【事件の表示】
　平成　６年特許願第１９２６０２号「半導体ウエハの処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　２月２７日出願公開、特開平　８−　５５９０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 ・本願発明
　本願は、平成６年８月１６日の出願であって、その請求項１乃至４に係る発明は、平成１５年８月２０日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載されたとおりのものと認められ、その請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下「本願発明」という。） 
　「真空排気可能な処理容器内に配置された静電チャックに、処理対象ウエハを静電吸着する静電吸着工程と、
　前記処理容器内に所定の処理ガスを導入して気相処理を行う工程と、
　前記静電チャックによる前記処理対象ウエハの静電吸着を解除する工程と、
　前記処理容器内の圧力が６．７〜１０．７Ｐａになるように真空排気しながら、前記処理容器内にイオン化したガスを導入する工程と
を含む半導体ウエハ処理方法。」
　
２　引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前である平成６年７月８日に頒布された「特開平６−１８８３０５号公報 」（以下「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
　(1)　「【産業上の利用分野】本発明は被吸着体の離脱装置および被吸着体の離脱方法およびプラズマ処理装置に関する。」（段落番号０００１）
　(2)　「【実施例】以下、本発明の詳細を、プラズマ・エッチング装置に適用した一実施例を添付図面に基づいて詳述する。最初に、図１に基づいて、プラズマ・エッチング装置の構成を説明する。
　このプラズマ・エッチング装置は、処理用気密容器１、この容器１内にプラズマを発生するための上部電極２、および下部電極３、前記容器１内を減圧にするための排気ガス系４、前記容器１内に被吸着体、例えば被処理体としての半導体ウエハＷを搬入または搬出するための搬入出系５により構成されている。また、前記下部電極３には前記半導体ウエハＷを静電的に吸着する静電チャック７が設けられ構成されている。」（段落番号０００７〜０００８）
　(3)「次に、下部電極３は、前記上部電極２と対向する位置に配置され、最上部には前記半導体ウエハＷを静電的に吸着する静電チャック・シート２０が設けられており、この静電チャック・シート２０は、導電層、例えば電解箔銅２１を両側から絶縁層、例えばポリイミド・フィルム２２で被覆されサンドイッチ構造に構成されている。さらに、前記電解箔銅２１は、この電解箔銅２１に高電圧、例えば２００Ｖ〜３ＫＶの電圧を給電するための給電手段、例えば材質が銅の給電棒２３に接続され、この給電棒２３は、前記容器１の底面に気密かつ絶縁に貫通され、高電圧電源２４に切替え手段、例えば電磁スイッチ２５を介して接続されている。また、この電磁スイッチ２５は図示しない装置を制御する制御信号によりＯＮまたはＯＦＦされるよう構成されるとともに、前記静電チャック７が構成されている。」（段落番号００１１）
　(4)「また、前記半導体ウエハＷと前記静電チャック・シート２０の間には、前記半導体ウエハＷに前記上層基盤３０の温度を伝導する伝導媒体、例えば不活性ガスのＮ２を第二の伝導媒体供給管４０を介して、前記静電チャックに複数穿設された供給口９により前記半導体ウエハの裏面の全面に前記不活性ガスのＮ２を供給するガス供給手段８が構成されている。さらに、前記伝導媒体供給管４０は、前記不活性ガスのＮ２の供給をＯＮまたはＯＦＦするための開閉弁、例えばエアーオぺレートバルブ４１を介してＮ２ガスをイオン化するイオン化手段４３が接続され、さらに、前記エアーオぺレートバルブ４１は前記半導体ウエハＷと前記静電チャック・シート２０の間に供給する不活性ガスのＮ２の供給量を制御するための流量制御装置、例えばマスフローコントローラ４２に接続されている。さらに、このマスフローコントローラ４２は、前記Ｎ２ガスを収納するガスボンベ４４に接続されている。
　また、前記不活性ガスのＮ２ガスをイオン化するイオン化手段４３は、例えば図２に示すように前記伝導媒体供給管４０内に紫外線ランプ、例えばＵＶランプ５０の先端部、例えば前記ＵＶランプ５０の紫外線を透過する透過体、例えばガラス部５１が気密かつ埋設して設けられている。また、前記ＵＶランプ５０には、このＵＶランプ５０を駆動するための電源５２がスイッチ、例えば電磁スイッチ５３を介して接続されている。さらに、この電磁スイッチ５３は装置コントローラ５４の制御信号５５によりＯＮまたはＯＦＦされるように構成され、前記装置コントローラ５４の制御信号５５により電磁スイッチ５３がＯＮされると前記ＵＶランプ５０が駆動するとともに紫外線５５が発生し、この紫外線５５により前記ＵＶランプ５０の上流より流れてくるＮ２ガス５６をイオン化し、イオン化されたＮ２＋またはＮ２−ガス５７を下流に通流すよう構成されている。」（段落番号００１４〜００１５）
　(5)「次に、前記排気ガス系４は、前記容器１の底面に開口して、この容器１内を減圧するためのガス排出口６５設けられており、このガス排出口６５は、排気ガス管６６に接続され開閉弁、例えばバタフライ・バルブ６７を介して処理ガス、例えばＨＦガスをトラップするトラップ手段６８、例えば冷却器あるいはフィルターが接続され、さらに、このトラップ手段６８は、前記容器１内を１×１０−１Ｔｏｒｒ〜１×１０−８Ｔｏｒｒの減圧雰囲気にするための真空排気装置６９、例えばロータリーポンプ，ターボ分子ポンプ等が接続されている。」（段落番号００１７）
　(6)「・・・次に、前記半導体ウエハＷを静電チャック７の静電チャック・シート２０に静電的に吸着する工程を説明すると、図３に示すように前記ピン８１を接地するためにスイッチ８９を閉じ、図１に示すように前記静電チャック・シート２０の電解箔銅２１に高電圧を給電するためにスイッチ２５を閉じる。次に、図３に示すように前記上下手段８５により前記ピン８１を降下させ前記静電チャック・シート２０の上面１００に載置するとともに前記半導体ウエハＷを保持していた前記ピン８１は降下し前記半導体ウエハＷの保持を解除するとともに、前記スイッチ８９を開放する。また、前記半導体ウエハＷを前記静電チャック・シート２０の上面１００に載置する際、前記ピン８１により前記半導体ウエハＷは接地されているので、前記前記静電チャック・シート２０の上面には、図４に示すように、プラスの電荷１０３が帯電され、また、前記半導体ウエハＷの裏面１０１にはマイナスの電荷１０２が帯電され、このプラスの電荷１０３およびマイナスの電荷１０２の互いに引き合う静電作用により前記半導体ウエハＷは前記静電チャック・シート２０の上面１００に吸着するとともに保持される。・・・」（段落番号００２２）
　(7)「次に、図１に示すように、前記上部電極２に接続されている前記ガス供給管１０から前記処理ガスを供給し、前記ガス放出口１２より前記容器１内に処理ガスを導入し、前記容器１内圧力を設定値、例えば１０ｍＴｏｒｒ〜２００ｍＴｏｒｒに前記バタフライ・バルブ６７を制御し、安定させるとともに前記下部電極３の高周波電源６１をＯＮし、容器１内かつ前記上部電極２と半導体ウエハＷ間にプラズマを発生させ、このプラズマにより前記半導体ウエハＷをエッチング処理する。また、このプラズマの発生にともない、前記半導体ウエハＷは疑似接地され、半導体ウエハＷの前記静電チャック・シート２０に吸着される吸着力は強くなる。この処理の後、前記スイッチ２５をＯＦＦするとともに前記高周波電源６１をＯＦＦし、前記ガス放出口１２より不活性ガス、例えばＮ２　を容器１内に導入する。
　次に、前記半導体ウエハＷを前記静電チャック・シート２０より離脱する工程を説明する。まず、前記不活性ガス、例えばＮ２ガスが収納されるガスボンベ４４より放出したＮ２ガスは図２に示すように、前記イオン化手段４３のＵＶランプ５０は電磁スイッチ５３をＯＮの後、駆動し、このＵＶランプ５０より紫外線２００を発生させる、さらに、この紫外線５５と前記Ｎ２ ガス５６が反応（Ｎ２分子の紫外線吸収によるイオン化）し、Ｎ２＋またはＮ２−ガス５７を生成する。このイオン化されたＮ２＋またはＮ２−ガス５７は前記エアーオペレート・バルブを開放するとともに前記マスフローコントローラ４２で通流する流量を調節され、前記伝導媒体供給管４０を介し、前記供給口９より図４に示すように前記半導体ウエハＷの裏面と前記静電チャック・シート２０間の全面に通流１０４され、前記半導体ウエハＷに帯電する電荷、例えば＋電荷および前記静電チャック・シート２０に帯電する電荷、例えば−電荷を前記イオン化されたＮ２＋またはＮ２−ガス５７によりそれぞれ中和し、除電する。この、除電の時間は、例えば前記イオン化手段４３と前記半導体ウエハＷ間の距離を２５ｃｍ程度とし、３ＫＶの電位が残留していたとき、正帯電の場合、約３秒以下で、また、負帯電の場合１０秒以下で約０．３ＫＶ以下に除電することが可能である。さらに、前記イオン化手段４３と前記半導体ウエハＷ間の距離は、２０ｃｍ以下が好ましく、近ければ近いほど前記除電時間は短縮することができる。さらに、前記半導体ウエハＷと前記静電チャック・シート２０に前記イオン化されたＮ２＋またはＮ２−ガス５７の供給する際、この圧力雰囲気は、大気圧よりも減圧雰囲気中、例えば１×１０−２Ｔｏｒｒ以下で除電する方が除電時間を短縮、例えば１．５倍以上短縮することができる。」（段落番号００２３〜最初の段落番号００２４）（引用例中、段落番号００２４は２つある。）
　(8)「次に、第２の実施例について説明を行なうが、第１の実施例と同一部分には同一符合を付けて説明を省略する。図５に示すように、前記イオン化手段４３は、前記半導体ウエハＷの裏面より不活性ガスをイオン化したイオン化ガスを供給する前記伝導媒体供給管４０の供給ラインには設けてられておらず、前記上部電極２に複数個穿設されたガス放出口１２より、例えばＮ２　ガスを供給する供給管１１０に設けられており、この供給管１１０に、イオン化手段、例えばコロナ放電によるイオン化手段１１１が設けられている。このイオン化手段１１１はコロナ放電を発生するための放電棒１１２，１１３が透明体、例えば石英ガラス１１４，１１５によりそれぞれ独立して被われ、この石英ガラス１１４，１１５の先端部は前記供給管１１０内に埋設されるとともに、この石英ガラス１１４，１１５の先端の外周部は、前記供給管１１０に気密に接続されている。また、前記放電棒１１２，１１３は感電防止用の絶縁体１１６、例えばセラミックを貫通し、電源１１７にスイッチ、例えば電磁スイッチ１１８を介してそれぞれ接続され、この電磁スイッチ１１８は装置コントローラ５５の制御信号５５によりＯＮまたはＯＦＦされるよう構成されている。
　以上により、前記半導体ウエハＷおよび前記静電チャック・シート２０に残留する残留電荷を除電する方法は前記半導体ウエハＷの裏面と前記静電チャック・シート２０間よりイオン化ガスを通流させず、前記上部電極２に複数個穿設された、ガス放出口１２より不活性ガス、例えばＮ２　ガスをイオン化手段によりＮ２＋，Ｎ２−ガスを半導体ウエハＷの上面に供給することにより、前述同様の除電効果を得ることができる。」（段落番号００２６〜００２７）
　
　以上の記載事項及び図面の図５を参照すると、引用例には、「処理用気密容器１内を１×１０−１Ｔｏｒｒ〜１０−８Ｔｏｒｒの減圧雰囲気にすることができる真空排気装置６９が接続された処理用気密容器１内に配置された静電チャック７に、被吸着体としての半導体ウェハＷをスイッチ２５を閉じることにより静電吸着する静電吸着工程と、
処理用気密容器１内にガス放出口１２より処理ガスを導入してプラズマを発生させ、このプラズマにより半導体ウェハＷをエッチング処理する工程と、
このプラズマエッチング処理の後、スイッチ２５をＯＦＦする工程と、
１×１０−２Ｔｏｒｒ以下（１．３３Ｐａ以下）の大気圧よりも減圧雰囲気中でイオン化されたＮ２ガスを容器１内に導入して除電する工程と
を含む半導体ウェハの処理方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３　対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「処理用気密容器１」、「静電チャック７」、「被吸着体としての半導体ウェハＷ」は、それぞれ本願発明の「処理容器」、「静電チャック」、「処理対象ウェハもしくは半導体ウェハ」に相当する。また、引用発明では「スイッチ２５を閉じることにより半導体ウェハを静電吸着する」のであるから、「スイッチ２５をＯＦＦする」ことは、「静電吸着を解除する」ことになる。さらに、「容器１内に処理ガスを導入してプラズマを発生させ、このプラズマにより半導体ウェハをエッチング処理する」ことは、上位概念としては、「処理ガスを導入することによる気相処理を行う」ことに相当する。
　
　以上の点から、両者は「真空排気可能な処理容器内に配置された静電チャックに、処理対象ウエハを静電吸着する静電吸着工程と、
　前記処理容器内に所定の処理ガスを導入して気相処理を行う工程と、前記静電チャックによる前記処理対象ウエハの静電吸着を解除する工程と、
　前記処理容器内の圧力が減圧雰囲気になるようにしながら、前記処理容器内にイオン化したガスを導入する工程と
を含む半導体ウエハ処理方法。」で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点
イオン化したガスを導入する際の処理容器内の圧力及びその処理を、本願発明では、「６．７〜１０．７Ｐａとなるように真空排気しながら」行っているのに対し、引用発明では、「１×１０−２Ｔｏｒｒ以下（１．３３Ｐａ以下）」としているのみで、そのイオン化したガスを導入する際に真空排気を行っているかどうか不明な点。
　
４　当審の判断
　上記相違点について検討すると、引用発明も、イオン化したガスを導入することにより半導体ウエハＷに残留する残留電荷を除電する、すなわち静電荷を除去するものであり、そのためには残留電荷の電荷量と同等の電荷量を持つイオン化ガスを導入しなければならない。すなわち、残留電荷量が大きければそれだけ大量のイオン化ガスを導入しなければならないことは当業者にとって自明の事項であることからすれば、イオン化したガスを導入する際、その圧力を１×１０−２Ｔｏｒｒ以下（１．３３Ｐａ以下）で除電できなかった場合、さらにイオン化ガスの電荷量を増やすこと、すなわち、減圧雰囲気であって、１×１０−２Ｔｏｒｒを超える圧力のイオン化ガスの導入を試みることは、当業者にとって容易に思いつくことである。そして、導入するイオン化ガスの圧力を「６．７〜１０．７Ｐａ」と特に限定しても、そのことによる効果は「静電荷を除去する時間が短縮できる」という従来から想定される延長線上のものでしかなく、ここに臨界的な意義は見当たらない。また、雰囲気の圧力が処理予定の圧力よりも高くなった場合、それを減圧雰囲気とするためには、真空排気することは自明の事項である。
　
５　むすび
　したがって、本願発明の請求項１に係る発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。