【事件の表示】
　平成　８年特許願第１３９２０６号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１２月１２日出願公開、特開平　９−３２１３１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年５月３１日の出願であって、平成１６年２月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１６年３月２５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月２３日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成１７年４月２２日付けで審尋がなされ、その後同年６月２７日に回答書が提出されたのものである。
　　
２．平成１６年４月２３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１６年４月２３日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
（１）本件補正の内容            
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１ないし６を補正するものであって、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし４（以下、「補正後請求項１」ないし「補正後請求項４」という。）に係る発明は以下のとおりである。
　「【請求項１】　基板上に、多結晶半導体膜を島状化した島状層と、絶縁膜を介して前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域と重畳配置されたゲート電極と、前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域を挟むように位置するソース領域及びドレイン領域を有しており、前記チャンネル領域はチャンネル長よりチャンネル幅が長く、前記多結晶半導体膜は、非晶質半導体膜にレーザービームを照射することにより多結晶化して得られる半導体装置の製造方法であって、前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記チャンネル領域のチャンネル長方向及びチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をなすように照射され、かつ前記レーザービームは、走査方向が前記基板の垂直又は水平方向のいずれかの辺方向と一致することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項２】　基板上に、多結晶半導体膜を島状化した島状層と、絶縁膜を介して前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域と重畳配置されたゲート電極と、前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域を挟むように位置するソース領域及びドレイン領域を有しており、前記チャンネル領域はチャンネル長よりチャンネル幅が長く、前記多結晶半導体膜は、非晶質半導体膜にレーザービームを照射することにより多結晶化して得られる半導体装置の製造方法であって、前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを結ぶキャリア移動経路を分断しない方向になるように照射され、かつ前記レーザービームは、走査方向が前記基板の垂直又は水平方向のいずれかの辺方向と一致することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項３】　基板上に、多結晶半導体膜を島状化した島状層と、絶縁膜を介して前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域と重畳配置されたゲート電極と、前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域を挟むように位置するソース領域及びドレイン領域に各々接続されたソース電極及びドレイン電極を有しており、前記チャンネル領域はチャンネル長よりチャンネル幅が長く、前記多結晶半導体膜は、非晶質半導体膜にレーザービームを照射することにより多結晶化して得られる半導体装置の製造方法であって、前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを結ぶキャリア移動経路を分断しない方向になるように照射され、かつ前記レーザービームは、走査方向が前記基板の垂直又は水平方向のいずれかの辺方向と一致することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項４】　基板上に、多結晶半導体膜を島状化した島状層と、絶縁膜を介して前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域と重畳配置されたゲート電極と、前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域を挟むように位置するソース領域及びドレイン領域に各々接続されたソース電極及びドレイン電極を有しており、前記チャンネル領域はチャンネル長よりチャンネル幅が長く、前記多結晶半導体膜は、非晶質半導体膜にレーザービームを照射することにより多結晶化して得られる半導体装置の製造方法であって、前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記チャンネル領域のチャンネル長方向及びチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をなすように照射され、かつ前記レーザービームは、走査方向が前記基板の垂直又は水平方向のいずれかの辺方向と一致することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　（２）補正内容の整理
　本件補正は、補正前の請求項１ないし４（以下、「補正前請求項１」ないし「補正前請求項４」という。）を補正後請求項１ないし補正後請求項４と補正するものであって、その内容は、以下のとおりである。
　補正事項１
　補正前請求項１の「前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記チャンネル領域のチャンネル長方向及びチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をなすように照射されること」を、補正後請求項１の「前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記チャンネル領域のチャンネル長方向及びチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をなすように照射され、かつ前記レーザービームは、走査方向が前記基板の垂直又は水平方向のいずれかの辺方向と一致すること」と補正する。
　補正事項２
　補正前請求項２の「前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを結ぶキャリア移動経路を分断しない方向になるように照射されること」を、補正後請求項２の「前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを結ぶキャリア移動経路を分断しない方向になるように照射され、かつ前記レーザービームは、走査方向が前記基板の垂直又は水平方向のいずれかの辺方向と一致すること」と補正する。
　補正事項３
　補正前請求項３の「前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを結ぶキャリア移動経路を分断しない方向になるように照射されること」を、補正後請求項３の「前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを結ぶキャリア移動経路を分断しない方向になるように照射され、かつ前記レーザービームは、走査方向が前記基板の垂直又は水平方向のいずれかの辺方向と一致すること」と補正する。
　補正事項４
　補正前請求項４の「前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記チャンネル領域のチャンネル長方向及びチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をなすように照射されること」を、補正後請求項４の「前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記チャンネル領域のチャンネル長方向及びチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をなすように照射され、かつ前記レーザービームは、走査方向が前記基板の垂直又は水平方向のいずれかの辺方向と一致すること」と補正する。
　　
（３）本件補正についての検討
（３−１）新規事項の有無及び補正の目的の適否について
　補正事項１について
　補正事項１は、実質的に、補正前請求項１の「レーザービーム」の走査方向について、「前記レーザービームは、走査方向が前記基板の垂直又は水平方向のいずれかの辺方向と一致すること」と技術的に限定するものであり、「非晶質半導体膜にレーザービームを照射することにより多結晶化」する際の「レーザービーム」の走査に関して、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）には、図１及び図２とともに「この基板（１）に対して、ａ−Ｓｉを多結晶化してｐ−ＳｉとするためにＥＬＡが施される。ＥＬＡは・・・ラインビームの照射及びその走査である。被照射領域はそのエッジラインを破線Ｃ’で示す如く基板の垂直方向（Ｖ）あるいは水平方向（Ｈ）のいずれとも４５°の角度を成す方向（Ｓ１）あるいはこれに直角な（Ｓ２）に延びる帯形のライン状である。このラインビームは各照射パルスを所定量のオーバーラップをもってずらしていくことで矢印で示す方向に走査される。」（００１９段落）、「このようなＴＦＴは、基板（１，５）において、そのチャンネル長（Ｌ）方向あるいはチャンネル幅（Ｗ）方向が垂直方向（Ｖ）あるいは平行方向（Ｈ）になるように形成されている。従って、図１に示す如く、ラインビームの被照射領域のエッジライン（Ｃ’）方向（Ｓ１，Ｓ２）を設定することで、図２において、被照射領域のエッジラインあるいはこれにライン長方向に延びる結晶化不良領域（Ｒ’）は、ＴＦＴのチャンネル長（Ｌ）方向あるいはチャンネル幅（Ｗ）方向に対して、いずれも４５°の角度を成して位置することになる。」（００２２段落）と記載されており、補正事項１についての補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　
　補正事項２について
　補正事項２は、実質的に、補正前請求項２の「レーザービーム」の走査方向について、「前記レーザービームは、走査方向が前記基板の垂直又は水平方向のいずれかの辺方向と一致すること」と技術的に限定するものであって、「非晶質半導体膜にレーザービームを照射することにより多結晶化」する際の「レーザービーム」の走査に関しての当初明細書等での記載事項については、「補正事項１について」において記載したとおりであり、補正事項２についての補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　
　補正事項３について
　補正事項３は、実質的に、補正事項２と同様な補正内容であるから、「補正事項２について」において検討したとおりである。
　
　補正事項４について
  補正事項４は、実質的に、補正事項１と同様な補正内容であるから、「補正事項１について」において検討したとおりである。
　
　よって、補正事項１ないし４についての補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから特許法第１７条の２第４項第２号に該当し、また、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
　（３−２）独立特許要件について
　（３−２−１）刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に頒布された特開平８−８１７９号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１、図２、図３及び図７とともに、以下の事項が記載されている。 
「【請求項１】　絶縁性基板上に形成した多結晶または非晶質の半導体層をエネルギービームの照射によりアニールして、より大粒径の多結晶あるいは単結晶の半導体層を形成する工程と、
該アニール処理を施した半導体層に所望の素子を複数形成する工程とを含み、　
該アニール処理は、長尺のビーム形状を有するエネルギービームを、該半導体層に形成される素子の配列方向に対して平行な方向及び垂直な方向以外の方向に走査して行う半導体素子の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）　
「【０００２】
【従来の技術】近年、大型で高解像度の液晶パネルや、高速で高解像度の密着型イメージセンサへの要求が高まるにつれ、大面積の絶縁性基板上に高性能な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を均一に作製することが望まれている。」（０００２段落）
「【０００７】・・・図７に示すように、ガラス基板１上でエキシマレーザの長尺ビームを所定の方向，例えば該長尺方向と直角方向に相対的に移動させつつ、パルス的なレーザ照射を連続して行って、ガラス基板上に堆積された大面積の多結晶または非晶質半導体層２をアニールすることが行われていた・・・。なお図７中、１８ａはゲートバス配線を配置すべき領域、１８ｂは該ゲートバス配線と直交するソースバス配線を配置すべき領域である。１９ａ，１９ｂは各バス配線の配置領域１８ａ，１８ｂの一端側の、各バス配線のドライバーを配置すべき領域である。・・・
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ビームスポットによる照射方法では、該ビームスポットの重なり部分において照射される総エネルギー量を、該重なり部分以外の他の部分と同じにして、ビームの照射領域全体で照射エネルギーを均一なものにするのが困難である。その結果、その重なり部分で膜ストレスが増加したり表面平坦性が劣化したりして、高品質な多結晶半導体層を得ることができないという問題点があった。」（０００７段落及び０００８段落）
「【００１０】また、図７に示すように、長尺ビームを用いることにより、長尺方向の照射エネルギーの均一性は改善されるが、走査方向については照射エネルギーの均一性は改善されない。これは、長尺ビームの場合も・・・ビームの照射ショット間でのエネルギーのバラツキがあるからである。従って、長尺ビームの長手方向と直角方向（走査方向）にＴＦＴ特性のバラツキが発生してしまう。例えば、図７に示す長尺ビームの照射処理では、上記長尺ビームの走査方向は、ソースバス配線の延びる方向と一致しているので、該ソースバス配線と直交するゲートバス配線に沿った不良の発生を招くことになる。」（００１０段落）
「【００１２】この発明は・・・アニール処理を施した半導体層において、長尺ビームの走査方向に照射エネルギーのバラツキが生じても、該半導体層に形成されるＴＦＴの特性のバラツキがゲートバス配線やソースバス配線に沿ったものとなるのを回避することができ、これにより高解像度の液晶パネルやイメージセンサなどにおけるＴＦＴ特性のバラツキの影響を低減することができる半導体素子の製造方法を得ることが本発明の目的である。」（００１２段落）
「【００１５】
【作用】この発明においては、基板上の半導体層を長尺ビームの照射によりアニールする際、該半導体層に形成される素子の配列方向に対して平行な方向及び垂直な方向以外の方向に上記長尺ビームを走査するようにしたから、該長尺ビームの走査方向に照射エネルギーのバラツキが生じても、該半導体層に形成されるＴＦＴなどの素子の特性のバラツキが素子の配列方向において生ずるのを回避することができる。」（００１５段落）
「【００１８】（実施例１）図１は本発明の一実施例による半導体素子の製造方法におけるアニール処理を説明するための図、図２は該半導体素子の製造方法を工程順に説明するための図である。図において、２はガラス基板１上に形成されたアモルファスシリコン層で、該アモルファスシリコン層２上には、ゲートバス配線８ａを配置すべき領域１８ａ、及び該ゲートバス配線８ａと直交するソースバス配線８ｂを配置すべき領域１８ｂが設定されている。上記各バス配線の配置領域１８ａ，１８ｂの一端側には、それぞれ該各バス配線のドライバーを配置すべき領域１９ａ，１９ｂが設定されている。ここで、長尺ビームの照射領域Ａは、その長手方向が上記各配線の延びる方向と平行にあるいは直角にならないよう設定されている。この照射領域Ａの、上記ガラス基板１上での走査方向は、その長手方向と直角方向である。
【００１９】次に製造方法について説明する。
【００２０】大面積の液晶パネルや密着型イメージセンサーでは、能動素子として複数の薄膜トランジスタが絶縁性基板上に形成される。該絶縁性基板としてガラス基板１を使用し、ガラス基板１の表面にＬＰ（液相）ＣＶＤ法により５５０℃の着膜温度で５０ｎｍの厚膜にアモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ膜）２を堆積する（図２（ａ））。
【００２１】次に、エキシマレーザ（ＸｅＣｌ　３０８ｎｍ）からの紫外線の照射により、上記ａ−Ｓｉ層２のアニールを行って多結晶シリコン層（ｐｏｌｙ−Ｓｉ層）２ａを形成する（図２（ｂ））。
【００２２】上記ａ−Ｓｉ膜２の堆積は・・・ＰＥ（プラズマ）ＣＶＤ法等で行っても良・・・い。
【００２３】エキシマレーザの長尺ビームは、・・・得ることができる。・・・基板に対しては、長尺ビームの照射領域Ａは、約２００ｍｍ×０．５ｍｍ角の大きさとする。・・・
【００２４】上記結晶化アニールは、エキシマレーザと基板のステージとを、長尺ビームの走査方向と基板完成時のマトリクス配線，つまりゲートバス配線またはソースバス配線とのなす角度θが０゜及び９０゜以外の角度、好ましくは３０゜〜６０゜又は１２０゜〜１５０゜の範囲内の角度となるよう相対的に移動させることにより行う。
【００２５】図１は、ガラス基板１上に堆積されたアモルファスシリコン膜２上を長尺ビームが０．５ｍｍ以下、例えば０．１ｍｍずつ移動して、アモルファスシリコン膜２の表面全体を走査する様子を示している。
【００２６】まず初めに、基板をステージ上に、長尺ビームの走査方向と、基板上に配置されるべきマトリクス配線とのなす角度θが０度及び９０度以外の所定の角度となるよう載置する。ガラス基板１の紙面右側の角に長尺ビームの照射領域Ａを位置させ、この照射領域Ａを紙面左側方向（Ｘ方向）へ０．１ｍｍのピッチで移動させ、１ピッチ移動させる度にレーザのパルス照射をワンショット行う。
【００２７】これにより、ガラス基板１上に堆積されたアモルファスシリコン膜２の全面に渡って長尺ビームの照射領域Ａによる走査が行われる。・・・」（００１８段落〜００２７段落）
「【００２９】次に、多結晶シリコン層２ａを島状にパターニングして各薄膜トランジスタについて島状部３をそれぞれ形成する。次いで、ＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシラン）ＣＶＤ法により１００ｎｍの厚膜で酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜を堆積してゲート絶縁膜４を形成する。その上にスパッタ法によりアルミニウム（Ａｌ）膜を堆積し、このアルミニウム膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、ゲート電極５を含むゲートバス配線８ａを形成する（図２（ｃ））。
【００３０】次に、イオン注入法により島状部３に所定のイオン、例えばｎ−ｃｈＴＦＴについてはリンを、ｐ−ｃｈＴＦＴについてはボロンを注入する。そしてエキシマレーザの照射により活性化アニールを行って不純物を活性化し、島状部３にソース領域３ａ及びドレイン領域３ｂを形成する。」（００２９段落及び００３０段落）
「【００３２】次いで、ＰＥ（プラズマ）ＣＶＤ法により４００ｎｍの厚膜で窒化シリコン（ＳｉＮx）を堆積して層間絶縁膜６を形成する。前記層間絶縁膜６はＴＥＯＳＣＶＤ法による酸化シリコン（ＳｉＯ2）でも良い。」（００３２段落）
「【００３９】これに対し、本実施例のように、エネルギービームの走査方向を基板のマトリクス配線に対して斜めにすることにより、ＴＥＴ特性の微妙なバラツキがゲートバス配線８ａやソースバス配線８ｂに沿って発生するのを回避できる。これにより高解像度の液晶パネルやイメージセンサなどにおいてＴＦＴ特性のバラツキに起因して生ずる、画面表示や読み取りを行う上での悪影響を、人の目に感じにくいものとできる（図３（ａ））。」（００３９段落）
　
　(a) 図２及び００２９段落，００３０段落の記載より、島状部３のソース領域３ａとドレイン領域３ｂの間の領域がチャンネル領域となることは明らかであるから、ガラス基板１上に形成された多結晶シリコン層２ａをパターニングして形成された島状部３に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、島状部３上にゲート絶縁膜４を介して形成されたゲート電極５、ソース領域３ａ、ドレイン領域３ｂ及びソース領域３ａとドレイン領域３ｂの間に形成されたチャンネル領域とを備えている。
　(b)図１及び００１８段落の記載より、長尺ビームの照射領域Ａは、その長手方向がソースバス配線及びゲートバス配線の延びる方向と平行あるいは直角にならないように設定されている。
　(c)図１、図３、００１８段落、００２０段落及び００３９段落の記載より、液晶パネルや密着型イメージセンサが薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなる能動素子（半導体素子）がガラス基板上にマトリクス状に配置された装置であることは明らかである。
　
　よって、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。  　
　「絶縁性基板上に形成された多結晶の半導体層をパターニングして形成した島状部と、前記多結晶の半導体層からなる前記島状部上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されたチャンネル領域とで構成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなる半導体素子を複数配置した装置の製造方法において、
　前記絶縁性基板上に形成した非晶質の半導体層をレーザビームの照射によりアニール処理して、前記多結晶の半導体層を形成する工程を備え、
　前記アニール処理は、長尺のビーム形状を有するレーザビームを、前記多結晶の半導体層に形成される前記薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の配列方向に対して平行な方向及び垂直な方向以外の方向に走査して行い、
　前記長尺ビームの照射領域は、その長手方向がソースバス配線及びゲートバス配線の延びる方向と平行あるいは直角にならないように設定されていることを特徴とする
　半導体素子を複数配置した装置の製造方法。」
　
（３−２−２）対比・判断
　補正後請求項１に係る発明（以下、「補正後発明１」という。）は、「２．（１）本件補正の内容」の「請求項１」のとおりであって、その「半導体装置」が薄膜トランジスタを複数配置したものであることは明らかであるから、刊行物１発明の「半導体素子を複数配置した装置」は、補正後発明１の「半導体装置」に相当する。
　刊行物１発明の「非晶質の半導体層をレーザビームの照射によりアニール処理して、前記多結晶の半導体層を形成する工程」は、補正後発明１の「非晶質半導体膜にレーザービームを照射することにより多結晶化して得られる」多結晶半導体膜を形成することに相当する。
　刊行物１発明の「絶縁性基板」、「多結晶の半導体層」、「パターニングして形成した島状部」及び「非晶質の半導体層」は、それぞれ、補正後発明１の「基板」、「多結晶半導体膜」、「島状化した島状層」及び「非晶質半導体膜」に相当する。
　刊行物１発明において、「前記多結晶の半導体層からなる前記島状部上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極」は、「前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されたチャンネル領域」の直上にあることは明らかであるから、刊行物１発明の「前記多結晶の半導体層からなる前記島状部上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極」は、補正後発明１の「絶縁膜を介して前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域と重畳配置されたゲート電極」に相当する。
　
　よって、刊行物１発明と補正後発明１とは、
　「基板上に、多結晶半導体膜を島状化した島状層と、絶縁膜を介して前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域と重畳配置されたゲート電極と、前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域を挟むように位置するソース領域及びドレイン領域を有しており、前記多結晶半導体膜は、非晶質半導体膜にレーザービームを照射することにより多結晶化して得られる半導体装置の製造方法であって、
　前記レーザービームが照射されることを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で一致し、以下の各点で相違する。
　
　相違点１
　補正後発明１が、「前記チャンネル領域はチャンネル長よりチャンネル幅が長」いのに対して、刊行物１発明は、上記構成を備えるか否か明らかでない点。
　相違点２
　補正後発明１が、「前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記チャンネル領域のチャンネル長方向及びチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をなすように照射され」るの対して、
　刊行物１発明は、「前記長尺ビームの照射領域は、その長手方向がソースバス配線及びゲートバス配線の延びる方向と平行あるいは直角にならないように設定されている」点。
　相違点３
　補正後発明１が、「前記レーザービームは、走査方向が前記基板の垂直又は水平方向のいずれかの辺方向と一致する」のに対して、
　刊行物１発明は、「前記アニール処理は、長尺のビーム形状を有するレーザビームを、前記多結晶の半導体層に形成される前記薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の配列方向に対して平行な方向及び垂直な方向以外の方向に走査して行」う点。
　
　以下において、各相違点について検討する。
　相違点１について
　薄膜トランジスタにおいて、チャンネル長よりチャンネル幅を長くすることは、例えば、特開平２−１７６７２６号公報（特に、第１頁右下欄第４行〜第２頁左上欄第１４行参照）及び特開平６−３７３１６号公報（特に、図２及び図４参照）に記載されるように従来周知であるから、刊行物１発明の薄膜トランジスタにおいて、チャンネル長よりチャンネル幅を長くすることは当業者が適宜なし得たものである。
　
　相違点２について
　補正後発明１の「レーザービーム」の形状は明確でないから、「被照射領域の前記レーザービームのエッジライン」は、その形状が明確でないものの、少なくとも「辺」を備えるとし、その「辺」が、「前記チャンネル領域のチャンネル長方向及びチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をな」していると解釈する。
　ここで、刊行物１の図１、００１８段落の記載より、刊行物１発明の「ソースバス配線」及び「ゲートバス配線」が、絶縁性基板上に複数形成され配置された薄膜トランジスタを相互に接続するために、基板の各辺にそれぞれ平行に配置された「配線」であることは明らかであり、また、基板上に薄膜トランジスタをマトリクス状に配置した装置において、薄膜トランジスタのゲート長方向又はゲート幅方向がマトリクスを構成する水平線又は垂直線に平行となるようにすることは、例えば、特開平３−３３７２４号公報（特に、図１及び第３頁左下欄第２行〜第４頁右下欄第７行参照）及び特開平５−３２６９５３号公報（特に、図２、図３及び００２２段落参照）に記載されるように慣用手段であるから、刊行物１発明において、「前記長尺ビームの照射領域は、その長手方向がソースバス配線及びゲートバス配線の延びる方向と平行あるいは直角にならないように設定されている」ことが、「前記長尺ビームの照射領域は、その長手方向が」薄膜トランジスタのゲート長方向及びゲート幅方向と「平行あるいは直角にならないように設定されている」ことに相当することは当業者に明らかである。仮に、明らかでないとしても、刊行物１発明において、「前記長尺ビームの照射領域は、その長手方向が」薄膜トランジスタのゲート長方向及びゲート幅方向と「平行あるいは直角にならないように設定され」るようにすることは、当業者が容易になし得たものである。
　さらに、補正後発明１の「前記チャンネル領域のチャンネル長方向及びチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をな」していることと、刊行物１発明の薄膜トランジスタのゲート長方向及びゲート幅方向と「平行あるいは直角にならないように設定され」ることがレーザービームの照射方向として同等であることは、当業者にとって自明である。
　
　相違点３について
　刊行物１の「レーザビーム」は基板の対角線方向の全長に渡る長尺状のビームであり、基板全体を基板の辺に対して斜め方向に１回の走査で照射・アニールすることを前提としているが、アニールのための長尺状のレーザビームの照射を、マトリクスが形成された基板のいずれかの辺と平行に走査することは、例えば、特開平７−１６９９７１号公報（特に、図１、０００５段落、０００８段落〜００１１段落参照）、特開平７−２４９５９２号公報（特に、図１、０００８段落〜００１２段落参照）、特開平７−１０６５９９号公報（特に、図１、図４、００２４段落〜００３１段落参照）及び特開平８−６４８３２号公報（特に、図３及び００２３段落参照）に記載されるように従来周知であるから、刊行物１発明の長尺のビーム形状を有するレーザビームを基板のいずれかの辺と平行に走査することは、当業者が必要に応じて適宜なし得たものである。
　また、刊行物１では、基板全体をレーザビームの１回の走査によりアニールしているが、基板全体をレーザビームを複数回の走査によりアニールすることも従来周知の技術手段であるから、仮に長尺状のレーザビームの長辺が基板のいずれの辺の長さと比較しても短いとしても、基板全体をレーザビームを複数回走査してアニールする際に、長尺状レーザビームの走査方向を基板の垂直又は水平方向のいずれかの辺方向と一致するようにすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得たものである。　
　
　さらに、補正後発明１は、「前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記チャンネル領域のチャンネル長方向及びチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をなすように照射され、かつ前記レーザービームは、走査方向が前記基板の垂直又は水平方向のいずれかの辺方向と一致すること」なる構成、即ち、「前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記チャンネル領域のチャンネル長方向及びチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をなすように照射され」る点（相違点２における補正後発明１の構成）及び「前記レーザービームは、走査方向が前記基板の垂直又は水平方向のいずれかの辺方向と一致する」こと（相違点３における補正後発明１の構成）が「かつ」で結ばれた構成を備えているものの、
　（ａ）「相違点２について」において検討したとおり、補正後発明１の「前記チャンネル領域のチャンネル長方向及びチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をな」していることと、刊行物１発明の薄膜トランジスタの配列方向、即ちゲート長方向及びゲート幅方向と「平行あるいは直角にならないように設定され」ることがレーザービームの照射方向として同等であることが、当業者にとって自明であること、及び、
　（ｂ）「相違点３について」において検討したとおり、刊行物１発明において、刊行物１発明の長尺のビーム形状を有するレーザビームを基板のいずれかの辺と平行に走査することは、当業者が必要に応じて適宜なし得たものであることを考慮すると、
　補正後発明１の上記構成は、刊行物１発明において、刊行物１発明の薄膜トランジスタのゲート長方向及びゲート幅方向と「平行あるいは直角にならないように設定され」た長尺のビーム形状を有するレーザビームを、従来周知の如く、基板のいずれかの辺と平行に走査したに過ぎず、当業者が必要に応じて適宜なし得たものである。
　
　したがって、補正後発明１は、刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際に独立して特許を受けることができない。
　
（３−３）むすび
　以上のとおりであるから、補正後発明２ないし６に係る発明については検討するまでもなく、適法でない補正を含む本件補正は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであり、本件補正は、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１６年４月２３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本件の請求項１ないし６に係る発明は、平成１５年１２月２５日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明は、以下のとおりである。
　
　「【請求項１】　基板上に、多結晶半導体膜を島状化した島状層と、絶縁膜を介して前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域と重畳配置されたゲート電極と、前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域を挟むように位置するソース領域及びドレイン領域を有しており、前記チャンネル領域はチャンネル長よりチャンネル幅が長く、前記多結晶半導体膜は、非晶質半導体膜にレーザービームを照射することにより多結晶化して得られる半導体装置の製造方法であって、前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記チャンネル領域のチャンネル長方向及びチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をなすように照射されることを特徴とする半導体装置の製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
４．刊行物記載の発明
　刊行物１に記載された事項は、「２．（３−２−１）刊行物」に記載したとおりであって、刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）は、以下のとおりである。
　「絶縁性基板上に形成された多結晶の半導体層をパターニングして形成した島状部と、前記多結晶の半導体層からなる前記島状部上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されたチャンネル領域とで構成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなる半導体素子を複数配置した装置の製造方法において、
　前記絶縁性基板上に形成した非晶質の半導体層をレーザビームの照射によりアニール処理して、前記多結晶の半導体層を形成する工程を備え、
　前記アニール処理において、長尺のビーム形状を有するレーザビームの照射領域は、その長手方向がソースバス配線及びゲートバス配線の延びる方向と平行あるいは直角にならないように設定されていることを特徴とする
　半導体素子を複数配置した装置の製造方法。」
　
５．対比・判断
　本願発明の「半導体装置」が薄膜トランジスタを複数配置したものであることは明らかであるから、刊行物発明の「半導体素子を複数配置した装置」は、本願発明の「半導体装置」に相当する。
　刊行物発明の「非晶質の半導体層をレーザビームの照射によりアニール処理して、前記多結晶の半導体層を形成する工程」は、本願発明の「非晶質半導体膜にレーザービームを照射することにより多結晶化して得られる」多結晶半導体膜を形成することに相当する。
　刊行物発明の「絶縁性基板」、「多結晶の半導体層」、「パターニングして形成した島状部」及び「非晶質の半導体層」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「多結晶半導体膜」、「島状化した島状層」及び「非晶質半導体膜」に相当する。
　刊行物発明において、「前記多結晶の半導体層からなる前記島状部上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極」は、「前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されたチャンネル領域」の直上にあることは明らかであるから、刊行物発明の「前記多結晶の半導体層からなる前記島状部上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極」は、本願発明の「絶縁膜を介して前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域と重畳配置されたゲート電極」に相当する。
　
　よって、刊行物発明と本願発明とは、
　「基板上に、多結晶半導体膜を島状化した島状層と、絶縁膜を介して前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域と重畳配置されたゲート電極と、前記多結晶半導体膜の島状層中のチャンネル領域を挟むように位置するソース領域及びドレイン領域を有しており、前記多結晶半導体膜は、非晶質半導体膜にレーザービームを照射することにより多結晶化して得られる半導体装置の製造方法であって、
　前記レーザービームが照射されることを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で一致し、以下の各点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明が「前記チャンネル領域はチャンネル長よりチャンネル幅が長」いのに対して、刊行物発明は、上記構成を備えるか否か明らかでない点。
　相違点２
　本願発明が、「前記レーザービームは、被照射領域の前記レーザービームのエッジラインが、前記チャンネル領域のチャンネル長方向及びチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をなすように照射され」るの対して、
　刊行物発明は、「前記アニール処理において、長尺のビーム形状を有するレーザビームの照射領域は、その長手方向がソースバス配線及びゲートバス配線の延びる方向と平行あるいは直角にならないように設定されている」点。
　　
　以下において、各相違点について検討する。
　相違点１について
　薄膜トランジスタにおいて、チャンネル長よりチャンネル幅を長くすることは、例えば、特開平２−１７６７２６号公報（特に、第１頁右下欄第４行〜第２頁左上欄第１４行参照）及び特開平６−３７３１６号公報（特に、図２及び図４参照）に記載されるように従来周知であるから、刊行物発明の薄膜トランジスタにおいて、チャンネル長よりチャンネル幅を長くすることは当業者が適宜なし得たものである。
　
　相違点２について
　本願発明の「レーザービーム」の形状は明確でないから、「被照射領域の前記レーザービームのエッジライン」は、その形状が明確でないものの、少なくとも「辺」を備えるとし、その「辺」が、「前記チャンネル領域のチャンネル長方向及びチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をな」していると解釈する。
　ここで、刊行物１の図１、００１８段落の記載より、刊行物発明の「ソースバス配線」及び「ゲートバス配線」が、絶縁性基板上に複数形成され配置された薄膜トランジスタを相互に接続するために、基板の各辺にそれぞれ平行に配置された「配線」であることは明らかであり、また、基板上に薄膜トランジスタをマトリクス状に配置した装置において、薄膜トランジスタのゲート長方向又はゲート幅方向がマトリクスを構成する水平線又は垂直線に平行となるようにすることは、例えば、特開平３−３３７２４号公報（特に、図１及び第３頁左下欄第２行〜第４頁右下欄第７行参照）及び特開平５−３２６９５３号公報（特に、図２、図３及び００２２段落参照）に記載されるように慣用手段であるから、刊行物発明において、「長尺のビーム形状を有するレーザビームの照射領域は、その長手方向がソースバス配線及びゲートバス配線の延びる方向と平行あるいは直角にならないように設定されている」ことが、「長尺のビーム形状を有するレーザビームの照射領域は、その長手方向が」薄膜トランジスタのゲート長方向及びゲート幅方向と「平行あるいは直角にならないように設定されている」ことに相当することは当業者に明らかである。仮に、明らかでないとしても、刊行物発明において、「前記長尺ビームの照射領域は、その長手方向が」薄膜トランジスタのゲート長方向及びゲート幅方向と「平行あるいは直角にならないように設定され」るようにすることは、当業者が容易になし得たものである。
　さらに、本願発明の「前記チャンネル領域のチャンネル長方向及びチャンネル幅方向のいずれとも、非直角をな」していることと、刊行物発明の薄膜トランジスタのゲート長方向及びゲート幅方向と「平行あるいは直角にならないように設定され」ることがレーザービームの照射方向として同等であることは、当業者にとって自明である。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることがでない。 　　
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし６に係る発明について判断するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。