(57)【要約】      （修正有）【課題】偏向器の偏向の歪みによる描画精度の劣化を抑制する荷電粒子ビーム描画装置を提供する。【解決手段】荷電粒子ビームを偏向制御して試料に照射することで描画を行う、荷電粒子ビーム描画装置１００であって、複数の図形が定義された描画データを記憶する描画データ記憶部１０６と、描画データを変換し荷電粒子ビームのショットを単位として構成され、複数の単位描画領域に分割されるショットデータを生成するショットデータ生成部１４０と、ショットデータに、偏向器の偏向領域中、単位描画領域の描画に使用可能な領域を、単位描画領域毎に指定するための偏向領域情報を付加する偏向領域情報付加部１５０と、偏向領域情報が付加されたショットデータから偏向器の偏向制御データを生成する偏向制御データ生成部１６０と、偏向制御データを用いて、単位描画領域毎に使用する偏向領域中の領域を切り替えながら描画を行う描画部１０２と、を有する。【選択図】図１
2012069661.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを、偏向器を用いて偏向制御して試料に照射することで描画を行う荷電粒子ビーム描画装置であって、
複数の図形が定義された描画データを記憶する描画データ記憶部と、
前記描画データを変換し、前記荷電粒子ビームのショットを単位として構成され、複数の単位描画領域に分割されるショットデータを生成するショットデータ生成部と、
前記ショットデータに、前記偏向器の偏向領域中、前記単位描画領域の描画に使用可能な領域を、前記単位描画領域毎に指定するための偏向領域情報を付加する偏向領域情報付加部と、
前記偏向領域情報が付加された前記ショットデータを用いて前記偏向器の偏向制御データを生成する偏向制御データ生成部と、
前記偏向制御データを用いて、前記単位描画領域毎に使用する前記偏向領域中の領域を切り替えながら描画を行う描画部と、
を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記偏向領域情報付加部は、
フラグと前記偏向領域情報との対応関係を記憶する対応関係記憶部と、
前記ショットデータに、前記単位描画領域毎に前記フラグを付加するフラグ付加部と、
前記単位描画領域毎に付加される前記フラグを読み取り、前記対応関係記憶部に記憶される前記対応関係を参照して、前記ショットデータに前記偏向領域情報を付加するフラグ読み取り部と、を有することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記偏向領域情報または前記フラグは、前記ショットデータ生成部で生成される前記単位描画領域の基準位置情報毎に付加されることを特徴とする請求項１または請求項２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記荷電粒子ビーム描画装置が主偏向器と副偏向器を備え、
前記偏向器が、前記単位描画領域の前記試料上の位置決めを行う前記主偏向器であり、
前記副偏向器が、前記単位描画領域での前記ショットの位置決めを行う偏向器であることを特徴とする請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
荷電粒子ビームを、偏向器を用いて偏向制御して試料に照射することで描画を行う荷電粒子ビーム描画方法であって、
複数の図形が定義された描画データを記憶し、
前記描画データを変換し、前記荷電粒子ビームのショットを単位として構成され、複数の単位描画領域に分割されるショットデータを生成し、
前記ショットデータに、前記偏向器の偏向領域中、前記単位描画領域の描画に使用可能な領域を、前記単位描画領域毎に指定するための偏向領域情報を付加し、
前記偏向領域情報が付加された前記ショットデータを用いて前記偏向器の偏向制御データを生成し、
前記偏向制御データを用いて、前記単位描画領域毎に使用する前記偏向領域中の領域を切り替えながら描画を行うことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、図形を試料に描画する荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスに所望の回路パターンを形成するために、リソグラフィー技術が用いられる。リソグラフィー技術では、マスク（レチクル）と称される原画パターンを使ったパターンの転写が行われる。そして、高精度なレチクルを製造するために、優れた解像度を有する電子ビーム（電子線）描画技術が用いられる。
【０００３】
マスクに電子ビーム描画を行う電子ビーム描画装置の一方式として、可変成形方式がある。可変成形方式では、例えば第１成形アパーチャの開口と、第２成形アパーチャの開口とを通過することで成形された電子ビームによって、可動ステージに載置された試料上に図形が描画される。
【０００４】
このような、電子ビーム描画装置では、装置に入力される設計データを、電子ビームを試料に描画するための描画データに変換する。描画データは、ストライプと呼ばれる短冊状に分割される。各ストライプは、主偏向器と副偏向器にて位置制御された描画の単位となるショットを用いて描画される。ストライプの幅は、主偏向領域の幅で規定されている。
【０００５】
主偏向器の偏向の歪み形状の上下差に起因して、ストライプの境界部分に描画される図形のつなぎ精度の悪化が生じてしまう場合がある。また、ストライプの境界部分以外に描画される図形であっても、主偏向器の偏向の歪みにより、描画する図形の位置精度が劣化する恐れがある。
【０００６】
描画の際のストライプつなぎ精度の劣化問題を緩和させるために、描画時にマルチパス描画（多重描画）を行い、各パスのストライプをずらしながら描画を行うことで、ストライプ境界部分の精度悪化を防ぐ方法がある（特許文献１）。この方法では、パス数は多いほどストライプ境界部分のつなぎ精度は良くなるが、あまりパス数が増えるとスループットが落ちるという問題が生ずる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平６−３６９９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、偏向器の偏向の歪みによる描画精度の劣化を抑制する荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームを、偏向器を用いて偏向制御して試料に照射することで描画を行う荷電粒子ビーム描画装置であって、複数の図形が定義された描画データを記憶する描画データ記憶部と、描画データを変換し、荷電粒子ビームのショットを単位として構成され、複数の単位描画領域に分割されるショットデータを生成するショットデータ生成部と、ショットデータに、偏向器の偏向領域中、単位描画領域の描画に使用可能な領域を、単位描画領域毎に指定するための偏向領域情報を付加する偏向領域情報付加部と、偏向領域情報が付加されたショットデータを用いて偏向器の偏向制御データを生成する偏向制御データ生成部と、偏向制御データを用いて、単位描画領域毎に使用する偏向領域中の領域を切り替えながら描画を行う描画部と、を有することを特徴とする。
【００１０】
上記態様の荷電粒子ビーム描画装置において、偏向領域情報付加部は、フラグと偏向領域情報との対応関係を記憶する対応関係記憶部と、ショットデータに、単位描画領域毎にフラグを付加するフラグ付加部と、単位描画領域毎に付加されるフラグを読み取り、対応関係記憶部に記憶される対応関係を参照して、ショットデータに偏向領域情報を付加するフラグ読み取り部と、を有することが望ましい。
【００１１】
上記態様の荷電粒子ビーム描画装置において、偏向領域情報またはフラグは、ショットデータ生成部で生成される単位描画領域の基準位置情報毎に付加されることが望ましい。
【００１２】
上記態様の荷電粒子ビーム描画装置において、荷電粒子ビーム描画装置が主偏向器と副偏向器を備え、上記偏向器が、単位描画領域の試料上の位置決めを行う主偏向器であり、副偏向器が、単位描画領域でのショットの位置決めを行う偏向器であることが望ましい。
【００１３】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子ビームを、偏向器を用いて偏向制御して試料に照射することで描画を行う荷電粒子ビーム描画方法であって、複数の図形が定義された描画データを記憶し、描画データを変換し、荷電粒子ビームのショットを単位として構成され、複数の単位描画領域に分割されるショットデータを生成し、ショットデータに、偏向器の偏向領域中、単位描画領域の描画に使用可能な領域を、単位描画領域毎に指定するための偏向領域情報を付加し、偏向領域情報が付加されたショットデータを用いて偏向器の偏向制御データを生成し、偏向制御データを用いて、単位描画領域毎に使用する偏向領域中の領域を切り替えながら描画を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、偏向器の偏向の歪みによる描画精度の劣化を抑制する荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施の形態の電子ビーム描画装置の概略構成図である。
【図２】第１の実施の形態の主偏向領域情報の説明図である。
【図３】第１の実施の形態で採用される描画方法の説明図である。
【図４】第１の実施の形態の主偏向領域の歪みについての説明図である。
【図５】第１の実施の形態の主偏向領域情報付加の一例を示す図である。
【図６】第２の実施の形態の電子ビーム描画装置の概略構成図である。
【図７】第２の実施の形態の対応関係記憶部に記憶される対応関係の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。ただし、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでもかまわない。
【００１７】
本明細書中、設計データとは、試料に描画するパターンの基データを意味する。例えば、ＣＡＤデータ等から生成され、図形等が、例えば、図形の頂点等の座標で定義されている。
【００１８】
本明細書中、描画データとは、設計データが描画装置内部のフォーマットに変換されたデータを意味する。
【００１９】
また、本明細書中、ショットとは、荷電粒子ビームの１回の照射により荷電粒子が照射される領域を意味する。
【００２０】
また、本明細書中、ショットデータとは、荷電粒子ビームによる描画を行う上での最終的なデータ形式を有するデータである。例えば、サブフィールドの位置情報等も包含する概念とする。
【００２１】
（第１の実施の形態）
本実施の形態の電子ビーム描画装置は、電子ビームを、偏向器を用いて偏向制御して試料に照射することで描画を行う電子ビーム描画装置である。そして、複数の図形が定義された描画データを記憶する描画データ記憶部と、描画データを変換し、荷電粒子ビームのショットを単位として構成され、複数の単位描画領域（以下、サブフィールドまたはＳＦとも称する）に分割されるショットデータを生成するショットデータ生成部と、ショットデータに、偏向器の偏向領域中、単位描画領域の描画に使用可能な領域を、単位描画領域毎に指定するための偏向領域情報を付加する偏向領域情報付加部と、偏向領域情報が付加されたショットデータを用いて偏向器の偏向制御データを生成する偏向制御データ生成部と、偏向制御データを用いて、単位描画領域毎に使用する偏向領域中の領域を切り替えながら描画を行う描画部と、を有する。
【００２２】
なお、本実施の形態においては、電子ビームの試料上の位置決めのために主偏向器と副偏向器の２つの偏向器を備える電子ビーム描画装置を例に説明する。ここで主偏向器は、単位描画領域（サブフィールド）の試料上の位置決めを行う偏向器である。また、副偏向器は、単位描画領域（サブフィールド）内でのショットの位置決めを行う偏向器である。
【００２３】
例えば、電子ビーム描画装置内の部品の汚れ、磁場変動、電気的ノイズ、振動等により主偏向器の偏向が歪み、偏向領域（以下、主偏向領域とも称する）に歪みが生ずる場合がある。本実施の形態の電子ビーム描画装置は、上記構成により、要求される描画精度に応じて使用する主偏向領域内の領域を切り替えながら描画する。これにより、描画のスループットの低下を最小限にしつつ、偏向器の偏向の歪みによる描画精度の劣化を抑制する電子ビーム描画装置を実現できる。
【００２４】
図１は、本実施の形態の電子ビーム描画装置の概略構成図である。この電子ビーム描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。電子ビーム描画装置１００は、描画部１０２と、この描画部１０２の描画動作を制御する制御部１０４から構成されている。電子ビーム描画装置１００は、試料１１０に所定のパターンを描画する。
【００２５】
描画部１０２の試料室１０８内に試料１１０を載置するステージ１１２が収容されている。ステージ１１２は、制御部１０４によって、Ｘ方向（紙面左右方向）、Ｙ方向（紙面表裏方向）およびＺ方向（紙面上下方向）に駆動される。試料１１０として、例えば、半導体装置が形成されるウェハにパターンを転写するための露光用マスクがある。また、このマスクには、例えば、まだ何もパターンが形成されていないマスクブランクスも含まれる。
【００２６】
試料室１０８の上方には、電子ビーム光学系１１４が設置されている。電子ビーム光学系１１４は、電子銃１１６、各種レンズ１１８、１２０、１２２、１２４、１２６、ブランキング用偏向器１２８、ビーム寸法可変用偏向器１３０、ビーム走査用の副偏向器１３２、ビーム走査用の主偏向器１３４、及び可変成形ビームで描画するための、ビーム成形用の第１のアパーチャ１３６、第２のアパーチャ１３８などから構成されている。  
【００２７】
制御部１０４は、描画データ記憶部１０６、ショットデータ生成部１４０、偏向領域情報付加部１５０、偏向制御データ生成部１６０、描画制御回路１７０を備える。
【００２８】
描画データ記憶部１０６には、ＣＡＤ等で設計された設計データから電子ビーム描画装置１００の内部フォーマットに変換された描画データが入力され、この描画データが記憶される。描画データは複数の図形で定義される。描画データは例えば半導体集積回路の回路パターンである。描画データ記憶部１０６は、記憶媒体であれば良く、例えば、磁気ディスク等を用いることができる。
【００２９】
描画データは、直接電子ビーム描画装置１００に入力されるものであっても、電子ビーム描画装置１００に入力可能なフォーマットで入力された設計データを、装置内部で変換したものであってもかまわない。
【００３０】
ショットデータ生成部１４０は、描画データを変換し、電子ビームのショットを単位とするショットデータを生成する機能を有する。このショットデータは、各ショットが、複数の単位描画領域（サブフィールド）に分割されている。単位描画領域は、例えば、試料上で正方形形状を有し、副偏向器の偏向幅を基準にそのサイズが決定される。
【００３１】
そして、ショットデータ生成部１４０では、ショットデータの一部として、このサブフィールドの試料上の位置を規定する基準位置情報が生成される。基準位置情報は、例えば、各サブフィールドの中心位置座標であり、各サブフィールドに含まれるショットの位置はこの中心位置座標からの相対距離として与えられる。
【００３２】
偏向領域情報付加部１５０は、ショットデータに、主偏向器の主偏向領域中、サブフィールドの描画に使用可能な領域を、サブフィールド毎に指定するための主偏向領域情報を付加する機能を有する。
【００３３】
偏向領域情報付加部１５０における主偏向領域情報の付加は、人為的に行われるものであっても、自動的に行われるものであってもかまわない。
【００３４】
図２は、本実施の形態の主偏向領域情報の説明図である。主偏向領域は、矩形形状を有し、Ｙ方向の主偏向領域範囲（偏向幅）がストライプ幅に対応する。偏向領域情報付加部１５０では、サブフィールドの描画に使用可能な領域を、例えば、Ｘ方向の主偏向領域範囲を限定することで指定する。
【００３５】
例えば、主偏向領域中心からの距離ＸａとＸｂで使用可能な領域を限定して、この距離情報（Ｘａ，Ｘｂ）を、それぞれのサブフィールドに付加するよう構成されている。より具体的には、例えば、ショットデータ中に含まれる各サブフィールドの基準位置情報毎にこの距離情報を付加する。
【００３６】
なお、付加される主偏向領域情報は、各サブフィールドに要求される描画精度に応じて決定される。例えば、高い精度が要求されるサブフィールドには、主偏向領域中、歪みの少ない領域を指定する。また、例えば、高い精度が要求されないサブフィールドには、主偏向領域中、歪みの大きい領域を含む領域を指定したり、主偏向領域のすべての領域を使用可能としたりするよう指定する。
【００３７】
なお、主偏向領域の歪みについては、例えば、あらかじめテスト描画を行うことで、把握することが可能である。
【００３８】
偏向制御データ生成部１６０は、主偏向器１３４および副偏向器１３２を制御するための偏向制御データを、ショットデータ、補正情報、描画時のステージ位置・速度情報等を用いて生成する機能を有する。偏向制御データを生成する際には、ショットデータの、サブフィールド毎に付加された偏向領域情報を参照する。偏向制御データは、主偏向器１３４を制御する主偏向制御データと、副偏向器１３２を制御する副偏向制御データとを含む。
【００３９】
描画制御回路１７０は、上記偏向制御データを用いて、サブフィールド毎に使用する主偏向領域中の領域を切り替えながら描画部１０２を制御し、描画を行う機能を有する。描画制御回路１７０では、描画部１０２を制御するために、上記偏向制御データ以外のデータ、例えばステージ移動を制御するデータ、電子ビームの成形のためのアパーチャを制御するためのデータ等を用いることはいうまでもない。
【００４０】
ショットデータ生成部１４０、偏向領域情報付加部１５０、偏向制御データ生成部１６０、描画制御回路１７０の各機能は、例えば、ＣＰＵ等の演算処理デバイスや電気回路等のハードウェアを用いて実施される。あるいは、ソフトウェアとハードウェアの組み合わせを用いて実施させても構わない。
【００４１】
次に、電子ビーム描画装置１００を用いた、電子ビーム描画方法について図１、図３を用いて説明する。図３は、本実施の形態で採用されるベクタ走査方式（２次元走査方式）及びステージ連続移動方式の描画方法の説明図である。
【００４２】
制御部１０４での処理を説明する前に、便宜上、描画部１０２の動作について図１および図３を用いて説明する。描画部１０２では、制御部１０４で生成された制御データを用いて、試料１１０に描画する。
【００４３】
実際の描画にあたっては、電子銃１１６から発せられる電子ビームをビーム寸法可変用偏向器１３０及びビーム成形用の第１のアパーチャ１３６、第２のアパーチャ１３８により、ビーム形状を可変に制御し、ベクタ走査方式およびステージ連続移動方式により描画処理する。
【００４４】
まず、図３に示すように、試料１１０上の描画すべきパターン２０２は短冊状のストライプ２０４と呼ばれる領域に分割され、ストライプ２０４を更にサブフィールド（または単位描画領域）２０６と呼ばれる領域に分割し、その内部を必要な部分のみ、図１の第１のアパーチャ１３６、第２のアパーチャ１３８により成形された可変成形ビーム２０８を偏向してサブフィールド２０６に配置された図形２０７を描画する。１回の可変成形ビーム２０８の照射で照射される領域がショットに対応する。
【００４５】
この時、ステージ１１２（図１）を連続移動させながら描画処理が行われる。この時、副偏向器１３２および主偏向器１３４（図１）の２段の偏向器が用いられ、サブフィールド２０６の位置決めは制御部１０４より送られる主偏向制御データに従って主偏向器１３４（図１）で行い、サブフィールド２０６内の描画は同じく制御部１０４より送られる副偏向制御データに従って副偏向器１３２で行われる。
【００４６】
１つのサブフィールド２０６の描画が終了すると、次のサブフィールド２０６の描画に移る。さらに複数のサブフィールド２０６の集合であるストライプ２０４の描画が終了したら、Ｘ方向に連続移動していたステージ１１２（図１）を、Ｙ方向にステップ移動させる。上記処理を繰り返して各ストライプ領域を順次描画するようになっている。ここで、ストライプ２０４は、例えば、主偏向器１３４（図１）のＹ方向の偏向幅で決まる短冊状の描画領域であり、サブフィールド２０６は、例えば、副偏向器１３２（図１）の偏向幅で決まる単位描画領域である。
【００４７】
次に、制御部１０４での処理を説明する。まず、複数の図形が定義された描画データを描画データ記憶部１０６に記憶する。次に、この描画データを変換し、電子ビームのショットを単位として構成され、複数のサブフィールドに分割されるショットデータを、ショットデータ生成部１４０で生成する。
【００４８】
次に、ショットデータに、主偏向器１３４の主偏向領域中、サブフィールドの描画に使用可能な領域を、サブフィールド毎に指定するための主偏向領域情報を偏向領域情報付加部１５０で付加する。各サブフィールドに付加される主偏向領域情報は、各サブフィールドに要求される描画精度に応じて決定される。
【００４９】
次に、主偏向領域情報が付加されたショットデータ、補正情報、描画時のステージ位置・速度情報等を用いて、主偏向器の主偏向制御データを偏向制御データ生成部１６０で生成する。
【００５０】
そして、主偏向制御データを用いて、サブフィールド（単位描画領域）毎に、使用する主偏向領域中の領域を切り替えながら描画部１０２で試料１１０に描画を行う。
【００５１】
図４は、主偏向領域の歪みについての説明図である。図４（ａ）は主偏向領域に歪みのない場合、図４（ｂ）は主偏向領域に歪みがある場合である。
【００５２】
図４（ａ）に示すように、主偏向領域に歪みがない理想状態の場合、第１のストライプと第２のストライプの境界部分に描画される図形であっても、つなぎ精度の劣化が生ずることはない。もっとも、上述のように様々な要因に起因して、主偏向領域には図４（ｂ）に示すような歪みが生ずる。このため、例えば、主偏向領域の上下の端部の歪みの大きな領域を使用して図形を描画すると、主偏向領域の歪み形状の上下差に起因して、第１のストライプと第２のストライプの境界部分に描画される図形のつなぎ精度が劣化する。
【００５３】
図４（ｂ）中、ハッチングを施した矩形領域のように、比較的主偏向領域の上下の端部の歪みの小さな領域を常に使用すれば、ストライプ間の境界部分のつなぎ精度の劣化は改善される。しかし、常に、このような領域を使用するように限定すると、サブフィールドの描画の際に、ステージ移動に対して描画が間に合わなくなり、スループットが劣化する恐れがある。
【００５４】
また、主偏向領域の端部でなくても、歪みは存在しうるので、主偏向領域内部の歪みの大きな領域を使用して図形の描画を行うと、図形の位置精度が劣化するという問題が生ずる。
【００５５】
図５は、本実施の形態における主偏向領域情報付加の一例を示す図である。図５（ａ）は試料上におけるサブフィールドの配置図、図５（ｂ）は、各サブフィールドに対して付加される主偏向領域情報を概念的に示す図である。
【００５６】
例えば、図５（ａ）に示すように、Ｙ方向のストライプ幅方向に、ＳＦ１〜５の５個のサブフィールドが配置されるとする。図５（ｂ）に示すように、例えば、ストライプ間のつなぎ精度の劣化が懸念される上下の端部のサブフィールドＳＦ１とＳＦ５には、比較的歪みの小さな領域に限定した主偏向領域情報（Ｘａ１，Ｘｂ１）、（Ｘａ５，Ｘｂ５）を付加する。また、上下の端部でなくとも描画する図形に高い精度が要求されるサブフィールドＳＦ３には、比較的歪みの小さな領域に限定した主偏向領域情報（Ｘａ３，Ｘｂ３）を付加する。
【００５７】
一方、描画する図形に高い精度が要求されないサブフィールドＳＦ２、ＳＦ４には、主偏向領域の最大使用範囲を使用可能とする主偏向領域情報（Ｘａ２，Ｘｂ２）、（Ｘａ４，Ｘｂ４）を付加する。
【００５８】
本実施の形態によれば、各サブフィールドに要求される描画精度に応じて、使用する主偏向領域中の領域を切り替えることが可能となる。このため、描画のスループットの低下を最小限にしつつ、主偏向器の偏向の歪みによる描画精度の劣化を抑制する電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法を実現できる。
【００５９】
（第２の実施の形態）
本実施の形態の電子ビーム描画装置は、偏向領域情報付加部が、フラグと偏向領域情報との対応関係を記憶する対応関係記憶部と、ショットデータに、単位描画領域毎にフラグを付加するフラグ付加部と、単位描画領域毎に付加されるフラグを読み取り、ショットデータに偏向領域情報を付加するフラグ読み取り部と、を有する。この点以外は、第１の実施の形態と同様であるので、第１の実施の形態と重複する内容については、記載を省略する。
【００６０】
図６は、本実施の形態の電子ビーム描画装置の概略構成図である。電子ビーム描画装置２００は、偏向領域情報付加部１５０が、対応関係記憶部１５２と、フラグ付加部１５４と、フラグ読み取り部１５６とを有する。
【００６１】
対応関係記憶部１５２は、フラグと偏向領域情報との対応関係を記憶する記憶装置である。例えば、ハードディスクである。対応関係は、例えば、電子ビーム描画装置の外部から入力されるものであっても、描画装置内で自動的に生成されるものであってもかまわない。
【００６２】
図７は、対応関係記憶部に記憶される対応関係の一例を示す図である。図７に示すように、フラグと、各フラグに主偏向領域中心からの距離ＸａとＸｂで示される使用可能領域を対応付けた表を、対応関係記憶部に記憶させる。なお、フラグ０の（Ｘａ＿ｄｅｆａｕｌｔ，Ｘｂ＿ｄｅｆａｕｌｔ）は、主偏向領域の最大使用範囲を示すものとする。
【００６３】
フラグ付加部１５４は、ショットデータに、サブフィールド（単位描画領域）毎にフラグを付加する機能を有する。フラグ付加部１５４は、各サブフィールドに要求される描画精度に応じて、使用する主偏向領域中の領域を指定するフラグを付加する。フラグの付加は、人為的に行われるものであっても、自動的に行われるものであってもかまわない。
【００６４】
フラグ読み取り部１５６は、サブフィールド毎に付加されるフラグを読み取り、対応関係記憶部１５２に記憶される対応関係を参照して、ショットデータに主偏向領域情報を付加する機能を有する。
【００６５】
主偏向領域情報が付加されたショットデータ、補正情報、描画時のステージ位置・速度情報等を用いて主偏向器の主偏向制御データを偏向制御データ生成部１６０で生成する点については、第１の実施の形態と同様である。
【００６６】
なお、本実施の形態の電子ビーム描画方法は、図６に示す電子ビーム描画装置２００を用いる描画方法である。
【００６７】
本実施の形態によれば、主偏向領域情報を一旦フラグとしてショットデータに付加するため、処理するデータ量を削減することが可能になるという利点がある。また、サブフィールド毎に主偏向領域データを付加する作業が容易になるという利点もある。
【００６８】
なお、図６では、フラグ読み取り部１５６は、偏向制御データ生成部１６０と独立した構成として記載されているが、例えば、フラグ読み取り部１５６が偏向制御データ生成部１６０内の一構成要素として設けられてもかまわない。
【００６９】
また、フラグ読み取り部１５６の前に、フラグの有無を判定するフラグ判定部を設け、フラグがないと判断される場合には、偏向制御データ生成部１６０で主偏向領域の最大使用範囲を用いて主偏向制御データを生成する構成としてもかまわない。
【００７０】
以上の説明において、「〜部」と記載したものは、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。あるいは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組み合わせにより実施させてもかまわない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、ＣＤ、ＤＶＤ、ＭＯあるいはＲＯＭ等の読み取り可能な記憶媒体に記憶される。
【００７１】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００７２】
例えば、実施の形態では、主偏向領域情報の付加について、主偏向領域中心からの距離ＸａとＸｂで使用可能な領域を限定して、この距離情報（Ｘａ，Ｘｂ）を、それぞれのサブフィールドに付加する構成を例に説明した。しかし、必ずしもこの構成に限らず、主偏向領域中の領域を指定できる構成であれば、いかなる構成も適用が可能である。
【００７３】
また、実施の形態では、電子ビームの試料上の位置決めのために主偏向器と副偏向器の２個の偏向器を使用する場合を例に説明したが、例えば、電子ビームの試料上の位置決めのために３個以上の偏向器を使用する電子ビーム描画装置であってもかまわない。
【００７４】
また、実施の形態では、特に言及していないが、実施の形態とマルチパス描画（多重描画）とを組み合わせることも可能である。
【００７５】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００７６】
１００      電子ビーム描画装置
１０２      描画部
１０４      制御部
１０６      描画データ記憶部
１１０      試料
１３２      副偏向器
１３４      主偏向器
１４０      ショットデータ生成部
１５０      偏向領域情報付加部
１５２      対応関係記憶部
１５４      フラグ付加部
１５６      フラグ読み取り部
１６０      偏向制御データ生成部
１７０      描画制御回路
【図１】
2012069661.tif 000003
【図２】
2012069661.tif 000004
【図３】
2012069661.tif 000005
【図４】
2012069661.tif 000006
【図５】
2012069661.tif 000007
【図６】
2012069661.tif 000008
【図７】
2012069661.tif 000009