【事件の表示】
　特願２０１６−５２９４５３「画素構造」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年７月２日国際公開，ＷＯ２０１５／０９６２５８，平成２８年１２月１日国内公表，特表２０１６−５３７６７６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特願２０１６−５２９４５３号（以下「本件出願」という。）は，２０１４年（平成２６年）１月２２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２０１３年（平成２５年）１２月２６日　中国）を国際出願日とする特許出願であって，その手続等の経緯の概要は，以下のとおりである。
平成２９年　４月２１日付け：拒絶理由通知書
平成２９年　８月　３日付け：意見書
平成２９年　８月　３日付け：手続補正書
平成３０年　１月２２日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。）
平成３０年　５月２８日付け：審判請求書
平成３０年　５月２８日付け：手続補正書
　
第２　補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成３０年５月２８日にした手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
　１　補正の内容
　(1) 本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の（平成２９年８月３日付け手続補正書によって補正された）特許請求の範囲の請求項１〜請求項５及び請求項８の記載は，以下のとおりである。なお，下線を付した「大きいくなるか」の記載は，「大きくなるか」の誤記と認める（本件補正後のものについても，同様とする。）。
「【請求項１】
　薄膜トランジスタ基板と，該薄膜トランジスタ基板と対向するように配置されるカラーフィルタ基板と，前記薄膜トランジスタ基板と前記カラーフィルタ基板との間に配置される液晶層とを備える画素構造であって，
　前記薄膜トランジスタ基板は，第１透明基板と，前記カラーフィルタ基板に向ける前記第１透明基板の一側に設けられる画素電極とを備え，前記カラーフィルタ基板は，第２透明基板と，前記薄膜トランジスタ基板に向ける該第２透明基板の一側に設けられる共通電極とを備え，前記画素電極は第１サブ画素電極及び第２サブ画素電極を備え，前記共通電極は第１サブ共通電極及び第２サブ共通電極を備え，前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは第１電圧差を有し，前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは第２電圧差を有し，前記第１電圧差は前記第２電圧差より大きいか或いは小さく，
　前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とに印加される駆動電圧は矩形波の交流であり，前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とに印加される駆動電圧は矩形波の交流であり，
　前記第１，第２サブ共通電極に駆動電圧を印加するとき，前記第１サブ共通電極と前記第２サブ共通電極とが異なる電位を有することにより，前記第１電圧差は前記第２電圧差より
大きいくなるか
　
【請求項２】
　前記薄膜トランジスタ基板は前記第１透明基板に配置されるデータ線及びゲート電極線をさらに備え，前記データ線と前記ゲート電極線とによって１個の画素領域が形成され，前記画素領域は第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域を含み，前記第１サブ画素電極は前記第１サブ画素領域に位置し，前記第２サブ画素電極は前記第２サブ画素領域に位置し，前記画素構造は，前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第１サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第１蓄積容量と，前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第２サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第２蓄積容量とをさらに備え，前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは前記第１サブ画素領域の第１液晶容量を構成し，前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは前記第２サブ画素領域の第２液晶容量を構成することを特徴とする請求項１に記載の画素構造。
　
【請求項３】
　前記薄膜トランジスタ基板は，前記第１透明基板に形成される第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタをさらに備え，前記第１薄膜トランジスタは，第１ゲート電極，第１ソース電極及び第１ドレイン電極を有し，前記第２薄膜トランジスタは，第２ゲート電極，第２ソース電極及び第２ドレイン電極を有し，前記第１ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され，前記第１ソース電極は前記データ線に電気接続され，前記第１ドレイン電極は前記第１サブ画素電極，前記第１蓄積容量にそれぞれ電気接続され，前記第２ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され，前記第２ソース電極は前記データ線に電気接続され，前記第２ドレイン電極は前記第２サブ画素電極，前記第２蓄積容量に電気接続されることを特徴とする請求項２に記載の画素構造。
　
【請求項４】
　前記第１，第２サブ共通電極はいずれも，成膜工程，フォトレジスト塗布工程，露光工程，現像工程及びエッチング工程によって形成され，前記第１，第２サブ画素電極はいずれも，成膜工程，フォトレジスト塗布工程，露光工程，現像工程及びエッチング工程によって形成されることを特徴とする請求項１に記載の画素構造。
　
【請求項５】
　前記第１サブ共通電極は櫛状を呈し，該第１サブ共通電極は，第１櫛本体と，一端が該第１櫛本体に連結される複数の第１櫛歯とを備え，前記第２サブ共通電極は櫛状を呈し，該第２サブ共通電極は，第２櫛本体と，一端が該第２櫛本体に連結される複数の第２櫛歯とを備え，前記第１櫛歯と前記第２櫛歯とは交互に配置されることを特徴とする請求項１に記載の画素構造。
　
【請求項８】
　前記薄膜トランジスタ基板は前記第１透明基板に形成される第３薄膜トランジスタを備え，前記第３薄膜トランジスタは，第３ゲート電極，第３ソース電極及び第３ドレイン電極を有し，前記第３ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され，前記第３ソース電極は前記データ線に電気接続され，前記第３ドレイン電極はそれぞれ第１サブ画素電極，第２サブ画素電極，第１蓄積容量，第２蓄積容量に電気接続されることを特徴とする請求項２に記載の画素構造。」
　
　(2) 本件補正後の特許請求の範囲
　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１及び４の記載は以下のとおりである。
「【請求項１】
　薄膜トランジスタ基板と，該薄膜トランジスタ基板と対向するように配置されるカラーフィルタ基板と，前記薄膜トランジスタ基板と前記カラーフィルタ基板との間に配置される液晶層とを備える画素構造であって，
　前記薄膜トランジスタ基板は，第１透明基板と，前記カラーフィルタ基板に向ける前記第１透明基板の一側に設けられる画素電極とを備え，前記カラーフィルタ基板は，第２透明基板と，前記薄膜トランジスタ基板に向ける該第２透明基板の一側に設けられる共通電極とを備え，前記画素電極は第１サブ画素電極及び第２サブ画素電極を備え，前記共通電極は第１サブ共通電極及び第２サブ共通電極を備え，前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは第１電圧差を有し，前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは第２電圧差を有し，前記第１電圧差は前記第２電圧差より大きいか或いは小さく，
　前記薄膜トランジスタ基板は前記第１透明基板に配置されるデータ線及びゲート電極線をさらに備え，前記データ線と前記ゲート電極線とによって１個の画素領域が形成され，前記画素領域は第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域を含み，前記第１サブ画素電極は前記第１サブ画素領域に位置し，前記第２サブ画素電極は前記第２サブ画素領域に位置し，前記画素構造は，前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第１サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第１蓄積容量と，前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第２サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第２蓄積容量とをさらに備え，前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは前記第１サブ画素領域の第１液晶容量を構成し，前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは前記第２サブ画素領域の第２液晶容量を構成し，
　前記薄膜トランジスタ基板は，前記第１透明基板に形成される第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタをさらに備え，前記第１薄膜トランジスタは，第１ゲート電極，第１ソース電極及び第１ドレイン電極を有し，前記第２薄膜トランジスタは，第２ゲート電極，第２ソース電極及び第２ドレイン電極を有し，前記第１ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され，前記第１ソース電極は前記データ線に電気接続され，前記第１ドレイン電極は前記第１サブ画素電極，前記第１蓄積容量にそれぞれ電気接続され，前記第２ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され，前記第２ソース電極は前記データ線に電気接続され，前記第２ドレイン電極は前記第２サブ画素電極，前記第２蓄積容量に電気接続され，
　前記第１，第２サブ共通電極はいずれも，成膜工程，フォトレジスト塗布工程，露光工程，現像工程及びエッチング工程によって形成され，前記第１，第２サブ画素電極はいずれも，成膜工程，フォトレジスト塗布工程，露光工程，現像工程及びエッチング工程によって形成され，
　前記第１サブ共通電極は櫛状を呈し，該第１サブ共通電極は，第１櫛本体と，一端が該第１櫛本体に連結される複数の第１櫛歯とを備え，前記第２サブ共通電極は櫛状を呈し，該第２サブ共通電極は，第２櫛本体と，一端が該第２櫛本体に連結される複数の第２櫛歯とを備え，前記第１櫛歯と前記第２櫛歯とは交互に配置され，
　前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とに印加される駆動電圧は矩形波の交流であり，前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とに印加される駆動電圧は矩形波の交流であり，
　前記第１，第２サブ共通電極に駆動電圧を印加するとき，前記第１サブ共通電極と前記第２サブ共通電極とが異なる電位を有することにより，前記第１電圧差は前記第２電圧差より
大きいくなるか
　
【請求項４】
　前記薄膜トランジスタ基板は前記第１透明基板に形成される第３薄膜トランジスタを備え，前記第３薄膜トランジスタは，第３ゲート電極，第３ソース電極及び第３ドレイン電極を有し，前記第３ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され，前記第３ソース電極は前記データ線に電気接続され，前記第３ドレイン電極はそれぞれ第１サブ画素電極，第２サブ画素電極，第１蓄積容量，第２蓄積容量に電気接続されることを特徴とする請求項１に記載の画素構造。」
　
　２　補正の適否
　本件補正前後の各請求項の引用関係からみて，本件補正後の請求項１ついての本件補正は，本件補正前の請求項３に係る発明を特定する事項である「第１サブ共通電極」及び「第２サブ共通電極」を，本件補正前の請求項４及び請求項５に記載された構成を具備するものに限定するものである。また，本件補正前後の各請求項の引用関係からみて，本件補正後の請求項４ついての本件補正は，本件補正前の請求項８に係る発明を特定する事項である「薄膜トランジスタ基板」を，本件補正前の請求項３に記載された構成を具備するものに限定するとともに，「第１サブ共通電極」及び「第２サブ共通電極」を，本件補正前の請求項４及び請求項５に記載された構成を具備するものに限定するものである。
　また，本件補正前の請求項３及び請求項８に係る発明と，本件補正後の請求項１及び請求項４に係る発明の，産業上の利用分野及び発明が解決しようとする課題は同一である。
　そうしてみると，本件補正後の請求項１及び請求項４についての本件補正は，特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に係る発明（誤記を訂正したのもの，以下「本件補正後発明１」という。）及び請求項４に係る発明（誤記を訂正したもの，以下「本件補正後発明４」という。）が，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について，検討すると，以下のとおりとなる。
　
　３　引用文献の記載及び引用発明
　(1) 引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された中国実用新案第２０１６５４４０４号明細書（以下「引用文献１」という。）は，本件出願の優先権主張の日（以下「本件優先日」という。）前に日本国内又は外国において，頒布された刊行物又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明が記載されたものであるところ，そこには，以下の記載がある。なお，下線は当合議体が付したものであり，引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す。
　ア　「
」
（参考訳：技術分野
[0001]　本実用新案は液晶表示パネルに係り，特に広視野角化とカラーシフトの低減を効果的に達成することができる液晶表示パネルであって，液晶表示パネルの各領域は，異なる共通線に対応する共通電極を有する個々の液晶キャパシタを形成し，それによって，主画素領域内の２つ以上の領域がガンマ曲線を個々に調整してカラーシフト問題を軽減することを可能とするものに関する。）
　
　イ　「
」
（参考訳：[0033]　[0018]図１及び図２を同時に参照されたい。図１及び図２は，本実用新案の第１の実施形態に係る液晶表示パネル１０の概略図であり，図１は液晶表示パネル１０のアレイ基板２０の概略図，図２は液晶表示パネル１０のカラーフィルタ基板４０の概略図である。
図１及び図２に示すように，本実用新案の第１の実施形態による液晶表示パネル１０はアレイ基板２０を含み，アレイ基板２０上に少なくとも一つの画素領域３０が配置され，アレイ基板上に第１画素電極３０２が配置され，アレイ基板２０上に第２画素電極３０４が配置され，アレイ基板２０上にゲート線Ｇが配置され，アレイ基板２０上にデータ線Ｄが配置され，アレイ基板２０上に薄膜トランジスタＴＦＴが配置され，また，アレイ基板２０上にはカラーフィルタ基板４０が平行に配置され，カラーフィルタ基板４０上には第１共通電極４０２が配置され，カラーフィルタ基板４０上には第２共通電極４０４が配置され，そして，アレイ基板２０とカラーフィルタ基板４０との間には，液晶層（図１及び図２では不図示）が設けられている。サブ画素領域３０は，少なくとも第１画素領域３２と少なくとも第２画素領域３４とを含む。第１画素電極３０２は第１画素領域３２に配置され，第２画素電極３０４は第２画素領域３４に配置されている。第１共通電極４０２はアレイ基板２０上の第１画素領域３２に対応し，第２共通電極４０４はアレイ基板２０上の第２画素領域３４に対応し，第１共通電極４０２と第２共通電極４０４は互いに電気的に分離されており，第１共通電極４０２の電圧と第２共通電極４０４の電圧は等しくないが，これに限定されない。
　
　ウ　「
」
（参考訳：[0034]　また，本実施形態の液晶表示パネル１０は，第１画素領域３２内に配置された第１蓄積電極３０６と，第２画素領域３４内に配置された第２蓄積電極３０８とをさらに含むとともに，サブ画素領域３０には，絶縁層（図１及び図２には図示せず）が配置されている。第１蓄積電極３０６は第１画素電極３０２の下に配置され，第１画素電極３０２の部分と重なり，第２蓄積電極３０８は第２画素電極３０４の下に配置され，第２画素電極３０４の部分と重なるが，これに限定されない。
また，第１蓄積電極３０６と第１画素電極３０２との間に絶縁層が配置され，第１蓄積電極３０６と第１画素電極３０２とを電気的に絶縁しており，第２蓄積電極３０８と第２画素電極３０４との間に絶縁層が配置され，第２蓄積電極３０８と第２画素電極３０４とを電気的に絶縁している。
第１画素電極３０２と第２画素電極３０４との間にはスリットＳが設けられている。
第１画素電極３０２と第２画素電極３０４とが接続される程度の面積が残る。
　
　エ　「
」
（参考訳：[0035]　図１及び図２とともに，図３を参照する。図３は，本実用新案の実施形態１による液晶表示パネル１０の等価回路を示す概略図である。
図３に示すように，第１画素領域３２には，第１画素電極３０２，第１共通電極４０２，及び液晶層５０によって，第１液晶容量５０２が形成され，第２画素領域３４には，第２画素電極３０４，第２共通電極４０４及び液晶層５０によって，第２液晶容量５０４が形成されており，第１共通電極４０２の電圧と第２共通電極４０４の電圧とを独立に制御することで，第１共通電極４０２の電圧と第２共通電極４０４の電圧を異ならせ，これにより第１液晶容量５０２の容量値と第２液晶容量５０４の容量値を異ならせることができるが，これに限定されない。
また，第１蓄積電極３０６と第１画素電極３０２及び絶縁層６０によって第１蓄積容量５０６が形成され，第２蓄積電極３０８と第２画素電極３０４及び絶縁層６０によって第２蓄積容量５０８が形成される。
本実施形態の液晶表示パネル１０は，各画素領域３０を第１画素領域３２と第２画素領域３４とに分割しており，１つのデータ線Ｄのデータ線電圧を第１画素領域３２と第２画素領域３４に転送できるように，同じ薄膜トランジスタＴＦＴによって駆動される。
　
　オ　「
」
（参考訳：[0036]　図４を参照すると，図４は，本実用新案の第１の好ましい実施形態による液晶表示パネル１０のアレイ基板２０のレイアウトを示す概略斜視図である。説明を簡単にするために，図４は，３×３のサブ画素領域３０を有するアレイ基板２０のみを示しているが，実際の用途では，サブ画素領域３０の数はこれに限定されない。図４に示すように，本実施形態の液晶表示パネル１０は，アレイ基板２０の周囲に配置された第１共通信号バスライン２０２と，アレイ基板２０の周囲に配置された第２共通信号バスライン２０４とをさらに含み，アレイ基板２０には複数のコンタクトウィンドウＷが配置され，第１共通信号バスライン２０２と第２共通信号バスライン２０４には複数の導電性コンタクトウィンドウＣＷが配置されている。コンタクトウィンドウＷは，第１蓄積電極３０６と第１共通信号バスライン２０２とに電気的に接続し，第２蓄積電極３０８と第２共通信号バスライン２０４とを電気的に接続する。本実施形態では，
第１蓄積電極３０６と第１共通信号バスライン２０２とがコンタクトウィンドウＷによって直接電気的に接続され，第２蓄積電極３０８と第２共通信号バスライン２０４とがコンタクトウィンドウＷによって直接電気的に接続され，少なくとも１本のブリッジワイヤＢＬが電気的に接続されている。
　
　カ　「
」
（参考訳：[0039]　図７を参照すると，図７は，本実用新案の第１の好ましい実施形態の液晶表示パネル１０のカラーフィルタ基板４０のレイアウトを示す概略斜視図である。図７に示すように，本実施形態のカラーフィルタ基板４０の第１共通電極４０２は，各画素領域３０に配置された各第１画素領域３２に対応し，第２共通電極４０４は，各画素領域３０に配置された各第２画素領域３４に対応して，第１共通電極４０２及び第２共通電極４０４はそれぞれ異なる電圧を有し，それぞれ第１共通信号バスライン２０２（図７には示されていない）及び第２共通信号バスライン２０４（図７には示されていない）によって駆動される。本実用新案の第１共通電極４０２及び第２共通電極４０４は，酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明導電材料からなるが，これに限定されない。）
　
　キ　図１〜図４及び図７
図１：
　
図２：
　
図３：
　
図４：
図７：
　
　(2) 引用発明１
　ア　引用文献１の図１，図２，[0033]及び[0034]の記載からは，「アレイ基板２０，カラーフィルタ基板４０及び液晶層５０を具備する液晶表示パネル１０」，「アレイ基板２０は，アレイ基板２０上に，第１画素電極３０２，第１蓄積電極３０６，第２画素電極３０４，第２蓄積電極３０８，ゲート線Ｇ，データ線Ｄ，薄膜トランジスタＴＦＴを備え」，「カラーフィルタ基板４０は，カラーフィルタ基板４０上に，第１共通電極４０２，第２共通電極４０４を備え」，「アレイ基板２０とカラーフィルタ基板４０の間に液晶層５０が設けられ」，「第１画素電極３０２と第１蓄積電極３０６の間に絶縁層６０が配置され，第２画素電極３０４と第２蓄積電極３０８の間に絶縁層６０が配置され」及び「第１画素電極３０２と第２画素電極３０４の間にはスリットＳが設けられ，ただし，第１画素電極３０２と第２画素電極３０４とが接続される程度の面積が残り」という構成を理解することができる。
（当合議体注：用語及び符号を整理して記載している。以下同じ。）
　
　イ　引用文献１の図３及び[0035]の記載からは，「第１画素電極３０２，第１共通電極４０２及び液晶層５０によって，第１液晶容量５０２が形成され，第２画素電極３０４，第２共通電極４０４及び液晶層５０によって，第２液晶容量５０４が形成され」，「第１画素電極３０２と第１蓄積電極３０６及び絶縁層６０によって第１蓄積容量５０６が形成され，第２画素電極３０４と第２蓄積電極３０８及び絶縁層６０によって第２蓄積容量５０８が形成され」及び「第１画素電極３０２と第２画素電極３０４は，１つのデータ線Ｄのデータ線電圧を転送できるように薄膜トランジスタＴＦＴによって駆動され」という構成を理解することができる。
　
　ウ　引用文献１の図１，図４，[0033]及び[0036]の記載からは，「アレイ基板２０は，サブ画素領域３０を有し，サブ画素領域３０は，第１画素領域３２及び第２画素領域３４を有し」及び「第１蓄積電極３０６と第１共通信号バスライン２０２が電気的に接続され，第２蓄積電極３０８と第２共通信号バスライン２０４が電気的に接続され」という構成を理解することができる。
　
　エ　上記ア〜ウで述べた構成，並びに，引用文献１の図１，図２，図４，図７，[0033]〜[0035]及び[0039]の記載からは，「第１画素電極３０２及び第１蓄積電極３０６は第１画素領域３２に配置され，第２画素電極３０４及び第２蓄積電極３０８は第２画素領域３４に配置され」，「第１蓄積電極３０６及び第１共通電極４０２は第１共通信号バスライン２０２によって駆動され，第２蓄積電極３０８及び第２共通電極４０４は第２共通信号バスライン２０４によって駆動され，第１共通信号バスライン２０２の駆動電圧と第２共通信号バスライン２０４の駆動電圧は異なり」，「第１共通電極４０２は，第１の連結部から延びた複数の第１の櫛歯が第１画素領域３２と対向して配置された櫛形電極であり」，「第２共通電極４０４は，第２の連結部から延びた複数の第２の櫛歯が第２画素領域３４と対向して配置された櫛形電極であり」及び「複数の第１の櫛歯と複数の第２の櫛歯は交互に配置され」という構成を理解することができる。
（当合議体注：図７から看取されるような形状の電極は，通常，「櫛形電極」と呼ばれる。）
　
　オ　引用発明１
　以上ア〜エで述べた事項を踏まえると，引用文献１には，次の発明が記載されている（以下「引用発明１」という。）。
「　アレイ基板２０，カラーフィルタ基板４０及び液晶層５０を具備する液晶表示パネル１０であって，
　アレイ基板２０は，アレイ基板２０上に，第１画素電極３０２，第１蓄積電極３０６，第２画素電極３０４，第２蓄積電極３０８，ゲート線Ｇ，データ線Ｄ，薄膜トランジスタＴＦＴを備え，
　カラーフィルタ基板４０は，カラーフィルタ基板４０上に，第１共通電極４０２，第２共通電極４０４を備え，
　アレイ基板２０とカラーフィルタ基板４０の間に液晶層５０が設けられ，
　第１画素電極３０２と第１蓄積電極３０６の間に絶縁層６０が配置され，第２画素電極３０４と第２蓄積電極３０８の間に絶縁層６０が配置され，
　第１画素電極３０２と第２画素電極３０４の間にはスリットＳが設けられ，ただし，第１画素電極３０２と第２画素電極３０４とが接続される程度の面積が残り，
　第１画素電極３０２，第１共通電極４０２及び液晶層５０によって，第１液晶容量５０２が形成され，第２画素電極３０４，第２共通電極４０４及び液晶層５０によって，第２液晶容量５０４が形成され，
　第１画素電極３０２と第１蓄積電極３０６及び絶縁層６０によって第１蓄積容量５０６が形成され，第２画素電極３０４と第２蓄積電極３０８及び絶縁層６０によって第２蓄積容量５０８が形成され，
　第１画素電極３０２と第２画素電極３０４は，１つのデータ線Ｄのデータ線電圧を転送できるように薄膜トランジスタＴＦＴによって駆動され，
　アレイ基板２０は，サブ画素領域３０を有し，サブ画素領域３０は，第１画素領域３２及び第２画素領域３４を有し，
　第１蓄積電極３０６と第１共通信号バスライン２０２が電気的に接続され，第２蓄積電極３０８と第２共通信号バスライン２０４が電気的に接続され，
　第１画素電極３０２及び第１蓄積電極３０６は第１画素領域３２に配置され，第２画素電極３０４及び第２蓄積電極３０８は第２画素領域３４に配置され，
　第１蓄積電極３０６及び第１共通電極４０２は第１共通信号バスライン２０２によって駆動され，第２蓄積電極３０８及び第２共通電極４０４は第２共通信号バスライン２０４によって駆動され，第１共通信号バスライン２０２の駆動電圧と第２共通信号バスライン２０４の駆動電圧は異なり，
　第１共通電極４０２は，第１の連結部から延びた複数の第１の櫛歯が第１画素領域３２と対向して配置された櫛形電極であり，
　第２共通電極４０４は，第２の連結部から延びた複数の第２の櫛歯が第２画素領域３４と対向して配置された櫛形電極であり，
　複数の第１の櫛歯と複数の第２の櫛歯は交互に配置されている，
液晶表示パネル１０。」
　
　(3) 引用文献２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−２６８３４９号公報（以下「引用文献２」という。）は，本件優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物であるところ，そこには，以下の記載がある。なお，下線は当合議体が付したものであり，判断等に活用した箇所を示す。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は，映像や情報機器などに用いる液晶表示パネルの表示部を構成する液晶表示素子及びこれを用いた液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は，液晶表示装置にマトリクス状に配置されている従来の液晶表示素子を示すレイアウト図である。
…（省略）…
【０００４】従来の液晶表示素子においては，液晶表示素子１つにつき，１つの薄膜トランジスタで画素電極６を駆動している。
…（省略）…
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
…（省略）…
【０００９】この発明は，上述のような課題を解決するためになされたものであり，薄膜トランジスタの駆動能力を向上させ，画素電極の応答時間を短縮することができる液晶表示素子を得ることを第一の目的とする。
…（省略）…
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は，この発明の液晶表示素子の構成を示すレイアウト図である。
…（省略）…
【００１５】図１に示すように，液晶表示素子のレイアウトは，液晶表示素子の中央部に走査信号線１を配置し，走査信号線１を中心に対称形となるように薄膜トランジスタを形成する。ここで，ソース電極４は，データ信号線２と平行な部分を有し，この平行な部分に対向するようにドレイン電極を設けると共に，ゲート電極３は，走査信号線１と平行な部分を有し，この平行な部分とドレイン電極５が重なる構成とする。すなわち，データ信号線２の方向にソース電極４とドレイン電極５を配置する構成とするものである。同様にして，液晶に電圧を印加する画素電極６も二分割して，走査信号線１を中心に対称形となるように配置する。この発明の実施の形態による液晶表示素子においては，
液晶に電圧を印加する画素電極６を走査信号線１を中心に二分割し，それぞれの画素電極６を別個の薄膜トランジスタで駆動させることにより，画素電極６の応答速度を向上させ
　
　イ　図１及び図３
図１：
図３：
　
　(4) 引用文献４の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２０１０／０４１４１８号（以下「引用文献４」という。）は，本件優先日前に日本国内又は外国において電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明が記載されたものであるところ，そこには，以下の記載がある。なお，下線は当合議体が付したものであり，引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す。
　ア　「液晶表示装置
技術分野
[0001]　本発明は液晶表示装置に関する。
　
背景技術
…（省略）…
[0005]　ＶＡモードの欠点として，正面方向からの表示品位と斜め方向からの表示品位との差が顕著であることが知られている。特に中間調表示において，正面方向からみたときに適切な表示特性となるように調整を行うと，斜め方向から見たときの色味やガンマ特性といった表示特性は正面方向の表示特性とは大きく異なってしまう。
…（省略）…
[0006]　具体的には，斜め方向からみた表示画像は正面方向からみた表示画像と比べて全体的に白っぽくみえる。このような現象は「白浮き」とも呼ばれている。
…（省略）…
[0007]　このような白浮きを改善するために，１つの画素電極を複数（典型的には，２つ）の副画素電極に分割して副画素電極の電位を異ならせることによって複数（典型的には，２つ）の副画素が形成されている。
…（省略）…
[0008]　特許文献１に開示されている液晶表示装置では，２つの副画素電極は異なるスイッチング素子を介して異なるソース配線に接続されており，２つの副画素電極の電位が異なるように駆動される。このように副画素電極の電位が異なることにより，副画素の液晶層の印加電圧が異なるため，副画素の透過率は互いに異なり，これにより，白浮きの改善が実現されている。」
　
　イ　「発明が解決しようとする課題
[0012]　特許文献１の液晶表示装置では画素の列ごとに２つのソース配線を設ける必要があり，ソース配線の数が増大する。また，特許文献２の液晶表示装置では，画素の行ごとに２つのゲート配線を設ける必要があり，ゲート配線の数が増大する。さらに，特許文献１および２の液晶表示装置では，副画素電極ごとにＴＦＴを設ける必要がある。このため，特許文献１および２の液晶表示装置では表示領域の開口率が低下してしまうことになる。
…（省略）…
[0014]　本発明は，上記課題を鑑みてなされたものであり，その目的は，表示領域の開口率の低下を抑制するとともに効率的に白浮きを改善する液晶表示装置を提供することにある。
　
課題を解決するための手段
[0015]　本発明による液晶表示装置は，複数の行および複数の列のマトリクス状に配列された複数の画素電極を有するアクティブマトリクス基板と，対向電極を有する対向基板と，前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に設けられた垂直配向型の液晶層とを備える，液晶表示装置であって，前記対向電極は複数の分離対向電極を有しており，前記複数の画素電極のそれぞれは，前記複数の分離対向電極のうちの少なくとも２つの分離対向電極と重なる。
…（省略）…
[0017]　ある実施形態において，前記複数の分離対向電極は，第１分離対向電極と，前記第１分離対向電極に隣接する第２分離対向電極とを含んでおり，前記第１分離対向電極には第１対向電極信号が供給され，前記第２分離対向電極には前記第１対向電極信号とは異なる第２対向電極信号が供給される。
[0018]　ある実施形態において，前記複数の分離対向電極のそれぞれは行方向に直線状に延びている。
…（省略）…
発明の効果
[0034]　本発明によれば，表示領域の開口率の低下を抑制するとともに効率的に白浮きを改善する液晶表示装置を提供することができる。」
　
　ウ　「[0037]　（実施形態１）
　以下，本発明による液晶表示装置の第１実施形態を説明する。
図１に，本実施形態の液晶表示装置１００Ａの模式図を示し，図２に，液晶表示装置１００Ａの模式的な平面図を示す。
[0038]　
液晶表示装置１００Ａは，絶縁基板１２２上に設けられた画素電極１２４および配向膜１２６を有するアクティブマトリクス基板１２０と，絶縁基板１４２上に設けられた対向電極１４４および配向膜１４６を有する対向基板１４０と，アクティブマトリクス基板１２０と対向基板１４０との間に設けられた液晶層１６０とを備えている。
…（省略）…
[0039]　液晶表示装置１００Ａには，複数の画素が複数の行および複数の列のマトリクス状に配列されている。例えば，Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）を原色としてカラー表示を行う液晶表示装置では，Ｒ，Ｇ，Ｂの３つの画素によって１つの色が表現される。画素は画素電極１２４によって規定される。
…（省略）…
[0041]　
図２には液晶表示装置１００Ａにおける画素を模式的に示している。ｘ方向にゲート配線Ｇが延びており，ｙ方向にソース配線Ｓが延びている。また，ゲート配線Ｇおよびソース配線Ｓの交差部近傍にＴＦＴ１３０が設けられている。
[0042]　
画素電極１２４のそれぞれは，単位部１２４ｕ１，１２４ｕ２と，連結部１２４ｎ１とを有している。
…（省略）…
[0044]　
本実施形態の液晶表示装置１００Ａでは，対向電極１４４は，互いに分離された複数の電極１４５を有している。
[0045]　
また，図２から明らかであるように，液晶表示装置１００Ａでは，分離対向電極１４５は行方向に線状に延びている。
隣接する線状対向電極１４５の間には線状のスリット１４５ｓが設けられており，異なる線状対向電極１４５は，１つの行に配列された画素電極１２４と重なるように設けられている。
[0046]…（省略）…
第１線状対向電極１４５ａは第２線状対向電極１４５ｂと電気的に独立しており，異なる対向電極信号が印加される。
…（省略）…
[0047]　
画素電極１２４によって規定される画素Ｐは，２個の副画素ＳＰ１およびＳＰ２を含んでいる。
…（省略）…
[0048]　
図３に示すように，対向基板１４０には，表示領域１４０Ｄと，表示領域１４０Ｄの周囲を囲む額縁領域１４０Ｓとが設けられており，第１対向電極信号は，表示領域１４０Ｄに対して左側に位置する額縁領域１４０Ｓに設けられた配線を介して線状対向電極１４５ａに供給され，第２対向電極信号は，表示領域１４０Ｄに対して右側に位置する額縁領域１４０Ｓに設けられた配線を介して線状対向電極１４５ｂに供給される。
…（省略）…
[0053]　本実施形態の液晶表示装置１００Ａでは，白浮き改善のために，画素電極ではなく対向電極の電位の調整を行う。
…（省略）…
[0059]　
なお，第１線状対向電極１４５ａの電位は第２線状対向電極１４５ｂの電位に対して異なるが，第１線状対向電極１４５ａの電位および第２線状対向電極１４５ｂの電位の平均は対向電極の基準電位と等しい。
…（省略）…
[0060]　なお，液晶表示装置１００Ａはライン反転駆動を行ってもよい。
…（省略）…
[0062]　また，液晶表示装置１００Ａはフレーム反転駆動を行っており，画素電極１２４および対向電極１４４の電位の大小関係がフレーム毎に反転するように書き込みが行われる。
…（省略）…
[0063]　
また，液晶表示装置１００Ａはコモン反転駆動を行ってもよい。対向電極１４４の電位は水平走査期間ごとに接地電位に対して変動する。
接地電位に対するソース配線の電位の変化量を大きくすることなく液晶層への印加電圧を増大可能なライン反転駆動を行うことができ，消費電力の増大が抑制される。
[0064]　
例えば，図５に示すように，第１，第２対向電極信号ＶＣ１，ＶＣ２の電位は水平走査期間ごとに変化し，第１対向電極信号ＶＣ１の振幅は第２対向電極信号ＶＣ２の振幅よりも大きい。
…（省略）…
[0077]　液晶表示装置１００Ａは以下のように製造される。
まず，絶縁基板１２２上に，図示しないゲート配線，補助容量配線，ソース配線を形成する。その後，導電部材を堆積してパターニングすることにより，画素電極１２４を形成する。画素電極１２４のフィッシュボーン構造はパターニングによって形成される。その後，画素電極１２４上に配向膜１２６を形成する。このようにしてアクティブマトリクス基板１２０が形成される。
[0078]　
次に，絶縁基板１４２上に，図示しないカラーフィルタ層を形成する。その後，導電部材を堆積してパターニングすることにより，対向電極１４４を形成する。対向電極１４４の線状対向電極１４５はパターニングによって形成される。その後，対向電極１４４上に配向膜１４６を形成する。このようにして対向基板１４０が形成される。
…（省略）…
産業上の利用可能性
[0166]　本発明によれば，表示領域の開口率の低下を抑制するとともに効率的に白浮きを改善する液晶表示装置を提供することができる。」
　
　エ　図１〜図３及び図５
図１：
図２：
図３：
図５：
　(5) 引用発明４
　ア　引用文献４の[0038]及び図１からは，「絶縁基板１２２上に設けられた画素電極１２４および配向膜１２６を有するアクティブマトリクス基板１２０と，絶縁基板１４２上に設けられた対向電極１４４および配向膜１４６を有する対向基板１４０と，アクティブマトリクス基板１２０と対向基板１４０との間に設けられた液晶層１６０とを備えている液晶表示装置１００Ａ」という構成を理解することができる。
　
　イ　引用文献４の[0041]，[0042]及び図２からは，「液晶表示装置１００Ａにおける画素は，ｘ方向にゲート配線Ｇが延びており，ｙ方向にソース配線Ｓが延びており，また，ゲート配線Ｇおよびソース配線Ｓの交差部近傍にＴＦＴ１３０が設けられており」及び「画素電極１２４のそれぞれは，単位部１２４ｕ１，１２４ｕ２と，連結部１２４ｎ１とを有し」という構成を理解することができる。
　
　ウ　引用文献４の[0044]〜[0047]及び図２からは，「画素電極１２４によって規定される画素Ｐは，２個の副画素ＳＰ１およびＳＰ２を含み」，「対向電極１４４は，互いに分離された複数の線状対向電極１４５を有しており」，「線状対向電極１４５は行方向に線状に延びており」，「隣接する線状対向電極１４５の間には線状のスリット１４５ｓが設けられており」，「第１線状対向電極１４５ａは副画素ＳＰ１の画素電極１２４と重なるように設けられ，第２線状対向電極１４５ｂは副画素ＳＰ２の画素電極１２４と重なるように設けられ」及び「第１線状対向電極１４５ａは第２線状対向電極１４５ｂと電気的に独立しており，異なる対向電極信号が印加され」という構成を理解することができる。
（当合議体注：用語を統一して記載する，以下同じ。）
　
　エ　引用文献４の[0048]，[0059]及び図３からは，「対向基板１４０には，表示領域１４０Ｄと，表示領域１４０Ｄの周囲を囲む額縁領域１４０Ｓとが設けられており，第１対向電極信号ＶＣ１は，表示領域１４０Ｄに対して左側に位置する額縁領域１４０Ｓに設けられた配線を介して線状対向電極１４５ａに供給され，第２対向電極信号ＶＣ２は，表示領域１４０Ｄに対して右側に位置する額縁領域１４０Ｓに設けられた配線を介して線状対向電極１４５ｂに供給され」及び「第１線状対向電極１４５ａの電位は第２線状対向電極１４５ｂの電位に対して異なり」という構成を理解することができる。
　
　オ　引用文献４の[0063]及び[0064]の記載からは，「液晶表示装置１００Ａは，対向電極１４４の電位が水平走査期間ごとに接地電位に対して変動するコモン反転駆動を行い」，「第１対向電極信号ＶＣ１及び第２対向電極信号ＶＣ２の電位は水平走査期間ごとに変化し，第１対向電極信号ＶＣ１の振幅は第２対向電極信号ＶＣ２の振幅よりも大きく」及び「接地電位に対するソース配線の電位の変化量を大きくすることなく液晶層への印加電圧を増大可能なライン反転駆動を行うことができ，消費電力の増大が抑制され」という構成を理解することができる。
　
　カ　引用文献４の[0077]及び[0078]の記載からは，「アクティブマトリクス基板１２０は，絶縁基板１２２上に，ゲート配線，補助容量配線，ソース配線を形成し，その後，導電部材を堆積してパターニングすることにより，画素電極１２４を形成し，ここで画素電極１２４のフィッシュボーン構造はパターニングによって形成され，その後，画素電極１２４上に配向膜１２６を形成してなり」及び「対向基板１４０は，絶縁基板１４２上に，カラーフィルタ層を形成し，その後，導電部材を堆積してパターニングすることにより，対向電極１４４を形成し，ここで対向電極１４４の線状対向電極１４５はパターニングによって形成され，その後，対向電極１４４上に配向膜１４６を形成してなる」という構成を理解することができる。
　
　キ　以上ア〜カで述べた事項を踏まえると，引用文献４には，次の発明が記載されている（以下「引用発明４」という。）。
「　絶縁基板１２２上に設けられた画素電極１２４および配向膜１２６を有するアクティブマトリクス基板１２０と，絶縁基板１４２上に設けられた対向電極１４４および配向膜１４６を有する対向基板１４０と，アクティブマトリクス基板１２０と対向基板１４０との間に設けられた液晶層１６０とを備えている液晶表示装置１００Ａであって，
　液晶表示装置１００Ａにおける画素は，ｘ方向にゲート配線Ｇが延びており，ｙ方向にソース配線Ｓが延びており，また，ゲート配線Ｇおよびソース配線Ｓの交差部近傍にＴＦＴ１３０が設けられており，
　画素電極１２４のそれぞれは，単位部１２４ｕ１，１２４ｕ２と，連結部１２４ｎ１とを有し，画素電極１２４によって規定される画素Ｐは，２個の副画素ＳＰ１およびＳＰ２を含み，
　対向電極１４４は，互いに分離された複数の線状対向電極１４５を有しており，線状対向電極１４５は行方向に線状に延びており，隣接する線状対向電極１４５の間には線状のスリット１４５ｓが設けられており，第１線状対向電極１４５ａは副画素ＳＰ１の画素電極１２４と重なるように設けられ，第２線状対向電極１４５ｂは副画素ＳＰ２の画素電極１２４と重なるように設けられ，第１線状対向電極１４５ａは第２線状対向電極１４５ｂと電気的に独立しており，異なる対向電極信号が印加され，
　対向基板１４０には，表示領域１４０Ｄと，表示領域１４０Ｄの周囲を囲む額縁領域１４０Ｓとが設けられており，第１対向電極信号ＶＣ１は，表示領域１４０Ｄに対して左側に位置する額縁領域１４０Ｓに設けられた配線を介して線状対向電極１４５ａに供給され，第２対向電極信号ＶＣ２は，表示領域１４０Ｄに対して右側に位置する額縁領域１４０Ｓに設けられた配線を介して線状対向電極１４５ｂに供給され，第１線状対向電極１４５ａの電位は第２線状対向電極１４５ｂの電位に対して異なり，
　液晶表示装置１００Ａは，対向電極１４４の電位が水平走査期間ごとに接地電位に対して変動するコモン反転駆動を行い，第１対向電極信号ＶＣ１及び第２対向電極信号ＶＣ２の電位は水平走査期間ごとに変化し，第１対向電極信号ＶＣ１の振幅は第２対向電極信号ＶＣ２の振幅よりも大きく，接地電位に対するソース配線の電位の変化量を大きくすることなく液晶層への印加電圧を増大可能なライン反転駆動を行うことができ，消費電力の増大が抑制され，
　アクティブマトリクス基板１２０は，絶縁基板１２２上に，ゲート配線，補助容量配線，ソース配線を形成し，その後，導電部材を堆積してパターニングすることにより，画素電極１２４を形成し，ここで画素電極１２４のフィッシュボーン構造はパターニングによって形成され，その後，画素電極１２４上に配向膜１２６を形成してなり，
　対向基板１４０は，絶縁基板１４２上に，カラーフィルタ層を形成し，その後，導電部材を堆積してパターニングすることにより，対向電極１４４を形成し，ここで対向電極１４４の線状対向電極１４５はパターニングによって形成され，その後，対向電極１４４上に配向膜１４６を形成してなる，
　液晶表示装置１００Ａ。」
　
　４　引用文献１を主引用例とした場合
　以下，「その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者」を「当業者」という。
　(1) 対比
　本件補正後発明１と引用発明１を対比すると，以下のとおりとなる。
　ア　画素構造
　引用発明１は，「アレイ基板２０，カラーフィルタ基板４０及び液晶層５０を具備する液晶表示パネル１０」である。また，引用発明１の「アレイ基板２０は，アレイ基板２０上に，第１画素電極３０２，第１蓄積電極３０６，第２画素電極３０４，第２蓄積電極３０８，ゲート線Ｇ，データ線Ｄ，薄膜トランジスタＴＦＴを備え」，「カラーフィルタ基板４０は，カラーフィルタ基板４０上に，第１共通電極４０２，第２共通電極４０４を備え」，「アレイ基板２０とカラーフィルタ基板４０の間に液晶層５０が設けられ」ている。
　上記の構成からみて，引用発明１の「アレイ基板２０」は，「薄膜トランジスタＴＦＴを備え」ている。また，「アレイ基板２０上に，第１画素電極３０２，第１蓄積電極３０６，第２画素電極３０４，第２蓄積電極３０８，ゲート線Ｇ，データ線Ｄ，薄膜トランジスタＴＦＴを備え」たものも，「基板」といえる（以下，単体の「アレイ基板２０」と区別するため，「薄膜トランジスタ付きアレイ基板」という。）。
　加えて，引用発明１の「カラーフィルタ基板４０」は，その文言が示すとおり，「カラーフィルタ」を具備する。また，「カラーフィルタ基板４０上に，第１共通電極４０２，第２共通電極４０４を備え」たものも，「基板」といえる（以下，単体の「カラーフィルタ基板４０」と区別するため，「共通電極付きカラーフィルタ基板」という。）。そして，上記の位置関係からみて，引用発明１の「共通電極付きカラーフィルタ基板」は，「薄膜トランジスタ付きアレイ基板」と対向するように配置されている。
　さらに，引用発明１の「液晶層５０」は，その文言が示すとおり「液晶層」である。また，引用発明１の「液晶層５０」は，上記の位置関係からみて，「薄膜トランジスタ付きアレイ基板」と「共通電極付きカラーフィルタ基板」との間に配置されるものである。
　さらに加えて，上記の「薄膜トランジスタ付きアレイ基板」，「共通電極付きカラーフィルタ基板」及び「液晶層」を備えてなる構成は，「液晶表示パネル１０」の画素部分の構造といえる（以下「画素部分」という。）。
　以上勘案すると，引用発明１の「薄膜トランジスタ付きアレイ基板」，「共通電極付きカラーフィルタ基板」，「液晶層５０」及び「画素部分」は，それぞれ本件補正後発明１の「薄膜トランジスタ基板」，「カラーフィルタ基板」，「液晶層」及び「画素構造」に相当する。また，引用発明１の「画素部分」は，本件補正後発明１の「画素構造」における，「薄膜トランジスタ基板と，該薄膜トランジスタ基板と対向するように配置されるカラーフィルタ基板と，前記薄膜トランジスタ基板と前記カラーフィルタ基板との間に配置される液晶層とを備える」という要件を満たす。
　
　イ　画素電極
　引用発明１の「薄膜トランジスタ付きアレイ基板」において，「アレイ基板２０は，アレイ基板２０上に，第１画素電極３０２，第１蓄積電極３０６，第２画素電極３０４，第２蓄積電極３０８，ゲート線Ｇ，データ線Ｄ，薄膜トランジスタＴＦＴを備え」，「アレイ基板２０は，サブ画素領域３０を有し，サブ画素領域３０は，第１画素領域３２及び第２画素領域３４を有し」，「第１画素電極３０２及び第１蓄積電極３０６は第１画素領域３２に配置され，第２画素電極３０４及び第２蓄積電極３０８は第２画素領域３４に配置され」る。
　上記の構成からみて，引用発明１の「薄膜トランジスタ付きアレイ基板」は，「アレイ基板２０」を備える。そして，この「アレイ基板２０」透明であることは，技術的にみて明らかである。
　また，上記の位置関係からみて，引用発明１の「第１画素電極３０２」及び「第２画素電極３０４」は，ともに「サブ画素領域３０」に配置された「画素電極」といえる（以下「第１第２画素電極」と総称する。）。そして，これを換言すると，「第１第２画素電極」は，そのサブ画素電極として，「第１画素電極３０２」及び「第２画素電極３０４」を備えるといえる。加えて，この「第１第２画素電極」が，「共通電極付きカラーフィルタ基板」に向ける「アレイ基板２０」の一側に設けられていることは，技術常識に照らし明らかである。
　以上勘案すると，引用発明１の「アレイ基板２０」，「第１画素電極３０２」，「第２画素電極３０４」及び「第１第２画素電極」は，それぞれ本件補正後発明１の「第１透明基板」，「第１サブ画素電極」，「第２サブ画素電極」及び「画素電極」に相当する。また，引用発明１の「薄膜トランジスタ付きアレイ基板」は，本件補正後発明１の「薄膜トランジスタ基板」における，「第１透明基板と，前記カラーフィルタ基板に向ける前記第１透明基板の一側に設けられる画素電極とを備え」及び「前記画素電極は第１サブ画素電極及び第２サブ画素電極を備え」という要件を満たす。
　
　ウ　共通電極
　引用発明１の「共通電極付きカラーフィルタ基板」において，「カラーフィルタ基板４０は，カラーフィルタ基板４０上に，第１共通電極４０２，第２共通電極４０４を備え」，「第１共通電極４０２は，第１の連結部から延びた複数の第１の櫛歯が第１画素領域３２と対向して配置された櫛形電極であり」，「第２共通電極４０４は，第２の連結部から延びた複数の第２の櫛歯が第２画素領域３４と対向して配置された櫛形電極であり」，「複数の第１の櫛歯と複数の第２の櫛歯は交互に配置されている」。
　上記の構成からみて，引用発明１の「共通電極付きカラーフィルタ基板」は，「カラーフィルタ基板４０」を備える。そして，この「カラーフィルタ基板４０」が，その上にカラーフィルタ層が形成された透明な基板を備えることは，技術常識である（以下「透明な基板」という。）。
　また，上記の位置関係及び上記イで述べた位置関係からみて，引用発明１の「第１共通電極４０２」及び「第２共通電極４０４」は，ともに「サブ画素領域３０」に配置された「共通電極」といえる（以下「第１第２共通電極」と総称する。）。そして，これを換言すると，「第１第２共通電極」は，そのサブ共通電極として，「第１共通電極４０２」及び「第２共通電極４０４」を備えるといえる。加えて，この「第１第２共通電極」が，「薄膜トランジスタ付きアレイ基板」に向ける「透明な基板」の一側に設けられていることは，技術常識に照らし明らかである。
　さらに，上記の形状及び位置関係からみて，引用発明１の「第１共通電極４０２」は櫛状を呈し，「第１の連結部」と，一端が「第１の連結部」に連結される「複数の第１の櫛歯」とを備えている。同様に，「第２共通電極４０４」は櫛状を呈し，「第２の連結部」と，一端が「第２の連結部」に連結される「複数の第２の櫛歯」とを備えている。また，「第１の櫛歯」と「第２の櫛歯」は，「交互に配置されている」。
　以上勘案すると，引用発明１の「透明な基板」，「第１共通電極４０２」，「第２共通電極４０４」，「第１第２共通電極」，「第１の連結部」，「第２の連結部」，「第１の櫛歯」及び「第２の櫛歯」は，それぞれ本件補正後発明１の「第２透明基板」，「第１サブ共通電極」，「第２サブ共通電極」，「共通電極」，「第１櫛本体」，「第２櫛本体」，「第１櫛歯」及び「第２櫛歯」に相当する。また，引用発明１の「共通電極付きカラーフィルタ基板」は，本件補正後発明１の「カラーフィルタ基板」における，「第２透明基板と，前記薄膜トランジスタ基板に向ける該第２透明基板の一側に設けられる共通電極とを備え」及び「前記共通電極は第１サブ共通電極及び第２サブ共通電極を備え」という要件を満たす。加えて，引用発明１の「第１共通電極４０２」及び「第２共通電極４０４」は，それぞれ，本件補正後発明１の「第１サブ共通電極」及び「第２サブ共通電極」における，「前記第１サブ共通電極は櫛状を呈し，該第１サブ共通電極は，第１櫛本体と，一端が該第１櫛本体に連結される複数の第１櫛歯とを備え，前記第２サブ共通電極は櫛状を呈し，該第２サブ共通電極は，第２櫛本体と，一端が該第２櫛本体に連結される複数の第２櫛歯とを備え，前記第１櫛歯と前記第２櫛歯とは交互に配置され」という要件を満たす。
　
　エ　画素領域
　引用発明１の「薄膜トランジスタ付きアレイ基板」において，「アレイ基板２０は，アレイ基板２０上に，第１画素電極３０２，第１蓄積電極３０６，第２画素電極３０４，第２蓄積電極３０８，ゲート線Ｇ，データ線Ｄ，薄膜トランジスタＴＦＴを備え」る。また，「アレイ基板２０は，サブ画素領域３０を有し，サブ画素領域３０は，第１画素領域３２及び第２画素領域３４を有し」，「第１画素電極３０２及び第１蓄積電極３０６は第１画素領域３２に配置され，第２画素電極３０４及び第２蓄積電極３０８は第２画素領域３４に配置され」ている。また，引用発明１の「液晶表示パネル１０」において，「第１画素電極３０２，第１共通電極４０２及び液晶層５０によって，第１液晶容量５０２が形成され，第２画素電極３０４，第２共通電極４０４及び液晶層５０によって，第２液晶容量５０４が形成され」，「第１画素電極３０２と第１蓄積電極３０６及び絶縁層６０によって第１蓄積容量５０６が形成され，第２画素電極３０４と第２蓄積電極３０８及び絶縁層６０によって第２蓄積容量５０８が形成され」，「第１画素電極３０２と第２画素電極３０４は，１つのデータ線Ｄのデータ線電圧を転送できるように薄膜トランジスタＴＦＴによって駆動され」る。
　上記の構成からみて，引用発明１の「薄膜トランジスタ付きアレイ基板」は，「アレイ基板２０」に配置される「データ線Ｄ」及び「ゲート線Ｇ」を備える。そして，これら「データ線Ｄ」及び「ゲート線Ｇ」によって１個の「サブ画素領域３０」が形成されることは，技術的にみて明らかである（図１からも確認できる事項である。）。また，上記の位置関係からみて，引用発明１の「サブ画素領域３０」は，「第１画素領域３２」及び「第２画素領域３４」を含み，「第１画素電極３０２」は「第１画素領域３２」に位置し，「第２画素電極３０４」は「第２画素領域３４」に位置し，「第１画素電極３０２」と「第１共通電極４０２」は「第１画素領域３２」の「第１液晶容量５０２」を構成し，「第２画素電極３０４」と「第２共通電極４０４」は「第２画素領域３４」の「第２液晶容量５０４」を構成する。さらに，上記の構成に加えて，前記ア〜ウの対比結果，及び技術常識を勘案すると，引用発明１の「画素部分」は，「アレイ基板２０」と「透明な基板」との間に形成され，「薄膜トランジスタＴＦＴ」による充電後に「第１画素領域３２」に恒常の「データ線Ｄのデータ線電圧」を提供し，かつ蓄積容量として機能する「第１蓄積容量５０６」を備えるものである。同様に，引用発明１の「画素部分」は，「アレイ基板２０」と「透明な基板」との間に形成され，「薄膜トランジスタＴＦＴ」による充電後に「第２画素領域３４」に恒常の「データ線Ｄのデータ線電圧」を提供し，かつ蓄積容量として機能する「第２蓄積容量５０８」を備えるものである。
　以上勘案すると，引用発明１の「データ線Ｄ」，「ゲート線Ｇ」，「サブ画素領域３０」，「第１画素領域３２」，「第２画素領域３４」，「データ線Ｄのデータ線電圧」，「第１液晶容量５０２」及び「第２液晶容量５０４」は，それぞれ本件補正後発明１の「データ線」，「ゲート電極線」，「画素領域」，「第１サブ画素領域」，「第２サブ画素領域」，「駆動電圧」，「第１液晶容量」及び「第２液晶容量」に相当する。また，引用発明１の「第１蓄積容量５０６」及び「第２蓄積容量５０８」は，それぞれ，本件補正後発明１の「第１蓄積容量」及び「第２蓄積容量」に相当する。そして，引用発明１の「薄膜トランジスタ付きアレイ基板」は，本件補正後発明１の「薄膜トランジスタ基板」における，「前記第１透明基板に配置されるデータ線及びゲート電極線をさらに備え，前記データ線と前記ゲート電極線とによって１個の画素領域が形成され，前記画素領域は第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域を含み，前記第１サブ画素電極は前記第１サブ画素領域に位置し，前記第２サブ画素電極は前記第２サブ画素領域に位置し」及び「前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは前記第１サブ画素領域の第１液晶容量を構成し，前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは前記第２サブ画素領域の第２液晶容量を構成し」という要件を満たす。加えて，引用発明１の「画素部分」は，本件補正後発明１の「画素構造」における，「前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第１サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第１蓄積容量と，前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第２サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第２蓄積容量とをさらに備え」という要件を満たす。
　
　オ　第１電圧差，第２電圧差
　引用発明１の「液晶表示パネル１０」において，「第１画素電極３０２と第２画素電極３０４は，１つのデータ線Ｄのデータ線電圧を転送できるように薄膜トランジスタＴＦＴによって駆動され」，「第１蓄積電極３０６及び第１共通電極４０２は第１共通信号バスライン２０２によって駆動され，第２蓄積電極３０８及び第２共通電極４０４は第２共通信号バスライン２０４によって駆動され，第１共通信号バスライン２０２の駆動電圧と第２共通信号バスライン２０４の駆動電圧は異な」る。
　上記の印加電圧の関係からみて，引用発明１の「第１画素電極３０２」と「第１共通電極４０２」は，「１つのデータ線Ｄのデータ線電圧」と「第１共通信号バスライン２０２の駆動電圧」によって決まる第１の電圧差を有する。同様に，引用発明１の「第２画素電極３０４」と「第２共通電極４０４」は，「１つのデータ線Ｄのデータ線電圧」と「第２共通信号バスライン２０２の駆動電圧」によって決まる第２の電圧差を有する。そして，上記の第１の電圧差は，「第１共通信号バスライン２０２の駆動電圧」と「第２共通信号バスライン２０４の駆動電圧」が異なることに起因して，上記の第２の電圧差より大きいか，又は小さくなる。加えて，「第１共通電極４０２」及び「第２共通電極４０４」に，それぞれ，「第１共通信号バスライン２０２の駆動電圧」及び「第２共通信号バスライン２０４の駆動電圧」を印加するとき，「第１共通電極４０２」と「第２共通電極４０４」が異なる電位を有することにより，上記の第１の電圧差は，上記の第２の電圧差より大きくなるか，又は小さくなる。
　以上勘案すると，引用発明１の「画素部分」は，本件補正後発明１における，「前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは第１電圧差を有し，前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは第２電圧差を有し，前記第１電圧差は前記第２電圧差より大きいか或いは小さく」という要件，及び「前記第１，第２サブ共通電極に駆動電圧を印加するとき，前記第１サブ共通電極と前記第２サブ共通電極とが異なる電位を有することにより，前記第１電圧差は前記第２電圧差より大きくなるか或いは小さくなる」という要件を満たす。
　
　(2) 一致点及び相違点
　ア　一致点
　本件補正後発明１と引用発明１は，次の構成で一致する。
「　薄膜トランジスタ基板と，該薄膜トランジスタ基板と対向するように配置されるカラーフィルタ基板と，前記薄膜トランジスタ基板と前記カラーフィルタ基板との間に配置される液晶層とを備える画素構造であって，
　前記薄膜トランジスタ基板は，第１透明基板と，前記カラーフィルタ基板に向ける前記第１透明基板の一側に設けられる画素電極とを備え，前記カラーフィルタ基板は，第２透明基板と，前記薄膜トランジスタ基板に向ける該第２透明基板の一側に設けられる共通電極とを備え，前記画素電極は第１サブ画素電極及び第２サブ画素電極を備え，前記共通電極は第１サブ共通電極及び第２サブ共通電極を備え，前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは第１電圧差を有し，前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは第２電圧差を有し，前記第１電圧差は前記第２電圧差より大きいか或いは小さく，
　前記薄膜トランジスタ基板は前記第１透明基板に配置されるデータ線及びゲート電極線をさらに備え，前記データ線と前記ゲート電極線とによって１個の画素領域が形成され，前記画素領域は第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域を含み，前記第１サブ画素電極は前記第１サブ画素領域に位置し，前記第２サブ画素電極は前記第２サブ画素領域に位置し，前記画素構造は，前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第１サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第１蓄積容量と，前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第２サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第２蓄積容量とをさらに備え，前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは前記第１サブ画素領域の第１液晶容量を構成し，前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは前記第２サブ画素領域の第２液晶容量を構成し，
　前記第１サブ共通電極は櫛状を呈し，該第１サブ共通電極は，第１櫛本体と，一端が該第１櫛本体に連結される複数の第１櫛歯とを備え，前記第２サブ共通電極は櫛状を呈し，該第２サブ共通電極は，第２櫛本体と，一端が該第２櫛本体に連結される複数の第２櫛歯とを備え，前記第１櫛歯と前記第２櫛歯とは交互に配置され，
　前記第１，第２サブ共通電極に駆動電圧を印加するとき，前記第１サブ共通電極と前記第２サブ共通電極とが異なる電位を有することにより，前記第１電圧差は前記第２電圧差より大きくなるか或いは小さくなる画素構造。」
　
　イ　相違点
　本件補正後発明１と引用発明１は，以下の点で相違する。
（相違点１）
　「薄膜トランジスタ基板」について，本件補正後発明１は，「前記第１透明基板に形成される第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタをさらに備え，前記第１薄膜トランジスタは，第１ゲート電極，第１ソース電極及び第１ドレイン電極を有し，前記第２薄膜トランジスタは，第２ゲート電極，第２ソース電極及び第２ドレイン電極を有し，前記第１ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され，前記第１ソース電極は前記データ線に電気接続され，前記第１ドレイン電極は前記第１サブ画素電極，前記第１蓄積容量にそれぞれ電気接続され，前記第２ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され，前記第２ソース電極は前記データ線に電気接続され，前記第２ドレイン電極は前記第２サブ画素電極，前記第２蓄積容量に電気接続され」という構成を具備するのに対して，引用発明１は，第１画素電極３０２と第２画素電極が，１つの薄膜トランジスタＴＦＴによって駆動される点。
　
（相違点２）
　「第１，第２サブ共通電極」について，本件補正後発明１は，「いずれも，成膜工程，フォトレジスト塗布工程，露光工程，現像工程及びエッチング工程によって形成され」，また，「第１，第２サブ画素電極」について，本件補正後発明１は，「いずれも，成膜工程，フォトレジスト塗布工程，露光工程，現像工程及びエッチング工程によって形成され」るものであるのに対して，引用発明１は，このように特定されたものではない点。
　
（相違点３）
　「駆動電圧」について，本件補正後発明１は，「前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とに印加される駆動電圧は矩形波の交流であり，前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とに印加される駆動電圧は矩形波の交流であり」という構成を具備するのに対して，引用発明１は，このように特定されたものではない点。
　
　(3) 判断
　ア　相違点１について
　引用文献２には，液晶に電圧を印加する画素電極６を走査信号線１を中心に二分割し，それぞれの画素電極６を別個の薄膜トランジスタで駆動させることにより，画素電極６の応答速度を向上させる技術が開示されている（以下「引用文献２記載技術」という。）。
　ここで，引用発明１の「第１画素電極３０２と第２画素電極３０４の間にはスリットＳが設けられ」ており，「第１画素電極３０２と第２画素電極３０４とが接続される程度が残」っているにすぎない。
　そうしてみると，引用発明１の画素電極，特に「第１画素電極３０２」の応答速度を向上させることを目的として，引用文献２記載技術を採用することは，当業者における通常の創意工夫の範囲内の事項である。また，引用文献２記載技術を採用すると，引用発明１は，アレイ基板２０に形成された２つの薄膜トランジスタＴＦＴを具備するものとなり，かつ，その一方が第１画素電極３０２に，他方が第２画素電極３０４にデータ線電圧を転送するように電気接続されたものとなる。そして，このように電気接続されたものは，相違点１に係る本件補正後発明１の構成を具備したものとなる。
　
　イ　相違点２について
　相違点２に係る本件補正後発明１の構成は，製造工程に関するものであるが，念のため，製造工程も含めて検討すると，このような製造工程は，液晶表示パネルの電極の製造工程として，周知のものにすぎない（例えば，特開２００２−１０７７５８号公報の【００３１】を参照。）。
　引用発明１の「第１共通電極４０２」，「第２共通電極４０４」，「第１画素電極３０２」及び「第２画素電極３０４」を製造するに際し，相違点２に係る本件補正後発明１の構成を採用することは，当然のことにすぎない。
　
　ウ　相違点３について
　相違点３に係る本件補正後発明１の構成は，画素構造の駆動方法に関するものであるが，念のため，駆動方法も含めて検討する。
　引用文献４の[0063]及び[0064]からは，対向電極１４４の電位が水平走査期間ごとに接地電位に対して変動するコモン反転駆動を行うことにより，接地電位に対するソース配線の電位の変化量を大きくすることなく液晶層への印加電圧を増大可能なライン反転駆動を行うことができ，消費電力の増大が抑制される技術が開示されている（以下「引用文献４記載技術」という。）。
　ここで，引用発明１の「液晶表示パネル１０」を液晶表示装置として完成させるに際して，消費電力の増大が抑制される技術を採用する方が望ましいことは明らかである。また，引用発明１の「液晶表示パネル１０」の「第１画素電極３０２」，「第１蓄積電極３０６」，「第１共通電極４０２」，「第２画素電極３０４」，「第２蓄積電極３０８」及び「第２共通電極４０４」は，引用文献４記載技術に適した電気的接続関係にある。
　そうしてみると，引用発明１の「液晶表示パネル１０」を消費電力の増大が抑制された液晶表示装置として完成させるに際して，引用文献４記載技術を採用することは，当業者における通常の創意工夫の範囲内の事項である（なお，引用発明１の「液晶表示パネル１０」は，フレーム単位でのコモン反転駆動も可能である。）。
　また，引用発明１においてコモン反転駆動を採用した場合，引用発明１の「第１画素電極３０２」及び「第２画素電極３０４」に印加されるデータ線電圧は，接地電位に対して変動（極性反転）する矩形波の交流となり，また，引用発明１の「第１蓄積電極３０６」，「第１共通電極４０２」，「第２蓄積電極３０８」及び「第２共通電極４０４」に印加される駆動電圧も，接地電位に対して変動（データ線電圧とは逆極性で極性反転する）矩形波の交流となるから，相違点３に係る本件補正後発明１の構成を具備したものとなる。
　
　(4) 発明の効果について
　本件補正後発明１の効果は，本件出願の明細書の【００２１】に記載されたとおりの，「第１サブ画素電極と第１サブ共通電極とが有する第１電圧差が第２サブ画素電極と第２サブ共通電極とが有する第２電圧差より大きいか又は小さいように，カラーフィルタ基板における第１，第２サブ共通電極に異なる電位の電圧を提供することによって，開口率を低下させない前提下で，大型のパネルにおける大きい視角での色ずれの問題を改善する」ことにある。
　しかしながら，このような効果は，引用発明１が具備する効果である。
　
　(5) 小括
　本件補正後発明１は，引用文献１に記載された発明，並びに，引用文献２及び引用文献４に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　５　引用文献４を主引用例とした場合
　(1) 一致点及び相違点
　ア　一致点
　本件補正後発明１と引用発明４を対比すると，両者は，次の構成で一致する。
「　薄膜トランジスタ基板と，該薄膜トランジスタ基板と対向するように配置されるカラーフィルタ基板と，前記薄膜トランジスタ基板と前記カラーフィルタ基板との間に配置される液晶層とを備える画素構造であって，
　前記薄膜トランジスタ基板は，第１透明基板と，前記カラーフィルタ基板に向ける前記第１透明基板の一側に設けられる画素電極とを備え，前記カラーフィルタ基板は，第２透明基板と，前記薄膜トランジスタ基板に向ける該第２透明基板の一側に設けられる共通電極とを備え，前記画素電極は第１サブ画素電極及び第２サブ画素電極を備え，前記共通電極は第１サブ共通電極及び第２サブ共通電極を備え，前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは第１電圧差を有し，前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは第２電圧差を有し，前記第１電圧差は前記第２電圧差より大きいか或いは小さく，
　前記薄膜トランジスタ基板は前記第１透明基板に配置されるデータ線及びゲート電極線をさらに備え，前記データ線と前記ゲート電極線とによって１個の画素領域が形成され，前記画素領域は第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域を含み，前記第１サブ画素電極は前記第１サブ画素領域に位置し，前記第２サブ画素電極は前記第２サブ画素領域に位置し，前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは前記第１サブ画素領域の第１液晶容量を構成し，前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは前記第２サブ画素領域の第２液晶容量を構成し，
　前記第１サブ共通電極は櫛状を呈し，該第１サブ共通電極は，第１櫛本体と，一端が該第１櫛本体に連結される複数の第１櫛歯とを備え，前記第２サブ共通電極は櫛状を呈し，該第２サブ共通電極は，第２櫛本体と，一端が該第２櫛本体に連結される複数の第２櫛歯とを備え，前記第１櫛歯と前記第２櫛歯とは交互に配置され，
　前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とに印加される駆動電圧は矩形波の交流であり，前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とに印加される駆動電圧は矩形波の交流であり，
　前記第１，第２サブ共通電極に駆動電圧を印加するとき，前記第１サブ共通電極と前記第２サブ共通電極とが異なる電位を有することにより，前記第１電圧差は前記第２電圧差より大きくなるか或いは小さくなる画素構造。」
　
　イ　相違点
　本件補正後発明１と引用発明４は，以下の点で相違する。
（相違点Ａ）
　「画素構造」について，本件補正後発明１は，「前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第１サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第１蓄積容量と，前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第２サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第２蓄積容量とをさらに備え」るのに対して，引用発明４は，一応，これが明らかではない点。
　
（相違点Ｂ）
　「薄膜トランジスタ基板」について，本件補正後発明１は，「前記第１透明基板に形成される第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタをさらに備え，前記第１薄膜トランジスタは，第１ゲート電極，第１ソース電極及び第１ドレイン電極を有し，前記第２薄膜トランジスタは，第２ゲート電極，第２ソース電極及び第２ドレイン電極を有し，前記第１ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され，前記第１ソース電極は前記データ線に電気接続され，前記第１ドレイン電極は前記第１サブ画素電極，前記第１蓄積容量にそれぞれ電気接続され，前記第２ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され，前記第２ソース電極は前記データ線に電気接続され，前記第２ドレイン電極は前記第２サブ画素電極，前記第２蓄積容量に電気接続され」という構成を具備するのに対して，引用発明４は，副画素ＳＰ１の画素電極１２４と副画素ＳＰ２の画素電極１２４が，１つのＴＦＴ１３０によって駆動される点。
　
（相違点Ｃ）
　「第１，第２サブ共通電極」について，本件補正後発明１は，「いずれも，成膜工程，フォトレジスト塗布工程，露光工程，現像工程及びエッチング工程によって形成され」，また，「第１，第２サブ画素電極」について，本件補正後発明１は，「いずれも，成膜工程，フォトレジスト塗布工程，露光工程，現像工程及びエッチング工程によって形成され」るものであるのに対して，引用発明４は，このように特定されたものではない点。
　
　(2) 判断
　ア　相違点Ａについて
　引用発明４の「アクティブマトリクス基板１２０は，絶縁基板１２２上に，ゲート配線，補助容量配線，ソース配線を形成し」たものである。
　ここで，引用発明４の「液晶表示装置１００Ａ」は，「コモン反転駆動」を行うものであるから，その「補助容量配線」は，対向電極とともに「コモン反転駆動」される。
　そうしてみると，引用発明４の「画素Ｐ」が，「絶縁基板１２２」と「絶縁基板１４２」との間に形成されかつ充電後に「副画素ＳＰ１」に恒常の駆動電圧を提供する，（副画素ＳＰ１に対応した）「補助容量配線」及び「副画素ＳＰ１の画素電極１２４」によって形成される第１の補助容量，並びに，充電後に「副画素ＳＰ２」に恒常の駆動電圧を提供する，（副画素ＳＰ２に対応した）「補助容量配線」及び「副画素ＳＰ２の画素電極１２４」によって形成される第２の補助容量を備えることは，自明のことといえる。
　したがって，相違点Ａは，事実上の相違点ではない。
　仮にそうでないとしても，引用発明４において，相違点Ａに係る本件補正後発明１の構成を採用することは，当業者における通常の創意工夫の範囲内の事項である。
　
　イ　相違点Ｂ及び相違点Ｃについて
　相違点Ｂ及び相違点Ｃについての判断は，前記４(3)ア及びイで述べた，相違点１及び相違点２についての判断と同様である。
　
　(3) 発明の効果について
　本件補正後発明１の効果は，引用発明４が具備する効果である。
　
　(4) 小括
　本件補正後発明１は，引用文献４に記載された発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　６　本件補正後発明４について
　本件補正後発明４の「画素構造」は，「薄膜トランジスタ基板」について，[A]「前記第１透明基板に形成される第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタをさらに備え，前記第１薄膜トランジスタは，第１ゲート電極，第１ソース電極及び第１ドレイン電極を有し，前記第２薄膜トランジスタは，第２ゲート電極，第２ソース電極及び第２ドレイン電極を有し，前記第１ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され，前記第１ソース電極は前記データ線に電気接続され，前記第１ドレイン電極は前記第１サブ画素電極，前記第１蓄積容量にそれぞれ電気接続され，前記第２ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され，前記第２ソース電極は前記データ線に電気接続され，前記第２ドレイン電極は前記第２サブ画素電極，前記第２蓄積容量に電気接続され」という構成を具備し，かつ，[B]「前記第１透明基板に形成される第３薄膜トランジスタを備え，前記第３薄膜トランジスタは，第３ゲート電極，第３ソース電極及び第３ドレイン電極を有し，前記第３ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され，前記第３ソース電極は前記データ線に電気接続され，前記第３ドレイン電極はそれぞれ第１サブ画素電極，第２サブ画素電極，第１蓄積容量，第２蓄積容量に電気接続され」という構成を具備するものである。
　ここで，上記[A]の構成から理解される回路は，本件出願の図４，図５，及びその説明（【００２６】〜【００２８】）から理解される回路に対応するものである。これに対して，上記[B]の構成から理解される回路は，本件出願の図９，図１０及びその説明（【００３４】）から理解される回路に対応するものである。そして，【００３４】には，「他の実施形態の一例として，薄膜トランジスタ基板２０′には１個の薄膜トランジスタのみ，即ち図９及び図１０に示した第３薄膜トランジスタ５２のみ設けられており，第３薄膜トランジスタ５２で第１サブ画素電極２６′と第２サブ画素電極２８′とを同時に駆動する簡単な構造によって，開口率の向上に有利である」と記載されている。
　そうしてみると，たとえ発明の詳細な説明に接した当業者といえども，本件補正後発明４のような，「第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタ」，並びに，「第３薄膜トランジスタ」を具備する発明を，認識することができない。すなわち，本件出願の図４，図５及びその説明から理解される回路は，「第３薄膜トランジスタ」を具備しなくとも，画素の回路として動作し，発明が解決しようとする課題（【０００６】）を解決することができる。また，本件出願の図９，図１０及びその説明から理解される回路は，「第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタ」を具備しなくとも，画素の回路として動作し，発明が解決しようとする課題を解決することができる。したがって，本件出願の発明の詳細な説明の記載からは，画素に，「第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタ」，並びに，「第３薄膜トランジスタ」を設ける必要はないと理解される。また，３つの薄膜トランジスタを設けた場合には，画素の開口率が低下するから，発明の課題の解決が，損なわれることになる。
　以上のとおり，本件補正後発明４は，発明の詳細な説明において，発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えているものであるから，本件補正後発明４は発明の詳細な説明に記載したものであるということができない。
　本件出願は，特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていないから，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　念のため，本件補正後発明４が，上記[A]の構成に替えて上記[B]の構成を具備する発明であると仮定して検討すると，以下のとおりである。
　すなわち，本件補正後発明４と引用発明１を対比すると，前記４(2)イで述べた，相違点２及び相違点３が抽出されることになる（相違点１は，相違点でなくなる。）。そして，相違点についての判断は，前記４(3)イ及びウで述べたのと同様である。
　また，本件補正後発明４と引用発明４を対比すると，前記５(1)イで述べた，相違点Ａ及び相違点Ｃが抽出されることになる（相違点Ｂは，相違点ではなくなる。）。そして，相違点についての判断は，前記５(2)で述べたのと同様である。
　したがって，本件補正後発明４は，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　７　補正の却下の決定についてのまとめ
　本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので，同法１５９条１項の規定において読み替えて適用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって，［補正の却下の決定の結論］のとおり，決定する。
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　以上のとおり，本件補正は却下されたので，本件出願の請求項１に係る発明は，平成２９年８月３日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１（前記「第２」［理由］１(1)の【請求項１】参照。）に記載された事項によって特定されるとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
　
　２　原査定の拒絶の理由
　本願発明に対する原査定の拒絶の理由は，[A]本願発明は，本件優先日前に日本国内又は外国において電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明（引用文献４に記載された発明）であるから，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができない，[B]本願発明は，本件優先日前に日本国内又は外国において，頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明（引用文献１に記載された発明）及び引用文献４に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，[C]本願発明は，本件優先日前に日本国内又は外国において電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明（引用文献４に記載された発明）に基づいて，本件優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
（当合議体注：引用文献１及び引用文献４は，前記「第２」［理由］で挙げた引用文献１及び引用文献４と同じである。）
　
　３　引用文献の記載
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及び引用文献４の記載は，前記「第２」［理由］３(1)及び(4)に記載したとおりである。
　
　４　引用発明
　引用発明１及び引用発明４は，前記「第２」［理由］３(2)及び(5)に記載したとおりである。
　
　５　対比及び判断
　本願発明は，前記「第２」［理由］４及び５で検討した本件補正後発明１から，相違点１（相違点Ｂ）及び相違点２（相違点Ｃ）に係る本件補正後発明１の構成を除いたものである。
　ここで，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正後発明１は，前記「第２」［理由］４に記載したとおり，引用文献１に記載された発明，並びに，引用文献２及び引用文献４に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。また，本願発明は，相違点１に係る本件補正後発明１の構成を具備しない（本願発明との関係においては，相違点１は，相違点ではないため，前記「第２」［理由］で挙げた引用文献２を引用する必要がない）。そうしてみると，本願発明は，引用文献１に記載された発明及び引用文献４に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　加えて，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正後発明１は，前記「第２」［理由］５に記載したとおり，引用文献４に記載された発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。また，本願発明は，相違点Ｂに係る本件補正後発明１の構成を具備しない（本願発明との関係においては，相違点Ｂは，相違点ではないため，前記「第２」［理由］で挙げた引用文献２を引用する必要がない）。そうしてみると，本願発明は，引用文献４に記載された発明であり，あるいは，引用文献４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができず，また，本願発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本件出願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。