【事件の表示】
　特願２０１５−５０１９５１「モジュールとして構成されるマルチレベルリードフレームを有するパッケージングされた半導体デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　９月２６日国際公開、ＷＯ２０１３／１４２８６７、平成２７年　４月１３日国内公表、特表２０１５−５１１０７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年（平成２５年）３月２５日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１２年３月２３日　米国（ＵＳ）、２０１３年３月２２日　米国（ＵＳ））を国際出願日とする出願であって、平成２８年３月２２日付けで手続補正がなされ、平成２９年３月７日付け拒絶理由通知に対して同年６月１３日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年１１月２８日付けで拒絶査定がなされた。これに対して平成３０年４月６日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされたものである。
第２　補正の適否
　平成３０年４月６日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲（平成２９年６月１３日付けで補正）の請求項１
「複数の相互接続レベルを備えるパッケージされた半導体デバイスであって、
　第１のプリアセンブルされたモジュラーサブアセンブリであって、
　第１のリードのセットとパッドと曲げられた伸長されたリードの第１のセットとを含む第１の平坦リードフレームと、
　前記第１の平坦リードフレームのパッドに取り付けられた電子的構成要素と、
　を含み、
　前記曲げられた伸長されたリードの第１のセットが前記第１の平坦リードフレームの平面から離れて第１の方向に曲げられる、前記第１のプリアセンブルされたモジュラーサブアセンブリと、
　第２のプリアセンブルされたモジュラーサブアセンブリであって、
　第２のリードのセットとパッドとを含む第２の平坦リードフレームと、
　前記第２の平坦リードフレームのパッドに取り付けられた電子的構成要素と、
　を含み、
　前記曲げられた伸長されたリードの第１のセットが前記第２の平坦リードフレームに導電的に接続され、２つの平面における電子的構成要素とリードのセットとの間の導電的にリンクされた３次元ネットワークを形成する、前記第２のプリアセンブルされたモジュラーアセンブリと、
　前記３次元ネットワークの一部分を封止するパッケージング材料と、
　を含む、デバイス。」を、
　
「複数の相互接続レベルを備えるパッケージされた半導体デバイスであって、
　第１のプリアセンブルされたモジュラーサブアセンブリであって、
　第１のリードのセットとパッドと曲げられた伸長されたリードの第１のセットとを含む第１の平坦リードフレームと、
　前記第１の平坦リードフレームのパッドに取り付けられた電子的構成要素と、
　を含み、
　前記曲げられた伸長されたリードの第１のセットが前記第１の平坦リードフレームの平面から離れて第１の方向に曲げられる、前記第１のプリアセンブルされたモジュラーサブアセンブリと、
　第２のプリアセンブルされたモジュラーサブアセンブリであって、
　第２のリードのセットとパッドとを含む第２の平坦リードフレームと、
　前記第２の平坦リードフレームのパッドに取り付けられた電子的構成要素と、
　を含み、
　前記曲げられた伸長されたリードの第１のセットが前記第２の平坦リードフレームに導電的に接続され、２つの平面における電子的構成要素とリードのセットとの間の導電的にリンクされた３次元ネットワークを形成する、前記第２のプリアセンブルされたモジュラー
サブ
　前記３次元ネットワークの一部分を封止するパッケージング材料と、
　を含む、デバイス。」
とするものである。
　すなわち、本件補正は、請求項１において「前記第２のプリアセンブルされたモジュラーアセンブリ」を「前記第２のプリアセンブルされたモジュラー
サブ
　補正前の請求項１においては、「前記第２のプリアセンブルされたモジュラーアセンブリ」という記載箇所より前に「第２のプリアセンブルされたモジュラーアセンブリ」という記載がなく、「第２のプリアセンブルされたモジュラーサブアセンブリ」が記載されている。
　したがって、「前記第２のプリアセンブルされたモジュラーアセンブリ」を「前記第２のプリアセンブルされたモジュラー
サブ
　よって、本件補正は、適法になされたものである。
第３　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成３０年４月６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものである（上記「第２」の後段の請求項１を参照）。
第４　引用文献
（１）特開２０１１−６０９２７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１１−６０９２７号公報（以下「引用文献１」という。）には、「半導体装置」に関して、図面と共に以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
　
ア．「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
多層フレーム実装構造を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　パワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどに代表されるパワー半導体素子（消費電力が０．１ワット以上）のような電子部品を、配線基板上に実装し、モジュール化した、所謂パワーモジュールが、車載用や産業用の半導体装置で、一般的に用いられている。パワーモジュールでは、主にパワー半導体素子が実装された面と反対側の面より、該パワーモジュールが固定された筐体などの冷却板へ熱を伝導することで、排熱される構造になっている。
【０００３】
　従来、パワーモジュールを用いた電子制御装置は、制御対象機器ごとに設けられていた。ところが近年、これらの電子制御装置は小型化、一体化、低コスト化が求められており、パワーモジュールにおいても、小型化が求められている。」
　
イ．「【００１４】
　第１の実施例を図１〜図１３を用いて具体的に説明する。図１は、第１の実施例における多層フレーム実装構造を有する半導体装置を模式的に示した側面図である。
【００１５】
　図１に示すように、
複数の電子部品１０４が実装された、第１層目のリードフレーム１０１、第２層目のリードフレーム１０２、第３層目のリードフレーム１０３を積層し、全体を封止樹脂１０５で封止し、
多層リードフレームモジュールを製作した。
符号１０８はリードフレーム層間接続材、
符号１０２−１は第２層目リードフレームで構成された大電流入力端子、符号１０２−２は第２層目リードフレームで構成された大電流出力端子、符号１０２−３は第２層目リードフレームで構成された信号入力端子、符号１０３−３は第３層目リードフレームで構成された信号入力端子である。
ウ．「【００１８】
　導電性材料には、はんだ（Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ（ｗｔ％））を用いた。導電性材料１０９の溶融温度は、導電性材料１１０の溶融温度より高い材料を用いればよい。これは、
層間接続材１０８と各リードフレーム１０１、１０２、１０３を接続する
エ．図７−９を参照すると、複数箇所で層間接続材１０８と各リードフレーム１０１、１０２、１０３を接続している。
　上記アないしエから、引用文献１には以下の事項が記載されている。
・上記アによれば、多層フレーム実装構造を有する半導体装置に関するものである。
・上記イによれば、複数の電子部品１０４が実装された、第１層目のリードフレーム１０１、第２層目のリードフレーム１０２、第３層目のリードフレーム１０３を積層し、全体を封止樹脂１０５で封止した、多層リードフレームモジュールにおいて、リードフレーム層間接続材１０８、第２層目リードフレームで構成された大電流入力端子１０２−１、大電流出力端子１０２−２及び信号入力端子１０２−３、第３層目リードフレームで構成された信号入力端子１０３−３を備えたものである。
・上記ウ、エによれば、複数箇所において、各リードフレーム１０１、１０２、１０３を層間接続材１０８で接続している。
　したがって、上記摘記事項および図面を総合勘案すると、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
　
「多層フレーム実装構造を有する半導体装置に関し、
　複数の電子部品１０４が実装された、第１層目のリードフレーム１０１、第２層目のリードフレーム１０２、第３層目のリードフレーム１０３を積層し、全体を封止樹脂１０５で封止した、多層リードフレームモジュールにおいて、
　リードフレーム層間接続材１０８、第２層目リードフレームで構成された大電流入力端子１０２−１、大電流出力端子１０２−２及び信号入力端子１０２−３、第３層目リードフレームで構成された信号入力端子１０３−３を備え、
　複数箇所において、各リードフレーム１０１、１０２、１０３を層間接続材１０８で接続している、半導体装置。」
　
（２）国際公開第２０１１／１５５１６５号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２０１１／１５５１６５号（以下「引用文献２」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
オ．「［００１６］　図１〜図５に示すように、本実施形態に係る
樹脂封止型半導体装置は、
パワー素子１を第１ダイパッド部３Ａの上に保持する第１リードフレーム３と、
制御素子４を第２ダイパッド部５Ａの上に保持する第２リードフレーム５と、
から構成されている。
カ．「［００１９］　このため、本実施形態においては、パワー素子１と制御素子４とは、例えば金（Ａｕ）からなるワイヤ３２では直接に接続することができない。そこで、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置では、
第１リードフレーム３
においては、複数のリードのうちの１つをパワー素子用中継リード２１としている。また、第２リードフレーム５においては、複数のリードのうちの１つを制御素子用中継リード２２としている。これらパワー素子用中継リード２１及び制御素子用中継リード２２の端部同士を接合部２３（第１接合部）により接合している。
キ．図３及び図１４には、樹脂封止型半導体装置を示す断面図が記載されており、
第２リードフレーム５における中継リード２２は、第１リードフレーム３側に延びて屈曲して、第１リードフレーム３の中継リード２１に接続されている
　上記オないしキによれば、引用文献２には「樹脂封止型半導体装置において、第２リードフレームの中継リードが、第１リードフレーム側に延びて屈曲して、第１リードフレームの中継リードに接続されることで、第２リードフレーム上の素子と第１リードフレーム上の素子とを接続する」技術事項が記載されている。
第５　対比
　そこで、本願発明と引用発明１とを対比する。
　
（１）引用発明１の「半導体装置」は、「全体を封止樹脂１０５で封止」されているから、本願発明の「パッケージされた半導体デバイス」に相当する。
（２）引用発明１の「各リードフレーム１０１、１０２、１０３を層間接続材１０８で接続している」ことは、本願発明の「複数の相互接続レベル」に相当する。
（３）引用発明１の各リードフレーム１０１、１０２、１０３に実装される「電子部品１０４」は、本願発明の「電子的構成要素」に相当する。
　また、引用発明１の「複数の電子部品１０４が実装された、第１層目のリードフレーム１０１、第２層目のリードフレーム１０２、第３層目のリードフレーム１０３」は、電子部品とリードフレームから構成される部品であるから、それぞれが多層リードフレームモジュールの一部を構成するサブアセンブリ、すなわちモジュラーサブアセンブリといえ、本願発明の「モジュラーサブアセンブリ」に相当する。
（４）引用発明１の「各リードフレーム１０１、１０２、１０３」は、図１を参照すると、平らな形状をしているから、本願発明の「平坦リードフレーム」に相当する。
　また、引用発明１の「各リードフレーム１０１、１０２、１０３」は、電子部品を実装する場所を備えているから、本願発明の「パッド」に相当する構成を備えている。
　ここで、引用発明１の「第２層目のリードフレーム１０２」、「第３層目のリードフレーム１０３」を、本願発明の「第１の平坦リードフレーム」、「第２の平坦リードフレーム」にそれぞれ対応させると、引用発明１の「複数の電子部品が実装された、」「第２層目のリードフレーム１０２」、「第３層目のリードフレーム１０３」は、本願発明の「第１の」「モジュラーサブアセンブリ」、「第２の」「モジュラーサブアセンブリ」にそれぞれ相当する。
　ただし、第１及び第２のモジュラーサブアセンブリに関して、本願発明は「第１のプリアセンブルされたモジュラーサブアセンブリ」と「第２のプリアセンブルされたモジュラーサブアセンブリ」であって、プリアセンブルされたものであるのに対して、引用発明１は、その旨の記載がない点で相違する。
（５）引用発明１の「層間接続材１０８」は、複数箇所で「第２層目のリードフレーム１０２」と「第３層目のリードフレーム１０３」を接続するから、引用発明１の「層間接続材１０８」と本願発明の「曲げられた伸長されたリードの第１のセット」は、第１及び第２の平坦リードフレームを接続する部材のセットである点で共通する。
　ただし、第１及び第２の平坦リードフレームを接続する部材に関して、本願発明は、「第１の平坦リードフレーム」の「曲げられた伸長されたリード」が、「前記第１の平坦リードフレームの平面から離れて第１の方向に曲げられ」ており、「前記第２の平坦リードフレームに導電的に接続され」ているのに対して、引用発明１は、「層間接続材１０８」が「第２層目のリードフレーム１０２」と「第３層目のリードフレーム１０３」を接続している点で相違する。
（６）引用発明１の「第２層目リードフレームで構成された大電流入力端子１０２−１、大電流出力端子１０２−２及び信号入力端子１０２−３」は、図１及び図８を参照すると、封止樹脂１０５の外側に出ているリード端子部分であり、複数あるから、本願発明の「第１の平坦リードフレーム」の「第１のリードのセット」に相当する。
　また、引用発明１の「第３層目リードフレームで構成された信号入力端子１０３−３」は、図１及び図９を参照すると、封止樹脂１０５の外側に出ているリード端子部分であるから、本願発明の「第２の平坦リードフレーム」の「第２のリード」に相当する。
　ただし、第２のリードに関して、本願発明は、「第２のリードのセット」であって、リードが複数あるのに対して、引用発明１は、複数ない点で相違する。
（７）引用発明１の「第３層目のリードフレーム１０３」における「電子部品１０４」と、「第２層目リードフレームで構成された大電流入力端子１０２−１、大電流出力端子１０２−２及び信号入力端子１０２−３」とが、電気的に接続されていることは明白である。
　また、引用発明１の多層リードフレームモジュールにおいて、上下に配置されたリードフレームが電気的に接続される構成は、立体的な３次元ネットワークといえる。
　そうすると、引用発明１の「電子部品１０４が実装された、」「第３層目のリードフレーム１０３」は、本願発明における「第２の」「モジュラーサブアセンブリ」が「２つの平面における電子的構成要素とリードのセットとの間の導電的にリンクされた３次元ネットワークを形成する」構成を含んでいる。
（８）引用発明１の「封止樹脂１０５」は、図１を参照すると、端子１０２−１、１０２−２、１０２−３及び１０３−３が封止樹脂の外側に出るように、多層リードフレームモジュールの一部を封止しており、引用発明１の「封止樹脂１０５」は、本願発明の「３次元ネットワークの一部分を封止するパッケージング材料」に相当する。
　そうすると、本願発明と引用発明１とは、
「複数の相互接続レベルを備えるパッケージされた半導体デバイスであって、
　第１のモジュラーサブアセンブリであって、
　第１のリードのセットとパッドとを含む第１の平坦リードフレームと、
　前記第１の平坦リードフレームのパッドに取り付けられた電子的構成要素と、
を含む、前記第１のモジュラーサブアセンブリと、
　第２のモジュラーサブアセンブリであって、
　第２のリードとパッドとを含む第２の平坦リードフレームと、
　前記第２の平坦リードフレームのパッドに取り付けられた電子的構成要素と、
　を含み、
　第１及び第２の平坦リードフレームを接続する部材のセットが前記第２の平坦リードフレームに導電的に接続され、２つの平面における電子的構成要素とリードとの間の導電的にリンクされた３次元ネットワークを形成する、前記第２のモジュラーサブアセンブリと、
　前記３次元ネットワークの一部分を封止するパッケージング材料と、
　を含む、デバイス。」である点で一致し、
以下の点で相違する。
＜相違点１＞
　第１及び第２のモジュラーサブアセンブリに関して、本願発明は「第１のプリアセンブルされたモジュラーサブアセンブリ」と「第２のプリアセンブルされたモジュラーサブアセンブリ」であって、プリアセンブルされたものであるのに対して、引用発明１は、その旨の記載がない点。
＜相違点２＞                              
　第１及び第２の平坦リードフレームを接続する部材に関して、本願発明は、「第１の平坦リードフレーム」の「曲げられた伸長されたリードの第１のセット」が、「前記第１の平坦リードフレームの平面から離れて第１の方向に曲げられ」ており、「前記第２の平坦リードフレームに導電的に接続され」ているのに対して、引用発明１は、「層間接続材１０８」が「第２層目のリードフレーム１０２」と「第３層目のリードフレーム１０３」を接続している点。
＜相違点３＞
　第２のリードに関して、本願発明は、第２のリードの「セット」であって、リードが複数あるのに対して、引用発明１は、複数ない点。
第６　判断
　上記相違点について検討する。
（１）＜相違点１＞について
　引用文献１の【００３０】−【００３３】及び図１０には、多層リードフレームモジュール作製の工程表が記載されている。３枚のリードフレームを積層（Ｓ８０８）する前に、電子部品をリードフレーム上に搭載（Ｓ８０４）しており、電子部品が搭載されたリードフレームは、積層の前に事前に組み立てられた、すなわちプリアセンブルされたものといえる。
　してみると、引用発明１において、複数の電子部品が実装された、「第２層目のリードフレーム１０２」、「第３層目のリードフレーム１０３」は、積層の前に事前に組み立てられた、プリアセンブルされたものといえるから、相違点１は実質的な相違点とはいえない。
（２）＜相違点２＞について
　引用発明１及び引用文献２に記載された技術事項（上記「第４（２）」を参照）は、共に樹脂封止された半導体装置における多層リードフレームの電気的接続に関する技術である。
　そうすると、引用発明１において、層間接続材１０８を用いることに代えて、引用文献２に記載された技術事項を採用し、第２層目のリードフレーム１０２と第３層目のリードフレーム１０３を接続する際に、引用文献２記載のリードフレームから延びて屈曲した、中継リードによる接続を用い、リードフレーム１０２の曲げられた伸長されたリードのセットが、リードフレーム１０２の平面から離れてリードフレーム１０３の方向に曲げられて、リードフレーム１０３に導電的に接続するように構成して、上記相違点２に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
（３）＜相違点３＞について
　引用発明１は、リードフレームに所望の回路パターンを形成してもよいものである（【００３０】参照）。引用発明１において、第３層目のリードフレーム１０３に形成する回路パターンに、複数のリードを必要とする回路パターンを採用し、リードフレーム１０３がリードのセットを含むように構成して、上記相違点３の構成を導くことは、当業者が容易に想到し得たことである。
　したがって、本願発明（請求項１に係る発明）は、引用発明１、引用文献２に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　そして、本願発明のように構成したことによる効果も引用文献１ないし２の技術事項から当業者が予想できる範囲のものである。
　なお、審判請求人は、審判請求書において、「引用文献１に記載された発明に、中継リード２１、２２により第１リードフレーム３に保持されるパワー素子１と第２リードフレーム５に保持される制御素子４とを接続する引用文献２に記載された技術を適用すると、層間接続材１０８を用いる場合と異なり、中継リード２１、２２の分だけ水平方向の大きさが増大することになり、引用文献１に記載された発明の目的である小型、薄型の多層リードフレーム実装構造と相反する結果を招きますので、半導体装置の当業者であれば、引用文献１に記載された発明に引用文献２に記載された技術を適用することはありません。」との主張をしている。
　しかしながら、引用発明１のリードフレーム上には回路が形成されており、層間接続材１０８を配置するスペース、及び層間接続材１０８との接続に必要となる配線のスペースが水平方向に確保されていることは自明であり、引用発明１に引用文献２に記載された技術事項を適用することに阻害要因はない。そして、これらのスペースを含むことができる大きさのリードフレームに対して、引用文献２に記載された技術事項を適用した際に、水平方向の大きさを増大させることなく、中継リードによる接続の構成を設けることは当業者が適宜設計変更し得る程度のことである。
　なお、リードフレームに所望の回路パターンを形成してよいことは、上記相違点３で検討したとおりである。
　よって、審判請求人の上記主張を採用することはできない。
第７　むずび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり、審決する。