Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月2日(2010.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像受信装置に第１画像を送信するように構成された画像送信装置を備える、分割用の画像を作成するシステムであって、
上記画像受信装置が、
第１画像を受信し、
第１画像に双対木複素ウェーブレット変換を適用して複数の副画像を形成し、
上記複数の副画像に基づいてハイパス画像を生成し、
上記ハイパス画像に基づいて回転不変合成画像を生成し、
上記複数の副画像に基づいてローパス画像を生成し、
上記回転不変合成画像と上記ローパス画像とを組み合わせて、第１の疑似蛍光画像を形成するように構成されている、システム。
【請求項２】
前記画像受信装置が、回転不変画像に基づいて複数の特徴ベクトルを生成するように構成されている、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記画像受信装置が、擬似蛍光画像にＢａｙｅｓＳｈｒｉｎｋ法のノイズ除去手順を提供するように構成されている、請求項２記載のシステム。
【請求項４】
前記画像受信装置が、複数の特徴ベクトルを圧縮して第２の疑似蛍光画像を形成するように構成されている、請求項２記載のシステム。
【請求項５】
前記画像受信装置が、第２の疑似蛍光画像にノイズ除去アルゴリズムを適用して第１のノイズ除去擬似蛍光画像を生成するように構成されている、請求項４記載のシステム。
【請求項６】
前記画像受信装置が、ハイスループットスクリーニング装置である、請求項１記載のシステム。
【請求項７】
前記双対木複素ウェーブレット変換が、さらに、第１画像に適用されて複数の副画像を生成するように構成された複数のフィルタを含んでいる、請求項１記載のシステム。
【請求項８】
前記複数のフィルタが、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、直角位相シフトフィルタ、ＬｅＧａｌｌフィルタ、近対称性フィルタ、Ａｎｔｏｎｉｎｉフィルタ、４分の１サンプルシフト直交フィルタ、奇数長双直交フィルタ及び複素フィルタからなる群から選択される、請求項７記載のシステム。
【請求項９】
前記複数の特徴ベクトルが分類される、請求項２記載のシステム。
【請求項１０】
前記複数の特徴ベクトルの分類がマルコフ確率場を利用して行われる、請求項９記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月13日(2010.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隣接した層（Ｌ１）および（Ｌ２）の少なくとも一つの対（Ｌ１−Ｌ２）を含む多層構造体であって、
層（Ｌ１）が、（ｉ）少なくとも１種の半芳香族ポリアミド、および（ｉｉ）少なくとも１種の耐衝撃性改良剤（Ｉ１）を含む、少なくとも１種のポリマー組成物（Ｃ１）を含み、
層（Ｌ２）が、（ｉ）少なくとも１種の非官能化ポリオレフィン（ＰＯ２）；および（ｉｉ）少なくとも１種の官能化ポリオレフィン（ＦＰＯ２）を含む、少なくとも１種のポリマー組成物（Ｃ２）を含む
多層構造体。
【請求項２】
前記層（Ｌ１）および（Ｌ２）が単一層であることを特徴とする、請求項１に記載の多層構造体。
【請求項３】
それが中空体またはその一部であり、前記層（Ｌ１）が前記層（Ｌ２）よりも内側にあることを特徴とする、請求項１または２に記載の多層構造体。
【請求項４】
前記半芳香族ポリアミドがＰＭＸＤＡまたはポリフタルアミドであることを特徴とする、請求項１または２に記載の多層構造体。
【請求項５】
前記耐衝撃性改良剤（Ｉ１）が、カルボキシル基、それらのエステル、それらの無水物、およびそれらの塩から選択される官能基を含む官能化ポリオレフィン（ＦＰＯ１）であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の多層構造体。
【請求項６】
前記官能化ポリオレフィン（ＦＰＯ１）が、非官能化ポリオレフィン（ＰＯ１’）の上に少なくとも１種のグラフト剤（Ｇ１）をグラフトさせることによって得られることを特徴とする、請求項５に記載の多層構造体。
【請求項７】
前記非官能化ポリオレフィン（ＰＯ１’）が、エチレンと少なくとも１種のα−オレフィンとのコポリマーであることを特徴とする、請求項６に記載の多層構造体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の多層構造体を製造するための方法であって、（ｊ）前記ポリマー組成物（Ｃ１）、（ｊｊ）前記ポリマー組成物（Ｃ２）を共押出し成形または共吹込み成形して、隣接した層（Ｌ１）および（Ｌ２）の対（Ｌ１−Ｌ２）を得ることを含む方法。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の多層構造体を含む成形物品であって、それが、パイプ、ホース、管、容器、燃料タンクおよびビンの群から選択される中空体であることを特徴とする、成形物品。
【請求項１０】
前記ポリマー組成物（Ｃ１）および（Ｃ２）を共押出し成形または共吹込み成形することを含む、請求項９記載の成形物品を製造するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月6日(2010.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一及び第二主表面を有し、非弾性高密度熱可塑性フィルムを含む基材と、
前記第一主表面と接触し、同一の広がりを持ち、固定される任意の接着層と、
前記基材の第一主表面又は任意の接着層と接触し、同一の広がりを持ち、固定される構造研磨層であって、前記構造研磨層は、研磨粒子及びバインダを含む、外側に突出するように精密形状化された研磨複合体から成り、前記基材及び構造研磨層の双方は重ね合わせのエンボス形状構成を有する、前記構造研磨層と、
前記第二主表面に固定される、任意の取り付け型境界層と、から成るエンボス構造研磨物品であって、
前記エンボス構造研磨物品は多孔質弾性要素を含まない、エンボス構造研磨物品。
【請求項２】
第一及び第二主表面を有し、非弾性高密度熱可塑性フィルムを含む基材を提供する工程と、
前記第一主表面に接触し、同一の広がりを持つように接着層を固定する工程と、
前記接着層に接触し、同一の広がりを持つように前記構造研磨層を固定する工程であって、前記構造研磨層が、研磨粒子及びバインダを含んだ、外側に突出するように精密形状化された研磨複合体から構成される、固定する工程と、
前記基材及び前記構造研磨層において、前記基材及び前記構造研磨層をエンボス加工し、重ね合わせのエンボス形状構成を提供する工程と、
前記第二主表面に取り付け型境界層を任意で固定する工程と、を含み、
これにより、多孔質弾性要素を含まないエンボス構造研磨物品を提供する、エンボス構造研磨物品の製造方法。
【請求項３】
第一及び第二主表面を有する非弾性高密度熱可塑性フィルム基材を提供する工程と、
構造研磨層を前記基材に固定する工程であって、前記構造研磨層が、前記接着層と接触し、同一の広がりを持ち、研磨粒子及びバインダを含んだ、外側に突出するように精密形状化された研磨複合体から構成される、工程と、
前記基材及び前記構造研磨層において、前記基材及び前記構造研磨層をエンボス加工し、重ね合わせのエンボス形状構成を提供する工程と、
前記第二主表面に取り付け型境界層を任意で固定する工程と、を含み、
これにより、多孔質弾性要素を含まないエンボス構造研磨物品を提供する、エンボス構造研磨物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
（比較例Ｄ）
ポリエステルフィルムを３Ｍ社の「４９２１テープ」として入手可能な４００マイクロメートル（１６ミル）厚の弾性テープに替える以外、実施例４に記載の方法に従って構造研磨フィルムを調製した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
2009534202.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月7日(2010.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
ユーザの位置まで輸送して保管することが可能な設備の実質的に収容された部品または複数の部品、オプションとしてプラント設備の燃料電池のバランス、を提供するシステムであって、
機材と、
前記機材に取りはずし可能に係合され、床に前記機材の複数の部分が通って挿入される複数の開口部を有するハウジングと、
支持体を含む設備の部品または複数の部品とを有し、
前記機材は、前記ハウジングの床中の複数の開口部を通って挿入された前記機材の複数の部分の上にある前記支持体であって前記ハウジングの内部と外部に配置されたポイント間で前記機材の長手方向の軸に沿っている前記支持体によって、前記設備の移動を受け入れ、
前記機材は、前記設備が前記ハウジング内部に配置された後で前記ハウジングから取り外されることを特徴とするシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】
前記対象物に対して実質的に密封された収容器を提供するために前記対象物の一部が前記ハウジングの床材に沿って前記開口部を覆うことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロープが回収容器に収まるように配されたロープを回収する方法において、該方法は、前記回収するロープを前記回収容器に押し入れて、該ロープの押力によって該回収容器をその回転軸を中心に回転させることを特徴とするロープ回収方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記回収するロープは、前記回収容器に押し入れる前に、傾斜した実質的に下向きの角度で該ロープを該回収容器に案内するように設けられた管状の案内要素に案内することを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、前記エレベータロープの交換に関連し、前記回収するロープは撤去すべき古くなった巻上ロープであり、該ロープをロープ牽引装置または重力によって前記案内要素を介して前記回収容器に押し入れるとともに、該古いロープを使って新しいロープを所定位置に牽引することを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の方法において、前記回収するロープはTirak巻上機または同様の巻上機を経由し、巻き上げ作業が巻上機によって行われるとともに、前記ロープの自由端が、前記Tirak巻上機または同様の巻上機によって前記案内要素を通って前記回収容器へと押し進められることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の方法において、新しいロープを前記エレベータに給送し、および／または任意の古い巻上ロープを巻上ロープに作用する前記ロープ牽引装置で新しいロープの邪魔にならないように牽引することを特徴する方法。
【請求項６】
回収するロープを処分するために収納する回収容器を少なくとも含むロープを回収する回収装置において、前記回収容器は回転軸を備え、該回収容器は前記回収するロープに押されて該回転軸を中心に回転するように取り付けられていることを特徴とするロープ回収装置。
【請求項７】
請求項６に記載の回収装置において、該回収装置は管状の案内要素を含み、該要素を介して前記回収するロープを前記回収容器に案内することを特徴とする回収装置。
【請求項８】
請求項６に記載の回収装置において、前記案内要素は樋形状であり、この場合、前記回収するロープは該樋形状案内要素の底部および側縁部に沿って前記回収容器に案内されることを特徴とする回収装置。
【請求項９】
請求項６、７または８に記載の回収装置において、前記案内要素が前記ロープを傾斜した実質的に下向きの角度で前記回収容器に案内するのに適するように、該案内要素の第２の端部が該回収容器に対して該回収容器の真上に固定されることを特徴とする回収装置。
【請求項１０】
請求項６ないし９のいずれかに記載の回収装置において、前記案内要素の第１の端部は前記エレベータロープの交換に関連して前記ロープ牽引装置に固定することで、前記撤去すべき古い巻上ロープを該ロープ牽引装置によって該案内要素を介して前記回収容器に押し入れることができることを特徴とする回収装置。
【請求項１１】
請求項６ないし10のいずれかに記載の回収装置において、前記回収容器は円筒型で、基本的に上部が開口し基部および上向きのフランジを備える容器であることを特徴とする回収装置。
【請求項１２】
請求項６ないし10のいずれかに記載の回収装置において、前記容器内でロープを保持する案内要素が該回収容器の上端部に配設され、該要素は、例えば、２つ以上の案内要素から構成され、または円錐形もしくは前記回収容器の縁に対して内側に樋状に屈曲していることを特徴とする回収装置。
【請求項１３】
請求項６ないし12のいずれかに記載の回収装置において、前記回収容器はプラスチック袋または同様の袋を備え、前記古い巻上ロープが該回収容器の該袋内に直接巻回されるように構成されていることを特徴とする回収装置。
【請求項１４】
請求項６ないし13のいずれかに記載の回収装置において、該回収装置はロープ牽引装置を含み、該牽引装置は少なくとも、牽引ディスクの少なくとも１枚が取り付けられた基部を含み、該牽引ディスクは前記巻上ロープに対応し、該牽引ディスクに前記巻上ロープが固定でき、該牽引装置は、該巻上ロープを該牽引ディスクの所定の位置に保持する少なくとも１個の案内ローラと、該牽引ディスクを前記案内ローラに対して動かして、該ローラを前記基部の所定の位置に固定する締め付け要素とを含み、該回収装置には前記牽引ディスクを回転させる電気モータが少なくとも１台取り付けられることを特徴とする回収装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
さらに別の好適実施例における回収装置はロープ牽引装置を含み、牽引装置は少なくとも基部を含み、この基部には少なくとも１枚の牽引ディスクが取り付けられ、牽引ディスクは巻上ロープに対応し、牽引ディスクに巻上ロープが適合でき、本装置はまた、巻上ロープを牽引ディスクの所定の位置に保持する少なくとも１個の案内ローラと、牽引ディスクを案内ローラに対して動かして、基部の所定の位置に固定する締め付け要素とを含み、本回収装置には牽引ディスクを回転させる電気モータが少なくとも１台取り付けられることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月16日(2010.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
７×１０８パスカル未満の弾性率を有する光透過性ポリマー本体層と、
前記本体層の主表面から突出する複数のキューブコーナ要素と、
前記本体層の少なくとも一部分に接着して前記キューブコーナ要素と空気の境界面を保持した、単層または多層の封止フイルムと、
を含む柔軟性再帰反射物品であって、
前記本体層と接触した前記封止フィルムは、少なくとも約５０％の量のアルキレンの反応生成物と、少なくとも１つの非酸性極性モノマーの反応生成物とを含む熱可塑性ポリマー材料である、柔軟性再帰反射物品。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月19日(2010.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ルーフライニング材料として用いる複合布帛であって、
（ａ）複合シース−コア繊維の２枚のスパンボンドシート層間に挟まれた複合繊維のメルトブローンウェブを含む多層ベースシートと、
（ｂ）複合シース−コア繊維のスパンボンドシート層を含む別のトップシートと
を含み、
前記複合布帛の透湿性が前記ベースシート単体の透湿性から実質的に低減しないような方法で、前記ベースシートおよびトップシートが接合されている、複合布帛。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
表2
2009534224.tif 000001
次に、本発明の好ましい態様を示す。
1.  ルーフライニング材料として用いる複合布帛であって、
（ａ）複合シース−コア繊維の２枚のスパンボンドシート層間に挟まれた複合繊維のメルトブローンウェブを含む多層ベースシートと、
（ｂ）複合シース−コア繊維のスパンボンドシート層を含む別のトップシートと
を含み、
前記複合布帛の透湿性が前記ベースシート単体の透湿性から実質的に低減しないような方法で、前記ベースシートおよびトップシートが接合されている、複合布帛。
2.  前記メルトブローンウェブの前記複合繊維が、サイドバイサイドおよびシース／コアからなる群から選択される構成にある上記１に記載の複合布帛。
3.  前記シースがポリエチレンを含み、前記コアがポリエステルを含む上記１に記載の複合布帛。
4.  前記トップシートおよび前記ベースシートが、接着ボンディング、ポイントボンディングおよび超音波ボンディングからなる群の１つにより接合される上記１に記載の複合布帛。
5.  修正されたブンデンスマン試験により測定したとき、水の透過が少なくとも２時間である上記１に記載の複合布帛。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月19日(2010.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変性ナノクレーの製造プロセスであって、
オルガノクレーを準備する；
溶媒または溶媒及び／または界面活性剤の混合物中に前記オルガノクレーを分散させる；
ナノチューブ、ナノワイヤまたはナノロッドを準備する；
溶媒または溶媒及び／または界面活性剤の混合物中に前記ナノチューブ、ナノワイヤまたはナノロッドを分散させる；及び
前記オルガノクレー懸濁液と前記ナノチューブ及び／またはナノワイヤまたはナノロッド懸濁液とを混合する、各段階を含む前記プロセス。
【請求項２】
前記ナノチューブ、ナノワイヤまたはナノロッドと混合する前に、前記オルガノクレーを界面活性剤中に分散し、溶媒中に懸濁させる、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記ナノチューブ、ナノワイヤまたはナノロッドを溶媒中に分散させる、請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記オルガノクレーを溶媒中に懸濁し、前記ナノチューブ、ナノワイヤまたはナノロッドを混合前に界面活性剤中に分散させる、請求項1に記載のプロセス。
【請求項５】
前記オルガノクレー懸濁液と前記ナノチューブ、ナノワイヤまたはナノロッド分散液とを混合してから界面活性剤を添加する、請求項４に記載のプロセス。
【請求項６】
前記溶媒が、水、アセトン、エタノール、メタノール、ブタノール、クロロホルム、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、キシレン、トルエン、ジメチルスルホキシド、プロピレン及びカーボネートのいずれか一種以上から選択される、請求項１〜５のいずれかに記載のプロセス。
【請求項７】
前記界面活性剤が、四級アンモニウム塩、非−イオン界面活性剤及び脂肪酸ヒドロキシエチルイミダゾリンのいずれか一種以上から選択される、請求項１〜６のいずれかに記載のプロセス。
【請求項８】
前記四級アンモニウム塩が、二水素化獣脂ジメチルアンモニウムクロリド、水素化獣脂ジメチルベンジルアンモニウムクロリド、二水素化獣脂メチルベンジルアンモニウムクロリド、及び脂肪酸ヒドロキシエチルイミダゾリンのいずれか一種以上から選択される、請求項７に記載のプロセス。
【請求項９】
前記ナノチューブ、ナノワイヤまたはナノロッドが、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ−ＣＮＴ）、ＭＯ６３６ナノワイヤ、ＺｎＯナノロッド及びアーク放電多層壁カーボンナノチューブ（ＭＷＣＮＴ）ススのいずれか一種以上から選択される、請求項１〜８のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１０】
前記オルガノクレー及びナノチューブ、ナノワイヤまたはナノロッドを室温で混合する、請求項１〜９のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１１】
前記任意の溶媒を変性ナノクレーから蒸発または除去する、請求項１〜１０のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１２】
変性ナノクレーの製造プロセスであって、
オルガノクレーを準備する；
前記オルガノクレーを界面活性剤中に分散させる；
前記分散させたクレーを溶媒中に懸濁させる；
カーボンナノチューブ、ナノワイヤまたはナノロッドを準備する；
前記カーボンナノチューブ、ナノワイヤ及び／またはナノロッドを溶媒中に分散させる；及び
前記懸濁させたナノクレーを、前記カーボンナノチューブ、ナノワイヤまたはナノロッド分散液と混合する、各段階を含む前記プロセス。
【請求項１３】
変性ナノクレーの製造プロセスであって、
オルガノクレーを準備する；
前記オルガノクレーを溶媒中に分散させる；
カーボンナノチューブ、ナノワイヤまたはナノロッドを準備する；
前記カーボンナノチューブ、ナノワイヤまたはナノロッドを溶媒中に分散させる；及び
前記ナノクレー分散液と、前記カーボンナノチューブ、ナノワイヤ及び／またはナノロッド分散液とを混合する、各段階を含む前記プロセス。
【請求項１４】
前記ナノクレーとナノチューブ、ナノワイヤまたはナノロッドとを、少なくとも３０分間、高剪断で混合する、請求項１〜１３に記載のプロセス。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の方法に従って製造した変性オルガノクレーまたはナノ添加剤（ｎｏｎａｄｄｉｔｉｖｅ）をポリマーに添加することを含む、ポリマーナノコンポジットの製造プロセス。
【請求項１６】
前記ポリマーが、熱可塑性ポリマー、ポリオレフィン、フルオロポリマー、ポリアミド、エンジニアリングポリマー、たとえばポリエーテルケトン、スチレンポリマー及びポリカーボネート、熱硬化性ポリマー、エポキシ及びフェノール樹脂のいずれか一種以上から選択される、請求項１５に記載のプロセス。
【請求項１７】
ナノチューブ、ナノロッドまたはナノワイヤで変性したオルガノクレーを含むナノ添加剤（ｎａｎｏａｄｄｉｔｉｖｅ）であって、前記ナノ添加剤は、非変性オルガノクレーよりも高い熱安定性及び／または導電率をもつ、前記ナノ添加剤。
【請求項１８】
ナノチューブ、ナノロッドまたはナノワイヤで変性したオルガノクレーを含むナノ添加剤であって、前記ナノ添加剤は、非変性オルガノクレーよりも少なくとも２０℃高い分解温度により明示されるような熱安定性をもつ、前記ナノ添加剤。
【請求項１９】
前記分解温度が、非変性オルガノクレーよりも少なくとも４０℃高い、請求項１８に記載のナノ添加剤。
【請求項２０】
前記分解温度が、非変性オルガノクレーよりも少なくとも６０℃高い、請求項１８または１９に記載のナノ添加剤。
【請求項２１】
前記分解温度が、非変性オルガノクレーよりも少なくとも８０℃高い、請求項１８〜２０のいずれかに記載のナノ添加剤。
【請求項２２】
ナノチューブ、ナノロッドまたはナノワイヤで変性したオルガノクレーを含むナノ添加剤であって、前記ナノ添加剤は非変性オルガノクレーよりも少なくとも１０倍大きい導電率をもつ、前記ナノ添加剤。
【請求項２３】
前記ナノ添加剤が、非変性オルガノクレーよりも少なくとも１００倍大きい導電率をもつ、請求項２２に記載のナノ添加剤。
【請求項２４】
前記ナノ添加剤が、非変性オルガノクレーよりも少なくとも１０００倍大きい導電率をもつ、請求項２２または２３に記載のナノ添加剤。
【請求項２５】
本質的に導電性ポリマー材料をさらに含む、請求項１７〜２４のいずれかに記載のナノ添加剤。
【請求項２６】
前記導電性ポリマー材料がポリアニリンを含む、請求項２５に記載のナノ製品。
【請求項２７】
請求項１７〜２６のいずれかに記載のナノ添加剤を含む複合体。
【請求項２８】
前記複合体がポリマー材料である、請求項２７に記載の複合体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
試験例２
実施例３〜６で得られた錠剤、比較例３の混合造粒末２７０ｍｇを防湿包装し、４０℃７５％ＲＨの条件下１ヶ月間保存し、化合物Ａ由来の酸分解物のケトン体の増加量を測定した。結果を表１０に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月23日(2010.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
賦形剤からなる核粒子をピオグリタゾンまたはその塩およびアミノアルキルメタクリレートコポリマーＥまたはポリビニルアセタールジエチルアミノアセテートで被覆した粒を含有する口腔内速崩壊性固形製剤。
【請求項２】
被覆した粒が、（１）賦形剤からなる核粒子をピオグリタゾンまたはその塩を含有する被覆層で被覆した粒を、アミノアルキルメタクリレートコポリマーＥまたはポリビニルアセタールジエチルアミノアセテートを含有する被覆層で被覆した粒；または
（２）賦形剤からなる核粒子をピオグリタゾンまたはその塩およびアミノアルキルメタクリレートコポリマーＥまたはポリビニルアセタールジエチルアミノアセテートを含有する被覆層で被覆した粒
である請求項１記載の製剤。
【請求項３】
被覆した粒が、賦形剤からなる核粒子をピオグリタゾンまたはその塩およびアミノアルキルメタクリレートコポリマーＥまたはポリビニルアセタールジエチルアミノアセテートを含有する被覆層で被覆した粒である請求項２記載の製剤。
【請求項４】
ピオグリタゾンまたはその塩が塩酸ピオグリタゾンである請求項１〜３いずれか１項に記載の製剤。
【請求項５】
口腔内崩壊時間が５〜９０秒である請求項１〜４いずれか１項に記載の製剤。
【請求項６】
さらに糖類を含有する請求項１〜５いずれか１項に記載の製剤。
【請求項７】
さらに崩壊剤を含有する請求項１〜６いずれか１項に記載の製剤。
【請求項８】
さらに結晶セルロースを含有する請求項１〜７いずれか１項に記載の製剤。
【請求項９】
さらに甘味料を含有する請求項１〜８いずれか１項に記載の製剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
以下、製剤（２）について詳述する。
製剤（２）において、「賦形剤からなる核粒子」の含量は、固形製剤１００重量部に対して、通常、１〜５０重量部、好ましくは５〜２５重量部である。
製剤（２）において、「ピオグリタゾンまたはその塩および酸可溶性ポリマーを含有する被覆層」は、好ましくはピオグリタゾンまたはその塩、酸可溶性ポリマー（例、アミノアルキルメタクリレートコポリマーＥ）および糖類（好ましくは、乳糖）からなる被覆層である。該糖類（被覆層中の糖類）の製剤（２）における含量は、固形製剤１００重量部に対して、通常０.０１〜５０重量部、好ましくは０.１〜２０重量部である。
製剤（２）において、「ピオグリタゾンまたはその塩および酸可溶性ポリマーを含有する被覆層」の含量は、固形製剤１００重量部に対して、通常０.０１〜５０重量部、好ましくは０.１〜２０重量部である。
製剤（２）において、「賦形剤からなる核粒子をピオグリタゾンまたはその塩および酸可溶性ポリマーを含有する被覆層で被覆した粒」の含量は、固形製剤１００重量部に対して、通常、１０〜１００重量部、好ましくは１５〜５０重量部である。
製剤（２）は、好ましくは、上記した「賦形剤からなる核粒子をピオグリタゾンまたはその塩および酸可溶性ポリマーを含有する被覆層で被覆した粒」に加えて、さらに添加剤［好ましくは、結晶セルロース、崩壊剤（好ましくは、クロスポビドン）、滑沢剤（好ましくは、ステアリン酸マグネシウム）、糖類（好ましくは、Ｄ−マンニトール）、着色剤（好ましくは、黄色三二酸化鉄）、甘味料（好ましくは、アスパルテーム）］を含有する。該添加剤の総含量は、固形製剤１００重量部に対して、通常、１〜９０重量部、好ましくは５０〜８５重量部である。また、該添加剤の単独での含量は、固形製剤１００重量部に対して、通常、０.００１〜９０重量部、好ましくは０.０１〜８５重量部である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月9日(2010.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光システムであって、
少なくとも第１波長スペクトルを有する第１の光を放出することができる放射源と、
上記第１の光を少なくとも部分的に吸収して第２波長スペクトルを有する第２の光を放出することができる第１蛍光材料と、
上記第１の光を少なくとも部分的に吸収して第３波長スペクトルを有する第３の光を放出することができる第２蛍光材料と、を含み、
第１蛍光材料または第２蛍光材料の一方は、単結晶材料の密度の97％より大きい密度を有する多結晶セラミックであり、他方の蛍光材料は100ｎｍ＜ｄ50%＜50μｍの中央値粒子サイズを有する蛍光体粉末である、ことを特徴とする発光システム。
【請求項２】
上記第２蛍光材料は、
Ａ）第１波長を放出する上記放射源と、第２波長スペクトルを放出する上記第１ルミネセント材料との間、または、
Ｂ）第２波長スペクトルを放出する上記第１ルミネセント材料の上、
の位置のうちの１つに層として配置されていることを特徴とする請求項１に記載の発光システム。
【請求項３】
上記第２蛍光材料は、上記第３波長スペクトルを有する第３の光が主として上記第１の光によって励起されるように、上記第１蛍光材料の表面の少なくとも１つの凹所内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の発光システム。
【請求項４】
上記少なくとも１つの凹所は、
Ａ）上記放射源の前面の上記第１蛍光材料、または、
Ｂ）上記放射源の前面の上記第２蛍光材料、
の少なくとも一方の第１の表面内に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の発光システム。
【請求項５】
上記少なくとも１つの凹所の深さは、上記第１蛍光材料の厚みの少なくとも半分であることを特徴とする請求項１に記載の発光システム。
【請求項６】
上記少なくとも１つの多結晶蛍光材料の厚みＤは、50μｍ＜Ｄ＜850μｍであることを特徴とする請求項１に記載の発光システム。
【請求項７】
上記第２蛍光材料は、上記第１の光、上記第２の光、及び上記第３の光の組成が6000Ｋより低い、好ましいことには5000Ｋより低い相関色温度ＣＣＴにおいて80より高いカラーレンダリングインデックスを有するように、上記第１蛍光材料と共に配列されていることを特徴とする請求項１に記載の発光システム。
【請求項８】
上記第２蛍光材料は、上記第２の光による上記第３の光の励起が上記第１の光による励起よりも小さいように、上記第１蛍光材料の表面の少なくとも１つの凹所内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の発光システム。
【請求項９】
上記少なくとも１つの凹所は、15°乃至160°の、好ましくは90°の開き角度を有していることを特徴とする請求項１に記載の発光システム。
【請求項１０】
上記少なくとも２つの凹所間の距離は、0.1−１ｍｍ、好ましくは0.5ｍｍであることを特徴とする請求項３に記載の発光システム。
【請求項１１】
上記第１蛍光材料は、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦0.5、0.001≦a≦0.02、0.001≦ｂ≦0.005、０≦ｍ≦0.5、及び０≦ｎ≦0.5として、（Ｌｕ1-x-yＹxＧｄy）3-a-b（Ａｌ1-m-nＧａmＳｃn）5Ｏ12：ＣｅaＰｒbなる式を有する蛍光体からなることを特徴とする請求項１に記載の発光システム。
【請求項１２】
上記第２蛍光材料は、
Ａ）０≦ｘ≦１、0.0003≦ｙ≦0.1として、（Ｃａ1-x-yＳｒx）Ｓ：Ｅｕy、
Ｂ）０≦ｘ≦0.5、０≦ｙ≦0.8、0.0025≦ｚ≦0.05、０≦ａ≦１として、（Ｂａ1-x-yＳｒxＣａy）2-zＳｉ5-aＡｌaＮ8-aＯa：Ｅｕz、または、
Ｃ）０≦ｘ≦0.5、０≦ｙ≦0.2、0.003≦ｚ≦0.05、０≦ａ≦0.02として、（Ｃａ1-x-yＳｒxＭｇy）1-zＳｉ1-aＡｌ1+aＮ3-aＯa：Ｅｕz、
のグループから選択することができることを特徴とする請求項１に記載の発光システム。
【請求項１３】
請求項１に記載の発光システムを含むことを特徴とする照明デバイス。
【請求項１４】
発光システムを製造する方法であって、
第１蛍光材料の表面内に凹所を形成するステップと、
上記形成された凹所内に第２蛍光材料を配置するステップと、
上記第１蛍光材料を放射源上に取付けるステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
第１蛍光材料を有する発光システムを製造する方法であって、
第２蛍光材料を有するバインダ材料を用いて箔を形成し、上記第２蛍光材料を有する箔を、上記第１ルミネセント材料を有する放射源上に堆積させるステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
１乃至20重量％の粉末蛍光体（ｄ50%＝５μｍ）を、熱可塑性プラスチック、熱硬化性プラスチック、樹脂、バインダ、ベースポリマー、モノマー、複合材料、及びシリコン化合物を含むバインディングキャリア材料として高粘弾性ポリマーゲル内に分散させるステップと、モールディング、キャスティング、押し出し成形、引き抜き成形、機械加工、熱成形、及びプラスチック溶接のようなプロセスにより上記箔を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月31日(2010.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
巡回冗長検査（以下、ＣＲＣという）のエラー検出手順を実行してその手順に従ったデータのためのＣＲＣエラー検出コードを並列計算するように設定可能に構成された複数の設定可能な要素（４）を有する計算手段（２）と、複数の異なるＣＲＣエラー検出コードの一つを用いてＣＲＣエラー検出コードの計算に求められる上記計算手段の設定可能な要素の少なくとも幾つかを設定（２５）する設定手段（３）とから構成されたＣＲＣエラー検出コード計算装置において、前記設定可能な要素の少なくとも幾つかに対して、各設定可能な要素がＸＯＲゲートと設定可能装置とからなるデータ経路回路から構成され、ＸＯＲゲートはデータの一部を受信してＸＯＲ関数に使用し、当該データの一部がＸＯＲゲートのＸＯＲ関数から得られる信号を出力するよう設定可能装置を設定してＣＲＣエラー検出コードの計算に使用されるようにデータ経路回路が設定可能であることを特徴とするＣＲＣエラー検出コード計算装置。
【請求項２】
前記設定可能要素の少なくともいくつかは、各設定可能要素がデータの一部を受信し、ＣＲＣエラー検出コードの計算においてデータの一部を使用する、またはＣＲＣエラー検出コードの計算においてデータの一部を使用しないように設定可能であることを特徴とする請求項１記載のＣＲＣエラー検出コード計算装置。
【請求項３】
前記データ経路回路の少なくともいくつかは、それぞれ、前記ＸＯＲゲートがデータの一部を受信し該データをＸＯＲ関数において使用し、前記データ経路回路が設定可能であり、前記ＸＯＲゲートのＸＯＲ関数より信号結果を出力しないよう前記設定可能装置を設定して、ＣＲＣエラー検出コードの計算においてデータの該一部が使用されず、前記設定可能装置は前記装置により受信された信号を出力することを特徴とする請求項１または請求項２記載のＣＲＣエラー検出コード計算装置。
【請求項４】
前記制御経路回路の少なくともいくつかは、設定可能装置と装置構成レジスタとを有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のＣＲＣエラー検出コード計算装置。
【請求項５】
前記設定可能要素の少なくともいくつかのそれぞれは、要素の前記制御経路回路がその要素のデータ経路回路の設定を制御することを特徴とする請求項４に記載のＣＲＣエラー検出装置。
【請求項６】
前記設定可能要素の少なくともいくつかのそれぞれは、要素の前記制御経路回路がその要素のデータ経路回路の設定可能装置の設定を制御することを特徴とする請求項５記載のＣＲＣエラー検出コード計算装置。
【請求項７】
前記設定可能要素は相互接続された要素配列を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のＣＲＣエラー検出コード計算装置。
【請求項８】
前記要素配列の各行は、一行の要素が相互接続され、ＣＲＣエラー検出コードの一部を集合的に計算することを特徴とする請求項７に記載のＣＲＣエラー検出装置。
【請求項９】
前記要素配列の各行は、一行の前記要素が相互接続され、設定手段から設定データを受信することを特徴とする請求項７または請求項８に記載のＣＲＣエラー検出コード計算装置。
【請求項１０】
前記設定可能要素配列の各列は、ＣＲＣエラー検出コードの並列計算のためデータの一部を受信することを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれかに記載のＣＲＣエラー検出コード計算装置。
【請求項１１】
前記要素配列の各列は、列の前記要素が相互接続され、前記設定手段から設定制御信号を受信することを特徴とする請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載のＣＲＣエラー検出装置。
【請求項１２】
前記計算手段はひとつ以上のデータのブロックをふたつ以上の入力装置を用いて受信し、前記計算手段により受信されたブロックのサイズは前記計算手段の入力装置の数以下であり、データを受信しない前記または各入力装置は低信号を出力するようにプログラム可能であることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれかに記載のＣＲＣエラー検出コード計算装置。
【請求項１３】
前記計算手段は、ひとつ以上のフィードバック装置を有し、そのうちの少なくともいくつかは、計算されたＣＲＣエラー検出コードの一部を計算手段にフィードバックし、前記計算手段は第１データブロックを用いて第１ＣＲＣエラー検出コードを計算し、前記第１ＣＲＣエラー検出コードを前記計算手段にフィードバックし、それを第２データブロックと結合し、該結合した第２データブロックと前記第１ＣＲＣエラー検出コードを用いて第２ＣＲＣエラー検出コードを計算し、このプロセスを全データが使われ最終ＣＲＣエラー検出コードを計算するまで継続し、前記最終ＣＲＣエラー検出コードを出力することを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれかに記載のＣＲＣエラー検出コード計算装置。
【請求項１４】
それぞれが所定のサイズのＣＲＣ生成多項式を用いた複数のＣＲＣエラー検出手順を実行するよう設定可能であり、前記設定手段はＣＲＣエラー検出手順のＣＲＣ生成多項式を用いてＣＲＣエラー検出コードを計算するに要する前記計算手段の設定を決定する、ＣＲＣ Ｄマトリックスを計算することを特徴とする請求項１乃至請求項１３のいずれかに記載のＣＲＣエラー検出コード計算装置。
【請求項１５】
前記Ｄマトリックスは０ｓ及び１ｓの一列を有し、１ｓの位置が、前記ＣＲＣエラー検出コードの計算においてデータを使用する前記計算手段の設定可能要素の所要配置を示し、０ｓの位置が、前記ＣＲＣエラー検出コードの計算においてデータを使用しない前記計算手段の設定可能要素の所要配置を示すことを特徴とする請求項１４記載のＣＲＣエラー検出コード計算装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれかのＣＲＣエラー検出装置を用いて複数のＣＲＣエラー検出コードの一つを実行し、そのＣＲＣエラー検出コードを計算することを特徴とするＣＲＣエラー検出コード計算方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月4日(2010.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線ネットワークにおいて、送信側と少なくとも２つの受信側との間でデータを伝送する方法であって、前記送信側において、
送信側がデータを送信し、受信側がデータの受信の確認応答を行うことを可能にする、接続識別子で識別されるユニキャストＭＡＣ接続を、前記送信側と第１の受信側との間で開くステップと、
前記送信側と少なくとも第２の受信側との間で前記接続識別子を有するユニキャストＭＡＣ接続を開くステップと、
前記接続識別子を有する前記ユニキャストＭＡＣ接続を介して前記受信側に前記データを送信するステップと、
前記受信側から確認応答パケットを受信するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記確認応答の送出者を識別するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
全ての受信側から前記確認応答パケットが受信されない場合、または少なくとも１つの確認応答パケットが、受信側が前記データを正しく受信していないことを示している場合に、前記送信側から前記データを再送出するステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
単一のユニキャストＭＡＣ接続を介して、第１のグループの受信側および第２のグループの受信側にデータを送信するステップと、
前記第１のグループの全ての受信側から確認応答パケットが受信されない場合、または少なくとも１つの確認応答パケットが、前記第１のグループの受信側が前記データを正しく受信していないことを示している場合に、前記データを再送出するステップと、
を含む、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記無線ネットワークが、ＩＥＥＥ８０２．１６標準に準拠する、請求項１から４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
それぞれ各受信側に特有のものであって、各受信側が確認応答パケットを送信し、送信側が確認応答パケットの送出者を識別することを可能にするアップリンク・バーストを、前記受信側に対して示すステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記確認応答パケットの送出者を識別するステップが、前記確認応答パケットを移送するために使用され、それぞれ各受信側に特有のものであって、各受信側が確認応答パケットを送信し、送信側が確認応答パケットの送出者を識別することを可能にするアップリンクＭＡＣ接続を、前記送出者に対して示すステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
送信側と受信側の間のデータが接続を介して搬送され、且つユニキャスト接続によって送信側がデータを送信し、受信側がデータの受信の確認応答を行うことができるネットワークにおいて、少なくとも２つの受信側にデータを伝送する装置であって、
単一のユニキャスト接続を介して少なくとも２つの受信側にデータを送信する手段と、
確認応答の送出者を識別する手段と、
を含む、前記装置。
【請求項９】
全ての受信側から前記確認応答が受信されない場合、または少なくとも１つの確認応答が、受信側が前記データを正しく受信していないことを示している場合に、前記データを再送出する手段を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
単一のユニキャスト接続を介して、第１のグループの受信側および第２のグループの受信側にデータを送信する手段と、
前記第１のグループの全ての受信側から確認応答が受信されない場合、または少なくとも１つの確認応答が、前記第１のグループの受信側が前記データを正しく受信していないことを示している場合に、前記データを再送出する手段を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
請求項５に記載のトラフィック制御装置を含む、請求項８から１０の何れか一項に記載の装置。
【請求項１２】
ＩＥＥＥ８０２．１６標準に準拠した基地局である、請求項８から１１の何れか一項に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＡＲＱを使用していくつかの受信側にデータを伝送する方法および装置
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年1月7日(2010.1.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４】
レドックスカップルのレドックス電位が、酸素の電位とは異なる０．０１Ｖから０．３Ｖである、請求項１から３のいずれか一項に記載の燃料電池。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
好ましくは、レドックスカップルのレドックス電位は、酸素の電位とは異なる約０．６Ｖ未満であり、より好ましくは約０．５Ｖ未満である。例えば、レドックスカップルのレドックス電位は、酸素の電位とは異なる、約０．０１Ｖから約０．６Ｖまで、約０．０１Ｖから約０．５Ｖまで、又は約０．０１Ｖから約０．３Ｖまででもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉのアセン−チオフェン共重合体を備える電子機器であって、
【化１】
2009534853.tif 000001
（式中、
Ａｃは、２〜５の縮合ベンゼン環を有するアセンの基であり、Ａｃは、アルキル、アルコキシ、チオアルキル、アリール、アラルキル、ハロ、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、ヘテロアルキル、アルケニル、又はその組み合わせから選択される置換基で置換されていてもよく、
Ｒａはそれぞれ、水素、アルキル、アルコキシ、アルケニル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、ヘテロアルキル、又はヒドロキシアルキルから独立して選択され、
Ｑは、式ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、又はＶの二価基であり、
【化２】
2009534853.tif 000002
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ、水素、アルキル、アルコキシ、チオアルキル、アリール、アラルキル、ハロ、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、ヘテロアルキル、又はアルケニルから独立して選択され、
ｎは、４以上の整数である、電子機器。
【請求項２】
電子機器を作製する方法であって、式Ｉのアセン−チオフェン共重合体を備える共重合体層を提供する工程を含み、
【化３】
2009534853.tif 000003
（式中、
Ａｃは、２から５の縮合ベンゼン環を有するアセンの基であり、Ａｃは、アルキル、アルコキシ、チオアルキル、アリール、アラルキル、ハロ、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、ヘテロアルキル、アルケニル、又はその組み合わせから選択される置換基で置換されていてもよく、
Ｒａはそれぞれ、水素、アルキル、アルコキシ、アルケニル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、ヘテロアラルキル、ヘテロアルキル、又はヒドロキシアルキルから独立して選択され、
Ｑは、式ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、又はＶの二価基であり、
【化４】
2009534853.tif 000004
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ、水素、アルキル、アルコキシ、チオアルキル、アリール、アラルキル、ハロ、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、ヘテロアルキル、又はアルケニルから独立して選択され、
ｎは、４以上の整数である、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月16日(2010.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅、インジウムおよびセレンを含む銅インジウム二セレン化物(CIS)をベースとする太陽光吸収体層(506)と、
シリコーン組成物から形成されるシリコーン層(306)と、金属箔層(312)とを備える基板(106)と
を備え、
前記シリコーン組成物が、
１）少なくとも１種のRSiO3/2又はSiO4/2と、
２）少なくとも１種のHRSiO2/2又はHR2SiO1/2
（式中、Rは、脂肪族不飽和をもたないC1〜C10ヒドロカルビル基、脂肪族不飽和をもたないC1〜C10ハロゲン置換ヒドロカルビル基、及び水素からなる群から選択される。）
とを有するシリコーン樹脂を含む、
銅インジウム二セレン化物(CIS)をベースとする光起電デバイス(104)。
【請求項２】
前記金属箔層(312)が12.5〜1000μmの厚さを有する、請求項１に記載の銅インジウム二セレン化物をベースとする光起電デバイス(104)。
【請求項３】
前記シリコーン組成物が、少なくとも1つの物理的寸法が200nm未満であるシリカナノ粒子をさらに含む、請求項１又は２に記載の銅インジウム二セレン化物をベースとする光起電デバイス(104)。
【請求項４】
前記シリコーン組成物が、
(A) 前記シリコーン樹脂と、
(B) 1分子当たり少なくとも平均2個のケイ素結合アルケニル基を有し、前記シリコーン樹脂を硬化するのに十分な量で存在する有機ケイ素化合物と、
(C) 触媒量のヒドロシリル化触媒と
を含み、
かつ、前記シリコーン樹脂が、下記式：
(R1R22SiO1/2)w(R22SiO2/2)x(R2SiO3/2)y(SiO4/2)z
（前記式中、R1は、C1〜C10のヒドロカルビル基またはC1〜C10のハロゲン置換ヒドロカルビル基であってこれらは共に脂肪族の不飽和がなく、R2はR1、アルケニル基、または水素であり、wは0〜0.9であり、xは0〜0.9であり、yは0〜0.99であり、zは0〜0.85であり、w+x+y+z=1であり、y+z/(w+x+y+z)は0.1〜0.99であり、w+x/(w+x+y+z)は0.01〜0.9であり、ただし、前記シリコーン樹脂は1分子当たり少なくとも平均2個のケイ素結合水素基を有する）
を有する、ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物としてさらに定義される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の銅インジウム二セレン化物をベースとする光起電デバイス(104)。
【請求項５】
前記シリコーン樹脂が、
[H2SiO2/2]x'''[HSiO3/2]y'''[SiO4/2]z'''
（前記式中、x’’’、y’’’、およびz’’’はモル分率を示し、0.12≦x’’’<1.0、0≦y’’’≦0.88、0≦z’’’≦0.30であり、y’’’およびz’’’は同時に0ではなく、x’’’+y’’’+z’’’=1である）
のシロキサン単位の式を有するハイドロジェンポリシロキサンを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の銅インジウム二セレン化物をベースとする光起電デバイス(104)。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月14日(2010.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カドミウムおよびテルル化物を含むＣｄＴｅ層、および
シリコーン組成物から形成されたシリコーン層（３０６）を含む基板（１０６）
を含み、
前記シリコーン層（３０６）が繊維強化材をさらに含む、
テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）ベース光起電力デバイス（１０４）。
【請求項２】
前記基板（１０６）が金属箔層（３１２）をさらに含む、請求項１に記載のテルル化カドミウムベース光起電力デバイス（１０４）。
【請求項３】
前記シリコーン組成物が、［Ｈ２ＳｉＯ２／２］ｘ’’’［ＨＳｉＯ３／２］ｙ’’’［ＳｉＯ４／２］ｚ’’’［式中、ｘ’’’、ｙ’’’、およびｚ’’’は、０．１２≦ｘ’’’＜１．０、０≦ｙ’’’≦０．８８、０≦ｚ’’’≦０．３０のモル分率を表し、ｙ’’’およびｚ’’’は同時に０ではなく、ｘ’’’＋ｙ’’’＋ｚ’’’＝１である］
のシロキサン単位式を有するハイドロジェンポリシロキサンを含む、請求項１又は２に記載のテルル化カドミウムベース光起電力デバイス（１０４）。
【請求項４】
前記シリコーン層（３０６）がナノ充填材をさらに含む、請求項１から３の何れか一項に記載のテルル化カドミウムベース光起電力デバイス（１０４）。
【請求項５】
前記ＣｄＴｅ層が、ガリウム、アルミニウム、ホウ素、硫黄、およびこれらの組合せの群から選択される金属をさらに含む、請求項１から４の何れか一項に記載のテルル化カドミウムベース光起電力デバイス（１０４）。
【請求項６】
請求項１から５の何れか一項に記載の前記テルル化カドミウムベース光起電力デバイス（１０４）を複数含む配列（１０２）。