(57)【要約】【課題】ボンディングワイヤが外部電極に接続される際に、バリスタ素体にクラックが発生するのを抑制することが可能なバリスタ素子を提供する。【解決手段】バリスタ素体３は、バリスタ特性を発現すると共に、互いに対向する第１主面３ａと第２主面とを有する。表面電極３１，３３は、第１主面３ａ上に配置され、対応する内部電極とスルーホール導体２５，２７を通して接続される。絶縁層５は、ガラスからなり、第１主面３ａ及び表面電極３１，３３を覆うように第１主面３ａ上及び表面電極３１，３３上に配置されている。外部電極１１，１３は、絶縁層５上に配置され、表面電極３１，３３と接続される。表面電極３１，３３とスルーホール導体２５，２７との接続位置と、外部電極１１，１３におけるボンディングワイヤの接続位置の中心Ｃと、が第１主面３ａに直交する方向から見てずれている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディングワイヤが接続されるバリスタ素子であって、
電圧非直線特性を発現すると共に、互いに対向する第１及び第２主面を有するバリスタ素体と、
前記バリスタ素体内で、前記バリスタ素体の一部を前記第１及び第２主面の対向方向で挟むように配置される複数の内部電極と、
前記第１主面上に配置され、前記複数の内部電極のうち対応する内部電極とスルーホール導体を通して接続される表面電極と、
ガラスからなり、前記第１主面及び前記表面電極を覆うように前記第１主面上及び前記表面電極上に配置された絶縁層と、
前記絶縁層上に配置され、前記表面電極と接続される外部電極と、を備え、
前記表面電極と前記スルーホール導体との接続位置と、前記外部電極におけるボンディングワイヤの接続位置の中心と、が前記第１主面に直交する方向から見てずれていることを特徴とするバリスタ素子。
【請求項２】
前記外部電極は、前記第１主面に直交する方向から見て前記表面電極と重なる第１領域と、前記第１主面に直交する方向から見て前記表面電極と重ならない第２領域と、を有しており、
前記外部電極におけるボンディングワイヤの接続位置の中心が、前記第２領域に位置していることを特徴とする請求項１に記載のバリスタ素子。
【請求項３】
前記第１領域は、前記第１主面に直交する方向から見て前記外部電極の縁寄りに位置していることを特徴とする請求項２に記載のバリスタ素子。
【請求項４】
前記第１主面は、長方形状を呈しており、
前記外部電極は、前記第１主面に直交する方向から見て前記第１主面の短辺側に位置し、
前記第１領域は、前記第１主面に直交する方向から見て前記外部電極における前記第１主面の短辺側となる縁寄りに位置していることを特徴とする請求項３に記載のバリスタ素子。
【請求項５】
前記第１主面は、長方形状を呈しており、
前記表面電極と前記スルーホール導体との接続位置は、前記第１主面に直交する方向から見て前記第１主面の長辺方向での端寄りに位置し、
前記外部電極におけるボンディングワイヤの接続位置の中心は、前記第１主面に直交する方向から見て前記表面電極と前記スルーホール導体との接続位置よりも前記第１主面の長辺方向での内側に位置していることを特徴とする請求項１に記載のバリスタ素子。
【請求項６】
前記表面電極と前記スルーホール導体との接続位置と、前記外部電極と前記表面電極との接続位置と、が前記第１主面に直交する方向から見てずれていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のバリスタ素子。
【請求項７】
前記表面電極と前記スルーホール導体との接続位置と、前記外部電極と、が前記第１主面に直交する方向から見てずれていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のバリスタ素子。
【請求項８】
前記第１主面に直交する方向から見て、前記表面電極と、該表面電極に接続される前記スルーホール導体と接続されていない内部電極と、が重なっていないことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のバリスタ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バリスタ素子、特にボンディングワイヤが接続されるバリスタ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ボンディングワイヤが接続されるバリスタ素子として、電圧非直線特性（以下、バリスタ特性と称する場合もある）を発現すると共に、互いに対向する第１及び第２主面を有するバリスタ素体と、バリスタ素体内で、バリスタ素体の一部を第１及び第２主面の対向方向で挟むように配置される複数の内部電極と、第１主面上に配置され、内部電極とスルーホール導体を通して接続される外部電極と、を備えているものが知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平２−１３５７０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載されているバリスタ素子は、以下のような問題点を有している。
【０００５】
ボンディングワイヤを外部電極に接続（接合）する際に、外部電極にはボンディングツール（キャピラリ）から荷重や熱などが加えられる。第１主面に直交する方向から見て、外部電極とスルーホール導体との接続位置と外部電極におけるボンディングワイヤの接続位置の中心とが一致していると、ボンディングツールから外部電極に加えられた荷重や熱などがスルーホール導体やバリスタ素体におけるスルーホール導体（スルーホール導体が配されるスルーホール）の周辺部分に伝わり易い。
【０００６】
スルーホール導体やバリスタ素体におけるスルーホール導体（スルーホール）の周辺部分に上記荷重が伝わると、スルーホールが起点となってバリスタ素体にクラックが発生する懼れがある。スルーホール導体に上記熱が伝わると、スルーホール導体を構成する金属が膨張し、スルーホールに応力が作用する。したがって、この場合にも、スルーホールが起点となってバリスタ素体にクラックが発生する懼れがある。
【０００７】
本発明の目的は、ボンディングワイヤが外部電極に接続される際に、バリスタ素体にクラックが発生するのを抑制することが可能なバリスタ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ボンディングワイヤが接続されるバリスタ素子であって、電圧非直線特性を発現すると共に、互いに対向する第１及び第２主面を有するバリスタ素体と、バリスタ素体内で、バリスタ素体の一部を第１及び第２主面の対向方向で挟むように配置される複数の内部電極と、第１主面上に配置され、複数の内部電極のうち対応する内部電極とスルーホール導体を通して接続される表面電極と、ガラスからなり、第１主面及び表面電極を覆うように第１主面上及び表面電極上に配置された絶縁層と、絶縁層上に配置され、表面電極と接続される外部電極と、を備え、表面電極とスルーホール導体との接続位置と、外部電極におけるボンディングワイヤの接続位置の中心と、が第１主面に直交する方向から見てずれていることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、表面電極とスルーホール導体との接続位置と、外部電極におけるボンディングワイヤの接続位置の中心と、が第１主面に直交する方向から見てずれている。このため、ボンディングワイヤが外部電極に接続される際に、スルーホール導体やバリスタ素体におけるスルーホール導体（スルーホール）の周辺部分に荷重や熱が作用し難い。
【００１０】
本発明では、外部電極とスルーホール導体とが直接接続されるのではなく、外部電極とスルーホール導体とが表面電極を介して間接的に接続されると共に、バリスタ素体（第１主面）と表面電極とがガラスからなる絶縁層で覆われている。このため、ボンディングワイヤが外部電極に接続される際に、外部電極に作用する荷重や熱が、スルーホール導体やバリスタ素体におけるスルーホール導体（スルーホール）の周辺部分に伝わり難い。
【００１１】
これらの結果、本発明によれば、ボンディングワイヤが外部電極に接続される際に、バリスタ素体にクラックが発生するのを抑制することができる。
【００１２】
外部電極は、第１主面に直交する方向から見て表面電極と重なる第１領域と、第１主面に直交する方向から見て表面電極と重ならない第２領域と、を有しており、外部電極におけるボンディングワイヤの接続位置の中心が、第２領域に位置してもよい。この場合には、表面電極とスルーホール導体との接続位置と、外部電極におけるボンディングワイヤの接続位置の中心と、の間隔が比較的大きくなる。このため、ボンディングワイヤが外部電極に接続される際に、外部電極に作用する荷重や熱が、スルーホール導体やバリスタ素体におけるスルーホール導体（スルーホール）の周辺部分により一層伝わり難くできる。
【００１３】
第１領域は、第１主面に直交する方向から見て外部電極の縁寄りに位置してもよい。この場合には、ボンディングワイヤの接続位置の中心が位置することとなる第２領域の面積が比較的大きくなる。このため、ボンディングワイヤの接続を容易に行うことができる。特に、バリスタ素子が小型化されている場合、有利である。
【００１４】
第１主面は、長方形状を呈しており、外部電極は、第１主面に直交する方向から見て第１主面の短辺側に位置し、第１領域は、第１主面に直交する方向から見て外部電極における第１主面の短辺側となる縁寄りに位置してもよい。この場合には、対向する内部電極の重なり面積を比較的大きく設定することが可能となるため、バリスタ素子の静電容量の設計自由度が増加する。ボンディングワイヤの接続位置の中心が位置することとなる第２領域の設計自由度が増加するため、ボンディングワイヤが接続される部分の面積を確保することができる。
【００１５】
第１主面は、長方形状を呈しており、表面電極とスルーホール導体との接続位置は、第１主面に直交する方向から見て第１主面の長辺方向での端寄りに位置し、外部電極におけるボンディングワイヤの接続位置の中心は、第１主面に直交する方向から見て表面電極とスルーホール導体との接続位置よりも第１主面の長辺方向での内側に位置してもよい。この場合には、対向する内部電極の重なり面積を比較的大きく設定することが可能となるため、バリスタ素子の静電容量の設計自由度が増加する。外部電極の設計自由度が増加するため、ボンディングワイヤが接続される部分の面積を確保することができる。
【００１６】
表面電極とスルーホール導体との接続位置と、外部電極と表面電極との接続位置と、が第１主面に直交する方向から見てずれてもよい。この場合には、外部電極の表面が平滑になり、ボンディングワイヤの接続信頼性を向上することができる。
【００１７】
表面電極とスルーホール導体との接続位置と、外部電極と、が第１主面に直交する方向から見てずれてもよい。この場合には、外部電極の表面が平滑になり、ボンディングワイヤの接続信頼性を向上することができる。
【００１８】
第１主面に直交する方向から見て、表面電極と、当該表面電極に接続されるスルーホール導体と接続されていない内部電極と、が重なっていなくてもよい。この場合、表面電極と、当該表面電極に接続されるスルーホール導体と接続されていない内部電極と、の間に浮遊容量が形成されるのを抑制し、バリスタ素子の静電容量を所望の設計値に合わせ込むことができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ボンディングワイヤが外部電極に接続される際に、バリスタ素体にクラックが発生するのを抑制することが可能なバリスタ素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施形態に係るバリスタ素子を示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係るバリスタ素子を示す概略平面図である。
【図３】図２におけるIII-III線に沿った断面構成を説明する図である。
【図４】図２におけるIV-IV線に沿った断面構成を説明する図である。
【図５】図２におけるV-V線に沿った断面構成を説明する図である。
【図６】図２におけるVI-VI線に沿った断面構成を説明する図である。
【図７】本実施形態に係るバリスタ素子の変形例を示す概略平面図である。
【図８】本実施形態に係るバリスタ素子の変形例を示す概略平面図である。
【図９】本実施形態に係るバリスタ素子の変形例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００２２】
まず、図１〜図３を参照して、本実施形態に係るバリスタ素子１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係るバリスタ素子を示す斜視図である。図２は、本実施形態に係るバリスタ素子を示す概略平面図である。図３は、図２におけるIII-III線に沿った断面構成を説明する図である。図４は、図２におけるIV-IV線に沿った断面構成を説明する図である。図５は、図２におけるV-V線に沿った断面構成を説明する図である。図６は、図２におけるVI-VI線に沿った断面構成を説明する図である。
【００２３】
バリスタ素子１は、図１に示されるように、略直方体形状のバリスタ素体３と、バリスタ素体３を挟むように配置された絶縁層５，７と、絶縁層５上に配置された複数（本実施形態では、２つ）の外部電極１１，１３と、を備えている。バリスタ素体３は、外表面として、長方形状を呈し且つ互いに対向する第１及び第２主面３ａ，３ｂを有している。バリスタ素体３の長手方向での大きさ（長さ）は、たとえば０．４ｍｍ程度であり、バリスタ素体３の長手方向に直交する方向での大きさ（幅）は、たとえば０．２ｍｍ程度である。
【００２４】
バリスタ素体３は、図３〜図４にも示されるように、バリスタ特性を有する複数のバリスタ層４が積層された積層体として構成される。バリスタ層４の積層方向（以下、単に「積層方向」と称する場合がある）は、第１及び第２主面３ａ，３ｂの対向方向と平行である。すなわち、バリスタ層４の積層方向は、第１及び第２主面３ａ，３ｂに直交する方向と平行である。実際のバリスタ素子１では、複数のバリスタ層４は、互いの境界が視認できない程度に一体化されている。バリスタ素体３は、半導体セラミックにて構成されるセラミック層が複数積層されて構成されたセラミック素体である。
【００２５】
セラミック層であるバリスタ層４（バリスタ素体３）は、ＺｎＯ（酸化亜鉛）を主成分として含むと共に、副成分としてＣｏ、希土類金属元素、ＩＩＩｂ族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、アルカリ金属元素（Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）及びアルカリ土類金属元素（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）などの金属単体やこれらの酸化物を含む。本実施形態において、バリスタ層４は、副成分としてＣｏ、Ｐｒ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｋ、Ｓｉ、及びＡｌを含んでいる。ここで、Ｃｏは、ＺｎＯの結晶粒界にアクセプター準位を形成し、バリスタ特性を発現させる物質として作用する。バリスタ層４におけるＺｎＯの含有量は、特に限定されないが、バリスタ層４を構成する全体の材料を１００質量％とした場合に、通常、９９．８〜６９．０質量％である。
【００２６】
バリスタ素子１は、図３〜図６に示されるように、バリスタ素体３内に、複数の内部電極２１，２３を備えている。複数の内部電極２１，２３は、バリスタ素体３（バリスタ層４）の一部を第１及び第２主面３ａ，３ｂの対向方向で挟むように交互に配置されている。内部電極２１，２３は、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料（たとえば、ＡｇやＡｇ−Ｐｄ合金など）からなる。内部電極２１，２３は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。
【００２７】
各内部電極２１は、スルーホール導体２５と物理的及び電気的に接続されている。したがって、各内部電極２１は、スルーホール導体２５を通して電気的に接続されることとなる。スルーホール導体２５は、バリスタ素体３内を積層方向に伸びて形成されている。スルーホール導体２５の一端は、第１主面３ａに露出している。スルーホール導体２５は、積層方向から見て、第１主面３ａの長辺方向での一方の端寄りに位置している。
【００２８】
各内部電極２３は、スルーホール導体２７と物理的及び電気的に接続されている。したがって、各内部電極２３は、スルーホール導体２７を通して電気的に接続されることとなる。スルーホール導体２７は、バリスタ素体３内を積層方向に伸びて形成されている。スルーホール導体２７の一端も、スルーホール導体２５と同じく、第１主面３ａに露出している。スルーホール導体２７は、積層方向から見て、第１主面３ａの長辺方向での他方の端寄りに位置している。
【００２９】
スルーホール導体２５，２７も、内部電極２１，２３と同じく、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料（たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、又はＡｇ−Ｐｄ合金など）からなる。したがって、スルーホール導体２５，２７も、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。
【００３０】
バリスタ素子１は、図２〜図６に示されるように、表面電極３１，３３を備えている。表面電極３１，３３は、長方形状を呈しており、バリスタ素体３の第１主面３ａ上に配置されている。表面電極３１，３３は、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料（たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、又はＡｇ−Ｐｄ合金など）からなる。表面電極３１，３３は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。表面電極３１，３３は、バリスタ素体３の焼成と同時に形成することができる。
【００３１】
表面電極３１は、積層方向から見て、第１主面３ａの長辺方向での一方の端寄りに位置すると共に、その長辺方向が第１主面３ａの短辺方向とされて、第１主面３ａの一方の短辺に沿って伸びている。表面電極３１は、スルーホール導体２５の一端を覆っており、スルーホール導体２５と物理的及び電気的に接続されている。これにより、各内部電極２１は、スルーホール導体２５を通して表面電極３１と電気的に接続されることとなる。表面電極３１は、積層方向から見て、内部電極２３と重なっていない。
【００３２】
表面電極３３は、積層方向から見て、第１主面３ａの長辺方向での他方の端寄りに位置すると共に、その長辺方向が第１主面３ａの短辺方向とされて、第１主面３ａの他方の短辺に沿って伸びている。表面電極３３は、スルーホール導体２７の一端を覆っており、スルーホール導体２７と物理的及び電気的に接続されている。これにより、各内部電極２３は、スルーホール導体２７を通して表面電極３３と電気的に接続されることとなる。表面電極３３は、積層方向から見て、内部電極２１と重なっていない。
【００３３】
絶縁層５は、ガラスからなり、第１主面３ａ及び表面電極３１，３３を覆うように第１主面３ａ上及び表面電極３１，３３上に配置されている。絶縁層５には、各表面電極３１，３３に対応する箇所に貫通孔５ａ，５ｂが形成されている。本実施形態では、絶縁層５にそれぞれ複数の貫通孔５ａ，５ｂが形成されている。絶縁層５を構成するガラスには、たとえばホウケイ酸系ガラスやシリカ系ガラスなどを用いることができる。絶縁層５は、ガラスペーストをバリスタ素体３に付与し、付与したガラスペーストをパターニングした後に、バリスタ素体３に焼付けることにより形成することができる。
【００３４】
各貫通孔５ａが形成された位置は、積層方向から見て、スルーホール導体２５の位置とずれている。すなわち、各貫通孔５ａが形成された位置は、積層方向から見て、スルーホール導体２５と表面電極３１との接続位置とずれている。各貫通孔５ｂが形成された位置は、積層方向から見て、スルーホール導体２７の位置とずれている。すなわち、各貫通孔５ｂが形成された位置は、積層方向から見て、スルーホール導体２７と表面電極３３との接続位置とずれている。
【００３５】
絶縁層７は、ガラスからなり、第２主面３ｂを覆うように第２主面３ｂ上に配置されている。絶縁層７を構成するガラスには、たとえばホウケイ酸系ガラスやシリカ系ガラスなどを用いることができる。絶縁層７は、ガラスペーストをバリスタ素体３に付与し、バリスタ素体３に焼付けることにより形成することができる。
【００３６】
外部電極１１は、積層方向から見て、第１主面３ａの長辺方向での一方の端寄り、すなわち一方の短辺側に位置している。外部電極１１は、貫通孔５ａを覆うように形成されており、貫通孔５ａを通して表面電極３１と物理的及び電気的に接続されている。これにより、各内部電極２１は、スルーホール導体２５と表面電極３１とを通して外部電極１１と電気的に接続されることとなる。
【００３７】
外部電極１１は、積層方向から見て、表面電極３１と重なる第１領域１１ａと、表面電極３１と重ならない第２領域１１ｂと、を有している。外部電極１１は、主として第１領域１１ａを含む長方形状部分と、主として第２領域１１ｂを含む半円形状部分と、からなる。第１領域１１ａは、積層方向から見て、外部電極１１における第１主面３ａの一方の短辺側となる縁寄りに位置している。本実施形態では、第１領域１１ａは表面電極３１全体と重なっている。
【００３８】
外部電極１３は、積層方向から見て、第１主面３ａの長辺方向での他方の端寄り、すなわち他方の短辺側に位置している。外部電極１３は、貫通孔５ｂを覆うように形成されており、貫通孔５ｂを通して表面電極３３と物理的及び電気的に接続されている。これにより、各内部電極２３は、スルーホール導体２７と表面電極３３とを通して外部電極１３と電気的に接続されることとなる。
【００３９】
外部電極１３は、積層方向から見て、表面電極３３と重なる第１領域１３ａと、表面電極３３と重ならない第２領域１３ｂと、を有している。外部電極１３は、主として第１領域１３ａを含む長方形状部分と、主として第２領域１３ｂを含む半円形状部分と、からなる。第１領域１３ａは、積層方向から見て、外部電極１３における第１主面３ａの他方の短辺側となる縁寄りに位置している。本実施形態では、第１領域１３ａは表面電極３３全体と重なっている。
【００４０】
外部電極１１，１３では、積層方向から見て、半円形状部分が長方形状部分よりも第１主面３ａの長辺方向での内側に位置している。すなわち、外部電極１１と外部電極１３とは、積層方向から見て、半円形状部分が対向するように併置されている。
【００４１】
外部電極１１，１３は、たとえば、下地電極層と、下地電極層上に形成されためっき層と、からなる。下地電極層は、たとえば、Ｃｒ層をスパッタリングにより形成し、Ｃｒ層上にＣｕ層をスパッタリングにより形成することができる。Ｃｒ層の代わりに、Ｔｉ層をスパッタリングにより形成してもよい。めっき層は、スパッタリングにより形成されたＣｕ層上にＣｕめっき層を形成し、Ｃｕめっき層上に、Ｎｉめっき層とＡｕめっき層との順で積層して形成することができる。めっき層の形成には、既知のめっき法（たとえば、電解めっき法など）を用いることができる。
【００４２】
上述したように、各貫通孔５ａが形成された位置が、積層方向から見て、スルーホール導体２５と表面電極３１との接続位置とずれているため、表面電極３１と外部電極１１との接続位置は、スルーホール導体２５と表面電極３１との接続位置とずれることとなる。また、各貫通孔５ｂが形成された位置が、積層方向から見て、スルーホール導体２７と表面電極３３との接続位置とずれているため、表面電極３３と外部電極１３との接続位置は、スルーホール導体２７と表面電極３３との接続位置とずれることとなる。
【００４３】
ところで、バリスタ素子１が回路基板やリードフレームなどに実装される場合、外部電極１１，１３には、ボンディングワイヤ（不図示）が接続される。このため、外部電極１１，１３には、ボンディングワイヤが接続される位置が設定されることとなる。ボンディングワイヤが接続される位置の中心Ｃを、図２では、「・」で示し、図３〜６では、矢印で示している。ボンディングワイヤには、たとえばφ５０μｍのものが用いられる。本実施形態では、ボンディングワイヤが接続される位置の中心Ｃは、外部電極１１，１３の第１領域１１ａ，１３ａに設定されている。
【００４４】
図２〜図６に示されるように、表面電極３１，３３とスルーホール導体２５，２７との接続位置と、外部電極１１，１３におけるボンディングワイヤの接続位置の中心Ｃと、が積層方向から見てずれている。そして、外部電極１１，１３におけるボンディングワイヤの接続位置の中心Ｃは、積層方向から見て、表面電極３１，３３とスルーホール導体２５，２７との接続位置よりも第１主面３ａの長辺方向での内側に位置している。外部電極１１，１３におけるボンディングワイヤの接続位置の中心Ｃは、積層方向から見て、表面電極３１，３３と外部電極１１，１３との接続位置ともずれている。
【００４５】
以上のように、本実施形態では、表面電極３１，３３とスルーホール導体２５，２７との接続位置と、外部電極１１，１３におけるボンディングワイヤの接続位置の中心Ｃと、が積層方向から見てずれている。このため、ボンディングワイヤが外部電極１１，１３に接続される際に、スルーホール導体２５，２７自体やバリスタ素体３におけるスルーホール導体２５，２７（スルーホール）の周辺部分に荷重や熱が作用し難い。
【００４６】
本実施形態では、外部電極１１，１３とスルーホール導体２５，２７とが直接接続されるのではなく、外部電極１１，１３とスルーホール導体２５，２７とが表面電極３１，３３を介して間接的に接続されている。また、バリスタ素体３（第１主面３ａ）と表面電極３１，３３とが絶縁層５で覆われている。これらにより、ボンディングワイヤが外部電極１１，１３に接続される際に、外部電極１１，１３に作用する荷重や熱が、スルーホール導体２５，２７自体やバリスタ素体３におけるスルーホール導体２５，２７（スルーホール）の周辺部分に伝わり難い。
【００４７】
これらの結果、本実施形態のバリスタ素子１によれば、ボンディングワイヤが外部電極１１，１３に接続される際に、バリスタ素体３にクラックが発生するのを抑制することができる。
【００４８】
絶縁層５を構成するガラスに、ホウケイ酸系ガラスやシリカ系ガラスを用いた場合、絶縁層５がクッション層として機能することとなり、外部電極１１，１３に作用する荷重がスルーホール導体２５，２７やバリスタ素体３に伝わるのをより一層抑制することができる。
【００４９】
本実施形態では、表面電極３１，３３とスルーホール導体２５，２７との接続位置が、積層方向から見て第１主面３ａの長辺方向での端寄りに位置し、外部電極１１，１３におけるボンディングワイヤの接続位置の中心Ｃは、積層方向から見て表面電極３１，３３とスルーホール導体２５，２７との接続位置よりも第１主面３ａの長辺方向での内側に位置している。また、外部電極１１，１３は、積層方向から見て第１主面３ａの各短辺側に位置すると共に、第１領域１１ａ，１３ａは、積層方向から見て外部電極１１，１３における第１主面３ａの各短辺側となる縁寄りに位置している。いずれの場合にも、対向する内部電極２１，２３の重なり面積を比較的大きく設定することが可能となるため、バリスタ素子１の静電容量の設計自由度が増加する。そして、外部電極１１，１３の設計自由度が増加するため、ボンディングワイヤが接続される部分の面積を確保することができる。
【００５０】
ところで、スルーホール導体２５，２７の一端と第１主面３ａとを同一平面状に形成することは極めて困難である。すなわち、スルーホール導体２５，２７の一端は、第１主面３ａから窪む、又は突出して形成され易い。このため、表面電極３１，３３とスルーホール導体２５，２７との接続位置と、外部電極１１，１３と表面電極３１，３３との接続位置と、が同じであると、スルーホール導体２５，２７の一端の窪み又は突出が外部電極１１，１３の表面に反映されて、平滑性が悪化してしまう。これに対して、本実施形態では、表面電極３１，３３とスルーホール導体２５，２７との接続位置と、外部電極１１，１３と表面電極３１，３３との接続位置と、が積層方向から見てずれている。これにより、外部電極１１，１３の表面が平滑になり、ボンディングワイヤの接続信頼性を向上することができる。
【００５１】
本実施形態では、積層方向から見て、表面電極３１と内部電極２３とが重なっておらず、表面電極３３と内部電極２１とが重なっていない。これにより、表面電極３１と内部電極２３と間及び表面電極３３と内部電極２１との間に浮遊容量が形成されるのを抑制されることとなる。このため、バリスタ素子１の静電容量を所望の設計値に合わせ込むことが容易に行える。
【００５２】
次に、図７を参照して、本実施形態に係るバリスタ素子１の変形例について説明する。図７は、本実施形態に係るバリスタ素子の変形例を示す概略平面図である。本変形例は、ボンディングワイヤの接続位置の中心Ｃの設定位置が上述した実施形態と相違する。
【００５３】
本変形例では、ボンディングワイヤが接続される位置の中心Ｃは、外部電極１１，１３の第２領域１１ｂ，１３ｂに設定されている。本変形例においても、ボンディングワイヤが外部電極１１，１３に接続される際に、バリスタ素体３にクラックが発生するのを抑制することができる。
【００５４】
本変形例では、ボンディングワイヤの接続位置の中心Ｃが第２領域１１ｂ，１３ｂに位置しているため、表面電極３１，３３とスルーホール導体２５，２７との接続位置と、ボンディングワイヤの接続位置の中心Ｃと、の間隔が比較的大きくなる。このため、ボンディングワイヤが外部電極１１，１３に接続される際に、外部電極１１，１３に作用する荷重や熱が、スルーホール導体２５，２７やバリスタ素体３におけるスルーホール導体２５，２７（スルーホール）の周辺部分により一層伝わり難くできる。
【００５５】
本変形例では、第１領域１１ａ，１３ａが積層方向から見て外部電極１１，１３の縁寄りに位置しているため、ボンディングワイヤの接続位置の中心Ｃが位置することとなる第２領域１１ｂ，１３ｂの面積が比較的大きくなる。この結果、ボンディングワイヤの接続を容易に行うことができる。特に、バリスタ素子１が小型化されている場合、有利である。
【００５６】
次に、図８を参照して、本実施形態に係るバリスタ素子１の別の変形例について説明する。図８は、本実施形態に係るバリスタ素子の変形例を示す概略平面図である。本変形例は、外部電極１１，１３の形状が上述した実施形態と相違する。
【００５７】
本変形例では、外部電極１１，１３は、略円形状を呈している。外部電極１１，１３の第１領域１１ａ，１３ａは、積層方向から見て、表面電極３１，３３全体と重なっていない。本変形例においても、ボンディングワイヤが外部電極１１，１３に接続される際に、バリスタ素体３にクラックが発生するのを抑制することができる。
【００５８】
次に、図９を参照して、本実施形態に係るバリスタ素子１の別の変形例について説明する。図９は、本実施形態に係るバリスタ素子の変形例を示す概略平面図である。本変形例は、外部電極１１，１３の位置と、表面電極３１，３３とスルーホール導体２５，２７との接続位置との関係が上述した実施形態と相違する。
【００５９】
本変形例では、積層方向から見て、表面電極３１，３３とスルーホール導体２５，２７との接続位置と、外部電極１１，１３と、がずれている。すなわち、積層方向から見て、表面電極３１，３３とスルーホール導体２５，２７との接続位置と、外部電極１１，１３と、が重なっていない。外部電極１１，１３は、円形形状を呈している。
【００６０】
本変形例においても、ボンディングワイヤが外部電極１１，１３に接続される際に、バリスタ素体３にクラックが発生するのを抑制することができる。
【００６１】
本変形例では、積層方向から見て、表面電極３１，３３とスルーホール導体２５，２７との接続位置と、外部電極１１，１３と、がずれているので、外部電極の表面１１，１３が平滑になり、ボンディングワイヤの接続信頼性を向上することができる。
【００６２】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００６３】
外部電極１１，１３や表面電極３１，３３の形状は、上述した実施形態及び変形例に示された形状に限られない。外部電極１１，１３や表面電極３１，３３の形状は、たとえば、台形状などの多角形状や、複数の形状を組み合わせた形状であってもよい。
【００６４】
スルーホール導体２５，２７の数、すなわち、スルーホール導体２５，２７と表面電極３１，３３との接続箇所の数や、表面電極３１，３３と外部電極１１，１３との接続箇所との数も、上述した実施形態及び変形例に示された数に限られない。
【符号の説明】
【００６５】
１…バリスタ素子、３…バリスタ素体、３ａ…第１主面、３ｂ…第２主面、４…バリスタ層、５，７…絶縁層、５ａ，５ｂ…貫通孔、１１，１３…外部電極、１１ａ，１３ａ…第１領域、１１ｂ，１３ｂ…第２領域、２１，２３…内部電極、２５，２７…スルーホール導体、３１，３３…表面電極、Ｃ…ボンディングワイヤの接続位置の中心。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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