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　特願２０１５−　１２７９９「半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　７月　２日出願公開，特開２０１５−１２２５２１〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００７年１月１９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００６年１月２０日，ドイツ連邦共和国，２００６年３月２９日，ドイツ連邦共和国，２００６年９月４日，ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする出願（以下「原出願」という。）である特願２００８−５５０６９３号の一部を平成２５年３月６日に新たな特許出願とした特願２０１３−４４８１１号の一部を平成２７年１月２６日に新たな特許出願とした特願２０１５−１２７９９号であり，その手続の経緯は，概略，以下のとおりである。 
　平成２７年　１月２６日　　：上申書
　平成２８年　３月２８日付け：拒絶理由通知 
　平成２８年１０月　５日　　：意見書 
　平成２８年１０月　５日　　：手続補正書 
　平成２９年　３月２９日付け：拒絶査定
　平成２９年　８月　４日　　：審判請求 
　平成２９年　８月　４日　　：手続補正書
　平成３０年　３月１３日付け：拒絶理由通知 
　平成３０年　９月１９日　　：意見書
　平成３０年　９月１９日　　：手続補正書（以下，この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。） 
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　垂直パワー半導体素子であって，
　第１の半導体ゾーン（１０３）および前記第１の半導体ゾーン（１０３）に隣接する第２の半導体ゾーン（１０４）を有する半導体基板（１００’）を備えた半導体基材と，
　前記素子がオフ状態において駆動された際に逆電圧に耐え得るように設計されており，且つ，少なくとも部分的には，前記第１の半導体ゾーン（１０３）内に配置されている，素子ゾーン（２３；３２）と，
を有し，
　前記第１の半導体ゾーン（１０３）は，水素誘起ドナーによって形成されたｎ型ドーピングを有し，
　前記第１の半導体ゾーン（１０３）のドーピング濃度は，前記半導体基板（１００’）の垂直方向に，前記第１の半導体ゾーン（１０３）の少なくとも６０％の範囲にわたる領域では，水素誘起ドナーの最大ドーピング濃度と最小ドーピング濃度との比が３より小さくなるように均質であり，
　前記第１の半導体ゾーン（１０３）のドーピング濃度は，前記第２の半導体ゾーン（１０４）のドーピング濃度より高い，
垂直パワー半導体素子。」
第３　拒絶の理由
　平成３０年３月１３日付けで当審が通知した拒絶理由のうちの理由２は，次のとおりのものである。
　本願の請求項１−４に係る発明は，本願の原出願の優先日前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１に記載された発明に基づいて，その原出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　引用文献１：特開２００３−３１８４１２号公報
第４　引用文献の記載及び引用発明
１　引用文献１の記載
（１）引用文献１には，以下の事項が記載されている。（下線は，当審で付した。以下同じ。）
「【請求項１】第１導電型の第１半導体層と，該第１半導体層の一方の主面に形成され，該第１半導体層より高濃度の第２導電型の第２半導体層と，前記第１半導体層の他方の主面に形成され，該第１半導体層より高濃度の第１導電型の第３半導体層とを具備する半導体装置において， 
前記第１半導体層の不純物濃度が極大となる箇所が少なくとも１か所あり，該第１半導体層の不純物濃度が，前記極大となる箇所から前記第２半導体層および前記第３半導体層の双方に向かって傾きをもって減少すること特徴とする半導体装置。
　＜途中省略＞
【請求項５】前記第１半導体層の最大濃度Ｎｐが， 
【数１】　１＜Ｎｐ／Ｎｄｍ≦５ 
　但し　Ｎｄｍ：第１半導体層平均濃度 
を満たすことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】前記
第１半導体層の最大濃度Ｎ
ｐ
が， 
【数２】　
１＜Ｎ
ｐ
／Ｎ
ｄｍ
≦２
　但し　Ｎｄｍ：第１半導体層平均濃度 
を満たすことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。」
「【請求項１４】第１導電型の第１半導体層と，該第１半導体層の一方の主面に形成され，該第１半導体層より高濃度の第２導電型の第２半導体層と，前記第１半導体層の他方の主面に形成され，該第１半導体層より高濃度の第１導電型の第３半導体層とを具備する半導体装置において，
前記
第１半導体層の不純物濃度が
前記第２半導体層および前記第３半導体層の双方に向かって傾きをもって減少し，かつ前記第２半導体層側および前記第３半導体層側でそれぞれ所定の不純物濃度で一定となる領域を有し
【数８】　１＜Ｎｐ／Ｎｄｍ≦５
　但し　Ｎｄｍ：第１半導体層平均濃度 
を満たすことを特徴とする半導体装置。
　＜途中省略＞
【請求項１７】前記第１半導体層の最大濃度Ｎｐが， 
【数９】　１＜Ｎｐ／Ｎｄｍ≦５ 
　但し　Ｎｄｍ：第１半導体層平均濃度 
を満たすことを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の半導体装置。」
  
「【請求項４３】
第１導電型の半導体基板
第２導電型の第２半導体層を形成
第１半導体層へ軽イオンを注入
第３半導体層を形成する
第３半導体層と前記第２半導体層で挟まれる第１半導体層に注入された軽イオンの導入領域を電気的に活性化させる
【請求項４４】前記軽イオンが第３半導体層および第２半導体層に達する位置まで存在することを特徴とする請求項４２または４３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４５】前記
軽イオンが第３半導体層および第２半導体層に接しない位置まで存在する
【請求項４６】前記
軽イオンがプロトンである
　＜途中省略＞
【請求項４８】前記
熱処理温度が３００℃以上で６００℃以下
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，高速・低損失であるだけでなく，ソフトリカバリー特性の両立を可能にするダイオードに関する
「【００３８】さらに
ドリフト層（またはバッファ層）のドナー濃度分布の最大濃度を小さくすることで，空間電荷領域の拡張が従来のバッファ構造よりもスムースとなり，かつバッファ層の積分濃度を所定濃度にすることで耐圧やソフトリカバリー効果を損なわないように逆回復時のｄＶ／ｄｔを抑制できる
「【００４２】
【発明の実施の形態】以下
本発明の実施例
図１は，この発明の第１実施例の半導体装置
この半導体装置の表面構造は通常のｐｉｎダイオードの場合と同じ
電力用途の素子
【００４３】
図１において，ｎドリフト層１の一方にｐアノード層２を形成し，他方にｎカソード層３を形成し，ｐアノード層２上にアノード電極４，ｎカソード層３上にカソード電極５を形成する。このｎドリフト層１の不純物濃度は，同図（ｂ）で示すように中央付近でピークとなり，このピークの位置Ｘｐからｐアノード層２側およびｎカソード層３側に緩やかに減少するようにする
【００４４】同図（ｂ）に示すように，
ｎドリフト層１において，ドナーの濃度，すなわち，不純物濃度Ｎｄ（Ｘ）が，ｎドリフト層１内の位置Ｘｐにおいて最大濃度を持ち，Ｘｐからアノード電極４方向またはカソード電極５方向に向かって，なだらかに不純物濃度が減少するように形成されている
ｐアノード層２とアノード電極４の境界を始点（０）として，ｐアノード層２とｎドリフト層１の境界（接合）までの距離をＸｊとし，ｎカソード層３とｎドリフト層１の境界までの距離をＷｄとした場合に，ＸｊからＷｄまでの不純物濃度分布Ｎｄ（Ｘ）を積分し，Ｗｄ−Ｘｊで割った平均濃度Ｎｄｍを
【００４５】
【数２９】　＜数式省略＞
とすると，
Ｎｄ（Ｘ）とＮｄｍとの交点が２点与えられ，それをＸｃ，Ｘｄとそれぞれ置くことができる
このＸｃとＸｄに挟まれる領域が実効的なｎバッファ層（実効ｎバッファ層１ａ）となる
  
「【００４７】
図２は，この発明の第２実施例の半導体装置
図１との違いは，ｎドリフト層１０の不純物濃度が，ｐアノード層２側付近およびｎカソード層３側付近で一定となる領域（一定不純物濃度層１０ｂ，１０ｃ）が存在する点である
【００４８】同図（ｂ）において，ｎドリフト層１０の不純物濃度は，ｐアノード層２およびｎカソード層３に接する近傍で一定となり，ｎドリフト層１０内の中央付近へ向かって，この一定の低い不純物濃度より緩やかに高くなり，中央付近の位置Ｘｐでピークとなるようにする。この
不純物濃度が高くなる領域をｎバッファ層１０ａ
【００４９】このｎバッファ層１０ａの不純物濃度Ｎｄ（Ｘ）は，位置Ｘｐにおいて最大濃度を持ち，Ｘｐからアノード電極およびカソード電極に向かって濃度がなだらかに減少する。
このｎバッファ層１０ａは，
ｎドリフト層１０の低い一定の不純物濃度となる領域（一定不純物濃度層１０ｂ，１０ｃ）と接する
「【００５６】 逆回復電圧のピーク近傍のｄＶ／ｄｔの抑制効果は，図３１に示すように，ｎドリフト層１の最大濃度Ｎｐと平均濃度Ｎｄｍの比に依存する。また，空乏層のピン止め効果（空乏層の伸びをストップさせる効果）は，ｎバッファ層１の最大濃度Ｎｐがｎドリフト層平均濃度Ｎｄｍよりも高いほど大きい。その理由は次のように説明できる。ｎバッファ層１の不純物濃度が高いほど，ｎバッファ層１ａへの空乏層（＝空間電荷領域）の侵入が抑えられる。 
【００５７】従って，電圧が増加している時に空間電荷領域がｎバッファ層１ａへ達すると，電圧の増加分δＶはｐアノード層２側の不純物濃度が低い（高比抵抗の）ｎドリフト層１でのみ担うため，その電界強度は急激に増加する。このためｄＶ／ｄｔが増加する。従って，ｎドリフト層１（ｎバッファ層１ａ）の最大濃度Ｎｐを抑えればｄＶ／ｄｔは抑制できる。 
【００５８】従って，本発明品は逆回復電流のピークを越えた後での振動が抑制され，さらに，逆回復電圧のピーク近傍でのｄＶ／ｄｔが緩やかになる。図８は，本発明品において，ｎドリフト層１（ｎバッファ層１ａ）の最大濃度Ｎｐと平均濃度Ｎｄｍの比であるＮｐ／ＮｄｍとｄＶ／ｄｔの関係を示す図である。ここで，ｄＶ／ｄｔは従来品Ｂの値で規格化している。また，図３１に，逆電圧波形とＮｐ／Ｎｄｍの関係を示す。Ｎｐ／Ｎｄｍが小さくなるとｄＶ／ｄｔが小さくなる。 
【００５９】図８に示すように，Ｎｐ／Ｎｄｍが５より小さければ，ｄＶ／ｄｔは従来品Ｂの２倍よりも小さくなり，Ｎｐ／Ｎｄｍが２より小さければ，ほぼ従来例Ｂと同じｄＶ／ｄｔとなっている。したがって
望ましくは，Ｎｐ／Ｎｄｍは２以下が良い
「【００６１】
ｐアノード層２側からｎカソード層３側に向かう任意の２点間の電界強度の減少分（電界強度の勾配）は，その２点間のｎドリフト層１（含むｎバッファ層１ａ）の積分濃度差によって決まる。従って，その値を調整して電界強度の勾配を減らし，耐圧を損ねない様にする必要がある
  
「【０１０８】図５５から図５９は，
この発明の第１６実施例の半導体装置の製造方法
アンチモン，ヒ素等のｎ型で低比抵抗のＣＺ（ＦＺの場合もある）によるバルクウェハ１００
一方の表面にｐアノード層１２１やｎカソード層１２３およびアノード電極１２２を形成する
この段階までは，従来の方法と差異はない
アノード側より軽イオン照射１２４をする
軽イオン１２５は
プロトンを照射した
軽イオンは，所望の深さに局所的に欠陥を生成することができる
軽イオン照射１２４をカソード側より行って構わない
【０１０９】本発明では，軽イオンの飛程をＸｐとして，Ｘｐが前述の数式を満たす様になるように照射する。その後，
熱処理を施すと，欠陥が回復するだけでなく，欠陥の局在している領域のドナー濃度が増加する，いわゆる軽イオンのドナー化が生じる
【０１１０】しかし，特開平９−２３２３３２号公報では，ＩＧＢＴのゲート部にカウンタードープとして用いらており，本発明のように，ｎドリフト層への不純物として用いることとは本質的に用途が異なる。また，特開２０００−７７３５０号公報では，単にゲートターンオフサイリスタ「ＧＴＯ」の半導体基板のドナー化をするためだけの記述であり，本発明のように，ドナー化によって形成する層の機能，それによって得られる素子内部の物理的効果，さらには素子そのものの電気的特性上の効果，およびその素子を用いることで得られる産業上の効果については全く示唆されていない。さらに再公表：国際公開番号ＷＯ００／１６４０８の場合，ドナー化によって形成する層は前記の従来例Ｃの図のようにｎカソード層に接するところに形成するため，本発明の構造とは本質的に形成する位置，物理的効果が異なる。」 
  
「【０１１３】
図６０から図６５は，この発明の第１７実施例の半導体装置の製造方法
リンを含むｎ型で高比抵抗のＦＺのバルクウェハ３００（図６０）にて通常のプロセス処理を行い，一方の表面にｐアノード層３０１，アノード電極３０２を形成する
その後，前記第１６実施例のように，プロトン等の軽イオン照射３０３を行う
照射後，裏面から所定の厚さまで，切削する
切削後，裏面の切削面３０５にリン等のｎ型不純物イオン（不純物３０７）のイオン注入３０６を行い（図６４），熱処理を行い，ｎカソード層３０８を形成し，その上にカソード電極３０９を形成する
【０１１４】尚，軽イオンの局在領域でのライフタイムの低下を，素子特性向上のため積極的に利用しても構わない。図６６から図７１は，この発明の第１８実施例の半導体装置の製造方法であり，工程順に示した要部製造工程断面図である。この製造方法は，第１６実施例と殆ど同じであるが，図４９の第１エピ成長層２２０の形成を省略して，バルクウエハ２００にイオン注入し，その上に第２エピ成長層２２３を形成した点が異なる。このように第１エピ層２２０を省略することで，第１６実施例より製造コストを低くすることができる。」 
  
「【０１１５】図８２は，
本発明品を適用した電力変換装置の例
ＡＣ−ＡＣ用インバータ・コンバーターである。効率良く誘導電動機やサーボモータ等を制御することが可能で，産業・電鉄などで広く用いることができる
図中のＩＧＢＴの還流用ダイオード部に用いる
  
「
」
「図６５
」
（２）上記記載から，引用文献１には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
　ア　図１は，引用文献１に記載された発明の第１実施例の半導体装置であり，
　この半導体装置の表面構造は通常のｐｉｎダイオードの場合と同じであり，
　ｎドリフト層１の一方にｐアノード層２を形成し，他方にｎカソード層３を形成し，ｐアノード層２上にアノード電極４，ｎカソード層３上にカソード電極５が形成されており，
　このｎドリフト層１の不純物濃度Ｎｄ（Ｘ）は，同図（ｂ）で示すように中央付近でピークとなり，このピークの位置Ｘｐからｐアノード層２側およびｎカソード層３側に緩やかに減少しており，
　ｐアノード層２とアノード電極４の境界を始点（０）として，ｐアノード層２とｎドリフト層１の境界（接合）までの距離をＸｊとし，ｎカソード層３とｎドリフト層１の境界までの距離をＷｄとした場合の，ＸｊからＷｄまでの不純物濃度分布Ｎｄ（Ｘ）を積分し，Ｗｄ−Ｘｊで割った値である平均濃度Ｎｄｍと，Ｎｄ（Ｘ）との交点である，ＸｃとＸｄに挟まれる領域が実効的なｎバッファ層（実効ｎバッファ層１ａ）となること。（【００４２】−【００４５】，【図１】）
　イ　図２は，引用文献１に記載された発明の第２実施例の半導体装置であり，図１に記載された半導体装置との違いは，
　ｎドリフト層１０の不純物濃度が，ｐアノード層２側付近およびｎカソード層３側付近で一定となる領域（一定不純物濃度層１０ｂ，１０ｃ）が存在することであり，
　不純物濃度が高くなる領域がｎバッファ層１０ａであり，
　このｎバッファ層１０ａは，ｎドリフト層１０の低い一定の不純物濃度となる領域（一定不純物濃度層１０ｂ，１０ｃ）と接すること。（【００４７】−【００４９】，【図２】）
　ウ　望ましくは，Ｎｐ／Ｎｄｍは２以下が良いこと。（【００５９】）
　エ　引用文献１に記載された発明の第１６実施例の半導体装置の製造方法は，
　バルクウェハ１００に，エピタキシャル層１２０を形成し，一方の表面にｐアノード層１２１やｎカソード層１２３およびアノード電極１２２を形成し，その後，アノード側よりプロトンを照射して，所望の深さに局所的に欠陥を生成し，熱処理を施すものであり，
　前記熱処理を施すことによって，欠陥が回復するだけでなく，欠陥の局在している領域のドナー濃度が増加する，いわゆる軽イオンのドナー化が生じること。及び，プロトンの照射をカソード側より行って構わないこと。（【０１０８】−【０１０９】）
　オ　図６０から図６５は，引用文献１に記載された発明の第１７実施例の半導体装置の製造方法を，工程順に示した要部製造工程断面図であって，
　前記製造方法は，リンを含むｎ型で高比抵抗のＦＺのバルクウェハ３００（図６０）にて通常のプロセス処理を行い，一方の表面にｐアノード層３０１，アノード電極３０２を形成し，その後，前記第１６実施例のように，プロトン等の軽イオン照射３０３を行い，照射後，裏面から所定の厚さまで，切削し，その後，裏面の切削面３０５にリン等のｎ型不純物イオン（不純物３０７）のイオン注入３０６を行い，熱処理を行い，ｎカソード層３０８を形成し，その上にカソード電極３０９を形成するものであること。（【０１１３】）
　カ　図６５は，図６４に続く，引用文献１に記載された発明の第１７実施例の要部製造工程断面図であって，上記（１）で摘記した事項を参照すると，同図から，以下の構造を備えた半導体装置を見て取ることができること。
「裏面から所定の厚さまで切削されたバルクウェハ３００の表面に，ｐアノード層３０１，アノード電極３０２を有し，裏面に，ｎカソード層３０８，カソード電極３０９を有するｐｉｎダイオードであって，
　前記裏面から所定の厚さまで切削されたバルクウェハは，プロトンを照射して，所望の深さに局所的に欠陥を生成し，熱処理を施すことによって，欠陥が局在している領域のドナー濃度を増加させた領域を有しており，
　前記裏面から所定の厚さまで切削されたバルクウェハの，前記ｐアノード層３０１と前記ｎカソード層３０８に挟まれた領域（図２及び技術常識から，「ｎドリフト層」と理解される。）は，不純物濃度が，中央付近でピークとなり，このピークの位置からｐアノード層側およびｎカソード層側に緩やかに減少する領域（「ｎバッファ層」）と，前記不純物濃度が，前記ｐアノード層側付近およびｎカソード層側付近で一定となる領域（「ｐアノード層側付近の一定不純物濃度層」及び「ｎカソード層側付近の一定不純物濃度層」）とを有し，
　前記ｎバッファ層は，前記ｐアノード層側付近の一定不純物濃度層，及び，前記ｎカソード層側付近の一定不純物濃度層と接する
　ｐｉｎダイオード。」
２　引用発明
　上記１からみて，第１７実施例の半導体装置の製造方法で製造された「ｐｉｎダイオード」に関する，以下の発明が記載されている。（以下「引用発明」という。）
「裏面から所定の厚さまで切削されたバルクウェハ３００の表面に，ｐアノード層３０１，アノード電極３０２を有し，裏面に，ｎカソード層３０８，カソード電極３０９を有するｐｉｎダイオードであって，
　前記裏面から所定の厚さまで切削されたバルクウェハは，プロトンを照射して，所望の深さに局所的に欠陥を生成し，熱処理を施すことによって，欠陥が局在している領域のドナー濃度を増加させた領域を有しており，
　前記裏面から所定の厚さまで切削されたバルクウェハの，前記ｐアノード層３０１と前記ｎカソード層３０８に挟まれた領域（「ｎドリフト層」）は，不純物濃度が，中央付近でピークとなり，このピークの位置からｐアノード層側およびｎカソード層側に緩やかに減少する領域（「ｎバッファ層」）と，前記不純物濃度が，前記ｐアノード層側付近およびｎカソード層側付近で一定となる領域（「ｐアノード層側付近の一定不純物濃度層」及び「ｎカソード層側付近の一定不純物濃度層」）とを有し，
　前記ｎバッファ層は，前記ｐアノード層側付近の一定不純物濃度層，及び，前記ｎカソード層側付近の一定不純物濃度層と接する
　ｐｉｎダイオード。」
第５　対比 
　本願発明と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
　ア　ｐｉｎダイオードは，半導体装置の一種である。また，引用発明に係る「ｐｉｎダイオード」において，電流が，裏面から所定の厚さまで切削されたバルクウェハ３００の表面に対して，垂直方向に流れることは明らかである。さらに，引用文献１の【０１１５】には，引用発明を，電力変換装置に適用すること，及び，ＩＧＢＴの還流用ダイオード部に用いること等が記載されている。したがって，引用発明に係る「ｐｉｎダイオード」は，垂直パワー半導体素子の一種といえる。
  
　イ　引用発明の「裏面から所定の厚さまで切削されたバルクウェハ３００」は，「半導体基板を備えた半導体基材」といえる。
　ウ　引用発明に係る「ｐｉｎダイオード」の「ｎドリフト層」を構成する「ｎバッファ層」，「ｐアノード層側付近の一定不純物濃度層」及び「ｎカソード層側付近の一定不純物濃度層」は，いずれも半導体の「層」である。そして，「ゾーン」とは，「何らかの目的・特徴などによって隣接領域とは区分された領域」あるいは「外観・特徴などが他と異なっている領域」という程度の意味を有する用語である。そうすると，不純物濃度の高さ，及び，領域内での不純物濃度の変化の有無において異なる「ｎバッファ層」，「ｐアノード層側付近の一定不純物濃度層」及び「ｎカソード層側付近の一定不純物濃度層」は，いずれも，それぞれが，「半導体ゾーン」であるといえる。してみれば，引用発明の「ｎバッファ層」及び「ｎカソード層側付近の一定不純物濃度層」は，それぞれ，本願発明の「第１の半導体ゾーン」及び「第２の半導体ゾーン」に相当する。
　エ　また，引用発明の「ｎドリフト層」は，逆電圧に耐え得るように設計されている（前記第４の（１）【００３８】，【００６１】参照。）から，本願明細書【００１５】の「素子ゾーン（例えば，ＭＯＳＦＥＴの場合はドリフトゾーン）」との説明に照らして，引用発明の「前記ｐアノード層３０１と前記ｎカソード層３０８に挟まれた領域（「ｎドリフト層」）」は，本願発明の「前記素子がオフ状態において駆動された際に逆電圧に耐え得るように設計されて」いる「素子ゾーン」に相当する。
　オ　引用発明の「ｎドリフト層」は，「ｎバッファ層」と「ｐアノード層側付近の一定不純物濃度層」及び「ｎカソード層側付近の一定不純物濃度層」から構成されることから，引用発明の「ｎドリフト層」は，少なくとも部分的には「ｎバッファ層」内に配置されているといえる。したがって，本願発明と引用発明は，「少なくとも部分的には，前記第１の半導体ゾーン内に配置されている，素子ゾーン」を有している点で一致する。
 
　カ　引用発明の「プロトンを照射して，所望の深さに局所的に欠陥を生成し，熱処理を施すことによって，欠陥が局在している領域のドナー濃度を増加させた領域」の「ドナー」は，本願発明の「水素誘起ドナー」に相当する。さらに，引用発明の「ｎバッファ層」が，「プロトンを照射して，所望の深さに局所的に欠陥を生成し，熱処理を施すことによって，欠陥が局在している領域のドナー濃度を増加させ」ることによって形成されていることに照らして，引用発明の「ｎバッファ層」は，「水素誘起ドナーによって形成されたｎ型ドーピングを有」するものといえる。 
  
　そうすると，引用文献１には，以下の範囲で，本願発明と，一致及び相違する発明が記載されている。 
  
＜一致点＞ 
「垂直パワー半導体素子であって，
　第１の半導体ゾーンおよび前記第１の半導体ゾーンに隣接する第２の半導体ゾーンを有する半導体基板を備えた半導体基材と，
　前記素子がオフ状態において駆動された際に逆電圧に耐え得るように設計されており，且つ，少なくとも部分的には，前記第１の半導体ゾーン内に配置されている，素子ゾーンと，
を有し，
　前記第１の半導体ゾーンは，水素誘起ドナーによって形成されたｎ型ドーピングを有し，
　前記第１の半導体ゾーンのドーピング濃度は，前記第２の半導体ゾーンのドーピング濃度より高い，
垂直パワー半導体素子。」
＜相違点＞ 
・相違点１：本願発明では，「第１の半導体ゾーンのドーピング濃度は，前記半導体基板の垂直方向に，前記第１の半導体ゾーンの少なくとも６０％の範囲にわたる領域では，水素誘起ドナーの最大ドーピング濃度と最小ドーピング濃度との比が３より小さくなるように均質であ」るのに対して，引用発明では，このような特定がされていない点。 
  
第６　判断 
　上記相違点について，判断する。
　ア　相違点１について 
　引用文献１の「本発明は，高速・低損失であるだけでなく，ソフトリカバリー特性の両立を可能にするダイオードに関する。」（【０００１】）との記載からも明らかなように，引用発明は，高速・低損失であるだけでなく，ソフトリカバリー特性の両立を可能にするダイオードである。
　してみれば，前記「高速・低損失であるだけでなく，ソフトリカバリー特性の両立を可能にする」という課題を解決する為に，引用文献１の【請求項６】の「前記第１半導体層の最大濃度Ｎｐが，【数２】１＜Ｎｐ／Ｎｄｍ≦２　但し　Ｎｄｍ：第１半導体層平均濃度を満たすことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。」との記載，【００３８】の「ドリフト層（またはバッファ層）のドナー濃度分布の最大濃度を小さくすることで，空間電荷領域の拡張が従来のバッファ構造よりもスムースとなり，かつバッファ層の積分濃度を所定濃度にすることで耐圧やソフトリカバリー効果を損なわないように逆回復時のｄＶ／ｄｔを抑制できる。」との記載，及び，【００５９】の「望ましくは，Ｎｐ／Ｎｄｍは２以下が良い。」との記載に基づいて，引用発明において，Ｎｐ／Ｎｄｍは２以下の小さなものとする動機が存在する。 
　そして，引用発明の「プロトンを照射して，所望の深さに局所的に欠陥を生成し，熱処理を施すことによって，欠陥が局在している領域のドナー濃度を増加させた領域」における，「中央付近でピークとな」る「不純物濃度」は，前記「望ましくは，Ｎｐ／Ｎｄｍは２以下が良い。」とされた条件における，「Ｎｐ」，すなわち「最大濃度」にあたる。 
　してみれば，引用発明において，「プロトンを照射して，所望の深さに局所的に欠陥を生成し，熱処理を施すことによって，欠陥が局在している領域のドナー濃度を増加させた領域」を形成するにあたり，前記ピークとなる不純物濃度を，「Ｎｄｍ」の２倍以下となるように，半導体基板の垂直方向に均質となるようにすることは当業者が容易になし得たものであり，その際に，上記均質の程度として，「上記半導体ゾーンの少なくとも６０％の範囲にわたる領域では，水素誘起ドナーの最大ドーピング濃度と最小ドーピング濃度との比が３より小さくなる」ようにすること，すなわち，引用発明において，相違点１について，本願発明の構成を採用することは，当業者が適宜なし得たことである。
  
　そして，本願の明細書及び図面には，前記「上記半導体ゾーンの少なくとも６０％の範囲にわたる領域では，水素誘起ドナーの最大ドーピング濃度と最小ドーピング濃度との比が３より小さくなる」という条件における「少なくとも６０％の範囲」という限定，及び，「３より小さくなる」という限定によって，どのような効果を奏するかについて何ら記載されておらず，また，これらの各数値に臨界的な意義が有ることを示す具体的な実験データ等の記載も存在しない。しかも，本願発明は，「垂直パワー半導体素子」ということ以外に半導体装置の種類・構造を特定しておらず，「第１の半導体ゾーン」及び「素子ゾーン」が，いかなる機能を果たすゾーンであるかも特定されていない。したがって，本願明細書，図面の記載及び技術常識を参酌しても，本願発明において，前記「６０％」及び「３」という値に臨界的な意義を見いだすことはできない。 
  
　イ　審判請求人の主張について
　審判請求人は，平成３０年９月１９日に提出した意見書において，「なお，図５から明らかなように，第２の半導体ゾーン（１０４）の第１の半導体ゾーン（１０３）とは反対側の面（１１１）にはドレイン電極（２６）が形成されており，第２の半導体ゾーン（１０４）のドーピング濃度ＮＤ０より高いドーピング濃度を有するゾーンは，第２の半導体ゾーン（１０４）の第１の半導体ゾーン（１０３）とは反対側の面側には形成されていません。引例１の図６５に示すように，バルクウェハ（３００）が本願発明の第１の半導体ゾーン（１０３）に対応するものと認定されています。しかしながら，バルクウェハ（３００）の不純物濃度は，バルクウェハ（３００）に隣接するｎカソード層（３０８）の不純物濃度より低く，本願発明の構成と反対です。」と，本願発明と，引用文献１に記載された発明との差異を主張する。
　しかしながら，本願の発明の詳細な説明の【００８３】には，「上記ＭＯＳＦＥＴのドリフトゾーン２３は，部分的にはエピタキシャル層２００によって形成されており，部分的にはウェハ区域１００'の低析出物半導体ゾーン１０３によって形成されている。
ドレインゾーン２４は，ドリフトゾーン２３よりも高濃度にドープされた半導体ゾーンであり
　
　なお，本願の請求項１の記載において，「ドーピング濃度」としては，「水素誘起ドナー」によって形成された「ｎ型ドーピング」の「ドーピング濃度」が記載されているだけであり，さらに，審判請求人が，平成３０年９月１９日付けの手続補正において，請求項１に「前記第１の半導体ゾーン（１０３）のドーピング濃度は，前記第２の半導体ゾーン（１０４）のドーピング濃度より高い」という事項を追加する際の補正の根拠として同日付けの意見書において示した図３が，「ＣＺウェハ１００の低析出物半導体ゾーン１０３内に，ｎ型ドープされた半導体ゾーンを形成する方法について，図３Ａ〜図３Ｃを参照しながら以下に説明する。」（【００５９】），「既に説明したように，水素誘起ドナーの形成は，適切な結晶欠陥およびプロトンが存在していることが前提となっている。上記熱プロセスの長さは，主に末端域領域内に導入されたプロトンが，前面１０１の方向における相当の範囲に拡散し，これによって，低析出物半導体ゾーン１０３の照射領域内に可能な限り均質なｎ型ドーピングが形成されるように，選択されることが好ましい。」（【００６２】），及び，「図３Ｃに見られるように，前面１０１から伸びるｎ型半導体ゾーン１０５は，ほぼ均質なドーピング特性（ドーピング濃度ＮＤ）を有している。このドーピング特性は，ｎ型半導体ゾーン１０５の末端領域内において最高ドーピング濃度ＮＤｍａｘまで上昇し，そして基本ドーピングＮＤ０まで低下している。」（【００６５】）というものであって，「垂直パワー半導体素子」を作製する途中の一段階における「水素誘起ドナー」によって形成された「ｎ型ドーピング」の「ドーピング濃度」の特性を特定するものでしかないこと，及び，本願の発明の詳細な説明の【００８３】に「上記ＭＯＳＦＥＴのドリフトゾーン２３は，部分的にはエピタキシャル層２００によって形成されており，部分的にはウェハ区域１００'の低析出物半導体ゾーン１０３によって形成されている。
ドレインゾーン２４は，ドリフトゾーン２３よりも高濃度にドープされた半導体ゾーンであり
　そうすると，審判請求人の，平成３０年９月１９日付けの意見書における，「ｎカソード層（３０８）の不純物濃度」と「バルクウェハ（３００）の不純物濃度」とを比較する主張は，前記「ｎカソード層（３０８）の不純物濃度」が，引用文献１の「切削後，裏面の切削面３０５にリン等のｎ型不純物イオン（不純物３０７）のイオン注入３０６を行い（図６４），熱処理を行い，ｎカソード層３０８を形成し，その上にカソード電極３０９を形成する（図６５）。」（【０１１３】）の記載からも明らかなように，「水素誘起ドナー」によって形成された「ｎ型ドーピング」の「ドーピング濃度」ではないから，この点においても審判請求人の主張は，その主張の前提を欠いており採用することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり，引用発明は，その原出願の優先日前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１に記載された発明に基づいて，その原出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。