(57)【要約】      （修正有）【課題】成形プロセスを使用して製造されたドームを有する発光ダイオードパッケージ及び当該発光ダイオードパッケージを製造する方法を提供する。【解決手段】発光ダイオードパッケージ１０は、基板１２と、基板に搭載された発光ダイオードダイ１４と、発光ダイオードダイを包囲するように構成された、基板上のフレーム１６と、発光ダイオードダイ及び基板に結合されたワイヤ１８と、発光ダイオードダイを封入するレンズとして構成された透明ドーム２０と、を備える。当該発光ダイオードパッケージの製造方法は、基板を提供するステップと、基板に周囲形状を有するフレームを形成するステップと、周囲形状によって包囲された、基板に少なくとも１つの発光ダイオードダイを取り付けるステップと、発光ダイオードダイを封入するための透明ドーム及びレンズを形成するように構成されたフレームに透明封入物質をディスペンシングするステップと、を含む。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を提供するステップと、
前記基板にフレームを形成するステップと、
前記フレームに近接して前記基板に発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを取り付けるステップと、
前記発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ及び前記基板にワイヤをワイヤ結合するステップと、
発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを封入するための透明ドーム及びレンズを形成するように構成された前記フレームに透明封入物質をディスペンシングするステップと、
を含むことを特徴とする、発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージを製造する方法。
【請求項２】
前記フレームは、前記発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを包囲すると共に前記ディスペンシングステップの間に前記透明ドームを位置付け、支持し、且つ、形作るように構成されている周囲形状を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記取り付けるステップは、複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを前記基板に取り付けることを含んでおり、前記フレームが前記複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを包囲するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイのうちの少なくとも１つが、残りの前記複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイと異なる発光特性を有することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ディスペンシングステップの前に前記発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイに波長変換層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記形成ステップは、物質ディスペンシングシステム、プリンティング、ジェット噴射、スプレー、化学気相体積（ＣＶＤ）、熱蒸着、電子ビーム蒸着及び付着を使用する、スピンコーティング、リソグラフィ、浸漬コーティング、ディスペンシングからなる群から選択されたプロセスを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ディスペンシングステップは、スクリーンプリンティング、精密ディスペンシング、スタンピング、スプレー及びジェット噴射からなる群から選択されるプロセスを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
複数の基板を備える半導体ウエハ又はその一部に前記基板が含まれており、
前記ディスペンシングステップの後に前記ウエハから前記基板を分離するように、前記ウエハを分離するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板を提供するステップと、
周囲形状を有するフレームを前記基板に形成するステップと、
前記周囲形状によって包囲された少なくとも１つの発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを前記基板に取り付けるステップと、
前記発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを封入するための透明ドーム及びレンズを形成するように構成された前記フレームに透明封入物質をディスペンシングするステップと、を含み、
前記フレームが、前記発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを包囲すると共に前記ディスペンシングステップの間に前記透明ドームを位置付けし、支持し、且つ、形作るように構成されていることを特徴とする、発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージを製造する方法。
【請求項１０】
前記フレームは、円形、多角形、楕円形、ピーナッツ形状、長円形、正方形、長方形及び縦長形からなる群から選択される周囲形状を有していることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ディスペンシングステップの前に前記発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ及び前記基板にワイヤをワイヤ結合するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記透明ドームを硬化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記ディスペンシングステップの前に前記発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイに波長変換層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記取り付けるステップは、複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを基板に取り付けることを含んでおり、前記複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイのうちの少なくとも１つが、残りの前記複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイと異なる発光特性を有することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記フレームは、エポキシ、シリコン、ポリミド、パリレン、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリアクリルアミド（ＰＣ）、ポリメチル・メタクリレート（ＰＭＭＡ）、ガラス、クォーツ、レジスト及び金属からなる群から選択される物質を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記形成ステップは、物質ディスペンシングシステム、プリンティング、ジェット噴射、スプレー、化学気相体積（ＣＶＤ）、熱蒸着、電子ビーム蒸着及び付着を使用する、スピンコーティング、リソグラフィ、浸漬コーティング、ディスペンシングからなる群から選択されたプロセスを含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
複数の基板を備える半導体ウエハ又はその一部に前記基板が含まれており、
前記ディスペンシングステップの後に前記ウエハから前記基板を分離するように、前記ウエハを分離するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１８】
基板と、
前記基板に搭載された発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイと、
前記発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを包囲するように構成された、前記基板上のフレームと、
前記発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ及び前記基板に結合されたワイヤと、
前記発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを封入するレンズとして構成された透明ドームと、を備え、
前記フレームがディスペンシングステップの間に前記透明ドームを位置付けし、支持し、且つ、形作るように構成されていることを特徴とする、発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ。
【請求項１９】
前記フレームで包囲されていると共に前記透明ドームで封入されている前記基板に搭載された複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイをさらに備えることを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ。
【請求項２０】
前記複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイのうちの少なくとも１つは、残りの前記複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイと異なる発光特性を有することを特徴とする請求項１９に記載の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ。
【請求項２１】
前記複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイのうちの少なくとも１つは、波長変換層を含むことを特徴とする請求項１９に記載の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ。
【請求項２２】
前記フレームは、円形、多角形、楕円形、ピーナッツ形状、長円形、正方形、長方形及び縦長形状からなる群から選択される周囲形状を有していることを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ。
【請求項２３】
前記発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ上に波長変換層をさらに備えることを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ。
【請求項２４】
前記フレームは、エポキシ、シリコン、ポリミド、パリレン、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリアクリルアミド（ＰＣ）、ポリメチル・メタクリレート（ＰＭＭＡ）、ガラス、クォーツ、レジスト及び金属からなる群から選択される物質を含むことを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ。
【請求項２５】
前記透明ドームは、シリコン、エポキシ、ポリミド、プラスチック、又は、ガラスからなる群から選択される物質を含むことを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ。
【請求項２６】
前記フレームは、前記基板上に０．０１μｍから２０００μｍの厚み又は高さを有することを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ。
【請求項２７】
前記フレームは、前記基板上に１μｍから３０００μｍの幅又は径を有することを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ。
【請求項２８】
前記発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイは、２５０ｎｍから２０００ｎｍのピーク波長を有することを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に光電子工学（オプトエレクトロニクス）要素、並びに、より具体的には、発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ及び当該発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージは、基板、当該基板に搭載された発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ、及び、当該ダイを封入するドーム又はレンズを含む。当該ドームは、ポリマー樹脂のような透明物質を備え、典型的には射出成形法又は圧縮成形法を使用して形成される。該成形プロセスは複数の基板からなるウエハ上に実行可能であり、各基板がその上に搭載された少なくとも１つの発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを有する。該成形プロセスの後、ウエハを（複数の）発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージに分離（ダイシング）可能である。
【０００３】
成形プロセスの１つの欠点は、必要のないウエハ領域にポリマー樹脂が形成されることの防止が困難であることである。例えば、ポリマー樹脂は、ウエハ上のパッケージ間の領域、及び、別個の基板上の透明ドームの外側の領域を被覆しうる。この問題は、モルド（金型）のデザイン又はバリに起因する。この望ましくないポリマー樹脂は、ウエハの単一処理に悪影響を及ぼすと共にドームを基板から離れさせる虞がある。この問題に加えて、成形装置は作成及び動作させるのに高価である。例えば、各パッケージは、１つのドームサイズ及び発光パターンごとに特定のモルドを必要とするので、多くのモルドが生産ラインに必要となる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、成形プロセスを使用して製造されたドームを有するパッケージに係る問題を解決する発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ及び当該発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージを製造する方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージは、基板と、該基板に搭載された発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイと、該基板上のフレームと、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ及び基板に結合されたワイヤと、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを封入（カプセル被包）するレンズとして構成された透明ドームとを含む。好ましくは、フレームは、基板上に所望の高さ及び周囲形状で形成された透明物質を含み、透明ドームを位置決めし、支持し、且つ、形作るように構成されている。例えば、フレームは、円形、多角形、楕円形、ピーナッツ形又は長円形の周囲形状を有し、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを包囲する。さらに、１つの発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ又は複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイのいずれかを、フレームで包囲して透明ドームで封入可能である。さらに、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイは、波長変換層をも含みうる。別の代替形態として、異なるサイズ及び発光特性を有する複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを、フレームで包囲して透明ドームで封入することも可能である。
【０００６】
発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージを製造する方法は、基板を提供するステップと、該基板上にフレームを形成するステップと、フレームに近接して基板に発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを取り付けるステップと、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ及び基板にワイヤをワイヤ結合するステップと、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを封入するための透明ドーム及びレンズを形成するように構成されたフレームに透明封入物質をディスペンシング処理するステップと、を含む。ウエハレベルの製造プロセスを実行可能であるように、基板が物質のウエハに含まれうる。ディスペンシングステップの間、封入物質を含むと共にドームの外周形状を形成するためのダム（堰）をフレームが提供する。これによって、成形処理というよりもむしろディスペンシング処理を透明ドームの形成に使用することを可能にする。また、この方法は、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ上に波長変換層を形成するステップをも含みうる。別の代替形態として、この方法は、基板に複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを取り付けると共に当該ダイにドームを形成することをも含みうる。
【０００７】
例示する実施形態が図面にて説明される。実施形態及び図面は、限定するためではなく説明のためにここに開示される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】フレーム及び透明ドームを有する発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージの概略斜視図。
【図１Ｂ】図１の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージの概略平面図。
【図２】複数のダイを有する別実施形態の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージの概略平面図。
【図３】複数の発光特性を有する複数のダイを備える別実施形態の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージの概略平面図。
【図４】波長変換層を有するダイを備える別実施形態の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージの概略断面図。
【図５】波長変換層を含む複数のダイを有する別実施形態の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージの概略断面図。
【図６】複数のフレーム、ダイ及び透明ドームを有する別実施形態のウエハサイズの発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージの概略平面図。
【図７Ａ】発光ダイオードパッケージを製造する方法における各ステップを示す概略断面図。
【図７Ｂ】発光ダイオードパッケージを製造する方法における各ステップを示す概略断面図。
【図７Ｃ】発光ダイオードパッケージを製造する方法における各ステップを示す概略断面図。
【図７Ｄ】発光ダイオードパッケージを製造する方法における各ステップを示す概略断面図。
【図７Ｅ】発光ダイオードパッケージを製造する方法における各ステップを示す概略断面図。
【図８】当該方法の様々なプロセスフローを説明するフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１Ａ及び１Ｂに示すとおり、発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ１０は、基板１２と、該基板１２に搭載された発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４と、基板１２上のフレーム１６と、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４と基板１２との間に結合されたワイヤ１８と、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４を封入するレンズとして構成された透明ドーム２０とを含む。
【００１０】
基板１２（図１Ａ及び１Ｂ）は、実装基板として機能し、また、発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ１０を外部と電気的に接続するための導電体（図示せず）、電極（図示せず）及び電気回路（図示せず）を提供する。基板１２は、図示したように平坦形状を有するか、あるいは、凸面形状もしくは凹面形状を有することができる。さらに、基板１２は、光抽出を改善するように反射層（図示せず）を含みうる。基板１２は、シリコン、又は、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＮ若しくはＡｌＮのような別の半導体物質を含みうる。あるいは、基板１２は、セラミック物質、サファイア、ガラス、プリント基板（ＰＣＢ）材料、メタルコアプリント基板（ＭＣＰＣＢ）、ＦＲ−４プリント基板（ＰＣＢ）、金属マトリクス複合材料、金属リードフレーム、有機リードフレーム、シリコンサブマウント基板、又は、当該技術に使用される任意のパッケージング基板からなる。さらには、基板は、Ｓｉ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ダイアモンド、ＭＭＣ、グラファイト、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｏ、ＣｕＷ、ＣｕＭｏ、酸化銅、サファイア、ガラス、セラミック、金属若しくは合金のような、金属若しくは合金層の単層又は複層を含みうる。いずれにせよ、好ましくは、基板が約６０℃から３５０℃までの範囲の動作温度を有する。
【００１１】
基板１２（図１Ａ及び１Ｂ）は、任意の多角形状（例えば、正方形、長方形）及び任意の適切なサイズを有しうる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ１０がチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）と同じチップスケールサイズを有するように、基板１２のダイサイズ設定が可能である。あるいは、基板１２は、複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４を有するウエハスケールシステムを提供する大きさに形成されたウエハであってもよい。さらに、基板１２は、代表的には３５μｍから３０００μｍの必要な厚みを有することができる。さらに、基板１２は、ＬＥＤシステムにおいて発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ１０を搭載及び電気接続するためのマザーボード、回路基板又は別のサポート基板（図示せず）に電気接続するために構成された基板１２上の導体（図示せず）及び端末コンタクト（図示せず）と電気通信状態にある基板コンタクト２２を含む。
【００１２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４（図１Ａ及び１Ｂ）は、公知のプロセスを使用して製造された従来のＬＥＤを含みうる。発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４は、好ましくは、約２５０ｎｍから２０００ｎｍまでのピーク波長を有する。適切な発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイは、ＳＥＭＩＬＥＤ，ＩＮＣ．（台湾、ボイズ，ＩＤ及びミャオリーカウンティに所在）から市販されている。発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４はダイコンタクト２４を含み、ワイヤ１８がダイコンタクト２４及び基板１２上の基板コンタクト２２にワイヤ結合されうる。さらに、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４は、ダイ取り付け付着層（図示せず）又は他の適切な取り付けシステム（例えば、はんだ）を使用して、基板１２上の電極（図示せず）に電気的に取り付け可能である。
【００１３】
フレーム１６（図１Ａ及び１Ｂ）は、好ましくは、適切な配置プロセスを使用して基板１２上に配置された透明物質を備える。フレーム１６にとって適切な物質は、エポキシ、シリコン、ポリミド、パリレン及びベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を含む。さらに、これらポリマー物質は、熱膨張係数（ＣＴＥ）を減少させると共にポリマー物質の粘度を調整するように構成されたケイ酸塩のようなフィルタを含むことができる。また、フレーム１６は、アクリル、ポリアクリルアミド（ＰＣ）、ポリメチル・メタクリレート（ＰＭＭＡ）、ガラス、シリコン又はクォーツ材料を含みうる。別の代替形態として、フレーム１６は、「ＥＰＯＮ  ＲＥＳＩＮ  ＳＵ−８」（商標）のようなフォトレジストなどの感光性物質をも含みうる。また、フレーム１６は、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ又はＴｉＷのような金属をも含みうる。また、フレーム１６は、堆積物質の高さ又は厚みに等しい深さまで基板１２内にエッチングされた凹部のような基板１２のエッチングされた部分をも含みうる。
【００１４】
フレーム１６（図１Ａ及び１Ｂ）を形成するための適切なプロセスは、スピンコーティング、リソグラフィ、浸漬コーティング、物質ディスペンス装置を使用したディスペンシング（散布、塗布）、プリンティング、ジェット噴射、スプレー、化学気相堆積（ＣＶＤ）、熱蒸着、電子（ｅ）ビーム蒸着及び付着を含む。さらに、フレーム１６は、物質の単層又は物質の複層を含みうる。また、堆積物質を備える以外に、フレーム１６はフレーム１６の高さ又は厚みと等しい深さまで基板１２内にエッチングされた凹部を含みうる。フレーム１６は、好ましくは、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４を包囲する周囲形状を有する。フレーム１６のための適切な周囲形状は、円形、多角形、楕円形、ピーナッツ形状、長円形、正方形、長方形及び縦長形状を含む。代表的には、フレーム１６の幅、長さ及び径を約０．０１μｍから２０００μｍまで必要に応じて選択可能である。また、代表的には、基板１２上のフレーム１６の高さ又は厚みを０．０１μｍから２０００μｍまで必要に応じて選択可能である。
【００１５】
透明ドーム２０（図１Ａ及び１Ｂ）は、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４を封入するレンズとして機能する。透明ドーム２０にとって適切な物質は、シリコン、エポキシ及びガラスを含む。透明ドーム２０は、スクリーンプリンティング、ディスペンシング、精密ディスペンシング、スプレー及びジェット噴射のような適切な堆積プロセスを使用して形成された物質の１又は複数の層を含みうる。特に堆積プロセスの間、フレーム１６は透明ドーム２０を位置決めし、支持し、且つ、形作るように構成されている。透明ドーム２０の各パラメータは、表１に挙げられている。
【表１】
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【００１６】
図２に示すとおり、別実施形態の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ１０Ａは、基板１２Ａと、基板１２Ａに搭載された複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ａと、基板１２Ａ上のフレーム１６Ａと、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ａを封入するレンズとして構成された透明ドーム２０Ａとを含む。簡潔にするために、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ａを基板１２Ａに接続するワイヤを図示しない。
【００１７】
図３に示すとおり、別実施形態の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ１０Ｂは、基板１２Ｂと、ピーク発光のような異なる発光特性を有する基板１２Ｂに搭載された複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｂと、基板１２Ｂ上のフレーム１６Ｂと、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｂを封入するレンズとして構成された透明ドーム２０Ｂとを含む。簡潔にするために、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｂを基板１２Ｂに接続するワイヤを図示しない。さらに、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｂは、赤色、緑色及び青色の発光特性を有するように図示されている。しかしながら、別の配置（構成）も可能である。さらに、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｂは、同じ動作電流又は異なる動作電流を有しうると共に別々に制御することも可能である。さらには、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｂを並列又は直列に電気接続可能である。
【００１８】
図４に示すとおり、別実施形態の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ１０Ｃは、基板１２Ｃと、基板１２Ｃに搭載された波長変換層２６Ｃを有する複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｃと、基板１２Ｃ上のフレーム１６Ｃと、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｃを封入するレンズとして構成された透明ドーム２０Ｃとを含む。簡潔にするために、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｃを基板１２Ｃに接続するワイヤを図示しない。波長変換層２６Ｃは、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｃによる放射光の波長を変換又は調整するように構成された樹脂ベースの蛍光物質を含みうる。
【００１９】
図５に示すとおり、別実施形態の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ１０Ｄは、基板１２Ｄと、基板１２Ｄに搭載された複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｄであって、そのうちの少なくとも１つが波長変換層２６Ｄを有する発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｄと、基板１２Ｄ上のフレーム１６Ｄと、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｄを封入するレンズとして構成された透明ドーム２０Ｄとを含む。簡潔にするために、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｄを基板１２Ｄに接続するワイヤを図示しない。波長変換層２６Ｄは、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｄによる放射光の波長を変換又は調整するように構成されたリンベースの物質を含みうる。
【００２０】
図６に示すとおり、別実施形態のウエハサイズの発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ１０Ｗは、ウエハサイズの基板１２Ｗと、基板１２Ｗに搭載された複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｗと、基板１２Ｗ上の複数のフレーム１６Ｗと、複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｗを封入するレンズとして構成された複数の透明ドーム２０Ｗとを含む。ウエハサイズの基板１２Ｗは、１５０ｍｍ径、２００ｍｍ径又は３００ｍｍ径ウエハのようなウエハを備えうる。また、ウエハサイズの基板１２Ｗは、必要な大きさ及び周囲形状を有するウエハ又はパネルの一部をも含みうる。さらに、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｗは、同じ発光特性又は異なる発光特性を有していてもよい。その上、１又は複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４Ｗが波長変換層を有しうる。
【００２１】
図７Ａ〜７Ｅを参照すると、発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ１０を製造する方法の各ステップが記載されている。別実施形態の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ１０Ａ〜１０Ｄ及び１０Ｗを基本的に同じステップを使用して製造可能である。最初に、図７Ａに示すとおり、複数の基板１２からなるウエハ２８を提供する。ウエハ２８は標準径及び全層を有する従来の半導体ウエハを含みうる。あるいは、ウエハ２８は薄型半導体ウエハを含みうる。ウエハ２８の代表的な厚みは３５μｍから３０００μｍである。ウエハ２８は、必要に応じて基板コンタクト２２（図１Ｂ）、導体（図示せず）及び電極（図示せず）を有する複数のメタライゼーションパターン（図示せず）を含みうる。加算処理（マスクを通した堆積）又は減算処理（マスクを通したエッチング）のような公知のプロセスを使用してこれらメタライゼーションパターンを形成可能である。
【００２２】
また、図７Ａに示すとおり、ウエハ２８上の複数のフレーム１６を形成するようにフレーム形成ステップを実行可能である。各基板１２は、当該基板１２上に必要な位置、周囲形状及び高さを有するフレーム１６を含む。フレーム１６を形成するための適切な方法は、スピンコーティング、リソグラフィ、浸漬コーティング、物質ディスペンシングシステムを使用するディスペンシング、プリンティング、ジェット噴射、スプレー、化学気相堆積（ＣＶＤ）、熱蒸着、及び、電子ビーム蒸着を含む。さらに、各フレーム１６を、１つの発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４、又は、別実施形態のパッケージ１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｄで説明したような複数のダイを囲むように構成可能である。フレーム１６の適切な周囲形状は、前に説明したとおり、円形、多角形、楕円形、ピーナッツ形状、長円形、正方形、長方形及び縦長形状を含む。さらに、フレーム１６を、ポリマー、エポキシ、シリコン、ガラス、クォーツ、レジスト又は金属を含む前述した物質から形成可能である。
【００２３】
次に、図７Ｂに示すとおり、ウエハ２８上の電極（図示せず）と電気接触した状態で基板１２に発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４を搭載するように、ダイ搭載（取り付け）ステップを実行可能である。基板２８上の電極（図示せず）に発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４を結合させるように、はんだリフロー処理、バンピング処理又は銀エポキシ硬化処理を使用して結合層（図示せず）を形成可能である。発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４は、公知のプロセスを使用して製造された従来のＬＥＤダイを含みうる。適切なＬＥＤダイは、ＳＥＭＩＬＥＤ，ＩＮＣ．（台湾、ボイズ，ＩＤ及びミャオリーカウンティに所在）から市販されている。
【００２４】
次に、図７Ｃに示すとおり、ワイヤ１８を発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４上のダイコンタクト２４（図１Ｂ）及び基板１２上の基板コンタクト２２（図１Ｂ）にワイヤ結合するようにワイヤ結合ステップを実行可能である。ワイヤ結合ステップは、従来のワイヤ結合装置を使用して実行可能である。選択的に、ワイヤ結合ステップの前又は後に、別実施形態のパッケージ１０Ｃ（図４）又は１０Ｄ（図５）を形成するために波長変換層２６Ｃ（図４）又は２６Ｄ（図５）を発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４上に形成可能である。波長変換層２６Ｃ（図４）又は２６Ｄ（図５）は、精密ディスペンシング、精密スタンピング、精密ジェット噴射、スプレー、ディスペンシング及びスクリーンプリンティングを使用して堆積可能であり、そして、６０℃から３５０℃までの温度で硬化される。さらに、波長変換層２６Ｃ（図４）又は２６Ｄ（図５）は、積層として形成された複数層を備えうる。
【００２５】
次に、図７Ｄに示すとおり、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１４上に透明ドーム２０を形成するように、ディスペンシングステップを実行可能である。透明ドーム２０は、シリコン、エポキシ、ポリミド、プラスチック又はガラスのような透明物質を含みうる。レンズ形成ステップの間、フレーム１６が透明ドーム２０を位置付け、支持し、且つ、形作るように構成されている。スクリーンプリンティング、精密ディスペンシング、スタンピング又はジェット噴射のような適切な堆積プロセスを使用して透明ドーム２０を形成可能である。ディスペンシングステップに続いて、熱硬化又はＵＶ硬化のような適切なプロセスを使用して透明ドームを硬化可能である。
【００２６】
次に、図７Ｅに示すとおり、複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ１０にウエハ２８を分離（ダイシング）するように、分離ステップを実行可能である。また、分離プロセスは、ダイシングのような技術に参照される。分離ステップは、レーザー加工、ソー加工、ウォータージェット、エッチング、又は、スクライブ及びブレイク（ｓｃｒｉｂｅ  ａｎｄ  ｂｒｅａｋ）のようなプロセスを使用して実行可能であり、溝３０が発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ１０を分離する。
【００２７】
図８を参照して、図７Ａ〜７Ｅの方法のプロセスのフローチャートを説明する。プロセスＡが基本的な方法を示す。プロセスＢがワイヤ結合ステップの前に波長変換層２６Ｃ（図４）又は２６Ｄ（図５）を適応した方法を示す。プロセスＣがワイヤ結合ステップの後に波長変換層２６Ｃ（図４）又は２６Ｄ（図５）を適応した方法を示す。
【００２８】
本明細書は、改善した発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ及びその製造方法を開示している。複数の実施例及び実施形態が説明されたが、当該技術分野の当業者は、任意の改変、置換、付加、及びこれらの組み合わせを認識するであろう。すなわち、添付した特許請求の範囲は、発明の技術的範囲として、このような全ての改変、置換、付加、及び、組み合わせを含むものと解釈されることを意図している。 
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図８】
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【外国語明細書】
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【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図８】
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