【手続補正書】
【提出日】平成22年7月22日(2010.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）ナノ構造をレジストに埋め込むようにレジストとナノ構造単層を第１層上に配置し、レジスト層を提供する段階と；
ｂ）レジスト層上の規定パターンを露光し、レジスト層の少なくとも第１領域に露光レジストを提供し、レジスト層の少なくとも第２領域に未露光レジストを提供する段階と；
ｃ）第１領域により規定される少なくとも１個のナノ構造単層アレイが第１層上に残存するように、露光レジストとそこに埋め込まれたナノ構造を除去せずに未露光レジストとそこに埋め込まれたナノ構造を第１層から除去する段階と；
ｄ）段階ｃ）後に、第１層と露光レジストとそこに埋め込まれたナノ構造を少なくとも約３００℃の温度に暴露する段階を含むナノ構造単層のパターニング方法。
【請求項２】
段階ｄ）において、第１層と露光レジストとそこに埋め込まれたナノ構造を少なくとも約７００℃の温度に暴露する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
段階ｄ）において、第１層と露光レジストとそこに埋め込まれたナノ構造を少なくとも約９００℃の温度に暴露する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
段階ｂ）においてレジスト層上の規定パターンを露光する段階が規定パターンに紫外線又は電子ビームを照射する段階を含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
段階ｂ）においてレジスト層上の規定パターンを露光し、少なくとも第１領域に露光レジストを提供する段階が、第１領域のレジストを不完全に硬化させるために十分な電離性放射線を第１領域のレジストに照射する段階を含み；前記方法が段階ｃ）の後で段階ｄ）の前に、第１領域の露光レジストを更に硬化させるために十分な電離性放射線を第１領域のレジストに照射する段階を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
段階ｂ）で第１領域のレジストに約１０ｍＪ／ｃｍ２〜１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射して第１領域のレジストを不完全に硬化させ；段階ｃ）の後で段階ｄ）の前に、第１領域のレジストに約１Ｊ／ｃｍ２〜５０Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射し、第１領域のレジストを更に硬化させる請求項５に記載の方法。
【請求項７】
段階ｄ）後に、単層アレイにおけるナノ構造のサイズ分布が２０％未満のｒｍｓ偏差を示す請求項１に記載の方法。
【請求項８】
段階ａ）においてレジストとナノ構造単層を第１層上に配置する段階がレジストとナノ構造を含有する溶液を第１層にスピンコートする段階を含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
レジストがケイ素化合物を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
レジストがシルセスキオキサンを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
第１層が誘電体材料、酸化物、窒化物、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ハフニウム、又はアルミナを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
第１層がヘキサメチルジシラザンを被覆した酸化ケイ素を含むか、又は第１層がヘキサメチルジシラザン被覆した窒化ケイ素を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第１層を基板上に配置し、前記基板が半導体を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
第１層が誘電体材料を含み、厚さ約１ｎｍ〜約１０ｎｍである請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
段階ｄ）の前に基板にドーパントイオンを注入することによりナノ構造の単層アレイの近傍で基板にソース領域とドレイン領域を形成する段階を含み、段階ｄ）中に基板の注入損傷を修復し、ドーパントを活性化させる請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
ゲート電極を露光レジスト上に配置する段階を含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
ゲート電極を露光レジスト上に配置する前に、誘電体層を露光レジスト上に配置する段階を含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ナノ構造が金属ナノ構造を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
ナノ構造がパラジウム、白金、ニッケル、又はルテニウムを含む請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
ａ）ナノ構造とシルセスキオキサンを第１層上に配置する段階と；
ｂ）ｉ）シルセスキオキサンを電離性放射線で規定パターンに露光し、少なくとも第２領域のシルセスキオキサンを未露光及び未硬化状態に維持しながら少なくとも第１領域のシルセスキオキサンを露光して不完全に硬化させ；
ｉｉ）不完全に硬化したシルセスキオキサンとそこに埋め込まれたナノ構造を第１領域から除去せずに、未露光のシルセスキオキサンとそこに埋め込まれたナノ構造を第２領域から除去し；
ｉｉｉ）段階ｉｉ）の後に、第１領域の不完全に硬化したシルセスキオキサンに電離性放射線を照射し、シルセスキオキサンを更に硬化させ、硬化シルセスキオキサンを提供することにより、
シルセスキオキサンを硬化させ、ナノ構造が埋め込まれた硬化シルセスキオキサンを提供する段階を含むナノ構造のパターニング方法。
【請求項２１】
段階ａ）においてナノ構造とシルセスキオキサンを第１層上に配置する段階がシルセスキオキサンとナノ構造を含有する溶液を第１層にスピンコートする段階を含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
段階ａ）においてナノ構造とシルセスキオキサンを第１層上に配置する段階がシルセスキオキサンとナノ構造単層を第１層上に配置する段階を含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
段階ｂ）ｉｉｉ）後に、硬化したシルセスキオキサンを約３００℃〜４００℃の温度に暴露する段階を含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
シルセスキオキサンと不完全に硬化したシルセスキオキサンに電離性放射線を照射する段階がシルセスキオキサンと不完全に硬化したシルセスキオキサンに紫外線又は電子ビームを照射する段階を含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
段階ｂ）ｉ）において第１領域のシルセスキオキサンに約１０ｍＪ／ｃｍ２〜１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射し、第１領域のシルセスキオキサンを不完全に硬化させ；段階ｂ）ｉｉｉ）において第１領域の不完全に硬化したシルセスキオキサンに約１Ｊ／ｃｍ２〜５０Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射し、第１領域のシルセスキオキサンを更に硬化させる請求項２０に記載の方法。
【請求項２６】
第１層と、硬化したシルセスキオキサンと、そこに埋め込まれたナノ構造を加熱する段階ｃ）を更に含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２７】
段階ｃ）において、第１層と、硬化したシルセスキオキサンと、そこに埋め込まれたナノ構造を加熱する段階が第１層と、硬化したシルセスキオキサンと、そこに埋め込まれたナノ構造を少なくとも約３００℃の温度に暴露する段階を含む請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
段階ｃ）において、第１層と、硬化したシルセスキオキサンと、そこに埋め込まれたナノ構造を少なくとも約７００℃の温度に暴露する請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
段階ｃ）において、第１層と、硬化したシルセスキオキサンと、そこに埋め込まれたナノ構造を少なくとも約９００℃の温度に暴露する段階を含む請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
ナノ構造が金属ナノ構造を含む請求項２０に記載の方法。
【請求項３１】
ナノ構造がパラジウム、白金、ニッケル、又はルテニウムを含む請求項２０に記載の方法。
【請求項３２】
ａ）ナノ構造をレジストに埋め込むようにレジストとナノ構造単層を第１層上に配置し、レジスト層を提供する段階であって、レジストとナノ構造を含有した溶液を第１層上に配置することを含む前記段階と；
ｂ）レジスト層上の規定パターンを露光し、レジスト層の少なくとも第１領域に露光レジストを提供し、レジスト層の少なくとも第２領域に未露光レジストを提供する段階と；
ｃ）第１領域により規定される少なくとも１個のナノ構造単層アレイが第１層上に残存するように、ｉ）未露光レジストとそこに埋め込まれたナノ構造を除去せずに露光レジストとそこに埋め込まれたナノ構造を第１層から除去するか、又はｉｉ）レジストがシルセスキオキサンを含むように露光レジストとそこに埋め込まれたナノ構造を除去せずに未露光レジストとそこに埋め込まれたナノ構造を第１層から除去する段階を含むナノ構造単層のパターニング方法。
【請求項３３】
第１層が誘電体材料、酸化物、窒化物、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ハフニウム、又はアルミナを含む請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
第１層がヘキサメチルジシラザンを被覆した酸化ケイ素を含むか、又は第１層がヘキサメチルジシラザン被覆した窒化ケイ素を含む請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
第１層を提供する段階と；
液体形態のスピンオン誘電体を含有する溶液に分散したナノ構造を提供する段階であって、液体形態のスピンオン誘電体がシルセスキオキサンを含む前記段階と；
ナノ構造が第１層上に単層アレイを形成するように、前記溶液を第１層上に配置する段階と；
液体形態のスピンオン誘電体を硬化させ、単層アレイにおけるナノ構造がランダムに分配されたマトリックスとして固体形態のスピンオン誘電体を提供する段階を含む、ナノ構造アレイの形成方法。
【請求項３６】
第１層を提供する段階と；
液体形態のスピンオン誘電体を含有する溶液に分散したナノ構造を提供する段階と；
ナノ構造が第１層上に単層アレイを形成するように、前記溶液を第１層上に配置する段階と；
液体形態のスピンオン誘電体を硬化させ、単層アレイにおけるナノ構造がランダムに分配されたマトリックスとして固体形態のスピンオン誘電体を提供する段階であって、前記固体形態のスピンオン誘電体が酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、又は酸化タンタルを含む前記段階と
を含む、ナノ構造アレイの形成方法。
【請求項３７】
第１層が誘電体材料、酸化物、窒化物、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ハフニウム、及びアルミナから構成される群から選択される材料を含む請求項３５又は３６に記載の方法。
【請求項３８】
第１層を基板上に配置し、前記基板が半導体を含み、第１層が誘電体材料を含み、厚さ約１ｎｍ〜約１０ｎｍである請求項３５又は３６に記載の方法。
【請求項３９】
基板がソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域の間でナノ構造の単層アレイの下に配置されたチャネル領域を含み；前記方法がゲート電極を固体形態のスピンオン誘電体上に配置する段階を含む請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
ゲート電極を固体形態のスピンオン誘電体上に配置する前に誘電体層を固体形態のスピンオン誘電体上に配置する段階を含む請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
第１層上に溶液を配置する段階が前記溶液を第１層にスピンコートする段階を含む請求項３５又は３６に記載の方法。
【請求項４２】
固体形態のスピンオン誘電体が酸化ケイ素を含む請求項３５に記載の方法。
【請求項４３】
液体形態のスピンオン誘電体が液体形態のスピンオングラスであり、固体形態のスピンオン誘電体が固体形態のスピンオングラスである請求項３６に記載の方法。
【請求項４４】
液体形態のスピンオン誘電体が光重合性化合物を含み、前記方法が、
第１層の少なくとも第１領域と前記領域上に配置された溶液に適切な波長の光を照射し、第１領域のスピンオン誘電体を硬化させると同時に、第１層の少なくとも第２領域と前記領域上に配置された溶液を光から保護し、第２領域のスピンオン誘電体を未硬化状態に維持する段階と；
硬化したスピンオン誘電体とそこに含まれるナノ硬化を除去せずに、未硬化スピンオン誘電体とそこに含まれるナノ構造を第１層から除去する段階を含む請求項３５又は３６に記載の方法。
【請求項４５】
ナノ構造がパラジウム、白金、ニッケル、又はルテニウムを含む請求項３５又は３６に記載の方法。
【請求項４６】
第１層を提供する段階と；
ナノ構造集団を第１層に堆積する段階と；
ナノ構造が単層アレイとして集合するように、第１層に堆積したナノ構造を外部溶媒蒸気に暴露する段階を含む、ナノ構造アレイの形成方法。
【請求項４７】
ナノ構造を外部溶媒蒸気に暴露する段階が、第１の溶媒を液体形態で提供する段階と、第１の溶媒を加熱して溶媒蒸気を発生させる段階を含む請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
ナノ構造集団を第１層に堆積する段階が、少なくとも１種類の第２の溶媒を含有する溶液にナノ構造を分散させる段階と、溶液を第１層上に配置する段階を含む請求項４６に記載の方法。
【請求項４９】
ナノ構造が実質的に球状のナノ構造又は量子ドットを含む請求項４６に記載の方法。