(57)【要約】【課題】バイアス線が断線しても、線欠陥の発生率を低減させることが可能な放射線検出パネルおよび放射線画像撮影装置を提供する。【解決手段】放射線検出パネル（センサパネルＳＰ）が備える各バイアス線９において、当該バイアス線９の一端部９ａ側と他端部９ｂ側との両側から、各放射線検出素子７にバイアス電圧を供給可能に構成し、放射線検出素子７には、バイアス線９の一端部９ａ側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線９の他端部９ｂ側からバイアス電圧が供給されるようにする。具体的には、各バイアス線９において、当該バイアス線９の一端部９ａを、バイアス電源１４に接続し、当該バイアス線９の他端部９ｂを、当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続する。【選択図】図４
2012182759.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、
前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記信号線に並行して配設されているとともに前記放射線検出素子に接続され、バイアス電源から前記各放射線検出素子にバイアス電圧を供給する複数のバイアス線と、を備え、
前記各バイアス線は、当該バイアス線の一端部側と他端部側との両側から、前記各放射線検出素子にバイアス電圧を供給可能に構成されており、
前記放射線検出素子には、前記バイアス線の一端部側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線の他端部側からバイアス電圧が供給されることを特徴とする放射線検出パネル。
【請求項２】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、
前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記信号線に並行して配設されているとともに前記放射線検出素子に接続され、バイアス電源から前記各放射線検出素子にバイアス電圧を供給する複数のバイアス線と、を備え、
前記各バイアス線は、
当該バイアス線の一端部が、前記バイアス電源に接続されており、
当該バイアス線の他端部が、当該バイアス線以外のバイアス線に接続されていることを特徴とする放射線検出パネル。
【請求項３】
前記各バイアス線を所定の本数毎に結束する複数の結線を備え、
前記各バイアス線は、
当該バイアス線の一端部が、当該バイアス線に接続する前記結線を介して前記バイアス電源に接続されており、
当該バイアス線の他端部が、当該バイアス線に接続する結線とは異なる他の結線に接続するバイアス線に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の放射線検出パネル。
【請求項４】
前記各バイアス線は、当該バイアス線の他端部が、当該バイアス線以外のバイアス線の他端部に接続されていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の放射線検出パネル。
【請求項５】
前記複数の走査線および前記複数の信号線と、前記複数の放射線検出素子と、前記複数のバイアス線とを備える検出部を備え、
前記検出部は、複数のブロック領域から構成され、
前記各ブロック領域には、前記バイアス線がそれぞれ配置され、
前記複数のブロック領域のうち一のブロック領域に配置されたバイアス線と、前記複数のブロック領域のうち他の一のブロック領域に配置されたバイアス線とは、前記他端部が互いに対向するように線対称に配置され、
前記各バイアス線は、互いに対向する前記他端部同士が接続されていることを特徴とする請求項４に記載の放射線検出パネル。
【請求項６】
前記各バイアス線は、当該バイアス線の前記他端部が、当該バイアス線以外の複数のバイアス線の他端部に接続線を介して接続され、
前記接続線は、前記各走査線および前記各信号線に交差しないように配設されていることを特徴とする請求項４に記載の放射線検出パネル。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れか一項に記載の放射線検出パネルを備えることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出パネルおよび放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
病気診断等を目的として、Ｘ線画像に代表される放射線を用いて撮影された放射線画像が広く用いられている。こうした医療用の放射線画像は、従来からスクリーンフィルムを用いて撮影されていたが、放射線画像のデジタル化を図るために輝尽性蛍光体シートを用いたＣＲ（Computed Radiography）装置が開発されている。また、最近では、照射された放射線を、二次元状に配置された放射線検出素子で検出して、デジタル画像データとして取得する放射線画像撮影装置が開発されている。
【０００３】
このような放射線画像撮影装置としては、照射されたＸ線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号（すなわち画像データ）に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換された電磁波のエネルギーに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号（すなわち画像データ）に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。
【０００４】
このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られている。従来は支持台（或いはブッキー装置）と一体的に形成された、いわゆる専用機型として構成されていた（例えば特許文献１参照）。近年、放射線検出素子等を備える放射線検出パネル等を筐体内に収納して持ち運びできるようにした可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献２、３参照）。
【０００５】
このような放射線画像撮影装置が備える放射線検出パネルでは、図１９に示すように、通常、基板４上に交差するように配設された複数の走査線５と複数の信号線６とにより区画された各小領域ｒにそれぞれ放射線検出素子７が配置され、複数の放射線検出素子７が二次元状（マトリクス状）に配列されて検出部Ｐが形成される。
また、図２０に示すように、検出部Ｐが複数のブロック領域（図２０の場合は上側ブロック領域Ｐ１および下側ブロック領域Ｐ２）から構成されている場合もある（例えば特許文献４参照）。
【０００６】
各放射線検出素子７には、それぞれ薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下、ＴＦＴという。）８で形成されたスイッチ手段が接続されている。また、各放射線検出素子７には、放射線検出素子７にバイアス電圧を供給するためのバイアス線９がそれぞれ接続されている。さらに、各走査線５は走査駆動手段のゲートドライバに接続されており、各信号線６は各読み出しＩＣ内の読み出し回路にそれぞれ接続されている。
【０００７】
放射線画像撮影の際には、ゲートドライバから全ての走査線５にオフ電圧を印加して各ＴＦＴ８をオフ状態とした状態で、放射線画像撮影装置に放射線が照射される。すると、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷が各放射線検出素子７内にそれぞれ蓄積される。
そして、放射線の照射後、ゲートドライバから各走査線５にオン電圧が順次印加されると、各放射線検出素子７内に蓄積された電荷が、オン状態とされたＴＦＴ８を介して信号線６に放出され、その電荷が読み出し回路で電気信号（すなわち画像データ）に変換されて読み出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平９−７３１４４号公報
【特許文献２】特開２００６−０５８１２４号公報
【特許文献３】特開平６−３４２０９９号公報
【特許文献４】特開２０１０−２１７１４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図１９に示す場合も、図２０に示す場合も、バイアス線９の一端部９ａのみが入出力端子１１に接続されている。すなわち、バイアス線９の一端部９ａのみが、入出力端子１１を介して、バイアス電源に接続されている。
【００１０】
したがって、バイアス線９が断線すると、図１９や図２０に示したように、並んで配設された複数の放射線検出素子７毎に１本ずつバイアス線９が配線されている場合には、断線部分から先の放射線検出素子７にバイアス電圧が供給されなくなる。そのため、それらの放射線検出素子７では、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生されなくなり、放射線画像上に異常な画像データが線状に並ぶ、いわゆる線欠陥が発生してしまう。
【００１１】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、バイアス線が断線しても、線欠陥の発生率を低減させることが可能な放射線検出パネルおよび放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の問題を解決するために、本発明の放射線検出パネルは、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、
前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記信号線に並行して配設されているとともに前記放射線検出素子に接続され、バイアス電源から前記各放射線検出素子にバイアス電圧を供給する複数のバイアス線と、を備え、
前記各バイアス線は、当該バイアス線の一端部側と他端部側との両側から、前記各放射線検出素子にバイアス電圧を供給可能に構成されており、
前記放射線検出素子には、前記バイアス線の一端部側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線の他端部側からバイアス電圧が供給されることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の放射線検出パネルは、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、
前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記信号線に並行して配設されているとともに前記放射線検出素子に接続され、バイアス電源から前記各放射線検出素子にバイアス電圧を供給する複数のバイアス線と、を備え、
前記各バイアス線は、
当該バイアス線の一端部が、前記バイアス電源に接続されており、
当該バイアス線の他端部が、当該バイアス線以外のバイアス線に接続されていることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の放射線画像撮影装置は、
本発明の放射線検出パネルを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のような方式によれば、バイアス線が断線して放射線検出素子に対する当該バイアス線の一端部側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該放射線検出素子には、当該バイアス線の他端部側からバイアス電圧が供給される。したがって、バイアス線が断線しても、バイアス線の断線で放射線検出素子にバイアス電圧が供給されなくなることにより生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。
また、その結果、放射線検出パネルの不良率が抑制されるので、放射線検出パネルの歩留まりを向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図３】放射線画像撮影装置のコネクタにケーブルのコネクタを接続した状態を表す斜視図である。
【図４】放射線画像撮影装置の基板の構成を示す平面図である。
【図５】図４の基板上の小領域に形成された放射線検出素子やＴＦＴなどの構成を示す拡大図である。
【図６】フレキシブル回路基板やＰＣＢ基板などが取り付けられた基板を説明する側面図である。
【図７】放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。
【図８】図５におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図の一部の一例を示す図である。
【図９】バイアス線が断線し易い絶縁層の段差部分を表す拡大断面図である。
【図１０】（Ａ）は、上側の有機層が下側の無機層よりも内側に突出するように積層された状態を表す拡大断面図であり、（Ｂ）は、バイアス線が断線し易い有機層が突出した部分の下側の部分を表す拡大断面図である。
【図１１】バイアス線の断線の一例を説明するための図である。
【図１２】バイアス線の断線の他の一例を説明するための図である。
【図１３】結線の断線の一例を説明するための図である。
【図１４】放射線画像撮影装置の基板の構成の他の一例を示す図である。
【図１５】第２実施形態における放射線画像撮影装置の基板の構成の一例を示す図である。
【図１６】第２実施形態における放射線画像撮影装置の基板の構成の他の一例を示す図である。
【図１７】第２実施形態における放射線画像撮影装置の基板の構成の他の一例を示す図である。
【図１８】変形例における放射線画像撮影装置の基板の構成の一例を示す図である。
【図１９】従来の放射線画像撮影装置の基板の構成の一例を示す平面図である。
【図２０】従来の放射線画像撮影装置の基板の構成の他の一例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。ただし、本発明を適用可能な実施形態はこれに限定されるものではない。また、本発明は図示例に限定されるものでもない。
【００１８】
なお、以下では、放射線画像撮影装置として、シンチレータ等を備え、放射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得る、いわゆる間接型の放射線画像撮影装置について説明するが、本発明は、シンチレータ等を介さずに放射線を放射線検出素子で直接検出する、いわゆる直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。
また、放射線画像撮影装置が可搬型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、支持台等と一体的に形成された固定型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。
【００１９】
＜第１実施形態＞
まず、第１実施形態に係る放射線画像撮影装置について説明する。
図１は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。
また、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
本実施形態に係る放射線画像撮影装置１は、いわゆるフラットパネルディテクタ（以下「ＦＰＤ」という。）を可搬型に構成したカセッテ型ＦＰＤであり、放射線画像撮影に用いられ、放射線を検出して当該放射線の線量に応じた画像データを生成して取得するものである。
【００２０】
放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体２内にシンチレータ３や基板４などで構成される放射線検出パネルとしてのセンサパネルＳＰが収納されて構成されている。
【００２１】
本実施形態において、筐体２のうち、放射線入射面Ｒを有する中空の角筒状のハウジング本体部２Ａは、放射線を透過するカーボン板やプラスチックなどの材料で形成されている。ハウジング本体部２Ａの両側の開口部を蓋部材２Ｂ、２Ｃで閉塞することで筐体２が形成されている。なお、筐体２をこのようないわゆるモノコック型として形成する代わりに、例えば、フロント板とバック板とで形成された、いわゆる弁当箱型とすることも可能である。
【００２２】
また、筐体２の一方側の蓋部材２Ｂには、電源スイッチ３７や切替スイッチ３８などが配置されている。
また、蓋部材２Ｂには、バッテリ状態や放射線画像撮影装置１の稼働状態などを表示するＬＥＤ等で構成されたインジケータ４０が配置されている。
【００２３】
また、本実施形態において、蓋部材２Ｂには、例えば図３に示すように、ケーブルＣａの先端に設けられたコネクタＣが接続され、ケーブルＣａを介して外部装置との間で有線通信を行うための有線通信手段であるコネクタ３９が設けられている。
【００２４】
また、図示を省略するが、筐体２の他方側の蓋部材２Ｃには、外部装置との間で無線通信を行うための無線通信手段であるアンテナ装置４１（後述する図７参照）が、例えば蓋部材２Ｃに埋め込まれる等して設けられている。
【００２５】
図２に示すように、筐体２の内部には、基板４の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置されている。この基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３やバッテリ２４などが取り付けられている。
また、基板４やシンチレータ３の放射線入射面Ｒ側の面には、それらを保護するためのガラス基板３４が配設されている。
また、本実施形態においては、センサパネルＳＰと筐体２の側面との間に、それらがぶつかり合うことを防止するための緩衝材３５が設けられている。
【００２６】
シンチレータ３は、基板４の検出部Ｐ（後述）に対向する位置に設けられている。本実施形態において、シンチレータ３は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると３００〜８００ｎｍの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。
【００２７】
本実施形態において、基板４は、ガラス基板で構成されている。この基板４のシンチレータ３に対向する側の面４ａ上には、図４に示すように、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。そして、基板４の面４ａ上の複数の走査線５と複数の信号線６とにより区画された各小領域ｒには、放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。
このように、走査線５と信号線６とで区画された各小領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７が設けられた領域全体、すなわち図４に一点鎖線で示される領域が検出部Ｐとされている。
【００２８】
本実施形態においては、放射線検出素子７としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。
各放射線検出素子７は、図４の拡大図である図５に示すように、スイッチ手段であるＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。また、ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは信号線６に接続されている。
【００２９】
放射線検出素子７は、放射線画像撮影装置１の筐体２の放射線入射面Ｒから放射線が入射し、シンチレータ３で放射線から変換された可視光等の電磁波が照射されると、その内部で電子正孔対を発生させる。放射線検出素子７は、このようにして、照射された放射線（本実施形態ではシンチレータ３で放射線から変換された電磁波）を電荷に変換するようになっている。
【００３０】
そして、ＴＦＴ８は、走査駆動手段１５（後述）から、接続された走査線５を介してゲート電極８ｇにオン電圧が印加されるとオン状態となり、ソース電極８ｓやドレイン電極８ｄを介して放射線検出素子７内に蓄積されている電荷を信号線６に放出させるように構成されている。
また、ＴＦＴ８は、走査駆動手段１５（後述）から、接続された走査線５を介してゲート電極８ｇにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を停止して、放射線検出素子７内に電荷を蓄積させるように構成されている。
【００３１】
本実施形態においては、図４や図５に示すように、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子７に１本のバイアス線９が接続されており、各バイアス線９はそれぞれ信号線６に並行して配設されている。また、図４に示すように、各バイアス線９は、基板４の検出部Ｐの外側の位置で結線１０に結束されている。
【００３２】
また、本実施形態において、各走査線５や各信号線６、バイアス線９の結線１０は、図４に示すように、それぞれ基板４の端縁部付近に設けられた入出力端子（「パッド」ともいう。）１１に接続されている。各入出力端子１１には、図６に示すように、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂ（後述）を構成するゲートＩＣ１５ｃ等のチップがフィルム上に組み込まれたフレキシブル回路基板（「Chip On Film」等ともいう。）１２が異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）などの異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。
【００３３】
そして、フレキシブル回路基板１２は、基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側でＰＣＢ基板３３に接続されている。このようにして、放射線画像撮影装置１のセンサパネルＳＰが形成されている。なお、図６では、電子部品３２等の図示が省略されている。
【００３４】
ここで、本実施形態のセンサパネルＳＰが特徴とするバイアス線９について説明する。
以下、説明の便宜上、「上」、「下」、「左」、「右」を用いて説明するが、この「上」、「下」、「左」、「右」に特に意味はない。図４等において図示した状態を便宜的に「上」、「下」、「左」、「右」と呼ぶだけである。
【００３５】
まず、放射線検出パネルとしてのセンサパネルＳＰが備える検出部Ｐ、走査線５、信号線６の構成について説明する。
図４に示すように、本実施形態において、検出部Ｐは、当該検出部Ｐにおける上下方向略中央よりも上側の上側ブロック領域Ｐ１と、当該検出部Ｐにおける上下方向略中央よりも下側の下側ブロック領域Ｐ２とから構成されている。すなわち、検出部Ｐは、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２との上下２つのブロック領域から構成されている。
【００３６】
また、本実施形態において、信号線６は、上下方向に沿って延在しており、検出部Ｐにおける上下方向略中央の位置で、上側ブロック領域Ｐ１に配置される信号線６と、下側ブロック領域Ｐ２に配置される信号線６とに分断されている。
そして、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている信号線６は、図４に一点鎖線で示される検出部Ｐよりも上側に延設されて、検出部Ｐよりも上側の位置でそれぞれ入出力端子１１に接続されている。
また、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている信号線６は、図４に一点鎖線で示される検出部Ｐよりも下側に延設されて、検出部Ｐよりも下側の位置でそれぞれ入出力端子１１に接続されている。
【００３７】
また、本実施形態において、同一のブロック領域に配置されている複数の信号線６は、所定の本数毎（図示では８本毎）に組になっている。同じ組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１は、互いに近接して配置されている。そして、同じ組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１は、１つのフレキシブル回路基板１２に接続されるようになっている。
なお、図示では、便宜上、走査線５や信号線６、バイアス線９を、８本毎にそれぞれ１つの組としたが、実際には、走査線５や信号線６、バイアス線９は、例えば６４本や１２８本毎にそれぞれ１つの組とされている。
【００３８】
なお、本実施形態では、１つのブロック領域に２組の複数の信号線６が配置されていることとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、１つのブロック領域には、１組の複数の信号線６が配置されていてもよいし、３組以上の複数の信号線６が配置されていてもよい。
また、複数のブロック領域のうち一のブロック領域に配置された信号線６と、複数のブロック領域のうち他の一のブロック領域に配置された信号線６とが、信号線６の他端部（入出力端子１１側とは反対側の端部）が互いに対向するように線対称に配置されているのであれば、各組に属する信号線６の本数や、各ブロック領域に配置される信号線６の組の個数は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
すなわち、例えば、ある組には８本の信号線６が属するとともに、他の組には１６本の信号線６が属するように構成することも可能である。また、例えば、上側ブロック領域Ｐ１に１組の複数の信号線６が配置されるとともに、下側ブロック領域Ｐ２に３組の複数の信号線６が配置されるように構成することも可能である。
【００３９】
また、本実施形態において、走査線５は、左右方向に沿って延在している。走査線５のうち、検出部Ｐにおける上下方向略中央よりも上側に配設されている走査線５は、上側ブロック領域Ｐ１に配置されており、検出部Ｐにおける上下方向略中央よりも下側に配設されている走査線５は、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている。
そして、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている走査線５と、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている走査線５とはともに、図４に一点鎖線で示される検出部Ｐよりも左側に延設されて、検出部Ｐよりも左側の位置でそれぞれ入出力端子１１に接続されている。
【００４０】
また、本実施形態において、同一のブロック領域に配置されている複数の走査線５は、所定の本数毎（図示では８本毎）に組になっている。同じ組に属する複数の走査線５に接続された各入出力端子１１は、互いに近接して配置されている。そして、同じ組に属する複数の走査線５に接続された各入出力端子１１は、１つのフレキシブル回路基板１２に接続されるようになっている。
【００４１】
なお、本実施形態では、１つのブロック領域に１組の複数の走査線５が配置されていることとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、１つのブロック領域には、２組以上の複数の走査線５が配置されていてもよい。
また、各組に属する走査線５の本数は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。すなわち、例えば、ある組には８本の走査線５が属するとともに、他の組には１６本の走査線５が属するように構成することも可能である。
また、各ブロック領域に配置される複数の走査線５の組の個数は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。すなわち、例えば、上側ブロック領域Ｐ１に１組の複数の走査線５が配置されるとともに、下側ブロック領域Ｐ２に３組の複数の走査線５が配置されるように構成することも可能である。
【００４２】
次に、放射線検出パネルとしてのセンサパネルＳＰが備えるバイアス線９の構成について説明する。
本実施形態において、バイアス線９は、上下方向に沿って延在しており、検出部Ｐにおける上下方向略中央の位置で、上側ブロック領域Ｐ１に配置されるバイアス線９と、下側ブロック領域Ｐ２に配置されるバイアス線９とに分断されている。
そして、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている各バイアス線９は、図４に一点鎖線で示される検出部Ｐよりも上側に延設されて、検出部Ｐよりも上側の位置でそれぞれ結線１０に結束されている。
また、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている各バイアス線９は、図４に一点鎖線で示される検出部Ｐよりも下側に延設されて、検出部Ｐよりも下側の位置でそれぞれ結線１０に結束されている。
【００４３】
また、本実施形態において、同一のブロック領域に配置されている複数のバイアス線９は、所定の本数毎（図示では８本毎）に組になっている。
具体的には、バイアス線９は、同じ組に属する複数の信号線６に接続されている各放射線検出素子７と接続するバイアス線９毎に組になっている。すなわち、同じ組に属する複数の信号線６に接続されている各放射線検出素子７は、同じ組に属する複数のバイアス線９と接続している。
【００４４】
また、本実施形態において、同一のブロック領域に配置されている複数のバイアス線９は、所定の本数毎（図示では４本毎）に１本の結線１０で結束されている。
具体的には、図４に示すように、同じ組に属する複数のバイアス線９のうち、左側の所定本数分（図示では４本分）が、１本の結線１０に結束されている。当該１本の結線１０は、対応する組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１のうち最も左側に位置する入出力端子１１の左側に近接して配置された入出力端子１１に接続されている。そして、この入出力端子１１、すなわち当該１本の結線１０に接続する入出力端子１１は、例えば、対応する組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１と同一のフレキシブル回路基板１２に接続されるようになっている。
【００４５】
また、図４に示すように、同じ組に属する複数のバイアス線９のうち、右側の所定本数分（図示では４本分）が、１本の結線１０に結束されている。当該１本の結線１０は、対応する組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１のうち最も右側に位置する入出力端子１１の右側に近接して配置された入出力端子１１に接続されている。そして、この入出力端子１１、すなわち当該１本の結線１０に接続する入出力端子１１は、例えば、対応する組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１と同一のフレキシブル回路基板１２に接続されるようになっている。
【００４６】
なお、本実施形態では、１つのブロック領域に２組の複数のバイアス線９が配置されていることとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、１つのブロック領域には、１組の複数のバイアス線９が配置されていてもよいし、３組以上の複数のバイアス線９が配置されていてもよい。
また、複数のブロック領域のうち一のブロック領域に配置されたバイアス線９と、複数のブロック領域のうち他の一のブロック領域に配置されたバイアス線９とが、バイアス線９の他端部９ｂ（入出力端子１１側とは反対側の端部）が互いに対向するように線対称に配置されているのであれば、各組に属するバイアス線９の本数や、各ブロック領域に配置されるバイアス線９の組の個数は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
すなわち、例えば、ある組には８本のバイアス線９が属するとともに、他の組には１６本のバイアス線９が属するように構成することも可能である。また、例えば、上側ブロック領域Ｐ１に１組の複数のバイアス線９が配置されるとともに、下側ブロック領域Ｐ２に３組の複数のバイアス線９が配置されるように構成することも可能である。
【００４７】
ここで、各バイアス線９は、図４に示すように、当該バイアス線９の一端部９ａが、結線１０や入出力端子１１を介してバイアス電源１４（後述する図７参照）に接続されているとともに、当該バイアス線９の他端部９ｂが、接続線３０を介して当該バイアス線９以外のバイアス線９の他端部９ｂに接続されている。
【００４８】
具体的には、本実施形態において、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている各バイアス線９と、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている各バイアス線９とは、他端部９ｂが互いに対向するように線対称に配置されている。そして、各バイアス線９は、互いに対向する他端部９ｂ，９ｂ同士が接続線３０を介して接続されている。
【００４９】
より具体的に、上側ブロック領域Ｐ１に配置されているバイアス線９のうち任意の１本を「バイアス線Ａ」と称して説明する。バイアス線Ａと、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている複数のバイアス線９のうちバイアス線Ａと線対称の位置にあるバイアス線９（すなわち、バイアス線Ａの延長線上にあるバイアス線９）とは、他端部９ｂが互いに対向している。そして、バイアス線Ａの他端部９ｂと、バイアス線Ａと線対称の位置にあるバイアス線９の他端部９ｂとが、接続線３０を介して接続されている。
【００５０】
なお、本実施形態では、検出部Ｐを上下２つのブロック領域から構成することとしたが、これに限定されるものではない。検出部Ｐが、複数のブロック領域から構成されており、複数のブロック領域のうち一のブロック領域に配置されたバイアス線９と、複数のブロック領域のうち他の一のブロック領域に配置されたバイアス線９とが、他端部９ｂが互いに対向するように線対称に配置されているのであれば、各ブロック領域の位置やサイズは任意である。
すなわち、例えば、検出部Ｐは、左右２つのブロック領域から構成されていてもよいし、上下左右４つのブロック領域から構成されていてもよい。
また、各ブロック領域のサイズは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００５１】
次に、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。
図７は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の等価回路を表すブロック図である。
【００５２】
各放射線検出素子７の基板４に近い側には下部電極７ｂが設けられ、基板４から遠い側には上部電極７ａが設けられている。そして、各放射線検出素子７の上部電極７ａにはそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９は結線１０に結束されてバイアス電源１４に接続されている。バイアス電源１４は、各結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の上部電極７ａにそれぞれバイアス電圧を印加するように構成されている。
なお、図７では、同じ組に属する各バイアス線９を１本の結線１０に結束しているが、本実施形態では、前述したように、同じ組に属する複数のバイアス線９のうち、一部（図４の場合、図４における左側の４本数分）が１本の結線１０に結束され、残りの全部（図４の場合、図４における右側の４本数分）が他の１本の結線１０に結束されている。
【００５３】
また、バイアス電源１４は、制御手段２２（後述）に接続されており、制御手段２２によって、バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧が制御されるように構成されている。
【００５４】
図７に示すように、本実施形態においては、バイアス電源１４から、放射線検出素子７の上部電極７ａにバイアス線９を介してバイアス電圧として放射線検出素子７の下部電極７ｂ側にかかる電圧以下の電圧（すなわちいわゆる逆バイアス電圧）が印加されるように構成されている。
【００５５】
各放射線検出素子７の下部電極７ｂはＴＦＴ８のソース電極８ｓ（図７中ではＳと表記されている。）に接続されている。また、各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇ（図７中ではＧと表記されている。）は、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから延びる走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにそれぞれ接続されている。また、各ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄ（図７中ではＤと表記されている。）は、各信号線６にそれぞれ接続されている。
【００５６】
走査駆動手段１５は、ゲートドライバ１５ｂにオン電圧やオフ電圧を供給する電源回路１５ａと、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えて各ＴＦＴ８のオン状態とオフ状態とを切り替えるゲートドライバ１５ｂとを備えている。
ゲートドライバ１５ｂは、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘを介してＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えて、各ＴＦＴ８のオン状態とオフ状態とを制御するように構成されている。また、本実施形態において、ゲートドライバ１５ｂは、複数のゲートＩＣ１５ｃ（図６参照）が並設されて構成されている。
【００５７】
図７に示すように、各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に内蔵された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。なお、１個の読み出しＩＣ１６には、同じ組に属する各信号線６に接続されている読み出し回路１７が設けられている。すなわち、本実施形態の場合、各組に属する信号線６の本数が８本であるので、１個の読み出しＩＣ１６には、８個の読み出し回路１７が設けられている。
読み出しＩＣ１６内には、主に、増幅回路１８や相関二重サンプリング回路１９などで構成される読み出し回路１７と、アナログマルチプレクサ２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とが設けられている。なお、図７中では、相関二重サンプリング回路１９はＣＤＳと表記されている。
【００５８】
例えば、放射線画像撮影で被写体を介して放射線画像撮影装置１に放射線が照射されると、シンチレータ３で放射線が他の波長の電磁波に変換されて、その直下の放射線検出素子７に照射される。そして、放射線検出素子７で照射された放射線の線量（電磁波の光量）に応じて電荷が発生する。
【００５９】
各放射線検出素子７からの電荷の読み出し処理の際には、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘを介してゲート電極８ｇにオン電圧が印加されたＴＦＴ８がオン状態となり、オン状態とされた各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７から信号線６に電荷が放出される。
【００６０】
そして、放射線検出素子７から放出された電荷量に応じて読み出し回路１７の増幅回路１８から電圧値が出力され、それを読み出し回路１７の相関二重サンプリング回路１９で相関二重サンプリングしてアナログ値の画像データがアナログマルチプレクサ２１に出力される。
【００６１】
そして、相関二重サンプリング回路１９から出力された各放射線検出素子７の画像データは、アナログマルチプレクサ２１を介して順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信され、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データに変換され、記憶手段２３に出力されて順次保存される。
すなわち、読み出し回路１７は、放射線検出素子７から電荷を読み出し、放射線検出素子７毎に当該電荷を電気信号に変換し画像データとして出力するように構成されている。
【００６２】
制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各機能部の動作等を制御する。
具体的には、制御手段２２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェースなどがバスに接続されたコンピュータ、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。なお、制御手段２２は、専用の制御回路で構成されていてもよい。
また、図７に示すように、制御手段２２には、ＳＲＡＭ（Static ＲＡＭ）やＳＤＲＡＭ（Synchronous ＤＲＡＭ）などで構成される記憶手段２３が接続されている。
【００６３】
また、本実施形態において、制御手段２２には、アンテナ装置４１が接続されている。
さらに、本実施形態において、制御手段２２には、検出部Ｐや走査駆動手段１５、読み出し回路１７、記憶手段２３、バイアス電源１４などの各機能部に電力を供給するためのバッテリ２４が接続されている。そして、このバッテリ２４には、図示しない充電装置からバッテリ２４に電力を供給してバッテリ２４を充電する際の接続端子２５が取り付けられている。
【００６４】
前述したように、制御手段２２は、バイアス電源１４を制御してバイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧を設定したり可変させたりするなど、放射線画像撮影装置１の各機能部の動作を制御するように構成されている。
【００６５】
次に、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の作用について説明する。
【００６６】
ここで、まず、バイアス線９の断線について図８〜図１０を参照して説明する。
図８は、図５におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図の一部を示す図であるが、図８はあくまでも例示であり、図５におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図を限定するものではない。図８〜図１０において、７は放射線検出素子を表し、７ａ、７ｂおよび７ｃはそれぞれ放射線検出素子７の上部電極、下部電極および変換層を表す。また、１０１は絶縁層を表し、１０１ａおよび１０１ｂはそれぞれ絶縁層１０１の無機層および有機層を表す。また、１０２は無機層を表す。
【００６７】
基板４上に二次元状（マトリクス状）に設けられた放射線検出素子７の表面を保護したり、複数の放射線検出素子７や信号線６等の各配線、ＴＦＴ８等のスイッチ手段などが設けられた基板４の面４ａ側を平坦化する等の目的で、放射線検出素子７の表面にアクリル等を積層して平坦化層が形成される場合がある。
【００６８】
また、放射線検出素子７は、一般的に、放射線のエネルギーや放射線が照射されたシンチレータ３で変換された電磁波のエネルギーに応じて電荷を発生させる変換層７ｃを２枚の電極（上部電極７ａおよび下部電極７ｂ）で挟むように形成されている。そして、放射線検出素子７は、電極間にバイアス電圧（逆バイアス電圧の場合を含む。）が印加されるように構成されている。その際、放射線検出素子７やＴＦＴ８が基板４上に積層されて形成される関係で、放射線検出素子７の基板４側の電極（下部電極７ｂ）がＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続され、それと反対側すなわち放射線検出素子７の表面側の電極（上部電極７ａ）にバイアス電圧が印加されるように構成される場合が多い。
そして、放射線検出素子７の表面側の電極（上部電極７ａ）を各放射線検出素子７で共通とし、この共通電極を各放射線検出素子７の表面を被覆するように形成される場合がある。その際、共通電極が、光を遮らないようにするために、酸化インジウム錫等の光透過性の導電材料で形成される。
【００６９】
しかし、放射線や放射線から変換された電磁波が入射される側の放射線検出素子７の表面に平坦化層や共通電極が設けられていると、それらを光透過性の材料で形成し、膜厚調整により使用範囲での電磁波等の反射・吸収を抑えたとしても、平坦化層や共通電極による層数の増加に伴って、放射線検出素子７に入射する電磁波等が微小ではあるが低下する。
【００７０】
そこで、例えば図８に示すように、少なくとも放射線検出素子７の表面側（すなわち上部電極７ａ側）には平坦化層等を形成せず、また、表面を被覆する絶縁層１０１も取り払って、放射線検出素子７の表面をいわば剥き出しの状態とする場合がある。そして、放射線検出素子７にバイアス電圧を供給するバイアス線９が、放射線検出素子７の上部電極７ａや絶縁層１０１のさらに上側に積層され、バイアス線９等の上層には、さらに、バイアス線９等の腐食を防止するために無機層１０２が形成されている。
【００７１】
しかし、このような構成にすると、図８の拡大図である図９に示すように、バイアス線９が、放射線検出素子７の上部電極７ａの周縁の、図中矢印で示される絶縁層１０１の段差部分等で断線し易くなる。
特に、図１０（Ａ）に示すように、無機層１０１ａの上方に有機層１０１ｂを積層する場合のように複数の層を積層して絶縁層１０１を形成する場合、上側の層（図の場合は有機層１０１ｂ）が下側の層（無機層１０１ａ）よりも内側に突出するように積層されてしまうことがある。このような絶縁層１０１にバイアス線９を積層して形成すると、図１０（Ｂ）に示すように、上側の層が突出した部分の下側の、図中矢印で示される絶縁層１０１の段差部分でバイアス線９が断線し易くなる。
【００７２】
このようにバイアス線９は、例えばセンサパネルＳＰの生産工程中で基板４とシンチレータ３とを貼り合わせる際の荷重等によって、絶縁層１０１の段差部分で断線（いわゆる断切れ）が生じてしまうことがある。
【００７３】
バイアス線９に断切れ等の断線が生じると、図２０に示すような従来の場合、すなわち各バイアス線９において当該バイアス線９の他端部９ｂが当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続されていない場合には、断線部分から先の放射線検出素子７にバイアス電圧が供給されなくなる。そのため、断線部分から先の放射線検出素子７では、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生されなくなり、放射線画像上に異常な画像データが線状に並ぶ、いわゆる線欠陥が発生してしまう。
【００７４】
これに対し、本実施形態では、各バイアス線９において当該バイアス線９の他端部９ｂが当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続線３０を介して接続されている。そのため、例えば図１１に示すように、バイアス線９に断線部分Ｄ１が生じたとしても、断線部分Ｄ１から先の放射線検出素子７、すなわち断線部分Ｄ１から当該バイアス線９の他端部９ｂまでに配置された放射線検出素子７には、当該バイアス線９の他端部９ｂ側から、当該バイアス線９と線対称の位置にあるバイアス線９および接続線３０を介して、バイアス電圧が供給される。
【００７５】
すなわち、本実施形態において、各バイアス線９は、当該バイアス線９の一端部９ａ側と他端部９ｂ側との両側から、各放射線検出素子７にバイアス電圧を供給可能に構成されている。これにより、放射線検出素子７には、バイアス線９の一端部９ａ側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線９の他端部９ｂ側からバイアス電圧が供給されるようになっている。
そのため、断線部分から先の放射線検出素子７でも、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生するので、バイアス線９の断線で放射線検出素子７にバイアス電圧が供給されなくなることにより生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。
【００７６】
ここで、本実施形態のように、各バイアス線９において当該バイアス線９の他端部９ｂが当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続されていたとしても、線欠陥が発生してしまう場合がある。例えば図１２に示すように、１本のバイアス線９に、第１断線部分Ｄ１１と、当該第１断線部分Ｄ１１よりも他端部９ｂ側の第２断線部分Ｄ１２との２つの断線部分が生じた場合、第１断線部分Ｄ１１から第２断線部分Ｄ１２までに配置された放射線検出素子７には、当該バイアス線９の一端部９ａ側からも当該バイアス線９の他端部９ｂ側からもバイアス電圧が供給されない。そのため、第１断線部分Ｄ１１から第２断線部分Ｄ１２までに配置された放射線検出素子７では、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生されなくなり、線欠陥が発生してしまう。
【００７７】
しかしながら、本実施形態の場合、発生する線欠陥の長さを短くすることが可能となる。
すなわち、図２０に示すような従来の場合、すなわち各バイアス線９において当該バイアス線９の他端部９ｂが当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続されていない場合には、１本のバイアス線９に第１断線部分Ｄ１１と当該第１断線部分Ｄ１１よりも他端部９ｂ側の第２断線部分Ｄ１２との２つの断線部分が生じると、第１断線部分Ｄ１１から当該バイアス線９の他端部９ｂまでに対応する部分が線欠陥となる。
【００７８】
一方、本実施形態のように、各バイアス線９において当該バイアス線９の他端部９ｂが当該バイアス線９以外のバイアス線に接続されている場合には、１本のバイアス線９に第１断線部分Ｄ１１と当該第１断線部分Ｄ１１よりも他端部９ｂ側の第２断線部分Ｄ１２との２つの断線部分が生じたとしても、第１断線部分Ｄ１１から第２断線部分Ｄ１２までに対応する部分のみが欠陥となる。したがって、第２断線部分Ｄ１２から当該バイアス線９の他端部９ｂまでに対応する部分が欠陥にならない分、図２０に示すような従来の場合、すなわち各バイアス線９において当該バイアス線９の他端部９ｂが当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続されていない場合と比較して、発生する線欠陥の長さを短くすることが可能となる。
【００７９】
バイアス線９は、断線する場合、前述したように、絶縁層１０１の段差部分で断線（いわゆる断切れ）することが多い。絶縁層１０１の各段差部分にはばらつきがあり、断切れは、上側の層（図の場合は有機層１０１ｂ）が下側の層（無機層１０１ａ）よりも突出している段差部分や、無機層１０１ａが逆テーパ形状となり当該無機層１０１ａの上側部分が下側部分よりも突出している段差部分、有機層１０１ｂが逆テーパ形状となり当該有機層１０１ｂの上側部分が下側部分よりも突出している段差部分などで生じ易い。
基板４の面４ａに各層（放射線検出素子７やバイアス線９、絶縁層１０１、無機層１０２などを構成する層）を積層して、放射線検出素子７やバイアス線９、絶縁層１０１、無機層１０２など形成する等の都合上、積層ムラ等が発生する場合がある。積層ムラ等が発生すると、一の放射線検出素子７上における突出量、すなわち、絶縁層１０１の下側の層（図の場合は無機層１０１ａ）に対する当該絶縁層１０１の上側の層（有機層１０１ｂ）の突出量や、絶縁層１０１の無機層１０１ａ等が逆テーパ形状となった場合に生じる無機層１０１ａ等の下側部分に対する当該無機層１０１ａ等の上側部分の突出量が、他の放射線検出素子７上における突出量に比べて特に大きくなる場合が多く、このような場合に、当該一の放射線検出素子７上で断線部分が生じてしまう。
このように、１本のバイアス線に２つの断線部分が生じる場合、当該２つの断線部分が１つの放射線検出素子７上で生じることが多い。
【００８０】
図２０に示すような従来の場合、すなわち各バイアス線９において当該バイアス線９の他端部９ｂが当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続されていない場合には、１つの放射線検出素子７上で２つの断線部分が生じると、当該２つの断線部分にうち一端部９ａ側の断線部分から当該バイアス線９の他端部９ｂまでに対応する部分が線欠陥となる。
【００８１】
一方、本実施形態のように、各バイアス線９において当該バイアス線９の他端部９ｂが当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続されている場合には、１つの放射線検出素子７上で２つの断線部分が生じると、当該１つの放射線検出素子７に対応する部分のみが欠陥となり、いわゆる点欠陥が生じることとなる。したがって、１つの放射線検出素子７上で２つの断線部分が生じ欠陥が発生したとしても、点欠陥でとどめておくことができるので、線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。
【００８２】
また、図２０に示すような従来の場合、すなわち各バイアス線９において当該バイアス線９の他端部９ｂが当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続されていない場合には、結線１０に断線部分が生じると、当該結線１０のうち断線部分から先の結線１０部分に接続されたバイアス線９に接続されている放射線検出素子７にバイアス電圧が供給されなくなる。そのため、当該結線１０のうち断線部分から先の結線１０部分に接続されたバイアス線９に接続されている放射線検出素子７では、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生されなくなり、線欠陥が発生してしまう。また、断線部分から先の結線１０部分に接続されたバイアス線９が複数である場合には、複数の線欠陥が集合して発生し、いわゆる面欠陥を生じてしまう。
【００８３】
これに対し、本実施形態では、各バイアス線９において当該バイアス線９の他端部９ｂが当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続線３０を介して接続されている。そのため、例えば図１３に示すように、結線１０に断線部分Ｄ２１や断線部分Ｄ２２が生じたとしても、当該結線１０のうち断線部分Ｄ２１や断線部分Ｄ２２から先の結線１０部分に接続されたバイアス線９に接続されている放射線検出素子７には、当該バイアス線９の他端部９ｂ側から、当該バイアス線９と線対称の位置にあるバイアス線９および接続線３０を介して、バイアス電圧が供給される。
そのため、当該結線１０（断線部分が生じた結線１０）のうち断線部分から先の結線１０部分に接続されたバイアス線９に接続されている放射線検出素子７でも、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生するので、バイアス線９（バイアス線９を結束する結線１０を含む）の断線で放射線検出素子７にバイアス電圧が供給されなくなることにより生じる線欠陥の発生率を低下させることが可能となる。また、断線部分から先の結線１０部分に接続されたバイアス線９が複数であっても、複数の線欠陥が集合して発生する面欠陥が生じ難くなる。
【００８４】
なお、本実施形態では、各バイアス線９において、当該バイアス線９の他端部９ｂが、当該バイアス線９に接続する結線１０とは異なる他の結線１０に接続するバイアス線９に接続されるように構成したが、これに限定されるものではない。すなわち、各バイアス線９において、当該バイアス線９の他端部９ｂが、当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続されているのであれば、異なる結線１０に接続されたバイアス線９，９同士を接続する場合だけでなく、同一の結線１０に接続されたバイアス線９，９同士を接続する場合も、線欠陥の発生率を的確に低下させることは可能である。
【００８５】
具体的には、例えば図１４に示すように、同一の結線１０に接続されているバイアス線９の他端部９ｂ，９ｂ同士を接続するように構成することも可能である。
しかしながら、この場合、他端部９ｂ，９ｂ同士が接続されたバイアス線９が、結線１０（断線部分が生じた結線１０）のうち断線部分から先の結線１０部分に接続されていると、これらのバイアス線９に接続されている放射線検出素子７では、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生されなくなり、線欠陥が発生してしまう。
そのため、本実施形態のように、異なる結線１０に接続されたバイアス線９，９同士を接続することで、バイアス線９（バイアス線９を結束する結線１０を含む）の断線で放射線検出素子７にバイアス電圧が供給されなくなることにより生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。
【００８６】
なお、本実施形態では、異なる結線１０に接続されたバイアス線９，９同士を接続するために、上側ブロック領域Ｐ１に配置されているバイアス線９と、下側ブロック領域Ｐ２に配置されているバイアス線９とを接続するように構成したが、これに限定されるものではない。異なる結線１０に接続されたバイアス線９，９同士の接続の仕方は任意であり、例えば、同じブロック領域に配置されているバイアス線９のうち異なる結線１０に接続されたバイアス線９，９同士を接続するように構成することも可能であるし、同じ組に属するバイアス線９のうち異なる結線１０に接続されたバイアス線９，９同士を接続するように構成することも可能である。
【００８７】
また、本実施形態では、各バイアス線９において、互いに対向する他端部９ｂ，９ｂ同士を接続するように構成したが、これに限定されるものではない。すなわち、各バイアス線９において、当該バイアス線９の他端部９ｂが、当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続されているのであれば、互いに対向する他端部９ｂ，９ｂ同士を接続する場合だけでなく、互いに対向しない他端部９ｂ，９ｂ同士を接続する場合や、バイアス線９の他端部９ｂとバイアス線９の途中部分とを接続する場合なども、線欠陥の発生率を的確に低下させることは可能である。
【００８８】
しかしながら、互いに対向しない他端部９ｂ，９ｂ同士を接続する場合や、バイアス線９の他端部９ｂとバイアス線９の途中部分とを接続線３０で接続する場合には、走査線５や信号線６と、接続線３０とが交差してしまうことがある。
走査線５や信号線６とバイアス線９（バイアス線９，９同士を接続する接続線３０を含む）とが交差すると、その交差点等でノイズが発生し易くなる。ノイズが発生すると、その発生したノイズがバイアス線９（接続線３０を含む）を介して各放射線検出素子７に伝わり、放射線検出素子７から読み出される画像データにノイズとして重畳されて、放射線画像にノイズが発生してしまう虞がある。
したがって、互いに対向しない他端部９ｂ，９ｂ同士を接続したり、バイアス線９の他端部９ｂとバイアス線９の途中部分とを接続線３０で接続したりして、走査線５や信号線６と接続線３０とが交差するような構成の場合、放射線画像にノイズが発生して、高品質な画質の放射線画像を得ることができないことがある。
【００８９】
これに対し、本実施形態では、各バイアス線９において互いに対向する他端部９ｂ，９ｂ同士が接続線３０を介して接続されている。そのため、各接続線３０が上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２との境界部分、すなわち走査線５が配置されていない部分に配設されるとともに、各接続線３０が信号線６に並行して配設されるので、走査線５や信号線６と接続線３０とが交差することがない。そのため、走査線５や信号線６とバイアス線９（バイアス線９，９同士を接続する接続線３０を含む）とが交差することにより生じるノイズの発生を的確に防止することが可能となる。
【００９０】
以上説明した第１実施形態におけるセンサパネルＳＰ（放射線検出パネル）および放射線画像撮影装置１によれば、センサパネルＳＰにおいて、各バイアス線９は、当該バイアス線９の一端部９ａ側と他端部９ｂ側との両側から、各放射線検出素子７にバイアス電圧を供給可能に構成されており、放射線検出素子７には、バイアス線９の一端部９ａ側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線９の他端部９ｂ側からバイアス電圧が供給されるようになっている。
具体的には、各バイアス線９は、当該バイアス線９の一端部９ａが、バイアス電源１４に接続されており、当該バイアス線９の他端部９ｂが、当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続されている。
【００９１】
すなわち、バイアス線９が断線して放射線検出素子７に対する当該バイアス線９の一端部９ａ側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該放射線検出素子７には、当該バイアス線９の他端部９ｂ側からバイアス電圧が供給される。したがって、バイアス線９が断線しても、バイアス線９の断線で放射線検出素子７にバイアス電圧が供給されなくなることにより生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。
【００９２】
また、バイアス線９は、断線する場合、絶縁層１０１の段差部分で断線（いわゆる断切れ）することが多い。この断切れは、例えばセンサパネルＳＰの生産工程中で基板４とシンチレータ３とを貼り合わせる際の荷重等によって生じることが多い。しかし、バイアス線９に断切れが生じたとしても、当該断切れにより生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることができるので、センサパネルＳＰの不良率が抑制され、センサパネルＳＰの歩留まりを向上させることが可能となる。
【００９３】
また、以上説明した第１実施形態におけるセンサパネルＳＰ（放射線検出パネル）および放射線画像撮影装置１によれば、センサパネルＳＰは、各バイアス線９を所定の本数毎に結束する複数の結線１０を備え、各バイアス線９は、当該バイアス線９の一端部９ａが、当該バイアス線９に接続する結線１０を介してバイアス電源１４に接続されており、当該バイアス線９の他端部９ｂが、当該バイアス線９に接続する結線１０とは異なる他の結線１０に接続するバイアス線９に接続されている。
【００９４】
すなわち、結線１０が断線して放射線検出素子７に対するバイアス線９の一端部９ａ側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該放射線検出素子７には、当該バイアス線９の他端部９ｂ側からバイアス電圧が供給される。したがって、バイアス線９（バイアス線９を結束する結線１０を含む）が断線しても、バイアス線９（結線１０を含む）の断線で放射線検出素子７にバイアス電圧が供給されなくなることにより生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。
【００９５】
また、以上説明した第１実施形態におけるセンサパネルＳＰ（放射線検出パネル）および放射線画像撮影装置１によれば、各バイアス線９は、当該バイアス線９の他端部９ｂが、当該バイアス線９以外のバイアス線９の他端部９ｂに接続されている。
【００９６】
したがってバイアス線９の他端部９ｂとバイアス線９の途中部分とが接続している場合等、すなわちバイアス線９の他端部９ｂ，９ｂ同士が接続されていない場合と比較して、バイアス線９，９同士を接続する接続線３０を、走査線５や信号線６と交差しないように配設し易い。したがって、走査線５や信号線６とバイアス線９（バイアス線９，９同士を接続する接続線３０を含む）とが交差することにより生じるノイズの発生を的確に抑制することが可能となる。
【００９７】
また、以上説明した第１実施形態におけるセンサパネルＳＰ（放射線検出パネル）および放射線画像撮影装置１によれば、検出部Ｐは、複数のブロック領域（本実施形態の場合は上側ブロック領域Ｐ１および下側ブロック領域Ｐ２）から構成され、各ブロック領域には、バイアス線９がそれぞれ配置され、複数のブロック領域のうち一のブロック領域に配置されたバイアス線９と、複数のブロック領域のうち他の一のブロック領域に配置されたバイアス線９とは、他端部９ｂが互いに対向するように線対称に配置され、各バイアス線９は、互いに対向する他端部９ｂ，９ｂ同士が接続されている。
【００９８】
したがって、各バイアス線９において互いに対向する他端部９ｂ，９ｂ同士が接続されているおり、各接続線３０がブロック領域同士の境界部分、すなわち走査線５が配置されていない部分に配設されるとともに、各接続線３０が信号線６に並行して配設されるので、走査線５や信号線６と接続線３０とが交差することがない。そのため、走査線５や信号線６とバイアス線９（バイアス線９，９同士を接続する接続線３０を含む）とが交差することにより生じるノイズの発生を的確に防止することが可能となる。その結果、高品質な画質の放射線画像を取得することが可能となる。
【００９９】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る放射線画像撮影装置１について説明する。
なお、第２実施形態においては、バイアス線９，９同士の接続の仕方が、第１実施形態と異なる。したがって、第１実施形態と同様の構成を有する部分については同じ符号を付して説明を省略し、主に異なる部分について説明する。
【０１００】
本実施形態の各バイアス線９は、当該バイアス線９の他端部９ｂが、当該バイアス線９以外の複数のバイアス線９の他端部９ｂに接続線３０Ａを介して接続されている。
【０１０１】
具体的には、例えば図１５に示すように、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている各バイアス線９と、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている各バイアス線９とを、互いに対向する他端部９ｂ，９ｂ同士が一致するよう延長して、線対称の位置関係にある一対のバイアス線９，９で１本のバイアス線ラインを形成する。そして、互いに対向する他端部９ｂ，９ｂ同士の各一致点を１本の接続線３０Ａで接続することによって、各バイアス線９の他端部９ｂを当該１本の接続線３０Ａに接続するように構成する。
この場合、走査線５や信号線６とバイアス線９（バイアス線９，９同士を接続する接続線３０Ａを含む）とが交差することにより生じるノイズの発生を的確に防止する等の観点から、例えば図１５に示すように、走査線５や信号線６に交差しないように接続線３０Ａを配設することが好ましい。
【０１０２】
なお、第１実施形態では、「互いに対向する他端部９ｂ，９ｂ同士を、接続線３０を介して接続する」こととして説明した。この「互いに対向する他端部９ｂ，９ｂ同士を、接続線３０を介して接続する」と、「互いに対向する他端部９ｂ，９ｂ同士が一致するよう延長して、線対称の位置関係にある一対のバイアス線９，９で１本のバイアス線ラインを形成する」とには違いはない。
すなわち、第１実施形態の図４に示す構成は、「互いに対向する他端部９ｂ，９ｂ同士が一致するよう延長して、線対称の位置関係にある一対のバイアス線９，９で１本のバイアス線ラインを形成する」ことにより達成可能である。
また、第２実施形態の図１５に示す構成は、「互いに対向する他端部９ｂ，９ｂ同士を、接続線３０を介して接続する」とともに、各接続線３０に直交するように１本の接続線３０Ａを配設して、これら各接続線３０を当該１本の接続線３０Ａで接続することで達成可能である。
【０１０３】
次に、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の作用について説明する。
【０１０４】
バイアス線９に断切れ等の断線が生じると、図１９に示すような従来の場合、すなわち各バイアス線９において当該バイアス線９の他端部９ｂが当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続されていない場合には、断線部分から先の放射線検出素子７にバイアス電圧が供給されなくなる。そのため、断線部分から先の放射線検出素子７では、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生されなくなり、放射線画像上に異常な画像データが線状に並ぶ、いわゆる線欠陥が発生してしまう。
【０１０５】
これに対し、本実施形態では、各バイアス線９において当該バイアス線９の他端部９ｂが当該バイアス線９以外の複数のバイアス線９に接続線３０Ａを介して接続されている。そのため、バイアス線９に断線部分が生じたとしても、断線部分から先の放射線検出素子７、すなわち断線部分から当該バイアス線９の他端部９ｂまでに配置された放射線検出素子７には、当該バイアス線９の他端部９ｂ側から、当該バイアス線９以外の複数のバイアス線９および接続線３０Ａを介して、バイアス電圧が供給される。
【０１０６】
すなわち、本実施形態において、各バイアス線９は、当該バイアス線９の一端部９ａ側と他端部９ｂ側との両側から、各放射線検出素子７にバイアス電圧を供給可能に構成されている。これにより、放射線検出素子７には、バイアス線９の一端部９ａ側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線９の他端部９ｂ側からバイアス電圧が供給されるようになっている。
そのため、断線部分から先の放射線検出素子７でも、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生するので、バイアス線９の断線で放射線検出素子７にバイアス電圧が供給されなくなることにより生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。
【０１０７】
なお、本実施形態では、各バイアス線９において、当該バイアス線９の他端部９ｂを、当該バイアス線９以外の全部のバイアス線９の他端部９ｂに接続するように構成したが、これに限定されるものではない。すなわち、各バイアス線９において、当該バイアス線９の他端部９ｂが、当該バイアス線９以外の複数のバイアス線９に接続されているのであれば、当該バイアス線９以外の全部のバイアス線９に接続する場合だけでなく、当該バイアス線９以外の一部のバイアス線９に接続する場合も、線欠陥の発生率を的確に低下させることは可能である。
【０１０８】
具体的には、例えば図１６に示すように、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている各バイアス線９の他端部９ｂを１本の接続線３０Ａに接続するとともに、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている各バイアス線９の他端部９ｂを１本の接続線３０Ａに接続するように構成することが可能である。
この場合、走査線５や信号線６とバイアス線９（バイアス線９，９同士を接続する接続線３０Ａを含む）とが交差することにより生じるノイズの発生を的確に防止する等の観点から、図１６に示すように、走査線５や信号線６に交差しないように接続線３０Ａを配設することが好ましい。
【０１０９】
また、例えば図１７に示すように、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている各バイアス線９の他端部９ｂを同じ組に属するバイアス線９毎に１本の接続線３０Ａにそれぞれ接続するとともに、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている各バイアス線９の他端部９ｂを同じ組に属するバイアス線９毎に１本の接続線３０Ａにそれぞれ接続するように構成することが可能である。
この場合、走査線５や信号線６とバイアス線９（バイアス線９，９同士を接続する接続線３０Ａを含む）とが交差することにより生じるノイズの発生を的確に防止する等の観点から、図１７に示すように、走査線５や信号線６に交差しないように接続線３０Ａを配設することが好ましい。
【０１１０】
なお、この他の点は第１実施形態で示した作用と同様であるので、その説明は省略する。
すなわち、各バイアス線９において、当該バイアス線９の他端部９ｂが、当該バイアス線９以外の複数のバイアス線９に接続されているのであれば、例えば、同一の結線１０に接続されたバイアス線９，９同士のみを１本の接続線３０Ａで接続するように構成することも可能であるし、当該バイアス線９の他端部９ｂと当該バイアス線９以外の複数のバイアス線９の途中部分とを接続するように構成することも可能である。
【０１１１】
以上説明した第２実施形態におけるセンサパネルＳＰ（放射線検出パネル）および放射線画像撮影装置１によれば、各バイアス線９は、当該バイアス線９の他端部９ｂが、当該バイアス線９以外の複数のバイアス線９の他端部９ｂに接続線３０Ａを介して接続され、接続線３０Ａは、各走査線５および各信号線６に交差しないように配設されている。
【０１１２】
したがって、接続線３０Ａが走査線５や信号線６が交差しないように配設されているので、走査線５や信号線６とバイアス線９（バイアス線９，９同士を接続する接続線３０Ａを含む）とが交差することにより生じるノイズの発生を的確に防止することが可能となる。その結果、高品質な画質の放射線画像を取得することが可能となる。
【０１１３】
なお、この他の点は第１実施形態で示した効果と同様であるので、その説明は省略する。
【０１１４】
なお、本発明は上記の実施形態に限定されず、本発明の趣旨から逸脱しない限り、適宜変更可能であることはいうまでもない。
【０１１５】
＜変形例１＞
放射線検出パネルとしてのセンサパネルＳＰが備える検出部Ｐは、例えば図１８に示すように、複数のブロック領域で構成されていなくてもよい。
【０１１６】
この場合、各バイアス線９を、当該バイアス線９の一端部９ａがバイアス電源１４に接続されるとともに、当該バイアス線９の他端部９ｂが当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続されるように構成し、当該バイアス線９の一端部９ａ側と他端部９ｂ側との両側から、各放射線検出素子７にバイアス電圧を供給可能に構成されているのであれば、バイアス線９，９同士の接続の仕方は任意である。
【０１１７】
具体的には、この場合、例えば図１８に示すように、第２実施形態と同様の構成にすることが可能である。すなわち、各バイアス線９において、当該バイアス線９の他端部９ｂを、当該バイアス線９以外の複数のバイアス線９の他端部９ｂに接続線３０Ａを介して接続し、接続線３０Ａを、各走査線５および各信号線６に交差しないように配設するように構成することが可能である。
【０１１８】
なお、上記の実施形態および変形例では、１本の結線１０に結束されているバイアス線９の本数を同一にしたが、これに限定されるものではない、各結線１０に結束されているバイアス線９の本数は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【符号の説明】
【０１１９】
１  放射線画像撮影装置
５  走査線
６  信号線
７  放射線検出素子
９  バイアス線
９ａ  一端部
９ｂ  他端部
１０  結線
１４  バイアス電源
３０Ａ  接続線
Ｐ  検出部
Ｐ１  上側ブロック領域
Ｐ２  下側ブロック領域
ｒ  領域
ＳＰ  センサパネル（放射線検出パネル）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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