(57)【要約】【課題】本発明の実施形態は、形成しようとするパターンの寸法が大きい場合であってもインプリント法を用いた適正なパターンの形成を行うことのできるパターンの形成方法、電子デバイスの製造方法、および電子デバイスを提供する。【解決手段】実施形態によれば、基体の表面に第１の被転写層を形成する工程と、第１のインプリント型を用いて前記第１の被転写層に第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンを成形して第１のマスクを形成する工程と、前記第１のマスクを用いて前記基体の表面に第１のエッチングを施す工程と、を備え、前記第１のマスクを形成する工程において、前記第１のレジストパターンの表面に所定の厚みを有した膜を成膜することで前記第１のレジストパターンを成形すること、を特徴とするパターンの形成方法が提供される。【選択図】図１
2012069687.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の表面に第１の被転写層を形成する工程と、
第１のインプリント型を用いて前記第１の被転写層に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンを成形して第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクを用いて前記基体の表面に第１のエッチングを施す工程と、
を備え、
前記第１のマスクを形成する工程において、前記第１のレジストパターンの表面に所定の厚みを有した膜を成膜することで前記第１のレジストパターンを成形すること、を特徴とするパターンの形成方法。
【請求項２】
前記第１のレジストパターンを形成する工程において、前記第１のマスクを形成する工程における前記膜の厚みを考慮した寸法を有する第１のレジストパターンを形成することを特徴とする請求項１記載のパターンの形成方法。
【請求項３】
前記第１のレジストパターンを形成する工程において、複数の前記第１のレジストパターンを形成し、
前記第１のマスクを形成する工程において、前記膜を成膜することで前記第１のレジストパターン同士の間を埋めることを特徴とする請求項１または２に記載のパターンの形成方法。
【請求項４】
前記第１のマスクを形成する工程において、以下の（４）式を満足する場合には、前記第１のレジストパターン同士の間が埋められることを特徴とする請求項３記載のパターンの形成方法。
ｓ≦２・ｄ  ・・・・・・（４）
ここで、ｓは前記第１のレジストパターン間の寸法、ｄは前記膜の厚みである。
【請求項５】
前記第１のインプリント型のパターン部は、毛管現象により前記第１の被転写層が引き込まれることができる寸法を有したこと、を特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のパターンの形成方法。
【請求項６】
前記第１のエッチングが施された前記基体の表面に第２の被転写層を形成する工程と、
第２のインプリント型を用いて前記第２の被転写層に第２のレジストパターンを形成して第２のマスクを形成する工程と、
前記第２のマスクを用いて前記基体の表面に第２のエッチングを施す工程と、
をさらに備えたこと、を特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のパターンの形成方法。
【請求項７】
以下の（５）式および（６）式を満足する場合には、前記第２のマスクを形成する工程が実施されないこと、を特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のパターンの形成方法。
ｓ＞２・ｄ  ・・・・・・（５）
ｔ＞２・ｄ  ・・・・・・（６）
ここで、ｓは前記第１のレジストパターン間の寸法、ｄは前記膜の厚み、ｔは前記第１のレジストパターンの寸法である。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載のパターンの形成方法を用いて基体の表面にパターンを形成すること、を特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１つに記載のパターンの形成方法を用いて形成されたパターンを有する基体を備えたこと、を特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターンの形成方法、電子デバイスの製造方法、および電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、フラットパネルディスプレイ、光半導体装置などの電子デバイスを安価に大量生産できる技術としてインプリント法が知られている。インプリント法は、電子ビームリソグラフィ法などにより凹凸状のパターンが形成されたインプリント型（テンプレート、スタンパ、モールドなどとも称される）を基体の表面に形成された樹脂などからなる被転写層へ機械的に押し付けることにより、インプリント型に形成されたパターンを被転写層に転写する技術である。  
ところが、インプリント法を用いてパターンの転写を行う場合、転写されるパターンの寸法が大きくなるとインプリント型に形成されたパターン部に被転写層を充填する時間が長くなったり、充填不良が生じたりするという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３２９２７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、形成しようとするパターンの寸法が大きい場合であってもインプリント法を用いた適正なパターンの形成を行うことのできるパターンの形成方法、電子デバイスの製造方法、および電子デバイスを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態によれば、基体の表面に第１の被転写層を形成する工程と、第１のインプリント型を用いて前記第１の被転写層に第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンを成形して第１のマスクを形成する工程と、前記第１のマスクを用いて前記基体の表面に第１のエッチングを施す工程と、を備え、前記第１のマスクを形成する工程において、前記第１のレジストパターンの表面に所定の厚みを有した膜を成膜することで前記第１のレジストパターンを成形すること、を特徴とするパターンの形成方法が提供される。
【０００６】
また、他の実施形態によれば、上記のパターンの形成方法を用いて基体の表面にパターンを形成すること、を特徴とする電子デバイスの製造方法が提供される。
【０００７】
また、他の実施形態によれば、上記のパターンの形成方法を用いて形成されたパターンを有する基体を備えたこと、を特徴とする電子デバイスが提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は第１の実施形態に係るパターンの形成方法を例示するための模式工程断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は第１の実施形態に係るパターンの形成方法を例示するための模式工程断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は比較例に係るパターンの形成方法を例示するための模式工程断面図である。
【図４】パターンの寸法（幅寸法）と充填時間との関係を例示するための模式グラフ図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は第２の実施形態に係るパターンの形成方法を例示するための模式工程断面図である。
【図６】マスクの形成工程における成膜条件を例示するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
[第１の実施形態]  
図１、図２は、第１の実施形態に係るパターンの形成方法を例示するための模式工程断面図である。  
図３は、比較例に係るパターンの形成方法を例示するための模式工程断面図である。  
まず、図３に例示をする比較例に係るパターンの形成方法について説明する。  
図３（ａ）に示すように、表面に被転写層１０２が形成された基体１０１をインプリント型１０３のパターン部１０３ａ、パターン部１０３ｂと対向させるようにして載置する。
この場合、パターン部１０３ｂの寸法Ｐｂはパターン部１０３ａの寸法Ｐａよりも大きいものとされている。
【００１０】
次に、図３（ｂ）に示すように、インプリント型１０３の位置を変化させてインプリント型１０３のパターン部１０３ａ、パターン部１０３ｂを被転写層１０２に機械的に押しつける。そして、パターン部１０３ａ、パターン部１０３ｂを被転写層１０２に押し付けた状態で被転写層１０２を硬化させる。  
図３（ｃ）に示すように、インプリント型１０３の位置を変化させてインプリント型１０３を離型させる。
【００１１】
ここで、パターン部１０３ａとパターン部１０３ｂとでは、パターン部に被転写層１０２を充填させる際に必要となる時間（充填時間）や充填の難易度が異なるものとなる。  
図４は、パターンの寸法（幅寸法）と充填時間との関係を例示するための模式グラフ図である。  
図４から分かるように、パターンの寸法が大きくなるほど充填時間が長くなる。  
この充填時間は、インプリント型１０３のパターン部を被転写層に押し付ける力と、毛細管現象によりパターン部に被転写層が引き込まれる力（表面張力）の影響を受けることになる。この場合、インプリント型１０３のパターン部を被転写層に押し付ける力は所定の値とされるため、毛細管現象により生ずる力の影響の方が大きなものとなる。  
そのため、インプリント型１０３のパターン部の寸法が大きくなるほど毛管現象によりパターン部に被転写層が引き込まれる力が弱くなるので、充填時間が長くなることになる。すなわち、形成しようとするパターンが大きくなるほど充填時間が長くなることになる。また、パターン部に被転写層が引き込まれる力が弱くなれば充填が困難となり、図３（ｂ）に示すように充填されない部分１０２ａ（充填不良）が生ずるおそれもある。
【００１２】
次に、図１、図２に戻って本実施の形態に係るパターンの形成方法について例示をする。
ここでは、一例として、基体１の表面に形成されたレジスト層２（第１の被転写層）をインプリント法を用いて加工する場合について例示をする。
【００１３】
図１（ａ）は、基体１の表面に形成されたパターン１ａ〜１ｃを例示するための模式断面図である。すなわち、図１（ａ）は以下に例示をするパターンの形成方法により形成するパターンを例示するための模式断面図である。この場合、パターン１ａの寸法はパターン１ｂの寸法よりも大きく、パターン１ｂの寸法はパターン１ｃの寸法よりも大きいものとしている。また、パターン１ａの寸法、パターン１ｂの寸法は、充填時間や充填の困難性に問題が生じるおそれのある寸法とし、パターン１ｃの寸法は充填時間や充填の困難性に問題が生じるおそれのない寸法としている。
【００１４】
まず、図１（ｂ）に示すように、基体１の表面にレジスト層２を形成する。  
レジスト層２の形成方法としては、例えば、インクジェット法、ディスペンス法、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法などの塗布方法を例示することができる。例えば、インクジェット法を用いて基体１の表面に液滴状に吐出されたレジスト材を自然流動により拡げることでレジスト層２を形成するようにすることができる。  
レジスト層２を形成するための材料、すなわちレジスト材としては、例えば、ノボラック樹脂を主成分としたものなどを例示することができる。  
なお、レジスト層２の形成方法やレジスト材は、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００１５】
次に、図１（ｃ）に示すように、インプリント型１３（第１のインプリント型）のパターン部をレジスト層２に機械的に押し付けて、インプリント型１３に形成されたパターンをレジスト層２に転写する。そして、パターンが転写されたレジスト層２を硬化させる。この場合、インプリント型１３を介してレジスト層２に紫外線を照射することでレジスト層２を硬化させるようにすることができる。なお、レジスト層２の硬化方法は紫外線の照射に限定されるわけではなく、レジスト層２を形成するための材料などに応じて適宜変更することができる。  
すなわち、本工程においては、インプリント型１３を用いてレジスト層２にレジストパターンＲａ〜Ｒｃ（第１のレジストパターン）を形成する。  
なお、図１（ｃ）中の破線は基体１の表面に形成するパターン（図１（ａ）に例示をしたパターン）に対応した形状を表している。
【００１６】
ここで、前述したように、インプリント型のパターン部の寸法を大きくしすぎると充填時間が長くなったり、充填がされない部分が生じたりするおそれがある。  
そのため、本実施の形態においては、充填時間や充填の困難性を考慮してインプリント型のパターン部の寸法が所定の寸法より小さくなるようにされている。  
すなわち、インプリント型１３のパターン部は、毛管現象によりレジスト層２が引き込まれることができる寸法を有したものとすることができる。
【００１７】
この場合、前述した毛管現象によりパターン部にレジスト層が引き込まれる力は、レジスト層を形成するための材料や粘度の影響をも受け得る。そのため、充填時間や充填の困難性に問題が生じないようなパターン部の寸法を予め実験やシミュレーションなどにより求めておくようにすることができる。
【００１８】
そして、後述するマスクの形成工程における成形量（成膜量）を考慮して、インプリント型におけるパターン部の配設位置、配設数などを決めるようにすることができる。  
例えば、パターン１ａの場合は寸法が大きいので、マスクの形成工程における成形量を考慮して、所定の寸法より小さいパターン部（充填時間や充填の困難性に問題が生じないような寸法を有するパターン部）を複数配設するようにすることができる。すなわち、後述するマスクの形成工程において成膜された際にパターン１ａに対応するマスクパターンＭａが形成されるようなパターン部の配設位置、配設数などとすることができる。
【００１９】
また、例えば、パターン１ｂの場合は、マスクの形成工程における成形量を考慮して、所定の寸法より小さいパターン部を１つ配設するようにすることができる。すなわち、後述するマスクの形成工程において成膜された際にパターン１ｂに対応するマスクパターンＭｂが形成されるようなパターン部の配設位置などとすることができる。
【００２０】
ここで、パターン１ｃの場合は寸法が小さいのでパターン１ｃに対応するレジストパターンをそのまま形成することができる。しかしながら、所定の寸法より大きなパターンが混在している場合には、後述するマスクの形成工程において成膜が行われることになるので、所望の寸法を有するレジストパターンを直接的に形成することが困難な場合がある。  そのため、本実施の形態においては所定の寸法より小さなパターンが形成される領域については、別途レジストパターンの形成を行うようにしている。  
例えば、パターン１ｃの場合は、マスクの形成工程における成形量を考慮して、パターン１ｃが形成される領域を覆うマスクパターンＭｃが形成されるようなパターン部の配設位置、配設数などとすることができる。
【００２１】
以上に例示をしたように、本工程においては、後述するマスクＭ１を形成する工程における膜の厚みを考慮した寸法を有するレジストパターンが形成されるようにしている。
【００２２】
次に、図１（ｄ）に示すように、レジストパターンＲａ〜Ｒｃを成形してマスクＭ１（第１のマスク）を形成する。  
このマスクの形成工程においては、例えば、ＲＥＬＡＣＳTM（Resolution Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrink）法、インクジェット法などの成膜法を用いて、レジストパターンＲａ〜Ｒｃの表面に所定の厚みを有した膜を成膜することでレジストパターンＲａ〜Ｒｃを成形してマスクＭ１を形成するようにすることができる。  
この場合、成膜された膜を硬化させるようにすることもできる。
【００２３】
例えば、レジストパターンＲａが形成された領域を成膜することで、複数のレジストパターンＲａが含まれたマスクパターンＭａを形成するようにすることができる。  
すなわち、前述したレジストパターンを形成する工程において、複数のレジストパターンが形成され、膜を成膜することでレジストパターン同士の間が埋められる。  
また、例えば、レジストパターンＲｂを成膜することで、レジストパターンＲｂが含まれたマスクパターンＭｂを形成するようにすることができる。  
また、例えば、レジストパターンＲｃが形成された領域を成膜することで、複数のレジストパターンＲｃが含まれたマスクパターンＭｃを形成するようにすることができる。  
すなわち、前述したレジストパターンを形成する工程において、複数のレジストパターンが形成され、膜を成膜することでレジストパターン同士の間が埋められる。
【００２４】
なお、マスクの形成工程における成膜法は例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、成膜された膜を硬化させる場合には、成膜された膜の材料などに応じて硬化法を適宜選択することができる。例えば、成膜された膜の材料が紫外線硬化性樹脂である場合には、成膜された膜に紫外線を照射することで硬化させるようにすることができる。
【００２５】
次に、図２（ａ）に示すように、マスクＭ１を用いて基体１の表面にエッチング（第１のエッチング）を施す。すなわち、マスクＭ１を用いたエッチングを施すことで、基体１の表面にパターン１ａ、パターン１ｂを形成する。なお、図２（ａ）の一点鎖線部分はマスクＭ１を表している。  
エッチング法としては特に限定されるわけではなく、基体１の材料などに応じて適宜選択することができる。例えば、ＲＩＥ(Reactive Ion Etching）法などのドライエッチング法やウェットエッチング法などを用いるようにすることができる。
【００２６】
この場合、マスクパターンＭａは形成されるパターン１ａに対応しているので、マスクＭ１を用いたエッチングを施すことでパターン１ａが形成される。また、マスクパターンＭｂは形成されるパターン１ｂに対応しているので、マスクＭ１を用いたエッチングを施すことでパターン１ｂが形成される。
【００２７】
一方、マスクパターンＭｃはパターン１ｃが形成される領域を覆うように設けられているので、マスクＭ１を用いたエッチングを施してもパターン１ｃは形成されない。  
そのため、以下の工程においてパターン１ｃを形成するようにする。  
すなわち、前述したエッチングが施された基体１の表面にレジスト層２ａ（第２の被転写層）を形成する工程と、インプリント型１３ａ（第２のインプリント型）を用いてレジスト層２ａにレジストパターンＲｃ１（第２のレジストパターン）を形成してマスクＭ２（第２のマスク）を形成する工程と、マスクＭ２を用いて基体１の表面にエッチング（第２のエッチング）を施す工程と、をさらに行う。
【００２８】
パターン１ｃの形成においては、まず、図２（ｂ）に示すようにパターン１ａ、パターン１ｂが形成された基体１の表面にレジスト層２ａを形成する。  
なお、基体１の表面にレジスト層２ａを形成する前に、残余のマスクＭ１を除去するようにすることができる。マスクＭ１の除去方法は特に限定されないが、例えば、プラズマアッシング法などのドライアッシング法やウェットアッシング法などを用いるようにすることができる。
【００２９】
レジスト層２ａの形成方法としては、例えば、インクジェット法、ディスペンス法、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法などの塗布方法を例示することができる。例えば、インクジェット法を用いて基体１の表面に液滴状に吐出されたレジスト材を自然流動により拡げることでレジスト層２ａを形成するようにすることができる。  
レジスト層２ａを形成するための材料、すなわちレジスト材としては、例えば、ノボラック樹脂を主成分としたものなどを例示することができる。  
なお、レジスト層２ａの形成方法やレジスト材は、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００３０】
そして、インプリント法を用いてレジストパターンＲｃ１を有するマスクＭ２を形成する。  
ここで、レジストパターンＲｃ１を形成する場合には、インプリント型のパターン部が所定の寸法より小さいものとなるので、充填時間や充填の困難性に問題が生じるおそれがない。  
そのため、インプリント法を用いてレジストパターンＲｃ１を直接形成することができる。  
なお、インプリント法を用いたレジストパターンＲｃ１の形成手順は、前述したレジストパターンＲａ〜Ｒｃの場合と同様のため詳細な説明は省略する。
【００３１】
次に、マスクＭ２を用いたエッチングを施すことで、基体１の表面にパターン１ｃを形成する。  
そして、エッチング後に残留したマスクＭ２を除去すれば、図３（ｃ）に示すような所望のパターン１ａ〜１ｃが形成された基体１を得ることができる。  
この場合、エッチング法としては特に限定されるわけではなく、基体１の材料などに応じて適宜選択することができる。例えば、ＲＩＥ(Reactive Ion Etching）法などのドライエッチング法やウェットエッチング法などを用いるようにすることができる。  
また、マスクＭ２の除去方法は特に限定されないが、例えば、プラズマアッシング法などのドライアッシング法やウェットアッシング法などを用いるようにすることができる。
【００３２】
本実施の形態によれば、形成しようとするパターンの寸法が大きい場合であってもインプリント法を用いた適正なパターンの形成を行うことができる。すなわち、寸法が大きいパターンが含まれている場合であっても充填時間が長くなったり、充填がされない部分が生じたりすることを抑制することができる。
【００３３】
[第２の実施形態]  
図５は、第２の実施形態に係るパターンの形成方法を例示するための模式工程断面図である。  
本実施の形態は、寸法が大きいパターン、すなわち、充填時間や充填の困難性に問題が生じるおそれのある寸法を有するパターンのみを基体１１の表面に形成する場合である。
【００３４】
本実施の形態においても、一例として、基体１１の表面に形成されたレジスト層１２をインプリント法を用いて加工する場合について例示をする。
【００３５】
図５（ａ）は、基体１１の表面に形成されたパターン１１ａ、１１ｂを例示するための模式断面図である。すなわち、図５（ａ）は以下に例示をするパターンの形成方法により形成するパターンを例示するための模式断面図である。この場合、パターン１１ａの寸法はパターン１１ｂの寸法よりも大きいものとしている。また、パターン１１ａの寸法、パターン１１ｂの寸法は、充填時間や充填の困難性に問題が生じるおそれのある寸法としている。
【００３６】
まず、図５（ｂ）に示すように、基体１１の表面にレジスト層１２を形成する。  
なお、レジスト層１２の形成方法、レジスト材などは前述したレジスト層２の場合と同様とすることができるので詳細な説明は省略する。  
次に、図５（ｃ）に示すように、インプリント型のパターン部をレジスト層１２に機械的に押し付けて、インプリント型に形成されたパターンをレジスト層１２に転写する。そして、パターンが転写されたレジスト層１２を硬化させる。  
すなわち、本工程においては、インプリント法を用いてレジストパターンＲａ１、Ｒｂ１を形成する。  
なお、図５（ｃ）中の破線は基体１１の表面に形成するパターン（図５（ａ）に例示をしたパターン）に対応した形状を表している。  
また、レジスト層１２の硬化に関しては前述したレジスト層２の場合と同様とすることができる。
【００３７】
ここで、インプリント型のパターン部については、図１において例示をした場合と同様とすることができる。  
例えば、パターン１１ａの場合は寸法が大きいので、マスクの形成工程における成形量を考慮して、所定の寸法より小さいパターン部（充填時間や充填の困難性に問題が生じないような寸法を有するパターン部）を複数配設するようにすることができる。すなわち、後述するマスクの形成工程において成膜された際にパターン１１ａに対応するマスクパターンＭａ１が形成されるようなパターン部の配設位置、配設数などとすることができる。
【００３８】
また、例えば、パターン１１ｂの場合は、マスクの形成工程における成形量を考慮して、所定の寸法より小さいパターン部を１つ配設するようにすることができる。すなわち、後述するマスクの形成工程において成膜された際にパターン１１ｂに対応するマスクパターンＭｂ１が形成されるようなパターン部の配設位置などとすることができる。
【００３９】
次に、図５（ｄ）に示すように、レジストパターンＲａ１、Ｒｂ１を成形してマスクＭ１１を形成する。  
このマスクの形成工程においては、例えば、ＲＥＬＡＣＳTM（Resolution Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrink）法、インクジェット法などの成膜法を用いてレジストパターンＲａ１、Ｒｂ１の表面に膜を成膜することで、マスクＭ１１を形成するようにすることができる。  
この場合、成膜された膜を硬化させるようにすることもできる。
【００４０】
例えば、レジストパターンＲａ１が形成された領域を成膜することで、複数のレジストパターンＲａ１が含まれたマスクパターンＭａ１を形成するようにすることができる。  
また、例えば、レジストパターンＲｂ１を成膜することで、レジストパターンＲｂ１が含まれたマスクパターンＭｂ１を形成するようにすることができる。  
なお、マスクの形成工程における成膜法は例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、成膜された膜を硬化させる場合には、成膜された膜の材料などに応じて硬化法を適宜選択することができる。例えば、成膜された膜の材料が紫外線硬化性樹脂である場合には、成膜された膜に紫外線を照射することで硬化させるようにすることができる。
【００４１】
次に、マスクＭ１１を用いたエッチングを施すことで、基体１１の表面にパターン１１ａ、パターン１１ｂを形成する。  
そして、エッチング後に残留したマスクＭ１１を除去すれば、図５（ｅ）に示すような所望のパターン１１ａ、１１ｂが形成された基体１１を得ることができる。  
なお、マスクＭ１１を用いたエッチング、残留したマスクＭ１１の除去に関しては図２において例示をした場合と同様のため詳細な説明は省略する。
【００４２】
本実施の形態によれば、形成しようとするパターンの寸法が大きい場合であってもインプリント法を用いた適正なパターンの形成を行うことができる。すなわち、寸法が大きいパターンを形成する場合であっても充填時間が長くなったり、充填がされない部分が生じたりすることを抑制することができる。
【００４３】
ここで、図１、図５において例示をしたマスクの形成工程についてさらに例示をする。  図６は、マスクの形成工程における成膜条件を例示するための模式断面図である。  
図６に示すように、インプリント法を用いて形成されたレジストパターンＲの寸法（残しパターンの寸法）をｔ、レジストパターンＲ間の寸法（抜きパターンの寸法）をｓ、マスクの形成工程における成膜厚みをｄとする。  
この場合、以下の（１）式の条件を満たすものとすれば、レジストパターンＲ同士の間が埋められることになり、複数のレジストパターンＲが含まれたマスクパターンを形成することができる。すなわち、図１（ｄ）に例示をしたマスクパターンＭａや、図５（ｄ）に例示をしたマスクパターンＭａ１のようなマスクパターンを形成することができる。  
ｓ≦２・ｄ  ・・・・・・（１）  
また、以下の（２）式および（３）式の条件を満たすものとすれば、図５に例示をしたようなパターンの形成方法を行うことができる。すなわち、図２に例示をしたようなマスクＭ２を形成する工程、マスクＭ２を用いたエッチング工程を行わないようにすることができる。
【００４４】
ｓ＞２・ｄ  ・・・・・・（２）  
ｔ＞２・ｄ  ・・・・・・（３）
[第３の実施形態]  
次に、本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法、電子デバイスについて例示をする。
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法としては、例えば、半導体装置、フラットパネルディスプレイ、光半導体装置などの製造方法を例示することができる。  
ここでは、一例として、半導体装置の製造方法を例に挙げて説明する。  
半導体装置の製造工程には、いわゆる前工程における成膜・レジストマスクの形成・エッチング・レジスト除去などにより基体（ウェーハ）の表面にパターンを形成する工程、検査工程、洗浄工程、熱処理工程、不純物導入工程、拡散工程、平坦化工程などがある。また、いわゆる後工程においては、ダイシング、マウンティング、ボンディング、封入などの組立工程、機能や信頼性の検査工程などがある。
【００４５】
この場合、例えば、基体の表面にパターンを形成する工程において、前述したパターンの形成方法を用いて基体の表面にパターンの形成を行うようにすることができる。  
そのため、形成しようとするパターンの寸法が大きい場合であってもインプリント法を用いた適正なパターンの形成を行うことができるようになる。  
その結果、半導体装置を安価に大量生産することができるようになる。  
なお、前述した本実施の形態に係るパターンの形成方法以外のものは、各工程における既知の技術を適用できるので、それらの詳細な説明は省略する。  
また、本実施の形態に係る電子デバイスは、前述した半導体装置に限定されるわけではなく、前述した本実施の形態に係るパターンの形成方法を用いて形成されたパターンを有する基体を備えた電子デバイスとすることができる。例えば、本実施の形態に係る電子デバイスとしては、半導体装置、フラットパネルディスプレイ、光半導体装置などを例示することができる。
【００４６】
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びそれと等価とみなされるものの範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１  基体、１ａ〜１ｃ  パターン、２  レジスト層、１１ａ  パターン、１１ｂ  パターン、１２  レジスト層、Ｍ１〜Ｍ３  マスク、Ｍ１１  マスク、Ｍａ〜Ｍｃ  マスクパターン、Ｍａ１  マスクパターン、Ｍｂ１  マスクパターン、Ｒａ〜Ｒｃ  レジストパターン、Ｒａ１  レジストパターン、Ｒｂ１  レジストパターン、Ｒｃ１  レジストパターン
【図１】
2012069687.tif 000003
【図２】
2012069687.tif 000004
【図３】
2012069687.tif 000005
【図４】
2012069687.tif 000006
【図５】
2012069687.tif 000007
【図６】
2012069687.tif 000008