(57)【要約】【課題】基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置および基板処理方法において、基板の熱均一性を向上させる技術を提供する。【解決手段】基板９の前端面が高温加熱プレート１１の上流側端部を通過するときに、基板９の前端面近傍の高さを搬送位置（下降位置）より上方である、上方位置に切り替える。その後、基板９を搬送位置にて搬送し、基板９の後端面が高温加熱プレート１１の下流側端部を通過するときに、再び基板９の後端面近傍の高さを上方位置に切り替える。その結果、基板９の前端面および後端面は、高温加熱プレート１１からの熱の影響を受けにくい状態で搬送される。このため、高温加熱プレート１１から基板９の前端面および後端面に与えられる熱量が、抑制される。その結果、基板９の熱均一性が向上する。【選択図】図１
2012151258.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上流側から下流側へ基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置であって、
基板に熱を与える加熱部と、
前記加熱部に沿って基板を搬送する搬送手段と、
を備え、
前記搬送手段は、前記基板と前記加熱部との距離を、第１距離と、前記第１距離より大きい第２距離との、少なくとも２段階に切り替え可能であり、
少なくとも、前記基板の前端部が前記加熱部の所定の加熱領域の上流側端部を通過するときに、前記基板と前記加熱部との距離を、前記第２距離に切り替えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記搬送手段は、前記基板を上流側から下流側へ搬送するローラ搬送機構であり、
前記ローラ搬送機構は、前記基板と前記加熱部との距離が第１距離であるときに前記基板に対して駆動力を与える搬送ローラと、前記基板と前記加熱部との距離を第１距離から第２距離に切り替える上下ローラと、を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記搬送手段は、前記基板の前端部が前記上下ローラを通過してから所定の時間の間、前記基板と前記加熱部との距離を前記第２距離にて維持する事を特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記搬送手段は、さらに、前記基板の後端部が前記加熱領域の下流側端部を通過するときに、前記基板と前記加熱部との距離を、前記第２距離に切り替えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記搬送手段は、前記基板の後端部が前記加熱領域の下流側端部より所定の距離上流側の位置に到達したときに、前記基板と前記加熱部との距離を第１距離から第２距離に切り替えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記加熱部は、
平板状の高温加熱プレートと、
前記高温プレートより下流側に配置されて、前記高温加熱プレートより温度の低い平板状の低温加熱プレートと、
を含み、
前記加熱領域は、前記高温加熱プレートであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
基板と加熱部との距離を、第１距離と、前記第１距離より大きい第２距離との、少なくとも２段階に切り替えつつ、加熱部に沿って上流側から下流側へ基板を搬送することにより、基板を加熱する基板処理方法であって、
少なくとも、前記基板の前端部が前記加熱部の所定の加熱領域の上流側端部を通過するときに、前記基板と前記加熱部との距離を前記第２距離に切り替えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理方法であって、
前記基板と前記加熱部との距離を前記第１距離から前記第２距離に切り替える工程と、
前記基板と前記加熱部との距離を、所定の時間の間、第２距離に維持する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の基板処理方法であって、
さらに、前記基板の後端部が前記加熱領域の下流側端部を通過するときに、前記基板と前記加熱部との距離を前記第２距離に切り替えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理方法であって、
前記基板の後端部が前記加熱領域の下流側端部より所定の距離上流側の位置に到達したときに、前記基板と前記加熱部との距離を前記第２距離に切り替えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
請求項７から請求項１０までのいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記加熱部は、
平板状の高温加熱プレートと、
前記高温プレートより下流側に配置されて、前記高温加熱プレートより温度の低い平板状の低温加熱プレートと、
を含み、
前記加熱領域は、前記高温加熱プレートであることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＰＤＰ用ガラス基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板、電子ペーパー用基板などの精密電子装置用基板の製造工程では、基板に対する加熱処理が適宜に行われる。例えば、基板のフォトリソグラフィ工程では、基板の表面にレジスト液が塗布された後、基板の表面とレジストとの密着性を向上させるために、基板に対して加熱処理が行われる。
【０００３】
このような加熱処理に使用される従来の基板処理装置は、例えば、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１６５４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の段落００６６〜００９３には、ヒータを有する複数のプレートと、プレートの上面に沿って基板を搬送する搬送機構と、を備えた基板処理装置が、記載されている。当該基板処理装置は、複数のプレートの上面に沿って基板を搬送しつつ、プレートからの熱で基板を加熱している。
【０００６】
しかしながら、このように、基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置では、基板の前端部（搬送方向下流側の端部）付近および後端部（搬送方向上流側の端部）付近は、基板の他の部位より、加熱されやすい。これは、基板の前端部付近および後端部付近は、基板の下面からだけではなく、基板の上流側および下流側の加熱した空気によって、熱を受けるためである。したがって、一定温度のプレート上において、基板を一定速度で搬送すると、基板の前端部付近および後端部付近の温度は、基板中央部に比べて高くなる傾向がある。
【０００７】
このような温度ムラを抑制するためには、基板の前端部付近及び後端部付近に与えられる熱量を低減させることが好ましい。しかしながら、基板の前端部付近および後端部付近が通過する時にのみ、一時的にプレートの温度を下げるのは、プレート自体の加熱・冷却に高い応答性が必要となるため、困難である。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置および基板処理方法において、基板の熱均一性を向上させる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本願の第１発明は、上流側から下流側へ基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置であって、基板に熱を与える加熱部と、前記加熱部に沿って基板を搬送する搬送手段と、を備え、前記搬送手段は、前記基板と前記加熱部との距離を、第１距離と、前記第１距離より大きい第２距離との、少なくとも２段階に切り替え可能であり、少なくとも、前記基板の前端部が前記加熱部の所定の加熱領域の上流側端部を通過するときに、前記基板と前記加熱部との距離を、前記第２距離に切り替えることを特徴とする。
【００１０】
本願の第２発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記搬送手段は、前記基板を上流側から下流側へ搬送するローラ搬送機構であり、前記ローラ搬送機構は、前記基板と前記加熱部との距離が第１距離であるときに前記基板に対して駆動力を与える搬送ローラと、前記基板と前記加熱部との距離を第１距離から第２距離に切り替える上下ローラと、を備えることを特徴とする。
【００１１】
本願の第３発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記搬送手段は、前記基板の前端部が前記上下ローラを通過してから所定の時間の間、前記基板と前記加熱部との距離を前記第２距離にて維持する事を特徴とする。
【００１２】
本願の第４発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記搬送手段は、さらに、前記基板の後端部が前記加熱領域の下流側端部を通過するときに、前記基板と前記加熱部との距離を、前記第２距離に切り替えることを特徴とする。
【００１３】
本願の第５発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、前記搬送手段は、前記基板の後端部が前記加熱領域の下流側端部より所定の距離上流側の位置に到達したときに、前記基板と前記加熱部との距離を第１距離から第２距離に切り替えることを特徴とする。
【００１４】
本願の第６発明は、請求項１から請求項５までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記加熱部は、平板状の高温加熱プレートと、前記高温プレートより下流側に配置されて、前記高温加熱プレートより温度の低い平板状の低温加熱プレートと、を含み、前記加熱領域は、前記高温加熱プレートであることを特徴とする。
【００１５】
本願の第７発明は、基板と加熱部との距離を、第１距離と、前記第１距離より大きい第２距離との、少なくとも２段階に切り替えつつ、加熱部に沿って上流側から下流側へ基板を搬送することにより、基板を加熱する基板処理方法であって、少なくとも、前記基板の前端部が前記加熱部の所定の加熱領域の上流側端部を通過するときに、前記基板と前記加熱部との距離を前記第２距離に切り替えることを特徴とする。
【００１６】
本願の第８発明は、請求項７に記載の基板処理方法であって、前記基板と前記加熱部との距離を前記第１距離から前記第２距離に切り替える工程と、前記基板と前記加熱部との距離を、所定の時間の間、第２距離に維持する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１７】
本願の第９発明は、請求項７または請求項８に記載の基板処理方法であって、さらに、前記基板の後端部が前記加熱領域の下流側端部を通過するときに、前記基板と前記加熱部との距離を前記第２距離に切り替えることを特徴とする。
【００１８】
本願の第１０発明は、請求項９に記載の基板処理方法であって、前記基板の後端部が前記加熱領域の下流側端部より所定の距離上流側の位置に到達したときに、前記基板と前記加熱部との距離を前記第２距離に切り替えることを特徴とする。
【００１９】
本願の第１１発明は、請求項７から請求項１０までのいずれかに記載の基板処理方法であって、前記加熱部は、平板状の高温加熱プレートと、前記高温プレートより下流側に配置されて、前記高温加熱プレートより温度の低い平板状の低温加熱プレートと、を含み、前記加熱領域は、前記高温加熱プレートであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本願の第１発明〜第１２発明によれば基板を搬送しつつ加熱する際に、熱均一性を向上させることが可能となる。
【００２１】
特に第２発明によれば、ローラによって基板を搬送しつつ、基板の前端部を簡便な方法で上昇させることにより、加熱部からの熱の影響を低減させることが可能となる。
【００２２】
特に第３発明および第８発明によれば、前端部近傍に対しても、加熱部からの熱の影響を低減させることが可能となる。
【００２３】
特に第４発明および第９発明によれば、基板の後端部に対しても加熱部からの熱の影響を低減させることが可能となる。
【００２４】
特に第５発明および第１０発明によれば、後端部近傍に対しても、加熱部からの熱の影響を低減させることが可能となる。
【００２５】
特に第６発明および第１１発明によれば、基板全面に対して均一に加熱することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】基板処理装置の斜視図である。
【図２】基板処理装置の上視図である。
【図３】図２のA方向から見た、基板処理装置の部分側面図である。
【図４】図２のB方向から見た、基板処理装置の部分断面図である。
【図５】基板前端部における、基板処理の流れを示したフローチャートである。
【図６】基板処理装置の動作を説明する模式図である。
【図７】基板処理装置の動作を説明する模式図である。
【図８】基板処理装置の動作を説明する模式図である。
【図９】基板処理装置の動作を説明する模式図である。
【図１０】基板後端部における、基板処理の流れを示したフローチャートである。
【図１１】基板処理装置の動作を説明する模式図である。
【図１２】基板処理装置の動作を説明する模式図である。
【図１３】基板の表面温度と基板位置との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下では、基板９が搬送される方向を「搬送方向」と称し、搬送方向に直交する水平方向を「幅方向」と称する。
【００２８】
＜１．基板処理装置の構成について＞
【００２９】
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の斜視図である。また図２は、この基板処理装置１の上視図である。この基板処理装置１は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板９（以下、単に「基板９」という）の表面を選択的にエッチングするフォトリソグラフィ工程において、レジスト塗布後の基板９に加熱処理を行うための装置である。基板処理装置１は、所定の搬送方向に沿って上流側から下流側へ基板９を搬送しつつ、基板９を加熱する。
【００３０】
図１および図２に示すように、基板処理装置１は、基板の搬送方向に沿って、加熱プレート１０が複数配列されている。加熱プレート１０は、さらに高温加熱プレート１１および、低温加熱プレート１２に対応するように調整されているが、構造は同一であり設定温度のみが相違している。図１では図示の都合上、２枚の加熱プレートしか描かれていないが、実際には図２に示すように１枚の高温加熱プレートと、２枚の低温加熱プレートから構成されている。
【００３１】
これらの加熱プレート１０は、いずれも幅方向に長い矩形の平板状に形成され、側板１５によって固定されている。各加熱プレート１１，１２の内部には、図示しない薄板状のヒータが、各加熱プレートの裏面に埋設されている。ヒータに通電すると、ヒータの発熱によって、各加熱プレート１０の温度が上昇する。各加熱プレート１０の上面に沿って搬送される基板９は、各加熱プレート１０の上面からの輻射熱および対流熱を受けて、加熱される。
【００３２】
高温加熱プレート１１は、基板９を加熱して、基板９の温度を、目標とする温度に近い温度まで、急速に上昇させる役割を果たす。高温加熱プレート１１の上面の温度は、目標とする基板９の温度より高い温度に、設定されている。例えば、高温加熱プレート１１の上面の温度は、目標とする基板９の摂氏温度の１．５〜３倍の摂氏温度に、設定されている。
【００３３】
２枚の低温加熱プレート１２は、高温加熱プレート１１の搬送方向下流側に、配置されている。低温加熱プレート１２は、基板９を加熱するとともに、基板９の温度を、目標とする温度に維持する役割を果たす。低温加熱プレート１２の上面の温度は、高温加熱プレート１１の上面の温度より低い温度に、設定されている。例えば、低温加熱プレート１２の上面の温度は、目標とする基板９の摂氏温度の１〜１．３倍の摂氏温度に、設定されている。
【００３４】
すなわち、本実施形態の基板処理装置１は、３枚の加熱プレート１１，１２，１２により構成された加熱部を有している。そして、高温加熱プレート１１が、基板９を急速に加熱する加熱領域を構成し、低温加熱プレート１２が、基板９の温度を安定的に維持する加熱領域を構成している。
【００３５】
加熱プレート１０の上面には、複数の支持ローラ２０が、幅方向および長手方向に間隔をあけて、配置されている。支持ローラ２０は、各加熱プレート１０の上面に設けられた凹部または貫通孔の内部に、部分的に収容されている。支持ローラ２０の上端部は、各加熱プレート１０の上面より上方に、突出している。
【００３６】
前記支持ローラ２０はさらに、上下ローラ２１、搬送ローラ２２、搬入ローラ２３に分類される。上下ローラは高温加熱プレート１１のみに配置され、搬送ローラ２２の列と交互に配置される。上下ローラの上下機構に関しては、後述する。
【００３７】
搬送ローラ２２は、高温加熱プレート１１、および低温加熱プレート１２に配置され、搬送ローラ２２が回転する事により基板９を搬送方向に搬送する機能を備える。
【００３８】
また、搬入ローラ２３は基板処理装置１に対して基板を搬入するために用いられ、高温加熱プレート１１の上流側である搬入位置に配置されている。
【００３９】
それぞれの支持ローラ２０は、それぞれの回転軸によって連結され、側板１５によって、基板の搬送方向に回動可能に支持されている。このような支持ローラ２０が搬送方向にそって配列されることにより、基板９を加熱プレート１０の上面に沿った方向に支持しつつ、搬送することが可能となる。
【００４０】
図３は、駆動機構３０を説明するための部分側面図である。側板１５には、各支持ローラ２０を駆動するための駆動機構３０が配置されている。
【００４１】
高温加熱プレート１１に対応する位置の側板１５には、上下モータ３１、および、駆動モータ３２が配置されている。低温加熱プレート１２、および搬入位置に対応する位置の側板１５には、駆動モータ３２のみが配置されている。ここでは、代表して高温加熱プレート１１に対応する位置の説明を行う。
【００４２】
搬送ローラ２２は、搬送ローラ軸２２１を中心として、回動可能に側板１５によって支持されている。また搬送ローラ２２は同じく搬送ローラ軸２２１を中心とする、搬送ローラギヤ２２２を備えている。駆動モータ３２は駆動ベルト３２５によって搬送ローラギヤ２２２と接続されている。また、図示右側の搬送ローラ２２は、中間ローラ３２２を介して、駆動モータ３２と駆動ベルト３２５によって接続されている。
【００４３】
なお、図示は省略するが、搬入位置に配置された搬入ローラ２３、および低温加熱プレート１２に配置された搬送ローラ２２も、同様に駆動モータ３２と駆動ベルト３２５によって接続されている。
【００４４】
駆動モータ３２は、図１に概念的に示したように、制御部５０と電気的に接続されている。制御部５０は、ＣＰＵやメモリを有するコンピュータにより、構成されている。制御部５０は、駆動モータ３２を電気的に制御することにより、駆動モータ３２のオンオフの切り替えや、駆動モータ３２の回転数の制御を、行うことができる。
【００４５】
制御部５０の指令により駆動モータ３２を動作させると、駆動モータ３２から発生する回転駆動力によって、複数の搬送ローラ２２は、同じ方向に回転する。また、搬入ローラ２３も同じ方向に回転する。そのため、搬送ローラ２２または搬入ローラ２３上に載置された基板９は、これらのローラ２２，２３の回転により、搬送方向に沿って上流側から下流側へ、搬送される。
【００４６】
図４は、上下ローラ２１の上下機構を説明するための図２のBからみた部分断面図である。側板１５に配置された上下モータ３１は、上下モータ軸３１１を中心として駆動し、さらに上下モータ軸３１１には、上下ローラ２１に対応する位置に偏芯カム３１２が接続されている。そして、偏芯カム３１２の上面に接するように、フランジ３１３が配置されている。
【００４７】
フランジ３１３は、高温加熱プレート１１に対して上下方向に移動可能に接続されているため、偏芯カム３１２の回転運動により、上下に移動される。またフランジ３１３の上部には上下ローラ軸２１１が固定され、この上下ローラ軸２１１を中心として上下ローラ２１が回転する。
【００４８】
上下モータ３１は駆動モータ３２と同様に、制御部５０と電気的に接続されており、制御部５０の指令により上下モータ３１１を回転動作せると、上下モータ３１１から発生する回転駆動力によって、上下ローラ２１が上昇位置と下降位置とに移動される。
【００４９】
また、基板処理装置１の幅方向に配列された上下ローラ２１は同一の上下ローラ軸２１１を中心として配置されており、同じ高さを維持した状態で、全体として上下に移動する。また、各々の上下ローラ２１は基板の搬送方向に対して自由に回動可能である。そのため、制御部５０からの指令により上下ローラ２１が上昇位置に移動する事によって、加熱プレート１０の上面を搬送される基板９は、その一部が上方に押し上げられた状態で搬送方向に搬送される。
【００５０】
すなわち、本実施形態では、支持ローラ２０、駆動機構３０、および制御部５０が、加熱プレート１０の上面に沿って基板９を搬送する搬送手段を、構成している。
【００５１】
本実施形態の制御部５０は、上下モータ３１を回転させることにより、上下ローラを上昇位置と下降位置とに切り替える事が可能である。基板９の処理を行うときには、制御部５０が、あらかじめ設定されたプログラムやデータに従って、駆動機構３０を制御する事により、基板９を搬送しつつ、加熱プレート１０から受ける熱量を制御することにより、基板９を均一に加熱する。
【００５２】
＜２．基板処理装置１の処理動作について＞
【００５３】
続いて、上記の基板処理装置１における、基板前端部の処理の流れについて、図５〜図９を参照しつつ、説明する。図５は、基板処理装置１における基板処理の流れを示したフローチャートである。図６から図９はそれぞれ、基板の処理位置の変化を示す、基板処理装置１の部分側面図である。
【００５４】
前工程の処理を終え、本装置１に搬入された基板９は、まず、搬入ローラ２３により搬送される（ステップＳ１１）。具体的には、制御部５０は、駆動モータ３２を動作させることにより複数の搬入ローラ２３を回転させる。これにより、搬入ローラ２３上の基板９が、搬送方向下流側へ向けて搬送される。本実施形態においては、基板９の搬送速度は３ｍ〜５ｍ／ｍｉｎにて搬送される。
【００５５】
図６に示すように、基板９の前端部が高温加熱プレート１１の上下ローラ２１ａ（ここでは、搬送方向上流側の上下ローラを２１ａ、下流側の上下ローラ２１ｂを区別して説明する。以下同様）に差し掛かる（ステップＳ１２）と、制御部５０は上下モータ３１を動作させ、上下ローラ２１ａを上昇位置に移動させる（ステップＳ１３）。具体的には、基板９の前端が上下ローラ２１ａの中心に差し掛かる直前に上下モータ３１の上昇動作が開始されるが、これに限定されるわけではなく、時間的、位置的な前後は適宜選択される。
【００５６】
この上下ローラ２１の下降位置から上昇位置への移動は約１秒かけて行われることにより、基板９に対して急激な曲げ応力が作用することを防止している。また、下降位置から上昇位置への移動距離は、１ｍｍ〜１０ｍｍの間で適宜調整されている。
【００５７】
続いて、図７に示すように上下ローラ２１ａが上昇位置に維持された状態で、搬入ローラ２３による基板９の搬送が継続される。具体的には、上下ローラ２１ａの上昇が完了してから約１秒間は上昇位置を維持する（ステップＳ１４）。その間に、基板９の前端部は上下ローラ２１ａの搬送方向下流側の駆動ローラ２２の上方を通過している。
【００５８】
その後、制御部５０は上下モータ３１に指令を与え、上下ローラ２１ａを下降位置に移動させる（ステップＳ１４）。図８に示すように、上下ローラ２１ａが下降した時点では、基板９の前端部は上下ローラ２１ｂの直前まで搬送されている（ステップＳ１６）。
【００５９】
さらに図９に示すように、基板９の前端部が上下ローラ２１ｂに差し掛かると、上下ローラ２１ｂは上下ローラ２１ａと同様に上昇位置および下降位置へ移動し、以下同様のステップを繰り返す（ステップＳ１２〜Ｓ１５）。
【００６０】
その後、制御部５０は上下ローラ２１を下位置に維持した状態で、基板９の搬送を継続する。そのため、上下ローラ２１は搬送ローラ２２と同じ高さにて回転しつつ、基板９の高さ位置を維持する。
【００６１】
次に、基板処理装置１における、基板後端部の処理の流れについて、図１０〜図１２を参照しつつ、説明する。図１０は、基板処理装置１における基板処理の流れを示したフローチャートである。図１１および図１２はそれぞれ、基板の処理位置の変化を示す、基板処理装置１の部分側面図である。
【００６２】
図１１に示すように、基板９の後端部が高温加熱プレートの上下ローラ２１ａに対して所定位置に差し掛かる（ステップＳ２１）と、制御部５０は上下モータ３１を動作させ、上下ローラ２１ａを上昇位置に移動させる（ステップＳ２２）。具体的には、基板９の後端が上下ローラ２１ａの中心から１５０ｍｍの位置に差し掛かると、上下モータ３１の上昇動作が開始される。
【００６３】
その後、基板９の後端部が上下ローラ２１ａの位置を通過すると（ステップＳ２３）、制御部５０は上下モータ３１に指令を与え、上下ローラ２１ａを下降位置に移動させる（ステップＳ２４）。図１２に示すように、上下ローラ２１ａが下降した時点では、基板９は駆動ローラ２２によって支持され、搬送方向下流に向けて搬送される。また基板９の後端部が上下ローラ２１ｂに差し掛かると、上下ローラ２１ｂは上下ローラ２１ａと同様に上昇位置および下降位置へ移動し、以下同様のステップを繰り返す（ステップＳ２１〜Ｓ２４）。
【００６４】
基板９を搬送しつつ、下面より加熱する場合において、基板９の前端部は搬送方向上流側の空間からも加熱されるため、図１３ａに示すように、基板前端部Ｘ０〜Ｘ１までの間は、基板中央部と比較して加熱されやすい傾向にある。その結果、基板中央部の表面温度をＴ０まで加熱する場合、前端部はＴ０よりも温度が高いＴ１付近まで加熱される。この影響は基板後端部も同様である。
【００６５】
本発明のように、基板前端部および後端部が高温加熱プレート１１の上方を通過する際、プレート上面と基板下面との距離を大きくすることにより、加熱プレートからの輻射熱の影響を低減することができる。その結果、図１３ｂに示したように、基板前端部の表面温度はT１よりもＴ０に近い、Ｔ２まで低下し、基板９の表面温度は均一化する方向となる。
【００６６】
＜３．変形例＞
【００６７】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
【００６８】
上記の実施形態では、高温加熱プレート１１、および２枚の低温加熱プレート１２によって基板９が加熱されているが、これに限定されるものではなく、高温加熱プレート１１が２枚配列されていてもよく、低温加熱プレートの枚数もこれに限定されない。加熱プレート１０全体が、単一の加熱プレートにより、構成されていてもよい。例えば、１枚の加熱プレート内に、高温加熱領域と、低温加熱領域とが、設けられていてもよい。また、本発明の加熱部は、１枚の高温加熱プレートのみで構成されていてもよい。また、本発明の加熱部は、ランプヒータのような棒状または球状の加熱要素を、複数配列したものであってもよい。
【００６９】
上下ローラ２１の上下機構は、上下モータ３１およびカム３１２を用いた上下機構であったが、これに限定されるものではない。シリンダなどの直動機構を用いて上下ローラ２１を上下させても良い。
【００７０】
また、搬送ローラ２２と上下ローラ２１は、隣り合うように連続して配置されていたが、これに限定されるものではなく、搬送ローラ２２が２列連続した後に上下ローラ２１が間挿されていてもよい。また、実施形態では、各ローラの間隔は等しく配置されていたが、ピッチが変化していても良い。
【００７１】
実施形態では、基板９の搬送速度に対して、上下ローラ２１の上下速度は比較的早かった。そのため、上流側の上下ローラ２１ａが上昇、下降をした後、下流側の上下ローラ２１ｂが上昇を開始したが、これに限定されるわけではない。具体的には、上流側の上下ローラ２１ａが上昇した後、実施形態よりも長い所定時間、上昇状態を維持し、上下ローラ２１ａが下降を開始する前に基板９の前端部を下流側の上下ローラ２１ｂに到達させ、さらに上下ローラ２１ｂを上昇させてもよい。このようにすると、基板９の前端部が高温加熱プレート１１から受ける熱量をさらに低減させることが可能となる。
【００７２】
また、上記の実施形態では、複数の搬送ローラ２２および搬入ローラ２３によって、基板９を搬送していた。しかしながら、本発明の搬送手段は、他の方法で基板９を搬送するものであってもよい。例えば、所定の保持部材で基板９の両側縁部を保持し、当該保持部材を搬送方向下流側へ移動させることにより、基板９を搬送するものであってもよい。
【００７３】
また、上記の基板処理装置１は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板を加熱する装置であったが、本発明の基板処理装置は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＰＤＰ用ガラス基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板、電子ペーパー用基板などの他の基板を、加熱するものであってもよい。
【符号の説明】
【００７４】
１  基板処理装置
９  基板
１０  加熱プレート
１１  高温加熱プレート
１２  低温加熱プレート
１５  側板
２０  支持ローラ
２１  上下ローラ
２２  搬送ローラ
２３  搬入ローラ
３０  駆動機構
３１  上下モータ
３２  駆動モータ
５０  制御部
２１１  上下ローラ軸
２２１  搬送ローラ軸
２２２  搬送ローラギヤ
３１１  上下モータ軸
３１２  カム
３１３  フランジ
３２２  中間ローラ
３２５  駆動ベルト
Ｘ０，Ｘ１  位置
Ｔ０，Ｔ１，Ｔ２  基板表面温度
【図１】
2012151258.tif 000003
【図２】
2012151258.tif 000004
【図３】
2012151258.tif 000005
【図４】
2012151258.tif 000006
【図５】
2012151258.tif 000007
【図６】
2012151258.tif 000008
【図７】
2012151258.tif 000009
【図８】
2012151258.tif 000010
【図９】
2012151258.tif 000011
【図１０】
2012151258.tif 000012
【図１１】
2012151258.tif 000013
【図１２】
2012151258.tif 000014
【図１３】
2012151258.tif 000015