【事件の表示】
　特願２００１−２１１５２９「プラズマ生成装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年４月５日出願公開、特開２００２−１００６２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年６月１日に出願した特願平４−１４０２８５号の一部を平成１３年７月１２日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１〜８に係る発明は、願書に添付された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されたとおりのものであるところ、その請求項５に係る発明（以下、「本願発明５」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項５】
　容器内を減圧する手段を備えた処理容器と、前記処理容器に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理容器内にウエハを設置する試料台と、前記処理ガス供給手段の供給口を前記ウエハと直接対向する前記処理容器壁面に配置し、前記供給口から前記試料台方向の前記供給口近傍における前記処理容器内壁を略一定の径に形成し、前記供給口は前記処理容器の中心軸付近に形成された複数の小孔であり、前記小孔を有する領域の外周側には前記小孔を非設置にした領域が形成され、前記処理ガス供給手段からの前記処理ガスが前記処理容器側壁側から前記供給口に供給されることを特徴とするプラズマ生成装置。」
　なお、請求項５に記載された「前記前記供給口」は明らかな誤記であり、上記のとおり「前記供給口」と認定した。
　
２．引用刊行物及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に国内において頒布された特開平２−８３９２１号公報（以下、「刊行物１」という。）、特開昭６３−２６３７２５号公報（以下、「刊行物２」という。）、及び特開平３−１９３３２号公報（以下、「刊行物３」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１の記載事項
（１ａ）「〔発明が解決しようとする課題〕
　本発明の目的は、放電管内に処理ガスを均一に供給、排出し、より均一な処理を行なうためのマイクロ波プラズマ装置を提供することにある。
　〔課題を解決するための手段〕
　上記目的は、マイクロ波の透過損失の少ない絶縁物容器を、処理ガスを通過させるための間隙を設けて２個配置し、内側絶縁物容器（以下放電管という）の被処理物と対向する頂部に、軸対称（「軸対象」は誤記。以下同じ。）に複数の処理ガス排出孔を設け、前記外側絶縁物容器と放電管との間隙に処理ガスを導入可能とし、被処理物に対して上方から軸対称、均一に処理ガスを排出することにより達成される。
　〔作用〕
　外側絶縁物容器と放電管との間隙を通って処理ガスが流入し、放電管頂部に設けられた軸対称ガス排出孔より、被処理物に向って均一に処理ガスが放電管内部に放出されるので、処理の均一化が図れる。（２頁左上欄２〜末行）
（１ｂ）実施例の説明として、「第１図は本発明を説明するための装置断面図である。
　真空チャンバー７（「真空チャンバー１」は誤記。）と放電管４および外側絶縁容器３内は真空排気孔１０を介して図示されない真空排気装置により１０−５Ｔｏｒｒ以下の真空に排気されたのち、処理ガス導入孔８より処理ガスを放電管内に導入されるようになっている。・・・
　・・・エッチングガスは、・・・プラズマ化され、試料設置電極６の上に置かれた試料であるウエハ９がエッチングされる。
　放電管４と外側絶縁物容器３およびガス導入孔との関係を明らかにするために第２図を用いて説明する。外側絶縁容器は、大気と遮断するために、真空チャンバー７と間に真空シール材１１を介して取付けられ、その内側に放電管４が設けられる。ガス導入孔８は上記外側絶縁物容器３と放電管４との間隙にガスを導入可能なように設けられている。
　ガス導入孔８を通過したエッチングガスは、外側絶縁容器３と放電管とのドーナツ状の間隙を通って上昇し、放電管４の頂点に軸対称に設けられた複数のガス排出孔１２より放電管４の内部に軸対称で均一に放出される。」（２頁右上欄４行〜左下欄１２行）
（１ｃ）「〔発明の効果〕
　・・・処理ガスが、該ガス排出孔から試料に向って均一に放出されるため・・・比較的低真空領域におけるプラズマ処理の均一性を向上させることができるという効果がある。」（２頁右下欄５〜１５行）
（１ｄ）第１図には装置断面図、第２図にはガス導入部の詳細図が示され、外側絶縁物容器３と放電管４は頂部が半球状に形成されており、半球状の放電管４の中心軸付近に複数のガス排出孔１２が形成され、複数のガス排出孔１２を有する頂部の外周側には、ガス排出孔が配置されていない領域が形成されていること、及び処理ガスは、外側絶縁物容器３と放電管４の下部で、放電管４側壁側にあるガス導入孔８から、外側絶縁物容器３と放電管４との間隙を通って、ガス排出孔１２に供給されていることが示されている。
　
（２）刊行物２の記載事項
（２ａ）「第１図に示すように、空胴共振器１は、・・・導波管２を通してマグネトロン３からマイクロ波が供給される。・・・前記円形空胴共振器１のもう一方の側には、セラミツクス板４とスリット板５とを固定している。そしてその下には、プラズマ発生室６が接続している。なお前記セラミツクス４は前記円形空胴共振器１内を真空に封止するため設けられている。
　前記スリット板５は平板状に形成され、第２図および第３図に示すように、・・・リング状の複数のスリツト５ｃにて開口部が形成されている。・・
　前記プラズマ発生室６（第１図）には、電極７、ガス供給管９およびガス排気管１０を設けている。前記電極７は絶縁材８を介して前記プラズマ発生室６内に固定され、高周波電源１１に接続している。前記ガス供給９はガス供給源・・・に接続して、このガス供給源からあらかじめ設定した流量だけのプラズマ処理用ガスを供給するように形成されている。
　また前記スリット板５には、前記複数のスリツト５ｃ間に同心円状の溝５ｄと、この溝５ｄから前記プラズマ発生室６内に向って開口する多数の細穴５ｅとを形成している。そのため、第１図から明らかなように前記スリツト５と前記セラミツクス板４とを密着して積重すると、これらスリツト板５とセラミツクス板４との間に前記溝５ｄと細穴５ｅとにより前記ガス供給管９と前記プラズマ発生室６内とを接続するガス流通路が形成され、このガス流通路により前記ガス供給管９からのガスを前記プラズマ発生室６内の前記電極７上に載置する基板１２に向ってシャワー状に噴出させている。」（３頁右下欄９行〜４頁右上欄８行）
（２ｂ）「前記ガス供給管９よりエツチングガスを供給し、前記ガス排気管１０より排気し、一定のガス圧力にした前記プラズマで発生室６内にマイクロ波を供給して前記スリツト板５と前記電極７との間にマイクロ波によるプラズマを発生させると、・・・
　しかるのち、前記電極７上に処理するウエハ１２を載置し、高周波電源１１より前記電極７に高周波電圧を印加する。前記電極７と、スリツト板５とは互いに平行に設置されており、高周波電流は、前記電極７と前記スリツト板５との間に均等に流れるため、前記電極７と前記プラズマとの間に発生する電界は均等になって前記ウエハ１２の全面に均一なエネルギーのエツチングガスのイオンが高周波電圧印加により制御され、入射する。
　・・・
　このとき、入射するイオンのエネルギーは均等であり、かつガス流も均一であるため、前記ウエハ１２の全面に均一なエツチングができる。」（４頁左下欄７行〜右下欄１０行）
（２ｃ）第２図、第３図には、円板状のスリット板５に形成した同心円状の溝５ｄからプラズマ発生室内に向って多数の細孔５ｅが開口し、この多数の細孔５ｅを有する領域の外周側には、細孔を非設置にした領域が形成されていることが示されている。
　
（３）刊行物３の記載事項
（３ａ）「第７図は本発明によるマイクロ波プラズマ処理装置の第３の実施例を示す縦断面図である。
第７図において、第１図と同一符号は相当部分を示し、第１図の第１の実施例における第１の空洞共振器１および第２の空胴共振器２を共に本実施例では同軸円筒空洞共振器で構成し、第１の空胴共振器１からスロット５により第２の空胴共振器２に結合し、第２の空胴共振器２のスリット１１を介して、処理室７の側面よりマイクロ波をマイクロ波透過窓６により分離された処理室７に導入するように構成する。処理室７はガス供給ノズル１７が下部電極１２に対向する位置に設置されるが、その他は第１図と同様の構成である。
　・・・
　・・・さらに本実施例の場合にはガス供給ノズル１７を下部電極１２に対向する位置に設置できるので、ガス流れの均一化の面からも半導体基板１６のエッチング処理などの均一化を図ることができる。」（５頁右上欄５行〜左下欄１４行）
（３ｂ）第７図には、第１の空胴共振器１、第２の空胴共振器２が共に同軸円筒空胴共振器で構成されていることが示され、また、複数のガス供給ノズルは、処理室上面の中央部付近であって、処理室の径に対して比較的小さい径の範囲に設置されていることが示されている。
　
３．対比・判断
３−１．刊行物１に記載の発明との対比
　上記刊行物１には、外側絶縁物容器と放電管との間隙を通って処理ガスを流入させ、放電管頂部に設けられた、軸対称の複数のガス排出孔から、ウエハに対して上方から軸対称で均一に処理ガスを排出させることが記載されている。
　また、上記摘記事項（１ｄ）によれば、処理ガスは、外側絶縁物容器と放電管の下部で、放電管側壁側にあるガス導入孔から、外側絶縁物容器と放電管との間隙を通って、ガス排出孔に供給されていることが示され、さらに、外側絶縁物容器と放電管頂部が半球状に形成されており、半球状の放電管の中心軸付近に複数のガス排出孔が形成され、複数のガス排出孔を有する頂部の外周側には、ガス排出孔が配置されていない領域が形成されていることが示されている。
　ここで、刊行物１の記載事項を総合すると、刊行物１には、「放電管内を真空排気する真空排気装置を備えた放電管と、前記放電管に処理ガスを供給する処理ガス導入孔と、前記放電管内にウエハを設置する試料設置電極と、処理ガス供給手段のガス排出孔を前記ウエハと直接対向する前記放電管壁面に配置し、放電管頂部は半球状に形成されており、半球状の放電管の中心軸付近に複数のガス排出孔が形成され、複数のガス排出孔を有する頂部の領域の外周側には前記ガス排出孔を非設置にした領域が形成され、前記処理ガス導入孔からの前記処理ガスが前記放電管側壁側から前記ガス排出孔に供給されるマイクロ波プラズマ装置」（以下、「刊行物１記載発明」という。）が記載されていることになる。
　
　本願発明５と上記刊行物１記載発明とを対比すると、刊行物１記載発明の「放電管」、「試料設置電極」、及び「ガス排出孔」は、本願発明５の「処理容器」、「試料台」、及び処理ガス供給手段の「供給口」に相当し、ガス排出孔は複数設けられ、処理ガスを均一に放出するものであるから小孔になっているものである。
　そうすると、両者は、「容器内を減圧する手段を備えた処理容器と、前記処理容器に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理容器内にウエハを設置する試料台と、前記処理ガス供給手段の供給口を前記ウエハと直接対向する前記処理容器壁面に配置し、前記供給口は前記処理容器の中心軸付近に形成された複数の小孔であり、前記小孔を有する領域の外周側には前記小孔を非設置にした領域が形成され、前記処理ガス供給手段からの前記処理ガスが前記処理容器側壁側から前記供給口に供給されるプラズマ生成装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点：本願発明５は、供給口から試料台方向の前記供給口近傍における処理容器内壁を略一定の径に形成しているのに対し、刊行物１記載発明では、ガス排出孔を設けた放電管頂部は半球状に形成されている点。
　
　上記相違点について検討すると、刊行物２に記載のスリット板は円板状であって、このスリット板がプラズマ発生室の上面を構成していることからみて、プラズマ発生室上面の内壁は略一定の径に形成されているものと認められ、また、刊行物３には、ガス供給ノズルを円筒形状の処理室上面の中央部付近に設置することが示されているから、このガス供給ノズルを設置した処理室上面の内壁は、略一定の径に形成されていることは明らかである。
　そうすると、上記刊行物２、３に記載のように、処理ガス供給口を設けた処理室上面の内壁を略一定の径に形成することは周知の技術であるから、刊行物１記載発明の放電管の頂部の半球状である形状を、上記周知の技術の如く、供給口から試料台方向の前記供給口近傍における処理容器内壁を略一定の径に形成することは当業者ならば容易に想到し得るものである。
　そして、本願発明５の作用効果は、刊行物１記載発明及び周知の技術から予測される程度のものであって格別のものではない。
　
　したがって、本願発明５は、刊行物１記載発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−２．刊行物２に記載の発明との対比
　上記刊行物２に記載の細穴を配置したスリット板は、プラズマ発生室に接続しており、プラズマ発生室の上面を構成しているものと認められるから、スリット板の電極に対向する内面はプラズマ発生室の内壁に相当するものである。また、刊行物２に記載のスリット板は円板状であり、このスリット板がプラズマ発生室の上面を構成していることからみて、プラズマ発生室の内壁は略一定の径に形成されているものと認められる。
　しかも、上記摘記事項（２ｃ）によれば、円板状のスリット板に形成した同心円状の溝からプラズマ発生室内に向って多数の細穴が開口し、この多数の細穴を有する領域の外周側には、細穴を非設置にした領域が形成されていることが理解できる。
　ここで、刊行物２の記載事項を総合すると、刊行物２には、「プラズマ発生室内を減圧する手段を備えたプラズマ発生室と、前記プラズマ発生室にガスを供給するガス供給管と、前記プラズマ発生室内にウエハを設置する電極と、前記プラズマ発生室の上面にはスリット板を設け、前記スリット板には複数のスリツト間に同心円状の溝と、この溝から前記プラズマ発生室内に向って開口する多数の細穴とを形成し、前記細穴を前記ウエハと直接対向する前記プラズマ発生室壁面に配置し、前記細穴から前記電極方向の前記細穴近傍における前記プラズマ発生室内壁を略一定の径に形成し、前記細穴を有する領域の外周側には前記細穴を非設置にした領域が形成され、前記ガス供給管からの前記ガスが前記プラズマ発生室側壁側から前記細穴に供給されるプラズマ処理装置」（以下、「刊行物２記載発明」という。）が記載されていることになる。
　
　本願発明５と刊行物２記載発明とを対比すると、刊行物２記載発明の「プラズマ発生室」、「電極」、「ガス供給管」、及び「細穴」は、本願発明５の「処理容器」、「試料台」、「処理ガス供給手段」、及び「供給口」に相当するものである。
　そうすると、両者は、「容器内を減圧する手段を備えた処理容器と、前記処理容器に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理容器内にウエハを設置する試料台と、前記処理ガス供給手段の供給口を前記ウエハと直接対向する前記処理容器壁面に配置し、前記供給口から前記試料台方向の前記供給口近傍における前記処理容器内壁を略一定の径に形成し、前記供給口は複数の小孔であり、前記小孔を有する領域の外周側には前記小孔を非設置にした領域が形成され、前記処理ガス供給手段からの前記処理ガスが前記処理容器側壁側から前記供給口に供給されることを特徴とするプラズマ生成装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点：本願発明５の処理ガス供給手段の供給口は、処理容器の中心軸付近に形成されているのに対し、刊行物２記載発明のスリット板の多数の細穴はこのようになっていない点。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、刊行物３には、ガスの流れを均一化するために、ガス供給ノズルを、円筒形状の処理室上面の中央部付近であって、半導体基板を載置する下部電極に対向する位置に設置することが記載され、さらに、上記摘記事項（３ｂ）によれば、複数のガス供給ノズルは、処理室上面の中央部付近であって、処理室の径に対して比較的小さい径の範囲に設置されているから、処理室上面の中心軸付近には複数のガス供給ノズルが形成されているものと認められる。
　そうすると、刊行物２記載発明においても当然にガスの流れを均一化することは求められているから、スリット板に形成された多数の細穴について、刊行物３に記載のように放電管の中心軸付近に多数の細孔を形成し上記相違点なる構成とすることは、当業者ならば容易に想到し得るものである。
　そして、本願発明５の作用効果も、刊行物２、３に記載の発明から予測される程度のものであって格別のものではない。
　
　したがって、本願発明５は、刊行物２、３に記載された発明に基いても当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項５に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項１〜４、６〜８に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。