【事件の表示】
　平成　８年特許願第３２０７９７号「３族窒化物半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月　２日出願公開、特開平１０−１５０２１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年１１月１５日の出願であって、原審において、平成１５年１１月４日付で拒絶理由が通知され、これに対し、平成１６年１月８日付で手続補正がなされたところ、同年３月１５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月１７日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年５月１７日付の手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１６年５月１７日付の手続補正を却下する。
　［理由］
　（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は，
　「【請求項１】３族窒化物半導体により形成され、活性層と、その活性層よりも禁制帯幅の広いガイド層と、そのガイド層より禁制帯幅の広いクラッド層にて構成されるキャリア閉じ込めと光の閉じ込めを分離させたレーザ素子において、
　前記活性層はｐ型の前記クラッド層とｎ型の前記ガイド層に挟まれており、
　ｎ型の前記ガイド層は前記活性層とｎ型の前記クラッド層に挟まれており、
　ｐ型の前記クラッド層の厚さは３００ｎｍ〜１μｍであり、
　ｎ型の前記ガイド層の厚さは５０ｎｍ〜３００ｎｍ
であって、シリコンが1×10
17
/cm
3
〜1×10
20
/cm
3
添加されており、
　前記活性層は窒化ガリウム(GaN)をバリア障壁層、窒化インジウムガリウム(InxGa1-xN、0＜x＜1)を井戸層とする多重量子井戸構造である
ことを特徴とする３族窒化物半導体レーザ素子。」
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「ｎ型の前記ガイド層」について「シリコンが1×1017/cm3〜1×1020/cm3添加されており」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平８−２１３６９４号公報（以下、「引用例」という。）には，図面とともに、
　ア．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなるレーザ素子に関する。」
　イ．「【０００７】図１は本発明の最も好ましい窒化物半導体レーザ素子の構造を示す模式的な断面図であり、具体的な電極ストライプ型レーザ素子の構造を示している。また、図２は図１のレーザ素子の形状を示す斜視図であり、図１よりも現実に近い素子形状を示している。図１は図２に示すストライプ状の窒化物半導体層に垂直な方向で切断した際の模式的な断面図を示している。このレーザ素子は基板１の上にｎ型コンタクト層２、第一のｎ型クラッド層３、第二のｎ型クラッド層４、活性層５、第一のｐ型クラッド層６、ｐ型コンタクト層７が順に積層された、いわゆる分離閉じ込め型のダブルへテロ構造を有している。さらにｐ型コンタクト層７の表面にはＳｉＯ2よりなる電流狭窄層８が形成されており、この電流狭窄層８を介して正電極２０がｐ型コンタクト層７に形成されている。ｐ型コンタクト層７、第一のｐ型クラッド層６、活性層５、第二のｎ型クラッド層４、第一のｎ型クラッド層３、およびｎ型コンタクト層２の一部がストライプ状にエッチングされて、電極ストライプ型のレーザ素子の構造とされている。さらにｎ型コンタクト層のストライプ幅（ｂ）は基板の幅（ａ）よりも狭く調整されている。ストライプ状の負電極１０はエッチングにより露出されたｎ型コンタクト層２と基板１とに亙って形成されている。」
　ウ．「【００１０】次の第一のｎ型クラッド層３は第二のｎ型クラッド層よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体を形成し、特に前記ドナー不純物をドープしたｎ型ＡｌＧａＮは結晶性が良く、またバンドギャップの大きい半導体層が得られる。」
　エ．「【００１１】次の第二のｎ型クラッド層４は活性層５よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体層を形成し、特に前記ドナー不純物をドープしたｎ型ＩｎＧａＮが好ましい。また後に述べるように、第二のｎ型クラッド層４は活性層５との組み合わせにおいてもＩｎＧａＮが好ましく、レーザ発振させるためにはＩｎＧａＮよりなるこの第二のｎ型クラッド層４を形成することは特に好ましい。」
　オ．「【００１２】次の活性層５はノンドープのｎ型ＩｎＧａＮとすると、およそ６３５ｎｍ〜３６５ｎｍの範囲にわたってバンド間発光が得られる。好ましくはインジウムのモル比をガリウムに対して半分以下にしたｎ型ＩｎＧａＮが結晶性が良く、レーザ素子の寿命が長い。また、活性層を数十オングストロームの膜厚で２層以上積層した多層膜、つまり多重量子井戸構造としてもよい。」
　カ．「【００１３】次に、第一のｐ型クラッド層６は活性層５よりもバンドギャップの大きい窒化物半導体で形成し、特に好ましくはアクセプター不純物をドープしたｐ型ＡｌＧａＮにすると結晶性が良く、またバンドギャップの大きい半導体層が得られる。またアクセプター不純物ドープ後、さらに低抵抗なｐ型にする目的で２００℃以上でアニーリングを行っても良い。アクセプター不純物としては例えばＺｎ、Ｍｇ、Ｃｄ等のII族元素、Ｃ（カーボン）等がある。」
　キ．「【００１４】また第一のｐ型クラッド層６と活性層５との間に、活性層５よりもバンドギャップが大きく、第一のクラッド層６よりもバンドギャップが小さい第二のｐ型クラッド層を挿入しても良い。第二のｐ型クラッド層はアクセプター不純物をドープしたｐ型ＩｎＧａＮが好ましい。ここで、第二のｎ型クラッド層４と活性層５と第二のｐ型クラッド層（第二のｐ型クラッド層は特に成長しなくても良い。）との組み合わせにおいて、活性層５の膜厚を３００オングストロームよりも薄くすることにより活性層とクラッド層との界面に、弾性的な歪が発生し、歪量子井戸構造のレーザ素子が実現されるので、レーザ発振が容易となる。特にこの弾性的な歪は活性層５を膜厚の薄いＩｎＧａＮとし、クラッド層を活性層よりもバンドギャップの大きいＩｎＧａＮあるいはＡｌＧａＮとした際に発生する傾向にある。」
　ク．「【００１９】
【実施例】
［実施例１］図１および、図２を元に実施例１を説明する。厚さ３５０μｍのサファイア基板１上に、ＧａＮよりなるバッファ層を２００オングストローム、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層２を５μｍ、Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｎ型クラッド層３を０．１μｍ、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる第二のｎ型クラッド層４を５００オングストローム、ノンドープＩｎ0.08Ｇａ0.92Ｎよりなる活性層５を１００オングストローム、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｐ型クラッド層６を０．１μｍ、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層７を０．５μｍの膜厚で順に成長させたウェーハを用意する。」
が記載されている。
　
　これらア〜クの記載によれば、引用例には、
「窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）により形成され、活性層５と、活性層５よりもバンドギャップが大きい第二のｎ型クラッド層４と、第二のｎ型クラッド層４よりもバンドギャップが大きい第一のｎ型クラッド層３およびｐクラッド層６にて構成される分離閉じ込め型のレーザ素子であって、
　前記活性層５は前記ｐ型クラッド層６と前記第二のｎ型クラッド層４に挟まれており、
　前記第二のｎ型クラッド層４は前記活性層５と前記第一のｎ型クラッド層３に挟まれており、
　前記ｐ型クラッド層６の厚さは０．１μｍであり、
　前記第二のｎ型クラッド層４の厚さは５００オングストロームであって、シリコンが添加されており、
　前記活性層５は、窒化インジウムガリウム(InxGa1-xN、0＜x＜1)からなり、多重量子井戸構造であってもよい３族窒化物半導体レーザ素子。」
との発明が記載されていると認められる（以下、「引用例発明」という。）。
　
　（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例発明とを比較する。
　ａ．引用例発明の「窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）」、「分離閉じ込め型のレーザ素子」は、本願補正発明の「３族窒化物半導体」、「キャリア閉じ込めと光の閉じ込めを分離させたレーザ素子」に、それぞれ相当し、
　ｂ．上記ウ，エ，カ，キに記載されたバンドギャップの大きさの関係からみて、引用例発明の「活性層５よりもバンドギャップが大きい第二のｎ型クラッド層４」、「ｐ型クラッド層６」、「第二のｎ型クラッド層４よりもバンドギャップが大きい第一のｎ型クラッド層３」は、本願補正発明の「活性層よりも禁制帯幅の広いガイド層」、「ｐ型の前記クラッド層」、「ｎ型の前記クラッド層」に、それぞれ相当し、
　ｃ．引用例発明の「第二のｎ型クラッド層４」の厚さが５００オングストローム、すなわち、５０ｎｍであるとの事項は、本願補正発明の「ｎ型の前記ガイド層」の厚さについての「５０ｎｍ〜３００ｎｍ」との数値範囲と５０ｎｍにおいて一致し、
　ｄ．引用例発明の活性層と、本願補正発明の活性層とは、窒化インジウムガリウム(InxGa1-xN、0＜x＜1)を含んでなる点および多重量子井戸構造である点で一致するから、
　両者は、
「３族窒化物半導体により形成され、活性層と、その活性層よりも禁制帯幅の広いガイド層と、そのガイド層より禁制帯幅の広いクラッド層にて構成されるキャリア閉じ込めと光の閉じ込めを分離させたレーザ素子であって、
　前記活性層はｐ型の前記クラッド層とｎ型の前記ガイド層に挟まれており、
　ｎ型の前記ガイド層は前記活性層とｎ型の前記クラッド層に挟まれており、
　ｎ型の前記ガイド層の厚さは５０ｎｍであって、シリコンが添加されており、
　前記活性層は、窒化インジウムガリウム(InxGa1-xN、0＜x＜1)を含んでなる多重量子井戸構造である３族窒化物半導体レーザ素子。」
の点で一致し，以下の点で相違している。
　
　［相違点１］ｐ型のクラッド層の厚さについて、本願補正発明は「３００ｎｍ〜１μｍ」としているのに対し、引用例発明においては、０．１μｍ、すなわち、１００ｎｍである点。
　
　［相違点２］ｎ型のガイド層へのシリコンの添加量について、本願補正発明は「1×1017/cm3〜1×1020/cm3」としているのに対し、引用例発明ではシリコンの添加量が不明である点。
　
　［相違点３］活性層の構成について、本願補正発明においては、「活性層は窒化ガリウム(GaN)をバリア障壁層、窒化インジウムガリウム(InxGa1-xN、0＜x＜1)を井戸層とする多重量子井戸構造である」のに対し、引用例発明においては、窒化インジウムガリウムを含む多重量子井戸構造であるものの、障壁層等の具体的構成が明らかではない点。
　
　（４）判断
　［相違点１］について
　ｐ型のクラッド層の厚さを、光の閉じ込めができるようにクラッド層の組成等に応じて設計することは、クラッド層の機能からみて自明の事項であり、本願補正発明においても、そのような設計の結果として「３００ｎｍ〜１μｍ」という数値範囲を定めているにすぎない（本願の段落【００３１】を参照。）。しかも、窒化物半導体レーザ素子の活性層に接するｐ層の厚さを３００ｎｍ〜１μｍの範囲内としたものも知られている（前置報告書で提示された特開平８−１５３９３３号公報の段落【００１５】を参照。）ことからみても、ｐ型のクラッド層の厚さを「３００ｎｍ〜１μｍ」とすることは、当業者の通常の創作活動の範囲内のことにすぎず、格別の事項とはいえない。
　
　［相違点２］について
　窒化物半導体レーザ素子において、ガイド層に添加するシリコン等のドーパントの添加量を1×1017/cm3〜1×1020/cm3程度にすることは周知である（例えば、特開平８−１３９３６１号公報の段落【００３２】および【００３４】，特開平６−２１５１１号公報の段落【００１４】，特開平８−１８１５９号公報の段落【００１６】および【００３０】を参照。）から、引用例発明において、ガイド層へのシリコンの添加量を1×1017/cm3〜1×1020/cm3とすることは、当業者が適宜なしうる事項にすぎない。
　
　［相違点３］について
　窒化物半導体レーザ素子の活性層として、窒化ガリウムをバリア障壁層、窒化インジウムガリウムを井戸層とする多重量子井戸構造のものを用いることは周知である（例えば、特開平８−１８１５９号公報の段落【００１６】および【００３０】，特開平６−２１５１１号公報の段落【００１４】を参照。）から、引用例発明において、上記周知技術を適用し、活性層を、窒化ガリウムをバリア障壁層、窒化インジウムガリウムを井戸層とする多重量子井戸構造のものとすることは、当業者が容易に想到することができたものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり，同法第１５９条１項で読み替えて準用する同法第５３条１項の規定により却下されるべきものである。　
　
３．本願発明について
　平成１６年５月１７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１６年１月８日付手続補正の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】３族窒化物半導体により形成され、活性層と、その活性層よりも禁制帯幅の広いガイド層と、そのガイド層より禁制帯幅の広いクラッド層にて構成されるキャリア閉じ込めと光の閉じ込めを分離させたレーザ素子において、
　前記活性層はｐ型の前記クラッド層とｎ型の前記ガイド層に挟まれており、
　ｎ型の前記ガイド層は前記活性層とｎ型の前記クラッド層に挟まれており、
　ｐ型の前記クラッド層の厚さは３００ｎｍ〜１μｍであり、
　ｎ型の前記ガイド層の厚さは５０ｎｍ〜３００ｎｍであり、
　前記活性層は窒化ガリウム(GaN)をバリア障壁層、窒化インジウムガリウム(InxGa1-xN、0＜x＜1)を井戸層とする多重量子井戸構造である
ことを特徴とする３族窒化物半導体レーザ素子。」
　
　（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例およびその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。　
　
　（２）対比・判断
　本願発明は，前記２．で検討した本願補正発明から、「ｎ型の前記ガイド層」の限定事項である、「シリコンが1×1017/cm3〜1×1020/cm3添加されており」との構成を省いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が，前記２．（４）に記載したとおり、引用例および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
　（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。