【事件の表示】
　特願２０１６−１１０７５６「セレン化１３族ナノ粒子」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年１１月２４日出願公開，特開２０１６−１９７７２４，請求項の数（１４）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１３年（平成２５年）７月５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１２年７月９日，米国）を国際出願日とする特願２０１５−５２１０８４号の一部を，平成２８年６月２日に新たな特許出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２８年　６月１５日　　　手続補正書の提出
平成２９年　３月２２日付け　拒絶理由通知書
平成２９年　５月２５日　　　意見書・手続補正書の提出
平成２９年１０月１８日付け　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成３０年　２月２１日　　　審判請求書・手続補正書の提出
平成３０年１１月２０日付け　拒絶理由（以下，「当審拒絶理由」という。）通知書
平成３１年　２月１９日　　　意見書・手続補正書の提出
第２　本願発明
　本願請求項１−１４に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明１４」という。）は，平成３１年２月１９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１４に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１−本願発明１４は以下のとおりの発明である。
　「　　【請求項１】
　Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２半導体膜を形成する方法において，
　ＣｕＳｅナノ粒子及びセレン化１３族ナノ粒子を基板上に共堆積する工程と，
　前記ＣｕＳｅナノ粒子及び前記セレン化１３族ナノ粒子が融解するのに十分な温度に前記基板を加熱する工程と，
を含んでおり，
　前記セレン化１３族ナノ粒子は，セレン化１３族半導体と，炭素−セレン共有結合によって前記セレン化１３族ナノ粒子に結合している有機キャッピングリガンドとを含んでおり，
　前記温度は，前記セレン化１３族ナノ粒子に結合している有機キャッピングリガンドを除去するのに十分な温度である方法。
　　【請求項２】
　前記セレン化１３族に結合している有機キャッピングリガンドは，アルキル，アルケニル，アルキニル，又は，アリール基である，請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　前記半導体膜は，硫黄を含んでいない，請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】
　１３族イオン前駆体をセレノール化合物と反応させる工程を含む方法によって，前記セレン化１３族ナノ粒子は調製されている，請求項１に記載の方法。
　　【請求項５】
　前記１３族イオン前駆体は，１３族元素の塩化物，アセテート，又はアセチルアセトネートである，請求項４に記載の方法。
　　【請求項６】
　前記１３族イオン前駆体は，ＩｎＣｌ３，Ｉｎ（ＯＡｃ）３，Ｉｎ（ａｃａｃ）３，ＧａＣｌ３，Ｇａ（ＯＡｃ）３，及びＧａ（ａｃａｃ）３からなる群から選択される，請求項４に記載の方法。
　　【請求項７】
　前記セレノール化合物は，アルキル，アルケニル，アルキニル，又は，アリールセレノールである，請求項４に記載の方法。
　　【請求項８】
　前記セレノール化合物は，４乃至１４個の炭素原子を含む，請求項４に記載の方法。
　　【請求項９】
　前記セレノール化合物は，オクタンセレノールである，請求項４に記載の方法。
　　【請求項１０】
　前記１３族イオン前駆体に，第２のセレン化合物を加える工程を更に含む，請求項４に記載の方法。
　　【請求項１１】
　前記第２のセレン化合物は，トリオクチルホスフィンセレニドである，請求項１０に記載の方法。
　　【請求項１２】
　前記セレン化１３族ナノ粒子の直径は，約２００ｎｍよりも小さい，請求項４に記載の方法。
　　【請求項１３】
　前記セレン化１３族ナノ粒子の直径は，約２乃至約１００ｎｍである，請求項４に記載の方法。
　　【請求項１４】
　前記セレン化１３族ナノ粒子の直径は，約１０ｎｍ未満である，請求項４に記載の方法。」
第３　引用文献及び引用発明
　１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特表２０１０−５２５５６６号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，薄膜材料，その製造，及びそれから作製されるデバイスに関し，特に傾斜多接合薄膜半導体構造に関する。」
「【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　幅広い支持を得るべく，薄膜ＰＶ電池は，光子エネルギーの電流への高い変換効率を示すと共に，屋外の環境において，長年に亘り，理想的には３０年以上，確実に動作しなければならない。ＣｄＴｅとＣＩＳを用いた技術は，長期の安定性を実証している。しかし，性能の低下も観測されている。電流薄膜デバイスの効率は，理論上の最大値の６５％（実験室レベルでは７５％）に達し，いまだ，究極の達成可能な性能の９０％を実証している単結晶シリコンとＧａＡｓ電池に遅れをとっている。薄膜技術の効率の改良は，多接合と傾斜材料を通じて成し遂げることが可能である。例えば，ＣＩＳの研究は，ガリウムを添加すること，ＣＩＧＳと呼ばれる化合物を形成すること，ＧａとＩｎの濃度勾配を示すことが，より良い効率を導くということを明らかにしている。」
「【００１７】
１．製造方法
　先ず図１及び図２を参照する。ここで，図１及び図２はそれぞれ，代表的な一連の過程１００，及び，本発明の実施形態を実行する操作装置を図示している。一連の過程は，図１に示されたフローチャートに詳述されている工程を有し，該装置を利用して図２に図示されている中間及び最終の構造を得る。
最初の工程１１０において，基板２００と，予め作製されたナノ粒子の異なる分散液を含む流動性を有する複数の印刷塗料とを，更に以下で説明される様に，用意する。印刷塗料２０２ａを，工程１１２にて第１層用に選択し，そして工程１１４において，この塗料を，プリンタ２０４を用いて基板２００上に印刷する。
任意工程１１８において，堆積層を，熱源２０６を用いて乾燥させると共にアニールして，連続膜２０８を形成する。「アニール」は，ナノ粒子が均一な構成の連続層に溶け込む十分な温度及び十分な時間での堆積層の加熱を意味する。
【００１８】
　工程１１２，１１４及び任意に工程１１６，１１８を繰り返し，第２の印刷塗料２０２ｂを印刷する。これにより，この時点では，２つの層を含む膜２０８が得られる。尚，第２の印刷塗料２０２ｂは，通常，塗料２０２ａと異なる。この繰り返しには，同じ印刷及びアニール装置２０４，２０６が使用されてもよく，この場合，プリンタ２０４では，新しい印刷塗料に（例えば，カートリッジの形態で）置き換えられることになる。又は，一連の過程１００は，堆積及びアニール工程にそれぞれ専用の別々の印刷及びアニール装置を具えたアセンブリライン形態で実行されてもよい。個々の基板２００を連続的に処理する場合には，ライン形態が好ましいかもしれないが，多数の工程にて同じ装置を利用することは，多数の膜を並行して製造する（例えば，多数の基板に対して同じ工程が同時に実行される）場合に，より役立つかもしれない。
【００１９】
　
工程１１０〜１１８を複数回繰り返して（必ずしも繰り返す必要はないが），３つ以上の層２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃを有する膜を形成してもよい。
【００２０】
　各層は，単一タイプのナノ粒子を含んでいてもよく，この場合，異なる層は通常，異なる化学組成を有するナノ粒子を含むことになる。或いは（又は，加えて）
各層は，複数のタイプのナノ粒子を含んでいてもよく，この場合，同じ組合せのナノ粒子が，異なる層において異なる割合で使用されてもよい。
ＣＩＧＳ膜は，変化する化学組成ＣｕＩｎ
１−Ｘ
Ｇａ
Ｘ
Ｓｅ
２
で製造されてもよい。
他のナノ粒子を基にしたインクを中間層として導入して，電池の性能を最適化するべく材料のバンド構造を更に調整してもよい。本発明に係る技術は，ＣＶＤに比べて，真空装置が必要でないという付加的な利点を有する。」
「【００３１】
　
セレノール化合物を用いた任意の好ましいストイキオメトリのＣＩＧＳナノ粒子を作製するための方法
（Ａｌ，Ｇａ，及び／又はＩｎの内の少なくとも１つとＣｕ，Ａｇ，Ｚｎ，及び／又はＣｄの内の少なくとも１つの源を含む）ナノ粒子前駆体組成の少なくとも第１部分を溶媒（例えば，長鎖炭化水素溶媒）中に分散させること，溶媒を第１温度まで適当な長さの時間熱すること，セレノール化合物を溶媒に加えて該溶媒を熱すること，ナノ粒子前駆体組成の第２部分を反応混合物に加えること，該混合物を第１温度より高い第２温度まで適当な長さの時間に亘って熱すること，及びその温度を最大１０時間維持することを含む。粒子が形成された時点で，該粒子の表面原子は通常，キャッピング剤に配位され，これは，該方法において用いられるセレノール化合物を含むことが出来る。揮発性のセレノール化合物を用いた場合，熱することによりこのキャッピング剤を取り除いて，配位リガンドによるキャッピングの影響と更なる処理を受け易い「裸の」ナノ粒子を生み出すことが出来る。
【００３２】
　例１：Ｃｕ(I)アセテート（１ｍｍｏｌ）及びＩｎ(III)アセテート（１ｍｍｏｌ）を，きれいで乾燥したＲＢ-フラスコに加える。オクタデセンＯＤＥ（５ｍＬ）を真空下にて１００℃で３０分間熱せられた反応混合物に加える。フラスコを窒素で埋め戻すと共に，温度を１４０℃まで高める。
１-オクタンセレノール
【００３３】
　例２（大量生産）：ＴＯＰＳｅの原液を，窒素下でＴＯＰ（６０ｍＬ）中にＳｅ粉（１０．９，１３８ｍｍｏｌ）を溶解させることにより生成した。乾燥させるべく，脱気されたＯＤＥをＣｕ(I)アセテート（７．８９ｇ，６４．４ｍｍｏｌ）とＩｎ(III)アセテート（２０．０ｇ，６８．５ｍｍｏｌ）に加えた。反応ベッセルを，空にして１４０℃で１０分間熱し，Ｎ２によって埋め戻し，そして室温に冷却した。１-オクタンセレノール（２００ｍＬ）を加えて明るいオレンジ色の懸濁液を作製した。フラスコの温度を１４０℃まで高め，そして酢酸を１２０℃で反応物から蒸留した。１４０℃に達した時点で，ＴＯＰＳｅ溶液を１時間の過程に亘って滴下した。３時間後，温度を１６０℃まで高めた。周期的に反応物から分割量を得て，且つＵＶ／可視光及び発光スペクトルを測定することにより，反応の経過を観測した。７時間後，反応物を室温まで冷却し，そして結果として生じた黒色のオイルをメタノールにより洗浄した。メタノール洗浄を，アセトンの添加によってそのオイルから純粋な黒色の材料を沈殿させることが可能となるまで続けた。黒色の沈殿物を，遠心分離によって分離し，アセトンにより洗浄し，そして真空下で乾燥した。生成量は３１．９７ｇであった。
【００３４】
　粒子の特性又は適当な分散剤の選択を最適化するべく，Ｘ線回折（ＸＲＤ），ＵＶ／可視光／近赤外線分光分析，走査型又は透過型電子顕微鏡（ＳＥＭ／ＴＥＭ），エネルギー分散Ｘ線微量分析（ＥＤＡＸ），発光分光分析，及び／又は元素分析を含む従来の技術によって，ナノ粒子を，その組成，サイズ，及び電荷に関して特徴付けることが出来る。
後で除去される１-オクタンセレノールキャッピング剤中で生成された，代表となるＣｕ／Ｉｎ／Ｓｅコア粒子
【００３５】
　この発明の好ましい実施形態において，ナノ粒子は，２０ｎｍ以下の平均サイズと，±約２ｎｍ以下の低いサイズ分散度とを有する。これらの制限への適合により，薄膜を，該膜を通じてバンド構造を制御しながら印刷することが容易となり，その結果，高い変換効率が得られる。
更に，低いサイズ分散度は，ナノ粒子の優れた充填と，ナノ粒子膜の一様な融解温度を可能にし，それは適当な膜形成に寄与する。
「【００３９】
４．応用
　
図１に示される方法に従って作製された半導体薄膜構造は，光電池，ＬＥＤ，トランジスタ，及び他の半導体デバイスに使用することが出来る。図３Ａは，ＣＩＧＳ吸収体膜を有する太陽電池の代表的な構造を示している。
及び伝導帯のエネルギーを操作して電子-ホール捕獲を補助するために使用することが出来る。本発明の実施形態は，これらの付加的な層を結合するための便利な手段を提供する。更に，もしナノ粒子源が接合層及び／又は基板又はスーパーストレートに使用可能であれば，必要とされるアニールの温度がデバイス内の他の層に弊害をもたらさない限り，同様に，これらの層を，印刷又はアニールによってデバイス中に結合することが出来る。」
（２）引用発明１
　前記（１）より，図１に示される方法に従って作製された半導体薄膜構造，及び，例１のナノ粒子を作製するための方法（【００３２】）についての記載を参酌してまとめると，引用文献１には，図３Ａに示されるＣＩＧＳ膜を形成する方法として，以下の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「最初の工程１１０において，基板２００と，予め作製されたナノ粒子の異なる分散液を含む複数の印刷塗料とを用意し，印刷塗料２０２ａを，工程１１２にて第１層用に選択し，そして工程１１４において，この塗料を，基板２００上に印刷し，任意工程１１８において，堆積層を，アニールし，工程１１０〜１１８を複数回繰り返して，３つ以上の層を有するＣＩＧＳ膜を形成する方法であって，
　ＣＩＧＳ膜は，変化する化学組成ＣｕＩｎ１−ＸＧａＸＳｅ２で製造され，
　各層は，複数のタイプのナノ粒子を含んでおり，
　「アニール」は，ナノ粒子が均一な構成の連続層に溶け込む十分な温度及び十分な時間での堆積層の加熱を意味しており，
　ナノ粒子を作製するための方法は，（Ａｌ，Ｇａ，及び／又はＩｎの内の少なくとも１つとＣｕ，Ａｇ，Ｚｎ，及び／又はＣｄの内の少なくとも１つの源を含む）ナノ粒子前駆体組成の少なくとも第１部分を溶媒中に分散させること，溶媒を第１温度まで適当な長さの時間熱すること，１-オクタンセレノールを溶媒に加えて該溶媒を熱すること，ナノ粒子前駆体組成の第２部分を反応混合物に加えること，該混合物を第１温度より高い第２温度まで適当な長さの時間に亘って熱することを含み，
　粒子が形成された時点で，該粒子の表面原子は，１-オクタンセレノールキャッピング剤に配位され，熱することによりこのキャッピング剤を取り除いて，配位リガンドによるキャッピングの影響と更なる処理を受け易い「裸の」ナノ粒子を生み出すことが出来る，
　ＣＩＧＳ膜を形成する方法。」
　２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２００９−０７６８４２号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
      本発明は，ナノ粒子を含有する太陽電池の薄膜組成用インクとその製造方法，及び前記インクを利用したＣＩＧＳ薄膜型太陽電池とその製造方法に関する。より具体的には，真空工程や複雑な装備を必要としないナノ粒子インクの塗布または印刷工程だけでＣＩＧＳ薄膜を製造し，ＣＩＧＳ薄膜のＣｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比率及びＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比率を自在に調節することができ，塗布又は印刷法を利用する簡単な工程によってＣＩＧＳ薄膜を製造することができるＣＩＧＳ薄膜型太陽電池及びその製造方法に関する。」
「【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
      本発明は，前記問題を解決するために案出されたものであって，ＣＩＧＳ薄膜の太陽電池において，真空工程や複雑な装備の必要なしに，ナノ粒子インクの印刷工程だけでＣＩＧＳ薄膜を製造し，ＣＩＧＳ薄膜のＣｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比率及びＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比率を自在に調節することのできるＣＩＧＳ薄膜の太陽電池を提供することを目的とする。」
「【００５３】
      また，本発明の具体的な１実施形態として，前記ＣＩＧＳ薄膜型太陽電池の光吸収層を形成するときに使用するナノ粒子を含有するインクについて説明する。
【００５４】
      本実施形態で使用する前記インクは，クロロホルム，トルエンなどの有機溶媒にＣｕ２Ｓｅのナノ粒子及び（Ｉｎ，Ｇａ）２Ｓｅ３のナノ粒子を混合したものであって，チオール類，セレノール類，アルコール類などの分散剤をさらに混合することもできる。
【００５５】
      なお，前記のインクは高温下で熱処理を行なうことができる。
【００５６】
      以下，添付の図面を参照して本発明の多様な実施例を通じて詳細に説明する。
【００５７】
      まず，本発明によるＣＩＧＳ太陽電池の
ＣＩＧＳ薄膜の形成に利用されるセレン（Ｓｅｌｅｎｉｕｍ；Ｓｅ）化合物ナノ粒子インクの製造工程に対して説明する。これは，Ｃｕ
２
Ｓｅ，（Ｉｎ，Ｇａ）
２
Ｓｅ
３
，Ｉｎ
２
Ｓｅ
３
ナノ粒子に溶媒と分散剤をそれぞれ添加して，均一に混合することによって簡単に製造することができる。以下は，このように製造されるセレン化合物ナノ粒子のインクをそれぞれ，Ｃｕ
２
Ｓｅナノ粒子インク，（Ｉｎ，Ｇａ）
２
Ｓｅ
３
ナノ粒子インク，Ｉｎ
２
Ｓｅ
３
ナノ粒子インクと称する。
【００５８】
      前記のインクを混合する溶媒は，有機溶媒として，トルエン，クロロホルム，ＤＭＦ，ＤＭＳＯ，ピリジン，アルコール，炭化水素類などから選択される少なくとも１種以上である。
【００５９】
      前記炭化水素類の炭素数は特に制限されないがＣ１〜Ｃ２０程度が好ましい。
【００６０】
      また，分散剤は必須的に追加するものではないが，好ましくは，
分散剤としては，アルカン・セレノール
【００６１】
      前記分散剤の炭素数は特に制限されないがＣ１〜Ｃ２０程度が好ましい。
【００６２】
      このとき，前記添加される各ナノ粒子インクの濃度は特定の制限はなく，最終的に得られる薄膜の特性を考慮して可変的に調節することができる。また，各ナノ粒子の相対的な濃度も特定の限定を必要としない。これも，最終的に得られる薄膜に要求する特性によってそれぞれの成分比が可変的であるためである。これに対して図を参照しながらより具体的に説明する。
【００６３】
      図１〜図３は，本発明の１実施例によるＣＩＧＳ太陽電池のＣＩＧＳ薄膜の製造において，Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比率が調節されたＣＩＧＳ薄膜の製造工程を示す模式図である。
【００６４】
      まず，図１に図示したように，Ｃｕ２Ｓｅのナノ粒子インクと（Ｉｎ，Ｇａ）２Ｓｅ３のナノ粒子インクを所定の比率で混合し，Ｃｕ２Ｓｅ＋（Ｉｎ，Ｇａ）２Ｓｅ３ナノ粒子インク１０１を製造する。混合されるナノ粒子インク間の比率は，Ｃｕ２Ｓｅの分子量と（Ｉｎ，Ｇａ）２Ｓｅ３の分子量を考慮して望むＣｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比率に合う
ように適切に調節することができる。
【００６５】
      その後，図２に図示したように，ＣＩＧＳ太陽電池に通常的に使用される基板１０２とその上にコーティングされる背面電極１０３上に，図１の工程で製造されたＣｕ２Ｓｅ＋（Ｉｎ，Ｇａ）２Ｓｅ３ナノ粒子インク１０１の層を形成する。この形成方法は印刷法を使用する。
【００６６】
      一方，前記基板１０２の材質は，通常的なＣＩＧＳ太陽電池の場合と同様シートガラス又は金属ホイルなどである。
【００６７】
      前記背面電極１０３は，伝導性を有する金属類であれば良く，殊に本実施例においては，背面電極１０３としてモリブデン（Ｍｏ）層を例示しているが，ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ）を使用することもできる。しかし，モリブデン（Ｍｏ）は高い電気伝導度，ＣＩＧＳにおけるオーミック接合，セレン（Ｓｅ）雰囲気下における高温安定性などの観点において好ましい。
【００６８】
      また，モリブデンで構成された背面電極１０３は，太陽電池の後面接触層としての機能を行うことができる。
【００６９】
      次いで，図３に図示したように，セレン（Ｓｅ）雰囲気で熱処理することによって，望むＣｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比率に調節されたＣＩＧＳ薄膜を製造することができる。
【００７０】
      また，前記熱処理のガス雰囲気は，必ずしもセレンに限定されないが，ナノ粒子インクの組成物質によっては硫黄（Ｓ）雰囲気の熱処理も可能である。
【００７１】
      前記熱処理の温度は，特に制限されないが，好ましくは，５００℃〜６００℃である。
【００７２】
      このような熱処理を通じて，望むＣｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比率に調節されたＣＩＧＳ薄膜を製造することによって，粒度（ｇｒａｉｎ  ｓｉｚｅ）を容易に調節することができ，これによって望む特性を有する太陽電池を製造することができる。
【００７３】
      図４〜図６は，本発明の１実施例によるＣＩＧＳ太陽電池のＣＩＧＳ薄膜の製造方法において，Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比率のみならずＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比率も調節されたＣＩＧＳ薄膜の製造工程を説明する模式図である。
【００７４】
      まず，図４に図示したように，Ｃｕ２Ｓｅナノ粒子インク，（Ｉｎ，Ｇａ）２Ｓｅ３ナノ粒子インク，及びＩｎ２Ｓｅ３ナノ粒子インクを所定の比率に混合してＣｕ２Ｓｅ＋（Ｉｎ，Ｇａ）２Ｓｅ３＋Ｉｎ２Ｓｅ３ナノ粒子インク２０１を製造する。混合されるナノ粒子インクの混合比率は，Ｃｕ２Ｓｅの分子量と（Ｉｎ，Ｇａ）２Ｓｅ３の分子量，及びＩｎ２Ｓｅ３の分子量を考慮して望むＣｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比率及びＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比率に合わせて適当に調節することができる。
【００７５】
      その後，図５に図示のように，基板１０２及びモリブデン（Ｍｏ）層（背面電極）１０３上に，Ｃｕ２Ｓｅ＋（Ｉｎ，Ｇａ）２Ｓｅ３＋Ｉｎ２Ｓｅ３ナノ粒子インク２０１を塗布する。このときも，印刷法によって塗布するのが好ましい。
【００７６】
     
 次いで，図６に図示のように，セレン（Ｓｅ）雰囲気で熱処理することによって，望むＣｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比率及びＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比率に調節されたＣＩＧＳ薄膜を製造することができる。
【００７７】
      このような熱処理方法を通じて，Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比率を自由に調節することができ，最適のバンドギャップを有するＣＩＧＳ太陽電池を製造することができる。すなわち，ＣＩＧＳ太陽電池が最大の変換効率を表すためには，１．２〜１．４ｅＶ程度のバンドギャップを有することが好ましく，このようなバンドギャップは，Ｇａのドーピングによって異なるようになるが，図４〜図６に図示するようにしてＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比率を０．３〜０．６程度に調節するとき，前記のような最適のバンドギャップを得ることができる。
【００７８】
      図７〜図１１は，本発明の１実施例によるＣＩＧＳ太陽電池のＣＩＧＳ薄膜の製造方法において，多段階の工程を通じてＣＩＧＳ薄膜を形成する方法を示す模式図である。
【００７９】
      まず，図７に図示したように，Ｃｕ２Ｓｅナノ粒子インク，（Ｉｎ，Ｇａ）２Ｓｅ３ナノ粒子インクを混合して，Ｃｕ２Ｓｅ＋（Ｉｎ，Ｇａ）２Ｓｅ３ナノ粒子インク３０１を製造する。このとき，Ｃｕ２Ｓｅナノ粒子インクの量を相対的に多く混合してＣｕ２Ｓｅ＋（Ｉｎ，Ｇａ）２Ｓｅ３：Ｃｕ−ｒｉｃｈ（銅リッチ）状態になるナノ粒子インク３０１を製造する。
【００８０】
      その後，図８に図示したように，Ｍｏ層（背面電極）１０３上にＣｕ２Ｓｅ＋（Ｉｎ，Ｇａ）２Ｓｅ３ナノ粒子インク３０１を塗布または印刷し，図９に図示するように，セレン雰囲気で熱処理し，銅の豊富(リッチ)なＣｕ−ｒｉｃｈ（銅リッチ）状態のＣＩＧＳ薄膜を形成する。このＣｕ−ｒｉｃｈ（銅リッチ）状態のＣＩＧＳ薄膜は，Ｃｕ２Ｓｅ＋（Ｉｎ，Ｇａ）２Ｓｅ３：Ｃｕ−ｒｉｃｈ（銅リッチ）状態のナノ粒子インク３０１を使用して形成されているので，Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比率が１を超えることになる。
【００８１】
      
次いで，図１０及び図１１に図示したように，前記図８のように形成されたＣｕ−ｒｉｃｈ（銅リッチ）状態のＣＩＧＳ薄膜上に，（Ｉｎ，Ｇａ）
２
Ｓｅ
３
ナノ粒子インク３０２を塗布または印刷し，セレン雰囲気で熱処理する。
第４　対比及び判断
　１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明１との対比
　ア　引用発明１の「ＣＩＧＳ膜」は，本願発明１の「Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２半導体膜」に相当する。
　イ　引用発明１の「ナノ粒子」は，本願発明１の「ＣｕＳｅナノ粒子及びセレン化１３族ナノ粒子」と「ナノ粒子」であることで一致する。
　ウ　引用発明１の「工程１１４において，この塗料を，基板２００上に印刷し」「堆積層」を形成する工程は，「各層は，複数のタイプのナノ粒子を含んで」いることから，本願発明１の「ナノ粒子を基板上に共堆積する工程」に相当する。
　エ　引用発明１の「堆積層を，アニール」する工程は，引用発明１において，「「アニール」は，ナノ粒子が均一な構成の連続層に溶け込む十分な温度及び十分な時間での堆積層の加熱を意味する」から，本願発明１の「ナノ粒子が融解するのに十分な温度に前記基板を加熱する工程」に相当する。
　オ　引用発明１の「１-オクタンセレノールキャッピング剤」は，「粒子の表面原子」に「配位され」ているから，「ナノ粒子に結合している」といえる。
　また，引用発明１の「１-オクタンセレノールキャッピング剤」は，有機物であるから，本願発明１の「ナノ粒子に結合している有機キャッピングリガンド」に相当する。
　カ　引用発明１の「堆積層を，アニール」する工程の温度は，引用発明１において，「「アニール」は，ナノ粒子が均一な構成の連続層に溶け込む十分な温度及び十分な時間での堆積層の加熱を意味する」こと，また，「１-オクタンセレノールキャッピング剤に配位され，熱することによりこのキャッピング剤を取り除いて，配位リガンドによるキャッピングの影響と更なる処理を受け易い「裸の」ナノ粒子を生み出すことが出来る」ことから，本願発明１の「ナノ粒子に結合している有機キャッピングリガンドを除去するのに十分な温度」といえる。
　キ　すると，本願発明１と引用発明１とは，下記クの点で一致し，下記ケの点で相違する。
　ク　一致点
「　Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２半導体膜を形成する方法において，
　ナノ粒子を基板上に共堆積する工程と，
　ナノ粒子が融解するのに十分な温度に前記基板を加熱する工程と，
を含んでおり，
　ナノ粒子は，ナノ粒子に結合している有機キャッピングリガンドを含んでおり，
　前記温度は，ナノ粒子に結合している有機キャッピングリガンドを除去するのに十分な温度である方法。」
　ケ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１は，「ＣｕＳｅナノ粒子及びセレン化１３族ナノ粒子」であるのに対して，引用発明１は，（Ａｌ，Ｇａ，及び／又はＩｎの内の少なくとも１つとＣｕ，Ａｇ，Ｚｎ，及び／又はＣｄの内の少なくとも１つの源を含む）ナノ粒子である点。
（イ）相違点２
　本願発明１は，「セレン化１３族ナノ粒子」が「セレン化１３族半導体と，炭素−セレン共有結合によって前記セレン化１３族ナノ粒子に結合している有機キャッピングリガンドとを含んで」いるのに対し，引用発明１は，ナノ粒子の表面原子は，１-オクタンセレノールキャッピング剤に配位されている点。
（２）相違点についての判断
　相違点１，２についてまとめて検討する。
　ア　引用文献２には，「ＣＩＧＳ薄膜の形成に利用されるセレン（Ｓｅｌｅｎｉｕｍ；Ｓｅ）化合物ナノ粒子インク」として「Ｃｕ２Ｓｅ，（Ｉｎ，Ｇａ）２Ｓｅ３，Ｉｎ２Ｓｅ３ナノ粒子に溶媒と分散剤をそれぞれ添加して，均一に混合することによって簡単に製造することができる。」こと（第３の２【００５７】）が記載されており，引用文献２の「Ｃｕ２Ｓｅナノ粒子」，「（Ｉｎ，Ｇａ）２Ｓｅ３，Ｉｎ２Ｓｅ３ナノ粒子」は，本願発明１の「ＣｕＳｅナノ粒子」，「セレン化１３族ナノ粒子」にそれぞれ相当する。
　ここで，引用発明１には，「熱することによりこのキャッピング剤を取り除いて，配位リガンドによるキャッピングの影響と更なる処理を受け易い「裸の」ナノ粒子を生み出すことが出来ること。」が記載されているとはいえ，引用文献１には，アニール雰囲気は特に記載されておらず，何ら注目していない。
　また，引用文献２には，「セレン（Ｓｅ）雰囲気で熱処理」してＣＩＧＳ薄膜を製造すること（第３の２【００７６】，【００８１】）が記載されている。
　したがって，引用文献２に「ＣｕＳｅナノ粒子」，「セレン化１３族ナノ粒子」が記載されているとはいえ，当業者が，「開示されているナノ粒子のセレノールリガンドは，開示されているナノ粒子を用いて作られた膜の焼結中に，セレンリッチな雰囲気をもたらす。」（本願明細書【００４３】）ことを認識することはなく，当業者が，引用発明１において，上記相違点１，２に係る構成を採用することが容易であったとは認められない。
　イ　そして，本願発明１は，相違点１，２に係る構成を備えることによって，「焼結中に，更なるＳｅ源を入れる必要はない。」（本願明細書【００４３】）という格別の効果を奏すると認められる。
　２　本願発明２−１４について
　本願発明２−１４は，本願発明１の発明特定事項をすべて含むものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用文献１，２に記載された発明に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定は，平成２９年５月２５日付け手続補正により補正された請求項１−１４に記載された発明について，上記引用文献１，２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかしながら，平成３１年２月１９日付け手続補正により補正された請求項１−１４に記載された発明は，上記のとおり，引用文献１，２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものではない。
　したがって，原査定の理由を維持することはできない。
第６　当審拒絶理由について
　特許法第１７条の２第３項について
　当審では，平成３０年２月２１日付けでした手続補正は，外国語書面の翻訳文に記載した事項の範囲内においてしたものでないとの拒絶の理由を通知しているが，平成３１年２月１９日付けの補正において，補正がされた結果，この拒絶の理由は解消した。
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明１−１４は，当業者が引用文献１，２に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。