(57)【要約】【課題】ヒートシンク付き半導体パッケージを一体製作できる製造方法を提供する。【解決手段】モールド用金型２０の内側下面には、ヒートシンク１３のフィンと密着して嵌合する形状の支持台２１が形成されている。ヒートシンク１３には、半導体デバイス１１が実装された基板１２が仮止めされる［工程Ｂ］。基板１２が仮止めされたヒートシンク１３は、フィンが形成されている側を下にして支持台２１に嵌め込まれる［工程Ｃ］。次に、ピストン３１によって注入口３２からモールド樹脂３３が注入され、半導体デバイス１１がモールドされると共に、基板１２とヒートシンク１３とが接着される［工程Ｄ］。このときにかかるモールド注入圧は、ヒートシンク１３と支持台２１との嵌合で生じる高い剛性力により、フィンの変形に影響を及ぼさない。【選択図】図５
2012164763.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスが実装された基板とヒートシンクとを備えた半導体パッケージの製造方法であって、
フィンが一方主面に形成された前記ヒートシンクの他方主面に、前記基板を仮止めする第１の工程、
モールド用の金型に設けられた前記フィンと嵌合する形状を有した支持手段に、前記フィンを嵌合させて、前記基板及び前記ヒートシンクを当該金型内に定置させる第２の工程、及び
前記ヒートシンクの他方主面側から前記金型内にモールド樹脂を注入して、前記半導体デバイスのモールド及び前記基板と前記ヒートシンクとの接着を行う第３の工程を含む、半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程では、前記フィンの先端が前記支持手段に当接する嵌合が行われることを特徴とする、請求項１に記載の導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記第３の工程では、前記ヒートシンクの側面と前記金型との間にもモールド樹脂を注入することを特徴とする、請求項１に記載の導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記支持手段は、半導体デバイスが実装された基板が仮止めされた別のヒートシンクに形成された複数のフィンであることを特徴とする、請求項１に記載の導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
半導体デバイスが実装された基板とヒートシンクとを備えた半導体パッケージの製造方法であって、
第１のフィンが一方主面に形成された第１のヒートシンクの他方主面に、第１の基板を仮止めする第１の工程、
前記第１のフィンと嵌合する形状を有した第２のフィンが一方主面に形成された第２のヒートシンクの他方主面に、第２の基板を仮止めする第２の工程、
前記第１のフィンと前記第２のフィンとを嵌合させた状態で、前記第１及び第２の基板及び前記第１及び第２のヒートシンクをモールド用の金型内に定置させる第３の工程、及び
前記第１及び第２のヒートシンクの他方主面側からそれぞれ前記金型内にモールド樹脂を注入して、前記半導体デバイスのモールド、前記第１の基板と前記第１のヒートシンクとの接着、及び前記第２の基板と前記第２のヒートシンクとの接着を行う第４の工程を含む、半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記第３の工程では、前記第１のフィンの先端が前記第２のフィンに当接し、かつ、前記第２のフィンの先端が前記第１のフィンに当接する嵌合が行われることを特徴とする、請求項５に記載の導体パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記第４の工程では、前記第１及び第２のヒートシンクの側面と前記金型との間にもモールド樹脂を注入することを特徴とする、請求項５に記載の導体パッケージの製造方法。
【請求項８】
半導体パッケージに用いられるヒートシンクであって、
所定の間隔で配列された複数のフィンと、
前記ヒートシンクの外周に沿って前記複数のフィンを囲むリング状の外周フィンとを備え、
前記外周フィンは、他のヒートシンクが備える他の外周フィンと嵌合する凸部又は凹部を有し、
前記複数のフィンは、前記外周フィンを前記他のヒートシンクが備える他の外周フィンと嵌合させた場合、その先端が前記他のヒートシンクに当接する高さを有する、ヒートシンク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒートシンク付き半導体パッケージの製造方法及び当該ヒートシンクに関し、より特定的には、ヒートシンクを備えた高放熱型の半導体パッケージの製造方法、及びこの製造方法を実現するための形状を有したヒートシンクに関する。
【背景技術】
【０００２】
発熱する半導体素子等を含んだ半導体デバイスをパッケージングする場合、高放熱型の半導体パッケージが必要である。この高放熱型の半導体パッケージとしては、例えば、半導体素子が発生する熱を放出するフィンを有したヒートシンク（金属部材）が備え付けられたものがある。例えば、特許文献１を参照。
【０００３】
このヒートシンク付き半導体パッケージは、基本的には次の３つの工程を経て製造される。
［工程１］  パッケージ組立（モールド）工程：半導体素子を含んだ半導体デバイスをモールド樹脂で覆ってパッケージ化する。
［工程２］  接着剤塗布工程：モールドされた半導体パッケージに接着剤を塗布する。
［工程３］  ヒートシンク貼り付け工程：接着剤が塗布された半導体パッケージにヒートシンクを貼り付ける。
【０００４】
ところで、これら３つの工程はコストも時間もかかるため、３つの工程を１つの工程に集約してコストを削減することが望まれる。すなわち、接着剤を用いずに、モールド樹脂で半導体デバイスとヒートシンクとを接着させるのである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１１４２５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したヒートシンク付き半導体パッケージを１つの工程で一体製作して完成させようとした場合、モールド樹脂を注入するモールド用金型内にヒートシンクを予め入れておく必要があることや、接着剤を使用しないこと等の影響が、次のような問題として発生してしまうことが考えられる。
【０００７】
第１の問題は、モールド用金型１２０の中にヒートシンク１１３を入れておく必要があるため、モールド樹脂１３３をモールド用金型１２０に注入するときのモールド注入圧がヒートシンク１１３のフィンにかかり、フィンが変形してしまうおそれがあることである（図１２を参照）。
この問題は、ヒートシンクの放熱性能がフィンの数やフィンの表面積に依存することから、サイズ一定のまま放熱性能を上げるべくフィンの金属厚みを薄くしているために生じる。つまり、ヒートシンクの放熱性能と剛性度とが背反の関係にあることが原因となっている。
【０００８】
第２の問題は、接着剤を使用しないため、熱応力等によりヒートシンクが半導体デバイスから剥離して、放熱性能が劣化してしまうおそれがあることである。
この問題は、小さい面積でモールド樹脂を用いてヒートシンクと半導体デバイスとを接着させること、及びヒートシンク（金属材料）の線膨張係数とモールド樹脂の線膨張係数とが異なること、によって生じる。なお、モールド樹脂の線膨張係数は、α１：８〜１２かつα２：３５〜４５と大きく、金属材料の線膨張係数と同じ程度まで下げることは困難である。
【０００９】
それ故に、本発明の目的は、上記第１及び第２の問題の発生を防ぐことが可能な、ヒートシンク付き半導体パッケージの製造方法、及びこの製造方法を実現するための形状を有したヒートシンクを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、半導体デバイスが実装された基板とヒートシンクとを備えた半導体パッケージの製造方法に向けられている。そして、上記目的を達成するために、本発明の第１の局面による半導体パッケージの製造方法は、フィンが一方主面に形成されたヒートシンクの他方主面に、基板を仮止めする第１の工程、モールド用の金型に設けられたフィンと嵌合する形状を有した支持手段に、フィンを嵌合させて、基板及びヒートシンクを当該金型内に定置させる第２の工程、及びヒートシンクの他方主面側から金型内にモールド樹脂を注入して、半導体デバイスのモールド及び基板とヒートシンクとの接着を行う第３の工程を含んでいる。
かかる工程により、ヒートシンク付き半導体パッケージを１つの工程Ｄで一体製作して完成させることが可能となる。
【００１１】
この第１の局面において、第２の工程では、フィンの先端が支持手段に当接する嵌合が行われることが望ましい。
このような嵌合によって、モールド用の金型内におけるモールド注入圧の影響によるフィンの変形を防ぐことができる。
【００１２】
また、第３の工程では、ヒートシンクの側面と金型との間にもモールド樹脂を注入することが望ましい。
このような注入によって、モールド樹脂とヒートシンクとの接着面積が大きくなり、ヒートシンクが基板から剥離してしまう不具合を軽減することができる。
【００１３】
なお、支持手段は、半導体デバイスが実装された基板が仮止めされた別のヒートシンクに形成された複数のフィンであってもよい。
【００１４】
また、上記目的を達成するために、本発明の第２の局面による半導体パッケージの製造方法は、第１のフィンが一方主面に形成された第１のヒートシンクの他方主面に、第１の基板を仮止めする第１の工程、第１のフィンと嵌合する形状を有した第２のフィンが一方主面に形成された第２のヒートシンクの他方主面に、第２の基板を仮止めする第２の工程、第１のフィンと第２のフィンとを嵌合させた状態で、第１及び第２の基板及び第１及び第２のヒートシンクをモールド用の金型内に定置させる第３の工程、及び第１及び第２のヒートシンクの他方主面側からそれぞれ金型内にモールド樹脂を注入して、半導体デバイスのモールド、第１の基板と第１のヒートシンクとの接着、及び第２の基板と第２のヒートシンクとの接着を行う第４の工程を含んでいる。
【００１５】
この第２の局面において、第３の工程では、第１のフィンの先端が第２のフィンに当接し、かつ、第２のフィンの先端が第１のフィンに当接する嵌合が行われることが望ましい。
このような嵌合によって、モールド用の金型内におけるモールド注入圧の影響によるフィンの変形を防ぐことができる。
【００１６】
また、第４の工程では、第１及び第２のヒートシンクの側面と金型との間にもモールド樹脂を注入することが望ましい。
このような注入によって、モールド樹脂とヒートシンクとの接着面積が大きくなり、ヒートシンクが基板から剥離してしまう不具合を軽減することができる。
【００１７】
なお、ヒートシンクは、所定の間隔で配列された複数のフィンと、ヒートシンクの外周に沿って複数のフィンを囲むリング状の外周フィンとを備え、外周フィンは、他のヒートシンクが備える他の外周フィンと嵌合する凸部又は凹部を有し、複数のフィンは、外周フィンを他のヒートシンクが備える他の外周フィンと嵌合させた場合、その先端が他のヒートシンクに当接する高さを有していれば、本発明の製造方法で利用可能である。
【発明の効果】
【００１８】
上記本発明によれば、モールド用金型内におけるモールド注入圧の影響によるフィンの変形を防ぐことができるため、ヒートシンク付き半導体パッケージを１つの工程で一体製作して完成させることが可能となる。また、モールド樹脂が、ヒートシンクの側面まで回り込んで大きな面積でヒートシンクと接着するので、ヒートシンクが基板から剥離してしまう不具合を軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を用いて製造された高放熱型の半導体パッケージ１０の断面を示す図
【図２】ヒートシンク１３の形状を詳しく説明する図
【図３】半導体パッケージ１０の製造に用いられるモールド用金型２０の形状を説明する図
【図４】ヒートシンク１３とモールド用金型２０との関係を説明する図
【図５】半導体パッケージ１０の製造方法を説明する図
【図６Ａ】ヒートシンク１３及び支持台２１の他の形状を説明する図
【図６Ｂ】ヒートシンク１３及び支持台２１の他の形状を説明する図
【図７】本発明の第２の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を用いて製造された高放熱型の半導体パッケージ１０及び５０の断面を示す図
【図８】ヒートシンク５３の形状を詳しく説明する図
【図９】半導体パッケージ１０及び５０の製造に用いられるモールド用金型６０の形状を説明する図
【図１０Ａ】半導体パッケージ１０及び５０の製造方法を説明する図
【図１０Ｂ】半導体パッケージ１０及び５０の製造方法を説明する図
【図１１】半導体パッケージ１０及び５０の製造に用いられる他のモールド用金型６０の形状を説明する図
【図１２】従来の半導体パッケージの製造方法において生じる問題を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の各実施形態について、図面を参照しながら説明する。
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を用いて製造された高放熱型の半導体パッケージ１０の断面を示す図である。図１において、第１の実施形態に係る半導体パッケージ１０は、半導体デバイス１１、基板１２、ヒートシンク１３、及びモールド樹脂１４で形成されている。
【００２１】
半導体デバイス１１は、発熱する半導体素子等を含んだデバイスである。基板１２は、半導体デバイス１１を実装する回路基板である。なお、図１に示した２つの半導体デバイス１１を基板１２に実装している構造は一例であって、基板１２に実装する半導体デバイス１１の数はこれに限るものではない。ヒートシンク１３は、半導体素子が発生する熱を放出するフィンを有した金属部材である。モールド樹脂１４は、半導体デバイス１１をモールドして電気的に絶縁する物質であり、かつ半導体デバイス１１とヒートシンク１３とを接着及び固定する物質でもある。
【００２２】
図２は、図１のヒートシンク１３の形状を詳しく説明する図である。図２（ａ）は、ヒートシンク１３の斜視図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）の矢印Ｘ方向から見た上面図である。
このヒートシンク１３は、図２に示した特徴的な形状のフィンを有しており、後述するモールド用金型の形状と相まって、上述した課題を解決する作用を奏する。図１及び図２に示したヒートシンク１３は、２つの主面を持つ金属平板であって、等間隔に形成された四角柱形状の複数の角柱フィン１３ａと、この複数の角柱フィン１３ａを囲むように形成されたリング状の外周フィン１３ｂとを、一方主面に有している。外周フィン１３ｂには、凹部（凸部であってもよい。以下同様）が形成されている（図１の丸点線箇所）。
【００２３】
以下、図３〜図５をさらに参照して、図１に示した第１の実施形態に係る半導体パッケージ１０の製造手順を説明する。
図３は、半導体パッケージ１０の製造に用いられるモールド用金型２０の形状を説明する図であり、図３（ａ）は縦断面図を、図３（ｂ）は図３（ａ）のＹ−Ｙ断面図を示す。図４は、ヒートシンク１３とモールド用金型２０との関係を説明する図である。図５は、本発明の第１の実施形態に係る半導体パッケージ１０の製造手順を説明する図である。
【００２４】
まず、図３を参照して、半導体パッケージ１０の製造に用いられるモールド用金型２０を説明する。
モールド用金型２０の内側下面には、モールドによりパッケージ化を行う半導体部品を載置して支持する支持台２１が形成されている。この支持台２１には、ヒートシンク１３の外周フィン１３ｂに対応したリング状の外周部２１ｂが設けられており、外周部２１ｂには、外周フィン１３ｂの凹部と密着して嵌合する凸部（外周フィン１３ｂが凸部である場合には凹部となる。以下同様）が形成されている（図３の丸点線箇所）。また、この支持台２１には、外周部２１ｂの凸部をヒートシンク１３の外周フィン１３ｂの凹部と嵌合させると、ヒートシンク１３に形成された複数の角柱フィン１３ａの隙間に入り込む位置に合わせて、突起物である複数の角柱部２１ａが形成されている。
【００２５】
この第１の実施形態の例では、支持台２１にヒートシンク１３を嵌合させた場合、すなわち、図２（ｂ）に示すヒートシンク１３の★印角及び☆印角を図３（ｂ）に示す支持台２１の★印角及び☆印角と合わせて嵌合させた場合、図４に示すように、支持台２１の複数の角柱部２１ａが、ヒートシンク１３の複数の角柱フィン１３ａの対角位置に入り込む位置に形成されている。なお、この複数の角柱部２１ａの高さは、複数の角柱フィン１３ａの先端がモールド用金型２０の内側下面に当接し、かつ複数の角柱部２１ａの先端がヒートシンク１３に当接する高さに設定されることが望ましい。
【００２６】
次に、図５を参照して、半導体パッケージ１０の製造方法を説明する。
［工程Ａ］  基板１２に半導体デバイス１１が実装される。そして、半導体デバイス１１の入出力端子と基板１２のパターン配線とが、ワイヤボンディングによって電気的に接続される。
【００２７】
［工程Ｂ］  半導体デバイス１１が実装された基板１２は、半導体デバイス１１が実装されていない平面に、ヒートシンク１３のフィンが形成されていない他方主面が接合されて、仮止めされる。例えば、この仮止めは、溶接ガン３０を用いたスポット溶接等で行うことができる。
【００２８】
［工程Ｃ］  基板１２が仮止めされたヒートシンク１３は、角柱フィン１３ａ及び外周フィン１３ｂが形成されている側を下にして、モールド用金型２０の支持台２１に嵌め込まれる。
【００２９】
［工程Ｄ］  ヒートシンク１３がモールド用金型２０の支持台２１に嵌め込まれると、ピストン３１によって注入口３２からモールド樹脂３３が注入され、半導体デバイス１１がモールドされると共に、基板１２とヒートシンク１３とが接着される。このとき、従来と同様にモールド注入圧がヒートシンク１３にかかるが、複数の角柱フィン１３ａと複数の角柱部２１ａとが互いに嵌合相手に当接することでモールド注入圧に対する剛性が高くなっており、フィンが変形することを防いでいる。また、外周フィン１３ｂの凹部と外周部２１ｂの凸部とが密着して嵌合するため、ヒートシンク１３の複数の角柱フィン１３ａの隙間にモールド樹脂３３が流れ込むことを防いでいる（モールド封止）。
【００３０】
［工程Ｅ］  モールドされた半導体パッケージ１０が、モールド用金型２０から取り出される。この工程Ａ〜Ｅにより、図１に示した半導体パッケージ１０が完成する。
【００３１】
以上のように、本発明の第１の実施形態に係る半導体パッケージ１０の製造方法によれば、ヒートシンク１３のフィンを、モールド用金型２０の内側下面に形成されたフィンに対応した形状を有する支持台２１に嵌合させて、フィンの剛性を強化する。
これにより、モールド用金型２０内におけるモールド注入圧の影響によるフィンの変形を防ぐことができるため、ヒートシンク付き半導体パッケージを１つの工程Ｄ（上記従来の工程１〜３に相当）で一体製作して完成させることが可能となる。
また、モールド樹脂１４が、ヒートシンク１３の側面まで回り込んで大きな面積でヒートシンク１３と接着するので、ヒートシンク１３が基板１２から剥離してしまう不具合を軽減することができる。
【００３２】
なお、上記第１の実施形態では、複数の角柱フィン１３ａを有するヒートシンク１３を例に挙げて本発明を説明したが、ヒートシンク１３のフィン形状は様々に設計することが可能である。例えば、図６Ａに示すように複数のうろこ状フィンであってもよいし、図６Ｂに示すように複数のＬ字型フィンであってもよい。
また、上記第１の実施形態では、支持台２１の複数の角柱部２１ａは、複数の角柱フィン１３ａと嵌合させたときに隙間を有する形状である例を説明したが、モールド用金型２０に形成する支持台２１の形状は、ヒートシンク１３のフィンと嵌合したときにフィン間の隙間がないような形状であってもよい（図６Ｂを参照）。
【００３３】
＜第２の実施形態＞
上記第１の実施形態では、支持台２１にヒートシンク１３のフィンに対応する形状を有したモールド用金型２０を用いて、ヒートシンク付き半導体パッケージ１０を１つの工程で一体製作して完成させる実施例を説明した。しかし、この実施例では、１度の工程で１つの半導体パッケージ１０しか製作できない。このため、半導体パッケージ１０の製造に時間及びコストがかかってしまう。
【００３４】
そこで、この第２の実施形態では、半導体パッケージ１０を支持する支持台２１の代わりに別の半導体パッケージを用いることにより、１度の工程で２つの半導体パッケージを製作する実施例を説明する。
【００３５】
図７は、本発明の第２の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を用いて製造された２つの高放熱型の半導体パッケージ１０及び５０の断面を示す図である。この図７に示した半導体パッケージ１０は、上記第１の実施形態で説明した半導体パッケージと同じである。一方、図７に示した半導体パッケージ５０は、半導体デバイス１１、基板１２、ヒートシンク５３、及びモールド樹脂１４で形成されており、ヒートシンク５３の形状が半導体パッケージ１０と異なる。
【００３６】
図８は、図７に示した半導体パッケージ５０のヒートシンク５３の形状を詳しく説明する図である。図８（ａ）は、ヒートシンク５３の斜視図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）の矢印Ｚ方向から見た上面図である。
【００３７】
このヒートシンク５３は、図８に示した特徴的な形状のフィンを有しており、図２に示したヒートシンク１３の形状と相まって、上述した課題を解決する作用を奏する。図７及び図８に示したヒートシンク５３は、２つの主面を持つ金属平板であって、等間隔に形成された四角柱形状の複数の角柱フィン５３ａと、この複数の角柱フィン５３ａを囲むように形成されたリング状の外周フィン５３ｂとを、一方主面に有している。外周フィン５３ｂには、凸部（外周フィン１３ｂが凸部である場合には、凹部となる。以下同様）が形成されている（図７の丸点線箇所）。外周フィン５３ｂの凸部は、ヒートシンク１３の外周フィン１３ｂの凹部と密着して嵌合する。この嵌合によって、すなわち図２（ｂ）に示すヒートシンク１３の★印角及び☆印角を図８（ｂ）に示すヒートシンク５３の★印角及び☆印角と合わせて嵌合させることによって、図４に示したのと同様に、ヒートシンク５３の複数の角柱フィン５３ａが、ヒートシンク１３の複数の角柱フィン１３ａの対角位置に入り込む。
【００３８】
以下、図９、図１０Ａ、及び図１０Ｂをさらに参照して、この図７に示した第２の実施形態に係る２つの半導体パッケージ１０及び５０の製造手順を説明する。
図９は、半導体パッケージ１０及び５０の製造に用いられるモールド用金型６０の形状を説明する縦断面図を示す。図１０Ａ及び図１０Ｂは、本発明の第２の実施形態に係る半導体パッケージ１０及び５０の製造手順を説明する図である。
【００３９】
まず、図９を参照して、半導体パッケージ１０及び５０の製造に用いられるモールド用金型６０を説明する。
モールド用金型６０の内側下面には、モールドによりパッケージ化を行う下側の半導体部品を載置して位置決めする複数の位置決めピン６１が形成されている。また、モールド用金型６０の内側上面には、モールドによりパッケージ化を行う上側の半導体部品を押さえて位置決めする複数の位置決めピン６２が形成されている。これら複数の位置決めピン６１及び６２は、モールド用金型６０の内部空間に半導体部品を固定して支持する役割を果たす。
【００４０】
次に、図１０Ａ及び図１０Ｂを参照して、半導体パッケージ１０及び５０の製造方法を説明する。
［工程Ａ］  基板１２に半導体デバイス１１が実装された部品が２つ用意される。そして、この２つの部品について、半導体デバイス１１の入出力端子と基板１２のパターン配線とが、ワイヤボンディングによってそれぞれ電気的に接続される。
【００４１】
［工程Ｂ］  半導体デバイス１１が実装された基板１２は、半導体デバイス１１が実装されていない平面に、ヒートシンク１３及び５３のフィンが形成されていない他方主面がそれぞれ接合されて、仮止めされる。例えば、この仮止めは、溶接ガン３０を用いたスポット溶接等で行うことができる。
【００４２】
［工程Ｃ］  まず、ヒートシンク１３及び５３が仮止めされた部品の一方（図１０Ａの例ではヒートシンク５３が仮止めされた部品）が、半導体デバイス１１側を下にして複数の位置決めピン６１の上に載置される。次に、ヒートシンク１３及び５３が仮止めされた部品の他方（図１０Ａの例ではヒートシンク１３が仮止めされた部品）が、ヒートシンク１３側を下にして、ヒートシンク５３に嵌め込まれる。ヒートシンク５３に嵌め込まれたヒートシンク１３が仮止めされた部品は、複数の位置決めピン６２によって固定される。
【００４３】
［工程Ｄ］  ヒートシンク１３とヒートシンク５３とが嵌合した２つの仮止め部品が複数の位置決めピン６１及び６２によって固定されると、ピストン３１によって注入口３２からモールド樹脂３３が注入され、各々の半導体デバイス１１がモールドされると共に、各基板１２とヒートシンク１３及び５３とがそれぞれ接着される。このとき、従来と同様にモールド注入圧がヒートシンク１３及び５３にかかるが、複数の角柱フィン１３ａと複数の角柱フィン５３ａとが互いに嵌合相手に当接することでモールド注入圧に対する剛性が高くなっており、フィンが変形することを防いでいる。また、外周フィン１３ｂの凹部と外周フィン５３ｂの凸部とが密着して嵌合するため、複数の角柱フィン１３ａ及び５３ａの隙間にモールド樹脂が流れ込むことを防いでいる（モールド封止）。
【００４４】
［工程Ｅ］  モールドされた半導体パッケージ１０及び５０が、モールド用金型２０からそれぞれ取り出される。この工程Ａ〜Ｅにより、図７に示した２つの半導体パッケージ１０及び５０が完成する。
【００４５】
なお、まとめてモールドされた半導体パッケージ１０と半導体パッケージ５０とを容易に分離する工夫としては、モールド用金型６０を図１１に示す構造にすることが考えられる。この図１１の構造では、ヒートシンク１３の外周フィン１３ｂとヒートシンク５３の外周フィン５３ｂとの接合部分がくる位置に合わせて、モールド用金型６０に突起部６３（例えば、くさび型）を設けると共に、２つの注入口３２及び３４から同時にモールド樹脂３３を注入する。この構造により、外周フィン１３ｂと外周フィン５３ｂとの接合部分が、モールド樹脂３３で覆われるのを防ぐことができる。また、２つの半導体デバイス１１側から同時にモールド樹脂３３を注入するため、フィンにかかるモールド注入圧を相殺することができる。
【００４６】
以上のように、本発明の第２の実施形態に係る半導体パッケージ１０及び５０の製造方法によれば、嵌合可能なフィン形状の２つのヒートシンク１３及び５３を用いて、ヒートシンク１３とヒートシンク５３とを嵌合させて、フィンの剛性を強化する。
これにより、モールド用金型６０内におけるモールド注入圧の影響によるフィンの変形を防ぐことができるため、２つのヒートシンク付き半導体パッケージを１つの工程Ｄ（上記従来の工程１〜３に相当）で一体製作して完成させることが可能となる。
また、モールド樹脂１４が、ヒートシンク１３及び５３の側面まで回り込んで大きな面積でヒートシンク１３及び５３と接着するので、ヒートシンク１３及び５３が基板１２から剥離してしまう不具合を軽減することができる。
【００４７】
もちろん、この第２の実施形態においても、ヒートシンク１３及び５３のフィン形状は様々に設計することが可能であり、例えば、上述した図６Ａに示すように複数のうろこ状フィンであってもよいし、図６Ｂに示すように複数のＬ字型フィンであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、発熱する半導体素子等を含んだ半導体デバイスをパッケージングする場合等に利用可能であり、特にヒートシンク付き半導体パッケージを１つの工程で一体製作して完成させたい場合等に有用である。
【符号の説明】
【００４９】
１０、５０  半導体パッケージ
１１  半導体デバイス
１２  基板
１３、５３、１１３  ヒートシンク
１３ａ、５３ａ  角柱フィン
１３ｂ、５３ｂ  外周フィン
１４、３３、１３３  モールド樹脂
２０、６０、１２０  モールド用金型
２１  支持台
２１ａ  角柱部
２１ｂ  外周部
３０  溶接ガン
３１  ピストン
３２、３４  注入口
６１、６２  位置決めピン
６３  突起部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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