【事件の表示】
　平成　６年特許願第　３６３６８号「半導体単結晶製造装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　８月２２日出願公開、特開平　７−２２３８９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成６年２月１０日に出願され、平成１５年１月１７日付けで出願拒絶されたところ、平成１５年２月２４日に審判請求がなされたものである。
　本願請求項１〜８に係る発明は、平成１２年３月２２日提出の手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲に記載されるとおりのものであり、その特許請求の範囲の請求項１及び７には以下のことが記載されている。
【請求項１】半導体単結晶の原料を溶解するるつぼと、このるつぼの周囲にあってるつぼ内の原料を加熱するヒータと、溶解した原料に種子結晶を浸漬して単結晶を引き上げる引き上げ機構とを備えた半導体単結晶製造装置において、前記ヒータの外周面に位置する内筒と、前記ヒータを取り巻くように配置した断熱筒の内周面を被覆する外筒と、を設けるとともに、前記内筒の上端には、内縁がるつぼの外周面に近接している環状のフランジ部を設け、半導体単結晶製造装置の上部から導入したパージ用不活性ガスを、前記内筒と外筒との隙間を流下させて半導体単結晶製造装置の底部から排出することを特徴とする半導体単結晶製造装置。
【請求項７】半導体単結晶の原料を溶解するるつぼと、このるつぼの周囲にあってるつぼ内の原料を加熱するヒータと、溶解した原料に種子結晶を浸漬して単結晶を引き上げる引き上げ機構とを備えた半導体単結晶製造装置において、前記ヒータの外周面に位置する内筒と、前記ヒータを取り巻くように配置した断熱筒の内周面を被覆する外筒と、を設け、半導体単結晶製造装置の上部から導入したパージ用不活性ガスを、石英るつぼの中心部から周縁部を経てチャンバに設けられた１より多い排気孔に至るガス流を形成させ、前記内筒と外筒との隙間を流下させて半導体単結晶製造装置の底部から排出することを特徴とする半導体単結晶製造装置。
（以下、必要に応じて、それぞれ、「本願発明１」及び「本願発明７」という。）
　
II．前審の拒絶の理由の概要
　本願請求項１〜８に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開された下記の特許出願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、必要に応じて、「先願明細書」という）に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一でなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　記
　特願平５−９７０４２号（特開平６−８７６８７号公報参照）
　その他、周知・慣用技術を示す文献　　　
　文献１：特開平４−３３１７９０号公報
　文献２：特開平４−３３１７９１号公報
　文献３：特開平５−１９４０７６号公報
　文献４：特開昭６４−３７４９２号公報
　文献５：特開平２−１５７１８０号公報
　文献６：特開平２−９７４８１号公報
　文献７：特開昭５７−１８３３９６号公報
　
III．証拠の記載
III−１．先願明細書（特願平５−９７０４２号の願書に最初に添付された明細書又は図面）の記載内容
（Ａ−１）「【請求項１】チョクラルスキー法により不活性ガス雰囲気中でシリコン単結晶を引上げる装置であって、シリコン溶融体を収容するルツボと、ルツボの外周に設けられたヒーターと、ヒーターの外周に設けられた断熱シールドと、ルツボを収納する引上げ室を形成する外装材と、引上げ室の上方に設けられた不活性ガス導入部と、引上げ室の下方に設けられた、断熱シールド内周面で囲まれた引上げ室底面以外の該底面部分に設けられた不活性ガス排気部とを有し、断熱シールドは、その内部または上記外装材との間に通気路が形成され、通気路の上方端部に開口部が形成され、かつ、前記開口部はルツボの開口縁部に近接した位置に設けられ、通気路の下方端部は不活性ガス排気部と連通されてなることを特徴とするシリコン単結晶引上げ装置。」（特許請求の範囲第１項）
（Ａ−２）「次に、図面に従い、より詳細に本発明を説明する。図１は本発明に係るシリコン単結晶引上げ装置の概略の構成を示す説明図である。図１において、２はシリコン溶融体、１はシリコン溶融体２を収容するルツボ、３はルツボ１の外周に設けられたヒーター、６は引上げ室、１４は引上げ室６を形成する外装材、１５は引上げ室６内上方に設けられた不活性ガス導入部、１６は引上げ室６の下方に設けられた不活性ガス排気部、４はヒーター３の外周に設けられた断熱シールドである。
　断熱シールド４は二重壁で形成され、その二重の壁の間に形成された中空部を通気路１７としてある。通気路１７の上方端部に開口部１８が形成され、通気路６の下端は不活性ガス排気部１６と連通されている。これにより、断熱シールド４の開口部１８から通気路１７を経て不活性ガス排気部１６に至る流路が形成される。断熱シールド４の開口部１８はルツボ１の開口縁部１９に近接した位置に設けられる。こうすることにより、ルツボ１中のシリコン溶融体２から発生したＳｉＯが周囲に拡散しないうちに引上げ室６内より僅かに減圧にされた通気路１７内に吸い込まれることになり、ＳｉＯによる汚染を防止するものである。
　不活性ガス排気部１６は、排気孔２０と真空ポンプ１２とバルブ１１により構成され、引上げ室６内の気圧よりも僅かに低く目になるように、制御してある。これにより引上げ室６から不活性ガス排気部１６への気流が生じる。」（段落００１２〜００１４）
（Ａ−３）「石英製のルツボ１に収容したシリコン溶融体２に種結晶（図示せず）を浸漬し、ルツボ１と種結晶を回転しつつ、種結晶にシリコンを析出させて結晶成長を行う。」（段落００１５の抜粋）
（Ａ−４）「シリコン溶融体２に取り込まれた酸素は、ＳｉＯとなって蒸発する。引上げ室６上方から導入された不活性ガス７は、引上げ室６内のＳｉＯとともに二重壁で形成された断熱シールド４の通気路１７の上方端部に形成された開口部１８から通気路１７内に入り込み、不活性ガス排気部１６から排出される。」（段落００１６）
（Ａ−５）「【作用】断熱シールド４は、その内部または上記外装材との間に通気路１７が形成され、通気路１７の上方端部に開口部１８が形成され、通気路１７の下方端部は不活性ガス排気部１６と連通されており、かつ、開口部１８はルツボ１の開口縁部１９に近接した位置に設けられているために、ルツボ１中のシリコン溶融体２から発生したＳｉＯが周囲に拡散しないうちに開口部１８から通気路１７内に吸い込まれることになる。すなわち、引上げ室６上方から導入れた不活性ガス７やシリコン溶融体２から発生したＳｉＯは、排気のための流路以外の場所には流れ難くなり、上記流路以外の場所に設けられた黒鉛製部品に接触し難くなる。従って、不活性ガス中に同伴したＳｉＯが黒鉛製部品等の引上げ装置内の各部材へ析出するのを防止することができる。」（段落００１７）
　
IV．対比・判断 
IV−１．本願発明１
　先願明細書には、その前記（Ａ−２）の記載及び図１の記載によれば、
「シリコン溶融体を収容するルツボ、ルツボの外周に設けられたヒーター、引上げ室、引き上げ室を形成する外装材、引上げ室内上方に設けられた不活性ガス導入部、引上げ室の下方に設けられた不活性ガス排気部、及び、ヒーターの外周に設けられた断熱シールドからなるシリコン単結晶引上げ装置であって、当該断熱シールドを内外の二重壁で形成し、その二重壁の間の空間を通気路となした、シリコン単結晶引上げ装置」に関する発明（以下、必要に応じて、「先願発明」という）が記載されているということができる。
　そこで、本願発明１と先願発明とを対比する。
　先ず、先願発明のシリコン単結晶引上げ装置は、半導体であるシリコンの単結晶を引上げにより製造するものであって、その「シリコン単結晶」及び「シリコン単結晶引上げ装置」は、本願発明１の「半導体単結晶」及び「半導体単結晶製造装置」にそれぞれ相当し、また、先願発明の「ルツボ」及び「ヒーター」は本願発明１の「るつぼ」及び「ヒータ」にそれぞれ相当する。
　次に、先願発明のルツボはシリコン単結晶の原料を溶解するために設けられるものであり、そのヒーターはルツボ内の原料を加熱するために設けられるものであり、そして、この種のシリコン単結晶引上げ装置においてはその引上げ室上方に溶解した原料であるシリコン溶融体に種子結晶を浸漬してシリコン単結晶を引き上げる引上げ機構を具備するものであり、これらのことはこの分野の技術常識からみると自明なこととして把握できる。
　次いで、先願発明の「内側の断熱シールド」及び「外側の断熱シールド」は、先願明細書の図１の記載からみて明らかなように、筒状の形状を保有しており、本願発明１の「内筒」及び「外筒」にそれぞれ相当するということができる。この場合、同じく先願明細書の図１の記載からみて明らかなように、先願発明の「内側の断熱シールド」は、その上端部の内縁にはルツボの外周面に近接する張り出し部を有しており、本願発明１と同じように、その上端にはその内縁がルツボの外周面に近接している環状のフランジ部を有するということができる。
　そして、先願発明のシリコン単結晶引上げ装置においては、その前記（Ａ−４）によれば、引上げ室上方から導入された不活性ガスは、ＳｉＯと共に二重壁で形成された通気路内に入り込み、引上げ室の下方に設けられた不活性ガス排気部から排出されるのであるから、本願発明１と同じように、シリコン単結晶引上げ装置の上部から導入したパージ用不活性ガスを、「内側の断熱シールド」と「外側の断熱シールド」との隙間を流下させてシリコン単結晶引上げ装置の底部から排出することことができるものである。
　よって、両者は、
「半導体単結晶の原料を溶解するるつぼと、このるつぼの周囲にあってるつぼ内の原料を加熱するヒータと、溶解した原料に種子結晶を浸漬して単結晶を引き上げる引き上げ機構とを備えた半導体単結晶製造装置において、前記ヒータの外周面に位置する内筒と、外筒と、を設けるとともに、前記内筒の上端には、内縁がるつぼの外周面に近接している環状のフランジ部を設け、半導体単結晶製造装置の上部から導入したパージ用不活性ガスを、前記内筒と外筒との隙間を流下させて半導体単結晶製造装置の底部から排出する、半導体単結晶製造装置」である点で一致し、以下の点で、表見上、相違する。
【相違点１】当該外筒が、本願発明１では、「前記ヒータを取り巻くように配置した断熱筒の内周面を被覆する外筒」であるとするのに対して、先願発明では、その「筒状の外側の断熱シールド」は、先願明細書の図１の記載からみて明らかなように、ヒーターを取り巻くように設けられているものの、そこに断熱筒を設けることが明示されず、したがって、上記構成を具備しない点。
　以下、先願発明が上記相違点に係る構成を実質上具備するか否かにつき検討する。
　一般に、シリコン単結晶引上げ装置においては、その包囲体（チャンバ）内で、単結晶の原料をヒーターで加熱しつつ単結晶を製造するものであって、その熱効率を高めるため、又は、単結晶製造雰囲気等の製造条件を安定化させために、通常は、その包囲体の内周側には、筒状の保温材（以下、適宜、「保温筒」という）を配置する（必要であれば、例えば、文献１の保温材４の記載、文献２の保温筒１３の記載、文献３の保温筒１４の記載、文献４の保温材２の記載、文献５の円筒状の断熱部材６の記載、文献６の保温筒６の記載、文献７の熱遮蔽体又は断熱材６の記載、等を参照）ものである。
　そして、先願発明においても上記する条件で単結晶が製造されるものであって、その包囲体（外装体）の内側に保温筒を配置することを含み得るものである。
　この場合、保温筒は本願発明１の断熱筒に相当し、また、先願発明においては、その外装体（包囲体）の内側に保温筒を配置する場合には、当該外側の断熱シールド及び保温筒は、「ヒーターを取り巻くように配置した保温筒の内周面を被覆する筒状の外側の断熱シールド」となるところの配置関係を満たし得るものである。
　そうであれば、先願発明では当該相違点に係る構成が具体的に示されないとしても、この分野の技術常識を考慮すれば、先願発明においても、上記の「前記ヒーターを取り巻くように配置した断熱筒の内周面を被覆する外筒」との構成を具備するに等しいといえるものである。
　してみれば、本願発明１が上記相違点１に係る構成を具備することが、両者の実質上の相違点とはなり得ないものであり、本願発明１は先願発明と実質上同一ということができる。
　
IV−２．本願発明７
　先願明細書には、その前記（Ａ−１）〜（Ａ−３）の記載と図１の記載によれば、
「シリコン溶融体を収容する石英製ルツボ、石英製ルツボの外周に設けられたヒーター、石英製ルツボを収納する引上げ室、引き上げ室を形成する外装材、引上げ室の上方に設けられた不活性ガス導入部、引上げ室の下方に設けられた不活性ガス排気部、及び、ヒーターの外周に設けられた断熱シールドからなるシリコン単結晶引上げ装置であって、当該断熱シールドを内外の二重壁で形成し、その二重壁の間の空間を通気路となした、シリコン単結晶引上げ装置」に関する発明（以下、必要に応じて、「先願発明´」という）が記載されているということができる。
　そこで、本願発明７と先願発明´とを対比すると、上記IV−１．で記載した理由と同じ理由により、両者は、
「半導体単結晶の原料を溶解するるつぼと、このるつぼの周囲にあってるつぼ内の原料を加熱するヒータと、溶解した原料に種子結晶を浸漬して単結晶を引き上げる引き上げ機構とを備えた半導体単結晶製造装置において、前記ヒータの外周面に位置する内筒と、外筒と、を設け、半導体単結晶製造装置の上部から導入したパージ用不活性ガスを、前記内筒と外筒との隙間を流下させて半導体単結晶製造装置の底部から排出する、半導体単結晶製造装置」である点で一致する。
　一方、両者は次の点で相違する。
【相違点イ】当該外筒が、本願発明７では、「前記ヒータを取り巻くように配置した断熱筒の内周面を被覆する外筒」であるとするのに対して、先願発明´では、その「外側の断熱シールド」は、先願明細書の図１の記載からみて明らかなように、ヒーターを取り巻くように設けられているものの、そこに断熱筒を設けることが明示されず、したがって、上記構成を具備しない点。
【相違点ロ】当該パージ用不活性ガスを、本願発明７では、「石英るつぼの中心部から周縁部を経てチャンバに設けられた１より多い排気孔に至るガス流を形成させ」とするのに対して、先願発明´ではそのことが明示されない点。
　以下、上記相違点につき検討する。
【相違点イについて】
　本願発明７の外筒については請求項７の記載及び発明の詳細な説明の記載からみて明らかなようにその物性は何ら限定されず、したがって、本願発明７においては、その外筒が断熱性の物性を具備する態様を含み得るものである。
　一方、先願発明´の筒状の外側の断熱シールドは、いうまでもなく、断熱の機能を有するものである。また、当該筒状の外側の断熱シールドは、上記するとおり、ヒーターを取り巻くように設けられている。
　そうであれば、当該相違点において本願発明７と先願発明´とが実際に相違する点は、本願発明７が、内筒の外側に、順に、「断熱性の外筒」及び「断熱筒」を設けるのに対して、先願発明´では、筒状の内側の断熱シールドの外側に、「筒状の外側の断熱シールド」を設ける点でのみ相違すると云えるものである。
　この場合には、外側の断熱部材につき、本願発明７では二部材で構成し、先願発明´では単一部材で構成されるかの違いしかそこには存在しないものである。
　そして、この種の断熱部材につき、その部材の数をどのように定めるかは、部材の断熱性能はもとより、製造の容易さ、経済性、保守容易性等を考慮して当業者が設定し得る単なる設計事項に外ならないものである。
　そうであれば、本願発明７が上記相違点イに係る構成を具備することが、両者の実質上の相違点とはなり得ないものである。
【相違点ロについて】
　先願発明´においては、その（Ａ−４）の記載及び図１の記載からみて明らかなとおり、パージ用不活性ガスが、「石英るつぼの中心部から周縁部を経てチャンバに設けられた排気孔に至るガス流」を形成するものである。
　そして、この種の単結晶製造装置又はシリコン単結晶引上げ装置においては、そのパージ用不活性ガスの排気口を複数個設けることは周知・慣用の技術（必要ならば、文献４の第３頁左上欄第１７行〜右上欄第３行及び第３頁右上欄第１３〜１７行、文献７の第２頁左上欄第１０〜１３行及び第２頁右上欄第１１〜１６行、等を参照）となっており、先願発明´も当該周知・慣用の技術を含み得るものである。
　そうであれば、先願発明´においては、そのパージ用不活性ガスは、本願発明７と同じように、「石英るつぼの中心部から周縁部を経てチャンバに設けられた１より多い排気孔に至るガス流を形成させ」る構成を、実質上、具備するものであるということができる。
　してみれば、本願発明７が上記相違点ロに係る構成を具備することが、両者の実質上の相違点とはなり得ないものである。
　したがって、本願発明７は、先願発明´と同一であるといえる。
　
Ｖ．請求人の主張について
　請求人は、平成１５年５月３０日提出の手続補正書（請求の理由の補正）において、「引用文献１記載の発明によれば、チャンバ１４とＳiＯガスの通気路（断熱シールド４、４との間の通気路）との間に断熱材が存在しないため、通気路はチャンバ１４を介して冷却されてしまい、通気路内でＳiＯガスが凝固しＳiＯガスの堆積物が付着することになります。冷却された通気路によって堆積物の通気路への付着が短時間で進行し炉内圧力が上昇します。」（第４頁第１７〜２１行）と記載し、先願発明では断熱シールド４、４との間の通気路にＳiＯガスの堆積物の付着が短時間で進行する旨主張する。
　しかし、先願発明（ないしは先願発明´）においては、その断熱シールド４及び４は共に断熱性能を有するものであり、したがって、そこでの断熱シールド４と４とで包囲される通気路は、チャンバ１４（外装材１４）を介して冷却される程度は極めて低く、当然のこととして、通気路にＳiＯガスの堆積物の付着が短時間で進行するとまでは云えないものである。
　このことは、先願明細書の実施例において、ＳiＯガスの堆積物の付着によるトラブルを生ずることなく、約７０時間にわたりシリコン単結晶を製造していることからみても明らかなことである。
　そうであれば、請求人の主張は合理的根拠に欠け、失当という外はない。
　
VI．まとめ
　したがって、本願請求項１及び７に係る発明は、本出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開された特願平５−９７０４２号の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一でなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。