(57)【要約】【課題】ＬＥＤ・フォトカプラ・フォトインタラプタなどに使用される光半導体装置用リードフレームにおいて、可視光域（波長４００〜８００ｎｍ）において全体的に従来の銀皮膜よりも反射率が高く、特に波長４５０ｎｍ近辺を発光するチップ搭載時に反射率が良好で、高輝度かつ放熱性に優れたリードフレームおよびその製造方法を提供する。【解決手段】銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる群の内の１つからなる導電性基体の最表面に、銀または銀合金を電気めっきで製膜し、製膜した銀または銀合金めっき層の表層を逆電流（Ｐｅｒｉｏｄｉｃ  Ｒｅｖｅｒｓｅ:ＰＲ電流）電解法で除去し、該表層を除去した銀または銀合金表面を、鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工して、波長４５０ｎｍ以上の光に対し９０％以上の反射率の反射層に仕上げる光半導体装置用リードフレームの製造方法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる群の内の１つからなる導電性基体の最表面に、銀または銀合金を電気めっきで製膜し、製膜した銀または銀合金めっき層の表層を逆電流電解法で除去し、該表層を除去した銀または銀合金表面を、鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工して、波長４５０ｎｍ以上の光に対し９０％以上の反射率の反射層に仕上げる光半導体装置用リードフレームの製造方法。
【請求項２】
銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる群の内の１つからなる導電性基体の最表面に、銀または銀合金を電気めっきで０．２ないし１０μｍの厚さに製膜し、製膜した銀または銀合金めっき層の厚さの０．５ないし５％を逆電流電解法で除去し、該表層を除去した銀または銀合金表面を、鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工して、波長４５０ｎｍ以上の光に対し９０％以上の反射率の反射層に仕上げる光半導体装置用リードフレームの製造方法。
【請求項３】
前記導電性基体が、条または線の形態である請求項１または２に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
【請求項４】
前記逆電流電解法が周期的逆電解法である請求項１または２記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
【請求項５】
前記周期的逆電解法によるめっきは、電流を通電する時間の間に電流を流さない無通電時間がめっき通電時間に対して１／５以上導入する請求項４に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
【請求項６】
請求項１または２に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法で製造された波長４５０ｎｍ以上の光に対して９０％以上の反射率の反射層を有する光半導体装置用リードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光半導体装置用リードフレームとその製造方法に関するもので、特に波長４５０ｎｍ以上の光を８５％以上反射する反射層を有する光半導体装置用リードフレームとその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光半導体装置用リードフレームは、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）素子等の光半導体素子である発光素子を光源に利用した各種表示用・照明用光源の構成部材として広く利用されている。その光半導体装置は、例えば図３に示すように、リードフレーム３０上に発光素子３を搭載した後、熱、湿気、酸化等の外部要因による発光素子３やその周辺部位の劣化を防止するため、発光素子とその周囲を封止樹脂６で封止している。
【０００３】
ところで、ＬＥＤ素子を照明用光源として用いる場合、リードフレームの反射材には可視光波長（例えば４００〜８００ｎｍ）の全領域において反射率が高い反射層を有するリードフレームが求められている。例えば硫酸バリウムや酸化アルミニウムなどの基準物質に対する反射率が８０％以上であることが求められる。
【０００４】
このような要求に対して、ＬＥＤ素子が実装されるリードフレーム上には、特に可視光域の光反射率（以下、反射率という）の向上を目的として、銀または銀合金からなる反射層（皮膜）が形成されているリードフレームが多い。銀の皮膜は、可視光域における反射率が高いことが知られており、具体的には、銀めっき層を反射面に形成すること（特許文献１）や、銀または銀合金皮膜形成後に２００℃以上で３０秒以上の熱処理を施し、当該皮膜の結晶粒径を０．５μｍ〜３０μｍとすること（特許文献２）などが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６１−１４８８８３号公報
【特許文献２】特許第４３６７４５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１のような公知の技術にて銀またはその合金皮膜を単純に形成しても、反射率は波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光で７５％以上、波長４５０ｎｍの光で８５％程度と高水準である。しかしながら、近年の光半導体装置、特にＬＥＤのリードフレームに求められる反射率は、チップの発光効率がいまだ数１０％程度であることから、これを極力効率的に活用すべく、より一層高い反射率レベル（例えば波長４５０ｎｍ以上の光に対して８５％以上）のものが求められてきている。
【０００７】
そこで、特許文献２には、銀または銀合金の皮膜の結晶粒径を０．５μｍ〜３０μｍとし、可視光域の反射率を８５％以上に高める手法として、めっき厚や表面粗度を規定し、結晶粒径を規定範囲に収めるために熱処理を施す等の技術が開示されている。しかし、この手法を用いた場合、材料に熱処理が施されるため、銀表面の酸化が進行することで反射率の低下が懸念され、また熱処理によって下地が銀表面にまで拡散して反射率の低下やワイヤボンディング性を劣化させることが懸念されている。
【０００８】
そこで、本発明は、ＬＥＤ・フォトカプラ・フォトインタラプタなどに使用される光半導体装置用リードフレームにおいて、可視光域（波長４００〜８００ｎｍ）において全体的に従来の銀皮膜よりも反射率が高く、特に波長４５０ｎｍ近辺で発光するチップに対して反射率が良好で、高輝度かつ放熱性に優れたリードフレームおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の光半導体装置用リードフレームの製造方法は、銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる群の内の１つからなる導電性基体の最表面に、銀または銀合金を電気めっきで製膜し、製膜した銀または銀合金めっき層の表層を逆電流電解法（ＰＲ電解法）で除去し、該表層を除去した銀または銀合金表面を、鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工して、波長４５０ｎｍ以上の光に対して８５％以上の反射率の反射層に仕上げる製造方法である。
【００１０】
また、本発明の光半導体装置用リードフレームの製造方法は、銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる群の内の１つからなる導電性基体の最表面に、銀または銀合金を電気めっきで０．２ないし１０μｍの厚さに製膜し、製膜した銀または銀合金めっき層の厚さの０．５ないし５％を逆電流電解法で除去し、該表層を除去した銀または銀合金表面を、鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工して、波長４５０ｎｍ以上の光に対して８５％以上の反射率の反射層に仕上げる製造方法である。
【００１１】
本発明の光半導体装置用リードフレームの製造方法で用いる前記逆電流電解法が周期的逆電流電解法であることが好ましく、該周期的逆電流電解法によるめっきは、電流を通電する時間の間に電流を流さない無通電時間がめっき通電時間に対して１／５以上とすることが望ましい。
【００１２】
本発明の光半導体装置用リードフレームは、前記光半導体装置用リードフレームの製造方法で製造された波長４５０ｎｍ以上の光に対して８５％以上の反射率の反射層を有するリードフレームである。
【発明の効果】
【００１３】
発明によれば、導電性基体上の最表面（反射面）に銀または銀合金からなる反射層を電気めっき法で形成し、次いで逆電流電解法で表層部を薄く（めっき厚さの５％以下）除去し、その後鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工する。このような工程を少なくとも1回以上のサイクルで繰り返すことにより可視光域である波長４００〜８００ｎｍの光に対して反射率を８５％以上に高めた光半導体装置用リードフレームを製造することができ、該リードフレームを提供することができる。
【００１４】
本発明によれば、可視光域である波長４００〜８００ｎｍの光において全体的に従来の銀または銀合金皮膜よりも反射率が高く、特に波長４５０ｎｍ近辺で発光する光半導体チップ搭載時に反射率が良好であり、整面精密プレスでプレス加工することでリードフレーム表面は平滑化され、従って、リードフレームに光半導体素子等を実装する工程で実装のし易いリードフレームを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は本発明の第一実施形態を示す断面図である。
【図２】図２は本発明の第二の実施形態を示す断面図である。
【図３】図３は本発明の第三の実施形態を示す断面図である。
【図４】図４は本発明の第四の実施形態を示す断面図である。
【図５】図５はリードフレーム製造過程の一部を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
一般に光半導体装置用リードフレームの加工方法は、導電性基体を先ず金型によるプレス打ち抜き加工またはエッチング加工で成形する。リードフレームの成形はファインピッチを要求される場合以外は一般的にプレス加工による打ち抜き加工である。この方法で成形加工すると図５に示すようにリードフレーム基体１の切断部１１にバリが生じ、或いは鋭い角度の切断部となる。このようにバリ又は鋭い角度の切断部１１が生じたリードフレーム基体１をそのままの状態にして下地めっきを施し、銀の電気めっきを施すと、電流がバリまた鋭い角度の切断部１１に集中して、結果的にリードフレーム基板１０の角側（切断部１１の近傍）にめっきが厚く付く部分１２が発生し、リードフレームの平面性が阻害される。
【００１７】
このようにリードフレームに平面性がなくなると搭載するチップとの接続が不安定となり、後の光半導体素子の実装工程に悪影響を及ぼす。また、下地材料の表面状態により、銀めっきを施す際の電流密度が更に切断部１１に集中することがあり、下地の表面状態の粗さによっては、２〜３倍厚く銀が付着することがあり、前記可視光の反射率を低下させる原因ともなっている。
【００１８】
上記問題に鑑み、導電性基体上の最表面に銀からなる反射層を電気めっき法で形成し、該電気めっき層を周期的逆電流（Ｐｅｒｉｏｄｉｃ  Ｒｅｖｅｒｓｅ:ＰＲ電流）電解法を使用して、厚くなった切断部の銀めっきを除去することを試み、一応成功したが、平面部の銀めっきまでが溶解除去されてしまい、特に銀めっき厚さが３μｍ以下の場合、その現象が顕著に現れる結果となった。
【００１９】
前記試みに基づき、銀からなる反射層を形成した後、逆電流電解法を使用し、まずリードフレームの平面部の銀めっきの表面突起のみを例えば次の条件で除去した。
【００２０】
除去液（めっき液）：
ＡｇＣＮ    ５０ｇ／リットル、
ＫＣＮ      １００ｇ／リットル、
Ｋ２ＣＯ３    ３０ｇ／リットル
除去条件：
平均電流密度              １Ａ／ｄｍ２、
カソード電流密度          ７．５Ａ／ｄｍ２、
アノード電流密度          １５Ａ／ｄｍ２、
アノード／カソード時間比  ７：３、
周波数                    １００Ｈｚ、
温度                      ３０℃
時間                      ６０秒
【００２１】
その後、厚くなった切断部の銀めっき層を鏡面仕上げした整面精密プレスで潰して、全体を平面に整形する工程を設けることで優れた反射特性を有するリードフレームの作成に成功し、本発明に至った。なお、プレス加工は整面精密プレスを用いることで、めっきが厚くなった切断部を平面化するだけでなく、さらに、平面部の銀めっき表面状態を改善できる効果もある。
【００２２】
本発明のリードフレームは、銀または銀合金（以下銀または銀合金を区別して表現する必要がない場合は単に銀と表現することがある）からなる反射層を電気めっき法で形成し、次いで逆電流電解を行い表面粗さが極端に小さなめっき皮膜を形成する。
めっき層（皮膜）を形成し、次いですぐに逆電流電解を行うことにより、パルス電源装置一つで、同じめっき槽で、電気めっきと逆電流電解を繰り返して行うことが可能である。このように銀の電解めっきで形成される銀めっき皮膜表面の微小な凸部を逆電流電解によって削りとり、表面の凹凸を極端に減らし、めっき表面を平滑にする。この結果、波長４００〜８００ｎｍの光に対する反射率を著しく向上させることができる。
【００２３】
なお、前記では電気めっきで銀のめっき層（皮膜）を形成後逆電流電解法で銀めっき皮膜表面の微小な凸部を削りとったが、周期的逆電流電解法によってめっき被膜を形成した後に通常電流で電解研摩を行ってもよいし、めっき皮膜形成及び電解研摩を周期的逆電流電解法で行ってもよい。
さらに、鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工してめっきが厚く付着した切断部を平面化し、チップ搭載性を向上するとともに反射層の平滑化を行うことで、特に波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍで発光する光半導体発光チップを搭載する光半導体装置に好適に採用することができる。
【００２４】
光半導体装置用リードフレームは、導電性基体を銅または銅合金、鉄または鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金のいずれかの金属で形成することで、反射率特性がよくかつ反射皮膜を形成するのが容易であり、コストダウンにも寄与する。また、これらの金属を基体とするリードフレームは放熱特性に優れ、発光体が発光する際に発生する熱エネルギーを、リードフレームを介してスムーズに外部に放出することができ、発光素子の長寿命化及び長期にわたる反射率特性の安定化が可能となる。熱放出性は基体金属の導電率に依存する。基体金属としての熱放出性は導電率を規定するＩＡＣＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ａｎｎｅａｌｅｄ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｓｔａｎｄａｒｄ）で少なくとも１０％以上あるものが好ましく、５０％以上であるものがさらに好ましい。
【００２５】
光半導体装置用リードフレームは、銀からなる反射層の厚さを０．２μｍ以上とすることにより、長期信頼性が確保でき好ましい。一方、長期信頼性の面では厚さが１０μｍで飽和するので、厚さは１０μｍ以下とすることにより必要以上に貴金属を使用することなくコストダウンを図ることができる。従って、反射層の厚さは０．２〜１０μｍであれば効果は十分期待できるが、好ましくは０．５〜７μｍ、さらに好ましくは１〜５μｍであることが好ましい。
また、銀からなる反射層被膜の厚さが０．２μｍ以下であると、例えば基体に銅の条を用いると、基体の銅成分が銀皮膜の表面にまで拡散しやすくなることから、少なくとも０．２μｍ以上の被膜厚に形成することが好ましい。実際にめっき厚の上記下限値以上のものと下限値を下回るものとを作製し、長期信頼性、特に耐熱性を比較したところ、上記下限値以上のものの耐熱性がより高いことを確認した。
【００２６】
光半導体装置用リードフレームは、導電性基体と銀からなる反射層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅または銅合金からなる群から選ばれた金属（または合金）からなる中間層（下地めっき層）を形成することが好ましい。例えば、鉄系の基体を用いた場合は材料の熱伝導度が比較的低いため、下地めっきに銅または銅合金層を施すことにより、反射率を損なうことなく放熱性を向上させることができる。さらに、前記の銅めっきはめっき密着性の向上にも寄与するため発光素子が発光する際の発熱による密着性の劣化を防止できる。
銅または銅合金を基体として用いた場合は、発光素子が発光する際の発熱による基体成分の反射層への拡散を抑制するために、下地にニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金層を施すことが有効である。これらの下地めっきの厚さは限定するものではないが、０．２〜２．０μｍの範囲が好ましい。
【００２７】
光半導体装置用リードフレームのめっき皮膜は電気めっき法にて形成することが好ましい。クラッド法により張り合わせて反射層を形成する方法も考えられるが、貴金属被覆膜厚を数μｍオーダーで好適に制御するには適していない。このため、反射層を形成するには厚さをマイクロメートルオーダーで適切に制御する製造方法として、電気めっき法が生産性やコスト面から優れる。
【００２８】
本実施形態の光半導体装置は、少なくとも光半導体素子を搭載する箇所にのみ銀からなる反射層を設けることも可能である。このように部分的に反射層を設けることで、低コストで効果的に反射率特性を得ることができる。これは、光半導体素子の搭載部にのみ銀からなる反射層を形成することで、反射率特性は十分効果が上げられるためである。この場合、銀からなる反射層は部分的に形成する。例えばストライプめっきやスポットめっきなどの部分めっきで形成することができる。反射層が部分的に形成されるリードフレームを製造することは、反射層が不要となる部分の金属使用量を削減でき、環境にやさしく低コストの光半導体装置とすることができる。
このように部分的に反射層を形成する手法では切断部が存在しないが、鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工することで、逆電流電解後のめっき面を平滑化することができ、チップ搭載性をより向上することができる。
【００２９】
以下、本発明の光半導体装置用リードフレームの実施の形態を、図面を用いて説明する。各図においては、リードフレームに光半導体素子が搭載されている状態を示す。なお、各実施形態はあくまでも一例であり、本発明の範囲は各実施形態に限定されるものではない。また、図示した形態は説明に必要な限度で省略して示しており、寸法や具体的なリードフレームないしは素子の構造が図示したものに限定して解釈されるものではない。
【００３０】
図１は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第一の実施形態を示す概略断面図である。本実施形態のリードフレーム１０は、導電性基体１上に銀からなる反射層２が形成され、反射層２の一部の表面上に光半導体素子３が搭載され、該光半導体素子３はボンディングワイヤー７によって破断部９にて絶縁された他方のリードフレーム５０と接続され、回路が形成されている。
【００３１】
本実施形態のリードフレームは、銅または銅合金、鉄または鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる群の内の１つからなる金属線または金属条をプレス加工でリードフレーム形状の基体１に裁断する。
次いで裁断したリードフレーム基体１の全面に、或いは光半導体素子３等を搭載する近辺の最表面に、銀（または銀合金）を電気めっきで製膜し反射層２とする。製膜条件等は後述する。
次に銀を製膜した反射層２の最表面を逆電流電解法、好ましくは周期的逆電流電解法で製膜した銀層の厚さの０．５〜５％の厚さを溶解除去し、銀皮膜（反射層）表面の微小な突起を溶かし表面を平滑化する。
【００３２】
平滑化した銀層表面を更に鏡面仕上げした整面精密プレスでプレス加工して表面平滑度を更に向上させ、銀（または銀合金）層表面（反射層表面）を、波長４５０ｎｍ以上の光を８５％以上の反射率で反射する反射層２に仕上げる。
仕上げた反射層の上には光半導体素子３が搭載され、ボンディングワイヤー７で他方のリードフレーム５０と接続されて回路を構成している。
【００３３】
図２は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第二の実施形態を示す概略断面図である。図２に示す実施形態のリードフレーム２０が、図１に示すリードフレームと異なる点は、導電性基体１と反射層２との間に、中間層（下地めっき層）４が形成されていることである。その他の点については、図１に示すリードフレームと同様である。なお、中間層４については後述する。
【００３４】
図３は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第三の実施形態を示す概略断面図である。図３は、図２に示すリードフレーム２０の反射層２上に搭載した光半導体素子３をモールド樹脂５および封止樹脂６によって水密に保護した様子を便宜的に示している。
なお、図３は反射層２をリードフレーム１の全面に施した実施形態を示しているが、反射層２は光半導体素子３が搭載される部分及びその近傍である反射現象を起こす箇所および、モールド樹脂５の内部にのみ形成するようにしてもよい。
【００３５】
図４は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第四の実施形態を示す概略断面図である。図４に示すリードフレーム４０は、導電性基体１の片面に銀からなる反射層２が形成されている。この実施態様のように、リードフレームの片面だけに反射層２を形成して光半導体装置を構成することも可能である。
なお、本実施形態における概略断面図では、反射層２は導電性基体１の表層に段差を持って形成されているが、段差をなくす等、どのような形態に仕上げてもよい。また、図４において中間層４は導電性基体１の全面に形成されているが、導電性基体１と反射層２との間に介在する形態であれば、部分的に形成されていてもよい。
【実施例】
【００３６】
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３７】
実施例として、厚さ０．２５ｍｍ、幅１８０ｍｍの表１に示す導電性基体に以下に示す前処理を行った後、表１に示す電気めっき処理または逆電流電解処理で銀皮膜を形成後、逆電流電解処理または通常の電解処理で電解研磨を施し、最後に鏡面状に仕上げた整面精密プレスでプレス加工して表面平滑度を更に向上させた本発明例１〜２７を作製した。
参考例は、表１に示す導電性基体に通常電解で銀皮膜を形成後逆電流電解処理を施して電解研磨し、プレス加工を施さないでリードフレームとした。
また、従来例１として、板厚０．２５ｍｍ、幅１８０ｍｍの表１に示す導電性基体に以下に示す前処理を行った後、電気めっき処理で銀皮膜を製膜し、リードフレームを作製した。
また従来例２では、従来例１で得られたリードフレームに熱処理を残留酸素濃度５００ｐｐｍ以下の窒素雰囲気にて、３００℃で５分行い、結晶粒径を熱処理によって調整した。
【００３８】
導電性基体として用いられた材料のうち、「Ｃ１８０４５（ＥＦＴＥＣ−６４Ｔ、Ｃｕ−Ｃｒ−Ｓｎ−Ｚｎ系合金材料：Ｃｕ−０．３Ｃｒ−０．２５Ｓｎ−０．５Ｚｎ）」、「Ｃ１９４００（Ｃｕ−Ｆｅ系合金材料：Ｃｕ−２．３Ｆｅ−０．０３Ｐ−０．１５Ｚｎ）」、「Ｃ２６８００（黄銅：Ｃｕ−３５Ｚｎ）」、「Ｃ５２１００（リン青銅：Ｃｕ−８Ｓｎ−Ｐ）」、および「Ｃ７７０００（洋白：Ｃｕ−１８Ｎｉ−２７Ｚｎ）」は銅または銅合金の基体を表し、Ｃの後の数値はＣＤＡ（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）規格による種類を示す。なお、「Ｃ１８０４５（ＥＦＴＥＣ−６４Ｔ）」は、古河電気工業株式会社製の銅合金である。
【００３９】
また、「Ａ２０１４」はアルミニウムまたはアルミニウム合金の基体を表し、日本工業規格（ＪＩＳ  Ｈ  ４０００：２００６  など）にその成分が規定されている。
また、「４２アロイ」は鉄系基体を表し、ニッケルを４２質量％含有し、残部が鉄と不可避不純物からなる合金を表す。
なお、基体が「Ａ２０１４」のときは電解脱脂・酸洗・亜鉛置換処理の工程を経て、その他の基体の場合は電解脱脂・酸洗の工程を経た前処理を行った。また、それぞれ銀めっきを行う前は、銀ストライクめっきを行った。
【００４０】
（前処理条件）
［電解脱脂］
脱脂液：  ＮａＯＨ  ６０ｇ／リットル
脱脂条件：２．５Ａ／ｄｍ２、温度６０℃、脱脂時間６０秒
【００４１】
［酸洗］
酸洗液：１０％硫酸
酸洗条件：３０秒間浸漬、酸洗温度：室温
【００４２】
［亜鉛置換］基体がアルミニウムの時に使用
亜鉛置換液：
ＮａＯＨ                  ５００ｇ／リットル、
ＺｎＯ                    １００ｇ／リットル、
酒石酸（Ｃ４Ｈ６Ｏ６）      １０ｇ／リットル、
ＦｅＣｌ２                 ２ｇ／リットル
処理条件：３０秒間浸漬、温度：室温
【００４３】
［Ａｇストライクめっき］
めっき液：
ＫＡｇ（ＣＮ）２  ４．４５ｇ／リットル、
ＫＣＮ            ６０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度：５Ａ／ｄｍ２、温度：２５℃
【００４４】
（下地めっき条件）
［Ｎｉめっき］
めっき液：
Ｎｉ（ＳＯ３ＮＨ２）２・４Ｈ２Ｏ    ５００ｇ／リットル、
ＮｉＣｌ２                        ３０ｇ／リットル、
Ｈ３ＢＯ３                         ３０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度：５Ａ／ｄｍ２、温度：５０℃
【００４５】
［Ｃｏめっき］
めっき液：
Ｃｏ（ＳＯ３ＮＨ２）２・４Ｈ２Ｏ  ５００ｇ／リットル、
ＣｏＣｌ２                      ３０ｇ／リットル、
Ｈ３ＢＯ３                       ３０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度：５Ａ／ｄｍ２、温度：５０℃
【００４６】
［Ｃｕめっき］
めっき液：
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ      ２５０ｇ／リットル、
Ｈ２ＳＯ４                ５０ｇ／リットル、
ＮａＣｌ                 ０．１ｇ／リットル
めっき条件：電流密度：６Ａ／ｄｍ２、温度：４０℃
【００４７】
（銀めっき条件）
［Ａｇめっき］
めっき液：
ＡｇＣＮ          ５０ｇ／リットル、
ＫＣＮ            １００ｇ／リットル、
Ｋ２ＣＯ３          ３０ｇ／リットル
めっき条件：平均電流密度：１Ａ／ｄｍ２、温度：３０℃
【００４８】
（逆電流電解処理）
めっき時のアノード電流とカソード電流の電流比、時間比よりめっき被膜形成比を算出した。めっき被膜形成時には、アノード電流に対するカソード電流の比が大きくなければならない。パルス電源装置は北斗電工株式会社のパルスメッキ電源装置ＨＣＰ−３０１Ｈを用いて、
平均電流密度１Ａ／ｄｍ２、
カソード電流密度７．５Ａ／ｄｍ２、
アノード電流密度１５Ａ／ｄｍ２、
アノード／カソード時間比  ７：３、
周波数１００Ｈｚ、
温度３０℃、
時間６０秒
で行った。
【００４９】
【表１】
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【００５０】
（評価方法）
上記のようにして得られた、表１の発明例、参考例および従来例のリードフレームについて、下記試験および基準により評価を行った。その結果を表１に示す。
（１Ａ）反射率測定：分光光度計（Ｖ６６０（商品名、日本分光（株）製））において、全反射率を３００ｎｍ〜８００ｎｍにかけて連続測定を実施した。このうち、４００ｎｍ、４５０ｎｍ、および６００ｎｍにおける全反射率（％）を表１に示す。それぞれ波長４００ｎｍでの反射率を８５％以上、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍでの反射率を９０％以上であることを要求特性とした。
【００５１】
（１Ｂ）耐熱性：１５０℃の温度で３時間大気中にて熱処理を行った後、上記反射率測定を実施した。その結果、波長４５０ｎｍの全反射率がまったく変化しなかったものを「Ａ」、反射率低下が１０％以上だったものを「Ｂ」とし、反射率低下が１０％未満だったものを耐熱性に優れ安定な反射率が得られる実用レベルとして表１に示した。
【００５２】
これらの結果から明らかなように、発明例は、従来例よりも４００〜８００ｎｍにおける反射率が従来例よりも良好であり、４００ｎｍで８５％以上、４５０〜８００ｎｍで９０％以上を満足した。この結果から本発明例では従来の技術では達成し得なかった非常に優れた反射率が得られていることが分かる。
【００５３】
一方の従来例１および参考例１は通常の銀めっき品であるが、波長４００ｎｍの反射率が８５％以下、さらに波長４５０ｎｍでは反射率が８５％、８７％であった。この結果、４５０ｎｍ発光のチップを搭載した場合、本発明例の方が５〜１０％も輝度が高いことを意味する。
さらに従来例２は、銀めっき後に熱処理を施して結晶粒径を０．５μｍ以上に粗大化させた例であるが、初期の反射率が波長４００ｎｍでは８５％を僅かながら下回っており、さらに耐熱性が劣っていることが分かる。これは、リードフレームに従来例２のような熱処理を施すと、基体の銅成分が表層にまで拡散しやすくなり、その結果耐熱性に劣るものと考えられる。このため、熱処理を用いていない本発明例では耐熱性にも優れ、反射率が熱劣化しにくい光半導体用リードフレームが提供できる。
【００５４】
これらの結果から、最表層の銀からなる反射層を形成後、逆電流電解法、または通常の電解法で製膜した銀層の厚さの０．５〜５％の厚さを溶解除去し、銀皮膜（反射層）表面の微小な突起を溶かし表面を平滑化し、鏡面状態に仕上げた整面精密プレスでプレス加工して表面平滑度を更に向上させたことで、波長４００ｎｍの光に対して反射率８５％以上、波長４５０〜８００ｎｍの光に対して反射率９０％以上が達成でき、本発明のリードフレームを光半導体装置に用いることで、優れた輝度を示し、かつ耐熱性に優れるので長期にわたって高輝度を維持できる、優れた光半導体装置を提供できる。
【符号の説明】
【００５５】
１    導電性基体
２    反射層
３    光半導体素子
４    中間層
５    モールド樹脂
６    封止樹脂
７    ボンディングワイヤー
９    絶縁部
１０  リードフレーム  
２０  リードフレーム  
３０  リードフレーム  
４０  リードフレーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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