【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年5月28日(2010.5.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光に応じて溶滴を操作するのに適したマイクロフルイディック回路であって、
交流(AC)電圧源の第一の端子に結合されるのに適した少なくともひとつの導電層を有する第一の壁と、
交流電圧源の第二の端子に結合されるのに適した第二の壁であって、前記第一の壁と当該第二の壁との間に電界が発生し、当該第二の壁は光に応答し、それにより局所的な光スポットによって照射される第二の壁の一部が局所的な光スポットにより照射されない当該第二の壁の一部よりも高い電界強度を示す、第二の壁と、
前記第一の壁と前記第二の壁との間に規定された空洞であって、前記溶滴を保持するのに適した空洞と、
前記空洞に面した、前記第一の壁に結合された疎水性の内部の裏地と、
を具備し、
前記第一の壁、前記導電層および前記内部の裏地が光を透過する、マイクロフルイディック回路。
【請求項２】
前記第二の壁が光を透過する、
請求項１記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項３】
前記第一の壁の前記導電層はインジウム-スズ酸化物(ITO)ガラスを具備し、前記疎水性の内部の裏地はポリテトラフルオロエチレン(PTFE)を具備する、
請求項１記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項４】
前記第二の壁が
絶縁材料で作られた基板と、
前記空洞に面した絶縁層と、
前記基板と前記絶縁層の間に配置された光導電層と、
前記基板と前記光導電層との間に配置された第一の電極であって、当該第一の電極は交流電圧源の第二の端子に結合するのに適している、第一の電極と、
前記光導電層と前記絶縁層との間に配置された複数の導電セルであって、当該導電セルは電気的に絶縁されており、それにより当該導電セルは電気的に浮いている、複数の導電セルと、
を具備する、請求項１記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項５】
前記絶縁層がシリコン酸化物(SiO2)の層と、空洞に面したポリテトラフルオロエチレン(PTFE)の層とを具備する、
請求項４記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項６】
前記光導電層がアモルファスシリコンを具備する、
請求項4記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項７】
前記第一の電極が水平軸に沿って伸びた導電性の条帯を具備し、複数の前記導電セルが、導電セルが前記導電性の条帯と共に第一の電極から垂直方向には配列されないように、配置されている、
請求項4記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項８】
前記複数の導電セルが水平方位において行と列に配置され、前記第一の電極が垂直方向における前記導電セルの行の間に配置された水平な導体を含む、
請求項4記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項９】
局所的な光スポットを提供するのに適したレーザアセンブリを更に具備する、
請求項１記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項１０】
局所的な光スポットを提供するのに適した発光ダイオード(LED)アレイを更に具備する、
請求項１記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項１１】
前記第二の壁は可視波長の光に応答する、
請求項１記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項１２】
前記第二の壁が、
透明な絶縁材料で作られた基板と、
前記空洞に面した絶縁層と、
前記基板と前記絶縁層との間に配置された複数の導電線であって、当該導電線は前記交流電圧源の第二の端子に結合されている複数の導電線と、
前記基板と前記絶縁層との間に配置された複数の導電セルであって、当該導電セルは前記導電線に隣接した、複数の導電セルと、
複数の光導電セルであって、当該導電セルは導電線を少なくともひとつの当該導電セルに結合されるように構成されている複数の光導電セルと
を具備する、請求項１記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項１３】
前記導電セルは、十分に透明であり、前記第二の壁の一方の第一の区域に影響を及ぼす光に、前記第一の壁の対応する第二の区域を通過させ、照射することを可能にする、
請求項１２記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項１４】
導電材料の層を更に具備し、前記導電セルと前記導電ラインとが前記導電材料の層中に形成されている、
請求項１２記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項１５】
前記溶滴は水溶液を具備する、
請求項１記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項１６】
前記第二の壁は１秒以内に感光する、
請求項1記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項１７】
光に応じて溶滴を操作するのに適したマイクロフルイディック回路であって、
第一の基準電圧源に結合するのに適した第一の光学エレクトロウェッティング構造物であって、当該第一の光学エレクトロウェッティング構造物は、第一の絶縁層と、光に応答する少なくともひとつの第一の領域とを有し、前記第一の領域は、光に応じて、前記第一の基準電圧源を前記第一の絶縁層の少なくとも一部に電気的に結合する、第一の光学エレクトロウェッティング構造物と、
前記第一の光学エレクトロウェッティング構造物から隔てられている第二の光学エレクトロウェッティング構造物であって、当該第二の光学エレクトロウェッティング構造物は第二の基準電圧源に結合するのに適しており、当該第二の光学エレクトロウェッティング構造物は、第二の絶縁層と、光に応答する第二の領域とを有し、前記第二の領域は、光に応じて、前記第二の基準電圧源を前記第二の絶縁層の少なくとも一部に電気的に結合させ、当該第二の光学エレクトロウェッティング構造物の一方の側に入射した光が当該第二の光学エレクトロウェッティング構造物を通過して、前記第一の光学エレクトロウェッティング構造物の対応する光応答領域を露光できるよう、当該第二の光学エレクトロウェッティング構造物が十分に透明である、第二の光学エレクトロウェッティング構造物と、
第一の光学エレクトロウェッティング構造物と第二の光学エレクトロウェッティング構造物との間に規定される空洞であって、溶滴を保持するのに適している空洞と、
を具備するマイクロフルイディック回路。
【請求項１８】
前記第二の光学エレクトロウェッティング構造物は、
透明な絶縁材料で作られた基板と、
前記空洞に面した絶縁層と、
前記基板と前記絶縁層との間に配置された複数の導電線であって、当該導電線は交流電圧源の第二の端子に結合されている複数の導電線と、
前記基板と前記絶縁層との間に配置された複数の導電セルであって、当該導電セルは前記導電線に隣接した、複数の導電セルと、
複数の光導電セルであって、当該光導電セルは前記導電線を少なくともひとつの前記導電セルに結合するように構成されている複数の光導電セルと、
を具備する請求項１７記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項１９】
前記導電セルは十分に透明であり、それにより前記第二の壁の一方の側の第一の区域に影響を及ぼす光に、対応する第一の壁の第二の区域を通過させ、照射する、
請求項１８記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項２０】
導電材料の層を更に具備し、前記導電セルと前記導電線とが前記導電材料の層中に形成されている、
請求項１８記載のマイクロフルイディック回路。
【請求項２１】
電気的にバイアス電圧に結合された第一のプレートと第二のプレートとを提供し、
溶滴を前記第一のプレートと前記第二のプレートとの間に保持し、
前記第一のプレートまたは前記第二のプレートの少なくともひとつの面の一部に選択的に光を照射し、それにより照射された部分が照射されていない区域よりも低い水との接触角を示し、前記溶滴の操作が可能になる、
マイクロスケール実験環境での溶滴の操作方法。
【請求項２２】
前記第一のプレートと前記第二のプレートの少なくともひとつが光導電層を含む、
請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記バイアス電圧が、交流(AC)電圧バイアスを前記第一のプレートと前記第二のプレートに提供し、その結果前記交流電圧バイアスが前記第一のプレートと前記第二のプレートとの間に電界を生じさせる、
請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
前記一部への光の照射が更に光導電層への照射を具備し、照射された部分は照射されていない部分より低い抵抗値を示し、従って前記光導電層に隣接した対応する区域に電界の傾きを生じさせる、
請求項２２記載の方法。
【請求項２５】
前記溶滴は分極性液体である、
請求項２２記載の方法。
【請求項２６】
電気的にバイアス電圧に結合された第一のプレートと第二のプレートとを提供し、
溶滴を前記第一のプレートと前記第二のプレートとの間に保持し、
前記第一のプレートと前記第二のプレートの少なくともひとつの面の一部に選択的に光を照射し、それにより照射された部分は表面での光誘起化学反応なしで照射されていない部分より低い接触角を示し、前記溶滴の操作が可能になる、
マイクロスケール実験環境での溶滴の操作方法。
【請求項２７】
前記照射が単一波長光線の使用を更に具備し、溶滴を操作する。
請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
前記溶滴の操作が、溶滴の輸送、複数の溶滴のひとつの溶滴への結合、ひとつの溶滴の少なくともふたつの溶滴への切断、リザーバからの溶滴の作成のうち、少なくともひとつを具備する、
請求項２６記載の方法。