(57)【要約】【課題】本発明は、ドライフィルムレジストを、ムラ無く、均一に薄膜化することが可能なドライレジストの薄膜化処理方法を提供するものである。【解決手段】ドライフィルムレジストが貼り付けられた基板の該ドライフィルムレジストを処理液で処理する工程、その後に、表面の不要なドライフィルムレジスト分を除去液を用いて除去する工程とからなるドライフィルムレジストの薄膜化処理方法において、除去する工程が除去液を繰り返し使用するものであり、除去液中に含まれる除去された不要なドライフィルムレジスト濃度が０．５質量％以下であり、かつ、除去液の温度２０℃におけるｐＨが６．０〜９．０の範囲であることを特徴とするドライフィルムレジストの薄膜化処理方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライフィルムレジストが貼り付けられた基板の該ドライフィルムレジストを処理液で処理する工程、その後に、表面の不要なドライフィルムレジスト分を除去液を用いて除去する工程とからなるドライフィルムレジストの薄膜化処理方法において、除去する工程が除去液を繰り返し使用するものであり、除去液中に含まれる除去された不要なドライフィルムレジスト濃度が０．５質量％以下であり、かつ、除去液の温度２０℃におけるｐＨが６．０〜９．０の範囲であることを特徴とするドライフィルムレジストの薄膜化処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドライフィルムレジスト（以下、「ＤＦＲ」と略す場合がある）を、ムラ無く、均一に薄膜化することが可能なＤＦＲの薄膜化処理方法を提供するものである。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板やリードフレームの製造方法としては、基板上にエッチングレジスト層を形成し、そのエッチングレジスト層で被覆されていない金属層をエッチングによって取り除くサブトラクティブ法が挙げられる。この手法は、他の手法に比べ、製造工程が短くコスト安であること、金属パターンと絶縁板の接着強度が強いこと等の優位点があるため、現在のプリント配線板及びリードフレーム製造の主流となっている。そして、サブトラクティブ法にてエッチングレジスト層を設ける方法としては、ＤＦＲと呼ばれるシート状の感光材料及び液状フォトレジストを用いた方法が挙げられ、これらの中でも、取り扱い性が優れ、テンティングによるスルーホールの保護が可能なことから、ＤＦＲの方が一般的に好まれている。
【０００３】
さて、近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、機器内部に使用されるプリント配線板も高密度化や金属パターンの微細化が進められており、サブトラクティブ法によって、現在では、導体幅が５０〜８０μｍ、導体間隙が５０〜８０μｍの金属パターンを有するプリント配線板が製造されている。また、さらなる高密度化、微細配線化が進み、５０μｍ以下の超微細な金属パターンが求められるようになっている。それに伴い、パターン精度やインピーダンスの要求も高くなっている。このような微細な金属パターンを達成するために、従来からセミアディティブ法が検討されているが、工程数が大幅に増加するという問題やめっき銅の密着性不良等の問題があった。
【０００４】
サブトラクティブ法において、このような微細な金属パターンを形成する場合、生産ラインすべての技術レベルや管理レベルを向上させる必要があることはもちろんであるが、その中でも、エッチングが大きなポイントとなる。これは、サブトラクティブ法の特徴である導体の側面方向から進行するサイドエッチングが問題となるからであり、サイドエッチングの量を抑えるために、液組成管理、基板への液吹き付け角度や強さ等、最適なエッチング条件を調整する必要がある。また、エッチング条件の調整だけではなく、エッチングレジスト層の膜厚によっても、サイドエッチングは影響を受ける。つまり、膜厚が厚いほど、微細なレジストパターン間に液が循環しにくくなり、その結果、サイドエッチングが大きくなる。現在主流となっているＤＦＲの厚みは、２５μｍ前後の厚みであり、一方、微細な金属パターンを形成するためには、できるだけレジスト膜厚を薄くする必要があり、そのために、近年では１０μｍ以下の厚みのＤＦＲが開発され、商品化されはじめている。しかし、このような薄いＤＦＲでは、ゴミを核とした気泡の混入及び凹凸追従性が不十分となり、レジスト剥がれや断線が発生する問題があった。
【０００５】
このような問題を解決すべく、サブトラクティブ法によって導電パターンを作製する方法において、基板上にＤＦＲを貼り付けた後、無機アルカリ性化合物の含有量が５〜２０質量％の高濃度アルカリ水溶液によってＤＦＲを処理し、その後、一挙に除去する方法で、薄膜化処理を行い、次に回路パターンの露光、現像、エッチングを行うことを特徴とする導電パターンの形成方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１には、不要なレジストを除去する工程として、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち、少なくともいずれか１種を含むｐＨ５〜１０の水溶液を用いて、レジスト１ｃｍ２当たり、０．０３〜１Ｌ／ｍｉｎの供給流量で、除去する方法が記載されている。除去液の使用方法について、引用文献１には、詳細に説明されていないが、一度使用してそのまま排出してしまう場合と、予め一定量の除去液を槽内に貯めておき、繰り返し使用する場合が考えられる。そのまま排出してしまう場合における除去液の排出量についても、具体的に述べられてはいないが、例えば、両面銅張積層板（面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学（株）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）に貼り付けた厚み４０μｍのＤＦＲを２０μｍにまで薄膜化処理する場合を考える。我々が実験した結果、この薄膜化処理において、不要なレジストを除去するために必要な最低限の除去液の供給量として、基板の半分の面積に相当する除去液を常時吐出し、不要なＤＦＲの除去作業を行った時の排出量を考えると、１枚（片面）処理するだけでも、２６〜８６７Ｌ／ｍｉｎの排出量になり、除去液の費用に関し、コスト的に問題があり、また、排出された除去液を廃棄処理するための排水処理設備が別途、必要となるなどの問題もあった。次に、予め一定量の除去液を槽内に貯めておき、繰り返し使用する場合、除去液が建浴後の新液である場合は、問題なく薄膜化処理が可能であったが、除去液を循環させて繰り返し使用した場合、除去液のｐＨに関係なく、薄膜化処理したＤＦＲ表面が白く曇る現象（曇りムラ）が見られる場合があった。薄膜化処理を行った後、露光、現像、エッチングを行うことにより金属パターンを形成するが、曇りムラが発生した場所は、露光量が不足して硬化不足となり、現像工程において、正常部よりもＤＦＲが薄くなるか、または、完全にＤＦＲが溶解してしまうこととなる。このように、本来ドライフィルムレジストが存在すべき部分であるのにドライフィルムレジストがない部分や正常部よりもドライフィルムレジストが薄くなった部分は、次工程のエッチング工程でエッチングされ、欠陥のない金属パターンを得ることができなくなり、製品としては全く使用できなくなるという問題が発生する場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００９／０９６４３８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、ＤＦＲをムラ無く、均一に薄膜化することが可能なＤＦＲの薄膜化処理方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らが検討した結果、ＤＦＲが貼り付けられた基板の該ＤＦＲを処理液で処理する工程、その後に、表面の不要なＤＦＲ分を除去液を用いて除去する工程とからなるＤＦＲの薄膜化処理方法において、除去する工程が除去液を繰り返し使用するものであり、除去液中に含まれる除去された不要なＤＦＲ濃度が０．５質量％以下であり、かつ、除去液の温度２０℃におけるｐＨが６．０〜９．０の範囲であることを特徴とするＤＦＲの薄膜化処理方法によって、上記課題を解決できた。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、基板上のＤＦＲを処理液及び除去液によって、ムラ無く、均一に薄膜化処理するものである。薄膜化処理の方法としては、まず、処理液で処理する工程を行い、ＤＦＲのミセルを一旦不溶化し、高濃度アルカリ水溶液中に溶解拡散しにくくする。そして、その後、一挙にミセルを除去する方法で、表面の不要なＤＦＲを除去する工程を行い、薄膜化を行う。除去液を繰り返し使用して何度も除去処理を重ねていくと、次第に、薄膜化処理したドライフィルム表面に曇りムラが発生し、均一な処理ができなくなるという問題に対して検討した結果、除去液中に含まれる除去された不要なＤＦＲ濃度が一定量を超えた場合、薄膜化処理したＤＦＲ表面に曇りムラが発生することが判明した。また、不要なＤＦＲが溶解した除去液のｐＨの範囲を、ｐＨ５．０〜１０．０よりも、中性に近い範囲で管理する必要があることが判った。曇りムラの要因はまだ完全に明らかにされた訳ではないが、除去液中に含まれる不要なＤＦＲが、均一な処理を妨げている可能性があることと、溶解している不要なＤＦＲの薄膜化処理表面への再付着の可能性が考えられる。そして、除去液を繰り返し使用するものであり、除去液中に含まれる除去された不要なＤＦＲ濃度が０．５％質量以下であり、かつ、除去液の温度２０℃におけるｐＨが６．０〜９．０の範囲であることを特徴とするＤＦＲの薄膜化処理方法によって、ＤＦＲをムラなく、均一に薄膜化することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】薄膜化処理装置の構成を簡単に表した模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明のＤＦＲの薄膜化処理について、詳細に説明する。ＤＦＲが貼り付けられた基板は、基板の少なくとも片面にＤＦＲを貼り付けることで得られる。貼り付けには、例えば、１００℃以上に加熱したゴムロールを加圧して押し当てるラミネータ装置を用いる。基板には酸洗等の前処理を施しても良い。貼り付け後、ＤＦＲのキャリアフィルムを剥がし、ＤＦＲの薄膜化処理を施す。
【００１２】
本発明のＤＦＲの薄膜化処理方法の後に、回路パターンの露光を行い、更に現像を行ってエッチングレジスト層を形成し、次にエッチングレジスト層以外の金属層をエッチングすることで、導電パターンを形成することができる。
【００１３】
基板としては、プリント配線板またはリードフレーム用基板が挙げられる。プリント配線板としては、例えば、フレキシブル基板、リジッド基板が挙げられる。フレキシブル基板は、通常、ポリエステルやポリイミド、アラミド、ポリエステル−エポキシベースが絶縁層の材料として用いられている。フレキシブル基板の絶縁層の厚さは５〜１２５μｍで、その両面もしくは片面に１〜３５μｍの金属層が設けられており、非常に可撓性がある。絶縁層や金属層の厚みはこの範囲以外のものであっても良い。フレキシブル基板は、シート状の形態でも良いし、ロール状の形態でも良い。ロール状の形態であれば、ロール  トゥ  ロール（Ｒｏｌｌ  ｔｏ  Ｒｏｌｌ）の方式で、薄膜化処理、露光、現像、エッチング等の工程を処理できる。
【００１４】
リジッド基板としては、紙基材またはガラス基材にエポキシ樹脂またはフェノール樹脂等を浸漬させた絶縁性基板を必要枚数重ねて絶縁層とし、その片面もしくは両面に金属箔を載せ、加熱、加圧して積層し、金属層が設けられたものが挙げられる。また、内層配線パターン加工後、プリプレグ、金属箔等を積層して作製する多層用のシールド板、また貫通孔や非貫通孔を有する多層板も挙げられる。厚みは６０μｍ〜３．２ｍｍであり、プリント基板としての最終使用形態により、その材質と厚みが選定される。金属層の材料としては、銅、金、銀、アルミニウム等が挙げられるが、銅が最も一般的である。これらプリント基板は、例えば「プリント回路技術便覧−第二版−」（（社）プリント回路学会編、日刊工業新聞社刊）や「多層プリント回路ハンドブック」（Ｊ．Ａ．スカーレット編、（株）近代化学社刊）に記載されているものを使用することができる。リードフレーム用基板としては、鉄ニッケル合金、銅系合金等の基板が挙げられる。
【００１５】
ＤＦＲとは、一般的に使用されている回路形成用の感光性材料であり、光照射部が硬化して現像液に不溶化するネガ型のレジストが挙げられる。ＤＦＲは、少なくとも光架橋性樹脂層からなり、ポリエステル等のキャリアフィルム（透明支持体）上に光架橋性樹脂層が設けられ、場合によってはポリエチレン等の保護フィルムで光架橋性樹脂層上を被覆した構成となっている。ネガ型の光架橋性樹脂層は、例えば、カルボキシル基を含むバインダーポリマー、光重合性不飽和化合物、光重合開始剤、溶剤、その他添加剤からなる。それらの配合比率は、感度、解像度、硬度、テンティング性等の要求される性質のバランスによって決定される。光架橋性樹脂組成物の例は「フォトポリマーハンドブック」（フォトポリマー懇話会編、１９８９年刊行、（株）工業調査会刊）や「フォトポリマー・テクノロジー」（山本亜夫、永松元太郎編、１９８８年刊行、日刊工業新聞社刊）等に記載されており、所望の光架橋性樹脂組成物を使用することができる。光架橋性樹脂層の厚みは１５〜１００μｍであることが好ましく、２０〜５０μｍであることがより好ましい。この厚みが１５μｍ未満では、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性不良によって、レジスト剥がれや断線が発生する場合があり、１００μｍを超えると、薄膜化で溶解除去される量が多くなって薄膜化処理時間が長くなることがある。
【００１６】
薄膜化処理とは、ＤＦＲの厚みを略均一に薄くする処理のことであり、薄膜化処理を施す前の厚みの０．０５〜０．９倍の厚みにする。薄膜化処理の工程は、大きく２つの工程に分けられる。第一に、処理液として、高濃度アルカリ水溶液を用いて、ＤＦＲの光架橋性樹脂成分のミセルを一旦不溶化し、アルカリ水溶液中に溶解拡散しにくくする工程、第二に、この不溶化したミセルを除去する工程である。その後に、ミセルが除去されて薄膜化された光架橋性樹脂層表面を十分に水洗する工程を設けても良い。
【００１７】
処理液に使用されるアルカリ性化合物としては、リチウム、ナトリウムまたはカリウムの炭酸塩または重炭酸塩等のアルカリ金属炭酸塩、カリウム、ナトリウムのリン酸塩等のアルカリ金属リン酸塩、リチウム、ナトリウムまたはカリウムの水酸化物等のアルカリ金属水酸化物、カリウム、ナトリウムのケイ酸塩等のアルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物を挙げることができる。このうち特に好ましい化合物としては、アルカリ金属炭酸塩が挙げられる。
【００１８】
処理液は、上記アルカリ性化合物を処理液に対して５〜２０質量％含有することが好ましい。５質量％未満では溶解除去途中のミセルが溶解拡散しやすくなって、処理液の流動によって薄膜化処理が不均一になる場合がある。また、２０質量％を超えると析出が起こりやすくなって、液の経時安定性、作業性に劣る場合がある。溶液のｐＨは９〜１２の範囲とすることが好ましい。また、界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜少量添加することもできる。
【００１９】
処理液を用いて、光架橋性樹脂成分のミセルを一旦不溶化する工程は、ＤＦＲを貼り付けた基板を処理液中に浸漬させて実施する、いわゆるディップ方式で行うことが好ましい。ディップ方式で行うことにより、光架橋性樹脂表面を均一にミセル化させることが可能となる。
【００２０】
処理液の温度範囲としては、具体的には１０〜５０℃が好ましく、より好ましくは１５〜３５℃、更に好ましくは１５〜２５℃である。処理液の温度が大きく異なると、不溶化するミセルの量が安定しなくなるため、処理液の温度は常に一定に保つことが望ましい。
【００２１】
本発明における不溶化したミセルを除去する工程に用いる除去液は、温度２０℃におけるｐＨの値が６．０〜９．０の範囲の水溶液であり、かつ、除去液中に溶解した不要なＤＦＲの濃度が０．５質量％以下である水溶液を用いる。この除去液を用いて、高濃度アルカリ水溶液で不溶化された光架橋性樹脂成分を再分散させて溶解除去する。
【００２２】
本発明に用いる除去液は、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含むことが好ましい。また、除去液の温度２０℃におけるｐＨの値は、ｐＨ７．０〜８．５の範囲がより好ましい。不要なＤＦＲの除去工程において、ｐＨが６．０未満では、再分散により溶け込んだ光架橋性樹脂成分が凝集し、不溶性のスラッジとなって薄膜化したＤＦＲ表面に付着し、薄膜化処理したドライフィルム表面に、白い曇りムラが発生する。一方、水溶液のｐＨが９．０を超えると、光架橋性樹脂成分の溶解拡散が促進され、面内で膜厚ムラが発生するため好ましくなく、同様に、薄膜化処理したドライフィルム表面に白い曇りムラが発生する。
【００２３】
本発明に用いる除去液のｐＨは、硫酸、リン酸、塩酸などを用いて、液のｐＨを調整した後に使用しても良い。また、除去処理の工程で、前段の処理工程からのアルカリ性化合物の持ち込みなどから、除去液のｐＨの値が上昇した場合、規定の範囲内に収まるように、随時必要量を添加し、規定のｐＨの範囲内に収めた後に、再度、除去工程を開始することができる。更に、予め、ｐＨが規定の範囲内に収まるように、酸の添加量を自動制御しておけば、連続して、除去処理を行うこともできる。
【００２４】
本発明に用いる除去液のｐＨの測定方法としては、ある一定量の除去液を採取し、温度を２０℃に調整した後、測定することもできるが、薄膜化装置で使用している除去液のｐＨを、そのまま、測定することが好ましい。除去液は、予め一定量の除去液を槽内に貯めておき、繰り返し使用するものであるため、槽内の温度を２０℃に制御しておき、槽内に設置したｐＨ計にて、随時、測定することが好ましい。このように、温度を自動制御し、ｐＨを随時測定することで、上記の如く、酸の添加量を自動制御して、連続して、除去処理を行うことが可能となる。ｐＨ計としては、一般的に用いられる水溶液測定タイプのｐＨ計が使用可能であり、例えば、イワキ（株）製の商品名：Ｓ６５０ＣＤなどを用いることができる。
【００２５】
本発明に用いる除去液中のＤＦＲ濃度の範囲は、０．５質量％以下であり、０．３質量％以下が好ましく、０．２質量％以下がより好ましい。除去液中のレジスト溶解量の範囲が０．５質量％より多くなると、薄膜化処理したドライフィルム表面に、白い曇りムラが発生する。除去液中のレジスト溶解量が０．５質量％より高くなった場合は、再度、新液を建浴し直して、除去工程を再開する必要がある。また、除去液を連続して使用する場合、除去液中に溶解した不要なＤＦＲは、フィルターを循環させることで、随時、除去することができる。フィルターの種類は特に制限なく用いることができるが、例えば、アドバンテック東洋株式会社製のデプスカートリッジフィルターやワインドカーリッジフィルターなどを用いることができる。使用するフィルターの本数や孔径などは必要に応じて、自由に選択することができる。
【００２６】
本発明に用いる除去液中のＤＦＲ濃度の測定方法としては、絶乾質量から測定することができる。具体的な方法としては、例えば、ＤＦＲが溶解した除去液１０ｇをシャーレに採取し、温度１００℃の乾燥機に入れ、完全に水分を蒸発させる。次に、蒸発後の質量を測定することで、除去液１０ｇ中に溶解していたＤＦＲの量（質量％）を計算することが可能となる。
【００２７】
本発明における表面の不要なＤＦＲを除去する工程としては、処理液を用いて一旦不溶化させた光架橋性樹脂成分のミセルを一気に除去することが望ましいことから、スプレー方式、ブラッシング方式、スクレーピング方式などがあり、スプレー方式が、光架橋性樹脂層の溶解速度の点からは最も好ましい。スプレー方式の場合、処理条件（温度、時間、スプレー圧）は使用する光架橋性樹脂成分の溶解速度に合わせて適宜調整される。具体的には、処理温度は１０〜５０℃が好ましく、より好ましくは１５〜３５℃、更に好ましくは１５〜２５℃である。である。また、スプレー圧は０．０１〜０．５ＭＰａとするのが好ましく、０．１〜０．３ＭＰａがより好ましい。スプレーは、不要なＤＦＲを滞留させることなく、一気に除去することが好ましいことから、光架橋性樹脂層表面に垂直な方向に対して、傾いた方向から噴射するのが好ましい。
【００２８】
除去液の供給流量は、ＤＦＲ１ｃｍ２当たり０．０３０〜１．０Ｌ／ｍｉｎが好ましく、０．０５０〜１．０Ｌ／ｍｉｎがより好ましく、０．１０〜１．０Ｌ／ｍｉｎが更に好ましい。供給流量がこの範囲であると、薄膜化後の光架橋性樹脂層表面に不溶解成分を残すことなく、面内略均一にミセルを除去することができる。ＤＦＲ１ｃｍ２当たりの供給流量が０．０３０Ｌ／ｍｉｎ未満では、不溶化した光架橋性樹脂成分の溶解不良が起こる場合がある。一方、供給流量が１．０Ｌ／ｍｉｎを超えると、供給のために必要なポンプなどの部品が巨大になり、大掛かりな装置が必要となる場合がある。更に、１．０Ｌ／ｍｉｎを超えた供給量では、光架橋性樹脂成分の溶解拡散に与える効果が変わらなくなることがある。
【００２９】
本発明に係わる薄膜化処理において、除去液を供給し、処理液で不溶化された光架橋性樹脂成分を再分散させて溶解除去した後、ＤＦＲ表面を水によって十分に洗浄することが好ましい。水洗処理の方法は、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式等があり、処理速度が速いため、スプレー方式が最も適している。
【００３０】
本発明に係わる薄膜化処理を行った後、露光、現像、エッチングを行うことにより、回路パターンを形成することができる。露光方法としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とした反射画像露光、フォトツールを用いた片面、両面密着露光や、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光が挙げられる。走査露光を行う場合には、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、アルゴンレーザー、クリプトンイオンレーザー、ルビーレーザー、ＹＡＧレーザー、窒素レーザー、色素レーザー、エキシマレーザー等のレーザー光源を発光波長に応じてＳＨＧ波長変換して走査露光する、あるいは液晶シャッター、マイクロミラーアレイシャッターを利用した走査露光によって露光することができる。
【００３１】
現像の方法としては、使用するＤＦＲに見合った現像液を用い、基板の上下方向から基板表面に向かってスプレーして、レジストパターンとして不要な部分を除去し、回路パターンに相当するエッチングレジスト層を形成する。一般的には、１〜３質量％の炭酸ナトリウム水溶液が使用される。
【００３２】
エッチングは、現像で形成されたエッチングレジスト層以外の露出した金属層を除去する方法である。エッチング工程では、「プリント回路技術便覧」（（社）日本プリント回路工業会編、１９８７年刊行、日刊工業新聞社発行）記載の方法等を使用することができる。エッチング液は金属層を溶解除去できるもので、また少なくともエッチングレジスト層が耐性を有しているものであれば良い。一般に金属層に銅を使用する場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液等を使用することができる。
【００３３】
以下、本発明の薄膜化処理方法で使用される装置について、詳細に説明する。
【００３４】
図１は、薄膜化処理装置の構成を簡単に表した模式図である。この図は、左側から、処理液を用いて、光架橋性樹脂層成分のミセルを一旦不溶化し、処理液中に溶解拡散しにくくする工程（１）、次に、この不溶化したミセルを除去する工程（２）、次に、ミセルが除去されて薄膜化された光架橋性樹脂層表面を十分に水洗する工程（３）、最後に、ブロアを用いて、薄膜化された光架橋性樹脂層表面上に残っている水を完全に除去する工程（４）で使用されるユニット１〜４を示したものである。
【００３５】
ＤＦＲが貼り付けられた基板５は、まず搬入口６より挿入される。工程（１）のユニット１にはディップ槽７が設けてあり、ディップ槽７の中には搬送用ロール８が対になった状態で設置されている。基板５上のＤＦＲは、このディップ槽７の中で、不溶化されたミセル層を形成することとなる。処理液は、ディップ槽の下部から処理液供給用ポンプ９にて供給され、オーバーフローさせる。オーバーフローした処理液は、処理液回収管１０を介して処理液貯蔵タンク１１に回収され、再使用されることとなる。また、処理液回収管１０にはバルブ１２が取り付けてあり、古くなった処理液は、これを切り替えることで、廃液管１８から、適宜、廃液することもできる。
【００３６】
次に、基板５は、連結口１３を通って次工程（２）のユニット２に搬送される。ユニット２にはミセル除去用のスプレーノズル１４が設置してあり、このスプレーノズルに除去液が供給、噴出され、基板５上に形成された不溶化したミセルを一気に除去する。ミセル除去用のスプレーノズル１４は、両面処理が可能なように、基板５の上下に設置されてある。ユニット１と同様に、除去液は貯蔵タンク１５からポンプ１６を介して供給される。ユニット２の下部には、バルブ１７が取り付けてある除去液回収管１０と廃液管１８があり、これらを操作することで、回収と廃棄を選択することが可能となる。
【００３７】
ユニット３とユニット４は、それぞれ、水洗工程（３）と乾燥工程（４）のユニットである。ユニット３では、水供給管２６から水洗用のスプレーノズル１９に水が供給され、基板５の表面を綺麗に洗浄する。洗浄後の水は、排水処理管２０を介し、廃棄される。水洗後、基板５はユニット４に導入される。ユニット４にはターボブロワ２１が設けられ、ターボブロワ２１の吸引管２２がユニット４に接続され、ターボブロワ２１の吐出管２３に複数の空気噴射ノズル２４が接続され、基板５の表面に向けて空気を噴射する構成となっている。これにより、基板５に付着した水滴を除去し、搬出口２５より基板５が搬出され、一連の薄膜化処理が完了する。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例によって本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００３９】
実施例１〜８、比較例１〜３
両面銅張積層板（面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学（株）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト（旭化成イーマテリアルズ（株）製、商品名：サンフォート（登録商標）ＡＱ−４０３８、厚み４０μｍ）を貼り付けた。次に、キャリアフィルムを剥離した後、ＤＦＲの厚みが平均１０μｍにする薄膜化処理を繰り返し行い、除去液のｐＨと除去液中に溶解している不要なＤＦＲ濃度が、表１記載の数値になるような条件のもとで、薄膜化処理後のＤＦＲ表面の状態を、下記の方法で評価した。なお、処理液の温度は２０℃、ディップ方式で処理した。除去液の温度は２０℃、スプレー圧力は０．１５ＭＰａ、除去液の流量は、ＤＦＲ１ｃｍ２当たり０．３Ｌ／ｍｉｎの条件で行い、除去液のｐＨの調整は、必要に応じて、１質量％の硫酸を添加して、表１記載のｐＨの値になるように調整した。
【００４０】
［薄膜化処理後のＤＦＲ表面の曇りムラの評価方法］
薄膜化処理後、蛍光灯の明かりのもと、試料を蛍光灯直下２ｍの場所に配置し、試料を水平状態から４５度傾けた状態で、ＤＦＲ表面を観察し、目視にて、ＤＦＲ表面に見える白く曇る現象（曇りムラ）の有無を判定した。評価基準としては、以下の通りであり、製品として使用可能な条件は、△以上であった。
◎：曇りムラが全くなく、非常に良好。
○：曇りムラがない。
△：曇りムラが少しあるが、実用可能である。
×：曇りムラが多く、実用上問題である。
【００４１】
【表１】
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【００４２】
表１で明らかなように、本発明の薄膜化処理方法は、ＤＦＲを、曇りムラを発生させること無く、均一に薄膜化できることが判る。
【００４３】
除去液中の不要なＤＦＲ濃度を比較した比較例１、実施例１〜５では、除去液中の不要なレジストＤＦＲ濃度が少ないほど、曇りムラが少なくなっていることが判る。特に、０．３質量％以下で良好であり、０．２質量％以下ではより改善されていることが判る。比較例１は、除去液中の不要なＤＦＲ濃度が０．５質量％より多く、薄膜化処理後のレジスト表面に曇りムラが発生し、製品として使用することができなかった。
【００４４】
除去液中のｐＨを比較した比較例２と３、実施例５〜８では、除去液のｐＨが中性に近いほど、曇りムラが少なくなっていることが判る。特に、ｐＨの範囲が７．０〜８．５である実施例６と７は、薄膜化処理後のレジスト表面の曇りムラが少ないことが判る。比較例２は、除去液のｐＨの値が９．０より大きく、薄膜化処理後のレジスト表面に曇りムラが発生し、製品として使用することができなかった。比較例３は、除去液のｐＨの値が６．０より小さく、薄膜化処理後のレジスト表面に曇りムラが発生し、製品として使用することができなかった。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、サブトラクティブ法における金属パターンの形成に広く使用され、例えば、プリント配線板、リードフレーム等の作製に使用することができる。
【符号の説明】
【００４６】
１  工程（１）ユニット
２  工程（２）ユニット
３  工程（３）ユニット
４  工程（４）ユニット
５  ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）が貼り付けられた基板
６  搬入口
７  ディップ槽
８  搬送用ロール
９  ユニット１用処理液供給用ポンプ
１０  処理液（除去液）回収管
１１  処理液貯蔵タンク
１２  バルブ
１３  連結口
１４  ミセル除去用のスプレーノズル
１５  除去液貯蔵タンク
１６  除去液供給用ポンプ
１７  バルブ
１８  廃液管
１９  水洗用のスプレーノズル
２０  排水処理管
２１  ターボブロワ
２２  吸引管
２３  吐出管
２４  空気噴射ノズル
２５  搬出口
２６  水供給管
【図１】
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