(57)【要約】【課題】透光性樹脂内におけるボンディングワイヤの断線を防止することができる発光装置を提供する。【解決手段】リード電極が設けられた配線基板と、その配線基板上に設けられたベース基材と、そのベース基材の上面に設けられた半導体発光素子と、半導体発光素子の電極とリード電極間を接続する導電性ワイヤと、半導体発光素子及び導電性ワイヤとをベース基材上で封止する透光性樹脂とを有してなる発光装置において、ベース基材は、リード電極上に設けられた貫通孔を有し、貫通孔はベース基材の上面に直交する軸から等距離にある円周面を有してなり、導電性ワイヤは軸に一致するように配置されかつ貫通孔に透光性樹脂が充填されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード電極が設けられた配線基板と、その配線基板上に設けられたベース基材と、そのベース基材の上面に設けられた半導体発光素子と、前記半導体発光素子の電極と前記リード電極間を接続する導電性ワイヤと、前記半導体発光素子及び導電性ワイヤとを前記ベース基材上で封止する透光性樹脂とを有してなる発光装置において、
前記ベース基材は、前記リード電極上に設けられた貫通孔を有し、前記貫通孔はベース基材の上面に直交する軸から等距離にある円周面を有してなり、前記導電性ワイヤは前記軸に一致するように配置されかつ前記貫通孔に前記透光性樹脂が充填されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
リード電極が設けられた配線基板と、その配線基板上に設けられたベース基材と、そのベース基材の上面に設けられた半導体発光素子と、前記半導体発光素子の電極と前記リード電極間を接続する導電性ワイヤと、前記半導体発光素子及び導電性ワイヤとを前記ベース基材上で封止する透光性樹脂とを有してなる発光装置において、
前記ベース基材は、前記リード電極上に設けられた貫通孔を有し、前記貫通孔はベース基材の上面に直行するｎ本の軸からそれぞれ少なくとも（３６０／ｎ）度にわたって等距離にある円周面を有してなり、前記導電性ワイヤは前記軸に一致するように配置されかつ前記貫通孔に前記透光性樹脂が充填されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
リード電極が設けられた配線基板と、その配線基板上に設けられたベース基材と、そのベース基材の上面にそれぞれ設けられた半導体発光素子を含む複数の素子と、前記複数の素子の電極と前記リード電極間を接続する導電性ワイヤと、前記複数の素子及び導電性ワイヤとを前記ベース基材上で封止する透光性樹脂とを有してなる発光装置において、
前記ベース基材は、前記リード電極上に分離して設けられた少なくとも３つの貫通孔を有し、前記素子の電極がそれぞれ前記貫通孔を介して前記リード電極とワイヤボンディングされ、かつ前記透光性樹脂が前記貫通孔にそれぞれ充填されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
前記貫通孔の少なくとも１つは、ベース基材の上面に直行するｎ本の軸からそれぞれ少なくとも（３６０／ｎ）度にわたって等距離にある円周面を有してなり、前記導電性ワイヤは前記軸に一致するように配置されている請求項３記載の発光装置。
【請求項５】
前記ベース基材は、前記半導体発光素子を収納する凹部を有し、該凹部の底面に前記貫通孔が設けられた請求項１〜４のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項６】
前記ベース基材は金属からなり、前記リード電極が絶縁部材によって前記ベース基材から電気的に分離されている請求項１〜５のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置や照明装置の光源として、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の半導体発光素子（以下、単に発光素子という）を用いた発光装置が製品化され、この発光素子を用いた発光装置は、従来使用されていた蛍光灯や白熱電球などに代わる新しい光源として注目されている。特に、ＬＥＤは、蛍光灯や白熱電球などの光源と比べて寿命が長く、また、少ないエネルギーで発光が可能であるため、次世代の照明用光源としての期待が大きい。
【０００３】
このＬＥＤを用いた発光装置は、例えば、パッケージ内にＬＥＤ素子をダイボンド実装して、ワイヤボンディングにより配線した後、透光性樹脂で覆って樹脂封止することにより製造される。また、近年では、高出力に伴う発熱を効率よく放熱するために、一部又は全体を金属にしたパッケージが多く用いられるようになってきている（例えば、特許文献１〜４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−９３０６６号公報
【特許文献２】特開２０１０−２１４２６号公報
【特許文献３】特開２００８−４１９２２号公報
【特許文献４】特開２０１０−１２９７１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、透光性樹脂内で配線されたボンディングワイヤは、樹脂とその他の部材の間の熱膨張率の違いよって温度変化によるストレスを繰り返し受けることになり、断線し易くなるという問題があった。特に、高出力の発光装置では、発光による発熱が大きいためこの問題は顕著であった。
【０００６】
そこで、本発明は、透光性樹脂内におけるボンディングワイヤの断線を防止することができる発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の従来の問題を解決するために、本発明に係る発光装置は、リード電極が設けられた配線基板と、その配線基板上に設けられたベース基材と、そのベース基材の上面に設けられた半導体発光素子と、前記半導体発光素子の電極と前記リード電極間を接続する導電性ワイヤと、前記半導体発光素子及び導電性ワイヤとを前記ベース基材上で封止する透光性樹脂とを有してなる発光装置において、
前記ベース基材は、前記リード電極上に設けられた貫通孔を有し、前記貫通孔はベース基材の上面に直交する軸から等距離にある円周面を有してなり、前記導電性ワイヤは前記軸に一致するように配置されかつ前記貫通孔に前記透光性樹脂が充填されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る発光装置は、また、リード電極が設けられた配線基板と、その配線基板上に設けられたベース基材と、そのベース基材の上面に設けられた半導体発光素子と、前記半導体発光素子の電極と前記リード電極間を接続する導電性ワイヤと、前記半導体発光素子及び導電性ワイヤとを前記ベース基材上で封止する透光性樹脂とを有してなる発光装置において、
前記ベース基材は、前記リード電極上に設けられた貫通孔を有し、前記貫通孔はベース基材の上面に直行するｎ本の軸からそれぞれ少なくとも（３６０／ｎ）度にわたって等距離にある円周面を有してなり、前記導電性ワイヤは前記軸に一致するように配置されかつ前記貫通孔に前記透光性樹脂が充填されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る発光装置は、さらに、リード電極が設けられた配線基板と、その配線基板上に設けられたベース基材と、そのベース基材の上面にそれぞれ設けられた半導体発光素子を含む複数の素子と、前記複数の素子の電極と前記リード電極間を接続する導電性ワイヤと、前記複数の素子及び導電性ワイヤとを前記ベース基材上で封止する透光性樹脂とを有してなる発光装置において、
前記ベース基材は、前記リード電極上に分離して設けられた少なくとも３つの貫通孔を有し、前記素子の電極がそれぞれ前記貫通孔を介して前記リード電極とワイヤボンディングされ、かつ前記透光性樹脂が前記貫通孔にそれぞれ充填されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように構成された本発明に係る発光装置によれば、前記透光性樹脂内における導電性ワイヤの断線を防止することが可能な発光装置を提供するができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係る実施形態の発光装置の平面図である。
【図２】図１の発光装置の斜視図であり、一部を断面図（図１のＡ−Ａ’線についての断面図）にして示している。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら本発明に係る実施形態の発光装置について説明する。
本実施形態の発光装置は、配線基板３と、その配線基板３上に設けられたベース基材２と、そのベース基材２の上面にそれぞれ設けられた半導体発光素子８ａ，８ｂ，８ｃと保護素子９とを含む複数の素子とを含み、以下のように構成されている。
【００１３】
＜複数の素子＞
本実施形態の発光装置は、半導体発光素子８ａ，８ｂ，８ｃと保護素子９を含む複数の素子を有する。
本実施形態において、半導体発光素子８ａ，８ｂ，８ｃは、例えば、サファイア基板上に窒化物半導体層が形成されてなる発光ダイオードであり、サファイア基板とは反対側の窒化物半導体の表面（上面）に正電極と負電極が共に形成されている。
また、保護素子９は、例えば、ツェナーダイオードであり、３つの半導体発光素子８ａ，８ｂ，８ｃからなる直列回路に並列に接続される。
尚、本発明は、保護素子９を有する発光装置に限定されるものではない。
【００１４】
＜配線基板＞
本実施形態において、配線基板３は、上面に、半導体発光素子８ａの正電極が接続される正極側のリード電極３２ａと、半導体発光素子８ｃの負電極が接続される負極側のリード電極３２ｂと、保護素子９のアノードが接続されるリード電極３２ｃが形成されている。また、配線基板３の下面には、分離された２つの外部接続用電極３４が形成されており、それぞれリード電極３２ａとリード電極３２ｂとに接続されている。尚、図示はしていないが、リード電極３２ａと外部接続用電極３４間及びリード電極３２ｂと外部接続用電極３４間は例えば基板３１に形成された貫通ビアにより接続されている。また、配線基板３において、リード電極３２ａとリード電極３２ｃとは配線基板３上又は配線基板３の内部で電気的に接続されて同一電位になる。また、配線基板３は、図２に示すように内部配線電極３３を含んでいてもよく、リード電極３２と外部接続用電極３４間又は、リード電極３２ａとリード電極３２ｃ間が内部配線電極３３を介して接続されていてもよい。
また、配線基板３の中央部には、後述するベース基材２の放熱用凸部２２が挿入される貫通孔が設けられている。
【００１５】
＜ベース基材＞
また、ベース基材２は、例えば、純度９９．５％以上のＡｌ等の金属からなり、凹部２１を有している。凹部２１は、傾斜面２１ａと底面２１ｂとを有しており、底面２１ｂには貫通孔２３ａ，２３ｂ，２３ｃが設けられている。貫通孔２３ａ，２３ｂ，２３ｃはそれぞれ、リード電極３２ａ、リード電極３２ｂ及びリード電極３２ｃ上に互いに分離して設けられている。また、貫通孔２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、凹部２１の底面２１ｂから下面に貫通する孔であり、リード電極３２ａ、リード電極３２ｂ及びリード電極３２ｃ上へのワイヤボンディングが可能な空間を確保する。
【００１６】
ここで、本実施形態において、貫通孔２３ａ，２３ｃは円形の断面形状を有しており、貫通孔２３ｂは、矩形の対向する２辺が半円になった断面形状を有している。このように形成された貫通孔２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、ベース基材の凹部２１の底面２１ｂに直交する少なくとも１つの軸から少なくとも１８０度にわたって等距離にある円周面を有している。また、貫通孔２３ａ，２３ｂは、底面２１ｂの中心に対して略対称の位置に設けられる。貫通孔２３ａ，２３ｃは、内周面全体が底面２１ｂに直交する１つの軸から等距離にあり、貫通孔２３ｂは、底面２１ｂに直交する第１の軸から等距離にある半円の円周面と底面２１ｂに直交する第２の軸から等距離にある半円の円周面とを備えている。
【００１７】
ベース基材に設けられた貫通孔２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、配線基板のリード電極上のワイヤボンディング用の作業空間を確保するとともにワイヤボンディング部及びリード電極に接続された導電性ワイヤを保護して当該部分における断線を防止する断線防止機能を有している。この断線防止機能は、ワイヤボンディング部近傍の透光性樹脂の量を制限することにより透光性樹脂の膨張収縮の絶対量を小さくすることにより実現されるものであり、この断線防止機能を効果的に発揮させるためには、貫通孔２３ａ，２３ｂ，２３ｃの断面積は小さいことが好ましく。例えば、上記半円又は円の半径は、０．５ｍｍ以下、好ましくは、０．３ｍｍ以下に設定される。
一方、配線基板のリード電極上のワイヤボンディング用の作業空間を確保するためには、少なくとも０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．２５ｍｍ以上に設定する。
また、貫通孔２３ｂの第１の軸と第２の軸間隔は、０．１ｍｍ以上、１ｍｍ以下、好ましくは、０．１５ｍｍ以上、０．５ｍｍ以下に設定する。このような軸間距離に設定すると、１つの孔に２本のワイヤを配置し、上記断線防止機能を効果的に発揮させることができる。
【００１８】
ベース基材２の凹部２１は、その底面２１ｂと傾斜面２１ａとによって半導体発光素子８ａ，８ｂ，８ｃから出射される光を反射して上方から出射させる役割を担っているので、その点からも結果的に底面２１ｂにおける底面積を減少させることになる貫通孔２３ａ，２３ｂ，２３ｃの断面積は小さい方が好ましい。
【００１９】
また、ベース基材２の下面において、半導体発光素子８ａ，８ｂ，８ｃが実装される底面２１ｂの実装領域に対向する部分に放熱用凸部２２が設けられている。この放熱用凸部２２は、半導体発光素子８ａ，８ｂ，８ｃが発生する熱を放熱するために設けられているものであり、例えば、発光装置の使用状態において発光装置外に設けられる放熱が良好な部材に接触するようにして発光装置外に熱を伝達する。
【００２０】
以上のように構成されたベース基材２は、配線基板３に接合される。ベース基材２は、放熱用凸部２２が配線基板３の中央部に設けられた貫通孔に挿入され、貫通孔２３ａ，２３ｂ，２３ｃがリード電極３２ａ，３２ｂ，３２ｃにそれぞれ対向するように配線基板３に重ねられて、接合樹脂４により接合される。
尚、ベース基材２を金属で構成した場合には、ベース基材２と配線基板３に形成されたリード電極３２ａ，３２ｂ，３２ｃとは、例えば、接合樹脂４として絶縁性樹脂を用いることにより絶縁される。
【００２１】
＜素子の実装及びワイヤ配線構造＞
１．素子の実装．
本実施形態において、半導体発光素子８ａ，８ｂ，８ｃは、ベース基材２の凹部２１の底面２１ｂの中央部に、図１に示すように並べて実装される。尚、本発明は図１の配置に限定されるものではなく、例えば、正三角形の頂点に実装するなど種々の変形が可能であるが、可能な限り底面２１ｂの中央部に実装することが好ましい。保護素子９は、凹部２１の底面２１ｂの周辺部に実装される。本発明において、保護素子９を配置する位置は特に限定されるものではないが、半導体発光素子８ａ，８ｂ，８ｃが発光する光の取り出し効率を低下させないように、傾斜側面２１ａに沿って実装することが好ましい。
【００２２】
２．ワイヤ配線．
本実施形態において、半導体発光素子８ａ，８ｂ，８ｃは、直列に接続される。具体的には、半導体発光素子８ａのｎ電極と半導体発光素子８ｂのｐ電極間が導電性ワイヤ６ｂによって接続され、半導体発光素子８ｂのｎ電極と半導体発光素子８ｃのｐ電極間が導電性ワイヤ６ｃによって接続される。
【００２３】
また、半導体発光素子８ａのｐ電極とリード電極３２ａ間が導電性ワイヤ６ａによって接続される。この半導体発光素子８ａのｐ電極とリード電極３２ａ間のボンディングは、まず、リード電極３２ａ上に導電性ワイヤ６ａの一端を接続した後、貫通孔２３ａにおける底面２１ｂに直交する中心軸に沿って導電性ワイヤ６ａを引き出すようにし、中心軸から導電性ワイヤ６ａがずれないように導電性ワイヤ６ａを半導体発光素子８ａのｐ電極に接続する。
【００２４】
また、半導体発光素子８ｃのｎ電極とリード電極３２ｂ間が導電性ワイヤ６ｄによって接続される。この半導体発光素子８ｃのｐ電極とリード電極３２ｂ間のボンディングは、まず、リード電極３２ｂ上に導電性ワイヤ６ｄの一端を接続した後、貫通孔２３ｂにおける底面２１ｂに直交する第１の軸に沿って導電性ワイヤ６ｄを引き出すようにし、第１の軸から導電性ワイヤ６ｄがずれないように導電性ワイヤ６ｄを半導体発光素子８ｃのｎ電極に接続する。
尚、導電性ワイヤとして、例えば、純度９９．９９％以上の線径（直径）が２５μｍの金ワイヤが用いられる。
また、本実施形態では、３つの半導体発光素子を直列に接続した例により説明しているが、本発明は半導体発光素子の数は３つに限定されるものではなく、さらに直列接続ではなく並列接続した発光装置に適用することもできる。
【００２５】
また、保護素子９のアノード電極とリード電極３２ｂ間が導電性ワイヤ６ｄによって接続される。この保護素子９のアノード電極とリード電極３２ｂ間のボンディングは、まず、リード電極３２ｂ上に導電性ワイヤ６ｅの一端を接続した後、貫通孔２３ｂにおける底面２１ｂに直交する第２の軸に沿って導電性ワイヤ６ｅを引き出すようにし、第２の軸から導電性ワイヤ６ｅがずれないように導電性ワイヤ６ｅを保護素子９のアノード電極に接続する。
【００２６】
さらに、保護素子９のカソード電極とリード電極３２ｃ間が導電性ワイヤ６ｆによって接続される。この保護素子９のカソード電極とリード電極３２ｃ間のボンディングは、まず、リード電極３２ｃ上に導電性ワイヤ６ｆの一端を接続した後、貫通孔２３ｃにおける底面２１ｂに直交する中心軸に沿って導電性ワイヤ６ｆを引き出すようにし、その中心軸から導電性ワイヤ６ｆがずれないように導電性ワイヤ６ｆを保護素子９のカソード電極に接続する。
【００２７】
＜素子の封止＞
素子（半導体発光素子８ａ，８ｂ，８ｃ及び保護素子９）が実装されてワイヤ配線されたベース基材２の凹部２１内に透光性樹脂７が充填されて素子及び導電性ワイヤ６ａ〜６ｆが封止される。この封止の際、貫通孔２３ａ，２３ｂ，２３ｃ内にも透光性樹脂７を充填する。
ここで、透光性樹脂７としては、例えば、ジメチル系のシリコーン樹脂を用いることができ、充填する際の粘度は、例えば、３．０〜５．０Ｐａ・ｓに調整される。
また、透光性樹脂７には、例えば、（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ等の蛍光体を含有させてもよい。
【００２８】
以上のように構成された実施形態の発光装置では、ベース基材２の横断面形状が円形である貫通孔２３ａ，２３ｃの中心軸に一致するように導電性ワイヤ６ａ，６ｆをワイヤ配線して、その貫通孔２３ａ，２３ｃ内に透光性樹脂７を充填している。このようにすると、導電性ワイヤ６ａ，６ｆが充填された透光性樹脂７によって貫通孔２３ａ，２３ｃ内固定され、かつ温度変化によって透光性樹脂７が繰り返し膨張／収縮しても導電性ワイヤ６ａ，６ｆが貫通孔２３ａ，２３ｃの内壁から等距離にあることから、導電性ワイヤ６ａ，６ｆに対して特定の方向に力が加わることがない。これにより、導電性ワイヤ６ａ，６ｆの断線が防止できる
。ここで、貫通孔の中心軸に一致するように導電性ワイヤを配線するにおける一致とは、完全な一致だけでなく、円形の半径に対して、２０％以内の範囲、好ましくは１０％以内の範囲で中心軸からずれていても、本発明に含まれる。
【００２９】
また、本実施形態の発光装置では、貫通孔２３ｂが、第１の軸から１８０度にわたって等距離にある半円の円周面と第２の軸から１８０度にわたって等距離にある半円の円周面とを備え、導電性ワイヤ６ｄを第１の軸からずれないようにし、導電性ワイヤ６ｅを第２の軸からずれないように配置している。このように配置した上でさらに、第１の軸（導電性ワイヤ６ｄ）と第２の軸（導電性ワイヤ６ｅ）間の距離を、例えば、半円の半径以上、半円の半径の２倍以下に設定することにより、導電性ワイヤ６ｄ，６ｅに対して特定の方向に力が加わるのを抑制でき、導電性ワイヤ６ｄ，６ｅの断線が防止できる。
【００３０】
以上の貫通孔２３ａ，２３ｂ，２３ｃの形状及び導電性ワイヤ６ａ，６ｄ，６ｅ，６ｆの配置による導電性ワイヤ断線防止効果は、半導体発光素子の個数に限定されることなく、また、保護素子を備えた発光装置に限定されることなく得られる。
すなわち、上記貫通孔２３ａ，２３ｂ，２３ｃの形状及び導電性ワイヤ６ａ，６ｄ，６ｅ，６ｆの配置に係る発明は、１つの半導体発光素子を備えた発光装置に適用することもできる。
【００３１】
また、以上のように構成された実施形態の発光装置は、ワイヤボンディング部を１又は２箇所にまとめることなく、３箇所に分散させているので、貫通孔２３ａ，２３ｂ，２３ｃの横断面積を小さくすることができる。これにより、貫通孔２３ａ，２３ｂ，２３ｃ内に充填されるワイヤボンディング部近傍の透光性樹脂の量を制限することが可能になり、透光性樹脂の膨張収縮量を小さくできるので、温度変化によりワイヤボンディング部及び導電性ワイヤにかかる応力を低減できる。
【００３２】
特に、貫通孔の軸に直交する横方向の樹脂量を制御することにより、横方向の応力が低減できる。リード電極接続部やボールとワイヤの境界のネック部や軸方向に伸びた導電性ワイヤなどは、横方向の応力に弱い傾向にあることから、この横方向の応力低減によって、より効果的に導電性ワイヤ等の断線を防止できる。
【００３３】
変形例１．
以上説明した実施形態では、貫通孔２３ｂが、第１の軸から１８０度にわたって等距離にある半円の円周面と第２の軸から１８０度にわたって等距離にある半円の円周面とを備え、導電性ワイヤ６ｄを第１の軸からずれないようにし、導電性ワイヤ６ｅを第２の軸からずれないように配置した。しかしながら、本発明において、導電性ワイヤ等の断線等を防止することができる貫通孔の形状は、貫通孔２３ａ、２３ｃのような断面が真円である形状、貫通孔２３ｂのような２つの軸からそれぞれ１８０度にわたって等距離にある半円の円周面を備えた形状に限定されるものではなく、例えば、３又は４以上のｎ本の軸からそれぞれ少なくとも（３６０／ｎ）度にわたって等距離にある円周面を有する貫通孔とし、導電性ワイヤをｎ本の軸にそれぞれ一致するように配置するようにしてもよい。以上のようにしても、貫通孔２３ｂの場合と同様、導電性ワイヤに対して特定の方向に力が加わるのを抑制でき、導電性ワイヤの断線が防止できる。
例えば、ｎ＝３の場合には、３本の軸が横断面内で正三角形の頂点に位置するように配置し、その軸に導電性ワイヤが一致するように３本の導電性ワイヤを配置する。
そして、その軸の位置を決定する正三角形の一辺を円周面の半径以上、半径の２倍以下の範囲に設定する。
これにより、導電性ワイヤに対して特定の方向に力が加わるのを抑制でき、導電性ワイヤの断線が防止できる。
【００３４】
変形例２．
以上の実施形態では、凹部２１を有するパッケージタイプのベース基体２を用いて発光装置を構成した例を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、平坦な例えば、上面から下面に貫通する３つ又は３以上の貫通孔を有するベース基体を用いて構成した発光装置に適用することもできる。
具体的には、平坦なベース基体上に実施形態と同様にして素子（半導体発光素子及び保護素子）を実装してワイヤ配線した後、実装した素子を囲む型枠をベース基体上に設け、凹部２１に相当する樹脂充填部を形成する。
そして、実施形態と同様、透光性樹脂を充填して硬化させた後、型枠を外す。
以上のようにしても実施形態と同様の作用効果を有する発光装置を構成することができる。
【符号の説明】
【００３５】
２  ベース基材
３  配線基板
４  接合樹脂
６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ  導電性ワイヤ
７  透光性樹脂
８ａ，８ｂ，８ｃ  半導体発光素子
９  保護素子
２１  凹部
２１ａ  傾斜面
２１ｂ  底面
２３ａ，２３ｂ，２３ｃ  貫通孔
３１  基板
３２ａ，３２ｂ，３２ｃ  リード電極
３３  内部配線電極
３４  外部接続用電極
【図１】
2012094612.tif 000003
【図２】
2012094612.tif 000004