(57)【要約】【課題】本発明の実施形態は、発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体を備える。さらに、前記積層体の前記第１半導体層側の第１主面に設けられた透明電極であって、薄膜部と、前記薄膜部よりも厚い第１の厚膜部と、前記薄膜部よりも厚く前記第１の厚膜部から前記第１主面に平行に延在するストライプ状の第２の厚膜部と、を有する前記透明電極と、前記第１の厚膜部の上に設けられた第１電極と、前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。【選択図】図１
2012227289.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１半導体層と、前記第１導電型と異なる第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体と、
前記積層体の前記第１半導体層側の第１主面に設けられた透明電極であって、薄膜部と、前記薄膜部よりも厚い第１の厚膜部と、前記第１の厚膜部と同じ厚みを有し前記第１の厚膜部から前記第１主面に平行に延在するストライプ状の第２の厚膜部と、を有する前記透明電極と、
前記第１の厚膜部の上に設けられた第１電極と、
前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、
を備え、
前記第１主面に対して平行な面内において、前記第２の厚膜部の前記延在方向に直交する最大幅は、前記第１の厚膜部の最小幅よりも狭いことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
第１導電型の第１半導体層と、前記第１導電型と異なる第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体と、
前記積層体の前記第１半導体層側の第１主面に設けられた透明電極であって、薄膜部と、前記薄膜部よりも厚い第１の厚膜部と、前記薄膜部よりも厚く前記第１の厚膜部から前記第１主面に平行に延在する複数のストライプ状の第２の厚膜部と、を有する前記透明電極と、
前記第１の厚膜部の上に設けられた第１電極と、
前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】
前記積層体は、前記第１主面に対して平行な平面視において、長辺と短辺とを有する長方形状であり、
前記第1の厚膜部の長手方向は、前記長方形状の短辺方向であり、
前記第2の厚膜部の長手方向は、前記長方形状の長辺方向であることを特徴とする請求項1または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記積層体は、前記第１主面に対して平行な平面視において、長辺と短辺とを有する長方形状であり、
前記第1の厚膜部は、前記長方形状の中心を含む領域に設けられ、
前記第2の厚膜部は、前記長第1の厚膜部から前記長方形状の長辺方向および短辺方向に延在することを特徴とす請求項1または２に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記積層体は、前記第１主面に対して平行な平面視において、長辺と短辺とを有する長方形状であり、
前記第１の厚膜部は、前記長方形状の中心を含む領域と、その中心を含む領域から前記長方形状の長辺方向に延在した部分と、を有し、
前記第２の厚膜部は、前記第１の厚膜部の前記長方形状の中心を含む前記領域から前記長方形状の短辺方向に延在する部分と、前記第1の厚膜部における前記長方形状の長辺方向に延在した部分から前記長方形状の短辺方向に延在する部分と、を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記第２電極は、前記積層体の前記第２半導体層側の第２主面に設けられ、前記発光層から放射される発光を反射することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記第２電極と前記第２半導体層との間に設けられ、前記透明電極と前記第２電極との間を流れる電流を阻止する電流ブロック層をさらに備え、
前記第１主面に対して平行な平面視において、前記第２の厚膜部は、前記電流ブロック層と重ならない部分を有することを特徴とする請求項６記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記透明電極は、前記第１主面の外縁の内側に設けられたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体発光装置は、照明器機やディスプレイなどの分野に広く用いられ、その光出力の向上が求められている。例えば、半導体発光装置の一つである発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）では、光を放出する発光面に電流広がりと光取出しとを兼ねた透明電極を設け、光出力を向上させている。
【０００３】
一方、半導体発光装置には、消費電力の低減についても大きな期待が寄せられている。このため、半導体発光装置の光出力を単純に向上させるだけでなく、その発光効率を向上させることが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２９４９０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態は、発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電型の第１半導体層と、前記第１導電型と異なる第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体を備える。さらに、前記積層体の前記第１半導体層側の第１主面に設けられた透明電極であって、薄膜部と、前記薄膜部よりも厚い第１の厚膜部と、前記薄膜部よりも厚く前記第１の厚膜部から前記第１主面に平行に延在するストライプ状の第２の厚膜部と、を有する前記透明電極と、前記第１の厚膜部の上に設けられた第１電極と、前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態に係る半導体発光装置を示す模式図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体発光装置の特性を示す模式図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体発光装置の断面構造を示す模式図である。
【図４】第２の実施形態に係る半導体発光装置を示す模式図である。
【図５】第２の実施形態に係る半導体発光装置の製造過程を示す模式断面図である。
【図６】図５に続く製造過程を示す模式断面図である。
【図７】図６に続く製造過程を示す模式断面図である。
【図８】第２の実施形態の変形例に係る半導体発光装置を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。
【０００９】
（第１の実施形態）  
図１は、第１の実施形態に係る半導体発光装置１００を示す模式図である。半導体発光装置１００は、例えば、窒化物半導体を材料とする青色ＬＥＤであり、図１（ａ）は、そのチップ面を模式的に示す平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＩｂ−Ｉｂ断面を示す断面図である。
【００１０】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、半導体発光装置１００は、例えば、サファイア基板３の上に設けられた積層体１０を備える。そして、図１（ａ）に示すように、積層体１０は、その第１主面である発光面１０ａに対して平行な平面視において、長辺と短辺とを有する長方形状に設けられる。
【００１１】
発光面１０ａには、透明電極１３が設けられる。透明電極１３は、薄い薄膜部１３ｃと、薄膜部１３ｃよりも厚い第１の厚膜部１３ａと、薄膜部１３ｃよりも厚く第１の厚膜部１３ａから発光面１０ａに平行に延在するストライプ状の第２の厚膜部１３ｂと、を有する。
【００１２】
本実施形態では、図１に示すように、第１の厚膜部１３ａの長手方向は、長方形状の発光面１０ａの短辺方向であり、第２の厚膜部１３ｂの長手方向は、発光面１０ａの短辺方向である。また、第２の厚膜部１３ｂの厚みと、第１の厚膜部１３ａの厚みと、が同じである。
【００１３】
ここで、厚みが同じとは、厳密な意味での同じに限らず、例えば、厚膜部１３ａの厚みと、厚膜部１３ｂの厚みとの間に、薄層部１３ｃを除いた透明電極１３の厚さ分布に起因する違いがあっても良い。
【００１４】
図１（ａ）に示すように、半導体発光装置１００は、第１電極であるｐ電極１５と、第２電極であるｎ電極１７を備え、ｐ電極１５とｎ電極１７との間に駆動電流を流すことにより、発光面１０ａから光を放出する。ｐ電極１５は、厚膜部１３ａの上に設けられ、透明電極１３に電気的に接続される。ｎ電極１７は、チップ面に露出したｎ型クラッド層５の表面に設けられ、ｎ型クラッド層５に電気的に接続される。
【００１５】
一方、図１（ｂ）に示すように、積層体１０は、第１半導体層であるｐ型クラッド層７と、第２半導体層であるｎ型クラッド層５と、ｐ型クラッド層７とｎ型クラッド層５との間に設けられた発光層９と、を有する。そして、発光層９の発光は、主としてｐ型クラッド層７の表面である発光面１０ａから放出される。また、同図に示すように、発光面１０ａは、ｐ型クラッド層７の表面であり、積層体１０の第１主面でもある。
【００１６】
発光面１０ａの表面には、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極１３が設けられる。前述したように、透明電極１３には、厚膜部１３ｂと、厚膜部１３ｂよりも発光面１０ａに対して垂直な方向の厚さが薄い薄膜部１３ｃが設けられる。
【００１７】
ＩＴＯは、可視光を透過させる導電性膜であるが、金（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などの金属膜よりもシート抵抗が高い。したがって、本実施形態に示すように、透明電極１３に、厚膜部１３ａおよび１３ｂと、薄膜部１３ｃと、を形成することにより電気抵抗に差を設けることができる。これにより、厚膜部１３ｂを介して発光層９に注入される電流を、薄膜部１３ｃを介して注入される電流よりも多くすることができる。
【００１８】
図２は、半導体発光装置１００の特性を模式的に示すグラフである。横軸に駆動電流Ｉを示し、縦軸に光出力Ｌを示している。
【００１９】
図２中のＡは、半導体発光装置１００のＩ−Ｌ特性を示すグラフであり、Ｂは、比較例に係る半導体発光装置（図示しない）のＩ−Ｌ特性を示すグラフである。比較例に係る半導体発光装置は、厚膜部１３ａおよび１３ｂが設けられず、透明電極１３の厚さが均一である点で、半導体発光装置１００と相違する。
【００２０】
発光面１０ａの全面に均一な厚さの透明電極１３を形成すると、発光面１０ａの全面に駆動電流が広がり発光層９に注入される。このため、発光層９の全体が均一に発光し、例えば、グラフＢのＩ−Ｌ特性を示す。
【００２１】
グラフＢに示す光出力Ｌは、駆動電流ＩＤを増やすにしたがって単調に増加する。しかしながら、駆動電流ＩＤが小さい低注入領域ＩＬでは、駆動電流ＩＤに対する光出力Ｌの増加率が小さく発光効率が低い。そして、低注入領域ＩＬを越えて駆動電流を流すと、光出力Ｌの増加率が高くなり発光効率が向上する。
【００２２】
さらに、駆動電流ＩＤを増加させ高注入領域ＩＨになると、光出力Ｌは徐々に飽和する。例えば、半導体発光装置は、寿命および制御性を勘案して、光出力Ｌが飽和傾向を示す高注入領域ＩＨよりも駆動電流ＩＤが小さい実用範囲で使用される。
【００２３】
これに対し、半導体発光装置１００では、低注入領域ＩＬから光出力の増加率が向上し、実用範囲において比較例に係る半導体発光装置よりも高出力となる。この効果は、以下のように説明される。
【００２４】
駆動電流ＩＤにより発光層９に注入されるキャリア（電子および正孔）には、発光を放出して再結合するものと、発光を放出しない非発光過程を介して再結合するものとがある。例えば、非発光過程として、バンドギャップ中の深い準位（Deep Level）を介して再結合するＳＲＨ過程（Shockley-Read-Hall process）などが知られている。発光層９に注入されるキャリアの数が少ない場合には、このような非発光再結合が高い割合で発生するが、非発光再結合に寄与する深い準位の数は限られており、キャリアの数が多くなるにつれて発光再結合の割合が高くなり発光効率が向上する。このため、グラフＢに示すようなＩ−Ｌ特性が生じる。
【００２５】
一方、半導体発光装置１００では、透明電極１３の厚膜部１３ａおよび１３ｂを介して流れる駆動電流ＩＤが多くなるため、発光層９の厚膜部１３ａおよび１３ｂの下の部分におけるキャリア密度が、薄膜部１３ｃの下の部分におけるキャリア密度よりも高くなる。結果として、発光面１０ａのうちの厚膜部１３ａおよび１３ｂが設けられた部分が主体的に発光に寄与する。
【００２６】
すなわち、半導体発光装置１００では、実質的な発光領域が狭められるため、低注入領域ＩＬにおけるキャリア密度が高くなる。これにより、非発光再結合の割合が低下し、比較例に係る半導体発光装置よりも発光効率が向上する。
【００２７】
一方、駆動電流ＩＤが大きい高注入領域ＩＨでは、半導体発光装置１００の厚膜部１３ａおよび１３ｂの下の発光層９におけるキャリア密度が、比較例に係る半導体発光装置の発光層におけるキャリア密度よりも高くなる。このため、発光層９からｐ型クラッド層に流れる電子のオーバーフロー、もしくは、オージェ効果（Auger effect）などによる電流損失が増加し、光出力Ｌの飽和傾向が顕著となる。この結果、高注入領域ＩＨにおける半導体発光装置１００の光出力Ｌは、比較例に係る半導体発光装置の光出力よりも低くなるが、駆動電流ＩＤの実用範囲において、比較例に係る半導体発光装置の光出力を上回っていれば、実用上の問題は生じない。
【００２８】
例えば、薄膜部１３ｃの透明電極１３を除去すれば、厚膜部１３ａおよび１３ｂを介して流れる電流を大きくすることが可能であり、低注入領域ＩＬにおける発光効率をさらに向上させることができる。しかしながら、この場合には、厚膜部１３ａおよび１３ｂの下の発光層９における電子と正孔の密度が過剰となり、例えば、電子のオーバーフローが起こり易くなる。これにより、駆動電流ＩＤの低い領域から光出力Ｌの飽和傾向を生じ、駆動電流ＩＤの実用範囲において、比較例に係る半導体発光装置よりも光出力が低下することがある。そこで、半導体発光装置１００では、薄膜部１３ｃを残し、厚膜部１３ａおよび１３ｃにおける過度の電流集中を抑制する。
【００２９】
さらに、薄膜部１３ｃを介して発光層９に電流を流し、キャリアを注入することにより、発光層９における光吸収を抑制する。すなわち、キャリア密度が低下した発光層９は、発光の吸収体として機能する。したがって、薄膜部１３ｃを残し、その下の発光層９にキャリアを注入することにより、光吸収を抑制して発光効率を向上させることもできる。
【００３０】
また、厚膜部１３ａおよび１３ｂにおける過度の電流集中をさけるために、ストライプ状の厚膜部１３ｂを発光面１０ａの全面、もしくは、発光面１０ａのうちの広い領域に延在させることが望ましい。例えば、図１（ａ）に示す例では、発光面１０ａの短辺に沿った方向に延在する方形の厚膜部１３ａと、厚膜部１３ａから発光面１０ａの長辺に沿った方向に延在する複数の厚膜部１３ｂと、が設けられ、発光面１０ａの中央の広い領域を均等に発光させる。
【００３１】
さらに、例えば、発光面１０ａに対して平行な面内において、厚膜部１３ｂの延在方向に直交する最大幅Ｗ２は、厚膜部１３ａの最小幅Ｗ１よりも狭くする。これにより、ｐ電極１５から注入される駆動電流ＩＤをシート抵抗の低い厚膜部１３ａの全体に均一に広げ、複数の厚膜部１３ｂに均等に流すことができる。その結果、局部的な電流集中を避けることが可能であり、発光効率および光出力の向上を図ることができる。
【００３２】
また、図１（ａ）および（ｂ）に示すように、透明電極１３は、発光面１０ａの外縁の内側に設ける。すなわち、発光面１０ａの外縁に沿った部分には、透明電極１３を設けない。例えば、積層体１０の側面には、表面欠陥が高密度に存在する。このため、積層体１０の外縁に駆動電流を流すと非発光再結合を増加させ、発光効率を低下させることになる。したがって、発光面１０ａの外縁に沿った部分に透明電極１３を設けないことにより、積層体１０の外縁に流れる駆動電流を抑制し発光効率の低下を回避することができる。
【００３３】
図３は、半導体発光装置１００の詳細な断面構造を例示する模式図である。前述したように、半導体発光装置１００は、サファイア基板３の上に形成された窒化物半導体を材料とする青色ＬＥＤである。
【００３４】
半導体発光装置１００は、サファイア基板３の上に設けられたｎ型クラッド層５、発光層９、ｐ型クラッド層７を含む。例えば、ｎ型クラッド層７は、厚さ２．０μｍのｎ型ＧａＮ層であり、発光層９は、Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ層とＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層とを交互に積層した多重量子井戸（Multiple Quantum Well：ＭＱＷ）構造を有する。ＭＱＷ構造は、例えば、８つの量子井戸を含み、その量子井戸は、厚さ２．５ｎｍの井戸層（Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ層）と、その井戸層を挟む厚さ１０ｎｍの障壁層（Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層）からなる。
【００３５】
ｐ型クラッド層７は、例えば、発光層９の側から積層された、厚さ１０ｎｍのｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ層からなるオーバーフロー防止層７ａと、厚さ４０ｎｍのｐ型ＧａＮ層７ｂと、厚さ５ｎｍのコンタクト層７ｃを含む。
【００３６】
ｐ型クラッド層７の上には、透明電極１３が設けられる。透明電極１３には、例えば、ＩＴＯ膜、もしくは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜、酸化錫（Ｓｎ２Ｏ）膜を用いることができる。透明電極１３は、例えば、４００ｎｍの厚さに設けられる。そして、その表面を所定のパターンにエッチングすることにより、厚さ４００ｎｍの厚膜部１３ａおよび１３ｂと、厚さ２００ｎｍの薄膜部１３ｃを形成する。
【００３７】
ｐ型クラッド層７の最上層であるコンタクト層７ｃは、例えば、ｐ型不純物であるＭｇが高濃度にドープされたｐ型ＧａＮ層であり、透明電極１３とｐ型クラッド層７との間のコンタクト抵抗を下げるために設けられる。
【００３８】
透明電極１３の厚膜部１３の上には、ｐ電極１５が設けられる。そして、ｐ型クラッド層７および発光層９を選択的にエッチングし、積層体１０の第１主面である発光面１０ａを画する。さらに、ｐ型クラッド層７および発光層９がエッチングされて露出したｎ型クラッド層５の表面にｎ電極１７が設けられる。
【００３９】
上記の半導体発光装置１００の構成は１つの例示であり、様々な変形例が考えられる。例えば、サファイア基板３に代えて、シリコン基板、もしくは、ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板などを用いることができる。また、ｎ型クラッド層５と発光層９との間に、例えば、超格子バッファ層を挿入することもできる。
【００４０】
（第２の実施形態）  
図４は、第２の実施形態に係る半導体発光装置２００を示す模式図である。図４（ａ）は、半導体発光装置２００のチップ面を示す平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）に示すＩＶｂ−ＩＶｂ断面を示す模式図である。
【００４１】
図４（ａ）に示すように、半導体発光装置２００では、積層体２０の第１主面である発光面２０ａの上に、透明電極１３が設けられる。透明電極１３は、第１の厚膜部１３ａと、第１の厚膜部１３ａからストライプ状に延在する第２の厚膜部１３ｂを有する。第１の厚膜部１３ａの上には、第１電極であるｎ電極２９が設けられる。
【００４２】
例えば、厚膜部１３ａは、発光面２０ａの短辺に沿って延在する長方形に設けられ、厚膜部１３ｂは、発光面２０ａの長辺に沿ってストライプ状に延在する。また、複数の厚膜部１３ｂが、発光面２０ａの外縁の近傍まで延在し、発光面２０ａを均等に発光させる。さらに、透明電極１３は、発光面２０ａの外縁の内側に設けられる。
【００４３】
図４（ｂ）に示すように、本実施形態における積層体２０は、第２電極であるｐ電極２１を介して支持基板２５の上に設けられる。積層体２０は、第１半導体層であるｎ型クラッド層５と、第２半導体層であるｐ型クラッド層７と、ｎ型クラッド層５とｐ型クラッド層７との間に設けられた発光層９を有する。
【００４４】
積層体２０の第１主面であり、ｎ型クラッド層５の表面でもある発光面２０ａの上に、透明電極１３が設けられる。透明電極１３は、発光面２０ａに対して垂直な方向の厚さが相対的に厚い厚膜部１３ｂと、厚膜部１３ｂよりも薄い薄膜部１３ｃを有する。
【００４５】
半導体発光装置２００では、積層体２０の第２主面２０ｂにｐ電極２１が設けられ、第１主面２０ａの上に設けられた透明電極１３との間に駆動電流を流すことにより、発光層９から発光を放射させる構成となっている。
【００４６】
ｐ電極２１は、発光層９が放射する発光を発光面２０ａの方向に反射するように設ける。例えば、ｐ型クラッド層７に近い部分に、銀（Ａｇ）もしくは金（Ａｕ）を含ませることにより、発光層９が放射する青色の光を反射させることができる。
【００４７】
ｐ電極２１とｐ型クラッド層７との間には、電流ブロック層２３が設けられている。図４（ａ）に示すように、発光面２０ａに対して平行な平面視において、厚膜部１３ｂは、電流ブロック層２３と重ならない部分を有する。これにより、薄膜部１３ｃからｐ電極２１に向かって流れる直線的な電流経路が阻止され、発光層９の厚膜部１３ｂの下の部分に駆動電流を集中させることができる。
【００４８】
さらに、ｎ電極２９の下にも電流ブロック層を設け、ｎ電極２９の下の発光層９における発光を抑制し、発光効率の向上を図ることもできる。
【００４９】
次に、図５〜図７を参照して、半導体発光装置２００の製造過程を説明する。図５（ａ）〜図７（ｂ）は、各工程におけるウェーハの断面を模式的に示している。
【００５０】
まず、図５（ａ）に示すように、サファイア基板３１の上に、ｎ型クラッド層５と、発光層９と、ｐ型クラッド層７と、を順に成長し積層体２０を形成する。これらの層は、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法を用いて形成することができる。各層の詳細な構成は、図３に示す半導体発光装置１００と同じである。
【００５１】
次に、図５（ｂ）に示すように、積層体２０の第２主面２０ｂの上に、電流ブロック層２３と、ｐ電極２１ａとを形成する。電流ブロック層２３には、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成されるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を用いることができる。ｐ電極２１ａには、ｐ型クラッド層７の側から、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、Ａｇ、白金（Ｐｔ）およびＡｕを順に積層した多層膜を用いることができる。
【００５２】
次に、図６（ａ）に示すように、積層体２０およびｐ電極２１ａを形成したウェーハ３０と、支持基板２５の表面にｐ電極２１ｂを形成したウェーハ４０と、を貼り合わせる。支持基板２５には、例えば、ｐ型シリコン基板、もしくは、ｐ型ゲルマニウム基板を用いることができる。ｐ電極２１ｂには、例えば、Ａｕを用いる。そして、同図に示すように、ｐ電極２１ａの表面と、ｐ電極２１ｂの表面と、を接触させ、両ウェーハの裏面側から加重を加えることにより、ｐ電極２１ａとｐ電極２１ｂとを接合しｐ電極２１とする。
【００５３】
続いて、ウェーハ３０の裏面側から、例えば、ＹＡＧレーザを照射し、ｎ型クラッド層５の一部の結晶を解離させ、図６（ｂ）に示すように、サファイア基板３１をｎ型クラッド層５から分離する。
【００５４】
次に、図７（ａ）に示すように、サファイア基板３１を分離して露出させた積層体２０の第１主面２０ａの上に透明電極１３を形成する。透明電極１３には、例えば、スパッタ法を用いて第１主面２０ａの表面に形成したＩＴＯ膜を用いる。ＩＴＯ膜の厚さは、例えば、４００ｎｍ程度とする。
【００５５】
続いて、ＩＴＯ膜の表面を選択的にエッチングして、厚膜部１３ａおよび１３ｂと、薄膜部１３ｃを形成する。厚膜部１３ａおよび１３ｂの厚さは、例えば、ＩＴＯ膜と同じ４００ｎｍであり、薄膜部１３ｃの厚さは、例えば、２００ｎｍとする。さらに、厚膜部１３ａの表面にｎ電極２９を形成する（図４（ａ）参照）。ｎ電極には、例えば、透明電極１３の側からＮｉとＡｕとを積層した多層膜を用いることができる。
【００５６】
次に、積層体２０を選択的にエッチングし、発光面２０ａを画する。続いて、支持基板２５の裏面にボンディング電極３３を形成し、個々のチップに切断することにより半導体発光装置２００を完成する。
【００５７】
図８は、第２の実施形態の変形例に係る半導体発光装置３００および４００のチップ面を例示する模式図である。  
例えば、図８（ａ）に示す半導体発光装置３００では、第１の厚膜部１３ａをチップ面の中央に設け、第２の厚膜部１３ｂを発光面２０ａの外縁に向けて延在させる。
【００５８】
半導体発光装置３００は、第１主面である発光面２０ａに対して平行な平面視において、長辺と短辺とを有する長方形状の積層体２０を備える。そして、第１の厚膜部１３ａは、長方形状の中心を含む領域に設けられる。そして、第２の厚膜部１３ｂは、厚膜部１３ａから長方形状の長辺方向および短辺方向に延在する。これにより、ｎ電極２９を除く発光面２０ａを均等に発光させることができる。
【００５９】
また、図８（ｂ）に示す半導体発光装置４００のように、第１の厚膜部１３ａを発光面２０ａの中央から長辺に沿って延在させ、第１の厚膜部１３ａから発光面２０ａの外縁に向けて第２の厚膜部１３ｂを延在させても良い。
【００６０】
すなわち、同図に示すように、半導体発光装置４００も、発光面２０ａに対して平行な平面視において、長辺と短辺とを有する長方形状の積層体２０を備える。そして、第１の厚膜部１３ａは、長方形状の中心を含む領域と、その中心を含む領域から長方形状の長辺方向に延在した部分と、を有する。第２の厚膜部１３ｂは，厚膜部１３ａの長方形状の中心を含む領域から長方形状の短辺方向に延在する部分と，厚膜部１３ａにおける長方形状の長辺方向に延在した部分から、長方形状の短辺方向に延在する部分と、を有する。
【００６１】
この場合も、厚膜部１３ａの最小幅Ｗ１を、厚膜部１３ｂの延在方向に直交する幅Ｗ２よりも広くする。これにより、複数の厚膜部１３ｂの下の発光層９を均等に発光させることができる。
【００６２】
図８（ａ）および（ｂ）に例示した厚膜部１３ａ、１３ｂ、および、類似の形状は、前述した第１の実施形態に係る半導体発光装置１００に設けることもできる。
【００６３】
上記の第２の実施形態では、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とした。一方、前述した第１の実施形態では、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型としたが、これに限られる訳ではなく、それぞれ逆の導電型としても良い。
【００６４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００６５】
なお、本願明細書において、「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）のIII−Ｖ族化合物半導体を含み、さらに、Ｖ族元素としては、Ｎ（窒素）に加えてリン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）などを含有する混晶も含むものとする。またさらに、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００６６】
３、３１・・・サファイア基板、  ５・・・ｎ型クラッド層、  ７・・・ｐ型クラッド層、  ７ａ・・・オーバーフロー防止層、  ７ｂ・・・ｐ型ＧａＮ層、  ７ｃ・・・コンタクト層、  ９・・・発光層、  １０、２０・・・積層体、  １０ａ、２０ａ・・・発光面（第１主面）、  １３・・・透明電極、  １３ａ、１３ｂ・・・厚膜部、  １３ｃ・・・薄膜部、  １５、２１、２１ａ、２１ｂ・・・ｐ電極、  １７、２９・・・ｎ電極、  ２０ｂ・・・第２主面、  ２３・・・電流ブロック層、  ２５・・・支持基板、  ３３・・・ボンディング電極、  ３０、４０・・・ウェーハ、  １００、２００、３００、４００・・・半導体発光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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