【事件の表示】
　平成　９年特許願第１７７９８６号「タッチパネル座標読取り装置及びその方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　１月２９日出願公開、特開平１１−　２４８４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】本願発明
　本願は、平成９年７月３日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１５年７月２４日付け手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
　
【請求項１】抵抗膜を有するタッチパネルにおける座標読取装置であって、タッチ検出に応答してタッチ部の座標検出をなす期間内において、前記抵抗膜の電位を同一検知フェーズの中で複数回測定する電位検出手段と、これ等複数回の測定電位に従って前記抵抗膜の収束見込電位を算出する収束電位検出手段とを含み、この収束見込み電位をタッチ位置座標とすることを特徴とするタッチパネルの座標読取り装置。
　
【２】引用例
　原査定の拒絶理由に引用された特開平３−５９７１２号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
　
　「２．特許請求の範囲
（１）
ａ）電位レベルを他の回路に監視させ、また高・低２レベルの電圧を印加させるための２つ以上の電極をもった、対向する２枚の抵抗膜と、
ｂ）対向した抵抗膜上に、低レベル・高レベルの２種類の電圧を前記電極に印加する手段と、
ｃ）前記電極を、前記２種類の電圧の双方から切断し、高インピーダンスとする手段と、
ｄ）アナログ／デジタル変換手段とを持ち、
ｅ）片側の抵抗膜のある一方の電極に高レベルの電圧、もう一方の電極に低レベルの電圧を印加し前記抵抗膜上に電圧勾配を生じさせ、前記抵抗膜に対向する抵抗膜を高インピーダンスとし、抵抗膜上のある点に応力が加わった場合、たわみによって接触した部分の電位を、高インピーダンスにした抵抗膜の電極からアナログ／デジタル変換手段によって読み取り、その値によって接触位置を数値化する座標入力手段に於て、
ｆ）座標値読み取り前に、前記２枚の抵抗膜双方に高または、低レベルのみの電圧を印加し、直後に座標値読み取りを行う。次に前記２枚の抵抗膜双方に前記レベル以外のもう一方の電圧を印加し、直後に座標値読み取りを行い、さきに読み取った値と、あとに読み取った値とを比較して、前記値の正当性を検査することを特徴とする座標入力手段。
（２）
　前記、２つの値を用いて真の座標値を推定することを特徴とする、請求項１記載の座標入力手段。」（第１頁左下欄第４行〜同頁右下欄第１６行）
　
　「［実施例］
　以下、本発明について実施例に基づいて詳細に説明する。第１図は本発明の座標入力手段を実現した一実施例の回路図である。
　図中１は、一点にＺ方向の応力を加えると、弾性変形する板材の下側に均一な抵抗膜を形成し、さらにＹ方向の両端に前記抵抗膜から集電するための高レベル電圧印加電極（図中３、以後Ｙ＋電極と呼ぶ）と低レベル電圧印加電極（図中４、以後Ｙ−電極と呼ぶ）を形成した板（以後、上抵抗板と呼ぶ）である。図中２は板材の上側に均一な抵抗膜を形成し、さらにＸ方向の両端に前記抵抗膜から集電するための高レベル電圧印加電極（図中６、以後Ｘ＋電極と呼ぶ）と低レベル電圧印加電極（図中５、以後Ｘ−電極と呼ぶ）を形成した板（以後、下抵抗板と呼ぶ）である。
　図中７、８はエミッタ端子に高レベル電圧を接続したＰＮＰトランジスタＱ１、Ｑ２、図中９、１０はエミッタ端子に低レベル電圧を接続したＮＰＮトランジスタＱ３、Ｑ４である。各トランジスタはプログラマブルコントローラ部（図中２１、以後ＰＣＵと略す）の制御出力（図中１１、１２、１３、１４）によって遮断状態（以後ＯＦＦと呼ぶ）または飽和状態（以後ＯＮと呼ぶ）の何れかの状態となるように動作する。Ｙ＋電極はＱ１、Ｘ＋電極はＱ２、Ｙ−電極はＱ３、Ｘ−電極はＱ４の、各々コレクタ端子に接続される。各トランジスタがＯＮとなったときに、該トランジスタのエミッタ端子に接続されているレベルの電圧が各電極に印加されることになり、また各トランジスタがＯＦＦとなったときには前記レベルの電圧から遮断される。
　図中１５、１６はアナログスイッチＳＷ１、ＳＷ２であり、各々ＰＣＵからの制御出力（図中１７、１８）によって制御される。ＳＷ１、ＳＷ２は上抵抗板、下抵抗板の電位を選択的にアナログ／デジタル変換器（図中１９）の入力に導通させるものである。また該アナログ／デジタル変換器の入力インピーダンスは抵抗板の抵抗、または抵抗板間の接触抵抗に比して十分大きく、ＳＷ１、ＳＷ２の導通によっては、前記抵抗板の電位は変化しない。
　図中２０はアナログ／デジタル変換器とＰＣＵのインターフェースであり、ＰＣＵは該インターフェースを介して数値に変換された前記電位を読みだし、またアナログ／デジタル変換器の動作停止・開始等の制御を行う。
　図中２２はＰＣＵと他の機器等とのインターフェースであり、ＰＣＵは該インターフェースを通じて座標データを出力する。
　以下ＰＣＵが行う制御手順を第２、３、４図のフローチャートに従って説明する。
　第２図は本発明の座標入力手段の制御手順の概要である。まずＸ座標を読み込み（ステップ１）、Ｘの値がエラーかどうか判断し（ステップ２）エラーならば再びＸ座標の読み込みにいく。正常な値であれば次にＹ座標を読み込み（ステップ３）、Ｙの値がエラーかどうか判断し（ステップ４）エラーならば再びＸ座標の読み込みから再開する。正常な値であれば座標値（Ｘ、Ｙ）の出力を行う（ステップ５）。以後この動作を繰り返す。
　第３図はＸ座標読み込み手順のフローチャートである。Ｑ１・Ｑ２をＯＦＦ、Ｑ３・Ｑ４をＯＮにして上下抵抗板の電荷を放出し、電位を低レベル電圧とする（ステップ６）。Ｑ２・Ｑ４をＯＮにして下抵抗板に電流を流し電圧勾配を生じさせ、Ｑ１、Ｑ２をＯＦＦにして上抵抗板を各電圧より遮断する（ステップ７）。アナログ／デジタル変換を開始する（ステップ８）。上抵抗板に応力がかかり、下抵抗板とある一点で接触していると、上抵抗板の電位は、接触点を介して徐々に電荷を蓄積しながら、接触点の電位へ落ち着いて行く。ある一定時間待って（ステップ１４）、アナログ／デジタル変換器の変換値を読みだし、変数Ｗ１に格納する（ステップ１５）。次にＱ１・Ｑ２をＯＮ、Ｑ３・Ｑ４をＯＦＦにして上下抵抗板に電荷を蓄積し、電位を高レベル電圧とする（ステップ６）。ステップ７〜９の手順をそのまま繰り返し（ステップ１２〜１４）、読みだしたアナログ／デジタル変換器の変換値を変数Ｗ２に格納する（ステップ１５）。
　格納されたＷ１、Ｗ２の値の差をしきい値と比較し（ステップ１６）以上であれば、上下抵抗板の接触抵抗が高く不安定な状態として、変数Ｘにエラー値を格納し（ステップ１９）、しきい値より小さければ変数ＸにＷ１とＷ２の平均値を格納する（ステップ１８）。以上の手順でＸ座標読み込みは行われる。
　第４図はＹ座標読み込み手順のフローチャートであるが、第３図に於てＸをＹを読み替え、Ｑ１とＱ２、Ｑ３とＱ４、ＳＷ１とＳＷ２をそれぞれそっくり交換したものである。
　第５図は、第３図のＸ座標読み込み手順に於ける上抵抗板の電位の変化の一例を図中３７の曲線によって図示したものである。図中２６の時点がステップ６、図中２７の時点がステップ７、図中２８の時点がステップ１０、図中２９の時点がステップ１１、図中３０の時点がステップ１２、図中３１の時点がステップ１５に対応する。また図中２５がアナログ／デジタル変換器の変換値が格納されたＷ１の値、図中２６がアナログ／デジタル変換器の変換値が格納されたＷ２の値、図中２７がＷ１、Ｗ２の平均をとったＸの値を示している。
　第６図は上抵抗板に応力を印加する入力加重と、上下抵抗板の接触抵抗の関係の一例を図中３８の曲線によって図示したものである。
　第７図は、本発明の座標入力手段の各構成部を等価的な電気素子に置き換えた回路図である。図中３２はＸ＋電極に高レベル電圧、Ｘ−電極に低レベル電圧を与えた下抵抗板を示す等価抵抗、図中３３は接触抵抗の等価抵抗、図中３４はＹ＋電極、Ｙ−電極を高・低レベル電圧より遮断した上抵抗板を示す等価抵抗、図中３６はアナログ／デジタル変換器の入力容量、上下抵抗板間の容量の総和を等価的に示す等価コンデンサ、図中３６は電圧の観測点を示す電圧計のシンボルである。第６図に示すように、接触抵抗は入力加重によって大きく変化する。従って、入力加重が小さい場合、接触抵抗が増大し、第７図の回路に於ける時定数は増大するため、前記Ｗ１、Ｗ２の差も増大する。従って入力加重が小さいことを検知してそのときの測定値をエラーとすることができる。
　本実施例では座標値の値を前記Ｗ１、Ｗ２の平均によって推定し算出していたが、一回の座標読み取りを行う時間中、入力加重が小さいが安定している場合、以下の手段により高精度な真の座標値の推定が可能である。
　真の座標値をＸに代表させてＸとすると、まず前記Ｗ１、Ｗ２は
　Ｗ１＝Ｘ｛１−ｅｘｐ（−Ｔａ／Ｃ・Ｒ）｝　　　　　 ・・・（１）
　Ｗ２＝（ＶＨ−Ｘ）・ｅｘｐ（−Ｔａ／Ｃ・Ｒ）＋Ｘ　　　・・・（２）
となる。ここでＶＨは高レベル電圧の値、Ｃは前記等価コンデンサの容量、Ｒは前記接触抵抗とし、一定とする。前記（１）、（２）式より
　Ｘ＝Ｗ１・ＶＨ／（ＶＨ＋Ｗ１−Ｗ２）　　　　　　　　 ・・・（３）
となり、上式によって推定を行う事ができる。」（第２頁右下欄第１４行〜第４頁左下欄第１２行）
　
　これらの記載によれば、引用例には、次のような発明（以下、「引用例発明」という。）が開示されていると認められる。
　
ａ）電位レベルを他の回路に監視させ、また高・低２レベルの電圧を印加させるための２つ以上の電極をもった、対向する２枚の抵抗膜と、
ｂ）対向した抵抗膜上に、低レベル・高レベルの２種類の電圧を前記電極に印加する手段と、
ｃ）前記電極を、前記２種類の電圧の双方から切断し、高インピーダンスとする手段と、
ｄ）アナログ／デジタル変換手段とを持ち、
ｅ）片側の抵抗膜のある一方の電極に高レベルの電圧、もう一方の電極に低レベルの電圧を印加し前記抵抗膜上に電圧勾配を生じさせ、前記抵抗膜に対向する抵抗膜を高インピーダンスとし、抵抗膜上のある点に応力が加わった場合、たわみによって接触した部分の電位を、高インピーダンスにした抵抗膜の電極からアナログ／デジタル変換手段によって読み取り、その値Ｗによって接触位置を数値化する座標入力手段に於て、
ｆ）一回の座標読み取りを行う時間中、入力加重が小さいが安定している場合、対向する２枚の抵抗膜の電荷を放出し、電位を低レベル電圧としてから、片側の抵抗膜のある一方の電極に高レベルの電圧、もう一方の電極に低レベルの電圧を印加し抵抗膜に電流を流し電圧勾配を生じさせ、接触点を介して徐々に電荷を蓄積しながら、接触点の電位へ落ち着いて行く抵抗膜の電位をある一定時間待って読み出したアナログ／デジタル変換器の変換値Ｗ１と、対向する２枚の抵抗膜に電荷を蓄積して電位を高レベル電圧としてから、同様にある一定時間待って読み出したアナログ／デジタル変換器の変換値Ｗ２とを用いて、
　真の座標値をＸに代表させてＸとすると、
　Ｗ１＝Ｘ｛１−ｅｘｐ（−Ｔａ／Ｃ・Ｒ）｝　　　　　 ・・・（１）
　Ｗ２＝（ＶＨ−Ｘ）・ｅｘｐ（−Ｔａ／Ｃ・Ｒ）＋Ｘ　　　・・・（２）
（ここでＶＨは高レベル電圧の値、Ｃは前記等価コンデンサの容量、Ｒは前記接触抵抗とし、一定とする。）より
　Ｘ＝Ｗ１・ＶＨ／（ＶＨ＋Ｗ１−Ｗ２）　　　　　　　　 ・・・（３）
によって真の座標値を推定することができる座標入力手段。
　
【３】対比・判断
（対比）
　そこで、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）と引用例発明とを対比すると、引用例発明の「抵抗膜上のある点に応力が加わった場合、たわみによって接触」、「電位レベルを他の回路に監視させ、また高・低２レベルの電圧を印加させるための２つ以上の電極をもった、対向する２枚の抵抗膜」、「接触位置を数値化」、「ある一定時間待って読み出したアナログ／デジタル変換器の変換値Ｗ１、Ｗ２」、「一回の座標読み取りを行う時間中」は、それぞれ、本願発明の「タッチ」、「抵抗膜を有するタッチパネル」、「タッチ検出に応答してタッチ部の座標検出」、「これ等複数回の測定電位」、「同一検知フェーズ」に相当する。
　また、引用例発明は、一回の座標読み取りを行う時間中、接触点の電位へ落ち着いて行く抵抗膜の電位をある一定時間待って読み出したアナログ／デジタル変換器の２つの変換値Ｗ１、Ｗ２を読み取っているから、抵抗膜の電位を同一検知フェーズの中で複数回測定する電位検出手段を有していることは明らかである。
　さらに、引用例発明の「座標入力手段」も装置であることは明らかであるから、引用例発明の「座標入力手段」と本願発明の「抵抗膜を有するタッチパネルにおける座標読取装置」とは、「装置」である点で一致している。
　したがって、両者の一致点及び相違点は、次のとおりである。
　
一致点
　抵抗膜を有するタッチパネルにおける、タッチ検出に応答してタッチ部の座標検出をなす期間内において、前記抵抗膜の電位を同一検知フェーズの中で複数回測定する電位検出手段を含む装置である点。
　
相違点１
　本願発明では、抵抗膜を有するタッチパネルにおける座標読取装置であるのに対して、引用例発明においては、抵抗膜を有するタッチパネルにおける座標入力手段である点。
　
相違点２
　本願発明では、これ等複数回の測定電位に従って前記抵抗膜の収束見込電位を算出する収束電位検出手段を含み、この収束見込み電位をタッチ位置座標とするのに対して、引用例発明においては、収束電位検出手段や収束見込み電位をタッチ位置座標とすることについて明らかでない点。
　
（判断）
相違点１について
　引用例発明の座標入力手段は、抵抗膜を有するタッチパネルにおける座標値を読み取っているから、抵抗膜を有するタッチパネルにおける座標読取装置として用いることは当業者が容易になし得ることである。
　
相違点２について
　引用例発明は、一回の座標読み取りを行う時間中、入力加重が小さいが安定している場合、上下抵抗板の電荷を放出し、電位を低レベル電圧としてから、抵抗板に電流を流し電圧勾配を生じさせ、接触点を介して徐々に電荷を蓄積しながら、接触点の電位へ落ち着いて行く抵抗板の電位をある一定時間待って読み出したアナログ／デジタル変換器の変換値Ｗ１と、上下抵抗板に電荷を蓄積して電位を高レベル電圧としてから、同様にある一定時間待って読み出したアナログ／デジタル変換器の変換値Ｗ２とを用いて、
　真の座標値をＸに代表させてＸとすると、
　Ｗ１＝Ｘ｛１−ｅｘｐ（−Ｔａ／Ｃ・Ｒ）｝　　　　　 ・・・（１）
　Ｗ２＝（ＶＨ−Ｘ）・ｅｘｐ（−Ｔａ／Ｃ・Ｒ）＋Ｘ　　　・・・（２）
（ここでＶＨは高レベル電圧の値、Ｃは前記等価コンデンサの容量、Ｒは前記接触抵抗とし、一定とする。）より
　Ｘ＝Ｗ１・ＶＨ／（ＶＨ＋Ｗ１−Ｗ２）　　　　　　　　 ・・・（３）
によって真の座標値を推定することができるものであるが、Ｗ１・ＶＨ／（ＶＨ＋Ｗ１−Ｗ２）が複数回の測定電位に従って抵抗膜の収束見込電位を算出する式であるから、引用例発明も、本願発明の「収束電位検出手段」に相当するものを有することは明らかである。
　また、引用例発明において、「複数回の測定電位に従って抵抗膜の収束見込み電位を算出する」式であるＷ１・ＶＨ／（ＶＨ＋Ｗ１−Ｗ２）によって算出した値を接触位置の真の座標値Ｘとしているから、収束見込み電位をタッチ位置座標としているといえる。
　よって、相違点２は、実質的な相違点ではない。
　
【４】むすび
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、引用例発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。