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　特願２０１６−５０９４０８「オプトエレクトロニクス半導体部品及びオプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１０月３０日国際公開、ＷＯ２０１４／１７３８２５、平成２８年　７月１４日国内公表、特表２０１６−５２１００５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２０１４年４月１７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１３年４月２５日、ドイツ）を国際出願日とする出願であって、平成２９年６月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、平成３０年１月２９日に上申書が提出された。その後当審において、同年７月１０日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１２日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２　当審の拒絶理由
　当審において平成３０年７月１０日付けで通知した拒絶の理由の概要は、
「●理由１（進歩性）
　本件出願の請求項１ないし１９に係る発明は、その出願前に日本国内または外国において頒布された「国際公開ＷＯ２０１１／０８０１４４号」（以下「引用例１」という。）に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というもの、
「●理由２（サポート要件） 
　本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。」というもの、及び
「●理由３（明確性要件） 
　本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。」というものである。
３　本願発明
　本願の請求項１〜１８に係る発明は、平成３０年９月１２日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　ｐ型ドープ層（７）と、第１の層（２）、第２の層（５）を有するｎ型ドープ層（２，５）と、中間層（４）と、前記ｎ型ドープ層（２，５）および前記ｐ型ドープ層（７）の間に配置された電磁放射を生成するための活性ゾーン（６）とを備える積層体を備えるオプトエレクトロニクス半導体部品であって、
　前記ｎ型ドープ層（２，５）は、少なくともＧａＮを含み、
　前記第１および第２の層は、窒化物ベースの層であり、
　前記第１の層は、複数の穴、クラック、切欠き部を有し、
　前記中間層（４）が、前記ｎ型ドープ層（２，５）内に配置され、
　前記中間層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）を含み、
　前記中間層は、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含み、ｎ型ドーパントとしてシリコンまたはゲルマニウムを含む、
　オプトエレクトロニクス半導体部品。」
４　引用例の記載と引用発明
（１）引用例１の記載
　引用例１には、図１〜１１とともに、以下の事項が記載されている（下線は当審で付加した。以下同じ。）。
　
ア　「【技術分野】
【０００１】
ＡｌＧａＮをベースとする中間層を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップを開示する。さらには、ＡｌＧａＮをベースとする中間層の使用を開示する。」
イ　「【０００４】
　本半導体チップの少なくとも一実施形態によると、半導体積層体は、ｐ型にドープされた積層体と、ｎ型にドープされた積層体と、これらｐ型にドープされた積層体とｎ型にドープされた積層体との間に位置する活性ゾーンと、を備えている。…（略）…
【０００５】
　本オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも一実施形態によると、活性ゾーンは、半導体チップの動作時、紫外線、可視光、近赤外線のうちの少なくとも１つのスペクトル領域の電磁放射を生成するように設計されている。…（略）…」
ウ　「【００１０】
　本オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも一実施形態によると、
オプトエレクトロニクス半導体チップは、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮのうちの少なくとも１種類をベースとする
半導体積層体、を備えている
半導体積層体は、ｐ型にドープされた積層体と、ｎ型にドープされた積層体と、電磁放射を生成するための活性ゾーンであって、ｐ型にドープされた積層体とｎ型にドープされた積層体との間に位置する活性ゾーンと、を備えている
半導体積層体は、Ａｌ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ｎ（０＜ｘ≦１）をベースとする、
ｎ型にドープされた少なくとも１層の中間層、を備えている
【００１１】
　このような中間層を使用することによって、薬液（例えば硝酸）に対する半導体積層体の浸透性を効果的に減少させることができる。結果として、製造時の高い歩留りと、半導体チップの高い信頼性とを達成することができる。薬液または蒸気に対する、半導体積層体の層の浸透性は、
例えば転位（例えばいわゆる貫通転位）
転位によって半導体材料内に溝や穴が形成されうる
中間層のＡｌＧａＮは、割れや穴の中に堆積する、あるいは割れや穴に結合し、結果として、割れ、穴、転位の核の大きさを低減することができる
【００１２】
　本半導体チップの少なくとも一実施形態によると、ｎ型にドープされた積層体の層または半導体積層体の層のうち、中間層に隣接する層は、中間層の主延在方向を横切る方向に延びる割れもしくは穴またはその両方を有する。割れもしくは穴またはその両方の、横方向（すなわち半導体積層体の成長方向に垂直な方向）に沿った横方向の大きさは、ナノメートルまたはマイクロメートルのオーダーである。割れまたは穴の横方向の大きさは、例えば、最大で２５ｎｍ、最大で５０ｎｍ、最大で０．１０μｍ、最大で０．２５μｍ、または最大で０．４０μｍである。
【００１３】
　本オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも一実施形態によると、
中間層は、割れもしくは穴またはその両方の少なくとも一部分をふさいでいる
中間層は
割れまたは穴の中に延びる突出部を有する
突出部（中間層と同じ材料によって形成されていることが好ましい）は、部分的に、割れまたは穴が形成されている層の材料に物理的に直接接触している
【００１４】
　本オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも一実施形態によると、中間層は、割れもしくは穴またはその両方の直径もしくは横方向の大きさまたはその両方を低減する。すなわち、割れもしくは穴またはその両方の少なくとも一部分、例えば割れもしくは穴またはその両方の８０％以上、９５％以上、または９９％以上が、成長方向に沿って見たとき中間層の下流において、中間層の上流におけるよりも小さい。「小さい」とは、割れもしくは穴またはその両方が、中間層によって完全に覆われている、遮られている、または途中で切れている状態を含む。」
エ　「【００３０】
　図１は、オプトエレクトロニクス半導体チップ１００の例示的な実施形態を示している。半導体チップ１００は、特に、動作時にインコヒーレントな放射を放出する発光ダイオードである。
【００３１】
　半導体積層体１は、成長基板１１の上にエピタキシャル成長させたものである。
半導体積層体１は、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮのうちの少なくとも１種類をベースとする
【００３２】
　成長基板１１のすぐ後ろに、ドープされていないＧａＮ層１５が位置している。このドープされていない層１５は、例えば、３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内（両端値を含む）の厚さを有する。成長基板１１とは反対側の、ドープされていない層１５の面には、
ｎ型にドープされた部分層１７が形成されており
【００３３】
　成長基板１１とは反対側の、ｎ型にドープされた積層体４の面には、活性ゾーン３が位置しており、その後ろに、ｐ型にドープされた積層体２が続いている。ｎ型にドープされた積層体４と、ｐ型にドープされた積層体２との間に配置されている活性ゾーン３は、特に、所望の次元の少なくとも１つの量子井戸構造、好ましくは複数の量子井戸構造を有する。動作時、活性ゾーンにおいて、一例として、紫外線、青色光、または緑色光が生成される。
【００３４】
　
ｎ型にドープされた積層体４は、中間層５を備えている。中間層５は、ｎ型にドープされた積層体４の中、部分層１７とｎ型にドープされた電流拡散層７（ｎ型にドープされた積層体４の一部である）との間に位置している
【００３５】
　中間層５の厚さＴは、好ましくは１５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内（両端値を含む）、特に、２５ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内（両端値を含む）である。
中間層５は、ＡｌＧａＮをベースとしており
ドーパントは、例えばシリコンである
【００３６】
　半導体積層体１のバッファ層６は、部分層１７と、中間層５と、電流拡散層７とによって形成されており、ｎ型にドープされた積層体４を備えている。バッファ層６の厚さは、例えば、３００ｎｍ〜６μｍの範囲内（両端値を含む）、好ましくは５００ｎｍ〜１．８μｍの範囲内（両端値を含む）である。バッファ層６の厚さは、ｐ型にドープされた積層体２（図１による例示的な実施形態では１層のみによって形成されている）の厚さよりも大きく、好ましくは少なくとも１０倍、または少なくとも２０倍である。
【００３７】
　
図２による半導体チップ１００の例示的な実施形態は、例えば、図１による半導体チップ１００の発展形態
【００３８】
　ｎ型にドープされた積層体４の部分層１７には、活性ゾーン３とは反対側の面４０に、例えばエッチングによって、粗面８が形成されている。粗面８は、中間層５には達していない。粗面８を形成する結果として、図１による、ドープされていない層１５を完全に除去することが可能である。粗面８によって、半導体チップ１００からの放射の取り出し効率を高めることができる。粗面８の平均粗さは、好ましくは０．４μｍ〜４．０μｍの範囲内（両端値を含む）、特に、０．５μｍ〜１．５μｍの範囲内（両端値を含む）である。さらには、粗面８が形成されている面４０に、ｎ型コンタクト接続部１２ｎが形成されている。このｎ型コンタクト接続部１２ｎは、特に、１層または複数の金属層、もしくは透明導電性酸化物（transparent conductive oxide）、またはその両方によって、形成されている。特に、ｎ型コンタクト接続部１２ｎは、いわゆるボンディングパッドである。したがって、
図２によると、電流フローは中間層５を介して達成され、したがって、中間層５を導電性として（すなわち、特にｎ型にドープされるように）具体化する必要がある
【００３９】
　図２による半導体チップ１００は、図１による半導体チップ１００から、以下のように製造することができる。成長基板１１の上に半導体積層体１００を成長させた後、ｐ型コンタクト接続部１２ｐを設け、次いで、このｐ型コンタクト接続部１２ｐの上にキャリア９を結合する。その後、半導体積層体１およびキャリア９から、特にレーザリフトオフ法によって成長基板１１を除去する。この場合、ｎ型にドープされた積層体４のうち、成長基板１１の近くに位置する薄い領域（具体的には、ドープされていない層１５の一部）を分解させる。半導体積層体１から成長基板１１を除去した後、ｎ型にドープされた積層体４の部分層１７の面４０に、特にエッチングによって、粗面８を形成する。」
オ　「【００５１】
　図８は、中間層５を有する半導体チップ１００の例示的な実施形態を示しており、半導体積層体１から成長基板１１を分離した後の状態である。記載した形態のバリエーションとして、層１５および層１７のうちの一方のみを設けることも可能である。図８による半導体積層体１においても、ｎ型にドープされた積層体４の面４０からｐ型コンタクト接続部１２ｐの方に、割れ１４や穴１４が延び、例えばレーザリフトオフ法の結果として、分離された成長基板１１の側の面４０に現れる。
【００５２】
　しかしながら、図８によると、面４０から活性ゾーン３の方に延びている
割れ１４や穴１４のすべて、または少なくとも一部が、中間層５によって覆われて閉じられている
半導体積層体１または中間層５を成長させるとき、中間層５の突出部５０が活性ゾーン３から成長基板１１の方に延びる。突出部５０は、中間層５と同じ材料によって形成されている。したがって、突出部５０は、割れ１４や穴１４の少なくとも一部の中に栓のように入り込み、半導体積層体１の成長方向に垂直な方向には、割れ１４や穴１４の横方向の境界領域の少なくとも一部分に直接結合される
【００５３】
　したがって、中間層５は、割れ１４や穴１４に対して一種の栓または蓋となる層として使用されている。これが可能であるのは、特に、中間層５および突出部５０が、ＧａＮではなくＡｌＧａＮによって形成されているためである。表面におけるエピタキシャル成長時、アルミニウム原子は、ガリウム原子よりも移動性が小さい。これにより、割れ１４や穴１４を閉じて、その一部分に入り込むことができる。
【００５４】
　さらに半導体積層体１をエピタキシャル成長させるとき、割れ１４や穴１４（例えば、成長基板１１とは反対側の、ｎ型にドープされた積層体の面４０から、ｐ型コンタクト接続部１２ｐに達する）が発生しうるが、活性ゾーン３とは反対側の層１５，１７の面から、ｐ型コンタクト接続部１２ｐまたはミラー１６ｂ（図３および図６）まで途切れずに連続的に延びる割れ１４や穴１４は存在しない。結果として、以降の工程ステップ時、特に、低い粘性の薬液が使用される工程時に、ミラー１６，１６ａ，１６ｂ、あるいは、めっきスルーホール１０またはコンタクト接続部１２ｎ，１２ｐのそれ以外の材料（例えば、Ａｌ、ＷＮ、Ｔｉ）は、損傷を受けない。特に、半導体積層体１の粗面８または外側境界領域とミラー１６，１６ａ，１６ｂとの間の距離が特に小さいとき、特に、図３および図６による例示的な実施形態の場合、割れ１４や穴１４を中間層５によってふさぐ効果は重要である。」
カ　図２、８は以下のとおりのものである。
　図８から、部分層１７は、複数の割れ１４や穴１４を有することが見てとれる。
（２）引用発明
　引用例１の上記（１）の摘記事項及び図８を参酌してまとめると、引用例１には、図２による半導体チップ１００に関し、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮのうちの少なくとも１種類をベースとする半導体積層体１を備えている、オプトエレクトロニクス半導体チップ１００であって、
　前記半導体積層体１は、ｐ型にドープされた積層体２と、ｎ型にドープされた積層体４と、電磁放射を生成するための活性ゾーン３であって、前記ｐ型にドープされた積層体２と前記ｎ型にドープされた積層体４との間に位置する活性ゾーン３と、を備えており、
　前記ｎ型にドープされた積層体４には、ｎ型にドープされた部分層１７とｎ型にドープされた電流拡散層７（ｎ型にドープされた積層体４の一部である）が形成されており、
　前記ｎ型にドープされた積層体４は、中間層５を備えており、中間層５は、ｎ型にドープされた積層体４の中、前記部分層１７と前記電流拡散層７との間に位置しており、
　前記部分層１７は、複数の割れ１４や穴１４を有し、
　前記中間層５は、ＡｌＧａＮをベースとしており、
　前記中間層５は、ｎ型ドーパントとしてシリコンを含み、
　電流フローは中間層５を介して達成され、したがって、中間層５を導電性として（すなわち、特にｎ型にドープされるように）具体化する必要があり、
　前記中間層５の突出部５０が、割れ１４や穴１４の少なくとも一部の中に栓のように入り込み、半導体積層体１の成長方向に垂直な方向には、割れ１４や穴１４の横方向の境界領域の少なくとも一部分に直接結合されて、割れ１４や穴１４のすべて、または少なくとも一部が、中間層５によって覆われて閉じられている、
　オプトエレクトロニクス半導体チップ１００。」
５　対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
（１）引用発明の「ｐ型にドープされた積層体２」、「ｎ型にドープされた部分層１７」、「ｎ型にドープされた電流拡散層７」、「『ｎ型にドープされた部分層１７』と『ｎ型にドープされた電流拡散層７』」、「中間層５」、「電磁放射を生成するための活性ゾーン３」、「半導体積層体１」、「オプトエレクトロニクス半導体チップ１００」は、それぞれ、本願発明の「ｐ型ドープ層（７）」、「第１の層（２）」、「第２の層（５）」、「ｎ型ドープ層（２，５）」、「中間層（４）」、「電磁放射を生成するための活性ゾーン（６）」、「積層体」、「オプトエレクトロニクス半導体部品」に相当する。
（２）引用発明は、「ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮのうちの少なくとも１種類をベースとする半導体積層体１を備えている」ものであり、また、半導体積層体１が備えている「前記ｎ型にドープされた積層体４」には、「『ｎ型にドープされた部分層１７とｎ型にドープされた電流拡散層７』（ｎ型ドープ層）が形成されて」いるものであるから、本願発明と引用発明とは、「前記ｎ型ドープ層は、少なくともＧａＮを含み、前記第１および第２の層は、窒化物ベースの層であ」る点で共通する。
（３）引用発明の「複数の割れ１４や穴１４」は、本願発明の「穴、クラック、切欠き部」に相当する。
（４）引用発明では、「前記ｎ型にドープされた積層体４には、ｎ型にドープされた部分層１７とｎ型にドープされた電流拡散層７（ｎ型にドープされた積層体４の一部である）が形成されており、前記ｎ型にドープされた積層体４は、中間層５を備えており、中間層５は、ｎ型にドープされた積層体４の中、前記部分層１７と前記電流拡散層７との間に位置してお」るものであるから、中間層５は、「『ｎ型にドープされた部分層１７』と『ｎ型にドープされた電流拡散層７』」（ｎ型ドープ層）内に配置されたものであるといえる。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「前記中間層が、前記ｎ型ドープ層内に配置され」たものである点で一致する。
（５）したがって、本願発明と引用発明との間には、次の一致点、相違点がある。
＜一致点＞
「ｐ型ドープ層と、第１の層、第２の層を有するｎ型ドープ層と、中間層と、前記ｎ型ドープ層および前記ｐ型ドープ層の間に配置された電磁放射を生成するための活性ゾーンとを備える積層体を備えるオプトエレクトロニクス半導体部品であって、
　前記ｎ型ドープ層は、少なくともＧａＮを含み、
　前記第１および第２の層は、窒化物ベースの層であり、
　前記第１の層は、複数の穴、クラック、切欠き部を有し、
　前記中間層が、前記ｎ型ドープ層内に配置され、
　前記中間層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）を含み、
　前記中間層は、ｎ型ドーパントとしてシリコンを含む、
　オプトエレクトロニクス半導体部品。」
＜相違点＞
＜相違点１Ａ＞
　ｎ型ドーパントとしてシリコンを含む中間層について、本願発明では、「ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含」むのに対し、引用発明では、ｐ型ドーパントを含まない点。
６　相違点についての判断
（１）相違点１Ａについて
ア　引用発明は、「前記中間層５の突出部５０が、割れ１４や穴１４の少なくとも一部の中に栓のように入り込み、半導体積層体１の成長方向に垂直な方向には、割れ１４や穴１４の横方向の境界領域の少なくとも一部分に直接結合されて、割れ１４や穴１４のすべて、または少なくとも一部が、中間層５によって覆われて閉じられている」ものである。
　また、上記４（１）ウに摘記したように、引用例１の段落【００１１】には、「このような中間層を使用することによって、薬液（例えば硝酸）に対する半導体積層体の浸透性を効果的に減少させることができる。結果として、製造時の高い歩留りと、半導体チップの高い信頼性とを達成することができる。薬液または蒸気に対する、半導体積層体の層の浸透性は、例えば
転位（例えばいわゆる貫通転位
転位によって半導体材料内に溝や穴が形成されうる
中間層のＡｌＧａＮは、割れや穴の中に堆積する、あるいは割れや穴に結合し、結果として、割れ、穴、転位の核の大きさを低減することができる
イ　一方、ＩＩＩ族窒化物系化合物系半導体チップにおいて、窒化物半導体基板の表面の貫通転位や貫通転位に起因するピット（穴）を低減する必要があることは技術常識であるところ（必要であれば、下記周知例１の段落【０００４】〜【０００６】など、下記周知例２の段落【０００４】を参照。）、横方向成長を速くさせたＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を成長すると、貫通転位が、基板表面に水平な方向、すなわち横方向に折り曲げられ、上下方向に伝搬する貫通転位の低減が図られることは周知技術であり、例えば、下記周知例２（段落【００４１】などを参照。）、下記周知例３（段落【００６２】、【００７７】〜【００７８】などを参照。）、下記周知例４（段落【００４３】を参照。）に記載されている。
　また、下記周知例１（段落【００１３】〜【００１４】を参照。）には、ピットＰを有する第１のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層３１を形成後、
横方向成長的にピットの底部Ｓを第２のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層４で覆った
　一方、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体層の横方向成長を促進するための手法として、マグネシウムなどのｐ型ドーパントを添加することは周知・慣用手段であり、例えば、下記周知例２（段落【００４１】などを参照。）、下記周知例３（段落【００４５】、【００８３】、【０１４０】などを参照。）、下記周知例４（段落【００４３】などを参照。）、下記周知例１（段落【００２６】などを参照。）、下記周知例５（段落【００２２】〜【００２３】、【００２９】などを参照。）に記載されており、これらの周知例の記載のうち、下記周知例２（段落【００４１】を参照。）、下記周知例３（段落【０１３４】、【０１３８】〜【０１４０】などを参照。）には、ｎ型不純物とｐ型不純物を同時ドープさせることも記載されている。
　
ウ　上記アに記載したように、引用発明は、「前記中間層５の突出部５０が、割れ１４や穴１４の少なくとも一部の中に栓のように入り込み、半導体積層体１の成長方向に垂直な方向には、割れ１４や穴１４の横方向の境界領域の少なくとも一部分に直接結合されて、割れ１４や穴１４のすべて、または少なくとも一部が、中間層５によって覆われて閉じられている」ものであり、引用例１の段落【００１１】には、「中間層のＡｌＧａＮは、割れや穴の中に堆積する、あるいは割れや穴に結合し、結果として、割れ、穴、転位の核の大きさを低減することができる。」と記載されており、また、周知例１には、横方向成長的にピット（すなわち、穴やくぼみ）の底部をＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層４で覆う旨が開示されているので、引用発明において、中間層５の突出部５０の割れ１４や穴１４の横方向の境界領域への直接結合を効果的なものとするために、中間層５を横方向成長が促進されたものとする動機付けがあるといえる。
　したがって、引用発明において、周知例１〜５に記載の技術に基づき、ｎ型ドーパントとしてシリコンを含む中間層５を、横方向成長を促進させて貫通転位や貫通転位に起因するピットを低減すべく、さらに、ｐ型トーパントとしてマグネシウムを含むものを採用することは、当業者であれば容易になし得たことである。
　したがって、引用発明において、相違点１Ａに係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
・周知例１：特開２００３−６８６６２号公報
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はIII族窒化物系化合物半導体の製造方法に関する。尚、III族窒化物系化合物半導体とは、例えばAlN、GaN、InNのような２元系、…（略）…なお、本明細書においては、特に断らない限り、単にIII族窒化物系化合物半導体と言う場合は、伝導型をｐ型あるいはｎ型にするための不純物がドープされたIII族窒化物系化合物半導体をも含んだ表現とする。
【０００２】
【従来の技術】III族窒化物系化合物半導体は、例えば発光素子とした場合、発光スペクトルが紫外から赤色の広範囲に渡る直接遷移型の半導体であり、発光ダイオード(LED)やレーザダイオード(LD)等の発光素子に応用されている。…（略）…このIII族窒化物系化合物半導体では、サファイアを基板とし、その上に形成した素子の他、炭化ケイ素(SiC)基板やシリコン(Si)基板を用いるものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】III族窒化物系化合物半導体を基板上にエピタキシャル成長させる際、基板が完全に洗浄されていない場合や微細なきずを有する場合、又は成長条件が最適でない場合など、バッファ層を介しても基板の汚れやきずの上部には単結晶のIII族窒化物系化合物半導体が形成されない場合がある。このような基板の汚れやきずが極めて小さい領域であっても、単結晶のIII族窒化物系化合物半導体が形成されない領域は、III族窒化物系化合物半導体を厚膜にエピタキシャル成長させるほど広がっていく。これはピットと呼ばれるもので、III族窒化物系化合物半導体においては、一般的に側面を｛１−１０１｝面とする倒立六角錐状のものとして現れる。この側面は、III族窒化物系化合物半導体の成長面がｃ面｛０００１｝面である場合、それらのなす角度が約６２度で、場合によってはIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させた膜厚程度の大きさのピットとなる場合も有り得る。
【０００４】また、III族窒化物系化合物半導体と格子定数や熱膨張率の近い基板は安価に得られるものが無い。そのためサファイア、シリコン、SiC、スピネル(MgAl2O4)などの異種基板を用いることが一般的である。しかし、サファイア、シリコン、SiC、スピネル(MgAl2O4)などの異種基板上にIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させると、極めて多量の貫通転位を有するIII族窒化物系化合物半導体が形成されてしまう。この貫通転位も、上記ピット形成の始点となる場合がある。
【０００５】この様子を図４に示す。図４は、基板１に、バッファ層２を介してIII族窒化物系化合物半導体層３を形成する様子を示している。
基板１にＳで示した小さい面積の領域が、汚れを有していたり、傷を有していたりしたとすると、図４に示すようにその部分をバッファ層２が覆わない様な場合がある。このままIII族窒化物系化合物半導体層３をエピタキシャル成長させたことで、エピタキシャル成長面Ｃと、約６２度の角度を成す｛１−１０１｝面Ｍ'を有するピットＰ
1
が形成されてしまう
基板１との格子定数の差から、貫通転位Ｄ
1
、Ｄ
2
、Ｄ
3
、Ｄ
4
が形成される。
ある時点からピットＰ
2
を生成してしまう貫通転位Ｄ
4
もある
【０００６】このように、一度ピットが形成されてしまうと、通常のエピタキシャル成長中にはピットが消滅することは無かった。また、ピットが形成されてしまうと、その部分を含む領域に形成されるIII族窒化物系化合物半導体素子は、その特性が著しく低下する。また、III族窒化物系化合物半導体多層膜を形成してもIII族窒化物系化合物半導体が平坦でない部分を有するので、素子寿命も短いものとなる。また、設計通りの特性を有しない素子となってしまう。このように、従来は
ピットが形成されてしまうと、その上層に形成されるIII族窒化物系化合物半導体素子は不良品となり、歩留まりの悪化をもたらしていた
「【００１３】
【作用及び発明の効果】本発明の概要を図１を参照しながら説明する。今、何等かの小領域Ｓが原因となり、
ピットＰを有する第１のIII族窒化物系化合物半導体層３１が形成されている
横方向成長的にピットの底部（倒立六角錐の頂点）Ｓを第２のIII族窒化物系化合物半導体４が覆ったのち、再度第１のIII族窒化物系化合物半導体層３２を形成すべくエピタキシャル成長を行えば
【００１４】第２のIII族窒化物系化合物半導体層にアルミニウムを含むことで、容易に横方向成長の速いような成長条件を設けることができる（請求項２）。第１、第２のIII族窒化物系化合物半導体層のアルミニウム組成の差は５％以上、更には１０％以上であることが望ましい（請求項３）。例えば第１のIII族窒化物系化合物半導体がGaNならば、第２のIII族窒化物系化合物半導体の組成をAl0.1Ga0.9N又はAl0.15Ga0.85Nとすることで確実にピットを埋めることができることを本発明者らは見出している。ここにおいて、第１のIII族窒化物系化合物半導体のIII族中のアルミニウム組成がモル比５パーセント以下、第２のIII族窒化物系化合物半導体のIII族中のアルミニウム組成がモル比１０パーセント以上であれば（請求項４）、又は第１のIII族窒化物系化合物半導体のIII族中のアルミニウム組成がモル比０パーセント以上２パーセント以下、第２のIII族窒化物系化合物半導体のIII族中のアルミニウム組成がモル比７パーセント以上であれば（請求項５）、本願発明が適用できる。」
「【００２６】第２のIII族窒化物系化合物半導体のアルミニウム組成は、第１のIII族窒化物系化合物半導体のアルミニウム組成よりも5パーセント以上、好ましくは10パーセント以上多いものとすることが望ましい。即ち、例えば第１のIII族窒化物系化合物半導体がGaNならば、第２のIII族窒化物系化合物半導体はAl0.05Ga0.95N、好ましくはAl0.1Ga0.9N等とすることが望ましい。アルミニウム組成がより多い第２のIII族窒化物系化合物半導体を導入することで、アルミニウム組成が少ない第１のIII族窒化物系化合物半導体が覆えないピットの底部を覆うことができる。尚、
ドーパントにより横方向成長を速くさせることも可能である
III族と置き換わってアクセプタとなるII族元素を供給することにより、アルミニウムが無くても、また、アルミニウム組成がより多い第２のIII族窒化物系化合物半導体を形成する場合は更に横方向成長を速くさせることも可能である
・周知例２：特開２００２−３１３７３９号公報
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード、レーザダイオード等の発光素子、あるいは太陽電池、光センサー等の受光素子、又は電子デバイスなどに使用される窒化ガリウム系化合物半導体素子（ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を有する窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその成長方法に関する。」
「【０００４】窒化物半導体基板とするには、
基板と窒化物半導体との格子定数差から、基板上に窒化物半導体を直接成長させると、貫通転位が１０
１０
個ｃｍ
−２
程度発生する
貫通転位を１０
８
個ｃｍ
−２
まで低減し、平坦で鏡面となる窒化物半導体基板の成長が可能となった
「【００４１】第１〜第３の窒化物半導体層には、アンドープに限らず、ｎ型不純物としてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＳ等の少なくとも１種類をドープしたもの、又は、
Ｍｇ
等のｐ型不純物をドープしたもの等を用いる
第２の窒化物半導体層や第４の窒化物半導体層には
ｎ型不純物とｐ型不純物を同時ドープさせて、横方向と縦方向の成長を促進させて、貫通転位の成長方向を曲げて収束させることで転位を低減することができ好ましい
・周知例３：特開２００１−２６７６９２号公報
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＩｎＮ（窒化インジウム）、ＢＮ（窒化ホウ素）もしくはＴｌＮ（窒化タリウム）またはこれらの混晶等のIII −Ｖ族窒化物系半導体（以下、窒化物系半導体と呼ぶ）およびこれら混晶にＡｓ、ＰおよびＳｂのうち少なくとも１つの元素を含む混晶等のIII −Ｖ族窒化物系半導体からなる化合物半導体層を有する窒化物系半導体素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日、ＧａＮ系半導体を利用した半導体素子の開発が盛んに行われている。このようなＧａＮ系半導体素子の製造の際には、ＧａＮからなる基板の製造が困難であるため、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ等からなる基板上にＧａＮ系半導体層をエピタキシャル成長させている。
【０００３】この場合、サファイア等の基板とＧａＮとでは格子定数が異なるため、サファイア等の基板上に成長させたＧａＮ系半導体層においては、基板から上下方向に延びる転位（格子欠陥）が存在している。このようなＧａＮ系半導体層における転位は、半導体素子の素子特性の劣化および信頼性の低下を招く。」
「【００２０】
【課題を解決するための手段および発明の効果】本発明に係る窒化物系半導体素子は、表面に凹凸パターンを有する下地と、下地上に形成されかつマグネシウムを含む第１のIII 族窒化物系半導体層と、第１のIII 族窒化物系半導体層上に形成されかつ素子領域を含む第２のIII 族窒化物系半導体層とを備えたものである。
【００２１】本発明に係る窒化物系半導体素子においては、表面に凹凸パターンを有する下地上に、マグネシウムを含み平坦な表面を有する第１のIII 族窒化物系半導体層が形成されている。
【００２２】ここで、
マグネシウムを含む第１のIII 族窒化物系半導体層は
横方向成長の速度が大きい
「【００４３】本発明に係る窒化物系半導体素子の製造方法は、表面に凹凸パターンを有する下地を形成する工程と、下地上にマグネシウムを含む第１のIII 族窒化物系半導体層を形成する工程と、第１のIII 族窒化物系半導体層上に素子領域を含む第２のIII 族窒化物系半導体層を形成する工程とを備えたものである。
【００４４】本発明に係る窒化物系半導体素子の製造方法においては、表面に凹凸パターンを有する下地上にマグネシウムを含む第１のIII 族窒化物系半導体層を形成し、結晶成長表面を平坦化する。そして、この平坦な表面を有する第１のIII 族窒化物系半導体層上に第２のIII 族窒化物系半導体層を形成する。
【００４５】ここで、
マグネシウムを含む第１のIII 族窒化物系半導体層は
横方向成長の速度が大きい
「【００５１】下地は、表面の少なくとも一部の領域がIII 族窒化物系半導体からなってもよい。
…（略）…
【００５９】下地を形成する工程は、基板上に複数の第３のIII 族窒化物系半導体層を分散的に形成する工程を含み、第１のIII 族窒化物系半導体層を形成する工程は、基板上および第３のIII 族窒化物系半導体層上に第１のIII 族窒化物系半導体層を形成する工程を含んでもよい。この場合、基板および第３のIII 族窒化物系半導体層により下地の表面の凹凸パターンが形成される。この凹凸パターン上に第１のIII 族窒化物系半導体層を形成して表面を平坦化する。それにより、小さな膜厚で結晶成長表面を平坦化することが可能となる。
【００６０】ここで、基板と窒化物系半導体とでは格子定数が異なることから、第１のIII族窒化物系半導体層の成長時においては、第３のIII 族窒化物系半導体層を介することなく第１のIII 族窒化物系半導体層を基板上に成長させるのは困難である。このため、第１のIII 族窒化物系半導体層は、成長初期において第３のIII 族窒化物系半導体層上に選択的に成長する。この場合、第１のIII 族窒化物系半導体層は、第３のIII 族窒化物系半導体層上において縦方向に成長する。
【００６１】第１のIII 族窒化物系半導体層の縦方向の成長が進むと、第３のIII 族窒化物系半導体層上に成長した第１のIII 族窒化物系半導体層はさらに横方向にも成長する。それにより、第３のIII 族窒化物系半導体層の間で露出した基板上に第１のIII 族窒化物系半導体層が形成される。さらに、前述のように第１のIII 族窒化物系半導体層は横方向における成長速度が大きいため、第１のIII 族窒化物系半導体層において横方向成長が促進される。それにより、第１のIII 族窒化物系半導体層が連続膜となり、表面が平坦化される。
【００６２】上記のような
第１のIII 族窒化物系半導体層の横方向成長に伴って、基板から縦方向に伝播する転位は横方向に折れ曲がる。それにより、第１のIII 族窒化物系半導体層において縦方向に伝播する転位の低減が図られ
「【００７７】ここで、開口部内のアンドープＧａＮ層３上におけるアンドープＧａＮ層４の成長時には、ＧａＮの〈０００１〉方向（図中の矢印Ｙの方向）の成長速度が最も大きくなるように成長条件を設定する。それにより、アンドープＧａＮ層４は、斜面に（１１０１）面が露出した三角形状のファセット構造を形成しながら成長する。さらに、成長が進むにつれてアンドープＧａＮ層４は横方向（図中の矢印Ｘの方向）にも成長し、酸化膜マスク５０上にもアンドープＧａＮ層４が形成される。
【００７８】ここで、
アンドープＧａＮ層３からアンドープＧａＮ層４に伝播した多数の貫通転位は、アンドープＧａＮ層４の横方向成長に伴い、サファイア基板１の表面（Ｃ面）に水平な方向、すなわち横方向に折り曲げられる。このため、開口部内に露出したアンドープＧａＮ層３上に成長したＧａＮにおいては、上下方向に伝播する貫通転位の低減が図られる
【００７９】貫通転位が全て横方向に折れ曲がるのに要するアンドープＧａＮ層４の膜厚ｔ1 は、酸化膜マスク５０の開口部の幅Ｓ2 と同じ程度の大きさである。したがって、このような膜厚ｔ1 までアンドープＧａＮ層４を成長させる。
【００８０】上記のようにして形成したアンドープＧａＮ層３上のアンドープＧａＮ層４の領域においては、
貫通転位が横方向に折り曲げられるため転位密度が低減される
…（略）…
【００８２】続いて、図１（ｃ）に示すように、基板温度を１１５０℃に保った状態で、ファセット構造のアンドープＧａＮ層４上にＭｇドープＧａＮ層５を成長させる。このＭｇドープＧａＮ層５は、凹凸パターンが埋め込まれて表面が平坦化されるまで成長させる。
【００８３】ここで、ＭｇドープＧａＮ層５においては、
Ｍｇがドープされているため
ＧａＮの横方向成長が促進される
「【０１３３】図８は本発明のさらに他の実施例における半導体レーザ素子を示す模式的斜視図である。
【０１３４】図８に示す半導体レーザ素子５０２においては、
ｎ−Ｓｉ基板１Ａ上に、ｎ−ＡｌＧａＮバッファ層２ａ、ｎ−ＧａＮ層３ａおよびｎ−ＧａＮ層４ａが順に形成されている。さらにその上には、Ｍｇがドープされるとともにｎ型不純物としてＳｉがドープされたｎ型のＭｇドープＧａＮ層５ａが形成されている
電流を流れやすくするために、ｎ型のＭｇドープＧａＮ層５ａを形成している
【０１３５】ｎ
型のＭｇドープＧａＮ層５ａ上には、ｎ−ＡｌＧａＩｎＮクラック防止層１０２、ｎ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層１０３、ｎ−ＧａＮ第１クラッド層１０４、ＭＱＷ発光層１０５、ｐ−ＧａＮ第１クラッド層１０６が順に形成されている
ｐ−ＧａＮ第１クラッド層１０６上のストライプ状の領域にｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層１０７が形成されている
【０１３６】ｐ−ＧａＮ第１クラッド層１０６上およびｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層１０７の側面にｎ−ＧａＮ電流狭窄層１０９が形成されている。この場合、ｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層１０７の上面にｎ−ＧａＮ電流狭窄層１０９のストライプ状の開口部が形成されている。ｎ−ＧａＮ電流狭窄層１０９および
ｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層１０７上にｐ−ＧａＮコンタクト層１０８が形成されている
ｎ−Ｓｉ基板１Ａの裏面にｎ側電極６０が形成され、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０８のリッジ部の上面にｐ側電極６１が形成されている
【０１３７】なお、半導体レーザ素子５０２の各層１０２〜１０９の詳細については、半導体レーザ素子５０１の素子構造２００において前述した通りである。
【０１３８】このような半導体レーザ素子５０２においては、
ｎ型のＭｇドープＧａＮ層５ａが第１のIII 族窒化物系半導体層に相当する
【０１３９】上記の半導体レーザ素子５０２においては、選択横方向成長により転位密度の低減が図られたｎ−ＧａＮ層４ａ上に各層１０２〜１０９が形成されている。したがって、各層１０２〜１０９において良好な結晶性が実現される。それにより、半導体レーザ素子５０２は、良好な素子特性を有するとともに高い信頼性を有する。
【０１４０】また、上記の半導体レーザ素子５０２においては、選択横方向成長してファセット構造が形成されたｎ−ＧａＮ層４ａ上に、ｎ型のＭｇドープＧａＮ層５を表面が平坦化するまで成長させる。この場合、ｎ−ＧａＮ層４ａの表面は平坦化しないので、ｎ−ＧａＮ層４ａの膜厚を大きくする必要がない。また、
Ｍｇがドープされたｎ型のＭｇドープＧａＮ層５ａは、横方向成長の成長速度が大きい
　周知例３の図８は、以下のとおりである。
・周知例４：特開２００５−２３５９１２号公報
「【技術分野】
【０００１】
  本発明は、ＧａＮ系化合物半導体受光素子に関する。」
「【００４３】
  〈１〉上記実施形態において、下地半導体層１０のＡｌＮの中間層１２をＭＯＣＶＤ法で形成する過程において、微量のＬｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｎａ等の微量のアルカリ金属元素または２属元素を原料ガス中に添加して、中間層１２を形成するのも好ましい実施の形態である。ここで、Ｌｉ、Ｃａ、
Ｍｇ
は、ＡｌＮの結晶成長に対し、基板面に平行な横方向の結晶成長を促進させる作用
この結果
転位が横方向に結合して減少する
ＡｌＮ或いはＡｌＮ組成比の高いＡｌＧａＮでは、ＧａＮに比べて横方向の結晶成長が抑制されるため、上記のような横方向への結晶成長促進剤を添加することにより更に貫通転位を低減できる
・周知例５：特開２０１１−２４９８４３号公報
「【技術分野】
【０００１】
  本発明は、半導体素子およびその製造方法に関し、特に、紫外発光ダイオードや電子デバイス等の半導体素子およびその製造方法に関する。」
「【００２１】
  本発明に従う半導体素子の実施形態について図面を参照しながら説明する。
  図１は、本発明に従う半導体素子１００の一例の模式的断面図を示したものである。
  本発明に従う半導体素子１００は、図１に示すように、基板１上に、バッファ２と、複数の窒化物半導体層を含む機能積層体３とを具え、この機能積層体３は、バッファ２側にｎ型またはｉ型である第１のＡｌｘＧａ１−ｘＮ層(０≦ｘ＜１)４を有し(図１ではｎ型)、バッファ２と機能積層体３との間に、第１のＡｌｘＧａ１−ｘＮ層４とＡｌ組成が略等しいｐ型不純物を含むＡｌｚＧａ１−ｚＮ調整層(ｘ−０．０５≦ｚ≦ｘ＋０．０５、０≦ｚ＜１)５（以下、単に「調整層５」ともいう）を具えることを特徴とし、かかる構成を有することにより、バッファ２で改善された平坦性および結晶性を、有効に機能積層体３に引き継がせることで、機能積層体３の平坦性および結晶性を良好とすることができるものである。なお、機能積層体３とはＬＥＤやＨＥＭＴ等の半導体素子において電流が流れるなどデバイスとして機能する部分を意味し、調整層５が第１のＡｌｘＧａ１−ｘＮ層(０≦ｘ＜１)４と隣接していても、調整層５にデバイスとしての機能が付与されることはない。
【００２２】
  特に、バッファ２とｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層４との間にｐ型不純物を含むＡｌｚＧａ１−ｚＮ調整層５を設けたことにより、基板１から機能積層体３への酸素(Ｏ)等の不純物の拡散を抑制することができ、その結果発光出力を向上させることができる。また、
調整層５がｐ型不純物を含むため、調整層５内で横方向成長が促進され
【００２３】
  ここで、
ｐ型不純物は
Ｍｇであることが特に好ましい
Ｍｇ
は、ＡｌＧａＮやＧａＮの横方向の結晶成長を促進するための横方向結晶成長促進物質として適しており、中でも、Ｍｇは他の層へ拡散し難い点から横方向結晶成長促進物質として特に適している
…（略）…
【００２９】
  
調整層５は、マグネシウム(Ｍｇ)がドープされており
ｐ型不純物としてＭｇを用いると、調整層５の横方向成長を促進することで平坦化を促進する
（２）請求人の主張について
ア　請求人は、平成３０年９月１２日付け意見書において、次のような主張をしている。
　「引用文献１において、中間層５がｐ型ドーパントを含むことは、ｐ型ドーパントがｎ型導電性を低下させるという理由から、明らかに逆効果であると思料します。」（３ページ１８〜１９行））
　「引用文献４（周知例３）には、図８に関連して、実際の半導体デバイスの半導体層１０２，１０３等が成長する半導体基板を形成するｎ−Ｓｉ基板１、ｎ−ＡｌＧａＮバッファ層２ａ、ｎ−ＧａＮ層３ａ、ｎ−ＧａＮ層４ａおよびｎ型ＭｇドープＧａＮ層５ａを有する半導体レーザー素子５０２が記載されています。
　しかしながら、引用文献２，３の場合と同様に、ｎ−ＡｌＧａＮバッファ層２ａ、ｎ−ＧａＮ層３ａ、ｎ−ＧａＮ層４ａ、ｎ型ＭｇドープＧａＮ層５ａは、半導体レーザー素子５０２の半導体積層体の一部ではなく、適切な成長面を形成するために使用されるものです。
　したがって、当業者にとって、引用文献１の積層体４の層の何れかを、ｎ−ＡｌＧａＮバッファ層２ａ、ｎ−ＧａＮ層３ａ、ｎ−ＧａＮ層４ａ、ｎ型ＭｇドープＧａＮ層５ａについて引用文献４に記載されている方法（ドーピング）で導電性を変更する動機付けはありません。
　さらに言えば、引用文献４には、本願発明１〜３の特徴事項に対応する「中間層は、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含み、ｎ型ドーパントとしてシリコンまたはゲルマニウムを含む、すなわち同一層内においてｐ型ドーパントおよびｎ型ドーパントの両方を使用する」点について記載も示唆もありません。」(４ページ２４〜３９行）
「引用文献２〜６には、半導体積層体の一部がｐ型ドーパントを含むことに関する記載がない、つまり引用文献１の中間層５（半導体積層体の一部）に対してｐ型ドーパントを採用することの動機付けとなる記載は全くなく、当業者にとって、ｎ型ドーパントとしてシリコンを含む中間層５を、横方向成長を促進させて貫通転位や貫通転位に起因するピットを低減すべく、さらに、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含むものを採用することは、容易になし得たことではないと思料します。」（５ページ２５〜３０行））
イ　しかしながら、周知例３（上記引用文献４）の図８（上記（１）を参照。）に示される半導体レーザー素子５０２は、ｎ−Ｓｉ基板１Ａ上に、ｎ−ＡｌＧａＮバッファ層２ａ、ｎ−ＧａＮ層３ａおよびｎ−ＧａＮ層４ａが順に形成され、さらにその上には、Ｍｇがドープされるとともにｎ型不純物としてＳｉがドープされたｎ型のＭｇドープＧａＮ層５ａが形成されており、ｎ型のＭｇドープＧａＮ層５ａ上には、ｎ−ＡｌＧａＩｎＮクラック防止層１０２、ｎ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層１０３、ｎ−ＧａＮ第１クラッド層１０４、ＭＱＷ発光層１０５、ｐ−ＧａＮ第１クラッド層１０６が順に形成され、ｐ−ＧａＮ第１クラッド層１０６上のストライプ状の領域にｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層１０７が形成され、ｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層１０７上にｐ−ＧａＮコンタクト層１０８が形成され、ｎ−Ｓｉ基板１Ａの裏面にｎ側電極６０が形成され、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０８のリッジ部の上面にｐ側電極６１が形成されており、電流を流れやすくするために、ｎ型のＭｇドープＧａＮ層５ａを形成しているものである（段落【０１３４】〜【０１３６】も参照。）。
　したがって、周知例３に記載された半導体レーザ素子５０２は、「ｐ型ドープ層（１０６、１０７、１０８）と、第１の層（２ａ、３ａ、４ａ）、第２の層（１０２、１０３、１０４）を有するｎ型ドープ層（２ａ、３ａ、４ａ、１０２、１０３、１０４）と、ｎ型のＭｇドープＧａＮ層５ａと、前記ｎ型ドープ層（２ａ、３ａ、４ａ、１０２、１０３、１０４）および前記ｐ型ドープ層（１０６、１０７、１０８）の間に配置されたＭＱＷ発光層１０５とを備える積層体」を備えるものであって、「ｎ型ドープ層（３ａ、４ａ、１０４）は、少なくともＧａＮを含み、第１および第２の層（２ａ、３ａ、４ａ、１０２、１０３、１０４）は、窒化物ベースの層であり」、「ｎ型のＭｇドープＧａＮ層５ａが、ｎ型ドープ層（２ａ、３ａ、４ａ、１０２、１０３、１０４）内に配置され」る層であるといえる。
　以上のとおり、周知例３に開示された半導体レーザー素子５０２のｎ型のＭｇドープＧａＮ層５ａは、本願発明の中間層と同様に、「前記ｎ型ドープ層内に配置され」たものであるといえるから、ｎ−ＡｌＧａＮバッファ層２ａ、ｎ−ＧａＮ層３ａ、ｎ−ＧａＮ層４ａ、ｎ型ＭｇドープＧａＮ層５ａが、「半導体レーザー素子５０２の半導体積層体」の一部ではないということはできない。
　そして、当該ｎ型のＭｇドープＧａＮ層５ａについて、上記（１）に摘記のとおり、周知例３の段落【０１３４】には、「Ｍｇがドープされるとともにｎ型不純物としてＳｉがドープされたｎ型のＭｇドープＧａＮ層５ａ」と記載されており、ここにおいて、「Ｍｇ」がｐ型ドーパントであることは技術常識（必要であれば、上記（１）に摘記の周知例２の段落【００４１】を参照。）であるから、周知例３には、「ｎ型のＭｇドープＧａＮ層５ａが、『ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含み、ｎ型ドーパントとしてシリコンを含む』」、すなわち「同一層内においてｐ型ドーパントおよびｎ型ドーパントの両方を使用する」点が開示ないし示唆されている。
　また、動機付けについても、上記（１）ア〜ウで検討したとおり、引用発明において、中間層５の突出部５０の割れ１４や穴１４の横方向の境界領域への直接結合を効果的なものとするために、中間層５を横方向成長が促進されたものとする動機付けがあるといえるから、引用発明において、ｎ型にドープされた積層体４の中間層５を、ドーパントとして、さらに、ｐ型トーパントとしてのマグネシウムを含むものを採用する動機付けはあるといえる。
　よって、請求人の上記主張を採用することはできない。
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が、引用発明及び周知例１〜５の記載の技術に基づいて、容易に発明をすることができたものであるであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。