(57)【要約】【課題】本発明は、半導体装置の小型化に対応できる半導体装置を提供する。【解決手段】平面視略矩形の板状体であって、一面１１aがチップ搭載面とされ、他面１１ｂに外部電極２８が設けられており、４つの隅部に切欠部６１が設けられてなる配線基板１７と、チップ搭載面に搭載される半導体チップ１６と、配線基板１７の一面１１ａ及び半導体チップ１６を覆うとともに、切欠部６１を介して配線基板１７の他面１１ｂ側に膨出された4つのバンパー部３４を有する封止体３３と、を具備してなり、バンパー部３４の端面が外部電極２８の高さより低い位置に設けられるとともに、４つのうち１つのバンパー部３４に識別マーク４０が設けられている半導体装置１０とする。【選択図】図２
2012089808.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視略矩形の板状体であって、一面がチップ搭載面とされ、他面に外部電極が設けられており、４つの隅部に切欠部が設けられてなる配線基板と、
前記チップ搭載面に搭載される半導体チップと、
前記配線基板の一面及び前記半導体チップを覆うとともに、前記切欠部を介して前記配線基板の他面側に膨出された4つのバンパー部を有する封止体と、を具備してなり、
前記バンパー部の端面が前記外部電極の高さより低い位置に設けられるとともに、４つのうち１つの前記バンパー部に識別マークが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記識別マークは、前記端面に形成されたレーザ照射部であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記識別マークは、前記端面に形成された識別用凹部であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記識別マークは、前記凹部に塗布された着色層であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記バンパー部のうち１つのバンパー部にバンパー切欠部を設けることで、前記バンパー切欠部を有するバンパー部を前記識別マークとすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
一面がチップ搭載面とされ、他面が外部電極設置面とされた配線基板部がマトリックス状に複数配置されるとともに、前記配線基板部の境界線同士が交差する交差部分にバンパー用開口部が設けられてなる配線母基板を用意し、
前記配線母基板の各前記配線基板部の各前記チップ搭載面に半導体チップを搭載する工程と、
前記チップ搭載面及び前記半導体チップを封止樹脂で封止するとともに、前記封止樹脂を、前記バンパー用開口部を通して前記外部電極設置面側に膨出させてバンパー用突出部を形成する封止工程と、
前記封止工程と同時に、または、前記封止工程の後に前記バンパー用突出部に識別マークを設ける識別マーク形成工程と、
前記配線基板部の境界面に沿って前記配線基板部を切断し、配線基板に分断するとともに、前記バンパー用突出部を複数に分割して前記配線基板の四隅に識別マークを有するバンパー部と、前記識別マークを有しないバンパー部を形成する分割工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記識別マーク形成工程は、前記封止工程の後に前記突出部の一部にレーザを照射し、レーザ照射部からなる前記識別マークを形成する工程であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記識別マーク形成工程は、前記封止工程において、封止用金型の前記バンパー用突出部の形成位置に下型凸部を設けて行うことにより、前記バンパー用突出部に前記下型凸部に対応する識別用凹部を形成させることで、前記識別用凹部からなる識別マークを形成する工程であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記識別用凹部に着色塗料を塗布し着色層を形成させることで、前記着色層からなる前記識別マークを形成することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記識別マーク形成工程は、前記封止工程において、封止用金型の前記バンパー用突出部の形成位置の一部に面取り部を設けて封止を行うことにより、前記バンパー用突出部に前記面取り部に対応するバンパー切欠部を設ける工程であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップの集積度が年々向上し、それに伴って配線の微細化や多層化などが進んでいる。一方、半導体パッケージ（半導体装置）の高密度実装化のためには、パッケージサイズの小型化が必要となっている。例えば、ＢＧＡ(Ball Grid Array)やＣＳＰ(Chip Size Package)などの半導体パッケージは、絶縁基板上に半導体チップを実装し、この半導体チップと絶縁基板との間をワイヤーボンディング等で接続した構造を有している。
【０００３】
ＢＧＡ型の半導体装置としては、半導体チップがチップパッドを有し、パッケージ基板がチップパッドを外方に臨ませる開口部を有し、パッケージ基板に配置されたパッケージ配線の一端にボンディングパッドが設けられ、他端に半田ボールが設けられ、チップパッドとボンディングパッドとが、ボンディングワイヤーを介して電気的に接続されているものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、従来の半導体装置として、例えば、特許文献２には、パッケージのコーナ部にバンパー部が設けられたBGA型の半導体装置が開示されている。
具体的には、半導体基板の裏面における端部外寄りに、半田ボールの厚み方向寸法よりも小さな寸法の、封止樹脂からなるバンパー部が設けられている半導体装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１９８８４１号公報
【特許文献２】特開平１１−１６３２０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したような、BGA型の半導体装置では、パッケージのコーナ部にバンパー部が存在していることにより、半導体装置の向きを検出する為の識別マークの位置を、格子状に配置された外部電極の外側に配置せざるを得なかった。
さらに、配線基板の端部と識別マーク端との距離の制約もあり、半導体装置のサイズの小型化に対応しにくかった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体装置は、平面視略矩形の板状体であって、一面がチップ搭載面とされ、他面に外部電極が設けられており、４つの隅部に切欠部が設けられてなる配線基板と、  前記チップ搭載面に搭載される半導体チップと、前記配線基板の一面及び前記半導体チップを覆うとともに、前記切欠部を介して前記配線基板の他面側に膨出された4つのバンパー部を有する封止体と、を具備してなり、前記バンパー部の端面が前記外部電極の高さより低い位置に設けられるとともに、４つのうち１つの前記バンパー部に識別マークが設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の半導体装置は、平面視略矩形の板状体であって、一面がチップ搭載面とされ、他面に外部電極が設けられており、４つの隅部に切欠部が設けられてなる配線基板と、チップ搭載面に搭載される半導体チップと、配線基板の一面及び半導体チップを覆うとともに、切欠部を介して配線基板の他面側に膨出された4つのバンパー部を有する封止体と、を具備してなり、バンパー部の端面が外部電極の高さより低い位置に設けられるとともに、４つのうち１つのバンパー部に識別マークが設けられているものであるので、配線基板の端部と識別部の端部との距離の制約を考慮する必要がなくなり、配線基板の端部と外部電極との距離を小さくすることできる。その結果、半導体装置のパッケージサイズの小型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施形態である半導体装置を説明するための図であり、半導体装置を下面側から見た平面図である。
【図２】図１中に示すＡ−Ａ’線に対応する半導体装置の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、半導体装置を下面側から見た平面図である。
【図４Ａ】本発明の第１の実施形態である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図３のＢ−Ｂ’線に対応する断面図である。
【図４Ｂ】本発明の第１の実施形態である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図３のＢ−Ｂ’線に対応する断面図である。
【図４Ｃ】本発明の第１の実施形態である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図３のＢ−Ｂ’線に対応する断面図である。
【図４Ｄ】本発明の第１の実施形態である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図３のＢ−Ｂ’線に対応する断面図である。
【図４Ｅ】本発明の第１の実施形態である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図３のＢ−Ｂ’線に対応する断面図である。
【図４Ｆ】本発明の第１の実施形態である半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図３のＢ−Ｂ’線に対応する断面図である。
【図５Ａ】図４Ｄに示される工程を説明するための図であり、図３のＣ−Ｃ’線に対応する断面図である。
【図５Ｂ】図４Ｄに示される工程を説明するための図であり、図３のＣ−Ｃ’線に対応する断面図である。
【図５Ｃ】図４Ｄに示される工程を説明するための図であり、図３のＣ−Ｃ’線に対応する断面図である。
【図５Ｄ】図４Ｄに示される工程を説明するための図であり、図３のＣ−Ｃ’線に対応する断面図である。
【図６Ａ】本発明の第２の実施形態である半導体装置の製造方法の一例を説明するための図であり、図３のＣ−Ｃ’線に対応する断面図である。
【図６Ｂ】本発明の第２の実施形態である半導体装置の製造方法の一例を説明するための図であり、図３のＣ−Ｃ’線に対応する断面図である。
【図６Ｃ】本発明の第２の実施形態である半導体装置の製造方法の一例を説明するための図であり、図３のＣ−Ｃ’線に対応する断面図である。
【図６Ｄ】本発明の第２の実施形態である半導体装置の製造方法の一例を説明するための図であり、図３のＣ−Ｃ’線に対応する断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態である半導体装置を説明するための図であり、半導体装置を下面側から見た平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明を適用した実施形態について詳細に説明する。
尚、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、以下の説明で用いる図面は、本発明の実施形態の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の半導体装置の寸法関係とは異なる場合がある。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１および図２は、本発明の第１の実施形態の半導体装置を説明するための図である。図１は、本実施形態における半導体装置の平面模式図であり、図２は、図１の線分Ａ−Ａ’に対応する断面模式図である。
図１および図２に示す半導体装置１０は、平面視略矩形の板状体であって、一面１１aがチップ搭載面とされ、他面１１ｂに外部電極２８が設けられており、４つの隅部に切欠部６１が設けられてなる配線基板１７と、チップ搭載面に搭載される半導体チップ１６と、配線基板１７の一面１１a及び半導体チップ１６を覆うとともに、切欠部６１を介して配線基板１７の他面１１ｂ側に膨出された4つのバンパー部３４を有する封止体３３と、４つのバンパー部３４のうち１つに設けられた識別マーク４０と、を具備して構成されている。なお、バンパー部３４の端面は、外部電極２８の高さより低い位置に設けられる。
【００１２】
配線基板１７は、例えば、フィルム状の平面視略矩形のポリイミド基材からなる絶縁基板１１を備えたフレキシブル配線基板であって、チップ搭載面である一面１１a（図２においては下面）と外部電極２８の設置面である１１ｂ（図２においては上面）とから概略構成されている。なお、絶縁基板１１は、ポリイミド基材からなるものに限定されず、例えば、ガラスエポキシ基板などであってもよい。
また、図１に示すように、配線基板１７の四隅には、切欠部６１が設けられている。この切欠部６１の形状は、例えば平面視略矩形を例示できる。
【００１３】
絶縁基板１１の半導体チップ１６側の面（図２においては下面）には、Ｃｕ等の導電材料からなる複数の配線１９が所定の形状で形成されており、絶縁基材１１の中央領域には開口部１２が形成されている。
【００１４】
また、配線基板１７は、開口部１２により開口部１２の第１側壁１２ａ側と第２側壁１２ｂ側の２つの領域に区画されている。配線基板１７の他面１１ｂの第１側壁１２ａ側と第２側壁１２ｂ側のそれぞれの領域には、図１に示すように、所定の間隔で、外部電極２８が格子状に配置されている。さらに、配線基板１７の一面１１aの第１側壁１２ａ側と第２側壁１２ｂ側のそれぞれの領域には、各配線１９の一端が絶縁基板１１に形成された孔部により配線基板１７の他面１１ｂに露出されてなるランド（外部接続端子）２９が格子状に配置されている。
ここで、外部電極２８は、図２に示すように、ランド２９に電気的に接続されている。このことにより、各配線１９と外部電極２８とが電気的に接続されている。
なお、外部電極２８としては、例えば半田ボールを挙げることができる。
【００１５】
また、配線基板１７は、図１および図２に示すように、一面１１ａから他面１１ｂに貫通して設けられた平面視略矩形の開口部１２を有している。開口部１２は、平面視で配線基板１７の中央部に設けられ、第１側壁１２ａと第１側壁１２ａに対向する第２側壁１２ｂとを有している。
【００１６】
また、図２に示すように、配線基板１７は、複数のインナーリード７を有している。インナーリード７は、Ａｕ、Ｃｕ等の導電材料からなる平面視直線状のものであり、それぞれのインナーリード７の一端が配線１９に接続されており、これにより半導体チップ１６の電極パッド１５と対応する外部電極２８とが電気的に接続されている。また、インナーリード７の他端は開口部１２内に露出されている。
本実施形態においては、図２に示すように、開口部１２内に露出されているインナーリード７に、後述する電極パッド１５が接続されている。
【００１７】
また、図２に示すように、配線基板１７の一面１１ａには、ＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈｅｄ  Ｆｉｌｍ）、或いはエラストマ（弾性体）等からなる接着部材３１を介して、半導体チップ１６が搭載されている。接着部材３１は、配線基板１７上の配線１９が形成されている領域を覆い、開口部１２を除く領域に設けられている。この接着部材３１により、半導体チップ１６と配線基板１７は接続されている。
【００１８】
半導体チップ１６は、平面視略矩形の板状であり、半導体チップ１６の一主面１６ｂ（図２における上面）上には、例えばメモリ回路（不図示）と、半導体チップ１６を外部と電気的に接続するための複数の電極パッド１５が形成されている。本実施形態においては、複数の電極パッド１５は半導体チップ１６の一主面１６ｂの中央領域に一列で配置されているが、電極パッド１５の配列数は特に限定されない。
半導体チップ１６の一主面１６ｂにおいて、電極パッド１５の形成されている領域を除く領域には、図示しないパッシベーション膜が形成されており、メモリ回路の形成された面が保護されている。
【００１９】
図１および図２に示すように、半導体チップ１６は、電極パッド１５の設けられている側（一主面１６ｂ側）を配線基板１７に向けて配置されている。また、半導体チップ１６は、図１および図２に示すように、配線基板１７の開口部１２から電極パッド１５が露出するように、配置されている。
【００２０】
また、図１および図２に示すように、開口部１２内には封止樹脂からなる封止体３２が形成され、インナーリード７が封止されている。これにより、半導体装置１０はインナーリード７を用いた半導体チップ１６と配線基板１７との接続部位が、外界から保護される。
【００２１】
また、配線基板１７の一面１１a及び半導体チップ１６を覆うように、封止樹脂からなる封止体３３が形成されている。さらに、封止体３３は、切欠部６１を介して配線基板１７の他面１１ｂ側に膨出された４つのバンパー部３４を有している。このとき、バンパー部３４の端面は、外部電極２８高さより低い位置に設けられるよう設計してある。
これにより、半導体チップ１６が外部から保護される。
なお、封止体３２、３３に用いられる封止樹脂としては、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂などを用いることができる。
【００２２】
また、配線基板１７の四隅に形成された４つのうち１つのバンパー部３４には、半導体装置１０の向きを検出するための識別マーク４０が形成されている。なお、本実施形態における識別マーク４０は、図１に示すように、バンパー部３４の端面にレーザが照射され、バンパー部３４の組織とは異なる組織へと改質されたレーザ照射部から構成されている。
ここで、本実施形態にける識別マーク４０は、略円形状のマークで形成されているが、識別可能であれば、三角や四角等どのような形状でも良い。
【００２３】
「製造方法」
次に、本発明の第１の実施形態である半導体装置の製造方法について説明する。
【００２４】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、一面がチップ搭載面とされ、他面が外部電極設置面とされた配線基板部がマトリックス状に複数配置されるとともに、配線基板部の境界線同士が交差する交差部分にバンパー用開口部が設けられてなる配線母基板を用意し、配線母基板の各配線基板部の各チップ搭載面に半導体チップを搭載する工程と、チップ搭載面及び半導体チップを封止樹脂で封止するとともに、封止樹脂を、バンパー用開口部を通して外部電極設置面側に膨出させて突出部を形成する封止工程と、封止工程の後に突出部に識別マークを設ける識別マーク形成工程と、配線基板部の境界面に沿って配線基板部を分別するとともに、突出部を複数に分割して配線基板部四隅に識別マークを有するバンパー部と、識別マークを有しないバンパー部を形成する分割工程と、から概略構成される。
【００２５】
以下に、本実施形態である半導体装置の製造方法について図３、図４Ａ〜図４Ｆ及び図５Ａ〜図５Ｄを参照しながら詳細に説明する。
なお、図３、図４Ａ〜図４Ｆ及び図５Ａ〜図５Ｄは、本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図４Ａ〜図４Ｆは図３のＢ−Ｂ’線に対応する断面図である。また、図５Ａ〜図５Ｄは、図４Ｄに示される工程を詳細に説明するための図であって、図３のＣ−Ｃ’線に対応する断面図である。また、図３、図４Ａ〜図４Ｆおよび図５Ａ〜図５Ｄにおいて、第１の実施形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一の符号を付す。
【００２６】
まず、図３に示すような、配線基板部１７aがマトリックス状に複数配置されるとともに、隣接する配線基板部１７aの境界線であるダイシングライン７０同士が交差する部分にバンパー用開口部６１aが設けられている配線母基板４１を用意する。
また、配線母基板４１の一方の両端部には枠部７３が設けられおり、この枠部７３上には複数のスプロケットホール７２が形成されている。
なお、本実施形態において配線基板部１７aは、一面１１aがチップ搭載面とされ、他面１１ｂが外部電極設置面とされたものを用いる。
【００２７】
さらに、配線基板部１７aは、図４Ａに示すように絶縁基板１１を備えており、一面１１ａから他面１１ｂに貫通して設けられた開口部１２と、後述する各外部電極２８に接続される複数の配線１９と、両端が配線１９に接続されたインナーリード７と、を有するものである。
また、各配線基板部１７aのチップ搭載面側には、図４Ａに示すように接着部材３１が搭載されている。
【００２８】
また、図４Ａに示すように、インナーリード７は、配線基板部１７aと一体化された所定の形状で、かつ、各配線基板部１７aに設けられている開口部１２内に跨って延在するように形成されている。
また、本実施形態において用いる配線基板部１７aには、図４Ａに示すように、絶縁基板１１に形成された孔部によって、各配線１９の一端が他面１１ｂに露出されてなるランド２９が形成されている。
【００２９】
次に、半導体チップを搭載する工程について説明する。
まず、図４Ｂに示すように、配線基板部１７aの一面１１aに、一主面１６ｂ（図３Ｂにおける上面）に複数の電極パッド１５を有する半導体チップ１６を搭載する。このとき、各電極パッド１５が開口部１２から露出するように配置する。また、半導体チップ１６は、接着部材３１を介して、電極パッド１５を配線基板部１７a側に向けるように搭載する。
なお、本実施形態においては、複数の電極パッド１５は半導体チップ１６の一主面１６ｂの中央領域に一列で配置しているが、電極パッド１５の配列数は特に限定されない。
また、配線母基板４１に半導体チップ１６を搭載することにより、開口部１２内において、各インナーリード７が、それぞれ接続される電極パッド１５に対向配置される。
【００３０】
次に、図４Ｃに示すように、開口部１２内に跨って延在するように形成されているインナーリード７と電極パッド１５とを接続する（接続工程）。
本実施形態では、接続工程を行う前に、開口部１２内で、インナーリード７を切断する（切断工程）。このことにより、インナーリード７は、一端が配線１９に接続された状態である２つのインナーリード７に分離される。
【００３１】
インナーリード７を切断する方法としては、例えば、インナーリードボンディング装置のボンディングツールを用いて、インナーリード７を切断する方法を用いることができる。この場合、インナーリード７を切断した後、２つに分離されたインナーリード７を電極パッド１５に接続する作業をスムーズに行うことができ、効率よく製造でき、好ましい。
また、インナーリード７の予め決められた位置には、接続工程を行う前に、例えばノッチ部などの切断容易部（不図示）を設けることが好ましい。この場合、インナーリード７を切断する際に、所定の位置で容易に効率よく高精度で切断できる。
【００３２】
次に、接続工程を行う。接続工程は、図４Ｃに示すように、半導体チップ１６の配線基板部１７a側の面である一主面１６ｂが上側になるように配置して行うことが好ましい。また、接続工程において、電極パッド１５とインナーリード７を接続する方法としては、例えば、切断工程で用いた同様のインナーリードボンディング装置のボンディングツールを用いて、超音波熱圧着する方法などを用いることができる。
【００３３】
続いて、封止工程について説明する。
まず、図４Ｄに示すように、開口部１２内および開口部１２近傍を封止樹脂で封止することにより封止体３２を形成して、電極パッド１５と接続したインナーリード７を封止する。さらに、配線基板部１７aの一面１１a及び半導体チップ１６を封止樹脂で封止することにより封止体３３を形成するとともに、この封止樹脂を、バンパー用開口部６１aを通して他面１１ｂ側に膨出させることによりバンパー用突出部３５を形成する。
封止体３２および封止体３３を形成する方法としては、例えば、図５Ａ〜図５Ｄに示すトランスファーモールド装置の上型５１と下型５２からなる封止用金型５０を用いて形成する方法を用いることができる。
【００３４】
まず、トランスファーモールド装置の上型５１と下型５２からなる封止用金型５０を用意する。ここで、配線基板部１７aの四隅には、図３及び図５Ａに示すように、バンパー用開口部６１aが形成されており、このバンパー用開口部６１aに対応する下型５２には下型凹部５２aが配置されている。後に説明するが、この下型凹部５２a内に封止樹脂を流入することにより、バンパー用突出部３５を形成する。
なお、バンパー用突出部３５の端面の位置は、後述する外部電極２８の高さよりも低くなるよう形成するため、下型凹部５２aの深さは、外部電極２８の高さよりも浅くなるよう設計する。
【００３５】
次に、上記のような封止用金型５０を用いて、配線母基板４１を型閉めする。この時、配線基板部１７aに形成された開口部１２の長辺が、封止樹脂の注入方向に沿って配置されるように、配線母基板４１を封止用金型５０のキャビティ６０内に配置することが好ましい。このことにより、インナーリード７が、封止用金型５０内における封止樹脂の流動に支障を来たすことを防止でき、封止用金型５０内における封止樹脂の流動をスムーズにすることができる。
【００３６】
次に、図５Ｂに示すように、封止用金型５０に設けられているゲート（不図示）から、封止用金型５０のキャビティ６０内に溶融された封止樹脂を注入し、キャビティ６０内を封止樹脂で充填する。このとき、溶融された封止樹脂がバンパー用開口部６１aを通じて下型５２の下型凹部５２aにも充填される。
次いで、キャビティ６０内を封止樹脂で充填した後、例えば１８０℃程度の所定温度で熱処理（キュア）することにより、封止樹脂を硬化させる。これにより、図４Ｄに示すように、開口部１２内および開口部１２近傍に封止樹脂からなる封止体３２が形成される。さらに、図５Ｂに示すように、配線基板部１７aの一面１１a及び半導体チップ１６を覆うように、封止樹脂からなる封止体３３が形成されるとともに、バンパー用開口部６１aを通して他面１１ｂ側に膨出するバンパー用突出部３５が形成される。
なお、封止樹脂としては、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。
【００３７】
その後、封止用金型５０から配線母基板４１を取り出すことにより、図５Ｃに示すように、封止体３２、封止体３３及びバンパー用突出部３５によって一括的に覆われた配線母基板４１が得られる。これにより、半導体チップ１６及び半導体チップ１６と配線基板１７との接続部位が、外界から保護される
【００３８】
次に、識別マーク形成工程について説明する。
図５Ｄに示すように、配線基板部１７aの他面１１ｂ側に形成した４つのうち１つのバンパー用突出部３５に識別マーク４０を形成する。ここで、識別マーク４０は、半導体装置１０の向きを検出するためのものである。
【００３９】
具体的に、例えば図５Ｄに示すようなレーザーマーキング装置Ｌを用いて、バンパー突出部３５表面にレーザ光を照射し、照射されたレーザ光が、所定の認識マークが形成されたマスクを介して、バンパー突出部３５に結像されることで、レーザ照射部を形成することができる。これにより、バンパー突出部３５表面にレーザ照射部からなる識別マーク４０を形成することができる。
本実施形態では、図１に示すように、識別マーク４０は円形状のマークで形成しているが、識別可能であれば、識別マーク４０のマークは三角や四角等のどのような形状でも良い。
【００４０】
その後、図４Ｅに示すように、各配線１９の一端が露出されてなるランド２９に電気的に接続された、外部電極２８を形成する。外部電極２８を形成する際には、例えば、ランド２９の配置に合わせて複数の吸着孔が形成されたボールマウントツールを用いる方法を用いることが好ましい。具体的には、ボールマウントツールの吸着孔に外部電極２８を保持し、保持された外部電極２８にフラックスを転写形成し、ランド２９に一括搭載した後、所定温度でリフローすることにより、外部電極２８を固着する方法を用いることができる。
なお、外部電極２８としては半田ボール等を用いることができる。
【００４１】
次に、分割工程について説明する。
識別マーク形成工程において識別マーク４０を形成した後、配線母基板４１を、ダイシングブレードを用いて、配線基板部１７aの境界面に沿うようにダイシングライン７０で切断し、配線基板部１７a毎に切断分離する。これにより、複数の配線基板１７に分断され、図１及び図２に示す半導体装置１０が得られる。
なお、配線母基板４１を切断する際には、図４Ｆに示すように、半導体チップ１６を覆う封止体３３にダイシングテープ４８を接着し、ダイシングテープ４８によって配線母基板４１を支持させて、配線母基板４１をダイシングブレードによりダイシングライン７０を切断することが好ましい。
また、複数の配線基板１７に分断すると同時に、配線基板部１７aの他面１１ｂ側の四隅に設けたバンパー用突出部３５も切断し分割する。これにより、図１及び図２に示すような、配線基板１７の四隅に識別マーク４０を有するバンパー部３４と、識別マーク４０を有しないバンパー部３４を形成することができる。
以上の工程によって、図１および図２に示す、本発明である半導体装置を製造することができる。
【００４２】
本実施形態の半導体装置１０は、配線基板１７の四隅に、外部電極２８の高さよりも低く形成されたバンパー部３４を有している。これにより、半導体装置１０のコーナ部が補強され、半導体装置１０の剛性を向上させることが可能となる。
【００４３】
また、本実施形態の半導体装置１０は、配線基板１７の四隅に形成された４つのバンパー部３４のうちの１つに識別マーク４０が設けられている。これにより、配線基板１７の端部と識別マークとの距離の制約を考慮する必要がなくなる。その結果、配線基板１７の端部と外部電極２８との距離を小さくすることができ、半導体装置１０のパッケージサイズの小型化、さらには配線基板１７の小型化により、半導体装置１０のコスト低減が可能となる。
【００４４】
また、本実施形態の半導体装置１０の製造方法では、半導体チップ１６を封止する封止体３３を形成すると共に、バンパー部３４となるバンパー用突出部３５を形成するため、新たな工程を追加することなく、バンパー部３４を形成することができる。
【００４５】
また、本実施形態の半導体装置１０の製造方法では、レーザーマーキング装置を用い、バンパー突出部３５表面にレーザを照射することにより、バンパー部３４の組織とは異なる組織へと改質されたレーザ照射部を形成し、その結果、レーザ照射部からなる識別マーク４０を形成することができる。これにより、識別マーク４０の視認性をさらに向上させることができる。
【００４６】
また、本実施形態の半導体装置１０の製造方法は、配線母基板４１をダイシングブレードにより複数の配線基板１７に分断する前に識別マーク４０を形成する。これにより、半導体装置１０の方向性を間違うことなく、より効率的に識別マーク４０を形成することができる。
【００４７】
また、本実施形態の半導体装置１０の製造方法では、配線母基板４１を用い、外部電極２８を形成するまでの各工程を行った後、複数の配線基板１７に個片化するので、図１及び図２に示す半導体装置を個々に製造する場合と比較して、効率良く製造できる。
【００４８】
（第２の実施形態）
図１および図２に示す第１の実施形態においては、封止樹脂からなるバンパー部３４表面にレーザ光が照射されることにより、レーザ照射部からなる識別マーク４０が形成されていたが、本実施形態においては、バンパー部３４a端面に識別用凹部を設けることにより識別マーク４０aが形成されていてもよい。
さらに、バンパー部３４a端面に設けた識別用凹部３６に、バンパー部３４aの構成材料である封止樹脂と異なる着色材料を塗布し、着色層３８を形成させることにより識別マーク４０aが形成されていてもよい。
【００４９】
図６Ａ〜図６Ｄは、本発明第２の実施形態の半導体装置を説明するための図であり、図３のＣ−Ｃ’線に対応する断面図である。
本実施形態における半導体装置が、図１に示す半導体装置１０と異なる点は、バンパー部３４aに形成される識別マーク４０aの構成のみである。
【００５０】
したがって、図１に示す半導体装置１０と同じ部材については同じ符号を付し、説明を省略する。またさらに、本実施形態における半導体装置は、バンパー部３４a及び識別マーク４０a以外は、図１に示す半導体装置１０と同様にして製造できる。すなわち、本実施形態における識別マーク４０aは、封止工程において、封止用金型５０のバンパー用突出部３５aの形成位置に下型凸部５２ｄを設けて行うことにより、バンパー用突出部３５aに下型凸部５２ｄに対応する識別用凹部３６を設けることにより形成したものである。
以下に、本発明の第２の実施形態である半導体装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態の製造方法においては、第１の実施形態における接続工程までは同様の工程なので、以下では接続工程の後工程を説明する。
【００５１】
第１の実施形態と同様に、図６Ａに示すように、トランスファーモールド装置の上型５１と下型５２からなる封止用金型５０を用意する。
ここで、図６Ａに示すように、配線基板部１７aの四隅には、第１の実施形態同様にバンパー用開口部６１aが形成されており、このバンパー用開口部６１aの対応する下型５２には外部電極２８の高さよりも浅い下型凹部５２ｂが配置されている。後に説明するが、この下型凹部５２ｂ内に封止樹脂を流入することにより、バンパー用突出部３５aを形成する。
さらに、本実施形態においては、この下型凹部５２ｂ内の所定の位置に下型凸部５２ｄが形成されている。下型凸部５２ｄは、後述する封止工程において、バンパー用突出部３５aにこの下型凸部５２ｄに対応する識別用凹部３６を設けるために形成されているものである。
なお、下型凸部５２ｄは例えば円柱状に構成されている。
【００５２】
次に、封止用金型５０を用いて、配線母基板４１を型閉め、引き続き図６Ｂに示すように、封止用金型５０に設けられているゲート（不図示）から、封止用金型５０のキャビティ６０内に溶融された封止樹脂を注入し、キャビティ６０内を封止樹脂で充填する。このとき、溶融された封止樹脂がバンパー用開口部６１を通じて下型５２の下型凹部５２ｂにも充填される。
【００５３】
次いで、キャビティ６０内に注入した封止樹脂を熱処理（キュア）することにより、封止樹脂を硬化させる。これにより、第１の実施形態と同様に、開口部１２内および開口部１２近傍に封止樹脂からなる封止体３２が形成される。さらに、配線基板部１７aの一面１１a及び半導体チップ１６を覆うように、封止樹脂からなる封止体３３が形成されるとともに、下型凹部５２ｂに充填された封止樹脂も硬化され、バンパー用開口部６１aを通して他面１１ｂ側に膨出するバンパー用突出部３５aが形成される。
またこのとき、下型凹部５２ｂ内の所定の位置に下型凸部５２ｄを形成していたため、図６Ｂに示すように、バンパー部３４a表面には、この下型凸部５２ｄに対応する識別用凹部３６が形成される。これにより、この識別用凹部３６からなる識別マーク４０aが形成される。
なお、封止樹脂としては、第１の実施形態と同様に、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。
【００５４】
その後、図６Ｃに示すように、封止用金型５０から配線母基板４１を取り出し、次いで、ランド２９に外部電極２８を形成する工程以降は、第１の実施形態において説明した製造方法と同様のため省略するが、本実施形態にかかる製造方法により得られる半導体装置の構成は、第１の実施形態によって得られる半導体装置１０の構成と、バンパー部３４aに形成される識別マーク４０aにおいてのみ異なるだけあり、他の構成部材は同様である。
なお、ここで、識別マーク４０a形成後、図６Ｄに示すように、識別マーク４０aに所定の塗布装置Ｐを用いて、バンパー部３４aの構成材料である封止樹脂とは異なる材料からなる着色塗料を塗布し、着色層３８を形成させることにより、識別マーク４０aを形成してもよい。
【００５５】
本実施形態における半導体装置は、第１の実施形態における半導体装置と同等の効果が得られると共に、下型凹部５２ｂ内の所定の位置に下型凸部５２ｄを形成し封止樹脂を注入することにより、バンパー部３４aとなるバンパー用突出部３５aに、下型凸部５２ｄに対応する識別用凹部３６を形成し、識別用凹部３６からなる識別マーク４０aを形成することができる。このように封止工程と同時に識別マーク４０aを形成することで、製造フローを効率化できる。
【００５６】
またさらに、図６Ｄに示すように、バンパー部３４aに形成された識別マーク４０aである識別用凹部３６に、バンパー部３４aの構成材料である封止樹脂とは異なる材料からなる着色塗料を塗布し、着色層３８を形成することで、識別マーク４０aの視認性を向上することができる。これにより識別マーク４０aの画像認識精度も向上させることができる。
【００５７】
（第３の実施形態）
図１および図２に示す第１の実施形態においては、封止樹脂からなるバンパー部３４表面にレーザが照射されることにより、レーザ照射部からなる識別マーク４０が形成されていたが、本実施形態においては、図７に示すように、４つのうち１つのバンパー部３４ｃにバンパー切欠部３７を設けることで、バンパー切欠部３７を有するバンパー部３４ｃを識別マーク４０ｂとしてもよい。
なお、図７は、本発明の第３の実施形態である半導体装置を説明するための平面図である。つまり、図７に示す半導体装置３０が、図１に示す半導体装置１０と異なる点は、バンパー部３４ｃに形成される識別マーク４０ｂの構成のみである。
したがって、図１に示す半導体装置１０と同じ部材については同じ符号を付し、説明を省略する。
【００５８】
また、図７に示す半導体装置３０は、バンパー部３４ｂ、３４ｃ及び識別マーク４０ｂ以外は、図１に示す半導体装置１０と同様にして製造することができる。すなわち、本実施形態の半導体装置の製造方法は、封止工程において、封止用金型５０のバンパー用突出部３５ｂの形成位置の一部に面取り部５３を設けて封止を行うことにより、バンパー用突出部３５ｂの一部に面取り部５３に対応するバンパー切欠部３７を設け、さらに、その後の分割工程において、バンパー用突出部３５ｂを分割することにより、バンパー切欠部３７を有するバンパー部３４ｃを形成し、このバンパー部３４ｃを識別マーク４０ｂとする方法である。
以下に、本発明の第３の実施形態である半導体装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態の製造方法においては、第１の実施形態における接続工程までは同様の工程なので、以下では接続工程の後工程を説明する。
【００５９】
まず、第１の実施形態と同様に、トランスファーモールド装置の上型５１と下型５２からなる封止用金型５０を用意する。ここで、配線基板部１７aの四隅には、第１の実施形態同様にバンパー用開口部６１aが形成されており、この４つのバンパー用開口部６１aの対応する下型５２には外部電極２８の高さよりも浅い下型凹部５２ｃが配置されている。後に説明するが、この下型凹部５２ｃ内に封止樹脂を流入することにより、バンパー用突出部３５ｂを形成する。
さらに、本実施形態においては、封止用金型５０のバンパー用突出部３５ｂの形成位置の下型凹部５２ｃの一部に面取り部５３が形成されている。具体的に説明すると、この下型凹部５２ｃは配線基板部１７aの四隅に形成したバンパー開口部６１aに対応するように下型５２に形成されている。つまり、封止用金型５０を平面視すると、４つの下型凹部５２ｃが、配線基板部１７aの四隅に対応するように配置されている。ここで、本実施形態では下型凹部５２ｃの角部に面取り部５３を形成する。面取り部５３は、例えば、下型凹部５２ｃの側面同士の間に形成する。これにより、後述する封止工程において下型凹部５２ｃに封止樹脂を注入し、バンパー用突出部３５ｂを形成する際、面取り部５３に対応する箇所にはバンパー切欠部３７が形成される。
なお、面取り部５３は、後に形成するバンパー切欠部３７と対応しており、さらには、このバンパー切欠部３７を有するバンパー部３４ｃを識別マーク４０ｂとして機能させるので、面取り部５３の形状は、識別可能な識別マーク４０ｂを得ることが可能ならば、どのようなものでも構わない。
【００６０】
次に、上記の構成を有する封止用金型５０を用いて、配線母基板４１を型閉め、引き続き、封止用金型５０に設けられているゲート（不図示）から、封止用金型５０のキャビティ６０内に溶融された封止樹脂を注入し、キャビティ６０内を封止樹脂で充填する。このとき、溶融された封止樹脂がバンパー用開口部６１aを通じて、下型凹部５２ｃにも充填される。
【００６１】
次いで、キャビティ６０内に注入した封止樹脂を熱処理（キュア）することにより、封止樹脂を硬化させる。これにより、第１の実施形態と同様に、開口部１２内および開口部１２近傍に封止樹脂からなる封止体３２が形成される。さらに、配線基板部１７aの一面１１a及び半導体チップ１６を覆うように、封止樹脂からなる封止体３３が形成されるとともに、下型凹部５２ｃに充填された封止樹脂も硬化され、バンパー用開口部６１aを通して他面１１ｂ側に膨出するバンパー用突出部３５ｂが形成される。
またこのとき、上述したように、下型凹部５２ｃの角部には面取り部５３を形成しているため、バンパー突出部３５ｂには、この面取り部５３に対応するバンパー切欠部３７が形成される。
なお、封止樹脂としては、第１の実施形態と同様に、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。
【００６２】
その後、封止用金型５０から配線母基板４１を取り出し、次いで、ランド２９に外部電極２８を形成する工程は、第１の実施形態において説明した製造方法と同様のため省略する。
【００６３】
次に、分割工程について説明する。
バンパー用突出部３５ｂを形成し、続いてランド２９に外部電極２８を形成した後、配線母基板４１を、ダイシングブレードを用いて、配線基板部１７aの境界面に沿うようにダイシングライン７０で切断し、配線基板部１７a毎に切断分離する。これにより、配線母基板４１が複数の配線基板１７に分断される。
なお、配線母基板４１を切断する際には、図４Ｆに示すように、半導体チップ１６を覆う封止体３３にダイシングテープ４８を接着し、ダイシングテープ４８によって配線母基板４１を支持させて、配線母基板４１をダイシングブレードによりダイシングライン７０を切断することが好ましい。
また、複数の配線基板１７に分断すると同時に、配線基板部１７aの四隅に設けられ、かつ、４つのうち１つの角部にバンパー切欠部３７が設けられたバンパー用突出部３５ｂも切断し分割する。その結果、図７に示すように、バンパー切欠部３７を有するバンパー部３４ｃと、バンパー切欠部３７を有さないバンパー部３４ｂとに分割される。これにより、識別マーク４０ｂとして機能させるバンパー部３４ｃを得ることができる。
以上の工程によって、本実施形態である半導体装置３０を製造することができるが、本実施形態より得られる半導体装置の構成は、第１の実施形態によって得られる半導体装置の構成と、バンパー部３４ｃ及びバンパー部３４ｃに形成されるバンパー切欠部３７においてのみ異なるだけあり、他の構成部材は同様である。
【００６４】
本実施形態における半導体装置は、第１の実施形態における半導体装置と同等の効果が得られると共に、配線基板１７の四隅に形成するバンパー部のうちの１つのバンパー部３４ｃにバンパー切欠部３７を設けることで、バンパー切欠部３７を有するバンパー部３４ｃを識別マーク４０ｂとすることで、新たな工程を追加することなく、効率良く識別部４０ｂを形成することができる。
【００６５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００６６】
例えば、上述した実施形態では、ＢＧＡタイプの半導体装置に適用した場合について説明したが、半導体装置のコーナ部にバンパー部を有する半導体装置であれば、どのような半導体装置に適用しても良い。
また本実施形態では、配線基板１７として、ポリイミド基材からなるフレキシブル配線基板を用いた場合について説明したが、ガラスエポキシ基材からなる配線基板に適用しても良い。
【００６７】
さらに本実施形態では、インナーリード７により半導体チップ１６の電極パッド１５にインナーリードボンディングする場合について説明したが、ワイヤーにより半導体チップ１６の電極パッド１５にワイヤーボンディングするように構成しても良い。
【００６８】
また、本実施形態では、配線基板１７として絶縁基板１１の一面１１ａにのみ配線１９を有する１層配線のものを用いた半導体装置について説明したが、本発明は、半導体装置の大容量化および高機能化を可能とするために、配線基板として２層配線以上の配線を有する多層配線基板を用いた半導体装置に適用しても良い。
【００６９】
また、上述した実施形態では、中央部に開口部１２が配置された配線基板を備える半導体装置について説明したが、開口部の位置は中央部でなくてもよいし、配線基板として、開口部により完全に２つに分離されたものを用いてもよい。
【符号の説明】
【００７０】
７・・・インナーリード  １０・・・半導体装置  １１・・・絶縁基板  １１a・・・一面  １１ｂ・・・他面  １２・・・開口部  １２a・・・第１側壁  １２ｂ・・・第２側壁  １５・・・電極パッド  １６・・・半導体チップ  １６ｂ・・・一主面  １７・・・配線基板  １９・・・配線  ２８・・・外部電極  ２９・・・ランド  ３１・・・接着部材  ３２、３３・・・封止体  ３４・・・バンパー部  ３５・・・バンパー用突出部  ４０・・・識別マーク  ４１・・・配線母基板  ４３・・・配線基板部  ５０・・・封止用金型  ５１・・・上型  ５２・・・下型  ５２a・・・下型凹部  ６０・・・キャビティ  ６１・・・切欠部  ６１a・・・バンパー用開口部
【図１】
2012089808.tif 000003
【図２】
2012089808.tif 000004
【図３】
2012089808.tif 000005
【図４Ａ】
2012089808.tif 000006
【図４Ｂ】
2012089808.tif 000007
【図４Ｃ】
2012089808.tif 000008
【図４Ｄ】
2012089808.tif 000009
【図４Ｅ】
2012089808.tif 000010
【図４Ｆ】
2012089808.tif 000011
【図５Ａ】
2012089808.tif 000012
【図５Ｂ】
2012089808.tif 000013
【図５Ｃ】
2012089808.tif 000014
【図５Ｄ】
2012089808.tif 000015
【図６Ａ】
2012089808.tif 000016
【図６Ｂ】
2012089808.tif 000017
【図６Ｃ】
2012089808.tif 000018
【図６Ｄ】
2012089808.tif 000019
【図７】
2012089808.tif 000020