(57)【要約】  【課題】  大型化に寄与することが可能な光電変換装置および光電変換モジュールを提供することを目的とする。  【解決手段】  光電変換装置２であって、放熱基板５と、放熱基板５上にそれぞれが間を空けて配置された複数のセラミック基板６と、複数のセラミック基板のそれぞれに設けられた電極層７と、電極層７上のそれぞれに設けられ、隣接するセラミック基板６に設けられた電極層７同士を電気的に接続したリードフレーム８と、平面透視して複数のセラミック基板６のそれぞれに配置された複数の光電変換素子４と、を備えている。【選択図】  図２
2012089592.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱基板と、
前記放熱基板上にそれぞれが間を空けて配置された複数のセラミック基板と、
前記複数のセラミック基板上のそれぞれに設けられた電極層と、
前記電極層上のそれぞれに設けられ、隣接する前記セラミック基板に設けられた前記電極層同士を電気的に接続したリードフレームと、
平面透視して前記複数のセラミック基板のそれぞれに配置された複数の光電変換素子と、を備えた光電変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光電変換装置であって、
前記光電変換素子は、前記リードフレーム上に接合されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光電変換装置であって、
前記放熱基板と対向配置して設けられた光透過性基板を備えたことを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項３に記載の光電変換装置であって、
前記リードフレームの一部が、平面視して前記光透過性基板内から前記光透過性基板外に向かって延在していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項３に記載の光電変換装置であって、
前記放熱基板の外周には、前記複数の光電変換素子を取り囲むように枠体が設けられていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項３に記載の光電変換装置であって、
前記放熱基板と前記光透過性基板との間に、透光性樹脂が充填されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置の上方に設けられた、外部からの光を受光して前記光電変換素子に集める集光部材と、を備えた光電変換モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換装置およびその光電変換装置を用いた光電変換モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光電変換素子を有する光電変換装置の開発が進められている。例示的な光電変換装置としては、太陽エネルギーを電力に変換する太陽電池装置がある。特に、発電効率の向上を目的として、集光型の太陽電池装置の開発が進められている。光電変換装置は、光エネルギーを電力エネルギーに変換する光電変換素子を有している。光電変換装置が例えば太陽電池装置の場合、光電変換素子は、太陽エネルギーを電力エネルギーに変換する太陽電池素子である（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
なお、光電変換装置は、光電変換素子上に、光電変換素子に光を集光させる集光部材が設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−６４３９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光電変換装置は、光を集光して電気に変換するものであるため、室外にて設置されて用いられる場合は、太陽光の影響を受けやすい。そのため、光電変換装置を大型化しようとすると、光電変換装置自体が熱膨張の影響を受けやすくなり、光電変換装置が破壊される虞が高まるという課題がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、大型化に寄与することが可能な光電変換装置および光電変換モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る光電変換装置は、放熱基板と、前記放熱基板上にそれぞれが間を空けて配置された複数のセラミック基板と、前記複数のセラミック基板上のそれぞれに設けられた電極層と、前記複数のセラミック基板に設けられた前記電極層上のそれぞれに設けられ、隣接する前記セラミック基板に設けられた前記電極層同士を電気的に接続したリードフレームと、平面透視して前記複数のセラミック基板のそれぞれに配置された複数の光電変換素子と、を備えている。
【０００８】
また、本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールは、前記光電変換装置と、前記光電変換装置の上方に設けられた集光部材と、を備えている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、大型化に寄与することが可能な光電変換装置および光電変換モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態に係る光電変換モジュールの概観を示す分解斜視図である。
【図２】本実施形態に係る光電変換モジュールの一部の断面図である。
【図３】本実施形態に係る光電変換装置の平面図および断面図である。
【図４】本実施形態に係る光電変換装置のリードフレームの平面図である。
【図５】本実施形態に係る光電変換装置の平面図および断面図であって、光電変換素子およびリードフレームを除いた状態を示している。
【図６】一変形例に係る光電変換装置の平面図および断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる光電変換装置および光電変換モジュールの実施形態の例を説明する。なお、本発明は以下の実施形態の例に限定されないものである。
【００１２】
＜光電変換モジュールの概略構成＞
図１は、本実施形態に係る光電変換モジュール１の概観斜視図と、その一部を拡大した分解斜視図である。図２は、図１に示す光電変換モジュール１の一部である光電変換装置２および集光部材３の断面図である。図３（Ａ）は、図２に示した光電変換装置２の平面図である。図３（Ｂ）は、図２に示した光電変換装置２の断面図であって、図３（Ａ）の平面図のＡ−Ａ’に沿った断面図である。図４は、リードフレームの平面図である。図５（Ａ）および図５（Ｂ）は、図３（Ａ）および図５（Ｂ）に対応するものであって、図３から光電変換素子、リードフレームおよび接合樹脂を取り除いた状態を示している。
【００１３】
本実施形態に係る光電変換モジュール１は、太陽光を電力に変換する太陽光発電モジュールである。また、本実施形態に係る光電変換装置２は、光を集光する光電変換素子４を含んでいる。かかる光電変換素子４は、例えば太陽光を集光して発電する機能を備えている。光電変換モジュール１は、図１に示すように、複数の光電変換装置２を含んで構成されている。そして、複数の光電変換装置２が、電気的に並列または直列に接続されている。
【００１４】
光電変換モジュール１は、複数の光電変換装置２と、光を受光する集光部材３とを含んでいる。集光部材３は、光電変換装置２の上方に設けられている。集光部材３は、例えばドーム形状のフレネルレンズである。集光部材３は、外部からの光を受光するとともに、受光した光を光電変換装置２の光電変換素子４に集める機能を備えている。なお、集光部材３は、例えばガラス、プラスチックまたは樹脂等からなる。かかる集光部材３は、フレーム部材３ａとレンズ部材３ｂとを含んでおり、レンズ部材３ｂの外周を取り囲むようにフレーム部材３ａにて固定されている。
【００１５】
光電変換装置２は、図２または図３に示すように、放熱基板５と、放熱基板５上にそれぞれが間を空けて配置された複数のセラミック基板６と、複数のセラミック基板６上のそれぞれに設けられた電極層７と、電極層７上のそれぞれに設けられ、隣接するセラミック基板６に設けられた電極層７同士を電気的に接続したリードフレーム８と、平面透視して複数のセラミック基板６のそれぞれに重なるように配置された複数の光電変換素子４と、を備えている。
【００１６】
放熱基板５は、光電変換素子４に伝わる熱を外部に放熱する機能を備えている。光電変換装置２は、集光部材３を介して伝わる光のエネルギーの一部が熱に変換されて発熱する。そのため、放熱基板５は、光電変換素子４から熱が伝わりやすい材料からなる。放熱基板５は、例えば、アルミニウム、銅またはモリブデンなどの放熱性の優れた金属材料からなる。なお、放熱基板５の熱伝導率は、例えば、８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上に設定されている。また、放熱基板５の熱膨張率は、例えば、５×１０−６／℃以上２０×１０−６／℃以下に設定されている。
【００１７】
放熱基板５の大きさは、複数のセラミック基板６を設けることができる大きさに設定されている。放熱基板５の大きさは、例えば、平面視したときの一辺の長さが２０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であって、上下方向の厚みが０．５ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定されている。
【００１８】
放熱基板５の下面には、放熱フィン９が設けられている。放熱フィン９は、放熱基板５に伝わる熱を外部に向かって放熱する機能を備えている。放熱フィン９は、例えば、アルミニウム、銅またはモリブデンなどの放熱性の優れた金属材料からなる。放熱フィン９は、放熱基板５の下面に、例えば半田付け、ろう付けまたはグリースを介して接続される。
【００１９】
セラミック基板６は、例えば、アルミナ、ムライトまたは窒化アルミなどのセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料などから成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、セラミック基板６の熱伝導率は、例えば、１４Ｗ／ｍ・Ｋ以上２００Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。また、セラミック基板６の熱膨張率は、例えば、３×１０−６／℃以上１０×１０−６／℃以下に設定されている。
【００２０】
各セラミック基板６の大きさは、１つのセラミック基板６の上面に、１つの光電変換素子４を実装できる大きさに設定されている。各セラミック基板６の大きさは、例えば、平面視したときの一辺の長さが３ｍｍ以上３０ｍｍ以下であって、上下方向の厚みが０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下に設定されている。
【００２１】
各セラミック基板６上には、電極層７としての電極パターンが設けられている。電極層７は、光電変換素子４と電気的に接続されており、光電変換素子４にて起電された電力を外部に取り出すためのものである。電極層７は、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルトまたはクロム等の金属材料、あるいはそれらの合金からなる。
【００２２】
光電変換素子４は、平面視してセラミック基板６上に配置され、リードフレーム８と電気的に接続される。光電変換素子４は、例えば半田を介してリードフレーム８と電気的に接続されている。また、セラミック基板６上にメタライズされた電極パターン上に光電変換素子４が実装され、電極パターンに対してリードフレーム８が実装されていても良い。
【００２３】
光電変換素子４は、光を電力に変換する機能を備えている。光電変換素子４は、例えば、III−Ｖ族化合物半導体を含んでいる太陽電池素子である。光電変換素子４は、光起電
力効果により、受けた光を即時に電力に変換して出力することができる。例示的な太陽電池素子は、ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ／Ｇｅ３接合型セルの構造を有している。インジウムガリウムリン（ＩｎＧａＰ）トップセルは、６６０ｎｍ以下の波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ミドルセルは、６６０ｎｍ以上８９０ｎｍ以下の波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。ゲルマニウム（Ｇｅ）ボトムセルは、８９０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。３つのセルは、トンネル接合を介して直列に接続されている。開放電圧は、３つのセルの起電圧の和である。なお、光電変換素子４の大きさは、例えば、平面視したときの一辺の長さが３ｍｍ以上１５ｍｍ以下であって、上下方向の厚みが０．３ｍｍ以上５ｍｍ以下に設定されている。そして、１つの光電変換素子４を１つのセラミック基板６に重ね合わせた状態では、平面視したときにセラミック基板６の端部と光電変換素子４の端部との間の隙間は、例えば１０ｍｍ以下に設定されている。
【００２４】
セラミック基板６上に設けられるリードフレーム８は、光電変換素子４にて起電された電力を外部に取り出すためのものである。リードフレーム８は、各光電変換素子４と電気的に接続されている。リードフレーム８は、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルトまたはクロム等の金属材料、あるいはそれらの合金からなる。
【００２５】
リードフレーム８は、図４に示すように、格子状に形成されているとともに端子として機能する。リードフレーム８の外縁の一部には、一対のリード端子８ａが設けられている。一対のリード端子８ａは、リードフレーム８に対して左右対称に設けられている。そして、各光電変換素子４は、それぞれがリードフレーム８の交差する領域に設けられる。
【００２６】
一対のリード端子８ａの下部には、セラミック基台１０が設けられる、セラミック基台１０は、リード端子８ａを支持するためのものである。セラミック基台１０は、放熱基板５の上面であって、放熱基板５の外周縁の一部に設けられる。セラミック基台１０は、放熱基板５に対して例えば半田を介して接続される。
【００２７】
セラミック基台１０は、例えば、アルミナ、ムライトまたは窒化アルミなどのセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料などから成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、セラミック基板６の熱伝導率は、例えば、１４Ｗ／ｍ・Ｋ以上２００Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。また、セラミック基板６の熱膨張率は、例えば、３×１０−６／℃以上１０×１０−６／℃以下に設定されている。
【００２８】
セラミック基台１０は、セラミック基板６と同じ材料から構成することによって、セラミック基板６の熱膨張率とセラミック基台１０の熱膨張率とを合わせることができる。セラミック基板６とセラミック基台１０との熱膨張率を合わせることで、太陽光などの熱によって、両者の熱膨張率の違いにより、リードフレーム８に加わる熱応力が特定箇所に集中するのを抑制することができる。その結果、リードフレーム８が変形して、セラミック基板６から剥離するのを抑制することができ、光電変換装置２の気密性を向上させることができる。
【００２９】
放熱基板５上には、複数の光電変換素子４を取り囲むように枠体１１が設けられている。枠体１１の一部には、枠体１１の一部が途切れるような隙間が設けられているとともに、この隙間にセラミック基台１０が設けられる。枠体１１は、例えば、アルミニウム、銅またはモリブデンまたは鉄系の合金などの材料からなる。そして、枠体１１とセラミック基台１０によって、平面視して複数の光電変換素子４を取り囲むことができる。枠体１１は、放熱基板５に対して例えばロウ材、半田材または接合樹脂を介して接続される。
【００３０】
複数の光電変換素子４が設けられていない枠体１１とセラミック基台１０の外周とには、接合樹脂１２が設けられている。接合樹脂１２は、放熱基板５と対向して配置される光透過性基板１３を接合するものである。接合樹脂１２を枠体１１とセラミック基台１０の外周とに連続して設けることで、放熱基板５と光透過性基板１３とによって、複数の光電変換素子４を気密封止することができる。接合樹脂１２は、例えば、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂などの材料からなる。
【００３１】
光電発光素子４が、放熱基板５、セラミック基台１０、枠体１１、接合樹脂１２および光透過性基板１３で囲まれることで気密封止される。なお、気密封止される空間は、不活性ガスが充填されている。あるいは、気密封止される空間は、大気よりも圧力の低い低圧状態に維持されている。
【００３２】
光透過性基板１３は、放熱基板５と対向配置して設けられている。光透過性基板１３は、太陽光を透過させて、複数の光電変換素子４に照射可能なものである。光透過性基板１３は、例えば、ガラス、プラスチックまたは樹脂などの光透過性の材料からなる。光透過性基板１３の大きさは、放熱基板５と重なる大きさであって、例えば、平面視したときの一辺の長さが２０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であって、上下方向の厚みが０．２ｍｍ以上５ｍｍ以下に設定されている。
【００３３】
光透過性基板１３は、光電変換素子４と間を空けて設けられている。光電変換素子４と光透過性基板１３とが気密封止された空間を介して設けられることで、光透過性基板１３の一部が光電変換素子４と接触し、光透過性基板１３または光電変換素子４が損傷するのを抑制することができる。仮に、光電変換素子４が損傷すると、光電変換素子４の光電変換効率が低減することがあるが、本実施形態によれば、両者が接触しないため、光電変換素子４の光電変換効率が低減するのを抑制することができる。また、仮に、光透過性基板１３が損傷すると、集光部材３から光電変換素子４に向かう光が損傷した箇所にて乱反射する虞があるが、本実施形態によれば、両者が接触しないため、光電変換素子４に集光する光の量が低減するのを抑制することができる。
【００３４】
リードフレーム８のリード端子８ａは、平面視して光透過性基板１３内から光透過性基板１３外に向かって延在して設けられている。そして、各光電変換素子４で発電した電力は、リード端子８ａから外部に向かって取り出される。
【００３５】
光電変換モジュール１および光電変換装置２は、光を集光して電気に変換するものである。室外に設置して使用されることが多いため、太陽光の光による熱の影響を受けやすい。また、光電変換モジュール１および光電変換装置２は、昼と夜とで、外気の温度差が大きく影響する。さらに、光電変換モジュール１および光電変換装置２は、天候の影響をも受ける。そのため、光電変換モジュール１および光電変換装置２は、温度差の違いにより、熱膨張を起こしやすい環境におかれている。
【００３６】
そのため、光電変換モジュール１および光電変換装置２は、放熱基板５と光電変換素子４を実装する基板との熱膨張率の違いによって、光電変換素子４を実装する基板または光電変換素子４が破壊される虞がある。特に、光電変換モジュール１および光電変換装置２を大型化しようとすると光電変換素子４を実装する基板または光電変換素子４の破壊される虞が大きくなり、光電変換素子４を実装する基板が例えばセラミックスであって、例えば銅の放熱基板５に接合されるとすると、銅熱膨張率の違いが大きいため、セラミック基板を大きくするほど割れやすくなる問題がある。
【００３７】
本実施形態に係る光電変換モジュール１および光電変換装置２は、大型の放熱基板５に対して、複数のセラミック基板６を実装して、各セラミック基板６に光電変換素子４を実装した構造とする。その結果、複数の光電変換素子４を実装する基板を複数に分断して放熱基板５上に実装することによって、放熱基板５とセラミック基板６との熱膨張率の違いによる熱膨張の影響を低減することができ、放熱基板５からセラミック基板６が剥離するのを抑制することができる。そして、光電変換素子４が破壊される虞を低減することができ、光電変換モジュール１および光電変換装置２を大型化することができる。
【００３８】
また、複数の光電変換素子４同士を電気的に接続するリードフレーム８を設けることで、複数の光電変換素子４を電気的に接続するための配線パターンを簡略化することができ、さらには複数の光電変換素子４同士をワイヤなどで電気的に接続する必要もなくなるため、製造工程を単純化することができ、歩留まりを向上させることができる。
【００３９】
また、リードフレーム８が複数の光電変換素子４または複数のセラミック基板６と接続されているため、放熱基板５に対して光電変換素子４またはセラミック基板６を位置決めして実装するのに、放熱基板５に対して１つ１つ光電変換素子４またはセラミック基板６を実装するのに比べて、一度に位置決めして実装することができる。その結果、放熱基板５に対して光電変換素子４またはセラミック基板６を実装するときにも、製造工程を単純化することができ、歩留まりを向上させることができる。
【００４０】
上述したように、本実施形態によれば、大型化に寄与することが可能な光電変換装置２および光電変換モジュール１を提供することができる。
【００４１】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００４２】
以下、本発明の実施形態の変形例について説明する。なお、本発明の実施形態の変形例に係る光電変換モジュール１および光電変換装置２のうち、本発明の実施形態に係る光電変換モジュール１および光電変換装置２と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。なお、図６は、一変形例に係る光電変換装置２を示す図であって、図６（Ａ）および図６（Ｂ）は図３（Ａ）および図３（Ｂ）に相当する。なお、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のＢ−Ｂ’に沿った断面図である。
【００４３】
上述した実施形態に係る光電変換装置２は、セラミック基台１０、枠体１１および接合樹脂１２を設けて、複数の光電変換素子４を封止したが、これに限られない。例えば、図６に示すように、セラミック基台１０、枠体１１および接合樹脂１２を設けずに、放熱基板５と光透過性基板１３との間に、透光性樹脂１４を充填する構造であってもよい。
【００４４】
透光性樹脂１４は、光が透過するものであって、放熱基板５と光透過性基板１３とを接合するものである。透過性基板１３は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコーン樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂などの熱硬化性樹脂、あるいはポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂などの封止性に優れた材料からなる。
【００４５】
本変形例に係る光電変換装置２は、複数の光電変換素子４を透光性樹脂１４にて被覆することによって、放熱基板５と光透過性基板１３の接着性を向上させることができ、放熱基板５と光透過性基板１３とを剥離しにくくすることができ、放熱基板５と光透過性基板１３との間に挟まれる複数の光電変換素子４の気密性を良好に維持することができる。
【００４６】
＜光電変換モジュールの製造方法＞
ここで、光電変換モジュール１および光電変換装置２の製造方法を説明する。
【００４７】
まず、セラミック基板６およびセラミック基台１０を準備する。セラミック基板６およびセラミック基台１０が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムなどの原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。そして、セラミック基板６およびセラミック基台１０の型枠内に、混合物を充填して乾燥させた後、焼結前のセラミック基板６およびセラミック基台１０を取り出す。
【００４８】
また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、取り出した焼結前のセラミック基板６の上面に対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って光電変換素子４を接合するためのメタライズ層を形成する。
【００４９】
その後、セラミック基板６およびセラミック基台１０を、約１６００℃の温度で焼成することにより、セラミック基板６およびセラミック基台１０をそれぞれ作製することができる。なお、セラミック基板６は、複数個作製するとともに、セラミック基台１０は２つ作製する。
【００５０】
次に、リードフレーム８を用意し、リードフレーム８の交差する領域にセラミック基板６を例えば銀ロウにより位置決めして接合する。また、放熱基板５から引き出すリードフレームの位置にセラミック基台１０を例えば銀ロウにより位置決め接合する。
【００５１】
そして、格子状のリードフレーム８のリード同士が交差する各領域に、光電変換素子４を位置決めして例えば半田を介して接合する。このようにして、リードフレーム８に複数の光電変換素子４を設ける。
【００５２】
そして、前記のリードフレーム８にセラミック基板６、セラミック基台１０を位置決めし、光電変換素子４を実装したものを、放熱基板５に対して例えば半田により固定する。
【００５３】
予め、複数の光電変換素子４を設けているため、一度の工程で放熱基板５上に各セラミック基板６に対して光電変換素子４を設けることができる。
【００５４】
次に、枠体１１および光透過性基板１３を準備する。そして、放熱基板５に対して、放熱基板５の外周に沿って複数の光電変換素子４を取り囲むように、枠体１１を例えば半田を介して接合する。そして、放熱基板５の枠体１１の外周に沿って例えばエポキシ樹脂からなる接合樹脂１２を被着させる。その後、光透過性基板１３を放熱基板５に対向するように位置決めして、不活性ガス雰囲気中にて、放熱基板５の枠体１１の外周に沿って被着した接合樹脂１２を介して放熱基板５と光透過性基板１３とを接合する。このようにして、光電変換装置２を作製することができる。
【００５５】
このような光電変換モジュール１の作製方法について説明する。まず、複数個の光電変換装置２と、放熱フィン９とを準備する。
【００５６】
次に、光電変換装置２の下面に放熱フィン９を例えば半田を介して接合する。そして、各光電変換装置２のリード端子８ａ同士を電気的に接続し、集光部材３を光電変換装置２上に設けることで、光電変換モジュール１を作製することができる。
【符号の説明】
【００５７】
１  光電変換モジュール
２  光電変換装置
３  集光部材
３ａ  フレーム部材
３ｂ  レンズ部材
４  光電変換素子
５  放熱基板
６  セラミック基板
７  電極層
８  リードフレーム
８ａ  リード端子
９  放熱フィン
１０  セラミック基台
１１  枠体
１２  接合樹脂
１３  光透過性基板
１４  透光性樹脂
【図１】
2012089592.tif 000003
【図２】
2012089592.tif 000004
【図３】
2012089592.tif 000005
【図４】
2012089592.tif 000006
【図５】
2012089592.tif 000007
【図６】
2012089592.tif 000008