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　特願２０００−　４０３３９「磁気抵抗センサ、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　８月３１日出願公開、特開２００１−２３６６１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１２年２月１７日の出願であって、その請求項１〜１７に係る発明は平成１５年６月５日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載されたとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】　スピンバルブ膜構造体を含む磁気抵抗センサであって、
　前記スピンバルブ膜構造体は、下地膜と、第１の強磁性膜と、導電膜と、第２の強磁性膜と、反強磁性膜と、保護膜とを含み、
　前記第１の強磁性膜は、一面が前記下地膜の一面に隣接しており、
　前記導電膜は、一面が前記第１の強磁性膜の他面に隣接しており、
　前記第２の強磁性膜は、一面が前記導電膜の他面に隣接しており、
　前記反強磁性膜は、一面が前記第２の強磁性膜の他面に隣接し、交換結合を構成しており、
　前記保護膜は、一面が前記反強磁性膜の他面に隣接しており、
　前記下地膜は、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＣｕ合金、ＮｉＣｒＣｕ合金、ＮｉＦｅＣｒ合金、ＮｉＣｕＩｒ合金、ＮｉＣｕＡｌ合金、ＮｉＣｕＶ合金、ＮｉＣｒＭｏ合金、ＮｉＦｅＣｒＭｎ合金、ＣｏＦｅＣｒ合金、ＣｏＦｅＣｕ合金、ＣｏＦｅＣｕＡｌ合金、ＮｉＣｏＦｅＣｒ合金、ＣｕＣｒ合金、ＣｕＣｒＶ合金、ＣｕＣｒＭｏＭｎ合金またはＣｕＶＡｌ合金の何れかであり、面心立方の結晶構造を持ち、（１１１）面配向し、反強磁性膜を除いたスピンバルブ膜構造体の（１１１）面間隔が０．２０５０〜０．２０６４（ｎｍ）の範囲にある磁気抵抗センサ。」
　
ＩＩ．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願の日前の出願であって、その出願後に出願公開された特願平１１−９７０７２号（特開２０００−１３７９０６号公報参照，平成１２年５月１６日公開、平成１１年４月２日出願；なお、優先権主張はあるが検討を要しない。）の願書に最初に添付した明細書（以下「先願明細書」という。）には、次のことが記載されている。なお、下線は、便宜的に当審で付与した。
　（i）「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置に関し、より詳細には、本発明は、高感度且つ高信頼性を有する
スピンバルブ膜を用いた磁気抵抗効果素子
　（ii）「【０３４３】以下、上述した課題を解決するための実施の形態について、図面を参照して説明する。
【０３４４】図３２は、本発明の磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）の一実施形態の要部構造を示す断面図である。同図において、
１は第１の磁性層
２は第２の磁性層
第１および第２の磁性層１、２は、非磁性中間層３を介して積層されている
【０３４５】第１および第２の磁性層１、２は、例えばＣｏ単体やＣｏ合金のようなＣｏを含む強磁性体により構成されている。磁性層１、２はＮｉＦｅ合金などで構成してもよい。これらのうち、特にバルク効果と界面効果を共に大きくすることができ、大きなＭＲ変化量が得られるＣｏ合金を用いることが好ましい。
【０３４６】磁性層１、２を構成するＣｏ合金としては、ＣｏにＦｅ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｈｆなどから選ばれる１種または２種以上の元素を添加した合金が用いられる。添加元素量は５〜５０原子％とすることが好ましく、さらには８〜２０原子％の範囲とすることが望ましい。これは、添加元素量が少なすぎるとバルク効果が十分に増加せず、逆に添加元素量が多すぎると界面効果が減少するおそれがあるからである。添加元素は大きなＭＲ変化量を得る上で、特にＦｅを用いることが好ましい。
【０３４７】第１および第２の磁性層１、２のうち、
下側の第１の磁性層１は磁気抵抗効果向上層（ＭＲ向上層）４上に形成されている
【０３４８】
第１の磁性層１は外部磁界により磁化方向が変化する感磁層である
第２の磁性層２上には、ＩｒＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＲｕＲｈＭｎ、ＰｄＰｔＭｎ、ＭｉＯなどからなる反強磁性層６が形成されている。第２の磁性層２には反強磁性層６からバイアス磁界が付与され、その磁化が固着されている。すなわち、第２の磁性層２は磁化固着層である
【０３４９】図３２では図示されていないが、
第２の磁性層の固着方法として上記のように反強磁性膜と直接接しさせて磁化方向を固着する方法
【０３５０】第１および第２の
磁性層１、２間に配置される非磁性層３の構成材料としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇおよびこれらの合金
例示される
【０３５１】
反強磁性層６上には保護層７が設けられており、この保護層７は非磁性下地層５と同様な金属もしくは合金により構成される
これら各層によって、この実施形態のスピンバルブ膜８が構成されている
【０３５２】上述したスピンバルブ膜８を構成する各層のうち、
ＭＲ向上層４は本発明の特徴的な部分であり、図３２に示すＭＲ向上層４は第１の金属膜４ａと第２の金属膜４ｂとの積層膜により構成されている。スピンバルブ膜８の下地として機能する金属膜４ａ、４ｂには、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、ＰｄおよびＩｒから選ばれる少なくとも１種の元素を含む金属膜を適用することができる
　（iii）「【０３６３】
ＭＲ向上層４は第１の金属膜４ａと第２の金属膜４ｂとの積層膜に限らず、例えば図３３に示すように、感磁層１を主として構成する元素と非固溶の関係にある元素の合金層４ｃでＭＲ向上層４を構成することもできる
合金層４ｃは主構成元素としてＣｕ、Ａｇ、Ａｕの３元素から選ばれる少なくとも１種を含む
【０３６４】合金層４ｃは上記した主構成元素以外に少なくとも１種の元素を含む。この主構成元素以外の元素には、２相分離膜とならないように、主構成元素と固溶の元素が用いられる。例えば、
合金層４ｃの主構成元素にＣｕを用いた場合には、Ｃｕ−Ａｕ、Ｃｕ−Ｐｔ、Ｃｕ−Ｒｈ、Ｃｕ−Ｐｄ、Ｃｕ−Ｉｒなどの貴金属系の合金が用いられる
　（iv）「【０３９７】前述したように、金属材料の積層膜や合金層からなるＭＲ向上層４Ａは、ＣｏやＣｏＦｅ合金などのＣｏ系磁性材料からなる感磁層１の磁歪低減に対して効果を発揮する。つまり、Ｃｕ下地層単独では感磁層１としてのＣｏＦｅ合金単層の格子間隔が小さすぎるため、−１ｐｐｍを超える負の磁歪となる。一方、Ａｕ下地層単独では感磁層１としてのＣｏＦｅ合金単層の格子間隔が大きすぎて、＋１ｐｐｍを超える正の磁歪となる。
【０３９８】これに対して、
Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｉｒから選ばれる少なくとも１種の元素を含む金属膜の積層膜、あるいは合金層４ｃからなるＭＲ向上層４を、感磁層１としてのＣｏＦｅ合金の下地とすることによって、ＣｏやＣｏＦｅ合金などのＣｏ系磁性材料のｆｃｃ（１１１）配向させた上で、低磁歪に有効な格子間隔、すなわちｄ（１１１）格子間隔を０．２０５５〜０．２０８５ｎｍの範囲とすることができる
感磁層１の下地としてのＭＲ向上層４は、ｆｃｃ−ｄ（１１１）が０．２０５８ｎｍより大きいことが好ましい
ｄ−（１１１）格子間隔を適切な値に制御する方法としては、例えばＡｕ−Ｃｕ積層膜、Ａｕ−Ｃｕ合金膜を用いた場合、積層膜ではＡｕとＣｕの積層膜の膜厚比を変える、合金膜ではＡｕとＣｕの組成比を変えることなどが挙げられる
　（v）「【０４２３】なお、以上の実施形態では録再分離型磁気ヘッドを用いて説明したが、記録ヘッドと再生ヘッドで共通の磁気ヨークを用いる録再一体型磁気ヘッドなどの他のヘッド構造に本発明の磁気抵抗効果素子を適用することも可能である。さらに、本発明の磁気抵抗効果素子は磁気ヘッドに限らず、磁気抵抗効果メモリ（ＭＲＡＭ）などの磁気記憶装置に適用することもできる。
（実施例）次に、本発明の具体的な実施例およびその評価結果について述べる。
（実施例１）この
実施例１では、Ｔａ（５ｎｍ）／Ａｕ（１ｎｍ）／Ｃｕ（１ｎｍ）／ＣｏＦｅ（４ｎｍ）／Ｃｕ（２．５ｎｍ）／ＣｏＦｅ（２．５ｎｍ）／ＩｒＭｎ（７ｎｍ）／Ｔａ（５ｎｍ）構造のスピンバルブ膜
【０４２４】上記したスピンバルブ膜は、ａｓ−ｄｅｐｏ状態のＭＲ変化率が９．６％で、２５０℃×４Ｈのプロセスアニール（アニール条件：２５０℃×４Ｈ、磁場５ｋＯe ）後においてもＭＲ変化率は９．０％を維持していた。磁歪は〜±１０-6以下のオーダーの値が得られた。Ｈk についても、容易軸方向に磁場を加えたままのアニール上がりＨk を飽和Ｈk と定義すると、飽和Ｈk で約８Ｏe と小さく、軟磁性も実現できていた。また、容易軸方向のＨc も０〜３Ｏe と小さかった。
【０４２５】ここで、
ＭＲ向上層はＡｕ／Ｃｕ積層膜であり、ＡｕとＣｕの界面は合金を形成している
ｆｃｃ構造のＡｕ／Ｃｕ下地層の効果によって、ＣｏＦｅはｆｃｃ（１１１）配向している
　（vi）「【０４３４】上記の
Ａｕ−Ｃｕの組み合わせ以外の積層膜、合金膜材料の組み合わせとしては、磁性層がＣｏ系合金のときには、Ｒｕ−Ｃｕ、Ａｕ−Ｃｕ、Ｐｔ−Ｃｕ、Ｒｈ−Ｃｕ、Ｐｄ−Ｃｕ、Ｉｒ−Ｃｕ
などが挙げられる
　（vii）「【０４６３】（前略）・・・。
（実施例６）耐熱性の悪化の原因となる通常の結晶粒界はほとんどなく、完全単結晶ではないにしても、粒界が存在したとしても小傾角粒界のような耐熱性に優れた結晶構造を実現するための手段としても、
Ａｕ／Ｃｕなどの積層膜や合金層からなるＭＲ向上層は有効である
Ｔａ（５ｎｍ）／Ａｕ（１ｎｍ）／Ｃｕ（１ｎｍ）／ＣｏＦｅ（３ｎｍ）／Ｃｕ（３ｎｍ）／ＣｏＦｅ（２ｎｍ）／ＩｒＭｎ（７ｎｍ）／Ｔａ（５ｎｍ）の構造
【０４６４】ディフラクションパターンから、１μｍ以上の領域にわたって全てほぼ単一結晶構造の回折パターンが得られ、単結晶に近い構造を得られていることが分かった。
Ｔａ下地、保護膜を除く他は膜はｆｃｃ（１１１）配向している
　（viii）「【０４６８】良好に実現する
他の構造としては、実施例１のときと同様に、磁性層がＣｏ系の膜の場合、Ａｌ−Ｃｕ、Ｐｔ−Ｃｕ、Ｒｈ−Ｃｕ、Ｐｄ−Ｃｕ、Ｉｒ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ａｕ、Ａｕ−Ｐｔ、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−Ａｌの積層膜または合金膜が挙げられる
　・・・（中略）・・・
　【０４７０】また、
上記のような合金を形成するｆｃｃ金属の積層膜に代えて、ｆｃｃを形成する前述の組み合わせの他に
Ｃｕの代わりにＮｉとの合金で非磁性のｆｃｃ合金として、ＰｔＮｉ合金（Ｐｔ２６ａｔ％よりもＰｔリッチが好ましい）、ＲｈＮｉ合金、ＰｄＮｉ合金（ほとんどの組成で磁性をもつため、第三元素の添加が好ましい）ＩｒＮｉ合金（Ｉｒ１２ａｔ％よりもＩｒリッチが好ましい）などが挙げられる
　
　これらの記載からみて、特に、図３３には下地層５／ＭＲ向上層４ｃ／感磁層１／非磁性中間層３／磁化固着層２／反強磁性層６／保護層７が順に接して積層されたスピンバルブ膜の図示があり、段落【０４２３】の実施例１としてＴａ／Ａｕ／Ｃｕ／ＣｏＦｅ／Ｃｕ／ＣｏＦｅ／ＩｒＭｎ／Ｔａ構造のスピンバルブ膜について、順にＴａがＭＲ向上層の下地膜、Ａｕ／ＣｕがＭＲ向上層、ＣｏＦｅが第１の強磁性膜、Ｃｕが非磁性中間層、ＣｏＦｅが第２の強磁性膜、ＩｒＭｎが反強磁性膜、Ｔａが保護膜に相当すると認められる例が示されていることを勘案し、先願明細書には次の発明（以下、「先願発明」という。）が開示されていると認められる。
　「スピンバルブ膜を用いた磁気抵抗効果素子であって、
　前記スピンバルブ膜構造体は、ＭＲ向上層、第１の強磁性膜（感磁層）、非磁性中間層、第２の強磁性膜、反強磁性膜、保護膜がこの順に接して形成され、
　第１の強磁性膜（感磁層）の下地としてのＭＲ向上層は、ｆｃｃ（１１１）配向し、Ｃｏ系磁性材料をｆｃｃ（１１１）配向させた上で、低磁歪に有効な格子間隔であるｄ（１１１）格子間隔を０．２０５５〜０．２０８５ｎｍの範囲とした、
　磁気抵抗効果素子。」
　
ＩＩＩ．対比・判断
　そこで、本願発明と先願発明とを対比する。
　（ａ）先願発明の「磁気抵抗効果素子」は、本願発明の「磁気抵抗センサ」に相当する。
　
　（ｂ）前記スピンバルブ膜構造体に関する先願発明の「ＭＲ向上層、第１の強磁性膜（感磁層）、非磁性中間層、第２の強磁性膜、反強磁性膜、保護膜がこの順に接して形成され」は、
　（ｂ１）該ＭＲ向上層が、本願発明に言う下地層に相当すると認められること、及び、
　（ｂ２）該非磁性中間層は、Ｃｕなどが用いられており、本願発明でＣｕが用いられている導電膜に相当すること、
　（ｂ３）第２の強磁性膜と反強磁性膜が交換結合していることも明らかであるから、
　本願発明の「下地膜と、第１の強磁性膜と、導電膜と、第２の強磁性膜と、反強磁性膜と、保護膜とを含み、
　前記第１の強磁性膜は、一面が前記下地膜の一面に隣接しており、
　前記導電膜は、一面が前記第１の強磁性膜の他面に隣接しており、
　前記第２の強磁性膜は、一面が前記導電膜の他面に隣接しており、
　前記反強磁性膜は、一面が前記第２の強磁性膜の他面に隣接し、交換結合を構成しており、
　前記保護膜は、一面が前記反強磁性膜の他面に隣接しており、」に相当する。
　
　（ｃ）先願発明の「感磁層（第１の強磁性層）の下地としてのＭＲ向上層は、ｆｃｃ（１１１）配向し、Ｃｏ系磁性材料をｆｃｃ（１１１）配向させた上で、低磁歪に有効な格子間隔であるｄ（１１１）格子間隔を０．２０５５〜０．２０８５ｎｍの範囲とした」は、
　本願発明の「前記下地膜は、・・・（中略）・・・面心立方の結晶構造を持ち、（１１１）面配向し、反強磁性膜を除いたスピンバルブ膜構造体の（１１１）面間隔が０．２０５０〜０．２０６４（ｎｍ）の範囲にある」に対応し、
　（ｃ１）ｆｃｃが、面心立方の結晶構造の意味であること、
　（ｃ２）磁性材料の低磁歪に有効な格子間隔であるｄ（１１１）格子間隔が、反強磁性膜を除いたスピンバルブ膜構造体の（１１１）面間隔に相当し、両発明の（１１１）面間隔が０．２０５５〜０．２０６４（ｎｍ）の範囲で一致していることを勘案すると、
　両者は、「前記下地膜は、面心立方の結晶構造を持ち、（１１１）面配向し、反強磁性膜を除いたスピンバルブ膜構造体の（１１１）面間隔が０．２０５５〜０．２０６４（ｎｍ）の範囲にある」ことで一致する。
　
　してみると、両発明は、次の点で少なくとも一致している。
「スピンバルブ膜構造体を含む磁気抵抗センサであって、
　前記スピンバルブ膜構造体は、下地膜と、第１の強磁性膜と、導電膜と、第２の強磁性膜と、反強磁性膜と、保護膜とを含み、
　前記第１の強磁性膜は、一面が前記下地膜の一面に隣接しており、
　前記導電膜は、一面が前記第１の強磁性膜の他面に隣接しており、
　前記第２の強磁性膜は、一面が前記導電膜の他面に隣接しており、
　前記反強磁性膜は、一面が前記第２の強磁性膜の他面に隣接し、交換結合を構成しており、
　前記保護膜は、一面が前記反強磁性膜の他面に隣接しており、
　前記下地膜は、面心立方の結晶構造を持ち、（１１１）面配向し、反強磁性膜を除いたスピンバルブ膜構造体の（１１１）面間隔が０．２０５５〜０．２０６４（ｎｍ）の範囲にある磁気抵抗センサ。」
　
　本願発明では、更に、下地膜に関し、「ＮｉＣｒ合金、ＮｉＣｕ合金、ＮｉＣｒＣｕ合金、ＮｉＦｅＣｒ合金、ＮｉＣｕＩｒ合金、ＮｉＣｕＡｌ合金、ＮｉＣｕＶ合金、ＮｉＣｒＭｏ合金、ＮｉＦｅＣｒＭｎ合金、ＣｏＦｅＣｒ合金、ＣｏＦｅＣｕ合金、ＣｏＦｅＣｕＡｌ合金、ＮｉＣｏＦｅＣｒ合金、ＣｕＣｒ合金、ＣｕＣｒＶ合金、ＣｕＣｒＭｏＭｎ合金またはＣｕＶＡｌ合金の何れかであり」と特定しているので、先願明細書にそのような開示があるか検討する。
　
　この点に関し、審判請求理由において請求人は、『引用文献１（当審注：先願明細書を指す、以下同様）の段落０３９８には、「ＭＲ向上層４を、感磁層１としてのＣｏＦｅ合金の下地とすることによって、ＣｏやＣｏＦｅ合金などのＣｏ系磁性材料のｆｃｃ（１１１）配向させた上で、低磁歪に有効な格子間隔、すなわちｄ（１１１）格子間隔を０．２０５５〜０．２０８５ｎｍの範囲とすることができる。」と記載されている。更に引用文献１の段落０３６３には、「．．．合金層４ｃでＭＲ向上層４を構成することもできる。」と記載されている。合金層４ｃの組成としては、各種の合金組成が挙げられているが、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＣｕ合金、ＮｉＣｒＣｕ合金、ＮｉＦｅＣｒ合金、ＮｉＣｕＩｒ合金、ＮｉＣｕＡｌ合金、ＮｉＣｕＶ合金、ＮｉＣｒＭｏ合金、ＮｉＦｅＣｒＭｎ合金、ＣｏＦｅＣｒ合金、ＣｏＦｅＣｕ合金、ＣｏＦｅＣｕＡｌ合金、ＮｉＣｏＦｅＣｒ合金、ＣｕＣｒ合金、ＣｕＣｒＶ合金、ＣｕＣｒＭｏＭｎ合金、ＣｕＶＡｌ合金、ＣｕＶＭｏＡｌ合金については、何れも記載がない。』と主張し、『引用文献１に記載がないのであるから、両者は同一とすることができない。』と主張している。
　なるほど、先願明細書段落【０３９８】と段落【０３６３】においては、ＭＲ向上層として本願発明で特定する下地膜の合金そのものの明示的な記載はない。
　しかしながら、先願明細書には、段落【０４２３】から始まる実施例１として、ＭＲ向上層に関し、段落【０４３４】に、「
Ａｕ−Ｃｕの組み合わせ以外の
合金膜材料の組み合わせとして
Ｐｔ−Ｃｕ、Ｒｈ−Ｃｕ、Ｐｄ−Ｃｕ、Ｉｒ−Ｃｕ
実施例１のときと同様に
Ｐｔ−Ｃｕ、Ｒｈ−Ｃｕ、Ｐｄ−Ｃｕ、Ｉｒ−Ｃｕ
の
合金膜
上記のような合金を形成するｆｃｃ金属の積層膜に代えて、
他には、Ｃｕの代わりにＮｉとの合金で非磁性のｆｃｃ合金として
ＩｒＮｉ合金
などが挙げられる
　即ち、これら一連の記載から判断して、Ａｕ−Ｃｕ合金膜の代わりにＩｒ−Ｃｕなどを使用でき、更にＣｕの代わりにＮｉを用いたｆｃｃ合金を使用でき、具体的にはＩｒＮｉ合金を使用できるとされているのであるから、例えばＩｒＣｕＮｉ合金、即ち本願発明で特定しているＮｉＣｕＩｒ合金をＭＲ向上層（即ち下地層）に用いることは自明である。
　したがって、本願発明で特定する下地膜（先願発明のＭＲ向上層）として「ＮｉＣｕＩｒ合金」を用いることは先願明細書に実質的な開示があるか。乃至は記載されているに等しい事項であるということができるものである。
　
　ところで、本願明細書を検討すると、下地膜の材質に関しては、「下地膜１２６は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＣｕのグループから選択された少なくとも一種と、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｉｒ、Ｍｏ及びＶのグループから選択された少なくとも一種とを含む合金である。」（段落【００３３】参照）とされているだけで、本願発明として特定されている下地膜の合金（ＮｉＣｕＩｒ合金など）が、それらの具体的に組合せそのものが明示されていないものに比べて格別優れているとの記載は無いしデータもない（Ｔａに比べて優れているとのデータは示されているが、該観点からは埒外である。）。
　そればかりか、＜データ１＞として示された表１の実施例１〜１７のもの（本願発明の下地層の補正された合金の限定がこの表１に基づくと平成１５年６月５日付け意見書で主張していることにも注意）が、どの程度のスピンバルブ構造体の（１１１）面間隔を有するのか何らのデータも示されていないから、そもそも本願発明の構成を満たす例であるのかの疑義があるものの、前記段落【００３３】の記載は、『【００３２】　反強磁性膜を除いたスピンバルブ膜構造体の（１１１）面間隔の好ましい範囲は、０．２０５４〜０．２０６３（ｎｍ）の範囲、特に好ましくは、０．２０５５〜０．２０６２（ｎｍ）の範囲である。【００３３】上述の条件を満たし得る下地膜１２６は、・・・』との先行する記載があるから、前記段落【００３３】に示された材料であれば、スピンバルブ膜構造体の（１１１）面間隔の範囲が０．２０５４〜０．２０６３（ｎｍ）の範囲（乃至は請求項に特定された０．２０５０〜０．２０６４（ｎｍ）の範囲）になると解し得る。そうであれば、下地膜に例えばＮｉＣｕＩｒ合金を用いればスピンバルブ膜構造体の（１１１）面間隔の範囲が０．２０５４〜０．２０６３（ｎｍ）の範囲（乃至は０．２０５０〜０．２０６４（ｎｍ）の範囲）になるとの認識であるといえる。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、先願発明と実質同一であるという他ないのである。
　
ＩＶ．むすび
　したがって、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願出願の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記特許出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。