【事件の表示】
　平成　６年特許願第　８７６６９号「エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年１０月１７日出願公開、特開平　７−２６８６２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 １．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成６年３月３１日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１３年７月６日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「絶縁性基板上に少なくとも光取り出し側が透明導電材料からなる
一対の電極間に、蛍光体からなる発光層および絶縁層が配設されたエレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法において、
　該エレクトロルミネッセンス表示素子を構成する発光層及び／又は絶縁層の成膜手段がＲＦスパッタリング法であって、
　スパッタ成膜時の初期放電から本成膜放電に至るプリスパッタリングの出力電力を、パワー密度上昇が毎分0.83Ｗ／cm2以下であるよう段階的又は連続的に徐々に上昇させること
を特徴とするエレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法。」
２．引用例
（１）　これに対して、当審における、平成１７年７月２５日付け拒絶の理由に引用した本願の出願の日前の平成５年１２月１４日に頒布された特開平５−３３１６３８号公報（以下、「引用例１」という。）には、
 （１−１）「【産業上の利用分野】本発明はグロー放電を利用する薄膜形成方法及びその装置に係わり、特に、成膜物質から成り、薄膜の原料と言えるターゲット材料の利用効率の高いマグネトロンスパッタリング技術に関するものである。」（第１欄第１５〜１９行）、
 （１−２）「通常、放電を開始する場合、例えば、実際の成膜は５Ａの放電電流にするとしても、最初は少ない放電電流から始め、陰極の周りの磁界を放電インピーダンスが低い状態になるようにし、例えば４〜５分間のように数分かけて５Ａまでもっていく。これはターゲットの保護が主な目的である。」（第４欄第３６〜４１行）、
　が記載されている。
　これらの記載を参照すると、引用例１には、
「マグネトロンスパッタリングによる薄膜の形成において、放電を開始する場合最初は少ない放電電流から始め、例えば４〜５分かけて実際の成膜の５Ａまでもっていき、ターゲットの保護を目的とする」発明が記載されている（以下、「引用発明１」という。）。
 （２）　前記拒絶の理由に引用した本願の出願の日前の昭和６３年９月２７日に頒布された特開昭６３−２３０８６９号公報（以下、「引用例２」という。）には、
　（２−１）「［１］透光性基板（１）上に透光性電極（２）を形成し、該透光性電極（２）上に、ＥＬ膜（４）を形成し、該ＥＬ膜（４）上に対向電極（６）を形成する薄膜EL素子の製造方法において、前記ＥＬ膜（４）は、ＩＩ族元素の硫化物よりなる蒸発源と、希土類元素の硫化物よりなる蒸発源とを使用し、少なくともハロゲン元素またはハロゲン化物を含むガスを反応ガスとしてなす堆積法を使用して形成することを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法。
［２］前記ＥＬ膜（４）を挟んで第１の絶縁膜（３）と第２の絶縁膜（５）とを形成する工程を有する特許請求の範囲第１項記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。
［３］前記堆積方法は、スパッタリング法であることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。」（特許請求の範囲）、
 （２−２）「次に、スパッタ法を使用して、酸窒化シリコンよりなり厚さ２０００Åの第２の絶縁膜５を形成し、・・・以上の工程をもって製造した薄膜ＥＬ素子のＥＬ膜４は、実験の結果によれば、１３．５６ＭＨｚの場合組成比が１：１となり、輝度は６０Ｈｚで駆動するとき、７．５フートランバートとなり、従来技術の場合に比し、輝度が約１．５倍に向上した。」（第４頁左下欄第５〜１４行）、
 が記載されている。
  これらの記載を参照し、１３．５６ＭＨｚの高周波を用いたスパッタリング法がＲＦスパッタリング法と呼ばれることが周知であるから、引用例２には、
「透光性基板上に透光性電極を形成し、透光性電極上にＥＬ膜を形成し該ＥＬ膜上に対向電極を形成し、該ＥＬ膜を挟んで第１の絶縁膜と第２の絶縁膜を形成し、ＥＬ膜と絶縁膜をＲＦスパッタリング法により形成する」発明が記載されている（以下、「引用発明２」という。）。
３．対比
　本願発明と上記引用発明１を比較する。
　引用発明１の「マグネトロンスパッタリングによる薄膜の形成において、放電を開始する場合」が本願発明の「スパッタ成膜時の初期放電」に相当し、以下同様に「実際の成膜」は「本成膜」に、「最初は少な」く始め、「実際の成膜」「までもっていき」は「「段階的又は連続的に徐々に上昇させること」に相当する。そして、引用発明１の「放電を開始」から「実際の成膜」までの期間が本願発明の 「プリスパッタリング」に相当することは明らかである。
　したがって、両者は、
「スパッタ成膜時の初期放電から本成膜放電に至るプリスパッタリングの放電を段階的又は連続的に徐々に上昇させること」で一致し、
　次の点で相異する。
［相異点１］
　本願発明では、エレクトロルミネッセンス表示素子を対象としているのに対して、引用発明１では、薄膜の形成については記載があるものの素子については記載がない点。
［相異点２］
　本願発明では、スパッタリング法をＲＦスパッタリング法としているのに対して、引用発明１では、マグネトロンスパッタリング技術については記載があるもののＲＦか否かについては記載がない点。
［相異点３］
　本願発明では、放電の出力電力のパワー密度上昇を毎分０．８３Ｗ／ｃｍ２以下としてるのに対して、引用発明１では、４〜５分のように数分かけて放電電流を５Ａまでもっていくとしている点。 
４．当審の判断
　上記相異点について検討すると、
相異点１については、引用発明２にも記載されるように、薄膜ＥＬ素子のＥＬ膜と絶縁膜がＲＦスパッタリング法により製造されることが公知であり、本願の発明の詳細な説明を参照しても、この素子の製造に限定したことにより格別の効果を奏するものとすることはできず、引用発明１においてＥＬ素子に限定することを阻害する要因も認められない。
　相異点２については、スパッタリング法において高周波を用いるか直流を用いるかはターゲットの材質により択一的に選択しうる程度の事項にすぎないと認められ、引用発明１に記載がないからといってその選択が困難であるとすることはできない。
　相異点３については、本願発明が明細書においては成膜時のパワー密度が３〜５Ｗ／ｃｍ２程度と記載されており、その上昇を毎分０．８３Ｗ／ｃｍ２以下としてるから、毎分１７〜２８％パワーを上昇していると認められる。そして、引用文献１では、４〜５分かけて放電電流を１００％としているから毎分１／５〜１／４すなわち２０〜２５％上昇しており、放電インピーダンスが一定であると仮定すれば、パワーは、ほぼ同程度の上昇であるということができ、しかも、明細書を参照しても本願発明の数値限定は、単に動作開始時のパワー密度上昇の上限値を確認した程度以上の臨界的意義を奏するものとすることはできない。 
　してみると、引用発明１を引用発明２にも記載されるようにＲＦスパッタリング法で製造されることが公知である薄膜ＥＬ素子に適用し、引用発明１と同程度の動作開始時の操作を数値限定として付加し本願発明とすることは当業者であれば容易である。 
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１および引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。