【事件の表示】
　特願２０１５−５３２７０１「酸化物半導体基板及びショットキーバリアダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　２月２６日国際公開、ＷＯ２０１５／０２５４９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２６年（２０１４年）８月８日を国際出願日（国内優先権主張　平成２５年８月１９日）とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２９年　６月　５日付け　拒絶理由通知
平成２９年　８月　４日　　　意見書
平成３０年　１月２５日付け　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成３０年　４月２７日　　　審判請求・手続補正
平成３０年１２月１９日付け　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という。）
平成３１年　２月２２日　　　意見書・手続補正
平成３１年　３月１５日付け　最後の拒絶理由通知
令和　１年　５月１６日　　　意見書・手続補正
　
第２　本願発明
　本願の請求項８に係る発明のうち請求項１を引用する部分（以下，「本願発明」という。）は，令和１年５月１６日に補正された特許請求の範囲の請求項１及び８に記載された事項で特定される，次のとおりのものと認める。
「シリコン（Ｓｉ）基板と，酸化物半導体層と，ショットキー電極層と，オーミック電極層とを有し，前記オーミック電極層が，前記シリコン（Ｓｉ）基板の，酸化物半導体層が配置された側と反対の側に配置されるショットキーバリアダイオード素子であって，前記酸化物半導体層が，３．０ｅＶ以上，５．６ｅＶ以下のバンドギャップを有する多結晶及び／又は非晶質の酸化物半導体を含み，
　前記酸化物半導体が多結晶の酸化物半導体である場合，前記多結晶の酸化物半導体はＩｎを含み，さらにＡｌ，Ｓｉ，Ｇａ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｃｅ，及びＳｎからなる群から選択される１種以上を含むショットキーバリアダイオード素子であって，
　前記シリコン基板上に前記ショットキー電極層が形成され，前記ショットキー電極層上に前記酸化物半導体層が形成されたショットキーバリアダイオード素子。」
　
第３　当審拒絶理由
　本願発明（審判請求時に補正された特許請求の範囲の請求項６に対応する。）についての当審拒絶理由は，本願発明は，本願の優先権主張日前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，本願の優先権主張日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞ 
引用文献１　特開２０１０−１８２８５２号公報
引用文献２　国際公開第２００８／０９６７６８号
引用文献３　特開２０１３−１０２１８９号公報
引用文献５　特開２０１２−１３８５５２号公報
　
第４　引用文献及び引用発明
１　引用文献１について
（１）引用文献１
　当審拒絶理由で引用された特開２０１０−１８２８５２号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
塗布プロセスによる金属酸化物前駆体膜を作製し，この前駆体に半導体変換処理を行って金属酸化物半導体を製造する
「【００５４】
　（金属の組成比）
　本発明の方法により，前述した金属原子から選ばれた単独，または複数の金属原子を含む
金属酸化物半導体の薄膜を作製する。金属酸化物半導体としては，
好ましくは非晶質の薄膜を用いる。
【００５５】
　
形成された金属酸化物半導体に含まれる金属原子は
インジウム（Ｉｎ）
を含むことが好ましく，さらにガリウム（Ｇａ）
を含むことが好ましい。
「【００９３】
　
本発明の金属酸化物半導体を用いて，ダイオード
に用いることもできる。
後述する電極材料からなる金属薄膜と重ねることで，ショットキーダイオード
を作製することも可能である。
【００９４】
　（素子構成）
　図１は，本発明に係わる金属酸化物半導体を用いた，
薄膜トランジスタ素子
【００９５】
　薄膜トランジスタの構成例を幾つか断面図にて図１（ａ）〜（ｆ）に示す。図１において，ソース電極１０２，ドレイン電極１０３を，金属酸化物半導体からなる半導体層１０１がチャネルとして連結するよう構成される。
【００９６】
　同図（ａ）は，
支持体１０６上にソース電極１０２，ドレイン電極１０３を形成して，これを基材（基板）として，
半導体層１０１を，（ａ）では電極間に形成したものを，電極および支持体表面全体を覆うように形成したものを表す。
「【０１０１】
　（電極）
　本発明において，ＴＦＴ素子を構成するソース電極，ドレイン電極，ゲート電極等の電極に用いられる導電性材料としては，電極として実用可能なレベルでの導電性があればよく，特に限定されず，白金，金，銀，ニッケル，クロム，銅，鉄，錫，アンチモン鉛，タンタル，インジウム，パラジウム，テルル，レニウム，イリジウム，アルミニウム，ルテニウム，ゲルマニウム，モリブデン，タングステン，酸化スズ・アンチモン，酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ），フッ素ドープ酸化亜鉛，亜鉛，炭素，グラファイト，グラッシーカーボン，銀ペーストおよびカーボンペースト，リチウム，ベリリウム，ナトリウム，マグネシウム，カリウム，カルシウム，スカンジウム，チタン，マンガン，ジルコニウム，ガリウム，ニオブ，ナトリウム，ナトリウム−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，アルミニウム，マグネシウム／銅混合物，マグネシウム／銀混合物，マグネシウム／アルミニウム混合物，マグネシウム／インジウム混合物，アルミニウム／酸化アルミニウム混合物，リチウム／アルミニウム混合物等が用いられる。」
「【０１１４】
　
基板を構成する支持体材料としては，
シリコン，
半導体基板
を用いることができる
【０１１５】
　上記基材を用い，目的の表面エネルギーにするために基板上に表面処理，下引き層塗布をしてもかまわない。表面処理はプラズマ処理，ＵＶ処理，オゾン処理等が利用でき，それらを併用することも出来る。またコロナ放電で表面エネルギーを合わせることも可能である。
【０１１６】
　下引き層は特に限定は無いが，酸化ケイ素，酸化アルミニウム，酸化タンタル，酸化チタン，酸化スズ，酸化バナジウム，チタン酸バリウムストロンチウム，ジルコニウム酸チタン酸バリウム，ジルコニウム酸チタン酸鉛，チタン酸鉛ランタン，チタン酸ストロンチウム，チタン酸バリウム，フッ化バリウムマグネシウム，チタン酸ビスマス，チタン酸ストロンチウムビスマス，タンタル酸ストロンチウムビスマス，タンタル酸ニオブ酸ビスマス，トリオキサイドイットリウム等の無機層，またはポリイミド，ポリアミド，ポリエステル，ポリアクリレート，光ラジカル重合系，光カチオン重合系の光硬化性樹脂，あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体，ポリビニルフェノール，ポリビニルアルコール，ノボラック樹脂等の有機層，およびそれらを併用または積層する事が可能である。またこれら下引き層の膜厚としては２ｎｍから３μｍ，好ましくは５ｎｍ〜１μｍである。」
（２）引用発明
　前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「インジウムとガリウムを含む金属酸化物半導体の非晶質の薄膜を用いた薄膜トランジスタ素子であって，
　支持体上に電極を形成して，これを基材として，半導体層を，電極および支持体表面全体を覆うように形成し，
　支持体材料としては，シリコン半導体基板を用いるもの。」
２　引用文献２について
　当審拒絶理由で引用された国際公開第２００８／０９６７６８号（以下，「引用文献２」という。）には，図１９の「比較例５」ないし「比較例８」の記載からみて，
Ｉｎ及びＺｎを含む非晶質の金属酸化物半導体のエネルギーバンドギャップが３．７〜４．２ｅＶである
３　引用文献３について
　当審拒絶理由で引用された特開２０１３−１０２１８９号公報（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに次の記載がある。
「【００９３】
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏのバンドギャップは，３．０５ｅＶであり
４　引用文献５について
　当審拒絶理由で引用された特開２０１２−１３８５５２号公報（以下，「引用文献５」という。）には，図面とともに次の記載がある。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
ショットキーダイオード
【背景技術】
【０００２】
　
ダイオードは，電荷キャリアの移動方向を制限する電子部品であり，本質的に，一方の方向に電流が流れることは許容するが，反対方向へ電流が流れることを阻止する機能を有している。
「【００３１】
　図１に示されるように，本発明の好ましい実施態様にかかる
ショットキーダイオード
【００３２】
　本実施態様において，支持基板１１はシリコンによって形成されている。
【００３３】
　支持基板１１の表面上には，絶縁膜１２が形成され，本実施態様においては，シリコン酸化膜によって絶縁膜１２が形成されている。絶縁膜１２は，支持基板１１とショットキー金属層１４とを絶縁する機能を有している。
【００３４】
　絶縁膜１２の表面上には，絶縁膜１２とショットキー金属層１４とを密着させる機能を有する密着層１３が形成されている。本実施態様においては，厚さ１０ｎｍの酸化チタン層によって，密着層１３が構成されている。
【００３５】
　図１に示されるように，密着層１３の表面上には，
アノード電極として機能するショットキー金属層
【００３６】
　ショットキー金属層１４の表面上には，（Ｂａ１−ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３（ここに，０≦ｘ≦１．０である。）によって，膜厚が２０ｎｍの第一の誘電体層１５が形成され，第一の誘電体層１５中には，添加物として，Ｍｎが添加されている。
【００３７】
　第一の誘電体層１５の表面上には，（Ｂａ１−ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３（ここに，０≦ｘ≦１．０である。）によって，膜厚が１３０ｎｍの第二の誘電体層１６が形成されている。ここに，第二の誘電体層１６中には，Ｍｎなどの金属イオンは添加されていない。
【００３８】
　図１に示されるように，第二の誘電体層１６の表面上には，
カソード電極として機能するオーミック金属層
「【００６０】
　こうして作製されたショットキーダイオードサンプル＃１の
アノード電極として機能するショットキー金属層に相対的に負の電圧を印加し，カソード電極となるオーミック金属層に相対的に正の電圧を印加して，ショットキーダイオードサンプル＃１に逆方向バイアス電圧を印加し
【００６１】
　さらに，ショットキーダイオードサンプル＃１の
アノード電極として機能するショットキー金属層に相対的に正の電圧を印加し，カソード電極となるオーミック金属層に相対的に負の電圧を印加して，ショットキーダイオードサンプル＃１に順方向バイアス電圧を印加し，
５　周知技術について
（１）引用文献６について
　本願の優先権主張日前日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開昭６３−３０６６２３号公報（以下，「引用文献６」という。）には，図面とともに次の記載がある。
「
産業上の利用分野
本発明は
シリコンであるウエハとの間にオーミックコンタクトを形成する半導体装置
従来の技術
ＩＣ，トランジスタ等の半導体装置の裏面電極は，ダイボンディングにおけるウエハとの密着性，
（２）引用文献７について
　本願の優先権主張日前日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開２００８−００４６８１号公報（以下，「引用文献７」という。）には，図面とともに次の記載がある。
「【００２７】
　このように構成された
ＮＭＯＳＦＥＴ１０ａからなる半導体装置１０は，半導体基板（ウエハ，シリコンウエハ）１１上に複数形成され，ダイシングにより個々の半導体チップ（ペレットとも言う）１９に個別化される。かかる半導体チップ１９は，図２，３に示すように，例えば，リードフレーム３０のダイパッド（フレームとも言う）３０ａ上にダイボンディングされる。
【００２８】
　
ダイボンディングに際しては，ダイパッド３０ａ上の銀メッキ層３１上に，半導体チップ１９の裏面に形成した金膜２０を，窒素雰囲気中で３８０℃〜４５０℃に加熱して，ダイパッド３０ａに押しつけながら溶着して行われる。
（３）周知技術
　前記（１）及び（２）より，次の技術的事項は本願の優先権主張日前において周知技術と認められる。
「ＩＣ，トランジスタ等の半導体装置のシリコンウェハにオーミックコンタクトする裏面電極を設けて，ダイパッドにダイボンディングすること。」
第５　対比及び判断
１　本願発明について
（１）本願発明と引用発明との対比
　ア　引用発明の「支持体」は，「支持体材料としては，シリコン半導体基板を用いる」から，本願発明の「シリコン（Ｓｉ）基板」に相当する。
　イ　引用発明の「インジウムとガリウムを含む金属酸化物半導体の非晶質の薄膜」は，本願発明の「酸化物半導体層」に相当する。
　ウ　引用発明の「電極」と，本願発明の「ショットキー電極層」とは，「電極層」である点で共通する。
　エ　引用発明の「薄膜トランジスタ素子」と，本願発明の「ショットキーバリアダイオード素子」とは，「素子」である点で共通する。
　オ　引用発明の「インジウムとガリウムを含む金属酸化物半導体の非晶質の薄膜」は「非晶質の酸化物半導体を含む」ものであるといえる。
　カ　引用発明では「支持体上に電極を形成して，これを基材として，半導体層を，電極および支持体表面全体を覆うように形成」するから，前記アないしウを考慮すると，「前記シリコン基板上に前記電極層が形成され，前記電極層上に前記酸化物半導体層が形成された」といえる。
　キ　すると，本願発明と引用発明とは，下記クの点で一致し，下記ケの点で相違する。
　ク　一致点
「シリコン（Ｓｉ）基板と，酸化物半導体層と，電極層と，を有する，素子であって，前記酸化物半導体層が，非晶質の酸化物半導体を含む素子であって，
　前記シリコン基板上に前記電極層が形成され，前記電極層上に前記酸化物半導体層が形成された素子。」
　ケ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明の「電極層」は「ショットキー電極層」であり本願発明は「ショットキーバリアダイオード素子」であるのに対し，引用発明の「電極」は「ショットキー電極層」ではなく，引用発明は「薄膜トランジスタ素子」である点。
（イ）相違点２
　本願発明では「オーミック電極層」を有し，「前記オーミック電極層が，前記シリコン（Ｓｉ）基板の，酸化物半導体層が配置された側と反対の側に配置される」のに対し，引用発明では「オーミック電極層」を有さない点。
（ウ）相違点３
　本願発明では「酸化物半導体層」が「３．０ｅＶ以上，５．６ｅＶ以下のバンドギャップを有する」のに対し，引用発明では「金属酸化物半導体」のバンドギャップが明示されない点。
（２）相違点についての検討
　ア　相違点１について
　引用文献１には「後述する電極材料からなる金属薄膜と重ねることで，ショットキーダイオード」「を作製することも可能である。」と記載されている（前記第４の１（１）【００９３】）から，引用発明の「薄膜トランジスタ素子」において「電極」の「電極材料」を選択して「ショットキー電極」とし，「ショットキーダイオード素子」とすることが示唆されている。
　よって，前記示唆に従い，引用発明において，相違点１に係る構成を得ることは，当業者が容易になし得ることである。
　イ　相違点２について
（ア）「オーミック電極層」の意義
　ショットキーダイオードは，電荷キャリアの移動方向を制限する電子部品であり，本質的に順方向に電流が流れることは許容するが，逆方向へ電流が流れることを阻止する機能を有するもので（前記第４の４【０００１】−【０００２】），アノード電極とカソード電極の２つの電極を有し（同【００３１】−【００３８】），アノード電極とカソード電極の間に逆方向バイアス電圧を印加し，又は，順方向バイアス電圧を印加すること（同【００６０】−【００６１】）により，前述の機能を実現するものである。
　すると，アノード電極とカソード電極との間にある部分に電圧がかかることでショットキーダイオードとしての機能が実現することになる。
　ところが，本願発明では，本願発明の「Ｓｉ基板上にバンドギャップの広い化合物半導体を安価で量産性に優れた方法で形成し，優れた電流−電圧特性を有するショットキーバリアダイオード素子を提供する」（本願明細書段落０００６）という目的との関係で，「３．０ｅＶ以上，５．６ｅＶ以下のバンドギャップを有する」「酸化物半導体層」は「シリコン基板上」の「ショットキー電極層上に」形成され，「前記オーミック電極層」は，「前記シリコン（Ｓｉ）基板の，酸化物半導体層が配置された側と反対の側に配置される」から，バンドギャップの広い「酸化物半導体層」は「ショットキー電極層」と「オーミック電極層」の間にはない。ここで，その名称からも「ショットキーバリアダイオード」の一部であることが明らかな「ショットキー電極層」の方はともかく，「オーミック電極層」の方はショットキーダイオードとしての機能には関係しておらず，また，本願発明の目的とも関係がないことになる。
（イ）「オーミック電極層」を「前記シリコン（Ｓｉ）基板の，酸化物半導体層が配置された側と反対の側に配置」することの容易想到性
　前述のとおり，本願発明の「オーミック電極層」はショットキーダイオードとしての機能とは無関係であり，すると，ショットキーダイオードや薄膜トランジスタに限らず，半導体装置のシリコンウェハにオーミックコンタクトする裏面電極を設けて，ダイパッドにダイボンディングすることは周知技術であり（前記第４の５），引用発明においても素子をパッケージに実装する際にダイパッドに固定しなくてはならないから，前記周知技術を採用して，「前記シリコン（Ｓｉ）基板の，酸化物半導体層が配置された側と反対の側」すなわち裏面にオーミック電極層を設けることは，当業者が容易になし得ることである。
　ウ　相違点３について
　引用文献２及び３の記載（前記第４の２及び同３）からみて，引用発明の「金属酸化物半導体」が物性として「３．０ｅＶ以上，５．６ｅＶ以下」のバンドギャップを有することは，当業者が容易に理解できることである。
　エ　本願発明の効果について
　本願発明の「Ｓｉ基板上にバンドギャップの広い化合物半導体を安価で量産性に優れた方法で形成し，優れた電流−電圧特性を有するショットキーバリアダイオード素子を提供することができる」（本願明細書段落０００８）という効果は，引用発明がバンドギャップの広い（前記第４の２及び同３）「インジウムとガリウムを含む金属酸化物半導体」を用いるものであることから，当業者が予測できる程度のものである。
２　請求人の主張について
（１）請求人は，平成３１年２月２２日提出の意見書において，次の主張をしている。
　ア　引用発明は薄膜トランジスタに関する発明であり，当業者は，薄膜トランジスタが「前記オーミック電極層が，前記シリコン（Ｓｉ）基板の，酸化物半導体層が配置された側と反対の側に配置される」という構成をとるとは考えないこと。（「主張ア」という。）
　イ　引用発明では，塗布成膜工程で，基材へ不純物が拡散するため，基材の汚染が避けられず，酸化物半導体薄膜形成時に不純物が一部残留するから，ショットキーバリアとしての理想的な界面の性能が達成されないこと。（「主張イ」という。）
（２）主張アについて検討する。
　薄膜トランジスタやショットキーバリアダイオードに限らず，半導体装置のシリコンウェハにオーミックコンタクトする裏面電極を設けて，ダイパッドにダイボンディングすることは周知技術であり，周知技術の裏面電極を引用発明に採用することが容易であることは，前記１（２）イ（イ）で述べたとおりである。
（３）主張イについて検討する。
　引用発明において，ショットキーバリアとしての理想的な界面の性能が達成できない程度に汚染されるかどうかは不明であり，出願人の主張には根拠がない。
　また，本願発明は物の発明であり，製造方法を何ら限定するものではないから，製造方法の相違による効果の主張はその前提を欠く。
（４）よって，請求人の主張はいずれも採用できない。
第６　結言
　以上のとおり，本願の請求項８に係る発明のうち請求項１を引用する部分については，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。