【事件の表示】
　特願２０１６−５３５７０４「表面上に堆積パターンを形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　６月１８日国際公開、ＷＯ２０１５／０８８７７１、平成２９年　１月１９日国内公表、特表２０１７−５０２３２８、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特願２０１６−５３５７０４号（以下、「本件出願」という。）は、２０１４年（平成２６年）１１月２５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２０１３年１２月９日　米国）を国際出願日とする出願であって、その手続等の経緯は、概略、以下のとおりである。
　
　平成２９年　５月１０日付け：拒絶理由通知書
　平成２９年　７月２４日　　：意見書、手続補正書の提出
　平成２９年　７月３１日付け：拒絶査定（以下、「原査定」という。）
　平成２９年１２月　５日　　：審判請求書の提出
　平成３０年１１月２０日付け：拒絶理由通知書（この拒絶理由通知書で
　　　　　　　　　　　　　　　通知された拒絶理由を、以下、「当審拒絶
　　　　　　　　　　　　　　　理由」という。）
　平成３１年　２月　６日　　：意見書、手続補正書の提出（この手続補正
　　　　　　　　　　　　　　　書による補正を、以下、「本件補正」と
　　　　　　　　　　　　　　　いう。）
　
第２　本願発明
　本件出願の請求項１−４に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明４」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１−４に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　基板の選択された部分上に材料のコーティングを形成する方法であって、前記基板は、前記基板の第１の面の選択された部分に形成された複数のキャビティを有し、各キャビティが、底部分と、該底部分から前記基板の前記第１の面まで延在する外周側壁を有し、当該方法は、
　上に離型剤を有する構造体を用意し、
　前記キャビティの前記底部分を前記離型剤から離間させたまま、前記基板の前記第１の面を前記離型剤と接触させて、前記離型剤の一部を前記基板の前記第１の面に転写することで、前記キャビティの前記底部分が前記離型剤を欠いた状態で前記基板の前記第１の面上に前記離型剤が置かれた表面、を有する中間構造を作り出し、
　前記中間構造の前記表面を前記材料に晒して、前記基板の前記第１の面上に置かれた前記離型剤と前記キャビティの前記底部分との双方の上に前記材料をブランケットコーティングし、
　前記材料がブランケットコーティングされた前記中間構造を、前記キャビティの前記底部分上の前記材料を残しながら前記離型剤をその上の前記材料と一緒に前記基板の前記第１の面から選択的に除去するプロセスにかける
　ことを有する、方法。
　【請求項２】
　光エネルギー透過ウエハの選択された部分上に反射防止コーティングを形成する方法であって、前記光エネルギー透過ウエハは、前記光エネルギー透過ウエハの第１の面の選択された部分に形成された複数のキャビティを有し、各キャビティが、底部分と、該底部分から前記光エネルギー透過ウエハの前記第１の面まで延在する外周側壁を有し、当該方法は、
　上に離型剤を有する構造体を用意し、
　前記キャビティの前記底部分を前記離型剤から離間させたまま、前記光エネルギー透過ウエハの前記第１の面を前記離型剤の一部と接触させて、前記離型剤を前記光エネルギー透過ウエハの前記第１の面に転写することで、前記キャビティの前記底部分が前記離型剤を欠いた状態で前記光エネルギー透過ウエハの前記第１の面上に前記離型剤が置かれた表面、を有する中間構造を作り出し、
　前記中間構造の前記表面を反射防止コーティング材料に晒して、前記光エネルギー透過ウエハの前記第１の面上に置かれた前記離型剤と前記キャビティの前記底部分との双方の上に前記反射防止コーティング材料をブランケットコーティングし、
　前記反射防止コーティング材料がブランケットコーティングされた前記中間構造を、前記キャビティの前記底部分上の前記反射防止コーティング材料を残しながら前記離型剤をその上の前記反射防止コーティング材料と一緒に選択的に除去するプロセスにかける
　ことを有する、方法。
　【請求項３】
　各々が前記キャビティのうちの対応する１つと関連付けられた複数の検出器アレイ、を有する第２のウエハを用意し、
　前記アレイの各々を前記キャビティのうちの前記対応する１つとアライメントし、
　上に前記反射防止コーティング材料を有する前記キャビティの各々を、対応する前記アレイから離し、且つ前記光エネルギー透過ウエハの前記第１の面を前記第２のウエハに接合して、前記光エネルギー透過ウエハを前記第２のウエハに接合する、
　ことを含む請求項２に記載の方法。
　【請求項４】
　前記離型剤はポリビニルアルコールであり、前記選択的に除去するプロセスは水への浸漬を有する、請求項１乃至３の何れか一項に記載の方法。」
　
第３　引用文献、引用発明等
１　引用文献３
（１）記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本件出願の優先権主張の日前に頒布された引用文献３（特開２０１３−１４２７５９号公報）には、次の事項が記載されている。下線は当合議体にて付した。以下、同じ。
　
　ア　「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、基板をレンズ形状に加工したレンズ一体型基板、及びレンズ一体型基板を用いた光センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年、火災報知機やトイレの自動洗浄機等に用いられている赤外線センサは、防犯や省エネルギ等の分野で注目されており、小型化や低コスト化のニーズが高まっている。小型化を進めるにあたり、赤外線検出素子を封止する基板の一部をレンズ形状にすることで新たに光学系を必要としないレンズ一体型基板を用いた赤外線センサが既に知られている。
【０００３】
　このような赤外線センサにおいて、レンズ一体型基板の材料がシリコンである場合、高い反射率のため透過率が低下し、センサの感度が低下する問題がある。この問題を回避するため、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等を用いて、レンズ一体型基板に反射防止膜を成膜する必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　しかしながら、反射防止膜をプラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等を用いて成膜すると、レンズ一体型基板の全面に反射防止膜が成膜されることになる。レンズ一体型基板の全面に反射防止膜が成膜されると、レンズ一体型基板は反射防止膜を介して赤外線検出素子を搭載した素子基板と接合されることになる。
【０００５】
　この場合、反射防止膜が接合面に存在することによって、レンズ一体型基板と素子基板との間に介在する接合材との密着性の悪化や、反射防止膜の凹凸によって接合の気密性が劣化する問題があった。
【０００６】
　本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、気密性の高い封止が可能なレンズ一体型基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　本レンズ一体型基板は、基板の光線入射側の面に形成された凸部と、前記基板の光線出射側の面に形成された凹部と、前記光線入射側の面において、少なくとも前記凸部の表面を含む領域に成膜された第１の反射防止膜と、を有し、前記光線出射側の面において、前記凹部の表面の少なくとも一部を含む第１の領域には第２の反射防止膜が成膜されており、前記第１の領域を除く第２の領域には前記基板を構成する材料が露出しており、前記第２の領域の少なくとも一部は、他の部材と接合される接合面となることを要件とする。
【発明の効果】
【０００８】
　開示の技術によれば、気密性の高い封止が可能なレンズ一体型基板を提供できる。」
　
　イ　「【００４３】
　〈第３の実施の形態〉
　第３の実施の形態では、第１の実施の形態とは形状の異なるレンズ一体型基板の他の例を示す。なお、第３の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００４４】
　
図６は、第３の実施の形態に係るレンズ一体型基板を例示する断面図である
【００４５】
　
基板２０の面２０ｂには面２０ａ側に窪んだ段差部２０ｃが形成されており、凹部２４は
基板２０の厚さ方向の内側に形成されている
凹部２４は段差部２０ｃよりも更に面２０ａ側に形成されている
反射防止膜２９は凹部２４に対応する第１の領域２０ｂ
１
のみに成膜されており、接合面２０ｂ
２
及び段差部２０ｃには形成されていない
【００４６】
　
反射防止膜
２９は、一般的にプラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等を用いて成膜する
これらの方法で基板２０の面２０ｂ全面に成膜を行った後に接合面２０ｂ
２
の反射防止膜２９のみを除去する場合、リフトオフ法によって反射防止膜２９を除去する方法等が考えられる
【００４７】
　第１の実施の形態では、反射防止膜２９を面２０ｂ全面に成膜した場合、接合面２０ｂ２と凹部２２上の反射防止膜２９は連続的に成膜される。そのため、例えば接合面２０ｂ２の反射防止膜２９をリフトオフ法で剥離させた場合、凹部２２上の反射防止膜２９も同時に剥離されてしまう場合が生じる。
【００４８】
　仮に、接合面２０ｂ２上の反射防止膜２９のみを剥離できた場合でも剥離端部にバリが生じ、接合面２０ｂ２に反射防止膜２９が残存する虞がある。特に、本実施の形態のように１０μｍ周辺の波長帯を目的とした反射防止膜２９は膜厚が１μｍ以上と厚くなるため、このような問題が生じやすい。以上のように、第１の実施の形態では、接合面２０ｂ２から凹部２２にかけて反射防止膜２９が連続的に成膜されるため、接合面２０ｂ２のみの反射防止膜２９を除去することが困難な場合があった。
【００４９】
　本実施の形態では、基板２０には段差部２０ｃが形成されているため、反射防止膜２９を面２０ｂ全面に成膜した場合、接合面２０ｂ２と凹部２４に成膜された反射防止膜２９が連続的につながることがない。このことから、リフトオフを行った場合、接合面２０ｂ２の反射防止膜２９と同時に凹部２４上の反射防止膜２９も剥離されてしまうことがなく、又、接合面２０ｂ２端部から溶剤が浸透できるので容易にリフトオフができ、バリが生じるのを防止できる。以上のように本実施の形態に係るレンズ一体型基板１０Ｂの構造を用いることにより、接合面２０ｂ２上の反射防止膜２９を除去することが容易になる。」
　
　ウ　「
　　　【図６】
　　　　
　　　」
　
（２）引用発明
　ア　引用文献３の【図６】からは、「第３の実施の形態にかかるレンズ一体型基板」の接合面２０ｂ２は、面２０ｂのうち凹部２４に対応する第１の領域２０ｂ１以外の領域であることが看取できる。また、引用文献３の【００４５】の記載と、【図６】から看取される構成の対応関係からみて、【００４５】でいう「面２０ａ側」とは、面２０ｂからみたときの、「基板２０の厚さ方向の内側」のことである。
　
　イ　前記（１）アないしウ及び前記アによると、引用文献３には、第３の実施の形態として、次の発明が記載されていると認められる（以下、「引用発明」という。）。
　
　「基板２０の面２０ｂに基板２０の厚さ方向の内側に窪んだ段差部２０ｃが形成され、凹部２４が段差部２０ｃよりも更に基板２０の厚さ方向の内側に形成され、反射防止膜２９が凹部２４に対応する第１の領域２０ｂ１のみに成膜されており、凹部２４に対応する第１の領域２０ｂ１以外の領域である接合面２０ｂ２及び段差部２０ｃには形成されていない、レンズ一体型基板の反射防止膜２９の成膜方法であって、
　プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等で基板２０の面２０ｂ全面に成膜を行った後にリフトオフ法によって接合面２０ｂ２の反射防止膜２９のみを除去する、方法。」
　
２　引用文献４
（１）記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（国際公開第２０１１／１１４９２６号）には、次の事項が記載されている。
　
　ア　「技術分野
[0001]　本発明は、表面に凹凸形状の転写パターンが形成されたテンプレート上に離型剤を成膜するテンプレート処理方法、コンピュータ記憶媒体及びテンプレート処理装置に関する。
　　　背景技術
[0002]　例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成することが行われている。
[0003]　上述したレジストパターンを形成する際には、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、当該レジストパターンの微細化が求められている。一般にフォトリソグラフィー処理における微細化の限界は、露光処理に用いる光の波長程度である。このため、従来より露光処理の光を短波長化することが進められている。しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。
[0004]　そこで、近年、ウェハにフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いてウェハ上に微細なレジストパターンを形成することが提案されている。この方法は、表面に凹凸形状の微細なパターンを有するテンプレート（モールドや型と呼ばれることもある。）をウェハ上に形成したレジスト表面に圧着させ、その後剥離し、当該レジスト表面に直接パターンの転写を行うものである（特許文献１）。
　　　先行技術文献
　　　特許文献
[0005]　特許文献１：日本国特開２００９−４３９９８号公報
　　　発明の概要
　　　発明が解決しようとする課題
[0006]　上述のインプリント方法で用いられるテンプレートの表面全面には、テンプレートをレジストから剥離し易くするため、通常、レジストに対して撥液性を有する離型剤が成膜されている。
[0007]　しかしながら、上述したようにテンプレート上のパターンは非常に微細であり、しかも離型剤がレジストに対して撥液性を有するため、テンプレート上にレジスト液を塗布しても、転写パターンの凹部にレジスト液が入り込み難い。この場合、レジスト液が凹部の内部において液滴上の状態で留まってしまい、凹部に気泡が発生する。すなわち、転写パターンの凹部にレジスト液が隙間無く充填されない。そうすると、液滴の形状がウェハ上のレジストパターンにそのまま転写されてしまうため、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成できない場合があった。
[0008]　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、テンプレートを用いて基板上に所定のパターンが形成されるように、当該テンプレートの表面に離型剤を適切に成膜することを目的とする。
　　　課題を解決するための手段
[0009]　前記の目的を達成するため、
本発明は、基板上に形成される塗布膜に転写パターンを転写して当該塗布膜に所定のパターンを形成するために用いられ、かつ表面に凹凸形状の転写パターンが形成されたテンプレート上に、離型剤を成膜するテンプレート処理方法において、前記転写パターンの凸部の上面のみに離型剤を成膜する
[0010]　本発明によれば、転写パターンの凸部上面のみに離型剤を成膜するので、この凸部上面は、転写パターンの凹部の内面に比して、その後テンプレート上に塗布される塗布液に対する接触角が大きくなる。このため、テンプレート上に塗布された塗布液は、転写パターンの凹部に流入し易くなる。すなわち、転写パターンの凹部に塗布液が隙間なく充填される。したがって、かかるテンプレートを用いて基板上の塗布膜に所定のパターンを形成することができる。」
　
　イ　「[0068]　次に、以上のように構成されたインプリントユニット２１０で行われるインプリント処理について説明する。図１７は、主な工程におけるテンプレートＴとウェハＷの状態を示している。
[0069]　先ず、テンプレートＴとウェハＷがインプリントユニット２１０に搬入され、テンプレート保持部２２０とウェハ保持部２４０にそれぞれ吸着保持される。このとき、テンプレートＴ上には、その転写パターンＣの凸部Ｃ１上面のみに離型剤Ｓが成膜されている。
[0070]　その後、レジスト液ノズル２３２をテンプレートＴの辺方向に移動させ、図１７（ａ）に示すようにテンプレートＴ上にレジスト液を塗布し、塗布膜としてのレジスト膜Ｒを形成する。このとき、テンプレートＴの転写パターンＣの凹部Ｃ２に対応する部分（ウェハＷ上に形成されるレジストパターンＰにおける凸部に対応する部分）に塗布されるレジスト液の量は多く、凸部Ｃ１に対応する部分（レジストパターンＰにおける凹部に対応する部分）に塗布されるレジスト液の量は少なくなるように、テンプレートＴ上にレジスト液が塗布される。このように転写パターンＣの開口率に応じてテンプレートＴ上にレジスト液が塗布される。
[0071]　また、テンプレートＴの転写パターンＣには、その凸部Ｃ１上面のみに離型剤Ｓが成膜されているため、凸部Ｃ１上面は、凹部Ｃ２の内面に比して、レジスト液に対する接触角が大きくなる。このため、テンプレートＴ上に塗布されたレジスト液は、凹部Ｃ２に流入し易くなる。すなわち、凹部Ｃ２にレジスト液が隙間なく充填される。
[0072]　このようにテンプレートＴ上にレジスト膜Ｒが塗布されると、ウェハ保持部２４０に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行うと共に、テンプレート保持部２２０に保持されたテンプレートＴを所定の向きに回転させる。そして、図１７（ａ）の矢印に示すようにテンプレートＴをウェハＷ側に上昇させる。テンプレートＴは所定の位置まで上昇し、テンプレートＴの表面Ｔ１がウェハＷ上のレジスト膜Ｒに押し付けられる。続いて、光源２２３から光が照射される。光源２２３からの光は、図１７（ｂ）に示すようにテンプレートＴを透過してウェハＷ上のレジスト膜Ｒに照射され、これによりレジスト膜Ｒは光重合する。このようにしてウェハＷ上のレジスト膜ＲにテンプレートＴの転写パターンＣが転写され、レジストパターンＰが形成される。
[0073]　その後、
図１７（ｃ）に示すようにテンプレートＴを下降させて、ウェハＷ上にレジストパターンＰを形成する
このとき、テンプレートＴの転写パターンＣにおける凸部Ｃ
１
上面には離型剤Ｓが成膜されているので、ウェハＷ上のレジストがテンプレートＴの表面Ｔ
１
に付着することはない
　
　ウ　「[0091]　また、以上の実施の形態では、ローラ１２１、１２２、３００を用いて転写パターンＣの凸部Ｃ１上面に離型剤Ｓを塗布していたが、
図２１に示すように表面に離型剤Ｓが付着した塗布プレート３１０を用いてもよい
塗布プレート３１０は、テンプレートＴの少なくとも転写パターンＣを覆う形状を有している
そして、昇降機構（図示せず）によって塗布プレート３１０をテンプレートＴ側に下降させ、当該塗布プレート３１０の表面を凸部Ｃ
１
上面に当接させる
そうすると、凸部Ｃ
１
上面に離型剤Ｓが塗布される
　
　エ　図１７　
「　　　　　
」
　
　オ　図２１
「　　　　
」
　
３　引用文献５
（１）記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（米国特許出願公開第２００６／００４８８８５号明細書）には、次の事項が記載されている。
　
　ア　「[0019] In a first step of the process represented in FIGS.1 to 6, a thin layer of polymer 2 is deposited on a transfer substrate 1. A typically used deposition technique is spin coating. The polymer of the thin layer 2 and the material of the transfer substrate 1 must have a chemical affinity enabling the second and third steps described hereafter. In a preferred embodiment, the materials of the transfer substrate 1 and of the thin polymer layer 2 are both Polydimethylsiloxane (PDMS). One advantageous property of a PDMS transfer substrate 1 is its flexibility. Depending on the polymer used for the thin layer 2 and on the deposition technique, an additional intermediate cross-linking step, for example by heating, can be added just after deposition.
[0020] 
The second step (FIG.3) consists in bringing the thin polymer layer 2, supported by the transfer substrate 1, into contact with the micro-structured substrate 3
The chemical affinity between the thin polymer layer 2 and the micro-structured substrate 3 must be greater than the chemical affinity between the thin polymer layer 2 and the transfer substrate 1
The thin polymer layer can be irreversibly glued to the micro-structured substrate by suitably adjusting the chemical affinity by chemical activation steps before the second step (FIG. 2)
[0021] 
In a third step, the transfer substrate 1 is removed
Only the zones of the thin polymer layer 2 in contact with the micro-structured substrate 3 during the second step remain on the micro-structured substrate 3
As the chemical affinity between the micro-structured substrate 3  and the thin polymer layer 2 is greater than the chemical affinity between the thin polymer layer and the transfer substrate 1, the thin polymer layer 2 in fact tears, a part 4 remaining fixed to the micro-structured substrate 3, the rest 6 being removed with the transfer substrate 1
The zones of the thin polymer layer 2 that were not in contact with the micro-structured substrate 3 during the second step thus remain as residues 6 on the transfer substrate 1
The assembly joint 4 is thus formed by the zones of the thin polymer layer 2 remaining on the micro-structured substrate 3
[0022] The method described above enables an assembly joint 4 to be formed having the same shape as the micro-structured substrate 3 to be connected or assembled, without leaving any dead volume and without adding any matter above cavities 5 formed in the micro-structured substrate 3. The surface of the assembly joint 4 in contact with the materials (fluids, liquids, etc.) contained in the cavities 5 is therefore minimized, which enables a possible interaction between the material of the assembly joint 4 and the materials contained in the cavities 5 to be attenuated. The biological compatibility of the component is thus optimized.
[0023] This method enables a multitude of micro-assembly joints to be formed simultaneously, each joint being able to be very small (20μｍ), on micro-structured substrates of large surface (treatment of a complete wafer), the micro-structured substrate itself confining the assembly joint. The method is quick, inexpensive and does not require any alignment for formation of the joints.
[0024] In a preferred embodiment, execution of the third step is facilitated by the use of a flexible transfer substrate that can be removed via one end (FIG. 4). This makes it possible to avoid using too great a force that might damage the component.
[0025] 
After the third step, a complementary element 7 can be fixed onto the micro-structured substrate 3 by means of the assembly joint 4, possibly in reversible manner, securing the complementary element 7 by means of a device (not shown) ensuring an intimate contact with the assembly joint 4
（当合議体訳）
「[0019]　図１〜図６に示された方法の第１工程では、薄いポリマーの層２を転移用基板１に被着させる。代表的に用いられる被着方法は、スピンコーティング法である。薄い層２のポリマーと転移用基板１の材料は、以下に説明する第２工程及び第３工程の実施を可能にする化学親和力を備えなければならない。好ましい実施形態では、転移用基板１の材料と薄いポリマー層２の材料は両方ともポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である。ＰＤＭＳ転移用基板１の有利な特性の一つは、その可撓性である。薄い層２に用いられるポリマー及び被着方法に応じて、例えば加熱による追加の中間架橋工程を被着直後に追加してもよい。
[0020]　
第２工程（図３）は、転移用基板１により支持された薄いポリマー層２を微細構造化基板３に接触させる工程から成る
薄いポリマー層２と微細構造化基板３との間の化学親和力は、薄いポリマー層２と転移用基板１との間の化学親和力よりも大きくなければならない
第２工程（図２）前の化学的活性化工程により化学親和力を適切に調節することによって薄いポリマー層を微細構造化基板に非可逆的に膠着させるのがよい
[0021]　
第３工程では、転移用基板１を除去する。第２工程中に微細構造化基板３に接触していた薄いポリマー層２のゾーンだけが微細構造化基板３にくっついたままになる
微細構造化基板３と薄いポリマー層２との間の化学親和力が薄いポリマー層と転移用基板１との間の化学親和力よりも大きいので、薄いポリマー層２は実際に裂け、一部４が微細構造化基板３に固定されたままであり、残り６は転移用基板１と一緒に除去される
かくして、第２工程中に微細構造化基板３と接触していなかった薄いポリマー層２のゾーンは、残留物６として転移用基板１にくっついたままである
かくして、微細構造化基板３にくっついたままの薄いポリマー層２のゾーンにより組立用接合部４が形成される
[0022]　上述の方法により、死空間を残さないで且つ微細構造化基板３に形成されたキャビティ５の上に何ら物質を付け足さないで、組立用接合部４を連結され又は組み立てられるべき微細構造化基板３と同一の形状を備えた状態で形成できる。したがって、キャビティ５内に入れられた物質（流体、液体等）と接触する組立用接合部４の表面は、最小限に抑えられ、それにより、組立用接合部４の材料とキャビティ５内に入れられる物質との相互作用の恐れを低減させることができる。かくして、コンポーネントの生物学的適合性が最適化される。
[0023]　この方法により、多数の微小組立用接合部を同時に形成することができ、各接合部は、広い表面の微細構造化基板上で非常に小さい（＜２０μｍ）ものであることができ（ウェーハまる１個の処理）、微細構造化基板はそれ自体、組立用接合部を局限する。この方法は、迅速であって安価であり、しかも接合部の形成のための位置合わせを必要としない。
[0024]　好ましい実施形態では、第３工程の実施は、一端部を介して除去できる可撓性転移用基板を用いることにより容易になる（図４）。これにより、コンポーネントを損傷させる恐れのある大き過ぎる力が用いられるのを回避することができる。
[0025]　
第３工程後、相補形状の要素７を組立用接合部４により場合によっては可逆的な仕方で微細構造化基板３上に固定するのがよく、相補形状要素７の固定は、組立用接合部４との密着を保証する装置（図示せず）によって行われる
　
　イ　「
　　　　
　　　　
　　　」
　
第４　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「基板２０」及び「面２０ｂ」は、技術的にみて、それぞれ、本願発明１の「基板」及び「第１の面」に相当する。
　また、本件出願の明細書の「中間構造２４が反射防止コーティング材料２７に晒されて、ウエハの頂面１７上に置かれた離型剤１８とキャビティ１１の底部分２０との双方の上に反射防止材料２７がブランケットコーティングされる」（【００１２】）という記載によると、本願発明１の「材料のコーティング」には、反射防止コーティングが含まれると認められる。そうすると、引用発明の「反射防止膜２９」は、本願発明１の「材料のコーティング」に相当する。
　
　イ　引用発明は、「反射防止膜２９が凹部２４に対応する第１の領域２０ｂ１のみに成膜されており、凹部２４に対応する第１の領域２０ｂ１以外の領域である接合面２０ｂ２及び段差部２０ｃには形成されていないレンズ一体型基板の反射防止膜２９の成膜方法であ」る。そうしてみると、引用発明の「方法」は、基板２０の面２０ｂの凹部２４に対応する第１の領域２０ｂ１に反射防止膜を形成するものであるといえる。
　　また、引用発明の「反射防止膜２９」は「凹部２４に対応する第１の領域２０ｂ１のみに成膜されて」いるから、「第１の領域２０ｂ１」は、成膜のために選択された部分であるといえる。そうしてみると、引用発明の「第１の領域２０ｂ１」は、本願発明１の「選択された部分」に相当する。
　　したがって、引用発明の「方法」は、本願発明１の「基板の選択された部分上に材料のコーティングを形成する方法」という要件を満たしている。
　
　ウ　引用発明においては、「基板２０の面２０ｂに基板２０の厚さ方向の内側に窪んだ段差部２０ｃが形成され、凹部２４が段差部２０ｃよりも更に基板２０の厚さ方向の内側に形成され」ているから、段差部２０ｃ及び凹部２４は、基板２０の面２０ｂに形成された穴（空洞）であるといえる。また、凹部２４は底部を有し、段差部２０ｃは穴の側壁になっているといえる（引用文献３の【図６】も参照のこと。）。
　　そして、基板２０の面２０ｂに形成された穴であるといえる引用発明の「段差部２０ｃ」及び「凹部２４」は、本願発明１の「キャビティ」に相当する。
　　そうすると、引用発明は、本願発明１の「前記基板は、前記基板の第１の面の選択された部分に形成された」「キャビティを有し、」「キャビティが、底部分と、該底部分から前記基板の前記第１の面まで延在する外周側壁を有し」という要件を満たしている。
　
（２）一致点及び相違点
　ア　一致点
　　本願発明１と引用発明は、次の構成で一致する。
　
「基板の選択された部分上に材料のコーティングを形成する方法であって、前記基板は、前記基板の第１の面の選択された部分に形成されたキャビティを有し、キャビティが、底部分と、該底部分から前記基板の前記第１の面まで延在する外周側壁を有する、方法。」
　
　イ　相違点
　　本願発明１と引用発明は、次の点で相違する。
　
　（相違点１）
　　「基板」が、本願発明１は、前記基板の第１の面の選択された部分に形成された「複数の」キャビティを有し、「各」キャビティが、底部分と、該底部分から前記基板の前記第１の面まで延在する外周側壁を有するのに対して、引用発明は、このように特定されたものではない点。
　
　（相違点２）
　　本願発明１は、「上に離型剤を有する構造体を用意し、前記キャビティの前記底部分を前記離型剤から離間させたまま、前記基板の前記第１の面を前記離型剤と接触させて、前記離型剤の一部を前記基板の前記第１の面に転写することで、前記キャビティの前記底部分が前記離型剤を欠いた状態で前記基板の前記第１の面上に前記離型剤が置かれた表面、を有する中間構造を作り出し、前記中間構造の前記表面を前記材料に晒して、前記基板の前記第１の面上に置かれた前記離型剤と前記キャビティの前記底部分との双方の上に前記材料をブランケットコーティングし、前記材料がブランケットコーティングされた前記中間構造を、前記キャビティの前記底部分上の前記材料を残しながら前記離型剤をその上の前記材料と一緒に前記基板の前記第１の面から選択的に除去するプロセスにかける」のに対し、引用発明は、このような構成を有するものとは特定されていない点。 
　
（３）判断
　事案に鑑み、相違点２について検討する。
　ア　前記相違点２に係る本願発明１の構成が、その優先権主張の日前に公知又は周知であったことを示す証拠は見当たらない。
　　引用文献４及び５に記載された技術は、前記相違点２に係る本願発明１の構成に関連する技術（リフトオフ法）に関するものであるとはいえない。すなわち、引用文献４に記載された技術は、離型剤が付着した塗布プレートを用いて、インプリント方法用のテンプレートの転写パターン凸部上面に離型剤を塗布するものであるが、塗布された離型剤はテンプレートの転写パターン凸部上面から除去されるものではない。引用文献５に記載された技術では、基板の凸状部上に被着するのは薄いポリマー層であって、離型剤ではないし、被着した薄いポリマー層は基板の凸状部上から除去されるものでもない。
　イ　引用発明は、「プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等で基板２０の面２０ｂ全面に成膜を行った後にリフトオフ法によって接合面２０ｂ２の反射防止膜２９のみを除去する」ものである。ただし、引用文献１には、リフトオフ法による具体的な工程について、記載がない。したがって、リフトオフ法より最終的に反射防止膜２９とともに除去される層を接合面２０ｂ２のみに形成するために当業者が用いるのは、リフトオフ法における周知技術、すなわち、フォトリソグラフィ技術であると考えられる。引用発明において、リフトオフ法より最終的に反射防止膜２９とともに除去される層を接合面２０ｂ２のみに形成する工程を、フォトリソグラフィ技術以外の技術により行うようにする動機付けを見い出すことはできない。また、引用文献３には、リフトオフ法より最終的に反射防止膜２９とともに除去される層を接合面２０ｂ２のみに形成することを「凹凸を有する部材の凸部の頂面にのみ層を形成する」と一般化できることを示唆する記載もない。
　　そうすると、仮に、引用文献４及び５より、凹凸を有する部材の凸部の頂面にのみ層を形成する手法として、当該層の材料を有する構造体を凹凸を有する部材に接触させることが周知技術であると認定できるとしても、引用発明において、前記周知技術を採用することは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。
　ウ　そして、本願発明１は、前記相違点２に係る本願発明１の構成を備えることにより、「超音波洗浄器内の水又は溶剤の中で離型層が除去されるときに、離型層上のＡＲＣ膜部分が容易に除去される。離型剤が単分子層のみである又はとても厚い場合にも、ＡＲＣの密着性がこの層によって弱められ、超音波洗浄器にて容易に除去される。この方法は、シャドーマスクや研磨設備を不要にし、また、例えばフォトレジスト噴霧器、ＵＶ露光・現像、及びリフトオフ設備などの、これら及び伝統的な代替のための資本設備を不要にする」（本件出願明細書【０００８】）という効果を奏するものである。
　エ　前記ア−ウによると、引用発明１において、前記相違点２に係る本願発明１の構成を得ることは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。
　　したがって、本願発明１は、引用文献３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　
２　本願発明２について
　本願発明２は、本願発明１の「基板」及び「コーティング」を、それぞれ、「光エネルギー透過ウエハ」及び「反射防止コーティング」などとしたものである。
　そうすると、本願発明２は、前記１の本願発明１についての判断と同様の理由により、引用文献３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　
３　本願発明３について
　請求項３は、請求項２の記載を引用して記載されたものであって、かつ、本願発明３は、本願発明２の構成を全て具備し、さらに他の発明特定事項を加えたものに該当する。
　そうすると、前記２の本願発明２についての判断と同じ理由により、本願発明３は、引用文献３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　
４　本願発明４について
　請求項４は、請求項１−３の記載を引用して記載されたものであって、かつ、本願発明４は、本願発明１−３の構成を全て具備し、さらに他の発明特定事項を加えたものに該当する。
　そうすると、前記１−３の本願発明１−３についての判断と同じ理由により、本願発明４は、引用文献３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
  
第５　原査定の理由の概要
　原査定の拒絶の理由は、概略、本件出願の請求項１−３に係る発明は、その優先権主張の日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である特開２０１３−１４２７５９号公報（引用文献３）に記載された発明及び周知技術に基づいて、その優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（当業者）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　ここで、前記周知技術は、凹凸を有する部材の凸部の頂面にのみ層を形成する手法として、当該層の材料を有する構造体を凹凸を有する部材に接触させる、というものである。
　しかしながら、本願発明１−４は、前記「第４」１−４で述べたとおり、引用文献３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　したがって、原査定を維持することはできない。
　
第６　当審拒絶理由の概要
　当合議体は、平成３０年１１月２０日付けで、明確性要件違反（特許法３６条６項２号）の当審拒絶理由を通知したところ、平成３１年２月６日に意見書及び手続補正書が提出された。
　そして、この手続補正書による補正（本件補正）で特許請求の範囲が補正されたことにより、当審拒絶理由は解消した。
　
第７　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。