【事件の表示】
　平成６年特許願第２０７０７０号「多結晶シリコン機械的加工物」拒絶査定不服審判事件〔平成８年３月１２日出願公開、特開平８−６７５１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成６年８月３１日の特許出願であって、平成１４年４月１０日付けで拒絶査定（同月１５日発送）がされ、これに対して、同年５月１４日に拒絶査定に対する審判請求がされると共に、同年６月１１日付けで手続補正がされたものである。
【２】平成１４年６月１１日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年６月１１日付けの手続補正を却下する。
［理由］
　１．補正の内容及び目的の適否
　本件補正は、補正前の請求項数１の特許請求の範囲を、請求項数２のものに補正しようとする事項（以下、「補正事項」という。）を含むものであるが、このような特許請求の範囲の請求項数を増加する補正は、請求項の削除に該当しないことは明らかであり、また、この増加した請求項２は、引用形式で記載された請求項を独立形式の請求項に変更するのに伴いやむを得ず請求項数を増やし表現したものでも、上位の請求項の削除に伴いやむを得ず請求項数を増やし表現したものでもない。
　そして、本件の補正事項は、誤記の訂正や、明りょうでない記載の釈明を目的とするものでもないので、平成６年改正前特許法第１７条の２第３項各号に掲げる事項のいずれを目的とするものにも該当しない。
　したがって、本件補正は、平成６年改正前特許法第１７条の２第３項の規定に適合しない。
　２．むすび　
　以上のとおりであるから、本件補正は、第１５９条第１項において準用する特許法５３条第１項の規定により却下する。
　
【３】本願発明について
　１．本願発明
　平成１４年６月１１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１３年１２月４日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める（以下「本願発明」という。）。
「Ｘ線回折によるシリコン結晶のピーク（２θ＝２８．５°付近）の半値幅が０．１７°以上である多結晶シリコン表面の鉄原子濃度が単位表面積当り１０，０００原子／μｍ２以下であることを特徴とする多結晶シリコンの機械的加工物。」
　
　２．引用刊行物及びその記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−１４４８２２号公報（以下、「刊行物１」という）には、次の事項が記載されている。
「【請求項１】シリコン微細粒子を酸洗浄工程に付すことによって洗浄して高純度シリコン微細粒子を製造する方法において、該酸洗浄工程が、フッ化水素酸と硝酸を同時に用いる洗浄工程を含むことを特徴とする高純度微細シリコン粒子の製造方法。
【請求項２】酸洗浄工程が下記（Ａ）〜（Ｃ）に示される洗浄工程の組み合わせからなることを特徴とする請求項１に記載の高純度微細シリコン粒子の製造方法。
（Ａ）塩酸／硝酸混合液を用いる洗浄工程
（Ｂ）フッ化水素酸を用いる洗浄工程
（Ｃ）フッ化水素酸と硝酸を用いる洗浄工程
【請求項３】シリコン微細粒子の粒径が５０〜１０００μｍである請求項１又は請求項２記載の高純度シリコン微細粒子の製造方法。
【請求項４】金属元素の合計含有量が１０ｗｔｐｐｂ以下、硼素、燐及び砒素の合計含有量が０．５ｐｐｂａ以下、カーボンの含有量が０．２ｐｐｍａ以下である請求項１〜３記載のいずれかの高純度シリコン微細粒子の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項１〜４）
「本発明の課題は、不純物である遷移金属元素、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の不純物含有量が極めて少ない高純度シリコン微細粒子の簡便な製造方法を提供することにあり、更に別の目的はこのようにして得られる高純度シリコン微細粒子を種シリコンとして使用し流動層法によって高純度多結晶シリコンを工業的に有利に製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、洗浄方法としてフッ化水素酸と硝酸を同時に用いる洗浄工程を含むことを必須とするならば、あるいは従来使用されている塩酸／硝酸混合液を用いる洗浄工程に、フッ化水素酸を用いる洗浄工程とフッ化水素酸と硝酸を用いる洗浄工程を組み合わせた洗浄方法を採るならば、鉄、クロム、ニッケル等の遷移金属、アルカ金属、アルカリ土類金属などの不純物が充分に除去でき、高純度の微細シリコン粒子が得られることを見出した。本発明はこのような知見に基づいてなされたものである。
　すなわち、本発明によれば、シリコン微細粒子を酸洗浄工程に付すことによって洗浄し高純度シリコン微細粒子を製造する方法において、該酸洗浄工程が、フッ化水素酸と硝酸を同時に用いる洗浄工程を含むことを特徴とする高純度微細シリコン粒子の製造方法が提供される。」（段落【０００６】〜【０００８】）
「本発明で洗浄の対象となるシリコン微細粒子としては、できる限り高純度品が好ましいが、一般的には、不純物元素の合計含有重量が１０ｗｔｐｐｂ程度以下のものが用いられる。たとえばジーメンス法によって得られるシリコン棒あるいはいわゆる流動層によって得られる粒径２００〜２０００μｍ好ましくは３００〜２０００μｍの高純度シリコン粗大粒子を、粉砕機、たとえば、ロールクラッシャー、ジョークラシャー、ハンマーミル、コーンミルなどの粉砕機によって微細粒子化して得られる、通常５０〜１０００μｍ、好ましくは１００〜３００μｍの粒径を有するものが使用される。」（段落【０００９】）
「前記したように、ジーメンス法あるいは流動層で得られる高純度シリコン粗大粒子それ自体は不純物含有量の少ないものであるが、この粗大粒子を機械的に粉砕処理する場合、粉砕機の摩耗等により生じる金属微粉等の不純物が混入し、粉砕粒子の純度が低下する。従って、このような粉砕粒子を種シリコン粒子として用いるには、その不純物を除去することが必要になる。一方、このような不純物を含む粉砕後のシリコン微細粒子を、従来の塩酸／硝酸によって洗浄しても、半導体用途に使用し得る高純度品が得られない。
　これは、金属不純物がシリコン微細粒子の表面部内に複雑に入り込んでいるために、通常の洗浄方法では除去し得ないことによるものと思われる。本発明者らの検討によれば、フッ化水素酸と硝酸を同時に用いる洗浄工程を必須とするかあるいは（Ａ）塩酸／硝酸混合液による洗浄工程と、（Ｂ）フッ化水素酸による洗浄工程及び（Ｃ）フッ化水素酸と硝酸による洗浄工程を組み合わせると、半導体用途に耐え得る高純度のシリコン微細粒子が得られることが知見された。この理由は現時点では定かでないが、フッ化水素酸／硝酸の混合液はシリコン微細粒子と反応し、表面上のシリコンをフッ化珪素として粒子外部に溶出させ得る機能を有するため、シリコン粒子表面に入り込んだ不純物がそのシリコンの溶出とともに容易に粒子表面部から除去できるものと推定される。」（段落【０００９】〜【００１０】）
「得られたシリコン粒子の不純物分析は、次のようにして行なった。金属類については、フッ化水素酸／硝酸でシリコンを溶出して得られた後の溶液を、ＩＣＰ−ＭＳ、原子吸光法を用いて分析した。」（段落【００１９】）
「実施例２
　アルミナ製ロールを使用したロールクラッシャーを用いて、約５ｍｍ角の高純度シリコンを粉砕し、テフロン製ふるいを用いてふるい分けし、粒径１０５μｍ〜３５０μｍの範囲のシリコンを得た。得られたシリコン粒子５ｋｇを１００μｍの目開きのテフロンふるい上で純水洗浄した。洗浄後のシリコン粒子を十分に酸洗浄を行なったテフロンビーカーに仕込んだ。１２Ｎ塩酸：５リットルおよび１６Ｎ硝酸：２．５リットルをビーカー中に加えた。メカニカルスターラーを用い、テフロン製の撹拌棒および撹拌羽を使用し、１時間撹拌した。デカンテーションによりシリコン粒子から洗浄液を除いた後、廃水が中性になるまで純水洗浄を行なった。続いて、５０％フッ化水素酸を５リットル加え、メカニカルスターラーで１時間撹拌した後、フッ化水素酸をシリコン粒子から除き純水洗浄を行なった。次いで、再び５０％フッ化水素酸：５リットルを加えた後、メカニカルスターラーで撹拌しながらゆっくりと１６Ｎ硝酸を滴下した。約１〜５ｍｌずつ間欠的に添加し、合計０．１２リットル加えた。その後１時間撹拌を続けた。デカンテーションによりシリコン粒子から洗浄液を除き、廃水が中性になるまで純水洗浄を行なった。最後に１００μｍの目開きのテフロンふるい上で純水洗浄を行なった。次いで、テフロンビーカーにシリコンをもどし、クリーンオーブン中で乾燥して、シリコン粒子を得た。得られたシリコン粒子の不純物を分析した。その結果を表３に示す。」（段落【００２３】）
「【表３】
」（段落【００２４】）
「実施例３、４、５
　ロールクラッシャーの材質及び洗浄するシリコン粒子の粒径を表４に示すものに代えた以外は実施例２と同様にしてシリコン粒子を得た。このシリコン粒子の不純物を実施例と同様に分析したところ表４のような結果を得た。」（段落【００２５】）
「【表４】
」（段落【００２６】）
「実施例６
　洗浄順序を塩酸／硝酸→フッ化水素酸／硝酸→フッ化水素酸に変更した以外は実施例２と同じ方法で洗浄し、シリコン粒子を得た。このシリコン粒子を分析したところ、不純物である元素はいずれも検出下限以下であった。
実施例７
フッ化水素酸／硝酸処理で硝酸５リットルにフッ化水素酸０．２リットルをゆっくりと加えた以外は実施例２と同じ方法で洗浄し、シリコン粒子を得た。分析の結果、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｅ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｃａ、Ａｌとも検出下限以下であった。」（段落【００２７】〜【００２８】）
「【発明の効果】
本発明の高純度シリコン微細粒子の製造方法は、シリコン微細粒子を酸洗浄する際に洗浄工程として、フッ化水素酸と硝酸を同時に用いる洗浄工程を必須工程として採用したことから、従来の（Ａ）塩酸／硝酸による洗浄工程だけでは除去し得なかった不純物を効率良く除去し得ることができ、たとえば金属元素の含有量を１０ｗｔｐｐｂ以下に、硼素、燐及び砒素の含有量を０．５ｐｐｂａ以下に、またカーボンの含有量を０．２ｐｐｍａ以下に低減させることができ、高純度のシリコン微細粒子を得ることができる。」（段落【００３１】）
　
　３．対比
　刊行物１の実施例２には、「高純度シリコンを粉砕し、ふるい分けし、洗浄し、乾燥して、得たシリコン粒子」（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　本願発明と刊行物１発明とを対比すると、本願発明では、シリコンが、
（ｉ）Ｘ線回折によるシリコン結晶のピーク（２θ＝２８．５°付近）の半値幅が０．１７°以上である多結晶シリコン
（ii）表面の鉄原子濃度が単位表面積当り１０，０００原子／μｍ２以下であること
（iii）多結晶シリコンの機械的加工物
であるのに対して、刊行物１発明では、シリコンが、
（ｉ）高純度シリコン
（ii）表面の単位表面積当りの鉄原子濃度の明示的記載がない
（iii）粉砕し、ふるい分けし、洗浄し、乾燥して、得たシリコン粒子
である点で表現上相違する。
　
　４．判断
　上記相違点（ｉ）ないし（iii）について検討する。
　（１）相違点（ｉ）について
　本願の願書に最初に添付した明細書及び図面の記載をみると、「Ｘ線回折によるシリコン結晶のピーク（２θ＝２８．５°付近）の半値幅が０．１７°以上である多結晶シリコン」について、「トリクロルシランを原料とし、ジーメンス法で析出した多結晶シリコンのＸ線回折によるシリコンのピーク（２θ＝２８．５付近）の半値幅は０．１４〜０．１６゜である。原料にジクロルシランあるいはモノシランを使用し、析出温度を低くした場合、半値幅は更に大きくなり、０．１７゜程度になる。さらに、モノシランを原料とし、流動床で製造した場合、半値幅は更に大きくなり、０．２０〜０．３３゜になる。本発明においては、シリコンピークの半値幅が大きい場合、例えば、０．１７以上さらには０．２０以上であっても、従来の硝弗酸でエッチングするときのような問題は生じることはない。したがって、本発明は、シリコンピークの半値幅が大きい場合であっても十分に表面の清浄な多結晶シリコンとすることができる。」（段落【００１１】参照）と記載されていることから、「モノシランを原料とし、流動床で製造した場合」には、「Ｘ線回折によるシリコン結晶のピーク（２θ＝２８．５°付近）の半値幅が０．１７°以上である多結晶シリコン」が得られることになる。
　一方、刊行物１には、「本発明で洗浄の対象となるシリコン微細粒子としては、できる限り高純度品が好ましいが、一般的には、不純物元素の合計含有重量が１０ｗｔｐｐｂ程度以下のものが用いられる。たとえばジーメンス法によって得られるシリコン棒あるいはいわゆる流動層によって得られる粒径２００〜２０００μｍ好ましくは３００〜２０００μｍの高純度シリコン粗大粒子を、粉砕機、たとえば、ロールクラッシャー、ジョークラシャー、ハンマーミル、コーンミルなどの粉砕機によって微細粒子化して得られる、通常５０〜１０００μｍ、好ましくは１００〜３００μｍの粒径を有するものが使用される。」（段落【０００９】参照）と流動床で製造したものを洗浄の対象として用いることが明記されているから、刊行物１発明の高純度シリコンには、流動床で製造した「Ｘ線回折によるシリコン結晶のピーク（２θ＝２８．５°付近）の半値幅が０．１７°以上である多結晶シリコン」が包含されるので、この相違は格別なものではない。
　（２）相違点(ii)について
　本願明細書には、「本発明の多結晶シリコンの機械的加工物は、表面の鉄原子濃度が単位表面積当り１０，０００原子／μｍ２以下である。即ち一辺が１μｍから成る正方形の中に存在する鉄原子の数が１０，０００個以下であることを表わす。ここで、表面の鉄原子濃度の測定方法は、王水、水および弗酸の逐次洗浄により表面の鉄原子を溶解抽出する方法を採用する。この場合、分析精度の向上のために、王水の原料である硝酸および塩酸は半導体工業用のもの、または、それをさらに蒸留精製したものを使用することが好ましい。また、多結晶シリコンの機械的加工物の表面積Ｓ（μｍ２）は、多結晶シリコンの機械的加工物をＪＩＳ標準篩いの所望の目開きのものとそれよりも一段大きい目開きのものとを重ねてふるい分け、粒子径をそろえた粒子１００個を計測して粒子１個当りの平均重量を求め、その平均重量Ｗ（ｇ）から球換算で下記式から求めた。
　Ｓ＝２．７５×１０８×Ｗ２／３　本発明においては、表面の鉄原子濃度を５，０００原子／μｍ２以下とすることができ、さらに、３，０００原子／μｍ２以下とすることも可能である。」（段落【００１３】参照）、「まず純水により、多結晶シリコンに含まれるごみを水洗分離すると共に、多結晶シリコンに付着している多結晶シリコン微粒子を大まかに取り除いた。水洗を１５分間行った後、この多結晶シリコンの表面の鉄原子濃度を測定した。その結果、鉄原子濃度は７×１０７原子／μｍ２であった。次に容器内の純水を排出した後、王水（硝酸：塩酸（容量比）＝１：１）を注入し、王水中で多結晶シリコンが溢れ出ない程度に１５分間攪拌した。この時点における多結晶シリコンの鉄原子濃度は４×１０５原子／μｍ２であった。王水を排出した後、再び新しい王水を供給し、更に１５分間攪拌した。この時点における多結晶シリコンの鉄原子濃度は１．７×１０５原子／μｍ２であった。王水を排出した後、純水での水洗により、ほぼ完全に王水成分を取り除いた後、純水を排水した。次いで５重量％弗酸水溶液を注入し５分間攪拌することにより、表面の酸化膜及び酸化膜と多結晶シリコンとの界面に集められた鉄原子を取り除き、再び水洗した。この時点における多結晶シリコンの鉄原子濃度は２５，０００原子／μｍ２であった。そして再度、上記の王水、水洗、弗酸による洗浄を繰り返した結果、多結晶シリコンの鉄原子濃度は１，７００原子／μｍ２であった。さらに王水、水および弗酸により洗浄を繰り返した結果、鉄原子濃度は検出限界の１００原子／μｍ２以下となった。なお、念のために、こうして得られた多結晶シリコンを弗硝酸に全量溶解させ、弗硝酸中の鉄原子濃度を測定し、溶解前の多結晶シリコンの表面積で除した結果、やはり検出限界の１００原子／μｍ２以下であった。」（段落【００２０】参照）、「多結晶シリコンの鉄原子濃度および重金属濃度をシールドトーチシステムを採用したＩＣＰ質量分析計（ＩＣＰ−ＭＳ、横河アナルティカルシステムズ製、ＰＭＳ２０００）を用いた化学分析により測定した。」（段落【００２１】参照）と記載されている。
　一方、刊行物１には、「得られたシリコン粒子の不純物分析は、次のようにして行なった。金属類については、フッ化水素酸／硝酸でシリコンを溶出して得られた後の溶液を、ＩＣＰ−ＭＳ、原子吸光法を用いて分析した。」（段落【００１９】参照）と記載されている。
　上記の記載を読み比べると、金属類の不純物の分析は、シリコンを溶出して得られた溶液を、ＩＣＰ質量分析計（ＩＣＰ−ＭＳ）を用いて、原子吸光法で分析をする点で両者は共通し、その鉄原子濃度の検出限界（検出下限）は、それぞれ１００原子／μｍ２（本願発明）あるいは１ｐｐｂ（刊行物１）としているる。
　そして、上記のように、両者は、共通する分析手段を採用していることから、鉄原子濃度の検出限界（検出下限）は、概ね同じといえる。
　それ故、本願発明１では、表面の鉄原子濃度を検出限界の１００倍である「１０，０００原子／μｍ２以下」と規定するところ、刊行物１発明の洗浄後の鉄濃度が検出下限（１ｐｐｂ）以下である（【表３】参照）ことから、刊行物１発明のものも、表面の鉄原子濃度が単位表面積当り１０，０００原子／μｍ２以下であると推認されるので、この相違は、格別なものではない。
　（３）相違点（iii）について
　本願明細書には、多結晶シリコンの機械的加工物について、「本発明の多結晶シリコンの機械的加工物は、単結晶シリコンの原料となる多結晶シリコンであり、粉砕、破砕、研磨、研削、切断等の機械的な加工を加えられたものである。」（段落【０００７】参照）との記載がある。
　その出発原料が、粉砕、破砕、研磨、研削、切断等の機械的な加工を加えられたものであることを規定するものといえるが、刊行物１発明でも、粉砕、破砕をしているから、その規定を満たすことは明らかである。
　したがって、本願発明と刊行物１発明とは実質的に相違するところがないから、本願発明は、刊行物１に記載された発明である。
　なお、刊行物１発明（実施例２から抽出）は、刊行物１に記載された発明の中で特殊なものではなく、ロールクラッシャーの材質。洗浄するシリコン粒子の粒径を代えた実施例３〜５、洗浄順序を塩酸／硝酸→フッ化水素酸／硝酸→フッ化水素酸に変更した実施例６、フッ化水素酸／硝酸処理で硝酸５リットルにフッ化水素酸０．２リットルを用いた実施例７に記載された発明は、鉄原子が検出下限以下であり、刊行物１発明と同等である（段落【００２５】〜【００２８】参照）。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができない。
　
　よって、本願は拒絶すべきものであり、結論のとおり審決する。