(57)【要約】      （修正有）【課題】不良率が低下して生産性が向上した共振構造を有する両面発光が可能な有機発光表示装置を提供する。【解決手段】複数個の画素領域に区画された基板１０１と、基板上のそれぞれの画素領域に形成され、第１発光領域１１１ａと第２発光領域１１１ｂとに区画される第１電極１１１と、第１電極の第１発光領域上に形成される第１中間層１１３と、第１電極の第２発光領域上に形成される第２中間層１１４と、第１電極と第２中間層との間に配される第２電極１１２と、第１中間層及び第２中間層上に形成される第３電極１１７と、を具備し、第１中間層で発せられた光は、第１電極と第３電極とを透過し、第２中間層で発せられた光は、第３電極を透過することを特徴とする有機発光表示装置。【選択図】図２
2012094513.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個の画素領域に区画された基板と、
前記基板上のそれぞれの前記画素領域に形成され、第１発光領域と第２発光領域とに区画される第１電極と、
前記第１電極の前記第１発光領域上に形成される第１中間層と、
前記第１電極の前記第２発光領域上に形成される第２中間層と、
前記第１電極と前記第２中間層との間に配される第２電極と、
前記第１中間層及び前記第２中間層上に形成される第３電極と、を具備し、
前記第１中間層で発せられた光は、前記第１電極と前記第３電極とを透過し、
前記第２中間層で発せられた光は、前記第３電極を透過することを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記基板は、前記第１中間層で発せられた光を透過させることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１電極は、前記第１中間層で発せられた光を透過させることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１電極は、透明電極であることを特徴とする請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうちいずれか一つからなることを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第１電極は、結晶化されたＩＴＯからなることを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第２電極は、前記第２中間層で発せられた光を反射させることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第２電極は、前記第１電極上に積層された複数層の金属層からなることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第２電極は、前記第１電極上に積層された第１金属層と第２金属層とからなることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第１金属層は、前記第２中間層で発せられた光を反射させる金属からなり、前記第２金属層は、前記第２中間層で発せられた光を透過させる金属からなることを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記第１金属層は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、それらの化合物、及びそれらの混合物のうちいずれか一つからなり、前記第２金属層は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうちいずれか一つからなることを特徴とする請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記第２電極は、第１電極と前記第１金属層との間に、第３金属層をさらに具備することを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記第３金属層は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうちいずれか一つからなることを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記第１電極は、前記第２金属層及び前記第３金属層より厚みがさらに厚く形成されることを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記第１中間層及び前記第２中間層のそれぞれで発せられた光は、同じ共振効果を奏するように光学距離が同じであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
前記第１中間層の厚みは、前記第２中間層の厚みと同じであることを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置。
【請求項１７】
前記第３電極は、透明電極または透過電極であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１８】
前記透過電極は、ＭｇＡｇであることを特徴とする請求項１７に記載の有機発光表示装置。
【請求項１９】
前記第３電極の厚みは、１００Åないし２００Åであることを特徴とする請求項１８に記載の有機発光表示装置。
【請求項２０】
前記基板上に配され、前記画素領域を密封する密封部材をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項２１】
前記密封部材は、前記第１中間層及び前記第２中間層で発せられた光を透過させることを特徴とする請求項２０に記載の有機発光表示装置。
【請求項２２】
前記基板上に配され、前記第１電極を露出させる開口を有する画素定義膜と、
前記基板と前記第１電極との間に配され、前記第１電極と電気的に連結される画素回路部と、
前記画素回路部と前記第１電極との間に配される絶縁層と、をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項２３】
前記画素回路部は、薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置。
【請求項２４】
前記画素回路部が前記画素定義膜に対応するように、前記基板上に配されることを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置。
【請求項２５】
前記第１中間層及び前記第２中間層は、同じ物質からなることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、平板表示装置（flat display device）は、発光型と受光型とに大別される。発光型としては、平板陰極線管（flat cathode ray tube）、プラズマディスプレイパネル（plasma display panel）、電界発光素子（electroluminescent device）、発光ダイオード（light emitting diode）などがある。受光型としては、液晶ディスプレイ（ＬＥＤ：liquid crystal display）を挙げることができる。このうち、電界発光素子は、視野角が広く、コントラストにすぐれるだけではなく、応答速度が速いという長所を有しており、次世代表示素子として注目を集めている。このような電子発光素子は、発光層を形成する物質によって、無機電界発光素子と有機電界発光素子とに区分される。
【０００３】
このうち、有機電界発光素子は、蛍光性有機化合物を電気的に励起（excitation）させて発光させる自発光型ディスプレイであり、低い電圧での駆動が可能であり、薄型化が容易であり、広視野角、速い応答速度など、液晶ディスプレイにおいて問題点として指摘されているところを解決することができる次世代ディスプレイとして注目されている。
【０００４】
有機電界発光素子は、アノード電極とカソード電極との間に、有機物からなる発光層を具備している。有機電界発光素子は、それら電極に正極電圧及び負極電圧がそれぞれ印加されることにより、アノード電極から注入された正孔（hole）が正孔輸送層を経由して発光層に移動し、電子は、カソード電極から電子輸送層を経由して発光層に移動し、発光層で電子と正孔とが再結合して励起子（exciton）を生成する。
【０００５】
前記励起子が励起状態から基底状態に変化することにより、発光層の蛍光性分子が発光して画像を形成する。フルカラー（full color）型有機電界発光素子の場合では、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の三色を発光する画素（pixel）を具備することによってフルカラーを具現する。
【０００６】
このような有機電界発光素子で、アノード電極の両端部には、画素定義膜（pixel define layer）が形成される。そして、この画素定義膜に所定の開口を形成した後、開口が形成されて外部に露出されたアノード電極の上部に、発光層及びカソード電極が順に形成される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の主な目的は、共振構造を有する有機発光表示装置の不良率を低下させ、生産性を向上させるところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、複数個の画素領域に区画された基板と、前記基板上の前記それぞれの画素領域に形成され、第１発光領域と第２発光領域とに区画される第１電極と、前記第１電極の前記第１発光領域上に形成される第１中間層と、前記第１電極の前記第２発光領域上に形成される第２中間層と、前記第１電極と前記第２中間層との間に配される第２電極と、前記第１中間層及び第２中間層の上に形成される第３電極と、を具備し、前記第１中間層で発せられた光は、前記第１電極と前記第３電極とを透過し、前記第２中間層で発せられた光は、前記第３電極を透過することができる。
【０００９】
本発明において、前記基板は、前記第１中間層で発せられた光を透過させることができる。
【００１０】
本発明において、前記第１電極は、前記第１中間層で発せられた光を透過させることができる。
【００１１】
本発明において、前記第１電極は、透明電極でありうる。
【００１２】
本発明において、前記第１電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうちいずれか一つからなりうる。
【００１３】
本発明において、前記第１電極は、結晶化されたＩＴＯからなりうる。
【００１４】
本発明において、前記第２電極は、前記第２中間層で発せられた光を反射させることができる。
【００１５】
本発明において、前記第２電極は、前記第１電極上に積層された複数層の金属層からなりうる。
【００１６】
本発明において、前記第２電極は、前記第１電極上に積層された第１金属層と第２金属層とからなりうる。
【００１７】
本発明において、前記第１金属層は、前記第２中間層で発せられた光を反射させる金属からなり、前記第２金属層は、前記第２中間層で発せられた光を透過させる金属からなりうる。
【００１８】
本発明において、前記第１金属層は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、それらの化合物、及びそれらの混合物のうちいずれか一つからなり、前記第２金属層は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうちいずれか一つからなりうる。
【００１９】
本発明において、前記第２電極は、第１電極と前記第１金属層との間に、第３金属層をさらに具備することができる。
【００２０】
本発明において、前記第３金属層は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３のうちいずれか一つからなりうる。
【００２１】
本発明において、前記第１電極は、前記第２金属層及び前記第３金属層より厚みがさらに厚く形成されうる。
【００２２】
本発明において、前記第１中間層及び前記第２中間層のそれぞれで発せられた光は、同じ共振効果を奏するように光学距離が同一でありうる。
【００２３】
本発明において、前記第１中間層の厚みは、前記第２中間層の厚みと同一でありうる。
【００２４】
本発明において、前記第３電極は、透明電極または透過電極でありうる。
【００２５】
本発明において、前記透過電極は、ＭｇＡｇでありうる。
【００２６】
本発明において、前記第３電極の厚みは、１００Åないし２００Åでありうる。
【００２７】
本発明において、前記基板上に配され、前記画素領域を密封する密封部材をさらに具備することができる。
【００２８】
本発明において、前記密封部材は、前記第１中間層及び前記第２中間層で発せられた光を透過させることができる。
【００２９】
本発明において、前記基板上に配され、前記第１電極を露出させる開口を有する画素定義膜と、前記基板と前記第１電極との間に配され、前記第１電極と電気的に連結される画素回路部と、前記画素回路部と前記第１電極との間に配される絶縁層と、をさらに具備することができる。
【００３０】
本発明において、前記画素回路部は、薄膜トランジスタでありうる。
【００３１】
本発明において、前記画素回路部が前記画素定義膜に対応するように、前記基板上に配されうる。
【００３２】
本発明において、前記第１中間層及び前記第２中間層は、同じ物質からなりうる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、有機発光表示装置は、共振構造を有しつつ、両面発光が可能であり、有機発光表示装置の生産性が向上して不良率が低下する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図２】図１に図示された有機発光部の画素領域を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、添付された図面を参照にしつつ、本発明の望ましい実施形態について、さらに詳細に説明する。
【００３６】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。図２は、図１に図示された有機発光部の画素領域を概略的に示す断面図である。
【００３７】
図１を参照すれば、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１００は、基板１０１、密封部材１０２、接合部材１０３及び有機発光部１１０を具備することができる。
【００３８】
基板１０１は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材質からなりうる。基板１０１は、必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材質から形成することもできる。プラスチック材質は、絶縁性有機物であるポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート（polyallylate）、ポリイミド（polyimide）、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）からなるグループから選択される有機物でありうる。基板１０１は、複数個の画素領域に区画され、画素領域上には、有機電界発光素子ＯＬＥＤが配されうる。
【００３９】
密封部材１０２は、基板１０１のような透明なガラス材質や、プラスチック材質からなりうる。密封部材１０２と基板１０１は、そのエッジで、接合部材１０３によって結合され、基板１０１と密封部材１０２との間の空間１０５が密封されうる。前記空間１０５には、吸湿剤や充填材などが位置しうる。密封部材１０２は、これに限定されるものではなく、有機発光部１１０上に形成される薄膜フィルムでありうる。密封部材１０２の薄膜フィルムは、酸化シリコンまたは窒化シリコンのような無機物からなる膜と、エポキシ、ポリイミドのような有機物からなる膜とが交互に成膜された構造を取ることができる。
【００４０】
第１基板１０１と密封部材１０２は、いずれも透明な材質から形成され、有機発光部１１０から発せられた光によって画像が具現され、有機発光部１１０への外気及び水分の浸透を遮断することができる。
【００４１】
接合部材１０３は、第１基板１０１と密封部材１０２とを接合させる働きをする。接合部材１０３は、エポキシのような有機シーラントからなりうる。また、接合部材は、フリット（frit）でありうる。フリットは、粉末状のガラスという意味で使われるが、本発明でのフリットは、粉末状の有機物を添加したゲル状のガラス、及びレーザを照射して硬化された固状のガラスを通称して使用される。フリットでもって基板１０１と密封部材１０２とを接合する方法は、フリットを密封部材１０２のエッジに塗布し、基板１０１上に密封部材１０２を配した後、レーザ照射装置が稼働中に、フリットにレーザを照射し、フリットを硬化させてシーリングする段階を含む。
【００４２】
有機発光部１１０は、複数個の有機電界発光素子ＯＬＥＤと、画素回路部５０とからなりうる。図２を参照すれば、基板１０１上に、バッファ層５１が形成されており、この上に、画素回路部５０と、有機電界発光素子ＯＬＥＤとが形成されうる。画素回路部５０は、トップゲート（top gate）、ボトムゲート（bottom gate）など多様な形態の薄膜トランジスタでありうる。画素回路部５０は、画素定義膜１１６に対応するように、基板１０１上に配されうる。これについては後述する。
【００４３】
基板１０１のバッファ層５１上に、所定パターンの活性層５２が備わる。活性層５２の上部には、ゲート絶縁膜５３が備わり、ゲート絶縁膜５３上部の所定領域には、ゲート電極５４が形成されうる。ゲート電極５４は、薄膜トランジスタのオン／オフ信号を印加するゲートライン（図示せず）と連結されうる。ゲート電極５４の上部には、層間絶縁膜５５が形成され、コンタクトホール５６ａ，５７ａを介して、ソース／ドレイン電極５６，５７がそれぞれ活性層５２のソース／ドレイン領域５２ｂ，５２ｃに接するように形成される。ソース／ドレイン電極５６，５７の上部には、絶縁層が形成されうる。絶縁層は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘなどからなるパッシベーション膜５８、及びパッシベーション膜５８の上部に配されるアクリル、ポリイミド（polyimide）、ＢＣＢ（benzocyclobutene）などの有機物質からなる平坦化膜５９でありうる。
【００４４】
基板１０１の画素領域Ｐに対応するように、平坦化膜５９の上部に、第１電極１１１が形成されうる。第１電極１１１は、複数個の画素領域Ｐそれぞれに対応するように、パターニングされうる。第１電極１１１は、アノード電極またはカソード電極でありうる。第３電極１１７は、第１電極１１１に対向して配され、第１電極１１１がアノード電極であるとき、第３電極１１７はカソード電極になり、第１電極１１１がカソード電極であるとき、第３電極１１７はアノード電極になりうる。
【００４５】
第１電極１１１は、透明電極でありうる。従って、第１電極１１１は、第１中間層１１３で発せられた光を透過させることができる。基板１０１もやはり、光を透過させるので、第１中間層１１３で発せられた光は、第１電極１１１と基板１０１とを透過し、基板１０１側に画像が具現されうる。第１電極１１１がアノードである場合、仕事関数の大きい酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などから形成されうる。
【００４６】
第１電極１１１がＩＴＯである場合、第１電極１１１は、多結晶ＩＴＯでありうる。多結晶ＩＴＯは、非晶質ＩＴＯに比べて緻密な組織を有し、耐久性にすぐれる。従って、多結晶ＩＴＯの第１電極１１１は、後続工程、例えば、第２電極１１２を形成するためのエッチング工程中にも、表面損傷を防止することができる。多結晶ＩＴＯの第１電極１１１は、表面損傷が最小化されるので、第１電極１１１上に配される第１中間層１１３との接合特性が向上しうる。多結晶ＩＴＯは、非晶質ＩＴＯを、２００ないし４００℃で熱処理して形成することができる。
【００４７】
第１電極１１１は、第１発光領域１１１ａと第２発光領域１１１ｂとに区画されうる。第１発光領域１１１ａ上には、第１中間層１１３が形成され、第２発光領域１１１ｂ上には、第２電極１１２が形成されうる。第２電極１１２は、反射電極でありうる。第１電極１１１の第２発光領域１１１ｂ上には、第２電極１１２と第２中間層１１４とが積層されるので、第２中間層１１４で発せられた光は、第２電極１１２で反射され、密封部材１０２に向かって放出されうる。従って、第２発光領域１１１ｂでは、前面発光型（top emission type）が具現されうる。また、第１発光領域１１１ａでは、第１中間層１１３で発せられた光が第１電極１１１を透過し、基板１０１側に画像を具現し、かつ第３電極１１７を透過し、密封部材１０２側に画像を具現することができる。従って、第１発光領域１１１ａでは、前面発光型と背面発光型（bottom emission type）とがいずれも具現可能である。
【００４８】
第２電極１１２は、複数層の金属層からなりうる。一例として、図２に図示されているように、第２電極１１２は、３層の金属層から形成されうる。第２電極１１２は、第１電極１１１上に積層された、第３金属層１１２ａ、第１金属層１１２ｂ及び第２金属層１１２ｃからなりうる。他の変形例として、第２電極１１２は、第１電極１１１上に積層された第１金属層１１２ｂ及び第２金属層１１２ｃからなりうる。
【００４９】
第２金属層１１２ｃと第３金属層１１２ａは、透過電極または透明電極であり、第１金属層１１２ｂは、第２中間層１１４で発せられる光を反射させることができる金属でありうる。第２金属層１１２ｃと第３金属層１１２ａは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などから形成され、第１金属層１１２ｂは、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、またはそれらの混合物または合金などから形成されうる。
【００５０】
第１電極１１１の厚みｔ１は、第３金属層１１２ａの厚みｔ２よりさらに厚く形成されうる。一例として、第１電極１１１の厚みｔ１は、第３金属層１１２ａの厚みｔ２の２倍以上でありうる。第１電極１１１を第３金属層１１２ａに比べて厚く形成することによって、エッチングによって第２電極１１２を形成するとき、第１電極１１１の損傷を低減させることができる。すなわち、第２電極１１２は、第１電極１１１上に金属を積層させた後、エッチングによってパターニングし、特に第２電極１１２の第３金属層１１２ａと第１電極１１１は、同じＩＴＯから形成されうるので、第１電極１１１を厚く形成することによって、第２電極１１２形成のためのエッチング工程時に、第１電極１１１が損傷されることを防止することができる。
【００５１】
平坦化膜５９上には、第１電極１１１と第２電極１１２とを露出させる開口１１６ａを有する画素定義膜１１６が形成されうる。画素定義膜１１６は、有機物からなりうる。画素定義膜１１６に対応する基板１０１上に、画素回路部５０が形成されうる。前述のように、第１中間層１１３で発せられた光は、第１電極１１１を透過し、基板１０１に向かって放出されるが、画素回路部５０が基板１０１の画素領域ではない画素定義膜１１６に対応するように配されることによって、第１中間層１１３で発生し、第１電極１１１を透過する光の光取り出し効率を向上させることができる。
【００５２】
画素定義膜１１６の開口１１６ａによって露出された第１電極１１１と第２電極１１２との上には、第１中間層１１３及び第２中間層１１４が形成されうる。第１中間層１１３及び第２中間層１１４は、発光層を含むことができる。
【００５３】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは、電流の流れによって、赤色、緑色、青色の光を発光して所定の画像情報を表示するものであり、薄膜トランジスタのドレイン電極５７に連結され、それからプラス（＋）電源を供給される第１電極１１１、全体画素を覆うように備わり、マイナス（−）電源を供給される第３電極１１７、及びそれら第１電極１１１と第３電極１１７との間に配されて発光する第１中間層１１３並びに第２中間層１１４から構成されうる。第１電極１１１と第３電極１１７との間に、第１中間層１１３及び第２中間層１１４が配され、第１中間層１１３及び第２中間層１１４に、互いに異なる極性の電圧を加え、第１中間層１１３及び第２中間層１１４で発光を行わせる。
【００５４】
ここで、第１中間層１１３及び第２中間層１１４としては、低分子有機層または高分子有機層が使われうるが、低分子有機層を使用する場合、ホール注入層（ＨＩＬ：hole injection layer）、ホール輸送層（ＨＴＬ：hole transport layer）、発光層（ＥＭＬ：emission layer）、電子輸送層（ＥＴＬ：electron transport layer）、電子注入層（ＥＩＬ：electron injection layer）などが、単一あるいは複合の構造で積層されることで形成され、使用可能な有機材料としては、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを始めとした多様な材料が適用可能である。それら低分子有機層は、真空蒸着の方法で形成される。
【００５５】
高分子有機層の場合は、概して、ホール輸送層（ＨＴＬ）及び発光層（ＥＭＬ）を備える構造を有することができ、このとき、ホール輸送層としてポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を使用し、発光層としてＰＰＶ（ポリフェニレンビニレン）系及びポリフルオレン系の高分子有機物質を使用し、これをスクリーン印刷法やインクジェット印刷法で形成することができる。また、第１中間層１１３及び第２中間層１１４は、インキジェット方式で形成されうる。更に、第１中間層１１３及び第２中間層１１４は、スピンコーティング法で形成されうる。
【００５６】
このような第１中間層１１３及び第２中間層１１４は、必ずしもこれらに限定されるものではなく、多様な実施形態が適用されうることは言うまでもない。
【００５７】
第１中間層１１３は、第１電極１１１の第１発光領域１１１ａ上に形成され、第２中間層１１４は、第１電極１１１の第２発光領域１１１ｂ上に形成された第２電極１１２上に形成されうる。前述のように、第１電極１１１及び第３電極１１７は、透明電極であり、第２電極１１２は、反射電極であるから、第１中間層１１３で発せられた光は、第１電極１１１と第３電極１１７とを透過し、基板１０１と密封部材１０２とで画像を具現し、第２中間層１１４で発せられた光は、第３電極１１７を透過し、また第２電極１１２に反射され、密封部材１０２で画像を具現することができる。すなわち、本発明の一実施形態は、１つの副画素で、前面発光と背面発光とがなされうる。１つのトランジスタによって、前面発光と背面発光とが制御されうる。
【００５８】
第１中間層１１３及び第２中間層１１４のそれぞれで発せられた光は、同じ共振効果を有することができる。第１中間層１１３で発せられた光は、第１電極１１１と第３電極１１７との間で反射されて放出され、第２中間層１１４で発せられた光は、第２電極１１２と第３電極１１７との間で反射されて放出される。第１電極１１１と第３電極１１７との間の距離ｔ３と、第２電極１１２と第３電極１１７との間の距離ｔ４とによって、前記光は共振現象を発生させる。本発明の一実施形態は、１画素内で、第１中間層１１３と第２中間層１１４とがいずれも前面発光を行うが、第１中間層１１３及び第２中間層１１４のそれぞれで発せられた光は、同じ色相を具現するので、前記光は同じ共振効果を有することになる。従って、第１電極１１１と第３電極１１７との間の距離ｔ３、及び第２電極１１２と第３電極１１７との間の距離ｔ４、すなわち光学的距離は、同一に形成される。第１発光領域１１１ａと第２発光領域１１１ｂとで、同じ光学的距離を有するために、第１中間層１１３の厚みｔ３と、第２中間層１１４の厚みｔ４とを同一に形成する。第１中間層１１３の厚みｔ３と、第２中間層１１４の厚みｔ４とを同一に形成するために、第１中間層１１３と第２中間層１１４とを同じ工程で形成することができる。これにより、第１中間層１１３と第２中間層１１４とを異なって形成することによって発生しうる不良率を低下させることができ、第１中間層１１３と第２中間層１１４とを同一工程で同じ厚みに形成するので、生産性を向上させることができる。
【００５９】
第３電極１１７は、第１中間層１１３及び第２中間層１１４上に形成されうる。第３電極１１７は、透過電極または透明電極でありうる。第３電極１１７は、仕事関数の小さい導電性の金属であり、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ及びそれらの合金からなる群から選択された一種の物質から形成されうる。一例として、第３電極１１７は、ＭｇＡｇでありうる。この場合、第３電極１１７は、光取り出し効率を極大化するために、１００Åないし２００Åの厚みに形成されうる。
【００６０】
本発明は、図面に図示された実施形態を参考にして説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、本技術分野の当業者であるならば、これらから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解することが可能であろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まるものである。
【符号の説明】
【００６１】
５０  画素回路部
５１  バッファ層
５２  活性層
５２ａ  チャネル領域
５２ｂ，５２ｃ  ソース／ドレイン領域
５３  ゲート絶縁膜
５４  ゲート電極
５５  層間絶縁膜
５６，５７  ソース／ドレイン電極
５８  パッシベーション層
５９  平坦化膜
１００  有機発光表示装置
１０１  基板
１０２  密封部材
１０３  接合部材
１０５  空間
１１０  有機発光部
１１１  第１電極
１１１ａ  第１発光領域
１１１ｂ  第２発光領域
１１２  第２電極
１１２ａ  第３金属層
１１２ｂ  第１金属層
１１２ｃ  第２金属層
１１３  第１中間層
１１４  第２中間層
１１６  画素定義膜
１１６ａ  開口
１１７  第３電極
ｔ１  第１電極の厚み
ｔ２  第３金属層の厚み
ｔ３  第１中間層の厚み
ｔ４  第２中間層の厚み
【図１】
2012094513.tif 000003
【図２】
2012094513.tif 000004