらに、前記少なくとも１つのブロックが、開始アドレスによって動的に構成可能な第１ワード線の順次セットを有するメモリアレイと、
第１ワード線に接続されたフラッシュメモリセルを同時に消去する消去電圧まで基板にバイアスがかけられたときに、前記第1ワード線を第1電圧まで駆動する行回路であって、行デコーダが、第2ワード線に結合された前記フラッシュメモリセルの消去を抑制するために前記第2ワード線を第2電圧まで駆動し、前記第2ワード線が、最初の非選択ワード線から最後の非選択ワード線までを含み、前記第1ワード線が、前記最後の非選択ワード線に隣接する前記開始アドレスによってアドレスされた最初に選択されたワード線から、最後に選択されたワード線までを含む行回路と
を備えるフラッシュメモリ装置。
【請求項２】
第１ワード線の前記順次セットに接続された前記フラッシュメモリセルは、マルチビットセル(MBC)である請求項1に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項３】
第１ワード線の前記順次セットは、第１ワード線の第１順次セットであり、
前記少なくとも１つのブロックは、第３ワード線の第２順次セットを含み、
第３ワード線の前記第２順次セットは、同時に消去可能なフラッシュメモリセルに接続され、
第１ワード線の前記第１順次セットと第３ワード線の前記第２順次セットとは、相互に隣接していない請求項1に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項４】
前記少なくとも1つのブロックの前記NANDフラッシュメモリセルストリングは、共通ソース線に結合され、
前記フラッシュメモリ装置は、消去検証動作中に前記共通ソース線の電圧を第3電圧と第4電圧の間に設定するソース線電圧制御回路をさらに含む請求項1に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項５】
前記第4電圧が前記第3電圧未満であり、
前記共通ソース線の前記電圧が、第1ワード線の数が増加するにつれて低下する請求項4に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項６】
前記最後に選択されたワード線は、前記最終ワード線を含む請求項1に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項７】
前記最後に選択されたワード線と選択デバイスとの間の第3ワード線に接続される前記フラッシュメモリセルは、データを格納する請求項1に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項８】
前記第3ワード線に接続される前記フラッシュメモリセルは、反復的に消去可能であるとともにプログラム可能である請求項7に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項９】
前記最後に選択されたワード線と選択デバイスとの間の第3ワード線に接続される前記フラッシュメモリセルは、消去される請求項1に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項１０】
前記第3ワード線に接続された前記フラッシュメモリセルが消去されている間、前記第1ワード線に接続された前記フラッシュメモリセルは、反復的に消去可能であるとともにプログラム可能である請求項9に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項１１】
列として配置されたNANDフラッシュメモリセルストリングの少なくとも1つのブロックを有するメモリアレイであって、前記少なくとも1つのブロックが、第1ページから最後のページへの所定の方向にプログラム可能なページを有するメモリアレイと、
消去電圧まで基板にバイアスがかけられたときに、開始アドレスによって動的に構成可能なページの順次セットを同時に消去する行回路と
を備えるフラッシュメモリ装置。
【請求項１２】
ページの前記順次セットは、サブブロックを形成する請求項11に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項１３】
前記サブブロックは、前記第1ページから第1中間ページまでの前記ページを含む請求項12に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項１４】
前記サブブロックは、下位サブブロックであり、前記第1中間ページに隣接した第2中間ページから前記最後のページまでのページが、すくなくとも１つの上位サブブロックを形成する請求項13に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項１５】
前記サブブロックは、第1中間ページから前記最後のページまでのページを含む請求項12に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項１６】
前記サブブロックは、上位サブブロックであり、前記第1中間ページから、前記第1中間ページに隣接した第2中間ページまでのページが、すくなくとも１つの下位サブブロックを形成する請求項15に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項１７】
前記上位サブブロックが消去されている間、前記すくなくとも１つの下位サブブロックは、消去が禁止される請求項16に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項１８】
前記サブブロックは、第1中間ページから第2中間ページまでのページを含む請求項12に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項１９】
前記最後に選択されたワード線は、終了アドレスによってアドレス可能である請求項1に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項２０】
前記終了アドレスは、前記最終ワード線として事前設定される請求項19に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項２１】
前記終了アドレスは、前記開始アドレスによってアドレス指定された前記最初に選択されたワード線と前記最終ワード線との間の前記最後に選択されたワード線をアドレス指定する請求項19に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項２２】
ページの前記順次セットの最初に選択されたページは、前記開始アドレスによってアドレス可能である請求項11に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項２３】
ページの前記順次セットの最後に選択されたページは、前記終了アドレスによってアドレス可能である請求項22に記載のフラッシュメモリ装置。
【請求項２４】
前記終了アドレスは、前記少なくとも１つのブロックの最後のページとして事前設定される請求項23に記載のフラッシュメモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月1日(2010.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
式Ｉ（ａ）：
【化１】
2010520214.tif 000001
又は、式Ｉ（ｂ）：
【化２】
2010520214.tif 000002
（式中、
Ａは必要に応じて置換された少なくとも1つの窒素原子を含むヘテロアリールであり、
Ｒ１はＯＲ１Ａ、ＯＣ（Ｏ）Ｒ１Ａ、Ｃ（Ｏ）ＯＲ１Ａ、水素、ハロゲン、ニトリル、又は必要に応じて置換されたアルキルであり、
Ｒ５はＯＲ５Ａ、ＯＣ（Ｏ）Ｒ５Ａ、水素、又はハロゲンであり、
Ｒ６はＯＲ６Ａ、ＯＣ（Ｏ）Ｒ６Ａ、水素、又はハロゲンであり、
Ｒ７はＯＲ７Ａ、ＯＣ（Ｏ）Ｒ７Ａ、水素、又はハロゲンであり、
Ｒ８はＣＨ２ＯＲ８Ａ、ＣＨ２ＯＣ（Ｏ）Ｒ８Ａ、水素、又はハロゲンであり、
Ｒ１Ａ、Ｒ５Ａ、Ｒ６Ａ、Ｒ７Ａ、及びＲ８Ａは各々独立して、水素、又は必要に応じて置換されたアルキルである）
の化合物、又はその薬学的に許容される塩若しくは溶媒和物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月19日(2010.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ
【化２２】
2010520251.tif 000001
［式中、
Ｈｅｔは、１、２又は３個の窒素原子を含む６員環ヘテロアリール基であり；
Ｒ１は、（Ｃ１−Ｃ６）−アルキル、（Ｃ３−Ｃ６）−シクロアルキル、ＮＲ４Ｒ５又はハロゲンにより置換された（Ｃ１−Ｃ６）−アルキルであり；
Ｒ２は、ヒドロキシ、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、（Ｃ１−Ｃ６）−アルキル、（Ｃ３−Ｃ６）−シクロアルキル、ハロゲンにより置換された（Ｃ１−Ｃ６）−アルキル、ヒドロキシにより置換された（Ｃ１−Ｃ６）−アルキル、（ＣＨ２）ｏ−（Ｃ１−Ｃ６）−アルコキシ、ハロゲンにより置換された（Ｃ１−Ｃ６）−アルコキシ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ（Ｏ）Ｒ６又はＳＯ２Ｒ７であり；
Ｒ３は、（Ｃ１−Ｃ６）−アルキル、（Ｃ３−Ｃ６）−シクロアルキル、又はハロゲンにより置換された（Ｃ１−Ｃ６）−アルキルであり；
Ｒ４及びＲ５は、各々独立して水素又は（Ｃ１−Ｃ６）−アルキルであり；
Ｒ６は、水素、（Ｃ１−Ｃ６）−アルキル、（Ｃ１−Ｃ６）−アルコキシ又はＮＲ４Ｒ５であり；
Ｒ７は、（Ｃ１−Ｃ６）−アルキル、ハロゲンにより場合によって置換された（Ｃ１−Ｃ６）−アルキル、（ＣＨ２）ｏ−（Ｃ３−Ｃ６）−シクロアルキル、（ＣＨ２）ｏ−（Ｃ３−Ｃ６）−アルコキシ又はＮＲ４Ｒ５であり；
ｎは、０、１、２又は３であり；
ｏは、０、１又は２である］
の化合物及びその薬学的に許容される酸付加塩の製造方法であって、
ａ）式２１
【化２３】
2010520251.tif 000002
の化合物を式Ｒ３ＯＨの化合物と反応させて、式１１
【化２４】
2010520251.tif 000003
の化合物を得る工程であって、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド及び炭酸セシウムの存在下、オートクレーブ中１００−１５０℃の温度、１．５ｂａｒで１６−８０時間、又はＴＨＦ中、ＫＯｔＢｕを用いて、室温で行う工程、
及び
ｂ）ＴＢＴＵ、ＨＢＴＵ、ＣＤＩ、又はＥＤＣＩから選択されるカップリング剤の存在下、式１１の化合物と、式１５
【化２５】
2010520251.tif 000004
の化合物とをカップリングさせて、式Ｉ
【化２６】
2010520251.tif 000005
の化合物を得る工程、
或いは、式１１の対応する酸ハロゲン化物と、式１５の化合物とをカップリングさせて、式Ｉの化合物を得る工程であって、トルエン、ＤＭＦ、ＴＨＦ、又はＣＨ２Ｃｌ２中、室温で１時間以内で行う工程を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の式（Ｓ）−Ｉ−１
【化２７】
2010520251.tif 000006
の化合物の製造方法であって、
ａ）式２１−１
【化２８】
2010520251.tif 000007
の化合物を式（Ｓ）−８−１
【化２９】
2010520251.tif 000008
の化合物と反応させ、式（Ｓ）−１１−１
【化３０】
2010520251.tif 000009
の化合物を得る工程であって、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド及び炭酸セシウムの存在下、オートクレーブ中１００−１５０℃の温度、１．５ｂａｒで１６−８０時間、又はＴＨＦ中、ＫＯｔＢｕを用いて、室温で行う工程、
及び
ｂ）ＴＢＴＵ、ＨＢＴＵ、ＣＤＩ、又はＥＤＣＩから選択されるカップリング剤の存在下、式（Ｓ）−１１−１の化合物と、式１５−１
【化３１】
2010520251.tif 000010
の化合物とをカップリングさせて、式
【化３２】
2010520251.tif 000011
の化合物を得る工程、
或いは、式（Ｓ）−１１−１の対応する酸ハロゲン化物と、式１５−１の化合物とをカップリングさせて、式（Ｓ）−Ｉ−１の化合物を得る工程であって、トルエン、ＤＭＦ、ＴＨＦ、又はＣＨ２Ｃｌ２中、室温で１時間以内で行う工程を含むことを特徴とする製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年8月27日(2010.8.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車のボンネットに取り付けられた内燃機関用吸気フィルタであって、
前記ボンネットの下面に取り付けられ、自動車前方側に開口部を有する覆いと、
前記覆いと前記ボンネットの下面とで囲まれた空間内において前記ボンネットの下面に取り付けられ、前記覆いの前記開口部から前記空間内に取り込まれた清浄前空気を濾過する複数のチューブ状のフィルタエレメント部材と、
前記ボンネットの下面に取り付けられ、複数の前記チューブ状のフィルタエレメント部材と連通する開口を有し、複数の前記チューブ状のフィルタエレメント部材で濾過された清浄空気を集合させる空気集合箱と、
前記空気集合箱と連通し、前記空気集合箱からの前記清浄空気を内燃機関に導く連結チューブとを備え、
前記複数のチューブ状のフィルタエレメント部材は、その中心軸方向が前記ボンネットの下面に沿って延びるように配置されていることを特徴とする内燃機関用吸気フィルタ。
【請求項２】
前記チューブ状のフィルタエレメント部材は直径が４０〜８０ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の内燃機関用吸気フィルタ。
【請求項３】
前記チューブ状のフィルタエレメント部材は円弧状に湾曲可能な折り畳み形状をなすものであることを特徴とする請求項１記載の内燃機関用吸気フィルタ。
【請求項４】
前記チューブ状のフィルタエレメント部材は、その長手方向に直交する方向に沿って設けられた多数の折り目を有することを特徴とする請求項３記載の内燃機関用吸気フィルタ。
【請求項５】
前記連結チューブは前記内燃機関に設けられた開口に接続されており、前記連結チューブ及び前記内燃機関の開口を介して、前記清浄空気を前記空気集合室から前記内燃機関のシリンダに供給するようにしたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の内燃機関用吸気フィルタ。
【請求項６】
前記チューブ状のフィルタエレメント部材は、多数の溝状の空洞を有する巻きフィルタであり、各空洞は少なくとも片側が閉ざされていて、空洞に流入した清浄前空気が隣り合う壁を通って流れるように一つの壁を介して隣り合う空洞が交互に閉じられており、該壁は濾過機能を有していることを特徴とする請求項１に記載の内燃機関用吸気フィルタ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
図２は、他の実施例を示し、図１と同じ構成部品には同じ符号が付されている。図１における可撓性のないフィルタチューブの代わりに、ここでは弾性フィルタチューブ２６が空気集合箱１４に連結されている。該フィルタチューブ２６は濾過機能を有する不織布あるいは紙材からなり、該濾過媒体自体はフィルタの軸方向に直交する方向に沿って多数の互いに平行な折り目（ひだ）を有する。これにより、濾過媒体をフレキシブルでエンジンボンネットの構造に適合するように配置することが可能となる。勿論、多くの配置方法が考えられ、特に大きなエンジンの場合にはそれに応じて大きな濾過表面が得られるように配置することが可能である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
図６はフィルタチューブ５０の詳細を示す図である。このフィルタチューブは長手方向にジグザグに折り目（ひだ）が形成されており、前記吸入空気導入管４８内に配置されている。清浄前空気はフィルタチューブ５０の内側に流入する。勿論、斜線を施した部分は密閉する必要があるが、これはその部分に対応するように形成されたフランジにより行われる。濾過すべき空気は前記フィルタチューブ４８の内側に流入し、外側の清浄空気領域に出て、吸入空気導入管を通って空気集合箱４５へ流れる。