【事件の表示】
　特願２０１４−５６０６６６「発光モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　８月１４日国際公開，ＷＯ２０１４／１２２８８８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１４年１月１７日（優先権主張２０１３年２月６日）を国際出願日とする出願であって，以降の手続は次のとおりである。
平成２９年　９月　４日　拒絶理由通知（同年同月１２日発送）
　　　同年１１月１３日　手続補正・意見書提出
平成３０年　２月　１日　拒絶理由通知（同年同月６日発送）
　　　同年　５月３１日　手続補正・意見書提出
　　　同年　７月　３日　補正の却下の決定（同年同月１０日発送）
　　　　　　　　　同日　拒絶査定（同年同月１０日謄本送達）
　　　同年１０月　４日　審判請求・手続補正
第２　補正の却下の決定
　平成３０年１０月４日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，平成３０年５月３１日にされた手続補正は同年７月３日付けで却下されているので，本件補正の前後で特許請求の範囲は以下のとおりである。
〈補正前〉
「【請求項１】
　第１の色の光を発する半導体発光素子と，
　前記第１の色の光の少なくとも一部を波長変換して，第２の色の光を発する波長変換層と，
　前記第１の色の光および前記第２の色の光の少なくとも一方の光を拡散する拡散層と，
を備え，
　前記拡散層は，マトリックスと該マトリックスに分散されている拡散材とを有し，
　前記波長変換層は，波長変換物質を含み，
　前記波長変換層の屈折率と前記マトリックスの屈折率との差が０．３以下であり，
　前記マトリックスの屈折率と前記拡散材の屈折率との差が０．０５以上であり，
　前記マトリックスの屈折率は，前記拡散材の屈折率よりも高いことを特徴とする発光モジュール。
　　【請求項２】
　前記拡散層と前記波長変換層とを接着する接着層を更に備え，
　前記接着層は，厚みが１．０［μｍ］以下である，
　ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
　　【請求項３】
　前記半導体発光素子は，青色の光を発し，
　前記青色の光のピーク波長をλｐ［μｍ］とすると，前記接着層の厚みｔ［μｍ］は，（１／８）λｐ＜ｔ＜（３／８）λｐを満たすことを特徴とする請求項２に記載の発光モジュール。
　　【請求項４】
　前記波長変換層は，賦活成分を有する板状のＹＡＧセラミックであり，
　前記マトリックスは，板状のＹＡＧセラミックであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光モジュール。
　　【請求項５】
　前記波長変換層は，前記半導体発光素子と前記拡散層との間に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光モジュール。
　　【請求項６】
　前記半導体発光素子は，
　搭載基板に対してバンプを介してフリップチップ実装されており，
　透明な基板の上に形成されている発光層と，
　前記バンプと電気的に接続され，前記発光層を貫通するように形成されている電極と，
　を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光モジュール。」
〈補正後〉
「【請求項１】
　第１の色の光を発する半導体発光素子と，
　前記第１の色の光の少なくとも一部を波長変換して，第２の色の光を発する波長変換層と，
　前記第１の色の光および前記第２の色の光を拡散する拡散層と，を備え，
　前記波長変換層は，前記半導体発光素子と前記拡散層との間に配置されており，
　前記拡散層は，マトリックスと該マトリックスに分散されている拡散材とを有し，
　前記波長変換層は，波長変換物質を含み，
　前記波長変換層の屈折率と前記マトリックスの屈折率との差が０．３以下であり，
　前記マトリックスの屈折率と前記拡散材の屈折率との差が０．０５以上であり，
　前記マトリックスの屈折率は，前記拡散材の屈折率よりも高いことを特徴とする発光モジュール。
　　【請求項２】
　前記拡散層と前記波長変換層とを接着する接着層を更に備え，
　前記接着層は，厚みが１．０［μｍ］以下である，
　ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
　　【請求項３】
　前記半導体発光素子は，青色の光を発し，
　前記青色の光のピーク波長をλｐ［μｍ］とすると，前記接着層の厚みｔ［μｍ］は，（１／８）λｐ＜ｔ＜（３／８）λｐを満たすことを特徴とする請求項２に記載の発光モジュール。
　　【請求項４】
　前記波長変換層は，賦活成分を有する板状のＹＡＧセラミックであり，
　前記マトリックスは，板状のＹＡＧセラミックであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光モジュール。
　　【請求項５】
　前記半導体発光素子は，
　搭載基板に対してバンプを介してフリップチップ実装されており，
　透明な基板の上に形成されている発光層と，
　前記バンプと電気的に接続され，前記発光層を貫通するように形成されている電極と，
　を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光モジュール。」
２　補正事項の整理
　本件補正の，請求項１についての補正事項は以下のとおりである。
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１の「前記第１の色の光および前記第２の色の光の少なくとも一方の光を拡散する拡散層」を，補正後の請求項１の「前記第１の色の光および前記第２の色の光を拡散する拡散層」に補正する。
〈補正事項２〉
　補正後の請求項１に「前記波長変換層は，前記半導体発光素子と前記拡散層との間に配置されており，」を加入する。
〈補正事項３〉
　補正前の請求項５を削除する。
〈補正事項４〉
　補正前の請求項６を，補正後の請求項５とするとともに，補正前の請求項６の「請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光モジュール」を，補正後の請求項５の「請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光モジュール」と補正する。
３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
（１）補正の目的について
　補正事項１は，「拡散層」について，その拡散する光を，補正前の「前記第１の色の光および前記第２の色の光の少なくとも一方の光」から，補正後の「前記第１の色の光および前記第２の色の光」として，技術的に限定するものである。
　補正事項２は，「波長変換層」について，その位置について，「前記半導体発光素子と前記拡散層との間に配置されており，」として，技術的に限定するものである。
　よって，補正事項１及び２は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　補正事項３は，補正前の請求項５を削除するものであるから，特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　補正事項４は，補正事項３に伴う請求項番号の整合を目的とするものであるから，特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
（２）新規事項の追加の有無について
　「拡散層」が「前記第１の色の光および前記第２の色の光を拡散する」こと，及び，「波長変換層」が，「前記半導体発光素子と前記拡散層との間に配置されて」いることは，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００１３】及び【００３２】等に記載されている。
　よって，前記補正事項１及び２は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　また，補正事項３及び４が，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
（３）小括
　上記のとおり，本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから，以下においては，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかについて検討する。
４　独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は，以下のとおりのものである（再掲。以下「本願補正発明」という。）。
「【請求項１】
　第１の色の光を発する半導体発光素子と，
　前記第１の色の光の少なくとも一部を波長変換して，第２の色の光を発する波長変換層と，
　前記第１の色の光および前記第２の色の光を拡散する拡散層と，を備え，
　前記波長変換層は，前記半導体発光素子と前記拡散層との間に配置されており，
　前記拡散層は，マトリックスと該マトリックスに分散されている拡散材とを有し，
　前記波長変換層は，波長変換物質を含み，
　前記波長変換層の屈折率と前記マトリックスの屈折率との差が０．３以下であり，
　前記マトリックスの屈折率と前記拡散材の屈折率との差が０．０５以上であり，
　前記マトリックスの屈折率は，前記拡散材の屈折率よりも高いことを特徴とする発光モジュール。」
（２）刊行物等に記載された発明
ア　引用例１：　特開２０１２−２８６６６号公報
（ア）原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０１２−２８６６６号公報（以下「引用例１」という。）には，図とともに，以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様。）
ａ「【０００１】
　本発明は，発光装置用部品，発光装置およびその製造方法に関する。
　・・・（中略）・・・
【０００７】
　そこで，本発明の目的は，
発光装置の製造工程の簡略化を図ることができる発光装置用部品，および，その発光装置用部品が用いられる発光装置
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　上記した目的を達成するため，
本発明の発光装置用部品は，発光ダイオードを封止できる封止樹脂層と，前記封止樹脂層の表面に形成され，蛍光を発光できる蛍光層と，前記封止樹脂層の裏面において，前記封止樹脂層が前記発光ダイオードを封止する領域を避けるように設けられる，光を反射できる反射層とを備える
【０００９】
　また，本発明の発光装置用部品では，前記反射層が，前記封止樹脂層が前記発光ダイオードを封止する領域を除く領域の全面に，パターン形成されていることが好適である。
【００１０】
　また，本発明の発光装置は，上記の発光装置用部品を備えることを特徴としている。」
ｂ「【００１６】
　図１は，本発明の発光装置用部品の第１実施形態の裏面図，図２は，図１に示す発光装置用部品のＡ−Ａ断面図である。
【００１７】
　・・・（中略）・・・
【００３２】
　
蛍光層３は，蛍光を発光できるとともに，光を透過できる層であって，封止樹脂層２よりもわずかに大きい平面視略矩形の平板形状に形成されている。このような蛍光層３は，発光装置１１（後述）において，発光ダイオード１３（後述）から生じる光を吸収して，蛍光を発光するために，封止樹脂層２の表面に設けられている
【００３３】
　
蛍光層３は，励起光として，波長３５０〜４８０ｎｍの光の一部または全部を吸収して励起され，励起光よりも長波長，例えば，５００〜６５０ｎｍの蛍光を発光する蛍光体を含有しており，より具体的には，例えば，蛍光体を含有する樹脂，例えば，蛍光体のセラミックス（蛍光体セラミックプレート）などが挙げられる
【００３４】
　・・・（中略）・・・
【００３８】
　蛍光層３として，放熱性の観点から，好ましくは，蛍光体セラミックス（蛍光体セラミックプレート）が挙げられる。
【００３９】
　すなわち，蛍光層３は，例えば，発光体の発熱などにより温度上昇し，その発光効率を低下させる場合があるが，蛍光体セラミックス（蛍光体セラミックプレート）は，放熱性に優れるため，その蛍光体セラミックス（蛍光体セラミックプレート）を用いれば，蛍光層３の温度上昇を抑制し，優れた発光効率を確保することができる。
【００４０】
　また，蛍光層３（蛍光体セラミックス）としては，発光ダイオード１３（後述）や蛍光体から生じる光が散乱によって損失することを抑制する観点から，好ましくは，透明かつ無散乱な（光を散乱しない）セラミックス（透光性セラミックス）が挙げられる。
【００４１】
　透光性セラミックスは，特に制限されないが，例えば，蛍光体セラミックス中のボイド（空隙）や不純物など，各種の光散乱源が除去され，透光性が高められることにより，形成される。
【００４２】
　また，ＹＡＧなどの等方性結晶材料においては，結晶方位による屈折率差がないため，多結晶性セラミックスであっても，単結晶同様に，透明かつ無散乱なセラミックス（透光性セラミックス）を得ることができる。
【００４３】
　また，
蛍光層３（蛍光体セラミックス）としては，蛍光の取り出し効率の向上や，蛍光の放射パターンの均一化を図る観点から，完全に透明化することなく，ある程度の光拡散性を備えることもできる
【００４４】
　
光拡散性を備えるには，蛍光体セラミックス内にボイド（空隙）や不純物などを形成するなど，公知の方法が採用される。また，例えば，蛍光体がＹＡＧ：Ｃｅである場合などには，これとは屈折率が異なる材料（例えば，アルミナなど）を添加し，異相を形成することなどにより，光拡散性を制御することもできる
【００４５】
　このような蛍光層３（蛍光体セラミックス）の全光線透過率（光拡散性）は，光学設計に応じて，適宜制御されるが，具体的には，全光線透過率（拡散透過率）が，例えば，４０％以上，好ましくは５０％以上，通常，９０％以下である。
【００４６】
　なお，蛍光層３の全光線透過率（拡散透過率）は，積分球などを用いて，公知の方法により，測定できる。ただし，蛍光体は，特定波長の光を吸収するため，その波長以外，すなわち，蛍光体が実質的に吸収を示さない励起波長以外の可視光波長域（例えば，ＹＡＧ：Ｃｅであれば，５５０〜８００ｎｍ）での光透過率を測定する。
【００４７】
　また，
このような蛍光層３は，単層構造として形成することができ，さらには，図示しないが，複数（２つ以上）の層を積層した多層構造として形成することもできる
ｃ「【０１４７】
　
発光装置１１では，例えば，発光ダイオード１３として近紫外発光ダイオードや青色発光ダイオードなどを用いるとともに，その光を励起光として，蛍光を生じる蛍光層３を用いることにより，それらの光を混色し，例えば，白色光を生じる発光装置１１（白色発光ダイオード）とすることができる
【０１４８】
　なお，発光装置１１において，発光ダイオード１３および蛍光層３の組み合わせ（混色の組み合わせ）は，上記に限定されず，必要および用途に応じて，適宜選択することができる。」
（イ）以上を総合すると，引用例１には以下の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明」という。）。
「製造工程の簡略化を図ることができる発光装置用部品１を用いた発光装置１１であって，
　発光装置用部品１は，発光ダイオード１３を封止できる封止樹脂層２と，封止樹脂層２の表面に形成され，蛍光を発光できる蛍光層３と，封止樹脂層２の裏面において，封止樹脂層２が発光ダイオード１３を封止する領域を避けるように設けられる，光を反射できる反射層４とを備え，
　蛍光層３は，蛍光を発光できるとともに，光を透過できる層であって，封止樹脂層２よりもわずかに大きい平面視略矩形の平板形状に形成され，発光装置１１において，発光ダイオード１３から生じる光を吸収して，蛍光を発光するために，封止樹脂層２の表面に設けられている蛍光体のセラミックス（蛍光体セラミックプレート）であり，
　蛍光層３（蛍光体セラミックス）としては，蛍光の取り出し効率の向上や，蛍光の放射パターンの均一化を図る観点から，完全に透明化することなく，ある程度の光拡散性を備えることができ，光拡散性を備えるには，蛍光体セラミックス内にボイド（空隙）や不純物などを形成し，また，例えば，蛍光体がＹＡＧ：Ｃｅである場合などには，これとは屈折率が異なる材料（例えば，アルミナなど）を添加し，異相を形成することなどにより，光拡散性を制御することもできるものであり，
　このような蛍光層３は，単層構造として形成することができ，複数（２つ以上）の層を積層した多層構造として形成することもできるものであり，
　発光ダイオード１３として近紫外発光ダイオードや青色発光ダイオードなどを用いるとともに，その光を励起光として，蛍光を生じる蛍光層３を用いることにより，それらの光を混色し，例えば，白色光を生じるものとすることができる，
発光装置１１。」
イ　引用例２：特開２００７−３３５７９８号公報
（ア）原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００７−３３５７９８号公報（以下「引用例２」という。）には，図とともに，以下の記載がある。
ａ「【請求項１】
　発光素子を収容し，該発光素子から発せられる光を取り出すための開口が形成されるケースと，
　前記
発光素子と前記開口の間に介在し，該発光素子から発せられる光を受けると波長変換光を発する蛍光体を含有した板状部材と，
　前記発光素子と前記板状部材を離隔して配置する離隔部材と，
　前記板状部材から前記開口へ向かって進む光を拡散させる拡散板と，を備えたことを特徴とする発光装置
ｂ「【００２３】
　図２は，発光装置の模式断面図である。
　図２に示すように，ケース４の傾斜部４１は，基板７に対する傾斜角度が４５°〜６０°となるよう形成される。傾斜部４１の内側は，透明な樹脂材１０が充填され，この樹脂材１０によりＬＥＤチップ２が封止されている。本実施形態においては，樹脂材１０として屈折率が１．５のシリコーン系の樹脂が用いられる。
【００２４】
　また，板状部材載置部４２及び板状部材位置決め部４３と，拡散板載置部４４及び拡散板位置決め部４５が，それぞれケース４の径方向内側で段状をなしている。板状部材６及び拡散板５はそれぞれ円板状に形成され，ケース４の段状部分に取り付けられる。尚，図２においては板状部材６，拡散板５及びケース４が互いに密着したものを図示しているが，これらは必ずしも密着させる必要はない。例えば，板状部材６，拡散板５及びケース４の間に遊びを持たせ，板状部材６，拡散板５とほぼ同じ屈折率の透明樹脂を用いて互いの空隙が満たされるようにしてもよい。
【００２５】
　
板状部材６は，厚さが均一であり，黄色蛍光体が含まれるシリコーン系の光透過性樹脂である
【００２６】
　拡
散板５は，厚さが均一であり，有機材中に分散された無機材を含む光透過性の有機・無機のハイブリッド材である
【００２７】
　基板７は，アルミナからなり，実装面の反射率が比較的高いものとなっている。尚，基板の材質としては，アルミナの他にシリコン（Ｓｉ）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等を用いてもよいし，白色の樹脂を用いてもよい。基板７の表面に形成された上面配線部７１，７２は，ツェナーダイオード８の各電極８１，８２を介してＬＥＤチップ２の各電極２１，２２と電気的に接続される。基板７の裏面には，ＬＥＤチップ２に対して電源電圧を供給するための下面配線部７３，７４が形成されている。そして，上面配線部７１，７２と下面配線部７３，７４とは，基板７を上下に貫通する導電性のビア７５，７６により電気的に接続されている。
【００２８】
　上面配線部７１，７２及び下面配線部７３，７４は，例えばタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属によりビア７５，７６と一体的に形成されている。尚，上面配線部７１，７２及び下面配線部７３，７４の表面には，ニッケル（Ｎｉ），アルミニウム（Ａｌ），白金（Ｐｔ），チタン（Ｔｉ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ）等の金属層が必要に応じて形成される。
【００２９】
　図３はＬＥＤチップの模式断面図である。
　　・・・（中略）・・・
【００３１】
　以上のように構成された発光装置１では，ＬＥＤチップ２のｐ電極２１とｎ電極２２の間に所定の電圧を印加すると，ｐ電極２１からｐ−ＧａＮ層２７を介して発光層２６に通電され，さらに，ｎ−ＧａＮ層２５を経てｎ電極２２に電流が流れることにより発光層２６が発光する。発光層２６で生じた光は，ｎ−ＧａＮ層２５，ＡｌＮバッファ層２４及びサファイア基板２３を通じてケース４内に出射される。そして，
ＬＥＤチップ２から出射された光は，樹脂材１０，板状部材６及び拡散板５を通じてケース４から外部へ出射する
【００３２】
　ここで，ＬＥＤチップ２と板状部材６とが離隔しており，図４に示すように，ＬＥＤチップ２から発せられた光は，板状部材６へ向かって所定距離だけ進んでから板状部材６へ入射する。ここで，図４は，ＬＥＤチップから発せられた光の進路を示す説明図である。これにより，板状部材６とＬＥＤチップ２が隣接する従来のもののように蛍光体にて反射した光が直接的にＬＥＤチップ２へ入射することはなく，板状部材６にて反射する光のＬＥＤチップ２への入射量を減じることができる。
【００３３】
　また，ＬＥＤチップ２と板状部材６とが離隔していることから，ＬＥＤチップ２から発せられる光の板状部材６への入射角の差が小さくなる。これにより，板状部材６へ入射してから出射するまでの行路差が小さくなり，板状部材６を透過する光の行路差による色むらが小さくなる。
【００３４】
　また，樹脂材１０の屈折率が１．５，板状部材６の屈折率が１．４５，拡散板５の屈折率が１．４であり，ＬＥＤチップ２側からケース４の開口３へ向かって屈折率が小さくなっていく。これにより，樹脂材１０と板状部材６の界面と，板状部材６と拡散板５の界面におけるＬＥＤチップ２から出射した光の臨界角を大きくとることができる。
【００３５】
　さらに，ＬＥＤチップ２内においても，半導体部分の屈折率が２．４，サファイア基板２３の屈折率が１．７７であり，発光層２６から外部へ向かって屈折率が小さくなっていくことから，半導体部分とサファイア基板２３の界面における発光層２６にて生じた光の臨界角を大きくとることができる。
　また，サファイア基板２３の屈折率が１．７７で，樹脂材１０の屈折率が１．５であることから，ＬＥＤチップ２と樹脂材１０の界面における光の臨界角もまた大きくとることができる。
【００３６】
　このように，本実施形態の発光装置１によれば，板状部材６にて反射する光のＬＥＤチップ２への入射量が減じられるので，ＬＥＤチップ２内で吸収される光が減り，光取り出し効率を向上させることができる。また，ＬＥＤチップ２内にて発光層２６から外部へ向かって屈折率が小さくするとともに，ＬＥＤチップ２側からケース４の開口３へ向かって屈折率を小さくしたことから，これによっても光取り出し効率を向上させることができる。
【００３７】
　また，板状部材６を透過する光の色むらが小さくなることから，ケース４から取り出される光の色むらを低減することができる。また，板状部材６を透過した光を拡散させる拡散板５を設けたことから，板状部材６を透過した光が混ざり合い，これによってもケース４から取り出される光の色むらを低減することができる。」
（イ）以上から，引用例２には次の技術事項が記載されていると認められる。
「ＬＥＤチップ２と開口の間に介在し，ＬＥＤチップ２から発せられる光を受けると波長変換光を発する蛍光体を含有した板状部材６と，
　ＬＥＤチップ２と板状部材６を離隔して配置する樹脂材１０と，
　板状部材６から前記開口へ向かって進む光を拡散させる拡散板５と，を備えたことを特徴とする発光装置において，
　板状部材６は，厚さが均一であり，黄色蛍光体が含まれるシリコーン系の光透過性樹脂であり，
　拡散板５は，厚さが均一であり，有機材中に分散された無機材を含む光透過性の有機・無機のハイブリッド材であって，
　ＬＥＤチップ２から出射された光は，樹脂材１０，板状部材６及び拡散板５を通じてケース４から外部へ出射する，発光装置１。」
ウ　引用例３：特表２０１２−５３３１７５号公報
（ア）原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特表２０１２−５３３１７５号公報（以下「引用例３」という。）には，図とともに，以下の記載がある。
ａ「【００３６】
　
図２Ａ及び図２Ｂは，半導体発光装置（ＬＥＤ）２０７（例えば，発光ダイオード及び／又はレーザダイオード）上の封入材料の１つ又はそれよりも多くの層内に配分された非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１（非発光ＹＡＧ拡散粒子のような）及び蛍光体粒子２１５を有する発光構造体２００ａ及び２００ｂを示している
封入材料２０９は，そこに非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１と蛍光体粒子２１５とを含むことができ，非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１と蛍光体粒子２１５とは異なる組成を有する
【００３７】
　非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１は，約５０μｍ（マイクロメートル）未満の幅又は直径を有する実質的に球状のＹＡＧ拡散粒子とすることができる。より詳細には，非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１の各粒子は，約２μｍ（マイクロメートル）から約２５μｍ（マイクロメートル）の範囲の幅又は直径を有するＹＡＧ拡散粒子とすることができる。更に，非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１は，少なくとも約１．８，より詳細には，１．８３の屈折率を有することができる。
【００３８】
　封入材料２０９は，液体状態で分注することができ，次に，硬化／固化することができる材料とすることができる。
例えば，封入材料２０９は，エポキシ，樹脂，シリコーン，プラスチック，及び／又は他の透明又は半透明材料とすることができ
【００３９】
　図１Ａで更に示すように，非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１及び／又は蛍光体粒子２１５は，封入材料２０９全体を通して分布させることができる。本発明の他の実施形態により，半導体発光装置２０７に隣接する非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１及び／又は蛍光体粒子２１５の第１の濃度は，半導体発光装置２０７からより離れた非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１及び／又は蛍光体粒子２１５の第２の濃度よりも高濃度とすることができる。例えば，非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１及び／又は蛍光体粒子２１５は，封入材料２０９を硬化する前に発光装置２０７の近くに沈殿させる（意図的又は無意図的に）ことができる。
【００４０】
　本発明の一部の実施形態により，
ＬＥＤ２０７は，封入材料２０９（非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１及びセリウムドープＹＡＧ蛍光体粒子２１５を含む）を透過する実質的に青色の光を発生することができる。セリウムドープＹＡＧ蛍光体粒子２１５と相互作用する青色光の一部分は，黄色光に変換することができる。非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１（ＹＡＧ拡散粒子のような）は，青色光及び黄色光を更に拡散することができ，より良好な色均一性を有する白色光を提供する
【００４１】
　
図２Ｂの照明構造体２００ｂは，蛍光体粒子２１５と非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１とが，封入材料の個別の層２０９ａ及び２０９ｂに設けられることを除いては，照明構造体２００ａと同じものである
【００４２】
　
図２Ｂに示すように，封入材料の層２０９ａは，蛍光体粒子２１５を含むことができ，封入材料の層２０９ｂは，非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１を含むことができる。更に，封入材料の層２０９ａは，非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１を実質的に含まない場合があり，封入材料の層２０９ｂは，蛍光体粒子２１５を実質的に含まない場合がある
ｂ　ここで，図２Ｂは以下のものである。
（イ）以上から，引用例３には次の技術事項が記載されていると認められる。
「半導体発光装置（ＬＥＤ）２０７（例えば，発光ダイオード及び／又はレーザダイオード）上の封入材料２０９の１つよりも多くの層内に配分された非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１（非発光ＹＡＧ拡散粒子のような）及び蛍光体粒子２１５を有する発光構造体であって，
　封入材料２０９は，エポキシ，樹脂，シリコーン，プラスチック，及び／又は他の透明又は半透明材料とすることができ
　蛍光体粒子２１５と非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１とが，封入材料の個別の層２０９ａ及び２０９ｂに設けられ，
　封入材料の層２０９ａは，非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１を実質的に含まない場合があり，封入材料の層２０９ｂは，蛍光体粒子２１５を実質的に含まない場合があり，
　ＬＥＤ２０７が，封入材料２０９（非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１及びセリウムドープＹＡＧ蛍光体粒子２１５を含む）を透過する実質的に青色の光を発生することができ，セリウムドープＹＡＧ蛍光体粒子２１５と相互作用する青色光の一部分は，黄色光に変換することができ，非発光蛍光体ホスト拡散粒子２１１（ＹＡＧ拡散粒子のような）は，青色光及び黄色光を更に拡散することができ，より良好な色均一性を有する白色光を提供する。」
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを比較する。
ア　引用発明においては，「発光ダイオード１３として」「青色発光ダイオードなどを用いる」ことが含まれるから，当該「発光ダイオード１３」は，本願補正発明の「第１の色の光を発する半導体発光素子」に相当する。
イ　引用発明においては，「蛍光層３は，蛍光を発光できるとともに，光を透過できる層であって，・・・，発光装置１１において，発光ダイオード１３から生じる光を吸収して，蛍光を発光する」ものであり，「発光ダイオード１３として近紫外発光ダイオードや青色発光ダイオードなどを用いるとともに，その光を励起光として，蛍光を生じる蛍光層３を用いることにより，それらの光を混色し，例えば，白色光を生じるもの」であるから，「発光ダイオード１３」「の光」と「蛍光体層３」の光とは異なる色であることは明らかである。よって，当該「蛍光体層３」は，本願補正発明の「前記第１の色の光の少なくとも一部を波長変換して，第２の色の光を発する波長変換層」に相当する。
ウ　引用発明の，「蛍光層３（蛍光体セラミックス）としては，蛍光の取り出し効率の向上や，蛍光の放射パターンの均一化を図る観点から，完全に透明化することなく，ある程度の光拡散性を備えることができ，光拡散性を備えるには，蛍光体セラミックス内にボイド（空隙）や不純物などを形成し，また，例えば，蛍光体がＹＡＧ：Ｃｅである場合などには，これとは屈折率が異なる材料（例えば，アルミナなど）を添加し，異相を形成することなどにより，光拡散性を制御することもできるもの」において，「ボイド（空隙）や不純物」，及び「例えば，蛍光体がＹＡＧ：Ｃｅである場合などには，これとは屈折率が異なる材料（例えば，アルミナなど）」は，光拡散のためのものであることは明らかである。また，上記イのとおり，引用発明においては，「青色発光ダイオードなどを用いるとともに，その光を励起光として，蛍光を生じる蛍光層３を用いることにより，それらの光を混色し，例えば，白色光を生じるもの」であるところ，当該「青色発光ダイオードなど」からの光も，前記「光拡散性を制御することもできるもの」により光拡散性が制御されることは明らかである。
　よって，引用発明の上記構成と，本願補正発明の「前記第１の色の光および前記第２の色の光を拡散する拡散層」であって，「前記拡散層は，マトリックスと該マトリックスに分散されている拡散材とを有」することとは，「前記第１の色の光および前記第２の色の光を拡散する機能を有する層が，層内に分散されている拡散材を有」する点で一致する。
エ　引用発明において，「蛍光層３は，・・・蛍光体のセラミックス（蛍光体セラミックプレート）であ」ることは，本願補正発明の「前記波長変換層は，波長変換物質を含」むことに相当する。
オ　引用発明の「発光装置１１」は，本願補正発明の「発光モジュール」に相当する。
カ　したがって，引用発明と本願補正発明とは，次の点で一致する。
「　第１の色の光を発する半導体発光素子と，
　前記第１の色の光の少なくとも一部を波長変換して，第２の色の光を発する波長変換層と，を備え，
　前記第１の色の光および前記第２の色の光を拡散する機能を有する層が，層内に分散されている拡散材を有し，
　前記波長変換層は，波長変換物質を含む，
発光モジュール。」
キ　一方，両者は，以下《相違点１》〜《相違点３》の点で相違する。
《相違点１》
　本願補正発明は，「前記第１の色の光および前記第２の色の光を拡散する拡散層と，を備え，前記波長変換層は，前記半導体発光素子と前記拡散層との間に配置されており」との構成を備えるのに対し，引用発明は，「前記第１の色の光および前記第２の色の光を拡散する機能を有する層」を備えるものの，当該層は「蛍光層３」でもあり，個別に設けられた「拡散層」ではなく，本願補正発明に係る「前記波長変換層は，前記半導体発光素子と前記拡散層との間に配置されており」との構成も備えない点。
《相違点２》
　本願補正発明は，「前記拡散層は，マトリックスと該マトリックスに分散されている拡散材とを有し，」「前記マトリックスの屈折率と前記拡散材の屈折率との差が０．０５以上であり，前記マトリックスの屈折率は，前記拡散材の屈折率よりも高い」との構成を備えるが，引用発明は「光拡散性を備えるには，蛍光体セラミックス内にボイド（空隙）や不純物などを形成し，また，例えば，蛍光体がＹＡＧ：Ｃｅである場合などには，これとは屈折率が異なる材料（例えば，アルミナなど）を添加し，異相を形成する」との構成は備えるものの，本願補正発明に係る前記構成は備えない点。
《相違点３》
　本願補正発明は，「前記波長変換層の屈折率と前記マトリックスの屈折率との差が０．３以下であ」るとの構成を備えるが，引用発明は「蛍光層３」とは別個に設けられた「拡散層」を備えないことから，本願補正発明に係る前記構成も備えない点。
（４）判断
　上記各相違点について検討する。
ア　相違点１について
　引用発明は，「蛍光層３は，蛍光を発光できるとともに，光を透過できる層であって，封止樹脂層２よりもわずかに大きい平面視略矩形の平板形状に形成され，発光装置１１において，発光ダイオード１３から生じる光を吸収して，蛍光を発光するために，封止樹脂層２の表面に設けられている蛍光体のセラミックス（蛍光体セラミックプレート）であり，」「蛍光層３（蛍光体セラミックス）としては，蛍光の取り出し効率の向上や，蛍光の放射パターンの均一化を図る観点から，完全に透明化することなく，ある程度の光拡散性を備えることができ，光拡散性を備えるには，蛍光体セラミックス内にボイド（空隙）や不純物などを形成し，また，例えば，蛍光体がＹＡＧ：Ｃｅである場合などには，これとは屈折率が異なる材料（例えば，アルミナなど）を添加し，異相を形成することなどにより，光拡散性を制御することもできるものであ」る。
　一方，引用例２及び３について，それぞれ前記４（２）イ及びウで摘示したとおり，波長変換材料を含む層と，当該層上の光を拡散する層との２層構造により波長変換とともに光拡散を行うことは，従来より周知の技術である。
　そして，引用発明が「蛍光層３は，単層構造として形成することができ，複数（２つ以上）の層を積層した多層構造として形成することもできるものであ」ることも考慮すると，引用発明において，上記周知技術を適用して，セラミックからなる蛍光体層３について，蛍光体としての機能を有する層，すなわち，波長変換を行う層についてはＣｅで賦活されたＹＡＧからなる蛍光体セラミックからなる層と，当該波長変換を行う層上の拡散層としての作用を有する層，すなわち，波長変換することがない，賦活されていないＹＡＧから成るセラミックであって，ボイド（空隙）や不純物などを形成し，また，ＹＡＧとは屈折率が異なるアルミナなどを添加した光拡散性を備える層，との２層構造からなるものとすることは当業者が適宜になし得たことである。
　なお，Ｃｅで賦活されたＹＡＧからなる蛍光体セラミックからなる層と，賦活されていないＹＡＧから成る２層構造は，以下の参考文献にも示されているものであって，なんら格別なものではない。
　よって，引用発明において相違点１に係る構成を備えることは当業者が適宜になし得たことである。
　参考文献：国際公開２０１１/９７１３７号
　本願の優先権主張の日前に外国において頒布された刊行物である国際公開２０１１/９７１３７号には，図とともに，以下の記載がある。なお，日本語訳は，ファミリ文献である特表２０１３−５１８７９７号公報を参考に作成した。
「[0060] In one embodiment, as shown in Fig. 5, a light-emitting device 21 comprises a semiconductor light-emitting source 26 comprising a light-emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region, and a laminated wavelength- converting ceramic composite 20 disposed adjacent to the light-emitting source 26 in a path of light 28 emitted by the light-emitting source 26; and the laminated wavelength-converting ceramic composite 20 comprises a wavelength-converting ceramic layer 22 of an emissive material (the composite laminate, comprising a wavelength-converting ceramic layer, having a wavelength conversion efficiency of at least about 0.650) and a non-emissive layer 24 of a substantially transparent material, wherein the non-emissive transparent layer has a thickness greater than the wavelength-converting ceramic layer, and the wavelength-converting ceramic layer and non-emissive layers are in the form of sintered ceramic tape cast layers. In this embodiment, the wavelength-converting ceramic layer 22 is disposed adjacent to the semiconductor light emitting source 26, e.g., below the non-emissive layer 24 and above the semiconductor light emitting source 26. 」
（日本語訳：
[0060]　一実施形態では，図５に示すように，発光素子２１は，ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体発光源２６と，発光源２６によって照射された光２８の経路に
発光源２６に隣接して配置された積層波長変換セラミック複合体２０とを含み，積層波長変換セラミック複合体２０は，発光材料（少なくとも約０．６５０の波長変換効率を有する波長変換セラミック層を含む複合積層体）の波長変換セラミック層２２と，実質的に透明な材料の非発光層２４とを含み
波長変換セラミック層２２は，半導体発光源２６に隣接して，例えば，非発光層２４下で半導体発光源２６上に配置されている
イ　相違点２について
　上記アのとおり，引用発明において，セラミックからなる蛍光体層３について，蛍光体としての機能を有する層，すなわち，波長変換を行う層についてはＣｅで賦活されたＹＡＧからなる蛍光体セラミックからなる層と，当該波長変換を行う層上の拡散層としての作用を有する層，すなわち，波長変換することがない，賦活されていないＹＡＧから成るセラミックであって，ボイド（空隙）や不純物などを形成し，また，ＹＡＧとは屈折率が異なるアルミナなどを添加した光拡散性を備える層，との２層構造からなるものとすることは当業者が適宜になし得たことである。
　ここで，波長変換することがない，賦活されていないＹＡＧから成るセラミックが，本願補正発明における，「拡散層」が有する「マトリックス」に相当するものとなる。
　上記２層構造中の，拡散層としての作用を有する層においては，拡散剤として，ボイド（空隙）が形成されるか，アルミナなどが添加されるところ，これらはいずれも，ＹＡＧよりも屈折率が０．０５以上低いことは明らかであるから，上記２層構造においては，相違点２に係る，「前記拡散層は，マトリックスと該マトリックスに分散されている拡散材とを有し，」「前記マトリックスの屈折率と前記拡散材の屈折率との差が０．０５以上であり，前記マトリックスの屈折率は，前記拡散材の屈折率よりも高い」との構成を備えるものとなる。
　よって，引用発明において相違点２に係る構成を備えることは当業者が適宜になし得たことである。
ウ　相違点３について
　前記ア，イのとおり，引用発明において，セラミックからなる蛍光体層３について，蛍光体としての機能を有する層，すなわち，波長変換を行う層についてはＣｅで賦活されたＹＡＧからなる蛍光体セラミックからなる層と，当該波長変換を行う層上の拡散層としての作用を有する層，すなわち，波長変換することがない，賦活されていないＹＡＧから成るセラミック（本願補正発明における「マトリックス」）であって，ボイド（空隙）や不純物などを形成し，また，ＹＡＧとは屈折率が異なるアルミナなどを添加した光拡散性を備える層，との２層構造からなるものとすることは当業者が適宜になし得たことである。
　ここで，波長変換を行う層を構成する，Ｃｅで賦活されたＹＡＧと，拡散層としての作用を有する層を構成する，賦活されていないＹＡＧとは，Ｃｅによる賦活の有無の差はあるものの，それらの間の屈折率の差はごく少ないものであって，相違点３に係る「前記波長変換層の屈折率と前記マトリックスの屈折率との差が０．３以下であ」るとの構成を備えるものといえる。
　よって，引用発明において相違点３に係る構成を備えることは当業者が適宜になし得たことである。
（５）小括
　よって，本願補正発明は，引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　よって，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
５　まとめ
　以上のとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成３０年１０月４日にされた手続補正は，上記のとおり却下され，同年５月３１日にされた手続補正は既に却下されているので，本願の請求項１に係る発明は，平成２９年１１月１３日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（以下「本願発明」という。）
「【請求項１】
　第１の色の光を発する半導体発光素子と，
　前記第１の色の光の少なくとも一部を波長変換して，第２の色の光を発する波長変換層と，
　前記第１の色の光および前記第２の色の光の少なくとも一方の光を拡散する拡散層と，
を備え，
　前記拡散層は，マトリックスと該マトリックスに分散されている拡散材とを有し，
　前記波長変換層は，波長変換物質を含み，
　前記波長変換層の屈折率と前記マトリックスの屈折率との差が０．３以下であり，
　前記マトリックスの屈折率と前記拡散材の屈折率との差が０．０５以上であり，
　前記マトリックスの屈折率は，前記拡散材の屈折率よりも高いことを特徴とする発光モジュール。」
２　原査定の理由
　原査定の拒絶の理由は，本願発明は，引用例１〜３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
３　引用発明
　引用発明は，前記第２の４「（２）刊行物等に記載された発明」に記載したとおりのものである。
　
４　対比・判断
　前記第２「１　本件補正の内容」〜第２「３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討」において記したように，本願補正発明は，本件補正前の請求項１の「拡散層」について，その拡散する光を，補正前の「前記第１の色の光および前記第２の色の光の少なくとも一方の光」から，補正後の「前記第１の色の光および前記第２の色の光」として，技術的に限定し，また，本件補正前の請求項１の「波長変換層」について，その位置について，「前記半導体発光素子と前記拡散層との間に配置されており，」として，技術的に限定するものである。言い換えると，本願発明は，本願補正発明から上記限定事項を除いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２　４「（３）対比」〜第２　４「（５）小括」において検討したとおり，引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。