【手続補正書】
【提出日】平成22年5月20日(2010.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１及び第２の部分を有する、製造中間体を構成する材料を処理する方法であって、
材料への加熱エネルギーを調整して前記第１及び第２の部分を差別的に加熱する工程、
前記差別的な加熱工程により、前記第１の部分の粘度を低下させて流動可能とする一方で、前記第２の部分の粘度は実質的に変化させないか、又は第１の部分よりも低度に低下させる工程、及び、
前記材料の前記第１及び第２の部分を成形して製品を製造する工程、
を含む材料の処理方法。
【請求項２】
前記第１及び第２の部分をメルトフロープロセスにより成型する工程、
前記第１及び第２の部分を可塑的に変形することにより前記材料を成形する工程、及び
材料の剪断及び伸展の少なくとも１つを行うことにより前記材料を成形する工程、
のうち１つ以上を包含して製品を製造する請求項１記載の材料の処理方法。
【請求項３】
前記材料が少なくとも第１及び第２の層を有し、各層が材料の前記第１及び第２の部分の一方又は両方を含むか、
前記第１及び第２の部分が第１及び第２の顆粒材料から形成されるか、又は、
前記第１及び第２の顆粒エレメントが共に混合される、
請求項１又は２に記載の材料の処理方法。
【請求項４】
前記第１の部分を差別的に加熱する前記工程が前記第１の部分を溶融させる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の材料の処理方法。
【請求項５】
前記第１の部分からの伝導性又は対流性の熱移動により前記第２の部分の加熱を行う工程を包含する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の材料の処理方法。
【請求項６】
前記伝導性又は対流性の熱が前記第２の部分を溶融させる、請求項５記載の材料の処理方法。
【請求項７】
前記第２の部分が前記差別的加熱工程の後に前記第１の部分から熱エネルギーを吸収するための熱シンクとして作用する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の材料の処理方法。
【請求項８】
前記差別的加熱工程において、前記第１の部分をその融点より高温まで加熱し、前記第２の部分はその融点より実質的に低温に保持する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の材料の処理方法。
【請求項９】
前記差別的加熱が電磁気エネルギーにより提供される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の材料の処理方法。
【請求項１０】
前記電磁気エネルギーがマイクロ波放射により提供される、請求項９記載の材料の処理方法。
【請求項１１】
前記材料を通じて実質的に均等に前記電磁気エネルギーを分布させる工程、及び、
材料の選択された部位に前記電磁気エネルギーを向けて、これらの領域を加熱する工程、
のうち少なくとも１つを包含する、請求項９又は１０に記載の材料の処理方法。
【請求項１２】
電磁気エネルギー密度、圧力及び処理中の材料の温度の少なくとも１つを制御する工程を包含する、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の材料の処理方法。
【請求項１３】
材料の前記第１の部分が材料全体に渡り実質的に均等に分布させるか、または、
材料の前記第１の部分を局所的に位置させることにより材料中の温度分布を可変とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の材料の処理方法。
【請求項１４】
材料の前記第１の部分を加熱する工程により、材料全体が混合、移動、成形、刻印、注入又は押出されて製品が製造される、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の材料の処理方法。
【請求項１５】
材料が溶融処理手法により処理され、溶融処理手法が射出成型、押出、押出ブロー成型、トランスファ成型又は射出−膨張成型の少なくとも１つを包含する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の材料の処理方法。
【請求項１６】
低分子量重合体、オリゴマー又は単量体に対して実施され、加熱工程により、単量体又は低分子量重合体にその場で重合又は化学反応を起こさせる、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の材料の処理方法。
【請求項１７】
加熱される材料が、合成又は天然の重合体材料、カーボンブラック、フェライト、金属酸化物、ゼオライト、タルク粉末、ＺｎＣｌ2、ナイロン、銅その他の金属粉末、酸化第１鉄、酸化マンガン、セラミックス及び酸化物のうちの少なくとも１つを包含する、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の材料の処理方法。
【請求項１８】
少なくとも第１及び第２の部分を有する被加熱製品中間体を保持するための材料ホルダー、
前記第１及び第２の部分を差別的に加熱し、前記第１の部分の粘度を低下させて前記第１の部分を流動可能とする一方で、前記第２の部分の粘度は前記差別的加熱工程によっても実質的に変化させないか、又は第１の部分よりも低度に低下させるよう操作可能な加熱ステーション、及び、
前記第１及び第２の部分を成形して製品を製造する、操作可能な材料成形用のステーション、
を包含する製造中間体を処理するための材料処理システム。
【請求項１９】
前記材料成形ステーションが、
前記第１及び第２の部分を前記材料のメルトフローにより成形する工程、
前記第１及び第２の部分を可塑的に変形することにより前記材料を成形する工程、及び、
材料の剪断及び伸展の少なくとも１つを行うことにより前記材料を成形する工程、
の１つ以上を実施するように追加的に操作可能である、請求項１８記載の材料処理システム。
【請求項２０】
前記第１及び第２の顆粒部分を混合するためのミキサーを包含する、請求項１８又は１９に記載の材料処理システム。
【請求項２１】
前記加熱ステーションが、マイクロ波放射エミッターを包含する、請求項１８〜２０のいずれか１項に記載の材料処理システム。
【請求項２２】
前記加熱ステーションが、
ａ）前記材料を通じて実質的に均等な電磁気エネルギーの分布、又は、
ｂ）材料の選択された領域に向けたそのような領域を加熱するための前記電磁気エネルギーのターゲティング、
の少なくとも１つを実施するように操作可能である、請求項１８〜２１のいずれか１項に記載の材料処理システム。
【請求項２３】
前記加熱ステーションが、被処理材料の部位に加熱エネルギーを方向付けるように操作可能な、方向付け可能なエネルギービーム発生器を包含する、請求項２２記載の材料処理システム。
【請求項２４】
前記加熱ステーションの電磁気エネルギー密度、前記成形ステーションにおける材料の圧力及び温度、のうち少なくとも１つを制御するために操作可能なコントローラーを包含する、請求項１８〜２３のいずれか１項に記載の材料処理システム。
【請求項２５】
前記成形ステーションが材料全体を混合、移動、成形、刻印、注入又は押出して製品を形成できるようにする、請求項１８〜２４のいずれか１項に記載の材料処理システム。
【請求項２６】
前記成形ステーションが射出成型、押出、押出ブロー成型、トランスファ成型又は射出−膨張成型の少なくとも１つを実施するために操作可能である、請求項１８〜２５のいずれか１項に記載の材料処理システム。
【請求項２７】
熱エネルギーに対して異なる感受性を有する第１及び第２の部分を包含する処理可能な材料であって、
そのような熱エネルギーによって、第１の部分の粘度は低下して流動可能となる一方で、第２の部分の粘度は実質的に変化しないか、又は第１の部分よりも低度に低下し、
前記第１及び第２の部分はそのような加熱の後にメルトフロープロセスにより成形されて製品を形成することができる被処理バルク材料。
【請求項２８】
前記第１及び第２の部分が、さらに加えて、可塑変形と、剪断及び伸展の少なくとも１つ、のうち１つ以上を実施することにより、共に成形可能である請求項２７記載の被処理バルク材料。
【請求項２９】
前記第１及び第２の部分の少なくとも１つが強化剤成分を包含する、請求項２７又は２８に記載の被処理バルク材料。
【請求項３０】
前記第１の部分がマイクロ波放射に対して受容性であり、加熱可能である、請求項２７〜２９のいずれか１項に記載の被処理バルク材料。
【請求項３１】
前記第１の部分が実質的に材料全体に均等に分布しているか、または
前記第１の部分が局所的に位置することにより材料中の温度分布を可変とすることができる、請求項２７〜３０のいずれか１項に記載の被処理バルク材料。
【請求項３２】
低分子量重合体、オリゴマー、単量体、合成又は天然の重合体材料、カーボンブラック、フェライト、金属酸化物、ゼオライト、タルク粉末、ＺｎＣｌ2、ナイロン、銅その他の金属粉末、酸化第１鉄、酸化マンガン、セラミックス及び酸化物のうちの少なくとも１つを包含する、請求項２７〜３１のいずれか１項に記載の被処理バルク材料。
【請求項３３】
材料が層状の材料、顆粒、液体又はゲルであるか、又はこれらを包含し、前記第１及び第２の部分が相違する層、相違する顆粒成分、相違する液体又はゲルである、請求項２７〜３２のいずれか１項に記載の被処理バルク材料。