(57)【要約】  【課題】上記問題点を解決するために、一つの画面で各モジュールのリークチェック情報の履歴を参照することが可能な機能を持つ基板処理装置を提供する。  【解決手段】各チャンバに共通する情報を蓄積する蓄積部と、前記情報を所定の画面に表示する表示部を備えた操作部と、所定のファイルを実行すると共に、前記所定のファイルの履歴情報を前記操作部に通知する主制御部とで少なくとも構成される基板処理装置であって、前記操作部は、リークチェックの際に発生する各種情報をリークチェック結果情報として前記主制御部から通知されると、前記リークチェック結果情報を履歴ファイルに変換して前記蓄積部に蓄積する共に、前記表示部での前記履歴ファイルの選択を受けつけ、前記蓄積部から前記履歴ファイルを読み込み、前記各チャンバに共通する情報として前記履歴ファイル内に前記リークチェック結果情報をリークチェック情報表示画面に表示させる。【選択図】  図６
2012164850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各チャンバで個別に保存される情報や各チャンバに共通する情報を蓄積する蓄積部と、前記情報を所定の画面に表示する表示部を備えた操作部と、
所定のファイルを実行すると共に、前記所定のファイルを実行した結果情報である履歴情報を前記操作部に通知する主制御部とで少なくとも構成される基板処理装置であって、
前記操作部は、
リークチェックの際に発生する各種情報をリークチェック結果情報として前記主制御部から通知されると、前記リークチェック結果情報を履歴ファイルに変換して前記蓄積部に格納する通信部と、
前記表示部での前記履歴ファイルの選択を受けつけ、前記蓄積部から前記履歴ファイルを読み込み、前記各チャンバに共通する情報として前記履歴ファイル内に前記リークチェック結果情報をリークチェック情報表示画面に表示させる表示制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
各チャンバで個別に保存される情報や各チャンバに共通する情報を蓄積する蓄積部と、前記情報を所定の画面に表示する表示部を備えた操作部と、
所定のファイルを実行すると共に、前記所定のファイルを実行した結果情報である履歴情報を前記操作部に通知する主制御部とで少なくとも構成される基板処理装置の表示方法であって、
前記操作部は、
リークチェックの際に発生する各種情報をリークチェック結果情報として前記主制御部から通知されると、前記リークチェック結果情報を履歴ファイルに変換して前記蓄積部に格納し、
前記表示部での前記履歴ファイルの選択を受けつけ、前記蓄積部から前記履歴ファイルを読み込み、前記各チャンバに共通する情報として前記履歴ファイル内に前記リークチェック結果情報をリークチェック情報表示画面に表示させる基板処理装置の表示方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各処理室のリークチェック状態が目視できるようにする基板処理装置及びその表示方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、複数の異なるプロセスを同時に実行するクラスタ型の基板処理装置の一種である半導体製造装置が知られている。基板処理装置の一種である半導体製造装置は、反応室、真空搬送室、ロードロック室等の気密チャンバ(室)を有している。図４は、各モジュール（４つの反応室、１つの真空搬送室、２つのロードロック室）のイメージを示す図である。機密性を確認するために、一般的にリークチェックが行われる。リークチェックは、チャンバ(モジュール)を一定圧力まで減圧し、チャンバを密閉し、一定時間後のリーク量を求め、基準値に達しているかどうかをチェックするというものである。機密性は、成膜処理にとって重要なポイントであり、経年によるリーク増大を確認するため、定期的または周期的に行われている。例えば、特許文献１によれば、プロセスレシピを実行中に、基板に所定の処理を施す処理ステップの直前にリークチェックステップを有し、このリークチェックステップでリーク量を求め、このリーク量に応じて所定の処理が行われている。
【０００３】
また、クラスタ型の半導体製造装置においてリークチェックの制御は、主制御部で行い、その結果を操作部に通知し、操作部がその結果を表示している。図７のように、一般的に各チャンバの情報を表示する表示画面（モニタ画面）は、各チャンバ単位の構成となっているため、各チャンバ内の圧力に関する情報である圧力モニタ画面もそれぞれチャンバ毎に配置されている。従い、リークチェック情報を表示する画面は、各チャンバで独立している。よって、図８に示すように、リークチェック情報を表示させるには、例えば、所定のチャンバのメニュー画面を表示させ、所定の操作をしながらリークチェック情報を表示する画面まで切り替えていかなければならなかった。
【０００４】
このような画面構成であるため、リークチェック情報を表示する画面は、それぞれのチャンバ(室)毎にしか表示されない。よって、各チャンバのリークチェック状態を同時に見ることができないので、各チャンバのリークチェック状態を比較することが困難であった。また、図８に示されるように、最新のリークチェック結果だけが表示されているに過ぎず、経年使用によるリーク傾向を把握することが困難であるという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−０７４１４１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記問題点を解決するために、一つの画面で各モジュールのリークチェック情報を参照することができ、そのリークチェック情報の履歴も参照することが可能な機能を持つ基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の特徴とするところは、各チャンバで個別に保存される情報や各チャンバに共通する情報を蓄積する蓄積部と、前記情報を所定の画面に表示する表示部を備えた操作部と、所定のファイルを実行すると共に、前記所定のファイルの履歴情報を前記操作部に通知する主制御部とで少なくとも構成される基板処理装置であって、前記操作部は、リークチェックの際に発生する各種情報をリークチェック結果情報として前記主制御部から通知されると、前記リークチェック結果情報を履歴ファイルに変換して前記蓄積部に蓄積する通信部と、前記表示部での前記履歴ファイルの選択を受けつけ、前記蓄積部から前記履歴ファイルを読み込み、前記各チャンバに共通する情報として前記履歴ファイル内に前記リークチェック結果情報をリークチェック情報表示画面に表示させる表示制御部とを有することにある。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、各チャンバのリークチェック情報を１つの画面で見ることができ、かつ過去に行った履歴も参照可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係るクラスタ型の基板処理装置の概略的な構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係るクラスタ型の基板処理装置の概略的な断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る基板処理装置を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。
【図４】基板処理装置の各モジュールのイメージを示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係る基板処理装置の画面構成イメージを示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係る基板処理装置の画面表示方式を示す図である。
【図７】従来の画面構成イメージを示す図である。
【図８】従来の画面表示方式を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（IC）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、図１に、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一例であるクラスタ型の半導体製造装置の概略的な構成例を示す。図２に、図１のクラスタ型の半導体製造装置の概略的な断面構成例を示す。図１及び図２の構成では、ウェハ搬送用ロボットや処理室としてのプロセスチャンバが複数台、及びキャリア受渡し用のロードロック室が２式接続された構成となっている。
【００１１】
まず、図１及び図２を用いて、基板処理装置の概要を説明する。
【００１２】
尚、本発明が適用される基板処理装置１においては基板としてのウェハＷを搬送するキャリアとして、ＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔ  ｏｐｅｎｉｎｇ  ｕｎｉｆｉｅｄ  ｐｏｄ。以下、ポッドという。）が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は、図１を基準とする。すなわち、図１が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。
【００１３】
図１及び図２に示されているように、基板処理装置１は真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された真空搬送室としての第一の搬送室１１０を備えており、第一の搬送室１１０の筐体１１１は平面視が五角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室１１０には負圧下で二枚のウェハＷを同時に移載可能な第一の搬送手段としての第一のウェハ移載機１１２が設置されている。前記第一のウェハ移載機１１２は、エレベータ１１３によって、第一の搬送室１１０の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
【００１４】
第一の搬送室１１０の筐体１１１の５枚の側壁のうち前側に位置する１枚の側壁には、搬入/搬出用の予備室兼冷却室１３１，１４１がそれぞれ室開閉手段としてのゲートバルブ１３４，１４４を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。さらに、基板予備室としての予備室兼冷却室１３１，１４１にはそれぞれ基板載置台１３２，１３３，１４２，１４３が設置されている。
【００１５】
予備室兼冷却室１３１，１４１の前側には、大気圧下で用いられる大気搬送室としての第二の搬送室１２０がゲートバルブ１３０，１４０を介して連結されている。第二の搬送室１２０には二枚のウェハＷを同時に移載可能な第二のウェハ移載機１２２が設置されている。第二の搬送手段としての第二のウェハ移載機１２２は第二の搬送室１２０に設置されたエレベータ１２３によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１２４によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１６】
図１に示されているように、第二の搬送室１２０の左側には、基板位置調整機構としてのノッチ合せ装置１０７が設置されている。また、図２に示されているように、第二の搬送室１２０の上部にはクリーンエアを供給するエア供給機構としてのクリーンユニット１０６が設置されている。
【００１７】
図１及び図２に示されているように、第二の搬送室１２０の筐体１２１には、ウェハＷを第二の搬送室１２０に対して搬入搬出するためのウェハ搬入搬出口１０４と、前記ウェハ搬入搬出口１０４を閉塞する蓋１０５と、ポッドオープナ１０３がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１０３は、ロードポートとしてのＩＯステージ１００に載置されたポッド１０１のキャップ及び搬入搬出口１０４を閉塞する蓋１０５を開閉するキャップ開閉機構１０２を備えており、ＩＯステージ１００に載置されたポッド１０１のキャップ及びウェハ搬入搬出口１０４を閉塞する蓋１０５をキャップ開閉機構１０２によって開閉することにより、ポッド１０１のウェハ出し入れを可能にする。また、ポッド１０１は図示しない工程内搬送装置（ＡＧＶ/ＯＨＴ）によって、前記ＩＯステージ１００に供給及び排出されるようになっている。
【００１８】
図１に示されているように、第一の搬送室１１０の筐体１１１の５枚の側壁のうち背面側に位置する４枚の側壁には、ウェハＷに所望の処理を行う処理室１５０，１５１，１５２，１５３がそれぞれゲートバルブ１６０，１６１，１６２，１６３を介して隣接して連結されている。処理室１５０，１５１，１５２，１５３は全て同一種の処理室を連結することができる。一方、目的に応じてそれぞれ異なる処理室を連結することもできる。
【００１９】
以下、本実施形態における基板処理装置１を使用した処理工程を説明する。
【００２０】
未処理のウェハＷは２５枚がポッド１０１に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置１へ工程内搬送装置によって搬送されてくる。図１及び図２に示されているように、搬送されてきたポッド１０１はＩＯステージ１００の上に工程内搬送から受け渡されて載置される。ポッド１０１のキャップ及びウェハ搬入搬出口１０４を開閉する蓋１０５がキャップ開閉機構１０２によって取り外され、ポッド１０１のウェハ出し入れ口が開放される。
【００２１】
ポッド１０１がポッドオープナ１０３により開放されると、第二の搬送室１２０に設置された第二のウェハ移載機１２２はポッド１０１からウェハＷを１枚ピックアップする。そして、基板位置調整機構としてのノッチ合せ装置１０７へ移載し、ウェハＷの位置を調整する。ここでノッチ合せ装置１０７とは載置されたウェハＷをＸ方向、Ｙ方向及び円周方向に位置を調整する装置である。
【００２２】
前記ノッチ合せ装置１０７にてウェハＷの位置を調整していると同時に、前記第二のウェハ移載機１２２はポッド１０１から次のウェハＷをピックアップして第二の搬送室１２０に搬出する。
【００２３】
前記ノッチ合せ装置１０７にてウェハＷの位置調整が終了したら、前記第二のウェハ移載機１２２でノッチ合せ装置１０７上のウェハＷを第二の搬送室１２０に搬出すると共に、このとき第二のウェハ移載機１２２が保持しているウェハＷをノッチ合せ装置１０７へ移載する。そして、ウェハＷに対して位置調整を行う。
【００２４】
次にゲートバルブ１３０を開け、第一の予備室兼冷却室１３１に搬入し、ウェハＷを基板載置台１３３に移載する。この移載作業中には、第一の搬送室１１０側のゲートバルブ１３４は閉じられており、第一の搬送室１１０の負圧は維持されている。ここで、大気搬送モジュールがポッド１０１を載置するロードポートと、大気圧下で基板Ｗを搬送する大気搬送室としての第二の搬送室１２０と、基板予備室としての予備室兼冷却室１３１，１４１とで構成され、基板Ｗは大気搬送モジュール内で大気圧にて搬送される。
【００２５】
ウェハＷの基板載置台１３３への移載が完了すると、ゲートバルブ１３０が閉じられ、第一の予備室兼冷却室１３１が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００２６】
第一の予備室兼冷却室１３１が負圧に排気されると同時に、第二のウェハ移載機１２２はノッチ合せ装置１０７からウェハＷをピックアップし、ゲートバルブ１４０を開けて第二の予備室兼冷却室１４１に搬入し、ウェハＷを基板載置台１４３に移載する。そしてゲートバルブ１４０を閉じ、第二の予備室兼冷却室１４１を排気装置（図示せず）によって負圧に排気する。
【００２７】
第二のウェハ移載機１２２により、上述のようにポッド１０１から前記第二の搬送室１２０を介して基板予備室である予備室兼冷却室１３１，１４１までの基板搬送が繰り返し実行される。しかしながら、第一の予備室兼冷却室１３１及び第二の予備室兼冷却室１４１が負圧の場合は、第一の予備室兼冷却室１３１及び第二の予備室兼冷却室１４１へのウェハＷの搬入を実行せずに第一の予備室兼冷却室１３１及び第二の予備室兼冷却室１４１の直前の所定の位置で停止する。
【００２８】
第一の予備室兼冷却室１３１が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ１３４が開かれる。続いて第一の搬送室１１０の第一のウェハ移載機１１２は基板載置台１３３からウェハＷをピックアップする。ピックアップ後、ゲートバルブ１３４を閉じて第一の基板予備室兼冷却室１３１を大気圧に戻し、次のウェハＷを搬入するための準備をする。
【００２９】
ゲートバルブ１３４を閉じて第一の基板予備室兼冷却室１３１を大気圧に復帰させるのと同時に、第一の処理室１５０のゲートバルブ１６０を開き、ウェハ移載機１１２がウェハＷを第一の処理室１５０に搬入する。そして第一の処理室１５０内にガス供給装置（図示せず）から処理ガスが供給され、所望の処理がウェハＷに施される。
【００３０】
続いて、第二の予備室兼冷却室１４１が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ１４４が開かれる。続いて第一の搬送室１１０の第一のウェハ移載機１１２は基板載置台１４３からウェハＷをピックアップする。
【００３１】
ピックアップ後、ゲートバルブ１４４を閉じて第二の予備室兼冷却室１４１を大気圧に戻し、次のウェハＷを搬入するための準備をする。
【００３２】
ゲートバルブ１４４を閉じて第二の予備室兼冷却室１４１を大気圧に復帰させるのと同時に、第二の処理室１５１のゲートバルブ１６１を開き、ウェハ移載機１１２がウェハＷを第二の処理室１５１に搬入する。そして、第二の処理室１５１内にガス供給装置（図示せず）から処理ガスが供給され、所望の処理がウェハＷに施される。
【００３３】
以下、同様にして第三の処理室１５２、第四の処理室１５３にウェハＷを搬入し、所望の処理を施す。
【００３４】
第一の処理室１５０において所望の処理が終了したら、第一のウェハ移載機１１２は第一の処理室１５０から搬出したウェハＷを第一の予備室兼冷却室１３１へ搬出する。このとき、第一の予備室兼冷却室１３１に未処理のウェハＷが存在する場合、第一のウェハ移載機は前記未処理ウェハＷを第一の予備室兼冷却室１３１から第一の搬送室１１０へ搬出する。
【００３５】
そしてゲートバルブ１３４を閉じ、処理済ウェハＷの冷却を開始すると同時に第一の予備室兼冷却室１３１に接続された不活性ガス供給装置（図示せず）から不活性ガスを導入し、第一の予備室兼冷却室１３１内の圧力を大気圧に戻す。
【００３６】
第一の予備室兼冷却室１３１において予め設定された冷却時間が経過し、且つ第一の基板予備室兼冷却室１３１内の圧力が大気圧に戻されると、ゲートバルブ１３０が開かれる。続いて、第二の搬送室１２０の第二のウェハ移載機１２２は基板載置台１３２から処理済のウェハＷをピックアップして第二の搬送室１２０に搬出し、ゲートバルブ１３０を閉じる。そして、第二の搬送室１２０のウェハ搬入搬出口１０４を通してポッド１０１に収納する。以上の動作が繰り返されることにより、ウェハＷが２５枚ずつ順次、処理されていく。
【００３７】
ポッド１０１内の全てのウェハＷに所望の処理が行われ、処理済の２５枚のポッド１０１への収納が完了すると、ポッド１０１のキャップとウェハ搬入搬出口１０４を閉塞する蓋１０５がポッドオープナ１０３によって閉じられる。閉じられたポッド１０１はロードポートとしてのＩＯステージ１００上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されていく。
【００３８】
ここで、制御用コントローラが基板処理装置１に接続されており、制御用コントローラは搬送制御、プロセス制御を行う手段を持つように構成される。図３は図１及び図２に示す基板処理装置を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。
【００３９】
図３において、制御用コントローラ１１は、操作部１２と統括制御コントローラ１３と第一の処理室１５０を制御するためのプロセスチャンバコントローラＰＭＣ（１）１４、第二の処理室１５１を制御するためのプロセスチャンバコントローラＰＭＣ（２）１５が、ＬＡＮ回路１６で接続されている。また、統括制御コントローラ１３には第一の移載機１１２を制御するロボットコントローラ１３ａ、第二の移載機１２２を制御する大気ロボットコントローラ１３ｂ、マスフローコントローラＭＦＣ１３ｃなどが接続されている。さらに、プロセスチャンバコントローラＰＭＣ（１）１４には、マスフローコントローラＭＦＣ１４ａ、ＡＰＣ１４ｂ、温度調節器１４ｃ、バルブＩ／Ｏ１４ｄなどが接続されている。尚、ＭＦＣ１４ａはガスの流量を制御するためのマスフローコントローラであり、ＡＰＣ１４ｂはプロセスチャンバＰＭ内の圧力を制御するためのオートプレッシャーコントローラである。また、温度調節器１４ｃは処理室としてのプロセスチャンバＰＭ内の温度の制御を行うものであり、バルブＩ／Ｏ１４ｄはガスや排気用のバルブのＯＮ／ＯＦＦを制御するための入出力ポートである。また、ＰＭＣ（２）１５もＰＭＣ（１）１４と同様な構成である。尚、図示されていないが、第三の処理室１５２を制御するためのプロセスチャンバコントローラＰＭＣ（３）と第四の処理室１５３を制御するためのプロセスチャンバコントローラＰＭＣ（４）も同様な構成で、同じようにＬＡＮ回路１６に接続されている。
【００４０】
記憶部１８は、ＬＡＮ回線１６に接続されており、操作部１２に表示される画面を介して入力された指示データや各種レシピ（プロセスレシピ、ダミー基板用レシピ等）を格納する。
【００４１】
操作部１２はシステム制御コマンドの指示、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、及びパラメータ編集などの画面を表示する機能を有している。また、統括制御コントローラ１３は、システム全体の運用制御、真空ロボットコントローラ１３ａの制御、大気ロボットコントローラ１３ｂの制御、ＭＦＣ１３ｃやバルブやポンプなどを制御する排気系制御を行う。
【００４２】
次に、図３に示す制御用コントローラ１１の基本的な運用例について説明する。操作部１２からのコマンド指示を受けた統括制御コントローラ１３は、ウェハ搬送指示を大気ロボットコントローラ１３ｂに指示すると、該大気ロボットコントローラは、第二の移載機１２２を制御して、ウェハＷをポッド１０１からノッチ合せ装置１０７を介して予備室兼冷却室１３１，１４１に搬送させる。そして、統括制御コントローラ１３は、ウェハＷを搬送されると予備室兼冷却室１３１，１４１の排気制御（つまり、ポンプやバルブの制御）を実施する。そして、予備室兼冷却室１３１，１４１が所定の負圧力に達したところで、真空ロボットコントローラ１３ａに指示してウェハＷを該当する第一の処理室１５０へ搬送させる。続いて、ＰＭＣ（１）１４又はＰＭＣ（２）１５等に対して、ウェハＷに付加価値を与えるためのプロセスレシピの実行指示を行い、ウェハＷに所定の処理が施される。処理済のウェハＷは、第一の処理室１５０から予備室兼冷却室１３１，１４１へ搬送され、更に大気圧に戻された後、元のポッド１０１に搬送される。尚、予め搬送先に異なるポッド指定されている場合、元のポッド１１０ではなく、指定されたポッドに搬送してもよい。
【実施例】
【００４３】
図５、図６を用いて本願発明における基板処理装置におけるリークチェック結果情報の表示について説明する。図５は、本実施の形態における画面構成イメージである。また、図６に、リークチェック結果画面を表示する際の制御イメージを示す。ここで、ＬＭ１は、予備室兼冷却室１３１、ＬＭ２は予備室兼冷却室１４１、ＴＭ１は、第一の搬送室１１０、ＰＭ１は、第一の処理室１５０、ＰＭ４は、第四の処理室１５３をそれぞれ示す。
【００４４】
図５で示されているように、これらモジュール毎に個別に構成される画面群や各モジュールに共通する画面群は、図示しない蓄積部に格納されている。このように、蓄積部は、個別領域と共通領域を有する。各モジュールで特有な情報は個別領域に格納され、各モジュールで共通される情報は共通領域に格納される。
【００４５】
図５に示されるように、本願発明の特徴としてリークチェックの結果情報を表示するリークチェック結果画面は、共通画面群を記憶する領域に格納される。従い、このリークチェック結果画面で各モジュールのリークチェック情報を一括表示できる。
【００４６】
図６に具体的な機能構成図が示されている。本願発明を実施する際に少なくとも主制御部１７と、操作部１２が構成される。操作部１２は、各チャンバで個別に保存される情報や各チャンバに共通する情報を蓄積する蓄積部と、前記情報を所定の画面に表示する表示部と、主制御部１７より通知されるファイルの実行結果情報を受信し、受信した結果情報をファイルに変換して蓄積に保存する図示しない通信部を備えている。更に、所定の画面からの指示を受けつけ前記蓄積部から前記指示に応じたファイルを読み込み、前記所定の画面に前記ファイルの内容を表示する図示しない表示制御部を操作部１２は有する。主制御部１７は、所定のファイルを実行すると共に、前記所定のファイルを実行した結果情報である履歴情報を前記操作部に通知するように構成されている。
【００４７】
図６に示される操作部１２と主制御部１７とで少なくとも構成される制御システムによって、リークチェック結果が画面上に各モジュールで一括表示される。以下、上記制御システムの動作を追って詳述する。
【００４８】
主制御部１７が、リークチェック用のファイルをＰＭ１(第一の処理室１５０)で実行する。実行後、主制御部１７は、リークチェック結果情報を操作部１２に通知する。通知されると、操作部１２は、図示しない通信手段で受信し、このリークチェック結果情報を履歴ファイルとして記憶部に保存する。
【００４９】
一方、図示しない表示制御部は、画面上の所定の操作を受けつけ、表示部にリークチェック情報を表示するリークチェック情報表示画面を表示させる。ここで、複数のリークチェック結果情報で構成される履歴ファイルから所定の履歴ファイルが選択されると、前記蓄積部を検索して前記所定の履歴ファイルを抽出し、前記所定の履歴ファイルを展開して前記履歴ファイルの内容を構成するリークチェック結果情報を前記リークチェック情報表示画面に表示させる。
【００５０】
このように、本実施の形態において、リークチェック情報を表示する画面やリークチェック結果情報をファイルに変換して(履歴ファイルとして)を蓄積部に格納させ、所定の操作により履歴ファイルが選択されると、表示制御部によりこの蓄積部が検索され、その履歴ファイルの内容が画面に表示されるように構成される。従って、リークチェック情報が１つの画面で一括して表示され、また、過去にリークチェックを行った履歴も参照することができる。
【００５１】
上記では基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に限らず、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、クラスタ型の基板処理装置について示したがインライン型の基板処理装置にも適用できることは言うまでもない。
【００５２】
また、本実施形態では基板処理装置に適用した例が示されているが、このような基板処理装置ではなく、少なくとも１台以上の基板処理装置に接続され、前記基板処理装置の稼動状態を管理する群管理装置にも適用できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５３】
１  基板処理装置
１２  操作部
１７  主制御部
１００  ＩＯステージ（ロードポート）
１０１  ポッド（ＦＯＵＰ）
１０２  キャップ開閉機構
１０３  ポッドオープナ
１０４  ウェハ搬入搬出口
１０５  蓋
１０６  クリーンユニット
１０７  ノッチ合せ装置
１１０  第一の搬送室（真空搬送室）
１１１  第一の搬送室の筐体
１１２  第一のウェハ移載機
１１３  第一のウェハ移載機のエレベータ
１２０  第二の搬送室（大気搬送室）
１２１  第二の搬送室の筐体
１２２  第二のウェハ移載機
１２３  第二のウェハ移載機のエレベータ
１２４  リニアアクチュエータ
１３０  ゲートバルブ
１３１  第一の予備室兼冷却室（ロードロック室）
１３２  基板載置台（上）
１３３  基板載置台（下）
１３４  基板冷却装置
１４０  ゲートバルブ
１４１  第二の予備室兼冷却室（ロードロック室）
１４２  基板載置台（上）
１４３  基板載置台（下）
１４４  基板冷却装置
１５０  第一の処理室
１５１  第二の処理室
１５２  第三の処理室
１５３  第四の処理室
１６０  ゲートバルブ
１６１  ゲートバルブ
１６２  ゲートバルブ
１６３  ゲートバルブ
２００  プラズマ処理装置
２０２  処理室
Ｗ      ウェハ
【図１】
2012164850.tif 000003
【図２】
2012164850.tif 000004
【図３】
2012164850.tif 000005
【図４】
2012164850.tif 000006
【図５】
2012164850.tif 000007
【図６】
2012164850.tif 000008
【図７】
2012164850.tif 000009
【図８】
2012164850.tif 000010