(57)【要約】【課題】ビアなど外部接続のための配線工程を容易にして生産性を向上させ、さらに信頼性を向上させることができ、カメラモジュールに適用する際にフォーカス無調整を実現できるウェハーレベルのイメージセンサモジュールおよびその製造方法、そしてカメラモジュールを提供する。【解決手段】イメージセンサモジュールは、ウェハー１１と、ウェハー１１の上面に実装されたイメージセンサ１２と、イメージセンサ１２を密封するようにウェハー１１の上面に設けられた透明部材１３と、ウェハー１１上の、透明部材１３の外側の領域に位置するように形成されたビア１４と、ビア１４の上端部に形成された上面パッド１５と、ウェハー１１の上面のうち透明部材１３の外側の領域上に形成されたカプセル化部１６と、ビア１４の下端部に電気的に接続された外部接続部材１８とを含む。【選択図】図３
2012094882.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ウェハーの上面にイメージセンサを実装するステップと、
（ｂ）透明部材を準備するステップと、
（ｃ）前記イメージセンサを密封すると共に前記ウェハーの上面のうち前記イメージセンサが密封される領域以外の領域が露出するように前記ウェハーの上面に前記透明部材を設けるステップと、
（ｄ）前記ウェハーにビアを形成するステップと、
（ｅ）前記ウェハーの上面のうち露出した領域にカプセル化部を形成するステップと、
（ｆ）前記ウェハーをダイシングして個々のイメージセンサモジュールに分割するステップと、
を含むウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法。
【請求項２】
前記（ｃ）ステップは、
前記透明部材の上面にボンディングサポータを接着するステップと、
前記透明部材のうち前記イメージセンサと対応する部位を除く部位を除去するステップと、
前記ウェハーと前記透明部材のうちいずれか一方にボンディングスペーサを形成するステップと、
前記イメージセンサが前記透明部材によって密封されるように、前記ウェハーの上面に前記ボンディングスペーサを介して前記透明部材を設置するステップと、
前記ボンディングサポータを除去するステップと、
を含んでいることを特徴とする請求項１に記載のウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法。
【請求項３】
前記透明部材のうち前記イメージセンサと対応する部位を除く部位の除去は、エッチング工程によって行われることを特徴とする請求項２に記載のウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法。
【請求項４】
前記ボンディングサポータの除去は、熱または紫外線またはレーザーを用いた除去工程によって行われることを特徴とする請求項２または３に記載のウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法。
【請求項５】
前記（ｃ）ステップは、
前記透明部材の下面のうち前記イメージセンサと対応する部位を除く部位に開口溝を形成するステップと、
前記ウェハーと前記透明部材のうちいずれか一方にボンディングスペーサを形成するステップと、
前記イメージセンサが前記透明部材によって密封されるように、前記ウェハーの上面に前記ボンディングスペーサを介して前記透明部材を設置するステップと、
前記透明部材の前記開口溝が上部に開口するように前記透明部材をシニングするステップと、
を含んでいることを特徴とする請求項１に記載のウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法。
【請求項６】
前記開口溝の形成は、エッチング工程によって行われることを特徴とする請求項５に記載のウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法。
【請求項７】
前記（ｄ）ステップは、
前記ウェハーの上面側から下面側にドリル加工によってビアホールを形成し、前記ビアホールの内部に導電性部材を充填することによって行われることを特徴とする請求項１から６のいずれか１つに記載のウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法。
【請求項８】
前記（ｆ）ステップ以前に行われ、前記ビアの下端部に外部接続部材を形成するステップをさらに含む請求項１から７のいずれか１つに記載のウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法。
【請求項９】
前記外部接続部材は、前記ビアの下端部に形成された下面パッドを介して前記ビアと電気的に接続されることを特徴とする請求項８に記載のウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記（ｆ）ステップより前に、前記透明部材に赤外線遮断部を形成するステップをさらに含む請求項１から９のいずれか１つに記載のウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イメージセンサモジュールおよびカメラモジュールに関し、特に、カメラモジュールに適用するのに好適な、ウェハーレベルのイメージセンサモジュール、その製造方法、及びカメラモジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年における半導体産業の主要な傾向の１つは、可能な限り半導体素子を小型化することである。小型化の要求は、特に半導体チップのパッケージ産業において顕著である。ここで、パッケージとは、微細回路が形成された集積回路チップを実際の電子機器に実装して用いることができるようにプラスチック樹脂やセラミックによって封じた形態をいう。
【０００３】
従来の典型的なパッケージは、その中に内蔵される集積回路チップに比べて、はるかに大きいサイズを有する。したがって、パッケージのサイズをチップサイズのレベルに縮小することがパッケージ技術者の関心の１つであった。
【０００４】
このような背景によって近年開発された新しいパッケージ類型が、すなわちチップスケールパッケージ（または、チップサイズパッケージともいう）である。その中で、特にウェハーレベルチップスケールパッケージは、個別のチップ単位でパッケージの組立を進める典型的なパッケージ製造方法とは違い、ウェハー状態のまま複数のパッケージを一括して組み立て、製造するという点に特徴がある。
【０００５】
半導体集積回路チップは、パッケージ技術の発達にともなって、絶え間なく高密度化、高速化、小型化および薄型化を実現されてきている。特に、パッケージ素子の構造的側面における変遷を見れば、ピン挿入型から表面実装型に発展し、回路基板に対する実装密度が高められてきており、最近ではベアチップの特性をパッケージの状態でそのまま維持しながらも、パッケージのサイズをチップレベルに縮小できるチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）に対する活発な研究が進められている。
【０００６】
チップサイズパッケージのうちで、特にチップ表面でチップパッドを再配線した後、半田ボールを形成した類型をウェハーレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）という。このウェハーレベルチップサイズパッケージでは、いわゆるフリップチップと呼ばれる方式によってチップ（ｃｈｉｐまたはｄｉｅ）が回路基板に直接実装され、チップの再配線された回路上に形成された半田ボールが回路基板の伝導性パッドに接合される。この時、伝導性パッドにも半田ボールが形成され、パッケージの半田ボールと接合されることもある。
【０００７】
最近では、半導体チップとパッケージのサイズとがほとんど差のないほどに小さな各種ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）技術が登場し始め、この技術は半導体の小型、高速、高集積化の傾向に押されて、予想よりはるかに早く広がっている。
【０００８】
これと共に、個々のチップに切断されていないウェハー状態ですべての組立過程を終えるウェハーレベルパッケージ技術が次世代ＣＳＰ技術として脚光を浴びている。現在までの半導体組立工程では、ウェハーを各々のチップに切断した後に形成工程を行うのに対して、ウェハーレベルパッケージ技術は様々なチップが形成されたウェハーの状態のまま、ダイボンディング、ワイヤーボンディング、モールディングなどの一連の組立工程を終えた後にこれを切断して直ぐに完成品を得る。
【０００９】
したがって、この技術を適用する場合、現在の市場にでているＣＳＰ技術よりも全体的なパッケージ費用をさらに低くすることができる。
【００１０】
このようなウェハーレベルチップスケールパッケージでは、半導体チップの活性面に半田ボールが形成されることが一般的であり、このような構造のために、ウェハーレベルチップスケールパッケージを積層したり、または電荷結合素子（ＣＣＤ）のようなセンサパッケージなどの製作に応用したりするのには、構造上、相当な困難をともなう。
【００１１】
ウェハーレベルチップスケールパッケージ技術を用いてイメージセンサのパッケージを製造した従来のパッケージされた集積回路素子が、特許文献１に掲載されており、このパッケージされた集積回路素子の構造を図１に示す。
【００１２】
図１には、結晶質基材に形成されたマイクロレンズアレイ１００を備える集積回路素子を示している。
【００１３】
表面にマイクロレンズアレイ１００が形成された基材１０２の下には、通常ガラスで形成されたパッケージ層１０６がエポキシ１０４によって密着させられており、パッケージ層１０６のエッジに沿って電気コンタクト１０８が形成されている。電気コンタクト１０８はパッケージ層１０６の下面に形成された通常のバンプ１１０と接続され、基材１０２の上面に形成された導電性パッド１１２と電気的に接続されている。
【００１４】
通常ガラスで形成されたパッケージ層１１４とこれと関連するスペーサ要素１１６が、基材１０２上にエポキシ１１８などの接着剤によって取り付けられ、マイクロレンズアレイ１００とパッケージ層１１４との間に密封されたキャビティ１２０を形成している。
【００１５】
電気コンタクト１０８は、エポキシ１０４およびパッケージ層１０６の傾斜面にメッキなどの方法によって形成されている。
【００１６】
しかし、上述した従来の集積回路素子には、基材１０２の導電性パッド１１２とバンプ１１０を電気的に接続するために電気コンタクト１０８が形成されており、また、集積回路素子が複数の構成要素が積層される工程を介して製作されるため、構造および工程が複雑になるという短所がある。
【００１７】
これを改善するために、導電性パッド１１２とバンプ１１０とを接続するのに、図１のように非対称な形状ではなく直方体の形状を有する基材１０２にマイクロレンズアレイ１００を形成し、基材１０２を貫通するビア（図示せず）を介して導電性パッド１１２とバンプ１１０が電気的に接続されるようにし、基材１０２の上部に、スペーサ要素１１６とエポキシ１１８などの接着剤を介してガラスで形成されたパッケージ層１１４を取り付けて、基材１０２の上面の全領域を覆った集積回路素子が開発される傾向がある。
【００１８】
しかし、上記のように形成された集積回路素子は、基材１０２の上面の全領域をガラスで形成したパッケージ層１１４で覆うため、ビアを形成するためのドリル工程および以降の工程で基材１０２の上面を利用して工程を進めることができず、基材１０２の下面のみを利用して工程を進めなければならないため、工程上の困難および問題点があった。
【００１９】
一方、図２は、他の形態の集積回路素子、すなわち、固体撮像装置を示したものであり、この固体撮像装置は固体撮像チップ２１０と、固体撮像チップ２１０の上面中央に形成されたマイクロレンズ２３０を含む受光領域２２０と、受光領域２２０のみを密封するようにガラスで形成された透明部材２４０とから形成されている。
【００２０】
上記のように構成された固体撮像装置は、透明部材２４０が受光領域２２０のみを密封するように設置され、ビア（図示せず）を形成するためのドリル工程など工程上の困難および問題点はないが、固体撮像チップ２１０の上面のうち受光領域２２０を除いた部位が露出していることによって信頼性が低下するという問題点があった。
【００２１】
【特許文献１】大韓民国特許公開第２００２−７４１５８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
したがって、本発明は、上述した従来技術において提起されている上記の短所と問題点を解決するために創案されたものであり、本発明の目的は、ビアなどの外部接続のための配線工程を容易にして生産性を向上させ、さらに信頼性を向上させることができ、カメラモジュールに適用する際にフォーカス無調整を実現できる、ウェハーレベルのイメージセンサモジュール、その製造方法、及びカメラモジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記目的を達成するための本発明の一態様によれば、ウェハーと、ウェハーの上面に実装されたイメージセンサと、イメージセンサを密封するようにウェハーの上面に設けられた透明部材と、ウェハー上の、透明部材の外側の領域に位置するように形成されたビアと、ビアの上端部に形成された上面パッドと、ウェハーの上面のうち透明部材の外側の領域上に形成されたカプセル化部と、ビアの下端部に電気的に接続された外部接続部材と、を含むウェハーレベルのイメージセンサモジュールが提供される。
【００２４】
透明部材は、ボンディングスペーサを介してウェハーの上面に接着されていることが好ましい。
【００２５】
この時、透明部材はガラスによって形成し、ボンディングスペーサは、接着性を有するポリマーまたはメタルによって形成することができる。
【００２６】
外部接続部材は、ビアの下端部に形成された下面パッドを介してビアと電気的に接続された半田ボールとすることができる。
【００２７】
ビアは、ウェハーの上面側からドリル加工よって形成されたビアホールと、ビアホールの内部に充填された導電性部材によって形成することができる。
【００２８】
この時、導電性部材は、導電性を有する金属とすることができる。
【００２９】
ウェハーレベルのイメージセンサモジュールは、透明部材の一面に形成され、イメージセンサに流入する光のうち長波長の赤外線を遮断するための赤外線遮断部をさらに含むように構成することができる。
【００３０】
ここで、赤外線遮断部は、透明部材の一面に赤外線遮断物質がコーティングされて形成された赤外線遮断コーティング層とすることができる。
【００３１】
カプセル化部は、エポキシ系の樹脂から形成することが好ましい。
【００３２】
一方、上記のような目的を達成するための本発明の他の一態様によれば、上面にイメージセンサおよび上面パッドが備えられ、側部に傾斜面が形成されたウェハーと、イメージセンサを密封するようにウェハーの上面に設けられた透明部材と、上面パッドと一端が接続されてウェハーの傾斜面に沿ってウェハーの下面まで延びるように形成されたリード部と、ウェハーの上面のうち透明部材の外側の領域上に形成されたカプセル化部と、リード部の他端に電気的に接続された外部接続部材と、を含むウェハーレベルのイメージセンサモジュールが提供される。
【００３３】
透明部材は、ボンディングスペーサを介してウェハーの上面に接着されていることが好ましい。
【００３４】
この時、透明部材はガラスで形成することができ、ボンディングスペーサは、接着性を有するポリマーまたはメタルによって形成することができる。
【００３５】
外部接続部材は、リード部の他端部に電気的に接続された半田ボールによって構成することができる。
【００３６】
ウェハーレベルのイメージセンサモジュールは、透明部材の一面に形成され、イメージセンサに流入する光のうち長波長の赤外線を遮断するための赤外線遮断部をさらに含むように構成することができる。
【００３７】
この時、赤外線遮断部は、透明部材の一面に赤外線遮断物質がコーティングされて形成された赤外線遮断コーティング層とすることができる。
【００３８】
カプセル化部は、エポキシ系の樹脂からなることが好ましい。
【００３９】
一方、上記のような目的を達成するための本発明のさらに他の態様によれば、（ａ）ウェハーの上面にイメージセンサを実装するステップと、（ｂ）透明部材を準備するステップと、（ｃ）イメージセンサを密封すると共にウェハーの上面のうちイメージセンサが密封される領域以外の領域が露出するようにウェハーの上面に透明部材を設けるステップと、（ｄ）ウェハーにビアを形成するステップと、（ｅ）ウェハーの上面のうち露出した領域にカプセル化部を形成するステップと、（ｆ）ウェハーをダイシングして個々のイメージセンサモジュールに分割するステップと、を含むウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法が提供される。
【００４０】
前記（ｃ）ステップは、透明部材の上面にボンディングサポータを接着するステップと、透明部材のうちイメージセンサと対応する部位を除く部位を除去するステップと、ウェハーと透明部材のうちいずれか一方にボンディングスペーサを形成するステップと、イメージセンサが透明部材によって密封されるように、ウェハーの上面にボンディングスペーサを介して透明部材を設置するステップと、ボンディングサポータを除去するステップと、を含むものとすることができる。
【００４１】
この時、透明部材のうちイメージセンサと対応する部位を除く部位の除去は、エッチング工程によって行うことが好ましい。
【００４２】
また、ボンディングサポータの除去は、熱または紫外線またはレーザーを用いた除去工程によって行うことが好ましい。
【００４３】
あるいは、前記（ｃ）ステップは、透明部材の下面のうちイメージセンサと対応する部位を除く部位に開口溝を形成するステップと、ウェハーと透明部材のうちいずれか一方にボンディングスペーサを形成するステップと、イメージセンサが透明部材によって密封されるように、ウェハーの上面にボンディングスペーサを介して透明部材を設置するステップと、透明部材の開口溝が上部に開口するように透明部材をシニングするステップと、を含むものとすることもできる。
【００４４】
この時、開口溝の形成はエッチング工程によって行うことが好ましい。
【００４５】
前記（ｄ）ステップは、ウェハーの上面側から下面側にドリル加工によってビアホールを形成し、ビアホールの内部に導電性部材を充填することによって行うことができる。
【００４６】
ウェハーレベルのイメージセンサモジュールのこの製造方法は、前記（ｆ）ステップ以前に行われる、ビアの下端部に外部接続部材を形成するステップをさらに含むものとすることができる。
【００４７】
外部接続部材は、ビアの下端部に形成した下面パッドを介してビアと電気的に接続させることが好ましい。
【００４８】
ウェハーレベルのイメージセンサモジュールのこの製造方法は、前記（ｆ）ステップ以前のいかなる時に行ってもよい、透明部材に赤外線遮断部を形成するステップをさらに含むものとすることができる。
【００４９】
一方、上記のような目的を達成するための本発明のさらに他の態様によれば、ウェハーと、ウェハーの上面に実装されるイメージセンサと、イメージセンサを密封するようにウェハーの上面に設けられる透明部材と、ウェハー上の、透明部材の外側の領域に位置するように形成されたビアと、ビアの上端部に形成された上面パッドと、ウェハーの上面のうち透明部材の外側の領域上に形成されたカプセル化部と、ビアの下端部に電気的に接続された外部接続部材を含むウェハーレベルのイメージセンサモジュールと、カプセル化部の上端面に下端部が結合することによってウェハーレベルのイメージセンサモジュールの上部に設けられた光学ケースと、を含むカメラモジュールが提供される。
【００５０】
この時、カプセル化部の上端面の高さは透明部材の上端面の高さより低くなるようにすることが好ましい。
【００５１】
一方、上記のような目的を達成するための本発明のさらに他の態様によれば、上面にイメージセンサおよび上面パッドが備えられ、側部に傾斜面が形成されたウェハーと、イメージセンサを密封するようにウェハーの上面に設けられた透明部材と、上面パッドと一端が接続されウェハーの傾斜面に沿ってウェハーの下面まで延びるように形成されたリード部と、ウェハーの上面のうち透明部材の外側に形成されたカプセル化部と、リード部の他端に電気的に接続された外部接続部材を含むウェハーレベルのイメージセンサモジュールと、カプセル化部の上端面に下端部が結合することによってウェハーレベルのイメージセンサモジュールの上部に設けられた光学ケースと、を含むカメラモジュールが提供される。
【発明の効果】
【００５２】
本発明に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールおよびその製造方法によれば、ビアなど外部接続のための配線工程を容易にして生産性を向上させることができるという利点が得られる。
【００５３】
本発明に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールおよびその製造方法によれば、パッケージ工程内でウェハーの上面のうちイメージセンサの領域を除いた領域も保護可能であり、信頼性を向上させることができるという利点が得られる。
【００５４】
本発明に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールおよびその製造方法によれば、ウェハーレベル状態で透明部材を取り付けカプセル化部を形成することによって異物による不良を最小化できるという利点が得られる。
【００５５】
本発明に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールを含むカメラモジュールによれば、カプセル化部の上端面に光学ケースの下端部が直接結合することによって、カプセル化部の上端面の高さを調節して、カメラモジュールをスリム化することができ、光学ケースに装着されたレンズとイメージセンサとの間の焦点距離を一定に調整し、フォーカス無調整方式のカメラモジュールを実現できるという利点が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５６】
以下、本発明に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールおよびその製造方法、そしてカメラモジュールについて、添付の図面を参照しながら詳細に説明すれば次の通りである。
【００５７】
（ウェハーレベルのイメージセンサモジュールの第１実施形態）
まず、図３を参照して、本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールについて詳細に説明する。
【００５８】
図３は、本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールを概略的に示した断面図である。
【００５９】
図３に示すように、本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールは、ウェハー１１と、ウェハー１１の上面に実装されたイメージセンサ１２と、イメージセンサ１２を密封するようにウェハー１１の上面に設けられた透明部材１３と、ウェハー１１上の、透明部材１３の外側の領域に位置するように形成されたビア１４と、ビア１４の上端部に形成された上面パッド１５と、ウェハー１１の上面のうち透明部材１３の外側の領域上に形成されたカプセル化部１６と、ビア１４の下端部に電気的に接続された外部接続部材１８と、を含んでいる。
【００６０】
透明部材１３は、ボンディングスペーサ１９を介してウェハー１１の上面に接着されることが好ましい。
【００６１】
したがって、透明部材１３は、ボンディングスペーサ１９の上下方向の厚さ分だけウェハー１１の上面から上方に離隔して位置している。
【００６２】
この時、透明部材１３はガラスで形成することができ、ボンディングスペーサ１９は、接着性を有するポリマーまたはメタルで形成することができる。
【００６３】
ビア１４は、ウェハー１１の上面側からドリル加工によって形成されたビアホール１４ａと、ビアホール１４ａの内部に充填された導電性部材１４ｂとから構成することができる。
【００６４】
この時、ビアホール１４ａは、ドリル加工の代わりにレーザー加工によって形成することもでき、導電性部材１４ｂは、ビアホール１４ａ内に満たされた導電性を有する金属とすることができる。
【００６５】
外部接続部材１８は、ビア１４の下端部に形成された下面パッド１７を介してビア１４と電気的に接続された半田ボールとすることができる。
【００６６】
この時、外部接続部材１８は、半田ボール以外に他の形態を有する半田バンプによって形成してもよい。
【００６７】
一方、ウェハーレベルのイメージセンサモジュールは、透明部材１３の一面に赤外線遮断部（図示せず）を設けて、透明部材１３を介してイメージセンサ１２に流入する光のうち長波長の赤外線を遮断するようにしてもよい。
【００６８】
この時、赤外線遮断部は、透明部材１３の一面に赤外線遮断物質がコーティングされて形成された赤外線遮断コーティング層とすることもでき、透明部材１３の一面に設けられる赤外線遮断フィルタのようなフィルム形態の赤外線遮断部材とすることもできる。
【００６９】
もちろん、ウェハーレベルのイメージセンサモジュールに赤外線遮断部を設ける代わりに、ウェハーレベルのイメージセンサモジュールと結合して１つのカメラモジュールを構成する光学ケースなどに赤外線遮断フィルタのような赤外線遮断部材を装着し、イメージセンサ１２に流入する長波長の赤外線を遮断するようにすることもできる。
【００７０】
一方、カプセル化部１６は、エポキシ系の樹脂によって形成することが好ましい。
【００７１】
カプセル化部１６が、ウェハー１１の上面のうち透明部材１３によって密封される領域以外の領域を覆うように形成されることによって、上面パッド１５などのような回路パターンなどを保護して信頼性を向上させることができる。
【００７２】
次に、図４〜図１０を参照して、本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法について詳細に説明する。
【００７３】
図４〜図１０は、本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法の各工程を順次示す断面図である。
【００７４】
まず、図４に示すように、透明部材１３を準備するが、この時、透明部材１３の一面にはボンディングサポータ３を接着して、透明部材１３の一部分を除去しても除去された部位の他の部位をボンディングサポータ３によって固定された状態に維持することができるようにする。
【００７５】
そして、図５に示すように、透明部材１３のうちイメージセンサ１２（図６参照）と対応する部位を除いた残りの部位を除去する。
【００７６】
この時、透明部材１３のうちの、イメージセンサ１２と対応する部位を除く部位の除去はエッチング工程によって行うことが好ましい。
【００７７】
さらに、図６に示すように、ウェハー１１の上面にイメージセンサ１２を実装し、ウェハー１１と透明部材１３のうちのいずれか一方にボンディングスペーサ１９を形成した後、ボンディングスペーサ１９を介してウェハー１１の上面に透明部材１３を配置して、イメージセンサ１２を密封する。
【００７８】
そして、図７に示すように、ウェハー１１の上面に透明部材１３を配置した後に、透明部材１３の一面に備えられたボンディングサポータ３を熱または紫外線またはレーザーを用いた除去工程によって除去する。
【００７９】
これによって、ウェハー１１の上面のうちイメージセンサ１２が密封される領域以外の領域が露出させられる。
【００８０】
次に、図８に示すように、ウェハー１１上にビア１４および上面パッド１５を形成する。
【００８１】
この時、ビア１４は、ウェハー１１の上面側から下面側にドリル加工等によってビアホール１４ａを形成した後、ビアホール１４ａの内部に導電性部材１４ｂを充填して形成される。
【００８２】
次に、図９に示すように、ウェハー１１の上面のうち露出した領域にカプセル化部１６を形成する。
【００８３】
この時、カプセル化部１６は、エポキシ系の樹脂などによって形成される。
【００８４】
そして、図１０に示すように、ビア１４の下端部に外部接続部材１８を形成する。
【００８５】
この時、外部接続部材１８は、ビア１４の下端部に下面パッド１７を形成し、下面パッド１７を介してビア１４と電気的に接続することができる。
【００８６】
すなわち、ビア１４は、ウェハー１１の上面に備えられた上面パッド１５のような電極パッドをウェハー１１の下面に備えられた下面パッド１７および外部接続部材１８と電気的に接続する役割を果たす。
【００８７】
一方、外部接続部材１８を形成する工程は、カプセル化部１６を形成する工程以前に行うこともできる。
【００８８】
以後、ウェハー１１をダイシングして図３に示された個々のイメージセンサモジュールに分割する。
【００８９】
一方、図示していないが、透明部材１３には赤外線遮断部が形成され、透明部材１３を介してイメージセンサ１２に流入する長波長の赤外線を遮断するようにすることができる。
【００９０】
この時、透明部材１３に赤外線遮断部を形成する工程は、ウェハー１１をダイシングして個々のイメージセンサモジュールに分割するステップ以前に行えば、いかなる時でも行うことができる。
【００９１】
次に、図１１〜図１７を参照して、本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの他の製造方法を説明する。
【００９２】
図１１〜図１７は、本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールのこの製造方法の各工程を順次示す断面図である。
【００９３】
まず、図１１に示すように、透明部材１３を準備する。
【００９４】
そして、図１２に示すように、前記透明部材１３の下面のうちイメージセンサ１２と対応する部位を除く部位に開口溝１３ａを形成する。
【００９５】
この時、開口溝１３ａの形成は、エッチング工程によって行うことが好ましい。
【００９６】
さらに、図１３に示すように、ウェハー１１の上面にイメージセンサ１２を実装し、ウェハー１１と透明部材１３のうちいずれか一方にボンディングスペーサ１９を形成した後、ボンディングスペーサ１９を介してウェハー１１の上面に透明部材１３を配置し、イメージセンサ１２を密封する。
【００９７】
そして、図１４に示すように、ウェハー１１の上面に透明部材１３を配置した後に、透明部材１３の開口溝１３ａが上部に開口するように透明部材１３をシニングする。
【００９８】
これによって、ウェハー１１の上面のうちイメージセンサ１２が密封される領域以外の領域が露出させられる。
【００９９】
次に、図１５に示すように、ウェハー１１上にビア１４および上面パッド１５を形成する。
【０１００】
この時、ビア１４は、ウェハー１１の上面側から下面側にドリル加工等によってビアホール１４ａを形成した後、ビアホール１４ａの内部に導電性部材１４ｂを充填して形成することができる。
【０１０１】
次に、図１６に示すように、ウェハー１１の上面のうち露出した領域にカプセル化部１６を形成する。
【０１０２】
この時、カプセル化部１６は、エポキシ系の樹脂などによって形成することができる。
【０１０３】
そして、図１７に示すように、ビア１４の下端部に外部接続部材１８を形成する。
【０１０４】
この時、外部接続部材１８は、ビア１４の下端部に下面パッド１７を形成し、下面パッド１７を介してビア１４と電気的に接続することができる。
【０１０５】
すなわち、ビア１４はウェハー１１の上面に備えられた上面パッド１５のような電極パッドをウェハー１１の下面に備えられた下面パッド１７および外部接続部材１８と電気的に接続する役割を果たす。
【０１０６】
一方、外部接続部材１８を形成する工程は、カプセル化部１６を形成する工程以前に行うこともできる。
【０１０７】
以後、ウェハー１１をダイシングして図３に示した個々のイメージセンサモジュールに分割する。
【０１０８】
一方、図示していないが、透明部材１３には赤外線遮断部を形成し、透明部材１３を介してイメージセンサ１２に流入する長波長の赤外線を遮断するように構成することもできる。
【０１０９】
この時、透明部材１３に赤外線遮断部を形成する工程は、ウェハー１１をダイシングして個々のイメージセンサモジュールに分割するステップ以前に行えば、いかなる時でも行うことができる。
【０１１０】
（ウェハーレベルのイメージセンサモジュールの第２実施形態）
次に、図１８を参照して、本発明の第２実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールについて詳細に説明する。
【０１１１】
図１８は、本発明の第２実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールを概略的に示す断面図である。
【０１１２】
図１８に示すように、本発明の第２実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールは、上面にイメージセンサ２２および上面パッド２５が備えられ、側部に傾斜面が形成されたウェハー２１と、イメージセンサ２２を密封するようにウェハー２１の上面に設けられた透明部材２３と、上面パッド２５と一端が接続されウェハー２１の傾斜面に沿ってウェハー２１の下面まで延びるように形成されたリード部２４と、ウェハー２１の上面のうち透明部材２３の外側の領域に形成されたカプセル化部２６と、リード部２４の他端に電気的に接続された外部接続部材２８を含んでいる。
【０１１３】
透明部材２３は、ボンディングスペーサ２９を介してウェハー２１の上面に接着されていることが好ましい。
【０１１４】
したがって、透明部材２３は、ボンディングスペーサ２９の上下方向の厚さ分だけウェハー２１の上面から上方に離隔されて設けられている。
【０１１５】
この時、透明部材２３はガラスで形成することができ、ボンディングスペーサ２９は、接着性を有するポリマーまたはメタルで形成することができる。
【０１１６】
外部接続部材２８は、リード部２４の他端部に電気的に接続された半田ボールとすることができる。
【０１１７】
この時、外部接続部材２８は、半田ボール以外に他の形態を有する半田バンプによって形成することもできる。
【０１１８】
一方、ウェハーレベルのイメージセンサモジュールは、透明部材２３の一面に赤外線遮断部（図示せず）を設けて、透明部材２３を介してイメージセンサ２２に流入する光のうち長波長の赤外線を遮断するように構成することもできる。
【０１１９】
この時、赤外線遮断部は、透明部材２３の一面に赤外線遮断物質がコーティングされて形成された赤外線遮断コーティング層とすることもでき、透明部材２３の一面に設けられた赤外線遮断フィルタのようなフィルム形態の赤外線遮断部材とすることもできる。
【０１２０】
もちろん、ウェハーレベルのイメージセンサモジュールに赤外線遮断部を設ける代わりに、ウェハーレベルのイメージセンサモジュールと結合して、１つのカメラモジュールを構成する光学ケースなどに赤外線遮断フィルタのような赤外線遮断部材を装着し、イメージセンサ２２に流入する長波長の赤外線を遮断するように構成することもできる。
【０１２１】
一方、カプセル化部２６は、エポキシ系の樹脂で形成することが好ましい。
【０１２２】
カプセル化部２６を、ウェハー２１の上面のうち透明部材２３によって密封された領域以外の領域を覆うように形成することによって、上面パッド２５のような回路パターンなどを保護し、信頼性を向上させることができる。
【０１２３】
（カメラモジュールの実施形態）
次に、添付の図１９を参照して、本発明に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールを用いたカメラモジュールについて詳細に説明する。
【０１２４】
図１９は、本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールを用いたカメラモジュールを概略的に示した断面図である。
【０１２５】
図１９に示すように、カメラモジュールは、上述した本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールと、ウェハーレベルのイメージセンサモジュールを構成するカプセル化部１６の上端面に下端部が結合した光学ケース１０を含んでいる。
【０１２６】
この時、カプセル化部１６の高さは、透明部材１３の上端面の高さより低くなっている。
【０１２７】
このように、カプセル化部１６の上端面に光学ケース１０の下端部が直接結合することによってカプセル化部１６の上端面の高さを調節してカメラモジュールをスリム化することができ、光学ケース１０に装着されたレンズＬとイメージセンサ１２の間の焦点距離を一定に調整し、フォーカス無調整方式のカメラモジュールを実現することができる。
【０１２８】
一方、図１９に示されたカメラモジュールには、透明部材１３を介してイメージセンサ１２に流入する光のうち長波長の赤外線を遮断するための赤外線遮断フィルタＦが光学ケース１０に装着されているが、上述したように、本発明では透明部材１３の一面に赤外線遮断部を形成することによって、光学ケース１０の内部に赤外線遮断フィルタＦを設けるための空間をなくしてカメラモジュールをよりスリム化することもできる。
【０１２９】
また、図示していないが、上述した本発明の第２実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールが適用されたカメラモジュールでもまた、光学ケース１０の下端部をカプセル化部の上端面に直接結合し、カプセル化部の上端面の高さを透明部材の上端面の高さより低くして、カメラモジュールのスリム化およびフォーカス無調整方式のカメラモジュールの実現を図ることができる。
【０１３０】
上述した本発明の好ましい実施形態は、例示の目的で開示するものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に規定する本発明に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】従来技術に係わる集積回路素子を概略的に示した断面図である。
【図２】従来技術に係わる固体撮像装置を概略的に示した断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールを概略的に示した断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法を順次説明するための一工程での断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法を順次説明するための他の工程での断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法を順次説明するためのさらに他の工程での断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法を順次説明するためのさらに他の工程での断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法を順次説明するためのさらに他の工程での断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法を順次説明するためのさらに他の工程での断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの製造方法を順次説明するためのさらに他の工程での断面図である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの他の製造方法を順次説明するための一工程での断面図である。
【図１２】本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの他の製造方法を順次説明するための他の工程での断面図である。
【図１３】本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの他の製造方法を順次説明するためのさらに他の工程での断面図である。
【図１４】本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの他の製造方法を順次説明するためのさらに他の工程での断面図である。
【図１５】本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの他の製造方法を順次説明するためのさらに他の工程での断面図である。
【図１６】本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの他の製造方法を順次説明するためのさらに他の工程での断面図である。
【図１７】本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールの他の製造方法を順次説明するためのさらに他の工程での断面図である。
【図１８】本発明の第２実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールを概略的に示した断面図である。
【図１９】本発明の第１実施形態に係るウェハーレベルのイメージセンサモジュールを用いたカメラモジュールを概略的に示した断面図である。
【符号の説明】
【０１３２】
１１  ウェハー
１２  イメージセンサ
１３  透明部材
１４  ビア
１５  上面パッド
１６  カプセル化部
１７  下面パッド
１８  外部接続部材
１９  ボンディングスペーサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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