(57)【要約】【課題】メッシュ領域のサイズやマスクパターンの設計変更をすることなしに、電子ビームを用いてＥＵＶマスクを製造する方法を提供する。【解決手段】ハーフトーン膜とクロム膜の２層からなる膜２０１ｂとレジスト２０１ｃが積層されたガラス基板２０１ａに、電子ビーム２０２を照射する。レジスト２０１ｃを現像して形成されたレジストパターンをマスクとしてハーフトーン膜とクロム膜から成る２０１ｂをパターニングする。その後、レジストとクロム膜を除去してフォトマスク２０３を製造する。次に、ＥＵＶマスク基板２０５に対し、フォトマスク２０３を介してＡｒＦレーザ光２０４を照射する。レジスト１０６を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして吸収層１０５と緩衝膜１０４をパターニングする。レジストパターンを除去してＥＵＶマスク２０６を製造する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
遮光膜と第１のレジストが積層された透明基板に電子ビームを照射する工程と、
前記第１のレジストを現像して第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレジストパターンをマスクとして前記遮光膜をパターニングする工程と、
前記第１のレジストパターンを除去してフォトマスクを製造する工程と、
ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、第２のレジストとが積層された基板に対して、前記フォトマスクを介してレーザ光を照射する工程と、
前記第２のレジストを現像して第２のレジストパターンを形成し、前記第２のレジストパターンをマスクとして前記吸収層をパターニングする工程と、
前記第２のレジストパターンを除去してＥＵＶマスクを製造する工程とを有することを特徴とするＥＵＶマスクの製造方法。
【請求項２】
前記レーザ光は、ＡｒＦレーザ光であることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
【請求項３】
第１のレジストが形成された基板に電子ビームを照射する工程と、
前記第１のレジストを現像して第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレジストパターンを用いて前記基板に凹部を設け、テンプレートを製造する工程と、
ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、第２のレジストとが積層された基板に対し、前記第２のレジストに前記凹部が対向するようにして前記テンプレートを密着させ、前記テンプレートの側から光を照射して前記第２のレジストを硬化させ、前記凹部に嵌合するパターンを有する第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のレジストパターンをマスクとして前記吸収層をパターニングする工程と、
前記第２のレジストパターンを除去してＥＵＶマスクを製造する工程とを有することを特徴とするＥＵＶマスクの製造方法。
【請求項４】
前記反射層は、高屈折層と低屈折層とが交互に積層されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
【請求項５】
前記反射層と前記吸収層の間には、前記吸収層のパターニングの際に前記反射層を保護する膜が設けられていることを特徴とする請求項３〜４のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）マスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の集積度の増加に伴い、個々の素子の寸法は微小化が進み、各素子を構成する配線やゲートなどの幅も微細化されている。
【０００３】
半導体集積回路の製造においては、レチクルと呼ばれる回路原版をレジストと呼ばれる感光性樹脂に転写してウェハを加工する工程が基本となる。そして、この基本工程を繰り返すことによって、半導体集積回路が製造される。
【０００４】
転写工程には、ステッパまたはスキャナと呼ばれる露光装置が用いられる。従来は、転写光源として光を用い、レチクル上の回路パターンをウェハ上に４分の１から５分の１程度に縮小投影して転写する方法が採られてきた。半導体集積回路の微細化のためには、この転写工程での解像性能を向上させることが必要となる。ここで、結像光学系の開口係数をＮＡ、光源の波長をλとすると、解像寸法は（λ／ＮＡ）に比例する。したがって、開口係数ＮＡの向上または波長λの短波長化を図ることにより、露光解像度を小さくすることができる。
【０００５】
しかし、焦点深度は（λ／ＮＡ２）に比例するので、開口係数ＮＡを大きくすると、露光解像度は小さくできるものの、焦点深度が低下するという問題を生じる。例えば、１００ｎｍ以下のデザイン・ルールに対応する微細パターンでの焦点深度は、０．３５μｍ程度である。そして、微細化の進展とともに、焦点深度は今後さらに浅くなることが予想される。
【０００６】
一方、波長λを短波長化した場合には、次のような問題を生じる。
【０００７】
従来、デザイン・ルールが１．５μｍ〜０．８μｍの半導体装置の製造においては、高圧水銀灯のｇ線（波長：４３６ｎｍ）が露光光源として使用されてきた。デザイン・ルールが０．５μｍ〜０．３５μｍになると高圧水銀灯のｉ線（波長：３６５ｎｍ）が、０．２５μｍ〜０．１３μｍになるとＫｒＦ（フッ化クリプトン）エキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）がそれぞれ使用されてきた。また、９０〜４５ｎｍのデザイン・ルールでは、ＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）、液浸露光、変形照明の組み合わせが採用されている。
【０００８】
しかしながら、さらに以細なデザイン・ルールに対しては、上記技術をもってしても容易でなく、さらに短波長（波長：１３〜１４ｎｍ）のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光を用いたＥＵＶリソグラフィ技術の開発が進められている。ＥＵＶリソグラフィの開口係数ＮＡは、フォトリソグラフィより小さいが、波長の２．０〜１．５倍程度は解像するので、３０ｎｍ以下の解像寸法が可能である。
【０００９】
ＥＵＶ光は、波長が短いために、物質の屈折率がほとんど真空の値に近く、材料間での光吸収の差も小さい。このため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような透過型の屈折光学系を使用することができない。そこで、ＥＵＶリソグラフィでは、反射光学系、すなわち、反射型フォトマスクとミラーが用いられる。また、照明光学系と結像光学系との干渉を避けるために、マスクに対して斜めに光を入射させる照明系が採用されている。入射角は、例えば、法線方向から６°とすることができる。ＥＵＶマスクの裏面には例えばクロム膜などが形成され、この裏面を静電チャック方式により保持した状態で、表面からＥＵＶ光を斜め入射させる。
【００１０】
一般的なＥＵＶマスクは、シリコンウェハやガラス基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順に形成された構造を有している。反射層としては、高屈折層と低屈折層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光反射率を高めた多層反射膜が使用される。一方、吸収層としては、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、例えば、クロムやタンタルを主成分とする材料が用いられる。
【００１１】
特許文献１には、ＥＵＶマスクの製造方法が記載されている。
【００１２】
この特許文献１によれば、まず、シリコンウェハやガラス基板上に、スパッタ法などによって、所望の層数のモリブデンとシリコンからなる多層膜を積層して反射層を形成する。次いで、この反射層の上に緩衝膜を形成する。緩衝膜は、吸収層のパターニングや欠陥修正の際に、多層膜が受けるダメージを軽減する機能を有する。次に、緩衝膜の上に、スパッタ法などにより吸収層となる薄膜を形成する。そして、この薄膜の上にレジストを塗布し、ベーキングを行った後に電子ビームによる描画を行う。その後、現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、上記薄膜のドライエッチングを行う。次いで、レジストを剥離することにより、ＥＵＶマスクを得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００４−２６００５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
一般に、最先端の半導体集積回路で使用されるマスクの製造には、パターンの微細性の点から電子ビーム描画装置が用いられる。しかしながら、特許文献１にあるように、電子ビームによってＥＵＶマスクパターンを描画すると、次のような問題を生じる。
【００１５】
ＥＵＶマスクは、上述の通り、複雑な構造を有しており、入射電子の散乱の仕方が従来のクロムとガラスからなる基板とは大きく異なる。このため、基板に入射した電子のエネルギー分布が複雑になり、レジスト内における蓄積エネルギーを求めるのが容易でない。
【００１６】
図７は、従来のマスク基板に入射した電子のエネルギー分布を示す図である。一方、図８は、ＥＵＶマスク基板に入射した電子のエネルギー分布を示す図である。尚、図７における従来のマスク基板は、ガラス基板上に、クロム膜とレジストがこの順に形成された構造である。また、図８におけるＥＵＶマスク基板は、ガラス基板上に、モリブデンとシリコンからなる２層膜が多数積層された反射層と、タンタルからなる吸収層と、レジストとがこの順に形成された構造である。尚、これらの図において、図の縦方向は深さ方向である。
【００１７】
図７と図８を比較すると分かるように、図８のＥＵＶマスク基板では、入射した電子のエネルギー分布が、図７の従来のマスク基板より複雑になっている。すなわち、従来のマスク基板では、レジストからクロム膜に入射し、さらにガラス基板に入射した電子のエネルギー分布は、次第に横方向に拡がりを持つが、全体としてはシャープな分布となっている。したがって、後方散乱電子がレジストを再露光する照射量については、ガウス関数でうまく近似できる。一方、ＥＵＶマスク基板では、レジストの下層に入射するとブロードに拡がる。特に、反射層を形成するモリブデンとシリコンの多層膜中での横方向の広がりは顕著である。原子量の大きいモリブデンが厚く積層されているため、質量の小さい電子の散乱が大きくなる。その影響は、ガラス基板部分にも及び、全体として、従来のマスク基板より横方向に大きく拡がりを持った複雑な分布となっている。その結果、レジストを再露光する散乱電子も複雑な分布をとり、露光照射量を単純なガウス関数で近似できない。
【００１８】
また、一般に、レジストが塗布されたマスク基板に電子ビームを照射する場合には、近接効果と呼ばれるレジストパターンの寸法を変動させる要因が存在する。近接効果は、照射された電子がマスクの内部で散乱されてレジストを再照射する現象であり、その影響範囲は、例えば、加速電圧が５０ｋＶでは、十数μｍ程度である。そこで、電子ビームを照射する前に、前方散乱による蓄積エネルギーと、後方散乱による蓄積エネルギーとを用いた閾値モデルによって照射後の寸法を予想し、照射量を補正することが行われている。
【００１９】
近接効果補正では、まず、マスク基板の描画領域を所定のメッシュサイズΔでメッシュ状に仮想分割する。そして、メッシュ領域毎に近接効果が補正された照射量Ｄｎ＋１（ｘ）を求める。このとき、メッシュ領域のサイズは、後方散乱の拡がりσｂよりも十分に小さく設定される。
【００２０】
しかしながら、ＥＵＶマスク基板に電子ビームを照射すると、上述のように、従来のマスク基板のときとは異なる散乱が起こる。この散乱による影響は、従来の近接効果補正で設定されるメッシュ領域のサイズより狭い。このため、従来と同様の方法では、この散乱に対する照射量を補正することができない。そこで、メッシュ領域のサイズをさらに小さくしようとすると、計算に膨大な時間がかかることになる。また、かかる散乱を考慮してＥＵＶマスクパターンの設計データを変更することも考えられるが、そのための開発に労力を要し容易にはできない。
【００２１】
本発明は、こうした点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、メッシュ領域のサイズやマスクパターンの設計変更をすることなしに、電子ビームを用いてＥＵＶマスクを製造する方法を提供することにある。
【００２２】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明のＥＵＶマスクの製造方法の第１の態様は、遮光膜と第１のレジストが積層された透明基板に電子ビームを照射する工程と、
第１のレジストを現像して第１のレジストパターンを形成し、第１のレジストパターンをマスクとして遮光膜をパターニングする工程と、
第１のレジストパターンを除去してフォトマスクを製造する工程と、
ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、第２のレジストとが積層された基板に対して、フォトマスクを介してレーザ光を照射する工程と、
第２のレジストを現像して第２のレジストパターンを形成し、第２のレジストパターンをマスクとして吸収層をパターニングする工程と、
第２のレジストパターンを除去してＥＵＶマスクを製造する工程とを有することを特徴とする。
【００２４】
本発明の第１の態様において、レーザ光は、ＡｒＦレーザ光であることが好ましい。
【００２５】
本発明のＥＵＶマスクの製造方法の第２の態様は、第１のレジストが形成された基板に電子ビームを照射する工程と、
第１のレジストを現像して第１のレジストパターンを形成し、第１のレジストパターンを用いて基板に凹部を設け、テンプレートを製造する工程と、
ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、第２のレジストとが積層された基板に対し、第２のレジストに凹部が対向するようにしてテンプレートを密着させ、テンプレートの側から光を照射して第２のレジストを硬化させ、凹部に嵌合するパターンを有する第２のレジストパターンを形成する工程と、
第２のレジストパターンをマスクとして吸収層をパターニングする工程と、
第２のレジストパターンを除去してＥＵＶマスクを製造する工程とを有することを特徴とする。
【００２６】
本発明の第２の態様において、反射層は、高屈折層と低屈折層とが交互に積層されていることが望ましい。
【００２７】
本発明の第１の態様または第２の態様において、反射層と吸収層の間には、吸収層のパターニングの際に反射層を保護する膜が設けられていることが好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、メッシュ領域のサイズやマスクパターンの設計変更をすることなしに、電子ビームを用いてＥＵＶマスクを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本実施の形態におけるＥＵＶマスク基板の一例である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態におけるＥＵＶマスクの製造方法の一例である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態におけるテンプレートの製造方法の一例である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態におけるＥＵＶマスクの製造方法の他の例である。
【図５】本実施の形態における電子ビーム描画装置の構成図である。
【図６】電子ビームによる描画方法の説明図である。
【図７】従来のマスク基板に入射した電子のエネルギー分布を示す図である。
【図８】ＥＵＶマスク基板に入射した電子のエネルギー分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
従来のＥＵＶマスクの製造方法によれば、ＥＵＶマスク基板に電子ビームでパターンを描画する。しかしながら、ＥＵＶマスク基板に電子ビームを照射すると、基板に入射した電子のエネルギー分布が複雑になるうえ、従来の方法では散乱に対する補正を行うことができない。そこで、本実施の形態では、次の工程によってＥＵＶマスクを製造する。
【００３１】
（１）フォトマスク基板上に、電子ビームでパターンを描画してフォトマスクを製造する。
（２）（１）で得られたフォトマスクを介して、ＥＵＶマスク基板に、レーザ光を照射する。これにより、フォトマスクのパターンを転写してＥＵＶマスクを製造する。レーザ光は、ＡｒＦレーザ光（波長：１９３ｎｍ）が好ましい。
【００３２】
（１）のフォトマスク基板は、例えば、ガラス基板上にクロム膜とレジスト（第１のレジストとも言う。）がこの順で形成された基板とすることができる。尚、クロム膜以外の膜、例えば、ハーフト−ン膜や、クロム膜とハーフトーン膜の２層からなる膜であってもよい。また、電子ビームで描画するパターンは、所定の回路パターンなどであって、（２）のＥＵＶマスクのパターンに対応するものである。
【００３３】
電子ビームで描画するパターンは、（２）でＥＵＶマスク基板に縮小投影されることを考えて、適当なパターンサイズとする。例えば、フォトマスク上の回路パターンをＥＵＶマスク基板上に４分の１に縮小投影して転写する場合には、ＥＵＶマスクにおけるパターンサイズの４倍とすればよい。
【００３４】
本実施の形態によれば、電子ビームをＥＵＶマスク基板ではなく、例えば、ガラス基板上にクロム膜とレジストがこの順で形成されたフォトマスク基板に照射する。したがって、ＥＵＶマスクパターンを電子ビームで描画する際に問題となる複雑なエネルギー分布や散乱を考慮せずに済む。つまり、照射量の補正は、従来の電子ビーム描画装置で行われている補正で十分である。
【００３５】
レジストへの電子ビームの照射を終えた後は、レジストを現像してレジストパターン（第１のレジストパターンとも言う。）を形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして下層の膜（例えば、クロム膜）をエッチングした後、レジストパターンを剥離する。これにより、下層の膜を目的とする形状のパターンに加工して、フォトマスクを製造することができる。
【００３６】
（２）のＥＵＶマスク基板は、例えば、シリコンウェハやガラス基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順に形成されており、さらに吸収層の上にレジスト（第２のレジストとも言う。）が形成されたものである。
【００３７】
反射層としては、高屈折層と低屈折層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光反射率を高めた多層反射膜が使用される。例えば、モリブデンとシリコンからなる２層膜を４０層積層した多層反射膜を用いて、反射層とすることができる。モリブデンの膜厚は、例えば２．９ｎｍとすることができる。また、シリコンの膜厚は、例えば４．０ｎｍとすることができる。
【００３８】
吸収層としては、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、例えば、クロムまたはタンタルを主成分とする材料が用いられる。
【００３９】
反射層と吸収層との間には、クロムまたはルテニウムからなる緩衝膜を設けることができる。緩衝膜は、吸収層のパターニングや欠陥修正の際に、反射層が受けるダメージを軽減する保護膜としての機能を有する。また、緩衝膜と反射層の間に、シリコンからなるキャップ膜を設けてもよい。
【００４０】
図１は、ＥＵＶマスク基板の一例である。
【００４１】
基板１０１の光学特性は問わないが、低熱膨張の材料を用いる。ＮＺＴＥ（Ｎｅａｒ  Ｚｅｒｏ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｅｘｏａｎｓｉｏｎ；熱膨張がゼロに近い）材料としては、例えば、チタニウムドープケイ酸塩ガラスが挙げられる。この材料の熱膨張係数は、＜＜１００ｐｐｂ／Ｋであることが知られている（例えば、特開昭６４−３３０３０号公報参照。）。また、Ｃｕ２Ｏ−ＣｕＯ−ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系の銅亜鉛アルミニウムケイ酸塩ガラスも、最大１５×１０−７/Ｋという低い熱膨張係数を有することが知られている（米国特許第３，４９８，８７６号明細書参照）。
【００４２】
基板１０１の上には、モリブデンとシリコンからなる２層膜を多数積層した反射層１０２が形成されている。ＥＵＶ光は、物質に容易に吸収されるため、通常の鏡面では反射しない。しかしながら、光の干渉を利用した上記反射層１０２によれば、ＥＵＶ光を反射することが可能である。但し、反射層１０２は均一な厚さとすることが必要であり、基板１０１上に異物が載ったり、成膜時に異物が混入したりしないよう十分に留意する必要がある。また、異物は、ＥＵＶ光を吸収したり、散乱したりして、線幅欠陥や位相欠陥を生じさせる要因ともなる。
【００４３】
モリブデン膜の厚さは、例えば３ｎｍとすることができ、シリコン膜の厚さは、例えば４ｎｍとすることができる。反射層１０２は、例えば、モリブデンとシリコンからなる２層膜が４０〜５０層積層された、厚さ３００ｎｍ程度の膜とすることができる。この場合、反射層１０２によるＥＵＶ光の反射率は６０％〜７０％である。
【００４４】
反射層１０２の上には、キャップ膜１０３が形成されている。キャップ膜１０３は、例えば、ルテニウムまたはシリコンからなる膜とすることができる。キャップ膜１０３は、ＥＵＶマスクの凹部における最上層となり、反射層１０２を保護する機能を有する。
【００４５】
キャップ膜１０３の上には、緩衝膜１０４が形成されている。緩衝膜１０４は、例えば、クロムまたはルテニウムからなる膜とすることができる。また、ＣｒＮ膜またはＳｉＯ２膜とすることもできる。緩衝膜１０４は、上記したように、吸収層１０５のパターニングや欠陥修正の際に反射層が受けるダメージを軽減する保護膜としての機能を有する。また、吸収層１０５のエッチングストッパとしての機能も有する。緩衝膜１０４は、可視光を用いた検査コントラストが高いものであることが好ましい。ＥＵＶ光による露光コントラストは、吸収層１０５と緩衝膜１０４からなる吸収体積層膜によって決められる。
【００４６】
緩衝膜１０４の上には、吸収層１０５が形成されている。吸収層１０５としては、例えば、ＴａＮ膜、ＴａＢＮ膜またはＴａＧｅＮ膜などを用いることができる。また、吸収層１０５の膜厚は、例えば１００ｎｍ弱程度とすることができる。吸収層１０５には、ＥＵＶ光による露光コントラストが高いこと、紫外光を用いた検査コントラストが高いこと、成膜時の応力制御性がよいこと、エッチング加工性がよいこと、さらには、ＥＵＶ光の照射でイオン化しないことなどの諸特性が要求される。
【００４７】
吸収層１０５の上には、レジスト１０６が形成されている。レジスト１０６は、光に対して感応性を有する材料を用いて構成される。
【００４８】
図１のＥＵＶマスク基板では、フォトリソグラフィ法により、吸収層１０５と緩衝膜１０４が所定のパターンに加工される。具体的には、ＥＵＶマスク基板に対して、（１）のフォトマスクを介して、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長：１９３ｎｍ）を照射する。すなわち、従来は、電子ビーム描画装置を用いた露光であったのに対し、本実施の形態では、転写光源として光を用い、（１）で得られたフォトマスク上のパターンを縮小投影して、ＥＵＶマスク基板のレジストに転写する。
【００４９】
レジストへの光照射を終えた後は、レジストを現像してレジストパターン（第２のレジストパターンとも言う。）を形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして下層の膜（吸収層または吸収層と緩衝膜）をエッチングした後、レジストパターンを剥離する。これにより、下層の膜を目的とする形状のパターンに加工して、ＥＵＶマスクを製造することができる。
【００５０】
上記方法では、図２（ａ）に示すように、まず、フォトマスク基板２０１に電子ビーム２０２を照射する。ここで、フォトマスク基板２０１は、ガラス基板２０１ａ上に、ハーフトーン膜とクロム膜の２層からなる膜２０１ｂとレジスト２０１ｃがこの順に積層された構造を有する。
【００５１】
次いで、レジストパターン（図示せず）をマスクとして、ハーフトーン膜とクロム膜からなる２０１ｂをエッチングしてパターンを形成する。クロムを除去する工程が入り、パターンは最終的にはハーフトーン膜で形成される。このようにして、フォトマスク２０３が製造される（図２（ｂ））。
【００５２】
次に、図２（ｃ）に示すように、光源にＡｒＦエキシマレーザ光２０４を用い、フォトマスク２０３上に形成されたパターンをＥＵＶマスク基板２０５に縮小投影する。尚、ＥＵＶマスク基板２０５は、図１と同様の構造とすることができる。
【００５３】
次いで、レジストパターン（図示せず）をマスクとして、吸収層１０５と緩衝膜１０４をエッチングする。これによって、超微細パターンが形成されたＥＵＶマスク２０６を得ることができる（図２（ｄ））。
【００５４】
本実施の形態によるＥＵＶマスクの製造方法によれば、従来法における問題、つまり、ＥＵＶマスク基板に電子ビームを照射する場合に起こる問題を考慮しなくて済む。
【００５５】
ＥＵＶマスク基板に電子ビームを照射した場合には、基板に入射した電子のエネルギー分布が複雑になり、レジスト内における蓄積エネルギーを求めるのが容易でなくなる。また、従来のマスク基板のときとは異なる散乱が起こり、この散乱に対する照射量を補正しようとすると、メッシュ領域のサイズやＥＵＶマスクパターンの設計データの変更などが必要となる。
【００５６】
これに対して、本実施の形態の方法によれば、電子ビームをガラス基板上にハーフトーン膜とクロム膜とレジストがこの順で形成されたフォトマスク基板などに照射するので、上記問題を考慮せずに済む。つまり、メッシュ領域のサイズ変更やマスクパターンの設計変更をする必要がなく、従来の電子ビーム描画装置を用いて、パターン精度のよいフォトマスクを製造することができる。したがって、このフォトマスクを用いることにより、パターン精度のよいＥＵＶマスクを製造することができる。
【００５７】
また、本実施の形態では、上記のフォトマスクを用いた方法に代えて、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ：Ｎａｎｏｉｍｐｒｉｎｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）技術を利用してもよい。具体的には、ＥＵＶマスクパターンの反転パターンに加工された原版の型（テンプレート）を作製し、このテンプレートを、ＥＵＶマスク基板上に塗布されたレジストに接触させる。この状態でレジストに紫外線を照射してレジストを硬化させると、レジストに所望のパターンを転写することができる。
【００５８】
テンプレートの作製には、電子ビームが用いられる。つまり、本実施の形態は、次の工程によってもＥＵＶマスクを製造することができる。
【００５９】
（１）電子ビームを用いて、表面にＥＵＶマスクパターンの反転パターンが形成されたテンプレートを作る。
（２）（１）で得られたテンプレートをＥＵＶマスク基板上に塗布されたレジストに接触させる。これにより、テンプレートのパターンをレジストに転写してＥＵＶマスクを製造する。
【００６０】
テンプレートの材料には、例えば、紫外光に対して透過性のよい石英を用いることができる。テンプレートをこのような材料で作ることにより、レジストを硬化させる際の光を透過させることができる。テンプレートの表面には、ＥＵＶマスクパターンの反転パターンが形成される。
【００６１】
例えば、図３（ａ）に示すように、石英基板３０１ａの上にクロム膜３０１ｂとレジスト（第１のレジストとも言う。）３０１ｃが設けられた基板３０１を用意し、レジスト３０１ｃに電子ビーム３０２でパターンを描画する。このパターンは、ＥＵＶマスクパターンの反転パターンである。尚、３０１ｂは、クロム膜でなくてもよく、クロム膜３０１ｂに代えて他の膜を設けてもよい。
【００６２】
レジストへの電子ビームの照射を終えた後は、レジストを現像してレジストパターン（第１のレジストパターンとも言う。）３０１ｄを形成する（図３（ｂ））。
【００６３】
次いで、レジストパターン３０１ｄをマスクとしてクロム膜３０１ｂをエッチングした後、レジストパターン３０１ｄを剥離して、クロムパターン３０１ｅを形成する（図３（ｃ））。
【００６４】
次に、得られたクロムパターン３０１ｅをマスクとして、石英基板３０１ａのエッチングを行う。エッチング後、クロムパターンを除去することで、図３（ｄ）に示すように、表面に凹部が設けられたテンプレート３０３が得られる。
【００６５】
石英基板は、良好な紫外線特性を有しているために、必ずしも透明ではない対象基板にＮＩＬを適用する際に、介在する樹脂が紫外線硬化性であれば、ＮＩＬ用の型の側から紫外線照射を行えるという利点を有する。
【００６６】
上記の反転パターンは、電子ビーム描画により形成される。電子ビームが照射されるのは、上記の通り、石英基板上にクロム膜などが形成されたマスク基板であるので、ＥＵＶマスク基板に電子ビームを照射する際に問題となる複雑なエネルギー分布や散乱を考慮せずに済む。つまり、照射量の補正は、従来の電子ビーム描画装置で行われている補正で十分である。
【００６７】
次に、上記で得られたテンプレートを用いて、ＥＵＶマスクを作製する方法について説明する。
【００６８】
まず、図４（ａ）に示すように、ＥＵＶマスク基板２０５を用意する。ＥＵＶマスク基板は、下記に述べる構造を有し、例えば、図１と同様の構造とすることができる。
【００６９】
ＥＵＶマスク基板は、例えば、シリコンウェハやガラス基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順に形成されており、さらに吸収層の上にレジスト（第２のレジストとも言う。）が形成されたものである。
【００７０】
反射層としては、高屈折層と低屈折層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光反射率を高めた多層反射膜が使用される。例えば、モリブデンとシリコンからなる２層膜を４０層積層した多層反射膜を用いて、反射層とすることができる。モリブデンの膜厚は、例えば２．９ｎｍとすることができる。また、シリコンの膜厚は、例えば４．０ｎｍとすることができる。
【００７１】
吸収層としては、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、例えば、クロムまたはタンタルを主成分とする材料が用いられる。
【００７２】
反射層と吸収層との間には、クロムまたはルテニウムからなる緩衝膜を設けることができる。緩衝膜は、吸収層のパターニングや欠陥修正の際に、多層膜が受けるダメージを軽減する保護膜としての機能を有する。また、緩衝膜と反射層の間に、シリコンからなるキャップ膜を設けてもよい。
【００７３】
次に、図３のテンプレート３０３とＥＵＶマスク基板２０５とを、レジスト１０６に凹部が対向するようにして重ね合わせ、図４（ｂ）に示すように、テンプレート３０３をレジスト１０６に密着させる。すると、レジストは、テンプレートの表面に設けられた凹凸によって賦型される。
【００７４】
次いで、図４（ｃ）に示すように、テンプレート３０３とＥＵＶマスク基板２０５とが密着した状態で、テンプレート３０３を介してレジスト１０６に紫外線４０１を照射してレジスト１０６を硬化させる。
【００７５】
その後、テンプレート３０３を取り去ると、ＥＵＶマスク基板（図示せず）が得られる。このＥＵＶマスク基板では、レジスト１０６が、テンプレート３０３の凹部に嵌合するパターン形状に加工されている。すなわち、テンプレート３０３を用いたＮＩＬ技術によって、レジストパターン（第２のレジストパターンとも言う。）が形成されている。
【００７６】
次に、第２のレジストパターン（図示せず）をマスクとして、吸収層１０５と緩衝膜１０４をエッチングする。これによって、超微細パターンが形成されたＥＵＶマスク４０２を得ることができる（図４（ｄ））。
【００７７】
上記方法では、まず、電子ビームを用いて、微細パターンが設けられたテンプレートを製造する。次いで、ＮＩＬ技術を適用して、テンプレートに設けられたパターンをＥＵＶマスク基板に転写する。これによって、超微細パターンが形成されたＥＵＶマスクを得ることができる。
【００７８】
ＮＩＬ技術を用いた方法によっても、ＥＵＶマスク基板に電子ビームを照射する場合に起こる問題を考慮しなくて済む。すなわち、ＥＵＶマスク基板に電子ビームを照射した場合には、基板に入射した電子のエネルギー分布が複雑になり、レジスト内における蓄積エネルギーを求めるのが容易でなくなる。また、従来のマスク基板のときとは異なる散乱が起こり、この散乱に対する照射量を補正しようとすると、メッシュ領域のサイズやＥＵＶマスクパターンの設計データの変更などが必要となる。
【００７９】
これに対して、本実施の形態の方法によれば、クロム膜とレジストがこの順で積層された石英基板などの上に電子ビームを照射するので、上記問題を考慮せずに済む。つまり、メッシュ領域のサイズ変更やマスクパターンの設計変更をする必要がなく、従来の電子ビーム描画装置を用いて、パターン精度のよいテンプレートを作製することができる。したがって、このテンプレートを用いることにより、パターン精度のよいＥＵＶマスクを製造することができる。
【００８０】
図５は、本実施の形態において、フォトマスクやテンプレートを作製する際に用いられる電子ビーム描画装置の一例である。
【００８１】
図５に示すように、電子ビーム描画装置の試料室１内には、試料２が設置されるステージ３が設けられている。試料２は、例えば、ガラス基板または石英基板の上にクロム膜とレジストがこの順で形成されたものである。本実施の形態では、レジストに対して電子ビームで描画を行う。
【００８２】
ステージ３は、ステージ駆動回路４によりＸ方向とＹ方向に駆動される。ステージ３の移動位置は、レーザ測長計等を用いた位置回路５により測定される。
【００８３】
試料室１の上方には、電子ビーム光学系１０が設置されている。この光学系１０は、電子銃６、各種レンズ７、８、９、１１、１２、ブランキング用偏向器１３、成形偏向器１４、ビーム走査用の主偏向器１５、ビーム走査用の副偏向器１６、および、２個のビーム成形用のアパーチャ１７、１８等から構成されている。
【００８４】
図６は、電子ビームによる描画方法の説明図である。この図に示すように、試料２上に描画されるパターン５１は、短冊状のフレーム領域５２に分割されている。電子ビーム５４による描画は、ステージ３が一方向（例えば、Ｘ方向）に連続移動しながら、フレーム領域５２毎に行われる。フレーム領域５２は、さらに副偏向領域５３に分割されており、電子ビーム５４は、副偏向領域５３内の必要な部分のみを描画する。尚、フレーム領域５２は、主偏向器１５の偏向幅で決まる短冊状の描画領域であり、副偏向領域５３は、副偏向器１６の偏向幅で決まる単位描画領域である。
【００８５】
副偏向領域の基準位置の位置決めは、主偏向器１５で行われ、副偏向領域５３内での描画は、副偏向器１６によって制御される。すなわち、主偏向器１５によって、電子ビーム５４が所定の副偏向領域５３に位置決めされ、副偏向器１６によって、副偏向領域５３内での描画位置が決められる。さらに、成形偏向器１４とビーム成形用のアパーチャ１７、１８によって、電子ビーム５４の形状と寸法が決められる。そして、ステージ３を一方向に連続移動させながら、副偏向領域５３内を描画し、１つの副偏向領域５３の描画が終了したら、次の副偏向領域５３を描画する。フレーム領域５２内の全ての副偏向領域５３の描画が終了したら、ステージ３を連続移動させる方向と直交する方向（例えば、Ｙ方向）にステップ移動させる。その後、同様の処理を繰り返して、フレーム領域５２を順次描画して行く。
【００８６】
副偏向領域は、副偏向器１６によって、主偏向領域よりも高速に電子ビーム５４が走査されて描画される領域であり、一般に最小描画単位となる。副偏向領域内を描画する際には、パターン図形に応じて準備された寸法と形状のショットが成形偏向器１４により形成される。具体的には、電子銃６から出射された電子ビーム５４が、第１のアパーチャ１７で矩形状に成形された後、成形偏向器１４で第２のアパーチャ１８に投影されて、そのビーム形状と寸法を変化させる。その後、電子ビーム５４は、上述の通り、副偏向器１６と主偏向器１５により偏向されて、ステージ３上に載置された試料２に照射される。
【００８７】
設計者（ユーザ）が作成したＣＡＤデータは、ＯＡＳＩＳなどの階層化されたフォーマットの設計中間データに変換される。設計中間データには、レイヤ（層）毎に作成されて各マスクに形成される設計パターンデータが格納される。ここで、一般に、電子ビーム描画装置は、ＯＡＳＩＳデータを直接読み込めるようには構成されていない。すなわち、電子ビーム描画装置の製造メーカ毎に、独自のフォーマットデータが用いられている。このため、ＯＡＳＩＳデータは、レイヤ毎に各電子ビーム描画装置に固有のフォーマットデータに変換されてから装置に入力される。
【００８８】
図５で、符号２０は入力部であり、記憶媒体である磁気ディスクを通じて電子ビーム描画装置にフォーマットデータが入力される部分である。設計パターンに含まれる図形は、長方形や三角形を基本図形としたものであるので、入力部２０には、例えば、図形の基準位置における座標（ｘ，ｙ）、辺の長さ、長方形や三角形等の図形種を区別する識別子となる図形コードといった情報であって、各パターン図形の形、大きさ、位置等を定義した図形データが格納される。
【００８９】
さらに、数十μｍ程度の範囲に存在する図形の集合を一般にクラスタまたはセルと称するが、これを用いてデータを階層化することが行われている。クラスタまたはセルには、各種図形を単独で配置したり、ある間隔で繰り返し配置したりする場合の配置座標や繰り返し記述も定義される。クラスタまたはセルデータは、さらにフレームまたはストライプと称される、幅が数百μｍであって、長さがフォトマスクのＸ方向またはＹ方向の全長に対応する１００ｍｍ程度の短冊状領域に配置される。
【００９０】
図形パターンの分割処理は、電子ビームのサイズにより規定される最大ショットサイズ単位で行われ、併せて、分割された各ショットの座標位置、サイズおよび照射時間が設定される。そして、描画する図形パターンの形状や大きさに応じてショットが成形されるように、描画データが作成される。描画データは、短冊状のフレーム（主偏向領域）単位で区切られ、さらにその中は副偏向領域に分割されている。つまり、チップ全体の描画データは、主偏向領域のサイズにしたがった複数の帯状のフレームデータと、フレーム内で主偏向領域よりも小さい複数の副偏向領域単位とからなるデータ階層構造になっている。
【００９１】
上述の通り、電子ビーム描画装置では、描画後のパターン寸法が設計データの寸法と同一になるようにビーム照射量を変動させる補正処理が必要である。パターン寸法変動を引き起こす要因としては、前述の近接効果が挙げられるが、この他にもかぶり効果やローディング効果といったものもある。
【００９２】
近接効果は、レジストに照射された電子がガラス基板の内部で反射してレジストを再照射する現象である。また、かぶり効果は、レジストに照射された電子が基板で反射し、さらに電子ビーム描画装置の構造物で再反射した後、レジストを広範囲に渡って再照射してしまう現象である。この現象は、基板に電子が照射されて発生した二次電子によっても引き起こされる。さらに、ローディング効果は、レジストパターンをマスクとして下層の遮光膜等をエッチングする際に、レジストパターンの面積率の違いが原因となって起こる寸法変動である。例えば、加速電圧が５０ｋＶの電子ビーム描画装置では、近接効果の影響半径σが十数μｍ程度であるのに対して、かぶり効果の影響半径σＦは十ｍｍ程度、さらに、ローディング効果の影響半径σＬは十ｍｍ〜数十ｍｍにも及ぶ。
【００９３】
上記要因によって生じる寸法変動を補正するため、各々の現象に対して補正で必要となるパラメータを実験的に決定する。
【００９４】
近接効果補正では、影響半径σ、後方散乱率η、基準照射量Ｄ０である。描画面積率を変えたパターン、例えばポジレジストの場合、孤立の抜きライン（描画面積率≒０％）、１：１ラインアンドスペース（描画面積率≒５０％）、孤立の残しライン（描画面積率≒１００％）に対して、影響半径σ、後方散乱率η、基準照射量Ｄ０の値を網羅的に変化させて、描画面積率に依存した寸法誤差が最小となる値を求める。網羅的とは、一つの影響半径σの値に対して、後方散乱率ηと基準照射量Ｄ０を２次元的に振り、他の複数の影響半径σについても同様に行うという意味である。
【００９５】
次に、かぶり補正のパラメータ、かぶりの影響半径σｂ、かぶり効果率Θを求める。かぶり効果が顕著に現れる塗りつぶしパターンの周辺に描画したパターンを測ることでなされる。つまり、塗りつぶしパターンからの距離に応じて変化する寸法の挙動から、パラメータを決定する。
【００９６】
続いて、ローディング補正のパラメータ、ローディングの影響半径σＬ、ローディング効果率γを求める。ローディング効果は、描画面積率の違いがエッチング速度の差となって起こる現象なので、近接効果補正のパラメータ決定の場合のように、描画面積率を変えたパターンを利用して補正パラメータを決める。但し、近接効果とは影響する範囲が異なるので、パターンの大きさなどを変える必要がある。
【００９７】
これらのパラメータの決定にあたっては、近接効果とかぶり効果については現像後のレジストパターンを、ローディング効果についてはエッチング後のパターンをそれぞれ使用する。
【００９８】
また、すべての補正において、寸法変動を引き起こす周辺パターンの影響は、ガウス関数で記述できるものとしている。
【００９９】
上記によって求めた補正パラメータに基づき行う補正処理は、図５の描画データ補正部３１で行われる。描画データ補正部３１は、寸法補正マップ作成部３１ａと、この寸法補正マップに対応した補正照射量を求める補正照射量算出部３１ｂと、補正照射量からマスクの所定位置における電子ビームの照射量を求める照射量算出部３１ｃとを有する。ここで、補正照射量は、近接効果補正照射量、かぶり補正照射量およびローディング効果補正照射量の少なくとも１つとすることができる。
【０１００】
各補正パラメータは、図５の入力部２０から入力され、描画データ補正部３１の寸法補正マップ作成部３１ａに送られる。また、入力部２０には、既に説明したように、電子ビーム描画装置に固有のフォーマットデータに変換された描画データも入力される。制御計算機１９によって入力部２０から読み出された描画データは、フレーム領域５２毎にパターンメモリ２１に一時的に格納される。パターンメモリ２１に格納されたフレーム領域５２毎のパターンデータ、すなわち、描画位置や描画図形データ等で構成されるフレーム情報は、描画データ補正部３１に順次送られ、複数のフレーム情報を考慮して、寸法補正を行う。
【０１０１】
描画データ補正部３１で補正されたフレーム情報は、データ解析部であるパターンデータデコーダ２２と描画データデコーダ２３に送られる。
【０１０２】
パターンデータデコーダ２２からの情報は、ブランキング回路２４とビーム成形器ドライバ２５に送られる。具体的には、パターンデータデコーダ２２で上記データに基づいたブランキングデータが作成され、ブランキング回路２４に送られる。また、所望とするビーム寸法データも作成されて、ビーム成形器ドライバ２５に送られる。そして、ビーム成形器ドライバ２５から、光学系１０の成形偏向器１４に所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム５４の寸法が制御される。
【０１０３】
図５の偏向制御部３０は、セトリング時間決定部２９に接続し、セトリング時間決定部２９は、副偏向領域偏向量算出部２８に接続し、副偏向領域偏向量算出部２８は、パターンデータデコーダ２２に接続している。また、偏向制御部３０は、ブランキング回路２４と、ビーム成形器ドライバ２５と、主偏向器ドライバ２６と、副偏向器ドライバ２７とに接続している。
【０１０４】
描画データデコーダ２３の出力は、主偏向器ドライバ２６と副偏向器ドライバ２７に送られる。そして、主偏向器ドライバ２６から主偏向器１５に所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム５４が所定の主偏向位置に偏向走査される。また、副偏向器ドライバ２７から副偏向器１６に所定の副偏向信号が印加されて、副偏向領域５３内での描画が行われる。
【０１０５】
次に、電子ビーム描画装置による描画方法について説明する。
【０１０６】
まず、試料室１内のステージ３上に試料２を載置する。次いで、ステージ３の位置検出を位置回路５により行い、制御計算機１９からの信号に基づいて、ステージ駆動回路４によりステージ３を描画可能な位置まで移動させる。
【０１０７】
次に、電子銃６より電子ビーム５４を出射する。出射された電子ビーム５４は、照明レンズ７により集光される。そして、ブランキング用偏向器１３により、電子ビーム５４を試料２に照射するか否かの操作を行う。
【０１０８】
第１のアパーチャ１７に入射した電子ビーム５４は、第１のアパーチャ１７の開口部を通過した後、ビーム成形器ドライバ２５により制御された成形偏向器１４によって偏向される。そして、第２のアパーチャ１８に設けられた開口部を通過することにより、所望の形状と寸法を有するビーム形状になる。このビーム形状は、試料２に照射される電子ビーム５４の描画単位である。
【０１０９】
電子ビーム５４は、ビーム形状に成形された後、縮小レンズ１１によって縮小される。そして、試料２上における電子ビーム５４の照射位置は、主偏向器ドライバ２６によって制御された主偏向器１５と、副偏向器ドライバ２７によって制御された副偏向器１６とにより制御される。主偏向器１５は、試料２上の副偏向領域５３に電子ビーム５４を位置決めする。また、副偏向器１６は、副偏向領域５３内で描画位置を位置決めする。
【０１１０】
試料２への電子ビーム５４による描画は、ステージ３を一方向に移動させながら、電子ビーム５４を走査することにより行われる。具体的には、ステージ３を一方向に移動させながら、各副偏向領域５３内におけるパターンの描画を行う。そして、１つのフレーム領域５２内にある全ての副偏向領域５３の描画を終えた後は、ステージ３を新たなフレーム領域５２に移動して同様に描画する。
【０１１１】
上記のようにして、試料２の全てのフレーム領域５２の描画を終えた後は、新たなマスクに交換し、上記と同様の方法による描画を繰り返す。
【０１１２】
次に、制御計算機１９による描画制御について説明する。
【０１１３】
制御計算機１９は、入力部２０で磁気ディスクに記録されたマスクの描画データを読み出す。読み出された描画データは、フレーム領域５２毎にパターンメモリ２１に一時的に格納される。
【０１１４】
パターンメモリ２１に格納されたフレーム領域５２毎の描画データ、つまり、描画位置や描画図形データ等で構成されるフレーム情報は、描画データ補正部３１で寸法と位置を補正した後、データ解析部であるパターンデータデコーダ２２と描画データデコーダ２３を介して、副偏向領域偏向量算出部２８、ブランキング回路２４、ビーム成形器ドライバ２５、主偏向器ドライバ２６、副偏向器ドライバ２７に送られる。
【０１１５】
パターンデータデコーダ２２では、描画データに基づいてブランキングデータが作成されてブランキング回路２４に送られる。また、描画データに基づいて所望とするビーム形状データが作成されて副偏向領域偏向量算出部２８とビーム成形器ドライバ２５に送られる。
【０１１６】
副偏向領域偏向量算出部２８は、パターンデータデコーダ２２により作成したビーム形状データから、副偏向領域５３における、１ショットごとの電子ビームの偏向量（移動距離）を算出する。算出された情報は、セトリング時間決定部２９に送られ、副偏向による移動距離に対応したセトリング時間が決定される。
【０１１７】
セトリング時間決定部２９で決定されたセトリング時間は、偏向制御部３０へ送られた後、パターンの描画のタイミングを計りながら、偏向制御部３０より、ブランキング回路２４、ビーム成形器ドライバ２５、主偏向器ドライバ２６、副偏向器ドライバ２７のいずれかに適宜送られる。
【０１１８】
ビーム成形器ドライバ２５では、光学系１０の成形偏向器１４に所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム５４の形状と寸法が制御される。
【０１１９】
描画データデコーダ２３では、描画データに基づいて副偏向領域５３の位置決めデータが作成され、このデータは主偏向器ドライバ２６に送られる。次いで、主偏向器ドライバ２６から主偏向器１５へ所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム５４は、副偏向領域５３の所定位置に偏向走査される。
【０１２０】
描画データデコーダ２３では、描画データに基づいて、副偏向器１６の走査のための制御信号が生成される。制御信号は、副偏向器ドライバ２７に送られた後、副偏向器ドライバ２７から副偏向器１６に所定の副偏向信号が印加される。副偏向領域５３内での描画は、設定されたセトリング時間が経過した後、電子ビーム５４を繰り返し照射することによって行われる。
【０１２１】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施することができる。
【０１２２】
例えば、上記実施の形態では電子ビームを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを用いた場合にも適用可能である。
【符号の説明】
【０１２３】
１    試料室
２    試料
３    ステージ
４    ステージ駆動回路
５    位置回路
６    電子銃
７、８、９、１１、１２    各種レンズ
１０    光学系
１３    ブランキング用偏向器
１４    成形偏向器
１５    主偏向器
１６    副偏向器
１７    第１のアパーチャ
１８    第２のアパーチャ
１９    制御計算機
２０    入力部
２１    パターンメモリ
２２    パターンデータデコーダ
２３    描画データデコーダ
２４    ブランキング回路
２５    ビーム成形器ドライバ
２６    主偏向器ドライバ
２７    副偏向器ドライバ
２８    副偏向領域偏向量算出部
２９    セトリング時間決定部
３０    偏向制御部
３１ａ    寸法補正マップ作成部
３１ｂ    補正照射量算出部
３１ｃ    照射量算出部
３１    描画データ補正部
５１    描画されるパターン
５２    フレーム領域
５３    副偏向領域
５４、２０２、３０２    電子ビーム
１０１、３０１    基板
１０２    反射層
１０３    キャップ膜
１０４    緩衝膜
１０５    吸収層
１０６、２０１ｃ、３０１ｃ    レジスト
２０１    フォトマスク基板
２０１ａ    ガラス基板
２０１ｂ、３０１ｂ    クロム膜
２０３    フォトマスク
２０４    ＡｒＦエキシマレーザ光
２０５    ＥＵＶマスク基板
２０６、４０２    ＥＵＶマスク
３０１ａ    石英基板
３０１ｄ    レジストパターン
３０１ｅ    クロムパターン
３０３    テンプレート
４０１    紫外線
【図１】
2012069752.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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