【事件の表示】
　特願２０１５−　３４０１９「テンプレート形成方法、テンプレート、テンプレート基材、および半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　９月　１日出願公開、特開２０１６−１５７７８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　平成２７年　２月２４日　特許出願
　平成２９年１２月２１日　拒絶理由通知（同年１２月２６日発送）
　平成３０年　２月　６日　意見書・手続補正書
　平成３０年　６月　１日　拒絶査定（同年６月１２日発送）
　平成３０年　９月１２日　本件審判請求・手続補正書
　
第２　平成３０年９月１２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成３０年９月１２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　補正の概略
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項７に、 
　「基板の第１面に設けられた台座領域と、
　前記台座領域の側面に形成された撥液性部と、
　を備え、
　前記台座領域は、テンプレートパターンが形成された領域であり、
　前記撥液性部は、凹凸形状の表面を有する、
　ことを特徴とするテンプレート。」　 
 とあるものを、 
　「基板の第１面に設けられた台座領域と、
　前記台座領域の側面に形成された撥液性部と、
　を備え、
　前記台座領域は、テンプレートパターンが形成された領域であり、
　前記撥液性部は、
凹部と凸部とが不均一に並べられた
　ことを特徴とするテンプレート。」（当審注：下線は、請求人が補正箇所に付した下線である。）　 
と補正する補正事項を含むものである。 
　上記補正事項は、撥液性部の表面が有する「凹凸形状」について、「凹部と凸部とが不均一に並べられた凹凸形状」に減縮する補正であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とする補正である。そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項７に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて検討する。
２　引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２０１０−２５１６０１号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
ア　「【請求項２】
　光インプリント法に用いるテンプレートであって、　
　基板と、　
　
前記基板上の領域であって、インプリント用パターンを有する、パターン形成領域と、
　
前記パターン形成の外側に配置され、前記パターン形成領域より下方の第１の段部と、
　
前記パターン形成領域と前記第１の段部を繋ぐ、第１の側面部と、
　
前記第１の段部の外側に配置され、前記第１の段部より下方の第２の段部と、
　
前記第１の段部と前記第２の段部を繋ぎ、前記第１の側面部よりも大きな表面ラフネスを有する、第２の側面部と、
　
を備える
テンプレート。
【請求項３】
　請求項２に記載のテンプレートであって、
　
前記第１の側面部に、前記基板よりも撥水性又は撥油性の高い材料からなる被膜を備えている
イ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、インプリント用テンプレート及びその製造方法、並びに前記テンプレートを用いたパターン形成方法に関する。」
イ　「【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
　本発明は、被加工基板の隙間領域を、インプリントレジストで覆うことが可能なテンプレート及びその製造方法、並びにパターン形成方法を提供する。」
ウ　「【発明の効果】
【００１６】
　本発明によれば、被加工基板の隙間領域を、インプリントレジストで覆うことができる。」
エ　「【００４２】
（第１の実施形態）
　第1の実施形態に係るテンプレートの製造方法を、図１Ａ〜図１Ｆを用いて説明する。図１Ａ〜図１Ｆは本実施形態に係るテンプレートの製造工程を示す断面図である。
【００４３】
（１）まず、図１Ａからわかるように、露光光に対して透明な基板１０の表面における所定の領域（パターン形成領域１４）にインプリント用パターンを形成する。このインプリント用パターンは、例えばインプリント法もしくは電子ビーム（ＥＢ：Electron Beam）露光、及び反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を用いて形成される。なお、このインプリント用パターンの溝の深さは、例えば６０ｎｍ〜７０ｎｍである。基板１０は例えば石英からなる。
【００４４】
（２）次に、図１Ｂからわかるように、パターン形成領域１４にレジスト膜１１を形成する。このレジスト膜１１のラインエッジラフネスは、後述の隙間領域１９の幅以下である。なお、このレジスト膜１１の形成には、フォトリソグラフィのほか、電子ビーム露光又はＥＵＶ露光を用いてもよい。
【００４５】
（３）次に、図１Ｃからわかるように、レジスト膜１１をマスクにして異方性エッチング（例えばＲＩＥ）を行うことにより、基板１０を所定の深さまで除去する。このエッチングにより、図１Ｃに示すように、第１の側面部１３ａ及び第１の段部１３ｂが形成される。この第１の側面部１３ａは、第１の段部１３ｂとパターン形成領域１４を繋ぐものであり、パターン形成領域１４の面に対してほぼ垂直である。
【００４６】
　なお、このエッチングの深さは、プレス工程時にパターン形成領域１４からはみ出したインプリントレジストが第１の段部１３ｂに付着しないように決められる。例えば５μｍであり、１μｍ以上であることが好ましい。
【００４７】
（４）次に、図１Ｄからわかるように、レジスト膜１１を除去した後、例えばフォトリソグラフィを用いて、パターン形成領域１４及びパターン形成領域１４を囲う外周部１４ｂ（第１の段部１３ｂの一部）にレジスト膜１２を形成する。なお、このレジスト膜１２により覆われる外周部１４ｂの面積は後述のウェットエッチングの条件に依存する。
【００４８】
（５）次に、図１Ｅからわかるように、レジスト膜１２をマスクにしてウェットエッチングを行うことにより、基板１０を所定の深さまで除去する。このエッチングにより、図１Ｅに示すように、第２の側面部１３ｃ及び第２の段部１３ｄが形成される。この第２の側面部１３ｃは第２の段部１３ｄと第１の段部１３ｂを繋ぐものである。この第２の側面部１３ｃはウェットエッチングにより形成されたため、第1の側面部１３ａに比べて表面ラフネスが大きい。また、図１Ｅに示すように、この第２の側面部１３ｃは基板１０がサイドエッチングされて形成されたために湾曲している。
【００４９】
　なお、エッチングの深さは、プレス工程の際にテンプレートと被加工基板（ウェーハ）が干渉しないように決められる。前述の異方性エッチング工程によるエッチングの深さと、本ウェットエッチング工程によるエッチングの深さとの和が、例えば１５μｍ〜３０μｍになるまでエッチングを行う。つまり、前述の異方性エッチング工程で基板１０を５μｍエッチングした場合、本工程では１０μｍ〜２５μｍだけエッチングする。
【００５０】
（６）次に、レジスト膜１２を除去する。
【００５１】
　上記の工程により、図１Ｆに示す本実施形態に係るテンプレート１３が得られる。」
オ　「【００７８】
　次に、本実施形態に係るテンプレートの変形例として、テンプレート１３（１３’）に防汚処理を施したテンプレート２３について図５を用いて説明する。図５はテンプレート２３の断面図である。
【００７９】
　図５からわかるように、このテンプレート２３はテンプレート１３（１３’）の第１の側面部１３ａに防汚処理を施したものである。具体的には、撥水性又は撥油性を有する材料からなる被膜１６を、第１の側面部１３ａに形成する。この被膜１６は、基板１０の材料よりも高い撥水性又は撥油性を有する材料である。例えば、石英からなる基板１０に対してはフロロカーボンなどのフッ素系の材料が用いられる。
【００８０】
　この防汚処理は、本実施形態で説明したテンプレートの製造方法において、例えば、テンプレート１３（１３’）が完成した後、又は異方性エッチングを行った後に行われる。
【００８１】
　なお、この防汚処理は第１の側面部１３ａの全面にわたって施すことは必須ではなく、プレス工程時にはみ出したインプリントレジストが付着する領域に施されていればよい。
【００８２】
　上記のテンプレート２３を用いてインプリント法を行えば、パターン形成領域１４の第１の側面部１３ａに防汚処理が施されているので、
はみ出したインプリントレジストがこの第１の側面部１３ａに残存することがない
その結果、隙間領域を再現性良くインプリントレジストで覆うことが可能となる。」
カ　図１Ｆ、図５は、以下のとおりである。
キ　テンプレート１３に防汚処理を施したテンプレート２３に着目すると、引用例１には以下の発明が記載されている。
「光インプリント法に用いるテンプレート２３であって、
　基板１０と、
　前記基板１０上の領域であって、インプリント用パターンを有する、パターン形成領域１４と、
　前記パターン形成の外側に配置され、前記パターン形成領域１４より下方の第１の段部１３ｂと、
　前記パターン形成領域と前記第１の段部を繋ぐ、第１の側面部１３ａと、
　前記第１の段部１３ｂの外側に配置され、前記第１の段部より下方の第２の段部１３ｄと、
　前記第１の段部１３ｂと前記第２の段部１３ｄを繋ぎ、前記第１の側面部１３ａよりも大きな表面ラフネスを有し、
　前記第１の側面部１３ａに、前記基板１０よりも撥水性又は撥油性の高い材料からなる被膜１６を備え、
　はみ出したインプリントレジストがこの第１の側面部１３ａに残存することがない、
　テンプレート２３。」（以下「引用発明」という。）
３　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
ア　本願補正発明の「基板の第１面に設けられた台座領域」と、引用発明の「前記基板１０上の領域であって、インプリント用パターンを有する、パターン形成領域１４」であって、その「外側に配置され、前記パターン形成領域１４より下方の第１の段部１３ｂと」「第１の側面部１３ａ」により繋がれる「パターン形成領域１４」を対比する。
（ア）はじめに、本願補正発明の「台座領域」の技術的意味について、発明の詳細な説明の記載を参酌して検討する。本願の発明の詳細な説明には以下の記載がある。
「【００１０】
　第１の実施形態に係るテンプレート１０Ａ，１０Ｂは、おもて面側（図１では底面側）の中央領域に台座部（メサ）を有している。台座部は、テンプレート１０Ａ，１０Ｂのおもて面側の外周領域よりも所定の厚さだけ高くなっている。テンプレート１０Ａ，１０Ｂでは、台座部の上面側にテンプレートパターン（凹凸パターン）が形成されている。」
　上記記載によれば、「台座領域」は、「テンプレート１０Ａ，１０Ｂのおもて面側の中央領域」に位置し、テンプレートパターン（凹凸パターン）が形成されており、おもて面側の外周領域よりも所定の厚さだけ高い領域を意味するものと解される。
（イ）引用発明の「パターン形成領域１４」が、「前記基板１０上の領域であって、インプリント用パターンを有する」することは、本願補正発明の「基板の第１面に設けられ」、「テンプレートパターン（凹凸パターン）」が形成されていることに相当する。また、引用発明の「パターン形成領域１４」は、その「外側に配置され、前記パターン形成領域より下方の第１の段部１３ｂと」「第１の側面部１３ａ」により繋がれているから、外側の第１の段部１３ｂよりも所定の厚さだけ高い領域である。
　してみると、引用発明の「前記基板１０上の領域であって、インプリント用パターンを有する、パターン形成領域１４」であって、その「外側に配置され、前記パターン形成領域１４より下方の第１の段部１３ｂと」「第１の側面部１３ａ」により繋がれる「パターン形成領域１４」は、本願補正発明の「基板の第１面に設けられた台座領域」に相当する。
（ウ）以上によれば、両者は相当関係にある。
イ　本願補正発明の「前記台座領域の側面に形成された撥液性部」と、引用発明の「前記パターン形成領域１４と前記第１の段部１３ｂを繋ぐ、第１の側面部１３ａ」に備える「前記基板１０よりも撥水性又は撥油性の高い材料からなる被膜１６」を対比する。
　引用発明の「前記パターン形成領域１４と前記第１の段部１３ｂを繋ぐ、第１の側面部１３ａ」は、本願補正発明の「前記台座領域の側面」に相当し、引用発明の「前記基板１０よりも撥水性又は撥油性の高い材料からなる被膜１６」は本願補正発明の「撥液性部」に相当する。
　してみると、両者は相当関係にある。
ウ　本願補正発明の「前記台座領域は、テンプレートパターンが形成された領域であ」ることと、引用発明の「パターン形成領域１４」が「インプリント用パターンを有する」ことを対比する。
　引用発明の「パターン形成領域１４」は、本願補正発明の「台座領域」に相当し、引用発明の「インプリント用パターン」は、本願補正発明の「テンプレートパターン」に相当する。
　してみると、両者は相当関係にある。
エ　引用発明の「テンプレート２３」は、本願補正発明の「テンプレート」に相当する。
オ　以上によれば、本願補正発明と引用発明は、
「基板の第１面に設けられた台座領域と、
　前記台座領域の側面に形成された撥液性部と、
　を備え、
　前記台座領域は、テンプレートパターンが形成された領域である、
　テンプレート。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
相違点：「撥液性部」に関し、本願補正発明は「凹部と凸部とが不均一に並べられた凹凸形状の表面を有する」のに対し、引用発明は、「前記基板１０よりも撥水性又は撥油性の高い材料からなる被膜１６」である点。
４　判断
　以下、上記相違点について検討する。
（１）はじめに、撥水性についての周知技術について検討する。
　接触角が大きな表面に凹凸構造を形成して実表面積を増大させると接触角がさらに大きくなる（撥水性が高まる）こと、そして、実表面積を増大させる凹凸構造は、規則的であっても、あるいはランダム（不規則的）であっても良いことは、以下のア〜ウに記載されるように、当業者の周知技術である。
ア　辻居薫著「超撥水と超親水−その仕組みと応用−」　米田出版、２００９年３月５日（以下「周知例１」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
（ア）第三章　濡れはどのように決まるか？
第一節　濡れは表面（界面）張力の釣り合いで決まる（濡れの化学的因子）
「図３・１は、固体状に水滴が乗っている状態である。水滴の形を決めているのは、水の表面張力γＬ、固体の表面張力γＳ、水と固体の間の界面張力γＳＬの横方向の釣り合いである。図に示すように、これら三つの力が一点で交わる接触点で釣り合う。その釣り合いの式は、ヤング(Young)の式と呼ばれ（３・１）式で表される。
ここで、θは接点から引いた水表面との接線と固体表面とのなす角で、水を含む方の角度で定義される接触角である。接触角が９０度より小さいときに濡れると言い、大きいときにはじくと言う。ヤングの式を支配しているのは表面張力と界面張力であり、それら表面（界面）張力は物質に固有の物理量である。つまり、濡れを支配しているのは、固体及び液体そのものの組み合わせである。濡れに対するこの因子は、固体及び液体そのものの組み合わせである。濡れに対するこの因子は、化学的因子と呼ばれる。」（２４頁１１行〜２５頁７行）
（イ）図３・１は、以下のとおりである。
（ウ）第四章　デコボコ（凹凸）表面の濡れ
「平らな表面上で濡れ（接触角）を決めているのは、化学的因子、固体表面と液体の物質そのものであることを前章で説明した。より具体的には、固体と液体の表面張力、及び固体／液体間の界面張力の釣り合い（ヤングの式）である。本章では、濡れを決めるもう一つの因子、表面の構造因子について述べよう。結論から言うと、
化学的因子は平らな表面上の接触角を決め、表面の微細な凹凸構造はその接触角を強調する方向に働く
表面の凹凸構造は真の表面積を増大させ、それが濡れの方向を強調する
（エ）第六章　人工的な超撥水表面
　第三節　その他の凹凸構造による超撥水表面
「…、表面の凹凸構造はみかけの表面積に比べて実表面積を増大させ、濡れを強調する(Wenzelの理論）。したがって、超撥水や超親水性を与える表面の凹凸構造は、フラクタクル構造や柱（針）状構造に限らない。
どんな形の凹凸構造であっても、実表面積を増大すれば効果を発揮する
　周知例１には、化学的因子（物質の表面張力等）が平らな表面上の接触角を決めること、そして、表面の凹凸構造が実表面積を増大させ、接触角を強調する方向に働いて撥水性を高めることが開示されている。
イ　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である引用文献４．特開２０１４−１６０７５４号公報（以下「引用例４」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
（ア）「【００３３】
　ここで、撥液性凹凸パターン３２の接触角θCBが９０°よりも大きくなる凹凸構造を有し、撥液性が発揮され得ることで、当該撥液性凹凸パターン３２における凹部３２２内にインプリント樹脂１２は入り込むことができない。そのため、図３に示すような状態において、撥液性凹凸パターン３２表面における凸部天面３２１以外の部分（凹部３２２上）のインプリント樹脂は空気と接触していることになる。すなわち、撥液性凹凸パターン３２表面における凸部天面３２１以外の部分のインプリント樹脂に対する接触角θ2は１８０°である。よって、上記式（１）は、下記式（３）により表すことができる。
　ｃｏｓθCB＝ｒ1・ｃｏｓθ1−ｒ2＝ｒ1(ｃｏｓθ1＋１)−１　・・・（３）
【００３４】
　すなわち、撥液性凹凸パターン３２の表面の接触角θCBは、撥液性凹凸パターン３２における凸部天面３２１の占める面積割合ｒ1と、凸部天面３２１のインプリント樹脂に対する接触角θ1（インプリントモールド１を構成する基材のインプリント樹脂に対する接触角）とにより決定される。そのため、インプリントモールド１を構成する基材の種類及びインプリント樹脂１２の種類を考慮して、
効果的に撥液性を奏し得るための撥液性凹凸パターン３２の構造、寸法等が決定される
（イ）図３は以下のとおりである。
　引用例４には、撥液性凹凸パターン３２の表面の接触角θCBは、撥液性凹凸パターン３２における凸部天面３２１の占める面積割合ｒ1と、凸部天面３２１のインプリント樹脂に対する接触角θ1（インプリントモールド１を構成する基材のインプリント樹脂に対する接触角）とにより決定され、撥液性凹凸パターン３２の構造、寸法等を設定することにより、効果的に発液性を奏することが記載されている。
ウ　特表２００６−５２４６１５号公報（以下「周知例２」という。）には、以下の記載がある。
　「【００１０】
　本発明は、トレイキャリアのより効果的なクリーニングおよび乾燥を促進するための超撥水性表面を備えるキャリアを含む。本発明では、キャリアの表面全体または表面の一部が超撥水性にされる。…
【００１１】
　本発明の特に好適な実施例では、
超撥水性表面は、
複数の突出部を含む
【００１２】
　突出部は、基板材料自体中もしくはその表面上に、または基板表面に配置された１層以上の材料に形成される。
突出部は、規則的もしくは不規則的な形状の三次元固体または凹部であり、何らかの規則的な幾何学パターンで、またはランダムに配置される
　周知例２には、緊密な間隔のマイクロ規模からナノ規模の複数の突出部を基板に形成して超撥水性表面とすること、突出部の配置は規則的でも不規則的でも良いことが開示されている。
（２）上記周知技術を踏まえ、上記相違点について検討する。
　引用発明は、「前記第１の側面部に、前記基板よりも撥水性又は撥油性の高い材料からなる被膜を備え」ることで、「はみ出したインプリントレジストがこの第１の側面部１３ａに残存すること」をなくすものであるところ、インプリントレジストが側面部に残存することを確実に防止する目的で、第１の側面部の撥水性を高めるように上記周知技術を採用し、第１の側面部１３ａの表面をランダム（不規則）な凹凸構造とし、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項となすことは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
ウ　そして、本願補正発明が奏する作用効果は、引用発明と周知技術に基づいて当業者が容易に予測しうる程度のものである。
５　本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明と周知技術とに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。よって、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成３０年２月６日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項７に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「基板の第１面に設けられた台座領域と、
　前記台座領域の側面に形成された撥液性部と、
　を備え、
　前記台座領域は、テンプレートパターンが形成された領域であり、
　前記撥液性部は、凹凸形状の表面を有する、
　ことを特徴とするテンプレート。」
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項７に係る発明は、引用発明及び引用例４に記載された凹凸構造、
又は周知の撥液性微細凹凸構造
３　引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例１の記載事項及び引用発明は、前記第２の［理由］２に記載したとおりである。
４　対比・判断
（１）本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本願補正発明から、撥液性部の表面が有する「凹凸形状」について、「凹部と凸部とが不均一に並べられた」との限定事項を削除したものである。
　してみると、本願発明と引用発明は、
「基板の第１面に設けられた台座領域と、
　前記台座領域の側面に形成された撥液性部と、
　を備え、
　前記台座領域は、テンプレートパターンが形成された領域である、
　テンプレート。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
相違点１：「撥液性部」に関し、本願発明は「凹凸形状の表面を有する」のに対し、引用発明は、「前記基板よりも撥水性又は撥油性の高い材料からなる被膜」である点。
（２）以下、上記相違点１について検討する。
　引用発明は、「前記第１の側面部に、前記基板よりも撥水性又は撥油性の高い材料からなる被膜を備え」ることで、「はみ出したインプリントレジストがこの第１の側面部１３ａに残存すること」をなくすものであるところ、インプリントレジストが側面部に残存することを確実に防止する目的で、例えば、引用例４（特開２０１４−１０６０７５４号公報）等に開示される上記周知技術を採用し、第１の側面部１３ａの表面を発液性凹凸パターンの構造とし、上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項となすことは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
（３）そして、本願発明が奏する作用効果は、引用発明と周知技術に基づいて当業者が容易に予測しうる程度のものである。
（４）したがって、本願発明は、引用発明と周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。