【事件の表示】
　上記当事者間の特許第５８６９０５８号発明「半導体装置およびシステム」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第５８６９０５８号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項［２１−３１］について訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯 
１　本件特許の出願の経緯
　平成２６年　６月３０日　　出願（公開基準日：平成２３年３月１６日）
　平成２７年　３月２７日　　拒絶理由通知（起案日）
　平成２７年　４月２８日　　面接記録
　平成２７年　５月２１日　　意見書、手続補正書
　平成２７年　６月１９日　　面接記録
　平成２７年　６月２２日　　拒絶理由通知（起案日）
　平成２７年　８月２７日　　意見書、手続補正書
　平成２７年１１月　６日　　特許査定（起案日）
　平成２８年　１月１５日　　設定登録
２　本件無効審判の経緯
　平成２８年１０月２０日　［請求人］審判請求書
　平成２９年　１月　６日　［被請求人］答弁書、訂正請求書
　平成２９年　２月　８日　［被請求人］手続補正書
　平成２９年　４月１２日　［請求人］審判事件弁駁書
　平成２９年　６月　９日　　審理事項通知（起案日）
　平成２９年　８月２３日　［被請求人］口頭審理陳述要領書
　平成２９年　８月２５日　［請求人］口頭審理陳述要領書
　平成２９年　８月３１日　　通知書（起案日）
　平成２９年　９月　７日　　口頭審理、証拠調べ
　平成２９年　９月１４日　［被請求人］上申書
　平成２９年１０月　２日　［請求人］上申書
　平成２９年１０月１０日　［被請求人］上申書
第２　訂正請求による訂正の適否
１　訂正請求の趣旨及び訂正の内容
　本件無効審判事件の被請求人より平成２９年１月６日に訂正請求された訂正（以下、「本件訂正」という。）の趣旨は、「特許第５８６９０５８号の特許請求の範囲を本件請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項２１〜３１について訂正することを求める」ものである。
（１）一群の請求項について
　訂正前の請求項２１ないし３１について、請求項２２ないし３１は、請求項２１を直接的又は間接的に引用するものとなっており、訂正事項によって記載が訂正される請求項２１に連動して訂正されるものであるから、訂正前の請求項２１ないし３１に対応する本件訂正の請求項２１ないし３１は、特許法第１３４条の２第３項に規定する関係を有する一群の請求項である。
（２）訂正事項について
　特許請求の範囲の請求項２１に「内層として形成される複数の配線層」と記載されているのを、「内層として形成され
、グランドまたは電源となる３つのプレーン層と、信号を送受信する３つの信号層を備え
２　訂正の適否の判断
（１）訂正の目的
　訂正事項は、本件訂正前の請求項２１に係る発明の発明特定事項である「内層として形成される複数の配線層」について、「グランドまたは電源となる３つのプレーン層と、信号を送受信する３つの信号層を備える」ものに限定するから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。
（２）新規事項について
　本件特許明細書の段落【００１５】に「基板８の各層に形成された配線層８ｂは、図５に示すように、信号を送受信する信号層、グランドや電源線となるプレーン層として機能する。」と記載されており、合わせて図５を参照すると、訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内においてしたものであるから、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
（３）特許請求の範囲の拡張、変更について
　訂正事項は、特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかであるから、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。
（４）独立特許要件について
　本件特許無効審判事件において、請求項２１ないし３１は、無効審判の請求の対象とされているので、請求項２１に係る訂正、及び請求項２１を直接的又は間接的に引用する請求項２２ないし３１に係る訂正は、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第７項に掲げる「特許出願の際独立して特許を受けることができるものでなければならない」との要件は適用されない。よって、請求項２１ないし３１に係る訂正は、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
（５）まとめ
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる事項を目的とし、同法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項ないし第７項の規定に適合するから、本件訂正を認める。
第３　本件特許発明 
　本件訂正は、上記「第２」のとおり認められたので、本件特許の請求項１ないし３１に係る発明（以下、各請求項に係る発明を「本件特許発明１」、「本件特許発明２」、・・・「本件特許発明３１」という。また、これらを総称して「本件特許発明」という。）は、本件特許の特許請求の範囲の請求項１ないし２０、及び本件訂正による特許請求の範囲の請求項２１ないし３１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。 
【請求項１】
　基板と、この基板に搭載される複数の不揮発性半導体メモリと、を備え、
　前記基板は、
　第１の主面と、前記第１の主面とは反対側を向いた第２の主面と、を有し、
　前記第１の主面に設けられ、前記複数の不揮発性半導体メモリが搭載される第１の配線層と、
　前記第２の主面に設けられた第２の配線層と、
　内層として形成される複数の配線層と、
　これら配線層間にそれぞれ設けられる複数の絶縁層と、
を備え、
　前記複数の絶縁層の１つは、前記基板の層構造の中心線を含む領域に形成され、
　前記基板の層構造の中心線よりも前記第１の主面側に形成された前記配線層および前記第１の配線層の配線密度の平均値である第１の平均値と、
　前記基板の層構造の中心線よりも前記第２の主面側に形成された前記配線層および前記第２の配線層の配線密度の平均値である第２の平均値との差の絶対値である第１の値が７．５％以下であり、
　前記第１の平均値と前記第２の平均値はともに６０％以上であり、
　前記内層として形成される複数の配線層のうち前記基板の層構造の中心線よりも前記第１の主面側に形成され前記中心線に最も近い前記配線層の配線密度と、前記内層として形
成される複数の配線層のうち前記基板の層構造の中心線よりも前記第２の主面側に形成され前記中心線に最も近い前記配線層の配線密度との差の絶対値である第２の値が前記第１の値よりも大きく、
　前記内層として形成される複数の配線層のうち少なくとも１の前記配線層は、配線密度が８０％以上である半導体装置。
【請求項２】
　前記内層として形成される複数の配線層のうち絶縁層を隔てて前記第１の配線層と対向する第３の配線層は配線密度が８０％以上である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
　前記内層として形成される複数の配線層のうち絶縁層を隔てて前記第３の配線層と対向する第４の配線層及び前記第１の配線層は、信号を送受信するための信号層である請求項２に記載の半導体装置。  
【請求項４】
　前記内層として形成される複数の配線層のうち絶縁層を隔てて前記第３の配線層と対向する第４の配線層の配線密度が前記第１の平均値より小さい請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
　前記内層として形成される複数の配線層のうち絶縁層を隔てて前記第２の配線層と対向する第５の配線層は配線密度が８０％以上である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
　前記内層として形成される複数の配線層のうち少なくとも１の前記配線層は、信号を送受信するための信号層であり、
　前記信号層は、前記配線層のうち配線密度が８０％以上である第６の配線層及び第７の配線層と絶縁層を隔ててそれぞれ対向する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
　前記内層として形成される複数の配線層のうち絶縁層を隔てて前記第２の配線層と対向する第５の配線層と絶縁層を隔てて対向する第８の配線層の配線密度が前記第２の平均値より小さい請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】
　前記第１の配線層の表面は、ソルダーレジストに覆われている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
　前記第２の配線層の表面は、ソルダーレジストに覆われている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
　前記不揮発性半導体メモリは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリである請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１１】
　前記基板の前記第１の配線層側には、４個のＮＡＮＤ型フラッシュメモリが搭載されている請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
　前記基板は、平面視において略長方形形状を呈する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
　前記第１の配線層、前記第２の配線層、及び前記内層として形成される複数の配線層は、８層の配線層から構成され、前記８層の配線層のうち４層は信号を送受信するための信号層であり、残りの４層はグランド又は電源線を備える配線層である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１４】
　コネクタを備える基板と、前記基板に搭載される複数の不揮発性半導体メモリと、前記コネクタと接続されるコンピュータと、を備え、
　前記基板は、
　第１の主面と、前記第１の主面とは反対側を向いた第２の主面と、を有し、
　前記第１の主面に設けられ、前記複数の不揮発性半導体メモリが搭載される第１の配線層と、
　前記第２の主面に設けられた第２の配線層と、
　内層として形成される複数の配線層と、
　これら配線層間にそれぞれ設けられる複数の絶縁層と、
を備え、
　前記複数の絶縁層の１つは、前記基板の層構造の中心線を含む領域に形成され、
　前記基板の層構造の中心線よりも前記第１の主面側に形成された前記配線層および前記第１の配線層の配線密度の平均値である第１の平均値と、
　前記基板の層構造の中心線よりも前記第２の主面側に形成された前記配線層および前記第２の配線層の配線密度の平均値である第２の平均値との差の絶対値である第１の値が７．５％以下であり、
　前記第１の平均値と前記第２の平均値はともに６０％以上であり、
　前記内層として形成される複数の配線層のうち前記基板の層構造の中心線よりも前記第１の主面側に形成され前記中心線に最も近い前記配線層の配線密度と、前記内層として形成される複数の配線層のうち前記基板の層構造の中心線よりも前記第２の主面側に形成され前記中心線に最も近い前記配線層の配線密度との差の絶対値である第２の値が前記第１の値よりも大きく、
　前記内層として形成される複数の配線層のうち少なくとも１の前記配線層はシールド層であるシステム。
【請求項１５】
　前記不揮発性半導体メモリは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリである請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
　前記不揮発性半導体メモリと電気的に接続される揮発性メモリをさらに備える請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
　前記内層として形成される複数の配線層のうち絶縁層を隔てて前記第１の配線層と対向する第３の配線層の配線密度が８０％以上である請求項１４に記載のシステム。
【請求項１８】
　前記内層として形成される複数の配線層のうち絶縁層を隔てて前記第３の配線層と対向する第４の配線層の配線密度が前記第１の平均値より小さい請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
　前記内層として形成される複数の配線層のうち絶縁層を隔てて前記第２の配線層と対向する第５の配線層と絶縁層を隔てて対向する第６の配線層の配線密度が前記第２の平均値より小さい請求項１７に記載のシステム。
【請求項２０】
　前記基板に搭載される電源回路をさらに備え、
　前記コンピュータは、前記コネクタへ電源を入力し、
　前記コネクタは、前記入力された電源を前記電源回路に供給し、
　前記電源回路は、前記入力された電源から内部電圧を生成し、前記不揮発性半導体メモリへ供給するように構成されている請求項１４に記載のシステム。
【請求項２１】
　コンピュータに接続可能なコネクタを備える基板と、前記基板に搭載され前記コネクタと電気的に接続されるドライブ制御回路と、このドライブ制御回路により制御される複数の不揮発性半導体メモリと、を備え、
　前記基板は、
　第１の主面と、前記第１の主面とは反対側を向いた第２の主面と、を有し、
　前記第１の主面に設けられた第１の配線層と、
　前記第２の主面に設けられた第２の配線層と、
　内層として形成され、グランドまたは電源となる３つのプレーン層と、信号を送受信する３つの信号層を備える配線層と、
　これら配線層間にそれぞれ設けられる複数の絶縁層と、
を備え、
　前記複数の絶縁層の１つは、前記基板の層構造の中心線を含む領域に形成され、
　前記基板の層構造の中心線よりも前記第１の主面側に形成された前記配線層および前記第１の配線層の配線密度の平均値である第１の平均値と、
　前記基板の層構造の中心線よりも前記第２の主面側に形成された前記配線層および前記第２の配線層の配線密度の平均値である第２の平均値との差の絶対値である第１の値が７．５％以下であり、
　前記第１の平均値と前記第２の平均値はともに６０％以上であり、
　前記内層として形成される複数の配線層のうち前記基板の層構造の中心線よりも前記第１の主面側に形成され前記中心線に最も近い前記配線層の配線密度と、前記内層として形成される複数の配線層のうち前記基板の層構造の中心線よりも前記第２の主面側に形成され前記中心線に最も近い前記配線層の配線密度との差の絶対値である第２の値が前記第１の値よりも大きく、
　前記内層として形成される複数の配線層のうち少なくとも１の前記配線層は、配線密度が８０％以上であり、
　前記ドライブ制御回路は、前記基板の前記第１の主面に搭載される半導体装置。
【請求項２２】
　前記複数の不揮発性半導体メモリは、平面視において、前記ドライブ制御回路の位置から見て前記コネクタとは反対側に設けられる請求項２１に記載の半導体装置。
【請求項２３】
　前記複数の不揮発性半導体メモリは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリである請求項２１または２２に記載の半導体装置。
【請求項２４】
　前記ドライブ制御回路と電気的に接続される揮発性メモリをさらに備える請求項２１から２３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項２５】
　前記内層として形成される複数の配線層のうち絶縁層を隔てて前記第１の配線層と対向する第３の配線層の配線密度が８０％以上である請求項２１に記載の半導体装置。
【請求項２６】
　前記内層として形成される複数の配線層のうち絶縁層を隔てて前記第３の配線層と対向する第４の配線層の配線密度が前記第１の平均値より小さい請求項２５に記載の半導体装置。
【請求項２７】
　前記内層として形成される複数の配線層のうち絶縁層を隔てて前記第２の配線層と対向する第５の配線層と絶縁層を隔てて対向する第６の配線層の配線密度が前記第２の平均値より小さい請求項２５に記載の半導体装置。
【請求項２８】
　前記コネクタは、前記基板の短辺に設けられ、
　前記揮発性メモリは、平面視において、前記複数の不揮発性半導体メモリから見て前記コネクタと同じ側に設けられる請求項２４に記載の半導体装置。
【請求項２９】
　前記半導体装置の状態を表示するＬＥＤをさらに備える請求項２１から２８のいずれか
１つに記載の半導体装置。
【請求項３０】
　前記基板の前記第１の主面に搭載される揮発性メモリをさらに備え、
　前記基板は、平面視において略長方形形状を呈し、
　前記複数の不揮発性半導体メモリは、４個のＮＡＮＤ型フラッシュメモリであって、前記基板の前記第１の主面であって、平面視において、前記ドライブ制御回路の位置から見て前記揮発性メモリとは反対側に搭載され、
　前記揮発性メモリと、前記ドライブ制御回路と、前記４個のＮＡＮＤ型フラッシュメモリと、が前記基板の長辺方向に配置される請求項２１に記載の半導体装置。
【請求項３１】
　前記コネクタは、前記基板の短辺であって、平面視において、前記揮発性メモリの位置から見て前記ドライブ制御回路とは反対側に設けられ、
　前記コネクタと、前記揮発性メモリと、前記ドライブ制御回路と、前記４個のＮＡＮＤ型フラッシュメモリと、が前記基板の長辺方向に配置される請求項３０に記載の半導体装置。
第４　当事者の主張
１　請求人の主張
（１）請求の趣旨、概要
　特許第５８６９０５８号発明の特許請求の範囲の請求項１ないし３１に係る発明についての特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする、との審決を求める。
＜無効理由１＞
　本件特許は、特願２０１１−０５８１４０号（以下、「原出願」という。）からの分割出願である。本件特許は、原出願の出願当初明細書に記載されていない記載ないし概念を含むものであるから、原出願の出願当初明細書に対して、特許法第１７条の２第３項に禁止される新規事項が追加されたものであり、本件特許の出願日として原出願の出願日が採用されるものではない。よって、本件特許は、原出願を先行文献として特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、その特許は特許法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
＜無効理由２＞
　本件特許の請求項１〜３１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載された範囲を超えており、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないから、その特許は同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。
＜無効理由３＞
　本件特許の請求項１〜３１に係る発明は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないから、その特許は同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。
＜無効理由４＞
　本件特許の請求項１〜３１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であって特許法第２９条第１項第２号の規定により特許を受けることができないものであるか、甲第１号証に記載された発明に基づいて出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであって特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
　但し、平成２９年８月２５日付け口頭審理陳述要領書において、請求人は「無効理由３を取り下げる」と主張されたので、無効理由は、無効理由１、無効理由２、無効理由４となった。
（２）請求人が提出した甲号証
甲第１号証−１　製品解析報告書
甲第１号証−２　製品解析報告書（配線密度算出手法）
甲第１号証−３　トランセンド社２０１０年製品カタログ
甲第１号証−４　TS256GSSD25S-M製品ウエブページ
甲第１号証−５　TS512GSSD25S-M製品ウエブページ
甲第１号証−６　「トランセンド、リード260MB/秒の大容量512GB SSD」
　　　　　　　　との記事
甲第１号証−７　「速度アップ！容量アップ！した512GBのトランセンド　　　　　　　　　のSSD」との記事
甲第２号証　特開２０１０−１３５４１８号公報
甲第３号証　特開２００５−１２３４９３号公報
甲第４号証　特開平７−２０２３５９号公報
甲第５号証　特開２００４−３４２９３４号公報
甲第６号証　特開２００９−２６７１６２号公報
甲第７号証　パイオニア技術論文2006年VOL16-No1「基板実装加熱時の反り　　　　　　・変形メカニズムの解析」
甲第８号証　パイオニア技術論文2008年VOL18-No2「シミュレーションによ　　　　　　る基板の反り解析システムの導入評価」
甲第９号証　特開平９−２７５２５１号公報
甲第９号証−２　特許３２６７１４８号のプレゼンテーション資料
甲第１０号証　PCB29-8370の設計資料
甲第１１号証　平成２９年第１０３号 事実実験公正証書
甲第１２号証−１　SSD (S/N：240214-0223)の製造指示書
甲第１２号証−２　SSD(S/N：240214-0223)のトレースレポート
甲第１２号証−３　SSD(S/N：240214-0223)のインボイス
甲第１２号証−４　SSD(S/N：240214-0223)の保証期間（目安）
甲第１３号証−１　SSD (S/N：446165-0520)の製造指示書
甲第１３号証−２　SSD(S/N：446165-0520)のトレースレポート
甲第１３号証−３　SSD(S/N：446165-0520)のインボイス
甲第１３号証−４　SSD(S/N：446165-0520)の保証期間（目安）
甲第１４号証−１　SSD (S/N：498000-0109)の製造指示書
甲第１４号証−２　SSD(S/N：498000-0109)のトレースレポート
甲第１４号証−３　SSD(S/N：498000-0109)のインボイス
甲第１４号証−４　SSD(S/N：498000-0109)の保証期間（目安）
甲第１５号証−１　SSD (S/N：498739-0223)の製造指示書
甲第１５号証−２　SSD(S/N：498739-0223)のトレースレポート
甲第１５号証−３　SSD(S/N：498739-0223)のインボイス
甲第１５号証−４　SSD(S/N：498739-0223)の保証期間（目安）
甲第１６号証　製品レポート記事
甲第１７号証−１　SSD (S/N：347811-0005)の製造指示書
甲第１７号証−２　SSD (S/N：347811-0005)のトレースレポート
甲第１７号証−３　SSD (S/N：347811-0005)のインボイス
甲第１８号証−１　SSD (S/N：397069-0006)の製造指示書
甲第１８号証−２　SSD (S/N：397069-0006)のトレースレポート
甲第１８号証−３　SSD (S/N：397069-0006)のインボイス
甲第１９号証　製品レポート記事
甲第２０号証　プリント回路技術用語辞典
甲第２１号証　プリント配線技術読本第2版
甲第２２号証　プリント配線板技術
甲第２３号証　プリント配線板の製造技術
甲第２４号証　超高多層基板の開発
甲第２５号証　DRAM（TMS4116）のデータシート
甲第２６号証　EMC のための設計テクニック(第2版)  第５部： プリント　　　　　　　基板の設計とレイアウト
甲第２７号証　多層プリント配線板の実装技術
甲第２８号証　請求人からの貸出品による製品レポート記事
甲第２９号証−１　SSD (S/N：358462-0003)の製造指示書
甲第２９号証−２　SSD(S/N：358462-0003)のトレースレポート
甲第２９号証−３　SSD(S/N：358462-0003)のインボイス
甲第２９号証−３−２　SSD(S/N：358462-0003)の貸出インボイス
甲第２９号証−４　SSD(S/N：358462-0003)の保証期間（目安）
２．被請求人の主張
（１）答弁の趣旨
　本件審判の請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とする、との審決を求める。
（２）被請求人が提出した乙号証
乙第１号証　判定２０１６−６００００９
乙第２号証　ＴＳ６４ＧＳＳＤ２５Ｓ−Ｍの製品説明
乙第３号証　ＴＳ１２８ＧＳＳＤ２５Ｓ−Ｍの製品説明
乙第４号証　製品解析報告書
乙第５号証　Ｐａｒｔ Ｎｕｍｂｅｒ Ｄｅｃｏｄｅｒ
乙第６号証　ＪＭＦ６１６製品説明書
乙第７号証　特開２０１０−７９４４５号公報
乙第８号証　納品書
乙第９号証　領収書
乙第１０号証　トラッキング
乙第１１号証　ロシア−送って覗く世界の郵便事情
乙第１２号証　請求人の保証規定
乙第１３号証　製品照合
乙第１４号証　製品照合
乙第１５号証　製品照合
乙第１６号証　判定請求答弁書
第５　当審の判断
１　無効理由１について（新規事項の追加）
　請求人は、審判請求書（第２２頁ないし２６頁）において以下の主張をしている。「原出願の出願当初明細書においては、配線層における銅箔の配線密度を対象とした上限や下限を意味する「以上」「以下」「より大きい」「より小さい」といった記載ないし概念が存在しない。ところが、本件特許の特許請求の範囲の独立請求項たる請求項１、請求項１４、請求項２１には、配線密度について「７．５％以下」「６０％以上」（「８０％以上」）との記載があり、これらは配線密度の上限や下限を表すものである。したがって、本件特許は、原出願の出願当初明細書に記載されていない記載ないし概念を含むものであるから、原出願の出願当初明細書に対して、特許法第１７条の２第３項に禁止される新規事項が追加されたものであり、本件特許の出願日として原出願の出願日が採用されるものではない。」
　そこで、当該主張について検討をする。
　本件特許の原出願の当初明細書には、以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
・【０００５】
本発明は、
基板の反りを抑えることができる半導体装置を提供することを目的とする。
・【００１４】
図５は、基板８の各層の配線密度を示す図である。
・【００１５】基板８の各層に形成された配線層８ｂは、図５に示すように、信号を送受信する信号層、グランドや電源線となるプレーン層として機能する。そして、
各層に形成された配線パターンの配線密度、すなわち、基板８の表面面積に対する配線層が占める割合を、図５に示すように構成している。
・【００１６】
本実施の形態では、
第８層を
その配線密度を３０〜６０％に抑えている。
第８層の配線密度を約３０％として配線パターンを形成することで、下層全体での配線密度を約６０％とすることができ、上層全体の配線密度と下層全体の配線密度とを略等しくすることができる。なお、第８層の配線密度は、約３０〜６０％の範囲で調整することで、上層全体の配線密度と略等しくなるようにすればよい。
・【００２４】
本実施の形態では、第８層の配線密度は、約３０〜６０％の範囲で調整し、上層全体の配線密度と下層全体の配線密度とを略等しくしているので、熱膨張係数も略等しくなる。そのため、基板８に反りが発生するのを抑制することができる。
・【００２８】なお、本実施の形態では、基板８の下層全体の配線密度を調整するために、第８層の配線層を網状配線層にしているが、これに限られず、例えばライン上に配線層を形成してもよい。また、
下層のうち第８層以外の層、すなわち第５層から第７層までの配線層の配線密度を調整して、下層全体としての配線密度を調整してもよい。もちろん、第５層から第８層までのすべての層で配線密度を調整して、下層全体としての配線密度を調整してもよい。
　ここで、段落【０００５】、【００２４】によれば、原出願の当初明細書に記載された目的は「基板の反りを防止」することであり、そのために「上層全体と下層全体の配線密度の平均値を略等しくした」ものである。具体的には段落【００１４】ないし【００１６】、及び【００２４】に記載されているように、下層全体の配線密度の平均は、第８層の配線密度を最小の３０％にすると約６０％になり、上層全体の配線密度の平均との差は最小の０となり、第８層の配線密度を最大の６０％にすると約６７．５％となり、上層全体の配線密度の平均との「差は最大の７．５％」となるものである。よって、本件特許発明１、本件特許発明１４、及び本件特許発明２１の発明特定事項「第１の値が７．５％以下」は、原出願の出願当初の明細書、図面に記載されたものである。
　また、上記のとおり、基板の反りを防止することは上層全体と下層全体の配線密度の平均値を略等しくすること（第１の値が７．５％以下）で達成できると原出願の当初明細書等に記載されているところ、各層の配線密度や上層全体及び下層全体の配線密度の平均値をそれぞれ所定範囲にすることは、基板の反りを防止するための直接的な目的とは原出願の当初明細書等から読めず、単に明細書等に記載された範囲内で特許請求の範囲を限定した事項と認められる。そして、原出願の出願当初の図５には、上層全体の配線密度の平均が約６０％、下層全体の配線密度の平均が約６７．５％が記載されているので、そのぞれの配線密度の平均が６０％以上である事実は記載されているといえる。よって、本件特許発明１、本件特許発明１４、及び本件特許発明２１の発明特定事項「前記第１の平均値と前記第２の平均値はともに６０％以上」は、原出願の出願当初の明細書、図面に記載されたものである。
　更に、原出願の出願当初の図５に記載されているとおり、プレーン層（ＧＮＤ、電源）の配線密度は約８０％であり、段落【００３０】には最外層又は内側の層の全域を銅箔で覆ってシールド層としても良い（配線密度は１００％）点も開示されている。よって、本件特許発明１ないし２、本件特許発明５ないし６、本件特許発明１７、本件特許発明２１、及び本件特許発明２５の発明特定事項「配線密度が８０％以上」は、原出願の出願当初の明細書、図面に記載されたものである。
　なお、請求人は、「反りが生じないよう工夫することなく通常の配線設計を行い偶然に配線密度が特許請求の範囲の記載に含まれるような基板も、技術的範囲に含まれることになる。そのような基板は反りの生じやすい基板とは言えないから、基板の反りを抑えるという課題を前提とせず、本件特許は原出願を実質的に逸脱している。」とも主張している。しかしながら、本件特許が原出願を逸脱しているどうかは、原出願の出願当初の明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内か否かで判断されることであって、偶然に本件特許発明に含まれる基板の有無で判断されるものではないから、請求人の主張は採用できることができない。（配線密度が特許請求の範囲の記載に含まれる基板が普通に存在するのであれば、その証拠を提示し、新規性や進歩性について無効理由を主張すべきである。）
　したがって、本件特許発明の配線密度に関わる数値は原出願の出願当初の明細書又は図面に記載されたものであるから、本件特許は分割の要件を満たすものであり、「原出願を先行文献として特許法第２９条第１項第３号の規定に特許を受けることができない」とする無効理由１を採用することはできない。
２　無効理由２について（サポート要件違反）
　請求人は、審判請求書（第２６頁ないし３０頁）において以下の主張をしている。
　本件特許の特許請求の範囲には、配線密度について「７．５％以下」、「６０％以上」、「８０％以上」の記載があり、これらは配線密度の上限や下限を表すものである。一方、発明の詳細な説明の段落【００１６】、【００２４】、図５及び図６には、「約６０％〜６７．５％」、「約３０〜６０％」との記載があるが、これらは下限や上限を示すものではない。したがって、本件発明の特許請求の範囲と、発明の詳細な説明とでは、表現上の整合性（形式的な対応関係）が無い。
　そこで当該主張について検討をする。
　原出願の当初明細書の段落【０００５】、【００１４】ないし【００１６】、【００２４】、【００２８】、及び図５の事項は、本件明細書の段落【０００５】、【００１４】ないし【００１６】、【００２４】、【００２８】、及び図５に同内容が記載されているから（厳密に言うと、段落【０００５】は一部相違するが、上記「１」で記載した段落【０００５】に下線部を引いた部分は共通する。）、上記「１」のとおり、本件特許発明の配線密度に関わる数値（「７．５％以下」、「６０％以上」、「８０％以上」）は、本件特許明細書又は図面に記載されたものである。
　また、請求人は、「反りという課題の不存在」や「特許請求の範囲における課題解決手段の不存在」も主張している。しかしながら、前者の主張は、上記「１」でも主張されている事項であり、上記「１」で判断したとおりである。また、後者の主張も、上記「１」で判断したとおり、本件特許発明の課題（基板の反りを防止）を解決するための構成「第１の値が７．５％以下」は本件特許明細書等に記載されている。よって、請求人の主張を採用することはできない。
　したがって、本件特許発明の配線密度に関わる数値は本件特許の明細書又は図面に記載されたものであるから、本件特許発明を「特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない」とする無効理由２を採用することはできない。
３　無効理由４について（新規性・進歩性の欠如）
　無効理由４は、甲第１号証に記載された発明と同一（特許法第２９条第１項第２号）であるか、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたもの（特許法第２９条第２項）との主張であるから、甲第１号証について検討する。
　甲第１号証−１及び２は、製品解析報告書と記載されているものの、ＰＣＢ基板の表面、裏面、各内層、及び配線密度を算出するための画像がそれぞれ写真掲載されているだけで、当該ＰＣＢ基板がどのような製品に組み込まれていたかは記載がなく不明である。また、甲第１号証−３ないし７は、製品ＴＳＸＸＧＳＳＤ２５Ｓ−Ｍ（ＸＸには、製品の記憶容量ＧＢを示す数値が入る。）が本件特許の原出願日である２０１１年３月１６日よりも前に一般に発売されていたことを示したものであるが、いずれにも当該製品に使用されたＰＣＢ基板については何ら示されていない。
　請求人は「請求系列としてのＴＳＸＸＧＳＳＤ２５Ｓ−Ｍは２００７年にリリースを開始したが、同製品にＰＣＢ２９−７９７０が使われ始めたのは２０１０年７月からである。」と主張しているが（審判請求書２０頁）、平成２９年６月９日付け審理事項通知で当審が指摘したとおり、審判請求書及び甲第１号証−１ないし７を参照しても、「２０１０年７月から販売されていたとするＴＳＸＸＧＳＳＤ２５Ｓ−Ｍ」に「甲第１号証−１及び２で解析されたＰＣＢ２９−７９７０」が使用されていた具体的な証拠がない。
　これに対し、請求人は、平成２９年８月２５日付け口頭審理陳述要領書、平成２９年１０月２日付け上申書において、新たな証拠（甲第１１号証ないし甲第２９号証−４。特に、甲第１１号証の製品、甲第１６号証の製品。）を提示し、「ＰＣＢ２９−７９７０が搭載されたＴＳＸＸＧＳＳＤ２５Ｓ−Ｍが、本件特許の優先日である２０１１年３月１６日より前に一般市場において発売されていたことを立証」する主張をしているが、仮にそれが立証できたとしても、「本件特許の優先日前の製品ＴＳＸＸＧＳＳＤ２５Ｓ−Ｍ全てに、必ずＰＣＢ２９−７９７０が使用されていた」事実はないのであるから、ＰＣＢ２９−７９７０が搭載されたＴＳＸＸＧＳＳＤ２５Ｓ−Ｍをいくつか示しただけで、「甲第１号証−１及び甲第１号証−２で解析されたＰＣＢ２９−７９７０」が本件特許の優先日前の製品に搭載されていたとは立証できない。更に、甲第１号証−１及び甲第１号証−２で解析されたＰＣＢ２９−７９７０を搭載された製品がどれであるかも不明のままである。
　また、甲第１号証−１の基板のＢｏｔｔｏｍ面に「１０３４」と印刷されていることから、２０１０年３４週（８月）に製造されたとの請求人の主張（審判請求書２０〜２１頁）を認めたとしても、それが製品（ＳＳＤ）に搭載されて２０１１年３月１６日より前に販売されていたとする証拠はない。この点について請求人は、ＰＣＢ２９−７９７０の製造日から出荷までに要する期間は１〜３ヶ月と主張しているが（平成２９年８月２５日付け口頭審理陳述要領書７〜８頁）、いくつかの製品のシリアルナンバーからＰＣＢ基板の製造から出荷までの期間を算出したものであって、それが全てのＰＣＢ基板に当てはまることを立証したわけではなく、また、実際に販売された日を立証できたわけでもないから、請求人の主張を採用することはできない。
　したがって、甲第１号証−１及び甲第１号証−２のＰＣＢ基板が本件特許の優先日よりも前に公然実施されていたことは認められないので、甲第１号証によって本件特許発明の新規性・進歩性がないとする無効理由４を採用することはできない。
　なお、請求人が「ＰＣＢ２９−７９７０が搭載されたＴＳＸＸＧＳＳＤ２５Ｓ−Ｍが、本件特許の優先日である２０１１年３月１６日より前に一般市場において発売されていたことを立証」するために証拠とした提出し、平成２９年９月７日に証拠調べを行った甲第１１号証について、予備的に検討を行う。
　甲第１１号証は、事実実験公正証書、製品及びＰＣＢ基板の写真、別紙１ないし３からなるものである。証拠調べを行った際、封緘された梱包を開け、製品（以下、「甲１１製品」という。）がＴＳ２５６ＧＳＳＤ２５Ｓ−Ｍであること、シリアルナンバーがＳ／Ｎ：４１１３０３−０００９であること、甲１１製品のパッケージを開封した内部に入っている基板がＰＣＢ２９−７９７０であることを確認した。但し、基板ＰＣＢ２９−７９７０には手書きの文字が記された素子が搭載されており、公証人によって甲１１製品のパッケージが「初めて」開封した点は疑義があるから、当該基板が出荷当時製品に搭載されていた基板であったかどうかも疑義がある。
　そして、甲第１１号証の別紙１の製造指示書（Work Order）、別紙２のシリアルナンバートレースレポート（S/T Trace Report）、別紙３のインボイス（Invoice）、及び乙第１０号証によれば、甲１１製品は、ＰＣＢ２９−７９７０を備えたＴＳ２５６ＧＳＳＤ２５Ｓ−Ｍであって、２０１１年３月１３日にロシアのシェレメチェボ国際空港に到着したものと認められる。
　しかしながら、口頭審理において合議体が請求人に確認したとおり、甲１１製品が、ロシアの通関を通った日、３Ｒ Ｍｅｍｏｏｒｙに届いた日は不明である。また、ロシアにおいて、商品が空港に到着してから、通関を経た後に届け先に到着するのが、通常１〜２日間で行われる立証もない。
　よって、甲１１製品は、本件特許の優先日よりも前に公然実施されていたものとは認められない。
　したがって、甲第１１号証は、「ＰＣＢ２９−７９７０が搭載されたＴＳＸＸＧＳＳＤ２５Ｓ−Ｍが、本件特許の優先日である２０１１年３月１６日より前に一般市場において発売されていたことを立証」するための証拠にはならない。
第６　むすび
　以上のとおり、請求人の主張する理由及び提出した証拠方法によっては、本件特許の請求項１ないし３１に係る特許を無効とすることはできない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人の負担とすべきである。
　よって、結論のとおり審決する。