(57)【要約】【課題】放熱性が高く且つ小型の回路装置を提供する。【解決手段】本発明の混成集積回路装置１０では、回路基板１２の上面に、リード１８およびリード２０が固着されている。リード１８は、アイランド部２８、傾斜部３０およびリード部３２を備えており、アイランド部２８の上面にトランジスタ２２およびダイオード２４が実装される。そして、トランジスタ２２およびダイオード２４の上面に設けられた電極は、金属細線２６を経由してボンディング部３４と接続される。リード１８のボンディング部３４は、アイランド部２８よりも上方に配置されることにより、ボンディング部３４に接続される金属細線２６同士が離間される。【選択図】図１
2012069764.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
前記回路基板の上面に固着されたアイランド部と、傾斜部を経由して前記アイランド部と連続して前記回路基板の上面から離間するボンディング部と、前記ボンディング部と連続して外部に導出するリード部と、を有する複数のリードと、
前記アイランド部の上面に実装されて、接続手段を経由して前記ボンディング部と接続される回路素子と、を備えることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
複数の前記リードに含まれる第１リードが備える前記アイランド部に実装された前記回路素子と、第２リードの前記ボンディング部とが、前記接続手段を経由して電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の回路装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１リードと前記第２リードは隣接することを特徴とする請求項２に記載の回路装置。
【請求項４】
前記第１リードと前記第２リードとの間には、少なくとも１つの第３リードが配置され、
前記接続手段は前記第３リードの上方を超えて形成されることを特徴とする請求項２に記載の回路装置。
【請求項５】
前記リードには、
直流電源の正極側に接続された第１入力リードと、
前記直流電源の負極側に接続された第２入力リードと、
前記第１入力リードおよび前記第２入力リードから入力された直流電力が変換された交流電力が出力される出力リード、が含まれ、
前記第２入力リードのアイランド部に実装されたトランジスタの上面に設けられた電極は、接続手段を経由して、前記出力リードが有するボンディング部と接続され、
前記出力リードのアイランド部に実装されたトランジスタの上面に設けられた電極は、接続手段を経由して、前記第１入力リードのボンディング部と接続されることを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の回路装置。
【請求項６】
前記回路素子を制御する制御素子が実装された制御基板が、前記回路基板の上面に配置されることを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の回路装置。
【請求項７】
アイランド部と、傾斜部を経由して前記アイランド部と連続するボンディング部と、前記ボンディング部と連続して外部に導出するリード部と、を有する複数のリードから成るリードフレームを用意する工程と、
前記アイランド部の上面に回路素子を実装し、前記アイランド部よりも上方に配置された前記ボンディング部と前記回路素子とを接続手段を経由して接続する工程と、
前記アイランド部の下面を回路基板の上面に固着する工程と、
前記回路基板および前記回路素子を封止する工程と、
を備えることを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項８】
前記接続する工程では、
複数の前記リードに含まれる第１リードが備える前記アイランド部に実装された前記回路素子と、第２リードの前記ボンディング部とを、前記接続手段を経由して電気的に接続することを特徴とする請求項７に記載の回路装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１リードと前記第２リードは隣接することを特徴とする請求項８に記載の回路装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１リードと前記第２リードとの間には、少なくとも１つの第３リードが配置され、
前記接続手段は前記第３リードの上方を超えて形成されることを特徴とする請求項８に記載の回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路装置およびその製造方法に関し、特に、大電流のスイッチングを行うパワー系の半導体素子が内蔵された回路装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図９を参照して、従来の混成集積回路装置１００の構成を説明する（下記特許文献１を参照）。矩形の基板１０１の表面には、絶縁層１０２を介して導電パターン１０３が形成され、この導電パターン１０３に回路素子が固着されて、所定の電気回路が形成される。ここでは、回路素子として半導体素子１０５Ａおよびチップ素子１０５Ｂが、導電パターン１０３に接続されている。リード１０４は、基板１０１の周辺部に形成された導電パターン１０３から成るパッド１０９に接続され、外部端子として機能している。封止樹脂１０８は、基板１０１の表面に形成された電気回路を封止する機能を有する。
【０００３】
半導体素子１０５Ａは、例えば数アンペア〜数百アンペア程度の大電流が通過するパワー系の素子であり、発熱量が非常に大きい。このことから、半導体素子１０５Ａは、導電パターン１０３に載置されたヒートシンク１１０の上部に載置されていた。ヒートシンク１１０は、例えば縦×横×厚み＝１０ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍ程度の銅等の金属片から成る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１０２６４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記した構成の混成集積回路装置１００では、インバータ回路等の大電流を変換する回路を基板１０１の上面に形成すると、電流容量を確保するために導電パターン１０３の幅を広くする必要がり、このことが混成集積回路装置１００の小型化を阻害していた。更にまた、放熱性を確保するためにヒートシンクを半導体素子毎に用意する必要があり、このこともコストアップを招いていた。
【０００６】
本発明は、上述した問題を鑑みてなされ、本発明の主な目的は、放熱性に優れた小型の回路装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の回路装置は、回路基板と、前記回路基板の上面に固着されたアイランド部と、傾斜部を経由して前記アイランド部と連続して前記回路基板の上面から離間するボンディング部と、前記ボンディング部と連続して外部に導出するリード部と、を有する複数のリードと、前記アイランド部の上面に実装されて、接続手段を経由して前記ボンディング部と接続される回路素子と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明の回路装置の製造方法は、アイランド部と、傾斜部を経由して前記アイランド部と連続するボンディング部と、前記ボンディング部と連続して外部に導出するリード部と、を有する複数のリードから成るリードフレームを用意する工程と、前記アイランド部の上面に回路素子を実装し、前記アイランド部よりも上方に配置された前記ボンディング部と前記回路素子とを接続手段を経由して接続する工程と、前記アイランド部の下面を回路基板の上面に固着する工程と、前記回路基板および前記回路素子を封止する工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、傾斜部を経由して連続するアイランド部とボンディング部とをリードに設け、アイランド部を回路基板の上面に固着すると共に、ボンディング部を回路基板の上面から離間した上方に配置している。そして、アイランド部に実装された回路素子とボンディング部とを接続手段を経由して接続している。このようにすることで、例えば金属細線から成る接続手段が互いに接触してショートすることが防止されるので、複数個のリードおよび接続手段によりインバータ回路等の比較的複雑な回路を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図２】本発明の回路装置を示す平面図である。
【図３】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の回路装置を部分的に示す断面図である。
【図４】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は組み込まれるインバータ回路を示す回路図であり、（Ｂ）はリードを抜き出して示す平面図であり、（Ｃ）はリードを示す断面図である。
【図５】本発明の他の形態の回路装置を示す断面図である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図８】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図９】背景技術の混成集積回路装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１から図５を参照して、回路装置の一例として混成集積回路装置１０の構造を説明する。
【００１２】
図１を参照して、本形態の混成集積回路装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は混成集積回路装置１０を斜め上方から見た斜視図である。図１（Ｂ）は混成集積回路装置１０の断面図である。
【００１３】
図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して、混成集積回路装置１０は、回路基板１２と、回路基板１２の上面に配置されたリード１８、２０と、リード１８のアイランド部２８に実装されたトランジスタ２２およびダイオード２４（回路素子）と、これらを一体的に被覆する封止樹脂１６とを備えている。
【００１４】
回路基板１２は、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属を主材料とする金属基板である。回路基板１２の具体的な大きさは、例えば、縦×横×厚さ＝３０ｍｍ×１５ｍｍ×１．５ｍｍ程度である。回路基板１２としてアルミニウムより成る基板を採用した場合は、回路基板１２の両主面はアルマイト処理される。ここでは、回路基板１２の上面および側面が封止樹脂１６により被覆されて、下面は外部に露出している。このことにより、露出する回路基板１２の下面にヒートシンクを当接させることが可能となり、放熱性が向上される。また、耐湿性および絶縁耐圧性を確保するために、回路基板１２の下面を封止樹脂１６で被覆しても良い。
【００１５】
図１（Ｂ）を参照すると、紙面上の左側にリード１８が設けられ、右側にリード２０が設けられている。ここでは、回路基板１２の対向する２つの側辺に沿って多数のリード１８、２０が配置されているが、１つの側辺に沿ってリード１８のみが設けられてもよいし、４つの側辺に沿ってリードが配置されても良い。
【００１６】
リード１８は、回路基板１２の一側辺に沿って複数個が設けられている。リード１８は、内側から、アイランド部２８、傾斜部３０、ボンディング部３４およびリード部３２から構成されている。アイランド部２８の上面にはトランジスタ２２およびダイオード２４が半田等の導電性固着剤を経由して固着されている。そして、アイランド部２８の下面は回路基板１２の上面に固着されている。このことにより、トランジスタ２２およびダイオード２４が動作時に発生した熱は、アイランド部２８および回路基板１２を経由して良好に外部に放出される。更に、リード１８の中間部に、傾斜部３０を設けることにより、回路基板１２の左上部の端部がリード１８と離間して、両者のショートが防止される。また、ボンディング部３４は、金属細線２６（例えば直径が２０μｍ〜５００μｍのアルミワイヤ）を経由してトランジスタ２２およびダイオード２４と接続される部位である。金属細線２６を介した接続構造は図４（Ｂ）を参照して後述する。更に、リード部３２は、封止樹脂１６から外部に導出して差し込み実装等に用いられる端子部である。
【００１７】
リード２０は、リード１８に対向する位置に複数個が設けられている。リード２０は、内側から、ボンディング部３６、傾斜部３９およびリード部３８から構成されている。ボンディング部３６は回路基板１２の上面に固着され、アイランド部２８に実装されたトランジスタ２２の制御電極と、電気的に接続されている。更に、リード部３８は、傾斜部３９を経由して封止樹脂１６から外部に導出している。
【００１８】
リード１８とリード２０との機能は異なる。具体的には、リード１８は、トランジスタ２２やダイオード２４が実装されることでインバータ回路が構成される。即ち、リード１８は、インバータ回路により変換される前の直流電力または変換後の交流電力が通過する経路としても機能している。更には、リード１８は、厚みが５００μｍ程度の厚い銅などの金属から成るので、ヒートシンクとしても機能する。一方、リード２０は、トランジスタ２２の制御電極と接続され、制御信号が通過する接続端子として機能する。
【００１９】
ここで、図では、トランジスタ２２等は１本の金属細線２６を経由して接続されているが複数本（例えば２本や３本）の金属細線２６を経由してトランジスタ２２の電気的接続が行われても良い。更には、トランジスタ２２等を接続する接続手段としては、金属細線の替りにリボンボンディングにより形成される金属箔が採用されても良い。
【００２０】
図２を参照してリード１８、２０の構成を説明する。この図を参照して、リード１８Ａ−１８Ｈと、リード２０Ａ−２０Ｈは、互いに対向するように配置されている。
【００２１】
リード１８Ａ−１８Ｈの中で、左右両端に配置されたリード１８Ａ、１８Ｈは、外部から直流電流が供給されるリードであり、リード１８Ｃ、１８Ｄ、１８Ｅは内蔵されたインバータ回路により変換された３相の交流電力が出力されるリードである。また、電流値を検出するための抵抗４５がリード１８Ａとリード１８Ｂとの間に配置されている。
【００２２】
リード１８Ｃ−１８Ｅは、各々の上面に、３相のインバータ回路を構成するトランジスタおよびダイオードが実装されている。この事項の詳細は図４を参照して後述する。
【００２３】
リード２０Ａ−２０Ｌの中で、リード２０Ａ、２０Ｂは、金属細線２６を経由して夫々がリード１８Ａ、１８Ｂと接続され、電流値を検出するために用いられる。また、リード２０Ｃ−２０Ｈは、リード１８Ｃ−１８Ｈに実装されたトランジスタの制御電極と接続されている。具体的には、トランジスタがＩＧＢＴの場合は、これらのリード１８Ｃ−１８ＨはＩＧＢＴのゲート電極に接続される。
【００２４】
図３（Ａ）および図３（Ｂ）の断面図を参照して、リードのアイランド部２８が回路基板１２の上面に固着される構造を説明する。
【００２５】
図３（Ａ）を参照して、アルミニウム等の金属からなる回路基板１２の上面は、絶縁層４４により被覆されている。絶縁層４４は、ＡＬ２Ｏ３等のフィラーが例えば６０重量％〜８０重量％程度に高充填されたエポキシ樹脂等から成る。そして、絶縁層４４の上面に、厚みが５０μｍ程度の銅等の金属からなる導電パターン４６が形成され、この導電パターン４６の上面に半田等の固着材４８を介して、リードのアイランド部２８が固着されている。このことにより、トランジスタ２２が動作時に発生する熱は、アイランド部２８、固着材４８、導電パターン４６および回路基板１２を経由して外部に放出される。
【００２６】
図３（Ｂ）では、絶縁層４４の上面に導電パターンが形成されず、アイランド部２８の下面は、導電性又は絶縁性の固着材４８を介して絶縁層４４の上面に固着されている。
【００２７】
ここで、図１（Ｂ）に示すリード２０のボンディング部３６に関しても、上記と同様の構造により回路基板１２の上面に固着される。
【００２８】
図４を参照して、混成集積回路装置１０に３相のインバータ回路が組み込まれた場合の構成を説明する。図４（Ａ）はインバータ回路の回路図であり、図４（Ｂ）はリードの構成を示す平面図であり、図４（Ｃ）はリード１８の断面図である。
【００２９】
図４（Ａ）を参照して、インバータ回路５６は、６個のＩＧＢＴ（Ｑ１−Ｑ６）と６個のダイオード（Ｄ１−Ｄ６）から構成され、Ｑ１−Ｑ３がハイサイド側のトランジスタであり、Ｑ４−Ｑ６がローサイド側のトランジスタである。そして、各ＩＧＢＴ（Ｑ１−Ｑ６）のコレクタ電極およびエミッタ電極には、逆並列にフライホイールダイオード（Ｄ１−Ｄ６）が接続されている。この様に、フライホイールダイオードをＩＧＢＴに対して逆並列に接続させることで、誘導性負荷に発生する逆起電力からＩＧＢＴが過電圧破壊されないように保護される。ここで、ＩＧＢＴの替りにＭＯＳ等の他のトランジスタを用いることも可能である。
【００３０】
また、ＩＧＢＴ（Ｑ１）とＩＧＢＴ（Ｑ４）とは直列に接続されており、排他的にオン／オフ制御されて両素子の中間点からＵ相の交流電力がリードを経由して外部に出力される。また、ＩＧＢＴ（Ｑ２）とＩＧＢＴ（Ｑ５）とは直列に接続されており、排他的にオン／オフする両素子の中間点からＶ相の交流電力が外部に出力される。更に、直列接続されるＩＧＢＴ（Ｑ３）とＩＧＢＴ（Ｑ６）は排他的にオン／オフし、両者の中間点からＷ相の交流電力が外部に出力される。また、各ＩＧＢＴのスイッチングは、装置の外部に位置する制御素子により制御される。
【００３１】
このような構成により、インバータ回路５６に入力された直流電力は３相（Ｕ、Ｖ、Ｗ）の交流電力に変換され、この交流電力により負荷であるモータＭが駆動回転される。
【００３２】
図４（Ｂ）を参照して、リード１８Ｃ−１８Ｈが備える各アイランド部２８Ｃ−２８Ｈの上面には、ＩＧＢＴおよびダイオードが半田等の導電性固着剤を介して固着されている。具体的には、リード１８Ｃのアイランド部２８ＣにはＩＧＢＴ（Ｑ１）とダイオードＤ１が実装され、リード１８Ｄのアイランド部２８ＤにはＩＧＢＴ（Ｑ２）とダイオードＤ２が実装される。そして、リード１８Ｅのアイランド部２８ＥにはＩＧＢＴ（Ｑ３）とダイオードＤ３が実装され、リード１８Ｈのアイランド部２８Ｈには３つのＩＧＢＴ（Ｑ４−Ｑ６）とダイオードＤ４−Ｄ６が実装されている。ここで、各ＩＧＢＴの裏面に設けられたコレクタ電極およびダイオードのカソード電極が、各アイランド部の上面に半田等の導電性接合材を介して接続される。
【００３３】
そして、各アイランドに実装されたトランジスタおよびダイオードは、インバータ回路を構成するために金属細線を経由して接続される。本形態では、各リードのアイランド部に実装されたトランジスタおよびダイオードは、金属細線を経由して隣接するリードのボンディング部と接続されている。
【００３４】
具体的には、リード１８Ｃのアイランド部２８Ｃに実装されたＩＧＢＴ（Ｑ１）のエミッタ電極およびダイオードＤ１のアノード電極は、金属細線２６を経由して、リード１８Ｂのボンディング部３４Ｂに接続されている。また、リード１８Ｄのアイランド部２８Ｄに実装されたＩＢＧＴ（Ｑ２）のエミッタ電極およびダイオードＤ２のアノード電極は、金属細線２６を経由して、リード１８Ｃのボンディング部３４Ｃに接続されている。更に、リード１８Ｅのアイランド部２８Ｅに実装されたＩＢＧＴ（Ｑ３）のエミッタ電極およびダイオードＤ３のアノード電極は、金属細線２６を経由して、リード１８Ｄのボンディング部３４Ｄに接続されている。
【００３５】
また、直流電源のマイナス側に接続されるアイランド部２８Ｈに実装されたＩＧＢＴ（Ｑ４−Ｑ６）およびＤ４−Ｄ６は、リード１８Ｃ−１８Ｅのボンディング部３４Ｃ−３４Ｅに接続される。具体的には、ＩＧＢＴ（Ｑ４）のエミッタ電極およびダイオードＤ４のアノード電極が、金属細線２６を経由して、リード１８Ｃのボンディング部３４Ｃと接続される。また、ＩＧＢＴ（Ｑ５）のエミッタ電極およびダイオードＤ５のアノード電極が、金属細線２６を経由して、リード１８Ｄのボンディング部３４Ｄと接続される。また、ＩＧＢＴ（Ｑ６）のエミッタ電極およびダイオードＤ６のアノード電極が、金属細線２６を経由して、リード１８Ｅのボンディング部３４Ｅと接続される。
【００３６】
本形態では、このように隣接したリード同士で金属細線による接続を行っている。更には、ＩＧＢＴ（Ｑ４）およびダイオードＤ４とリード１８Ｃのボンディング部３４Ｃとを接続する金属細線２６は、リード１８Ｄ、１８Ｅの上方を飛び越えて形成されている。ここで、リード１８Ｂ−１８Ｈが全体的に平坦な状態であると、このように複雑に形成される金属細線２６同士が接触してショートを起こす恐れがある。本形態では、図４（Ｃ）に示すように、金属細線が接続されるボンディング部３４は、傾斜部３０を経由してアイランド部２８よりも上方に位置している。このことにより、インバータ回路を構成するために金属細線を複雑な形状に形成しても、金属細線同士が接触してショートすることが防止されている。
【００３７】
更に本形態では、図１（Ｂ）に示すように、回路基板１２の上面には導電パターンを形成せず、回路基板１２の上面に載置されたリード１８のアイランド部２８にトランジスタ２２およびダイオード２４を実装している。即ち、本形態のリード１８は外部出力端子として機能しているだけではなく、背景技術の導電パターンの機能も備えている。リード１８のアイランド部２８の厚みは例えば５００μｍ程度であり、背景技術にて回路基板の上面に形成されていた導電パターンの厚み（５０μｍ）よりも厚く形成されている。従って、数十アンペア程度の大電流に対処するために従来では薄い導電パターンを広く形成していたが、本形態では厚いリード１８自体が広い断面積を有するので、リード１８が占有する面積を従来の導電パターンよりも狭くすることが可能となる。このことが、装置全体の小型化に寄与する。
【００３８】
図５を参照して、他の形態の混成集積回路装置１０Ａの構成を説明する。この図に示す混成集積回路装置１０Ａの基本的構成は図１に示した装置と同様であり、相違点は回路基板１２の上面に制御基板１４が固着されたことにある。
【００３９】
具体的には、回路基板１２の紙面上左側の上面にはリード１８のアイランド部２８が固着されており、この構造は上記したとおりである。
【００４０】
また、回路基板の紙面上右側の上面には、上面に制御素子４２が実装された制御基板１４が固着されている。制御基板１４はガラスエポキシ基板等の安価な絶縁基板から成り、制御基板１４の上面には導電パターンが形成されている。更に、樹脂パッケージの状態の制御素子４２が導電パターンに接続されている。また、制御基板１４の上面に形成された導電パターンおよび金属細線を経由して、制御素子４２はトランジスタ２２の制御電極と接続される。このことにより、インバータ回路を構成するトランジスタ２２は制御素子４２から供給される制御信号に基づいて制御される。そして、制御素子４２とリード２０とは、制御基板１４上の導電パターンおよび金属細線２６を経由して紙面上で右側のリード２０と接続される。
【００４１】
混成集積回路装置１０Ａに制御素子４２を内蔵させることにより、インバータ回路と制御回路が一体化されたモジュールが構成されるので、装置全体を高機能なものとすることができる。更に、金属材料から成る回路基板１２の上面に載置された制御基板１４に制御素子４２を実装しているので、制御素子４２の過熱が防止される。具体的には、動作時にトランジスタ２２が発熱することにより金属からなる回路基板１２に熱が伝導したとしても、樹脂材料等の絶縁材料から成る制御基板１４により、制御素子４２への熱の伝導が抑制されている。
【００４２】
尚、制御基板１４を回路基板１２の上面に配置せずに、回路基板１２の上面に直に形成された導電パターンに制御素子４２を実装することも可能である。
【００４３】
図６から図８を参照して、次に、上述した構成の混成集積回路装置１０の製造方法を説明する。
【００４４】
図６を参照して、先ず、多数個のリード１８、２０が設けられたリードフレーム５８を用意する。図６（Ａ）は、リードフレーム５８に設けられる１つのユニット６０を示す平面図であり、図６（Ｂ）はユニット６０を示す断面図である。
【００４５】
図６（Ａ）を参照して、ユニット６０は、一つの混成集積回路装置を構成する多数のリード１８、２０から成り、個々のリード１８、２０の一端は回路基板１２が載置される領域内に位置する。リード１８は、紙面上にてユニット６０内部の左側に配置されており、上記したように、トランジスタやダイオードが実装されるアイランド部２８が設けられている。リード２０は、紙面上にて右側に配置されており、外部接続端子として機能すると共に、トランジスタの制御電極の接続および、制御基板を機械的に支持する役割を有する。リード１８、２０の外側の端部は、外枠６４と連続するタイバー６２により一体的に支持されている。
【００４６】
図６（Ｂ）に示すように、紙面上左側のリード１８は、アイランド部２８、傾斜部３０ボンディング部３４およびリード部３２を有する。ここで、アイランド部２８はトランジスタ等の回路素子が実装される部位であり、ボンディング部３４は金属細線が接続される部位である。そして、紙面上右側のリード２０は、ボンディング部３６、傾斜部３９およびリード部３８が備えられている。
【００４７】
リードフレーム５８には、このような構造を有する複数のユニット６０が、額縁状の外枠６４の内部に設けられており、以下の工程は各ユニット６０に対して一括して行われる。
【００４８】
図７を参照して、次に、リードに回路素子および回路基板を固着する。図７（Ａ）は本工程を示す平面図であり、図７（Ｂ）は断面図である。
【００４９】
具体的は、先ず、リード１８のアイランド部２８に、半田等の導電性接着材を経由してトランジスタ２２の裏面電極を固着する。同様に、ダイオード２４の裏面電極を固着する。次に、トランジスタ２２の電極を、金属細線２６を経由して、リード１８の中間部に設けたボンディング部３４と接続する。同様に、金属細線２６を経由して、トランジスタ２２の制御電極（ゲート電極）をリード２０のボンディング部３６と接続する。
【００５０】
更に、図７（Ｂ）を参照して、回路基板１２の上面にリード１８のアイランド部２８を固着する。アイランド部２８の下面が回路基板１２の上面に固着される構造は、図３（Ａ）に示すように回路基板１２の上面に形成された導電パターン４６に固着されてもよいし、図３（Ｂ）に示すように回路基板１２の上面を被覆する絶縁層４４の上面に直に固着されても良い。
【００５１】
本工程では、各ユニット６０にインバータ回路を構築するために、リード１８の各アイランド部２８に実装されたトランジスタ２２およびダイオード２４を、金属細線２６を経由してボンディング部３４と接続している。金属細線２６を用いた接続の構造は、図４を参照して説明した通りである。即ち、本形態では、インバータ回路を構成するために金属細線２６は複雑な形状を呈しているので、リード１８を平坦な形状とすると、金属細線２６同士が接触してショートする恐れがある。本形態では、金属細線２６が接続されるボンディング部３４を、アイランド部１８よりも上方に配置することにより、金属細線２６同士を離間させてショートを防止している。
【００５２】
ここで、図５に示す混成集積回路装置１０Ａを製造する場合は、回路基板１２の上面に、制御素子４２が実装された制御基板１４を配置し、この制御基板１４とトランジスタ２２およびリード２０を、金属細線２６を経由して接続する。
【００５３】
図８を参照して、次に、回路基板１２が被覆されるように封止樹脂を形成する。図８（Ａ）は金型を用いて回路基板１２をモールドする工程を示す断面図であり、図８（Ｂ）はモールドを行った後のリードフレーム５８を示す平面図である。
【００５４】
図８（Ａ）を参照して、先ず、上金型６８および下金型７０から形成されるキャビティ７２に、回路基板１２をリードフレームに固定された状態で収納する。ここでは、上金型６８および下金型７０でリード１８、２０を挟持することにより、キャビティ７２内部に於ける回路基板１２の位置を固定している。更に、金型に設けたゲートからキャビティ７２に樹脂を注入して、回路基板１２および各回路素子等を封止する。本工程では、熱硬化性樹脂を用いたトランスファーモールドまたは、熱可塑性樹脂を用いたインジェクションモールドが行われる。ここで、回路基板１２を封止する構造としては、樹脂封止のみには限らず、ポッティング、ケース材による封止などでも良い。
【００５５】
図８（Ｂ）を参照して、上述したモールド工程が終了した後に、リード１８、２０をリードフレーム５８からプレス加工により分離する。具体的には、タイバー６２が設けられた箇所にてリード１８、２０を個別に分離し、図１に示すような混成集積回路装置をリードフレーム５８から分離する。
【符号の説明】
【００５６】
１０   混成集積回路装置
１２   回路基板
１４   制御基板
１６   封止樹脂
１８   リード
１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄ、１８Ｅ、１８Ｆ   リード
１８Ｇ、１８Ｈ、１８Ｉ、１８Ｊ     リード
２０   リード
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ、２０Ｆ   リード
２０Ｇ、２０Ｈ、２０Ｉ、２０Ｊ、２０Ｋ、２０Ｌ   リード
２２   トランジスタ
２４   ダイオード
２６   金属細線
２８   アイランド部
２８Ｄ、２８Ｅ、２８Ｆ、２８Ｊ     アイランド部
３０   傾斜部
３２   リード部
３４   ボンディング部
３４Ｃ、３４Ｄ、３４Ｅ、３４Ｆ     ボンディング部
３６   ボンディング部
３８   支持部
３９   支持部
４０   導電パターン
４２   制御素子
４４   絶縁層
４５   抵抗
４６   導電パターン
４８   固着材
５０   導電パターン
５２   導電パターン
５４   貫通電極
５６   インバータ回路
５８   リードフレーム
６０   ユニット
６２   タイバー
６４   外枠
６８   上金型
７０   下金型
７２   キャビティ
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ６ ＩＧＢＴ
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６ ダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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