【事件の表示】
　特願２００１−３４９８４「弾性表面波装置及びその弾性表面波装置の周波数調整方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年８月２３日出願公開、特開２００２−２３７７３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年２月１３日の出願であって、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に係る各発明は、平成１５年３月１４日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、それぞれ上記各請求項に記載されたものと認められるところ、これら発明のうち、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　「【請求項１】圧電基板、圧電基板上に形成された少なくとも１つのインターデジタルトランスデューサー、及び反射器を有する弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子が搭載され、かつ弾性表面波素子に電気的に接続される電極ランドを有するパッケージと、前記弾性表面波素子と前記パッケージの電極ランドとを電気的に接続している複数のボンディングワイヤとを備え、前記弾性表面波素子が、第１、第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタが接続された構成を有し、弾性表面波装置において、前記インターデジタルトランスデューサー及び反射器を構成する電極材料が、Ａｌよりも質量の大きい金属及び該金属を含む合金であるとともに、前記ボンディングワイヤが、前記弾性表面波素子のインターデジタルトランスデューサーの上方及び反射器の上方の領域の双方を経由しないように配置されるように構成されていることを特徴とする、弾性表面波装置。」
　なお、上記請求項１に係る発明の「前記インターデジタルトランスデューサー」（７〜８行目）は、請求項１の記載では「前記ＩＤＴ」となっているが、その前段の「インターデジタルトランスデューサー」との記載との対応からみて、また、「インターデジタルトランスデューサー」を「ＩＤＴ」と略称することが明記されていないことから、「前記ＩＤＴ」は「前記インターデジタルトランスデューサー」の誤記と認め、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）を上記のように認定した。
　
２　引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前である平成１２年１１月１４日に頒布された「特開２０００−３１５９２８号公報」（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　(1)　「【請求項２】圧電体上に圧電体より密度の大きい金属膜を形成する工程と、前記金属膜を選択的にエッチングして複数のＩＤＴを形成する工程と、前記ＩＤＴが形成された圧電体を切断して複数の表面波素子に分割する工程と、前記表面波素子をパッケージングする工程とを備える表面波装置の製造方法であって、前記金属膜または前記ＩＤＴにイオンを物理的に衝突させ前記金属膜または前記ＩＤＴの膜厚を減少させて周波数を調整する工程を含むことを特徴とする表面波装置の製造方法。
【請求項５】  前記表面波素子をパッケージングする工程後に、前記周波数を調整する工程を備えることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３または請求項４記載の表面波装置の製造方法。」
　(2)　「【００２０】工程１では、水晶からなるウエハ１０を図２（ａ）に示すように用意する。工程２では図２（ｂ）に示すように、ウエハ１０の上面に蒸着、スパッタリング等によりＴａを主成分とする金属膜１１を形成する。工程３では、金属膜１１の不要な部分をエッチングにより除去し、図２（ｃ）に示すように複数のＩＤＴ１１ａと複数の反射器１１ｂからなるパターンを多数形成する。工程４では、図２（ｄ）に示すようにＩＤＴ１１ａと反射器１１ｂの組み合わせを１つの表面波素子１３としてＩＤＴ１１ａや反射器１１ｂの形成されていない部分でウエハ１０を切断する。工程５では、表面波素子のＩＤＴ１１ａ及び反射器１１ｂまたは圧電基板１０ａをエッチングすることにより、周波数特性を所望の値となるように調整する。工程６では、図２（ｅ）に示すように分割された表面波素子１２をパッケージ１３に収納し、パッケージ１３の電極１４とＩＤＴ１１ａとをボンディングワイヤー１５により電気的に接続する。
【００２１】図３は本発明の周波数調整工程における具体的な構成を示す概略図である。図３に示すように、イオンスパッタ加工装置１６はイオンガン１６ａ、Ａｒ等のスパッタする気体を入れる気体入口１６ｂ、グリッド１６ｃ、表面波素子１３を支持するステージ１６ｄから構成されている。また、イオンビーム１７が表面波素子１３の表面に衝突することにより、ＴａからなるＩＤＴ１１ａ及び水晶からなる圧電基板１０ａの表面がエッチングされる。
【００２３】なお、本実施の形態では、図２において反射器を有する縦結合型弾性表面波フィルタを縦続接続した表面波装置を用いて説明したが、これに限るものではなく、本実施の形態の手法は、表面波共振子、横結合型フィルタ、ラダー型フィルタや反射器の無い端面反射型の表面波装置等どのような表面波装置にも用いることができる。
【００２４】また、本実施の形態では、ＩＤＴの材料としてＴａを例にとって説明したが、これに限るものではなく、ＩＤＴの材料としてはＷ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｍｎ等の使用する圧電体よりも密度の大きい金属または合金を用いることが考えられる。」
　(3)　「【００２８】次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図４は、本発明の表面波装置の製造方法を示す工程図である。
【００２９】第２の実施の形態が、図１を用いて説明した第１の実施の形態と異なるのは、ＩＤＴの形成後及びパッケージング後に周波数調整工程がある点である。ＩＤＴの形成後の周波数調整工程は、ウエハの段階で図３に示した装置を用いて個別の素子を調整しているが、この段階での周波数調整は、従来のエッチング手法を用いて粗調整としても良い。
【００３０】パッケージング後の周波数調整工程は、パッケージに収納し、ワイヤボンディングやフェイスダウンボンディングで電気的に接続することにより、パッケージも含めた表面波装置の周波数が所望の値からわずかにずれることがあるため、これを修正するための周波数調整工程である。この場合、ＩＤＴの形成後の周波数調整工程と異なり従来の手法を用いることはできないため、図３に示した装置を用いて個別の弾性表面波装置を調整している。」
　
　この記載事項によると、引用例には、「圧電基板、圧電基板上に形成された少なくとも１つのＩＤＴ、及び反射器を有する表面波素子と、前記表面波素子が収納され、かつ表面波素子に電気的に接続される電極を有するパッケージと、前記表面波素子と前記パッケージの電極とを電気的に接続している複数のボンディングワイヤーとを備え、前記表面波素子が、第１、第２の縦結合型弾性表面波フィルタが縦続接続された構成を有し、表面波装置において、前記ＩＤＴ及び反射器を構成する材料が、圧電体よりも密度の大きい金属または合金である表面波装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３　対比
　ここで、引用発明でいう「ＩＤＴ」「表面波素子」「縦結合型弾性表面波フィルタ」「表面波装置」「圧電体よりも密度の大きい金属または合金」は、本願発明でいう「インターデジタルトランスデューサー」「弾性表面波素子」「縦結合共振子型弾性表面波フィルタ」「弾性表面波装置」「Ａｌよりも質量の大きい金属及び該金属を含む合金」に対応していることは当業者において明らかである。
　そして、本願発明と引用発明を対比すると、引用発明における「圧電基板」「ＩＤＴ」「反射器」「表面波素子」「電極」「パッケージ」「ボンディングワイヤー」「縦結合型弾性表面波フィルタ」「表面波装置」「圧電体よりも密度の大きい金属または合金」は、それぞれ本願発明における「圧電基板」「インターデジタルトランスデューサー」「反射器」「弾性表面波素子」「電極」「パッケージ」「ボンディングワイヤ」「縦結合共振子型弾性表面波フィルタ」「弾性表面波装置」「Ａｌよりも質量の大きい金属及び該金属を含む合金」に相当するものと認める。
　したがって、両者は、以下のとおりの一致点及び相違点を有するものと認められる。
　（一致点）
「圧電基板、圧電基板上に形成された少なくとも１つのインターデジタルトランスデューサー、及び反射器を有する弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子が搭載され、かつ弾性表面波素子に電気的に接続される電極ランドを有するパッケージと、前記弾性表面波素子と前記パッケージの電極ランドとを電気的に接続している複数のボンディングワイヤとを備え、前記弾性表面波素子が、第１、第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタが接続された構成を有し、弾性表面波装置において、前記インターデジタルトランスデューサー及び反射器を構成する電極材料が、Ａｌよりも質量の大きい金属及び該金属を含む合金である、弾性表面波装置。」
　（相違点）
　(1)　ボンディングワイヤが、本願発明では、「弾性表面波素子のインターデジタルトランスデューサーの上方及び反射器の上方の領域の双方を経由しないように配置されるように構成されている」のに対して、引用発明では、弾性表面波素子のインターデジタルトランスデューサーの上方及び反射器の上方の領域の双方を経由しないように配置されるように構成されることについては明示されていない点。
　
４　当審の判断
　上記相違点について検討する。
　相違点(1)
　上記引用例には、「【００３０】パッケージング後の周波数調整工程は、パッケージに収納し、ワイヤボンディングやフェイスダウンボンディングで電気的に接続することにより、パッケージも含めた表面波装置の周波数が所望の値からわずかにずれることがあるため、これを修正するための周波数調整工程である。この場合、ＩＤＴの形成後の周波数調整工程と異なり従来の手法を用いることはできないため、図３に示した装置を用いて個別の弾性表面波装置を調整している。」が記載されており、また、イオンビーム等を弾性表面波装置の上方から照射し、インターデジタルトランスデューサー及び反射器等の表面をエッチングすることにより周波数調整する際に、その経路上に障害となる物が存在しないように配置することがより望ましいことは当業者において明らかであることから、引用発明におけるボンディングワイヤを、弾性表面波素子のインターデジタルトランスデューサーの上方及び反射器の上方の領域の双方を経由しないように配置されるように構成することは当業者が容易になし得ることと認める。
　また、本願発明の効果についてみても、上記構成の採用に伴って当然に予測される程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるとは認められない。
　
５　むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。