【事件の表示】
　平成１１年特許願第　２２６８９号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年８月１１日出願公開、特開２０００−２２３６５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年１月２９日の出願であって、平成１５年３月７日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年５月１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月２日付で手続補正がなされ、つづいて当審において拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１７年１０月１９日付で手続補正がなされたものである。
　そして、本願の請求項１〜６に係る発明は、上記平成１７年１０月１９日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
「【請求項１】表面に接続パッドが形成された半導体チップと、
　この半導体チップの表面に重ね合わせて接合され、上記半導体チップに対向する表面に可動素子および接続パッドが形成された表面可動素子と、
　上記半導体チップの表面の接続パッドと上記表面可動素子の接続パッドとを接続するとともに、上記半導体チップと上記表面可動素子との間に、上記可動素子の移動動作を許容する動作空間を確保するパッド接合部と、
　導電性材料からなり、上記半導体チップと上記表面可動素子の間に配置されてこれらを互いに接合するとともに、上記半導体チップまたは上記表面可動素子の低インピーダンス部に接続され、上記動作空間に封止樹脂が入り込むことを防ぐとともに電磁シールドとしても機能する壁状の周縁接合部とを含むことを特徴とする半導体装置。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　当審の平成１７年８月２２日付の拒絶理由に引用された本願出願前に国内で頒布された刊行物である特開平２−１０９４１０号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、及び特開平７−９９４２０号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（１）引用刊行物１：特開平２−１０９４１０号公報
（１ａ）「少なくとも一方に素子領域が形成された２つの半導体チップと、そのいずれかの半導体チップに形成された凹部を中空状とすると共にその中空状空間に前記素子領域を表出するように両半導体チップを接合する手段と、接合された両半導体チップを封止する樹脂封止材とで構成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」（特許請求の範囲）  
（１ｂ）「［従来の技術］従来、表面弾性波素子のように、パッケージ内に中空部分を設ける必要がある場合、セラミックパッケージあるいは金属パッケージを用いた気密封止構造のものが多用されている。」（１頁右欄３〜７行）
（１ｃ）「［発明が解決しようとする課題］しかし、上記気密封止パッケージ構造は、樹脂封止型パッケージに比べて著しくコストが高く、経済性および生産性に劣っており、それが生産効率を高めるうえでの妨げの一つとなっている。
［発明の目的］本発明は、パッケージ内に中空部を設け、かつ樹脂封止のできる半導体装置を提供することを主たる目的としているものである。」（１頁右欄１２〜末行）
（１ｄ）「［実施例］第１図乃至第５図は、本発明の一実施例を示すものである。同図において、Ａ，Ｂは接合される半導体チップである。一方の半導体チップＡは、第２図および第３図に示すように、その接合面にチップ接合用リング６およびワイヤボンデング用パッド７が設けられている。前記チップ接合用リング６は、ウエーハプロセス中に蒸着あるいはメッキ等の手段により形成される。リングの材料としては例えばＡｕが好ましいが、それに限らず、Ａｌ、ハンダなど、容易に金属接合できるものであればよく、・・・。ワイヤボンデイング用パッドは、アンダーパスあるいは二層配線手段により、リング内部の素子領域部８と接続されている。他方の半導体チップＢは、第４図および第５図に示すように、前記半導体チップＡと同様なチップ接合用リング９が形成され、・・・・。上記構成の半導体チップＡ，Ｂは、アセンブリ工程中において、各チップに形成された接合用リング６，９を介して超音波熱圧着等の適当な手段により接合されたとき、チップＢの凹部１０により、素子領域を中空状空間に表出する中空部１２が形成される。前記半導体チップＡ，Ｂの接合後、・・・、ダイステージ１６に搭載された半導体チップＡ，Ｂとワイヤボンデイング領域が樹脂封止材１７により封止されている。半導体チップＡ，Ｂの素子領域の接続は、周知の手段であるバンプ電極等を用いて行うことができる。」（２頁左上欄１７行〜左下欄１４行）
　
（２）引用刊行物２：特開平７−９９４２０号公報 
（２ａ）「【発明が解決しようとする課題】・・・、前記従来の弾性表面波素子実装回路では、実装する基板が単層のセラミック基板であり、２次元配線が限界であるため、インピーダンス整合回路等をセラミック基板に形成する場合や、他の部品と集積化してモジュールを構成するなどの場合に大型化するという問題点があった。また、従来の弾性表面波素子実装回路では、セラミック基板の表面に配線パターンが形成されており、金属からなる蓋を導電性物質で封止できないため、金属からなる蓋を十分に接地できず、電磁遮蔽が不十分であるという致命的な問題点を有していた。
　前記従来の課題を解決するため、本発明は周波数特性に優れ、信頼性の高い、超小型軽量の弾性表面波素子実装回路を提供することを目的とする」（【０００８】【０００９】）
（２ｂ）「（実施例１）本発明による、弾性表面波素子実装回路の第１の実施例の構成の断面図を図１に示す。図１において、１は弾性表面波素子であり、・・・圧電基板で構成されている。また、弾性表面波素子１上に入出力端子２、接地端子３及び櫛形電極部４が形成されており、これらはアルミニウムを主成分とする合金または金を主成分とする合金を用いて、公知のフォトリソグラフィ技術により電極パターンを形成している。５は金またはアルミニウムからなるバンプ、６は導電性樹脂、７は弾性表面波素子の保持強度を補強するための絶縁性樹脂である。８は多層基板である。また、多層基板８にはビアホール９、入出力電極１０、接地電極１１及びシールドパターン１２が形成されている。これらは、銅または銀を主成分とする導体で構成されている。１３は金属製の蓋、１４は多層基板８の弾性表面波素子１実装面に形成され、かつ弾性表面波素子１を囲むように形成された接地電極パターンである。蓋１３は、半田や導電性樹脂などからなる導電性接着層１５を介して接地電極パターン１４と接着し、さらに、接地電極パターン１４はビアホール９を介して多層基板８に形成されている接地端子３と接続され、蓋１３を接地している。」（【００３２】）
（２ｃ）「・・・。さらに、金属からなる蓋１３を、前記弾性表面波素子１を囲むように設けられた接地電極パターン１４と、Ａｕ−Ｓｎ合金を用いて接着した。接地電極パターン１４はビアホール９を介してシールドパターン１２と接続され、金属からなる蓋１３が接地されている。したがって、弾性表面波素子実装回路の電磁遮蔽を充分にとることができ、良好な周波数特性を得ることができた。また、多層基板８に設けられた、入力電極と出力電極との間に、接地電極パターンを配することで、電磁遮蔽をより十分にとることができる。・・・」（【００３４】）
（２ｄ）「以上のように、電極パッド部に導電性樹脂を転写塗布した金またはアルミニウムからなるバンプを有し、素子の周囲あるいはその一部に絶縁性樹脂を有する弾性表面波素子と、少なくとも１層以上のシールドパターンと、入出力電極と、接地電極と、異なる層の電極を接続するビアホールを有する多層基板とを有し、前記弾性表面波素子の入出力端子と接地端子をビアホールを介して、前記多層基板に形成された前記入出力電極および前記接地電極と導通を図り、金属からなる蓋を、半田あるいは導電性樹脂により、前記多層基板表面上に前記弾性表面波素子を囲むように形成された電極パターンと接着封止し、気密を保持するとともに、前記電極パターンをビアホールを介して前記接地電極と接続した構成により、周波数特性に優れ、信頼性の高い、超小型軽量の弾性表面波素子実装回路を得ることができる。」（【００３６】）
（２ｅ）「（実施例３）本発明による弾性表面波素子実装回路の第３の実施例の構成の断面図を図３に示す。図３において１６は対向電極パターンであり、多層基板８上に、弾性表面波素子１の櫛形電極部４に対向した位置に形成されている。さらに、対向電極パターン１６は、ビアホール９を介して接地電極１１またはシールドパターン１２と接続されている。このような構成をとることによって、弾性表面波素子の入出力電極間での直達波の影響を軽減し、充分なアイソレーションをとることができる。これにより、バンドパスフィルタを構成した場合には、周波数特性、特に帯域外抑圧度に優れた弾性表面波素子実装回路が得られる。」（【００３９】）
（２ｆ）「（実施例４）本発明による弾性表面波素子実装回路の第４の実施例の構成の断面図を図４に示す。図４において１７は裏面電極であり、弾性表面波素子１の櫛形電極部４の形成されている面の裏面にアルミニウムまたは金を主成分とする金属膜により構成されている。１８は導電性樹脂であり、裏面電極１７と金属からなる蓋１３との導通を図る役目をしている。
　このような構成をとることによって、弾性表面波素子実装回路の電磁遮蔽を充分確保するとともに、浮遊容量等の影響を少なくすることができ、従来の弾性表面波素子実装回路に比べて良好な周波数特性を有する弾性表面波素子実装回路が得られる。」（【００４０】【００４１】）
　
３．対比・判断
　引用刊行物１には、上記摘記事項（１ｂ）（１ｃ）によれば、従来、表面弾性波素子のように、パッケージ内に中空部分を設ける必要がある場合、セラミックパッケージあるいは金属パッケージを用いた気密封止構造のものが多用されているが、これらは樹脂封止型パッケージに比べて著しくコストが高く、経済性および生産性に劣っており、それが生産効率を高めるうえでの妨げの一つとなっており、本発明は、パッケージ内に中空部分を設け、かつ樹脂封止のできる半導体装置を提供することを主たる目的としていることが記載されている。
　また、上記摘記事項（１ｄ）によれば、一方の半導体チップＡは、その接合面にチップ接合用リングおよびワイヤボンデング用パッドが設けられ、チップ接合用リングは、Ａｕが好ましいが、Ａｌ、ハンダでよいこと、ワイヤボンデイング用パッドは、アンダーパスあるいは二層配線手段により、リング内部の素子領域部と接合されていること、他方の半導体チップＢは、半導体チップＡと同様なチップ接合用リングが形成され、半導体チップＡ，Ｂは、各チップに形成された接合用リングを介して接合されたとき、素子領域を中空状空間に表出する中空部が形成され、半導体チップＡ，Ｂの素子領域の接続は、周知の手段であるバンプ電極等を用いて行うことができることが記載され、ここで、チップ接合用リングは導電性材料からなっており、又半導体チップＡ，Ｂの素子領域の接続は、周知の手段であるバンプ電極等を用いて行うものであるから、両者の接続表面には接続パッドが当然に形成されているものである。
　そうすると、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）を総合すると、引用刊行物１には、「少なくとも一方に素子領域が形成された２つの半導体チップＡ，Ｂと、半導体チップＡは、その接合面に導電性材料からなるチップ接合用リングおよびワイヤボンデング用パッドが設けられ、半導体チップＢに形成された凹部を中空状とすると共にその中空状空間に前記素子領域を表出するように両半導体チップをチップ接合用リングにより接合する手段と、半導体チップＡ，Ｂの素子領域の接続は、両者の接続表面の接続パッドとで接続すると共に、接合された両半導体チップを封止する樹脂封止材とで構成されている樹脂封止型半導体装置。」（以下、「引用刊行物１記載発明」という。）が記載されていることになる。
　
　本願発明と引用刊行物１記載発明とを対比する。
　引用刊行物１記載発明において、半導体チップＡ，ＢのうちＢに形成された凹部を中空状とするとされている。ここで動作空間の必要な半導体チップＢを表面弾性波素子とすることは自明のことであって、又表面弾性波素子のため両半導体チップをチップ接合用リングにより接合し該リングを壁の一部とする中空状空間を形成するものであるから、この空間には封止樹脂が入り込まないものである。そして、引用刊行物１記載発明の「半導体チップＡ」、「半導体チップＢ」、「チップ接合用リング」、「中空状空間」は、順に本願発明の「半導体チップ」、「表面弾性波素子」、「壁状の周縁接合部」、「動作空間」に相当している。
　そうすると、両者は、「表面に接続パッドが形成された半導体チップと、
この半導体チップの表面に重ね合わせて接合され、上記半導体チップに対向する表面に可動素子および接続パッドが形成された表面可動素子と、
上記半導体チップの表面の接続パッドと上記表面可動素子の接続パッドを接続するとともに、上記半導体チップと上記表面可動素子との間に、上記可動素子の移動動作を許容する動作空間を確保するパッド接合部と、
導電性材料からなり、上記半導体チップと上記表面可動素子の間に配置されてこれらを互いに接合するとともに、上記動作空間に封止樹脂が入り込むことを防ぐ壁状の周縁接合部とを含む半導体装置。」で一致するものの、次の点で相違している。
（ａ）壁状の周縁接合部について、本願発明では、上記半導体チップまたは上記表面可動素子の低インピーダンス部に接続され、上記動作空間に封止樹脂が入り込むことを防ぐとともに電磁シールドとしても機能するとしているのに対し、引用刊行物１記載発明では、動作空間に封止樹脂が入り込むことは防いでいるものの、半導体チップまたは表面可動素子の低インピーダンス部に接続され、上記動作空間に封止樹脂が入り込むことを防ぐとともに電磁シールドとしても機能する点が記載されていない点。
　
　そこで、上記相違点（ａ）について検討する。
　引用刊行物２には、従来の弾性表面波素子実装回路では、セラミック基板の表面に配線パターンが形成されており、金属からなる蓋を導電性物質で封止できないため、金属からなる蓋を十分に接地できず、電磁遮蔽が不十分であったのを解決するために（上記摘記事項（２ａ））、実施例１では、弾性表面波素子１上に入出力端子２、接地端子３及び櫛形電極部４が形成されており、多層基板８にはビアホール９、入出力電極１０、接地電極１１及びシールドパターン１２が形成されており、蓋１３は、導電性接着層１５を介して接地電極パターン１４と接着し、さらに、接地電極パターン１４はビアホール９を介して多層基板８に形成されている接地端子３と接続され、蓋１３を接地していること（上記摘記事項（２ｂ））が記載され、これによれば、弾性表面波素子１上の接地端子３は、多層基板８の接地電極パターン１４、ビアホール９、シールドパターン１２、及び接地電極１１と接続しており、弾性表面波素子の櫛形電極部４が効率よく電磁遮蔽されることが理解できる。　
　又引用刊行物２の実施例３では、対向電極パターン１６を多層基板８上で、弾性表面波素子１の櫛形電極部４に対向した位置に形成し、対向電極パターン１６は、ビアホール９を介して接地電極１１またはシールドパターン１２と接続され、このような構成をとることによって、弾性表面波素子の入出力電極間での直達波の影響を軽減し、充分なアイソレーションをとることができようにしたこと（上記摘記事項（２ｅ））、同じく実施例４では、裏面電極１７を弾性表面波素子１の櫛形電極部４の形成されている面の裏面に金属膜により構成し、裏面電極１７と金属からなる蓋１３との導通を更にさせることによって、弾性表面波素子実装回路の電磁遮蔽を充分確保すること（上記摘記事項（２ｆ））が記載されている。
　このように、高周波デバイスとして利用される弾性表面波素子の電磁遮蔽を十分とることは周知であって、又引用刊行物２には、このためには、櫛形電極部の付近でシールドパターン、対向電極パターン、金属膜等の導電性材料と導通させればよいことが示唆されているものである。
　一方、モールド型表面波フィルターにおいて、薄膜回路部をそれと間隔をおいて金属シールド板で覆い、更に合成樹脂でモールドすることは、例えば実願昭５３−７９２２８号（実開昭５４−１８１８４０号）のマイクロフィルム（従来技術の説明、１頁末行〜２頁４行）、特開昭５５−８１９１号公報（Ａｌ層１４，２頁左上欄１４〜１８行）で示されるように周知の技術であって、これによれば金属シールド板（Ａｌ層）は電磁遮蔽機能とモールド樹脂の進入を防いでいるものである。また、マザーチップ基板と半導体チップ間の信号用バンプＳの周囲を接地用バンプで包囲しシールドすることは、例えば特開昭６１−５５４９号公報（第４図、第５図の説明参照）にあるように周知のことである。
　そうすると、引用刊行物１記載発明においても、弾性表面波素子の電磁シールドを効率よく接地処理することは高周波特性改善のため当然に要求される技術課題であって、引用刊行物１記載の壁状の周縁接合部は、導電性材料でモールド樹脂の進入を防いでいるものであるから、壁状の周縁接合部を電磁シールドとしても機能するようにし上記相違点（ａ）なる構成とすることは当業者ならば容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明の作用効果も、引用刊行物１、２に記載された事項及び上記周知技術から当業者が予測できる範囲内のものであって、格別顕著なものとは認められない。
　したがって、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の本願の請求項２〜６に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。