(57)【要約】      （修正有）【課題】真空プロセスにおける接着層からの脱ガスを抑制するフレキシブル電子デバイスの製造方法、および脱ガスが少ないフレキシブル電子デバイス製造用の樹脂層付積層基板ならびにフレキシブル電子デバイス製造部材を提供する。【解決手段】寸法安定性に優れた支持基板３０に接着層２０を介して可撓性基板２２を接着した後に熱処理を行うことで接着層２０の揮発成分の少なくとも一部を放出させ、かつ接着層２０の露出部を覆う樹脂層２４を設けることにより、接着層２０からの脱ガスを抑制する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
寸法安定性に優れた支持基板の表面上に接着層を介して可撓性基板を積層する工程と、
前記可撓性基板が積層された前記支持基板を熱処理し、前記接着層中の揮発成分の少なくとも一部を放出させる第１の熱処理工程と、
前記支持基板の表面上に、前記可撓性基板および前記接着層を覆うように樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層が形成された前記支持基板を熱処理し、前記樹脂層中の揮発成分の少なくとも一部を放出させる第２の熱処理工程と、
前記樹脂層上に真空プロセスを用いて電子素子を形成する工程と、
前記支持基板から前記可撓性基板を剥離する工程とを有することを特徴とするフレキシブル電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記積層する工程は、前記支持基板よりも小さい前記可撓性基板の前記接着層側の表面全体を、前記可撓性基板と前記支持基板の互いの辺が重ならないように互いの辺をずらして前記支持基板の表面上に接着する工程である請求項１に記載のフレキシブル電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記積層する工程は、前記支持基板の表面上に接着層を介して第２の可撓性基板を接着する工程と、前記第２の可撓性基板の外縁を前記接着層と共に除去して、前記支持基板よりも小さい前記可撓性基板を、該可撓性基板と前記支持基板の互いの辺が重ならないように互いの辺をずらして前記支持基板の表面上に配置する工程とを有する請求項１に記載のフレキシブル電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記樹脂層は、前記接着層の露出部、前記可撓性基板の表面、および前記支持基板の表面の一部を覆うように形成される請求項１〜３のいずれか１項に記載のフレキシブル電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第１の熱処理工程の前に、さらに、前記接着層を介して積層された前記可撓性基板と前記支持基板とを洗浄する工程を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載のフレキシブル電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記電子素子を形成する工程の前に、さらに、前記樹脂層の上に封止層を設ける工程を有し、前記電子素子を形成する工程は、前記封止層上に前記電子素子を形成する請求項１〜４のいずれか１項に記載のフレキシブル電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記封止層は、ＣＶＤ法またはゾルゲル法を用いて形成される請求項６に記載のフレキシブル電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記電子素子を形成する工程の後に、さらに、前記第２の熱処理工程における熱処理温度以下の温度で熱処理する第３の熱処理工程を有する請求項１〜７のいずれか１項に記載のフレキシブル電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記電子素子は、酸化物半導体を活性層に用いた薄膜トランジスタである請求項１〜８のいずれか１項に記載のフレキシブル電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
寸法安定性に優れた支持基板と、
前記支持基板の表面上に、接着層を介して、前記支持基板よりも小さく、かつ前記支持基板と互いの辺が重ならないように互いの辺をずらして積層された可撓性基板と、
前記支持基板の表面上に、前記可撓性基板および前記接着層を覆うようにして設けられた樹脂層とを有し、
前記接着層および前記樹脂層は、それらの中の揮発成分の少なくとも一部が脱ガスされてなり、昇温脱離ガス分析で得られた基板温度１００℃での全圧が基板温度５０℃での全圧の１００倍以下であることを特徴とする樹脂層付積層基板。
【請求項１１】
前記樹脂層上に封止層が設けられている請求項１０に記載の樹脂層付積層基板。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の樹脂層付積層基板上に電子素子が形成されていることを特徴とするフレキシブル電子デバイス製造部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空プロセスにおいて基板からの脱ガスが少なく、高い歩留まりでフレキシブル電子デバイスを製造する方法、およびこのフレキシブル電子デバイスの製造に用いられる脱ガスが少ない樹脂層付積層基板、ならびにフレキシブル電子デバイス製造部材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの小型化、軽量化が進展し、近年では可撓性基板の上に電子素子が形成された、いわゆるフレキシブル電子デバイスが開発されている。フレキシブル電子デバイスにおいては、小型化、軽量化の他にも耐衝撃性の向上や基板が安価であることなど多くの利点があり、特に、電子素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた表示装置であるフレキシブルディスプレイは、次世代携帯端末やフレキシブルなテレビ、デジタルサイネージ等への応用が期待されており、精力的に研究、開発が進められている。
【０００３】
ＴＦＴ等の電子素子の形成プロセスでは、一般的に、化学気相成長法（ＣＶＤ）による絶縁膜の形成やアニーリングなどの熱処理プロセスと、エッチングや現像など、各種薬液を用いた湿式プロセスがある。一般に、基板の可撓性、非可撓性を問わず、電子素子の製造においては真空プロセスが多用される。これは、塗布や印刷等の液相プロセスに比べて膜厚や膜質の制御が容易であり、フォトリソグラフィー技術と併用することで、微細な電子素子を高精度で作製できることによるからである。
ＴＦＴ等の電子素子に可撓性基板を用いた場合、伸縮や膨張、撓み等による形状変化が問題となる。特に、高精細のフレキシブルディスプレイを作製する場合においては、プロセス間で可撓性基板の形状変化があると、電子素子作製に必要なパターニング精度が得られないという問題がある。このため、各種フイルム等の可撓性基板を用いて真空プロセスでフレキシブル電子デバイスを製造する場合、ガラス等の非可撓性基板とは異なり、基板の伸縮や形状変化が生じうるために、高精度にパターニングするために様々な工夫が必要となる。
【０００４】
そこで、このような問題を回避するため、寸法安定性に優れた基板上に剥離層を介して電子素子を形成し、その後に電子素子を仮転写基板に一次転写し、さらに可撓性基板に二次転写することで、可撓性基板上に電子素子を間接的に形成する方法や、可撓性基板を寸法安定性に優れた基板に貼付け、寸法変化を抑制させた状態で電子素子を可撓性基板に直接形成する方法が提案されている。
【０００５】
例えば、特許文献１においては、元基板上に第１分離層を介して薄膜デバイス層を形成し、薄膜デバイス層上に第２分離層を形成し、第２分離層上に第１の転写基板を接合する。そして、第１分離層を境にして薄膜デバイス層を元基板から剥離し、その後、薄膜デバイス層の下側に第２の転写基板を接合し、第２分離層を境にして薄膜デバイス層を第１の転写基板を剥離して薄膜デバイス層を第２の転写基板に転写している。特許文献１では、第１の転写基板に第２の転写基板よりも硬いか、剛性が高いものを用いている。
【０００６】
また、パターニング精度が得られないという問題を回避するために、可撓性基板上に微細な回路を精度良く形成する方法として、可撓性基板を有機物層を介して補強板に貼り合わせ、可撓性基板の寸法精度を維持した上で、可撓性基板上に直接的にパターニングを行い、その後に可撓性基板を補強板から剥離する方法が提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１８９４６０号公報
【特許文献２】国際公開第０３／００９６５７号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、可撓性基板に転写する特許文献１等の方式では電子素子と基板間に設けた剥離層を剥離する際に、電子素子を破壊しやすく、歩留まりが低くなりやすい。
特に高精細、大面積のフレキシブル電子デバイスにおいては、電子素子を破壊しないように転写することは容易ではなく、高い歩留まりで製造することは困難であり、転写方法の改善が大きな課題となっている。
【０００９】
また、上記特許文献２等のように可撓性基板を貼付けて寸法精度を維持するようなもの（貼付け方式）では、真空プロセスで電子素子を形成する際に、有機物層及び接着層に含まれる有機物や水分が脱ガスする。このため、特に成膜時の雰囲気の影響を大きく受ける半導体材料を電子素子に用いる場合には、電子素子の主要な機能を担う半導体層の電気特性に大きな影響を及ぼし、意図しない特性変化を生じさせ、電子素子の歩留まりに直結する問題がある。これにより、フレキシブル電子デバイスの分留まりが下がるという問題があった。
【００１０】
接着層を介して有機層が形成された基板からの真空系における脱ガスを抑制するため、基板を真空系に移送する前に熱処理を行うことで、有機物中の揮発成分を放出させることが一般的に行われる。しかし、２種類の基板を張り合わせた接着層の場合、熱処理を行っても、揮発成分は貼り合わせた基板の端部からしか放出されず、充分に出し切ることは困難である。揮発成分を出し切るために、より高温での熱処理を行うか、または長時間の熱処理を行うこともできるが、可撓性基板の耐熱温度や製造適性の観点から制限があり、いずれも現実的には難しい。
【００１１】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明の第１の目的は、寸法安定性に優れた支持基板上に接着層を介して接着された可撓性基板に真空プロセスで直接的に電子素子を形成し、その後に寸法安定性に優れた支持基板から可撓性基板を剥離することでフレキシブル電子デバイスを製造する方法において、真空プロセスにおける接着層からの脱ガスを抑制しつつ、可撓性基板上の樹脂層上に微細な回路を持つ電子素子が精度良く形成された電子デバイスを歩留まり良く製造することができるフレキシブル電子デバイスの製造方法およびフレキシブル電子デバイス製造部材を提供することにある。
また、本発明の第２の目的は、真空プロセスで電子素子を形成する工程において接着層からの脱ガスが少なく、可撓性基板上に電子素子を精度良く形成することができ、電子デバイスの製造歩留まりの良いフレキシブル電子デバイス製造用の樹脂層付積層基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、可撓性基板上に電子素子が精度良く形成された電子デバイスを歩留まり良く製造する方法について、鋭意検討した結果、寸法安定性に優れた支持基板に可撓性基板を接着した後に熱処理を行うことで接着層の揮発成分の少なくとも一部を放出させ、かつ接着層の露出部を樹脂で覆うことで、接着層からの脱ガスを減らせられるとの知見を得、この知見に基づいて本発明に至ったものである。
すなわち、前記課題を解決するための具体的手段は以下のとおりである。
【００１３】
本発明のフレキシブル電子デバイスの製造方法は、寸法安定性に優れた支持基板の表面上に接着層を介して可撓性基板を積層する工程と、前記可撓性基板が積層された前記支持基板を熱処理し、前記接着層中の揮発成分の少なくとも一部を放出させる第１の熱処理工程と、前記支持基板の表面上に、前記可撓性基板および前記接着層を覆うように樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層が形成された前記支持基板を熱処理し、前記樹脂層中の揮発成分の少なくとも一部を放出させる第２の熱処理工程と、前記樹脂層上に真空プロセスを用いて電子素子を形成する工程と、前記支持基板から前記可撓性基板を剥離する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
この場合、前記積層する工程は、前記支持基板よりも小さい前記可撓性基板の前記接着層側の表面全体を、前記可撓性基板と前記支持基板の互いの辺が重ならないように互いの辺をずらして前記支持基板の表面上に接着する工程であることが好ましい。
【００１５】
また、前記積層する工程は、前記支持基板の表面上に接着層を介して第２の可撓性基板を接着する工程と、前記第２の可撓性基板の外縁を前記接着層と共に除去して、前記支持基板よりも小さい前記可撓性基板を、該可撓性基板と前記支持基板の互いの辺が重ならないように互いの辺をずらして前記支持基板の表面上に配置する工程とを有することが好ましい。
【００１６】
また、前記樹脂層は、前記接着層の露出部、前記可撓性基板の表面、および前記支持基板の表面の一部を覆うように形成されることが好ましい。
また、前記第１の熱処理工程の前に、さらに、前記接着層を介して積層された前記可撓性基板と前記支持基板とを洗浄する工程を有することが好ましい。
【００１７】
また、前記電子素子を形成する工程の前に、さらに、前記樹脂層の上に封止層を設ける工程を有し、前記電子素子を形成する工程は、前記封止層上に前記電子素子を形成することが好ましい。
【００１８】
また、前記封止層は、例えば、ＣＶＤ法またはゾルゲル法を用いて形成される。
【００１９】
また、前記電子素子を形成する工程の後に、さらに、前記第２の熱処理工程における熱処理温度以下の温度で熱処理する第３の熱処理工程を有することが好ましい。
【００２０】
また、前記電子素子は、酸化物半導体を活性層に用いた薄膜トランジスタであることが好ましい。
【００２１】
本発明の樹脂層付積層基板は、寸法安定性に優れた支持基板と、前記支持基板の表面上に、接着層を介して、前記支持基板よりも小さく、かつ前記支持基板と互いの辺が重ならないように互いの辺をずらして積層された可撓性基板と、前記支持基板の表面上に、前記可撓性基板および前記接着層を覆うようにして設けられた樹脂層とを有し、前記接着層および前記樹脂層は、それらの中の揮発成分の少なくとも一部が脱ガスされてなり、昇温脱離ガス分析で得られた基板温度１００℃での全圧が基板温度５０℃での全圧の１００倍以下であることを特徴とする。
この場合、前記樹脂層上に封止層が設けられていることが好ましい。
【００２２】
本発明のフレキシブル電子デバイス製造部材は、上記本発明の樹脂層付積層基板上に電子素子が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の製造方法によれば、真空プロセスにおける脱ガスを抑制することができ、これにより、電子素子に半導体材料を用いた場合でも、意図しない特性変化を抑止することができる。このため、フレキシブル電子デバイスの分留まりを向上させることができ、高い歩留まりでフレキシブル電子デバイスを製造することができる。
また、本発明の製造方法によれば、樹脂層上に真空プロセスで電子素子を形成した後、寸法安定性に優れた支持基板から可撓性基板を剥離するだけでフレキシブル電子デバイスを製造することができることから、電子素子を破壊することが抑制される。しかも、寸法安定性に優れた支持基板に可撓性基板が積層されているため、可撓性基板上の樹脂層上に微細な回路を持つ電子素子を、パターニング精度等の精度を良く形成することができる。このようなことから、可撓性基板上の樹脂層上に微細な回路を持つ電子素子が精度良く形成されたフレキシブル電子デバイスを高い歩留まりで製造することができる。さらには、フレキシブル電子デバイスを得るに支持基板から可撓性基板を剥離するだけであるため、高精細、かつ大面積のフレキシブル電子デバイスを高い歩留まりで製造することができる。
【００２４】
また、本発明の樹脂層付積層基板を用いることにより、真空プロセスにおいて脱ガスが少なく、樹脂層上に真空プロセスで電子素子を形成した後、寸法安定性に優れた支持基板から、電子素子が形成された可撓性基板を剥離するだけでフレキシブル電子デバイスを製造することができる。しかも、寸法安定性に優れた支持基板に可撓性基板が積層されているため、可撓性基板上の樹脂層上に微細な回路を持つ電子素子を、パターニング精度等の精度を良く形成することができる。このようなことから、フレキシブル電子デバイス製造用の基板として好適である。
また、本発明のフレキシブル電子デバイス製造部材によれば、寸法安定性に優れた支持基板から電子素子が形成された可撓性基板を剥離するだけでフレキシブル電子デバイスを得ることができる。しかも、電子素子はパターニング精度等の精度が良く、しかも電子素子を構成する半導体材料の特性も安定したものであることから、フレキシブル電子デバイスを製造するための前駆体として好適である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１の実施形態のフレキシブル電子デバイスの製造方法で製造されたフレキシブル電子デバイスを示す模式的断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第１の実施形態のフレキシブル電子デバイスの製造方法を工程順に示す模式断面図である。
【図３】（ａ）は、寸法安定性に優れた支持基板と可撓性基板の関係の一例を示す模式図であり、（ｂ）は、図３（ａ）の模式的断面図である。
【図４】（ａ）は、寸法安定性に優れた支持基板と可撓性基板の関係の他の例を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、図４（ａ）の模式的断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態のフレキシブル電子デバイスの製造方法で製造されたフレキシブル電子デバイスを示す模式的断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の第２の実施形態のフレキシブル電子デバイスの製造方法を工程順に示す模式図である。
【図７】（ａ）は、本発明の実施例における試料構成を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、実施例の昇温脱離ガス分析（ＴＤＳ）の測定結果を示すグラフである。
【図８】（ａ）は、本発明の比較例１における試料構成を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、比較例１の昇温脱離ガス分析（ＴＤＳ）の測定結果を示すグラフである。
【図９】（ａ）は、本発明の比較例２における試料構成を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、比較例２の昇温脱離ガス分析（ＴＤＳ）の測定結果を示すグラフである。
【図１０】（ａ）は、本発明の比較例３における試料構成を示す模式的断面図であり、（ｂ）は、比較例２の昇温脱離ガス分析（ＴＤＳ）の測定結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明に係るフレキシブル電子デバイスの製造方法および樹脂層付積層基板、ならびにフレキシブル電子デバイスを詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態のフレキシブル電子デバイスの製造方法で製造されたフレキシブル電子デバイスを示す模式的断面図であり、図２（ａ）〜（ｆ）は、第１の実施形態のフレキシブル電子デバイスの製造方法を工程順に示す模式断面図である。
【００２７】
以下、本発明に係るフレキシブル電子デバイスの製造方法について説明する。
本実施形態においては、電子素子に、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたフレキシブル電子デバイスの製造方法を例として説明する。
図１に示すフレキシブル電子デバイスの製造方法で製造されたフレキシブル電子デバイス１０は、基板１２の表面１２ａ上に薄膜トランジスタ１４（以下、ＴＦＴ１４ともいう）が形成されている。
【００２８】
基板１２は、接着層２０上に可撓性基板２２が形成されており、接着層２０および可撓性基板２２を、接着層２０の裏面以外、可撓性基板２２の表面、ならびに接着層２０および可撓性基板２２の端部２３を含めて覆うように樹脂層２４が形成されてなるものである。この接着層２０および可撓性基板２２の端部２３には接着層２０の露出部が含まれる。
【００２９】
ＴＦＴ１４は、ボトムゲート型トップコンタクトと呼ばれるものであり、基板１２の表面１２ａ上に形成されたゲート電極４０と、このゲート電極４０を覆うようにゲート絶縁膜４２が形成されている。ゲート絶縁膜４２上に活性層４４が形成されている。この活性層４４上に、ゲート電極４０と整合する領域をあけて、この領域を挟んでソース電極４６ａおよびドレイン電極４６ｂが対向して形成されている。
【００３０】
ゲート電極４０は、例えば、Ｍｏ、Ｍｏ合金またはＣｒで構成される。
ゲート絶縁膜４２は、例えば、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ２Ｏ３膜、もしくはＨｆＯ２膜、Ｇａ２Ｏ３膜等を単体またはこれらを積層してなるもので構成される。
ソース電極４６ａおよびドレイン電極４６ｂは、例えば、ＭｏまたはＭｏ合金で構成される。
【００３１】
活性層４４は、チャネル層として機能するものであり、例えば、耐熱性が低いプラスチックフィルムに形成することができるアモルファス酸化物半導体により構成される。活性層４４を構成するアモルファス酸化物半導体は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎのうち、少なくとも１つ含むものである。活性層４４を構成するアモルファス酸化物半導体としては、例えば、Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ（ＩＺＯ）、および（Ｉｎ２−ｘＧａｘ）Ｏ３・（ＺｎＯ）ｍで表されるＩｎＧａＺｎＯ４（ＩＧＺＯ）等のホモロガス化合物が用いられる。ただし、０≦ｘ≦２、かつｍは自然数である。
また、ＴＦＴ１４においては、ソース電極４６ａおよびドレイン電極４６ｂを大気による劣化を保護する目的、トランジスタ上に作製される電子デバイスと絶縁する目的等のために、保護層として機能する絶縁膜を形成してもよい。この絶縁膜は、例えば、感光性アクリル樹脂が窒素雰囲気で加熱硬化処理されて形成されたものが用いられる。
【００３２】
以下、フレキシブル電子デバイス１０の製造方法について説明する。
図２（ａ）に示すように、寸法安定性に優れた支持基板３０（以下、単に基板３０ともいう）の表面３０ａ上の内側に、接着層２０を介して、例えば、厚さが１０μｍ〜２００μｍの基板３０よりも小さい可撓性基板２２を積層する。
この場合、可撓性基板２２の接着面の面積に関しては、後述する樹脂層２４をスピンコート、塗布法などで形成する際に、接着層２０および可撓性基板２２の端部２３を覆うことができるように、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、可撓性基板２２は全面が基板３０の被接着面よりも小さい。そして、可撓性基板２２は、可撓性基板２２と支持基板３０とがそれぞれ互いに辺が重ならないように互いの辺をずらして基板３０の表面３０ａ上の内側に接着される。すなわち、可撓性基板２２は基板３０よりも面積が小さく、かつ可撓性基板２２（接着層２０）と基板３０とは、それぞれ互いに辺を合わせることなく、基板３０の表面３０ａの内側に配置されている。
具体的には、後述する樹脂層の粘性、コーティングの条件にもよるが、可撓性基板２２の端部から基板３０の端部までの水平距離ｄが、可撓性基板２２と接着層２０の厚みを合わせた垂直距離ｔに対し、ｔａｎ−１（ｔ／ｄ）＝１５°以下であることが好ましく、ｔａｎ−１（ｔ／ｄ）＝１０°以下であることがより好ましい。可撓性基板２２は、例えば、基板３０に積層する前に上述の大きさに加工されて、接着層２０を介して基板３０の表面３０ａ上の内側に接着される。
【００３３】
可撓性基板２２は、基板３０に接着する前に、上述の大きさに加工する以外にも、以下のようにして形成することができる。例えば、図４（ａ）に示すように、基板３０の全面に接着層２０を介して可撓性基板（第２の可撓性基板）２５を積層した後、図４（ｂ）に示すように、基板３０の端部まで水平距離ｄと可撓性基板２２と接着層２０の厚みを合わせた垂直距離ｔとが、ｔａｎ−１（ｔ／ｄ）＝１５°以下、より好ましくはｔａｎ−１（ｔ／ｄ）＝１０°以下となるように、基板３０の外縁に除去領域３２を設定する。この除去領域３２にある可撓性基板を接着層とともに除去して、図２（ａ）に示すように、基板３０の表面３０ａの内側に接着層２０を介して可撓性基板２２を積層してもよい。除去領域３２の設定方法および除去方法としては、例えば、基板３０上の接着層２０と可撓性基板２５に切り込みを入れて除去領域３２を設定したのち、除去領域３２を剥離する方法が挙げられる。
【００３４】
基板３０に可撓性基板２２を接着する接着層２０には、接着剤または粘着剤が好ましく用いられる。接着剤または粘着剤としては、例えば、アクリル系またはウレタン系の再剥離剤と呼ばれる粘着剤を用いることができる。可撓性基板２２の加工時には十分な接着力があり、ＴＦＴ１４（電子素子）形成後の剥離時には、容易に剥離でき、可撓性基板２２に歪みを生じたり、剥離時の衝撃によりＴＦＴ１４（電子素子）を破壊したりしない程度の粘着力を有するものが好ましい。特に、上記要求を満たし、室温で容易に接着できる接着層として、光硬化型接着層が好ましく用いられる。
【００３５】
次に、図２（ｂ）に示すように、第１の熱処理を行う。この第１の熱処理は、接着層２０に含まれる未硬化成分、または残溶剤の少なくとも一部を揮発させることを目的とするものである。第１の熱処理時の雰囲気は、例えば、大気雰囲気の他、窒素、Ａｒ等の不活性雰囲気、かつ減圧環境下で行うことができる。また、第１の熱処理時の温度としては、接着層２０に用いる材料と可撓性基板２２の耐熱温度のうち、低い方を上限とする。
【００３６】
次に、図２（ｃ）に示すように、基板３０の表面３０ａの一部である基板３０の露出部３０ｂ、接着層２０および可撓性基板２２の端部２３、および可撓性基板２２の表面を覆うように樹脂層２４を形成する。
この樹脂層２４は、例えば、ディップ成膜法、塗布成膜法、スピンコート成膜法を用いて形成される。これらの方法のうち、特に、１０μｍ以下の厚さの樹脂層２４を大面積に均一に形成できるという観点から、スピンコート成膜法が好ましい。
樹脂層２４は、可撓性基板２２表面の傷、オリゴマー、マット粒子等による表面凹凸を被覆するという観点から、厚さが０．５μｍ〜５．０μｍであることが好ましく、厚さが１．０μｍ〜３．０μｍであることがより好ましい。
【００３７】
樹脂層２４には、例えば、光硬化型または熱硬化型のアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂が用いられる。樹脂層２４となる樹脂としては、特に、硬化後の表面平坦性と樹脂層２４自身からの脱ガス性の観点から、アクリル酸メチルエステル、アクリル酸エチルエステル、アクリル酸ブチルエステル、アクリル酸２−エチルヘキシルエステルに代表されるアクリル酸エステル系樹脂を含む樹脂が好ましく用いられる。
【００３８】
樹脂層２４となる樹脂に熱硬化型の樹脂を用いる場合には、樹脂を塗布した後、後述する図２（ｄ）に示す第２の熱処理を行い硬化させて樹脂層２４を形成する。また、樹脂層２４となる樹脂に光硬化型の樹脂を用いる場合には、樹脂を塗布した後、プリベークを行い、塗布した樹脂を硬化させるために所定の波長および強度の光で露光した後に、後述する図２（ｄ）に示す第２の熱処理を行うことにより樹脂層２４を形成する。これにより、基板３０の表面３０ａの内側の接着層２０を介して可撓性基板２２が積層され、更に樹脂層２４で覆われた樹脂層付積層基板３４が形成される。なお、樹脂層付積層基板３４においては、ＴＤＳ（昇温脱離ガス分析）で得られた基板温度１００℃での全圧が基板温度５０℃での全圧の１００倍以下である。
【００３９】
図２（ｄ）に示すように第２の熱処理は、樹脂層２４に熱硬化型の樹脂を用いる場合には硬化させること、および樹脂層２４中の未硬化成分、または残溶剤の少なくとも一部を揮発させることを目的として行うものである。
第２の熱処理工程における熱処理時の雰囲気は、例えば、大気雰囲気の他、窒素、Ａｒ等の不活性雰囲気、かつ減圧環境下で行うことができ、温度としては接着層２０に用いる材料、可撓性基板２２、樹脂層２４に用いる材料の耐熱温度のうち、低い温度を上限として行う。
【００４０】
次に、図２（ｅ）に示すように、樹脂層２４の表面２４ａ、すなわち、樹脂層付積層基板３４の表面にＴＦＴ１４を形成する。この状態を、フレキシブル電子デバイス製造部材という。このフレキシブル電子デバイス製造部材は、フレキシブル電子デバイスを製造するための前駆体である。
【００４１】
ＴＦＴ１４は、少なくとも一部に真空プロセスを含む製造方法を用いて形成される。ＴＦＴ１４の形成には、電子素子の製造に一般的に利用されるフォトリソグラフィー技術を用いたパターニング等が用いられる。
また、ＴＦＴ１４の形成には、例えば、有機プラスチックフィルム上にＴＦＴを形成する方法として特開２０１０−１８６８６０号公報に記載されているような公知の方法を適宜用いることができる。なお、ＴＦＴ１４の各構成についても、特開２０１０−１８６８６０号公報に記載されているような構成とすることができる。
【００４２】
次に、図２（ｆ）に示すように、基板３０から可撓性基板２２を剥離する。これにより、フレキシブル電子デバイス１０が形成される。
基板３０から可撓性基板２２を剥離する際には、接着層２０に用いる材料により異なるが、例えば、紫外線照射により接着力を弱めた上で端部から剥離する方法、加熱処理により接着力を弱めた上で端部から剥離する方法、基板３０を温水に浸漬して端部から剥離する方法、可撓性基板２２の一端を把持しながら機械的に剥離する方法、可撓性基板２２の一部に切り込みを入れ、そこから空気等の気体を吹き込んで剥離する方法等がある。これらの方法のうち、基板１２となるもの、およびＴＦＴ１４に損傷を与えないような適切な方法が選択される。いずれの方法を用いる場合であっても、可撓性基板２２上に形成したＴＦＴ１４（電子素子）が損傷、破壊を受けないように可撓性基板２２の湾曲を抑制しながら剥離することが望ましい。
【００４３】
本発明において、寸法安定性に優れた支持基板３０とは、具体的には熱膨張係数が１０ｐｐｍ／℃以下、吸水率が０．１％以下の硬質で安定な基板のことを指す。基板３０としては、例えば、ソーダライムガラス、ホウケイ酸系ガラス、石英ガラスなどのガラス、アルミナ、ジルコニア、窒化シリコンなどのセラミックス、またはシリコンウェハなどにより構成されたものが含まれる。基板３０としては、特に、半導体や液晶ディスプレイの製造工程において、ごく一般的に用いられており、取り扱いが容易であるガラス基板が好ましい。
【００４４】
また、基板３０を可撓性基板２２に接着する接着層２０には、上述のように光硬化型接着層が好ましく用いられる。このため、基板３０は紫外線を透過することが望ましく、この点でもガラス基板が好ましい。ガラス基板の中でも、アルミノホウケイ酸塩ガラスに代表されるホウケイ酸系ガラスのガラス基板は、高弾性率かつ熱膨張係数が小さいためＴＦＴ１４（電子素子）形成時の位置精度を確保しやすいため、特に好ましく用いられる。
【００４５】
基板３０の厚さは、特に限定されるものではないが、機械的強度とハンドリングの容易性、運搬コスト等の観点から、０．１ｍｍ〜２．０ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍであることがより好ましい。
【００４６】
また、可撓性基板２２としては、例えば、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリカーボネート誘導体（帝人（株）：ＷＲＦ）、セルロース誘導体（セルローストリアセテート、セルロースジアセテート）、ポリオレフィン系樹脂（日本ゼオン（株）：ゼオノア、ゼオネックス）、ポリサルホン系樹脂（ポリエーテルサルホン）ノルボルネン系樹脂（ＪＳＲ（株）：アートン）、ポリエステル系樹脂（ＰＥＴ、ＰＥＮ）、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹、ポリエーテルケトン等などの可撓性を有する合成樹脂基板が好適である。
また、可撓性基板２２の厚さは、ハンドリングの容易性の観点から、１０μｍ〜２００μｍであることが好ましく、３０μｍ〜１５０μｍがより好ましい。
【００４７】
基板３０に可撓性基板２２を接着させた場合、可撓性基板２２を接着させた基板３０については、洗浄することにより余分な接着剤または粘着材を減らすことが好ましい。
洗浄の方法としては、例えば、界面活性剤を含む洗剤液中や純水中で超音波を照射し、その後に純水でリンスし、スピン乾燥する方法がある。洗浄に用いる洗浄液、超音波照射の強度、洗浄液の温度等は、使用する可撓性基板２２に応じて適宜選定し、可撓性基板２２にダメージをさせたり、接着層２０の強度を過度に落としたりしないよう適切な条件で行う必要がある。
【００４８】
本発明において、接着層２０からの脱ガスをさらに抑制するためには、基板３０に接着した可撓性基板２２の端部２３をテーパー状に形成して、テーパーを設けてもよい。このように端部２３にテーパーを設けることにより、樹脂層２４を形成する際、端部２３、および基板３０の露出部３０ｂでの樹脂の被覆性が向上し、接着層２０からの脱ガスをさらに抑制できる。
可撓性基板２２および接着層２０の端部２３にテーパーを設ける方法としては、高密度プラズマを用いたドライエッチング法が適している。高密度プラズマを得る手法にはマイクロ波や誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：ＩＣＰ）を用いたエッチング装置が適している。特に、ＩＣＰエッチング装置はプラズマの制御が容易であり、処理基板の大面積化にも対応できることから好適である。
【００４９】
なお、本実施形態において、真空プロセスを利用してＴＦＴ１４（電子素子）を形成しているが、この真空プロセスを利用してＴＦＴ１４（電子素子）を形成する工程とは、基板上にＴＦＴ１４（電子素子）を形成する工程において、少なくとも一部に真空プロセスを含むＴＦＴ１４（電子素子）の形成工程を示す。すなわち、必ずしもＴＦＴ１４（電子素子）の形成工程の全てが真空プロセスで行われる必要はなく、例えば、減圧ＣＶＤ法によりゲート絶縁膜の形成を行う電子素子の形成工程、またはスパッタ法、蒸着法もしくはＰＬＤ（パルスレーザデポジション）法により半導体活性層または電極の形成を行う工程が含まれていればよい。
また、本実施形態において、形成される電子素子は、電子素子作製プロセスの最高温度が、上述の第２の熱処理温度と同等か、それ以下であることが望ましく、低温プロセスで作製できるものが好ましい。このような低温プロセスで作製できるものとしては、例えば、アモルファスシリコン、低温ポリシリコン、アモルファス酸化物半導体を活性層としたＴＦＴがある。
【００５０】
本実施形態においては、第１の熱処理を行い接着層２０に含まれる未硬化成分または残溶剤の少なくとも一部を揮発させ、第２の熱処理を行い樹脂層２４中の未硬化成分または残溶剤の少なくとも一部を揮発させることにより、ＴＦＴ１４の形成の際の真空プロセスにおける脱ガスを抑制することができる。このため、電子素子として、ＴＦＴ１４を形成する場合、電子素子の主要な機能を担う半導体層の電気特性への影響が抑制され、半導体層の意図しない特性変化を抑止することができる。これにより、フレキシブル電子デバイス１０の分留まりを向上させることができ、高い歩留まりでフレキシブル電子デバイス１０を製造することができる。
【００５１】
また、寸法安定性に優れた支持基板３０から可撓性基板２２を剥離するだけでフレキシブル電子デバイス１０を製造することができることから、ＴＦＴ１４を破壊することが抑制される。しかも、寸法安定性に優れた支持基板３０に可撓性基板２２が積層されているため、樹脂層２４上にＴＦＴ１４を、パターニング精度等を高い精度で、すなわち、ＴＦＴ１４の各構成の位置精度を高く形成することができる。このようなことから、寸法精度等が良いＴＦＴ１４を有するフレキシブル電子デバイス１０を高い歩留まりで製造することができる。さらには、フレキシブル電子デバイス１０を得るに基板３０から可撓性基板２２を剥離するだけであるため、高精細、かつ大面積のフレキシブル電子デバイス１０を高い歩留まりで製造することができる。
このようなことから、フレキシブル電子デバイス１０は、上述のようにＴＦＴ１４の寸法精度が高く、しかもＴＦＴ１４を構成する半導体材料の特性も安定したものとなる。
【００５２】
本実施形態の樹脂層付積層基板３４を用いることにより、上述のことから真空プロセスにおける脱ガスを抑制することができるものであることは明らかであり、しかも、上述のように樹脂層２４上にＴＦＴ１４を高い寸法精度で形成することができることから、フレキシブル電子デバイス１０に好適に用いることができる。
なお、寸法安定性に優れた支持基板３０からＴＦＴ１４が形成された可撓性基板２２を剥離するだけでフレキシブル電子デバイス１０を得ることができる。しかも、ＴＦＴ１４はパターニング精度等の精度が良く、しかもＴＦＴ１４を構成する半導体材料の特性も安定したものであることから、フレキシブル電子デバイス製造部材は、フレキシブル電子デバイス１０を製造するための前駆体として好適である。
【００５３】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図５は、本発明の第２の実施形態のフレキシブル電子デバイスの製造方法で製造されたフレキシブル電子デバイスを示す模式的断面図である。
なお、本実施形態においては、図１に示す第１の実施形態のフレキシブル電子デバイス１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００５４】
図５に示す本実施形態のフレキシブル電子デバイス１０ａは、第１の実施形態のフレキシブル電子デバイス１０（図１参照）に比して、基板５０の構成が異なり、それ以外は第１の実施形態のフレキシブル電子デバイス１０と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
【００５５】
本実施形態のフレキシブル電子デバイス１０ａは、基板５０が第１の実施形態の基板１２に比して、樹脂層２４からの脱ガスをさらに抑制するために、樹脂層２４上に封止層２６が設けられたものである。この基板５０の表面５０ａにＴＦＴ１４が形成されている。
この封止層２６の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化炭化シリコン、窒化炭化シリコン、酸化窒化炭化シリコン、酸化ゲルマニウム、窒化ゲルマニウム、酸化窒化ゲルマニウム、酸化炭化ゲルマニウム、窒化炭化ゲルマニウム、酸化窒化炭化ゲルマニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化炭化アルミニウム、窒化炭化アルミニウム、酸化窒化炭化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム等のガスバリア性に優れる材料が用いられる。
また、封止層２６の厚さは、封止効果を充分に得るという観点から、３０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上がより好ましい。
【００５６】
次に、本実施形態のフレキシブル電子デバイス１０ａの製造方法について説明する。
図６（ａ）〜（ｇ）は、本発明の第２の実施形態のフレキシブル電子デバイスの製造方法を工程順に示す模式図である。
なお、本実施形態においては、図６（ａ）〜（ｄ）の工程は、上述の第１の実施形態の図２（ａ）〜（ｄ）と同一の工程であるため、その詳細な説明は省略する。このため、図６（ｅ）の工程から説明する。
【００５７】
本実施形態においては、図６（ｅ）に示すように、樹脂層２４を覆うように封止層２６を形成する。これにより、基板３０の表面３０ａの内側の接着層２０を介して可撓性基板２２が積層され、更に樹脂層２４で覆われ、この樹脂層２４上に封止層２６が形成された樹脂層付積層基板３６が形成される。この樹脂層付積層基板３６においても、ＴＤＳ（昇温脱離ガス分析）で得られた基板温度１００℃での全圧が基板温度５０℃での全圧の１００倍以下である。
次に、図６（ｆ）に示すように、封止層２６の表面２６ａ、すなわち、樹脂層付積層基板３６の表面にＴＦＴ１４を形成する。この状態を、フレキシブル電子デバイス製造部材という。その後、図６（ｇ）に示すように、基板３０を可撓性基板２２から剥離する。これにより、フレキシブル電子デバイス１０ａが作製される。
本実施形態の図６（ｆ）に示すＴＦＴ１４の作製工程、図６（ｇ）に示す基板３０の剥離工程は、上述の第１の実施形態の図４（ｅ）、（ｆ）と同一の工程であるため、その詳細な説明は省略する。
【００５８】
本実施形態において、封止層２６の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、ＰＬＤ（パルスレーザデポジション）法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法等の成膜方法を用いることができる。
特に、基板３０と可撓性基板２２の全面を封止できることから、封止層２６の形成方法としては、ＣＶＤ法およびゾルゲル法による成膜法が好ましい。上述のいずれの成膜方法においても、封止層２６の成膜工程の最高温度は、上述の第２の熱処理温度と同等か、それ以下であることが望ましい。
【００５９】
また、封止層２６の形成を真空プロセスで行う場合は、成膜チャンバとして、ロードロックチャンバを有する真空装置を用いることが好ましく、成膜チャンバに、接着層２０を介して可撓性基板２２が接着され、更に樹脂層２４が形成された基板を移送する前に十二分に脱ガスを行うことが好ましい。
【００６０】
本実施形態においては、基本的に上述の第１の実施形態の効果を得ることができる。このため、その詳細な説明は省略する。
さらに、本実施形態においては、封止層２６を設けることにより、真空プロセスでの脱ガスを更に抑制することができる。これにより、ＴＦＴ１４を形成する場合、半導体層の意図しない特性変化を更に抑止することができ、フレキシブル電子デバイス１０ａの分留まりを更に向上させることができ、更に高い歩留まりでフレキシブル電子デバイス１０ａを製造することができる。
なお、本実施形態の樹脂層付積層基板３６も、第１の実施形態の樹脂層付積層基板３４と同様に、フレキシブル電子デバイス１０ａに好適に用いることができる。
【００６１】
なお、上述のいずれの実施形態においても、ＴＦＴ１４を形成した後、第２の熱処理における熱処理温度以下の温度で熱処理する第３の熱処理を行ってもよい（第３の熱処理工程）。
また、上述のいずれの実施形態においても、電子素子としてＴＦＴ１４を例にしたが、これに限定されるものではなく、薄膜コンデンサ、薄膜ＬＥＤ、薄膜光電変換素子など、各種電子素子を作製することができる。
【００６２】
本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明のフレキシブル電子デバイスの製造方法および樹脂層付積層基板、ならびにフレキシブル電子デバイスについて詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。
【実施例】
【００６３】
以下、実施例１および比較例１〜３を挙げて本発明の効果（特徴）を明らかにするが、本発明は、以下に示す実施例１および比較例１〜３によって何ら制限されるものではない。まず、実施例１、比較例１〜３について説明する。
【００６４】
＜実施例１＞
実施例１は、図７（ａ）に示す試料６０を下記のようにして作製したものであり、この試料６０について、電子科学社製ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓを用いて昇温脱離ガス分析（ＴＤＳ）を行った。
実施例１においては、まず、大きさが１０ｍｍ□×１ｍｍ（厚さ）の合成石英ガラス基板６２（トータルファインガラス株式会社製：Ｔ−４０４０）に、光硬化型のアクリル系接着剤を用いた接着層６４を介して、可撓性基板６４として、大きさが８ｍｍ□×１００μｍ（厚さ）のＰＥＮフイルム（帝人デュポンフィルム株式会社製：Ｑ６５ＦＡ）を貼り付けた。その後、紫外線露光機（低圧水銀ランプ光源）を用いてＵＶ光を露光量３６０ｍＪ／ｃｍ２で照射して接着し、貼付試料を得た。
次いで、貼付試料に界面活性剤とグリコールエーテルを含む洗浄液および純水中で順次超音波照射し、余分な接着剤を除いた上で、大気中で１２０℃、１時間の熱処理を施した。
次に、この貼付試料上に樹脂材（ＪＳＲ株式会社製：ＪＥＭ−５３１）をスピンコート成膜し、温度９０℃、３分間のプリベークを行い、その後、ＵＶ光を露光量１４０ｍＪ／ｃｍ２で照射し、温度２１０℃で１時間のポストベークを行って、樹脂層６８を形成した。このようにして、図７（ａ）に示す試料６０を作製した。
次に、作製した試料６０に対して、Ｍ／ｚ＝１〜１９９のガス種についてＴＤＳ（昇温脱離ガス分析）した。その結果を図７（ｂ）に示す。
【００６５】
＜比較例１＞
比較例１は、図８（ａ）に示す試料７０を下記のようにして作製したものであり、この試料７０について、電子科学社製ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓを用いて昇温脱離ガス分析（ＴＤＳ）を行った。
比較例１の試料７０は、実施例１で用いた基板６２と同じ合成石英ガラス基板を２枚、実施例１で接着層６４に用いたものと同じ光硬化型のアクリル系接着剤を介して貼り合わせたものである。
比較例１においては、実施例１と同じ接着層６４を形成する条件で露光、洗浄および加熱処理を行い、２枚の合成石英ガラス基板を貼り合せて、図８（ａ）に示す試料７０を作製した。
次に、作製した試料７０に対して、Ｍ／ｚ＝１〜１９９のガス種についてＴＤＳを行った。その結果を図８（ｂ）に示す。
【００６６】
＜比較例２＞
比較例２は、図９（ａ）に示す試料７２を下記のようにして作製したものであり、この試料７２について、電子科学社製ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓを用いて昇温脱離ガス分析（ＴＤＳ）を行った。
比較例２の図９（ａ）に試料７２は、実施例１で用いた基板６２と同じ合成石英ガラス基板上に、実施例１で用いた樹脂層６８と同じ樹脂材を用いて同様の方法で樹脂層６８が形成されたものである。この比較例２は、樹脂層付合成石英ガラス基板である。
次に、作製した試料７２に対して、Ｍ／ｚ＝１〜１９９のガス種についてＴＤＳを行った。その結果を図９（ｂ）に示す。
【００６７】
＜比較例３＞
比較例３は、図１０（ａ）に示す試料７４について、電子科学社製ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓを用いて昇温脱離ガス分析（ＴＤＳ）を行った。
比較例３は、実施例１で可撓性基板６６として用いたものと同じＰＥＮフイルムを１０ｍｍ□に切り出した、単体のＰＥＮフイルムで構成されるものである。
比較例３では、試料７４について、Ｍ／ｚ＝１〜１９９のガス種についてＴＤＳを行った。その結果を図１０（ｂ）に示す。
【００６８】
本実施例において、実施例１は、比較例１に対して、図７（ｂ）に示すように、接着剤起因の有機物の脱ガスＭ／ｚ＝２７、３９、４１、９３が、特に１００℃近辺の低温域で大幅に減っているほか、水に起因すると考えられるＭ／ｚ＝１７、１８の脱ガスも減っており、熱処理と樹脂層による封止効果で、接着剤からの脱ガスを大幅に抑制できることが示された。なお、実施例１は、図７（ｂ）に示すように、ＴＤＳの結果、基板温度１００℃での全圧が基板温度５０℃での全圧の１００倍以下である。
一方、比較例１では、図８（ｂ）に示すように、有機物の脱ガスと見られるＭ／ｚ＝２７、３９、４１、９３と、水に起因すると見られるＭ／ｚ＝１７、１８の多量の脱ガスが確認された。有機物と見られるＭ／ｚ＝２７、３９、４１、９３の具体は明らかではないものの、合成石英ガラス基板の接着に用いた光硬化型アクリル系接着剤の未硬化成分に起因するものと考えられる。脱ガスは１００℃近辺の低温域でピークを示し、事前に１２０℃で熱処理したにも関わらず、接着剤からの脱ガスが十分に抑制できていないことが示された。
【００６９】
比較例２は、樹脂層付合成石英ガラス基板であり、実施例１、比較例１と同様にＴＤＳをした結果、低温におけるＭ／ｚ＝１７、１８、２７、３９、４１、９３の脱ガスは少なく、実施例１で得られたＴＤＳの測定結果が比較例２の測定結果同様、１００℃近辺で接着剤の有機物に起因すると見られるピークを有さないことから、実施例１および比較例２で用いた樹脂層６８を用いることで、接着剤からの脱ガスを抑制できることが示された。
また、比較例３においては、実施例１、比較例１〜２と同様にＭ／ｚ＝１７、１８、２７、３９、４１、９３に着目したところ、１００℃〜１５０℃にかけて水に起因すると考えられるＭ／ｚ＝１７、１８の脱ガスが見られ、２００℃程度でＭ／ｚ＝２７の脱ガスが見られたが、Ｍ／ｚ＝３９、４１、９３は、比較例３の測定温度範囲内では検出限界以下であった。
【００７０】
以上のように、本発明の構成である実施例１においては、接着剤起因の有機物の脱ガスおよび水に起因すると考えられる脱ガスも減っており、熱処理と樹脂層による封止効果により、接着剤からの脱ガスを大幅に抑制できることは明らかである。
【符号の説明】
【００７１】
１０、１０ａ  フレキシブル電子デバイス
１２，５０  基板
１４  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
２０  接着層
２２  可撓性基板
２４  樹脂層
２６  封止層
３０  寸法安定性に優れた支持基板（基板）
４０  ゲート電極
４２  ゲート絶縁膜
４４  活性層
４６ａ  ソース電極
４６ｂ  ドレイン電極
【図１】
2012138547.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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