(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁性および放熱性のいずれにも優れる半導体パッケージおよびＬＥＤパッケージを提供することができる絶縁基板ならびにそれを用いた配線基板、半導体パッケージおよびＬＥＤパッケージの提供。【解決手段】アルミニウム基板２と、前記アルミニウム基板２の表面の少なくとも一部に設けられる絶縁層３とを有する絶縁基板１であって、前記絶縁層３が、アルミニウムの陽極酸化皮膜であり、前記陽極酸化皮膜が、膜厚（ＴＡ）が２０ｎｍ以上８０μｍ以下の絶縁領域Ａと、膜厚（ＴＢ）が２〜１０００μｍの絶縁領域Ｂとを有し、前記絶縁領域Ａの膜厚と前記絶縁領域Ｂの膜厚との比率（ＴＢ／ＴＡ）が、２〜２０００である絶縁基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の表面の少なくとも一部に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、
前記絶縁層が、アルミニウムの陽極酸化皮膜であり、
前記陽極酸化皮膜が、膜厚（ＴＡ）が２０ｎｍ以上８０μｍ以下の絶縁領域Ａと、膜厚（ＴＢ）が２〜１０００μｍの絶縁領域Ｂとを有し、
前記絶縁領域Ａの膜厚と前記絶縁領域Ｂの膜厚との比率（ＴＢ／ＴＡ）が、２〜２０００である絶縁基板。
【請求項２】
前記絶縁領域Ａにおける３００〜７００ｎｍの波長領域での全反射率が、８０％以上である請求項１に記載の絶縁基板。
【請求項３】
前記絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜が、マイクロポアを有する多孔質皮膜であり、
前記マイクロポアの下記式（ｉ）により定義される規則化度が、２０％以上となる請求項１または２に記載の絶縁基板。
規則化度（％）＝Ｙ／Ｘ×１００    （ｉ）
前記式（ｉ）中、Ｘは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Ｙは、一のマイクロポアの重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に前記一のマイクロポア以外のマイクロポアの重心を６個含むことになる前記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。
【請求項４】
前記絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜が、無孔質皮膜である請求項１または２に記載の絶縁基板。
【請求項５】
前記陽極酸化皮膜が凹凸形状を有し、
前記絶縁領域Ａが、前記陽極酸化皮膜の凹部を形成し、
前記絶縁領域Ｂが、前記陽極酸化皮膜の凸部を形成する請求項１〜４のいずれかに記載の絶縁基板。
【請求項６】
前記アルミニウム基板が凸部を有し、
前記絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜が、前記アルミニウム基板の前記凸部の表面上に形成され、
前記絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜と、前記絶縁領域Ｂを形成する陽極酸化皮膜とが略同一面を形成している請求項１〜４のいずれかに記載の絶縁基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の絶縁基板と、前記絶縁基板の前記絶縁領域Ｂを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板。
【請求項８】
請求項７に記載の配線基板と、前記絶縁基板の前記絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる半導体素子とを有する半導体パッケージ。
【請求項９】
請求項７に記載の配線基板と、前記絶縁基板の前記絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられるＬＥＤ発光素子とを有するＬＥＤパッケージ。
【請求項１０】
前記配線基板が、請求項５に記載の絶縁基板と、前記絶縁基板の前記絶縁領域Ｂを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板である請求項９に記載のＬＥＤパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子に用いられる絶縁基板に関するものであり、詳しくは高出力のパワー半導体や発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という。）パッケージに用いられる絶縁基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、パワー半導体やＬＥＤなどの熱を多く発生する素子を実装する基板としては、放熱性と絶縁層を考慮して、絶縁層を有する金属基板が用いられている。
例えば、アルミニウム基板等の金属基板の表面に陽極酸化膜（金属酸化膜）を設けた基板が提案されている（例えば、特許文献１〜５等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】実開昭５５−１５４５６４号公報
【特許文献２】特開平７−１４９３８号公報
【特許文献３】特開２００６−３１３３２１号公報
【特許文献４】特開２００７−２５１１７６号公報
【特許文献５】国際公開第２０１０／１５０８１０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者は、特許文献１〜５に記載された基板について検討を行った結果、陽極酸化膜を形成させる部位や厚さによっては絶縁性（耐電圧）や放熱性（熱伝導性）に劣る場合があり、例えば、絶縁性向上の観点から陽極酸化膜の厚みを厚くすると放熱性が低下し、放熱性向上の観点から陽極酸化膜の厚みを薄くすると金属配線からの漏れ電流が陽極酸化膜を通り抜けて金属基板にリークしてショートしてしまう場合があることが明らかとなり、優れた絶縁性および熱伝導性を両立することが困難であることが分かった。
【０００５】
そこで、本発明は、絶縁性および放熱性のいずれにも優れる半導体パッケージおよびＬＥＤパッケージを提供することができる絶縁基板ならびにそれを用いた配線基板、半導体パッケージおよびＬＥＤパッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、膜厚が特定の比率で異なる２つの絶縁領域を有する絶縁基板を用いることにより、優れた絶縁性と放熱性を両立できることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、以下の（１）〜（１０）を提供する。
【０００７】
（１）アルミニウム基板と、上記アルミニウム基板の表面の少なくとも一部に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、
上記絶縁層が、アルミニウムの陽極酸化皮膜であり、
上記陽極酸化皮膜が、膜厚（ＴＡ）が２０ｎｍ以上８０μｍ以下の絶縁領域Ａと、膜厚（ＴＢ）が２〜１０００μｍの絶縁領域Ｂとを有し、
上記絶縁領域Ａの膜厚と上記絶縁領域Ｂの膜厚との比率（ＴＢ／ＴＡ）が、２〜２０００である絶縁基板。
【０００８】
（２）上記絶縁領域Ａにおける３００〜７００ｎｍの波長領域での全反射率が、８０％以上である上記（１）に記載の絶縁基板。
【０００９】
（３）上記絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜が、マイクロポアを有する多孔質皮膜であり、
上記マイクロポアの下記式（ｉ）により定義される規則化度が、２０％以上となる上記（１）または（２）に記載の絶縁基板。
規則化度（％）＝Ｙ／Ｘ×１００    （ｉ）
上記式（ｉ）中、Ｘは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Ｙは、一のマイクロポアの重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一のマイクロポア以外のマイクロポアの重心を６個含むことになる上記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。
【００１０】
（４）上記絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜が、無孔質皮膜である上記（１）または（２）に記載の絶縁基板。
【００１１】
（５）上記陽極酸化皮膜が凹凸形状を有し、
上記絶縁領域Ａが、上記陽極酸化皮膜の凹部を形成し、
上記絶縁領域Ｂが、上記陽極酸化皮膜の凸部を形成する上記（１）〜（４）のいずれかに記載の絶縁基板。
【００１２】
（６）上記アルミニウム基板が凸部を有し、
上記絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜が、上記アルミニウム基板の上記凸部の表面上に形成され、
上記絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜と、上記絶縁領域Ｂを形成する陽極酸化皮膜とが略同一面を形成している上記（１）〜（４）のいずれかに記載の絶縁基板。
【００１３】
（７）上記（１）〜（６）のいずれかに記載の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁領域Ｂを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板。
【００１４】
（８）上記（７）に記載の配線基板と、上記絶縁基板の上記絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる半導体素子とを有する半導体パッケージ。
【００１５】
（９）上記（７）に記載の配線基板と、上記絶縁基板の上記絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられるＬＥＤ発光素子とを有するＬＥＤパッケージ。
【００１６】
（１０）上記配線基板が、上記（５）に記載の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁領域Ｂを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板である上記（９）に記載のＬＥＤパッケージ。
【発明の効果】
【００１７】
以下に説明するように、本発明によれば、絶縁性および放熱性のいずれにも優れる半導体パッケージおよびＬＥＤパッケージを提供することができる絶縁基板ならびにそれを用いた配線基板、半導体パッケージおよびＬＥＤパッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の絶縁基板の実施態様の一例を示す模式上面図（Ａ）および模式断面図（Ｂ）〜（Ｄ）である。
【図２】図２は、マイクロポアの規則化度を算出する方法の説明図である。
【図３】図３は、本発明の絶縁基板の製造方法の一例における各工程を説明する模式断面図である。
【図４】図４は、本発明の絶縁基板の製造方法の一例における各工程を説明する模式断面図である。
【図５】図５は、本発明の絶縁基板の製造方法の一例における各工程を説明する模式断面図である。
【図６】図６は、本発明の絶縁基板の製造方法の一例における各工程を説明する模式断面図である。
【図７】図７は、本発明の絶縁基板の製造方法の一例における各工程を説明する模式断面図である。
【図８】図８は、本発明の絶縁基板の製造方法の一例における各工程を説明する模式断面図である。
【図９】図９は、陽極酸化処理に用いられる陽極酸化処理装置の概略図である。
【図１０】図１０は、本発明の配線基板の実施態様の一例を示す模式断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の配線基板の製造方法の一例における各工程を説明する模式断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の半導体パッケージの実施態様の一例を示す模式断面図である。
【図１３】図１３は、本発明のＬＥＤパッケージの実施態様の一例を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
［絶縁基板］
以下に、本発明の絶縁基板について詳細に説明する。
本発明の絶縁基板は、アルミニウム基板と、上記アルミニウム基板の表面の少なくとも一部に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、上記絶縁層がアルミニウムの陽極酸化皮膜であり、上記陽極酸化皮膜が膜厚（ＴＡ）が２０ｎｍ以上８０μｍ以下の絶縁領域Ａと膜厚（ＴＢ）が２〜１０００μｍの絶縁領域Ｂとを有し、上記絶縁領域Ａの膜厚と上記絶縁領域Ｂの膜厚との比率（ＴＢ／ＴＡ）が２〜２０００である絶縁基板である。
次に、本発明の絶縁基板の構成について、図１を用いて説明する。
【００２０】
図１に示すように、本発明の絶縁基板１は、アルミニウム基板２と、アルミニウム基板２の表面に設けられる絶縁層３とを有するものである。
また、図１（Ｂ）〜（Ｄ）に示すように、絶縁層３は、膜厚（ＴＡ）が２０ｎｍ以上８０μｍ以下の絶縁領域３Ａと、膜厚（ＴＢ）が２〜１０００μｍの絶縁領域３Ｂとを有する。
そして、本発明においては、絶縁領域３Ａの膜厚（ＴＡ）と絶縁領域３Ｂの膜厚（ＴＢ）との比率（ＴＢ／ＴＡ）が２〜２０００を満たすものである。
【００２１】
ここで、図１（Ｂ）および（Ｃ）に示す態様では、本発明の絶縁基板１は、絶縁層３を形成する陽極酸化皮膜が凹凸形状を有し、絶縁領域３Ａが陽極酸化皮膜の凹部を形成し、絶縁領域３Ｂが陽極酸化皮膜の凸部を形成するものである。なお、この態様は、後述する本発明のＬＥＤパッケージにおいては、蛍光発光体の土手剤が不要となるため好適態様となる。
また、図１（Ｄ）に示す態様では、本発明の絶縁基板１は、アルミニウム基板２が凸部を有し、絶縁領域３Ａを形成する陽極酸化皮膜が、アルミニウム基板２の凸部の表面上に形成され、絶縁領域３Ａを形成する陽極酸化皮膜と、絶縁領域３Ｂを形成する陽極酸化皮膜とが略同一面を形成するものである。
以下に、アルミニウム基板および絶縁層のそれぞれについて、材料、寸法、形成方法等について詳述する。
【００２２】
〔アルミニウム基板〕
本発明の絶縁基板を構成するアルミニウム基板は、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等を用いることもできる。
ここで、上記合金板に含まれてもよい異元素としては、ケイ素、鉄、銅、マンガン、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタン等が挙げられ、合金中の異元素の含有量は、１０質量％以下であるのが好ましい。
このようなアルミニウム基板は、組成や調製方法（例えば、鋳造方法等）等については特に限定されず、特許文献５（国際公開第２０１０／１５０８１０号）の［００３１］〜［００５１］段落に記載された組成、調製方法等を適宜採用することができる。
【００２３】
本発明においては、上記アルミニウム基板の厚みは、０．１〜２．０ｍｍ程度であり、０．１５〜１．５ｍｍであるのが好ましく、０．２〜１．０ｍｍであるのがより好ましい。この厚さは、ユーザーの希望等により適宜変更することができる。
【００２４】
また、本発明においては、上記アルミニウム基板に対して後述する陽極酸化処理を施して形成される陽極酸化皮膜（絶縁層）として、マイクロポアを有する多孔質皮膜を用いる場合、陽極酸化処理を施す表面は、アルミニウムの純度が高い方が好ましい。
具体的には、アルミニウムの純度が、９９．５質量％以上であるのが好ましく、９９．９質量％以上であるのがより好ましく、９９．９９質量％以上であるのが更に好ましい。
特に、アルミニウム純度が上記範囲であると、陽極酸化処理を施して形成される絶縁層に存在するマイクロポアのポア配列の規則性が十分となり、後述する本発明のＬＥＤパッケージにおける発光効率が良好となる。
【００２５】
更に、本発明においては、上記アルミニウム基板に対して後述する陽極酸化処理を施す場合、陽極酸化処理を施す表面は、あらかじめ脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されるのが好ましく、また、後述する陽極酸化処理を施して形成される陽極酸化皮膜（絶縁層）として、マイクロポアを有する多孔質皮膜を用いる場合、マイクロポアのポア配列の規則性を向上させる観点から、あらかじめ熱処理が施されるのが好ましい。
また、本発明の絶縁基板を実装するＬＥＤ素材の用途に応じて、例えば、光を散乱させる表面を形成する観点から、上記アルミニウム基板の表面に粗面化処理を施すこともできる。
【００２６】
＜熱処理＞
熱処理を施す場合は、２００〜３５０℃で１〜６０分程度施すのが好ましい。具体的には、例えば、アルミニウム基板を加熱オーブンに入れる方法等が挙げられる。
このような熱処理を施すことにより、後述する陽極酸化処理により生成するマイクロポアの配列の規則性が向上する。
また、熱処理後のアルミニウム基板は、急速に冷却するのが好ましい。冷却する方法としては、例えば、水等に直接投入する方法等が挙げられる。
【００２７】
＜脱脂処理＞
脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム基板表面に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去し、有機成分を原因とする後述の各処理における欠陥の発生を防止することを目的として行われる。
【００２８】
脱脂処理としては、具体的には、例えば、各種アルコール（例えば、メタノール等）、各種ケトン（例えば、メチルエチルケトン等）、ベンジン、揮発油等の有機溶剤を常温でアルミニウム基板表面に接触させる方法（有機溶剤法）；石けん、中性洗剤等の界面活性剤を含有する液を常温から８０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（界面活性剤法）；濃度１０〜２００ｇ／Ｌの硫酸水溶液を常温から７０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０〜８０秒間接触させ、その後、水洗する方法；濃度５〜２０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を常温でアルミニウム基板表面に３０秒間程度接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ2の直流電流を流して電解し、その後、濃度１００〜５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；各種公知の陽極酸化処理用電解液を常温でアルミニウム基板表面に接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ2の直流電流を流して、または、交流電流を流して電解する方法；濃度１０〜２００ｇ／Ｌのアルカリ水溶液を４０〜５０℃でアルミニウム基板表面に１５〜６０秒間接触させ、その後、濃度１００〜５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；軽油、灯油等に界面活性剤、水等を混合させた乳化液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（乳化脱脂法）；炭酸ナトリウム、リン酸塩類、界面活性剤等の混合液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０〜１８０秒間接触させ、その後、水洗する方法（リン酸塩法）；等が挙げられる。
【００２９】
これらのうち、アルミニウム基板表面の脂分を除去しうる一方で、アルミニウムの溶解がほとんど起こらない観点から、有機溶剤法、界面活性剤法、乳化脱脂法、リン酸塩法が好ましい。
【００３０】
また、脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。
【００３１】
＜鏡面仕上げ処理＞
鏡面仕上げ処理は、アルミニウム基板の表面の凹凸、例えば、アルミニウム基板の圧延時に発生した圧延筋等をなくして、後述する封孔処理の均一性や再現性を向上させるために行われる。
鏡面仕上げ処理は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、機械研磨、化学研磨、電解研磨が挙げられる。
【００３２】
機械研磨としては、例えば、各種市販の研磨布で研磨する方法、市販の各種研磨剤（例えば、ダイヤ、アルミナ）とバフとを組み合わせた方法等が挙げられる。具体的には、研磨剤を用いる場合、使用する研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更して行う方法が好適に例示される。この場合、最終的に用いる研磨剤としては、＃１５００のものが好ましい。これにより、アルミニウム基板表面の可視光領域（波長３００〜７００ｎｍ）の全反射率を８０％以上とすることができる。
【００３３】
化学研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４−１６５に記載されている各種の方法等が挙げられる。
また、リン酸−硝酸法、Ａｌｕｐｏｌ  Ｉ法、Ａｌｕｐｏｌ  Ｖ法、Ａｌｃｏａ  Ｒ５法、Ｈ3ＰＯ4−ＣＨ3ＣＯＯＨ−Ｃｕ法、Ｈ3ＰＯ4−ＨＮＯ3−ＣＨ3ＣＯＯＨ法が好適に挙げられる。中でも、リン酸−硝酸法、Ｈ3ＰＯ4−ＣＨ3ＣＯＯＨ−Ｃｕ法、Ｈ3ＰＯ4−ＨＮＯ3−ＣＨ3ＣＯＯＨ法が好ましい。
化学研磨により、アルミニウム基板表面の可視光領域（波長３００〜７００ｎｍ）の全反射率を８０％以上とすることができる。
【００３４】
電解研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４−１６５に記載されている各種の方法；米国特許第２７０８６５５号明細書に記載されている方法；「実務表面技術」，ｖｏｌ．３３，Ｎｏ．３，１９８６年，ｐ．３２−３８に記載されている方法；等が好適に挙げられる。
電解研磨により、アルミニウム基板表面の可視光領域（波長３００〜７００ｎｍ）の全反射率を８０％以上とすることができる。
【００３５】
これらの方法は、適宜組み合わせて用いることができる。具体的には、例えば、研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更する機械研磨を施し、その後、電解研磨を施す方法が好適に挙げられる。
【００３６】
鏡面仕上げ処理により、例えば、平均表面粗さＲa０．１μｍ以下、全反射率８０％以上の表面を得ることができる。平均表面粗さＲaは、０．０３μｍ以下であるのが好ましく、０．０２μｍ以下であるのがより好ましい。また、全反射率は８５％以上であるのが好ましく、９０％以上であるのがより好ましい。
【００３７】
＜粗面化処理＞
粗面化処理は、上述したように、本発明の絶縁基板を実装するＬＥＤ素材の用途に応じて、光を散乱させる表面を形成することを目的として行われる。
粗面化処理としては、例えば、特許文献５（国際公開第２０１０／１５０８１０号）の［００５３］〜［００８３］段落に記載された方法等により、適宜、所望の正反射率に調整しながら粗面化することができる。
なお、粗面化処理を施す場合であっても、可視光領域の全反射率は８０％以上であるのが好ましく、９０％以上であるのがより好ましい。また、正反射率は２０％以下であるのが好ましく、１０％以下であるのがより好ましい。
【００３８】
〔絶縁層〕
本発明の絶縁基板を構成する絶縁層は、上記アルミニウム基板の表面の少なくとも一部に設けられる層であって、アルミニウムの陽極酸化皮膜である。
ここで、上記絶縁層は、上記アルミニウム基板とは別のアルミニウム基材の陽極酸化皮膜であってもよいが、絶縁層の形成欠陥を防ぐ観点から、上記アルミニウム基板の表面の一部に後述する陽極酸化処理を施すことによってアルミニウム基板上に形成される陽極酸化皮膜であるのが好ましい。
【００３９】
本発明においては、上記陽極酸化皮膜が、膜厚（ＴＡ）が２０ｎｍ以上８０μｍ以下の絶縁領域Ａと、膜厚（ＴＢ）が２〜１０００μｍの絶縁領域Ｂとを有し、上記絶縁領域Ａの膜厚と上記絶縁領域Ｂの膜厚との比率（ＴＢ／ＴＡ）が、２〜２０００を満たすものである。
ここで、上記絶縁領域Ａは、後述する本発明の半導体パッケージおよびＬＥＤパッケージ（以下、これらをまとめて「本発明のパッケージ」ともいう。）において、それぞれ半導体素子およびＬＥＤ発光素子（以下、これらをまとめて「半導体素子等」ともいう。）を実装する領域であり、上記絶縁領域Ｂは、半導体素子等と電気的に接続する配線、即ち、後述する本発明の配線基板において設けられる金属配線層を設ける領域である。
【００４０】
このような構成の絶縁層（陽極酸化皮膜）を有する絶縁基板を用いることにより、本発明のパッケージの絶縁性および放熱性がいずれも良好となる。
これは、上記絶縁領域Ａの膜厚（ＴＡ）が８０μｍ以下であるため半導体素子等から発生する熱を上記アルミニウム基板に伝導しやすくなり、また、上記絶縁領域Ｂの膜厚（ＴＢ）が２μｍ以上であるため耐電圧が高くなり、更に、上記絶縁領域Ａの膜厚と上記絶縁領域Ｂの膜厚との比率（ＴＢ／ＴＡ）が２〜２０００を満たすことにより、これらのバランスが良好になったためと考えられる。
【００４１】
また、本発明においては、全反射率が向上し、後述する本発明のＬＥＤパッケージにおける発光効率が良好となる理由から、上記絶縁領域Ａの面積は、上記ＬＥＤ発光素子との接触面を少なくとも含み、かつ、上記接触面の面積の１．５倍以上の面積であるのが好ましく、２倍以上の面積であるのがより好ましい。
一方、本発明のパッケージの絶縁性がより良好となる理由から、上記絶縁領域Ｂの面積は、上記金属配線層との接触面を少なくとも含み、かつ、上記接触面の面積の１．２倍以下の面積であるのが好ましく、上記接触面のみであるのが好ましい。
【００４２】
更に、本発明においては、本発明のパッケージの放熱性がより良好となる理由から、陽極酸化皮膜の少なくとも一部が上記アルミニウム基板に埋設されているのが好ましい。
【００４３】
本発明においては、本発明のパッケージの放熱性がより良好となる理由から、上記絶縁領域Ａの膜厚（ＴＡ）は、８０ｎｍ〜８０μｍであるのが好ましく、１００ｎｍ以上１０μｍ未満であるのがより好ましい。
また、本発明のパッケージの絶縁性がより良好となる理由から、上記絶縁領域Ｂの膜厚（ＴＢ）は、２０〜３００μｍであるのが好ましく、２０〜２００μｍであるのがより好ましく、３０〜１００μｍであるのが更に好ましい。
更に、本発明のパッケージの絶縁性と放熱性のバランスの観点から、上記絶縁領域Ａの膜厚と上記絶縁領域Ｂの膜厚との比率（ＴＢ／ＴＡ）は、５〜５００であるのが好ましく、１０〜２００であるのがより好ましく、２０超１００以下であるのが更に好ましい。
【００４４】
また、本発明においては、後述する本発明のＬＥＤパッケージにおける発光効率が良好となる理由から、上記絶縁領域Ａにおける３００〜７００ｎｍの波長領域での全反射率が８０％以上であるのが好ましく、８５％以上であるのがより好ましく、９０％以上であるのが更に好ましい。
ここで、全反射率は、分光光度計で測定された値をいう。
【００４５】
更に、本発明においては、全反射率を８０％以上とする観点から、上記絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜がマイクロポアを有する多孔質皮膜であり、かつ、上記マイクロポアの下記式（ｉ）により定義される規則化度が２０％以上であるのが好ましく、４０％以上であるのがより好ましく、７０％以上となるのが更に好ましい。
規則化度（％）＝Ｙ／Ｘ×１００    （ｉ）
上記式（ｉ）中、Ｘは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Ｙは、一のマイクロポアの重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一のマイクロポア以外のマイクロポアの重心を６個含むことになる上記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。
【００４６】
ここで、図２を用いて、上記式（ｉ）をより具体的に説明する。
図２（Ａ）に示されるマイクロポア１０１は、マイクロポア１０１の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円１０３（マイクロポア１０２に内接している。）を描いた場合に、円３の内部にマイクロポア１０１以外のマイクロポアの重心を６個含んでいる。したがって、マイクロポア１０１は、Ｂに算入される。
図２（Ｂ）に示されるマイクロポア１０４は、マイクロポア１０４の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円１０６（マイクロポア１０５に内接している。）を描いた場合に、円１０６の内部にマイクロポア１０４以外のマイクロポアの重心を５個含んでいる。したがって、マイクロポア１０４は、Ｂに算入されない。
また、図２（Ｂ）に示されるマイクロポア１０７は、マイクロポア１０７の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円１０９（マイクロポア１０８に内接している。）を描いた場合に、円１０９の内部にマイクロポア１０７以外のマイクロポアの重心を７個含んでいる。したがって、マイクロポア１０７は、Ｂに算入されない。
【００４７】
同様に、本発明においては、全反射率を８０％以上となり、更に本発明のパッケージの放熱性がより良好となる理由から、上記絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜が、無孔質皮膜であるのが好ましい。
【００４８】
以下に、上述した本発明の絶縁基板の製造方法について詳細に説明する。
【００４９】
〔製造方法１（図３参照）〕
図３に示すように、本発明の絶縁基板１は、アルミニウム基板２の表面に第１陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜３１を形成する第１陽極坂処理工程と、上記陽極酸化皮膜３１の表面に所定の開口パターンを有するマスク層４を形成するマスク層形成工程と、上記マスク層４の開口部に第２陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜３２を形成する第２陽極坂処理工程と、上記マスク層４を除去するマスク層除去工程とをこの順に有する製造方法により、作製することができる。
ここで、第１陽極酸化処理により形成された陽極酸化皮膜３１のうち、マスク層４の下部に形成された陽極酸化皮膜が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Ａを構成し、それ以外の部分に形成された陽極酸化皮膜（陽極酸化皮膜３１の一部と陽極酸化皮膜３２）が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Ｂを構成するものとなる。
【００５０】
〔製造方法２（図４参照）〕
図４に示すように、本発明の絶縁基板１は、アルミニウム基板２の表面に第１陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜３２を形成する第１陽極坂処理工程と、上記陽極酸化皮膜３２の表面に所定の開口パターンを有するマスク層４を形成するマスク層形成工程と、上記マスク層４の開口部から陽極酸化皮膜３２の一部を除去する皮膜除去工程と、上記マスク層４を除去するマスク層除去工程と、上記マスク層４を除去した後の基板に対して第２の陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜３１を形成する第２陽極酸化処理工程とをこの順に有する製造方法により、作製することができる。
ここで、第２陽極酸化処理により形成された陽極酸化皮膜３１のうち、マスク層４（陽極酸化皮膜３２）の開口部分に形成された陽極酸化皮膜が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Ａを構成し、それ以外の部分に形成された陽極酸化皮膜（陽極酸化皮膜３１の一部と陽極酸化皮膜３２）が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Ｂを構成するものとなる。
【００５１】
〔製造方法３（図５参照）〕
図５に示すように、本発明の絶縁基板１は、アルミニウム基板２の表面に第１陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜３２を形成する第１陽極坂処理工程と、上記陽極酸化皮膜３２の表面に所定の開口パターンを有するマスク層４を形成するマスク層形成工程と、上記マスク層４の開口部から陽極酸化皮膜３２の一部を除去する皮膜除去工程と、上記マスク層４および上記陽極酸化皮膜３２の開口部に第２陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜３１を形成する第２陽極坂処理工程と、上記マスク層４を除去するマスク層除去工程とをこの順に有する製造方法により、作製することができる。
ここで、第２陽極酸化処理により形成された陽極酸化皮膜３１が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Ａを構成し、それ以外の部分に形成された陽極酸化皮膜（陽極酸化皮膜３２）が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Ｂを構成するものとなる。
【００５２】
〔製造方法４（図６参照）〕
図６に示すように、本発明の絶縁基板１は、アルミニウム基板２の表面の一部に窪み５を形成する窪み形成工程と、上記窪み５部分にマスク層４を形成するマスク層形成工程と、上記マスク層４を形成した基板に第１陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜３２を形成する第１陽極坂処理工程と、上記マスク層４を除去するマスク層除去工程と、上記マスク層４を除去した後の基板に対して第２の陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜３１を形成する第２陽極酸化処理工程とをこの順に有する製造方法により、作製することができる。
ここで、第２陽極酸化処理により形成された陽極酸化皮膜３１のうち、マスク層４が形成されていた部分（陽極酸化皮膜３２の開口部分）に形成された陽極酸化皮膜が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Ａを構成し、それ以外の部分に形成された陽極酸化皮膜（陽極酸化皮膜３１の一部と陽極酸化皮膜３２）が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Ｂを構成するものとなる。
【００５３】
〔製造方法５（図７参照）〕
図７に示すように、本発明の絶縁基板１は、アルミニウム基板２の表面に第１陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜３２を形成する第１陽極坂処理工程と、上記陽極酸化皮膜３２の深さ方向の一部に凹部６を形成する凹部形成工程とをこの順に有する製造方法により、作製することができる。
ここで、第１陽極酸化処理により形成された陽極酸化皮膜３２のうち、凹部６部分に残存している陽極酸化皮膜が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Ａを構成し、それ以外の部分に形成された陽極酸化皮膜が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Ｂを構成するものとなる。
【００５４】
〔製造方法６（図８参照）〕
図８に示すように、本発明の絶縁基板１は、アルミニウム基板２の表面に第１陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜３１を形成する第１陽極坂処理工程と、他のアルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施して形成した陽極酸化皮膜３２を上記陽極酸化皮膜３１に所定の開口パターンを有するように部分的に貼り合わせる貼合工程とをこの順に有する製造方法により、作製することができる。
ここで、第１陽極酸化処理により形成された陽極酸化皮膜３１のうち、陽極酸化皮膜３２を貼り合わせなかった開口部分を形成している陽極酸化皮膜が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Ａを構成し、それ以外の部分に形成された陽極酸化皮膜（陽極酸化皮膜３２）が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Ｂを構成するものとなる。
【００５５】
次に、上述した陽極酸化処理工程、マスク層形成工程、マスク層除去工程、皮膜除去工程、窪み形成工程、凹部形成工程および貼合工程について具体的に説明する。
【００５６】
＜陽極酸化処理工程＞
上記陽極酸化処理工程は、陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜を形成し、本発明の絶縁基板を構成する絶縁層を形成する工程である。
ここで、図３〜８においては、第１陽極酸化処理および第２陽極酸化処理を施すことにより、陽極酸化皮膜３１または陽極酸化皮膜３２を形成しているが、これは、本発明の絶縁基板における絶縁領域Ａおよび絶縁領域Ｂを設けるためである。
また、図３〜８においては図示していないが、陽極酸化皮膜３２を形成する際には、後述する本発明の配線基板における金属配線層の配線パターンに応じたマスク層を用いることにより、アルミニウム基板に対して部分的に陽極酸化処理を施してもよい。
【００５７】
本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、平版印刷版用支持体の製造等で行われている従来公知の方法で施すことができる。
具体的には、陽極酸化処理に用いられる溶液としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等や、水酸化ナトリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属／アルカリ土類金属の水酸化物等を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
この際、少なくともアルミニウム基板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が電解液中に含まれていても構わない。更には、第２、第３の成分が添加されていても構わない。ここでいう第２、第３の成分としては、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属のイオン；アンモニウムイオン等の陽イオン；硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオン等の陰イオンが挙げられ、０〜１００００ｐｐｍ程度の濃度で含まれていてもよい。
【００５８】
また、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度１〜８０質量％、液温５〜７０℃、電流密度０．５〜６０Ａ／ｄｍ2、電圧１〜６００Ｖ、電解時間１５秒〜２０時間であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。
【００５９】
更に、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、特開昭５４−８１１３３号、特開昭５７−４７８９４号、特開昭５７−５１２８９号、特開昭５７−５１２９０号、特開昭５７−５４３００号、特開昭５７−１３６５９６号、特開昭５８−１０７４９８号、特開昭６０−２００２５６号、特開昭６２−１３６５９６号、特開昭６３−１７６４９４号、特開平４−１７６８９７号、特開平４−２８０９９７号、特開平６−２０７２９９号、特開平５−２４３７７号、特開平５−３２０８３号、特開平５−１２５５９７号、特開平５−１９５２９１号の各公報等に記載されている方法を使用することもできる。
【００６０】
中でも、特開昭５４−１２８５３号公報および特開昭４８−４５３０３号公報に記載されているように、電解液として硫酸溶液を用いるのが好ましい。電解液中の硫酸濃度は、１０〜３００ｇ／Ｌであるのが好ましく、また、アルミニウムイオン濃度は、１〜２５ｇ／Ｌであるのが好ましく、２〜１０ｇ／Ｌであるのがより好ましい。このような電解液は、例えば、硫酸濃度が５０〜２００ｇ／Ｌである希硫酸に硫酸アルミニウム等を添加することにより調製することができる。
【００６１】
本発明においては、上記陽極酸化処理工程において、硫酸を含有する電解液中で陽極酸化処理を行う場合には、上記アルミニウム基板と対極との間に直流を印加してもよく、交流を印加してもよい。
上記アルミニウム基板に直流を印加する場合、電流密度は１〜６０Ａ／ｄｍ2であるのが好ましく、５〜４０Ａ／ｄｍ2であるのがより好ましい。
【００６２】
また、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理を連続的に施す場合には、上記アルミニウム基板の一部に電流が集中していわゆる「焼け」が生じないように、陽極酸化処理の開始当初は、５〜１０Ａ／ｄｍ2の低電流密度で電流を流し、陽極酸化処理が進行するにつれ、３０〜５０Ａ／ｄｍ2またはそれ以上に電流密度を増加させるのが好ましい。連続的に陽極酸化処理を行う場合には、上記アルミニウム基板に、電解液を介して給電する液給電方式により行うのが好ましい。
【００６３】
更に、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理に用いられる電解装置としては、特開昭４８−２６６３８号、特開昭４７−１８７３９号、特公昭５８−２４５１７号の各公報等に記載されているものを用いることができる。中でも、図９に示す装置が好適に用いられる。
図９は、アルミニウム基板の表面を陽極酸化処理する装置の一例を示す概略図である。陽極酸化処理装置４１０において、アルミニウム基板４１６は、図９中矢印で示すように搬送される。電解液４１８が貯溜された給電槽４１２にてアルミニウム基板４１６は給電電極４２０によって（＋）に荷電される。そして、アルミニウム基板４１６は、給電槽４１２においてローラ４２２によって上方に搬送され、ニップローラ４２４によって下方に方向変換された後、電解液４２６が貯溜された電解処理槽４１４に向けて搬送され、ローラ４２８によって水平方向に方向転換される。ついで、アルミニウム基板４１６は、電解電極４３０によって（−）に荷電されることにより、その表面に陽極酸化皮膜が形成され、電解処理槽４１４を出たアルミニウム基板４１６は後工程に搬送される。上記陽極酸化処理装置４１０において、ローラ４２２、ニップローラ４２４およびローラ４２８によって方向転換手段が構成され、アルミニウム基板４１６は、給電槽４１２と電解処理槽４１４との槽間部において、上記ローラ４２２、４２４および４２８により、山型および逆Ｕ字型に搬送される。給電電極４２０と電解電極４３０とは、直流電源４３４に接続されている。
【００６４】
また、図９の陽極酸化処理装置４１０の特徴は、給電槽４１２と電解処理槽４１４とを１枚の槽壁４３２で仕切り、アルミニウム基板４１６を槽間部において山型および逆Ｕ字型に搬送したことにある。これによって、槽間部におけるアルミニウム基板４１６の長さを最短にすることができる。よって、陽極酸化処理装置４１０の全体長を短くできるので、設備費を低減することができる。また、アルミニウム基板４１６を山型および逆Ｕ字型に搬送することによって、各槽４１２および４１４の槽壁４３２にアルミニウム基板４１６を通過させるための開口部を形成する必要がなくなる。よって、各槽４１２および４１４内の液面高さを必要レベルに維持するのに要する送液量を抑えることができるので、稼働費を低減することができる。
【００６５】
本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、ある１つの処理条件で単独処理されてもよいが、陽極酸化皮膜の、場所による形状、あるいは深さ方向における形状、等のように形状を制御したい場合には、２つ以上の条件の異なる陽極酸化処理を順次組み合わせて処理してもよい。
【００６６】
また、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、後述する本発明のＬＥＤパッケージの全反射率が向上する理由から、絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜、すなわち、図３〜６および８における陽極酸化皮膜３１、図７における陽極酸化皮膜３２としてマイクロポアを有する多孔質皮膜を用いる場合には、例えば、特許第３，７１４，５０７号、特開２００２−２８５３８２号公報、特開２００６−１２４８２７号公報、特開２００７−２３１３３９号公報、特開２００７−２３１４０５公報、特開２００７−２３１３４０号公報、特開２００７−２３８９８８号公報等に記載されている方法により、ハニカム状に配列したマイクロポアを形成する陽極酸化処理が好ましい。
これらの処理は、各特許および公報の処理条件にて記載されている処理が好ましい。
【００６７】
更に、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、後述する本発明のＬＥＤパッケージの全反射率が向上し、本発明のパッケージの放熱性がより良好となる理由から、絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜、すなわち、図３〜６および８における陽極酸化皮膜３１、図７における陽極酸化皮膜３２として無孔質皮膜を用いる場合には、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等；水酸化ナトリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属／アルカリ土類金属の水酸化物等；を１種単独または２種以上を併用した水溶液（電解液）として用いる陽極酸化処理が好ましい。
ここで、上記水溶液中には、例えば、アルミニウム基板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が電解液中に含まれていてもよい。
また、上記水溶液中には、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどの金属のイオン；アンモニウムイオンなどの陽イオン；硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオンなどの陰イオン；等の第２、第３成分が０〜１００００ｐｐｍ程度の濃度で含まれていてもよい。
更に、上記陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度１〜８０質量％、液温５〜７０℃、電流密度０．５〜６０Ａ／ｄｍ2、電圧１〜６００Ｖ、電解時間１５秒〜２０時間であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。
【００６８】
＜マスク層形成工程＞
上記マスク層形成工程は、図３〜５に示す態様においては、第１陽極酸化処理工程で形成した陽極酸化皮膜の表面に、所定の開口パターン（開口部）を有するマスク層を形成する工程であり、図６に示す態様においては、上記アルミニウム基板に形成された窪み部分にマスク層を形成する工程である。
【００６９】
上記マスク層は、図３〜５に示す態様においては、例えば、上記陽極酸化皮膜の表面に画像記録層を形成した後に、上記画像記録層に対して露光または加熱によりエネルギーを付与して所定の開口パターンに現像する方法等により形成することができ、図６に示す態様においては、上記アルミニウム基板に形成された窪み部分に画像記録層を形成した後に、上記画像記録層の全面に対して露光または加熱によりエネルギーを付与して硬化させる方法等により形成することができる。
ここで、上記画像記録層を形成する材料は特に限定されず、従来公知の感光層（フォトレジスト層）や感熱層を形成する材料を用いることができ、必要に応じて、赤外線吸収剤等の添加剤も含有していてもよい。
【００７０】
＜マスク層除去工程＞
上記マスク層除去工程は、上記マスク層を除去する工程である。
ここで、上記マスク層を除去する方法は特に限定されず、例えば、上記マスク層を溶解し、上記アルミニウム基板および上記陽極酸化皮膜が溶解しない溶液を用いて溶解し、除去する方法等が挙げられる。
【００７１】
＜皮膜除去工程＞
上記皮膜除去工程は、図４および５に示す通り、上記マスク層の開口部の下部に存在する陽極酸化皮膜を除去する工程である。
ここで、上記陽極酸化皮膜を除去する方法は特に限定されず、例えば、アルカリエッチング水溶液や酸性水溶液を用いて陽極酸化皮膜を溶解させる方法等が挙げられる。
【００７２】
＜窪み形成工程＞
上記窪み形成工程は、図６に示す通り、上記アルミニウム基板の表面の一部に窪みを形成する工程である。
ここで、上記窪みを形成する方法は特に限定されず、例えば、上記アルミニウム基板に金型をプレスして窪みを形成する方法等が挙げられる。
【００７３】
＜凹部形成工程＞
上記凹部形成工程は、図７に示す通り、上記陽極酸化皮膜の深さ方向の一部に凹部を形成する工程である。
ここで、上記凹部を形成する方法は特に限定されず、例えば、ダイサー等を用いて陽極酸化皮膜を機械的に削る方法等が挙げられる。
【００７４】
＜貼合工程＞
上記貼合工程は、図８に示す通り、他のアルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施して形成した陽極酸化皮膜を先に形成された陽極酸化皮膜に所定の開口パターンを有するように部分的に貼り合わせる工程である。
ここで、貼り合わせる方法は特に限定されず、例えば、熱融着や接着剤により貼り合わせる方法等が挙げられる。
【００７５】
＜封孔処理＞
本発明の絶縁基板の製造方法においては、上記陽極酸化皮膜（絶縁層）が多孔質の場合、本発明のパッケージの放熱性の観点から、皮膜中に存在するマイクロポアを封じる封孔処理を行ってもよい。
封孔処理は、沸騰水処理、熱水処理、蒸気処理、ケイ酸ソーダ処理、亜硝酸塩処理、酢酸アンモニウム処理等の公知の方法に従って行うことができる。例えば、特公昭５６−１２５１８号公報、特開平４−４１９４号公報、特開平５−２０２４９６号公報、特開平５−１７９４８２号公報等に記載されている装置および方法で封孔処理を行ってもよい。
【００７６】
＜水洗処理＞
また、本発明の絶縁基板の製造方法においては、上述した各処理の工程終了後には水洗を行うのが好ましい。水洗には、純水、井水、水道水等を用いることができる。処理液の次工程への持ち込みを防ぐためにニップ装置を用いてもよい。
【００７７】
＜その他の処理＞
更に、本発明の絶縁基板の製造方法においては、必要に応じて絶縁基板の表面に種々の処理を施すことができる。
例えば、本発明のＬＥＤパッケージの白色性（散乱性）を高めるために、酸化チタン等の白色性絶縁性材料からなる無機絶縁層、白色レジスト等の有機絶縁層を設けてもよい。
また、上記白色以外にも、例えば電着処理により、酸化アルミニウムよりなる絶縁層に所望の色を着色することができる。具体的には、「陽極酸化」金属表面技術協会編．金属表面技術講座Ｂ（１９６９  ＰＰ．１９５〜２０７）、「新アルマイト理論」カロス出版（１９９７  ＰＰ．９５〜９６）等に記載されているような有色染色性のイオン種、具体的には、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ａｕイオン、Ｐｂイオン、Ａｇイオン、Ｓｅイオン、Ｓｎイオン、Ｎｉイオン、Ｃｕイオン、Ｂｉイオン、Ｍｏイオン、Ｓｂイオン、Ｃｄイオン、Ａｓイオン等を電解液に混入して、電解処理することにより、着色を施すことができる。
【００７８】
また、同様に酸化アルミニウムよりなる絶縁層に、更に絶縁性および反射性を高めるため、例えば、特開平６−３５１７４号公報の段落［００１６]〜［００３５]に記載されているような、ゾルゲル法による層を設けることもできる。
ここで、ゾルゲル法とは、一般に金属アルコキシドからなるゾルを加水分解・重縮合反応により、流動性を失ったゲルとし、このゲルを加熱して酸化物層（セラミック層）を形成する方法である。
また、上記金属アルコキシドは、特に限定されないが、厚さが均一性の良い層を形成させる観点から、Ａｌ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｂａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｂｉ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｃａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｆｅ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｇａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｇｅ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｈｆ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｉｎ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｋ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｌａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｌｉ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｍｇ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｍｏ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｎａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｎｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｉ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｎ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｒ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｔａ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｔｉ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｖ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｗ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｙ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｚｎ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｚｒ（Ｏ−Ｒ）ｎ等が挙げられる（文章中Ｒは、置換基を有してもよい、鎖状、分枝状、および、環状の、炭化水素基、ｎは任意の自然数を示す。）。
中でも、絶縁層との反応性に優れ、ゾルゲル層形成性に優れた、Ｓｉ（Ｏ−Ｒ）ｎ系がより好ましい。
【００７９】
本発明においては、ゾルゲル層を形成する方法は特に限定されないが、層の厚さを制御する観点から、ゾル液を塗布して加熱する方法が好ましい。
また、ゾル液の濃度としては、０．１〜９０質量％が好ましく、１〜８０質量％がより好ましく、５〜７０質量％が特に好ましい。
また、本発明においてゾルゲル層を形成する際には、その厚さは、高反射率、絶縁性の観点から、０．０１μｍ〜２０μｍが好ましく、０．０５μｍ〜１５μｍがより好ましく、０．１μｍ〜１０μｍが特に好ましい。この範囲より厚くなると、高反射率の観点から好ましくなく、この範囲より薄くなると絶縁性の観点から好ましくない。なお、層を厚くするために、繰り返し重ねて塗布してもよい。
【００８０】
［配線基板］
以下に、本発明の配線基板について詳細に説明する。
本発明の配線基板は、上述した本発明の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁領域Ｂを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板である。
次に、本発明の配線基板の構成について、図１０を用いて説明する。
【００８１】
図１０に示すように、本発明の配線基板２０は、本発明の絶縁基板１と、絶縁基板１の絶縁領域３Ｂを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる金属配線層７とを有するものである。
【００８２】
本発明においては、上記金属配線層の材料は、電気を通す素材であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられ、これらを１種単独で使用してもよく２種以上を併用してもよい。
これらのうち、電気抵抗が低い理由からＣｕを用いるのが好ましい。なお、Ｃｕによる配線層の表層には、ワイヤボンディングの容易性を高める観点から、Ａｕ層やＮｉ／Ａｕ層を設けていてもよい。
【００８３】
また、本発明においては、上記金属配線層の厚さは、導通信頼性およびパッケージのコンパクト性の観点から、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜５００μｍがより好ましく、５〜２５０μｍが特に好ましい。
【００８４】
〔配線基板の製造方法〕
以下に、本発明の配線基板の製造方法について詳細に説明する。
本発明の配線基板は、例えば、図１１に示すように、本発明の絶縁基板における絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜３１の表面にマスク層４を形成するマスク層形成工程と、本発明の絶縁基板における絶縁領域Ｂを形成する陽極酸化皮膜３２の表面に金属配線層７を形成する金属配線層形成工程と、上記マスク層を除去して配線基板を得るマスク層除去工程とをこの順に有する製造方法により、作製することができる。
【００８５】
次に、金属配線層形成工程について具体的に説明する。なお、上記マスク層形成工程および上記マスク層除去工程は、上述した本発明の絶縁基板の製造方法において説明したものと同様の方法で施すことができる。
【００８６】
＜金属配線層形成工程＞
上記金属配線層形成工程は、本発明の絶縁基板における絶縁領域Ｂを形成する陽極酸化皮膜の表面に金属配線層を形成する工程である。
ここで、上記陽極酸化皮膜の表面に金属配線層を形成する方法は、例えば、電解めっき処理、無電解めっき処理、置換めっき処理などの種々めっき処理；スパッタリング処理；蒸着処理；等を施す方法が挙げられる。
これらのうち、耐熱性が高い観点から、金属のみの層形成であることが好ましく、厚膜／均一形成化および高密着性の観点から、めっき処理による層形成が特に好ましい。
【００８７】
本発明においては、上記めっき処理は、非導電性物質（絶縁基板）に対するめっき処理になるため、シード層と呼ばれる還元金属層を設けた後、その金属層を利用して厚い金属層を形成する手法を用いるのが好ましい。
また、上記シード層の形成には、無電解めっきが用いるのが好ましく、めっき液としては、主成分（例えば、金属塩、還元剤等）と補助成分（例えば、ｐＨ調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤等）から構成される溶液を用いるのが好ましい。なお、めっき液としては、ＳＥ−６５０・６６６・６８０、ＳＥＫ−６７０・７９７、ＳＦＫ−６３（いずれも日本カニゼン社製）、メルプレートＮＩ−４１２８、エンプレートＮＩ−４３３、エンプレートＮＩ−４１１（いずれもメルテックス社製）等の市販品を適宜用いることができる。
また、上記金属配線層の材料として銅を用いた場合、硫酸、硫酸銅、塩酸、ポリエチレングリコールおよび界面活性剤を主成分とし、その他各種添加剤を加えた種々の電解液を用いることができる。
【００８８】
このようにして形成される金属配線層は、半導体素子等の実装の設計に応じ、公知の方法でパターン形成される。また、実際に半導体素子等が実装される箇所には、再度金属層（半田も含む）を設け、熱圧着や、フリップチップ、ワイヤボンディング等で、接続しやすい用に適宜加工することができる。
好適な金属層としては、半田、または、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属素材が好ましく、加熱による半導体素子等の実装の観点では、半田、または、Ｎｉを介してのＡｕ、Ａｇを設ける方法が接続信頼性の観点から好ましい。
【００８９】
具体的には、パターンが形成された銅（Ｃｕ）配線上に、ニッケル（Ｎｉ）を介して金（Ａｕ）を形成する方法としては、Ｎｉストライクめっきを施し、その後にＡｕめっきを施す方法が挙げられる。
ここで、Ｎｉストライクめっきは、Ｃｕ配線層の表面酸化層の除去とＡｕ層密着性確保を目的に施される。
また、Ｎｉストライクめっきには、一般的なＮｉ／塩酸混合液を用いてもよく、ＮＩＰＳ−１００（日立化成工業製）等の市販品を用いてもよい。
一方、Ａｕめっきは、Ｎｉストライクめっきを施した後に、ワイアボンディングや半田の濡れ性を向上させる目的で施される。
また、Ａｕめっきは無電解めっきで生成させるのが好ましく、ＨＧＳ−５４００（日立化成工業社製）、ミクロファブＡｕシリーズ、ガルバノマイスターＧＢシリーズ、プレシャスハブＩＧシリーズ（いずれも田中貴金属社製）等の市販の処理液を用いることができる。
【００９０】
［半導体パッケージ］
以下に、本発明の半導体パッケージについて詳細に説明する。
本発明の半導体パッケージは、上述した本発明の配線基板と、上記絶縁基板の上記絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる半導体素子とを有する半導体パッケージである。
次に、本発明の半導体パッケージの構成について、図１２を用いて説明する。
【００９１】
図１２に示すように、本発明の半導体パッケージ３０は、本発明の配線基板２０と、本発明の絶縁基板１の絶縁領域３Ａを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる半導体素子８とを有するものであり、半導体素子８と外部接続用の電極を兼ねた金属配線層７とがワイヤ９により接続（ワイヤボンディング）されている。
【００９２】
本発明においては、上記半導体素子は、後述する本発明のＬＥＤパッケージに用いるＬＥＤ発光素子以外のパワー系の半導体素子であれば特に限定されず、その具体例としては、パワーモジュールに一般的に用いられるトランジスタ、ＣＰＵ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等が挙げられる。
【００９３】
［ＬＥＤパッケージ］
以下に、本発明のＬＥＤパッケージについて詳細に説明する。
本発明のＬＥＤパッケージは、上述した本発明の配線基板と、上記絶縁基板の上記絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられるＬＥＤ発光素子とを有するＬＥＤパッケージである。
次に、本発明のＬＥＤパッケージの構成について、図１３を用いて説明する。
【００９４】
図１３に示すように、本発明のＬＥＤパッケージ４０は、本発明の配線基板２０と、本発明の絶縁基板１の絶縁領域３Ａを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられるＬＥＤ発光素子８とを有するものである。
ここで、図１３に示すＬＥＤパッケージ４０は、ＬＥＤ発光素子８がＹＡＧ系の蛍光粒子１１を混入した透明樹脂１０でモールドされており、ＹＡＧ系の蛍光粒子１１によって励起された光とＬＥＤ発光素子８の残光とにより、白色系光が発光されるものであり、ＬＥＤ発光素子８が、外部接続用の電極を兼ねた金属配線層７にワイヤ９により接続（ワイヤボンディング）されている。
【００９５】
また、図１３においては図示していないが、例えば、図１（Ｄ）に示す態様の絶縁基板を用いてＬＥＤパッケージを作製した場合は、透明樹脂の周囲には透明樹脂を保持するための土手剤と呼ばれる絶縁層が円状に形成されることになる。
そのため、本発明のＬＥＤパッケージにおいては、上記土手剤が不要になる理由から、図１３に示す態様、即ち、図１（Ｂ）または（Ｃ）に示す態様の絶縁基板を用いるのが好ましい。
【００９６】
本発明においては、上記ＬＥＤ発光素子は、基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。
半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。
【００９７】
また、上記透明樹脂の材質は、熱硬化性樹脂が好ましい。
上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。
また、透明樹脂は、青色ＬＥＤを保護するため硬質のものが好ましい。
また、透明樹脂は、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。
また、透明樹脂は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収剤、酸化防止剤からなる群から選択される少なくとも１種を混合することもできる。
【００９８】
更に、上記蛍光粒子は、青色ＬＥＤからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。
蛍光粒子としては、具体的には、例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、サイアロン系蛍光体、βサイアロン系蛍光体；Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体；Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体；Ｅｕ等のランタノイド系元素で主に付活される有機錯体；等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００９９】
一方、本発明のＬＥＤパッケージは、紫外〜青色ＬＥＤとそれを吸収し可視光領域で蛍光を発する蛍光発光体とを用いた蛍光体混色型白色系ＬＥＤパッケージとしても使用することができる。
これらの蛍光発光体が青色ＬＥＤからの青色光を吸収して蛍光（黄色系蛍光）を生じ、この蛍光と青色ＬＥＤの残光とにより、発光素子から白色系光が発光される。
上述した方式は、青色ＬＥＤ光源チップと黄色蛍光体１種とを組み合わせたいわゆる「擬似白色発光型」であるが、このほかにも、例えば紫外〜近紫外ＬＥＤ光源チップと赤色／緑色／青色蛍光体等を数種組み合わせた「紫外〜近紫外光源型」、及び、赤色／緑色／青色３光源で白色発光させる「ＲＧＢ光源型」、等の公知の発光方法を用いる発光ユニットとして本発明のＬＥＤパッケージを使用することができる。
【０１００】
本発明のパッケージにおいて、本発明の配線基板に半導体素子等を実装する方法は加熱による実装を伴うが、半田リフローを含めての熱圧着、およびフリップチップによる実装方法では、均一かつ確実な実装を施す観点から、最高到達温度は２２０〜３５０℃が好ましく、２４０〜３２０℃がより好ましく、２６０〜３００℃が特に好ましい。
これらの最高到達温度を維持する時間としては、同観点から２秒〜１０分が好ましく、５秒〜５分がより好ましく、１０秒〜３分が特に好ましい。
また、アルミニウム基板と陽極酸化皮膜との熱膨張率差に起因して陽極酸化皮膜内に発生するクラックを抑制する観点から、上記最高到達温度に到達する前に、所望の一定温度で５秒〜１０分、より好ましくは１０秒〜５分、特に好ましくは２０秒〜３分の熱処理を施す方法をとることもできる。所望の一定温度としては、８０〜２００℃であることが好ましく、１００〜１８０℃がより好ましく、１２０〜１６０℃が特に好ましい。
【０１０１】
また、ワイヤボンディングでの実装時の温度としては、確実な実装を施す観点から、８０〜３００℃が好ましく、９０〜２５０℃がより好ましく、１００〜２００℃が特に好ましい。加熱時間としては、２秒〜１０分が好ましく、５秒〜５分がより好ましく、１０秒〜３分が特に好ましい。
【実施例】
【０１０２】
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
〔絶縁基板の作製〕
（実施例１）
＜アルミニウム基板の作製＞
Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ１．０ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ １０５０材のアルミニウム基板を得た。
このアルミニウム基板を幅１０３０ｍｍにした後、以下に示す電解研磨処理を施した。
【０１０３】
＜電解研磨処理＞
上記アルミニウム基板に対して、以下組成の電解研磨液を用いて、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０−３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（ＡＳ  ＯＮＥ製）を用いて計測した。
（電解研磨液組成）
・８５質量％リン酸（和光純薬社製試薬）    ６６０ｍＬ
・純水    １６０ｍＬ
・硫酸    １５０ｍＬ
・エチレングリコール    ３０ｍＬ
【０１０４】
＜第１陽極酸化処理（参考図：図３（Ａ）⇒（Ｂ））＞
電解研磨処理を施したアルミニウム基板に対して、０．３０ｍｏｌ／Ｌ硫酸の電解液で、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、形成される陽極酸化皮膜の厚みが２０ｎｍとなるように処理時間を設定して陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板の表面上に厚さ２０ｎｍの陽極酸化皮膜Ｘが形成された基板を作製した。
【０１０５】
＜マスク層の形成（参考図：図３（Ｂ）⇒（Ｃ））＞
第１陽極酸化処理を施した基板の陽極酸化皮膜Ｘの表面に、フォトレジスト（ＦＣ−２３０Ｇ、東洋紡社製）をコートし、所定の開口パターンを付与するべくマスクを介してＵＶ照射を施した。
その後、非照射部をアルカリ現像液で現像することで完全に除去し、陽極酸化皮膜Ｘの表面をパターン状に露出させた。
なお、陽極酸化皮膜Ｘの露出部分は、最終的に作製される絶縁基板の絶縁領域Ｂを構成する部分であり、陽極酸化皮膜Ｘの非露出部分は、最終的に作製される絶縁基板の絶縁領域Ａを構成する部分である。
【０１０６】
＜第２陽極酸化処理（参考図：図３（Ｃ）⇒（Ｄ））＞
マスク層を形成させた基板に対して、０．３０ｍｏｌ／Ｌ硫酸の電解液で、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、形成される陽極酸化皮膜の全体（陽極酸化皮膜Ｘおよび陽極酸化皮膜Ｙの合計）の厚さが４０μｍとなるように処理時間を設定して陽極酸化処理を施し、パターン状に表面露出した部分の陽極酸化皮膜Ｘの下部に更に陽極酸化皮膜Ｙが形成された基板を作製した。
なお、陽極酸化皮膜Ｙは、アルミニウム基板に埋没された形で形成された。
【０１０７】
＜マスク層の除去（参考図：図３（Ｄ）⇒（Ｅ））＞
第２陽極酸化処理を施した後の基板に対して、モノメタノールアミン溶剤を用いてマスク層を除去し、絶縁基板を作製した。
【０１０８】
（実施例２）
第１陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜Ｘの厚さが５００ｎｍとなるように処理時間を変更した以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁基板を作製した。
【０１０９】
（実施例３）
第１陽極酸化処理を以下に示す条件で行った以外は、実施例１と同様の方法により絶縁基板を作製した。
＜第１陽極酸化処理＞
電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．３０ｍｏｌ／Ｌ硫酸の電解液で、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で１時間陽極酸化処理を施した。更に陽極酸化処理後のサンプルに、０．５ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液を用いて４０℃の条件で２０分間浸漬して脱膜処理を施した。
次いで、これらと同様の処理をこの順に４回数を繰り返した後、０．３０ｍｏｌ／Ｌ硫酸の電解液で、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、引き続いて施す脱膜処理後の最終的な陽極酸化皮膜の厚さが１．６μｍ（１６００ｎｍ）となるように処理時間を設定して再陽極酸化処理を施し、更に、０．５ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液を用いて４０℃の条件で１５分間浸漬させて脱膜処理を施すことにより、アルミニウム基板表面に、マイクロポアが直管状で且つハニカム状に配列された厚さ１．６μｍ（１６００ｎｍ）の陽極酸化皮膜Ｘを形成させた。
【０１１０】
（実施例４）
第１陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜Ｘの厚さが２μｍ（２０００ｎｍ）となるように処理時間を変更し、また、第２陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜の全体（陽極酸化皮膜Ｘおよび陽極酸化皮膜Ｙの合計）の厚さが８００μｍとなるように処理時間を変更した以外は、実施例３と同様の方法により絶縁基板を作製した。
【０１１１】
（実施例５）
第１陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜Ｘの厚さが９μｍ（９０００ｎｍ）となるように処理時間を変更し、また、第２陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜の全体（陽極酸化皮膜Ｘおよび陽極酸化皮膜Ｙの合計）の厚さが２０μｍとなるよう処理時間を変更した以外は、実施例１と同様の方法により絶縁基板を作製した。
【０１１２】
（実施例６）
第１陽極酸化処理において、形成される陽極酸化皮膜Ｘの厚さが５００ｎｍとなるように処理時間を変更し、かつ、濃度３０ｇ／Ｌのホウ酸、濃度２０ｇ／Ｌの四ホウ酸ナトリウムの混合水溶液にて、温度２０℃で陽極酸化処理を施すことにより、厚さ５００ｎｍの無孔質の陽極酸化皮膜Ｘを形成した以外は、実施例２と同様の方法により絶縁基板を作製した。
【０１１３】
（実施例７）
第１陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜Ｘの厚さが１０μｍ（１００００ｎｍ）となるように処理時間を変更し、また、第２陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜の全体（陽極酸化皮膜Ｘおよび陽極酸化皮膜Ｙの合計）の厚さが５０μｍとなるように処理時間を変更した以外は、実施例１と同様の方法により絶縁基板を作製した。
【０１１４】
（実施例８）
第１陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜Ｘの厚さが１０μｍ（１００００ｎｍ）となるように処理時間を変更し、また、第２陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜の全体（陽極酸化皮膜Ｘおよび陽極酸化皮膜Ｙの合計）の厚さが２００μｍとなるように処理時間を変更した以外は、実施例１と同様の方法により絶縁基板を作製した。
【０１１５】
（実施例９）
＜第１陽極酸化処理（参考図：図４（Ａ）⇒（Ｂ））＞
実施例１と同様の方法で電解研磨処理まで施したアルミニウム基板に対して、０．３０ｍｏｌ／Ｌ硫酸の電解液で、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、陽極酸化皮膜Ｙの厚みが８００μｍとなるよう処理時間を設定して陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板の表面上に厚さ８００μｍの陽極酸化皮膜Ｙが形成された基板を作製した。
【０１１６】
＜マスク層の形成（参考図：図４（Ｂ）⇒（Ｃ））＞
第１陽極酸化処理を施した基板の表面に、フォトレジスト（ＦＣ−２３０Ｇ、東洋紡社製）をコートし、所定の開口パターンを付与するべくマスクを介してＵＶ照射を施した。その後、非照射部をアルカリ現像液で現像することで完全に除去し、陽極酸化皮膜Ｙの表面をパターン状に露出させた。
なお、陽極酸化皮膜Ｙの非露出部分は、最終的に作製される絶縁基板の絶縁領域Ｂを構成する部分である。
【０１１７】
＜陽極酸化皮膜Ｙおよびマスク層の除去（参考図：図４（Ｃ）⇒（Ｄ）⇒（Ｅ））＞
ｐＨ１３に調整した水酸化カリウム水溶液を用いて露出部分の陽極酸化皮膜Ｙを除去した後、モノメタノールアミン溶剤を用いて残存するマスク層をすべて除去して、アルミニウム基板表面に陽極酸化皮膜Ｙをパターン状に形成させた。
【０１１８】
＜第２陽極酸化処理（参考図：図４（Ｅ）⇒（Ｆ））＞
上記マスク層を除去した後のアルミニウム基板に対して、０．３０ｍｏｌ／Ｌ硫酸の電解液で、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、陽極酸化皮膜の厚みが２μｍとなるように処理時間を設定して陽極酸化処理を施し、陽極酸化皮膜Ｙの開口部（アルミニウム基板の表面露出部）および陽極酸化皮膜Ｙの下部に厚さ２μｍ（２０００ｎｍ）の陽極酸化皮膜Ｘが形成された絶縁基板を作製した。
なお、陽極酸化皮膜Ｘの露出部分は、最終的に作製される絶縁基板の絶縁領域Ａを構成する部分である。
【０１１９】
（比較例１）
第１陽極酸化処理を行わなかったこと以外は、実施例５と同様の方法により絶縁基板を作製した。なお、アルミニウム基板表面に自然酸化皮膜が形成されたことで絶縁領域Ａを形成する酸化皮膜の厚みは５ｎｍとなった。
【０１２０】
（比較例２）
第２陽極酸化処理において、形成される陽極酸化皮膜の全体（陽極酸化皮膜Ｘおよび陽極酸化皮膜Ｙの合計）の厚さが１μｍとなるように処理時間を変更した以外は、実施例１と同様の方法により絶縁基板を作製した。
【０１２１】
（比較例３）
第２陽極酸化処理において、形成される陽極酸化皮膜の全体（陽極酸化皮膜Ｘおよび陽極酸化皮膜Ｙの合計）の厚さが１００μｍとなるように処理時間を変更した以外は、実施例１と同様の方法により絶縁基板を作製した。
【０１２２】
（比較例４）
第１陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜Ｘの厚さが２μｍ（２０００ｎｍ）となるように処理時間を変更し、また、第２陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜の全体（陽極酸化皮膜Ｘおよび陽極酸化皮膜Ｙの合計）の厚さが２μｍとなるように処理時間を変更した以外は、実施例３と同様の方法により絶縁基板を作製した。
【０１２３】
（比較例５）
厚み３．０ｍｍのアルミニウム基板を用いて、実施例４と同じ方法で、第１陽極酸化処理およびマスク層の形成を行った後、第２陽極酸化処理において、形成される陽極酸化皮膜の全体（陽極酸化皮膜Ｘおよび陽極酸化皮膜Ｙの合計）の厚さが２０００μｍとなるように処理時間を変更して陽極酸化処理を施したが、１００時間を超えたところで１０００μｍより皮膜の厚みが厚くならなくなったため、絶縁基板が作製できなかった。
【０１２４】
（比較例６）
第１陽極酸化処理において、１５０ｇ／Ｌの硫酸電解液を用い、５０℃、２０Ａ／ｄｍ2の電流密度の条件にて定電流陽極酸化処理を施し、陽極酸化処理Ｘの厚みが２０μｍ（２００００ｎｍ）となるように処理時間を変更した以外は、実施例５と同様の方法により絶縁基板を作製した。
【０１２５】
（比較例７）
第１陽極酸化処理において、形成される陽極酸化皮膜Ｘの厚さが１００μｍ（１０００００ｎｍ）となるように処理時間を変更した以外は、実施例４と同様の方法により、絶縁基板を作製した。
【０１２６】
＜ＴＡおよびＴＢの算出＞
作製した各絶縁基板について、絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜（陽極酸化皮膜Ｘ）の膜厚（ＴＡ）、および、絶縁領域Ｂを形成する陽極酸化皮膜（陽極酸化皮膜ＸおよびＹの合計）の膜厚（ＴＢ）について、それぞれ面内の４方の４箇所とその間の５箇所の計９箇所を断面方向からのＦＥ−ＳＥＭの観察により観察し、各箇所の厚みを１０点の測定平均値から算出した後、９箇所の厚みを平均した。結果を下記第１表に示す。
なお、比較例５においては、所望（２０００μｍ）の膜厚（ＴＢ）を有する絶縁基板を作製することができなかったため、膜厚（ＴＢ）を「−」と表記している。
【０１２７】
＜絶縁性＞
作製した各絶縁基板について、ＪＩＳＣ２１１０規格の方法に従い、絶縁破壊電圧（ｋＶ）を計測した。測定結果から、絶縁性の指標として絶縁破壊電圧１ｋＶ以上を○、１ｋＶ未満を×とした。結果を下記第１表に示す。
なお、比較例５においては、所望（２０００μｍ）の膜厚（ＴＢ）を有する絶縁基板を作製することができなかったため、絶縁性の評価を「−」と表記している。
【０１２８】
＜放熱性＞
作製した各絶縁基板の絶縁領域Ａに、大きさが０．５ｍｍ×０．５ｍｍ、温度が３００℃の熱源を接触させて２秒後の裏面の基板の温度（℃）を計測した。
ここで、熱源には温度調節可能な半田ごてを用いた。
測定結果から、２５０℃以上を◎、２００℃以上２５０℃未満を○、１００℃以上２００℃未満を△、１００℃未満を×とした。結果を下記第１表に示す。
なお、放熱性の評価は、◎、○および△の評価であれば実用上問題はなく、また、比較例５においては、所望（２０００μｍ）の膜厚（ＴＢ）を有する絶縁基板を作製することができなかったため、放熱性の評価を「−」と表記している。
【０１２９】
＜膜厚分布＞
上記で絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜の膜厚（ＴＡ）、絶縁領域Ｂを形成する陽極酸化皮膜の膜厚（ＴＢ）を算出した際に、それぞれについて９箇所の厚みを算出した。
この各箇所の厚み（ＴＡ１〜ＴＡ９、ＴＢ１〜ＴＢ９）と９箇所の厚みの平均値（ＴＡ、ＴＢ）との比率（ＴＡ１／ＴＡ〜ＴＡ９／ＴＡ、ＴＢ１／ＴＢ〜ＴＢ９／ＴＢ）が全て１／２〜２の間となる場合を○、１／２〜２／３または１．５〜２の間となる場合を△、これ以外となる場合を×とした。結果を下記第１表に示す。
なお、比較例５においては、所望（２０００μｍ）の膜厚（ＴＢ）を有する絶縁基板を作製することができなかったため、膜厚分布の評価を「−」と表記している。
【０１３０】
＜マイクロポアの規則化度の算出＞
作製した各絶縁基板について、絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜の表面をＦＥ−ＳＥＭで観察した。観察した表面写真（倍率２００００倍）から１μｍ×１μｍの視野で任意のマイクロポア３００個を用いて、上記式（ｉ）で定義される規則化度を求めた。結果を下記第１表に示す。
なお、実施例６で作製した絶縁基板は、絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜が無孔質皮膜であるため、規則化度の結果を「−」と表記し、比較例５においては、所望（２０００μｍ）の膜厚（ＴＢ）を有する絶縁基板を作製することができなかったため、規則化度の結果を「−」と表記している。
【０１３１】
＜全反射率＞
作製した各絶縁基板について、絶縁領域Ａにおける３００〜７００ｎｍの波長領域での全反射率を分光反射率測定器（ＳＰ６４、Ｘ−Ｒｉｔｅ社製）にて測定した。結果を下記第１表に示す。
なお、比較例５においては、所望（２０００μｍ）の膜厚（ＴＢ）を有する絶縁基板を作製することができなかったため、全反射率の評価を「−」と表記している。
【０１３２】
【表１】
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【０１３３】
第１表に示す結果から、比率（ＴＢ／ＴＡ）が２０００より大きいと膜厚分布が非常に悪くなり、実用上問題があることが分かり（比較例１および３）、比率（ＴＢ／ＴＡ）が２より小さいと絶縁性または放熱性が悪くなることが分かった（比較例４および６）。
また、膜厚（ＴＢ）が２μｍより小さいと絶縁性が非常に悪くなることが分かり（比較例２）、また、１０００μｍよりも厚い陽極酸化皮膜は形成できないことが分かった（比較例５）。
更に、膜厚（ＴＡ）が８０μｍより大きいと放熱性が非常に悪くなることが分かった（比較例７）。
【０１３４】
一方、膜厚（ＴＡ）、膜厚（ＴＢ）およびこれらの比率（ＴＢ／ＴＡ）が所定の範囲にある実施例１〜９で作製した絶縁基板は、いずれも絶縁性および放熱性が良好となることが分かった。
特に、膜厚（ＴＡ）が１０μｍ（１００００ｎｍ）未満であると、放熱性がより良好となることが分かり、比率（ＴＢ／ＴＡ）が２０超であると、絶縁性および放熱性がより良好となる傾向があることが分かった（実施例１〜６および９）。
また、絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜の規則化度を向上させることで、絶縁領域Ａの全反射率が向上することが分かった（実施例３）。
更に、絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜を無孔質皮膜とすることで、放熱性が更に良好となり、絶縁領域Ａの全反射率が向上することが分かった（実施例６）。
【０１３５】
〔配線基板の作製〕
＜マスク層の形成：（参考図：図１１（Ａ）⇒（Ｂ））＞
実施例１、３および４ならびに比較例４および６で作製した各絶縁基板の表面に、フォトレジスト（ＦＣ−２３０Ｇ、東洋紡社製）をコートし、絶縁領域Ｂを形成する陽極酸化皮膜部分に開口パターンを付与するべくマスクを介してＵＶ照射を施した。
その後、非照射部をアルカリ現像液で現像することで完全に除去し、絶縁領域Ｂを形成する陽極酸化皮膜の表面をパターン状に露出させ、絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜の表面のみにマスク層を形成させた。
【０１３６】
＜金属配線層の形成（参考図：図１１（Ｂ）⇒（Ｃ））＞
絶縁領域Ｂを形成する陽極酸化皮膜上に、無電解Ｎｉ−Ｃｕめっき法によりシード層を形成した後、電解銅めっき法により１７μｍ厚のＣｕ配線層を形成させた。
【０１３７】
＜マスク層の除去（参考図：図１１（Ｃ）⇒（Ｄ））＞
Ｃｕ配線層を形成させた後、無電解Ｎｉめっき法および無電解Ａｕめっき法を順に施し、Ｃｕ配線層の表面をコートした後、モノメタノールアミン溶剤を用いてマスク層を除去し、配線基板を作製した。
【０１３８】
〔半導体パッケージの作製〕
＜パワー半導体の実装＞
実施例１および４ならびに比較例４および６の絶縁基板を用いて作製した各配線基板の絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜上にＳｉパワー半導体をワイヤボンディング法により実装し、Ｃｕ配線層とパワー半導体とを接続した。
【０１３９】
＜駆動テスト＞
配線基板のパワー半導体を実装した面と逆の面に、放熱フィンを熱伝導グリスで接触させた上で、パワー半導体を駆動させ、その表面の温度を測定した。結果を下記第２表に示す。
なお、比較例４の絶縁基板を用いて作製した配線基板では、漏れ電流が絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜を通過し、アルミニウム基板にリークしてショートしてしまったため、下記第２表中では「−」と表記している。
【０１４０】
【表２】
2012201891.tif 000004
【０１４１】
第２表に示す結果から、実施例１および４の絶縁基板を用いて作製した配線基板では、パワー半導体のチップ温度が低く抑えられることが分かった。
【０１４２】
〔ＬＥＤパッケージの作製〕
＜青色ＬＥＤの実装＞
実施例３および４ならびに比較例４および６の絶縁基板を用いて作製した各配線基板の絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜上に青色ＬＥＤ発光素子をワイヤボンディング法により実装し、Ｃｕ配線層と青色ＬＥＤ発光素子とを接続した。
【０１４３】
＜黄色蛍光体含有封止材の形成＞
青色ＬＥＤ発光素子を実装した後、表面に黄色蛍光体を含有した封止材を設けることで、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
【０１４４】
＜発光効率＞
作製した各擬似白色型ＬＥＤパッケージについて、一定の電流値（０．０８Ａ）で発光させた際の電圧Ｅ（Ｖ）と、色度Ｘ値＝０．３３での光拘束量（ｌｍ）とを測定し、下記式から発光効率（ｌｍ／Ｗ）を算出した。結果を下記第３表に示す。
なお、比較例４の絶縁基板を用いて作製した配線基板では、漏れ電流が絶縁領域Ａを形成する陽極酸化皮膜を通り、アルミニウム基板にリークしてショートしてしまったため、下記第３表中では「−」と表記している。
発光効率（１ｍ／Ｗ）＝光拘束量（ｌｍ）／（０．０８（Ａ）×Ｅ（Ｖ））
【０１４５】
【表３】
2012201891.tif 000005
【０１４６】
第３表に示す結果から、全反射率が高いほど発光効率が高くなることが分かった。
【符号の説明】
【０１４７】
１  絶縁基板
２  アルミニウム基板
３  絶縁層
３Ａ  絶縁領域Ａ
３Ｂ  絶縁領域Ｂ
４  マスク
５  窪み
６  凹部
７  金属配線層
８  半導体素子（ＬＥＤ発光素子）
９  ワイヤ
１０  透明樹脂
１１  蛍光粒子
２０  配線基板
３０  半導体パッケージ
３１、３２  陽極酸化皮膜
４０  ＬＥＤパッケージ
１０１、１０２、１０４、１０５、１０７、１０８  マイクロポア
１０３、１０６、１０９  円
４１０  陽極酸化処理装置
４１２  給電槽
４１４  電解処理槽
４１６  アルミニウム基板
４１８、４２６  電解液
４２０  給電電極
４２２、４２８  ローラ
４２４  ニップローラ
４３０  電解電極
４３２  槽壁
４３４  直流電源
【図１】
2012201891.tif 000006
【図２】
2012201891.tif 000007
【図３】
2012201891.tif 000008
【図４】
2012201891.tif 000009
【図５】
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【図６】
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【図７】
2012201891.tif 000012
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2012201891.tif 000018