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　特願２０１５−５４８４５５「半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　６月２６日国際公開、ＷＯ２０１４／０９５９０３、平成２８年　１月１２日国内公表、特表２０１６−５００４８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年（平成２５年）１２月１７日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１２年１２月１８日、ドイツ国）を国際出願日とする出願であって、その後の手続の概要は、以下のとおりである。 
　平成２８年　５月２０日付け：拒絶理由通知（同年同月２４日発送） 
　　　　同年１１月２１日　　：意見書・手続補正書の提出 
　平成２９年　２月２０日付け：拒絶査定（同年同月２８日送達） 
　　　　同年　６月　２８日　　：審判請求書、手続補正書の提出 
　平成３０年　６月　５日付け：拒絶理由通知（同年同月１２日発送。以下、「当審拒絶理由」とする。
 　　　同年　８月１３日　　：意見書・手続補正書の提出 
第２　本願発明 
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は、平成３０年８月１３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 
「　半導体レーザ素子（１）を製造する方法であって、
Ａ）前記半導体レーザ素子（１）のための複数のキャリア（２）を有する少なくとも１つのキャリア複合体（２０）を作製するステップと、
Ｂ）共通の成長基板（３１）と、前記成長基板の上に成長させる半導体積層体（３２）とを備えた複数の半導体レーザダイオード（３）を有する少なくとも１つのレーザバー（３）を作製するステップであって、前記半導体積層体（３２）が、ｎ型側と、ｐ型側と、前記ｎ型側と前記ｐ型側との間に位置する活性ゾーンと、を備えており、前記ｎ型側が前記成長基板（３１）に面している、ステップと、
Ｃ）前記成長基板（３１）の基板裏面（３４）に所定の破断箇所（３５）を生成するステップであって、前記基板裏面が前記半導体積層体（３２）とは反対側である、ステップと
、
Ｄ）前記レーザバー（３０）を前記キャリア複合体（２０）のキャリア上面（２３）に取り付けるステップであって、前記成長基板（３１）中の前記所定の破断箇所（３５）が前記半導体積層体（３２）と前記キャリア（２）との間に位置するように、前記基板裏面（３４）が前記キャリア上面（２３）に面し、前記取付けが、高い温度において実行され、
取り付けた後に冷却する、ステップと、
Ｅ）複数の前記半導体レーザ素子（１）に個片化するステップと、
　を含み、
　ステップＢ）〜ステップＥ）が示した順序で実行される、
　方法。」
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は、次のとおりである。
　本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
 
引用文献１：特開昭６３−２０４６８７号公報
引用文献２：特開平１１−２２０２０４号公報 
第４　刊行物の記載事項
１　引用文献１について 
 　本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である引用文献１（特開昭６３−２０４６８７号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審が付加した。以下同様。）。 
  
（１）　「　
半導体レーザのヘキ開バーもしくは発光ダイオードウェーハをヒートシンク上にソルダーにより融着する工程と、融着した後レーザ照射により個片の半導体ペレットを個片のヒートシンクに融着された状態で切断分離する工程
 
（２）　「　従来、半導体レーザ，発光ダイオード等の半導体素子の組立工数においては、放熱及び熱膨張率差による歪の対策が問題となっているが、この歪の防止のためにペレットを直接ステムにマウントせずに
シリコン等のヒートシンク上にマウント
　第３図はかかる従来のヒートシンク上へのペレットのマウント方法を説明するための半導体ペレットの斜視図である。 
　第３図に示すように、ペレット３１を１個づつヒートシンク３２上にソルダー材３３によりマウントしていた。尚、このときのソルダー材３３としてはヒートシンク上に蒸着された金−錫（ＡｕＳｎ）や錫（Ｓｎ）等を用い、ヒーター上で加熱してペレット３１とヒートシンク３２とを融着しマウントしていた。」（１頁右下欄１〜６行） 
 
（３）　「　第１図（ａ）に示すごとく、
まず長さｌ＝１０〜２０ｍｍ，幅ｗ＝０．３ｍｍ，厚さｔ＝０．１ｍｍのレーザバー１１をＡｕＳｎ又はＳｎが表面に蒸着されたヒートシンクバー１２（ｌ’＝３０ｍｍ，ｗ’＝０．６ｍｍ，ｔ’＝０．３ｍｍ）の上に平行に乗せヒーター等で加熱融着する。
　次に、第１図（ｂ）に示すごとく、
一体となったレーザバー１１とハートシンクバー１２
ＹＡＧレーザ１５を照射しながら
局部的に加熱溶断する。
個々のペレットに分離することができる。 
　第１図（ｃ）は上述した個々のペレットに分離された状態を示している。 
 すなわち、
個片のペレット１７が個片のヒートシンク１８上に融着された状態で分離されている。
  
（４）　第１図は、次のものである。 
　これらの記載によると、引用文献１には、以下の発明（以下、「引用文献１発明」という。）が記載されていると認められる。 
「　個片の半導体ペレット１７が個片のヒートシンク１８上に融着されたものを製造する方法であって、 
シリコン等からなり、ＡｕＳｎ又はＳｎが表面に蒸着されたヒートシンクバー１２を準備する工程と、 
レーザバー１１を準備する工程と、 
前記レーザバー１１を、前記ヒートシンクバー１２の上に平行に載せヒーター等で加熱融着する工程と、
前記レーザバー１１と前記ヒートシンクバー１２が一体となった一体化バーをＹＡＧレーザ１５を照射して局部的に加熱溶断し、次に、前記個片の半導体ペレット１７が前記個片のヒートシンク１８上に融着されたものに分離する工程を含む、 
方法。」 
２　引用文献２について 
　引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。 
（１）　「【請求項７】　
アレイ型半導体レーザ装置の製造方法であって、 
半導体基板上に複数のレーザ発光領域を有する多層成長層を形成した半導体レーザアレイの前記レーザ発光領域の間に前記半導体基板に至る溝を形成する溝形成工程と、 
前記半導体レーザアレイの線膨張率と異なる値の線膨張率を有するベース部材とを、接合材を介し前記接合材を加熱させて接合させる接合工程と、 
 前記接合材を冷却する冷却工程と、 
 を含むことを特徴とするアレイ型半導体レーザ装置の製造方法。
 【請求項８】 
前記冷却工程は、前記接合材を常温以下に冷却することであることを特徴とする請求項７に記載のアレイ型半導体レーザ装置の製造方法。
  
（２）「【０００７】また、応力緩和材１４および
ベース材１２は、半導体レーザアレイ１に生じる熱を放散するヒートシンクとしても機能
  
（３） 「【００１３】 
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザアレイの接合時や高出力アレイ型半導体レーザ装置の駆動前後の温度差により発生する熱応力を緩和するための応力緩和材は、ＧａＡｓなどの半導体レーザ材料と同じ線膨張率あるいは非常に近い線膨張率を有する必要がある。しかしながら、このような材料は一般に高価であり、また熱伝導率などの特性も限定される。 
【００１４】コスト低下のために応力緩和材としてＳｉなどの安価な材料を使用することは、単独の半導体レーザ装置においては問題とならないが、大型のアレイ型半導体レーザ装置の場合には線膨張率差に起因する熱応力が問題となる場合がある。 
【００１５】また、部品点数を削減するために応力緩和材を使用せずに、
ベース材として比較的半導体レーザ材料の線膨張率に近い値の線膨張率を有する材料を使用して、半導体レーザアレイをベース材に直接接合した構造としても、上記同様に大型の半導体レーザアレイにおいてはベース材との線膨張率差に起因する熱応力の問題は解消されない。
【００１６】また、
半導体レーザアレイの放熱性を向上させるために、非常に高い熱伝導率を有するダイヤモンド、ＢＮ（ボロンナイトライド）等を材料とするベース材に直接に半導体レーザアレイを接合する場合にも、大型の半導体レーザアレイにおいてはそれらベース材との線膨張率差に起因する熱応力が問題となる。
【００１７】大型の半導体レーザアレイに及ぼされる熱応力を低減する手段として、半導体レーザアレイを接合するのではなく、分割された各半導体レーザ素子を個々に並列に複数個並べて接合し、熱応力を分散させる方法が考えられるが、この方法においてはレーザビームが出力される半導体素レーザ素子端面を高精度に位置合わせして接合することが困難となり、生産性が低下してしまう。 
【００１８】この発明は上記に鑑みてなされたものであって、
安価で低い熱応力化が図れるアレイ型半導体レーザ装置およびその製造方法を得ることを目的とする。
  
（４）　「【００３１】図１において、
半導体レーザアレイ１は、複数の半導体レーザ素子２から構成され、各半導体レーザ素子間には分割溝３が形成されている。分割溝３はバッファ層５、活性層６、クラッド層７、コンタクト層８およびｐ電極９から成る成長層のみでなく、半導体基板４の深部に至る部分まで形成されている。
【００３２】分割溝３が形成された半導体レーザアレイ１の各レーザ素子２はｎ電極１０および半導体基板４の一部によって連結されている。半導体基板４において分割溝３の先端部から半導体基板４のｎ電極１０側表面に至るまでの長さ、すなわち半導体基板４の連結部の厚さは、後述する半導体レーザアレイの分割時において利用される反りの程度を鑑みて設計される。すなわち、半導体基板４の連結部の厚さは、反りの程度が小さい場合は薄くされ、反りの程度が大きい場合は厚くされる。 
【００３３】ｐ電極９を陽極、ｎ電極１０を陰極として両電極間に順方向電圧を印加することにより電流を流すと、各半導体レーザ素子２における活性層６の発光領域１１よりレーザビームを得ることができる。図１において、活性層６の発光領域１１は約１００μｍであり、隣り合う発光領域１１間の距離は約４００μｍである。 
【００３４】分割溝３は発光領域１１に接触しないように形成位置および溝幅が決定される。実施の形態１においては、発光領域間距離が約４００μｍであるため、発光領域間中心部に溝を形成する場合、溝幅として４００μｍ以下を選択できるが、半導体レーザ素子の放熱性を考慮して約５０μｍ以下にするのが妥当である。なお、分割溝３の先端部は応力を集中させるために可能な限り鋭く形成することが好ましい。 
【００３５】
つぎに図２（ａ）〜（ｃ）を用いて、実施の形態１による半導体レーザアレイをベース材上へ接合する際の半導体レーザアレイの分割過程について説明する。図２（ａ）〜（ｃ）において、ベース材１２の上面には接合材１３としてＡｕＳｎはんだなどの金属融材が約３〜５μｍの厚みで蒸着されている。ベース材１２の材料としては、半導体レーザより線膨張率の小さい材料、例えばダイヤモンド、ＳｉＣ、Ｓｉ等を使用する。
【００３６】図２（ａ）において、
半導体レーザアレイ１は、前述したように各半導体レーザ素子間に分割溝３が形成されており、成長層側を下にしてベース材１２上へ搭載されている。この状態において、金属融着材である接合材１３の融点以上の温度まで加熱すると、ｐ電極９と接合材１３が合金化される。続く常温までの冷却過程において、接合材１３がその融点以下の温度になると、図２（ｂ）に示すように半導体レーザアレイ１とベース材１２との線膨張率差に起因する反りが発生する。
【００３７】
この反りによって、分割溝３の先端部に応力が集中し、ＧａＡｓ基板の結晶方向に、すなわち図２（ｂ）に示すようにベース材１２と接合した面に垂直な方向に、亀裂が進展する。そして十分に温度が低下すると、半導体レーザアレイ１およびベース材１２の線膨張が解消され、図２（ｃ）に示すように互いに反りのない状態に落ち着く。結果的に、半導体レーザアレイ１は、前記亀裂によって各半導体レーザ素子２の分割を達成している。
【００３８】従って、図１０に示すような従来のアレイ型半導体レーザ装置において必要であった応力緩和材１４が排除され、図３に示すように半導体レーザアレイをベース材１２に直接接合する構造が可能となる。さらに、半導体レーザアレイおよびベース材との間の線膨張率差により生じる熱応力を、分割溝において亀裂を生じさせるための力として利用し、発生した亀裂は半導体レーザアレイの意図的な分割を達成させているために、半導体レーザ素子が破損されることはない。 
【００３９】また、分割された半導体レーザアレイは熱応力に対して緩和された状態であるため、後のアレイ型半導体レーザ装置の駆動前後における温度差が生じた場合にあっても熱応力に起因する半導体レーザ素子の破損を回避できる。 
【００４０】実施の形態２．この発明による実施の形態２を図４を用いて説明する。図４は、実施の形態２によるアレイ型半導体レーザ装置の半導体レーザアレイ部を示したものである。 
【００４１】図４において、半導体レーザアレイ１は、各発光領域間に成長層側と半導体基板側との両側に、且つ互いに対向する位置において、半導体基板のほぼ中心部に向かって分割溝３が形成されている。このような半導体レーザアレイ１が図示しないベース材上に接合材を介して搭載された状態において、上述した半導体レーザアレイ１とベース材とを加熱して接合する際に生じる反りの方向に関わらず、半導体レーザアレイ１の分割が可能になる。」 
（５）　図１は、次のものである。 
（６）　図２は、次のものである。 
（７）　上記（４）の「ベース材１２の材料としては、半導体レーザより線膨張率の小さい材料、例えばダイヤモンド、ＳｉＣ、Ｓｉ等を使用する。」からみて、 
半導体レーザアレイ１を搭載するためのベース材１２が半導体レーザより線膨張率の小さい材料であるダイヤモンド、ＳｉＣ、Ｓｉ等からなることが読み取れる。 
（８）　上記（４）の「半導体レーザアレイ１は、前述したように各半導体レーザ素子間に分割溝３が形成されており、成長層側を下にしてベース材１２上へ搭載されている。」、及び、 
 「分割溝３はバッファ層５、活性層６、クラッド層７、コンタクト層８およびｐ電極９から成る成長層のみでなく、半導体基板４の深部に至る部分まで形成されている。」からみて、 
半導体レーザアレイ１において、ベース材１２上へ搭載される側に、分割溝３を形成する工程が読み取れる。 
（９）　上記（５）の「つぎに図２（ａ）〜（ｃ）を用いて、実施の形態１による半導体レーザアレイをベース材上へ接合する際の半導体レーザアレイの分割過程について説明する。」、 
「ベース材１２の上面には接合材１３としてＡｕＳｎはんだなどの金属融材が約３〜５μｍの厚みで蒸着されている。」、 
「ベース材１２の材料としては、半導体レーザより線膨張率の小さい材料、例えばダイヤモンド、ＳｉＣ、Ｓｉ等を使用する。」、 
「半導体レーザアレイ１は、前述したように各半導体レーザ素子間に分割溝３が形成されており、成長層側を下にしてベース材１２上へ搭載されている。この状態において、金属融着材である接合材１３の融点以上の温度まで加熱すると、ｐ電極９と接合材１３が合金化される。続く常温までの冷却過程において、接合材１３がその融点以下の温度になると、図２（ｂ）に示すように半導体レーザアレイ１とベース材１２との線膨張率差に起因する反りが発生する。」、及び、 
「この反りによって、分割溝３の先端部に応力が集中し、ＧａＡｓ基板の結晶方向に、すなわち図２（ｂ）に示すようにベース材１２と接合した面に垂直な方向に、亀裂が進展する。そして十分に温度が低下すると、半導体レーザアレイ１およびベース材１２の線膨張が解消され、図２（ｃ）に示すように互いに反りのない状態に落ち着く。結果的に、半導体レーザアレイ１は、前記亀裂によって各半導体レーザ素子２の分割を達成している」 からみて、 
半導体レーザアレイ１を分割溝３が形成された側を下にしてベース材１２上へ搭載し、加熱した後、常温まで冷却する工程、及び、 
上記工程において、ベース材１２上面のＡｕＳｎはんだなどの接合材１３が融点以上の温度まで加熱され、半導体レーザアレイ１とベース材１２とが接合し、続く常温までの冷却過程において分割溝３に生じた亀裂によって半導体レーザアレイ１が分割がされることが読み取れる。 
　これらの記載によると、引用文献２には、以下の発明（以下、「引用文献２発明」という。）が記載されていると認められる。 
「半導体レーザアレイ１を搭載するためのベース材１２が半導体レーザより線膨張率の小さい材料であるダイヤモンド、ＳｉＣ、Ｓｉ等からなるものであって、 
Ａ）前記半導体レーザアレイ１において、前記ベース材１２上へ搭載される側に、分割溝３を形成する工程、 
Ｂ）前記半導体レーザアレイ１を前記分割溝３が形成された側を下にして前記ベース材１２上へ搭載し、加熱した後、常温まで冷却する工程、及び、 
上記Ｂ）工程において、前記ベース材１２上面のＡｕＳｎはんだなどの接合材１３の融点以上の温度まで加熱し、半導体レーザアレイ１とベース材１２とが接合し、続く常温までの冷却過程において分割溝３に生じた亀裂によって前記半導体レーザアレイ１が分割される方法。」 
第５　対比・判断 
１　対比 
　本願発明１と引用文献１発明とを対比する。 
（１）　引用文献１発明の「個片の半導体ペレット１７が個片のヒートシンク１８上に融着されたもの」は、「個片の半導体ペレット１７」が、「前記レーザバー１１と前記ヒートシンクバー１２が一体となった一体化バーをＹＡＧレーザ１５を照射して局部的に加熱溶断」されることで、前記「加熱溶断」によりレーザバー１１が分離された半導体レーザであるから、本願発明１の「半導体レーザ素子（１）」に相当する。 
（２）　本願発明１の「Ａ）前記半導体レーザ素子（１）のための複数のキャリア（２）を有する少なくとも１つのキャリア複合体（２０）を作製するステップ」と、 
 引用文献１発明の「シリコン等からなり、ＡｕＳｎ又はＳｎが表面に蒸着されたヒートシンクバー１２を準備する工程」とを対比する。 
　引用文献１発明の「ヒートシンクバー１２」は、「レーザバーを載せる」ためのものであり、「個片のヒートシンク１８」に分離されるものであり、準備の前に、当然、作製されるものである。 
　よって、両者は、相当関係にある。 
（３）　本願発明１の「Ｂ）共通の成長基板（３１）と、前記成長基板の上に成長させる半導体積層体（３２）とを備えた複数の半導体レーザダイオード（３）を有する少なくとも１つのレーザバー（３）を作製するステップであって、前記半導体積層体（３２）が、ｎ型側と、ｐ型側と、前記ｎ型側と前記ｐ型側との間に位置する活性ゾーンと、を備えており、前記ｎ型側が前記成長基板（３１）に面している、ステップ」と、 
引用文献１発明の「レーザバー１１を準備する工程」とを対比する。 
  
　引用文献１発明の「レーザバー１１」は、「前記レーザバー１１と前記ヒートシンクバー１２が一体となった一体化バーをＹＡＧレーザ１５を照射して局部的に加熱溶断」されることで、前記「加熱溶断」によりレーザバー１１が分離された半導体レーザを含むから、複数の半導体レーザを有するものである。 
　そして、レーザバー１１は、準備の前に、当然、作製されるものである。 
　よって、両者は、「Ｂ）複数の半導体レーザダイオード（３）を有する少なくとも１つのレーザバー（３）を作製するステップ」という点で一致する。 
（４）　本願発明１の「Ｄ）前記レーザバー（３０）を前記キャリア複合体（２０）のキャリア上面（２３）に取り付けるステップであって、前記成長基板（３１）中の前記所定の破断箇所（３５）が前記半導体積層体（３２）と前記キャリア（２）との間に位置するように、前記基板裏面（３４）が前記キャリア上面（２３）に面し、前記取付けが、高い温度において実行され、
取り付けた後に冷却する、ステップ」と、
引用文献１発明の「前記レーザバー１１を、前記ヒートシンクバー１２の上に平行に載せヒーター等で加熱融着する工程」とを対比するに、両者は、 
「Ｄ）前記レーザバーを前記キャリア複合体のキャリア上面に取り付けるステップであって、前記取付けが、高い温度において実行される、ステップ」という点で一致する。 
  
（５）　引用文献１発明の「前記レーザバー１１と前記ヒートシンクバー１２が一体となった一体化バーをＹＡＧレーザ１５を照射して局部的に加熱溶断し、次に、前記個片の半導体ペレット１７が前記個片のヒートシンク１８上に融着されたものに分離する工程」は、本願発明１の「Ｅ）複数の前記半導体レーザ素子に個片化するステップ」に相当する。 
  
（６）　本願発明の「ステップＢ）〜ステップＥ）が示した順序で実行される」構成と、 
引用文献１発明の「レーザバー１１を準備する工程と、 
前記レーザバー１１を、前記ヒートシンクバー１２の上に平行に載せヒーター等で加熱融着する工程と、 
前記レーザバー１１と前記ヒートシンクバー１２が一体となった一体化バーをＹＡＧレーザ１５を照射して局部的に加熱溶断し、次に、前記個片の半導体ペレット１７が前記個片のヒートシンク１８上に融着されたものに分離する工程」とを対比するに、上記（ウ）〜（オ）の対比から、両者は、 
「ステップＢ）、ステップＤ）、ステップＥ）が示した順序で実行される」という点で一致する。 
 　 
　したがって、本願発明１と引用文献１発明との間には、次の一致点、相違点がある。 
  
（一致点） 
「　半導体レーザ素子を製造する方法であって、 
Ａ）前記半導体レーザ素子のための複数のキャリアを有する少なくとも１つのキャリア複合体を作製するステップと、 
Ｂ）複数の半導体レーザダイオードを有する少なくとも１つのレーザバーを作製するステップと、 
Ｄ）前記レーザバーを前記キャリア複合体のキャリア上面に取り付けるステップであって、前記取付けが、高い温度において実行される、ステップと、 
Ｅ）複数の前記半導体レーザ素子に個片化するステップと、 
　を含み、 
　ステップＢ）、ステップＤ）、ステップＥ）が示した順序で実行される、 
　方法。」
  
（相違点１）
　レーザバーが有する複数の半導体レーザダイオードが、本願発明１では、「共通の成長基板（３１）と、前記成長基板の上に成長させる半導体積層体（３２）とを備えた」ものであり、「前記半導体積層体（３２）が、ｎ型側と、ｐ型側と、前記ｎ型側と前記ｐ型側との間に位置する活性ゾーンと、を備えており、前記ｎ型側が前記成長基板（３１）に面している」のに対し、 
引用文献１発明の「レーザバー１１」が有する「個片の半導体ペレット１７」は、そのような特定がない点。
（相違点２）
　本願発明１は、「Ｃ）前記成長基板（３１）の基板裏面（３４）に所定の破断箇所（３５）を生成するステップであって、前記基板裏面が前記半導体積層体（３２）とは反対側である、ステップ」を含むのに対し、引用文献１発明には、そのようなステップを含まない点。 
（相違点３）
　レーザバー（レーザバー１１）をキャリア複合体（ヒートシンクバー１２）のキャリア上面に取り付けるステップが、本願発明１では、「前記成長基板（３１）中の前記所定の破断箇所（３５）が前記半導体積層体（３２）と前記キャリア（２）との間に位置するように、前記基板裏面（３４）が前記キャリア上面（２３）に面し」ており、かつ、「取り付けた後に冷却する」のに対し、 
引用文献１発明では、「前記レーザバー１１を、前記ヒートシンクバー１２の上に平行に載せヒーター等で加熱融着する」ものであるが、レーザバー１１に破断箇所を有しておらず、取り付けた後に冷却することの特定がない点。 
  
（相違点４）
　本願発明１では、「ステップＢ）〜ステップＥ）が示した順序で実行される」のに対し、引用文献１発明では、ステップＣ）と一致するものがないから、そのようなものでない点。
２　判断
（１）　上記（相違点１）について
　引用文献１発明の「レーザバー１１」が有する「個片の半導体ペレット１７」は、放熱機能を有する「個片のヒートシンク１８」に取り付けられるものである。
　放熱機能を有する部材に取り付ける半導体レーザとして、成長基板にｎ型層、活性層、ｐ型層の順で、結晶成長したものであって、成長基板側を放熱機能を有する部材に取り付けるものは、一例として特開２００８−２３５６８２号（以下、「周知例１」という。）の段落【００２１】、【００３７】〜【００３８】に、
 「【００２１】 
　ステム１は、鉄または銅などの金属材料から構成されており、円板状に形成されている。また、ヒートシンク２は、銅などの金属材料によって構成されており、ステム１の上面（主面）の中央部近傍領域に固定されている。
このヒートシンク２は、半導体レーザ素子１０の熱を、サブマウント３を介して放熱する機能を有している。
 「【００３７】 
　まず、図８に示すように、ＭＯＣＶＤ法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：有機金属気相成長法）を用いて、約３５０μｍの厚みを有するとともに、｛１００｝結晶面から約４°傾斜した
ＧａＡｓ基板１１の上面上に、約３．３μｍの厚みを有するｎ型Ａｌ
０．４８
Ｇａ
０．５２
Ａｓからなるｎ型クラッド層１２、発光層１３、約１．２μｍの厚みを有するｐ型Ａｌ
０．４９
Ｇａ
０．５１
Ａｓからなるｐ型クラッド層１４、約１．０μｍの厚みを有するｐ型ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１５、および、約１．０μｍの厚みを有するｐ型ＧａＡｓからなるｐ型キャップ層１６を順次成長させる。
【００３８】 
　なお、
発光層１３は、図３に示したように、約３０ｎｍの厚みを有するＡｌ
０．３９
Ｇａ
０．６１
Ａｓからなる光ガイド層１３ｄ上に、ＭＱＷ構造を有する活性層１３ｃ、および、約３０ｎｍの厚みを有するＡｌ
０．３９
Ｇａ
０．６１
Ａｓからなる光ガイド層１３ｅを順次成長させることにより形成する。
段落【００３１】に、「また、ブロードエリア型の半導体レーザ素子１０では、発熱量が比較的大きくなるため、半導体レーザ素子１０とサブマウント３（サブマウント基板３ａ）との熱膨張係数の差に起因して半導体レーザ素子１０に生じる熱応力も比較的大きくなる。このため、
半導体レーザ素子１０を、発光層１３がサブマウント３から遠ざかるジャンクションアップ方式でサブマウント３上に接合
　したがって、引用文献１発明の「ヒートシンク１２」に取り付けられる「レーザバー１１」の構成として、上記周知のものを採用し、（相違点１）に係る本願発明１の発明特定事項となすことは、当業者であれば容易に想到し得たことである。 
（２）　上記（相違点２）〜（相違点４）について 
　引用文献１発明は、「レーザバー１１」を、「シリコン等」からなる「ヒートシンクバー１２の上に平行に載せヒーター等で加熱融着する工程」を有し、 
引用文献２発明は、「ベース材１２」が「ダイヤモンド、ＳｉＣ、Ｓｉ等からなるものであって」、「半導体レーザアレイ１」を「ベース材１２上へ搭載し、加熱」する工程を有するものである。 
　したがって、「レーザバーをシリコン等からなるヒートシンクバーに載せ加熱する工程」を有する技術である点で共通している。 
　そして、引用文献１発明は、「半導体レーザ，発光ダイオード等の半導体素子の組立工数においては、放熱及び熱膨張率差による歪の対策が問題」であることを課題とし、引用文献２発明は、「大型の半導体レーザアレイにおいてはそれらベース材との線膨張率差に起因する熱応力が問題となる」ことを課題としている。 
　したがって、両者は、「半導体レーザにおける、熱膨張率差による歪」を課題とする点で共通している。 
　よって、引用文献１発明の「レーザバー１１を、ヒートシンクバー１２の上に平行に載せヒーター等で加熱融着する工程」に対して、引用文献１発明と共通の技術分野、及び、共通の課題を有する引用文献２発明の「Ａ）前記半導体レーザアレイ１において、前記ベース材１２上へ搭載される側に、分割溝３を形成する工程、 
Ｂ）前記半導体レーザアレイ１を前記分割溝３が形成された側を下にして前記ベース材１２上へ搭載し、加熱した後、常温まで冷却する工程、及び、 
上記Ｂ）工程において、前記ベース材１２上面のＡｕＳｎはんだなどの接合材１３の融点以上の温度まで加熱し、半導体レーザアレイ１とベース材１２とが接合し、続く常温までの冷却過程において分割溝３に生じた亀裂によって前記半導体レーザアレイ１が分割される」方法を適用することは、当業者であれば容易になし得たことである。 
　そして、上記適用において、引用文献２発明の「分割溝３」が、上記（相違点１）で判断した周知の半導体層を採用した引用文献１発明の「レーザバー１１」 の「ヒートシンクバー１２」側に形成されることとなり、「前記ベース材１２上面のＡｕＳｎはんだなどの接合材１３の融点以上の温度まで加熱し、半導体レーザアレイ１とベース材１２とが接合し、続く常温までの冷却過程において分割溝３に生じた亀裂によって前記半導体レーザアレイ１が分割」するためのものであるから、前記周知の「成長基板にｎ型層、活性層、ｐ型層の順で、結晶成長したものであって、成長基板側を放熱機能を有する部材に取り付ける」半導体層の構成を備えるものにあっては、「分割溝３」を「成長基板」側に形成するのは当然のことである。 
　したがって、引用文献１発明に対して、引用文献２発明を適用し、（相違点２）、及び、（相違点３）に係る本願発明１の発明特定事項となすことは、当業者であれば容易に想到し得たことである。 
　そして、引用文献１発明及び引用文献２発明の各工程からみて、引用文献１発明に対して、引用文献２発明を適用することにより、（相違点４）に係る本願発明１の発明特定事項となすことも、当業者であれば容易に想到し得たことである。
（３）　審判請求人の主張及び当該主張についての当審の判断 
 ア　審判請求人の主張
　審判請求人は、平成３０年８月１３日に提出された当審拒絶知通知に対する意見書の「３．本願発明が特許されるべき理由について」において、次の主張をしている。 
　「又、引例文献２（図１、図２を参照）には、分割溝３を、電極層９，クラッド層７、活性層６、コンタクト層８及びバッファ層５を貫いて半導体基板４まで到るように、半導体レーザアレー１の正面側に形成した後、半導体レーザアレー１を破断することが記載されています。つまり、引例文献２に係る発明は、分割溝３を、半導体基板４の半導体積層体とは反対側の下面に形成するものではなく、活性層６とキャリア１２の間に配置するものではありません。
　より詳細には、引例文献２に係る発明においては、分割溝３は、活性層６と半導体基板４の表面を貫くように形成されなければならないとされています（段落［００３１］）。従いまして、引例文献２に係る発明においては、
当業者が、分割溝３を、半導体基板４の活性層６と反対側の下面に形成する工程と、分割溝３がキャリア１２と活性層６との間に配置されるように、キャリア１２上に基板４を取り付ける工程と、を行うように、設計変更される動機付けがありません
　換言すると、引例文献２には、
半導体レーザアレー１を破断するに際して、本願発明のように、破断箇所（３５）が半導体積層体（３２）とキャリア（２）との間に配置されるように、下方からキャリア複合体（２０）、成長基板（３１）、半導体積層体（３２）の順番に配置された態様については、記載も示唆もされておりません
イ　審判請求人の主張に対する判断
（ア）　主張Ａについて
　上記（１）で検討したとおり、引用文献１発明の「レーザバー１１」が有する「個別の半導体ペレット１７」は半導体積層構造が特定されていないが、周知技術のとおりの半導体の積層構造を採用することは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　そして、上記（２）で検討したとおり、引用文献２発明は、引用文献１発明とは、「半導体レーザにおける、熱膨張率差による歪」を課題とする点、及び、技術分野が共通するため、引用文献１発明に引用文献２発明のような「Ａ）前記半導体レーザアレイ１において、前記ベース材１２上へ搭載される側に、分割溝３を形成する工程、 
Ｂ）前記半導体レーザアレイ１を前記分割溝３が形成された側を下にして前記ベース材１２上へ搭載し、加熱した後、常温まで冷却する工程、及び、 
上記Ｂ）工程において、前記ベース材１２上面のＡｕＳｎはんだなどの接合材１３の融点以上の温度まで加熱し、半導体レーザアレイ１とベース材１２とが接合し、続く常温までの冷却過程において分割溝３に生じた亀裂によって前記半導体レーザアレイ１が分割される方法」を適用することは、当業者であれば容易に想到し得たものである。
　そして、引用文献２発明が半導体の積層構造に依存する技術であるとはいえず、引用文献１及び引用文献２の記載全体からみても、各発明を組み合わせることを阻害する要因があるとはいえない。
　よって、上記主張Ａは採用できない。
（イ）　主張Ｂについて
　上記（２）、及び、上記（ア）で検討したとおり、引用文献２発明の「分割溝３」が、周知の半導体層を採用した引用文献１発明の「レーザバー１１」 の「ヒートシンクバー１２」側に形成されることにより、「分割溝３」は、「前記ベース材１２上面のＡｕＳｎはんだなどの接合材１３の融点以上の温度まで加熱し、半導体レーザアレイ１とベース材１２とが接合し、続く常温までの冷却過程において分割溝３に生じた亀裂によって前記半導体レーザアレイ１が分割」するためのものであるから、半導体層の構成からみて当然のことである。 
　よって、上記主張は採用できない。 
ウ　効果について  
　本願発明１の奏する効果についても、引用文献１発明、引用文献２発明、及び、周知技術に基づいて当業者が予測し得る範囲内のものである。  
（４）　小括 
　したがって、本願発明１は、引用文献１発明、引用文献２発明、及び、周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
  
 第６　むすび  
 　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用文献１発明、引用文献２発明、及び、周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明において検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。