【事件の表示】
　平成１０年特許願第１９４０７４号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１１月３０日出願公開、特開平１１−３２９９５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１０年７月９日（パリ条約による優先権主張１９９７年１１月２１日、韓国）の出願であって、平成１６年４月１４日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年７月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月１１日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年８月１１日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年８月１１日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、平成１６年１月２０日付の手続補正による「ジメチルアセトアミドを利用して半導体基板上に塗布したフォトレジストを完全に除去するストリップ工程を含み、
　前記ストリップ工程は、前記ジメチルアセトアミドを前記フォトレジストが塗布された半導体基板上に噴射することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
を、「半導体基板上の所定の膜上に塗布されたフォトレジストが部分的に除去されるように露光及び現像を順次的に遂行する第１段階と、
　前記フォトレジストの部分的な除去で露出される前記所定の膜をエッチングする第２段階と、
　前記フォトレジストの部分的な除去で半導体基板上の所定の領域に残留するフォトレジストをジメチルアセトアミドを利用して完全に除去させるストリップ工程としての第３段階とを含み、
　前記第３段階は、前記ジメチルアセトアミドを前記フォトレジストが塗布された半導体基板上に噴射し、
　前記第１段階の前に、前記フォトレジストをベーキングさせるベーキング工程を遂行する段階をさらに含み、
　前記ベーキング工程は、２００℃以下の温度で３００秒以下の時間に工程を遂行することを特徴とする半導体装置の製造方法。」と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「ジメチルアセトアミドを利用して半導体基板上に塗布したフォトレジストを完全に除去するストリップ工程を含み」を「半導体基板上の所定の膜上に塗布されたフォトレジストが部分的に除去されるように露光及び現像を順次的に遂行する第１段階と、
　前記フォトレジストの部分的な除去で露出される前記所定の膜をエッチングする第２段階と、
　前記フォトレジストの部分的な除去で半導体基板上の所定の領域に残留するフォトレジストをジメチルアセトアミドを利用して完全に除去させるストリップ工程としての第３段階とを含み、」と限定し、さらに、上記限定における「半導体基板上の所定の膜上に塗布されたフォトレジストが部分的に除去されるように露光及び現像を順次的に遂行する第１段階」に対し、「第１段階の前に、前記フォトレジストをベーキングさせるベーキング工程を遂行する段階をさらに含み、
　前記ベーキング工程は、２００℃以下の温度で３００秒以下の時間に工程を遂行する」との限定を付するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
１．特開平６−２０２３４５号公報
　
（２）．１　引用例１の記載内容
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−２０２３４５号公報の【０００１】及び【０００２】段落には、
「【０００１】
【産業上の利用分野】
　本発明は、架橋又は硬化されたフォトレジスト樹脂で被覆されている、金属含有マイクロ回路基体上の金属腐食を回避又は実質的に除去するアルカリ含有フォトレジストストリッピング組成物に関する。本発明は…架橋又は硬化した基体からフォトレジストをストリッピング方法にも関している。
【０００２】
【従来の技術】マイクロエレクトロニクスに於ける製造にとって必須の部分は、マスク又はレチクルから所望の回路層に像を移し変えるためにフォトレジストを使用することである。所望の像の移し変えが達成されたのち、幾つかのその後の処理工程に進む前に、ストリッピングによりフォトレジストは除去される。…」
と記載されている。
　また、【００１８】段落には、
「【００１８】実施例３
　この実施例はアルカリストリッパ−が９０％のジメチルアセトアミド(ＤＭＡｃ)及び１０％の２−アミノエタノ−ルを含み、酸が１,３,５−トリヒドロキシベンゼンであり、ストリッピング温度が８５℃であることを除いて実施例１の手順に従って実施された。…」
と記載されている。
　
（２）．２　引用例１に記載された発明
　引用例１には、
「フォトレジスト樹脂で被覆されている、金属含有マイクロ回路基体において、マスク又はレチクルを用いて金属含有マイクロ回路基体に対しマスク又はレチクルの像を移し変えるためにフォトレジスト樹脂を使用し、所望の像の移し変えを達成したのち、ジメチルアセトアミドを用いて、所望の回路層とした金属含有マイクロ回路基体に残留するフォトレジスト樹脂をストリッピングする方法」
の発明が記載されている。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例１に記載された発明とを比較する。
　引用例１に記載された発明の「フォトレジスト樹脂」及び「ストリッピング」は、それぞれ、本願補正発明の「フォトレジスト」及び「ストリップ工程」に相当する。
　また、本願補正発明の「半導体基板上の所定の膜」は、それ自体明確ではないが、本願明細書【００４８】段落の記載「まず始めに、半導体基板上の所定の膜上に…フォトレジストを塗布させる。
　ここで、本発明は所定の膜を絶縁膜、金属膜及び絶縁膜または金属膜を含む多層膜の中のいずれか一つを部分的に半導体基板上に形成することができる。…」及び【００６０】段落に記載された【００４８】と同様の記載を参照すると、上記「半導体基板上の所定の膜」における「所定の膜」は、半導体基板上の金属膜及び金属膜を含む多層膜を含むものである。
　そうすると、引用例１に記載された発明の「金属含有マイクロ回路基体」は、通常、膜状の形状を有するから、本願補正発明の「所定の膜」に実質的に相当する。
　さらに、引用例１に記載された発明は、「マスク又はレチクルを用いて金属含有マイクロ回路基体に対し所望の回路層としてマスク又はレチクルの像を移し変えるためにフォトレジスト樹脂を使用」するものであり、マイクロエレクトロニクスに於ける回路の製造に用いられるものであること及び引用例１には、半導体基板上に金属含有マイクロ回路基体（本願補正発明の「所定の膜」に相当する。）を設ける点の明示的記載がないものの、引用例１に記載された引用例１の前提となる従来技術には半導体素子の製造に用いることが記載されていることを考慮すると、引用例１に記載された発明は、フォトリソグラフィによる半導体素子用の回路層を形成する技術であることが明らかであり、したがって、引用例１に記載された発明は、当然、「半導体基板上の所定の膜上に塗布されたフォトレジストが部分的に除去されるように露光及び現像を順次的に遂行する段階」及び「フォトレジストの部分的な除去で露出される前記所定の膜をエッチングする段階」を有している半導体素子の製造方法に係るものといえる。
　
　そうすると両者は、
「半導体基板上の所定の膜上に塗布されたフォトレジストが部分的に除去されるように露光及び現像を順次的に遂行する第１段階と、
　前記フォトレジストの部分的な除去で露出される前記所定の膜をエッチングする第２段階と、
　前記フォトレジストの部分的な除去で半導体基板上の所定の領域に残留するフォトレジストをジメチルアセトアミドを利用して完全に除去させるストリップ工程としての第３段階とを含む半導体素子の製造方法。」
において一致し、以下の相違点を有する。
　
　相違点１
　本願補正発明が、「第３段階は、前記ジメチルアセトアミドを前記フォトレジストが塗布された半導体基板上に噴射」する構成を有するのに対し、引用例１に記載された発明は、上記構成の記載がない点。
　
　相違点２
　本願補正発明が、「第１段階の前に、前記フォトレジストをベーキングさせるベーキング工程を遂行する段階をさらに含み、
　前記ベーキング工程は、２００℃以下の温度で３００秒以下の時間に工程を遂行する」構成を有するのに対し、引用例１に記載された発明は、上記構成の記載がない点。
　
（４）判断
　相違点１について検討する。
　除去液をフォトレジストが塗布された半導体基板上に噴射してフォトレジストを除去することは、周知手段（例えば、特開昭６４−４１２１７号公報（特許請求の範囲）、特開平５−１７３３３６号公報（特許請求の範囲）、特開平７−３２１０２７号公報（【０００２】、【０００３】段落）及び特開平８−２０２０５１号公報（【００１２】段落）等参照）であるから、相違点１に係る構成については、当業者が容易に想到できたことである。
　
　相違点２について検討する。
　フォトレジストの露光の前に、フォトレジストをベーキングすることは、いわゆるプリベークとして周知手段（例えば、特開平６−２７３９４４号公報及び特開平７−１８１６８５号公報等参照）であって、特開平６−２７３９４４号公報には、プリベークを１００℃で１２０秒間行うこと（【００３３】段落）及び１１０℃で９０秒間行うこと（【００４８】段落）が示され、また、特開平７−１８１６８５号公報には、プリベークを９０℃で９０秒間行うこと（【００４３】段落）が示されている。
　本願補正発明は、プリベークを、２００℃以下の温度で３００秒以下の時間に行うものであるが、本願補正発明においてプリベークの対象となるフォトレジストの材質に何ら限定がなく、また、当該数値についても、詳細な説明を参照しても臨界的意義は認められず、単に目安程度のものにすぎないところ、上記特開平６−２７３９４４号公報及び特開平７−１８１６８５号公報に記載された周知手段は、プリベークを、２００℃以下の温度で３００秒以下の時間に行うことを満たしている。
　そうすると、相違点２に係る構成については、当業者が容易に想到できたことである。
　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１記載の発明及び周知手段から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１記載の発明及び周知手段に基づいて当業者が容易に想到しえたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１６年８月１１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１６年１月２０日付けで補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「ジメチルアセトアミドを利用して半導体基板上に塗布したフォトレジストを完全に除去するストリップ工程を含み、
　前記ストリップ工程は、前記ジメチルアセトアミドを前記フォトレジストが塗布された半導体基板上に噴射することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断      
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明の「半導体基板上の所定の膜上に塗布されたフォトレジストが部分的に除去されるように露光及び現像を順次的に遂行する第１段階と、
　前記フォトレジストの部分的な除去で露出される前記所定の膜をエッチングする第２段階と、
　前記フォトレジストの部分的な除去で半導体基板上の所定の領域に残留するフォトレジストをジメチルアセトアミドを利用して完全に除去させるストリップ工程としての第３段階とを含み、」から、「半導体基板上の所定の膜上に塗布されたフォトレジストが部分的に除去されるように露光及び現像を順次的に遂行する第１段階と、
　前記フォトレジストの部分的な除去で露出される前記所定の膜をエッチングする第２段階と、」との構成を省き、また、「第１段階の前に、前記フォトレジストをベーキングさせるベーキング工程を遂行する段階をさらに含み、
　前記ベーキング工程は、２００℃以下の温度で３００秒以下の時間に工程を遂行する」との構成を省くものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１記載の発明及び周知手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１記載の発明及び周知手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１記載の発明及び周知手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
よって、結論のとおり審決する。