(57)【要約】【課題】電源ノイズの拡散を抑制することで、放射ノイズを低減する。【解決手段】副電源プレーン８は、電源導体層３に設けられ、半導体装置６を電源導体層３に投影したときの投影像の範囲を含む。主電源プレーン７は、電源導体層３に副電源プレーン８と間隔を空けて設けられている。電源接続配線１０は、主電源プレーン７と副電源プレーン８とを接続する。副グラウンドプレーン１２は、グラウンド導体層４に設けられ、半導体装置６をグラウンド導体層４に投影したときの投影像の範囲を含む。主グラウンドプレーン１１は、グラウンド導体層４に副グラウンドプレーン１２と間隔を空けて設けられている。グラウンド接続配線１４は、主グラウンドプレーン１１と副グラウンドプレーン１２とを接続する。電源接続配線１０をグラウンド導体層４に投影したときの投影像とグラウンド接続配線１４とを交差させている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源導体層、グラウンド導体層及び配線層を有し、前記電源導体層、前記グラウンド導体層及び前記配線層が誘電体層を介して積層され、前記配線層に回路素子が実装されたプリント回路板において、
前記電源導体層に設けられ、前記回路素子に電源電位を供給する第一の電源プレーンと、
前記電源導体層に前記第一の電源プレーンと間隔を空けて設けられた第二の電源プレーンと、
前記第一の電源プレーンと前記第二の電源プレーンとを接続する電源接続配線と、
前記グラウンド導体層に設けられ、前記回路素子にグラウンド電位を供給する第一のグラウンドプレーンと、
前記グラウンド導体層に前記第一のグラウンドプレーンと間隔を空けて設けられた第二のグラウンドプレーンと、
前記第一のグラウンドプレーンと前記第二のグラウンドプレーンとを接続するグラウンド接続配線と、を備え、
前記電源接続配線及び前記グラウンド接続配線は、前記電源接続配線を前記グラウンド導体層に投影したときの投影像と、前記グラウンド接続配線とが交差する配置となっていることを特徴とするプリント回路板。
【請求項２】
前記電源接続配線を前記グラウンド導体層に投影したときの投影像の中心線と、前記グラウンド接続配線の中心線との交差角度が、３０°〜１３５°の範囲内の角度であることを特徴とする請求項１に記載のプリント回路板。
【請求項３】
前記電源導体層と前記グラウンド導体層の間に設けられた誘電体層の厚さは１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント回路板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路素子が搭載されたプリント回路板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩといった回路素子が搭載されたプリント回路板において、その回路素子の動作に起因する放射ノイズが発生し、電子機器自身、あるいは他の電子機器に誤動作を引き起こす問題があることはよく知られている。
【０００３】
近年、ＩＣやＬＳＩの高速化がますます進展し、その動作周波数は数百ＭＨｚから数ＧＨｚに達している。動作周波数が数百ＭＨｚを超えるような帯域では、対策部品自身やプリント回路板の配線が持つ寄生成分の影響が大きくなるために、対策部品の効果が阻害され、一般的に用いられているような対策部品による放射ノイズ対策では、十分な効果を得ることができない。
【０００４】
このような数百ＭＨｚから数ＧＨｚといった帯域において放射ノイズを抑制するために、たとえばエンベデッドキャパシタ基板のように寄生成分の小さい多層プリント回路板構成とするような方法が用いられている。従来、エンベデッドキャパシタ基板は、電源導体層およびグラウンド導体層の全面を電極とし、層間に厚さ１００μｍ以下の薄い誘電体層を設けることで、電源導体層とグラウンド導体層をキャパシタとして作用させるということが提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
一方、通常のプリント回路板において、電源ノイズの拡散を抑制する手法が提案されている（特許文献２参照）。具体的には、電源導体層とグラウンド導体層にそれぞれ島状の電源プレーンとグラウンドプレーンを設け、投影した同位置に設けられた接続配線でそれぞれを接続することで、電源ノイズの経路を制限し、電源ノイズの拡散を抑制する手法が提案されている。各接続配線は、配線幅が広すぎると電源ノイズの拡散抑制とならず、配線幅が狭すぎると電気抵抗が高くなるため、これらを考慮して適正な幅に設定されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第２７３８５９０号公報
【特許文献２】特開２００７−１７３６６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１の構成では、電源導体層とグラウンド導体層の全面を電極としているために、ＩＣやＬＳＩ等の回路素子の動作に伴って発生する電源ノイズが、基板全体に拡散してしまい、放射ノイズが増加するという問題があった。
【０００８】
また、上記特許文献２に記載されている各接続配線で接続する手段を、上記特許文献１に記載されているエンベデッドキャパシタ基板に単純に適用しても、電源ノイズの拡散を抑制する効果は十分ではない。エンベデッドキャパシタ基板では、電源導体層とグラウンド導体層とを近接しているため、電源とグラウンドの接続配線同士が強く結合する。そのため、各接続配線のインピーダンス（インダクタンス成分）を高めることができず、接続配線を介して電源ノイズが拡散してしまうからである。
【０００９】
そこで、本発明は、電源ノイズの拡散を抑制することで、放射ノイズを低減するプリント回路板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、電源導体層、グラウンド導体層及び配線層を有し、前記電源導体層、前記グラウンド導体層及び前記配線層が誘電体層を介して積層され、前記配線層に回路素子が実装されたプリント回路板において、前記電源導体層に設けられ、前記回路素子に電源電位を供給する第一の電源プレーンと、前記電源導体層に前記第一の電源プレーンと間隔を空けて設けられた第二の電源プレーンと、前記第一の電源プレーンと前記第二の電源プレーンとを接続する電源接続配線と、前記グラウンド導体層に設けられ、前記回路素子にグラウンド電位を供給する第一のグラウンドプレーンと、前記グラウンド導体層に前記第一のグラウンドプレーンと間隔を空けて設けられた第二のグラウンドプレーンと、前記第一のグラウンドプレーンと前記第二のグラウンドプレーンとを接続するグラウンド接続配線と、を備え、前記電源接続配線及び前記グラウンド接続配線は、前記電源接続配線を前記グラウンド導体層に投影したときの投影像と、前記グラウンド接続配線とが交差する配置となっていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、電源接続配線をグラウンド導体層に投影したときの投影像とグラウンド接続配線とを交差させたので、従来よりも電源接続配線及びグラウンド接続配線の実効インダクタンスが高くなり、インピーダンスが高くなる。したがって、回路素子の動作で第一の電源プレーンに発生した電源ノイズが、第二の電源プレーンに拡散するのを抑制することができ、放射ノイズを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント回路板の概略構成を示す説明図である。
【図２】電源導体層からグラウンド導体層側を見た平面図であり、（ａ）は電源導体層全体を示す図、（ｂ）は電源導体層の部分拡大図である。
【図３】電源導体層及びグラウンド導体層の等価回路を示す電気回路図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係るプリント回路板の概略構成を示す説明図であり、（ａ）はプリント回路板の分解斜視図、（ｂ）は電源導体層からグラウンド導体層側を見た平面図である。
【図５】実施例１におけるプリント回路板のシミュレーションモデルの斜視図である。
【図６】比較例のプリント回路板のシミュレーションモデルの斜視図である。
【図７】電源ノイズ伝播の低減効果を示す図であり、（ａ）は実施例１のプリント回路板のシミュレーション結果と、比較例のプリント回路板のシミュレーション結果を示す図である。（ｂ）は実施例２のプリント回路板のシミュレーション結果と、比較例のプリント回路板のシミュレーション結果を示す図である。
【図８】実施例１における交差角度と実効インダクタンスとの関係を示す図である。
【図９】実施例２におけるプリント回路板のシミュレーションモデルの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１４】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係るプリント回路板の概略構成を示す説明図である。本実施形態におけるプリント回路板１は、いわゆる多層プリント回路板であり、第一の配線層２、電源導体層３、グラウンド導体層４、第二の配線層５を有し、各層が誘電体層（絶縁体層）２１，２２，２３を介して順次積層されてなる。そして、電源導体層３とグラウンド導体層４とが誘電体層２２を挟んで対向して配置されてエンベデッドキャパシタが形成されている。第一の配線層２には、ＩＣやＬＳＩなどの回路素子としての半導体装置６が実装され、不図示の配線パターンなどが設けられている。
【００１５】
電源導体層３には、主電源プレーン７及び副電源プレーン８が互いに間隔を空けて設けられている。そして、主電源プレーン７と副電源プレーン８とは、電源接続配線１０により接続されている。
【００１６】
副電源プレーン８は、主電源プレーン７に供給された電源電位（電力）を半導体装置６に供給するための第一の電源プレーンである。副電源プレーン（第一の電源プレーン）８は、半導体装置６を電源導体層３に投影したときの投影像の範囲を含む大きさに形成することが好ましい。本実施形態では、副電源プレーン８は、半導体装置６を電源導体層３に投影したときの投影像と重なる（一致する）大きさに形成されている。そして、半導体装置６は、不図示のビアなどを介して副電源プレーン８に接続されている。なお、副電源プレーン８は、半導体装置６を電源導体層３に投影したときの投影像よりも小さく形成されていてもよい。
【００１７】
主電源プレーン７は、電源導体層３に副電源プレーン８と間隔を空けて設けられた第二の電源プレーンである。具体的に説明すると、主電源プレーン７と副電源プレーン８とは、略Ｃ字形状の第一の開口部９により島状に分割されて、電源接続配線１０により接続されている。電源接続配線１０は、主電源プレーン７と副電源プレーン８の互いに対向する辺同士を接続するように設けられている。
【００１８】
グラウンド導体層４には、主グラウンドプレーン１１及び副グラウンドプレーン１２が互いに間隔を空けて設けられている。そして、主グラウンドプレーン１１と副グラウンドプレーン１２とは、グラウンド接続配線１４により接続されている。
【００１９】
副グラウンドプレーン１２は、半導体装置６にグラウンド電位を供給するための第一のグラウンドプレーンである。副グラウンドプレーン１２は、半導体装置６をグラウンド導体層４に投影したときの投影像の範囲を含む大きさに形成することが好ましい。本実施形態では、副グラウンドプレーン１２は、半導体装置６をグラウンド導体層４に投影したときの投影像と重なる（一致する）大きさに形成されている。そして、半導体装置６は、不図示のビアなどを介して副グラウンドプレーン１２に接続されている。なお、副グラウンドプレーン１２は、半導体装置６をグラウンド導体層４に投影したときの投影像よりも小さく形成されていてもよい。
【００２０】
主グラウンドプレーン１１は、グラウンド導体層４に副グラウンドプレーン１２と間隔を空けて設けられた第二のグラウンドプレーンである。具体的に説明すると、主グラウンドプレーン１１と副グラウンドプレーン１２とは、略Ｃ字形状の第二の開口部１３により島状に分割されて、グラウンド接続配線１４により接続されている。
【００２１】
グラウンド接続配線１４は、主グラウンドプレーン１１と副グラウンドプレーン１２の互いに対向する辺同士を接続するように設けられている。各接続配線１０，１４は、配線幅が広すぎると電源ノイズの拡散抑制とならず、配線幅が狭すぎると電気抵抗が高くなるため、これらを考慮して適正な幅に設定されている。
【００２２】
第二の配線層５には不図示の配線パターンや電子部品が設けられている。なお、本実施形態では、電源導体層３及びグラウンド導体層４のうち半導体装置６が実装された第一の配線層２に近い方の層は、電源導体層３であるが、グラウンド導体層４であってもよい。
【００２３】
図２は、電源導体層３からグラウンド導体層４側を見た平面図であり、図２（ａ）は電源導体層３全体を示す図、図２（ｂ）は電源導体層３の部分拡大図である。図２（ａ）に示すように、電源接続配線１０及びグラウンド接続配線１４は、電源接続配線１０をグラウンド導体層４に投影したときの投影像と、グラウンド接続配線１４とが交差する配置となっている。
【００２４】
電源接続配線１０及びグラウンド接続配線１４は、直線状に延びる帯状の導体である。図２（ｂ）に示すように、電源接続配線１０をグラウンド導体層４に投影したときの投影像の中心線Ｌ１と、グラウンド接続配線１４の中心線Ｌ２との交差角度をθとする。ここで、交差角度θは、各接続配線１０，１４の中心線Ｌ１，Ｌ２が、各プレーン８，１２の辺に対して直交し、接続配線１０の投影像と接続配線１４とが重なる場合を０°としている。
【００２５】
半導体装置６が動作すると、その動作に伴って発生した電源ノイズ電流が副電源プレーン８から電源接続配線１０を介して、主電源プレーン７に向かって流れようとする。このとき、グラウンド導体層４には電源ノイズの帰還電流が主グラウンドプレーン１１からグラウンド接続配線１４を介して副グラウンドプレーン１２に向かって流れようとする。すなわち電源接続配線１０を流れる電流とグラウンド接続配線１４を流れる電流とは互いに逆相の成分を持つことになる。
【００２６】
ここで、エンベデッドキャパシタ基板となる電源導体層３及びグラウンド導体層４の等価回路を図３に示す。図３において、Ｌｖは電源接続配線１０の自己インダクタンス成分、Ｌｇはグラウンド接続配線１４の自己インダクタンス、Ｍは電源接続配線１０とグラウンド接続配線１４との間の相互インダクタンスである。Ｃｍは主電源プレーン７と主グラウンドプレーン１１との間の容量、Ｃｓは副電源プレーン８と副グラウンドプレーン１２との間の容量である。
【００２７】
電源ノイズ電流の拡散を抑制するためには、接続配線１０，１４の部分の実効インダクタンスＬを高めればよい。ここで、接続配線１０，１４の部分の実効インダクタンスＬは、以下の式で表される。
【００２８】
【数１】
2012069814.tif 000003
【００２９】
【数２】
2012069814.tif 000004
【００３０】
電源接続配線１０に電流が流れると、その電流の向きと直交する平面において、右ねじの方向に磁束が発生する。この磁束がグラウンド接続配線１４と鎖交することで、相互インダクタンスＭが発生する。交差角度θが０°から９０°の範囲ではθが大きくなるにつれて相互インダクタンスＭが小さくなっていくため、実効インダクタンスＬは大きくなる。特に、交差角度が９０°の場合、発生した磁束は、グラウンド接続配線１４とは鎖交せず、相互インダクタンスＭは発生しない。
【００３１】
また、交差角度θが９０°から１８０°の範囲ではθが大きくなるにつれて相互インダクタンスＭが大きくなるため、実効インダクタンスＬは大きくなっていく。なお、従来の交差角度θが０°の場合は、互いの接続配線１０，１４を流れる電流による磁束が鎖交し合うために最大の相互インダクタンスＭが発生し、実効インダクタンスＬは最小となる。
【００３２】
従って、交差角度θを大きくするほど、接続配線１０，１４の部分の実効インダクタンスＬが高くなる。しかしながら、電源接続配線１０とグラウンド接続配線１４の一部が重なっている本第１実施形態のプリント回路板１においては、交差角度θが１８０°となることは構造上不可能である。ゆえに、電源接続配線１０をグラウンド導体層４に投影したときの投影像と、グラウンド接続配線１４との交差角度を０°＜θ＜１８０°の範囲内で交差させると、電源ノイズの拡散を抑制することができる。
【００３３】
このように、電源接続配線１０をグラウンド導体層４に投影したときの投影像とグラウンド接続配線１４とを交差させたので、電源接続配線１０及びグラウンド接続配線１４の実効インダクタンスが交差角度θを０°とした場合よりも高くなる。したがって、電源接続配線１０及びグラウンド接続配線１４のインピーダンスが高くなる。よって、回路素子としての半導体装置６の動作で副電源プレーン８に発生した電源ノイズが、主電源プレーン７に拡散するのを抑制することができ、放射ノイズを低減することができる。
【００３４】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係るプリント回路板について説明する。図４は、本発明の第２実施形態に係るプリント回路板の概略構成を示す説明図であり、図４（ａ）はプリント回路板の分解斜視図、図４（ｂ）は電源導体層からグラウンド導体層側を見た平面図である。なお、上記第１実施形態と同一部分には同一符号を附して説明を省略する。
【００３５】
図４（ａ）に示す本実施形態のプリント回路板１Ａにおいて、上記第１実施形態と異なるのは、電源接続配線１０Ａ及びグラウンド接続配線１４Ａのそれぞれが、副電源プレーン８及び副グラウンドプレーン１２のそれぞれのコーナー部に配置されている点である。
【００３６】
本実施形態のプリント回路板１Ａにおいても、図４（ｂ）に示すように、電源接続配線１０Ａをグラウンド導体層４に投影させたときの投影像と、グラウンド接続配線１４Ａとを交差させている。これにより、電源接続配線１０Ａ及びグラウンド接続配線１４Ａの実効インダクタンスが交差角度θを０°とした場合よりも高くなり、インピーダンスが高くなる。したがって、回路素子としての半導体装置６の動作で副電源プレーン８に発生した電源ノイズが、主電源プレーン７に拡散するのを抑制することができ、放射ノイズを低減することができる。
【００３７】
なお、上記実施の形態に基づいて本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。上記実施形態においては、導体層が４つの場合を想定して説明を行っているが、導体層が４つ以上の場合でも電源導体層とグラウンド導体層が誘電体層を介して隣接して配置され、エンベデッドキャパシタを構成していれば、本願発明は適用可能である。
【実施例】
【００３８】
（実施例１）
次に、第１実施形態のプリント回路板１の効果を検証するために、電磁界シミュレータＭＷ−Ｓｔｕｄｉｏ（ＣＳＴ社製）を用いてシミュレーションを行った。図５に実施例１におけるプリント回路板１のシミュレーションモデルの斜視図を示す。
【００３９】
図５において、プリント回路板１は短辺が４０ｍｍ、長辺が９０ｍｍの長方形である。第一の配線層２、電源導体層３、グラウンド導体層４及び第二の配線層５（図１参照）は、それぞれ厚さ５０μｍの銅で構成されている。それぞれの導体層の間には、比誘電率４．３の誘電体層２１，２２，２３（図１参照）が配置されている。誘電体層２１の厚さは１００μｍ、誘電体層２２の厚さは５０μｍ、誘電体層２３の厚さは１．３ｍｍである。副電源プレーン８と副グラウンドプレーン１２は一辺が２６ｍｍの正方形状である。
【００４０】
また電源接続配線１０は、グラウンド導体層４に投影したときに、グラウンド接続配線１４との交差角度θが９０°の角度をなすように配置されている。主電源プレーン７と副電源プレーン８との電源接続配線１０で接続された辺同士の間隔、主グラウンドプレーン１１と副グラウンドプレーン１２とのグラウンド接続配線１４で接続された辺同士の間隔が４ｍｍである。電源接続配線１０及びグラウンド接続配線１４の配線幅は２ｍｍである。
【００４１】
また入力ポート３０は一端が副電源プレーン８に、他端が副グラウンドプレーン１２に接続されており、出力ポート３１は一端が主電源プレーン７に、他端が主グラウンドプレーン１１に接続されており、それぞれが５０Ωのインピーダンスを有している。このようなモデルを用いて、入力ポート３０に、周波数０〜３ＧＨｚ、振幅１Ｗのガウシアンパルスを入力したときの挿入損失（Ｓ２１）をシミュレーションした。
【００４２】
また、従来のプリント回路板に相当する、交差角度θを０°とした比較例のプリント回路板のシミュレーションモデルを作成し、結果の比較を行った。図６は、比較例のプリント回路板１００のシミュレーションモデルの斜視図である。図６における図５のシミュレーションモデルとの違いは、電源接続配線１０がグラウンド接続配線１４と重なる位置に対向して配置されていることのみである。
【００４３】
実施例１のプリント回路板１のシミュレーション結果と、比較例のプリント回路板１００のシミュレーション結果を図７（ａ）に示す。図７（ａ）において、横軸は周波数、縦軸は挿入損失（Ｓ２１）であり、実線が実施例１の結果、破線が比較例の結果である。図７（ａ）から明らかなように、実施例１のプリント回路板１の方が、比較例のプリント回路板１００と比べて、挿入損失が大きく、入力ポート３０から出力ポート３１への電源ノイズ電流の伝播が小さい。つまり、電源ノイズの拡散が抑制されているということがわかる。
【００４４】
次に、電源接続配線１０とグラウンド接続配線１４とが成す角θと実効インダクタンスＬとの関係を、シミュレータＦａｓｔＨｅｎｒｙを用いて調べた。その結果を図８に示す。図８に示す結果より、電源接続配線１０とグラウンド接続配線１４との交差角度θが０°のときの実効インダクタンスＬは０．１５ｎＨであり、交差角度θが３０°のときの実効インダクタンスＬは０．８５ｎＨである。従って、交差角度θが３０°で０°のときの約５倍以上の実効インダクタンスとなる。
【００４５】
また、図８に示す結果より、実効インダクタンスＬは、交差角度θが１８０°で最大値を取るということがわかる。しかしながら、電源接続配線１０とグラウンド接続配線１４の一部が重なっている実施例１のプリント回路板１においては、交差角度θが１８０°となることは構造上不可能である。また交差角度θを１３５°より大きくすることは、配線面積の増大を招くため現実的な構造とはいえない。
【００４６】
さらに、図８に示す結果より、交差角度θが１３５°よりも大きい範囲における実行インダクタンスの増加率は、交差角度θが４５°〜１３５°の範囲の実行インダクタンスの増加率よりも低い。従って、交差角度θを１３５°より大きくしても、実効インダクタンスはほとんど増加せず、交差角度θを１３５°よりも大きくするメリットはほとんどない。このことから、交差角度θは３０°〜１３５°の範囲の角度（３０°≦θ≦１３５°）を持つことが望ましいといえる。
【００４７】
このとき、電源導体層３とグラウンド導体層４との間に積層される誘電体層は１００μｍ以下の厚さであれば良く、好ましくは１平方センチメートル辺り３８ｐＦ〜４４２７ｐＦの容量が形成される厚さと誘電率を有していることが望ましい。この値は、誘電体の比誘電率の範囲４．３〜２５と厚さの範囲５μｍ〜１００μｍに基づいている。
【００４８】
また、交差角度θが９０°であるとより好適である。この場合、実効インダクタンスＬは最大ではないものの、相互インダクタンスＭが発生せず、実効インダクタンスＬは従来のものよりも高く、また、接続配線１０，１４同士を直交させればよいので、接続配線１０，１４を容易に作製することができる。また、交差角度θが９０°の場合は、ノイズが副電源プレーン８から主電源プレーン７に伝播する場合のみならず、逆にノイズが主電源プレーン７から副電源プレーン８に伝播する場合についても効果的にノイズの伝播を抑制することができる。
【００４９】
（実施例２）
次に、本第２実施形態におけるプリント回路板１Ａの効果を検証するために、実施例１のプリント回路板１００と同様にシミュレーションを実施した。図９は実施例２におけるプリント回路板１Ａのシミュレーションモデルの斜視図である。図９における、図５のシミュレーションモデルと異なる点は、電源接続配線１０Ａとグラウンド接続配線１４Ａとが副電源プレーン８及び副グラウンドプレーン１２のコーナー部に配置されていることであり、その他の条件は図５のプリント回路板１００と同様である。また、交差角度θは、９０°である。
【００５０】
このときの結果を図７（ｂ）に示す。図７（ｂ）において、横軸は周波数、縦軸は挿入損失（Ｓ２１）であり、実線が実施例２のプリント回路板１Ａの結果、破線が比較例のプリント回路板１００の結果である。図７（ｂ）から明らかなように、本実施例２のプリント回路板１Ａの方が比較例のプリント回路板１００と比べて、挿入損失が大きく、入力ポート３０から出力ポート３１への電源ノイズ電流の伝播が小さい。つまり、電源ノイズの拡散が抑制されているということがわかる。
【符号の説明】
【００５１】
１，１Ａ  プリント回路板
２  第一の配線層
３  電源導体層
４  グラウンド導体層
５  第二の配線層
６  半導体装置（回路素子）
７  主電源プレーン（第二の電源プレーン）
８  副電源プレーン（第一の電源プレーン）
１０，１０Ａ  電源接続配線
１１  主グラウンドプレーン（第二のグラウンドプレーン）
１２  副グラウンドプレーン（第一のグラウンドプレーン）
１４，１４Ａ  グラウンド接続配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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