【事件の表示】
　平成　６年特許願第２３８４７７号「エピタキシャル成長装置のサセプタ」拒絶査定不服審判事件〔平成８年３月２２日出願公開、特開平８−７８３４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．出願の経緯の概要、及び本願発明
　本願は平成６年９月６日の出願であって、その請求項１〜４に係る発明（以下、「本願発明１」〜「本願発明４」という。）は、平成１４年８月３０日に提出された手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりのものと認められるところ、その本願発明３は次のとおりである。
「【請求項３】サセプタに、半導体ウェーハが載置されるポケットを複数備えたエピタキシャル成長装置のサセプタにおいて、
　前記ポケットは、半導体ウェーハのオリエンテーションフラットに相当するオリエンテーションフラット部と、当該オリエンテーションフラット部以外の周縁部とを有し、
　前記ポケットの周縁部に、エピタキシャル成長完了後の半導体ウェーハを取り出すための切り欠き部が形成され、
　前記ポケットは、オリエンテーションフラット部が、隣接しているポケットの周縁部に近接されるとともに、切り欠き部が、隣接しているポケットと干渉しない位置になるように、サセプタ上に一定方向に沿って複数配置されていること
　を特徴とするエピタキシャル成長装置のサセプタ。」
　　
II．証拠の記載事実
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１〜５には、次の記載がある。
（１）引用例１（実願昭５５−１５４４７３号（実開昭５７−０７５７３９号）のマイクロフィルム）
(1-1)「高周波誘導によって加熱される材料よりなり、上面に半導体ウェーハを収容し得る凹部を形成してなるものにおいて、前記凹部が半導体ウェーハのオリエンテーションフラットに対応する直線部分を備えていることを特徴とする半導体製造用サセプタ。」（実用新案登録請求の範囲）
(1-2)「従来この種の半導体装置に用いられる半導体ウェーハ上にエピタキシャル成長層を形成した、いわゆるエピタキシャルウェーハは、例えば第１図のような装置を用いて製造されている。・・・１０はサセプタホルダで、この上にサセプタ１１をガス流入側が低くなるように傾斜させて保持し、サセプタ１１上に半導体ウェーハ１２が保持されている。」（第２頁第１０行〜第３頁第２行）
(1-3)「凹部２１の周縁の一部に半導体ウェーハ１２のＯＦ１２１に対応する直線部分２２を備えている。そして、好ましくは、前記直線部分２２と直交する線分２３がサセプタ２０の長手方向と一致し、かつより好ましくは前記直線部分２２をガス流入側、換言すれば低位置側になるように配置する。」（第６頁第３〜９行）
(1-4)「凹部２１または３１の周縁の一部に、凹部２１または３１と同一の深さかそれよりも若干深い小さい半円状等の小凹部を形成してもよい。そのようにすると、エピタキシャル成長層を形成後、凹部２１または３１からエピタキシャルウェーハを取り出す場合に、前記小凹部にピンセットの先端を挿入できるので、エピタキシャルウェーハを容易に取り出せるという利点がある。」（第７頁第１５行〜第８頁第３行）
　　
（２）引用例２（実願昭６０−０４１６０５号（実開昭６１−１５８９４５号）のマイクロフィルム）
(2-1)「量産用の装置においては多数枚のウエハを一度に処理するため、第４図に示したエピタキシャル成長装置内のサセプタ、ウエハおよびガス吹出用ノズルの上面図のように、サセプタ１２の表面に同心円状に２列以上のウエハ１１載置用の座ぐり群１７と１８を設け、その各々にウエハをのせる方法が用いられている。」（第４頁第６〜１２行）
　　
（３）引用例３（実願昭６１−１５２２５２号（実開昭６３−０５７７３７号）のマイクロフィルム）
(3-1)「第１図（ａ）〜（ｃ）を見るに、ウェハーを載置するための凹部２を有している気相成長用サセプター１の中で、ウェハーよりも小さい狭い部分が凹部２の底として残るように、凹部２の底部の周辺に凹部２よりも深い溝部２Ａ・２Ｂを有している。一般にウェハ−はオリエンテーションフラット（ＯＦ）と称する切り込みがあり、サセプターとしてはこのＯＦ部に対応した形の凹部を有し、その周囲に溝部を形成したものである。」（第５頁第５〜１３行）
　また、上記の第１図（ａ）には、オリエンテーションフラット部の直線部の延長線が、サセプター中心方向に向かうように、放射状に配列させることにより、当該オリエンテーション部を、円周方向にむけて一定方向に配置することが示されている。
　　
III．対比・判断
　本願発明３と、引用例１に記載されたものとを対比すると、引用例１には、半導体製造用サセプタに係る発明が記載されており（摘記1-1）、そして、引用例１に記載された、サセプタ凹部のオリエンテーションフラットに対応する直線部分（摘記1-1）は、本願発明３における、サセプタに設けたポケットのオリエンテーションフラット部に相当する。
　また、引用例１には、凹部２１または３１の周縁の一部に、凹部２１または３１と同一の深さかそれよりも若干深い小さい半円状等の小凹部を形成してもよく、そのようにすると、エピタキシャル成長層を形成後、凹部２１または３１からエピタキシャルウェーハを取り出す場合に、前記小凹部にピンセットの先端を挿入できるので、エピタキシャルウェーハを容易に取り出せることが記載されており（摘記1-4）、この「小凹部」は、本願発明３における「切り欠き部」に相当する。
　また、引用例１には、ウエハを収容する凹部の直線部分２２と直交する線分２３が、サセプタ２０の長手方向と一致し、かつより好ましくは前記直線部分２２をガス流入側、換言すれば低位置側になるように配置することが記載されており（摘記1-3）、してみれば、引用例１には、各凹部の直線部分がガス流入側になるように、複数の凹部を一定方向に配列させることが開示されているといえる。
　また、本願発明３における「エピタキシャル成長装置のサセプタ」は、引用例１における「半導体製造用サセプタ」（摘記1-1）に相当し、本願発明３におけるサセプタの「ポケット」は、引用例１における「凹部」（摘記1-1）に相当し、本願発明３において「半導体ウェーハが載置」される点は、引用例１における「半導体ウェーハを収容」（摘記1-1）することに相当し、本願発明３における「オリエンテーションフラット部」は、引用例１における「オリエンテーションフラットに対応する直線部分」（摘記1-1）に相当する。また、サセプタにウェーハを載置する場合に、当該載置するウェーハを複数枚とすることは、引用例１の第１図（摘記1-2参照）にも示されるとおり、本願出願時通常行われる周知の事項である。
　　
　以上のとおりであるから、本願発明３は、引用例１に記載されたものと、
「サセプタに、半導体ウェーハが載置されるポケットを複数備えたエピタキシャル成長装置のサセプタにおいて、
前記ポケットは、半導体ウェーハのオリエンテーションフラットに相当するオリエンテーションフラット部と、当該オリエンテーションフラット部以外の周縁部とを有し、
前記ポケットの周縁部に、エピタキシャル成長完了後の半導体ウェーハを取り出すための切り欠き部が形成されていること
を特徴とするエピタキシャル成長装置のサセプタ。」の点で一致し、一方、
　　
（イ）本願発明３では、ポケットの配置について、「前記ポケットは、オリエンテーションフラット部が、隣接しているポケットの周縁部に近接される」と特定しているのに対して、引用例１には、そのように明示する記載が見当たらない点、及び、
（ロ）本願発明３では、ポケットの切り欠き部に関して、「切り欠き部が、隣接しているポケットと干渉しない位置になるように、サセプタ上に一定方向に沿って複数配置されている」と特定しているのに対して、引用例１には、当該記載が見当たらない点で、本願発明３は、引用例１に記載されたものと相違している。
　　
　そこで、相違点（イ）及び（ロ）について、以下、検討する。
相違点（イ）について
　引用例１には、ウェーハを収容する凹部の直線部分２２と直交する線分２３が、サセプタ２０の長手方向と一致し、かつより好ましくは前記直線部分２２をガス流入側、換言すれば低位置側になるように配置することが記載されており（摘記1-3）、各凹部の直線部分がガス流入側になるように、複数の凹部を一定方向に配列させることが開示されているといえる。また、引用例３には、サセプタ凹部のオリエンテーションフラットの直線部の延長線を、サセプタ中心方向に向けることにより、当該オリエンテーション部を円周方向にむけて一定方向に配置することが示されている（摘記3-1、第１図(a)）。
　一方、サセプタにウェーハを載置する場合に、当該載置するウェーハを複数枚とすることは、引用例１の第１図（摘記1-2参照）にも示されるとおり、本願出願時通常行われる周知の事項である。そして、その際に、処理効率及び均一性等の点から、サセプタに配置する複数のウェーハ数をできるだけ多くすべく、各ウェーハを近接して配置することは、当業者が容易になし得ることである。
　してみれば、ウェーハを載置する複数のポケットについて、オリエンテーションフラット部を、一定方向に沿って配置させ、隣接しているポケットの周縁部に対向して配置するとともに、これを近接させ、もって、上記相違点（イ）のとおり特定することに、格別の困難性があるとはいえない。
　　
相違点（ロ）について
　引用例１には、凹部にの周縁の一部に、本願発明３の「切り欠き部」に相当する「小凹部」を形成することの記載があるものの（摘記1-4）、その形成位置についての具体的な記載は見当たらない。
　これについて検討すると、引用例１（第１図）のほか、引用例２（第４図）及び引用例３（第１図(a)）にも示されるとおり、サセプタにウェーハを載置する凹部を複数設けることは既知の事項であり、当該複数の凹部に、上記「小凹部」ないし「切り欠き部」を形成するに際しては、エピタキシャル成長後のウェーハ取り出し（摘記1-4参照）上の利便性等の点から、周囲に隣接する凹部と干渉しない位置とすることは、当業者が容易に想到できることである。しかも、引用例１には、上記のとおり、各凹部の直線部分が、ガス流入側になるように、それぞれの凹部を、一定方向に配列させることが開示されており（摘記1-3参照）、また、引用例３には、サセプタ凹部のオリエンテーションフラットの直線部の延長線を、サセプタ中心方向に向けることにより、当該オリエンテーション部を円周方向にむけて一定方向に配置することが示されている（摘記3-1、第１図(a)）。
　してみれば、上記一定方向に沿って配置した複数のサセプタ凹部につき、その周縁部に「小凹部」（摘記1-4）ないし「切り欠き部」を形成する場合に、隣接する凹部に干渉しない形成位置とし、また、一定方向に沿って複数配置するようになすことに、格別の困難性があるとはいえない。
　以上のとおりであるから、引用例１に記載された各「凹部」周縁に形成する「小凹部」（摘記1-4）に相当する、本願発明３の「切り欠き部」に関して、上記相違点（ロ）のとおり特定することに、格別の困難性があるとすることはできない。
　なお、相違点（ロ）における、「サセプタ上に一定方向に沿って複数配置されている」とした点は、請求項３の記載からみて、ポケットの配置状態を記載したものとも読み得るが、この場合についても、上記「相違点（イ）について」及び「相違点（ロ）について」の欄に記載したと同様、引用例１及び３の記載からみて、格別の困難性があるとすることはできない。
　　
　以上、「相違点（イ）について」及び「相違点（ロ）について」の欄に記載したとおり、上記相違点（イ）及び（ロ）とした点については、格別に困難なものとはいえず、したがって、本願発明３は、引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
IV．むすび
　以上のとおり、本願発明３は、引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、本願発明１〜２及び４についてあらためて検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。