【事件の表示】
　平成９年特許願第３３１１５７号「ポリッシング設備」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年７月３１日出願公開、特開平１０−１９９８３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１１月１７日（優先権主張平成８年１１月１４日）の出願であって、平成１５年１０月８日付けで拒絶の理由が通知され、平成１５年１２月１１日に意見書の提出及び手続補正がなされたが、平成１６年７月７日付けで拒絶をすべきものとの査定がなされた。
　これに対して、平成１６年８月１０日に審判請求がなされるとともに、平成１６年９月９日に明細書を補正する手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　本件補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正するとともにそれに関連して発明の詳細な説明の一部について補正するものであって、特許請求の範囲の請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
（１−１）補正前の本願発明
「ポリッシング対象物を研磨するポリッシング装置と、
　前記ポリッシング装置によって研磨されたポリッシング対象物を洗浄する洗浄機を有する洗浄装置とを具備するポリッシング設備において、
　前記洗浄装置は前記洗浄機からの排液を排出する排液管を有し、前記排液管を介して前記排液を、前記ポリッシング装置への供給液として再利用することを特徴とするポリッシング設備。」
（１−２）補正後の本願発明
「ポリッシング対象物を研磨するポリッシング装置と、
　前記ポリッシング装置によって研磨されたポリッシング対象物を
多段階で
し、異なる種類の排液を排出する複数の
　前記洗浄装置は前記
複数の
排液の種類に応じて
複数の排液管系統
複数の排液管系統のうち一部の排液管系統から排出される排液のみ
　上記補正事項は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「洗浄機」を「異なる種類の排液を排出する複数の洗浄機」と限定し、「洗浄し」を「多段階で洗浄し」と限定するとともに、「洗浄機からの排液を排出する排液管」を「複数の洗浄機からの排液を排液の種類に応じて排出する複数の排液管系統」と限定し、さらに、再利用する「排液」を「複数の排液管系統のうち一部の排液管系統から排出される排液のみ」と限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用され本願の優先権主張の日前に国内で頒布された刊行物である特開平８−１５３６９４号公報（以下、「刊行物１」という。）、特開平８−７１５１２号公報（以下、「刊行物２」という。）、特開平５−１４４７８７号公報（以下、「刊行物３」という。）、特開平７−３１６８４６号公報（以下、「刊行物３」という。）及び特開平６−２８５４６４号公報（以下、「刊行物５」という。）、並びに、原査定の拒絶の理由には引用されていないが本願の優先権主張の日前に国内で頒布された刊行物である特開平７−７８７９９号公報（以下、「刊行物６」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（２−１）刊行物１
（イ）段落【００１５】
「このＣＭＰ装置１は、ウェーハ１１の研磨から洗浄、乾燥の一連の工程を自動化するものである。・・・」
（ロ）段落【００１６】
「・・・ウェーハ１１は、ポリッシング手段であるポリッシャ８のトップリング２０に吸着されて、研磨布が貼着されているポリッシャ８の定盤２２まで移送されてここで研磨される。研磨の終了したウェーハ１１は、再びローダ装置６に戻されてから、第２ロボット４によって、洗浄手段である洗浄乾燥装置１２に渡されるようになっている。この洗浄乾燥装置１２では、ポリッシングの終えたウェーハ１１の裏面を純水で洗浄する第１洗浄部２３と、ウェーハ１１を反転させたあとウェーハ１１の表面を洗浄する第２洗浄部２５と、表裏の洗浄を終えたウェーハ１１を乾燥する乾燥部２５が直列に配置されている。・・・」
（ハ）段落【００３３】
「乾燥部２５では、支持体８８で保持したウェーハ１１にメガソニック液を吹き付けてパーティクルをより完全に除去してから、２０００回転以上の高回転で回転しなから清浄な窒素ガスを吹き付けての乾燥が行われる。」
（ニ）段落【００４８】
「ポリッシングを終えた定盤２２上の研磨布では、必要に応じてドレッシング装置１０はそのブラシを定盤２２上で回転させながら純水を流し、付着したスラリーの除去を行う。・・・」
　上記摘記事項（イ）〜（ニ）からみて、刊行物１には次の発明が記載されていると認められる。
「ウェーハ１１を研磨するポリッシャ８と、前記ポリッシャ８によって研磨されたウェーハ１１を純水でウェーハの裏面を洗浄する第１洗浄部２３と、純水でウェーハの表面を洗浄する第２洗浄部２４と、メガソニック液で洗浄した後回転しながら窒素ガスを吹き付けて乾燥する乾燥部２５を有する洗浄乾燥装置１２とを具備するＣＭＰ装置１であって、ドレッシング装置に純水を流し、付着したスラリーの除去を行うこと。」（以下、「刊行物１記載の発明」という。）
　
（２−２）刊行物２の段落【０００３】〜【０００５】
「しかしながら、清浄な基板や処理面を得るためにむやみに大量の洗浄水を用いることは、洗浄水のコストの増大のみならず排水処理施設の肥大や処理コストの増大を招き、ひいては製造コストの増加につながる。
　一方、少量の洗浄水で洗浄を行おうとすれば、上記のような塵やイオン成分の除去が不十分になり、本来起きなかったはずの欠陥を引き起こしたり、イオン成分が残留することによる長期信頼性の低下を招く可能性が大きくなる。
　従来、上記の相反する要求を満足するために様々な工夫がなされてきている。
　例えば、図１に示すように複数の洗浄領域を設け、後段の洗浄後の液を前段の洗浄に用いる、いわゆるカスケードタイプの洗浄槽を有する洗浄装置が一般的に使用されている。」
（２−３）刊行物３
（イ）段落【０００１】
「【産業上の利用分野】
　本発明は、オーバフロー方式の複数の洗浄槽を用いてウェーハを純水で洗浄するに際の純水供給方法および装置に関する。」
（ロ）段落【０００９】
「【作　用】
　本発明によれば、複数の洗浄槽内の純水の水質を同時にモニタすることにより、いずれの洗浄槽の水質も規定値以内にあるときは、初段の洗浄槽からのオーバフロー水を次段以降の洗浄槽の洗浄水として供給して最終段の洗浄槽から排水するようにしたので、供給する純水の量を節減することができる。・・・」
　刊行物２、３の上記摘記事項からみて、刊行物２、３には次の発明が記載されていると認められる。
「基板を多段階で洗浄するに際し、上流側の洗浄機からの排液を下流側の洗浄機の洗浄液として再利用すること。」（以下、「刊行物２、３記載の発明」という。）
　
（２−４）刊行物４の【特許請求の範囲】
「【請求項１】　ケミカルメカニカルポリッシング液を用いてウエハーをポリッシングした際生じる廃液を、まず、０．２μｍ以下の孔径を有する膜で濾過し、該濾過液を１μｍ以上の孔径を有する膜を用いて濾過することを特徴とするケミカルメカニカルポリッシング液の再生方法。
【請求項２】　ケミカルメカニカルポリッシング液を用いてウエハーをポリッシングした際生じる廃液を、まず、１μｍ以上の孔径を有する膜を用いて濾過し、該濾過液を０．２μｍ以下の孔径を有する膜で濾過することを特徴とするケミカルメカニカルポリッシング液の再生方法。
【請求項３】　請求項１及び２の再生方法において、０．２μｍ以下の孔径を有する膜を透過した廃液を、ケミカルメカニカルポリッシング液の濃度調整及び／又はポリッシング工程時の洗浄水として利用するケミカルメカニカルポリッシング液の再利用方法。」
　上記摘記事項からみて、刊行物４には次の発明が記載されていると認められる。
「ケミカルメカニカルポリッシング液を用いてウエハーをポリッシングする際に、ケミカルメカニカルポリッシング液の廃液を０．２μｍ以下の孔径を有する膜を用いて濾過し、上記膜を透過した廃液をポリッシング工程時の洗浄水として利用すること。」（以下、「刊行物４記載の発明」という。）
　
（２−５）刊行物５
（イ）段落【０００１】
「・・・
　本発明は、代表的には、半導体製造産業の設備や薬品製造産業の設備等で洗浄などの用途に使用されている高純度水（一般的には純水あるいは超純水と呼ばれる高純度水）を、その使用後に、付属する設備に再利用水として用いる場合に有効な回収水の処理方法及び装置、あるいは、主要設備で用いる上記高純度水の製造に用いる原水として再利用する・・・」
（ロ）段落【００１０】
「・・・熱交換器やボイラー等の供給水，補給水として上記再利用水を用いる・・・」
（ハ）段落【００１８】
「また上記構成において原水として用いられる高純度水の使用済み排水とは、限定されるものではないが、半導体や液晶デバイス製造設備のメッキ工程又は洗浄工程で用いられた使用済み洗浄水、あるいは薬品製造業において例えばアンプルの洗浄水などを代表的に挙げることができる。」
　上記摘記事項からみて、刊行物５には次の発明が記載されていると認められる。
「半導体製造設備の洗浄工程で用いられた使用済み洗浄水を、熱交換器やボイラー等の供給水，補給水として再利用すること。」（以下、「刊行物５記載の発明」という。）
　
（２−６）刊行物６の段落【０００２】
「・・・
　半導体基板や液晶用のガラス基板等の薄板状の被処理基板（以下、単に基板と記す）を表面処理する場合には、基板を処理槽内に浸漬して処理する浸漬型の基板処理装置が一般に用いられる。
　この種の基板処理装置は、基板の表面処理を行うための複数の基板処理槽及び複数の処理液を基板処理槽に供給する処理液供給部を含む装置本体と、装置本体とは別の場所に設けられ、基板処理槽から排出された排液を処理液の種別毎に分別して排出するための排液排出ユニットとを備えている。・・・」
　上記摘記事項からみて、刊行物６には次の発明が記載されていると認められる。
「複数の基板処理槽から排出された排液を処理液の種別毎に分別して排出するための排液排出ユニットを備えること。」（以下、「刊行物６記載の発明」という。）
　
（３）対比
　補正発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、後者の「ウェーハ１１」が前者の「ポリッシング対象物」に、後者の「ポリッシャ８」が前者の「ポリッシング装置」に、後者の「ＣＭＰ装置１」が前者の「ポリッシング設備」に、それぞれ相当することが明らかである。
　そして、前者の「異なる種類の排液」は不純物の濃度が異なる排液をも意味するから（本願明細書の段落【０００５】参照）、後者の「純水でウェーハの裏面を洗浄する第１洗浄部２３と、純水でウェーハの表面を洗浄する第２洗浄部２４と、メガソニック液で洗浄した後回転しながら窒素ガスを吹き付けて乾燥する乾燥部２５を有する洗浄乾燥装置１２」は前者の「多段階で洗浄し、異なる種類の排液を排出する複数の洗浄機を有する洗浄装置」に相当する。
　そうすると、両者の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
〈一致点〉
「ポリッシング対象物を研磨するポリッシング装置と、前記ポリッシング装置によって研磨されたポリッシング対象物を多段階で洗浄し、異なる種類の排液を排出する複数の洗浄機を有する洗浄装置とを具備するポリッシング設備」である点。
〈相違点１〉
　前者は、洗浄装置が複数の洗浄機からの排液を排液の種類に応じて排出する複数の排液管系統を有するのに対して、後者は、そのように特定されていない点。
〈相違点２〉
　前者は、複数の排液管系統のうち一部の排液管系統から排出される排液のみを、前記ポリッシング装置への供給液として再利用するのに対して、後者は、そのようなものではない点。
　
（４）当審の判断
　上記相違点等について、以下検討する。
　
（４−１）相違点１について
　刊行物６には、上記（２−６）に示したとおり、複数の基板処理槽から排出された排液を処理液の種別毎に分別して排出するための排液排出ユニットを備えるとの発明が記載されている。
　一方、刊行物１記載の発明において、複数の洗浄機から異なる種類の排液を排出するから、当然に当該異なる種類の排液の排液管系統を有している。
　そして、刊行物１記載の発明と上記刊行物６記載の発明とは、基板製造の際に生じる複数の排液の排液管系統という点で共通するものであるから、刊行物１記載の発明の複数の洗浄機から異なる種類の排液を排出するに際し、刊行物６記載の発明を組み合わせ、排液管系統を排液を種類に応じて排出する複数の排液管系統とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（４−２）相違点２について
　刊行物２、３には、基板を多段階で洗浄するに際し、複数の洗浄機から生じる排液の一部である、上流側の洗浄機からの排液を、下流側の洗浄機の洗浄液として再利用するとの発明が記載されている。
　また、刊行物４には、補正発明の「ポリッシング装置への供給液」に相当する「ポリッシング工程時の洗浄水」に廃液を利用するとの発明が記載されている。
　そして、刊行物５には、半導体製造設備の洗浄工程で用いられた使用済み洗浄水を、上記洗浄工程以外の工程での供給水，補給水として再利用することも示されている。　
　そして、これら刊行物２〜５記載の発明は、刊行物１記載の発明と同じく、基板製造の際の排液に関する点で共通するから、刊行物１記載の発明に刊行物６記載の発明を組み合わせて、複数の洗浄機からの排液を排液の種類に応じて排出する複数の排液管系統を有するものとする際に、刊行物２〜５記載の排液再利用に関する発明を併せて組み合わせ、複数の洗浄機からの複数の排液管系統のうち一部の排液管系統から排出される排液のみを、洗浄装置とは異なるポリッシング装置への供給液として再利用することは、当業者が容易になし得たことである。
　
（４−３）作用効果について
　そして、補正発明の作用効果も、刊行物１〜６記載の発明から当業者が予測できる範囲のものであって、格別のものではない。
　
　したがって、補正発明は、刊行物１〜６記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１５年１２月１１日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、下記のとおりのものである。
「ポリッシング対象物を研磨するポリッシング装置と、
　前記ポリッシング装置によって研磨されたポリッシング対象物を洗浄する洗浄機を有する洗浄装置とを具備するポリッシング設備において、
　前記洗浄装置は前記洗浄機からの排液を排出する排液管を有し、前記排液管を介して前記排液を、前記ポリッシング装置への供給液として再利用することを特徴とするポリッシング設備。」
　
（２）刊行物記載の発明
　刊行物１〜５記載の発明は、上記２．（２）の（２−１）〜（２−５）に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、両者の一致点及び相違点は以下のとおりである。
〈一致点〉
「ポリッシング対象物を研磨するポリッシング装置と、前記ポリッシング装置によって研磨されたポリッシング対象物を洗浄する洗浄装置とを具備するポリッシング設備」である点。
〈相違点１’〉
　前者は、洗浄装置が洗浄機からの排液を排出する複数の排液管を有するのに対して、後者は、そのように特定されていない点。
〈相違点２’〉
　前者は、排液管を介して排液を、ポリッシング装置への供給液として再利用するのに対して、後者は、そのようなものではない点。
　そこで、上記相違点１’について検討するに、上記２．（４）の（４−１）で示したように、刊行物１記載の発明において、洗浄機から排液を排出するから、当然に当該排液を排出する排液管を有しており、相違点１’は実質上の相違点ではない。
　次に、相違点２’について検討するに、上記２．（４）の（４−２）で示したように、刊行物２、３に、基板を洗浄するに際し、洗浄機からの排液を再利用するとの発明が記載され、刊行物４に、補正発明の「ポリッシング装置への供給液」に相当する「ポリッシング工程時の洗浄水」に廃液を利用するとの発明が記載され、刊行物５に、半導体製造設備の洗浄工程で用いられた使用済み洗浄水を、上記洗浄工程以外の工程での供給水，補給水として再利用するとの発明が記載されている。そして、これら刊行物２〜５記載の発明は、刊行物１記載の発明と同じく、基板製造の際の排液に関する点で共通するから、刊行物１記載の発明の排液に、刊行物２〜５記載の排液再利用に関する発明を併せて組み合わせ、相違点２’に係る構成を本願発明のようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、本願発明の作用効果も、刊行物１〜５記載の発明から当業者が予測できる範囲のものであって、格別のものではない。
　したがって、本願発明は、刊行物１〜５記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、請求項２〜７に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。