(57)【要約】【課題】マイグレーションの発生を抑制することによって、信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置は、実装部品１０と、この実装部品１０が架橋状態で電気的に接続される、陽極配線２１および陰極配線２２と、陽極配線２１の電圧と同極性を有し、陽極配線２１および陰極配線２２の間に配されるダミー配線２３とを備えている。【選択図】図１
2012069655.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装部品と、
前記実装部品が架橋状態で電気的に接続される、陽極配線および陰極配線と、
前記陽極配線と同極性を有し、前記陽極配線および前記陰極配線の間に配されるダミー配線とを備えることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記陽極配線、前記陰極配線、および、前記ダミー配線は、リードフレームまたは基板上に形成された導体パターンからなることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダミー配線は、前記実装部品に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記実装部品が実装される実装部材を備え、
前記ダミー配線は、前記実装部材とは異なる部材から構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ダミー配線には、前記陽極配線より高い電位が印加されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ダミー配線には、前記陽極配線より低い電位が印加されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記実装部品は、コンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗、ダイオードおよびサージアブソーバの少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
陽極および陰極を有し、
前記陽極および前記陰極の間に、前記陽極と同極性のダミー配線が設けられていることを特徴とする、実装部品。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置を備えたことを特徴とする、電子機器。
【請求項１０】
請求項８に記載の実装部品が実装されていることを特徴とする、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、実装部品およびそれらを用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来知られている一般的な半導体素子は、リードフレーム上または基板の配線パターン上に半導体チップが実装された状態で、モールド樹脂にて封止されている。半導体チップの実装には、たとえば、Ａｇペーストなどのダイボンド材が用いられる。
【０００３】
また、半導体デバイスや半導体モジュールなどの半導体装置では、上記半導体素子の外付け部品として実装されていたコンデンサ、コイル、抵抗等の実装部品が、半導体チップと一緒に実装され、モールドされている。これにより、上記半導体装置、実装部品などが１パッケージ化されて、小型化が図られる。
【０００４】
図３２は、従来の一例による半導体装置の一部を模式的に示した断面図である。図３２を参照して、従来の一例による半導体装置では、たとえば、実装部品としてのコンデンサ１０１０が、Ａｇペースト１００５によって、リードフレーム１０２０上に架橋状態で実装されている。そして、このコンデンサ１０１０がモールド樹脂１０３０にて封止されている。また、上記リードフレーム１０２０は、陽極配線１０２１および陰極配線１０２２を有しており、上記コンデンサ１０１０が、Ａｇペースト１００５を介して、陽極配線１０２１および陰極配線１０２２と電気的に接続されている。
【０００５】
しかしながら、図３２に示した従来の半導体装置では、Ａｇペースト１００５を用いているため、銀マイグレーション（エレクトロケミカルマイグレーション）による電気的な短絡が信頼性上、大きな問題となっていた。
【０００６】
銀マイグレーション（エレクトロケミカルマイグレーション）は、導電性ペースト等に使用されているＡｇに電圧が印加されると、電気分解作用によってコンデンサなどの絶縁物上において、陽極側ではシミ状のＡｇの成長が起こり、陰極側では樹枝状結晶（デンドライト）成長が起こることで発生する。この銀マイグレーションは、一般的に、図３２のＭ部分で発生する。そして、この銀マイグレーションの発生により、陽極配線１０２１と陰極配線１０２２とが電気的に短絡するため、信頼性が低下する。なお、陰極側の成長は、陽極側で電気分解された銀イオンが陰極側に引き寄せられることで発生する。
【０００７】
そこで、従来、Ａｇペースト中にＰｄを含有させることで、銀マイグレーションの発生を抑制する方法や、モールド樹脂にイオントラップを添加する方法などが提案されている。
【０００８】
また、上記以外に、耐湿性を向上させることで電気分解を防ぐ方法（たとえば、特許文献１参照）や、経時変化しないペースト材を用いる方法（たとえば、特許文献２参照）なども提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−８０１５３号公報
【特許文献２】特開２００７−２６９９５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、Ａｇペースト中にＰｄを含有させる方法、モールド樹脂にイオントラップを添加する方法、および、上記特許文献２で提案されている方法（経時変化しないペースト材を用いる方法）では、余分な環境負荷物質を採用することとなるため、環境面で配慮がなされておらず、また、部材のコストアップにもなるという問題点がある。
【００１１】
また、上記特許文献１で提案されている方法（耐湿性を向上させることで電気分解を防ぐ方法）では、複雑な構造となるため、製造工程が複雑になるという問題点がある。なお、製造工程が複雑になることにより、製造コストがアップするという不都合も生じる。
【００１２】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、マイグレーションの発生を抑制することによって、信頼性を向上させることが可能な半導体装置、実装部品およびそれらを用いた電子機器を提供することである。
【００１３】
この発明のもう１つの目的は、環境面に配慮しつつ、コストを低減することが可能な半導体装置、実装部品およびそれらを用いた電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体装置は、実装部品と、この実装部品が架橋状態で電気的に接続される、陽極配線および陰極配線と、陽極配線と同極性を有し、陽極配線および陰極配線の間に配されるダミー配線とを備えている。
【００１５】
この第１の局面による半導体装置では、上記のように、陽極配線および陰極配線の間に陽極配線と同極性を有するダミー配線を配することによって、たとえば、Ａｇペーストを用いて実装部品を実装した場合に、陽極側で電気分解された銀イオンが陰極側に引き寄せられるのを防ぐことができる。これにより、陰極側での樹枝状結晶（デンドライト）の成長を抑制することができるので、銀マイグレーション（エレクトロケミカルマイグレーション）の発生を抑制することができる。その結果、実装部品における電気的な短絡の発生を抑制することができるので、信頼性を向上させることができる。
【００１６】
また、第１の局面では、陽極配線および陰極配線の間に上記ダミー配線を配するだけでマイグレーションの発生を抑制することができるので、余分な環境負荷物質を採用することなく信頼性を向上させることができる。このため、半導体装置を、環境面に配慮した構成にすることができる。加えて、部材コストや、製造コストの上昇を抑制することができるので、信頼性が高く、かつ、環境面にも配慮された半導体装置を安価に得ることができる。
【００１７】
上記第１の局面による半導体装置において、好ましくは、陽極配線、陰極配線、および、ダミー配線は、リードフレームまたは基板上に形成された導体パターンからなる。このように構成すれば、リードフレームのフレーム形状の変更または基板の導体パターンの変更のみで、陽極配線と陰極配線との間に、陽極配線と同極性を有するダミー配線を形成することができる。このため、上記ダミー配線を容易に形成することができるので、上記ダミー配線の形成において、製造工程が複雑になるのを抑制することができる。また、フレーム形状の変更または導体パターンの変更のみで、上記ダミー配線を形成することができるので、部材数が増加するのを抑制することもできる。したがって、このように構成することにより、環境面に配慮しつつ、安いコストでマイグレーション対策を行うことができる。
【００１８】
上記第１の局面による半導体装置において、上記ダミー配線は、実装部品に設けられていてもよい。このように構成すれば、他に設計変更を加えることなくマイグレーションの発生を抑制することができるので、容易に、信頼性を向上させることができる。
【００１９】
上記第１の局面による半導体装置において、実装部品が実装される実装部材を備え、上記ダミー配線を、実装部材とは異なる部材から構成することもできる。このように構成すれば、実装部材に変更を加えることなくマイグレーション対策を行うことができる。なお、上記実装部材には、たとえば、リードフレームや、導体パターンが形成された基板などを用いることができる。
【００２０】
上記第１の局面による半導体装置において、好ましくは、上記ダミー配線には、陽極配線より高い電位が印加される。このように構成すれば、より効果的にイオンの移動を防ぐことができるので、より効果的にマイグレーションの発生を抑制することができる。
【００２１】
上記第１の局面による半導体装置において、好ましくは、上記ダミー配線には、陽極配線より低い電位が印加される。このように構成すれば、たとえば、ダミー配線と陽極配線とが電気的に短絡した場合に、陽極配線側から電流が流れるので、この電流を検出することにより、ダミー配線と陽極配線とが電気的な接触状態にあるか否かを検知することができる。これにより、マイグレーションの発生を抑制可能な状態にあるか否かを検知することができる。
【００２２】
上記第１の局面による半導体装置において、好ましくは、上記実装部品は、コンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗、ダイオードおよびサージアブソーバの少なくとも１つを含む。このような実装部品であっても、マイグレーションの発生を抑制して、信頼性の向上を図ることができる。
【００２３】
この発明の第２の局面による実装部品は、陽極および陰極を有し、陽極および陰極の間に、陽極と同極性のダミー配線が設けられた実装部品である。このように構成すれば、容易に、マイグレーションの発生を抑制することが可能な実装部品を得ることができる。
【００２４】
この発明の第３の局面による電子機器は、上記第１の局面による半導体装置を備えた電子機器である。このように構成すれば、信頼性が高く、環境面にも配慮された電子機器を低コストで得ることができる。
【００２５】
この発明の第４の局面による電子機器は、上記第２の局面による実装部品が実装された電子機器である。このように構成した場合でも、信頼性が高く、環境面にも配慮された電子機器を低コストで得ることができる。
【発明の効果】
【００２６】
以上のように、本発明によれば、マイグレーションの発生を抑制することによって、信頼性を向上させることが可能な半導体装置、実装部品およびそれらを用いた電子機器を容易に得ることができる。
【００２７】
また、本発明によれば、環境面に配慮しつつ、コストを低減することが可能な半導体装置、実装部品およびそれらを用いた電子機器を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。
【図２】本発明の第１実施形態による半導体装置の樹脂封止前の状態を示した平面図である。
【図３】本発明の第２実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。
【図４】本発明の第２実施形態による半導体装置の一部を示した平面図（実装部品を実装する前の状態を示した図）である。
【図５】本発明の第２実施形態による半導体装置の一部を示した平面図（実装部品の実装後の状態を示した図）である。
【図６】本発明の第３実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。
【図７】本発明の第３実施形態による半導体装置に実装される実装部品を上側から見た平面図である。
【図８】本発明の第３実施形態による半導体装置に実装される実装部品を下側から見た平面図である。
【図９】第３実施形態の第１変形例による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。
【図１０】第３実施形態の第１変形例による半導体装置に実装される実装部品を上側から見た平面図である。
【図１１】第３実施形態の第１変形例による半導体装置に実装される実装部品を下側から見た平面図である。
【図１２】第３実施形態の第２変形例による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。
【図１３】第３実施形態の第２変形例による半導体装置に実装される実装部品を上側から見た平面図である。
【図１４】第３実施形態の第２変形例による半導体装置に実装される実装部品を下側から見た平面図である。
【図１５】本発明の第４実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。
【図１６】本発明の第４実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図１７】本発明の第４実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図１８】本発明の第５実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。
【図１９】本発明の第５実施形態による半導体装置の一部を模式的に示した平面図である。
【図２０】本発明の第６実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。
【図２１】本発明の第６実施形態による半導体装置の一部を概略的に示した平面図である。
【図２２】本発明の第６実施形態による半導体装置の一部を概略的に示した平面図である。
【図２３】本発明の第７実施形態による半導体装置を示した平面図である。
【図２４】本発明の第７実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。
【図２５】本発明の第８実施形態による半導体装置を示した平面図（半導体ＩＣおよび実装部品を実装する前の状態を示した図）である。
【図２６】本発明の第８実施形態による半導体装置を示した平面図（半導体ＩＣおよび実装部品を実装した後の状態を示した図）である。
【図２７】本発明の第８実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。
【図２８】本発明の第９実施形態による半導体装置を示した平面図である。
【図２９】本発明の第９実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。
【図３０】本発明の第９実施形態による半導体装置に実装される実装部品を上側から見た平面図である。
【図３１】本発明の第９実施形態による半導体装置に実装される実装部品を下側から見た平面図である。
【図３２】従来の一例による半導体装置の一部を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００３０】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。図２は、本発明の第１実施形態による半導体装置の樹脂封止前の状態を示した平面図である。まず、図１および図２を参照して、本発明の第１実施形態による半導体装置について説明する。なお、第１実施形態では、実装部品が実装されている部分の半導体装置の構成について説明する。
【００３１】
第１実施形態による半導体装置は、図１に示すように、実装部品１０と、この実装部品１０が実装されるリードフレーム２０とを有している。実装部品１０は、半導体ＩＣなどの半導体素子の外付け部品として実装される電子部品であり、たとえば、コンデンサ（チップコンデンサ）からなる。この実装部品１０は、両端に電極端子１１を有しており、一方の電極端子１１ａ（１１）が陽極となっているとともに、他方の電極端子１１ｂ（１１）が陰極となっている。
【００３２】
また、上記リードフレーム２０は、銅などの電気伝導性に優れた材料から構成されており、所定のフレーム形状に形成されている。また、上記実装部品１０が実装される実装部には、陽極配線２１および陰極配線２２が形成されている。そして、上記実装部品１０が架橋状態でリードフレーム２０上に実装されている。これにより、実装部品１０の陽極側の電極端子１１ａが、リードフレーム２０の陽極配線２１と電気的に接続されるとともに、実装部品１０の陰極側の電極端子１１ｂが、リードフレーム２０の陰極配線２２と電気的に接続される。
【００３３】
また、上記実装部品１０は、Ａｇペーストによってリードフレーム２０上に実装されている。このため、実装部品１０の電極端子１１と陽極配線２１および陰極配線２２との間には、それぞれ、Ａｇペースト層５が介在された状態となっている。
【００３４】
ここで、第１実施形態では、図１および図２に示すように、陽極配線２１および陰極配線２２の間に、陽極配線２１の電圧と同極性のダミー配線（導電体）２３が配されている。このダミー配線２３は、図２に示すように、リードフレーム２０の陽極配線２１と一体的に形成されている。すなわち、リードフレーム２０のフレーム形状を変更することで、リードフレーム２０の一部に上記ダミー配線２３が形成されている。このため、ダミー配線２３と陽極配線２１とは電気的に接続された状態となっているので、上記のように、ダミー配線２３の極性が、陽極配線２１の電圧と同じになっている。そして、このダミー配線２３を跨ぐように、リードフレーム２０上に、上記実装部品１０が実装されている。
【００３５】
また、第１実施形態では、ダミー配線２３の厚みが、陽極配線２１および陰極配線２２の厚み（実装部の厚み）よりも大きくなっている。具体的には、上記実装部品１０がＡｇペーストで実装されているため、実装部品１０とリードフレーム２０との間に介在されるＡｇペースト層５の厚み分、実装部品１０の実装高さが高くなっている。このため、ダミー配線２３が、陽極配線２１の上面および陰極配線２２の上面よりも実装部品１０側に突出するように形成されることで、ダミー配線２３を実装部品１０に近づけられている。すなわち、実装部品１０の下側のフレーム部分（ダミー配線２３）に、実装部よりも大きな厚みを持たせることで、実装部品１０の下側のフレーム部分（ダミー配線２３）が実装部品１０の表面により近づけられている。
【００３６】
また、ダミー配線２３（実装部品１０の下側のフレーム部分）の厚みは、プレス加工またはエッチングなどにより、陽極配線２１および陰極配線２２の厚み（実装部の厚み）よりも大きくすることが可能である。
【００３７】
なお、上記ダミー配線２３は、実装部品１０の表面に接触されているのが好ましい。また、ダミー配線２３（実装部品１０の下側のフレーム部分）には、マイグレーションが懸念されるＡｇメッキを施さないようにするか、Ａｇメッキ以外のメッキを施すようにするのが好ましい。
【００３８】
また、リードフレーム２０上に実装された実装部品１０は、モールド樹脂３０にて封止されている。また、モールド樹脂３０で封止後に露出される、外部接続用のフレーム部分にはメッキ処理が施されているのが好ましい。
【００３９】
第１実施形態では、上記のように、陽極配線２１および陰極配線２２の間に陽極配線２１と同極性を有するダミー配線２３を配することによって、Ａｇペーストを用いて実装部品１０を実装した場合に、陽極側で電気分解された銀イオンが陰極側に引き寄せられるのを防ぐことができる。これにより、陰極側での樹枝状結晶（デンドライト）の成長を抑制することができるので、銀マイグレーション（エレクトロケミカルマイグレーション）の発生を抑制することができる。
【００４０】
すなわち、銀マイグレーション（エレクトロケミカルマイグレーション）は、Ａｇペーストに使用されているＡｇに電圧が印加されると、電気分解作用によって実装部品１０の絶縁物上において、陽極側ではシミ状のＡｇの成長が起こり、陰極側では樹枝状結晶（デンドライト）成長が起こることで発生する。このため、陽極配線２１および陰極配線２２の間に陽極配線２１と同極性を有するダミー配線２３を配することにより、陽極側で電気分解された銀イオンが陰極側に引き寄せられるのを防ぐことができる。これにより、銀マイグレーションの発生に起因する、実装部品１０における電気的な短絡の発生を抑制することができるので、信頼性を向上させることができる。
【００４１】
また、第１実施形態では、陽極配線２１および陰極配線２２の間に上記ダミー配線２３を配するだけでマイグレーションの発生を抑制することができるので、余分な環境負荷物質を採用することなく信頼性を向上させることができる。このため、半導体装置を、環境面に配慮した構成にすることができる。加えて、部材コストや、製造コストの上昇を抑制することができるので、信頼性が高く、かつ、環境面にも配慮された半導体装置を安価に得ることができる。
【００４２】
また、第１実施形態では、陽極配線２１、陰極配線２２、および、ダミー配線２３を、リードフレーム２０を用いて形成することによって、リードフレーム２０のフレーム形状の変更のみで、陽極配線２１と陰極配線２２との間に、陽極配線２１と同極性を有するダミー配線２３を形成することができる。このため、上記ダミー配線２３を容易に形成することができるので、上記ダミー配線２３の形成において、製造工程が複雑になるのを抑制することができる。また、フレーム形状の変更のみで、上記ダミー配線２３を形成することができるので、部材数が増加するのを抑制することもできる。したがって、このように構成することにより、環境面に配慮しつつ、安いコストでマイグレーション対策を行うことができる。たとえば、モールド樹脂にイオントラップを添加したり、耐湿性の向上のためのモールド工程を追加したりすることなく、マイグレーションの発生を抑制することができる。
【００４３】
また、第１実施形態では、ダミー配線２３の厚みを、陽極配線２１および陰極配線２２の厚み（実装部の厚み）よりも大きくすることによって、ダミー配線２３を、実装部品１０側により近づけることができる。これにより、陽極側で電気分解された銀イオンが陰極側に引き寄せられるのを効果的に防ぐことができる。
【００４４】
また、上記第１実施形態による半導体装置を電子機器に搭載すれば、信頼性の高い電子機器を得ることができる。
【００４５】
（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。図４および図５は、本発明の第２実施形態による半導体装置の一部を示した平面図である。図４は、実装部品を実装する前の状態を示しており、図５は、実装部品の実装後の状態を示している。次に、図３〜図５を参照して、本発明の第２実施形態による半導体装置について説明する。なお、各図において、対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明は適宜省略する。また、第２実施形態では、上記第１実施形態と同様、実装部品が実装されている部分の半導体装置の構成について説明する。
【００４６】
この第２実施形態では、図３〜図５に示すように、上記第１実施形態で示したリードフレームに代えて、配線基板１２０を備えており、この配線基板１２０上に、実装部品１０が実装されている。配線基板１２０は、たとえば、ガラスエポキシ基板から構成されており、絶縁性の基材部１２１と、この基材部１２１上に形成された、導体パターン１２２とを含んで構成される。なお、導体パターン１２２は、基材部１２１上に形成された銅箔などの導体箔（図示せず）をエッチングなどでパターニングすることにより形成されている。
【００４７】
また、配線基板１２０の導体パターン１２２は、実装部品１０が実装される、陽極配線１２２ａおよび陰極配線１２２ｂを有している。また、上記実装部品１０は、Ａｇペーストによって配線基板１２０の導体パターン１２２上に実装されている。これにより、実装部品１０の陽極側の電極端子１１ａは、導体パターン１２２の陽極配線１２２ａと電気的に接続されているとともに、実装部品１０の陰極側の電極端子１１ｂは、導体パターン１２２の陰極配線１２２ｂと電気的に接続されている。
【００４８】
また、第２実施形態では、図３に示すように、導体パターン１２２の陽極配線１２２ａと陰極配線１２２ｂとの間に、ダミー配線１２２ｃが配されている。このダミー配線１２２ｃは、導体パターン１２２を変更することで形成されている。このため、上記ダミー配線１２２ｃは、陽極配線１２２ａおよび陰極配線１２２ｂと同じ導電性材料から構成されていることになる。また、ダミー配線１２２ｃは、たとえば、Ｔ字型に形成されることで、陽極配線１２２ａと電気的に接続された状態となっている。このため、陽極配線１２２ａと陰極配線１２２ｂとの間に配されるダミー配線１２２ｃは、陽極配線１２２ａの電圧と同極性となっている。
【００４９】
なお、ダミー配線１２２ｃ（実装部品１０の下側に位置する導体パターン１２２）には、マイグレーションが懸念されるＡｇメッキを施さないようにするか、Ａｇメッキ以外のメッキを施すようにするのが好ましい。また、導体パターン１２２の露出部分には、ソルダレジストなどのレジスト１２３（図４および図５参照）が施されているのが好ましい。さらに、配線基板１２０の表面も、ソルダレジストなどのレジスト１２４（緑色）（図３〜図５参照）が施されているのが好ましい。
【００５０】
第２実施形態では、上記のように、陽極配線１２２ａ、陰極配線１２２ｂ、および、ダミー配線１２２ｃを、基板上に形成された導体パターン１２２から構成することによって、基板の導体パターン１２２の変更のみで、陽極配線１２２ａと陰極配線１２２ｂとの間に、陽極配線１２２ａと同極性を有するダミー配線１２２ｃを形成することができる。このため、上記ダミー配線１２２ｃを容易に形成することができるので、上記ダミー配線１２２ｃの形成において、製造工程が複雑になるのを抑制することができる。また、導体パターン１２２の変更のみで、上記ダミー配線１２２ｃを形成することができるので、部材数が増加するのを抑制することもできる。したがって、このように構成した場合でも、環境面に配慮しつつ、安いコストでマイグレーション対策を行うことができる。
【００５１】
第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００５２】
（第３実施形態）
図６は、本発明の第３実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。図７は、本発明の第３実施形態による半導体装置に実装される実装部品を上側から見た平面図である。図８は、本発明の第３実施形態による半導体装置に実装される実装部品を下側から見た平面図である。次に、図６〜図８を参照して、本発明の第２実施形態による半導体装置について説明する。なお、各図において、対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明は適宜省略する。また、第３実施形態では、上記第１および第２実施形態と同様、実装部品が実装されている部分の半導体装置の構成について説明する。
【００５３】
第３実施形態による半導体装置では、図６〜図８に示すように、上記ダミー配線２３が、実装部品１０に形成された構成となっている。具体的には、陽極配線２１および陰極配線２２を有するリードフレーム２０上に、実装部品１０が架橋状態で実装されている。実装部品１０は、陽極および陰極の各電極端子１１を有しており、陽極側の電極端子１１ａ（１１）は、リードフレーム２０の陽極配線２１と電気的に接続されており、陰極側の電極端子１１ｂ（１１）は、リードフレーム２０の陰極配線２２と電気的に接続されている。
【００５４】
なお、上記第１実施形態と同様、上記実装部品１０は、Ａｇペーストによってリードフレーム２０上に実装されている。このため、実装部品１０の電極端子１１と陽極配線２１および陰極配線２２との間には、それぞれ、Ａｇペースト層５が介在された状態となっている。
【００５５】
ここで、第３実施形態では、実装部品１０における陽極側の電極端子１１ａと陰極側の電極端子１１ｂとの間に、ダミー配線２３が形成されている。このダミー配線２３は、たとえば、実装部品１０の外周（周囲）に沿って１周するように形成されている。また、実装部品１０の外表面には、ダミー配線２３と陽極側の電極端子１１ａとを電気的に接続する接続部１２が形成されている。このため、実装部品１０の陽極と陰極との間に配されるダミー配線２３が、実装部品１０の陽極と電気的に接続された状態となっている。これにより、上記ダミー配線２３は、実装部品１０の陽極（陽極側の電極端子１１ａ）と同極性となっている。
【００５６】
また、第３実施形態では、上記接続部１２は、図７に示すように、実装部品１０の上面１５に形成されている。
【００５７】
なお、上述したように、実装部品１０の陽極側の電極端子１１ａは、リードフレーム２０の陽極配線２１と電気的に接続されているとともに、実装部品１０の陰極側の電極端子１１ｂは、リードフレーム２０の陰極配線２２と電気的に接続されているため、実装部品１０のダミー配線２３は、陽極配線２１と陰極配線２２との間に配された状態となっており、かつ、陽極配線２１と同極性となっている。
【００５８】
第３実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００５９】
第３実施形態では、上記のように、実装部品１０にダミー配線２３を設けることによって、実装部品単体で、マイグレーションの発生を抑制することができる。このため、リードフレーム２０のフレーム形状を変更することなく、マイグレーション対策を行うことができので、容易に、信頼性を向上させることができる。
【００６０】
第３実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００６１】
（第３実施形態の第１変形例）
図９は、第３実施形態の第１変形例による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。図１０は、第３実施形態の第１変形例による半導体装置に実装される実装部品を上側から見た平面図である。図１１は、第３実施形態の第１変形例による半導体装置に実装される実装部品を下側から見た平面図である。
【００６２】
第３実施形態の第１変形例では、図９〜図１１に示すように、上記第３実施形態の実装部品の構成において、ダミー配線２３と陽極（陽極側の電極端子１１ａ）とを電気的に接続する接続部１２が、実装部品１０の側面１６に形成されている。
【００６３】
第１変形例のその他の構成は、上記第３実施形態と同様である。また、第１変形例のその他の効果は、上記第１および第３実施形態と同様である。
【００６４】
（第３実施形態の第２変形例）
図１２は、第３実施形態の第２変形例による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。図１３は、第３実施形態の第２変形例による半導体装置に実装される実装部品を上側から見た平面図である。図１４は、第３実施形態の第２変形例による半導体装置に実装される実装部品を下側から見た平面図である。
【００６５】
第３実施形態の第２変形例では、図１２〜図１４に示すように、上記第３実施形態の実装部品の構成において、たとえば、ダミー配線２３が実装部品１０の外周（周囲）に沿って約半周するように形成されている。具体的には、実装部品１０の下面１７と側面１６の一部とにダミー配線２３が形成されている。このため、図１４に示すように、実装部品１０の上面１５には、ダミー配線２３が形成されていない。
【００６６】
なお、下面１７に形成されたダミー配線２３と側面１６の一部に形成されたダミー配線２３とは連結された状態となっている。そのため、下面１７のダミー配線２３と側面１６のダミー配線２３とは電気的に接続された状態となっている。
【００６７】
また、図１２に示すように、第３実施形態の第２変形例では、上記第１変形例と同様、ダミー配線２３と陽極（陽極側の電極端子１１ａ）とを電気的に接続する接続部１２が、実装部品１０の側面１６に形成されている。
【００６８】
第２変形例のその他の構成は、上記第３実施形態と同様である。また、第２変形例のその他の効果は、上記第１および第３実施形態と同様である。
【００６９】
（第４実施形態）
図１５は、本発明の第４実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。次に、図１５を参照して、本発明の第４実施形態による半導体装置について説明する。なお、図１５において、対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明は適宜省略する。また、第４実施形態では、上記第１〜第３実施形態と同様、実装部品が実装されている部分の半導体装置の構成について説明する。
【００７０】
この第４実施形態では、図１５に示すように、リードフレーム２０の陽極配線２１および陰極配線２２の間に、リードフレーム２０とは別体で形成されたダミー配線２２３（２３）が設けられている。すなわち、第４実施形態では、ダミー配線２３が、リードフレーム２０とは別部材で形成されている。このダミー配線２３は、たとえば、銅などの導電性に優れた導電性材料（たとえば、銅フレーム）などから構成される。また、上記ダミー配線２３は、陽極配線２１および陰極配線２２の間に配された状態で、その一部が、陽極配線２１に接触されている。このため、ダミー配線２３と陽極配線２１とは、電気的に接続された状態となっている。これにより、ダミー配線２３は、陽極配線２１の電圧と同極性となっている。なお、上記ダミー配線２３は、たとえば、導電性のペーストなどでリードフレーム２０の陽極配線２１に接続されている。
【００７１】
また、リードフレーム２０上に実装された実装部品１０は、モールド樹脂３０にて封止されている。また、上記ダミー配線２３も、上記実装部品１０とともにモールド樹脂３０で封止されることにより、固定されている。
【００７２】
第４実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００７３】
図１６および図１７は、本発明の第４実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。次に、図１５〜図１７を参照して、本発明の第４実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。
【００７４】
まず、図１６に示すように、リードフレーム２０上に、Ａｇペーストを用いて実装部品１０を実装する。次に、図１７に示すように、別体で形成されたダミー配線２３を、リードフレーム２０の陽極配線２１と陰極配線２２との間に配されるように、リードフレーム２０の裏面側から挿入する。この際、導電性のペースト等を用いて、ダミー配線２３の一部を陽極配線２１に接続する。
【００７５】
その後、図１５に示したように、リードフレーム２０上に実装された実装部品１０を、モールド樹脂３０にて封止する。その際、挿入したダミー配線２３も、実装部品１０とともにモールドする。最後に、モールド樹脂３０による封止後に露出される、外部接続用のフレーム部分にメッキ処理を施す。これにより、第４実施形態による半導体装置が作製される。
【００７６】
第４実施形態では、上記のように、ダミー配線２３を、リードフレーム２０とは異なる部材から構成することによって、リードフレーム２０に変更を加えることなくマイグレーション対策を行うことができる。そのため、現状のフレーム（リードフレーム）を使用することができるので、容易に、マイグレーションに起因する信頼性の低下を抑制することができる。また、現状フレームを使用することによって、製造コストの上昇を抑制することもできる。
【００７７】
第４実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００７８】
（第５実施形態）
図１８は、本発明の第５実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。図１９は、本発明の第５実施形態による半導体装置の一部を模式的に示した平面図である。次に、図１８および図１９を参照して、本発明の第５実施形態による半導体装置について説明する。なお、各図において、対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明は適宜省略する。また、第５実施形態では、上記第１〜第４実施形態と同様、実装部品が実装されている部分の半導体装置の構成について説明する。
【００７９】
この第５実施形態では、図１８に示すように、リードフレーム２０の陽極配線２１と陰極配線２２との間に、リードフレーム２０とは別体（別部材）で形成されたダミー配線３２３（２３）が配されている。このダミー配線２３は、上記第４実施形態と同様、たとえば、銅などの導電性に優れた導電性材料（たとえば、銅フレーム）などから構成される。
【００８０】
ここで、第５実施形態では、図１９に示すように、上記ダミー配線２３は、陽極配線２１（陽極側）とは電気的に接続されておらず、陽極側（陽極配線２１）とは別電源に電気的に接続されている。すなわち、この第５実施形態では、上記第４実施形態とは異なり、ダミー配線２３が陽極側とは別電源に接続されることで、陽極配線２１（陽極）とは独立に電位（電圧）が印加されるように構成されている。ただし、このダミー配線２３には、陽極配線２１の電圧と同極性の電圧が印加される。
【００８１】
また、第５実施形態では、上記ダミー配線２３には、リードフレーム２０の陽極配線２１よりも高い電位（電圧）が印加されるように構成されている。具体的には、リードフレーム２０の陽極配線２１は、たとえば、＋３．３Ｖとされ、リードフレーム２０の陰極配線２２は、たとえば、０Ｖとされ、陽極配線２１と陰極配線２２との間に配されたダミー配線２３は、たとえば、＋５Ｖとされている。
【００８２】
第５実施形態のその他の構成は、上記第１および第４実施形態と同様である。
【００８３】
第５実施形態では、上記のように、リードフレーム２０の陽極配線２１と陰極配線２２との間に、別電源に接続されたダミー配線２３を配するとともに、このダミー配線２３に、陽極配線２１の電位（電圧）よりも高い電位（電圧）を印加することによって、より効果的に銀イオンの移動を防ぐことができる。これにより、より効果的に銀マイグレーションの発生を抑制することができる。
【００８４】
第５実施形態のその他の効果は、上記第１および第４実施形態と同様である。
【００８５】
（第６実施形態）
図２０は、本発明の第６実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。図２１および図２２は、本発明の第６実施形態による半導体装置の一部を概略的に示した平面図である。次に、図２０〜図２２を参照して、本発明の第６実施形態による半導体装置について説明する。なお、各図において、対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明は適宜省略する。また、第６実施形態では、上記第１〜第５実施形態と同様、実装部品が実装されている部分の半導体装置の構成について説明する。
【００８６】
この第６実施形態は、図２０および図２１に示すように、上記第５実施形態で示した構成と同様の構成を有している。ただし、この第６実施形態では、上記第５実施形態とは異なり、リードフレーム２０の陽極配線２１と陰極配線２２との間に配されるダミー配線３２３（２３）には、陽極配線２１よりも低い電位（電圧）が印加されるように構成されている。具体的には、リードフレーム２０の陽極配線２１は、たとえば、＋３．３Ｖとされ、リードフレーム２０の陰極配線２２は、たとえば、０Ｖとされ、陽極配線２１と陰極配線２２との間に配されたダミー配線２３は、たとえば、＋２．５Ｖとされている。
【００８７】
上記のように構成された第６実施形態による半導体装置では、図２２に示すように、たとえば、ダミー配線２３と陽極配線２１とが接触することで、電気的に短絡した場合に、陽極配線２１側からダミー配線２３に電流が流れる（図２２の白矢印参照）ので、接触などの異常を陽極側の電流で検知することができる。これにより、信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく製造することができる。
【００８８】
第６実施形態のその他の構成は、上記第４実施形態と同様である。また、第６実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００８９】
（第７実施形態）
図２３は、本発明の第７実施形態による半導体装置を示した平面図である。図２４は、本発明の第７実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。次に、図２３および図２４を参照して、本発明の第７実施形態による半導体装置について説明する。なお、各図において、対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明は適宜省略する。
【００９０】
この第７実施形態による半導体装置では、図２３に示すように、ＩＣチップなどの半導体素子４５０および実装部品１０がリードフレーム２０上に実装され、上記実装部品１０が半導体素子４５０とともにモールド樹脂３０（図２４参照）で封止されている。上記実装部品１０は、半導体素子４５０の外付け部品として実装されていたコンデンサ（チップコンデンサ）などからなる。
【００９１】
また、上記半導体装置は、半導体素子４５０の外付け部品として実装されていたコンデンサなどの実装部品１０を半導体素子４５０と一緒に実装（ダイボンド）した後、モールド樹脂３０で封止（モールド）することで１パッケージ化し、小型化を図るものである。
【００９２】
半導体素子４５０および実装部品１０は、それぞれ、銀ペーストをダイボンド材としてリードフレーム２０上に実装されている。このため、半導体素子４５０とリードフレーム２０との間、および、実装部品１０とリードフレーム２０との間には、それぞれ、Ａｇペースト層５が介在された状態となっている。
【００９３】
また、図２３および図２４に示すように、リードフレーム２０において、実装部品１０が実装される実装部には、陽極配線２１および陰極配線２２が形成されている。そして、上記実装部品１０が架橋状態でリードフレーム２０上に実装されている。これにより、実装部品１０の陽極側の電極端子１１ａが、リードフレーム２０の陽極配線２１と電気的に接続されているとともに、実装部品１０の陰極側の電極端子１１ｂが、リードフレーム２０の陰極配線２２と電気的に接続されている。なお、リードフレーム２０上に実装された半導体素子４５０は、金線などのワイヤ４０１を介して、リードフレーム２０と電気的に接続されている。
【００９４】
ここで、第７実施形態では、上記第１実施形態と同様、リードフレーム２０の陽極配線２１および陰極配線２２の間に、陽極配線２１の電圧と同極性のダミー配線２３が配されている。このダミー配線２３は、リードフレーム２０のフレーム形状を変更することで、リードフレーム２０の陽極配線２１と一体的に形成されている。このため、ダミー配線２３と陽極配線２１とは電気的に接続された状態となっている。
【００９５】
また、第７実施形態では、上記ダミー配線２３の厚みが、陽極配線２１および陰極配線２２の厚み（実装部の厚み）よりも大きくなっている。具体的には、上記実装部品１０がＡｇペーストで実装されているため、実装部品１０とリードフレーム２０との間に介在されるＡｇペースト層５の厚み分、実装部品１０の実装高さが高くなっている。このため、ダミー配線２３が、陽極配線２１の上面および陰極配線２２の上面よりも実装部品１０側に突出するように形成されることで、ダミー配線２３を実装部品１０に近づけられている。すなわち、実装部品１０の下側のフレーム部分（ダミー配線２３）に、実装部よりも大きな厚みを持たせることで、実装部品１０の下側のフレーム部分（ダミー配線２３）が実装部品１０の表面により近づけられている。
【００９６】
また、ダミー配線２３（実装部品１０の下側のフレーム部分）の厚みは、プレス加工またはエッチングなどにより、陽極配線２１および陰極配線２２の厚み（実装部の厚み）よりも大きくすることが可能である。
【００９７】
なお、上記ダミー配線２３は、実装部品１０の表面に接触されているのが好ましい。また、ダミー配線２３（実装部品１０の下側のフレーム部分）には、マイグレーションが懸念されるＡｇメッキを施さないようにするか、Ａｇメッキ以外のメッキを施すようにするのが好ましい。
【００９８】
第７実施形態では、上記のように、リードフレーム２０の陽極配線２１および陰極配線２２の間に、陽極配線２１と同極性を有するダミー配線２３を配することによって、Ａｇペーストを用いて実装部品１０を実装した場合に、陽極側で電気分解された銀イオンが陰極側に引き寄せられるのを防ぐことができる。これにより、陰極側での樹枝状結晶（デンドライト）の成長を防ぐ抑制することができるので、銀マイグレーション（エレクトロケミカルマイグレーション）の発生を抑制することができる。したがって、上記のように構成することにより、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【００９９】
第７実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【０１００】
（第８実施形態）
図２５および図２６は、本発明の第８実施形態による半導体装置を示した平面図である。図２７は、本発明の第８実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。図２５では、半導体ＩＣおよび実装部品を実装する前の状態を示しており、図２６では、半導体ＩＣおよび実装部品を実装した後の状態を示している。次に、図２５〜図２７を参照して、本発明の第８実施形態による半導体装置について説明する。なお、各図において、対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明は適宜省略する。
【０１０１】
この第８実施形態による半導体装置では、図２５および図２６に示すように、ガラスエポキシ基板などからなる配線基板１２０を備えており、この配線基板１２０上に、半導体ＩＣなどの半導体素子５５０（図２６参照）およびその外付け部品としての実装部品１０（図２６参照）が実装されている。
【０１０２】
配線基板１２０の上面には、導体パターン１２２が形成されている。この導体パターン１２２は、実装部品１０が実装される、陽極配線１２２ａおよび陰極配線１２２ｂを有している。また、半導体素子５５０および実装部品１０は、Ａｇペーストによって配線基板１２０の導体パターン１２２上に実装されている。これにより、実装部品１０の陽極側の電極端子１１ａは、導体パターン１２２の陽極配線１２２ａと電気的に接続されているとともに、実装部品１０の陰極側の電極端子１１ｂは、導体パターン１２２の陰極配線１２２ｂと電気的に接続されている。また、上記半導体素子５５０は、配線基板１２０の実装部に実装されることで、導体パターン１２２と電気的に接続された状態となっている。なお、配線基板１２０の端部側には、外部接続のためのコネクタ部１２５が形成されている。
【０１０３】
また、第８実施形態では、図２５〜図２７に示すように、導体パターン１２２の陽極配線１２２ａと陰極配線１２２ｂとの間に、ダミー配線１２２ｃが配されている。このダミー配線１２２ｃは、導体パターン１２２を変更することで形成されている。このため、上記ダミー配線１２２ｃは、陽極配線１２２ａおよび陰極配線１２２ｂと同じ導電性材料から構成されていることになる。また、ダミー配線１２２ｃは、たとえば、Ｔ字型に形成されることで、陽極配線１２２ａと電気的に接続された状態となっている。このため、陽極配線１２２ａと陰極配線１２２ｂとの間に配されるダミー配線１２２ｃは、陽極配線１２２ａの電圧と同極性となっている。すなわち、この第８実施形態では、配線基板１２０における実装部品１０の実装部に、上記第２実施形態と同様のダミー配線１２２ｃが形成されている。
【０１０４】
なお、上記第２実施形態と同様、ダミー配線１２２ｃ（実装部品１０の下側に位置する導体パターン１２２）には、マイグレーションが懸念されるＡｇメッキを施さないようにするか、Ａｇメッキ以外のメッキを施すようにするのが好ましい。また、導体パターン１２２の露出部分には、ソルダレジストなどのレジスト１２３が施されているのが好ましい。さらに、配線基板１２０の表面も、ソルダレジストなどのレジスト１２４（緑色）（図２５〜図２７参照）が施されているのが好ましい。
【０１０５】
第８実施形態では、上記のように、配線基板１２０における陽極配線１２２ａと陰極配線１２２ｂとの間に、陽極配線１２２ａの電圧と同極性のダミー配線１２２ｃを配置することで、電気分解された銀イオンが陰極側に引き寄せられるのを防ぐことができる。このため、陰極側での樹枝状結晶（デンドライト）成長を抑制することができるので、銀マイグレーション（エレクトロケミカルマイグレーション）の発生を抑制することができる。これにより、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【０１０６】
第８実施形態のその他の効果は、上記第１および第２実施形態と同様である。
【０１０７】
（第９実施形態）
図２８は、本発明の第９実施形態による半導体装置を示した平面図であり、図２９は、本発明の第９実施形態による半導体装置の一部を示した模式図（横側から見た図）である。図３０は、本発明の第９実施形態による半導体装置に実装される実装部品を上側から見た平面図であり、図３１は、本発明の第９実施形態による半導体装置に実装される実装部品を下側から見た平面図である。次に、図２８〜図３１を参照して、本発明の第９実施形態による半導体装置について説明する。なお、各図において、対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明は適宜省略する。
【０１０８】
この第９実施形態による半導体装置では、図２８〜図３１に示すように、実装部品１０にダミー配線２３が形成されている。すなわち、この第９実施形態では、上記第７実施形態の構成において、上記第３実施形態で示した実装部品１０（ダミー配線２３が形成された実装部品１０）が実装された構成となっている。なお、第９実施形態では、実装部品１０にダミー配線２３が形成されているため、上記第７実施形態とは異なり、リードフレーム２０にダミー配線２３が形成されない構成となっている。
【０１０９】
第９実施形態のその他の構成は、上記第７実施形態と同様である。また、実装部品１０の構成においては、上記第３実施形態と同様である。
【０１１０】
第９実施形態では、上記のように、実装部品１０にダミー配線２３を設けることによって、実装部品単体で、マイグレーションの発生を抑制することができる。このため、リードフレーム２０のフレーム形状を変更することなく、マイグレーション対策を行うことができる。すなわち、現状のフレーム（リードフレーム）を使用してマイグレーション対策を行うことができる。これにより、容易に、信頼性を向上させることができる。
【０１１１】
第９実施形態のその他の効果は、上記第１および第３実施形態と同様である。
【０１１２】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【０１１３】
たとえば、上記第１〜第９実施形態では、半導体装置に実装される実装部品の一例としてコンデンサを示したが、本発明はこれに限らず、上記実装部品はコンデンサ以外の電子部品であってもよい。たとえば、上記実装部品は、チップインダクタ、チップ抵抗、ダイオード、サージアブソーバなどであってもよい。このような実装部品であっても、陽極側と陰極側との間に陽極側の電圧と同極性の配線（導電体）を配置することでマイグレーションの発生を防止することができる。
【０１１４】
また、上記実施形態において、半導体装置は、半導体デバイスであってもよいし、半導体モジュールであってもよい。すなわち、上記半導体装置は、半導体デバイス、半導体モジュール等を含む。
【０１１５】
なお、上記第１実施形態で示したように、第２〜第９実施形態においても、各実施形態で示した半導体装置を用いて、電子機器を作製することができる。また、第３実施形態および第９実施形態で示したように、実装部品にダミー配線が設けられている場合には、この実装部品を電子機器に搭載することにより、電子機器を作製することもできる。
【０１１６】
また、上記第３実施形態では、実装部品にダミー配線を設けた例を示したが、このダミー配線は、少なくとも実装部品の下面に形成されていれば、上記実施形態で示した構成以外の構成であってもよい。また、ダミー配線と陽極側の電極端子とを電気的に接続する接続部は、実装部品の上面に形成されていてもよいし、下面に形成されていてもよい。また、側面に形成されていてもよい。すなわち、上記接続部は、ダミー配線と陽極側の電極端子とが電気的に接続される構成であれば、どのような構成であってもよい。なお、これらのことは、第９実施形態においても同様である。
【０１１７】
また、上記第３、第５および第６実施形態では、リードフレーム上に実装部品を実装した例を示したが、本発明はこれに限らず、リードフレーム以外の基板等に実装部品を実装するようにしてもよい。たとえば、ガラスエポキシ基板などの配線基板を用いて、この配線基板上に実装部品を実装するようにしてもよい。
【０１１８】
なお、上記で開示された技術を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１１９】
５                                            Ａｇペースト層
１０                                          実装部品
１１                                          電極端子
１１ａ                                        陽極側の電極端子
１１ｂ                                        陰極側の電極端子
１２                                          接続部
１５                                          上面
１６                                          側面
１７                                          下面
２０                                          リードフレーム
２１、１２２ａ                                陽極配線
２２、１２２ｂ                                陰極配線
２３、１２２ｃ、２２３、３２３                ダミー配線
３０                                          モールド樹脂
１２０                                        配線基板（基板）
１２１                                        基材部
１２２                                        導体パターン
１２３、１２４                                レジスト
１２５                                        コネクタ部
４０１                                        ワイヤ
４５０、５５０                                半導体素子
【図１】
2012069655.tif 000003
【図２】
2012069655.tif 000004
【図３】
2012069655.tif 000005
【図４】
2012069655.tif 000006
【図５】
2012069655.tif 000007
【図６】
2012069655.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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