【事件の表示】
　特願２０１５−２２６７１３「基板洗浄チャンバ及び構成部品」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　５月１２日出願公開，特開２０１６−　７６７１６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００８年（平成２０年）５月２７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００７年５月３０日（以下，「本願優先日」という。），米国，２００７年９月１９日，米国）を国際出願日とする出願（特願２０１０−５１０３１１号）の一部を２０１２年（平成２４年）１１月２９日に新たな特許出願（特願２０１２−２６１３６７号）とし，さらに，その一部を２０１５年（平成２７年）１１月１９日に新たな特許出願としたものであって，平成２８年１０月１７日付け拒絶理由通知に対し，平成２９年３月２５日に意見書が提出されるとともに手続補正がされたが，同年６月２０日付けで拒絶査定（以下，「原査定」という。）がされ，これに対し，同年１０月２５日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされ，その後，平成３０年９月１３日付け拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という。）に対し，平成３１年３月１８日に意見書が提出されるとともに手続補正（以下，「本件補正」という。）がされたものである。
第２　本願発明
　本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　エネルギー印加洗浄ガスの使用により基板を洗浄する基板洗浄チャンバのための基板加熱台座部であって，
　（ａ）基板受け面を有する第１ディスクと，加熱素子を受容するように成形されたチャネルを有する第２ディスクと，第１ディスクと第２ディスクとを接合するロウ付け接着部とを備えた環状プレートと，
　（ｂ）複数のセラミックボールと，
　（ｃ）基板受け面に形成された凹部の配列であって，各凹部は，セラミックボールの１つを受容する直径および深さを有し，各凹部は，２〜２０°内側に傾斜した側部を備えているため，第１ディスクの表面における凹部の直径は，セラミックボールの直径より若干小さく，挿入されたセラミックボールを，挿入後，環状プレートの表面に閉じ込めることが可能である凹部の配列と，
　（ｄ）チャンネルに埋設された加熱素子と，
　（ｅ）外方棚部とを備え，基板加熱台座部は，基板周縁部の周囲の垂直面と外方棚部付近で隆起した脚部とを有するフォーカスリングが台座部の周縁部上に載ることができるように構成される台座部。」
第３　拒絶の理由
　当審拒絶理由の概要は以下のとおりである。
（進歩性）本願発明は，本願優先日前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，本願優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・引用文献等　１−５
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞ 
１．実願平６−４９１６号（実開平６−７７２３９号）のＣＤ−ＲＯＭ
２．特開２０００−２４３５４２号公報
３．特表２００６−５２３０１５号公報
４．特開平８−１０２４６０号公報
５．特開２００２−１５１４６８号公報
第４　引用文献及び引用発明等
　１　引用文献１について
（１）　引用文献１の記載
　当審拒絶理由で引用された引用文献１（実願平６−４９１６号（実開平６−７７２３９号）のＣＤ−ＲＯＭ）には，図面とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で加筆した。以下，同じ。）。
ア　「 【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　この考案は
半導体製造工程において用いられる熱処理装置
半導体ウエハやガラス基板等（以下単に基板と称する）を加熱
するのに用いられる熱処理装置に関するものである
イ　「【０００４】
　　【考案が解決しようとする課題】
　ところで，熱輻射により基板を所要の設定温度に加熱又は冷却する場合に，放熱板と基板との隙間ｄが１mm程度では，設定温度に至る時間に大きな影響を及ぼす。・・・
【０００５】
　しかし，上記従来例のものはスペーサが棒状体，網，あるいは支持爪等で構成されるものであるため，微小隙間を形成するには，さらに高い加工精度を必要とする。このため微小隙間の形成が容易でなく，コスト高を招く等の問題がある。
　
また，基板において，スペーサと接触する部分と接触しない部分とでの温度差を少なくするためには，接触部の面積を少なくするのが望ましいが，棒状や網状のスペーサでは温度不均一性の点で問題がある
　
本考案は，放熱板と基板との間に微小間隔ｄを形成するにあたり，安いコストで高精度に製作可能で，しかも，スペーサと接触することによる基板の温度不均一性を発生しにくくすることを技術課題とする
ウ　「【０００７】
　　【作用】
　
放熱板の上面に設けられた球体受け入れ用凹部内に球体状スペーサを位置せしめることにより，球体状スペーサは，基板と放熱板との間に微小間隔を形成し得る状態で位置決めされる
このとき，スペーサは非伝熱性の球体で構成されていることより，接触面積と熱伝導率とがともに小さく，基板のスペーサと接触する部分と接触しない部分との温度不均一性が発生しにくい
エ　「【０００８】
　　【実施例】
　以下，本考案の実施例を図面に基づいて説明する。
　図１は本考案に係る熱処理装置の平面図，図２は図１のII−II線矢視拡大断面図である。
　
この熱処理装置は，放熱板２と，放熱板２の下面に密着させて設けられた加熱手段３と，放熱板２の上面の３ケ所に配設された基板支持用スペーサ６と，放熱板２の上方に設けられた一対の基板搬送用ワイヤ８，８と，放熱板１（※審決注；「放熱板２」の誤記と認められる。以下，この段落と次段落について同じ。）を貫通して昇降可能に設けられた３本のピンから成る基板受渡し用ピン１０とを具備して成る
　　【０００９】
　
上記加熱手段３は，伝熱部材４にヒータ５を埋設したものを放熱板の下面に密着させて設け，放熱板１を所要温度に設定するように構成されている
　
上記基板支持用スペーサ６は，例えば，アルミナ，
等の非伝熱部材によって球体状に構成されており，放熱板１の上面の３ケ所に球体受け入れ用凹部である球体受穴７を凹設し，この球体受穴７に球体状スペーサ６を着脱可能に入れて，このスペーサ６が支持する基板１と放熱板２の表面との間に微小隙間ｄを形成するように構成されている
　　【００１０】
　
上記球体受穴７は，プライス加工にて，その底面の平坦精度，および深さ精度を確保している。ちなみに，本実施例では球体状スペーサ６をアルミナを材料とするセラミックボールで構成し，直径約２.４mmφの球体受穴７にセラミックボール６を遊嵌状に嵌入したとき，微小隙間ｄが０.１２mmになるように設定されている
オ　「【００１４】
　　【考案の効果】
　本考案ではスペーサを球体で構成しているため，安いコストで高精度に微小間隔を設定することができる。また，
本考案ではスペーサを非伝熱性の球体で構成していることにより，接触面積と熱伝導率とがともに小さく，基板のスペーサと接触する部分と接触しない部分との温度不均一性が発生しにくい
カ　【図１】は，「熱処理装置の平面図」であって，熱処理装置が備える放熱板２は矩形であることを読み取ることができる。
（２）　引用発明
　上記（１）によれば，引用文献１には，以下の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「半導体製造工程において，半導体ウエハやガラス基板等（以下単に基板と称する）を加熱するのに用いられる熱処理装置であって，
　矩形の放熱板２と，放熱板２の下面に密着させて設けられた加熱手段３と，放熱板２の上面の３ケ所に配設された基板支持用スペーサ６と，放熱板２の上方に設けられた一対の基板搬送用ワイヤ８，８と，放熱板２を貫通して昇降可能に設けられた３本のピンから成る基板受渡し用ピン１０とを具備して成り，
　加熱手段３は，伝熱部材４にヒータ５を埋設したものを放熱板２の下面に密着させて設け，放熱板２を所要温度に設定するように構成され，
　放熱板２の上面の３ケ所には，球体受け入れ用凹部である球体受穴７を凹設し，この球体受穴７に球体状スペーサ６を着脱可能に入れて，このスペーサ６が支持する基板１と放熱板２の表面との間に微小隙間ｄを形成するように構成され，
　球体受穴７は，プライス加工にて，その底面の平坦精度，および深さ精度を確保しており，球体状スペーサ６はアルミナを材料とするセラミックボールで構成し，直径約２.４mmφの球体受穴７にセラミックボール６を遊嵌状に嵌入したとき，微小隙間ｄが０.１２mmになるように設定されている，
　熱処理装置。」
　２　引用文献２について
（１）　引用文献２の記載
　当審拒絶理由で引用された引用文献２（特開２０００−２４３５４２号公報）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，
半導体処理装置等に使用するべく，金属からなるベースにヒータを内蔵するヒータユニット及びその製造方法に関するものである
「【０００２】
【従来の技術】従来から，例えば
半導体処理装置などのサセプタ，静電チャック等，様々な分野で金属ベースにヒータを内蔵したヒータユニットが使用されている
「【０００９】本発明は，上記した従来技術の問題点に鑑みなされたものであり，
加熱時に早期に昇温し，かつ全面に亘り熱を均一化でき
ヒータユニット及びその製造方法を提供することを目的とする
「【００１１】
【発明の実施の形態】以下に，添付の図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。図１は，本発明が適用された
接合型ヒータユニット１の概略構造を示す
この構造では金属ベースが上下２分割されており
下側ベース２に形成された溝２ａに後記するシースヒータ４を設置し，下側ベース２と同種又は異種材料からなる上側ベース３との間及びシースヒータ４と各ベース２，３との間がその全面に亘り（太線で示す接合部８）ろう付け
により接合され，一体化されている
・・・
【００１４】まず，
ろう付け
の場合は
ろう
を塗布し
下側ベース２と上側ベース３とシースヒータ４とがその全面で互いに密着する
（２）　引用技術的事項２
　上記（１）によれば，引用文献２には，以下の技術的事項（以下，「引用技術的事項２」という。）が記載されていると認められる。
「半導体処理装置等に使用するべく，サセプタ，静電チャック等，金属ベースにヒータを内蔵したヒータユニットにおいて，加熱時に早期に昇温し，かつ全面に亘り熱を均一化できることを目的とし，金属ベースが上下２分割された接合型ヒータユニット１の下側ベース２と上側ベース３との間及びシースヒータ４と各ベース２，３との間のその全面に亘り，ろう付けにより接合され一体化されることによって，その全面で互いに密着するように構成すること。」
　３　引用文献３について
（１）　引用文献３の記載
　当審拒絶理由で引用された引用文献３（特表２００６−５２３０１５号公報）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「【説明】
【００１４】
　
洗浄プロセスは，基板１０上の金属含有導体１６の表面１４を洗浄するために行われる
【００１５】
　
改善された洗浄プロセスが，水素含有ラジカルを含む励起された洗浄ガスに基板１０を晒すことを含むことが見出された
【００１９】
　
洗浄ガスは，例えば，図２Ａに示されるように，遠隔ゾーン３０においてガスにエネルギーを結合することによって励起させることができ
【００２８】
　
基板１０の洗浄が，熱処理又はアニールステップを行って基板１０から堆積物１２を除去することにより改善し得ることが更に見出された
【００３０】
　一変形例においては，熱処理ステップは水素ラジカル洗浄ステップと同じチャンバ１０６ａで行われる。例えば，
チャンバ１０６ａは，温度制御システム１４０とチャンバ１０６ａ内で基板１０を加熱するように適合されたヒータ１４２を含むことができる
図２Ａに示された実施形態においては，ヒータ１４２は基板支持体１１０の基板１０の下に抵抗加熱素子１１１を含んでいる
【００３４】
　
水素含有ラジカル洗浄プロセスに適した洗浄チャンバ１０６ａを含む装置１０２の実施形態は，図２Ａに示されてる
本明細書に示される装置１０２の具体的な実施形態は，半導体ウェハのような基板１０を洗浄するのに適し
【００３５】
　洗浄ガスを遠隔励起するのに適したリモートソース３５は，遠隔ゾーン３０，洗浄ガスソース３９，リモートガスエナジャイザー３７を有するリモートチャンバ４０を含んでいる。動作中，洗浄ガスはリモートチャンバ４０における洗浄ガスソース３９から受容する。リモートチャンバ４０への洗浄ガスの流量を制御するためにフローバルブ４１を設けることができる。
リモートガスエナジャイザー３７は，遠隔ゾーン３０で洗浄ガスにエネルギーを結合して洗浄ガスを励起し，それにより励起イオン種とラジカル種を含む励起洗浄ガスが形成される
リモートガスエナジャイザー３７は，例えば，洗浄ガスにＲＦとマイクロ波エネルギーの少なくとも１種を結合することができる
【００３６】
　
基板１０は，基板受容表面１８０を有する支持１１０上のプロセスゾーン１０８に保持される
基板１０の下の支持体１１０に抵抗加熱素子１１１を含むことができる
（２）　引用技術的事項３
　上記（１）によれば，引用文献３には，以下の技術的事項（以下，「引用技術的事項３」という。）が記載されていると認められる。
「洗浄チャンバ１０６ａにおいて，抵抗加熱素子１１１を含む支持体１１０に基板１０を載置し，ガスにエネルギーを結合することによって励起させた洗浄ガスに基板１０を晒すことで洗浄を行う洗浄プロセス。」
　４　引用文献４について
（１）　引用文献４の記載
　当審拒絶理由で引用された引用文献４（特開平８−１０２４６０号公報）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，
プラズマ反応炉内の半導体ウエハの周辺部を囲むフォーカスリングにおける改良に関する
このフォーカス・リングは，さもなければウエハ周辺付近で速い流速を有するガスやプラズマからウエハ周辺部を保護する
「【０００２】
【従来の技術】
エッチングまたは化学気相成長法(chemical vapor deposition) のような半導体ウエハ処理ステップは，しばしば，プラズマリアクタとウエハ周囲のフォーカスリングを用いる
ここで，フォーカスリングは，そのウエハにわたり非均一なプラズマ分布によって起こるウエハエッチング速度の非均一性を減少させる
【０００３】図１は，ウエハの出入れ用スリットバルブを備えたチャンバ壁を有する真空チャンバ１０２を含むプラズマ反応炉内でウエハ周辺部付近のプロセスエッチング速度を遅くする為の従来技術を図示する。
ウエハ１１０は，カソードベース１１３上方のウエハペデスタル１１２上で支持されている
「【０００９】
【実施例】図２によると，ウエハ周辺部付近の粒子汚染は，フォーカスリング１１４の下方に小さな通路１１８を備えることにより，減じられる。この小さな通路を通って粒子汚染は，図２の矢印で示されるように排出される。この目的のために，図２の実施例のフォーカスリング１１４は，ポスト１２２上に支持された環(annulus) から吊り下げられている(is suspended)。ウエハペデスタル１１２のショルダ上に置かれた基環(base annulus)１２４が，ポスト１２２を支えている。開口１１８を通る流出物は，ポスト１２２の間を通る。
【００１０】図１と図２の実施例の各々に共通な問題は，チャンバ１０２内の数多くの可動部分がスリットバルブ１０６を通してのウエハ１１０の出入れを適応させるために必要である点である。例えば，リフトシリンダ１１５ａは，その中のウエハ移送ウインドウ１１５ｄを，チャンバ壁内のウエハ移送スリットバルブ１０６に一致させる為に，ウエハペデスタル１１２に対して移動しなければならない。そのような運動は，リアクタチャンバ１２６の範囲内で粒子汚染を生成し，もって，そのような汚染のためにダイ収率損失の危険性を高める。
【００１１】フォーカスリングとウエハを互いに動かす必需品(requirement) は，図３から図１９の実施例では排除されている。これらの実施例において，唯一の機械運動は，ブレードをスリットバルブ１０６を介して挿入させてウエハの下を通過させる為に，リフトピン１１５ｃによりウエハを上昇させることである。その利点は，設計の簡単と粒子汚染の減少である。
図３から図５の中で，フォーカスリング１１４は，それを通じて(therethrough)スリットバルブ１０６に面する前部開口１１４ａ，１１４ｂを備え（図５参照），支持環１２４上に置かれている
環１２４は，ウエハペデスタル１１２近傍の環状リングサポート１３０上に入れ子状に重ねられた(nestedon) 下方伸張リング基部(foot)１２８を有する
　【図３】は，フォーカスリングの一実施例を含むプラズマリアクタの側断面図，【図４】は【図３】の一部断面図であり，これらの図面によれば，ウエハ１１０を載置するウエハペデスタル１１２は環状であることを読み取ることができる。
（２）　引用技術的事項４
　上記（１）によれば，引用文献４には，以下の技術的事項（以下，それぞれ，「引用技術的事項４ア」及び「引用技術的事項４イ」という。）が記載されていると認められる。
ア　「ウエハ１１０を載置するウエハペデスタル１１２は環状であること。」
イ　「プラズマ反応炉内の半導体ウエハの周辺部を囲むフォーカスリングについて，フォーカスリング１１４は，支持環１２４上に置かれており，支持環１２４は，ウエハペデスタル１１２近傍の環状リングサポート１３０上に入れ子状に重ねられた下方伸張リング基部１２８を有すること。」
　５　引用文献５について
（１）　引用文献５の記載
　当審拒絶理由で引用された引用文献５（特開２００２−１５１４６８号公報）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ドライエッチング方法及び装置，並びに，ゲート電極形成方法及び装置に関し，詳しくは，主としてタングステン原子を含むメタル層が形成されて成る基体をエッチングするドライエッチング方法及びその装置，並びに，基体上にゲート電極を形成するゲート電極形成方法及びその装置に関する。」
「【００２８】
【発明の実施の形態】・・・
【００２９】図１は，本発明によるドライエッチング装置の好適な一実施形態を示す概略図である。
ドライエッチング装置１０は，内部が減圧されるチャンバ１２を備えている
【００３０】
チャンバ１２の内部には，ＳｉウェハＷを載置するサセプタ１８が配置されている
・・・
【００３３】
また，チャンバ１２の一部である蓋体１６は，誘電体材料から構成されている
この蓋体１６の外周には，コイルアンテナ５８が設けられており，コイルアンテナ５８により蓋体１６を介してチャンバ１２の内部に電磁界が誘起されてプラズマが発生し，更にこのプラズマ中の電子にエネルギーが供給されてプラズマが高密度で維持される
「【００５７】
図３は，本発明によるドライエッチング装置の他の実施形態の要部を示す摸式断面図である
この装置は，図１に示すドライエッチング装置１０におけるチャンバ１２内のサセプタ８０の周部に，環状部材８を有すること以外は，ドライエッチング装置１０と同様に構成されたものである
環状部材８は，静電チャック２０の周端部上に配置された環状のキャプチャーリング８１と，このキャプチャーリング８１の周端部及び側壁上に当接するように嵌合された環状のフォーカスリング８２とで構成されている
【００５８】この環状部材８においては，キャプチャーリング８１の上壁におけるフォーカスリング８２の内周位置８２ａと，ＳｉウェハＷの終端位置Ｅとの距離Ｄが所定の値となるようにされている。ここで，距離Ｄとしては，下記式（１）；
０≦Ｄ≦Ｄｃ  …（１），
で表される関係を満たす範囲の値が好ましい。式中，Ｄｃは，キャプチャーリング８１の断面における径方向に沿った幅を示す。また，フォーカスリング８２の図示高さＨは，特に限定されず，チャンバ１２の構造及びエッチング条件により適宜設定される。
【００５９】このように構成されたドライエッチング装置によれば，ＳｉウェハＷに対するエッチング速度（ＥＲ）の面内均一性をより向上できる。これは，フォーカスリング８２がない状態では，ＳｉウェハＷの中心部Ｃよりも周端Ｅ側に対して，チャンバ１２内の内側壁側からエッチャントである活性種が供給され易い傾向にあるのに対し，フォーカスリング８２によって，そのような活性種の寄与が抑制されることによると推定される。ただし，作用がこれに必ずしも限定されない。」
（２）　引用技術的事項５
　上記（１）によれば，引用文献５には，以下の技術的事項（以下，「引用技術的事項５」という。）が記載されていると認められる。
「ドライエッチング装置１０は，チャンバ１２を備え，チャンバ１２の内部には，ＳｉウェハＷを載置するサセプタ１８が配置されており，チャンバ１２の一部である蓋体１６の外周には，コイルアンテナ５８が設けられ，蓋体１６を介してチャンバ１２の内部に電磁界が誘起されてプラズマが発生し，更にこのプラズマ中の電子にエネルギーが供給されてプラズマが高密度で維持されているものであって，チャンバ１２内のサセプタ８０の周部には環状部材８を有し，環状部材８は，静電チャック２０の周端部上に配置された環状のキャプチャーリング８１と，このキャプチャーリング８１の周端部及び側壁上に当接するように嵌合された環状のフォーカスリング８２とで構成されていること。」
　６　引用文献６について
（１）　引用文献６の記載
　本願優先日前に公開された特開平８−７０００７号公報（以下，「引用文献６」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は半導体ウエハや液晶用ガラス基板等の製造工程において用いられる熱処理装置，殊にホットプレートやクールプレートで半導体ウエハやガラス基板等（以下単に基板と称する）を加熱又は冷却するのに用いられる熱処理装置に関する
「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで，基板１は，搬送中の空気摩擦や放熱板２と当該基板１との受け渡し等により静電気を帯び易く，図８（Ｂ）に示すように，熱処理後に当該基板１を搬出する際に，基板１に蓄積されている静電気により球体状スペーサ６が基板１に吸着されて，上記凹入部７から抜け出てしまうことがある。これを防止するために，耐熱性のセラミック系接着剤で球体状スペーサ６を凹入部７内に固着することが考えられるが，当該接着剤の使用により新たにパーティクルが発生する可能性がある。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり，その目的は，スペーサが凹入部から抜け出てしまわないように接着剤を使用することによるパーティクルの発生を防止することができるとともに，簡単な構成でスペーサが凹入部から抜け出ることを防止することができ，かつ，基板の下面を傷つけることもない基板の熱処理装置を提供することにある
「【００１２】
【作用】請求項１に記載の発明では，プレートに形成されたスペーサ収納用凹部に球体状のスペーサが挿入されると，スペーサの頂部はプレート上面からわずかに上方に突出するので，この球体状のスペーサの頂部によって基板を支持することによりプレートと基板との間に微小間隔を形成することができ，この間隔を介して基板が熱処理される。
さらに，プレートに形成されたスペーサの収納用凹部の上面に形成された開口はスペーサの直径よりも小さいので，熱処理後に基板を搬出する際に基板に静電気が蓄積されていて球体状のスペーサが基板に引きつけられても，スペーサがプレートに形成されたスペーサ収納用凹部から抜け出ることはない
さらに，球体状のスペーサは，スペーサ収納用凹部に挿入されているだけで固定されておらず回転可能である
「【００１７】
【実施例】以下，本発明の実施例を図面に基づいて説明する。図５は本発明に係る熱処理装置の平面図，図１は図５中のＮ−Ｎ線矢視拡大断面図であり，図６は図５中のＭ−Ｍ線矢視断面図である。この熱処理装置は，図５及び図６に示すように，本発明のプレートを構成する放熱板２と，放熱板２の下面に密着された加熱手段Ｈとから成り，放熱板２はメインプレート２Ａと，メインプレート２Ａの上面に着脱自在に載置されたサブプレート２Ｂとから構成されており，上記サブプレート２Ｂは，基板のサイズに応じて交換可能にメインプレート２Ａに固定される。
【００１８】
上記サブプレート２Ｂの上面には，後述するように，本発明のスペーサ収納用凹部を構成する多数の凹入部１７が形成されており，各凹入部１７には球体状スペーサ６がそれぞれ挿入されている
【００１９】
上記球体状スペーサ６は，例えば，鋼球，アルミナ，セラミック，サファイア，ルビー，ガラス等の非伝熱部材によって球体状に構成される
そして図５及び図６に示すように，サブプレート２Ｂの上面の３９ケ所にそれぞれ球体状スペーサ６を受け入れる凹入部１７が形成され，各凹入部１７にはそれぞれ球体状スペーサ６が一つずつ挿入されている
そして，この３９個の球体状スペーサ６によって基板１した場合，支持された基板１の下面と放熱板２を構成するサププレート２Ｂの上面との間には，所定の微小間隔ｄが形成される
ちなみに，本実施例では球体状スペーサ６をサファイアボールで構成し，直径約２.４mmφの凹入部１７にサファイアボール６を遊嵌状に嵌入したとき，微小間隔ｄが０.１２ｍｍになるように設定されている
【００２０】上記凹入部１７は，図１に示すように，サブプレート２Ｂの裏面よりスペーサ挿入孔１７ａと支持部材１３の支持部材挿入孔１７ｂと固定部材１４のねじ孔１７ｃとを一連に穴加工して穿設することにより形成されている。
そして凹入部１７の上面開口の寸法Ｓは，球体状スペーサ６の直径Ｄより小さく形成されている
熱処理後に基板１を搬出する際に，基板１に蓄積されている静電気により球体状スペーサ６が基板１に吸引されて凹入部１７から抜け出るのを防止するためである
「【００２８】
【発明の効果】請求項１に記載の発明は，加熱手段もしくは冷却手段を有するプレートから所定の間隔をおいた位置に基板をプレートと平行に支持して基板の熱処理を行う基板の熱処理装置において，熱処理されるべき基板をその頂部において下方から支持する球体状のスペーサと，プレートに形成されて上面にスペーサの直径よりも小さい開口を有し，スペーサの頂部が開口を通してプレートの上面から上方に突出するようにスペーサを収納するスペーサ収納用凹部とを有することを特徴とするものであり，プレートに形成されたスペーサ収納用凹部に球体状のスペーサが挿入されるとスペーサの頂部はプレート上面からわずかに上方に突出するので，この球体状のスペーサの頂部によって基板を支持することによりプレートと基板との間に微小間隔を形成することができ，プレートに形成されたスペーサの収納用凹部の上面に形成された開口はスペーサの直径よりも小さいので，熱処理後に基板を搬出する際に基板に静電気が蓄積されていて球体状のスペーサが基板に引きつけられても，スペーサがプレートに形成されたスペーサ収納用凹部から抜け出ることはない。」
（２）　引用技術的事項６
　上記（１）によれば，引用文献６には，以下の技術的事項（以下，「引用技術的事項６」という。）が記載されていると認められる。
「基板を加熱するのに用いられる熱処理装置において，プレートに形成されたスペーサの収納用凹部の上面に形成された開口はスペーサの直径よりも小さく，球体状のスペーサは，スペーサ収納用凹部に挿入されているだけで固定されておらず回転可能であり，球体状スペーサは，アルミナによって球体状に構成されており，熱処理後に基板を搬出する際に，基板に蓄積されている静電気により球体状スペーサが基板に吸引されてスペーサ収納用凹部から抜け出るのを防止すること。」
　７　引用文献７について
（１）　引用文献７の記載
　本願優先日前に公開された特開２０００−１８３１４６号公報（以下，「引用文献７」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，静電チャックに関するものである。」
「【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するために，請求項１に記載の発明では，
チャック電極層への通電により絶縁基材のチャック面に被吸着物が静電的に吸着される静電チャックにおいて，前記チャック面において開口する複数の凹部を前記絶縁基材に設けるとともに，前記凹部内に略球状の被吸着物支持体を，その一部が前記チャック面から突出する状態で遊嵌した
「【００１１】
【発明の実施の形態】［第1の実施形態］以下，本発明を具体化した第1実施形態の双極タイプの静電チャック１を図１に基づき詳細に説明する。
【００１２】
本実施形態の静電チャック１を構成している絶縁基材２は，好適な誘電体である窒化アルミニウム焼結体からなる
ここでは絶縁基材２として円盤状かつ厚さが約数ｍｍのものを用いている
【００１７】
この静電チャック１は，シリコンウェハＷ１を点接触により支持する構造を備えている
絶縁基材２における複数箇所には，チャック面Ｓ１において開口する凹部としての貫通孔６が設けられている
これらの貫通孔６のチャック面Ｓ１側における開口部は，やや狭窄した形状をなしている
塞がれた状態の貫通孔６内には，被吸着物支持体としての真球状の導電性ボール７が１つずつ遊嵌された状態で収容されている
ただし，貫通孔６内に導電性ボール７を抜け出し不能に収容すべく，貫通孔６のチャック面Ｓ１側の開口部は導電性ボール７の直径よりも小さく形成されていることがよい
「【００３２】・・・
［第２の実施形態］次に，本発明を具体化した実施形態２を図２に基づいて説明する。・・・
【００３３】・・・
凹部１２はチャック面Ｓ１側のみにて開口するとともに，開口部が狭窄した形状をなす
導電性ボール１３が，転動可能かつチャック面Ｓ１側から抜け出し不能に遊嵌されている
「【００３６】なお，本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。・・・
【００３７】・  被吸着物支持体を接地しない構成を採用することも許容される。
この場合には，導電性を有するものばかりでなく，導電性を有しない材料（アルミナ等のような一般的なセラミック材料）を用いて被吸着物支持体を形成してもよい
（２）　引用技術的事項７
　上記（１）によれば，引用文献７には，以下の技術的事項（以下，それぞれ，「引用技術的事項７ア」及び「引用技術的事項７イ」という。）が記載されていると認められる。
ア　「静電チャック１を構成している絶縁基材２は，好適な誘電体である窒化アルミニウム焼結体からなり，絶縁基材２として円盤状のものを用いていること。」
イ　「チャック電極層への通電により絶縁基材のチャック面に被吸着物が静電的に吸着される静電チャックにおいて，前記チャック面において開口する複数の凹部を前記絶縁基材に設けるとともに，前記凹部内に略球状の被吸着物支持体を，その一部が前記チャック面から突出する状態で遊嵌した，凹部はチャック面側のみにて開口するとともに，開口部が狭窄した形状をなし，被吸着物支持体は，導電性を有しない材料（アルミナ等のような一般的なセラミック材料）を用いて形成してもよいこと。」
第５　対比及び判断
　１　対比
（１）　本願発明と引用発明の対比
ア　引用発明の「熱処理装置」は，「放熱板２の上面の３ケ所に配設された基板支持用スペーサ６」を具備し，「基板１」を「このスペーサ６が支持」しているから，「放熱板２」は「基板受け面を有する第１ディスク」ということができる。
イ　引用発明の「加熱手段３」は，「伝熱部材４にヒータ５を埋設したものを放熱板２の下面に密着させて設け」たものであるから，「加熱素子を受容するように成形されたチャネルを有する第２ディスク」ということができる。また，引用発明は，「チャンネルに埋設された加熱素子」を備えているということもできる。
ウ　引用発明において，「放熱板２」（第１ディスク）と「加熱手段３」（第２ディスク）は，「密着させて設け」られているから，引用発明は，「第１ディスクと第２ディスクとを接合する接着部とを備えたプレート」を備えているということができる。
エ　引用発明は，「放熱板２の上面の３ケ所に配設された基板支持用スペーサ６」を具備し，「球体状スペーサ６はアルミナを材料とするセラミックボールで構成」されているから，「複数のセラミックボール」を備えているということができる。
オ　引用発明の「基板支持用スペーサ６」は，「放熱板２の上面の３ケ所に配設され」ているところ，「放熱板２の上面の３ケ所には，球体受け入れ用凹部である球体受穴７を凹設し，この球体受穴７に球体状スペーサ６を着脱可能に入れて」いるから，引用発明は，「基板受け面に形成された凹部の配列であって，各凹部は，セラミックボールの１つを受容する直径および深さを有する凹部の配列」を備えているということができる。
カ　引用発明の「熱処理装置」は，「基板を加熱するのに用いられる」ものであって，上記アによれば，「基板１」を「放熱板２の上面の３ケ所に配設された基板支持用スペーサ６が支持」しているから，「基板加熱台座部」を備えているということができる。
　したがって，本願発明と引用発明とは，以下の点で一致または相違する。
（一致点）
「基板加熱台座部であって，
　（ａ）基板受け面を有する第１ディスクと，加熱素子を受容するように成形されたチャネルを有する第２ディスクと，第１ディスクと第２ディスクとを接合する接着部とを備えたプレートと，
　（ｂ）複数のセラミックボールと，
　（ｃ）基板受け面に形成された凹部の配列であって，各凹部は，セラミックボールの１つを受容する直径および深さを有する凹部の配列と，
　（ｄ）チャンネルに埋設された加熱素子と，を備える，
　台座部。」
（相違点）
（相違点１）
　「基板加熱台座部」について，本願発明は，「エネルギー印加洗浄ガスの使用により基板を洗浄する基板洗浄チャンバのための」ものであるのに対し，引用発明は，「半導体製造工程」において用いられるものの，本願発明のような特定はされていない点。
（相違点２）
　「プレート」について，本願発明は，「第１ディスクと第２ディスクとを接合するロウ付け接着部とを備え」，「環状」であるのに対し，引用発明は，「第１ディスクと第２ディスクとを接合する接着部」を備えるものの「ロウ付け接着部」ではなく，「矩形」である点。
（相違点３）
　「基板受け面に形成された凹部の配列」について，本願発明は，「各凹部は，２〜２０°内側に傾斜した側部を備えているため，第１ディスクの表面における凹部の直径は，セラミックボールの直径より若干小さく，挿入されたセラミックボールを，挿入後，環状プレートの表面に閉じ込めることが可能である」のに対し，引用発明は，そのような構成ではない点。
（相違点４）
　本願発明の「台座部」は，「外方棚部とを備え，基板加熱台座部は，基板周縁部の周囲の垂直面と外方棚部付近で隆起した脚部とを有するフォーカスリングが台座部の周縁部上に載ることができるように構成される」のに対し，引用発明は，そのような構成を備えていない点。
　２　判断
（１）　相違点１について
　引用発明の基板加熱台座部は，半導体製造工程において，基板を加熱するのに用いられる熱処理装置であって，放熱板の上面に基板を支持するものであるから，同様に，抵抗加熱素子を含む支持体に基板を載置するものであり，エネルギーを結合することによって励起させた洗浄ガスを用いる引用技術的事項３に示されるような洗浄チャンバにおいて，引用発明の基板加熱台座部を用いるように構成することは，当業者であれば容易に想到し得るものである。
（２）　相違点２について
　引用文献１には，基板の温度不均一性を発生しにくくすることを技術課題とすること（上記第４の１（１）イ【０００５】）が記載されているから，引用発明において，上記課題を解決するために，引用技術的事項２のろう付けにより接合され一体化される技術を採用し，ロウ付け接着部を備えるように構成することは，当業者であれば容易に想到し得るものである。
　そして，上記第４の４（２）の引用技術的事項４ア及び同７（２）アの引用技術的事項７アによれば，基板を載置するプレートを環状とすることは，本願優先日前において，周知技術であったと認められ，プレートを矩形にするか環状にするか等，その形状は適宜決定し得る設計的な事項であるから，引用発明において，プレートを環状に構成することは，当業者であれば容易に想到し得るものである。
（３）　相違点３について
　上記第４の６（２）の引用技術的事項６及び同７（２）イの引用技術的事項７イによれば，開口が球体の直径よりも小さい球体受穴にセラミックボールを遊嵌することにより，球体受穴からセラミックボールが抜け出さないようにすることは，本願優先日前において，周知技術であったと認められる。
　一方，引用発明も球体受穴７にセラミックボール６を遊嵌状に嵌入するものであるから，引用発明において，上記周知技術に基づき，相違点３に係る構成を採用することは，当業者であれば容易に想到し得るものである。
（４）　相違点４について
　上記第４の４（２）イの引用技術的事項４イ及び同５（２）の引用技術的事項５によれば，プラズマを用いる半導体製造装置において，基板を載置する台座部の周縁部付近に，基板と垂直な面と下方に延びた部分を有するフォーカスリングを配置することは，本願優先日前において，周知技術であったと認められる。
　そして，上記（１）のとおり，引用発明の基板加熱台座部を，エネルギーを結合することによって励起させた洗浄ガスを用いる洗浄チャンバで用いるように構成することは，当業者であれば容易に想到し得るものであり，その際に，当該周知技術に基づき，相違点４に係る構成を採用することも，当業者であれば容易に想到し得るものである。
　３　まとめ
　したがって，本願発明は，引用文献１に記載された発明及び引用文献２ないし７に記載された技術的事項に基づいて，当業者であれば容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第７　むすび
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。