【手続補正書】
【提出日】平成22年4月20日(2010.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低電力モード及び高電力モードを有するデバイスのデータ記憶システムであって、
不揮発性半導体メモリインターフェイスを含み、前記不揮発性半導体メモリインターフェイスを介して前記デバイスと通信する低電力ハードディスクドライブ（ＬＰ  ＨＤＤ）を有する低電力不揮発性メモリ（ＬＰ不揮発性メモリ）と、
前記デバイスと通信する高電力不揮発性メモリ（ＨＰ不揮発性メモリ）と、
前記ＬＰ不揮発性メモリ及び前記ＨＰ不揮発性メモリと通信し、適応型記憶モジュールを含むキャッシュ制御モジュールと、
を備え、
前記ＬＰ不揮発性メモリ及び前記ＨＰ不揮発性メモリのどちらかに書込みデータが書込まれる場合、前記適応型記憶モジュールは、前記ＬＰ不揮発性メモリ及び前記ＨＰ不揮発性メモリのどちらかを選択する適応記憶判断を生成する、データ記憶システム。
【請求項２】
前記ＨＰ不揮発性メモリは、前記不揮発性半導体メモリインターフェイスを介して前記デバイスと通信するＨＰ  ＨＤＤを含む、請求項１に記載のデータ記憶システム。
【請求項３】
前記適応記憶判断は、前記書込みデータの以前の使用に関連付けられる電力モード、前記書込みデータのサイズ、前記書込みデータを最後に使用した日付、及び前記書込みデータの手動オーバライドステータスのうち少なくとも１つに基づく、請求項１または２に記載のデータ記憶システム。
【請求項４】
前記ＬＰ  ＨＤＤは、１．８インチ以下の直径を有する１以上のプラッタを含み、
前記ＨＰ不揮発性メモリは、１．８インチより大きい直径を有する１以上のプラッタを含むハードディスクドライブを有する、請求項１から３のいずれかに記載のデータ記憶システム。
【請求項５】
前記ＬＰ不揮発性メモリ及び前記ＨＰ不揮発性メモリと通信し、ドライブ電力低減モジュールを含むキャッシュ制御モジュールを更に備え、
前記低電力モード時に前記ＨＰ不揮発性メモリから読出しデータが読み出され、前記読出しデータがシーケンシャルアクセスデータファイルを含む場合、前記ドライブ電力低減モジュールは、前記ＨＰ不揮発性メモリから前記ＬＰ不揮発性メモリに前記読出しデータの複数のセグメントを転送するバースト期間を計算する、請求項１から４のいずれかに記載のデータ記憶システム。
【請求項６】
前記ＨＰ不揮発性メモリは、前記不揮発性半導体メモリインターフェイスを介して前記デバイスと通信するＨＰ  ＨＤＤを含む、または
前記ドライブ電力低減モジュールは、前記バースト期間を選択して、前記低電力モード時に前記読出しデータが再生される間の電力消費量を低減する、請求項５に記載のデータ記憶システム。
【請求項７】
前記ＨＰ不揮発性メモリは、高電力ディスクドライブ（ＨＰＤＤ）を含み、
前記バースト期間は、前記ＬＰ  ＨＤＤのスピンアップ時間、前記ＨＰＤＤのスピンアップ時間、前記ＬＰ  ＨＤＤの電力消費量、前記ＨＰＤＤの電力消費量、前記読出しデータの再生長、及び前記ＬＰ  ＨＤＤの容量のうち少なくとも１つに基づく、請求項５に記載のデータ記憶システム。
【請求項８】
前記ＬＰ不揮発性メモリ及び前記ＨＰ不揮発性メモリと通信し、ドライブ電力低減モジュールを含むオペレーティングシステムを更に備え、
前記低電力モード時に前記ＨＰ不揮発性メモリから読出しデータが読み出され、前記読出しデータがシーケンシャルアクセスデータファイルを含む場合、前記ドライブ電力低減モジュールは、前記ＨＰ不揮発性メモリから前記ＬＰ不揮発性メモリに前記読出しデータの複数のセグメントを転送するバースト期間を計算する、請求項１から４のいずれかに記載のデータ記憶システム。
【請求項９】
前記ＨＰ不揮発性メモリは、前記不揮発性半導体メモリインターフェイスと通信するＨＰ  ＨＤＤを含む、または
前記ドライブ電力低減モジュールは、前記バースト期間を選択して、前記低電力モード時に前記読出しデータが再生される間の電力消費量を低減する、請求項８に記載のデータ記憶システム。
【請求項１０】
前記ＨＰ不揮発性メモリは、高電力ディスクドライブ（ＨＰＤＤ）を含み、
前記バースト期間は、前記ＬＰ  ＨＤＤのスピンアップ時間、前記ＨＰＤＤのスピンアップ時間、前記ＬＰ  ＨＤＤの電力消費量、前記ＨＰＤＤの電力消費量、前記読出しデータの再生長、及び、前記ＬＰ  ＨＤＤの容量のうち少なくとも１つに基づく、請求項８に記載のデータ記憶システム。
【請求項１１】
前記ＬＰ不揮発性メモリ及び前記ＨＰ不揮発性メモリと通信し、適応型記憶モジュールを含むホスト制御モジュールを更に備え、
前記ＬＰ不揮発性メモリ及び前記ＨＰ不揮発性メモリのどちらかに書込みデータが書込まれる場合、前記適応型記憶モジュールは、前記ＬＰ不揮発性メモリ及び前記ＨＰ不揮発性メモリのどちらかを選択する適応記憶判断を生成する、請求項１から４のいずれかに記載のデータ記憶システム。
【請求項１２】
前記ＨＰ不揮発性メモリは、前記不揮発性半導体メモリインターフェイスと通信するＨＰ  ＨＤＤを含む、または
前記適応記憶判断は、前記書込みデータの以前の使用に関連付けられる電力モード、前記書込みデータのサイズ、前記書込みデータを最後に使用した日付、及び前記書込みデータの手動オーバライドステータスのうち少なくとも１つに基づく、請求項１１に記載のデータ記憶システム。
【請求項１３】
前記ＬＰ不揮発性メモリ及び前記ＨＰ不揮発性メモリと通信し、ドライブ電力低減モジュールを含むホスト制御モジュールを更に備え、
前記低電力モード時に前記ＨＰ不揮発性メモリから読出しデータが読み出され、前記読出しデータがシーケンシャルアクセスデータファイルを含む場合、前記ドライブ電力低減モジュールは、前記ＨＰ不揮発性メモリから前記ＬＰ不揮発性メモリに前記読出しデータの複数のセグメントを転送するバースト期間を計算する、請求項１から４のいずれかに記載のデータ記憶システム。
【請求項１４】
前記ＨＰ不揮発性メモリは、前記不揮発性半導体メモリインターフェイスと通信するＨＰ  ＨＤＤを含み、
前記ドライブ電力低減は、前記バースト期間を選択して、前記低電力モード時に前記読出しデータが再生される間の電力消費量を低減する、請求項１３に記載のデータ記憶システム。
【請求項１５】
前記ＨＰ不揮発性メモリは、高電力ディスクドライブ（ＨＰＤＤ）を含み、
前記バースト期間は、前記ＬＰ  ＨＤＤのスピンアップ時間、前記ＨＰＤＤのスピンアップ時間、前記ＬＰ  ＨＤＤの電力消費量、前記ＨＰＤＤの電力消費量、前記読出しデータの再生長、及び、前記ＬＰ  ＨＤＤの容量のうち少なくとも１つに基づく、請求項１３に記載のデータ記憶システム。
【請求項１６】
前記ＬＰ不揮発性メモリ及び前記ＨＰ不揮発性メモリと通信し、適応型記憶モジュールを含むオペレーティングシステムを更に備え、
前記ＬＰ不揮発性メモリ及び前記ＨＰ不揮発性メモリのどちらかに書込みデータが書込まれる場合、前記適応型記憶モジュールは、前記ＬＰ不揮発性メモリ及び前記ＨＰ不揮発性メモリのどちらかを選択する適応記憶判断を生成する、請求項１から４のいずれかに記載のデータ記憶システム。
【請求項１７】
前記ＨＰ不揮発性メモリは、前記不揮発性半導体メモリインターフェイスと通信するＨＰ  ＨＤＤを含む、または
前記適応記憶判断は、前記書込みデータの以前の使用に関連付けられる電力モード、前記書込みデータのサイズ、前記書込みデータを最後に使用した日付、及び前記書込みデータの手動オーバライドステータスのうち少なくとも１つに基づく、請求項１６に記載のデータ記憶システム。
【請求項１８】
前記不揮発性半導体メモリインターフェイスは、フラッシュメモリインターフェイスを含む、請求項１から４のいずれかに記載のデータ記憶システム。
【請求項１９】
前記不揮発性半導体メモリインターフェイスを介して前記デバイスと通信するインターフェイスコントローラと、
半導体メモリと
をさらに備え、
前記デバイスは、ホストデバイスであり、
前記インターフェイスコントローラは、前記半導体メモリ、並びに前記ＬＰ不揮発性メモリおよび前記ＨＰ不揮発性メモリの少なくとも一方と通信し、
前記インターフェイスコントローラは、マルチメディアカード（ＭＭＣ）およびメモリスティックの少なくとも一方の不揮発性半導体メモリインターフェースと互換性があるプロトコルを用いて、前記不揮発性半導体メモリインターフェイスと通信する、請求項１に記載のデータ記憶システム。
【請求項２０】
請求項１１に記載のデータ記憶システムと、
インターフェイスコントローラと通信するバッファマネージャと、
前記バッファマネージャと通信するディスクフォーマッタと、
前記ディスクフォーマッタと通信する読み出しチャネルと、
アドバンストテクノロジーアタッチメント（ＡＴＡ）インターフェイスおよび集積デバイスエレクトロニクス（ＩＤＥ）インターフェイスの少なくとも一方を介して前記読み出しチャネルと通信するハードディスクドライブと
を備えるハードディスクコントローラ。
【請求項２１】
前記不揮発性半導体メモリインターフェイスは、ホストの不揮発性半導体メモリコネクタと接続され、
前記不揮発性半導体メモリコネクタは、メモリカードに構成される、請求項１に記載のデータ記憶システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
高電力モード及び低電力モードを有するデバイスのディスクドライブシステムは、低電力ディスクドライブ（ＬＰＤＤ）および高電力ディスクドライブ（ＨＰＤＤ）を含む。ＬＰＤＤ及びＨＰＤＤの少なくとも一方が、不揮発性半導体メモリインターフェイスを介してデバイスと通信する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
他の特徴では、オペレーティングシステムが、ＬＰ不揮発性メモリ及びＨＰ不揮発性メモリと通信し、適応型記憶モジュールを含む。ＬＰ不揮発性メモリ及びＨＰ不揮発性メモリのどちらかに書込みデータが書込まれる場合、適応型記憶モジュールは、ＬＰ不揮発性メモリ及びＨＰ不揮発性メモリのどちらかを選択する適応記憶判断を生成する。ＨＰ不揮発性メモリは、不揮発性半導体メモリインターフェイスと通信するＨＰ  ＨＤＤを含む。適応記憶判断は、書込みデータの以前の使用に関連付けられる電力モード、書込みデータのサイズ、書込みデータを最後に使用した日付、及び書込みデータの手動オーバライドステータスのうち少なくとも１つに基づく。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
【図３０】図２９のマルチディスクドライブにより行われるステップを説明するフローチャートである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
図３Ｃを参照するに、図３Ａに類似する第６の例示的なコンピュータアーキテクチャ１７０を示す。二次プロセッサ１０４及び／又は二次グラフィクスプロセッサ１０８は、それぞれ、組み込み揮発性メモリ１７４及び１７６を含む。低電力モード時、二次プロセッサ１０４及び二次グラフィクスプロセッサ１０８は、それぞれ、一次揮発性メモリ２８の代わりに及び／又は一次揮発性メモリ２８に加えて、組み込み揮発性メモリ１７４及び１７６を使用する。一実施形態では、組み込み揮発性メモリ１７４及び１７６は、組み込みＤＲＡＭ（ｅＤＲＡＭ）であるが、他のタイプの組み込みメモリを用いてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
図７Ｄでは、メンテナンスステップは、ドライブ制御モジュール３００によって、高電力モードに戻った場合、及び／又は、ＬＰＤＤに記憶されている未使用の又は使用頻度の少ないファイルを削除する場合に行われる。このメンテナンスステップは更に、低電力モード時に、使用時に周期的に、ディスクフルイベントといったイベント発生時に、及び／又は、他の状態において行われることが可能である。制御は、ステップ３９０において開始する。ステップ３９２において、高電力モードが使用されているか否かを判断する。高電力モードが使用されていないと判断される場合、ステップ３９２に戻る。ステップ３９２において、高電力モードが使用されていると判断される場合、ステップ３９４において、最後のモードが低電力モードであったか否かを判断する。最後のモードが低電力モードではあると判断される場合、ステップ３９２に戻る。ステップ３９４において、最後のモードが低電力モードでなかったと判断される場合、ステップ３９６において、ＬＰＤＤからＨＰＤＤに古い又は使用頻度の低いファイルを移動させるといったメンテナンスを行う。将来において使用される可能性のあるファイルについて、例えば、図８Ａ−図１０とともに上述した及び以下に示すような基準を用いて適応的に判断してもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
図８Ａ、図８Ｂ、及び図８Ｃを参照するに、記憶制御システム４００−１、４００−２、及び４００−３を示す。図８Ａでは、記憶制御システム４００−１は、適応型記憶制御モジュール４１４を有するキャッシュ制御モジュール４１０を含む。適応型記憶制御モジュール４１４は、ファイル及び／又はプログラムの使用を監視して、それらが低電力モード又は高電力モードで使用される可能性があるか否かを判断する。キャッシュ制御モジュール４１０は、１以上のデータバス４１６と通信し、これらのデータバスは、Ｌ１キャッシュ、Ｌ２キャッシュ、ＤＲＡＭといった揮発性ＲＡＭ、及び／又は、他の揮発性電子データ記憶装置といった揮発性メモリ４２２と通信する。バス４１６は更に、低電力不揮発性メモリ４２４（例えば、フラッシュメモリ、不揮発性メモリＩＦを有するＨＤＤ、及び／又は、ＬＰＤＤ）、及び／又は、ＨＰＤＤ４２６といった高電力不揮発性メモリ４２６と通信する。図８Ｂには、適応型記憶制御モジュール４１４を含むフルフィーチャ及び／又は制限フィーチャオペレーティングシステム４３０を示す。好適なインターフェイス及び／又はコントローラ（図示せず）が、データバスと、ＨＰＤＤ及び／又はＬＰＤＤとの間に置かれる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
図１１Ａ、図１１Ｂ、及び図１１Ｃを参照するに、ドライブ電力低減システム５００−１、５００−２、及び５００−３（総称して５００）を示す。ドライブ電力低減システム５００は、次に限定しないが、オーディオ及び／又はビデオファイルといった大きいシーケンシャルアクセスファイルのセグメントを、周期的に又は他のベースで、低電力不揮発性メモリにバーストする。図１１Ａでは、ドライブ電力低減システム５００−１は、ドライブ電力低減制御モジュール５２２を有するキャッシュ制御モジュール５２０を含む。キャッシュ制御モジュール５２０は、１以上のデータバス５２６と通信し、データバスは、Ｌ１キャッシュ、Ｌ２キャッシュ、ＤＲＡＭといった揮発性ＲＡＭ、及び／又は、他の揮発性電子データ記憶装置といった揮発性メモリ５３０や、フラッシュメモリ、不揮発性メモリＩＦを有するＨＤＤ、及び／又はＬＰＤＤといった不揮発性メモリ５３４や、及び／又は、ＨＰＤＤ５３８と通信する。図１１Ｂでは、ドライブ電力低減システム５００−２は、ドライブ電力低減制御モジュール５２２を有するフルフィーチャ及び／又は制限フィーチャオペレーティングシステム５４２を含む。好適なインターフェイス及び／又はコントローラ（図示せず）が、データバスと、ＨＰＤＤ及び／又はＬＰＤＤとの間に配置される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
図１１Ｃでは、ドライブ電力低減システム５００−３は、電力低減制御モジュール５２２を有するホスト制御モジュール５６０を含む。ホスト制御モジュール５６０は、１以上のデータバス５６４と通信し、これらのデータバスは、ＬＰＤＤ５３４´及びハードディスクドライブ５３８´と通信する。ホスト制御モジュール５６０は、ドライブ制御モジュール、集積デバイスエレクトロニクス（ＩＤＥ）、ＡＴＡ、シリアルＡＴＡ（ＳＡＴＡ）、及び／又は他のコントローラ又はインターフェイスであってよい。図１１Ｃに示すように、不揮発性メモリＩＦを有するＨＤＤ５３１は、ＬＰＤＤとして、及び／又は、ＬＰＤＤに追加して用いてもよい。ホスト制御モジュール５６０は、不揮発性メモリＩＦを有するＨＤＤ５３１と、ホスト不揮発性メモリＩＦ５２９を介して通信する。ホスト制御モジュール５６０は、ホスト不揮発性メモリＩＦ５２９と一体にされてもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
図１２を参照するに、図１１Ａ−図１１Ｃに示すドライブ電力低減システム５００により行われるステップを示す。制御は、ステップ５８２において開始する。ステップ５８４において、システムが低電力モードにあるか否かが判断される。低電力モードにないと判断される場合、ステップ５８４に戻る。ステップ５８４が真である場合、ステップ５８６に進み、大きいデータブロックアクセスが一般的にＨＰＤＤから要求されているか否かを判断する。要求されていないと判断される場合、ステップ５８４に戻る。ステップ５８６が真である場合、ステップ５９０に進み、データブロックがシーケンシャルにアクセスされたか否かが判断される。アクセスされていないと判断される場合、ステップ５８４に戻る。ステップ５９０において、アクセスされていると判断される場合、ステップ５９４に進み、再生長（playback length）が決定される。ステップ５９８において、高電力不揮発性メモリから低電力不揮発性メモリへのデータ転送のバースト期間及び頻度が決定される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５３】
図２０では、オペレーティングシステムは、追加のＬＰ不揮発性メモリをページングメモリとして用いる。制御は、ステップ７４０において開始する。ステップ７４４において、オペレーティングシステムがデータ書込みオペレーションを要求しているか否かが判断される。要求していると判断される場合、ステップ７４８に進み、揮発性メモリの容量が超過されたか否かを判断する。超過していないと判断される場合、ステップ７５０において、揮発性メモリが書込みオペレーションに用いられる。ステップ７４８において、超過していると判断される場合、ステップ７５４において、データはＬＰ不揮発性メモリ内のページングファイルに記憶される。ステップ７４４において、データ書込みオペレーションを要求していないと判断される場合、ステップ７６０に進み、データ読出しが要求されているか否かを判断する。要求されていないと判断される場合、ステップ７４４に戻る。要求さていると判断される場合、ステップ７６４において、アドレスがＲＡＭアドレスに対応するか否か判断される。ステップ７６４において、アドレスがＲＡＭアドレスに対応すると判断される場合、ステップ７６６において、揮発性メモリからデータが読み出され、ステップ７４４に進む。ステップ７６４においてアドレスがＲＡＭアドレスに対応しないと判断される場合、ステップ７７０において、ＬＰ不揮発性メモリ内のページングファイルからデータが読み出され、ステップ７４４に進む。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６０】
ＲＡＩＤレベル０＋１は、パリティなしでのストライピング及びミラーリングが関連する。利点は、データアクセスが速いこと（ＲＡＩＤレベル０と同様）と、単一のドライブのフォルトトレランスがあること（ＲＡＩＤレベル１と同様）である。しかし、ＲＡＩＤレベル０＋１は、依然として、ディスクの数の２倍（ＲＡＩＤレベル１と同様）が必要である。当然ながら、アレイ８０８にデータを記憶するための他のＲＡＩＤレベル及び／又は方法もありうる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６２】
図２３Ａ、図２３Ｂ、図２４Ａ、及び図２４Ｂを参照するに、ＲＡＩＤシステム８３４−２及び８３４−３を示す。図２３Ａでは、ＬＰＤＤディスクアレイ８３８は、サーバ／クライアント８４０と通信し、ＨＰＤＤディスクアレイ８３６は、ＬＰＤＤディスクアレイ８３８と通信する。ＲＡＩＤシステム８３４−２は、ＬＰＤＤディスクアレイ８３８を選択的に回避する管理バイパス経路を含みうる。当然ながら、Ｘは２以上であり、Ｙは１以上である。Ｘは、Ｙより大きくても、Ｙより小さくても、及び／又は、Ｙと同じであってもよい。例えば、図２３Ｂは、Ｘ＝Ｙ＝ＺであるＲＡＩＤシステム８３４−２´を示す。図２４Ａでは、ＨＰＤＤディスクアレイ８３６は、サーバ／クライアント８４０と通信し、ＬＰＤＤディスクアレイ８３８は、ＨＰＤＤディスクアレイ８３６と通信する。ＲＡＩＤシステム８３４−３は、ＨＰＤＤディスクアレイ８３６を選択的に回避する、点線８４６により示す管理バイパス経路を含んでよい。当然ながら、Ｘは２以上であり、Ｙは１以上である。Ｘは、Ｙより大きくても、Ｙより小さくても、及び／又は、Ｙと同じであってもよい。例えば、図２４Ｂは、Ｘ＝Ｙ＝ＺであるＲＡＩＤシステム８３４−３´を示す。用いたストラテジには、図２３Ａ−図２４Ｂにおける書込みスルー及び／又は書き戻しが含まれうる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６４】
本発明では、図６−図１７とともに説明した技術を、図２２Ｂに示すＲＡＩＤシステム８３４に選択的に用いて、電力消費量及びデータアクセス時間を減少する。図２２Ａ及び図２３Ａ−図２４Ｂに図示しないが、本発明の他のＲＡＩＤシステムもこの技術を用いうる。つまり、図６及び図７Ａ−図７Ｄにおいて説明したＬＵＢモジュール３０４、適応型記憶モジュール３０６、及び／又はＬＰＤＤメンテナンスモジュールを、ディスクアレイコントローラ８４２及び／又はアレイ管理モジュール８４４によって選択的に実装して、ＬＰＤＤディスクアレイ８３８にデータを選択的に記憶して、電力消費量及びデータアクセス時間を減少する。図８Ａ−図８Ｃ、図９、及び図１０において説明した適応型記憶制御モジュール４１４も、ディスクアレイコントローラ８４２及び／又はアレイ管理コントローラ８４４によって選択的に実装されて、電力消費量及びデータアクセス時間を減少してもよい。図１１Ａ−図１１Ｃ及び図１２において説明したドライブ電力低減モジュール５２２も、ディスクアレイコントローラ８４２及び／又はアレイ管理コントローラ８４４によって実装され、電力消費量及びデータアクセス時間を減少してもよい。更に、図１３−図１７に示すマルチドライブシステム及び／又はダイレクトインターフェイスがＨＰＤＤディスクアレイ８３６内の１以上のＨＰＤＤで実施されて機能性を高め、電力消費量及びアクセス時間を減少してもよい。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６９】
リクエスタがファイルを開かなくてはならない場合、記憶装置８５４に直接行くことが可能である場合も、又は、許可及びロケーション情報のためにファイルサーバに行かなくてはならない場合もある。ファイルサーバ８６２が記憶装置へのアクセスを制御する度合いは、インストールのセキュリティ要件に応じる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７６】
図２７のディスクドライブコントローラ１１００の機能を以下に説明する。ディスクドライブコントローラ１１００は、インターフェイスコントローラ１１１０を含み、これは、ホストシステム１１０２に対して、１４ラインバスを有するフラッシュメモリコントローラとなる。インターフェイスコントローラ１１１０は更に、ホストコマンド解釈と、ホスト１１０２とバッファマネジャ１１１２との間のデータフロー制御の機能を行う。バッファマネジャ１１１２は、メモリコントローラ１１１６を介して、インターフェイスコントローラ１１００と同じチップの一部として含まれても別個のチップに含まれてもよいＳＲＡＭ又はＤＲＡＭバッファ１１１８でありうる実際のバッファ（メモリ）を制御する。バッファマネジャは、以下に更に説明するバッファリング特徴を提供する。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８２】
フラッシュレジスタ１１５２は、プロセッサバスを介して、インターフェイスコントローラ及びＬＰＤＤプロセッサと通信する。フラッシュレジスタ１１５２は、ＬＰＤＤプロセッサ及び制御モジュールによりプログラムされたコマンドを記憶する。フラッシュコントローラ１１５０は、ＬＰＤＤからの読出しデータを、バッファメモリに記憶して、制御モジュールとＬＰＤＤとの間のデータ転送速度における違いを相殺し、データレディ信号を制御モジュールに送信して、メモリバッファ内にデータがあることを示しうる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８５】
図３０を参照するに、図２９のマルチディスクドライブにより行われるステップを説明するフローチャートを示す。ステップ１２３０において制御が開始する。ステップ１２３２において、ホストがオンであるか否か判断される。ステップ１２３２においてホストがオンであると判断される場合、ステップ１２３４において、ホストは高電力モードにあるか否かが判断される。ステップ１２３４において、ホストは高電力モードにあると判断される場合、ステップ１２３６において、必要に応じて、ＬＰＤＤ１２２２及び／又はＨＰＤＤ１２２０に電力が供給される。ステップ１２３４において、ホストは高電力モードにないと判断される場合、ステップ１２３８において、ホストは低電力モードにあるか否かが判断される。ステップ１２３８において、ホストは低電力モードにあると判断される場合、ステップ１２４０において、ＨＰＤＤがオフにされ、必要に応じてＬＰＤＤを動作させて電力を節約する。（高電力モードにある場合）ステップ１２３８に進み、低電力モードにある場合、ステップ１２４０に進み、最後にステップ１２３２に戻る。