(57)【要約】【課題】微細かつ低抵抗な配線パターンを、耐熱性の低い安価な基体上に形成する。また、微細かつ低抵抗な配線パターンの形成を、安価な設備費で生産性良く行う。【解決手段】基体１上に酸化銅を主体とする配線パターンを作成する配線パターン作成工程と、基体１上に作成した配線パターン中の酸化銅を、カルボン酸構造を有する有機酸の遊離基で還元し、配線パターンを導体化する還元工程とを含む。還元工程において、反応槽内で、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤した不活性ガスを基体１の表面に供給しながら、不活性ガスへ紫外光を照射し、または不活性ガスからプラズマを発生させて、不活性ガス中の有機酸を遊離基化する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に酸化銅を主体とする配線パターンを作成する配線パターン作成手段と、
前記配線パターン作成手段により基体上に作成された配線パターン中の酸化銅を、カルボン酸構造を有する有機酸の遊離基で還元して、配線パターンを導体化する還元手段とを有することを特徴とする配線パターンの形成装置。
【請求項２】
前記還元手段は、
カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤された不活性ガスを基体の表面に供給する反応槽と、
前記反応槽内で不活性ガスへ紫外光を照射して、不活性ガス中の有機酸を遊離基化する紫外光照射装置とを有することを特徴とする請求項１に記載の配線パターンの形成装置。
【請求項３】
前記還元手段は、
カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤された不活性ガスを基体の表面に供給する反応槽と、
前記反応槽内で不活性ガスからプラズマを発生させて、不活性ガス中の有機酸を遊離基化する大気圧プラズマ発生装置とを有することを特徴とする請求項１に記載の配線パターンの形成装置。
【請求項４】
前記大気圧プラズマ発生装置に不活性ガスを気流状に供給するガス供給管を備え、前記大気圧プラズマ発生装置から発生されたプラズマを不活性ガスの気流で基板表面に作用させることを特徴とする請求項３に記載の配線パターンの形成装置。
【請求項５】
前記還元手段が用いる有機酸は、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、蓚酸 安息香酸、またはオキソカルボン酸であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の配線パターンの形成装置。
【請求項６】
前記配線パターン作成手段は、現像トナーとして、主に酸化銅あるいは酸化銅を主体とする合金を含む現像液又は現像粉を使用した電子写真装置であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の配線パターンの形成装置。
【請求項７】
基体上に酸化銅を主体とする配線パターンを作成する配線パターン作成工程と、
基体上に作成した配線パターン中の酸化銅を、カルボン酸構造を有する有機酸の遊離基で還元して、配線パターンを導体化する還元工程とを含むことを特徴とする配線パターンの形成方法。
【請求項８】
還元工程において、反応槽内で、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤した不活性ガスを基体の表面に供給しながら、不活性ガスへ紫外光を照射して、不活性ガス中の有機酸を遊離基化することを特徴とする請求項７に記載の配線パターンの形成方法。
【請求項９】
還元工程において、反応槽内で、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤した不活性ガスを基体の表面に供給しながら、不活性ガスからプラズマを発生させて、不活性ガス中の有機酸を遊離基化することを特徴とする請求項７に記載の配線パターンの形成方法。
【請求項１０】
有機酸として、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、蓚酸 安息香酸、またはオキソカルボン酸を用いることを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれか一項に記載の配線パターンの形成方法。
【請求項１１】
配線パターン作成工程において、電子写真方式を用い、現像トナーとして、主に酸化銅あるいは酸化銅を主体とする合金を含む現像液又は現像粉を使用して、基体上に配線パターンを作成することを特徴とする請求項７乃至請求項１０のいずれか一項に記載の配線パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスのバックプレーン等に使用される銅配線基体の製造に好適な、配線パターンの形成装置及び形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板に代表される銅配線基板の製造では、基板の一面側全体に銅めっきを施し、配線として残したい部分の表面をレジストで保護した後、不要な銅めっき膜をエッチングで除去し、その後にレジストを除去して、配線パターンを形成している。しかしながら、配線パターンを形成する基体の表面に銅めっきを施す際、従来の電解めっき法では、導電性基体を用い、あるいはめっき部分に予め導電性を付与する必要がある。また、基体はめっき浴に耐性であることを求められるため、基体の材料が制約されてしまう。パターニングについても、一般的にはフォトリソグラフィー法を用いることから、設備費や生産コストが掛かる問題がある。
【０００３】
さらに、近年、電子ペーパーやフラットパネルディスプレー等の電子デバイスに使用されるバックプレーンでは、配線パターンの微細化、及び高速応答性の要求から低抵抗化が進むと共に、低価格化のために生産コストの低減やスループットの向上が求められている。
【０００４】
これらに対応する方法として、特許文献１には、金属酸化物微粒子を含むインクジェット用インクをインクジェット法により基板上に塗布する金属含有薄膜の形成方法が開示されている。また、特許文献２には、酸化銅のナノ粒子を用いた配線パターンを低温で還元処理する配線パターンの形成方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２７７６２７号公報
【特許文献２】特開２００４−１１９６８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の技術は、液滴をインクジェットノズルから１〜数滴ずつ吐出するため、生産性が上がらない。また、インクジェットノズルの詰まり等による吐出不良の懸念があり、量産性に不安が残る。また、金属酸化物（酸化第二銅）の還元処理において、処理温度が高いことによる基体材料の制約の問題がある。一方、特許文献２に記載の技術は、減圧雰囲気の下で還元性気体を導入しながら、基体をプラズマに曝すものであるが、減圧条件は、設備コストが上昇する上、生産性が悪い。また、減圧下では放熱し難いことから、基体の温度が上昇し易いため、耐熱性の低いフィルム状基体は損傷を受ける懸念があった。
【０００７】
本発明の課題は、微細かつ低抵抗な配線パターンを、耐熱性の低い安価な基体上に形成することである。また、本発明の課題は、微細かつ低抵抗な配線パターンの形成を、安価な設備費で生産性良く行うことである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の配線パターンの形成装置は、基体上に酸化銅を主体とする配線パターンを作成する配線パターン作成手段と、配線パターン作成手段により基体上に作成された配線パターン中の酸化銅を、カルボン酸構造を有する有機酸の遊離基（ラジカル）で還元して、配線パターンを導体化する還元手段とを有するものである。
【０００９】
また、本発明の配線パターンの形成方法は、基体上に酸化銅を主体とする配線パターンを作成する配線パターン作成工程と、基体上に作成した配線パターン中の酸化銅を、カルボン酸構造を有する有機酸の遊離基で還元して、配線パターンを導体化する還元工程とを含むものである。
【００１０】
基体上に酸化銅を主体とする配線パターンを作成し、基体上に作成した配線パターン中の酸化銅を、カルボン酸構造を有する有機酸の遊離基で還元するため、配線パターンの導体化が低温で行われる。従って、従来は耐熱性の高い基体（セラミック、ガラス、耐熱性樹脂等）に限定されていた還元処理を、幅広い基体材料に行うことが可能となる。有機酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、蓚酸 安息香酸、またはオキソカルボン酸を用いることができる。
【００１１】
さらに、本発明の配線パターンの形成装置は、還元手段が、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤された不活性ガスを基体の表面に供給する反応槽と、反応槽内で不活性ガスへ紫外光を照射して、不活性ガス中の有機酸を遊離基化する紫外光照射装置とを有するものである。また、本発明の配線パターンの形成方法は、還元工程において、反応槽内で、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤した不活性ガスを基体の表面に供給しながら、不活性ガスへ紫外光を照射して、不活性ガス中の有機酸を遊離基化するものである。
【００１２】
あるいは、本発明の配線パターンの形成装置は、還元手段が、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤された不活性ガスを基体の表面に供給する反応槽と、反応槽内で不活性ガスからプラズマを発生させて、不活性ガス中の有機酸を遊離基化する大気圧プラズマ発生装置とを有するものである。また、本発明の配線パターンの形成方法は、還元工程において、反応槽内で、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤した不活性ガスを基体の表面に供給しながら、不活性ガスからプラズマを発生させて、不活性ガス中の有機酸を遊離基化するものである。
【００１３】
カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤した不活性ガスへ紫外光を照射し、または不活性ガスからプラズマを発生させて、不活性ガス中の有機酸を遊離基化するので、減圧設備が必要なく、微細かつ低抵抗な配線パターンの形成が、安価な設備費で生産性良く行われる。不活性ガスとしては、取り扱いが簡単で入手が容易な窒素ガス又はヘリウムガスを用いることができる。これらの不活性ガスを用いることにより、プラズマを発生するための放電が安定化する。
【００１４】
さらに、本発明の配線パターンの形成装置は、配線パターン作成手段が、現像トナーとして、主に酸化銅あるいは酸化銅を主体とする合金を含む現像液又は現像粉を使用した電子写真装置であるものである。また、本発明の配線パターンの形成方法は、配線パターン作成工程において、電子写真方式を用い、現像トナーとして、主に酸化銅あるいは酸化銅を主体とする合金を含む現像液又は現像粉を使用して、基体上に配線パターンを作成するものである。電子写真方式を用いて基体上に配線パターンを作成するので、フォトリソグラフィー法を用いる場合に比べ、設備費や生産コストが低減する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、基体上に酸化銅を主体とする配線パターンを作成し、基体上に作成した配線パターン中の酸化銅を、カルボン酸構造を有する有機酸の遊離基で還元して、配線パターンを導体化することにより、微細かつ低抵抗な配線パターンを、耐熱性の低い安価な基体上に形成することができる。
【００１６】
さらに、反応槽内で、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤した不活性ガスを基体の表面に供給しながら、不活性ガスへ紫外光を照射し、または不活性ガスからプラズマを発生させて、不活性ガス中の有機酸を遊離基化することにより、減圧設備を用いることなく、微細かつ低抵抗な配線パターンの形成を、安価な設備費で生産性良く行うことができる。そして、不活性ガスを用いることにより、プラズマを発生するための放電を安定化させることができる。
【００１７】
さらに、配線パターン作成工程において、電子写真方式を用いて基体上に配線パターンを作成することにより、フォトリソグラフィー法を用いる場合に比べ、設備費や生産コストを低減することができる。また、フォトリソグラフィー法を用いる場合、洗浄・現像・エッチング・剥離の各工程で大量の廃液が発生するが、電子写真方式ではこの様な廃液が少ないため、環境負荷の小さい製造プロセスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施の形態による配線パターンの形成装置の概略構成を示す図である。
【図２】電子写真装置の一例を示す図である。
【図３】図３（ａ）は本発明の一実施の形態による還元装置を示す図、図３（ｂ）は本発明の他の実施の形態による還元装置を示す図、図３（ｃ）は本発明のさらに他の実施の形態による還元装置を示す図である。
【図４】本発明のさらに他の実施の形態による還元装置を示す図である。
【図５】反応ガス供給装置の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１は、本発明の一実施の形態による配線パターンの形成装置の概略構成を示す図である。配線パターンの形成装置は、基体クリーニング装置１０、対向ローラ２０、電子写真装置３０、定着装置４０、還元装置５０ａ、及び駆動ローラ６０を含んで構成されている。フィルム状の基体１は、駆動ローラ６０により、図面右方向へ連続的に搬送される。まず、パターニングの前処理として、基体１が基体クリーニング装置１０と対向ローラ２０との間を通過する間に、基体１の配線パターンを形成する表面のクリーニングが行われる。基体クリーニング装置１０は、洗浄液によるウェット処理、エアーカーテンによるエア吹き付け、異物の吸引等により、異物除去及び次工程に適した表面状態への改質を行う。基体クリーニング装置１０によるクリーニングを終えた基体１は、電子写真装置３０へ供給される。
【００２０】
図２は、電子写真装置の一例を示す図である。電子写真装置３０は、感光体３１、除電機構３２、感光体クリーニング機構３３、帯電機構３４、画像露光機構３５、現像機構３６、及び転写機構３７を含んで構成されている。感光体３１は、図示しない回転駆動機構により、矢印で示す様に反時計回りに回転される。感光体３１の表面は、まず、除電機構３２により残留電荷が除去され、続いて、感光体クリーニング機構３３によりクリーニングされる。感光体クリーニング機構３３によりクリーニングされた感光体３１の表面には、帯電機構３４により帯電が施され、次いで画像露光機構３５により画像露光が行われ、現像機構３６により潜像の現像が行われて、配線パターンが作成される。そして、感光体３１の表面に作成された配線パターンは、転写機構３７により基体１の表面に転写される。
【００２１】
帯電機構３４には、コロトロン帯電器、スコロトロン帯電器、ローラ帯電器などが適用可能であるが、直流に交流を重畳した近接帯電方式や接触帯電方式が望ましい。画像露光機構３５の光源としては、ＬＤ、ＬＥＤランプ、キセノンランプなど発光物全般が用いられる。現像機構３６では、現像トナーとして、主に酸化銅あるいは酸化銅を主体とする合金を含む現像液又は現像粉が使用される。転写機構３７には、転写ベルト、転写ローラ、または転写チャージャによる転写方式が用いられる。
【００２２】
電子写真装置３０により表面に配線パターンが作成された基体１は、定着装置４０へ搬送され、定着装置４０により配線パターンの定着が行われる。そして、定着装置４０により配線パターンの定着が行われた基体１は、還元装置５０ａへ搬送される。
【００２３】
図３（ａ）は本発明の一実施の形態による還元装置を示す図である。還元装置５０ａは、タイミングローラ５１、テンションローラ５２、前バッファ槽５３、排気管５４、反応槽５５、反応ガス供給管５６、紫外光照射装置５７、及び後バッファ槽５８を含んで構成されている。
【００２４】
フィルム状の基体１は、タイミングローラ５１の駆動力により、テンションローラ５２から前バッファ槽５３に搬入され、次いで反応槽５５に搬入され、最後に後バッファ槽５８に搬入されて、後バッファ槽５８から搬出される。前バッファ槽５３及び後バッファ槽５８には、排気管５４がそれぞれ連結されており、還元処理の反応ガスが外部に流出するのを防いでいる。反応槽５５には、反応ガス供給管５６が連結されており、反応ガス供給管５６から反応槽５５内へ、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤された不活性ガスが噴出される。反応槽５５内へ噴出された不活性ガスは、配線パターンが作成された基体１の表面へ供給される。
【００２５】
反応槽５５内には、紫外光照射装置５７が設けられており、紫外光照射装置５７から、短波長の紫外光が、基体１の表面へ供給された不活性ガスへ照射される。紫外光照射装置５７から照射された紫外光により、基体１の表面へ供給された不活性ガス中の有機酸が遊離基化され、有機酸の遊離基により、基体１の表面に作成された配線パターン中の酸化銅が還元されて、配線パターンが導体化される。
【００２６】
基体１上に酸化銅を主体とする配線パターンを作成し、基体１上に作成した配線パターン中の酸化銅を、カルボン酸構造を有する有機酸の遊離基で還元するため、配線パターンの導体化が低温で行われる。従って、従来は耐熱性の高い基体（セラミック、ガラス、耐熱性樹脂等）に限定されていた還元処理を、幅広い基体材料に行うことが可能となる。
【００２７】
紫外光照射装置５７に使用する光源には、低圧水銀ランプ（波長２５４ｎｍ，１８５ｎｍ）、キセノンエキシマランプ（波長１７２ｎｍ）、クリプトンキセノンランプ（波長１４６ｎｍ）、またはアルゴンキセノンランプ（波長１２６ｎｍ）が用いられる。還元反応を効率的に進めるには、より高エネルギーである波長１７２ｎｍ以下が望ましい。還元処理を終えたフィルム状の基体１は、反応ガスの外部流出防止のための後バッファ槽５８を経由して、次工程へ送られる。本実施の形態では、酸化銅を主体とする配線パターンに導電性を付与できるが、バルク銅と比べると抵抗率は高い。
【００２８】
図３（ｂ）は本発明の他の実施の形態による還元装置を示す図である。本実施の形態の還元装置５０ｂでは、前バッファ槽５３と反応槽５５の間に、反応ガス供給槽５３１が設けられている。反応ガス供給槽５３１には、反応ガス供給管５６１が連結されており、反応ガス供給管５６１から反応ガス供給槽５３１内へ、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤された不活性ガスが噴出される。反応ガス供給槽５３１内へ噴出された不活性ガスは、配線パターンが作成された基体１の表面へ供給され、基体１は、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤された不活性ガスを伴ったまま反応槽５５へ搬入されるので、反応槽５５内で、配線パターン中の酸化銅の還元反応が迅速に進む。
【００２９】
また、前バッファ槽５３、反応ガス供給槽５３１、及び反応槽５５には、フィルム状の基体１を加温するための加温装置８０が設けられている。加温装置８０には、プレートヒーター、ＩＲヒーター、ハロゲンヒーター等の発熱物全般を使用することができる。加温装置８０で基体１を加温することにより、配線パターン中の酸化銅の還元反応がさらに迅速に進む。
【００３０】
図３（ｃ）は本発明のさらに他の実施の形態による還元装置を示す図である。本実施の形態の還元装置５０ｃでは、加温装置として、ヒーターローラ８１を使用している。ヒーターローラ８１は、配線パターンの形成された基体１の表面側に設置されている。このとき、配線の無い基体１の裏面側に、冷却ローラ８２を設置すると、さらに耐熱性の低い材料を、基体１に用いることができる。ヒーターローラ８１は、発熱物全般が適用できる。冷却ローラ８２は、フィルム状の基体１の冷却性能を有していれば、冷却シートや冷却ベルトでも構わない。
【００３１】
図３（ａ），（ｂ），（ｃ）に示した実施の形態では、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤した不活性ガスへ紫外光を照射する簡単な処理で、不活性ガス中の有機酸が遊離基化されるので、減圧設備が必要なく、微細かつ低抵抗な配線パターンの形成が、安価な設備費で生産性良く行われる。不活性ガスとしては、取り扱いが簡単で入手が容易な窒素ガス又はヘリウムガスを用いることができる。これらの不活性ガスを用いることにより、紫外光を照射する際、空気の様に紫外光で分解されて酸素が発生することがない。
【００３２】
図４（ａ）は本発明のさらに他の実施の形態による還元装置を示す図である。還元装置５０ｄは、タイミングローラ５１、テンションローラ５２、前バッファ槽５３、排気管５４、反応槽５５、反応ガス供給管５６、後バッファ槽５８、及び大気圧プラズマ発生装置９０を含んで構成されている。
【００３３】
フィルム状の基体１は、タイミングローラ５１の駆動力により、テンションローラ５２から前バッファ槽５３に搬入され、次いで反応槽５５に搬入され、最後に後バッファ槽５８に搬入されて、後バッファ槽５８から搬出される。前バッファ槽５３及び後バッファ槽５８には、排気管５４がそれぞれ連結されており、還元処理の反応ガスが外部に流出するのを防いでいる。反応槽５５には、反応ガス供給管５６が連結されており、反応ガス供給管５６から反応槽５５内へ、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤された不活性ガスが噴出される。反応槽５５内へ噴出された不活性ガスは、配線パターンが作成された基体１の表面へ供給される。
【００３４】
反応槽５５内には、大気圧プラズマ発生装置９０が設けられており、大気圧プラズマ発生装置９０により、大気圧中で、基体１の表面へ供給された不活性ガスからプラズマが発生される。大気圧プラズマ発生装置９０は、誘電体９１に囲まれた電極９２により、フィルム状の基体１を上下から挟んで構成されている。大気圧プラズマ発生装置９０からにより不活性ガスから発生された大気圧プラズマにより、基体１の表面へ供給された不活性ガス中の有機酸が遊離基化され、有機酸の遊離基により、基体１の表面に作成された配線パターン中の酸化銅が還元されて、配線パターンが導体化される。本実施の形態では、基体１が大気圧プラズマに直接曝されるため、基体１の温度が上がるので、基板１をさらに加温する必要は無いが、加温をしても構わない。
【００３５】
図４（ｂ）は本発明の他の実施の形態による還元装置を示す図である。本実施の形態の還元装置５０ｅでは、前バッファ槽５３と反応槽５５の間に、反応ガス供給槽５３１が設けられている。反応ガス供給槽５３１には、反応ガス供給管５６１が連結されており、反応ガス供給管５６１から反応ガス供給槽５３１内へ、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤された不活性ガスが噴出される。反応ガス供給槽５３１内へ噴出された不活性ガスは、配線パターンが作成された基体１の表面へ供給され、基体１は、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤された不活性ガスを伴ったまま反応槽５５へ搬入されるので、反応槽５５内で、配線パターン中の酸化銅の還元反応が迅速に進む。
【００３６】
また、前バッファ槽５３、及び反応ガス供給槽５３１には、フィルム状の基体１を加温するための加温装置８０が設けられている。加温装置８０には、プレートヒーター、ＩＲヒーター、ハロゲンヒーター等の発熱物全般を使用することができる。加温装置８０で基体１を加温することにより、配線パターン中の酸化銅の還元反応がさらに迅速に進む
【００３７】
図４（ｃ）は本発明のさらに他の実施の形態による還元装置を示す図である。本実施の形態の還元装置５０ｆでは、大気圧プラズマ発生装置９０の誘電体９１に囲まれた電極９２を対向させて設置し、対向した電極９２間に、ガス供給管５９から不活性ガス、またはカルボン酸構造を有する有機酸で湿潤された不活性ガスを供給する。その状態で、電極９２間に交流電圧を掛けて、不活性ガスから大気圧プラズマを発生させる。そして、反応ガス供給槽５３１に連結された反応ガス供給管５６１から、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤された不活性ガスを基体１の表面へ供給しながら、発生したプラズマを、不活性ガス、またはカルボン酸構造を有する有機酸で湿潤された不活性ガスの気流で基体１の表面に作用させることにより、還元反応を進行させる。図４（ｃ）に示す様に、反応槽５５内で基体１の裏面側に加温装置８０を設置して基体１を加温すると、配線パターン中の酸化銅の還元反応がさらに迅速に進む。
【００３８】
図４（ａ），（ｂ），（ｃ）に示した実施の形態では、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤した不活性ガスから大気圧プラズマを発生させる簡単な処理で、不活性ガス中の有機酸が遊離基化されるので、減圧設備が必要なく、微細かつ低抵抗な配線パターンの形成が、安価な設備費で生産性良く行われる。不活性ガスとしては、取り扱いが簡単で入手が容易な窒素ガス又はヘリウムガスを用いることができる。これらの不活性ガスを用いることにより、大気圧プラズマを発生させる際、大気圧プラズマを発生するための放電が安定化する。
【００３９】
図５は、反応ガス供給装置の一例を示す図である。反応ガス供給装置７０は、窒素ボンベ７１、流量調節器７２，７３、流量計７４、混合気ユニット７５、湿潤反応ガス発生器７６、及び圧力計７７を含んで構成されている。窒素ボンベ７１から供給された窒素は、ドライ窒素ラインと湿潤窒素ラインとに分岐される。ドライ窒素ラインは、流量調節器７２、流量計７４を経由して、混合気ユニット７５に到達する。一方、湿潤窒素ラインは、流量調節器７３、流量計７４を経由して、湿潤反応ガス発生器７６に到達する。湿潤反応ガス発生器７６では、還元剤を希釈した液体中をバブリングで通気して、湿潤反応ガスを発生させる。還元剤には、蟻酸の他に、酢酸、プロピオン酸、蓚酸、安息香酸、オキソカルボン酸等の有機酸が使用できる。湿潤反応ガス発生器７６で発生した湿潤反応ガスは、混合気ユニット７５によりドライ窒素と混合されて、反応ガス供給管５６、反応ガス供給管５６１、及びガス供給管５９へ送られる。また、図示していないが、湿潤反応ガス発生器７６を複数台設け、異なる還元剤を通気後に混合する方式も組合せによっては有効な手段である。
【００４０】
以上説明した実施の形態によれば、基体１上に酸化銅を主体とする配線パターンを作成し、基体１上に作成した配線パターン中の酸化銅を、カルボン酸構造を有する有機酸の遊離基で還元して、配線パターンを導体化することにより、微細かつ低抵抗な配線パターンを、耐熱性の低い安価な基体上に形成することができる。
【００４１】
さらに、反応槽５５内で、カルボン酸構造を有する有機酸で湿潤した不活性ガスを基体１の表面に供給しながら、不活性ガスへ紫外光を照射し、または不活性ガスからプラズマを発生させて、不活性ガス中の有機酸を遊離基化することにより、減圧設備を用いることなく、微細かつ低抵抗な配線パターンの形成を、安価な設備費で生産性良く行うことができる。そして、不活性ガスを用いることにより、大気圧プラズマを発生するための放電を安定化させることができる。
【００４２】
さらに、配線パターン作成工程において、電子写真方式を用いて基体１上に配線パターンを作成することにより、フォトリソグラフィー法を用いる場合に比べ、設備費や生産コストを低減することができる。また、フォトリソグラフィー法を用いる場合、洗浄・現像・エッチング・剥離の各工程で大量の廃液が発生するが、電子写真方式ではこの様な廃液が少ないため、環境負荷の小さい製造プロセスを提供することができる。
【符号の説明】
【００４３】
１  基体
１０  基体クリーニング装置
２０  対向ローラ
３０  電子写真装置
３１  感光体
３２  除電機構
３３  感光体クリーニング機構
３４  帯電機構
３５  画像露光機構
３６  現像機構
３７  転写機構
４０  定着装置
５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ，５０ｅ，５０ｆ  還元装置
５１  タイミングローラ
５２  テンションローラ
５３  前バッファ槽
５３１  反応ガス供給槽
５４  排気管
５５  反応槽
５６，５６１  反応ガス供給管
５７  紫外光照射装置
５８  後バッファ槽
５９  ガス供給管
６０  駆動ローラ
７０  反応ガス供給装置
７１  窒素ボンベ
７２，７３  流量調節器
７４  流量計
７５  混合気ユニット
７６  湿潤反応ガス発生器
７７  圧力計
８０  加温装置
８１  ヒーターローラ
８２  冷却ローラ
９０  大気圧プラズマ発生装置
９１  誘電体
９２  電極
【図１】
2012182387.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2012182387.tif 000007