【手続補正書】
【提出日】平成22年4月26日(2010.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理システムの少なくとも１つのコンポーネントを洗浄する方法であって、
前記方法が、
（Ｉ）前記半導体処理システム内の前記少なくとも１つのコンポーネントを洗浄するステップであって、
（ａ）洗浄組成物源容器から、洗浄すべき少なくとも１つのコンポーネントを備える半導体処理システムの少なくとも一部分内に気相反応物質を導入するステップと、
（ｂ）前記システムの前記少なくとも一部分内において予め定められた特徴が達成されると、前記システムの前記少なくとも一部分内への前記気相反応物質の導入を終了するステップと、
（ｃ）前記洗浄すべき少なくとも１つのコンポーネントから残留物を少なくとも部分的に除去するために十分な時間の間、前記システムの前記少なくとも一部分内で残留物と前記気相反応物質とを反応させるステップとを含み、前記気相反応物質は、前記少なくとも１つのコンポーネント上の前記残留物と選択的に反応するプロセスによって洗浄するステップ；
又は
（ＩＩ）前記半導体処理システムからの前記少なくとも１つのコンポーネントを洗浄するステップであって、
（ａ）エクス−サイチュ（ｅｘ−ｓｉｔｕ）真空チャンバ内に少なくとも１つのコンポーネントを配置するステップと、
（ｂ）洗浄組成物源容器から前記エクス−サイチュ真空チャンバ内に気相反応物質を導入するステップと、
（ｃ）前記真空チャンバ内において予め定められた特徴が達成されると、前記真空チャンバ内への前記気相反応物質の導入を終了するステップと、
（ｄ）前記真空チャンバ内に含まれる前記少なくとも１つのコンポーネントから前記残留物を少なくとも部分的に除去するために十分な時間の間、前記真空チャンバ内で残留物と前記気相反応物質とを反応させるステップとを含み、前記気相反応物質は、前記少なくとも１つのコンポーネント上の前記残留物と選択的に反応するエクス−サイチュプロセスによって洗浄するステップ；
を含む、半導体処理システムの少なくとも１つのコンポーネントを洗浄する方法。
【請求項２】
前記半導体処理システムの前記少なくとも１つのコンポーネントが、イオン注入装置、イオン注入装置のイオン源領域のコンポーネント、傍熱型陰極源、フリーマン型源、バーナス型源、真空チャンバ、アークチャンバ、電極、フィラメント、高電圧ブッシング、磁石導波管、ウェーハ処理コンポーネント、クランプリング、ホイールおよびディスクからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記気相反応物質は、ＸｅＦ２、ＸｅＦ４、ＸｅＦ６、ＮＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＫｒＦ２、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６、Ｆ２、ＣＦ４、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＣｌＦ３、ＣｌＯ２、Ｎ２Ｆ４、Ｎ２Ｆ２、Ｎ３Ｆ、ＮＦＨ２、ＮＨ２Ｆ、ＨＯＢｒ、Ｂｒ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＣＯＦ２、ＨＦ、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ２Ｈ２Ｆ４、Ｃ２Ｈ３Ｆ３、Ｃ２Ｈ４Ｆ２、Ｃ２Ｈ５Ｆ、Ｃ３Ｆ６、ＣＯＣｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＨ２Ｃｌ２およびＣＨ３Ｃｌからなる群から選択されるガスを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記気相反応物質はＸｅＦ２を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記残留物は、ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、タングステン、モリブデン、セレン、アンチモン、インジウム、タンタルおよび炭素からなる群から選択される元素を含む；
前記予め定められた特徴は、予め定められた圧力、予め定められた時間の経過、予め定められた濃度、予め定められた副生成物の存在、予め定められた反応生成物の存在、予め定められた種の存在から選択される；
前記予め定められた特徴は、減圧である；
前記予め定められた特徴は、約０．１Ｔｏｒｒから約４．０Ｔｏｒｒまでの分圧である；
前記予め定められた特徴は、約０．１分から約５分の間の予め定められた時間の経過である；及び
前記気相反応物質は、前記残留物が前記コンポーネントを構成する物質と異なる場合には、前記コンポーネントを構成する物質と実質的に反応せず、前記気相反応物質は、前記残留物が前記コンポーネントを構成する物質と同一である場合には、前記少なくとも１つのコンポーネント上の前記残留物および前記コンポーネントを構成する前記物質の両方と反応する；
という特徴から選択される１つ又は複数の適合性のある特徴を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
（ｄ）反応させる前記ステップの完了に続いて前記システム又は前記エクス−サイチュ真空チャンバを排気するステップ、及び
任意に、前記ステップ（ａ）から前記ステップ（ｄ）までを少なくとも１回反復するステップ
をさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記洗浄組成物源容器は、気相反応物質源を収容し、前記洗浄組成物源容器は、前記気相反応物質源の前記気相反応物質への物理的転換速度を上昇させるように、ヒータにより加熱される；
不活性ガスが、前記システムの前記少なくとも一部分又は前記エクス−サイチュ真空チャンバに前記気相反応物質を移送するために、前記洗浄組成物源容器内に導入される；
前記洗浄組成物源容器は、前記真空チャンバ内に配置される、または前記システムの真空チャンバの上流に配置される；及び
前記洗浄組成物源容器は、前記真空チャンバ内で前記気相反応物質を生成するために、予め測定された量の気相反応物質源を収容し、前記気相反応物質源は、固体、液体及びペレット状のＸｅＦ２から選択される；
という特徴から選択される１つ又は複数の適合性のある特徴を、前記洗浄組成物源容器が有する、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記残留物と前記気相反応物質とを反応させる前記ステップは、エネルギーによる活性化なしに引き起こされる、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
（ａ）洗浄組成物源容器から、イオン源領域の真空チャンバ内に気相物質を導入するステップと、
（ｂ）前記真空チャンバ内において予め定められた圧力が達成されると、前記真空チャンバ内への前記気相物質の導入を終了するステップと、
（ｃ）前記真空チャンバ内のプラズマを使用して、前記真空チャンバ内で前記気相反応物質を反応性ハロゲン化物種に分解するステップと、
（ｄ）前記真空チャンバから前記残留物を少なくとも部分的に除去するためにある十分な時間の間、前記真空チャンバ内で残留物と前記反応性ハロゲン化物種とを反応させるステップと
を含み、
前記気相反応物質は、ＸｅＦ２、ＸｅＦ４、ＸｅＦ６、ＮＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＫｒＦ２、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６、Ｆ２、ＣＦ４、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＣｌＦ３、ＣｌＯ２、Ｎ２Ｆ４、Ｎ２Ｆ２、Ｎ３Ｆ、ＮＦＨ２、ＮＨ２Ｆ、ＨＯＢｒ、Ｂｒ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＣＯＦ２、ＨＦ、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ２Ｈ２Ｆ４、Ｃ２Ｈ３Ｆ３、Ｃ２Ｈ４Ｆ２、Ｃ２Ｈ５Ｆ、Ｃ３Ｆ６、ＣＯＣｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＨ２Ｃｌ２およびＣＨ３Ｃｌからなる群から選択される物質を含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体処理システムのイオン源領域を洗浄する方法。
【請求項１０】
（ａ）洗浄すべき少なくとも１つのコンポーネントが、連通的に連結され、前記洗浄すべき少なくとも１つのコンポーネントの上流に位置し、気相反応物質を中に配する洗浄組成物源と、
（ｂ）前記洗浄組成物源と前記洗浄すべき少なくとも１つのコンポーネントとの間の弁と
を備える、半導体処理システムの少なくとも１つのコンポーネントを洗浄するための装置。
【請求項１１】
前記気相反応物質は、ＸｅＦ２、ＸｅＦ４、ＮＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６、Ｆ２、ＣＦ４、ＫｒＦ２、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＣｌＦ３、ＣｌＯ２、Ｎ２Ｆ４、Ｎ２Ｆ２、Ｎ３Ｆ、ＮＦＨ２、ＮＨ２Ｆ、ＨＯＢｒ、Ｂｒ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＣＯＦ２、ＨＦ、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ２Ｈ２Ｆ４、Ｃ２Ｈ３Ｆ３、Ｃ２Ｈ４Ｆ２、Ｃ２Ｈ５Ｆ、Ｃ３Ｆ６、ＣＯＣｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＨ２Ｃｌ２およびＣＨ３Ｃｌからなる群から選択される合成物を含む；
前記少なくとも１つのコンポーネントは、真空チャンバ、アークチャンバ、電極、フィラメント、高電圧ブッシング、磁石導波管、ウェーハ処理コンポーネント、クランプリング、ホイールおよびディスクからなる群から選択される；
前記コンポーネントは、イオン注入装置のイオン源領域のコンポーネントであり、前記コンポーネントが、傍熱型陰極源、フリーマン型源およびバーナス型源からなる群から選択されるイオン源を含む；
という特徴から選択される１つ又は複数の適合性のある特徴を有する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
１つまたは複数のコンポーネントからイオン化関連堆積物を少なくとも部分的に除去するための、イオン注入システムの１つまたは複数のコンポーネントを洗浄するステップを含む請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記気相反応物質は、ＸｅＦ２、ＸｅＦ４、ＸｅＦ６、ＮＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＫｒＦ２、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６、Ｆ２、ＣＦ４、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＣｌＦ３、ＣｌＯ２、Ｎ２Ｆ４、Ｎ２Ｆ２、Ｎ３Ｆ、ＮＦＨ２、ＮＨ２Ｆ、ＨＯＢｒ、Ｂｒ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＣＯＦ２、ＨＦ、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ２Ｈ２Ｆ４、Ｃ２Ｈ３Ｆ３、Ｃ２Ｈ４Ｆ２、Ｃ２Ｈ５Ｆ、Ｃ３Ｆ６、ＣＯＣｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＨ２Ｃｌ２およびＣＨ３Ｃｌからなる群から選択されるガスを含む；
前記気相反応物質はＸｅＦ２を含む；
前記洗浄するステップが、室温を含む条件で実行される；
前記洗浄するステップが、室温を上回る温度を含む条件で実行される；
前記洗浄するステップが、プラズマの存在を含む条件で実行される；
前記洗浄するステップが、プラズマが存在しない条件で実行される；
前記洗浄するステップが、静的モード洗浄を含む条件で実行される；
前記洗浄するステップが、１つまたは複数のコンポーネントが室温である条件で実行される；
前記洗浄するステップが、１つまたは複数のコンポーネントが室温を上回る温度である条件で実行される；
前記洗浄するステップが、プラズマが存在しない条件で実行される；
前記洗浄するステップが、動的洗浄を含む条件で実行される；
前記イオン化関連堆積物はドーパント源ガスのプラズマに由来し、ガス状ハロゲン化物はＸｅＦ２を含む；及び
前記イオン注入システムは、プラズマイオン注入および分子イオン注入からなる群から選択されるイオン注入プロセスを実施するように構成される；
という特徴から選択される１つ又は複数の適合性のある特徴を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
イオン注入システムにおけるイオン注入処理の間にイオン化関連堆積物が上に蓄積される１つまたは複数のコンポーネントを含むイオン注入システムと、前記堆積物に洗浄組成物を接触させることを伴う洗浄条件下において前記１つまたは複数のコンポーネントからの前記堆積物の少なくとも部分的な除去を行うように、前記堆積物と反応する気相反応物質を含む前記洗浄組成物を収容する洗浄組成物源、前記洗浄条件下において、前記１つまたは複数のコンポーネントに接触させるために前記洗浄組成物源から前記１つまたは複数のコンポーネントに前記洗浄組成物を移送するように構成される流れ回路および、前記洗浄条件の間に前記流れ回路を通る前記洗浄組成物の流れを制御して、前記１つまたは複数のコンポーネントからの前記堆積物の前記少なくとも部分的な除去を行うように構成される流れ構成部品を含む、洗浄アセンブリとを備える、イオン注入および洗浄アセンブリ。
【請求項１５】
前記洗浄組成物源は、ＸｅＦ２、ＸｅＦ４、ＸｅＦ６、ＮＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＫｒＦ２、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６、Ｆ２、ＣＦ４、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＣｌＦ３、ＣｌＯ２、Ｎ２Ｆ４、Ｎ２Ｆ２、Ｎ３Ｆ、ＮＦＨ２、ＮＨ２Ｆ、ＨＯＢｒ、Ｂｒ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＣＯＦ２、ＨＦ、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ２Ｈ２Ｆ４、Ｃ２Ｈ３Ｆ３、Ｃ２Ｈ４Ｆ２、Ｃ２Ｈ５Ｆ、Ｃ３Ｆ６、ＣＯＣｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＨ２Ｃｌ２およびＣＨ３Ｃｌからなる群から選択される気相反応物質を含む洗浄組成物を収容する、請求項１４に記載のアセンブリ。
【請求項１６】
前記洗浄組成物源は、ＸｅＦ２を含む洗浄組成物を収容する、請求項１４に記載のアセンブリ。
【請求項１７】
前記流れ構成部品は、弁、弁アクチュエータ、ポンプ、質量流量制御装置、圧力計、残留ガス分析器および中央演算処理装置からなる群から選択される少なくとも１つのコンポーネントを含む；
前記流れ構成部品は、室温を含む洗浄条件下において作動するように構成される；
前記流れ構成部品は、室温を超過する温度を含む洗浄条件下において作動するように構成される；
前記流れ構成部品は、プラズマの存在を含む洗浄条件下において作動するように構成される；
前記流れ構成部品は、プラズマが存在しない洗浄条件下において作動するように構成される；
前記流れ構成部品は、静的モード洗浄を行うように構成される；
前記流れ構成部品は、動的洗浄を行うように構成される；
前記１つまたは複数のコンポーネントは、真空チャンバ、アークチャンバ、電極、フィラメント、高電圧ブッシング、磁石導波管、ウェーハ処理コンポーネント、クランプリング、ホイールおよびディスクからなる群から選択される少なくとも１つのコンポーネントを含む；
前記１つまたは複数のコンポーネントは、上に堆積物を有し、前記堆積物は、ホウ素、ヒ素、リン、ゲルマニウム、タングステン、モリブデン、セレン、アンチモン、インジウム、タンタルまたは炭素を含む；及び
前記イオン注入システムは、プラズマイオン注入および分子イオン注入からなる群から選択されるイオン注入プロセスを実施するように構成される；
という特徴から選択される少なくとも１つの適合性のある特徴を、前記流れ構成部品が有する、請求項１４から１６のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１８】
前記イオン注入システムは、アークチャンバと、ドーパント源ガスを含み、前記アークチャンバにドーパント源ガスを供給するように構成されたドーパント源とを含み、前記アークチャンバは、前記ドーパント源から前記アークチャンバに供給されるドーパント源ガスからプラズマを中に生成するように構成され、前記洗浄組成物源内に収容される前記洗浄組成物は、ＸｅＦ２を含み、前記ドーパント源ガスは、ＢＦ３、ＡｓＨ３、ＰＨ３、ＧｅＦ４、ＳｉＦ４およびＨ２Ｓｅからなる群より選択されるガスを含む、請求項１４から１７のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１９】
前記流れ回路は、前記洗浄条件下において、前記洗浄組成物源から前記アークチャンバに前記洗浄組成物を移送するように構成される、請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項２０】
前記アークチャンバは、前記洗浄条件下において前記洗浄組成物源から前記アークチャンバに供給されるＸｅＦ２からＸｅＦ２のプラズマを中に生成するように構成される、請求項１９に記載のアセンブリ。
【請求項２１】
ＸｅＦ２のプラズマを用いてイオン源を洗浄するステップを含む、ＢＦ３、ＡｓＨ３、ＰＨ３、ＧｅＦ４、ＳｉＦ４またはＨ２Ｓｅのプラズマを生成するために使用されるイオン源の安定性を向上させる方法。
【請求項２２】
ホウ素、ケイ素、ヒ素、リン、ゲルマニウム、タングステン、モリブデン、セレン、アンチモン、インジウム、タンタルおよび炭素のうちの少なくとも１つを含む堆積物を上に有する基板から前記堆積物を除去する方法であって、前記基板から前記堆積物を少なくとも部分的に除去するために十分な時間の間、気相反応物質に前記基板を接触させるステップを含む方法。
【請求項２３】
前記堆積物はホウ素を含む；
前記基板はアルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含む；
接触させる前記ステップは減圧で実施される；
前記方法は前記基板の滞留モード洗浄を含み、任意に、（ｉ）接触させる前記ステップの間の全圧の変化をモニタリングし、圧力変化がゼロに達した場合に接触させる前記ステップを終了させるステップと、（ｉｉ）ガス状ＸｅＦ２またはそれに由来する反応物質または接触させる前記ステップにおいて生成される反応生成物の分圧をモニタリングし、前記分圧が予め定められた値に達した場合に接触させる前記ステップを終了させるステップとのうちの一方をさらに含む；
接触させる前記ステップは、約０℃から約１０００℃の範囲内の温度で実施される；
接触させる前記ステップは、前記基板への、キャリアガス中のガス状ＸｅＦ２の移送を含む；
前記ガス状ＸｅＦ２は、接触させる前記ステップの前に加熱される；
接触させる前記ステップは、前記基板への、少なくとも１つの追加の洗浄ガスと混合された状態の前記ガス状ＸｅＦ２の移送を含む；及び
前記ガス状ＸｅＦ２と前記基板とを接触させる前記ステップは、プラズマ条件下において実施される；
という特徴から選択される少なくとも１つの適合性のある特徴を有する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
アークチャンバを通して流されるドーパント源ガスからイオン注入システムの前記アークチャンバ内にプラズマを生成して、注入用のドーパント源イオンを生成するステップと、前記ドーパント源ガスが前記アークチャンバを通り流される間の少なくとも一部の時間の間に、前記ドーパント源ガスと同時に前記アークチャンバを通して洗浄ガスを流して、前記イオン注入システム内の洗浄を行うステップとを含み、前記洗浄ガスは、気相反応物質を含む、イオン注入方法。
【請求項２５】
前記気相反応物は、ＸｅＦ２、ＸｅＦ４、ＸｅＦ６、ＮＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＫｒＦ２、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６、Ｆ２、ＣＦ４、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＣｌＦ３、ＣｌＯ２、Ｎ２Ｆ４、Ｎ２Ｆ２、Ｎ３Ｆ、ＮＦＨ２、ＮＨ２Ｆ、ＨＯＢｒ、Ｂｒ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＣＯＦ２、ＨＦ、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ２Ｈ２Ｆ４、Ｃ２Ｈ３Ｆ３、Ｃ２Ｈ４Ｆ２、Ｃ２Ｈ５Ｆ、Ｃ３Ｆ６、ＣＯＣｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＨ２Ｃｌ２およびＣＨ３Ｃｌからなる群から選択される少なくとも１つのガスを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記気相反応物質はＮＦ３を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
シリコン基板中にＸｅ＋イオンを注入するステップと、その後前記シリコン基板中にドーパントイオンを注入するステップとを含む、ドープシリコン基板を形成する方法。
【請求項２８】
ドーパントイオンを注入する前記ステップは、プラズマイオン注入または分子イオン注入により実施される、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
イオン源内にＸｅＦ２のプラズマを生成して、前記イオン源のスパッタ洗浄に効果的なＸｅ＋イオンと、前記イオン源の下流のコンポーネントのスパッタ洗浄に効果的なＸｅ＋イオンとを生成するステップ；
種々のドーパント源ガスを伴って、連続的なイオン生成プロセス間にイオン源を洗浄する方法であって、プラズマを伴ってまたは伴わずに、前記プロセス間に前記イオン源を通してＸｅＦ２を流すステップ；及び
同一のドーパント源ガスを伴って、連続的なイオン生成プロセス間にイオン源を洗浄する方法であって、プラズマを伴ってまたは伴わずに、前記プロセス間に前記イオン源を通してＸｅＦ２を流すステップ；
の中の１つのステップを含む、イオン源を洗浄する方法。
【請求項３０】
（ａ）洗浄組成物源から半導体処理システムの真空チャンバ内に気相反応物質を連続的に流すステップと、
（ｂ）前記真空チャンバの内側部分または前記真空チャンバ内に含まれる少なくとも１つのコンポーネントから残留物を少なくとも部分的に除去するために、前記真空チャンバ内で前記残留物に前記気相反応物質を反応させるステップと、
（ｃ）前記チャンバの排出口の調整弁を使用することにより、前記チャンバ内の前記気相反応物質の分圧を調整するステップと
を含み、前記気相反応物質は、前記真空チャンバまたはその中の前記少なくとも１つのコンポーネントの上の前記残留物と選択的に反応する、半導体処理システムの少なくとも１つのコンポーネントを洗浄する方法。
【請求項３１】
前記半導体処理システムはイオン注入装置である；
前記コンポーネントは、イオン注入装置のイオン源領域のコンポーネントである；
前記少なくとも１つのコンポーネントは、真空チャンバ、アークチャンバ、電極、フィラメント、高電圧ブッシング、磁石導波管、ウェーハ処理コンポーネント、クランプリング、ホイールおよびディスクからなる群から選択される；
前記気相反応物質は、ＸｅＦ２、ＸｅＦ４、ＸｅＦ６、ＮＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＫｒＦ２、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６、Ｆ２、ＣＦ４、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＣｌＦ３、ＣｌＯ２、Ｎ２Ｆ４、Ｎ２Ｆ２、Ｎ３Ｆ、ＮＦＨ２、ＮＨ２Ｆ、ＨＯＢｒ、Ｂｒ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＣＯＦ２、ＨＦ、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ２Ｈ２Ｆ４、Ｃ２Ｈ３Ｆ３、Ｃ２Ｈ４Ｆ２、Ｃ２Ｈ５Ｆ、Ｃ３Ｆ６、ＣＯＣｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＨ２Ｃｌ２およびＣＨ３Ｃｌからなる群から選択されるガスを含む；
前記残留物は、ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、タングステン、モリブデン、セレン、アンチモン、インジウム、タンタルおよび炭素からなる群より選択される元素を含む；
前記気相反応物質の連続流は、一定速度で流れている；
前記気相反応物質の連続流は、可変速度で流れており、前記可変流は、前記チャンバの前記排出口の前記調整弁を使用することにより調整される；
前記調整弁は圧力調整弁である；及び
前記気相反応物質は、前記残留物が前記真空チャンバまたは前記コンポーネントのいずれかを構成する物質と異なる場合には、前記真空チャンバまたは前記コンポーネントのいずれかを構成する物質と実質的に反応せず、前記気相反応物質は、前記残留物が前記真空チャンバまたは前記コンポーネントのいずれかを構成する物質と同一である場合には、前記少なくとも１つのコンポーネント上の前記残留物と、前記真空チャンバまたは前記コンポーネントのいずれかを構成する前記物質との両方と反応する；
という特徴から選択される少なくとも１つの適合性のある特徴を有する、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
（ａ）エクス−サイチュ真空チャンバ内に半導体処理システムの少なくとも１つのコンポーネントを配置するステップと、
（ｂ）洗浄組成物源容器から前記エクス−サイチュ真空チャンバ内に気相反応物質を連続的に流すステップと、
（ｃ）前記真空チャンバ内に含まれる前記少なくとも１つのコンポーネントから残留物を少なくとも部分的に除去するために、前記真空チャンバ内で前記残留物に前記気相反応物質を反応させるステップと、
（ｄ）前記容器の排出口中の調整弁の使用により、前記気相反応物質の分圧を調整するステップと
を含み、前記気相反応物質は、前記真空チャンバまたはその中の前記少なくとも１つのコンポーネントの上の前記残留物と選択的に反応する、半導体処理システムの少なくとも１つのコンポーネントをエクス−サイチュ洗浄する方法。
【請求項３３】
前記半導体処理システムはイオン注入装置である；
前記コンポーネントは、イオン注入装置のイオン源領域のコンポーネントである；
前記少なくとも１つのコンポーネントは、真空チャンバ、アークチャンバ、電極、フィラメント、高電圧ブッシング、磁石導波管、ウェーハ処理コンポーネント、クランプリング、ホイールおよびディスクからなる群から選択される；
前記気相反応物質は、ＸｅＦ２、ＸｅＦ４、ＸｅＦ６、ＮＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６、Ｆ２、ＣＦ４、ＫｒＦ２、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＣｌＦ３、ＣｌＯ２、Ｎ２Ｆ４、Ｎ２Ｆ２、Ｎ３Ｆ、ＮＦＨ２、ＮＨ２Ｆ、ＨＯＢｒ、Ｂｒ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＣＯＦ２、ＨＦ、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ２Ｈ２Ｆ４、Ｃ２Ｈ３Ｆ３、Ｃ２Ｈ４Ｆ２、Ｃ２Ｈ５Ｆ、Ｃ３Ｆ６、ＣＯＣｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＨ２Ｃｌ２およびＣＨ３Ｃｌからなる群から選択されるガスを含む；
前記残留物は、ケイ素、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、タングステン、モリブデン、セレン、アンチモン、インジウム、タンタルおよび炭素からなる群より選択される元素を含む；
前記気相反応物質の連続流は、可変速度で流れており、前記可変流は、前記チャンバの前記排出口の前記調整弁を使用することにより調整される；
前記調整弁は圧力調整弁である；及び
前記気相反応物質は、前記残留物が前記真空チャンバまたは前記コンポーネントのいずれかを構成する物質と異なる場合には、前記真空チャンバまたは前記コンポーネントのいずれかを構成する物質と実質的に反応せず、前記気相反応物質は、前記残留物が前記真空チャンバまたは前記コンポーネントのいずれかを構成する物質と同一である場合には、前記少なくとも１つのコンポーネント上の前記残留物と、前記真空チャンバまたは前記コンポーネントのいずれかを構成する前記物質との両方と反応する
という特徴から選択される少なくとも１つの適合性のある特徴を有する、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
半導体処理システムの前記少なくとも１つのコンポーネントが、半導体処理システムのリアクタを備える、請求項１、及び３から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３５】
半導体処理システムの前記少なくとも１つのコンポーネントが、ＣＶＤシステムを備えた半導体製造ツールを含む、請求項１、及び３から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３６】
前記気相反応物質は、前記残留物と前記リアクタの前記内側部分とが異なる物質を含む場合には、前記リアクタの前記内側部分または前記リアクタ内に含まれる前記コンポーネントと実質的に反応せず、前記気相反応物質は、前記残留物と前記リアクタの前記内側部分とが少なくとも１つの同一の物質を含む場合には、前記リアクタ内の前記残留物と、前記リアクタの前記内側部分または前記リアクタ内に含まれる前記コンポーネントとの両方と反応する、請求項３４に記載の方法。
【請求項３７】
（ｄ）反応させる前記ステップの完了に続いて前記リアクタを排気するステップ、及び任意に、前記ステップ（ａ）から前記ステップ（ｄ）までを少なくとも１回反復するステップをさらに含む、請求項３４に記載の方法。
【請求項３８】
ＣＶＤシステムにおける堆積処理の間に堆積関連堆積物が上に蓄積される１つまたは複数のコンポーネントを含むＣＶＤシステムと、前記堆積物に洗浄組成物を接触させることを伴う洗浄条件下において前記１つまたは複数のコンポーネントからの前記堆積物の少なくとも部分的な除去を行うように、前記堆積物と反応する気相反応物質を含む前記洗浄組成物を含む洗浄組成物源、前記洗浄条件下において、前記１つまたは複数のコンポーネントに接触させるために前記洗浄組成物源から前記１つまたは複数のコンポーネントに前記洗浄組成物を移送するように構成される流れ回路および、前記洗浄条件の間に前記流れ回路を通る前記洗浄組成物の流れを制御して、前記１つまたは複数のコンポーネントからの前記堆積物の前記少なくとも部分的な除去を行うように構成される流れ構成部品を含む、洗浄アセンブリとを備える、堆積および洗浄アセンブリ。
【請求項３９】
前記洗浄組成物源は、ＸｅＦ２、ＸｅＦ４、ＸｅＦ６、ＮＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＫｒＦ２、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６、Ｆ２、ＣＦ４、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＣｌＦ３、ＣｌＯ２、Ｎ２Ｆ４、Ｎ２Ｆ２、Ｎ３Ｆ、ＮＦＨ２、ＮＨ２Ｆ、ＨＯＢｒ、Ｂｒ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＣＯＦ２、ＨＦ、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ２Ｈ２Ｆ４、Ｃ２Ｈ３Ｆ３、Ｃ２Ｈ４Ｆ２、Ｃ２Ｈ５Ｆ、Ｃ３Ｆ６、ＣＯＣｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＨ２Ｃｌ２およびＣＨ３Ｃｌからなる群から選択される少なくとも１つのガスを含む気相反応物質を含む洗浄組成物を収容し、
前記流れ構成部品は、弁、弁アクチュエータ、ポンプ、質量流量制御装置、圧力計、残留ガス分析器および中央演算処理装置からなる群から選択される少なくとも１つのコンポーネントを含む、請求項３８に記載のアセンブリ。
【請求項４０】
リアクタに供給される前駆物質から基板上に固体膜を形成するステップと、前記前駆物質が前記リアクタに供給される間の少なくとも一部の時間の間に、ＣＶＤシステム内の洗浄を行うために、前記前駆物質と同時に前記リアクタを通して洗浄ガスを流すステップとを含み、前記洗浄ガスは、気相反応物質を含む、ＣＶＤ方法。
【請求項４１】
前記気相反応物質は、ＸｅＦ２、ＸｅＦ４、ＸｅＦ６、ＮＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＫｒＦ２、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６、Ｆ２、ＣＦ４、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＣｌＦ３、ＣｌＯ２、Ｎ２Ｆ４、Ｎ２Ｆ２、Ｎ３Ｆ、ＮＦＨ２、ＮＨ２Ｆ、ＨＯＢｒ、Ｂｒ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＣＯＦ２、ＨＦ、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ２Ｈ２Ｆ４、Ｃ２Ｈ３Ｆ３、Ｃ２Ｈ４Ｆ２、Ｃ２Ｈ５Ｆ、Ｃ３Ｆ６、ＣＯＣｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＨ２Ｃｌ２およびＣＨ３Ｃｌからなる群から選択される少なくとも１つのガスを含む、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
種々の前駆物質を伴って、連続的な堆積プロセス間にＣＶＤシステムを洗浄する方法であって、前記プロセス間にリアクタを通して気相反応物質を流すステップを含む方法。
【請求項４３】
同一の前駆物質を伴って、連続的な堆積プロセス間にＣＶＤシステムを洗浄する方法であって、前記プロセス間に源を通して気相反応物質を流すステップを含む方法。
【請求項４４】
ＸｅＦ２、ＸｅＦ４、ＸｅＦ６、ＮＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＫｒＦ２、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６、Ｆ２、ＣＦ４、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＣｌＦ３、ＣｌＯ２、Ｎ２Ｆ４、Ｎ２Ｆ２、Ｎ３Ｆ、ＮＦＨ２、ＮＨ２Ｆ、ＨＯＢｒ、Ｂｒ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＣＯＦ２、ＨＦ、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ２Ｈ２Ｆ４、Ｃ２Ｈ３Ｆ３、Ｃ２Ｈ４Ｆ２、Ｃ２Ｈ５Ｆ、Ｃ３Ｆ６、ＣＯＣｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＨ２Ｃｌ２およびＣＨ３Ｃｌからなる群から選択される少なくとも１つのガスを含む気相反応物質を用いて、イオン源または前記イオン源のコンポーネントを洗浄するステップを含む、イオン源の寿命を延ばすための方法。
【請求項４５】
ＸｅＦ２、ＸｅＦ４、ＸｅＦ６、ＮＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＫｒＦ２、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６、Ｆ２、ＣＦ４、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＣｌＦ３、ＣｌＯ２、Ｎ２Ｆ４、Ｎ２Ｆ２、Ｎ３Ｆ、ＮＦＨ２、ＮＨ２Ｆ、ＨＯＢｒ、Ｂｒ２、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＣＯＦ２、ＨＦ、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ２Ｈ２Ｆ４、Ｃ２Ｈ３Ｆ３、Ｃ２Ｈ４Ｆ２、Ｃ２Ｈ５Ｆ、Ｃ３Ｆ６、ＣＯＣｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＨ２Ｃｌ２およびＣＨ３Ｃｌからなる群から選択される少なくとも１つのガスを含む気相反応物質を用いて、プロセスツールまたは前記プロセスツールのコンポーネントを洗浄するステップを含む、プロセスツールの平均故障間隔（ＭＴＢＦ）を延ばすための方法。