【手続補正書】
【提出日】平成21年12月3日(2009.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
寄生ビームレットがイオン注入に影響を及ぼすことを防ぐ装置であって、
スポットビームを前後に走査することにより、予め決められた幅を有するイオンビームを形成するコントローラと、
静止状態のとき、前記スポットビームの通過を許容する開口機構と、
前記コントローラと前記開口機構とに結合され、前記走査されたスポットビームと同期して前記開口機構を移動させることにより、前記走査されたスポットビームは通過させるが、前記スポットビームに付随する１つ以上の寄生ビームレットは遮断する同期機構と、
を含む装置。
【請求項２】
前記開口機構は、イオン注入装置におけるエンドステーションの入口またはその近くに配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記開口機構は、前記スポットビームよりわずかに大きい開口を有するシャッタプレートを含み、
前記シャッタプレートは、前記同期機構により起動されることにより、前記走査されたスポットビームと同期して前記開口を前後に摺動させる、
請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記シャッタプレートは、一片の可撓性材料を含む、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記シャッタプレートの少なくとも一部は、前記同期機構により起動されるとき伸縮する、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記開口機構は、前記走査されたスポットビームと同時に回転することにより、前記スポットビームに付随する前記１つ以上の寄生ビームレットを遮断する１つ以上のシャッタプレートを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記開口機構は、調整し合って回転することにより、前記走査されたスポットビームと同期して移動するスリットを形成する２つのシャッタプレートを含む、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記開口機構は、１つ以上のスリットを有する回転部材を含み、前記回転部材が予め決められた周波数で回転しているとき、前記走査されたスポットビームは、前記イオンビームの前記予め決められた幅に沿った任意の位置で前記１つ以上のスリットの１つを通過することができる、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記回転部材は、前記イオンビームと実質的に平行な回転軸を有し、
前記１つ以上のスリットは、螺旋パターンに従い湾曲する、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記回転部材は、前記イオンビームと垂直な回転軸を有し、
前記回転部材は、前記軸のまわりで振動することにより、前記１つ以上のスリットが前記走査されたスポットビームと同期して移動できるようにする、
請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記開口機構は、複数の電極を含み、
前記同期機構は、静電開口が前記走査されたスポットビームは通過させるが、前記スポットビームに付随する前記１つ以上の寄生ビームレットは遮断するよう、前記走査されたスポットビームと同期して前記複数の電極に印加される電圧を変化させる、
請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記複数の電極は、複数対の平行プレートに配列され、
前記同期機構は、前記走査されたスポットビームが前記対の平行プレート間にある場合は、各対の平行プレートにゼロ電圧を印加し、前記走査されたスポットビームが前記対の平行プレート間にない場合は、各対の平行プレートに実質的な偏向電圧を印加する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記開口機構は、複数のマグネットを含み、
前記同期機構は、磁気開口が前記走査されたスポットビームは通過させるが、前記スポットビームに付随する前記１つ以上の寄生ビームレットは遮断するよう、前記走査されたスポットビームと同時に前記複数のマグネットにより生じた磁界を変化させる、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記同期機構は、前記走査されたスポットビームが対のマグネット間にある場合、前記１つ以上の寄生ビームレットに対する第１の偏向力を各マグネットに生じさせ、前記走査されたスポットビームが前記対のマグネット間にない場合、第２の偏向力を生じさせる、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１の偏向力は、ほんのわずかであり、前記第２の偏向力は、少なくとも１つの寄生ビームレットを偏向させるに十分な強さである、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記複数のマグネットは、一列のコイルを含み、
前記同期機構は、磁気開口が前記走査されたスポットビームは通過させるが、前記スポットビームに付随する前記１つ以上の寄生ビームレットは遮断するよう、各コイルに供給される駆動電流を変化させる、請求項１３に記載の装置。
【請求項１７】
前記開口機構は、前記イオンビームの予め決められた幅を遮断する複数のシャッタプレートを含み、
前記同期機構は、シャッタプレートを順次引っ込めることにより、前記走査されたスポットビームが前記シャッタプレートの位置に到達したとき、前記走査されたスポットビームが通過できるようにする、請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
各シャッタプレートは、ピエゾ回路により個別に起動される、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
寄生ビームレットがイオン注入に影響を及ぼすことを防ぐ方法であって、
スポットビームを前後に走査することにより、予め決められた幅を有するイオンビームを形成することと、
静止時に、前記スポットビームの通過を許容する開口機構を提供することと、
前記開口機構を前記走査されたスポットビームとを同期して動かすことにより、前記走査されたスポットビームは通過させるが、前記スポットビームに付随する１つ以上の寄生ビームレットは遮断することと、
を含む方法。
【請求項２０】
少なくとも１つの搬送波で表される少なくとも１つの信号であって、前記信号は、少なくとも１つのプロセッサにより読み取られることができる複数の命令からなるコンピュータプログラムを伝送し、前記命令は、請求項１９に記載された方法を実行するコンピュータプロセスを前記少なくとも１つのプロセッサに実行させる、信号。
【請求項２１】
少なくとも１つのプロセッサ可読キャリアであって、前記キャリアは、少なくとも１つのプロセッサにより読み取られることができる複数の命令からなるコンピュータプログラムを格納し、前記命令は、請求項１９に記載された方法を実行するコンピュータプロセスを前記少なくとも１つのプロセッサに実行させる、キャリア。
【請求項２２】
寄生ビームレットがイオン注入に影響を及ぼすことを防ぐ装置であって、イオンビームに関連するビーム経路内に配置される複数のバッフルを含み、各バッフルは、十分高いアスペクト比を有し、前記イオンビーム中の逸れているイオンの少なくとも一部が前記バッフルにより吸収されるよう、前記ビーム経路内の前記バッフルの位置で望ましいイオン軌道と位置合わせされる、装置。
【請求項２３】
前記イオンビームは、リボン状ビームである、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
各バッフルは、前記イオンビームの実質的な部分を遮断しないよう十分薄くされる、請求項２２に記載の装置。
【請求項２５】
前記複数のバッフルにより生じるシャドーイング効果がターゲットウェーハに及ばないようにすべく、前記イオンビームに対して前記複数のバッフルを小刻みに動かす機構を含む、請求項２２に記載の装置。
【請求項２６】
前記複数のバッフルにより生じるシャドーイング効果を防止すべく、前記イオンビームに対してターゲットウェーハを小刻みに動かす機構を含む、請求項２２に記載の装置。
【請求項２７】
前記複数のバッフルの少なくとも一部は、前記ビーム経路から引っ込められる、請求項２２に記載の装置。
【請求項２８】
前記複数のバッフルの少なくとも一部は、調整可能な角度を有する、請求項２２に記載の装置。