(57)【要約】【課題】ガラス基板の成膜面への傷の発生およびそれによる発塵、ならびに、裏面中心部への傷の発生および異物の付着を解消することができ、多層反射膜および吸収層の形成時において、保持手段自体からの発塵を抑制することができるガラス基板保持手段の提供。【解決手段】平坦なベースの表面にファンデルワールス力によって吸着保持する吸着部が設けられており、該吸着部がガラス基板の外縁部のみと接触するガラス基板保持手段。【選択図】図１
2012089837.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表面が平坦なベースと、前記ベース上の少なくとも一部に設置された吸着部と、を有する、ガラス基板を吸着して保持するガラス基板保持手段であって、
前記吸着部は、前記ガラス基板と接触させた際に、該ガラス基板をファンデルワールス力で吸着可能な表面構造と柔軟性とを有し、
前記吸着部は、下記（ａ）および（ｂ）を満たすガラス基板保持手段。
（ａ）前記ガラス基板の１辺の長さをＬ（ｍｍ）とするとき、前記ガラス基板の端部からの距離が１／５Ｌ以下の前記ガラス基板の外縁部のみに前記吸着部が接触する。
（ｂ）前記ガラス基板の質量をＴ（ｇ）とするとき、前記吸着部による基板吸着力Ｆ（ｇｆ）がＦ＝α×Ｔ  ［１≦α≦２００］となるように、前記吸着部の単位表面積当たりの吸着力Ｆ0（ｇｆ／ｍｍ2）、および、前記ガラス基板に対する前記吸着部の合計接触面積Ｓ（ｍｍ2）を選択する。
【請求項２】
少なくとも表面が平坦なベースと、前記ベース上の少なくとも一部に設置された吸着部と、を有する、ガラス基板を吸着して保持するガラス基板保持手段であって、
前記吸着部は、前記ガラス基板と接触させた際に、該ガラス基板をファンデルワールス力で吸着可能な表面構造と柔軟性とを有し、
前記吸着部は、下記（ｃ）〜（ｅ）を満たすガラス基板保持手段。
（ｃ）ガラス基板の１辺の長さをＬ（ｍｍ）とするとき、ガラス基板の端部からの距離が１／５Ｌ以下のガラス基板の外縁部のみに吸着部が接触する。
（ｄ）吸着部の単位表面積当たりの吸着力Ｆ0が０．０２２５〜１６．５ｇｆ／ｍｍ2である。
（ｅ）ガラス基板に対する吸着部の合計接触面積Ｓが２０ｍｍ2以上である。
【請求項３】
前記吸着部は、空気中に曝すとその表面に正電荷を帯電する性質を有する、請求項１または２に記載のガラス基板保持手段。
【請求項４】
前記吸着部がシリコーン樹脂により形成されている、請求項１〜３のいずれかに記載のガラス基板保持手段。
【請求項５】
前記吸着部は、長さが０．１ｎｍ〜２０００ｎｍ、直径が４００ｎｍ以下、アスペクト比が２．５以上の柱状体（ピラー）を１０5〜１０12本／ｃｍ2の密度で表面に有する構造である、請求項１〜４のいずれかに記載のガラス基板保持手段。
【請求項６】
ガラス基板を持ち上げて前記吸着部から剥離するためのリフトアップ機構を有している、請求項１〜５のいずれかに記載のガラス基板保持手段。
【請求項７】
ガラス基板の側面、および、ガラス基板の上面の外縁部を覆う遮蔽部材を有している、請求項１〜６のいずれかに記載のガラス基板保持手段。
【請求項８】
ガラス基板の側面をファンデルワールス力で吸着保持する側面吸着部をさらに有している、請求項１〜７のいずれかに記載のガラス基板保持手段。
【請求項９】
ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、
乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記反射層を形成する際に、請求項１〜８のいずれかに記載ガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、ＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
【請求項１０】
ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの製造方法であって、
乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記反射層、および、前記吸収層のうち、少なくとも１つを形成する際に、請求項１〜８のいずれかに記載のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項１１】
ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成され、該ガラス基板の他方の面に導電膜が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの製造方法であって、
乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記導電膜、前記反射層、および、前記吸収層のうち、少なくとも１つを形成する際に、請求項１〜８のいずれかに記載のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項１２】
ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの前記吸収層をパターニングしてＥＵＶＬ用反射型マスクを得る、ＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法であって、
前記吸収層をパターニングする際に、請求項１〜８のいずれかに記載のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、ＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法。
【請求項１３】
ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成されており、前記吸収層がパターニングされたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクを用いて、被露光体に露光を行うことにより半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法であって、
前記ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクを用いて被露光体に露光を行う際に、請求項１〜８のいずれかに記載のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、半導体集積回路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板保持手段に関する。本発明のガラス基板保持手段は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランクス（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランクス」という。）の製造時や、ＥＵＶマスクブランクスから反射型マスクを作製する際のマスクパターニングプロセスの際、あるいはＥＵＶリソグラフィでの露光時の反射型マスクのハンドリングの際に、ガラス基板を保持するのに好適である。
また、本発明は、本発明のガラス基板保持手段を用いたＥＵＶマスクブランクスの製造方法、反射型マスクの製造方法、および、半導体集積回路を製造することを特徴とする半導体集積回路の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体産業において、シリコン基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。半導体デバイスの微細化のため、例えばＡｒＦレーザ（波長１９３ｎｍ）と液浸法の組み合わせにより、解像限界を微細化する試みがなされているが、このような従来のフォトリソグラフィ法では限界に近づいてきた。そこでさらなる微細化のための露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線を指し、具体的には波長１０〜２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
【０００３】
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用することができない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクとミラーとが用いられる。
【０００４】
マスクブランクスは、フォトマスク製造に用いられるパターニング前の積層体である。ＥＵＶマスクブランクスの場合、ガラス製等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順で形成された構造を有している。反射層としては、低屈折率層であるモリブデン（Ｍｏ）層と高屈折率層であるケイ素（Ｓｉ）層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が通常使用される。
吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
【０００５】
多層反射膜および吸収層は、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法を用いてガラス基板の光学面上に成膜される。多層反射膜および吸収層を成膜する際、ガラス基板は保持手段によって保持される。ガラス基板保持手段としては、機械的チャックおよび静電チャックが従来用いられている。
また、ＥＵＶマスクブランクスから反射型マスクを作製する際のマスクパターニングプロセスの際や、ＥＵＶリソグラフィでの露光時の反射型マスクのハンドリングの際にも、ガラス基板保持手段として、機械的チャックおよび静電チャックが従来用いられている。
しかしながら、これらのガラス基板保持手段は、以下に述べる問題を有していた。
【０００６】
機械的チャック(mechanical chuck)の場合、ガラス基板を上下方向から挟持することによってガラス基板を保持するものと、ガラス基板を側面方向から挟持して保持するものに大別される。前者の場合、多層反射膜や吸収層が形成されるガラス基板の成膜面を挟持するため、該成膜面に傷が生じることや、傷が生じることが原因となって発生する発塵が問題となる。一方、後者の場合、ガラス基板よりも機械的チャックのほうが、通常側面方向に大きいため、多層反射膜や吸収層の形成時において、チャック手段自体への着膜量が増え、これが発塵原因となるおそれがある。
【０００７】
一方、静電チャックの場合、十分な保持力を発揮するため、ガラス基板の中心部を静電チャックの吸着保持面と接触させて保持することになる。しかしながら、ガラス基板の裏面（成膜面に対する裏面）の中心部が静電チャックの吸着保持面と接触することによって、該中心部に異物が付着したり、傷が発生するおそれがある。特に、静電チャックで保持する場合、残留電荷や漏洩電場によって異物を引き付ける問題が発生するおそれがある。
【０００８】
静電チャックは、半導体装置の製造プロセスにおいて、シリコンウェハの吸着保持に従来用いられている技術であるが、ガラス基板のように、誘電率および導電率の低い基板の場合、シリコンウェハの場合と同程度のチャック力を得るには、高電圧を印加する必要があるため、絶縁破壊を生じる危険性がある。このため、特許文献１に記載されているように、ガラス基板の裏面に高誘電率および高導電率のコーティング（以下、本明細書において、「裏面導電膜」という。）を形成することが行われている。ここで、裏面導電膜は静電チャックの吸着保持面と接触する位置に形成する必要があるため、ガラス基板裏面の中心部（例えば、１５２．４ｍｍ角のガラス基板の場合、中心部の１４６ｍｍ角の領域）に形成されることとなる。ガラス基板裏面の中心部に異物、特に２００ｎｍ以上の大きさの異物が付着すると、裏面導電膜が損傷するおそれがある。また、裏面導電膜の損傷によって新たな異物が発生するおそれがある。
また、ガラス基板裏面に異物が付着すると、ガラス基板の搬送時や、ＥＵＶマスクブランクスの製造過程で実施される洗浄、検査等の各種プロセスの際に、ガラス基板裏面から脱離した異物が、ガラス基板の成膜面や、成膜装置（例えば、静電チャックの電極部）に付着するおそれがある。成膜装置の静電チャックの電極部に異物が付着した場合、該成膜装置を次に使用する際、異物が付着した状態の電極部が、新たなガラス基板の裏面に形成された裏面導電膜と接触することになるので問題となる。
ＥＵＶマスクブランクスから反射型マスクを作製する際にも、露光装置の静電チャックの電極部に異物が付着した場合、ガラス基板に反りが発生し、露光パターンが変形するおそれがあるので問題となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特表２００３−５０１８２３号公報（米国特許６３５２８０３号公報）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記した従来技術の問題点を解決するため、本発明は、ガラス基板の成膜面への傷の発生およびそれによる発塵、ならびに、裏面中心部への傷の発生および異物の付着を解消することができ、多層反射膜および吸収層の形成時において、保持手段自体からの発塵を抑制することができるガラス基板保持手段、ならびに、それを用いたＥＵＶマスクブランクスの製造方法、反射型マスクの製造方法、および、半導体集積回路の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明は、少なくとも表面が平坦なベースと、前記ベース上の少なくとも一部に設置された吸着部と、を有する、ガラス基板を吸着して保持するガラス基板保持手段であって、
前記吸着部は、前記ガラス基板と接触させた際に、該ガラス基板をファンデルワールス力で吸着可能な表面構造と柔軟性とを有し、
前記吸着部は、下記（ａ）および（ｂ）を満たすガラス基板保持手段（１）を提供する。
（ａ）前記ガラス基板の１辺の長さをＬ（ｍｍ）とするとき、前記ガラス基板の端部からの距離が１／５Ｌ以下の前記ガラス基板の外縁部のみに前記吸着部が接触する。
（ｂ）前記ガラス基板の質量をＴ（ｇ）とするとき、前記吸着部による基板吸着力Ｆ（ｇｆ）がＦ＝α×Ｔ  ［１≦α≦２００］となるように、前記吸着部の単位表面積当たりの吸着力Ｆ0（ｇｆ／ｍｍ2）、および、前記ガラス基板に対する前記吸着部の合計接触面積Ｓ（ｍｍ2）を選択する。
【００１２】
また、本発明は、少なくとも表面が平坦なベースと、前記ベース上の少なくとも一部に設置された吸着部と、を有する、ガラス基板を吸着して保持するガラス基板保持手段であって、
前記吸着部は、前記ガラス基板と接触させた際に、該ガラス基板をファンデルワールス力で吸着可能な表面構造と柔軟性とを有し、
前記吸着部は、下記（ｃ）〜（ｅ）を満たすガラス基板保持手段（２）を提供する。
（ｃ）ガラス基板の１辺の長さをＬ（ｍｍ）とするとき、ガラス基板の端部からの距離が１／５Ｌ以下のガラス基板の外縁部のみに吸着部が接触する。
（ｄ）吸着部の単位表面積当たりの吸着力Ｆ0が０．０２２５〜１６．５ｇｆ／ｍｍ2である。
（ｅ）ガラス基板に対する吸着部の合計接触面積Ｓが２０ｍｍ2以上である。
【００１３】
以下、本明細書において、本発明のガラス基板保持手段（１）、（２）をまとめて本発明のガラス基板保持手段という場合がある。
【００１４】
本発明のガラス基板保持手段において、前記吸着部は、空気中に曝すとその表面に正電荷を帯電する性質を有することが好ましい。
【００１５】
本発明のガラス基板保持手段において、前記吸着部がシリコーン樹脂により形成されていることが好ましい。
【００１６】
本発明のガラス基板保持手段において、前記吸着部は、長さが０．１ｎｍ〜２０００ｎｍ、直径が４００ｎｍ以下、アスペクト比が２．５以上の柱状体（ピラー）を１０5〜１０12本／ｃｍ2の密度で表面に有する構造であることが好ましい。
【００１７】
本発明のガラス基板保持手段において、前記吸着部は、ガラス基板に対して複数の接触部位を有していてもよい。
【００１８】
本発明のガラス基板保持手段は、ガラス基板を持ち上げて前記吸着部から剥離するためのリフトアップ機構を有していることが好ましい。
【００１９】
本発明のガラス基板保持手段は、ガラス基板の側面、および、ガラス基板の上面の外縁部を覆う遮蔽部材を有していることが好ましい。
【００２０】
本発明のガラス基板保持手段は、ガラス基板の側面をファンデルワールス力で吸着保持する側面吸着部をさらに有していてもよい。
【００２１】
また、本発明は、ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、
乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記反射層を形成する際に、本発明のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、ＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法を提供する。
【００２２】
また、本発明は、ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの製造方法であって、
乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記反射層、および、前記吸収層のうち、少なくとも１つを形成する際に、本発明のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法（１）を提供する。
【００２３】
また、本発明は、ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成され、該ガラス基板の他方の面に導電膜が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの製造方法であって、
乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記導電膜、前記反射層、および、前記吸収層のうち、少なくとも１つを形成する際に、本発明のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクスの製造方法（２）を提供する。
【００２４】
また、本発明は、ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクスの前記吸収層をパターニングしてＥＵＶＬ用反射型マスクを得る、ＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法であって、
前記吸収層をパターニングする際に、本発明のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、ＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法を提供する。
【００２５】
また、本発明は、ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層が少なくともこの順に形成されており、前記吸収層がパターニングされたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクを用いて、被露光体に露光を行うことにより半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法であって、
前記ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクを用いて被露光体に露光を行う際に、本発明のガラス基板保持手段によって前記ガラス基板を保持することを特徴とする、半導体集積回路の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明のガラス基板保持手段はガラス基板の裏面のみを吸着保持するため、ガラス基板の成膜面への傷の発生およびそれによる発塵を防止することができる。また、ＥＵＶマスクブランクスの製造時において、機械的チャックのような、基板を直接挟持するような機構が存在しないため、ガラス基板保持手段自体からの成膜時の発塵を抑制できる。
本発明のガラス基板保持手段はガラス基板の裏面外縁部のみを吸着保持するため、ガラス基板の裏面中心部（例えば、１５２.４ｍｍ角の基板の場合、基板中心部の１４６ｍｍ角の領域）への異物の付着、傷の発生を解消することができる。
本発明のガラス基板保持手段は、静電チャックのような、高電圧を印加して強い静電気力を発生させる吸着が不要で、吸着部のファンデルワールス力、および、静電引力（吸着部が正極に帯電する場合）によってガラス基板を吸着保持するため、静電チャックでガラス基板を吸着保持した場合のように、残留電荷や漏洩電場によって異物を引き付ける問題が発生するおそれがない。
ガラス基板の保持手段として本発明のガラス基板保持手段を用いる、本発明のＥＵＶマスクブランクスの製造方法、および、反射型マスクの製造方法によれば、裏面中心部での異物や傷のないＥＵＶマスクブランクス、および、反射型マスクを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、本発明のガラス基板保持手段の１実施形態を模式的に示した平面図である。
【図２】図２は、図１に示すガラス基板保持手段の側面図であり、ガラス基板の搬入・搬出時の状態を模式的に示している。
【図３】図３は、図１に示すガラス基板保持手段の側面図であり、ガラス基板の保持時の状態を模式的に示している。
【図４】図４は、図１に示すガラス基板保持手段の側面図であり、ガラス基板の離脱時の状態を模式的に示している。
【図５】図５は、本発明のガラス基板保持手段の別の１実施形態を模式的に示した平面図である。
【図６】図６は、本発明のガラス基板保持手段のさらに別の１実施形態を模式的に示した平面図である。
【図７】図７は、本発明のガラス基板保持手段のさらに別の１実施形態を模式的に示した平面図である。
【図８】図８は、本発明のガラス基板保持手段のさらに別の１実施形態を模式的に示した平面図である。
【図９】図９は、図８に示すガラス基板保持手段の側面図であり、ガラス基板の搬入・搬出時の状態を模式的に示している。
【図１０】図１０は、図８に示すガラス基板保持手段の側面図であり、ガラス基板の保持時の状態を模式的に示している。
【図１１】図１１は、図８に示すガラス基板保持手段の側面図であり、ガラス基板の離脱時の状態を模式的に示している。
【図１２】図１２は、本発明のガラス基板保持手段のさらに別の１実施形態を模式的に示した平面図である。
【図１３】図１３は、図１２に示すガラス基板保持手段の側面図であり、ガラス基板の搬入・搬出時の状態を模式的に示している。
【図１４】図１４は、図１２に示すガラス基板保持手段の側面図であり、ガラス基板の保持時の状態を模式的に示している。
【図１５】図１５は、図１２に示すガラス基板保持手段の側面図であり、ガラス基板の離脱時の状態を模式的に示している。
【図１６】図１６は、比較例２で使用した機械的チャックを模式的に示した平面図である。
【図１７】図１７は、図１６に示す機械的チャックの側面図であり、ガラス基板の搬入・搬出時の状態を模式的に示している。
【図１８】図１８は、図１６に示す機械的チャックの側面図であり、ガラス基板の保持時の状態を模式的に示している。
【図１９】図１９は、図１６に示す機械的チャックの側面図であり、ガラス基板の離脱時の状態を模式的に示している。
【図２０】図２０は、一般的な物質と、ガラス基板と、を接触させた場合の両者の接触界面付近の構造を模式的に示した部分拡大断面図である。
【図２１】図２１は、本発明における吸着部と、ガラス基板と、を接触させた場合の両者の接触界面付近の構造を模式的に示した部分拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面を参照して本発明を説明する。
図１は、本発明のガラス基板保持手段の１実施形態を模式的に示した平面図である。図２〜４は図１に示すガラス基板保持手段の側面図である。図２はガラス基板のガラス基板の搬入・搬出時の状態を模式的に示しており、図３はガラス基板の保持時の状態を模式的に示しており、図４はガラス基板の離脱時の状態を模式的に示している。
【００２９】
図１〜４に示すガラス基板保持手段１００Ａにおいて、ベース１０はガラス基板保持手段１００Ａの基台をなす部分である。ベース１０は、ガラス基板２００を水平に保持するのに十分な機械的強度を有する材料で作製されている。ベース１０の構成材料の一例をあげると、酸化アルミニウム、アルミニウム、アルミニウム合金等で形成されている。これらアルミニウム系材料は、十分な機械的強度を有する一方で、軽量であることや、加工が容易で平面度が出しやすいことから好ましい。
ガラス基板２００を水平に保持するため、少なくともベース１０の表面が平坦になっている。
【００３０】
ベース１０表面のうち、外縁部の一部には吸着部２０が設けられている。ここで、外縁部全体に吸着部２０を設けていないのは、リフトアップ機構３０、および、基板搬送用のアーム５０が通過するための溝部４０を設けているためである。
図１において、ガラス基板２００を載せたアーム５０は、図中矢印方向に移動して、ベース１０上へのガラス基板２００の搬入、および、ベース１０上からのガラス基板２００の搬出を行う。ガラス基板２００の搬入・搬出時の状態は図２に示されている。ガラス基板の吸着保持は図３に示すように、ガラス基板２００を下降させて、ガラス基板２００と吸着部２０とを接触させることによって行う。ガラス基板の離脱時には、図４に示すように、リフトアップ機構３０によってガラス基板２００を上昇させることにより、ガラス基板２００と、吸着部２０と、が接触しないようにする。
【００３１】
吸着部２０は、ガラス基板２００と接触させた際に、該ガラス基板２００をファンデルワールス力で吸着可能な表面構造と柔軟性とを有している。
【００３２】
図２０、２１は、ガラス基板をファンデルワールス力で吸着するためにどのような表面構造を有していることが求められるかを説明するための図である。図２０は、一般的な物質（例えば、上述したアルミニウム系材料製のベース）３００と、ガラス基板２００と、を接触させた場合の両者の接触界面付近の構造を示した部分拡大断面図である。図２１は、吸着部２０と、ガラス基板２００と、を接触させた場合の両者の接触界面付近の構造を示した部分拡大断面図である。
【００３３】
一般的な物質と、ガラス基板と、を接触させた際に、両者の間にファンデルワールス力が働くためには、該物質を構成する分子と、ガラス基板を構成する分子と、の分子間距離が１〜５Åになることが好ましい。
ここで、図２０に示すように、一般的な物質３００の表面には、μｍオーダーの微小な凹凸３１０が存在する。ガラス基板２００についても同様であり、その表面にはμｍオーダーの微小な凹凸２１０が存在する。このため、一般的な物質３００と、ガラス基板２００と、を接触させると、物質３００の表面に存在する凹凸３１０と、ガラス基板２００の表面に存在する凹凸２１０と、がぶつかり合い、両者の接触界面では点接触状態になる。したがって、該物質３００を構成する分子と、ガラス基板２００を構成する分子と、の分子間距離が１〜５Åまで近づいている部分の面積が非常に小さい。このため、ガラス基板２００に対する物質３００のファンデルワールス力はほとんど働かず、ガラス基板２００が物質３００に吸着されることはない。
【００３４】
これに対して、図２１に示すように、吸着部２０の表面は、ヤモリの手の剛毛のように、例えば、長さ１μｍで直径２００ｎｍ程度のピラー（pillar）２２を多数植毛したような構造を有している。別の言い方をすると、吸着部２０の表面には、微細な柱状体（ピラー）が密に存在している。このため、ガラス基板２００と、吸着部２０と、を接触させた際に、これらのピラー２２がガラス基板２００の表面に存在するμｍオーダーの微小な凹凸２１０に従って撓むため、両者の接触界面において、凹凸２１０と、ピラー２２と、が面接触状態になる。この結果、吸着部２０を構成する分子と、ガラス基板２００を構成する分子と、の分子間距離が１〜５Åまで近づいている部分の面積が非常に大きくなる。このため、ガラス基板２００に対する吸着部２０のファンデルワールス力が働いて、ガラス基板２００が吸着部２０に吸着されることとなる。
【００３５】
本発明のガラス基板保持手段において、吸着部は、長さが好ましくは０．１ｎｍ〜２０００ｎｍ、より好ましくは１ｎｍ〜３００ｎｍ、さらに好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍ、直径が好ましくは４００ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ〜３０ｎｍ、さらに好ましくは３ｎｍ〜２０ｎｍ、アスペクト比が好ましくは２．５以上、より好ましくは５〜５０、さらに好ましくは１０〜３０の柱状体（ピラー）を、好ましくは１０5〜１０12本／ｃｍ2、より好ましくは１０6〜１０11本／ｃｍ2の密度で表面に有する構造であることが、ファンデルワールス力を効果的に発揮させるうえで好ましい。
【００３６】
但し、図２１は、吸着部の表面構造の一例を示したものであり、本発明のガラス基板保持手段における吸着部の表面構造はこれに限定されない。すなわち、ガラス基板と、吸着部と、を接触させた際に、吸着部の表面がガラス基板の表面に存在するμｍオーダーの微小な凹凸に従って変形し、吸着部を構成する分子と、ガラス基板を構成する分子と、の分子間距離が１〜５Åまで近づいている部分の面積が大きくなり、ガラス基板に対して吸着部のファンデルワールス力が働く構造であればよい。
【００３７】
上述したメカニズムによりファンデルワールス力を発揮する構造の吸着部であれば、ガラス基板と、吸着部と、を接触させた際に、吸着部の表面がガラス基板の表面に存在するμｍオーダーの微小な凹凸に従って変形することにより、ガラス基板に対する吸着部の平坦度が見かけ以上に良くなり、吸着力の均一性も高まる。
【００３８】
なお、ガラス基板２００と接触させた際に、該ガラス基板２００をファンデルワールス力で吸着可能な表面構造と柔軟性とを有している吸着部２０は、例えば、シリコーン樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、フッ素系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（例えば、ポリエチレン系樹脂）、ポリ塩化ビニル系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）系樹脂等の高分子樹脂を少なくとも一つを用いて形成することができる。
【００３９】
吸着部２０をシリコーン樹脂により形成した場合、ガラス基板２００と吸着部２０との間には、ファンデルワールス力に加えて、静電引力も作用する。
シリコーン樹脂は、帯電性にも優れており、空気中に曝すとその表面に正電荷を帯電する。すなわち、ほとんどの樹脂は、負極に帯電するが、シリコーン樹脂では正極に帯電する特徴がある。例えば、樹脂であるカプトンの表面電位は、−０．１４ｋＶで、シリコーン樹脂の表面電位は、＋０．１１ｋＶとなる。
一方、ガラス基板２００表面は負極に帯電するので、ガラス基板２００と、吸着部２０と、を接触させた際に、負極に帯電するガラス基板２００と、正極に帯電する吸着部２０と、の間に静電引力が作用する。
したがって、吸着部２０をシリコーン樹脂により形成した場合、ファンデルワールス力と、静電引力と、によってガラス基板２００が吸着されることとなる。
但し、帯電によるシリコーン樹脂の表面電位は、上述したように、「＋０．１１ｋＶ」程度であり、従来の静電チャックの表面電位に比べて非常に低い。したがって、静電チャックでガラス基板を保持した場合のように、残留電荷や漏洩電場によって異物を引き付けることがない。
【００４０】
なお、ガラス基板２００と吸着部２０との間に作用するファンデルワールス力、および、静電引力（吸着部の表面が正極に帯電する場合）は、リフトアップ機構３０を上昇させる機械的力に比べて極めて小さいので、リフトアップ機構３０を上昇させることによって、ガラス基板２００を吸着部２０から容易に剥離することができる。
【００４１】
本発明のガラス基板保持手段１００Ａにおいて、ベース１０表面のうち、外縁部のみに吸着部２０が設けられているのは、ガラス基板２００の中心部に異物が付着するのを防止するために、ガラス基板２００の外縁部のみに吸着部２０を接触させるためである。すなわち、吸着部２０は、ガラス基板２００の外縁部のみに接触する位置に設けられている。具体的には、ガラス基板の１辺の長さをＬ（ｍｍ）とするとき、ガラス基板の端部からの距離が１／５Ｌ以下のガラス基板の外縁部のみに接触する位置に吸着部２０が設けられている。
本発明のガラス基板保持手段において、ガラス基板の端部からの距離が１／１０Ｌ以下のガラス基板の外縁部のみに接触する位置に吸着部２０が設けられていることが好ましく、３／１００Ｌ以下のガラス基板の外縁部のみに接触する位置に吸着部２０が設けられていることがより好ましい。
【００４２】
本発明のガラス基板保持手段は、ガラス基板２００を吸着部２０に接触させた際に、ガラス基板２００を保持するのに十分な吸着力を発揮する。具体的には、ガラス基板の質量をＴ（ｇ）とするとき、吸着部による基板吸着力Ｆ（ｇｆ）が下記式（１）を満たすことが求められる。
Ｆ＝α×Ｔ    （１）
式（１）中のαは、１≦α≦２００である。
ここで、α＜１だと、基板吸着力が不十分となり、ＥＵＶマスクブランクスの製造時や、ＥＵＶマスクブランクスから反射型マスクを作製する際に実施される吸収層のパターニング時、あるいは、ＥＵＶリソグラフィでの露光時の反射型マスクのハンドリングの際に、ガラス基板の位置ずれや落下が生じるおそれがある。
一方、α＞２００だと、基板吸着力が大きすぎるため、吸着部からガラス基板を剥離するのが困難になる。
上記式（１）におけるαは、１．２≦α≦１００であることが好ましく、より好ましくは１．５≦α≦５０、特に好ましくは１．７≦α≦１０である。
【００４３】
吸着部による基板吸着力Ｆは、吸着部の単位表面積当たりの吸着力Ｆ0（ｇｆ／ｍｍ2）、および、ガラス基板に対する吸着部の合計接触面積Ｓ（ｍｍ2）との間で下記式（２）に示す関係を満たす。
Ｆ＝Ｆ0×Ｓ    （２）
したがって、吸着部による基板吸着力Ｆが上記式（１）を満たすように、吸着部の単位表面積当たりの吸着力Ｆ0、および、ガラス基板に対する吸着部の合計接触面積Ｓを選択すればよい。
一例を挙げると、保持するガラス基板が、ＥＵＶマスクブランクスの基板として一般的に用いられる１５２．４ｍｍ角のガラス基板の場合、その質量は約３３０ｇである。ここで、吸着部として、単位表面積当たりの吸着力Ｆ0が４ｇｆ／ｍｍ2のシリコーン樹脂を使用する場合、上記式（１）、（２）から、最低限必要となる吸着部の合計接触面積Ｓは８２．５ｍｍ2となる。
また、ＥＵＶマスクブランクスの基板として一般的に用いられる１５２．４ｍｍ角のガラス基板を保持する場合には、単位表面積当たりの吸着力Ｆ0が０．０２２５ｇｆ／ｍｍ2以上１６．５ｇｆ／ｍｍ2以下の吸着部を使用し、上記式（１）、（２）を満たすように、ガラス基板に対する吸着部の合計接触面積Ｓを設定することで、ガラス基板を保持するのに十分な吸着力を発揮されることになる。具体的には、単位表面積当たりの吸着力Ｆ0が０．０２２５ｇｆ／ｍｍ2の場合にはガラス基板に対する吸着部の合計接触面積Ｓを１４６６７ｍｍ2以上とすればよく、単位表面積当たりの吸着力Ｆ0が１６．５ｇｆ／ｍｍ2の場合にはガラス基板に対する吸着部の合計接触面積Ｓを２０ｍｍ2以上とすればよい。単位表面積当たりの吸着力Ｆ0が０．０２２５ｇｆ／ｍｍ2超１６．５ｇｆ／ｍｍ2未満の場合には、上記の考え方にしたがって、ガラス基板に対する吸着部の合計接触面積Ｓを適宜選択すればよい。
単位表面積当たりの吸着力Ｆ0は、０．１ｇｆ／ｍｍ2〜１２ｇｆ／ｍｍ2がより好ましく、１ｇｆ／ｍｍ2〜７ｇｆ／ｍｍ2がさらに好ましく、３ｇｆ／ｍｍ2〜５ｇｆ／ｍｍ2が特に好ましい。
【００４４】
図１〜４に示すガラス基板保持手段１００Ａを用いて、本発明のガラス基板保持手段を説明したが、下記（ａ）、（ｂ）の条件を満たす限り、吸着部の配置は図示した態様に限定されない。
（ａ）ガラス基板の端部からの距離が１／５Ｌ以下のガラス基板の外縁部のみに接触する位置に吸着部が設けられている。
（ｂ）吸着部による基板吸着力Ｆが上記式（１）を満たす。
【００４５】
図５〜７は、本発明のガラス基板保持手段における吸着部の配置のバリエーションを模式的に示した平面図である。
図５に示すガラス基板保持手段１００Ｂでは、ベース１０の外縁部全体に吸着部２０が設けられており、該吸着部２０に囲まれる形で、ベース１０の四隅にはリフトアップ機構３０が設けられている。ベース１０には基板搬送用のアーム５０が通過するための溝部が設けられていないが、リフトアップ機構３０によってガラス基板２００を上昇させる高さが十分で、ベース１０の上方をアーム５０が通過できる場合には、このような吸着部の配置も可能である。
なお、ベース上におけるリフトアップ機構の配置は、ガラス基板を傾けることなく、水平な状態に保ったままで上下方向に移動させることができ、基板搬送用のアームの移動や吸着部によるガラス基板の吸着の妨げにならない限り特に限定されず、図示した以外の配置であってもよい。
【００４６】
図６に示すガラス基板保持手段１００Ｃは、ベース１０上における吸着部２０、および、リフトアップ機構３０の配置が図４に示すガラス基板保持手段１００Ｂと類似している。但し、ガラス基板保持手段１００Ｃでは、ベース１０上に基板搬送用のアーム５０が通過するための溝部４０が設けられている。ベース１０上にアーム５０が通過するための溝部４０を設けることは、ガラス基板２００の着脱時において、リフトアップ機構３０によるガラス基板２００の上下方向の移動を少なくできることから好ましい。
【００４７】
図７に示すガラス基板保持手段１００Ｄは、ベース１０上におけるリフトアップ機構３０の配置、および、基板搬送用のアーム５０が通過するための溝部４０の配置が、図１に示すガラス基板保持手段１００Ａと類似している。但し、小片状の吸着部２０がドット状にベース１０上に多数配置された構造となっている。吸着部全体としての基板吸着力Ｆが上記式（１）を満たすことができる限り、このような構造であってもよい。
【００４８】
ＥＵＶマスクブランクの製造時におけるガラス基板の保持に使用する場合、本発明のガラス基板保持手段は、ガラス基板の側面、および、ガラス基板の上面の外縁部を覆う遮蔽部材を有していることが好ましい。
図８は、遮蔽部材を有する本発明のガラス基板保持手段を模式的に示した平面図である。図９〜１１は、図８に示すガラス基板保持手段の側面図である。図９はガラス基板の搬入・搬出時の状態を模式的に示している。図１０はガラス基板の保持時の状態を模式的に示している。図１１はガラス基板の離脱時の状態を模式的に示している。
図８〜１１に示すガラス基板保持手段１００Ｅは、ガラス基板２００の保持時において、該ガラス基板２００の側面、および、該ガラス基板２００の上面の外縁部を覆う遮蔽部材６０、ならびに、該遮蔽部材６０を上下方向に移動するためのリフトアップ機構７０を有する点を除いて、図１〜４に示すガラス基板保持手段１００Ａと同様の構成である。
図８〜１１に示すガラス基板保持手段１００Ｅでは、遮蔽部材６０によってガラス基板２００の側面、および、該ガラス基板２００の上面の外縁部が覆われるため、後述する手順でＥＵＶマスクブランクを製造する際に、これらの部位への着膜を抑制することができる。
遮蔽部材６０は、ガラス基板２００の側面、および、該ガラス基板２００の上面の外縁部への着膜を抑制するためには有効であるが、ガラス基板の搬入・搬出時や、ガラス基板の離脱時には、遮蔽部材６０が妨げとなるおそれがある。このため、図９、１１に示すように、リフトアップ機構７０で遮蔽部材６０を上昇させることで、ガラス基板の搬入・搬出時や、ガラス基板の離脱時に遮蔽部材６０が妨げとならないようにする。
【００４９】
ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板では、該ガラス基板の成膜面全体がマスクパターンの形成に用いられるわけではない。例えば、１５２．４ｍｍ角のガラス基板の場合、該ガラス基板を用いて製造されるＥＵＶマスクにおける光学特性の品質保証領域は１３２ｍｍ角の領域である。このため、ＥＵＶマスクブランクスをパターニングしてＥＵＶマスクを作成する際に、レジスト膜が形成される領域は１４２ｍｍ角の領域である。成膜面上に反射層および吸収層を形成する場合も、レジスト膜が形成される１４２ｍｍ角の領域に反射層および吸収層を形成すればよく、それよりも外側の成膜面の外縁部への着膜は、ガラス基板の側面への着膜につながるので望ましくない。
また、ガラス基板成膜面の外縁部には、安全上の理由や、ガラス基板の表裏を認識しやすくするために、面取り部やノッチマークが設けられる場合があるが、角部が存在する面取り部やノッチマークに着膜すると、剥離しやすく、剥離した膜材料は基板側面への着膜の原因となったり、製造されるマスクブランクスにおける欠陥の発生源となるので望ましくない。
さらに、フォトマスクの製造工程において導入されている、ガラス基板側面から光学的に基板を検知する自動搬送機構においては、ガラス基板の側面への着膜がないほうが、基板検知をスムーズに行うことができることからも、成膜面の外縁部への着膜は、ガラス基板の側面への着膜につながるので望ましくない。
図８〜１１に示すガラス基板保持手段１００Ｅでは、ガラス基板の側面、および、該ガラス基板の上面（すなわち、成膜面）の外縁部への着膜を抑制できるので、ガラス基板の成膜面の外縁部、および、該ガラス基板の側面への着膜による上述した問題を解消することができる。
【００５０】
図８〜１１に示すガラス基板保持手段１００Ｅにおいて、ガラス基板２００の上面のうち、遮蔽部材６０で覆われる部分の幅（ガラス基板２００の端部からの距離）は、１〜９ｍｍであることが好ましい。
ガラス基板２００の上面のうち、遮蔽部材６０で覆われる部分の幅が上記の範囲であれば、ＥＵＶマスクブランクスの製造時において、ガラス基板の成膜面の外縁部、および、ガラス基板の側面への着膜を最小限に抑えることができる。また、ガラス基板の成膜面の外縁部に面取り部やノッチマークが設けられている場合、面取り部やノッチマークへの着膜を抑制することができる。
ガラス基板２００の上面のうち、遮蔽部材６０で覆われる部分の幅は３〜７ｍｍであることがより好ましく、４〜６ｍｍであることがさらに好ましい。
【００５１】
ガラス基板保持手段１００Ｅのように、ガラス基板の側面を覆う構造の遮蔽部材を有するガラス基板保持手段では、遮蔽部材上、具体的には、ガラス基板の保持時において、ガラス基板の側面と接触する位置に、上述した吸着部（すなわち、ファンデルワールス力でガラス基板を吸着保持する吸着部）を設けてもよい。該吸着部は、ガラス基板の側面を吸着保持する側面吸着部として機能する。
図１２〜１５は、このような側面吸着部を有するガラス基板保持手段を模式的に示した図である。図１２は、ガラス基板保持手段を模式的に示した平面図である。ここで、側面吸着部８０の配置を明確にするため、ガラス基板保持手段１００Ｅと同様の構造の遮蔽部材６０は省略されている。
図１３〜１５は、図１２に示すガラス基板保持手段の側面図である。なお、図１３はガラス基板の搬入・搬出時の状態を模式的に示している。図１４はガラス基板の保持時の状態を模式的に示している。図１５はガラス基板の離脱時の状態を模式的に示している。
図１４に示すように、ガラス基板２００の保持時においては、遮蔽部材６０上に設けた側面吸着部８０がガラス基板２００の側面と接触することによって、ファンデルワールス力でガラス基板を吸着保持する。ガラス基板保持手段１００Ｆの場合、吸着部２０による基板吸着力と、側面吸着部８０による基板吸着力と、を合わせたトータルの基板吸着力が、上述した吸着部による基板吸着力Ｆを満たすように、吸着部（吸着部２０、側面吸着部８０）の単位表面積当たりの吸着力、および、ガラス基板に対する吸着部（吸着部２０、側面吸着部８０）の合計接触面積を選択すればよい。
ガラス基板保持手段１００Ｆでは、ガラス基板の搬入・搬出時、および、ガラス基板の離脱時には、側面吸着部８０がガラス基板２００の側面と接触しないようにする必要がある。このため、ガラス基板保持手段１００Ｆは、遮蔽部材６０を上下方向に移動するためのリフトアップ機構７０ａに加えて、該遮蔽部材６０を周方向に平行移動するための機構７０ｂを有している。
なお、ガラス基板保持手段１００Ｆでは、遮蔽部材６０上に側面吸着部８０が設けられているが、本発明のガラス基板保持手段において、側面吸着部を設ける位置はこれに限定されず、ガラス基板の保持時において、ガラス基板の側面と接する位置であれば、いずれの位置に設けてもよい。
【００５２】
次に、本発明のＥＵＶマスクブランクスの製造方法について説明する。
ＥＵＶマスクブランクスは、ガラス基板の一方の面（以下、「成膜面」という。）にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層がこの順に形成されたものを基本構成とする。ＥＵＶマスクブランクスの反射層としては、ＥＵＶ波長域において高反射率を達成できることから、高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に複数回積層させた多層反射膜が広く用いられている。
本発明の方法によって製造されるＥＵＶマスクブランクスは、上記以外の各種機能層を有していてもよい。このような機能層の具体例としては、反射層の表面が酸化されるのを防止する目的で反射層上に必要に応じて形成される反射層の保護層、パターニングの際に反射層がダメージを受けるのを防止する目的で反射層と吸収層との間に必要に応じて形成されるバッファ層、マスクパターンの検査時のコントラストを向上させる目的で吸収層上に必要に応じて形成されるマスクパターンの検査光に対する低反射層が挙げられる。
また、ガラス基板の他方の面、すなわち、成膜面に対する裏面（以下、本明細書において、単に「裏面」という場合がある。）には裏面導電膜を有していてもよい。
【００５３】
本発明のＥＵＶマスクブランクス製造方法では、ガラス基板上、具体的には、ガラス基板の成膜面上に、反射層および吸収層をマグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、および、真空蒸着法といった乾式成膜法によって形成できる。
必要に応じて形成される上記の各種機能膜を有するＥＵＶマスクブランクスを製造する場合には、ガラス基板上、具体的には、ガラス基板の成膜面上に、上記の各種機能膜を乾式成膜法によって形成できる。
また、裏面導電膜を有するＥＵＶマスクブランクスを製造する場合には、ガラス基板上、具体的には、ガラス基板の裏面上に、裏面導電膜を乾式成膜法や電解めっき法といった湿式成膜法によって形成できる。但し、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を吸着保持した状態で裏面導電膜を形成する場合、乾式成膜法を用いて裏面導電膜を形成する。
これらの成膜法のうち、いずれを使用するかは形成する膜によって適宜選択することができるが、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法が、均質な膜厚を作成し易い点、タクトが短い点から好ましい。
【００５４】
本発明のＥＵＶマスクブランクス製造方法を用いて、上述した基本構成のＥＵＶマスクブランクスを製造する場合、乾式成膜法によって反射層および吸収層のうち少なくとも１つを形成する際に、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を吸着保持する。
裏面導電膜を有するＥＵＶマスクブランクスを製造する場合には、乾式成膜法によって反射層、吸収層および裏面導電膜のうち少なくとも１つを形成する際に、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持する。
したがって、反射層、吸収層および裏面導電膜のうち、いずれか１つを形成する際のみ、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持し、残りの２つを形成する際には他の保持手段（例えば、静電チャック）を用いてガラス基板を保持してもよい。
但し、ガラス基板の被保持面への異物の付着、特に、被保持面の中心部への異物の付着、を防止するためには、これら全てを形成する際に、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持することが好ましい。
必要に応じて形成される上記の各種機能膜を有するＥＵＶマスクブランクスを製造する場合には、乾式成膜法によって上記各種機能膜を形成する際にも、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を保持することが好ましい。
【００５５】
上述した基本構成のＥＵＶマスクブランクスの吸収層を形成する前の状態、すなわち、ガラス基板の成膜面上に反射層を形成したものが本発明の方法により製造されるＥＵＶＬ用反射層付基板であり、ＥＵＶマスクブランクの前駆体をなすものである。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法では、ガラス基板の成膜面上に、乾式成膜法によって反射層を形成する際に、本発明のガラス基板保持手段を用いてガラス基板を吸着保持する。
【００５６】
以下、本発明の方法により製造されるＥＵＶマスクブランクスの構成例を示す。
【００５７】
ＥＵＶマスクブランクスの製造に用いるガラス基板は、ＥＵＶマスクブランクス用の基板としての特性を満たす。
ガラス基板は、低熱膨張係数（０±１．０×１０-7／℃であることが好ましく、より好ましくは０±０．３×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．２×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．１×１０-7／℃、特に好ましくは０±０．０５×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクスまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。ガラス基板としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いることができるがこれに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスなどの基板を用いることもできる。
ガラス基板は、０．１５ｎｍ  ｒｍｓ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
ガラス基板の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。後で示す実施例では外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３５ｍｍ）のＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラスを用いた。
ガラス基板の成膜面には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が６０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００５８】
ＥＵＶマスクブランクスの反射層に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率であることである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層表面に入射角度６度で照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。
【００５９】
ＥＵＶマスクブランクスの反射層としては、ＥＵＶ波長域において高反射率を達成できることから、高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に複数回積層させた多層反射膜が広く用いられている。多層反射膜の具体例としては、低屈折率膜としてのＭｏ膜と、高屈折率膜としてのＳｉ膜とを交互に複数回積層させたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が挙げられる。
Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合に、ＥＵＶ光線反射率の最大値が６０％以上の反射層とするには、膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層とを繰り返し単位数が３０〜６０になるように積層させればよい。
【００６０】
なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層は、乾式成膜法、具体的にはマグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２．３ｎｍとなるようにＭｏ層を成膜し、次に、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ層を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｍｏ層およびＳｉ層を４０〜５０周期積層させることによりＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が成膜される。
【００６１】
ＥＵＶマスクブランクスの吸収層に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収層表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率が０．５％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがより好ましい。
上記の特性を達成するため、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成されることが好ましい。ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料の具体例としては、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が挙げられる。
タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料で構成される吸収層の具体例としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉおよび窒素（Ｎ）を以下に述べる比率で含有する吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）が挙げられる。
Ｂの含有率  １ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは１．５〜４ａｔ％
Ｓｉの含有率  １〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１２ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）  ８：１〜１：１
Ｔａの含有率  好ましくは５０〜９０ａｔ％、より好ましくは６０〜８０ａｔ％
Ｎの含有率  好ましくは５〜３０ａｔ％、より好ましくは１０〜２５ａｔ％
【００６２】
上記組成の吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）は、その結晶状態はアモルファスであり、表面の平滑性に優れている。
上記組成の吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）であれば、吸収層表面の表面粗さを０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下とすることができる。吸収層表面の表面粗さが大きいと、吸収層に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収層表面は平滑であることが要求される。
吸収層表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下であれば、吸収層表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。
【００６３】
吸収層の厚さは、５０〜１００ｎｍであることが好ましい。
【００６４】
上記組成の吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）は、乾式成膜法、具体的にはマグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法を用いて形成することができる。マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、下記（１）〜（３）の方法で吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）を形成することができる。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、Ａｒで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させることによって吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）を形成する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをＡｒで希釈したＮ2雰囲気中で同時放電させることによって吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）を形成する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをＡｒで希釈したＮ2雰囲気中で放電させることによって吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）を形成する。
なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節することによって、形成される吸収層の組成を制御することができる。
上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０〜９４ａｔ％、Ｓｉ＝５〜３０ａｔ％、Ｂ＝１〜２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
【００６５】
上記例示した方法で吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｓｅｃ
【００６６】
裏面導電膜を形成する場合、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。裏面導電膜の構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択することができる。例えば、特表２００３−５０１８２３号公報（本出願に組み入れられる）に記載の高誘電率物質層、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、ＴａＳｉからなる群から選択される物質層が挙げられる。また、再表２００８／０７２７０６に記載のクロムおよび窒素を含有する導電膜（ＣｒＮ膜）が挙げられる。該ＣｒＮ膜は、乾式成膜法、具体的には、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、および、真空蒸着法といった乾式成膜法によって形成することができる。該ＣｒＮ膜をマグネトロンスパッタリング法により形成する場合、ターゲットをＣｒターゲットとし、スパッタガスをＡｒとＮ2の混合ガスとして、マグネトロンスパッタリングを実施すればよく、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜４５ｖｏｌ％、好ましくは５〜４０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜３５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜５０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜４０×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３０×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍ
【００６７】
次に、本発明の反射型マスクの製造方法について説明する。ＥＵＶマスクブランクスから反射型マスクを作製する際、マスクブランクスの吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）をパターニングする。本発明の反射型マスクの製造方法では、この吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）のパターニングの際に、本発明のガラス基板保持手段を用いて、ＥＵＶマスクブランクスを構成するガラス基板を吸着保持する。
本発明の反射型マスクの製造方法において、吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）のパターニング方法は特に限定されず、例えば、吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）上にレジストを塗布してレジストパターンを形成し、これをマスクとして吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）をエッチングする方法を採用できる。レジストの材料やレジストパターンの描画法は、吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）の材質等を考慮して適宜選択すればよい。吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）のエッチング方法も特に限定されず、反応性イオンエッチング等のドライエッチングまたはウエットエッチングが採用できる。吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）をパターニングした後、レジストを剥離液で剥離することにより反射型マスクマスクが得られる。
【００６８】
次に、本発明の半導体集積回路の製造方法について説明する。本発明は、ＥＵＶ光を露光用光源として用いるフォトリソグラフィ法による半導体集積回路の製造方法に適用できる。具体的には、レジストを塗布したシリコンウェハ等の基板をステージ上に配置し、反射鏡を組み合わせて構成した反射型の露光装置に反射型マスクを設置する。そして、ＥＵＶ光を光源から反射鏡を介して反射型マスクに照射し、ＥＵＶ光を反射型マスクによって反射させてレジストが塗布された基板に照射する。このパターン転写工程により、回路パターンが基板上に転写される。回路パターンが転写された基板は、現像によって感光部分または非感光部分をエッチングした後、レジストを剥離する。半導体集積回路は、このような工程を繰り返すことで製造される。本発明では、反射型マスクを用いて被露光体（レジストが塗布された基板）に露光を行う際に、ガラス基板保持手段によって反射型マスクを構成するガラス基板を保持する。
【実施例】
【００６９】
以下、実施例により本発明を詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００７０】
（実施例１）
実施例１では、図５に示すガラス基板保持手段１００Ｂを作製した。外形６インチ（１５２．４ｍｍ角）の酸化アルミニウム製のベース１０の外縁部に、シリコーン樹脂により吸着部２０を形成した。使用したシリコーン樹脂は単位表面積当たりの吸着力Ｆ0が４ｇｆ／ｍｍ2であり、吸着部２０の幅は１．５ｍｍ、高さは１ｍｍとした。したがって、ガラス基板に対する吸着部２０の接触面積Ｓは約９０２ｍｍ2である。また、上記式（２）から吸着部２０による基板吸着力Ｆは約３６０８ｇｆとなる。
ベース１０の四隅には吸着部２０からガラス基板２００を剥離するために直径１ｍｍの円形リフトアップ機構３０を設けた。
【００７１】
作製したガラス基板保持手段１００Ｂを用いて、ＥＵＶマスクブランクス用のガラス基板を吸着保持した。ガラス基板２００には外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角、厚さ０．２５インチ（６．３５ｍｍ）のＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス製の基板を使用した。このガラス基板２００の質量は約３３０ｇであり、２２℃における熱膨張係数が０／℃である。
圧力２．０Ｅ−４Ｔｏｒｒの真空中でガラス基板保持手段１００Ｂのベース１０を１０ｒｐｍで回転させながらガラス基板２００を２時間保持した。リフトアップ機構３０でガラス基板２００を上昇させることによって、吸着部２０からガラス基板２００を剥離して回収した。ガラス基板の吸着保持側の面の欠陥数、具体的には、該面の検査領域１４６ｍｍ角内の２００ｎｍ以上の欠陥数を、市販の欠陥検査装置（レーザーテック社製Ｍ１３５０）にて吸着保持前後に測定した。その結果、吸着保持後に増加した２００ｎｍ以上の欠陥数は０個であった。
上記と同様の手順でガラス基板の吸着保持を１０回繰り返したが、該ガラス基板の吸着保持手段１００Ｂのベース１０からのズレや落下が見られず、吸着保持力の低下は起こらなかった。
【００７２】
（実施例２）
実施例２では、図６に示すガラス基板保持手段１００Ｃを作製した。基板搬送用アーム５０が通過するために幅１９ｍｍの溝４０が加工されたベース１０を用いた以外は実施例１と同様の手順でガラス基板保持手段を作製した。したがって、ガラス基板に対する吸着部２０の接触面積Ｓは約７８８ｍｍ2であり、吸着部２０による基板吸着力Ｆは約３１５２ｇｆとなる。
実施例１と同様の手順でガラス基板の吸着保持を行い、吸着保持後に増加した２００ｎｍ以上の欠陥数を評価したところ、実施例１と同様に０個であった。
上記と同様の手順でガラス基板の吸着保持を１０回繰り返したが、該ガラス基板の吸着保持手段１００Ｃのベース１０からのズレや落下が見られず、吸着保持力の低下は起こらなかった。
【００７３】
（実施例３）
実施例３では、図１〜４に示すガラス基板保持手段１００Ａを作製した。実施例２と同様に基板搬送用アーム５０が通過するための溝４０が加工されたベース１０を使用し、該ベース１０の外縁部の一部に、実施例１、２と同じシリコーン樹脂により吸着部２０を形成した。吸着部２０の幅は２ｍｍ、高さは１ｍｍとし、ガラス基板に対する吸着部２０の合計接触面積Ｓは約７６０ｍｍ2とした。溝４０近傍にはリフトアップ機構３０を設けた。吸着部２０による基板吸着力Ｆは約３０４０ｇｆとなる。
実施例１、２と同様の手順でガラス基板の吸着保持を行い、吸着保持後に増加した２００ｎｍ以上の欠陥数を評価したところ、実施例１、２と同様に０個であった。
上記と同様の手順でガラス基板の吸着保持を１０回繰り返したが、該ガラス基板の吸着保持手段１００Ａのベース１０からのズレや落下が見られず、吸着保持力の低下は起こらなかった。
【００７４】
（実施例４）
実施例４では、図７に示すガラス基板保持手段１００Ｄを作製した。実施例２、３と同様に、基板搬送用アーム５０が通過するための溝４０が加工されたベース１０を使用し、該ベース１０の外縁部の一部に実施例１〜４と同じシリコーン樹脂により、小片状の吸着部２０をドット状に多数形成した。個々の小片の幅は１ｍｍ、長さは１ｍｍ、高さは０．５ｍｍとし、ガラス基板に対する吸着部２０の合計接触面積Ｓは約５００ｍｍ2とした。吸着部２０による基板吸着力Ｆは約２０００ｇｆとなる。溝４０近傍にはリフトアップ３０機構を設けた。
実施例１〜３と同様の手順でガラス基板の吸着保持を行い、吸着保持後に増加した２００ｎｍ以上の欠陥数を評価したところ、実施例１〜３と同様に０個であった。
上記と同様の手順でガラス基板の吸着保持を１０回繰り返したが、該ガラス基板の吸着保持手段１００Ｄのベース１０からのズレや落下が見られず、吸着保持力の低下は起こらなかった。
【００７５】
（実施例５）
実施例５では、図８〜１１に示すガラス基板保持手段１００Ｅを作製した。ガラス基板保持手段１００Ｅは、ガラス基板２００の保持時において、該ガラス基板２００の側面、および、該ガラス基板２００の上面の外縁部を覆う遮蔽部材６０、ならびに、該遮蔽部材６０を上下方向に移動させるためのリフトアップ機構７０を設けた以外は、ガラス基板保持手段１００Ａと同様の構成である。したがって、吸着部２０による基板吸着力Ｆは約３０４０ｇｆとなる。
実施例１〜４と同様の手順でガラス基板の吸着保持を行い、吸着保持後に増加した２００ｎｍ以上の欠陥数を評価したところ、実施例１〜４と同様に０個であった。
上記と同様の手順でガラス基板の吸着保持を１０回繰り返したが、該ガラス基板の吸着保持手段１００Ｅのベース１０からのズレや落下が見られず、吸着保持力の低下は起こらなかった。
【００７６】
（実施例６）
実施例６では、図１２〜１５に示すガラス基板保持手段１００Ｆを作製した。ガラス基板保持手段１００Ｆは、遮蔽部材６０を上下方向に移動させるためのリフトアップ機構７０ａに加えて、該遮蔽部材６０を周方向に移動させるための機構７０ｂを設けたこと、基板側面も保持するようシリコーン樹脂による吸着部（側面吸着部８０）を遮蔽部材６０にも設けた以外は、ガラス基板保持手段１００Ｅと同様の構成である。但し、吸着部２０による基板吸着力と、側面吸着部８０による基板吸着力と、がトータルで約３０４０ｇｆとなるように、ガラス基板に対する吸着部２０および側面吸着部８０の合計接触面積を調整した。
実施例１〜５と同様の手順でガラス基板の吸着保持を行い、吸着保持後に増加した２００ｎｍ以上の欠陥数を評価したところ、実施例１〜５と同様に０個であった。
上記と同様の手順でガラス基板の吸着保持を１０回繰り返したが、該ガラス基板の吸着保持手段１００Ｆのベース１０からのズレや落下が見られず、吸着保持力の低下は起こらなかった。
【００７７】
（比較例１）
比較例１では、酸化アルミニウムを吸着保持面とする静電チャックを用いて、ガラス基板の吸着保持を実施した。静電チャックの吸着保持面は平面形状が、一辺が１４３ｍｍの正方形形状であり、ガラス基板保持手段１００Ａ、Ｃ〜Ｆと同様に基板搬送用アーム５０が通過するための溝４０が加工されている。ガラス基板に対する接触面積は１５０１５ｍｍ2である。静電チャックの電極間電圧を１０００Ｖとして、ガラス基板の中心部を吸着保持した。
実施例１〜６と同様の手順で吸着保持後に増加した２００ｎｍ以上の欠陥数を評価したところ４００００個であり、実施例１〜６と比較して４００００個多い結果であり、ＥＵＶリソグラフィ用途としては使用できないレベルであった。
【００７８】
（比較例２）
比較例２では、図１６〜１９に記載の機械的チャックを用いて、ガラス基板の保持を実施した。図１６は、比較例２で使用した機械的チャックを模式的に示した平面図である。図１７〜１９は図１６に示す機械的チャックの側面図である。図１７はガラス基板のガラス基板の搬入・搬出時の状態を模式的に示しており、図１８はガラス基板の保持時の状態を模式的に示しており、図１９はガラス基板の離脱時の状態を模式的に示している。機械的チャック５００では、リフトアップ機構５１０によりガラス基板２００を上昇させることによって、ガラス基板２００を上下方向から挟持して保持する。ここで、ガラス基板２００の挟持力は３３００ｇｆであり、ガラス基板２００の上下面とも、該ガラス基板２００の端部からの距離が５ｍｍまでの部位を挟持した。
実施例１〜６と同様の手順で吸着保持後に増加した２００ｎｍ以上の欠陥数を評価したところ、１０００個であり、実施例１〜６と比較して１０００個多い結果であり、ＥＵＶリソグラフィ用途としては使用できないレベルであった。
【符号の説明】
【００７９】
１００Ａ〜１００Ｆ：ガラス基板保持手段
１０：ベース
２０：吸着部
２２：ピラー
３０：リフトアップ機構
４０：溝部
５０：基板搬送用アーム
６０：遮蔽部材
７０，７０ａ：遮蔽部材のリフトアップ機構
７０ｂ：遮蔽部材を周方向に移動させる機構
８０：側面吸着部
２００：ガラス基板
２１０：凹凸
３００：一般的な物質
３１０：凹凸
５００：機械的チャック
５１０：リフトアップ機構
【図１】
2012089837.tif 000003
【図２】
2012089837.tif 000004
【図３】
2012089837.tif 000005
【図４】
2012089837.tif 000006
【図５】
2012089837.tif 000007
【図６】
2012089837.tif 000008
【図７】
2012089837.tif 000009
【図８】
2012089837.tif 000010
【図９】
2012089837.tif 000011
【図１０】
2012089837.tif 000012
【図１１】
2012089837.tif 000013
【図１２】
2012089837.tif 000014
【図１３】
2012089837.tif 000015
【図１４】
2012089837.tif 000016
【図１５】
2012089837.tif 000017
【図１６】
2012089837.tif 000018
【図１７】
2012089837.tif 000019
【図１８】
2012089837.tif 000020
【図１９】
2012089837.tif 000021
【図２０】
2012089837.tif 000022
【図２１】
2012089837.tif 000023