【事件の表示】
　特願２０００−３７７４６９「電子部品の端子」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年６月２６日出願公開、特開２００２−１８０２８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯の概要、及び本願発明
　本願は平成１２年１２月１２日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１６年４月２１日受付の手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの、次のものである。
「【請求項１】端子用の金属基材と、金属基材の表面に直接形成されためっき層とからなり、めっき層がＳｎとＣｕとを含有し、めっき層のＳｎ−Ｃｕ結晶の粒径が１．０μｍ以下となるようにＣｕ含有比率が設定され、Ｃｕの含有比率が１．０〜６．０％であり、金属基材がＣｕ合金とＦｅ合金の一方の合金である電子部品の端子。」
　　
II．引用例の記載事実
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１には、以下の記載がある。
（１）引用例１（特開２０００−２６９９４号公報）
(1-1)「【請求項１】鉛を含まない錫合金のはんだではんだ接合することを目的として、非シアン系の錫−銅合金めっき浴から得られる光沢又は半光沢を有する錫−銅合金めっき皮膜をあらかじめ被覆したことを特徴とする電気・電子回路部品。」（請求項１）
（1-2)「錫−銅合金めっきを用いるという考えもあるが、錫−銅の二元合金系の共晶点は銅の含有率がおよそ１ｗｔ％付近の組成であり、事実上、銅の添加とともに融点が増大し、錫よりも融点の低い皮膜が得られない」（段落【0009】）
(1-3)「同一組成のめっき皮膜であっても、外観的に光沢または半光沢状態までその結晶を微細化させることによって、はんだ付け性が著しく向上することを見い出し、このようなめっき皮膜を施した表面においては、鉛を含まないはんだであっても、迅速かつ確実なはんだ接合が可能であるであるという研究成果を得て、はんだ接合工程ならびに電気・電子製品における鉛規制問題を解決するに至った。」（段落【0010】）
(1-4)「錫−銅の二元合金系は、既述のように、およそ１ｗｔ％−Ｃｕの付近に共晶点があるが、電気めっき法においては、０．１％の精度で合金めっきの組成を制御することは困難であり、また、ウィスカーの発生を防止するという観点から最低１％の銅を含有させることが必要である」（段落【0012】）
(1-5)「めっき皮膜の結晶粒子を外観的に光沢または半光沢状態まで微細化させた場合に、その濡れ性が大きく改善されることを見い出し、はんだ付け性の良好な電気・電子部品を得ることに成功した。」（段落【0014】）
(1-6)「半光沢ないしは光沢のめっき皮膜を得るために、析出物の結晶を微細化するために、結晶微細化剤を使用することができる。結晶微細化剤は一般に平滑化剤或いは光沢剤としてめっき浴に添加されている公知の物質が利用できる」（段落【0026】）
(1-7)「めっき皮膜中の銅含有率については、特に明瞭な上下限はないが、ウィスカー防止という観点から下限は概ね１ｗｔ％以上の銅を含有することが望ましい。銅含有率が９０％以上になっても光沢皮膜では銅素地よりも良好なはんだ付け性を示すが、銅のそれに近づいてくるので、概略９０ｗｔ％以下で用いるのが望ましい。」（段落【0064】）
(1-8)「めっき厚さについては明瞭な限界点はないが・・・本発明の目的から最良の皮膜とするために、一層好適には０．５〜２０μｍの厚さが用いられる。」（段落【0065】）
(1-9)「めっき皮膜中の錫や銅と素材を構成する金属との拡散によるめっきの皮膜組成、皮膜構造の変化あるいは欠陥の発生を防止し、あるいはめっき皮膜が比較的薄い場合にめっき皮膜の欠陥を通しての素地の腐食を防止することによってはんだ付け性の経時劣化を抑制するという観点から、錫−鉛合金系めっき皮膜において採用されていたようにニッケル又はニッケル合金めっきを下地めっきとして施しておくという方法を採用する事もできる。」（段落【0066】）
(1-10)「電気・電子回路部品には、例えば、ＩＣ半導体等の電子デバイス等、抵抗器、コンデンサ等の受動部品等、コネクタ、スイッチ、プリント配線板等の接続部品等、などが挙げられる。」（段落【0071】）
(1-11)「実施例１
　下記の浴Ｂから厚さ約５μｍで銅含有率が約２％の光沢錫−銅合金めっき皮膜を施した。下地として通常のワット浴から約５μのニッケルめっきを施した。
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　錫−銀（３．５％）の合金をはんだ浴として用い、浴温２７０℃、浸漬時間５秒で測定した。比較として同じ条件で測定した銅板試料のゼロクロスタイムは５秒以上であったのに対して、該錫−銅合金めっき試料のゼロクロスタイムは２．１秒と良好であり、はんだ付け後の外観も満足すべきものであった。」（段落【0079】）
(1-12)「実施例４
　下記の浴Ｅから厚さ約１μｍで銅含有率が約５％の半光沢の錫−銅合金めっき皮膜を施した。下地として通常のワット浴から約５μのニッケルめっきを施した。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
　錫−銀（０．２％）−銅（５％）−アンチモン（０．８％）の合金をはんだ浴として用い、浴温２７０℃、浸漬時間５秒で測定した。比較として同じ条件で測定した銅板試料のゼロクロスタイムは４．９秒であったのに対して、該錫−銅合金めっき試料のゼロクロスタイムは２．１秒と良好であり、はんだ付け後の外観も満足すべきものであった。」（段落【0082】）
　　
III．対比・判断
　引用例１には、錫−銅合金めっき浴から得られる光沢又は半光沢を有する錫−銅合金めっき皮膜をあらかじめ被覆した電気・電子回路部品に係る発明が記載され（摘記1-1）、この錫−銅合金めっき皮膜は、本願発明１でいう「めっき層がＳｎとＣｕとを含有」する場合に相当する。
　また、引用例１には、上記の電気・電子回路部品としては、例えば、ＩＣ半導体等の電子デバイス等、抵抗器、コンデンサ等の受動部品等、コネクタ、スイッチ、プリント配線板等の接続部品等、などが挙げられること（摘記1-10）が記載されており、そして、上記接続部品は本願発明１でいう電子部品の端子を含むものといえ、また、そのような端子を金属基材で構成することは本願出願時周知である。
　また、引用例１には、錫−銅合金めっき皮膜を部品上に被覆することが記載されており（摘記1-1）、そして、下層めっきが必須であることされていないことからみて、これは、下層めっきなしに、直接、錫−銅合金めっきをする場合を含むといえる。
　また、引用例１には、めっき皮膜中の銅含有率について、概ね１ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下で用いるのが望ましいこと（摘記1-7）が記載され、そして、より具体的には、銅含有率が約２％の場合（摘記1-11）、及び約５％の場合（摘記1-12）が実施例として挙げられ、これは、本願発明１で特定するめっき層のＣｕ含有比率（１．０〜６．０％）に包含されている。
　してみれば、本願発明１は、引用例１に記載された発明と、
　端子用の金属基材と、金属基材の表面に直接形成されためっき層とからなり、めっき層がＳｎとＣｕとを含有し、Ｃｕの含有比率が１．０〜６．０％であり、金属基材がＣｕ合金とＦｅ合金の一方の合金である電子部品の端子、
の点で一致し、そして、
（イ）本願発明１では、「めっき層のＳｎ−Ｃｕ結晶の粒径が１．０μｍ以下となるようにＣｕ含有比率が設定され」、と特定されているのに対して、引用例１にはそのような結晶粒径に係る記載が見当たらない点、
で相違している。
　　
　そこで、この相違点について、以下、検討する。
相違点（イ）について
　引用例１には、同一組成のめっき皮膜であっても、外観的に光沢または半光沢状態までその結晶を微細化させることによって、はんだ付け性が著しく向上することを見い出し、このようなめっき皮膜を施した表面においては、鉛を含まないはんだであっても、迅速かつ確実なはんだ接合が可能であること（摘記1-3）、及び、半光沢ないしは光沢のめっき皮膜を得るために、析出物の結晶を微細化するために、結晶微細化剤を使用することができ、結晶微細化剤は一般に平滑化剤或いは光沢剤としてめっき浴に添加されている公知の物質が利用できること（摘記1-6）が記載されて、めっき皮膜の結晶を微細化することにより、はんだ付け性が向上することが説明されている。
　そして、この場合に、微細化された結晶の粒径を計測して、「１．０μｍ以下」と数値化して特定することに、格別の困難性があるということはできない。
　なおかつ、引用例１には、錫−銅合金めっき皮膜の好適なめっき厚さについて、好適には０．５〜２０μｍであることが記載され（摘記1-8）、そして、実施例においては、めっき厚が「約５μｍ」の場合（摘記1-12）、及び、「約１μｍ」の場合（摘記1-12）が示されていることからすると、本願発明１で特定された「１．０μｍ以下」という粒径は、当業者が予想し得ない値であるともいえない。
　そして、上記したとおり、本願発明１で特定するめっき層のＣｕ含有比率（１．０〜６．０％）は、引用例１に記載されたものと重複し、一致している。
　なおかつ、本願明細書及び図面の記載を見ても、相違点（イ）のとおり特定したことによる効果は、当業者が予期し得なかったほど顕著であると認めることはできない。
　以上のとおりであるから、相違点（イ）に係る特定事項は、当業者が容易になし得たことである。
　　
　なお、請求人は、審判請求書において、引用例１の各実施例の結果を表化して、下地めっき層の有無について説明している。しかし、その表においては、例えば、実施例１中の下地めっきが「無し」とされている場合は、錫−銅合金めっきがなされているように表記されているが、引用例１の記載に正確に基づくと、錫−銅合金めっきはなされておらず、銅板試料のゼロクロスタイムを計測したものであり、また、実施例５の「Ａｕ」及び実施例６の「Ｐｄ」は表どおりの下地めっきではなく上層めっきである、等、当該表は、引用例１の記載に正確に基いて作成されたものとはいえない。したがって、この表に基く請求人の主張は採用できない。
　　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であり、したがって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。