(57)【要約】【課題】不良箇所の特定の容易化を実現し得る配線構造、半導体装置及び不良箇所特定方法を提供することにある。【解決手段】基板１０上に形成された第１の配線１４と、第１の配線上に形成され、第１の領域において第１の配線と重なり合う第２の配線２０とを有し、第１の配線は、第１の領域外に突出する第１のタブ部１６を有している。【選択図】図１
2012138456.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１の配線と、
前記第１の配線上に形成され、第１の領域において前記第１の配線と重なり合う第２の配線とを有し、
前記第１の配線は、前記第１の領域外に突出する第１のタブ部を有する
ことを特徴とする配線構造。
【請求項２】
請求項１記載の配線構造において、
前記第２の配線上に形成され、前記第１の領域において前記第１の配線及び前記第２の配線と重なり合う第３の配線を更に有し、
前記第２の配線は、前記第１の領域外に突出する第２のタブ部を有し、
前記第１のタブ部と前記第２のタブ部とが、重なり合わないように形成されている
ことを特徴とする配線構造。
【請求項３】
基板上に形成された第１の配線と、前記第１の配線上に形成され、第１の領域において前記第１の配線と重なり合う第２の配線とを有し、前記第１の配線は、前記第１の領域外に突出する第１のタブ部を有する配線構造を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に形成された第１の配線と、前記第１の配線上に形成され、第１の領域において前記第１の配線と重なり合う第２の配線とを有し、前記第１の配線は、前記第１の領域外に突出する第１のタブ部を有する試料の不良箇所特定方法であって、
前記第１のタブ部にエネルギービームを照射した際に取得される検出値に基づいて、前記第１の配線における不良箇所を特定する
ことを特徴とする不良箇所特定方法。
【請求項５】
請求項４記載の不良箇所特定方法において、
前記エネルギービームは、レーザビームであり、
前記試料に前記レーザビームを走査しながら照射し、各箇所に前記レーザビームを照射した際に前記第１の配線を流れる電流値に基づいて、前記電流値の変化を示す二次元画像を生成し、
前記二次元画像に基づいて、前記第１の配線における前記不良箇所を特定する
ことを特徴とする不良箇所特定方法。
【請求項６】
請求項４記載の不良箇所特定方法において、
前記エネルギービームは、電子ビームであり、
前記試料に前記電子ビームを走査しながら照射し、各箇所に前記電子ビームを照射した際に前記第１の配線を流れる電流値、又は、各箇所に前記電子ビームを照射した際に検出される二次電子量に基づいて、前記電流値又は前記二次電子量の変化を示す二次元画像を生成し、
前記二次元画像に基づいて、前記第１の配線における前記不良箇所を特定する
ことを特徴とする不良箇所特定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線構造、半導体装置及び不良箇所特定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高集積化に伴い、多層配線構造が用いられるようになっている。
【０００３】
複数の配線が重なり合っている多層配線構造においては、重なり合っている下側の配線に不良解析用のレーザビームや電子ビーム等を照射することは極めて困難である。
【０００４】
このため、不良が存在する層が露出するまで、研磨や剥離等が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２４２２２６号公報
【特許文献２】特開２００１−２７４１６４号公報
【特許文献３】特開２０００−２４３８４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、不良が存在する層がどの層であるのかを特定するのは必ずしも容易ではない。また、研磨や剥離等を行うのには膨大な工数が必要となる。また、研磨や剥離を行う際に試料にダメージが加わってしまう場合もある。
【０００７】
本発明の目的は、不良箇所の特定の容易化を実現し得る配線構造及びその配線構造を有する半導体装置、並びに、不良箇所特定方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の一観点によれば、基板上に形成された第１の配線と、前記第１の配線上に形成され、第１の領域において前記第１の配線と重なり合う第２の配線とを有し、前記第１の配線は、前記第１の領域外に突出する第１のタブ部を有することを特徴とする配線構造が提供される。
【０００９】
実施形態の他の観点によれば、基板上に形成された第１の配線と、前記第１の配線上に形成され、第１の領域において前記第１の配線と重なり合う第２の配線とを有し、前記第１の配線は、前記第１の領域外に突出する第１のタブ部を有する配線構造を有することを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１０】
実施形態の更に他の観点によれば、基板上に形成された第１の配線と、前記第１の配線上に形成され、第１の領域において前記第１の配線と重なり合う第２の配線とを有し、前記第１の配線は、前記第１の領域外に突出する第１のタブ部を有する試料の不良箇所特定方法であって、前記第１のタブ部にエネルギービームを照射した際に取得される検出値に基づいて、前記第１の配線における不良箇所を特定することを特徴とする不良箇所特定方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
開示の配線構造によれば、各配線が互いに重なり合っている領域の外に突出するタブ部が、各配線に形成されている。このため、タブ部にエネルギービームを照射することにより、重なり合っている下側の配線をも加熱等することができる。従って、各配線が互いに重なり合っているにもかかわらず、不良箇所を容易に特定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態による半導体装置を示す平面図及び断面図である。
【図２】第１実施形態による半導体装置の各層の配線を示す平面図である。
【図３】第１実施形態において用いられる解析装置の例（その１）を示すブロック図である。
【図４】第１実施形態によるＯＢＩＲＣＨ像の例を示す平面図（その１）である。
【図５】第１実施形態によるＯＢＩＲＣＨ像の例を示す平面図（その２）である。
【図６】第１実施形態において用いられる解析装置の例（その２）を示すブロック図である。
【図７】第１実施形態による電流像の例を示す平面図（その１）である。
【図８】第１実施形態による電流像の例を示す平面図（その２）である。
【図９】第１実施形態による電流像の例を示す平面図（その３）である。
【図１０】第１実施形態による二次電子像の例を示す平面図（その１）である。
【図１１】第１実施形態による二次電子像の例を示す平面図（その２）である。
【図１２】第１実施形態による二次電子像の例を示す平面図（その３）である。
【図１３】第１実施形態の変形例（その１）による半導体装置を示す平面図である。
【図１４】第１実施形態の変形例（その２）による半導体装置を示す平面図である。
【図１５】第１実施形態の変形例（その２）による半導体装置の第１層目の配線を示す平面図である。
【図１６】第１実施形態の変形例（その２）による半導体装置の第２層目の配線を示す平面図である。
【図１７】第１実施形態の変形例（その２）による半導体装置の第３層目の配線を示す平面図である。
【図１８】第１実施形態の変形例（その２）による半導体装置の第４層目の配線を示す平面図である。
【図１９】第１実施形態の変形例（その２）による半導体装置の第５層目の配線を示す平面図である。
【図２０】第２実施形態による半導体装置を示す平面図及び断面図である。
【図２１】第２実施形態による半導体装置の各層の配線を示す平面図である。
【図２２】第２実施形態によるＯＢＩＲＣＨ像の例を示す平面図である。
【図２３】第２実施形態による電流像の例を示す平面図である。
【図２４】第２実施形態による二次電子像の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［第１実施形態］
第１実施形態による配線構造及びその配線構造を有する半導体装置並びに不良箇所特定方法を図１乃至図１２を用いて説明する。
【００１４】
（配線構造及び半導体装置）
まず、本実施形態による配線構造及び半導体装置について図１を用いて説明する。図１は、本実施形態による半導体装置を示す平面図及び断面図である。図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。図２は、各層の配線を示す平面図である。図２（ａ）は、第１層目の配線を示す平面図である。図２（ｂ）は、第２層目の配線を示す平面図である。図２（ｃ）は、第３層目の配線を示す平面図である。図２（ｄ）は、第４層目の配線を示す平面図である。図２（ｅ）は、第５層目の配線を示す平面図である。
【００１５】
なお、ここでは、本実施形態による配線構造２が半導体装置の一部である場合を例に説明するが、本実施形態による配線構造２は、半導体装置の一部であることに限定されるものではない。例えば、配線構造２が、ＴＥＧ（Test Element Group、試料群）であってもよい。この場合には、半導体基板１０にトランジスタ等が形成されていなくてもよい。
【００１６】
図１に示すように、例えばＰ型シリコンの半導体基板１０上には、例えば膜厚４５０ｎｍのシリコン酸化膜の層間絶縁膜１２が形成されている。半導体基板１０には、例えばトランジスタ等が形成されている。
【００１７】
層間絶縁膜１２上には、例えば膜厚４５０ｎｍの層間絶縁膜１３（図２（ａ）参照）が形成されている。層間絶縁膜１３には、配線１４を埋め込むための溝１５（図２（ａ）参照）が形成されている。溝１５内には、例えばＣｕ（銅）の配線１４が埋め込まれている。配線１４の幅は、例えば１４０ｎｍ程度とする。配線１４の高さは、例えば２２０ｎｍ程度とする。
【００１８】
配線１４は、配線１４の長手方向に交差する方向に突出するタブ状の突出部（タブ部）１６を有している。タブ部１６は、配線１４と配線１４の上層に位置する配線２０，２６，３２，３８とが重なり合っている領域の外に突出している。タブ部１６は、周期的に設けられている。タブ部１６は、配線１４と一体に形成されている。タブ部１６は、タブ部１６を介して配線１４にエネルギービームを供給するためのものであり、配線１４を他の構成要素に電気的に接続するためのものではない。
【００１９】
配線１４が埋め込まれた層間絶縁膜上には、例えば膜厚４５０ｎｍの層間絶縁膜１８が形成されている。
【００２０】
層間絶縁膜１８には、配線２０を埋め込むための溝１９（図２（ｂ）示せず）が形成されている。溝１９内には、例えばＣｕの配線２０が埋め込まれている。配線２０の幅は、例えば１４０ｎｍ程度とする。配線２０の高さは、例えば２２０ｎｍ程度とする。
【００２１】
配線２０は、配線２０の長手方向に交差する方向に突出するタブ状の突出部（タブ部）２２を有している。タブ部２２は、配線２０と配線２０の上層に位置する配線２６，３２，３８とが重なり合っている領域の外に突出している。タブ部２２は、周期的に設けられている。タブ部２２は、配線２０と一体に形成されている。タブ部２２は、タブ部２２を介して配線２０にエネルギービームを供給するためのものであり、配線２０を他の構成要素に電気的に接続するためのものではない。タブ部２２は、タブ部１６と重なり合わないように配されている。タブ部２２が、タブ部１６と重なり合わないように配されているため、エネルギービームをタブ部１６に照射することが可能である。
【００２２】
配線２０が埋め込まれた層間絶縁膜１８上には、例えば膜厚４５０ｎｍの層間絶縁膜２４が形成されている。
【００２３】
層間絶縁膜２４には、配線２６を埋め込むための溝２３（図２（ｃ）参照）が形成されている。溝２３内には、例えばＣｕの配線２６が埋め込まれている。配線２６の幅は、例えば１４０ｎｍ程度とする。配線２６の高さは、例えば２２０ｎｍ程度とする。
【００２４】
配線２６は、配線２６の長手方向に交差する方向に突出するタブ状の突出部（タブ部）２８を有している。タブ部２８は、配線２６と配線２６の上層に位置する配線３２，３８とが重なり合っている領域の外に突出している。タブ部２８は、周期的に設けられている。タブ部２８は、配線２６と一体に形成されている。タブ部２８は、タブ部２８を介して配線２６にエネルギービームを供給するためのものであり、配線２６を他の構成要素に電気的に接続するためのものではない。タブ部２８は、タブ部２２、１６と重なり合わないように配されている。タブ部２８が、タブ部２２、１６と重なり合わないように配されているため、エネルギービームをタブ部２２，１６に照射することが可能である。
【００２５】
配線２６が埋め込まれた層間絶縁膜２４上には、例えば膜厚４５０ｎｍの層間絶縁膜３０が形成されている。
【００２６】
層間絶縁膜３０には、配線３２を埋め込むための溝３１（図２（ｄ）参照）が形成されている。溝３１内には、例えばＣｕの配線３２が埋め込まれている。配線３２の幅は、例えば１４０ｎｍ程度とする。配線３２の高さは、例えば２２０ｎｍ程度とする。
【００２７】
配線３２は、配線３２の長手方向に交差する方向に突出するタブ状の突出部（タブ部）３４を有している。タブ部３４は、配線３２と配線３２の上層に位置する配線３８とが重なり合っている領域から突出している。タブ部３４は、周期的に設けられている。タブ部３４は、配線２６と一体に形成されている。タブ部３４は、タブ部３４を介して配線３２にエネルギービームを供給するためのものであり、配線３２を他の構成要素に電気的に接続するためのものではない。タブ部３４は、タブ部２８、２２、１６と重なり合わないように配されている。タブ部３４が、タブ部２８、２２、１６と重なり合わないように配されているため、エネルギービームをタブ部２８，２２，１６に照射することが可能である。
【００２８】
配線３２が埋め込まれた層間絶縁膜３０上には、例えば膜厚４５０ｎｍの層間絶縁膜３６が形成されている。
【００２９】
層間絶縁膜３６には、配線３８を埋め込むための溝３５（図２（ｅ）参照）が形成されている。溝３５内には、例えばＣｕの配線３８が埋め込まれている。配線３８の幅は、例えば１４０ｎｍ程度とする。配線３８の高さは、例えば２２０ｎｍ程度とする。
【００３０】
配線３８が埋め込まれた層間絶縁膜３６上には、例えば膜厚４５０ｎｍの絶縁膜４０が形成されている。
【００３１】
こうして、本実施形態による配線構造２を有する半導体装置が形成されている。
【００３２】
本実施形態によれば、配線１４，２０，２６，３２，３８が互いに重なり合っている領域の外に突出するようにタブ部１６，２２，２８，３４が形成されている。このため、本実施形態によれば、タブ部１６，２２，２８，３４を介して各配線１４，２０，２６，３２にエネルギービームを供給することができる。即ち、本実施形態によれば、タブ部１６，２２，２８，３４にレーザビーム等を照射することにより、各配線１４，２０，２６，３２の加熱等を行うことができる。また、本実施形態によれば、タブ部１６，２２，２８，３４に電子ビームを照射することにより、各配線１４，２０，２６，３２に流れる吸収電流や二次電子等を測定することもができる。このため、本実施形態によれば、配線１４，２０，２６，３２，３８が互いに重なり合っているにもかかわらず、不良箇所を特定することが可能となる。
【００３３】
（不良箇所特定方法（その１））
次に、本実施形態による不良箇所特定方法（その１）について図３乃至図５を用いて説明する。
【００３４】
まず、本実施形態において用いられる解析装置の例について、図３を用いて説明する。
【００３５】
図３は、本実施形態による不良箇所特定方法において用いられる解析装置の例（その１）を示すブロック図である。
【００３６】
ここでは、ＩＲ−ＯＢＩＲＣＨ解析装置を用いる場合を例に説明する。かかるＩＲ−ＯＢＩＲＣＨ解析装置としては、例えば浜松ホトニクス株式会社製のＩＲ−ＯＢＩＲＣＨ解析装置（製品名：μＡＭＯＳ（登録商標）−２００）等を用いることができる。
【００３７】
ここで、ＩＲ−ＯＢＩＲＣＨ法について説明する。
【００３８】
電流が流れている配線にレーザ光を照射すると、配線が加熱されるため配線の電気抵抗が変化し、その結果、配線に流れる電流が増減する。バイアス電圧を印加した配線にレーザ光を走査しながら照射し、走査と同期して配線に流れる電流を観測すれば、各照射箇所における抵抗変化を画像化することができる。このようにして像を得る方法は、レーザ光（Optical Beam）による（Induced）抵抗変化（Resistance CHange）を捉える方法であるため、ＯＢＩＲＣＨ（Optical Beam Induced Resistance Change、光加熱抵抗変化）法と称される。特に、レーザ光として赤外レーザ（Infra Red）を用いる場合には、ＩＲ−ＯＢＩＲＣＨ法と称される。ＯＢＩＲＣＨ法により得られた画像は、ＯＢＩＲＣＨ画像と称される。
【００３９】
本実施形態において用いられる解析装置（その１）は、制御処理部１００と、レーザ照射部１０２と、載置台１０４と、電源１０６と、アンプ１０８と、表示部１１０と、入力部１１１と、記憶部１１２とを有している。
【００４０】
制御処理部（システム制御部）１００は、解析装置全体を制御するとともに、所定の処理を行うものである。制御処理部１００としては、例えばパーソナルコンピュータ等が用いられている。
【００４１】
制御処理部１００には、操作者が命令を入力するための入力部１１１が接続されている。入力部１１１としては、例えば、キーボードやマウス等を用いることができる。
【００４２】
制御処理部１００には、記憶部１１２が接続されている。記憶部１１２には、測定結果等の様々なデータが一時的又は継続的に記憶される。記憶部１１２は、例えばハードディスクやＲＡＭ等により構成することができる。記憶部１１２には、制御処理部１００に所定の制御や処理を行わせるためのプログラムがインストールされている。
【００４３】
レーザ照射部１０２は、レーザ発生部１１４と、レーザ走査部１１６と、顕微鏡部１１８とを有している。レーザ発生部１１４は、レーザビームを発生するものである。レーザ走査部１１６は、レーザ発生部１１４により発生されたレーザビームを、光路に直交する二次元方向にラスタスキャンさせるものである。顕微鏡部１１８は、レーザ走査部１１６により走査されるレーザビームを微小スポット径に集光させるものである。レーザ照射部１０２によるレーザビームの走査は、制御処理部１００により制御される。
【００４４】
載置台１０４上には、試料（供試体）１２０が載置される。試料１２０としては、図１及び図２を用いて上述した本実施形態による半導体装置等が用いられる。試料１２０には、電極パッド１２２ａ、１２２ｂが形成されている。電極パッド１２２ａ、１２２ｂは、解析対象となる配線に電気的に接続されている。例えば、解析対象が配線１４である場合には、配線１４の一方の端部に、例えば電極パッド１２２ａが電気的に接続されており、配線１４の他方の端部に、例えば電極パッド１２２ｂが電気的に接続されている。
【００４５】
電源（電圧供給源）１０６は、試料１２０にバイアス電圧Ｖｂｉａｓを印加するためのものである。電源１０６の正側の出力端子は、試料１２０に設けられた電極パッド１２２ａに電気的に接続される。電源１０６の負側の出力端子は、接地電位ＧＮＤに接続される。
【００４６】
アンプ（電流検出／増幅部）１０８の正側の入力端子は、試料１２０に設けられた電極パッド１２２ｂに電気的に接続されている。アンプ１０８の負側の入力端子は、接地電位ＧＮＤに接続されている。
【００４７】
電源１０６によりバイアス電圧Ｖｂｉａｓを印加するため、解析対象の配線には、配線の電気抵抗に応じた電流が流れる。解析対象の配線に流れる電流は、アンプ１０８により増幅される。
【００４８】
アンプ１０８により増幅された信号は、制御処理部１００に入力される。
【００４９】
制御処理部１００は、制御処理部１００に入力される信号に基づいて、解析対象の配線に流れる電流を求めることができる。
【００５０】
制御処理部１００は、解析対象の配線に流れる電流に関するデータと、レーザビームが照射されている箇所のＸＹ座標に関する情報とに基づいて、電流変化の大きさに応じた明暗の二次元コントラスト像であるＯＢＩＲＣＨ像を生成する。
【００５１】
制御処理部１００は、ＯＢＩＲＣＨ像を表示部１１２の表示画面に表示する。また、制御処理部１００は、別途取得される試料１２０の反射パターン像を、ＯＢＩＲＣＨ像に対応するように表示部１１０の表示画面に表示する。表示部１１０としては、例えばＣＲＴや液晶ディスプレイ等が用いられる。また、ＯＢＩＲＣＨ像等は、プリンタ（図示せず）により印刷表示することも可能である。
【００５２】
こうして、本実施形態において用いられる解析装置（その１）が形成されている。
【００５３】
次に、ＯＢＩＲＣＨ法を用いた本実施形態による不良箇所特定方法について図３を用いて説明する。
【００５４】
まず、試料１２０を用意する。試料１２０としては、例えば、図１及び図２を用いて上述した本実施形態による半導体装置を用いる。試料１２０には、電極パッド１２２ａ、１２２ｂが形成されている。電極パッド１２２ａ、１２２ｂは、解析対象となる配線に電気的に接続されている。例えば、解析対象が配線１４である場合には、配線１４の一方の端部に、例えば電極パッド１２２ａが電気的に接続されており、配線１４の他方の端部に、例えば電極パッド１２２ｂが電気的に接続されている。
【００５５】
次に、載置台１０４上に試料１２０を載置する。
【００５６】
次に、試料１２０の電極パッド１２２ａから引き出された配線１２１ａを、電源１０６の出力端子に接続する。
【００５７】
次に、試料１２０の電極パッド１２２ｂから引き出された配線１２１ｂを、アンプ１０８の入力端子に接続する。
【００５８】
こうして、試料１２０に対して測定を行うための準備が完了する。
【００５９】
次に、試料１２０に対しての測定を開始する。
【００６０】
試料１２０に対しての測定を開始する際には、操作者（図示せず）が、試料１２０の測定を開始すべき旨の命令を入力部１１１から入力する。
【００６１】
制御処理部１００は、操作者による命令に基づいて、以下のような処理を行う。
【００６２】
まず、電源１０６により、電極パッド１２２ａにバイアス電圧Ｖｂｉａｓを印加する。電源１０６は、制御処理部１００により制御される。バイアス電圧Ｖｂｉａｓの大きさは、測定対象に応じて適宜設定すればよい。ここでは、バイアス電圧Ｖｂｉａｓの大きさを、例えば１．０Ｖとする。
【００６３】
次に、レーザ照射部１０２により、試料１２０にレーザビームを走査しながら照射する。レーザビームの走査は、制御処理部１００により制御される。制御処理部１００は、解析対象である配線に流れる電流に応じた信号を、ＸＹ座標に関連付けて取得し、電流変化の大きさに応じた明暗の二次元コントラスト像であるＯＢＩＲＣＨ像を生成する。
【００６４】
次に、制御処理部１００は、こうして取得したＯＢＩＲＣＨ像と、別途取得した試料１２０の反射パターン像とを、表示部１１０の表示画面上に表示する。ＯＢＩＲＣＨ像と反射パターン像とは対応するように表示される。制御処理部１００は、ＯＢＩＲＣＨ像に関するデータと反射パターン像に関するデータとを記憶部１１２に記憶させる。
【００６５】
こうして、ＯＢＩＲＣＨ像の取得が完了する。
【００６６】
電流が流れている配線にレーザ光を照射すると、上述したように、配線が加熱されて抵抗値が増大し、その結果、配線に流れる電流が減少する。しかし、配線にボイドや欠陥等の不良箇所が存在している場合には、かかる不良箇所における熱伝導率は正常箇所よりも小さい。このため、不良箇所においては、レーザ光を照射した際における温度上昇が正常箇所よりも大きくなる。従って、不良箇所の近傍にレーザ光を照射した際における抵抗上昇は、正常箇所にレーザ光を照射した際における抵抗上昇よりも大きくなる。本実施形態では、タブ部を介して配線が加熱されるが、加熱されたタブ部の近傍に不良箇所が存在する場合と存在しない場合とでは、配線の抵抗値の変化は異なったものとなる。即ち、タブ部の近傍に不良箇所が存在する場合には、タブ部の近傍に不良箇所が存在しない場合と比較して、配線の抵抗値の上昇が大きくなる。このため、タブ部の近傍に不良箇所が存在する場合には、ＯＢＩＲＣＨ像における当該タブ部の輝度は、正常な場合とは異なったものとなる。電流値が大きいほどＯＢＩＲＣＨ像における輝度が高くなる場合には、当該タブ部の輝度は正常な場合よりも低くなる。一方、タブ部の近傍に不良箇所が存在しない場合には、ＯＢＩＲＣＨ像における当該タブ部の輝度は正常な輝度となる。
【００６７】
図４は、本実施形態によるＯＢＩＲＣＨ像の例を示す平面図（その１）である。図４（ａ）は、本実施形態による半導体装置の配線構造を示す平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）に対応するＯＢＩＲＣＨ像の例を示す平面図である。図５は、本実施形態によるＯＢＩＲＣＨ像の例を示す平面図（その２）である。図５（ａ）は、本実施形態による半導体装置の配線構造を示す平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）に対応するＯＢＩＲＣＨ像の例を示す平面図である。実際のＯＢＩＲＣＨ像においては、検出された電流の大きさを輝度の高低により示しているが、ここでは、ＯＢＩＲＣＨ像における輝度の高低をドットの粗密により示している。具体的には、ＯＢＩＲＣＨ像における輝度が低くなるほど、図４，図５におけるドットが密になっており、ＯＢＩＲＣＨ像における輝度が高くなるほど、図４，図５におけるドットが疎になっている。
【００６８】
図４及び図５に示すＯＢＩＲＣＨ像を得る際には、解析対象である配線１４の図１における紙面左側の端部に電極パッド１２２ａを電気的に接続し、配線１４の図１における紙面右側の端部に電極パッド１２２ｂを電気的に接続した。そして、配線１４に流れる電流の変化を検出することによりＯＢＩＲＣＨ像を得た。解析対象の配線１４以外の配線２０，２６，３２，３８に流れる電流については、検出していない。
【００６９】
図４（ｂ）に示すＯＢＩＲＣＨ像では、タブ部１６（１）の輝度は正常な輝度よりも低くなっており、他のタブ部１６（２）〜１６（ｎ）の輝度は正常な輝度となっている。タブ部１６（１）の輝度が正常な輝度よりも低くなるのは、タブ部１６（１）にレーザビームを照射すると、配線１４の抵抗値が通常よりも大きく上昇するためである。従って、この場合には、タブ部１６（１）の近傍における配線１４に不良箇所が存在していると判断することができる。なお、タブ部１６（２）〜１６（ｎ）の輝度が正常な輝度となるのは、タブ部１６（２）〜１６（ｎ）にレーザビームを照射した際の抵抗値の上昇が、通常通りであるためである。
【００７０】
図５（ｂ）に示すＯＢＩＲＣＨ像では、タブ部１６（２）の輝度は正常な輝度よりも低くなっており、他のタブ部１６（１）、１６（３）〜１６（ｎ）の輝度は正常な輝度となっている。タブ部１６（２）の輝度が正常な輝度よりも低くなるのは、タブ部１６（２）にレーザビームを照射すると、配線１４の抵抗値が通常よりも大きく上昇するためである。従って、この場合には、タブ部１６（２）の近傍における配線１４に不良箇所が存在していると判断することができる。
【００７１】
このように、例えばＯＢＩＲＣＨ法により、不良箇所を特定することが可能である。
【００７２】
なお、図４及び図５において、タブ部２２（ｎ）、２８（ｎ）、３４（ｎ）や配線３８にレーザビームを照射した際に電流が変化していないのは、配線１４にのみ電流を流し、配線１４に流れる電流の変化のみを検出しているためである。配線２０、２６、３２、３８に流れる電流を検出していないため、配線２０、２６、３２、３８が加熱されて抵抗値が大きくなっても、ＯＢＩＲＣＨ像には表れない。
【００７３】
また、上記では、解析対象が配線１４である場合を例に説明したが、解析対象は配線１４に限定されるものではない。例えば、解析対象が例えば配線２０の場合には、解析対象である配線２０の図１における紙面左側の端部に電気的に接続された電極パッド（図示せず）に、配線１２１ａを介して電源１０６を接続すればよい。そして、配線２０の図１における紙面右側の端部に電気的に接続された電極パッド（図示せず）に、配線１２１ｂを介してアンプ１０８を接続すればよい。
【００７４】
また、上記では、配線１４にのみ電流を流す場合を例に説明したが、配線１４のみならず、配線２０、２６、３２、３８にも電流を流すようにしてもよい。この場合には、各配線１４、２０、２６、３２、３８を一括して解析することが可能である。
【００７５】
このように、本実施形態によれば、配線１４，２０，２６，３２，３８が互いに重なり合っている領域の外に突出するようにタブ部１６，２２，２８，３４が形成されている。このため、本実施形態によれば、タブ部１６，２２，２８，３４にレーザビームを照射して、各配線１４，２０，２６，３２を加熱することができる。このため、配線１４，２０，２６，３２，３８が互いに重なり合っているにもかかわらず、不良箇所を特定することが可能となる。
【００７６】
（不良箇所特定方法（その２））
次に、本実施形態による不良箇所特定方法（その２）について図６乃至図１２を用いて説明する。
【００７７】
まず、本実施形態において用いられる解析装置の例について、図６を用いて説明する。
【００７８】
図６は、本実施形態による不良箇所特定方法において用いられる解析装置の例（その２）を示すブロック図である。
【００７９】
図６に示す解析装置（その２）は、電子ビームを用いた解析装置であり、主として、制御処理部２００と、電子ビーム照射部２０２と、載置台２０４と、二次電子検出器２０６と、アンプ２０８と、表示部２１０と、入力部２１１と、記憶部２１２とを有している。
【００８０】
制御処理部２００は、解析装置全体を制御するとともに、所定の処理を行うものである。制御処理部２００としては、例えばパーソナルコンピュータ等が用いられている。
【００８１】
制御処理部２００には、操作者が命令を入力するための入力部２１１が接続されている。入力部２１１としては、例えば、キーボードやマウス等を用いることができる。
【００８２】
制御処理部２００には、記憶部２１２が接続されている。記憶部２１２には、測定結果等の様々なデータが一時的又は継続的に記憶される。記憶部２１２は、例えばハードディスクやＲＡＭ等により構成することができる。記憶部２１２には、制御処理部２００に所定の制御や処理を行わせるためのプログラムがインストールされている。
【００８３】
電子ビーム照射部２０２は、電子ビームを走査しながら照射するものである。電子ビームの走査は、走査コイル２０３を用いて行われる。電子ビーム照射部２０２による電子ビームの走査は、制御処理部２００により制御される。
【００８４】
載置台２０４上には、試料（供試体）２２０が載置される。試料２２０としては、図１及び図２を用いて上述した本実施形態による半導体装置等が用いられる。試料２２０には、電極パッド２２２が形成されている。電極パッド２２２は、解析対象となる配線１４，２０，２６，３２，３８の一方の端部に電気的に接続されている。
【００８５】
二次電子検出器２０６は、試料２２０から放出される二次電子を検出するためのものである。二次電子検出器２０６の出力端子は、制御処理部２００に接続されている。
【００８６】
アンプ２０８の入力端子は、試料２２０に設けられた電極パッド２２２にプローブ２２３を介して電気的に接続されている。
【００８７】
解析対象である配線１４，２０，２６，３２，３８に電子ビームを照射すると、プローブ２２３に電流（吸収電流）が流れる。プローブ２２３に流れる電流は、アンプ２０８により増幅される。
【００８８】
アンプ２０８により増幅された信号は、制御処理部２００に入力される。
【００８９】
制御処理部２００は、制御処理部２００に入力される信号に基づいて、解析対象の配線に１４，２０，２６，３２，３８流れる電流を求めることができる。
【００９０】
制御処理部２００は、解析対象の配線１４，２０，２６，３２，３８に流れる電流に関するデータと、電子ビームが照射されている箇所のＸＹ座標に関する情報とに基づいて、電流像を生成する。
【００９１】
また、制御処理部２００は、二次電子検出器２０６により検出された二次電子量に関するデータと、電子ビームが照射されている箇所のＸＹ座標に関する情報とに基づいて、二次電子像を生成する。
【００９２】
処理部２００は、電流像や二次電子像を表示部２１２の表示画面に表示する。また、処理部２００は、別途取得される試料２２０の反射パターン像を、電流像や二次電子像に対応するように表示部２１０の表示画面に表示する。表示部２１０としては、例えばＣＲＴや液晶ディスプレイ等が用いられる。また、電流像や二次電子像等は、プリンタ（図示せず）により印刷表示することも可能である。
【００９３】
こうして、本実施形態において用いられる解析装置（その２）が形成されている。
【００９４】
次に、電子ビーム解析装置を用いた不良箇所特定方法について図６を用いて説明する。
【００９５】
まず、試料２２０を用意する。試料２２０としては、例えば、図１及び図２を用いて上述した本実施形態による半導体装置を用いる。試料２２０には、電極パッド２２２が形成されている。電極パッド２２２は、解析対象となる配線１４、２０、２６、３２、３８の一方の端部に電気的に接続されている。
【００９６】
次に、載置台２０４上に試料２２０を載置する。
【００９７】
次に、アンプ２０８の入力端子に電気的に接続されたプローブ２２３を、試料２２０に形成された電極パッド２２２に接続する。
【００９８】
こうして、試料２２０に対して測定を行うための準備が完了する。
【００９９】
次に、試料２２０に対しての測定を開始する。
【０１００】
試料２２０に対しての測定を開始する際には、操作者（図示せず）が、試料２２０の測定を開始すべき旨の命令を入力部２１１から入力する。
【０１０１】
制御処理部２００は、操作者による命令に基づいて、以下のような処理を行う。
【０１０２】
まず、電子ビーム照射部２０２により、試料２２０に電子ビームを走査しながら照射する。電子ビームの走査は、制御処理部２００により制御される。制御処理部２００は、解析対象である配線１４，２０，２６，３２，３８に流れる電流に応じた信号を、ＸＹ座標に関連付けて取得し、電流像（吸収電流像）を生成する。また、制御処理部２００は、二次電子検出器２０６により検出された二次電子量に関する信号を、ＸＹ座標に関連付けて取得し、二次電子像を生成する。
【０１０３】
次に、制御処理部１００は、こうして取得した電流像や二次電子像を、表示部２１０の表示画面上に表示する。電流像は二次電子像と対応するように表示される。制御処理部２００は、電流像や二次電子像に関するデータを記憶部２１２に記憶させる。
【０１０４】
こうして、電流像や二次電子像の取得が完了する。
【０１０５】
解析対象である配線１４，２０，２６，３２，３８に電子ビームを照射すると、プローブ２２３に電流が流れる。しかし、解析対象となる配線１４，２０，２６，３２，３８にボイド、欠陥、断線等の不良箇所が存在している場合には、プローブ２２３に流れる電流が正常な場合より小さくなる。より具体的には、電子ビームを照射した箇所とプローブ２２３との間に不良箇所が存在する場合には、プローブ２２３に流れる電流が正常な場合より小さくなる。電流値が大きいほど電流像における輝度が高くなるようになっている場合、電子ビームを照射した箇所とプローブ２２３との間に不良箇所が存在すると、電流像における輝度は正常な輝度より低くなる。一方、電子ビームを照射した箇所とプローブ２２３との間に不良箇所が存在しない場合には、電流像における輝度は正常な輝度となる。
【０１０６】
図７は、本実施形態による電流像の例を示す平面図（その１）である。図７（ａ）は、本実施形態による半導体装置の配線構造を示す平面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）に対応する電流像の例を示す平面図である。図８は、本実施形態による電流像の例を示す平面図（その２）である。図８（ａ）は、本実施形態による半導体装置の配線構造を示す平面図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）に対応する電流像の例を示す平面図である。図９は、本実施形態による電流像の例を示す平面図（その３）である。図９（ａ）は、本実施形態による半導体装置の配線構造を示す平面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）に対応する電流像の例を示す平面図である。実際の電流像においては、検出された電流の大きさを輝度の高低により示しているが、ここでは、電流像における輝度の高低をドットの粗密により示している。具体的には、電流像における輝度が低くなるほど、図７乃至図９におけるドットが密になっており、電流像における輝度が高くなるほど、図７乃至図９におけるドットが疎になっている。
【０１０７】
図７乃至図９に示す電流像を得る際には、解析対象である配線１４、２０、２６、３２、３８の図１における紙面右側の端部に電気的に接続された電極パッド２２２にプローブ２２３を接続した。そして、プローブ２２３に流れる電流の変化を検出することにより連流像を得た。
【０１０８】
図７（ｂ）に示す電流像では、タブ部１６（１）の輝度は正常な輝度よりも低くなっており、他のタブ部１６（２）〜１６（ｎ）、２２（１）〜２２（ｎ）、２８（１）〜２８（ｎ）、３４（１）〜３４（ｎ）及び配線３８の輝度は正常な輝度となっている。タブ部１６（１）の輝度が低くなっているのは、タブ部１６（１）に電子ビームを照射した際に、プローブ２２３に電流があまり流れないためである。タブ部１６（２）の輝度が正常な輝度となっているのは、タブ部１６（２）に電子ビームを照射した際に、プローブ２２３に電流が正常に流れるためである。従って、このような場合には、タブ部１６（１）とタブ部１６（２）との間における配線１４に不良箇所が存在すると判断することができる。
【０１０９】
図８（ｂ）に示す電流像では、タブ部１６（１）、１６（２）の輝度は正常な輝度よりも低くなっており、他のタブ部１６（３）〜１６（ｎ）、２２（１）〜２２（ｎ）、２８（１）〜２８（ｎ）、３４（１）〜３４（ｎ）及び配線３８の輝度は正常な輝度となっている。タブ部１６（１）、１６（２）の輝度が低くなっているのは、タブ部１６（１）、１６（２）に電子ビームを照射した際に、プローブ２２３に電流があまり流れないためである。タブ部１６（３）の輝度が正常な輝度となっているのは、タブ部１６（３）に電子ビームを照射した際には、プローブ２２３に電流が正常に流れるためである。従って、このような場合には、タブ部１６（２）とタブ部１６（３）との間における配線１４に不良箇所が存在すると判断することができる。
【０１１０】
図９（ｂ）に示す電流像では、タブ部１６（１）、１６（２）、２８（１）の輝度は正常な輝度よりも低くなっており、他のタブ部１６（３）〜１６（ｎ）、２２（１）〜２２（ｎ）、２８（２）〜２８（ｎ）、３４（１）〜３４（ｎ）及び配線３８の輝度は正常な輝度となっている。タブ部１６（１）、１６（２）の輝度が低くなっているのは、タブ部１６（１）、１６（２）に電子ビームを照射した際に、プローブ２２３に電流があまり流れないためである。タブ部１６（３）の輝度が正常な輝度となっているのは、タブ部１６（３）に電子ビームを照射した際には、プローブ２２３に電流が正常に流れるためである。従って、このような場合には、タブ部１６（２）とタブ部１６（３）との間における配線１４に不良箇所が存在すると判断することができる。また、タブ部２８（１）の輝度が低くなっているのは、タブ部２８（１）に電子ビームを照射した際に、プローブ２２３に電流があまり流れないためである。タブ部２８（２）の輝度が正常な輝度となっているのは、タブ部２８（２）に電子ビームを照射した際には、プローブ２２３に電流が正常に流れるためである。従って、このような場合には、タブ部２８（１）とタブ部２８（２）との間における配線２６に不良箇所が存在すると判断することができる。
【０１１１】
このように、電子ビームを用いて電流像を取得することにより、不良箇所を特定することも可能である。
【０１１２】
図１０は、本実施形態による二次電子像の例を示す平面図（その１）である。図１０（ａ）は、本実施形態による半導体装置の配線構造を示す平面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に対応する二次電子像の例を示す平面図である。図１１は、本実施形態による二次電子像の例を示す平面図（その２）である。図１１（ａ）は、本実施形態による半導体装置の配線構造を示す平面図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に対応する二次電子像の例を示す平面図である。図１２は、本実施形態による二次電子像の例を示す平面図（その３）である。図１２（ａ）は、本実施形態による半導体装置の配線構造を示す平面図である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に対応する二次電子像の例を示す平面図である。実際の二次電子像においては、検出された二次電子量の大きさを輝度の高低により示しているが、ここでは、二次電子像における輝度の高低をドットの粗密により示している。具体的には、二次電子像における輝度が低くなるほど、図１０乃至図１２におけるドットが密になっており、二次電子像における輝度が高くなるほど、図１０乃至図１２におけるドットが疎になっている。
【０１１３】
図１０乃至図１２に示す二次電子像は、解析対象である配線１４、２０、２６、３２、３８の図１における紙面右側の端部に電気的に接続された電極パッド２２２にプローブ２２３を接続した状態で得られたものである。
【０１１４】
図１０（ｂ）に示す二次電子像では、タブ部１６（１）の輝度は正常な輝度よりも高くなっており、他のタブ部１６（２）〜１６（ｎ）、２２（１）〜２２（ｎ）、２８（１）〜２８（ｎ）、３４（１）〜３４（ｎ）及び配線３８の輝度は正常な輝度となっている。タブ部１６（１）の輝度が高くなっているのは、タブ部１６（１）に電子ビームを照射した際に、タブ部１６（１）に接続されている部分の配線１４に照射された電子の逃げ場がなく、大量の電子がチャージされるためである。一方、タブ部１６（２）の輝度が正常な輝度になっているのは、タブ部１６（２）に電子ビームを照射した際に、タブ部１６（２）に接続されている部分の配線１４に大量の電子がチャージされないためである。タブ部１６（１）に接続されている部分の配線１４に大量の電子がチャージされる一方、タブ部１６（２）に接続されている部分の配線１４には大量の電子がチャージされないため、タブ部１６（１）とタブ部１６（２）との間における配線１４に不良箇所が存在すると判断することができる。
【０１１５】
図１１（ｂ）に示す二次電子像では、タブ部１６（１）、１６（２）の輝度は正常な輝度よりも高くなっており、他のタブ部１６（３）〜１６（ｎ）、２２（１）〜２２（ｎ）、２８（１）〜２８（ｎ）、３４（１）〜３４（ｎ）及び配線３８の輝度は正常な輝度となっている。タブ部１６（１）、１６（２）の輝度が高くなっているのは、タブ部１６（１）、１６（２）に電子ビームを照射した際に、タブ部１６（１）、１６（２）に接続されている部分の配線１４に大量の電子がチャージされるためである。一方、タブ部１６（３）の輝度が正常な輝度になっているのは、タブ部１６（３）に電子ビームを照射した際に、タブ部１６（３）に接続されている部分の配線１４に大量の電子がチャージされないためである。タブ部１６（１）、１６（２）に接続されている部分の配線１４に大量の電子がチャージされる一方、タブ部１６（３）に接続されている部分の配線１４には大量の電子がチャージされない。従って、タブ部１６（２）とタブ部１６（３）との間における配線１４に不良箇所が存在すると判断することができる。
【０１１６】
図１２（ｂ）に示す二次電子像では、タブ部１６（１）、１６（２）、２８（１）の輝度は正常な輝度よりも高くなっており、他のタブ部１６（３）〜１６（ｎ）、２２（１）〜２２（ｎ）、２８（２）〜２８（ｎ）、３４（１）〜３４（ｎ）及び配線３８の輝度は正常な輝度となっている。タブ部１６（１）、１６（２）の輝度が高くなっているのは、タブ部１６（１）、１６（２）に電子ビームを照射した際に、タブ部１６（１）、１６（２）に接続されている部分の配線１４に大量の電子がチャージされるためである。一方、タブ部１６（３）の輝度が正常な輝度になっているのは、タブ部１６（３）に電子ビームを照射した際に、タブ部１６（３）に接続されている部分の配線１４に大量の電子がチャージされないためである。タブ部１６（１）、１６（２）に接続されている部分の配線１４に大量の電子がチャージされる一方、タブ部１６（３）に接続されている部分の配線１４には大量の電子がチャージされない。従って、タブ部１６（２）とタブ部１６（３）との間における配線１４に不良箇所が存在すると判断することができる。また、タブ部２８（１）の輝度が高くなっているのは、タブ部２８（１）に電子ビームを照射した際に、タブ部２８（１）に接続されている部分の配線２６に大量の電子がチャージされるためである。一方、タブ部２８（２）の輝度が正常な輝度になっているのは、タブ部１６（２）に電子ビームを照射した際に、タブ部２８（２）に接続されている部分の配線２６に大量の電子がチャージされないためである。タブ部２８（１）に接続されている部分の配線２６に大量の電子がチャージされる一方、タブ部２８（２）に接続されている部分の配線２６には大量の電子がチャージされない。従って、タブ部２８（１）とタブ部２８（２）との間における配線２６に不良箇所が存在すると判断することができる。
【０１１７】
このように、電子ビームを用いて二次電子像を取得することにより、不良箇所を特定することも可能である。
【０１１８】
このように、本実施形態によれば、配線１４，２０，２６，３２，３８が互いに重なり合っている領域の外に突出するタブ部１６，２２，２８，３４が形成されている。このため、本実施形態によれば、タブ部１６，２２，２８，３４を介して各配線１４，２０，２６，３２に電子ビームを供給することができる。このため、配線１４，２０，２６，３２，３８が互いに重なり合っているにもかかわらず、不良箇所を特定することが可能となる。
【０１１９】
（変形例（その１））
本実施形態の変形例による配線構造及び半導体装置について図１３を用いて説明する。図１３は、本変形例による半導体装置を示す平面図である。
【０１２０】
本変形例による配線構造及び半導体装置は、複数の配線構造２が並行するように形成されているものである。
【０１２１】
図１３に示すように、複数の配線構造２が互いに並行するように形成されている。
【０１２２】
互いに隣接する配線構造２のタブ部１６、２２、２８、３４どうしの間隔ｄ１は、設計ルールに規定された最小配線間隔の値より大きく設定されている。具体的には、互いに隣接する配線１４のタブ部１６どうしの間隔ｄ１は、設計ルールに規定された最小配線間隔の値より大きく設定されている。また、互いに隣接する配線２０のタブ部２２どうしの間隔ｄ１は、設計ルールに規定された最小配線間隔の値より大きく設定されている。また、互いに隣接する配線２６のタブ部２８どうしの間隔ｄ１は、設計ルールに規定された最小配線間隔の値より大きく設定されている。また、互いに隣接する配線３２のタブ部３４どうしの間隔ｄ１は、設計ルールに規定された最小配線間隔の値より大きく設定されている。
【０１２３】
互いに隣接する配線構造２のタブ部１６、２２、２８、３４どうしの間隔ｄ１を、設計ルールに規定された最小配線間隔の値より大きく設定しているのは、互いに隣接する配線構造２どうしが短絡するのを防止するためである。
【０１２４】
このように、複数の配線構造２が並行するように形成されていてもよい。
【０１２５】
（変形例（その２））
本実施形態の変形例（その２）による配線構造及び半導体装置について図１４乃至図１９を用いて説明する。図１４は、本変形例による半導体装置を示す平面図である。図１５は、第１層目の配線を示す平面図である。図１６は、第２層目の配線を示す平面図である。図１７は、第３層目の配線を示す平面図である。図１８は、第４層目の配線を示す平面図である。図１９は、第５層目の配線を示す平面図である。
【０１２６】
本変形例による配線構造及び半導体装置は、複数の配線構造２が並行するように形成されており、互いに隣接する配線構造２のタブ部１６、２２、２８、３４どうしが、配線１４，２０，２６，３２の長手方向にずらして配されているものである。
【０１２７】
図１４に示すように、複数の配線構造２が互いに並行するように形成されている。
【０１２８】
図１５に示すように、互いに隣接する配線１４におけるタブ部１６どうしの間隔ｄ２は、設計ルールに規定された最小配線間隔の値より大きく設定されている。また、互いに隣接する配線１４どうしにおける配線１４とタブ部１６との間隔ｄ３は、設計ルールに規定された最小配線間隔の値より大きく設定されている。
【０１２９】
図１６に示すように、互いに隣接する配線２０におけるタブ部２２どうしの間隔ｄ２は、設計ルールに規定された最小配線間隔の値より大きく設定されている。また、互いに隣接する配線２０どうしにおける配線２０とタブ部２２との間隔ｄ３は、設計ルールに規定された最小配線間隔の値より大きく設定されている。
【０１３０】
図１７に示すように、互いに隣接する配線２６におけるタブ部２８どうしの間隔ｄ２は、設計ルールに規定された最小配線間隔の値より大きく設定されている。また、互いに隣接する配線２６どうしにおける配線２６とタブ部２８との間隔ｄ３は、設計ルールに規定された最小配線間隔の値より大きく設定されている。
【０１３１】
図１８に示すように、互いに隣接する配線３２におけるタブ部３４どうしの間隔ｄ２は、設計ルールに規定された最小配線間隔の値より大きく設定されている。また、互いに隣接する配線３２どうしにおける配線３２とタブ部３４との間隔ｄ３は、設計ルールに規定された最小配線間隔の値より大きく設定されている。
【０１３２】
図１９に示すように、互いに隣接する配線３８どうしの間隔ｄ４は、設計ルールに規定された最小配線間隔の値より大きく設定されている。
【０１３３】
このように、互いに隣接する配線１４，２０，２６，３２のタブ部１６，２２，２８，３４どうしを、配線１４，２０，２６，３２の長手方向にずらして配してもよい。本変形例によれば、互いに隣接する配線１４，２０，２６，３２のタブ部１６，２２，２８，３４どうしが配線１４，２０，２６，３２の長手方向にずらして配されているため、互いに隣接する配線３８どうしの間隔ｄ４を小さくすることが可能となる。従って、本変形例によれば、高集積化を図ることができる。
【０１３４】
［第２実施形態］
第２実施形態による配線構造及びその配線構造を有する半導体装置並びに不良箇所特定方法を図１３乃至図２４を用いて説明する。図１乃至図１９に示す第１実施形態による配線構造及び半導体装置等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０１３５】
（配線構造及び半導体装置）
まず、本実施形態による配線構造及び半導体装置について図２０及び図２１を用いて説明する。図２０は、本実施形態による半導体装置を示す平面図及び断面図である。図２０（ａ）は平面図であり、図２０（ｂ）は図２０（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。図２１は、本実施形態による半導体装置の各層の配線を示す平面図である。図２１（ａ）は、第１層目の配線を示す平面図である。図２１（ｂ）は、第２層目の配線を示す平面図である。図２１（ｃ）は、第３層目の配線を示す平面図である。図２１（ｄ）は、第４層目の配線を示す平面図である。図２１（ｅ）は、第５層目の配線を示す平面図である。図２１（ｆ）は、第６層目の配線を示す平面図である。
【０１３６】
図２０に示すように、例えばＰ型シリコンの半導体基板１０上には、例えばシリコン酸化膜の層間絶縁膜１２が形成されている。半導体基板１０には、例えばトランジスタ等が形成されている。
【０１３７】
層間絶縁膜１２上には、層間絶縁膜１３が形成されている。層間絶縁膜１３には、配線１４を埋め込むための溝１５が形成されている。溝１５内には、例えばＣｕの配線１４がそれぞれ埋め込まれている。
【０１３８】
複数の配線１４は、所定の間隔で互いに離間するように配されている。配線１４は、配線１４の長手方向に交差する方向に突出するタブ部１６をそれぞれ有している。タブ部１６は、配線１４と配線１４の上層に位置する配線２０，２６，３２とが重なり合っている領域の外に突出している。
【０１３９】
配線１４が埋め込まれた層間絶縁膜１３上には、層間絶縁膜１８が形成されている。
【０１４０】
層間絶縁膜１８には、配線２０を埋め込むための溝１９が複数形成されている。また、層間絶縁膜１８には、導体プラグ２１を埋め込むためのコンタクトホール１１が形成されている。コンタクトホール１１は、配線１４にそれぞれ達するように形成されている。溝１９内には、例えばＣｕの配線２０がそれぞれ埋め込まれている。コンタクトホール１１内には、例えばＣｕの導体プラグ２１がそれぞれ埋め込まれている。配線２０と導体プラグ２１とは、一体に形成されている。配線１４と配線２０とは、交互に配されている。交互に配された配線１４と配線２０とは、導体プラグ２１を介して互いに接続されている。導体プラグ２１を介して交互に接続された配線１４と配線２０とにより、チェーンパターン１７が形成されている。
【０１４１】
チェーンパターン１７における導体プラグ２１間には、タブ部１６又はタブ部２２が少なくとも１つずつ存在している。チェーンパターン１７における導体プラグ２１間にタブ部１６又はタブ部２２が少なくとも１つずつ存在しているため、高い精度で不良箇所を特定し得る。
【０１４２】
なお、配線２０と導体プラグ２１とが別個に形成されていてもよい。
【０１４３】
各々の配線２０は、配線２０の長手方向に交差する方向に突出するタブ部２２を有している。タブ部２２は、配線２０と配線２０の上層に位置する配線２６，３２とが重なり合っている領域の外に突出している。タブ部２２は、タブ部１６と重なり合わないように配されている。
【０１４４】
配線２０及び導体プラグ２１が埋め込まれた層間絶縁膜１８上には、層間絶縁膜２４が形成されている。
【０１４５】
層間絶縁膜２４上には、層間絶縁膜２５が形成されている。層間絶縁膜２５には、配線２６を埋め込むための溝２３が形成されている。溝２３内には、例えばＣｕの配線２６が埋め込まれている。
【０１４６】
複数の配線２６は、所定の間隔で互いに離間するように配されている。配線２６は、配線２６の長手方向に交差する方向に突出するタブ部２８をそれぞれ有している。
【０１４７】
配線２６が埋め込まれた層間絶縁膜２５上には、層間絶縁膜３０が形成されている。
【０１４８】
層間絶縁膜３０には、配線３２を埋め込むための溝３１が複数形成されている。また、層間絶縁膜３０には、導体プラグ３３を埋め込むためのコンタクトホール２９が形成されている。コンタクトホール２９は、配線２６にそれぞれ達するように形成されている。溝３１内には、例えばＣｕの配線３２がそれぞれ埋め込まれている。コンタクトホール２９内には、例えばＣｕの導体プラグ３３がそれぞれ埋め込まれている。配線３２と導体プラグ３３とは、一体に形成されている。配線２６と配線３２とは、交互に配されている。交互に配された配線２６と配線３２とは、導体プラグ３３を介して互いに接続されている。導体プラグ３３を介して交互に接続された配線２６と配線３２とにより、チェーンパターン２７が形成されている。
【０１４９】
チェーンパターン２７における導体プラグ３３間には、タブ部２８又はタブ部３４が少なくとも１つずつ存在している。チェーンパターン２７における導体プラグ３３間にタブ部２８又はタブ部３４が少なくとも１つずつ存在しているため、高い精度で不良箇所を特定し得る。
【０１５０】
なお、配線３２と導体プラグ３３とが別個に形成されていてもよい。
【０１５１】
複数の配線３２は、配線３２の長手方向に交差する方向に突出するタブ部３４をそれぞれ有している。
【０１５２】
配線３２及び導体プラグ３３が埋め込まれた層間絶縁膜３０上には、例えばシリコン酸化膜の層間絶縁膜３６が形成されている。
【０１５３】
層間絶縁膜３６上には、層間絶縁膜３７が形成されている。層間絶縁膜３７には、配線３８を埋め込むための溝３５が形成されている。溝３５内には、例えばＣｕの配線３８が埋め込まれている。
【０１５４】
複数の配線３８は、所定の間隔で互いに離間するように配されている。
【０１５５】
配線３８が埋め込まれた層間絶縁膜３７上には、例えばシリコン酸化膜の層間絶縁膜４２が形成されている。
【０１５６】
層間絶縁膜４２には、配線４４を埋め込むための溝４３が複数形成されている。また、層間絶縁膜４２には、導体プラグ４５を埋め込むためのコンタクトホール４７が形成されている。コンタクトホール４７は、配線３８にそれぞれ達するように形成されている。溝４３内には、例えばＣｕの配線４４がそれぞれ埋め込まれている。コンタクトホール４７内には、例えばＣｕの導体プラグ４５がそれぞれ埋め込まれている。配線４４と導体プラグ４５とは、一体に形成されている。配線３８と配線４４とは、交互に配されている。交互に配された配線３８と配線４４とは、導体プラグ４５を介して互いに接続されている。導体プラグ４５を介して交互に接続された配線３８と配線４４とにより、チェーンパターン３９が形成されている。
【０１５７】
なお、配線４４と導体プラグ４５とが別個に形成されていてもよい。
【０１５８】
配線４４及び導体プラグ４５が埋め込まれた層間絶縁膜４２上には、層間絶縁膜４８が形成されている。
【０１５９】
こうして、本実施形態による配線構造２ａを有する半導体装置が形成されている。
【０１６０】
本実施形態においても、配線１４、２０、２６、３２、３８、４４が互いに重なり合っている領域の外に突出するようにタブ部１６、２２、２８、３４が形成されている。このため、タブ部１６、２２、２８、３４を介して配線１４、２０、２６、３２にエネルギービームを供給することができる。このため、配線１４、２０、２６、３２、３８、４４が互いに重なり合っているにもかかわらず、不良箇所を容易に特定することが可能である。
【０１６１】
（不良箇所特定方法（その１））
次に、本実施形態による不良箇所特定方法（その１）について図３及び図２２を用いて説明する。
【０１６２】
本実施形態による不良箇所特定方法（その１）は、ＯＢＩＲＣＨ法を用いて不良箇所を特定するものである。
【０１６３】
本実施形態では、試料１２０として、例えば、図２０及び図２１を用いて上述した本実施形態による半導体装置を用いる。試料１２０には、電極パッド１２２ａ、１２２ｂ（図３参照）が形成されている。電極パッド１２２ａ、１２２ｂは、解析対象に電気的に接続されている。解析対象がチェーンパターン１７である場合には、チェーンパターン１７の図２０における紙面左側の端部に電極パッド１２２ａが電気的に接続されており、チェーンパターン１７の図２０における紙面右側の端部に電極パッド１２２ｂが電気的に接続されている。
【０１６４】
本実施形態による不良箇所特定方法（その１）は、図３を用いて上述した第１実施形態による不良箇所特定方法（その１）と同様であるため、説明を省略する。
【０１６５】
図２２は、本実施形態によるＯＢＩＲＣＨ像の例を示す平面図である。図２２（ａ）は、本実施形態による半導体装置の配線構造を示す平面図である。図２２（ｂ）は、図２２（ａ）に対応するＯＢＩＲＣＨ像の例を示す平面図である。実際のＯＢＩＲＣＨ像においては、検出された電流の大きさを輝度の高低により示しているが、ここでは、ＯＢＩＲＣＨ像における輝度の高低をドットの粗密により示している。具体的には、ＯＢＩＲＣＨ像における輝度が低くなるほど、図２２におけるドットが密になっており、ＯＢＩＲＣＨ像における輝度が高くなるほど、図２２におけるドットが疎になっている。
【０１６６】
なお、図２２に示すＯＢＩＲＣＨ像を取得する際には、解析対象のチェーンパターン１７に流れる電流を検出しており、チェーンパターン１７以外のチェーンパターン２７，３９に流れる電流については検出していない。
【０１６７】
図２２（ｂ）に示すＯＢＩＲＣＨ像では、タブ部２２（１）の輝度が正常な輝度よりも低くなっており、他のタブ部１６（２）〜１６（ｎ）、２２（２）〜２２（ｎ）及び配線３８（１）〜３８（ｎ）、４４（１）〜４４（ｎ）の輝度は正常な輝度となっている。タブ部２２（１）の輝度が正常な輝度よりも低くなるのは、タブ部２２（１）にレーザビームを照射すると、チェーンパターン１７の抵抗値が通常よりも大きく上昇するためである。従って、この場合には、タブ部２２（１）の近傍におけるチェーンパターン１７に不良箇所が存在していると判断することができる。
【０１６８】
このように、例えばＯＢＩＲＣＨ法により、不良箇所を特定することが可能である。
【０１６９】
なお、図２２において、タブ部２８（ｎ）、３４（ｎ）や配線３８（ｎ）、４４（ｎ）にレーザビームを照射した際に電流が変化していないのは、チェーンパターン１７にのみ電流を流し、チェーンパターン１７に流れる電流の変化のみを検出しているためである。チェーンパターン２７，３９に流れる電流を検出していないため、チェーンパターン２７，３９が加熱されて抵抗値が大きくなっても、ＯＢＩＲＣＨ像には表れない。
【０１７０】
また、上記では、解析対象がチェーンパターン１７である場合を例に説明したが、解析対象はチェーンパターン１７に限定されるものではない。例えば、解析対象が例えばチェーンパターン２７の場合には、解析対象のチェーンパターン２７の図２０における紙面左側の端部に電気的に接続された電極パッド（図示せず）に、配線１２１ａを介して電源１０６を接続すればよい。そして、チェーンパターン２７の図２０における紙面右側の端部に電気的に接続された電極パッド（図示せず）に、配線１２１ｂを介してアンプ１０８を接続すればよい。
【０１７１】
また、上記では、チェーンパターン１７にのみ電流を流す場合を例に説明したが、配線１７のみならず、チェーンパターン２７，３９にも電流を流すようにしてもよい。この場合には、各チェーンパターン１７，２７，３９を一括して解析することが可能である。
【０１７２】
（不良箇所特定方法（その２））
次に、本実施形態による不良箇所特定方法（その２）について図６、図２３及び図２４を用いて説明する。
【０１７３】
本実施形態による不良箇所特定方法（その２）では、図６を用いて上述した解析装置を用いて不良箇所を特定する。
【０１７４】
本実施形態では、試料２２０として、例えば、図２０及び図２１を用いて上述した本実施形態による半導体装置を用いる。試料２２０には、電極パッド２２２が形成されている。電極パッド２２２は、解析対象となるチェーンパターン１７，２７，３９の図２０における紙面右側の端部に電気的に接続されている。
【０１７５】
本実施形態による不良箇所特定方法（その１）は、図６を用いて上述した第１実施形態による不良箇所特定方法（その２）と同様であるため、説明を省略する。
【０１７６】
図２３は、本実施形態による電流像の例を示す平面図である。図２３（ａ）は、本実施形態による半導体装置の配線構造を示す平面図である。図２３（ｂ）は、図２３（ａ）に対応する電流像の例を示す平面図である。実際の電流像においては、検出された電流の大きさを輝度の高低により示しているが、ここでは、電流像における輝度の高低をドットの粗密により示している。具体的には、電流像における輝度が低くなるほど、図２３におけるドットが密になっており、電流像における輝度が高くなるほど、図２３におけるドットが疎になっている。
【０１７７】
図２３に示す電流像を取得する際には、解析対象であるチェーンパターン１７，２７，３９の図２０における紙面右側の端部に電気的に接続された電極パッド２２２にプローブ２２３を接続した。そして、プローブ２２３に流れる電流の変化を検出することにより電流像を得た。
【０１７８】
図２３（ｂ）に示す電流像では、タブ部１６（１）、２２（１）の輝度は正常な輝度よりも低くなっており、他のタブ部１６（２）〜１６（ｎ）、２２（２）〜２２（ｎ）、２８（１）〜２８（ｎ）、３４（１）〜３４（ｎ）及び配線３８の輝度は正常な輝度となっている。タブ部１６（１）、２２（１）の輝度が低くなっているのは、タブ部１６（１）、２２（１）に電子ビームを照射した際に、プローブ２２３に電流があまり流れないためである。タブ部１６（２）の輝度が正常な輝度となっているのは、タブ部１６（２）に電子ビームを照射した際に、プローブ２２３に電流が正常に流れるためである。従って、このような場合には、タブ部２２（１）とタブ部１６（２）との間におけるチェーンパターン１７に不良箇所が存在すると判断することができる。
【０１７９】
このように、電子ビームを用いて電流像を取得することにより、不良箇所を特定することも可能である。
【０１８０】
図２４は、本実施形態による二次電子像の例を示す平面図である。図２４（ａ）は、本実施形態による半導体装置の配線構造を示す平面図である。図２４（ｂ）は、図２４（ａ）に対応する二次電子像の例を示す平面図である。実際の二次電子像においては、検出された二次電子量の大きさを輝度の高低により示しているが、ここでは、二次電子像における輝度の高低をドットの粗密により示している。具体的には、二次電子像における輝度が低くなるほど、図２４におけるドットが密になっており、二次電子像における輝度が高くなるほど、図２４におけるドットが疎になっている。
【０１８１】
図２４に示す二次電子像は、解析対象であるチェーンパターン１７、２７，３９の図２０における紙面右側の端部に電気的に接続された電極パッド２２２にプローブ２２３を接続した状態で得られたものである。
【０１８２】
図２４（ｂ）に示す二次電子像では、タブ部１６（１）、２２（１）の輝度は正常な輝度よりも高くなっている。一方、他のタブ部１６（２）〜１６（ｎ）、２２（２）〜２２（ｎ）、２８（１）〜２８（ｎ）、３４（１）〜３４（ｎ）及び配線３８（ｎ）〜３８（ｎ）、４４（２）〜４４（ｎ）の輝度は正常な輝度となっている。タブ部１６（１）、２２（１）の輝度が高くなっているのは、タブ部１６（１）、２２（１）に電子ビームを照射した際に、タブ部１６（１）、２２（１）に接続されている部分のチェーンパターン１７に大量の電子がチャージされるためである。一方、タブ部１６（２）の輝度が正常な輝度になっているのは、タブ部１６（２）に電子ビームを照射した際に、タブ部１６（２）に接続されている部分のチェーンパターン１７に大量の電子がチャージされないためである。このように、タブ部１６（１）、２２（１）に接続されている部分のチェーンパターン１７に大量の電子がチャージされる一方、タブ部１６（２）に接続されている部分のチェーンパターン１７には大量の電子がチャージされない。従って、タブ部２２（１）とタブ部１６（２）との間におけるチェーンパターン１７に不良箇所が存在すると判断することができる。
【０１８３】
このように、電子ビームを用いて二次電子像を取得することにより、不良箇所を特定することも可能である。
【０１８４】
［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０１８５】
例えば、上記実施形態では、配線１４，２０，２６，３２の両側にタブ部１６、２２、２８、３４が形成されている場合を例に説明したが、配線１４，２０，２６，３２の片側のみにタブ部１６、２２、２８、３４が形成されていてもよい。
【０１８６】
上記実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１８７】
（付記１）
基板上に形成された第１の配線と、
前記第１の配線上に形成され、第１の領域において前記第１の配線と重なり合う第２の配線とを有し、
前記第１の配線は、前記第１の領域外に突出する第１のタブ部を有する
ことを特徴とする配線構造。
【０１８８】
（付記２）
付記１記載の配線構造において、
前記第２の配線上に形成され、前記第１の領域において前記第１の配線及び前記第２の配線と重なり合う第３の配線を更に有し、
前記第２の配線は、前記第１の領域外に突出する第２のタブ部を有し、
前記第１のタブ部と前記第２のタブ部とが、重なり合わないように形成されている
ことを特徴とする配線構造。
【０１８９】
（付記３）
付記１又は２記載の配線構造において、
前記第１のタブ部は、周期的に形成されている
ことを特徴とする配線構造。
【０１９０】
（付記４）
付記１記載の配線構造において、
前記第１の配線は、前記基板上の第１の層に複数形成されており、
前記第２の配線は、前記第１の層と異なる第２の層に形成されており、
前記第１の層及び前記第２の層と異なる第３の層に形成された複数の第３の配線を更に有し、
前記複数の第３の配線は、前記第３の配線の長手方向に交差する方向に突出する第２のタブ部をそれぞれ更に有し、
交互に配された前記第１の配線と前記第３の配線とが導体プラグを介して接続されており、
各々の前記導体プラグ間に前記第１のタブ部又は前記第２のタブ部が存在している
ことを特徴とする配線構造。
【０１９１】
（付記５）
付記１記載の配線構造において、
複数の前記第１の配線が、並行するように形成されており、
互いに隣接する前記第１の配線の前記第１のタブ部どうしの間隔は、設計ルールに規定された最小配線間隔の値より大きい
ことを特徴とする配線構造。
【０１９２】
（付記６）
付記５記載の配線構造において、
互いに隣接する前記第１の配線の前記第１のタブ部どうしが、前記第１の配線の長手方向にずらして配されている
ことを特徴とする配線構造。
【０１９３】
（付記７）
基板上に形成された第１の配線と、前記第１の配線上に形成され、第１の領域において前記第１の配線と重なり合う第２の配線とを有し、前記第１の配線は、前記第１の領域外に突出する第１のタブ部を有する配線構造を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【０１９４】
（付記８）
基板上に形成された第１の配線と、前記第１の配線上に形成され、第１の領域において前記第１の配線と重なり合う第２の配線とを有し、前記第１の配線は、前記第１の領域外に突出する第１のタブ部を有する試料の不良箇所特定方法であって、
前記第１のタブ部にエネルギービームを照射した際に取得される検出値に基づいて、前記第１の配線における不良箇所を特定する
ことを特徴とする不良箇所特定方法。
【０１９５】
（付記９）
付記８記載の不良箇所特定方法において、
前記エネルギービームは、レーザビームであり、
前記試料に前記レーザビームを走査しながら照射し、各箇所に前記レーザビームを照射した際に前記第１の配線を流れる電流値に基づいて、前記電流値の変化を示す二次元画像を生成し、
前記二次元画像に基づいて、前記第１の配線における前記不良箇所を特定する
ことを特徴とする不良箇所特定方法。
【０１９６】
（付記１０）
付記８記載の不良箇所特定方法において、
前記エネルギービームは、電子ビームであり、
前記試料に前記電子ビームを走査しながら照射し、各箇所に前記レーザビームを照射した際に前記第１の配線を流れる電流値に基づいて電流像を生成し、
前記電流像に基づいて、前記第１の配線における前記不良箇所を特定する
ことを特徴とする不良箇所特定方法。
【０１９７】
（付記１１）
付記８記載の不良箇所特定方法において、
前記エネルギービームは、電子ビームであり
前記試料に前記電子ビームを走査しながら照射し、各箇所に前記電子ビームを照射した際に検出される二次電子量に基づいて二次電子像を生成し、
前記二次電子像に基づいて、前記第１の配線における前記不良箇所を特定する
ことを特徴とする不良箇所特定方法。
【符号の説明】
【０１９８】
１０…半導体基板
１１…コンタクトホール
１２…層間絶縁膜
１３…層間絶縁膜
１４…配線
１５…溝
１６…タブ部
１７…チェーンパターン
１８…層間絶縁膜
１９…溝
２０…配線
２１…導体プラグ
２２…タブ部
２３…溝
２４…層間絶縁膜
２５…層間絶縁膜
２６…配線
２７…チェーンパターン
２８…タブ部
２９…コンタクトホール
３０…層間絶縁膜
３１…溝
３２…配線
３３…導体プラグ
３４…タブ部
３５…溝
３６…層間絶縁膜
３７…層間絶縁膜
３８…配線
３９…チェーンパターン
４０…絶縁膜
４２…層間絶縁膜
４３…溝
４４…配線
４５…導体プラグ
４７…コンタクトホール
４８…絶縁膜
１００…制御処理部
１０２…レーザ照射部
１０４…載置台
１０６…電源
１０８…アンプ
１１０…表示部
１１１…入力部
１１２…記憶部
１１４…レーザ発生部
１１６…レーザ走査部
１１８…顕微鏡部
１２０…試料
１２１ａ、１２１ｂ…配線
１２２ａ、１２２ｂ…電極パッド
２００…制御処理部
２０２…電子ビーム照射部
２０３…走査コイル
２０４…載置台
２０６…二次電子検出器
２０８…アンプ
２１０…表示部
２１１…入力部
２１２…記憶部
２２０…試料
２２２…電極パッド
２２３…プローブ
【図１】
2012138456.tif 000003
【図２】
2012138456.tif 000004
【図３】
2012138456.tif 000005
【図４】
2012138456.tif 000006
【図５】
2012138456.tif 000007
【図６】
2012138456.tif 000008
【図７】
2012138456.tif 000009
【図８】
2012138456.tif 000010
【図９】
2012138456.tif 000011
【図１０】
2012138456.tif 000012
【図１１】
2012138456.tif 000013
【図１２】
2012138456.tif 000014
【図１３】
2012138456.tif 000015
【図１４】
2012138456.tif 000016
【図１５】
2012138456.tif 000017
【図１６】
2012138456.tif 000018
【図１７】
2012138456.tif 000019
【図１８】
2012138456.tif 000020
【図１９】
2012138456.tif 000021
【図２０】
2012138456.tif 000022
【図２１】
2012138456.tif 000023
【図２２】
2012138456.tif 000024
【図２３】
2012138456.tif 000025
【図２４】
2012138456.tif 000026