【事件の表示】
　平成　６年特許願第　５０８４４号「多結晶シリコンデバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年１０月１３日出願公開、特開平　７−２６３７３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 １．手続の経緯
　本願は、平成６年３月２２日の出願であって、平成１５年８月２０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月２４日に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年１０月２４日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１５年１０月２４日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　結晶シリコンとは異なる材料の基板上に抵抗率が０．１Ωｃｍから１００Ωｃｍの範囲内にある多結晶シリコンを堆積したデバイスであって、前記基板と前記多結晶シリコンとの間に、ＺｎＯ層が存在し、該ＺｎＯ層は厚さ方向の単位面積当たり抵抗値が５Ω／ｃｍ２以下のＺｎＯ層であることを特徴とする多結晶シリコンデバイス。」と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項であるＺｎＯ層について、「厚さ方向の単位面積当たり抵抗値が５Ω／ｃｍ２以下」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶理由に引用された本願出願前に国内で頒布された特開平６−７７５１０号公報（以下、「引用例」という。）には、
「【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　導電性基板上に、光反射層、光反射増加層、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなるｎ型層、ｉ型層及びｐ型層、及び透明電極を積層して構成される光起電力素子において、前記光反射層は銀原子を主構成元素とし、酸素原子、窒素原子または炭素原子の内少なくとも１つを含有していることを特徴とする光起電力素子。」、
「【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、光起電力素子に係わり、シリコン原子を含有する非単結晶半導体材料、例えば水素化非晶質シリコン、水素化非晶質シリコンゲルマニウム、水素化非晶質シリコンカーバイド、微結晶シリコンまたは多結晶シリコン等からなる光起電力素子で、特に光反射層を有する光起電力素子に関する。本発明の光起電力素子は、例えば、太陽電池、センサー、撮像素子等に好適に適用される。」、
「【００５２】
　
光反射増加層
　本発明の光起電力素子において光反射増加層は、光反射層と接触し光起電力素子の特性に密接に関係する重要な層であり、例えばＺｎＯ，ＳｎＯ２ ，Ｉｎ２ Ｏ２ ，ＩＴＯ，ＴｉＯ２ ，ＣｄＯ，Ｃｄ２ ＳｎＯ４ ，Ｂｉ２ Ｏ３ ，ＭｏＯ３ ，ＮａＸ ＷＯ３（ｘ＝２〜３　　）等が好適に用いられる。」、
「【００５５】
　光反射増加層でテクスチャ構造を形成する場合、光反射増加層堆積時の基板温度を３００℃以上の高めに設定し、光反射増加層を２μｍ以上厚く堆積する。
【００５６】
　
ｐ型層またはｎ型層
　本発明の光起電力素子において、ｐ型層またはｎ型層は、光起電力素子の特性を左右する重要な層である。
【００５７】
　本発明の光起電力素子のｐ型層またはｎ型層の非晶質材料（ａ−と表示する）、微結晶材料（μｃ−と表示する）または多結晶材料（「ｐｏｌｙ−」と表示する）等にｐ型の価電子制御剤（周期率表第ＩＩＩ族原子　Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ）やｎ型の価電子制御剤（周期率表第Ｖ族原子　Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ）を高濃度に添加した材料が挙げられる。」、
「【００６４】
　本発明の光起電力素子のｐ型層及びｎ型層の電気特性としては活性化エネルギーが０．２ｅＶ以下のものが好ましく、０．１ｅＶ以下のものがより好ましい。また比抵抗としては１００Ωｃｍ以下が好ましく、１Ωｃｍ以下がより好ましい。さらにｐ型層及びｎ型層の層厚は１０〜５００Ａが好ましく、３０〜１００Ａがより好ましい。」、
「【０２２０】
　
実施例１及び比較例１
　（実施例１）
　ＤＣマグネトロンスパッタリング法及びマイクロ波（μＷ）グロー放電分解法によって図１に示した構成の光起電力素子を作製した。
【０２２１】
　図８に示すＤＣマグネトロンスパッタリング法の製造装置により、５０ｍｍ角、厚さ０．２ｍｍの鏡面研磨されたステンレス（ＳＵＳ４３０）製基板上に、実験例１−１と同様に酸素原子を含有するＡｇの光反射層を４５０ｎｍ、及び光反射増加層を１μｍ作製した。
【０２２２】
　次に、図１３に示す原料ガス供給装置１３２０と堆積装置１３００からなるμＷグロー放電分解法による製造装置により、光反射増加層上に非単結晶シリコン系半導体層を作製した。
【０２２３】
　図中の１３７１〜１３７６のガスボンベには、本発明の非単結晶シリコン系半導体層を作製するための原料ガスが密封されており、・・・・・・・・・・・・・・・・・。
【０２２４】
　図中１３０４は、前述した方法により、光反射層及び光反射増加層を作製した基板である。」、
「【０２２８】
　以上のようにして成膜の準備が完了した後、基板１３０４上に、ｎ型層、ｉ型層、ｐ型層の成膜を行なった。」、
「【０２３３】
　次に、ｐ型層上に、透明電極として、ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 ＋ＳｎＯ2 ）を真空蒸着にて８０ｎｍ蒸着し、集電電極としてＣｒを真空蒸着にて１μｍ蒸着し、光起電力素子を作製した（素子実１）。以上の、光起電力素子の作製条件を表５に示す。」が記載され、
　また、表５には、光反射増加層の作製条件として、Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ、内圧：６ｍＴｏｒｒ、基板温度：３５０℃、ＤＣ電圧：４００Ｖ、層厚：１μｍが記載されている。
　さらに、ＺｎＯの光反射増加層は、図１によれば、ステンレス（ＳＵＳ４３０）製基板と、ｎ型及びｐ型非単結晶シリコン半導体層との間に形成されていることが読みとれる。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例に記載の事項とを比較すると、
（ａ）引用例に記載された「ステンレス（ＳＵＳ４３０）製基板」、「ＺｎＯの光反射増加層」は、本願補正発明の「結晶シリコンとは異なる材料の基板」、「ＺｎＯ層」にそれぞれ相当し、
（ｂ）引用例の【特許請求の範囲】、段落０００１の記載によれば、「少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料」の例示として、多結晶シリコンが挙げられているので、引用例に記載された「少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなるｎ型層、及びｐ型層」、及び「少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなるｎ型層、及びｐ型層を備えた光起電力素子」はそれぞれ本願補正発明の、「多結晶シリコン」、及び「多結晶シリコンデバイス」に相当し、
（ｃ）引用例に記載されたｎ型層、及びｐ型層の比抵抗（抵抗率と同義。）は、１００Ωｃｍ以下が好ましく、１Ωｃｍ以下がより好ましいこと、つまり、抵抗率が０．１Ωｃｍから１００Ωｃｍであることが実質的に記載されているといえるので、
　本願補正発明と引用例に記載の発明は、
「結晶シリコンとは異なる材料の基板上に抵抗率が０．１Ωｃｍから１００Ωｃｍの範囲内にある多結晶シリコンを堆積したデバイスであって、前記基板と前記多結晶シリコンとの間に、ＺｎＯ層が存在する多結晶シリコンデバイス」の点で一致し、以下の点で一応相違している。
［相違点］
　本願補正発明では、ＺｎＯ層は「厚さ方向の単位面積当たり抵抗値が５Ω／ｃｍ２以下」であるのに対し、引用例に記載のものは、特に明記されていない点。
　
（４）判断
　上記［相違点］について検討する。
  本願の明細書には、ＺｎＯ層の製膜に関し、
「【００２１】
　ＺｎＯの結晶形は六方晶系であるため、特に基板温度が３００℃以上で成膜すると、柱状の構造が膜厚方向に並ぶ。このような膜は、膜厚方向には結晶粒界のない構造のため、電気伝導度は高くなる。一方、横方向には、多数の結晶粒界が存在するために、電気伝導度は低くなる。例えば、３００℃以上で成膜した場合、膜厚方向の導電率は１０-1Ｓ／ｃｍ以上となり、膜厚が１００μｍ以下の場合、膜厚方向の単位面積当たりの抵抗は１０-1Ω以下となり、実用上問題にはならない。但し、更に低い抵抗値を要求する場合は、Ａｌ等のIII族元素をドナーとして添加すれば良い。Ａｌ等の元素の添加方法としては、ターゲットの中に例えばＡｌ2Ｏ3の形でＺｎＯターゲットに加えることにより容易に行なえる。」と記載されている。
　一方、引用例に記載のＺｎＯの光反射増加層も、３００℃以上である３５０℃の基板温度で、層厚１μｍのものが製膜されており、また、５Ω／ｃｍ２ という具体的値については、この値に臨界的意義を示す定量的な説明は明細書にはなく、単に抵抗値がそれ以下であれば実用上問題はないという目安値と解され、例えば、特開平４−２８０９７５号公報（段落００１０）、特開昭６１−１２８４１３号公報（第２頁）左下欄１行以下）に記載されているように、従来のＺｎＯ膜の抵抗値として特段顕著なものではないことから、製膜されたＺｎＯの層は本願補正発明のものと同様に、厚さ方向の単位面積当たり抵抗値が５Ω／ｃｍ２以下と推認でき、上記相違点は実質的な相違点とはならない。
　
　以上、引用例に記載の発明は、本願発明の構成をすべて備えており、本願発明と引用例に記載の発明との間に実質的な相違点はない。
　
　なお、原査定の拒絶の理由は、特許法第２９条第１項第３号に該当するというものではないが、審判請求人は、平成１５年７月２５日付け意見書において、本願発明と引用文献（上記引用例と同じ）とを対比し、引用文献は、本願発明を開示しまたは示唆するものではない旨述べているから、容易性のみならず、同一性についても検討していることは明らかである。
　
　よって、本願補正発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１５年１０月２４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明(以下、「本願発明」という。）は、平成１５年７月２５日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　結晶シリコンとは異なる材料の基板上に抵抗率が０．１Ωｃｍから１００Ωｃｍの範囲内にある多結晶シリコンを堆積したデバイスであって、前記基板と前記多結晶シリコンとの間に、ＺｎＯ層が存在することを特徴とする多結晶シリコンデバイス。」
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、および、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明において、ＺｎＯ層について、「厚さ方向の単位面積当たり抵抗値が５Ω／ｃｍ２以下」との限定を省くもので、本願補正発明の構成を全て含むものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含む本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、上記引用例に記載された発明であるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明である。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。