【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２７５１８４９号発明「現像原液の希釈装置」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第２７５１８４９号の請求項１に係る発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２７５１８４９号に係る発明についての出願は、昭和６２年２月１０日に特許出願された特願昭６２−３００３７号の一部を平成７年１月３０日に新たな特許出願としたものであって、平成１０年２月２７日にその発明について特許の設定登録がなされた。
  その後、平成１０年１１月１８日に特許異議の申立てがなされ、平成１１年６月１４日に特許第２７５１８４９号の特許を維持する旨の異議の決定がなされた。
　その後、平成１６年９月７日に請求人株式会社ケミテックより本件無効審判の請求がなされ、平成１６年１２月１３日に被請求人より審判事件答弁書が提出され、平成１７年４月２５日に口頭審理が行われ、同日、請求人、被請求人双方からそれぞれ口頭審理陳述要領書が提出され、その後、平成１７年４月２８日に被請求人より審判事件第二答弁書が提出されたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．本件発明
　本件請求項１に係る発明（以下「本件発明」という）は、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備に管路を介して所望濃度の現像液を送給するための現像原液の希釈装置であって、ホトレジスト用アルカリ系現像原液と純水とを受け入れて所定時間強制撹拌する撹拌槽と、前記撹拌槽内の混合液の一部を抜き出しその導電率を測定したのち撹拌槽内に戻す導電率測定手段と、前記導電率測定手段からの出力信号にもとづき前記撹拌槽に供給されるホトレジスト用アルカリ系現像原液または純水のいずれか一方の流量を制御する制御手段と、前記撹拌槽からの混合液を前記加工用設備に前記管路を介して送給する前に受け入れ貯留する貯留槽と、前記撹拌槽と前記貯留槽を窒素ガスでシールする窒素ガスシール手段と、を備えたことを特徴とする現像原液の希釈装置。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．請求人及び被請求人の主張の概略
３−１．請求人の主張
　請求人の主張は、以下の通りである。
「本件特許発明は、甲第１号証乃至甲第８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。よって、本件請求項１に係る特許は特許法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。」
〈証拠方法〉
甲第１号証：特開昭６２−１１５２０号公報
甲第２号証：日本半導体製造装置協会編「半導体製造装置用語辞典」日刊工業新聞社　序文，審議に当たって，ｐ１６２〜１６４，ｐ１７３，１７４，ｐ１８４〜１８８　（昭和６２年１１月２０日）
甲第３号証：実公昭５９−２９９４０号公報
甲第４号証：特開昭６０−９８６２４号公報
甲第５号証：特開昭６０−２２３１３１号公報
甲第６号証：実願昭５９−１８２７０９号（実開昭６１−９８５２７号）のマイクロフィルム
甲第７号証：実公昭６１−７７８６号公報
甲第８号証：工業計測技術大系編集委員会「工業計測技術大系７　工業分析（下）」日刊工業新聞社　ｐ４５〜５３　（昭和４０年１月３０日）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３−２．被請求人の主張
　これに対して、被請求人の主張は、以下の通りである。
「本件特許発明は、甲第１号証乃至甲第８号証に記載された事項により特許法第２９条第２項の規定によって特許を受けることができないものとはならず、特許法第１２３条第１項第２号によって無効とされるべきものではない。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４．当審の判断
４−１．各甲号証の記載事項
（１）甲第１号証：特開昭６２−１１５２０号公報
（ａ）「設定値の濃度を有しかつ高清浄化された薬液を得るために１種または複数種の薬品原液と純水とを用いて調合を行う薬液調合方法であって、薬品原液と純水とを導入して調合を行う調合槽と、該調合槽の中の薬液を循環ろ過する薬液循環ろ過手段と、該薬液循環ろ過手段のろ過部を通過した薬液中の微粒子数を計測する液中微粒子モニタ手段と、薬液またはその各成分の濃度をモニタする薬液濃度モニタ手段とを設け、該薬液濃度モニタ手段による測定結果に基づき、薬液濃度が設定値になるように薬品原液または純水を補充するとともに、上記液中微粒子モニタ手段による測定結果に基づき、必要に応じ薬液中の微粒子数が設定値以下になるように薬液の循環ろ過を行うことを特徴とする薬液調合方法。」（特許請求の範囲第１項）
（ｂ）「紫外部にある薬液中の化合物の紫外線吸収量または薬液中の化合物のイオン量を計測することによって薬液またはその成分の濃度をモニタすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の薬液調合方法。」（特許請求の範囲第２項）
（ｃ）「本発明は、設定値の濃度を有しかつ高清浄化された薬液を調合する薬液調合方法にかかわり、特に半導体素子製造の湿式処理工程で用いる処理液を調合するのに好適な薬液調合方法に関するものである。」（第１頁右下欄第７〜１１行）
（ｄ）「薬液またはその成分濃度をモニタする手段としては、半導体素子製造の湿式処理工程で用いる処理液等の場合は、紫外部にある薬液中の化合物の紫外線吸収量を計測する方法（紫外線吸収法）、または薬液中の化合物のイオン量を計測する方法（導電率法）を用いることができる。」（第２頁右上欄第２〜８行）
（ｅ）「また、第３図において、曲線ｄ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈは、それぞれ塩酸、硝酸、硫酸、アンモニア水、フッ化水素酸の導電率を示す曲線である。」（第２頁左下欄第２〜５行）
（ｆ）「以下、本発明による薬液調合方法について、図面を参照して具体的に説明する。次に述べる実施例は、本発明による方法を適用し、マイクロコンピュータを用いて薬液濃度を所定濃度に制御するように構成した例である。第１図は、本発明の方法を用いて薬液濃度を制御しつつ調合を行うように構成した装置の一例を示す構成図である。」（第２頁右下欄第８〜１５行）
（ｇ）「そして、再び薬液循環ポンプ９を動かし、薬液貯蔵タンク１１内の薬液を薬液調合タンク１２に設定量送った後、電磁弁３を閉じ電磁弁５を開いて、液を循環ろ過する。その際、紫外線吸収計あるいは導電率濃度計からなる薬液濃度測定装置１９により薬液濃度を計測し、薬液濃度が設定値より低い場合には、電磁弁５を閉じ電磁弁３を開いて薬液原液を追加補充し、薬液濃度が設定値より高い場合には、電磁弁７を開いて純水を補充する。これら一連の操作を繰り返して、薬液調合タンク１２内の液が設定濃度、設定清浄度に達したら、薬液循環ポンプ９を停止し、電磁弁５，６を閉じた後、電磁弁６を開いて、Ｎ２ガスで薬液調合タンク１２内を加圧する。その後、必要に応じて電磁弁８の開閉を行い、液を処理槽（図示せず）に圧送供給する。」（第３頁左上欄第７行〜右上欄第３行）
（ｈ）「第５図は、第１図に示した装置をマイクロコンピュータで制御したときのフローチャートである。以下、本フローチャートに基づいて、薬液濃度を自動的に所定濃度に制御する方法の一例を説明する。まず、ステップＡでスタートすると、電磁弁１，２，３を開き、電磁弁４，５を閉じる（ステップＢ）。薬液循環ポンプ９を作動させて、薬液を薬液貯蔵タンク１１内に導入し、液面センサなどを用いて水位が所定値であるかを判定しながら所定量入れる（ステップＣ，Ｄ）。所定水位になると、電磁弁１が閉じられる（ステップＥ）。薬液貯蔵タンク１１内の薬液中の微粒子数が設定値以下かを液中微粒子モニタ装置１４で測定して薬液の清浄度を判定し、設定値以下になったら薬液を循環させていた薬液循環ポンプ９を停止する（ステップＦ，Ｇ，Ｈ）。ついで電磁弁２，５を閉じ、電磁弁３，４を開き（ステップＩ）、この状態で電磁弁７を開いて純水を薬液調合タンク１２に導入し、液面センサなどで水位が所定値であるかを判定しながら所定量入れる（ステップＪ，Ｋ）。所定水位になると、薬液循環ポンプ９を動かして、設定量の薬液を薬液調合タンク１２に供給し、電磁弁３を閉じ、電磁弁５を開ける（ステップＬ，Ｍ，Ｎ）。供給後、紫外線吸収計、導電率濃度計を用いて薬液調合タンク１２内の薬液の紫外線吸収量、導電率を測定し、第４図のフローチャートで説明した方法で薬液の濃度が算出され（ステップＯ）、測定値が設定濃度範囲内であるか否かが判定される（ステップＰ）。測定値が目標値から外れている場合、濃度が低すぎれば、電磁弁５を閉じ、電磁弁３を時間ｔだけ開けて薬液を補充し（ステップＱ，Ｒ）、また濃度が高すぎれば、電磁弁７を時間ｔ’だけ開けて純水を補充する（ステップＳ）。このようにして、薬液調合タンク１２内の薬液濃度が制御され、薬液中の微粒子数が設定値以下かを判定し、設定値以下ならば薬液循環ポンプ９を停止する（ステップ（ステップＶ）。ついで、電磁弁５を閉じ、電磁弁６，８ を開いて(ステップＷ)、調合した薬液を処理槽(図示せず)へ設定量だけ送液する(ステップＸ)。送液後、電磁弁８を閉じて１サイクルを終了する(ステップＺ)。」（第３頁左下欄第１８行〜第４頁左上欄第２０行）
（ｉ）「本発明の方法により、半導体素子製造において極めて広く使われているエッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程での処理液の安定調合が可能となった。」（第４頁右上欄第１〜４行）
（２）甲第２号証：日本半導体製造装置協会編「半導体製造装置用語辞典」日刊工業新聞社　序文，審議に当たって，ｐ１６２〜１６４，ｐ１７３，１７４，ｐ１８４〜１８８　（昭和６２年１１月２０日）
（ａ）「幸い，協会会員各社より広範囲に亘って専門知識を持った大勢の方々にご協力頂き，それぞれの専門分野について基本的な用語約２０００語を厳選し，分類，整理をして取り込み，平易に解説して頂くことができた。内容については，それぞれの分野において極めてご造詣の深い諸先生方に審議委員をお願いし，内容の充実と正確さを期した。」（序文）
（ｂ）「幸いなことに，その後の半導体製造装置産業の発展は目ざましいものであって，昭和６０年３月には日本半導体製造装置協会が設立され，大変よろこばしいことと考えていた。昭和６１年になって協会の方から半導体製造装置の用語辞典を作りたいのでその審議をしてほしいというお話があった。私はその主旨に賛成し，お引き受けすることにした。すなわち，新しい協会として，まず共通の用語を決めて行くことはその門出として適切であると考えたからである。言葉こそはもっとも素朴な基礎的共通的な手段なのである。まさに「はじめに言葉ありき」である。」（審議に当たって）
（ｃ）「現像装置」 の意味として、「レジスト処理装置の中で，ウエーハ上に塗布されたフォトレジストにパターンを露光した後現像するための装置。処理の仕方により，スピン式，ディップ式，スプレー式に分類される。」が記載されている。（第１６２頁）
（ｄ）「エッチング装置」の意味として、「ウエーハ又はウエーハ表面上に形成された薄膜の全面または特定した場所を必要な厚さだけ食刻する装置。」が記載されている。（第１７３頁）
（ｅ）「ウエットエッチング装置」の意味として、「液相中でウエーハなどをエッチングする装置の総称。」が記載されている。（第１７３頁）
（ｆ）「湿式洗浄装置」の意味として、「薬品水溶液，有機溶媒，水など液体を使用して洗浄を行う装置。」が記載されている。（第１８４頁）
（ｇ）「薬液貯蔵タンク」 の意味として、「薬品または洗浄液を使用するまで貯蔵しておくタンク。」が記載されている。（第１８８頁）
（３）甲第３号証：実公昭５９−２９９４０号公報
（ａ)「円筒状ケーシングと、これに重油、水、乳化剤を供給するための手段と、前記ケーシングの内部に上下端部を開放して配置された内筒と、前記ケーシング内の内筒の下方位置に配置され、流体の流れ方向に並行な方向から直角をなす方向に亘る角度範囲で流体を変位させるよう推進させる回転ブレードと、これらのブレードを回転駆動する駆動手段とを備え、前記駆動手段により回転ブレードを回転させることにより流体を内筒およびケーシングに打ちつけて乱流を生ぜしめて重油を乳化するとともに乳化された流体を前記ケーシングおよび内筒間で周速均一に循環させるように構成したことを特徴とする重油乳化装置。」（実用新案登録請求の範囲）
（４）甲第４号証：特開昭６０−９８６２４号公報
（ａ）「ポジレジスト現像液(以下、ポジデベロッパーと略記)の現像液供給タンクにパージされる不活性ガスが水分を含んでいることを特徴とする半導体製造装置。」特許請求の範囲第１項）
（ｂ）「本発明はポジデベロッパーの現像液供給タンクに関するものである。近年、半導体装置の微細化により素子の寸法制御の技術が大きな問題になってきた。」（第１頁左下欄第１３〜１６行）
（ｃ）「素子の寸法制御はフォトエッチング工程で行われているが、その中でもレジスト寸法を制御する事が最も大きな鍵となる。また用いられるレジストも従来のネガ型では寸法制御が困難なため、ポジ型が主流をなしてきた。ところが一般にポジ型レジストの現像は中和反応であるため現像液の濃度が反応速度に大きく影響を及ぼしてきた。第１図に現像液濃度とレジスト寸法の関係を示す。同図より現像液濃度はレジスト寸法に大きく影響を及ぼすことが明らかであり、現像液の濃度制御が寸法制御にとって欠かせないことは言うまでもないであろう。さて、従来のポジデベロッパーの現像液供給タンクを第２図に示す。同図において現像液供給タンクには窒素配管１０１と排気配管２０２が接続され、窒素パージにより現像液２０３の劣化を妨げている。」（第１頁左下欄第１７行〜右下欄第１８行）
（ｄ）「本発明は、かかる欠点を除去したもので、その目的は、現像液の水分の蒸発を防ぐ、つまり現像液の濃度を一定にし、レジスト寸法の経時変化をなくすことにある。第４図には、本発明によるポジデベロッパーの現像液供給タンク（以下タンクと略記）を示す。同図において窒素は、窒素配管４０１、水４０２を含む加湿器４０３、窒素配管４０４を通りタンクに供給される。加湿機４０３を通るため窒素は水分を含み、この結果現像液４０５中の水分の蒸発が押えられ、現像液４０５の濃度は一定に保たれる。」（第２頁左上欄第５〜１６行）
（５）甲第５号証：特開昭６０−２２３１３１号公報
(ａ)「所要濃度の薬液を入れた薬液処理槽と、この処理槽内の薬液の濃度を検出するモニタ部と、前記処理糟内に原薬液を供給して濃度を復旧させる原液供給部と、前記モニタ部の濃度検出信号に基づいて前記原液供給部を制御して処理槽内の薬液濃度を制御する制御部とを備え、この制御部はモニタ時よりも先の時点における薬液濃度を予測する予測制御系と、この予測された濃度に基づいて必要な原液供給量を算出しかつ前記原液供給部により原液を供給させるフィードバック制御系とを有することを特徴とする薬液濃度制御装置。」（特許請求の範囲第１項）
（ｂ）「本発明は薬液処理槽の薬液濃度を所定濃度に管理する薬液濃度制御技術に関し、特に管理制度の向上を図った制御技術に関するものである。」（第１頁右下欄第９〜１１行）
（ｃ）「本半導体装置の製造工程では、例えばエッチング工程の後処理として超音波洗浄等の清浄工程が施され、半導体ウエーハを洗浄液等の薬液内に浸漬して洗浄を行なっている。ところで、この洗浄に限らず被処理物を薬液処理する場合、安定した処理を達成するためには薬液の濃度を一定ないし所定の範囲に管理制御することが必要とされる。」（第１頁右下欄第１３〜１９行）
（ｄ）「第１図は本発明を半導体ウエーハの洗浄装置に適用した一実施例であり、図において１は内部に所定の濃度の薬液(洗浄液)を入れた薬液処理槽である。この薬液処理槽１上には例えば２種の原液Ｃ１，Ｃ２を処理槽１内に供給する原液供給部２を設けている。」（第２頁右上欄第６〜１１行）
（ｅ）「この濃度モニタ部６は処理槽１内の薬液をサンプリングするためのポンプ７と、モニタ８を有し、モニタ８は紫外線分光光度計やイオンメータで構成して薬液濃度を検出することができる。」（第２頁右上欄第１７行〜左下欄第２行）
（ｆ）「以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である半導体ウエーハの洗浄装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、半導体装置の製造工程における種々の薬液ないし半導体製造以外の分野における種々の薬液の濃度制御に適用することができる。」（第３頁左下欄第７〜１２行）
（６）甲第６号証：実願昭５９−１８２７０９号（実開昭６１−９８５２７号）のマイクロフィルム
(ａ)「薬液の原液を希釈水で希釈する薬液希釈機構と、この希釈機構で希釈された希釈薬液を貯留する希釈薬液貯蔵タンクと、貯留された希釈薬液を供給する希釈薬液注入ラインとを備えた薬液希釈装置において、希釈薬液貯蔵タンクに希釈薬液を分析する分析計を備えた分析計ラインと、上記貯蔵タンク内の希釈薬液を循環させ、撹拌させる循環ラインとを、設けたことを特徴とする薬液希釈装置。」（実用新案登録請求の範囲第１項）
（ｂ）「本考案は発電プラントの給水や脱塩水等の水質調整を行う薬液を希釈する薬液希釈装置に係り、特に薬液の原液を希釈水で希釈して所定濃度の希釈薬液を得る薬液希釈装置に関する。」（第２頁第１７行〜第３頁第１行）
（ｃ）「本考案は上述した事情を考慮してなされたもので、希釈薬液貯蔵タンクに貯留された希釈薬液の濃度分析や撹拌均一化作業を積極的かつ自動的に行ない、薬液注入制御の安定化および省力化を確実に図るようにした薬液希釈装置を提供することを目的とする。」（第８頁第１９行〜第９頁第４行）
（ｄ）「薬液希釈機構２０は、薬液の原液を貯溜した薬液貯蔵タンク２１を有し、この薬液貯蔵タンク２１は入口弁２２を備えた薬液入口ライン２３を介して軽量タンク２４に接続される。軽量タンク２４には、レベルスイッチ(図示せず)が設けられて、タンク内に供給される薬液量を軽量する一方、軽量タンク２４からの薬液出口ライン２５には出口弁２６が設けられ、その先端はエジエクタ２７に接続される。このエジェクタ２７には希釈水としての純水が希釈水遮断弁２８を介して流入され、流入された純水はエジエクタ２７にて薬液を吸引し、この薬液を希釈・混合させながら、希釈薬液混合ライン２９を通って、入口ノズル３０から希釈薬液貯蔵タンク３１に案内され、内部に貯留される。この貯蔵タンク３１にも図示しないレベルスイッチが設けられ、このレベルスイッチからの出力信号により希釈水遮断弁２８が開閉制御されるようになっている。」（第１０頁第８行〜第１１頁第６行）
（ｅ）「また、希釈薬液貯蔵タンク３１の底部から希釈薬液注入ライン３３が延びており、この注入ライン３３は途中に設けられた希釈薬液注入ポンプ３４を経て火力発電プラントや原子力発電プラントの給水管３５ に接続され、この給水管３５に希釈薬液を注入するようになっている。」（第１１頁第７〜１２行）
（ｆ）「希釈薬液貯蔵タンク３１に貯溜された希釈薬液は注入ポンプ３４により希釈薬液注入ライン３３を経て注入されるが、その際、注入ポンプ３４の吐出側から分析計ライン３７が分岐されているので、注入される希釈薬液の濃度分析を迅速に行うことができる。」（第１５頁第９〜１４行）
（ｇ）「循環ライン３８の作動により、希釈薬液の濃度差が基準値の例えば±５％以内あるいは値を変えて±３％以内に達すると、これを分析計４０が検出して、その検出信号をタイマＴＤ２に入力させる。この入力信号を受けタイマＴＤ２は所定時間後に、循環弁４１を閉じる。したがって、希釈薬液貯蔵タンク３１内の希釈薬液はほぼ基準値の濃度となるようにセットされる。」（第１６頁第９〜１６行）
（７）甲第７号証：実公昭６１−７７８６号公報
(ａ)「ポンプと恒温装置、電気伝導度測定装置からなるアンモニア水循環系を、アンモニア希釈タンクの外部に設けたことを特徴とするアンモニア水自動希釈装置。」（実用新案登録請求の範囲第１項）
（ｂ）「本考案はボイラプラント等の水質調整において、ｐＨ値を一定に保持するために注入するアンモニア水の自動希釈装置に関する。」（第１頁第１欄第７〜９行）
（ｃ）「１８はアンモニアを希釈するタンクであり、このタンクに純水供給系１から制御弁２を介して純水が供給され、一定量になると水位測定器７の信号により制御器１０が作動して制御弁２を閉じる。アンモニア供給系３から制御弁４を介してアンモニアを供給し、撹拌装置８を作動させると共に、開閉弁１３，１１を開にして循環ポンプ１４を作動させアンモニア水循環系１５にアンモニア水を循環させる。恒温装置１７を作動させ、循環するアンモニア水の温度を一定に保持し電気伝導率測定手段９を用いて濃度測定を行う。この濃度測定の際、温度補償の必要はなく、より高精度の測定が行われる。」（第２頁第３欄第６〜１８行）
（ｄ）第１図には、撹拌装置８として、スクリュー(プロペラ)が図示されている。
（８）甲第８号証：工業計測技術大系編集委員会「工業計測技術大系７　工業分析（下）」日刊工業新聞社　ｐ４５〜５３　（昭和４０年１月３０日）
（ａ)「この導電率測定については古くより研究が始められ，Ｋｏｈｌｒａｕｓｃｈらによって電解質溶液の導電率測定が確率されている。そして標準溶液の作製と，これを用いておこなう測定セル（電極）のセルコンスタントの決定方法や測定に使用する純水の問題，あるいは電極として使用する有名な白金黒メッキ白金電極の考案がある。このようにして現在でもＫｏｈｌｒａｕｓｃｈブリッジの名で周知されている交流による導電率測定法を確立した。その後多くの研究者によって改良，研究が続けられ，導電率測定法は広く実用されるにいたったが，とくにＧ．Ｊｏｎｅｓらは測定法および装置の各部について詳細な検討，研究をつづけ，現在でも精密な測定に用いられるＪｏｎｅｓブリッジの完成，特性のよい導電率測定セルの設計，ＫＣｌ標準溶液の絶対測定を行なって精密な導電率測定法を完成した。導電率測定の応用としては、古くよりイオン積，電離恒数の測定，錯塩構造の決定，導電率滴定などの分析法として広く試みられている。しかし、現在もっとも広い応用分野としては、溶液の濃度と導電率の関係が、温度が一定であれば精密に対応することを利用した工業的溶液濃度の測定、あるいは成分の検出方法として用いられている。たとえば化学工業におけるＨ２ＳＯ４，ＨＣｌ，ＮａＯＨなどの濃度の測定、発電所、工場におけるボイラの給水、復水の水質測定、純水製造装置の純水の純度測定などのように導電率測定は現在ｐＨ測定と同様に広く普及し、プロセスの計装上必要欠くべからざるものとなっている。」（第４５〜４６頁）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４−２．対比・判断
　刊行物１の上記（１）（ｃ）には、「特に半導体素子製造の湿式処理工程で用いる処理液を調合するのに好適な薬液調合方法に関するものである。」と記載されている。
　ここで、「湿式処理工程」は、上記（１）（ｉ）の「本発明の方法により、半導体素子製造において極めて広く使われているエッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程での処理液の安定調合が可能となった。」の記載からみて、「半導体素子製造において極めて広く使われているエッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程」であることがわかる。
  さらに、「薬液調合方法」は、上記（１）（ａ）から「設定値の濃度を有しかつ高清浄化された薬液を得るために１種または複数種の薬品原液と純水とを用いて調合を行う薬液調合方法であって、薬品原液と純水とを導入して調合を行う調合槽と、該調合槽の中の薬液を循環ろ過する薬液循環ろ過手段と、該薬液循環ろ過手段のろ過部を通過した薬液中の微粒子数を計測する液中微粒子モニタ手段と、薬液またはその各成分の濃度をモニタする薬液濃度モニタ手段とを設け、該薬液濃度モニタ手段による測定結果に基づき、薬液濃度が設定値になるように薬品原液または純水を補充するとともに、上記液中微粒子モニタ手段による測定結果に基づき、必要に応じ薬液中の微粒子数が設定値以下になるように薬液の循環ろ過を行うことを特徴とする薬液調合方法。」というものである。
　ここで、「薬液またはその各成分の濃度をモニタする薬液濃度モニタ手段」は、「薬液中の化合物のイオン量を計測することによって薬液またはその成分の濃度をモニタする」（上記（１）（ｂ））、「半導体素子製造の湿式処理工程で用いる処理液等の場合は、・・・薬液中の化合物のイオン量を計測する方法（導電率法）」（上記（１）（ｄ））というものであり、「イオン量を計測する手段」は、具体的には「導電率濃度計」である（上記（１）（ｇ））。
　また、上記（１）（ｆ）から、上記「設定値の濃度」は「所定濃度」である。
　また、上記（１）（ｈ）の「測定値が目標値から外れている場合、濃度が低すぎれば、電磁弁５を閉じ、電磁弁３を時間ｔだけ開けて薬液を補充し（ステップＱ，Ｒ）」の記載から、薬品原液を薬液貯蔵タンク１１から薬液調合タンク１２へ補充することがわかり、「また濃度が高すぎれば、電磁弁７を時間ｔ’だけ開けて純水を補充する（ステップＳ）。」の記載から、純水が薬液調合タンク１２へ補充されることがわかる。すなわち、調合槽に薬品原液や純水のいずれか一方が補充されることがわかる。
　また、上記（１）（ｇ）の「その後、必要に応じて電磁弁８の開閉を行い、液を処理槽（図示せず）に圧送供給する。」の記載から、調合槽から処理槽へ薬液を管路を介して圧送供給していることがわかる。
  また、上記（１）（ｇ）の「薬液調合タンク１２内の液が設定濃度、設定清浄度に達したら、薬液循環ポンプ９を停止し、電磁弁５，６を閉じた後、電磁弁６を開いて、Ｎ２ガスで薬液調合タンク１２内を加圧する。」の記載から、調合槽内の薬液が所定濃度になった後は、Ｎ２ガスで調合槽内を加圧することがわかる。
　これら記載を本件発明の記載ぶりに則って整理すると、甲第１号証には、
「半導体素子製造において極めて広く使われているエッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程の処理槽に管路を介して所定濃度の薬液を送給するための薬液調合装置であって、半導体素子製造において極めて広く使われているエッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程の薬品原液と純水とを導入して調合を行う調合槽と、該調合槽の中の薬液を循環ろ過する薬液循環ろ過手段と、該薬液循環ろ過手段のろ過部を通過した薬液またはその各成分の濃度をモニタする導電率濃度計と、該導電率濃度計による測定結果に基づき、薬液濃度が所定濃度の薬液になるように薬品原液または純水のいずれか一方を補充する手段と、前記調合槽をＮ２ガスで加圧する手段と、を備えた薬液調合装置」という発明（以下、「甲１発明」という）が記載されていると云える。
  そこで、本件発明と甲１発明とを対比すると、甲１発明の「薬液調合装置」は、薬品原液と純水を調合している点で希釈しているのと同義であるから、本件発明の「希釈装置」に相当する。
　また甲１発明の「導電率濃度計による測定結果に基づき、薬液濃度が所定濃度の薬液になるように薬品原液または純水のいずれか一方を補充する手段」は、所定濃度になるように補充しているのであるから、本件発明の「導電率測定手段からの出力信号にもとづき槽に供給される原液または純水のいずれか一方の流量を制御する制御手段」に相当する。
　また、甲１発明の「薬液」、「導電率濃度計」は、本件発明の「混合液」、「導電率測定手段」にそれぞれ相当する。
  してみると、両者は、「希釈装置であって、原液と純水とを受け入れる槽と、導電率測定手段と、前記導電率測定手段からの出力信号にもとづき槽に供給される原液または純水のいずれか一方の流量を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする原液の希釈装置」という点で一致し、次の点で相違している。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
相違点（イ）：本件発明では、原液が「ホトレジスト用アルカリ系現像原液」であり、希釈装置が「ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備に管路を介して所望濃度の現像液を送給するための現像原液の希釈装置」であるのに対して、甲１発明では、原液が「半導体素子製造において極めて広く使われているエッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程の薬品原液」であり、希釈装置が「半導体素子製造において極めて広く使われているエッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程の処理槽に管路を介して所定濃度の薬液を送給するための薬液調合装置」である点
相違点（ロ）：本件発明では、原液と純水を受け入れる槽が「所定時間強制撹拌する撹拌槽」であるのに対して、甲１発明では、「調合槽」である点
相違点（ハ）：本件発明では、導電率測定手段が「撹拌槽内の混合液の一部を抜き出しその導電率を測定したのち撹拌槽内に戻す導電率測定手段」であるのに対して、甲１発明では、「薬液循環ろ過手段のろ過部を通過した薬液またはその各成分の濃度をモニタする導電率濃度計」である点
相違点（ニ）：本件発明では、「撹拌槽からの混合液を前記加工用設備に前記管路を介して送給する前に受け入れ貯留する貯留槽」を備えているのに対して、甲１発明では、その点が開示されていない点
相違点（ホ）：本件発明では、「撹拌槽と前記貯留槽を窒素ガスでシールする窒素ガスシール手段」を備えているのに対して、甲１発明では、「調合槽をＮ２ガスで加圧する手段」を備えている点
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
  先ず上記相違点（イ）について検討する。
  甲１発明の「湿式処理工程の処理槽に管路を介して所定濃度の薬液を送給するための薬液調合装置」は、「湿式処理工程の処理槽」に管路でつながっているのであるから、本件明細書に云う「使用側においても現像原液さえ入手すれば所望濃度の現像液を精度よく迅速に製造することができ」（本件特許掲載公報第２頁第３欄第４２〜４４行）るということや、また答弁書に云う「これにより、使用者は、現像原液を入手し、本件特許発明の希釈装置を使用して現像液を調整し使用することができる。」（平成１６年１２月１３日付け審判事件答弁書第３頁第２７〜２８行）ということと同じように、原液を使用側で希釈して使用するということを行っていると云える。
　次に、確かに、甲１発明の「半導体素子製造において極めて広く使われているエッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程の処理槽」が、本件発明の「ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備」と重複するとは直ちに云うことはできない。
　しかしながら、甲１発明の半導体素子製造における湿式処理工程として具体的に例示されている「エッチング」や「ウエハ表面洗浄」と、本件発明の「ホトレジストを用いて微細加工を行う」とは、本件発明の「ホトレジストを用いて微細加工を行う」が、具体的には「本発明は半導体製造工程などでポジレジストを現像する」（本件特許掲載公報第１頁第２欄第４〜５行）と半導体製造工程で行うものと云えるから、両者は、半導体ウエハに液体で働きかけ、また半導体素子製造工程のうちの一工程であるという点で共通性がある。
　してみると、当業者が、甲第１号証に開示されている湿式処理工程における技術思想を、本件発明の「ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備」に転用することは極めて自然なことと云える。
　したがって、上述したとおり、原液を使用側で希釈して使用するという技術思想が甲第１号証に明らかな以上、ホトレジスト用アルカリ系現像原液を使用側で希釈して使用することは当業者なら誰しも推考し得るものであると云える。
  被請求人は、「しかし、ホトレジスト用現像液は前述したように精度よく濃度を調整するのが困難な上に空気中の炭酸ガスを吸収して濃度が変化するという特有の課題を有している。」（平成１６年１２月１３日付け審判事件答弁書第６頁第９〜１１行）と、ホトレジスト用現像液が「特有の課題」を有していることを主張している。
  しかしながら、被請求人が主張する上記「特有の課題」は、使用側で希釈する場合であろうが、あるいは現像液メーカー（供給側）で希釈する場合（本件特許掲載公報第２頁第３欄第２２〜２４行）であろうが生ずる課題であり、現像原液を希釈する以上解決しなければならない課題であるから、上記「特有の課題」の存在を理由に使用側で希釈することが容易想到でないとまでは云うことはできないし、ましてや不可能であるとまでは云うことができない。
　してみると、上記「特有の課題」は、現像液メーカー（供給側）で希釈された現像液を使用側まで運搬するのと違って、現像原液を使用側で希釈する場合は、使用側で適切な希釈装置を必要とするといった、当然想定できる問題に帰着し、甲第１号証等から本件発明を想到する上でのいわゆる阻害要件というべきものではないと云える。
  また、被請求人は「ホトレジスト現像液の場合、ホトレジスト現像液中のＴＭＡＨは強アルカリであるため、ほぼ１００％電離すると予想できるが、ホトレジスト現像液中の添加剤がどの程度電離するかは全く予想することができない。本件特許発明の出願前では、一般的にはホトレジスト現像液の添加剤は導電率に影響を与える程度に電離するものと考えられていた。このように、導電率測定装置で溶液中の特定の溶質のみの濃度を計測することは、種々の要因によって一般的には困難であり、本件特許発明の出願前では、導電率測定装置によってホトレジスト現像液中のＴＭＡＨのみの濃度を測定することは困難だと考えられていた。」（平成１７年４月２８日付け審判事件第二答弁書第３頁第１９〜２７行）と、ホトレジスト現像液中のＴＭＡＨのみの濃度を測定することが困難だと考えられていたことを主張している。
　しかしながら、本件発明の現像液は、明細書中に「ポジレジストの現像液材料としてはリン酸ソーダ、カ性ソーダ、ケイ酸ソーダ、またはその他の無機アルカリ等との混合物から成る無機アルカリ水溶液や、アルカリメタルの汚染が心配される場合にはメタルを含まないアミン系の有機アルカリ水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液、トリメチルモノエタノールアンモニウムハイドロオキサイド（コリン）水溶液等が用いられる。」（本件特許掲載公報第１頁第２欄第１２行〜第２頁第３欄第５行）と明記されているとおり、ＴＭＡＨに限られているわけではない。　加えて、添加剤についても、特許請求の範囲には記載されていないし、明細書中にも「また、必要に応じて添加される各種添加剤の量も現像原液の量に比べて無視できる程度に少ないので」（本件特許掲載公報第３頁第６欄第４２〜４３行）と、必要に応じて添加される任意成分であることが記載されているだけである。
  してみると、被請求人のＴＭＡＨと添加剤とに関する上記主張は、本件発明の進歩性判断を左右する主張とは云えない。
　なお、付言すれば、被請求人も指摘するとおり、ＴＭＡＨは「強アルカリであるため、ほぼ１００％電離すると予想できる」のであるから、濃度計測の一般的な手法である導電率測定を採用することは、当業者がきわめて普通に想到することであると云える。
　そして、現像原液を運搬し使用側で希釈する方が、希釈された現像液で運搬するよりも、希釈装置は必要かも知れないが、運搬コストは少ないといった経済的効果は当業者ならば直ちに想定することができるから、本件発明の奏する効果は当業者が予測できる範囲内であるものと云える。
　したがって、本件発明の相違点（イ）の構成は、当業者が容易に想到し得るものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
  次に上記相違点（ロ）について検討する。
　甲１発明の調合槽では、薬品原液と純水を調合、すなわち混合していることは明かであるが、所定時間強制撹拌することは開示されていない。しかしながら、異なる液体を混合する際に所定時間強制撹拌することは、本件出願前周知の事項であるから（必要ならば、甲第３号証参照）、本件発明の相違点（ロ）の構成は、格別の創意力を要するものとは云えない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　次に上記相違点（ハ）について検討する。
  甲１発明では、導電率濃度計は「薬液循環ろ過手段のろ過部を通過した」薬液またはその各成分の濃度をモニタしているが、これは調合槽から薬液の一部を抜き出してモニタし、次いで薬液を調合槽に戻すということに他ならないから、「槽内の混合液の一部を抜き出しその導電率を測定したのち槽内に戻す導電率測定手段」が開示されていると云え、したがって、本件発明の上記相違点（ハ）の構成は実質的な相違点ではない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　次に上記相違点（ニ）について検討する。
  確かに、甲１発明には、「貯留槽」が開示されていない。しかしながら、薬液を希釈した後、貯蔵しておく希釈薬液貯蔵タンクを設けることは本件出願前周知の事項であるから（必要ならば、甲第６号証参照）、本件発明の相違点（ニ）の構成は、格別の創意力を要するものとは云えない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　次に上記相違点（ホ）について検討する。
　本件明細書には、「現像液タンク２２用の窒素ガスは圧力を１〜２ｋｇ／ｃｍ２とすることによって現像液を使用側に送給するためのエネルギを現像液の水頭圧（すなわち、窒素ガスの圧力と現像液の液面水頭圧を加算した値）によって得る。このため、前記管路６２にはポンプを設ける必要がなくなり、ポンプ駆動による現像液の脈動供給の弊害を防止できる。」（本件特許掲載公報第３頁第５欄第２３〜２７行）と記載されており、甲１発明と同じように、窒素ガスで加圧することが記載されている。
　すなわち、本件発明の「窒素ガスシール手段」は「Ｎ２ガスで加圧する手段」をも包含している。
　逆に、甲１発明において、調合槽をＮ２ガスで加圧するということは、加圧状態が維持されなければならない。すなわち、調合槽は大気に開放されておらず、密閉状態にあると云える。このことは、調合槽が、実質的に、Ｎ２ガスでシールされていると云える。
　加えて、本件明細書には、ホトレジストについて、「半導体製造においては各種工程でホトエッチングが繰り返され、ポジレジストが多用される。」（本件特許掲載公報第１頁第２欄第８〜９行）、「また、本発明に係るポジレジスト用のアルカリ系現像液」（本件特許掲載公報第３頁第５欄第第１６〜１７行）と記載され、具体例として「ポジレジスト」が挙げられている。　ところで、甲第４号証には、「一般にポジ型レジストの現像は中和反応であるため現像液の濃度が反応速度に大きく影響を及ぼしてきた。第１図に現像液濃度とレジスト寸法の関係を示す。同図より現像液濃度はレジスト寸法に大きく影響を及ぼすことが明らかであり、現像液の濃度制御が寸法制御にとって欠かせないことは言うまでもないであろう。・・・窒素パージにより現像液２０３の劣化を妨げている。」（上記（４）（ｃ））と記載されている。すなわち、現像液の劣化を妨げるために窒素パージすることが記載されている。してみると、現像液の表面を窒素で覆い、空気で劣化させないということが知られていたと云える。
　したがって、本件発明の相違点（ホ）の構成は当業者が容易に想到し得るものであると云える。
　　　　　　
　以上のとおりであるから、本件発明は、甲１、３、４、６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
５．むすび
　したがって、本件特許の請求項１に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされてものであり、同法第１２３条第１項第２号の規定に該当し、無効とすべきものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、被請求人が負担すべきものとする。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　よって、結論のとおり審決する。