(57)【要約】【課題】基板搬送ロボットの搬送速度を向上させ、処理効率を向上させることが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置が、基板に熱処理を施す処理室と、第１基板支持部を有し該第１基板支持部で基板を支持して搬送する第１搬送ロボットが設けられ、該第１搬送ロボットが、前記処理室から基板を取り出すことのない搬送ロボットである第１搬送室と、第２基板支持部を有し該第２基板支持部で基板を支持して搬送する第２搬送ロボットが設けられ、該第２搬送ロボットが、前記処理室から基板を取り出す搬送ロボットである第２搬送室とを備えるように構成し、前記第１搬送ロボットに設けられた第１基板支持部の摩擦力を、前記第２搬送ロボットに設けられた第２基板支持部の摩擦力よりも大きくする。【選択図】図１
2012069658.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に熱処理を施す処理室と、
第１基板支持部を有し該第１基板支持部で基板を支持して搬送する第１搬送ロボットが設けられ、該第１搬送ロボットが、前記処理室から基板を取り出すことのない搬送ロボットである第１搬送室と、
第２基板支持部を有し該第２基板支持部で基板を支持して搬送する第２搬送ロボットが設けられ、該第２搬送ロボットが、前記処理室から基板を取り出す搬送ロボットである第２搬送室とを備え、
前記第１搬送ロボットに設けられた第１基板支持部の摩擦力は、前記第２搬送ロボットに設けられた第２基板支持部の摩擦力よりも大きいことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１基板支持部はラバー素材で形成され、前記第２基板支持部はセラミック、石英のいずれか若しくは両方で形成されていることを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。
【請求項３】
ラバー素材で形成された基板支持部を有する第１搬送ロボットが、未処理基板をバッファ室へ搬入する工程と、
セラミック、石英のいずれか若しくは両方で形成された基板支持部を有する第２搬送ロボットが、前記未処理基板を前記バッファ室から搬出する工程と、
前記第２搬送ロボットが、前記未処理基板を処理室へ搬入する工程と、
前記処理室が前記未処理基板に熱処理を施す工程と、
前記第２搬送ロボットが、前記処理済の基板を前記処理室から搬出する工程と、
前記第２搬送ロボットが、前記処理済の基板を前記バッファ室へ搬入する工程と、
前記第１搬送ロボットが、前記処理済の基板を前記バッファ室から搬出する工程と、
を有する基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の基板を処理する基板処理装置や基板処理方法に関し、特に、基板を搬送する基板搬送ロボットの搬送速度を向上させる基板処理装置や基板処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の基板処理装置４００を、図４を用いて説明する。図４は、基板処理装置４００を上方から見た平面図である。基板処理装置４００は、大気搬送ロボットＬＨを内蔵する大気搬送室ＥＦＥＭを備え、大気搬送室ＥＦＥＭの後面にロードロック室ＬＭを備え、ロードロック室ＬＭの後面に真空搬送ロボットＴＨ１を内蔵する第１搬送室ＴＭ１を備え、第１搬送室ＴＭ１の両側面に基板処理室ＰＭ１とＰＭ２を備え、第１搬送室ＴＭ１の後面にバッファ室ＢＭ１を備え、バッファ室ＢＭ１の後面に真空搬送ロボットＴＨ２を内蔵する第２搬送室ＴＭ２を備え、第２搬送室ＴＭ２の両側面に基板処理室ＰＭ３とＰＭ４を備え、第２搬送室ＴＭ２の後面にバッファ室ＢＭ２を備え、バッファ室ＢＭ２の後面に真空搬送ロボットＴＨ３を内蔵する第３搬送室ＴＭ３を備え、第３搬送室ＴＭ３の両側面に基板処理室ＰＭ５とＰＭ６を備える。
ここで、大気搬送ロボットとは、大気圧状態において基板を搬送するロボットであり、真空搬送ロボットとは、大気圧よりも気圧の低い減圧状態において基板を搬送するロボットである。
【０００３】
大気搬送ロボットＬＨ、真空搬送ロボットＴＨ１〜ＴＨ３は、それぞれ、基板を移載するアームを２つ備えており、例えば、一方のアームを用いて処理済ウエハを処理室から搬出し、他方のアームを用いて未処理ウエハを処理室へ搬入する動作を連続して短時間で行えるように構成されている。２アーム搬送ロボットの詳細は後述する。
ロードロック室ＬＭ、バッファ室ＢＭ１、バッファ室ＢＭ２は、それぞれ、必要な数の複数枚のウエハを水平姿勢で一時的に保持することができる。
【０００４】
大気搬送室ＥＦＥＭとロードロック室ＬＭとの間、第１搬送室ＴＭ１とロードロック室ＬＭとの間、第１搬送室ＴＭ１と処理室ＰＭ１との間、第１搬送室ＴＭ１と処理室ＰＭ２との間、第１搬送室ＴＭ１とバッファ室ＢＭ１との間、第２搬送室ＴＭ２とバッファ室ＢＭ１との間、第２搬送室ＴＭ２と処理室ＰＭ３との間、第２搬送室ＴＭ２と処理室ＰＭ４との間、第２搬送室ＴＭ２とバッファ室ＢＭ２との間、第３搬送室ＴＭ３とバッファ室ＢＭ２との間、第３搬送室ＴＭ３と処理室ＰＭ５との間、第３搬送室ＴＭ３と処理室ＰＭ６との間には、それぞれ、ゲートバルブが設けられており、上記の各室を気密に保つことができる。以下の説明において、搬送時に使用されないゲートバルブは常に閉じられ、各室の気密は保たれている。
【０００５】
基板処理時において、大気搬送室ＥＦＥＭ内は、例えば不活性ガス等が供給されて、常時大気圧雰囲気に維持され、ロードロック室ＬＭ内は、大気圧雰囲気と大気圧より低圧の減圧雰囲気を交互に繰り返し、第１〜３搬送室ＴＭ１〜３、バッファ室ＢＭ１〜２、処理室ＰＭ１〜ＰＭ６は、常時減圧雰囲気に維持される。
【０００６】
基板処理装置４００では、基板であるウエハを搬送するキャリヤとして、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod、以下ポッドと称す。）ＰＤ１、ＰＤ２が使用される。ポッドＰＤ１、ＰＤ２内には、未処理のウエハや処理済みのウエハがそれぞれ水平姿勢で複数枚格納される。ポッドＰＤ１、ＰＤ２は、図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、大気搬送室ＥＦＥＭ前面に設けられた一対のロードポート（Ｉ／Ｏステージ）ＬＰ１、ＬＰ２上に載置される。
【０００７】
ポッドＰＤ１、ＰＤ２が、ロードポートＬＰ１、ＬＰ２上に載置され、ポッドＰＤ１、ＰＤ２の蓋が開けられると、ポッドＰＤ１、ＰＤ２内と大気搬送室ＥＦＥＭ内とが、大気圧状態で連通する。大気搬送室ＥＦＥＭと大気圧状態にあるロードロック室ＬＭとの間のゲートバルブを開けることにより、大気搬送室ＥＦＥＭ内とロードロック室ＬＭ内とが、大気圧状態で連通する。
大気搬送室ＥＦＥＭ内の大気搬送ロボットＬＨは、ポッドＰＤ１又はＰＤ２からロードロック室ＬＭ内へ、未処理ウエハを保持して、大気圧状態で搬送するとともに、ロードロック室ＬＭ内に処理済ウエハがある場合は、該処理済ウエハを、ロードロック室ＬＭ内からポッドＰＤ１又はＰＤ２へ、大気圧状態で搬送する。
【０００８】
未処理ウエハをロードロック室ＬＭ内へ搬送した後、ロードロック室ＬＭと大気搬送室ＥＦＥＭとの間のゲートバルブを閉め、ロードロック室ＬＭ内を減圧状態にする。その後、ロードロック室ＬＭと第１搬送室ＴＭ１との間のゲートバルブを開けることにより、ロードロック室ＬＭ内と第１搬送室ＴＭ１内とが、減圧状態で連通する。
また、第１搬送室ＴＭ１と処理室ＰＭ１との間のゲートバルブを開けることにより、第１搬送室ＴＭ１内と処理室ＰＭ１内とが減圧状態で連通し、あるいは、第１搬送室ＴＭ１と処理室ＰＭ２との間のゲートバルブを開けることにより、第１搬送室ＴＭ１内と処理室ＰＭ２内とが減圧状態で連通する。
また、第１搬送室ＴＭ１とバッファ室ＢＭ１との間のゲートバルブを開けることにより、第１搬送室ＴＭ１内とバッファ室ＢＭ１内とが、減圧状態で連通する。
第１搬送室ＴＭ１内の第１搬送ロボットＴＨ１は、ロードロック室ＬＭ内から、処理室ＰＭ１内又は処理室ＰＭ２内又はバッファ室ＢＭ１内へ、未処理ウエハを保持して減圧状態で搬送するとともに、処理室ＰＭ１内又は処理室ＰＭ２内又はバッファ室ＢＭ１内に処理済ウエハがある場合は、該処理済ウエハを保持して、ロードロック室ＬＭ内へ減圧状態で搬送する。
【０００９】
バッファ室ＢＭ１と第２搬送室ＴＭ２との間のゲートバルブを開けることにより、バッファ室ＢＭ１内と第２搬送室ＴＭ２内とが、減圧状態で連通する。
また、第２搬送室ＴＭ２と処理室ＰＭ３との間のゲートバルブを開けることにより、第２搬送室ＴＭ２内と処理室ＰＭ３とが減圧状態で連通し、第２搬送室ＴＭ２と処理室ＰＭ４との間のゲートバルブを開けることにより、第２搬送室ＴＭ２内と処理室ＰＭ４とが減圧状態で連通する。
また、第２搬送室ＴＭ２とバッファ室ＢＭ２との間のゲートバルブを開けることにより、第２搬送室ＴＭ２内とバッファ室ＢＭ２内とが、減圧状態で連通する。
第２搬送室ＴＭ２内の第２搬送ロボットＴＨ２は、バッファ室ＢＭ１内から、処理室ＰＭ３内又は処理室ＰＭ４内又はバッファ室ＢＭ２内へ、未処理ウエハを保持して減圧状態で搬送するとともに、処理室ＰＭ３内又は処理室ＰＭ４内又はバッファ室ＢＭ２内に処理済ウエハがある場合は、該処理済ウエハを保持して、バッファ室ＢＭ１内へ減圧状態で搬送する。
【００１０】
バッファ室ＢＭ２と第３搬送室ＴＭ３との間のゲートバルブを開けることにより、バッファ室ＢＭ２内と第３搬送室ＴＭ３内とが、減圧状態で連通する。
また、第３搬送室ＴＭ３と処理室ＰＭ５との間のゲートバルブを開けることにより、第３搬送室ＴＭ３内と処理室ＰＭ５とが減圧状態で連通し、第３搬送室ＴＭ３と処理室ＰＭ６との間のゲートバルブを開けることにより、第３搬送室ＴＭ３内と処理室ＰＭ６とが減圧状態で連通する。
第３搬送室ＴＭ３内の第３搬送ロボットＴＨ３は、バッファ室ＢＭ２内から、処理室ＰＭ５内又は処理室ＰＭ６内へ、未処理ウエハを保持して減圧状態で搬送するとともに、処理室ＰＭ５内又は処理室ＰＭ６内に処理済ウエハがある場合は、該処理済ウエハを保持して、バッファ室ＢＭ２内へ減圧状態で搬送する。
【００１１】
未処理ウエハが搬入された処理室ＰＭ１〜ＰＭ６内は、所定の処理圧力や所定の処理温度に調整され、処理室ＰＭ１〜ＰＭ６内に所定の処理ガスが供給されることにより、未処理ウエハに成膜等の所定の処理が行われる。
【００１２】
基板処理装置４００は、制御部４０１を備えている。制御部４０１は、搬送ロボットＴＨ１〜ＴＨ３や大気搬送ロボットＬＨの搬送動作、各ゲートバルブの開閉動作、ロードロック室ＬＭ内や搬送室ＴＭ１〜ＴＭ３内や処理室ＰＭ１〜ＰＭ６内やバッファ室ＢＭ１やＢＭ２内の圧力調整、処理室ＰＭ１〜ＰＭ６内の温度調整、処理室ＰＭ１〜ＰＭ６による基板処理等をそれぞれ制御する。
【００１３】
次に、搬送ロボットＬＨ及びＴＨ１〜３の構成及び動作を、図５〜図８を用いて説明する。まず、搬送ロボットＬＨ及びＴＨ１〜３の共通の構成及び動作を、図５を用いて説明する。ここでは、搬送ロボットＬＨ及びＴＨ１〜３を搬送ロボットと総称する。
【００１４】
図５に示すように、搬送ロボットは、ウエハを一時的に保持して搬送する一対のアームＡＲ１、ＡＲ２を備えている。アームＡＲ１、ＡＲ２の先端には、ウエハを水平姿勢で載置して支持する下側のエンドエフェクタＥＥ１と、上側のエンドエフェクタＥＥ２がそれぞれ設けられている。エンドエフェクタＥＥ１とＥＥ２は、それぞれ水平方向（図５のＸ１，Ｘ２方向）に水平移動でき、水平方向（図５のθ方向）に回転移動でき、垂直方向（図５のＺ方向）に昇降移動できる。
【００１５】
エンドエフェクタＥＥ１とＥＥ２がウエハを載置する基板支持部の材質は、セラミックで構成されている。材質をセラミックとする理由は、例えば２００℃以上の高温となる熱処理を行う処理室ＰＭから、処理後の高温ウエハを取り出すため、エンドエフェクタにも高温耐性が必要となるからである。従来の基板処理装置４００においては、搬送ロボットＬＨ及びＴＨ１〜３のエンドエフェクタに、セラミックを使用している。セラミックは、基板との間の摩擦力が小さいため、基板を載置した状態で、高速移動することができない。
【００１６】
図６は、搬送ロボットＬＨ及びＴＨ１〜３の動作を示す装置平面図である。図６に示すように、大気搬送ロボットＬＨは、Ｓ１及びＳ２動作、すなわち、ポッドＰＤ１又はＰＤ２とロードロック室ＬＭとの間でウエハの搬送及び保持を行う。搬送ロボットＴＨ１は、Ｓ３〜Ｓ６動作、すなわち、ロードロック室ＬＭ、処理室ＰＭ１、ＰＭ２、バッファ室ＢＭ１間でのウエハの搬送及び保持を行う。搬送ロボットＴＨ２は、Ｓ７〜Ｓ１０動作、すなわち、バッファ室ＢＭ１、処理室ＰＭ３、ＰＭ４、バッファ室ＢＭ２間でのウエハの搬送及び保持を行う。搬送ロボットＴＨ３は、Ｓ１１〜Ｓ１３動作、すなわち、バッファ室ＢＭ２、処理室ＰＭ５、ＰＭ６間でのウエハの搬送及び保持を行う。
【００１７】
次に、大気搬送ロボットＬＨのＳ１動作を、図７を用いて説明する。
図７において、Ｓ７１は、図５に示す搬送ロボットＬＨが、水平方向に旋回し垂直方向に昇降動作を行って、エンドエフェクタＥＥ１、ＥＥ２を、例えばロードポートＬＰ１に載置されたポッドＰＯＤ１に対向させた状態である。この状態において、下側のエンドエフェクタＥＥ１は、処理室ＰＭ１〜ＰＭ６のいずれかで処理された処理済ウエハを一時的に保持し、上側のエンドエフェクタＥＥ２は、空の状態であり、ウエハが保持されていない。
この状態から、Ｓ７２〜Ｓ７７に示すように、搬送ロボットＬＨは、例えばポッドＰＯＤ１から未処理ウエハをＥＥ２上に取り出し、ＥＥ１上の処理済ウエハをポッドＰＯＤ１内へ収納する。
【００１８】
Ｓ７２において、空のエンドエフェクタＥＥ２が、ポッドＰＯＤ１内の未処理ウエハに向かって水平方向（Ｘ方向）に伸長（Ｘ２伸長）し、ポッドＰＯＤ１内の未処理ウエハの下方に移動する。次に、Ｓ７３において、搬送ロボットＬＨが上昇することにより、エンドエフェクタＥＥ２上に、ポッドＰＯＤ１内の未処理ウエハを載置する。次に、Ｓ７４において、未処理ウエハを載置したエンドエフェクタＥＥ２が、水平方向（Ｘ方向）に収縮（Ｘ２収縮）し、伸長前の元の位置に戻る。その後、搬送ロボットＬＨが、ＥＥ１上の処理済ウエハをポッドＰＯＤ１内へ収納できる高さまで昇降する。
【００１９】
次に、Ｓ７５において、処理済ウエハを載置したエンドエフェクタＥＥ１が、ポッドＰＯＤ１に向かって水平方向（Ｘ方向）に伸長（Ｘ１伸長）し、ポッドＰＯＤ１内の処理済ウエハ収納場所に移動する。次に、Ｓ７６において、搬送ロボットＬＨが下降し、エンドエフェクタＥＥ１上の処理済ウエハを、ポッドＰＯＤ１内へ収納する。次に、Ｓ７７において、空になったエンドエフェクタＥＥ１が、水平方向（Ｘ方向）に収縮（Ｘ１収縮）し、伸長前の元の位置に戻る。
上述した図７の動作は、ポッドやロードロック室やバッファ室内に設けられる複数の基板を載置する基板収容部に対する搬送ロボットの動作であり、大気搬送ロボットＬＨのＳ２動作や、搬送ロボットＴＨ１〜３のＳ３、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ１０、Ｓ１１動作も同様である。
【００２０】
次に、処理室内に設けられる１数の基板を載置する基板収容部に対する搬送ロボットの動作である、搬送ロボットＴＨ１〜３のＳ４、Ｓ５、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１２、Ｓ１３動作を、図８を用いて説明する。図８は、図５に示す搬送ロボットＴＨ１〜３が、処理室ＰＭ１〜６内のいずれかにある例えば処理済ウエハを搬出し、未処理ウエハを搬入する動作を示すもので、例えば、搬送ロボットＴＨ１が、処理室ＰＭ１内の処理済ウエハを取り出し、未処理ウエハを処理室ＰＭ１内に載置する動作を示す。
【００２１】
例えば、搬送ロボットＴＨ１が、処理室ＰＭ１内の処理済ウエハを取り出し、未処理ウエハを処理室ＰＭ１内に載置する場合について説明すると、図８において、Ｓ８１は、搬送ロボットＴＨ１が、水平方向に旋回し垂直方向に昇降動作を行って、エンドエフェクタＥＥ１、ＥＥ２を、処理室ＰＭ１のウエハ載置台に対向させた状態である。この状態において、上側のエンドエフェクタＥＥ２は、未処理ウエハを一時的に保持し、下側のエンドエフェクタＥＥ１は、空の状態であり、ウエハが保持されていない。
この状態から、Ｓ８２〜Ｓ８７に示すように、搬送ロボットＴＨ１は、処理室ＰＭ１に載置された処理済ウエハをＥＥ１上に取り出し、ＥＥ２上の未処理ウエハを処理室ＰＭ１のウエハ載置台に載置する。
【００２２】
Ｓ８２において、空のエンドエフェクタＥＥ１が、ウエハ載置台に向かって水平方向（Ｘ方向）に伸長（Ｘ１伸長）し、ウエハ載置台の処理済ウエハの下方に移動する。次に、Ｓ８３において、搬送ロボットＴＨ１が上昇することにより、エンドエフェクタＥＥ１上に、ウエハ載置台の処理済ウエハを載置する。次に、Ｓ８４において、処理済ウエハを載置したエンドエフェクタＥＥ１が、水平方向（Ｘ方向）に収縮（Ｘ１収縮）し、伸長前の元の位置に戻る。その後、搬送ロボットＴＨ１が、エンドエフェクタＥＥ２上の未処理ウエハをウエハ載置台へ載置できる高さまで昇降する。
【００２３】
次に、Ｓ８５において、未処理ウエハを載置したエンドエフェクタＥＥ２が、処理室ＰＭ１のウエハ載置台に向かって水平方向（Ｘ方向）に伸長（Ｘ２伸長）し、ウエハ載置台上に移動する。次に、Ｓ８６において、搬送ロボットＴＨ１が下降し、エンドエフェクタＥＥ２上の未処理ウエハを、ウエハ載置台へ載置する。次に、Ｓ８７において、空になったエンドエフェクタＥＥ２が、水平方向（Ｘ方向）に収縮（Ｘ２収縮）し、伸長前の元の位置に戻る。
【００２４】
次に、基板処理装置４００により実施される基板処理工程について、図９を用いて説明する。なお、基板処理装置４００の各部の動作は制御部４０１により制御される。
図９は、複数のウエハに連続的に処理を行う場合において、各ウエハに対する処理内容の時間的推移を示すイベントチャートであり、ロードポートＬＰ１、ＬＰ２上のポッドＰＤ１、ＰＤ２からロードロック室ＬＭ内へのウエハ搬送が完了した後の工程を示す。図９の縦軸の「ウエハＮｏ．」は、処理されるウエハの処理順を示しており、図９ではウエハＮｏ．１〜１２の１２枚のウエハが順次処理される。図９の横軸の「イベントＮｏ．」は、図６に示すウエハ授受動作Ｓ３〜Ｓ１３における１つの動作に要する時間を単位（１イベント）として、時間の進行に伴って順次実行される各工程（イベント）の番号を示している。図９中のＳ３〜Ｓ１３は、図６に示すＳ３〜Ｓ１３に対応するもので、ウエハの搬送内容を示す。また、図９中のＰＭ１〜ＰＭ６は、それぞれ、各処理室ＰＭ１〜ＰＭ６での基板処理を示す。
【００２５】
まず、図９におけるＮｏ．１ウエハの処理工程について説明する。
Ｎｏ．１のウエハは、イベントＮｏ．１で、ロードロック室ＬＭ内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送される（Ｓ３）。次に、イベントＮｏ．２で、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりバッファ室ＢＭ１内へ搬送される（Ｓ６）。次に、イベントＮｏ．３で、バッファ室ＢＭ１内から搬送ロボットＴＨ２により第２搬送室ＴＭ２内へ搬送される（Ｓ７）。次に、イベントＮｏ．４で、第２搬送室ＴＭ２内から搬送ロボットＴＨ２によりバッファ室ＢＭ２内へ搬送される（Ｓ１０）。次に、イベントＮｏ．５で、バッファ室ＢＭ２内から搬送ロボットＴＨ３により第３搬送室ＴＭ３内へ搬送される（Ｓ１１）。次に、イベントＮｏ．６で、第３搬送室ＴＭ３内から搬送ロボットＴＨ３により処理室ＰＭ５内へ搬送される（Ｓ１２）。次に、イベントＮｏ．７〜１７で、処理室ＰＭ５内で処理される。
【００２６】
次に、処理済のＮｏ．１のウエハは、イベントＮｏ．１８で、処理室ＰＭ５内から搬送ロボットＴＨ３により第３搬送室ＴＭ３内へ搬送される（Ｓ１２）。次に、イベントＮｏ．１９で、第３搬送室ＴＭ３内から搬送ロボットＴＨ３によりバッファ室ＢＭ２内へ搬送される（Ｓ１１）。次に、イベントＮｏ．２０で、バッファ室ＢＭ２内から搬送ロボットＴＨ２により第２搬送室ＴＭ２内へ搬送される（Ｓ１０）。次に、イベントＮｏ．２１で、第２搬送室ＴＭ２内から搬送ロボットＴＨ２によりバッファ室ＢＭ１内へ搬送される（Ｓ７）。次に、イベントＮｏ．２２で、バッファ室ＢＭ１内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送される（Ｓ６）。次に、イベントＮｏ．２３で、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりロードロック室ＬＭ内へ搬送される（Ｓ３）。
【００２７】
次に、Ｎｏ．２ウエハの処理工程について説明する。
Ｎｏ．２のウエハは、イベントＮｏ．３で、ロードロック室ＬＭ内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送される（Ｓ３）。次に、イベントＮｏ．４で、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりバッファ室ＢＭ１内へ搬送される（Ｓ６）。次に、イベントＮｏ．５で、バッファ室ＢＭ１内から搬送ロボットＴＨ２により第２搬送室ＴＭ２内へ搬送される（Ｓ７）。次に、イベントＮｏ．６で、第２搬送室ＴＭ２内から搬送ロボットＴＨ２により処理室ＰＭ３内へ搬送される（Ｓ８）。次に、イベントＮｏ．７〜１７で、処理室ＰＭ３内で処理される。
【００２８】
次に、処理済のＮｏ．２のウエハは、イベントＮｏ．１８で、処理室ＰＭ３内から搬送ロボットＴＨ２により第２搬送室ＴＭ２内へ搬送される（Ｓ８）。次に、イベントＮｏ．１９で、第２搬送室ＴＭ２内から搬送ロボットＴＨ２によりバッファ室ＢＭ１内へ搬送される（Ｓ７）。次に、イベントＮｏ．２０で、バッファ室ＢＭ１内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送される（Ｓ６）。次に、イベントＮｏ．２１で、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりロードロック室ＬＭ内へ搬送される（Ｓ３）。
【００２９】
次に、Ｎｏ．３のウエハの処理工程について説明する。
Ｎｏ．３のウエハは、イベントＮｏ．５で、ロードロック室ＬＭ内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送される（Ｓ３）。次に、イベントＮｏ．６で、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１により処理室ＰＭ１内へ搬送される（Ｓ４）。次に、イベントＮｏ．７〜１７で、処理室ＰＭ１内で処理される。次に、処理済のＮｏ．３のウエハは、イベントＮｏ．１８で、処理室ＰＭ１内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送される（Ｓ４）。次に、イベントＮｏ．１９で、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりロードロック室ＬＭ内へ搬送される（Ｓ３）。
【００３０】
同様にして、Ｎｏ．４のウエハを処理室ＰＭ６へ搬送して処理し、Ｎｏ．５のウエハを処理室ＰＭ４へ搬送して処理し、Ｎｏ．６のウエハを処理室ＰＭ２へ搬送して処理し、Ｎｏ．７〜１２のウエハは、Ｎｏ．１〜６のウエハと同様に搬送して処理する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３１】
上述したように、従来の基板処理装置においては、基板搬送ロボットのある全ての基板搬送室が基板処理室と隣接しているため、基板搬送ロボットの基板支持部に、耐熱性は高いが摩擦力の小さいセラミックを使用している。したがって、全ての基板搬送ロボットの搬送速度を一定以下の速度にする必要があり、基板処理装置の処理効率を向上させるのが容易でないという課題があった。
本発明の目的は、基板搬送ロボットの搬送速度を向上させ、処理効率を向上させることが可能な基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
前記課題を解決するための、本発明の基板処理装置の代表的な第１の構成は、次のとおりである。すなわち、
基板に熱処理を施すための処理室と、
第１基板支持部を有し該第１基板支持部で基板を支持して搬送する第１搬送ロボットが設けられ、該第１搬送ロボットが、前記処理室から基板を取り出すことのない搬送ロボットである第１搬送室と、
第２基板支持部を有し該第２基板支持部で基板を支持して搬送する第２搬送ロボットが設けられ、該第２搬送ロボットが、前記処理室から基板を取り出す搬送ロボットである第２搬送室とを備え、
前記第１搬送ロボットに設けられた第１基板支持部の摩擦力は、前記第２搬送ロボットに設けられた第２基板支持部の摩擦力よりも大きいことを特徴とする基板処理装置。
【発明の効果】
【００３３】
上記の構成によれば、第１搬送ロボットに、第２基板支持部よりも摩擦力の大きい第１基板支持部を設けるので、第１搬送ロボットの基板搬送速度を、第２搬送ロボットの基板搬送速度よりも速くすることができ、基板処理装置のスループットを向上することができる。
【００３４】
なお、上記の第１の構成において、前記第１搬送ロボットの第１基板支持部を、ラバー素材で構成し、前記第２搬送ロボットの第２基板支持部の材質を、セラミック又は石英あるいはその両方とする第２の構成とすることができる。ここで、ラバー素材とは、Ｈ（水素）、Ｎ（窒素）、Ｃｌ（塩素）、Ｓｉ（珪素）、Ｃ（炭素）、Ｆ（フッ素）、Ｏ（酸素）のうち２つ以上を成分とする合成素材であり、例えば、バイトン（登録商標）、カルレッツ（登録商標）、テフロン（登録商標）やシリコンゴムである。
第２の構成によれば、第１基板支持部をラバーにすることによって、基板と第１基板支持部との摩擦力が大きくなり、基板落下を防止しつつ、より高速搬送が可能となる。また、第２基板支持部をセラミックあるいは石英にすることによって、第２搬送ロボットは、処理室の高温環境（例えば１００℃以上）により高温になっている基板を搬送することができる。
【００３５】
また、上記の第１の構成又は第２の構成において、前記第１搬送室と前記第２搬送室との間には、基板を載置することができるバッファ室が設けられ、前記バッファ室に載置された基板の温度が、前記ラバー素材が融解しない所定の温度以下となった後、前記第１搬送ロボットが前記バッファ室から基板を搬出するよう制御する制御部を備える第３の構成とすることができる。
第３の構成によれば、第１基板支持部のラバーの融解を防ぎ、基板へのコンタミネーションを防止できる。
【００３６】
また、上記の第１の構成ないし第３の構成において、前記処理室が複数設けられ、該複数の処理室内に基板が滞留する基板滞留時間は、全ての処理室で同じである第４の構成とすることができる。
第４の構成によれば、複数設けられる処理室の基板滞留時間が全て同じであるので、基板の搬送工程の最適化が容易になる。
【００３７】
また、上記の第１の構成ないし第４の構成において、前記第１搬送室の第１搬送ロボットは、前記処理室から基板を搬出する動作をしない搬送ロボットである第５の構成とすることができる。
第５の構成によれば、第１搬送ロボットは、処理室の高温環境により高温になっている基板を搬送することがなく、第１基板支持部のラバーの融解を防ぐことができる。
【００３８】
また、本発明の基板処理方法の代表的な第１の構成は、次のとおりである。すなわち、
ラバー素材で形成された基板支持部を有する第１搬送ロボットが、未処理基板をバッファ室へ搬入する工程と、
セラミック、石英のいずれか若しくは両方で形成された基板支持部を有する第２搬送ロボットが、前記未処理基板を前記バッファ室から搬出する工程と、
前記第２搬送ロボットが、前記未処理基板を処理室へ搬入する工程と、
前記処理室が前記未処理基板に熱処理を施す工程と、
前記第２搬送ロボットが、前記処理済の基板を前記処理室から搬出する工程と、
前記第２搬送ロボットが、前記処理済の基板を前記バッファ室へ搬入する工程と、
前記第１搬送ロボットが、前記処理済の基板を前記バッファ室から搬出する工程と、
を有する基板処理方法。
この構成によれば、第１搬送ロボットに、第２基板支持部よりも摩擦力の大きい第１基板支持部を設けるので、第１搬送ロボットの基板搬送速度を、第２搬送ロボットの基板搬送速度よりも速くすることができ、基板処理装置のスループットを向上することができる。
なお、上記基板処理方法の第１の構成において、バッファ室は、基板に熱処理を施すことのない室であり、ラバー素材が耐えられる温度以下に室内の温度を保つように構成された室である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板搬送ロボットの基板支持部の一例を示す垂直断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るイベントチャートである。
【図４】従来の基板処理装置の平面図である。
【図５】基板搬送ロボットの一例を示す斜視図である。
【図６】従来の基板処理装置の基板搬送動作を示す平面図である。
【図７】基板搬送ロボットの基板授受動作の一例を示す図である。
【図８】基板搬送ロボットの基板授受動作の他の例を示す図である。
【図９】従来の基板処理装置に係るイベントチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態における基板処理装置１００を説明する。本実施形態において、基板処理装置１００は、一例として、半導体装置（ＩＣ：Integrated Circuit）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の平面図である。
【００４１】
図１において、基板処理装置１００は、装置前面に大気搬送ロボットＬＨを内蔵する大気搬送室ＥＦＥＭを備え、大気搬送室ＥＦＥＭの後面にロードロック室ＬＭを備える。ロードロック室ＬＭの後面に、真空搬送ロボットＴＨ１を内蔵する第１搬送室ＴＭ１を備える。第１搬送室ＴＭ１の左側面に、バッファ室ＢＭ１を備える。バッファ室ＢＭ１の左側面に、真空搬送ロボットＴＨ２を内蔵する第２搬送室ＴＭ２を備える。第２搬送室ＴＭ２の前面、左側面、後面に、それぞれ、基板処理室ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３を備える。
【００４２】
また、第１搬送室ＴＭ１の右側面に、バッファ室ＢＭ２を備える。バッファ室ＢＭ２の右側面に、真空搬送ロボットＴＨ３を内蔵する第３搬送室ＴＭ３を備える。第３搬送室ＴＭ３の前面、右側面、後面に、それぞれ、基板処理室ＰＭ４、ＰＭ５、ＰＭ６を備える。
【００４３】
大気搬送ロボットＬＨ、真空搬送ロボットＴＨ１〜ＴＨ３は、それぞれ、基板を移載するアームを２つ備えており、例えば、一方のアームを用いて処理済ウエハを処理室から搬出し、他方のアームを用いて未処理ウエハを処理室へ搬入する動作を連続して短時間で行えるように構成されている。
ロードロック室ＬＭ、バッファ室ＢＭ１、バッファ室ＢＭ２は、それぞれ、必要な数の複数枚のウエハを水平姿勢で一時的に保持することができる基板収容部を備える。
【００４４】
大気搬送室ＥＦＥＭとロードロック室ＬＭとの間、第１搬送室ＴＭ１とロードロック室ＬＭとの間、第１搬送室ＴＭ１とバッファ室ＢＭ１との間、第１搬送室ＴＭ１とバッファ室ＢＭ２との間、第２搬送室ＴＭ２とバッファ室ＢＭ１との間、第２搬送室ＴＭ２と処理室ＰＭ１との間、第２搬送室ＴＭ２と処理室ＰＭ２との間、第２搬送室ＴＭ２と処理室ＰＭ３との間、第３搬送室ＴＭ３とバッファ室ＢＭ２との間、第３搬送室ＴＭ３と処理室ＰＭ４との間、第３搬送室ＴＭ３と処理室ＰＭ５との間、第３搬送室ＴＭ３と処理室ＰＭ６との間には、それぞれ、ゲートバルブが設けられており、上記の各室を気密に保つことができる。
【００４５】
基板処理時において、大気搬送室ＥＦＥＭ内は、例えば不活性ガス等が供給されて、常時大気圧雰囲気に維持され、ロードロック室ＬＭ内は、大気圧雰囲気と大気圧より低圧の減圧雰囲気を交互に繰り返し、第１〜３搬送室ＴＭ１〜３、バッファ室ＢＭ１〜２、処理室ＰＭ１〜ＰＭ６は、常時減圧雰囲気に維持される。
【００４６】
基板処理装置１００では、基板処理装置４００と同様に、ポッドＰＤ１やＰＤ２が使用され、ポッドＰＤ１やＰＤ２は、大気搬送室ＥＦＥＭ前面に設けられた一対のロードポートＬＰ１やＬＰ２上に載置される。
ポッドＰＤ１、ＰＤ２が、ロードポートＬＰ１、ＬＰ２上に載置され、ポッドＰＤ１、ＰＤ２の蓋が開けられると、ポッドＰＤ１、ＰＤ２内と大気搬送室ＥＦＥＭ内とが、大気圧状態で連通する。大気搬送室ＥＦＥＭと大気圧状態にあるロードロック室ＬＭとの間のゲートバルブを開けることにより、大気搬送室ＥＦＥＭ内とロードロック室ＬＭ内とが、大気圧状態で連通する。
大気搬送室ＥＦＥＭ内の大気搬送ロボットＬＨは、ポッドＰＤ１又はＰＤ２からロードロック室ＬＭ内へ、未処理ウエハを保持して、大気圧状態で搬送するとともに、ロードロック室ＬＭ内に処理済ウエハがある場合は、該処理済ウエハを、ロードロック室ＬＭ内からポッドＰＤ１又はＰＤ２へ、大気圧状態で搬送する。
【００４７】
未処理ウエハをロードロック室ＬＭ内へ搬送した後、ロードロック室ＬＭ内を減圧状態にする。その後、ロードロック室ＬＭと第１搬送室ＴＭ１との間のゲートバルブを開けることにより、ロードロック室ＬＭ内と第１搬送室ＴＭ１内とが、減圧状態で連通する。
また、第１搬送室ＴＭ１とバッファ室ＢＭ１との間のゲートバルブを開けることにより、第１搬送室ＴＭ１内とバッファ室ＢＭ１内とが減圧状態で連通し、あるいは、第１搬送室ＴＭ１とバッファ室ＢＭ２との間のゲートバルブを開けることにより、第１搬送室ＴＭ１内とバッファ室ＢＭ２内とが減圧状態で連通する。
第１搬送室ＴＭ１内の第１搬送ロボットＴＨ１は、ロードロック室ＬＭ内から、バッファ室ＢＭ１内又はバッファ室ＢＭ２内へ、未処理ウエハを保持して減圧状態で搬送するとともに、バッファ室ＢＭ１内又はバッファ室ＢＭ２内に処理済ウエハがある場合は、該処理済ウエハを保持して、ロードロック室ＬＭ内へ減圧状態で搬送する。
【００４８】
バッファ室ＢＭ１と第２搬送室ＴＭ２との間のゲートバルブを開けることにより、バッファ室ＢＭ１内と第２搬送室ＴＭ２内とが、減圧状態で連通する。
また、第２搬送室ＴＭ２と処理室ＰＭ１との間のゲートバルブを開けることにより、第２搬送室ＴＭ２内と処理室ＰＭ１とが減圧状態で連通し、第２搬送室ＴＭ２と処理室ＰＭ２との間のゲートバルブを開けることにより、第２搬送室ＴＭ２内と処理室ＰＭ２とが減圧状態で連通し、第２搬送室ＴＭ２と処理室ＰＭ３との間のゲートバルブを開けることにより、第２搬送室ＴＭ２内と処理室ＰＭ３とが減圧状態で連通する。
【００４９】
第２搬送室ＴＭ２内の第２搬送ロボットＴＨ２は、バッファ室ＢＭ１内から、処理室ＰＭ１内又は処理室ＰＭ２内又は処理室ＰＭ３内へ、未処理ウエハを保持して減圧状態で搬送するとともに、処理室ＰＭ１内又は処理室ＰＭ２内又は処理室ＰＭ３内に処理済ウエハがある場合は、該処理済ウエハを保持して、バッファ室ＢＭ１内へ減圧状態で搬送する。
【００５０】
バッファ室ＢＭ２と第３搬送室ＴＭ３との間のゲートバルブを開けることにより、バッファ室ＢＭ２内と第３搬送室ＴＭ３内とが、減圧状態で連通する。
また、第３搬送室ＴＭ３と処理室ＰＭ４との間のゲートバルブを開けることにより、第３搬送室ＴＭ３内と処理室ＰＭ４とが減圧状態で連通し、第３搬送室ＴＭ３と処理室ＰＭ５との間のゲートバルブを開けることにより、第３搬送室ＴＭ３内と処理室ＰＭ５とが減圧状態で連通し、第３搬送室ＴＭ３と処理室ＰＭ６との間のゲートバルブを開けることにより、第３搬送室ＴＭ３内と処理室ＰＭ６とが減圧状態で連通する。
【００５１】
第３搬送室ＴＭ３内の第３搬送ロボットＴＨ３は、バッファ室ＢＭ２内から、処理室ＰＭ４内又は処理室ＰＭ５内又は処理室ＰＭ６内へ、未処理ウエハを保持して減圧状態で搬送するとともに、処理室ＰＭ４内又は処理室ＰＭ５内又は処理室ＰＭ６内に処理済ウエハがある場合は、該処理済ウエハを保持して、バッファ室ＢＭ２内へ減圧状態で搬送する。
【００５２】
未処理ウエハが搬入された処理室ＰＭ１〜ＰＭ６内は、所定の処理圧力や所定の処理温度に調整され、処理室ＰＭ１〜ＰＭ６内に所定の処理ガスが供給されることにより、未処理ウエハに成膜等の所定の処理が行われる。
【００５３】
図１に示すように、大気搬送ロボットＬＨは、Ｓ１及びＳ２動作、すなわち、ポッドＰＤ１又はＰＤ２とロードロック室ＬＭとの間でウエハの搬送及び保持を行う。搬送ロボットＴＨ１は、Ｓ３〜Ｓ５動作、すなわち、ロードロック室ＬＭ、バッファ室ＢＭ１、バッファ室ＢＭ２との間でのウエハの搬送及び保持を行う。搬送ロボットＴＨ２は、Ｓ６〜Ｓ９動作、すなわち、バッファ室ＢＭ１、処理室ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３との間でのウエハの搬送及び保持を行う。搬送ロボットＴＨ３は、Ｓ１０〜Ｓ１３動作、すなわち、バッファ室ＢＭ２、処理室ＰＭ４、ＰＭ５、ＰＭ６との間でのウエハの搬送及び保持を行う。
【００５４】
基板処理装置１００は、制御部１０１を備えている。制御部１０１は、搬送ロボットＴＨ１〜ＴＨ３や大気搬送ロボットＬＨの搬送動作、各ゲートバルブの開閉動作、ロードロック室ＬＭ内や搬送室ＴＭ１〜ＴＭ３内や処理室ＰＭ１〜ＰＭ６内やバッファ室ＢＭ１やＢＭ２内の圧力調整、処理室ＰＭ１〜ＰＭ６内の温度調整、処理室ＰＭ１〜ＰＭ６による基板処理等をそれぞれ制御する。
【００５５】
次に、本発明の実施形態に係る基板搬送ロボットの基板支持部について、図２により説明する。図２は、本発明の実施形態に係る基板搬送ロボットの基板支持部の一例を示す垂直断面図である。図２（ａ）は、搬送ロボットのある搬送室が、例えば処理室に隣接する状態であって、処理室ＰＭ１〜ＰＭ６に接続され、直接的に、処理室との間で基板を搬入出する搬送ロボットＴＨ２〜３のエンドエフェクタＥＥの構成例を示す。搬送ロボットＴＨ２〜３のエンドエフェクタＥＥ１、ＥＥ２（基板支持部）の材質は、セラミック又は石英である。基板支持部をセラミックあるいは石英にすると、耐熱性が高いので、処理室の高温環境（例えば１００℃以上）により高温になっている基板を、搬送することができる。
【００５６】
図２（ｂ）は、搬送ロボットのある搬送室が、例えば処理室に隣接してない状態であって、処理室ＰＭ１〜ＰＭ６に接続されておらず、直接的に、処理室との間で基板を搬入出することのない搬送ロボットＴＨ１や大気搬送ロボットＬＨのエンドエフェクタＥＥの構成例を示す。搬送ロボットＴＨ１や大気搬送ロボットＬＨのエンドエフェクタＥＥ１、ＥＥ２の、少なくとも基板を載置する基板支持部（図２（ｂ）の２）の材質は、ラバーである。ラバー素材とは、Ｈ（水素）、Ｎ（窒素）、Ｃｌ（塩素）、Ｓｉ（珪素）、Ｃ（炭素）、Ｆ（フッ素）、Ｏ（酸素）のうち２つ以上を成分とする合成素材であり、例えば、バイトン（登録商標）、カルレッツ（登録商標）、テフロン（登録商標）やシリコンゴムである。
ラバー素材を基板支持部に用いた場合、基板を載置したときの摩擦力がセラミックや石英よりも大きいが、耐熱性はセラミックや石英よりも低く、例えばカルレッツ（登録商標）を用いた場合は、支持する基板の温度を約３００℃以下にする必要がある。
冷却されて温度が低くなった基板を搬送する搬送ロボットの基板支持部をラバーにすることによって、基板と基板支持部との間の摩擦力が大きくなり、基板落下を防止しつつ、より高速搬送が可能となる。
搬送ロボットＬＨ及びＴＨ１〜３の、その他の構成及び動作は、先に図５、図７、図８を用いて説明したものと同じなので、説明を省略する。
【００５７】
次に、基板処理装置１００により実施される基板処理工程について、図３を用いて説明する。なお、基板処理装置１００の各部の動作は制御部１０１により制御される。
図３は、複数のウエハに連続的に処理を行う場合において、各ウエハに対する処理内容の時間的推移を示すイベントチャートであり、ロードポートＬＰ１、ＬＰ２上のポッドＰＤ１、ＰＤ２からロードロック室ＬＭ内へのウエハ搬送が完了した後の工程を示す。図３の縦軸の「ウエハＮｏ．」は、処理されるウエハの処理順を示しており、図３ではウエハＮｏ．１〜１２の１２枚のウエハが順次処理される。図３の横軸の「イベントＮｏ．」は、図１に示す搬送ロボットＴＨ２〜３のウエハ授受動作Ｓ６〜Ｓ１３における１つの動作に要する時間を単位（１イベント）として、時間の進行に伴って順次実行される各工程（イベント）の番号を示している。図３中のＳ３〜Ｓ１３は、図１に示すＳ３〜Ｓ１３に対応するもので、ウエハの搬送内容を示す。また、図３中のＰＭ１〜ＰＭ６は、それぞれ、各処理室ＰＭ１〜ＰＭ６での基板処理を示す。
【００５８】
まず、図３におけるＮｏ．１ウエハの処理工程について説明する。
Ｎｏ．１のウエハは、イベントＮｏ．１で、ロードロック室ＬＭ内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送され（Ｓ３）、次に、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりバッファ室ＢＭ１内へ搬送される（Ｓ４）。次に、イベントＮｏ．２で、バッファ室ＢＭ１内から搬送ロボットＴＨ２により第２搬送室ＴＭ２内へ搬送される（Ｓ６）。次に、イベントＮｏ．３で、第２搬送室ＴＭ２内から搬送ロボットＴＨ２により処理室ＰＭ１内へ搬送される（Ｓ７）。次に、イベントＮｏ．４〜８で、処理室ＰＭ１内で処理される。
【００５９】
次に、処理済のＮｏ．１のウエハは、イベントＮｏ．９で、処理室ＰＭ１内から搬送ロボットＴＨ２により第２搬送室ＴＭ２内へ搬送される（Ｓ７）。次に、イベントＮｏ．１０で、第２搬送室ＴＭ２内から搬送ロボットＴＨ２によりバッファ室ＢＭ１内へ搬送される（Ｓ６）。次に、イベントＮｏ．１１で、バッファ室ＢＭ１内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送される（Ｓ４）。次に、イベントＮｏ．１２で、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりロードロック室ＬＭ内へ搬送される（Ｓ３）。
【００６０】
本実施形態では、搬送ロボットＴＨ１の基板支持部に摩擦力の大きいラバーを使用しているので、搬送ロボットＴＨ２よりも、平均搬送速度を約２倍高くすることができる。したがって、図３に示すように、Ｓ３とＳ４に要する時間を、従来よりも半分に短縮することができる。
なお、基板支持部にセラミックであるＡｌ２Ｏ３を用いた場合、基板搬送時の動作加速度を０．１Ｇ程度までしか上げることができないが、ラバー素材であるカルレッツ（登録商標）を用いた場合は、０．３Ｇ程度に上げることが可能となる。したがって、基板に加えることのできる慣性力はセラミックの３倍であるが、実際の平均速度は２倍程度になる。これは、搬送ロボットが短時間のうちに加減速を繰り返しており、常にセラミックの３倍の慣性力をかけた状態で搬送しているわけではないためで、実際の移動距離（ストローク）にも関連する。
【００６１】
次に、Ｎｏ．２ウエハの処理工程について説明する。
Ｎｏ．２のウエハは、イベントＮｏ．２で、ロードロック室ＬＭ内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送され（Ｓ３）、次に、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりバッファ室ＢＭ２内へ搬送される（Ｓ５）。次に、イベントＮｏ．３で、バッファ室ＢＭ２内から搬送ロボットＴＨ３により第３搬送室ＴＭ３内へ搬送される（Ｓ１０）。次に、イベントＮｏ．４で、第３搬送室ＴＭ３内から搬送ロボットＴＨ３により処理室ＰＭ４内へ搬送される（Ｓ１１）。次に、イベントＮｏ．５〜９で、処理室ＰＭ４内で処理される。
【００６２】
次に、処理済のＮｏ．２のウエハは、イベントＮｏ．１０で、処理室ＰＭ４内から搬送ロボットＴＨ３により第３搬送室ＴＭ３内へ搬送される（Ｓ１１）。次に、イベントＮｏ．１１で、第３搬送室ＴＭ３内から搬送ロボットＴＨ３によりバッファ室ＢＭ２内へ搬送される（Ｓ１０）。次に、イベントＮｏ．１２で、バッファ室ＢＭ２内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送される（Ｓ５）。次に、イベントＮｏ．１３で、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりロードロック室ＬＭ内へ搬送される（Ｓ３）。
【００６３】
次に、Ｎｏ．３のウエハの処理工程について説明する。
Ｎｏ．３のウエハは、イベントＮｏ．３で、ロードロック室ＬＭ内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送され（Ｓ３）、次に、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりバッファ室ＢＭ１内へ搬送される（Ｓ４）。次に、イベントＮｏ．４で、バッファ室ＢＭ１内から搬送ロボットＴＨ２により第２搬送室ＴＭ２内へ搬送される（Ｓ６）。次に、イベントＮｏ．５で、第２搬送室ＴＭ２内から搬送ロボットＴＨ２により処理室ＰＭ２内へ搬送される（Ｓ８）。次に、イベントＮｏ．６〜１０で、処理室ＰＭ２内で処理される。
【００６４】
次に、処理済のＮｏ．３のウエハは、イベントＮｏ．１１で、処理室ＰＭ２内から搬送ロボットＴＨ２により第２搬送室ＴＭ２内へ搬送される（Ｓ８）。次に、イベントＮｏ．１２で、第２搬送室ＴＭ２内から搬送ロボットＴＨ２によりバッファ室ＢＭ１内へ搬送される（Ｓ６）。次に、イベントＮｏ．１３で、バッファ室ＢＭ１内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送される（Ｓ４）。次に、イベントＮｏ．１４で、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりロードロック室ＬＭ内へ搬送される（Ｓ３）。
【００６５】
次に、Ｎｏ．４のウエハの処理工程について説明する。
Ｎｏ．４のウエハは、イベントＮｏ．４で、ロードロック室ＬＭ内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送され（Ｓ３）、次に、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりバッファ室ＢＭ２内へ搬送される（Ｓ５）。次に、イベントＮｏ．５で、バッファ室ＢＭ２内から搬送ロボットＴＨ３により第３搬送室ＴＭ３内へ搬送される（Ｓ１０）。次に、イベントＮｏ．６で、第３搬送室ＴＭ３内から搬送ロボットＴＨ３により処理室ＰＭ５内へ搬送される（Ｓ１２）。次に、イベントＮｏ．７〜１１で、処理室ＰＭ５内で処理される。
【００６６】
次に、処理済のＮｏ．４のウエハは、イベントＮｏ．１２で、処理室ＰＭ５内から搬送ロボットＴＨ３により第３搬送室ＴＭ３内へ搬送される（Ｓ１２）。次に、イベントＮｏ．１３で、第３搬送室ＴＭ３内から搬送ロボットＴＨ３によりバッファ室ＢＭ２内へ搬送される（Ｓ１０）。次に、イベントＮｏ．１４で、バッファ室ＢＭ２内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送される（Ｓ５）。次に、イベントＮｏ．１５で、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりロードロック室ＬＭ内へ搬送される（Ｓ３）。
【００６７】
次に、Ｎｏ．５のウエハの処理工程について説明する。
Ｎｏ．５のウエハは、イベントＮｏ．５で、ロードロック室ＬＭ内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送され（Ｓ３）、次に、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりバッファ室ＢＭ１内へ搬送される（Ｓ４）。次に、イベントＮｏ．６で、バッファ室ＢＭ１内から搬送ロボットＴＨ２により第２搬送室ＴＭ２内へ搬送される（Ｓ６）。次に、イベントＮｏ．７で、第２搬送室ＴＭ２内から搬送ロボットＴＨ２により処理室ＰＭ３内へ搬送される（Ｓ９）。次に、イベントＮｏ．８〜１２で、処理室ＰＭ３内で処理される。
【００６８】
次に、処理済のＮｏ．５のウエハは、イベントＮｏ．１３で、処理室ＰＭ３内から搬送ロボットＴＨ２により第２搬送室ＴＭ２内へ搬送される（Ｓ９）。次に、イベントＮｏ．１４で、第２搬送室ＴＭ２内から搬送ロボットＴＨ２によりバッファ室ＢＭ１内へ搬送される（Ｓ６）。次に、イベントＮｏ．１５で、バッファ室ＢＭ１内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送される（Ｓ４）。次に、イベントＮｏ．１６で、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりロードロック室ＬＭ内へ搬送される（Ｓ３）。
【００６９】
次に、Ｎｏ．６のウエハの処理工程について説明する。
Ｎｏ．６のウエハは、イベントＮｏ．６で、ロードロック室ＬＭ内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送され（Ｓ３）、次に、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりバッファ室ＢＭ２内へ搬送される（Ｓ５）。次に、イベントＮｏ．７で、バッファ室ＢＭ２内から搬送ロボットＴＨ３により第３搬送室ＴＭ３内へ搬送される（Ｓ１０）。次に、イベントＮｏ．８で、第３搬送室ＴＭ３内から搬送ロボットＴＨ３により処理室ＰＭ６内へ搬送される（Ｓ１３）。次に、イベントＮｏ．９〜１３で、処理室ＰＭ６内で処理される。
【００７０】
次に、処理済のＮｏ．６のウエハは、イベントＮｏ．１４で、処理室ＰＭ６内から搬送ロボットＴＨ３により第３搬送室ＴＭ３内へ搬送される（Ｓ１３）。次に、イベントＮｏ．１５で、第３搬送室ＴＭ３内から搬送ロボットＴＨ３によりバッファ室ＢＭ２内へ搬送される（Ｓ１０）。次に、イベントＮｏ．１６で、バッファ室ＢＭ２内から搬送ロボットＴＨ１により第１搬送室ＴＭ１内へ搬送される（Ｓ５）。次に、イベントＮｏ．１７で、第１搬送室ＴＭ１内から搬送ロボットＴＨ１によりロードロック室ＬＭ内へ搬送される（Ｓ３）。
【００７１】
同様にして、Ｎｏ．７のウエハを処理室ＰＭ１へ搬送して処理し、Ｎｏ．８のウエハを処理室ＰＭ４へ搬送して処理し、Ｎｏ．９のウエハを処理室ＰＭ２へ搬送して処理し、Ｎｏ．１０のウエハを処理室ＰＭ５へ搬送して処理し、Ｎｏ．１１のウエハを処理室ＰＭ３へ搬送して処理し、Ｎｏ．１２のウエハを処理室ＰＭ６へ搬送して処理する。
【００７２】
本実施形態では、搬送ロボットＴＨ１の基板支持部に摩擦力の大きいラバーを使用しているので、搬送ロボットＴＨ２よりも、搬送速度を約２倍高くすることができる。したがって、図３に示すように、搬送ロボットＴＨ１の搬送時間、すなわち、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５に要する時間を、従来よりも半分に短縮することができる。
【００７３】
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。本発明は、半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ製造装置のようなガラス基板を処理する装置や、他の基板処理装置にも適用できる。基板処理の処理内容は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜、金属含有膜等を形成する成膜処理だけでなく、露光処理、リソグラフィ、塗布処理等であってもよい。
【符号の説明】
【００７４】
ＬＰ１…ロードポート、ＬＰ２…ロードポート、ＰＤ１…ポッド、ＰＤ２…ポッド、ＥＦＥＭ…大気搬送室、ＬＨ…大気搬送ロボット、ＬＭ…ロードロック室、ＴＨ１…第１搬送ロボット、ＴＨ２…第２搬送ロボット、ＴＨ３…第３搬送ロボット、ＴＭ１…第１搬送室、ＴＭ２…第２搬送室、ＴＭ３…第３搬送室、ＰＭ１…第１処理室、ＰＭ２…第２処理室、ＰＭ３…第３処理室、ＰＭ４…第４処理室、ＰＭ５…第５処理室、ＰＭ６…第６処理室、ＢＭ１…第１バッファ室、ＢＭ２…第２バッファ室、ＥＥ１…エンドエフェクタ、ＥＥ２…エンドエフェクタ、１０１…制御部、４０１…制御部。
【図１】
2012069658.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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