【事件の表示】
　平成　８年特許願第　７２０４３号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１０月　３日出願公開、特開平　９−２６０４３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
理　由
［１］手続の経緯 
　本願は、平成８年３月２７日の出願であって、平成１５年８月２５日付で拒絶理由通知がなされ、同年１０月３１日付で意見書及び手続補正書が提出され、平成１５年８月２５日付拒絶理由通知書に記載した理由によって、同年１１月１９日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１６年１月２３日付で手続補正書が提出されたものである。 
 　　 
［２］平成１６年１月２３日付手続補正についての補正却下の決定 
 　　 
＜補正却下の決定の結論＞ 
　平成１６年１月２３日付手続補正を却下する。 
 　　 
＜理由＞ 
［２−１］補正の内容 
　平成１６年１月２３日付手続補正は、特許請求の範囲を、
「【請求項１】一方主面及び他方主面を有し、他方主面に複数のパッド電極が設けられている半導体チップと、各々が前記複数のパッド電極のうち対応するパッド電極に直接接続される複数の接続電極と、絶縁体を基体とし、一方主面及び他方主面を有し、一方主面に複数のチップ接続用パターンが設けられ、他方主面に複数の外部電極部が設けられる配線板とを備え，前記複数のチップ接続用パターンはそれぞれ前記複数の外部電極部のうち対応する外部電極部に電気的に接続され，かつそれぞれ前記複数の接続電極のうち対応する接続電極に直接接続され、前記複数の外部電極部のそれぞれは前記配線板の他方主面上に形成される基板接続パターンおよび該基板接続パターンに直接接続されるボール状の接続端子から成り、
　前記複数のパッド電極を含む前記半導体チップ全体、前記複数の接続電極、前記複数のチップ接続パターンを含む前記配線板の一方主面を覆い、かつ前記配線板の側面を覆い、さらに前記配線板の他方主面にあっては、前記複数の外部電極部が形成される領域を開口して、前記配線板の他方主面の周辺領域のみをさらに覆って形成される樹脂をさらに備え、
　前記配線板は前記半導体チップと同程度の平面形状を有し、前記複数の外部電極部の形成領域は前記複数のチップ接続用パターンの形成領域よりも小さく、かつ前記配線板の端部から前記複数のチップ接続用パターンの形成領域までの距離は、前記配線板の端部から前記複数の外部電極部の形成領域までの距離より短いことを特徴とする、
半導体装置。
【請求項２】前記樹脂は、トランスファモールド法で形成される、
請求項１記載の半導体装置。」
とする補正を含むものである。
 　　 
［２−２］補正の目的 
　上記特許請求の範囲の補正において、補正前の請求項１に記載され、補正前の請求項３にも引用される「一方主面及び他方主面を有し、一方主面に・・・配線板」の前に「絶縁体を基体とし、」を付加して、「絶縁体を基体とし、一方主面及び他方主面を有し、一方主面に・・・配線板」に限定する補正、補正前の請求項２を削除する補正、及び補正前の請求項３で引用する請求項２を削除する補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、補正前の請求項１に記載され、補正前の請求項３にも引用される「周辺領域領域のみ」を「周辺領域のみ」とする補正、及び上記補正前の請求項２の削除に伴い、補正前の請求項３の項番号を２に繰り上げる補正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。 
 　　 
［２−３］独立特許要件 
　次いで、上記の特許請求の範囲の減縮を目的とする補正後の請求項１、２に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。 
 　　 
（１）補正後の本願発明 
　上記補正後の請求項１、２に係る発明（以下、「本願補正発明１」、「本願補正発明２」という。）は、平成１６年１月２３日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定される、上記［２−１］の【請求項１】、【請求項２】に記載したとおりのものと認める。
　　 
（２）引用刊行物の記載事項 
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された下記刊行物には、夫々以下の事項が記載されている。 
記
刊行物１：特開平７−２２６４５４号公報
刊行物２：特開平６−２０９０５４号公報
刊行物３：特開平５−１２９３６６号公報
　　
（２−１）刊行物１：特開平７−２２６４５４号公報
　刊行物１には、図１〜３、８が示されるとともに、
「【請求項１】絶縁基板と、平板状をなしかつその一面の外周近傍には複数の電極パッドが設けられて前記絶縁基板上に前記電極パッド側を対面させた状態で接合される半導体素子と、前記絶縁基板と前記半導体素子とを一体封止する封止部とで構成された半導体装置であって、前記絶縁基板は、いずれか一方の面に前記複数の電極パッドにそれぞれ対応して形成された複数の電極と、その電極と同じ面に設けられると共に前記複数の電極のそれぞれと配線される複数のボンドパッドと、前記半導体素子と接合する側とは反対の面側に、前記複数のボンドパッドに対応して形成されかつ先端側が前記封止部より外部に突出する状態で設けられた複数の端子とを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】前記絶縁基板はセラミック材料で構成されることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体装置。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】、【請求項３】）、
　実施例として、「【００１０】半導体素子５２は、従来と同様に（図８参照）平板状をなすと共に略中心よりに形成された素子領域５２ａと素子領域５２ａの周りに形成された電極形成領域５２ｂとを有している。そして、電極形成領域５２ｂに対応する一面上には、つまり半導体素子５２の一面の外周近傍には、複数の電極パッド５３が配列されている。・・・・・
【００１１】一方、絶縁基板１１は、例えばセラミック材料や、表面に耐熱絶縁膜が被覆された金属板、耐熱性を有するプラスチック材料等で構成される。いずれの材料においても半導体素子５２の線膨張係数に略合うものが好ましく、かつ回路基板への実装時のはんだ付けに耐え得る耐熱性を有するものが用いられる。この絶縁基板１１は、例えば半導体素子５２の面積と略等しい面積に形成される。
【００１２】また絶縁基板１１のいずれか一方の面には、図１では半導体素子５２と接合する側の面には、半導体素子５２の複数の電極パッド５３にそれぞれ対応する複数の電極１２が形成されている。・・・・・
【００１３】図２及び図３に示したように絶縁基板１１の周辺には複数の電極１２が形成されており、その電極１２と同じ面には、複数の電極１２のそれぞれと配線されるボンドパッド１３が電極１２と同数設けられている。・・・・・このボンドパッド１３は例えば図２に示したように、電極１２より絶縁基板１１の中心側にアレイ状に設けられており、同じ面内において各電極１２と各ボンドパッド１３とがＣｕやＡｕ等によって規則正しく配線されている。」（段落【００１０】〜【００１３】）、
「【００１５】各ボンドパッド１３の下にはスルーホール１５がそれぞれ形成されており、絶縁基板１１の半導体素子５２と接合する側とは反対の面には、スルーホール１５のそれぞれに対応してボンドパッド１６が例えばアレイ状に設けられている。・・・・・
【００１６】さらに絶縁基板１１の半導体素子５２と接合する側とは反対の面側には、各ボンドパッド１６に対応してはんだ等からなる端子１７が設けられている。つまり、絶縁基板１１の半導体素子５２と接合する側とは反対の面側には、半導体素子５２側の面のボンドパッド１３と同じ個数の端子１７がアレイ状に設けられている。端子１７は、例えばメッキまたは浸漬法等の方法によって例えばボール状に形成され、」（段落【００１５】、【００１６】）、
「【００１８】そして、接合された絶縁基板１１と半導体素子５２とが、端子１７の先端側を除いて例えば樹脂材やセラミック材等で一体封止されて封止部２０が形成されている。すなわち封止された状態では、端子１７それぞれの先端側が封止部２０より外部に突出するようなっている。
【００１９】・・・・・接合された絶縁基板１１と半導体素子５２とを回路基板への実装前に封止する方法としては、例えばポッティングやトランスファー成型等がある。いずれの場合にも、絶縁基板１１と半導体素子５２とが一体封止されることで機械的強度の点や、耐湿性等の点で環境保護された状態となっている。」（段落【００１８】、【００１９】）、
「【００２１】また従来のリード端子もなく、ワイヤーを用いないので薄型化も可能となる。さらにワイヤーボンディング方式を取ったものに比較して、電極パッド５３から端子１７までの配線の長さが短くて済むため、高周波特性や雑音特性等の電気特性が向上する。また、絶縁基板１１がセラミック材料で構成されている場合には、熱伝導性に優れたものとなり、絶縁基板１１自身がヒートシンク等の役割をも果たすこととなる。したがってこの実施例によれば小型でかつ多ピン化に有利な、しかも電気特性、放熱特性に優れた半導体装置を得ることができる。」（段落【００２１】）が記載されている。
　また、図１、図２、図８には、絶縁基板と半導体素子とが略等しい平面形状を有する点、絶縁基板の半導体素子と接合する側とは反対の面側のボンドパッド及び端子の形成領域が、絶縁基板の半導体素子と接合する側のボンドパッド及び電極の形成領域よりも小さく、かつ絶縁基板の端部から前記半導体素子と接合する側のボンドパッド及び電極の形成領域までの距離は、絶縁基板の端部から前記半導体素子と接合する側とは反対の面側のボンドパッド及び端子の形成領域までの距離より短い点、及び、絶縁基板と半導体素子とが該絶縁基板の端子の先端側を除いて全て封止部により覆われ一体封止されている点が図示されている。
　　
（２−２）刊行物２：特開平６−２０９０５４号公報
　刊行物２には、図１、図２、図１１が示されるとともに、
「【請求項１】半導体素子と、この半導体素子を固着、搭載する載置部と、上記半導体素子と電気的に導通される内部リードと、上記半導体素子と上記内部リードとを電気的に導通する導通手段と、上記半導体素子、上記載置部、上記内部リード及び上記導通手段を封止する封止材と、上記内部リードが上記封止材から外部に延長して形成された外部リードとを備えた半導体装置であって、上記載置部の端面近傍は上記封止材に額縁状に封止され、上記載置部の端面近傍を除いた上記載置部の半導体素子が搭載されていない面の中央は上記封止材に封止されずに露出して露出面を形成していることを特徴とする半導体装置。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】）、
　従来の技術として、「【０００４】また、最近の市場からの要求により、高放熱性をもった半導体装置が必要とされている。半導体装置として高放熱性を得るために、例えば載置部２を外部へ露出する構造が考えられる。図１１はこのような従来の載置部露出構造を持つ半導体装置の一例を示す側断面図である。しかし、図１１に示すように、載置部２の裏面全体が露出しているために、載置部２の端面２Ａに応力が集中して封止材６と載置部２との界面剥離が発生し、半導体装置の信頼性に悪影響を及ぼす問題点があった。」（段落【０００４】）、
　請求項１に係る発明の作用として、「【作用】この発明の請求項第１項においては、半導体素子載置部の端面近傍を封止して露出面は封止しないので、載置部裏面の額縁状封止材の厚みを薄くすることにより半導体装置を薄型にすることができ、載置部裏面全体を封止しないので成形性が向上し、かつ放熱性も向上する。」（段落【０００８】）、
  実施例として、「【実施例】実施例１．・・・図１及び２において、半導体素子１を搭載する載置部２の端面近傍２ａは、封止材６によって額縁状に封止されている。載置部２の端面近傍２ａを除いた載置部２の半導体素子１が搭載されていない面の中央は、封止材６に封止されずに露出して外部露出部分である露出面２ｂを形成している。
【００１０】・・・・・金型で樹脂封止を行う場合に樹脂を載置部２の裏面全体に流し込む必要がなく樹脂封止が容易となり、載置部２との接着力が十分得られる最小限の幅ｄ４で樹脂封止すればよい。
【００１１】また、端面近傍２ａの幅ｄ４を小さくすれば、露出面２ｂを大きくすることができ、放熱効果が増大するといった相乗効果がある。さらに、載置部２の端面近傍２ａは封止されているので、図１１に示したような端面２Ａでの応力集中は緩和される。このように、半導体装置に要求される特性である放熱性、信頼性に応じて、成形性が良好で高放熱性を備えた半導体装置が得られる。」（段落【０００９】〜【００１１】）が記載されている。
　　
（２−３）刊行物３：特開平５−１２９３６６号公報
  刊行物３には、図１〜３が示されるとともに、
「【請求項１】一面に全接続パッド(2) を配したＩＣチップ(1) と、該ＩＣチップ(1) をフェイスダウンに搭載し、該接続パッド(2) とバンプ(3) を介して溶着接続するＩＣ接続パッド(4) を対向位置に配設し、反対面に夫々の該ＩＣ接続パッド(4) に導通し、マザーボード(9) にバンプ(33)を介して溶着接続させるマザーボード接続パッド(5) を、該ＩＣチップ(1) の略投射面積内に配設し、・・・両面又は多層に導体をパターン形成したＴＡＢテープ(8) と、から成ることを特徴とする集積回路用ＴＡＢ実装構造。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】）、
「【０００５】フリップチップ実装は、図３の(a) のように、ＩＣチップ15の一面には外部接続用の接続パッド25が配設してあり、マザーボード95の実装位置には、接続パッド25に対向してＩＣ接続パッド45がパターン形成され所定回路に通じている。ＩＣチップ15をマザーボード95の所定位置にフェイスダウンに載置し、バンプ35を介して対向した接続パッド25とＩＣ接続パッド45とを半田付け接続して固定する実装構造であり、」（段落【０００５】）が記載されている。
　　
（３）対比・判断
（３−１）本願補正発明１について
　上記（２−１）に摘記した事項を総合すると、刊行物１には、「セラミック材料等で構成される絶縁基板と、平板状をなしかつその一面の外周近傍には複数の電極パッドが設けられて前記絶縁基板上に前記電極パッド側を対面させた状態で接合される半導体素子と、前記絶縁基板と前記半導体素子とを樹脂材のトランスファー成型等によって一体封止する封止部とで構成されている半導体装置であって、前記絶縁基板は、いずれか一方の面に前記半導体素子の複数の電極パッドにそれぞれ対応して形成された複数の電極と、その電極と同じ面に設けられると共に前記複数の電極のそれぞれと配線される複数のボンドパッドと、前記半導体素子と接合する側とは反対の面側に、前記複数のボンドパッドに対応してスルーホールによって接続される複数のボンドパッドが設けられ、該ボンドパッド上に例えばボール状に形成され、かつ先端側が前記封止部より外部に突出する状態で設けられた複数の端子とを備え、前記絶縁基板と前記半導体素子とが該端子の先端側を除いて全て前記封止部によって覆われ一体封止されることで機械的強度の点や耐湿性等の点で環境保護された状態となっており、前記絶縁基板がセラミック材料で構成される場合には、該絶縁基板自身がヒートシンク等の役割をも果たして放熱特性にも優れており、前記絶縁基板と前記半導体素子とが略等しい平面形状を有し、絶縁基板の半導体素子と接合する側とは反対の面側のボンドパッド及び端子の形成領域が、絶縁基板の半導体素子と接合する側のボンドパッド及び電極の形成領域よりも小さく、かつ絶縁基板の端部から前記半導体素子と接合する側のボンドパッド及び電極の形成領域までの距離は、絶縁基板の端部から前記半導体素子と接合する側とは反対の面側のボンドパッド及び端子の形成領域までの距離より短い半導体装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　そこで、本願補正発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「セラミック材料等で構成される絶縁基板・・・前記絶縁基板は、いずれか一方の面に前記半導体素子の複数の電極パッドにそれぞれ対応して形成された複数の電極と、その電極と同じ面に設けられると共に前記複数の電極のそれぞれと配線される複数のボンドパッドと、前記半導体素子と接合する側とは反対の面側に、前記複数のボンドパッドに対応してスルーホールによって接続される複数のボンドパッドが設けられ、該ボンドパッド上に例えばボール状に形成され・・・た複数の端子とを備え」において、その「いずれか一方の面」、「複数の電極と、その電極と同じ面に設けられると共に前記複数の電極のそれぞれと配線される複数のボンドパッド」、「半導体素子と接合する側とは反対の面側に・・・複数のボンドパッドが設けられ、該ボンドパッド上に例えばボール状に形成され・・・た複数の端子」、「反対の面側に、前記複数のボンドパッドに対応してスルーホールによって接続される複数のボンドパッドが設けられ、」は夫々、本願補正発明１における絶縁体を基体とする配線板の「一方主面」、「複数のチップ接続用パターン」、「複数の外部電極部」、「前記複数のチップ接続用パターンはそれぞれ前記複数の外部電極部のうち対応する外部電極部に電気的に接続され，」に相当する。そうすると、それらを具備する上記「絶縁基板」は、本願補正発明１における「絶縁体を基体とし、一方主面及び他方主面を有し、一方主面に複数のチップ接続用パターンが設けられ、他方主面に複数の外部電極部が設けられる配線板・・・前記複数のチップ接続用パターンはそれぞれ前記複数の外部電極部のうち対応する外部電極部に電気的に接続され，・・・前記複数の外部電極部のそれぞれは前記配線板の他方主面上に形成される基板接続パターンおよび該基板接続パターンに直接接続されるボール状の接続端子から成り、」と記載される「配線板」に相当する。
　また、引用発明における「平板状をなしかつその一面の外周近傍には複数の電極パッドが設けられて前記絶縁基板上に前記電極パッド側を対面させた状態で接合される半導体素子」の「平板状をなしかつその一面」、「電極パッド」は夫々、本願補正発明１における「一方主面及び他方主面を有し、他方主面」、「パッド電極」に相当し、それらを具備する上記「半導体素子」は、本願補正発明１における「一方主面及び他方主面を有し、他方主面に複数のパッド電極が設けられている半導体チップ」に相当する。
　また、引用発明において、「前記絶縁基板と前記半導体素子とを樹脂材のトランスファー成型等によって一体封止する封止部・・・前記絶縁基板と前記半導体素子とが該端子の先端側を除いて全て前記封止部によって覆われ一体封止される」と記載される「封止部」は、複数の電極パッドを含む半導体素子全体、絶縁基板の複数の電極とボンドパッドとが設けられた一方の面、側面、及び複数の端子が設けられた面を樹脂等の封止材で覆うものであるから、本願補正発明１における「複数のパッド電極を含む前記半導体チップ全体、・・・複数のチップ接続パターンを含む前記配線板の一方主面を覆い、かつ前記配線板の側面を覆い、さらに前記配線板の他方主面・・・をさらに覆って形成される樹脂」に相当する。
　また、引用発明における「絶縁基板の半導体素子と接合する側とは反対の面側のボンドパッド及び端子の形成領域が、絶縁基板の半導体素子と接合する側のボンドパッド及び電極の形成領域よりも小さく、かつ絶縁基板の端部から前記半導体素子と接合する側のボンドパッド及び電極の形成領域までの距離は、絶縁基板の端部から前記半導体素子と接合する側とは反対の面側のボンドパッド及び端子の形成領域までの距離より短い」の記載は、その「絶縁基板の半導体素子と接合する側とは反対の面側のボンドパッド及び端子」、「絶縁基板の半導体素子と接合する側のボンドパッド及び電極」が夫々、本願補正発明１における「複数の外部電極部」、「複数のチップ接続用パターン」に相当し、本願補正発明１における「前記複数の外部電極部の形成領域は前記複数のチップ接続用パターンの形成領域よりも小さく、かつ前記配線板の端部から前記複数のチップ接続用パターンの形成領域までの距離は、前記配線板の端部から前記複数の外部電極部の形成領域までの距離より短い」の記載に相当する。
　そうすると、両発明は、「一方主面及び他方主面を有し、他方主面に複数のパッド電極が設けられている半導体チップと、絶縁体を基体とし、一方主面及び他方主面を有し、一方主面に複数のチップ接続用パターンが設けられ、他方主面に複数の外部電極部が設けられる配線板とを備え，前記複数のチップ接続用パターンはそれぞれ前記複数の外部電極部のうち対応する外部電極部に電気的に接続され，前記複数の外部電極部のそれぞれは前記配線板の他方主面上に形成される基板接続パターンおよび該基板接続パターンに直接接続されるボール状の接続端子から成り、
　前記複数のパッド電極を含む前記半導体チップ全体、前記複数のチップ接続パターンを含む前記配線板の一方主面を覆い、かつ前記配線板の側面を覆い、さらに前記配線板の他方主面をさらに覆って形成される樹脂をさらに備え、
　前記配線板は前記半導体チップと同程度の平面形状を有し、前記複数の外部電極部の形成領域は前記複数のチップ接続用パターンの形成領域よりも小さく、かつ前記配線板の端部から前記複数のチップ接続用パターンの形成領域までの距離は、前記配線板の端部から前記複数の外部電極部の形成領域までの距離より短い半導体装置。」の点で一致し、次の点で相違する。 
（イ）本願補正発明１では、半導体チップの対応する複数のパッド電極に直接接続される複数の接続電極を有し、該複数の接続電極に対応する配線板の複数のチップ接続パターンが夫々直接接続されており、該複数の接続電極が樹脂で覆われているのに対し、引用発明では、半導体素子の電極パッドと絶縁基板の電極間に接続電極は設けられていない点。 
（ロ）本願補正発明１では、樹脂は、配線板の他方主面にあっては、複数の外部電極部が形成される領域を開口して、前記配線板の他方主面の周辺領域のみを封止しているのに対し、引用発明では、絶縁基板の半導体素子と接合する側とは反対側の面が該絶縁基板の端子の先端側を除いて全て封止部によって覆われている点。
　　
　そこで、上記相違点（イ）について検討するに、接続すべきＩＣチップの接続パッドとＴＡＢテープ又はマザーボードのＩＣ接続パッドとの間にバンプを介在させることが刊行物３に記載されるように、接続すべき半導体チップの接続パッドと絶縁基板のチップ接続パッド間に接続電極を介在させることは、半導体チップの実装技術分野において本願出願前周知の技術であるから、引用発明における接続すべき半導体素子の電極パッドと絶縁基板の電極間に接続電極を介在させることは、当業者が設計上適宜に採用できたものと認められる。また、引用発明において、樹脂材による一体封止で半導体素子と絶縁基板間には樹脂が充填されるのであるから、半導体素子と絶縁基板間に設けられる上記の接続電極がその樹脂で覆われることは、当業者にとって自明の事項であるといえる。
　次に、上記相違点（ロ）について検討するに、配線板上に半導体チップを搭載して一体に樹脂封止する半導体装置において、その配線板裏面の周辺領域のみを封止樹脂で覆い、外部電極部が形成される中央領域を開口する封止構造は本願出願前周知であり（例えば、特開平４−８４４５２号公報，第３頁左下欄２行〜右下欄７行，第２〜４図、特開平７−２７３２４６号公報，段落【００６９】，図２０参照）、また、刊行物２には、載置部に半導体素子を搭載して一体に樹脂封止する半導体装置において、その載置部裏面の端面近傍のみを封止樹脂材で封止し、中央部は樹脂封止せずに露出させるものが記載されており、上記周知の封止構造とも共通する、その載置部裏面の中央領域を開口して周辺領域のみを樹脂封止する封止構造により、高放熱性が得られるとともに、載置部と封止樹脂材との接着力も十分に得られ、端面の応力集中が緩和されることが記載されているのであるから、放熱特性に優れ、更に機械的強度や耐湿性等の点でも環境保護された半導体装置を得ることを目的とする引用発明において、その配線板（引用発明では「絶縁基板」）の他方主面（引用発明では「半導体素子と接合する側とは反対側の面」）に上記封止構造を採用し、その中央部の複数の外部電極部（引用発明では「端子」等）が形成される領域を開口して周辺領域のみを封止することは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　そして、本願補正発明１の発明特定事項によってもたらされる効果について検討してみても、樹脂の配線板との接着力が強化され、半導体チップと配線板との接合面で生じる反りを抑制できるという効果は、刊行物２の「載置部２との接着力が十分得られる」（段落【００１０】）、「載置部２の端面近傍２ａは封止されているので、図１１に示したような端面２Ａでの応力集中は緩和される。」（段落【００１１】）との記載から当業者が普通に予測し得る程度のものであり、格別なものとはいえない。また、他にも、格別な効果は見いだせない。 
 　　 
　したがって、本願補正発明１は、刊行物１〜３に記載された発明及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
 　　 
（４）むすび 
　以上のとおり、本願補正発明１が特許出願の際独立して特許を受けることができないため、本願補正発明２について検討するまでもなく、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
 　　 
［３］本願発明 
　平成１６年１月２３日付手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１〜３に係る発明は、平成１５年１０月３１日付手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は以下のとおりである。
「【請求項１】一方主面及び他方主面を有し、他方主面に複数のパッド電極が設けられている半導体チップと、各々が前記複数のパッド電極のうち対応するパッド電極に直接接続される複数の接続電極と、一方主面及び他方主面を有し、一方主面に複数のチップ接続用パターンが設けられ、他方主面に複数の外部電極部が設けられる配線板とを備え，前記複数のチップ接続用パターンはそれぞれ前記複数の外部電極部のうち対応する外部電極部に電気的に接続され，かつそれぞれ前記複数の接続電極のうち対応する接続電極に直接接続され、前記複数の外部電極部のそれぞれは前記配線板の他方主面上に形成される基板接続パターンおよび該基板接続パターンに直接接続されるボール状の接続端子から成り、
　前記複数のパッド電極を含む前記半導体チップ全体、前記複数の接続電極、前記複数のチップ接続パターンを含む前記配線板の一方主面を覆い、かつ
前記配線板の側面を覆い、さらに前記配線板の他方主面にあっては、前記複数の外部電極部が形成される領域を開口して、前記配線板の他方主面の周辺領域領域のみをさらに覆って形成される樹脂をさらに備え、
　前記配線板は前記半導体チップと同程度の平面形状を有し、前記複数の外部電極部の形成領域は前記複数のチップ接続用パターンの形成領域よりも小さく、かつ前記配線板の端部から前記複数のチップ接続用パターンの形成領域までの距離は、前記配線板の端部から前記複数の外部電極部の形成領域までの距離より短いことを特徴とする、半導体装置。」
　 
［４］引用刊行物の記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１（特開平７−２２６４５４号公報）、同刊行物２（特開平６−２０９０５４号公報）、同刊行物３（特開平５−１２９３６６号公報）には、夫々上記［２−３］（２−１）〜（２−３）に摘記した事項が記載されている。 
 　　 
［５］対比・判断 
　本願発明１は、上記［３］で認定したとおり、本願補正発明１における「周辺領域のみ」を「周辺領域領域のみ」とし、且つ本願補正発明１における配線板の材質についての特定事項である「絶縁体を基体とし、」を削除したものに相当する。
　そして、上記「周辺領域のみ」と「周辺領域領域のみ」とで実質的な差異はなく、また、上記「絶縁体を基体とし、」が削除されても、本願発明１において、絶縁体を基体とする配線板の態様が除かれているわけではない。
　してみると、本願発明１は、本願補正発明１を包含する発明であるといえる。
　そして、上記［２−３］（３−１）で説示したとおり、本願補正発明１は、刊行物１〜３に記載された発明及び本願出願前周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１は本願補正発明１と同様、刊行物１〜３に記載された発明及び本願出願前周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［６］むすび 
　以上のとおり、本願発明１は、刊行物１〜３に記載された発明及び本願出願前周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の請求項２、３に係る発明ついて検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。