【事件の表示】
　特願２０１４−　　９６７９「荷電粒子ビーム装置および加工方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　７月３０日出願公開、特開２０１５−１３８６６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２６年１月２２日の出願であって、その手続の経緯の概要は以下のとおりである。 
  
　平成２９年　６月２６日付け：拒絶理由通知書 
　平成２９年　９月　１日　　：意見書、手続補正書の提出 
　平成３０年　２月２７日付け：拒絶査定（原査定、同年３月６日送達） 
　平成３０年　６月　６日　　：審判請求書、手続補正書の提出 
 
第２　平成３０年６月６日にされた手続補正についての補正の却下の決定 
  
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成３０年６月６日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
  
［理由］ 
  
１　本件補正について（補正の内容） 
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１ないし５の記載は、次のとおり補正された。 
  
「　　【請求項１】
　荷電粒子ビームを試料に照射する荷電粒子ビーム鏡筒と、
　前記荷電粒子ビームにより前記試料から発生する二次電子と、前記荷電粒子ビームを走査させる信号とに基づいて、前記荷電粒子ビームの照射結果を示す画像を取得する像形成部と、
　第１の領域に前記荷電粒子ビームを照射するピクセル間隔よりも、前記第１の領域に含まれる第２の領域に前記荷電粒子ビームを照射するピクセル間隔が短くなるように前記荷電粒子ビーム鏡筒を制御する制御部と、
　を備え、
　前記制御部は、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行う際に参照する補正マークが含まれる前記第２の領域の画像を取得する際に、前記第１の領域に前記荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔よりも、前記第２の領域に前記荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔を短くすることによって前記荷電粒子ビーム鏡筒を制御して、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行い、
　前記像形成部は、前記制御部による前記荷電粒子ビーム鏡筒に対する制御により、前記第２の領域が前記第１の領域よりも拡大された画像を取得することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
　　【請求項２】
　前記制御部は、前記荷電粒子ビーム鏡筒を制御し、ビットマップで指定されたピクセル領域毎に前記荷電粒子ビームを一回照射する照射処理を、各前記ピクセル領域内で照射位置が異なるように前記照射位置を移動させて複数回行う
　ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置。
　　【請求項３】
　前記制御部は、前記ビットマップのピクセルピッチよりも小さいピクセルピッチでドリフト補正領域のスキャンを行い、当該スキャンで得た情報に基づいてドリフト補正量を算出し、当該ドリフト補正量を前記ビットマップのピクセルピッチでのドリフト補正量に変換してドリフト補正を行う
　ことを特徴とする請求項２に記載の荷電粒子ビーム装置。
　　【請求項４】
　前記ビットマップの視野がＦＯＶ＿Ａであり、前記照射位置を移動させる量とピクセルサイズが同一の視野をＦＯＶ＿Ｂとする場合、前記制御部は前記照射処理を（ＦＯＶ＿Ａ／ＦＯＶ＿Ｂ）×（ＦＯＶ＿Ａ／ＦＯＶ＿Ｂ）回行う
　ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の荷電粒子ビーム装置。
　　【請求項５】
　荷電粒子ビームにより試料から発生する二次電子と、前記荷電粒子ビームを走査させる信号とに基づいて、前記荷電粒子ビームの照射結果を示す画像を取得する像形成ステップと、
　第１の領域に前記荷電粒子ビームを照射するピクセル間隔よりも、前記第１の領域に含まれる第２の領域に前記荷電粒子ビームを照射するピクセル間隔が短くなるように、前記荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子ビーム鏡筒を制御する制御ステップと、
　を含み、
　前記制御ステップにおいて、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行う際に参照する補正マークが含まれる前記第２の領域の画像を取得する際に、前記第１の領域に前記荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔よりも、前記第２の領域に前記荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔を短くすることによって前記荷電粒子ビーム鏡筒を制御して、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行い、
　前記像形成ステップにおいて、前記制御ステップによる前記荷電粒子ビーム鏡筒に対する制御により、前記第２の領域が前記第１の領域よりも拡大された画像を取得することを特徴とする加工方法。」 
  
（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載 
　本件補正前の、平成２９年９月１日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５の記載は次のとおりである。 
  
「　　【請求項１】
　荷電粒子ビームを試料に照射する荷電粒子ビーム鏡筒と、
　前記荷電粒子ビームにより前記試料から発生する二次電子と、前記荷電粒子ビームを走査させる信号とに基づいて、前記荷電粒子ビームの照射結果を示す画像を取得する像形成部と、
　第１の領域に前記荷電粒子ビームを照射するピクセル間隔よりも、前記第１の領域に含まれる第２の領域に前記荷電粒子ビームを照射するピクセル間隔が短くなるように前記荷電粒子ビーム鏡筒を制御する制御部と、
　を備え、
　前記制御部は、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行う際に参照する補正マークが含まれる前記第２の領域の画像を取得する際に、前記第１の領域に前記荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔よりも、前記第２の領域に前記荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔を短くすることによって前記荷電粒子ビーム鏡筒を制御して、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行うことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
　　【請求項２】
　前記制御部は、前記荷電粒子ビーム鏡筒を制御し、ビットマップで指定されたピクセル領域毎に前記荷電粒子ビームを一回照射する照射処理を、各前記ピクセル領域内で照射位置が異なるように前記照射位置を移動させて複数回行う
　ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置。
　　【請求項３】
　前記制御部は、前記ビットマップのピクセルピッチよりも小さいピクセルピッチでドリフト補正領域のスキャンを行い、当該スキャンで得た情報に基づいてドリフト補正量を算出し、当該ドリフト補正量を前記ビットマップのピクセルピッチでのドリフト補正量に変換してドリフト補正を行う
　ことを特徴とする請求項２に記載の荷電粒子ビーム装置。
　　【請求項４】
　前記ビットマップの視野がＦＯＶ＿Ａであり、前記照射位置を移動させる量とピクセルサイズが同一の視野をＦＯＶ＿Ｂとする場合、前記制御部は前記照射処理を（ＦＯＶ＿Ａ／ＦＯＶ＿Ｂ）×（ＦＯＶ＿Ａ／ＦＯＶ＿Ｂ）回行う
　ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の荷電粒子ビーム装置。
　　【請求項５】
　荷電粒子ビームにより試料から発生する二次電子と、前記荷電粒子ビームを走査させる信号とに基づいて、前記荷電粒子ビームの照射結果を示す画像を取得する像形成ステップ
と、
　第１の領域に前記荷電粒子ビームを照射するピクセル間隔よりも、前記第１の領域に含まれる第２の領域に前記荷電粒子ビームを照射するピクセル間隔が短くなるように、前記荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子ビーム鏡筒を制御する制御ステップと、
　を含み、
　前記制御ステップにおいて、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行う際に参照する補正マークが含まれる前記第２の領域の画像を取得する際に、前記第１の領域に前記荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔よりも、前記第２の領域に前記荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔を短くすることによって前記荷電粒子ビーム鏡筒を制御して、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行うことを特徴とする加工方法。」 
  
２　補正の適否 
　本件補正は、本件補正前の請求項１ないし４に記載された発明を特定するために必要な事項である「像形成部」について、「前記像形成部は、前記制御部による前記荷電粒子ビーム鏡筒に対する制御により、前記第２の領域が前記第１の領域よりも拡大された画像を取得する」と限定し、本件補正前の請求項５に記載された発明を特定するために必要な事項である「像形成ステップ」について、「前記像形成ステップにおいて、前記制御ステップによる前記荷電粒子ビーム鏡筒に対する制御により、前記第２の領域が前記第１の領域よりも拡大された画像を取得する」と限定するものであって、本件補正前の請求項１ないし５に記載された発明と本件補正後の請求項１ないし５に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
  
　そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下に検討する。 
  
（１）本件補正発明 
　本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。 
  
（２）引用文献の記載事項 
ア　引用文献１ 
　原査定の拒絶の理由で引用された本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である国際公開第２０１２／１５５２６７号（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある（下線は、当審で付した。以下同様。）。 
（ア）「ABSTRACT: Generally, the present disclosure provides a method and system for improving imaging efficiency for CPB systems while maintaining or improving imaging accuracy over prior CPB systems. A large field of view image of a sample is acquired at a low resolution and thus, at high speed. The low resolution level is selected to be sufficient for an operator to visually identify structures or areas of interest on the low resolution image. The operator can select one or more small areas of arbitrary shape and size on the low resolution image, referred to as an exact region of interest (XROI). The outline of the XROI is mapped to an x-y coordinate system of the image, and the CPB system is then 
controlled to acquire a high resolution image of only the XROI identified on the low resolution image.
（要約：一般に、本開示は、従来のCPBシステムに比べ、描画精度を維持または向上させつつ、CPBシステムのための画像形成効率を向上させるための方法およびシステムを提供する。試料の広い視野画像は、低解像度で、高速に取得される。低解像度のレベルは、操作者が低解像度画像上の関心のある構造若しくは領域を視覚的に識別するのに十分であるように選択される。操作者は、低解像度の画像上の、関心の正確な領域(XROI)に任意の形状及びサイズの1つまたは複数の小領域を選択することができる。XROIの輪郭は、画像のx-y座標系にマッピングされ、そして、CPBシステムは、
低解像度画像上で識別されたXROIのみの高解像度画像を取得するように制御される。
  
（イ）「 [0005] Figure 1 is a schematic of a typical CPB system 10. 
This CPB system 10,
 a dual beam
includes
SEM column and a focused ion beam (FIB) column
the dual beam system 10
Electron beam 43 is scanned two- dimensionally on the sample by means of a deflection coil 60. 
When the electrons in the electron beam strike sample 22, various types of electrons are emitted. 
may detected by one or more electron detectors 40
 」
（[0005] 図1は、代表的なCPBシステム10の概略図である。
CPBシステム10は、デュアルビーム
システム
SEM鏡筒と、
集束イオンビーム(FIB)鏡筒とを備えている
デュアルビームシステム10
電子ビーム
は、偏向コイル60によって、試料上を２次元的に走査され
電子ビーム中の電子が試料22に衝突すると、様々な種類の電子が放出され
電子検出器40によって検出される
  
（ウ）「[0011] 
A charged particle detector 240 used for detecting
electron emission is connected to a video circuit 42 that supplies drive signals to video monitor 44 and receiving deflection signals from controller 19. 
charged particle detector 40
（二次イオンまたは
電子の放出を検出するために使用される荷電粒子検出器240は、ビデオモニタ44に駆動信号を供給し、制御装置19からの偏向信号を受信するビデオ回路42に接続される。
荷電粒子検出器40
（エ）「[0014] 
A system controller 19 controls the operations of the various parts of dual beam system 10. 
（
システム制御装置19は、デュアルビームシステム10のさまざまな部分の動作を制御する。
（オ）「[00140] The change in distance between the notches is twice the change in z of the cross-section position. This means that under these conditions, with a precision of 2 nm when measuring the distance between the notches, the position of the cross-section can be determined to within 1 nm. According to the present embodiments, the method of Figure 7 can include this calculation as frequently as is determined to be necessary by the calculated drift model, or as desired by the user, this calculation 
being performed based on high resolution XROI imaging of the expected location of the notches
（[00140] ノッチ間の距離の変化は、断面位置のzの変化より2倍である。これは、これらの条件下では、ノッチの間の間隔を測定する場合に2nmの精度で、断面の位置を1nm以内で決定することができることを意味する。本実施形態によれば、図7の方法は、計算されたドリフトモデルによって必要であると判断されたのと同じ頻度で、またユーザによって希望される頻度で、この計算を含むことができ、この計算は、
ノッチの予想される位置について高解像度XROI画像に基づいて行われる
 
（カ）「[00143] In other application of 
the notches, the position of the sample surface in the X and Y plane (cross-section imaging position) can be determined.
By calculating shifts in the image based on the notches, 
determine the amount of drift of the sample relative to the imaging beam.
 A suitable model can be used to project future drift based on observed values and preemptively moderate the imaging beam position to minimize any drift that may occur during the image acquisition. 
 （[00143] 
ノッチ
は、X及びY平面
において試料表面の位置を決定することができる。ノッチに基づいて画像中の変化を計算することによって、撮像ビームに対して試料のドリフトの量を決定する
適切なモデルは、観察された値に基づいて将来のドリフトを予測し、撮像中に起こりえるドリフトを最小化するよう撮像ビームの位置を先制して調節する
（キ）図１、図２の記載から、CPBシステム10は、ビデオ回路42と、システム制御装置19を備えること、及び、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）41内の偏向コイル60が見て取れる。
（ク）図５の記載から、低解像度画像２０２のXROI輪郭２０６に対応する高解像度画像２１２が見て取れる。
イ　上記アから、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
  
「SEM鏡筒と、集束イオンビーム(FIB)鏡筒とを備えているデュアルビームシステム10であって、
　電子ビームは、SEMの偏向コイル60によって、試料上を２次元的に走査され、電子ビーム中の電子が試料22に衝突すると、様々な種類の電子が放出され、電子検出器40によって検出され、
　電子の放出を検出するために使用される電子検出器40に接続され、ビデオモニタ44に駆動信号を供給し、システム制御装置19からの偏向信号を受信するビデオ回路42と、
　システム制御装置19と、
　を備え、
　システム制御装置19は、デュアルビームシステム10のさまざまな部分の動作を制御し、
　低解像度画像上で識別されたXROIのみの高解像度画像を取得するように制御し、 
　ノッチの予想される位置について高解像度XROI画像に基づいて行い、
　ノッチは、X及びY平面において試料表面の位置を決定することができ、ノッチに基づいて画像中の変化を計算することによって、撮像ビームに対して試料のドリフトの量を決定し、
　適切なモデルは、観察された値に基づいて将来のドリフトを予測し、撮像中に起こりえるドリフトを最小化するよう撮像ビームの位置を先制して調節する、
　デュアルビームシステム。」
（３）引用発明との対比・判断 
ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。 
（ア）荷電粒子には、一般に電子やイオンなどが含まれ、本願においても明細書【００６０】に「荷電粒子ビームとして、電子ビームを用いてもよい。」と記載されている。そうすると、引用発明の「電子ビーム」は、本件補正発明の「荷電粒子ビーム」に相当する。 
 
（イ）引用発明の「SEM鏡筒」は、本件補正発明の「荷電粒子ビームを試料に照射する荷電粒子ビーム鏡筒」に、引用発明の「『電子ビーム中の電子が試料22に衝突すると、』『放出され』る『様々な種類の電子』」は、本件補正発明の「前記荷電粒子ビームにより前記試料から発生する二次電子」に、引用発明の「電子の放出を検出するために使用される電子検出器40に接続され、ビデオモニタ44に駆動信号を供給し、システム制御装置19からの偏向信号を受信するビデオ回路42」は、本件補正発明の「前記荷電粒子ビームにより前記試料から発生する二次電子と、前記荷電粒子ビームを走査させる信号とに基づいて、前記荷電粒子ビームの照射結果を示す画像を取得する像形成部」に、引用発明の「『低解像度画像』に対応する領域」は、本件補正発明の「第１の領域」に、引用発明の「『高解像度画像』に対応する領域」は、本件補正発明の「第２の領域」に、引用発明の「『デュアルビームシステム10のさまざまな部分の動作を制御』する『システム制御装置19』」は、本件補正発明の「制御部」に、引用発明の「ノッチの予想される位置について高解像度XROI画像」は、本件補正発明の「補正マークが含まれる前記第２の領域の画像」に、引用発明の「デュアルビームシステム」は、本件補正発明の「荷電粒子ビーム装置」に、それぞれ相当する。 
 
（ウ）ある一定の領域を、高解像度で撮像を行う場合には、低解像度で撮像を行う場合より、電子ビームのピクセル間隔は短くなっている。そうすると、引用発明の「『電子ビームは、SEMの偏向コイル60によって、試料上を２次元的に走査され、』『低解像度画像上で識別されたXROIのみの高解像度画像を取得するように制御し』」は、本件補正発明の「第１の領域に前記荷電粒子ビームを照射するピクセル間隔よりも、前記第１の領域に含まれる第２の領域に前記荷電粒子ビームを照射するピクセル間隔が短くなるように前記荷電粒子ビーム鏡筒を制御する」、「前記第１の領域に前記荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔よりも、前記第２の領域に前記荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔を短くすることによって前記荷電粒子ビーム鏡筒を制御して」に相当する。
（エ）引用発明では「ノッチは、X及びY平面において試料表面の位置を決定することができ」ることから、ノッチは、X及びY平面において試料表面の位置を決定するために用いられている。
　そして、引用発明には「電子ビームは、SEMの偏向コイル60によって、試料上を２次元的に走査され、電子ビーム中の電子が試料22に衝突すると、様々な種類の電子が放出され、電子検出器40によって検出され、電子の放出を検出するために使用される電子検出器40に接続され、ビデオモニタ44に駆動信号を供給し、システム制御装置19からの偏向信号を受信するビデオ回路42」と特定されていることから、電子ビームは撮像するために用いられている。そうすると、引用発明の「電子ビーム」と「撮像ビーム」とは、表現は異なるが同じ意味と考えるのが自然である。
　そうすると、引用発明の「『電子ビームは、SEMの偏向コイル60によって、試料上を２次元的に走査され、』『システム制御装置19は、』『低解像度画像上で識別されたXROIのみの高解像度画像を取得するように制御し、ノッチの予想される位置について高解像度XROI画像に基づいて行い、ノッチは、X及びY平面において試料表面の位置を決定することができ、ノッチに基づいて画像中の変化を計算することによって、撮像ビームに対して試料のドリフトの量を決定し、」は、本件補正発明の「制御部は、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行う際に参照する補正マークが含まれる前記第２の領域の画像を取得する際に、前記第１の領域に前記荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔よりも、前記第２の領域に前記荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔を短くすることによって前記荷電粒子ビーム鏡筒を制御して、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行い、」に相当する。
（オ）低解像度画像よりも高解像度画像の方が解像度が高いので拡大されているものと言える。また、本件補正発明の「前記像形成部は、前記制御部による前記荷電粒子ビーム鏡筒に対する制御により、前記第２の領域が前記第１の領域よりも拡大された画像を
取得する
表示させる
取得する
　そうすると、引用発明の「『システム制御装置19は、デュアルビームシステム10のさまざまな部分の動作を制御し、低解像度画像上で識別されたXROIのみの高解像度画像を取得するように制御し、』『ビデオ回路42』は、『電子の放出を検出するために使用される電子検出器40に接続され、ビデオモニタ44に駆動信号を供給し、システム制御装置19からの偏向信号を受信する』」は、本件補正発明の「前記像形成部は、前記制御部による前記荷電粒子ビーム鏡筒に対する制御により、前記第２の領域が前記第１の領域よりも拡大された画像を取得する」に相当する。
（カ）してみると、本件補正発明と引用発明は、  
「荷電粒子ビームを試料に照射する荷電粒子ビーム鏡筒と、
　前記荷電粒子ビームにより前記試料から発生する二次電子と、前記荷電粒子ビームを走査させる信号とに基づいて、前記荷電粒子ビームの照射結果を示す画像を取得する像形成部と、
　第１の領域に前記荷電粒子ビームを照射するピクセル間隔よりも、前記第１の領域に含まれる第２の領域に前記荷電粒子ビームを照射するピクセル間隔が短くなるように前記荷電粒子ビーム鏡筒を制御する制御部と、
　を備え、
　前記制御部は、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行う際に参照する補正マークが含まれる前記第２の領域の画像を取得する際に、前記第１の領域に前記荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔よりも、前記第２の領域に前記荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔を短くすることによって前記荷電粒子ビーム鏡筒を制御して、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行い、
　前記像形成部は、前記制御部による前記荷電粒子ビーム鏡筒に対する制御により、前記第２の領域が前記第１の領域よりも拡大された画像を取得することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。」
である点で一致するものであり、両者の間に相違点はない。
イ　上記ア（オ）の対比において、仮に、本件補正発明の「前記第２の領域が前記第１の領域よりも拡大された画像を
取得する
表示させる
表示させる
表示させる
　しかしながら、高解像度の画像のほうが低解像度の画像より拡大しても画質を落とさず表示できること、また、上記２（２）ア（ク）に摘記したように、引用文献１図５の記載から、低解像度画像２０２のXROI輪郭２０６に対応する高解像度画像２１２が見て取れ、引用文献１図５においても、高解像度画像が低解像度画像よりも拡大された画像とすることが示唆されていることから、引用発明において、高解像度の画像を低解像度の画像よりも拡大させて表示させることは、当業者が適宜なし得る事項にすぎない。
ウ　したがって、本件補正発明は、引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるか、あるいは、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（４）請求人の主張について 
ア　本件請求人は、平成３０年６月６日付けで提出された審判請求書において、 
（ア）「引用発明１及び引用発明２では、本願発明１のように、ドリフト補正を行う際に参照する補正マークが含まれる第２の領域の画像を取得する際に、第１の領域に荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔よりも、第２の領域に荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔を短くする制御により、第２の領域が第１の領域よりも拡大された画像を取得しない。」、 
（イ）「本願発明１は、相違点に係る構成４及び５を備えることによって、本願明細書の段落００４１に記載の通り、『ドリフト補正時に、補正マーク４０１付近（ドリフト補正領域５０２）の画像を取得する際には、スキャン時のピクセル間隔を短くする。これにより、補正マーク４０１の位置を精度良く捉えることができる。従って、より精度良くドリフト補正を行うことができる。』との効果を奏する。よって、本願明細書の段落０００４および段落０００６に記載の通り、『精度良く加工するために、視野倍率を上げると、加工領域が１つの視野（ＦＯＶ、ｆｉｅｌｄ　ｏｆ　ｖｉｅｗ）内に入りきらない』場合であっても、『１つの画面内に加工領域を全て表示しつつ、より精度良く加工することができる』との効果を奏する。」、
（ウ）「また、引用文献１には、断面（ＸＹ面）を撮像する際にＺ方向の位置認識としてノッチをアライメントマークとして使用すること（引用文献１の段落［０１３７］）、ノッチ（the notches）の予測位置について高解像度ＸＲＯＩ撮像（ＸＹ面）を行うこと（引用文献１の段落［０１４０］）、ノッチによってドリフト量を決定すること（引用文献１の段落［０１４３］等）が記載されているが、この高解像度ＸＲＯＩ撮像は断面（ＸＹ面）におけるノッチ（the notches）間の距離に基づき計算するために行うものである。そのため、断面（ＸＹ面）での高解像度の撮像であり、加工を実施する表面（ＸＺ面）とは異なる断面（ＸＹ面）内での撮像に関するものである。一方、本願発明１では、第１の領域に含まれる第２の領域に照射するピクセル間隔を短くするものであり、引用文献１とは異なる。」、
（エ）「また、引用文献１には、本願発明１のようにドリフト補正を行う際に参照する補正マークが含まれる第２の領域の画像を取得する際に、第１の領域に荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔よりも、第２の領域に荷電粒子ビームを照射する際のピクセル間隔を短くする制御により、第２の領域が第１の領域よりも拡大された画像を取得するといった構成についての記載や示唆は無い。このように、引用文献１には、本願発明１のような技術的思想は無い。」と、
主張している。 
  
イ　上記主張について以下検討する。 
（ア）上記ア（ア）について
　上記（３）ア（オ）にも記載したように、引用発明において、ノッチの予想される位置についての高解像度画像が低解像度画像よりも拡大された画像を取得しないとはいえない。
（イ）上記ア（イ）、ア（ウ）について
　請求人は、本願の請求項１に係る発明において「補正マーク４０１の位置を精度良く捉えることができる。従って、より精度良くドリフト補正を行うことができる。」との効果を奏すると主張しているが、上記引用発明においても「ノッチの予想される位置について高解像度XROI画像に基づいて行い、ノッチは、X及びY平面において試料表面の位置を決定することができ、ノッチに基づいて画像中の変化を計算することによって、撮像ビームに対して試料のドリフトの量を決定し」ていることから、ノッチの予想される位置についての高解像度XROI画像に基づいて、精度良く撮像ビームに対する試料のドリフト補正が行うという効果を奏している。
　また、
本願の請求項１には、
加工することの特定がない。
（ウ）上記ア（エ）について
　上記（３）ア（ウ）にも記載したように、ある一定の領域を、高解像度で撮像を行う場合には、低解像度で撮像を行う場合より、電子ビームのピクセル間隔は短くなっている。
　また、上記（３）ア（オ）に記載したように、引用発明において、ノッチの予想される位置についての高解像度画像が低解像度画像よりも拡大された画像を取得しないとはいえない。
　してみれば、請求人の上記主張は、採用することができない。 
  
３　本件補正についてのむすび 
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 
  
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　平成３０年６月６日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２９年９月１日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。 
  
２　原査定の拒絶の理由 
　原査定の拒絶の理由は、
理由３．（新規性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない、
理由４．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
●理由３及び理由４について 
・請求項１、２、４、５
・引用文献等１
・請求項１、５
・引用文献等２
●理由４について 
・請求項３
・引用文献等１
・請求項２、４
・引用文献等１、２、４
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
引用文献１：国際公開第２０１２／１５５２６７号
引用文献２：特開２０１０−００９９８７号公報
引用文献４：特開平０４−０１７２４８号公報
  
３　引用文献 
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。 
  
４　対比・判断 
　本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明の「像形成部」について、「前記像形成部は、前記制御部による前記荷電粒子ビーム鏡筒に対する制御により、前記第２の領域が前記第１の領域よりも拡大された画像を取得する」の限定事項を削除したものである。 
  
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（３）に記載したとおり、引用発明に該当する、あるいは、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明に該当するものであり、あるいは、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない、又は、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
  
 　よって、結論のとおり審決する。