(57)【要約】【課題】シールド層を切断して個片化する際に、回路基板の切断面にシールド層の切粉や材料が不用意に付着することを回避することができる技術の提供を課題とする。【解決手段】電子回路モジュールの製造方法は、集合基板２０の各回路基板１１に電子部品１２を実装する電子部品実装工程Ｓ１００と、電子部品１２を封止する封止樹脂層１３を形成する封止樹脂層形成工程Ｓ２００と、封止樹脂層１３及び回路基板１１の一部を切削して第１溝１６を形成する第１溝形成工程Ｓ３００と、第１溝１６に導電性樹脂を充填してシールド層１４を形成するシールド層形成工程Ｓ４００と、回路基板１１の一部を切削して第２溝１７を形成する第２溝形成工程Ｓ５００と、第１溝１６の切削幅よりも狭く、かつ、第２溝１７の切削幅よりも狭い切削幅でシールド層１４を切削することにより、回路基板１１同士を分離して個片化する個片化工程Ｓ６００とを備える。【選択図】図４
2012069698.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンを有する回路基板が分離予定ラインを挟んで複数配列された集合基板について、前記各回路基板に電子部品を実装する電子部品実装工程と、
前記回路基板に実装された電子部品を封止する封止樹脂層を形成する封止樹脂層形成工程と、
前記集合基板の上面側から、前記分離予定ラインに沿って前記封止樹脂層を切削するとともに、前記回路基板の一部を切削することにより、前記封止樹脂層の上面から前記回路基板の内部にまで達する第１溝を形成する第１溝形成工程と、
前記第１溝に導電性樹脂を充填することにより、前記封止樹脂層の上面及び側面、前記回路基板の側面の一部にシールド層を形成するシールド層形成工程と、
前記集合基板の下面側から、前記分離予定ラインに沿って前記回路基板の一部を切削することにより、前記回路基板の下面から前記回路基板の内部にまで達する第２溝を形成する第２溝形成工程と、
前記第１溝の切削幅よりも狭く、かつ、前記第２溝の切削幅よりも狭い切削幅で前記分離予定ラインに沿って前記シールド層を切削することにより、前記集合基板に複数配列された回路基板同士を分離して、個々の電子回路モジュールとして個片化する個片化工程と
を備える電子回路モジュールの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記第２溝形成工程では、
前記第１溝形成工程で形成する第１溝の幅よりも幅が広い第２溝を形成することを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子回路モジュールの製造方法において、
前記第２溝形成工程では、
前記回路基板の下面から前記第１溝にまで達する第２溝を形成することを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【請求項４】
配線パターンを有する回路基板と、
前記回路基板上に実装された電子部品と、
前記電子部品を封止する封止樹脂層と、
前記回路基板の側面の下面側周縁部に形成され、前記回路基板の内側に向けて凹んだ凹み部と、
前記封止樹脂層の上面及び側面、前記回路基板の側面のうち前記凹み部を除いた部分に形成されたシールド層と
を備える電子回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板上に電子部品が実装された電子回路モジュールの製造方法及び電子回路モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の電子回路モジュールは、配線パターンを有する回路基板上に、半導体集積回路等の電子部品が実装されるものである。このとき、例えば、隣接する回路等から電磁波等の影響を受けて、電子回路モジュールが誤動作することを防止するために、電磁界や静電誘導の影響を阻止するためのシールド対策が行われる。
【０００３】
ここで、電子部品を覆うように金属製のカバーを装着することによって、電子回路モジュールをシールドする方法がある。
しかし、この方法では、回路基板の表面に金属製のカバーを装着するためのハンダ領域を確保する必要があり、電子回路モジュールを小型化する際には支障がある。
そこで、金属製のカバーを装着せずに、導電性樹脂で電子部品等を覆い、その導電性樹脂に金属製のカバーの役割を果たさせる方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１の電子回路モジュールは、導電性樹脂を用いて電子部品をシールドしているので、金属製のカバーを使用することなく、実装する電子部品に対するシールド性を発揮することができる。
また、この電子回路モジュールは、回路基板の端面と、導電性樹脂で形成されたシールド層の端面とを同一平面上に位置させているため、電子回路モジュール全体としての小型化と低コスト化を図ることができると考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２８８６１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した先行技術において、電子回路モジュールを製造する際には、まず、集合基板の上面側から封止樹脂層を分離ラインに沿ってハーフカットすることにより溝を形成する。ついで、その溝に導電性樹脂を流し込んでシールド層を形成する。最後に、ハーフカットのカット幅よりも狭いカット幅で分離ラインに沿って集合基板を切削することにより、個々の電子回路モジュールとして個片化している。
【０００７】
しかし、上述した先行技術では、最終的に個々の電子回路モジュールとして個片化する際に、分離ラインに沿ってシールド層を切削するとともに回路基板同士も切削する必要がある。そして、この切削は、ダイシングブレード（切削用の円盤形状の刃）を有するダイシングマシン等の切削機によって行うものであるが、シールド層を切削したときに、ダイシングブレードの側面にシールド層の切粉（切削によって発生する切り屑）が付着することがある。この場合、そのまま切削を継続すると、回路基板同士の断面部分（切断面）にシールド層の切粉が付着してしまうことがある。
【０００８】
また、ダイシングブレードの側面にシールド層の切粉が付着していなくても、ダイシングブレード自体がシールド層を切削する方向に押し込むことにより、シールド層の一部が押し出されて、回路基板の切断面にシールド層の材料が付着してしまうことがある。
【０００９】
ここで、シールド層は、その材料が導電性樹脂であるため、シールド層が回路基板の切断面に付着していると、電子回路モジュールを外部基板（マザーボード等）に実装する際には、意図しないショート（短絡）が発生するおそれがある。
【００１０】
そこで本発明は、シールド層を切断して個片化する際に、回路基板の切断面にシールド層の切粉や材料が不用意に付着することを回避することができる技術の提供を課題としたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するため、本発明は、第１に電子回路モジュールの製造方法を提供する。第２に本発明は、電子回路モジュールを提供する。
【００１２】
〔電子回路モジュールの製造方法〕
本発明の電子回路モジュールの製造方法は、集合基板から個々の電子回路モジュールを製造する方法であって、以下の工程を含むものである。
【００１３】
（１）電子部品実装工程
この工程では、配線パターンを有する回路基板が分離予定ラインを挟んで複数配列された集合基板について、各回路基板に電子部品を実装する。集合基板には、複数の回路基板が配列されているので、それぞれの回路基板に電子部品を実装する。
【００１４】
（２）封止樹脂層形成工程
この工程では、回路基板に実装された電子部品を封止する封止樹脂層を形成する。電子部品を封止樹脂層で封止することにより、回路基板に実装した電子部品を絶縁することができる。
【００１５】
（３）第１溝形成工程
この工程では、集合基板の上面側から、分離予定ラインに沿って封止樹脂層を切削するとともに、回路基板の一部を切削することにより、封止樹脂層の上面から回路基板の内部にまで達する第１溝を形成する。この第１溝は、封止樹脂層を切削した部分と、回路基板の一部を切削した部分とで構成され、厚み方向で封止樹脂層の上面から回路基板の一部にまで達する深さを有する溝である。集合基板の厚み方向において、封止樹脂層を完全に貫通しつつ、回路基板を完全に貫通しないでその一部を残すことによって第１溝が形成される。
【００１６】
（４）シールド層形成工程
この工程では、第１溝に導電性樹脂を充填することにより、封止樹脂層の上面及び側面、回路基板の側面の一部にシールド層を形成する。第１溝は、封止樹脂層を切削した部分と、回路基板の一部を切削した部分とで構成されているので、このように、封止樹脂層の上面及び側面、回路基板の側面の一部にシールド層が形成される。
【００１７】
（５）第２溝形成工程
この工程では、集合基板の下面側から、分離予定ラインに沿って回路基板の一部を切削することにより、回路基板の下面から回路基板の内部にまで達する第２溝を形成する。この第２溝は、回路基板の一部を切削した部分によって構成され、厚み方向で回路基板の下面から回路基板の内部にまで達する深さを有する溝である。集合基板の厚み方向において、分離予定ラインに沿って回路基板の一部を切削することにより、第２溝が形成される。
【００１８】
（６）個片化工程
この工程では、第１溝の切削幅よりも狭く、かつ、第２溝の切削幅よりも狭い切削幅で分離予定ラインに沿ってシールド層を切削することにより、集合基板に複数配列された回路基板同士を分離して、個々の電子回路モジュールとして個片化する。
【００１９】
第１溝形成工程の切削幅よりも狭い切削幅でシールド層を切削する理由は、シールド層の厚みを適正に保つためであり、個片化時に側面のシールド層がすべて切削されてしまうことを防止するためである。
第２溝形成工程の切削幅よりも狭い切削幅でシールド層を切削する理由は、回路基板の切断面にシールド層の切粉や材料を付着させないようにするためである。
【００２０】
このように、本発明の製造方法によれば、第２溝の切削幅よりも狭い切削幅でシールド層を切削するので、個片化工程にて個々の電子回路モジュールを個片化する際には、第２溝部分に位置する回路基板の端面がシールド層の端面よりも内側に位置することになる。したがって、切削機等によってシールド層を切削することにより、シールド層の切粉が発生したり、シールド層の一部が第２溝側に押し込まれたりした場合であっても、それらが第２溝の側面、すなわち、回路基板の側面に付着することがなくなる。これにより、シールド層を切断して個片化する際に、回路基板の切断面にシールド層の切粉や材料が不用意に付着することを回避することができる。
【００２１】
本発明の製造方法の構成として、第２溝形成工程では、第１溝形成工程で形成する第１溝の幅よりも幅が広い第２溝を形成することが好ましい。
【００２２】
この発明によれば、第１溝の幅よりも幅が広い第２溝が形成されるので、第１溝に対応して第２溝を形成する際に、第２溝を形成する場所の位置決め（精度合わせ）が容易となる。第１溝と第２溝との中心を完全に合わせたい場合であっても、製造工程上、若干のずれは発生する。このような場合に、第１溝の幅よりも幅が広い第２溝とすることにより、両者の溝の切削位置が多少ずれても、そのずれを許容できるようにしている。
【００２３】
これとは逆に、第１溝の幅よりも幅が狭い第２溝を形成すると、第２溝の形成時に、シールド層の切粉が、ダイシングブレードの側面に付着してしまい、それが第２溝の内面（回路基板の切断面）に付着してしまう可能性がある。
【００２４】
これに対して、本発明では、第１溝の幅よりも幅が広い第２溝としているので、第２溝の形成時には、シールド層の切粉は、ダイシングブレードの端面（切削対象物と刃とが接触する面）にのみ付着し、ダイシングブレードの側面には付着しないので、結果として回路基板の切断面にシールド層の切粉が付着することを防止できる。
【００２５】
本発明の製造方法の構成として、第２溝形成工程では、回路基板の下面から第１溝にまで達する第２溝を形成することが好ましい。
【００２６】
この発明によれば、第２溝は、第１溝にまで達する溝であるので、第２溝を形成した時点で回路基板は実質的に切断されている状態となる。実際には、隣り合う回路基板同士はシールド層にて結合されているので、この段階では回路基板がばらばらになることはない。このため、個片化時には、シールド層のみを切削すればよく製造が容易である。
また、第２溝を形成する際には、第１溝の内部に形成されたシールド層の一部も合わせて切削することができるので、個片化時に回路基板の切断面にシールド層の切粉や材料が不用意に付着することを確実に回避することができる。
【００２７】
〔電子回路モジュール〕
本発明の電子回路モジュールは、配線パターンを有する回路基板と、回路基板上に実装された電子部品と、電子部品を封止する封止樹脂層と、回路基板の側面の下面側周縁部に形成され、回路基板の内側に向けて凹んだ凹み部と、封止樹脂層の上面及び側面、回路基板の側面のうち凹み部を除いた部分に形成されたシールド層とを備えるものである。
【００２８】
本発明では、回路基板の側面の下面側周縁部に、回路基板の内側に向けて凹んだ凹み部が形成されている。そして、回路基板の側面のうち凹み部を除いた部分に、シールド層が形成されている。ここで、シールド層は、グランドパターン（接地導体）と接続されることにより、グランドとして機能するため、グランドパターン以外の配線パターンとシールド層とは接触してはならない。このため、回路基板の配線パターンや外部基板の配線パターンの配置によっては、シールド層は、回路基板の下面より極僅かに上面側に引っ込んでいた方がよい場合がある。
【００２９】
本発明では、このような場合に、この凹み部を形成することで、僅かな引っ込みを実現することができ、各種配線パターンをその凹み部で逃げることができる。また、凹み部を形成することで電子回路モジュールの軽量化を図ることができる。さらに、凹み部を形成する際には、シールド層とともに回路基板を切削して凹み部を形成することができ、製造方法の効率化に寄与することができる。
【００３０】
このように、本発明によれば、回路基板の側面を極僅かの隙間（凹み部）を除いてシールドすることにより、回路基板の側面を充分にシールドするだけでなく、複雑化した配線パターンの配置等にも対応できるという格別の効果がある。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、シールド層を切断して個片化する際に、回路基板の切断面にシールド層の切粉や材料が不用意に付着することを回避することができるので、電子回路モジュールを外部基板に実装した際には、意図しないショートが発生することを抑止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施形態に係る製造方法によって製造される電子回路モジュールを示す図である。
【図２】電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図である（１／２）。
【図３】電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図である（２／２）。
【図４】電子回路モジュールの製造方法について説明する工程図である。
【図５】比較例の電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の電子回路モジュールの製造方法及び電子回路モジュールについて説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る製造方法によって製造される電子回路モジュールを示す図である。図１中（Ａ）は、電子回路モジュールの斜視図を示しており、図１（Ｂ）は、図１中（Ａ）のＢ−Ｂ断面図を示しており、図１中（Ｃ）は、図１中（Ｂ）のＣ部分拡大図を示している。なお、これらの図においては、電子回路モジュールの内部構造や各部の配置関係の理解を容易にするため、各部の寸法を誇張して表している。また、以下に示す図面も同様である。
【００３４】
電子回路モジュール１０は、例えば高周波帯の無線通信機能等（無線ＬＡＮ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ：登録商標）を有した高周波モジュール（ユニット）であり、このような電子回路モジュール１０は、例えば携帯電話機や携帯情報端末、ノート型パソコン等に内蔵して設けられる。以下、電子回路モジュール１０の各部位の構成について説明する。
【００３５】
〔回路基板〕
電子回路モジュール１０は、この電子回路モジュール１０の土台となる回路基板１１を備えている。
回路基板１１は、複数の接続端子を有する配線パターン１１ａ及びグランドパターン１１ｂを備える基板である。また、回路基板１１は、多層構造を有する形態であり、回路基板１１の内層にも配線パターン及びグランドパターンが設けられている。
【００３６】
回路基板１１には、図１中（Ｃ）に示すように、回路基板１１の側面の下面側周縁部に凹み部１１ｃが形成されている。凹み部１１ｃは、回路基板１１の内側に向けて凹んで（窪んで）形成されている。凹み部１１ｃは、回路基板１１の下面側から上面側に向けて、かつ、回路基板１１の側面側から内側に向けて凹んだ部分である。
【００３７】
〔電子部品〕
回路基板１１には、電子部品１２が実装されている。
電子部品１２は、回路基板１１上に実装された電子的な要素であり、例えば、回路基板１１上に実装された半導体集積回路等の部品である。
実装される電子部品１２としては、例えば、集積回路をパッケージした高周波チップやＦＥＴアレイ、チップ抵抗やチップコイル、チップコンデンサ等の受動素子を挙げることができるが、その他のものであってもよい。
【００３８】
〔封止樹脂層〕
電子回路モジュール１０は、封止樹脂層１３を備えている。
封止樹脂層１３は、電子部品１２を上面から覆うことによって、その電子部品１２を封止する樹脂の層であり、シリコン系やエポキシ系の絶縁性樹脂により形成される。
【００３９】
〔シールド層〕
電子回路モジュール１０には、その外側表面にシールド層１４が形成されている。
シールド層１４は、封止樹脂層１３の上面及び側面、回路基板１１の側面のうち凹み部１１ｃを除いた部分に形成され、電子部品１２に対する電磁界や静電誘導の影響を阻止する層である。
【００４０】
シールド層１４は、金属性の導電性材料が含まれた樹脂の層であり、このシールド層１４を回路基板１１のグランドパターン１１ｂに接続することにより、シールド層１４がグランドとして機能するようになる。これにより、シールド層１４に対して、シールド効果（外部からのノイズの遮断、外部への不要電波の輻射）を発揮させることができる。
【００４１】
次に、図２〜図４を参照しながら、一実施形態による電子回路モジュールの製造方法について説明する。
図２及び図３は、電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図であり、図４は、電子回路モジュールの製造方法について説明する工程図である。
【００４２】
〔集合基板〕
まず、集合基板２０について説明する。図２中（Ａ）に示すように、集合基板２０は、配線パターンを有する回路基板１１が、分離予定ライン１５を挟んでマトリクス状（格子状）に複数配列された基板である。
分離予定ライン１５は、後述する個片化時の目安として各回路基板１１の間に存在する線である。
電子回路モジュール１０の製造方法は、以下の各工程を実行することで進行する。
【００４３】
〔電子部品実装工程；図２中（Ｂ）及び図４中ステップＳ１００参照〕
この工程では、集合基板２０の各回路基板１１に電子部品１２を実装する。集合基板２０には、複数の回路基板１１が配列されているので、それぞれの回路基板１１に電子部品１２を実装する。電子部品１２は、ワイヤボンデリング接続やフリップチップ接続等によって、回路基板１１に形成された配線パターン等と電気的に接続される。
【００４４】
〔封止樹脂層形成工程；図２中（Ｃ）及び図４中ステップＳ２００参照〕
この工程では、回路基板１１に実装された電子部品１２を封止する封止樹脂層１３を形成する。封止樹脂層１３は、封止樹脂層１３用の樹脂を用いて成形機で圧力をかけながら成形する。
また、封止樹脂層１３は、電子部品１２の上面にのみ形成するのではなく、電子部品１２を含めて集合基板２０（回路基板１１）の上方全体に形成する。電子部品１２を封止樹脂層１３で封止することにより、回路基板１１に実装した電子部品１２を絶縁することができる。
【００４５】
〔第１溝形成工程；図２中（Ｄ）及び図４中ステップＳ３００参照〕
この工程では、集合基板２０の上面側から、分離予定ライン１５に沿って封止樹脂層１３を切削するとともに、回路基板１１の一部を切削することにより（図中、矢印Ｄ参照）、封止樹脂層１３の上面から回路基板１１の内部にまで達する第１溝１６を形成する。
【００４６】
この第１溝１６は、封止樹脂層１３を切削した部分と、回路基板１１の一部を切削した部分とで構成され、厚み方向で封止樹脂層１３の上面から回路基板１１の一部（略中央部分）にまで達する深さを有する溝である。集合基板２０の厚み方向において、封止樹脂層１３を完全に貫通しつつ、回路基板１１を完全に貫通しないでその一部を残すことによって第１溝１６が形成される。
【００４７】
このとき、回路基板１１の内部に形成されたグランドパターン１１ｂは、その一部が回路基板１１の比較的上層部分に配置されているので、第１溝１６を形成する際には、グランドパターン１１ｂも同時に切削される。
【００４８】
ここで、溝の切削は、ダイシングブレードを有するダイシングマシン等の切削機によって行う。また、切削幅の調整は、切削に使用するダイシングブレードの刃幅を変更することにより調整可能である。なお、以下の溝の切削に関しても同様である。
本実施形態では、第１溝１６の幅寸法は、２００μｍ程度になるようにダイシングブレードの刃幅を調整している。
【００４９】
〔シールド層形成工程；図３中（Ｅ）及び図４中ステップＳ４００参照〕
この工程では、第１溝１６に導電性樹脂を充填することにより、封止樹脂層１３の上面及び側面、回路基板１１の側面の一部にシールド層１４を形成する。導電性樹脂のシールド層１４を形成する材料としては、導電性を有する材料であればよく、金属性の導電性材料を含む樹脂材料を第１溝１６に流し込んで形成する。
このとき、シールド層１４は、回路基板１１のグランドパターン１１ｂに接続され、シールド層１４は、グランドとして機能するようになる。
【００５０】
〔第２溝形成工程；図３中（Ｆ）及び図４中ステップＳ５００参照〕
この工程では、集合基板２０の下面側から、分離予定ライン１５に沿って回路基板１１の一部を切削することにより（図中、矢印Ｆ参照）、回路基板１１の下面から回路基板１１の内部に形成された第１溝１６にまで達する第２溝１７を形成する。
【００５１】
この第２溝１７は、回路基板１１の一部を切削した部分によって構成され、厚み方向で回路基板１１の下面から回路基板１１の内部に形成された第１溝１６にまで達する深さを有する溝である。
集合基板２０の厚み方向において、分離予定ライン１５に沿って回路基板１１の一部を切削することにより、第２溝１７が形成される。なお、第２溝１７は、裏面側から切削することが困難であれば、作業をしやすくするために、集合基板２０を全体的にひっくり返して表面側から切削してもよい。
【００５２】
また、この工程では、第１溝形成工程で形成した第１溝１６の幅よりも幅が広い第２溝１７を形成する。このシールド層１４の切削は、上述した第１溝形成工程と同様に、図示しない切削機で行い、切削幅の調整は、切削に使用するダイシングブレードの刃幅を変更することにより行う。仮に、第１溝１６の幅寸法が２００μｍ程度であれば、本工程の切削幅の寸法は、３００μｍ程度とすればよい。
【００５３】
これにより、回路基板１１の側面の下面側周縁部が切削され、回路基板１１の側面に凹み部１１ｃが形成される（図１参照）。凹み部１１ｃの寸法は、使用する回路基板１１の配線パターンや外部基板の配線パターン等の都合により、任意に変更することができる。
【００５４】
また、この工程では、回路基板１１の下面の一部だけでなく、第１溝１６に入り込んだ導電性樹脂のシールド層１４の一部も切削する。
【００５５】
〔個片化工程；図３中（Ｇ）及び図４中ステップＳ６００参照〕
この工程では、第１溝形成工程で形成した第１溝１６の切削幅よりも狭く、かつ、第２溝形成工程で形成した第２溝１７の切削幅よりも狭い切削幅で分離予定ライン１５に沿ってシールド層１４を切削する。シールド層１４の切削は、第２溝形成工程と同様に、集合基板２０の下面側から行う（図中、矢印Ｇ参照）。これにより、集合基板２０に複数配列された回路基板１１同士を分離して、個々の電子回路モジュール１０として個片化することができる。
【００５６】
シールド層１４の切削は、上述した各溝形成工程と同様に、図示しない切削機で行い、切削幅の調整は、使用するドリルの径を変更することより行う。仮に、第１溝１６の幅寸法が２００μｍ程度であれば、本工程の切削幅の寸法は、１００μｍ程度とすればよい。
そして、これらの工程を経て、図１に示す電子回路モジュール１０が完成する。
【００５７】
〔比較例〕
図５は、比較例の電子回路モジュールの製造方法について説明する模式図である。
比較例の電子回路モジュールの製造方法は、図５（Ａ）に示すように、第１溝１６を形成してシールド層１４を形成するまでは、上述した実施形態と同様に進行する。図５（Ａ）に示す状態は、上述した実施形態のシールド層形成工程（図３中（Ｅ）及び図４中ステップＳ４００参照）に相当する。
【００５８】
そして、比較例の電子回路モジュールの製造方法では、上述した実施形態のように、第２溝形成工程（図４中ステップＳ５００参照）が存在しない。すなわち、上述した実施形態のように第２溝１７は形成せずに、図５（Ｂ）に示すように、シールド層１４の上面側から、分離予定ライン１５に沿ってシールド層１４を切削することにより、集合基板２０に複数配列された回路基板１１を個片化している（図５中矢印Ｂ参照）。
【００５９】
このため、比較例の製造方法では、個片時にダイシングブレードの側面にシールド層１４の切粉が付着していると、図５（Ｃ）に示すように、回路基板１１の切断面にシールド層１４の切粉が付着してしまうことがある（図５中矢印Ｄ参照）。
【００６０】
また、ダイシングブレードの側面にシールド層１４の切粉が付着していなくても、ダイシングブレード自体がシールド層１４を押し込むことにより、シールド層１４の一部が押し出されて、回路基板１１の切断面にシールド層１４の材料が付着してしまうことがある（図５中矢印Ｄ参照）。
【００６１】
この場合、シールド層１４は、その材料が導電性樹脂であるため、シールド層１４が回路基板１１の切断面に付着していると、電子回路モジュールを外部基板（マザーボード等）に実装した際には、意図しないショート（短絡）が発生するおそれがある。
【００６２】
ここで、仮に、シールド層１４に銀を含有させた場合、銀は伸びやすい材質であることから、回路基板１１の切断面にシールド層１４の切粉等が付着しやすくなってしまう。そして、回路基板１１の切断面に銀が一旦付着した場合には、その切断面に銀がこびりついてしまうので、洗浄することも困難であり、後にこすり落とすこともできなくなってしまう。
【００６３】
これに対して、本実施形態の製造方法によれば、第２溝１７を形成してから個々の電子回路モジュール１０に個片化するので、回路基板１１の切断面をシールド層１４の端面よりも内側に寄せることができ、個片化時に回路基板１１の切断面に金属が付着することを回避することができる。したがって、電子回路モジュール１０をマザーボード等の外部基板に実装する際には、意図しないショートが発生するおそれがなくなり、その結果として、より高品質な電子回路モジュール１０を提供することができる。
【００６４】
また、第１溝１６の幅よりも幅が広い第２溝１７を形成するので、第１溝１６に対応させて第２溝１７を形成する際には、第２溝１７を形成する場所の位置決め（精度合わせ）が容易となる。第１溝１６と第２溝１７との中心を完全に合わせたい場合であっても、製造工程上、若干のずれは発生する。このような場合に、第１溝１６の幅よりも幅が広い第２溝１７とすることにより、両者の溝の切削位置が多少ずれても、そのずれを許容（吸収）できるようにしている。
【００６５】
さらに、第１溝１６の幅よりも幅が広い第２溝１７としているので、第２溝１７の形成時には、シールド層１４の切粉は、ダイシングブレードの端面（シールド層１４とダイシングブレードとが接触する面）にのみ付着し、ダイシングブレードの側面には付着しないので、結果として回路基板１１の切断面にシールド層１４の切粉が付着することを防止することができる。
【００６６】
さらにまた、第２溝１７は、第１溝１６にまで達する溝であるので、第２溝１７を形成した時点で、回路基板１１は実質的に切断されている状態となる。実際には、隣り合う回路基板１１同士は、シールド層１４にて結合されているのでばらばらになることはない。このため、個片化時には、シールド層１４のみを切削すればよく製造が容易である。
【００６７】
その上、第２溝１７を形成する際には、第１溝１６の内部に形成されたシールド層１４の一部も切削することができるので、個片化前に予めシールド層１４の一部を切削しておくことにより、回路基板１１の切断面にシールド層１４の切粉や材料が不用意に付着することを確実に防止することができる。
【００６８】
一方、本実施形態の電子回路モジュール１０は、回路基板１１の側面の下面側周縁部に、回路基板１１の内側に向けて凹んだ凹み部１１ｃが形成されている。そして、回路基板１１の側面のうち凹み部１１ｃを除いた部分に、シールド層１４が形成されている。ここで、シールド層１４は、グランドパターン１１ｂと接続されることにより、グランドとして機能するため、グランドパターン１１ｂ以外の配線パターンとシールド層１４とは接触してはならない。
【００６９】
このため、回路基板１１の配線パターンや外部基板の配線パターンの配置によっては、シールド層１４は、回路基板１１の下面より極僅かに上面側に引っ込んでいた方がよい場合がある。本実施形態では、このような場合に、この凹み部１１ｃを形成することで、僅かな引っ込みを実現することができ、各種配線パターンをその凹み部１１ｃで逃げることができる。
【００７０】
また、凹み部１１ｃを形成することで電子回路モジュール１０の軽量化を図ることができる。さらに、凹み部１１ｃを形成する際には、シールド層１４とともに回路基板１１を切削して凹み部１１ｃを形成することができ、製造方法の効率化に寄与することができる。
【００７１】
このように、本実施形態の電子回路モジュール１０によれば、回路基板１１の側面を極僅かの隙間（凹み部１１ｃ）を除いてシールドすることにより、回路基板１１の側面を充分にシールドするだけでなく、複雑化した配線パターンの配置等にも対応できるという格別の効果がある。
【００７２】
本発明は、上述した一実施形態に制約されることなく、各種の変形や置換を伴って実施することができる。また、一実施形態で挙げた電子回路モジュール１０や集合基板２０の構成はいずれも好ましい例示であり、これらを適宜変形して実施可能であることはいうまでもない。
【００７３】
上述した実施形態では、第１溝１６にまで達する第２溝１７を形成する例で説明したが、第１溝１６にまで達しない第２溝を形成してもよい。この場合でも、第２溝は、個片化時の切削幅よりも幅広な溝として形成されるため、上述した実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００７４】
上述した実施形態において、個片化工程では、回路基板１１の裏面側からシールド層１４を切削する例で説明したが、回路基板１１の表面側からシールド層１４を切削して個片化してもよい。
【００７５】
各溝や各切削幅の寸法は、上述した実施形態で示した値に限定されることなく、適宜変更することができる。
【符号の説明】
【００７６】
１０  電子回路モジュール
１１  回路基板
１１ａ  配線パターン
１１ｂ  グランドパターン
１１ｃ  凹み部
１２  電子部品
１３  封止樹脂層
１４  シールド層
１５  分離予定ライン
１６  第１溝
１７  第２溝
２０  集合基板
【図１】
2012069698.tif 000003
【図２】
2012069698.tif 000004
【図３】
2012069698.tif 000005
【図４】
2012069698.tif 000006
【図５】
2012069698.tif 000007