【事件の表示】
　特願２０１３−１８３６００「撮像素子および撮像装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　３月１６日出願公開、特開２０１５−　５０４４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は平成２５年９月５日の出願であって、平成２８年１２月２２日付けで拒絶理由通知が通知され、平成２９年２月９日に意見書及び手続補正書が提出され、同年６月３０日付けで最後の拒絶理由通知が通知され、同年８月１７日に意見書及び手続補正書が提出されたところ、平成３０年１月１５日付けで平成２９年８月１７日に提出された手続補正書による補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対して、平成３０年４月２０日に拒絶査定不服審判が請求されたものであり、本願の請求項に係る発明は、平成２９年２月９日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　入射光を電荷に変換する第１の光電変換部と、
　前記第１の光電変換部を透過した光を電荷に変換する第２の光電変換部と、
　前記第１および第２の光電変換部を透過した光を電荷に変換する第３の光電変換部と、
　前記第１、第２および第３の光電変換部を透過した光を反射する入射光反射部と、
　前記第１および第２の光電変換部の間において第１の光電変換部から前記電荷を読み出して浮遊拡散層に蓄積する第１の電荷読出し回路と、
　前記第２および第３の光電変換部の間において前記第２の光電変換部から前記電荷を読み出して浮遊拡散層に蓄積する第２の電荷読出し回路と、
　前記第３の光電変換部と前記入射光反射部との間において前記第３の光電変換部から前記電荷を読み出して浮遊拡散層に蓄積する第３の電荷読出し回路と
を具備する撮像素子。」
２　引用例の記載と引用発明
（１）引用例１：特開２０１１−１２９８７３号公報
ア　引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２０１１−１２９８７３号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに次の記載がある（下線は、当審による。以下、同じ。）。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、固体撮像装置およびその製造方法、電子機器に関する。」
「【発明が解決しようとする課題】
…（略）…
【００３０】
　たとえば、図８の場合には、画素に入射した入射光に含まれる青色成分の光は、最上層の青色用光電変換部２０１ＢＪで正確に受光される。しかし、緑色成分および赤色成分の光は、緑色用光電変換部２０１ＧＪと赤色用光電変換部２０１ＲＪとが下層側にあるので、入射した画素で受光されずに、隣の画素において受光される場合がある。この現象は、上記においては、赤色用光電変換部２０１ＲＪが最下層に設けられているので、赤色成分の光に関して顕著に生ずる。そして、これに伴って、撮像画像の画像品質の低下などの不具合が生ずる場合がある。
【００３１】
　したがって、本発明は、撮像画像の画像品質を向上可能な、固体撮像装置およびその製造方法、電子機器を提供する。
…（略）…
【発明の効果】
【００３５】
　本発明によれば、製造効率等の向上が可能であって、撮像画像の画像品質を向上可能な、固体撮像装置およびその製造方法、電子機器を提供することができる。」
「【００４５】
（Ａ−２）固体撮像装置の要部構成
　固体撮像装置１の全体構成について説明する。
【００４６】
　図２は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置１の全体構成を示すブロック図である。
【００４７】
　本実施形態の固体撮像装置１は、
ＣＭＯＳ型イメージセンサー
【００４８】
　
撮像領域ＰＡは
画素Ｐがマトリクス状に並んでいる
【００４９】
　周辺領域ＳＡは、図２に示すように、撮像領域ＰＡの周囲に位置している。そして、この周辺領域ＳＡにおいては、周辺回路が設けられている。
【００５０】
　具体的には、図２に示すように、垂直駆動回路１３と、カラム回路１４と、水平駆動回路１５と、外部出力回路１７と、タイミングジェネレータ１８と、シャッター駆動回路１９とが、周辺回路として設けられている。
…（略）…
【００５７】
　上記の各部は、行単位にて並ぶ複数の画素Ｐについて同時に駆動させる。
　具体的には、上述した垂直駆動回路１３によって供給される選択信号によって、画素Ｐが、水平ライン（画素行）単位で垂直方向ｙに、順次、選択される。そして、タイミングジェネレータ１８から出力される各種タイミング信号によって各画素Ｐが駆動する。これにより、
各画素Ｐから出力された電気信号が
外部出力回路１７へ、順次、出力される
「【００５８】
（Ａ−３）固体撮像装置の詳細構成
　本実施形態にかかる固体撮像装置１の詳細内容について説明する。
【００５９】
　図３は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置の要部を示す図である。ここで、図３は、撮像領域ＰＡの断面を示している。
【００６０】
　固体撮像装置１は、図３に示すように、
「光電変換膜積層型」のＣＭＯＳ型イメージセンサー
【００６１】
　本実施形態において、固体撮像装置１は、赤色用光電変換部２０１Ｒと、緑色用光電変換部２０１Ｇと、青色用光電変換部２０１Ｂとを含む。この他に、固体撮像装置１は、赤色用読出し回路部２０２Ｒと、緑色用読出し回路部２０２Ｇと、青色用読出し回路部２０２Ｂとを含む。
【００６２】
　図３に示すように、固体撮像装置１を構成する各部は、たとえば、シリコン半導体からなる基板１０１上に、設けられている。
【００６３】
　具体的には、図３に示すように、
赤色用読出し回路部２０２Ｒと、赤色用光電変換部２０１Ｒとが、基板１０１の上面に、順次、積層するように設けられている
この上面に、緑色用読出し回路部２０２Ｇと、緑色用光電変換部２０１Ｇとが、順次、積層するように設けられている
さらに、この上面に、青色用読出し回路部２０２Ｂと、青色用光電変換部２０１Ｂとが、順次、積層するように設けられている
【００６４】
　図４と図５は、本発明にかかる実施形態において、緑色用光電変換部２０１Ｇと緑色用読出し回路部２０２Ｇとの部分を示す図である。
【００６５】
　ここで、図４は、緑色用光電変換部２０１Ｇと緑色用読出し回路部２０２Ｇとの部分を模式的に拡大して示す断面図である。また、図５は、緑色用光電変換部２０１Ｇと緑色用読出し回路部２０２Ｇの回路構成を示す画素回路図である。
【００６６】
　緑色用光電変換部２０１Ｇは、図４と図５とに示すように、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇと、画素電極２１１Ｇと、共通電極２１２Ｇとを含み、画素電極２１１Ｇと緑色用有機光電変換膜２１０Ｇと共通電極２１２Ｇとが上方に順次積層されている。
【００６７】
　緑色用光電変換部２０１Ｇにおいて、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇは、入射光に含まれる緑色成分の光を吸収して、光電変換することによって、信号電荷を生成するように構成されている。また、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇは、入射光に含まれる緑色成分以外の光については、透過するように構成されている。たとえば、キナクリドン類などの多環式系有機顔料を用いて、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇを形成する。
【００６８】
　図４に示すように、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇは、緑色用読出し回路部２０２Ｇの上方に設けられている。そして、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇは、図４と図５とに示すように、画素電極２１１Ｇと共通電極２１２Ｇとによって挟まれている。
【００６９】
　緑色用光電変換部２０１Ｇにおいて、画素電極２１１Ｇと共通電極２１２Ｇとのそれぞれは、透明電極であって、光が透過するように構成されている。たとえば、画素電極２１１Ｇと共通電極２１２Ｇは、たとえば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）などの金属酸化物を、スパッタリング法などの成膜法で成膜することで形成されている。
【００７０】
　ここでは、画素電極２１１Ｇは、複数の画素Ｐに対応するように複数がギャップ（図示なし）を隔てて配置されている。
【００７１】
　また、共通電極２１２Ｇは、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇを介して、複数の画素電極２１１Ｇに対面しており、撮像領域ＰＡの全体に渡って一体に設けられている。
【００７２】
　そして、図５に示すように、緑色用光電変換部２０１Ｇでは、画素電極２１１Ｇが、緑色用読出し回路部２０２Ｇに電気的に接続されている。そして、
緑色用有機光電変換膜２１０Ｇで生成された信号電荷による電気信号が、緑色用読出し回路部２０２Ｇにより読み出される
【００７３】
　
緑色用読出し回路部２０２Ｇは
読出し回路２０を含む
【００７４】
　読出し回路２０は、各画素Ｐのそれぞれに設けられており、各画素Ｐにおいて、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇで生成された信号電荷を、読み出すように構成されている。たとえば、読出し回路２０は、複数の画素Ｐの境界部分に配置されている。
【００７５】
　本実施形態においては、
読出し回路２０は
増幅トランジスタ２３
を含み
【００７６】
　緑色用読出し回路部２０２Ｇにおいて、リセットトランジスタ２２は、増幅トランジスタ２３のゲート電位をリセットするように構成されている。
【００７７】
　具体的には、リセットトランジスタ２２は、図５に示すように、…（略）…
【００８０】
　そして、図４に示すように、リセットトランジスタ２２は、層間絶縁膜ＳＺ２Ｇで被覆されている。そして、リセットトランジスタ２２において、ソース電極２２５ＳＧは、層間絶縁膜ＳＺ２Ｇを貫通するコンタクトＣＴを介して、画素電極２１１Ｇに電気的に接続されている。
【００８１】
　
緑色用読出し回路部２０２Ｇにおいて、増幅トランジスタ２３は、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇで生成された信号電荷による電気信号を、増幅して出力するように構成されている
【００８２】
　具体的には、
増幅トランジスタ２３は
ゲートがフローティングディフュージョンＦＤに接続されている
【００８３】
　図４では図示を省略しているが、上記の増幅トランジスタ２３は、上記のリセットトランジスタ２２と同様に、絶縁膜ＳＺ１Ｇ上において、たとえば、ボトムゲート型構造のＴＦＴとして構成されている。そして、増幅トランジスタ２３は、上述の層間絶縁膜ＳＺ２Ｇで被覆されている。
…（略）…
【００８７】
　この他に、本実施形態において、緑色用読出し回路部２０２Ｇは、図４に示すように、グラウンド電極２３０Ｇを含む。
…（略）…
【００９１】
　この層間絶縁膜ＳＺ３Ｇの上面においては、図４に示すように、緑色用光電変換部２０１Ｇが設けられている。つまり、画素電極２１１Ｇ、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇ、共通電極２１２Ｇが、上方へ向かって、順次、積層して設けられている。
【００９２】
　
青色用光電変換部２０１Ｂ，青色用読出し回路部２０２Ｂの部分、赤色用光電変換部２０１Ｒ，赤色用読出し回路部２０２Ｒの部分についても、上記の緑色用光電変換部２０１Ｇ，緑色用読出し回路部２０２Ｇの部分と同様に構成されている
【００９３】
　つまり、
青色用光電変換部２０１Ｂは、青色の波長領域の光を他の波長領域の光よりも多く受光して信号電荷を生成し、青色の波長領域の光以外の他の波長領域の光が透過するように形成されている。青色用読出し回路部２０２Ｂは、青色用光電変換部２０１Ｂにて生成された信号電荷を読み出すように形成されている
【００９４】
　そして、上記の
緑色用光電変換部２０１Ｇは、青色用光電変換部２０１Ｂ，青色用読出し回路部２０２Ｂを介して入射する光のうち、緑色の波長領域の光を他の波長領域の光よりも多く受光し、他の波長領域の光が透過するように形成されている
上述したように、緑色用読出し回路部２０２Ｇは、緑色用光電変換部２０１Ｇにて生成された信号電荷を読み出すように形成されている
【００９５】
　そして、
赤色用光電変換部２０１Ｒは、緑色用光電変換部２０１Ｇ，緑色用読出し回路部２０２Ｇを介して入射する光のうち、赤色の波長領域の光を他の波長領域の光よりも多く受光し、他の波長領域の光が透過するように形成されている
赤色用読出し回路部２０２Ｒは、赤色用光電変換部２０１Ｒにて生成された信号電荷を読み出すように形成されている
【００９６】
　このように、本実施形態においては、複数の光電変換部２０１Ｒ，２０１Ｇ，２０１Ｂは、基板１０１の面の上方に設置されたものの方が、下方に設置されたものよりも、低い波長領域の光を受光して光電変換するように設けられている。」
　図３〜５は、以下のとおりである。
イ　引用発明
　したがって、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「「光電変換膜積層型」のＣＭＯＳ型イメージセンサーであって、
　撮像領域ＰＡには、画素Ｐがマトリクス状に並んでおり、各画素Ｐから出力された電気信号が、外部出力回路１７へ、順次、出力されるものであり、
　赤色用読出し回路部２０２Ｒと、赤色用光電変換部２０１Ｒとが、基板１０１の上面に、順次、積層するように設けられ、この上面に、緑色用読出し回路部２０２Ｇと、緑色用光電変換部２０１Ｇとが、順次、積層するように設けられ、さらに、この上面に、青色用読出し回路部２０２Ｂと、青色用光電変換部２０１Ｂとが、順次、積層するように設けられており、
　緑色用有機光電変換膜２１０Ｇで生成された信号電荷による電気信号が、緑色用読出し回路部２０２Ｇにより読み出され、
　緑色用読出し回路部２０２Ｇは、読出し回路２０を含み、読出し回路２０は、増幅トランジスタ２３を含み、
　緑色用読出し回路部２０２Ｇにおいて、増幅トランジスタ２３は、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇで生成された信号電荷による電気信号を、増幅して出力するように構成されており、増幅トランジスタ２３は、ゲートがフローティングディフュージョンＦＤに接続されており、
　青色用光電変換部２０１Ｂ，青色用読出し回路部２０２Ｂの部分、赤色用光電変換部２０１Ｒ，赤色用読出し回路部２０２Ｒの部分についても、上記の緑色用光電変換部２０１Ｇ，緑色用読出し回路部２０２Ｇの部分と同様に構成されており、
　青色用光電変換部２０１Ｂは、青色の波長領域の光を他の波長領域の光よりも多く受光して信号電荷を生成し、青色の波長領域の光以外の他の波長領域の光が透過するように形成され、青色用読出し回路部２０２Ｂは、青色用光電変換部２０１Ｂにて生成された信号電荷を読み出すように形成されており、
　緑色用光電変換部２０１Ｇは、青色用光電変換部２０１Ｂ，青色用読出し回路部２０２Ｂを介して入射する光のうち、緑色の波長領域の光を他の波長領域の光よりも多く受光し、他の波長領域の光が透過するように形成され、上述したように、緑色用読出し回路部２０２Ｇは、緑色用光電変換部２０１Ｇにて生成された信号電荷を読み出すように形成されており、
　赤色用光電変換部２０１Ｒは、緑色用光電変換部２０１Ｇ，緑色用読出し回路部２０２Ｇを介して入射する光のうち、赤色の波長領域の光を他の波長領域の光よりも多く受光し、他の波長領域の光が透過するように形成され、赤色用読出し回路部２０２Ｒは、赤色用光電変換部２０１Ｒにて生成された信号電荷を読み出すように形成されている
固体撮像装置。」
（２）引用例２
　同じく原査定に引用され、本願の出願前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、特開２００６−２７００２１号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに次の記載がある。
「【請求項１５】
　異なる波長域の光に応答する複数の有機光電変換膜と、
全ての該有機光電変換膜から見て光入射側とは逆に位置しており
光の反射率を増加させる光学薄膜とが設けられている
…（略）…
【請求項１８】
　緑の波長域の光に主に応答する有機光電変換膜が光入射側に最も近く設けられ、
青・緑・赤の波長域の光のすべての反射率を増加させる光学薄膜
「【０００９】
（光電変換素子の説明）
　以下に本発明の
光電変換層積層型の光電変換素子
　
光電変換素子は電磁波吸収／光電変換部位と光電変換により生成した電荷の電荷蓄積／転送／読み出し部位よりなる
　
電磁波吸収／光電変換部位は、少なくとも青光、緑光、赤光を各々吸収し光電変換することができる
積層型構造を有する
層の序列は
３層積層型構造の場合は上層からＢＧＲ
の序列
　
電荷蓄積／転送／読み出し部位は電磁波吸収／光電変換部位の下に設ける
【００１０】
　
電磁波吸収／光電変換部位は有機層
よりなる
有機層がＢ／Ｇ／Ｒ層を形成する場合には、その下に電荷蓄積／転送／読み出し部位を設ける
「【００３２】
（電荷蓄積／転送／読み出し部位）
　電荷転送／読み出し部位については特開昭５８−１０３１６６号公報、特開昭５８−１０３１６５号公報、特開２００３−３３２５５１号公報等を参考にすることができる。
半導体基板上にＭＯＳトランジスタが各画素単位に形成された構成
ＭＯＳトランジスタを用いた光電変換素子の場合
入射光によって
電荷が発生
ＭＯＳトランジスタの電荷蓄積部まで移動し、電荷蓄積部に電荷が蓄積される
ＭＯＳトランジスタのスイッチングにより
電気信号として出力される
　一定量のバイアス電荷を蓄積ダイオードに注入して（リフレッシュモード）おき、一定の電荷を蓄積（光電変換モード）後、信号電荷を読み出すことが可能である。受光素子そのものを蓄積ダイオードとして用いることもできるし、別途、蓄積ダイオードを付設することもできる。
【００３３】
　信号の読み出しについてさらに詳細に説明する。信号の読み出しは、通常のカラー読み出し回路を用いることができる。受光部で光／電気変換された信号電荷もしくは信号電流は、受光部そのものもしくは付設されたキャパシタで蓄えられる。蓄えられた電荷は、Ｘ−Ｙアドレス方式を用いたＭＯＳ型撮像素子（いわゆるＣＭＯＳセンサ）の手法により、画素位置の選択とともに読み出される。他には、アドレス選択方式として、１画素づつ順次マルチプレクサスイッチとデジタルシフトレジスタで選択し、共通の出力線に信号電圧（または電荷）として読み出す方式が挙げられる。２次元にアレイ化されたＸ−Ｙアドレス操作の撮像素子がＣＭＯＳセンサとして知られる。これは、Ｘ−Ｙの交点に接続された画素に設けられたスイッチは垂直シフトレジスタに接続され、垂直走査シフトレジスタからの電圧でスイッチがオンすると同じ行に設けられた画素から読み出された信号は、列方向の出力線に読み出される。この信号は水平走査シフトレジスタにより駆動されるスイッチを通して順番に出力端から読み出される。
　
出力信号の読み出しには、フローティングディフュージョン検出器
を用いることができる
また画素部分に信号増幅回路を設けること
ができる
　信号処理には、ＡＤＣ回路によるガンマ補正、ＡＤ変換機によるデジタル化、輝度信号処理や、色信号信号処理を施すことができる。色信号処理としては、ホワイトバランス処理や、色分離処理、カラーマトリックス処理などが挙げられる。ＮＴＳＣ信号に用いる際
は、ＲＧＢ信号をＹＩＱ信号の変換処理を施すことができる。
　…（略）…
電荷転送・電荷読み出しの方式
好ましい方式は
ＣＭＯＳ型
好ましい
「【００３７】
（光学薄膜）
　本発明の積層型光電変換素子においては、単層もしくは多層からなる光学薄膜を設け、該光学薄膜から見て光入射側に位置する光電変換膜（例えば、基板上部光電変換膜、あるいは、光学薄膜から見て光入射側に位置する有機光電変換膜、等。）が吸収する波長域の光の反射率を光学薄膜がないときに比べて増加させている。…（略）…
　光学薄膜により反射した光の吸収により光入射側の光電変換膜の感度を向上させることができ、さらに、光電変換膜の光学的厚さを適切とすることで該光電変換膜内における干渉効果により、光吸収の分光感度をシャープ化することができる。また、光学薄膜により不要な光は反射され、必要な光は透過することで、光入射側と逆に位置する光電変換層への光の色分離も向上することができる。
　そのような所望の波長領域の光だけを反射し、他の波長域の光は透過させる光学薄膜としては、例えば屈折率の異なる２層を交互に設けた光学干渉膜を用いることができる。
…（略）…
　なお、光学薄膜は、基板内部光電変換部と基板上部光電変換膜との間、あるいは複数の有機光電変換膜の間のように、通常、異なる波長域の光に応答する複数の光電変換層の間に設けられるが、
光電変換層が全て有機光電変換膜からなる場合には、光学薄膜が、全ての光電変換層から見て光入射側とは逆に位置してもよい
「【００４５】
〔実施例３〕
　図３は緑・青・赤色の光を受光する全ての層を、有機光電変換膜Ｇ，Ｂ，Ｒで構成したものである。緑・青・赤の検出には、それぞれ緑・青・赤に吸収スペクトルのピークを有した有機半導体からなる光電変換膜Ｇ，Ｂ，Ｒを用いている。そして、最上層の有機光電変換膜Ｇの下には、緑色の光の反射率を増加するよう設計された干渉反射膜１が設けられていて、緑検出光電変換膜Ｇの感度を向上させるとともに、下部の有機光電変換膜Ｂ，Ｒへの緑光の透過を抑えている。
　この図では積層順を上から順に緑、青、赤としているが、この限りではない。さらには干渉反射膜の位置も、光入射側に最も近い光電変換膜と２番目に近い光電変換膜との間にある必要は必ずしも無い。例えば、上から青、赤、緑という順になるよう光電変換膜を積層し、赤と緑の光電変換膜の間に、青と赤の光の反射率を増加させる光学薄膜を設ける構造も可能である。ただし、絶縁体中あるいは有機膜中での光損失等を考慮すると、上層の有機光電変換膜が最も光利用効率が高いため、視感度の点から緑色の光を受光する層を光入射側に最も近い光電変換膜とし、これに続く光電変換膜との間に、緑光を反射の反射率を増加させる光学薄膜を設けるのが好ましい。
　本構成の場合、緑光の吸収係数が大きい有機材料を用いることで光電変換膜の厚みを抑えることができるため、製造プロセスの難易度を下げることができる。」
「【００４７】
〔実施例４〕
　本実施例は、
緑・青・赤色の光を受光する全ての層を、有機光電変換膜Ｇ，Ｂ，Ｒで構成
全ての有機光電変換膜Ｇ，Ｂ，Ｒの下に光学薄膜としての、アルミ製の反射膜１が設けられていて、全ての有機光電変換膜Ｇ，Ｂ，Ｒの感度を向上させている
　この場合、積層順を上から順に緑、青、赤としているが、この限りではない。ただし、絶縁体中あるいは有機膜中での光損失等を考慮すると、上層の有機光電変換膜が最も光利用効率が高いため、視感度の点から緑色の光を受光する層を光入射側に最も近い光電変換膜とするのが好ましい。
　また、光学薄膜の組が複数設けられている構成でも良く、実施例４において、さらに緑色の光を受光する光電変換膜と青色の光を受光する光電変換膜との間に、緑色の光の反射率を増加させる光学薄膜を設けても良いし、また、さらに青色の光を受光する光電変換膜と赤色の光を受光する光電変換膜との間に、緑色と青色の光の反射率を増加させる光学薄膜を設けても良い。」
　上記記載から、引用文献２には、以下の技術が記載されていると認められる。
「電磁波吸収／光電変換部位と光電変換により生成した電荷の電荷蓄積／転送／読み出し部位よりなる光電変換層積層型の光電変換素子であって、
　電磁波吸収／光電変換部位は、少なくとも青光、緑光、赤光を各々吸収し光電変換することができ、層の序列は上層からＢＧＲ（青光吸収層（Ｂ）、緑光吸収層（Ｇ）、赤光吸収層（Ｒ））の序列の３層積層型構造を有し、
　電磁波吸収／光電変換部位は有機層よりなり、
　電荷蓄積／転送／読み出し部位は、電磁波吸収／光電変換部位であるＢ／Ｇ／Ｒ層の下に設け、
　全ての光電変換膜Ｇ，Ｂ，Ｒの下に、青・緑・赤の波長域の光のすべての反射率を増加させる光学薄膜としての、アルミ製の反射膜１が設けられていて、全ての有機光電変換膜Ｇ，Ｂ，Ｒの感度を向上させており、
　半導体基板上にＭＯＳトランジスタが各画素単位に形成され、入射光によって発生した電荷がＭＯＳトランジスタの電荷蓄積部まで移動し、電荷蓄積部に電荷が蓄積され、ＭＯＳトランジスタのスイッチングにより電気信号として出力され、これにより、フルカラーの画像信号が、信号処理部を含む固体撮像装置に入力され、
　出力信号の読み出しには、フローティングディフュージョン検出器を用いることができ、また画素部分に信号増幅回路を設けることができ、好ましい電荷読み出しの方式はＣＭＯＳ型である、光電変換素子。」
３　引用発明との対比  
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「青色用光電変換部２０１Ｂ」、「緑色用光電変換部２０１Ｇ」、「赤色用光電変換部２０１Ｒ」、「青色用読出し回路部２０２Ｂ」、「緑色用読出し回路部２０２Ｇ」、「赤色用読出し回路部２０２Ｒ」、「フローティングディフュージョンＦＤ」、「固体撮像装置」は、それぞれ本願発明の「第１の光電変換部」、「第２の光電変換部」、「第３の光電変換部」、「第１の電荷読出し回路」、「第２の電荷読出し回路」、「第３の電荷読出し回路」、「浮遊拡散層」、「撮像素子」に相当する。
（２）引用発明では、「赤色用読出し回路部２０２Ｒと、赤色用光電変換部２０１Ｒとが、基板１０１の上面に、順次、積層するように設けられ、この上面に、緑色用読出し回路部２０２Ｇと、緑色用光電変換部２０１Ｇとが、順次、積層するように設けられ、さらに、この上面に、青色用読出し回路部２０２Ｂと、青色用光電変換部２０１Ｂとが、順次、積層するように設けられており」、「青色用光電変換部２０１Ｂは、青色の波長領域の光を他の波長領域の光よりも多く受光して信号電荷を生成し、青色の波長領域の光以外の他の波長領域の光が透過するように形成され」、「緑色用光電変換部２０１Ｇは、青色用光電変換部２０１Ｂ，青色用読出し回路部２０２Ｂを介して入射する光のうち、緑色の波長領域の光を他の波長領域の光よりも多く受光し、他の波長領域の光が透過するように形成され」、「赤色用光電変換部２０１Ｒは、緑色用光電変換部２０１Ｇ，緑色用読出し回路部２０２Ｇを介して入射する光のうち、赤色の波長領域の光を他の波長領域の光よりも多く受光し、他の波長領域の光が透過するように形成され」ているから、本願発明と引用発明とは、「入射光を電荷に変換する第１の光電変換部と、前記第１の光電変換部を透過した光を電荷に変換する第２の光電変換部と、前記第１および第２の光電変換部を透過した光を電荷に変換する第３の光電変換部と」を具備する点で一致する。
（３）また、引用発明では、「緑色用有機光電変換膜２１０Ｇで生成された信号電荷による電気信号が、緑色用読出し回路部２０２Ｇにより読み出され、緑色用読出し回路部２０２Ｇは、読出し回路２０を含み、読出し回路２０は、増幅トランジスタ２３を含み、緑色用読出し回路部２０２Ｇにおいて、増幅トランジスタ２３は、緑色用有機光電変換膜２１０Ｇで生成された信号電荷による電気信号を、増幅して出力するように構成されており、増幅トランジスタ２３は、ゲートがフローティングディフュージョンＦＤに接続されて」いるから、本願発明と引用発明とは、「前記第２および第３の光電変換部の間において前記第２の光電変換部から前記電荷を読み出して浮遊拡散層に蓄積する第２の電荷読出し回路」を具備する点で一致する。
（４）また、引用発明では、「『青色用読出し回路部２０２Ｂの部分』についても、上記の『緑色用読出し回路部２０２Ｇの部分』と同様に構成されており」、「青色用読出し回路部２０２Ｂは、青色用光電変換部２０１Ｂにて生成された信号電荷を読み出すように形成されて」いるから、本願発明と引用発明とは、「前記第１および第２の光電変換部の間において第１の光電変換部から前記電荷を読み出して浮遊拡散層に蓄積する第１の電荷読出し回路」を具備する点で一致する。
（５）また、引用発明では、「『赤色用読出し回路部２０２Ｒの部分』についても、上記の『緑色用読出し回路部２０２Ｇの部分』と同様に構成されており」、「赤色用読出し回路部２０２Ｒは、赤色用光電変換部２０１Ｒにて生成された信号電荷を読み出すように形成されている」から、本願発明と引用発明とは、「前記第３の光電変換部から前記電荷を読み出して浮遊拡散層に蓄積する第３の電荷読出し回路」を具備する点で一致する。
（６）以上のことから、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「入射光を電荷に変換する第１の光電変換部と、
　前記第１の光電変換部を透過した光を電荷に変換する第２の光電変換部と、
　前記第１および第２の光電変換部を透過した光を電荷に変換する第３の光電変換部と、
　
　前記第１および第２の光電変換部の間において第１の光電変換部から前記電荷を読み出して浮遊拡散層に蓄積する第１の電荷読出し回路と、
　前記第２および第３の光電変換部の間において前記第２の光電変換部から前記電荷を読み出して浮遊拡散層に蓄積する第２の電荷読出し回路と、
　前記第３の光電変換部から前記電荷を読み出して浮遊拡散層に蓄積する第３の電荷読出し回路と
を具備する撮像素子。」
＜相違点１＞
　本願発明では、「前記第１、第２および第３の光電変換部を透過した光を反射する入射光反射部」を具備するのに対し、引用発明では「『青色用光電変換部２０１Ｂ』、『緑色用光電変換部２０１Ｇ』、および『赤色用光電変換部２０１Ｒ』」を透過した光について、そのような特定はなされていない点。
＜相違点２＞
　第３の電荷読出し回路について、本願発明は、「前記第３の光電変換部と前記入射光反射部との間」において読み出して浮遊拡散層に蓄積するものであるのに対し、引用発明では、「赤色用読出し回路部２０２Ｒと、赤色用光電変換部２０１Ｒとが、基板１０１の上面に、順次、積層するように設けられ」ており、すなわち、赤色用読出し回路部２０２Ｒは、「赤色用光電変換部２０１Ｒと基板１０１との間」におけるものであり、本願発明のような特定はなされていない点。
４　判断
　以下、相違点について検討する。
（１）相違点１及び相違点２について
　相違点１及び相違点２について、まとめて検討する。
　引用発明と引用文献２に記載の技術は、光電変換膜積層型のＣＭＯＳ型イメージセンサーである点で共通する。
　引用文献２に記載の技術は、「全ての光電変換膜Ｇ，Ｂ，Ｒの下に光学薄膜としての、アルミ製の反射膜１が設けられていて、全ての有機光電変換膜Ｇ，Ｂ，Ｒの感度を向上させて」いるものであるところ、上記「２（１）ア」の段落【００３１】、【００３５】に摘記したように、引用発明は、撮像画像の画像品質を向上可能とすることを課題としているから、引用発明においても、引用文献２に記載の技術と同様に、緑色用光電変換部２０１Ｇ、青色用光電変換部２０１Ｂ、赤色用光電変換部２０１Ｒ、全ての感度を向上させることが望ましいことは明らかである。
　したがって、引用発明において、引用文献２に記載の技術に基づき、全ての光電変換膜Ｇ，Ｂ，Ｒの下に、青・緑・赤の波長域の光のすべての反射率を増加させる光学薄膜としての、アルミ製の反射膜１を設けられた構成を採用することは当業者であれば容易になし得たことである。
　よって、引用発明において、引用文献２に記載の技術に基づき、相違点１に係る本願発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
　そして、引用発明において、当該反射膜１を設ける際の、「全ての光電変換膜Ｇ，Ｂ，Ｒの下」における具体的な配置を、光電変換膜Ｒの直下、あるいは赤色読出し回路部２０２Ｒの直下のいずれとするかは、当業者が適宜設定し得る設計的事項にすぎないのであって、反射膜を赤色読出し回路部２０２Ｒの直下に設けることに格別の困難性は認められないし、その位置に格別の技術的意義ないし効果は認められない。
　よって、引用発明において、引用文献２に記載の技術に基づき、相違点２に係る本願発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
（２）判断についてのまとめ
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用文献２に記載の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。