【事件の表示】
　平成１１年特許願第　　５１８９号「電気的書換可能な不揮発性メモリのテスト方法および電気的書換可能な不揮発性メモリのテストプログラムを記録した情報記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　７月２８日出願公開、特開２０００−２０７８９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１１年１月１２日の出願であって、平成１５年１０月８日付で拒絶査定がされ、これに対し、同年１１月１０日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに、同年１２月１０日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年１２月１０日付の手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１５年１２月１０日付の手続補正を却下する。
　
  [理由]
　（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
　
「【請求項１】　ＥＥＰＲＯＭに対し書き込みまたは消去のためのパルスを供給してデータの書き込みまたは消去を行い結果を前記ＥＥＰＲＯＭから読み出してデータの書き込みまたは消去が正しく行われたか否かを判定するメモリテストを実行し、前記メモリテストの結果にもとづいて書き込みまたは消去を適切に行う条件を特定する電気的書換可能な不揮発性メモリのテスト方法であって、
　書き込みパルスまたは消去パルスの特性を第１の特性に設定して前記ＥＥＰＲＯＭの一部の記憶領域で前記メモリテストを行い、前記メモリテストの結果が異常の場合には、テスト結果が正常となるまで前記メモリテストを繰り返し、
　前記メモリテストを繰り返した回数にもとづき前記書き込みパルスまたは前記消去パルスの前記特性を初期特定として第２の特性に設定して、前記ＥＥＰＲＯＭの残りの記憶領域の全アドレスに対して前記メモリテストを行い、前記メモリテストの結果が異常の場合には、前記メモリテストの結果が正常となるまで当該異常となったアドレスに対して前記メモリテストを繰り返し、
　前記ＥＥＰＲＯＭの前記一部の記憶領域において結果が正常となるまで繰り返した前記メモリテストの回数に、前記残りの記憶領域の前記アドレスにおいて結果が正常となるまで繰り返した前記メモリテストの回数を加算した値を、書き込みまたは消去を適切に行う前記条件として記録することを特徴とする電気的書換可能な不揮発性メモリのテスト方法。」
　
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「前記メモリテストの結果が正常となるまで当該アドレスの前記メモリテストを繰り返し」のうち、「当該アドレス」について、「当該異常となったアドレスに対して」との限定を付加するものであって、特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　（２）引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された特開平５−８１８８０号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
　
（１）「【００１５】図１は、本発明の一実施例のＮＡＮＤセル型ＥＥＰＲＯＭシステム構成を示す。１がＥＥＰＲＯＭチップであり、２はこれらのＥＥＰＲＯＭチップ１のデータ書き替えを、後に詳述するアルゴリズムに従って制御するための制御回路ＬＳＩチップである。」（３頁右欄１５行〜１９行）
　
（２）「【００３４】以上のような構成と基本動作モードを持つＮＡＮＤセル型ＥＥＰＲＯＭを持つ図１のシステムにおいては、基本的に図１０に示すアルゴリズムによってデータ書込みと書込み状態の確認（ベリファイ）動作が行われる。ここでは、一本の制御ゲート線に沿う５１２個のメモリセル（すなわちカラムアドレス０〜５１１）を１ページとして、単位書込み時間を４０μｓｅｃに設定して、ページモードでデータ書込みとベリファイ動作を繰り返す場合の１ページ分のデータ書込み基本アルゴリズムを示している。
【００３５】まず、データ書込み回数を示すＮがＮ＝１に設定され、ページ内の読出しアドレスが０に設定され（Ｓ１）、書込みモード設定（Ｓ２）、１ページ分のデータ設定（Ｓ３）を経て、４０μｓｅｃの書込みパルスで１ページ分のデータ書込みが行われる（Ｓ４）。
【００３６】書込みが終了すると、書込みベリファイモードに設定され（Ｓ５）、１ページ内のデータが順次読出されて書込み状態が十分であるか否かが確認される（Ｓ７）。書込みが不十分であれば、Ｎ＞１００であるか否かが判定され（Ｓ８）、ＮＯであればＮがステップアップされ（Ｓ９　）、ページ内アドレスが０に再設定されて（Ｓ１０）、再び書込み（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）とベリファイ動作（Ｓ５，Ｓ６）が繰り返される。この様に１回の書込み時間を短くして小刻みに書込みとベリファイ動作が繰り返される。
【００３７】ベリファイ動作でデータ書込み状態が十分である事が確認されると、ページ内アドレスが５１１に達しているか否かが判断され（Ｓ１１）、ＮＯであれば、読出しアドレスがステップアップされ（Ｓ２）、次のアドレスについて同様にベリファイ読出し動作が繰り返される。
【００３８】以上の動作を繰り返して、１ページ分，５１２個のメモリセルのデータ書込みがすべて十分であることが確認されると（Ｓ１１）、ベリファイ読出しモードが解除されて（Ｓ１３）、１ページ分のデータ書込みが終了する。
【００３９】データ書込みを１００回繰り返してもデータ書込みが終了しない場合には（Ｓ８）、メモリセルに何等かの異常があるものとみなして、ベリファイ読出しモードが解除されて（Ｓ１４）、書込み終了となる。
【００４０】図１１は、図１０のアルゴリズムを基本として、１ブロック（８ＮＡＮＤセルの場合、ページ番号０から８まで）についてデータ書込みとベリファイを行う場合のアルゴリズムを示している。このアルゴリズムは、ある任意のページのデータ書込みについての最初の書込み時間を、前ページでのトータルの書込み時間に設定すること、すなわちステップＳ２５において、データ書込み時間を単位書込み時間４０μｓｅｃに対して４０μｓｅｃ×Ｎに設定することを特徴としている。Ｎは、前ページのトータルの書込み繰り返し回数として記憶されている値（ただし、第１ページはＮ＝１）である。
【００４１】これは、ＥＥＰＲＯＭチップ内のメモリセルのしきい値にプロセス変動があったとしても、チップ間でのばらつきに対してチップ内の１ブロック内での変動は少ないことを考慮した結果である。即ち、あるページについてｎ回のデータ書込みを要したとすれば、次のページについても同じように書込みを行えば同程度の書込み回数が必要であることが当然予測されることから、無用の書込みとベリファイ動作の繰返しを省略しようとする趣旨である。
【００４２】まず、最初のページについて、Ｎ＝１、ページ番号＝０が設定され（Ｓ１）、図１０と同様にページ内読出しアドレス＝０の設定（Ｓ２２）、書込みモードの設定（Ｓ２３）、１ページ分のデータ設定（Ｓ２４）を経て、データ書込みが行われる（Ｓ２５）。この時、データ書込み時間は、単位書込み時間を４０μｓｅｃとして、４０×Ｎ、したがって最初は、図１０のアルゴリズムと同様に、書き込み時間は４０μｓｅｃである。
【００４３】データ書込みが終了すると、ベリファイモードに設定され（Ｓ２６）、順次データが読出され、書込み状態が十分であるか否かが確認される（Ｓ２８）。書込みが不十分であれば、Ｎ＞１００であるか否かが判定され（Ｓ２９）、ＮＯであればＮがステップアップされ（Ｓ３０）、ページ内アドレスが０に再設定されて（Ｓ３１）、再び１ページ分のデータが設定され（Ｓ３２）、４０μｓｅｃのデータ書込みが行われ（Ｓ３３）、ベリファイ動作が繰り返される（Ｓ２６，Ｓ２７，Ｓ２８）。以上の繰り返し回数Ｎは、カウンタ等に記憶されている。
【００４４】書込み状態が十分になったことが確認されると（Ｓ８）、ページ内読出しアドレスが５１１に達しているか否かが判定され、ＮＯであれぱ、読出しアドレスがステップアップされて（Ｓ３５）、順次読出しベリファイが行われる。
【００４５】１ページ分のデータ書込みが終了すると、ページ番号が７に達しているか否かが判定され（Ｓ３６）、残りのページがある場合にはページ番号がステップアップされて（Ｓ３７）、再度ステップＳ２２に戻る。そして、前ページと同様にデータ書込みとベリファイが行われる。この時ステップ（Ｓ２５）では、前ページでのトータルの書込み時間、すなわち前ページにおいてＮ回の繰り返し書込みが行われた場合にはこれが記憶されていて、４０μｓｅｃ×Ｎが最初のデータ書込み時間として設定される。それ以後、前ページと同様にデータ書込みとベリファイ動作が繰り返される。すべてのページのデータ書込みの終了が判定されると（Ｓ３６）、ベリファイ読出しモードが解除されて（Ｓ３８）、１ブロックのデータ書込みが終了する。
【００４６】データ書込み，ベリファイ動作がＮ＝１００回繰り返しても終了しない場合には（Ｓ２９）、図１０と同様になんらかの異常があったものとみなして、ベリファイ読出しモードが解除されて（Ｓ３９）、書込み動作終了となる。
【００４７】以上のようにしてこの実施例のＥＥＰＲＯＭシステムでは、前ページのデータ書込み回数を考慮して、次のページの最初のデータ書込み時間を設定することによって、無駄な書込みとベリファイの繰返しを省いて、効率的にデータ書込みを行うことができ、最終的にデータ書き込みされたメモリセルのしきい値分布を所望の範囲に設定することができる。」（５頁右欄８行〜６頁右欄３０行）
　
　以上の記載から、引用刊行物には、次の発明（以下「引用刊行物記載発明」という。）が記載されているものと認める。
　
「ＥＥＰＲＯＭチップと、制御回路ＬＳＩチップからなるＮＡＮＤセル型ＥＥＰＲＯＭシステムにおいて、
まず、最初のページについて、データ書込み回数を示すＮがＮ＝１に設定され、ページ内の読出しアドレスが０に設定され（Ｓ１）、書込みモード設定（Ｓ２）、１ページ分のデータ設定（Ｓ３）を経て、４０μｓｅｃの書込みパルスで１ページ分のデータ書込みが行われ、
書込みが終了すると、書込みベリファイモードに設定され（Ｓ５）、１ページ内のデータが順次読出されて書込み状態が十分であるか否かが確認され、
書込みが不十分であれば、Ｎがステップアップされ（Ｓ９）、ページ内アドレスが０に再設定されて（Ｓ１０）、再び書込み（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）とベリファイ動作（Ｓ５，Ｓ６）が繰り返され、
ベリファイ動作でデータ書込み状態が十分である事が確認されると、ページ内アドレスが５１１に達しているか否かが判断され（Ｓ１１）、ＮＯであれば、読出しアドレスがステップアップされ（Ｓ２）、次のアドレスについて同様にベリファイ読出し動作が繰り返され、
以上の動作を繰り返して、最初のページについて、１ページ分，５１２個のメモリセルのデータ書込みがすべて十分であることが確認されると（Ｓ１１）、ベリファイ読出しモードが解除されて（Ｓ１３）、１ページ分のデータ書込みが終了し、
ページ番号がステップアップされて（Ｓ３７）、前ページと同様にデータ書込みとベリファイが行われ、
この時ステップ（Ｓ２５）では、前ページでのトータルの書込み時間、すなわち前ページにおいてＮ回の繰り返し書込みが行われた場合にはこれが記憶されていて、４０μｓｅｃ×Ｎが最初のデータ書込み時間として設定され、
それ以後、前ページと同様にデータ書込みとベリファイ動作が繰り返され、
以上の繰り返し回数Ｎは、カウンタ等に記憶され、
すべてのページのデータ書込みの終了が判定されると（Ｓ３６）、ベリファイ読出しモードが解除されて（Ｓ３８）、１ブロック（８ＮＡＮＤセルの場合、ページ番号０から８まで）のデータ書込みが終了し、
前ページのデータ書込み回数を考慮して、次のページの最初のデータ書込み時間を設定することによって、無駄な書込みとベリファイの繰返しを省いて、効率的にデータ書込みを行うことができ、最終的にデータ書き込みされたメモリセルのしきい値分布を所望の範囲に設定することができる
データ書込みとベリファイを行う場合のアルゴリズム」
　
　（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用刊行物記載発明とを対比すると、引用刊行物記載発明の「ＥＥＰＲＯＭチップ」は、本願補正発明の「ＥＥＰＲＯＭ」に相当する。
　引用刊行物記載発明では、「書込みモード設定」、「データ書込み」、「書込みベリファイモードに設定」が順次行われて、「１ページ内のデータが順次読出されて書込み状態が十分であるか否かが確認」されることから、本願補正発明の「書き込みのためのパルスを供給してデータの書き込みを行い結果を前記ＥＥＰＲＯＭから読み出してデータの書き込みが正しく行われたか否かを判定するメモリテストを実行」しているものと認められる。また、当該メモリテストを実行した後には、当該メモリテストを行ったＥＥＰＲＯＭにおいて書き込みを適切に行う条件を特定することになり、さらに、ＥＥＰＲＯＭは、「電気的書換可能な不揮発性メモリ」のことを指すものであることは技術常識であるから、本願補正発明の「メモリテストの結果にもとづいて書き込みを適切に行う条件を特定する電気的書換可能な不揮発性メモリのテスト方法」を引用刊行物記載発明のアルゴリズムによって行っているものと認められる。
　引用刊行物記載発明の「４０μｓｅｃの書込みパルスで１ページ分のデータ書込みが行われ」ることは、本願補正発明の「書き込みパルスの特性を第１の特性に設定」することに相当する。
　引用刊行物記載発明で、「１ページ分，５１２個のメモリセルのデータ書込みがすべて十分であることが確認されると（Ｓ１１）、ベリファイ読出しモードが解除されて（Ｓ１３）、１ページ分のデータ書込みが終了し、ページ番号がステップアップされて（Ｓ３７）、前ページと同様にデータ書込みとベリファイが行われ」ることから、引用刊行物記載発明の「最初のページの１ページ分，５１２個のメモリセル」は、本願補正発明の「一部の記憶領域」に相当する。また、引用刊行物記載発明の、「まず、最初のページについて、データ書込み回数を示すＮがＮ＝１に設定され、ページ内の読出しアドレスが０に設定され（Ｓ１）、書込みモード設定（Ｓ２）、１ページ分のデータ設定（Ｓ３）を経て、４０μｓｅｃの書込みパルスで１ページ分のデータ書込みが行われ、
書込みが終了すると、書込みベリファイモードに設定され（Ｓ５）、１ページ内のデータが順次読出されて書込み状態が十分であるか否かが確認され、
書込みが不十分であれば、Ｎがステップアップされ（Ｓ９）、ページ内アドレスが０に再設定されて（Ｓ１０）、再び書込み（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）とベリファイ動作（Ｓ５，Ｓ６）が繰り返され、
ベリファイ動作でデータ書込み状態が十分である事が確認されると、ページ内アドレスが５１１に達しているか否かが判断され（Ｓ１１）、ＮＯであれば、読出しアドレスがステップアップされ（Ｓ２）、次のアドレスについて同様にベリファイ読出し動作が繰り返され、
以上の動作を繰り返して、最初のページについて、１ページ分，５１２個のメモリセルのデータ書込みがすべて十分であることが確認されると（Ｓ１１）、ベリファイ読出しモードが解除されて（Ｓ１３）、１ページ分のデータ書込みが終了」することは、本願補正発明の「前記ＥＥＰＲＯＭの一部の記憶領域で前記メモリテストを行い、前記メモリテストの結果が異常の場合には、テスト結果が正常となるまで前記メモリテストを繰り返」すことに相当する。
　引用刊行物記載発明では、「１ページ分のデータ書込みが終了し、
ページ番号がステップアップされて（Ｓ３７）、前ページと同様にデータ書込みとベリファイが行われ、
この時ステップ（Ｓ２５）では、前ページでのトータルの書込み時間、すなわち前ページにおいてＮ回の繰り返し書込みが行われた場合にはこれが記憶されていて、４０μｓｅｃ×Ｎが最初のデータ書込み時間として設定され」ることから、引用刊行物記載発明の「４０μｓｅｃ×Ｎが最初のデータ書込み時間として設定」は、本願補正発明の「前記メモリテストを繰り返した回数にもとづき前記書き込みパルスまたは前記消去パルスの前記特性を初期特定として第２の特性に設定」に相当する。
　引用刊行物記載発明では、「それ以後、前ページと同様にデータ書込みとベリファイ動作が繰り返され、すべてのページのデータ書込みの終了が判定されると（Ｓ３６）、ベリファイ読出しモードが解除されて（Ｓ３８）、１ブロック（８ＮＡＮＤセルの場合、ページ番号０から８まで）のデータ書込みが終了」することから、引用刊行物記載発明のページ番号１から８までの「それ以後、すべてのページ」が本願補正発明の「残りの記憶領域の全アドレス」に相当する。そして、引用刊行物記載発明では、ページ番号１から８までのページで、最初のページで行われたメモリテストと同様なメモリテストが行われることから、引用刊行物記載発明でも、本願補正発明の「前記ＥＥＰＲＯＭの残りの記憶領域の全アドレスに対して前記メモリテストを行い、前記メモリテストの結果が異常の場合には、前記メモリテストの結果が正常となるまで当該異常となったアドレスに対して前記メモリテストを繰り返」すものと認められる。
　引用刊行物記載発明では、「前ページでのトータルの書込み時間、すなわち前ページにおいてＮ回の繰り返し書込みが行われた場合にはこれが記憶されていて、４０μｓｅｃ×Ｎが最初のデータ書込み時間として設定され、
それ以後、前ページと同様にデータ書込みとベリファイ動作が繰り返され、
以上の繰り返し回数Ｎは、カウンタ等に記憶され」ていて、その間、繰り返し回数Ｎは、書込み及びベリファイを行って書込みが不十分であれば、ステップアップされることから、結局、本願補正発明の「前記ＥＥＰＲＯＭの前記一部の記憶領域において結果が正常となるまで繰り返した前記メモリテストの回数に、前記残りの記憶領域の前記アドレスにおいて結果が正常となるまで繰り返した前記メモリテストの回数を加算した値を、書き込みを適切に行う前記条件として記録」していることになる。
　
　以上を総合して、両者は、
　
「ＥＥＰＲＯＭに対し書き込みのためのパルスを供給してデータの書き込みを行い結果を前記ＥＥＰＲＯＭから読み出してデータの書き込みが正しく行われたか否かを判定するメモリテストを実行し、前記メモリテストの結果にもとづいて書き込みを適切に行う条件を特定する電気的書換可能な不揮発性メモリのテスト方法であって、
　書き込みパルスの特性を第１の特性に設定して前記ＥＥＰＲＯＭの一部の記憶領域で前記メモリテストを行い、前記メモリテストの結果が異常の場合には、テスト結果が正常となるまで前記メモリテストを繰り返し、
　前記メモリテストを繰り返した回数にもとづき前記書き込みパルスの前記特性を初期特定として第２の特性に設定して、前記ＥＥＰＲＯＭの残りの記憶領域の全アドレスに対して前記メモリテストを行い、前記メモリテストの結果が異常の場合には、前記メモリテストの結果が正常となるまで当該異常となったアドレスに対して前記メモリテストを繰り返し、
　前記ＥＥＰＲＯＭの前記一部の記憶領域において結果が正常となるまで繰り返した前記メモリテストの回数に、前記残りの記憶領域の前記アドレスにおいて結果が正常となるまで繰り返した前記メモリテストの回数を加算した値を、書き込みを適切に行う前記条件として記録する電気的書換可能な不揮発性メモリのテスト方法。」の点で一致し、以下の点で相違している。
　
　本願補正発明は、データの書き込みまたは消去を行って当該書き込みまたは消去が正しく行われたか否かを判定するメモリテストであるのに対し、引用刊行物記載発明は、データの書き込みについての記載はあるが、データの消去についてはこれを行い、またテストを行うか否かが不明な点。
　
　（４）判断
　データの書き込みまたは消去を適切に行う条件を特定するテストを行うことは周知であり（特開平７−２４９２９４号公報４頁左欄４８行〜右欄２行「最適値を有するデータ書き込み用および消去用の電圧をチップ内でほぼ自動的かつ安定に発生でき、製造後におけるデータ書き込み用および消去用の電圧の設定・検査などに要する時間の短縮を図ることができ」の記載、特開平９−３５４９９号公報３頁左欄７行〜１６行）「電気的に書き込み、消去が可能な不揮発性半導体記憶装置の従来の書き込み／消去は、図９に示すブロック図に従って行われる。通常動作の場合、コマンドレジスタ１から出力された書き込み／消去開始信号ＷＥＳは、書き込み／消去制御回路３に入力され、この信号に基づいて書き込み／消去が行われる。書き込み／消去が終了すると、書き込み／消去終了信号ＷＥＥが出力され、この信号は、ベリファイ回路４に入力される。そして、ベリファイ回路４で書き込み／消去データの検出を行う。」の記載を参照。）、引用刊行物記載発明において、データの書き込みまたは消去を行って当該書き込みまたは消去が正しく行われたか否かを判定するメモリテストとすることは当業者が適宜なし得ることである。
　
　また、本願補正発明の効果も、引用刊行物の記載に基づけば、当業者が普通に想起する範囲内のものである。
　
　（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条４項の規定に適合せず、特許法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１５年１２月１０日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１５年５月６日付手続補正によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　ＥＥＰＲＯＭに対し書き込みまたは消去のためのパルスを供給してデータの書き込みまたは消去を行い結果を前記ＥＥＰＲＯＭから読み出してデータの書き込みまたは消去が正しく行われたか否かを判定するメモリテストを実行し、前記メモリテストの結果にもとづいて書き込みまたは消去を適切に行う条件を特定する電気的書換可能な不揮発性メモリのテスト方法であって、
　書き込みパルスまたは消去パルスの特性を第１の特性に設定して前記ＥＥＰＲＯＭの一部の記憶領域で前記メモリテストを行い、前記メモリテストの結果が異常の場合には、テスト結果が正常となるまで前記メモリテストを繰り返し、
　前記メモリテストを繰り返した回数にもとづき前記書き込みパルスまたは前記消去パルスの前記特性を初期特定として第２の特性に設定して、前記ＥＥＰＲＯＭの残りの記憶領域の全アドレスに対して前記メモリテストを行い、前記メモリテストの結果が異常の場合には、前記メモリテストの結果が正常となるまで当該アドレスの前記メモリテストを繰り返し、
　前記ＥＥＰＲＯＭの前記一部の記憶領域において結果が正常となるまで繰り返した前記メモリテストの回数に、前記残りの記憶領域の前記アドレスにおいて結果が正常となるまで繰り返した前記メモリテストの回数を加算した値を、書き込みまたは消去を適切に行う前記条件として記録することを特徴とする電気的書換可能な不揮発性メモリのテスト方法。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「当該アドレス」の限定事項である「当該異常となったアドレスに対して」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２．（４）に記載したとおり、引用刊行物に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。