【事件の表示】
　平成　７年特許願第　９４８６１号「光ディスクおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年１０月２９日出願公開、特開平　８−２８２１０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成７年４月２０日の出願であって、その請求項１〜１０に係る発明は、平成１３年１２月１３日付けと平成１４年１０月１８日付けの手続補正で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されたとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。なお、平成１４年７月２６日付け手続補正は、平成１４年８月１３日付けで補正の却下の決定がなされた（なお、審判請求理由において、この補正の却下の決定は争われていない。）。
　【請求項１】「光の照射によって光学的に識別可能な状態間で変化する記録膜を有し、前記記録膜組成は内周から外周にかけて結晶化速度が速くなる光記録再生媒体の製造方法であって、それぞれ同じ構成元素を含み前記構成元素の組成が異なる複数のリング状ターゲットを同心軸に配置し、前記複数のリング状ターゲットに対向し、前記複数のリング状ターゲットの中心軸が、基板の中心軸と一致するように前記基板を設置し、前記複数のリング状ターゲットの同時スパッタリング法により、前記基板上に前記記録膜を作成することを特徴とする光ディスクの製造方法。」
　
ＩＩ．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前の刊行物である、特開平４−１１９５３７号公報（以下、「引用例１」という。）、及び特開昭６２−８６１５９号公報（以下、「引用例２」という。）には、次のように記載されている。
　引用例１には、図面とともに、
　（1-i）「（１）
一定速度で回転する円形基板上に、光、熱等の手段にて可逆的に相変化する混合系の記録材料層を備え
　
この相変化に伴う光学的性質の変化を利用して情報の記録・再生、又は記録・再生・消去を行う光記録媒体において
　
線速度が相違する基板半径方向における記録材料層の相変化特性を揃えるために上記混合系記録材料の組成を基板の内周側と外周側とで変化させたことを特徴とする光記録媒体
・・・（中略）・・・
（４）
上記基板外周側の記録材料層の結晶化時間が基板内周側の記録材料層の結晶化時間より速くなるように上記混合系記録材料の組成を変化させたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体
　（1-ii）「［産業上の利用分野］
　本発明は、一定速度で回転する円形基板上に記録材料層を備え、この記録材料層ヘレーザビーム等の光ビームを照射してその照射部位の光学的性質を変化させ、この光学的性質の変化を利用して情報の記録・再生、又は記録・再生・消去を行う書換え可能な光記録媒体に係り、特に、記録材料層として相変化型の混合系材料が適用された光記録媒体の改良に関するものである。」（第２頁右上欄１７行〜同頁左下欄５行参照）こと、
　（1-iii）「また、上記記録材料層の形成方法としてはスパッタリング法や真空蒸着法が利用できる。すなわち、上記
スパッタリング法としては複数のターゲットを用い
同時スパッタリングが適用できる
　尚、基板の内周側と外周側とでその組成を変化させて記録材料層を形成する方法としては、スパッタリング等を施す成膜室内に組成分布が連続的に相違する混合系記録材料のスパッタリング雰囲気を形成し、この雰囲気中で円形基板上に組成の異なる記録材料層を成膜させる方法、あるいは、上記成膜室内へ記録材料用のスパッタ原子をその組成を連続的に変化させながら供給し、この原子を基板の対応部位に順次成膜させて上記記録材料層を形成する方法等が挙げられる。
　また、これ等成膜法により基板の内周側と外周側とで組成が相違する混合系記録材料層を形成する場合、基板の半径方向に亘って記録材料の組成を連続的に変化させてもよいし、あるいは、基板の半径方向に沿って複数の分割領域を形成し各領域毎に記録材料の組成を変化させてもよくその変化のさせ方は任意である。」（第３頁右下欄１８行〜第４頁右上欄４行参照）こと、
　（1-iv）「一方、請求項４に係る発明は、
　基板外周側の記録材料層の結晶化時間が基板内周側の記録材料層の結晶化時間より速くなるように混合系記録材料の組成比を変化させたことを特徴とするものである。
　すなわち、
結晶化時間の遅い組成の記録材料は光ビームの照射時間が短いと十分結晶化せずその消去率が低下するため、この組成の記録材料層を照射時間の長い基板内周側に設定する一方、結晶化時間の速い組成の記録材料は照射時間が短くても十分結晶化し、反対に、アモルファス化時に照射時間が長過ぎると余熱によりピット周辺部が再結晶化してＣＮ比を劣化させる弊害があるため、この組成の記録材料層を照射時間の短い基板外周側に設定して記録消去特性（相変化特性）を揃えた
　（1-v）「［作用］
　請求項１の発明によれば、
　線速度が相違する基板半径方向における記録材料層の相変化特性を揃えるために混合系記録材料の組成を基板の内周側と外周側とで変化させているため、
　上記記録媒体を一定速度で回転させてその記録・消去条件が基板の半径方向において実質上相違しても、均一かつ良好な記録消去特性が求められて安定した光学記録を行なうことが可能となる。」（第６頁右上欄１６行〜同頁左下欄５行参照）こと、
　（1-vi）「また、請求項４に係る発明によれば、
　基板外周側の記録材料層の結晶化時間が基板内周側の記録材料層の結晶化時間より速くなるように混合系記録材料の組成を変化させており、
　
照射時間が短いと十分結晶化せずその消去率が低下する結晶化時間の遅い組成の記録材料層を照射時間の長い基板内周側に設定する一方、照射時間が長過ぎると余熱によりピットの周辺部が再結晶化してＣＮ比が劣化する結晶化時間の速い組成の記録材料層を照射時間の短い基板外周側に設定しているたるめ
　
光記録媒体を一定速度で回転させその記録・消去条件が基板の半径方向において実質上相違しても、基板の内周側と外周側とで同等のＣＮ比と消去率が求められて記録消去特性を揃えることができ安定した光学記録を行うことが可能となる
　（1-vii）「［実施例］
　以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明する。
◎第一実施例
　この実施例に係る光記録媒体は、第１図に示すように５．２５インチ、厚さ１．２ｍｍの円形状のアクリル基板（１）と、この
基板（１）上に
スパッタリング法にて形成されその最外周側がＧｅ
２
Ｓｂ
２
Ｔｅ
５
に相当し、その最内周側が（Ｇｅ
２
Ｓｂ
２
Ｔｅ
５
）
９０
−Ｓｂ
１０
に相当し、かつ、最外周と最内周間の組成が連続的に変化している厚さ２０ｎｍの（Ｇｅ
２
Ｓｂ
２
Ｔｅ
５
）
１−ｘ
−Ｓｂ
ｘ
製の記録材料層
　そして、この光記録媒体における上記記録材料層（３）は第６図〜第８図に示すようなＲＦマグネトロンスパッタリング装置により成膜されているものである。
　すなわち、このＲＦマグネトロンスパッタリング装置は、スパッタリング室（８）内中央部に設けられた三角形状の一対のスリット（８１）（８２）が開設された仕切り板（８３）と、この仕切り板（８３）を介し上方側に設けられ４つの円形状基板（１）を回転させながら矢印方向へ搬送する基板搬送体（８４）と、上記仕切り板（８３）を介しその下方側に配置され、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５が収容された一対の外側ターゲット（８５）と、Ｓｂが収容された一対の内側ターゲット（８６）とで構成されており、上記仕切り板（８３）の下方側空間は、各外側ターゲット（８５）と内側ターゲット（８６）から供給されて所定の濃度分布を有するスパッタ原子で満たされており、上記基板（１）がスリット（８１）（８２）上を通過する際に着膜されて基板（１）の内周側と外周側とで組成の異なる上記記録材料層（３）を形成できるようになっている。尚、上記一対のスリット（８１）（８２）の形状が三角形に設定されている理由は、第８図に示すように基板（１）の回転速度が内側と外側とで相違し基板（１）の内側部分と外側部分に対するスリット（８１）の開口寸法が同一の場合、線速度の遅い基板（１）内側が余分に着膜されてしまうからである。
　尚、第９図に示すように円形状のＲＦマグネトロンスパッタリング装置で着膜してもよい。
　そして、
第２図に示す（Ｇｅ
２
Ｓｂ
２
Ｔｅ
５
）
１−ｘ
−Ｓｂ
ｘ
の組成比と結晶化温度との関係を示したグラフ図から明らかなように、ｘ＝０に相当する最外周側のＧｅ
２
Ｓｂ
２
Ｔｅ
５
の結晶化温度は１４０℃、他方、ｘ＝０．１に相当する最内周側の（Ｇｅ
２
Ｓｂ
２
Ｔｅ
５
）
９０
−Ｓｂ
１０
の結晶化温度は１６０℃であり、かつ、この光記録媒体における光吸収は可視光から近赤外光中にわたっており、少なくとも４００〜８６０ｎｍの範囲で光記録媒体として使用可能であった
　
　以上の摘示からみて、引用例１には、
　「一定速度で回転する円形基板上に、光、熱等の手段にて可逆的に相変化する混合系の記録材料層を備え、この相変化に伴う光学的性質の変化を利用して情報の記録・再生、又は記録・再生・消去を行う光記録媒体の製造方法であって、
　線速度が相違する基板半径方向における記録材料層の相変化特性を揃えるために、上記基板外周側の記録材料層の結晶化時間が基板内周側の記録材料層の結晶化時間より速くなるように、上記混合系記録材料の組成を変化させた、
　複数のターゲットの同時スパッタリング法により、前記基板上に前記記録材料層を作製することを特徴とする光記録媒体の製造方法。」
の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認める。
　
　引用例２には、
　（2-i）「（１）
２種以上の元素で構成され、その組成比が径方向位置に対する依存性を有し、かつ円板状に形成してなるスパッタリングターゲット材
　（2-ii）「この目的を達成するために、
本発明のスパッタリングターゲット材は、円板形状を有し、円板の径方向に対して組成比が変化し、かつ、ある半径位置での周方向の組成が同一であるという構成である
　作用
　この構成によって、基板上の内周部及び外周部に付着するＴｂ（すなわち原子量の大きな元素）が少なくなるようにスパッタリングターゲット材の組成を径方向に偏析させることにより組成分布が均一な合金薄膜が作製できることになる。」（第２頁右下欄１〜１１行参照）こと、
　（2-iii）「実施例
　以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら説明する。第１図は本発明の第１の実施例におけるスパッタリングターゲット材の要部断面斜視図である。第１図において、１は
均一な組成を有する角型ドーナッツ形状
同心円上に
組成比が異なる
　例えば、ＴｂＦｅＣｏ合金にて光磁気記録媒体を作製する場合に利用するＴｂＦｅＣｏ合金スパッタリングターゲット材は、第２図に示した組成分布を有するものがよい。第２図において、縦軸はＴｂ組成、横軸は円形スパッタリングターゲット材の半径方向の位置である。
　第２図に示したＴｂ組成分布を有するＴｂＦｅＣｏ合金スパッタリングターゲット材を用いて光磁気記録媒体を作製した場合のＴｂ組成分布を第３図に示す。
　第３図において縦軸はＴｂ組成比、横軸は従来例の第７図の横軸と同様な基板半径位置である。
　第３図より明らかなように、Ｔｂ組成分布がほぼ均一になっている。
　以上のように本実施例によれば、Ｔｂ組成比の異なる角形ドーナッツ状のＴｂＦｅＣｏ合金を組み合わせたＴｂＦｅＣｏ合金スパッタリングターゲット材を用いることによりＴｂ組成が均一な光磁気記録媒体ＴｂＦｅＣｏ薄膜を作製することができる。」（第２頁右下欄１２行〜第３頁右上欄５行参照）こと、
　（2-iv）「また、本実施例ではＴｂ組成を均一にするスパッタリングターゲット材としたが、
任意の組成分布を持つ薄膜も本発明による構成によって実現できることは明らかである
　（2-v）「発明の効果
　本発明は円板状合金スパッタリングターゲット材の合金組成比を半径方向に変化させることにより、組成分布が均一な合金薄膜を得ることができ、また
任意の組成分布を有する合金薄膜も得ることができる
　（2-iv）第１図〜第３図として次の図が示されている。
　
ＩＩＩ．対比、判断
　そこで、本願発明と引用例１発明とを対比する。
　（ａ）引用例１発明の（情報の記録・再生、又は記録・再生・消去を行う）「光記録媒体の製造方法であって、」と「前記基板上に前記記録材料層を作製することを特徴とする光記録媒体の製造方法。」は、本願発明の「光記録再生媒体」と「光ディスク」が同一のものを指すことを勘案して、それぞれ本願発明の「光記録再生媒体の製造方法であって、」と「前記基板上に前記記録膜を作成することを特徴とする光ディスクの製造方法。」に相当する。
　（ｂ）引用例１発明の「一定速度で回転する円形基板上に、光、熱等の手段にて可逆的に相変化する混合系の記録材料層を備え、この相変化に伴う光学的性質の変化を利用して情報の記録・再生、又は記録・再生・消去を行う」は、該「記録材料層」が「記録膜」を意味し、該「相変化に伴う光学的性質の変化を利用して情報の記録・再生、又は記録・再生・消去を行う」ことが「光学的に識別可能な状態間で変化する」ことを意味するから、本願発明の「光の照射によって光学的に識別可能な状態間で変化する記録膜を有し」に相当する。
　（ｃ）引用例１発明の「上記基板外周側の記録材料層の結晶化時間が基板内周側の記録材料層の結晶化時間より速くなるように、上記混合系記録材料の組成を変化させた、」は、該「結晶化時間」が「結晶化速度」に他ならないから、本願発明の「前記記録膜組成は内周から外周にかけて結晶化速度が速くなる」に相当する。
　（ｄ）引用例１発明の「複数のターゲットの同時スパッタリング法により、」は、本願発明の「複数の・・・ターゲットの同時スパッタリング法により、」に相当する。
　（ｅ）引用例１発明の「一定速度で回転する円形基板」を用いる場合は、本願発明の作用効果の前提としての「角速度一定の場合でも」に相当し、そのような角速度一定の場合に線速度が内周側より外周側が速い状態となることを勘案すれば、引用例１発明の「線速度が相違する基板半径方向における記録材料層の相変化特性を揃えるために、」は、本願発明の目的乃至作用効果である「最内周から最外周まで良好な記録消去特性が得られ」、「光ディスクの全領域において良好な記録消去および再生特性が得られる」（段落【００９１】，【０１０２】）ことと軌を一にするものと認められる。
　
　してみると、両発明は、
　「光の照射によって光学的に識別可能な状態間で変化する記録膜を有し、前記記録膜組成は内周から外周にかけて結晶化速度が速くなる光記録再生媒体の製造方法であって、複数のターゲットの同時スパッタリング法により、前記基板上に前記記録膜を作成することを特徴とする光ディスクの製造方法。」
の発明で一致している。
　他方、同時スパッタリング法に関し、本願発明では、「それぞれ同じ構成元素を含み前記構成元素の組成が異なる複数のリング状ターゲットを同心軸に配置し、前記複数のリング状ターゲットに対向し、前記複数のリング状ターゲットの中心軸が、基板の中心軸と一致するように前記基板を設置し、前記複数のリング状ターゲットの同時スパッタリング法により、」と規定しているのに対し、引用例１発明では、そのような規定をしていない点で相違する。
　
　この相違点について検討する。
　引用例２において、「２種以上の元素で構成され、その組成比が径方向位置に対する依存性を有し、かつ円板状に形成してなるスパッタリングターゲット材」（摘示（2-i）参照）を用いて、組成分布が均一な合金薄膜を作製できるのみならず、「
任意の組成分布を持つ薄膜も本発明による構成によって実現できる
径方向に対して組成比が変化し、かつある半径位置での周方向の組成が同一である
　そうであるから、引用例２には、そのスパッタリング法によって得られる合金薄膜（即ち、記録膜）の組成比を径方向に変化させることができる、「それぞれ同じ構成元素を含み前記構成元素の組成が異なる複数のリング状ターゲットを同心軸に配置し、前記複数のリング状ターゲットに対向し、前記複数のリング状ターゲットの中心軸が、基板の中心軸と一致するように前記基板を設置し、前記複数のリング状ターゲットの同時スパッタリング法」が記載されているものといえる。
　してみると、引用例１発明の内周から外周にかけて結晶化速度を速くするために径方向の組成比を変化させた発明において、そのための同時スパッタリング手段として、引用例２に記載された前記同時スパッタリング手段を採用する程度のことは、格別の創意工夫を要するものではなく、また、予想外の作用効果を奏しているものとも認められないから、当業者が容易に思い至るものというべきである。
　
　この点に関し、審判請求理由（平成１４年１０月１８日付け審判請求理由の手続補正書参照）において請求人は、「内周に位置するターゲットと外周に位置するターゲットに対するスパッタパワーを独立に制御して投入し、基板上での成膜速度を均一にするという本願発明の特徴や効果を示唆する記述は引用文献１〜１０のどれにも見あたりません。」、及び、引用例２に対し「本引用文献ではターゲットは従来のカソード電極に取りつけられるために複数のリング状ターゲットに投入されるスパッタパワーを独立に制御することは不可能であり」と主張し、「本発明による光ディスクの製造方法は、結晶化速度を内周から外周にかけて速くしながらかつ、内周に位置するターゲットと外周に位置するターゲットに独立にしたスパッタパワーを制御しながら投入して、基板上での成膜速度・膜厚を均一にするという効果を得ることができます。」と主張している。
　しかしながら、そのような主張はスパッタパワーを独立に制御するとの手段を設けてはじめて成り立つものであり、そのような構成が本願発明の構成として特定されていない以上、本願発明の作用効果として採用すべきではないことが明白であるから、前記請求人の主張は到底採用できるものではない。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１発明と引用例２記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得る。
　
ＩＶ．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。それ故、他の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。