【事件の表示】
　平成　６年特許願第２０５６４４号「プラズマエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　３月１２日出願公開、特開平　８−　６９９９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成６年８月３０日の出願であって、平成１４年１１月２１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１４年１２月２５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１４年１２月２５日付の手続補正についての補正却下の決定
                            　
［補正却下の決定の結論］
 　平成１４年１２月２５日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は次のとおりに補正された。
「【請求項１】エッチングガスの解離生成物である堆積種をイオン化して、マスクパターンが形成された被エッチング基板に入射することにより堆積物を形成するとともに、前記堆積物による側壁保護膜を形成しつつ、被エッチング層をパターニングするプラズマエッチング方法であって、
　前記マスクパターンが疎密を有して形成されており、前記被エッチング基板におけるマスクパターンの疎な領域と密な領域とに、前記堆積物による均一な厚さの側壁保護膜を形成する
　ことを特徴とするプラズマエッチング方法。」
　
　そして、前記した請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明１」という。）は、その内容からみて、下記の平成１３年１１月３０日付手続補正書の請求項２に記載された発明（以下、「旧請求項２に係る発明」という。）を補正したものと認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
「【請求項１】　エッチングガスの解離生成物である堆積種をイオン化して、マスクパターンが形成された被エッチング基板に入射することにより堆積物を形成するとともに、前記堆積物による側壁保護膜を形成しつつ、被エッチング層をパターニングするプラズマエッチング方法であって、
　１×１０１３／ｃｍ３以上１×１０１４／ｃｍ３未満の密度のプラズマを発生しうるプラズマ発生源により、前記堆積種をイオン化することを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】　前記マスクパターンが疎密を有して形成されており、前記被エッチング基板におけるマスクパターンの疎な領域と密な領域とに、前記堆積物による均質な厚さの側壁保護膜を形成する
　ことを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング方法。」
　
２．補正の妥当性についての判断
　上記補正は、旧請求項２に係る発明に記載された発明を特定するために必要と認める事項の一部である「１×１０１３／ｃｍ３以上１×１０１４／ｃｍ３未満の密度のプラズマを発生しうるプラズマ発生源により、前記堆積種をイオン化すること」を削除することを含むものであって、本願補正発明１は特許請求の範囲が拡張されているものである。
　よって、上記補正は、特許法第１７条の２第３項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当せず、また、特許法第１７条の２第３項の他の各号に規定する事項いずれをも目的とするものでもない。
　　
３．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
III．本願発明について
　平成１４年１２月２５日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１３年１１月３０日付手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものと認められ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】エッチングガスの解離生成物である堆積種をイオン化して、マスクパターンが形成された被エッチング基板に入射することにより堆積物を形成するとともに、前記堆積物による側壁保護膜を形成しつつ、被エッチング層をパターニングするプラズマエッチング方法であって、
　１×１０１３／ｃｍ３以上１×１０１４／ｃｍ３未満の密度のプラズマを発生しうるプラズマ発生源により、前記堆積種をイオン化することを特徴とするプラズマエッチング方法。」
　
１．引用例
　原査定に引用された、本願の出願前に国内で頒布された特開平６−１３２２５６号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
（ａ）「【請求項１】 被エッチング層上にレジストマスクを形成した後、該レジストマスクを堆積膜で覆い、その後にエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
　【請求項４】 被エッチング層上にレジストマスクを形成した後、該レジストマスクをイオウ窒化物ポリマーで覆った後、イオウを含有する側壁保護膜を形成させながらエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。」（【請求項１】【請求項４】）
（ｂ）「【０００１】【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造プロセスに用いられるドライエッチング方法に関し、更に詳しくは、変換差を生じない高精度の微細加工を実現したドライエッチング方法に係わる。」（【０００１】）
（ｃ）「【００１１】【作用】請求項１記載の発明は、エッチング時に堆積膜がレジストマスクを保護し、レジストマスクの側壁が後退するのを防止する作用がある。このため、寸法変換差の生じない微細加工プロセスが実現できる。
・・・・・
　【００１４】請求項４記載の発明は、上記請求項１〜３記載の発明における作用に加えて、イオウを含有する側壁保護膜により異方性加工を確実にする作用がある。」（【００１１】、【００１４】）
（ｄ）「【００１５】【実施例】以下、本発明に係るドライエッチング方法の詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。
　【００１６】（実施例１）本実施例は、図１に示すように、シリコン基板１１上にシリコン酸化膜１２を形成した後、シリコン酸化膜１２上に順次ポリシリコン膜１３，タングステンシリサイド膜１４を堆積させてタングステンポリサイド構造とする。そして、同図に示すようなレジストマスク１５をパターニングした。
　【００１７】そして、ＲＦバイアス印加型のＥＣＲエッチング装置を用いて、エッチングを以下に示すような２段階工程で行った。
　【００１８】（第１段階の条件）
・ガス及びその流量
Ｓ２Ｆ２　　　………２０ｓｃｃM　　    
Ｈ２Ｓ　　　………１０ｓｃｃM　　    
Ｎ２　　　　………２０ｓｃｃM     
・圧力　　　　………１Ｐａ
・μ波電力　　………８５０Ｗ
・ＲＦバイアス　……５Ｗ
・ウェハ温度　………−５０℃
かゝる第１段階で、図２に示すように、レジストマスク１５の側壁表面に、堆積膜であるイオウ窒化物ポリマー（（ＳＮ）ｘポリマー）膜１６が薄く被着する。なお、タングステンシリサイド膜１４上及びレジストマスク１５上面には、スパッタ成分に起因して（ＳＮ）ｘポリマー膜１６は堆積しない。
　【００１９】次に、実際のエッチングを以下に示す第２段階の工程で行った。
　【００２０】（第２段階の条件）
・ガス及びその流量
Ｓ２Ｆ２       ………２０ｓｃｃM      
・圧力       ………１Ｐａ
・μ波電力   ………８５０Ｗ
・ＲＦバイアス ……２０Ｗ
・ウェハ温度 ………−５０℃
この第２段階のエッチングにおいては、図３に示すように、レジストマスク１５が（ＳＮ）ｘポリマー膜１６で覆われているため、レジストマスク１５の後退（縮退）は起こらない。また、ポリシリコン膜１３，タングステンシリサイド膜１４で成るタングステンポリサイド層のエッチングされた側壁は、Ｓ２Ｆ２ ガスの寄与によりイオウ系膜１７で保護されているため、充分異方性加工が実現できる。なお、このとき、レジストマスク１５を覆っている堆積膜がイオウ系膜１７よりも昇華温度の高い（ＳＮ）ｘポリマー膜１６であるため、イオウ系膜１７の堆積とエッチングの競合反応の最中も、物性の異なる強固な（ＳＮ）ｘポリマー膜１６が除去される心配はなく、レジストマスク１５の後退を確実に防止することができる。
　【００２１】次に、（ＳＮ）ｘポリマー膜１６及びイオウ系膜１７は、ウェハを２００℃まで加熱することにより、全て昇華除去される。このため、後工程でのレジスト剥離等に問題を生じることはない。
　【００２２】本実施例においては、レジストマスクの後退が防止できたため、寸法変換差が生じるのを防止でき、０．２５μｍルール以降にも対応し得る高い制御性を有する微細加工プロセスが実現できる。」（【００１５】〜【００２２】）が記載されている。
                            　
２．対比・判断
　上記引用例には、被エッチング層上にレジストマスクを形成した後、該レジストマスクをイオウ窒化物ポリマーで覆った後、イオウを含有する側壁保護膜を形成させながらエッチングを行うドライエッチング方法（摘記事項（ａ）【請求項４】）が記載され、実施例１には、シリコン基板１１上にシリコン酸化膜１２を形成した後、シリコン酸化膜１２上に順次ポリシリコン膜１３，タングステンシリサイド膜１４を堆積させてタングステンポリサイド構造とし、レジストマスク１５をパターニングしたのち、ＲＦバイアス印加型のＥＣＲエッチング装置を用いて、エッチングの１段階工程としてレジストマスク１５の側壁表面に、堆積膜であるイオウ窒化物ポリマー（（ＳＮ）ｘポリマー）膜１６が薄く被着する工程と、第２段階の工程で、（第２段階の条件）
・ガス及びその流量　Ｓ２Ｆ２ ………２０ｓｃｃM      　　　　　　
・圧力　　　　………１Ｐａ　　　・μ波電力　　………８５０Ｗ
・ＲＦバイアス　……２０Ｗ　　　・ウェハ温度　………−５０℃
の条件でエッチングを行うこと、この第２段階のエッチングにおいては、レジストマスク１５が（ＳＮ）ｘポリマー膜１６で覆われているため、レジストマスク１５の後退（縮退）は起こらないこと、また、ポリシリコン膜１３，タングステンシリサイド膜１４で成るタングステンポリサイド層のエッチングされた側壁は、Ｓ２Ｆ２ ガスの寄与によりイオウ系膜１７で保護されているため、充分異方性加工が実現できること（摘記事項（ｄ））が記載されているから、摘記事項（ａ）〜（ｄ）を総合すると、引用例には次の発明が記載されていることになる。
　「被エッチング層上にレジストマスクを形成した後、ＲＦバイアス印加型のＥＣＲエッチング装置を用いて、Ｓ２Ｆ２ ガスの寄与によりイオウを含有する側壁保護膜を形成させながらエッチングを行い、エッチングされた側壁は、イオウ系膜で保護されているため、充分異方性加工が実現できるドライエッチング方法。」（以下、「引用発明」という。）
　　
　そこで、本願発明１と引用発明とを対比する。
　引用発明は、ＲＦバイアス印加型のＥＣＲエッチング装置を用いて、Ｓ２Ｆ２ ガスの寄与によりイオウを含有する側壁保護膜を形成させながらエッチングを行うとしているから、このことは本願発明１の、エッチングガスの解離生成物である堆積種をイオン化して、被エッチング基板に入射することにより堆積物を形成するとともに、前記堆積物による側壁保護膜を形成しつつ、被エッチング層をパターニングするプラズマエッチング方法に相当している。
　そうすると、両者は、「エッチングガスの解離生成物である堆積種をイオン化して、マスクパターンが形成された被エッチング基板に入射することにより堆積物を形成するとともに、前記堆積物による側壁保護膜を形成しつつ、被エッチング層をパターニングするプラズマエッチング方法であって、特定の密度のプラズマを発生しうるプラズマ発生源により、前記堆積種をイオン化するプラズマエッチング方法。」で一致しているものの、プラズマ発生源について、本願発明１では、１×１０１３／ｃｍ３以上１×１０１４／ｃｍ３未満の密度のプラズマを発生しうるプラズマ発生源を用いるのに対して、引用発明では、ＲＦバイアス印加型のＥＣＲエッチング装置を用いており、その発生するプラズマ密度が記載されていない点で相違している。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　ＲＦバイアス印加型のＥＣＲエッチング装置は、プラズマエッチング装置のなかでも高密度プラズマ発生装置として周知である。一方、本願発明１は、実施例の記載によれば、１×１０11／ｃｍ3 以上１×１０14／ｃｍ3 未満のプラズマ密度を発生しうるプラズマ発生源として、ヘリコン波プラズマ発生源を有するエッチング装置を用いており（明細書段落【００２５】）、又「エッチングガスの解離によるエッチング種をイオン化するのみならず、堆積種をもイオン化するためには、１×１０11／ｃｍ3 以上１×１０14／ｃｍ3 未満のプラズマ密度を発生しうるプラズマ発生源を用いる。中でも、１０-1Ｐａ台の低圧力下で高イオン電流密度の得られるヘリコン波（ホイッスラ波）プラズマ発生源は、プラズマ中を伝播するヘリコン波にのって、電子が次々に加速されるので、原理的に１×１０１３／ｃｍ３オーダの高密度プラズマを発生することができる。１０-1Ｐａ台の低圧力下においては、１×１０14／ｃｍ3 のプラズマ密度はほぼ完全解離に近い値である。ヘリコン波プラズマ発生源については、米国特許第４９９０２２９号明細書、ないしはＪ．ｏｆ　Ｖａｃｕｕｍ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｂ９（２），３１０（１９９１）に示されている。」（明細書段落【００２１】）とも記載され、また、１×１０１３／ｃｍ３オーダの高密度プラズマを発生するヘリコン波プラズマ発生源は、特表平６−５０６０８４号公報（請求の範囲２．、７．９頁右上欄４〜６行）、特開平６−２３２０７９号公報（段落【００２０】）に記載されているように、本願の出願前周知である。
　そして、側壁保護膜を形成しながら、プラズマエッチングする際に、ＲＦバイアス印加型ＥＣＲエッチング装置又はＥＣＲエッチング装置と同様、ヘリコン電極型エッチング装置を用い得ることも、例えば、特開平６−１６８９１３号公報（段落【００５０】）、特開平５−２６７２２６号公報（段落【００６７】）に示す如く、本願の出願前周知である。
　そうすると、引用発明においても、高密度プラズマを発生するＲＦバイアス印加型のＥＣＲエッチング装置を用いているものであり、又より高密度のプラズマによる処理が求められているものでもあるから、引用発明において、これと同様に用い得るヘリコン電極型エッチング装置を用いること、即ち１×１０１３／ｃｍ３以上１×１０１４／ｃｍ３未満の密度のプラズマを発生しうるプラズマ発生源を用いるようにすることは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明１における効果も、引用例の記載および上記周知技術に基づいて予測し得る程度のもので格別顕著なものとは認められない。
　したがって、本願発明１は、引用例の記載および上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、引用例に記載された発明および上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。