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【手続補正書】
【提出日】平成21年11月30日(2009.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のチャンバと、
前記第１のチャンバの下流に位置する第２のチャンバと、
前記第１のチャンバ内に位置する複数の電極を含むイオンガイドと、
前記第２のチャンバ内に位置するイオン移動度分析計すなわちイオン移動度分離器と、
第１の平均密度または平均分子量Ｍ1を有する第１のガスまたはガス混合物を前記第１のチャンバに提供するためのデバイスと、
第２の平均密度または平均分子量Ｍ2を有する第２のガスまたはガス混合物を前記第２のチャンバに提供するためのデバイスであって、Ｍ1＜Ｍ2である、デバイスと、
を備える装置。
【請求項２】
比率Ｍ2／Ｍ1は、(i)≧1.1、(ii)≧1.5、(iii)≧2.0、(iv)≧3.0、(v)≧4.0、(vi)≧5.0、(vii)≧6.0、(viii)≧7.0、(ix)≧8.0、(x)≧9.0、(xi)≧10.0、(xii)≧11.0、(xiii)≧12.0、(xiv)≧13.0、(xv)≧14.0、(xvi)≧15.0、(xvii)≧16.0、(xviii)≧17.0、(xix)≧18.0、(xx)≧19.0、(xxi)≧20.0、(xxii)≧25.0、(xxiii)≧30.0、(xxiv)≧35.0、(xxv)≧40.0、(xxvi)≧45.0、(xxvii)≧50.0、(xxviii)≧55.0、(xxix)≧60.0、(xxx)≧65.0、および(xxxi)≧70.0からなる群より選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１のチャンバは、イオン注入アパーチャと第１のガス排出口とを有するケースを含む、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとを結ぶチャンバ間アパーチャをさらに備える請求項１ないし３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記第１のガスまたはガス混合物は、(i)ヘリウム、(ii)水素、(iii)ネオン、(iv)メタン、(v)アンモニア、(vi)窒素、(vii)アルゴン、(viii)キセノン、(ix)空気、および(x)ＳＦ6すなわち六フッ化硫黄からなる群より選択される１つまたは複数のガスを含む、請求項１ないし４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
前記第１のイオンガイドは、
(i)多重極ロッドセットまたはセグメント化多重極ロッドセット、
(ii)イオントンネルまたはイオンファネル、あるいは
(iii)階層状または配列状の、平坦電極、平板電極、またはメッシュ電極を含む、請求項１ないし６のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
前記イオンガイドは、イオンのビームを受け取り、任意の特定の時間に少なくとも1の個別のイオングループまたはイオンパケットが前記イオンガイド内に閉じ込められるなおかつ／または隔離されるように前記イオンのビームを変化させるまたは区分けするように構成され適応され、
各イオングループまたは各イオンパケットは、前記第１のイオンガイド内に形成される個別の軸方向ポテンシャル井戸内に個別に閉じ込められるなおかつ／または隔離される、請求項１ないし６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
前記第２のチャンバは、第２のガス排出口とイオン出口アパーチャとを有するケースを含む、請求項１ないし７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
前記第２のガスまたはガス混合物は、(i)ヘリウム、(ii)水素、(iii)ネオン、(iv)メタン、(v)アンモニア、(vi)窒素、(vii)アルゴン、(viii)キセノン、(ix)空気、および(x)ＳＦ6すなわち六フッ化硫黄からなる群より選択される１つまたは複数のガスを含む、請求項１ないし８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
前記イオン移動度分析計すなわちイオン移動度分離器は、ガス位相電気泳動デバイスを含む、請求項１ないし９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとを収容する真空チャンバをさらに備え、
前記真空チャンバは、入口差動ポンプ式アパーチャと、出口差動ポンプ式アパーチャと、真空ポンプにつながれたポートとを含む、請求項１ないし１０のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
前記入口差動ポンプ式アパーチャと前記第１のチャンバとの間、および／または前記第２のチャンバと前記出口差動ポンプ式アパーチャとの間に、配置された１以上のイオンガイドをさらに備える請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の装置を備えるマススペクトロメータ。
【請求項１４】
第１のチャンバを提供することと、
前記第１のチャンバの下流に位置する第２のチャンバを提供することと、
前記第１のチャンバ内に位置する複数の電極を含むイオンガイドを提供することと、
前記第２のチャンバ内に位置するイオン移動度分析計すなわちイオン移動度分離器を提供することと、
第１の平均密度または平均分子量Ｍ1を有する第１のガスまたはガス混合物を前記第１のチャンバに提供することと、
第２の平均密度または平均分子量Ｍ2を有する第２のガスまたはガス混合物を前記第２のチャンバに提供することであって、Ｍ1＜Ｍ2である、ことと、
を備える方法。
【請求項１５】
前記第１と第２のチャンバは、実質的に同じ圧力に維持される、請求項１４に記載の方法を備える質量分析法。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の方法を備える質量分析法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月7日(2010.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
wt％で３０％〜９０．１％の水銀を含有するマンガンおよび水銀から成る組成物を温度２００℃〜４５０℃に加熱することから成る水銀放出方法。
【請求項２】
請求項１に記載の水銀放出方法に用いる組成物を製造する方法であって、密封した反応器内において、真空中または不活性ガス中で、温度５００℃にて、１〜５時間、所望質量比のマンガンと水銀とを反応させ、得られた反応生成物を減圧下で６０℃にて熱処理することにより未反応の水銀を除去することを特徴とする製造方法。
【請求項３】
錫と、wt％で３０％〜９０．１％の水銀を含有するマンガンおよび水銀から成る組成物との混合物。
【請求項４】
請求項１に記載の水銀放出方法に用いる水銀ディスペンサーであって、wt％で３０％〜９０．１％の水銀を含有するマンガンおよび水銀から成る組成物の粉末を加圧成型したピル（１０）の形態であることを特徴とする水銀ディスペンサー。
【請求項５】
請求項１に記載の水銀放出方法に用いる水銀ディスペンサーであって、wt％で３０％〜９０．１％の水銀を含有するマンガンおよび水銀から成る組成物の粉末を加圧成型した小球体（１１）の形態であることを特徴とする水銀ディスペンサー。
【請求項６】
請求項１に記載の水銀放出方法に用いる水銀ディスペンサーであって、wt％で３０％〜９０．１％の水銀を含有するマンガンおよび水銀から成る組成物の粉末（１２）を表面に堆積させた金属ストリップ（１３）から作製された切片（１４）の形態であることを特徴とする水銀ディスペンサー。
【請求項７】
請求項１に記載の水銀放出方法に用いる水銀ディスペンサーであって、wt％で３０％〜９０．１％の水銀を含有するマンガンおよび水銀から成る組成物の粉末を内部に充填した開放容器（１６）の形態であることを特徴とする水銀ディスペンサー。
【請求項８】
請求項３に記載の混合物を押出し成形した連続材（２０）を切断して形成した水銀ディスペンサー（２１）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月14日(2010.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
ｎタイプ３族窒化物層及びｐタイプ３族窒化物層並びに該ｎタイプ３族窒化物層とｐタイプ３族窒化物層の間のジャンクションからなる構造体であって、該構造体が複数の角錐体を有する、構造体からなり、
該量子ウェルが該ジャンクションに位置し、
該ｎタイプ３族窒化物層と該ｐタイプ３族窒化物層の一方の連続面が該角錐体の外表面を形成している装置。
【請求項２】
請求項１の装置において、該ｎタイプ及びｐタイプ３族窒化物層間に電圧が印加されるときに該角錐体から発光するように該構造体が構成された装置。
【請求項３】
請求項２の装置において、該量子ウェルが量子ウェル層及びバリア層を有し、該量子ウェル層が該バリア層間に介在し、該量子ウェル層が一の３族窒化物からなり、該バリア層が他の３族窒化物からなる装置。
【請求項４】
請求項３の装置において、該量子ウェル層の該一の３族窒化物がガリウムとインジウムの合金又はガリウムとアルミニウムの合金からなり、該バリア層の該他の３族窒化物が窒化ガリウムからなる装置。
【請求項５】
装置であって、
基板上に配置されて発光するように構成された複数の結晶構造体であって、各構造体がｎタイプバリア領域及びｐタイプバリア領域並びにその間のジャンクションを有し、該ジャンクションが該ｎタイプバリア領域及び該ｐタイプバリア領域の表面に位置し、該表面が該基板の平坦面に対して傾斜している傾斜面である、複数の結晶構造体からなり、
該ｎタイプバリア領域及び該ｐタイプバリア領域の一方の該傾斜面が、該ｎタイプバリア領域及び該ｐタイプバリア領域の前記一方の平坦なベース部を介して連続的に相互接続され、該ｎタイプバリア領域及び該ｐタイプバリア領域の他方が、該傾斜面を連続的に被覆する外側層を備える、装置。
【請求項６】
請求項５の装置において、該傾斜面の各々が該基板の平坦面に対して５５°以上６５°以下の角度をなしている装置。
【請求項７】
装置を製造する方法であって、
発光することができる結晶構造体を形成するステップからなり、該形成するステップが、
第１のバリア領域を基板上に形成するステップであって、該第１のバリア領域がベース部及び該基板の平坦面に対して傾斜した傾斜面を有し、該傾斜面が該ベース部を介して相互接続され、該ベース部が該基板上に位置している、ステップ、及び
該傾斜面にジャンクションを形成するために、第２のバリア領域を該第１のバリア領域上に形成するステップであって、該第１のバリア領域がｎタイプ３族窒化物結晶又はｐタイプ３族窒化物結晶の一方からなり、該第２のバリア領域がｎタイプ３族窒化物結晶又はｐタイプ３族窒化物結晶の他方からなる、ステップ
を備え、
該第２のバリア領域が該相互接続された傾斜面を連続的に被覆し、量子ウェルが該ジャンクションに位置している、方法。
【請求項８】
請求項７の方法において、該基板上のＡＩＮ層上のバリア核層上の該第１のバリア領域の一部分がＭ極性面を有し、及び該基板直上に該第１のバリア領域の異なる部分がＮ極性上面を有し、
該第１のバリア領域を形成するステップが、該第１のバリア領域のＮ極性面をウエットエッチングすることによって該傾斜面を形成することを含む、方法。
【請求項９】
請求項５の装置において、該ｎタイプ及びｐタイプバリア領域間に電圧が印加されるときに前記結晶構造体の各々がその外表面から発光するように構成され、該構造体の該外表面が該基板の平坦面に対して傾斜している、装置。
【請求項１０】
請求項１の装置において、前記ｎタイプ３族窒化物層と前記ｐタイプ３族窒化物層の他方が前記ジャンクションにおいて窒素極性面を有する、装置。
【請求項１１】
請求項１の装置において、前記角錐体が六角角錐体である装置。
【請求項１２】
請求項５の装置において、前記ｎタイプ３バリア領域と前記ｐタイプバリア領域の他方が前記ジャンクションにおいてＮ極性面を有する、装置。
【請求項１３】
請求項７の方法において、前記傾斜面が角錐を形成している、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のチャネルと第２のチャネルとの間のクロストークを相殺する方法であって、
第１の信号を前記第１のチャネルのための第１の出力増幅器に入力し、第２の信号を前記第２のチャネルのための第２の出力増幅器に入力し、各出力増幅器の出力負荷が各出力増幅器と基準増幅器との間に接続されるものであり、
前記方法は、
前記入力される第１と第２の信号を各々、２つの経路に分割する工程と、
第１の経路の各信号を該各信号のそれぞれの出力増幅器に入力する工程と、
第２の経路の前記第１と第２の信号を加算する工程と、
前記第１と第２の信号の合計を利得関数で調整する工程と、
適当なＤＣバイアスを前記調整された合計に加える工程と、
前記バイアスされ、調整された合計を前記基準増幅器に入力する工程とを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
ヘッドフォンジャックに第１のチャネルと第２のチャネルを備える装置であって、
前記装置は、
前記第１のチャネルのために入力される第１の信号を増幅し、該増幅された第１の信号を前記ヘッドフォンジャックと関連する第１の負荷に供給する第１の出力増幅器と、
前記第２のチャネルのために入力される第２の信号を増幅し、該増幅された第２の信号を前記ヘッドフォンジャックと関連する第２の負荷に供給する第２の出力増幅器と、
前記第１の負荷と前記第２の負荷との間に基準信号を提供する、知られた内部出力インピーダンス（Ｒint）をもつ基準増幅器と、
前記第１のチャネルと前記第２のチャネルとの間のクロストークを相殺するクロストーク相殺ユニットとを有し、
前記クロストーク相殺ユニットは、
前記第１の出力増幅器と前記第２の出力増幅器に前記第１と第２の信号をそれぞれ入力する前に、前記第１の信号と前記第２の信号を分割する手段と、
プログラマブル利得増幅器（ＰＧＡ）である利得関数により前記各分割部分の信号を調整し、その後、前記第１の出力増幅器と前記第２の出力増幅器の入力について、前記第１の信号に前記第２の信号の調整された分割部分を加え、前記第２の信号に前記第１の信号の調整された分割部分を加える手段と、
前記第１と第２の負荷のインピーダンス（ＲL）を測定する手段と、
前記基準増幅器の前記知られた内部インピーダンスと前記測定された第１と第２の負荷とに基づいて前記ＰＧＡの利得を計算するＰＧＡ利得計算器とを含むことを特徴とする装置。
【請求項３】
前記ＰＧＡ利得計算器は、
式ＧPGA＝２０ｌｏｇ（Ｒint／ＲL）を用いて、前記ＰＧＡの利得を計算することを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記装置は、移動体電話のプラットフォームの混成信号の特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として実装されることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項５】
ヘッドフォンジャックに第１のチャネルと第２のチャネルを備える装置であって、
前記装置は、
前記第１のチャネルのために入力される第１の信号を増幅し、該増幅された第１の信号を前記ヘッドフォンジャックと関連する第１の負荷に供給する第１の出力増幅器と、
前記第２のチャネルのために入力される第２の信号を増幅し、該増幅された第２の信号を前記ヘッドフォンジャックと関連する第２の負荷に供給する第２の出力増幅器と、
前記第１の負荷と前記第２の負荷との間に基準信号を提供する基準増幅器と、
前記第１のチャネルと前記第２のチャネルとの間のクロストークを相殺するクロストーク相殺ユニットと有し、
前記クロストーク相殺ユニットは、
前記第１と第２の入力信号をそれぞれ２つの経路に分割するための第１と第２の分割器と、
第１の経路の各信号を該各信号のそれぞれの出力増幅器に入力する手段と、
第２の経路の前記第１の信号と前記第２の信号を加算する第１の加算器と、
前記第１の信号と前記第２の信号の合計を調整する利得関数と、
前記調整された合計に適当なＤＣバイアスを加える第２の加算器と、
前記バイアスされ、調整された合計を前記基準増幅器に入力する手段とを有することを特徴とする装置。
【請求項６】
前記利得関数は、プログラマブル利得増幅器（ＰＧＡ）であることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記基準増幅器は、知られた内部出力インピーダンス（Ｒint）をもち、
前記第１と第２の負荷（ＲL）とは知られており、
前記装置はさらに、
前記基準増幅器の前記知られた内部インピーダンスと前記知られた第１と第２の負荷とに基づいて前記ＰＧＡの利得を計算するＰＧＡ利得計算器を有することを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記ＰＧＡ利得計算器は、
式ＧPGA＝２０ｌｏｇ（Ｒint／ＲL）を用いて、前記ＰＧＡの利得を計算することを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記基準増幅器は、知られた内部出力インピーダンス（Ｒint）をもち、
前記装置はさらに、
前記第１と第２の負荷（ＲL）のインピーダンスを測定する手段と、
前記基準増幅器の前記知られた内部インピーダンスと前記測定された第１と第２の負荷とに基づいて前記ＰＧＡの利得を計算するＰＧＡ利得計算器とを有することを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記ＰＧＡ利得計算器は、
式ＧPGA＝２０ｌｏｇ（Ｒint／ＲL）を用いて、前記ＰＧＡの利得を計算することを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記基準増幅器は、知られた内部出力インピーダンス（Ｒint）をもち、
前記装置はさらに、
前記基準増幅器の信号レベルを測定するクロストーク測定マルチプレクサ及び入力増幅器と、
前記マルチプレクサに接続され、前記基準増幅器の前記測定された信号レベルに基づいて前記ＰＧＡの利得を計算するＰＧＡ利得計算器とを有することを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項１２】
前記ＰＧＡ利得計算器は、式ＧPGA＝２０ｌｏｇ（Ｖmeasure／Ｖin1）を用いて、前記ＰＧＡの利得を計算し、
前記Ｖmeasureは、前記基準増幅器の前記測定された電圧レベルであり、
前記Ｖin1は、前記入力される第１の信号の電圧レベルであることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記基準増幅器は、知られた内部出力インピーダンス（Ｒint）をもち、
前記装置はさらに、
前記基準増幅器の信号レベルを測定するクロストーク測定デジタル／アナログ（Ａ／Ｄ）変換器及び入力増幅器と、
前記Ａ／Ｄ変換器に接続され、前記基準増幅器の前記測定された信号レベルに基づいて前記ＰＧＡの利得を計算するＰＧＡ利得計算器とを有することを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項１４】
前記装置は、移動体電話のプラットフォームの混成信号の特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として実装されることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月2日(2010.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第一層および第二層を有する基板を研磨加工するための化学機械研磨組成物の製造方法であって、
（ａ）第二層と比較して第一層に対する第一の選択性を有する研磨材を含む第一の化学機械研磨組成物を提供すること、
（ｂ）第二層と比較して第一層に対する第二の選択性を有する研磨材を含む第二の化学機械研磨組成物を提供すること（第二の化学機械研磨組成物が第一の化学機械研磨組成物の存在下で安定しており、第一および第二の選択性は異なる）、および
（ｃ）第二層と比較して第一層に対する最終的な選択性を達成する比率で第一および第二の化学機械研磨組成物を混合すること、
を含む、方法。
【請求項２】
（ｄ）前記第一および第二の化学機械研磨組成物の混合物に酸化剤を添加することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第一層が金属層であり、前記第二層が誘電体層である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第二層と比較して前記第一層に対する第一の選択性が２５：１〜１：１である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第二層と比較して前記第一層に対する第二の選択性が０．０４：１〜１：１である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第一の化学機械研磨組成物が、
（ａ）複数の酸化状態を有する無機鉄化合物および有機鉄化合物よりなる群から選択される鉄触媒、
（ｂ）リン酸、フタル酸、クエン酸、アジピン酸、シュウ酸、マロン酸、ベンゾニトリルおよびそれらの混合物よりなる群から選択された少なくとも１つの安定剤、
（ｃ）水酸化テトラアルキルアンモニウムおよびアミノ酸よりなる群から選択された金属エッチング阻害剤、および
（ｄ）液体キャリア
をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記鉄触媒が硝酸第二鉄であり、前記安定化剤がマロン酸であり、前記阻害剤が水酸化テトラブチルアンモニウムであり、および前記研磨材がシリカである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第二の化学機械研磨組成物が水酸化テトラアルキルアンモニウムおよび液体キャリアをさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記研磨材がシリカである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
基板を化学機械的に研磨加工する方法であって、
（ａ）少なくとも第一層および第二層を有する基板を提供すること、
（ｂ）請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法によって、最終的な化学機械研磨組成物を製造すること、
（ｃ）基板を最終的な化学機械研磨組成物と接触させること、
（ｄ）基板と研磨パッドの間に最終的な化学機械研磨組成物を介在させ、基板に対して研磨パッドを移動させること、および
（ｅ）基板の少なくとも一部を磨耗させて基板を研磨すること、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月14日(2010.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）少なくとも1層の酸化ケイ素層を含む基板を供給し、
（ii）（a）液体キャリヤー、および
（b）該液体キャリヤー中に懸濁した平均１次粒子径が２０nm〜３０nmであるゾル-ゲルコロイダルシリカ研削粒子、
を含む化学的-機械的研磨用組成物を供給し、
（iii ）該基板を、研磨用パッドおよび該化学的-機械的研磨用組成物と接触させ、
（iv）該基板を該研磨用パッドおよび該化学的-機械的研磨用組成物に対して相対的に動かし、そして
（ｖ）該酸化ケイ素の少なくとも１部を研削して該基板を研磨する、
ことを含む、基板を化学的-機械的に研磨する方法。
【請求項２】
該液体キャリヤーが水を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該研削粒子が２０nm〜２８nmの平均1次粒子径を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
該研削粒子が、該液体キャリヤーおよびその中に溶解または懸濁しているあらゆる成分、の重量を基準として、５重量％またはそれより多い量で存在する、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
該液体キャリやーが水を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
該研削粒子が２０nm〜２８nmの平均1次粒子径を有する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
その中に溶解または懸濁しているあらゆる成分を含めた液体キャリヤーが5またはそれより小さいpＨを有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
該化学的-機械的研磨用組成物が、該基板の少なくとも1部を酸化する酸化剤を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
その中に溶解または懸濁しているあらゆる成分を含めた該液体キャリヤーが７またはそれより小さいｐＨを有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
該酸化ケイ素が、５００Å/分〜４０００Å/分の速度で該基板から除去される、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
該基板が更に少なくとも1層のタングステン層を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
該タングステンが、１０００Å/分〜３０００Å/分の速度で該基板から除去される、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月15日(2010.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、
ａ）処理の期間中に半製品が配置される処理室と、
ｂ）前記処理の期間中に前記半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面を有する隔壁構造であって、前記隔壁構造の前記下側表面と前記半製品との間の距離が前記隔壁構造の外周に向かう方向において先細りになる隔壁構造と、
ｃ）前記隔壁構造の下側表面上の液体を効果的に前記隔壁構造の下側表面から吸引しながら抜き取ることができる態様により、前記隔壁構造に流れが連通している吸引通路とを備える装置。
【請求項２】
マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、
ａ）処理の期間中に半製品が配置される処理室と、
ｂ）前記処理の期間中に前記半製品の上に配置され、そして少なくとも部分的に前記半製品を覆い、外周を有する下側表面を含む隔壁構造と、
ｃ）前記隔壁構造の前記下側表面上の液体を効果的に引きつけ、または収容する態様で装置の中に配置されている機構と、
ｄ）引き付けられ、または収容された液体が前記隔壁構造の前記下側表面から効果的に抜き取られる態様で、前記機構に近接した流体の入口を有する吸引通路とを備える装置。
【請求項３】
マイクロエレクトロニクス半製品を処理する方法であって、
ａ）装置の処理室の中に前記半製品を配置する工程と、
ｂ）前記処理の期間中に前記半製品の少なくとも一部分の上に配置される下側表面を含み、半製品の上に配置される隔壁構造を提供する工程と、
ｃ）前記処理室の中に液体を導く工程を含み、覆われた前記半製品が処理を受ける工程と、
ｄ）前記隔壁構造の前記下側表面に集まる前記液体の一部分を吸引または吸い上げて除去する工程とを含む方法。
【請求項４】
ａ）本体の軸に垂直でない下側表面を有する環状の形の本体と、
ｂ）環状本体の前記下側表面の液体が抜き取られる環状本体の前記下側表面に流れが連通する吸引または吸い上げ通路とを含む隔壁構造。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月5日(2010.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電ターゲット上に光を集中させるための素子であって、
湾曲面を含む外面、細長く且つ実質的に平坦な上面および細長い底部分を有する透明な細長い形状の集光レンズであって、前記底部分は、集光された光を受け取る、集光レンズと、
導電ストリップを含む光起電ストリップと、
前記集光レンズの前記外面の少なくとも一部分上の膜であって、前記レンズを係合し、前記レンズ底部分に前記光起電ストリップを位置決めする膜と
を備える素子。
【請求項２】
前記光起電ストリップのためのバッキングストリップを含む、請求項１に記載の素子。
【請求項３】
前記レンズが、可視光の約５０％を超えて透過する透明材料を含む、請求項１に記載の素子。
【請求項４】
前記膜材料が、可視光の約５０％を超えて透過する透明材料を含む、請求項１に記載の素子。
【請求項５】
前記レンズと前記膜との間に配置された透明な誘電性流体をさらに含む、請求項１に記載の素子。
【請求項６】
前記流体が、前記光起電ストリップおよび／または導電ストリップのうちの少なくとも一方と接触している、請求項５に記載の素子。
【請求項７】
前記誘電性流体が、可視光の約５０％を超えて透過する、請求項５に記載の素子。
【請求項８】
前記集光レンズが、屈折率を有し、前記流体が、前記レンズの前記屈折率の＋／−１０％以内である屈折率を有する、請求項３に記載の素子。
【請求項９】
前記膜材料は、前記レンズに接着されると、前記集光された光の内部全反射をもたらすことが可能である、請求項１に記載の素子。
【請求項１０】
前記レンズが、側部部分を有し、前記導電ストリップが、前記光起電ストリップから前記側部部分に延在する、請求項１に記載の素子。
【請求項１１】
前記導電ストリップが、光反射をもたらす、請求項１に記載の素子。
【請求項１２】
前記導電ストリップが、金属メッシュの形態である、請求項１に記載の素子。
【請求項１３】
前記レンズが、長さを有し、前記導電ストリップを含む前記光起電ストリップが、前記レンズの前記長さを越えて延在する、請求項１に記載の素子。
【請求項１４】
光起電ターゲット上に光を集中させるための素子であって、
透明材料を含み、湾曲面を含む外面、細長く且つ実質的に平坦な上面、および細長い底部分を有する、屈折率を有する細長い形状の集光レンズであって、前記底部分は、集光された光を受け取る、集光レンズと、
導電ストリップを含む光起電ストリップと、
前記集光レンズの前記外面の少なくとも一部分に接着された透明膜であって、前記レンズを係合し、前記光起電ストリップを前記レンズ底部分で位置決めする透明膜と、
前記レンズと前記膜との間に配置された透明な誘電性流体であって、前記レンズの前記屈折率の＋／−２０％以内である屈折率を有する誘電性流体と
を備える素子。
【請求項１５】
前記膜材料は、前記レンズに接着されると、前記集光された光の内部全反射をもたらすことが可能である、請求項１４に記載の素子。
【請求項１６】
前記レンズが、側部部分を有し、前記導電ストリップが、前記光起電ストリップから前記側部部分に延在する、請求項１４に記載の素子。
【請求項１７】
前記導電ストリップが、光反射をもたらす、請求項１４に記載の素子。
【請求項１８】
前記導電ストリップが、金属メッシュの形態である、請求項１４に記載の素子。
【請求項１９】
光起電ターゲット上に光を集中させるための素子であって、
湾曲面を含む外面、細長く且つ実質的に平坦な上面、および細長い底部分を有する透明な細長い形状の集光レンズであって、前記底部分は、集光された光を受け取ると共に開口部を含む、集光レンズと、
前記開口部内で位置決められた導電ストリップを含む光起電ストリップであって、前記開口部は、密封され、誘電性流体を含む、光起電ストリップと
を備える素子。
【請求項２０】
前記素子が、前記集光レンズの前記外面の少なくとも一部分に接着された膜材料を含み、前記膜は、前記開口部を密封する、請求項１９に記載の素子。
【請求項２１】
前記光起電ストリップは、前記光起電ストリップが電流発生のための２つの表面を備えるように、前記開口部内に構成されている、請求項１９に記載の素子。
【請求項２２】
光起電素子を形成するための方法であって、
透明材料を含み、湾曲面を含む外面、細長く且つ実質的に平坦な上面、および細長い底部分を有する透明な細長い形状の集光レンズであって、前記底部分は集光された光を受け取る、集光レンズを備えるステップと、
金属バッキングストリップと一つまたは複数の反射／導電ストリップと含む光起電ストリップを備えるステップと、
前記集光レンズの前記外面の少なくとも一部分に膜を接着させるステップであって、前記膜が、前記光起電ストリップを前記集光レンズの前記底部分で位置決めする、ステップと
を含む方法。
【請求項２３】
前記膜と前記レンズとの前記表面が接着されていない領域内の前記レンズと前記膜との間に、透明な誘電性流体を注入するステップと、前記光起電ストリップ、前記金属バッキングストリップ、および前記１つまたは複数の反射／導電ストリップのうちの少なくとも１つを封入するステップとを含む、請求項２２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月26日(2010.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
噴射キャップを有するチャンバと、
上記噴射キャップに隣接して配置され、上記噴射キャップを通して上記チャンバへ１つ以上の処理ガスを供給するように構成されたガスパネルモジュールと、
上記チャンバの上方に配置された上方処理モジュールと、
上記チャンバの下方に配置され、複数の垂直配向ランプを有するランプモジュールと、を備えるモジュラー半導体処理セル。
【請求項２】
上記ガスパネルモジュールは、上記チャンバの上記噴射キャップから１フィートのところに配置される、請求項１に記載のモジュラー半導体処理セル。
【請求項３】
上記チャンバは、チャンバ本体と、上記チャンバ本体にヒンジ接続されたチャンバ蓋とを備える、請求項２に記載のモジュラー半導体処理セル。
【請求項４】
上記上方処理モジュールは、ＵＶ支援モジュール及び上記チャンバの上方に配置されたリモートプラズマ生成器のうちの１つを備える、請求項３に記載のモジュラー半導体処理セル。
【請求項５】
上記上方処理モジュールは、上記チャンバの上方に配置された上方リフレクタモジュールを備える、請求項３に記載のモジュラー半導体処理セル。
【請求項６】
上記上方リフレクタモジュールは、水冷却される、請求項５に記載のモジュラー半導体処理セル。
【請求項７】
上記上方リフレクタモジュールは、空気冷却される、請求項５に記載のモジュラー半導体処理セル。
【請求項８】
上記チャンバは、少なくとも２インチの排気ラインを備える、請求項２に記載のモジュラー半導体処理セル。
【請求項９】
半導体基板を処理するためのクラスタツールにおいて、
中央ロボットを有する中央移送チャンバと、
上記中央移送チャンバをファクトリーインターフェースに接続するように結合される少なくとも１つのロードロックと、
上記中央移送チャンバに取り付けられる１つ以上のモジュラー処理セルと、
を備え、上記１つ以上のモジュラー処理セルは、
噴射キャップ及び排気部を有し、半導体基板を処理するように構成された処理チャンバと、
上記処理チャンバの上記噴射キャップに隣接して配置されたガスパネルモジュールと、
上記処理チャンバの下方に配置され、複数の垂直配向ランプを有するランプモジュールと、
上記処理チャンバの上方に配置された上方処理モジュールと、
を備える、クラスタツール。
【請求項１０】
上記ガスパネルモジュールは、上記処理チャンバの上記噴射キャップから約１フィートのところに配置される、請求項９に記載のクラスタツール。
【請求項１１】
上記上方処理モジュールは、上方リフレクタモジュール、ＵＶ支援モジュール及びリモートプラズマ生成器のうちの１つを備える、請求項１０に記載のクラスタツール。
【請求項１２】
上記モジュラー処理セルは、更に、上記処理チャンバに結合された空気冷却モジュールを備える、請求項１１に記載のクラスタツール。
【請求項１３】
半導体基板を処理するためのチャンバにおいて、
処理空間を画成し、噴射キャップ及び排気ポートを有するチャンバ本体と、
上記チャンバ本体にヒンジ接続されたチャンバ蓋と、
上記チャンバへ処理ガスを与えるように構成され、上記噴射キャップから約１フィートのところに配置されたガスパネルモジュールと、
上記処理空間を加熱するように構成され、上記チャンバ本体の下方に配置された垂直ランプモジュールと、
上記チャンバ本体に接続された空気冷却モジュールと、
上記チャンバ蓋の上方に配置された上方リフレクタモジュールと、
を備えるチャンバ。
【請求項１４】
電子モジュールと、
ＡＣ分配モジュールと、
水分配モジュールと、
を更に備える、請求項１３に記載のチャンバ。
【請求項１５】
上記ガスパネルモジュールは、上記チャンバへ２つのキャリヤガスを与えるように構成される、請求項１４に記載のチャンバ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月7日(2010.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハを支持するためのプラットフォームであって、
上記半導体ウェハを支持可能なサイズ及び形状を有する実質的に平面状の上面を備えるボディと、
上記ボディの上面に沿って延在し、上記ボディの上面から下面へと延びる深さを有するチャンネルと、を備え、
上記チャンネルは、上記ボディの上面と連続し、かつ離間された第１エッジマージンと第２エッジマージンとを有し、
上記エッジマージンの少なくとも一方が、上記チャンネルの少なくとも一部に沿って実質的に凸状であることを特徴とするプラットフォーム。
【請求項２】
上記チャンネルの上記第１エッジマージンと上記第２エッジマージンの両方が、上記チャンネルの少なくとも一部に沿って、実質的に凸状であることを特徴とする請求項１記載のプラットフォーム。
【請求項３】
上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、上記チャンネルの少なくとも一部に沿って、少なくとも約０．１ｍｍの曲率半径を有することを特徴とする請求項２記載のプラットフォーム。
【請求項４】
上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、上記チャンネルの少なくとも一部に沿って、少なくとも約０．５ｍｍの曲率半径を有することを特徴とする請求項３記載のプラットフォーム。
【請求項５】
上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、実質的に上記チャンネルの全体に沿って、少なくとも約０．５ｍｍの曲率半径を有することを特徴とする請求項４記載のプラットフォーム。
【請求項６】
上記第１エッジマージン及び上記第２エッジマージンのそれぞれが、上記上面を超えず、
上記第１エッジマージンと上記第２エッジマージンとの間の距離が、実質的に上記チャンネルの全体に沿って、約１０ｍｍ〜約１５ｍｍであり、
上記チャンネルの深さが約０．２ｍｍであることを特徴とする請求項４記載のプラットフォーム。
【請求項７】
アニールプロセスの間、半導体ウェハを垂直ウェハボートに支持する支持リングであって、
当該支持リングは、
上記垂直ウェハボートに受容可能な大きさ及び形状を有し、下面と、上記ウェハを支持可能な大きさ及び形状を有する実質的に平面状の上面と、を有する、実質的にリング状のボディと、
上記ボディの上面に沿って延在し、上記ボディの上面から下面へと延びる深さを有するチャンネルと、を備え、
上記チャンネルは、上記ボディの上面と連続し、かつ直径方向に関して離間された内側エッジマージンと外側エッジマージンとを有し、
上記内側エッジマージン及び上記外側エッジマージンの少なくとも１つが実質的に凸状であることを特徴とする支持リング。
【請求項８】
上記チャンネルの上記内側エッジマージン及び上記外側エッジマージンの両方が実質的に凸状であることを特徴とする請求項７記載の支持リング。
【請求項９】
上記内側エッジマージン及び上記外側エッジマージンのそれぞれが、少なくとも約０．５ｍｍの曲率半径を有することを特徴とする請求項８記載の支持リング。
【請求項１０】
上記内側エッジマージン及び上記外側エッジマージンのそれぞれが、実質的に上記チャンネルの全体に沿って、少なくとも約０．５ｍｍの曲率半径を有することを特徴とする請求項９記載の支持リング。
【請求項１１】
上記内側エッジマージン及び上記外側エッジマージンのそれぞれが、上記上面を超えないことを特徴とする請求項９記載の支持リング。
【請求項１２】
上記チャンネルが、弓状であり、上記実質的にリング状のボディと実質的に同心円状にあり、上記実質的にリング状のボディは、約３００ｍｍの直径を有し、上記ボディの中央開口部から延びる半径方向開口部を有し、上記チャンネルは、上記半径方向開口部にまで及ぶ対向する端部を有することを特徴とする請求項９記載の支持リング。
【請求項１３】
さらに、上記ウェハボディの上面上に形成されたシリコン酸化物層を有し、上記シリコン酸化物層は、約２５ナノメートル〜５μｍの膜厚を有する、ウェハボートと組み合わされる支持リングであって、
当該ウェハボートは、上記プラットフォームを支持するためのレールとフィンガーとを備え、
上記ボディは、上記フィンガーを受容するための溝部を備えることを特徴とする請求項７記載の支持リング。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【図１】図１は、高温処理アニーリングの間半導体ウェハを垂直ウェハボートに支持するための支持リングのある実施の形態の斜視図である。
【図２】図２は、複数の支持リングを保持する垂直ウェハボートの斜視図である。
【図３】図３は、図１の３--３ラインを含む支持リングの断面図であって、支持リングの溝部を通過するものである。
【図４】図４は、図３の支持リングのチャンネルの一部を拡大した図であって、チャンネルの左側エッジマージンが示されている。
【図５】図５は、断絶したエッジマージンを有するチャンネルを備える支持リングの一部の拡大断面図であって、チャンネルの左側のエッジマージンが示されている。
【図６】図６は、断絶したエッジマージンを有するチャンネルを備える図５と同様の支持リングにより高温アニールの間支持されたウェハに存在するスリップを図示したものである。
【図７】図７は、角が形成されず、かつ研磨された２°のエッジマージンを有するチャンネルを備える支持リングの一部の拡大断面図であって、チャンネルの左側エッジマージンが示されている。
【図８】図８は、角が形成されず、かつ研磨された２°のエッジマージンを有するチャンネルを備える図７と同様の支持リングにより高温アニールの間支持されたウェハに存在するスリップを図示したものである。
【図９】図９は、角が形成されず、かつ研磨されていない２°のエッジマージンを有するチャンネルを備える支持リングにより高温アニールの間支持されたウェハに存在するスリップを図示したものである。
【図１０】図１０は、０．１ｍｍの曲率半径を有する凸状エッジマージンを有するチャンネルを備える支持リングの一部の拡大断面図であって、チャンネルの左側エッジマージンが示されている。
【図１１】図１１は、０．１ｍｍの曲率半径を有するエッジマージンを有するチャンネルを備える支持リングにより高温アニールの間支持されたウェハに存在するスリップを図示したものである。
【図１２】図１２は、０．５ｍｍの曲率半径を有するエッジマージンを有するチャンネルを備える支持リングにより高温アニールの間支持されたウェハにスリップが存在する若しくは存在しないことを図示したものである。対応する参照用文字は、当該図面を通して対応する部材を指し示す。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月17日(2010.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３１】
請求項１８記載の横型ＦＥＴであって、第２導電タイプの基板と、前記基板上に伸長した前記交互の導電タイプのシリコン層のスタックと、を含み、ドレイン領域の各々が前記交互の導電タイプのシリコン層を貫通して垂直に伸長して前記基板内で終端していることを特徴とするＦＥＴ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月16日(2010.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部にロボットが配設された移送領域を形成する１つ以上の壁と、
上記移送領域内に配設され、基板の表面の特性を測定するように適応される第１の支援チャンバと、
上記移送領域に連通する基板処理チャンバと、
上記基板処理チャンバ内で処理ステップを遂行する前に基板の表面を準備するように適応される前クリーニングチャンバと、
を備えた基板処理装置。
【請求項２】
上記第１の支援チャンバは、ＸＲＤ、ＸＰＳ、反射計、又はエリプソメーター技術を使用して基板の表面の特性を測定するように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
基板の表面から汚染物を除去するように適応される第２の支援チャンバを更に備え、上記１つ以上の壁に配設された放射源から基板の表面へ紫外線（ＵＶ）放射を配送することにより汚染物を除去する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
内部にロボットが配設された移送領域を形成する１つ以上の壁と、
上記移送領域に連通する１つ以上の基板処理チャンバと、
上記ロボットと移送可能に連通し、基板の表面の特性を測定するように適応される支援チャンバと、
上記移送領域に連通する処理チャンバであって、
この処理チャンバの処理領域内に位置付けられた基板支持体、及び
上記基板支持体に位置付けられた基板の表面に１つ以上のＵＶ波長の光を配送するように適応される第１の放射源、
を含む処理チャンバと、
を備えた基板処理装置。
【請求項５】
上記支援チャンバは、ＸＲＤ、ＸＰＳ、反射計、又はエリプソメーター技術を使用して基板の表面の特性を測定するように適応される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
上記第１の放射源は、約１２０ｎｍから約４３０ｎｍの範囲の１つ以上の波長の光を、約１から約２５ｍＷ／ｃｍ２の電力密度で配送するように適応される、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
上記支援チャンバ内で測定される基板の表面の特性は、上記領域内に含まれた材料の応力、歪、厚み及び組成より成るグループから選択された特性である、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
ロボットが配設された移送領域を形成する１つ以上の壁と、
上記ロボットと移送可能に連通し、基板の表面の特性を測定するように適応される支援チャンバと、
上記移送領域に連通する第１の処理チャンバであって、
この処理チャンバの処理領域内に位置付けられた基板支持体、及び
１つ以上のＵＶ波長の光を、上記基板支持体に位置付けられた基板の表面に配送するように適応される第１の放射源、
を含む、前記第１の処理チャンバと、
上記移送領域に連通する第２の処理チャンバであって、
この処理チャンバの処理領域内に位置付けられた基板支持体、
１つ以上のＵＶ波長の光を、上記基板支持体に位置付けられた基板の表面に配送するように適応される第２の放射源、及び
水素を含むクリーニングガスを上記処理領域へ配送するように適応されるガス源、
を含む、前記第２の処理チャンバと、
を備えた基板処理装置。
【請求項９】
上記支援チャンバは、ＸＲＤ、ＸＰＳ、反射計、又はエリプソメーター技術を使用して基板の表面の特性を測定するように適応される、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
上記第１及び第２の放射源は、約１２０ｎｍから約４３０ｎｍの範囲の１つ以上の波長の光を、約１から約２５ｍＷ／ｃｍ２の電力密度で配送するように適応される、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
クラスターツール内で半導体装置を形成する方法において、
基板処理チャンバ内で基板の表面を変更するステップと、
基板の表面を変更した後に基板の領域の特性を測定するステップと、
上記測定された特性を、システムコントローラに記憶された値と比較するステップと、
基板の表面を変更するプロセスの間に、上記測定された特性とシステムコントローラに記憶された値との上記比較に基づいて、プロセス変数を変更するステップと、
を備えた方法。
【請求項１２】
領域の特性を測定する上記ステップは、上記領域内に含まれた材料の応力、歪、厚み及び組成より成るグループから選択された特性を測定することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
装置の特徴部を形成する前に基板の表面から汚染物を除去するステップを更に備え、この汚染物を除去するステップは、
約１２０ｎｍから約４３０ｎｍの範囲内の少なくとも１つの波長を有する放射に基板の表面を露出させる段階と、
水素を含むクリーニングガスを基板の表面に与える段階と、
約７５０℃より低い温度に基板を加熱する段階と、
を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
クラスターツール内で半導体装置を形成する方法において、
基板処理チャンバ内で基板の表面を変更するステップと、
上記クラスターツールの移送領域内に配設されたロボットを使用して、その移送領域に基板を位置付けるステップと、
上記移送領域に位置付けられた基板の表面の特性を測定するステップと、
上記測定された特性を、システムコントローラに記憶された値と比較するステップと、
基板の表面を変更するプロセスにおいて上記測定された特性とシステムコントローラに記憶された値との上記比較に基づいて、プロセス変数を調整するステップと、
を備えた方法。
【請求項１５】
放射源からの紫外線（ＵＶ）放射に基板の表面を露出させることにより、装置の特徴部を形成する前に、基板の表面から汚染物を除去するステップを更に備えた、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月22日(2010.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基材と、
導電性を有し、前記導電性基材上に整列された接着性ポリマーシートと、を有するガスケットであって、
前記接着性ポリマーシートが、接着性ポリマー樹脂と、該接着性ポリマー樹脂中に分散された導電性充填材とを含み、
該導電性充填材が前記接着性ポリマー樹脂中で縦及び横方向に整列されるとともに前記接着性ポリマーシートの全領域にわたって互いに電気的に接続されている、ガスケット。
【請求項２】
前記導電性基材が、導電性布帛、導電性不織布、導電処理布帛、導電処理不織布、金属箔、金属フィルム、及びポリマー樹脂でコーティングされた導電性メッシュフィルムから選択される１つを含む、請求項１に記載のガスケット。
【請求項３】
前記導電性充填材が、約１０〜２００μｍの長さと約５〜２０μｍの厚さを有するニッケルコーティングされたグラファイト繊維及びフィラメント型のニッケル粒子を含む、請求項１に記載のガスケット。
【請求項４】
導電性基材と、導電性を有するとともに該導電性基材上に整列された接着性ポリマーシートと、を含むガスケットを製造するための方法であって、
接着性ポリマー樹脂を形成するためのモノマーと導電性充填材とを混合することにより、混合物を調製する工程と、
該混合物をシート状に形成する工程と、
前記シートの両面にマスキングパターンを有するマスクを整列させ、該マスクを通じて前記シートに光を照射することにより、前記接着性ポリマー樹脂を光重合させ、前記導電性充填材が前記接着性ポリマー樹脂の縦及び横方向に整列されるとともに、前記シートの全領域にわたって電気的に接続された前記接着性ポリマーシートを形成する工程と、
前記接着性ポリマーシートを前記導電性基材の一方の表面に整列させる工程と、を含み、
要すれば前記モノマーと前記導電性充填剤とを混合する前記工程が、
前記接着性ポリマー樹脂用の前記モノマーを部分的に重合することにより、ポリマーシロップを形成する工程と、
前記モノマーを部分的に重合させて得られた前記ポリマーシロップに前記導電性充填剤を添加する工程と、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月16日(2010.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属性ナノ結晶材料を形成する方法において、
基板を前処置プロセスに露出させるステップと、
上記基板上にトンネル誘電体層を形成するステップと、
上記基板を後処置プロセスに露出させるステップと、
上記トンネル誘電体層上に金属性ナノ結晶層を形成するステップと、
上記金属性ナノ結晶層上に誘電体キャップ層を形成するステップと、
を備えた方法。
【請求項２】
上記金属性ナノ結晶層は、ルテニウム又はルテニウム合金を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記金属性ナノ結晶層は、白金、パラジウム、ニッケル、イリジウム、ルテニウム、コバルト、タングステン、タンタル、モリブデン、ロジウム、金、そのケイ化物、その窒化物、その炭化物、その合金、又はその組合せより成るグループから選択された金属を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
疎水性表面は、上記基板を還元剤に露出させることにより形成され、上記還元剤は、シラン、ジシラン、アンモニア、ヒドラジン、ジボラン、トリエチルボラン、水素、原子状水素、そのプラズマ、その派生物、及びその組合せより成るグループから選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
上記前処置プロセスは、上記基板上に核生成表面又は種表面を設け、該核生成表面又は種表面は、原子層堆積、Ｐ３ｉフラッディング、電荷銃フラッディング、及びその組合せより成るグループから選択されたプロセスによって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上記基板は、上記後処置プロセス中に、急速熱アニール、レーザーアニール、ドーピング、Ｐ３ｉフラッディング、化学気相堆積、及びその組合せより成るグループから選択されたプロセスに露出される、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
上記後処置プロセス中に上記基板上に犠牲的キャップ層が堆積され、上記犠牲的キャップ層は、スピンオンプロセス、無電解堆積、原子層堆積、化学気相堆積、物理気相堆積、及びその組合せより成るグループから選択されたプロセスにより堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
上記金属性ナノ結晶層は、ナノ結晶サイズ及びサイズ分布を制御するために急速熱アニールプロセスに露出され、更に、上記金属性ナノ結晶層は、上記急速熱アニールプロセス中に３００℃から約１２５０℃の範囲内の温度で形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
上記金属性ナノ結晶層は、ナノ結晶を含み、該ナノ結晶の少なくとも約８０重量％が約１ｎｍから約５ｎｍの範囲内のナノ結晶粒子サイズを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
上記金属性ナノ結晶層は、少なくとも約５ｘ１０１２ｃｍ−２のナノ結晶密度を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
上記金属性ナノ結晶層は、白金、ルテニウム、ニッケル、その合金、及びその組合せより成るグループから選択された金属を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
基板上に多層の金属性ナノ結晶材料を形成する方法において、
基板を前処置プロセスに露出させるステップと、
上記基板上にトンネル誘電体層を形成するステップと、
上記基板上に複数の二層体を形成するステップであって、各々の二層体は、金属性ナノ結晶層上に中間誘電体層を堆積したもので構成されるステップと、
複数の二層体上に誘電体キャップ層を形成するステップと、
を備えた方法。
【請求項１３】
上記金属性ナノ結晶層は、白金、ルテニウム、ニッケル、その合金、及びその組合せより成るグループから選択された金属を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
基板上に配設されたトンネル誘電体層と、
上記トンネル誘電体層上に配設された金属性ナノ結晶層であって、白金、パラジウム、ニッケル、イリジウム、ルテニウム、コバルト、タングステン、タンタル、モリブデン、ロジウム、金、そのケイ化物、その窒化物、その炭化物、その合金、又はその組合せより成るグループから選択された金属を含む金属性ナノ結晶層と、
上記金属性ナノ結晶層上に配設された誘電体キャップ層と、
上記誘電体キャップ層上に配設された制御ゲート層と、
を備えた金属性ナノ結晶材料。
【請求項１５】
上記金属性ナノ結晶層は、少なくとも約５ｘ１０１２ｃｍ−２のナノ結晶密度を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
基板上に配設されたトンネル誘電体層と、
上記トンネル誘電体層上に配設された第１の金属性ナノ結晶層と、
上記第１の金属性ナノ結晶層上に配設された中間誘電体層と、
上記中間誘電体層上に配設された第２の金属性ナノ結晶層と、
上記第２の金属性ナノ結晶層上に配設された誘電体キャップ層と、
を備えた金属性ナノ結晶材料。
【請求項１７】
基板上に配設されたトンネル誘電体層と、
上記トンネル誘電体層上に配設された第１の金属性ナノ結晶層と、
上記第１の金属性ナノ結晶層上に配設された第１の中間誘電体層と、
上記第１の中間誘電体層上に配設された第２の金属性ナノ結晶層と、
上記第２の金属性ナノ結晶層上に配設された第２の中間誘電体層と、
上記第２の中間誘電体層上に配設された第３の金属性ナノ結晶層と、
上記第３の金属性ナノ結晶層上に配設された誘電体キャップ層と、
を備えた金属性ナノ結晶材料。