【手続補正書】
【提出日】平成22年3月19日(2010.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを製造する方法において、
第１基板の表面を覆う熱分解可能なポリマー層を形成し；
場合によっては該層を化学放射線に露光させ；
第２基板を提供し；
該第２基板をポリマー層に接触させ、当該接触部が熱圧着接合部を含んでなる
ことを含む方法。
【請求項２】
前記層の化学放射線への露光が像様露光を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記層の化学放射線への露光が全面露光を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１基板の表面を覆う熱分解可能なポリマー層の形成が半導体ウェハ基板の活性表面を覆う当該層の形成を含む、請求項１、２又は３に記載の方法。
【請求項５】
半導体ウェハ基板の活性表面が複数の非個片化ダイを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
半導体ウェハ基板の活性表面の反対面を所望の厚みの半導体ウェハ基板が得られるまで薄厚化プロセスにかけることを更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
第１基板の表面を覆う熱分解可能なポリマー層の形成が半導体ウェハ基板の活性表面の反対面の形成を更に含む、請求項１、２又は３に記載の方法。
【請求項８】
所望の平坦度が得られるまで半導体ウェハ基板の活性表面をケミカルメカニカルポリッシングすることを更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
第１基板の表面を覆う熱分解可能なポリマーの層の形成が支持基板の表面を覆う当該層の形成を含む、請求項１、２又は３に記載の方法。
【請求項１０】
第２基板を接触させることが半導体ウェハ基板の活性表面を接触させることを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
所望の厚みの半導体ウェハ基板が得られるまで、半導体ウェハ基板の活性表面の反対面をラッピング又は研磨することを更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
第２基板を接触させることが半導体ウェハ基板の活性表面の反対表面を接触させることを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
所望の平坦度が得られるまで半導体ウェハ基板の活性面をケミカルメカニカルポリッシングすることを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
像様露光が前記ダイの間にボンディングパッドとダイシングレーンを決める、請求項５に記載の方法。
【請求項１５】
第１基板の表面を覆う熱分解可能なポリマーの層の形成が半導体ウェハ基板の活性表面を覆う前記層の形成を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
半導体ウェハ基板の活性表面が複数の非個片化ダイを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
熱圧着接合の前にダイの個片化することを更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
第２基板が個片化ダイを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
熱分解可能なポリマーが脂肪族又は脂環式ポリカーボネートである、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
熱分解可能なポリマーがノルボルネン型モノマーから誘導されるポリマーである、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記ポリマーが
第１ノルボルネン型モノマーから誘導される第１繰返し単位、第２ノルボルネン型モノマーから誘導される第２繰返し単位及び第３ノルボルネン型モノマーから誘導される第３繰返し単位を含むビニル付加ポリマー；および
感光剤成分、光開始剤成分、反応性及び非反応性の溶媒、触媒捕捉剤、酸性捕捉剤、塩基性捕捉剤、接着促進剤及び抗酸化剤から選択される一又は複数の添加剤
を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
第１ノルボルネン型モノマーがエポキシ官能基を有する少なくとも１つのペンダント基を有し、第２ノルボルネン型モノマーがアラルキルペンダント基を有する少なくとも１つのペンダント基を有し、及び第３ノルボルネン型モノマーがアルキルペンダント基を有する少なくとも１つのペンダント基を有する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
第１ノルボルネン型モノマーがグリシジルメチルエーテルノルボルネン(ＭＧＥＮＢ)又はエポキシオクチルノルボネン(ＥＯＮＢ)であり、第２ノルボルネン型モノマーがフェネチルノルボルネン(ＰＥＮＢ)であり、及び第３ノルボルネン型モノマーがデシルノルボルネン(デシルＮＢ)又はドデシルノルボルネン（ドデシルＮＢ）である、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
非反応性溶媒が２-ヘプタノン（ＭＡＫ）であり、感光剤が４-メチルフェニル-４-(１-メチルエチル)フェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートであり、光開始剤が１-クロロ-４-プロポキシ-９Ｈ-チオキサントンであり、抗酸化剤が３，５-ジ-tert-ブチル-４-ヒドロキシヒドロシンナメートであり、酸性捕捉剤がフェノチアジンであり、接着促進剤がビス［３-（トリエトキシシリル）プロピル］ジスルフィドである、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
接着促進剤が更に３-グリシドキシルプロピルトリメトキシシランを更に含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
第１基板及び第２基板の少なくとも１つが、複数のマイクロ電子デバイスダイ、電子デバイスダイ、光電子デバイスダイ、マイクロエレクトロメカニカルシステム(ＭＥＭＳ)デバイスダイ又はマイクロオプトエレクトロメカニカルシステム(ＭＯＥＭＳ)デバイスダイを含む半導体ウェハ基板である、請求項２に記載の方法。
【請求項２７】
マイクロ電子デバイスダイが、マイクロプロセッサ、特定用途向け集積回路(ＡＳＩＣ)、個別半導体デバイス、半導体メモリを更に含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
オプトエレクトロニクスダイが画像センシング部分を有する半導体画像センサを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
像様露光が画像センシング部分周辺に置かれた構造を決める、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
半導体画像センサデバイスが電荷結合素子（ＣＣＤ）又はＣＭＯＳ画像センサ（ＣＩＳ）デバイスである、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
熱圧着接合された第１基板及び第２基板を熱分解性ポリマーが分解を生じるために十分な温度まで加熱することを更に含む方法であって、第１基板と第２基板が非接合化される、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項３２】
所望の厚みの半導体ウェハ基板が得られるまで、半導体ウェハ基板の活性表面の反対面をラッピング又は研磨することを更に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項３３】
ポリマー層の形成が半導体基板の活性表面上に熱分解可能なポリマーの第１厚みを有する当該層の形成を含み、前記活性表面が複数のボンディングパッドを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項３４】
第１基板を覆うポリマー層の前記像様露光が、前記複数のボンディングパッドのそれぞれの上にボンディングパッド開口部のパターンを提供する請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
第２基板の提供が、第２の複数のボンディングパッドを含む第２活性表面を有する第２半導体基板の提供を含む請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
第１基板のボンディングパッドに接続された半田バンプであって、各半田バンプが第１厚みのポリマー層より厚い第２厚みを有する半田バンプを提供すること；及び
第１基板を第２基板に熱圧着接合し、第１基板の半田バンプの各々が第２基板のボンディングパッドと接触すること
を含む請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記第２基板が、前記第２の複数のボンディングパッドのそれぞれの上にボンディングパッド開口部の第２パターンを有する第２熱分解可能なポリマーを更に含む請求項３６に記載の方法。