(57)【要約】【課題】薄膜回路層の端子部の破壊を防ぎつつ、この端子部と他の基板の配線層とを電気的に接続できるようにした電子デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１の面側に薄膜回路層が設けられた第１の基板と、配線層が設けられた第２の基板と、前記薄膜回路層の端子部と前記配線層とを電気的に接続する等方性の導電性材料と、を備え、前記導電性材料は、前記端子部上から前記配線層上にかけて成膜されている。薄膜回路層の端子部と接続用基板の配線層とを電気的に接続する際に、この端子部に対して過度に加圧、加熱する必要がないため、端子部の破壊を防ぐことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面側に薄膜回路層が設けられた第１の基板と、
第２の基板と、
前記第２の基板の主面である第２の面に設けられた配線層と、
前記薄膜回路層の端子部と前記配線層とを電気的に接続する等方性の導電性材料を含む導電部と、を備え、
前記導電性材料は、前記端子部上から前記配線層上にかけて成膜されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記配線層は、前記第２の基板から前記第１の基板へ延出した延出部、を含み、
前記延出部は、前記第１の面側において前記端子部と重なり、
前記導電性材料は、前記延出部の前記端子部と重なる部分を覆うように成膜されていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記延出部の前記端子部と重なる部分の外周は平面視で凹部を有し、
前記導電性材料は、前記凹部を埋め込むように成膜されていることを特徴とする請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記延出部の前記端子部と重なる部分は当該端子部を底面とする貫通穴を有し、
前記導電性材料は、前記貫通穴を埋め込むように成膜されていることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記第２の基板は、前記第２の面の反対側に位置する第３の面と、前記第２の面と前記第３の面との間に位置する第４の面とを有し、
前記第４の面は、断面視で、前記第２の面と広角で交差すると共に前記第３の面と鋭角で交差するテーパ状に形成されており、
前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第４の面が前記第１の面上に位置するように配置されており、
前記導電性材料は、前記第４の面に沿って成膜されていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記第１の基板は、前記第１の面の反対側に位置する第５の面と、前記第１の面と前記第５の面との間に位置する第６の面とを有し、
前記第６の面は、断面視で、前記第１の面と広角で交差すると共に前記第５の面と鋭角で交差するテーパ状に形成されており、
前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第６の面が前記第２の面上に位置するように配置されており、
前記導電性材料は、前記第６の面に沿って成膜されていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記第１の基板と前記第２の基板とを接合させる接着剤、をさらに備えることを特徴とする請求項１から請求項６の何れか一項に記載の電子デバイス。
【請求項８】
第１の基板の第１の面側に設けられた薄膜回路層の端子部上から、第２の基板の主面である第２の面に設けられた配線層上にかけて、等方性の導電性材料を成膜することによって、前記端子部と前記配線層とを電気的に接続する工程、を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜回路装置は、基板表面に半導体素子等を含む薄膜回路層を有している。基板としては、単結晶シリコンウェハー、石英ガラス基板、耐熱ガラス基板、樹脂フィルム等が用いられ、必要とされる薄膜回路装置の性能や機能に応じて適切な材質が選択される。これらの中でも、樹脂フィルムを基板に用いた薄膜回路装置は、基板そのものが薄く、可撓性を有するため、軽量で柔軟性を備えた薄膜回路装置を提供することができる。
【０００３】
樹脂フィルムを基板に用いた薄膜回路装置の製造方法としては、半導体層、絶縁体層、金属層等を樹脂フィルム上に順次積層して薄膜回路層を得る方法、予めガラス基板等の耐熱性基板の表面に形成した薄膜回路層を該基板から分離し、接着剤を介して樹脂フィルム上に接合する方法、等が提案されている。
特に新規電子デバイスとして近年注目されてきている電子ペーパーと呼ばれる表示体モジュールの製造方法として、具体的には、マイクロカプセル型電気泳動材料と薄膜回路層とを樹脂フィルム上で組み合わせることにより、フレキシブルで高性能な電気泳動ディスプレイを提供することが可能となる。
【０００４】
樹脂フィルム上に設けられた薄膜回路層を表示体素子の駆動回路として使用する場合、この薄膜回路層に外部接続用の基板（以下、単に接続用基板ともいう。）を接合して、外部から薄膜回路層に電源、信号、等を入力できるようにする必要がある。
ここで、薄膜回路層と接続用基板とを接合する際は、異方性導電性材料（ｅｘ．異方性導電性フィルムＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ、異方性導電性ペースト  ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ  等）を使用する場合が多い。異方性導電性材料に含まれている導電粒子により、薄膜回路層と接続用基板とを電気的に接続する（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００５】
具体的には、図９に示すように、樹脂フィルムからなる回路基板１０１の表面と接続用基板１１１の表面とを対向させ、回路基板１０１の表面に設けられた薄膜回路層１０３の端子部１０３ａと、接続用基板１１１の表面に設けられた配線層１１３との間に、導電性粒子１２１を含有した異方性導電性材料１２０を介在させる。そして、この異方性導電性材料１２０を挟んだ状態で、回路基板１０１と接続用基板１１１とをステージ１３０上で位置合わせし、端子部１０３ａと配線層１１３との間を加圧、加熱する。これにより、導電性粒子１２１を介して端子部１０３ａと配線層１１３とが電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−７５２３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、図９に示したような従来の接続方法では、接続時の加圧により、導電性粒子１２１は端子部１０３ａに強く押し付けられることとなる。この端子部１０３ａは例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の薄膜で構成されているため、導電性粒子１２１を強く押し付けると壊れてしまう可能性があった。
そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、薄膜回路層の端子部の破壊を防ぎつつ、この端子部と他の基板の配線層とを電気的に接続できるようにした電子デバイス及びその製造方法の提供を目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電子デバイスは、第１の面側に薄膜回路層が設けられた第１の基板と、第２の基板と、前記第２の基板の主面である第２の面に設けられた配線層と、前記薄膜回路層の端子部と前記配線層とを電気的に接続する等方性の導電性材料を含む導電部と、を備え、前記導電性材料は、前記端子部上から前記配線層上にかけて成膜されていることを特徴とする。ここで、「等方性の導電性材料」としては、例えば銀（Ａｇ）ペーストが挙げられる。また、このような導電性材料は、例えば、印刷、インクジェット法、メッキ、蒸着、塗布等の方法により成膜される。
【０００９】
このような構成であれば、薄膜回路層の端子部と接続用基板の配線層とを電気的に接続する際に、この端子部に対して過度に加圧、加熱する必要がない。例えば、異方性導電性材料を用いるときのような高い圧力、高い温度で、端子部と配線層とを接合する必要がない。薄膜回路の端子部に過大な負荷をかけずに済むため、端子部の破壊を防ぐことができる。これにより、薄膜回路層と配線層との間で、例えば、接続抵抗の増加や接続不良を防ぐことができる。電子デバイスの歩留まりや信頼性の向上に寄与することができる。なお、「第１の基板」としては、例えば、後述する回路基板１が該当する。「第２の基板」としては、例えば、後述する接続用基板１１が該当する。「第１の面」としては、後述する回路基板１の表面１ａが該当する。
【００１０】
また、上記の電子デバイスにおいて、前記配線層は、前記第２の基板から前記第１の基板へ延出した延出部、を含み、前記延出部は、前記第１の面側において前記端子部と重なり、前記導電性材料は、前記延出部の前記端子部と重なる部分を覆うように成膜されていることを特徴としてもよい。このような構成であれば、薄膜回路の端子部と接続用基板の配線層とが直に接触するため、端子部と配線層との間が導電性材料のみを介して電気的に接続されている場合と比べて、当該間の接続抵抗を低減することが可能である。
【００１１】
また、上記の電子デバイスにおいて、前記延出部の前記端子部と重なる部分の外周は平面視で凹部を有し、前記導電性材料は、前記凹部を埋め込むように成膜されていることを特徴としてもよい。このような構成であれば、端子部と導電性材料との接触面積が増やすことができ、端子部と導電性材料との間の接合力を高めることができる。
また、上記の電子デバイスにおいて、前記延出部の前記端子部と重なる部分は当該端子部を底面とする貫通穴を有し、前記導電性材料は、前記貫通穴を埋め込むように成膜されていてもよい。このような構成であれば、端子部と導電性材料との接触面積が増やすことができ、端子部と導電性材料との間の接合力を高めることができる。
【００１２】
また、上記の電子デバイスにおいて、前記第２の基板は、前記第２の面の反対側に位置する第３の面と、前記第２の面と前記第３の面との間に位置する第４の面とを有し、前記第４の面は、断面視で、前記第２の面と広角で交差すると共に前記第３の面と鋭角で交差するテーパ状に形成されており、前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第４の面が前記第１の面上に位置するように配置されており、前記導電性材料は、前記第４の面に沿って成膜されていることを特徴としてもよい。
【００１３】
このような構成であれば、第４の面において、導電性材料を一定の厚さ以上に成膜することが容易となり（即ち、成膜特性が向上し）、導電性材料の断線を防止することができる。なお、「第２の面」としては、後述する接続用基板１１の表面１１ａが該当する。「第３の面」としては、後述する接続用基板１１の裏面１１ｂが該当する。「第４の面」としては、後述する接続用基板１１の側面１１ｃが該当する。
【００１４】
また、上記の電子デバイスにおいて、前記第１の基板は、前記第１の面の反対側に位置する第５の面と、前記第１の面と前記第５の面との間に位置する第６の面とを有し、前記第６の面は、断面視で、前記第１の面と広角で交差すると共に前記第５の面と鋭角で交差するテーパ状に形成されており、前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第６の面が前記第２の面上に位置するように配置されており、前記導電性材料は、前記第６の面に沿って成膜されていることを特徴としてもよい。
このような構成であれば、第６の面において、導電性材料を一定の厚さ以上に成膜することが容易となり（即ち、成膜特性が向上し）、導電性材料の断線を防止することができる。なお、「第５の面」としては、後述する回路基板１の裏面１ｂが該当する。「第６の面」としては、後述する回路基板１の側面１ｃが該当する。
【００１５】
また、上記の電子デバイスにおいて、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合させる接着剤、をさらに備えることを特徴としてもよい。このような構成であれば、接着剤により、第１の基板と第２の基板とが接合されるため、第１の基板に対して第２の基板を相対的に動かすような力が外部から加えられた場合でも、この力が等方性の導電性材料に集中することを防ぐことができる。
【００１６】
また、本発明の別の態様に係る電子デバイスの製造方法は、第１の基板の第１の面側に設けられた薄膜回路層の端子部上から、第２の基板の主面である第２の面に設けられた配線層上にかけて、等方性の導電性材料を成膜することによって、前記端子部と前記配線層とを電気的に接続する工程、を含むことを特徴とする。このような方法であれば、端子部と配線層とを電気的に接続する際に、薄膜回路の端子部に過大な負荷をかけずに済むため、端子部の破壊を防ぐことができる。これにより、薄膜回路層と配線層との間で、例えば、接続抵抗の増加や接続不良を防ぐことができる。電子デバイスの歩留まりや信頼性の向上に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１実施形態に係る電子デバイス１００の構成例を示す図。
【図２】等方性の導電性材料２０の形成位置の一例を示す図。
【図３】第１実施形態に係る電子デバイス１００の製造方法を示す図。
【図４】第２実施形態に係る電子デバイス２００の構成例を示す図。
【図５】第３実施形態に係る電子デバイス３００の構成例を示す図。
【図６】第４実施形態に係る電子デバイス４００の構成例を示す図。
【図７】延出部１３ａの形状の一例を示す図（その１）。
【図８】延出部１３ａの形状の一例を示す図（その２）。
【図９】従来例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その重複する説明は省略する場合もある。
（１）第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子デバイス１００の構成例を示す断面図である。図１に示すように、この電子デバイス１００は、表面１ａ側に薄膜回路層３が設けられた回路基板１と、主面である表面１１ａ側に配線層１３が設けられた接続用基板１１と、薄膜回路層３の端子部３ａと接続用基板１１の配線層１３とを電気的に接続する等方性の導電性材料（即ち、導電部）２０と、この導電性材料２０を覆う樹脂カバー２１と、を備える。この例では、回路基板１の表面１ａは上側を向いており、接続用基板１１の表面１１ａは下側を向いている。この状態で、接続用基板１１は、その一部が回路基板１の表面１ａ上に配置されている。次に、図１に示す各構成について、具体的に説明する。
【００１９】
回路基板１は、例えばポリイミド等の樹脂フィルムからなり、その厚さは例えば１００〜５００［μｍ］と薄く、可撓性を有し、軽量で柔軟性を備えたものである。この樹脂フィルムからなる回路基板１の表面１ａ側には、例えば、ＴＦＴ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の薄膜回路層３が設けられている。この薄膜回路層３は、例えば、回路基板１の表面１ａ上に直接形成されている（或いは、図示しない接着剤を介して、回路基板１の表面１ａ上に貼付されていてもよい。）。また、この薄膜回路層３上は、その端子部３ａ上を除いて、例えばソルダーレジストからなる保護膜５で覆われている。なお、この端子部３ａは、例えば、ＩＴＯ等の導電性材料で構成されている。端子部３ａの厚さは、例えば、０．１〜１［μｍ］である。
【００２０】
一方、接続用基板１１は、薄膜回路層３の端子部３ａを回路基板１の外部に接続する（或いは、外部へ引き出す）ための基板である。接続用基板１１は、例えばポリイミド等の樹脂フィルムからなり、その厚さは例えば１０〜１００［μｍ］と薄く、可撓性を有し、軽量で柔軟性を備えたものである。また、この接続用基板１１の表面１１ａ側には、例えば、銅箔等からなる配線層１３が形成されている。この配線層１３の厚さは、例えば、５〜２５［μｍ］である。この例では、配線層１３は、接続用基板１１の表面１１ａ上から回路基板１の表面１ａ上へ延出しており、その延出している部分（以下、延出部ともいう。）１３ａは、薄膜回路層３の端子部３ａと重なっている。また、この配線層１３上は、延出部１３ａを除いて、例えばソルダーレジストからなる保護膜１５で覆われている。
【００２１】
また、等方性の導電性材料２０は、例えば、Ａｇペーストからなる。樹脂カバー２１は、例えばモールド樹脂からなる。樹脂カバー２１で導電性材料２０を覆うことによって、導電性材料２０を空気や水分から隔離することができ、導電性材料２０の酸化や腐食を防ぐことができる。
図２は、等方性の導電性材料２０の形成位置の一例を示す平面図である。図２では、図面の複雑化を回避するため、樹脂カバー２１の記載を省略している。図２に示すように、薄膜回路層の端子部３ａと、接続用基板の配線層の延出部１３ａは、例えば、１：１（即ち、１本の端子部３ａに１本の延出部１３ａが対応する割合）で重なり合っている。そして、導電性材料２０は、この端子部３ａと延出部１３ａとが重なっている部分を覆うように成膜されている。このように導電性材料２０が成膜されていることによって、延出部１３ａと端子部３ａは密着して直に接続されると共に、導電性材料２０を介して間接的にも接続されている。次に、この電子デバイス１００の製造方法について説明する。
【００２２】
図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る電子デバイス１００の製造方法を示す工程図である。
図３（ａ）では、まず始めに、表面１ａ側に薄膜回路層３が設けられ、その上に保護膜５が形成された回路基板１を用意する。また、これと前後して、或いは並行して、表面１１ａ側に配線層１３が設けられた接続用基板１１を用意する。
【００２３】
次に、回路基板１の表面１ａ側と接続用基板１１の表面１１ａ側とを対向させ、これらを位置合わせした状態で、図３（ｂ）に示すように、接続用基板１１の一部を回路基板１の表面１ａ上に配置する。なお、ここでは、図３（ａ）に示すように、回路基板１と接続用基板１１との間に接着剤２３を介在させ、この接着剤２３により回路基板１と接続用基板１１とを接着させてもよい。ここで、接着剤２３としては、例えば、ある程度の可撓性を有し、柔軟性を備えたシリコン系の接着剤を用いることが好ましい。
【００２４】
回路基板１と接続用基板１１とを接着剤２３で仮止めしておくことにより、後述する導電性材料２０の成膜工程で、導電性材料２０の成膜位置が大きくズレることを防ぐことができる。また、この接着剤２３は、導電性材料２０の成膜工程を終了した後（即ち、仮止めとしての用が終えた後）もそのまま残しておいてよい。これにより、電子デバイス１００の完成後も、接着剤２３により、回路基板１と接続用基板１１とが接合され続けるため、回路基板１と接続用基板１１とを離すような力が外部から加えられた場合でも、この力が導電性材料２０に集中することを防ぐことができる。
【００２５】
次に、図３（ｃ）に示すように、薄膜回路層３の端子部３ａと、配線層１３の延出部１３ａとが重なる部分を覆うようにＡｇペースト等の、等方性の導電性材料２０を成膜する。ここで、導電性材料２０の成膜方法としては、例えば、印刷、インクジェット法、メッキ、蒸着、塗布等の方法が挙げられる。このような成膜方法は、薄膜回路層３の端子部３ａに過大な負荷をかけずに済み、その破壊を防ぐことができる。その後、導電性材料２０を覆うように樹脂カバー２１を形成する。これにより、図１に示した電子デバイス１００が完成する。
【００２６】
以上説明したように、本発明の第１実施形態によれば、薄膜回路層３の端子部３ａと接続用基板１１の配線層１３とを電気的に接続する際に、この端子部３ａに対して過度に加圧、加熱する必要がない。例えば、異方性導電性材料を用いるときのような高い圧力、高い温度で、端子部３ａと配線層１３とを接合する必要がない。薄膜回路層３の端子部３ａに過大な負荷をかけずに済むため、端子部３ａの破壊を防ぐことができる。これにより、薄膜回路層３と配線層１３との間で接続抵抗の増加や接続不良を防ぐことができる。電子デバイスの歩留まりや信頼性の向上に寄与することができる。
【００２７】
（２）第２実施形態
上記の第１実施形態では、接続用基板１１の一部が回路基板１の表面１ａ上に配置されている場合について説明した。しかしながら、本発明において、回路基板１と接続用基板１１との位置関係はこれに限定されるものではない。本発明では、例えば、回路基板１の表面１ａ上に接続用基板１１が配置されていなくてもよい。
【００２８】
図４（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る電子デバイス２００の構成例を示す断面図である。また、図４（ｂ）は、この電子デバイス２００を部分的に拡大して示した断面図である。
図４（ａ）に示すように、この例では、回路基板１の表面１ａは上側を向き、接続用基板１１の表面１ａは下側を向いた状態で、回路基板１と接続用基板１１とが離間して配置されている。また、接続用基板１１の表面１１ａ側に設けられている配線層１３は、当該表面１１ａ上から回路基板１の表面１ａ上へ延出している。そして、この延出している部分（即ち、延出部ともいう。）１３ａは、回路基板１の表面１ａ上において、薄膜回路層３の端子部３ａと同じ高さで並んで配置されている（つまり、重なりあっていない）。また、延出部１３ａ上から端子部３ａ上にかけて等方性の導電性材料２０が成膜されており、この導電性材料２０によって延出部１３ａと端子部３ａとが電気的に接続されている。
【００２９】
このような場合であっても、第１実施形態と同様、例えば、印刷、インクジェット法、メッキ、蒸着、塗布等の方法により、導電性材料２０を成膜して、端子部３ａと配線層１３とを電気的に接続することができる。このような成膜方法は、端子部３ａに過大な負荷をかけずに済むためその破壊を防ぐことができる。従って、薄膜回路層３と配線層１３との間で接続抵抗の増加や接続不良を防ぐことができる。
【００３０】
また、この第２実施形態では、第１の実施形態と比較して、回路基板１の表面１ａ上に接続用基板１１が配置されていないため、電子デバイスの薄型化も可能である。具体的には、図１と図４（ａ）とを比較して分かるように、第２実施形態は、第１実施形態と比べて、保護膜１５の厚さ分だけ薄型化することができる。
なお、この第２実施形態においても、接着剤により、回路基板１と接続用基板１１とが接合されていてもよい。例えば、図４（ｂ）に示すように、回路基板１の裏面（即ち、表面の反対側に位置する面）１ｂ上から接続用基板１１の表面１１ａ上にかけて接着剤２３が塗布されていてもよい。第１実施形態で説明した接着剤２３と同様の効果を得ることができる。
【００３１】
（３）第３実施形態
上記の第１実施形態では、配線層１３は、接続用基板１１の表面上から回路基板１の表面上へ延出しており、その延出している部分（即ち、延出部）１３ａが端子部３ａと重なっている場合について説明した。しかしながら、本発明において、配線層１３の形態はこれに限定されるものではない。本発明では、配線層１３は接続用基板１１の外側へ延出していなくてもよい。
【００３２】
図５（ａ）は、本発明の第３実施形態に係る電子デバイス３００の構成例を示す断面図である。図５（ｂ）は、電子デバイス３００を部分的に拡大して示した断面図である。
図５（ａ）に示すように、この例では、回路基板１の表面１ａは上側を向き、接続用基板１１の表面１１ａも上側を向いた状態（即ち、回路基板１の表面１ａと、接続用基板１１の表面１１ａとが同一の方向を向いている状態）で、回路基板１の表面１ａ上に接続用基板１１の一部が配置されている。また、配線層１３は接続用基板１１の外側へは延出していない。そして、等方性の導電性材料２０は端子部３ａ上から配線層１３上にかけて成膜されており、この導電性材料２０によって配線層１３と端子部３ａとが電気的に接続されている。
【００３３】
このような場合であっても、第１、第２実施形態と同様、例えば、印刷、インクジェット法、メッキ、蒸着、塗布等の方法により、導電性材料２０を成膜して、端子部３ａと配線層１３とを電気的に接続することができる。このような成膜方法は、端子部３ａに過大な負荷をかけずに済むためその破壊を防ぐことができる。従って、薄膜回路層３と配線層１３との間で接続抵抗の増加や接続不良を防ぐことができる。
【００３４】
また、この第３実施形態では、図５（ｂ）に示すように、接続用基板１１の側面（即ち、表面と裏面との間に位置する面）１１ｃのうち、少なくとも導電性材料２０が成膜される面は、上側を向くようなテーパ状に形成されていることが好ましい。即ち、上記の側面１１ｃは、接続用基板１１の表面１１ａと広角に交差すると共にその裏面１１ｂと鋭角に交差するようなテーパ状に形成されていることが好ましい。図５（ｂ）では、このテーパ状の側面１１ｃが回路基板１の表面１ａ上に位置するように回路基板１と接続用基板１１とが配置されており、この側面１１ｃに沿って導電性材料２０が成膜されている。
このような構成であれば、接続用基板１１の側面１１ｃにおいて、導電性材料２０を一定の厚さ以上に成膜することが容易となる。つまり、この側面１１ｃにおける導電性材料２０の成膜特性を向上することができる。このため、導電性材料２０の断線を防止することができる。
【００３５】
また、この第３実施形態においても、接着剤により、回路基板１と接続用基板１１とが接合されていてもよい。例えば、図５（ｂ）に示すように、回路基板１の表面１ａと接続用基板１１の裏面１１ｂとの間に接着剤２３が塗布されていてもよい。第１実施形態で説明した接着剤２３と同様の効果を得ることができる。
【００３６】
（４）第４実施形態
また、本発明では、回路基板１上に接続用基板１１の一部が配置されているのではなく、その逆に、接続用基板１１の上に回路基板１の一部が配置されていてもよい。
図６（ａ）は、本発明の第４実施形態に係る電子デバイス４００の構成例を示す断面図である。図６（ｂ）は、電子デバイス４００を部分的に拡大して示した断面図である。図６（ｃ）は、電子デバイス４００の他の構成例を示す断面図である。
【００３７】
図６（ａ）に示すように、この例では、回路基板１の表面１ａは上側を向き、接続用基板１１の表面１１ａも上側を向いた状態で、接続用基板１１の表面１１ａ上に回路基板１の一部が配置されている。また、配線層１３は接続用基板１１の外側へは延出していない。そして、等方性の導電性材料２０は端子部３ａ上から配線層１３上にかけて成膜されており、この導電性材料２０によって配線層１３と端子部３ａとが電気的に接続されている。このような場合であっても、第１〜第３実施形態と同様、配線層１３と端子部３ａとを電気的に接続する際に、薄膜回路の端子部３ａに過大な負荷をかけずに済むため、端子部３ａの破壊を防ぐことができ、接続抵抗の増加や接続不良を防ぐことができる。
【００３８】
また、この第４実施形態では、図６（ｂ）に示すように、回路基板１の側面１ｃのうち、少なくとも導電性材料２０が成膜される面は、上側を向くようなテーパ状に形成されていることが好ましい。即ち、上記の側面１ｃは、回路基板１の表面１ａと広角に交差すると共にその裏面１ｂと鋭角に交差するようなテーパ状に形成されていることが好ましい。図６（ｂ）では、このテーパ状の側面１ｃが接続用基板１１の表面１１ａ上に位置するように回路基板１と接続用基板１１とが配置されており、この側面１ｃに沿って導電性材料２０が成膜されている。このような構成であれば、第３実施形態と同様、この側面１ｃにおける導電性材料２０の成膜特性を向上することができるため、導電性材料２０の断線を防止することができる。
【００３９】
さらに、この第４実施形態においても、接着剤により、回路基板１と接続用基板１１とが接合されていてもよい。例えば図６（ｂ）に示すように、接続用基板１１の表面１１ａと回路基板１の裏面１ｂとの間に接着剤２３が塗布されていてもよい。このような構成であれば、第１実施形態で説明した接着剤２３と同様の効果を得ることができる。
また、この第４実施形態では、例えば図６（ｃ）に示すように、接続用基板１１の表面１１ａ上に半導体チップ（ＩＣ）や、水晶振動子などの電子部品５０を取り付けてもよい。即ち、接続用基板１１を単に接続用（若しくは中継用）の基板に用いるのではなく、実装用の基板として用いてもよい。この場合は、薄膜回路層３と電子部品５０とを等方性の導電性材料２０及び配線層１３を介して電気的に接続することもできる。接続用基板（この例では、実装用基板）１１の表面１１ａ上に、薄膜回路層３を有する回路基板１と電子部品５０とを混載した電子デバイスを提供することができる。
【００４０】
（５）第５実施形態
また、本発明では、上記の第１、第２実施形態において、配線層１３の延出部１３ａであって薄膜回路層３の端子部３ａと重なる部分の形状を工夫して、導電性樹脂の密着性をより高めるようにしてもよい。
【００４１】
図７（ａ）〜図８（ｂ）は、延出部１３ａの形状の一例を示す平面図である。なお、図７（ａ）、図８（ａ）では、図面の複雑化を回避するために導電性材料２０の図示を省略している。例えば図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、延出部１３ａの端子部３ａと重なる部分の外周は、平面視で凹部３１を有してもよい。そして、導電性材料２０は、この凹部３１を埋め込むように成膜されていてもよい。或いは、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、延出部１３ａの端子部３ａと重なる部分は、端子部３ａを底面とする貫通穴３３を有してもよい。そして、導電性材料２０は、この貫通穴３３を埋め込むように成膜されていてもよい。
何れの場合も、端子部３ａと導電性材料２０との接触面積が増えるため、端子部３ａと導電性材料２０との間の接合力を高めることができる。
【００４２】
（６）その他
なお、上記の第１〜第５実施形態では、回路基板１と接続用基板１１の両方が、それぞれ薄く、可撓性を有し、軽量で柔軟性を備えた樹脂フィルムで構成されている場合について説明した。しかしながら、本発明において、回路基板１と接続用基板１１の種類はこれに限定されるものではない。薄膜回路層３が設けられる回路基板１は、例えば単結晶シリコンウェハー、石英ガラス基板、耐熱ガラス基板等でもよい。
【００４３】
また、配線層１３が設けられる接続用基板１１は、例えばガラスエポキシプリプレグのような、可撓性がないソリッド基板であってもよい。このような場合であっても、等方性の導電性材料２０を例えば、印刷、インクジェット法、メッキ、蒸着、塗布等の方法で成膜することにより、ＩＴＯ等の薄膜からなる端子部３ａに過大な負荷をかけずに済む。このため、端子部３ａの破壊を防ぐことができる。
【符号の説明】
【００４４】
１  回路基板、１ａ、１１ａ  表面、１ｂ、１１ｂ  裏面、１ｃ、１１ｃ  側面、３  薄膜回路層、３ａ  端子部、５、１５  保護膜、１１  接続用基板、１３  配線層、１３ａ  延出部、２０ （等方性の）導電性材料、２１樹脂カバー、２３  接着剤、３１  凹部、３３  貫通穴、５０  電子部品、１００、２００、３００、４００  電子デバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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