(57)【要約】【課題】均一かつ高精度の膜厚調整の可能な絶縁層をもつ多層配線構造を備えた立体基板を提供する。【解決手段】そこで本発明の立体基板は、少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体と、絶縁性基体表面に形成された第１の配線層と、第１の配線層上に形成され、一定の膜厚を有する電着塗装膜と、電着塗装膜の形成された絶縁性基体表面に形成された第２の配線層とを含む回路部と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
2012094605.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体と、
前記絶縁性基体表面に形成された第１の配線層と、
前記第１の配線層上に形成され、一定の膜厚を有する電着塗装膜と、
前記電着塗装膜の形成された前記絶縁性基体表面に形成された第２の配線層とを含む回路部と、
を備えた立体基板。
【請求項２】
請求項１に記載の立体基板であって、
前記絶縁性基体は、表面に凹凸部を有し、
前記凹凸部上を含むように前記回路部が形成された立体基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の立体基板であって、
前記電着塗装膜は、ポリイミドまたはポリイミドアミドである立体基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の立体基板であって、
前記回路部は、前記第1または第２の配線層が接地線に接続されたマイクロストリップ回路を構成する立体基板。
【請求項５】
請求項４に記載の立体基板であって、
前記第１の配線層が接地線に接続され、
前記第２の配線層が、信号線を含む立体基板。
【請求項６】
請求項４に記載の立体基板であって、
前記第２の配線層が接地線に接続され、
前記第１の配線層が、信号線を含む立体基板。
【請求項７】
少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体を用意する工程と、
前記絶縁性基体表面に第１の配線層を形成する工程と、
前記第１の配線層を正極または負極とし、電着塗装法により、前記第１の配線層上に、一定の膜厚を有する電着塗装膜を形成する電着塗装工程と、
前記電着塗装膜の形成された前記絶縁性基体表面に第２の配線層を形成し、回路部を形成する工程と、
を備えた立体基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の立体基板の製造方法であって、
前記絶縁性基体を用意する工程は、表面に凹凸部を有する絶縁性基体を製造する工程を含む立体基板の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の立体基板の製造方法であって、
前記電着塗装工程は、ポリイミドまたはポリイミドアミドからなる電着塗装膜を形成する工程を含む立体基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のうちのいずれか１項に記載の立体基板の製造方法であって、
前記電着塗装工程は、前記第1の配線層上に、レジストパターンを形成し電着塗装膜を形成する工程を含む立体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、立体基板および立体基板の製造方法に係り、特に多層配線構造を備えた三次元構造の立体基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
樹脂あるいはセラミックスなどの成型体に銅箔パターンなどからなる回路部を形成したＭＩＤ（Molded Interconnect Devices）は、機構部品としての機械的機能と、回路基板としての電気的機能とを持ち合わせていることから、さまざまな工法で開発が進められている。
【０００３】
このＭＩＤを高周波回路に用いる場合、インピーダンスマッチングが必要となる。従来、インピーダンスマッチングを行う方法として、信号線の幅の調整と、この信号線を囲む接地線とのギャップの調整とにより、インピーダンスマッチングがなされている。この場合、インピーダンスマッチングを行う方法が、信号線の幅の調整と、この信号線を囲む接地線とのギャップの調整しかない。このためインピーダンスマッチングの精度が、パターンの描画精度に支配されており、数百Ｇｂｐｓ程度が限界であった。
そこで、更なるインピーダンスマッチング精度の向上をはかるためには、接地層（グランド層）を信号線の上層または下層に形成した、グランドコプラナ構造の高周波回路が望ましいと考えられる。
【０００４】
ところで、従来、ＭＩＤにおいても、高密度実装、あるいは回路設計の自由度向上のために多層配線構造が提案されている（例えば特許文献１、２）。
特許文献１では、多層配線構造における絶縁層の形成に際しては、絶縁材料の塗布や絶縁性フィルムの貼着、蒸着重合膜、プラズマ重合膜などが用いられている。
特許文献２では、絶縁層の形成については言及されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１６４６５７号公報
【特許文献２】特開２００２−１７１０６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、グランドコプラナ構造をもつ高周波回路を形成できるように多層配線構造をもつＭＩＤを形成しようとすると、絶縁材料の塗布や絶縁性フィルムの貼着では、凹凸のある表面へ成膜は困難であり、特に膜厚の調整が困難であった。つまり、絶縁層の膜厚の微調整が困難であるため、高周波回路におけるインピーダンスマッチングのための絶縁層の調整は困難であった。特に凹凸を有する絶縁性基体の表面に均一な膜厚を持つように形成するのは極めて困難であった。
また、蒸着重合膜、プラズマ重合膜などを絶縁層として用いようとすると、成膜速度が遅いため、膜厚の調整は可能であるとしても、十分な膜厚を得るのは極めて困難であった。
【０００７】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、均一かつ高精度の膜厚調整の可能な絶縁層をもつ多層配線構造を備えた立体基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで本発明の立体基板は、少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体と、絶縁性基体表面に形成された第１の配線層と、第１の配線層上に形成され、一定の膜厚を有する電着塗装膜と、電着塗装膜の形成された絶縁性基体表面に形成された第２の配線層とを含む回路部と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
また本発明は、上記立体基板において、絶縁性基体は、表面に凹凸部を有し、凹凸部上を含むように回路部が形成されたことを特徴とする。
【００１０】
また本発明は、上記立体基板において、電着塗装膜は、ポリイミドまたはポリイミドアミドであることを特徴とする。
【００１１】
また本発明は、上記立体基板において、回路部は、第１または第２の配線層をグランド配線層とするマイクロストリップ回路を構成することを特徴とする。
【００１２】
また本発明は、上記立体基板において、第１の配線層が接地線に接続され、第２の配線層が、信号線を含むことを特徴とする。
【００１３】
また本発明は、上記立体基板において、第２の配線層が接地線に接続され、第１の配線層が、信号線を含むことを特徴とする。
【００１４】
また本発明の方法は、少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体を用意する工程と、絶縁性基体表面に第１の配線層を形成する工程と、第１の配線層を正極または負極とし、電着塗装法により、第１の配線層上に、一定の膜厚を有する電着塗装膜を形成する電着塗装工程と、電着塗装膜の形成された絶縁性基体表面に第２の配線層を形成し、回路部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１５】
また本発明は、上記立体基板の製造方法において、絶縁性基体を用意する工程は、表面に凹凸部を有する絶縁性基体を製造する工程を含むことを特徴とする。
【００１６】
また本発明は、上記立体基板の製造方法において、電着塗装工程は、ポリイミドまたはポリイミドアミドからなる電着塗装膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１７】
また本発明は、上記立体基板の製造方法において、電着塗装工程は、第1の配線層上に、レジストパターンを形成し電着塗装膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の立体基板によれば、絶縁層の膜厚を高精度に調整することができる。従って、高周波回路を形成する際、接地線に対して絶縁層を介して信号線を形成したグランドコプラナ構造の配線を形成する際にも、信号線の接地線（接地層）との距離を高精度に制御することができ、インピーダンスマッチングを容易に実現することができる。
また、高精度に膜厚制御のなされた絶縁層をもつ多層配線構造を得ることができるため、ｎ層配線とした場合、理論上ｎ倍の回路を形成することができる。従ってスペースの問題は大幅に改善される。
この構成によれば、凹凸を有する表面に対しても、電着塗装法を用いることで均一な絶縁層を形成することができる。
従来のように、同一層内で、接地線と信号線を所定のギャップを隔てて形成したプラナー構造の配線とした場合には、マッチング精度がパターン精度に左右されることになる。このため、現状の数十μｍオーダーの精度では数百Ｇｂｐｓを超える領域においては十分にインピーダンス整合を得ることが困難であったが、本発明によれば、数μｍオーダーで絶縁層の膜厚制御を行うことが可能となる。従って、より高周波帯域への適用が可能な立体基板を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態１の立体基板を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図
【図２】同立体基板の配線部の要部拡大説明図
【図３】同立体基板の製造工程を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図
【図４】同立体基板の製造工程を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図
【図５】同立体基板の製造工程を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図
【図６】同立体基板の製造工程を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図
【図７】（ａ）乃至（ｄ）は同立体基板の第１の配線層の形成工程を示す図
【図８】（ａ）乃至（ｅ）は第２の配線層の形成工程を示す説明図
【図９】本発明の実施の形態１で用いられる電着塗装工程を示す説明図
【図１０】本発明の実施の形態２の立体基板を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図
【図１１】本発明の実施の形態３の配線基板を示す図
【図１２】本発明の実施の形態３の配線基板の変形例を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００２１】
（実施の形態１）
図１（ａ）および（ｂ）、ならびに図２は、本発明の実施の形態１の立体基板を示す図である。図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は斜視図であり、図２は配線部の要部拡大説明図である。また、図３乃至６は同立体基板の製造工程を示す図である。図３乃至図６においても（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図である。図７（ａ）乃至（ｄ）は第１の配線層の形成工程を示す説明図、図８（ａ）乃至（ｅ）は第２の配線層の形成工程を示す説明図である。図９はこの方法で用いられる電着塗装工程を示す説明図である。
【００２２】
この立体基板は、少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体１０と、この絶縁性基体１０の表面に形成された第１の配線層２０とこの第１の配線層２０上に形成された、一定の膜厚を有する電着塗装膜３０と、この上層に形成された第２の配線層４０とを含む回路部と、を備えたことを特徴とする。ここで絶縁性基体としては窒化アルミセラミック基板（ＡｌＮ）が用いられる。そしてこの立体基板の回路部の要部拡大斜視図を、図２に示す。このように、回路部は、絶縁性基体１０上に形成された第１の配線層２０を接地層とし、この上層に電着塗装法で形成された電着塗装膜３０としてのポリイミド膜と、この上層に形成された、信号線を構成する第２の配線層４０とで、グランドコプラナ構造の高周波回路を構成する。回路部においては、第１の配線層２０は膜厚ｔ１＝６−２０μｍであり、全面に形成されて接地層を構成する。また、この上層に、電着塗装法で膜厚ｔ２＝１５−２０μｍの電着塗装膜３０としてのポリイミド膜が形成されている。さらに、この上層に、膜厚ｔ３＝６−２０μｍの信号線を構成する第２の配線層４０が形成されている。
すなわち、回路部は、第１の配線層を接地層とし、第２の配線層を信号線とするマイクロストリップ回路を構成する。この構成においては、電着塗装膜３０が、均一かつ高精度に膜厚制御のなされた構造を有するため、信号線と接地層との距離を高精度に確保することができる。従って、高周波回路においてもインピーダンス整合のなされた高周波回路が形成される。
【００２３】
次に、この立体基板の製造工程について説明する。
まず、加圧成形により、窒化アルミセラミック基板からなる絶縁性基体１０を用意する。
こののち、絶縁性基体１０上に第１の配線層２０を形成する（図３（ａ）及び（ｂ））。形成に際しては、図７（ａ）乃至（ｄ）に要部拡大断面図を示す方法によって形成される。まず、図７（ａ）に示すように、絶縁性基体１０上にスパッタリング法により、膜厚１００ｎｍ程度の銅薄膜２１ｓを形成する。この後、図７（ｂ）に示すように、めっき法により膜厚３〜１０μｍ程度の銅層２１を形成する。そしてさらに図７（ｃ）に示すように、めっき法により順次膜厚３〜１０μｍ程度のニッケル層２２、膜厚０．１〜０．５μｍ程度の金層２３を形成し、第１の配線層２０を得る（図７（ｄ））。
【００２４】
そして、全面にレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりパターニングし、第１の配線層２０と第２の配線層４０との接続部に相当する領域にレジスト膜Ｒ１を形成する（図４（ａ）及び（ｂ））。
【００２５】
次いで、被塗物を陰極とするカチオン型電着塗装を用いてこの第１の配線層２０上にポリイミド膜からなる電着塗装膜３０を形成する（図５（ａ）及び（ｂ））。電着塗装工程は図９に説明図を示すように、電解液の充填された容器１０００中に、第１の配線層２０の形成された絶縁性基体を浸漬するとともにこの第１の配線層２０を陰極３０００に接続して、電着塗装を行う。２０００は陽極である。
【００２６】
このようにして電着塗装膜３０を形成したのち、レジスト膜Ｒ１を除去し、ホールＨを形成する（図５（ａ）及び（ｂ））。
そして最後に第２の配線層４０を形成し、図１（ａ）及び（ｂ）に示した立体基板が完成する。
【００２７】
形成に際しては、図８（ａ）乃至（ｅ）に要部拡大断面図を示す方法がとられる。まず、図８（ａ）に示すように、電着塗装膜３０上にスパッタリング法により、再度、膜厚１００ｎｍ程度の銅薄膜４１ｓを形成する。この後、図８（ｂ）に示すように、回路部と非回路部の境界をレーザ描画により除去し、輪郭線を形成する。そして図８（ｃ）に示すように、めっき法により回路部の銅薄膜４１ｓ上に膜厚３〜１０μｍ程度の銅層４１を形成する。そしてさらに図８（ｄ）に示すように、めっき法により順次膜厚３〜１０μｍ程度のニッケル層４２、膜厚０．１〜０．５μｍ程度の金層４３を形成し、最後に、めっき層の形成されなかった、非回路部の銅薄膜４１ｓをエッチング除去し、第２の配線層４０を得る（図８（ｅ））。
【００２８】
このようにして、絶縁性基体１０表面に、第１の配線層２０、電着塗装膜３０、第２の配線層４０の形成された立体基板が完成する。
【００２９】
上記方法によれば、絶縁性基体１０としての窒化アルミニウム基板は、表面に凹凸部を有するものであるが、電着塗装法により、ポリイミドからなる電着塗装膜３０を形成しているため、膜厚を高精度に制御することができるとともに、均一な膜厚を得ることが可能となる。なお、前記実施の形態ではポリイミドを用いたがポリイミドアミドなど他の材料を用いてもよい。
【００３０】
また、高耐圧化が必要な回路においては、蒸着重合膜、プラズマ重合膜等の薄膜と電着塗装膜との積層構造を用いるようにしてもよい。この構成により、蒸着重合膜、プラズマ重合膜等で緻密な膜を形成しておき、これに、電着塗装膜を積層することで、膜厚を確保し、かつ絶縁性も高めることが可能となる。さらに誘電率を調整するために、誘電率の異なる膜を積層することも可能である。
【００３１】
また、電着塗装工程は、第１の配線層２０上に、レジストパターンを形成し電着塗装膜３０を形成するため、極めて容易に電着塗装膜の形成されない領域を形成することができ、所望の接続部を形成することが可能となる。
【００３２】
また、本発明によれば、数μｍオーダーで絶縁層の膜厚制御を行うことができるため、接地線に対して電着塗装膜からなる絶縁層を介して信号線を形成したグランドコプラナ配線構造を得ることができる。このように、高周波回路を形成する際、グランドコプラナ構造の配線に用いることで、絶縁層の膜厚を高精度に調整することができ、インピーダンスマッチングを容易に実現することができる。従って、より高周波帯域への適用が可能な立体基板を提供することが可能となる。
【００３３】
このように、同一層内で、接地線と信号線を所定のギャップを隔てて形成した従来のプラナー構造の配線とした場合には、マッチング精度がパターン精度に左右されることになり、現状の数十μｍオーダーの精度では数百Ｇｂｐｓを超える領域においてもインピーダンス整合を得ることは困難であったのに対し、本実施の形態では、高周波帯域においても容易に高精度のインピーダンス整合を得ることが可能となる。
【００３４】
また、本実施の形態では、接地線に接続される接地層を第１の配線層２０とし、電着塗装膜３０を介してこの上層に信号線を構成する第２の配線層４０を形成している。このため、下層側に凹凸が少なく、より平坦な構造をとることができるため、膜厚が均一で、信頼性の高い配線構造をとることができる。
【００３５】
また本発明は、スパッタリング法により下地層を形成し、下地層のうち、回路部と、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去して、輪郭を形成したのち、下地層をめっき用下地として、めっきを行うようにしているため、極めて作業性よく回路部を形成することが可能となる。なお、銅薄膜から成長せしめられためっき層は、電気化学的反応を経て形成されるため、密着性が良好で界面特性の優れた膜となっている。
【００３６】
この下地層は膜厚１００から５００ｎｍ程度、望ましくは１００−３００ｎｍ程度の銅薄膜で構成することにより、密着性も良好である。そしてこの状態で銅薄膜からめっき層が成長するため、密着性に優れためっき層の形成が可能となる。
【００３７】
（実施の形態２）
以下本発明の実施の形態２の回路基板について説明する。
前記実施の形態では、接地線に接続される接地層を第１の配線層１２０とし、電着塗装膜１３０を介してこの上層に信号線を構成する第２の配線層１４０を形成したが、本実施の形態では、上下反転させて、下層側に信号線を配し、上層側に接地層を形成している。すなわち、図１０に示すように、絶縁性基体１０表面に、信号線を構成する第１の配線層１２０を形成するとともに、この上層に電着塗装膜１３０を介して接地線に接続される接地層を第２の配線層１４０を形成している。従って下層側が信号線を構成し、凹凸が大きいが、この信号線を構成する第１の配線層をカソードとして電着塗装を行うことで、第１の配線層の周りを囲むように、膜厚の均一な電着塗装膜１３０からなる絶縁層を形成している。このため、下層側の配線層表面に沿って効率よく、膜厚の均一な電着塗装膜１３０を形成することができる。そしてこの上層に、第２の配線層として均一な膜厚の接地層を形成することができる。他部については前記実施の形態１と同様であるので、説明を省略する。
【００３８】
この構成によれば、信号線が電着塗装膜を介して形成された接地層で覆われているため、上記前記実施の形態１による効果に加えて、クロストークの影響を防止することができる。
【００３９】
（実施の形態３）
以下本発明の実施の形態３の回路基板について説明する。
この回路基板は、図１１に示すように、信号線を構成する第１の配線層２２０を覆うように、電着塗装膜２３０を形成し、その周辺全体を第２の配線層２４０で覆うようにしたものである。つまり、信号線部以外を接地層とすることができ、しかも信号線とのギャップは電着塗装膜２３０の膜厚として高精度に制御されている。
特に、高周波回路に用いる場合には、信号線を構成する第１の配線層２２０を覆うように、膜厚の均一な電着塗装膜２３０を形成することができるため、インピーダンス整合を得ることができ、有効である。信号線を構成する第１の配線層２２０に対し、ギャップを電着塗装膜２３０の膜厚として、接地層となる第２の配線層２４０を並置することができる。
【００４０】
このようにして、平坦な表面を有するインピーダンス整合のとれた高周波回路を提供することが可能となる。
【００４１】
なお、前記実施の形態では、接地線を構成する第２の配線層２４０と、電着塗装膜２３０の表面とが揃うように形成したが、図１２に変形例を示すように、求める特性によって、接地線を構成する第２の配線層２４０が、電着塗装膜２３０の表面を覆うように形成してもよい。他部については前記実施の形態１と同様であるので、説明を省略する。
【００４２】
前記実施の形態３においても、絶縁性基体として平板構造の基板を用いてもよいし、立体構造の基板を用いてもよい。つまり、回路部、特に高周波回路部を、本実施の形態の構成をとるようにすればよく、絶縁性基体自体としては、平板構造にも立体構造にも適用可能であることはいうまでもない。
【００４３】
なお、前記実施の形態１乃至３のいずれにおいても、このめっき用下地としてはスパッタリングで形成した銅薄膜に限定されることなく、クロム薄膜、チタン薄膜など、他の導電性薄膜を用いてもよい事は言うまでもない。また１層の薄膜だけでなく、多層薄膜を用いるようにしてもよい。
【００４４】
まためっき層としても、銅層とニッケル層と金層との３層膜に限定されることなく適宜変形可能であり、膜厚については、３層の合計膜厚が１０μｍ〜１５μｍ程度が望ましい。
【００４５】
電着塗装膜としては、カチオン型電着塗装、アニオン型電着塗装のいずれを用いてもよい。材料としては、ポリイミド、ポリアミドイミドなどが有効である。
【００４６】
なお、前記実施の形態では、回路基板を構成する絶縁性基体として、放熱性の良好な窒化アルミニウムセラミックスを構成したが、これに限定されるものではない。たとえば、グリーンシートを用いた積層基板および射出成形によって形成した樹脂製の立体基板など、種々の基板材料が適用可能である。
例えば１０００℃以下で低温焼結が可能なセラミック誘電体材料ＬＴＣＣ（低温温同時焼成セラミック：Low Temperature Co-fired Ceramics）を用いてグリーンシートとして形成してもよい。すなわち、厚さが１０μｍ〜２００μｍのこのＬＴＣＣのグリーンシートに、低抵抗率のＡｇやＣｕ等の導電ペーストを印刷して所定のパターンを形成する。そしてこの、複数のグリーンシートを絶縁層として用いて、適宜一体的に積層し、焼結することにより、内部導体層を備えた絶縁層（誘電体層）として製造することが出来る。これらの誘電体材料としては、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分として、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋを副成分とする材料、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｄを含む材料、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇを含む材料などが適用可能である。ここで、誘電率は５〜１５程度の材料を用いる。
なお、セラミック誘電体材料の他に、樹脂積層基板や樹脂とセラミック誘電体粉末を混合してなる複合材料を用いてなる積層基板を用いることも可能である。また、このセラミック基板を、ＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミック：High Temperature Co-fired Ceramics）技術を用いてもよい。この、ＨＴＣＣセラミック基板上に、誘電体材料をＡｌ２Ｏ３を主体とするもので構成し、内部導体層として伝送線路等をタングステンやモリブデン等の高温で焼結可能な金属導体として構成しても良い。
また金属基板を用いた場合、表面を覆う絶縁膜を電着塗装膜で構成し、膜厚を均一にすることで、金属基板自体を接地線として用いることも可能である。
【００４７】
また、絶縁性基板としては、セラミックのほか、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの樹脂基板を用いた場合、プリプレグを用いた積層基板などにも適用可能である。
【００４８】
さらにまた、回路部の構成及び材料についても、適宜変更可能である。
【００４９】
また、前記実施の形態１乃至３のいずれにおいても、絶縁性基体は、表面に凹凸を有するか否か、あるいは、その形状に、限定されることなく適宜変形可能である。表面に凹凸がある場合には、スプレー塗布、刷毛塗り、印刷などの方法では均一な膜厚の膜を形成するのが困難であるが、この構成をとることで制御性よく膜厚の均一な電着塗布膜を形成することができる。また配線層についても、制御性よく安定して形成するのが困難であるが、本発明によれば均一で安定した配線層を形成することができ、特に有効である。しかしながら平坦部においても、本発明の方法は有効である。
【００５０】
また、前記実施の形態では、回路部の形成は、下地層を形成し、この下地層のうち、回路部と、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去して、輪郭を形成し、めっき層の形成後に、めっき層をマスクとして下地層をエッチングすることで行ういわゆるという方法をとったが、これに限定されるものではない。たとえば、非回路部と回路部との境界領域を選択的に除去して、銅薄膜４１ｓに輪郭を形成し、銅めっき層の形成後に、全面エッチングを行うようにしてもよい。これにより、非回路部の輪郭で囲まれた領域には銅めっき層は形成されないため、銅薄膜４１ｓは薄い膜のままであり、エッチングで除去され、回路部の銅めっき層の形成された領域のみが銅層４１として残留し、この銅めっき層上に金めっき層を形成することで、所望のパターンを形成することができる。これはいわゆる１ショットレーザー法と呼ばれるものである。またこの他、ＬＤＳ法、あるいは２ショット法など、適宜変更可能であることはいうまでもない。
ここでＬＤＳ法は、導電性粒子を含む樹脂基板にレーザ照射を行い導電性粒子を露出せしめて、この導電性粒子のパターン上にめっきを行い回路部を形成する方法である。
２ショット法は、無電解めっきの触媒を含む材料で一次成形した後、触媒を含まない材料で２次成形を行う。そして露出した一次成形の表面にのみ選択的に無電解めっきを施し、立体基板を形成する方法である。
【００５１】
また、多層配線構造において絶縁層の膜厚を高精度に制御することができるため、高周波回路に限定されることなく、絶縁層を容量絶縁膜として用いる場合など、種々の立体基板に適用可能である。
【００５２】
以上、本発明者らによってなされた発明を適用した実施の形態について説明したが、この実施の形態による本発明の開示の一部をなす記述及び図面により本発明は限定されることはない。すなわち、上記実施の形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施の形態、実施例及び運用技術等は全て本発明の範疇に含まれることは勿論である。
【符号の説明】
【００５３】
１０  絶縁性基体
２０，１２０，２２０  第1の配線層
３０，１３０，２３０  電着塗装膜
４０，１４０，２４０  第２の配線層
【図１】
2012094605.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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