【事件の表示】
　特許第３４００７６５号「半導体ウェハの製造方法および該製造方法の使用」の請求項１ないし１４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３４００７６５号の請求項１ないし１２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯の概要
　本件特許第３４００７６５号に係る手続の主な経緯は以下のとおりである。
　特許出願（特願２０００−３５９７６号）　　平成１２年　２月１４日
　　　　　（パリ条約による優先権主張１９９９年２月１１日、ドイツ）
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　平成１５年　２月２１日
　特許異議申立（特許異議申立人：市東勇）　　平成１５年　８月　８日
　特許異議申立（特許異議申立人：北垣哲郎）　平成１５年１０月２８日
　特許異議申立（特許異議申立人：笹木久男）　平成１５年１０月２８日
　取消理由通知　　　　　　　　　　（起案日）平成１６年１１月　４日
　特許異議意見書・訂正請求書　　　　　　　　平成１７年　５月１６日
　
第２　訂正の適否についての判断
１．訂正事項
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の「【請求項１】　半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時にポリシングすることによって半導体ウェハを製造するための方法であって、半導体ウェハは扁平なキャリヤの穴に置かれかつ所定の幾何学的な軌道上に保持され、かつキャリヤが所定のキャリヤ厚さを有しておりかつ半導体ウェハがポリシングの前に受け入れ時厚さおよびポリシングの後に最終厚さを有しているとする形式の方法において、
半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリヤ厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリヤ厚さより２ないし２０μｍだけ大きくかつ少なくとも５μｍのポリシング除去が実現されるまで、半導体ウェハをポリシングすることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。」を、
「【請求項１】　半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時にポリシングすることによって受け入れ時厚さが４２０ないし１４００μｍであって最終厚さが４０２ないし１２１５μｍである半導体ウェハを製造するための方法であって、半導体ウェハは扁平なキャリヤの穴に置かれかつ所定の幾何学的な軌道上に保持され、かつキャリヤが４００ないし１２００μｍのキャリヤ厚さを有しておりかつ半導体ウェハがポリシングの前に受け入れ時厚さおよびポリシングの後に最終厚さを有しているとする形式の方法において、
半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリヤ厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリヤ厚さより２ないし１５μｍだけ大きくかつ少なくとも５μｍのポリシング除去が実現されるまで、半導体ウェハをポリシングすることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。」と訂正する。
　
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項３を削除する。
　
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の「【請求項４】　前記定盤には研磨布が貼られておりかつ半導体ウェハのポリシングの期間に、アルカリポリシングゾルを連続的に供給する請求項１まから３までのいずれか１項記載の方法。」を、
「【請求項３】　前記定盤には研磨布が貼られておりかつ半導体ウェハのポリシングの期間に、アルカリポリシングゾルを連続的に供給する請求項１又は２記載の方法。」と訂正する。
　
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の「【請求項５】　前記ポリシングゾルは、１ないし１０質量百分率のＳｉＯ２固体含有量および９ないし１２のｐＨ値を有している請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。」を、
「【請求項４】　前記ポリシングゾルは、１ないし１０質量百分率のＳｉＯ２固体含有量および９ないし１２のｐＨ値を有している請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。」と訂正する。
　
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の「【請求項６】　ポリシングによって、半導体ウェハの厚さを１５ないし６５μｍだけ低減するようにする請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。」を、
「【請求項５】　ポリシングによって、半導体ウェハの厚さを１５ないし６５μｍだけ低減するようにする請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。」と訂正する。
　
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項７を削除する。
　
（７）訂正事項７
　特許請求の範囲の「【請求項８】　半導体ウェハを半導体結晶のスライスによって製作しかつポリシングの前に、研削ステップを行い、ここで半導体ウェハの片面または両面を研削しかつ１０ないし１００μｍの材料除去を実現する請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。」を、
「【請求項６】　半導体ウェハを半導体結晶のスライスによって製作しかつポリシングの前に、研削ステップを行い、ここで半導体ウェハの片面または両面を研削しかつ１０ないし１００μｍの材料除去を実現する請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。」と訂正する。
　
（８）訂正事項８
　特許請求の範囲の「【請求項９】　半導体ウェハの研削の前または後に、半導体ウェハのエッジをラウンディングする請求項８記載の方法。」を、
「【請求項７】　半導体ウェハの研削の前または後に、半導体ウェハのエッジをラウンディングする請求項６記載の方法。」と訂正する。
　
（９）訂正事項９
　特許請求の範囲の「【請求項１０】　半導体ウェハのポリシングの前に、エッチングステップを実施し、これにより、ウェハの両面のそれぞれから５ないし５０μｍの材料除去を実現する請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。」を、
「【請求項８】　半導体ウェハのポリシングの前に、エッチングステップを実施し、これにより、ウェハの両面のそれぞれから５ないし５０μｍの材料除去を実現する請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。」と訂正する。
　
（１０）訂正事項１０
　特許請求の範囲の「【請求項１１】　半導体ウェハのポリシングの後に、柔らかい研磨布を使用してウェハ前面から０．２ないし２μｍの材料除去が実現される、最終ポリシングステップを実施する請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。」を、
「【請求項９】　半導体ウェハのポリシングの後に、柔らかい研磨布を使用してウェハ前面から０．２ないし２μｍの材料除去が実現される、最終ポリシングステップを実施する請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。」と訂正する。
　
（１１）訂正事項１１
　特許請求の範囲の「【請求項１２】　半導体ウェハのポリシングの後または前記最終ポリシングステップの後に、ウェハ前面に１μｍないし１０μｍの厚さを有する半導体エピタキシャル層を成膜する請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。」を、
「【請求項１０】　半導体ウェハのポリシングの後または前記最終ポリシングステップの後に、ウェハ前面に１μｍないし１０μｍの厚さを有する半導体エピタキシャル層を成膜する請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。」と訂正する。
　
（１２）訂正事項１２
　特許請求の範囲の「【請求項１３】　前記半導体ウェハと一緒に少なくとも１つの別の半導体ウェハを同じ方法でポリシングし、ここで該別の半導体ウェブは前記キャリヤの別の切り欠きまたは別のキャリヤの切り欠きに置かれる請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。」を、
「【請求項１１】　前記半導体ウェハと一緒に少なくとも１つの別の半導体ウェハを同じ方法でポリシングし、ここで該別の半導体ウェハは前記キャリヤの別の穴または別のキャリヤの穴に置かれる請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。」と訂正する。
　
（１３）訂正事項１３
　特許請求の範囲の「【請求項１４】　シリコン、シリコン／ゲルマニウム、シリコン酸化物、シリコン窒化物、ガリウムヒ化物および別のＩＩＩ−Ｖ半導体を含んでいる族から選択された材料から成るウェハを製造するための、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法の使用。」を、
「【請求項１２】　シリコン、シリコン／ゲルマニウム、シリコン酸化物、シリコン窒化物、ガリウムヒ化物および別のＩＩＩ−Ｖ半導体を含んでいる族から選択された材料から成るウェハを製造するための、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。」と訂正する。
　
（１４）訂正事項１４
　０００８段落の「従って、半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時にポリシングすることによって半導体ウェハを製造するための方法であって、半導体ウェハは扁平なキャリヤの穴に置かれかつ所定の幾何学的な軌道上に保持され、かつキャリヤが所定のキャリヤ厚さを有しておりかつ半導体ウェハがポリシングの前に受け入れ時厚さおよびポリシングの後に最終厚さを有している形式の方法において、上述した半導体ウエハを製造する方法を提供することである。この課題を解決する方法は半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリヤ厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリヤ厚さより２ないし２０μｍだけ大きくかつ少なくとも５μｍのポリシンク除去が実現されるまで、半導体ウェハをポリシングすることを特徴とする半導体ウェハの製造方法である。」を、
「従って、半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時にポリシングすることによって受け入れ時厚さが４２０ないし１４００μｍであって最終厚さが４０２ないし１２１５μｍである半導体ウェハを製造するための方法であって、半導体ウェハは扁平なキャリヤの穴に置かれかつ所定の幾何学的な軌道上に保持され、かつキャリヤが４００ないし１２００μｍのキャリヤ厚さを有しておりかつ半導体ウェハがポリシングの前に受け入れ時厚さおよびポリシングの後に最終厚さを有しているとする形式の方法において、上述した半導体ウエハを製造する方法を提供することである。この課題を解決する方法は半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリヤ厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリヤ厚さより２ないし１５μｍだけ大きくかつ少なくとも５μｍのポリシンク除去が実現されるまで、半導体ウェハをポリシングすることを特徴とする半導体ウェハの製造方法である。」と訂正する。
　
（１５）訂正事項１５
　　発明の名称の「半導体ウェハの製造方法および該製造方法の使用」を、「半導体ウェハの製造方法」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、明細書記載事項の範囲内外及び拡張・変更の有無について
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は、「半導体ウェハを製造する」を「受け入れ時厚さが４２０ないし１４００μｍであって最終厚さが４０２ないし１２１５μｍである半導体ウェハを製造する」と訂正すること（訂正事項１−１）と、「所定のキャリア厚さ」を「４００ないし１２００μｍのキャリア厚さ」と訂正すること（訂正事項１−２）と、「半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし２０μｍだけ大きく」を「半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし１５μｍだけ大きく」と訂正すること（訂正事項１−３）とに区分することができる。
　訂正事項１−１ないし１−３は、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、訂正事項１−２の「４００ないし１２００μｍのキャリア厚さ」の点は、訂正前の請求項１を引用する訂正前の請求項７に「前記キャリアの厚さは４００ないし１２００μｍである」と記載され、訂正事項１−３の「半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし１５μｍだけ大き」い点は、訂正前の請求項１を引用する訂正前の請求項３に「半導体ウェハの最終厚さはキャリア厚さより５ないし１５μｍだけ大きい」と記載されている。　さらに、訂正事項１−１の「受け入れ時厚さが４２０ないし１４００μｍであって最終厚さが４０２ないし１２１５μｍである半導体ウェハを製造する」点は、「４００ないし１２００μｍのキャリア厚さ」である点と、「半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリヤ厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリヤ厚さより２ないし１５μｍだけ大き」い点とから導き出される自明の事項である。
　よって、訂正事項１−１ないし１−３は、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（２）訂正事項２及び訂正事項６について
　訂正事項２及び訂正事項６は、特許請求の範囲の削除を目的とするものである。
　
（３）訂正事項３ないし訂正事項５及び訂正事項７ないし訂正事項１１について
　訂正事項３ないし訂正事項５及び訂正事項７ないし訂正事項１１は、訂正事項２及び訂正事項６の請求項の削除に伴い、請求項の番号を繰り上げ、また、引用する他の請求項の番号を修正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（４）訂正事項１２について
　訂正事項１２は、「半導体ウェブ」を「半導体ウェハ」と訂正すること（訂正事項１２−１）と、「前記キャリアの別の切り欠きまたは別のキャリアの切り欠き」を「前記キャリアの別の穴または別のキャリアの穴」と訂正すること（訂正事項１２−２）とに区分することができる。
　訂正事項１２−１は、「半導体ウェブ」が「半導体ウェハ」の誤記であることは明らかであるから、誤記の訂正を目的とするものである。
　訂正事項１２−２は、「前記キャリアの別の切り欠きまたは別のキャリアの切り欠き」が、請求項１の「キャリアの穴」を受けているものであることは明らかであって、その用語を統一するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（５）訂正事項１３について
　訂正事項１３は、「方法の使用」を「方法」と訂正して、発明のカテゴリーを明確にするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（６）訂正事項１４について
　訂正事項１４は、訂正事項１に整合させて発明の詳細な説明の記載を訂正するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　
（７）訂正事項１５について
　訂正事項１５は、訂正事項１３に整合させて発明の名称を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
　したがって、訂正事項１ないし１５は、いずれも、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであって、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明を目的とし、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものでもない。
　
３．訂正の適否についての判断のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する同法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
第３　特許異議申立について
１．特許異議申立の概要
（１）特許異議申立人市東勇の特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人市東勇は、証拠として本件出願前に頒布された
　１）甲第１号証　特開平５−１７７５３９号公報
を提出し、本件請求項１ないし１４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明又は甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１ないし１４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定に違反してなされたものである（異議理由１）と主張している。
　
（２）特許異議申立人北垣哲郎の特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人北垣哲郎は、証拠として本件出願前に頒布された
　１）甲第１号証　特開平１１−１０５３０号公報
　２）甲第２号証　特開平８−１９７４１６号公報
　３）甲第３号証　実開平７−２７７４７号公報
　４）甲第４号証　特開平５−１７７５３９号公報
　５）甲第５号証　特許第２７８２８６８号公報
　６）甲第６号証　特開平９−１７７６０号公報
を提出し、
　本件請求項１ないし１４に係る発明は、甲第１号証ないし甲第４号証に記載された発明であるから、本件請求項１ないし１４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり（異議理由１）、
　本件請求項１ないし１４に係る発明は、甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１ないし１４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり（異議理由２）、
　本件特許明細書の０００５段落及び０００８段落に行われた補正は新規事項を追加するものであるから、本件請求項１ないし１４に係る発明についての特許は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反してさなれたものであり（異議理由３）、
　本件特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載が不備であるから、本件請求項１ないし１４に係る発明についての特許は、特許法第３６条第４項及び第６項の規定に違反してさなれたものである（異議理由４）
と主張している。
　
（３）特許異議申立人笹木久男の特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人笹木久男は、証拠として本件出願前に頒布された
　　１）甲第１号証　　特開平５−１７７５３７号公報
　　２）甲第２号証　　特開平３−２２８５６８号公報
　　３）甲第３号証　　「ＣＭＰのサイエンス」、第１版第１刷、株式会社　　　　サイエンスフォーラム、１９９７年８月２０日、
　　　　ｐ．１１３−１１９、ｐ．１４０−１４３、ｐ．２０１−２１５
　　４）甲第４号証　　特許第２７８２８６８号公報
　　５）甲第５号証　　特開平５−３２６４６８号公報
　　６）甲第６号証　　竹腰敏男著、「半導体シリコンビジネスのすべて」　　　　、初版第１刷、株式会社工業調査会、１９９４年８月３０日、
　　　　ｐ．１２５−１２９、ｐ．１５８−１７７、ｐ．１８８−１９３
　　７）甲第７号証　　志村史夫著、「半導体シリコン結晶工学」、丸善株　　　　式会社、１９９３年（平成５年）９月３０日、
　　　　ｐ．１０３−１１７、ｐ．１４４−１５１
　　８）甲第８号証　　特開平１０−３０８３６８号公報
　　９）甲第９号証　　特開平９−２７０３９６号公報
　１０）甲第１０号証　特開平９−９７７７５号公報
を提出し、
　本件請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、本件請求項１に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり（異議理由１）、
　本件請求項１ないし１４に係る発明は、甲第１号証ないし甲第１０号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１ないし１４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである（異議理由２）
と主張している。
　
２．取消理由通知の概要
　平成１６年１１月４日付けの取消理由通知の内容は以下のとおりである。
「１）本件特許の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、本件特許は特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。 
　
２）本件特許の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
　
 　　　　　　　　　　　　　　　　記 
　
刊行物１．特開平５−１７７５３９号公報（特許異議申立人市東勇の提出した甲第１号証及び特許異議申立人北垣哲郎の提出した甲第４号証） 
刊行物２．特開平１１−１０５３０号公報（特許異議申立人北垣哲郎の提出した甲第１号証） 
刊行物３．特開平８−１９７４１６号公報（特許異議申立人北垣哲郎の提出した甲第２号証） 
刊行物４．実願平５−５６１９４号（実開平７−２７７４７号）のＣＤ−ＲＯＭ（特許異議申立人北垣哲郎の提出した甲第３号証） 
刊行物５．特開平５−１７７５３７号公報（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第１号証） 
刊行物６．特許第２７８２８６８号公報（特許異議申立人北垣哲郎の提出した甲第５号証及び特許異議申立人笹木久男の提出した甲第４号証） 
刊行物７．特開平９−１７７６０号公報（特許異議申立人北垣哲郎の提出した甲第６号証） 
刊行物８．特開平３−２２８５６８号公報（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第２号証） 
刊行物９．「ＣＭＰのサイエンス」、第１版第１刷、株式会社サイエンスフォーラム、１９９７年８月、ｐ．１１３−１１９、ｐ．１４０−１４３、ｐ．２０１−２１５（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第３号証） 
刊行物１０．特開平５−３２６４６８号公報（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第５号証） 
刊行物１１．竹腰敏男著、「半導体シリコンビジネスのすべて」、初版第１刷、株式会社工業調査会、１９９４年８月、ｐ．１２５−１２９、ｐ．１５８−１７７、ｐ．１８８−１９３（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第６号証） 
刊行物１２．志村史夫著、「半導体シリコン結晶工学」、丸善株式会社、１９９３年９月、ｐ．１０３−１１７、ｐ．１４４−１５１（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第７号証） 
刊行物１３．特開平１０−３０８３６８号公報（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第８号証） 
刊行物１４．特開平９−２７０３９６号公報（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第９号証） 
刊行物１５．特開平９−９７７７５号公報（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第１０号証） 
　
　刊行物１には、特許異議申立人市東勇の提出した特許異議申立書（以下、「特許異議申立書（１）」という。）第４頁第２１行〜第５頁第５行に記載された発明、及び、特許異議申立人北垣哲郎の提出した特許異議申立書（以下、「特許異議申立書（２）」という。）第１０頁第３行〜第１２頁第１１行に記載された発明が記載されている。 
　刊行物２には、特許異議申立書（２）第４頁第１６行〜第７頁第４行に記載された発明が記載されている。 
　刊行物３には、特許異議申立書（２）第７頁第５行〜第８頁第１９行に記載された発明が記載されている。 
　刊行物４には、特許異議申立書（２）第８頁第２０行〜第１０頁第２行に記載された発明が記載されている。 
　刊行物５には、特許異議申立人笹木久男の提出した特許異議申立書（以下、「特許異議申立書（３）」という。）第１０頁第９行〜第１１頁第２０行に記載された発明が記載されている。 
　刊行物６には、特許異議申立書（２）第１２頁第１２行〜第１４頁第２行に記載された発明、及び、特許異議申立書（３）第１４頁第１６行〜第１５頁第２行に記載された発明が記載されている。 
　刊行物７には、特許異議申立書（２）第１４頁第３行〜第１５頁第７行に記載された発明が記載されている。 
　刊行物８には、特許異議申立書（３）第１１頁第２１行〜第１２頁第１２行に記載された発明が記載されている。 
　刊行物９には、特許異議申立書（３）第１２頁第１３行〜第１４頁第１５行に記載された発明が記載されている。 
　刊行物１０には、特許異議申立書（３）第１５頁第３行〜第１５頁第２７行に記載された発明が記載されている。 
　刊行物１１には、特許異議申立書（３）第１５頁第２８行〜第１７頁第２行に記載された発明が記載されている。 
　刊行物１２には、特許異議申立書（３）第１７頁第３行〜第１８頁第２行に記載された発明が記載されている。 
　刊行物１３には、特許異議申立書（３）第１８頁第３行〜第１８頁第２５行に記載された発明が記載されている。 
　刊行物１４には、特許異議申立書（３）第１８頁第２６行〜第１９頁第３行に記載された発明が記載されている。 
　刊行物１５には、特許異議申立書（３）第１９頁第４行〜第１９頁第１０行に記載された発明が記載されている。 
 　 
 ●ポリシング工程自体の構成に関する請求項１〜７，１３，１４について 
【１】本件特許の請求項１〜７，１３，１４に係る発明は、特許異議申立書（１）第５頁第６行〜第１１頁第１行、第１２頁第１０行〜第１２頁第１６行に記載された理由により、刊行物１に記載された発明と同一又は刊行物１から当業者が容易に発明できたものであるから、本件特許の請求項１〜７，１３，１４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定に違反してされたものである。 
【２】本件特許の請求項１〜７，１３，１４に係る発明は、特許異議申立書（２）第１５頁第８行〜第３０頁第１９行に記載の理由により、刊行物１〜４に記載された発明と同一又は刊行物１〜４，６及び７から当業者が容易に発明できたものであるから、本件特許の請求項１〜７，１３，１４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定に違反してされたものである。 
【３】本件特許の請求項１に係る発明は、特許異議申立書（３）第１９頁第１２行〜第２０頁第９行に記載された理由により、刊行物５に記載された発明と同一であるから、本件特許の請求項１に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。 
【４】本件特許の請求項１に係る発明は、特許異議申立書（３）第２０頁第１０行〜第２３頁第１１行に記載された理由により、刊行物５，６，８〜１０及び１２から当業者が容易に発明できたものであるから、本件特許の請求項１に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
【５】本件特許の請求項２，３に係る発明は、特許異議申立書（３）第２３頁第１２行〜第２４頁第１６行に記載された理由により、刊行物５，６，８〜１０及び１２から当業者が容易に発明できたものであるから、本件特許の請求項２，３に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
【６】本件特許の請求項４，５に係る発明は、特許異議申立書（３）第２４頁第１７行〜第２５頁第７行に記載された理由により、刊行物５，９及び１３から当業者が容易に発明できたものであるから、本件特許の請求項４，５に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
【７】本件特許の請求項６に係る発明は、特許異議申立書（３）第２５頁第８行〜第２５頁第１９行に記載された理由により、刊行物５及び９から当業者が容易に発明できたものであるから、本件特許の請求項６に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
【８】本件特許の請求項７に係る発明は、特許異議申立書（３）第２５頁第２０行〜第２６頁第７行に記載された理由により、刊行物５，８，９及び１２から当業者が容易に発明できたものであるから、本件特許の請求項７に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
【９】本件特許の請求項１３，１４に係る発明は、特許異議申立書（３）第２８頁第９行〜第２８頁第１８行に記載された理由により、刊行物５，８及び９から当業者が容易に発明できたものであるから、本件特許の請求項１３，１４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
【１０】本件特許の請求項に係る発明の特徴である、両面ポリシング工程において、「半導体ウェハの最終厚さ」が「キャリア厚さ」より僅かに大きくなるまでポリシングを行うという技術的思想は、刊行物１〜６，８，９及び１２に記載されており、その具体的な数値範囲及びそれに関連する半導体ウェハの受け入れ時の厚さや半導体ウェハのポリシング量をどの程度にするかは、当業者が適宜設定し得たものである。 
　したがって、本件特許の請求項１〜７，１３，１４に係る発明は、刊行物１〜１０，１２及び１３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許の請求項１〜７，１３，１４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
　
 ●ポリシング工程の前後の工程の構成に関する請求項８〜１２について 
【１１】本件特許の請求項８〜１２に係る発明は、特許異議申立書（１）第１１頁第２行〜第１２頁第９行に記載された理由により、刊行物１に記載された発明と実質的に同一又は刊行物１から当業者が容易に発明できたものであるから、本件特許の請求項８〜１２に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定に違反してされたものである。
【１２】本件特許の請求項８〜１２に係る発明は、特許異議申立書（２）第１６頁第１９行〜第１７頁第９行、第２１頁第１行〜第２１頁第４行、第２２頁第２３行〜第２２頁第２５行に記載された理由により、刊行物１〜４に記載された発明と実質的に同一又は刊行物１〜４，６及び７から当業者が容易に発明できたものであるから、本件特許の請求項８〜１２に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定に違反してされたものである。 
【１３】本件特許の請求項８〜１２に係る発明は、特許異議申立書（３）第２６頁第８行〜第２８頁第８行に記載された理由により、刊行物５，８，９，１１〜１５から当業者が容易に発明できたものであるから、本件特許の請求項８〜１２に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
【１４】本件特許の請求項に係る発明の特徴である、両面ポリシング工程において、「半導体ウェハの最終厚さ」が「キャリア厚さ」より僅かに大きくなるまでポリシングを行うという技術的思想は、刊行物１〜６，８，９及び１２に記載されており、その具体的な数値範囲及びそれに関連する半導体ウェハの受け入れ時の厚さや半導体ウェハのポリシング量をどの程度にするかは、当業者が適宜設定し得たものである。 
　また、ポリシング工程の前後に半導体ウェハに対して所定の処理を行うことは、刊行物１１〜１５に記載されているように従来周知の技術的事項であり、かつ、これらの技術を用いたことによって付加的な効果が生じるものでもない。 
　したがって、本件特許の請求項８〜１２に係る発明は、刊行物１〜１５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許の請求項８〜１２に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
　
３）本件特許は、明細書及び図面の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項及び第６項に規定にする要件を満たしていない。 
　
 　　　　　　　　　　　　　　　　記 
　
（ａ）請求項１に記載された「半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし２０μｍだけ大きくかつ少なくとも５μｍのポリシング除去が実現されるまで、半導体ウェハをポリシングする」の部分に関し、発明の詳細な説明には、表１とともに、「次の表には、ポリシング除去の他に、仕上げポリシングされたシリコンウェハとキャリアとの間の厚さの差（「突出」）およびそれぞれのポリシングランの３０個のシリコンウェハのそれぞれに対する最高ＳＦＱＲ値（“ＳＦＱＲｍａｘ”）の平均値が示されている。」（段落００３７）と記載されている。 
　そして、表１及び上記の記載箇所を参照すると、請求項１に記載された「半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし２０μｍだけ大きく」なるように「半導体ウェハをポリシングする」工程は、「ポリシング除去の他に、仕上げポリシング」を行う工程であると認められる。 
　しかし、発明の詳細な説明には、「半導体ウェハをポリシングする」工程について、「両面ポリシングステップは、市販の、ポリエチレンファイバで強化されているポリウレタンの研磨布によって、４質量百分率およびｐＨ値１１のＳｉＯ２の固体含有量を有するポリシングゾルを使用して０．１５ｂａｒの圧着力下で実施された。・・・ポリシングは、それぞれ４０℃の上定盤および下定盤の温度において行われかつ０．５５μｍ／ｍｉｎの切削速度が生じた。・・・シリコンウェハはポリシングの終了後、付着しているポリシングゾルによって洗浄され、乾燥され・・・る。」（段落００３７）と記載されているのみであり、「ポリシング除去の他に、仕上げポリシング」を行う工程が具体的に開示されているものとは認められない。 
　ここで、発明の詳細な説明には、「別の用向きに依存して、シリコン前面に対して、公知技術により、例えばＳｉＯ２をベースとしたアルカリポリシングゾルを使用した柔らかい研磨布によって、最終ポリシングを行うことが必要であることもある。その際本発明によるポリシングステップにおいて生成される非常に低くかつ均一に分配されたローカルな幾何学形状値を得るために、ウェハからのシリコン除去は比較的低く、例えば０．１ないし０．７μｍにあるようにしたい。」（段落００２５）と記載されているが、この記載からは「最終ポリシング」が本件発明において必須の工程であるとは認められないから、この「最終ポリシング」が上記の「仕上げポリシング」を指すと見ることはできない。 
　したがって、本件特許の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１〜１４に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていない。
　
（ｂ）請求項１３に記載された「半導体ウェブ」は意味が不明りょうである。また、請求項１３に記載された「キャリアの（別の）切り欠き」と請求項１に記載された「キャリアの穴」との関係が不明りょうである。 
　したがって、請求項１３に係る発明は明確でない。 
　
（ｃ）請求項１４は、末尾が「方法の使用」となっており、発明のカテゴリーが不明りょうである。 
　したがって、請求項１４に係る発明は明確でない。」
　
３．刊行物記載事項
（１）刊行物１．特開平５−１７７５３９号公報（特許異議申立人市東勇の提出した甲第１号証及び特許異議申立人北垣哲郎の提出した甲第４号証）
　刊行物１には、図１ないし６とともに、以下の事項が記載されている。
「【請求項１】　それぞれに研磨布を設けた上下一対の定盤間に、ウェハを保持するキャリアを挟み、前記定盤とキャリアを相対的に回転、移動させてウェハ両面を同時にポリッシング加工するウェハ研磨方法において、前記キャリアの厚さをＴ、ウェハの厚さをｔ、前記定盤間にキャリアを挟んだ際の研磨布の変形量をｘとした場合、Ｔ−２ｘ＜ｔ＜Ｔ＋２ｘの関係にて加工を行う工程を含むこと特徴とする両面ポリッシュ装置によるウェハ研磨方法。」（特許請求の範囲）
「・・・尚、研磨布の変形量とは、上下定盤でキャリア（ウェハ）を挟んだ場合に、キャリアとウェハの厚さが異なるために研磨布が変形する厚さをいう。例えば、キャリアよりウェハが厚ければ、ウェハが研磨布に沈み込んだ厚さをいい、逆にキャリアよりウェハが薄ければ、研磨布がウェハ側に張り出した厚さをいう。又、キャリアとウェハが同じ厚さなら変形量は０である。」（０００４段落）
「【０００５】図１及び図２を用いて具体例を説明する。図１はウェハを保持したキャリアを挟んだ上下定盤を示す断面図である。図示のように上下各定盤１、４にはそれぞれ研磨布２、３が設けられており、通常互いに反対方向に回転させることができる。キャリア５はこれに設けられた孔にウェハ６を保持し、前記上下定盤の間に挟み込まれる。そして、前記定盤１、４とキャリア５を相対的に回転、移動させてウェハ６両面を同時にポリッシング加工するのである。
【０００６】この加工には次のような条件が必要である。前記キャリア５及びウェハ６の部分を拡大すると図２のようになるが、同図に示すように上下定盤でウェハ（キャリア）を挟んだ場合、ウェハ６が上下各研磨布２、３へ沈み込む（キャリアよりウェハが厚い場合）。ここで、キャリア５の厚さをＴ、ウェハ６の厚さをｔ、前記定盤間にキャリア５を挟んだ際に、ウェハ６が上下各研磨布２、３へ沈み込んだ変形量をそれぞれｘとした場合、Ｔ−２ｘ＜ｔ＜Ｔ＋２ｘの関係にて研磨を行うのである。
【０００７】
【作用】上記のような関係にて研磨を行うことで、従来面ダレ現象により凸レンズ状に形成されていたウェハの断面が図３に示すように中央部より外周部が厚い凹レンズ状に形成することができる。そして、この両面研磨に続いて片面研磨を行うと、面ダレ現象により凹レンズ状ウェハの外周部の厚みが相殺され、全面にわたって均一な平面性を有するウェハを得ることができる（図４参照）。・・・
【０００８】尚、ｔの上限をＴ＋２ｘとしたのは、これ以上であればウェハを凹レンズ状に研磨することができず、ｔの下限をＴ−２ｘとしたのは、それ以下であれば研磨布がウェハに届かず、研磨できないからである。」（０００５〜０００８段落）
「【０００９】
【実施例】以下、本発明実施例を説明する。上記で説明した上下一対の定盤を有する装置により、ＧａＡｓのウェハを用いて実際に本発明方法により研磨を行った。このときの各寸法は、ウェハの直径７６ｍｍ、厚さｔ＝６３０μｍ、キャリア厚さＴ＝６００μｍ、研磨布の変形量ｘ＝５０μｍであり、Ｔ−２ｘ＜ｔ＜Ｔ＋２ｘの関係を満たしている（実施例）。又、比較のため同一材質、同一径のウェハを用いて、従来の方法であるｔ＞Ｔ＋２ｘの関係（ウェハの厚さｔ＝８００μｍ、キャリア厚さＴ＝６００μｍ、研磨布の変形量ｘ＝５０μｍ）での研磨も行った（比較例）。
【００１０】これらの研磨の結果得られたウェハの厚み分布を光干渉縞式平坦度測定機にて調べた。その結果を図５及び図６に示す。図示のように比較例はウェハ中央部が厚く、外周側が薄く研磨された（図６）のに対して、実施例はウェハの中央部が薄く、外周部が厚い凹レンズ状に形成されている（図５）ことが確認された。
【００１１】その後、これらのウェハについて、片面研磨を施し、その結果得られたウェハは、比較例のほうが、中央部の厚さ７５０μｍ、外周部の厚さ７４５μｍであったのに対し、実施例のほうは中央部の厚さ６００μｍ、外周部の厚さ６０１μｍであり、ウェハ全面にわたってほぼ均一な平面性を有していることが確認された。」（０００９〜００１１段落）
　
（２）刊行物２．特開平１１−１０５３０号公報（特許異議申立人北垣哲郎の提出した甲第１号証） 
　刊行物２には、図１ないし７及び９とともに、以下の事項が記載されている。
「【請求項１】　被加工物を上下研磨布の間に介在させて両面研磨をするべく、被研磨物保持孔を設けるとともに自転及び公転を可能とした円盤状に構成し、構成部材は金属または樹脂被覆した金属または樹脂より構成したキャリアであって、　上記キャリアに前記研磨布に対するドレッシング機能を備える構成としたことを特徴とする両面研磨用キャリア。
【請求項２】　前記ドレッシング機能は、被研磨物保持孔群領域の外周周辺部位に樹脂被覆をした金属または樹脂部材よりなるリングを構成し、該リング上に凸部を設けるドレッシング第１手段により構成した、ことを特徴とする請求項１記載の両面研磨用キャリア。
【請求項３】　前記ドレッシング機能は、キャリアの上下表面に凸部を設けるドレッシング第２手段により構成した、ことを特徴とする請求項１記載の両面研磨用キャリア。
【請求項４】　前記ドレッシング機能は、樹脂被覆された金属ないし樹脂材料よりなる前記キャリアの内部に設けた貫通孔にドレッシング砥石を接着するドレッシング第３手段により構成した、ことを特徴とする請求項１記載の両面研磨用キャリア。
【請求項５】　前記ドレッシング機能は、キャリア外周歯部位にテーパ状凸部を設けるドレッシング第４手段により構成した、ことを特徴とする請求項１記載の両面研磨用キャリア。
【請求項６】　前記ドレッシング機能は、キャリア上下表面に形成した凹凸面に溶着させたセラミック砥粒を設けるドレッシング第５手段により構成した、ことを特徴とする請求項１記載の両面研磨用キャリア。
【請求項７】　前記凹凸面は、樹脂またはダイヤモンドあるいはダイヤモンドライクカーボンにより被覆した、ことを特徴とする請求項６記載の両面研磨用キャリア。」（特許請求の範囲）
「【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示した実施例を用いて詳細に説明する。但し、この実施例に記載される構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に特定的な記載が無い限り、この発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。図１は、本発明のキャリアの概略の構成を示す正面図で、図２は図１のキャリアに付加したドレッシング第１手段の構成を示す模式図で、図３は同じくドレッシング第２手段の構成を示す模式図で、図４は図２及び図３に設けた凸部の構成を示す拡大模式図である。図５は同じくドレッシング第３手段の構成を示す模式図である。図６は同じくドレッシング第４手段の構成を示す模式図で、（Ａ）は拡大破断部分正面図で（Ｂ）は（Ａ）のＶＩ−ＶＩ視図である。図７は同じくドレッシング第５手段の構成を示す模式図で、（Ａ）はそのひとつの実施例を示す断面図で、（Ｂ）は別の実施例を示す断面図である。
【００２８】図１に示すように本発明のキャリア１０は、内部のそれぞれの対称位置に３組の被研磨物保持孔１１、１１、１１と研磨剤供給孔１２、１２、１２とを含む円盤状構成とし、外周に外周歯１０ａを備え、その構成部材は金属または樹脂被覆をした金属または樹脂部材で構成する。そして、図９（Ａ）（Ｂ）に示す両面研磨装置にセットして、前記外周歯１０ａを両面研磨装置の太陽歯車５３、内歯車５４に噛み合わせ自転及び公転させ、前記被研磨物保持孔１１にワークを挿入保持して互いに逆回転する上下定盤５１、５２に貼着した研磨布５１ａ、５２ａとの間に形成される相対運動により所定の研磨を行うようにしてある。
【００２９】上記キャリア１０にドレッシング機能を付加させるドレッシング第１手段は、図２に示すように、キャリア１０の被研磨物保持孔１１、研磨剤供給孔１２の存在する領域の外周周辺部位に樹脂被覆をした金属または樹脂部材よりなるリング１３を設け、該リングの上下表面のハッチング部に図４に示すように高さＨ１ａの凸部１３ａを間隔ｓを置いてそれぞれ設ける構成としたもので、該凸部の形状は円柱、三角錐、四角錐、円錐、またはブラスト加工により形成された不規則凸部でもよく、また、例えばキャリア表面にマスキング処理をしてセラミック砥粒を溶着またはプラスチック材料をコーティングしてもよい。また別な方法としてはプラスチック基板（例えばガラスエポキシ積層板）を網目状につくり、キャリア表面に貼りつける事によってもよい。そして、両面に設けた凸部を含む樹脂被覆をした金属または樹脂部材よりなるリングの厚さ（キャリアの厚さ）Ｈ１は被研磨物の仕上がり厚さに近いほうが望ましく、仕上がり厚さ、強度、ドレッシング効果等を考慮に入れて設定する必要がある。
【００３０】例えば被研磨物の仕上がり厚さ７２５μｍに対して、キャリアの凸部を除いた部分のキャリアの厚さは強度の面で６００μｍが必要である。また、仕上がり厚さと凸部を含めたキャリアの厚さＨ１との差（仕上がり厚さ−キャリア厚さ）は０〜５０μｍにする必要がある。これより小さい場合（マイナスの場合）は加工物の平坦度が得られない。また、大きい場合は研磨布をドレッシングする効果が得られない。上記ドレッシングを行うための凸部の高さＨ１ａは５．０μｍ以上あれば良く、それより小さければ効果が少ない。また、凸部の間隔ｓは１０μｍ〜１０ｍｍの間で、できれば間隔は小さい方がより効果が大きい。このような条件の範囲内を満たすようにキャリアを形成することが好ましい。」（００２７〜００３０段落）
「【００４３】
【実施例】本発明のドレッシング第２手段により例えば下記構成のキャリアを作成した。即ち、被研磨物の仕上がり厚さ７２５μｍを得るため、凸部の高さＨ１ａを除いたキャリアの厚さを６９０μｍ程度とし、その表面に間隔ｓを１００μｍ程度、片面の凸部の高さＨ１ａを１５μｍとした凸部を設け、厚さ７２０μｍのキャリアを構成した。」（００４３段落）
「【００４５】また、本発明のドレッシング第４、第５手段により構成されたキャリアを使用してドレッシング手段を施さないキャリアとの比較試験を行った。その結果について下記説明する。
試料ウェーハ；　ＣＺ単結晶、Ｐ型、結晶方位＜１００＞、２００ｍｍφ、厚さ７４５μｍ、のエッチングウェーハ
比較試験キャリア；実験例１、厚さ７００μｍのエポキシ樹脂コーティングＳＫキャリアを使用し、
外周歯部位に片面のテーパ状凸部の高さＨ２ａが１２．５μｍの凸加工（ドレッシング第４手段）をしたキャリアを使用、
実験例２、ブラスト処理により表面粗さＲａ＝５．０μｍにしたＳＫ材（厚さ約６００μｍ）に対して、アルミナ砥粒（＃２０００）の溶着層が片面５０μｍになるようにプラズマ溶着し、その上にエポキシ樹脂のコート層を７．５μｍ程度にコーティングした略７２５μｍのキャリア（ドレッシング第５手段）を使用、
比較例、　厚さ７００μｍの表面エポキシ樹脂コーティングＳＫ材使用
研磨布、　不織布タイプ、硬度８０（アスカーＣ硬度）
研磨剤、　コロイダルシリカ剤（ｐＨ＝１０．５）
研磨荷重、　　１５０ｇ／ｃｍ2　
研磨除去量、　２０μｍ」（００４５段落）
　
（３）刊行物３．特開平８−１９７４１６号公報（特許異議申立人北垣哲郎の提出した甲第２号証） 
　刊行物３には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ、液晶セル用ガラス基板、光学部品等の端部が面取りされた被加工物の上下面を研磨加工する両面研磨機における両面研磨用キャリヤに関するものである。」（０００１段落）
「【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面で詳細に説明する。図１に示すものは、外端部が面取りされた被加工物１の上下面を研磨加工する両面研磨機における両面研磨用キャリアにおいて、キャリア２の被加工物１挿入孔内端面は、被加工物１外端部と同様の形状に面取りがされ、さらに、被加工物１外端部とキャリア２の被加工物挿入孔内端面間には若干のクリアランス７を形成した両面研磨用キャリアである。」（０００８段落）
「【００１０】次に、具体例として、被加工物としてＧａＡｓ単結晶基板で直径７６ｍｍ、厚さ７５０μｍ、面取り形状０．４Ｒのものを用い、両面研磨機として定盤径６４０ｍｍの４Ｗａｙタイプ、キャリヤ２はエポキシ樹脂製で径２３０ｍｍ、厚さ５８０μｍ、孔径７７ｍｍ、内面が基板と同様０．４Ｒに面取りされているものを用いて研磨加工を実行した。
【００１１】先ず、定盤としてガラス製、研磨材としてアルミナ製＃１５００で６５０μｍまでラッピング、次いでポリエステル研磨布ＳＩＯ2砥粒入りアルカリ性研磨材で６００μｍまでポリッシングを行った。その結果、従来のキャリヤ２を用いて研磨加工したものは、例えば半導体ウェハ端部の円弧形状が研磨されて変形してしまっていたが、それがなくなった。」（００１０〜００１１段落）
　
（４）刊行物４．実願平５−５６１９４号（実開平７−２７７４７号）のＣＤ−ＲＯＭ（特許異議申立人北垣哲郎の提出した甲第３号証） 
　刊行物４には、図１及び図２とともに、以下の事項が記載されている。
「　　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　この考案は半導体ウエハ等の研磨用キャリア、詳しくは、半導体シリコンウエハ、石英マスクなど硬脆材料からなる被研磨物を両面研磨する際に用いる研磨用キャリアに関する。」（０００１段落）
「　　【０００８】
　【実施例】
　以下、本考案に係る研磨用キャリアの一実施例を図面に基づいて説明する。
　本考案が対象とする研磨用キャリアａは図１及び図２に示すように、シリコンウエハ（被研磨物）Ｗを両面研磨する際に使用するものであって、金属等の硬質材を用いて薄肉円板状に一体成形したキャリア本体１にシリコンウエハＷを嵌合い装着する装着孔２を開設すると共に、キャリア本体１外周には研磨装置のギア輪（不図示）内周に歯合させるギア部３を形成し、且つ前記装着孔２の内周縁にシリコンウエハＷの周縁Ｗ１を保護する保護部４を形成して構成される。」（０００８段落）
「　　【００１２】
　・・・尚、本実施例の研磨用キャリアａが対象とする披研磨物であるシリコンウエハＷの厚さ寸法t1は 0.2〜0.8mm( 200〜800 μｍ）程度で、これに対するキャリア本体ａの仕上がり厚さ寸法t2は前記厚さ寸法t1から10μｍを引いた程度、また軟質材４’をコーティングする際の厚み、即ち保護部４の幅寸法ｈは0.5mm 程度である。」（００１２段落）
　
（５）刊行物５．特開平５−１７７５３７号公報（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第１号証） 
　刊行物５には、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚さ 100μm 以下の薄片単結晶の両面同時ポリッシング加工方法に関する。」（０００１段落）
「【００１８】実施例１
まず、ガラス繊維を含有するエポキシ樹脂からなる、厚さ72μm で幅 4mmのガイド部材を用意した。次いで、両面ポリッシュマシンに用いられる厚さ72μm のスチ−ル製キャリヤの 2個のウエハ収容部内に、それぞれ上記ガイド部材を挿入配置した。そして、これらのガイド部材内に、ＧＣ #2500で両面ラッピングした、直径62mm×厚さ 100μm の Z軸 LiTaO3 ウエハをそれそれセットした。同様にして、全部で 6個の LiTaO3 ウエハを両面ポリッシュマシンにセットした。
【００１９】次に、コロイダルシリカの溶液を流し、静かにゆっくり上定盤を下ろした後、定盤およびキャリヤを回転させた。回転が安定したら、 250g/cm2 の圧力まで徐々に加圧し、この状態で 150分間研磨した。その結果、割れやクラックの発生はなく、80μm の両面ポリッシングウエハを歩留りよく得ることができた。厚みバラツキは 2μm と、非常に良好な結果が得られた。また、側面もきれいな光沢が見られ、ポリッシングされることが分かった。」（００１８〜００１９段落）
　
（６）刊行物６．特許第２７８２８６８号公報（特許異議申立人北垣哲郎の提出した甲第５号証及び特許異議申立人笹木久男の提出した甲第４号証） 
　刊行物６には、第１図とともに、以下の事項が記載されている。
「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、貫通孔を有し遊星運動をするキャリアを用い、該貫通孔にウェーハを保持して該ウェーハの表裏両面に研磨布を押し当てて研磨するウェーハ研磨方法に関する。」（第２欄第４〜８行）
「キャリア1Bは、従来例で用いたキャリア1Aの表裏両面の貫通孔２周縁部に厚さ方向の突起1aを設けたものである。突起1aは、キャリア1Aと同一材料を用い、貫通孔２周縁部の全域を占めるように環状したものを張り付けて形成してある。実施例は、６インチサイズのウェーハＷを仕上がり厚さ750μｍに研磨する場合であり、キャリア1Bの厚さは550μｍ、貫通孔２の直径はウェーハＷに合わせて151mmφ、突起1aの高さは100μｍ、その幅は約5mmである。従って、貫通孔２周縁部の厚さは750μｍになっている。」（第４欄第２７〜３６行）
　
（７）刊行物７．特開平９−１７７６０号公報（特許異議申立人北垣哲郎の
提出した甲第６号証） 
　刊行物７には、図１及び２とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１２】
【実施例】以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。図１および図２はこの発明の一実施例に係る研磨装置を示す正面断面図である。これらの図において、１１は研磨定盤（キャリアプレート）を示している。この研磨定盤１１の下面には所定大きさの凹所１２が形成され、この凹所１２には軟質のバックパッド１３が挿入されている。バックパッド１３は例えばシリコンスポンジゴムで形成されている。
【００１３】半導体ウェーハ（シリコンウェーハ）１４は、この凹所１２に挿入されてその裏面はバックパッド１３に密着され、その表面は所定高さだけ研磨定盤１１の下面から突出している。そして、この半導体ウェーハ１４を取り囲むようにして円環状の保持リング１５（テンプレート）が研磨定盤１１の下面に両面テープ、例えばロデールニッタ（株）製の「ＰＳＡ−Ｇ」によって固着される。このとき、半導体ウェーハ１４の表面は、保持リング１５の表面から所定の高さ（Ｄ＝５〜５０μｍ）だけ突出している。１６は研磨定盤１１の下方に配設された硬質パッドである。硬質パッド１６は例えばウレタン樹脂系の素材で形成されている。この硬質パッド１６は上記バックパッド１３よりも硬いものである。」（００１２〜００１３段落）
「【００１６】そして、この装置では、半導体ウェーハ１４を研磨定盤１１に装着したとき、その保持リング１５表面と半導体ウェーハ１４表面との間隔は１０〜５０μｍにコントロールされることとなる。このように、半導体ウェーハ１４の装着時、半導体ウェーハ１４表面の突出量は正確にコントロールされる。
【００１７】ここで、研磨定盤１１に保持された半導体ウェーハ１４の表面に研磨布である硬質パッド１６が押し付けられる。このとき、硬質パッド１６および研磨定盤１１は相対的に回転している。また、硬質パッド１６は半導体ウェーハ１４表面に所定の荷重（その弾性係数によって異なり、例えば５０ｇ／ｃｍ2〜３００ｇ／ｃｍ2程度）で押し付けられている。よって、半導体ウェーハ１４はバックパッド１３を圧縮してその一部が凹所１２に沈み込む状態となり、保持リング１５の表面と半導体ウェーハ１４の表面とは略同一の水平面を構成して研磨されることとなる（図２参照）。」（００１６〜００１７段落）
　
（８）刊行物８．特開平３−２２８５６８号公報（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第２号証） 
　刊行物８には、以下の事項が記載されている。
「２．特許請求の範囲
　１．仕上がり厚さが１００μｍ以下で直径が３０mm以下である極薄ウェーハの製造方法において、ワーク挿入穴を有するキャリアを極薄ウェーハの仕上り厚さより薄く予め研磨仕上げしておき、ウェーハ用原塊から切り出した薄板材を前記により研磨仕上げしたキャリアのワーク挿入穴で坦持しながら、両面研磨機により前記薄板材の両面を同時に研磨加工することを特徴とする極薄ウェーハの製造方法。
　２．前記キャリアは、ワーク挿入穴が複数で各ワーク挿入穴の間隔およびキャリア外周とワーク挿入穴の間隔が７ｍｍ以上であり、厚さが極薄ウェーハの仕上がり厚さより０〜６μｍ薄く予め研磨仕上げしてあることを特徴とする請求項第１項に記載の極薄ウェーハの製造方法。」（特許請求の範囲）
　
（９）刊行物９．「ＣＭＰのサイエンス」、第１版第１刷、株式会社サイエンスフォーラム、１９９７年８月、ｐ．１１３−１１９、ｐ．１４０−１４３、ｐ．２０１−２１５（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第３号証）
　刊行物９には、以下の事項が記載されている。
「Siウェハの平坦度を評価するにあたって重要なことは平坦度の定義を理解しておくことである。平坦度の定義は表現するエリアの大きさから，GlobalとSiteの二つに大別される。Globalの代表的な平坦度をTTV（Total Thickness Variation），Siteの代表的な平坦度をLTV（Local Thickness Variation）と呼ぶ。いずれもSiウェハの裏面をステージに完全に吸着したと仮定して平坦度を算出する。これらを一般的に裏面基準の平坦度と呼ぶ。これに対して表面基準の平坦度とは，Siウェハの表面を基準としてGlobalあるいはSite毎に最小自乗法により基準平面を定義して平坦度を算出する。そのイメージを図−１に示す。」（第２１０頁右欄第２行〜第２１１頁左欄第１行）
　ここで、図−１には、表面基準のSiteの平坦度として、SFQR/D（Site Front Least Squares Range/Deviation）が挙げられている。
「両面ポリッシュは・・・仕上がり厚みより幾分薄いキャリアの中にSiウェハを複数枚装填し，研磨クロスを貼った上定盤と下定盤に挟んでSiウェハの表と裏の両面を同時に研磨する方法である。」（第２１２頁右欄下から５行〜最下行）
「Siウェハの研磨はSiO2微粒子を懸濁したアルカリ性スラリーを用い，SiO2による機械的除去作用とアルカリ液による化学的溶去作用の複合作用，いわゆるメカノケミカル法によって加工が行われる。」（第２１３頁右欄第２行〜第５行）
　
（１０）刊行物１０．特開平５−３２６４６８号公報（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第５号証） 
　刊行物１０には、以下の事項が記載されている。
「【請求項１】　　ウェーハを接着した硬質プレートを定盤上に貼付された研磨布面上で回転摺動させてウェーハを研磨する方法において、ウェーハの周縁にウェーハの仕上がり厚さよりも薄い厚さとされるリングを装着した状態で研磨することを特徴とするウェーハの研磨方法。
【請求項２】　　ウェーハを接着した硬質プレートを定盤上に貼付された研磨布面上で回転摺動させてウェーハを研磨する方法において、前記硬質プレートのウェーハを接着する部分の厚さを薄くした状態にしてウェーハを研磨することを特徴とするウェーハの研磨方法。」（特許請求の範囲）
「本発明は・・・片面ポリッシングする際のウェーハの面だれを低減させるに好適なウェーハの研磨方法を提供することを目的とする。」（第２頁左欄第４８行〜同頁右欄第１行）　
　
（１１）刊行物１１．竹腰敏男著、「半導体シリコンビジネスのすべて」、初版第１刷、株式会社工業調査会、１９９４年８月、ｐ．１２５−１２９、ｐ．１５８−１７７、ｐ．１８８−１９３（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第６号証） 
　刊行物１１の第１２７頁の図６．２には、ウェーハ加工の概要として、ＩＣ用鏡面ウェーハ工程およびエピ工程では、単結晶インゴットをウェーハ切断した後、面取、ラッピング、エッチング及び片面鏡面研磨（一次・二次）等を順次行い、その後、必要であればエピ成長を行うことが記載されている。
　
（１２）刊行物１２．志村史夫著、「半導体シリコン結晶工学」、丸善株式会社、１９９３年９月、ｐ．１０３−１１７、ｐ．１４４−１５１（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第７号証）
　刊行物１２には、以下の事項が記載されている。
「近年，シリコンウエーハの平行度，平坦度に対する要求がいっそう厳しくなっている．従来の片面研磨ウエーハに不可避的に熱処理で生じるそりの問題も指摘されている．これらの問題を解決する一つの方策として，両面同時ポリッシングが提案された．シリコンウエーハを仕上げ厚さより若干薄いキャリアの中に装填し，両面ラッピングと同様の機構でメカノケミカルポリッシングする方法である．」（第１１６頁第１０行〜第１４行）
　
（１３）刊行物１３．特開平１０−３０８３６８号公報（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第８号証） 
　刊行物１３には、図２とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１７】図２に示すように、この実施例にあっては、大略、スライス、面取り、ラップ、ＣＣＲ、片面毎の研削、熱処理、ゲッタリング処理、両面同時研磨、片面仕上げ研磨、仕上げ洗浄の各工程を経て、シリコンウェーハが作製される。
【００１８】具体的には、ＣＺ法により引き上げられたシリコンインゴットは、スライス工程（Ｓ２０１）で所定の厚さにスライスされる。次に、このスライスドウェーハは、面取り工程（Ｓ２０２）で、その周縁部が面取り用の砥石を用いて所定形状に面取りされる。この結果、シリコンウェーハの周縁部は所定の丸みを帯びた形状（例えばＭＯＳ型の面取り形状）に成形される。次に、この面取り加工が施されたシリコンウェーハはラップ工程（Ｓ２０３）でラップされる。このラップ工程では、シリコンウェーハを、互いに平行に保たれたラップ定盤の間に配置し、アルミナ砥粒とグリセリンの混合物であるラップ液をこのラップ定盤とシリコンウェーハとの間に流し込む。そして、加圧下で回転・摺り合わせを行うことにより、このウェーハ両面を機械的に研磨する。
【００１９】次のＣＣＲ工程（Ｓ２０４）においては、シリコンウェーハはその面取り面がエッチングされて面取り加工での歪みなどが除去されるとともに平坦化される。複数のシリコンウェーハを重ね合わせて（ギャザーして）混酸の液槽中に浸して各面取り面のみをエッチングするものである。なお、この面取り面にＰＣＲ（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ　Ｃｏｎｏｒ　Ｒｏｕｎｄｉｎｇ）加工を施して鏡面化してもよい。
【００２０】さらに、このシリコンウェーハのラップ面を、高番手の（例えば＃２５００）研削砥石を用いて平面研削する。まず、ウェーハ表面を研削し（Ｓ２０５）、次いでウェーハ裏面を同様に研削する（Ｓ２０６）。これら研削工程での、シリコンウェーハの研削量は、片面側で１５μｍ程度、両面を合計すると３０μｍ程度である。研削装置については後述する。この後、シリコンウェーハは６００℃以上のドナーキラー熱処理が（Ｓ２０７）、所望の場合はさらにゲッタリング処理（Ｓ２０８）が施されることとなる。例えばシリコンウェーハの裏面にサンドブラスト処理が施される。
【００２１】次に、このシリコンウェーハは両面同時研磨工程において、その表裏両面に同時に機械的化学的研磨が施される（Ｓ２０９）。上記研削またはラップ加工での歪み等が除去される。例えばこの片面毎の研削によるウェーハでは、その研磨量は、片面で５〜１０μｍ、両面で１０〜２０μｍである。
【００２２】このようにして加工、処理されたシリコンウェーハは仕上げ研磨工程（Ｓ２１０）に付され、この工程で片面について仕上げ鏡面研磨が実施される。この後、仕上げ洗浄工程（Ｓ２１１）を経てシリコンウェーハは製造される。」（００１７〜００２２段落）
　
（１４）刊行物１４．特開平９−２７０３９６号公報（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第９号証） 
　刊行物１４には、以下の事項が記載されている。
「【請求項１】　次の工程からなることを特徴とする半導体ウェハの製法。
（１）インゴットをスライスしてウェハを得るインゴット切断工程。
（２）スライスされたウェハの周縁部を面取りする面取り工程。
（２）面取りされたウェハの表裏両面を平面研削する平面研削工程。
（３）平面研削されたウェハを薬液により洗浄する薬液洗浄工程。
（４）薬液洗浄されたウェハの表裏両面を同時に研磨する両面研磨工程。」（特許請求の範囲請求項１）
「【００１５】本発明の薬液洗浄においては、平面研削で生じた突起部分を取り除くことができれば十分であることから、薬液洗浄の前と後の厚みの差は１〜５０μｍの変化をさせる処理が望ましい。したがって、洗浄液の溶解速度に応じて、この値になるように洗浄時間を設定して処理すればよい。」（００１５段落）
　
（１５）刊行物１５．特開平９−９７７７５号公報（特許異議申立人笹木久男の提出した甲第１０号証）
　刊行物１５には、以下の事項が記載されている。
「【請求項１】　半導体単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス工程と、該スライス工程によって得られたウェーハを面取りする面取り工程と、面取りされたウェーハの両面を１次鏡面研磨する両面１次鏡面研磨工程と、両面を１次鏡面研磨されたウェーハの片面を仕上げ鏡面研磨する片面仕上げ鏡面研磨工程を含むことを特徴とする半導体鏡面ウェーハの製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）
「・・・一般に仕上げ研磨は１次研磨または２次研磨の加工歪みを取り除くとともに、表面のｎｍオーダーの周期の微細な粗さを改善するために行われるもので、研磨代が０．５〜２．０μｍ程度である。・・・」（００３６段落）
　
４．本件発明
　上記第２　３．のとおり、訂正請求は容認されたので、本件の請求項に係る発明は、その訂正請求書の特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「　【請求項１】　半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時にポリシングすることによって受け入れ時厚さが４２０ないし１４００μｍであって最終厚さが４０２ないし１２１５μｍである半導体ウェハを製造するための方法であって、半導体ウェハは扁平なキャリヤの穴に置かれかつ所定の幾何学的な軌道上に保持され、かつキャリヤが４００ないし１２００μｍのキャリヤ厚さを有しておりかつ半導体ウェハがポリシングの前に受け入れ時厚さおよびポリシングの後に最終厚さを有しているとする形式の方法において、
半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリヤ厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリヤ厚さより２ないし１５μｍだけ大きくかつ少なくとも５μｍのポリシング除去が実現されるまで、半導体ウェハをポリシングすることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
　　【請求項２】　半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリヤ厚さより３０ないし７０μｍだけ大きい請求項１記載の方法。
　　【請求項３】　前記定盤には研磨布が貼られておりかつ半導体ウェハのポリシングの期間に、アルカリポリシングゾルを連続的に供給する請求項１又は２記載の方法。
　　【請求項４】　前記ポリシングゾルは、１ないし１０質量百分率のＳｉＯ２固体含有量および９ないし１２のｐＨ値を有している請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
　　【請求項５】　ポリシングによって、半導体ウェハの厚さを１５ないし６５μｍだけ低減するようにする請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
　　【請求項６】　半導体ウェハを半導体結晶のスライスによって製作しかつポリシングの前に、研削ステップを行い、ここで半導体ウェハの片面または両面を研削しかつ１０ないし１００μｍの材料除去を実現する請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
　　【請求項７】　半導体ウェハの研削の前または後に、半導体ウェハのエッジをラウンディングする請求項６記載の方法。
　　【請求項８】　半導体ウェハのポリシングの前に、エッチングステップを実施し、これにより、ウェハの両面のそれぞれから５ないし５０μｍの材料除去を実現する請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
　　【請求項９】　半導体ウェハのポリシングの後に、柔らかい研磨布を使用してウェハ前面から０．２ないし２μｍの材料除去が実現される、最終ポリシングステップを実施する請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
　　【請求項１０】　半導体ウェハのポリシングの後または前記最終ポリシングステップの後に、ウェハ前面に１μｍないし１０μｍの厚さを有する半導体エピタキシャル層を成膜する請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
　　【請求項１１】　前記半導体ウェハと一緒に少なくとも１つの別の半導体ウェハを同じ方法でポリシングし、ここで該別の半導体ウェハは前記キャリヤの別の穴または別のキャリヤの穴に置かれる請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
　　【請求項１２】　シリコン、シリコン／ゲルマニウム、シリコン酸化物、シリコン窒化物、ガリウムヒ化物および別のＩＩＩ−Ｖ半導体を含んでいる族から選択された材料から成るウェハを製造するための、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。」
　
５．当審の判断
（５−１）特許法第２９条第１項第３号及び第２項について
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）と各刊行物に記載された発明とを対比・検討する。
　
（刊行物１）
　刊行物１には、半導体ウェハがキャリアの孔（本件発明１の「穴」に相当）に置かれかつ所定の幾何学的な軌道上に保持されるようにして、半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時に研磨（ポリシング）する方法が実質的に記載され、その際に、研磨される半導体ウェハの厚さ（半導体ウェハの受け入れ時厚さ）を６３０μｍとし、キャリア厚さを６００μｍとすること、これにより、半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリア厚さより３０μｍだけ大きくすることが記載されており、これらの数値は、本件発明１の数値範囲に含まれるものである。
　しかし、刊行物１に記載された発明は、半導体ウェハの受け入れ時厚さをｔ［μｍ］、キャリア厚さをＴ［μｍ］、研磨布の変形量をｘ［μｍ］とした場合に、Ｔ−２ｘ＜ｔ＜Ｔ＋２ｘの関係を満たすように研磨することによって、半導体ウェハを、その中央部が薄く、外周部が厚い凹レンズ状にした後、さらに片面のみを研磨することによって最終的な厚さの半導体ウェハとするものであって、刊行物１には、本件発明１の「半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時にポリシングする」際に、「半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリア厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし１５μｍだけ大きくかつ少なくとも５μｍのポリシング除去が実現されるまで、半導体ウェハをポリシングする」ことについては、記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、この構成により、ポリシングされた半導体ウェハのエッジ領域におけるＳＦＱＲ値と中央領域におけるＳＦＱＲ値との差を小さくするという明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　
（刊行物２）
　刊行物２には、半導体ウェハがキャリアの被研磨物保持孔（本件発明１の「穴」に相当）に置かれかつ所定の幾何学的な軌道上に保持されるようにして、半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時に研磨（ポリシング）する方法が実質的に記載され、その際に、キャリアの表裏両面に研磨布をドレッシングするため凸部を設け、この凸部を含むキャリア厚さを半導体ウェハの仕上がり厚さ（最終厚さ）に近くすること、具体的には、半導体ウェハの仕上がり厚さを、凸部を含むキャリア厚さより０ないし５０μｍだけ大きくすることが記載されている。
　しかし、刊行物２に記載された発明において、半導体ウェハの仕上がり厚さを凸部を含むキャリア厚さより０ないし５０μｍだけ大きくするのは、該凸部により研磨布をドレッシングする効果が十分に得られるようにするためであり、刊行物２には、本件発明１の、「扁平なキャリア」に対して「半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリア厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし１５μｍだけ大きくかつ少なくとも５μｍのポリシング除去が実現されるまで、半導体ウェハをポリシングする」ことについては、記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、この構成により、ポリシングされた半導体ウェハのエッジ領域におけるＳＦＱＲ値と中央領域におけるＳＦＱＲ値との差を小さくするという明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　
（刊行物３）
　刊行物３には、半導体ウェハがキャリアの被加工物挿入孔（本件発明１の「穴」に相当）に置かれかつ所定の幾何学的な軌道上に保持されるようにして、半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時にポリシングする方法が実質的に記載され、その際に、キャリアは厚さ５８０μｍのものを用い、６５０μｍまでラッピングした半導体ウェハ（ＧａＡｓ単結晶基板）を６００μｍまでポリシングすること、すなわち、ポリシング前の半導体ウェハの厚さ（受け入れ時厚さ）を６５０μｍとし、ポリシング後の半導体ウェハの厚さ（最終厚さ）を６００μｍとし、キャリア厚さを５８０μｍとすること、これにより、半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリア厚さより７０μｍだけ大きくすることが記載されており、これらの数値は、本件発明１の数値範囲に含まれるものである。
　しかし、上記の、半導体ウェハの最終厚さが６００μｍであり、キャリア厚さが５８０μｍである場合には、半導体ウェハの最終厚さはキャリア厚さより２０μｍだけ大きいことになり、本件発明１の「半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし１５μｍだけ大き」いという要件を充足しない。
　また、刊行物３には、半導体ウェハの受け入れ時厚さ及び最終厚さをキャリア厚さに対して所定の範囲内に収めることについては、何ら記載されていないから、刊行物３に記載された発明において、半導体ウェハの受け入れ時厚さがキャリア厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし１５μｍだけ大きくなるようにすることは、当業者が容易になし得たものであるとも認められない。
　そして、本件発明１は、この構成により、ポリシングされた半導体ウェハのエッジ領域におけるＳＦＱＲ値と中央領域におけるＳＦＱＲ値との差を小さくするという明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　
（刊行物４）
　刊行物４には、半導体ウェハがキャリアの装着孔（本件発明１の「穴」に相当）に置かれかつ所定の幾何学的な軌道上に保持されるようにして、半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時に研磨（ポリシング）する方法が実質的に記載され、その際に、半導体ウェハの厚さｔ１は２００〜８００μｍ程度であり、キャリア厚さｔ２を前記厚さｔ１から１０μｍを引いた程度とすることが記載されている。
　ここで、刊行物４の記載において、上記半導体ウェハの厚さｔ１が、受け入れ時厚さであるか、最終厚さであるかについては明らかでないが、仮に、これが受け入れ時厚さを意味するとすれば、刊行物４には、半導体ウェハの最終厚さとキャリア厚さとの関係が何ら記載されていない。
　一方、仮に、上記半導体ウェハの厚さｔ１が最終厚さを意味するとすれば、刊行物４には、本件発明１の数値範囲と重なる部分を含む、半導体ウェハの最終厚さを２００〜８００μｍとし、キャリア厚さを１９０〜７９０μｍとし、これにより、半導体ウェハの最終厚さはキャリア厚さより１０μｍだけ大きくすることが記載されているが、半導体ウェハの受け入れ時厚さ、すなわち、半導体ウェハの受け入れ時厚さとキャリア厚さとの関係については、記載されていない。
　したがって、いずれの場合においても、刊行物４には、本件発明１の「半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリア厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし１５μｍだけ大きくかつ少なくとも５μｍのポリシング除去が実現されるまで、半導体ウェハをポリシングすること」については、記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、この構成により、ポリシングされた半導体ウェハのエッジ領域におけるＳＦＱＲ値と中央領域におけるＳＦＱＲ値との差を小さくするという明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　
（刊行物５）
　刊行物５には、単結晶ウェハがキャリアのウェハ収容部（本件発明１の「穴」に相当）に置かれかつ所定の幾何学的な軌道上に保持されるようにして、単結晶ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時に研磨（ポリシング）する方法が実質的に記載されているが、刊行物５に記載された発明は、厚さ１００μｍ以下の薄片単結晶ウェハを研磨する技術に関するものである。
　そして、刊行物５には、本件発明１の、受け入れ時厚さが４２０ないし１４００μｍであるような半導体ウェハのポリシングへの適用を示唆するような記載を見いだすことはできない。
　
（刊行物６）
　刊行物６には、半導体ウェハがキャリアの貫通孔（本件発明１の「穴」に相当）に置かれかつ所定の幾何学的な軌道上に保持されるようにして、半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時に研磨（ポリシング）する方法が実質的に記載され、その際に、半導体ウェハの仕上がり厚さ（最終厚さ）７５０μｍに対し、キャリア厚さを５５０μｍとし、該キャリアの貫通孔（穴）周縁部のみ厚さを７５０μｍとすることが記載されている。
　しかし、刊行物６には、本件発明１の、「扁平なキャリア」に対して「半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリア厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし１５μｍだけ大きくかつ少なくとも５μｍのポリシング除去が実現されるまで、半導体ウェハをポリシングする」ことについては、記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、この構成により、ポリシングされた半導体ウェハのエッジ領域におけるＳＦＱＲ値と中央領域におけるＳＦＱＲ値との差を小さくするという明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　
（刊行物７）
　刊行物７に記載された発明は、半導体ウェハの片面のみを研磨（ポリシング））する技術に関するものである。
　そして、刊行物７には、本件発明１の、半導体ウェハの前面および裏面を同時にポリシングする方法への適用を示唆するような記載を見いだすことはできない。
　
（刊行物８）
　刊行物８には、半導体ウェハがキャリアのワーク挿入穴（本件発明１の「穴」に相当）に置かれかつ所定の幾何学的な軌道上に保持されるようにして、半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時に研磨（ポリシング）する方法が実質的に記載されているが、刊行物８に記載された発明は、仕上がり厚さ（最終厚さ）が１００μｍ以下となるような極薄ウェハを研磨する技術に関するものである。
　そして、刊行物８には、本件発明１の、最終厚さが４０２ないし１２１５μｍであるような半導体ウェハのポリシングへの適用を示唆するような記載を見いだすことはできない。
　
（刊行物９）
　刊行物９には、半導体ウェハがキャリアに装填されかつ所定の幾何学的な軌道上に保持されるようにして、半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時に研磨（ポリシング）する方法が実質的に記載され、その際に、半導体ウェハの仕上がり厚み（最終厚さ）より幾分薄いキャリアを用いることが記載されている。
　しかし、刊行物９には、本件発明１の「半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリア厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし１５μｍだけ大きくかつ少なくとも５μｍのポリシング除去が実現されるまで、半導体ウェハをポリシングする」ことについては、記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、この構成により、ポリシングされた半導体ウェハのエッジ領域におけるＳＦＱＲ値と中央領域におけるＳＦＱＲ値との差を小さくするという明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　
（刊行物１０）
　刊行物１０に記載された発明は、半導体ウェハの片面のみを研磨（ポリシング）する技術に関するものである。
　そして、刊行物１０には、本件発明１の、半導体ウェハの前面および裏面を同時にポリシングする方法への適用を示唆するような記載を見いだすことはできない。
　
（刊行物１１）
　刊行物１１には、ウェハ加工の概要として、ＩＣ用鏡面ウェハ工程およびエピ工程では、単結晶インゴットをウェハ切断した後、面取、ラッピング、エッチング及び片面鏡面研磨（一次・二次）等を順次行い、その後、必要であればエピ成長を行うことが記載されているが、本件発明１の、「半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時にポリシングすることによって半導体ウェハを製造するための方法」において、「半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリア厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし１５μｍだけ大きくかつ少なくとも５μｍのポリシング除去が実現されるまで、半導体ウェハをポリシングする」ことについては、記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、この構成により、ポリシングされた半導体ウェハのエッジ領域におけるＳＦＱＲ値と中央領域におけるＳＦＱＲ値との差を小さくするという明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　
（刊行物１２）
　刊行物１２には、半導体ウェハがキャリアに装填されかつ所定の幾何学的な軌道上に保持されるようにして、半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時に研磨（ポリシング）する方法が実質的に記載され、その際に、半導体ウェハの仕上げ厚さ（最終厚さ）より若干薄いキャリアを用いることが記載されている。
　しかし、刊行物１２には、本件発明１の「半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリア厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし１５μｍだけ大きくかつ少なくとも５μｍのポリシング除去が実現されるまで、半導体ウェハをポリシングする」ことについては、記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、この構成により、ポリシングされた半導体ウェハのエッジ領域におけるＳＦＱＲ値と中央領域におけるＳＦＱＲ値との差を小さくするという明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　
（刊行物１３）
　刊行物１３には、スライス、面取り、ラップ、ＣＣＲ、片面毎の研削、熱処理、ゲッタリング処理、両面同時研磨、片面仕上げ研磨、仕上げ洗浄の各工程を経て、シリコンウェハを作製する方法が記載されているが、その両面同時研磨において、本件発明１の「半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリア厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし１５μｍだけ大きくかつ少なくとも５μｍのポリシング除去が実現されるまで、半導体ウェハをポリシングする」ことについては、記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、この構成により、ポリシングされた半導体ウェハのエッジ領域におけるＳＦＱＲ値と中央領域におけるＳＦＱＲ値との差を小さくするという明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　
（刊行物１４）
　刊行物１４には、インゴットをスライスして半導体ウェハを得るインゴット切断工程、スライスされた半導体ウェハの周縁部を面取りする面取り工程、面取りされた半導体ウェハの表裏両面を平面研削する平面研削工程、平面研削された半導体ウェハを薬液により洗浄する薬液洗浄工程、及び、薬液洗浄された半導体ウェハの表裏両面を同時に研磨する両面研磨工程からなる半導体ウェハの製法が記載されているが、その両面研磨工程において、本件発明１の「半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリア厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし１５μｍだけ大きくかつ少なくとも５μｍのポリシング除去が実現されるまで、半導体ウェハをポリシングする」ことについては、記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、この構成により、ポリシングされた半導体ウェハのエッジ領域におけるＳＦＱＲ値と中央領域におけるＳＦＱＲ値との差を小さくするという明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　
（刊行物１５）
　刊行物１５には、インゴットをスライスして半導体ウェハを得るスライス工程と、該スライス工程によって得られた半導体ウェハを面取りする面取り工程と、面取りされた半導体ウェハの両面を１次鏡面研磨する両面１次鏡面研磨工程と、両面を１次鏡面研磨された半導体ウェハの片面を仕上げ鏡面研磨する片面仕上げ鏡面研磨工程を含む半導体鏡面ウェハの製造方法が記載されているが、その両面１次鏡面研磨工程において、本件発明１の「半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリア厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし１５μｍだけ大きくかつ少なくとも５μｍのポリシング除去が実現されるまで、半導体ウェハをポリシングする」ことについては、記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、この構成により、ポリシングされた半導体ウェハのエッジ領域におけるＳＦＱＲ値と中央領域におけるＳＦＱＲ値との差を小さくするという明細書に記載の所期の効果を奏するものである。
　
　以上のとおり、本件発明１は、刊行物１ないし１５に記載された発明ではなく、かつ、刊行物１ないし１５に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、当業者が容易に発明をすることができたとは言えない。
　また、本件の請求項２ないし１２に係る発明は、本件発明１の構成の一部を限定するものであるから、刊行物１ないし１５に記載された発明ではなく、かつ、刊行物１ないし１５に記載された発明をどのように組み合わせたとしても、当業者が容易に発明をすることができたとは言えない。
　したがって、本件の請求項１ないし１２に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号又は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではない。
　よって、特許異議申立人市東勇の異議理由１、特許異議申立人北垣哲郎の異議理由１及び異議理由２、並びに、特許異議申立人笹木久男の異議理由１及び異議理由２は、いずれも理由のないものである。
　
（５−２）特許法第１７条の２第３項について
　特許異議申立人北垣哲郎は、特許異議申立書において、平成１４年１０月３０日付けの手続補正中、明細書の０００５段落の「半導体ウェハを用意することである。」を「半導体ウェハを用意することが要求される。」とする補正、及び０００８段落の「上述した半導体ウェハを製造する方法を提供することである。この課題を解決する方法は」という文章を追加する補正は、新規事項の追加に該当する旨の主張をしている。
　しかし、これらの補正事項は、前後の文脈を参照すれば、単に当該箇所の記載を明りょうにしたものにすぎないものと認められるから、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり、特許法第１７条の２第３項に違反するものではない。
　よって、特許異議申立人北垣哲郎の異議理由３は理由のないものである。
　
（５−３）特許法第３６条について
　特許異議申立人北垣哲郎は、特許異議申立書において、訂正前の請求項１に記載された「扁平な」、同請求項１１に記載された「柔らかい」及び同請求項１３に記載された「半導体ウェブ」は、不明りょうであり、また、明細書中に、請求項に係る発明の数値限定の根拠の開示、データによる裏付けがなされていない旨の主張をしている。
　しかし、訂正前の請求項１に記載された「扁平なキャリア」の「扁平な」の部分が、キャリアの表面に凹凸のない状態を表していることは明らかであり、また、訂正前の請求項１１に記載された「半導体ウェハのポリシングの後に、柔らかい研磨布を使用し」「最終ポリシングステップを実施する」の「柔らかい」の部分が、「半導体ウェハのポリシング」で使用される研磨布と「最終ポリシングステップ」で使用される「研磨布」とを比較して、後者の方が柔軟であるということを表していることも明らかである。
　なお、訂正前の請求項１３に記載された「半導体ウェブ」は、上記第２　１．のとおり、訂正後の請求項１１において「半導体ウェハ」と訂正されている。
　次に、訂正後の請求項１に記載された「半導体ウェハの最終厚さがキャリア厚さより２ないし１５μｍだけ大き」いことに関し、明細書の表１には、この数値範囲の「突出（μｍ）」（半導体ウェハの最終厚さとキャリア厚さとの差）において、「ＳＦＱＲｍａｘ（μｍ）」（平坦性の指標）が所望の範囲に収まることが示されており、半導体ウェハの受け入れ時厚さ・最終厚さ、キャリア厚さ等のその他の寸法は、「突出（μｍ）」（半導体ウェハの最終厚さとキャリア厚さとの差）が上記の条件を満たす範囲で、当業者が適宜設定し得るものである。
　したがって、本件の請求項１ないし１２の記載は明確であり、また、本件特許明細書は、本件の請求項１ないし１２に係る発明を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されているから、特許法第３６条第４項及び第６項第２号に違反するものではない。
　よって、特許異議申立人北垣哲郎の異議理由４は理由のないものである。
　
６．特許異議申立についての判断のむすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び取消理由によっては本件特許の請求項１ないし１２に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許の請求項１ないし１２に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年１１月２２日（２００５．１１．２２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体ウェハの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時にポリシングすることによって
受け入れ時厚さが４２０ないし１４００μｍであって最終厚さが４０２ないし１２１５μｍである
４００ないし１２００μｍの
半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリヤ厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの最終厚さがキャリヤ厚さより２ないし
１５
　【請求項２】半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリヤ厚さより３０ないし７０μｍだけ大きい請求項１記載の方法。
　【請求項
３
請求項１又は２
　【請求項
４
３
　【請求項
５
４
　【請求項
６
５
　【請求項
７
６
　【請求項
８
７
　【請求項
９
８
　【請求項
１０
９
　【請求項
１１
ウェハ
穴
穴
１０
　【請求項
１２
１１
方法
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、エッジ領域において改善された平坦性を有する半導体ウェハを製造するための方法に関する。高度な平坦性を有する半導体ウェハは、半導体産業に使用するのに、殊に０．１３μｍに等しいまたはそれより小さい線幅を有する電子素子を製造するために適している。
　【０００２】
　【従来の技術】
　殊に０．１３μｍに等しいまたはそれより小さい線幅を有する電子素子を製造するために適しているはずである半導体ウェハは、多数の特別な特性を有していなければならない。特別に重要な特性は半導体ウェハのローカルな平坦性である。今日のステッパ技術では、半導体ウェハの１つの面のすべての部分領域における最適なローカルな平坦性が要求される。過去においては多方面において普通であった裏面に関連付けられたグローバルな平坦性尺度（ＧＢＩＲ；以前はＴＴＶと称されていた）およびローカルな平坦性尺度（ＳＢＩＲ；以前はＬＴＶと称されていた）に代わって、ウェア面のすべての部分領域におけるステッパの集束能力を考慮する平坦性尺度が登場してきている。このような平坦性尺度はＳＦＱＲ（ｓｉｔｅ　ｆｒｏｎｔ−ｓｕｒｆａｃｅ　ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｄ　ｌｅａｓｔ　ｓｑｕａｒｅｓ／ｒａｎｇｅ＝定められたディメンジョンの素子面に対して、最小二乗誤差に関して定義されている前面の正および負の偏差の領域）である。大きさＳＦＱＲｍａｘは半導体ウェハにおけるすべての素子面に対する最高のＳＦＱＲ値を指示している。一般に知られているファウストルール（Ｆａｕｓｔｒｅｇｅｌ）は、半導体ウェハのＳＦＱＲｍａｘ値が、このウェハにおいて可能な、その上に製造すべき半導体素子の半導体ウェハの線幅に等しいかまたはそれより小さくなければならないことをいうものである。この値を上回ると、ステッパの集束問題、ひいては当該の素子の損失が生じることになる。
　【０００３】
　半導体ウェハの最終的な平坦性は普通、ポリシングプロセスによって生成される。半導体ウェハの平坦度を改善するために、半導体ウェハの前面および裏面の同時のポリシングのための装置および方法が用意されかつ開発された。このいわゆる両面ポリシングは例えば、米国特許第３６９１６９４号明細書に記載されている。ヨーロッパ特許第２０８３１５号明細書に記載の、両面ポリシングの実施例によれば、半導体ウェハは、適当に設計された切り欠き（穴）を使用している、金属または合成樹脂から成る回転円板において、２つの回転する、研磨布が貼られた定盤の間をポリシングゾルのあるところで、機械およびプロセスパラメータにより前以て決められた軌道上で移動されかつこれによりポリシングされる（英語の文献では回転円板は「キャリヤ＝ｃａｒｒｉｅｒ」または「テンプレート＝ｔｅｍｐｌａｔｅｓ」と称されているので、以下に「キャリヤ」と表す）。両面ポリシングの際に適用される圧着力をキャリヤではなくて、ポリシングすべき半導体ウェハに有利に作用させるために、従来技術により両面ポリシングされる半導体ウェハの最終厚さは使用されるキャリヤの厚さより著しく厚い。Ｅ．ＭｅｎｄｅｌおよびＪ．Ｒ．Ｈａｕｓｅによって、Ｓｐｒｉｎｇ　Ｍｅｅｔｉｎｇ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ（Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ　ｉｎ　Ｂｏｔｏｎ，１９７９年５月１０日）で発表された、ＩＢＭ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｒｅｐｏｒｔ　ＴＲ２２．２３４２では、例えば２ないし３ｍｉｌ（５１ないし７６μｍに相応）の突び出し（Ｕｅｂｅｒｓｔａｎｄ，ｐｒｏｊｅｃｔｉｎｇ）が推奨されている。この突出は、所定の実験実施に対する予備実験において求められた除去速度に基づいた必要なポリシング持続時間の確定によってまたは米国特許第５４２２３１６号明細書において提案されているような、キャリヤに取り付けられたスペーサホルダによって保証することができる。
　【０００４】
　両面ポリシングを、半導体ウェハを製造するための一連のプロセスに統合することは公知である。ヨーロッパ特許出願公開第７５４７８５号公報には、次の一連の動作、すなわち半導体結晶のスライス、得られた半導体ウェハの続くエッジラウンディング、両面ポリシングおよび最終ポリシングが記載されている。ヨーロッパ特許出願公開第７５５７５１号公報には、エッジラウンディングと両面ポリシングとの間に、両面研削法を適用することが提案される。米国特許第５７５６３９９号明細書に記載されている有利な実施例には、一連のプロセス、すなわちスライス−エッジラウンディング−研削−アルカリエッチング−両面ポリシングがある。出願番号１９８３３２５７．２を有するドイツ連邦共和国特許出願には、一連のプロセス、すなわちスライス−エッジラウンディング−研削−エッチング−両面ポリシング−最終ポリシングが記載されており、その際改善された酸のエッチング方法によるエッチングが実施される。これら一連のプロセスに共通しているのは、これら一連のプロセスにより、両面ポリシングの後、半導体ウェハのエッジ領域において中心領域におけるよりも高い、ＳＦＱＲと称されるローカルな幾何学値を有している半導体ウェハが生じることである。ヨーロッパ特許出願公開第１８７３０７号公報において提案されているような、鉢形状の受け入れ時幾何学形状（）によるエッジ傾斜を補償するために手法によれば確かに、条件がよい場合には裏面に関連付けられた幾何学形状値ＧＢＩＲおよびＳＢＩＲは改善されることもあるが、素子製造に鑑みて重要なＳＦＱＲ値にとっては不都合である。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　従って殊に、０．１３μｍに等しいまたはそれより小さい線幅を有する電子素子を製造するために適しておりかつエッジ領域におけるローカルな幾何学形状に関する、ＳＦＱＲと表される上述の欠点を有していない半導体ウェハを用意することが要求される。更に、半導体ウェハの別の特性は、従来技術で製造される半導体ウェハと少なくとも同じ程度に良好であるべきであり、かつその製造コストに関する利点は維持されるようにしたい。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　このような半導体ウエハは、前面および裏面を備えかつ半導体ウェハの前面における平面ラスタの部分領域に関連した平坦度が次のように特徴付けられている、すなわち０．１３μｍに等しいまたはそれより小さい最大ローカル平坦度ＳＦＱＲｍａｘおよび半導体ウェハのエッジ領域において半導体ウェハの中心領域におけるＳＦＱＲ個別値とは顕著には異なっていないＳＦＱＲ個別値によって特徴付けられている半導体ウェハである。
　【０００７】
　その際有利には、エッジ領域に対するＳＦＱＲ値の算術平均値が中央領域に対するＳＦＱＲ値の算術平均値から最大で０．０３μｍだけ相異しているとき、エッジ領域おけるＳＦＱＲ個別値と中央領域におけるＳＦＱＲ個別値との間に顕著に差はないものと見なされる。
　【０００８】
　従って、半導体ウェハの前面および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で同時にポリシングすることによって
受け入れ時厚さが４２０ないし１４００μｍであって最終厚さが４０２ないし１２１５μｍである
４００ないし１２００μｍの
１５
　【０００９】
　本発明の重要な特徴は、仕上げポリシングされた半導体ウェハの厚さが使用のキャリヤの厚さより僅かにだけ高くなるまでの間、半導体ウェハを両面ポリシングしなければならず、その際厚さ差は２ないし２０μｍの狭いウィンドウ内になければならないということである。後で挙げる例から明らかになるように、このウィンドウの発見は予見できず、驚異的なことであった。
　【００１０】
　この方法の出発生産物は、結晶、例えばシリコンから成る切断されかつ円筒研削加工された単結晶から切断されかつ前面および／または裏面が１つの表面研削ステップを用いて加工された半導体ウェハである。このことが望まれる場合、結晶に、結晶軸を識別するための１つまたは複数のオリエンテーション特徴、例えばノッチおよび／またはフラットを加工することができる。同様に半導体エッジを一連のプロセスにおける適当な個所で適当に成形された研削盤を用いてラウンディングすることができる。更に、半導体ウェハの表面を研削ステップの後でエッチングすることができる。
　【００１１】
　この方法の最終生産物は、０．１３μｍに等しいまたはそれより小さい線幅を有する半導体素子プロセスに対する出発材料として半導体ウェハに対する要求に十分でありかつ材料除去が低減されるために、従来技術により製造された半導体ウェハよりもその製造コストに関して優れている両面ポリシングされた半導体ウェハである。
　【００１２】
　本発明の方法は基本的に、使用される化学機械式な両面ポリシング方法によって加工することができる材料から成っているウェハ形状の基体を製造するために使用することができる。引き続く処理は専ら半導体産業にあるが、これに限定されないこの形式の材料は、例えば、シリコン、シリコン／ゲルマニウム、シリコン酸化物、シリコン窒化物、ガリウムヒ化物および別のいわゆるＩＩＩ−Ｖ半導体である。例えばチョクラルスキー法またはゾーン引き上げ法により結晶化された、単結晶の形態におけるシリコンが有利である。結晶方位（１００）、（１１０）または（１１１）を有するシリコンが特別有利である。
　【００１３】
　この方法は、殊に２００ｍｍ、３００ｍｍ、４００ｍｍおよび４５０ｍｍの直径を有しかつ数百μｍないし数ｃｍ、有利には４００μｍないし１２００μｍの厚さを有するシリコンウェハを製造するのに特別適している。半導体ウェハは、半導体素子の製造のための出発材料として直接使用することができるかまたは従来技術に従った最終ポリシングステップの実施後および／または裏面鏡面化のような膜の被着またはウェハ前面の、シリコンまたは適当な別の半導体材料によるエピタキシャル薄膜成長の後および／または例えば水素またはアルゴン雰囲気下での熱処理によるコンディショニングの後、目的場所に送ることができる。均質な材料から成るウェハを製造することの他に、本発明は勿論、ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）のような多層に構成された半導体基板またはいわゆるボンデド・ウェハを製造するためにも使用することができる。
　【００１４】
　この方法の以下の説明は、シリコウェハの製造の例に基づいて行われる。
　【００１５】
　基本的に、例えば内周刃鋸切り法またはワイヤソー法によって鋸引きされた、それぞれ直径および鋸引きプロセスの種類に応じて１０ないし４０μｍの領域にある深さまでの損傷を有しているシリコンウェハを直接、本発明の両面ポリシングステップに委ねることができる。しかし、シャープに限定されかつそれ故に機械的に非常に敏感なウェハエッジを適当に成形された研削盤を用いてラウンディングすることが有意味でありかつそれ故に有利である。更に、幾何学形状の改善および破壊された結晶層の部分的な除去を目的として、シリコンウェハにラッピングまたは研削のような機械的な除去ステップを行って、本発明のポリシングステップにおける材料除去を低減することができる。シリコンウェハに対して表面研削ステップを行うと有利であり、その際片面が研削されるかまたは両面が順次にまたは両面が同時に研削される。ウェハ前面および裏面の順次の表面研削は特別有利である。機械的なプロセスステップにおいて必然的に発生する、ウェハ表面およびウェハエッジの損傷を取り除くためにかつ場合により存在する異物、例えば損傷内に付着した金属の異物を取り除くために、この個所でエッチングステップを続けることができる。このエッチングステップはアルカリまたは酸性エッチング混合液中でのシリコンウェハのウェット化学処理としてまたはプラズマ処理として実施することができる。出願番号１９８３３２５７．２を有するドイツ連邦共和国特許出願明細書による濃硝酸水溶液および濃硫酸水溶液から成る混合液中での酸エッチングステップが有利である。
　【００１６】
　本発明のポリシング方法に対する特別有利な出発材料は、シリコン単結晶のスライスにより製造され、次いでエッジラウンディングが行われ、ウェハの両面が面当たり１０μｍないし１００μｍのシリコンが除去される連続的な表面研削およびウェハの面当たり５μｍないし５０μｍのシリコンが除去される酸エッチング混合液でのウェット化学式エッチングが行われた、２００ｍｍに等しいかまたはそれより大きい直径を有するシリコンから成る半導体ウェハである。
　【００１７】
　本発明のポリシングステップを実施するために、例えばＩＢＭ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｒｅｐｏｒｔ　ＴＲ２２．２３４２に記載されているような、適当な大きさの市販の両面ポリシング機を使用することができる。ポリシング機は実質的に、自由に水平方向に回転可能な下定盤および自由に水平方向に回転可能な上定盤から成っており、これら両方はそれぞれ研磨布が貼られており、かつこのポリシング機により、適当な化学的な組成のポリシングゾルを連続的に供給しながら、半導体ウェハ、この場合はシリコンウェハの両面の除去されるポリシングが可能である。
　【００１８】
　１つのシリコンウェハだけをポリシングすることができる。しかし通例はコストの理由から、多数のシリコンウェハが同時にポリシングされ、その際その数はポリシング機の構造上の所与の条件に依存している。その際シリコンウェハは、申し分なく設計された穴をシリコンウェハの収容のために使用することができるキャリヤによって、ポリシングの期間に機械およびプロセスパラメータによって決められる幾何学形状の軌道に保持される。キャリヤは例えば、駆動ピン歯車（Ｔｒｉｅｂｓｔｏｃｋ−Ｓｔｉｆｔｖｅｒｚａｈｎｕｎｇ）またはインボリュート歯車がポリシング機に回転する内歯歯車および通例は逆回転する外歯歯車（ピンまたはリングギア）を介して接触しかつこれにより２つの定盤の間の回転運動に置かれる。
　【００１９】
　ポリシング過程の間の上定盤と下定盤に関連したシリコンウェハの軌道に対する作用パラメータは、例えば、定盤の寸法、キャリアの構造並びに上定盤、下定盤およびキャリアの回転数である。シリコンウェハがそれぞれキャリヤの中心にあるならば、シリコンウェハはポリシング機の中心の周りを円を描くように移動する。複数のシリコンウェハがキャリヤに定心されずに位置決めされているならば、キャリヤが独自の軸線を中心に回転することによって内サイクロイド軌道が生じる。本発明のポリシング過程にとって、内サイクロイド軌道は有利である。円形の軌道上に同じ間隔をおいて配置されているそれぞれ少なくとも３つのシリコンウェハが載せられている４ないし６個のキャリヤの同時の使用が特別有利である。
　【００２０】
　基本的に、本発明の方法において使用されるキャリヤは、駆動によって引き起こされる機械的な応力、とりわけ圧縮および引っ張り負荷に対して十分な機械的な安定性を有しているいずれかの材料から製作することができる。更に、使用のポリシングゾルおよび研磨布の材料は化学的および機械的に成る可く攻撃されにくいものであることが望ましく、キャリヤの十分長い寿命を保証しかつポリシングされるシリコンウェハの汚染が回避されるようなものであるべきである。更に、材料は、非常に扁平な、張力および起伏のないキャリヤを所望の厚さおよび幾何学形状に製造するために適していなければならない。基本的にキャリヤは例えば、金属、合成樹脂、ファイバ強化プラスチックまたは合成樹脂が被膜された金属から製作することができる。鋼またはファイバ強化プラスチックから成るキャリヤは有利であり、ステンレス加工されたクロム鋼から成るキャリヤは特別有利である。
　【００２１】
　キャリヤは、１つまたは複数のシリコンウェハを収容するための有利には円形の１つまたは複数の穴を有している。シリコンウェハが回転するキャリヤにおいて自由に運動できることを保証するために、これらの穴は、ポリシングすべきシリコンウェハより僅かに大きい直径でなければならない。０．１ｍｍないし２ｍｍだけ大きい直径が有利である。０．３ｍｍないし１．３ｍｍだけ大きい直径が特別有利である。ポリシングの期間にキャリヤの穴の内側のエッジによりウェハエッジが損傷されることがないようにするために、ヨーロッパ特許第２０８３１５号明細書に提案されているように、キャリヤと同じ厚さの合成樹脂膜を穴の内側に被せることが有意味、従って有利である。その際適当な合成樹脂は例えば、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレンまたはポリビニルジフルオリドであり、これらはすべて同じように有利である。しかし、ヨーロッパ特許出願公開第７７６０３０号公報に記載の方法に従って、穴の内側に、両面ポリシングの期間にシリコンウェハのエッジの同時のポリシングを可能にする装置を備えるようにすることもできる。
　【００２２】
　本発明のポリシング方法に対するキャリヤは４００ないし１２００μｍの有利な厚さを有している。この厚さは、最終的に、シリコンウェハの直径および計画される用途に依存している、ポリシングされるシリコンウェハの最終厚さに従って決められる。本発明にとって特徴的なのは、ポリシングすべきシリコンウェハの受け入れ時厚さはキャリヤ厚さより２０ないし２００μｍだけ大きく、その際３０ないし７０μｍの領域が特別有利であり、かつポリシングされるウェハの最終厚さは有利にはキャリヤ厚さより２ないし２０μｍだけ大きく、その際５ないし１５μｍの領域が特別有利である。しかしウェハのエッジ領域におけるローカルな平坦度ＳＦＱＲの著しい高まりが観察されなければ、挙げられた厚さ領域とは多少異なっていても構わない。ポリシングステップによるシリコン除去は５ないし１００μｍ、有利には１０ないし６０μｍであり、かつ特別有利には２０ないし５０μｍである。
　【００２３】
　厚さ状態に関して行った説明の枠内で、両面ポリシングステップは有利には当業者には公知の形式および方法において実施される。研磨布は非常に種々の特性のものが市販されている。有利には、４０ないし１２０（ショアＡ）の硬度のポリウレタン研磨布でポリシングされる。特別有利には、６０ないし９０（ショアＡ）の硬度領域にあるポリエチレンファイバが付加されているポリウレタン研磨布である。シリコンウェハのポリシングの場合、有利には９ないし１２、特別有利には１０ないし１１のｐＨ値を有するポリシングゾルの連続的な供給が望ましく、それは、有利には１ないし１０質量百分率（ｗ％）、特別有利には１ないし５質量百分率の水中のＳｉＯ２であり、その際ポリシング圧力は有利には０．０５ないし０．５ｂａｒ、特別有利には０．１ないし０．３ｂａｒである。シリコン除去速度は有利には、０．１ないし１．５μｍ／ｍｉｎにあり、特別有利には０．４ないし０．９μｍ／ｍｉｎにある。
　【００２４】
　シリコンウェハはポリシングの終了後場合により付着していおるポリシングゾルによって洗浄されかつ乾燥されかつ引き続いて市販の、例えば容量的または光学的に動作する幾何学形状測定装置においてそのローカルな幾何学形状ＳＦＱＲに関して測量することができる。
　【００２５】
　別の用向きに依存して、シリコン前面に対して、公知技術により、例えばＳｉＯ２をベースとしたアルカリポリシングゾルを使用した柔らかい研磨布によって、最終ポリシングを行うことが必要であることもある。その際本発明によるポリシングステップにおいて生成される非常に低くかつ均一に分配されたローカルな幾何学形状値を得るために、ウェハからのシリコン除去は比較的低く、例えば０．１ないし０．７μｍにあるようにしたい。
　【００２６】
　必要の場合には、一連のプロセスの任意の個所で、例えば熱的な供与体を全滅しまたは表面近傍の結晶層の障害を癒すために、半導体ウェハの熱処理を挿入することができる。更に、ウェハ識別のためのレーザ書き込みおよび／またはエッジポリシングステップを一連のプロセスの適当な個所に挿入することができる。それは例えば、レーザマーキングの場合には研削の前または後であり並びにエッジポリシングの場合には両面ポリシングの前または後である。所定の製品に対して必要な、一連の別のプロセスステップ、例えばポリシリコン、シリコン酸化物またはシリコン窒化物から成る裏面の薄膜形成またはシリコンウェハの前面にシリコンまたは別の半導体材料からエピタキシャル層を成長させることも、当業者には公知の方法により一連のプロセスのに適当な個所に組み込まれる。更に、半導体ウェハに個々のプロセスステップの前または後ろで従来技術に従ってバッチまたは個別ウェハ洗浄を行うようにしても有利である。
　【００２７】
　ウェハ特徴付けのために普通用いられる別の、例えばウェハ表面の表面エラー、粗さおよび金属異物、およびマジックミラー欠陥のような当業者にはよく知られているパラメータに関して、本発明により製造される半導体ウェハは、従来技術に従って製造される半導体ウェハに対して欠点を有していない。
　【００２８】
　本発明により製造された半導体ウェハ、殊にシリコンウェハは、０．１３μｍに等しいまたはそれより小さい線幅を有する半導体素子の製造に対する要求を満足する。本発明の方法は、上述した特徴を有するシリコンウェハを製造するための最適な解決法であることが認められている。仕上げポリシングされたウェハの、キャリヤ厚さを越えた残りの高さ（前述した突出）に対する比較的狭いウィンドウだけで従来技術に従って両面ポリシングされた半導体ウェハに対して特徴的なエッジ傾斜が取り除かれることになるというのは驚くべきことでありかつ予期できなかったことである。出発製品には最小の幾何学要求しか課せられない。このために予備プロセスに対する要求が低減される。本発明のステップにおいて実現される申し分ない幾何学形状は、比較的僅かな材料除去後に既にかつ破断のおそれが低減されることと対をなしている高められたプロセス安全性によって非常に高い歩留まりにおいて生じ、しかもこの場合例えばプラズマエッチングによるローカルな幾何学形状補正のためのコストのかかるステップは必要でない。それ故に、提案される方法は経済的に競争に打ち勝ちしかも欠陥ウェハを後加工しかつ再生利用ウェハの加工のために用いることができる。
　【００２９】
　次に説明する例および参照例を用いて本発明を説明する。
　【００３０】
　図１には、直径２００ｍｍを有する例Ｂ　１ｆにより製造された両面ポリシングされたシリコンウェハの大きさ２５ｍｍ×２５ｍｍの、面を覆うように配置されている部分領域（５２個の面エレメント）に対するローカルな平坦度ＳＦＱＲの分布が示されている。
　【００３１】
　図２には、直径２００ｍｍを有する参照例２ｃにより製造された両面ポリシングされたシリコンウェハの大きさ２５ｍｍ×２５ｍｍの、面を覆うように配置されている部分領域（５２個の面エレメント）に対するローカルな平坦度ＳＦＱＲの分布が示されている。
　【００３２】
　図３には、直径３００ｍｍを有する例２により製造された両面ポリシングされたシリコンウェハの大きさ２５ｍｍ×２５ｍｍの、面を覆うように配置されている部分領域（１１２個の面エレメント）に対するローカルな平坦度ＳＦＱＲの分布が示されている。
　【００３３】
　図４には、直径３００ｍｍを有する参照例３により製造された両面ポリシングされたシリコンウェハの大きさ２５ｍｍ×２５ｍｍの、面を覆うように配置されている部分領域（１１２個の面エレメント）に対するローカルな平坦度ＳＦＱＲの分布が示されている。
　【００３４】
　【実施例】
　次に本発明を図示の実施例につき図面を用いて詳細に説明する。
　【００３５】
　以下に挙げる例および参照例はすべて、（２００±０．１）ｍｍかまたは（３００±０．１）ｍｍの直径、（６±１）・１０１７原子／ｃｍ３の酸素含有量および１０ないし２０Ω・ｃｍの領域にある抵抗を招来するホウ素ドーピングを有しているシリコンウェハの製造に関する。このために必要とされる単結晶は、従来技術により引き上げられ、切断され、円筒研削されかつ市販のワイヤソーを用いて、最終生産物に合わせられた厚さを有するウェハにスライスされる。エッジラウンディングの後、回転式研磨機において、粒子６００メッシュ（ｍｅｓｈ）のダイヤモンドを用いた表面研削ステップが続き、その際ウェハの前面および裏面の側から順次、それぞれ３０μｍのシリコンが除去された。それに流動エッチング法に従った酸のエッチングステップが続き、その際回転するウェハを、９０質量百分率濃硝酸（水溶液中に７０質量百分率）、１０質量百分率濃硫酸（水溶液中に５０質量百分率）および０．１の質量百分率のラウリル硫酸アンモニウムから成る混合液に浸漬することによって、ウェハ面毎に同時にそれぞれ１０μｍのシリコンが除去された。エッチング混合液は（２０±１）℃で熱処理されかつ窒素ガスが貫流された。このように行われたプロセスステップの後および次の例および参照例で説明するポリシングステップの後、従来技術に従って洗浄および乾燥ステップが実施された。
　【００３６】
例１（Ｂ　１ｄ−Ｂ　１ｋ）
参照例１（Ｖ　１ａ−Ｖ　１ｃおよびＶ　１ｌ）：
エッチングされた表面および７７０μｍおよび７８０μｍの厚さを有する２００ｍｍシリコンウェハの２つのグループが使用された。更に、ラッピングされた表面および７２０μｍの厚さを有するステンレス加工されたクロム鋼から成る５つのキャリヤが使用された。これらは、それぞれ６つの円形の、同じ間隔をおいて円軌道上に配置されている６つの穴を使用することができた。これら穴にはポリアミドがコーティングされていて、これら穴は２００．５ｍｍの内径を有していた。これらキャリヤにより、市販の両面ポリシャ機で３０個の２００ｍｍのシリコンウェハの同時のポリシングが可能であった。
　【００３７】
　両面ポリシングステップは、市販の、ポリエチレンファイバで強化されているポリウレタンの研磨布によって、４質量百分率およびｐＨ値１１のＳｉＯ２の固体含有量を有するポリシングゾルを使用して０．１５ｂａｒの圧着力下で実施された。ここで、研磨布は硬度７４（ショアＡ）を有し、それぞれ上定盤および下定盤に貼られた。ポリシングは、それぞれ４０℃の上定盤および下定盤の温度において行われかつ０．５５μｍ／ｍｉｎの切削速度が生じた。全体で、厚さ７７０μｍのシリコンウェハを用いた７回のポリシングランおよび厚さ７８０μｍのシリコンウェハを用いた５回のポリシングランが種々のポリシング除去を実現しながら実施された。シリコンウェハはポリシングの終了後、付着しているポリシングゾルによって洗浄され、乾燥されかつ市販の、容量原理に従って動作する幾何学形状測定装置で測定される。この測定装置はそのローカルな幾何学形状ＳＦＱＲ（ラスタ２５ｍｍ×２５ｍｍ）に関して３ｍｍのエッジスペースを有している。次の表には、ポリシング除去の他に、仕上げポリシングされたシリコンウェハとキャリヤとの間の厚さの差（「突出」）およびそれぞれのポリシングランの３０個のシリコンウェハのそれぞれに対する最高ＳＦＱＲ値（“ＳＦＱＲｍａｘ”）の平均値が示されている。例Ｂ　１ｄなしＢ　１ｋのポリシングされたシリコンウェハのエッジ領域に対するＳＦＱＲ値は中心領域に対するＳＦＱＲ値よりも、図１の例Ｂ　１ｆのシリコンウェハに対して示されているように、際立って高くはない。これに対して、参照例Ｖ　１ａないしＶ　１ｃ並びにＶ　１ｌのポリシングされたシリコンウェハに対する最高ＳＦＱＲ値はエッジ領域にある。
　【００３８】
例１／参照例１からの２００ｍｍシリコンウェハに対するデータ：
　【００３９】
　【表１】
　【００４０】
参照例２
例１で説明した２００ｍｍのシリコンウェハがポリシングされたが、相異しているのは、厚さ６００μｍの類似に構成されたキャリヤが使用され、シリコンウェハは４つのグループに段階付けられている、６８０μｍと８００μｍとの間の受け入れ時厚さを有しておりかつポリシングによってそれぞれ４０μｍのシリコンが除去されたことである。それぞれ３０個のシリコンウェハを有する４回のポリシングランに対する重要なデータは、次の表に挙げられている。参照例２ａないし２ｄのシリコンウェハのエッジ領域に対するＳＦＱＲ値は、図２で参照例２ｃのシリコンウェハに対して示されているように、中央領域に対するそれよりも著しく高い。
　【００４１】
参照例２の２００ｍｍのシリコンウェハに対するデータ：
　【００４２】
　【表２】
　【００４３】
例２
例１において説明したように行われたが、次の相異があった：エッチングされた表面および８２０μｍの厚さを有する３００ｍｍのシリコンウェハが使用された。更に、ラッピングされた表面および７７０μｍの厚さを有するステンレス鋼から成る５つのキャリヤが使用された。これらはそれぞれ３つの円形の、同じ間隔をおいて円軌道上に配置されていて、ポリアミドがコーティングされている、内径３０１ｍｍの穴を有しておりかつ１５個の３００ｍｍシリコンウェハの同時のポリシングを可能にするものである。例１において示した方法に類似して、シリコンウェハは０．５５μｍ／ｍｉｎの除去速度において４０μｍシリコンの除去によってポリシングされ、洗浄され、乾燥されかつその幾何学形状に関して市販の、容量的に動作する測定装置において３ｍｍのエッジスペースおよび２５ｍｍ×２５ｍｍのラスタがプリセットされて特徴化される。残りの高さおよびローカルな平坦性に対するデータは後で挙げる表に示されている。例２のシリコンウェハのエッジ領域に対するＳＦＱＲ値は、図３に示されているように、中央領域に対するそれよりも顕著に高くはない。
　【００４４】
例３
例２において説明したように行われたが、２つの例外があった。すなわち、硬度８２（ショアＡ）の相応に形成された研磨布が使用されかつ０．８２μｍ／ｍｉｎの除去速度においてポリシングにより４２μｍのシリコンが除去された。重要なデータは同様に後の表に含まれている。例３のシリコンウェハのエッジ領域に対するＳＦＱＲ値は中央領域に対するそれより大して高くない。
　【００４５】
参照例３
３００ｍｍのシリコンウェハの受け入れ時厚さが８３５μｍであったったことを除いて、例２において説明したとおりに行われた。重要なデータは同様に後の表に含まれている。参照例３のシリコンウェハのエッジ領域に対するＳＦＱＲ値は、図４に示されているように、中央領域に対するそれより顕著に高い。
　【００４６】
参照例４
キャリヤ厚さが７００μｍであったったことを除いて、参照例３において説明したとおりに行われた。重要なデータは同様に後の表に含まれている。参照例４のシリコンウェハのエッジ領域に対するＳＦＱＲ値は、中央領域に対するそれより顕著に高い。
　【００４７】
例４
参照例３のシリコンウェハは例２において説明した手法において新たにポリシングされ、その際ここでは厚さ７７０μｍのキャリヤが使用されかつ１８μｍのシリコンがポリシングによって除去された。重要なデータは同様に後の表に含まれている。例４のシリコンウェハのエッジ領域に対するＳＦＱＲ値はもはや、中央領域に対するそれより大して高くない。
　【００４８】
例２ないし４および参照例３および４の３００ｍｍシリコンウェハに対するデータ：
　【００４９】
　【表３】
　【００５０】
製造されたウェハのその他の特徴化
　上に説明した例および参照例に従って製造された２００ｍｍおよび３００ｍｍのシリコンウェハの前面、裏面およびエッジは、当業者には普通の方法で、表面エラー、粗さおよび金属異物に関しておよびその全体がマジックミラー欠陥、少数キャリヤ寿命および金属異物に関して特徴化される。個々の実験グループ間に統計学的に重要な偏差は観察されなかった。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　例Ｂ　１ｆの、シリコンウェハの部分領域のローカルな平坦度の分布を示す略図である、
　【図２】
　参照例２ｃの、シリコンウェハの部分領域の別のローカルな平坦度の分布を示す略図である、
　【図３】
　例２の、シリコンウェハの部分領域の更に別のローカルな平坦度の分布を示す略図である。
　【図４】
　参照例３の、シリコンウェハの部分領域の更にまた別のローカルな平坦度の分布を示す略図である。