【事件の表示】
　平成　８年特許願第　７８４０８号「セラミックヒータ」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　９月１９日出願公開、特開平　９−２４５９４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成８年３月６日の出願であって、平成１６年１０月２８日付けで拒絶査定がなされ（平成１６年１１月２日発送）、これに対し、同年１２月２日に審判請求がなされるとともに、同年同月２８日付けで手続補正がなされたものである。 
　　 
２．平成１６年１２月２８日付けの手続補正についての補正却下の決定 
　
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１６年１２月２８日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
（１）　手続補正の内容 
　平成１６年１２月２８日付けの補正は、特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３を、以下のような内容とする補正を含むものである。 
「【請求項１】　発熱部及び少なくとも一つのリード部からなる発熱体と、該発熱体に接合された、アルミナを含む少なくとも一つのセラミック基材と、を一体焼成してなるセラミックヒータであって、
　前記発熱部にタングステン及びレニウムを含み、
　前記リード部に絶縁性セラミックスを含み、
　前記発熱部の比抵抗が前記リード部の比抵抗よりも小さいことを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項２】　請求項１において、前記絶縁性セラミックスは、アルミナ及びスピネルであることを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項３】
　請求項１又は２において、前記リード部の比抵抗を前記発熱部の比抵抗で除した値が１．１以上であることを特徴とするセラミックヒータ。」 
　　 
（２）補正の適否 
（２−１）　出願当初の明細書又は図面 
　そこで、上記補正によって、本願の請求項２に係る発明を特定する事項となった「リード部」の「絶縁性セラミックスは、アルミナ及びスピネルである」（補正前は「…アルミナ又はスピネル…」）の点について、検討する。 
　願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「出願当初の明細書又は図面」という。）には、リード部の絶縁性セラミックスについて、「発熱体のリード部に存在するアルミナ等のセラミック成分」（段落【００１１】）、「発熱体のリード部の組成は、導電材としてタングステンを用い、それに基材との密着性を向上させるためにアルミナ、ジルコニア、スピネル等の絶縁性セラミックスを加える。特に、アルミナを加えることが好ましい。」（段落【００１４】）、「本タングステン／レニウムペースト又はタングステン／アルミナペーストとした。」（段落【００２２】）、「タングステン／アルミナペーストを同様に印刷し、リード部３ａ，３ｂ及び端子部４ａ，４ｂを形成した。」（段落【００２３】）、「＜実施例２＞（１）発熱部を１００％タングステンとして、リード部の組成において、タングステンに対するアルミナの添加量が異なったセラミックヒータ１−１〜１−１０を実施例１（１）〜（５）までと同様の方法で各々複数枚作製した。」（段落【００２７】）、「リード部組成にアルミナを含まない場合、…アルミナを含む場合、…これはアルミナを添加することで…（段落【００３０】）、「＜実施例３＞発熱部を８０％タングステン、２０％レニウムとして、実施例２同様リード部の組成において、タングステンに対するアルミナの添加量ごとに…（段落【００３１】）、「＜実施例５＞発熱部を８０％タングステン、２０％レニウムとして、実施例２のリード部の組成にアルミナのかわりにスピネル（ＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ３）を用いた他は実施例２同様リード部の組成ごとに…（段落【００３７】）、「実施例２〜４で用いたアルミナのかわりにスピネルを用いても実施例２〜４と同様の結果が得られたことから、…（段落【００３９】）、「実施例６におけるスピネル同様、ジルコニアを用いても同様の結果が得られた…（段落【００４２】）、表１、表２、表３には「Ａｌ２Ｏ３」表４には、「スピネル」、表５には「ジルコニア」との記載はある。 
　しかし、「リード部」の「絶縁性セラミックス」については、「アルミナ」、「スピネル」、「ジルコニア」を個々に含むものは記載されているものの、「アルミナ及びスピネル」というアルミナとスピネルの両方を含むものは記載されていない。 
　　 
（２−２）　判断 
　以上のとおり、「リード部」の「絶縁性セラミックスは、アルミナ及びスピネルである」の点は、出願当初の明細書又は図面に記載されておらず、示唆もない。 
　また、この点が、出願当初の明細書又は図面の記載から自明な事項とも認められない。
　したがつて、本件補正は、出願当初の明細書又は図面に記載された範囲内においてしたものではない。
 　　 
（３）むすび 
　以上のとおり、平成１６年１２月２８日付けの手続補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　　 
３．本願発明について 
（１）本願発明　 
　平成１６年１２月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、本願の平成１６年７月２０日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるものである。 
「発熱部及び少なくとも一つのリード部からなる発熱体と、該発熱体に接合された、アルミナを含む少なくとも一つのセラミック基材と、を一体焼成してなるセラミックヒータであって、
　前記リード部に絶縁性セラミックスを含み、
　前記発熱部の比抵抗が前記リード部の比抵抗よりも小さいことを特徴とするセラミックヒータ。」 
　　 
（２）引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−１８８０６５号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
・「【請求項１】セラミック基材上に、発熱体として厚膜抵抗体が形成されたセラミックヒータにおいて、
上記厚膜抵抗体の発熱部に添加されたレニウム（Ｒｅ）の添加量が、上記厚膜抵抗体の端部に添加されたレニウム（Ｒｅ）の添加量より大きいことを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項２】上記発熱部におけるレニウム（Ｒｅ）の添加量が１０ｗｔ％以上であり、上記端部におけるレニウム（Ｒｅ）の添加量が５ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１記載のセラミックヒータ。
【請求項３】上記発熱部がレニウム（Ｒｅ）を１０ｗｔ％以上含有する、タングステン（Ｗ）、タングステンカーバイト（ＷＣ）またはモリブデン（Ｍｏ）からなり、上記端部がタングステン（Ｗ），タングステンカーバイト（ＷＣ）またはモリブデン（Ｍｏ）からなることを特徴とする請求項１記載のセラミックヒータ。」（【特許請求の範囲】）
・「【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記研究の過程において、タングステンへのレニウムの添加ｗｔ％により、パターンの抵抗の温度変化（温度係数）に差が生じることを利用し（図８のタングステン中のレニウムの添加量を変えた場合の抵抗−温度特性を参照）、パターンの発熱部（発熱側）には、低温時のヒータ電圧印加の際、突入電流を極力抑え、かつ先端部に発熱が集中し昇温が速くなるように、常温（２５℃）抵抗が大きく抵抗の温度変化の小さいレニウム（Ｒｅ）を１０％以上含むタングステン等を使用し、一方パターンの端部（端子側）には、使用雰囲気温が低温時にはこの部での電圧降下を小さくし、かつ高温になった時、抵抗が増大し、集中発熱部への電流を抑制し、ひいてはパターンの高温での劣化を抑制できるように、抵抗の温度変化の大きい、レニウムを５％以下しか含まないタングステン等を使用することによって、雰囲気温が低温の時には、急速にパターン先端側が昇温し、逆に高温の時には発熱が抑制され、ヒータ寿命の劣化を招かない、理想的なセラミックヒータになることを見出し、本発明を想到するに至った。」（段落【００１７】）
・「厚膜抵抗体パターンとしては、レニウムの他に、残部としてタングステン（Ｗ）、タングステンカーバイト（ＷＣ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属を用いることができる。なお、抵抗特性に悪影響を与えない限りにおいて若干酸化物等が存在していても良い。」（段落【００１９】）
・「さらに、セラミックヒータの表面には、発熱体を高温環境下において高融点金属を保護し、また基材と発熱パターンの接合性を向上させるために、少なくとも発熱体パターンを包含するように一旦グリーンシートで挟んで積層圧着し、その後必要に応じてこの積層圧着体を更に支持体との接合に供するようにし、しかるのち一体焼成することにより発熱体パターンを緻密な保護層で包み込むようにすることが望ましい。」（段落【００２７】）
・「【００３８】このセラミックヒータでは、円筒状の支持体１１上に、厚膜抵抗体１４を含んだ発熱層１７が形成されている。この発熱層１７は、アルミナ等のセラミック層２層で厚膜抵抗体１４を挟んだ構造となっている。
【００３９】上記厚膜抵抗体１４は、発熱部１４１と端部１４２と重ね部１４３とを有しており、上記発熱部１４１におけるレニウム（Ｒｅ）の添加量は１０ｗｔ％以上であり、上記端部１４２におけるレニウム（Ｒｅ）の添加量は５ｗｔ％以下に形成されている。また、端部１４２の先端は図示しないスルーホールを介して端子部１２３と接続され、更にリード線引出用端子線１５と接合されている。」（段落【００３８】、【００３９】）
・「 一体化焼結されたセラミックヒータ１６を得た。」（段落【００４６】）
・「この結果、実験例２、３のヒータにおいては、Ｒｅの含有量に基づき、室温での導電率が変化するので、発熱部抵抗が端子部抵抗に比べて非常に大きく、昇温時での発熱集中効果が大きくなる。又、その後においては、発熱部に比べ端子部での抵抗温度係数が大きいため、電流が端子部より抑制されるので、発熱部の温度上昇が緩やかになり約８００℃で安定することが判明した。」（段落【００５６】）
・「【発明の効果】以上説明したように本発明のセラミックヒータは、厚膜抵抗体の発熱部（発熱側）に添加されたレニウム（Ｒｅ）の添加量が、上記厚膜抵抗体の端部（端子側）に添加されたレニウム（Ｒｅ）の添加量より大きくされているので、厚膜抵抗体の発熱部では、低温時のヒータ電圧印加の際、突入電流を極力抑え、かつ発熱部に発熱が集中し昇温が速くなり、一方厚膜抵抗体の端部では、使用雰囲気温が低温時にはこの部での電圧降下を小さくし、かつ高温になった時、抵抗が増大し、集中発熱部への電流を抑制し、ひいてはパターンの高温での劣化を抑制することができる。
【００６１】従って本発明のセラミックヒータによれば、ヒータ寿命の劣化を招かず、ヒータ寿命を最高度に長期化することができる。」（段落【００６０】、【００６１】）
・図８には　レニウムの添加量を変化させた場合の抵抗−温度特性を示すグラフとして、約６００℃以上の高温時には、Ｗ−Ｒｅ１０％及びＷ−Ｒｅ３５％の抵抗値がＷ−Ｒｅ５％及びＷ−Ｒｅ０％の抵抗値よりも小さいことが、記載されている。
　そこで検討すると、物質の抵抗値Ｒは、Ｒ＝（ｌ／Ｓ）ρ、（ρ：比抵抗、ｌ：長さ、Ｓ：断面積）で求められるが、図８の場合の長さｌ及び断面積Ｓは一定であると考えられるから、抵抗値Ｒの変化及び大小関係は、Ｗ−Ｒｅ０％、Ｗ−Ｒｅ５％、Ｗ−Ｒｅ１０％、Ｗ−Ｒｅ３５％の、各タングステン合金等に固有の比抵抗ρの温度変化及び相互の比抵抗ρの大小関係を示すものといえる。すなわち、図８には、約６００℃以上の高温時には、Ｗ−Ｒｅ１０％及びＷ−Ｒｅ３５％の比抵抗がＷ−Ｒｅ５％及びＷ−Ｒｅ０％の比抵抗よりも小さいことが、記載されている。
　
　以上の摘示事項及び図面の記載によれば、
　引用例１において、発熱部１４１におけるレニウム（Ｒｅ）の添加量は１０ｗｔ％以上（図８におけるＷ−Ｒｅ１０％及びＷ−Ｒｅ３５％に対応する）、端部１４２におけるレニウム（Ｒｅ）の添加量は５ｗｔ％以下（図８におけるＷ−Ｒｅ５％及びＷ−Ｒｅ０％に対応する）であり、マイグレーションが問題となるのは、本件明細書段落【０００３】に記載されているように、長時間、高温にさらされたときであるところ、引用例１には、約６００℃以上の高温時において前記発熱部１４１の比抵抗が前記端部１４２の比抵抗よりも小さいセラミックヒータが記載されている。
　したがって、引用例１には、 
「発熱部１４１及び端部１４２からなる厚膜抵抗体１４と、該厚膜抵抗体に接合された、アルミナを含むセラミック基材と、を一体焼成してなるセラミックヒータであって、
　前記発熱部１４１の比抵抗が前記端部１４２の比抵抗よりも小さいセラミックヒータ。」が記載されている。 
　
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６４−３８９９１号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
・「（１）発熱コイル及びその電極取出用リード部をセラミック焼結体中に埋設してなるセラミックヒータにおいて、電極取出用リード部が導電性セラミックからなることを特徴とするセラミックヒータ。
（２）発熱コイル及びその電極取出用リード部をセラミック焼結体中に埋設してなるセラミックヒータの製造方法において、基体となるセラミック粉体をプレスして、平面部に発熱コイルおよびその電極取出用リード部を埋め込むための溝を設けた半割円柱状の成型体を造り、上記溝内に導電性セラミックからなる電極取出用リード部を形成するとともに発熱コイルを挿入し、これらの発熱コイル及び電極取出用リード部を埋め込んで基体となるセラミック粉体により円柱状に成型してのち、焼結及び外形仕上げを行うことを特徴とするセラミックヒータの製造方法。
（３）上記導電性セラミックからなる電極取出用リード部が、導電性セラミックシートにより形成される特許請求の範囲第２項記載のセラミックヒータの製造方法。
（４）前記導電性セラミックからなる電極取出用リード部が、導電性セラミックのペーストを厚膜印刷して形成される特許請求の範囲第２項記載のセラミックヒータの製造方法。
（５）前記導電性セラミックが２０重量％以上のタングステンカーバイトと残部の基体となるセラミックとの混合体からなる特許請求の範囲第１項〜第４項記載のセラミックヒータ及びその製造方法。」（特許請求の範囲） 
・「（作用）タングステンカーバイト（ＷＣ）は高融点物質であり、この粉末と、基体となるセラミック粉体とを調合してシート成形または厚膜印刷して円柱状セラミック成形体中に埋設されており、基体となるセラミックと同時に焼結される。従って、電極取出用リード部の形状、ボリュームは任意に選定することが可能であり、かつ、タングステンカーバイト（ＷＣ）の熱膨張係数は４．９×１０−６／℃（室温から１０００℃まで）でセラミック（Ｓｉ３Ｎ４）のそれに近く、焼結後は従来のようなセラミック体中に大きな金属異物が埋設された状態と異なり、殆どセラミック一体に近く基体となるセラミックの強度、熱衝撃性等を低下させることがない。
……なお、導電性セラミックとしてのタングステンカーバイト（ＷＣ）の含有量を２０重量％以上としたのは、この含有量以下では電気的導通性が悪くなるためであり、また、残部を基体となるセラミックと同様にしたのは導電性セラミックの熱膨張係数を基体となるセラミックのそれとほぼ等しくするためであり、このために焼結時における一体化が良くなる。」（２頁左下欄１５行〜同頁右下欄１９行）
　 
　　　 
（３）対比・判断 
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例１に記載された発明の「発熱部１４１」は本願発明の「発熱部」に相当し、以下同様に、「端部１４２」は「少なくとも１つのリード部」に、「厚膜抵抗体１４」は「発熱体」に、「アルミナを含むセラミック基材」は「アルミナを含む少なくとも一つのセラミック基材」にそれぞれ相当する。
　したがって、両者は、
　発熱部及び少なくとも一つのリード部からなる発熱体と、該発熱体に接合された、アルミナを含む少なくとも一つのセラミック基材と、を一体焼成してなるセラミックヒータであって、前記発熱部の比抵抗が前記リード部の比抵抗よりも小さいことを特徴とするセラミックヒータ、
の点で一致し、次の点で相違している。 
［相違点］ 
　本願発明では、リード部に絶縁性セラミックスを含むのに対し、引用例１には、その点について明記されていない点。 
　　　 
　そこで、上記相違点について検討する。 
　引用例２には、セラミックヒータにおいて、電気的導通性を確保しつつ、焼結の一体化を良くし、強度及び熱衝撃性に優れたものとするために、リード部に基体と同じ絶縁性セラミックスを含めた点が記載されており、引用例１に記載されたものにおいて、基材との密着性を向上させるために、引用例２に記載の事項を適用し、リード部に絶縁性セラミックスを含ませることは当業者が容易になし得たことである。
　
　そして、本願発明の奏する作用効果も、引用例１及び引用例２に記載された事項から当業者が予測できる範囲のものである。 
　したがって、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　　 
（４）むすび 
  したがって、本願の請求項１に係る発明（本願発明１）は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。