(57)【要約】【課題】３次元表示装置用パターン位相差フィルムを高精度で容易かつ大量に製造するための３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法を提供する。【解決手段】無機材料からなる第１層の表面に、第１凹凸構造領域を形成する第１研磨工程と、第１層の表面に帯状のレジスト部をパターン形成した後に、レジスト部及び非レジスト部の表面に無機材料からなる第２層膜を形成することで、非レジスト部上に第２層パターンを形成する第２層形成工程と、第２層膜の表面を前記異なる方向に研磨して第２凹凸構造領域を形成する第２研磨工程と、レジスト部及び該レジスト部上の第２層膜を剥離するレジスト剥離工程と、を備える製造方法である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第１凹凸構造領域と、前記第１凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第２凹凸構造領域とが交互に形成されている３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法であって、
無機材料からなる第１層の表面に、前記第１凹凸構造領域を形成する第１研磨工程と、
前記第１層の表面に帯状のレジスト部をパターン形成した後に、前記レジスト部及び非レジスト部の表面に無機材料からなる第２層膜を形成することで、前記非レジスト部上に第２層パターンを形成する第２層形成工程と、
前記第２層膜の表面を前記異なる方向に研磨して第２凹凸構造領域を形成する第２研磨工程と、
前記レジスト部及び該レジスト部上の前記第２層膜を剥離するレジスト剥離工程と、
を備える３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【請求項２】
前記第２層パターンの膜厚が０．０１μｍ以上１μｍ以下である請求項１記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【請求項３】
前記レジスト部の膜厚１μｍ以上１０μｍ以下である請求項１又は２に記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【請求項４】
前記第１層と前記第２層とが同種の無機材料である請求項１から３いずれか記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、３次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能な３次元表示用パターン配向膜を容易かつ大量に作製することができる３次元表示用パターン配向膜用原版に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、３次元表示可能なフラットパネルディスプレイの検討が幅広い分野において進められている。３次元表示をするには、通常、視聴者に対して何らかの方式で右目用の映像と、左目用の映像とを別個に表示することが必要とされ、この一方式としてパッシブ方式がある。
【０００３】
図６はパッシブ方式の３次元表示の一例を示す概略図である。この方式では、フラットパネルディスプレイを構成する画素を、右目用映像表示画素と左目用映像表示画素の２種類の複数の画素にパターン状に分割し、一方のグループの画素では右目用の映像を表示させ、他方のグループの画素では左目用の映像を表示させる。また、直線偏光板と当該画素の分割パターンに対応したパターン状の位相差層が形成されたパターン位相差フィルムとを用い、右目用の映像と、左目用の映像とを円偏光に変換する。さらに、視聴者には右目用と左目用の円偏光メガネを装着させ、右目用の映像が右目のみに届き、左目用の映像が左目のみに届くようにすることによって３次元表示を可能とする。このようにパッシブ方式においてはパターン位相差フィルムが必須になる。
【０００４】
このパターン位相差フィルムの従来技術として、下記の特許文献１には、特定の方向に延在する複数の溝を表面に有する基板上に、溝の延在方向に沿って配向すると共に重合した液晶材料が位相差層として存在する位相差板が開示されている。そして、この基板は、第１の方向に延在した溝を含む第１の溝領域と、これに直交する第２の方向に延在した溝を含む第２の溝領域とを有し、第１及び第２の溝領域はそれぞれストライプ状であると共に交互に配置されている型（版）を転写して得られ、この型の溝をパルスレーザー、研磨、バイト切削などにより形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１５２２９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
液晶材料を配向させるために版に溝を形成する方法としては、上記のなかでも、従来公知の研磨法が、配向精度、生産性の点から従来主に用いられている。しかしながら、パターン位相差フィルムの場合には、異なるパターンをストライプ状で交互に形成する必要があり、この特殊性が故に通常の研磨法が適用し難い。
【０００７】
実際、特許文献１の研磨方法による版では、同一平面上に研磨によりパターンを形成するために数百μｍのパターン領域毎に研磨を実施したり、微細凹凸が形成された領域パターンを組み合わせてロール版を形成する必要があり、このため精度や生産性に問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、３次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能なパターン配向膜を、高精度で容易かつ大量に作製することができる３次元表示用パターン配向膜用原版を提供する。具体的には本発明は以下のものを提供する。
【０００９】
本発明は、微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第１凹凸構造領域と、前記第１凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第２凹凸構造領域とが交互に形成されている３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法であって、
無機材料からなる第１層の表面に、前記第１凹凸構造領域を形成する第１研磨工程と、
前記第１層の表面に帯状のレジスト部をパターン形成した後に、前記レジスト部及び非レジスト部の表面に無機材料からなる第２層膜を形成することで、前記非レジスト部上に第２層パターンを形成する第２層形成工程と
前記第２層膜の表面を前記異なる方向に研磨して第２凹凸構造領域を形成する第２研磨工程と、
前記レジスト部及び該レジスト部上の前記第２層膜を剥離するレジスト剥離工程と、
を備える３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法である。
【００１０】
本発明によれば、露光現像が１回のみであり、エッチング処理工程もなく、少ない工程数で帯状の第１凹凸構造領域と帯状の第２凹凸構造領域とを同一平面上に交互に形成できる。また、各々の工程は従来公知のパターン形成法であり、上記のパルスレーザーやバイト切削などと比べて、それぞれの凹凸構造領域を高い精度で形成できる。
【００１１】
なお、この場合の第２層膜は、非レジスト部のみならずレジスト部上にも形成される。すなわち全面に形成すればよい。この場合であっても、後のレジスト剥離処理によって、主にレジストパターンの側面から剥離液が浸透し、容易に剥離することができる。
また、第1層膜を研磨、ラビング後に、第2層膜を研磨、ラビングするときに第1層膜を研磨、ラビングしてしまうことがないため、傷の上書きが無い（研磨傷の交差が無い）。
【００１２】
本発明においては、前記第２層パターンの膜厚が0.0１μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。膜厚が１μｍを越える場合には、配光特性と外観が悪くなるからである。
【００１３】
この態様によれば、充分な第２層パターンによる第１凹凸構造領域のマスク効果を得ると共に、第２層パターンを薄くすることで凹凸の高さ違いに由来する位相差量（リタデーション）の変化がなく、光学的に高い精度が得られる。
【００１４】
本発明においては、前記レジスト部の膜厚が１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは、レジスト部の厚みは３μｍ以上５μｍ以下である。レジスト部が薄すぎると、レジスト溶解剥離時に溶剤浸透性が悪く、レジストが剥れにくい。また、厚すぎると第2層研磨（ラビング）時に段差が大きすぎて、第2層表面を研磨することが困難になるからである。
【００１５】
この態様によれば、レジスト膜としての保護機能を維持すると共に、第２研磨工程における段差を抑えることで、第２層パターン部分の研磨を確実に行うことができる。
【００１６】
本発明においては、前記第１層と前記第２層とが同種の無機材料であることが好ましい。なお、同種であることが好ましいが、が密着性が取れれば、それに限定されるものではない。
【００１７】
この態様によれば、第１層と第２層パターンとの密着性を向上でき、研磨工程やレジスト剥離工程における層間剥離を防止できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、３次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能なパターン配向膜を、高精度で容易かつ大量に作製することができる３次元表示用パターン配向膜用原版を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法の一例を示す工程図であり、工程（ａ）から（ｃ）を示す図である。
【図２】図１に続き、工程（ｄ）から（ｆ）を示す図である。
【図３】本発明の製造方法によって得られた版を用いて賦型転写した３次元表示用パターン配向膜の斜視図である。
【図４】図３の３次元表示用パターン配向膜上に液晶層が配向形成されたパターン位相差フィルムの斜視図である。
【図５】パッシブ方式で３次元映像を表示可能な液晶表示装置の例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図面を用いて本発明を具体的に説明する。図１及び図２は、本発明の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法の一例を示す工程図である。この製造プロセスは、工程（ａ）から（ｆ）で構成されている。具体的には、図１（ａ）に示す無機材料からなる第１層の表面に、図１（ｂ）に示すように第１凹凸構造領域を形成する第１研磨工程と、図１（ｃ）に示すように第１層の第１凹凸構造領域の表面に帯状のレジスト部をパターン形成する工程と、図２（ｄ）に示すようにレジスト部及び非レジスト部の表面に無機材料からなる第２層膜を形成する第２層形成工程と、図２（ｅ）に示すように第２層膜の表面を前記異なる方向に研磨して第２凹凸構造領域を形成する第２研磨工程と、図２（ｆ）に示すようにレジスト部及び該レジスト部上の第２層膜を剥離するレジスト剥離工程と、からなる。以下、各工程について詳細に説明する。
【００２１】
＜第１研磨工程＞
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、第１層１０の表面を研磨して、その略全面に微小なライン状凹凸構造である、第１凹凸構造領域１２を形成する。
【００２２】
第１層１０は基材の最表層として存在する無機材料層である。無機材料としては、後述する第２層や第３層を剥離除去可能に積層できるものであれば特に限定されるものではなく、ニッケル、銅、アルミニウム、スズ、クロム、ステンレス、鉄等の金属材料；ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ３等の無機酸化物；Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等の無機窒化物；ＳｉＯｘＮｙ等の無機酸化窒化物；ＳｉＣ等の無機炭化物；ＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）等を挙げることができ、なかでも、後述する第２層や第３層を剥離除去可能に積層できる観点から、金属材料、ＤＬＣ等であることが好ましく、ニッケル、クロム、ＤＬＣであることがより好ましい。
【００２３】
第１凹凸構造領域１２は、第１層１０の表面に略一定方向にランダムに形成されたものである。ここで、略一定方向にランダムに形成された微小なライン状凹凸構造とは、例えば、表面にラビング処理がなされた場合等に形成されるような微小な傷のようなライン状凹凸構造が、略一定方向に形成されたものである。微小なライン状凹凸構造としては、本発明の原版を用いて形成されたパターン配向膜により３次元表示可能なパターン位相差フィルムとすることができるものであれば特に限定されるものではない。
【００２４】
微小なライン状凹凸構造の断面形状としては、凹凸構造を有し、上記液晶化合物を所定の方向に配列できるものであれば特に限定されるものではなく、略矩形、略三角形、略台形等とすることができる。また、一定の形状でなくともよい。微小なライン状凹凸構造の高さ、幅、及び周期としては、液晶化合物を配列させることができる範囲内であれば特に限定されるものではない。本発明において、微小なライン状凹凸構造の幅は、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、なかでも、１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることがより好ましく、特に、１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。また、微小なライン状凹凸構造の高さは、１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、なかでも、１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることがより好ましく、特に、１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。さらに、微小なライン状凹凸構造の周期は、必ずしも一定ではなくてもよいが、概ね１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、なかでも１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましい。微小なライン状凹凸構造が上述のサイズであることにより、安定的に液晶化合物を配列させることができるからである。
【００２５】
研磨方法としては、砥石研磨、ペーパー研磨、テープ研磨、バフ研磨、サンドブラスト法、ショットブラスト法、グリットブラスト法、ガラスビーズブラスト法等のブラスト法、ナイロン、ポリプロピレン、塩化ビニル樹脂、レーヨン、コットンなどの合成繊維からなる合成樹脂毛、不織布、動物毛、スチールワイヤ等のブラシ材を用いる、ラビング法を含むブラシグレイニング法、金属ワイヤーで引っかくワイヤーグレイニング法、研磨剤を含有するスラリー液を供給しながらブラシ研磨する方法（ブラシグレイニング法）、ボールグレイン法、液体ホーニング法等のバフ研磨法、ショットピーニング法等を挙げることができる。
【００２６】
第１層１０がＤＬＣのような硬い基材表面の場合には、テープ研磨法、ペーパー研磨であることが好ましいが、本発明においては第１層１０をクロムやニッケルのような金属材料とすることもできるので、この場合にはラビンク法も好ましく用いられる。
【００２７】
＜第２層形成工程＞
まず、図１（ｃ）に示すように、第１凹凸構造領域１２が形成された第１層１０の表面に帯状の第１レジスト部３１と非レジスト部３２とをパターン形成する。
【００２８】
レジストを平行な帯状に形成する方法としては、レジスト材料を塗布することによりレジスト膜（図示せず）を形成した後、平行な帯状に露光し、次いで、現像することにより、第１レジスト部３１と非レジスト部３２とをパターン形成することができる。レジスト材料としては特に限定されるものではなく、ポジ型レジスト材料、ネガ型レジスト材料のいずれも用いることができる。ポジ型レジスト材料としては、例えばノボラック樹脂をベース樹脂とした化学増幅型レジスト等が挙げられる。また、ネガ型レジスト材料としては、例えば架橋型樹脂をベースとした化学増幅型レジスト、具体的にはポリビニルフェノールに架橋剤を加え、さらに酸発生剤を加えた化学増幅型レジスト等が挙げられる。
【００２９】
上記レジスト材料を塗工してレジスト膜を形成する方法としては、一般的な塗工方法を用いることができ、例えばスピンコート法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法等を使用することができる。
【００３０】
上記レジスト膜を平行な帯状に露光する方法としては、通常のフォトマスク描画に用いられる電子線描画法、もしくはレーザー描画法等を用いることができる。また、マスクを介して紫外線照射を行う方法を用いることもできる。なかでも、レーザー描画法であることが好ましい。上記金属基材の形状がロール状である場合であっても、精度よくパターン状に露光することができるからである。また、露光後のレジスト膜の現像方法としては、一般的なアルカリ現像などの現像方法を用いることができる。
【００３１】
次いで、図２（ｄ）に示すように、レジスト部３１及び非レジスト部３２上に、無機材料の第２層膜２０が、好ましくは0.0１μｍ以上１μｍ以下で薄膜形成される。これにより、非レジスト部３２の凹部内に第２層膜２０からなる第２層パターンが形成される。この第２層膜２０の膜厚が0．0１μｍ未満であると第1層表面に研磨又はラビングにより形成された微小な凹凸が第2層膜により埋まらず、第1層の微小な凹凸と第2層の微小な凹凸が混在し配向不良となるので好ましくなく、１μｍを越えると段差が大きくなり位相差量が変化するので好ましくない。薄膜形成の方法は、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ）、気相成長法（ＣＶＤ法）、めっき法、塗布法等を挙げることができる。
【００３２】
無機材料としては、上記の第１層１０と同じでもよく、異なっていてもよいが、層間の密着性や生産性の観点から同一の無機材料を用いることが好ましい。具体的には、第１層／第２層膜を、ＤＬＣ／ＤＬＣ、クロム／クロム、ニッケル／ニッケルなどの構成とすることが好ましい。なお、特に同一材料にこだわる必要は無く、ＤＬＣ／Ｎｉ、ＤＬＣ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ｎｉ、Ｎｉ／Ｃｒであってもよい。
【００３３】
＜第２研磨工程＞
次に、図２（ｅ）に示すように、第２層膜２０の全面、すなわちレジスト部３１及び非レジスト部３２上の第２層膜２０の表面を、第１凹凸構造領域１２ａと異なる方向に研磨して、第２層パターン２１の表面に、微小なライン状凹凸構造である、第２凹凸構造領域２１ａを形成する。この工程は、研磨方向が第１凹凸構造領域１２ａと異なる方向である点を除いては、基本的に図１（ｂ）で説明した上記の第１研磨工程と同じ工程である。よって研磨方向以外の詳細説明を省略する。
【００３４】
第１凹凸構造領域１２ａと第２凹凸構造領域２１ａとは、上記微小なライン状凹凸構造の形成方向が異なる。図１（ｂ）の第１研磨工程と、図２（ｅ）の第２研磨工程とでは、ＸＹ平面における相互の微小なライン状凹凸構造の形成方向θが、それぞれ１３５度及び４５度であり９０度異なる場合（図２（ｆ）のθ１＝１３５度、θ２＝４５度参照を示しているが、これに限らず、例えば４５度異なっていてもよい。なお、θ１＝０度、θ２＝９０度であってもよい。
【００３５】
最後に、図２（ｆ）に示すように、この状態でアルカリ処理などによりレジスト部３１を剥離する。このとき、レジスト部３１上に形成される第２層膜２０も併せて除去されて第１層１０上の第１凹凸構造領域１２ａが形成されると共に表面に第２凹凸構造領域２１ａが形成された第２層パターン２１が残り、３次元表示用パターン配向膜用原版１００が得られる。
【００３６】
図２（ｆ）に示すように、この３次元表示用パターン配向膜用原版１００は平面視Ａにおいては、第１凹凸構造領域１２ａと第２凹凸構造領域２１ａとが帯状交互に形成されている。また、断面視Ｂにおいては第１層１０上に、第２層パターン２１が凸部として存在して、第２層パターン２１の膜厚ｈ分の段差が形成されている。
【００３７】
＜パターン配向膜／パターン位相差フィルム＞
このようにして得られた３次元表示用パターン配向膜用原版１００は、図３に示すように、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）やＣＯＰ（環状オレフィン樹脂）やアクリル樹脂などからなる位相差の小さいフィルム１１０上に、従来公知のＵＶ硬化樹脂などの賦型樹脂１２０を積層した積層体の賦型樹脂面を圧着され、３次元表示用パターン配向膜用原版１００の第１凹凸構造領域１２ａと第２凹凸構造領域２１ａで構成される微小なライン状凹凸構造が賦型樹脂表面１２１に転写され、その後ＵＶ硬化させる。これによりパターン配向膜１５０が得られる。
【００３８】
さらに、図４に示すように、この賦型樹脂表面１２１上には重合性の液晶化合物１６０が塗布されることで、微小なライン状凹凸構造に沿って液晶分子が配向し、その後に重合硬化することでパターン位相差フィルム２００が得られる。
【００３９】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。例えば、上記実施形態の説明は平板状の版を基に説明したが、本発明はこれに限らず、ロール状のロール版に対しても適用可能である。
【実施例】
【００４０】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。以下の実施例は図１、図２に示す工程（ａ）から（ｆ）を、最表面に第１層を備える円筒状のロール基材に適用して形成したものである。
【００４１】
［実施例１］
＜第１研磨工程＞
図１（ａ）（ｂ）：円筒状の基材の最表面クロム層５μｍ（第１層）の円周方向に対し、円筒の円周方向から＋４５度方向でラビング処理し、全面に第１凹凸構造領域を形成した。
＜第２層形成工程＞
図１（ｃ）：円周方向に対し溶剤希釈したネガ型レジストをコーティングし乾燥後、レーザー露光方法で３６０μｍ幅の平行な帯状にパターンを形成し、現像処理を行い、その後余分なレジストを除去することにより、３６０μｍ幅の非レジスト部と、３６０μｍピッチで高さ５μｍの第１レジスト部とをクロム層上に交互に形成した。
【００４２】
図１（ｄ）：第１レジスト部及び非レジスト部に、第２層膜として高さ０．１μｍのクロム層をスパッタリングで形成した。
【００４３】
＜第２研磨工程＞
図２（ｅ）：第２層膜の全面を、円筒の円周方向から＋１３５度方向にラビング処理して第２凹凸構造領域を形成した。
【００４４】
＜レジスト剥離工程＞
図２（ｆ）：レジスト部及び該レジスト部上の第２層膜を、ＭＥＫ，ＩＰＡ，メタノールの混合溶剤で剥離して、第１凹凸構造領域及び第２凹凸構造領域を３６０μｍピッチで交互に形成し、本発明の３次元表示用パターン配向膜用原版を得た。
【００４５】
[評価]
透明フィルム基材として６０μｍのＴＡＣに、希釈溶剤としてＭＥＫとＭＩＢＫとが質量比４対１で混合されてなる希釈溶剤で希釈された固形分４５％、２５００ｍＰａ・ｓのアクリル系紫外線硬化樹脂組成物を厚み８μｍとなるようにコーティングし、溶剤を８０℃で３０秒間で乾燥蒸発させた後、上記で作製した版にゴムロールで１０００ＭＰａ/ｃｍの加重で押し付けた後、紫外線を照射し、固化させたのち剥離し、パターン配向層をもつ基材（パターン配向膜）を得た。
【００４６】
得られたパターン配向膜表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて、表面の凹凸形状を測定したところ、微小なライン状凹凸構造の周期（ピッチ）は、ほぼ５ｎｍ〜５００μｍの範囲内でランダムに分布していた。また、微小なライン状凹凸構造の高さは１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり、幅は５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であった。このように、実施例１ではパターン配向膜を容易に形成できることが確認できた。
【００４７】
［実施例２］
第１層としてクロム層の代わりに、ニッケル基材上に形成された２μｍのスパッタリングによるＤＬＣ層を用いた以外は、実施例１と同様にして、本発明の３次元表示用パターン配向膜用原版を得た。その後、実施例１と同様の評価を行なった結果、実施例１と同様の評価結果を得たが、ニッケル基材とＤＬＣの密着が弱かった。実施例２の対策として、ニッケル層状にシランカップリング剤を形成することで、ＤＬＣ膜が密着することが確認できている。
【００４８】
［実施例３］
第１層としてクロム層の代わりに、ニッケルメッキ層５μｍを用いた以外は、実施例１と同様にして、本発明の３次元表示用パターン配向膜用原版を得た。その後、実施例１と同様の評価を行なった結果、実施例１と同様の評価結果を得たが、アルカリ剥離時のニッケル層とクロム層の密着が弱かった。実施例３の対策として、ニッケル層表面にプラズマアッシング処理を行うことで、クロムスパッタ膜が密着することを確認できている。
なお、現状、Ｎｉ／Ｎｉ、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ｎｉ、ＤＬＣ／Ｎｉ、ＤＬＣ/Ｃｒ全てで、本発明による３次元表示用パターン配向膜用原版を作製可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  第１層
１２ａ  第１凹凸構造領域
２０  第２層膜
２１  第２層パターン
２１ａ  第２凹凸構造領域
３１  レジスト部
３２  非レジスト部
１００  ３次元表示用パターン配向膜用原版
１１０  位相差の小さいフィルム
１２０  賦型樹脂
１２１  賦型樹脂表面
１５０  パターン配向膜
１６０  液晶化合物
２００  パターン位相差フィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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