(57)【要約】      （修正有）【課題】光の取り出し効率を向上させるとともに、光学特性の経時的な変動を抑制することができる半導体発光装置を提供する。【解決手段】基部２と、第１の面に設けられた第１の電極９と、前記第１の面とは反対側の第２の面に設けられた第２の電極１０と、を有する半導体発光素子３と、前記基部と、前記第２の電極と、の間に設けられた接合部４と、を備え、前記接合部は、樹脂部を有し、導電性を有する導電体と、前記半導体発光素子から放出された光を反射させる反射体と、が前記樹脂部中に分散されてなること、を特徴とする半導体発光装置が提供される。【選択図】図１
2012069552.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、
第１の面に設けられた第１の電極と、前記第１の面とは反対側の第２の面に設けられた第２の電極と、を有する半導体発光素子と、
前記基部と、前記第２の電極と、の間に設けられた接合部と、
を備え、
前記接合部は、樹脂部を有し、導電性を有する導電体と、前記半導体発光素子から放出された光を反射させる反射体と、が前記樹脂部中に分散されてなること、を特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記樹脂部における前記導電体の体積率は、４０％以上、９０％以下であり、
前記樹脂部における前記反射体の体積率は、５％以上、４０％以下であること、を特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記半導体発光素子から放出された光に対する前記反射体の光反射率は、８５％以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記導電体と前記反射体とは、球形状を有し、以下の式を満足することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【数３】
2012069552.tif 000005
ここで、Ｒは前記導電体の平均半径、ｒは前記反射体の平均半径である。
【請求項５】
前記反射体は、白色顔料から形成され、鱗片形状、扁平形状、球形状からなる群より選ばれた少なくとも１種の形状を有したこと、を特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記導電体は鱗片形状を有し、前記反射体は球形状を有したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記導電体は球形状を有し、前記反射体は非球形状を有したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記導電体は鱗片形状を有し、前記反射体は非球形状を有したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
銀を含んだ導電性接合剤を用いて、半導体発光素子を基板に接合した半導体発光装置が知られている。この様な半導体発光装置においては、半導体発光素子から出射した光が導電性接合剤に含まれた銀により反射され、一部が半導体発光素子の接合側とは反対側の面などから外部に向けて出射される。  
しかしながら、導電性接合剤に含まれる銀は導電性材料としては光反射率が高いといえるが、絶対的には光反射率が低い。そのため、光の取り出し効率が低下するおそれがある。
また、銀による反射を利用する場合には、銀が硫化することで光反射率などの光学特性が経時的に変動するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３９９８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、光の取り出し効率を向上させるとともに、光学特性の経時的な変動を抑制することができる半導体発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態によれば、基部と、第１の面に設けられた第１の電極と、前記第１の面とは反対側の第２の面に設けられた第２の電極と、を有する半導体発光素子と、前記基部と、前記第２の電極と、の間に設けられた接合部と、を備え、前記接合部は、樹脂部を有し、導電性を有する導電体と、前記半導体発光素子から放出された光を反射させる反射体と、が前記樹脂部中に分散されてなること、を特徴とする半導体発光装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】（ａ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の模式平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図２】図１（ｂ）におけるＢ部の模式拡大図である。
【図３】導電体の体積抵抗率と抵抗値との関係を例示するための模式グラフ図である。
【図４】反射体の光反射率を例示するためのグラフ図である。
【図５】光反射率の向上を例示するための模式グラフ図である。
【図６】光反射率の経時変化を例示するための模式グラフ図である。
【図７】第２の実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式断面図である。
【図８】導電体の大きさと反射体の大きさとについて例示をするための模式図である。
【図９】第３の実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
[第１の実施形態]  
図１は、第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式断面図である。なお、図１（ａ）は第１の実施形態に係る半導体発光装置の模式平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。  
図２は、図１（ｂ）におけるＢ部の模式拡大図である。  
図１に示すように、半導体発光装置１は、基部２、半導体発光素子３、接合部４、基部１１、配線部１２を備えている。
【０００８】
基部２には、基板５と、基板５の表面を覆うようにして形成された導電膜６とが設けられている。  
基板５は、例えば、銅から形成された厚みが２００μｍ程度の板状体とすることができる。ただし、これに限定されるわけではなく適宜変更することができる。例えば、基板５は、銅合金、鉄合金、アルミニウムなどの金属から形成されたものとすることもできる。  また、基板５は、金、銀、銅などの導電性材料の粉末を樹脂材料に含有させることで導電性を持たせたものから形成されるようにすることもできる。
【０００９】
導電膜６は、例えば、銀から形成された厚みが２μｍ〜１０μｍ程度の膜状体とすることができる。ただし、これに限定されるわけではなく適宜変更することができる。例えば、導電膜６は、銀合金（例えば、ロジウムやパラジウムなどと銀との合金）、金、金銀合金、パラジウム、白金、モリブデンなどの金属から形成されたものとすることもできる。
また、導電膜６は、電解めっきなどのめっき法を用いて形成されたものとすることができる。ただし、導電膜６は、めっき法を用いて形成されたものに限定されるわけではなく、例えば、スパッタリング法などの成膜法を用いて形成されたものとすることもできる。
【００１０】
また、基部２は、導電性材料のみから形成されたものに限定されるものではなく、例えば、図示しない電気配線が施された絶縁性基板（例えば、ガラスエポキシ基板（ＦＲ−４、ＣＥＭ−３など）、セラミックス基板、シリコン基板、ガラス基板など）や、フレキシブルプリント基板（FPC；Flexible printed circuits）などとすることもできる。この場合、図示しない電気配線は、例えば、銅配線などとすることができる。
【００１１】
半導体発光素子３には、発光層７、基体８、電極９（第１の電極）、電極１０（第２の電極）が設けられている。  
発光層７は、正孔および電子が再結合して光を発生する井戸層と、井戸層よりも大きなバンドギャップを有する障壁層（クラッド層）と、によって構成された量子井戸構造とすることができる。  
この場合、単一量子井戸（ＳＱＷ；Single Quantum Well）構造としてもよいし、多重量子井戸（ＭＱＷ；Multiple Quantum Well）構造としてもよい。また、単一量子井戸構造のものを複数積層するようにしてもよい。
【００１２】
例えば、単一量子井戸構造のものとしては、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる障壁層、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）からなる井戸層、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる障壁層がこの順で積層されたものを例示することができる。  
多重量子井戸構造のものとしては、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる障壁層、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）からなる井戸層、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる障壁層、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）からなる井戸層、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる障壁層がこの順で積層されたものを例示することができる。  
なお、発光層７は量子井戸構造に限定されるわけではなく、発光可能な構造を適宜選択することができる。
【００１３】
基体８の一方の主面には、結晶成長させることで発光層７が形成される。この場合、基体８は、結晶成長させるものと同じ材料から形成されるようにするか、結晶成長させるものと格子定数および熱膨張係数の近い材料から形成されるようにすることが好ましい。ただし、結晶成長させるものが窒化物半導体からなる場合には、窒化物半導体からなる適切な大きさの基体８を形成することが難しい。そのため、基体８は、ＳｉＣ、スピネルなどから形成されるようにすることができる。
【００１４】
電極９は、半導体発光素子３の表面（第１の面）に設けられている。すなわち、電極９は、発光層７の基体８に設けられる側とは反対側の面に設けられている。  
電極９は、例えば、金などから形成されたものとすることができる。  
電極１０は、半導体発光素子３の表面とは反対側の面（第２の面）に設けられている。すなわち、電極１０は、基体８の発光層７が設けられる側とは反対側の面に設けられている。  
電極１０は、Ｔｉ（チタン）／Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の三重層などとすることができる。  
ただし、電極９、電極１０の材料、層数などは例示をしたものに限定されるわけではなく、適宜変更することができる。  
また、電極９をアノード電極、電極１０をカソード電極とすることができる。  
この様な電極９、電極１０の配置とすることで、半導体発光素子３の厚み方向に電流を流せるようになっている。
【００１５】
ここで、半導体発光素子３に設けられた各要素の形状、寸法を例示する。  
発光層７は、一辺が５５０μｍ程度の正方形形状とすることができる。  
基体８は、一辺が６００μｍ程度の正方形形状、厚みが１５０μｍ程度とすることができる。  
電極９は、直径寸法が１００μｍ程度の円形形状、厚みが１０００Å程度とすることができる。  
電極１０は、基体８の主面を覆うように形成され、Ｔｉ（チタン）の厚みが１０００Å程度、Ｎｉ（ニッケル）の厚みが２０００Å程度、Ａｕ（金）の厚みが１０００Å程度とすることができる。  
ただし、発光層７、基体８、電極９、電極１０の形状、寸法などは例示をしたものに限定されるわけではなく、適宜変更することができる。
【００１６】
基部１１は、基部２と離隔されて設けられている。基部１１には、基板１５と基板１５の表面を覆うようにして形成された導電膜１６とが設けられている。  
この場合、基板１５は前述した基板５と同様のものとすることができる。導電膜１６は前述した導電膜６と同様のものとすることができる。そのため、基部１１に関する詳細な説明は省略する。  
配線部１２は、基部１１と電極９とを電気的に接続する。配線部１２は、例えば、直径寸法が２０μｍ程度の金線とすることができる。
【００１７】
接合部４は、基部２と、電極１０と、の間に設けられている。  
本実施の形態に係る半導体発光装置１においては、接合部４を介して半導体発光素子３の厚み方向に電流を流すようになっている。  
また、半導体発光素子３から基部２の側に放出された光を接合部４の内部において反射させることで、光を外部に取り出せるようになっている。  
そのため、図２に示すように、接合部４は、樹脂部１７を有し、導電性を有する導電体１８と、半導体発光素子３から出射した光を反射させる反射体１９と、を樹脂部１７中に分散させている。  
すなわち、接合部４は、導電体１８を有することで、半導体発光素子３の電極１０と、基部２とを電気的に接続することができるようになっている。  
また、接合部４は、反射体１９を有することで、半導体発光素子３から基部２の側に出射した光を反射させて外部に取り出せるようになっている。  
そして、接合部４は、樹脂部１７を有することで、半導体発光素子３と基部２とを機械的に接合することができるようになっている。
【００１８】
接合部４は、基体８の周縁から１５０μｍ程度張り出している。また、接合強度を確保するために、基体８の周縁から張り出した部分は、基体８の厚みの１／３〜２／３程度の位置までを覆うようになっている。電極１０と基部２との間における接合部４の厚みは、２μｍ〜１０μｍ程度とすることができる。
【００１９】
樹脂部１７は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂とを混合したものなどから形成されたものとすることができる。ただし、樹脂部１７を形成する樹脂は、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。この場合、樹脂部１７を形成する樹脂としては、液状で供給することができ、２００℃以下の雰囲気中に保持することで硬化させることができるものとすることが好ましい。その様なものであれば、半導体発光素子３と基部２との機械的な接合を容易とすることができる。
【００２０】
導電体１８は、例えば、鱗片形状、扁平形状などを呈したものとすることができる。導電体１８の最長部分の平均寸法は、２μｍ〜３μｍ程度とすることができる。導電体１８は、銀、金、銅、白金、ニッケル、鉄、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、インジウムなどや、これらの合金などから形成されたものとすることができる。  
この場合、同じ材料から形成された導電体が接合部４に含まれるようにしてもよいし、異なる材料から形成された複数種類の導電体が接合部４に含まれるようにしてもよい。  
なお、導電体１８の形状、寸法、材料は、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００２１】
樹脂部１７における導電体１８の体積率は、４０％以上、９０％以下とすることができる。  
図３は、導電体の体積抵抗率と抵抗値との関係を例示するための模式グラフ図である。  図３に示すように、導電体１８の体積率を４０％以上とすれば、充分な電気伝導性を確保することができる。
【００２２】
また、導電体１８の体積抵抗率を９０％以下とすれば、反射体１９を含ませるための体積を確保することができる。
【００２３】
反射体１９は、例えば、鱗片形状、扁平形状などを呈したものとすることができる。反射体１９の最長部分の平均寸法は、１μｍ程度とすることができる。  
半導体発光素子３から放出された光に対する反射体１９の光反射率は、８５％以上であることが好ましい。その様にすれば、光の取り出し効率を向上させることができる。  
なお、本明細書における光反射率は、反射体１９単体における光反射率（接合部４に含ませる前の反射体１９の光反射率）である。また、本明細書における光反射率は、半導体発光素子３から出射される光、または、半導体発光素子３から出射される光よりも長い波長を有する光に対するものである。  
図４は、反射体の光反射率を例示するためのグラフ図である。  
なお、図４は、一例として、反射体が二酸化チタン（ＴｉＯ２）の場合を例示するものである。  
図４に示すように反射体を二酸化チタン（ＴｉＯ２）とすれば４００ｎｍを超える波長の光に対して充分な光反射率を確保することができる。
【００２４】
なお、反射体は二酸化チタン（ＴｉＯ２）に限定されるわけではない。
【００２５】
また、反射体１９は、光反射率の経時変化が少ないものとすることが好ましい。  
その様な反射体１９としては、例えば、白色顔料から形成されたものを例示することができる。白色顔料としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、窒化ホウ素（ＢｒＮ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化バリウム（ＢａＯ）、ジルコニア（ＺｒＯ２）などを例示することができる。ただし、白色顔料は例示をしたものに限定されるわけではなく、適宜変更することができる。
【００２６】
なお、有機材料からなる白色樹脂などを用いると、半導体発光素子３から出射した光により白色樹脂の表面が変質して白色樹脂の光反射率が経時に変化するおそれがある。そのため、無機材料からなる白色顔料を用いるようにすることが好ましい。
【００２７】
この場合、同じ材料から形成された反射体１９が接合部４に含まれるようにしてもよいし、異なる材料から形成された複数種類の反射体１９が接合部４に含まれるようにしてもよい。  
なお、反射体１９の形状、寸法、材料は、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００２８】
樹脂部１７における反射体１９の体積率は、５％以上、４０％以下とすることができる。反射体１９の体積率を５％以上、４０％以下とすれば、光の取り出し効率を向上させることができる。
【００２９】
ここで、反射体１９の大きさは、導電体１８の大きさよりも小さい方が好ましい。反射体１９の大きさが導電体１８の大きさよりも小さければ、導電体１８同士の間に反射体１９が入り込んだとしても導通を確保しやすくなるからである。  
また、反射体１９の体積率は、導電体１８の体積率よりも少ない方が好ましい。反射体１９の体積率が導電体１８の体積率よりも少なければ、導電体１８同士の間に反射体１９が入り込んだとしても導通を確保しやすくなるからである。
【００３０】
次に、接合部４に反射体１９を含ませた場合の効果について例示をする。  
図５は、光反射率の向上を例示するための模式グラフ図である。  
なお、図５中のＣは銀から形成された球形状の導電体１８の場合であり、Ｄは銀から形成された鱗片状の導電体１８の場合である。  
また、図５中のＥは、白色顔料から形成された球形状の反射体１９の場合である。
【００３１】
図５中のＣ、Ｄに示すように、銀は導電性材料としては光反射率が高いといえる。そのため、銀から形成された導電体１８を接合部４に含ませるようにするだけでも光反射率を高めることができる。  
しかしながら、図５中のＥに示すように、白色顔料から形成された反射体１９の方がさらに光反射率が高い。そのため、白色顔料から形成された反射体１９を接合部４にさらに含ませるようにすれば、光反射率をさらに高めることができる。この場合、光反射率を高めることができれば、接合部４の内部において吸収される光の量を少なくすることができるので、光の取り出し効率を向上させることができる。
【００３２】
図６は、光反射率の経時変化を例示するための模式グラフ図である。  
なお、図６中のＦ、Ｇは銀から形成された導電体１８の場合である。また、Ｆは波長が５７０ｎｍの光が照射された場合、Ｇは波長が４６０ｎｍの光が照射された場合である。  Ｈ、Ｉは白色顔料から形成された反射体１９の場合である。また、Ｈは波長が５７０ｎｍの光が照射された場合、Ｉは波長が４６０ｎｍの光が照射された場合である。  
銀に光が照射されると接合部４の内部において銀が硫化される。そのため、照射時間が長くなるに従い銀の硫化が進むので、図６中のＦ、Ｇに示すように導電体１８の光反射率が低下することになる。  
一方、白色顔料は、光が照射されたことによる変質が極めて少ない。そのため、図６中のＨ、Ｉに示すように、照射時間が長くなっても反射体１９の光反射率が低下することを抑制することができる。
【００３３】
本実施の形態によれば、接合部４に導電体１８と反射体１９とを含ませているので、半導体発光素子３の厚み方向に電流を流すことができるとともに、半導体発光素子３から基部２の側に出射した光を接合部４の内部において反射させることができる。  
また、反射体１９が白色顔料から形成されているので、接合部４における光反射率の経時変化を抑制することができる。そのため、半導体発光装置の光学特性の経時的な変動を抑制することができる。
【００３４】
[第２の実施形態]  
図７は、第２の実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式断面図である。
【００３５】
図７は、図２の場合と同様に接合部４ａの断面を模式的に表したものである。  
なお、半導体発光装置に設けられる接合部４ａ以外の各要素は図１に例示をしたものと同様とすることができるので、それらの図示と説明は省略する。  
図７に示すように、接合部４ａは、樹脂部１７を有し、導電性を有する導電体１８ａと、半導体発光素子３から出射した光を反射させる反射体１９ａと、を樹脂部１７中に分散させている。
【００３６】
すなわち、接合部４ａは、導電体１８ａを有することで、半導体発光素子３の電極１０と、基部２とを電気的に接続することができるようになっている。  
また、接合部４ａは、反射体１９ａを有することで、半導体発光素子３から基部２の側に出射した光を反射させて外部に取り出せるようになっている。  
そして、接合部４ａは、樹脂部１７を有することで、半導体発光素子３と基部２とを機械的に接合することができるようになっている。
【００３７】
接合部４ａは、基体８の周縁から１５０μｍ程度張り出している。また、接合強度を確保するために、基体８の周縁から張り出した部分は、基体８の厚みの１／３〜２／３程度の位置までを覆うようになっている。電極１０と基部２との間における接合部４ａの厚みは、２μｍ〜１０μｍ程度とすることができる。
【００３８】
導電体１８ａは、球形状を呈している。導電体１８ａを球形状とすれば、導電体１８ａ同士の間に隙間を形成させ易くなるので、反射体１９ａを混合させ易くなる。  
導電体１８ａの平均直径寸法は、２μｍ〜３μｍ程度とすることができる。導電体１８ａは、銀、金、銅、白金、ニッケル、鉄、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、インジウムなどや、これらの合金などから形成されるものとすることができる。  
この場合、同じ材料から形成された導電体が接合部４ａに含まれるようにしてもよいし、異なる材料から形成された複数種類の導電体が接合部４ａに含まれるようにしてもよい。
なお、導電体１８ａの寸法、材料は、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００３９】
導電体１８ａの体積率は、４０％以上、９０％以下とすることができる。
【００４０】
図３に例示をしたように、導電体１８ａの体積率を４０％以上とすれば、充分な電気伝導性を確保することができる。  
また、導電体１８ａの体積抵抗率を９０％以下とすれば、反射体１９を含ませるための体積を確保することができる。
【００４１】
反射体１９ａは、球形状を呈している。  
反射体１９ａの光反射率は、８５％以上であることが好ましい。その様にすれば、光の取り出し効率を向上させることができる。
【００４２】
また、反射体１９ａは、光反射率の経時変化が少ないものとすることが好ましい。  
その様な反射体１９ａとしては、前述した反射体１９の場合と同様の材料から形成されたものを例示することができる。例えば、反射体１９ａは、白色顔料から形成されたものとすることができる。
【００４３】
この場合、同じ材料から形成された反射体１９ａが接合部４ａに含まれるようにしてもよいし、異なる材料から形成された複数種類の反射体１９ａが接合部４ａに含まれるようにしてもよい。  
なお、反射体１９ａの寸法、材料は、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００４４】
反射体１９ａの体積率は、５％以上、４０％以下とすることができる。反射体１９ａの体積率を５％以上、４０％以下とすれば、光の取り出し効率を向上させることができる。
【００４５】
ここで、反射体１９ａの大きさは、導電体１８ａの大きさよりも小さい方が好ましい。反射体１９ａの大きさが導電体１８ａの大きさよりも小さければ、導電体１８ａ同士の間に反射体１９ａが入り込んだとしても導通を確保しやすくなるからである。  
また、反射体１９ａの体積率は、導電体１８ａの体積率よりも少ない方が好ましい。反射体１９ａの体積率が導電体１８ａの体積率よりも少なければ、導電体１８ａ同士の間に反射体１９ａが入り込んだとしても導通を確保しやすくなるからである。
【００４６】
次に、導電体１８ａの大きさと、反射体１９ａの大きさとについてさらに例示をする。  同半径の球を最密充填できるのは、立方体の面心に球が配置された場合（面心立方格子）である。  
そのため、立方体の面心に配置された導電体１８ａ同士の間に生ずる隙間に入り込めるような大きさを有する反射体１９ａとすれば、導電体１８ａ同士の間における接触が阻害されることを抑制することができる。
【００４７】
図８は、導電体１８ａの大きさと反射体１９ａの大きさとについて例示をするための模式図である。なお、図８は、立方体の面心に配置された導電体１８ａの立方体の１面における接触状態を例示したものである。  
図８に示すように、導電体１８ａの半径をＲとすれば、導電体１８ａ同士の間に生ずる隙間は、以下の（１）式で表すことができる。  
【数１】
2012069552.tif 000003
そのため、導電体１８ａの半径Ｒと、反射体１９ａの半径ｒとが以下の（２）式に表すような関係となるようにすれば、導電体１８ａ同士の間に生ずる隙間に反射体１９ａが入り込めることになる。すなわち、導電体１８ａ同士の間に反射体１９ａが入り込んだとしても、導電体１８ａ同士の間における接触が阻害されることを抑制することができる。  
また、反射体１９ａが小さい表面積を有し、分散しやすいものとなる。
【００４８】
【数２】
2012069552.tif 000004
本実施の形態によれば、接合部４ａに導電体１８ａと反射体１９ａとを含ませているので、半導体発光素子３の厚み方向に電流を流すことができるとともに、半導体発光素子３から基部２の側に出射した光を接合部４ａの内部において反射させることができる。  
また、反射体１９ａが白色顔料から形成されているので、接合部４ａにおける光反射率の経時変化を抑制することができる。そのため、半導体発光装置の光学特性の経時的な変動を抑制することができる。
【００４９】
また、導電体１８ａの半径Ｒと、反射体１９ａの半径ｒとが前述した（２）式に表すような関係となるようにすれば、導電体１８ａ同士の間における接触が阻害されることを抑制することができる。
【００５０】
なお、導電体の形状と反射体の形状との組み合わせは前述したものに限定されるわけではなく、以下に例示をする組み合わせとすることもできる。  
例えば、導電体は鱗片形状を有し、反射体は球形状を有したものとすることができる。  この様にすれば、導電体間の接触点の数を増加させることができるので、電気伝導性を向上させることができる。また、反射体が小さい表面積を有し、分散しやすいものとすることができる。  
また、例えば、導電体は球形状を有し、反射体は非球形状を有したものとすることができる。  
なお、非球形状とは、前述した鱗片形状、扁平形状の他にも、例えば、歪な形状となっているものをも含むものとする。  
この様にすれば、導電体同士の間に隙間を形成させ易くなるので、反射体を混合させ易くなる。また、反射体の単位体積に対する表面積を増加させることができるので、光反射特性を向上させることができる。  
また、例えば、導電体は鱗片形状を有し、反射体は非球形状を有したものとすることができる。  
この様にすれば、導電体間の接触点の数を増加させることができるので、電気伝導性を向上させることができる。また、反射体の単位体積に対する表面積を増加させることができるので、光反射特性を向上させることができる。
【００５１】
[第３の実施形態]  
図９は、第３の実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式断面図である。  
図９に示すように、半導体発光装置１ａは、図１に例示をしたものと同様に基部２、半導体発光素子３、接合部４、基部１１、配線部１２を備えている。またさらに、反射部２０、波長変換部２１を備えている。
【００５２】
反射部２０は、波長変換部２１の周縁を囲むように設けられている。  
反射部２０は、半導体発光素子３から出射した光を波長変換部２１の内部に拡散させるととともに半導体発光装置１ａの正面側に向けて光を出射させる。  
半導体発光素子３から出射した光を反射させやすいように反射部２０の反射率は、例えば、３８０ｎｍ〜７２０ｎｍの波長領域において９０％以上となるようにすることができる。
【００５３】
反射部２０を形成する材料としては、例えば、ポリフタル酸アミド樹脂（PPA）、シリコーン系樹脂などを例示することができる。また、反射部２０の表面に光の反射率の高い材料からなる反射膜（例えば、金属薄膜など）を設けるようにしてもよい。  
ただし、例示をしたこれらの材料に限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００５４】
反射部２０の反射面（波長変換部２１側の面）２０ａは、出射側先端が半導体発光装置１ａの中心軸から離隔する方向に傾斜している。そのため、半導体発光素子３から出射した光を波長変換部２１の内部に拡散させるととともに、半導体発光装置１ａの正面側に向けて効率よく光を出射させることができる。  
基部２、基部１１は、反射部２０を貫通するようにして設けられている。そして、基部２の端部には基板などに実装するための脚部２ａが設けられている。基部１１の端部には基板などに実装するための脚部１１ａが設けられている。
【００５５】
波長変換部２１は、半導体発光素子３、接合部４、配線部１２、反射部２０の反射面２０ａなどを覆うようにして設けられている。  
波長変換部２１は、波長変換可能な蛍光体が分散された樹脂から形成されるものとすることができる。  
蛍光体は、例えば、粒子状とすることができ、その粒子径を１０μｍ以下とすることができる。  
波長変換部２１は、４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下(青色)、５００ｎｍ以上５５５ｎｍ以下(緑色)、５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下(黄色)、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下(赤色)にピークの発光波長を持つ蛍光体の少なくとも１つ以上を含むものとすることができる。  
また、発光波長の帯域が３８０ｎｍ〜７２０ｎｍの蛍光体を含むものとすることができる。  
蛍光体としては、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、燐（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、アルカリ土類元素、硫化物元素、希土類元素、窒化物元素からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素が含まれるものとすることができる。
【００５６】
赤色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる赤色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されない。  
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＋顔料、
Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、
Ｚｎ３（ＰＯ４）２：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）ＢＯ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）２Ｏ３、
ＹＶＯ４：Ｅｕ、
Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、
ＬａＳｉ３Ｎ５：Ｅｕ２＋、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｃｅ２＋、
Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＣａ）ＡｌＳｉＮ３：ＥｕＸ＋、
Ｓｒｘ（ＳｉｙＡｌ３）ｚ（ＯｘＮ）：ＥｕＸ＋
【００５７】
緑色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる緑色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されない。  
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋顔料、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，＋顔料、
Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｍｎ）２ＳｉＯ４、
ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ２Ｏ３：Ｍｎ、
ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
３（Ｂａ，Ｍｇ，Ｅｕ，Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３、
Ｌａ２Ｏ３・０．２ＳｉＯ２・０．９Ｐ２Ｏ５：Ｃｅ，Ｔｂ、
ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ、
ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、
（ＢｒＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｙｂ２＋、
β−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＢａ）ＹＳｉ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
（ＣａＳｒ）Ｓｉ２Ｏ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
Ｓｒ（ＳｉＡｌ）（ＯＮ）：Ｃｅ  
【００５８】
青色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる青色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されない。  
ＺｎＳ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋顔料、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｃｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
ＺｎＳ：Ｚｎ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｂａ，Ｅｕ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７、
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｅｕ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、
１０（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｅｕ）・６ＰＯ４・Ｃｌ２、
ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２５：Ｅｕ  
【００５９】
黄色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されない。  
Ｌｉ（Ｅｕ，Ｓｍ）Ｗ２Ｏ８、
（Ｙ，Ｇｄ）３，（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、
Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、
（Ｓｒ（Ｃａ，Ｂａ））３ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋、
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋
【００６０】
黄緑色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄緑色の蛍光を発する蛍光体は、これに限定されない。  
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋
蛍光体が分散される樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン系樹脂、メタクリル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、環状ポリオレフィン(COP)、脂環式アクリル(OZ)、アリルジグリコールカーボネート(ADC)、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂とエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂、ウレタン樹脂などを例示することができる。  
蛍光体が分散される樹脂の屈折率は蛍光体の屈折率以下とすることが好ましい。また、蛍光体が分散される樹脂の透過率は９０％以上とすることが好ましい。
【００６１】
この場合、半導体発光素子３から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度が高い場合には波長変換部２１を形成する樹脂が劣化するおそれがある。そのため、波長変換部２１を形成する樹脂としては、青色光などによる劣化が生じにくいものとすることが好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が１．５程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーン、メチルフェニルシリコーンとエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂などを例示することができる。  
ただし、蛍光体が分散される樹脂としては、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００６２】
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。  
例えば、半導体発光装置１、半導体発光装置１ａが備える各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。  また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。  
【符号の説明】
【００６３】
１  半導体発光装置、１ａ  半導体発光装置、２  基部、３  半導体発光素子、４  接合部、４ａ  接合部、５  基板、６  導電膜、７  発光層、８  基体、９  電極、１０  電極、１１  基部、１２  配線部、１７  樹脂、１８  導電体、１８ａ  導電体、１９  反射体、１９ａ  反射体、２０  反射部、２１  波長変換部
【図１】
2012069552.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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