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　特願２０１６−　９２７５３「オプトエレクトロニクス半導体チップ」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　９月　１日出願公開，特開２０１６−１５７９７７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，２０１０年３月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００９年３月３０日，ドイツ）を国際出願日とする出願（以下「原々出願」という。）の一部を，平成２７年２月１２日に新たな特許出願としたもの（以下「原出願」という。）について，そのさらに一部を，平成２８年５月２日に新たな特許出願としたものであって，以降の手続は次のとおりである。
平成２９年　２月　１日　拒絶理由通知（同年同月６日発送）
　　　同年　３月３１日　手続補正書・意見書提出
　　　同年　５月　２日　拒絶理由通知（同年同月１５日発送）
　　　同年　８月１５日　手続補正書・意見書提出
　　　同年１１月　２日　拒絶査定（同年同月１３日謄本送達）
平成３０年　３月　６日　審判請求
　　　同年１１月１６日　拒絶理由通知（同年同月１９日発送）
平成３１年　３月１９日　手続補正書・意見書提出
　平成３０年１１月１６日付けの拒絶理由通知で通知された拒絶理由を，以下においては「当審拒絶理由」という。また，平成３１年３月１９日に提出された手続補正書による手続補正を，以下においては「本件補正」という。
２　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由は，以下の理由１ないし理由４からなる。
（１）理由１（特許法第３６条第６項第２号；明確性）
ア　請求項１について
　本件補正前の請求項１に記載された積分形式の数式では，アルミニウム含有率ｋが急峻に変化して階段状となり，それぞれ一定のアルミニウム含有率ｋを有する各ゾーン及びその数が定まるもののみならず，アルミニウム含有率ｋがなめらかに変化するものも含まれると考えられるが，そのようにアルミニウム含有率ｋがなめらかに変化するものについて活性量子井戸中でゾーンがどのように定まるのか及びゾーンの数であるＮがどのように定まるのか不明であり，本件補正前の請求項１の記載によって何が特定されるのか不明確である。
　また，本件補正前の請求項１の「相互に重なったＮ個のゾーン」なる記載では，「ゾーン」が互いに領域として重なることを意味し得るものであり，日本語として不明確である。
イ　請求項２について
　本件補正前の請求項２について，各ゾーン（Ａ）内のアルミニウム含有率ｋが「一定」である場合に，そのアルミニウム含有率の「平均」とは何を意味するのか明確でない。
ウ　請求項３について
　本件補正前の請求項３の，「前記少なくとも１つの活性量子井戸（２）は，前記ゾーン（Ａ）には，ちょうど２つのゾーンを有する」との記載は，１つのゾーン中に２つのゾーンを有するように読める記載であることから，不明確なものである。
エ　請求項４について
　本件補正前の請求項４において，「成長方向ｚ」と「前記半導体チップ（１）のｐ端子側（ｐ）からｎ端子側（ｎ）に向かう方向」とが単に平行であると記載されているのみでは，これらの方向が同方向であるのか，それとも反対方向であるのか，その間の関係を明確に把握することはできず，「該成長方向ｚに対して平行に前記半導体チップ（１）のｐ端子側（ｐ）からｎ端子側（ｎ）に向かう方向における前記ゾーン（Ａ）の少なくとも一部の平均アルミニウム含有率に，ｋｉ＞ｋｉ＋１かつｋｉ＋１＜ｋｉ＋２が適用される」との記載がどのようなことを特定しているのか明確でない。
（２）理由２（特許法第３６条第４項第１号；委任省令要件）
ア　請求項１ないし６について
　本件補正前の請求項１及び２に係る発明の技術的意義は，本願明細書に記載されているとおり，「動作中に高い効率で光を生成する，量子井戸構造を含むオプトエレクトロニクス半導体チップを実現すること」であるところ，本願明細書の段落【００７８】〜【００７９】の記載とともに図１６及び図１７の記載を見ても，当該各図がインジウム含有率を変えた場合の図であることに加え，図にプロットされている各点が，どのような組成及び構造を有するオプトエレクトロニクス光半導体チップと対応しているのか，それぞれの各点で実際にどのような効率が得られたのか不明であるから，本件補正前の請求項１若しくは２の【数１】若しくは【数２】又は対応する数式である上記の【数７】又は【数１５】も含め，オプトエレクトロニクス光半導体チップの活性量子井戸中のある元素の含有率及びその元素が一定の含有率を有する各ゾーンの幅をパラメータとする数式によって，オプトエレクトロニクス光半導体チップの効率が決まることを一般的に導くことはできない。
　また，活性量子井戸のバンドギャップ構造は，活性量子井戸中の一定のアルミニウム含有率ｋを有する各ゾーンのアルミニウムの含有率ｋ及び幅のみならず，活性量子井戸を挟む上下の層の組成や活性量子井戸中の他のインジウム等の含有率などの，他のパラメータによって変わり，それにより光の生成効率も変わるものであるから，本願の明細書及び図面の記載において，請求項１又は２に記載されている数式に対応する数式である【数７】又は【数１５】について，活性量子井戸中のアルミニウムの含有率ｋ及び一定のアルミニウム含有率ｋを有する各ゾーンの幅のみをパラメータとする数式を満たす活性量子井戸を有することのみでオプトエレクトロニクス半導体チップが高効率となるのか理解することができない。
イ　請求項４ないし６について
　上記アと同様に，窒化物材料系のオプトエレクトロニクス半導体チップの活性量子井戸のバンドギャップ構造は，活性量子井戸中の一定のアルミニウム含有率ｋを有する各ゾーンのアルミニウムの含有率ｋ，幅及びそのアルミニウム含有率ｋの大小のみによることはなく，活性量子井戸を挟む上下の層の組成や活性量子井戸中の他のインジウム等の含有率などの，他のパラメータによって変わり，それによって光の生成効率も変わるものであるから，本件補正前の請求項４ないし６に係る発明について，その記載によって特定される活性量子井戸を有することのみでオプトエレクトロニクス半導体チップが高効率となるのか理解することができない。
（３）理由３（特許法第３６条第６項第１号；サポート要件）
　前記（２）ア，イと同様に，窒化物材料系のオプトエレクトロニクス半導体チップの活性量子井戸のバンドギャップ構造は，活性量子井戸中の一定のアルミニウム含有率ｋを有する各ゾーンのアルミニウムの含有率ｋ及び幅のみによることはないから，本件補正前の請求項１ないし６に係る発明について，その記載によって特定される活性量子井戸を有することのみでオプトエレクトロニクス半導体チップが必ず高効率となるとはいえない。
　よって，本件補正前の請求項１ないし６に係る発明は，発明の詳細な説明によってサポートされていない。
（４）理由４（特許法第２９条第２項；進歩性）
　本件補正前の請求項４ないし６に記載された発明は，原々出願及び原出願の願書に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面に記載されていないから，本願は分割要件を満たしておらず，出願日の遡及は認められない。
　そして，本願請求項１ないし６に係る発明は，本願の原々出願に係る国際公開文献に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
３　当審の判断
（１）特許請求の範囲の記載
　本件補正により補正された特許請求の範囲の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　窒化物材料系をベースとするオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）であって，
　前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は少なくとも１つの活性量子井戸（２）を有し，
　動作中，前記活性量子井戸（２）において電磁波が生成され，
　前記活性量子井戸（２）は，前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の成長方向ｚに対して平行な方向に，相互に連続したＮ個のゾーン（Ａ）を有し，ただし，Ｎは２以上の自然数であり，
　前記ゾーン（Ａ）に，前記成長方向ｚに対して平行な方向に連続番号が付されており，　前記ゾーン（Ａ）のうち少なくとも２つのゾーンは，相互に異なるアルミニウム含有率ｋを有しており，
　前記活性量子井戸（２）は，条件
　　【数１】
を満たし，
　ｋｉは，ｉ番目のゾーン（Ａ）のアルミニウム含有率であり，ｗｉは，当該ｉ番目のゾーン（Ａ）の幅であり，
　前記ゾーン（Ａ）に，前記成長方向ｚに対して平行な方向に連続番号が付されており，　ｗは無次元で，ｎｍで定められており，
　前記各ゾーン（Ａ）内のアルミニウム含有率ｋは一定である，
ことを特徴とする，オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
　　【請求項２】
　前記オプトエレクトロニクス半導体チップは，ＡｌＧａＮをベースとしており，前記少なくとも１つの活性量子井戸（２）は，ちょうど２つの前記ゾーン（Ａ）を有しており，
　　【数２】
が成り立ち，
　前記量子井戸は，２８５ｎｍを上回り３６０ｎｍ以下である波長の波を放出するように調整されている，
請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
　　【請求項３】
　前記オプトエレクトロニクス半導体チップは，ＡｌＧａＮをベースとしており，
　前記活性量子井戸（２）は，全体でちょうど５つのゾーンを有しており，
　２番目および４番目のゾーン（Ａ２，Ａ４）によって形成された２つの中間バリアが設けられており，これにより，中間バリアとして形成された当該ゾーン（Ａ２，Ａ４）のアルミニウム含有率は，各々の隣接するゾーンと比較して高い，
請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。」
（２）本願明細書の記載
　本願明細書の発明の詳細な説明の欄には，次の記載がある。
ア
「【発明が解決しようとする課題】
　【０００３】
　本発明の解決すべき課題は，動作中に高い効率で光を生成する，量子井戸構造を含むオプトエレクトロニクス半導体チップを実現することである。」
イ
「【００４７】
　さらに本願では，少なくとも１つの活性量子井戸においてアルミニウム含有率が変動するオプトエレクトロニクス半導体チップを開示する。
　【００４８】
　少なくとも１つの実施形態では，オプトエレクトロニクス半導体チップは窒化物材料系をベースとし，少なくとも１つの活性量子井戸を有し，動作中には該少なくとも１つの活性量子井戸において電磁波が生成される。オプトエレクトロニクス半導体チップは，該オプトエレクトロニクス半導体チップの成長方向ｚに対して平行な方向に，相互に重ねられたＮ個のゾーンを有し，該Ｎ個のゾーンのうち少なくとも２つのゾーンの平均アルミニウム含有率ｋは相互に異なる。ここでは，Ｎは２以上の自然数である。ここでは，２８５ｎｍを上回りとりわけ３６０ｎｍ以下である波長の光の場合，前記少なくとも１つの活性量子井戸は，
　　【数７】
を満たすか，または，２８５ｎｍ以下でありとりわけ２１０ｎｍ以上である波長の光の場合，前記少なくとも１つの活性量子井戸は，
　　【数８】
を満たす。
　【００４９】
　活性量子井戸のゾーンの平均インジウム含有率が変動するオプトエレクトロニクス半導体チップの特徴は，アルミニウム含有率が変動する本発明のオプトエレクトロニクス半導体チップの開示内容でもあり，また，アルミニウム含有率が変動する本発明のオプトエレクトロニクス半導体チップの特徴は，活性量子井戸のゾーンの平均インジウム含有率が変動するオプトエレクトロニクス半導体チップの開示内容でもある。インジウム含有率が上昇するとバンドギャップは減少し，アルミニウム含有率が上昇するとバンドギャップは増大するので，活性量子井戸のゾーンの変動する平均アルミニウム含有率の場合には，インジウム含有率で使用された不等号を逆にしなければならない。」
ウ
「【００７８】
　図１６および１７に，オプトエレクトロニクス半導体チップの活性量子井戸２のゾーンＡのインジウム含有率ｃおよび幅ｗのパラメータの変動を概略的に示す。パラメータの各変動に対し，項
　　【数１４】
の値を横軸に沿ってプロットしている。ここでは，上記項の値を略してＦｏＭと称する。図１６では，各活性量子井戸がそれぞれ２つのゾーンＡを有する。ＦｏＭ値が４０〜８０である場合，とりわけ５０〜７０である場合に，オプトエレクトロニクス半導体チップの効率は高くなる。このオプトエレクトロニクス半導体チップの高効率は，たとえばレーザ性能に現れる。各活性量子井戸がそれぞれ３つのゾーンＡを有する，図１７のオプトエレクトロニクス半導体チップにも，同様のことが当てはまる。
　【００７９】
　たとえば，ＦｏＭ値が上記値範囲外にある場合より，上記値範囲内にある場合の方が，オプトエレクトロニクス半導体チップの効率は高い。このオプトエレクトロニクス半導体チップの効率は，放出光の出力パワーと，オプトエレクトロニクス半導体チップを動作させるための入力電力との商である。放出光の波長が約４４０ｎｍであり，光出力パワーが３０ｍＷである場合，ＦｏＭ値が上記範囲外にある場合の効率は６％未満となり，ＦｏＭ値がとりわけ５０〜７０である場合の効率は８％以上となる。波長が約４８０ｎｍであり，出力パワーが５ｍＷである場合，ＦｏＭ値が上記範囲外にある場合の効率は０．５％を下回り，ＦｏＭ値がとりわけ５０〜７０である場合の効率は少なくとも０．６％であり，有利には０．８％となる。」
エ
「【００８０】
　図１８に示された実施例のオプトエレクトロニクス半導体チップ１では，活性量子井戸２の成長方向ｚにおいて２つのゾーンＡ１，Ａ２におけるアルミニウム含有率ｋが異なるように調整されている。ゾーンＡ１，Ａ２のアルミニウム含有率ｋおよび厚さは，活性量子井戸２が以下の条件を満たすように選択される：
　　【数１５】
　【００８１】
　図１８の実施例でも，たとえば図１５の実施例と同様に，非活性量子井戸を設けたり，活性量子井戸を複数設けたり，クラッド層およびバリア層を設けることができる。
　【００８２】
　また，活性量子井戸２のゾーンＡのアルミニウム含有率ｋの調整と，たとえば図１，２および４〜１５に示されたようなインジウム含有率ｃの調整とを併用することもできる。」
オ
　ここで，図１６及び図１７は以下のものである。
図１６
図１７
（３）理由１（明確性）及び理由４（進歩性）について
ア　本件補正後の請求項１においては，積分形式の数式に代えて和の形式の数式によって記載され，また，相互に連続したＮ個のゾーン（Ａ）を有するとの記載とされ，本件補正後の請求項１ないし３の記載においては，「平均アルミニウム含有率」との用語は用いられないものとなった。
　さらに，本件補正前の請求項４ないし６は削除された。
　以上のとおりであるから，理由１は全て解消された。
イ　本件補正により，本件補正前の特許請求の範囲の請求項４ないし６は削除されたので，本件補正前の特許請求の範囲の請求項４ないし６に記載された発明に起因する分割要件違反は解消され，これに伴い，理由４は解消された。
（４）理由２（委任省令）について
ア　前記（１）に摘記したとおり，本願請求項１には，「窒化物材料系をベースとするオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）」が有する「活性量子井戸（２）」が，相互に連続したＮ個のゾーン（Ａ）を有し，各ゾーンのアルミニウム含有率，及び各ゾーンの幅が【数１】で表される数式の条件を満たすものであることが記載されている。
イ　本願請求項１において特定される事項については，前記（２）に摘記したとおり，本願明細書の段落【００４７】〜【００４９】及び段落【００８０】〜【００８１】に記載されている。
ウ　ところで，本願請求項１に係る発明の技術的意義は，前記（２）に摘記した段落【０００３】に記載されているとおり，「動作中に高い効率で光を生成する，量子井戸構造を含むオプトエレクトロニクス半導体チップを実現すること」であるところ，本願明細書において，数式で定められた範囲内外における「効率」の差について記載されているのは，段落【００７８】〜【００７９】である。
　なお，上記段落【００７８】〜【００７９】以外における本願明細書には，「（光生成）効率」についての記載はあるものの，数式で定められた範囲内であることと「（光生成）効率」との関係についての記載まではない。
　ここで，当該段落【００７８】においては，「活性量子井戸２のゾーンＡのインジウム含有率ｃおよび幅ｗのパラメータの変動」に対する式の値（ＦｏＭ）が４０〜８０である場合，とりわけ５０〜７０である場合に，オプトエレクトロニクス半導体チップの効率は高くなることが記載され，段落【００７９】には，具体的な放出光の波長及び光出力パワーについて，ＦｏＭの範囲内外における効率の具体的な差が記載されている。
エ　しかしながら，上記段落【００７８】〜【００７９】の記載は，「活性量子井戸２のゾーンＡのインジウム含有率ｃおよび幅ｗのパラメータの変動」に関するものであって，アルミニウム含有率ｋおよび幅ｗのパラメータ変動に関するものではない。また，一般に，オプトエレクトロニクス半導体チップの発光効率は，活性量子井戸のインジウム含有率および幅のみで定まるものではなく，オプトエレクトロニクス半導体チップを構成する各層を含む全体の構成が関係するものであるから，上記段落【００７８】〜【００７９】の記載から，一般的に，「活性量子井戸２のゾーンＡのインジウム含有率ｃおよび幅ｗのパラメータの変動」に対する式の値（ＦｏＭ）が４０〜８０である場合，とりわけ５０〜７０である場合に，オプトエレクトロニクス半導体チップの効率が高くなると解することはできない。
オ　それゆえ，本願明細書の記載からは，仮に，請求項１に係る【数１】で表される数式とアルミニウム含有率ｋおよび幅ｗのパラメータについて，上記段落【００７８】〜【００７９】の記載と同様な場合が存在しうるとしても，一般的に，活性量子井戸２のゾーンＡのアルミニウム含有率ｋおよび幅ｗのパラメータの変動に関して，請求項１に係る数式の範囲内である場合に，オプトエレクトロニクス半導体チップの効率が高くなると解することはできない。
カ　さらに，請求項１に係る「窒化物材料系」にはＡｌＩｎＧａＮが含まれるから，活性量子井戸を構成する材料は，ＡｌＧａＮに限られず，ＡｌＩｎＧａＮも含まれる。そして，ＡｌＩｎＧａＮからなる活性量子井戸にあっては，具体的なバンドギャップ構造は，アルミニウム含有率ｋおよび幅ｗのみで定まるものではなく，インジウム含有率ｃのほか当該活性量子井戸の上下の層の組成も関係し，そのようにして定まる具体的なバンドギャップ構造が関与する光生成効率について，単に，活性量子井戸２のゾーンＡのアルミニウム含有率ｋおよび幅ｗのパラメータの変動に関して，請求項１に係る【数１】で表される数式の範囲内である場合に高くなるとすることは，本願明細書の記載を見ても，理解できない。
キ　以上のとおりであるから，本願明細書の全ての記載を参照しても，請求項１に係る【数１】で表される数式の範囲内とすることのみで，動作中に高い効率で光を生成する，量子井戸構造を含むオプトエレクトロニクス半導体チップが実現できることになるか理解できない。
ク　よって，本願の発明の詳細な説明の記載は，請求項１に係る発明の技術的な意義を当業者が理解できるように記載されたものでない。
（５）理由３（サポート要件）について
ア　本願請求項１に係る発明が解決しようとする課題は，前記（２）アに摘記したとおり，「動作中に高い効率で光を生成する，量子井戸構造を含むオプトエレクトロニクス半導体チップを実現すること」である。
イ　一方，前記（４）カに記載したとおり，ＡｌＩｎＧａＮからなる活性量子井戸にあっては，具体的なバンドギャップ構造は，アルミニウム含有率ｋおよび幅ｗのみで定まるものではなく，インジウム含有率ｃのほか当該活性量子井戸の上下の層の組成も関係するものであり，活性量子井戸２のゾーンＡのアルミニウム含有率ｋおよび幅ｗのパラメータの変動に関して，請求項１に係る【数１】で表される数式の範囲内である場合であっても，前記インジウム含有率ｃのほか当該活性量子井戸の上下の層の組成によっては，必ずしも高い効率で光を生成するものとなるとはいえない。
ウ　よって，請求項１の記載により特定される発明は，必ずしも，前記アに係る発明が解決しようとする課題が解決できるものとはいえないから，請求項１に係る発明は，発明の詳細な説明に記載したものでない。
（６）平成３１年３月１９日に提出された意見書について
ア　請求人は，平成３１年３月１９日に提出された意見書（以下「意見書」という。）において，参照文献１〜４を提示しつつ，以下の主張をする。
（ア）ＡｌＧａＮ活性量子井戸のための外部のクラッド層およびバリア層に関しては，約２５％を超えるＡｌ成分を有するＡｌＮ層または非緩和ＡｌＧａＮ層に限られ（参照文献１，２），また，ＡｌＮバリア層またはＡｌＧａＮバリア層の使用は，量子効率に大きな影響を示さず，支配的な影響は欠陥密度である（参照文献３）。そして，バッファ層／クラッド層の品質が類似する場合，量子井戸効率は，量子井戸のデザイン，すなわち，新請求項１に記載のような，パラメータの集合ｋ１，ｋ２，ｗ１，ｗ２．．．に強く依存するものである。
（イ）量子井戸のスタッガード型のデザインが，実際に効率を向上可能であることは，参照文献４において実証されている。
イ　しかしながら，上記ア（ア）の主張は，ＡｌＧａＮ活性量子井戸であることを前提とするものであり，活性量子井戸がＡｌＩｎＧａＮである場合をも包含する請求項１に係る発明の構成に基づくものではない。
　また，上記ア（イ）の主張については，いわゆるスタッガード型のデザインの量子井戸が参照文献４に記載されているとしても，当該記載から，請求項１に係る【数１】で表される数式の範囲内となるように各パラメータを設定することにより，動作中に高い効率で光を生成する，ＡｌＩｎＧａＮ量子井戸構造を含むオプトエレクトロニクス半導体チップが実現できるといえるかは不明である。
ウ　よって，提示された参照文献１〜４を参照しても，前記意見書の主張は，前記理由２及び理由３に係る判断を覆すものではない。
（７）まとめ
　前記（４）のとおりであるから，本願の発明の詳細な説明の記載は，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たさず，また，前記（５）のとおりであるから，本願請求項１の記載は，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たさない。
３．むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。