(57)【要約】【課題】  絶縁基板に所定パターンの半導体膜を形成した際でも、絶縁基板の反りなど変形を抑制した表示装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  半導体膜が成膜される絶縁基板を用いた表示装置の製造方法において、前記絶縁基板に半導体膜を成膜する前に、前記半導体膜を形成する領域を取り囲み、前記絶縁基板の平面に沿って凹凸形状を有し、かつ前記半導体膜の膜厚より高い壁構造を形成することを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板を有する表示装置の製造方法において、
前記絶縁基板には半導体膜が成膜され、
前記絶縁基板に前記半導体膜を成膜する前に、前記半導体膜を形成する領域を取り囲み、前記絶縁基板の平面に沿って凹凸形状を有し、かつ前記半導体膜の膜厚より高い壁構造を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置の製造方法において、前記絶縁基板は、ガラス基板であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法において、前記半導体膜は、レジスト膜を用いて所定パターン状に成膜され、成膜後、前記レジスト膜が除去されるものであることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記半導体膜は、アモルファス・シリコン膜であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記絶縁基板と前記半導体膜との間に、前記絶縁基板に接して下地絶縁膜を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記表示装置が、液晶表示装置、又は有機エレクトロルミネッセンス表示装置であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置の製造方法に関し、特に、半導体膜が成膜される絶縁基板を用いた表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、デジタルカメラ、マルチメディアプレーヤーなど、多くの携帯型の情報機器の表示装置に液晶モジュール（液晶表示装置）、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの各種表示装置が利用されている。
【０００３】
これらの表示装置には、ガラスや樹脂による絶縁基板が表示パネルの一部に利用され、該絶縁基板の表面には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、各画素電極を駆動するスイッチング素子として用いられている。
【０００４】
絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成するには、図１に示すように、例えばガラス基板などの絶縁基板の上に、アモルファス・シリコンなどの半導体膜を形成する。半導体膜は、通常、フォトレジストなどのレジスト膜を用いて微細な所定のパターン形状に形成される。
【０００５】
絶縁基板上に半導体膜を成膜する際や、レジスト膜を除去する際に、図２（ａ）のように、半導体膜と絶縁基板との熱膨張率が異なるため、半導体膜の膜応力により、図２（ｂ）のように、絶縁基板に反りが発生する。特に、レジスト膜を剥離することにより、半導体膜の膜応力が開放された際には、絶縁基板が凹型に反る変形が生じ易い。その結果、当該絶縁基板を次工程に投入できないという問題が生じる。
【０００６】
従来、表示装置に用いる絶縁基板としては、厚さが０．２ｍｍから０．５ｍｍ程度のガラス基板が主に使われているが、当該ガラス基板において、上記の問題が顕著に生じている。
【０００７】
また、表示装置を製造する際に使用される絶縁基板自体も大型化しており、このような大型の絶縁基板に半導体膜を形成した場合にも反りの問題が生じている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の解決しようとする課題は、上述した問題を解消し、絶縁基板に所定パターンの半導体膜を形成した際でも、絶縁基板の反りなど変形を抑制した表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するため、以下のような手段が利用可能である。
（１）  絶縁基板を有する表示装置の製造方法において、前記絶縁基板には半導体膜が成膜され、前記絶縁基板に前記半導体膜を成膜する前に、前記半導体膜を形成する領域を取り囲み、前記絶縁基板の平面に沿って凹凸形状を有し、かつ前記半導体膜の膜厚より高い壁構造を形成することを特徴とする。
【００１０】
（２）  上記（１）に記載の表示装置の製造方法において、前記絶縁基板は、ガラス基板であることを特徴とする。
（３）  上記（１）又は（２）に記載の表示装置の製造方法において、前記半導体膜は、レジスト膜を用いて所定パターン状に成膜され、成膜後、前記レジスト膜が除去されるものであることを特徴とする。
【００１１】
（４）  上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記半導体膜は、アモルファス・シリコン膜であることを特徴とする。
（５）  上記（１）乃至（４）のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記絶縁基板と前記半導体膜との間に、前記絶縁基板に接して下地絶縁膜を形成することを特徴とする。
【００１２】
（６）  上記（１）乃至（５）のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、前記表示装置が、液晶表示装置、又は有機エレクトロルミネッセンス表示装置であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のように、半導体膜を形成する領域を取り囲み、該絶縁基板の平面に沿って凹凸形状を有し、かつ該半導体膜の膜厚より高い壁構造を絶縁基板に形成するため、半導体膜の膜応力により絶縁基板に加わる応力を、該壁構造が受け止め、絶縁基板の変形を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】絶縁基板上に半導体膜を形成した状態を示す平面図である。
【図２】図１に示した絶縁基板と半導体膜との関係を示す断面図であり、（ａ）は両者間の熱膨張の差の様子を説明する図であり、（ｂ）は半導体膜の膜応力により絶縁基板が変形する様子を説明する図である。
【図３】本発明の表示装置の製造方法で使用される壁構造を説明する図である。
【図４】図３に示した壁構造の断面の一例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明に係る表示装置の製造方法について、以下に詳細に説明する。
本発明の表示装置の製造方法は、図３に示すように、半導体膜が成膜される絶縁基板を有する表示装置の製造方法において、絶縁基板上に半導体膜を成膜する前に、該半導体膜を形成する領域を取り囲み、該絶縁基板の平面に沿って凹凸形状を有し、かつ該半導体膜の膜厚より高い壁構造を形成することを特徴とする。
【００１６】
図３の左側に示す図は、絶縁基板上に半導体膜を形成した様子を示しており、点線で囲んだ半導体膜の周辺領域の様子を拡大した図を、図３の右側に示している。本発明の特徴は、図３の右側に示した壁構造にある。半導体膜の周りに、凹凸形状を有する壁構造が形成される。
【００１７】
絶縁基板に半導体膜を成膜した際や、半導体膜に所定のパターンを形成し、パターン形成時に使用したレジスト膜を除去した際に、半導体膜と絶縁基板との熱膨張率の差により、半導体膜の膜応力で絶縁基板に変形が発生する。例えば、図２（ｂ）のように、半導体膜の縁が下側に反る場合、半導体膜の上側で膨張、下側で圧縮が起きている。この際に、図３の壁構造を形成している場合には、壁の側面Ａで圧縮が起き、また側面Ａの内側では膨張が起こり側面Ａは外側へ曲がろうとする。同時に、側面Ａに隣合う側面Ｂ、Ｃも同様に圧縮、膨張をしており、側面Ａの圧縮を妨げるように作用し合う。この様な凹凸形状の壁構造を、半導体膜を取り囲む全周に渡り形成することで、半導体膜の膜応力による絶縁基板の変形を抑制することが可能である。
【００１８】
絶縁基板には、主に厚さが０．２ｍｍから０．５ｍｍ程度のガラス基板を利用することが可能である。
特に、１枚の基板面積が５０００ｃｍ２以上の大型の絶縁基板を用いる場合には、半導体膜の膜応力の影響が顕著となり、製造工程における絶縁基板の反りのため、製造の歩留まりが低下するなどの不具合を生じる。
【００１９】
壁構造は、半導体膜と同様な材料、例えば、アモルファス・シリコンなどを利用して形成することができる。当然、絶縁基板と結合でき、外部応力に強い素材であるなら、金属や結晶材料を用いることも可能である。壁構造の製造方法は、壁材料を絶縁基板上に一様に成膜した後、フォトレジストなどのレジスト膜でパターン形成し、エッチングで不要な材料を除去して壁を形成する方法や、レジスト膜でパターニングした後、壁材料を成膜し、レジスト膜を除去して壁を形成する方法などがある。
【００２０】
図４は、図３の壁構造を、一点鎖線Ｘ−Ｘ'における断面として示したものである。半導体膜に対して、絶縁基板上に立設されるように壁構造が形成されている。半導体膜の厚みｄと比較し、壁構造の高さｈは十分大きくする必要があり、例えば、２倍以上、好ましくは５倍以上に設定することが好ましい。例えば、半導体膜の厚みｄが０．６μｍ程度であり、壁構造の高さｈが４μｍ程度である。
【００２１】
壁構造の平面形状（絶縁基板に沿った形状）は、図３に示すように、方形のジグザグ形状に限らず、三角を組み合わせたジグザグ形状など、各種の直線的な凹凸形状でも良いし、曲線による凹凸形状を採用することも可能である。
【００２２】
半導体膜としては、アモルファス・シリコンや、微結晶シリコン、低温ポリシリコンなど各種の膜体が利用可能であり、特にアモルファス・シリコンの場合には、絶縁基板に与える膜応力が大きくなるため、本発明の製造方法を提供することが好ましい。
【００２３】
半導体膜は、通常、絶縁基板上に直接成膜されない。例えば、ガラス基板上にＳｉＮなどの下地絶縁膜を形成し、Ｍｏ，Ｔａなどで構成されるゲート電極を形成し、さらに、ゲート電極の上側には、Ｓｉ，ＳｉＮ，ＳｉＯ２などのゲート絶縁膜を形成する。そして、そのゲート絶縁膜の上に、半導体膜が形成される。
【００２４】
壁構造は、半導体膜を形成する前であれば、いずれの工程の間に形成しても良いし、また、各工程と同時に、各工程で使用する材料と同じ材料を用いて、壁を積層しながら形成することも可能である。さらに、全ての膜体を形成する前に、上述した方法を用いて、絶縁基板上に壁構造を形成し、その後、下地絶縁膜から順次、膜体を形成することも可能である。また、上述の説明では、壁構造と半導体膜とは、絶縁基板の同じ面に形成されていたが、壁構造を絶縁基板の裏側に形成し、半導体膜を同基板の表面に形成することも可能である。
【００２５】
絶縁基板上に必要な膜体を全て形成した後、表示パネルに使用する基板毎にカッティングされる。その際、壁構造部分は不要部分として廃棄される。また、液晶表示装置のように、他の基板（対向基板）と重ね合わせた状態でカッティングすることも可能である。
【００２６】
本発明の表示装置の製造方法は、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置に使用される半導体膜が成膜される絶縁基板を形成する際に、特に、高精細なトランジスタ回路及び配線を形成する際には、好適に利用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
以上のように、本発明によれば、絶縁基板に所定パターンの半導体膜を形成した際でも、絶縁基板の反りなど変形を抑制した表示装置の製造方法を提供することが可能となる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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