【手続補正書】
【提出日】平成22年4月16日(2010.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波トランスデューサ素子システムであって、
該システム（１０）は、少なくとも１つの超音波トランスデューサ素子（１２）と、送信ビーム形成器チャネル（２４）と、受信ビーム形成器チャネル（２４）と、パッシブ型スイッチング回路とを有し、
前記少なくとも１つの超音波トランスデューサ素子（１２）は、トランスデューサ材料からなる第１のレイヤーと第２のレイヤーと、当該２つのレイヤーの間にある中央端子（２０）とを有し、
前記送信ビーム形成器チャネル（２４）は、前記第１のレイヤーと前記第２のレイヤーの両方（１４，１６）が同じ送信波形に応答するように前記超音波トランスデューサ素子（１２）に接続され、
前記受信ビーム形成器チャネル（２４）は、前記第１のレイヤーと前記第２のレイヤーの両方により形成された信号が当該受信ビーム形成器チャネルに供給されるように前記超音波トランスデューサ素子（１２）に接続され、
前記中央端子は前記信号の形成中にアースには接続されず、
前記パッシブ型スイッチング回路は前記中央端子に接続されるシステム。
【請求項２】
請求項１記載のシステムはさらに、
ただ１つの同軸ケーブル（２４）を有し、
該同軸ケーブルは前記第１と第２のレイヤー（１４，１６）を送信および受信チャネルと接続するシステム。
【請求項３】
請求項１記載のシステムはさらに、
パッシブ型スイッチング回路を有し、
該パッシブ型スイッチング回路は、前記第１のレイヤー（１４）と前記第２のレイヤー（１６）との間の前記中央端子（１０）を前記送信ビーム形成器チャネル（２４）に接続し、前記受信ビーム形成器チャネル（２４）を前記第１と第２のレイヤーの両方（１４，１６）に接続するシステム。
【請求項４】
請求項３記載のシステムであって、
前記第１のレイヤー（１４）は、前記第２のレイヤー（１６）とは反対の方向に極性付けられているシステム。
【請求項５】
請求項３記載のシステムであって、
前記パッシブ型スイッチング回路は、電流制限パッシブ型スイッチと、第１の電圧制限パッシブ型スイッチと、第２の電圧制限パッシブ型スイッチとを有し、
前記第１の電圧制限パッシブ型スイッチは前記第２のレイヤーの外側端子と接続されており、
該外側端子は、前記第２のレイヤーの中央端子とは反対の側にあり、
前記第２の電圧制限パッシブ型スイッチは前記中央端子と接続されているシステム。
【請求項６】
請求項１記載のシステムであって、
前記第１のレイヤーは、前記第２のレイヤーと同じ方向に極性付けられているシステム。
【請求項７】
請求項１記載のシステムはさらに、
チューニング回路を有し、
前記パッシブ型スイッチング回路は前記チューニング回路と接続されており、
前記パッシブ型スイッチング回路は、前記チューニング回路を前記素子に第１モードの間、導通し、前記チューニング回路を前記素子から第２モードの間、遮断するシステム
【請求項８】
超音波トランスデューサ素子システムであって、
該システムは、少なくとも１つの超音波トランスデューサ素子と、システムチャネルと、パッシブ型電流制限回路とを有し、
前記少なくとも１つの超音波トランスデューサ素子は、トランスデューサ材料からなる第１のレイヤーと第２のレイヤーを有し、
前記パッシブ型電流制限回路は、前記第１および第２のレイヤーの少なくとも１つと、システムチャネルとの間を接続するシステム。
【請求項９】
請求項８記載のシステムであって、
前記パッシブ型電流制限回路は、前記システムチャネルを第１および第２のレイヤーの一方の電極から送信動作中に遮断し、システムチャネルを前記電極に受信動作中に接続するシステム。
【請求項１０】
請求項８記載のシステムであって、
前記パッシブ型電流制限回路は、第１と第２のトランジスタを有し、
該第１と第２のトランジスタはそれぞれ第１と第２のゲート端子と、フィードバックインピーダンスを介する第１と第２の端子へのフィードバックをそれぞれ有するシステム。
【請求項１１】
請求項８記載のシステムであって、
前記システムチャネルは同軸ケーブルを有するシステム。
【請求項１２】
請求項８記載のシステムはさらに、
前記素子と前記システムチャネルとの間に接続されたパッシブ型電圧制限回路を有するシステム。
【請求項１３】
請求項１２記載のシステムであって、
前記パッシブ型電流制限回路は、逆並列に接続されたダイオード回路を有するシステム。
【請求項１４】
請求項１２記載のシステムはさらに、
第１、第２および第３の電極を有し、
前記第１と第２の電極は、前記第１のレイヤーの対向する側にあり、
前記第２と第３の電極は、前記第２のレイヤーの対向する側にあり、
前記第２の電極は、前記第１と第２のレイヤーの間にあり、
前記パッシブ型電圧制限回路は、前記システムチャネルと前記第２の電極との間に接続されており、
前記パッシブ型電流制限回路は、前記システムチャネルと前記第３の電極との間に接続されているシステム。
【請求項１５】
請求項１４記載のシステムであって、
前記第１の電極はアースと接続可能であり、
さらにアースと前記第３の電極との間に接続された別の電圧制限回路を有するシステム。
【請求項１６】
請求項１２記載のシステムであって、
パッシブ型電流制限回路とパッシブ型電圧制限回路の少なくも１つは、チューニング回路を種々異なる動作モードのために接続または遮断するシステム。
【請求項１７】
超音波と電気エネルギとを変換する方法であって、該方法は、
比較的高電圧の送信波形を素子に適用するステップ；
比較的低電圧の受信波形を素子により形成するステップ；
トランスデューサ材料からなる第１のレイヤーと第２のレイヤーの並列接続および直列接続が、電圧レベルに依存してパッシブにスイッチングされるステップ；
を有し、
前記パッシブにスイッチングされるステップは、送信波形のための並列接続と、受信波形のための直列接続とのスイッチングを含む方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の方法であって、
パッシブなスイッチングは、送信波形を第１の電極に導通し、送信波形が第２の電極から導通するのを阻止し、受信波形を第２の電極から導通し、受信波形が第１の電極から導通するのを阻止する方法。
【請求項１９】
請求項１７記載の方法であって、
前記適用では、送信波形を第１と第２のレイヤーの間にある第１の電極に適用し、
前記形成では、受信波形を、第１のレイヤーの第１の電極に対向する側にある第２の電極から形成する方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の方法であって、
前記第１のレイヤーは、前記第２のレイヤーとは反対に極性付けられている方法。
【請求項２１】
請求項１７記載の方法であって、
前記適用では、並列に接続されたレイヤーに基本周波数バンドを適用し、
前記形成では、直列に接続されたレイヤーにおいて基本周波数バンドの整数倍高調波バンドで形成する方法。
【請求項２２】
請求項１７記載の方法はさらに、
送信波形と受信波形を同じチャネルに沿って導通し、
パッシブなスイッチングは、前記チャネルから第１と第２のレイヤーの間にある第１の電極への電圧を制限し、前記チャネルから前記第１のレイヤー上で前記第１の電極に対向する側にある第２の電極への電流を制限し、前記第２の電極からアースへの電圧を制限する方法。
【請求項２３】
請求項１７記載の方法はさらに、
パッシブにスイッチングを行う動作とパッシブにスイッチングを行わない動作とをアクティブに切り替える方法。
【請求項２４】
請求項１７記載の方法はさらに、
第１のレイヤーと第２のレイヤーを、送信波形の適用中に変圧器により平衡にアースする方法。
【請求項２５】
請求項１７記載の方法であって、
パッシブなスイッチングはさらに、種々異なるチューニング回路を電圧レベルに依存してパッシブに切り替える方法。
【請求項２６】
請求項１７記載の方法であって、
パッシブなスイッチングは、ダイオード回路による電圧制限と、パッシブ型トランジスタ回路による電流制限を含む方法。
【請求項２７】
超音波素子をチューニングする方法であって、該方法は、
送信波形を素子に適用するステップ；
受信波形を前記素子により、前記適用への応答として形成するステップ；
チューニングをパッシブに、適用と形成に依存して切り替える方法。
【請求項２８】
請求項２７記載の方法であって、
パッシブなスイッチングは、チューニング回路を、種々異なる電圧レベルに相応する送信波形と受信波形に依存してパッシブに接続および遮断する方法。
【請求項２９】
請求項２７記載の方法であって、
パッシブなスイッチングはさらに、前記素子内のトランスデューサ材料の第１と第２のレイヤーの並列接続と直列接続をパッシブに切り替える方法。
【請求項３０】
請求項１記載のシステムであって、
送信および受信ビーム形成器チャネルは別個に素子に接続され、
パッシブ型スイッチング回路は、送信ビーム形成器チャネル、または受信ビーム形成器チャネル、または両方を前記素子に接続するシステム。