(57)【要約】【課題】基板表面の段差の発生を抑制すると共に、製造工程を簡略化し、結合欠陥等の発生を防止した高品質な半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の製造方法は、半導体基板のＢＯＸ酸化膜形成予定領域の外周部分に、ＢＯＸ酸化膜形成予定領域よりも深くトレンチ開口部を設ける工程と、ＢＯＸ酸化膜形成予定領域の上部を開口したレジストマスクを形成する工程と、ＢＯＸ酸化膜形成予定領域の上部をエッチングする工程と、ＢＯＸ酸化膜形成予定領域に所望の深さまで酸素イオンを注入する工程と、レジストマスクを除去する工程と、半導体基板を熱処理し、ＢＯＸ酸化膜を形成する工程とを備える。【選択図】図１Ｈ
2012094710.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上において予め定められたＢＯＸ酸化膜形成予定領域の上部をエッチングするエッチング工程と、
前記ＢＯＸ酸化膜形成予定領域に所望の深さまで酸素イオンを注入するイオン注入工程と、
前記エッチング工程および前記イオン注入工程の後に、前記半導体基板を熱処理し、前記ＢＯＸ酸化膜を形成するアニール工程とを備える、半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング工程の後に、前記酸素イオン注入工程が実行されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング工程および前記イオン注入工程を実行する前に前記ＢＯＸ酸化膜形成予定領域の上部を開口したレジストマスクを形成するマスク形成工程と、
前記エッチング工程および前記イオン注入工程を実行した後に前記レジストマスクを除去する工程とをさらに備え、
前記エッチング工程および前記イオン注入工程は、各々前記レジストマスクを用いて前記エッチングおよび前記イオンを注入する処理を行うことを特徴とする、請求項１または２の何れか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記レジストマスク形成工程において、前記レジストマスクを、前記酸素イオンを遮断する厚さに形成することを特徴とする、請求項３に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記エッチングする工程において、前記熱処理により前記ＢＯＸ酸化膜が隆起する高さ相当だけ、前記ＢＯＸ酸化膜形成予定領域の上部をエッチングすることを特徴とする、請求項１から４の何れか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記半導体基板のＢＯＸ酸化膜形成予定領域の側面外周部分に、前記ＢＯＸ酸化膜形成予定領域よりも深くトレンチ開口部を設けるトレンチ形成工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１から５の何れか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項７】
前記トレンチ形成工程において、前記トレンチ開口部のトレンチ幅を、前記熱処理により形成されるトレンチ側壁酸化膜の膜厚の２倍以下に設定することを特徴とする、請求項６に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項８】
前記アニール工程において、前記半導体基板を酸素雰囲気中にて熱処理することを特徴とする、請求項１から７の何れか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項９】
前記アニール工程において、前記半導体基板を窒素雰囲気中にて熱処理した後で、酸素雰囲気中にて熱処理することを特徴とする、請求項１から７の何れか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体基板には、Ｓｉウエハが用いられることを特徴とする、請求項１から９の何れか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体基板には、ＳＯＩウエハが用いられることを特徴とする、請求項１から９の何れか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から１１の何れか１項に記載の製造方法により製造された、半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の製造方法、及びその製造方法により製造された半導体基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板表面の段差の発生を抑制する半導体基板の製造方法が開示されている。特許文献１に開示の製造方法では、Ｓｉ基板に酸素イオンを注入後に、ＢＯＸ酸化膜を形成しない領域の基板表面にＢＯＸ酸化膜の厚みより厚い酸化膜を形成し、ＢＯＸ酸化膜を形成する領域の基板表面にレジスト層を形成した後で、酸化膜がない状態にしてからアニール処理を行い、アニール処理後に基板表面の酸化膜を除去していた。これにより、ＢＯＸ酸化膜の膨張を、基板に形成された酸化膜の厚膜部分と薄膜部分との差として吸収し、ＢＯＸ酸化膜の膨張により基板表面に段差が生じるのを抑制していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１９３１８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示の製造方法では、ＢＯＸ酸化膜を形成する領域の基板表面にレジストを形成し、ＢＯＸ酸化膜を形成しない領域の基板表面の酸化膜の厚みをＢＯＸ酸化膜の厚みに合わせて調整し、アニール処理後に表面の酸化膜を除去する必要があり、工程が複雑になるという課題があった。
【０００５】
それ故に、本発明の目的は、基板表面の段差の発生を抑制すると共に、製造工程を簡略化し、結合欠陥等の発生を防止した高品質な半導体基板の製造方法及びその製造方法により製造された半導体基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、半導体基板の製造方法に向けられている。そして、上記目的を達成するために、本発明の半導体基板の製造方法は、ＢＯＸ酸化膜形成予定領域の上部をエッチングするエッチング工程と、ＢＯＸ酸化膜形成予定領域に所望の深さまで酸素イオンを注入するイオン注入工程と、エッチング工程およびイオン注入工程を半導体基板を熱処理し、ＢＯＸ酸化膜を形成する工程とを備える。
【発明の効果】
【０００７】
以上のように、本発明の半導体基板の製造方法によれば、ＢＯＸ酸化膜形成時（熱処理時）におけるＢＯＸ酸化膜形成予定領域の膨張、隆起を考慮してＢＯＸ酸化膜形成予定領域上部を予めエッチングしておくことによって、複雑なマスク調整を必要とせず、Ｓｉウエハ表面に段差が生じるのを抑制することができる。
【０００８】
また、ＢＯＸ酸化膜形成予定領域に予めエッチングを行っておくことにより酸素イオンを注入する領域までの深さが浅くなり、酸素イオンを注入する際のエネルギーを小さくすることができる。また、エッチング工程と、イオン注入工程の２つの工程でレジストマスクを共有すれば、製造時の工程数を減らすことができる。これにより、基板表面の段差の発生を抑制すると共に、製造工程を簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】本発明の第１の実施形態に係るＳｉウエハの断面を示す図
【図１Ｂ】本発明の第１の実施形態に係るトレンチ開口部１１を設けたＳｉウエハの断面を示す図
【図１Ｃ】本発明の第１の実施形態に係るレジストマスク１２が形成されたＳｉウエハの断面を示す図
【図１Ｄ】本発明の第１の実施形態に係るエッチング後のＳｉウエハの断面を示す図
【図１Ｅ】本発明の第１の実施形態に係る酸素イオン１３が注入されたＳｉウエハの断面を示す図
【図１Ｆ】本発明の第１の実施形態に係るレジストマスク１２を除去したＳｉウエハの断面を示す図
【図１Ｇ】本発明の第１の実施形態に係る酸素雰囲気中にて熱処理されたＳｉウエハの断面を示す図
【図１Ｈ】本発明の第１の実施形態に係るトレンチ分離が形成されたＳｉウエハの断面を示す図
【図１Ｉ】本発明の第１の実施形態に係る窒素雰囲気中にて熱処理されたＳｉウエハの断面を示す図
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体基板の製造方法の各工程を示すフローチャーチ
【図３Ａ】本発明の第２の実施形態に係るＳＯＩウエハの断面を示す図
【図３Ｂ】本発明の第２の実施形態に係るトレンチ開口部２１を設けたＳＯＩウエハの断面を示す図
【図３Ｃ】本発明の第２の実施形態に係るレジストマスク２２が形成されたＳＯＩウエハの断面を示す図
【図３Ｄ】本発明の第２の実施形態に係るエッチング後のＳＯＩウエハの断面を示す図
【図３Ｅ】本発明の第２の実施形態に係る酸素イオン２３が注入されたＳＯＩウエハの断面を示す図
【図３Ｆ】本発明の第２の実施形態に係るレジストマスク２２を除去したＳＯＩウエハの断面を示す図
【図３Ｇ】本発明の第２の実施形態に係る酸素雰囲気中にて熱処理されたＳＯＩウエハの断面を示す図
【図３Ｈ】本発明の第２の実施形態に係るトレンチ分離が形成されたＳＯＩウエハの断面を示す図
【図３Ｉ】本発明の第２の実施形態に係る窒素雰囲気中にて熱処理されたＳＯＩウエハの断面を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１の実施形態）
第１の実施形態では、半導体基板にＳｉウエハ（Silicon Wafer）を用いた例を説明する。図１Ａ〜１Ｉは、本発明の第１の実施形態に係る半導体基板の製造方法の一例を示す図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る半導体基板の製造方法の各工程を示すフローチャーチである。以下、図１Ａ〜１Ｉ及び図２を用いて、本発明の第１の実施形態に係る半導体基板の製造方法について説明する。図１Ａは、加工前のＳｉウエハの断面を示す図である。まず、図１Ａに示すＳｉウエハの所定位置に、図１Ｂに示すようなトレンチ開口部１１を設ける（図２：ステップＳ１１参照）。図１Ｂは、トレンチ開口部１１を設けたＳｉウエハの断面を示す図である。具体的には、図１Ｂに示すように、ＢＯＸ（buried oxide）酸化膜を形成する予定領域（以下、ＢＯＸ酸化膜形成予定領域と記す）の外周部分に、ＢＯＸ酸化膜形成予定領域よりも深くトレンチ開口部１１を設ける。Ｓｉウエハにトレンチ開口部１１を設けるのは、ＢＯＸ酸化膜を形成する際に、形成したＢＯＸ酸化膜とＳｉウエハとの間に発生する応力を開放し、スリップ等の結晶欠陥が発生することを抑制するためである。
【００１１】
次に、図１Ｂに示すトレンチ開口部１１を設けたＳｉウエハに対して、図１Ｃに示すようなレジストマスク１２を形成する（図２：ステップＳ１２参照）。図１Ｃは、レジストマスク１２が形成されたＳｉウエハの断面を示す図である。具体的には、図１Ｂに示すＳｉウエハに対して、図１Ｃに示すようなＢＯＸ酸化膜形成予定領域の上部を開口したレジストパターニングを実施し、レジストマスク１２を形成する。なお、レジストマスク１２は、後に注入する酸素イオンを遮断できる厚さに形成する。
【００１２】
次に、図１Ｃに示すＳｉウエハに対して、図１Ｄに示すように、ＢＯＸ酸化膜形成予定領域上部を、ＢＯＸ酸化膜形成時の膨張により隆起する高さ相当だけエッチングする（図２：ステップＳ１３参照）。図１Ｄは、エッチング後のＳｉウエハの断面を示す図である。図１Ｄに示すように、Ｓｉウエハの表面を予めエッチングしておくことで、複雑なマスク調整を必要とせずに、熱処理後の酸化領域の体積膨張によって、Ｓｉウエハ表面に段差が生じるのを抑制することができる。Ｓｉウエハをエッチングする際の深さと、熱処理後にＳｉウエハが隆起する高さとの関係については後に説明する。
【００１３】
次に、図１Ｄに示すＳｉウエハに対して、図１Ｅに示すように、酸素イオン１３をＢＯＸ酸化膜形成予定領域に所望の深さまで注入する（図２：ステップＳ１４参照）。図１Ｅは、酸素イオン１３が注入されたＳｉウエハの断面を示す図である。図１Ｅに示すように、ＢＯＸ酸化膜形成予定領域上部を予めエッチングすることで、酸素イオンを注入する領域までの深さが浅くなるので、酸素イオンを注入する際のエネルギーを小さくすることができる。また、この際に注入する酸素イオン１３の量は、形成するＢＯＸ酸化膜１５の膜厚に応じて調整される。
【００１４】
次に、図１Ｅに示すＳｉウエハから、図１Ｆに示すようにレジストマスク１２を除去する（図２：ステップＳ１５参照）。図１Ｆは、レジストマスク１２を除去したＳｉウエハの断面を示す図である。レジストマスク１２は、ＢＯＸ酸化膜形成予定領域上部をエッチングする工程と、酸素イオンを注入する工程との２つの工程で共有できるので、製造時の工程数を減らすことができる。
【００１５】
次に、図１Ｆに示すＳｉウエハを酸素雰囲気中にて熱処理（アニール処理）する（図２：ステップＳ１６参照）。図１Ｇは、酸素雰囲気中にて熱処理されたＳｉウエハの断面を示す図である。図１Ｇに示すように、熱処理されたＳｉウエハには、トレンチ側壁酸化膜１４と同時に、注入された酸素イオン１３がＳｉと結合し、ＢＯＸ酸化膜１５が形成される。
【００１６】
また、トレンチ開口部１１のトレンチ幅を、酸素雰囲気中での熱処理により形成されるトレンチ側壁酸化膜１４の膜厚の２倍以下に設定することで、図１Ｈに示すように、熱処理工程にてトレンチ開口部１１が酸化膜で埋まり、トレンチ分離を形成することが可能となる。図１Ｈは、トレンチ分離が形成されたＳｉウエハの断面を示す図である。図１Ｈに示すように、一度の酸素雰囲気中での熱処理により、酸化膜で覆われた高耐圧領域（すなわち、トレンチ側壁酸化膜１４、及びＢＯＸ酸化膜１５）を形成することができる。
【００１７】
なお、図１Ｆに示すＳｉウエハを酸素雰囲気中にて熱処理する前に、窒素雰囲気中にて熱処理（アニール処理）し、図１Ｉに示すように、事前にＢＯＸ酸化膜１５を形成してもよい。図１Ｉは、窒素雰囲気中での熱処理により、ＢＯＸ酸化膜１５が形成されたＳｉウエハの断面を示す図である。窒素雰囲気中にて熱処理した後で、図１Ｉに示すＳｉウエハを酸素雰囲気中で熱処理し、トレンチ側壁酸化膜１４を形成する。
【００１８】
また、図１Ｄにおいて、Ｓｉウエハをエッチングする際の深さと、熱処理後にＳｉウエハが隆起する高さとの関係について説明する。例えば、Ｓｉウエハの表面から１μｍ下に厚さ０．５μｍのＢＯＸ酸化膜を形成する場合、酸素原子1018/ｃｍ2を800KeVのエネルギーで打ち込むと、Ｓｉウエハ表面から１μｍの深さに酸素原子が打ち込まれる。その後、１３００℃以上で１０−２４時間程度加熱すると、０．５μｍ程度のＢＯＸ酸化膜が形成される。ＳｉＯ2の体積はＳｉの約２倍なので、Ｓｉウエハの表面は０．２５μｍ隆起することになる。よって、熱処理前にＳｉウエハの表面を予め０．２５μｍエッチングしておくことで、熱処理後にＳｉウエハ表面に段差が生じるのを抑制することができる。
【００１９】
以上のように、本発明の第１の実施形態に係る半導体基板の製造方法によれば、Ｓｉウエハにトレンチ開口部１１を設けることで、ＢＯＸ酸化膜１５を形成する際に、ＢＯＸ酸化膜１５とＳｉウエハとの間で発生する応力を開放し、スリップ等の結晶欠陥を抑制することができる。また、ＳｉウエハのＢＯＸ酸化膜形成予定領域上部を、ＢＯＸ酸化膜形成時の膨張により隆起する高さ相当だけ予めエッチングしておくことで、複雑なマスク調整を必要とせず、Ｓｉウエハ表面に段差が生じるのを抑制することができる。
【００２０】
また、エッチングにより酸素イオンを注入する領域までの深さが浅くなり、酸素イオンを注入する際のエネルギーを小さくすることができる。また、エッチングする工程と、酸素イオンを注入する工程の２つの工程でレジストマスクを共有できるので、製造時の工程数を減らすことができる。これにより、基板表面の段差の発生を抑制すると共に、製造工程を簡略化することができる。
【００２１】
（第２の実施形態）
第２の実施形態では、半導体基板にＳＯＩウエハ（Silicon On Insulator Wafer）を用いた例を説明する。図３Ａ〜３Ｉは、本発明の第２の実施形態に係る半導体基板の製造方法の一例を説明する図である。図２のフォローチャートを第２の実施形態の説明に援用する。以下、図３Ａ〜３Ｉ及び図２を用いて、本発明の第１の実施形態に係る半導体基板の製造方法について説明する。図３Ａは、加工前のＳＯＩウエハの断面を示す図である。図３Ａに示すように、ＳＯＩウエハは、ＳＯＩ層１６、ＢＯＸ酸化膜１７、支持基板１８、及び裏面酸化膜１９が積層された構造である。まず、図３Ａに示すＳＯＩウエハの所定位置に、図３Ｂに示すようなトレンチ開口部２１を設ける（図２：ステップＳ１１参照）。図３Ｂは、トレンチ開口部２１を設けたＳＯＩウエハの断面を示す図である。具体的には、図３Ｂに示すように、ＢＯＸ酸化膜形成予定領域の外周部分に、ＢＯＸ酸化膜１７まで到達するようなトレンチ開口部２１を設ける。ＳＯＩウエハにトレンチ開口部２１を設けるのは、ＢＯＸ酸化膜を形成する際に、形成したＢＯＸ酸化膜とＳＯＩウエハとの間に発生する応力を開放し、スリップ等の結晶欠陥が発生することを抑制するためである。
【００２２】
この際、ＢＯＸ酸化膜１７の膜厚を薄く（例えば１ｕｍ以下に）しておくと、ウエハプロセス流動中のウエハ帯電による搬送異常等を抑制できる。なお、ＢＯＸ酸化膜１７の膜厚とウエハ帯電による搬送異常との関係は、使用するプロセスによって変動するため、ＢＯＸ酸化膜１７の膜厚が１ｕｍ以上の場合でも、プロセス変更によりウエハ帯電を抑制することが可能である。
【００２３】
次に、図３Ｂに示すトレンチ開口部２１を設けたＳＯＩウエハに対して、図３Ｃに示すようなレジストマスク２２を形成する（図２：ステップＳ１２参照）。図３Ｃは、レジストマスク２２が形成されたＳＯＩウエハの断面を示す図である。具体的には、図３Ｂに示すＳＯＩウエハに対して、図３Ｃに示すようなＢＯＸ酸化膜形成予定領域の上部を開口したレジストパターンニングを実施し、レジストマスク２２を形成する。なお、レジストマスク２２は、後に注入する酸素イオンを遮断できる厚さに形成する。
【００２４】
次に、図３Ｃに示すＳＯＩウエハに対して、図３Ｄに示すように、ＢＯＸ酸化膜形成予定領域上部を、ＢＯＸ酸化膜形成時の膨張により隆起する高さ相当だけエッチングする（図２：ステップＳ１３参照）。図３Ｄは、エッチング後のＳＯＩウエハの断面を示す図である。図３Ｄに示すように、ＳＯＩウエハの表面を予めエッチングしておくことで、複雑なマスク調整を必要とせずに、熱処理後の酸化領域の体積膨張によって、ＳＯＩウエハ表面に段差が生じるのを抑制ことができる。ＳＯＩウエハをエッチングする際の深さと、熱処理後にＳＯＩウエハが隆起する高さの関係は、第１の実施形態で説明した通りであるので、説明を省略する。
【００２５】
次に、図３Ｄに示すＳＯＩウエハに対して、図３Ｅに示すように、酸素イオン２３を所望の位置に注入する（図２：ステップＳ１４参照）。図３Ｅは、酸素イオン２３が注入されたＳＯＩウエハの断面を示す図である。図３Ｅに示すように、ＢＯＸ酸化膜形成予定領域上部を予めエッチングすることで、酸素イオンを注入する領域までの深さが浅くなるので、酸素イオンを注入する際のエネルギーを小さくすることができる。また、この際に注入する酸素イオン２３の量は、形成するＢＯＸ酸化膜２５の膜厚に応じて調整される。
【００２６】
次に、図３Ｅに示すＳＯＩウエハから、図３Ｆに示すようにレジストマスク２２を除去する（図２：ステップＳ１５参照）。図３Ｆは、レジストマスク２２を除去したＳＯＩウエハの断面を示す図である。レジストマスク２２は、ＢＯＸ酸化膜形成予定領域上部をエッチングする工程と、酸素イオンを注入する工程との２つの工程で共有できるので、製造時の工程数を減らすことができる。
【００２７】
次に、図３Ｆに示すＳＯＩウエハを酸素雰囲気中にて熱処理（アニール処理）する（図２：ステップＳ１６参照）。図３Ｇは、酸素雰囲気中にて熱処理されたＳＯＩウエハの断面を示す図である。図３Ｇに示すように、熱処理されたＳＯＩウエハには、トレンチ側壁酸化膜２４と同時に、注入された酸素イオン２３がＳｉと結合し、ＢＯＸ酸化膜２５が形成される。
【００２８】
また、トレンチ開口部２１のトレンチ幅を、酸素雰囲気中での熱処理により形成されるトレンチ側壁酸化膜２４の膜厚の２倍以下に設定すると、図３Ｈで示すように、熱処理工程にてトレンチ開口部２１が酸化膜で埋まり、トレンチ分離を形成することが可能となる。図３Ｈは、トレンチ分離が形成されたＳＯＩウエハの断面を示す図である。図３Ｈに示すように、一度の酸素雰囲気中での熱処理にて、酸化膜で覆われた高耐圧領域（すなわち、トレンチ側壁酸化膜２４、及びＢＯＸ酸化膜２５）を形成することができる。
【００２９】
なお、図３Ｆに示すＳＯＩウエハを酸素雰囲気中にて熱処理する前に、窒素雰囲気中にて熱処理し、図３Ｉに示すように、事前にＢＯＸ酸化膜２５を形成してもよい。図３Ｉは、窒素雰囲気中での熱処理により、ＢＯＸ酸化膜２５が形成されたＳＯＩウエハの断面を示す図である。窒素雰囲気中にて熱処理した後で、図３Ｉに示すＳＯＩウエハを酸素雰囲気中で熱処理し、トレンチ側壁酸化膜２４を形成する。
【００３０】
以上のように、本発明の第２の実施形態に係る半導体基板の製造方法によれば、ＳＯＩウエハにトレンチ開口部２１を設けることで、ＢＯＸ酸化膜２５を形成する際に、ＢＯＸ酸化膜２５とＳＯＩ層との間で発生する応力を開放し、スリップ等の結晶欠陥を抑制することができる。また、ＳＯＩウエハのＢＯＸ酸化膜形成予定領域上部を、ＢＯＸ酸化膜形成時の膨張により隆起する高さ相当だけ予めエッチングしておくことで、複雑なマスク調整を必要とせず、ＳＯＩウエハ表面に段差が生じるのを抑制することができる。
【００３１】
また、エッチングにより酸素イオンを注入する領域までの深さが浅くなり、酸素イオンを注入する際のエネルギーを小さくすることができる。また、エッチングする工程と、酸素イオンを注入する工程の２つの工程でレジストマスクを共有できるので、製造時の工程数を減らすことができる。これにより、基板表面の段差の発生を抑制すると共に、製造工程を簡略化することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明に係る半導体基板の製造方法は、簡単な工程で高品質な半導体基板を製造すること等に有用である。
【符号の説明】
【００３３】
１１、２１  トレンチ開口部
１２，２２  レジストマスク
１３，２３  酸素イオン
１４，２４  トレンチ側壁酸化膜
１５，２５，１７  ＢＯＸ酸化膜
１６        ＳＯＩ層
１８        支持基板
１９        裏面酸化膜
【図１Ａ】
2012094710.tif 000003
【図１Ｂ】
2012094710.tif 000004
【図１Ｃ】
2012094710.tif 000005
【図１Ｄ】
2012094710.tif 000006
【図１Ｅ】
2012094710.tif 000007
【図１Ｆ】
2012094710.tif 000008
【図１Ｇ】
2012094710.tif 000009
【図１Ｈ】
2012094710.tif 000010
【図１Ｉ】
2012094710.tif 000011
【図２】
2012094710.tif 000012
【図３Ａ】
2012094710.tif 000013
【図３Ｂ】
2012094710.tif 000014
【図３Ｃ】
2012094710.tif 000015
【図３Ｄ】
2012094710.tif 000016
【図３Ｅ】
2012094710.tif 000017
【図３Ｆ】
2012094710.tif 000018
【図３Ｇ】
2012094710.tif 000019
【図３Ｈ】
2012094710.tif 000020
【図３Ｉ】
2012094710.tif 000021