(57)【要約】      （修正有）【課題】塗布、加熱処理を行った後も塗布膜の反射率のばらつきが少なく、フォトリソグラフィ法によりパターン加工を行う際の下地層として用いた場合に、パターンの底部幅のばらつきの少ないガラスペーストを提供する。【解決手段】低軟化点ガラス粉末（Ａ）、熱重合開始剤（Ｂ）、下記一般式（１）で示される化合物（Ｃ）およびビスフェノール骨格を有するアクリルモノマー（Ｄ）を含むことを特徴とするガラスペーストとする。2012164540.tif 000012【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
低軟化点ガラス粉末（Ａ）、熱重合開始剤（Ｂ）、下記一般式（１）で示される化合物（Ｃ）およびビスフェノール骨格を有するアクリルモノマー（Ｄ）を含むことを特徴とするガラスペースト。
【化１】
2012164540.tif 000011
（式中、Ｒ８は水素原子、アルキル基、またはアリール基を示す。Ｒ１およびＲ２はそれぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ジシアノビニル基、ビス（アルコキシカルボニル）ビニル基、ビス（アリールオキシカルボニル）ビニル基、ビスカルボキシルビニル基、置換アミノ基、カルボニル基、スルホニル基、アシルビニル基、エチニル基、アルキレン基、シクロアルキレン基、ヒドロキシビニル基、またはチオカルボニル基を示し、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、またはハロゲン原子を示し、同一であっても異なっていてもよく、置換基を有していてもよい。）
【請求項２】
前記化合物（Ｃ）を０．００１〜１．０質量％含むことを特徴とする請求項１に記載のガラスペースト。
【請求項３】
前記ビスフェノール骨格を有するアクリルモノマー（Ｄ）を０．１〜２０質量％含むことを特徴とする請求項１または２に記載のガラスペースト。
【請求項４】
前記化合物（Ｃ）１重量部に対すると前記ビスフェノール骨格を有するアクリルモノマー（Ｄ）の含有量が１〜１００重量部の範囲内であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のガラスペースト。
【請求項５】
基板上に請求項１〜４のいずれかに記載のガラスペーストを塗布、加熱処理してガラスペースト塗布膜を形成し、前記ガラスペースト塗布膜上に感光性ガラスペーストを塗布、露光、現像して隔壁前駆体パターンを形成した後、焼成することによって誘電体層および隔壁を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネル用部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスペーストおよびプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）用部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰは液晶パネルに比べて高速の表示が可能であり、かつ大画面化が容易であることから、ＯＡ機器および公報表示装置などの分野に普及している。また、高品位テレビジョンの分野などでの進展が非常に期待されている。
【０００３】
ＰＤＰは、ヘリウム、ネオン、キセノンなどから構成される希ガスを封入した密閉空間の電極対に電圧を印加し放電を発生させ、その放電現象を可視化することにより情報を表示する表示デバイスである。そのようなＰＤＰを構成する部材において、大きなコストを占める部材として背面板があげられる。
【０００４】
ＰＤＰを構成する部材のうち、背面板は、ガラス基板、電極、誘電体層、隔壁ならびに赤色、緑色および青色の蛍光体層等から構成される。また、最近では、隔壁がストライプ状の主隔壁と垂直方向に補助隔壁が設けられている場合も多い。いずれの形状の隔壁を有する背面板においても、電極パターンおよび隔壁パターンを高精細に形成する技術の進歩により、高精細な背面板が安定して生産できるようになってきたが、近年のＰＤＰにおいては、さらなる大型化、画素数の高密度化が望まれている。
【０００５】
ところで画素数をより高密度化させるためには、隔壁の幅および間隔を小さくすることが必要となる。従来、隔壁を形成する方法としては、隔壁の溝の形状や均一性の制御が行ないやすいという観点から、基板上に感光性ガラスペーストを塗布し、乾燥して感光性ガラスペースト塗布膜を形成し、該感光性ガラスペースト塗布膜をフォトマスクを介して紫外線により露光し、現像、焼成することによって隔壁を形成する感光性ペースト法が提案されている。例えば特許文献１には、低軟化点ガラス粉末、バインダー樹脂、架橋剤および熱重合開始剤を含む誘電体ペーストを塗布し、加熱処理を行った後、感光性ガラスペーストを塗布、露光、現像して隔壁前駆体パターンを形成した後に、誘電体ペースト塗布膜および隔壁前駆体パターンを同時焼成することによって、焼成時の断線や亀裂などの欠陥のない背面板を製造する技術が開示されている。しかしながら、紫外線を照射すると隔壁の下層にある誘電体層で紫外線が乱反射を起こし、隔壁の底部が散乱光により硬化してしまうため、隔壁の底部幅が頂部幅よりも広くなり、断面が台形状になってしまい、緻密な隔壁パターンを有するＰＤＰ背面板を製造できないという問題が生じていた。
【０００６】
そこで、誘電体ペーストに紫外線吸収剤を配合させることにより、露光の際に生じる誘電体層での乱反射を防ぐ方法が開示されている（特許文献２参照）。しかしながら、特許文献２記載の発明においては、紫外線吸収剤は汎用的なものが用いられており、たとえば光源として水銀灯を用いた場合などの比較的長波長の光を吸収するには充分ではなかった。
【０００７】
また、そこで、長波長側の光を吸収する紫外線吸収剤を含む誘電体ペーストを用いたＰＤＰ用部材の製造方法が提案されている（特許文献３参照）。しかしながら、特許文献３に記載の紫外線吸収剤を用いると、誘電体を乾燥等のために加熱処理する時に溶剤と共に紫外線吸収剤が揮発してしまい、装置起因の温度ムラによって紫外線吸収剤の残存量にばらつきが生じ、誘電体ペースト塗布膜の反射率がばらつくため、隔壁の底部幅がばらつきやすくなるという問題点があった。また、隔壁の底部幅がばらつくと、蛍光体塗布ムラができやすく、パネルを形成し、全点灯（白色表示）した時に色相にムラが見られる、いわゆる色ムラが発生するという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−３３１６５０号公報
【特許文献２】特開平１１−２１３８７７号公報
【特許文献３】特開２００７−７３２７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、塗布、加熱処理を行った後も塗布膜の反射率のばらつきが少なく、フォトリソグラフィ法によりパターン加工を行う際の下地層として用いた場合に、パターンの底部幅のばらつきの少ないガラスペーストを得ること、およびこれを用いて、高精細かつ底部幅のばらつきの少ない隔壁を有するＰＤＰ用部材の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を達成するため、本発明のガラスペーストは、以下の構成を有する。すなわち、低軟化点ガラス粉末（Ａ）、熱重合開始剤（Ｂ）、下記一般式（１）で示される構造を有する化合物（Ｃ）およびビスフェノール骨格を有するアクリルモノマー（Ｄ）を含むことを特徴とするガラスペーストである。
【００１１】
【化１】
2012164540.tif 000002
【００１２】
（式中、Ｒ７は水素原子、アルキル基、またはアリール基を示す。Ｒ１およびＲ２はそれぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ジシアノビニル基、ビス（アルコキシカルボニル）ビニル基、ビス（アリールオキシカルボニル）ビニル基、ビスカルボキシルビニル基、置換アミノ基、カルボニル基、スルホニル基、アシルビニル基、エチニル基、アルキレン基、シクロアルキレン基、ヒドロキシビニル基、またはチオカルボニル基を示し、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、またはハロゲン原子を示し、置換基を有していてもよい）。
【００１３】
また、基板上に上述のガラスペーストを塗布、加熱処理してガラスペースト塗布膜を形成し、前記ガラスペースト塗布膜上に感光性ガラスペーストを塗布、露光、現像して隔壁前駆体パターンを形成した後、焼成することによって誘電体層および隔壁を形成するＰＤＰ用部材の製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によると、塗布、加熱処理を行った後も塗布膜の反射率のばらつきが少なく、フォトリソグラフィ法によりパターン加工を行う際の下地層として用いた場合に、パターンの底部幅のばらつきの少ないガラスペーストを得ることができる。また、これを用いることによって、高精細かつ底部幅のばらつきの少ない隔壁を有するＰＤＰ用部材の製造方法が実現できる。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明は、少なくとも低軟化点ガラス粉末（Ａ）、熱重合開始剤（Ｂ）、下記一般式（１）で示される化合物（Ｃ）およびビスフェノール骨格を有するアクリルモノマー（Ｄ）を含むことを特徴とするガラスペーストに関する。
【００１６】
【化２】
2012164540.tif 000003
【００１７】
本発明のガラスペーストは、低軟化点ガラス粉末（Ａ）を含む。本発明のガラスペーストは最終的には焼成して低軟化点ガラスを主成分とする無機膜を形成するために用いられる。特にＰＤＰ用部材など、ガラス基板上に無機膜を形成する場合は、ガラス基板が軟化しない温度で焼成する必要があるため、低軟化点ガラス粉末（Ａ）のガラス転移点４００〜５５０℃、軟化点４５０〜６００℃であることが好ましい。ガラス転移点を５５０℃以下、軟化点を６００℃以下とすることで、高温焼成を必要とせず、ガラス基板上に無機膜を設ける場合であっても焼成の際にガラス基板に歪みを生じない。また、ガラス転移点を４００℃以上、軟化点を４５０℃以上とすることで、焼成時の有機成分の除去性に優れ、ＰＤＰ用部材に用いる場合は後工程の蛍光体層の焼成や封着の際の熱によって誘電体層に歪みを生じることがなく、膜厚精度を保つことができる。
【００１８】
低軟化点ガラス粉末（Ａ）の含有量は、ガラスペースト全重量に対し２５〜５０質量％の範囲が好ましい。２５質量％より少なければ、焼成時の焼結性が悪くなり、５０質量％を超えれば焼成後の膜に歪みが生じやすくなる。
【００１９】
本発明のガラスペーストに配合される低軟化点ガラス粉末（Ａ）は、酸化物換算表記で、
酸化ビスマス  １０〜８５質量％
酸化珪素  1〜５０質量％
酸化ホウ素  ５〜４０質量％
酸化亜鉛  ４〜４０質量％
からなる組成を有するものが好ましい。この組成範囲であると５３０〜６００℃で焼成することによって、ガラス基板上との接着性に優れた誘電体層を形成することができる。
【００２０】
ガラス粉末中の酸化ビスマスは、１０〜８５質量％の範囲が好ましい。１０質量％以上とすることで、焼き付け温度や軟化点を制御する効果が現れる。８５質量％以下にすることによって、ガラスの耐熱温度が低くなりすぎることが防止されるので、ガラス基板上への焼き付けが適正に行われる。
【００２１】
酸化珪素は、1〜５０質量％の範囲で配合できるが、1質量％以上とすることにより、ガラス層の緻密性、強度や安定性を向上させ、また熱膨張係数がガラス基板の値と近いものとなり、従ってガラス基板とのミスマッチを防止することができる。５０質量％以下とすることによって、軟化点やガラス転移点が低くなり、５８０℃以下でガラス基板上に緻密に焼き付けることができる。
【００２２】
酸化ホウ素は５〜４０質量％の範囲で配合することによって、電気絶縁性、強度、熱膨張係数、緻密性などの電気、機械および熱的特性を向上することができる。４０質量％以下とすることによってガラスの安定性を保つことができる。
【００２３】
酸化亜鉛は４〜４０質量％の範囲で添加されるのが好ましい。４質量％以上にすることによって緻密性向上の効果が現れ、４０質量％以下にすることによって焼き付け温度が低くなり過ぎて制御できなくなることを防ぎ、また絶縁抵抗を保持することができる。
【００２４】
上記ガラス成分は、実質的にアルカリ金属を含まないことが好ましい。というのは、誘電体層は多くの場合、銀電極やガラス基板に接触して形成されるため、銀電極の銀イオンやガラス基板の成分とのイオン交換反応に帰因する黄色化などの問題を防ぐためである。実質的に含まないとは、具体的にはガラス成分中に、アルカリ金属の合計含有量が０．５質量％以下であること、好ましくは、０．１質量％以下であることを意味する。
【００２５】
本発明のガラスペーストは、低軟化点ガラス粉末（Ａ）以外に無機粉末としてフィラーを含むことが好ましい。本発明においてフィラーとは焼成時の温度で軟化しない無機粒子を指し、具体的には６５０℃未満に軟化温度を有さない無機粒子をいう。フィラーとして、軟化点６５０〜８５０℃の高融点ガラス、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、チタン酸バリウムおよび酸化ジルコニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種以上が好ましく用いられる。
【００２６】
フィラーは、焼成時の収縮率を小さくし、基板にかかる応力を低下させるなどの効果がある。フィラー添加量はガラスペースト全重量に対し、５〜３０質量％の範囲が好ましい。フィラー添加量を５質量％より少なくなると、焼成収縮率が大きくなり、熱膨張係数を制御する効果が得られない。また、フィラー添加量が３０質量％を超えると、焼成後の誘電体層の緻密性や強度を保つことができず、同時に、クラックが発生しやすくなる傾向がある。
【００２７】
さらに、本発明のガラスペーストをＰＤＰ背面板の誘電体層の形成に用いる場合は、ガラスペーストの全重量に対し、導電性粉末を０．１〜５質量％含有することが好ましい。ＡＣ型プラズマディスプレイパネルにおいて、表示電極とアドレス電極間でプラズマ放電させると空間電荷が発生し、その大部分が表示電極上に形成されている誘電体層上に蓄積される。この蓄積された電荷による電圧で偶発的に放電が生じて画質を悪くするという問題が起こる。このような画質の劣化の原因となる電荷の蓄積を解消するために、誘電体層に導電性粉末を配合し、蓄積電荷をリークさせることが有効である。導電性粉末は、具体的には、クロムまたはニッケルから選んだ金属粉末や酸化インジュウム、酸化スズ、酸化チタンなどの金属酸化物に不純物を混入した半導体を使用することができる。導電性粉末の添加量は０．１〜５質量％であることが好ましい。０．１質量％以上とすることで、有効に電荷をリークすることができ、偶発放電を防ぐことができる。導電性粉末の添加量を５質量％以下とすることで、誘電体層の緻密性を保持することができる。
【００２８】
ガラスペーストは、有機成分に低軟化点ガラス粉末（Ａ）、フィラー、導電性粉末等の無機粉末を混合・分散した様態を有するものであり、無機粉末を有機成分の中に均一に混合・分散することが良好な塗布性のために好ましく、このようなペーストを得るため、無機粉末の平均粒径、最大粒径およびタップ密度などが適正な範囲にあることが好ましい。
【００２９】
無機粉末の平均粒径は０．２〜３．０μｍ、最大粒径は１０μｍ以下であることが好ましく、タップ密度が０．６ｇ／ｃｍ３以上であることが好ましい。このような範囲の粒度およびその分布、そして単位容積当たりの粉末質量を有するものが、ペーストへの充填性および分散性が良好であり、従って塗布性の優れたガラスペーストが調製できるので、緻密で均一な塗布膜を得ることが可能になる。無機粉末の粒径は、レーザ散乱・回折法で測定した値であり、平均粒径は体積基準の粒度分布曲線における５０％粒径を用い、最大粒径は粒径の最大値を用いる。粒子の凝集力は表面積に依存するため、平均粒径を０．２μｍ以上とすることで凝集性を抑え、ペースト中での分散性がよくなり、緻密かつ均一な塗布膜が得られる。また、３．０μｍ以下とすることで形成された誘電体ペースト塗布膜の緻密性がよくなり、内部にボイドなどが発生しにくくなる。また、塗布膜表面に不要な凹凸も生じない。最大粒径を１０μｍ以下にすることも、内部でのボイド発生や表面の不要な凹凸の発生を防止するために必要である。
【００３０】
無機粉末のタップ密度無機粉末のタップ密度を０．６ｇ／ｃｍ３以上、好ましくは０．７ｇ／ｃｍ３以上とすると、粉末の充填性・分散性がよくなり、気泡や凝集物を生じにくくなる。
【００３１】
本発明のガラスペーストは熱重合開始剤（Ｂ）を含む。熱重合開始剤を含むことによって、本発明のガラスペーストを塗布した後、熱処理を行うことによって、強固なガラスペースト塗布膜を形成することができる。特に、ＰＤＰ用部材等においてフォトリソグラフィ法によるパターン加工の下地層として用いる場合に、あらかじめ熱処理を行い硬化させることによって、現像液に熔解せず均一な層を形成することができる。
【００３２】
熱重合開始剤としては、有機過酸化物、アゾ化合物から選ばれた少なくとも一種のラジカル重合開始剤を好ましく選択することができる。これらの具体例をあげると、有機過酸化物としては、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジ（２−エトキシエチル）パーオキシジカーボネート、ジ（メトキシイソプロピル）パーオキシジカーボネート、ジ（２−エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチル）パーオキシカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、３，５，５−ｙトリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、デカノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、琥珀酸パーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシ（２−エチルヘキサノエート）、ｍ−トルオイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，３，５−トリメチルヘキサノエート、シクロヘキサンパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）オクタン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｎ−ブチル−４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）バレレート、ジ−ｔ−ブチルジパーオキシイソフタレート、メチルエチルケトンパーオキサイド、α，α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイドなどが上げられる。アゾ化合物としては、２，２−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２−アゾビスイソブチロニトリル、２，２−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、１−［（１−シアノ−１−メチルエチル）アゾ］ホルムアミド（２−（カルバモイルアゾ）イソブチロニトリル）、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシメチル］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチルーメチルプロピオンアミド）２，２’−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２−アゾビス［２−（５��メチル−２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［２−（５−メチル−２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］ジサルフェートジハイドレイトなどが上げられる。本発明ではこれらを１種または２種以上使用することができる。
【００３３】
熱重合開始剤は、ガラスペースト全重量に対し０．０５〜１０質量％の範囲で添加され、より好ましくは０．１〜５質量％である。熱重合開始剤の量が少なすぎれば、硬化が進まなく膜の強度不足が起こりやすくなり、熱重合開始剤の量が多すぎれば、硬化が進みすぎ、膜の剥離が発生しやすくなる。
【００３４】
本発明のガラスペーストは、紫外線吸収剤としては、下記一般式（１）で示される化合物（Ｃ）を含むことが必須である。
【００３５】
【化３】
2012164540.tif 000004
【００３６】
（式中、Ｒ８は水素原子、アルキル基、またはアリール基を示す。Ｒ１およびＲ２はそれぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ジシアノビニル基、ビス（アルコキシカルボニル）ビニル基、ビス（アリールオキシカルボニル）ビニル基、ビスカルボキシルビニル基、置換アミノ基、カルボニル基、スルホニル基、アシルビニル基、エチニル基、アルキレン基、シクロアルキレン基、ヒドロキシビニル基、またはチオカルボニル基を示し、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、またはハロゲン原子を示し、同一であっても異なっていてもよく、置換基を有していてもよい。）
上述の化合物（Ｃ）は紫外線吸収剤として働く。化合物（Ｃ）を含むことによって、特にＰＤＰ用部材等においてフォトリソグラフィ法によるパターン加工の下地層として用いる場合に、露光に用いる光がガラスペースト塗布膜から反射し、フォトリソグラフィ法により得られるパターンの底部幅が太くなってしまったり、現像後にパターンが剥がれやすくなってしまうという問題を防ぐことができる。紫外線吸収剤の中でも、上述の一般式（１）で示される構造を有する化合物（Ｃ）は、長波長側の光を有効に吸収するため、特に有効に働く。
【００３７】
化合物（１）の含有量としては、ガラスペーストの全重量に対して０．００１〜１．０質量％含むことが好ましく、０．０１〜１．０質量％がより好ましく、０．０３〜０．３質量％がさらに好ましい。含有量が０．００１質量％より小さいと紫外線吸収剤添加の効果が十分ではない場合がある。一方、含有量が１．０質量％より大きいと焼成時の焼成残渣が多くなり、絶縁性が低下する傾向がある。
【００３８】
このような構造を有する紫外線吸収剤のうち、長波長の光を効率よく吸収できる点や焼成時の焼成残渣を低減できる点から、インドール化合物を含む紫外線吸収剤を用いることが好ましい。
【００３９】
本発明のガラスペーストは、熱処理を行った場合に、熱重合開始剤から発生したラジカルにより硬化する成分を含むことが必須である。以下、この成分を総称して架橋剤と呼ぶ。熱重合開始剤と架橋剤を併用することによって、上述の通り、後の上層塗布工程における上層の染み込み耐性が向上する。後の現像工程における耐現像液性が向上する。また、焼成時に焼成応力による亀裂や断線が発生することを抑制する効果もある。
【００４０】
本発明のガラスペーストでは上記架橋剤としてビスフェノール骨格を有するアクリレートモノマー（Ｄ）を含むことを必須とする。ビスフェノール骨格を有するアクリルモノマー（Ｄ）は熱により重合して有機ネットワークを形成し、上述の化合物（Ｃ）とπ−π相互作用を持つため、ガラスペーストを塗布し、乾燥や加熱処理を行った際に化合物（Ｃ）が揮発するのを抑える働きをする。
【００４１】
ビスフェノール骨格を有するアクリルモノマー（Ｄ）をガラスペースト全重量に対して重量基準で０．１〜２０質量％含むことが好ましい。０．１質量％より少ないと効果発現が小さくなる場合があり、２０質量％を超えるとガラスペースト塗布膜が硬化不足になり、上層を形成するための感光性ペーストを塗布した時に膨潤し、露光、現像し、前駆体形成後焼成すると、パターンが剥離してしまう場合がある。
【００４２】
化合物（Ｃ）１重量部に対するビスフェノール骨格を有するアクリルモノマー（Ｄ）の含有量は１〜１００重量部の範囲ないであることが好ましい。ビスフェノール骨格を有するアクリルモノマー（Ｄ）が少ないと化合物（Ｃ）の揮発抑制効果が小さくなる傾向があり、多すぎると加熱処理後のガラスペースト塗布膜が硬化不足になり感光性ペーストや現像液が染みこみ、一括焼成した際上層に形成したパターンが剥離してしまう場合がある。
【００４３】
ビスフェノール骨格を有するアクリルモノマー（Ｄ）の例としては、ビスフェノールＡまたはビスフェノールＦのジ（メタ）アクリレートまたはそれらのアルキレンオキサイド変性物を好ましく用いることができる。具体的には、ビスフェノールＡジアクリレート、ビスフェノールＡジメタクリレート、ビスフェノールＦジアクリレート、ビスフェノールＦジメタクリレート、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジメタクリレート、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＦジアクリレート、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＦジメタクリレート、プロピレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート、プロピレンオキサイド変性ビスフェノールＡジメタクリレート、プロピレンオキサイド変性ビスフェノールＦジアクリレート、プロピレンオキサイド変性ビスフェノールＦジメタクリレート等が好ましく用いられる。
【００４４】
本発明のガラスペーストは、上述のビスフェノール骨格を有するアクリレートモノマー以外の架橋剤を含有してもよい。架橋剤としては３次元網目構造を形成できる点で、架橋剤が主に３つ以上の官能基を有する化合物であることが好ましい。そのような官能基としては、活性な炭素−炭素二重結合を有する化合物が好ましく、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリレート基、アクリルアミド基を有する化合物が応用される。（メタ）アクリレート化合物には多様な種類の化合物が開発されているので、それらから反応性、屈折率などを考慮して選択し、場合によってはそれらを組み合わせることが可能である。また、ポリマーに炭素−炭素２重結合を有する側鎖を導入するなどの方法を用いることも好ましい。（メタ）アクリレート化合物としては、化学式（２）、（３）、（４）、（５）で示されるアルキル基を有するアクリル化合物またはメタクリル化合物が好ましく用いられる。化学式（５）で示される化合物が、官能基を３つ以上有するので、特に好ましい。
ＣＨ２＝ＣＲ９ＣＯＯ−Ｒ１０  （２）
ＣＨ２＝ＣＲ９ＣＯＯ−Ｒ１０−ＯＣＯＣＨＲ１＝ＣＨ２  （３）
ＣＨ２＝ＣＲ９ＣＯＯ−Ｒ１０−ＯＣＯ−Ｒ１２−ＣＯＯ−Ｒ１０−ＯＣＯＣＨＲ３＝ＣＨ２  （４）
（ＣＨ２＝ＣＲ９ＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨＲ１２Ｏ）ｍ）ｎ−Ｒ１３  （５）
ここにおいて、Ｒ９およびＲ１２は水素またはメチル基、Ｒ１０は炭素数１〜２０のアルキル基、Ｒ１１は炭素数３以上のヒドロキシアルキル基、Ｒ１３は炭素数１〜２０のアルキル基、アリール基、アラルキル基、ｍは０〜３０の整数、ｎは３〜６の整数である。
【００４５】
式（５）で表される化合物の具体例としては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化グリセリルトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、およびそれらのアルキレンオキサイド変成物などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４６】
架橋剤の添加量は、ガラスペースト全重量に対し５〜２５質量％の範囲で添加されることが好ましい。５質量％より少なくなると加熱処理後のガラスペースト塗布膜が硬化不足になり感光性ペーストや現像液が染みこみ、一括焼成した際上層に形成したパターンが剥離してしまう傾向がある。２５質量％を超えると、焼成時の収縮応力が大きくなり、誘電体層に亀裂が発生する場合がある。
【００４７】
また、本発明のガラスペーストは、これらの他にもさらに必要に応じて、バインダー樹脂、分散剤、安定剤、消泡剤、レベリング剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、重合禁止剤、有機溶媒などを添加することもできる。
【００４８】
本発明のガラスペーストはバインダー樹脂をペースト全重量に対して０．１〜５０質量％含むことが好ましい。含有量が０．１質量％より小さいと誘電体ペーストの粘度が低下し、誘電体ペーストの組成を安定化することが困難になる。一方、含有量が５０質量％より大きいと誘電体ペーストの粘度が高くなりすぎることによる塗布不良や、焼成収縮が大きくなることによる亀裂等の問題が生じる傾向がある。
【００４９】
バインダー樹脂の具体例としては、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセテート、ポリビニルアルコール、ポリエチレン、シリコーンポリマー（例えば、ポリメチルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサン）、ポリスチレン、ブタジエン／スチレン共重合体、ポリビニルピロリドン、ポリアミド、高分子量ポリエーテル、エチレンオキシドとプロピレンオキシドの共重合体、ポリアクリルアミドおよび種々のアクリルポリマーやセルロース化合物などがあげられる。このなかで、アクリルポリマーまたはセルロース化合物を用いることが焼成時の焼成残渣を低減する点で好ましい。
【００５０】
アクリルポリマーとしては、例えば（メタ）アクリル酸または（メタ）アクリル酸アルキル類を単独または共重合させたものが好ましく、ペーストに好ましい特性を与えるように適宜に選択することができる。具体的には、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸プロピル、ポリメタクリル酸ブチル、ポリメタクリル酸ヘキシルなどの単独重合体やこれらの重合体を構成するモノマーの組合せで得られる共重合体などが好ましい。セルロース化合物としては、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシセルロース、メチルヒドロキシセルロースなどを好ましく用いることができる。
【００５１】
本発明のガラスペーストは、各種成分を所定の組成となるように調合し、プラネタリーミキサー等のミキサーによって予備分散した後、３本ローラーなどの分散機で分散・混練手段によって均質に製造される。製造後は、濾過を行い、異物を取り除くことが好ましい。
【００５２】
次に、本発明のガラスペーストを用いたプラズマディスプレイパネル用部材の製造方法について説明する。
【００５３】
本発明のプラズマディスプレイパネル用部材の製造方法は、必要に応じ電極または電極前駆体を設けた基板上に上述のガラスペーストを塗布、加熱処理してガラスペースト塗布膜を形成し、前記ガラスペースト塗布膜上に感光性ガラスペーストを塗布、露光、現像して隔壁前駆体パターンを形成した後、焼成することによって誘電体層および隔壁を形成することを特徴とする。この方法において、上述のガラスペーストは誘電体層を形成するために用いられる。
【００５４】
本発明のプラズマディスプレイパネル用部材の製造方法は、上記ガラスペーストを基板上に塗布して乾燥する工程の前に、基板上に電極パターンを形成する工程を、上記ガラスペーストを基板上に塗布して加熱処理する工程の後に、該誘電体層上に隔壁パターンを形成する工程を含むことが好ましい。
【００５５】
次に、本発明のプラズマディスプレイパネル用部材の製造方法の好ましい例について、詳細に説明する。
【００５６】
まず、基板上に、書き込み電極として、感光性銀ペーストを用いてフォトリソグラフィー法により、ストライプ状の電極を形成し、この基板に本発明のガラスペーストをスクリーン印刷法により塗布する。
【００５７】
誘電体層の厚みは、焼成後で４〜１８μｍの範囲、より好ましくは８〜１５μｍの範囲であることが、均一で緻密な誘電体層を形成するために好ましい。厚さを１８μｍ以下とすることで、焼成の際の脱バインダー性が良好となり、バインダーの残存に起因するクラックが生じない。またガラス基板にかかる応力も小さくなるので基板が反るなどの問題も生じない。また、４μｍ以上とすることで平坦性で均一かつ緻密な誘電体層を形成することができ、電極部分の凹凸によって誘電体層にクラックが入るなどの問題が生じない。
【００５８】
ガラスペースト塗布膜を形成した後、加熱処理を行う。加熱処理して硬化させることにより、後の上層塗布工程における上層の染み込み耐性に優れ、後の現像工程における現像液耐性に優れ、焼成工程における電極パターンや隔壁パターンの収縮による応力にガラスペースト塗布膜が耐えることができるようになる。
ガラスペースト塗布膜を加熱処理する条件としては、１００〜３００℃の温度範囲で３〜３０分の時間範囲が好ましい。好ましくは、１３０〜２５０℃の温度範囲で５〜３０分の時間範囲である。
【００５９】
次いで、隔壁パターンを形成する。隔壁パターンの形成には、スクリーン印刷法、サンドブラスト法、感光性ペースト法、プレス成型法等が用いられる。パターンの高精細化や工程の簡略化が可能である点から、感光性ペースト法が特に好ましい。以下に、感光性ペースト法の手順について説明する。
【００６０】
ガラスペースト塗布膜の上に、感光性ガラスペーストを全面に、もしくは部分的に塗布する。感光性ペーストの塗布は、スクリーン印刷法、バーコーター法、ロールコータ法、ドクターブレード法などの一般的な方法で行なうことができる。塗布厚さは、所望の隔壁の高さとペーストの焼成による収縮率を考慮して決めることができる。通常、焼成後の隔壁の好ましい高さは６０〜１７０μｍの範囲であり、焼成収縮を考慮すると、塗布する感光性ガラスペースト塗布膜の厚さは８０〜４００μｍの範囲内であることが好ましい。
【００６１】
塗布された感光性ガラスペーストは、乾燥され、露光される。露光に使用される活性光線は、紫外線が最も好ましく、その光源として、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプなどが使用される。超高圧水銀灯を光源とした平行光線を用いる露光機が一般的である。
【００６２】
露光後、露光部分と未露光部分の現像液に対する溶解度差を利用して、現像を行ない、隔壁前駆体パターンを形成する。現像には、浸漬法、スプレー法、ブラシ法などが用いられる。現像液には、感光性隔壁ペースト中の有機成分、特にポリマーが溶解可能な溶液を用いるとよい。本発明では、アルカリ水溶液で現像することが好ましい。隔壁のパターニングは、焼成による収縮を考慮して行なうとよい。隔壁パターンは、主としてストライプ状に形成されるが、特に限定されず、格子状である場合もある。本発明のガラスペーストを用いると、格子状の隔壁を形成した場合でも、誘電体層に亀裂が生じることはない。
【００６３】
隔壁前駆体パターンを形成した後に、電極または電極前駆体、ガラスペースト塗布膜および隔壁前駆体パターンを同時に焼成して、電極、誘電体層および隔壁を形成する。焼成雰囲気や温度は、ペーストや基板の特性によって異なるが、通常は空気中で焼成される。焼成炉としては、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用いることができる。バッチ式の焼成の場合、ガラスペースト塗布膜の上に隔壁パターンが形成されたガラス基板を、室温から５００℃程度まで数時間掛けてほぼ等速で昇温した後、さらに焼成温度として設定された５００〜５８０℃に３０〜４０分間で上昇させて、１５〜３０分間保持して焼成を行なうことが好ましい。
【００６４】
焼成温度を５８０℃以下、焼成時間を１５〜３０分の範囲に設定することで、焼成残渣や隔壁のダレなどを抑制することができる。
【００６５】
このようにして形成された隔壁に、蛍光体ペーストを形成する。蛍光体の形成方法は特に限定されないが、例えば、スクリーン印刷法、口金から蛍光体ペーストを吐出する方法、感光性ペースト法などがあげられるが、この中でも口金から蛍光体ペーストを吐出する方法が簡便で、低コストのＰＤＰを得ることができるため好ましい。蛍光体ペーストを塗布して乾燥させた後、例えば、５００℃で３０分焼成して隔壁の側面および底部に蛍光体層を形成する。なお、蛍光体塗布ムラ、つまり蛍光体厚みばらつきは、パネル化した際に表示ムラの原因となる。
【００６６】
本発明のＰＤＰ用部材の製造方法においては、上述の化合物（Ｃ）およびビスフェノール骨格を有するアクリルモノマー（Ｄ）を含むガラスペーストを用いるため、熱処理後のガラスペースト塗布膜の反射率ばらつきを抑え、隔壁を形成する工程で、底部幅の面内ばらつきが小さい緻密な隔壁パターニング形成を施すことが可能である。
【実施例】
【００６７】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
評価方法
（１）隔壁前駆体形成性
以下に説明するＰＤＰ背面板の作製方法により基板上に電極前駆体パターンを形成し、ガラスペーストを塗布、熱処理を行い、感光性ガラスペーストを塗布、露光、現像した際、底部幅４５μｍの隔壁パターンが剥がれなく作れるかどうかの確認を行った。
○：剥がれなし
×：剥がれあり
（２）反射率の面内ばらつき
以下に説明するＰＤＰ背面板の作製方法により基板上に電極前駆体パターンを形成し、ガラスペーストを塗布、加熱処理を行った基板（感光性ガラスペースト塗布前）の、電極前駆体パターンと誘電体層が積層されている部分の乾燥膜４２インチ基板面内２５箇所の波長４１０ｎｍの反射率（％）をコニカミノルタ（株）社製ＣＭ２５００ｄにより測定し、その最大値と最小値の差をばらつきの範囲とした。また、全ての反射率の測定値の標準偏差を求めた。反射率の面内ばらつきの範囲および標準偏差は小さいほど好ましいが、ばらつきの範囲は０．６％以内、標準偏差は０．１５以内が好ましい。
（３）隔壁底部幅の面内ばらつき
以下に説明するＰＤＰ背面板の作製方法により基板上に電極前駆体パターンを形成し、ガラスペーストを塗布、熱処理を行い、感光性ガラスペーストを塗布、露光、現像し、その後一括焼成した４２インチ基板（蛍光体層形成前）について、面内２５箇所のパターン底部幅をキーエンス社製リアルサーフェスビュー（ＶＥ−７８００）により測定し、その最大値と最小値の差をばらつきの範囲とした。また、全ての底部幅の測定値の標準偏差を求めた。底部幅のばらつきの範囲および標準偏差は小さいほど好ましいが、ばらつきの範囲は５μｍ以内、標準偏差は２以内が好ましい。
（４）誘電体層硬化性
以下（ａ）項で説明するに説明するＰＤＰ背面板の作製方法（ガラスペースト塗布膜の加熱処理温度：１５０℃）およびガラスペースト塗布膜の加熱処理温度を１４０℃に変更した以外は（ａ）項で説明するＰＤＰ背面板の作製方法と同様の方法の２種類の方法でＰＤＰ背面板を作製した。＜焼成＞まで行った後、＜蛍光体層の形成＞を行う前の段階の基板について、それぞれ焼成後の隔壁を観察し、剥離の有無を確認し、以下のように判定した。１５０℃の加熱処理を行った場合に剥離がないことが必要であるが、加熱処理の条件をより低い温度である１４０℃に変更した場合も剥離がないことがより好ましい。
◎：加熱処理温度１４０℃の場合、１５０℃の場合の両方において剥離なし
○：加熱処理温度１４０℃の場合は剥離があるが、加熱処理温度１５０℃の場合は剥離なし
×：加熱処理温度１４０℃の場合、１５０℃の場合の両方において剥離あり
（５）焼成残渣
以下に説明するＰＤＰ背面板の作製方法により基板上に電極前駆体パターンを形成し、ガラスペーストを塗布、熱処理を行い、感光性ガラスペーストを塗布、露光、現像し、その後一括焼成した４２インチ基板（蛍光体層形成前）について、面内２５箇所の色度（Ｌ＊）をコニカミノルタ株式会社製ＣＭ２５００ｄにより測定した。得られたＬ＊値に応じ、焼成残渣を以下のように評価した。×評価の場合、ガラスペースト膜の絶縁性が低下し、パネルを作製した時、異常放電が見られることがある。
◎：Ｌ＊が６５を超える
○：Ｌ＊が６３を超え６５以下
×：Ｌ＊が６３以下
（６）蛍光体層塗布ムラ
以下に説明するＰＤＰ背面板の作製方法により基板上に電極前駆体パターンを形成し、ガラスペーストを塗布、熱処理を行い、感光性ガラスペーストを塗布、露光、現像し、その後一括焼成し、蛍光体を塗布、焼成した４２インチ基板について、面内２５箇所の蛍光体膜厚をキーエンス社製リアルサーフェスビュー（ＶＥ−７８００）により測定し、その最大値と最小値の差をばらつきの範囲とした。はらつき範囲により蛍光体塗布ムラを以下のように評価した。×評価の場合、パネルを作製し、全点灯（白色表示）した時に色相にムラが見られる。
○：ばらつき範囲が４μｍ以下
×：ばらつき範囲が４μｍより大きい
（７）ＰＤＰ背面板総合評価
以下に説明するＰＤＰ背面板の作製方法により基板上に電極前駆体パターンを形成し、ガラスペーストを塗布、熱処理を行い、感光性ガラスペーストを塗布、露光、現像し、その後一括焼成し、蛍光体を塗布、焼成した４２インチ基板について、上記（１）〜（６）の評価より以下のように総合評価した。
隔壁底部幅のばらつきが５μｍ以内、かつ隔壁前駆体形成性が○、誘電体層硬化性が◎、焼成残渣が◎、蛍光体塗布ムラが○の全てを満たす場合、総合評価として優れているため◎とした。
隔壁底部幅のばらつきが５μｍ以内、かつ壁前駆体形成性、誘電体層硬化性、焼成残渣、蛍光体塗布ムラが全て○以上だが、誘電体層硬化性および焼成残渣の一方または両方が○である場合、、十分実用に耐えるが◎の場合と比較してややプロセス、製品のマージンがやや劣るため○とした。
隔壁底部幅のばらつきが５μｍを超えるか、壁前駆体形成性、誘電体層硬化性、焼成残渣、蛍光体塗布ムラのいずれかが×の場合、ＰＤＰ背面板として問題となるため×とした。
（実施例１〜１７、比較例１〜６）
（ａ）ＰＤＰ背面板の作製方法
３４０×２６０×１．８ｍｍサイズのガラス基板（旭硝子（株）製“ＰＤ−２００”）を使用してＡＣ（交流）型ＰＤＰの背面板を形成した。以下に各手順を示す。
＜電極前駆体パターンの形成＞
基板上に、書き込み電極の電極前駆体パターンを形成するため、感光性銀ペースト（東レ（株）製）を乾燥後の厚みが５μｍになるようにスクリーン印刷（印刷版：ＳＵＳ＃３２５）し、１００℃で３０分熱風乾燥機（タバイ（株）製）を用いて乾燥した。乾燥後、ピッチ１４０μｍ、線幅５０μｍのストライプパターンを有するフォトマスクをセットして、露光装置（大日本スクリーン（株）製）を用いて５０ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光した後、０．５質量％のエタノールアミン水溶液で現像した。その後、熱風乾燥機（タバイ（株）製）を用いて２００℃で１５分の熱処理を行なった。
＜ガラスペースト塗布膜の形成＞
誘電体層の形成に用いるガラスペーストに用いた材料は以下の通りである。
・低融点ガラス粉末（Ｂｉ２Ｏ３：４５質量％、ＳｉＯ２：３質量％、Ｂ２Ｏ３：１７質量％、ＺｎＯ：２２質量％、Ａｌ２Ｏ３：３質量％、ＢａＯ：１０質量％からなるガラスを粉砕、分級して平均粒子径を１．８μｍとしたもの、軟化点４８７℃）：４０質量％
・フィラー粉末（酸化ケイ素粒子、日本アエロジル（株）製“アエロジル”３５０）：２０質量％
・バインダー樹脂（エチルセルロース、ハーキュレス社製）：５質量％
・熱重合開始剤（２，２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、日本ヒドラジン（株）製）：２質量％
架橋剤Ｄ１〜Ｄ７：ビスフェノール骨格を有するアクリルモノマー（Ｄ）として、以下のものを用いた。
・架橋剤Ｄ１：ビスフェノールＡジアクリレート
・架橋剤Ｄ２：エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート（エチレンオキサイド平均付加量：４）
・架橋剤Ｄ３：プロピレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート（プロピレンオキサイド平均付加量：４）
・架橋剤Ｄ４：ビスフェノールＦジアクリレート
・架橋剤Ｄ５：エチレンオキサイド変性ビスフェノールＦジアクリレート（エチレンオキサイド平均付加量：４）
・架橋剤Ｄ６：プロピレンオキサイド変性ビスフェノールＦジアクリレート（プロピレンオキサイド平均付加量：４）
・架橋剤Ｄ７：ビスフェノールＡジメタクリレート
・架橋剤Ｅ１：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（共栄社化学（株）製）
・架橋剤Ｅ２：トリメチロールプロパントリアクリレート
・架橋剤Ｅ３：ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート
・紫外線吸収剤Ｃ１〜Ｃ４（化合物（Ｃ））：一般式（１）を満足し、Ｒ１〜Ｒ８として表１に記載の置換基を有するものを用いた。
・紫外線吸収剤Ｆ１：２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン
・紫外線吸収剤Ｆ２：４−ｔ−ブチルフェニルサシレート
・有機溶剤：テルピネオール
【００６８】
【表１】
2012164540.tif 000005
【００６９】
表２〜４に記載の各成分を３本ローラーの混練機で混練して誘電体層形成用ペーストを作製した。得られた誘電体層形成用ペーストを乾燥後の厚みが１５μｍになるようにスクリーン印刷（印刷版：ＳＵＳ＃２００）し、１５０℃で１５分熱風乾燥機（タバイ（株）製）を用いて加熱処理してガラスペースト塗布膜を形成した。
【００７０】
【表２】
2012164540.tif 000006
【００７１】
【表３】
2012164540.tif 000007
【００７２】
【表４】
2012164540.tif 000008
【００７３】
＜隔壁前駆体パターンの形成＞
次に、感光性ガラスペースト（東レ（株）製）を乾燥後厚み１８０μｍになるようにダイコーター（東レ（株）製）で塗布し、１００℃で６０分熱風乾燥機（タバイ（株）製）を用いて乾燥した。乾燥後、ピッチ１４０μｍ、線幅２５μｍのストライプパターンを有するフォトマスクをセットして、露光装置（大日本スクリーン（株）製）を用いて１００ｍＪ／ｃｍの露光量で露光した後、０．５質量％のエタノールアミン水溶液で現像した。
＜焼成＞
上記の電極パターン、誘電体層および隔壁パターンを形成した後に、これらを同時に焼成した。焼成は、５７０℃で１０分間ローラーハース焼成炉（光洋サーモテック（株）製）を用いて行なった。
＜蛍光体層の形成＞
このようにして形成された隔壁に、蛍光体ペーストを口金から蛍光体ペーストを吐出する方法を用いて乾燥後厚み１０μｍになるように塗布、乾燥（１５０℃、３０分）し、焼成（５００℃、３０分）して隔壁の側面および底部に蛍光体層を形成した。
【００７４】
評価結果を表５、表６に示す。実施例１〜１７で作成したＰＤＰ背面板は、反射率の面内ばらつきが少なく、隔壁底部幅の面内ばらつきも小さいものであった。そのため蛍光体塗布ムラの評価結果も良好であった。また、誘電体層硬化性、焼成残渣の評価結果も優れていた。一方、比較例１、３〜６で作成したＰＤＰ用背面板は、すべて背面板の隔壁底部幅ばらつきが大きく、蛍光体塗布ムラが見られた。比較例２で作成したＰＤＰ背面板は、隔壁前駆体の一部が剥がれてしまった。
【００７５】
【表５】
2012164540.tif 000009
【００７６】
【表６】
2012164540.tif 000010