(57)【要約】【課題】どのような付着物であっても完全に基板の周縁部から取り除くことができるようにする。【解決手段】基板の表面上に処理ガスのプラズマを生成してプロセス処理を行うプラズマ処理装置１４０Ａ〜１４０Ｆと，プロセス処理前に紫外線を照射することによって粘着力が低下する材料で構成した粘着剤Ｑを片側に付けた周縁テープＰを，その粘着剤が基板の周縁部に貼り付くように繰り出して，基板の周縁部に周縁テープを貼り付ける周縁テープ貼付装置２００と，プロセス処理後に周縁テープに紫外線を照射して粘着剤の粘着力を低下させることによって，周縁テープを基板から剥離する周縁テープ剥離装置３００とを設けた。【選択図】    図１
2012069782.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に所定のプロセス処理を施す基板処理装置であって，
前記基板の表面上に処理ガスのプラズマを生成してプロセス処理を行うプラズマ処理装置と，
前記プロセス処理前に，紫外線を照射することによって粘着力が低下する材料で構成した粘着剤を片側に付けた周縁テープを，その粘着剤が前記基板の周縁部に貼り付くように繰り出して，前記基板の周縁部に前記周縁テープを貼り付ける周縁テープ貼付装置と，
前記プロセス処理後に，前記周縁テープに紫外線を照射して前記粘着剤の粘着力を低下させることによって，前記周縁テープを前記基板から剥離する周縁テープ剥離装置と，
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記周縁テープの粘着剤は，前記プロセス処理中に発光される紫外線によっては粘着力が低下せず，特定の波長領域の紫外線を照射することによってのみ粘着力が低下する材料で構成し，
前記周縁テープ剥離装置は，前記特定の波長領域の紫外線を前記周縁テープに照射して前記粘着剤の粘着力を低下させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記周縁テープの粘着剤は，前記プロセス処理中に発光される紫外線によっては粘着力が低下せず，特定の強度領域の紫外線を照射することによってのみ粘着力が低下する材料で構成し，
前記周縁テープ剥離装置は，前記特定の強度領域の紫外線を前記周縁テープに照射して前記粘着剤の粘着力を低下させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記周縁テープ剥離装置は，周縁テープを摘んで引っ張る摘み部を設け，
前記周縁テープに紫外線を照射して前記粘着剤の粘着力を低下させた後に，前記摘み部によって前記周縁テープの一部を摘んで引っ張ることによって，前記基板から周縁テープを取り除くことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板から周縁テープを剥離する周縁テープ剥離装置であって，
前記周縁テープは，紫外線を照射することによって粘着力が低下する材料で構成した粘着剤を片側に付けて成り，
前記基板を載置する回転載置台と，
前記回転載置台の近傍に配置され，前記基板に貼り付けられた前記周縁テープに紫外線を照射して前記粘着剤の粘着力を低下させる紫外線照射部と，
を備えたことを特徴とする周縁テープ剥離装置。
【請求項６】
前記周縁テープの粘着剤は，前記プロセス処理中に発光される紫外線によっては粘着力が低下せず，特定の波長領域の紫外線を照射することによってのみ粘着力が低下する材料で構成し，
前記周縁テープ剥離装置は，前記特定の波長領域の紫外線を前記周縁テープに照射して前記粘着剤の粘着力を低下させることを特徴とする請求項５に記載の周縁テープ剥離装置。
【請求項７】
前記周縁テープの粘着剤は，前記プロセス処理中に発光される紫外線によっては粘着力が低下せず，特定の強度領域の紫外線を照射することによってのみ粘着力が低下する材料で構成し，
前記周縁テープ剥離装置は，前記特定の強度領域の紫外線を前記周縁テープに照射して前記粘着剤の粘着力を低下させることを特徴とする請求項５に記載の周縁テープ剥離装置。
【請求項８】
前記周縁テープ剥離装置は，周縁テープを摘んで引っ張る摘み部を設け，
前記周縁テープに紫外線を照射して前記粘着剤の粘着力を低下させた後に，前記摘み部によって前記周縁テープの一部を摘んで引っ張ることによって，前記基板から周縁テープを取り除くことを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の周縁テープ剥離装置。
【請求項９】
基板の表面に所定のプロセス処理を施す基板処理方法であって，
紫外線を照射することによって粘着力が低下する材料で構成した粘着剤を片側に付けた周縁テープを，その粘着剤が前記基板の周縁部に貼り付くように繰り出して，前記基板の周縁部に前記周縁テープを貼り付ける工程と，
前記周縁テープを貼り付けた基板の表面上に処理ガスのプラズマを生成してプロセス処理を行うプラズマ処理工程と，
前記プロセス処理後に，紫外線照射部によって紫外線を前記周縁テープに照射して前記粘着剤の粘着力を低下させることによって，前記周縁テープを前記基板から剥離する周縁テープ剥離工程と，
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
前記周縁テープの粘着剤は，前記プロセス処理中に発光される紫外線によっては粘着力が低下せず，特定の波長領域の紫外線を照射することによってのみ粘着力が低下する材料で構成し，
前記周縁テープ剥離工程は，前記紫外線照射部によって前記特定の波長領域の紫外線を前記周縁テープに照射して前記粘着剤の粘着力を低下させることを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記周縁テープの粘着剤は，前記プロセス処理中に発光される紫外線によっては粘着力が低下せず，特定の強度領域の紫外線を照射することによってのみ粘着力が低下する材料で構成し，
前記周縁テープ剥離工程は，前記紫外線照射部によって前記特定の強度領域の紫外線を前記周縁テープに照射して前記粘着剤の粘着力を低下させることを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記周縁テープ剥離工程は，前記紫外線照射部によって紫外線を前記周縁テープに照射して前記粘着剤の粘着力を低下させた後に，摘み部によって前記周縁テープの一部を摘んで引っ張ることによって前記基板から周縁テープを取り除くことを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１３】
基板から周縁テープを剥離する周縁テープ剥離方法であって，
前記周縁テープは，紫外線を照射することによって粘着力が低下する材料で構成した粘着剤を片側に付けて成り，
前記周縁テープが貼り付けられた基板を回転載置台に載置し，前記回転載置台を回転して前記基板を回転させながら，紫外線照射部によって紫外線を前記周縁テープに照射して前記粘着剤の粘着力を低下させることによって，前記周縁テープを前記基板から剥離する周縁テープ剥離方法。
【請求項１４】
前記周縁テープの粘着剤は，前記基板に対するプロセス処理中に生成される発光される紫外線によっては粘着力が低下せず，特定の波長領域の紫外線を照射することによってのみ粘着力が低下する材料で構成し，
前記紫外線照射部によって紫外線を照射する際には，前記特定の波長領域の紫外線を前記周縁テープに照射して前記粘着剤の粘着力を低下させることを特徴とする請求項１３に記載の周縁テープ剥離方法。
【請求項１５】
前記周縁テープの粘着剤は，前記基板に対するプロセス処理中に生成される光線によっては粘着力が低下せず，特定の強度領域の紫外線を照射することによってのみ粘着力が低下する材料で構成し，
前記紫外線照射部によって紫外線を照射する際には，前記特定の強度領域の紫外線を前記周縁テープに照射して前記粘着剤の粘着力を低下させることを特徴とする請求項１３に記載の周縁テープ剥離方法。
【請求項１６】
前記紫外線照射部によって紫外線を前記周縁テープに照射して前記粘着剤の粘着力を低下させた後に，摘み部によって前記周縁テープの一部を摘んで引っ張って前記回転載置台を回転して前記基板を回転させることによって前記基板から前記周縁テープを取り除くことを特徴とする請求項１３〜１５のいずれかに記載の周縁テープ剥離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，半導体ウエハ，液晶基板，太陽電池用基板などの基板の周縁部に周縁テープを貼り付けてプロセス処理を行う基板処理装置，基板処理方法，周縁テープ剥離装置，周縁テープ剥離方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年，半導体デバイスの製造における歩留りを向上する観点から，基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」とも称する）の周縁部の表面状態が注目されている。ウエハにはエッチング処理や成膜処理などが施され，そのようなウエハの処理により，ウエハの周縁部には不所望な付着物が付着することがある。
【０００３】
例えば処理ガスとしてフロロカーボン系（ＣＦ系）ガスをプラズマ化してウエハ表面にプラズマエッチング処理を行う場合には，競争反応（重合反応）により，ウエハ上の素子表面のみならず，ウエハの周縁部（例えばベベル部を含む周縁部の裏側）にもフロロカーボン系ポリマ（ＣＦ系ポリマ）の副生成物（デポ）が生成して付着する。
【０００４】
このようなウエハ周縁部の付着物は，ウエハをその周縁部で保持したり，搬送したりすると，場合に剥離してウエハ表面に付着し，製造される半導体デバイスの歩留りが低下する虞がある。従って，このようなウエハ周縁部の付着物は除去する必要がある。
【０００５】
この点，従来はウエハ周縁部を直接ブラシやテープによって研磨することによって，付着物を除去していた。ところが，ウエハの周縁部を研磨すると，研磨によって生じる粉塵の処理に手間がかかるとともに，そのような粉塵による汚染の問題もあるため，研磨することなくウエハ周縁部の付着物を除去することが所望される。
【０００６】
このため，ウエハ周縁部を直接研磨することなく，ウエハ周縁部に化学的作用を起こさせることで付着物を除去するものも開発されている。例えば特許文献１に示すものでは，ウエハ周縁部に直接紫外線を当てながら一酸化窒素のプラズマを生成することによって，ウエハ周縁部に付着した付着物（フロロカーボン系ポリマ）を化学的作用によって分解気化して除去している。また特許文献２に示すものも，ウエハの周縁部を加熱しながら反応性ガスを供給することで，化学的作用によって付着物（フロロカーボン系ポリマ）を分解除去している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−２４２０９８号公報
【特許文献２】国際公開ＷＯ２００６／００６５２６号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで，最近ではプロセス処理も益々複雑化しており，１つ又は複数のプラズマ処理装置において，処理条件（処理ガスの種類，流量，処理室内圧力など）を変えてエッチングや成膜などが繰り返し行われることも多くなっている。これに伴ってウエハの周縁部に付着する付着物も多層化したり，その成分も多様化したりしている。
【０００９】
ところが，特許文献１，２のようにウエハ周縁部に直接化学的作用を起こさせるものでは，特定の成分の付着物（例えばフロロカーボン系ポリマなど）しか除去することができず，付着物の成分が変わればそれを除去するための処理条件（例えば反応性ガスの種類，ウエハＷの加熱温度など）も見直さなければならない。また，ウエハ周縁部に直接化学的作用を起こさせるものでは，多様化した成分の付着物を完全に除去するのは非常に難しい。
【００１０】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，どのような付着物であっても完全に基板から取り除くことができる基板処理装置等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板の表面に所定のプロセス処理を施す基板処理装置であって，前記基板の表面上に処理ガスのプラズマを生成してプロセス処理を行うプラズマ処理装置と，前記プロセス処理前に，紫外線を照射することによって粘着力が低下する材料で構成した粘着剤を片側に付けた周縁テープを，その粘着剤が前記基板の周縁部に貼り付くように繰り出して，前記基板の周縁部に前記周縁テープを貼り付ける周縁テープ貼付装置と，前記プロセス処理後に，前記周縁テープに紫外線を照射して前記粘着剤の粘着力を低下させることによって，前記周縁テープを前記基板から剥離する周縁テープ剥離装置と，を備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１２】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板の表面に所定のプロセス処理を施す基板処理方法であって，紫外線を照射することによって粘着力が低下する材料で構成した粘着剤を片側に付けた周縁テープを，その粘着剤が前記基板の周縁部に貼り付くように繰り出して，前記基板の周縁部に前記周縁テープを貼り付ける工程と，前記周縁テープを貼り付けた基板の表面上に処理ガスのプラズマを生成してプロセス処理を行うプラズマ処理工程と，前記プロセス処理後に，紫外線照射部によって紫外線を前記周縁テープに照射して前記粘着剤の粘着力を低下させることによって，前記周縁テープを前記基板から剥離する周縁テープ剥離工程と，を有することを特徴とする基板処理方法が提供される。
【００１３】
このような本発明によれば，プロセス処理前に基板の周縁部に周縁テープを貼り付けるため，プロセス処理による付着物はすべて周縁テープに付着するので，基板の周縁部には直接付着しないようにすることができる。しかも，プロセス処理後には周縁テープを付着物ごと除去するので，どのような付着物であっても基板から完全に除去することができる。また，周縁テープに紫外線を照射して粘着力を低下して剥離させるので，基板から周縁テープを付着物ごと容易に取り除くことができる。
【００１４】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板から周縁テープを剥離する周縁テープ剥離装置であって，前記周縁テープは，紫外線を照射することによって粘着力が低下する材料で構成した粘着剤を片側に付けて成り，前記基板を載置する回転載置台と，前記回転載置台の近傍に配置され，前記基板に貼り付けられた前記周縁テープに紫外線を照射して前記粘着剤の粘着力を低下させる紫外線照射部と，を備えたことを特徴とする周縁テープ剥離装置が提供される。
【００１５】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板から周縁テープを剥離する周縁テープ剥離方法であって，前記周縁テープは，紫外線を照射することによって粘着力が低下する材料で構成した粘着剤を片側に付けて成り，前記周縁テープが貼り付けられた基板を回転載置台に載置し，前記回転載置台を回転して前記基板を回転させながら，紫外線照射部によって紫外線を前記周縁テープに照射して前記粘着剤の粘着力を低下させることによって，前記周縁テープを前記基板から剥離する周縁テープ剥離方法が提供される。
【００１６】
このような本発明によれば，周縁テープに紫外線を照射して粘着力を低下して剥離させるので，基板から周縁テープを付着物ごと容易に取り除くことができる。しかも，プロセス処理による付着物はすべて周縁テープに付着するので，プロセス処理後に周縁テープを付着物ごと除去することで，どのような付着物であっても基板から完全に除去することができる。
【００１７】
また，上記周縁テープの粘着剤は，前記プロセス処理中に発光される紫外線によっては粘着力が低下せず，特定の波長領域の紫外線を照射することによってのみ粘着力が低下する材料で構成し，前記特定の波長領域の紫外線を前記周縁テープに照射して前記粘着剤の粘着力を低下させることが好ましい。これによれば，周縁テープはプロセス処理中に基板から剥がれることはなく，特定の波長領域の紫外線を照射することによって容易に基板から取り除くことができる。
【００１８】
また，上記周縁テープの粘着剤は，前記プロセス処理中に発光される紫外線によっては粘着力が低下せず，特定の強度領域の紫外線を照射することによってのみ粘着力が低下する材料で構成し，前記特定の強度領域の紫外線を前記周縁テープに照射して前記粘着剤の粘着力を低下させるようにしてもよい。これによれば，周縁テープはプロセス処理中に基板から剥がれることはなく，特定の強度領域の紫外線を照射することによって容易に基板から取り除くことができる。
【００１９】
また，上記周縁テープ剥離装置は，周縁テープを摘んで引っ張る摘み部を設け，前記周縁テープに紫外線を照射して前記粘着剤の粘着力を低下させた後に，前記摘み部によって前記周縁テープの一部を摘んで引っ張ることによって，前記基板から周縁テープを取り除くようにしてもよい。これによれば，周縁テープをより確実に基板から取り除くことができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば，基板の周縁部に周縁テープを貼り付けることによって，プロセス処理による付着物はすべて周縁テープに付着させることができる。これにより，プロセス終了後に周縁テープを基板から剥離することで，どのような付着物であっても周縁テープとともに完全に基板から取り除くことができる。また，周縁テープを剥離するときには紫外線を照射するので，周縁テープを基板から容易に取り除くことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態にかかる基板処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】周縁テープを貼り付けないウエハにプロセス処理を施した際の作用説明図である。
【図３】周縁テープを貼り付けたウエハにプロセス処理を施す際の作用説明図である。
【図４Ａ】周縁テープを貼り付けたウエハを説明するための部分断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに示すＡ部を拡大した断面図である。
【図５】図１に示す周縁テープ貼付装置の概略構成を説明するための図であって，周縁テープ貼付装置の内部機構を上方から見た図である。
【図６Ａ】図１に示す周縁テープ貼付装置を用いて，ノッチのあるウエハに周縁テープを貼り付けた場合を説明するための上面図である。
【図６Ｂ】図１に示す周縁テープ貼付装置を用いて，オリエンテーションフラットのあるウエハに周縁テープを貼り付けた場合を説明するための上面図である。
【図７】図１に示す周縁テープ剥離装置の概略構成を説明するための図であって，周縁テープ剥離装置の内部機構を上方から見た図である。
【図８】図７に示す周縁テープ剥離装置によって周縁テープを剥離する際の作用説明図である。
【図９Ａ】図７に示す周縁テープ剥離装置によって周縁テープを剥離する際の作用説明図であって，周縁テープに紫外線照射を開始した場合である。
【図９Ｂ】図７に示す周縁テープ剥離装置によって周縁テープを剥離する際の作用説明図であって，周縁テープに紫外線照射を終了した場合である。
【図１０】同実施形態にかかる基板処理装置を用いてウエハに対する処理を行う際のフローチャートを示す図である。
【図１１】同実施形態における周縁テープ剥離装置の他の構成例を説明するための図である。
【図１２】図１１に示す周縁テープ剥離装置を用いて行う周縁テープ剥離処理のフローチャートを示す図である。
【図１３Ａ】図１２に示す周縁テープ剥離処理において，周縁テープに紫外線を照射する際の作用説明図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａにおいて紫外線を照射した周縁テープの一部を摘む際の作用説明図である。
【図１３Ｃ】図１３Ｂにおいて摘んだ周縁テープを引っ張る際の作用説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２３】
（基板処理装置）
先ず，本発明の実施形態にかかる基板処理装置について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施形態にかかる基板処理装置の概略構成を示す断面図である。ここでは，基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」とも称する。）Ｗの周縁部に周縁テープＰを貼り付けた状態でエッチングや成膜などのプロセス処理を行う複数（ここでは６つ）のプラズマ処理装置１４０Ａ〜１４０Ｆと，プロセス処理前のウエハＷに周縁テープＰを貼り付ける周縁テープ貼付装置２００と，プロセス処理後にウエハＷから周縁テープＰを剥離する周縁テープ剥離装置３００とを備えた基板処理装置１００を例に挙げる。
【００２４】
図１に示すように基板処理装置１００は，プラズマ処理装置１４０Ａ〜１４０Ｆを共通搬送室１５０の周りにゲートバルブ１４４Ａ〜１４４Ｆを介して接続してなる真空処理ユニット１１０と，この真空処理ユニット１１０に対してウエハＷを搬出入させる搬送ユニット１２０とを備える。
【００２５】
共通搬送室１５０はその内部を所定の真空圧力に制御できるように構成されており，搬送ユニット１２０は大気圧雰囲気の搬送室１３０により構成されている。搬送室１３０と共通搬送室１５０の内部にはそれぞれ屈伸及び回転自在な２つの搬送アームを備えた基板搬送機構１７０，１８０が設けられている。基板搬送機構１７０，１８０の各搬送アームにはそれぞれその先端に設けられたピック（エンドエフェクタ）でウエハＷを保持して搬送するようになっている。なお，これら基板搬送機構１７０，１８０の構成の詳細は後述する。
【００２６】
各プラズマ処理装置１４０Ａ〜１４０Ｆは，例えば減圧可能な処理室１４２を備え，この処理室１４２内に，ウエハＷを載置する基板載置台を兼ねる下部電極（サセプタ）１４６と，これに対向するように処理ガスをウエハＷ上に供給するシャワーヘッドを兼ねる上部電極（図示しない）を設けて構成される。
【００２７】
このようなプラズマ処理装置１４０Ａ〜１４０ＦのいずれかによってウエハＷの表面にプロセス処理を行う場合は，基板搬送機構１７０，１８０によって処理室１４２内までウエハＷを搬送し，下部電極１４６上に載置する。処理室１４２内を減圧して図示しない上部電極から処理ガスを導入し，各電極間に所定の高周波電力を印加してウエハＷ上に処理ガスのプラズマを生成する。このプラズマによってウエハＷの表面にエッチング，成膜などの所定のプロセス処理を施す。
【００２８】
なお，プラズマ処理装置１４０Ａ〜１４０Ｆの構成はこれに限られるものではない。また図１に示す基板処理装置１００は，６つのプラズマ処理装置１４０Ａ〜１４０Ｆを設けた場合を例に挙げているが，これに限定されるものではなく，５つ以下のプラズマ処理装置を備えたものであってもよい。また，図１に示す基板処理装置１００には，少なくとも１つのプラズマ処理装置を設けていればよく，その他は別の処理装置（例えば熱処理装置，成膜装置など）を設けてもよい。
【００２９】
共通搬送室１５０の周囲には，さらに第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの一端がそれぞれゲートバルブ（真空圧側ゲートバルブ）１６２を介して接続されており，第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの他端は，それぞれゲートバルブ（大気圧側ゲートバルブ）１６４を介して搬送室１３０に接続されている。
【００３０】
第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎは，ウエハＷを一時的に保持し，減圧雰囲気に調整した後に共通搬送室１５０へパスし，大気圧雰囲気に調整した後に搬送室１３０へパスする機能を有している。第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの内部にはそれぞれ，ウエハＷを載置可能な受渡台１６６が設けられている。
【００３１】
基板搬送機構１８０は，これらロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ及びプラズマ処理装置１４０Ａ〜１４０Ｆの処理室１４２に対してウエハＷを搬出入できるようになっている。具体的には基板搬送機構１８０は，ウエハＷを保持するピックを設けた２つの搬送アームを備え，一度に２枚のウエハＷを取り扱うことができる。これらの搬送アームは基台１８２に回転自在に支持されている。基台１８２は，共通搬送室１５０内の基端側から先端側にわたって配設された案内レール１８４上を例えば図示しないスライド駆動用モータによりスライド移動自在に構成されている。なお，基台１８２には例えばピック回転用のモータなどの配線を通すためのフレキシブルアーム１８６が接続されている。
【００３２】
これによれば，基板搬送機構１８０を案内レール１８４に沿ってスライド移動させることによって，第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ及びプラズマ処理装置１４０Ａ〜１４０Ｆの各処理室１４２にアクセス可能となる。例えば基板搬送機構１８０を第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ及び対向配置されたプラズマ処理装置１４０Ａ，１４０Ｆの各処理室１４２にアクセスさせる際には，基板搬送機構１８０を案内レール１８４に沿って共通搬送室１５０の基端側寄りに位置させる。
【００３３】
また，基板搬送機構１８０を他の４つのプラズマ処理装置１４０Ｂ〜１４０Ｅの各処理室１４２にアクセスさせる際には，基板搬送機構１８０を案内レール１８４に沿って共通搬送室１５０の先端側寄りに位置させる。これにより，１つの基板搬送機構１８０により，共通搬送室１５０に接続されているすべての処理室１４２と第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎにアクセス可能となる。
【００３４】
なお，上記実施形態では，１つの基板搬送機構１８０をスライド自在に設けた場合を例に挙げたが，これに限定されるものではなく，例えば共通搬送室１５０の基端側寄りと先端側寄りにそれぞれ１つずつ基板搬送機構１８０を回転自在に固定するようにしてもよい。また，基板搬送機構１８０は例えば図１に示すような２つの搬送アームを備えるダブルアーム機構であってもよく，また１つの搬送アームを備えるシングルアーム機構であってもよい。
【００３５】
次に，搬送ユニット１２０の構成についてより詳細に説明する。搬送ユニット１２０を構成する搬送室１３０の内部は大気圧雰囲気中にてＮ２ガス等の不活性ガスや清浄空気が循環されるようになっている。搬送室１３０には，複数のカセット台１３１Ａ〜１３１Ｃが並設されている。これらカセット台１３１Ａ〜１３１Ｃには，ウエハＷを収納するカセット容器１３２Ａ〜１３２Ｃがセットされる。搬送室１３０の側壁には，ウエハＷの投入口としての３つのロードポート１３３Ａ〜１３３Ｃが各カセット台１３１Ａ〜１３１Ｃに対応するように設けられている。
【００３６】
図１では，例えば各カセット台１３１Ａ〜１３１Ｃに３台のカセット容器１３２Ａ〜１３２Ｃをそれぞれ１つずつ載置することができる例を挙げているが，カセット台とカセット容器の数はこれに限られず，例えば１台又は２台であってもよく，また４台以上設けてもよい。
【００３７】
各カセット容器１３２Ａ〜１３２Ｃには，少なくとも１ロット分（例えば２５枚）以上のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっており，内部は例えばＮ２ガス雰囲気で満たされた密閉構造となっている。
【００３８】
搬送室１３０には，ウエハＷの位置決め装置としてのオリエンタ（プリアライメントステージ）１３６が設けられている。オリエンタ１３６は，例えば内部に回転載置台１３８とウエハＷの周縁部を光学的に検出する光学センサ１３９とを備え，ウエハＷのノッチやオリエンテーションフラット等を検出して位置合せを行う。また，搬送室１３０には，周縁テープ貼付装置２００，周縁テープ剥離装置３００が設けられている。なお，これらの詳細な構成や動作については後述する。
【００３９】
基板搬送機構１７０は，上述した各カセット容器１３２Ａ〜１３２Ｃ，オリエンタ１３６，第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ，周縁テープ貼付装置２００，周縁テープ剥離装置３００に対してウエハＷを搬出入できるようになっている。具体的には基板搬送機構１７０は，ウエハＷを保持するピックを設けた２つの搬送アームを備え，一度に２枚のウエハＷを取り扱うことができる。これらの搬送アームは基台１７２に回転自在に支持されている。基台１７２は搬送室１３０内を長手方向に沿って設けられた案内レール１７４上を例えばリニアモータ駆動機構によりスライド移動可能に構成されている。基板搬送機構１７０は例えば図１に示すような２つの搬送アームを備えるダブルアーム機構であってもよく，また１つの搬送アームを備えるシングルアーム機構であってもよい。
【００４０】
基板処理装置１００には，上記各プラズマ処理装置１４０Ａ〜１４０Ｆ，基板搬送機構１７０，１８０，各ゲートバルブ１４４，１６２，１６４，オリエンタ１３６，周縁テープ貼付装置２００，周縁テープ剥離装置３００などの制御を含め，基板処理装置全体の動作を制御する制御部１９０が設けられている。制御部１９０は，その本体を構成するＣＰＵ（中央処理装置），プログラムやレシピなどを記憶するメモリ，ハードディスク等の記憶媒体を備える。
【００４１】
ところで，もしこのような基板処理装置１００において，ウエハＷに周縁テープＰを貼り付けないで，上記各プラズマ処理装置１４０Ａ〜１４０Ｆでプロセス処理を行うと，そのウエハＷの周縁部に例えば図２に示すような不所望な付着物Ｄが付着することがある。例えば図２に示すような下部電極（サセプタ）１４６の場合には，プロセス処理の処理条件に応じてウエハＷの周縁部（特に周縁部の裏側）に付着物Ｄが付着し易くなる。
【００４２】
図２に示すように下部電極（サセプタ）１４６上の略中央に形成される基板載置部がウエハＷの径よりも若干小さい場合には，その基板載置部にウエハＷを載置すると，ウエハＷの周縁部が全周にわたって基板載置部から張り出すことになる。
【００４３】
また，図２に示す下部電極１４６には，例えばウエハＷの面内のバイアス電位の不連続性を緩和する等のため，ウエハＷの周囲を囲むようにリング状に形成されたフォーカスリング１４８が配置される。このフォーカスリング１４８の内周面はウエハＷに接触しないようにウエハＷの径よりも若干大きくなっているため，ウエハＷの端面とフォーカスリング１４８の内周面との間には若干の隙間が生じている。
【００４４】
このため，ウエハＷにエッチング，成膜などのプロセス処理を行う際に，処理ガスのプラズマがウエハＷとフォーカスリング１４８との隙間にも入り込み，ウエハＷの周縁部の裏側（例えばベベル部）に不所望な付着物が付着する。なお，フォーカスリング１４８を設けない場合もあるが，その場合にも同様にウエハＷの周縁部に不所望な付着物が付着することがある。
【００４５】
例えば処理ガスとしてフロロカーボン系（ＣＦ系）ガスのプラズマを生成して，ウエハＷの表面にプラズマエッチング処理を施す場合，競争反応（重合反応）によってフロロカーボン系ポリマ（ＣＦ系ポリマ）からなる副生成物（デポ）が生成され，これがウエハＷの周縁部（例えばベベル部を含む周縁部の裏側）に徐々に堆積して付着物Ｄとなる。
【００４６】
このように，プロセス処理においてウエハＷの周縁部に付着した付着物Ｄは，ウエハＷ上に形成される半導体デバイスの歩留りの要因の１つになっている。例えばカセット容器１３２Ａ〜１３２ＣのいずれかにウエハＷを戻すときに，ウエハＷの周縁部がカセット容器内の保持部に接触するので，そのときにウエハＷの周縁部の付着物が剥離してウエハ表面上に付着すると，製造される半導体デバイスの歩留りが低下する虞がある。従って，このようなウエハの周縁部の付着物は除去する必要がある。
【００４７】
ところが，近年ではプロセス処理も益々複雑化しており，１つ又は複数のプラズマ処理装置において，処理条件（処理ガスの種類，流量，処理室内圧力など）を変えてエッチングや成膜などが繰り返し行われることも多くなっている。これに伴い，ウエハＷの周縁部に付着する付着物Ｄも多層化したり，その成分も多様化したりして益々除去し難くなっている。
【００４８】
そこで，本実施形態にかかる基板処理装置１００では，周縁テープ貼付装置２００，周縁テープ剥離装置３００を設けることによって，エッチングや成膜などのプロセス処理前に周縁テープＰを貼り付けて，プロセス処理後に周縁テープＰを剥離することができるようにしている。
【００４９】
具体的には図３に示すようにウエハＷに周縁テープＰを貼り付けた状態で，エッチングや成膜などのプロセス処理を施すことによって，プロセス処理による不所望な付着物Ｄはすべて周縁テープＰに付着する。このため，ウエハＷの周縁部（例えばベベル部を含む周縁部の裏側）には付着物Ｄが直接付着しないようにすることができる。しかも，プロセス処理後には周縁テープＰを付着物Ｄごと除去するので，どのような付着物ＤであってもウエハＷから完全に除去することができる。
【００５０】
（周縁テープ）
ここで，ウエハＷに貼り付ける周縁テープの具体例について図面を参照しながら説明する。図４Ａは，周縁テープＰが貼り付けられたウエハＷの周縁部の断面図であって，図４Ｂは図４ＡのＡ部を拡大した断面図である。
【００５１】
周縁テープＰはウエハＷの周縁部に貼り付けられる。この場合，周縁テープＰは所定幅のテープを用いて，図４Ａに示すようにウエハＷの周縁部の上面側から下面側（裏面側）にかけて貼り付ける。各プラズマ処理装置１４０Ａ〜１４０Ｆの下部電極１４６の基板載置部にウエハＷを載置させたときに，ウエハＷの周縁部のうち基板載置部から張り出す部分に付着物が付着し易いので，この部分を覆うように周縁テープＰを貼り付けることが好ましい。周縁テープＰは，プロセス処理の際にプラズマに晒されるため，耐プラズマ性を有する材料，例えばアクリル樹脂，シリコン樹脂，ＰＥ（ポリエチレン）樹脂などで構成される。
【００５２】
このような周縁テープＰは，一度貼り付けると剥がすのに手間がかかる。このため，本実施形態では，図４Ａ，図４Ｂに示すように周縁テープＰの片側（ウエハＷに貼り付ける側）に紫外線によって粘着力が低下する材料で構成された粘着材Ｑを付けたものを用いる。このような周縁テープＰの粘着剤としては，紫外線硬化型粘着剤や紫外線嫌気型粘着剤を用いることができる。これによれば，周縁テープを剥がすときには，紫外線を照射することによって粘着材Ｑの粘着力を低下させることによって，周縁テープＰをウエハＷから容易に剥がすことができる。
【００５３】
特に本実施形態では，ウエハＷに対して周縁テープＰを貼り付けたままの状態でプロセス処理を実行するため，周縁テープＰはプロセス処理中には容易に剥がれず，かつプロセス処理後には剥離し易くなることが好ましい。
【００５４】
そこで，ここでの粘着剤Ｑとしては，プロセス処理中に発生する紫外線の波長領域では粘着力が低下せず，特定の波長領域の紫外線を照射することによって粘着力が低下する材料によって構成することが好ましい。例えばプロセス処理中に発生する紫外線の波長領域が４００ｎｍ〜４５０ｎｍである場合には，３００ｎｍ以下の波長領域の紫外線で粘着力が低下するような材料を用いる。
【００５５】
これによれば，周縁テープＰはプロセス処理中にウエハＷから剥がれることはなく，プロセス処理後に特定の波長領域の紫外線を周縁テープＱに照射することによって粘着力が低下し，ウエハＷから容易に剥離させることができる。
【００５６】
（周縁テープ貼付装置）
次に，このような周縁テープＰをウエハＷに貼り付ける周縁テープ貼付装置２００の具体的構成例について図面を参照しながら説明する。図５は周縁テープ貼付装置２００の概略構成例を説明するための図であって，周縁テープ貼付装置２００の内部機構を上方から見た図である。
【００５７】
図５に示すように周縁テープ貼付装置２００は，ウエハＷを載置する回転自在な載置台２１０と，この載置台２１０に載置されたウエハＷの周縁部に周縁テープＰを繰り出す周縁テープ繰出部２２０と，ウエハＷの周縁部に接離自在に設けられ，ウエハＷの周縁部に周縁テープＰを押さえつけて貼付する押圧部２３０とを備える。
【００５８】
載置台２１０は図示しないモータに接続されており，制御部１９０はそのモータを制御して載置台２１０の回転を制御するようになっている。周縁テープ繰出部２２０は，巻回された周縁テープＰを繰り出す繰出ローラ２２２，テンションローラ２２４，周縁テープＰの粘着部Ｑに貼り付けられているセパレータを巻き取るセパレータ巻取ローラ２２６を備える。
【００５９】
このような周縁テープ貼付装置２００によれば，載置台２１０に載置されたウエハＷに周縁テープを貼り付けるときには，繰出ローラ２２２にセットされた周縁テープＰをテンションローラ２２４を介してウエハＷの周縁部に向けて繰り出す。すると，周縁テープＰはテンションローラ２２４でセパレータＳから剥がれて粘着部ＱがウエハＷの周縁部に付着するように繰り出される。そして，押圧部２３０によって周縁テープＰをウエハＷの周縁部に押しつけながら，載置台２１０を回転してウエハＷを回転させる。これによって，周縁テープＰはウエハＷの周縁部全体に貼り付けられていく。
【００６０】
ここで，周縁テープ貼付装置２００によって周縁テープを貼り付けたウエハＷの具体例を図６Ａ，図６Ｂに示す。図６Ａは周縁部にノッチＮが形成されたウエハＷに周縁テープＰを貼り付けた場合を示す上面図であり，図６Ｂは周縁部にオリエンテーションフラットＦが形成されたウエハＷに周縁テープＰを貼り付けた場合を示す上面図である。
【００６１】
図６Ａ，図６Ｂに示すように，周縁テープＰはウエハＷの周縁部全体にわたって貼り付けられる。なお，周縁テープ貼付装置２００では，周縁テープＰをウエハＷの周縁部に巻き付けながら貼り付けるため，周縁テープＰの巻き始めの始端部と，巻き終わりの終端部との間は不連続部Ｘとなる。なお，図６Ａ，図６Ｂでは周縁テープＰの不連続部Ｘにおいて，始端部と終端部とが重ならない場合を示しているが，始端部と終端部は隙間をなくすように重なっていてもよい。
【００６２】
なお，オリエンタ１３６でウエハＷのノッチＮやオリエンテーションフラットＦを用いて位置決めしてから周縁テープＰを貼り付けることで，図６Ａ，図６Ｂに示すようにウエハＷのノッチＮやオリエンテーションフラットＦを含めた全周に渡って周縁テープＰを貼り付けることができる。オリエンテーションフラットＦの場合は，周縁テープＰを貼り付けてもオリエンテーションフラットＦの形状が変わることはないため，周縁テープＰを貼り付けてからオリエンタ１３６で位置決めしてもよい。
【００６３】
（周縁テープ剥離装置）
次に，周縁テープＰをウエハＷから剥離する周縁テープ剥離装置３００の具体的構成例について図面を参照しながら説明する。図７は周縁テープ剥離装置３００の概略構成を説明するための図であって，周縁テープ剥離装置３００の内部機構を上方から見た図である。図７に示すように周縁テープ剥離装置３００は，周縁テープＰを貼り付けたウエハＷを載置する回転自在な載置台３１０と，周縁テープＰに特定の波長領域の紫外線を照射する紫外線照射部３２０とを備える。
【００６４】
載置台３１０は図示しないモータに接続されており，制御部１９０はそのモータを制御して載置台３１０の回転を制御するようになっている。紫外線照射部３２０は高さ調整可能な支持部３２２に支持されている。紫外線照射部３２０の高さは，載置台に載置されたウエハＷの周縁部に紫外線が照射されるように調整される。紫外線照射部３２０によって照射される紫外線は，周縁テープＰの粘着部Ｑの粘着力を低下させる波長領域に設定される。
【００６５】
このような周縁テープ剥離装置３００によれば，載置台２１０に載置されたウエハＷから周縁テープを剥離するときには，図８に示すように紫外線照射部３２０から周縁テープＰに向けて特定の波長領域の紫外線を照射しながら，載置台３１０を回転制御してウエハＷを回転させる。具体的には図９Ａに示すように紫外線照射部３２０からの紫外線が周縁テープＰに照射されると，周縁テープＰの粘着部Ｑの粘着力が低下し，図９Ｂに示すように周縁テープＰはウエハＷから剥離される。この場合，周縁テープＰに不連続部Ｘがあるため，まるでその不連続部Ｘで切断されたように剥離するので，そのままウエハＷを回転することによって，遠心力で周縁テープＰをウエハＷから取り外すことができる。
【００６６】
このとき，図９Ｂに示すように周縁テープＰに付着物Ｄが付着していても，その付着物Ｄが付着したまま周縁テープＰが剥離されるので，ウエハＷから付着物Ｄを確実に取り除くことができる。
【００６７】
ところで，上記周縁テープＰの不連続部Ｘは，本実施形態における周縁テープ貼付装置２００などによって周縁テープＰをウエハＷの周縁部に巻き付けるように貼り付けることで発生する。このため，周縁テープＰの不連続部Ｘは，ウエハＷの周縁部に，ノッチＮが形成されている場合（図６Ａ）でも，オリエンテーションフラットＦが形成されている場合（図６Ｂ）でも発生する。
【００６８】
従って，ノッチＮ，オリエンテーションフラットＦなどウエハＷの周縁部形状の如何に拘わらず，周縁テープ剥離装置３００によってその周縁テープＰに紫外線を照射して粘着力を低下させて剥離したときには，不連続部Ｘから剥がれ易くなる。すなわち，周縁テープＰを切断しなくても，周縁テープＰの粘着部Ｑの粘着力が低下すればウエハＷから剥離されるので，周縁テープＰが不連続部Ｘで切断されたのと同様の状態になり，ウエハＷから剥がれ易くすることができる。
【００６９】
また，不連続部ＸがノッチＮやオリエンテーションフラットＦの近傍になるように周縁テープＰを貼り付けることで，さらにウエハＷから剥がれ易くすることができる。例えば後述するように周縁テープＰに紫外線を照射して粘着力を低下させた後に，周縁テープＰのノッチＮやオリエンテーションフラットＦの部位で摘んで引っ張るようにすれば，その近傍の不連続部Ｘから簡単に剥がれるので，そのままウエハＷを回転すれば，周縁テープＰを容易かつ確実にウエハＷから取り外すことができる。
【００７０】
このように，本実施形態における周縁テープ貼付装置２００を用いて貼り付けられた周縁テープＰは，周縁テープ剥離装置３００を用いて剥離することで，よりウエハＷから取り外し易くなる。但し，周縁テープ剥離装置３００によって剥離する周縁テープＰは，必ずしも本実施形態における周縁テープ貼付装置２００によって貼り付けられたものに限定されるものではない。
【００７１】
（基板処理装置の動作）
次に，上記のように構成された本実施形態にかかる基板処理装置１００の動作を説明する。本実施形態では，図１０に示すようにプロセス処理を行う前にウエハＷに周縁テープを貼り付けて（ステップＳ１３０），プロセス処理を実行し（ステップＳ１４０），すべてのプロセス処理の完了後に周縁テープを剥離する（ステップＳ１６０）。
【００７２】
なお，ここではノッチＮが形成されたウエハＷに対してプロセス処理を行う場合を例に挙げるが，オリエンテーションフラットＦが形成されたウエハＷに対してプロセス処理を行う場合にも適用可能である。
【００７３】
制御部１９０は，所定のプログラムに基づいて基板処理装置１００の各部を制御して図１０に示す各処理を実行する。具体的には先ずステップＳ１１０にて図１に示す基板搬送機構１７０によってカセット容器１３２Ａ〜１３２Ｃのいずれかから処理対象のウエハＷを取り出す。ステップＳ１２０にてそのウエハＷをオリエンタ１３６まで搬送し，オリエンタ１３６で位置決めする。
【００７４】
次いでステップＳ１３０にて基板搬送機構１７０によって位置決めされたウエハＷを周縁テープ貼付装置２００に搬送して周縁テープＰを貼り付ける。これにより，ウエハＷの周縁部には図４Ａに示すように周縁テープが貼り付けられる。なお，このようにオリエンタ１３６でウエハＷのノッチＮを使って位置決めしてから周縁テープＰを貼り付けることで，ウエハＷのノッチＮを含めた全周に渡って周縁テープＰを貼り付けることができる。
【００７５】
次にステップＳ１４０にて周縁テープＰが貼り付けられたウエハＷをプラズマ処理装置１４０Ａ〜１４０Ｆのいずれかに搬送して，ウエハＷの表面に所定のプロセス処理を施す。具体的には，先ず周縁テープ貼付装置２００で周縁テープＰが貼り付けられると，そのウエハＷを基板搬送機構１７０によって取り出してロードロック室１６０Ｍに搬入する。ロードロック室１６０Ｍにおいて圧力調整が完了すると，そのウエハＷを基板搬送機構１８０によってロードロック室１６０Ｍから搬出し，プラズマ処理装置１４０Ａ〜１４０Ｆのいずれかに搬入して所定のプロセス処理を実行する。
【００７６】
続いてステップＳ１５０にてそのウエハＷに対するすべてのプロセス処理が完了したか否かを判断する。ステップＳ１５０にて未だ完了していないと判断した場合，例えば複数のプラズマ処理装置で連続してプロセス処理を行う場合は，次のプロセス処理を行うプラズマ処理装置に搬送してプロセス処理を実行する。
【００７７】
このとき，プラズマ処理装置１４０Ａ〜１４０Ｆの処理室１４２内では，例えば下部電極１４６に対向する図示しないシャワーヘッドを兼ねる上部電極から所定の処理ガスを導入し，その電極間に所定の高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化し，そのプラズマによってウエハＷ上にエッチング，成膜などの所定のプロセス処理を施す。
【００７８】
このようなプロセス処理を実行する際に，周縁テープＰには図３に示すように付着物Ｄが付着する。このとき，例えば処理条件（処理ガスの種類，流量，処理室内圧力など）が異なるプロセス処理が連続して実行されると，付着物Ｄが多層化したり，その成分も多様化したりし易くなる。
【００７９】
なお，本実施形態における周縁テープＰの粘着部Ｑは，上述したようにプロセス処理によって発生する紫外線によっては粘着力が低下しない材質を用いるので，プロセス処理中にウエハＷから剥がれ落ちることはない。
【００８０】
ステップＳ１５０にてそのウエハＷに対するすべてのプロセス処理が完了したと判断した場合は，ステップＳ１６０にてそのウエハＷを周縁テープ剥離装置３００に搬送して，ウエハＷから周縁テープＰを剥離する。具体的には，プロセス処理が完了したウエハＷは，基板搬送機構１８０によって処理室１４２から搬出してロードロック室１６０Ｎに搬入する。ロードロック室１６０Ｎにおいて圧力調整が完了すると，そのウエハＷを基板搬送機構１７０によってロードロック室１６０Ｎから搬出し，周縁テープ剥離装置３００に搬送する。
【００８１】
そして，周縁テープ剥離装置３００では図９Ａに示すように載置台３１０を回転してウエハＷを回転させながら，紫外線照射部３２０により紫外線を周縁テープＰに向けて照射する。これにより，周縁テープＰの粘着力を低下させることによって，図９Ｂに示すようにウエハＷから周縁テープＰを剥離させる。これによれば，周縁テープＰはウエハＷから非常に剥がれ易くなり，例えば載置台２１０を回転してウエハＷを回転させることで遠心力によっても周縁テープＰを取り除くことができる。
【００８２】
しかも，このとき周縁テープＰに付着した付着物Ｄは，図９Ｂに示すように周縁テープＰに付着したまま，周縁テープＰとともにウエハＷから剥離される。これによって，どんな付着物Ｄであっても（例えばもしウエハＷに直接付着していたら取り除くのが困難な付着物Ｄであっても），ウエハＷから周縁テープＰとともに容易に取り除くことができる。
【００８３】
なお，上述した周縁テープ剥離装置３００の構成は図７に示す構成に限られるものではない。例えば周縁テープＰを確実に取り除くために，この周縁テープＰを摘んで取り除く摘み部３３０をさらに設けるようにしてもよい。具体的には例えば図１１に示すように，ウエハＷの周縁部の近傍に，ウエハＷの周縁部に進退自在な摘み部３３０を設ける。摘み部３３０の先端は，周縁テープＰを摘み易いように先端に向けて細くなる形状に構成することが好ましい。
【００８４】
ここで，図１１に示す周縁テープ剥離装置３００を用いた周縁テープを剥離する処理の具体例を図面を参照しながら説明する。図１２は，制御部１９０が実行する周縁テープ剥離処理のフローチャートを示す図である。周縁テープ剥離処理は，所定のプログラムに基づいて制御部１９０により実行される。先ずステップＳ２１０にて図１３Ａに示すように載置台３１０を回転してウエハＷを回転させながら，紫外線照射部３２０により紫外線を周縁テープＰに向けて照射する。このとき，摘み部３３０はウエハＷから離間した待機位置（初期位置）に待機させたままにしておく。
【００８５】
次いでステップＳ２２０にて摘み部３３０によって周縁テープＰを摘んで引っ張る。具体的には，図１３Ｂに示すように摘み部３３０をウエハＷに向けて前進させて周縁テープＰを摘む。そして，図１３Ｃに示すように摘み部３３０をウエハＷから後退させて周縁テープＰを引っ張る。
【００８６】
このとき，周縁テープＰを摘んで引っ張る部位は，ウエハＷのノッチＮの部位であることが好ましい。ウエハＷのノッチＮは周縁部を切り欠いて形成されており，周縁テープＰもこのノッチＮを覆うように張り付けられる。このため，ウエハＷのノッチＮの部位を掴むことによってウエハＷの周縁部を摘むことなく，周縁テープＰのみを摘むことができる。
【００８７】
こうして，摘み部３３０によって周縁テープＰを摘んで引っ張った状態で，ステップＳ２３０にて載置台３１０を回転してウエハＷを回転させてウエハＷから周縁テープＰを取り除く。そして，ステップＳ２４０にて摘み部３３０を元の待機位置（初期位置）に戻す。こうして，一連の周縁テープ剥離処理を終了する。
【００８８】
これによれば，周縁テープＰに紫外線を当てて粘着力を低下させた後に，周縁テープＰの一部を摘んで引っ張ってウエハＷから取り外すことができる。これにより，ウエハＷから確実に周縁テープＰを付着物Ｄとともに取り除くことができる。
【００８９】
また，図１３Ｂに示すように周縁テープＰの不連続部ＸがノッチＮの近傍にあるときには，図１３Ｃに示すように周縁テープＰの一部を摘み部３３０で摘んで引っ張ると，不連続部Ｘから簡単に剥がれるので，周縁テープＰの一部を摘んだままウエハＷを回転すれば，周縁テープＰをより簡単かつ確実にウエハＷから取り外すことができる。
【００９０】
なお，上記実施形態では，周縁テープＰの粘着剤Ｑとして，プロセス処理中に発生する紫外線では粘着力が低下せず，特定の波長領域の紫外線を照射することによって粘着力が低下する材料によって構成する場合について説明したが，これに限定されるものではない。
【００９１】
例えば，周縁テープＰの粘着剤Ｑとして，プロセス処理中に発生する紫外線では粘着力が低下せず，特定の強度領域の紫外線を照射することによって粘着力が低下する材料によって構成するようにしてもよい。例えばプロセス処理中に発生する紫外線の強度領域よりも高い強度領域で粘着力が低下する材料を粘着材Ｑとする。
【００９２】
この場合には，周縁テープ剥離装置３００にて紫外線照射部３２０は，紫外線照射部３２０から特定の強度領域の紫外線を周縁テープＰに照射して粘着剤Ｑの粘着力を低下させるようにすればよい。
【００９３】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００９４】
例えば上記実施形態では，周縁テープ貼付装置２００，周縁テープ剥離装置３００を基板処理装置１００の搬送室１３０に設けた場合について説明したが，これに限られるものではなく，周縁テープ貼付装置２００，周縁テープ剥離装置３００はそれぞれ，基板処理装置１００とは独立した装置として構成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明は，基板の周縁部に周縁テープを貼り付けてプロセス処理を行う基板処理装置，基板処理方法，周縁テープ剥離装置，周縁テープ剥離方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００９６】
１００      基板処理装置
１１０      真空処理ユニット
１２０      搬送ユニット
１３０      搬送室
１３１Ａ〜１３１Ｃ      カセット台
１３２Ａ〜１３２Ｃ      カセット容器
１３３Ａ〜１３３Ｃ      ロードポート
１３６      オリエンタ
１３８      回転載置台
１３９      光学センサ
１４０Ａ〜１４０Ｆ      プラズマ処理装置
１４２      処理室
１４４Ａ〜１４４Ｆ      ゲートバルブ
１４６      下部電極
１４８      フォーカスリング
１５０      共通搬送室
１６０Ｍ，１６０Ｎ,      ロードロック室
１６２，１６４      ゲートバルブ
１６６      受渡台
１７０      基板搬送機構
１７２      基台
１７４      案内レール
１８０      基板搬送機構
１８２      基台
１８４      案内レール
１８６      フレキシブルアーム
１９０      制御部
２００      周縁テープ貼付装置
２１０      載置台
２２０      周縁テープ繰出部
２２２      繰出ローラ
２２４      テンションローラ
２２６      セパレータ巻取ローラ
２３０      押圧部
３００      周縁テープ剥離装置
３１０      載置台
３２０      紫外線照射部
３２２      支持部
３３０      摘み部
Ｗ        ウエハ
Ｐ        周縁テープ
Ｑ        粘着材
Ｄ        付着物
Ｎ        ノッチ
Ｆ        オリエンテーションフラット
Ｘ        不連続部
【図１】
2012069782.tif 000003
【図２】
2012069782.tif 000004
【図３】
2012069782.tif 000005
【図４Ａ】
2012069782.tif 000006
【図４Ｂ】
2012069782.tif 000007
【図５】
2012069782.tif 000008
【図６Ａ】
2012069782.tif 000009
【図６Ｂ】
2012069782.tif 000010
【図７】
2012069782.tif 000011
【図８】
2012069782.tif 000012
【図９Ａ】
2012069782.tif 000013
【図９Ｂ】
2012069782.tif 000014
【図１０】
2012069782.tif 000015
【図１１】
2012069782.tif 000016
【図１２】
2012069782.tif 000017
【図１３Ａ】
2012069782.tif 000018
【図１３Ｂ】
2012069782.tif 000019
【図１３Ｃ】
2012069782.tif 000020