【事件の表示】
　特願２００３−　１１２４５「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月　８日出願公開、特開２００４−　　４５２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年４月６日に出願した特願平５−７９８６８号の一部を平成１５年１月２０日に新たな特許出願としたものであって、原審において、平成１５年９月２日付で拒絶理由が通知され、これに対し、同年１１月６日に手続補正がなされたところ、平成１６年１月８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月２３日に手続補正がなされたものであって、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載されたものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項１】　一対の基板間のシール材の内側に液晶が挟持されてなり、
　前記一対の基板の一方の基板の前記シール材内側にはトランジスタと、前記トランジスタ上に絶縁膜を介して配置された画素電極と、矩形である前記一方の基板の４辺の各辺毎に配置された駆動回路と、
　前記シール材内側のみに配置され、かつ前記各駆動回路に重なるように前記絶縁膜を介して配置された、前記各駆動回路毎に独立した島状の遮光性導電膜とを具備することを特徴とする液晶表示装置。」
　　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６２−２５１７２３号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　ａ．「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、ドライバー内蔵アクティブマトリックス基板と対向電極基板と液晶からなるドライバー内蔵液晶パネルの構造に関する。」（１頁右欄８〜１１行）
　ｂ．「〔従来の技術〕
　アクティブマトリックス基板において、画素電極にデータを書きこむ非線形素子として絶縁ゲート型トランジスターまたは薄膜トランジスターを用いる場合、同一基板上に駆動回路を内蔵することが可能である。
　第２図は、透明絶縁基板上にマトリックス状に配置された薄膜トランジスターと周辺駆動回路から構成された液晶表示用ドライバー内蔵アクティブマトリックス基板の模式図である。１（Ｇ１〜Ｇｍ）は、タイミング線となるゲート線、２（Ｓ１〜Ｓｎ）は、データ線となるソース線であり、その交点に配置された薄膜トランジスター３により、データを画素電極４に書き込んでいる。５は、タイミング線駆動回路、６はデータ線駆動回路であり、この図では両側駆動の場合を示している。」（１頁右欄１２行〜２頁左上欄１０行）
　ｃ．「第３図は、従来の透過型ドライバー内蔵液晶パネルの概要断面図（ａ）と平面図（ｂ）である。透明絶縁基板７上に薄膜トランジスターを用いて画素電極を有するパネル表示領域８とタイミング線駆動回路５とデータ線駆動回路６と周辺接続用端子９を形成する。シール材１０を用いて対向透明電極１１を有する対向透明基板１２とアクティブマトリックスと駆動回路を形成した基板７を圧着し、封入口１３より液晶１４を封入したのち封止して液晶パネルが完成する。」（２頁左上欄１１〜２０行）
　ｄ．「第４図は、前記耐湿性を向上させた構造の断面図（ａ）と平面図（ｂ）であり周辺駆動回路を液晶中にとじこめているのが特徴である。液晶内は水分がほとんどないため、パシベーション膜をつける必要がなく耐湿性の問題は十分解決できるものである。」（２頁右上欄５〜１０行）
　また、第２図および第４図からは、
　ｅ．「矩形である透明絶縁基板７の４辺の各対向辺毎に配置されたタイミング線駆動回路５，５およびデータ線駆動回路６，６」が見てとれる。
　
　したがって、上記ａ〜ｅの記載によれば、引用例１には、
「透明絶縁基板７と対向透明基板１２との間のシール材１０の内側に液晶１４を封入した液晶パネルであって、透明絶縁基板７のシール材１０の内側には薄膜トランジスターと、上記薄膜トランジスターによりデータが書き込まれる画素電極４と、矩形である上記透明絶縁基板７の４辺の各対向辺毎に配置されたタイミング線駆動回路５，５およびデータ線駆動回路６，６と、を具備する液晶パネル。」
との発明（以下、「引用例１発明」という。）が開示されていると認められる。
　　
　同じく実願昭５６−１５０４０４号（実開昭５８−５４６７９号）のマイクロフィルム（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　ｆ．「本考案は、マトリクス状に配置した液晶駆動用素子と該液晶駆動用素子を駆動する駆動回路その他の周辺回路を同一基板上に作り込んだ液晶表示装置に関し、周辺回路の上部に光遮断膜を設けることにより光リーク、周辺回路の誤動作を防止して、信頼性のあるキヤラクターデイスプレイ、あるいは、テレビ用液晶表示体を提供することを目的とする。」（１頁下から３行〜２頁５行）
　ｇ．「半導体集積回路は、一般にはモールド等により外部光が直接素子表面に到達しない状況下にて用いる訳であるが、前記した駆動回路部は、画素選択部４のすぐ近傍に位置するため直接外部光が照射されるためＰ−Ｎ接合部における光起電力効果によりＰ−Ｎ接合による素子分離が不完全となり（リークが生じる）、各種信号の波形の変化、電圧の変化をまねき、正常な画像表示が不可能となる。したがって外部光が半導体集積回路表面（前記した駆動回路等）に照射されても光起電力効果が生じないような半導体集積回路構造としなければならない。」（３頁１５行〜４頁６行）
　ｈ．「第３図は、本考案の実施例の断面図を示す。Ａは、マトリクス状に配置される液晶駆動用素子の単位素子を示し、Ｂは、上記液晶駆動用素子を駆動するための駆動回路部で一素子であるインバーターを一例として示す。Ｎ型シリコン半導体基板９の上部には、ソース１１、ドレイン１２、ゲート酸化膜１３ゲート電極１４が設けられており、このＭＯＳトランジスタはクロストークの無い表示を行うためのスイツチング素子となる。ドレイン１２は、酸化膜１６、Ｎ＋拡散層１７とコンデンサー用電極１５よりなるコンデンサーに反射板電極１９と接続されている。絶縁膜１８は減圧ＣＶＤ等で作成される酸化膜を示す。なおコンデンサーは、液晶セルの電圧をＭＯＳトランジスターがオフになった後も維持するたに用いられる。」（４頁１１行〜５頁５行）
　ｉ．「次に駆動回路部Ｂの構造を説明する。Ｐ−拡散層１０には、ドレイン２４、ソース２５、ゲート酸化膜２６、ゲート電極２７でＮチャンネルＭＯＳトランジスターが構成されていて、ソース２５はＰ＋拡散層３２，３３に配線２８を介して接続されている。Ｎ型シリコン基板９上には、ソース２０，ドレイン２１、ゲート酸化膜２２、ゲート電極２３でＰチャンネルＭＯＳトランジスターが構成されていて、ソース２０はＮ＋拡散層３１に配線３０を介して接続されている。ＰチャンネルＭＯＳトランジスターとＮチャンネルＭＯＳトランジスターは、ドレイン２１，２４で配線２９を介して接続されてインバーターを構成している。」（５頁５〜１７行）
　ｊ．「減圧ＣＶＤ等で作成される酸化膜３４を介して光遮断膜３５が形成されている。上記光遮断膜３５は、液晶駆動用素子Ａの反射板電極１９と同じ物質を用いると同時に形成することができ作成が容易である。なお、光遮断膜３５としてＡｌまたはＡｌ−Ｓｉ等が使用することができる。上記光遮断膜３５によって外部からの光が入射してもＰ−Ｎ接合部への進入を阻止しているのでリーク等がなくなり、各種信号の波形の変化、電圧の変化、誤動作等が生じない。」
　また、第３図からは、
　ｋ．「液晶駆動素子部ＡにはＭＯＳトランジスター上に絶縁膜１８を介して反射板電極１９が形成され、また、駆動回路部Ｂに重なるように酸化膜３４を介して光遮断膜３５が形成されており、液晶駆動素子部Ａと駆動回路部Ｂとは近接配置されているとともに、液晶駆動素子部Ａと駆動回路部Ｂとの間には、シール材が描かれていない点。」が見てとれる。
　
３．対比
　そこで、本願発明と引用例１発明とを以下に対比する。
　
　ア．引用例１発明の「透明絶縁基板７と対向透明基板１２」、「シール材１０」、「液晶１４」、「薄膜トランジスター」、「画素電極４」、「タイミング線駆動回路５とデータ線駆動回路６」、「液晶パネル」は、それぞれ本願発明の「一対の基板」、「シール材」、「液晶」、「トランジスタ」、「画素電極」、「駆動回路」、「液晶表示装置」に相当する。
　イ．引用例１発明の「薄膜トランジスターによりデータが書き込まれる画素電極４」と、本願発明の「前記トランジスタ上に絶縁膜を介して配置された画素電極」とは、トランジスタに電気的に接続された画素電極である点で一致する。
　ウ．引用例１発明の「矩形である上記透明絶縁基板７の４辺の各対向辺毎に配置されたタイミング線駆動回路５，５およびデータ線駆動回路６，６」は、本願発明の「矩形である前記一方の基板の４辺の各辺毎に配置された駆動回路」に相当する。
　
　したがって、両者は、
「一対の基板間のシール材の内側に液晶が挟持されてなり、前記一対の基板の一方の基板の前記シール材内側にはトランジスタと、前記トランジスタに電気的に接続された画素電極と、矩形である前記一方の基板の４辺の各辺毎に配置された駆動回路とを具備する液晶表示装置。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点１］本願発明の画素電極は、「前記トランジスタ上に絶縁膜を介して配置された画素電極」であるのに対し、引用例１発明の画素電極は、トランジスタに電気的に接続されてはいるものの、トランジスタと画素電極との配置関係が明らかではない点。
　　
［相違点２］本願発明は、「前記シール材内側のみに配置され、かつ前記各駆動回路に重なるように前記絶縁膜を介して配置された、前記各駆動回路毎に独立した島状の遮光性導電膜」を有するのに対し、引用例１発明には、係る遮光性導電膜の開示がない点。
　
４．判断
［相違点１］について
　本願発明の相違点１に係る「前記トランジスタ上に絶縁膜を介して配置された画素電極」なる構成は、周知技術にすぎない。
　必要であれば、上記引用例２の記載事項ｋ、同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開平１−１５６７２５号公報（第４，５図、２頁右上欄１３行〜同頁左下欄１２行、３頁左上欄５〜１４行）等を参照されたい。
　そして、上記相違点１は、引用例１発明に上記周知技術を適用することによって、容易になし得たことである。
　
［相違点２］について
　（１）上記引用例２には、マトリクス状に配置した液晶駆動用素子と該液晶駆動用素子を駆動する駆動回路その他の周辺回路を同一基板上に作り込んだ液晶表示装置に関し、
「
駆動回路部Ｂに重なるように酸化膜３４を介して光遮断膜３５が形成されており
液晶駆動素子部Ａと駆動回路部Ｂとは近接配置されているとともに、液晶駆動素子部Ａと駆動回路部Ｂとの間には、シール材が描かれていない点
「
光遮断膜３５としてＡｌ
　上記ｋ，ｊによれば、「駆動回路部Ｂ」、「酸化膜３４」、「光遮断膜３５」が、それぞれ本願発明の「駆動回路」、「絶縁膜」、「遮光性導電膜」に相当することは明らかである。
　また、上記光遮断膜３５は、駆動回路部Ｂに重なるように形成され、さらに、下記（２）で詳述するように駆動回路部のみを遮光すれば必要十分な機能を奏するものであって、駆動回路部以外の箇所に光遮断膜３５が延在すべき合理的理由は、少なくとも上記引用例２の記載には見当たらないから、結局、上記引用例２には、本願発明の「前記各駆動回路に重なるように前記絶縁膜を介して配置された、前記各駆動回路毎に独立した島状の遮光性導電膜」が記載されているといえる。
　
　（２）また、上記引用例２には駆動回路部の遮光に関し、
「半導体集積回路は、一般にはモールド等により外部光が直接素子表面に到達しない状況下にて用いる訳であるが、前記した駆動回路部は、画素選択部４のすぐ近傍に位置するため直接外部光が照射されるためＰ−Ｎ接合部における光起電力効果によりＰ−Ｎ接合による素子分離が不完全となり（リークが生じる）、各種信号の波形の変化、電圧の変化をまねき、正常な画像表示が不可能となる。したがって外部光が半導体集積回路表面（前記下駆動回路等）に照射されても光起電力効果が生じないような半導体集積回路構造としなければならない。」（上記ｇ）と記載されている。
　これによれば、駆動回路部のＰ−Ｎ接合部は光起電力効果によるリークが生じるから、これを防止する必要があること、一般的には駆動回路部をモールド等により遮光しリークを防止していること、画素選択部４のすぐ近傍に駆動回路部が位置する場合には直接外部光が照射されるため駆動回路部を遮光する必要があるが、モールド等により遮光することは無理なので別途の遮光手段が必要であること、が理解できる。
　
　一方、引用例１発明は、シール材の内側に配置された駆動回路と画素電極とを有するのであるから、両者が近接して配置されていることは明らかであり、これにより上記引用例２と同様に、直接外部光が照射されるため駆動回路を遮光する必要があることが理解できるから、引用例１発明には、上記引用例２に記載されたような駆動回路の遮光手段を採用すべき十分な理由があるといえる。
　
　したがって、引用例１発明に、上記引用例２に記載された「前記各駆動回路に重なるように前記絶縁膜を介して配置された、前記各駆動回路毎に独立した島状の遮光性導電膜」なる事項を適用するについては十分な動機があるといえるから、上記相違点２は、引用例１および２に記載された発明に基づき容易に想到し得たものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は引用例１，２に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。