【事件の表示】
　平成１０年特許願第　　２２８５号「電子材料の洗浄方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　７月３０日出願公開、特開平１１−２０４４８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年１月８日の出願であって、平成１５年３月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年４月２５日に拒絶査定に対する審判の請求がなされるとともに、同年５月２２日付けで明細書を補正対象書類とする手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．本件補正について
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「還元性物質と酸化性物質
としてオゾン
と補正された。
　なお、下線は、補正箇所を明示するものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「酸化性物質」について「酸化性物質としてオゾン」と限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（１）引用刊行物に記載された発明
　前置報告書に提示された本願の出願前に日本国内において頒布された特開平８−１１２５７３号公報（以下、「刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
ア．「図６は・・・このようにして生成するオゾン・・・含有純水を利用して洗浄を行なうようになしてある。・・・純水生成器４より純水洗浄槽２に至る流路途中にオゾン発生装置８が配設してあり、オゾン発生装置８のカソード室８３へは、上記純水生成器４より純水が、電解水生成器３のアノード室より酸素が導入される。そして・・・アノード室８２で発生するオゾン含有酸素ガスを、電解アルカリ水による洗浄槽１および純水洗浄槽２にバブリングして浸漬洗浄を行なう。酸性成分および有機成分は電解水洗浄槽１で除去され、特に有機成分はオゾンで分解除去される。・・・従って、洗浄槽の汚れ成分の濃縮を防止して、高い洗浄力を長期間維持できる。」（段落【００４９】）
イ．「・・・電解水生成器３にて生成される、水素ガスが溶解したｐＨ９以上、１２未満の電解アルカリ水は、ハンダ付け後の残渣を洗浄除去するための洗浄水として有効である。水素は気相の全圧１気圧の時、０．０００１３９ｇ（４０℃）〜０．００００７９ｇ（８０℃）、電解水に溶解する。電解水に溶解した水素ガスは、ハンダとフラックス残渣の間、ハンダ表面にある錫の酸化物を還元し（白色残渣の除去）、ハンダ表面に密着しているフラックス残渣を浮き上がらせる。このフラックス残渣にｐＨ９以上、１２未満の適度なアルカリ度を有する洗浄水が作用し、フラックスをミセル化して除去する。」（段落【００１５】）
ウ．「オゾン・・・は酸化能力が高く、有機物を分解除去するので、これらを洗浄水に添加すると、洗浄力がさらに向上する。・・・」（段落【００１３】）
エ．「・・・浸漬洗浄する場合は、洗浄槽をエアーや後述するオゾン発生装置で発生させたオゾン含有酸素ガスでバブリングしたり、超音波振動子を洗浄槽に取付け、洗浄水を十分浸透させることが望ましい。」（段落【００３０】）
オ．「・・・・・・本発明の効果を確認するため、・・・被洗浄体としては、ＪＩＳＩＩ型くし歯型電極（ガラスエポキシ基板上のＣｕ配線パターンにハンダめっきしたもの）に、はんだ付け用の水溶性フラックスを０．１ｍｌ添加し、再溶融処理（２２０℃、５分間）したものを用いた。」（段落【００５２】）
　上記記載事項イから水素ガスは、還元性物質ということができる。
　そうすると、上記記載事項ア〜オからみて、図６を参照すると、上記刊行物には、
「還元性物質と酸化性物質としてオゾンを溶解した水溶液からなる洗浄水に超音波振動を伝達しながら洗浄するガラスエポキシ基板上のＣｕ配線パターンにハンダめっきしたものの洗浄方法」という発明（以下、「刊行物記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（２）対比
　本願補正発明と刊行物記載の発明とを対比すると、後者の「ガラスエポキシ基板上のＣｕ配線パターンにハンダめっきしたもの」と前者の「電子材料」とは、電子部品用材料である限りにおいて共通している。
　そうすると、両者の一致点及び相違点は、次のとおりである。
［一致点］
　還元性物質と酸化性物質としてオゾンを溶解した水溶液からなる洗浄水に超音波振動を伝達しながら洗浄する電子部品用材料の洗浄法。
［相違点］
　前者は、電子部品用材料が電子材料であるのに対して、
　後者は、電子部品用材料がＣｕ配線パターンにハンダめっきしたガラスエポキシ基板である点。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（３）判断
　以下、上記相違点について検討する。
　後者のＣｕ配線パターンにハンダメッキしたガラスエポキシ基板は、前者の電子材料に含まれるということができ、上記相違点は実質的な相違点ではない。
　したがって、本願補正発明は上記刊行物記載の発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　また、たとえ含まれないと解釈されたとしても、本願明細書の段落【０００１】〜【０００２】の「・・・本発明は、半導体用シリコン基板などの電子材料を扱う産業において行われるウェット洗浄において、・・・半導体用シリコン基板、液晶用ガラス基板、フォトマスク用石英基板などの電子材料・・・」の記載から、両者は、洗浄対象である基板として技術分野が近接しており、しかも、還元性物質等を溶解した水溶液からなる洗浄水により半導体基板等の電子材料を洗浄することは周知の技術手段（必要であれば、特開平９−１０７１３号公報参照。）であるから、刊行物記載の発明の洗浄方法を、電子材料に適用することは当業者であれば容易に想到し得ることであり、また、適用できないとする特段の理由を見出すことはできない。
　そして、本願補正発明の奏する効果も刊行物記載の発明から当業者が予測できる範囲内であって、格別なものとも認められない。
　したがって、本願補正発明は、刊行物記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．本願発明について
（１）本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成１４年１０月１８日付けの手続補正書により補正がされた明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、以下のとおりのものである。
「還元性物質と酸化性物質を溶解した水溶液からなる洗浄水に超音波振動を伝達しながら洗浄することを特徴とする電子材料の洗浄方法。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（２）引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の特許出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平８−１９４４３４号（特開平１０−４１２６２号公報参照。）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には次の事項が記載されている。
ア．「【請求項１】  水素ガスを溶かした水又は水素ガスを溶かした電解質水溶液を洗浄液とする洗浄方法。・・・
【請求項４】  請求項１，２又は３記載の洗浄方法において，該洗浄液に過酸化水素を添加したことを特徴とする洗浄方法。・・・
【請求項６】　請求項１，２，３，４又は５記載の洗浄方法を用いて半導体基板を洗浄する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
イ．「【発明の属する技術分野】本発明は被洗浄物表面に付着した金属及びその化合物を除去する洗浄方法に関する。」（段落【０００１】）
ウ．「本発明の第四及び第五の構成では，上述した水素ガスを溶かした水又は水溶液に，さらに過酸化水素を添加し又は酸素ガスを溶かす。過酸化水素又は酸素ガスを溶解することにより，水素ガスが溶けて−側に変化した酸化還元電位が＋側に引き戻される。水素ガスは容易に飽和するため水素濃度を制御して酸化還元電位を調整することは難しい。しかし，水素ガスを多量に溶かした洗浄液に酸化剤を添加して酸化還元電位を調整することは容易である。従って，酸化還元電位を洗浄液のＰＨに応じて容易に調整できるから，図３及び図４に示すような腐蝕領域ハが水素発生反応を起こす電位ａと酸素分解反応を起こす電位ｂとの中間にあり，水素ガスを飽和した洗浄液では適切な酸化還元電位が得られない金属に対しても，適切な洗浄がなされる。なお，溶液として安定に存在する過酸化水素を用いる方が，制御がより確実である。」（段落【００２１】）
エ．「上述した第一〜第五の構成の洗浄方法を，金属の配線又は薄膜が形成された半導体ウエーハの洗浄に利用することで，半導体装置を損傷することなく金属汚染を除去することができる。従って信頼性の高い半導体装置の製造方法が提供される。」（段落【００２２】）
　上記記載事項ウから、水素ガスは還元性物質ということができ、過酸化水素は酸化性物質ということができる。
　そうすると、上記記載事項ア〜エからみて、上記先願明細書には、
「還元性物質と酸化性物質を溶解した水溶液からなる洗浄水で洗浄する電子材料の洗浄方法」という発明（以下、「先願発明」という。）が記載されているものと認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（３）対比・判断
　本願発明１と先願発明とを対比すると、両者の一致点及び相違点は、次の通りである。
［一致点］
　還元性物質と酸化性物質を溶解した水溶液からなる洗浄水で洗浄する電子材料の洗浄方法である点。
［形式上の相違点］
　本願発明１では、洗浄水に超音波振動を伝達しながら洗浄するのに対して、先願発明では、そのように特定されていない点。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（４）当審の判断
　本願発明１において、洗浄水に超音波振動を伝達しながら洗浄することは、被洗浄物表面からの微粒子などの汚染の脱離効果を高めるためであり（本願明細書の段落【００１０】参照。）、洗浄効果を高めるために洗浄水に超音波振動を伝達しながら洗浄することは電子材料の洗浄の分野において、慣用技術である（特開平９−６９５０８号公報、特開平９−１６４３７４号公報、特開平９−１９９４６４号公報参照。）。
　そして、上記相違点は、先願発明において、洗浄効果を高めるために上記慣用技術を単に付加したものであり、課題解決のための具体化手段における微差にすぎない。
　したがって、本願発明１と先願発明とは実質的に同一である。
　なお、請求人は、本願発明１は、従来技術の欠点、特に超音波振動の洗浄で発生する表面の原子レベルの表面荒れの欠点を改善することが課題である旨の主張をしているが、前記欠点は、溶存水素ガス濃度が高すぎたり、洗浄時間が長すぎたりすることによるなどの従来技術の欠点の一つにすぎず（本願明細書の段落【０００２】参照。）、先願発明１でも、前記従来技術と同様の課題を有することは明らかであり、また、超音波振動を併用することによる効果も、上記慣用技術を付加したことによる当然の効果にすぎない。
　よって、請求人の主張は採用することができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明１は、先願発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明１は、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができない。
　よって、本願の請求項２ないし３に係る発明について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。