【事件の表示】
　特願２０１７−５１９７０３「高効率太陽電池及び高効率太陽電池の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　５月２４日国際公開、ＷＯ２０１８／０９２１７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、２０１６年１１月１５日を国際出願日とする出願であって、以後の主な手続の経緯は、以下のとおりである。
　
　平成２９年　５月　９日：出願審査請求書の提出
　　　　同年　６月　１日：拒絶理由通知（６月６日発送）
　　　　同年　７月　６日：意見書の提出
　　　　同年　９月　５日：拒絶査定（９月１２日送達）
　　　　同年１２月　８日：審判請求書の提出
　平成３０年　９月１４日：拒絶理由通知（９月１８発送）
　　　　同年１１月１５日：手続補正書・意見書の提出　
　  
第２　本願発明  
　本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成３０年１１月１５日付け手続補正により補正された請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その
請求項１
          
　「第１導電型を有する半導体基板を備え、該半導体基板の第１主表面に、前記第１導電型と反対の導電型である第２導電型を有するエミッタ領域と、前記エミッタ領域に接するエミッタ電極と、前記第１導電型を有するベース領域と、前記ベース領域に接するベース電極と、前記エミッタ領域と前記ベース領域の電気的短絡を防ぐ絶縁膜とを備えた太陽電池であって、
　
前記絶縁膜が前記エミッタ領域と前記ベース電極を電気的に絶縁するように形成されており
　
前記絶縁膜が前記ベース領域と前記エミッタ電極を電気的に絶縁するように形成されており、
　
前記絶縁膜が前記エミッタ電極と前記ベース電極を電気的に絶縁するように形成されており、
　前記絶縁膜はポリイミドからなり、
　前記絶縁膜はＴＯＦ−ＳＩＭＳ法においてＢｉ５＋＋イオンを加速電圧３０ｋＶで０．２ｐＡ照射された際のＣ６Ｈ１１Ｏ２検出カウント数が１００以下であることを特徴とする太陽電池。」（なお、下線は、請求人が手続補正書において付したものである。）　
　　　　　             　　　             
第３　刊行物の記載　　　　　　　  
１　引用文献　
（１）平成３０年９月１４日付け拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）に引用した、特開２０１６−７２４６７号公報（２０１６年年５月９日公開。以下「引用文献」という。）には、図とともに以下の記載がある（なお、下線は当審で付した。以下同じ。）。
  　 
　ア　「【請求項１】 
　一方の主表面を受光面とし、もう一方の主表面を裏面とする第１導電型の半導体基板を備え、該半導体基板が、前記裏面において、前記第１導電型の領域と、前記第１導電型と反対の導電型である第２導電型の領域とを有するものである太陽電池であって、 
　前記第１導電型の領域に接合された第１のコンタクト部と、該第１のコンタクト部上に形成された第１の集電部とからなる第１のフィンガー電極、 
　前記第２導電型の領域に接合された第２のコンタクト部と、該第２のコンタクト部上に形成された第２の集電部とからなる第２のフィンガー電極、 
　前記第１の集電部と電気的に接合された第１のバスバー電極、及び、 
　前記第２の集電部と電気的に接合された第２のバスバー電極 
　を備え、 
　少なくとも前記第１のバスバー電極及び前記第２のバスバー電極の直下の全域に絶縁膜を備え、該絶縁膜上において、前記第１の集電部及び前記第１のバスバー電極、並びに前記第２の集電部及び前記第２のバスバー電極の前記電気的な接合がされたものであり、 
　少なくとも前記絶縁膜の直下において、前記第１のコンタクト部及び前記第２のコンタクト部がライン状に連続したものであることを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
　……
【請求項４】
　前記絶縁膜が、シリコーン樹脂、
ポリイミド樹脂
【請求項５】
　……　
【請求項６】
　前記第１の集電部、前記第２の集電部、前記第１のバスバー電極及び前記第２のバスバー電極が、
Ａｇ、Ｃｕ
　　　　　 
　イ　「【背景技術】
【０００２】
　……
【０００５】
  裏面電極型太陽電池を高効率化するために、発電層であるＰ型拡散層をできる限り広くすると短絡電流の増加が期待できる。このため、Ｐ型拡散層とＮ型拡散層の面積割合は８０：２０〜９０：１０とＰ型拡散層の領域を広く形成することが望ましい。また、基板とコンタクト電極の接触面積（以下、コンタクト面積とも記載する。）をできるだけ小さくしてパッシベーション領域を広くすると開放電圧の増加が期待できるため、
コンタクト電極の形状を、細いラインや、ドット状とすることによりコンタクト領域をできるだけ小さく設計することが望ましい
【０００６】
　……
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　上述のように、
コンタクト面積を減少させつつ、フィンガー電極の断面積を大きくし
このため裏面電極型太陽電池において電極構造を立体構造とすること等が検討されている
【００１０】
　本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、
パッシベーション領域が広く、配線抵抗が低く、並列抵抗が高く、変換効率の高い太陽電池を提供する
　
　ウ　「【００２８】
　なお、本明細書では半導体基板、特に、
第１導電型の領域及び第２導電型の領域とコンタクトを形成している電極のことをコンタクト部と定義する
　
　エ　「【発明を実施するための形態】
【００３３】
　……
【００４２】 
　以下、本発明の太陽電池について図面を参照して具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下、第１導電型の半導体基板がＮ型シリコン基板である場合（すなわち、
第１導電型がＮ型、第２導電型がＰ型
 【００４３】 
［太陽電池（裏面電極型太陽電池セル）］ 
　図１は、本発明の太陽電池の一例を示す上面模式図である。図２は、本発明の太陽電池の一部分を拡大した拡大図である。また、図３〜５は、本発明の太陽電池の一部分を拡大した断面模式図である。なお、図３は、図１に示す太陽電池のａ−ａ’断面図、図４は、図１に示す太陽電池のｂ−ｂ’断面図、図５は図１に示す太陽電池のｃ−ｃ’断面図である。 
【００４４】 
　本発明の太陽電池１０は、図１に示すように、一方の主表面を受光面とし、もう一方の主表面を裏面とする第１導電型の半導体基板１３を備える。太陽電池１０は、図３〜５に示すように、この半導体基板が、裏面において、
第１導電型の領域（Ｎ型拡散層）２０と、第１導電型と反対の導電型である第２導電型の領域（Ｐ型拡散層）２１とを有するものである太陽電池、いわゆる裏面電極型太陽電池である
【００４５】 
　更に、図２〜５に示すように、太陽電池１０は、第１導電型の領域２０に接合された第１のコンタクト部２６と、第１のコンタクト部２６上に形成された第１の集電部３５とからなる第１のフィンガー電極を備える。また、第２導電型の領域２１に接合された第２のコンタクト部２７と、第２のコンタクト部２７上に形成された第２の集電部３６とからなる第２のフィンガー電極を備える。また、第１の集電部３５と電気的に接合された第１のバスバー電極３７を備える。また、第２の集電部３６と電気的に接合された第２のバスバー電極３８を備える。 
【００４６】 
　…… 
【００４９】 
　更に、太陽電池１０は、図２に示すように、少なくとも第１のバスバー電極３７及び第２のバスバー電極３８の直下の全域に絶縁膜２４、２５を備える。また、絶縁膜２４上において、第１の集電部３５及び第１のバスバー電極３７が電気的に接合されている。また、絶縁膜２５上において、第２の集電部３６及び第２のバスバー電極３８が電気的に接合されている。 
【００５０】 
　
絶縁膜２４、２５は、通常、第１のバスバー電極３７、第２のバスバー電極３８の直下のコンタクト部上においては、第１コンタクト部２６、第２コンタクト部２７の上部及び側部を覆うことができる厚みで形成されている
　更に、図２〜５に示すように、太陽電池１０は、少なくとも絶縁膜２４、２５の直下において、第１のコンタクト部２６及び第２のコンタクト部２７がライン状に連続したものである。図５に示すように、太陽電池１０において、異なる導電型用のバスバー電極とフィンガー電極は絶縁膜２４、２５を介して物理的に接合することができる。
すなわち、異なる導電型用のバスバー電極と集電部は電気的に接合されていない（離間している。）
すなわち、同じ導電型用のバスバー電極と集電部は、絶縁膜上において電気的に接合されている
【００５２】
　このような太陽電池であれば、絶縁膜を設けることによって、バスバー電極とフィンガー電極を立体構造とすることができる。これにより、バスバー電極の本数を増やし、フィンガー電極の長さを短くすることができる。また、バスバー電極が直接シリコン基板と接触することがないため、シャントが発生しない。さらに、バスバー電極の直下の全域に絶縁膜が形成されていることにより、バスバー電極形成時の工程不良を発生させることなく、
第１のフィンガー電極と第２のバスバー電極をより確実に絶縁し、第２のフィンガー電極と第１のバスバー電極をより確実に絶縁することができる
【００５３】
　……
【００５５】
［コンタクト部］
　第１のコンタクト部及び第２のコンタクト部の材料としては、例えば、
銀粉末とガラスフリットを有機物バインダで混合した流動性のあるペースト（以下、焼結ペーストとも記載する。）を用いることができる
【００５６】
　上述のように、
絶縁膜の直下において、基板自体と直接結合するコンタクト部がライン状に連続して形成されたものである必要があるが、その他の箇所において、コンタクト部の形状は特に限定されない
ドット状
【００５７】
　……
【００６２】
［集電部、バスバー電極］
　集電部及びバスバー電極は、
Ａｇ、Ｃｕ
導電性物質
　　　　
　オ　「【０１０３】 
［実施例１］ 
　実施例１では、図２、７に示すようなパターンのコンタクト部、絶縁膜、集電部及びバスバー電極を形成した（図６（ｊ）〜（ｌ））。 
【０１０４】 
　まず、幅１００μｍのライン状のパターンのコンタクト部を形成した。具体的には、拡散層上の所定の箇所にＡｇ粒子、ガラスフリット、バインダー、溶剤からなる導電性ペースト（焼結ペースト）をスクリーン印刷により塗布し、乾燥、７００℃、５分の焼成を行い、第１のコンタクト部２６及び第２のコンタクト部２７を形成した。次に、バスバー電極直下に、上記フィンガー電極（コンタクト部）と直交するように、幅３ｍｍ（フィンガー電極長手方向）、長さ１５０ｍｍ（バスバー電極長手方向）の絶縁膜を形成した。
絶縁膜の材料として、ポリイミドペーストを用い、このペーストをスクリーン印刷により所定の箇所に塗布し、１５０℃で、２０分加熱し硬化させ、絶縁膜を形成した
【０１０５】 
　次に、幅１００μｍの集電部と、１．２ｍｍ幅で長さが１４８ｍｍのバスバー電極を同時に形成した。集電部とバスバー電極の材料としては、Ａｇ粒子と、熱硬化樹脂からなる導電性ペースト（熱硬化ペースト）を用いた。この熱硬化ペーストをスクリーン印刷により塗布し、乾燥し、２００℃で３０分間加熱して硬化させ、第１の集電部３５、第２の集電部３６、第１のバスバー電極３７及び第２のバスバー電極３８を同時に形成した。」　 
 　　 
　カ　図１は、以下のものである（上面模式図）。 
 　 
　キ　図２ないし図５は、以下のものである。
　　　図２（一部分を拡大した拡大図）
　 
　　　図３（図１における、ａ−ａ’断面）　 
  　 
　　　図４（図１における、ｂ−ｂ’断面） 
 
　　　図５（図１における、ｃ−ｃ’断面） 
 　　 
 （２）引用文献の記載から把握できる事項
　ア　上記（１）アの記載からして、引用文献には、 
　「一方の主表面を受光面とし、もう一方の主表面を裏面とする第１導電型の半導体基板を備え、該半導体基板が、前記裏面において、前記第１導電型の領域と、前記第１導電型と反対の導電型である第２導電型の領域とを有するものである太陽電池であって、 
　前記第１導電型の領域に接合された
第１のコンタクト部
　前記第２導電型の領域に接合された
第２のコンタクト部
　前記第１の集電部と電気的に接合された第１のバスバー電極、及び、 
　前記第２の集電部と電気的に接合された第２のバスバー電極 
　を備え、 
　
少なくとも前記第１のバスバー電極及び前記第２のバスバー電極の直下の全域に絶縁膜を備え、該絶縁膜上において、前記第１の集電部及び前記第１のバスバー電極、並びに前記第２の集電部及び前記第２のバスバー電極の前記電気的な接合がされたものであり
　少なくとも前記絶縁膜の直下において、前記第１のコンタクト部及び前記第２のコンタクト部がライン状に連続したものである、太陽電池。」が記載されているものと認められる。 
  
　イ　上記（１）イの記載からして、上記アの「太陽電池」は、
　コンタクト面積を減少させつつ、パッシベーション領域を広くした、太陽電池であることが理解できる。
　
　ウ　上記（１）エの記載を踏まえて、図３ないし図５を見ると、以下のことが理解できる。 
（ア）上記アにおける「第１導電型の半導体基板」は、Ｎ型シリコン基板１３であってもよいこと。 
（イ）上記アにおける「第１導電型」はＮ型であり、「第２導電型」はＰ型であってもよいこと。 
（ウ）上記アの「第１導電型の領域」はＮ型拡散層２０であり、「第２導電型の領域」はＰ型拡散層２１であること。 
（エ）上記アの「太陽電池」は、裏面電極型太陽電池１０であること。
      　
　エ　また、上記（１）エの記載を踏まえて、図１及び図２を見ると、以下のことが理解できる。
（ア）図２は、図１において、絶縁膜２４が左となる位置を拡大したものであること。
（イ）「第１のコンタクト部２６」は、
絶縁膜２５
（ウ）「第２のコンタクト部２７」は、
絶縁膜２４
（エ）「（左右に延びる）第１の集電部３５」は、
絶縁膜２４上
（オ）「（左右に延びる）第２の集電部３６」は、
絶縁膜２５上
　
　オ　上記（１）オの［実施例１］に関する記載からして、
　上記アの「絶縁膜」は、ポリイミドペーストを硬化させてなる絶縁膜であってもよいことが理解できる。
　 　 
２　引用文献に記載された発明
　上記１（２）の検討からして、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　                        　
　「Ｎ型シリコン基板１３を備え、該Ｎ型シリコン基板１３が、前記裏面において、Ｎ型拡散層２０とＰ型拡散層２１とを有する裏面電極型太陽電池であって、　　
　前記Ｎ型拡散層２０に接合された第１のコンタクト部２６と該第１のコンタクト部２６上に形成された第１の集電部３５とからなる第１のフィンガー電極と、 
　前記Ｐ型拡散層２１に接合された第２のコンタクト部２７と該第２のコンタクト部２７上に形成された第２の集電部３６とからなる第２のフィンガー電極と、 
　前記第１の集電部３５と電気的に接合された第１のバスバー電極３７と、
　前記第２の集電部３６と電気的に接合された第２のバスバー電極３８と、
を備え、 
　前記第１のバスバー電極３７及び前記第２のバスバー電極３８の直下の全域に、
ポリイミドペーストを硬化させてなる絶縁膜
　前記絶縁膜２４上において第１の集電部３５と第１のバスバー電極３７が電気的に接合され、 
　前記絶縁膜２５上において第２の集電部３６と第２のバスバー電極３８が電気的に接合され 
　前記第１のコンタクト部２６及び前記第２のコンタクト部２７は、前記絶縁膜（２４、２５）の直下において、ライン状に連続して形成されたものである、　
　裏面電極型太陽電池。」 
 　 　 　　　　　　　  　　   　
第４　対比・判断
１　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「Ｎ型シリコン基板１３」は、本願発明の「第１導電型を有する半導体基板」に相当する。
　以下、同様に、
　「裏面」は、「第１主表面」に、
　「Ｐ型拡散層２１」は、「第１導電型と反対の導電型である第２導電型を有するエミッタ領域」に、
　「Ｎ型拡散層２０」は、「第１導電型を有するベース領域」に、　
　「ポリイミドペーストを硬化させてなる絶縁膜（２４、２５）」は、「『ポリイミドからな』る『絶縁膜』」に、
　「裏面電極型太陽電池」は、「太陽電池」に、それぞれ、相当する。
　
（２）ア　引用文献の【００２８】における「……第１導電型の領域及び第２導電型の領域とコンタクトを形成している電極のことをコンタクト部と定義する。」（摘記ウを参照。）との記載からして、
　引用発明の「第１のコンタクト部２６」及び「第２のコンタクト部２７」は、電極と呼べるものである。
　
　イ　そうすると、引用発明の「Ｎ型拡散層２０に接合された第１のコンタクト部２６」及び「Ｐ型拡散層２１に接合された第２のコンタクト部２７」は、本願発明の「ベース領域に接するベース電極」及び「エミッタ領域に接するエミッタ電極」に、それぞれ、相当する。　
　
（３）ア　次に、本願発明の「絶縁膜がエミッタ領域とベース電極を電気的に絶縁するように形成されており、
　前記絶縁膜がベース領域と前記エミッタ電極を電気的に絶縁するように形成されており、
　前記絶縁膜が前記エミッタ電極とベース電極を電気的に絶縁するように形成されており」の意味について、本願明細書の記載を参酌して検討する。　
　
　イ　本願明細書には、図とともに、以下の記載がある。
（ア）「【００３９】
　また、図１に示すように、本発明の太陽電池１００は、絶縁膜１１８がエミッタ領域１１２とベース電極１２３を電気的に絶縁するように形成されていることが好ましい。このような太陽電池であれば、絶縁膜により、エミッタ領域とベース電極の電気的短絡を防ぐことができる。
【００４０】
　また、図１に示すように、本発明の太陽電池１００は、絶縁膜１１８がベース領域１１３とエミッタ電極１２２を電気的に絶縁するように形成されていることが好ましい。このような太陽電池であれば、絶縁膜により、ベース領域とエミッタ電極の電気的短絡を防ぐことができる。
【００４１】
　また、図１に示すように、本発明の太陽電池１００は、絶縁膜１１８がエミッタ電極１２２とベース電極１２３を電気的に絶縁するように形成されていることが好ましい。このような太陽電池であれば、絶縁膜により、エミッタ電極とベース電極の電気的短絡を防ぐことができる。」　
　
（イ）「【００５１】
　次に、エミッタ領域１１２とベース領域１１３の電気的短絡を防ぐ絶縁膜１１８としてカルボキシ基を含まないポリイミドを形成する。図１に示した裏面構造の太陽電池の場合、絶縁膜１１８を、エミッタ領域１１２と
ベースバスバー１３３の交差箇所、及び、ベース領域１１３とエミッタバスバー１３２の交差箇所に形成する
　
（ウ）図１は、以下のものである。
　ウ　上記イの記載を踏まえて、図１を見ると、以下のことが理解できる。
（ア）左右方向に、「ベース領域１１３」、「ベース電極１２３」、「エミッタ領域１１２」及び「エミッタ電極１２２」が形成されていること。
（イ）縦方向に、「エミッタバスバー１３２」及び「ベースバスバー１３３」が形成されていること。
（ウ）「絶縁膜１１８」は、「エミッタ領域１１２」と「ベースバスバー１３３」の交差箇所、及び「ベース領域１１３」と「エミッタバスバー１３２」の交差箇所に形成すされていること。
　
　エ　上記ウの理解を前提にすると、
　「絶縁膜１１８」は、「ベース電極（エミッタ電極）」と「ベースバスバー（エミッタバスバー）」が交差する箇所に設けら、
　「エミッタ領域１１２」と「ベースバスバー１３３」を電気的に絶縁するとともに、「ベース領域１１３」と「エミッタバスバー１３２」を電気的に絶縁するものであることが理解できる。　
　
　オ　以上の検討を踏まえると、
　本願発明の「絶縁膜がエミッタ領域とベース電極を電気的に絶縁するように形成されており、
　前記絶縁膜がベース領域と前記エミッタ電極を電気的に絶縁するように形成されており、
　前記絶縁膜が前記エミッタ電極とベース電極を電気的に絶縁するように形成されており」とは、
　絶縁膜を、「エミッタ領域１１２」と「ベース領域１１３」とが「ベースバスバー（エミッタバスバー）」を介して電気的に短絡しないように形成することを意味しているものと解さされる。
　
　カ　一方、引用発明においては、「
絶縁膜２４上
　
絶縁膜２５上
　引用発明の「絶縁膜（２４、２５）」は、「Ｎ型拡散層２０（ベース領域）」と「Ｐ型拡散層２１（エミッタ領域）」とが、「第１のバスバー電極３７（ベースバスバー）」及び「第２のバスバー電極３８（エミッタバスバー）」を介して電気的に短絡しないように形成されていることは、明らかである。
  　
　キ　上記アないしカより、
　本願発明と引用発明とは、
絶縁膜について
　「エミッタ領域とベース領域の電気的短絡を防ぐ絶縁膜を備え、
　前記絶縁膜がエミッタ領域とベース電極を電気的に絶縁するように形成されており、
　前記絶縁膜がベース領域とエミッタ電極を電気的に絶縁するように形成されており、
　前記絶縁膜がエミッタ電極とベース電極を電気的に絶縁するように形成されている」点で一致する。
　
（４）以上のことから、本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。
　＜一致点＞  
　「第１導電型を有する半導体基板を備え、該半導体基板の第１主表面に、前記第１導電型と反対の導電型である第２導電型を有するエミッタ領域と、前記エミッタ領域に接するエミッタ電極と、前記第１導電型を有するベース領域と、前記ベース領域に接するベース電極と、
　前記エミッタ領域と前記ベース領域の電気的短絡を防ぐ絶縁膜とを備えた太陽電池であって、
　前記絶縁膜が前記エミッタ領域と前記ベース電極を電気的に絶縁するように形成されており、
　前記絶縁膜が前記ベース領域と前記エミッタ電極を電気的に絶縁するように形成されており、
　前記絶縁膜が前記エミッタ電極と前記ベース電極を電気的に絶縁するように形成されており、
　前記絶縁膜はポリイミドからなる、太陽電池。」
　　  　　　 　
（５）一方で、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点＞
　絶縁膜に関して、
　本願発明は、「ＴＯＦ−ＳＩＭＳ法においてＢｉ５＋＋イオンを加速電圧３０ｋＶで０．２ｐＡ照射された際のＣ６Ｈ１１Ｏ２検出カウント数が１００以下である」のに対して、
　引用発明は、そのようなものであるか否か不明である点。
２　判断
（１）上記＜相違点＞について検討する。
　ア　本願発明において、「『ＴＯＦ−ＳＩＭＳ法においてＢｉ５＋＋イオンを加速電圧３０ｋＶで０．２ｐＡ照射された際のＣ６Ｈ１１Ｏ２検出カウント数が１００以下である』『ポリイミド』」を採用する技術的意義について、本願明細書の記載を参酌して検討する。 
 　 
（ア）本願明細書には、以下の記載がある。 
　「【００３７】
　本発明の太陽電池では、絶縁膜１１８はポリイミドからなり、かつ、絶縁膜１１８は
飛行時間型二次イオン質量分析（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）法
Ｂｉ５＋＋イオン（ビスマス５量体の２価イオン）を加速電圧３０ｋＶで０．２ｐＡ（ピコアンペア）照射された際のＣ６Ｈ１１Ｏ２検出カウント数が１００以下である。この検出カウント数は概ねＴＯＦ−ＳＩＭＳ法の検出下限程度である。また、
カルボキシ基を含む有機物は、ＴＯＦ−ＳＩＭＳにおいてＢｉイオン照射により弾き出される２次イオンのうち、例えばｍ／ｚ値（ｍ：イオン質量数、ｚ：イオン電荷数）が１１５付近に現れるＣ
６
Ｈ
１１
Ｏ
２
のピークとして検出できる
電気抵抗を悪化させていると考えられる
【００３７】
　……従って、本発明の太陽電池は、絶縁膜がカルボキシ基をほとんど又は全く含まないポリイミドからなるものであるとも言える。絶縁膜にカルボキシ基を含む有機物が残存する、すなわち、当該カウント数が１００を超えると耐候性が著しく低下する。この理由は未だ明確にはなっていないが、絶縁膜の吸湿に伴ってアミック酸由来のカルボキシ基に起因してカルボン酸が生成され、電極自体あるいは電極とシリコンの界面に作用して
電気抵抗を悪化させていると考えられる
　
　「【００５３】
　……従って、本発明の方法においては、
ＴＯＦ−ＳＩＭＳ法においてＢｉ
５
＋＋
イオンを加速電圧３０ｋＶで０．２ｐＡ照射された際のＣ
６
Ｈ
１１
Ｏ
２
検出カウント数が１００以下である本硬化後の絶縁膜を、カルボキシ基を含まないポリイミドからなる絶縁膜とみなしても良い
【００５４】 
　
絶縁膜にカルボキシ基を含む有機物が残存すると耐候性が著しく低下する。
電気抵抗を悪化させていると考えられる
　……
【００５６】 
　しかしながら、好ましくは
アミック酸を含まない絶縁膜前駆体を使用するのが良い
 　 
（イ）上記記載から、以下のことが理解できる。
　ａ　「カルボキシ基を含む有機物」は、飛行時間型二次イオン質量分析（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）法においてＣ６Ｈ１１Ｏ２のピークとして検出でき、その検出カウント数が１００以下であれば、カルボキシ基を含まないものと見なせること。
　ｂ　絶縁膜にカルボキシ基を含む有機物が残存すると、耐候性が著しく低下したり、電気抵抗を悪化させること。
　
（ウ）そうすると、上記「『ＴＯＦ−ＳＩＭＳ法においてＢｉ５＋＋イオンを加速電圧３０ｋＶで０．２ｐＡ照射された際のＣ６Ｈ１１Ｏ２検出カウント数が１００以下である』『ポリイミド』」を採用する技術的意義は、
　「カルボキシ基を含む有機物（アミック酸）が存在しない絶縁膜」を採用することにより、耐候性が低下したり、電気抵抗を悪化させることを防止することにあるものと解される。 
　
　イ（ア）ところで、当審拒絶理由において、銅や銀等とポリアミック酸が接触すると化学反応を引き起こすこと、ポリアミック酸が残留すると耐湿性や耐腐食性などが低下すること、ポリアミック酸を経由しないでポリイミドを形成できることは、本願の出願日時点で周知であることを指摘した（必要ならば、下記の文献を参照。）。
  　　
　特開２０１２−６９５９４号公報（【００３２】）
　特開平１１−５２５７２号公報（【０００９】ないし【００１１】）
　特開平１０−４２６３号公報（【０００５】） 
　特開平８−１４８３３９号公報（【０００３】）
　特開平６−７３３３８号公報（【０００３】及び【０００４】） 
　特開平２−１６７７４１号公報（第３頁右上欄ないし同頁左下欄）
　特開平１−１２９２３３号公報（第２頁右上欄ないし同頁左下欄） 
　 　            　　
（イ）そして、引用発明の「（ライン状に連続して形成された）第１のコンタクト部２６及び第２のコンタクト部２７」は、引用文献の【００５５】の記載からして、
導電性粒子を含む焼結ペースト
導電性物質を含有する樹脂材料
　
（ウ）してみると、引用発明の「ポリイミドペーストを硬化させてなる絶縁膜（２４、２５）」の中に「カルボキシ基を含む有機物（アミック酸）」が存在すると、導電性粒子（導電性物質）である銀粉末や銅粉末と化学反応を引き起こしたり、耐湿性、耐腐食性及び電気的特性などが低下するおそれのあることは、当業者が予測し得ることである。
　
　ウ　そうすると、上記周知技術を考慮して、引用発明の「（絶縁膜を形成するための）ポリイミドペースト」として「アミック酸を含まないポリイミドペースト」を採用し、化学反応を引き起こしたり、耐湿性、耐腐食性及び電気的特性などが低下することのないようにすることに、何ら困難性は認められない。
 　 
　エ　上記ウのようにした引用発明の「ポリイミドペーストを硬化させてなる絶縁膜（２４、２５）」は、「カルボキシ基を含まないポリイミドからなる絶縁膜（２４、２５）」であるから、「ＴＯＦ−ＳＩＭＳ法においてＢｉ５＋＋イオンを加速電圧３０ｋＶで０．２ｐＡ照射された際のＣ６Ｈ１１Ｏ２検出カウント数が１００以下」となる。 
                    　
　オ　よって、引用発明において、上記＜相違点＞に係る本願発明の構成を備えることは、当業者が周知技術に基いて容易になし得たことである。
  　　　 　   　 　 　　 
（２）効果 
　本願発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果及び周知技術の奏する効果から予測し得る範囲内のものである。
　
３　平成３０年１１月１５日提出の意見書について
（１）請求人は、意見書において、以下のように主張するので、この点について検討する。　
　  　
　「
文献Ｃの［００４３］段落には、ポリイミド樹脂溶液組成物を太陽電池の表面保護膜などの用途に用いることが例示されています
　　
　ア　請求人が指摘する文献Ｃ（特開平６−７３３３８号公報）には、以下の記載がある。
　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低温・短時間の熱処理によって接着性、耐熱性、
電気的特性
　
　「【０００３】
　……
特に電子部品の絶縁保護膜に用いる場合
　
　「【００４３】
　……
太陽電池の表面保護膜
　
　イ　また、太陽電池において、絶縁膜の材料としてポリイミド樹脂は、汎用されている材料である（必要ならば、例えば、特開２００６−２０３０５６号公報の【０００６】及び国際公開第２０１５／１９００２４号の請求項５を参照。）。
　ウ　そうすると、文献Ｃの記載に接した当業者は、文献Ｃに記載された「ポリイミド樹脂膜」は、太陽電池の表面保護膜だけではなく、太陽電池の絶縁膜としても利用できると認識できる。
　        　
（２）よって、請求人の主張は、上記「２」の判断を左右するものではない。
　　　  　
４　まとめ
　本願発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。　
　　　
第５　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　
　よって、結論のとおり審決する。