【手続補正書】
【提出日】平成21年11月17日(2009.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学共鳴装置であって、該装置は、
反射素子と、
空間モードフィルタから発せられる光が前記反射素子により反射されるように前記反射素子に対して位置付けられた空間モードフィルタとを含み、前記光学共鳴装置は、波長の関数として非対称である共鳴線形を備える光学共鳴を有する、光学共鳴装置。
【請求項２】
前記共鳴線形は、共鳴波長における最小反射性と、共鳴波長を下回る波長を備える第１のサイドと、共鳴波長を上回る波長を備える第２のサイドとを有する、請求項１に記載の光学共鳴装置。
【請求項３】
前記第２のサイドは前記第１のサイドほど急勾配でない、請求項２に記載の光学共鳴装置。
【請求項４】
前記反射素子は誘電ミラー表面を含む、請求項１に記載の光学共鳴装置。
【請求項５】
前記反射素子は金属ミラー表面を含む、請求項１に記載の光学共鳴装置。
【請求項６】
前記反射素子はフォトニック結晶構造の一部を含む、請求項１に記載の光学共鳴装置。
【請求項７】
前記フォトニック結晶構造は少なくとも１つのフォトニック結晶スラブを含む、請求項６に記載の光学共鳴装置。
【請求項８】
前記フォトニック結晶構造は、互いに実質的に平行な一対のフォトニック結晶スラブを含む、請求項６に記載の光学共鳴装置。
【請求項９】
前記空間モードフィルタは、光ファイバにより発せられた光に対して部分的に反射性があり、部分的に透過性がある第１の端を有する光ファイバを含み、該光ファイバの前記第１の端と前記反射素子とは、その間にキャビティを有するファブリペロー光学共鳴装置を形成する、請求項１に記載の光学共鳴装置。
【請求項１０】
前記キャビティは気体を含む、請求項９に記載の光学共鳴装置。
【請求項１１】
前記気体は空気を含む、請求項１０に記載の光学共鳴装置。
【請求項１２】
前記キャビティは液体を含む、請求項９に記載の光学共鳴装置。
【請求項１３】
前記液体は水を含む、請求項１２に記載の光学共鳴装置。
【請求項１４】
前記光ファイバの前記第１の端は金属層を含む、請求項９に記載の光学共鳴装置。
【請求項１５】
前記光ファイバの前記第１の端は誘電ミラーを含む、請求項９に記載の光学共鳴装置。
【請求項１６】
前記空間モードフィルタは、ファイバブラッグ格子を有する光ファイバを含み、前記ファイバブラッグ格子および前記反射素子はファブリペロー光学共鳴装置を形成する、請求項１に記載の光学共鳴装置。
【請求項１７】
前記空間モードフィルタは単一モード光ファイバを含む、請求項１に記載の光学共鳴装置。
【請求項１８】
前記反射素子により反射される前記光の少なくとも一部は前記空間モードフィルタを透過される、請求項１の光学共鳴装置。
【請求項１９】
前記空間モードフィルタは、光学的透過部分と、該光学的透過部分の少なくとも一部と境界をなす光学的非透過部分とを含む、請求項１に記載の光学共鳴装置。
【請求項２０】
前記光学的透過部分は前記光学的非透過部分を通る穴である、請求項１９に記載の光学共鳴装置。
【請求項２１】
音響センサであって、該センサは、
請求項１に記載された光学共鳴装置と、
前記反射素子を実質的に囲み、該反射素子に機械的に結合された筐体とを含み、
前記光学共鳴は前記筐体上に入射する音波に応答する、音響センサ。
【請求項２２】
光学共鳴装置を利用するための方法であって、該方法は、
光学共鳴装置を設ける工程であって、該光学共鳴装置は反射素子と、空間モードフィルタから発せられる光が前記反射素子により反射されるように前記反射素子に対して位置付けられた空間モードフィルタとを含み、前記光学共鳴装置は波長の関数として非対称である共鳴線形を備える光学共鳴を有し、該共鳴線形は共鳴波長における最小反射性と、共鳴波長を下回る波長を備える第１のサイドと、共鳴波長を上回る波長を備える第２のサイドとを有し、前記第２のサイドは前記第１のサイドほど急勾配でない、光学共鳴装置を設ける工程と、
前記空間モードフィルタから光を発して、前記反射素子の少なくとも一部から前記光を反射する工程とを含む、方法。
【請求項２３】
前記空間モードフィルタから光を発して、前記反射素子から前記光を反射する工程は、
前記空間モードフィルタから第１の光信号を発し、前記反射素子から前記第１の光信号を反射する工程であって、前記第１の光信号は前記共鳴線形の前記第１のサイド上に第１の波長を有する、工程と、
前記空間モードフィルタから第２の光信号を発し、前記反射素子から前記第２の光信号
を反射する工程であって、前記第２の光信号は前記共鳴線形の前記第２のサイド上に第２の波長を有する、工程とを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１の光信号と前記第２の光信号は、前記空間モードフィルタから同時に発せられる、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１の光信号と前記第２の光信号は、前記空間モードフィルタから順次発せられる、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記第１の光信号は、前記第２の光信号が前記空間モードフィルタから発せられる前に、前記空間モードフィルタから発せられる、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
音響センサを設ける工程であって、該音響センサは前記光学共鳴装置と、該光学共鳴装置の少なくとも一部を実質的に囲み、該光学共鳴装置に機械的に結合される筐体とを含み、前記光学共鳴は前記筐体に入射する音波に応答する、音響センサを設ける工程と、
前記音響センサを音波に晒す工程と、
前記音波により誘発された前記光学共鳴の変化を検出する工程と、
をさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
前記空間モードフィルタが前記反射面に沿って複数の位置にある間、前記空間モードフィルタから光を発し、前記空間モードフィルタから発せられた前記光は前記反射面の対応する複数の部分を照射する工程と
前記反射面の前記複数部分の照射による前記共鳴線形の変化を測定する工程とをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２９】
前記共鳴線形の非対称性の度合いは前記反射面の照射部分のトポロジに依存しており、前記共鳴線形の前記変化を測定する工程は、前記共鳴線形の非対称性の前記度合いを測定する工程を含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記共鳴線形は、前記反射面の前記照射部分の前記トポロジに依存する大きさを有し、前記共鳴線形の前記変化を測定する工程は、前記大きさを測定する工程を含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
前記反射面の前記照射部分は、曲率を変化させることにより前記光学共鳴装置の加速に応答し、前記方法は、前記光学共鳴装置の加速による前記共鳴線形の変化を測定する工程をさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８１】
図５３Ａ乃至図５３Ｑは、音響センサシステム８００の構成要素に対する、本明細書で説明される一定の実施形態に準拠する例示的組み立て処理フローを概略的に示す。様々な処理工程、処理工程の数および／または処理工程の順序を備える、多くの他の組み立て処理フローも本明細書で説明される一定の実施形態に準拠し、使用する処理フローの選択は典型的には使用に有用な機器のタイプに依存する。図５３Ａで概略的に示されるように、組み立ての開始材料は、（１００）結晶方位および約５００ミクロンの厚さを備える基板１１１０と、基板１１１０の上の約１ミクロンの厚さの酸化層１１２０と、酸化層１１２０の上の約１０ミクロンの厚さのシリコン層１１３０を有するシリコンオンインシュレー
タ（ＳＯＩ）ウエハ１１００である。ウエハ１１００の他の材料もまた、本明細書で説明される一定の実施形態に準拠している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８３】
図５３Ｅで概略的に示されるように、シリコン層１１３０が酸化層１１２０までエッチングされる。５３Ｆで概略的に示されるように、酸化層１１４０は、約５００ナノメータエッチングされて、酸化層１１４０の一部が除去される。図５３Ｇで概略的に示されるように、シリコン層１１３０の一部が約５ミクロンエッチングされる。図５３Ｈで概略的に示されるように、酸化層１１４０が除去される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８７】
図５３Ｍで概略的に示されるように、酸化層１２４２、酸化層１２３２およびシリコン層１１１０を通って酸化層１１２０で停止するアパーチャ１２５０をエッチングすることにより、ＳＯＩウエハ１１００がパターン化される（例えば、第５のマスクを使用して）。図５３Ｎで概略的に示されるように、酸化層１１２０の一部をエッチングで取り除き、シリコン層１１３０で停止することにより、アパーチャが拡張され、酸化層１２４０がエッチングで取り除かれる。一定の実施形態では、酸化層１２４２、酸化層１２３２、シリコン層１１１０、酸化層１１２０、および酸化層１２４０のエッチングが同じエッチング工程時に行われる。一定の実施形態では、その結果得られた構造は、個別のチップに分離されて、後続の処理工程はチップ規模で行われる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８８】
図５３Ｏで概略的に示されるように、アパーチャ１２５０を通してシリコン層１１３０の一部の制御されたエッチングが行われ（例えば、アパーチャ１２５０はシリコン層１１３０を自己整合して、マスクする）、酸化層１２３０の一部を通したシリコン層１２２０の一部の制御されたエッチングが行われる。一定の実施形態では、シリコン層１１３０の残りの部分１２６０は約４５０ナノメータの厚さを有し、シリコン層１２２０の残りの部分１２７０は約４５０のナノメータの厚さを有する。これらの残りの部分１２６０、１２７０は、音響センサシステム８００のフォトニック結晶スラブ６７０ａ、６７０ｂのためのシリコン基板として機能する。一定の実施形態では、酸化層１２３２は除去される。