(57)【要約】【課題】従来の半導体装置では、半導体素子のサイズに対してパッケージサイズを縮小し難いという問題があった。【解決手段】本発明の半導体装置では、アイランド７上に半導体素子９が固着され、アイランド７周囲に配置されたリード４と半導体素子９とは金属細線１０により接続される。そして、アイランド７とリード４とは別のフレームから構成されることで、膜厚の調整や離間距離Ｌ１の調整が容易となり、樹脂封止体２の小型化や薄型化が実現される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイランドと、前記アイランドを囲むように配置された複数のリードと、前記アイランド上に固着された半導体素子と、前記半導体素子と前記リードとを電気的に接続する金属細線と、前記アイランド、前記リード、前記金属細線及び前記半導体素子を被覆する樹脂封止体とを有する半導体装置において、
前記リードが配置されたフレームは、前記アイランドが配置されたフレームとは別のフレームであり、前記リード及び前記アイランドは、前記樹脂封止体の裏面側から露出することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記リードが配置されたフレームは、前記アイランドが配置されたフレームよりも厚く、前記アイランドの前記半導体素子との固着面は、前記リードの前記金属細線との接続面よりも前記樹脂封止体の裏面側に位置することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂封止体に被覆される前記リード及び前記アイランドの側面は、前記樹脂封止体の裏面側から逆テーパー状の傾斜面となることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記アイランドの固着面及び前記リードの接続面は、それぞれ前記フレームの非エッチング加工面であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記リードは、少なくとも２種類の厚みの異なる領域を有し、前記リードの厚みの薄い領域は、前記樹脂封止体内に被覆され、且つ、前記アイランド上面まで延在し、前記アイランドと絶縁接続することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記金属細線は、前記絶縁接続領域上の前記リードに接続されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記アイランドの固着面及び前記リードの接続面は、それぞれ前記フレームの非エッチング加工面であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
粘着シート、アイランドが配置されたフレーム及びリードが配置されたフレームを準備し、前記粘着シート上に前記アイランドが配置されたフレーム及び前記リードが配置されたフレームを積層して貼り合わせ、
前記アイランド上面に半導体素子を固着し、前記半導体素子と前記リードとを金属細線により接続した後、前記アイランド、前記リード、前記半導体素子及び前記金属細線を被覆するように樹脂封止体を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記アイランドが配置されたフレームには、前記アイランドの周囲に前記リードが配置されるリード用貫通領域を有し、
前記リードが配置されたフレームには、前記リードの配置領域の内側に前記アイランドが配置されるアイランド用貫通領域を有し、
前記アイランドが配置されたフレームは、前記アイランド用貫通領域を介して前記粘着シート上に固着され、前記リードが配置されたフレームは、前記リード用貫通領域を介して前記粘着シート上に固着されることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記アイランドが配置されたフレームは、前記リードが配置されたフレームよりも薄いフレームであり、前記半導体素子が固着される前記アイランドの固着面及び前記金属細線が接続される前記リードの接続面には、エッチング加工が施されないことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数枚のフレームを用い、パッケージサイズの小型化や薄型化を実現する半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の一実施例として、下記の構造が知られている。
【０００３】
図８（Ａ）に示す如く、半導体装置５１は、例えば、ＭＡＰ（Ｍａｔｒｉｘ  Ａｒｒａｙ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ  ｍｅｔｏｄ）方式により形成され、半導体装置５１の樹脂パッケージ５２の側面５３は切断面となる。そして、樹脂パッケージ５２の側面５３からはリード５４が露出し、リード５４はその側面５３と、実質、同一面を形成する。尚、図８（Ａ）では、説明の都合上、樹脂パッケージ５２内の半導体素子５５等を図示している。
【０００４】
図８（Ｂ）は、図８（Ａ）に示すＣ−Ｃ線方向の断面図である。アイランド５６上には、例えば、Ａｇペースト、半田等の接着材（図示せず）により半導体素子５５が固着される。半導体素子５５の電極パッド（図示せず）とリード５４とは、金属細線５７により電気的に接続される。そして、リード５４は、アイランド５６の周囲に配置され、リード５４の一部は、裏面側からエッチングされる。また、アイランド５６及びリード５４は、樹脂パッケージ５２の裏面５８から露出し、樹脂パッケージ５２から露出するリード５４は、半導体装置５１の実装領域として用いられる（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１７７２７２号公報（第５−７頁、第１−３図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述したように、半導体素子５５は、アイランド５６上面に固着され、半導体素子５５の平面的サイズは、アイランド５６の平面的サイズと、実質、同等である。そして、リード５４は、アイランド５６と完全に分離し、アイランド５６の周囲に離間距離Ｌ２を有して配置される。
【０００７】
このとき、図８（Ｃ）に示すように、アイランド５６及びリード５４は、１枚のリードフレーム５９に対してエッチング加工等を行うことで形成される。そのため、１枚のリードフレーム５９では、リードフレーム５９の厚みに対応して加工幅に制限が発生するため、アイランド５６とリード５４との離間距離Ｌ２を一定幅以上は狭め難いという問題がある。一方、離間距離Ｌ２を狭めることを優先した場合には、リードフレーム５９の厚みが薄くなり、アイランド５６やリード５４の機械的強度が得られないという新たな問題が発生する。
【０００８】
この構造により、アイランド５６上面に固着される半導体素子５５の平面的サイズが大きくなることで、樹脂パッケージ５２の平面的サイズも大きくなり、樹脂パッケージ５２の小型化を実現し難いという問題がある。
【０００９】
また、樹脂パッケージ５２の小型化を実現するためには、リード５４の面積を狭めることも考えられる。しかしながら、この場合には、樹脂パッケージ５２の裏面５８から露出するリード５４の面積が小さくなり、半導体装置５１の実装強度が弱まってしまうという問題が発生する。
【００１０】
また、樹脂パッケージ５２の薄型化を実現するために、アイランド５６の膜厚をリード５４の膜厚よりも薄くし、アイランド５６表面をリード５４表面よりも低い位置にすることも考えられる。しかしながら、前述したように１枚のリードフレーム５９をエッチング加工により部分的な膜厚調整を行うことで、製造方法が煩雑化し、製造コストや材料コストが嵩むという問題もある。更に、アイランド５６の半導体素子５５との固着面をエッチング加工することで、その固着面の平坦性を維持することは難しく、半導体素子５５が傾いて固着され、ワイヤーボンディングが行い難くなる等、製品品質を維持し難いという問題が発生する。更に、リード５４の金属細線５７との固着面をエッチング加工することで、その表面が粗面化し、リード５４と金属細線５７との接続強度が得られ難いという問題が発生する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前述した各事情に鑑みて成されたものであり、本発明の半導体装置は、アイランドと、前記アイランドを囲むように配置された複数のリードと、前記アイランド上に固着された半導体素子と、前記半導体素子と前記リードとを電気的に接続する金属細線と、前記アイランド、前記リード、前記金属細線及び前記半導体素子を被覆する樹脂封止体とを有する半導体装置において、前記リードが配置されたフレームは、前記アイランドが配置されたフレームとは別のフレームであり、前記リード及び前記アイランドは、前記樹脂封止体の裏面側から露出することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、粘着シート、アイランドが配置されたフレーム及びリードが配置されたフレームを準備し、前記粘着シート上に前記アイランドが配置されたフレーム及び前記リードが配置されたフレームを積層して貼り合わせ、前記アイランド上面に半導体素子を固着し、前記半導体素子と前記リードとを金属細線により接続した後、前記アイランド、前記リード、前記半導体素子及び前記金属細線を被覆するように樹脂封止体を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明では、アイランドとフレームとが別フレームから構成されることで、それらの膜厚調整や両者間の離間距離の調整が容易となり、パッケージサイズの小型化や薄型化が実現される。
【００１４】
また、本発明では、アイランドの膜厚が薄くなり、金属細線のループ高さを低くでき、パッケージサイズの薄型化が実現される。
【００１５】
また、本発明では、アイランド及びリードの側面が、パッケージ裏面に対して逆テーパー状の傾斜面となることで、アイランド及びリードが、パッケージから抜け落ち難い構造が実現される。
【００１６】
また、本発明では、半導体素子は、エッチング加工が施されていないアイランド上面に固着され、金属細線は、エッチング加工が施されていないリード上面に接続され、製品品質が向上される。
【００１７】
また、本発明では、リードの膜厚が調整され、リード領域が増大することで、実装強度が向上し、パッケージからリードの抜け落ち難い構造が実現される。
【００１８】
また、本発明では、２枚のフレームを積層し、リードのワイヤーボンディング領域の膜厚を厚くすることで、ワイヤーボンディングの際に、リードが折れ曲がることが防止される。
【００１９】
また、本発明では、２枚のフレームを準備し、フレームは、それぞれのフレームの貫通領域を介して粘着シート上に積層して固着されることで、リードの積層厚みを抑え、パッケージサイズの小型化や薄型化が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）斜視図、（Ｂ）断面図、（Ｃ）断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）平面図である。
【図３】本発明の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）斜視図、（Ｂ）断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図である。
【図５】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】従来の実施の形態における半導体装置を説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図、（Ｃ）平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に、本発明の半導体装置について説明する。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す半導体装置のＡ−Ａ線方向の断面図である。図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）に示す半導体装置の一部を拡大した断面図である。図２（Ａ）及び（Ｂ）は、半導体装置に用いられるフレームを説明する平面図である。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す半導体装置のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【００２２】
先ず、図１（Ａ）に示す如く、半導体装置１は、例えば、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）型パッケージから成る。詳細な製造方法の説明は後述するが、積層されたフレームの複数の搭載部を一括して封止した後、ダイシングにより個片化するため、樹脂封止体２の側面３からリード４が露出する。そして、露出するリード４は、樹脂封止体２の側面３とほぼ同一面を形成する。尚、樹脂封止体２は、概ね、その表面５、裏面６及び４つの側面３から成る６面体である。
【００２３】
樹脂封止体２の裏面６にはアイランド７が露出し、このアイランド７は、樹脂封止体２の裏面６とほぼ同一面を形成する。また、樹脂封止体２の裏面６にはリード４が露出し、アイランド７を囲むように配置される。尚、樹脂モールドする際に、フレームの裏面に粘着シートを採用すると、アイランド７やリード４は、樹脂封止体２の裏面６から、若干、突出する場合もある。
【００２４】
次に、図１（Ｂ）は、アイランド７の近傍にリード４が配置される断面を示す。アイランド７上には、例えば、Ａｇペースト、半田等の接着材８により半導体素子９が固着される。半導体素子９上面には複数の電極パッド（図示せず）が形成され、その電極パッドとリード４とは金属細線１０により接続される。金属細線１０としては、金線や銅線が用いられる。
【００２５】
図示したように、リード４の厚みＴ１は、アイランド７の厚みＴ２よりも厚く形成される。リード４を構成するフレーム１７（図２（Ｂ）参照）とアイランド７を構成するフレーム１４（図２（Ａ）参照）とは別のフレームであり、この２枚のフレーム１４、１７を積層することで１つの搭載部が形成される。具体的には、リード４を構成するフレーム１７は、例えば、その厚さが約２００μｍの銅を主材料とするフレームから成り、アイランド７を構成するフレーム１４は、例えば、その厚さが約１００μｍの銅を主材料とするフレームから成る。この構造により、リード４の表面４Ａ側及びアイランド７の表面７Ａ側をエッチング加工することなく、それぞれの厚みＴ１、Ｔ２を調整することができる。その結果、リード４の表面４Ａがエッチング加工により粗面化することなく、金属細線１０との接続強度が悪化することはない。また、アイランド７の表面７Ａがエッチング加工により凹凸状態となることなく、半導体素子９が傾いて固着されることを防止し、その傾きによりワイヤーボンディング工程での位置認識精度が悪化する等の悪影響を防止できる。
【００２６】
また、前述したように、リード４及びアイランド７は、樹脂封止体２の裏面６と同一面を形成するように配置され、その厚みＴ１、Ｔ２が相違する。この構造により、半導体素子９の電極パッドとリードの表面４Ａとの高低差が低減され、金属細線１０のループ高さを低くすることができる。その結果、樹脂封止体２の厚みも薄くすることがき、半導体装置１の薄型化が実現される。尚、金属細線１０のループ高さは、ステッチボンディングの際に、金属細線１０が半導体素子９端部と接触し、切断されない程度において調整される。
【００２７】
更に、リード４が、アイランド７よりも厚くなることで、金属細線１０をワイヤーボンディングする際の衝撃により、リード４が折れ曲がることが防止される。
【００２８】
次に、図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）の丸印１１にて示す領域であり、リード４とアイランド７との対向領域を拡大した断面を示す。リード４及びアイランド７は、それぞれのフレーム１４、１７（図２（Ａ）、（Ｂ）参照）をエッチング加工等することで形成される。そして、フレーム１４、１７は、リード４の表面４Ａ及びアイランド７の表面７Ａとの反対面側からエッチング加工される。この加工方法により、リード４及びアイランド７の側面は、樹脂封止体２の裏面６に対して逆テーパー状の傾斜面あるいは曲面となり、丸印１２にて示すように、リード４の表面４Ａ及びアイランド７の表面７Ａ側が突出する形状となる。そして、この領域にも樹脂が充填されることで、アンカー効果が得られ、樹脂封止体２とリード４及びアイランド７との密着性が向上され、リード４及びアイランド７が、樹脂封止体２から抜け落ち難い構造となる。
【００２９】
また、前述したように、リード４とアイランド７とは、別のフレームから構成されるため、リード４とアイランド７との離間距離Ｌ１は、両者が接着材８や半導体素子９を介してショートしない範囲にて短くすることが可能となり、半導体装置１の小型化が実現される。この構造により、アイランド７の平面的サイズは、固着される半導体素子９の平面的サイズに合わせて広げることも可能となり、固着後の半導体素子９の安定性が向上され、ワイヤーボンディング時の衝撃により、半導体素子９がアイランド７から剥離することも防止される。また、離間距離Ｌ１を狭めることで、半導体装置１の平面的サイズを大きくすることなく、リード４の露出面積を増大することもでき、この場合には、半導体装置１の実装強度が向上される。
【００３０】
更に、接着材８を介して半導体素子９とアイランド７との接着領域が増大することで、半導体素子９からアイランド７への放熱性が向上される。また、樹脂封止体２の裏面６側から露出するアイランド７の面積も増大することで、樹脂封止体２から外部への放熱性も向上される。
【００３１】
次に、図２（Ａ）は、主に、アイランド７及び吊りリード１３が配置されるフレーム１４を示す。フレーム１４としては、一般には銅を主材料とするフレームが用いられるが、Ｆｅを主材料とするフレームの場合でも良い。また、フレーム１４の厚みは、例えば、１００μｍである。フレーム１４には、一点鎖線にて示す搭載部１５が複数形成され、マトリックス状に配置される。そして、フレーム１４の搭載部１５が、例えば、３行３列の９つ集まることで、１つの集合ブロックが形成され、この集合ブロック毎に一体に樹脂モールドされる。
【００３２】
具体的には、フレーム１４に対してエッチング加工や打ち抜き加工等を行うことで、搭載部１５には、アイランド７と、アイランド７を支持する吊りリード１３が形成される。そして、吊りリード１３は、アイランド７の４つのコーナー部から延在し、フレーム１４と連結し、アイランド７が、フレーム１４に支持される。また、アイランド７の４側辺に沿った周囲には、フレーム１７の複数のリード４が配置される貫通領域１６が形成される。
【００３３】
次に、図２（Ｂ）は、主に、リード４が配置されるフレーム１７を示す。フレーム１７としては、一般には銅を主材料とするフレームが用いられるが、Ｆｅを主材料とするフレームの場合でも良い。また、フレーム１７の厚みは、例えば、２００μｍである。フレーム１７には、一点鎖線にて示す搭載部１８が複数形成され、マトリックス状に配置される。そして、フレーム１７の搭載部１８は、フレーム１４の搭載部１５と同じ大きさであり、フレーム１４、１７を積層した際には、それぞれの搭載部１５、１８同士が、位置対応し１つの搭載部が構成される。尚、フレーム１４と同様に、フレーム１７の搭載部１８が、例えば、３行３列の９つ集まることで、１つの集合ブロックが形成され、この集合ブロック毎に一体に樹脂モールドされる。
【００３４】
具体的には、フレーム１７に対してエッチング加工や打ち抜き加工等を行うことで、搭載部１８には、複数のリード４と、複数のリード４を支持するタイバー１９が形成される。そして、タイバー１９は、フレーム１７と連結し、複数のリード４が、フレーム１７に支持される。また、複数のリード４に囲まれた領域には、フレーム１４のアイランド７及び吊りリード１３が配置される貫通領域２０が形成される。
【００３５】
詳細は半導体装置の製造方法の説明にて後述するが、粘着シート上面にフレーム１４を貼り合せた後、フレーム１４と位置合わせを行いながら、フレーム１７をフレーム１４上面に積層させる。このとき、フレーム１７のリード４及びタイバー１９は、フレーム１４の貫通領域１６を介して粘着シート上面に貼り合わされ、フレーム１７も粘着シートに固定される。一方、フレーム１４のアイランド７及び吊りリード１３は、フレーム１７の貫通領域２０内に配置されることで、フレーム１４、１７の積層後の総厚みは、主に、２００μｍ程度以内に抑えられる。このフレーム１４、１７構造により、積層するフレーム１４、１７間に接着材を利用する必要はなく、フレームの薄膜化が実現され、前述した半導体装置１の小型化や薄型化の効果等が得られる。
【００３６】
また、アイランド７用のフレーム１４とリード４用のフレーム１７とが別フレームとなることで、それぞれ異なるメッキを施すことも可能となる。例えば、リード４用のフレームには、ＰｄメッキやＡｇメッキやＮｉ／Ｐｄ／Ａｇメッキ等を施し、アイランド７用のフレーム１４には、半田メッキを施し、あるいは、メッキレスとする場合でも良い。尚、フレーム１４、１７に対して同じ種類のメッキを施す場合でも良く、フレーム１４、１７に部分的にメッキを施す場合でも良い。
【００３７】
尚、搭載部１５、１８以外の領域では、フレーム１４、１７が積層することで、その厚みが３００μｍ程度となるが、樹脂モールド後のダイシング工程にて除去される領域であり、半導体装置１の薄型化を妨げるものではない。
【００３８】
次に、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す半導体装置２１は、図１及び図２を用いて説明した半導体装置１とは、主に、リード２２の構造が異なるが、２枚のフレームを積層して形成される特徴は同じである。尚、粘着シートを用いて２枚のフレームを積層させる方法は、前述した説明と同じであり、ここではその説明を参照し、詳細の説明は割愛する。
【００３９】
先ず、図３（Ａ）に示す如く、半導体装置２１は、例えば、ＱＦＮ型パッケージから成る。積層されたフレームの複数の搭載部を一括して封止した後、ダイシングにより個片化するため、樹脂封止体２３の側面２４からリード２２が露出する。そして、露出するリード２２は、樹脂封止体２３の側面２４とほぼ同一面を形成する。尚、樹脂封止体２３は、概ね、その表面２５、裏面２６及び４つの側面２４から成る６面体である。
【００４０】
樹脂封止体２３の裏面２６にはアイランド２７が露出し、このアイランド２７は、樹脂封止体２３の裏面２６とほぼ同一面を形成する。また、樹脂封止体２３の裏面２６にはリード２２が露出し、アイランド２７を囲むように配置される。尚、樹脂モールドする際に、フレームの裏面に粘着シートを採用すると、アイランド２７やリード２２は、樹脂封止体２３の裏面２６から、若干、突出する場合もある。
【００４１】
次に、図３（Ｂ）は、アイランド２７上面にリード２２が配置される断面を示す。アイランド２７上には、例えば、Ａｇペースト、半田等の接着材２８により半導体素子２９が固着される。半導体素子２９上面には複数の電極パッド（図示せず）が形成され、その電極パッドとリード２２とは金属細線３０により接続される。金属細線３０としては、金線や銅線が用いられる。
【００４２】
図示したように、リード２２は、樹脂封止体２３から露出する領域の厚みＴ３は、例えば、２００μｍであり、その領域からアイランド２７側へと延在する領域の厚みＴ４は、例えば、１００μｍである。一方、アイランド２７は、一定の厚みＴ５により形成され、その厚みＴ５は、例えば、１００μｍである。そして、リード２２の一部は、アイランド２７上面に配置され、例えば、絶縁性接着材３１によりアイランド２７と固定される。このリード２２とアイランド２７との積層領域のリード厚みは、例えば、２００μｍであり、リード２２の表面２２Ａ側の平坦性が維持される。そして、金属細線３０は、一定の厚みを有する積層領域に対してワイヤーボンディングされることで、リード２２が折れ曲がることが防止される。
【００４３】
また、リード２２の厚みＴ４から成る領域は、完全に樹脂封止体２３内に配置され、その領域の下方には、樹脂が充填される窪み領域が形成される。更に、リード２２は、少なくとも２種類の厚みＴ３、Ｔ４から構成され、アイランド２７上面まで延在する。この構造により、半導体装置２１は小型化されるが、リード２２の長さは長くなり、リード２２と樹脂封止体２３との密着性が向上され、リード２２が、樹脂封止体２３から抜け落ち難い構造が実現される。一方、リード２２の厚みＴ３から成る領域を広げる場合には、樹脂封止体２３の裏面２６から露出する領域が増大し、半導体装置２１の実装強度が向上される。
【００４４】
尚、図１の半導体装置１と同様に、リード２２の表面２２Ａ側及びアイランド２７の表面２７Ａ側は、エッチング加工されることなく、リード２２と金属細線３０との接続強度の維持やアイランド２７と半導体素子２９との安定した固着が実現される。また、半導体素子２９の電極パッドとリードの表面２２Ａとの高低差が低減され、半導体装置２１の薄型化が実現される。また、リード２２及びアイランド２７の側面は、樹脂封止体２３の裏面２６に対して逆テーパー状の傾斜面あるいは曲面となることで、リード２２及びアイランド２７が、樹脂封止体２３から抜け落ち難い構造が実現される。
【００４５】
また、図３に示す半導体装置２１では、リード２２をアイランド２７側へと延在させる構造について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、アイランド２７をリード２２側へと更に広げる場合でも良い。この場合には、樹脂封止体２３の裏面２６側から露出するアイランド２７の面積も増大することで、樹脂封止体２３から外部への放熱性も向上される。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００４６】
次に、本発明の実施の形態である半導体装置の製造方法について説明する。図４（Ａ）及び（Ｂ）は、積層されたフレーム上に半導体素子が固着された状態を説明する図である。図５は、金属細線がワイヤーボンディングされた状態を説明する図である。図６は、樹脂モールドされた状態を説明する図である。図７は、樹脂モールド後の個片化作業を説明する図である。尚、本実施の形態では、図１及び図２に示す構造の製造方法を説明するため、同一の構成部材には同一の符番を付し、また、適宜、図１〜図２を用いて説明する。
【００４７】
先ず、図４（Ａ）に示す如く、粘着シート４１、フレーム１４、１７を準備する。粘着シート４１は、樹脂モールド工程まで用いられるため、例えば、耐熱用のポリイミドテープから成る。そして、フレーム１４は、図２（Ａ）を用いて前述したように、搭載部１５毎にアイランド７と吊りリード１３とが配置されたダイパッド用のフレームである。一方、フレーム１７は、図２（Ｂ）を用いて前述したように、搭載部１７毎に複数のリード４とタイバー１９とが配置された端子用のフレームである。尚、フレーム１４、１７の説明は、図２（Ａ）及び（Ｂ）の説明を参照し、ここでは割愛する。
【００４８】
次に、粘着シート４１の粘着面側にフレーム１４を貼り合わせる。尚、粘着シート４１上面にフレーム１４が貼り合せた状態のものを準備する場合でも良い。次に、フレーム１４と位置合わせを行いながら、フレーム１７をフレーム１４上面に積層させる。このとき、図４（Ｂ）に示すように、フレーム１７のリード４及びタイバー１９は、フレーム１４の貫通領域１６を介して粘着シート４１上面に貼り合わされ、フレーム１７も粘着シート４１上に固定される。一方、フレーム１４のアイランド７及び吊りリード１３は、フレーム１７の貫通領域２０内に配置されることで、フレーム１４、１７の積層後の総厚みは、主に、２００μｍ程度以内に抑えられる。この製造方法により、フレーム１４、１７間の接着材を省くことができ、積層フレーム厚みを薄く出来る。また、貫通領域１６、２０を利用することで、フレームのかしめ加工等を行うことなく、簡易な方法にて積層されたフレーム１４、１７の位置固定が実現でき、製造工程の簡略化が実現される。
【００４９】
尚、粘着シート４１によるフレーム１４、１７の固定の他に、更に、ダイシング工程にて除去される領域のフレーム１４、１７同士を接着材により貼り合わせる場合でも良い。この場合には、フレーム１４、１７同士も接着材により固定され、作業中にフレーム１４、１７がずれることで、例えば、アイランド７とリード４とが位置ずれすることが防止される。その結果、作業中におけるフレーム１４、１７の位置ずれにより、金属細線１０の断線や剥離等の製品不良が防止され、歩留まりの低下も防止される。
【００５０】
次に、例えば、加熱機構が組み込まれたダイボンド装置の載置台上に、フレーム１４、１７が固定された粘着シート４１を配置し、クランパーにてフレーム１４、１７を載置台上に固定する。そして、アイランド７やその作業領域内を、例えば、２５０〜２６０℃程度に加熱した状態にして、アイランド７上に接着材８を用いて半導体素子９を固着する。
【００５１】
次に、図５に示す如く、半導体素子９が固着されたフレーム１４、１７をワイヤーボンディング装置の載置台（図示せず）上に配置する。そして、半導体素子９の電極パッド（図示せず）とリード４とを金属細線１０にて電気的に接続する。図示したように、リード４が配置されるフレーム１７は、２００μｍの厚みを有し、機械的強度を有することで、ワイヤーボンディング時の衝撃により折れ曲がることはない。尚、金属細線１０としては、例えば、金線、銅線等が用いられる。
【００５２】
次に、図６に示す如く、樹脂封止金型（図示せず）内にフレーム１４、１７が固定された粘着シート４１を配置し、樹脂封止金型のキャビティ内へ樹脂を注入し、共通の樹脂封止体４２を形成する。前述したように、共通の樹脂封止体４２内には、例えば、９つの搭載部が含まれる。そして、樹脂封止体４２が、トランスファーモールドにより形成される場合には、熱硬化性樹脂が用いされ、インジェクションモールドにより形成される場合には、熱可塑性樹脂が用いられる。樹脂封止体４２内には、熱伝導率の向上させるための酸化シリコン等のフィラーが混入される場合でも良い。尚、粘着シート４１を用いて樹脂モールドを行うことで、リード４やアイランド７の裏面側への樹脂の廻り込みを防止し、樹脂封止体４２の裏面側の平坦性が維持される。
【００５３】
最後に、図７に示す如く、フレーム１４、１７から粘着シート４１（図６参照）を剥がし、共通の樹脂封止体４２側へダイシング用シート４３を貼り合わせる。そして、フレーム１４、１７側から搭載部毎に共通の樹脂封止体４２を切断して、個々の樹脂封止体２へと個片化する。具体的には、スクライブ装置のダイシングブレード４４を用い、一点鎖線にて示すダイシングライン４５に沿って共通の樹脂封止体４２とフレーム１４、１７とを同時に切断する。このとき、ダイシング用シート４３は、その一部のみが切断されることで、個片化された個々の樹脂封止体２は、ダイシング用シート４３上に支持される。また、フレーム１７の窪んだ領域４６をダイシングブレード４４にて切断することで、ダイシングブレード４４の負担が軽減され、長期間の使用が可能となる。
【００５４】
尚、本実施の形態では、アイランド７が配置されるフレーム１４とリード４が配置されるフレーム１７とを準備し、両フレーム１４、１７を粘着シート４１上に積層し、固定することで、アイランドの周囲に複数のリードが配置される搭載部を形成する場合について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、アイランド７が配置されるフレーム１４を準備し、粘着シート４１上にそのフレーム１４を貼り合わせた後、複数のリード４がタイバー１９に固定されたものを複数準備し、搭載部のアイランド４の１側辺毎の貫通領域１６を介して個別に粘着シート４１上に貼り合わせる場合でも良い。つまり、アイランド７とリード４とを別に準備することで、その厚みの調整や離間距離Ｌ１の調整が容易となり、前述した効果が得られる。
【００５５】
また、複数の搭載部毎に一括樹脂モールドし、その後、ダイシングにより搭載部毎に個片化する場合について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、搭載部毎に個別に樹脂モールドする場合でも同様な効果が得られる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１  半導体装置
２  樹脂封止体
４  リード
７  アイランド
９  半導体素子
１０  金属細線
１３  吊りリード
１４  フレーム
１５  搭載部
１６  貫通領域
１７  フレーム
１８  搭載部
１９  タイバー
２０  貫通領域
４１  粘着シート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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