【事件の表示】
　平成　８年特許願第３１０１７３号「半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月２９日出願公開、特開平１０−１４４９６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年１１月５日に出願された特許出願であって、原審において平成１５年３月２４日付けで拒絶査定がなされたものであり、これに対して、同年５月８日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月９日付けで手続補正がなされた後、平成１７年８月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月７日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１７年１１月７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１１月７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「基板上に形成され、不純物無添加のＩｎx1Ｇａ1-x1Ｎ（０≦x1≦１）から成り、所定の色度の青色光を発光する第１の発光層と、
　該第１の発光層から発光される光と異なる色度の緑色光を発光し、前記第１の発光層上に積層された不純物無添加のＩｎx2Ｇａ1-x2Ｎ（０≦x2≦１；x1＜x2）から成る第２の発光層と、
　前記第１及び第２の発光層からそれぞれ発光される光と異なる色度の赤色光を発光し、前記第２の発光層上に積層されたＡｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ（０≦x3≦１）から成る第３の発光層とを備え、
　前記各発光層のうち少なくとも１つの前記発光層が多重量子井戸構造から成り、
　前記各発光層は、前記第３の発光層の禁制帯幅よりも前記第２の発光層の禁制帯幅が広く、前記第２の発光層の禁制帯幅よりも前記第１の発光層の禁制帯幅が広くなるよう混晶比が設定されて、前記第１、第２及び第３の発光層からそれぞれ発光される光の合成光を白色光とし、前記基板側から前記合成光を取り出したことを特徴とする半導体発光素子。」と補正された。
　上記補正は、「第１の発光層」を「Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ｎ（０≦x1≦１）」からなり「青色」光を発光すると規定し、「第２の発光層」を「Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ｎ（０≦x2≦１；x1＜x2）」からなり「緑色」光を発光すると規定し、「第３の発光層」を「Ａｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ（０≦x3≦１）」からなり「赤色」光を発光すると規定し、「発光層のうち少なくとも１つの発光層」が「多重量子井戸構造から成り」と規定し、「合成光」を「白色光」と規定する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第４項の規定による特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
（２）引用刊行物
　平成１７年８月３０日付けの拒絶理由に引用された、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平８−８８４０７号公報，特開平８−７０１４０号公報及び特開平８−１６７７３７号公報（以下、「引用例１」，「引用例２」及び「引用例３」という。）には、それぞれ、図面とともに、以下の事項が記載されている。 
　
・引用例１
　ア．「【請求項８】  基板上に３族窒化物半導体(ＡｌxＧａYＩｎ1-X-YＮ；X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) を多層形成した平面発光素子において、
ｎ伝導型を示すｎ層と、ｐ伝導型を示すｐ層と、その間に介在する発光層が、狭いバンドギャップの半導体を広いバンドギャップの半導体で挟んだ構造のダブルヘテロ接合で形成された３層構造の基板上に形成された第１発光部と、
前記第１発光部上に形成され、前記第１発光部と同様な構成の第２発光部と、
前記第２発光部上に形成され、前記第１発光部と同様な構成の第３発光部と、
前記各発光部を分離する素子間分離溝とを有し、
前記各発光部の前記ｎ層及び前記ｐ層の一部が露出するように、前記各発光部を階段状に露出させ、
前記ｎ層及び前記ｐ層の露出部に電極を形成し、
前記各発光部の前記各発光層における結晶の組成比Ｘ，Ｙを適正に設定することにより、各発光部から、それぞれ、青色、赤色、緑色の３原色を発光させることを特徴とする平面発光素子。
　……
【請求項１０】  前記第２発光部の前記発光層の下のｐ層又はｎ層は、前記第１発光部のｐ層又はｎ層と共通化され、前記第２発光部の前記発光層の上のｎ層又はｐ層は、前記第３発光部のｎ層又はｐ層と共通化されて、且つ、前記素子間分離溝の存在しないことを特徴とする請求項７乃至請求項９に記載の平面発光素子。」
　イ．「【請求項９】……
前記各発光部の前記各発光層におけるアクセプタ不純物又はドナー不純物の濃度を適正に設定し、且つ、前記各発光部の前記各発光層における結晶の組成比Ｘ，Ｙを適正に設定することにより、各発光部から、それぞれ、青色、赤色、緑色の３原色を発光させることを特徴とする平面発光素子。」
　ウ．「【０００６】本発明は上記の観測事実に基づいて成されたものであり、その目的は、ＧａＮ系化合物半導体を用いて同一基板から光の３原色を発光させることである。」
　エ．「【００３３】……尚、図１は平面発光素子１００の１画素の構造を示したものであり、実際の構成は、この画素構造が格子状に繰り返されている。このようにして、フルカラーの平面発光素子が得られる。」
　オ．「【００３８】又、図２のような構成において、各層を露出させた場合には、図４に示すように、露出した各層に電極８１、７１、７２、７３を形成することもできる。電極８１、７１は第１発光部Ａに対する電極であり、電極７２、７３は第３発光部Ｃに対する電極である。又、第２発光部Ｂに対する電極は電極７２、７１である。即ち、図４の構成では、第２発光部Ｂの電極は、第１発光部Ａの電極７１と、第３発光部Ｃの電極７２と共通化されている。」
　カ．「【００４０】上記の実施例では、発光層におけるアクセプタ濃度、ドナー濃度を変化させることで、青、緑、赤の発光色を発生させているが、発光層ＩｎxＧａ1-XＮにおける組成比Ｘを0.08, 0.15, 0.30のように変化させて、青、緑、赤の発光色を得るようにしても良い。さらに、各層は、ＡｌxＧａYＩｎ1-X-YＮ(X=0,Y=0,X=Y=0を含む) で構成し、発光層が両側の層よりもバンドギャップが小さくなるような結晶比で、且つ、青、緑、赤の３原色の発光を得るようにしても良い。」
　
・引用例２
　キ．「【０００６】
【作用】半導体発光素子の発光する素子構造は、基板上に薄膜結晶を成長することにより作製されている。緑色・青色で発光するバンドギャップの大きな半導体を赤色で発光する素子構造の上に作製した場合、バンドギャップの大きな半導体は波長の長い赤色光を吸収しないため、赤色光は減衰することなく表面から取り出すことができる。」
　ク．「【００１３】〈実施例５〉実施例２および実施例４で示したように、窒化物系半導体構造を用いることにより、光の３原色で発光する素子構造を同一基板上に作製することができた。……、その素子構造を図１に示す。その作製方法を以下に示す。半絶縁性ＧａＡｓ半導体基板９上に、ｐ−ＧａＡｓバッファ層１０、ｐ−ＡｌＧａＡｓ閉じ込め層（Ａｌ＝０．５）１１、ｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層（Ａｌ＝０．３）１２、ｎ−ＡｌＧａＡｓ閉じ込め層（Ａｌ＝０．５）１３、ｎ−ＧａＡｓ保護層１４を有するＡｌＧａＡｓ系半導体構造を作製する。ｎ−ＧａＡｓ保護層１４の最表面を、活性窒素原子により窒化した後に、Ｇａ原料と活性窒素原子を同時に供給して、ｎ−ＧａＮバッファ層１５、ｎ−ＡｌＧａＮ閉じ込め層（Ａｌ＝０．２）１６、ｐ−ＧａＮ活性層１７、ｐ−ＡｌＧａＮ閉じ込め層（Ａｌ＝０．２）１８からなる窒化物半導体構造を作製する。次に、反応容器からいったん取り出して、レジスト塗布、パターン形成、エッチングの行程により、部分的にｎ−ＧａＡｓ保護層１４を露出させる。そして、ｎ−ＧａＮバッファ・閉じ込め層１９、ｐ−ＩｎＧａＮ活性層（Ｉｎ＝０．２５）２０、ｐ−ＧａＮ閉じ込め層２１の層を成長させる部分以外に、窒化物の成長を妨げるマスクを設ける。……、ｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層（Ａｌ＝０．３）１２、ｐ−ＩｎＧａＮ活性層（Ｉｎ＝０．２５）２０、ｐ−ＧａＮ活性層１７が、それぞれ赤・緑・青に発光する。……、光の３原色すべてで発光する素子構造を作製することができ、単一の半導体発光素子で、すべての色を作ることを実現した。」
　
・引用例３
　ケ．「【０００５】本発明は、上記の課題を解決するために成されたものであり、その目的は、３族窒化物半導体をベースとした多色発光が可能な発光装置を提供することである。」
　コ．「【００２４】第２実施例
発光装置２００を図２に示すように構成しても良い。第１実施例と同一機能を有する層には同一番号が付されている。サファイア基板１の上にＡｌＮ から成るバッファ層２、ＧａＮ から成るｎ+層３が形成されている。そのｎ+ 層３の上には、第１発光素子として、(Ａｌ0.47Ｇａ0.53)0.9Ｉｎ0.1Ｎ から成る高キャリア濃度ｎ+層４、亜鉛(Zn)とシリコン(Si)ドープの(Ａｌ0.3Ｇａ0.7)0.94Ｉｎ0.06Ｎ から成る発光層５、マグネシウム(Mg)ドープの(Ａｌ0.47Ｇａ0.53)0.9Ｉｎ0.1Ｎから成るｐ層６が形成されている。発光層５とｐ層６は窒素雰囲気中の熱処理によりｐ型化されている。
【００２５】又、ｐ層６の上には、第２発光素子として、ＧａＡｓから成るバッファ層１０、ｎ型のＡｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓから成るｎ層１１、ｐ型のＡｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓから成るｐ層１２が形成されている。そして、ｐ層１２にAuZn/Auの電極９、ｎ層１１にNi/AuGe/Ni/Au の電極８ａ、ｐ層６とｎ+層３の上にＮｉの電極７、電極８ｂが形成されている。このような構造によっても、３族窒化物半導体から成る第１発光素子と、３族砒化物半導体から成る第２発光素子とが同一の３族窒化物半導体層に形成された発光装置が得られる。」
　サ．「【００２６】尚、上記の実施例において、ｐ層６はＧａＮ、発光層５はＧａ0.94Ｉｎ0.06Ｎ、ｎ層４はＧａＮでも良い。……又、３族窒化物半導体層から成る層の上に３族砒化物から成る層と３族燐化物から成る層を順に、もしくは別々の部位に積層してもよい。」
　
　したがって、上記ア〜カの記載事項からみて、引用例１には以下の発明が記載されていると認められる。 
　「基板上に形成され、Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ｎから成り、青色を発光する第１発光部と、
　緑色を発光し、第１発光部上に積層されたＩｎx2Ｇａ1-x2Ｎから成る第２発光部と、
　赤色を発光し、第２発光部上に積層されたＩｎx3Ｇａ1-x3Ｎから成る第３発光部とを備えた平面発光素子。」（以下、「引用例１発明」という。）
　
（３）対比
　次に、本願補正発明と引用例１発明とを対比すると、  
　ア．引用例１発明における「第１発光部」，「第２発光部」，「第３発光部」及び「平面発光素子」は、本願補正発明における「第１の発光層」，「第２の発光層」，「第３の発光層」及び「半導体発光素子」に、それぞれ相当する。
　イ．引用例１の第１発光部は「青色」で発光することから、本願補正発明の「所定の色度の青色光を発光する」の要件を満たすものである。
　ウ．引用例１の第２発光部は「緑色」で発光することから、本願補正発明の「第１の発光層から発光される光と異なる色度の緑色光を発光し」の要件を満たすものであり、ｘ１＜ｘ２の関係は自明である。
　エ．引用例１の第３発光部は「赤色」で発光することから、本願補正発明の「第１及び第２の発光層からそれぞれ発光される光と異なる色度の赤色光を発光し」の要件を満たすものである。
　オ．引用例１には「発光層ＩｎxＧａ1-XＮ における組成比ｘを0.08, 0.15, 0.30のように変化させて、青、緑、赤の発光色を得るようにしても良い。」（上記「（２）カ」）と記載されていることから、引用例１発明は本願補正発明の「前記各発光層は、前記第３の発光層の禁制帯幅よりも前記第２の発光層の禁制帯幅が広く、前記第２の発光層の禁制帯幅よりも前記第１の発光層の禁制帯幅が広くなるよう混晶比が設定されて」の構成を有している。
　カ．引用例１の「この画素構造が格子状に繰り返されている。このようにして、フルカラーの平面発光素子が得られる」（上記「（２）エ」）の記載のとおり、引用例１発明の平面発光素子は、混色光（合成光）によりフルカラーを得ており、フルカラーの中には白色光が当然に含まれることから、引用例１発明は、本願補正発明の「前記第１、第２及び第３の発光層からそれぞれ発光される光の合成光を白色光とし」との構成を含むものである。
　
　したがって、本願補正発明と引用例１発明とは、
　「基板上に形成され、Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ｎ（０≦x1≦１）から成り、所定の色度の青色光を発光する第１の発光層と、
　該第１の発光層から発光される光と異なる色度の緑色光を発光し、前記第１の発光層上に積層されたＩｎx2Ｇａ1-x2Ｎ（０≦x2≦１；x1＜x2）から成る第２の発光層と、
　前記第１及び第２の発光層からそれぞれ発光される光と異なる色度の赤色光を発光し、前記第２の発光層上に積層された第３の発光層とを備え、
　前記各発光層は、前記第３の発光層の禁制帯幅よりも前記第２の発光層の禁制帯幅が広く、前記第２の発光層の禁制帯幅よりも前記第１の発光層の禁制帯幅が広くなるよう混晶比が設定されて、前記第１、第２及び第３の発光層からそれぞれ発光される光の合成光を白色光とした半導体発光素子。」である点で一致し、次の点で相違している。  
　
　［相違点］  
・相違点１
　本願補正発明では、第１及び第２の発光層は「不純物無添加」であるのに対して、引用例１発明では、不純物添加の有無は不明である点。
・相違点２
　本願補正発明では、第３の発光層が「Ａｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ（０≦x3≦１）から成る」のに対して、引用例１発明では「Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ」である点。
・相違点３
　本願補正発明では、「各発光層のうち少なくとも１つの前記発光層が多重量子井戸構造から成る」のに対して、引用例１発明はその構成を有していない点。
・相違点４
　本願補正発明では、合成光を「基板側」から取り出しているのに対して、引用例１発明は、合成光の取り出し方向は不明である点。
　
（４）判断
　以下、上記相違点について検討する。
　ア．相違点１について
　上記「（２）ア，イ及びカ」の記載から、引用例１発明は「アクセプタ不純物又はドナー不純物」の添加によらずとも、即ち不純物無添加であっても、「発光層における結晶の組成比Ｘ，Ｙを適正に設定すること」により「青色、赤色、緑色の３原色を発光させる」ことができるものである。
　そして、不純物無添加の発光層は周知なものであり、ＩｎＧａＮ発光層を不純物無添加とすることも、拒絶査定で提示された特開平６−２１５１１号公報（以下、「周知文献」という。）に開示されているとおりである。
　したがって、引用例１発明の第１及び第２の発光部を「不純物無添加」として相違点１の構成とすることは当業者が適宜なし得る設計事項である。
　イ．相違点２について
　基板上に異なる色を発光する複数の発光層を形成してなる発光素子において、「赤色」を発光する発光層の材料として「ＡｌＧａＡｓ」を用いることは、引用例２及び３に記載されるとおり（特に、引用例２は３原色を発光する素子である）であるから、引用例１発明の第３発光部を「ＡｌＧａＡｓ」を用いて形成し、相違点２の構成とすることになんら困難性はない。
　なお、第３の発光層はＩｎＧａＮから成る第２の発光層上に形成されるものであるが、引用例３においてもＩｎＧａＮから成る層上にＡｌＧａＡｓから成る層を形成していることからみて、引用例１発明のＩｎＧａＮから成る第２の発光部上に形成されたＩｎＧａＮから成る第３の発光部をＡｌＧａＡｓで形成することに阻害要因はない。
　ウ．相違点３について
　発光層を多重量子井戸構造とするか否かは当業者が所望によりなし得る設計事項であり、ＩｎＧａＮ発光層を多重量子井戸構造とすることも、上記周知文献に開示されるとおりである。
　したがって、引用例１発明の少なくとも１つの発光層を多重量子井戸構造として形成し、相違点２の構成とすることは当業者が適宜なし得る設計事項である。
　エ．相違点４について
　発光光を基板側から取り出すことは例を挙げるまでもなく周知な構成であり、上記「（２）キ」に記載のとおり、基板上に異なる色を発光する複数の発光層を形成してなる発光素子においてはバンドギャップの大きな半導体層方向へ光を取り出すことが技術常識である。
　よって、引用例１発明において「基板側」から合成光を取り出すことは、当業者にとって当然の事項である。
　
　そして、本願補正発明の奏する作用効果は、引用例１発明，引用例２及び３の記載事項及び周知技術から当業者が予測できる範囲内のものに過ぎない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明，引用例２及び３の記載事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１７年１１月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年６月９日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至８に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は、以下のものである。 
　「基板上に形成され、不純物無添加の３族窒化物半導体(ＡｌxＧａ1-x)yＩｎ1-yＮ(０ ≦x ≦１；０ ≦y ≦１)から成り、所定の色度の光を発光する第１の発光層と、
　該第１の発光層から発光される光と異なる色度の光を発光し、前記第１の発光層上に積層された不純物無添加の３族窒化物半導体から成る第２の発光層と
　前記第１及び第２の発光層からそれぞれ発光される光と異なる色度の光を発光し、前記第２の発光層上に積層された３族窒化物以外の化合物半導体から成る第３の発光層とを備え、
　前記各発光層は、前記第３の発光層の禁制帯幅よりも前記第２の発光層の禁制帯幅が広く、前記第２の発光層の禁制帯幅よりも前記第１の発光層の禁制帯幅が広くなるよう混晶比が設定されて、前記第１、第２及び第３の発光層からそれぞれ発光される光の合成光を所望の波長強度特性とし、前記基板側から前記合成光を取り出したことを特徴とする半導体発光素子。」（以下、「本願発明」という。）
　
（１）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、および、その記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。  
　
（２）対比・判断
　本願発明は、上記「２．」で検討した本願補正発明から、「第１の発光層」の限定事項である「Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ｎ（０≦x1≦１）」及び「青色」光を発光するとの限定を省き、「第２の発光層」の限定事項である「Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ｎ（０≦x2≦１；x1＜x2）」及び「緑色」光を発光するとの限定を省き、「第３の発光層」の限定事項である「Ａｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ（０≦x3≦１）」及び「赤色」光を発光するとの限定を省き、「発光層のうち少なくとも１つの発光層」が「多重量子井戸構造から成り」との限定を省き、「合成光」が「白色光」であるとの限定を省いたものである。 
　したがって、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を限定したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１に記載された発明，引用例２及び３の記載事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明，引用例２及び３の記載事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。