【事件の表示】
　平成９年特許願第１１７７８７号「化合物半導体製造装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年３月６日出願公開、特開平１０−６４８３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年５月８日（優先権主張平成８年５月１０日）の出願であって、平成１５年１月２８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年２月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、さらに、当審において、平成１６年４月９日付で拒絶理由が通知され、同年６月１４日付で手続補正がなされたものである。
　その請求項１〜５に係る発明は、平成１６年６月１４日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「有機金属気相成長法により化合物半導体を製造する装置において、化合物半導体が、一般式ＩｎＸＧａＹＡｌＺＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体であり、３−５族化合物半導体が、膜厚が５Å以上３００Å以下の層が、該層よりバンドギャップの大きな２つの層にはさまれてなる構造を有し、化合物半導体を成長させる部分よりも原料ガスおよび／またはキャリアガスの流れの上流側における、該ガスに接触する部分に金属部材を用い、かつ該金属部材を６０℃以上３００℃以下となるように冷却すべくしてなる構造を有することを特徴とする化合物半導体製造装置。」
　
２．引用刊行物
　これに対して、当審における平成１６年４月９日付けで通知した拒絶の理由に引用した本願の優先権主張の日前に頒布された実願昭６３−４７３８９号（実開平１−１４９４７２号）のマイクロフィルム（以下、「刊行物１」という。）、特開平１−２３９０８６号公報（以下、「刊行物２」という。）、特開平６−１７７４２３号公報（以下、「刊行物３」という。）、特開平６−２６８２５７号公報（以下、「刊行物４」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１：実願昭６３−４７３８９号（実開平１−１４９４７２号）
　　　　　　　　のマイクロフィルム
（１ａ）「縦型気相成長装置というのは、例えば有機金属熱分解法（ＭＯＣＶＤ）により、基板の上にエピタキシヤル薄膜を成長させる装置である。」（２頁７〜９行）
（１ｂ）「縦型で円筒状の真空チャンバ１はたとえば、ステンレスなどの容器である。」（４頁下から４〜３行）
（１ｃ）「気相成長装置であるから、原料ガス供給系２０から、真空チャンバ１の頂部に原料ガスが導入される。これは、半球体２１によつて、整えられ、下向きのガス流になる。・・・真空チャンバ１の外周には、冷却水ジャケット２３が設けられる。冷却水入口２４から冷却水が導入され、冷却水出口２５から排出される。」（７頁１０〜１９行）
 (１ｄ）「半球体２１と、真空チャンバ１の壁面は冷却されている。原料ガスは、半球体２１によつて整えられ、乱れの少ない下降流となつて流れる。加熱されたウエハ４に当つて、ここで、気相反応を起こす。化合物の薄膜がウエハの上に成長していく。サセプタ２は強く加熱される。たとえば８００℃〜１０００℃にもなる。・・・そこで冷却用パイプ１６により、サセプタ下軸６を冷却する。」（１０頁３行〜１１頁１行）
（１ｅ）「（カ）実施例　　サセプタ下軸６、外筒、内筒をステンレスで作つた。・・・ステンレスは３００℃を越えると硬度が低下しはじめ、急激に劣化する。放出ガスも多くなる。・・・本考案の実施例を実線で示す。２時間ほどで昇温が止まり、２６０℃を保つ。３００℃以下であるので、ステンレスを使う事ができる。」（１２頁２行〜１３頁７行）
（１ｆ）第１図には、気相成長装置として、原料ガス供給系からガスをウエハに供給するにあたって、ウエハ部分より上流の真空チャンバ壁を冷却水ジャケットで冷却していることが示されている。
　
（２）刊行物２：特開平１−２３９０８６号公報
（２ａ）「本発明の目的は、かかる従来の問題点を解決するためになされたもので、ＭＯＣＶＤ法によるＩＩＩ−Ｖ族化合物又はＩＩ−ＶＩ族化合物のエピタキシャル成長について膜厚の均一性および膜厚の制御性の向上した有機金属化学気相反応装置を提供することにある。」（２頁左上欄２〜７行）
（２ｂ）「また、本発明の反応装置の材質としては、通常用いられている石英、ステンレススチール、アルミニウム等を用いることができるが、反応系の組合せによっては、石英からのＳｉ，ステンレススチールからのＮｉその他の重金属、アルミニウム等がエピタキシャル膜へ汚染物質として混入する場合があるため注意を要する。」（４頁右上欄１４〜２０行） 
　
（３）刊行物３：特開平６−１７７４２３号公報
（３ａ）「【請求項１】ｎ型Ｇａ1-aＡｌaＮ（０≦a＜１）層と、ｎ型ＩｎXＧａ1-XＮ（但し、Xは０＜X＜０．５の範囲である。）層と、ｐ型Ｇａ1-bＡｌbＮ（０≦b＜１）層とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備することを特徴とする青色発光素子。 ・・・
 【請求項３】前記ｎ型ＩｎXＧａ1-XＮ層の膜厚は１０オングストローム〜０．５μｍの範囲であることを特徴とする請求項１に記載の青色発光素子。」（【請求項１】，【請求項３】）
（３ｂ）「【課題を解決するための手段】我々は、従来のホモ接合ＧａＮではなく、新たにＩｎＧａＮ層を発光層とすることによりダブルヘテロ構造の青色発光素子の開発に成功した。」（【０００６】１〜４行）
（３ｃ）「ｎ型ＩｎXＧａ1-XＮ層４は、例えば、有機金属気相成長法により、Ｇａ、Ｉｎ等の原料ガスのガスのキャリアガスとして窒素を用い、原料ガス中のガリウムに対するインジウムのモル比を１より多くして、さらに成長温度を６００℃より高い温度として、ｎ型不純物としてＳｉ、またはＧｅをドープすることにより成長させることができる。」（【００１１】）
（３ｄ）「【実施例】以下有機金属気相成長法により、本発明の青色発光素子を製造する方法を述べる。・・・［実施例１］・・・サファイヤ基板上にＧａＮバッファー層を約２００オングストロームの膜厚で成長させる。・・・　バッファ層成長後、・・・Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層を２μｍ成長させる。・・・ｎ型ＧａＮ層成長後、・・・Ｓｉドープｎ型Ｉｎ0.14Ｇａ0.86Ｎ層を２００オングストローム成長させる。・・・Ｓｉドープｎ型Ｉｎ0.14Ｇａ0.86Ｎ層成長後、・・・ｐ型ＧａＮ層を０．８μｍ成長させる。」（【００１６】〜【００２１】）
 　 
（４）刊行物４：特開平６−２６８２５７号公報 
（４ａ）「【課題を解決するための手段】我々は窒化ガリウム系化合物半導体発光素子をｐ−ｎ接合を用いたダブルヘテロ構造とし、さらに、その発光層を特定の膜厚の窒化ガリウム系化合物半導体を用いた多層膜構造とすることにより上記問題が解決できることを見いだした。即ち、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、X値の異なるＩｎXＧａ1-XＮ（但し、Xは０＜X＜１）層が交互に積層された多層膜層を発光層として具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記多層膜層を構成するＩｎXＧａ1-XＮ層の各膜厚は５オングストローム〜５０オングストロームの範囲であることを特徴とする。」（【０００５】）
（４ｂ）「【実施例】以下有機金属気相成長法により、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を製造する方法を述べる。・・・［実施例１］・・・サファイア基板上にＧａＮよりなるバッファ層２を約２００オングストロームの膜厚で成長させる。・・・バッファ層２成長後、・・・Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＮ層４を４μｍ成長させる・・・ｎ型ＧａＮ層４成長後、・・・Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４を２０オングストローム成長させる。次に、・・・障壁層としてＩｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層４’を２０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を繰り返し、各２０オングストロームの膜厚で第１にＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４、第２にＩｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層４’、第３にＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４、第４にＩｎ0.04Ｇａ0.96Ｎ層４’、第５にＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４を交互に積層した総膜厚１００オングストロームの多層膜を成長する。・・・Ｍｇをドープしたｐ型ＧａＮ層５を０．８μｍ成長させる。」（【００１３】〜【００１７】）
　
３．対比・判断
　刊行物１には、上記摘記事項（１ａ）には、有機金属熱分解法（ＭＯＣＶＤ）により、基板の上にエピタキシヤル薄膜を成長させる装置が記載され、上記摘記事項（１ｂ）には、縦型で円筒状の真空チャンバは、ステンレスの容器であること、上記摘記事項（１ｃ）（１ｄ）には、真空チャンバの外周には、冷却水ジャケットが設けられ、真空チャンバの壁面は冷却され、冷却水入口から冷却水が導入され、冷却水出口から排出されることが記載され、また、原料ガス供給系から、真空チャンバ頂部に原料ガスが導入され、真空チャンバの壁面は冷却され、原料ガスは、乱れの少ない下降流となつて流れ、加熱されたウエハに当つて、ここで、気相反応を起こすこと、冷却用パイプにより、サセプタ下軸を冷却することも記載されている。
　そして、上記摘記事項（１ｆ）には、気相成長装置として、原料ガス供給系からガスがウエハに供給するにあたって、ウエハ部分より上流の真空チャンバを冷却水ジャケットで冷却していることが示されている。
　さらに、上記摘記事項（１ｅ）には、サセプタ下軸等をステンレスで作つたこと、ステンレスは３００℃を越えると硬度が低下しはじめ、急激に劣化し、放出ガスも多くなること、及び３００℃以下であるので、ステンレスを使うことができることが記載されている。
　したがって、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｆ）を総合的に判断すると、刊行物１には、「有機金属熱分解法（ＭＯＣＶＤ）により、基板の上に化合物のエピタキシヤル薄膜を成長させる装置において、原料ガスが加熱されたウエハに当って、気相反応を起こす部分より上流のステンレスの真空チャンバを冷却水ジャケットで冷却し、さらに、ステンレスでできたサセプタ下軸を３００℃以下に冷却した気相成長装置」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。
　そして、本願発明１と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「有機金属熱分解法（ＭＯＣＶＤ）」，「原料ガスが加熱されたウエハに当って、気相反応を起こす部分より上流の・・・真空チャンバ」，「ステンレス」，「冷却水ジャケット」は、本願発明１の「有機金属気相成長法」，「成長させる部分よりも原料ガスおよび／またはキャリアガスの流れの上流側における、該ガスに接触する部分」，「金属」，「冷却すべくしてなる構造」に、それぞれ相当するので、両者は、「有機金属気相成長法により化合物のエピタキシャル薄膜を製造する装置において、該化合物のエピタキシャル薄膜を成長させる部分よりも原料ガスおよび／またはキャリアガスの流れの上流側における、該ガスに接触する部分に金属部材を用い、かつ該金属部材を冷却すべくしてなる構造を有する製造装置」である点で一致しており、以下の点で相違している。
　
イ．有機金属気相成長法により製造する薄膜について、本願発明１が、化合物半導体であって、化合物半導体が、一般式ＩｎＸＧａＹＡｌＺＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体であり、３−５族化合物半導体が、膜厚が５Å以上３００Å以下の層が、該層よりバンドギャップの大きな２つの層にはさまれてなる構造を有しているとされているのに対して、刊行物１発明では、化合物のエピタキシャル薄膜とされている点。
ロ．化合物のエピタキシャル薄膜を成長させる部分よりも原料ガスおよび／またはキャリアガスの流れの上流側における、該ガスに接触する部分の金属部材の冷却温度について、本願発明１が、６０℃以上３００℃以下とされているのに対し、刊行物１発明では、装置内のガスに接触する部分の金属部材と同じ材質でできたサセプタ下軸を３００℃以下に冷却するとされているものの、該ガスに接触する部分の金属部材自体の冷却温度については明らかでない点。
　
　上記相違点について検討する。
　相違点イについて
　刊行物３の上記摘記事項（３ａ）〜（３ｄ），刊行物４の上記摘記事項（４ａ），（４ｂ）に記載されるように、有機金属気相成長法により、１００Å，２００Åの３−５族化合物半導体であるＩｎＸＧａ１−ＸＮの発光層をＳｉドープｎ型ＧａＮ層とＭｇドープ型ＧａＮ層で挟み込むダブルヘテロ構造を形成することは、有機金属気相成長法による、基板の上への化合物のエピタキシヤル薄膜製造の技術分野において、周知の技術であり、発光層よりクラッド層のバンドギャップの大きいことは、発光素子形成上自明の事項であるから、刊行物１発明の有機金属気相成長法により化合物のエピタキシャル薄膜を製造する装置を、前記周知技術に基づき、一般式ＩｎＸＧａＹＡｌＺＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体であり、３−５族化合物半導体が、膜厚が５Å以上３００Å以下の層が、該層よりバンドギャップの大きな２つの層にはさまれてなる構造のものの製造に適用することは、当業者にとって、格別の困難性はない。
　
　相違点ロについて
　刊行物２には、上記摘記事項（２ａ），（２ｂ）から、ＩＩＩ−Ｖ族化合物のエピタキシャル成長に用いる有機金属化学気相反応装置において、反応装置の材質としてステンレススチールを用いることができ、ステンレススチールからのＮｉその他の重金属がエピタキシャル膜へ汚染物質として混入するすることが問題であることが記載されているのであるから、刊行物１発明において、周知の３−５族化合物半導体構造を形成するにあたっても、ステンレスからのエピタキシャル膜への汚染物質の混入を防ぐという課題がすでに知られていたといえる。
　また、刊行物１には、反応装置内のサセプタ下軸を、真空チャンバ壁と同材質であるステンレスで形成すること、ステンレスは３００℃を越えると放出ガスが多くなることが示され、３００℃以下に冷却したことで使用できたことが記載されているのであるから、前記課題に対処しなければならない反応装置内で、サセプタ下軸と同様に反応ガスにさらされ、同じ材質で形成された真空チャンバ壁についての冷却も３００℃以下にする必要性があることが示唆されていることは明らかであり、また、サセプタ下軸より化合物のエピタキシャル薄膜を成長させる加熱部分であるサセプタから離れた位置にある真空チャンバ壁においては、冷却水ジャケットによる冷却で、３００℃以下にできることは予測可能であるといえる。
　さらに、下限の６０℃については、本願明細書の実施例における「金属部材９の内壁部分の温度は６０℃以下であった。」との記載を根拠として補正したものであり、明細書全体からみても６０℃を下限とすることの技術的意義は示されておらず、平成１５年２月１６日付け土田良彦作成の実験成績証明書の表１の実験結果からも、前記金属部材が低温になるほどＰＬ強度が高くなり、高品質の膜が得られるという結果を示しているにすぎないので、相違点ロのうち、６０℃という下限の設定については、当業者であれば適宜設定できる技術的事項であると認める。
　したがって、化合物のエピタキシャル薄膜を成長させる刊行物１発明の装置において、刊行物２に記載された３−５族化合物のエピタキシャル成長に用いる有機金属化学気相反応装置の材質であるステンレスからのエピタキシャル膜へ汚染物質の混入という公知の課題を解決するため、周知の３−５族化合物半導体構造を形成するにあたって、化合物のエピタキシャル薄膜を成長させる部分よりも原料ガスおよび／またはキャリアガスの流れの上流側における、該ガスに接触する部分の金属部材であるステンレスのチャンバ内壁の冷却温度を６０℃以上３００℃以下と設定することは、当業者であれば容易に想到できたものといえる。
　また、本願発明１の明細書【００１７】，【００２６】に記載された、６００℃以上の高温で結晶成長を行う場合でも、高品質の３−５族化合物半導体が製造できるという効果は、刊行物１でも、「サセプタ・・・は強く加熱される。たとえば８００℃〜１０００℃にもなる。」との記載があり、刊行物３，４に記載されるように、高品質の３−５族化合物半導体が形成する場合に、６００℃、８００℃という高温で行うことは周知技術であること、ステンレス製の反応装置内壁を冷却することで、ステンレスからの不純物ガスの発生が抑制され、膜への不純物成分の混入が減少することが自明であることから、刊行物１、２及び前記周知技術から当業者が予測可能なもので、顕著なものといえない。
　
　出願人は、平成１６年６月７日作成の土田良彦作成の実験成績証明書及び参考資料１（化学大事典５　縮刷版，初版　（１９６１年４月１５日）共立出版，ｐ．１４５），参考資料２（ステンレス鋼便覧　初版（昭和５５年１２月２５日，日刊工業新聞社，ｐ．１７４，３８５）を提出し、刊行物１における「ステンレスは３００℃を超えると硬度が低下しはじめ、急激に劣化し、放出ガスも多くなる」との記載が事実に反し、誤記又は誤認であり、考慮するに値しない旨主張している。
　しかしながら、前記実験成績証明書、参考資料１，２によって示されているのは、ステンレス鋼の材料としての使用限界であり、実際の使用に際して、破断等の現象が生じ始める限界点まで使用することはありえず、例え、それらの使用限界温度と刊行物１で記載されたエピタキシャル薄膜の反応装置内部材の使用可能温度とに相違があったとしても、それによってただちに、刊行物１の前記記載が事実に反し、誤記又は誤認であるとすることはできない。
　よって、前記主張は採用できない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、刊行物１，２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の他の請求項２〜５に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。