(57)【要約】【課題】バイアス電流を配給する際のノイズ耐性を大幅に向上させる。【解決手段】基準バイアス電流回路１１は、基準バイアス電流Ｉｐと該基準バイアス電流Ｉｐと電流の極性が逆となる基準バイアス電流Ｉｎとを生成し、２本の配線を１ペアとしたバイアス電流用配線Ｈ１を介してバイアス電流回路２ａに供給する。ペアの配線のうち、一方の配線は他方の線の近傍に平行してレイアウトされており、これら配線の配線長が略同じとしている。バイアス電流回路２ａでは、基準バイアス電流Ｉｐを反転させ、基準バイアス電流Ｉｎに加算した後、必要なバイアス電流となるように調整し、バイアス電流を生成する。【選択図】図１
2012089583.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイアス電流を用いて動作する少なくとも１つの回路ブロックと、
個別のバイアス電流を生成する元となる基準バイアス電流を生成する基準バイアス電流回路とを備え、
前記回路ブロックは、
前記基準バイアス電流回路が生成した基準バイアス電流から、前記回路ブロックが使用する任意のバイアス電流を生成するバイアス電流回路を有し、
前記基準バイアス電流回路は、
正極性の第１の基準バイアス電流と負極性の第２の基準バイアス電流とを生成し、
前記バイアス電流回路は、
供給された前記第１、または前記第２の基準バイアス電流のいずれか一方のバイアス電流の極性を反転させて極性を反転していない前記第１、または前記第２の基準バイアス電流のいずれかに電流を加算した基準バイアス電流を用いて前記バイアス電流を生成し、
前記基準バイアス電流回路と前記バイアス電流回路とは、バイアス電流用配線を介して接続されており、
前記バイアス電流用配線は、
前記第１の基準バイアス電流を供給する第１のバイアス配線と、
前記第２の基準バイアス電流を供給する第２のバイアス配線とよりなり、
前記第１のバイアス用配線は、
前記第２のバイアス用配線の近傍に平行してレイアウトされていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バイアス電流の供給技術に関し、特に、アナログ回路にバイアス電流を供給する際における電流性ノイズ成分のキャンセルに有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線ＬＡＮ(Local Area Network)などの無線通信に使用される高周波処理用の半導体集積回路装置は、依然として高い割合の成長が期待されている。この種の半導体集積回路装置においては、バイアス電流が必要な複数の機能ブロックを有している。
【０００３】
各々の機能ブロックには、カレントミラー回路を備えており、バイアス電流を供給するバイアス電流回路から供給されるバイアス電流を、該カレントミラー回路によってそれぞれの機能ブロックに見合ったバイアス電流に変換して利用している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、上記のようなバイアス電流の供給技術では、次のような問題点があることが本発明者により見い出された。
【０００５】
上記したバイアス電流回路によるバイアス電流の供給は、単線（単極性）にてバイアス電流の配給を行うため、配線が通る経路の周辺回路との間に存在する寄生容量を介した静電誘導による電圧性ノイズ、あるいはＲＦ(Radio Frequency)回路で使用するインダクタ素子との間の電磁誘導による電流性ノイズが重畳してしまう可能性がある。
【０００６】
以下、具体的に説明する。
【０００７】
配給すべきバイアス電流をＩｐとして、このバイアス電流Ｉｐを一本の配線で個別回路に配給する場合、配線経路の周辺にある回路から、たとえば、寄生容量を介して静電誘導による電圧性ノイズが重畳する可能性がある。
【０００８】
この電圧性ノイズは、バイアス電流を受け取る機能ブロックに設けられたカレントミラー回路を構成する電流入力部分のＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)ダイオードのゲート電圧Ｖｇを変化させ、所望のバイアス電流Ｉｐに対して、電流ノイズｉｐとして重畳される。
【０００９】
電圧ノイズが正方向であれば、上記したＭＯＳダイオードのゲート電圧Ｖｇを上昇させ、バイアス電流Ｉｐを増加させる方向に働き、電圧ノイズが負方向であれば、該ＭＯＳダイオードのゲート電圧Ｖｇを低下させ、バイアス電流Ｉｐを減少させる方向に働くことになる。
【００１０】
また、機能ブロック内部では、本来のバイアス電流にノイズ電流が加算された、バイアス電流Ｉｐ＋ノイズ電流ｉｐとなる。しかし、一旦加算されたバイアス電流Ｉｐ＋ノイズ電流ｉｐからノイズ成分であるノイズ電流ｉｐを除去することはできない。
【００１１】
バイアス電流を供給する機能ブロックが、たとえば、シンセサイザ回路であり、チャージポンプ電流を配給されるバイアス電流を元に生成している場合には、チャージポンプ電流にノイズがのり、スプリアスの悪化を招く可能性がある。ＶＣＯ（Voltage Controlled Oscillator) などの動作電流を配給されるバイアス電流で決めている場合も同様である。
【００１２】
また、ＬＮＡ(Low Noise Amplifier)、送信アンプなどバイアス電流値により回路ゲインが変動し易い高周波回路においては、ノイズによるモジュレーションが起こり、エラーベクトル振幅（EVM）やコンスタレーションエラー（RCE）の劣化を招く恐れがある。
【００１３】
本発明の目的は、バイアス電流を配給する際のノイズ耐性を大幅に向上させることにより、高精度なバイアス電流を生成することのできる技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴については、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１６】
本発明は、バイアス電流を用いて動作する少なくとも１つの回路ブロックと、個別のバイアス電流を生成する元となる基準バイアス電流を生成する基準バイアス電流回路とを備え、該回路ブロックは、基準バイアス電流回路が生成した基準バイアス電流から、回路ブロックが使用する任意のバイアス電流を生成するバイアス電流回路を有し、該基準バイアス電流回路は、正極性の第１の基準バイアス電流と負極性の第２の基準バイアス電流とを生成し、バイアス電流回路は、供給された第１、または第２の基準バイアス電流のいずれか一方のバイアス電流の極性を反転させて極性を反転していない第１、または第２の基準バイアス電流のいずれかに電流を加算した基準バイアス電流を用いてバイアス電流を生成し、基準バイアス電流回路とバイアス電流回路とは、バイアス電流用配線を介して接続されており、バイアス電流用配線は、第１の基準バイアス電流を供給する第１のバイアス配線と、第２の基準バイアス電流を供給する第２のバイアス配線とよりなり、第１のバイアス用配線は、第２のバイアス用配線の近傍に平行してレイアウトされているものである。
【発明の効果】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１８】
（１）基準バイアス電流を供給する経路に印加される電流ノイズを大幅に除去することができる。
【００１９】
（２）上記（１）により、高精度のバイアス電流を安定して生成することができ、半導体集積回路装置の安定性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態１による半導体集積回路装置の構成の一例を示した説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１によるバイアス電流のノイズ低減の説明図である。
【図３】図１の半導体集積回路装置に設けられた基準バイアス電流回路、およびバイアス電流回路の回路構成の一例を示す説明図である。
【図４】図１の半導体集積回路装置に形成されるバイアス電流用配線における配線構成の一例を示す説明図である。
【図５】図４のバイアス電流用配線における配線構成の他の例を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２による半導体集積回路装置の構成の一例を示した説明図である。
【図７】本発明の実施の形態３による半導体集積回路装置に設けられた基準バイアス電流回路、およびバイアス電流回路の回路構成の一例を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態４による半導体集積回路装置に設けられた基準バイアス電流回路、およびバイアス電流回路の回路構成の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
《発明の概要》
本発明の半導体集積回路装置は、バイアス電流を用いて動作する少なくとも１つの回路ブロック（受信ＲＦ部２〜５、送信ＲＦ部６、受信ベースバンド７、送信ベースバンド８）と、個別のバイアス電流を生成する元となる基準バイアス電流を生成する基準バイアス電流回路とを備え、各々の前記回路ブロックは、前記基準バイアス電流回路が生成した基準バイアス電流から、前記回路ブロックが使用する任意のバイアス電流を生成するバイアス電流回路（バイアス電流回路２ａ，３ａ，４ａ，５ａ，６ａ，７ａ，８ａ）をそれぞれ有し、前記基準バイアス電流回路は、正極性の第１の基準バイアス電流（バイアス電流Ｉｐ）と負極性の第２の基準バイアス電流（バイアス電流Ｉｎ）とを生成し、前記バイアス電流回路は、供給された前記第１、または前記第２の基準バイアス電流のいずれか一方のバイアス電流の極性を反転させて極性を反転していない前記第１、または前記第２の基準バイアス電流のいずれかに電流を加算した基準バイアス電流を用いて前記バイアス電流を生成し、前記基準バイアス電流回路と前記バイアス電流回路とは、バイアス電流用配線（バイアス電流用配線Ｈ１〜Ｈ７）を介して接続されており、前記バイアス電流用配線は、前記第１の基準バイアス電流を供給する第１のバイアス配線（配線Ｈ１ａ，Ｈ２ａ，Ｈ３ａ，Ｈ４ａ，Ｈ５ａ，Ｈ６ａ，Ｈ７ａ）と、前記第２の基準バイアス電流を供給する第２のバイアス配線（配線Ｈ１ｂ，Ｈ２ｂ，Ｈ３ｂ，Ｈ４ｂ，Ｈ５ｂ，Ｈ６ｂ，Ｈ７ｂ）とよりなり、前記第１のバイアス用配線は、前記第２のバイアス用配線の近傍に平行してレイアウトされている。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１による半導体集積回路装置の構成の一例を示した説明図、図２は、本発明の実施の形態１によるバイアス電流のノイズ低減の説明図、図３は、図１の半導体集積回路装置に設けられた基準バイアス電流回路、およびバイアス電流回路の回路構成の一例を示す説明図、図４は、図１の半導体集積回路装置に形成されるバイアス電流用配線における配線構成の一例を示す説明図、図５は、図４のバイアス電流用配線における配線構成の他の例を示す説明図である。
【００２４】
本実施の形態１において、半導体集積回路装置１は、無線ＬＡＮ通信などに用いられるＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波帯域を使って電波を送受信する通信用デバイスで、アナログ信号の処理を行う。
【００２５】
半導体集積回路装置１は、図１に示すように、受信ＲＦ部２〜５、送信ＲＦ部６、受信ベースバンド７、送信ベースバンド８、シンセサイザ９、ロジック部１０、および基準バイアス電流回路１１を備えている。また、受信ＲＦ部２〜５、送信ＲＦ部６、受信ベースバンド７、および送信ベースバンド８は、それぞれ回路ブロックを構成する。
【００２６】
受信ＲＦ部２は、図１に示す半導体集積回路装置１の左上方にレイアウトされており、該受信ＲＦ部２の下方には、受信ＲＦ部３がレイアウトされている。受信ＲＦ部３の下方には、受信ＲＦ部４がレイアウトされており、該受信ＲＦ部４の下方には、受信ＲＦ部５がレイアウトされている。
【００２７】
受信ＲＦ部２〜５は、ＬＮＡ、およびミキサを備え、半導体集積回路装置１に接続されているＲＦフロントエンド１２から出力される微弱な信号を、ミキサ、および受信ベースバンド７で処理可能な信号レベルにＬＮＡによって増幅するとともに、ＲＦ周波数帯の信号を、ミキサによって受信ベースバンド７にて処理可能なベースバンド周波数帯の信号に周波数変換する。また、受信ＲＦ部５の下方には、基準バイアス電流回路１１がレイアウトされている。
【００２８】
基準バイアス電流回路１１は、基準バイアス電流を生成する。基準バイアス電流回路１１が生成した基準バイアス電流は、バイアス電流用配線Ｈ１〜Ｈ７を介して受信ＲＦ部２〜５、送信ＲＦ部６、受信ベースバンド７、および送信ベースバンド８にそれぞれ供給される。
【００２９】
バイアス電流用配線Ｈ１〜Ｈ４は、受信ＲＦ部２〜５に基準バイアス電流をそれぞれ供給する配線であり、バイアス電流用配線Ｈ５は、受信ベースバンド７に基準バイアス電流を供給する配線である。
【００３０】
また、バイアス電流用配線Ｈ６は、送信ベースバンド８に基準バイアス電流を供給する配線であり、バイアス電流用配線Ｈ７は、送信ＲＦ部６に基準バイアス電流を供給する配線である。
【００３１】
基準バイアス電流が供給される受信ＲＦ部２〜５、送信ＲＦ部６、受信ベースバンド７、および送信ベースバンド８には、バイアス電流回路２ａ，３ａ，４ａ，５ａ，６ａ，７ａ，８ａがそれぞれ設けられている。
【００３２】
これらバイアス電流回路２ａ，３ａ，４ａ，５ａ，６ａ，７ａ，８ａは、供給された基準バイアス電流から、それぞれの回路ブロック（受信ＲＦ部２〜５、送信ＲＦ部６、受信ベースバンド７、および送信ベースバンド８）の内部で必要なバイアス電流を生成する。
【００３３】
受信ＲＦ部２〜５の右側には、受信ベースバンド７がレイアウトされており、該受信ベースバンド７の左下方には、シンセサイザ９がレイアウトされている。このシンセサイザ９の右側には、ロジック部１０がレイアウトされている。シンセサイザ９、およびロジック部１０の下方には、送信ベースバンド８がレイアウトされている。
【００３４】
送信ＲＦ部６は、周波数変換用ミキサによって送信ベースバンド８から出力されたベースバンド信号を所望のＲＦ信号に周波数変換した後、電力増幅アンプによって該ＲＦ信号を所望の電力まで増幅する。
【００３５】
受信ベースバンド７は、可変ゲインアンプによって復調処理可能な信号レベルにゲイン調整し、フィルタにより、妨害信号を除去する。送信ベースバンド８は、ベースバンド信号から不要な帯域のノイズを除去する。
【００３６】
シンセサイザ９は、受信ＲＦ部２〜５に備えられたミキサ、あるいは送信ＲＦ部６に備えられたミキサに供給されるローカル信号を生成する。ロジック部１０は、半導体集積回路装置１全体の制御を司る制御部となり、半導体集積回路装置１の外部から与えられるコマンドをデコードし、受信ＲＦ部２〜５、送信ＲＦ部６、受信ベースバンド７、ならびに送信ベースバンド８などのアナログ回路に出力する制御信号を生成する。
【００３７】
ＲＦフロントエンド１２は、受信アンテナから、受信ＲＦ部２〜５の間のインターフェース、ならびに送信ＲＦ部６から、送信アンテナまでのインターフェースをそれぞれ司る。
【００３８】
続いて、図２を用いて、基準バイアス電流回路１１、バイアス電流回路２ａ、およびバイアス電流用配線Ｈ１について説明する。
【００３９】
基準バイアス電流回路１１は、基準バイアス電流Ｉｐと該基準バイアス電流Ｉｐと電流の極性が逆となる基準バイアス電流Ｉｎとを生成する。これら基準バイアス電流Ｉｐ，Ｉｎを供給するバイアス電流用配線Ｈ１は、第１のバイアス配線となる配線Ｈ１ａ、および第２のバイアス配線となる配線Ｈ１ｂを１ペアとした構成からなり、これら配線Ｈ１ａ，Ｈ１ｂは、基準バイアス電流回路１１からバイアス電流回路２ａまで並走させ、配線Ｈ１ａと配線Ｈ１ｂとの配線長を略同じとするようにレイアウトされている。
【００４０】
また、バイアス電流用配線Ｈ１を介して基準バイアス電流を受け取るバイアス電流回路２ａでは、第１の基準バイアス電流となる基準バイアス電流Ｉｐを反転させ、第２の基準バイアス電流となる基準バイアス電流Ｉｎに加算した後、必要なバイアス電流となるように調整し、バイアス電流を生成する。
【００４１】
配線Ｈ１ａ，Ｈ１ｂには、配給経路周辺の回路ブロックや配線からの影響により静電誘導による電圧ノイズＮｖｎ，Ｎｖｉや配給経路周辺のインダクタからの影響により、電磁誘導による電流ノイズｉｐ，ｉｎが発生する。
【００４２】
これら電圧ノイズＮｖｎ，Ｎｖｉ、および電流ノイズｉｐ，ｉｎは、配給線であるバイアス電流用配線Ｈ１を２本１組のぺアで並走させることで、ペアを構成する配線Ｈ１ａ，Ｈ１ｂに対し、同じ大きさ同じ極性で発生するが、基準バイアス電流Ｉｐ，Ｉｎの電流が逆極性であるため、仮に基準バイアス電流Ｉｐが流れる配線Ｈ１ａにおいて、電流増加方向となるノイズとして発生し、もう一方の基準バイアス電流Ｉｎが流れる配線Ｈ１ｂでは、電流を減少させるノイズとして発生する。
【００４３】
基準バイアス電流を受け取る回路ブロック（ここでは、受信ＲＦ部２）のバイアス電流回路２ａにて、基準バイアス電流Ｉｐを極性反転して、基準バイアス電流Ｉｎと加算する過程で、ノイズ成分である電流ノイズｉｐ，ｉｎは相殺される。
【００４４】
このように、電流ノイズを大幅に低減することができるので、バイアス電流用配線Ｈ１〜Ｈ７の配線引き回しを容易にすることができる。たとえば、バイアス電流用配線Ｈ５，Ｈ６では、高周波信号を発生するシンセサイザ９近傍や該シンセサイザ９に接続される配線などが近くにあっても、それらを避けることなくレイアウトを可能とすることができる。
【００４５】
この図２では、基準バイアス電流回路１１、バイアス電流回路２ａ、およびバイアス電流用配線Ｈ１によるノイズ低減技術について説明したが、基準バイアス電流回路１１、バイアス電流回路３ａ〜８ａ、ならびにバイアス電流用配線Ｈ２〜Ｈ７によるノイズ低減技術についても同様である。
【００４６】
図３は、基準バイアス電流回路１１、およびバイアス電流回路２ａの回路構成の一例を示す説明図である。
【００４７】
基準バイアス電流回路１１は、トランジスタＴ１〜Ｔ４から構成されている。トランジスタＴ１，Ｔ３は、ＰチャネルＭＯＳからなり、トランジスタＴ２，Ｔ４は、ＮチャネルＭＯＳからなる。
【００４８】
そして、これらトランジスタＴ１〜Ｔ４によって構成されたカレントミラー回路により、基準バイアス電流Ｉｐ，Ｉｎをそれぞれ生成する。図２において述べたように、基準バイアス電流Ｉｐ，Ｉｎの極性は正負逆極性となっている。
【００４９】
また、バイアス電流回路２ａは、トランジスタＴ５〜Ｔ８から構成されている。トランジスタＴ５，Ｔ６は、ＮチャネルＭＯＳからなり、トランジスタＴ７，Ｔ８は、ＰチャネルＭＯＳからなる。
【００５０】
トランジスタＴ７，Ｔ８の一方の接続部には、電源電圧ＶＤＤが接続されており、トランジスタＴ７の他方の接続部には、該トランジスタＴ７のゲート、トランジスタＴ８のゲート、トランジスタＴ６の一方の接続部、および基準バイアス電流Ｉｎが供給される配線Ｈ１ｂがそれぞれ接続されている。
【００５１】
トランジスタＴ５の一方の接続部、トランジスタＴ５のゲート、およびトランジスタＴ６のゲートには、基準バイアス電流Ｉｐが供給される配線Ｈ１ａがそれぞれ接続されている。また、トランジスタＴ５，Ｔ６の他方の接続部には、基準電位ＶＳＳがそれぞれ接続されている。
【００５２】
このように、バイアス電流回路２ａでは、トランジスタＴ５，Ｔ６で構成するカレントミラー回路によって基準バイアス電流Ｉｐを反転させ、基準バイアス電流Ｉｎ（図３のノードＮ１）と加算する。
【００５３】
さらに、トランジスタＴ７，Ｔ８によって構成するカレントミラー回路によって受信ＲＦ部２に必要な電流値のバイアス電流を生成する。ここでは、バイアス電流回路２ａの回路構成について説明したが、他のバイアス電流回路３ａ〜８ａの回路構成についても同様の構成とすることができる。
【００５４】
図４は、バイアス電流用配線Ｈ１（〜Ｈ７）における配線構成の一例を示す説明図である。
【００５５】
図２、および図３では、バイアス電流用配線Ｈ１（〜Ｈ７）が２本の配線Ｈ１ａ，Ｈ１ｂからなる構成としたが、図４では、バイアス電流用配線Ｈ１（〜Ｈ７）が、対となる２本の配線Ｈ１ａ，Ｈ１ｂを複数並走させるレイアウトとしている。よって、図４において、下方から上方にかけて、配線Ｈ１ａ（図４中編みかけて示した配線）、および配線Ｈ１ｂを交互に繰り返すレイアウトとなっている。
【００５６】
この場合、配線Ｈ１ａと配線Ｈ１ｂとを１ペアとすると、バイアス用配線Ｈ１（〜Ｈ７）は、８ペア、合計１６本の配線から構成されている。
【００５７】
このように、配線Ｈ１ａ，Ｈ１ｂのペアを複数レイアウトすることにより、外部からのノイズの影響を配線Ｈ１ａ，Ｈ１ｂで均等化することができ、電流ノイズｉｐ，ｉｎの相殺量をより大きくすることができ、ノイズを大幅に低減することができる。
【００５８】
図５は、バイアス電流用配線Ｈ１（〜Ｈ７）における配線構成の他の例を示す説明図である。
【００５９】
この場合、バイアス電流用配線Ｈ１（〜Ｈ７）は、図示するように、配線Ｈ１ａと配線Ｈ１ｂから１ペアの配線の下方に、配線Ｈ１ａと配線Ｈ１ｂからなる１ペアの配線がレイアウトされた構成からなる。
【００６０】
また、上方にレイアウトされた基準バイアス電流Ｉｐを供給する配線Ｈ１ａの下方には、基準バイアス電流Ｉｎを供給する配線Ｈ１ｂがレイアウトされている。また、上方にレイアウトされた基準バイアス電流Ｉｎを供給する配線Ｈ１ｂの下方には、基準バイアス電流Ｉｐを供給する配線Ｈ１ａがレイアウトされている。
【００６１】
このように、上下方向においても、配線Ｈ１ａと配線Ｈ１ｂがペアとなるようにレイアウトすることにより、外部からのノイズの影響を配線Ｈ１ａ，Ｈ１ｂで均等化することができ、電流ノイズｉｐ，ｉｎを、より低減することができる。
【００６２】
それにより、本実施の形態１によれば、電流ノイズなどを低減することができる。また、電流ノイズが低減することにより、基準バイアス電流回路１１が供給する電流値を下げることができる。
【００６３】
（実施の形態２）
図６は、本発明の実施の形態２による半導体集積回路装置の構成の一例を示した説明図である。
【００６４】
本実施の形態２において、半導体集積回路装置１は、図６に示すように、受信ＲＦ部２〜５、送信ＲＦ部６、受信ベースバンド７、送信ベースバンド８、シンセサイザ９、ロジック部１０、および基準バイアス電流回路１１からなる。
【００６５】
図６の半導体集積回路装置１において、図１と異なるところは、基準バイアス電流回路１１、およびバイアス電流用配線Ｈ１〜Ｈ７のレイアウトである。
【００６６】
図６では、該基準バイアス電流回路１１が、ロジック部１０の下方にレイアウトされており、また、バイアス電流用配線Ｈ１〜Ｈ７は、基準バイアス電流回路１１から直線状に受信ＲＦ部２〜５、受信ベースバンド７、送信ベースバンド８、送信ＲＦ部６をそれぞれ最短距離で接続されるようにレイアウトされている。その他のレイアウトについては、前記実施の形態１の図１と同様であるので説明は省略する。
【００６７】
前記実施の形態１で述べたように、電流ノイズが低減されることによって、バイアス電流用配線Ｈ１〜Ｈ７の配線の自由度を大きくすることができる。よって、図６に示すように、基準バイアス電流回路１１を、高周波信号のノイズ発生源となる受信ＲＦ部２〜５や送信ＲＦ部６から遠ざけると共に、高周波ノイズの発生が少ないロジック部１０や送信ベースバンド８の近傍にレイアウトする構成とした。
【００６８】
これより、基準バイアス電流回路１１それ自体がノイズを受けにくくなり、より電流ノイズを低減させることができる。
【００６９】
（実施の形態３）
図７は、本発明の実施の形態３による半導体集積回路装置に設けられた基準バイアス電流回路、およびバイアス電流回路の回路構成の一例を示す説明図である。
【００７０】
本実施の形態３においては、前記実施の形態１の図３におけるバイアス電流回路２ａに、図７に示すように、基準バイアス電流Ｉｐ，Ｉｎの電流配給線路に付くの寄生容量のアンバランスを調整するトランジスタＴ９〜Ｔ１１を追加した構成からなる。
【００７１】
ここで、半導体集積回路装置１は、前記実施の形態１の図１と同様に、受信ＲＦ部２〜５、送信ＲＦ部６、受信ベースバンド７、送信ベースバンド８、シンセサイザ９、ロジック部１０、および基準バイアス電流回路１１からなり、基準バイアス電流回路１１の構成も図３と同様である。
【００７２】
トランジスタＴ７，Ｔ８，Ｔ１０は、ＰチャネルＭＯＳからなり、トランジスタＴ５，Ｔ６，Ｔ９，Ｔ１１は、ＮチャネルＭＯＳからなる。また、図７において、トランジスタＴ９，Ｔ１０には、’×２’と記載しているが、これは、同じトランジスタが２つ並列接続されて、トランジスタＴ９、およびトランジスタＴ１０がそれぞれ構成されていることを示したものである。
【００７３】
トランジスタＴ７，Ｔ８，Ｔ１０の一方の接続部、トランジスタＴ１０の他方の接続部には、電源電圧ＶＤＤがそれぞれ接続されている。
【００７４】
また、トランジスタＴ８のゲート、トランジスタＴ７の他方の接続部とゲート、トランジスタＴ６の一方の接続部、およびトランジスタＴ８のゲートには、基準バイアス電流Ｉｎが供給されるバイアス電流用配線Ｈ１ｂが接続されている。
【００７５】
トランジスタＴ１０のゲート、トランジスタＴ１１の他方の接続部、トランジスタＴ５の一方の接続部とゲート、およびトランジスタＴ６のゲートには、基準バイアス電流Ｉｐが供給されるバイアス電流用配線Ｈ１ａが接続されている。
【００７６】
トランジスタＴ９の一方と他方の接続部、トランジスタＴ５の他方の接続部、ならびにトランジスタＴ６の他方の接続部、トランジスタＴ１１の一方の接続部とゲートには、基準電位ＶＳＳがそれぞれ接続されている。
【００７７】
この構成により、トランジスタＴ５とトランジスタＴ６のゲート容量Ｃｇｎは、トランジスタＴ９のゲート容量Ｃｇｎと略同じとなり、トランジスタＴ７とトランジスタＴ８のゲート容量Ｃｇｐは、トランジスタＴ１０のゲート容量Ｃｇｎと略同じとなり、トランジスタＴ７のドレイン容量Ｃｄｐは、トランジスタＴ３のドレイン容量Ｃｄｐと略同じとすることができる。また、トランジスタＴ４とトランジスタＴ６のドレイン容量Ｃｄｎは、トランジスタＴ５トランジスタＴ１１のドレイン容量Ｃｄｎと略同じとなる。
【００７８】
よって、基準バイアス電流Ｉｐを供給する配線Ｈ１ａ、および基準バイアス電流Ｉｎを供給する配線Ｈ１ｂに付加される寄生容量は、いずれも２Ｃｇｎ＋２Ｃｄｎ＋２Ｃｇｐ＋Ｃｄｐとなる。
【００７９】
図７では、バイアス電流回路２ａについて説明したが、他のバイアス電流回路３ａ〜８ａについても同様の構成とすることができる。
【００８０】
それにより、本実施の形態３においては、バイアス電流用配線Ｈ１ａ，Ｈ１ｂに接続されるトランジスタ容量を略等しくすることにより、電流ノイズをより高精度に除去することができる。
【００８１】
（実施の形態４）
図８は、本発明の実施の形態４による半導体集積回路装置に設けられた基準バイアス電流回路、およびバイアス電流回路の回路構成の一例を示す説明図である。
【００８２】
前記実施の形態１，３では、バイアス電流回路２ａにおいて、トランジスタＴ５，Ｔ６から構成されるカレントミラー回路のカレントミラー出力が、配線Ｈ１ａに接続される構成となっているが、本実施の形態４では、基準バイアス電流ＩｎをトランジスタＴ１３，Ｔ１４から構成されるカレントミラー回路に入力することにより、受信ＲＦ部２（図１）から配線Ｈ１ｂへの信号の戻りを遮断する構成としている。
【００８３】
バイアス電流回路２ａは、図８に示すように、トランジスタＴ５〜Ｔ１０からなる図７と同様の構成に、トランジスタＴ１３，Ｔ１４が新たに設けられた構成となっている。トランジスタＴ１３，Ｔ１４は、ＰチャネルＭＯＳからなる。
【００８４】
また、図８においても、トランジスタＴ５，Ｔ１０には、’×２’と記載しているが、これは、同じトランジスタが２つ並列接続されて、各々のトランジスタＴ５，Ｔ１０を構成していることを示したものである。
【００８５】
また、トランジスタＴ１３，Ｔ１４の一方の接続部には、電源電圧ＶＤＤが接続されており、該トランジスタＴ１３のゲートと他方の接続部、ならびにトランジスタＴ１４のゲートには、配線Ｈ１ｂがそれぞれ接続されている。
【００８６】
そして、トランジスタＴ１４の他方の接続部には、トランジスタＴ８の他方の接続部が接続されており、この接続部から、受信ＲＦ部２に供給されるバイアス電流が出力される。また、その他の接続構成については、前記実施の形態２の図７と同様であるので、説明は省略する。
【００８７】
図８の構成においても、トランジスタＴ５のドレイン容量Ｃｄｎは、トランジスタＴ４のドレイン容量Ｃｄｎと略同じとなり、トランジスタＴ５とトランジスタＴ６のゲート容量Ｃｇｎは、トランジスタＴ９のゲート容量Ｃｇｎと略同じとなり、トランジスタＴ１０のゲート容量Ｃｇｐは、トランジスタＴ１３とトランジスタＴ１４のゲート容量Ｃｇｐと略同じとなり、トランジスタＴ３のドレイン容量Ｃｄｐは、トランジスタＴ１３のドレイン容量Ｃｄｐと略同じとすることができる。
【００８８】
よって、配線Ｈ１ａ、および配線Ｈ１ｂに付加される寄生容量は、いずれも２Ｃｇｎ＋Ｃｄｎ＋２Ｃｇｐ＋Ｃｄｐとなる。
【００８９】
さらに、配線Ｈ１ａ，Ｈ１ｂを介して供給される基準バイアス電流Ｉｐ，Ｉｎを、カレントミラー回路を構成するトランジスタＴ１３，Ｔ１４，およびトランジスタＴ５，Ｔ６に入力することにより、バイアス電流回路２ａそれ自体が発生するノイズが基準バイアス電流回路１１に流れ込むことを防止することができるので、バイアス電流回路２ａから他の回路ブロック内のバイアス電電流回路にノイズを拡散することを防止することができる。
【００９０】
図８では、バイアス電流回路２ａについて説明したが、他のバイアス電流回路３ａ〜８ａについても同様の構成とすることができる。
【００９１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明は、アナログ回路を備えた半導体集積回路装置におけるバイアス電流を供給する際のノイズ成分のキャンセル技術に適している。
【符号の説明】
【００９３】
１  半導体集積回路装置
２  受信ＲＦ部
２ａ  バイアス電流回路
３  受信ＲＦ部
３ａ  バイアス電流回路
４  受信ＲＦ部
４ａ  バイアス電流回路
５  受信ＲＦ部
５ａ  バイアス電流回路
６  送信ＲＦ部
７  受信ベースバンド
８  送信ベースバンド
９  シンセサイザ
１０  ロジック部
１１  基準バイアス電流回路
１２  ＲＦフロントエンド
Ｈ１〜Ｈ７  バイアス電流用配線
Ｈ１ａ  配線
Ｈ１ｂ  配線
Ｔ１〜Ｔ１４  トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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