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【事件の表示】
　平成　５年特許願第　８３４１８号「像処理装置、像記録装置及び像再現装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年１１月　４日出願公開、特開平　６−３０８６２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年４月９日の出願であって、平成１５年１月６日付で拒絶査定され、同年２月４日に審判請求がされ、同年２月１８日に手続補正がされたもので、「像処理装置、像記録装置及び像再現装置」に関するものと認められる。
　
２．原査定の理由
　一方、原査定の拒絶の理由は、「この出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項及び第５項に規定する要件を満たしていない。」というものである。
　　
３．当審の判断
　以下、第３６条第４項と第５項とに分け、記載が不明瞭な点について検討する。
３−１．第３６条第４項に関して
（１）【００３３】について
　「式（２）で、Ｉｎは基準フレームの望ましい照明ベクトルであり、従って、再現像の望ましい照明である。Iｎ（ｘ、ｙ）は基準フレームの点（ｘ、ｙ）の輝度レベルである。」と記載されているが、輝度レベルはスカラー値であり、基準フレーム及びソースフレーム上の輝度レベルとから、未知係数Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃが決定されたとしても、Ｉｎとの関係が不明であり、どのようにして、望ましい照明ベクトルを決定できるのか不明である。
　
（２）【００３４】について
　「３枚のフレーム上に３個の対応する点Ｐｉ（ｘ、ｙ）（ｉ＝１，２，３）を選択する。なお、点Ｐｉ（ｘ、ｙ）の法線方向と反射係数は既知である。」と記載されているが、フレームとは、記録器で記録された単一の像と定義されており（【００１０】）、そのような像上の点Ｐｉ（ｘ、ｙ）の法線方向と反射係数がなぜ既知であるのか、どのようにしてわかるのか不明である。
　
（３）【００３６】について
　「式３Ａ〜３Ｂは９つの未知数を含む少なくとも９つの式を与え、慣用的手法により解くことができる。」と記載されているが、「９つの未知数」が何で、「９つの式」がどのようなものかが不明で、式３Ａ〜３Ｂで何を求めようとしているのかも不明である。
　
（４）【００２１】から【００３９】について
　これらの段落で、ピクセルごとの所望の光源位置について、言及されているようであるが、ピクセルごとの所望の光源位置と、所望のフレーム全体としての所望の光源位置との関係が不明であり、どのようにしてバランスの取れた所望のフレームを実現できるのか不明である。
　
（５）【００４２】について
　「Iｎ（ｘ、ｙ）はベクトル「ｓ」の方向から光を供給する光源に始まって、観測者に達するまでの光の強さ」の意味が不明である。
　「「ｐ」は表面の反射係数を示し、」と記載されているが、何の表面なのか、またその技術的意義も不明である。
　
（６）【００５０】及び【００５２】について
　「Ｅｒ＝Ｖｄ（ｘ、ｙ）−［Ｃａ・Ｖａ（ｘ、ｙ）＋Ｃｂ・Ｖｂ（ｘ、ｙ）＋Ｃｃ・Ｖｃ（ｘ、ｙ）］（式７）」、「Ｖｉ’ （ｘ、ｙ）＝Ｖｉ（ｘ、ｙ）―（１／Ｃｉ）・Ｅｒ、（ｉ＝Ａ、Ｂ又はＣ）（式８）」と記載されているが、（式７）、（式８）の技術的意義、「誤差Ｅｒ」、「Ｃｉ」の技術的意義が不明である。したがって、非ランベルト成分の存在する場面の再現像を得る具体的手順が不明である。
　
（７）【００５９】から【００６０】について
　実際の光源Ｓｉによる影の状況から、所望の光源Ｓのときの影の状況を求める点が記載されていると思われる。また、障害物のある場面で一つの光源で照明された特定の点Ｂの状況から、所望の光源Ｓの位置を特定したときに点Ｂと同一平面にある点Ｐが影の中にあるか否かを求めているものである。
　しかし、実際の光源Ｓｉは複数有り、また、点Ｐの水平面からの高さも場面の状況によりいろいろの値を取ると考えられるが、実際に所望の再現像を実現する際の具体的手順が不明である。
　
　したがって、発明の詳細な説明に、当業者が容易に発明を実施できる程度に、その発明の目的、構成及び効果が記載されているとは言えない。
　
３−２．第３６条第５項第１号に関して
（１）請求項１７項について
　発明の詳細な説明に記載されているのは、上記３−１．（７）で述べたように、障害物のある場面で一つの光源で照明された特定の点Ｂの状況から、所望の光源Ｓの位置を特定したときに点Ｂと同一平面にある点Ｐが影の中にあるか否かを求めているものであり、実際の光源が複数有り、立体的な場面に対して、どのように有影領域部分を識別できるか不明であり、フレームの記録に同期した光源位置と再現像の所望の光源位置とを関連付ける重み係数をどのように決定するのかも不明である。
　
　したがって、特許を受けようとする発明が、発明の詳細な説明に記載したものであるとは言えない。
　
４．むすび
　したがって、本願は、特許法第３６条第４項、第５項に規定する要件を満たしていない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　９年特許願第３０３５０３号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　４月３０日出願公開、特開平１１−１２１３９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成９年１０月１７日の出願であって、平成１７年１月２５日付けで拒絶査定がされ、これに対して、同年２月１６日に拒絶査定不服審判が請求されたものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１６年１１月３０日付け手続補正書で補正された明細書並びに図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定された次のとおりのものである。
「半導体基体の表面の自然酸化膜を除去する工程と、
　前記除去の後にオゾン添加水で前記表面を洗浄すると同時にこの表面に酸化膜を形成する工程と、
　前記酸化膜上に金属膜を形成する工程と、
　前記酸化膜を介して前記半導体基体と前記金属膜とを反応させて半導体と金属との化合物層を前記表面に形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」　
　
２．原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−１４７４０２号公報（以下、「刊行物１」という。）に記載された発明
　刊行物１には、「半導体装置の製造方法」に関して、図６と共に以下の点が記載されている。
「【００３５】（１）まず、図６（ａ）に示すように、Ｓｉ基板４１上に、素子分離をするためのフィールド酸化（ＳｉＯ２）膜４２より成る素子分離領域を形成し、この素子分離領域以外のアクティブ領域に従来技術と同様に不純物拡散層４３を形成する。この時不純物拡散層４３上に自然酸化膜４４が形成される。
（２）次いで、不純物拡散層４３上に形成された自然酸化膜４４を除去するために、通常の洗浄、例えば、硫酸過水（Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ＝１：１：４）により、基板表面を洗浄し、５％ＨＦ溶液中に３０秒つけて、不純物拡散層４３表面上の自然酸化膜４４を除去し、更に、硫酸過水に１０分つけて、図６（ｂ）に示すように、洗浄酸化膜４４ａを不純物拡散層領域に１０Å程度成長させる。」
「【００３６】（３）次に、図６（ｃ）に示すように、基板上にＴｉ膜４５を１００〜１０００Åスパッタする。
（４）次に、Ｔｉシリサイド化熱処理の１回目をハロゲンランプにより、６００〜７００℃で３０秒の短時間熱処理で行い、不純物拡散層領域以外に残った未反応ＴｉとＴｉＮを、アンモニア過水に２５分間つけて除去した後、図６（ｄ）に示すように、不純物拡散層領域上のＴｉシリサイド膜４６を安定にするための２回目の熱処理をハロゲンランプにより７００〜９００℃で３０秒の短時間熱処理を行う。」
「【００３７】この時、従来法で形成した場合と異なり、洗浄酸化膜４４ａは均一に形成されるので、Ｔｉシリサイド膜４６を一様に形成することができ、接合の深さが場所に依存することなく一定となり、接合リークを低減できる。また、Ｔｉシリサイド膜４６自身も熱に対する安定性が得られる。上記実施例においては、自然酸化膜の除去及び洗浄酸化膜の形成には、薬品、つまり、硫酸過水を用いているが、洗浄酸化膜の形成にはＯ３純水を用いることができる。」
「【００３８】このように、Ｏ３純水を使用した場合の方が、洗浄酸化膜の質が良く、薬品を使用しないので、ＴＡＴ（ターンアラウンドタイム）、つまり工程に要する時間の短縮とコストの低減の効果が期待できる。」
  また、第６図（ｃ）及び（ｄ）の記載から、Ｔｉ膜４５とＳｉ基板４１とが洗浄酸化膜４４ａを介して反応して、Ｔｉシリサイド膜４６を形成していることは、明らかである。
  以上の記載から、刊行物１には「Ｓｉ基板の表面の自然酸化膜を除去する工程と、前記除去の後にＯ３純水につけて、この表面に洗浄酸化膜を形成する工程と、前記洗浄酸化膜上にＴｉ膜を形成する工程と、前記洗浄酸化膜を介して前記Ｓｉ基板と前記Ｔｉ膜とを反応させてＴｉシリサイド膜を前記表面に形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（以下、「刊行物１に記載された発明」という。）が記載されている。
　
３．本願発明と刊行物１に記載された発明との対比・判断
　本願発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載された発明の「Ｓｉ基板」、「Ｏ３純水」、「洗浄酸化膜」、「Ｔｉ膜」、「Ｔｉシリサイド膜」は、それぞれ本願発明の「半導体基体」、「オゾン添加水」、「酸化膜」、「金属膜」、「半導体と金属との化合物層」に相当するので、両者は、
「半導体基体の表面の自然酸化膜を除去する工程と、
　前記除去の後にオゾン添加水で前記表面に酸化膜を形成する工程と、
　前記酸化膜上に金属膜を形成する工程と、
　前記酸化膜を介して前記半導体基体と前記金属膜とを反応させて半導体と金属との化合物層を前記表面に形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。」で一致し、
相違点：オゾン添加水で半導体基体の表面に酸化膜を形成する際に、本願発明では、同時にオゾン添加水で半導体基体の表面を洗浄しているのに対して、刊行物１に記載された発明では、オゾン添加水に半導体基体をつけているだけで、同時にオゾン添加水で半導体基体の表面を洗浄していることについては、明記されていない点、
において、一応相違する。
  そこで、上記相違点について検討する。
　本願請求項１には、「オゾン添加水で前記表面を洗浄する」と記載があるだけであり、本願実施例においても、半導体基体表面の何の汚染物をどのように洗浄するのかについての具体的な洗浄方法は、何ら記載されていない。
　そして、オゾン添加水で有機物除去、すなわち洗浄が行えることは、周知であり、また、つけるだけの浸漬洗浄も洗浄法として周知であるから、刊行物１に記載された発明のように「オゾン添加水につける」だけでも半導体基体表面の有機物などが除去されて実質的に洗浄されることは、明らかである。
　さらに、本願発明のオゾン添加水による洗浄は、前工程で自然酸化膜を除去するために使用した弗酸溶液を半導体基体表面から落とすための洗浄とも考えられるので、オゾン添加水につけるだけの洗浄でも十分であり、刊行物１に記載された発明の「オゾン添加水につけた」のと比べ、工程の差異は認められない。
　また、本願明細書及び図面全体を検討しても、本願発明のオゾン添加水による洗浄には、刊行物１に記載された発明のように「オゾン添加水につける」だけの洗浄を含まないと解するべき特段の事情も認められない。
　したがって、本願発明のオゾン添加水による洗浄には、刊行物１に記載された発明のように「オゾン添加水につける」だけの洗浄も含まれると解されるので、上記相違点は、実質的には相違点ではない。
　
４．むすび
  以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
  よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特願２００２−２３６６９８「服に穴があかない名札止め」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月１２日出願公開、特開２００４−　４１６３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　本件発明
 　本願は、平成１４年７月１２日に特許出願されたものであり、その請求項１に係る発明は、平成１７年１１月４日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の【請求項１】に記載された以下のものである。
　雄側ホックまたは雌側ホックのいずれかに名札を取り付けた前記雄側ホックと前記雌側ホックからなる名札止めにおいて前記雌側ホックをＣの字状またはコの字状とし、前記雄側ホックを前記雌側ホックに対応するようにそれぞれ丸棒状または角板状としたことを特徴とする服に穴があかない名札止め。（以下、「本件発明」という。）
　
２　引用文献及びその記載
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である「実願平１−１５４６号（実開平２−９２７１０号）のマイクロフィルム（以下、「引用文献」という。）」には、以下の記載がある。
　引用文献の明細書第１頁第５〜７行に、
「１．底板（１ａ）の外面に装身片ａを取付けた皿状の主体（１）と、該主体（１）内に嵌脱し得る相似形状の押込み片（２）とから成る装身片結着具。」
と記載され、同第２頁第１９行〜第３頁第９行に、
「請求項１による結着具においては、皿状主体（１）の底板（１ａ）外面に氏名票等の装身片ａを取付け、該主体（１）をその凹窩面側を衣類Ａの外面に当て、衣類Ａの内側に押込み片（２）を当てて衣類Ａを凹窩内に押し込むように押込み片（２）を主体（１）の凹窩内に押し込めば第３図で示すように凹窩内に押し込まれた衣服地Ａは主体（１）の周側壁（１ｂ）内周面と押し込まれた押込み片（２）の周縁（２ａ）間に挟持され、従って主体（１）と押込み片（２）とは衣服地Ａを介して１体的に結合した状態で衣服Ａ面に止められる。」
と記載されている。
　さらに、同第５頁第１１〜１３行に、
「図示例においては押込み片（２）の周縁に切込み（３）を設けて周縁部に屈撓性を付与し、主体（１）の凹窩内との嵌脱を容易にしたものを示す。」
と記載され、嵌脱を部材の屈撓性においてなすことが記載されている。
　これら記載及び図面の記載を総合すると、引用文献には、以下の発明が記載されるものと認める。
　凹窩を有する主体（１）に氏名票等の装身片ａを取付け、凹窩を有する主体（１）と 主体（１）内に嵌脱し得る押込み片（２）とからなる装身片結着具において、主体（１）の凹窩と、押込み片（２）とを相似形状とし、嵌脱を屈撓性により行い、主体（１）と押込み片（２）とは衣服地Ａを介して１体的に結合した状態で衣服Ａ面にとめられる装身片結着具（以下、「引用発明」という。）
　
３　対比判断
３−１　対比
　本件発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「装身片ａ」は、氏名票を含むものであり、本件発明の「名札」に相当するものであるので、引用発明の「装身片結着具」は、本件発明の「名札止め」に相当するものと認める。
　また、引用発明の「主体（１）」は、凹窩を有し、嵌脱を行う部材であり、氏名票等の装身片ａを取付けられる点から、本件発明の「雌側ホック」に「名札を取り付けた」ものに相当し、引用発明の「 押込み片（２）」は、「雄側ホック」に相当するものと認められるとともに、引用発明の「衣服地」は、本件発明の「服」に相当するものと認める。
　そして、引用発明が主体（１）と押込み片（２）とを衣服地Ａを介して１体的に結合した状態で衣服Ａ面にとめられることは、当然に衣服地に穴をあけるものではなく、本件発明が、「雄側ホックまたは雌側ホックのいずれかに」と特定することは、凹窩を有する所謂雌側のものを排除するものではないので、両発明は、
　雄側ホックまたは雌側ホックのいずれかに名札を取り付けた前記雄側ホックと前記雌側ホックからなる名札止めにおいて、前記雄側ホックを前記雌側ホックに対応するようした服に穴があかない名札止め
の発明である点で一致しており、以下の点で両発明は相違している。
相違点
　本件発明は、雌側ホックをＣの字状またはコの字状とし、雄側ホックを前記雌側ホックに対応するようにそれぞれ丸棒状または角板状としたのに対して、引用発明の凹窩と押込み片は、嵌脱を部材の屈撓性により行うものではあるが、凹窩はＣの字状またはコの字状ではなく、押込み片（２）は丸棒状または角板状ではない点。
　
３−２　判断
　以下相違点について検討する。
　嵌脱を屈曲性を持って行うための構造として、雌側ホックをＣの字状またはコの字状とすることは、原査定の拒絶の理由にも例示される実願昭５６−９４４４４号（実開昭５８−１３１６号）のマイクロフィルムにもあるように周知の技術であり、引用発明も屈撓性により嵌脱を行うものであるから、周知技術の採用に格別の困難性を伴うとは認められず、雄側ホックを雌側ホックに対応するようにそれぞれ丸棒状または角板状とすることは、周知技術の採用に伴って、当然に雄側部材の形状が定まるものであるから、設計上の事項に属するものと認める。
　よって、相違点は、周知技術に基づいて、当業者が容易になしえたものと認める。
　そして、審判請求の理由に述べるＣの字状又はコの字状がバネ性を持つ旨の主張は、周知の技術から予測される以上のものではなく、さらに、引用発明も屈撓性を有するものであるから、本件発明の格別の効果とすることはできない。
　また、本件発明が市場に存在しない点及び市場が本件発明の商品化を期待している旨の主張は、上記引用文献に記載された発明との対比においては、本件発明の商品的優位性を示すことがあるとしても、発明としての進歩性とは別異の事項である。
　したがって、本件発明は、その出願前に頒布された引用文献に記載された発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４　むすび
　以上のとおり、本件出願は、原査定の理由により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特願２０００−２９６９３２「積層型圧電アクチュエータ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　４月１２日出願公開、特開２００２−１１１０８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１２年９月２８日の出願であって、平成１７年９月７日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１０月１３日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１１月１１日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１７年１１月１１日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１７年１１月１１日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
　１　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
　「複数の圧電体と複数の内部電極とを交互に積層して形成された柱状積層体と、前記内部電極が一層おきに交互に接続され、前記柱状積層体の側面の圧電体及び内部電極に連続して接合された一対の帯状外部電極とを具備してなる積層型圧電アクチュエータであって、前記一対の帯状外部電極の合計幅を、前記柱状積層体の外周長さに対して１４．３〜２１．４％とし、自動車の燃料噴射用として用いられることを特徴とする積層型圧電アクチュエータ。」と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「一対の帯状外部電極の合計幅」を「柱状積層体の外周長さに対して５〜３０％」から「柱状積層体の外周長さに対して１４．３〜２１．４％」と数値範囲を限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　２　刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された実願昭６２−１２７３３５号（実開昭６４−３３７６２号）のマイクロフィルム（以下、「刊行物１」という。）には、「複数の圧電セラミックス板と複数の内部電極とを交互に積層して形成された柱状積層体と、前記内部電極が一層おきに交互に接続され、前記柱状積層体の側面の圧電セラミックス板及び内部電極に連続して接合された一対の帯状外部電極とを具備してなる積層型圧電アクチュエータ」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　３　本願補正発明と引用発明との対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「圧電セラミックス板」は、本願補正発明の「圧電体」に相当するので、両者は、
「複数の圧電体と複数の内部電極とを交互に積層して形成された柱状積層体と、前記内部電極が一層おきに交互に接続され、前記柱状積層体の側面の圧電体及び内部電極に連続して接合された一対の帯状外部電極とを具備してなる積層型圧電アクチュエータ」で一致し、
　
相違点１：本願補正発明では、「前記一対の帯状外部電極の合計幅を、前記柱状積層体の外周長さに対して１４．３〜２１．４％とし」ているのに対して、引用発明では、そのような限定がない点、
相違点２：本願補正発明では、「自動車の燃料噴射用として用いられる」のに対して、引用発明では、そのような記載がない点で、相違する。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
［相違点１］
　圧電アクチュエータでは、外部電極が振動を阻害するので、外部電極を必要最小限として両端面の一部にしか設けておらず、外部電極の幅は、接触抵抗を小さくし、接着強度を高めるためには、できるだけ大きく、外部電極の振動を阻害しないためには、できるだけ小さくするトレードオフの関係にあることは、従来から当業者の技術常識である。
　そして、外部電極の幅をどの程度にするかは、実際の使用条件に合わせて、実験等により、当業者が適宜決定し得たことであり、この点に格別の発明力を要したとは認められない。
　そして、本願発明に含まれるすべての場合において、外部電極比１４．３〜２１．４％において、当業者の予測を超えた臨界的意義があるとは認められない。
［相違点２］
　圧電アクチュエータを自動車の燃料噴射用として用いることは、例えば特開平１０−１７３２４８号公報（【０００２】）にも示されるように従来から行われており、当業者が適宜なし得たことである。
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　４　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。　
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　平成１７年１１月１１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年３月２８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「複数の圧電体と複数の内部電極とを交互に積層して形成された柱状積層体と、前記内部電極が一層おきに交互に接続され、前記柱状積層体の側面の圧電体及び内部電極に連続して接合された一対の帯状外部電極とを具備してなる積層型圧電アクチュエータであって、前記一対の帯状外部電極の合計幅を、前記柱状積層体の外周長さに対して５〜３０％とし、自動車の燃料噴射用として用いられることを特徴とする積層型圧電アクチュエータ。」　
　
　２　刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、及びその記載事項は、前記「第２　２」に記載したとおりである。　
　
　３　本願発明と引用発明との対比・判断
　本願発明も前記第２　３に記載したのと同様の理由により、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特願２００３−１２１２７１「エージェント表示方法およびプログラム」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月１８日出願公開、特開２００４−３２６５０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成１５年４月２５日の出願であって、平成１５年１２月１６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年１月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　本願の請求項１に係る発明は、平成１５年１１月２５日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの、「２以上のアプリケーションに対する入力に関する情報である入力情報を取得し、当該入力情報を記録し、当該記録した入力情報に基づいて、エージェントの表示が変化するエージェント表示方法。」にあるものと認められる（以下、本願発明という。）。　
　
２．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由で引用された特開２００２−２５１２３８号公報(以下、「引用例１」という。)には、以下の点が記載されている。
ａ．コンピュータディスプレイのデスクトップ上にキャラクタを表示する画像の表示方法であって、該キャラクタはコンピュータの状態を反映する形態に変化するものとしてデスクトップ上に常に表示され、他のアプリケーションソフトがアクティブとなったとき、該アプリケーションソフトによって操作されるコンピュータの状態を反映した画像を該アプリケーションソフトの表示に影響を与えることなく、表示されるべきデスクトップ上に表示可能とするデスクトップ上での画像の表示方法。（公報、第１頁【特許請求の範囲】、【請求項１】の記載。）
ｂ．アプリケーションソフトでのコンピュータへの入力の状態を変化パラメータとして画像の状態を変化させる請求項１記載のデスクトップ上での画像の表示方法。（公報、第１頁【特許請求の範囲】、【請求項４】の記載。）
　
３．対比・判断
　両者を対比すると、引用例１に記載された「アプリケーションソフトでのコンピュータへの入力の状態を変化パラメータ」とすること及び「キャラクタ」は、本願発明における「アプリケーションに対する入力に関する情報である入力情報」及び「エージェント」に相当する。
　また、引用例１の「キャラクタはコンピュータの状態を反映する形態に変化する」ことは、本願発明における「エージェントの表示が変化する」ことに相当する。
　したがって、両者は、「アプリケーションに対する入力に関する情報である入力情報を取得し、入力情報に基づいて、エージェントの表示が変化するエージェント表示方法」である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１：入力に関する情報が本願発明においては、「２以上のアプリケーション」に対するものであるのに対して、引用例１には、特段の記載がない点。
　相違点２：エージェントの表示が変化させるについて、本願発明においては、「入力情報を記録し、記録した入力情報に基づいて」いるのに対し、引用例１には、この点につき特段の記載がない点。
  前記相違点について検討する。
　相違点１：２以上のアプリケーションに対する入力に関する情報である入力情報を用いて、２以上のアプリケーションを有する情報処理装置の利用促進を図ることとするか、個々のアプリケーションに対する入力に関する情報である入力情報を用いて、個々のアプリケーションの利用促進を図り、その結果として、個々のアプリケーションを有する情報処理装置の利用促進を図ることとするかは、当業者が適宜に行う設計的事項であり、本願発明のように、２以上のアプリケーションに対する入力に関する情報を用いることは、当業者が格別の創意を要することなくなし得た事項である。
　相違点２：入力情報（引用例２における「個人情報」に相当、以下、括弧内の記載は、引用例２のものを示す。）を記録（「記憶担体に記憶」）し、記録した入力情報に基づいてエージェント（「メッセージ」）の表示を変化させることは、原査定の拒絶の理由で引用された特開昭６３−３６４３７号公報(以下、「引用例２」という。）に記載された事項であって、これを引用例１に記載された「エージェント表示方法」に採用して本願発明のように構成することに、格別の創意を要するものではない。
　また、本願発明のように構成することによる作用効果も、前記引用例１及び２の記載からみて格別のものでもない。
　したがって、本願発明は、前記引用例１及び２の記載から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、 本願発明は、前記引用例１及び２の記載から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり、審決する。
【事件の表示】
　平成　８年特許願第２４６９２８号「環状コイル式永久磁石型回転電機」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　３月２４日出願公開、特開平１０−　８０１２６、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成８年８月３０日の出願であって、平成１７年４月２１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、更に、同年７月１１日付で手続補正がなされたものである。
  　 
２．平成１７年７月１１日付の手続補正についての補正却下の決定 
 ［補正却下の決定の結論］ 
　平成１７年７月１１日付の手続補正を却下する。 
 ［理由］ 
（１）平成１７年７月１１日付の手続補正の適否について 
　平成１７年７月１１日の手続補正（以下「本件補正」という。）が適法であるかどうかの判断の基準となる明細書及び図面は、平成１７年６月９日付の手続補正により補正された明細書及び図面であるので、直前の平成１７年６月９日付の手続補正（以下「審判請求時補正」という。）が適法であるかどうかを判断する必要がある。（該点については、平成１７年（行ヶ）第１０６９８号の判決参照。）
　したがって、最初に、審判請求時補正の適否について検討し、その後、本件補正について検討する。 
　
（ａ）審判請求時補正の適否について
　上記審判請求時補正は、請求項１、２を削除するものであるから、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げられた請求項の削除を目的とするものであり、適法になされたものである。
　
（ｂ）本件補正について 
　上記のとおり審判請求時補正は適法な補正と認められるので、本件補正が適法であるかどうかの判断の基準となる明細書及び図面は、審判請求時補正により補正された明細書及び図面である。 
　この点を考慮すると、本件補正は、審判請求時補正により削除された請求項１、２を復活させるものであり、 特許法第１７条の２第４項第１号に掲げられた請求項の削除、同第２号に掲げられた請求の範囲の減縮、同第３号に掲げられた誤記の訂正、同第４号に掲げられた不明りょう記載の釈明のいずれかを目的としてなされたものとは認められない。
  
（ｃ）まとめ
　したがって、上記本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定された要件に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
 　 
３．本願発明について 
　平成１７年７月１１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４に係る発明は、平成１７年６月９日付の手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 
　そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　７年特許願第３２５６０７号「層間接触構造を採用した半導体素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　８月３０日出願公開、特開平　８−２２２６３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　本願発明
　本願は、平成７年１２月１４日（優先権主張、平成６年１２月１４日、韓国）に特許出願し、平成１６年５月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年８月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定された次のとおりのものである。
「不純物のドーピングされた第１導電層と前記第１導電層の上部に形成された第１シリサイド層とが積層された構造の下部導電層と、
　前記下部導電層の上部に形成されている絶縁層と、
　前記絶縁層から前記第１導電層まで伸びて形成され、前記絶縁層と前記第１シリサイド層との間に形成され前記第１シリサイド層が部分的に取り除かれているアンダーカットを有するコンタクトホールと、
　不純物のドーピングされた第２導電層と、前記第２導電層の上部に形成された第２シリサイド層とが積層された構造を有し、前記第２導電層が前記コンタクトホールを経由して前記第１導電層と直接接触している上部導電層と、
　を備えることを特徴とする層間接触構造を採用した半導体素子。」
　
第２　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６２−１０４１３８号公報（以下、「刊行物１」という。）記載の発明
　刊行物１には、「１．下層の多結晶シリコン層と上層の金属シリサイド層とでポリサイド構造に形成した下側配線層と、少なくとも多結晶シリコン層を有する上側配線層とを有し、両配線層を層間絶縁膜に設けたスル−ホールを通して上下方向に接続する多層配線構造を有する半導体装置であって、下側配線層の上層に設けた金属シリサイド層を前記スル−ホール内において選択的に除去し、露呈された多結晶シリコン層に上側配線層の多結晶シリコン層を直接接続したことを特徴とする半導体装置。
２．上側配線層を多結晶シリコン層と金属シリサイド層とのポリサイド構造に構成してなる特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。」（特許請求の範囲）が記載されている。
　
第３　本願発明と刊行物１記載の発明との対比・判断
　本願発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１記載の発明の「下側配線層」の「多結晶シリコン層」、「下側配線層」の「金属シリサイド層」、「下側配線層」、「層間絶縁膜」、「スル−ホール」、「上側配線層」の「多結晶シリコン層」、「上側配線層」の「金属シリサイド層」、「上側配線層」は、それぞれ本願発明の「第１導電層」、「第１シリサイド層」、「下部導電層」、「絶縁層」、「コンタクトホール」、「第２導電層」、「第２シリサイド層」、「上部導電層」に相当するので、両者は、
「第１導電層と前記第１導電層の上部に形成された第１シリサイド層とが積層された構造の下部導電層と、
　前記下部導電層の上部に形成されている絶縁層と、
　前記絶縁層から前記第１導電層まで伸びて形成され、前記絶縁層と前記第１シリサイド層との間に形成され前記第１シリサイド層が部分的に取り除かれているコンタクトホールと、
　第２導電層と、前記第２導電層の上部に形成された第２シリサイド層とが積層された構造を有し、前記第２導電層が前記コンタクトホールを経由して前記第１導電層と直接接触している上部導電層と、
　を備えることを特徴とする層間接触構造を採用した半導体素子。」で一致し、
相違点１：本願発明は、第１，２の導電層に不純物がドーピングされているのに対して、刊行物１記載の発明には、そのような記載がない点、
相違点２：本願発明は、アンダーカットを有するコンタクトホールを採用しているのに対して、刊行物１記載の発明には、そのような記載がない点、
において、相違する。
　そこで、上記相違点について検討する。
［相違点１について］
　ポリサイド構造において、多結晶シリコン層に不純物をドープして導電率を向上させることは、例えば、特開平５−３３５３０６号公報、実願昭６２−４１７３６号（実開昭６３−１４９５３６号）のマイクロフィルムにも示されるように周知慣用手段であり、この周知慣用手段を採用することがポリサイド構造における前提技術・技術常識ともいえるものである。
　ゆえに、刊行物１において記載はないが、多結晶シリコン層には、不純物をドープしていることを前提とするものである。
　仮にそうでないとしても、上記周知慣用手段を用いて、多結晶シリコン層に不純物をドープすることは、当業者が容易になし得たことである。
［相違点２について］
　アンダーカットを有するコンタクトホールを採用することにより、接触面積を大きくして接触抵抗を下げることは、例えば、原審の拒絶理由通知でも引用された特開平２−３０８５５２号公報、特開平４−１８６８６７号公報にも示されるように周知慣用手段であり、当業者が必要に応じて適宜採用し得たことである。
　
第４　結び
　したがって、本願発明は、刊行物１記載の発明及び上記各周知慣用手段から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができず、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特許第１６２７７６５号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求を却下する。
【理　由】
　平成１５年改正法の特許法第１２６条第２項の規定によれば、特許無効審判の審決に対する訴えの提起後に訂正審判を請求できる期間については、特許無効審判の審決に対する訴えの提起があった日から起算して９０日の期間内に限られている。
　そして、平成１５年改正法のうち、審判制度及び審決取消訴訟に関する規定は、附則第１条の規定により、平成１６年１月１日から施行することとされている。
　また、附則第２条第７項の規定により、施行前に請求された審判については、なお従前の例によるとされ、したがって、平成１５年改正法の施行後に請求される訂正審判については平成１５年改正法を適用することとされている。
　そこで、本件の場合についてみるに、本件訂正審判の請求は平成１８年３月１３日にされており、平成１５年改正法の施行後に請求された訂正審判であり、平成１５年改正法の規定が適用されるものである。
　そして、本件訂正審判に係る本件特許の無効審判（平成５年審判第４２９１号）は平成１７年１１月１日にその特許無効審判の審決に対する訴えの提起がなされており、本件訂正審判は、その特許無効審判の審決に対する訴えの提起後に請求されたものであるから、平成１５年改正法の特許法第１２６条第２項の規定が適用されるものである。
　なお、審判請求人は、上申書を提出して、本件訂正審判の請求前に別の２つの訂正審判が請求できたのだから、そのことからして、本件訂正審判については平成１５年改正法は適用されないと主張しているが、上記の別の２つの訂正審判は、その特許無効審判の審決に対する訴えの提起前に請求されたものであるから、その特許無効審判の審決に対する訴えの提起後に請求される訂正審判についてのものである平成１５年改正法の特許法第１２６条第２項の規定は適用されないのであり、係る別の２つの訂正審判が請求できたことは、本件訂正審判に平成１５年改正法が適用されないことの根拠とはならない。
　そうすると、本件訂正審判は、その特許無効審判の審決に対する訴えの提起があった日から起算して９０日の期間内である平成１８年１月３０日までにされなければならないものであるところ、本件訂正審判の請求は平成１８年３月１３日にされているので、上記法定期間経過後の不適法な請求であり、その補正をすることができないものである。
　したがって、本件審判の請求は、特許法第１３５条の規定によって却下すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　５年特許願第１３４２９９号「付着物が付き難い材の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年１２月２０日出願公開、特開平　６−３４５８８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　［１］手続の経緯及び本願発明
　
　本願は、平成５年６月４日の出願であって、平成１５年５月３０日、及び、平成１５年８月１８日に提出された各手続補正書により補正された明細書の記載からみて、本願の請求項１、２に係る発明（以下「本願発明１」、「本願発明２」という。）は、特許請求の範囲の請求項１、２に記載された以下のとおりのものと認める。
「【請求項１】　付着物が付き難い材の製造方法であって、
　フッ素系樹脂粉末が介在してなる樹脂層を構成する樹脂層構成工程と、
　前記樹脂層構成工程後に表面粗さが１〜５μｍとなるよう表面を研磨する研磨工程とを具備することを特徴とする付着物が付き難い材の製造方法。
　【請求項２】　付着物が付き難い材の製造方法であって、
フッ素系樹脂粉末が介在してなる樹脂層を構成する樹脂層構成工程と、
　前記樹脂層構成工程後に表面粗さが１〜５μｍとなるよう表面を研磨する研磨工程と、
　前記研磨工程後に樹脂層を熱処理する熱処理工程とを具備することを特徴とする付着物が付き難い材の製造方法。」
　
　［２］拒絶査定の概要
　
　原査定の拒絶理由の概要は、以下の理由Ａ〜Ｃのとおりである。
理由Ａ：本願発明１、２は、その出願前日本国内又は外国において頒布された引用文献１〜２０（文献名省略）に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
理由Ｂ：この出願は、明細書及び図面の記載が、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
理由Ｃ：この出願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第５項第２号及び第６項に規定する要件を満たしていない。
　
　［３］当審の判断
　
　理由Ｂ、Ｃについて判断する。
　
　１．本願発明１について
　本願発明１は「フッ素系樹脂粉末が介在してなる樹脂層を構成する樹脂層構成工程」（以下「樹脂層構成工程」という。）後の「表面粗さが１〜５μｍとなるよう表面を研磨する研磨工程」（以下「研磨工程」という。）を具備する発明であるが、本願明細書の発明の詳細な説明には、研磨工程の技術的意義が記載されておらず、また、研磨工程の採用に基づく効果も記載されていない。なお、本願明細書の段落【０００９】〜【００１０】には、「上記のようにフッ素系樹脂粉末が介在してなる樹脂体が得られた後、この樹脂体はその表面粗さが約１〜５μｍ、好ましくは約２〜４．５μｍであるように研磨が行われる。尚、本発明における研磨とは表面粗さを約１〜５μｍ、好ましくは約２〜４．５μｍにすることを指し、予めこれ以上に平滑なものであった場合には表面を粗すことを意味し、表面が粗かった場合には表面を磨くことを意味するものである。【００１０】表面粗さが約１〜５μｍ、好ましくは約２〜４．５μｍであるように研磨が行われ、表面にフッ素系樹脂粉末が露出させられた後、熱処理がなされる。」と記載され、表面にフッ素系樹脂粉末が露出するような特別な研磨工程が記載されているが、本願発明１の研磨工程は、単に、表面粗さが１〜５μｍとなるよう表面を研磨する工程であり、表面にフッ素系樹脂粉末を露出せしめるという特定はなされていない（樹脂層構成工程では、フッ素系樹脂粉末が樹脂層に介在していればよく、その介在形態は不特定であるから、フッ素系樹脂粉末が樹脂層の表面付近に存在していない場合も含まれる。この場合、表面粗さを１〜５μｍとなるよう表面を研磨しても、フッ素系樹脂粉末が露出することはない。）。したがって、この段落【０００９】〜【００１０】の記載は、研磨工程を採用したことの技術的意義や効果を記載したものとは言えない。また、本願明細書には、熱処理工程を具備しない本願発明１に相当する実施例も存在しない。
　したがって、本願発明１は、研磨工程の技術的意義が不明であるから、発明の構成に欠くことができない事項のみを記載したものとは認められないし、また、本願の発明の詳細な説明には、当業者が本願発明１を容易に実施することができる程度に、本願発明１の研磨工程の効果が記載されているとは認められない。
　
　２．本願発明２について
　本願発明２は、樹脂層構成工程後の研磨工程と、該研磨工程後の「樹脂層を熱処理する熱処理工程」（以下「熱処理工程」という。）とを具備する発明であるが、本願明細書の発明の詳細な説明には、研磨工程と熱処理工程のそれぞれの技術的意義が記載されておらず、また、これらの各工程の採用に基づく効果も記載されていない。段落【０００９】〜【００１０】に、研磨工程の技術的意義と効果が記載されていないことは上記「１．」で説示したとおりである。
　したがって、本願発明２は、研磨工程と熱処理工程の技術的意義が不明であるから、発明の構成に欠くことができない事項のみを記載したものとは認められないし、また、本願の発明の詳細な説明には、当業者が本願発明２を容易に実施することができる程度に、本願発明２の研磨工程と熱処理工程の効果が記載されているとは認められない。
　
　３．請求人は、審判請求書において、研磨工程と熱処理工程を行なわなかった以外は実施例１と同様に行った比較試験（以下「追加試験」という。）を示し、研磨工程と熱処理工程が撥水性を高め、付着物を付き難くしていることが本願明細書で開示されている旨の主張をしている。
　しかし、追加試験は本願明細書の記載事項ではないから、追加試験に基づく主張は採用できない。
　しかも、実施例１は本願発明２の一例にすぎず、仮に、実施例１で研磨工程と熱処理工程に撥水性の向上効果が認められるとしても、本願発明１、２全体で、そのような効果が得られるとは認められない。例えば、本願発明１、２には、フッ素系樹脂粉末が樹脂層の奥にのみ存在し、樹脂層表面部には全く存在しない場合であって、表面部が極めて平滑に構成される場合が含まれるが、このような平滑な樹脂の表面を、粗さが１〜５μｍとなるよう粗らしても（研磨工程に粗らす場合も含まれることは、段落【０００９】を参照）、また、さらに熱処理をしても、樹脂の撥水性が高まるとは技術常識上考えられない。請求人自身、粗面化処理により撥水性が低下することを認めている（審判請求書に対する手続補正書（方式）の【本願発明が特許されるべき理由】（２）を参照）。
　したがって、上記の請求人の主張は採用できない。
　
　［４］むすび
　
　したがって、本願は、平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第３６条第４項、並びに、同条第５項第２号及び第６項に規定する要件を満たしていない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成　７年特許願第　２４４４４号「光学物品及びそれを用いた露光装置又は光学系」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　８月３０日出願公開、特開平　８−２２０３０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年２月１３日の出願であって、平成１６年３月２日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年４月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、当審から平成１８年６月７日付で審尋したが、指定期間を過ぎても回答がなされていないものである。
　
２．本願発明について
（１）本願発明
　本願の請求項１ないし１６に係る発明は、平成１６年１月１９日付手続補正書により補正された明細書の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。　
「光学薄膜が基体の表面に積層された光学物品において、前記光学薄膜が、クリプトン又はキセノンからなる群より選択された少なくとも１つの原子を含み、その原子含有量が0.5原子ppm以上5原子％以下であることを特徴とする光学物品。」
　
（２）刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前国内で頒布された刊行物である特開平１−２４４４０３号公報（以下、「刊行物１」という。）には以下の記載がある。
ア．「（１）真空中で基材に対して、酸化物およびそれを構成する金属の少なくとも一方の蒸着と、運動エネルギーを付与した酸素粒子および不活性ガス粒子の少なくとも一方の輸送とを行うことによって、基材上に前記酸化物から成る光学膜を作製することを特徴とする光学膜の作製方法。」（１頁左下欄５〜１０行）
　
イ．「〔実施例〕
第１図は、実施例に使用した装置の一例を示す概略図である。真空容器（図示省略）内に設けたホルダ１０に、基材の一例として、前述したような石英ガラス基板４上に真空蒸着等の既存の技術を用いて五酸化タンタル膜６を形成したものを装着した。そして、真空容器内を例えば１０-5〜１２０-7Ｔｏｒｒ程度に排気した後、五酸化タンタル膜６の表面に対して、蒸発源（例えば電子ビーム蒸発源）１２によってこの例では二酸化ケイ素１４を蒸着させるのと同時に、イオン源（例えばバケット型イオン源）１８によって不活性ガスイオン２０としてＮｅイオンまたはＫｒイオンを加速して照射し、それによって五酸化タンタル膜６の表面に二酸化ケイ素膜（二酸化ケイ素から成る光学膜）７ａを作製した。」（２頁右上欄１３行〜同左下欄９行）
　
ウ．「上記の場合、照射イオンに不活性ガスイオン２０を用いるのは、それが反応性に乏しくガスとして膜から抜け出し易く、従って二酸化ケイ素膜７ａ内への不純物混入の問題が起こらないからである。」（２頁左下欄１３〜１７行）
　
エ．「尚、不活性ガスイオン２０のイオン種としては、上記のようなＮｅ、Ｋｒ以外にも、Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ、あるいはこれらを混合したものが採り得る。」（２頁右下欄１５〜１８行）
　
　これらの記載によれば、刊行物１には、
「石英ガラス基板４上に五酸化タンタル膜６を形成したものを基材とし、五酸化タンタル膜６の表面に対して、蒸発源１２によって二酸化ケイ素１４を蒸着させるのと同時に、イオン源１８によって不活性ガスイオン２０としてＫｒ、Ｘｅイオンを加速して照射し、それによって五酸化タンタル膜６の表面に二酸化ケイ素膜から成る光学膜７ａを形成した物品」
の発明（以下「刊行物１発明」という。）が開示されていると認められる。
　
（３）対比
　そこで、本願発明と刊行物１発明とを比較すると、刊行物１発明の「二酸化ケイ素膜から成る光学膜７ａ」、「石英ガラス基板４上に五酸化タンタル膜６を形成した基材」は本願発明の「光学薄膜」、「基体」に、それぞれ対応する。
　また、刊行物１に記載された、基材に光学膜７ａを形成した物品は、光学物品であるといえるから、両者は、
「光学薄膜が基体の表面に積層された光学物品」という点で一致し、以下の点で相違している。
　
［相違点］
　本願発明は、光学薄膜が、クリプトン又はキセノンからなる群より選択された少なくとも１つの原子を含み、その原子含有量が0.5原子ppm以上5原子％以下としたのに対し、刊行物１発明には、かかる限定が付されていない点。
点。
　
（４）判断
［相違点］について
　刊行物１発明は、蒸発源１２によって二酸化ケイ素１４を蒸着させるのと同時に、イオン源１８によって不活性ガスイオン２０としてＫｒ、Ｘｅイオンを加速して照射し、それによって五酸化タンタル膜６の表面に二酸化ケイ素膜から成る光学膜７ａを形成しており、このようにして形成された光学膜７ａには、Ｋｒ、Ｘｅが含まれていると解するのが自然である。確かに、刊行物１には「照射イオンに不活性ガスイオン２０を用いるのは、それが反応性に乏しくガスとして膜から抜け出し易く、従って二酸化ケイ素膜７ａ内への不純物混入の問題が起こらないからである。」（上記２．（２）の記載事項ウ．）との記載はあるものの、本願発明における原子の含有量の範囲に含まれる「0.5原子ppm」とは、極めて微量の原子であり、刊行物１発明における光学膜７ａにもこの程度の極めて微量のＫｒ、Ｘｅ原子が含まれていると解するのが相当である。
　さらにいうと、この点、すなわち、「引用文献１（特開平１−２４４４０３号公報）に記載された光学膜の作製方法において、不活性ガスイオンとして、クリプトン又はキセノンを用いた場合、作製された光学膜のクリプトン又は、キセノン原子の含有量が０．５原子ppm未満であるといえるのか。」については、平成１８年６月７日付けで審判請求人に審尋したところ、審判請求人からは何ら回答がされなかったものである。
　してみれば、上記相違点に係る本願発明の構成とすることは何ら格別のものとは認められない。
　
　そして、本願発明の作用効果も、刊行物１に記載された発明から当業者が予測できる範囲のものである。
　
（５）むすび
　したがって、本願請求項１に係る発明は、上記刊行物１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。