(57)【要約】【課題】従来よりも工程の手間が省かれた方法でデバイスが多段にスタックされた半導体装置を製造する。【解決手段】側面１２に露出する電極１３を有する複数のデバイス１０を、デバイス１０の電極１３に対応する被接続電極２４が形成された内面２２ａ，２３ａとデバイス１０の下面を支持する支持面２１ａとを有する積層デバイス収容箱２０の中に、内面２２ａ，２３ａにデバイス１０の側面１２を突き当て、電極１３と被接続電極２４とを電気的に接続しながら、支持面２１ａ上に積層していく。積層デバイス収容箱２０の被接続電極２４を介してデバイス１０の電極１３どうしが自動的に接続されていく。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイスを積層させて各デバイス間を電気的に接続したスタックデバイスの製造方法であって、
側面に露出して形成される電極を有するデバイスを複数用意する工程と、
内面に露出して形成され前記デバイスの前記電極に対応する被接続電極と、該デバイスの下面を支持する支持面と、を有する積層デバイス収容箱を用意する工程と、
該積層デバイス収容箱の内面に前記デバイスの側面を突き当て、前記電極と前記被接続電極とを電気的に接続しながら、該積層デバイス収容箱の前記支持面上に複数の前記デバイスを積層する積層工程と、
を含むことを特徴とするスタックデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のデバイスを積層させて各デバイス間を電気的に接続したスタックデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯機器、特に携帯電話市場における小型化の要求に伴い、搭載される半導体装置に対しても小型化が要求されている。この要求を満たすために、複数のデバイスを積層し、さらに樹脂封止したスタックタイプの半導体装置が開発されている（例えば特許文献１参照）。また、貫通電極を直接接合することにより電気的な接続を行ってデバイスの小型化を図る技術も知られている（特許文献２等）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１１８８７７号公報
【特許文献２】特開平５−４８００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかして、従来の貫通電極を接合する方式では、接合箇所ごとに電極どうしの位置合わせを行う必要があり、デバイスが多段にスタックされる半導体装置の製造に適用した場合には、非常に手間がかかるという問題があった。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その主な技術的課題は、従来よりも工程の手間が省かれた方法でデバイスが多段にスタックされた半導体装置を製造することができるスタックデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のスタックデバイスの製造方法は、複数のデバイスを積層させて各デバイス間を電気的に接続したスタックデバイスの製造方法であって、側面に露出して形成される電極を有するデバイスを複数用意する工程と、内面に露出して形成され前記デバイスの前記電極に対応する被接続電極と、該デバイスの下面を支持する支持面と、を有する積層デバイス収容箱を用意する工程と、該積層デバイス収容箱の内面に前記デバイスの側面を突き当て、前記電極と前記被接続電極とを電気的に接続しながら、該積層デバイス収容箱の前記支持面上に複数の前記デバイスを積層する積層工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、積層デバイス収容箱の中に複数のデバイスを積層しながら収容していくことにより、各デバイスの電極が積層デバイス収容箱の被接続電極を介して接続され、電気的に接続された複数のデバイスがデバイス収容箱内に積層されてなるスタックデバイスが得られる。デバイスの電極と積層デバイス収容箱の被接続電極とが対応しているため、積層デバイス収容箱の中にデバイスを積層していくことでデバイスどうしの電気的な接続が自動的になされる。このため、電極どうしの位置合わせをデバイスごとに行う必要がなく、接続のための手間が省かれる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、従来よりも工程の手間が省かれた方法でデバイスが多段にスタックされた半導体装置を製造することができるスタックデバイスの製造方法が提供されるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る製造方法で得られるスタックデバイスを構成するデバイスの（ａ）一方向斜視図、（ｂ）他方向斜視図である。
【図２】同スタックデバイスを構成する積層デバイス収容箱の斜視図である。
【図３】一実施形態に係る製造方法における積層工程の第１段階を示す（ａ）斜視図、（ｂ）一部断面図である。
【図４】一実施形態に係る製造方法における積層工程のイメージを示す斜視図である。
【図５】一実施形態に係る製造方法で製造されたスタックデバイスの（ａ）斜視図、（ｂ）一部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
（１）複数のデバイスを用意する工程
本実施形態では、図１に示す半導体チップからなるデバイス１０を積層したスタックデバイスを製造するものとする。デバイス１０は、矩形板状の基板１１内に図示せぬＩＣやＬＳＩ等からなる電子回路を有している。デバイス１０は、例えば、多数の当該デバイス１０が形成された半導体ウェーハを周知の切削装置（ダイサー）により切削して分割することで得られたものである。
【００１１】
各デバイス１０における基板１１の、４つの側面のうちの互いに連なる２つの側面１２には、複数（この場合、３つ）の電極１３が露出して形成されている。電極１３は、側面１２の長手方向に沿って等間隔をおいた箇所に形成されている。本実施形態では、まずこのようなデバイス１０を必要数（この場合、１つのスタックデバイスにつき４つ）用意する。
【００１２】
（２）積層デバイス収容箱を用意する工程
本実施形態では、複数の上記デバイス１０を用意する一方、図２に示す積層デバイス収容箱２０を用意する。この積層デバイス収容箱２０は、樹脂からなる矩形状の底板２１および２つの側板２２，２３から構成されている。
【００１３】
底板２１はデバイス１０と同等サイズであり、底面である支持面２１ａに、複数のデバイス１０の下面が支持されて積層される。側板２２，２３は、下端部の内面が底板２１の端面に接合され、また、互いの接合端面どうしが接合されて底板２１に組み付けられる。側板２２，２３の底板２１に対する接合、ないし側板２２，２３どうしの接合は、接着剤の塗布、あるいは半導体デバイス分野で用いられるＤＡＦ（Die Attach Film）等の接着シートを用いての接着といった接着手段を用いて行われる。
【００１４】
側板２２，２３には配線が埋め込まれており、これら側板２２，２３のそれぞれの内面２２ａ，２３ａには、支持面２１ａに積層されるデバイス１０の側面１２に形成された電極１３に対応する被接続電極２４が露出して形成されている。すなわち、側板２２，２３の内面２２ａ，２３ａの、支持面２１ａに積層されるデバイス１０の側面１２が対向する箇所に、該側面１２に形成された複数（３つ）の電極１３に接触し得る横３列の被接続電極２４が、積層されるデバイス１０の数に応じた段数（この場合、４段）をもって形成されている。そして、これら被接続電極２４は、縦方向に側板２２，２３内で配線により接続され、さらに側板２２，２３の上端面に形成された実装電極２５に接続されている。
【００１５】
積層デバイス収容箱２０を構成する底板２１および側板２２，２３は、例えば、配線および各電極２４，２５を埋め込んだ樹脂からなるブロックを上記切削装置で切削して切り出すことにより、得ることができる。
【００１６】
（３）積層工程
以上の複数のデバイス１０および積層デバイス収容箱２０を用意したら、次のようにして積層デバイス収容箱２０にデバイス１０を積層していく。
【００１７】
まず、図３に示すように、１つのデバイス１０を、積層デバイス収容箱２０の支持面２１ａに接着して支持させるとともに、側板２２，２３の内面２２ａ，２３ａにデバイス１０の側面１２を突き当て、デバイス１０側の電極１３を、該電極１３に対応する側板２２，２３側の被接続電極２４に当接させて電気的に接続する。
【００１８】
このように最初のデバイス１０を積層デバイス収容箱２０の支持面２１ａに載せて収容したら、そのデバイス１０の上に次のデバイス１０を接着するとともに、同様にして側面１２を側板２２，２３の内面２２ａ，２３ａに突き当てることで、デバイス１０の電極１３を積層デバイス収容箱２０の被接続電極２４に当接させる。積層するデバイス１０の接着は、上記ＤＡＦ等が好適に用いられる。
【００１９】
このようなデバイス１０上へのデバイスの積層に伴う被接続電極２４への電極の当接といった作業を、図４に示すように積層するデバイス１０の数に応じて行う。これにより、図５に示すように、積層デバイス収容箱２０内に複数のデバイス１０が積層された半導体装置であるスタックデバイス３０を得る。積層された複数のデバイス１０は、電極１３が積層デバイス収容箱２０の被接続電極２４を介して接続されることにより電気的に接続されている。得られたスタックデバイス３０は、側板２２，２３の上端面の実装電極２５がワイヤボンディングされるなどして、目的の機器の基板等に実装される。
【００２０】
本実施形態では、積層デバイス収容箱２０の中にデバイス１０を積層しながら収容していくことにより、各デバイス１０の電極１３が積層デバイス収容箱２０の被接続電極２４を介して接続され、電気的に接続された複数のデバイス１０が積層デバイス収容箱２０内に積層されてなるスタックデバイス３０が製造される。デバイス１０の電極１３と積層デバイス収容箱２０の被接続電極２４とが対応しているため、積層デバイス収容箱２０の中にデバイス１０を積層していくことでデバイス１０どうしの電気的な接続が自動的になされる。
【００２１】
したがって本実施形態の製造方法によれば、電極１３どうしの位置合わせをデバイス１０ごとに行う必要がなく、接続のための手間が省かれ、従来よりも工程の手間が省かれた方法でデバイス１０が多段にスタックされた半導体装置（スタックデバイス３０）を製造することができる。
【００２２】
特に、デバイス１０および積層デバイス収容箱２０の側板２２，２３を、上記の切削装置により切り出して得た場合には、電極１３および被接続電極２４の互いの当接面は凹凸が少ない平坦面となり、当接させるだけで必要な導通を得ることができることから、工程の省略を図る上で一層有効である。
【符号の説明】
【００２３】
１０…デバイス、１２…デバイスの側面、１３…デバイスの電極、２０…積層デバイス収容箱２０、２１ａ…支持面、２２ａ，２３ａ…被接続電極の内面、２４…被接続電極、３０…スタックデバイス（半導体装置）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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