(57)【要約】【課題】配線に損傷を与えずに安定して配線の一部を無機膜から露出させることを目的とする。【解決手段】基板１２に有機材料からなるエレクトロルミネッセンス層３２を含む有機膜４６及び配線４４を形成する。有機膜４６及び配線４４を覆うように封止用の無機膜３６を形成する。無機膜３６に線５０を描くようにレーザー光Ｌを照射する。無機膜３６に粘着材５６を貼り付ける。粘着材５６に基板１２から離れる方向の力を加えて、無機膜３６の粘着材５６に貼り付けられた部分を線５０に沿って切断しながら剥離する。配線４４は、有機膜４６の形成領域の内側及び外側に形成する。無機膜３６は有機膜４６の形成領域の内側及び外側で配線４４を覆うように形成する。レーザー光Ｌは線５０が配線４４の上方を通るように照射する。無機膜３６の剥離される部分は、有機膜４６の形成領域の外側で配線４４の一部を覆う部分である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に、有機材料からなるエレクトロルミネッセンス層を含む有機膜及び配線を形成する工程と、
前記有機膜及び前記配線を覆うように封止用の無機膜を形成する工程と、
前記無機膜に線を描くようにレーザー光を照射する工程と、
前記無機膜に粘着材を貼り付ける工程と、
前記粘着材に前記基板から離れる方向の力を加えて、前記無機膜の前記粘着材に貼り付けられた部分を、前記線に沿って切断しながら剥離する工程と、
を含み、
前記配線は、前記有機膜の形成領域の内側及び外側に形成し、
前記無機膜は、前記有機膜の形成領域の前記内側及び前記外側で前記配線を覆うように形成し、
前記レーザー光は、前記線が前記配線の上方を通るように照射し、
前記無機膜の前記剥離される部分は、前記有機膜の形成領域の前記外側で前記配線の一部を覆う部分であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記レーザー光の波長は、３５０ｎｍ以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記レーザー光によって描かれる前記線は、実線及び破線の少なくとも一方であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記無機膜は、ＳｉＮ膜であり、
前記配線は、少なくともアルミニウムからなる層を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記レーザー光によって描かれる前記線は、前記無機膜の前記剥離される部分の輪郭上の相互に対向する二本の線であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記無機膜を、前記配線の前記無機膜を向く面から剥離することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記無機膜を、前記配線の前記基板から立ち上がる側面からも剥離することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造プロセスでは、発光層である有機膜の酸化や吸湿による劣化を防止するために、封止基板の接着や薄膜の保護膜の形成によって、有機膜を封止している。保護膜による封止では、封止工程後に外部回路と電気的接続を行う端子部分の配線を露出させる処理が必要であった（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−０４８６７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来、ガラス基板上の配線を部分的に保護膜から露出させるために保護膜としての無機膜（例えばＳｉＮ膜）を除去する。保護膜は粘着テープを貼り付けてから引き剥がせばガラス基板上から剥離可能であり、カッターによる引っ掻きにより、剥離する部分と剥離しない部分との境界を作り、配線を露出させる部分の保護膜を粘着テープで剥離している。
【０００５】
しかし、カッターによる引っ掻きにより保護膜の下のアルミ配線が損傷すると、導通不良になるという問題があった。また、保護膜の膜質や、カッターの押し付け圧力や、引っ掻き速度などによって、保護膜の分断状態が不安定になるという問題もあった。
【０００６】
本発明は、配線に損傷を与えずに安定して配線の一部を無機膜から露出させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、基板に、有機材料からなるエレクトロルミネッセンス層を含む有機膜及び配線を形成する工程と、前記有機膜及び前記配線を覆うように封止用の無機膜を形成する工程と、前記無機膜に線を描くようにレーザー光を照射する工程と、前記無機膜に粘着材を貼り付ける工程と、前記粘着材に前記基板から離れる方向の力を加えて、前記無機膜の前記粘着材に貼り付けられた部分を、前記線に沿って切断しながら剥離する工程と、を含み、前記配線は、前記有機膜の形成領域の内側及び外側に形成し、前記無機膜は、前記有機膜の形成領域の前記内側及び前記外側で前記配線を覆うように形成し、前記レーザー光は、前記線が前記配線の上方を通るように照射し、前記無機膜の前記剥離される部分は、前記有機膜の形成領域の前記外側で前記配線の一部を覆う部分であることを特徴とする。本発明によれば、レーザー光によって無機膜を切断しやすくするので、配線に損傷を与えずに安定して配線の一部を無機膜から露出させることができる。
【０００８】
（２）（１）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記レーザー光の波長は、３５０ｎｍ以下であることを特徴としてもよい。
【０００９】
（３）（１）又は（２）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記レーザー光によって描かれる前記線は、実線及び破線の少なくとも一方であることを特徴としてもよい。
【００１０】
（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記無機膜は、ＳｉＮ膜であり、前記配線は、少なくともアルミニウムからなる層を含むことを特徴としてもよい。
【００１１】
（５）（１）から（４）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記レーザー光によって描かれる前記線は、前記無機膜の前記剥離される部分の輪郭上の相互に対向する二本の線であることを特徴としてもよい。
【００１２】
（６）（１）から（５）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記無機膜を、前記配線の前記無機膜を向く面から剥離することを特徴としてもよい。
【００１３】
（７）（６）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記無機膜を、前記配線の前記基板から立ち上がる側面からも剥離することを特徴としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態に係る方法によって製造された有機エレクトロルミネッセンス表示装置を示す平面図である。
【図２】図１に示す表示領域の一部を拡大した断面図である。
【図３】レーザー光の照射を説明する図である。
【図４】レーザー光が照射された無機膜を示す図である。
【図５】無機膜の剥離を説明する図である。
【図６】無機膜から露出した配線を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１６】
図１は、本発明の実施形態に係る方法によって製造された有機エレクトロルミネッセンス表示装置を示す平面図である。表示装置は、表示領域１０を有している。表示領域１０で画像が表示されるようになっている。有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、テレビ受像機、パーソナルコンピュータ用モニタ、ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）、携帯電話機、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーション用モニタなどに使用することができる。
【００１７】
図２は、図１に示す表示領域の一部を拡大した断面図である。有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、ガラス等からなる基板１２を有する。基板１２上には、半導体薄膜１４が形成され、その上方に絶縁膜１６を介してゲート電極１８が形成され、半導体薄膜１４に導通するようにソース／ドレイン電極２０が形成されることで、薄膜トランジスタ２２が構成されている。なお、薄膜トランジスタ２２を覆うように層間絶縁膜２４が形成されている。
【００１８】
薄膜トランジスタ２２によって、画素電極２６（例えば陽極電極）が駆動されるようになっている。画素電極２６の一部を開口させるように、例えば有機材料からなるバンク層２８が形成されている。バンク層２８の開口で画素電極２６に載るように正孔輸送層３０が形成され、その上に、エレクトロルミネッセンス層（発光層）３２が形成されている。複数の画素電極２６に載るように複数のエレクトロルミネッセンス層３２が形成されている。エレクトロルミネッセンス層３２は、電圧をかけることにより発光する周知の有機材料からなる。エレクトロルミネッセンス層３２の上には、共通電極３４（例えば陰極電極）が形成されている。共通電極３４の上には、無機膜３６が形成されている。無機膜３６は、特に、エレクトロルミネッセンス層３２を封止している。これにより、エレクトロルミネッセンス層３２を水分や酸素から遮断して劣化を防いでいる。
【００１９】
図１に示すように、表示領域１０を囲む額縁領域３８には、周辺回路４０が形成されている。周辺回路４０は、図示しない走査線駆動回路を含み、図示しない走査線に電気的に接続されている。複数の走査線が額縁領域３８から表示領域１０に延びるようになっており、走査信号が供給されるようになっている。
【００２０】
額縁領域３８から表示領域１０に延びるように、図示しない電源線が設けられている。電源線は、上述したソース／ドレイン電極２０に電気的に接続されており、画素電極２６を介してエレクトロルミネッセンス層３２に電流が供給される。
【００２１】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、外部との電気的接続のための外部端子４２を有する。外部端子４２は、額縁領域３８から延びる配線４４の一部である。配線４４は、ゲート電極１８、ソース／ドレイン電極２０、共通電極３４、画素電極２６、周辺回路４０などに電気的に接続される。外部端子４２は、無機膜３６から露出している。
【００２２】
次に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明する。本実施形態では、基板１２に、有機膜４６及び配線４４を形成する（図２参照）。有機膜４６は、少なくとも、エレクトロルミネッセンス層３２を含む。配線４４は、ゲート電極１８、ソース／ドレイン電極２０、共通電極３４、画素電極２６、周辺回路４０などから延びるように形成する。そのため、配線４４は、有機膜４６の形成領域の内側（表示領域１０）及び外側（額縁領域３８）に形成する。配線４４は、少なくともアルミニウムからなる層を含み、さらにモリブデンからなる層を含んでもよい。また、基板１２の上にＳｉＮ下地膜（例えば絶縁膜１６及び層間絶縁膜２４の少なくとも一方）を形成し、その上に配線４４を形成してもよい。
【００２３】
有機膜４６及び配線４４を覆うように封止用の無機膜３６を形成する。無機膜３６は、有機膜４６を水分や酸素から遮断して保護する。無機膜３６として、酸素を含まないＳｉＮ膜を形成することが好ましい。無機膜３６は、有機膜４６の形成領域の内側及び外側で配線４４を覆うように形成する。なお、複数の無機膜３６を積層してもよい。無機膜３６の上に封止のための有機材料層を形成してもよいが、後述するレーザー光を照射する領域には有機材料層を形成しない。
【００２４】
図３に示すように、無機膜３６にレーザー光Ｌを照射する。レーザー光Ｌは、外部端子４２の形成領域（図１参照）に照射する。レーザー光Ｌは配線４４の上方を通るように照射する。照射するレーザー光Ｌの波長は、３５０ｎｍ以下である。例えば、ＹＡＧレーザーの第４高調波の波長は２６６ｎｍ、ＸｅＣｌエキシマレーザーの波長は３０８ｎｍ、ＫｒＦエキシマレーザーの波長は２４８ｎｍであり、いずれかのレーザー４８を使用することができる。
【００２５】
特に、波長が３００ｎｍ以下のレーザー光Ｌのエネルギーは、ＳｉＮ膜に１００％吸収される。これに対して、３５０ｎｍ以下の波長のレーザー光Ｌのエネルギーはアルミニウム膜には吸収されにくい（反射される）。アルミニウム膜にエネルギーを吸収させるレーザー光は、波長が１０００ｎｍ以上である。
【００２６】
図４は、レーザー光Ｌの軌跡を説明する図である。レーザー光Ｌは線５０を描くように照射する。レーザー光Ｌによって描かれる線５０は、実線５２及び破線（又は点線）５４の少なくとも一方である。レーザー光Ｌによって描かれる線５０は、無機膜３６の剥離される部分の輪郭上の相互に対向する二本の線を含む。レーザー光Ｌは、線５０が配線４４の上方を通る（交差する）ように照射する。
【００２７】
無機膜３６に粘着材５６（例えば粘着テープ）を貼り付ける。そして、図５に示すように、粘着材５６に基板１２から離れる方向の力を加えて、無機膜３６の粘着材５６に貼り付けられた部分を、線５０に沿って切断しながら剥離する。無機膜３６の剥離される部分は、有機膜４６の形成領域の外側（図１に示す額縁領域３８）で配線４４の一部を覆う部分である。無機膜３６を、配線４４の無機膜３６を向く面から剥離する。無機膜３６は、配線４４の基板１２から立ち上がる側面からも剥離する。配線４４の下にＳｉＮからなる下地膜を形成した場合であって、無機膜３６もＳｉＮからなる場合、無機膜３６と下地膜が一体化するので、両者を一体的に剥離する。こうして、図６に示すように、配線４４の一部を無機膜３６から露出させて、この露出部分を外部端子４２として使用することができる。
【００２８】
本実施形態によれば、レーザー光Ｌによって無機膜３６を切断しやすくするので、配線４４に損傷を与えずに安定して配線４４の一部を無機膜３６から露出させることができる。さらに、カッターなどによる物理的な接触が無いので基板１２に傷を付けることもない。
【００２９】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００３０】
Ｌ  レーザー光、１０  表示領域、１２  基板、１４  半導体薄膜、１６  絶縁膜、１８  ゲート電極、２０  ソース／ドレイン電極、２２  薄膜トランジスタ、２４  層間絶縁膜、２６  画素電極、２８  バンク層、３０  正孔輸送層、３２  レクトロルミネッセンス層、３４  共通電極、３６  無機膜、３８  額縁領域、４０  周辺回路、４２  外部端子、４４  配線、４６  有機膜、４８  レーザー、５０  線、５２  実線、５４  破線、５６  粘着材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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