【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年1月25日(2010.1.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面を有する基板を備える電子装置を製造する方法であって、前記第１の面は以下の順番で、第１の導電領域と、絶縁材料の中間層と、第２の導電領域とを備え、これら領域の間に導電垂直相互配線が存在する、電子装置を製造する方法において、
バイアを規定する所望のパターンに従って前記基板の第１の面で前記第１の導電領域および前記中間層の少なくともいずれかの表面に単分子層を形成し、それによって前記表面の変性された部分及び残りの部分を、組成における第１及び第２のポリマーのいずれかの優先吸着にしたがって形成するステップと、
前記第１及び第２のポリマー並びに前記表面を濡らす溶媒を有する組成物を前記表面に提供するステップであって、相分離中に、各々が前記ポリマーのうち1つを有する第１及び第２の副層が、前記表面の前記変性された部分あるいは残りの部分に前記ポリマーの一つの優先吸着を経て形成され、前記第１の副層は前記第１の導電領域上に存在し、前記第２の副層は前記中間層あるいは前記中間層をパターニングするためのマスクとして機能する、ステップと、
前記第１の副層を第１のエッチャントによってエッチングするステップと、
前記垂直相互配線及び前記第２の導電領域を設けるステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記単分子層を形成するステップが、前記表面上に起こる化学反応、または前記層の表面に、インクジェット式印刷、シャドーマスクによる真空蒸着、μライティング、マイクロマシニング、毛細管マイクロ成形、及びマイクロコンタクトプリンティングのいずれかにより層を形成するものであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、第１の単分子層としての前記単分子層の形成の後に前記組成物が提供され、該組成物は、前記表面の前記残りの部分に第２の単分子層を形成する化合物を有し、
前記第１及び前記第２の単分子層は、各々が、該単分子層のそれぞれの形成後には前記表面に面しない末端基を備える化合物を有し、前記第２の単分子層の前記化合物の前記末端基は、前記第１の単分子層の前記化合物の前記末端基とは極性が異なることを特徴とする方法。
【請求項４】
前記単分子層が前記第１の導電領域に存在し、前記第１の副層が前記第１のポリマーを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記中間層の前記表面に単分子層が形成され、前記第１のエッチャントによるエッチングの後に第２のエッチャントによりパターン形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の導電領域が金属層の一部を形成し、前記金属層の前記表面に単分子層が形成されることを特徴とする請求項２又は３に記載の方法。
【請求項７】
前記金属層が金を含み、前記単分子層がチオールを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の導電領域上に存在する単分子層が、前記第２の導電領域が設けられる前に除去されることを特徴とする請求項３又は４に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この目的は第１の面を有する基板を備える電子装置を製造する方法であって、前記第１の面は以下の順番で、第１の導電領域と、絶縁材料の中間層と、第２の導電領域とを備え、これら領域の間に導電垂直相互配線が存在する、電子装置を製造する方法において、
バイアを規定する所望のパターンに従って前記基板の第１の面で前記第１の導電領域および前記中間層の少なくともいずれかの表面に単分子層を形成し、それによって前記表面の変性された部分及び残りの部分を、組成における第１及び第２のポリマーのいずれかの優先吸着にしたがって形成するステップと、
前記第１及び第２のポリマー並びに前記表面を濡らす溶媒を有する組成物を前記表面に提供するステップであって、相分離中に、各々が前記ポリマーのうち1つを有する第１及び第２の副層が、前記表面の前記変性された部分あるいは残りの部分に前記ポリマーの一つの優先吸着を経て形成され、前記第１の副層は前記第１の導電領域上に存在し、前記第２の副層は前記中間層あるいは前記中間層をパターニングするためのマスクとして機能する、ステップと、
前記第１の副層を第１のエッチャントによってエッチングするステップと、
前記垂直相互配線及び前記第２の導電領域を設けるステップと、
を有することを特徴とする方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
本発明による方法は、表面の変性された又は残存する部分への、前記組成物中のポリマーのうちの１つの優先吸着を利用する。前記エッチングステップは、絶縁材料のレリーフ構造を残存させる。このレリーフ構造は、中間層の役目を果たすことができる。この場合、変性された表面は金属層に位置しており、第１の導電領域がこの金属層の一部を形成している。あるいは、レリーフ構造は中間層にパターン形成するためのエッチングマスクの役目を果たすことができる。その場合、変性された表面が、中間層に位置することになる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
第３の利点は、コンタクトプリンティングによって提供されるパターンが少なくとも0．5〜１０μmのオーダーのディテールを含むことができるということである。走査線の幅に関しては、また、走査線間距離に関しては、この解像度は、バイアの使用に非常に適している。第１及び第２のポリマーを有する組成物は、好ましくは０．５〜３重量％の濃度を有する。第１のポリマーとしてポリスチレンが用いられ、第2のポリマーとしてポリビニルビリジンが用いられれば、第１及び第２のポリマーのモル比が１〜３の間であることが好ましい。次に、金の水平層上に、基板に平行に表面が形成される。マイクロコンタクトプリンティングによって変性される区域上では、ラテラル偏析がある、すなわち、実質的に基板表面に対して垂直な層が形成される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
【表１】
2004520720.tif 000001
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
図1は、第１の面2を有する基板1を備える中間製品11を示す。前記第１の面2には、第1の導電領域13が規定される金属層3がある。金属層の表面20は変性されている。このために、第１の単分子層2及び第２の単分子層5は、第２の単分子層5が第１の導電領域13に位置するように金属層3の表面20上に堆積される。第１及び第２のポリマーの組成物が単分子層4、5に提供される。この組成物は、相分離によって、第１の副層6、第２の副層7及び第３の副層8に分割された。第１の副層6及び第３の副層8は主に第１のポリマーを有し、第２の副層7は第２のポリマーを主に有する。第１の副層6は、第１の導電領域13に存在する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
図3は、第１の面2を有する基板1を備える中間製品12を示す。前記第１の導電領域13は、前記第１の面2に存在する。この例では、前記領域13が基板1に位置し、この基板1は、レジスタ及びトランジスタ等の種々の成分を通常有する。しかし、代替的に、導電層13が、ドーピングした領域の形で基板１に位置してもよい。基板1は、さらに中間層21を設けられる。この中間層21の表面30は変性される。単分子層4は、所望のパターンでこの中間層21上に堆積される。その上に第１及び第２のポリマーを有する組成物が提供される。第１のポリマーを有する第１の副層6は、この単分子層4に堆積される。第２のポリマーを有する第2の副層7は、単分子層4の隣、つまり中間層21上に堆積される。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
【実施例】
実施例１
厚さ5nmのTi層及び厚さ20nmのAu層3が、既知の方法で真空燕着によってガラス製基板１に設けられた。HS(CH２)18OHの単分子層4が所望のパターンで提供されるように、金の層3の表面が所望のパターンに従って変性された。これは、コンタクトプリンティングに適する、PDMSで形成されるパターン形成されたスタンプ表面が設けられるスタンプにより行われた。スタンプは、単分子層を設けるためスタンプ表面がHS(CH２)18OHのエタノール溶液に含浸された。パイアの所望のパターンはネガティブと規定され、バイアを除いては、表面全体に単分子層が設けられた。これらのバイアは四角形状であり、1 ~ 25μｍ２の寸法を有した。バイア間の距離は、20 ~ 50μｍであった。続いて、オクタデシルチオール(H S(CH 2)17CH 3)溶液が、金属層及び単分子層が設けられる基板に対して供給された。その結果、金属層の表面のこれまで覆われていなかった部分が第２の単分子層によって覆われた。いかなる残留するオクタデシルチオールも、エタノールで洗浄することによって除去された。次に、溶媒中の第１のポリマー及び第２のポリマーの組成物が、スピニングによって提供された。第１のポリマーは、分子量90900、Mw/Mn= 1 .05 のポリスチレンであった。第2のポリマーは、分子量115000、Mw/Mn= 1.03のポリ(2‐ビニルピリジン)であった。溶媒は、テトラヒドロフランであった。スピニングは、Gyrset 付きのKar I Su s RC8スピンコータ(蓋が開いた状態: 1000rpm、200rpm / s、5s、蓋が閉じた状態: 3000rpm、1000のrpm/s、10s )によって行われた。組成物は、0 .75重量% のポリスチレン及び0 .75重量% のポリビニルビリジンを含んでいた。溶液は、250mg/ｌの溶媒を安定させるための2 .6‐ジ‐t‐ブチル‐4‐メチルフェノールを更に含んでいた。温度は21+/‐0 .5℃、相対湿度は50+/-5 % であった。スピンコーティングによって供給される組成物は、閉蓋条件の下で回転されている間に乾燥させられた。結果、組成物は、第１副層6及び第２副層7に分離された。第１のポリマー(ポリスチレン)を有する第１の副層６は、オクタデシルチオールの単分子層5に選択的に堆積された。第2のポリマー(ポリ(2‐ビニルピリジン))を有する第２の副層7は、オクタデシルチオールの単分子層4に堆積された。第１の副層6は、シクロヘキサンで3回洗浄することによつて除去された。第２の副層7は、中間層の役目を果たす。続いて、厚さ5nmのTi層及び厚さ20 nmのAu上部層9が真空蒸着された。バイア15は、このようにAuの層の導電領域13、14によって完成された。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
実施例4
SiO2の中間層21は、導電領域13を有する基板1上に既知の方法で形成される。SiO2の中間層21は、80 nmの厚みを有する。オクタデシルトリクロロシランの単分子層4が、マイクロコンタクトプリンティングによって所望のパターンに従ってその上に設けられる。単分子層4はパターン上でバイアが所望される場所に設けられる。これは、例えばPHNLPOO044において説明される安定したスタンプ表面が設けられるスタンプで行われる。バイアは、このような態様で、互いからの距離が10μｍ、寸法が2x2μｍで規定される。第１及び第２のポリマーの組成物は、スピンコーティングによって提供される。第１のポリマーは、ポリスチレンである。第２のポリマーは、PMMAである。この組成物は乾燥され、この間に、第１のポリマーを有する第１の副層6が単分子層4上に生じる。第２のポリマーを有する第２の副層7は、中間層21の表面上に生じる。続いて、第１の副層6が、シクロヘキサンによって3回洗浄することにより除去される。いかなる残留するシクロヘキサンも、エタノールによって洗浄することによって除去される。単分子層4は、酸素中のプラズマ処理によって除去される。次に、中間層21は、1% HF水溶液中に完全に浸漬されてエッチングされる。この間、第２の副層7がエッチングマスクの役目を果たす。エッチングの後、水及びエタノールにより洗浄が行われ、生成物は乾燥させられる。続いて、導電物質の上部層9が、厚さ5 nmのTi層及び厚さ25 nmのAu層が蒸着されることにより設けられる。この導電層は、接触印刷又はフォトリソグラフィによってパターン形成される。