【事件の表示】
　平成　８年特許願第２４９１３４号「半導体レーザ」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　３月１７日出願公開、特開平１０−　７５０１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年８月３０日に出願された特許出願であって、原審において平成１５年１月１０日付けで拒絶理由が通知され、これに対する応答がないまま同年１０月３日付けで拒絶査定がなされたものであり、これに対して、同年１１月１２日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたところ、平成１８年４月５日付けで拒絶理由が通知され、これに対して、同年５月１６日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年５月１６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年５月１６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「第１導電型の第１のクラッド層と、
　上記第１のクラッド層上の活性層と、
　上記活性層上の第２導電型の第２のクラッド層とを有し、
　上記第２のクラッド層に設けられたリッジストライプ部の両側の部分に、上記活性層からの光に対して吸収効果を有する第１導電型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する自励発振型の半導体レーザにおいて、
　上記リッジストライプ部が共振器長方向の両端部に上記共振器長方向の中央部から上記共振器長方向の上記両端部に向かう方向に幅が減少するテーパー領域を有し、
　上記リッジストライプ部の上記共振器長方向の両端面における幅は５μｍ以下で、かつ、上記リッジストライプ部の上記共振器長方向の中央部の幅は７μｍ以下で、かつ、上記リッジストライプ部の上記両端部の上記テーパー領域の合計の長さは共振器長の１／１０以上であり、
　上記リッジストライプ部の両側の部分における上記第２のクラッド層の厚さが３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であり、
　上記テーパー領域の周辺部に対応する部分の上記活性層が固定された可飽和吸収領域となっている
　ことを特徴とする半導体レーザ。」と補正された。
　上記補正は、発明を特定するために必要な事項である「活性層」を「テーパー領域の周辺部に対応する部分の上記活性層が固定された可飽和吸収領域となっている」とさらに限定する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用刊行物
　平成１８年４月５日付け拒絶理由に引用された、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平２−２２８０８７号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。 
　ア．「本発明は書き換え可能な光ディスク用光源として好適な高出力低雑音特性を有する半導体レーザ素子に関する。」（第２頁左下欄５〜７行）
　イ．「さらに、自励発振レーザ素子を得るために、リッジ導波路構造を形成し、活性層横方向の実効的な屈折率差を所定の値になるように制御したものである。」（第２頁右下欄１１〜１４行）
　ウ．「自励発振レーザは、活性層横方向の実効的な屈折率差が１×ｌ０-3〜５×１０-2程度の範囲で生じる。」（第３頁左上欄２０行〜右上欄２行）
　エ．「このように、レーザ光分布を制御し、かつ光吸収層を活性層から所定の位置に設けることにより、活性層横方向の実効的な屈折率差を、所望の値になるように実現できる。」（第３頁右上欄１６〜１９行）
　オ．「本発明の実施例１を第１図を用いて説明する。まず、ｎ型ＧａＡｓ（００１）基板１（厚さ１００μｍ）上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２（厚さ０．５μｍ）、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層３（厚さ１．０〜１．５μｍ、ｘ＝０．４５〜０．５５）、アンドープ或はｎ型又はｐ型多量子井戸層４（……）、アンドープ単一量子井戸層５（Ａｌz'Ｇａ1-z'Ａｓ層、１０〜３０ｎｍ、ｚ’＝０〜０．１５）、アンドープ或はｎ型又はＰ型多重量子井戸層６（……）、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層７（厚さ１．０〜１．６μｍ、ｘ＝０．４５〜０．５５）、ｐ−ＧａＡｓ層（厚さ０．２〜０．３μｍ）を順次分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法或は有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりエピタキシャル成長する。……、リン酸溶液により層８と層７をエッチング加工してリッジ状の光導波路を形成する。この後、ＳｉＯ2膜を残したままｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層９（厚さ０．７〜１．０μｍ）を選択成長する。」（第３頁左下欄８行〜第４頁左上欄５行）
　カ．「本実施例において、基本横モードかつ低閾値電流でレーザ発振するためには、リッジ底部のストライプ幅Ｓが４〜６μｍであることが適切であった。さらに、リッジ導波路を作製した後のクラッド層膜厚ｄを０．３〜０．６μｍにしたときに自励発振するレーザ素子が得られた。」（第４頁左上欄１１〜１６行）
　
　したがって、上記ア〜カの記載事項からみて、引用例１には以下の発明が記載されていると認められる。 
「ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層と、
　ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層上のアンドープ単一量子井戸層と、
　アンドープ単一量子井戸層上のｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層とを有し、
　ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層に設けられたリッジ状の光導波路の両側の部分に、アンドープ単一量子井戸層からの光に対して吸収効果を有するｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する自励発振レーザ素子において、
　リッジ状の光導波路の幅は４〜６μｍであり、
　リッジ状の光導波路の両側の部分におけるｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層の厚さが０．３〜０．６μｍである半導体レーザ。」（以下、「引用例１発明」という。）
　
　また、平成１８年４月５日付け拒絶理由に引用された、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平２−１７８９８４号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。 
　キ．「本発明は、自励発振を利用した低雑音特性を有する半導体レーザ素子に関する。
（従来の技術）
　半導体レーザ素子はオーディオビジュアル機器や光情報処理用の光源として使用されている。これらに用いられる半導体レーザ素子には、ディスク等からの反射光によって誘起される戻り光雑音の強度が小さいことが要求される。戻り光雑音を小さくした半導体レーザ素子として、自励発振レーザが挙げられる。」（第１頁右下欄８〜１７行）
　ク．「また、電流注入路近傍の領域とそれ以外の領域での等価屈折率の差を３×１０-4〜５×１０-3として自励発振を生じさせることができる。電流注入路の幅Ｗ1及びＷ2をＷ1＜Ｗ2としているので、端面近傍領域のみ自己集束の効果が強められている。そのことによって自励発振を維持したまま出射光の非点隔差が低減される。」（第２頁右下欄２０行〜第３頁左上欄７行）
　ケ．「これを劈開によって共振器長２５０μｍのチップにして半導体レーザ素子を得た。」（第３頁右下欄４〜６行）
　コ．「なお、幅Ｗ1は２〜４μｍ、幅Ｗ2は３〜５μｍ、の範囲にするのが適していた。奥行Ｄの値としては、１０〜１００μｍが適していた。」（第４頁左上欄１８〜２０行）
　サ．「第７図に第４図の実施例の両側の端面近傍に幅の小さいリッジ部が形成され、それらリッジ部の幅が徐々に小さくなっている実施例を示す。リッジ部３１、３１ａ及び３１ｂは溝３２の形成によって形成されている。
　リッジ部３１ａ及び３１ｂの幅はそれぞれの端面での幅Ｗ1及び幅Ｗ3からリッジ部３１の幅Ｗ2まで徐々に増大している。リッジ部３１ｂの幅Ｗ3は３μｍ、奥行Ｄ’は５０μｍである。この半導体レーザ素子も低閾値電流で発振し、非点隔差が小さく、広い出力範囲で自励発振することが確認された。」（第５頁右上欄３〜１４行）
　シ．「本発明の半導体レーザ素子は、このように、発振闇値が低く、広い出力範囲で自励発振を生じ、戻り光雑音レベルが小さく、非点隔差が低減されているので、光ディスクシステムの光源として最適である。」（第５頁右上欄１６〜２０行）
　ス．第７図から、リッジ部３１の共振器長方向の両端部３１ａ，３１ｂに、共振器長方向の中央部から当該両端部に向かう方向に幅が減少するテーパー領域がみてとれる。
　
（３）対比
　次に、本願補正発明と引用例１発明とを対比すると、  
　ア．引用例１発明における、「ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層」，「アンドープ単一量子井戸層」，「ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層」，「リッジ状の光導波路」，「ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層」及び「自励発振レーザ素子」は、本願補正発明における、「第１導電型の第１のクラッド層」，「活性層」，「第２導電型の第２のクラッド層」，「リッジストライプ部」，「第１導電型の電流狭窄層」及び「自励発振型の半導体レーザ」に、それぞれ相当する。
　イ．引用例１発明のリッジ状の光導波路の幅は４〜６μｍであり、本願補正発明のものの「７μｍ以下」との規定を満たすものである。
　ウ．引用例１発明のリッジ状の光導波路の両側の部分におけるｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層の厚さは０．３〜０．６μｍであり、本願補正発明のものの「３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下」との規定を満たすものである。
　
　したがって、本願補正発明と引用例１発明とは、
「第１導電型の第１のクラッド層と、
　第１のクラッド層上の活性層と、
　活性層上の第２導電型の第２のクラッド層とを有し、
　第２のクラッド層に設けられたリッジストライプ部の両側の部分に、活性層からの光に対して吸収効果を有する第１導電型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する自励発振型の半導体レーザにおいて、
　リッジストライプ部の共振器長方向の中央部の幅は４〜６μｍであり、
　リッジストライプ部の両側の部分における上記第２のクラッド層の厚さが３００〜６００ｎｍ以下である半導体レーザ。」である点で一致し、次の点で相違している。 
　
　［相違点］  
・相違点１
　本願補正発明では、「リッジストライプ部が共振器長方向の両端部に上記共振器長方向の中央部から上記共振器長方向の上記両端部に向かう方向に幅が減少するテーパー領域を有している」のに対して、引用例１発明では「テーパー領域」を有していない点。
・相違点２
　本願補正発明では、「リッジストライプ部の上記共振器長方向の両端面における幅は５μｍ以下で、かつ、上記リッジストライプ部の上記両端部の上記テーパー領域の合計の長さは共振器長の１／１０以上」であるのに対して、引用例１発明では「テーパー領域」を有していないためそのような構成を有していない点。
・相違点３
　本願補正発明では、「テーパー領域の周辺部に対応する部分の上記活性層が固定された可飽和吸収領域となっている」のに対して、引用例１発明では「テーパー領域」を有していないためそのようになっていない点。
　
（４）判断
　以下、上記相違点について検討する。
　ア．相違点１について
　上記引用例２には、リッジ部の共振器長方向の両端部に「テーパー領域」を形成した自励発振型半導体レーザ（上記「（２）キ，ス」）が記載され、当該「テーパー領域」により非点較差が低減され（上記「（２）ク」）、光ディスクシステムの光源として最適となる（上記「（２）シ」）と記載されている。
　よって、同じ光ディスク用光源として好適な半導体レーザ素子である（上記「（２）ア」）引用例１発明に、上記「テーパー領域」なる構成を適用して非点較差の低減を行うことは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　イ．相違点２について
　引用例２に記載されている半導体レーザの実施例における寸法をみると、上記「（２）ケ〜サ」のとおり、リッジ部の共振器長方向の両端面における幅は３μｍ、共振器長方向の中央部の幅は５μｍ、テーパー領域の長さは５０μｍ、共振器長は２５０μｍであって、テーパー領域の合計の長さは共振器長の４／１０であり、引用例１発明に自励発振を維持したまま非点較差が低減される「テーパー領域」を設けるに際して、当該引用例２に記載された実施例の寸法が勘案されることは明らかである。
　そして、本願補正発明で規定されている半導体レーザの寸法及び本願の【００２４】に記載されているレーザ構造パラメータの１例をみると、リッジストライプ部の共振器長方向の両端面における幅は５μｍ以下（例：４μｍ）、リッジストライプ部の共振器長方向の中央部の幅は７μｍ以下（例：６μｍ）、テーパー領域の合計の長さは共振器長の１／１０以上（例：テーパー領域の長さは１００μｍ、共振器長は４００μｍであって、テーパー領域の合計の長さは共振器長の５／１０）であるから、引用例２に記載された半導体レーザの寸法は、本願補正発明で規定する範囲内のものである上に、本願に記載された１例と比較しても格段の差異はない。
　してみると、引用例１発明に「テーパー領域」を設けるに際して、「リッジストライプ部の上記共振器長方向の両端面における幅は５μｍ以下で、かつ、上記リッジストライプ部の上記両端部の上記テーパー領域の合計の長さは共振器長の１／１０以上」として相違点２の構成とすることは当業者が適宜なし得る設計事項である。
　ウ．相違点３について
　引用例１及び引用例２には、それぞれ「自励発振レーザは、活性層横方向の実効的な屈折率差が１×ｌ０-3〜５×１０-2程度の範囲で生じる。」（上記「（２）ウ」）、「電流注入路近傍の領域とそれ以外の領域での等価屈折率の差を３×１０-4〜５×１０-3として自励発振を生じさせることができる。」（上記「（２）ク」）と記載されており、当該屈折率差が活性層横方向の光閉じ込めの程度を規定していることは明らかであるから、引用例１及び引用例２の活性層における利得領域の外側の光閉じ込め領域に対応する部分が可飽和吸収領域となっていることは自明である。
　したがって、「テーパー領域の周辺部に対応する部分の活性層」は必然的に「可飽和吸収領域」となっており、その結果、本願補正発明の構成と引用例１発明にテーパー領域を形成した構成とを比較してもその構成に相違はないことから、引用例１発明にテーパー領域を形成したものにおける「テーパー領域の周辺部に対応する部分の活性層」は本願補正発明の「固定された可飽和吸収領域」に相当するものである。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用例１発明及び引用例２の記載事項から、当業者が予測し得る程度のものであり、格別とはいえない。 
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１発明及び引用例２の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１８年５月１６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年１１月１２日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は、以下のものである。 
「第１導電型の第１のクラッド層と、
　上記第１のクラッド層上の活性層と、
　上記活性層上の第２導電型の第２のクラッド層とを有し、
　上記第２のクラッド層に設けられたリッジストライプ部の両側の部分に、上記活性層からの光に対して吸収効果を有する第１導電型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する自励発振型の半導体レーザにおいて、
　上記リッジストライプ部が共振器長方向の両端部に上記共振器長方向の中央部から上記共振器長方向の上記両端部に向かう方向に幅が減少するテーパー領域を有し、
　上記リッジストライプ部の上記共振器長方向の両端面における幅は５μｍ以下で、かつ、上記リッジストライプ部の上記共振器長方向の中央部の幅は７μｍ以下で、かつ、上記リッジストライプ部の上記両端部の上記テーパー領域の合計の長さは共振器長の１／１０以上であり、
　上記リッジストライプ部の両側の部分における上記第２のクラッド層の厚さが３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下である
　ことを特徴とする半導体レーザ。」（以下、「本願発明」という。）
　
（１）引用刊行物
　平成１８年４月５日付け拒絶の理由に引用された刊行物、および、その記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。  
　
（２）対比・判断
　本願発明は、上記「２．」で検討した本願補正発明から「活性層」の限定事項である「テーパー領域の周辺部に対応する部分の上記活性層が固定された可飽和吸収領域となっている」との規定を省いたものである。  
　したがって、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を限定したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１に記載された発明及び引用例２の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。