(57)【要約】【課題】支持基板上に形成されたＭＩＭ構造（下部電極／誘電体層／上部電極）膜を、均一かつ低ダメージで剥離して、転写基板へ転写する。【解決手段】支持基板１２のＭＩＭ膜２６上の絶縁層２８の表面と、転写基板４０上に形成されたＳｉ膜４２の表面のそれぞれに、超高真空中で金属とＳｉからなる密着層４６Ａ、４６Ｂを形成する。そして、前記支持基板１２と転写基板４０とを、それぞれの密着層４６Ａ，４６Ｂを接触させて荷重を掛けて接合し、前記支持基板１２側から転写基板４０側へ、前記ＭＩＭ膜２６を剥離・転写する。その際、あらかじめ前記ＭＩＭ膜２６と転写基板側との密着力ＦＡを制御するとともに、前記ＭＩＭ膜２６と支持基板１２側との密着力ＦＢを低下させる処理を行うことで、ＦＡ＞ＦＢを満たすこととで、均一かつ低ダメージで、転写基板４０へＭＩＭ膜２６を転写できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＩＭ構造を有する薄膜素子を、支持基板から転写基板に転写する薄膜素子の転写方法であって、
支持基板上に形成されたＭＩＭ膜の表面に、絶縁膜を形成する工程と、
前記支持基板側の絶縁膜の表面と、前記転写基板側の表面の少なくとも一方の表面に、金属とＳｉからなる密着層を、１０−６〜１０−７Ｐａオーダーの超高真空中で形成する工程と、
前記支持基板の前記ＭＩＭ膜が形成された側の表面と、前記転写基板の表面を、前記密着層を挟むように接触させ、荷重を掛けて接合する工程と、
前記支持基板と転写基板を離し、支持基板側から転写基板側へ前記ＭＩＭ膜を転写する工程と、
を含んでおり、
前記密着層による密着力をＦＡとし、前記支持基板側とＭＩＭ構造膜の界面の密着力をＦＢとしたときに、ＦＡ＞ＦＢとすることで、前記剥離・転写を可能としたことを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項２】
前記転写基板側にも密着層を形成する場合には、前記転写基板上にＳｉ膜を形成した後に、該Ｓｉ膜上に前記密着層を形成することを特徴とする請求項１記載の薄膜素子の転写方法。
【請求項３】
前記支持基板が耐熱性基板であり、
前記転写基板が非耐熱性基板であるとともに、
前記ＭＩＭ膜が、高誘電率の誘電体薄膜を上部電極と下部電極で挟んだ構造であることを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜素子の転写方法。
【請求項４】
前記ＦＡ＞ＦＢを満たすように、前記密着層の形成を制御することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の薄膜素子の転写方法。
【請求項５】
前記ＭＩＭ膜を、層間絶縁層を介して支持基板上に形成するとともに、
前記ＦＡ＞ＦＢを満たすように、前記層間絶縁層による支持基板とＭＩＭ膜の密着力ＦＢを低下させる工程を含むことを特徴とする請求項４記載の薄膜素子の転写方法。
【請求項６】
前記層間絶縁層上へのＭＩＭ膜の形成後に、前記層間絶縁層の密着性を低下させる処理を行うことを特徴とする請求項５記載の薄膜素子の転写方法。
【請求項７】
前記ＭＩＭ膜を前記層間絶縁層上に形成した後に、これらＭＩＭ膜と層間絶縁層の界面に、機械的な剥離起点を形成することを特徴とする請求項５記載の薄膜素子の転写方法。
【請求項８】
前記ＭＩＭ膜の形成後かつ前記絶縁膜の形成前，あるいは、前記ＭＩＭ膜の転写基板への転写後に、前記ＭＩＭ膜を加工してＭＩＭキャパシタ構造を形成する工程，
を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の薄膜素子の転写方法。
【請求項９】
転写基板上に、請求項１〜８のいずれかの方法によって、前記密着層を介して転写された薄膜素子を有することを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持基板上に形成された薄膜キャパシタなどを転写基板側へ転写する薄膜素子の転写方法と、転写された薄膜素子を備えた回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ及びキャパシタやインダクタなどから構成される複合モジュールや受動素子は、携帯電話などに代表される移動体通信機器等に用いるために、低背化が求められている。モジュールの低背化のため、例えば、プリント基板や樹脂基板上へ高容量な薄膜キャパシタを形成する手法が求められている。ポリイミドやＴＳＶを有するＳｉインターポーザなどの非耐熱性基板上に薄膜キャパシタ素子を形成するためには、基板の耐熱温度以下の温度で薄膜キャパシタを形成する必要があり、低温で高誘電率な薄膜キャパシタを形成する手法が検討されている。
【０００３】
例えば、下記特許文献１の薄膜誘電体とそれを用いた多層配線板とその製造方法には、誘電率が２５以上で膜厚が１．５μｍ以下であることを特徴とし、有機樹脂に無機充填剤が分散してなることを特徴とする薄膜誘電体が開示されている。また、下記特許文献２の（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３薄膜コンデンサおよびその製造方法には、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３主成分に対し、０．１〜１０ｍｏｌ％のＳｉ成分からなる組成の有機金属化合物溶液を基板に塗布し、４００℃程度の低温でも焼結性の高い薄膜コンデンサを製造できることが開示されている。しかしながら、特許文献１及び２のいずれの技術においても、キャパシタの成膜温度に制限があるために、高容量な薄膜キャパシタを形成することはできない。
【０００４】
一方、高容量な薄膜キャパシタを形成するには、Ｓｉ基板などの耐熱性基板を用いて、６００℃以上の成膜温度，熱処理工程によって誘電体薄膜を形成する方法もある。このような高温成膜手法は、ポリイミドやエポキシ樹脂，ＴＳＶ（Ｓｉ貫通電極）基板などの非耐熱性基板では、上記熱処理により基板へのダメージが残るため適用が困難であった。そこで、Ｓｉ基板などの耐熱性基板に形成した高誘電材料からなる薄膜キャパシタを、低温プロセスで異種基板上に転写する様々な方法が検討されている。例えば、Ｓｉ基板上に形成した薄膜キャパシタを機械的に剥離して、樹脂などの介在層（接着層）を用いて異種基板上へ転写する試みがなされている。
【０００５】
例えば、下記特許文献３には、誘電体膜を形成する耐熱性基板上の下地電極にあらかじめ剥離性の高い積層構造ＳｉＯ２／Ｐｔの界面構造（通常ＳｉＯ２／Ｐｔ界面では密着性を得るためにＴｉあるいはＴｉＯ２を有する構造）を導入しておいて転写することにより、低コストで高誘電率を有し、しかも所要の場所に無駄なく形成することのできる誘電体構造体及びその製造方法を提供することが開示されている。また、下記特許文献４の機能性薄膜の転写方法には、金属窒化物層を含む分離層を用いた基板を用いることで、機能性薄膜構造と分離層の界面で容易かつ完全に剥離させ、欠陥の少ない機能性薄膜を得る方法が開示されている。更に、下記特許文献５には、レーザーリフトオフ工程を利用した転写工程を改善することによって、薄膜キャパシタのための誘電体膜の損傷を最少化することができる薄膜キャパシタの内蔵型配線基板を提供することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１１１４００号公報
【特許文献２】特開平９−１４８５３８号公報
【特許文献３】特開２００８−４５７２号公報
【特許文献４】特開２００２−３０５３３４号公報
【特許文献５】特開２００８−１６６７５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した背景技術には次のような不都合がある。まず、前記特許文献３に記載の技術では、剥離する界面（ＳｉＯ２／Ｐｔ）の密着性を制御するために、下部Ｐｔ電極を厚膜化する必要があるとされており、作製コストの増大を引き起こすという不都合がある。また、前記特許文献４に記載の技術では、金属窒化物層を除去する工程において、素子へのダメージが懸念される。また、特許文献５では、レーザー照射により基板と薄膜層を分離するため、基板が、レーザーを透過する材料に限定され、従来のＳｉ基板に形成するプロセスが適用できないという不都合がある。
【０００８】
本発明は、以上のような点に着目したもので、支持基板上に形成されたＭＩＭ構造（下部電極／誘電体層／上部電極）膜を、均一かつ低ダメージで剥離して、転写基板へ転写する薄膜素子の転写方法と、該方法によって転写された薄膜素子を基板上に有する薄膜部品を提供することを、その目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、ＭＩＭ構造を有する薄膜素子を、支持基板から転写基板に転写する薄膜素子の転写方法であって、支持基板上に形成されたＭＩＭ膜の表面に、絶縁膜を形成する工程と、前記支持基板側の絶縁膜の表面と、前記転写基板側の表面の少なくとも一方の表面に、金属とＳｉからなる密着層を、１０−６〜１０−７Ｐａオーダーの超高真空中で形成する工程と、前記支持基板の前記ＭＩＭ膜が形成された側の表面と、前記転写基板の表面を、前記密着層を挟むように接触させ、荷重を掛けて接合する工程と、前記支持基板と転写基板を離し、支持基板側から転写基板側へ前記ＭＩＭ膜を転写する工程と、を含んでおり、前記密着層による密着力をＦＡとし、前記支持基板側とＭＩＭ構造膜の界面の密着力をＦＢとしたときに、ＦＡ＞ＦＢとすることで、前記剥離・転写を可能としたことを特徴とする。
【００１０】
主要な形態の一つは、前記転写基板側にも密着層を形成する場合には、前記転写基板上にＳｉ膜を形成した後に、該Ｓｉ膜の表面上に、前記密着層を形成したことを特徴とする。他の形態は、前記支持基板が耐熱性基板であり、前記転写基板が非耐熱性基板であるとともに、前記ＭＩＭ膜が、高誘電率の誘電体薄膜を上部電極と下部電極で挟んだ構造であることを特徴とする。更に他の形態は、前記ＦＡ＞ＦＢを満たすように、前記密着層の形成を制御することを特徴とする。更に他の形態は、前記ＭＩＭ膜を、層間絶縁層を介して支持基板上に形成するとともに、前記ＦＡ＞ＦＢを満たすように、前記層間絶縁層による支持基板とＭＩＭ膜の密着力ＦＢを低下させる工程を含むことを特徴とする。更に他の形態は、(1)前記層間絶縁層上へのＭＩＭ膜の形成後に、前記層間絶縁層の密着性を低下させる処理を行うこと，あるいは、(2)前記ＭＩＭ膜を前記層間絶縁層上に形成した後に、これらＭＩＭ膜と層間絶縁層の界面に、機械的な剥離起点を形成することを特徴とする。更に他の形態は、前記ＭＩＭ膜の形成後かつ前記絶縁膜の形成前，あるいは、前記ＭＩＭ膜の転写基板への転写後に、前記ＭＩＭ膜を加工してＭＩＭキャパシタ構造を形成する工程，を含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明の回路基板は、前記いずれかに記載の方法によって、前記密着層を介して転写された薄膜素子を有することを特徴とする。本発明の前記及び他の目的，特徴，利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、支持基板上に形成されたＭＩＭ膜側の表面と、転写基板側の表面の少なくとも一方の表面に、超高真空中で金属とＳｉからなる密着層を形成し、前記支持基板の前記ＭＩＭ膜が形成された側の表面と前記転写基板側の表面とを、前記密着層を挟んで接触させ、荷重を掛けて接合し、前記支持基板側から転写基板側へ、前記ＭＩＭ膜を剥離・転写する。その際に、前記ＭＩＭ膜と転写基板側との密着力ＦＡを制御し、あるいは、必要に応じて、前記ＭＩＭ膜と支持基板側との密着力ＦＢも制御して、ＦＡ＞ＦＢとすることとしたので、均一かつ低ダメージでＭＩＭ構造を有する薄膜素子を下地基板側から剥離し、転写基板側へ転写することができる。また、転写基板上に前記転写手法によって転写された薄膜素子を備えることで、回路基板の低背化も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】(A)は、本発明の実施例１の回路基板の積層構造を示す断面図，(B)は薄膜素子と支持基板の剥離界面と、薄膜素子と転写基板の接着界面を示す断面図である。
【図２】前記実施例１による転写工程を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例２の転写工程を示す断面図である。
【図４】前記実施例２におけるＦｅの表面組成と密着強度の関係を示す図である。
【図５】本発明の実施例３の転写工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための形態を、実施例に基づいて詳細に説明する。
【実施例１】
【００１５】
最初に、図１及び図２を参照しながら本発明の実施例１を説明する。図１(A)は、本実施例の回路基板の積層構造を示す断面図，図１(B)は薄膜素子と支持基板の剥離界面と、薄膜素子と転写基板の接着界面を示す断面図である。図２は、本実施例による薄膜素子の転写工程を示す断面図である。図１(A)に示すように、本実施例の回路基板１０は、転写基板４０上に、Ｓｉ膜４２及び密着層４６を介して薄膜キャパシタ３０が設けられた構造となっている。前記転写基板４０は、例えば、ポリイミドなどの樹脂基板やＴＳＶのような非耐熱性基板であり、密着層４６としては、例えば、ＦｅＳｉなどのように、金属とＳｉからなるものが用いられる。また、前記薄膜キャパシタ３０は、電極層２０，２４の間に、高誘電率の誘電体層２２が挟まれたＭＩＭ構造となっている。前記電極層２０，２４の材料としては、例えば、Ｐｔや導電性薄膜（ＲｕＯやＩｒＯなど）が用いられ、誘電体層２２の材料としては、例えば、ＢａＳｒＴｉＯ３，ＢａＴｉＯ３，ＳｒＴｉＯ３などが用いられる。また、図示の例では、前記薄膜キャパシタ３０の表面は、絶縁性の保護膜４８により覆われている。該保護膜４８としては、例えば、ＳｉＯ２，ＳｉＮ，Ａｌ２Ｏ３などが用いられる。前記薄膜キャパシタ３０は、耐熱性を有する支持基板上に高温プロセスにより形成され、その後、前記転写基板４０上に転写される。
【００１６】
次に、図２(A)〜(G)を参照しながら、本実施例の転写工程を説明する。まず、図２(A)に示すように、支持基板１２としてＳｉ下地基板を用意し、該Ｓｉ下地基板上に、熱酸化などによりＳｉＯ２膜１４を形成する。該ＳｉＯ２膜１４は、支持基板１２からの絶縁を得られる膜厚（例えば、２００ｎｍ程度）が必要であるが、ＳｉＯ２膜１４の表面の粗さが、後の工程で形成するＭＩＭ膜２６の密着性に与える影響を考慮すると、表面粗さは小さいほうが望ましい。次に、前記ＳｉＯ２膜１４上に、ＴｉＯＸ層１５，電極層１６，層間絶縁層１８，電極層２０，誘電体層２２，電極層２４の順で積層するように、スパッタリングにより各層を成膜する。前記電極層２０，誘電体層２２，電極層２４により、ＭＩＭ膜２６が形成されている。本実施例では、前記電極層１６，２０，２２としては、例えば、Ｐｔが用いられ、層間絶縁層１８としては、例えば、ＢＳＴが用いられ、誘電体層２２としては、例えば、Ｍｎ−ＢＳＴが用いられる。更に、前記ＭＩＭ膜２６上に、絶縁層２８として、ＳｉＮ膜をＣＶＤなどによって形成する。
【００１７】
そして、前記絶縁層２８の表面側から、水素プラズマ処理を行うか、あるいは、支持基板１２の裏面側から水素インプランテーション（水素注入）処理を行うことで、図２(C)に矢印で示すＰｔ／ＢＳＴ界面，すなわち、層間絶縁層１８と電極層２０の界面の密着性を低下させる。これは、本実施例において層間絶縁層層１８として用いるＢＳＴが水素に弱い性質を有することを利用したものであり、上記処理以外にも支持基板１２側とＭＩＭ膜２６側の界面の密着性を低下させることができる手法であれば、利用可能である。前記処理を施した後の図２(C)に示す構造に対して、テープ剥離試験を実施し、剥離後の支持基板１２側の表面をＸＰＳにより組成分析したところ、ＢＳＴ膜（層間絶縁膜１８）表面であることが確認された。
【００１８】
一方、前記支持基板１２側とは別に、転写基板（例えば、Ｓｉ基板，ガラス基板，サファイア基板）４０上に、あらかじめスパッタなどによりＳｉ膜４２を形成しておき、該Ｓｉ膜４２表面と、前記支持基板１２側の絶縁層２８の表面のそれぞれに、図２(D)に示すように、密着層４６Ａ，４６Ｂを形成する。これら密着層４６Ａ，４６Ｂは、例えば、１０−６〜１０−７Ｐａオーダーの超高真空中で、イオンビームを照射してＦｅＳｉのナノ密着層を形成することにより形成される。該密着層４６Ａ，４６Ｂは、ＭＩＭ膜２６と転写基板４０との密着性が高い状態を形成するためのもので、イオンビームの照射条件により、ＭＩＭ膜２６側の絶縁層２８と、転写基板４０側のＳｉ膜４２の密着力ＦＡ（図１(B)参照）の制御が可能である。例えば、前記支持基板１２側の層間絶縁膜１８と電極層２０（ないしＭＩＭ膜２６）との界面の密着力をＦＢ（図１(B)参照）としたときに、ＦＡ＞ＦＢとなるように、イオンビームの照射条件を変更することにより、支持基板１２側からＭＩＭ膜２６が剥離し、転写基板４０側へ転写される。
【００１９】
次に、図２(E)に示すように、支持基板１２側の密着層４６Ｂと、転写基板４０側の密着層４６Ａが接触するように、両基板を合わせて、真空中で荷重を掛けて接合する。上述したように、ＦＡ＞ＦＢを満たすように層間の密着力が制御されているため、転写基板４０と支持基板１２を離すと、ＭＩＭ膜２６は、支持基板１２から剥離し、転写基板４０側へ転写される（図２(F)）。図２(F)は、図２(E)までと上下を反転して示している。転写後の転写基板４０とＭＩＭ膜２６は、Ｓｉ化合物／Ｓｉ層（中間層であるＳｉ膜４２と密着層４６）で接合されていると考えられる。このとき、剥離されたＭＩＭ膜２６の電極層２０上に、層間絶縁層１８が残っている場合には、必要に応じて適宜手段で除去する。そして、前記ＭＩＭ膜２６の電極層２０（上部電極），誘電体層２２，電極層２４(下部電極)を、例えば、ＲＩＥなどのドライエッチングにより加工することによって、図２(G)に示すようなＭＩＭキャパシタ３０が形成される。該ＭＩＭキャパシタ３０は、転写基板４０上に、Ｓｉ膜４２及び密着層４６を介して接合された状態である。そして、必要に応じてＭＩＭキャパシタ３０の上部に図示しない配線を形成して回路と接続し、前記保護膜４８を適宜形成することで、本実施例の回路基板１０が得られる。
【００２０】
このように、実施例１によれば、支持基板１２のＭＩＭ膜２６上の絶縁層２８の表面と、転写基板４０上に形成されたＳｉ膜４２の表面のそれぞれに、超高真空中で金属とＳｉからなる密着層４６Ａ、４６Ｂを形成し、前記支持基板１２と転写基板４０とを、それぞれの密着層４６Ａ，４６Ｂを接触させて荷重を掛けて接合し、前記支持基板１２側から転写基板４０側へ、前記ＭＩＭ膜２６を剥離・転写する。その際、あらかじめ前記ＭＩＭ膜２６と転写基板側との密着力ＦＡを制御するとともに、前記ＭＩＭ膜２６と支持基板１２側との密着力ＦＢを低下させる処理を行うことで、ＦＡ＞ＦＢを満たすこととしたため、次のような効果が得られる。
(1)均一かつ低ダメージで、転写基板４０へＭＩＭ構造を有する薄膜素子（薄膜キャパシタ３０）を転写することができる。
(2)非耐熱性基板である転写基板４０上に、高温プロセスを用いることなく、高容量な薄膜キャパシタ３０を転写することができるため、回路の小型化，低背化を図ることができる。
(3)支持基板１２上に形成された素子の特性を保持したまま、非耐熱性基板である転写基板４０上へＭＩＭ膜２６を転写できる。
(4)ＭＩＭ膜２６を剥離した後の支持基板１２の再利用が可能となるため、省資源化及び低コスト化につながる。
【実施例２】
【００２１】
次に、図３及び図４を参照しながら本発明の実施例２を説明する。図３は、本実施例の転写工程を示す断面図，図４は、本実施例におけるＦｅの表面組成と密着強度の関係を示す図である。なお、上述した実施例１と同一ないし対応する構成要素には同一の符号を用いることとする（以下の実施例についても同様）。本実施例の回路基板５０は、図３(F)に示すように、前記実施例１の回路基板１０と構造は同じであり、転写工程のみが異なっている。上述した実施例１では、ＭＩＭ膜２６と転写基板４０側との密着力ＦＡと、ＭＩＭ膜２６と下地基板１２側との密着力ＦＢの双方を制御することで、ＭＩＭ膜２６の剥離及び転写を均一かつ低ダメージで行うこととしたが、本実施例は、主に、前記密着力ＦＡの制御によりＭＩＭ膜２６の剥離・転写を行うこととした例である。
【００２２】
まず、図３(A)に示すように、支持基板１２として下地Ｓｉ基板を用意し、該Ｓｉ下地基板上に、熱酸化などにより、絶縁層１４としてＳｉＯ２膜を形成するまでは、前記実施例１と同様である。次に、図３(B)に示すように、前記絶縁層１４の表面を、フッ素系プラズマによって処理することで、絶縁層１４の表面に、ＳｉＯ２膜よりも低誘電率なＳｉＯＦ層（層間絶縁層５２）を形成する。条件によっては、前記フッ素系プラズマでは、ＳｉＯ２がエッチングされるため、化学的に活性なラジカル種を形成できるプラズマ処理条件とする。なお、本実施例は、上述した通り、主に密着力ＦＡの制御を行うものであるが、前記フッ素系プラズマ処理は、支持基板１２とＭＩＭ膜２６との剥離をしやすくする処理も兼ねている。次に、図３(C)に示すように、前記層間絶縁層５２上に、電極層２０，誘電体層２２，電極層２４を、スパッタリングなどによって形成する。更に、前記電極層２４上に、絶縁層２８として、ＳｉＮ膜をＣＶＤなどによって形成する。
【００２３】
そして、あらかじめＳｉ膜４２を形成しておいた転写基板４０側の表面と、前記支持基板１２側の絶縁層２８の上面に、イオンビームを照射して、ＦｅＳｉの密着層４６Ａ，４６Ｂを形成し（図３(D)）、両基板表面の密着性が高い状態を形成する。次に、図３(E)に示すように、前記密着層４６Ａ，４６Ｂが接触するように、支持基板１２と転写基板４０を合わせ、荷重を掛けて接合する。ここで、ＭＩＭ膜２６側の絶縁層２８と転写基板４０側のＳｉ膜４２との密着力ＦＡが、ＭＩＭ膜２６と層間絶縁層５２との密着力ＦＢよりも高い状態が形成されていると、後述する図３(F)の工程において、ＭＩＭ膜２６が転写基板４０側へ転写可能となる。この密着力ＦＡの制御は、前記図３(D)に示した工程で行う。
【００２４】
Ｓｉ−ＳｉＮ基板（Ｓｉ基板と、該Ｓｉ基板上に形成したＳｉＮ膜（絶縁層２８））の密着力（ないし結合力）については、支持基板１２側に形成する密着層４６Ａの組成，結合状態によって制御することができる。なお、本実施例では、転写基板４０側にも密着層４６Ｂを設けることとした。図４には、ＸＰＳによるＳｉ表面（表面から約５ｍｍ程度の深さの部分）のＦｅの表面組成と密着強度の関係が示されている。同図において、横軸は、Ｆｅのシグナル強度，縦軸は、結合エネルギー（Ｊ／ｍ２）を表している。同図に示すように、表面でのＦｅの存在量が多くなるにつれて、密着強度が高くなることから、Ｓｉ−ＳｉＮ間の密着性の向上が期待できる。すなわち、Ｆｅの存在量の調整により、前記密着力ＦＡの調整が可能となる。
【００２５】
接合後、支持基板１２と転写基板４０を離すと、前記ＭＩＭ膜２６は、ＦＡ＞ＦＢにより支持基板１２側から剥離し、転写基板４０側へ転写されている。図３(F)には、転写後の反転状態が示されている。次に、図３(G)に示すように、電極層２０，誘電体層２２，電極層２４を、ＲＩＥなどのドライエッチングにより加工し、ＭＩＭキャパシタ３０を転写基板４０上に形成する。また、必要に応じて、素子上部に配線を形成し、回路と接続することで、図３(G)に示す本実施例の回路基板５０が形成される。本実施例によれば、支持基板１２側の表面をフッ素系プラズマ処理し、低誘電率層（層間絶縁層５２）を形成することで、支持基板１２側と電極材料（電極層２０）との鏡像係合力を高められるほかは、上述した実施例１と同様の効果が得られる。
【実施例３】
【００２６】
次に、図５を参照しながら本発明の実施例３を説明する。本実施例は、上述した実施例２の変形例であって、転写基板４０側へＭＩＭ膜２６を転写する前に、ＭＩＭキャパシタ３０を形成する例である。図５(A)〜(H)は、本実施例の転写工程の一例を示す図である。まず、上述した実施例２の図３(A)及び(B)と同様の手順により、下地Ｓｉ基板上に絶縁層１４を形成し、更に、ＳｉＯＦ層（層間絶縁層５２）を形成する。次に、前記図５(A)に示すように、前記層間絶縁層５２上に、電極層２０，誘電体層２２，電極層２４を、スパッタリングなどによって形成し、これら電極層２０及び２４と誘電体層２４をエッチングなどにより加工し、図５(B)に示すＭＩＭ構造のＭＩＭキャパシタ３０を得る。この上に、図５(C)に示すように、パッシベーション膜６２として、ＳｉＮ膜を形成する。
【００２７】
次に、支持基板１２上に形成されたＭＩＭキャパシタ３０の上部から、イオンビームを照射することで、ＳｉＯ２−ＳｉＯＦ層（絶縁層１４−層間絶縁層５２）と電極層２０の界面をエッチングすることで、図５(D)に矢印Ｐで示す剥離起点を機械的に形成する。これと同時に、前記パッシベーション膜６２上に、転写基板４０と密着性のよい接合中間層であるＦｅＳｉの密着層４６Ｂを形成する。そして、図５(E)に示すように、あらかじめＳｉ膜４２を形成しておいた転写基板４０側の表面に、イオンビームを照射して、ＦｅＳｉの密着層４６Ａを形成し、支持基板１２上のＭＩＭキャパシタ３０側と密着性の高い状態を作成する。次に、図５(F)に示すように、支持基板１２側の接合中間層（密着層４６Ｂ）と、転写基板４０側の密着層４６Ａを接触させて密着させ、Ｓｉ膜４２，密着層４６Ａ及び４６Ｂが接合するように荷重を掛ける。
【００２８】
前記図５(D)で示した工程により、層間絶縁層５２と電極層２０の界面に剥離起点を設けているため、これらの界面における密着力ＦＢは、密着層４６の密着力ＦＡよりも小さくなるため、下地基板１２と転写基板４０を離すと、ＭＩＭキャパシタ３０が下地基板１２側から剥離し、転写基板４０側へ転写される。その状態が、図５(G)に反転状態で示されている。次に、図５(H)に示すように、転写基板４０側の加工を行うことで、前記ＭＩＭキャパシタ３０の電極層２４と接続する導体６６をビアホール６４に充填することで、本実施例の回路基板６０が形成される。本実施例によれば、イオンビーム照射によって、電極材料と支持基板１２側に剥離が容易になるような物理的な起点を形成しているため、ＭＩＭキャパシタ３０の剥離・転写をスムーズに行うことができる。他の基本的な効果は、上述した実施例１と同様である。
【００２９】
なお、本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることができる。例えば、以下のものも含まれる。
(1)前記実施例で示した形状，寸法は一例であり、必要に応じて適宜変更してよい。
(2)前記実施例で示した材質も一例であり、同様の効果を奏する範囲内であれば、適宜変更可能である。例えば、前記実施例では、密着層４６としてＦｅＳｉを用いたが、ＡｕＳｉやＡｌＳｉなどのように、基板の性質に応じて使用する金属を変更してよい。
(3)前記実施例３で示したビアホール接続も一例であり、公知の各種の接続方法を適用してよい。
(4)前記実施例１では、真空中で基板同士の接合を行うこととしたが、真空度は使用材料によって変更してよく、大気中での接合も可能である。
(5)前記実施例では、転写基板４０上にＳｉ膜４２を形成することとしたが、Ｓｉ膜４２は、転写基板４０や転写するＭＩＭ膜２６の材料によって、必要に応じて設ければよい。
(6)前記実施例では、ＭＩＭ構造を有するＭＩＭキャパシタを例に挙げて説明したが、本発明は、ＭＩＭ構造を有する他の公知の各種の薄膜素子の転写技術全般に適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明によれば、支持基板上に形成されたＭＩＭ膜側の表面と、転写基板側の表面の少なくとも一方の表面に、超高真空中で金属とＳｉからなる密着層を形成し、前記支持基板の前記ＭＩＭ膜が形成された側の表面と前記転写基板側の表面とを、前記密着層を挟んで接触させ、荷重を掛けて接合し、前記支持基板側から転写基板側へ、前記ＭＩＭ膜を剥離・転写するにあたり、前記ＭＩＭ膜と転写基板側との密着力ＦＡを制御し、あるいは、必要に応じて、前記ＭＩＭ膜と支持基板側との密着力ＦＢも制御して、ＦＡ＞ＦＢとすることで、均一かつ低ダメージでの剥離・転写を可能とした。このため、薄膜素子の転写技術全般や、該薄膜素子を備えた回路基板の用途に適用できる。
【符号の説明】
【００３１】
１０：回路基板
１２：支持基板
１４：絶縁層（ＳｉＯ２膜）
１５：ＴｉＯｘ層
１６，２０，２４：電極層（Ｐｔ膜）
１８：層間絶縁層（ＢＳＴ膜）
２２：誘電体層（Ｍｎ−ＢＳＴ膜）
２６：ＭＩＭ膜
２８：絶縁層（ＳｉＮ膜）
３０：ＭＩＭキャパシタ
４０：転写基板
４２：Ｓｉ膜
４６，４６Ａ，４６Ｂ：密着層
４８：保護膜
５０：回路基板
５２：層間絶縁層（ＳｉＯＦ膜）
６０：回路基板
６２：パッシベーション膜（ＳｉＮ膜）
６４：ビアホール
６６：導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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