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　特願２０００−１９９４２４「圧接型半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　１月２５日出願公開、特開２００２−　２６０４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
一．手続の経緯
　本願は、平成１２年６月３０日の出願であって、平成１５年８月８日付で拒絶理由が通知され、同年１０月１４日に手続補正書が提出され、同年１２月２４日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年２月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月３日に手続補正書が提出されたものである。
　
二．平成１６年３月３日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年３月３日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
　
１．補正の内容
平成１６年３月３日付け手続補正（以下本件補正という。）は、平成１５年１０月１４日付けで補正された以下の特許請求の範囲１ないし１２の記載
「【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　第１の主電極ポストと、
　前記第１の主電極ポスト上の中間圧接板と、
　前記中間圧接板上に配設され、この中間圧接板の対向面に第１の主電極を有し、非対向面に第２の主電極を有する半導体素子と、
　前記半導体素子の第２の主電極上の第２の主電極ポストとを備え、
　
前記第１の主電極ポストの接触面の周辺部分と中間圧接板との間の圧接応力を、前記第１の主電極ポストの接触面の中央部分に分散させたこと
　　【請求項２】　前記第１の主電極ポストの接触面は、前記周辺部分よりも前記中央部分が突出した凸球面形状の接触面を圧接し、前記周辺部分よりも中央部分の変形量を大きくして形成したことを特徴とする請求項１に記載の圧接型半導体装置。
　　【請求項３】　前記第１の主電極ポストの接触面は、前記周辺部分よりも前記中央部分が突出した凸型形状の接触面を圧接し、前記周辺部分よりも中央部分の変形量を大きくして形成したことを特徴とする請求項１に記載の圧接型半導体装置。
　　【請求項４】　第１の主電極ポストと、
　前記第１の主電極ポスト上の中間圧接板と、
　前記中間圧接板上に配設され、この中間圧接板の対向面に第１の主電極を有し、非対向面に第２の主電極を有する半導体素子と、
　前記半導体素子の第２の主電極上の第２の主電極ポストとを備え、
　
前記第１の主電極ポストの接触面と中間圧接板との間の圧接応力を、前記接触面の中央部分において複数に分散させたこと
　　【請求項５】　前記第１の主電極ポストの接触面に複数個の凸球面部を備え、前記複数個の凸球面部により前記圧接応力を複数に分散させたことを特徴とする請求項４に記載の圧接型半導体装置。
　　【請求項６】　前記第１の主電極ポストの接触面に複数個の凸円柱部を備え、前記複数個の凸円柱部により前記圧接応力を複数に分散させたことを特徴とする請求項４に記載の圧接型半導体装置。
　　【請求項７】　前記第１の主電極ポストの接触面に複数個の凸角柱部を備え、前記複数個の凸角柱部により前記圧接応力を複数に分散させたことを特徴とする請求項４に記載の圧接型半導体装置。
　　【請求項８】　前記第１の主電極ポストの接触面に配設された複数個の凹球面部と、
前記複数個の凹球面部にそれぞれ配設された導電性球とを備え、前記複数個の凹球面部及び複数個の導電性球により圧接応力を複数に分散させたことを特徴とする請求項４に記載の圧接型半導体装置。
　　【請求項９】　第１の主電極ポストと、
　前記第１の主電極ポスト上に配設され、この第１の主電極ポストの対向面に第１の主電極を有し、非対向面に第２の主電極を有する半導体素子と、
　前記半導体素子の第２の主電極上の第２の主電極ポストと、
　前記第１の主電極ポストと半導体素子との間に配設され、
前記半導体素子の第１の主電極に接触する接触面の平面形状を前記第１の主電極の平面形状と類似させた中間圧接板
　を備えたことを特徴とする圧接型半導体装置。
　　【請求項１０】　前記第１の主電極は平面形状を長方形として複数に分割され、
　前記中間圧接板の接触面は、前記第１の主電極の分割された平面形状と同等の長方形の平面形状を有し、前記第１の主電極の分割数と同等の個数を有する凸部により形成されたことを特徴とする請求項９に記載の圧接型半導体装置。
　　【請求項１１】　前記中間圧接板の接触面は、複数個の凸円柱部上面により形成されたことを特徴とする請求項９に記載の圧接型半導体装置。
　　【請求項１２】　前記中間圧接板の接触面は、複数個の凸角柱部上面により形成されたことを特徴とする請求項９に記載の圧接型半導体装置。」
を、
「【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　第１の主電極が形成された第１の面と第２の主電極が形成された第２の面を有する半導体素子と、
　前記第１の主電極に対向して中間圧接板を介して配設される接触面を有する第１の主電極ポストと、
　前記第２の主電極に対向して配設された第２の主電極ポストとを備えてなり、
　前記接触面を周辺部分よりも中央部分を突出させて圧接時に前記中央部分が前記周辺部分よりも大きく変形することを特徴とする圧接型半導体装置。
　　【請求項２】　前記第１の主電極ポストの前記接触面は、前記周辺部分よりも前記中央部分が突出した凸球面形状の前記接触面を圧接し、前記周辺部分よりも中央部分の変形量を大きくして形成したことを特徴とする請求項１に記載の圧接型半導体装置。
　　【請求項３】　前記第１の主電極ポストの前記接触面は、前記周辺部分よりも前記中央部分が突出した凸型形状の前記接触面を圧接し、前記周辺部分よりも中央部分の変形量を大きくして形成したことを特徴とする請求項１に記載の圧接型半導体装置。
　　【請求項４】　第１の主電極が形成された第１の面と第２の主電極が形成された第２の面を有する半導体素子と、
　前記第１の主電極に対向して中間圧接板を介して配設される接触面を有する第１の主電極ポストと、
　前記第２の主電極に対向して配設された第２の主電極ポストとを備えてなり、
　前記接触面の中央部分に圧接時に変形する複数個の凸部を有することを特徴とする圧接型半導体装置。
　　【請求項５】　前記第１の主電極ポストの前記接触面に複数個の凸球面部を備え、前記複数個の凸球面部により前記圧接応力を複数に分散させたことを特徴とする請求項４に記載の圧接型半導体装置。
　　【請求項６】　前記第１の主電極ポストの前記接触面に複数個の凸円柱部を備え、前記複数個の凸円柱部により前記圧接応力を複数に分散させたことを特徴とする請求項４に記載の圧接型半導体装置。
　　【請求項７】　前記第１の主電極ポストの前記接触面に複数個の凸角柱部を備え、前記複数個の凸角柱部により前記圧接応力を複数に分散させたことを特徴とする請求項４に記載の圧接型半導体装置。
　　【請求項８】　前記第１の主電極ポストの前記接触面に配設された複数個の凹球面部と、前記複数個の凹球面部にそれぞれ配設された導電性球とを備え、前記複数個の凹球面部及び複数個の導電性球により圧接応力を複数に分散させたことを特徴とする請求項４に記載の圧接型半導体装置。
　　【請求項９】　第１の主電極ポストと、
　前記第１の主電極ポスト上に配設され、この第１の主電極ポストの対向面に第１の主電極を有し、非対向面に第２の主電極を有する半導体素子と、
　前記半導体素子の第２の主電極上の第２の主電極ポストと、
　前記第１の主電極ポストと半導体素子との間に配設され、前記半導体素子の第１の主電極に接触する接触面の平面形状を前記第１の主電極の平面形状と類似させた中間圧接板と
　を備えたことを特徴とする圧接型半導体装置。
　　【請求項１０】　前記第１の主電極は平面形状を長方形として複数に分割され、
　前記中間圧接板の接触面は、前記第１の主電極の分割された平面形状と同等の長方形の平面形状を有し、前記第１の主電極の分割数と同等の個数を有する凸部により形成されたことを特徴とする請求項９に記載の圧接型半導体装置。
　　【請求項１１】　前記中間圧接板の接触面は、複数個の凸円柱部上面により形成されたことを特徴とする請求項９に記載の圧接型半導体装置。
　　【請求項１２】　前記中間圧接板の接触面は、複数個の凸角柱部上面により形成されたことを特徴とする請求項９に記載の圧接型半導体装置。」と補正するものである。
　本件補正による補正後の請求項１〜１２のうち、補正された請求項１は次のとおりである。
　
　「【請求項１】　第１の主電極が形成された第１の面と第２の主電極が形成された第２の面を有する半導体素子と、
　前記第１の主電極に対向して中間圧接板を介して配設される接触面を有する第１の主電極ポストと、
　前記第２の主電極に対向して配設された第２の主電極ポストとを備えてなり、
　前記接触面を周辺部分よりも中央部分を突出させて圧接時に前記中央部分が前記周辺部分よりも大きく変形することを特徴とする圧接型半導体装置。」（以下、「補正発明１」という。）
　
　補正発明１について検討するに、補正前の独立項である請求項１に記載されていた、「前記第１の主電極ポストの接触面の周辺部分と中間圧接板との間の圧接応力を、前記第１の主電極ポストの接触面の中央部分に分散させ」る特定事項は、補正後の独立請求項１である請求項１に記載されていないから、この補正は上記特定事項を削除するものであり、補正前の請求項１記載の発明の減縮とは認められない。
　同様に、独立項である補正前の請求項４には、「圧接応力を・・・分散させる」特定事項、独立項である補正前の請求項９には、「前記半導体素子の第１の主電極に接触する接触面の平面形状を前記第１の主電極の平面形状と類似させた中間圧接板」特定事項が記載されているが、補正後の請求項１には、いずれの特定事項の記載もない。よって、補正発明１は、これら補正前の独立請求項のいずれが補正されたものであるとしても、いずれかの特定事項を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的としたものには該当しない。
　
　よって、補正発明１は、補正前の請求項１〜１２の内のいずれの請求項についても、当該請求項を減縮したものであるとはいえないから、特許請求の範囲の減縮を目的としたものには該当しないし、さらに、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的としたものにも該当しない。
　
２．むすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
三．本願発明について 
１．本願発明 
　平成１６年３月３日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の各請求項に係る発明は、平成１５年１０月１４日付の手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲１〜１２に記載された事項により特定されるものと認められるところ請求項１については、次のとおりのものである。　
　「【請求項１】　第１の主電極ポストと、
　前記第１の主電極ポスト上の中間圧接板と、
　前記中間圧接板上に配設され、この中間圧接板の対向面に第１の主電極を有し、非対向面に第２の主電極を有する半導体素子と、
　前記半導体素子の第２の主電極上の第２の主電極ポストとを備え、
　前記第１の主電極ポストの接触面の周辺部分と中間圧接板との間の圧接応力を、前記第１の主電極ポストの接触面の中央部分に分散させたことを特徴とする圧接型半導体装置。」（以下、「本願発明１」という。）
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　
　原査定で引用された刊行物A、特開平８−２２７９０６号公報には、以下の事項が記載されている。
　
ａ．「【０００６】・・・この種の圧接型半導体装置を図６に示すようにモデル化し、圧接時に半導体素子１に加わる応力を有限要素法（ＦＥＭ）等で解析すると、温度補償板３、４の周縁部直下に圧縮応力が集中する。そして場合によっては、圧縮応力の集中のため、半導体素子１を破壊するまでになる。」（第６段落）
ｂ．「【０００８】・・・本発明の目的は、半導体素子に圧接されるポスト電極の周縁部直下に発生する応力集中を緩和し、半導体素子の変形や破損を防止して、信頼性を向上させた圧接型半導体装置を提供することにある。」（第８段落）
ｃ．「【０００９】
　 【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するため、本発明においては、半導体素子とポスト電極とを温度補償板を介して圧接してなる圧接型半導体装置において、カソード側の温度補償板の縁部を圧接されるポスト電極の縁部より適宜寸法突出させ、ポスト電極の周縁部直下の応力を温度補償板の突出部に分散させることにより、応力集中を緩和するようにした。」（第９段落）
ｄ．「【００１１】
　 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明による圧接型半導体装置の断面図、図２は、図１における圧接型半導体装置の組付け構造を示す断面図である。同図において、円板状の半導体素子２１は、その上面のカソード側には、中心部に開口穴２３ａが形成された環状の温度補償板２３と、環状のゲート電極２７及び、環状の温度補償板２２が同心円状に配設されている。また、半導体素子２１の下面のアノード側には、半導体素子２１と同径の円板状の温度補償板２４が配設されている。
　 【００１２】上記各温度補償板２２、２３、２４の背面側には、夫々ポスト電極２５、２６が配設される。なお、上記半導体素子２１のカソード側に配設された温度補償板２２、２３は、厚さｔを有している。また、上記ゲート電極２７の外壁部は、絶縁性スペーサ２８で覆われている。」（第１１段落〜第１２段落）
ｅ．「【００１４】上記半導体素子２１、温度補償板２４は、環状の外壁部材３５の内壁に配設された位置決めリング３０に嵌入され、樹脂等の充填材３１で接着され、位置決め固定される。また、ポスト電極２５は、その外周に上部フランジ３２が固定され、この上部フランジ３２の下面に固定された裏フランジ３３を介して上記外壁部材３５の端面に固定されている。また、半導体素子２１より小径に形成された上記ポスト電極２６は、その外周に下部フランジ３４が固定され、この下部フランジ２６を介して上記外壁部材３５に固定されている。そして、各ポスト電極２５、２６が外壁部材３５に固定されることにより、各ポスト電極２５、２６は、温度補償板２２、２３、２４を介して半導体素子２１に所定の加圧力で圧接される。この時、ゲート電極２７は、弾性部材２９の圧力で半導体素子２１に圧接される。　上記の構成において、温度補償板２２、２３の内外径は、その上面に圧接されるポスト電極２５の外径、環状溝２５ａの内外径及び凹部２５ｂの内径の周縁より適宜寸法突出している。すなわち、温度補償板２２の外径は、ポスト電極２５の外径よりｌ寸法だけ突出し、その内径は、ポスト電極２５の溝２５ａの外径よりｌ寸法だけ溝２５の内側に突出している。また、温度補償板２３の外径は、ポスト電極２５の溝２５ａの内径よりｌ寸法だけ溝２５ａの内側に突出し、その内径は、ポスト電極２５の凹部２５ｂの外径よりｌ寸法だけ凹部２５ｂの内側に突出している。」（第１４段落）
　
３．対比・判断
　上記摘記事項ｄ、ｅの記載によれば、半導体素子の上面のカソード側には、温度補償板と、その背面側にカソード側のポスト電極が配設されている。
　また、半導体素子のカソード側にはカソード電極、アノード側にはアノード電極を有することは自明の事項にすぎない。
　そこで、上記摘記事項ａ〜ｅをまとめると、刊行物Aには、「カソード側のポスト電極と、ポスト電極に圧接される温度補償板と、温度補償板に圧接され、この温度補償板の対向面にカソード電極を有し、非対向面にアノード電極を有する半導体素子と、半導体素子のアノード電極に圧接されるポスト電極とを備え、カソード側のポスト電極の周縁部直下に作用する応力集中を緩和させた圧接型半導体装置」（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
　そこで、本願発明１と刊行物発明とを対比すると、刊行物発明の「カソード側のポスト電極」、「温度補償板」、「カソード電極」、「アノード電極」、及び「アノード側のポスト電極」は、それぞれ本願発明１の「第１の主電極ポスト」、「中間圧接板」、「第１の主電極」、「第２の主電極」、及び「第２の主電極ポスト」に相当するから、両者は、「第１の主電極ポストと、前記第１の主電極ポスト上の中間圧接板と、前記中間圧接板上に配設され、この中間圧接板の対向面に第１の主電極を有し、非対向面に第２の主電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の第２の主電極上の第２の主電極ポストとを備えた圧接型半導体装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点１：中間圧接板を介して半導体素子を設ける際に、本願発明１では、カソード電極である第１の主電極ポスト上に半導体素子を設けているのに対し、刊行物発明では、カソード電極の下面側に半導体素子を設けている点。
　
　相違点２：本願発明１は、第１の主電極ポストの接触面の周辺部分と中間圧接板との間の圧接応力を、第１の主電極ポストの接触面の中央部分に分散させたのに対し、刊行物発明は、ポスト電極の周縁部直下に作用する応力集中を緩和している点。
　
　そこで、上記相違点について検討する
　相違点１について
　半導体装置において、カソード電極を半導体装置の上下どちら側に設けるかは、当業者が適宜なし得ることである。
　
　相違点２について
　刊行物発明におけるポスト電極の直下は、本願発明１の主電極ポスト上に対応する。また、本願発明１は、圧接応力を、第１の主電極ポストの接触面の中央部分に分散させると機能的に記載しており、圧接応力を分散させる具体的構造については、請求項１には記載がない。
　圧接型半導体装置において、電極ポストと圧接板の接触部分における応力を分散化する技術的課題は知られている。一方、刊行物発明は、ポスト電極の周縁部直下に発生する応力集中を緩和しており、そのために、周縁部直下に発生する応力を周縁部以外の部分に分散しているから、該応力を中央部分に振り分けることは容易に想到しうることである。
　また、応力を分散させる手段として、ポスト電極の中央部を凸状にしてポスト電極の周縁直下の応力をポスト電極の中央部に応力を分散させて、半導体素子に加わる応力を均一にすることは周知の技術（特開平６−３１８６０８号公報、実願昭５７−１０３２４４号（実開昭５９−９５４０号）のマイクロフィルム参照。）である。
　したがって、刊行物発明において、前記技術課題に配慮し、上記周知技術を採用することは、当業者が容易に想到することができたものである。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜１２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。