(57)【要約】【課題】素子基板に対する支持基板の貼り合わせを要せずに、製造コストを低減する。【解決手段】裏面照射型固体撮像素子は、画素アレイ部３１が形成された素子基板２１を備える。素子基板２１の周辺部２１ａの厚さｄ１が、素子基板２１における周辺部２１ａにより囲まれた部分の厚さｄ２よりも厚い。素子基板２１における周辺部２１ａにより囲まれた部分に、画素アレイ部３１が配置される。透光性板２２の周辺の部分が、素子基板２１の周辺部２１ａに接着剤２３にて接着される。【選択図】図２
2012151200.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素アレイ部が形成された素子基板を備えた裏面照射型固体撮像素子であって、前記素子基板の周辺部の厚さが、前記素子基板における前記周辺部により囲まれた部分の厚さよりも厚いことを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。
【請求項２】
前記周辺部により囲まれた前記部分に、前記画素アレイ部が配置されたことを特徴とする請求項１記載の裏面照射型固体撮像素子。
【請求項３】
前記素子基板は、前記素子基板の一方の主面側に形成された配線層を有し、
前記周辺部の、前記一方の主面側の高さは、前記周辺部により囲まれた前記部分の、前記一方の主面側の高さと同一である、
ことを特徴とする請求項１又は２記載の裏面照射型固体撮像素子。
【請求項４】
周辺の部分が前記素子基板の前記周辺部に接着されて、前記周辺部により囲まれた前記部分の、前記素子基板の他方の主面側を封止する透光性板を、備えたことを特徴とする請求項３記載の裏面照射型固体撮像素子。
【請求項５】
前記素子基板は、前記素子基板の一方の主面側に形成された配線層を有し、
前記周辺部の、前記素子基板の他方の主面側の高さは、前記周辺部により囲まれた前記部分の、前記他方の主面側の高さと同一である、
ことを特徴とする請求項１又は２記載の裏面照射型固体撮像素子。
【請求項６】
前記周辺部の前記一方の主面側に設けられたバンプを備えたことを特徴とする請求項１乃至５記載の裏面照射型固体撮像素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子と、
電気・電子部品と、
導体パターンが形成された基板であって、前記裏面照射型固体撮像素子及び前記電気・電子部品が搭載されそれらの間を前記導体パターンを介して電気的に接続する基板と、
を備えたことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項８】
請求項１又は２記載の裏面照射型固体撮像素子を製造する裏面照射型固体撮像素子の製造方法であって、
前記画素アレイ部が形成されるとともに一方の主面側に配線層が形成され前記素子基板となるべきウエハを用意する段階と、
前記ウエハの厚さを全体的に薄くする段階と、
前記全体的に薄くする段階の前又は後に、前記素子基板の前記周辺部に対応する部分を除いて前記ウエハの厚さを部分的に薄くする段階と、
を備えたことを特徴とする裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項９】
前記全体的に薄くする段階は、前記ウエハの他方の主面側を全体的に除去することによって、前記ウエハの厚さを全体的に薄くする段階であり、
前記部分的に薄くする段階は、前記素子基板の前記周辺部に対応する部分を除いて前記ウエハの前記他方の主面側を部分的に除去することによって、前記ウエハの厚さを部分的に薄くする段階である、
ことを特徴とする請求項８記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項１０】
前記全体的に薄くする段階は、前記ウエハの他方の主面側を全体的に除去することによって、前記ウエハの厚さを全体的に薄くする段階であり、
前記部分的に薄くする段階は、前記素子基板の前記周辺部に対応する部分を除いて前記ウエハの前記一方の主面側を部分的に除去することによって、前記ウエハの厚さを部分的に薄くする段階である、
ことを特徴とする請求項８記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法、並びに、前記裏面照射型固体撮像素子を用いた固体撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＯＳ型などの固体撮像素子は、画素アレイ部が形成された素子基板を有している。この素子基板の一方の主面側には、配線層が形成されている。表面入射型固体撮像素子では、配線層側（表面側）から入射光が入射されるのに対し、裏面照射型固体撮像素子では、配線層とは反対側（すなわち、裏面側）から入射光が入射される。したがって、裏面照射型固体撮像素子では、入射光の一部が配線層により遮光されてしまうようなことがないため、感度が高まる。
【０００３】
裏面照射型固体撮像素子では、入射光が画素アレイ部の光電変換部に到達し得るように、素子基板の裏面側を除去して素子基板を薄膜化する必要がある。従来の裏面照射型固体撮像素子では、素子基板の全体が裏面研磨により一様に薄膜化されており、薄膜化された素子基板の強度を確保するために、裏面研磨の前に予め、シリコン基板等の支持基板が素子基板の表面側に貼り付けられていた（例えば、下記特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１５３８９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記従来の裏面照射型固体撮像素子では、裏面研磨する前に支持基板となるウエハを、素子基板となるウエハに貼り合わせる必要がある。このため、それらのウエハの貼り合わせ精度を確保しつつ、それらのウエハを貼り合わせる工程が必須であるとともに、支持基板という余分な部材が必要となる。したがって、前記従来の裏面照射型固体撮像素子では、素子基板に貼り合わせる支持基板を要することに起因して、製造コストが増大していた。
【０００６】
また、従来の裏面照射型固体撮像素子では、外部引き出し線へ接続するための電極を表面側に露出させる場合には、支持基板にＴＳＶ（Ｓｉ貫通ビア）を形成しなければならない。一方、従来の裏面照射型固体撮像素子では、外部引き出し線へ接続するための電極を裏面側に露出させる場合には、裏面研磨後に、素子基板の表面側に形成された電極を裏面側に露出させるために、素子基板をエッチングしなければならない。したがって、従来の裏面照射型固体撮像素子では、素子基板に貼り合わせる支持基板を要することに起因して、電極形成の観点からも、製造コストが増大していた。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、素子基板に対する支持基板の貼り合わせを要せずに、製造コストを低減することができる裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法、並びに、前記裏面照射型固体撮像素子を用いた固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための手段として、以下の各態様を提示する。第１の態様による裏面照射型固体撮像素子は、画素アレイ部が形成された素子基板を備えた裏面照射型固体撮像素子であって、前記素子基板の周辺部の厚さが、前記素子基板における前記周辺部により囲まれた部分の厚さよりも厚いものである。
【０００９】
第２の態様による裏面照射型固体撮像素子は、前記第１の態様において、前記周辺部により囲まれた前記部分に、前記画素アレイ部が配置されたものである。
【００１０】
第３の態様による裏面照射型固体撮像素子は、前記第１又は第２の態様において、前記素子基板は、前記素子基板の一方の主面側に形成された配線層を有し、前記周辺部の、前記一方の主面側の高さは、前記周辺部により囲まれた前記部分の、前記一方の主面側の高さと同一であるものである。
【００１１】
第４の態様による裏面照射型固体撮像素子は、前記第３の態様において、周辺の部分が前記素子基板の前記周辺部に接着されて、前記周辺部により囲まれた前記部分の、前記素子基板の他方の主面側を封止する透光性板を、備えたものである。
【００１２】
第５の態様による裏面照射型固体撮像素子は、前記第１又は第２の態様において、前記素子基板は、前記素子基板の一方の主面側に形成された配線層を有し、前記周辺部の、前記素子基板の他方の主面側の高さは、前記周辺部により囲まれた前記部分の、前記他方の主面側の高さと同一であるものである。
【００１３】
第６の態様による裏面照射型固体撮像素子は、前記第１乃至第５のいずれかの態様において、前記周辺部の前記一方の主面側に設けられたバンプを備えたものである。
【００１４】
第７の態様による固体撮像装置は、前記第１乃至第６のいずれかの態様による裏面照射型固体撮像素子と、電気・電子部品と、導体パターンが形成された基板であって、前記裏面照射型固体撮像素子及び前記電気・電子部品が搭載されそれらの間を前記導体パターンを介して電気的に接続する基板と、を備えたものである。
【００１５】
第８の態様による裏面照射型固体撮像素子の製造方法は、前記第１又は第２の態様による裏面照射型固体撮像素子を製造する裏面照射型固体撮像素子の製造方法であって、前記画素アレイ部が形成されるとともに一方の主面側に配線層が形成され前記素子基板となるべきウエハを用意する段階と、前記ウエハの厚さを全体的に薄くする段階と、前記全体的に薄くする段階の前又は後に、前記素子基板の前記周辺部に対応する部分を除いて前記ウエハの厚さを部分的に薄くする段階と、を備えたものである。
【００１６】
第９の態様による裏面照射型固体撮像素子の製造方法は、前記第８の態様において、前記全体的に薄くする段階は、前記ウエハの他方の主面側を全体的に除去することによって、前記ウエハの厚さを全体的に薄くする段階であり、前記部分的に薄くする段階は、前記素子基板の前記周辺部に対応する部分を除いて前記ウエハの前記他方の主面側を部分的に除去することによって、前記ウエハの厚さを部分的に薄くする段階であるものである。
【００１７】
第１０の態様による裏面照射型固体撮像素子の製造方法は、前記第８の態様において、前記全体的に薄くする段階は、前記ウエハの他方の主面側を全体的に除去することによって、前記ウエハの厚さを全体的に薄くする段階であり、前記部分的に薄くする段階は、前記素子基板の前記周辺部に対応する部分を除いて前記ウエハの前記一方の主面側を部分的に除去することによって、前記ウエハの厚さを部分的に薄くする段階であるものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、素子基板に対する支持基板の貼り合わせを要せずに、製造コストを低減することができる裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法、並びに、前記裏面照射型固体撮像素子を用いた固体撮像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施の形態による固体撮像装置を模式的に示す概略断面図である。
【図２】図１中の一部を拡大した概略断面図である。
【図３】図１に示す固体撮像装置の製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態による固体撮像装置を模式的に示す概略断面図である。
【図５】図４中の一部を拡大した概略断面図である。
【図６】図４に示す固体撮像装置の製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明による裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法、並びに固体撮像装置について、図面を参照して説明する。
【００２１】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態による固体撮像装置１を模式的に示す概略断面図である。図２は、図１中の一部を拡大した概略断面図である。
【００２２】
本実施の形態による固体撮像装置１は、裏面照射型固体撮像素子１１と、電気・電子部品としてのＩＣチップ１２，１３と、裏面照射型固体撮像素子１１及びＩＣチップ１２，１３が搭載された基板１４とを備えている。
【００２３】
図面には示していないが、基板１４には導体パターンが形成されており、前記導体パターンによって裏面照射型固体撮像素子１１及びＩＣチップ１２，１３の間が電気的に接続されている。例えば、裏面照射型固体撮像素子１１はＣＭＯＳ型固体撮像素子として構成され、ＩＣチップ１２，１３は、この裏面照射型固体撮像素子１１を駆動・制御する回路や、裏面照射型固体撮像素子１１からの出力信号を処理する回路として構成される。
【００２４】
本実施の形態では、基板１４としてシリコンインターポーザーが用いられ、裏面照射型固体撮像素子１１及びＩＣチップ１２，１３は、バンプ１５〜１７により基板１４に接続されて、基板１４にフリップチップボンディングされている。
【００２５】
本実施の形態では、裏面照射型固体撮像素子１１は、２次元に配置された複数の画素からなる画素アレイ部３１が形成された素子基板２１と、透光性板２２とを備えている。図２では、画素アレイ部３１において、１つの画素のフォトダイオード３２、カラーフィルタ３３及びマイクロレンズ３４のみを簡略化して示している。本実施の形態では、素子基板２１は、シリコン基板及びこれに形成された各種の層や所定導電型の半導体領域等により構成されているが、その詳細な図示は省略している。素子基板２１の図１及び図２中の下面（表面、一方の主面）側には、複数層のアルミニウム層等の配線層３５が形成されている。素子基板２１の図１及び図２中の上面（裏面、他方の主面）側が光入射側となっており、上面側にマイクロレンズ３４が配置されている。
【００２６】
図１及び図２に示すように、素子基板２１の周辺部２１ａの厚さｄ１は、素子基板２１における周辺部２１ａにより囲まれた部分（以下、「被包囲部分」と呼ぶ。）の厚さｄ２よりも厚くされている。画素アレイ部３１は、被包囲部分に配置されている。本実施の形態では、周辺部２１ａの全体（全周）が厚くされている。強度を高めるためには、周辺部２１ａの全体を厚くしておくことが好ましい。しかし、本発明では、これに限らず、周辺部２１ａの一部が被包囲部分と同じ厚さとなっていてもよい。
【００２７】
被包囲部分の厚さｄ２は、入射光がフォトダイオード３２に適切に到達するような厚さ、例えば、３μｍ〜２０μｍ程度の厚さに設定される。周辺部２１ａの厚さｄ１は、素子基板２１をウエハから個片化した後の素子基板２１のハンドリングに支障を来さない強度を確保し得るような厚さ、例えば、５０μｍ以上に設定される。
【００２８】
本実施の形態では、素子基板２１の周辺部２１ａの下面側の高さは、素子基板２１の被包囲部分の下面側の高さと同一になっており、周辺部２１ａは上側に突出している。
【００２９】
周辺部２１ａには、必要に応じて、画素アレイ部３１の駆動等のための回路（トランジスタ等を含む。）が形成される。図２では、そのようなトランジスタ等の図示は省略している。
【００３０】
透光性板２２の周辺の部分は、接着剤２３により、素子基板２１の周辺部２１ａに接着されている。これにより、透光性板２２が、素子基板２１の被包囲部分（画素アレイ部３１を含む。）の、素子基板２１の上面側を封止している。透光性板２２としては、例えば、ガラス板を用いることができる。入射光は、図１及び図２中の上方から、透光性板２２及びマイクロレンズ３４を介してフォトダイオード３２に入射する。
【００３１】
前述したバンプ１５は、図１に示すように、素子基板２１の周辺部２１ａの下面側に設けられている。図面には示していないが、バンプ１５は、配線層３５と電気的に接続されている。
【００３２】
次に、本実施の形態による固体撮像装置１の製造方法の一例について、図３を参照して説明する。図３は、この製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図であり、図１に対応している。図３において、図１及び図２中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付している。
【００３３】
まず、複数の裏面照射型固体撮像素子１１の素子基板２１の分の画素アレイ部３１（ただし、カラーフィルタ３３及びマイクロレンズ３４を除く）や配線層３５等が形成され素子基板２１となるべきウエハ（ＳＯＩウエハ又はバルクシリコンウエハ）１００を用意する（図３（ａ））。図３（ａ）には示していないが、図３（ａ）中のウエハ１００の下面側に、配線層３５（図２参照）が形成されている。この点は、図３（ｂ）以降の図についても同様である。
【００３４】
次に、ウエハ１００を裏面研磨してウエハ１００を全体的に薄くする。すなわち、ウエハ１００の上面側（配線層３５とは反対側）を研磨して、ウエハ１００の上面側を全体的に除去することによって、ウエハ１００の厚さを全体的に薄くする（図３（ｂ））。このとき、ウエハ１００には支持基板を貼り合わせることなく、ウエハ１００を裏面研磨する。この裏面研磨は、ウエハ１００の厚さが、先に説明した素子基板２１の周辺部２１ａの厚さｄ１となるまで行う。この裏面研磨では、例えば、ホイール（研磨材）による研磨の後、仕上げ研磨としてＣＭＰ（化学的機械的研磨）又はドライポリッシュを行ってもよい。
【００３５】
次いで、スクライブライン上及び素子基板２１の周辺部２１ａに相当する部分を除いて、ウエハ１００の上面側（配線層３５とは反対側）をエッチングして、ウエハ１００の上面側を部分的に除去することによって、ウエハ１００の厚さを部分的に薄くする（図３（ｃ））。このエッチングは、スクライブライン上及び素子基板２１の周辺部２１ａに相当する部分を除いた部分のウエハ１００の厚さが、先に説明した素子基板２１の被包囲部分の厚さｄ２となるまで行う。このエッチングにより、直前の工程で行った裏面研磨により研磨面に残存する微少な研磨きずが除去され、撮像画像の品質を落とす受光部の表面欠陥が除去される。前記エッチングは、ドライエッチングでもよいし、ウエットエッチングでもよい。
【００３６】
引き続いて、受光面上に、カラーフィルタ３３（図２参照）及びマイクロレンズ３４を形成する（図３（ｄ））。
【００３７】
その後、図３（ｄ）に示す状態のウエハ１００をダイシングして、個々の素子基板２１に個片化する（図３（ｅ））。
【００３８】
次に、個片化された素子基板２１を、バンプ１５を形成した基板１４にフリップチップボンディングする（図３（ｆ））。このとき、バンプ１５は、素子基板２１の被包囲部分の下側ではなく、素子基板２１の周辺部２１ａの下側に配置されている。フリップチップボンディングする際にバンプ１５に圧力及び超音波をかけながらボンディングする必要があるが、バンプ１５が素子基板２１の周辺部２１ａの下側に配置されていれば、前記圧力及び超音波に耐え得る強度を持つため、安定したバンプ接続が可能である。
【００３９】
次いで、透光性板２２の周辺の部分を、接着剤２３により、素子基板２１の周辺部２１ａに接着する（図３（ｇ））。これにより、透光性板２２によって、素子基板２１の被包囲部分（画素アレイ部３１を含む。）の、素子基板２１の上面側（受光面側）が封止される。
【００４０】
最後に、ＩＣチップ１２，１３及びその他の必要なＣＲ部品等の電気・電子部品（図示せず）を、基板１４にフリップチップボンディングする。これにより、図１及び図２に示す固体撮像装置１が完成する。
【００４１】
なお、図３（ｆ）の工程と図３（ｇ）の工程とは逆の順序で行ってもよい。すなわち、ダイシング後直ぐに透光性板２２による封止を行ってもよい。また、図３（ｅ）の工程の前に図３（ｇ）の工程を行い、カラーフィルタ３３及びマイクロレンズ３４の形成後、直ぐに透光性板２２による封止を行ってもよい。以上のように透光性板２２による封止を素子基板２１形成後のより早い段階で行うことにより、実装工程内でのゴミの封入の確率が下がり、組立て歩留まりが向上する。また、通常は、カラーフィルタ３３及びマイクロレンズ３４の形成後にウエハ状態で素子基板２１の検査がテスター等により行われるため、すなわち、図３（ｄ）の工程の後でかつダイシング前に各素子基板２１の良否判定が行われるため、前記検査で良品と判定された素子基板２１についてのみ透光性板２２で封止することで、透光性板２２を効率良く使用することができる。
【００４２】
本実施の形態による固体撮像装置１で用いられている裏面照射型固体撮像素子１１では、前述したように、素子基板２１の周辺部２１ａの厚さｄ１が被包囲部分の厚さｄ２よりも厚くされている。したがって、入射光をフォトダイオード３２に適切に到達させることができる一方で、素子基板２１に支持基板を貼り合わせることなく、素子基板２１の強度を確保することができ、個片化された素子基板２１単体でのハンドリング（基板１４へのフリップチップボンディングなど）が可能となる。このため、本実施の形態によれば、素子基板に貼り合わせる支持基板を要していた従来の裏面照射型固体撮像素子に比べて、製造コストを低減することができる。
【００４３】
なお、本実施の形態は、裏面照射型固体撮像素子１１を基板１４へフリップチップボンディングした固体撮像装置１の例であったが、前記裏面照射型固体撮像素子１１は、このような固体撮像装置１に限らず、パッケージを用いる固体撮像装置にも使用することができる。すなわち、前記裏面照射型固体撮像素子１１をパッケージへ収容して、前記裏面照射型固体撮像素子１１をパッケージの電極にダイボンディングした固体撮像装置を構成することができる。この場合、素子基板２１に支持基板を貼り合わせることなく、素子基板２１の強度を確保することができるので、個片化された素子基板２１単体でのハンドリングとして、素子基板２１のパッケージへのダイボンディングが可能となる。
【００４４】
［第２の実施の形態］
図４は、本発明の第２の実施の形態による固体撮像装置５１を模式的に示す概略断面図であり、図１に対応している。図５は、図４中の一部を拡大した概略断面図であり、図２に対応している。図４及び図５において、図１及び図２中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００４５】
本実施の形態による固体撮像装置５１が前記第１の実施の形態による固体撮像装置１と異なる所は、裏面照射型固体撮像素子１１に代えて、裏面照射型固体撮像素子６１が用いられている点のみである。裏面照射型固体撮像素子６１が裏面照射型固体撮像素子１１と異なる所は、以下に説明する点である。
【００４６】
裏面照射型固体撮像素子１１では、前述したように、素子基板２１の周辺部２１ａの下面側の高さは、素子基板２１の被包囲部分の下面側の高さと同一になっており、周辺部２１ａは上側に突出している。これに対し、裏面照射型固体撮像素子６１では、素子基板２１の周辺部２１ａの上面側の高さは、素子基板２１の被包囲部分の上面側の高さと同一になっており、周辺部２１ａは下側に突出している。裏面照射型固体撮像素子６１では、これを実現するため、周辺部２１ａは、その最下面に、比較的厚い層４０を有している。この層４０の材料は特に限定されるものではないが、層４０として、例えばシリコン酸化層を用いることができる。
【００４７】
また、裏面照射型固体撮像素子６１では、透光性板２２の周辺の部分は、スペーサを兼ねる接着剤６２により、素子基板２１の周辺部２１ａに接着されている。
【００４８】
次に、本実施の形態による固体撮像装置５１の製造方法の一例について、図６を参照して説明する。図６は、この製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図であり、図４に対応している。図６において、図４及び図５中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付している。
【００４９】
まず、複数の裏面照射型固体撮像素子６１の素子基板２１の分の画素アレイ部３１（ただし、カラーフィルタ３３及びマイクロレンズ３４を除く）や配線層３５等が形成され素子基板２１となるべきウエハ（ＳＯＩウエハ又はバルクシリコンウエハ）２００を用意する（図６（ａ））。図６（ａ）には示していないが、図６（ａ）中のウエハ１００の下面側に、配線層３５（図２参照）が形成されている。この点は、図６（ｂ）以降の図についても同様である。また、図６（ａ）には示していないが、このウエハ２００において、その下面の全体に渡って、層４０を形成しておく。
【００５０】
次に、スクライブライン上及び素子基板２１の周辺部２１ａに相当する部分を除いて、ウエハ２００の下面側（配線層３５の側）をエッチングして、ウエハ２００の下面側（すなわち、層４０）を部分的に除去することによって、ウエハ２００の厚さを部分的に薄くする（図６（ｂ））。
【００５１】
次いで、ウエハ２００を裏面研磨してウエハ２００を全体的に薄くする。すなわち、ウエハ２００の上面側（配線層３５とは反対側）を研磨して、ウエハ２００の上面側を全体的に除去することによって、ウエハ２００の厚さを全体的に薄くする（図６（ｃ））。このとき、ウエハ２００には支持基板を貼り合わせることなく、ウエハ２００を裏面研磨する。裏面研磨により研磨面に残存する微少な研磨きずを除去するため、更にエッチングを行ってもよい。
【００５２】
引き続いて、受光面上に、カラーフィルタ３３（図２参照）及びマイクロレンズ３４を形成する（図６（ｄ））。このとき、図３（ｄ）の場合と異なり、カラーフィルタ３３及びマイクロレンズ３４を形成する面に凹形状が形成されていないため、カラーフィルタ３３及びマイクロレンズ３４を形成する際に、凹形状のダム部分に液溜まりが形成されず、塗布むらなどが発生するおそれがない。
【００５３】
その後、図６（ｄ）に示す状態のウエハ２００をダイシングして、個々の素子基板２１に個片化する（図６（ｅ））。
【００５４】
次に、個片化された素子基板２１を、バンプ１５を形成した基板１４にフリップチップボンディングする（図６（ｆ））。
【００５５】
次いで、透光性板２２の周辺の部分を、接着剤６２により、素子基板２１の周辺部２１ａに接着する（図６（ｇ））。これにより、透光性板２２によって、素子基板２１の被包囲部分（画素アレイ部３１を含む。）の、素子基板２１の上面側（受光面側）が封止される。
【００５６】
最後に、ＩＣチップ１２，１３及びその他の必要なＣＲ部品等の電気・電子部品（図示せず）を、基板１４にフリップチップボンディングする。これにより、図４及び図５に示す固体撮像装置１が完成する。
【００５７】
本実施の形態によっても、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。
【００５８】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００５９】
１，５１  固体撮像装置
１１  裏面照射型固体撮像素子
１５  バンプ
２１  素子基板
２１ａ  周辺部
２２  透光性板
３１  画素アレイ部
【図１】
2012151200.tif 000003
【図２】
2012151200.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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