【手続補正書】
【提出日】平成22年1月12日(2010.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノインプリント・リソグラフィ・システムにおいて第１と第２の基板をパターニングする方法であって、
空洞と、ナノインプリント・モールド・アセンブリに向かって配置される前記第１の基板の第１側面と、第１の基板チャックに向かって配置される前記第１の基板の第２側面を有する前記第１の基板チャック上に前記第１の基板を配置するステップと、
前記第１の基板の前記第１側面上にナノインプリント材料を配置するステップと、
前記第１の基板とナノインプリント・モールド・アセンブリ間の空間関係を取得して、第２の基板チャック上に前記第２の基板を配置するのと同時に、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを用いて、前記第１の基板の前記第１の側面上の前記ナノインプリント材料内にパターンをインプリントするステップと、
前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを前記第１の基板上の前記ナノインプリント材料から分離するステップと、
前記第２の基板上にナノインプリント材料を配置するステップと、
前記第２の基板と前記ナノインプリント・モールド・アセンブリ間の空間関係を取得するのと同時に、前記第１の基板を前記第１の基板チャックから取り外し、かつ前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを用いて前記第２の基板上の前記ナノインプリント材料内にパターンをインプリントするステップと、
前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを前記第２の基板上の前記ナノインプリント材料から分離するステップであって、前記第１と第２の基板は、実質的に同じ処理条件を受ける、ステップと、
から構成され、
前記前記第１の基板を前記第１の基板チャックから取り外すステップは、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリに対して前記第１の基板を１８０度フリッピングするステップをさらに含み、前記第１の基板上のナノインプリント材料が前記第１の基板チャックの前記空洞内に配置されるようにすることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第２の基板チャックから前記第２の基板を取り外すステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の基板を取り外す前記ステップは、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリに対して前記第２の基板を１８０度フリッピングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の基板を配置する前記ステップは、第３の基板と前記ナノインプリント・モールド・アセンブリ間の空間関係を取得し、かつ前記第２の基板チャック上に配置された前記第３の基板上のナノインプリント材料にパターンを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の基板と前記ナノインプリント・モールド・アセンブリとの間の空間関係を取得する前記ステップは、同時に第３の基板を前記第２の基板チャックから取り外すステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の基板を前記第１の基板チャックから取り外す前記ステップは、同時に第３の基板を前記第１の基板チャック上に配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１と第２の基板に平行な軸の周りで前記第１と第２の基板チャックを並進させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１と第２の基板に垂直な軸の周りで前記第１と第２の基板チャックを回転させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ナノインプリント・リソグラフィ・システムにおける第１と第２の基板を処理する方法であって、
空洞を有する第１の基板チャックとナノインプリント・モールド・アセンブリ間の第１の空間関係、および前記第１の空間関係とは異なる、第２の基板チャックと前記ナノインプリント・モールド・アセンブリ間の第２の空間関係を取得して、前記第２の基板と前記第２の基板チャックと間に所望の空間関係を取得する間に、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを用いて、パターンが前記第１の基板チャック上に配置された前記第１の基板上のナノインプリント材料にインプリントされるようにするステップと、
前記第１の基板上の前記ナノプリント材料から前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを分離するステップと、
前記ナノインプリント・モールド・アセンブリに対して、前記第１の基板を１８０度フリッピングして、前記第１の基板が前記第１の基板チャックの前記空洞内に配置されるようにするステップと、
から構成されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記第１と第２の基板は、実質的に同じ処理条件を受けることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２の基板と前記第２の基板チャックとの間に所望の空間関係を取得する前記ステップは、前記第２の基板を前記第２の基板チャック上に配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の基板と前記第２の基板チャックとの間に所望の空間関係を取得する前記ステップは、前記第２の基板を前記第２の基板チャック上に配置されることから取り外すステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の基板を取り外す前記ステップは、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリに対して前記第２の基板を１８０度フリッピングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の基板を前記第１の基板チャック上に配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の基板上に前記ナノインプリント材料を配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
第１と第２の基板をパターニングする方法であって、
空洞と、モールド・アセンブリに向かって配置される前記第１の基板の第１側面と、前記第１の基板チャックに向かって配置された前記第１の基板の第２側面を有する第１の基板チャック上に前記第１の基板を配置するステップと、
前記第１の基板上に材料を配置するステップと、
前記第１の基板と前記モールド・アセンブリとの間の空間関係を取得し、第２の基板チャック上に前記第２の基板を配置するのと同時に、前記モールド・アセンブリを用いて、前記第１の基板上の前記材料内にパターンを形成するステップと、
前記モールド・アセンブリを前記第１の基板上の前記材料から分離するステップと、
前記第２の基板上に材料を配置するステップと、
前記第２の基板と前記モールド・アセンブリとの間の空間関係を取得するのと同時に、前記第１の基板を前記第１の基板チャックから取り外し、前記モールド・アセンブリを用いて、前記第２の基板上の前記材料内にパターンを形成するステップであって、前記第１の基板を取り外すステップは、前記プリント・モールド・アセンブリに対して前記第１の基板を１８０度フリッピングして、前記第１の基板上の材料が前記第１の基板チャックの前記空洞内に配置されるようにするステップと、
前記モールド・アセンブリを、前記第２の基板上の前記材料から分離するステップと、を含み、
前記第１と第２の基板は実質的に同じ処理条件を受けることを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記第２の基板を前記第２の基板チャックから取り外すステップをさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の基板を取り外す前記ステップは、前記モールド・アセンブリに対して前記第２の基板を１８０度フリッピングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の基板を配置する前記ステップは、第３の基板と前記モールド・アセンブリ間の空間関係を取得し、前記第２の基板チャック上に配置された前記第３の基板上の材料内にパターンを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の基板と前記モールド・アセンブリ間の空間関係を取得する前記ステップは、同時に第３の基板を前記第２の基板チャックから取り外すステップをさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１の基板を前記第１の基板チャックから取り外す前記ステップは、同時に第３の基板を前記第１の基板チャック上に配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。