(57)【要約】【課題】熱応力を低減しつつ十分な放熱特性を確保することができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の一態様にかかる半導体レーザ装置１００は、ＰＬＣ基板１１、ＰＬＣ電極１２、半田バンプ１４及びＬＤ１５を有する。ＰＬＣ電極１２は、ＰＬＣ基板１１上に形成され、部分的に開口部１８を有する。ＬＤ１５は、ＰＬＣ電極１２の上方に配置される。半田バンプ１４は、ＰＬＣ電極１２とＬＤ１５との間に形成される。開口部１８を介して露出したＰＬＣ基板１１の表面は、半田バンプ１４とは非接触である。【選択図】図５
2012151324.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、部分的に開口部を有する電極と、
前記電極の上方に配置された半導体レーザと、
前記電極と前記半導体レーザとの間に形成された半田バンプと、を備え、
前記開口部を介して露出した前記基板の表面と前記半田バンプとが非接触である、
半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記半導体レーザは、
活性層からの距離が最も近い面が、前記半田バンプを介して、前記電極と対向することを特徴とする、
請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記半田バンプの熱膨張係数が、前記基板の熱膨張係数よりも大きいことを特徴とする、
請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
複数の前記開口部が、前記活性層の延在方向に配列された列として形成されることを特徴とする、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
１又は複数の前記列を備えることを特徴とする、
請求項４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記複数の前記列の一部の列とそれ以外の列とが、前記活性層の直下の領域を挟んで対向して形成されることを特徴とする、
請求項５に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記１の前記列又は前記複数の前記列のいずれかが、前記活性層の直下に形成されることを特徴とする、
請求項５に記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記活性層の直下に形成されたものを除く前記複数の前記列の一部の列とそれ以外の列とが、前記活性層の直下の領域を挟んで対向して形成されることを特徴とする、
請求項７に記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
複数の前記開口部が、モザイク状に形成されることを特徴とする、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】
部分的に開口部を有する電極を、基板上に形成し、
半田バンプを、前記電極上に形成し、
半導体レーザを、前記半田バンプの上方に配置し、
前記半田バンプを溶融し、その後冷却することにより、前記半導体レーザと前記電極とを接合し、
前記半田バンプは、溶融することにより前記開口部を介して露出した前記基板の表面に接触し、その後冷却されて収縮することにより前記露出した前記基板の前記表面と非接触となる、
半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体レーザ装置及びその製造方法に関し、特に実装による半導体レーザ特性の劣化を抑制する半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の技術の発展に伴い、光通信システムは飛躍的な伸びを見せている。特にファイバの利用効率を高めるため、光信号の高速化及び多波長化といった技術が進展している。この技術進展に伴って、光通信システムで使用される部品への要求が年々厳しくなっている。一方、ＦＴＴＨ（Fiber To The Home)の進展に伴い、使用される部品の低コスト化も重要な課題となっている。最近では、ＦＴＴＨにおいても高速化の要求が増えている。その結果、当初の伝送速度が１００Ｍｂｐｓ程度であったのに対し、最近では２．４Ｇｂｐｓの伝送速度が実現している。さらには、１０Ｇｂｐｓの伝送速度が実現されようとしている。
【０００３】
上述のように数Ｇｂｐｓの伝送速度を求められる状況においては、シングルモード発振するレーザダイオードを採用することが必須である。そのため、一般的にＤＦＢ−ＬＤ（Distributed FeedBack - Laser Diode)が用いられる。また、ＤＦＢ−ＬＤから出射された信号を光ファイバに効率的に結合させるには、サブミクロンレベルでの位置調芯が必要である。その結果、調芯に掛かるコストが大きくなってしまい、低コスト化を図る上で大きな課題であった。このような課題を解決する手段として、ＰＬＣ（Planar Lightwave Circuit）上に、パッシブアライメントによりＬＤ（Laser Diode）を実装する方法がある（特許文献１）。この方法によれば、調芯に要する時間が不要になるため、大幅にコストを削減することができる。
【０００４】
ここで、ＬＤが実装された通常の半導体装置について説明する。なお、ここでは、ＬＤを実装するＰＬＣの構造として、特許文献１で開示されている構造を想定する。図８は、通常の半導体レーザ装置４００の構成を示す斜視図である。通常の半導体レーザ装置４００は、図８に示すように、ＰＬＣ基板４１上に、ＰＬＣ電極４２及びＬＤ搭載用台座４３が形成されている。ＬＤ４５は、ＰＬＣ電極４２及びＬＤ搭載用台座４３の上に実装されている。図８では、ＬＤ４５は上面側がＰＬＣ電極４２側に位置するように実装される。図８では、ＬＤ４５に形成されたＬＤ裏面側電極Ｅ４を表示している。
【０００５】
図９は、図８の端面部４６の正面図である。通常の半導体レーザ装置４００は、図８に示すように、半田バンプ４４を介して、ＬＤ４５とＰＬＣ電極４２とが接合されている。ＬＤ４５は、活性層４７までの距離が近い側の表面がＰＬＣ電極４２側になるように実装される。つまり、ＬＤ４５は、ＬＤ上面側電極Ｅ３がＰＬＣ電極４２側に位置するように実装される。なお、この際、活性層４７の延在方向（発振方向）がＬＤ搭載用台座４３の長手方向に沿うように実装される。
【０００６】
続いて、通常の半導体レーザ装置４００の製造方法について説明する。図１０Ａ及び図１０Ｂは、通常の半導体レーザ装置４００の製造工程を示す斜視図である。まず、ＰＬＣ基板４１上に、ＰＬＣ電極４２及びＬＤ搭載用台座４３を形成する（図１０Ａ）。そして、ＰＬＣ電極４２上に、半田バンプ４４を形成する（図１０Ｂ）。半田バンプ４４には、例えばＡｕＳｎからなる半田が用いられる。
【０００７】
そして、半田バンプ４４上に、ＬＤ４５を載せる。その後、ＰＬＣ基板４１に熱を加えて半田バンプ４４を溶融し、その後冷却する。例えば、半田バンプ４４溶融時の温度は２９０℃であり、冷却時の温度は室温（２５℃程度）である。その結果、ＬＤ４５とＰＬＣ電極４２とは、半田バンプ４４により接合される。これにより、ＬＤ４５がＰＬＣ基板４１上に実装され、図８に示す通常の半導体レーザ装置４００が得られる。
【０００８】
他にも、ＬＤとマウントとの間に２つの接合層を設けて、ＬＤに対する応力を低減する方法が提案されている（特許文献２）。また、ＬＤの裏面電極の一部を除去する構造が提案されている（特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第２８２３０４４号公報
【特許文献２】特開２００４−３３５８６０号公報
【特許文献３】特開２００６−２１０７７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、発明者は、ＰＬＣ上にＬＤを実装したモジュールには、以下の問題点があることを見出した。ＰＬＣ上にＬＤを実装したモジュールは、低コストで生産できる利点を持つ一方で、副モード抑圧比（以下、ＳＭＳＲ：Sub-Mode Suppression Ratio）歩留まりが悪いという欠点を有する。この欠点は、応力に対して敏感なＤＦＢ−ＬＤを、半田接合によってＰＬＣ基板上に実装することにより生じる。以下、この欠点が生じるメカニズムについて、簡単に説明する。なお、以下では、特に断らない限り、ＬＤはＤＦＢ−ＬＤを指すものとする。
【００１１】
ＬＤ４５は、図９に示すように、活性層４７側の表面（上面側電極Ｅ３）が、半田バンプ４４に接している。そのため、ＬＤ４５の活性層４７は、半田バンプ４４の熱収縮に起因した応力を、ＰＬＣ基板４１側から受ける。一般に、半田の熱膨張係数は、ＰＬＣ基板の熱膨張係数より大きい。例えば、半田がＡｕＳｎからなる場合、その熱膨張係数は１７．５×１０−６[／℃]である。ＰＬＣ基板の主材料がＳｉである場合は、その熱膨張係数は２．４×１０−６[／℃]である。従って、ＬＤ実装完了後に半田が室温まで冷却されると、半田はＰＬＣ基板よりも大きく収縮する。
【００１２】
図１１Ａは、半田バンプ４４が溶融している場合の通常の半導体レーザ装置４００の正面図である。半田バンプ４４が溶融している場合には、図１１Ａに示すように、ＬＤ４５には応力が働かない。一方、図１１Ｂは、半田バンプ４４が冷却された場合の通常の半導体レーザ装置４００の正面図である。半田バンプ４４が冷却された場合には、半田バンプ４４は熱収縮する。そのため、図１１Ｂに示すように、ＬＤ４５はＰＬＣ基板４１側への引っ張り応力σが生じる。そのため、ＬＤ４５は撓みが生じ、活性層４７は応力σの影響を受ける。
【００１３】
ＬＤの活性層に応力が掛かると、活性層の屈折率が変化し、ＬＤの発振状態が不安定となる。その結果、ＳＭＳＲの劣化が生じ、ＳＭＳＲ歩留まりが低下してしまう。つまり、ＬＤの半田実装におけるＳＭＳＲ歩留まりを改善するには、ＬＤをＰＬＣ基板側に引っ張る応力の低減が必要である。
【００１４】
活性層にかかる応力を低減する方法として、ＰＬＣ電極の一部を除去する構造（以下、同構造を中抜き電極構造と表記）が使用されることがある。これにより、ＰＬＣ基板に接着する半田の面積を減少させ、活性層にかかるＰＬＣ基板方向への引っ張り応力の低減を図ることができる。図１２は、中抜き電極構造を有する半導体レーザ装置５００の斜視図である。図１２では、ＰＬＣ電極５２を見やすくするため、ＰＬＣ電極５２上の半田バンプ４４及びＬＤ４５を省略している。中抜き電極構造は、真上にＬＤ活性層が配置される部分のＰＬＣ電極が除去された構造である。ＰＬＣ電極５２は、真上にＬＤ活性層が配置される部分を挟んで、ＰＬＣ電極５２ａ及び５２ｂに分割されている。なお、ＰＬＣ電極５２ａ及び５２ｂの間のＰＬＣ基板４１の表面は、ＳｉまたはＳｉ酸化物などで覆われている。半導体レーザ装置５００のその他の構成は、図８に示す通常の半導体レーザ装置４００と同様であるので、説明を省略する。
【００１５】
図１３は、半田バンプ４４が冷却された場合の半導体レーザ装置５００の正面図である。ＰＬＣ電極５２ａ及び５２ｂの間のＰＬＣ基板４１の表面は、ＳｉまたはＳｉ酸化物などで覆われているため、この部分には半田バンプ４４は接着しない。その結果、半田バンプとＰＬＣ電極５２ａ及び５２ｂとが接触している部分でしか、応力σは生じない。つまり、活性層直下の半田バンプ４４はＰＬＣ電極とは接合しないので、活性層にかかる応力を低減することが可能となる。
【００１６】
しかしながら、中抜き電極構造を有する半導体レーザ装置５００によればＬＤ４５にかかる応力を低減できるものの、同構造ではＬＤ温度の上昇による光学特性の劣化が生じる点が短所である。上述のように、半導体レーザ装置５００における半田バンプ４４とＰＬＣ電極５２との接合面積は、図８に示す通常の半導体レーザ装置４００における半田バンプ４４とＰＬＣ電極４２との接合面積よりも小さい。半導体レーザ装置５００では、ＬＤから発せられた熱の排熱経路が狭く、通常構造よりも放熱特性が劣化する。そのため、半導体レーザ装置５００では、ＬＤから発せられた熱がＬＤ周辺に滞留し、ＬＤの動作温度が上昇する。その結果、半導体レーザ装置５００の光出力が低下してしまう。さらに、図１３に示す半田非接触部７２には、空気が入り込む。一般に、空気は放熱特性が非常に悪く、中抜き電極構造における放熱特性劣化を助長する。
【００１７】
特許文献２に記載の手法では、ＬＤ自体に接合層を形成しなくてはならない。そのため、ＬＤの製造工程が複雑になってしまう。また、特許文献３に記載の手法では、活性層から遠い側の面である裏面をマウント側に向けて、ＬＤが実装されている。従って、熱源である活性層からの熱を、十分にマウント側に放熱することができない。
【００１８】
本発明は上記の事情に鑑みて為されたものであり、熱応力を低減しつつ十分な放熱特性を確保することができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の一態様である半導体レーザ装置は、基板と、前記基板上に形成され、部分的に開口部を有する電極と、前記電極の上方に配置された半導体レーザと、前記電極と前記半導体レーザとの間に形成された半田バンプと、を備え、前記開口部を介して露出した前記基板の表面と前記半田バンプとが非接触であるものである。
【００２０】
本発明の一態様である半導体レーザ装置の製造方法は、部分的に開口部を有する電極を、基板上に形成し、半田バンプを、前記電極上に形成し、半導体レーザを、前記半田バンプの上方に配置し、前記半田バンプを溶融し、その後冷却することにより、前記半導体レーザと前記電極とを接合し、前記半田バンプは、溶融することにより前記開口部を介して露出した前記基板の表面に接触し、その後冷却されて収縮することにより前記露出した前記基板の前記表面と非接触となるものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、熱応力を低減しつつ十分な放熱特性を確保することができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施の形態１にかかる半導体レーザ装置１００の構成を示す斜視図である。
【図２】実施の形態１にかかる半導体レーザ装置１００の端面部１６の正面図である。
【図３Ａ】実施の形態１にかかる半導体レーザ装置１００の製造工程を示す斜視図である。
【図３Ｂ】実施の形態１にかかる半導体レーザ装置１００の製造工程を示す斜視図である。
【図４】実施の形態１にかかる半導体レーザ装置１００のＰＬＣ電極１２の上面図である。
【図５】図１のＶ−Ｖ線における半導体レーザ装置１００の断面図である。
【図６】実施の形態２にかかる半導体レーザ装置２００のＰＬＣ電極２２の上面図である。
【図７】実施の形態３にかかる半導体レーザ装置３００のＰＬＣ電極３２の上面図である。
【図８】通常の半導体レーザ装置４００の構成を示す斜視図である。
【図９】通常の半導体レーザ装置４００の端面部４６の正面図である。
【図１０Ａ】通常の半導体レーザ装置４００の製造工程を示す斜視図である。
【図１０Ｂ】通常の半導体レーザ装置４００の製造工程を示す斜視図である。
【図１１Ａ】半田バンプ４４が溶融している場合の通常の半導体レーザ装置４００の正面図である。
【図１１Ｂ】半田バンプ４４が冷却された場合の通常の半導体レーザ装置４００の正面図である。
【図１２】中抜き電極構造を有する半導体レーザ装置５００の斜視図である。
【図１３】半田バンプ４４が冷却された場合の半導体レーザ装置５００の正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。各図面においては、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略される。
【００２４】
実施の形態１
実施の形態１にかかる半導体レーザ装置について説明する。図１は、実施の形態１にかかる半導体レーザ装置１００の構成を示す斜視図である。半導体レーザ装置１００は、図１に示すように、ＰＬＣ基板１１上に、ＰＬＣ電極１２及びＬＤ搭載用台座１３が形成されている。ＬＤ１５は、ＰＬＣ電極１２及びＬＤ搭載用台座１３の上に実装されている。図１では、ＬＤ１５は上面側がＰＬＣ電極１２側に位置するように実装される。図１では、ＬＤ１５に形成されたＬＤ裏面側電極Ｅ２を表示している。
【００２５】
図２は、図１の端面部１６の正面図である。半導体レーザ装置１００は、図２に示すように、半田バンプ１４を介して、ＬＤ１５とＰＬＣ電極１２とが接合されている。ＬＤ１５は、活性層１７までの距離が近い側の表面がＰＬＣ電極１２側になるように実装される。つまり、ＬＤ１５は、ＬＤ上面側電極Ｅ１がＰＬＣ電極１２側に位置するように実装される。なお、この際、活性層１７の延在方向（発振方向）がＬＤ搭載用台座１３の長手方向に沿うように実装される。
【００２６】
続いて、半導体レーザ装置１００の製造方法について説明する。図３Ａ及び図３Ｂは、半導体レーザ装置１００の製造工程を示す斜視図である。まず、ＰＬＣ基板１１上に、ＰＬＣ電極１２及びＬＤ搭載用台座１３を形成する（図３Ａ）。そして、ＰＬＣ電極１２上に、半田バンプ１４を形成する（図３Ｂ）。半田バンプ１４には、例えばＡｕＳｎからなる半田が用いられる。
【００２７】
そして、半田バンプ１４上に、ＬＤ１５を載せる。その後、ＰＬＣ基板１１に熱を加えて半田バンプ１４を溶融し、その後冷却する。例えば、半田バンプ１４溶融時の温度は２９０℃であり、冷却時の温度は室温（２５℃程度）である。その結果、ＬＤ１５とＰＬＣ電極１２とは、半田バンプ１４により接合される。これにより、ＬＤ１５がＰＬＣ基板１１上に実装され、図１に示す半導体レーザ装置１００が得られる。
【００２８】
続いて、ＰＬＣ電極１２について詳しく説明する。本実施の形態にかかる半導体レーザ装置１００は、ＰＬＣ電極１２の形状を工夫することにより、ＬＤ１５にかかる熱応力を低減しつつ、放熱特性を確保するものである。図４は、実施の形態１にかかるＰＬＣ電極１２の上面図である。なお、図４の点線枠１９は、ＬＤ１５の活性層１７の位置を模式的に示している。
【００２９】
図４に示すように、ＰＬＣ電極１２には、開口部１８が形成されている。図４では、活性層１７の直下に、開口部１８が活性層１７の延在方向に列状に形成される例について示している。開口部１８が形成されている部分のＰＬＣ基板１１の表面は、ＳｉまたはＳｉ酸化物などで覆われている。なお、図４に示す開口部１８の配置は例示に過ぎず、１以上の開口部１８が形成されていればよい。また、開口部１８は、活性層の直下ではない位置に形成されてもよい。
【００３０】
図５は、図１のＶ−Ｖ線における半導体レーザ装置１００の断面図である。尚、図４においては、Ｖ−Ｖ線は開口部１８を通過している。図５に示すように、半導体レーザ装置１００には、ＬＤ１５とＰＬＣ電極１２とが接合されている半田接触部１が存在する。半田接触部１は高い放熱特性を有するので、半田接触部１が周期的に存在することにより、ＬＤ１５から発生する熱を十分に放熱することが可能である。
【００３１】
また、開口部１８のＰＬＣ基板１１の表面は、ＳｉまたはＳｉ酸化物などで覆われているため、半田バンプ１４は、ＰＬＣ基板１１には接着しない。そのため、開口部１８によりＬＤ１５とＰＬＣ基板１１との間に空隙が生じている半田非接触部２が存在する。半田非接触部２が周期的に存在することにより、半田バンプ１４の熱収縮の影響を緩和し、ＬＤ１５にかかる引っ張り応力を低減することが可能となる。
【００３２】
つまり、本構成によれば、高い放熱特性と熱応力の低減とを両立することができる。従って、半導体レーザ装置１００によれば、熱応力を低減しつつ十分な放熱特性を確保することができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することができる。
【００３３】
実施の形態２
次に、実施の形態２にかかる半導体レーザ装置について説明する。実施の形態２にかかる半導体レーザ装置２００は、半導体レーザ装置１００のＰＬＣ電極１２を、ＰＬＣ電極２２に置き換えた構成を有する。半導体レーザ装置２００のその他の構成及び製造方法は、半導体レーザ装置１００と同様である。よって、以下では、ＰＬＣ電極２２の構成についてのみ説明する。図６は、実施の形態２にかかるＰＬＣ電極２２の上面図である。なお、図６の点線枠２９は、活性層１７の位置を模式的に示している。
【００３４】
ＰＬＣ電極２２では、微小な開口部２８が、活性層１７の延在方向に、活性層１７を挟んで、２列形成されている。ＰＬＣ電極２２によれば、ＰＬＣ電極１２と同様に、接合部と半田非接触部とを交互に形成することが可能である。つまり、ＰＬＣ電極２２は、ＰＬＣ電極１２と同様の作用効果を奏することができる。従って、半導体レーザ装置２００によれば、半導体レーザ装置１００と同様に、熱応力を低減しつつ十分な放熱特性を確保することができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することができる。
【００３５】
なお、図６に示すＰＬＣ電極２２の構成は例示に過ぎない。よって、開口部２８の列は２列ではなく、任意の列数とすることができる。また、開口部２８の列は、活性層１７の直下に形成されてもよい。
【００３６】
実施の形態３
次に、実施の形態３にかかる半導体レーザ装置について説明する。実施の形態３にかかる半導体レーザ装置３００は、半導体レーザ装置１００のＰＬＣ電極１２を、ＰＬＣ電極３２に置き換えた構成を有する。半導体レーザ装置３００のその他の構成及び製造方法は、半導体レーザ装置１００と同様である。よって、以下では、ＰＬＣ電極３２の構成についてのみ説明する。図７は、実施の形態３にかかるＰＬＣ電極３２の上面図である。なお、図７の点線枠３９は、活性層１７の位置を模式的に示している。
【００３７】
ＰＬＣ電極３２では、微小な開口部３８が、モザイク状（千鳥格子状）に形成される。ＰＬＣ電極３２によれば、ＰＬＣ電極１２及び２２と同様に、接合部と半田非接触部とを交互に形成することが可能である。つまり、ＰＬＣ電極３２は、ＰＬＣ電極１２及び２２と同様の作用効果を奏することができる。従って、半導体レーザ装置３００によれば、半導体レーザ装置１００及び２００と同様に、熱応力を低減しつつ十分な放熱特性を確保することができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することができる。
【００３８】
その他の実施の形態
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上述の実施の形態では、開口部の形状は矩形であるが、開口部の形状は上述の例に限られない。すなわち、開口部の形状を、円形や三角形などの任意の多角形などの、他の形状とすることが可能である。また、開口部の配置及び数は、上述の実施の形態で示す例に限られない。すなわち、熱応力を低減しつつ十分な放熱特性を確保することができる限り、開口部を任意の位置に配置し、任意の数の開口部を設けることが可能である。
【００３９】
上述の実施の形態では、ＡｕＳｎからなる半田を半田バンプに用いたが、他材料からなる半田を用いることができる。
【００４０】
上記の実施の形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載され得るが、以下には限られない。
【００４１】
（付記１）基板と、前記基板上に形成され、部分的に開口部を有する電極と、前記電極の上方に配置された半導体レーザと、前記電極と前記半導体レーザとの間に形成された半田バンプと、を備え、前記開口部を介して露出した前記基板の表面と前記半田バンプとが非接触である、半導体レーザ装置。
【００４２】
（付記２）前記半導体レーザは、活性層からの距離が最も近い面が、前記半田バンプを介して、前記電極と対向することを特徴とする、付記１に記載の半導体レーザ装置。
【００４３】
（付記３）前記半田バンプの熱膨張係数が、前記基板の熱膨張係数よりも大きいことを特徴とする、付記１又は２に記載の半導体レーザ装置。
【００４４】
（付記４）複数の前記開口部が、前記活性層の延在方向に配列された列として形成されることを特徴とする、付記１乃至３のいずれか一に記載の半導体レーザ装置。
【００４５】
（付記５）１又は複数の前記列を備えることを特徴とする、付記４に記載の半導体レーザ装置。
【００４６】
（付記６）前記複数の前記列の一部の列とそれ以外の列とが、前記活性層の直下の領域を挟んで対向して形成されることを特徴とする、付記５に記載の半導体レーザ装置。
【００４７】
（付記７）前記１の前記列又は前記複数の前記列のいずれかが、前記活性層の直下に形成されることを特徴とする、付記５に記載の半導体レーザ装置。
【００４８】
（付記８）前記活性層の直下に形成されたものを除く前記複数の前記列の一部の列とそれ以外の列とが、前記活性層の直下の領域を挟んで対向して形成されることを特徴とする、付記７に記載の半導体レーザ装置。
【００４９】
（付記９）複数の前記開口部が、モザイク状に形成されることを特徴とする、付記１乃至３のいずれか一に記載の半導体レーザ装置。
【００５０】
（付記１０）前記複数の前記開口部の一部が、前記活性層の直下に形成されることを特徴とする、付記９に記載の半導体レーザ装置。
【００５１】
（付記１１）前記半田バンプの周囲の前記基板と前記半導体レーザと間に形成された、半導体レーザ搭載用台座を更に備えることを特徴とする、付記１乃至１０のいずれか一に記載の半導体レーザ装置。
【００５２】
（付記１２）前記開口部を介して露出した前記基板の表面が、シリコン又はシリコン酸化膜で覆われていることを特徴とする、付記１乃至１１のいずれか一に記載の半導体レーザ装置。
【００５３】
（付記１３）部分的に開口部を有する電極を、基板上に形成し、半田バンプを、前記電極上に形成し、半導体レーザを、前記半田バンプの上方に配置し、前記半田バンプを溶融し、その後冷却することにより、前記半導体レーザと前記電極とを接合し、前記半田バンプは、溶融することにより前記開口部を介して露出した前記基板の表面に接触し、その後冷却されて収縮することにより前記露出した前記基板の前記表面と非接触となる、半導体レーザ装置。
【符号の説明】
【００５４】
１  半田接触部
２  半田非接触部
１１、４１  基板
１２、２２、３２、４２、５２、５２ａ、５２ｂ  ＰＬＣ電極
１３、４３  ＬＤ搭載用台座
１４、４４  半田バンプ
１５、４５  ＬＤ
１６、４６  端面部
１７、４７  活性層
１８、２８、３８  開口部
７２  半田非接触部
１００、２００、３００、４００、５００  半導体レーザ装置
Ｅ１、Ｅ３  上面側電極
Ｅ２、Ｅ４  裏面側電極
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【図１３】
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