【事件の表示】
　平成１１年特許願第３５４２６１号「磁気抵抗効果ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　６月２９日出願公開、特開２００１−１７６０２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年１２月１４日の出願であって、平成１４年１１月１５日付けで手続補正がなされ、その後平成１４年１２月１０日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成１５年１月１６日に審判請求がされるとともに、平成１５年１月１６日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１５年１月１６日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年１月１６日付け手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前の
　（ａ）　「【請求項１】　自由磁性層、非磁性層、固定磁性層及びこの固定磁性層の磁化方向を固定する層を基本構成とする磁気抵抗効果素子が、この磁気抵抗効果素子の電極及び磁気シールドとして機能する二枚の電極兼磁気シールド層間に設けられ、
　前記磁気抵抗効果素子を構成する各層と前記二枚の電極兼磁気シールド層とが一方向に積層され、
　一方の前記電極兼磁気シールド層と前記自由磁性層とが、非磁性導電体からなる磁気ギャップ調整層を介して接し、
　他方の前記電極兼磁気シールド層と前記固定する層とが直に又は保護層を介して接した、
　磁気抵抗効果ヘッド。」を、
　（ｂ）　「【請求項１】　自由磁性層、非磁性層、固定磁性層及びこの固定磁性層の磁化方向を固定する層を基本構成とする磁気抵抗効果素子が、この磁気抵抗効果素子の電極及び磁気シールドとして機能する二枚の電極兼磁気シールド層間に設けられ、
　前記磁気抵抗効果素子を構成する各層と前記二枚の電極兼磁気シールド層とが一方向に積層され、
　一方の前記電極兼磁気シールド層と前記自由磁性層とが、非磁性導電体からなる磁気ギャップ調整層を介して接し、
　他方の前記電極兼磁気シールド層と前記固定する層とが直に又は保護層を介して接した、
　磁気抵抗効果ヘッド
であって
　
前記自由磁性層が、ＣｏＦｅＢ，ＣｏＺｒＭｏ，ＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＴａ，ＣｏＨｆ，ＣｏＴａ，ＣｏＴａＨｆ，ＣｏＮｂＨｆ，ＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＨｆＰｄ，ＣｏＴａＺｒＮｂ，ＣｏＺｒＭｏＮｉから選択された、合金又はアモルファス磁性材料からなることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド
と補正するものである。
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明の「自由磁性層」の材料について、「 
前記自由磁性層が、ＣｏＦｅＢ，ＣｏＺｒＭｏ，ＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＴａ，ＣｏＨｆ，ＣｏＴａ，ＣｏＴａＨｆ，ＣｏＮｂＨｆ，ＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＨｆＰｄ，ＣｏＴａＺｒＮｂ，ＣｏＺｒＭｏＮｉから選択された、合金又はアモルファス磁性材料からなること
　そこで、補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−２１３３５１号公報（平成１１年８月６日公開。以下「引用例１」という。）には、「シールド型磁気トンネル接合磁気抵抗読取りヘッド及びアセンブリ」に関し、次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与したものである。）
　（ア）　「【請求項１】　検出回路に接続されるとき、媒体上に磁気的に記録されたデータを検出する
磁気トンネル接合磁気抵抗読取りヘッドであって
　
第１の導電性の磁気シールドと
　
前記第１のシールド上に配置される第１の導電性のスペーサ層と
　
前記第１のスペーサ層上に配置される磁気トンネル接合であって
　
前記媒体からの印加磁場の存在の下で、磁化方向が好適な方向に沿って固定され、回転を阻止される固定強磁性層と
　
前記媒体からの印加磁場の不在の下で、磁化方向が前記固定強磁性層の磁化方向に垂直に向けられ、前記印加磁場の存在の下で、自由に回転することができる検出強磁性層と
　
前記固定強磁性層と前記検出強磁性層との間に接触して配置され、前記固定強磁性層及び前記検出強磁性層に垂直な方向のトンネル電流を可能にする、絶縁トンネル障壁層とを含む、磁気トンネル接合と
　
前記磁気トンネル接合を前記第１のスペーサ層との間で挟み込む第２の導電性のスペーサ層と
　
前記第２のスペーサ層上に配置される第２の導電性の磁気シールドとを含み、前記第１のシールドから前記第１のスペーサ層、前記磁気トンネル接合及び前記第２のスペーサ層を通じて前記第２のシールドに至る導電パスが提供される、読取りヘッド
【請求項３】　前記第２のスペーサ層が、前記磁気トンネル接合のための腐食保護を提供するキャッピング層である、請求項１記載の読取りヘッド。
【請求項４】　
前記固定強磁性層と接触し、界面交換結合により前記固定強磁性層の磁化方向を固定する反強磁性層
　（イ）　「【０００８】【課題を解決するための手段】　本発明は、ＭＴＪ素子が２つの間隔をあけて設けられる磁気シールド間に配置される、磁気記録システムのためのＭＴＪ　ＭＲ読取りヘッドである。
磁気シールドは、
電気リードとしても機能する
スペーサ層の厚さは、シールド間の間隔を最適化するように選択され
　（ウ）　「【００１５】　図４及び図５を参照すると、ＭＴＪ　ＭＲ読取りヘッドは、第１の磁気シールドＳ１上に直接形成される導電性のスペーサ層１０２、第２の磁気シールドＳ２下において、それと直接接触する導電性のスペーサ層１０４、及び電気スペーサ層１０２、１０４間にスタック層として形成されるＭＴＪ１００を含む。
磁気シールドＳ１、Ｓ２は磁気シールドとして、またＭＴＪ１００を検出回路に接続するための導電リードとしても機能する
【００１６】　（略）
【００１７】　電極リード１０２上に形成されるベース電極層スタック１１０は、リード１０２上のシードまたは“テンプレート”層１１２、テンプレート層１１２上の反強磁性材料層１１６、及び下側にある反強磁性層１１６上にそれと交換結合されて形成される固定強磁性層１１８を含む。強磁性層１１８は固定層と呼ばれる。（中略）
上部電極スタック１３０は“フリー（ｆｒｅｅ）”または“検出（ｓｅｎｓｉｎｇ）”強磁性層１３２、及び検出強磁性層１３２上に形成される保護またはキャッピング層１３４を含む。
自由
　（エ）　フリー層または検出強磁性層１３２、保護またはキャッピング層１３４、導電性のスペーサ層１０４、磁気シールド層Ｓ２の順で配置されていることが、図４及び図５に示されている。（図４、５）
　（オ）　「【００２０】　次に、ＭＴＪ素子１００（図４及び図５）の代表的な材料の組み合わせについて述べることにする。（中略）上部電極スタック１３０は５ｎｍのＮｉ−Ｆｅ／１０ｎｍのＴａ（それぞれ層１３２、１３４に対応）のスタックである。
Ｔａ層１３４は、
腐食保護のためのキャッピング層として機能する
　（カ）　「【００２４】　図４及び図５に関連して述べられたＭＴＪ素子は、ＭＴＪ素子１００の底部上に固定強磁性層を有するが、
素子は最初に検出強磁性層を付着し、次にトンネル障壁層、固定強磁性層及び反強磁性層の順に付着することによっても、形成される
図４及び図５に示されるＭＴＪ素子１００とは、本質的に逆転された層
　（キ）　「【００２５】　（前略）
ＭＲセンサの分解能は、磁気シールド層Ｓ１及びＳ２間の分離Ｓ
決定される
　（ク）　「【００２８】　（前略）従って、
スペーサ層１０２、１０４を使用し、それらの厚さを選択することにより
間隔Ｓが最適化され得る
　（ケ）　「【００３０】　本発明では、
フリー強磁性層１３２が磁気シールドＳ２と直接接触し得ない。なぜなら、この層の磁気モーメントが、シールドの磁気モーメントとの交換結合により固定されるからであり、従って、磁気ディスク媒体内の磁気転移からの磁束に最適に応答できない
反強磁性交換バイアス層１１６がシールドＳ１と直接接触しないことが好ましい。なぜなら、シールドの磁気特性が変更されるからである。特に、シールドの透磁率が反強磁性層の領域内で低減される
反強磁性層１１６と接触するテンプレート層１１２、及びフリー強磁性層１３２と接触するキャッピング層１３４が、適切な材料からなり、適切な厚さに形成されれば、スペーサ層として機能し得る。例えば、スペーサ層１０２及びテンプレート１１２の両方は、Ｔａにより結合厚５ｎｍ乃至１０ｎｍで形成される。同様に、キャッピング層１３４及びスペーサ層１０４の両方は、Ｔａにより結合厚５ｎｍ乃至１０ｎｍで形成される
　（コ）　「【００３３】　図７に示されるように、プロセスはシールドＳ１上に、スペーサ層１０２、ＭＴＪ素子１００、及び上部スペーサ層１０４のための材料を付着することにより開始する。
スペーサ層材料１０２は、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｗ及びＰｔなどの様々な導電材料
　（サ）　「【００３６】　（前略）従って、図７乃至図１１で示された形成手順を用いるこの例は、
分解能ギャップＳ
２つのシールド間のこのギャップ内
　
３．対比判断
（１）対比
　補正後の発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記２で摘示した記載事項、特に（ア）（下線部参照）によれば、引用例１には、
　「第１の導電性の磁気シールドと、
　前記第１のシールド上に配置される第１の導電性のスペーサ層と、
　前記第１のスペーサ層上に配置される磁気トンネル接合であって、媒体からの印加磁場の存在の下で、磁化方向が好適な方向に沿って固定され、回転を阻止される固定強磁性層と、前記媒体からの印加磁場の不在の下で、磁化方向が前記固定強磁性層の磁化方向に垂直に向けられ、前記印加磁場の存在の下で、自由に回転することができる検出強磁性層と、前記固定強磁性層と前記検出強磁性層との間に接触して配置され、前記固定強磁性層及び前記検出強磁性層に垂直な方向のトンネル電流を可能にする、絶縁トンネル障壁層とを含む、磁気トンネル接合と、
　前記磁気トンネル接合を前記第１のスペーサ層との間で挟み込む第２の導電性のスペーサ層と、
　前記第２のスペーサ層上に配置される第２の導電性の磁気シールドとを含み、前記第１のシールドから前記第１のスペーサ層、前記磁気トンネル接合及び前記第２のスペーサ層を通じて前記第２のシールドに至る導電パスが提供される、磁気トンネル接合磁気抵抗読取りヘッドであって、
　前記固定強磁性層と接触し、界面交換結合により前記固定強磁性層の磁化方向を固定する反強磁性層を含む読取りヘッド。」
の発明が記載されている。
　引用例１に記載された発明の「自由に回転することができる検出強磁性層」「絶縁トンネル障壁層」「固定強磁性層」「固定強磁性層の磁化方向を固定する反強磁性層」は、それぞれ補正後の発明の「自由磁性層」「非磁性層」「固定磁性層」「固定磁性層の磁化方向を固定する層」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「磁気トンネル接合」は、「媒体からの印加磁場の存在の下で、磁化方向が好適な方向に沿って固定され、回転を阻止される固定強磁性層と、前記媒体からの印加磁場の不在の下で、磁化方向が前記固定強磁性層の磁化方向に垂直に向けられ、前記印加磁場の存在の下で、自由に回転することができる検出強磁性層と、前記固定強磁性層と前記検出強磁性層との間に接触して配置され、前記固定強磁性層及び前記検出強磁性層に垂直な方向のトンネル電流を可能にする、絶縁トンネル障壁層」及び「固定強磁性層と接触し、界面交換結合により前記固定強磁性層の磁化方向を固定する反強磁性層」を含むので、補正後の発明の「自由磁性層、非磁性層、固定磁性層及びこの固定磁性層の磁化方向を固定する層を基本構成とする磁気抵抗効果素子」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「第１の導電性の磁気シールド」「第２の導電性の磁気シールド」は、ヘッドを検出回路に接続するための電気リードとしても機能し（上記段落８，１５参照。）、「第１の導電性の磁気シールド」の上に、第１の導電性のスペーサ層、磁気トンネル接合、第２の導電性のスペーサ層、「第２の導電性の磁気シールド」の順で配置され、「第１のシールドから第１のスペーサ層、磁気トンネル接合及び第２のスペーサ層を通じて第２のシールドに至る導電パスが提供される」のであるから、引用例１の第１及び第２の「導電性の磁気シールド」は、補正後の発明の「磁気抵抗効果素子の電極及び磁気シールドとして機能する二枚の電極兼磁気シールド層」に相当し、引用例１に記載された発明は、「自由磁性層、非磁性層、固定磁性層及びこの固定磁性層の磁化方向を固定する層を基本構成とする磁気抵抗効果素子が、この磁気抵抗効果素子の電極及び磁気シールドとして機能する二枚の電極兼磁気シールド層間に設けられ」かつ「磁気抵抗効果素子を構成する各層と前記二枚の電極兼磁気シールド層とが一方向に積層され」る構成を備えている。そして、「磁気トンネル接合」を構成する積層体の一方の側が自由磁性層であり、他方の側が固定する層であるから、引用例１に記載された発明は、一方の電極兼磁気シールド層と自由磁性層とが、一方の導電性のスペーサ層を介し、他方の電極兼磁気シールド層と固定する層とが、他方の導電性のスペーサ層を介している構成を備えている。
　引用例１に記載された発明の「導電性のスペーサ層」については、その材料として、「Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｗ及びＰｔなどの様々な導電材料」（上記段落３３参照）と例示されているので、非磁性であることが明らかであ。また、「スペーサ層の厚さは、シールド間の間隔を最適化するように選択され」（上記段落８、２８参照）ること、及びシールド間の間隔ＳはＭＲセンサの分解能を決定するギャップである（上記段落２５、３６参照）ことが記載されているから、スペーサ層の膜厚により、シールド間の間隔（磁気ギャップ）を調整する機能をもたせている。よって、引用例１に記載された発明の「導電性のスペーサ層」は、補正後の発明の「非磁性導電体からなる磁気ギャップ調整層」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「磁気トンネル接合磁気抵抗読取りヘッド」は、補正後の発明の「磁気抵抗効果ヘッド」に相当している。
　補正後の発明の「接し」とは、本願の明細書の記載（段落１４等）によれば、下地層１７（図１）や上部層４９（図２）等の層が介在する場合も含む概念であると解される。そうすると、引用例１に記載された発明において、上述の「一方の電極兼磁気シールド層と自由磁性層とが、一方の導電性のスペーサ層を介し」ている構成の具体例は、フリー層または検出強磁性層１３２、保護またはキャッピング層１３４、導電性のスペーサ層１０４、磁気シールド層Ｓ２の順で配置され（上記（ウ）（エ）参照）、保護またはキャッピング層が途中に存在しているが、引用例１に記載された発明は、補正後の発明の「一方の前記電極兼磁気シールド層と前記自由磁性層とが、非磁性導電体からなる磁気ギャップ調整層を介して接し」に相当する構成を備えているといえる。
　
　よって、補正後の発明と引用例１に記載された発明は、
　「自由磁性層、非磁性層、固定磁性層及びこの固定磁性層の磁化方向を固定する層を基本構成とする磁気抵抗効果素子が、この磁気抵抗効果素子の電極及び磁気シールドとして機能する二枚の電極兼磁気シールド層間に設けられ、
　前記磁気抵抗効果素子を構成する各層と前記二枚の電極兼磁気シールド層とが一方向に積層され、
　一方の前記電極兼磁気シールド層と前記自由磁性層とが、非磁性導電体からなる磁気ギャップ調整層を介して接してなる磁気抵抗効果ヘッド。」
　である点で共通し、以下の点で相違している。
　（相違点１）　他方の電極兼磁気シールド層と固定する層とが、補正後の発明では、「直に又は保護層を介して接し」と特定されているのに対し、引用例１に記載された発明では、導電性のスペーサ層を介して接している点。
　（相違点２）　補正後の発明では、「自由磁性層が、ＣｏＦｅＢ，ＣｏＺｒＭｏ，ＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＴａ，ＣｏＨｆ，ＣｏＴａ，ＣｏＴａＨｆ，ＣｏＮｂＨｆ，ＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＨｆＰｄ，ＣｏＴａＺｒＮｂ，ＣｏＺｒＭｏＮｉから選択された、合金又はアモルファス磁性材料からなること」と特定されているのに対し、引用例１に記載された発明では、そのような記載がない点。
　
（２）判断
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　引用例１に記載された発明は、一方の電極兼磁気シールド層と自由磁性層とが、一方の導電性のスペーサ層を介し、他方の電極兼磁気シールド層と固定する層とが、他方の導電性のスペーサ層を介している。これらの導電性のスペーサ層について、引用例１には、上記「一方の導電性のスペーサ層」については、「フリー強磁性層１３２（補正後の発明の「自由磁性層」に相当。）が磁気シールドＳ２と直接接触し得ない。なぜなら、この層の磁気モーメントが、シールドの磁気モーメントとの交換結合により固定されるからであり、従って、磁気ディスク媒体内の磁気転移からの磁束に最適に応答できない。」（上記段落３０参照）と記載され、上記「他方の導電性のスペーサ層」については、「反強磁性交換バイアス層１１６（補正後の発明の「固定する層」に相当。）がシールドＳ１と直接接触しないことが好ましい。なぜなら、シールドの磁気特性が変更されるからである。特に、シールドの透磁率が反強磁性層の領域内で低減される」（上記段落３０参照）との記載があり、この記載からすれば、上記「一方の導電性のスペーサ層」は必須であり、上記「他方の導電性のスペーサ層」、即ち、他方の電極兼磁気シールド層と固定する層との間に配置されるスペーサ層については、配置することが好ましいという程度で、シールドの磁気特性の低減ということに甘んじれば配置しないことも許容されることが示唆されているといえ、補正後の発明のように、引用例１に記載された発明において、「他方の導電性のスペーサ層」を設けず、即ち「直に」、他方の電極兼磁気シールド層と固定する層を接するようにすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　また、引用例１には、「反強磁性層１１６と接触するテンプレート層１１２、及びフリー強磁性層１３２と接触するキャッピング層１３４が、適切な材料からなり、適切な厚さに形成されれば、スペーサ層として機能し得る。例えば、スペーサ層１０２及びテンプレート１１２の両方は、Ｔａにより結合厚５ｎｍ乃至１０ｎｍで形成される。同様に、キャッピング層１３４及びスペーサ層１０４の両方は、Ｔａにより結合厚５ｎｍ乃至１０ｎｍで形成される。」（上記段落３０参照）という記載があり、引用例１に記載された発明の「導電性のスペーサ層」は、スペーサ層以外の機能のために設けられたテンプレート層やキャッピング層（ここで、キャッピング層とは、腐蝕保護の機能のために用いられるものである（上記段落２０参照））を用いればよいこと、及びその例としてＴａ層が示されている。そして、引用例１において、磁気トンネル接合の素子部分は、図４とその付着順を逆にするもの、即ち最初に検出強磁性層を付着し、次にトンネル障壁層、固定強磁性層及び反強磁性層の順に付着することによって形成されたものも前提としているから、上記記載の「反強磁性層１１６と接触するテンプレート層１１２、及びフリー強磁性層１３２と接触するキャッピング層１３４が、適切な材料からなり、適切な厚さに形成されれば、スペーサ層として機能し得る。」は、付着順が逆の場合において、反強磁性層（補正後の発明の「固定する層」に相当。）と接触するキャッピング層が、適切な材料からなり、適切な厚さに形成されれば、スペーサ層として機能し得ることを、示唆している。
　しかも、補正後の発明における「保護層」とは、下地層や上部層（本願明細書段落１４）とも呼ばれるものであり、具体的には、本願実施例によればＴａ層を用いている。
　してみれば、引用例１に記載された発明において、他方の電極兼磁気シールド層と固定する層とが、直に又は保護層を介して接するようにすることは、引用例１に示唆されており、これらの示唆に基づき、当業者であれば必要に応じ適宜なし得ることにすぎない。
　
（相違点２について）
　磁気トンネル接合磁気抵抗効果素子を用いたヘッドにおいて、自由磁性層の材料として、周知の軟磁性材料である、ＣｏＦｅＢ、Ｃｏ系、ＣｏＺｒ系の等の、合金またはアモルファス材料を用いることは周知の事項である。例えば、特開平１１−１３４６２０号公報（段落２４の「ＣｏＺｒ系材料、ＦｅＣｏＢ」の記載）、国際公開ＷＯ９７／４５８８３号公報（再公表９７−４５８８３の１２頁の「Ｃｏ−ｒｉｃｈの合金」「非晶質合金膜」「ＣｏＦｅＢ」記載等）、特開平９−２８８８０７号公報（段落５０の「非晶質磁性膜、ＣｏＦｅＢ等」記載等）に記載されている。
　引用例１に記載された発明の自由磁性層として、引用例１に例示される材料に限らず、上記周知の軟磁性材料を採用することは、当業者が適宜なし得ることであるから、上記相違点２のように特定することに、格別の困難性を要したとは認められない。
　
　そして、上記相違点１及び２を総合的に検討しても、補正後の発明の効果は、引用例１に記載された発明及び周知の事項から当業者であれば予測される範囲内であるので、上記相違点は、当業者が容易に想到し得たものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、補正後の発明は、上記引用例１に記載された発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１５年１月１６日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１４年１１月１５日付け手続補正書によって補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
１．引用例
　原審の拒絶の理由に引用された引用例１の記載事項は、上記「第２の２」に記載されたとおりである。
　
２．対比判断
　本願発明は、上記「第２」で検討した補正後の発明から、「自由磁性層」についての限定事項である「前記自由磁性層が、ＣｏＦｅＢ，ＣｏＺｒＭｏ，ＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＴａ，ＣｏＨｆ，ＣｏＴａ，ＣｏＴａＨｆ，ＣｏＮｂＨｆ，ＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＨｆＰｄ，ＣｏＴａＺｒＮｂ，ＣｏＺｒＭｏＮｉから選択された、合金又はアモルファス磁性材料からなること」という構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後の発明が、上記「第２の３」に記載したとおり、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。