(57)【要約】【課題】所望の基板上パターンを形成できるマスクパターンを正確且つ短時間で容易に作成すること。【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、光強度算出ステップは、マスク上のセルパターンで構成されたセルにリソグラフィ処理を行った場合に前記セルが周辺領域に与える光強度と、前記セルの外周部からの距離と、の対応関係を、前記セルのリソグラフィターゲットを用いて算出する。前記対応関係の近似値と同じ対応関係を有したリソグラフィターゲットを近似パターンとして算出する。ＯＰＣステップは、前記各セルの周辺領域に前記近似パターンを配置したパターンに対して、ＯＰＣ処理を行う。マスクパターン作成ステップは、前記ＯＰＣ処理が行われたパターンから前記ＯＰＣ後のセルを抽出することによって前記セル毎のマスクパターンを作成する。【選択図】図１
2012042498.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク上のセルパターンで構成されたセルにリソグラフィ処理を行った場合に前記セルが周辺領域に与える光強度と、前記セルの外周部からの距離と、の対応関係を、前記セルのリソグラフィターゲットを用いて算出する光強度算出ステップと、
前記対応関係を用いて、前記対応関係の近似値を算出する近似値算出ステップと、
前記近似値と同じ対応関係を有したリソグラフィターゲットを近似パターンとして算出する近似パターン算出ステップと、
前記各セルの周辺領域に前記近似パターンを配置したパターンに対して、ＯＰＣ処理を行うＯＰＣステップと、
前記ＯＰＣ処理が行われたパターンから前記ＯＰＣ後のセルを抽出することによって前記セル毎のマスクパターンを作成するマスクパターン作成ステップと、
を含むことを特徴とするマスクパターン作成方法。
【請求項２】
前記セルを包囲する壁パターンを、前記各セルの周辺領域に配置する壁パターン配置ステップをさらに含み、
前記光強度算出ステップでは、前記壁パターンが配置されたセルに対して、前記セルのリソグラフィターゲットおよび前記壁パターンのリソグラフィターゲットを用いて、前記対応関係が算出されることを特徴とする請求項１に記載のマスクパターン作成方法。
【請求項３】
前記マスクパターンを用いてリソグラフィ処理を行った場合に、基板上に形成される基板上パターンが、前記セルの設計レイアウトに応じたパターン形状およびパターン寸法であるか否かに基づいて、前記マスクパターンの合否判定を行うマスクパターン判定ステップと、
前記マスクパターンが合格判定であった場合に、合格判定されたマスクパターンを、前記セル毎にデータ格納装置に格納する第１のデータ格納ステップと、
を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のマスクパターン作成方法。
【請求項４】
前記データ格納装置に格納されている前記セル毎のマスクパターンを、それぞれ前記マスクパターンの配置領域に配置するマスクパターン配置ステップと、
前記マスクパターンを初期値として、再度、前記ＯＰＣ処理を行う再ＯＰＣステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載のマスクパターン作成方法。
【請求項５】
前記マスクパターンの配置領域に配置されたマスクパターンの中から、当該マスクパターンを用いてリソグラフィ処理を行った場合に前記基板上パターンが不良パターンとなる可能性が所定値よりも高いホットスポット、または前記基板上パターンの寸法許容範囲が所定値よりも狭い狭公差のパターン位置を抽出する抽出ステップをさらに含み、
前記再ＯＰＣステップは、前記ホットスポットまたは前記狭公差のパターン位置に対し、再度、前記ＯＰＣ処理を行うことを特徴とする請求項４に記載のマスクパターン作成方法。
【請求項６】
前記マスクパターンを前記データ格納装置に格納する前に、前記セル毎のリソグラフィターゲットを、前記セル毎に前記データ格納装置に格納する第２のデータ格納ステップをさらに含み、
前記第１のデータ格納ステップでは、前記各セルのマスクパターンを前記各セルに対応するリソグラフィターゲットと置き換えることによって、前記マスクパターンを前記セル毎に前記データ格納装置に格納するとともに、前記セル毎のリソグラフィターゲットとマスクパターンとの対応関係を示す情報を置換情報として記憶しておくことを特徴とする請求項３〜５のいずれか１つに記載のマスクパターン作成方法。
【請求項７】
前記配置領域に配置するマスクパターンを、前記セルに関する情報および前記置換情報に基づいて、前記データ格納装置内から検索して抽出する検索ステップをさらに含み、
前記マスクパターン配置ステップでは、前記配置領域に配置するマスクパターンを前記データ格納装置内から抽出できた場合に、抽出したマスクパターンを、前記配置領域に配置することを特徴とする請求項６に記載のマスクパターン作成方法。
【請求項８】
前記配置領域に配置するマスクパターンを、前記セルに関する情報および前記置換情報に基づいて、前記データ格納装置内から検索して抽出する検索ステップをさらに含み、
前記マスクパターン作成ステップでは、前記配置領域に配置するマスクパターンを前記データ格納装置内から抽出できなかった場合に、抽出できなかったマスクパターンを作成することを特徴とする請求項６に記載のマスクパターン作成方法。
【請求項９】
マスク上のセルパターンで構成されたセルにリソグラフィ処理を行った場合に前記セルが周辺領域に与える光強度と、前記セル外周部からの距離と、の対応関係を、前記セルのリソグラフィターゲットを用いて算出する光強度算出ステップと、
前記対応関係を用いて、前記対応関係の近似値を算出する近似値算出ステップと、
前記近似値と同じ対応関係を有したリソグラフィターゲットを近似パターンとして算出する近似パターン算出ステップと、
を含むことを特徴とするリソグラフィターゲットパターン作成方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、マスクパターン作成方法およびリソグラフィターゲットパターン作成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置を構成するパターンの微細化が進むにつれて、各プロセスでパターンを忠実に形成することが困難になってきている。この結果、最終的な仕上り寸法が設計パターン通りにならない問題が生じてきた。例えば、リソグラフィプロセスやエッチングプロセスでは、形成したいパターンの周辺に配置された他のパターンが、形成したいパターンの寸法精度に大きく影響を与える。
【０００３】
このような影響を回避するために開発されたのが、光近接効果補正（ＯＰＣ：Optical  Proximity  Correction）である。このＯＰＣは、加工後の集積回路パターン形状が設計パターン（所望値）になるよう、予めマスクパターンに補助パターンを付加したり、パターンの幅を変更したりするといったものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−８４１０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来技術では、ＯＰＣ処理に長時間を要するとともに、所望の基板上パターンを形成できるマスクパターンを正確に作成することが困難であるといった問題があった。
【０００６】
本発明の一つの実施形態は、所望の基板上パターンを形成できるマスクパターンを正確且つ短時間で容易に作成することができるマスクパターン作成方法およびリソグラフィターゲットパターン作成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの実施形態によれば、マスクパターン作成方法が、光強度算出ステップと、近似値算出ステップと、近似パターン算出ステップと、ＯＰＣステップと、マスクパターン作成ステップと、を含んでいる。光強度算出ステップは、マスク上のセルパターンで構成されたセルにリソグラフィ処理を行った場合に前記セルが周辺領域に与える光強度と、前記セルの外周部からの距離と、の対応関係を、前記セルのリソグラフィターゲットを用いて算出する。近似値算出ステップは、前記対応関係を用いて、前記対応関係の近似値を算出する。近似パターン算出ステップは、前記近似値と同じ対応関係を有したリソグラフィターゲットを近似パターンとして算出する。ＯＰＣステップは、前記各セルの周辺領域に前記近似パターンを配置したパターンに対して、ＯＰＣ処理を行う。マスクパターン作成ステップは、前記ＯＰＣ処理が行われたパターンから前記ＯＰＣ後のセルを抽出することによって前記セル毎のマスクパターンを作成する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１の実施の形態に係るマスクパターン作成装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、第１の実施の形態に係るマスクパターン作成処理手順を示すフローチャートである。
【図３】図３は、光強度曲線の算出方法を説明するための図である。
【図４】図４は、光強度曲線に対する近似曲線を示す図である。
【図５】図５は、ユニバーサルパターンの光強度曲線を示す図である。
【図６】図６は、ユニバーサルパターンの一例を示す図である。
【図７】図７は、第２の実施の形態に係るマスクパターン作成装置の構成を示すブロック図である。
【図８】図８は、第２の実施の形態に係るマスクパターン作成処理手順を示すフローチャートである。
【図９】図９は、壁パターンの一例を示す図である。
【図１０】図１０は、第３の実施の形態に係るマスクパターン作成システムの構成を示すブロック図である。
【図１１】図１１は、ＯＰＣ後パターンデータの第３の実施の形態に係る格納処理手順を示すフローチャートである。
【図１２】図１２は、第４の実施の形態に係るマスクパターン作成装置の構成を示すブロック図である。
【図１３】図１３は、第４の実施の形態に係るマスクパターン作成処理手順を示すフローチャートである。
【図１４】図１４は、再ＯＰＣ処理を説明するための図である。
【図１５】図１５は、一部のマスクパターンに対して再ＯＰＣ処理を行う場合のマスクパターン作成処理手順を示すフローチャートである。
【図１６】図１６は、一部のマスクパターンに対して行う再ＯＰＣ処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図１７】図１７は、一部のマスクパターンに対して行う再ＯＰＣ処理を説明するための図である。
【図１８】図１８は、セルＤＢ内に格納されるＯＰＣ後パターンデータの構成を示す図である。
【図１９】図１９は、第５の実施の形態に係るマスクパターン作成装置の構成を示すブロック図である。
【図２０】図２０は、ＯＰＣ後パターンデータの第５の実施の形態に係る格納処理手順を示すフローチャートである。
【図２１】図２１は、マスクパターン作成装置のハードウェア構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、実施の形態に係るマスクパターン作成方法およびリソグラフィターゲットパターン作成方法を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態により本発明が限定されるものではない。
【００１０】
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係るマスクパターン作成装置の構成を示すブロック図である。マスクパターン作成装置１は、半導体集積回路装置（半導体装置）を構成する回路パターン（データ）に対し、回路単位であるセル毎にＯＰＣ処理を行うコンピュータなどの装置である。セルは、例えばＡＮＤ回路、ＮＡＮＤ回路、フリップフロップ回路などの所定の機能を達成する回路パターンである。以下では、半導体装置がセルＡ〜Ｉによって構成されている場合について説明する。
【００１１】
本実施の形態では、セルＡ〜Ｉのリソグラフィターゲットを作成した後、マスクパターン作成装置１が、各セルＡ〜Ｉが周辺領域に与える光強度の平均値をセル毎に算出する。そして、マスクパターン作成装置１は、算出した光強度の平均値と同じ光強度を与えるパターン（後述のユニバーサルパターンＵｐ）を算出する。換言すると、各セルＡ〜Ｉからの光近接効果の平均値と同じ光近接効果を与えるパターンがユニバーサルパターンＵｐとして算出される。さらに、マスクパターン作成装置１は、各セルの周辺にユニバーサルパターンＵｐを配置した状態で、セル毎にＯＰＣ処理を行なう。その後、マスクパターン作成装置１は、各セルＡ〜Ｉの周辺からユニバーサルパターンＵｐを除去することによってセル毎のマスクパターンを作成する。さらに、マスクパターン作成装置１は、マスクパターン配置領域に、ＯＰＣ処理後の各セルＡ〜Ｉ（後述のＯＰＣ後パターン）を配置することによって半導体装置のマスクパターンを作成する。
【００１２】
マスクパターン作成装置１は、入力部１１、光強度算出部１２、近似曲線算出部１３、ユニバーサルパターン作成部１４、ユニバーサルパターン配置部１５、ＯＰＣ処理部１６、ＯＰＣ後パターン配置部１７、出力部１８を備えて構成されている。
【００１３】
入力部１１は、半導体装置を構成する各セルＡ〜Ｉの設計セルデータ（後述の設計セルデータＤＡ〜ＤＩ）、各セルＡ〜Ｉの配置位置を示す情報（以下、セル配置情報という）、後述するリソグラフィモデルＭ１を入力する。設計セルデータＤＡ〜ＤＩは、各セルＡ〜Ｉのリソグラフィターゲットデータであり、各セルＡ〜Ｉの設計レイアウトデータに基づいて作成されたデータである。
【００１４】
リソグラフィモデルＭ１は、露光条件などのリソグラフィ条件に関する情報を有したリソグラフィシミュレーションのモデルである。本実施の形態のリソグラフィモデルＭ１は、マスク上の各セルＡ〜Ｉを用いてリソグラフィ処理を行った場合に各セルＡ〜Ｉが各セルＡ〜Ｉの周辺に与える光強度を算出するための情報を含んで構成されている。
【００１５】
入力部１１は、設計セルデータＤＡ〜ＤＩとリソグラフィモデルＭ１を、光強度算出部１２に送り、設計セルデータＤＡ〜ＤＩをユニバーサルパターン配置部１５に送る。また、入力部１１は、リソグラフィモデルＭ１を、ユニバーサルパターン作成部１４に送り、セル配置情報をＯＰＣ後パターン配置部１７に送る。
【００１６】
光強度算出部１２は、各設計セルデータＤＡ〜ＤＩにリソグラフィモデルＭ１を適用し、各セルＡ〜Ｉにリソグラフィ処理を行った場合に各セルＡ〜Ｉが周辺に与える光強度をセルＡ〜Ｉ毎に算出する。光強度算出部１２は、各セルＡ〜Ｉの外周部であるセル枠からの距離に対応する光強度を算出する。例えば、光強度算出部１２は、セル枠からの距離と光強度との対応関係を示す光強度曲線を、セルＡ〜Ｉ毎に算出する。光強度算出部１２は、算出した光強度曲線を近似曲線算出部１３に送る。
【００１７】
近似曲線算出部１３は、各セルＡ〜Ｉの光強度曲線の近似曲線を算出する。近似曲線算出部１３は、何れの近似法を用いて近似曲線を算出してもよい。近似曲線算出部１３は、例えば、各光強度曲線の平均曲線を近似曲線としてもよいし、各光強度曲線に最小２乗法を適用して近似曲線を算出してもよい。近似曲線算出部１３は、算出した近似曲線を、ユニバーサルパターン作成部１４に送る。
【００１８】
ユニバーサルパターン作成部１４は、リソグラフィ処理を行った場合に周辺に与える光強度が近似曲線と同じとなるユニバーサルパターンＵｐを、リソグラフィモデルＭ１を用いて算出する。ユニバーサルパターン作成部１４は、算出したユニバーサルパターンＵｐをユニバーサルパターン配置部１５とＯＰＣ後パターン配置部１７に送る。
【００１９】
ユニバーサルパターン配置部１５は、設計セルデータＤＡ〜ＤＩ（セルパターン）とユニバーサルパターンＵｐを用いて、各セルＡ〜Ｉの周辺にユニバーサルパターンＵｐを配置する。ユニバーサルパターン配置部１５は、ユニバーサルパターンＵｐを配置した設計セルデータＤＡ〜ＤＩをＯＰＣ処理部１６に送る。
【００２０】
ＯＰＣ処理部１６は、ユニバーサルパターンＵｐが配置された設計セルデータＤＡ〜ＤＩに対して、セルＡ〜Ｉ毎にＯＰＣ処理を行なうことによって、セル単位のＯＰＣ後パターンデータを算出する。ＯＰＣ処理部１６は、各セルＡ〜ＩのＯＰＣ後パターンデータを、ＯＰＣ後パターン配置部１７に送る。
【００２１】
ＯＰＣ後パターン配置部１７は、各セルＡ〜ＩのＯＰＣ後パターンデータおよびユニバーサルパターンＵｐに基づいて、各セルＡ〜ＩのＯＰＣ後パターンからユニバーサルパターンＵｐを除去する。ＯＰＣ後パターン配置部１７は、ユニバーサルパターンＵｐを除去した後の各セルＡ〜Ｉのマスクパターン（ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉ）を、マスクパターン配置領域に配置することによって半導体装置のマスクパターンを作成する。ＯＰＣ後パターン配置部１７は、セル配置情報に基づいて、各セルＡ〜Ｉのマスクパターンを、マスクパターン配置領域に配置する。ＯＰＣ後パターン配置部１７は、半導体装置のマスクパターンを出力部１８に送る。出力部１８は、半導体装置のマスクパターンを外部装置などに出力する。
【００２２】
つぎに、マスクパターンの作成処理手順について説明する。図２は、第１の実施の形態に係るマスクパターン作成処理手順を示すフローチャートである。マスクパターン作成装置１へは、設計セルデータＤＡ〜ＤＩ、セル配置情報、リソグラフィモデルＭ１が入力される。
【００２３】
入力部１１は、設計セルデータＤＡ〜ＤＩとリソグラフィモデルＭ１を、光強度算出部１２に送り、設計セルデータＤＡ〜ＤＩをユニバーサルパターン配置部１５に送る。また、入力部１１は、リソグラフィモデルＭ１を、ユニバーサルパターン作成部１４に送り、セル配置情報をＯＰＣ後パターン配置部１７に送る。
【００２４】
光強度算出部１２は、各設計セルデータＤＡ〜ＤＩにリソグラフィモデルＭ１を適用し、セル枠からの距離と光強度との対応関係を示す光強度曲線を、セルＡ〜Ｉ毎に算出する。
【００２５】
ここで、光強度曲線の算出方法について説明する。図３は、光強度曲線の算出方法を説明するための図である。なお、光強度曲線の算出方法は、セルＡ〜Ｉで同様であるので、ここではセルＡに対する光強度曲線の算出方法について説明する。
【００２６】
光強度算出部１２は、セルＡが形成されている領域（セル領域Ｃａ）の周辺（セル外部）に複数の測定点Ｐを設定する。測定点Ｐは、光強度を算出する位置であり、例えば、等間隔に配置される。各測定点Ｐは、セルＡのセル枠から種々の距離を有しており、測定点Ｐ毎にセルＡから影響を受けて種々の光強度が算出される。光強度算出部１２は、各測定点Ｐでの光強度に基づいて、セルＡの光強度曲線を算出する。光強度算出部１２は、例えば所定の近似法を用いてセルＡの光強度曲線を算出する。
【００２７】
同様に、光強度算出部１２は、セルＢ〜Ｉの光強度曲線を算出する（ステップＳ１０）。そして、光強度算出部１２は、算出した光強度曲線を近似曲線算出部１３に送る。近似曲線算出部１３は、全光強度曲線（セルＡ〜Ｉの光強度曲線）の近似曲線を算出する（ステップＳ２０）。
【００２８】
図４は、光強度曲線に対する近似曲線を示す図である。なお、図４では、セルＡ，Ｂの光強度曲線を示し、セルＣ〜Ｉの光強度曲線の図示を省略している。例えば、セルＡの光強度曲線Ｉａは、セルＡのセル枠からの距離とセルＡの周辺（セル枠外）での光強度との対応関係を示す曲線である。また、セルＢの光強度曲線Ｉｂは、セルＢのセル枠からの距離とセルＢの周辺（セル枠外）での光強度との対応関係を示す曲線である。また、近似曲線Ｉｘは、セルＡ〜Ｉの各セル枠からの距離とセルＡ〜Ｉの周辺（セル枠外）での光強度との対応関係を示す曲線である。
【００２９】
なお、ここではセルＡ〜Ｉの全光強度曲線に対して近似曲線Ｉｘを算出する場合について説明したが、セルＡ〜Ｉの全測定点Ｐに対して近似曲線Ｉｘを算出してもよい。この場合、セルＡ〜Ｉの光強度曲線を算出することなく、セルＡ〜Ｉに設定された全測定点Ｐでの光強度を算出し、各測定点Ｐにおけるセル枠からの距離と光強度との対応関係を算出する。そして、この対応関係に基づいて、近似曲線Ｉｘが算出される。近似曲線算出部１３は、算出した近似曲線を、ユニバーサルパターン作成部１４に送る。
【００３０】
ユニバーサルパターン作成部１４は、リソグラフィ処理を行った場合に周辺に与える光強度が近似曲線Ｉｘと同じとなるユニバーサルパターンＵｐを、リソグラフィモデルＭ１を用いて作成する（ステップＳ３０）。ユニバーサルパターン作成部１４は、近似曲線Ｉｘに基づいて、セルＡ〜Ｉ毎にユニバーサルパターンＵｐを作成する。
【００３１】
図５は、ユニバーサルパターンの光強度曲線を示す図であり、図６は、ユニバーサルパターンの一例を示す図である。図５に示すように、ユニバーサルパターンＵｐの光強度曲線Ｉｕは、近似曲線Ｉｘと同じ曲線である。
【００３２】
ユニバーサルパターンＵｐは、各セルＡ〜Ｉが配置されている領域（セル領域）の周辺に配置されるパターンであり、セル領域の大きさや形状が異なればユニバーサルパターンＵｐの大きさや形状もことなる。図６では、セルＡ（セル領域Ｃａ）の周辺に配置されるユニバーサルパターンＵｐを示している。ユニバーサルパターンＵｐは、例えば、セルＡのＸ方向の右側と左側とで同じ形状を有し、セルＡのＹ方向の上側と下側とで同じ形状を有している。ユニバーサルパターン作成部１４は、セルＡ〜Ｉ毎に算出したユニバーサルパターンＵｐをユニバーサルパターン配置部１５とＯＰＣ後パターン配置部１７に送る。
【００３３】
ユニバーサルパターン配置部１５は、設計セルデータＤＡ〜ＤＩとセルＡ〜Ｉ毎のユニバーサルパターンＵｐを用いて、各セルＡ〜Ｉの周辺（各セル外部）にユニバーサルパターンＵｐを配置する（ステップＳ４０）。ユニバーサルパターン配置部１５は、ユニバーサルパターンＵｐを配置した設計セルデータＤＡ〜ＤＩをＯＰＣ処理部１６に送る。
【００３４】
ＯＰＣ処理部１６は、ユニバーサルパターンＵｐが配置された設計セルデータＤＡ〜ＤＩに対して、セルＡ〜Ｉ毎にＯＰＣ処理を行なう（ステップＳ５０）。ＯＰＣ処理部１６は、ＯＰＣ処理後のデータを、ＯＰＣ後パターンデータとしてＯＰＣ後パターン配置部１７に送る。
【００３５】
ＯＰＣ後パターン配置部１７は、セルＡ〜Ｉ毎のＯＰＣ後パターンデータおよびセルＡ〜Ｉ毎のユニバーサルパターンＵｐに基づいて、各セルＡ〜ＩのＯＰＣ後パターンからユニバーサルパターンＵｐを除去する。ＯＰＣ後パターン配置部１７は、ユニバーサルパターンＵｐを除去した後の各セルＡ〜Ｉのマスクパターン（ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉ）を、マスクパターン配置領域に配置することによって半導体装置のマスクパターンを作成する。
【００３６】
ＯＰＣ後パターン配置部１７は、ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉを半導体装置のマスクパターンとして出力部１８に送る。出力部１８は、ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉを外部装置などに出力する。出力部１８は、セルＡ〜Ｉ毎にＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉを出力してもよいし、半導体装置全体としてまとめてＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉを出力してもよい。
【００３７】
この後、半導体装置のマスクパターンデータであるＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉを用いてマスクが作製される。マスクは、ウエハプロセスの露光処理毎（レイヤ毎）に準備される。露光装置は、レイヤ毎にマスクを用いてウエハへの露光処理を行なう。その後、ウエハの現像処理、エッチング処理などが行なわれる。具体的には、リソグラフィ工程で転写により形成したレジストパターン上からマスク材が加工され、さらにパターンニングされたマスク材を使用して被加工膜をエッチングすることによって、被加工膜がパターンニングされる。これにより、基板上パターンとして、所望のウエハ上パターン（レジストパターンやエッチング後パターン）が形成される。半導体装置を製造する際には、上述したマスクパターンの作成処理、マスクの作製処理、マスクを用いた露光処理、現像処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。
【００３８】
このように第１の実施の形態によれば、全光強度曲線から算出した近似曲線Ｉｘに基づいてユニバーサルパターンＵｐを作成し、各セルＡ〜Ｉの周辺に配置しているので、各セルＡ〜Ｉは、ユニバーサルパターンＵｐから略同様の光近接効果が与えられる。このため、各セルＡ〜Ｉに適切なＯＰＣ処理を行うことが可能となる。したがって、所望のウエハ上パターン（レジストパターンなどの基板上パターン）を形成できるマスクパターンを正確且つ短時間で容易に作成することが可能となる。また、マスクパターンの製造ＴＡＴおよびコストを、削減することが可能となる。
【００３９】
（第２の実施の形態）
つぎに、図７〜図９を用いてこの発明の第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態では、各セルＡ〜Ｉの周囲を壁パターンで囲う。そして、壁パターンの配置された各セルＡ〜Ｉに対してユニバーサルパターンＵｐを配置してＯＰＣ処理を行う。
【００４０】
図７は、第２の実施の形態に係るマスクパターン作成装置の構成を示すブロック図である。図７の各構成要素のうち図１に示す第１の実施の形態のマスクパターン作成装置１と同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。
【００４１】
マスクパターン作成装置２は、入力部１１、光強度算出部１２、近似曲線算出部１３、ユニバーサルパターン作成部１４、ユニバーサルパターン配置部１５、ＯＰＣ処理部１６、ＯＰＣ後パターン配置部１７、出力部１８に加えて、壁パターン配置部２１を備えている。入力部１１は、設計セルデータＤＡ〜ＤＩを、壁パターン配置部２１に送る。
【００４２】
壁パターン配置部２１は、設計セルデータＤＡ〜ＤＩに基づいて、各セルＡ〜Ｉの周囲（セル境界）を囲うよう、壁状のパターン（以下、壁パターンＷｐという）を配置する。壁パターン配置部２１は、壁パターンＷｐを配置した後の設計セルデータＤＡ〜ＤＩを、光強度算出部１２に送る。
【００４３】
光強度算出部１２は、壁パターンＷｐが配置された後の設計セルデータＤＡ〜ＤＩにリソグラフィモデルＭ１を適用し、セル枠からの距離と光強度との対応関係を示す光強度曲線を、セルＡ〜Ｉ毎に算出する。
【００４４】
つぎに、マスクパターンの作成処理手順について説明する。図８は、第２の実施の形態に係るマスクパターン作成処理手順を示すフローチャートである。マスクパターン作成装置２へは、設計セルデータＤＡ〜ＤＩ、セル配置情報、リソグラフィモデルＭ１が入力される。
【００４５】
入力部１１は、設計セルデータＤＡ〜ＤＩを、壁パターン配置部２１に送る。また、入力部１１は、設計セルデータＤＡ〜ＤＩとリソグラフィモデルＭ１を、光強度算出部１２に送り、設計セルデータＤＡ〜ＤＩをユニバーサルパターン配置部１５に送る。また、入力部１１は、リソグラフィモデルＭ１を、ユニバーサルパターン作成部１４に送り、セル配置情報をＯＰＣ後パターン配置部１７に送る。
【００４６】
壁パターン配置部２１は、設計セルデータＤＡ〜ＤＩに基づいて、各セルＡ〜Ｉの周囲（セル境界）を囲うよう、セルパターンの周囲に壁パターンＷｐを配置する（ステップＳ１１０）。図９は、壁パターンの一例を示す図である。図９では、セルＡの周辺に配置される壁パターンＷｐを示している。同図に示すように、壁パターンＷｐは、セルＡのセル領域Ｃａを囲うリング状のパターンである。なお、各セルＢ〜Ｉの周辺に配置される壁パターンＷｐも、それぞれセルＡの周辺に配置される壁パターンＷｐと同様の構成を有している。壁パターン配置部２１は、壁パターンＷｐを配置した設計セルデータＤＡ〜ＤＩを、光強度算出部１２に送る。
【００４７】
この後、マスクパターン作成装置２は、マスクパターン作成装置１と同様の処理によって、各セルＡ〜ＩのＯＰＣ後パターンデータＤ２ａ〜Ｄ２ｉを作成する。すなわち、光強度算出部１２は、設計セルデータＤＡ〜ＤＩにリソグラフィモデルＭ１を適用し、セル枠からの距離と光強度との対応関係を示す光強度曲線を、セルＡ〜Ｉ毎に算出する。
【００４８】
そして、近似曲線算出部１３は、全光強度曲線（セルＡ〜Ｉの光強度曲線）の近似曲線Ｉｘを算出する。さらに、ユニバーサルパターン作成部１４は、近似曲線Ｉｘに基づいてユニバーサルパターンＵｐを作成する。
【００４９】
この後、ユニバーサルパターン配置部１５は、壁パターンＷｐの配置された各セルＡ〜Ｉの周辺にユニバーサルパターンＵｐを配置する（ステップＳ１２０）。そして、ＯＰＣ処理部１６は、ユニバーサルパターンＵｐが配置された設計セルデータＤＡ〜ＤＩに対して、設計セルデータＤＡ〜ＤＩ毎にＯＰＣ処理を行なう（ステップＳ１３０）。
【００５０】
そして、ＯＰＣ後パターン配置部１７は、セル毎にＯＰＣ処理後のパターンからユニバーサルパターンＵｐを削除することによってセル毎のマスクパターン（ＯＰＣ後パターンデータＤ２ａ〜Ｄ２ｉ）を作成する。さらに、ＯＰＣ後パターン配置部１７は、セル毎のマスクパターンを、マスクパターン配置領域に配置することによって半導体装置のマスクパターンを作成する。
【００５１】
ＯＰＣ後パターン配置部１７は、ＯＰＣ後パターンデータＤ２ａ〜Ｄ２ｉを半導体装置のマスクパターンとして出力部１８に送る。出力部１８は、ＯＰＣ後パターンデータＤ２ａ〜Ｄ２ｉを外部装置などに出力する。
【００５２】
このように第２の実施の形態によれば、セルＡ〜Ｉの周辺を壁パターンＷｐで囲んでいるので、セルＡ〜Ｉを構成するパターンからセルＡ〜Ｉの外部への光近接効果を低減できる。このため、セルＡ〜Ｉへ与える光近接効果の影響が小さいユニバーサルパターンＵｐを作成することができる。
【００５３】
（第３の実施の形態）
つぎに、図１０および図１１を用いてこの発明の第３の実施の形態について説明する。第３の実施の形態では、作成したＯＰＣ後パターンデータのうち、検証で合格となったＯＰＣ後パターンデータをデータベース（後述のセルＤＢ２５）に格納しておく。
【００５４】
図１０は、第３の実施の形態に係るマスクパターン作成システムの構成を示すブロック図である。マスクパターン作成システムは、マスクパターン作成装置１と、マスクパターン検証装置２４と、セルＤＢ２５と、を含んで構成されている。
【００５５】
マスクパターン作成装置１は、マスクパターン検証装置２４に接続され、マスクパターン検証装置２４は、セルＤＢ２５に接続されている。また、セルＤＢ２５は、マスクパターン作成装置１に接続されている。
【００５６】
本実施の形態のマスクパターン作成装置１は、作成したＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉをマスクパターン検証装置２４に送る。マスクパターン検証装置２４は、ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉが適切なマスクパターンであるか否かを、リソグラフィシミュレーションによって検証する装置である。マスクパターン検証装置２４は、検証で合格となったＯＰＣ後パターンデータをセルＤＢ２５に格納させる。セルＤＢ２５は、検証で合格となったＯＰＣ後パターンデータを格納するデータベースなどである。
【００５７】
つぎに、ＯＰＣ後パターンデータの格納処理手順について説明する。図１１は、ＯＰＣ後パターンデータの第３の実施の形態に係る格納処理手順を示すフローチャートである。なお、第１の実施の形態で説明したＯＰＣ後パターンデータの作成処理と同様の処理については、その説明を省略する。
【００５８】
マスクパターン作成装置１は、設計セルデータＤＡ〜ＤＩ、セル配置情報、リソグラフィモデルＭ１を用いて、各セルＡ〜ＩのＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉを作成する。
【００５９】
具体的には、光強度算出部１２が光強度曲線をセルＡ〜Ｉ毎に算出し、近似曲線算出部１３が、全光強度曲線の近似曲線Ｉｘを算出する。さらに、ユニバーサルパターン作成部１４が、近似曲線Ｉｘに基づいてユニバーサルパターンＵｐを作成し、ユニバーサルパターン配置部１５が、各セルＡ〜Ｉの周辺にユニバーサルパターンＵｐを配置する（ステップＳ２１０）。そして、ＯＰＣ処理部１６が、ユニバーサルパターンＵｐが配置された設計セルデータＤＡ〜ＤＩに対して、セルＡ〜Ｉ毎にＯＰＣ処理を行なう（ステップＳ２２０）。この後、セルＡ〜Ｉ毎にユニバーサルパターンＵｐを削除することによって、各セルＡ〜Ｉのマスクパターン（ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉ）が得られる。
【００６０】
この後、ＯＰＣ後パターン配置部１７が、各セルＡ〜Ｉのマスクパターンを、マスクパターン配置領域に配置することによって半導体装置のマスクパターンを作成する。ＯＰＣ後パターン配置部１７は、ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉを半導体装置のマスクパターンとして出力部１８に送る。出力部１８は、ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉをマスクパターン検証装置２４に送る。
【００６１】
マスクパターン検証装置２４は、ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉが適切なマスクパターンであるか否かを、リソグラフィシミュレーションによって検証する（ステップＳ２３０）。マスクパターン検証装置２４は、セルＡ〜Ｉ毎にＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉの検証を行ってもよいし、マスクパターンの全体に対してＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉの検証を行ってもよい。
【００６２】
マスクパターン検証装置２４は、検証処理でエラーなしの場合（ステップＳ２４０、Ｎｏ）、検証合格と判断し、検証で合格となったＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉをセルＤＢ２５に格納させる（ステップＳ２５０）。
【００６３】
一方、マスクパターン検証装置２４は、検証処理でエラーありの場合（ステップＳ２４０、Ｙｅｓ）、検証不合格と判断する。この場合、設計セルデータＤＡ〜ＤＩの設計修正またはＯＰＣ処理の処理条件を変更（ＯＰＣ修正）がおこなわれる（ステップＳ２６０）。この後、検証処理でエラーなしとなるまで、ステップＳ２１０〜Ｓ２６０の処理が繰り返される。
【００６４】
ステップＳ２６０における設計セルデータの設計修正は、検証エラーありと判断された設計セルデータに対して行われる。また、ＯＰＣ修正を行った場合には、全ての設計セルデータＤＡ〜ＤＩに修正後のＯＰＣを適用してもよいし、検証エラーありと判断された設計セルデータに対して修正後のＯＰＣを適用してもよい。
【００６５】
また、ステップＳ２１０〜Ｓ２６０の処理を繰り返す際には、ユニバーサルパターンＵｐを再算出してセルＡ〜Ｉの周辺に配置してもよいし、算出済みのユニバーサルパターンＵｐをセルＡ〜Ｉの周辺に配置してもよい。
【００６６】
マスクパターン検証装置２４は、他の半導体装置に対してマスクパターンを作成する際に、必要に応じてセルＤＢ２５からＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉを抽出し、抽出したＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉを用いてマスクパターンを作成する。
【００６７】
なお、本実施の形態では、マスクパターン作成システムがマスクパターン作成装置１を備える場合について説明したが、マスクパターン作成システムを、マスクパターン作成装置２と、マスクパターン検証装置２４と、セルＤＢ２５と、で構成してもよい。
【００６８】
このように第３の実施の形態によれば、検証で合格となったＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉをセルＤＢ２５に格納しているので、この後、他の半導体装置に対してマスクパターンを作成する際に、必要に応じてセルＤＢ２５からＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉを抽出することができる。したがって、抽出したＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉを用いてマスクパターンを作成することが可能となり、マスクパターンの作成時間を短縮することが可能となる。
【００６９】
（第４の実施の形態）
つぎに、図１２〜図１７を用いてこの発明の第４の実施の形態について説明する。第４の実施の形態では、作成済みのＯＰＣ後パターンデータに対して、再度ＯＰＣ処理を実行する。
【００７０】
図１２は、第４の実施の形態に係るマスクパターン作成装置の構成を示すブロック図である。図１２の各構成要素のうち図１に示す第１の実施の形態のマスクパターン作成装置１と同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。
【００７１】
マスクパターン作成装置３は、第３の実施の形態で説明したマスクパターン作成システムのセルＤＢ２５に接続されている。  マスクパターン作成装置３は、入力部１１、ＯＰＣ後パターン配置部３１、ＯＰＣ処理部３２、出力部１８を備えている。入力部１１は、ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉを、ＯＰＣ後パターン配置部３１に送る。
【００７２】
ＯＰＣ後パターン配置部３１は、マスクパターン作成装置１のＯＰＣ後パターン配置部１７と同様の機能を有している。本実施の形態のＯＰＣ後パターン配置部３１は、入力部１１から入力されたＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉに対応するＯＰＣ後パターン（後述のＯＰＣｅｄセルＡ〜Ｉ）を、セル配置情報に基づいてマスクパターン配置領域に配置する。ＯＰＣ後パターン配置部３１は、ＯＰＣ後パターンが配置されたＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉを、ＯＰＣ処理部３２に送る。
【００７３】
ＯＰＣ処理部３２は、マスクパターン作成装置１のＯＰＣ処理部１６と同様の機能を有している。ＯＰＣ処理部３２は、ＯＰＣ後パターンが配置されたパターン領域に対してＯＰＣ処理を行う。換言すると、ＯＰＣ処理部３２は、複数のＯＰＣ後パターンが配置されたパターン領域に再ＯＰＣ処理（補正値の再検討）を行うことによって半導体装置のマスクパターンを作成する。ＯＰＣ処理部３２は、各セルＡ〜Ｉのマスクパターンを、ＯＰＣ後パターンデータＤ５ａ〜Ｄ５ｉとして出力部１８に送る。
【００７４】
図１３は、第４の実施の形態に係るマスクパターン作成処理手順を示すフローチャートである。なお、第１の実施の形態で説明したＯＰＣ後パターンデータの作成処理と同様の処理については、その説明を省略する。
【００７５】
マスクパターン作成装置３へは、セルＤＢ２５などからＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉ、セル配置情報を入力しておく。マスクパターン作成装置３は、ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉ、セル配置情報を用いて、各セルＡ〜Ｉのマスクパターン（ＯＰＣ後パターンデータＤ５ａ〜Ｄ５ｉ）を作成する。
【００７６】
具体的には、ＯＰＣ後パターン配置部３１が、入力部１１から入力されたＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉに対応するＯＰＣ後パターン（ＯＰＣｅｄセルＡ〜Ｉ）を、セル配置情報に基づいて、マスクパターン配置領域に配置する（ステップＳ３１０）。ＯＰＣ後パターン配置部３１は、ＯＰＣ後パターンが配置されたパターンデータを、ＯＰＣ処理部３２に送る。
【００７７】
ＯＰＣ処理部３２は、ＯＰＣ後パターンが配置されたパターン領域に再ＯＰＣ処理を行うことによって半導体装置のマスクパターンを作成する（ステップＳ３２０）。換言すると、ＯＰＣ処理部３２は、ＯＰＣ後パターンを初期値としてＯＰＣ処理を実行する。ＯＰＣ処理部３２は、各セルＡ〜Ｉのマスクパターンを、ＯＰＣ後パターンデータＤ５ａ〜Ｄ５ｉとして出力部１８に送る。出力部１８は、ＯＰＣ後パターンデータＤ５ａ〜Ｄ５ｉをセルＤＢ２５などに送る。
【００７８】
図１４は、再ＯＰＣ処理を説明するための図である。図１４では、パターンの上面図を示している。ここでは、リソグラフィターゲットパターン４０を用いてマスクパターンを作成する場合について説明する。
【００７９】
リソグラフィターゲットパターン４０を準備する（ａ）。リソグラフィターゲットパターン４０は、例えば第１または第２の実施の形態で説明したＯＰＣ処理などを用いて、マスクパターン４３に変換される（ｂ）。このマスクパターン４３は、マスクパターンの合否判断値として、例えば１００点満点中の８０点〜９０点を有している。
【００８０】
ＯＰＣ処理部３２は、マスクパターン４３を初期値として、リソグラフィシミュレーションを行う。これにより、マスクパターン４３に対応するパターンをウエハ上に形成した場合のパターン（ウエハ上パターン４４）が導出される（ｃ）。
【００８１】
この後、ＯＰＣ処理部３２は、ウエハ上パターン４４と、リソグラフィターゲットパターン４０とを比較する。ウエハ上パターン４４と、リソグラフィターゲットパターン４０との形状差が所定値よりも大きい場合、マスクパターン４３は、所望の合否判断値を有していないと判断される。
【００８２】
マスクパターン４６が所望の合否判断値を有していない場合、ＯＰＣ処理部３２は、リソグラフィターゲットパターン４０に対して再ＯＰＣ処理を行う。具体的には、ＯＰＣ処理部３２は、リソグラフィターゲットパターン４０のパターンエッジ（輪郭線）を所定間隔のジョグ４１で分割する。さらに、ＯＰＣ処理部３２は、ジョグ４１で挟まれた各パターンエッジに対し、シミュレーション位置４２を設定する。そして、ＯＰＣ処理部３２は、リソグラフィターゲットパターン４０に対応するパターンをウエハ上に形成する場合に、各シミュレーション位置４２を何れの位置に移動させればよいかを算出する。各シミュレーション位置４２の移動後の位置を接続することによって、リソグラフィターゲットパターン４０に対応するマスクパターン４６が導出される（ｄ）。換言すると、マスクパターン４３がマスクパターン４６に変換される。
【００８３】
この後、ＯＰＣ処理部３２は、マスクパターン４６に対して、リソグラフィシミュレーションを行う。これにより、マスクパターン４６に対応するパターンをウエハ上に形成した場合のパターン（ウエハ上パターン４７）が導出される（ｅ）。
【００８４】
そして、ＯＰＣ処理部３２は、ウエハ上パターン４７と、リソグラフィターゲットパターン４０とを比較する。ウエハ上パターン４７と、リソグラフィターゲットパターン４０との形状差が所定値よりも小さい場合、マスクパターン４３は、所望の合否判断値を有していると判断される。これにより、ＯＰＣ処理部３２は、マスクパターン４６をリソグラフィターゲットパターン４０に対応するマスクパターンに決定する（ｆ）。
【００８５】
一方、ウエハ上パターン４７と、リソグラフィターゲットパターン４０との形状差が所定値よりも大きい場合、マスクパターン４３は、所望の合否判断値を有していないと判断される。この場合、ＯＰＣ処理部３２は、上述した（ｄ）と（ｅ）の処理を繰り返すことによって、所望の合否判断値を有したマスクパターンを作成する。
【００８６】
なお、マスクパターンへの再ＯＰＣ処理は、全マスクパターンに行う場合に限らず、一部のマスクパターンに対して行ってもよい。図１５は、一部のマスクパターンに対して再ＯＰＣ処理を行う場合のマスクパターン作成処理手順を示すフローチャートである。なお、図２や図１３で説明したＯＰＣ後パターンデータの作成処理と同様の処理については、その説明を省略する。
【００８７】
マスクパターン作成装置３のＯＰＣ後パターン配置部３１は、入力部１１から入力されたＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉに対応するＯＰＣ後パターン（ＯＰＣｅｄセルＡ〜Ｉ）を、セル配置情報に基づいて、マスクパターン配置領域に配置する（ステップＳ４１０）。ＯＰＣ後パターン配置部３１は、ＯＰＣｅｄセルＡ〜Ｉが配置されたパターンデータを、ＯＰＣ処理部３２に送る。
【００８８】
ＯＰＣ処理部３２は、公差情報Ｄ６に基づいて、ＯＰＣｅｄセルＡ〜Ｉが配置されたパターン領域からホットスポットまたは厳しい公差箇所を抽出する。公差情報Ｄ６は、ホットスポットや厳しい公差箇所の位置を示す情報である。ここでのホットスポットは、ウエハ上パターンが不良パターンとなる可能性が所定値よりも高いパターン位置である。また、厳しい公差箇所は、ウエハ上パターンの形状スペックや寸法スペックが、所定値よりも高いパターン位置（狭公差のパターン位置）である。
【００８９】
ＯＰＣ処理部３２は、抽出したホットスポットまたは厳しい公差箇所に対して、再ＯＰＣ処理を行ない、これにより半導体装置のマスクパターンを作成する（ステップＳ４２０）。ＯＰＣ処理部３２は、各セルＡ〜Ｉのマスクパターンを、ＯＰＣ後パターンデータＤ７ａ〜Ｄ７ｉとして出力部１８に送る。出力部１８は、ＯＰＣ後パターンデータＤ７ａ〜Ｄ７ｉをセルＤＢ２５などに送る。
【００９０】
ここで、ステップＳ４２０の処理を詳細に説明する。図１６は、一部のマスクパターンに対して行う再ＯＰＣ処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図１７は、一部のマスクパターンに対して行う再ＯＰＣ処理を説明するための図である。なお、図１７では、マスクパターンなどの上面図を示している。
【００９１】
図１７の（ａ）に示すように、ＯＰＣ処理部３２は、複数のＯＰＣ後パターンが配置されたパターン領域からホットスポットまたは厳しい公差箇所を抽出する（ステップＳ５１０）。具体的には、ＯＰＣ処理部３２は、複数のＯＰＣ後パターンＤ１ａ〜Ｄ１ｉが配置されたパターン領域に対してリソグラフィシミュレーションを行い、これにより、ウエハ上パターン５０を算出する。そして、ＯＰＣ処理部３２は、ウエハ上パターン５０内からホットスポットまたは厳しい公差箇所を抽出する。さらに、ＯＰＣ処理部３２は、ホットスポットまたは厳しい公差箇所に対応するリソグラフィターゲット上での位置（ＯＰＣ再検討位置Ｈ１，Ｈ２）を抽出する。
【００９２】
この後、図１７の（ｂ）に示すように、ＯＰＣ処理部３２は、ＯＰＣ再検討位置Ｈ１，Ｈ２およびＰＣ再検討位置Ｈ１，Ｈ２の周辺領域に対し、再ＯＰＣ検討領域３０を設定する（ステップＳ５２０）。再ＯＰＣ検討領域３０は、再ＯＰＣ処理を行うリソグラフィターゲット上の領域である。再ＯＰＣ検討領域３０は、例えば、ＯＰＣ再検討位置Ｈ１，Ｈ２を中心として、Ｘ方向に所定距離を有し且つＹ方向に所定距離を有した矩形状領域である。
【００９３】
そして、図１７の（ｃ）に示すように、ＯＰＣ処理部３２は、再ＯＰＣ検討領域３０内の再ＯＰＣ処理用のセグメント５１を全て抽出する（ステップＳ５３０）。セグメント５１は、再ＯＰＣ処理によってマスクパターンが変更されるリソグラフィターゲットパターン４０のパターンエッジ（ジョグ４１とジョグ４１とで挟まれたパターンエッジ部）である。
【００９４】
ＯＰＣ処理部３２は、抽出した全てのセグメント５１に対して再ＯＰＣ処理を実行し（ステップＳ５４０）、これにより、セグメント５１を移動させる。これにより、ＯＰＣ処理部３２は、再ＯＰＣ処理されたマスクパターンを作成する。
【００９５】
このように第４の実施の形態によれば、ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉを用いて再ＯＰＣ処理を実行しているので、所望のウエハ上パターンを形成できるマスクパターンを正確且つ短時間で容易に作成することが可能となる。
【００９６】
また、ホットスポットなどのＯＰＣ再検討位置Ｈ１，Ｈ２に対して再ＯＰＣ処理を実行しているので、所望のウエハ上パターンを形成できるマスクパターンを正確且つ短時間で容易に作成することが可能となる。
【００９７】
（第５の実施の形態）
つぎに、図１８〜図２１を用いてこの発明の第５の実施の形態について説明する。第５の実施の形態では、セルＡ〜Ｉの設計セルデータＤＡ〜ＤＩと、ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉとを対応付けながら、ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉをセルＤＢ２５に格納する。
【００９８】
図１８は、セルＤＢ内に格納されるＯＰＣ後パターンデータの構成を示す図である。セルＤＢ２５内には、マスクパターン作成装置１，２などによって作成された、セルＡ〜Ｉの設計セルデータＤＡ〜ＤＩを格納しておく。この後、マスクパターン作成装置３などによって、セルＡ〜ＩのＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉが作成されると、ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉが、セルＤＢ２５内に格納される。
【００９９】
このとき、セル毎に設計セルデータとＯＰＣ後パターンデータとが対応付けされてセルＤＢ２５内に格納される。例えば、ＯＰＣｅｄセルＡのＯＰＣ後パターンデータＤ１ａを、ＯＰＣｅｄセルＡに対応するセルの設計セルデータＤＡと置き換えることによって、ＯＰＣ後パターンデータがセルＤＢ２５内に格納される。また、ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉを、セルＤＢ２５に格納する際には、セル情報２７内に、セルＡ〜Ｉの名称と、設計セルデータＤＡ〜ＤＩと、ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉと、の対応付けを示す対応関係情報が格納される。
【０１００】
また、例えばセルＢが、セルＢ０とセルＢ１によって構成されている場合、ＯＰＣｅｄセルＢは、ＯＰＣｅｄセルＢ０とＯＰＣｅｄセルＢ１とによって構成される。この場合も、セル情報２７には、セルＢ０，Ｂ１のＯＰＣ後パターンデータ６３，６３が、それぞれＯＰＣｅｄセルＢ０，Ｂ１のＯＰＣ後パターンデータ７３，７４と対応で付けられていることを示すセル対応関係情報を格納しておく。本実施の形態では、セル情報２７に基づいて、セルＡ〜ＩのＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉがセルＤＢ２５から抽出される。
【０１０１】
図１９は、第５の実施の形態に係るマスクパターン作成装置の構成を示すブロック図である。図１９の各構成要素のうち図１に示す第１の実施の形態のマスクパターン作成装置１や図１２に示す第４の実施の形態のマスクパターン作成装置３と同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。
【０１０２】
マスクパターン作成装置４は、マスクパターン作成装置１の構成要素に加えて、検索部４５、ＯＰＣ後パターン配置部３１、ＯＰＣ処理部３２を備えている。検索部４５は、セル情報２７に基づいて、入力部１１から入力された設計セルデータＤＡ〜ＤＩのＯＰＣ後パターンデータＤ１ａ〜Ｄ１ｉをセルＤＢ２５内から検索し抽出する。検索部４５は、ＯＰＣ後パターンデータを検索できた場合に、検索できたＯＰＣ後パターンデータをセルＤＢ２５から抽出してＯＰＣ後パターン配置部３１に送る。また、検索部４５は、ＯＰＣ後パターンデータを検索できなかった場合に、検索できなかった設計セルデータを光強度算出部１２に送る。
【０１０３】
図２０は、ＯＰＣ後パターンデータの第５の実施の形態に係る格納処理手順を示すフローチャートである。なお、第１〜第４の実施の形態で説明したＯＰＣ後パターンデータの作成処理と同様の処理については、その説明を省略する。ここでは、ＯＰＣ後パターンデータとして、既に作成されているセルＡのマスクパターンと、ＯＰＣ後パターンデータが作成されていないセルＪのマスクパターンと、が検索される場合について説明する。
【０１０４】
セルＡ，Ｊの設計セルデータＤＡ，ＤＪが作成されると、作成された設計セルデータＤＡ，ＤＪは、設計セルデータＤＢ８１に格納される。マスクパターン作成装置４の入力部１１に設計セルデータＤＢ８１内の設計セルデータＤＡ，ＤＪが入力されると、設計セルデータＤＡ，ＤＪが検索部４５に送られる。
【０１０５】
検索部４５は、セル情報２７をセルＤＢ２５から取得する（ステップＳ６１０）。そして、検索部４５は、セルＤＢ２５内にセルＡ，ＪのＯＰＣ後パターンが格納されているか否かを検索する。このとき、検索部４５は、セル情報２７に格納されている設計セルデータＤＡ〜ＤＪからセルＡ，Ｊの設計セルデータＤＡ，ＤＪを検索する。さらに、検索部４５は、セル情報２７に基づいて、設計セルデータＤＡ，ＤＪに対応するＯＰＣ後パターンデータがセルＤＢ２５内に格納されているか否かを判断する。これにより、セルＡ，Ｊの設計セルデータＤＡ，ＤＪに一致するＯＰＣ後パターンがセルＤＢ２５内に格納されているか否かの一致検索が行われる（ステップＳ６２０）。
【０１０６】
具体的には、検索部４５は、設計セルデータＤＡ，ＤＪに対応するリソグラフィターゲットのパターン形状やパターン寸法などに基づいて、このパターン形状やパターン寸法と同じパターン形状のリソグラフィターゲットの設計セルデータがセル情報２７内に存在するか否かを検索する。なお、検索部４５は、セルＡ，Ｊのセル名（セルを識別する情報）に基づいて、このセル名と同じ設計セルデータＤＡ，ＤＪがセル情報２７内に存在するか否かを検索してもよい。
【０１０７】
検索対象の設計セルデータＤＡ，ＤＪに一致する設計セルデータＤＡ，ＤＪがセル情報２７内に登録されていた場合、検索部４５は、設計セルデータＤＡ，ＤＪのＯＰＣ後パターンがセル情報２７に登録されているか否かを検索する。セルＤＢ２５内でＯＰＣ後パターンを一致検索できた場合（ステップＳ６３０、Ｙｅｓ）、検索部４５は、検索対象の設計セルデータに対応するＯＰＣ後パターンパターンデータをセルＤＢ２５から抽出する。
【０１０８】
例えば、設計セルデータＤＡに対応するＯＰＣ後パターンデータＤＡは、セル情報２７内に登録されているので、検索部４５は、セル情報２７に基づいて、設計セルデータＤＡに対応するＯＰＣ後パターンデータＤ１ａをセルＤＢ２５から抽出する。
【０１０９】
また、設計セルデータＤＪに一致するＯＰＣ後パターンデータは、セル情報２７内に登録されていないので、検索部４５は、設計セルデータＤＪに対応するＯＰＣ後パターンデータはセルＤＢ２５から抽出できないと判断する。
【０１１０】
検索部４５は、抽出したセルＡのＯＰＣ後パターンデータＤ１ａを、ＯＰＣ後パターン配置部３１に送る。ＯＰＣ後パターン配置部３１は、ＯＰＣ後パターンデータＤ１ａに対応するＯＰＣ後パターン（ＯＰＣｅｄセル）を、マスクパターン配置領域に配置する。ＯＰＣ後パターン配置部３１は、ＯＰＣｅｄセルＡが配置されたＯＰＣ後パターンのデータを、ＯＰＣ処理部３２に送る。
【０１１１】
ＯＰＣ処理部３２は、半導体装置を構成するセルのＯＰＣ後パターン（ＯＰＣｅｄセル）を、それぞれマスクパターンの形成されるマスクパターン領域内に配置する（ステップＳ６４０）。そして、ＯＰＣ処理部３２は、マスクパターン領域内で再ＯＰＣ処理を行うことによって半導体装置のマスクパターンを作成する（ステップＳ６５０）。ＯＰＣ処理部３２は、作成したマスクパターン（ＯＰＣ後パターンデータ）を出力部１８に送る。出力部１８は、ＯＰＣ後パターンデータをセルＤＢ２５などに送る。
【０１１２】
一方、検索対象の設計セルデータＤＡ，ＤＪに一致するＯＰＣ後パターンがセル情報２７内に登録されていない場合（ステップＳ６３０、Ｎｏ）、検索部４５は、検索できなかった設計セルデータを光強度算出部１２に送る。
【０１１３】
例えば、設計セルデータＤＪに一致するＯＰＣ後パターンは、セル情報２７内に登録されていないので、検索部４５は、セルＪの設計セルデータＤＪを光強度算出部１２に送る。
【０１１４】
光強度算出部１２、近似曲線算出部１３、ユニバーサルパターン作成部１４、ユニバーサルパターン配置部１５、ＯＰＣ処理部１６、ＯＰＣ後パターン配置部１７、出力部１８では、第１の実施の形態で説明したマスクパターン作成方法と同様の方法によって、設計セルデータＤＪへのＯＰＣ処理、セルＤＢ２５へのＯＰＣ後パターンデータの登録処理が行われる（ステップＳ６６０）。この後、セル情報２７内には、検索部４５からの指示により、セルＪの名称と、設計セルデータＤＪと、セルＪのＯＰＣ後パターンデータと、の対応関係を示す情報が登録される。なお、セル情報２７は、セルＤＢ２５を管理する管理装置やマスクパターン作成装置４に記憶させてもよい。
【０１１５】
つぎに、マスクパターン作成装置１〜４のハードウェア構成について説明する。なお、マスクパターン作成装置１〜４は、それぞれ同様のハードウェア構成を有しているので、ここではマスクパターン作成装置１のハードウェア構成について説明する。
【０１１６】
図２１は、マスクパターン作成装置のハードウェア構成を示す図である。マスクパターン作成装置１は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）９１、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）９２、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）９３、表示部９４、入力部９５を有している。マスクパターン作成装置１では、これらのＣＰＵ９１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、表示部９４、入力部９５がバスラインを介して接続されている。
【０１１７】
ＣＰＵ９１は、コンピュータプログラムであるマスクパターン作成プログラム９７を用いてマスクパターンの作成を行う。表示部９４は、液晶モニタなどの表示装置であり、ＣＰＵ９１からの指示に基づいて、設計セルデータ、ユニバーサルパターンＵｐ、壁パターンＷｐ、ＯＰＣ後パターンデータ、セル名などを表示する。入力部９５は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報（マスクパターンの作成に必要なパラメータ等）を入力する。入力部９５へ入力された指示情報は、ＣＰＵ９１へ送られる。
【０１１８】
マスクパターン作成プログラム９７は、ＲＯＭ９２内に格納されており、バスラインを介してＲＡＭ９３へロードされる。図２１では、マスクパターン作成プログラム９７がＲＡＭ９３へロードされた状態を示している。
【０１１９】
ＣＰＵ９１はＲＡＭ９３内にロードされたマスクパターン作成プログラム９７を実行する。具体的には、マスクパターン作成装置１では、使用者による入力部９５からの指示入力に従って、ＣＰＵ９１がＲＯＭ９２内からマスクパターン作成プログラム９７を読み出してＲＡＭ９３内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。ＣＰＵ９１は、この各種処理に際して生じる各種データをＲＡＭ９３内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。
【０１２０】
マスクパターン作成装置１で実行されるマスクパターン作成プログラム９７は、光強度算出部１２、近似曲線算出部１３、ユニバーサルパターン作成部１４、ユニバーサルパターン配置部１５、ＯＰＣ処理部１６、ＯＰＣ後パターン配置部１７を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。
【０１２１】
このように第５の実施の形態によれば、作成済みのＯＰＣ後パターンデータがセルＤＢ２５内に格納されている場合には、セルＤＢ２５内からＯＰＣ後パターンデータを抽出して、再ＯＰＣ処理を実行しているので、所望のウエハ上パターンを形成できるマスクパターンを正確且つ短時間で容易に作成することが可能となる。
【０１２２】
このように第１〜第５の実施の形態によれば、所望のウエハ上パターンを形成できるマスクパターンを正確且つ短時間で容易に作成することが可能となる。
【０１２３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１２４】
１〜４…マスクパターン作成装置、１２…光強度算出部、１３…近似曲線算出部、１４…ユニバーサルパターン作成部、１５…ユニバーサルパターン配置部、１６，３２…ＯＰＣ処理部、１７，３１…ＯＰＣ後パターン配置部、２１…壁パターン配置部、２５…セルＤＢ、４５…検索部、Ｄ１ａ-Ｄ１ｉ，Ｄ２ａ-Ｄ２ｉ，Ｄ５ａ-Ｄ５ｉ，Ｄ７ａ-Ｄ７ｉ…ＯＰＣ後パターンデータ、ＤＡ〜ＤＩ…設計セルデータ、Ｉａ，Ｉｂ…光強度曲線、Ｉｘ…近似曲線、Ｐ  測定点、Ｕｐ…ユニバーサルパターン、Ｗｐ…壁パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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