【事件の表示】
　平成５年特許願第５１６０３８号「頭部取り付け表示系」拒絶査定不服審判事件〔平成５年９月３０日国際公開、ＷＯ９３／１８４２８、平成７年５月２５日国内公表、特表平７−５０４７６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、１９９３年３月１２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９２年３月１３日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１５年４月１８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものであって、その請求項に係る発明は、同年８月２８日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲に記載された事項により特定される次のとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
「使用者の頭部に位置決めするための支持フレーム；
　前記支持フレーム上に取付けられた表示表面を有する表示；および
　
使用時に、
　前記表示が、複数の行のアドレスラインおよび複数の列のアドレスラインを有する活性マトリック
ス表
　前記活性マトリックス表示が絵素回路の配列および絵素電極の配列を備えており、
　各絵素回路は単結晶物質
の薄いフィルム
　絵素密度が少なくとも２００ライン／ｃｍであ
り、
　
前記薄いフィルムが接着剤層によって支持基板に接着されている
頭部取り付け可能な表示装置。」
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に頒布された特開昭６３−１０１８３２号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに次の（１）〜（６）の事項が記載されている。
（１）「（産業上の利用分野）
  本発明は厚膜状の単結晶シリコン基板上に形成された電界効果型トランジスタを有するアクティブ・マトリクス液晶表示装置に関する。」（１頁左下欄２０行〜同頁右下欄３行）
（２）「本実施例は、第３図に示すようにデータ信号電極２１と走査信号電極２０とが交差する位置に液晶画素スイッチング用のアクティブ素子を設け、・・・
  本発明によるトランジスタは、第１図に示すように素子基板３８上に形成されている。前記素子基板は互いに隣接する単結晶シリコン３と絶縁体４とからなるデバイス層が保持基板１に接着されてなり、前記単結晶シリコンにＭＯＳトランジスタ１８からなるアクティブ素子が保持基板側に形成され、」（３頁左下欄１１〜同頁右下欄２行）
（３）「本実施例の製造方法は、概略、第６図〜第８図に示したとおりである。・・・
　まず、第６図に示すように、単結晶シリコン基板１６上に熱酸化により厚さ２μｍの酸化シリコン膜ＳｉＯ２を形成し、各表示画素に対応する部分を除き反応性イオンエッチングによりこの酸化シリコン膜を除去する。この残った酸化シリコン膜の部分が絶縁体４となる。単結晶シリコン基板１６が露出している部分に、ＳｉＨ２Ｃｌ２−Ｈ２−ＨＣｌ系を用いて、シリコンを絶縁体４と同じ高さまで選択エピタキシヤル成長させ、単結晶シリコン３を形成する。この上にＦＥＴ型のトランジスタを形成するがこれは通常のＭＯＳプロセスと同様に形成される。・・・
　次に第８図に示すように、このＭＯＳトランジスタを形成した単結晶シリコン基板１６のＭＯＳ素子形成面を絶縁性の高分子材料、例えばエポキシまたはポリイミドからなる接着層２で石英ガラス。ホウケイ酸ガラス、パイレックス系ガラス、ソーダガラス、シリコンウエハ、等の保持基板１に接着する。次に、ＭＯＳ形成部を除く単結晶シリコン基板１６をメカノケミカルポリシングで除去する。」（４頁右上欄１１行〜同頁右下欄１２行）
（４）「次に研磨面上に画素電極５を形成し、コンタクト穴１７を通して、ドレイン電極６と導通をとる。」（５頁左上欄１２〜１３行）
（５）「このような素子構成で４００×６４０画素、ピッチ０．０５ｍｍのアクティブ・マトリクス液晶表示を試作したが、」（５頁左下欄１５〜１７行）
（６）第３図から、アクティブ・マトリクス液晶表示が、複数の走査信号電極２０及び複数のデータ信号電極２１を有し、ＭＯＳトランジスタ１８の配列及び画素電極５の配列を備えていること、及びＭＯＳトランジスタ１８の各々が、１つの走査信号電極２０及び１つのデータ信号電極２１に電気的に接続されていることが、看取される。
　
３　対比
　引用例の記載事項を本願発明と対比する。
（ａ）引用例に記載の「走査信号電極２０」及び「データ信号電極２１」は、それぞれ本願発明の「行のアドレスライン」及び「列のアドレスライン」に相当する。
（ｂ）引用例に記載の「アクティブ・マトリクス液晶表示」は、同引用例の第３図からも明らかなように、複数の走査信号電極２０（行のアドレスライン）及び複数のデータ信号電極２１（列のアドレスライン）を有するものであり、本願発明の「複数の行のアドレスラインおよび複数の列のアドレスラインを有する活性マトリックス表示」に相当する。
（ｃ）引用例に記載の「ＭＯＳトランジスタ１８」及び「画素電極５」は、それぞれ本願発明の「絵素回路」及び「絵素電極」に相当する。
（ｄ）引用例に記載のアクティブ・マトリクス液晶表示（活性マトリックス表示）は、同引用例の第３図からも明らかなように、ＭＯＳトランジスタ１８（絵素回路）の配列及び画素電極５（絵素電極）の配列を備えるものである。
（ｅ）引用例に記載のＭＯＳトランジスタ１８（絵素回路）は、同引用例に「前記単結晶シリコンにＭＯＳトランジスタ１８からなるアクティブ素子が保持基板側に形成され」（３頁右下欄１〜２行）と記載されているように、単結晶シリコンで形成されており、またこの単結晶シリコンは、本願発明の「単結晶物質」に包含されるものである。
（ｆ）引用例に「互いに隣接する単結晶シリコン３と絶縁体４とからなるデバイス層」（３頁左下欄１９〜２０行）と記載されているように、単結晶シリコン３は、絶縁体４とともに（デバイス）層を構成するものであり、またこの層を構成する単結晶シリコン３にＭＯＳトランジスタ１８が形成されていることからみると、該ＭＯＳトランジスタ１８（絵素回路）は、薄いフィルムで形成されているといえる。
（ｇ）引用例に記載のＭＯＳトランジスタ１８（絵素回路）の各々は、同引用例の第３図からも明らかなように、１つの走査信号電極２０（行のアドレスライン）および１つのデータ信号電極２１（列のアドレスライン）に電気的に接続されたものである。
（ｈ）引用例の５頁左下欄１５〜１７行に記載の「このような素子構成で４００×６４０画素、ピッチ０．０５ｍｍのアクティブ・マトリクス液晶表示を試作したが」の「ピッチ０．０５ｍｍ」は、本願発明の絵素密度２００ライン／ｃｍと等価である。
（ｉ）引用例に記載の「保持基板１」は、本願発明の「支持基板」に相当する。
（ｊ）引用例に「前記素子基板は互いに隣接する単結晶シリコン３と絶縁体４とからなるデバイス層が保持基板１に接着されてなり、前記単結晶シリコンにＭＯＳトランジスタ１８からなるアクティブ素子が保持基板側に形成され、」（３頁左下欄１８〜同頁右下欄２行）及び「このＭＯＳトランジスタを形成した単結晶シリコン基板１６のＭＯＳ素子形成面を絶縁性の高分子材料、例えばエポキシまたはポリイミドからなる接着層２で石英ガラス。ホウケイ酸ガラス、パイレックス系ガラス、ソーダガラス、シリコンウエハ、等の保持基板１に接着する。」（４頁右下欄５〜１２行）と記載されているように、ＭＯＳトランジスタ１８を形成したデバイス層（薄いフィルム）は、保持基板１（支持基板）に接着層によって接着されている。
　
　以上の（ａ）〜（ｊ）を考慮して、本願発明に倣って記載すると、引用例には、
「表示表面を有する表示が、複数の行のアドレスラインおよび複数の列のアドレスラインを有する活性マトリックス表示であり、
　前記活性マトリックス表示が絵素回路の配列および絵素電極の配列を備えており、
　各絵素回路は単結晶物質の薄いフィルムで形成されており、１つの行のアドレスラインおよび１つの列のアドレスラインに電気的に接続されており、
　絵素密度が２００ライン／ｃｍであり、
　前記薄いフィルムが接着剤層によって支持基板に接着されている
表示装置」
の発明が記載されているから、
　
本願発明と引用例に記載の発明とは、上記表示装置である点で一致し、次の点で相違する。
相違点：
　本願発明では、使用者の頭部に位置決めするための支持フレーム、前記支持フレーム上に取付けられた表示表面を有する表示、および使用時に、前記表示からの画像を使用者の目に焦点合わせするように位置付けられたレンズからなる、頭部取り付け可能な表示装置であるのに対して、引用例には、そのような表示装置であることが記載されていない点。
　
４　当審の判断
　上記相違点について検討する。
　使用者の頭部に位置決めするための支持フレーム上に液晶表示が取り付けられ、使用時に、該表示からの画像をレンズによって使用者の目に焦点が合うようにした、頭部取り付け可能な表示装置は、周知であるから（特開平４−６１４９５号公報、実願昭６３−１６０７４９号（実開平２−８２１７５号）のマイクロフィルム及び米国特許第４９３３７５５号明細書を参照）、引用例に記載の発明を上記周知の表示装置に適用して、本願発明の技術的事項とすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　また、本願発明の効果も当業者が予測しうる程度のことに過ぎない。
　
５　むすび
　本願発明は、引用例に記載の発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。