Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年11月26日(2009.11.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
式（ＩＩ）：
【化２】
2001517659.tif 000001
〔式中、Ｒ1は、ＮＲ3Ｒ4、ＯＲ3またはＳＲ3[ここで、Ｒ3およびＲ4は、相互に独立に、同一または異なり、Ｈ；または、ＣnＨ2n+1（ここで、ｎは、１−１２の整数に等しい。）である。]に等しく；
Ｒ2は、ＣmＨ2m−Ｃ（Ｘ）−Ｙ[ここで、Ｘは、＝Ｏ、＝Ｓまたは＝Ｎに等しく、Ｙは、ＯＲ3、ＮＲ3Ｒ4またはＳＲ3（ここで、Ｒ3およびＲ4は、上記した意味を有する。）に等しいか；または、Ｘは、ＮＲ3Ｒ4およびＯＲ3、特に、ＮＲ3Ｒ4、とりわけ、ＮＨ2に等しく、ｍは、１−４の整数である。]に等しいか；または、
Ｒ2は、ＣmＨ2m−Ｚ−Ｙ’[ここで、Ｚは、スルホニル、ホスホニル、エーテルまたはアミノ基に等しく、ここで、Ｚがスルホニルまたはホスホニル基に等しい場合、Ｙ’は、Ｈ；ＣnＨ2n+1、ＯＲ3、ＮＲ3Ｒ4またはＳＲ3（ここで、ｎ、Ｒ3およびＲ4は、上記した意味を有する。）であり、Ｚがエーテルまたはアミン基に等しい場合、Ｙ’は、ＣnＨ2n+1に等しい。]に等しく；
Ａ、ＢおよびＤは、相互に独立に、同一または異なり、ＣＲ5Ｒ6[ここで、Ｒ5、Ｒ6は、相互に独立に、Ｈ；または、ＣnＨ2n+1（ここで、ｎは、上記した意味を有する。）である。]であり；
Ｃは、ＣＲ8[ここで、Ｒ8は、独立に、Ｒ5の意味を表す。]に等しく；
核酸塩基は、チミン、ウラシル、アデニン、シトシン、グアニン、イソシトシン、イソグアニン、キサンチンまたはヒポキサンチンを表す。〕で表される化合物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
それが〔２−アミノ−４−（カルボキシメチル）シクロヘキシル〕核酸塩基から選択されることを特徴とする、請求項２〜請求項４の１項に記載の化合物。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８】
Ｒ1および／または核酸塩基が保護基を生ずることを特徴とする、請求項１〜請求項７の１項に記載の化合物。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１０】
核酸塩基がエカトリアルに配列していることを特徴とする、請求項１〜請求項９に記載の化合物。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０に従う化合物を製造するための方法において、ヨードシクロアルカンまたはヨードラクタムを工程（ａ）として保護した核酸塩基とカップリングさせ、請求項１〜請求項１０の１項に従う化合物をさらなる工程で得ることを特徴とする方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年9月7日(2010.9.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 懸濁状態のシリカゲルをクロム塩溶液で処理し、次いで溶媒を除去した後、３００℃を超過する酸素含有雰囲気下でか焼するフィリップス触媒の製造方法であって、か焼前の酸化物担体材料および／またはか焼後の触媒を平均粒径＜１００μｍとなり、かつ粒径＜５０μｍの粒子の割合が３０〜８０％となるまで粉砕することを特徴とするフィリップス触媒の製造方法。
【請求項２】 シリカゲルを、ヒドロゾル中に存在する水の少なくとも６０％が抽出されるまで、炭素原子数１〜４個のアルコールから選択された有機液体で処理し、アルコール性液体で処理した脱水ヒドロゲルを、不活性キャリヤーガスを用いて＞１６０℃で、残留アルコール含有率が１０質量％未満となるまで乾燥させる請求項１に記載のフィリップス触媒の製造方法。
【請求項３】 乾燥させたシリカゲルに、三酸化クロムの、炭素原子数３〜５のケトン中の０．０５〜５質量％濃度の溶液から得られるか、またはか焼条件下で三酸化クロムに転化するクロム化合物の、炭素原子数１〜４のアルコール中の０．０５〜１５質量％濃度の溶液から得られたクロムを装填して、減圧下に溶媒を蒸発させる請求項２に記載のフィリップス触媒の製造方法。
【請求項４】 クロム装填酸化物担体材料のか焼が、水を含まず、少なくとも１０容量％の酸素を含有する気体流中、３００〜１１００℃で、１０〜１０００分間行われる請求項１〜３のいずれかに記載のフィリップス触媒の製造方法。
【請求項５】 酸化物担体材料および／またはか焼後に得られる触媒材料を、ボールミルまたはビーターミルで乾燥粉砕する請求項１〜４のいずれかに記載のフィリップス触媒の製造方法。
【請求項６】 エチレン単独重合体、またはエチレンと、炭素原子数３〜１２のコモノマー１０質量％以下との共重合体を製造するオレフィン重合方法であって、請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法により製造されたフィリップス触媒の存在下に、３０〜１５０℃、０．２〜１５ＭＰａの圧力範囲で重合を行うことを特徴とするオレフィン重合方法。
【請求項７】重合をループ反応器における沈殿重合として行う請求項６に記載のオレフィン重合方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
［酸化物担体材料の製造］
［実施例１（本発明による）］
乾燥したキセロゲル球体をビーターミルで平均粒径１〜１００μｍまで粉砕し、篩い分けし、粒径＜５０μｍの粒子を８０％とした以外は、ドイツ特許出願公開第３６４０８０２号公報における記載と同様の方法で触媒担体を製造した。
［実施例２（本発明による）］
粒径＜５０μｍの粒子の割合を３０％のみとした以外は実施例１と同様の方法で触媒担体を製造した。
［実施例３（比較例）］
粒径＜５０μｍの粒子の割合を１５％のみとした以外は実施例１と同様の方法で触媒担体を製造した。
［実施例４（比較例）］
ドイツ特許出願公開第３６４０８０２号公報の実施例１（７頁、１５行）における記載と同様の方法で触媒を製造した。担体粒子の平均粒径は５０〜１００μｍの範囲であった（８頁、２６行）。
［実施例５（比較例）］
ドイツ特許出願公開第３６４０８０２号公報の比較実験１（９頁、１６行）における記載と同様の方法で触媒を製造した。担体粒子の平均粒径は１〜３００μｍの範囲であった。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年5月10日(2010.5.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質の保証された生物学的サンプルのプールを生成するための方法であって、この方法は、以下の工程：
−該生物学的サンプルからアリコートを取る工程；
−該収集されたアリコートを合わせてスクリーニングプールとする工程；
−試験される微生物についての検出限界（ＤＬ−１）を有する第１の核酸増幅プロセスによって、該微生物のゲノム等価物の存在または含有量について、該スクリーニングプールを試験する工程；
−該スクリーニングプールを試験する際、ＤＬ−１と１０５ゲノム等価物／ｍｌとの間に設定された前もってセットされた限界値を超える場合、該収集されたアリコートを、より小さいプールに組み換えることによって、該スクリーニングプールを、スクリーニングサブプールに分ける工程；
−第２の核酸増幅プロセス（該プロセスは、該試験される微生物についての選択された検出限界値（ＤＬ−２）を有し、ここで、ＤＬ−１＜ＤＬ−２であり、ＤＬ−１とＤＬ−２とは、少なくとも１０の１乗は異なる）によって試験される該微生物のゲノム等価物の存在または含有量について、該スクリーニングサブプールを再試験する工程；
−ＤＬ−２を超えるサンプルを同定および除去する工程；ならびに
−残りのサンプルを合わせて、該質の保証された生物学的サンプルのプールを生成する工程；
を包含する、方法。
【請求項２】
前記核酸増幅法がＰＣＲである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記試験される微生物がウイルスである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記試験される微生物が肝炎ウイルス、レトロウイルス、およびパルボウイルスからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記生物学的サンプルが、個々の血液提供物、血漿、血清および細胞培養バッチからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記スクリーニングプールが５１２の生物学的サンプルから形成され、そして、２４のサブプールに分けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記さらなる核酸増幅法が、前記第１の核酸増幅法の後すぐに行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記肝炎ウイルスが、ＨＡＶ、ＨＢＶ、ＨＣＶ、ＨＤＶ、ＨＥＶおよびＨＧＶからなる群より選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記レトロウイルスが、ＨＩＶ−１およびＨＩＶ−２からなる群より選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
前記パルボウイルスがパルボＢ−１９である、請求項４に記載の方法。
【請求項１１】
前記限界値が約１０４ゲノム等価物／ｍｌに設定される、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
本発明に従って、この課題は、以下の工程によって特徴付けられる核酸増幅法を使用する微生物の充填（ｌｏａｄ）に関して質が保証された生物学的サンプルのプールを生成する方法によって解決され、この工程は以下を含む：
−生物学的サンプルからアリコートを取る工程、
−そのアリコートを合わせてスクリーニングプールとする工程、
−第１の核酸増幅プロセス（それは、試験される微生物に関して、特定の選択された検出限界ＤＬ−１を有する）によって、微生物のゲノム等価物の存在または含有量について、スクリーニングプールを試験する工程、
−スクリーニングプールを試験する際、ゲノム等価物の前もってセットされた限界値を超えた場合、より小さいプールに取られるアリコートを組換えることによって、スクリーニングプールをスクリーニングサブプールに分ける工程、
−さらなる核酸増幅プロセス（試験される微生物について特定の選択検出限界ＤＬ−２を有し、ここで、ＤＬ−１＜ＤＬ−２である）によって試験される微生物のゲノム等価物の存在または含有量について、スクリーニングサブプールを再試験する工程、
−ＤＬ−２を超えるこれらのサンプルを同定および除去する工程、ならびに
−非除去サンプルを合わせて、質が保証されたプールとする工程。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
第１の核酸増幅法についての検出限界ＤＬ−１は、好ましくは、１０２〜１０４ゲノム等価物／ｍＬの範囲に位置するが（しかし、１０〜５０ＧＥ／ｍＬまでなり得るか、または、例外の場合では、より低くなりえる）、一方、検出限界ＤＬ−２は、通常１０４〜１０７ゲノム等価物／ｍＬとなるように選択される。ＤＬ−１およびＤＬ−２は、好ましくは、少なくとも１０の１乗だけ異なるが、約１０の２乗の相違が、本発明に従って、特に効率的である。なぜなら、この方法において、混入した個々の提供物はなお、信頼して同定され（これは、本発明に従って、必要である）、他方、スクリーニングプロセスについてのコストおよび費用は、既知の方法と比較してかなり減少され得る。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年1月20日(2010.1.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部アーチ（１）、床部材（３）を支持する横梁（２）、および下部アーチ（１）と横梁（２）の間の連結格子（４）からなる胴体構造フレームであって、さらに前記胴体構造フレームが、
横梁（２）および下部アーチ（１）と連結する連結アーム（６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ）を備え、かつ下部アーチ（１）とともに胴体のフレームを形成する上部フレーム部材（５）
を備えることを特徴とする胴体構造フレーム。
【請求項２】
前記連結格子（４）が、端部が横梁（２）と下部アーチ（１）とに添え継ぎされたバー（４ａ、４ｂ）から成ることを特徴とする請求項１に記載の胴体構造フレーム。
【請求項３】
バー（４ａ、４ｂ）が、断面がＵ字形の複合材料製のビームであることを特徴とする請求項２に記載の胴体構造フレーム。
【請求項４】
前記連結アーム（６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ）が、下部アーチ（１）および横梁（２）と連結するために上部フレーム（５）の各端部にフォークを形成することを特徴とする請求項１に記載の胴体構造フレーム。
【請求項５】
前記下部アーチ（１）および横梁（２）が添え継ぎにより各フォークのアーム（６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ）に固定されることを特徴とする請求項４に記載の胴体構造フレーム。
【請求項６】
下部アーチ（１）が、長手方向縦材（８）が通過する開口部（１０）を備えるリブ付きビームであることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の胴体構造フレーム。
【請求項７】
下部アーチ（１）が機械加工された金属製アーチであり、バー（４ａ、４ｂ）の端部と下部アーチ（１）の間にガラス繊維クリース（９）が配置されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の胴体構造フレーム。
【請求項８】
下部アーチ（１）が複合材料製のアーチであることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の胴体構造フレーム。
【請求項９】
下部アーチ（１）および横梁（２）が突き合せ添え継ぎにより各フォークのアーム（６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ）に固定されることを特徴とする請求項５に記載の胴体構造フレーム。
【請求項１０】
金属−複合材料の混合構造体により作製されることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の胴体構造フレーム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月4日(2010.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
哺乳類における癌を治療するための製剤を製造するための、薬草製剤と化学療法製剤の使用であって、治療有効量の
ｉ）スクテラリア（Ｓｃｕｔｅｌｌａｒｉａ）、グリキリザ（Ｇｌｙｃｙｒｒｈｉｚａ）、ジジフス（Ｚｉｚｉｐｈｕｓ）、及びパエオニア（Ｐａｅｏｎｉａ）から本質的になる薬草製剤と、
ｉｉ）ドキソルビシン、サリドマイド、カペシタビン、ゲムシタビン、及びオキサリプラチンからなる群から選択される化学療法化合物を含む化学療法製剤と、を併用することを含む、使用。
【請求項２】
哺乳類における化学療法化合物の副作用を緩和するための製剤を製造するための、薬草製剤と化学療法製剤の使用であって、治療有効量の
ｉ）スクテラリア（Ｓｃｕｔｅｌｌａｒｉａ）、グリキリザ（Ｇｌｙｃｙｒｒｈｉｚａ）、ジジフス（Ｚｉｚｉｐｈｕｓ）、及びパエオニア（Ｐａｅｏｎｉａ）から本質的になる薬草製剤と、
ｉｉ）化学療法化合物を含む化学療法製剤と、を併用することを含む、使用。
【請求項３】
哺乳類における化学療法化合物の抗腫瘍活性を増強するための製剤を製造するための、薬草製剤と化学療法製剤の使用であって、治療有効量の
ｉ）スクテラリア（Ｓｃｕｔｅｌｌａｒｉａ）、グリキリザ（Ｇｌｙｃｙｒｒｈｉｚａ）、ジジフス（Ｚｉｚｉｐｈｕｓ）、及びパエオニア（Ｐａｅｏｎｉａ）から本質的になる薬草製剤と、
ｉｉ）化学療法化合物を含む化学療法製剤と、を併用することを含む、使用。
【請求項４】
前記薬草製剤が経口投与され、前記化学療法製剤が経口又は非経口投与される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項５】
前記薬草製剤が経口投与され、前記化学療法製剤が静脈投与される、請求項４に記載の使用。
【請求項６】
前記薬草製剤が、スクテラリア・バイカレンシス（Ｓｃｕｔｅｌｌａｒｉａ  ｂａｉｃａｌｅｎｓｉｓ）、グリキリザ・ウラレンシス（Ｇｌｙｃｙｒｒｈｉｚａ  ｕｒａｌｅｎｓｉｓ）、ジジフス・ユユバ（Ｚｉｚｉｐｈｕｓ  ｊｕｊｕｂａ）、パエオニア・ラクチフローラ（Ｐａｅｏｎｉａ  ｌａｃｔｉｆｌｏｒａ）、及び１つ又はそれ以上の薬剤として許容される担体から本質的になる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項７】
前記薬草製剤が、スクテラリア（Ｓｃｕｔｅｌｌａｒｉａ）、グリキリザ（Ｇｌｙｃｙｒｒｈｉｚａ）、ジジフス（Ｚｉｚｉｐｈｕｓ）、パエオニア（Ｐａｅｏｎｉａ）、及び１つ又はそれ以上の薬剤として許容される担体からなる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項８】
前記薬草製剤が、前記化学療法製剤の投与前に投与される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項９】
前記薬草製剤が、前記化学療法製剤の投与後に投与される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１０】
前記薬草製剤が、前記化学療法製剤の投与と同時に投与される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１１】
ｉ）スクテラリア（Ｓｃｕｔｅｌｌａｒｉａ）、グリキリザ（Ｇｌｙｃｙｒｒｈｉｚａ）、ジジフス（Ｚｉｚｉｐｈｕｓ）、及びパエオニア（Ｐａｅｏｎｉａ）から本質的になる薬草製剤と、
ｉｉ）ドキソルビシン、サリドマイド、カペシタビン、ゲムシタビン、及びオキサリプラチンからなる群から選択される化学療法化合物を含む化学療法製剤と、を含む、薬剤の組合せ。
【請求項１２】
前記薬草製剤が、スクテラリア・バイカレンシス（Ｓｃｕｔｅｌｌａｒｉａ  ｂａｉｃａｌｅｎｓｉｓ）、グリキリザ・ウラレンシス（Ｇｌｙｃｙｒｒｈｉｚａ  ｕｒａｌｅｎｓｉｓ）、ジジフス・ユユバ（Ｚｉｚｉｐｈｕｓ  ｊｕｊｕｂａ）、パエオニア・ラクチフローラ（Ｐａｅｏｎｉａ  ｌａｃｔｉｆｌｏｒａ）、及び１つ又はそれ以上の薬剤として許容される担体から本質的になる、請求項１１に記載の組合せ。
【請求項１３】
前記薬草製剤が、スクテラリア（Ｓｃｕｔｅｌｌａｒｉａ）、グリキリザ（Ｇｌｙｃｙｒｒｈｉｚａ）、ジジフス（Ｚｉｚｉｐｈｕｓ）、パエオニア（Ｐａｅｏｎｉａ）、及び１つ又はそれ以上の薬剤として許容される担体からなる、請求項１１に記載の薬剤の組合せ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月23日(2010.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースプレートを備えた剛体本体を有し、
該剛体本体はスリーブ内に少なくとも部分的に収納されており、
該スリーブは変形可能で且つ重力流システム管の内表面に向かって突接した突接面を備えた円錐台形状のプラグであって、
該プラグは前記ベースプレート上の開口部において一方の終端となる貫通経路を含み、前記開口部はバルブを使用して選択的に開閉可能とされ、
前記プラグは前記重力流システムの内部から前記プラグの抜き取りを補助するための手段を含んでいることを特徴とするプラグ。
【請求項２】
前記スリーブは、変形可能な弾性ポリマーで形成された少なくとも１つの変形可能層を具備していることを特徴とする、請求項１に記載のプラグ。
【請求項３】
前記スリーブは、耐摩耗層を備えており、該耐摩耗層は、突接面を形成するために最外層にあることを特徴とする、請求項１に記載のプラグ。
【請求項４】
前記バルブは、ヒンジ部においてベースプレートに接続されているシールプレートを具備していることを特徴とする、請求項１に記載のプラグ。
【請求項５】
前記バルブには、前記重力流システムの外側から前記バルブの操作が可能な手段が設けられていることを特徴とする、請求項１に記載のプラグ。
【請求項６】
前記ベースプレートが前記重力流システム管内に配置された際に、垂直線からのベースプレートの傾斜を防止することによって、前記管内でのすべりを防止する手段をさらに具備していることを特徴とする、請求項１に記載のプラグ。
【請求項７】
前記すべりを防止する手段は、前記重力流システムのアクセスシャフトの床および／または壁と、突接面によって、直接的または間接的に作用することを特徴とする、請求項６に記載のプラグ。
【請求項８】
重力流システム管を、該管に請求項１に記載のプラグを挿入することによってシールする方法であって、
挿入されると、前記スリーブが変形し、前記重力流システム管の内表面と係合して密封状態を形成するための突接面を備えていることを特徴とする方法。
【請求項９】
管を通じた流体の流れを阻止するための装置であって、該装置は、
前記管内に少なくとも部分的に挿入可能な円錐台形状の剛体本体と、
該剛体本体内に配置された少なくとも１つのバルブ要素と、を具備し、
前記剛体本体は少なくとも部分的にスリーブ内に収納され、該スリーブは変形可能であり且つ前記管の内表面と突き当たるための突接面を備えており、
少なくとも１つの前記バルブは前記剛体本体を通じた流体の流れを概略阻止するために選択的に開閉可能とされ、前記流体が前記剛体本体を通じて流れることを可能にし、前記管から前記剛体本体の取り外しを容易にしていることを特徴とする装置。
【請求項１０】
前記スリーブは、変形可能な弾性ポリマーで形成された少なくとも１つの変形可能層を具備していることを特徴とする、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記スリーブは、耐摩耗層を備えており、該耐摩耗層は、突接面を形成するために最外層にあることを特徴とする、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記本体は、前記ベースプレート上に形成された１つ以上の開口部において一方の終端となる貫通経路を含み、それぞれの前記開口部は、前記バルブ要素を使用して選択的に開閉可能であることを特徴とする、請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
前記バルブ要素は、ヒンジ部においてベースプレートに接続されているシールプレートを具備していることを特徴とする、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記バルブ要素には、前記重力流システムの外側から前記バルブの遠隔操作が可能な手段が設けられていることを特徴とする、請求項９に記載の装置。
【請求項１５】
前記バルブ要素は、バタフライバルブまたはスライドバルブであることを特徴とする、請求項１２に記載の装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層プリント回路基板の上面誘電層に開通するマイクロビア開口部を穿孔する工程と、
導電層における捕獲パッドに至るマイクロビア開口部を有する多層プリント回路基板にデスミア処理を施す工程と、
前記マイクロビア開口部に汚染物が発見されたか否かを検知するために前記マイクロビア開口部内の前記捕獲パッドに、逐次電気化学的還元分析を施す工程と
を含み、更に、
前記マイクロビア開口部において汚染物が発見されたと検知した場合には、
プリント回路基板の製造工程を中止する工程と、
プリント回路基板の製造工程を修正するための是正処置を取る工程と、
プリント回路基板の製造工程を再開する工程と
を含む方法。
【請求項２】
前記マイクロビア開口部において汚染物が発見されなかったと検知した場合には、
シード層を用いて、多層プリント回路基板に無電解めっき処理を施す工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記汚染物は、酸化銅、酸化第二銅、及び硫化第一銅のうちの１つである請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記マイクロビア開口部はテストマイクロビア用の開口部であり、その径は、インターコネクトマイクロビア用のマイクロビア開口部の径よりも大きい請求項１から請求項３までのいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記捕獲パッドはテストマイクロビア用のパッドであり、その面積は、インターコネクトマイクロビア用の捕獲パッドの面積より大きい請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記穿孔工程は、レーザーを用いてマイクロビア開口部を形成する請求項１から請求項５までのいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記テストマイクロビアとして、少数のテストマイクロビアを統計サンプルとして使用する請求項１から請求項６までのいずれかに記載の方法。
【請求項８】
上面誘電層と下部誘電層との間に挟まれ、且つ、マイクロビアにおける捕獲パッドを有する内部導電層を備える多層プリント回路基板を提供する工程と、
上面誘電層から捕獲パッドにかけて貫通するマイクロビア開口部を穿孔する工程と、
捕獲パッドに至るマイクロビア開口部を有する多層プリント回路基板にデスミア処理を施す工程と、
マイクロビア開口部に逐次電気化学的還元分析を施す工程と、
逐次電気化学的還元分析に応じて、マイクロビアの製造を完了すべくプリント回路基板の製造を継続するかどうかを決定する工程と
を含み、更に、
プリント回路基板の製造を継続しないと決定をした場合に、プリント回路基板の製造工程を中止させる工程と、
プリント回路基板の製造工程を修正するための是正処置を取る工程と、
プリント回路基板の製造工程を再開させる工程と
を含む方法。
【請求項９】
前記決定工程は、前記マイクロビア開口部における捕獲パッドに、汚染物があるか否かを決定する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記汚染物は、酸化銅、酸化第二銅、及び硫化第一銅のうちの１つである請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
マイクロビアの製造を完了させるべくプリント回路基板の製造を継続すると決定をして、更に、
無電解シード層に電解めっきを施した無電解シード層を用いて、マイクロビア開口部にめっき処理を施す工程を有する請求項８から請求項１０までのいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
多層プリント回路基板を解体することをさらに含む請求項８から請求項１１までのいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記穿孔工程は、レーザーを用いてマイクロビア開口部を形成する請求項８から請求項１２までのいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
はんだバンプを備える集積回路を、多層プリント回路基板の上面に積載する工程と、
はんだボールを、前記多層プリント回路基板の下面に連結する工程
をさらに含む請求項８から請求項１３までのいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記集積回路と前記多層プリント回路基板の上面との間のアンダーフィル材料によって、前記集積回路をアンダーフィルすることをさらに含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記集積回路の上面と、前記多層プリント回路基板の上面に設けられた封止材を用いて、前記集積回路と多層プリント回路基板を封止することをさらに含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記マイクロビアは、マイクロビア開口部及び捕獲パッドを有するテストマイクロビアであり、テストマイクロビアの寸法は、インターコネクトマイクロビアの寸法よりも大きい請求項８から請求項１６までのいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記テストマイクロビアとして、少数のテストマイクロビアを統計サンプルとして使用する請求項１７に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
図５のグラフ５００に、曲線５０２、５０３、５０４、及び５０５を示す。曲線５０２、５０３、５０４、及び５０５は、それぞれ、図３の工程３０４におけるデスミア処理がプリント回路基板に施された後、プリント回路基板が製造ラインにて待機している異なる時間周期を示す。曲線５０２は、２時間後における銅酸化形成のＳＥＲＡ分析を、曲線５０３は２４時間後における銅酸化形成のＳＥＲＡ分析を、曲線５０４は４８時間後における銅酸化形成のＳＥＲＡ分析を、また、曲線５０５は６０時間後における銅酸化形成のＳＥＲＡ分析をそれぞれ示す。曲線５０２〜５０５は、工程３０４（ポストデスミア処理など）におけるデスミア処理がプリント回路基板に施された後、プリント回路基板が製造ラインにて待機している時間を示し、この待機時間が長いほど銅酸化量及び捕獲パッドの表面汚染量が多くなる。すなわち、開口した捕獲パッドを有するマイクロビアが仕掛かり中の段階にて待機している時間が長いほど、製造が完了した後のマイクロビア１０２の信頼性が低減する。もし可能であるならば、デスミア処理を施した後、マイクロビアの形成を素早く完成させることが好ましい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年12月1日(2009.12.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１００
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１００】
カラム型Chiralpak AD 20 μおよび溶離液ヘキサン (0.1%ジエチルアミン)-エタノールを使用するキラルHPLCにより、鏡像異性体を (+)-異性体および (-)-異性体に分割する。(-)-鏡像異性体 ([α]D(THF) -43.2°、c = 1.45) が溶離され、次いで(+)-鏡像異性体 ([α]D(THF) +42.8°、c = 1.53) が溶離される。Ｒ−コンフィギュレーションの化合物は(-)-鏡像異性体であり、他方Ｓ−コンフィギュレーションの化合物は(+)-鏡像異性体である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年12月28日(2009.12.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明は、下記の成分（ｉ）〜（iii）を含有する水素化分解用触媒に関する：
（ｉ）少なくとも１種のVIＢ族金属、少なくとも１種のVIII族金属およびこれらの混合物から成る群から選択される水素化成分、
（ii）非晶質酸化物、低結晶性酸化物およびこれらの混合物から成る群から選択される少なくとも１種の酸化物を含有する少なくとも１種のマトリックス、
（iii）か焼された無水状態においてＸ２Ｏ３：ｎＹＯ２：ｍＺＯ２（Ｘは、３価元素を示し、ＹはＧｅ以外の少なくとも１種の４価元素を示し、ＺはＧｅを示し、ｎ＋ｍの値は少なくとも５であって５〜∞の範囲であってもよく、ｎ／ｍは少なくとも１である）のモル組成を有すると共に、か焼された無水状態において少なくともｄ＝１３．６４Å、７．８７Å、４．８２Å、４．５５Å、４．１１Åおよび３．４１Åでの回折線を含むＸ線回折図形を示す少なくとも１種の微孔性の結晶質固体物質。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年11月30日(2009.11.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の各段階を有することを特徴とするカーボンナノ粒子の製造方法：
カーボンナノ粒子形成を許容する条件下で分解して遷移金属を生成する遷移金属化合物を、基体粒子上に供給する段階；
気相状態の炭素源を基体粒子に接触させる段階；
その接触段階よりも前、その途中、または、その後に、遷移金属化合物を分解させて基体粒子上で遷移金属を生成させる段階；
その遷移金属の触媒作用を受けた炭素源の分解によってカーボンナノ粒子を形成させる段階；及び、
形成されたカーボンナノ粒子を回収させる段階。
【請求項２】
前記遷移金属化合物が遷移金属塩である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記遷移金属塩が遷移金属のギ酸塩またはシュウ酸塩である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記遷移金属化合物が遷移金属カルボニルである、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記遷移金属化合物が多金属原子遷移金属カルボニルである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記遷移金属がニッケル、鉄またはコバルトである、前記請求項のうちいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
前記気相状態の炭素源が炭化水素または一酸化炭素である、前記請求項のうちいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
前記気相状態の炭素源がメタンまたはアセチレンである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記気相状態の炭素源を基体粒子上に通過させる、前記請求項のうちいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】
前記気相状態の炭素源を希釈剤と混合する、前記請求項のうちいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
前記希釈剤がアルゴンである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記基体粒子は、酸化物粒子及び／又はケイ酸塩粒子からなる前記請求項のうちいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
前記基体粒子は、シリカ、アルミナ、ＣａＳｉＯＸ、酸化カルシウムまたは酸化マグネシウムのうち１種またはそれ以上からなる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基体粒子はヒュームド粉末、コロイド、ゲルまたはエアロゾルである、前記請求項のうちいずれか１つに記載の方法。
【請求項１５】
前記遷移金属化合物は加熱によって分解する、前記請求項のうちいずれか１つに記載の方法。
【請求項１６】
前記遷移金属化合物は２００℃〜１０００℃の間の温度に加熱することによって分解する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記遷移金属化合物は、６００〜１０００℃の間の温度に加熱することによって分解する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記カーボンナノ粒子はカーボンナノチューブである、前記請求項のうちいずれか１つに記載の方法。
【請求項１９】
前記カーボンナノチューブは単一隔壁カーボンナノチューブである、前記請求項のうちいずれか１つに記載の方法。
【請求項２０】
開始段階として、基体粒子に遷移金属化合物を含浸させる段階をさらに有する、前記請求項のうちいずれか１つに記載の方法。
【請求項２１】
前記方法が連続的である前記請求項のうちいずれか１つに記載の方法。
【請求項２２】
以下の各段階を有する請求項２１に記載の方法：
基体粒子を連続的に供給し続ける；
気相状態の炭素源の気流によって、基体粒子を流動化させる；
基体粒子上の遷移金属化合物を加熱する；及び、
形成された炭素ナノ粒子を溶出させて回収する。
【請求項２３】
以下の各段階を有する請求項２１に記載の方法：
基体粒子を傾斜させた表面の上部に供給し続ける；
気相状態の炭素源の気流によって、傾斜させた表面に基体粒子を接触させる；
基体粒子上で遷移金属化合物を加熱する；及び、
傾斜させた表面の下部から形成された炭素ナノ粒子を回収する。
【請求項２４】
下記の各段階を有することを特徴とするカーボンナノ粒子の製造方法：
基体粒子上に、遷移金属のシュウ酸塩、ギ酸塩または多金属原子カルボニルを供給する；
遷移金属のシュウ酸塩、ギ酸塩または多金属原子カルボニルを、基体粒子上で加熱する；
気相状態の炭素源を、基体粒子に接触させる；及び、
形成された炭素ナノ粒子を回収する。
【請求項２５】
前記遷移金属のシュウ酸塩、ギ酸塩または多金属原子カルボニルは、ニッケルギ酸塩であり、且つ、基体粒子はシリカ粒子である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記請求項のうちいずれか１つに記載の方法により形成されたカーボンナノ粒子。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年12月15日(2009.12.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流動性粉末状組成物において、前記の流動性粉末状組成物が、リポ酸−成分と、組成物の全質量に対して０．１〜２５質量％の、５０〜＜６００μｍの粒径（×１００−値）及び５０〜６００ｇ／Ｌのタップ密度を有するシリカベースの流動助剤とからなることを特徴とする、流動性粉末状組成物。
【請求項２】
リポ酸−成分として、ラセミ体α−リポ酸、ジヒドロリポ酸、鏡像異性体的に純粋なＲ−（＋）−α−リポ酸又はＳ−（−）−α−リポ酸、又は、鏡像異性体的に純粋なＲ−（＋）−α−ジヒドロリポ酸又はＳ−（−）−α−ジヒドロリポ酸、又はその混合物を含有する、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
リポ酸−成分が、少なくとも部分的に塩の形で、及び／又は、完全又は部分的に、塩基性アミノ酸との塩として存在する、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項４】
リポ酸−成分が、少なくとも部分的に、リポ酸ナトリウム、リポ酸カリウム、リポ酸アンモニウム、リポ酸マグネシウム又はリポ酸クレアチンとして、及び／又は、ジヒドロリポ酸ナトリウム、ジヒドロリポ酸カリウム、ジヒドロリポ酸マグネシウム又はジヒドロリポ酸クレアチンとして存在する、請求項３記載の組成物。
【請求項５】
塩基性アミノ酸が、リシン、アルギニン又はオルニチンである、請求項３記載の組成物。
【請求項６】
流動助剤を、組成物の全質量に対して、１．０〜１０．０質量％の割合で含有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の組成物。
【請求項７】
流動助剤を、組成物の全質量に対して、１．５〜５．０質量％の割合で含有する、請求項６記載の組成物。
【請求項８】
流動助剤が、親水性の噴霧乾燥された沈降シリカ、親水性の高分散性シリカ、又は疎水性シリカである、請求項１から７までのいずれか１項記載の組成物。
【請求項９】
流動助剤がアモルファスシリカゲルである、請求項１から８までのいずれか１項記載の組成物。
【請求項１０】
流動助剤が、５０〜４００μｍの粒径（×１００−値）を有する、請求項１から９までのいずれか１項記載の組成物。
【請求項１１】
流動助剤が、７５〜１００ｇ／Ｌのタップ密度を有する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の組成物。
【請求項１２】
流動助剤が、３０〜１０００ｍ２／ｇの比表面積を有する、請求項１から１１までのいずれか１項記載の組成物。
【請求項１３】
流動助剤が、１９０〜４５０ｍ２／ｇの比表面積を有する、請求項１２記載の組成物。
【請求項１４】
５％水溶液中の流動助剤が、３．０〜１１．５のｐＨ−値をもたらす、請求項１から１３までのいずれか１項記載の組成物。
【請求項１５】
５％水溶液中の流動助剤が、６．０〜７．０のｐＨ−値をもたらす、請求項１４記載の組成物。
【請求項１６】
請求項１から１５までのいずれか１項記載の組成物の製造法において、（ａ）粉末状リポ酸−成分を固体の流動助剤と混合し、かつ（ｂ）得られた固体混合物から＞８００μｍの粒子を分離し、その際、処理工程（ａ）及び／又は（ｂ）を任意にしばしば繰り返すことができることを特徴とする、請求項１から１５までのいずれか１項記載の組成物の製造法。
【請求項１７】
処理工程（ａ）のために、自由落下ミキサー、水平運転式パドルミキサー又は水平運転式プロシェアミキサー、垂直運転式コーンミキサー、又は、対角線状の混合工具を有するアイリッヒミキサーを使用する、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
ドラムミキサー、Ｖミキサー、タンブルミキサー、レーディゲミキサー、又は、ナウター型の平らに切断されたスクリューを有する垂直運転式コーンミキサーを使用する、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
処理工程（ａ）において、２つの成分の少なくとも１つを少量づつ混合処理に添加する、請求項１６から１８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
製薬学的適用、食養生法にかなった適用及び／又は美容的適用のための薬剤を製造するための、固体の投与形での、請求項１から１５までのいずれか１項記載の組成物の使用。
【請求項２１】
圧縮された適用形を製造するための、請求項２０記載の使用。
【請求項２２】
経口的な使用目的のための錠剤を製造するための、請求項２１記載の使用。
【請求項２３】
輸液を製造するための請求項２０記載の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年6月1日(2010.6.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
そのようなスタチン組成物には、特に限定されないが、アトルバスタチン（Lipitor（登録商標））（US Patent No. 4,681,893）、およびUS Patent No. 4,647,576に開示された他の6-[2-(置換ピロール-1-イル)アルキル]ピラン-2-オンと誘導体；フルバスタチン（Lescol（登録商標））（US Patent No. 5,354,772）；ロバスタチン（US Patent No. 4,231,938）；プラバスタチン（US Patent No. 4,346,227）；シンバスタチン（US Patent No. 4,444,784）；ベロスタチン；フルインドスタチン（SandozのXU-62-320）；PCT出願WO86/03488に開示されたメバロノラクトン誘導体のピラゾール類似体；ヨーロッパ特許491226Aに開示されたリバスタチンと他のピリジルジヒドロキシヘプテン酸；SearleのSC-45355（3-置換ペンタン二酸誘導体）；ジクロロアセテート；PCT出願WO86/07054に開示されたメバロノラクトンのイミダゾール類似体；フランス特許第2,596,393号に開示された3-カルボキシ-2-ヒドロキシ−プロパン−ホスホン酸誘導体；ヨーロッパ特許出願第0221025号に開示された2,3-二置換ピロール、フラン、およびチオフェン誘導体；US Patent No. 4,686,237に開示されたメバロノラクトンのナフチル類似体；US Patent No. 4,499,289に開示されたようなオクタヒドロナフタレン類；ヨーロッパ特許出願第0,142,146A2号に開示されたメビノリン（ロバスタチン）のケト類似体；ホスフィン酸化合物；ならびに他のHMG-CoA還元酵素インヒビターがある。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年1月25日(2010.1.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７０】
＜ＨＡと悪性フェノタイプ＞
ＨＡは、グルクロン酸とＮ−アセチルグルコサミンからなる２，０００−２５，０００のジサッカライド：［β１，４−ＧｌｃＵＡ−β１，３−ＧｌｃＮＡｃ−］nを含む、分子量１０5から１０7ダルトン（Ｄａ）の直線状のグリコサミノグリカンである。ジサッカライドユニットは分子量４００Ｄａである。ヒアルロナン・シンテターゼ（Ｈａｓ１，Ｈａｓ２，Ｈａｓ３と呼ばれる。）は、活性部位が膜内部表面に位置する完全な血漿膜蛋白質である（Ｗｅｉｇｅｌ，Ｐ．Ｈ．，ｅｔ  ａｌ．Ｊ  Ｂｉｏｌ  Ｃｈｅｍ，２７２：１３９９７−１４０００，１９９７）。新たに合成されたＨＡは、細胞表面に直接押し出され、前記シンテターゼ結合して固定され、また受容体との相互作用によりそこに残留するか、または細胞周辺または細胞外に放出される。このような様々な位置に送達するための調節は現時点でわかっていない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子商取引の際に使用する電子鍵を生成するための方法であって、前記方法が、
鍵シードおよびホストの一意のホスト識別情報から前記電子鍵を導く一方向関数をホスト上で実行するステップを含み、
前記一方向関数は前記ホストにインストールされ、  
前記鍵シードは前記一方向関数と共に鍵配信センターから受け取られると共に前記ホストの不揮発性記憶装置内に保存され、
前記一意のホスト識別情報は鍵配信センターから受け取られるものではなく、
前記関数が、前記電子鍵の使用を必要とする電子商取引が行われる度に、前記電子鍵を導くために実行される、方法。
【請求項２】
前記電子商取引の際に、前記ホストと前記登録公開鍵を使用する電子デバイスとの間の前記電子商取引の際に使用した前記電子鍵を生成するために、入力としての前記保存した鍵シードおよび前記一意のホスト識別情報により前記一方向関数を実行するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電子鍵が前記公開鍵と正確に一致した場合だけ、前記電子商取引の終了を成功することができるステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記商取引の後で前記ホスト・デバイスから前記電子鍵を削除するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ホストは第１のホストであり、前記方法は、
鍵シードおよび第２のホストの一意のホスト識別情報から前記電子鍵を導く第２の一方向関数をホスト上で実行するステップをさらに含み、
前記第２の一方向関数は前記第２のホストにインストールされ、  
前記鍵シードは前記第２の一方向関数と共に鍵配信センターから受け取られると共に前記ホストの不揮発性記憶装置内に保存され、
前記第２のホストの一意のホスト識別情報は鍵配信センターから受け取られるものではなく、
前記第２の一方向関数が、前記電子鍵の使用を必要とする電子商取引が行われる度に、前記電子鍵を導くために実行される、方法。
【請求項６】
電子商取引で使用する電子鍵を生成するためのシステムであって、
前記電子商取引を行うためのホストであって、一意のホスト識別情報を有するホストと、
鍵シードを記憶するための前記ホストの不揮発性記憶装置と、
前記鍵シードおよび前記ホスト識別情報から前記電子鍵を導くために、前記ホストにインストールされる一方向関数と、を備え、
前記鍵シードは前記一方向関数と共に鍵配信センターから受け取られると共に前記ホストの不揮発性記憶装置内に保存され、
前記一意のホスト識別情報は鍵配信センターから受け取られるものではなく、
前記ホストが、前記電子鍵の使用を必要とする電子商取引が行われる度に、前記電子鍵を導くために前記一方向関数を実行するシステム。
【請求項７】
前記ホストが前記秘密鍵シードをランダムに生成する、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記一方向関数が、前記秘密鍵シードおよび前記ホスト識別情報から秘密鍵を導く、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記ホストが前記秘密鍵から公開鍵を導く、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
証明機関が、登録公開鍵を生成するために前記公開鍵を登録する、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記証明機関が鍵配信センターを備える、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記証明機関が、信任されたデータベース内に前記公開鍵を保存する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記証明機関が、前記ホストへの前記公開鍵の結合を証明するデジタル証明書を前記ホストに送信する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１４】
前記ホストが、前記不揮発性記憶装置に前記秘密鍵シードを保存する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１５】
前記ホストが、前記電子商取引の際に、前記ホストと前記登録公開鍵を使用する電子デバイスとの間の前記電子商取引の際に使用した前記秘密鍵を生成するために、前記一方向関数を実行する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１６】
前記秘密鍵が前記公開鍵と正確に一致した場合だけ、前記電子商取引の終了が成功する、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記鍵シードが対称セッション鍵シードを含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記対称セッション鍵シードを前記ホストに送信する鍵配信センターをさらに備え、前記ホストが前記対称セッション鍵を前記不揮発性記憶装置に保存する、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記ホストが、前記ホストと電子デバイスとの間の前記電子商取引の際に使用した前記対称セッション鍵を生成するために前記一方向関数を実行し、前記電子デバイスも、同様に、前記電子商取引の際に対称セッション鍵を使用する、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記ホストが使用した前記対称セッション鍵が、前記電子デバイスが使用した前記対称セッション鍵と一致した場合だけ、前記電子商取引の終了が成功する、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
前記ホストは第１のホストであり、前記システムは
前記電子商取引を行うための第２のホストをさらに備え、
前記第２のホストは、第２のホストの一意のホスト識別情報と、鍵シードを記憶するための第２のホストの不揮発性記憶装置と、鍵シードおよび第２のホストの一意のホスト識別情報から前記電子鍵を導く第２の一方向関数とを備え、
前記第２の一方向関数は前記第２のホストにインストールされ、  
前記鍵シードは前記第２の一方向関数と共に鍵配信センターから受け取られると共に前記第２のホストの不揮発性記憶装置内に保存され、
前記第２のホストの一意のホスト識別情報は鍵配信センターから受け取られるものではなく、
前記第２の一方向関数が、前記電子鍵の使用を必要とする電子商取引が行われる度に、前記電子鍵を導くために実行される、システム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
ランプの稼動位置に応じて冷却手段の制御を可能とするには、その時におけるランプの稼動位置を感知するための第二センサー１２を設けることが好ましい。これは、適切な数のコントクトを有する公知の姿勢スイッチ（例えば、水銀スイッチなど）であってもよい。いくつかの位置で稼動可能なプロジェクタにランプが使用される場合には、適切な姿勢信号がそのプロジェクタによって生成されてもよい。最後に、冷却手段は、スイッチという手段をもって、ランプが稼動している位置に応じて制御されるものであってもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年8月16日(2010.8.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手軸を有するリニアアクチュエータであって、
前記長手軸を囲み、第１端部と第２端部を備えた壁部と、
前記壁内で且つ前記長手軸に沿って配置され、前記第１端部と面一又は前記第１端部と第２端部の長手軸方向の間に位置するピストンヘッドを備え、作動したときに前記第１端部から突出するように配置された入れ子式の単動ピストンと、を有し、
前記壁部及び単動ピストンは、単一の展性のある材料片から一体的に形成され、
前記ピストンヘッドは、少なくとも前記壁の軸方向の長さに等しいストロークを与えるように、前記長手軸に沿って展開可能な複数の同軸のピストン段により前記第１端部に結合されている、リニアアクチュエータ。
【請求項２】
更に、前記壁部の第２端部に前記壁部の第２端部に結合されている流体発生器を有する請求項１に記載のリニアアクチュエータ。
【請求項３】
前記流体発生器は、前記壁部の第２端部から延びるリップにシールされている請求項２に記載のリニアアクチュエータ。
【請求項４】
前記流体発生器は、イニシエータを備えた膨張性ガス発生器である請求項２又は請求項３に記載のリニアアクチュエータ。
【請求項５】
前記膨張性ガス発生器は、マイクロガス発生器を備えている請求項４に記載のリニアアクチュエータ。
【請求項６】
前記壁部の第１端部、前記ピストンヘッド、及び、前記ピストン段は、入れ子式に相互に連結されている請求項１乃至５の何れか１項に記載のリニアアクチュエータ。
【請求項７】
前記壁部の第１端部、前記ピストンヘッド、及び、前記ピストン段は、流体の通過を阻止するように相互に連結されている請求項１乃至６の何れか１項に記載のリニアアクチュエータ。
【請求項８】
前記壁部及び前記単動ピストンは、プラスチックから形成されている請求項１乃至７の何れか１項に記載のリニアアクチュエータ。
【請求項９】
前記壁部及び前記単動ピストンは、金属から形成されている請求項１乃至７の何れか１項に記載のリニアアクチュエータ。
【請求項１０】
前記ピストンヘッド及び前記ピストン段は、前記壁部の軸長よりも長いストロークにわたって前記長手軸に沿って展開する請求項１乃至９の何れか１項に記載のリニアアクチュエータ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
一実施形態において、リニアアクチュエータは壁部を備え、該壁部は第１端部及び第２端部を有する。壁部は長手軸を囲む。単動ピストンは壁部の第１端部に連結される。ピストンは、その上端が実質的に第１端部と面一となるように軸に沿って伸長する。或いは、ピストンの上端は実質的に第１端部及び第２端部の間に配置される。ピストン及び壁部は単一の展性のある材料片から一体的に形成される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
好適な実施形態において、壁部、ピストンヘッド及びピストン段は単一の展性のある母材片から一体的に形成される。材料は真鍮、鋼、又はその他の材料でもよい。好適には、従来の深絞り打ち抜き技術を使用して母材に深絞り打ち抜き加工を施すことにより、壁部、ピストンヘッド及びピストン段が形成される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
好適には、壁部１８及びピストン段２６は、金属等の耐久性、剛性及び展性を備えた単一の材料片から形成される。金属は真鍮、冷間圧延鋼、ステンレス鋼等でもよい。当然のことながら、ポリマー等のその他の材料を使用してもよい。材料の厚みは目的とする用途に応じて大きく変わる。同様に、直径、絞りの程度等のその他の性能も、目的とする用途に応じて大きく変わる。一般的に、材料は深絞り特性を有し、膨張性ガス等の加圧流体によりピストン１２が展開される時にピストン１２及び壁部１８の一体化を維持する程度に強固である。