(57)【要約】【課題】  表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）の微細凹凸構造が形成されている炭素系基板であって、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手などが微細凹凸構造に接触することなどを防止でき、これにより、微細凹凸構造の破壊を防止できて、高い放熱性能を維持する。【解決手段】  表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部３がミリメートルオーダの間隔で設けられており、前記突起部間の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）とサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造２が形成されていることを特徴とする炭素系基板１である。【選択図】      図５
2012164853.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部がミリメートルオーダの間隔で設けられており、前記突起部間の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）とサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造が形成されていることを特徴とする炭素系基板。
【請求項２】
請求項１記載の炭素系基板を用いていることを特徴とする放熱器。
【請求項３】
炭素系基板材料の表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部をミリメートルオーダの間隔で形成する突起部形成工程と、突起部形成工程を行った後、前記突起部間の炭素系基板材料の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）とサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造を形成する微細凹凸構造形成工程とを有していることを特徴とする炭素系基板の製造方法。
【請求項４】
炭素系基板材料の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）とサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造を形成する微細凹凸構造形成工程と、微細凹凸構造形成工程を行った後、微細凹凸構造が形成されている炭素系基板材料の表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部をミリメートルオーダの間隔で形成する突起部形成工程とを有していることを特徴とする炭素系基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭素系基板、放熱器、炭素系基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１には、ＬＥＤの半導体発光素子を有する光源を備えて、例えば天井等に埋め込み設置して使用されるダウンライト等の照明装置が示されている。特許文献１の照明装置では、装置全体はＬＥＤが発生する熱を外部に放出する放熱部材を兼ねるために金属製のものとなっている。また、その放熱器として、ＬＥＤが発生する熱を効率よく外部に放出するためにフィンなどが形成され、筐体の表面積を増大させた構造となっている。
【０００３】
しかしながら、特許文献１に示されている照明装置では、照明装置全体が金属製であるために、装置全体の重量が増大するという問題と、放熱量は上記放熱器の包絡体積に寄与するため、小型化が難しいという問題があった。
【０００４】
これに対し、例えば特許文献２には、放熱性に優れ小型軽量を意図した発光モジュールが示されている。図１は特許文献２に示されている発光モジュールの断面図である。特許文献２の発光モジュールは、配向性グラファイトシート１０３と、凹部を形成するように折り曲げた銅を主体とする複数のリードフレーム１０１ａ，１０１ｂと、前記配向性グラファイトシート１０３とリードフレーム１０１ａ，１０１ｂを接合するための無機フィラと熱硬化性樹脂からなる熱伝導性樹脂１０２と、前記リードフレーム１０１ａ，１０１ｂの上に複数個の発光素子１０８を実装した発光モジュールであって、少なくとも配向性グラファイトシート１０３と対向するリードフレーム１０１ａ，１０１ｂの一面を熱伝導性に優れた絶縁膜１０７にて被覆したものとなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２３０７０１号公報
【特許文献２】特開２００７−１８４５４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２の発光モジュールでは、在来の一般的なグラファイトシートを用いているため、放熱性能を著しく向上させることができないという問題があった。すなわち、在来の一般的なグラファイトシートは、熱拡散性には優れているが異方性を有するため、厚さ方向への熱伝導性能が低く、また、後述のように、表面の放射率が０．７程度と、さほど高くないため、放射による熱放散性能が低く、放熱性能を著しく向上させることができないという問題があった。
【０００７】
小型（薄型化）、軽量に適し、なおかつ、放熱性能を著しく向上させる部材（放熱材料）として、本願出願人は、本願の先願（特願２００９−１９５３５４）に記載のように、表面にナノメートルのオーダの幅（ピッチ）の微細凹凸構造が形成された炭素系基板（例えば、グラファイト基板）を開発した。
【０００８】
この先願によれば、表面にナノメートルのオーダの幅（ピッチ）の微細凹凸構造が形成された炭素系基板（例えば、グラファイト基板）とすることで、輻射による放熱性を高くでき、表面の放射率を０．９以上にすることができて、放熱性能を著しく向上させることが可能となる。
【０００９】
しかしながら、表面にナノメートルのオーダの幅（ピッチ）の微細凹凸構造が形成されている炭素系基板では、ナノメートルのオーダの幅（ピッチ）の微細凹凸構造の強度が物理的に弱く、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手の接触などによって微細凹凸構造が破壊されやすく、それにより元来の高い放熱性能を発揮できなくなるなどの問題がある。なお、ここで、微細凹凸構造の破壊とは、例えば微細凹凸構造の倒れまたは剥れ等を指す。
【００１０】
本発明は、表面にナノメートルのオーダ（本発明では、ナノメートルのオーダとは、ナノメートルオーダのみならずサブマイクロメートルオーダも含むものとする）の幅（ピッチ）の微細凹凸構造が形成されている炭素系基板であって、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手などが微細凹凸構造に接触することなどを防止でき、これにより、微細凹凸構造の破壊を防止できて、高い放熱性能を維持することが可能な炭素系基板、放熱器、炭素系基板の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部がミリメートルオーダの間隔で設けられており、前記突起部間の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）とサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造が形成されていることを特徴とする炭素系基板である。
【００１２】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の炭素系基板を用いていることを特徴とする放熱器である。
【００１３】
また、請求項３記載の発明は、炭素系基板材料の表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部をミリメートルオーダの間隔で形成する突起部形成工程と、突起部形成工程を行った後、前記突起部間の炭素系基板材料の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）とサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造を形成する微細凹凸構造形成工程とを有していることを特徴とする炭素系基板の製造方法である。
【００１４】
また、請求項４記載の発明は、炭素系基板材料の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）とサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造を形成する微細凹凸構造形成工程と、微細凹凸構造形成工程を行った後、微細凹凸構造が形成されている炭素系基板材料の表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部をミリメートルオーダの間隔で形成する突起部形成工程とを有していることを特徴とする炭素系基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１、請求項２記載の発明によれば、表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部がミリメートルオーダの間隔で設けられており、前記突起部間の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）とサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造が形成されているので、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手などが微細凹凸構造に接触することなどを上記突起部により防止でき、これにより、微細凹凸構造の破壊を防止できて、高い放熱性能を維持することが可能となる。
【００１６】
また、請求項３記載の発明によれば、炭素系基板材料の表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部をミリメートルオーダの間隔で形成する突起部形成工程と、突起部形成工程を行った後、前記突起部間の炭素系基板材料の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）とサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造を形成する微細凹凸構造形成工程とを有しているので、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手などが微細凹凸構造に接触することなどを防止でき、これにより、微細凹凸構造の破壊を防止できて、高い放熱性能を維持することが可能となる炭素系基板を製造できる。
【００１７】
また、請求項４記載の発明によれば、炭素系基板材料の表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）とサブマイクロメートルオーダの深さとを持つ微細凹凸構造を形成する微細凹凸構造形成工程と、微細凹凸構造形成工程を行った後、微細凹凸構造が形成されている炭素系基板材料の表面にミリメートルオーダの高さとサブミリメートルオーダの幅を持つ突起部をミリメートルオーダの間隔で形成する突起部形成工程とを有しているので、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手などが微細凹凸構造に接触することなどを防止でき、これにより、微細凹凸構造の破壊を防止できて、高い放熱性能を維持することが可能となる炭素系基板を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】特許文献２に示されている発光モジュールの断面図である。
【図２】本発明で用いられる炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））の概略拡大断面図である。
【図３】グラファイト基板材料の表面に形成された本発明の微細凹凸構造を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図４】放熱材料に要求される理想的な反射特性を示すグラフである。
【図５】表面に微細凹凸構造が形成されているとともに接触防止のための突起部が形成されている本発明の炭素系部材（炭素系基板）を示す図である。
【図６】本発明に係る炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））の加工プロセスの一例を示すフローチャートである。
【図７】図６の加工プロセスを説明するための図である。
【図８】図６のプラズマエッチング前後のグラファイト基板の表面の波長０．５−２．５μｍの反射率を示すグラフである。
【図９】本発明に係る炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））の加工プロセスの他の例を示すフローチャートである。
【図１０】図９の加工プロセスを説明するための図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
【００２０】
本発明は、本願の先願（特願２００９−１９５３５４）に記載のような、表面にナノメートルのオーダ（本発明では、ナノメートルのオーダとは、ナノメートルオーダのみならずサブマイクロメートルオーダも含むものとする）の幅（ピッチ）の微細凹凸構造が形成されている炭素系基板（例えば、グラファイト基板）およびそれを用いた放熱器、炭素系基板の製造方法に関するものである。
【００２１】
より詳細に、本発明の炭素系基板（例えば、グラファイト基板）は、基本的には図２に概略拡大図で示すように、炭素系基板材料（例えば、グラファイト基板材料）１の表面に、ナノメートルオーダー（約１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度の範囲）からサブマイクロメートルオーダ（約０．５μｍ〜１０μｍ程度の範囲）の幅（ピッチ）ＮＰと、サブマイクロメートルオーダ（約０．５μｍ〜１０μｍ程度の範囲）の深さＮＨとを持つ微細凹凸構造２が形成されたものとなっている。なお、このような微細凹凸構造２は、後述の図６のステップＳ２または図９のステップＳ１１に示すようなプラズマエッチング法によるエッチングによって形成することができる。
【００２２】
図３は、グラファイト基板材料の表面に形成された本発明の微細凹凸構造２を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【００２３】
本発明の炭素系基板は、炭素系基板材料（例えば、グラファイト基板材料）１の表面に、ナノメートルオーダー（約１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度の範囲）からサブマイクロメートルオーダ（約０．５μｍ〜１０μｍ程度の範囲）の幅（ピッチ）ＮＰと、サブマイクロメートルオーダ（約０．５μｍ〜１０μｍ程度の範囲）の深さＮＨとを持つ微細凹凸構造２が形成されたものとなっていることにより、表面積が著しく増大し、また、以下に説明するように、可視光を含む領域及び遠赤外領域の反射率を十分に低くして放射率を理論最大値１．０に極めて近い０．９以上まで向上させることができ（輻射による放熱性を著しく高めることができ）、放熱性能を著しく向上させることが可能となる。従って、小型（薄型）、軽量で、放熱性能の著しく高い放熱材料（放熱部材）すなわち放熱器として用いることができる。
【００２４】
以下に、本発明に係る炭素系部材（表面に微細凹凸構造２が形成された炭素系部材）を放熱材料として用いる場合の、動作原理を説明する。本発明に係る放熱材料の動作原理は完全黒体効果を利用した吸収エネルギーの遠赤外放射による放射冷却作用を利用する。すなわち、図４に示すように、光の平均反射率ＲがＲ＝Ｒ０（８０％）と高い時には、放熱材料が吸収したエネルギーは放熱材料が有する温度たとえば室温３００Ｋで図４のＩ０に示す遠赤外領域の黒体放射スペクトルの放射率Ｉ０で外部に放射散逸を起こすが、反射率が高いため放熱効率が低い。他方、光の平均反射率ＲがＲ＝Ｒ１（１％）と低い時には、放熱材料が吸収したエネルギーは室温３００Ｋで図４のＩ１に示す遠赤外領域の黒体放射スペクトルの放射率Ｉ１で外部に放射散逸を起こすことができるので、放熱効率が高い。つまり、反射率Ｒが低下すると、放射率Ｉが上昇し、逆に、反射率Ｒが上昇すると、放射率Ｉが低下するという関係が成立する。この場合、光放熱つまり光放射能力を示す指数として放射率を用いるが、光の透過率がほぼ０の場合、放射率Ｉ≒１−Ｒ（反射率）で表わされる。従って、理想的には、放熱材料としてたとえば波長０．３−５０μｍの反射率Ｒができるだけ０に近いものを用いると、放熱効率が大きくなることが分かる。
【００２５】
ところで、前述したように、表面に微細凹凸構造２が形成された炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））では、微細凹凸構造２の強度が物理的に弱く、接触などによって微細凹凸構造２が破壊されやすく、それにより元来の高い放熱性能を発揮できなくなるという問題がある。ここで、微細凹凸構造２の破壊とは、例えば微細凹凸構造２の倒れまたは剥れ等を指す。
【００２６】
従って、表面に微細凹凸構造２が形成された炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））を、例えば照明装置、電子機器あるいは携帯端末の放熱材料として用いる場合、微細凹凸構造２に人の手などが触れたりすると、微細凹凸構造２が破壊され、元来の高い放熱性能を発揮できなくなってしまう。
【００２７】
この問題を解決するため、本発明では、図５に示すように、炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））１の表面に、ミリメートルオーダ（約１ｍｍ〜１０ｍｍ程度の範囲）の高さＨとサブミリメートルオーダ（約０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度の範囲）の幅Ｄを持つ突起部（接触防止用の突起部）３をミリメートルオーダ（約１ｍｍ〜１０ｍｍ程度の範囲）の間隔Ｐで設け、該突起部３間の炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））１の表面に、図２に示したようなナノメートルオーダ（約１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度の範囲）またはサブマイクロメートルオーダ（約０．５μｍ〜１０μｍ程度の範囲）の幅（ピッチ）ＮＰとサブマイクロメートルオーダ（約０．５μｍ〜１０μｍ程度の範囲）の深さＮＨとを持つ微細凹凸構造２を形成することを特徴としている。
【００２８】
このような構成では、ミリメートルオーダ（約１ｍｍ〜１０ｍｍ程度の範囲）の間隔Ｐで設けられたミリメートルオーダ（約１ｍｍ〜１０ｍｍ程度の範囲）の高さＨとサブミリメートルオーダ（約０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度の範囲）の幅Ｄを持つ突起部（接触防止用の突起部）３によって、図２に示したようなナノメートルオーダ（約１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度の範囲）またはサブマイクロメートルオーダ（約０．５μｍ〜１０μｍ程度の範囲）の幅（ピッチ）ＮＰとサブマイクロメートルオーダ（約０．５μｍ〜１０μｍ程度の範囲）の深さＮＨとを持つ微細凹凸構造２は、人の手などからの接触などから護られ（保護され）、これにより、接触などによる微細凹凸構造２の破壊を防止でき、高い放熱性能（放射率）を維持することが可能となる。
【００２９】
図６は本発明に係る炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））の加工プロセスの一例を示すフローチャートである。なお、以下では、炭素系部材（炭素系基板）はグラファイト基板であるとして説明する。すなわち、以下の例では、炭素系基板材料１としてグラファイト基板材料を用いている。
【００３０】
図６のステップＳ１（接触防止構造形成ステップ）では、突起部（接触防止用の突起部）３となるべき部分を残してグラファイト基板材料１の表面を切削加工することにより、あるいは、突起部（接触防止用の突起部）３となるべき部分をマスクしてウェットエッチングやドライエッチングすることにより、グラファイト基板材料１の表面に、図７（ａ）に示すような例えば矩形状の溝１０を得る。ここで、溝１０は、ミリメートルオーダ（約１ｍｍ〜１０ｍｍ程度の範囲）の間隔Ｐで、ミリメートルオーダ（約１ｍｍ〜１０ｍｍ程度の範囲）の深さＨであり、溝１０とならずに残された部分（サブミリメートルオーダ（約０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度の範囲）の幅Ｄの部分）が接触防止用の突起部３となる。
【００３１】
なお、上記例では、溝１０の形状を矩形状のものにし、これにより、突起部（接触防止用の突起部）３は矩形状のものとなるが、溝１０の形状は、台形状のものでも蒲鉾状のものなどでも良く、突起部（接触防止用の突起部）３の形状を所望の形状のものにすることができる。また、突起部（接触防止用の突起部）３の形成方法として、上記例の他に、例えば、あらかじめ用意した溝に対応する構造の金型に、炭素系材料を流し込み、射出成形することで炭素系基板（いまの例ではグラファイト基板材料１）の表面に突起部（接触防止用の突起部）３を作製することもできる。
【００３２】
次いで、図６のステップＳ２（プラズマエッチングステップ）では、ステップＳ１で図７（ａ）に示すように加工されたグラファイト基板材料１の表面を、図７（ｂ）に示すようにＯ２ガス（酸素ガス）を用いたプラズマエッチング法によってエッチングして、図５に示したように（図７（ｃ）に示すように）、突起部３間の表面に微細凹凸構造２が形成されたグラファイト基板１を得ることができる。ここで、プラズマエッチング条件は、例えば次のごとくである。
ＲＦパワー：５００Ｗ
圧力：５０ｍＴｏｒｒ
Ｏ２流量：２００ｓｃｃｍ
エッチング時間：５０分
【００３３】
なお、ステップＳ２でのプラズマエッチング法は、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）エッチング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法、大気圧プラズマエッチング法等のいずれでもよく、また、処理ガスはＯ２ガス以外のＡｒガス、Ｎ２ガス、Ｈ２ガス、ＣＦ４ガス、ＣＯ２ガス、ＳＦ６ガス等のいずれでもよく、これらの混合ガスでもよい。
【００３４】
このようにして突起部３間の表面に微細凹凸構造２が形成されたグラファイト基板１を得ることができ、微細凹凸構造２が表面に形成されたことにより、表面積が著しく増大し、また、可視光を含む領域及び遠赤外領域の反射率を十分に低くして放射率を著しく高めることができるため（輻射による放熱性を著しく高めることができるため）、放熱効率を著しく高めることができる。すなわち、図８に示すように、可視光を含む領域の波長０．５−２．５μｍの平均反射率はプラズマエッチング前の１５−２５％からプラズマエッチング後の１．５％以下と低くなる。また、遠赤外領域の平均反射率もプラズマエッチング前に比べてプラズマエッチング後では同程度に低くなる。本願の発明者は、実際、突起部３間の表面に微細凹凸構造２が形成されたグラファイト基板１の放射率を放射温度計（ＫＥＹＥＮＣＥ  ＦＴ−Ｈ２０）により測定した。この結果、突起部３間の表面に微細凹凸構造２が形成されたグラファイト基板１の表面の温度が１５０℃のときの放射率は、理論最大値１．００に対して０．９７となった。すなわち、図４の理想的な反射特性Ｒ１に近づき、突起部３間の表面に微細凹凸構造２が形成されたこのグラファイト基板１をそのまま放熱材料すなわち放熱器として用いることができる。
【００３５】
なお、図６の接触防止構造形成ステップＳ１（突起部３の形成ステップ）はプラズマエッチングステップＳ２の後で行ってもよい。
【００３６】
図９は本発明に係る炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））の加工プロセスの他の例を示すフローチャートである。なお、以下では、炭素系部材（炭素系基板）はグラファイト基板であるとして説明する。すなわち、以下の例では、炭素系基板材料１としてグラファイト基板材料を用いている。
【００３７】
図９のステップＳ１１では、図６のプラズマエッチングステップＳ２におけると同様にして、グラファイト基板材料１の表面をプラズマエッチング法によってエッチングし、図１０（ａ）に示すように表面に微細凹凸構造２が形成されたグラファイト基板１を得る。
【００３８】
しかる後に、ステップＳ１２では、図１０（ｂ）に示すように、表面に微細凹凸構造２が形成されたグラファイト基板１に、例えば射出成形により矩形状に加工した突起部３を取り付ける。ここで、接触防止用の突起部３の間隔Ｐ及び高さＨはミリメートルオーダ（約１ｍｍ〜１０ｍｍ程度の範囲）であり、突起部３の幅Ｄはサブミリメートルオーダ（約０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度の範囲）である。また、炭素系基板（いまの例ではグラファイト基板１）への接触防止用突起部３の取り付け方法は、好ましくは突起部３とグラファイト基板１との間の接触熱抵抗が小さくなるような取り付け方法、例えば熱伝導性ペーストを用いた取り付け方法がよい。また、取り付ける接触防止用の突起部３の加工方法は、例えば切削加工でもよく、プレス成形などでもよい。また、突起部３の材料は、例えば炭素系材料でも良いし、あるいは、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの金属材料及びその合金、あるいは、樹脂やセラミックスなどでも良いし、あるいは、これらの複合材でもよい。
【００３９】
このようにして、ステップＳ１２の工程を行うことにより、図１０（ｃ）に示すように、表面に微細凹凸構造２が形成されているとともに接触防止のための突起部３が形成されたグラファイト基板１を得ることができる。
【００４０】
図１０（ｃ）に示すようなグラファイト基板１では、図７（ｃ）に示したグラファイト基板１と同様に、微細凹凸構造２が表面に形成されていることにより、表面積が著しく増大し、また、可視光を含む領域及び遠赤外領域の反射率を十分に低くして放射率を著しく高めることができるため（輻射による放熱性を著しく高めることができるため）、放熱効率を著しく高めることができる。
【００４１】
上述の各例では、表面に微細凹凸構造２が形成されているとともに接触防止のための突起部３が形成された炭素系部材（炭素系基板）としてグラファイト基板を用いる場合を示したが、表面に微細凹凸構造２が形成されているとともに接触防止のための突起部３が形成された炭素系部材（炭素系基板）は、グラファイト基板に金属を混ぜた稠密グラファイト基板でもよい。また、表面に微細凹凸構造２が形成されているとともに接触防止のための突起部３が形成された炭素系部材（炭素系基板）は、グラファイト基板以外の炭素系基板、例えばダイヤモンド基板やガラス状炭素基板などでもよい。
【００４２】
このように、本発明では、高い放熱性能と小型（薄型）・軽量とを両立可能であるとともに、突起部３が形成されていることによって、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手などが微細凹凸構造２に接触することなどを防止でき、これにより、微細凹凸構造２の破壊を防止できて、高い放熱性能を維持することが可能となる。
【００４３】
従って、表面に微細凹凸構造２が形成されているとともに接触防止のための突起部３が形成された本発明の炭素系部材（炭素系基板）は、ヘッドランプ、レーザヘッドランプ、フォグランプ、街路灯などの照明装置（ＬＥＤ照明装置など）に放熱器として取り付けて利用できる。すなわち、表面に微細凹凸構造２が形成されているとともに接触防止のための突起部３が形成された本発明の炭素系部材（炭素系基板）は、放熱器として用いられる。
【００４４】
また、照明装置に限らず、発熱源を有し、発熱源からの熱を放熱する必要のある装置、機器（例えばパソコンなどの電子機器や、携帯電話などの携帯端末など）にも、本発明の炭素系部材（炭素系基板）を同様に放熱器として取り付けて利用できて、本発明の炭素系部材（炭素系基板）を同様に放熱器として取り付けて利用することで、高い放熱性能と小型（薄型）・軽量とを両立可能な装置、機器を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、ＬＥＤヘッドライト、ＬＥＤフォグライト、ＬＥＤデイタイムランニングランプ、プロジェクタなどの照明装置や、パソコンなどの電子機器や、携帯電話などの携帯端末などの、発熱源を有し、発熱源からの熱を放熱する必要のある装置、機器に利用可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１  炭素系基板材料（例えば、グラファイト基板材料）
２  微細凹凸構造
３  突起部
【図１】
2012164853.tif 000003
【図２】
2012164853.tif 000004
【図３】
2012164853.tif 000005
【図４】
2012164853.tif 000006
【図５】
2012164853.tif 000007
【図６】
2012164853.tif 000008
【図７】
2012164853.tif 000009
【図８】
2012164853.tif 000010
【図９】
2012164853.tif 000011
【図１０】
2012164853.tif 000012