【手続補正書】
【提出日】平成22年8月23日(2010.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）電極アセンブリと、
（ｂ）電極アセンブリの１つまたは複数の面とサンプルとの間に位置付けられた気体透過膜であって、ポリシロキサン網状構造を含み、該ポリシロキサン網状構造中の１個または複数のケイ素原子がアルキル基に共有結合し、該ポリシロキサン網状構造中の１個または複数のケイ素原子がフッ素化アルキル基に共有結合している気体透過膜と、
（ｃ）電極アセンブリで電流を測定するための検出器と
を含む、サンプル中の気体状化学種の量を測定するためのセンサ。
【請求項２】
気体状化学種が、一酸化窒素および酸素から選択される、請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
電極アセンブリが、
作用電極を含む電極アセンブリと、
作用電極および参照電極を含む電極アセンブリと、
作用電極、参照電極、および対極を含む電極アセンブリと
からなる群から選択される、請求項１に記載のセンサ。
【請求項４】
作用電極が、白金、白金黒付き白金、タングステン、金、炭素、炭素繊維、白金黒およびこれらの組合せから選択される、請求項３に記載のセンサ。
【請求項５】
参照電極が、銀／塩化銀を含む、請求項３に記載のセンサ。
【請求項６】
対極が白金を含む、請求項３に記載のセンサ。
【請求項７】
ポリシロキサン網状構造が、アルキルアルコキシシランおよびフルオロシランを含むシラン混合物の縮合生成物である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項８】
フルオロシランが、下式を有する構造を含む、請求項７に記載のセンサ
【化７】
2010501259.tif 000001
（式中、
ｍは０から１５であり、
ｎは１から５であり、
ｐは１、２、または３であり、
各Ｘは独立に、アルコキシ、アリールオキシ、アラルコキシ、ヒドロキシル、およびハロからなる群から選択され、
各Ｙは独立に、Ｈ、アルキル、アリール、およびアラルキルからなる群から選択される）。
【請求項９】
フルオロシランが、
（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン；
ノナフルオロヘキシルトリメトキシシラン；
ノナフルオロヘキシルトリエトキシシラン；
（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリメトキシシラン；
（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン；
（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリクロロシラン；
（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリメトキシシラン；
（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシラン；
（ペルフルオロアルキル）エチルトリエトキシシラン；
（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリクロロシラン；およびこれらの組合せ
からなる群から選択される、請求項８に記載のセンサ。
【請求項１０】
アルキルアルコキシシランが、
メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、
エチルトリメトキシシラン、
プロピルトリメトキシシラン、
ブチルトリメトキシシラン（ＢＴＭＯＳ）、
ヘキシルトリメトキシシラン（ＨＴＭＯＳ）、
オクチルトリメトキシシラン（ＯＴＭＯＳ）、および
これらの組合せ
からなる群から選択される、請求項７に記載のセンサ。
【請求項１１】
シラン混合物が、約１体積％から約９９体積％のフルオロシランを含む、請求項７に記載のセンサ。
【請求項１２】
シラン混合物が、約５体積％から約５０体積％のフルオロシランを含む、請求項１１に記載のセンサ。
【請求項１３】
シラン混合物が、約２０体積％のフルオロシランを含む、請求項１２に記載のセンサ。
【請求項１４】
シラン混合物が、約２０体積％の（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシランおよび約８０体積％のメチルトリメトキシシランを含む、請求項１３に記載のセンサ。
【請求項１５】
内部電解質層をさらに含み、該内部電解質層が、電極アセンブリと気体透過膜との間に位置付けられている、請求項１に記載のセンサ。
【請求項１６】
内部電解質層がヒドロゲル組成物である、請求項１５に記載のセンサ。
【請求項１７】
ヒドロゲル組成物がポリ（ビニルピロリドン）を含む、請求項１６に記載のセンサ。
【請求項１８】
サンプルと、ポリシロキサン膜を含むセンサとを接触させるステップを含む、サンプル中の気体状化学種の量を測定する方法であって、
ポリシロキサン膜が、アルキル基に共有結合した１個または複数のケイ素原子と、フッ素化アルキル基に共有結合した１個または複数のケイ素原子とを含み、
ポリシロキサン膜によって、サンプル中の気体状化学種をセンサで測定することを選択的に可能にする方法。
【請求項１９】
ポリシロキサン膜が、アルキルアルコキシシランおよびフルオロシランを含むシラン混合物の縮合生成物である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
センサが、電流測定センサである、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
ポリシロキサン膜が、サンプルと電極アセンブリとの間に位置決めされている、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
電極アセンブリが、
作用電極を含む電極アセンブリと、
作用電極および参照電極を含む電極アセンブリと、
作用電極、参照電極、および対極を含む電極アセンブリと
からなる群から選択される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
サンプルが、生物学的サンプルまたは環境サンプルである、請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】
サンプルが、細胞、組織、生物学的流体、およびこれらの抽出物からなる群から選択された生物学的サンプルである、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
サンプルが、脳組織、脳細胞、または血液から選択される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
サンプルが、生きている被験体中にある、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
サンプルが、生きている被験体の脳内にある、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
気体状化学種が、一酸化窒素および酸素からなる群から選択される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２９】
気体状化学種が、約２００ｐＭ程度に低い濃度でサンプル中に存在する、請求項１８に記載の方法。
【請求項３０】
ポリシロキサン網状構造を含み、該ポリシロキサン網状構造内の１個または複数のケイ素原子がアルキル基に共有結合し、該ポリシロキサン網状構造内の１個または複数のケイ素原子が、下記の構造を有するフッ素化アルキル基に共有結合している組成物
【化９】
2010501259.tif 000002
（式中、ｍは０から１５であり、ｎは１から５である）。
【請求項３１】
ポリシロキサン網状構造内の各ケイ素原子が、アルキル基にまたはフッ素化アルキル基に共有結合している、請求項３０に記載の組成物。
【請求項３２】
ポリシロキサン網状構造が、生物学的に関連のある気体状化学種に対して選択的に透過性である、請求項３０に記載の組成物。
【請求項３３】
生物学的に関連のある気体状化学種が、一酸化窒素および酸素からなる群から選択される、請求項３２に記載の組成物。
【請求項３４】
ポリシロキサン網状構造が、アルキルアルコキシシランおよびフルオロシランを含むシラン混合物の縮合生成物である、請求項３０に記載の組成物。
【請求項３５】
フルオロシランが、下式を有する構造を含む、請求項３４に記載の組成物
【化１０】
2010501259.tif 000003
（式中、
ｍは０から１５であり、
ｎは１から５であり、
ｐは１、２、または３であり、
各Ｘは、独立に、アルコキシ、アリールオキシ、アラルコキシ、ヒドロキシル、およびハロからなる群から選択され、
各Ｙは、独立に、Ｈ、アルキル、アリール、およびアラルキルからなる群から選択される）。
【請求項３６】
フルオロシランが、
（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン；
ノナフルオロヘキシルトリメトキシシラン；
ノナフルオロヘキシルトリエトキシシラン；
（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリメトキシシラン；
（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン；
（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリクロロシラン；
（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリメトキシシラン；
（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシラン；
（ペルフルオロアルキル）エチルトリエトキシシラン；
（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリクロロシラン；およびこれらの組合せからなる群から選択される、請求項３５に記載の組成物。
【請求項３７】
アルキルアルコキシシランが、
メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、
エチルトリメトキシシラン、
プロピルトリメトキシシラン、
ブチルトリメトキシシラン（ＢＴＭＯＳ）、
ヘキシルトリメトキシシラン（ＨＴＭＯＳ）、
オクチルトリメトキシシラン（ＯＴＭＯＳ）、および
これらの組合せ
からなる群から選択される、請求項３４に記載の組成物。
【請求項３８】
シラン混合物が、約１体積％から約９９体積％のフルオロシランを含む、請求項３４に記載の組成物。
【請求項３９】
シラン混合物が、約５体積％から約５０体積％のフルオロシランを含む、請求項３８に記載の組成物。
【請求項４０】
シラン混合物が、約２０体積％のフルオロシランを含む、請求項３９に記載の組成物。
【請求項４１】
シラン混合物が、約２０体積％の（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）−トリエトキシシランおよび約８０体積％のメチルトリメトキシシランを含む、請求項４０に記載の組成物。
【請求項４２】
シラン混合物が、アルコールおよび水を含む溶媒中に溶解されている、請求項３４に記載の組成物。
【請求項４３】
溶媒が、触媒をさらに含む、請求項４２に記載の組成物。
【請求項４４】
触媒が塩酸である、請求項４３に記載の組成物。
【請求項４５】
ポリシロキサン網状構造が、ゾルゲル法によって形成される、請求項４２に記載の組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明で開示されている対象によって全体的にまたは部分的に対処される、上記にて述べられてきた本発明で開示されている対象の目的、その他の目的、および態様は、以下に最も良く記述されている添付の実施例と併せて、記述が進むにつれて明らかにされよう。
本発明は、例えば以下の項目を提供する。
（項目１）
（ａ）電極アセンブリと、
（ｂ）電極アセンブリの１つまたは複数の面とサンプルとの間に位置付けられた気体透過膜であって、ポリシロキサン網状構造を含み、該ポリシロキサン網状構造中の１個または複数のケイ素原子がアルキル基に共有結合し、該ポリシロキサン網状構造中の１個または複数のケイ素原子がフッ素化アルキル基に共有結合している気体透過膜と、
（ｃ）電極アセンブリで電流を測定するための検出器と
を含む、サンプル中の気体状化学種の量を測定するためのセンサ。
（項目２）
気体状化学種が、一酸化窒素および酸素から選択される、項目１に記載のセンサ。
（項目３）
電極アセンブリが、
作用電極を含む電極アセンブリと、
作用電極および参照電極を含む電極アセンブリと、
作用電極、参照電極、および対極を含む電極アセンブリと
からなる群から選択される、項目１に記載のセンサ。
（項目４）
作用電極が、白金、白金黒付き白金、タングステン、金、炭素、炭素繊維、およびこれらの組合せから選択される、項目３に記載のセンサ。
（項目５）
参照電極が、銀／塩化銀を含む、項目３に記載のセンサ。
（項目６）
対極が白金を含む、項目３に記載のセンサ。
（項目７）
ポリシロキサン網状構造が、アルキルアルコキシシランおよびフルオロシランを含むシラン混合物の縮合生成物である、項目１に記載のセンサ。
（項目８）
フルオロシランが、下式を有する構造を含む、項目７に記載のセンサ
【化７】
2010501259.tif 000004
（式中、
ｍは０から１５であり、
ｎは１から５であり、
ｐは１、２、または３であり、
各Ｘは独立に、アルコキシ、アリールオキシ、アラルコキシ、ヒドロキシル、およびハロからなる群から選択され、
各Ｙは独立に、Ｈ、アルキル、アリール、およびアラルキルからなる群から選択される）。
（項目９）
フルオロシランが、
（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン；
ノナフルオロヘキシルトリメトキシシラン；
ノナフルオロヘキシルトリエトキシシラン；
（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリメトキシシラン；
（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン；
（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリクロロシラン；
（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリメトキシシラン；
（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシラン；
（ペルフルオロアルキル）エチルトリエトキシシラン；
（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリクロロシラン；およびこれらの組合せ
からなる群から選択される、項目８に記載のセンサ。
（項目１０）
アルキルアルコキシシランが、
メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、
エチルトリメトキシシラン、
プロピルトリメトキシシラン、
ブチルトリメトキシシラン（ＢＴＭＯＳ）、
ヘキシルトリメトキシシラン（ＨＴＭＯＳ）、
オクチルトリメトキシシラン（ＯＴＭＯＳ）、および
これらの組合せ
からなる群から選択される、項目７に記載のセンサ。
（項目１１）
シラン混合物が、約１体積％から約９９体積％のフルオロシランを含む、項目７に記載のセンサ。
（項目１２）
シラン混合物が、約５体積％から約５０体積％のフルオロシランを含む、項目１１に記載のセンサ。
（項目１３）
シラン混合物が、約２０体積％のフルオロシランを含む、項目１２に記載のセンサ。
（項目１４）
シラン混合物が、約２０体積％の（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシランおよび約８０体積％のメチルトリメトキシシランを含む、項目１３に記載のセンサ。
（項目１５）
内部電解質層をさらに含み、該内部電解質層が、電極アセンブリと気体透過膜との間に位置付けられている、項目１に記載のセンサ。
（項目１６）
内部電解質層がヒドロゲル組成物である、項目１５に記載のセンサ。
（項目１７）
ヒドロゲル組成物がポリ（ビニルピロリドン）を含む、項目１６に記載のセンサ。
（項目１８）
（ａ）フルオロシランおよびアルキルアルコキシシランを含むシラン混合物を提供するステップと、
（ｂ）電極アセンブリを提供するステップと、
（ｃ）電極アセンブリの少なくとも一部をシラン混合物でコーティングして、コーティング付き電極を形成するステップと、
（ｄ）コーティング付き電極を乾燥させて、気体透過性ポリシロキサン膜層を、電極アセンブリの少なくとも一部上に形成するステップと
を含む、サンプル中の気体状化学種の量を測定するためのセンサを作製する方法。
（項目１９）
フルオロシランが、下式を有する構造を含む、項目１８に記載の方法
【化８】
2010501259.tif 000005
（式中、
ｍは０から１５であり、
ｎは１から５であり、
ｐは１、２、または３であり、
各Ｘは、独立に、アルコキシ、アリールオキシ、アラルコキシ、ヒドロキシル、およびハロからなる群から選択され、
各Ｙは、独立に、Ｈ、アルキル、アリール、およびアラルキルからなる群から選択される）。
（項目２０）
フルオロシランが、
（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン；
ノナフルオロヘキシルトリメトキシシラン；
ノナフルオロヘキシルトリエトキシシラン；
（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリメトキシシラン；
（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン；
（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリクロロシラン；
（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリメトキシシラン；
（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシラン；
（ペルフルオロアルキル）エチルトリエトキシシラン；
（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリクロロシラン；およびこれらの組合せからなる群から選択される、項目１９に記載の方法。
（項目２１）
アルキルアルコキシシランが、
メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、
エチルトリメトキシシラン、
プロピルトリメトキシシラン、
ブチルトリメトキシシラン（ＢＴＭＯＳ）、
ヘキシルトリメトキシシラン（ＨＴＭＯＳ）、
オクチルトリメトキシシラン（ＯＴＭＯＳ）、および
これらの組合せ
からなる群から選択される、項目１８に記載の方法。
（項目２２）
シラン混合物が、約１体積％から約９９体積％のフルオロシランを含む、項目１８に記載の方法。
（項目２３）
シラン混合物が、約５体積％から約５０体積％のフルオロシランを含む、項目２２に記載の方法。
（項目２４）
シラン混合物が、約２０体積％のフルオロシランを含む、項目２３に記載の方法。
（項目２５）
シラン混合物が、約２０体積％の（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシランおよび約８０体積％のメチルトリメトキシヒシランを含む、項目２４に記載の方法。
（項目２６）
シラン混合物を溶媒に溶解する、項目１８に記載の方法。
（項目２７）
溶媒が、アルコールおよび水を含む、項目２６に記載の方法。
（項目２８）
アルコールがエタノールである、項目２７に記載の方法。
（項目２９）
溶媒が、触媒をさらに含む、項目２６に記載の方法。
（項目３０）
触媒が塩酸である、項目２９に記載の方法。
（項目３１）
電極アセンブリが、
作用電極を含む電極アセンブリと、
作用電極および参照電極を含む電極アセンブリと、
作用電極、参照電極、および対極を含む電極アセンブリと
からなる群から選択される、項目１８に記載の方法。
（項目３２）
作用電極が、白金、白金黒付き白金、タングステン、金、炭素、炭素繊維、およびこれらの組合せから選択される、項目３１に記載の方法。
（項目３３）
参照電極が、銀／塩化銀を含む、項目３１に記載の方法。
（項目３４）
対極が白金を含む、項目３１に記載の方法。
（項目３５）
乾燥が周囲温度で生じる、項目１８に記載の方法。
（項目３６）
乾燥が高温で生じる、項目１８に記載の方法。
（項目３７）
乾燥ステップが、膜層を、ある圧力で一酸化窒素またはアルゴンの一方に曝すステップを含む、項目１８に記載の方法。
（項目３８）
コーティングが、電極アセンブリをシラン混合物中に浸漬することによって行われる、項目１８に記載の方法。
（項目３９）
コーティングおよび乾燥ステップを１回または複数回繰り返して、より厚い膜層を提供するステップをさらに含む、項目１８に記載の方法。
（項目４０）
電極アセンブリの少なくとも一部をシラン混合物でコーティングする前に、電極アセンブリの少なくとも一部をヒドロゲル材料でコーティングする、項目１８に記載の方法。
（項目４１）
項目１８に記載の方法によって作製されたセンサ。
（項目４２）
サンプルと、ポリシロキサン膜を含むセンサとを接触させるステップを含む、サンプル中の気体状化学種の量を測定する方法であって、
ポリシロキサン膜が、アルキル基に共有結合した１個または複数のケイ素原子と、フッ素化アルキル基に共有結合した１個または複数のケイ素原子とを含み、
ポリシロキサン膜によって、サンプル中の気体状化学種をセンサで測定することを選択的に可能にする方法。
（項目４３）
ポリシロキサン膜が、アルキルアルコキシシランおよびフルオロシランを含むシラン混合物の縮合生成物である、項目４２に記載の方法。
（項目４４）
センサが、電流測定センサである、項目４２に記載の方法。
（項目４５）
ポリシロキサン膜が、サンプルと電極アセンブリとの間に位置決めされている、項目４４に記載の方法。
（項目４６）
電極アセンブリが、
作用電極を含む電極アセンブリと、
作用電極および参照電極を含む電極アセンブリと、
作用電極、参照電極、および対極を含む電極アセンブリと
からなる群から選択される、項目４５に記載の方法。
（項目４７）
サンプルが、生物学的サンプルまたは環境サンプルである、項目４２に記載の方法。
（項目４８）
サンプルが、細胞、組織、生物学的流体、およびこれらの抽出物からなる群から選択された生物学的サンプルである、項目４７に記載の方法。
（項目４９）
サンプルが、脳組織、脳細胞、または血液から選択される、項目４８に記載の方法。
（項目５０）
サンプルが、生きている被験体中にある、項目４８に記載の方法。
（項目５１）
サンプルが、生きている被験体の脳内にある、項目５０に記載の方法。
（項目５２）
気体状化学種が、一酸化窒素および酸素からなる群から選択される、項目４２に記載の方法。
（項目５３）
気体状化学種が、約２００ｐＭ程度に低い濃度でサンプル中に存在する、項目４２に記載の方法。
（項目５４）
ポリシロキサン網状構造を含み、該ポリシロキサン網状構造内の１個または複数のケイ素原子がアルキル基に共有結合し、該ポリシロキサン網状構造内の１個または複数のケイ素原子が、下記の構造を有するフッ素化アルキル基に共有結合している組成物
【化９】
2010501259.tif 000006
（式中、ｍは０から１５であり、ｎは１から５である）。
（項目５５）
ポリシロキサン網状構造内の各ケイ素原子が、アルキル基にまたはフッ素化アルキル基に共有結合している、項目５４に記載の組成物。
（項目５６）
ポリシロキサン網状構造が、生物学的に関連のある気体状化学種に対して選択的に透過性である、項目５４に記載の組成物。
（項目５７）
生物学的に関連のある気体状化学種が、一酸化窒素および酸素からなる群から選択される、項目５６に記載の組成物。
（項目５８）
ポリシロキサン網状構造が、アルキルアルコキシシランおよびフルオロシランを含むシラン混合物の縮合生成物である、項目５４に記載の組成物。
（項目５９）
フルオロシランが、下式を有する構造を含む、項目５８に記載の組成物
【化１０】
2010501259.tif 000007
（式中、
ｍは０から１５であり、
ｎは１から５であり、
ｐは１、２、または３であり、
各Ｘは、独立に、アルコキシ、アリールオキシ、アラルコキシ、ヒドロキシル、およびハロからなる群から選択され、
各Ｙは、独立に、Ｈ、アルキル、アリール、およびアラルキルからなる群から選択される）。
（項目６０）
フルオロシランが、
（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン；
ノナフルオロヘキシルトリメトキシシラン；
ノナフルオロヘキシルトリエトキシシラン；
（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリメトキシシラン；
（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン；
（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリクロロシラン；
（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリメトキシシラン；
（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシラン；
（ペルフルオロアルキル）エチルトリエトキシシラン；
（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリクロロシラン；およびこれらの組合せからなる群から選択される、項目５９に記載の組成物。
（項目６１）
アルキルアルコキシシランが、
メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、
エチルトリメトキシシラン、
プロピルトリメトキシシラン、
ブチルトリメトキシシラン（ＢＴＭＯＳ）、
ヘキシルトリメトキシシラン（ＨＴＭＯＳ）、
オクチルトリメトキシシラン（ＯＴＭＯＳ）、および
これらの組合せ
からなる群から選択される、項目５８に記載の組成物。
（項目６２）
シラン混合物が、約１体積％から約９９体積％のフルオロシランを含む、項目５８に記載の組成物。
（項目６３）
シラン混合物が、約５体積％から約５０体積％のフルオロシランを含む、項目６２に記載の組成物。
（項目６４）
シラン混合物が、約２０体積％のフルオロシランを含む、項目６３に記載の組成物。
（項目６５）
シラン混合物が、約２０体積％の（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）−トリエトキシシランおよび約８０体積％のメチルトリメトキシシランを含む、項目６４に記載の組成物。
（項目６６）
シラン混合物が、アルコールおよび水を含む溶媒中に溶解されている、項目５８に記載の組成物。
（項目６７）
溶媒が、触媒をさらに含む、項目６６に記載の組成物。
（項目６８）
触媒が塩酸である、項目６７に記載の組成物。
（項目６９）
ポリシロキサン網状構造が、ゾルゲル法によって形成される、項目６６に記載の組成物。