(57)【要約】【課題】クラックがなく、電気特性に優れた積層セラミックコンデンサを、同時焼成方式で歩留まり良く製造可能な積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】セラミックスラリーを塗布してグリーンシートを形成し、その上に未焼成内部電極層を形成し、未焼成内部電極層が形成されたグリーンシートを積層して未焼成積層体とし、これをカットした後、未焼成積層体の未焼成内部電極層が露出した端面に、セラミック誘電体材料と金属粉末とを少なくとも含有する第１導体ペーストを塗布し、更にその上に、セラミック誘電体材料と金属粉末とを少なくとも含有し、金属粉末の含有量が第１導体ペーストよりも高い第２導体ペーストを塗布して、未焼成下地金属層を形成し、未焼成積層体と未焼成下地金属とを同時焼成し、未焼成下地金属を焼成して得られた下地金属の表面をメッキして積層セラミックコンデンサを製造する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層され、前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している端面に形成された少なくとも一対の外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、
前記外部電極は、金属及びセラミック誘電体材料を少なくとも含み前記セラミック積層体と同時焼成して形成される下地金属層と、該下地金属層を被覆するメッキ層とを含み、
前記下地金属層は、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している端面及び該端面に直交する面上の該端面に隣接した部分を覆うように形成されており、
前記下地金属層の厚さ方向の断面であって、該断面を厚さ方向に２分割したとき、メッキ層側の断面の方が、セラミック積層体側の断面よりも金属占有面積が大きいことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記下地金属層は、厚さ方向の断面であって該断面を厚さ方向に２分割したとき、前記メッキ層側の断面の方が、前記セラミック積層体側の断面よりも金属占有面積が５〜２８％大きい、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記セラミック積層体の内部電極層が露出している一方の端面から、該端面に直交する面上の該端面に隣接した部分を覆うように形成された前記下地金属層の端縁までの距離Ｅ１と、
前記セラミック積層体の内部電極層が露出している他方の端面から、該端面に直交する面上の該端面に隣接した部分を覆うように形成された前記下地金属層の端縁までの距離Ｅ２と、
前記セラミック積層体の内部電極層が露出している一方の端面から、他方の端面までの距離Ｌとが、下記式（１）の関係にある、請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。
０．３Ｌ＜（Ｅ１＋Ｅ２）＜０．７Ｌ      ・・・（１）
【請求項４】
前記メッキ層は、湿式メッキにより形成したものである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記セラミック誘電体層に含まれるセラミック誘電体材料のセラミック組成と、前記下地電極に含まれるセラミック誘電体材料のセラミック組成とが同じである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記セラミック誘電体層に含まれるセラミック誘電体材料のセラミック組成と、前記下地電極中に含まれるセラミック誘電体材料のセラミック組成が異なる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項７】
前記下地金属層の金属が、Ｎｉである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項８】
セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層され、前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している端面に形成された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
セラミック誘電体材料を少なくとも含有するセラミックスラリーを塗布してグリーンシートを形成する工程と、
前記グリーンシートの表面に内部電極層形成用導体ペーストを印刷して未焼成内部電極層を形成する工程と、
未焼成内部電極層が形成されたグリーンシートを積層し、圧着して未焼成セラミック積層体を製造する工程と、
前記未焼成セラミック積層体をカットする工程と、
カットした未焼成セラミック積層体の前記未焼成内部電極層が露出した端面及び該端面に直交する面上の該端面に隣接した部分を覆うように、セラミック誘電体材料と金属粉末とを少なくとも含有する第１の下地金属層形成用導体ペーストを塗布し、更にその上に、セラミック誘電体材料と金属粉末とを少なくとも含有し、金属粉末の含有量が前記第１の下地金属層形成用導体ペーストよりも高い第２の下地金属層形成用導体ペーストを塗布して、未焼成下地金属層を形成する工程と、
前記未焼成セラミック積層体と前記未焼成下地金属層とを同時焼成する工程と、
前記未焼成下地金属層を焼成して得られた下地金属層の表面をメッキする工程と、を含むことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項９】
前記下地金属層を湿式メッキによりメッキする、請求項８に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１０】
前記下地金属層形成用導体ペーストとして、前記セラミックスラリーのセラミック誘電体材料と同じセラミック組成のセラミック誘電体材料を含むものを用いる、請求項８又は９に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１１】
前記下地金属層形成用導体ペーストとして、前記セラミックスラリーのセラミック誘電体材料と異なるセラミック組成のセラミック誘電体材料を含むものを用いる、請求項８又は９に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１２】
前記金属粉末として、Ｎｉを用いる、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサは、携帯機器、通信機器等の各種電子機器に用いられている。積層セラミックコンデンサは、セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層したセラミック積層体と、セラミック積層体の各内部電極層の引出部が露出している端面に形成された外部電極とを備えてなるものが一般的である。外部電極は、下地金属層と、該下地金属層の表層に形成されたメッキ層とからなる。
【０００３】
積層セラミックコンデンサの製造工程において、外部電極を構成するまでの工程について言及すると、未焼成セラミック誘電体層と未焼成内部電極層とが交互に積層した未焼成セラミック積層体を焼成してセラミック積層体を形成した後、該セラミック積層体に未焼成下地金属層を形成し、焼成して下地金属層を形成し、その後下地金属層をメッキ処理する後焼き付け方式と、未焼成セラミック積層体に未焼成下地金属層を形成した後、未焼成セラミック積層体と未焼成下地金属層とを同時焼成して、下地金属層が形成されたセラミック積層体を製造し、その後下地金属層をメッキ処理する同時焼成方式とがある。
【０００４】
前者の後焼き付け方式は、セラミック積層体を形成した後に、下地金属層を形成するので、セラミック積層体に応力が残留し難いものの、セラミック積層体と下地金属層との接続性などに課題を有していた。
【０００５】
セラミック積層体と下地金属層との接続性を高めるため、特許文献１では、Ｎｉ内部電極を含む積層セラミック電子部品の生チップの端子取出し部分に、積層セラミック電子部品の素体と主成分を同じくする誘電体材料組成物であるセラミック共生地の含有率が、内部電極と接する側から末端側にわたって連続的に変化するように同時焼成用端子電極を形成し、同時焼成用端子電極を形成した生チップを脱脂および焼成した後、チップの端子電極部を包含するように下地金属層を形成して、積層セラミックコンデンサを製造している。
【０００６】
一方、後者の同時焼成方式では、セラミック積層体と下地金属層とを同時焼成して形成する。このため、下地金属層となる導電ペーストについては、セラミック積層体の形状、セラミック積層体の表面状態に加えて焼結性を考慮して、導電ペーストの流動性、組成を調整する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−１４４５６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
積層セラミックコンデンサを小型化にするためには、外部電極についても小型にすることが求められる。
【０００９】
従来は、外部電極ペーストの塗布厚みを薄くすることで、下地電極とセラミック積層体で発生する応力を小さくしようとしてきた。
【００１０】
しかしながら、外部電極ペーストの塗布の制御（ペーストの粘性の制御、余剰の塗布されたペーストを除去）のみでは限界がでてきた。
また、積層セラミックコンデンサの外部電極と、基板との接続性を高めるため、外部電極ペースト量を多くすると（下地電極の厚みを厚く）、下地電極と、セラミック積層体の境界面（内電が露出する端面に隣接する表面）にてクラックが発生する場合があった。
【００１１】
特許文献１に係る発明は、Ａｇ（銀）の外部端子電極層の後焼き付け方式でセラミック積層体に外部電極を形成するに際し、内部電極層と外部電極との電気的導通を確保しつつ、セラミック積層体と外部電極との密着を改善するものであり、セラミック積層体の端面に同時焼成のＮｉを形成し、端面および端面以外の面にＡｇ層を焼き付け、その後メッキしている。焼き付けＡｇ層があるため、小型化には不利である。
また、特許文献１では、同時焼成方式（同時焼成した下地電極に、メッキ処理を施して外部電極を形成するものを、以下、同時焼成方式と記す。）で、セラミック積層体に外部電極を形成するに際における、クラックの発生に関する上記問題については何ら検討されていない。
【００１２】
よって、本発明の目的は、クラックがなく、電気特性に優れた積層セラミックコンデンサを、同時焼成方式で歩留まり良く製造可能な積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の積層セラミックコンデンサは、セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層され、前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している端面に形成された少なくとも一対の外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、
前記外部電極は、金属及びセラミック誘電体材料を少なくとも含み前記セラミック積層体と同時焼成して形成される下地金属層と、該下地金属層を被覆するメッキ層とを含み、
前記下地金属層は、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している端面及び該端面に直交する面上の該端面に隣接した部分を覆うように形成されており、
前記下地金属層の厚さ方向の断面であって、該断面を厚さ方向に２分割したとき、メッキ層側の断面の方が、セラミック積層体側の断面よりも金属占有面積が大きいことを特徴とする。
【００１４】
本発明の積層セラミックコンデンサは、前記下地金属層は、厚さ方向の断面であって該断面を厚さ方向に２分割したとき、前記メッキ層側の断面の方が、前記セラミック積層体側の断面よりも金属占有面積が５〜２８％大きいことが好ましい。
【００１５】
本発明の積層セラミックコンデンサは、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している一方の端面から、該端面に直交する面上の該端面に隣接した部分を覆うように形成された前記下地金属層の端縁までの距離Ｅ１と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している他方の端面から、該端面に直交する面上の該端面に隣接した部分を覆うように形成された前記下地金属層の端縁までの距離Ｅ２と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している一方の端面から、他方の端面までの距離Ｌとが、下記式（１）の関係にあることが好ましい。
０．３Ｌ＜（Ｅ１＋Ｅ２）＜０．７Ｌ      ・・・（１）
【００１６】
本発明の積層セラミックコンデンサの前記メッキ層は、湿式メッキにより形成したものであることが好ましい。
【００１７】
本発明の積層セラミックコンデンサは、前記セラミック誘電体層に含まれるセラミック誘電体材料のセラミック組成と、前記下地電極に含まれるセラミック誘電体材料のセラミック組成とが同じであるか、あるいは、前記セラミック誘電体層に含まれるセラミック誘電体材料のセラミック組成と、前記下地電極中に含まれるセラミック誘電体材料のセラミック組成が異なることが好ましい。
【００１８】
本発明の積層セラミックコンデンサは、前記下地金属層の金属が、Ｎｉであることが好ましい。
【００１９】
また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層され、前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している端面に形成された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
セラミック誘電体材料を少なくとも含有するセラミックスラリーを塗布してグリーンシートを形成する工程と、
前記グリーンシートの表面に内部電極層形成用導体ペーストを印刷して未焼成内部電極層を形成する工程と、
未焼成内部電極層が形成されたグリーンシートを積層し、圧着して未焼成セラミック積層体を製造する工程と、
前記未焼成セラミック積層体をカットする工程と、
カットした未焼成セラミック積層体の前記未焼成内部電極層が露出した端面及び該端面に直交する面上の該端面に隣接した部分を覆うように、セラミック誘電体材料と金属粉末とを少なくとも含有する第１の下地金属層形成用導体ペーストを塗布し、更にその上に、セラミック誘電体材料と金属粉末とを少なくとも含有し、金属粉末の含有量が前記第１の下地金属層形成用導体ペーストよりも高い第２の下地金属層形成用導体ペーストを塗布して、未焼成下地金属層を形成する工程と、
前記未焼成セラミック積層体と前記未焼成下地金属層とを同時焼成する工程と、
前記未焼成下地金属層を焼成して得られた下地金属層の表面をメッキする工程と、を含むことを特徴とする。
【００２０】
本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、前記下地金属層を湿式メッキによりメッキすることが好ましい。
【００２１】
本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、前記下地金属層形成用導体ペーストとして、前記セラミックスラリーのセラミック誘電体材料と同じセラミック組成のセラミック誘電体材料を含むものを用いるか、あるいは、前記セラミックスラリーのセラミック誘電体材料と異なるセラミック組成のセラミック誘電体材料を含むものを用いることが好ましい。
【００２２】
本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、前記金属粉末として、Ｎｉを用いることが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の積層セラミックコンデンサは、外部電極の下地金属層が、セラミック誘電体材料を含有し、かつ、厚さ方向の断面であって該断面を厚さ方向に２分割したとき、メッキ層側の断面の方が、セラミック積層体側の断面よりも金属占有面積が大きくされているので、同時焼成後の降温時における、セラミック誘電体層と下地金属層との収縮差を小さくでき、クラックの発生を抑えることができる。また、下地金属層は、メッキ層側の断面の方が、セラミック積層体側の断面よりも金属占有面積が大きくされているので、下地金属層のメッキ層側は、より緻密に焼結されており、耐熱性に優れ、更には、メッキ液が下地金属層に侵食し難いので、実装時にめっきはぜ等が生じ難く、電気特性に優れている。
そして、積層セラミックコンデンサの外部電極厚みを厚くした場合にもクラックの発生を抑えることができるので、このため、小型化しても、積層セラミックコンデンサの外部電極と、基板との接続性を高めることができる。更には、外部電極を形成する際におけるペーストの塗布の制御が簡便になるので、低コストにて、積層セラミックコンデンサを生産できる。
【００２４】
また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、カットした未焼成セラミック積層体の未焼成内部電極層が露出した端面に、セラミック誘電体材料と金属粉末とを少なくとも含有する第１の下地金属層形成用導体ペーストを塗布し、更にその上に、金属粉末の含有量が第１の下地金属層形成用導体ペーストよりも高い第２の下地金属層形成用導体ペーストを塗布して、未焼成下地金属層を形成した後、未焼成セラミック積層体と未焼成下地金属層とを同時焼成することで、同時焼成後の降温時における、セラミック誘電体層と下地金属層との収縮差を小さくでき、クラックの発生を抑えることができる。このため、電気特性に優れた積層セラミックコンデンサを歩留まり良く製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の積層セラミックコンデンサの斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の積層セラミックコンデンサについて、図１、２を用いて説明する。なお、図１，２に示す積層セラミックコンデンサは一実施形態であって、図１，２に示す形状以外のものにも適用できる。また、アレイに用いることもできる。
【００２７】
図１は、本発明の積層セラミックコンデンサの斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００２８】
本発明の積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック誘電体層１と内部電極層２とが交互に積層され、内部電極層２が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体３と、セラミック積層体の両端に形成された一対の外部電極４，４とを備えている。この外部電極４は、セラミック積層体３の内部電極層３が露出している端面３ａ（３ｂ）及び該端面に直交する面３ｃ上の該端面に隣接した部分を覆うように形成されている。
【００２９】
セラミック誘電体層１は、セラミックペーストをグリーンシート化して焼成したセラミック焼結体から構成される。セラミックペーストとしては、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、ＣａＴｉＯ３（チタン酸カルシウム）、ＳｒＴｉＯ３（チタン酸ストロンチウム）、ＣａＺｒＯ３（ジルコン酸カルシウム）、ペロブスカイト構造を形成するＢａ１-ｘ−ｙＣａＸＳｒｙＴｉ１−ＺＺｒｚＯ３(０≦Ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)等のセラミック誘電体材料を主原料とし、これに、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｙ等の希土類金属酸化物、Ｖ、Ｃｒ及びＭｎ等の遷移金属酸化物、ＳｉＯ２等のガラス成分、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ３等のＭｇ化合物を添加物として混合したセラミック組成物に、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂等のバインダーと、トルエン等の溶剤と、その他助剤を添加してペースト化したもの等が挙げられる。セラミック誘電体材料は、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）を主成分としたものが好ましく用いられる。
【００３０】
内部電極層２は、内部電極層形成用導体ペーストの薄膜を焼結した金属薄膜からなる。内部電極層形成用導体ペーストは、導電材料となる金属粉末と、バインダーと、溶剤と、必要に応じてその他助剤とを含んでいる。金属粉末としては、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ等が挙げられ、後述する下地金属５との同時焼成が容易であるという理由からＮｉが好ましい。バインダー、溶剤は、上記したセラミックペーストと同様のものを使用できる。
【００３１】
外部電極４は、下地金属層５と、該下地金属層５の表面を被覆するメッキ層６とで構成される。
【００３２】
下地金属層５は、セラミック誘電体材料と金属粉末とを含む下地金属形成用導体ペーストの薄膜を焼成した金属薄膜からなる。すなわち、本発明における下地金属層５は、セラミック焼結体７を含有する金属薄膜からなる。そして、厚さ方向の断面であって該断面（厚さＷ３）を、厚さ方向に均等に２分割したとき、メッキ層側の断面５ｂ（厚さＷ２）の方が、セラミック積層体側の断面５ａ（厚さＷ１）よりも金属占有面積が大きくされており、５〜２８％大きくされていることが好ましく、５〜２０％がより好ましい。メッキ層側の断面５ｂの方が、セラミック積層体側の断面５ａよりも金属占有面積が大きくされることにより、同時焼成後の降温時における、セラミック誘電体層１と下地金属層５との収縮差を小さくでき、クラックの発生を抑えることができる。また、下地金属層５は、メッキ層側の断面５ｂの方が、セラミック積層体側の断面５ａよりも金属占有面積が大きくされているので、下地金属層のメッキ層側は、より緻密に焼結されており、耐熱性に優れる。特に、メッキ層側の断面５ｂの方が、セラミック積層体側の断面５ａよりも金属占有面積が５〜２８％大きくされていると、クラックの発生をより効率よく抑えることができ、歩留まりがよい。
【００３３】
下地金属層のセラミック積層体側の断面５ａの金属占有面積は、５０〜９５％が好ましく、６０〜７５％がより好ましい。金属占有面積が５０％未満であると、緻密に焼成できず、空隙の多いものになり易く、メッキ液が残留して実装時にメッキはぜ（加熱することで水が液体から気体になることで、外部電極をはがす、孔をあける現象）が生じ易くなる。９５％を超えると、下地金属層とセラミック積層体との接着強度が不十分であったり、焼成時における両者の収縮差から、セラミック積層体にクラックが発生し易くなる。
【００３４】
下地金属層のメッキ層側の断面５ｂの金属占有面積は、セラミック積層体側の断面５ａよりも大きく、かつ、５０〜９５％であることが好ましく、６５〜９０％がより好ましい。金属占有面積が５０％未満であると、緻密に焼成できず、空隙の多いものになり易く、メッキ液が残留して実装時にメッキはぜが生じ易くなる。９５％を超えると、焼成時における下地金属層とセラミック積層体との収縮差が大きくなり、セラミック積層体にクラックが発生し易くなる。
【００３５】
なお、下地金属層の金属占有面積は、下地金属層の厚さ方向の断面を研磨し、断面を電子顕微鏡で観察して、画像処理により２値化することにより測定できる。
【００３６】
下地金属層５は、セラミック積層体の内部電極層が露出している端面３ａ（３ｂ）及び該端面に直交する面３ｃ上の該端面に隣接した部分を覆うように形成されている。
【００３７】
セラミック積層体３の内部電極層が露出した端面３ａ（３ｂ）上の下地金属層５の平均厚みＳ１は、５〜５０μｍが好ましく、１０〜４０μｍがより好ましい。５μｍ未満であると、静電容量が設計より低くなり外部電極としての機能が得られないことがある。５０μｍを超えると焼結時の収縮の結果、セラミック積層体と下地電極層との密度差の影響を受けて下地電極層が局所的に疎な構造となり、後工程のめっき過程でめっき液が残存することがある。
【００３８】
セラミック積層体の内部電極層が露出している端面３ａ（３ｂ）に直交する面３ｃ上の下地金属層５は、セラミック積層体３の内部電極層が露出している端面３ａ（３ｂ）から、面３ｃ上の下地金属層の端縁５１（５２）に至るまでの中間部分の厚みＳ２が、５〜２５μｍであることが好ましく、１０〜１５μｍがより好ましい。５μｍ未満であると、積層セラミックコンデンサの外部電極と、基板との接続性が悪くなる恐れがある。２５μｍを越えると寸法規格から外れる。
【００３９】
また、セラミック積層体３の内部電極層が露出している一方の端面３ａから、該端面に直交する面３ｃ上の該端面に隣接した部分を覆うように形成された下地金属層の端縁５１までの距離Ｅ１と、セラミック積層体の内部電極層が露出している他方の端面３ｂから、該端面に直交する面３ｃ上の該端面に隣接した部分を覆うように形成された下地金属層の端縁５２までの距離Ｅ２と、セラミック積層体の内部電極層が露出している一方の端面３ａから、他方の端面３ｂまでの距離Ｌとが、下記式（１）の関係にあることが好ましい。
０．３Ｌ＜（Ｅ１＋Ｅ２）＜０．７Ｌ      ・・・（１）
【００４０】
距離Ｅ１と距離Ｅ２との合計が、０．３Ｌよりも小さいと、積層セラミックコンデンサの外部電極４と、基板との接続性が悪くなる傾向にある。また、０．７Ｌよりも大きいと、積層セラミックコンデンサの外部電極４，４間での短絡のおそれがでて、絶縁抵抗が低下するおそれがある。
【００４１】
メッキ層６は、Ｎｉ及びＣｕの少なくとも一つから選ばれる第１メッキ層６ａと、該第１メッキ層６ａ上に形成された、Ｓｎ又はＳｎ合金からなる第２メッキ層６ｂとで構成されることが好ましい。第１メッキ層６ａによって、下地金属５と第２メッキ層６ｂとの接着性が向上し、第２メッキ層６ｂによって、半田濡れ性が向上する。
【００４２】
次に、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法の一例について以下説明する。
【００４３】
まず、従来公知の方法で形成されたＢａＴｉＯ３粉末等のセラミック誘電体材料と、必要に応じてその他の添加物粉末を適宜の量加え、バインダー及び溶剤を加えて、ボールミルなどで混合攪拌してセラミックスラリーを調製する。
【００４４】
次に、ドクターブレード法等の従来公知の方法により、セラミックスラリーをＰＥＴフィルム等の長尺のベースフィルムに流し、その厚みをドクターブレードとの隙間で調整し、乾燥して、所定厚みのグリーンシートを作製する。
【００４５】
次に、グリーンシート上に、スクリーン印刷法等の従来公知の方法により、内部電極形成用導体ペーストを塗布し、未焼成内部電極層を所定パターンで形成する。
【００４６】
次に、未焼成内部電極層を形成したグリーンシートを所定の単位寸法でカットしてベースフィルムから取り出し、取り出されたグリーンシートを必要枚数積層し、静水圧プレス機等により圧着成型して未焼成セラミック積層体を作製する。
【００４７】
次に、圧着後の未焼成セラミック積層体を、回転ブレードや昇降ブレード等のブレードでカットして、個々のチップ状未焼成セラミック積層体とする。このチップ状未焼成セラミック積層体の相対する面には未焼成内部電極層の端縁が交互に露出している。
【００４８】
次に、チップ状未焼成セラミック積層体の未焼成内部電極層が露出した端面に、第１の下地金属形成用導体ペーストを塗布して、第１の未焼成下地金属層を形成し、その上に、第２の下地金属形成用導体ペーストを塗布して、第２の未焼成下地金属層を形成する。
【００４９】
第１の未焼成下地金属層は、焼成後の膜厚が２．５〜２５μｍとなるように形成することが好ましく。１０〜２０μｍがより好ましい。また、第２の未焼成下地金属層は、焼成後の膜厚が２．５〜２５μｍとなるように形成することが好ましく。１０〜２０μｍがより好ましい。未焼成下地金属層の膜厚は、未焼成セラミック積層体への導体ペーストの塗布量を調整したり、未焼成セラミック積層体に塗布された導体ペーストが多い場合には基材に導体ペーストを押しつけることで過剰の導体ペーストを除去することで調整できる。
【００５０】
以下、下地金属形成用導体ペーストについて説明する。
【００５１】
本発明で用いる第１の下地金属形成用導体ペースト及び第２の下地金属形成用導体ペーストは、それぞれ、セラミック誘電体材料と金属粉末とを少なくとも含有するものであり、第２の下地金属形成用導体ペーストの方が、第１の下地金属形成用導体ペーストよりも金属粉末の含有量が高い。
【００５２】
下地金属形成用導体ペーストに用いる金属粉末は、セラミック積層体３と同時焼成して形成される金属であり、例えば、Ｎｉが挙げられる。金属粉末は、平均粒径（Ｄ５０）が０．３〜３μｍで、粒度分布の１０％累積粒径（Ｄ１０）が０．０２μｍ以上であることが好ましい。平均粒径（Ｄ５０）は０．４〜２．５μｍがより好ましく、０．５〜２μｍが特に好ましい。また、粒度分布の１０％累積粒径（Ｄ１０）は０．０２５μｍ以上が好ましく、０．０３μｍ以上が特に好ましい。金属粉末の平均粒径（Ｄ５０）が２μｍを超えると、表面状態が粗くなり、下地金属形成用導体ペーストの塗布ムラが生じたり、均一な厚みの下地金属層が得られ難くなる。また、平均粒径（Ｄ５０）が０．３μｍ未満であると、焼結が進みやすく積層セラミックコンデンサの特性に影響をあたえることがある。また、金属粉末の粒度分布の１０％累積粒径（Ｄ１０）が０．０２μｍ未満であると、結着に必要なバインダーが不足し、塗布膜の強度が低下することがある。なお、本発明において、金属粉末の粒度分布は、レーザー回折・散乱法で測定し、平均粒径は、前記レーザー回折・散乱法における累積体積頻度５０％の値である。
【００５３】
下地金属形成用導体ペーストに用いるセラミック誘電体材料は、セラミックペーストで挙げたものと同様のものを用いることができ、セラミックペーストで使用したものと同一のセラミック誘電体材料であってもよく、異なるものであってもよい。例えば、セラミックペーストにおいて、セラミック誘電体材料としてＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）を使用した場合には、下地金属形成用導体ペーストとして、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）を使用してもよいし、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）以外のセラミック誘電体材料（例えば、ＣａＴｉＯ３（チタン酸カルシウム）、ＳｒＴｉＯ３（チタン酸ストロンチウム）、ＣａＺｒＯ３（ジルコン酸カルシウム）等）を使用してもよい。また、第１の下地金属形成用導体ペーストに用いるセラミック誘電体材料と、第２の下地金属形成用導体ペーストに用いるセラミック誘電体材料は、同じものであってもよく、異なるものであってもよい。同一のセラミック誘電体材料を用いる場合は、原料を共通化できるので、生産コストを低くすることができる。また、異なるセラミック誘電体材料を用いる場合は、セラミック積層体と下地金属形成用導体ペーストとの反応性の違いにより、第１の下地金属形成用導体ペースト及び第２の下地金属形成用導体ペーストの組成の違いが少なくても、Ｎｉの偏在量を大きくすることができる。
【００５４】
セラミック誘電体材料の比表面積は２〜２０ｍ２／ｇが好ましく、５〜１５ｍ２／ｇがより好ましい。比表面積が２０ｍ２／ｇを超えると、ペーストの流動性が低下する。また、表面積が小さくなると、粒子がＮｉ粉よりも大きいため、局所的に焼結が進まない場所が出来、後工程のめっき工程でめっき液が残留する可能性がある。なお、本発明において、セラミック誘電体材料の比表面積はＢＥＴ法で測定した値である。
【００５５】
第１の下地金属形成用導体ペーストは、金属粉末１００体積部に対し、セラミック誘電体材料を１８〜６０体積部含有することが好ましく、２５〜５０体積部がより好ましい。１８体積部未満であると、セラミック積層体と下地金属層との接着力が低下したり、金属含有率が増すため焼結後降温時に収縮差からセラミック積層体に応力を与えクラックを発生させることがある。６０体積部よりも多いと、焼結が進まず空隙が多くなることがある。
【００５６】
第２の下地金属形成用導体ペーストは、金属粉末１００体積部に対し、セラミック誘電体材料を５〜５０体積部含有する。そして。第１の下地金属形成用導体ペーストよりも、５〜５０体積部少ないことが好ましい。第２の下地金属形成用導体ペーストがセラミック誘電体材料を上記割合で含有することで、焼結後降温時におけるセラミック積層体と下地金属層との収縮差を小さくでき、セラミック積層体にかかる応力を低減して、クラックの発生を抑えることができる。
【００５７】
各下地金属形成用導体ペーストは、セラミック誘電体材料と、金属粉末と、バインダーと、溶剤と、必要に応じてその他助剤とを混練し、ペースト状に調整して得られる。
【００５８】
バインダーは、次工程で熱分解されやすい高分子化合物が好ましい。セルロース誘導体、ポリアクリル酸誘導体等が好ましく用いられる。バインダーは、セラミック誘電体材料と、金属粉末との合計１００質量部に対し、５〜１２質量部が好ましく、６〜１１質量部がより好ましい。５質量部未満であると、金属粉末の結着性が低下し、下地金属層形成後の取り扱いが低下する。１２質量部を超えると、焼成時に有機物が急激に分解する現象が起こり穴状の欠陥ができる可能性や分解に必要な酸素が不十分となり、炭素が分解残留物としてコンデンサの絶縁性が低下する恐れがある。
【００５９】
溶剤は、沸点が１００〜３００℃の混合溶剤が好ましく、１２０〜３００℃のものがより好ましい。沸点が１００℃以下の溶剤は引火点が低く、製造上の危険性が高くなるとともに揮発に伴うペースト物性の変化が問題となる。また、沸点と蒸気圧は近い関係にあり、連続使用をすることにより揮発が進み短時間で粘度が上昇する問題が挙げられる。一方、沸点が３００℃以上の溶剤は、乾燥器としての電力が多く必要となり、さらに、製造上のばらつきを考慮した場合十分な工程能力を維持するために乾燥に長時間を必要とする。また、単一の溶剤を用いた場合、昇温により段階的な乾燥をする方法によってもある温度で急激に乾燥が開始されることがある。急激な乾燥は表面にヒビ状の欠陥を発生させることや、バインダーの偏析を発生させ、焼成工程での不具合となる可能性がある。
【００６０】
その他の助剤としては、ガラス、アルミニウム、マグネシウム、マンガン、ジルコニウム等の金属酸化物等の焼結助剤が挙げられる。
【００６１】
上記下地金属形成用導体ペーストを用いて、チップ状未焼成セラミック積層体の未焼成内部電極層が露出した端面に、第１の未焼成下地金属層と、第２の未焼成下地金属層とからなる未焼成下地金属層を形成したのち、脱バインダー炉に投入し、好ましくはＮ２雰囲気で脱バインダー処理する。その後、焼成炉に投入して、所定の温度及び時間等の条件下で焼成して、チップ状未焼成セラミック積層体と未焼成下地金属層とを同時焼成する。焼成温度は、１１５０〜１４００℃が好ましい。焼成時の酸素分圧Ｏ２濃度は６．２×１０−４Ｐａ以下が好ましい。Ｏ２濃度が６．２×１０−４Ｐａよりも大きい場合には、下地金属の酸化が全体的に進んでしまい、次の工程のメッキ付き性が悪くなる。
【００６２】
次に、未焼成下地金属層を焼成して得られた下地金属層５の表面を、Ｎｉ、Ｃｕ及びこれらの合金でメッキして第１メッキ層６ａを形成して、第２メッキ層６ａのメッキ付け性を向上させる。その後、第１メッキ層６ａ上に、Ｓｎ又はＳｎ合金でメッキして第２メッキ層６ｂを形成する。メッキ方法としては特に限定はなく、バレルメッキなど従来公知の方法が挙げられる。
【００６３】
このようにして、図１、２に示す本発明の積層セラミックコンデンサ１０が得られる。
この積層セラミックコンデンサは、図２に示すように、厚さ方向の断面であって該断面（厚さＷ３）を、厚さ方向に均等に２分割したとき、メッキ層側の断面５ｂ（厚さＷ２）の方が、セラミック積層体側の断面５ａ（厚さＷ１）よりも金属占有面積が大きくされているので、同時焼成後の降温時における、セラミック誘電体層１と下地金属層５との収縮差を小さくでき、クラックの発生を抑えることができる。また、下地金属層５は、メッキ層側の断面５ｂの方が、セラミック積層体側の断面５ａよりも金属占有面積が大きくされているので、下地金属層のメッキ層側は、より緻密に焼結されており、耐熱性に優れる。
【実施例】
【００６４】
［使用材料］
・セラミックスラリー
ＢａＣＯ３と、ＴｉＯ２とを固相法により反応させて得られた、比表面積５ｍ２／ｇのＢａＴｉＯ３粉末を用い、ＢａＴｉＯ３１００ｍｏｌに対し、Ｈｏ２Ｏ３１．０ｍｏｌ、ＭｇＯ０．４ｍｏｌ、ＭｎＯ０．１ｍｏｌ、ＳｉＯ２１．５ｍｏｌの割合にて、湿式混合-乾燥-仮焼きをおこない原料粉とした。原料粉をトルエン中で混合し、ブチラール樹脂を添加してセラミックスラリーを作製した。
【００６５】
・下地金属層形成用導体ペースト１
Ｎｉ粉末（平均粒径０．５μｍで、かつ、粗粉粒径が２μｍ以上のものを除去したもの）１００体積部に、ＢａＴｉＯ３粉末（平均粒径０．１５μｍ、比表面積５ｍ２／ｇ）を１０体積部加え、Ｎｉ粉末とＢａＴｉＯ３粉末との合計１００質量部に対し、エチルセルロースを８質量部、ターピネオールを２５質量部、石油系溶剤（Ｃ９〜Ｃ１３の混合系飽和炭化水素）を３５質量部加えて混合し、下地金属層形成用導体ペースト１を作製した。
【００６６】
・下地金属層形成用導体ペースト２
下地金属層形成用導体ペースト１において、ＢａＴｉＯ３粉末を、Ｎｉ粉末１００体積部に対し２０体積部を加え混合物とし、前記混合物１００質量部に対し、エチルセルロースを８質量部、ターピネオールを３０質量部、石油系溶剤を３５質量部加えて混合し、下地金属層形成用導体ペースト２を作製した。
【００６７】
・下地金属層形成用導体ペースト３
下地金属層形成用導体ペースト１において、ＢａＴｉＯ３粉末を、Ｎｉ粉末１００体積部に対し３０体積部加え混合物とし、前記混合物１００質量部に対し、エチルセルロースを８質量部、ターピネオールを３５質量部、石油系溶剤を４０質量部加えて混合し、下地金属層形成用導体ペースト３を作製した。
【００６８】
・下地金属層形成用導体ペースト４
下地金属層形成用導体ペースト１において、ＢａＴｉＯ３粉末を、Ｎｉ粉末１００体積部に対し６０体積部加え混合物とし、前記混合物１００質量部に対し、エチルセルロースを８質量部、ターピネオールを５０質量部、石油系溶剤を４５質量部加えて混合し、下地金属層形成用導体ペースト４を作製した。
【００６９】
・下地金属層形成用導体ペースト５
Ｎｉ粉末（平均粒径０．５μｍで、かつ、粗粉粒径が２μｍ以上のものを除去したもの）１００体積部に、ＣａＴｉＯ３粉末（平均粒径０．１５μｍ、比表面積３ｍ２／ｇ）を３０体積部加え、Ｎｉ粉末とＣａＴｉＯ３粉末との合計１００質量部に対し、エチルセルロースを８質量部、ターピネオールを３０質量部、石油系溶剤を４０質量部加えて混合し、下地金属層形成用導体ペースト５を作製した。
【００７０】
・下地金属層形成用導体ペースト６
下地金属層形成用導体ペースト５において、ＣａＴｉＯ３粉末を、Ｎｉ粉末１００体積部に対し２５体積部加えて混合物とし、前記混合物１００質量部に対し、エチルセルロースを８質量部、ターピネオールを２５質量部、石油系溶剤を４５質量部加えて混合し、下地金属層形成用導体ペースト６を作製した。
【００７１】
【表１】
2012182355.tif 000003
【００７２】
［評価方法］
・下地金属層のＮｉ偏在率
積層セラミックコンデンサを研磨し、端面に形成された下地金属層部分を画像処理により２値化をおこなった。下地金属層の厚さ方向の断面を、厚さ方向に２分割し、セラミック誘電体層側の下地金属層と、表層側の下地金属層とを、それぞれ画像処理により２値化し、下地金属層のＮｉ偏在率を下式（１）から求めた。
Ｎｉ偏在率（％）＝表層側のＮｉ占有面積（％）−セラミック誘電体層側のＮｉ占有面積（％）      ・・・（１）
【００７３】
・焼成後のクラック評価
積層セラミックコンデンサ（２０個）から下地金属層を研磨除去した時点から０．１ｍｍの研磨範囲でクラックの有無を目視判断し、クラックが発生したものを不合格とした。
【００７４】
・半田耐熱性
４００℃の無鉛半田に積層セラミックコンデンサ（２０個）を３秒間浸漬し、自然冷却後洗浄し、外観上のクラックを目視判断し、クラックが発生したものを不合格とした。
【００７５】
・空隙率
積層セラミックコンデンサを研磨し、下地金属層の厚さ方向の断面を画像処理により２値化処理し、空隙率を求めた。
【００７６】
（試験例１）
セラミックスラリーを、ＰＥＴフィルム上にドクターブレード法により塗布して、厚さ２μｍのグリーンシートを形成した。グリーンシートに内部導体ペーストを塗布し、グリーンシートを積層した。圧着後に１ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ大きさになるよう切断し、未焼成の積層体を得た。
そして、角部のわれと、角部での外部電極の厚みが薄くなることを防止するために、前記未焼成の積層体を湿式研磨して、角部を半径Ｒ＝０．１５ｍｍとなるようにした。（以下試験例も同様）
そして、焼成前の積層体の未焼成内部電極層が露出している端面と、該端面に隣接した積層体の周面の一部とを覆うように、乾燥後膜厚が０．０４ｍｍとなるように、下地金属層形成用導体ペースト３に浸漬し、１３０℃で５分乾燥して、第１の未焼成下地金属層を形成した。次に、第１の未焼成下地金属層上に、乾燥後膜厚が０．０４ｍｍとなるように、下地金属層形成用導体ペースト１に浸漬し、１３０℃で５分乾燥して、第２の未焼成下地金属層を形成した。その後、脱バインダー炉に投入し、Ｎ２雰囲気で２５０℃、２時間加熱して脱バインダー処理した後、焼成炉に投入して、焼成雰囲気中の酸素分圧（Ｏ２濃度）を６．２×１０−４Ｐａの条件にて、１３００℃で２０分保持して焼成を行い、試験例１の積層セラミックコンデンサを得た。
この積層セラミックコンデンサは、下地金属層のＮｉ偏在率が７％で、空隙率は１％未満であった。また、積層セラミックコンデンサ２０個のうち、クラックが発生したものは０個であった。また、半田耐熱性を評価した後の積層セラミックコンデンサ２０個のうち、クラックが発生したものは０個であった。
【００７７】
（試験例２）
未焼成の積層体を湿式研磨するまでは、試験例１と同様におこなった。
焼成前の積層体の未焼成内部電極層が露出している端面と、該端面に隣接した積層体の周面の一部とを覆うように、乾燥後膜厚が０．０４ｍｍとなるように、下地金属層形成用導体ペースト４に浸漬し、１３０℃で５分乾燥して、第１の未焼成下地金属層を形成し、第１の未焼成下地金属層上に、乾燥後膜厚が０．０４ｍｍとなるように、下地金属層形成用導体ペースト１に浸漬し、１３０℃で５分乾燥して、第２の未焼成下地金属層を形成した以外は、試験例１と同様にして試験例２の積層セラミックコンデンサを得た。
この積層セラミックコンデンサは、下地金属層のＮｉ偏在率が２８％で、空隙率は３％であった。また、焼結後の積層セラミックコンデンサ２０個のうち、クラックが発生したものは０個であった。また、半田耐熱性を評価した後の積層セラミックコンデンサ２０個のうち、クラックが発生したものは０個であった。
【００７８】
（試験例３）
未焼成の積層体を湿式研磨するまでは、試験例１と同様におこなった。
焼成前の積層体の未焼成内部電極層が露出している端面と、該端面に隣接した積層体の周面の一部とを覆うように、乾燥後膜厚が０．０４ｍｍとなるように、下地金属層形成用導体ペースト２に浸漬し、１３０℃で５分乾燥して、第１の未焼成下地金属層を形成し、第１の未焼成下地金属層上に、乾燥後膜厚が０．０４ｍｍとなるように、下地金属層形成用導体ペースト１に浸漬し、１３０℃で５分乾燥して、第２の未焼成下地金属層を形成した以外は、試験例１と同様にして試験例３の積層セラミックコンデンサを得た。
この積層セラミックコンデンサは、下地金属層のＮｉ偏在率が２％で、空隙率は１％未満であった。また、焼結後の積層セラミックコンデンサ２０個のうち、クラックが発生したものは２個であった。また、半田耐熱性を評価した後の積層セラミックコンデンサ２０個のうち、クラックが発生したものは０個であった。
【００７９】
（試験例４）
未焼成の積層体を湿式研磨するまでは、試験例１と同様におこなった。
焼成前の積層体の未焼成内部電極層が露出している端面と、該端面に隣接した積層体の周面の一部とを覆うように、乾燥後膜厚が０．０４ｍｍとなるように、下地金属層形成用導体ペースト５に浸漬し、１３０℃で５分乾燥して、第１の未焼成下地金属層を形成し、第１の未焼成下地金属層上に、乾燥後膜厚が０．０４ｍｍとなるように、下地金属層形成用導体ペースト６に浸漬し、１３０℃で５分乾燥して、第２の未焼成下地金属層を形成した以外は、試験例１と同様にして試験例４の積層セラミックコンデンサを得た。
この積層セラミックコンデンサは、下地金属層のＮｉ偏在率が５％で、空隙率は２％であった。また、焼結後の積層セラミックコンデンサ２０個のうち、クラックが発生したものは０個であった。また、半田耐熱性を評価した後の積層セラミックコンデンサ２０個のうち、クラックが発生したものは０個であった。
【００８０】
（試験例５）
未焼成の積層体を湿式研磨するまでは、試験例１と同様におこなった。
焼成前の積層体の未焼成内部電極層が露出している端面と、該端面に隣接した積層体の周面の一部とを覆うように、乾燥後膜厚が０．０４ｍｍとなるように、下地金属層形成用導体ペースト１に浸漬し、１３０℃で５分乾燥して、第１の未焼成下地金属層を形成し、第１の未焼成下地金属層上に、乾燥後膜厚が０．０４ｍｍとなるように、下地金属層形成用導体ペースト１に浸漬し、１３０℃で５分乾燥して、第２の未焼成下地金属層を形成した以外は、試験例１と同様にして試験例５の積層セラミックコンデンサを得た。
この積層セラミックコンデンサは、下地金属層のＮｉ偏在率が０％で、空隙率は１％未満であった。また、焼結後の積層セラミックコンデンサ２０個のうち、クラックが発生したものは１６個であった。また、半田耐熱性を評価した後の積層セラミックコンデンサ２０個のうち、クラックが発生したものは１６個であった。
【００８１】
（試験例６）
未焼成の積層体を湿式研磨するまでは、試験例１と同様におこなった。
焼成前の積層体の未焼成内部電極層が露出している端面と、該端面に隣接した積層体の周面の一部とを覆うように、乾燥後膜厚が０．０４ｍｍとなるように、下地金属層形成用導体ペースト１に浸漬し、１３０℃で５分乾燥して、第１の未焼成下地金属層を形成し、第１の未焼成下地金属層上に、乾燥後膜厚が０．０４ｍｍとなるように、下地金属層形成用導体ペースト２に浸漬し、１３０℃で５分乾燥して、第２の未焼成下地金属層を形成した以外は、試験例１と同様にして試験例６の積層セラミックコンデンサを得た。
この積層セラミックコンデンサは、下地金属層のＮｉ偏在率が−２％で、空隙率は１％未満であった。また、焼結後の積層セラミックコンデンサ２０個のうち、クラックが発生したものは１９個であった。また、半田耐熱性を評価した後の積層セラミックコンデンサ２０個のうち、クラックが発生したものは２個であった。
【００８２】
（試験例７）
未焼成の積層体を湿式研磨するまでは、試験例１と同様におこなった。
焼成前の積層体の未焼成内部電極層が露出している端面と、該端面に隣接した積層体の周面の一部とを覆うように、乾燥後膜厚が０．０４ｍｍとなるように、下地金属層形成用導体ペースト１に浸漬し、１３０℃で５分乾燥して、第１の未焼成下地金属層を形成し、第１の未焼成下地金属層上に、乾燥後膜厚が０．０４ｍｍとなるように、下地金属層形成用導体ペースト３に浸漬し、１３０℃で５分乾燥して、第２の未焼成下地金属層を形成した以外は、試験例１と同様にして試験例７の積層セラミックコンデンサを得た。
この積層セラミックコンデンサは、下地金属層のＮｉ偏在率が−７％で、空隙率は１％未満であった。また、焼結後の積層セラミックコンデンサ２０個のうち、クラックが発生したものは２０個であった。また、半田耐熱性を評価した後の積層セラミックコンデンサ２０個のうち、クラックが発生したものは４個であった。
【００８３】
（試験例８）
未焼成の積層体を湿式研磨するまでは、試験例１と同様におこなった。
焼成前の積層体の未焼成内部電極層が露出している端面と、該端面に隣接した積層体の周面の一部とを覆うように、乾燥後膜厚が０．０４ｍｍとなるように、下地金属層形成用導体ペースト４に浸漬し、１３０℃で５分乾燥して、第１の未焼成下地金属層を形成し、第１の未焼成下地金属層面に、乾燥後膜厚が０．０４ｍｍとなるように、下地金属層形成用導体ペースト４に浸漬し、１３０℃で５分乾燥して、第２の未焼成下地金属層を形成した以外は、試験例１と同様にして試験例８の積層セラミックコンデンサを得た。
この積層セラミックコンデンサは、下地金属層のＮｉ偏在率が０％で、空隙率は１２％であった。また、焼結後の積層セラミックコンデンサ２０個のうち、クラックが発生したものは４個であった。また、半田耐熱性を評価した後の積層セラミックコンデンサ２０個のうち、クラックが発生したものは０個であった。
【００８４】
上記結果を表２にまとめて記す。
【００８５】
【表２】
2012182355.tif 000004
＊：試験体２０個中の不合格数の数である。
【００８６】
表２に示すように、下地金属層のＮｉ偏在率が０％を超える（すなわち、下地金属層の厚さ方向の断面であって、厚さ方向に２分割したとき、表層側のＮｉ占有面積（％）の方が、セラミック誘電体層側のＮｉ占有面積（％）よりも大きい）試験例１〜４の積層セラミックコンデンサは、下地金属層が緻密で、セラミック誘電体層にクラックが発生し難く、半田耐熱性に優れるものであった。特に、下地金属層のＮｉ偏在率が５％を超える試験例１、２、４の積層セラミックコンデンサは、クラックが発生しておらず、半田耐熱性に特に優れるものであった。
【符号の説明】
【００８７】
１：セラミック誘電体層
２：内部電極層
３：積層体
４：外部電極
５：下地金属層
６：メッキ層
６ａ：第１メッキ層
６ｂ：第２メッキ層
【図１】
2012182355.tif 000005
【図２】
2012182355.tif 000006