【事件の表示】
　平成　６年特許願第２５２６９５号「透明導電性膜のドライエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　４月１２日出願公開、特開平　８−　９７１９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成６年９月２２日の出願であって、平成１４年１１月１８日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内である平成１５年１月２４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１６年１月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月１１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月１２日付けで手続補正がなされ、さらに、当審における平成１８年２月１０日付けの審尋に対して、同年４月２４日に回答書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　
　本願請求項１〜６に係る発明は、平成１６年４月１２日付け手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】　ハロゲンガスまたはハロゲン化水素ガスを含むエッチングガスの高周波プラズマを利用して、基板上のＳｎＯ2 或いはＩｎ2Ｏ3或いはＺｎＯを主成分とする透明導電性膜のドライエッチング方法において、前記ハロゲンガスまたはハロゲン化水素ガスとして、臭素、臭化水素、ヨウ素およびヨウ化水素からなる群から選択される少なくとも１種のガスを用い、前記エッチングガスは更に不活性ガスを0.5〜50vol％含むと共に、エッチングレートが800Å／min以上であることを特徴とする透明導電性膜のドライエッチング方法。」
　
３．引用刊行物の記載事項
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である米国特許第５２８６３３７号明細書（以下、「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている（なお、必要に応じて、これに対応する日本出願の公開公報である特開平６−２８３４８１号公報を参照されたい）。
　
（イ）「I claim:
1. A method of etching a thin layer of indium tin oxide deposited on a substrate comprising subjecting said layer of indium tin oxide to reactive ion etching in a plasma containing dissociated hydrogen 
bromide or a mixture of dissociated hydrogen bromide and dissociated boron trichloride.
2. The method of claim 1 wherein the plasma contains no dissociated boron trichloride.
・・・・
1. The method of claim 2 wherein the plasma contains in addition a 
non-reactive gas selected from the group consisting of Ar, He and N2.
・・・・
16. A method of forming a fine transparent, electrically conductive pattern of indium tin oxide on an electrically insulating substrate, said method comprising:
(a) depositing a thin transparent layer of indium tin oxide on said substrate,
(b) forming a photoresist having the desired pattern on said layer 
of indium tin oxide to thereby provide exposed sections of said 
layer of indium tin oxide corresponding to said pattern,
(c) exposing said exposed sections of indium tin oxide to reactive 
ion etching in a plasma containing a mixture of dissociated hydrogen bromide and dissociated boron trichloride for a time sufficient to 
remove said exposed sections of indium tin oxide from said substrate, and
(d) removing said photoresist.
・・・・
21. The method of claim 16 wherein the plasma is free of dissociated boron trichloride.
22. The method of claim 21 wherein the layer of indium tin oxide is provided on a thin layer of silicon dioxide which layer of silicon 
dioxide is provided on a silicon substrate.
23. The method of claim 22 wherein the etching is carried out with a gas flow containing dissociated hydrogen bromide and a nonreactive 
gas in a percent by volume of 1 to 99%, a gas flow of 10-100SCCM, a pressure of 100-200 mTorr and a RF power of 100-500 W.
2. The method of claim 23 wherein the nonreactive gas is selected 
from the group consisting of the noble gases and nitrogen.」（第４欄第１３行〜第６欄第１７行）
（ロ）「With a plasma containing only, as the etchant, dissociated 
HBr, an etch rate of up to 500 Å/Min of ITO may be achieved.
・・・・
　Generally, a gas flow of 10-100SCCM and a gas pressure of 50-200 
Mtorr with an RF power of 100-500 watts is employed. Under these 
conditions, an etch rate of ITO of 100-500Å/Min is achieved.」（第３欄第１５〜２７行）
（ハ）「EXAMPLE
　Referring to FIG. 1a of the drawing, a thin silicon dioxide layer 1 of a thickness of 1000 Å was provided on the surface of a silicon wafer 2. The silicon dioxide layer 1 was formed by thermal oxidation on the surface of the silicon wafer 2. An ITO layer 3 of a thickness of 1100 Å was sputter deposited at 300℃. on the silicon dioxide 
layer 1 and then annealed in air at 300℃. for 30 minutes.
　A positive photoresist layer 4, Kodak 820 was then deposited on 
the layer 3 of ITO. The resultant structure formed is as shown in 
FIG. 1b.
　The photoresist layer 4 was then subjected to patterned 
photolithography by an ASM stepper so as to provide a patterned 
photoresist layer 7 on the ITO layer 3 having lines of a width of 2.0μ and spacings of about 2.0μ. This structure is shown in FIG. 1c. The structure shown in FIG. 1c was then subjected to reactive ion 
etching in the following manner.
　The structure shown in FIG. 1c was placed in a 
temperature-controlled electrode of a single wafer reactive ion 
etcher such as a Plasma-Therm in-line-etcher, model-360. The 
temperature of the electrode bearing the structure shown in FIG. 
1c was set at 25℃.
　Etching was carried out with a plasma containing only dissociated HBr at an RF power of 200W, a pressure of 100 mtorr, with a gas flow of 80 SCCM.
　The etch rates for the ITO layer 3, the patterned 
photoresist layer 7 and the silicon dioxide layer 1 was determined 
by a Dektak or Nanospec.
　The etch rate was found to be 350 Å/Min for the ITO layer 3, 300 Å/Min for the photoresist layer 4 and 100 Å/Min for the SiO2 layer 1.
　After 3 minutes, the etching of the ITO layer 3 was shown to be 
complete as determined by detection of the emission spectra peak at 325nm.
　The patterned photoresist layer 7 was then removed by an oxygen 
plasma followed by cleaning with a mixture of H2SO4 and H2O2. The 
resulting structure is shown in FIG. 1d.
　This structure consisted of ITO electrodes 6 of a thickness of 1100 Å and a width of 1.9μ and with spacings 5 between these 
electrodes of 2.1μ.
　No etching of the SiO2 layer was indicated to have taken place.
　The etch rate for layer of ITO, the photoresist of the example and silicon dioxide for an RF power of 150, 175, 200 and 225W is shown 
in the graph of FIG. 2.」（第３欄第３２行〜第４欄第１２行）
（ニ）FIG. 2には、「RF POWER」を150, 175, 200, 225Wと変化させていくと、それに従って、ＩＴＯ膜の「ETCH RATE」が100Å/min付近から500Å/min付近まで上昇することが示されている。
　
４．当審の判断
　
（１）引用発明、及び、本願発明と引用発明との対比
　上記摘記事項（イ）のclaim23に着目しながら、摘記事項（イ）〜（ニ）を総合すると、上記引用刊行物には、次の事項が記載されているといえる。
「シリコン基板上の二酸化シリコン薄層上に形成されたＩＴＯ膜を、反応性イオンエッチングする方法であって、エッチングガスとして、臭化水素、及び、1〜99vol％の不活性ガスを含むガスを用い、エッチング条件を、ガス流量10〜100SCCM、圧力100〜200mTorr、高周波電力100〜500Wとすることにより、100〜500Å／minというエッチングレートが達成されるエッチング方法。」（以下、「引用発明」という。）
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「シリコン基板上の二酸化シリコン薄層上に形成されたＩＴＯ膜」は、本願発明における「基板上のＳｎＯ2或いはＩｎ2Ｏ3を主成分とする透明導電性膜」に相当するものであるから、
　両者は、
「ハロゲンガスまたはハロゲン化水素ガスを含むエッチングガスの高周波プラズマを利用して、基板上のＳｎＯ2 或いはＩｎ2Ｏ3或いはＺｎＯを主成分とする透明導電性膜のドライエッチング方法において、前記ハロゲンガスまたはハロゲン化水素ガスとして、臭化水素のガスを用い、前記エッチングガスは更に不活性ガスを含む、透明導電性膜のドライエッチング方法。」
　である点で一致し、次の点で相違している。
相違点１：本願発明は不活性ガスを0.5〜50vol％含むのに対して、引用発明は該不活性ガスの含有量を1〜99vol％としている点。
相違点２：本願発明は、エッチングレートが800Å／min以上であることを明示しているのに対して、引用発明においては、エッチングレートに関し、100〜500Å／minが達成されるとしている点。
　
（２）相違点の検討
（２−１）相違点１について
　一般に、不活性ガスは、エッチングガスの希釈（濃度調整）を目的として使用する場合や、イオンアシスト効果によるエッチングレートの向上を期待して用いられる場合（例えば、徳山巍編著「集積回路プロセス技術シリーズ　半導体ドライエッチング技術」(平成４年１０月６日発行）、産業図書株式会社、第４８〜６６頁の「３．４　イオン照射がある場合のエッチング」の項を参照）などがあるが、いずれにせよ、不活性ガスを闇雲に添加すればよいというものではなく、エッチング方法やエッチング条件などを考慮し、その含有量の最適化を図る必要があることはいうまでもない。
　そして、ＩＴＯ膜のドライエッチングの分野に特定してみても、エッチングガスに不活性ガスを添加すると、そのイオンアシスト効果によりエッチングが促進されることは、本願出願前既に周知の事項であると認められる（要すれば、特開平６−１５１３７９号公報の段落【００１１】、特表平５−５００８８６号公報の第３頁左上欄第２行〜右上欄第４行、特開平１−２５９１８４号公報の第３頁左上欄第７〜１１行、「Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.31(1992)，pp.2006-2010」のFig.4参照）。
　してみると、当該周知の事項を熟知する当業者であれば、引用発明において、イオンアシスト効果によるエッチングレートの向上を期待して、不活性ガスを用いること、さらには、その含有量の最適化を図ることは、容易に想到し得る事項というべきである。
　
　さらに、最適化された数値範囲について検討してみる。
　本願の当初明細書には、本願発明において不活性ガスを混合する目的、及び該不活性ガス量を0.5〜50vol％とした理由について次のように説明されている。
「ハロゲンガス或いはハロゲン化物ガスにＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスを混合することによって、
A)混合ガスの電離電圧を上げ、放電インピーダンスを上げることが出来る。また、不活性ガスは安定準位状態から準安定状態に移行するエネルギーをヨウ化水素（ＨＩ）解離のエネルギーとして使用することが出来るので、
B)結果的にヨウ素イオン（Ｉ+）とヨウ素ラジカル（Ｉ*）、水素イオン（Ｈ+：透明導電性膜の還元作用促進）の個数を増加させる、
即ち、前記A)、B)の２つの効果でエッチングレートの向上に寄与する。」（段落【００３４】）
「本発明においてハロゲン或いはハロゲン化物ガスを含むエッチングガス中に混合するアルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガスから成る群より選択された少なくとも１種を0.5〜50vol％としたのは、混合する不活性ガス量が0.5vol％に満たない場合は混合の効果が不明確でエッチングレートの上昇が極めて少ないからであり、また、混合する不活性ガス量が50vol％を超える場合はエッチャントが希釈され、混合効果が逆効果となり、エッチングレートが低下するからである。」（段落【００３６】）
　これによると、本願発明の上記相違点１に係る構成は、不活性ガスによる周知のイオンアシスト効果を期待してなされたものであり、その効果が得られる所定含有量を実験的に確認した結果であると解することができる。
　しかしながら、引用発明にみられるような、臭化水素ガスを用いたＩＴＯ膜のエッチングにおいては、エッチング反応として、まずプラズマ中に発生している活性状態の水素によりＩＴＯが還元されてＩｎとＳｎとなり、このＩｎとＳｎが活性状態の臭素と反応し、臭化物となってガス化し、エッチングが進行することになるわけであるから（要すれば、特開平５−３４３３６５号公報の段落【０００８】参照）、このような系において、イオンアシスト効果によるエッチングレートの向上を期待し、不活性ガスを使用する場合、該不活性ガスの含有量が多すぎれば、ＩＴＯ膜中のＩｎ、Ｓｎとの反応に要する臭化水素ガス（反応ガス）量が担保されず、逆に少なすぎれば、所望するイオンアシスト効果が得られないことは容易に予測し得るところである。
　また、本願の図２等に示された実験結果をみるかぎり、0.5〜50vol％という数値範囲の境界において、エッチングレートが定量的に突出した特異な状況にあるとはいえず、その上下限値に特段の臨界的な意義を認めることはできない。
　したがって、上記のように、引用発明において、イオンアシスト効果によるエッチングレートの向上を期待して、不活性ガス含有量の最適化を図るに際しては、その目的とするイオンアシスト効果が奏される範囲を選択することは当然の帰結であり、当該範囲を単に実験的に検証し、0.5〜50vol％という最適範囲を見い出すことにも格別の創意を要するものではない。
　
（２−２）相違点２について
　エッチングレートの数値は、不活性ガスによるイオンアシスト効果に起因する部分もさることながら、エッチング条件、特に高周波電力にも左右されるものである（要すれば、上記摘記事項（ニ）、「Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.31(1992)，pp.2006-2010」のFig.1、さらには本願の図２を参照）。
　また、引用発明は、高周波電力の最適範囲を100〜500Wとしていることから、引用刊行物のFig.2に図示されたものを、高周波電力が500Ｗ程度まで外挿してみると、概してそのエッチングレートは、500Å／minを優に超える値となることが容易に理解できる。
　そうすると、引用発明は、100〜500Å／min程度のエッチングレートが達成されることを明示するものであるが、これは、500Å／min以上のエッチングレートを達成不可能な値として位置付けているわけではなく、少なくともその範囲は担保できるという意味に解するのが相当である。
　そして、ＩＴＯ膜のプラズマエッチングにおいて、800Å／min以上というエッチングレートは、従来から到底達成不可能な数値として認識されていたわけでもない（要すれば、特開平１−２５９１８４号公報の第５表、「Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.31(1992)，pp.2006-2010」のFig.4、「Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.33(1994)，pp.4438-4441」のFig.2参照）。
　してみると、引用発明において、800Å／min以上というエッチングレートを達成することは、前記（２−１）の項で記載した不活性ガス添加によるイオンアシスト効果、及び、高周波電力などのエッチング条件の調整により克服し得るものであり、特段困難なところは見い出せないから、本願発明は、当該相違点２に係る構成を具備することにより特許性を有しているともいえない。
　
　このように、上記相違点１、２に係る構成は特別なものではなく、これを備えることにより奏される本願発明の作用効果も格別顕著なものとはいえないから、本願発明は、上記引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　
　よって、結論のとおり審決する。