【事件の表示】
　平成１１年特許願第２９４０７３号「カラー液晶表示パネル及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月２７日出願公開、特開２００１−１１７０８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年１０月１５日の特許出願であって、平成１５年１０月６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　そして、請求項１乃至請求項１４に係る発明は、願書に添付した明細書及び図面、並びに平成１５年９月１６日付の手続補正書の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１乃至請求項１４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項８に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項８】　カラー液晶表示パネルの製造方法であって、第一の基板上に複数の薄膜トランジスタ及び配線層を形成する工程と、前記薄膜トランジスタ及び配線層を覆って第一の基板全面にパッシベーション膜を成膜する工程と、前記薄膜トランジスタの少なくとも半導体層上及び基板周辺部に額縁上にブラックマトリクスを形成する工程と、カラーフィルタ層を形成する工程と、ブラックマトリクス及びカラーフィルタ層を覆って第一の基板全面にオーバーコート層を形成する工程と、該オーバーコート層にコンタクトスルーホールを形成し、画素電極を形成する工程と、前記第一の基板の薄膜トランジスタ面周辺部にシール材を配設する工程と、透明共通電極の形成された第二の基板を、透明共通電極を前記第一の基板の薄膜トランジスタ面に対向させて前記シール材で貼り合わせる工程と、貼り合わせた両基板間の空隙部に液晶材料を注入する工程とを有し、
　前記第一の基板と前記第二の基板とに挟まれた空隙内距離と、その内部に注入される液晶材料の屈折率異方性とのリターデーションを０．２〜０．４μｍの間に設定したことを特徴とするカラー液晶表示パネルの製造方法。」　
第２　引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用した本願の出願日前に国内において頒布された刊行物である特開平６−２４２４３３号公報（以下「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
「【００３０】
　図１８はカラーフィルタ層をアクティブマトリクス基板側に設けた本発明にかかるアクティブマトリクス型カラー液晶表示装置の実施例を示す模式的な断面図である。図示する様に、本カラー液晶表示装置は所定の間隙を介して対面配置されたアクティブマトリクス基板７１、対向基板７２と両基板の間隙内に挿入された液晶７３とから構成されている。絶縁基板７４の表面にはＴＦＴが集積的に形成されている。ＴＦＴは島状にパタニングされた第一ポリシリコン７５と、ゲート絶縁膜７６を介してパタニング形成されたゲート電極７７とから構成されている。このゲート電極７７は例えば第二ポリシリコンからなる。このＴＦＴは第一層間絶縁膜７８により被覆されている。ＴＦＴのソース領域Ｓには第一層間絶縁膜７８に設けられた第一コンタクトホール７９を通して金属配線パタン８０が電気接続している。この金属配線パタン８０は第二層間絶縁膜８１により被覆されている。さらに、その上にはパッシベーション膜８２がパタニング形成されている。このパッシベーション膜８２は、例えばプラズマＣＶＤ法により成膜されたｐ−ＳｉＮからなる。パッシベーション膜８２の上には遮光膜８３が形成されており、ＴＦＴを遮閉する。ＴＦＴや金属配線膜８０の凹凸を埋める様に平坦化膜８４が堆積されている。この平坦化膜８４は１μｍ〜２μｍ程度の凹凸を埋める為、少なくとも２．０μｍ程度の膜厚を有する。平坦化膜８４、第二層間絶縁膜８１、第一層間絶縁膜７８を挿通して第二コンタクトホール８５が設けられている。第二コンタクトホール８５の内部及びその周辺は金属からなる遮光層８６により被覆されている。この第二コンタクトホール８５を介して画素電極８７がＴＦＴのドレイン領域Ｄに電気接続している。本実施例の特徴事項として、画素電極８７に整合する平坦化層８４の部分は所定の色相で着色処理されており、カラーフィルタを構成する。平坦化層８４の選択的な着色処理は、例えば染色法等を用いる事ができる。従来と異なり、カラーフィルタをアクティブマトリクス基板７１側に一体的に設ける事により、画素電極とカラーフィルタのアライメントマージンを考慮する必要がなくなる。なお、画素電極８７の表面は配向膜８８により被覆されている。一方、対向電極７２の内表面には対向電極８９及び配向膜９０が重ねて成膜されている。上下一対の配向膜９０，８８により挟持された液晶７３は所望の配向状態に均一制御される。
【００３１】
　図２０は、オンチップでカラーフィルタ層を設けたアクティブマトリクス基板の他の実施例を示す模式的な断面図である。図１８に示した実施例と異なり、カラーフィルタ層は平坦化層とは別体に設けられている。図示する様に、絶縁基板２０１の表面にはＴＦＴが集積的に形成されている。ＴＦＴは所定の形状にパタニングされた第一ポリシリコン２０２と、三層のゲート絶縁膜２０３を介してパタニング形成されたゲート電極２０４とから構成されている。このＴＦＴは第一層間絶縁膜２０５により被覆されている。ＴＦＴのソース領域Ｓには第一層間絶縁膜２０５に設けられた第一コンタクトホール２０６を通して金属配線パタン２０７が電気接続している。この金属配線パタン２０７は第二層間絶縁膜２０８により被覆されている。さらにその上にはカラーフィルタ層２０９が形成されている。このカラーフィルタ層２０９は樹脂材料にＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の顔料を選択的に分散した組成を有している。ＴＦＴ、金属配線２０７、カラーフィルタ層２０９の凹凸を埋める様に平坦化膜２１０が堆積されている。平坦化膜２１０、第二層間絶縁膜２０８、第一層間絶縁膜２０５を挿通して第二コンタクトホール２１１が設けられている。この第二コンタクトホール２１１を介して画素電極２１３がＴＦＴのドレイン領域Ｄに電気接続している。本実施例の特徴事項として、各画素電極２１３は対応するＴＦＴに電気接続する接続部２１４と、これに連続する有効画素部２１５とを有している。前述した様に、接続部２１４は平坦化膜２１０に開口した第二コンタクトホール２１１を通じて直接ＴＦＴのドレイン領域Ｄに導通する一方、有効画素部２１５直下には平坦化膜２１０を介してカラーフィルタ層２０９が整合的に設けられている。この様に本例では、カラーフィルタ層２０９は平坦化膜２１０と別に設けられており、且つ第二コンタクトホール２１１周りから除かれている。なお本例では第一ポリシリコン２０２に前述した画素電極駆動用のＴＦＴに加え、補助容量２２０も同時に形成されている。
【００３２】
　図２１は、図２０に示したアクティブマトリクス基板の模式的な平面図である。図示する様に、マトリクス状に配列された画素電極２１３には各々カラーフィルタ層２０９が対応して設けられている。個々のカラーフィルタ層２０９は順次、Ｒ，Ｇ，Ｂに着色されている。前述した様に各画素電極２１３は接続部２１４とこれに連続する有効画素部２１５に分かれている。接続部２１４は第二コンタクトホール２１１を介してＴＦＴのドレイン領域Ｄに電気接続している。一方有効画素部２１５の内部には点線で示す様に表示領域２１６が含まれている。カラーフィルタ層２０９はこの表示領域２１６を完全に包含する様に、画素電極２１３の有効画素部２１５に整合している。カラーフィルタ層２０９はコンタクトホール２１１に及ばない様にパタニングされている。
【００３３】
　以上に説明した様に本実施例では、画素電極の有効画素部だけにカラーフィルタ層を設けている。カラーフィルタ層自体にコンタクトホール開口の様な微細加工を行なう必要がない。従って、カラーフィルタ層として顔料分散型の組成を自由に採用する事ができる。一方、画素電極の接続部には平坦化膜が直接介在している。この平坦化膜は透明樹脂等からなり写真食刻加工が可能であり、微細なコンタクトホールを開口できる。平坦化膜には顔料等の様な粒径の大きい粒子は含まれていない為、微細加工が可能になる。又、平坦化膜は純度の高い有機樹脂材料等からなり、カラーフィルタの顔料に含まれる様な金属イオンを含有していない。この為、コンタクトホールを介して薄膜トランジスタの素子領域を汚染する惧れがない。以上の様に、本実施例では画素電極と対応する薄膜トランジスタとのコンタクト形成が非常に容易になる。カラーフィルタ層自体に微細加工を行なう必要がない為、カラーフィルタ材料の選択範囲が広がる。薄膜トランジスタとカラーフィルタ層が直接接触しない為、素子領域への汚染がなくなる。平坦化膜の加工技術をそのまま生かして、アクティブマトリクス基板側にカラーフィルタ層をオンチップ形成できる。」
　
第３　対比・判断
　本願発明と引用例に記載の事項を対比すると、
（１）引用例に記載された「絶縁基板２０１」、「ＴＦＴ」、「金属配線パタン２０７」、「第二層間絶縁膜２０８」、「カラーフィルタ層２０９」、「平坦化膜２１０」、「第二コンタクトホール２１１」、「画素電極２１３」は、本願発明における「第一の基板」、「薄膜トランジスタ」、「配線層」、「パッシベーション膜」、「カラーフィルタ層」、「オーバーコート層」、「コンタクトスルーホール」、「画素電極」にそれぞれ相当し、
（２）上記引用例の段落００３１の記載「図２０は、・・・・図１８に示した実施例と異なり、・・・・別体に設けられている。」から、引用例に記載された「対向基板７２」、「対向電極８９」、「液晶７３」は、本願発明における「第二の基板」、「透明共通電極」、「液晶材料」にそれぞれ相当し、
（３）引用例に記載の第二層間絶縁膜２０８は、ＴＦＴ及び、金属配線パタン２０７を覆って絶縁基板２０１全面に成膜されており、
（４）引用例に記載のものは、液晶７３が注入されるので、対向電極８９の形成された対向基板７２を、対向電極８９を絶縁基板２０１のＴＦＴ面に対向させてシール材で貼り合わせる工程を有することは明らかであり、
（５）引用例に記載のものは上記各段落の記載から見て、カラー液晶表示パネルの製造方法を開示しているといえるので、
　結局、本願発明と引用例に記載の発明とは、
「カラー液晶表示パネルの製造方法であって、第一の基板上に複数の薄膜トランジスタ及び配線層を形成する工程と、前記薄膜トランジスタ及び配線層を覆って第一の基板全面にパッシベーション膜を成膜する工程と、カラーフィルタ層を形成する工程と、カラーフィルタ層を覆って第一の基板全面にオーバーコート層を形成する工程と、該オーバーコート層にコンタクトスルーホールを形成し、画素電極を形成する工程と、透明共通電極の形成された第二の基板を、透明共通電極を前記第一の基板の薄膜トランジスタ面に対向させてシール材で貼り合わせる工程と、貼り合わせた両基板間の空隙部に液晶材料を注入する工程とを有するカラー液晶表示パネルの製造方法」の点で一致し、次の点で相違している。
［相違点１］
　本願発明では、薄膜トランジスタの少なくとも半導体層上及び基板周辺部に額縁上にブラックマトリクスを形成する工程を有し、オーバーコート層は該ブラックマトリクス及びカラーフィルタ層を覆って第一の基板全面に形成される工程を有しているのに対し、引用例に記載のものは、このようなブラックマトリクスを形成する工程を有さず、オーバーコート層はカラーフィルタ層のみを覆って絶縁基板（第一の基板）全面に形成される工程としている点。
［相違点２］
　本願発明では、シール材を、第一の基板の薄膜トランジスタ面周辺部に配設する工程を有しているのに対し、引用例に記載のものは、シール材の配設箇所が明らかでない点。
［相違点３］
　本願発明では、第一の基板と第二の基板とに挟まれた空隙内距離と、その内部に注入される液晶材料の屈折率異方性とのリターデーションを０．２〜０．４μｍの間に設定しているのに対し、引用例に記載のものは、リターデーションの範囲については特に規定されていない点。
　
　以下、相違点につき検討する。
［相違点１］
　カラー液晶表示パネルの製造方法において、薄膜トランジスタの少なくとも半導体層上にブラックマトリクスを形成する工程を有し、オーバーコート層は該ブラックマトリクス及びカラーフィルタ層を覆って形成することは、本出願前周知の事項であり（例、特開平８−１２２８２４号公報　図１、特開平１０−３９２９２号公報　図６）、引用例のものにおいて、該周知技術を適用し、その際該ブラックマトリクスを薄膜トランジスタの少なくとも半導体層上のみならず基板周辺部の額縁上にも設ける程度のことは当業者にとって格別困難とはいえない。
［相違点２］
　カラー液晶表示パネルの製造方法において、上下の基板を貼り合わせる際、シール材を両基板のいずれか一方の基板の周辺部に設けて貼り合わせることは引例を示すまでもなく周知であり、シール材を第一の基板の薄膜トランジスタ面周辺部、つまり薄膜トランジスタの設けられた第一の基板の周辺部に配設することは当業者にとって格別困難とはいえない。
［相違点３］
　カラー液晶表示パネルにおいて、両基板間の距離と、その内部に注入される液晶材料の屈折率異方性とのリターデーションを０．２〜０．４μｍの間に設定することは、本出願前周知の事項であり（例、特開平１０−１８６３５１号公報　段落００７０、特開平９−１１３９０４号公報　段落００６８）、引用例１に記載されたカラー液晶表示パネルの製造方法において、単に周知のリタデーション範囲の構成を採用することは、製造方法として格別の効果を奏するものでもなく、当業者にとって格別困難とはいえない。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用例に記載の発明及び周知技術から、当業者が予測し得る程度のものであり、格別とはいえない。
　
第４　むすび
　したがって、本願発明は、引用例記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。