(57)【要約】  【課題】  絶縁基板の放熱性が低いプローブカード用基板を提供する。  【解決手段】  第１および第２主面Ｓ１，Ｓ２を有し、厚み方向に貫通する複数の第１貫通孔３を有する第１絶縁基板１と、第３および第４主Ｓ３，Ｓ４有し、厚み方向に貫通する複数の第２貫通孔４を有するとともに、第３主面Ｓ３が第２主面Ｓ２と一定の距離の空間を間に挟んで対向し合うように配置された第２絶縁基板２と、第１絶縁基板１の複数の第１貫通孔３のそれぞれから第２絶縁基板２の複数の第２貫通孔４のそれぞれにかけて貫通して配置され、側面が第１および第２貫通孔３、４の内側面に接合されている棒状の金属材料５とを備えることを特徴とするプローブカード用基板である。第１および第２基板１，２の間の空間部分において熱の伝わりを抑えることができるため、放熱性を低くすることができる。【選択図】  図１
2012093239.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向し合う第１主面および第２主面を有し、前記第１主面から前記第２主面にかけて厚み方向に貫通する複数の第１貫通孔を有する第１絶縁基板と、
互いに対向し合う第３主面および第４主面を有し、前記第３主面から前記第４主面にかけて厚み方向に貫通する複数の第２貫通孔を有するとともに、前記第３主面が前記第１絶縁基板の前記第２主面と一定の幅の空間を間に挟んで対向し合うように配置された第２絶縁基板と、
前記第１絶縁基板の複数の前記第１貫通孔のそれぞれから前記第２絶縁基板の複数の前記第２貫通孔のそれぞれにかけて貫通して配置され、側面が前記第１貫通孔および前記第２貫通孔の内側面に接合されている棒状の金属材料とを備えることを特徴とするプローブカード用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板を厚み方向に貫通する導体を有し、この導体を介して半導体基板と測定用の電気回路とを電気的に接続して半導体基板に対する電気的な検査を行なうためのプローブカード用基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の半導体集積回路素子が半導体ウエハに縦横の並びに配列形成された半導体集積回路基板等の半導体基板の電気的な検査を行なうために、プローブカードが用いられている。
【０００３】
プローブカードは、絶縁基板の上面と下面との接続用の端子を有し、この上下の端子間が互いに電気的に接続されてなるプローブカード用基板に、半導体基板との電気的な接続用のプローブピンや、測定用の電気回路（テスタ）に接続するための接続ピン等が接続されて形成されている。
【０００４】
プローブカード用基板として一般的なものは、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料からなる絶縁基板と、絶縁基板を厚み方向に貫通する貫通導体とを備えている。この貫通導体のうち絶縁基板の上面および下面に露出する端面が、それぞれ半導体基板または測定用の電気回路に電気的に接続され、貫通導体を介して、半導体基板と測定用の電気回路とが電気的に接続される。
【０００５】
なお、半導体基板は、検査する際に、試験温度（実際に半導体素子が作動する時の半導体素子の温度）に近い温度で検査を行なう必要性があるため、加熱して所定の温度（例えば100〜150℃程度）に昇温させる必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開2007−173429号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来のプローブカード用基板においては、絶縁基板が酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料からなり、このようなセラミック材料の熱伝導率が比較的高いため、半導体基板を所定の温度に加熱するための熱が絶縁基板を通って外部に放熱されやすい。そのため、この放熱分だけ余計な熱量が必要になり、半導体基板の検査の速度や経済性等を低下させるという問題点があった。
【０００８】
本発明は上記従来の技術の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、絶縁基板の放熱性が低く、半導体基板を加熱するために必要な熱量を低く抑えることが可能なプローブカード用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のプローブカード用基板は、互いに対向し合う第１主面および第２主面を有し、前記第１主面から前記第２主面にかけて厚み方向に貫通する複数の第１貫通孔を有する第１絶縁基板と、互いに対向し合う第３主面および第４主面を有し、前記第３主面から前記第４主面にかけて厚み方向に貫通する複数の第２貫通孔を有するとともに、前記第３主面が前記第１絶縁基板の前記第２主面と一定の幅の空間を間に挟んで対向し合うように配置
された第２絶縁基板と、前記第１絶縁基板の複数の前記第１貫通孔のそれぞれから前記第２絶縁基板の複数の前記第２貫通孔のそれぞれにかけて貫通して配置され、側面が前記第１貫通孔および前記第２貫通孔の内側面に接合されている棒状の金属材料とを備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のプローブカード用基板によれば、上記構成を備え、半導体基板に接続される第１主面側と、測定用の電気回路に接続される第４主面側との間を、棒状の金属材料によって導通させることができる。また、第１主面を有する第１絶縁基板と第４主面を有する第２絶縁基板との間に一定の幅の空間が介在しているため、この空間（空気層）によって、第１絶縁基板と第２絶縁基板との間（言い換えれば第１主面側と第４主面側との間）の熱の伝わりを従来のプローブカード用基板に比べて抑制することができる。
【００１１】
したがって、絶縁基板の放熱性が低く、半導体基板を加熱するために必要な熱量を低く抑えることが可能なプローブカード用基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は本発明のプローブカード用基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図２】図１に示すプローブカード用基板の分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明のプローブカード用基板を添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。図１（ａ）は本発明のプローブカード用基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。また、図２は、図１に示すプローブカード用基板の分解斜視図である。図１および図２において、１は第１絶縁基板，２は第２絶縁基板，３は第１貫通孔，４は第２貫通孔，５は棒状の金属材料である。
【００１４】
第１主面Ｓ１および第２主面Ｓ２を有する第１絶縁基板１と、第３主面Ｓ３および第４主面Ｓ４を有する第２絶縁基板２とが、第２主面Ｓ２および第３主面Ｓ３が、間に一定の空間を挟んで、互いに対向し合うように並んで配置され、金属材料５を介して互いに機械的に接続されてプローブカード用基板が基本的に構成されている。
【００１５】
金属材料５は、第１絶縁基板１の第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２かけて厚み方向に貫通するように形成された第１貫通孔３から、第２絶縁基板２の第３主面Ｓ３から第４主面Ｓ４にかけて厚み方向に貫通するように形成された第２貫通孔４にかけて貫通して配置されている。また、金属材料５の側面が第１貫通孔３および第２貫通孔４の内側面に接合されている。これによって、第１絶縁基板１と第２絶縁基板２とが、金属材料５を介して機械的に接続されている。この場合、第１絶縁基板１の第１貫通孔３と第２絶縁基板２の第２貫通孔４とは、平面視で互いに重なるように位置合わせされている必要がある。
【００１６】
プローブカード用基板のうち第１絶縁基板１および第２絶縁基板２とによって構成される絶縁基板部分Ｋは、厚み方向の途中に、上記第２主面Ｓ２と第３主面Ｓ３との間の空間に相当する空気層（符号なし）が設けられた構造とみなすことができる。
【００１７】
このようなプローブカード用基板において、例えば第１絶縁基板１の下側に半導体基板（図示せず）をセットし、第２絶縁基板２の上にテスタ等の測定用の電気回路（図示せず）をセットして、半導体基板の検査が行なわれる。この場合、金属材料５のうち第１主面Ｓ１側に位置する端面に半導体基板の電極との電気的な接続のためのプローブ（図示せず）が接続され、第４主面Ｓ４側に位置する端面に測定用の電気回路との電気的な接続のた
めの接続ピン（図示せず）が接続される。
【００１８】
そして、金属材料５を介して半導体基板と測定用の電気回路とが電気的に接続され、半導体基板に対する電気的な試験が行なわれる。なお、半導体基板に対する電気的なチェックは、例えば半導体集積回路素子の集積回路が正常に作動するか否かの検査である。この場合には、半導体基板（シリコンウエハ等）に形成された多数の半導体集積回路素子（図示せず）に対して、個片に切断する前に一括して検査を行なうために、半導体集積回路素子の多数の電極に対応して多数の金属材料５が配置される。また、第１および第２絶縁基板１，２は、例えば半導体基板と同じ程度の大きさに形成される。
【００１９】
この検査時には、半導体基板を実際の半導体素子の作動時の温度で検査するために、半導体基板の下側等に加熱用の装置（ウエハ載置台）が配置され、半導体基板が加熱される。
【００２０】
上記のように本発明のプローブカード用基板によれば、上記構成を備え、半導体基板に接続される第１主面Ｓ１側と、測定用の電気回路に接続される第４主面Ｓ４側との間を、棒状の金属材料５によって導通させることができる。
【００２１】
また、第１主面Ｓ１を有する第１絶縁基板１と第４主面Ｓ４を有する第２絶縁基板２との間に一定の空間が介在している（つまり、絶縁基板部分Ｋの厚み方向の途中に、第２主面Ｓ２と第３主面Ｓ３との間の空間に相当する空気層が設けられている）ため、この空間（空気層）によって、第１絶縁基板１と第２絶縁基板２との間（言い換えれば第１主面Ｓ１と第４主面Ｓ４との間）の熱の伝わりを従来に比べて効果的に抑制することができる。
【００２２】
したがって、絶縁基板部分Ｋの放熱性が低く、半導体基板を加熱するために必要な熱量を低く抑えることが可能なプローブカード用基板を提供することができる。
【００２３】
第１絶縁基板１および第２絶縁基板２は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，ガラスセラミック焼結体，ガラス母材中に結晶成分を析出させた結晶化ガラスまたは雲母やチタン酸アルミニウム等の微結晶焼結体からなる、金属の材料とほぼ同等の精密な機械加工が可能なセラミック材料（いわゆるマシナブルセラミックス）等のセラミック材料により形成されている。
【００２４】
なお、これらのセラミック材料の熱伝導率は約10〜150Ｗ／ｍ・Ｋ程度と、比較的高い
い。例えば、酸化アルミニウム質焼結体の場合であれば約15〜30Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり、窒化アルミニウム質焼結体の場合であれば約150Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。これに対して、
空気の熱伝導率は、約0.03Ｗ／ｍ・Ｋ（約300Ｋにおいて）と低いため、上記の断熱効果
を有効に得ることができる。
【００２５】
第１および第２絶縁基板１，２は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。すなわち、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末に適当な有機バインダおよび有機溶剤を添加混合して作製したスラリーをドクターブレード法やリップコータ法等のシート成形技術でシート状に成形することによってセラミックグリーンシートを作製して、その後、セラミックグリーンシートを切断加工や打ち抜き加工によって適当な形状および寸法とするとともに、これを約1300〜1500℃の温度で焼成することによって製作することができる。この場合、複数のセラミックグリーンシートを積層して作製した積層体を焼成して、第１絶縁基板１や第２絶縁基板２を作製するようにしてもよい。
【００２６】
第１および第２絶縁基板１，２は、上記のようにプローブカード用基板の絶縁基板部分
Ｋを形成する部分であり、例えば四角板状や円板状等の形状で形成されている。第１および第２絶縁基板１，２により構成される絶縁基板部分Ｋは、従来の技術によるプローブカード用基板の絶縁基板に相当する部分であり、第１および第２絶縁基板１，２は、例えば平面視で互いに同じ形状および寸法に形成されている。
【００２７】
なお、第１および第２絶縁基板１，２は、上記のように同じ形状および寸法で形成されたものに限らず、互いに形状や寸法が異なるものであっても構わないが、第１および第２絶縁基板１，２が互いに平面視で同じ形状および寸法で形成されている場合には、次のような効果を得ることができる。
【００２８】
すなわち、この場合には、第１および第２絶縁基板１，２の間で製造条件を変更することなく製作でき、製造のタクトタイムを短くすることができる。そのため、この場合には、プローブカード用基板としての生産性を高くする上で有利である。
【００２９】
また、製作された絶縁基板部分Ｋについて、第１および第２絶縁基板１，２の外側面が平面視で同じ位置にある。そのため、絶縁基板１または絶縁基板２の外周部分の一部が外側に突出して、この突出した部分において欠け等の機械的な破壊が生じやすくなるようなことを防ぐ上では有利である。
【００３０】
また、第１および第２貫通孔３，４は、互いに同じ径（平面視における大きさであり、例えば第１および第２貫通孔３，４が円形状であれば、それぞれの直径）であるものに限らず、互いに径が異なっていてもよい。例えば、第１の絶縁基板１に形成された第１貫通孔３の径を第２の絶縁基板２に形成された第２貫通孔４の径より小さくしてもよい。この場合には、第１貫通孔３の内側面に接合された、熱伝導性の高い金属材料５の径が小さくなるから放熱性を抑制する上でより有効である。
【００３１】
また、第１および第２絶縁基板１，２の厚みは、それぞれの機械的強度を確保する上では、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、約１〜２ｍｍ程度とすればよい。また、第１および第２絶縁基板１，２を合わせた厚みは、絶縁基板部分Ｋ全体の剛性やプローブカード用基板の低背化，経済性等を考慮して、約２〜４ｍｍ程度とすればよい。第１および第２絶縁基板１，２の合計の厚みが上記の程度であれば、半導体検査時にプローブカード用基板に接続したプローブを半導体基板に押し当てた際の絶縁基板部分Ｋの反りを小さくし、一括したプロービング（プローブの半導体基板に対する接続）をより容易かつ確実に行なうことができる。
【００３２】
また、第１絶縁基板１の厚みと第２絶縁基板２の厚みとの比は、断熱性や絶縁基板部分Ｋの機械的強度等を考慮すれば、約１：１〜１：２（第１絶縁基板１の厚み：第２絶縁基板２の厚み）程度にすればよい。
【００３３】
また、第１絶縁基板１や第２絶縁基板２を複数のセラミックグリーンシートの積層および焼成で作製したときに、この層間に配線層（図示せず）を配置するようにしてもよい。層間の配線層は、例えば複数の金属材料５間を電気的に接続するために配置される。
【００３４】
第１および第２絶縁基板１，２は、前述したように、それぞれ厚み方向に貫通する複数の貫通孔（第１および第２貫通孔３，４）を有している。これらの第１および第２貫通孔３，４は、棒状の金属材料５を第１絶縁基板１から第２絶縁基板２にかけて接合するためのものである。また、第１および第２貫通孔３，４は、これらの金属材料５の端面を、第１絶縁基板１の第１主面Ｓ１（つまり半導体基板に対向する面）と第２絶縁基板２の第４主面Ｓ４（つまり測定用の電気回路に対向する面）とに露出させるためのものである。
【００３５】
絶縁基板部分Ｋにおいて、第１および第２絶縁基板１，２は、それぞれの貫通孔（第１および第２貫通孔３，４）が平面視で互いに重なるように配置されている。これによって、第１絶縁基板１の第１貫通孔３から第２絶縁基板２の第２貫通孔４まで貫通して棒状の金属材料５が配置され、金属材料５の側面が第１および第２貫通孔１，２の内側面に接合されて第１および第２基板１，２が互いに機械的に接続される。また、金属材料５の端面が第１主面Ｓ１および第４主面Ｓ４に露出する。これらの露出する端面（露出端面）に、上記のようにプローブや接続ピンが接続される。
【００３６】
なお、金属材料５の露出端面は、プローブや接続ピンを接続するための端子として機能するが、この接続を容易とするために、金属材料５の露出端面から隣接する絶縁基板部分Ｋの表面（第１主面Ｓ１や第４主面Ｓ４）にかけて、例えば四角形状や円形状，楕円形状等の導体パッド（図示せず）を被着させるようにしてもよい。導体パッドは、例えば後述する金属材料５と同様の材料を用いて形成することができる。
【００３７】
棒状の金属材料５は、上記のように第１および第２絶縁基板１，２を互いに機械的に接続する構造材として機能するとともに、半導体基板と測定用電気回路とを電気的に接続する導電路としても機能する。このような機能を備えた金属材料５としては、例えば銀や銅等の金属またはこれらの金属を主成分とする合金からなるものを挙げることができる。合金としては、例えば銀−パラジウム合金や銀−銅合金等を挙げることができる。
【００３８】
また、棒状の金属材料５は、上記の構造材や導電路としての機能を考慮した場合には太さ（平面視における金属材料５の外寸であり、例えば円形状であれば直径）が太いものが好ましいが、金属材料５が太くなり過ぎると、この金属材料５を通って外部に放熱される熱量が多くなり、プローブカード用基板における断熱の効果が低くなる可能性がある。
【００３９】
そのため、棒状の金属材料５は、例えば銀からなる場合であれば、その直径が約100〜300μｍ程度の円形状等であることが好ましい。
【００４０】
また、金属材料５は、上記構造材としての機能を考慮して、上記直径のものが、平面視における第１〜第４主面Ｓ１〜Ｓ４に10個／ｃｍ２程度の割合で配置されていることが好ましい。
【００４１】
また、平面視における第１〜第４主面Ｓ１〜Ｓ４の面積に対する金属材料５の端面の面積の合計面積の比率は、上記金属材料５の機能や断熱の効果、および経済性等を考慮して50：１〜200：１程度にすることが好ましい。
【００４２】
また、金属材料５は、銀や銅よりも機械的な強度が高い金属を芯にして、その周りを銀や銅で囲んだようなものでも構わない。このような機械的な強度が高い金属としては、例えば、モリブデンやタングステン等を挙げることができる。これらの金属は、比較的機械的な強度（剛性率）が高く、また電気抵抗（抵抗率）が比較的低い。
【００４３】
なお、金属材料５について、直径が100〜300μｍであるときに、モリブデンまたはタングステンを芯にして、この周りを銀で囲んで形成した場合であれば、金属材料５の機械的な強度の向上および電気抵抗の増加の抑制を考慮して、その中心部分の約10〜90%程度の
範囲を上記芯にすればよい。
【００４４】
また、金属材料５は、第１絶縁基板１と第２絶縁基板２との間で露出している部分や、第１および第４主面Ｓ１，Ｓ４において露出している端面等の露出表面を、金やパラジウム，白金等の保護めっき層（図示せず）で被覆するようにしてもよい。
【００４５】
また、この場合、銅やニッケル，コバルト等の下地めっき層（図示せず）を金属材料５と保護めっき層との間に介在させて、保護めっき層の被着の強度を向上させたり、プローブや接続ピン等の接続（はんだによる接合等）の信頼性をさらに向上させるようにしてもよい。
【００４６】
また、めっき層は、第１絶縁基板１と第２絶縁基板２との間で露出している部分と、第１および第４主面Ｓ１，Ｓ４において露出している端面との間で、互いにめっき層の構成や厚みが異なるものであってもよい。
【００４７】
ここで、第１および第２絶縁基板１，２が酸化アルミニウム質焼結体からなる厚みが約１×10−３ｍで各主面Ｓ１〜Ｓ４の面積がそれぞれ7.1×10−２ｍ２であるときに、銀か
らなる金属材料５をそれぞれの直径が0.3×10−３ｍとして10000個配置した（平面視における金属材料５の合計の面積が約7.1×10−４とした）場合におけるプローブカード用基
板としての熱抵抗を、第１基板１の第２主面Ｓ２と第２基板２の第３主面Ｓ３との間の距離を1.0×10−４ｍとして計算すると、約1.3×10−３Ｋ／Ｗになる。なお、第２主面Ｓ２と第３主面Ｓ３との間における金属材料５の熱抵抗は、この間の距離を１×10−４ｍ，銀の熱伝導率を400Ｗ／ｍ・Ｋ，面積（金属材料５の断面積の合計）を7.1×10−４ｍ２として計算すると、約3.5×10−４Ｋ／Ｗであり、この熱抵抗を加えて、上記絶縁基板部分Ｋ
における熱抵抗は約1.3×10−３Ｋ／Ｗである。なお、第２主面Ｓ２と第３主面Ｓ３との
間は、距離が比較的小さく（例えば上記のように約0.1ｍｍ程度）空気の対流が抑制され
るため、対流による放熱については上記計算において考慮していない。
【００４８】
これに対して、従来技術のプローブカード用基板（図示せず）において酸化アルミニウム質焼結体からなる四角板状の絶縁基板（図示せず）を、厚みが２×10−３ｍで各主面Ｓ１〜Ｓ４それぞれの面積が7.1×10−２ｍ２として作製し、銀からなる貫通導体（図示せ
ず）をそれぞれの直径が0.3×10−３ｍとして10000個配置した（平面視における金属材料５の合計の面積が約7.1×10−４とした場合）におけるプローブカード用基板の熱抵抗は
約0.94×10−３Ｋ／Ｗになる。したがって、この場合には、従来のプローブカード用基板に対して本発明のプローブカード用基板は、合計の厚みが1.0×10−４ｍ増加する（従来
比約105％になる）とともに、熱抵抗が約0.36×10−３Ｋ／Ｗ増加する（従来比約138％になる）。
【００４９】
このような本発明のプローブカード用基板（およびこのプローブカード用基板を用いて作製したプローブカード）においては、検査する半導体基板の所定の温度への昇温に際して必要な熱量を従来技術の100／138（約75％）に抑えることができる。
【００５０】
なお、このようなプローブカード用基板においては、第１絶縁基板１と第２絶縁基板２との間の空間の幅（第２主面Ｓ２と第３主面Ｓ３との間の距離）を長くするほど断熱の効果を高くすることができるが、長くしすぎると、金属材料５のうち第１および第２絶縁基板１，２間に露出する部分における機械的な破壊を生じやすくなる可能性がある。また、第２主面Ｓ２からの対流による放熱が進んで断熱性が低くなる可能性がある。そのため、第１絶縁基板１と第２絶縁基板２との間の空間の幅（互いに平行な第２主面Ｓ２と第３主面Ｓ３との間の最短距離）は、0.05〜0.2ｍｍ程度とすることが好ましい。
【００５１】
以上のような、第１および第２貫通孔３，４が第１および第２絶縁基板１，２に形成され、金属材料５が、第１貫通孔３から第２貫通孔４にかけて貫通して配置されるとともに側面が第１および第２貫通孔３，４の内側面に接合されてなるプローブカード用基板は、以下のようにして製作することができる。
【００５２】
すなわち、まず前述したように第１および第２絶縁基板１，２を作製する。第１および
第２絶縁基板１，２は、例えば酸化アルミニウム質焼結体によって、上記の形状および寸法に作製する。
【００５３】
次に、第１絶縁基板１に第１貫通孔３を形成し、第２絶縁基板２に第２貫通孔４を形成する。第１および第２貫通孔３，４は、例えばドリル加工等の機械的な加工やレーザ加工等の孔あけ加工によって第１および第２絶縁基板１，２のそれぞれに厚み方向に貫通する孔をあけることによって形成することができる。
【００５４】
例えば、レーザ加工の場合であれば、厚みが約１〜２ｍｍの酸化アルミニウム質焼結体からなる第１および第２絶縁基板１，２のそれぞれに、ＹＡＧレーザやＣＯ２レーザで加工することにより第１および第２貫通孔３，４が形成される。
【００５５】
この場合、後の工程で第１貫通孔３から第２貫通孔４にかけて金属材料５を貫通させる必要があるので、第１および第２貫通孔３，４は、第１および第２絶縁基板１，２のそれぞれの間で互いに対応した位置に形成する必要がある。すなわち、第１絶縁基板１の第２主面Ｓ２と第２絶縁基板２の第３主面Ｓ３とを対向させたときに、第１主面Ｓ１または第４主面Ｓ４側から見て第１および第２貫通孔３，４が互いに重なるような位置に形成する必要がある。
【００５６】
第１および第２貫通孔３，４は、第１および第２絶縁基板１，２のそれぞれの間で互いに対応した位置に形成するには、例えば、最初に絶縁基板１を所定の穴座標でレーザ加工を行ない、次に絶縁基板２を絶縁基板１と同じ穴座標でレーザ加工を行なう。
【００５７】
また、例えば、第１および第２絶縁基板１，２の互いの形状および寸法（外形および外寸）を同じにしておいて、それぞれの外辺を基準にして孔あけ加工する位置を決めるようにしてもよい。
【００５８】
なお、第１および第２貫通孔３，４は、前述したように、互いに異なる径で形成してもよい。この場合、第１および第２貫通孔３，４は、第１絶縁基板１の第２主面Ｓ２と第２絶縁基板２の第３主面Ｓ３とを対向させたときに、例えばともに円形状（円柱状）の場合、第１主面Ｓ１または第４主面Ｓ４側から見て同心円状となるように形成することが好ましい。
【００５９】
次に、第１および第２絶縁基板１，２を、第２主面Ｓ２と第３主面Ｓ３とが一定の距離の空間を間に挟んで対向し合うように配置するとともに、第１貫通孔３（または第２貫通孔４）から第２貫通孔４（または第１貫通孔３）にかけて金属材料５を貫通させる。
【００６０】
第１および第２絶縁基板１，２を、第２主面Ｓ２と第３主面Ｓ３とが一定の距離の空間を間に挟んで対向し合うように配置するには、例えば第１および第２絶縁基板１，２の貫通孔３、４が同じ位置になるように目視や画像処理装置等で確認しながら、第１および第２絶縁基板１，２を重ねる。貫通孔３と貫通孔４の孔位置を正確に合わせるために、貫通孔３、貫通孔４と同じ大きさの位置合わせ用の孔（図示せず）を第１および第２絶縁基板１，２のそれぞれ対応し合う位置に設けて、位置合わせ用の孔に金属棒（図示せず）を挿入し、位置合わせを行なってもよい。
【００６１】
この場合、第１絶縁基板１と第２絶縁基板２との間に、上記一定の距離を確保するためにスペーサ（図示せず）を挟むようにしてもよい。スペーサとしては、例えばアルミナ等のセラミック材料からなる、直方体状等の部材を用いることができる。
【００６２】
また、スペーサは、後の工程で金属材料５の側面を第１および第２貫通孔３，４の内側
面に接合して第１および第２絶縁基板１，２を互いに機械的に接続した後に容易に除去できるような形状および配置位置とすることが好ましい。
【００６３】
金属材料５を上記のように第１（第２）貫通孔３（４）から第２（第１）貫通孔４（３）にかけて貫通させるには、例えば、銀等の金属材料５となる金属粉末を有機溶剤およびバインダ等と混練して金属ペースト（図示せず）を作製し、この金属ペーストをディスペンサーを用いて充填する。第１および第２絶縁基板１，２間で金属ペーストが広がらずに第１および第２貫通孔３，４だけを充填しながら棒状に形成するために、ディスペンサー充填を行なう主面（第１主面Ｓ１または第４主面Ｓ４）と反対側の主面（第４主面Ｓ４または第１主面Ｓ１）から真空ポンプ等を用いて吸引してもよい。
【００６４】
この場合、金属ペーストの粘度を、有機溶剤やバインダ等の量を調整して275〜375Ｐａ・ｓ程度に調整して、充填することが好ましい。この程度の粘度であれば、第１および第２貫通孔３，４（直径が約100〜300μｍ程度の円形状等）への金属ペーストの充填を容易とし、かつ、金属ペーストが第２主面Ｓ２と第３主面Ｓ３との間で横方向に広がることを効果的に抑制することができる。
【００６５】
なお、前述したように、金属材料５を、芯になる部分とその周りを囲む部分とからなる構造とする場合には、例えば上記のように第１および第２貫通孔３，４に銀の金属ペーストを充填した後、その中心部分にモリブデンまたは、タングステンからなる金属の線材を挿入するようにすればよい。
【００６６】
そして、第１および第２絶縁基板１，２が上記のようにセットされ、第１および第２貫通孔３，４の間に金属材料５となる金属ペーストが充填されたものを電気炉等の加熱装置中で一体的に加熱して、金属ペーストを焼結させるとともに第１および第２貫通孔３，４の内側面に接合させれば、プローブカード用基板を製作することができる。
【００６７】
なお、金属材料５の露出部分をめっき層で被覆する場合であれば、焼成後に、電解めっき法や無電解めっき法等で所定のめっき層を金属材料５の露出部分に被着させればよい。
【００６８】
また、金属材料５の露出端面に上記のように導体パッド（図示せず）を被着させる場合には、例えば、金属材料５の露出端面から第１主面Ｓ１や第４主面Ｓ４にかけてスパッタリング法や蒸着法，めっき法等の方法でチタンや銅，ニッケル，金等の薄膜金属層を所定の導体パッドのパターンに被着させればよい。また、導体パッドは、上記と同様の金属ペーストを金属材料５の露出端面から第１主面Ｓ１や第４主面Ｓ４にかけてスクリーン印刷法等の方法で塗布しておいて、金属材料５と同時に焼結させて形成してもよい。
【符号の説明】
【００６９】
１・・・第１絶縁基板
２・・・第２絶縁基板
３・・・第１貫通孔
４・・・第２貫通孔
５・・・金属材料
Ｓ１・・第１主面
Ｓ２・・第２主面
Ｓ３・・第３主面
Ｓ４・・第４主面
Ｋ・・・絶縁基板部分
【図１】
2012093239.tif 000003
【図２】
2012093239.tif 000004