(57)【要約】【課題】電子放出素子３２が設けられた第一基板１２と、画像表示部材３６及びアノード３７が設けられた第二基板１３とを、真空ベークして冷却した後、向き合わせて、周縁部に支持枠２２を挟み込んで封着する電子線装置の製造方法において、第一基板１２の内面側に予め付設した非蒸発型ゲッター３９の劣化を抑え、封着後のゲッター性能を高く維持し、内部空間を長時間高真空に維持できるようにする。【解決手段】第一基板１２の真空ベーク時に、付設された非蒸発型ゲッター３９が活性化温度に到達する前に第一二基板１２の内面側に対向板を近接させ、この状態で、活性化温度以上の温度での真空ベークと、その後の冷却とを行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放出素子が設けられた第一基板と、アノードが設けられた第二基板とを、真空ベークして冷却した後、電子放出素子の設置側とアノードの設置側とを内面側にして向き合わせて、周縁部に支持枠を挟み込んで封着する電子線装置の製造方法において、
前記第一及び第二基板の少なくとも一方の内面に予め非蒸発型ゲッターを付設しておき、該非蒸発型ゲッター付第一及び／又は第二基板の前記真空ベーク時に、付設された前記非蒸発型ゲッターが活性化温度に到達する前に前記非蒸発型ゲッター付第一及び／又は第二基板の内面側に対向板を近接させ、この状態で、前記活性化温度以上の温度での前記真空ベークと、その後の冷却とを行うことを特徴とする電子線装置の製造方法。
【請求項２】
前記第一及び第二基板の一方を前記非蒸発型ゲッター付とし、他方の内面側の周縁部に予め支持枠を取り付けておくことを特徴とする請求項１に記載の電子線装置の製造方法。
【請求項３】
前記非蒸発型ゲッター付第一又は第二基板の内面側外周縁部の内側に予め支持枠を取り付けておき、該支持枠が取り付けられた前記非蒸発型ゲッター付第一又は第二基板の内面側へ前記対向板を近接させると共に、前記非蒸発型ゲッター付第一又は第二基板の外周縁部と、前記対向板の外周縁部との間に両者間を遮蔽するスカートを介在させ、この状態で、前記活性化温度以上の温度での前記真空ベークと、その後の冷却とを行うことを特徴とする請求項１に記載の電子線装置の製造方法。
【請求項４】
前記非蒸発型ゲッター付第一又は第二基板は、前記支持枠よりも内側に付設された非蒸発型第一ゲッターと、前記支持枠よりも外側に付設された非蒸発型第二ゲッターとを有することを特徴とする請求項３に記載の電子線装置の製造方法。
【請求項５】
前記非蒸発型第一ゲッターの吸着性能よりも前記非蒸発型第二ゲッターの吸着性能が高いことを特徴とする請求項４に記載の電子線装置の製造方法。
【請求項６】
前記非蒸発型第二ゲッターが取り外し可能であることを特徴とする請求項４又は５に記載の電子線装置の製造方法。
【請求項７】
前記対向板が、ガラス材料からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電子線装置の製造方法。
【請求項８】
前記対向板が、貴金属薄膜をコーティングしたガラス材料からなることを特徴とする請求項７に記載の電子線装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電子線装置の製造方法における第二基板として、アノードと共に、電子線の照射により発光して画像を表示する画像形成部材を備えた基板を用いることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子線装置及び画像表示装置の製造方法に関し、特に得られる電子線装置及び画像表示装置の外囲器内を高真空に長時間維持することが可能な電子線装置及び画像表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像形成装置の一つである画像表示装置として、電子放出素子のカソードと、アノードが対向配置された電子線装置を有する画像表示装置が知られている。この画像表示装置では、画像信号に応じて電子を放出する多数の電子放出素子が設けられたリアプレートと、電子の照射を受けて発光し画像を表示する蛍光膜及び電子加速電極が設けられたフェースプレートとが対向配置され、内部が真空に維持されている。真空の内部空間を形成する構成としては、フェースプレートとリアプレートの周縁部の間に支持枠を挟み込ませ、この支持枠をフェースプレートとリアプレートの双方に接合して外囲器を形成する構成をとることが多い。
【０００３】
電子線装置及び画像表示装置を構成する外囲器内を高真空に維持するためには、接合封止前にフェースプレート及びリアプレートを真空ベークすることが好ましい。真空ベークすることで、放出ガスを低く抑えることができ、接合封止後に外囲器内部を高真空に保つことができる。また、外囲器内部にゲッターを備えると、接合封止後に外囲器内部の部材からの微量の放出ガスをゲッターによって吸着し、外囲器内部をより高真空に保つことができる。
【０００４】
特許文献１には、画像表示装置の製造に際し、フェースプレートとリアプレートとを、加熱用真空チャンバー内で真空ベーク処理することが開示されている。真空ベークしたフェースプレートとリアプレートは、冷却用真空チャンバー内で冷却した後、向き合わせて、周縁部に支持枠を挟み込んで封止することで外囲器を構成するものとなっている。また、特許文献１には、フェースプレート又はリアプレートに、予め非蒸発型ゲッターを付設しておくことも開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４２３５６４０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の技術では、リアプレート及びフェースプレートを対向配置させた状態で真空ベークを実施する。ベーク温度は３５０℃〜３８０℃で、この時の真空度は１０-4Ｐａと開示されている。フェースプレート又はリアプレートに非蒸発型ゲッターを有する場合、真空ベークの際にゲッター活性化されるが、その際に暴露される真空度により活性化後のゲッター性能が大きく左右される。また、非蒸発型ゲッターは３００℃を超えた温度で１０分〜１時間かけて活性化され、温度が高い程、活性化に必要な時間は短縮する。活性化されたゲッターはケミカル・ポンプとしての機能が発現し周囲のガス分子を吸着する。
【０００７】
真空ベーク後、外囲器が接合封止されるまでの間、非蒸発型ゲッターが吸着したガス分子量が多いほど接合封止後のゲッター性能が低くなるため、外囲器内部を高真空に維持できる期間が短くなってしまう。真空ベーク後、外囲器が接合封止されるまでの間で最も真空度が悪く、時間がかかるのが冷却期間である。一般的に、リアプレート及びフェースプレートが、蒸発型ゲッターを蒸着処理するゲッター処理のプロセス温度である１００℃程度まで降温するのに２時間程度必要であり、真空度も１０-5Ｐａより高真空とはならない。これは、真空中で冷却に時間がかかるためと、リアプレート及びフェースプレートの放出ガスが枯れても、真空チャンバーの構成部材であるチャンバー壁やヒーター、リフレクタ等からの放出ガスが枯れないためである。つまり、冷却期間では真空チャンバーからの放出ガスを、活性化した非蒸発型ゲッターが吸着するために、非蒸発型ゲッターの劣化が進むという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、非蒸発型ゲッターの活性化後の劣化を抑え、接合封止後のゲッター性能を高く維持し、電子線装置及び画像表示装置を構成する外囲器内部を高真空に長時間維持できる電子線装置及び画像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、電子放出素子が設けられた第一基板と、アノードが設けられた第二基板とを、真空ベークして冷却した後、電子放出素子の設置側とアノードの設置側とを内面側にして向き合わせて、周縁部に支持枠を挟み込んで封止する電子線装置の製造方法において、
前記第一及び第二基板の少なくとも一方の内面に予め非蒸発型ゲッターを付設しておき、該非蒸発型ゲッター付第一及び／又は第二基板の前記真空ベーク時に、付設された前記非蒸発型ゲッターが活性化温度に到達する前に前記非蒸発型ゲッター付第一及び／又は第二基板の内面側に対向板を近接させ、この状態で、前記活性化温度以上の温度での前記真空ベークと、その後の冷却とを行うことを特徴とする電子線装置の製造方法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、非蒸発型ゲッターの付設面に対向板を近接させることにより、非蒸発型ゲッターの付設面と対向板間のギャップ空間の真空度を高く維持したまま真空ベークと冷却を行うことができる。このため、非蒸発型ゲッターの活性化後の劣化を抑えることができ、接合封止後のゲッター性能を高く維持し、電子線装置及び画像表示装置を構成する外囲器内部を高真空に長時間維持できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明で製造することができる画像表示装置の一例を示す概略図である。
【図２】本発明に係る画像表示装置の製造方法に用いる製造装置の一例を示す概略図である。
【図３】リアプレートの真空ベーク時のベーク温度プロファイルの一例である。
【図４】真空ベーク用キャリア及びその周辺部の概略図である。
【図５】ＮＥＧ活性化中のガス吸着速度変化を示す図である。
【図６】ギャップ空間とギャップ空間外部での真空度、ガスの流れを示す図である。
【図７】ＮＥＧ材料の水に対する吸着性能を示す図である。
【図８】実施例２における真空ベーク用キャリア周辺部の概略図である。
【図９】実施例３におけるリアプレート近接工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について説明する。本発明の電子線装置の製造方法は、これによって得られる電子線装置を用いた画像表示装置の製造方法に好適に使用することができる。特に、電子放出素子が形成されたリアプレートと、画像形成部材（蛍光膜）及びアノード（電子加速電極）が形成されたフェースプレートとが対向配置され接合封止されて外囲器を形成している画像表示装置は、本発明が適用される好ましい形態である。
【００１３】
図１（ａ）は、本発明で製造することができる画像表示装置の一例を示す部分破断斜視図である。画像表示装置１０は、第一基板１２と、第二基板１３とを有している。第一基板１２と第二基板１３は、周縁部に支持枠２２を挟み込んで封着されることにより、密閉され真空に維持された内部空間を有する外囲器１１（気密容器）を形成している。
【００１４】
画像表示装置１０においては、第一基板１２はリアプレートに対応し、第二基板１３はフェースプレートに対応する。支持枠２２は、予め第一基板１２又は第二基板１３に接合しておき、後述する真空ベーク及び冷却後の封着工程において、支持枠２２の反対側に第二基板１３又は第一基板１２を接合して外囲器１１を形成できるようにすることができる。支持枠２２は、予め第一基板１２に接合しておいた場合、第一基板１２と共に真空ベークされ、予め第二基板１３に接合しておいた場合、第二基板１３と共に真空ベークされることになる。また、支持枠２２を第一及び第二基板１２，１３のいずれにも接合せずにおき、後述する真空ベーク及び冷却後の封着工程において、第一及び第二基板１２，１３を同時に支持枠２２に接合するようにしても良い。この場合、支持枠２２は、第一又は第二基板１２又は１３と共に真空ベークしても良いが、別途真空ベークすることもできる。
【００１５】
第一基板１２の内面側（第二基板１３との対向面側）には、画像信号に応じて電子を放出する多数の電子放出素子３２が設けられ、画像信号に応じて各電子放出素子３２を駆動させるための配線（Ｘ方向配線３３、Ｙ方向配線３４）が形成されている。電子放出素子３２は、ＳＣＥ（表面伝導）型、スピント型、ＣＮＴ（カーボンナノチューブ）型等の複数の方式があるが、特に好ましいのはＳＣＥ型である。第二基板１３はガラス材料からなり、内面側には、電子の照射を受けて発光して画像を表示する画像形成部材である蛍光膜３６が設けられている。蛍光膜３６上にはメタルバックと称されるアノード３７が形成されており、アノード３７と蛍光膜３６とが積層された構成をとっている。アノード３７は、Ａｌ薄膜等の導電材料で構成され、電子を引き付ける電極としての機能を奏するもので、外囲器１１に設けられた高圧端子Ｈｖから電位の供給を受ける。第一基板１２の電子放出素子３２の設置側と、第二基板１３のアノード３７及び蛍光膜３６の設置側内面側となって対向されている。第一基板１２上に設けられた電子放出素子３２のカソードと、第二基板１３上に設けられたアノード３７とは対向配置され、電子線装置を構成している。
【００１６】
図１（ｂ）は、図１（ａ）の画像表示装置の電子放出素子近傍の詳細断面図である。第二基板１３の内面側であるアノード３７の表面には、蒸発型ゲッター３８が付設されている。蒸発型ゲッター３８は、真空環境下で、封止接合された外囲器１１が構成される前に付設される。例えば、ＴｉやＢａ等のゲッター金属をスパッタ法やＥＢ蒸着法等の真空蒸着法により膜厚１０〜１００ｎｍ程度に成膜することで付設される。膜厚が厚いほど蒸発型ゲッター３８の吸着性能は向上するが、膜厚が厚いほど電子放出素子３２から放出された電子が蛍光膜３６に突入しにくくなり、画像表示装置１０としての輝度が低下する。よって、特に好ましくは、約３０ｎｍの均一な膜厚分布で成膜されたＴｉ膜である。
【００１７】
第一基板１２の内面側には、非蒸発型ゲッター３９が付設されており、非蒸発型ゲッター付第一基板１２となっている。なお、本例では非蒸発型ゲッター付基板は第一基板１２となっているが、第二基板１３又は第一及び第二基板１２，１３の両者を非蒸発型ゲッター付基板とすることもできる。しかし、第二基板１３に蛍光膜３６を設けて画像表示装置を形成する場合、非蒸発型ゲッター３９は第二基板１３ではなく、第一基板１２に付設することが好ましい。一般に蛍光膜３６はガスの発生量が多いことから、非蒸発型ゲッター３９を劣化させることなく蛍光膜３６から生じるガスを真空ベークで除去しやすくするためである。なお、以下の説明においては、非蒸発型ゲッターをＮＥＧと記す。
【００１８】
ＮＥＧ３９は電子放出素子３２、Ｘ方向配線３３及びＹ方向配線３４と同様に、真空ベーク工程や接合封止工程のために真空チャンバーに投入される前に予め付設される。例えば、ＴｉやＺｒ等のゲッター金属やこれらを含む合金であるＮＥＧ材料を、ＤＣスパッタ法等のスパッタ法や真空蒸着法により、膜厚１００〜３０００ｎｍ程度に厚く成膜することで付設することができる。膜厚が厚くなるとＮＥＧ３９の吸着性能は向上するが、膜厚が厚すぎるとドライ法、ウェット法に関わらずパターン形成が難しくなる。よって、特に好ましくは、ＤＣスパッタ法により膜厚１μｍ程度に成膜されたＴｉ膜やＺｒ膜である。
【００１９】
蒸発型ゲッター３８は水や酸素等の活性ガスに対して吸着性能が高いのに対し、ＮＥＧ３９は水素やＣＯ等に対して吸着性能が高い。このため、所要の性能を各々の機能に振り分けて設計することにより、必要最小限な膜厚で外囲器１１内部を高真空に長時間維持することが可能となる。
【００２０】
次に、本発明の実施形態について具体的に説明する。
【００２１】
図２は、本発明に係る画像表示装置の製造装置の一例を示す概略図である。第一基板１２は、図２の左上のロードロック室（Ｌ１Ｒ）に投入され、ロードロック室（Ｌ１Ｒ）が真空引きされた後、インラインベーク室（Ｈ２１Ｒ〜Ｈ３３Ｒ）へ搬送されて真空ベークされ、冷却される。インラインベーク室（Ｈ２１Ｒ〜Ｈ３３Ｒ）は直線に並んだ真空ベークチャンバーであり、６分割された各ゾーンはそれぞれ一定温度に保持されている。昇温ゾーン（Ｈ２１Ｒ、Ｈ２２Ｒ）は室温から徐々に温度を上げるために温度設定されており、定温加熱ゾーン（Ｈ２３Ｒ）は所定の温度に設定され、降温ゾーン（Ｈ３１Ｒ〜Ｈ３３Ｒ）は徐々に温度を下げるために温度設定されている。第一基板１２がインラインベーク室（Ｈ２１Ｒ〜Ｈ３３Ｒ）を通過する際のベーク温度プロファイルの一例を図３に示す。インラインベーク室（Ｈ２１Ｒ〜Ｈ３３Ｒ）で真空ベークされた第一基板１２は、封着事前温度である１２０℃程度まで降温された後に、搬送室（ＴＲＶ４）、クラスタ室（Ｔ６）を経由して封着室（Ｓ８）に送られる。
【００２２】
第二基板１３も第一基板１２と同様に、図２の左下のロードロック室（Ｌ１Ｆ）に投入され、ロードロック室（Ｌ１Ｆ）が真空引きされた後、インラインベーク室（Ｈ２１Ｆ〜Ｈ３３Ｆ）へ搬送されて真空ベークされ、冷却される。第二基板１３がインラインベーク室（Ｈ２１Ｆ〜Ｈ３３Ｆ）を通過する際のベーク温度プロファイルは、図３の第一基板１２のベーク温度プロファイルと同様であるが、最高到達温度となる定温加熱ゾーンの設定温度は第一基板１２と異なる温度としても良い。真空ベークの目的は、第一及び第二基板１２，１３の脱ガス、及びＮＥＧ３９の活性化である。第一及び第二基板１２，１３のいずれも高温で真空ベークすることが望ましいが、制約も存在する。第一基板１２の場合、高温で真空ベークすると、電子放出素子３２の素子性能が表面酸化による影響を受けるため、４１０℃前後の温度までとすることが好ましい。一方、第二基板１３の場合、高温では蛍光膜３６の劣化があるものの４５０℃までは加熱できる。加熱温度が５０℃違うと脱ガス効果が大きく異なり、４００℃で１時間処理するのと、４５０℃で１０分処理するのとで同程度の効果が得られることが判っている。つまり、第二基板１３の真空ベーク時に、最高到達温度となる定温加熱ゾーンの設定温度を４５０℃にすると、処理時間を短くすることができる点でより好ましい。インラインベーク室（Ｈ２１Ｆ〜Ｈ３３Ｆ）で真空ベークされた第二基板１３は、封着事前温度である１２０℃程度まで降温された後に、搬送室（ＴＲＶ４）、クラスタ室（Ｔ６）を経由してゲッター室（Ｅ７）に送られる。ゲッター室に送られた第二基板１３は、ゲッター室（Ｅ７）で蒸発型ゲッター３８が形成された後に、再度クラスタ室（Ｔ６）を経由して封着室（Ｓ８）に送られる。
【００２３】
封着室（Ｓ８）に送られた第一及び第二基板１２，１３は、封着室（Ｓ８）で、対向配置された状態で再度加熱され圧力を加えられ、接合封止されて外囲器１１となる。内部が気密容器となった外囲器１１は、クラスタ室（Ｔ６）、搬送室（ＴＲＶ４）を逆に搬送され、アンロード室（ＵＬ５）に送られる。アンロード室（ＵＬ５）が大気圧にまでベントされた後、外囲器１１は製造装置から大気中に取り出される。
【００２４】
上記製造方法では、２系列の真空チャンバーを用いて第一及び第二基板１２，１３を真空ベークしているが、１系列の真空チャンバーのみで加熱温度を制御することにより第一及び第二基板１２，１３を真空ベークしても良い。
【００２５】
以下、上記製造方法を、図４を用い、細かい工程に分けて詳しく説明する。図４（ａ）は、第一基板１２を真空ベークする際に用いる真空ベーク用キャリア４０の概略図であり、図４（ｂ）は、真空ベーク用キャリア４０周辺部の概略図である。
【００２６】
＜ステップＳ１：投入工程＞
まず、図４（ａ）に示すように、内面側に支持枠２２をフリットガラスや低融点金属等の気密性の高い接合部材で接合した第一基板１２を、真空ベーク用キャリア４０に設置する。支持枠２２には、ＩｎやＳｎ又はこれらを主成分とする合金材料からなる低融点の金属シール材料よりなる接合封止用の接合部材２４が予め塗布されている。第一基板１２は、図４（ｂ）に示されるように、内面側にＮＥＧ３９が付設されており、非蒸発型ゲッター付第一基板１２となっている。
【００２７】
真空ベーク用キャリア４０には、第一基板１２と略同じ大きさの対向板４１が、第一基板１２の内面側と対向する位置に予め設置されている。対向板４１は、加熱時の放出ガスが比較的少なく、かつ加熱時の熱変形が比較的少ないガラス材料で構成することが好ましい。更に、大気中での表面吸着ガスを少なくする目的で、数ｎｍ程度の厚さでＡｕやＰｔ等の貴金属薄膜をコーティングしたガラス材料を対向板４１として用いることが望ましい。第一基板１２が投入、搬出される際に対向板４１と干渉しないように、また、真空ベークの際に第一基板１２が熱変形して支持枠２２上の接合部材２４が対向板４１と接触しないように、第一基板１２と対向板４１とは適切な距離をあけて設置される。この適切な距離は、第一基板１２の大きさにより変わってくるが、１ｍ四方までの基板サイズであれば、第一基板１２と対向板４１の距離は５０ｍｍ以上あけておけば干渉の恐れはない。更に、真空チャンバーで真空ベーク用キャリア４０全体を真空引きする際に、第一基板１２と対向板４１との間のギャップ空間も短時間で真空引きする必要があり、ギャップ間距離も同じく５０ｍｍ程度にする必要がある。ギャップ間距離が短い場合、例えばギャップ間距離が数ｍｍの場合、ギャップ空間を１０-5Ｐａまで真空引きするのに１時間もかかる。
【００２８】
このように準備された真空ベーク用キャリア４０を、図２に示す製造装置のロードロック室（Ｌ１Ｒ）に投入する。ロードロック室（Ｌ１Ｒ）で１０-5Ｐａ程度まで真空引きした後、真空ベーク用キャリア４０は、真空状態のインラインベーク室（Ｈ２１Ｒ〜Ｈ３３Ｒ）の最初の昇温ゾーン（Ｈ２１Ｒ）に搬送される。昇温ゾーンは、ステップ式に４１０℃まで第一基板１２を加熱するために二段階のステップで昇温させるため、Ｈ２１Ｒは１５０℃、Ｈ２２Ｒは２８０℃に設定されている。真空ベーク用キャリア４０が搬送される際に、温度変化が急峻だと基板温度ムラが大きくなり、基板にクラックを発生させるリスクがあるため、搬送スピードと共に各昇温ゾーンの設定温度を図３のように最適化することが好ましい。
【００２９】
＜ステップＳ２：近接工程＞
次に、ＮＥＧ３９の活性化温度に到達する前、例えば真空ベーク用キャリア４０が昇温ゾーン（Ｈ２１Ｒ、Ｈ２２Ｒ）で加熱されている時又は定温加熱ゾーン（Ｈ２３Ｒ）へ搬送した直後に、第一基板１２を、対向板４１との距離を狭める位置に移動させる。図４（ｂ）に示すように、第一基板１２を支持するためにキャリア台４３に取り付けられた押し上げピン４４を押し上げることで、第一基板１２と対向板４１の距離を狭め、第一基板１２の内面側に対向板４１を近接させることができる。但し、第一基板１２に支持枠２２が取り付けられている場合、図４（ａ）に示すように、支持枠２２の一般的な高さからすると、第一基板１２と対向板４１は、概ね２０ｍｍ程度までしか近づけられない。対向板４１と支持枠２２間の間隔を小さくすることはできるが、支持枠２２の上面には接合部材２４が設けられているので、対向板４１と支持枠２２間の間隔を小さくし過ぎると対向板４１にこの接合部材２４が接触しやすくなる。このため、真空ベーク用キャリア４０の周辺部にスカート４２を設けても良い。更に説明すると、支持枠２２は、通常、第一基板１２の内面側外周縁部の内側に取り付けられており、スカー４２は、第一基板１２の外周縁部と、対向板４１の外周縁部との間を遮蔽するもので、この両者間に介在される物である。このスカート４２を設けた場合、移動した第一基板１２とスカート４２のギャップ間距離ｄを容易に４ｍｍ程度以下にまで近づけることができる。第一基板１２の内面側に付設されたＮＥＧ３９は、概ね３００℃以上の温度で活性化され、ガスの吸着が始まる。第一基板１２の内面側への対向板４１の近接と、スカート４２による、第一基板１２の外周縁部と、対向板４１の外周縁部との間の遮蔽は、ＮＥＧ３９がその活性化温度に到達する前行われる。
【００３０】
＜ステップＳ３：加熱工程＞
次に、真空ベーク用キャリア４０と一緒に、第一基板１２を、ＮＥＧ３９の活性化温度以上の温度である最高到達温度の４１０℃にて所定時間加熱する。第一基板１２上に形成されたＮＥＧ３９の活性化には、所定の時間加熱する必要がある。図５にＴｉをＥＢ蒸着法により蒸着した１μｍのＴｉ金属ＮＥＧを、４００℃に真空ベークした際に、ゲッター吸着性能を加熱と同時に測定した結果を示す。横軸が加熱時間、縦軸が水（Ｈ2Ｏ）、二酸化炭素（ＣＯ2）、一酸化炭素（ＣＯ）の各ガスのゲッター吸着速度である。グラフ中の直線がＴｉ膜のベーク温度プロファイルである。Ｔｉ金属ＮＥＧの水に対する吸着性能は、３５０℃まで加熱された直後に最大値となり、Ｔｉ金属ＮＥＧの二酸化炭素や一酸化炭素に対する吸着性能は、４００℃に到達１時間後にようやく最大値となることがグラフから判る。本発明では、図３に示すように、第一基板１２を４００℃に加熱してから１時間は４００℃を超える温度で第一基板１２の真空ベークを実施する。
【００３１】
真空ベークされる第一基板１２から放出されるガス量は、二段階で放出される。まず、２００℃前後の温度で材料表面に吸着されたガスが放出される。主に、水等の表面吸着ガスが中心である。次に放出されるのが、４００℃前後の温度で第一基板１２に形成された電子放出素子３２、Ｘ方向配線３３、Ｙ方向配線３４及びＮＥＧ３９からの放出ガスであり、各部材内部に吸蔵されたガスが中心である。主に、酸素、二酸化炭素、窒素等が中心である。ＮＥＧ３９が活性化された後は、第一基板１２から放出されるガス量と、対向板４１から放出されるガス量を加えた値より、ＮＥＧ３９により吸着されるガス量の方が大きくなる。
【００３２】
図６は４１０℃での真空ベーク開始後１時間経過後の第一基板１２と対向板４１との間のギャップ空間内部とギャップ空間外部での真空度、ガスの流れを模式的に示す図である。図６に示すように、定温加熱ゾーン（Ｈ２３Ｒ）の真空チャンバーのチャンバー内部（ギャップ空間外部）の真空度は１０-5Ｐａに止まる。これは、真空チャンバーの構成部材であるチャンバー壁やヒーター・リフレクタ等からの放出ガスが枯れないためである。例えば、チャンバー全体をヒーターで覆い真空ベークして脱ガス処理すればチャンバーからの放出ガスは半減するが、ヒーター・リフレクタは冷却水を常に流して１００℃程度に冷却されているため、焼き出し等で放出ガスを低減することは難しい。これに対し、対向板４１を第一基板１２に近接させる構造にした場合、ＮＥＧ３９がガスを吸着するため、第一基板１２と対向板４１との間のギャップ空間の真空度は桁違いに良くなる。
【００３３】
ここで、図４（ｂ）において、スカート４２の張出部の長さＬ＝２０ｍｍ、ギャップ間距離ｄ＝４ｍｍとしたモデルで、真空ベーク後の各部材の放出ガスとＮＥＧ３９の吸着性能を用いて、シミュレーションによりギャップ空間の真空度分布を計算した。その結果、真空チャンバー（Ｈ２３Ｒ）の内部（ギャップ空間の外部）が１０-5Ｐａであっても、ギャップ空間の殆どのエリアで１０-7Ｐａ台の高真空が維持されることが判った。ギャップ空間の殆どのエリアとは、第一基板１２上に電子放出素子３２が形成されたエリアであり、画像表示装置の表示有効エリアに当たる。
【００３４】
＜ステップＳ４：冷却工程＞
次に、真空ベーク用キャリア４０を降温ゾーン（Ｈ３１Ｒ、Ｈ３２Ｒ、Ｈ３３Ｒ）に順次搬送し、所定時間ずつ滞在させることにより、図３に示すようなベーク温度プロファイルで第一基板１２を冷却する。第一基板１２は、例えば１２０℃程度まで冷却された後、搬送室（ＴＲＶ４）に真空ベーク用キャリア４０ごと搬送される。搬送室では、図４（ｂ）に示した押し上げピン４４を下降させ、第一基板１２と対向板４１の距離を５０ｍｍ程度に遠ざけた後、クラスタ室（Ｔ６）まで真空ベーク用キャリア４０を移動させる。クラスタ室では、第一基板１２が真空ベーク用キャリア４０と切り離され単独で封着室（Ｓ８）に搬送される。
【００３５】
第二基板１３は、第一基板１２の真空ベーク処理と並行して、図２に示すもう一つのインラインベーク室（Ｈ２１Ｆ〜Ｈ３３Ｆ）で真空ベークされる。第一基板１２用と同様の構造で、基板サイズの異なる第二基板１３に合わせてサイズ修正された真空ベーク用キャリア４０に予め第二基板１３を設置する。図２の左下のもう一つのロードロック室（Ｌ１Ｆ）に真空ベーク用キャリア４０ごと第二基板１３を投入し、真空引きを行う。次に、昇温ゾーン（Ｈ２１Ｆ、Ｈ２２Ｆ、Ｈ２３Ｆ）でステップ式に昇温され、定温加熱ゾーン（Ｈ３１Ｆ）で４５０℃まで加熱され、降温ゾーン（Ｈ３１Ｆ、Ｈ３２Ｆ）で１２０℃以下まで冷却される。続いて、第二基板１３は、第一基板１２と同様に、搬送室（ＴＲＶ４）、クラスタ室（Ｔ６）に順次、搬送された後、ゲッター室（Ｅ７）に送られる。ゲッター室では、ＥＢ蒸着法により第二基板１３の内面側のアノード３７の表面に蒸発型ゲッター３８としてＴｉ膜が膜厚３０ｎｍ程度に蒸着される。次に、第二基板１３は単独で封着室（Ｓ８）に搬送される。
【００３６】
封着室（Ｓ８）に搬送された第一及び第二基板１２，１３は、互いに対向させて配置される。封着室（Ｓ８）では、第一及び第二基板１２，１３を、封着事前温度の１２０℃となるように再加熱し、全体の温度分布が小さくなるまで所定時間保持する。その後、両側から圧力を加えながら、支持枠２２の近傍のみ局所加熱で接合封止を行う。局所加熱は、金属シール材料に通電したりランプやレーザーを用いて行うことができる。
【００３７】
接合封止され気密容器となった外囲器１１は、封着室（Ｓ８）からクラスタ室（Ｔ６）、搬送室（ＴＲＶ４）を経由してアンロード室（ＵＬ５）に搬送される。アンロード室（ＵＬ５）が大気圧にまでベントされた後、外囲器１１は装置外に搬出されて、真空ベーク工程及び接合封止工程が完了する。
【００３８】
上記では、第一基板１２の内面側にＮＥＧ３９を形成し、第一基板１２を非蒸発型ゲッター付基板としている。しかし、ＮＥＧ３９を付設するのは、第一及び第二基板１２，１３の少なくともいずれか一方であれば良く、非蒸発型ゲッター付第一又は第二基板１２又は１３に対して対向板４１を近付けるようにすればよい。第一及び第二基板１２，１３の一方を非蒸発型ゲッター付とし、他方の内面側の周縁部に予め支持枠２２を取り付けておくこともできる。このようにすれば、スカート４２を用いることなく、非蒸発型ゲッター付第一又は第二基板１２又は１３の内面に対向板４１を近接させるだけで、ＮＥＧ３９の劣化を抑制することができる。
【実施例】
【００３９】
以下、具体的な実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明する。以下に示す各実施例の画像表示装置は、図１に示すように、ガラスで構成されたリアプレートに対応する第一基板１２と、やはりガラスで構成されたフェースプレートに対応する第二基板１３とを有する。第一基板１２上には、複数（１０８０行×５７６０列）の表面伝導型電子放出素子３２が、Ｘ方向配線３３及びＹ方向配線３４と電気的に接続され、単純マトリクス配線されている。Ｘ方向配線３３上にはＮＥＧ３９としてＴｉ膜がＤＣスパッタ法により１μｍの厚さで形成されている。第二基板１３には、画像形成部材である蛍光膜３６上に、Ａｌ薄膜からなるメタルバックと称されるアノード３７がＥＢ蒸着法により０．１μｍの厚さで形成され、蒸発型ゲッター３８としてＴｉ膜がＥＢ蒸着法により３０ｎｍの厚さで形成されている。
【００４０】
［実施例１］
本実施例では、支持枠２２を有する第一基板１２上の全面（支持枠２２よりも内側と外側）にＮＥＧ３９を形成する。
【００４１】
まず、第一基板１２と支持枠２２とを接合する。第一基板１２を構成するガラスと同じガラス材料からなる支持枠２２には、低融点金属のＳｎを主成分とする合金材料からなる接合封止用の接合部材２４がディスペンス法により予め幅４ｍｍ、厚さ０．３ｍｍで塗布されている。
【００４２】
次に、図２の画像表示装置の製造装置に投入する前に、図４に示すようなＳＵＳ製の真空ベーク用キャリア４０に、第一基板１２を設置する。第一基板１２は、約８００ｍｍ×１３００ｍｍ×１．１ｍｍ厚のサイズでロボット等を用いて所定位置に精度良く設置する。また、第一基板１２は、複数の押し上げピン４４上に置かれ、真空ベーク用キャリア４０との熱伝導を少なくする状態で支持される。押し上げピン４４は、キャリア台４３にスライド可能な状態で設置されている。
【００４３】
真空ベーク用キャリア４０には、ＮＥＧ３９を介して第一基板１２と対向する位置に対向板４１が予め配置されている。対向板４１は、金属に比べて熱変形が比較的少ない、即ち線膨張係数の小さい材料であるガラス材料が用いられ、真空ベーク中に放出ガスが少なくなるように、第一基板１２と対向する面にＰｔがスパッタ法により５ｎｍの厚さで予めコーティングされている。押し上げピン４４の標準スライド位置は、第一基板１２と対向板４１の距離が５０ｍｍとなる位置である。
【００４４】
真空ベーク用キャリア４０の外周部、即ち第一基板１２の四辺には、スカート４２が外周に沿う形で設置されている。つまり、支持枠２２よりも外側に形成されたＮＥＧ３９と対向板４１の間にスカート４２が配置されている。スカート４２は、第一基板１２と対向板４１との間のギャップ空間と、ギャップ空間の外部とのコンダクタンスを絞る目的で設置される。図４（ｂ）に示すように、第一基板１２とスカート４２のギャップ間距離ｄが小さいほど、また、スカート４２のハリ部の長さＬが長いほど、ギャップ空間とギャップ空間の外部とのコンダクタンスを絞る効果は大きい。本実施例では、スカート４２のハリ部の長さＬは約２０ｍｍ、押し上げピン４４が標準スライド位置にある場合のギャップ間距離ｄは約３５ｍｍである。
【００４５】
＜ステップＳ１：投入工程＞
第一基板１２が設置された状態で真空ベーク用キャリア４０を、図２の画像表示装置の製造装置のロードロック室（Ｌ１Ｒ）に投入する。投入後、真空引きを開始し、１０-5Ｐａ台の真空度に到達した後に、中間ゲートを開けてインラインベーク室（Ｈ２１Ｒ〜Ｈ３３Ｒ）に真空ベーク用キャリア４０を搬送する。インラインベーク室（Ｈ２１Ｒ〜Ｈ３３Ｒ）は、直線に並んだ真空ベークチャンバーであり、６分割された各ゾーンはそれぞれ異なる所定温度で保持されている。インラインベーク室（Ｈ２１Ｒ〜Ｈ３３Ｒ）の加熱機構は、ＩＲランプヒーターと金属製のリフレクタからなり放出ガスの少ない構成である。最初に搬送された昇温ゾーン（Ｈ２１Ｒ）は、１５０℃の温度に定温加熱されたゾーンであり、３０分間滞在する間に第一基板１２は１５０℃まで加熱される（図３）。次に、昇温ゾーン（Ｈ２２Ｒ）に真空ベーク用キャリア４０が搬送される。２番目に搬送された昇温ゾーン（Ｈ２２Ｒ）は、２８０℃の温度に定温加熱されたゾーンであり、３０分間滞在する間に第一基板１２は２８０℃まで加熱される（図３）。
【００４６】
＜ステップＳ２：近接工程＞
次に、真空ベーク用キャリア４０は定温加熱ゾーン（Ｈ２３Ｒ）に搬送される。搬送された直後、真空ベーク用キャリア４０の押し上げピン４４は、製造装置に設置されたリニアモーターにより押し上げられる（図４）。押し上げピン４４がスライドすることにより、第一基板１２は対向板４１やスカート４２に近づけられ、第一基板１２とスカート４２のギャップ間距離ｄが４ｍｍとなる位置まで第一基板１２を移動させる。この移動は、定温加熱ゾーン（Ｈ２３Ｒ）への搬送直後から１分程度で完了する。
【００４７】
＜ステップＳ３：加熱工程＞
定温ゾーン（Ｈ２３Ｒ）搬入後から１０分後には第一基板１２は、４００℃まで加熱され、８０分間滞在する間に４１０℃以上にまで上昇する（図３）。第一基板１２上に形成されたＮＥＧ３９は、第一基板１２が約３００℃に加熱された時からゲッター活性化が始まり、ガスの吸着を開始し、約１時間後にはゲッター活性化は完了する。
【００４８】
ここで、ゲッター活性化が完了した状態でのインラインベーク室（Ｈ２１Ｒ〜Ｈ３３Ｒ）内部の真空度の分布について説明する。ワークを４００℃以上に加熱する真空チャンバー内は、大型のクライオポンプ等で排気しても１０-5Ｐａ台までしか真空引きできない。また、その場合のガスは、殆どが水成分となる。ＮＥＧ３９にとって、ゲッター活性化後に性能劣化する主因となるのが吸着する水成分で、１０-5Ｐａの水分圧環境下に１時間以上の長時間晒される場合の影響は大きい。
【００４９】
図７に、膜厚１μｍのＴｉ膜からなるＮＥＧ材料の水に対する吸着性能を示す。横軸にガス吸着量、縦軸に吸着速度をプロットしたグラフであり、理想的な高真空状態にてゲッター活性化されたＮＥＧ材料の場合、左上の吸着速度が最大となる初期速度性能を備える。その後、ガス（水）を吸着するに従い、吸着量に応じて水に対する吸着速度が低下する。即ち、ＮＥＧ材料の性能が劣化することを表している。１×１０-5Ｐａの水分圧環境下にて１時間放置されたＮＥＧ３９は、図７に示すように吸着速度＝２０ｍ3／ｍ2／ｓまで劣化することが判っている。また、１×１０-6Ｐａ以下の水分圧環境下なら、ガス吸着量が１桁以上小さくなるため、殆ど劣化しないことも判った。よって、ＮＥＧ３９の活性化後には、真空度、特に水分圧が１×１０-6Ｐａ以下となる真空環境下にてＮＥＧ３９を処理する必要がある。
【００５０】
図４（ｂ）において、Ｌ＝２０ｍｍとし、ｄ＝４ｍｍとなる位置まで押し上げピン４４を押し上げた状態で、真空ベーク後の各部材の放出ガスとＮＥＧ３９の吸着性能を用いて、シミュレーションによりギャップ空間の真空度分布を計算した。その結果、真空チャンバー（Ｈ２３Ｒ）の内部（ギャップ空間の外部）が１０-5Ｐａであっても、ギャップ空間の殆どのエリアで１０-7Ｐａ台の高真空が維持されることとなり、ＮＥＧ３９の活性化後の性能劣化が無視できるほど小さいことが予想される。
【００５１】
＜ステップＳ４：冷却工程＞
次に、押し上げピン４４によりギャップ間距離ｄが４ｍｍとなる状態にて、真空ベーク用キャリア４０を降温ゾーン（Ｈ３１Ｒ〜Ｈ３３Ｒ）に搬送する。降温ゾーン３ヶ所に、数十分ずつ滞在させ、第一基板１２を１２０℃以下の温度まで冷却する。最後の降温ゾーン（Ｈ３３Ｒ）を出る直前に、押し上げピン４４を押し下げて、標準スライド位置まで第一基板１２を降下させる。その後、真空ベーク用キャリア４０は、搬送室（ＴＲＶ４）内を搬送され、クラスタ室（Ｔ６）への入り口まで移動する。クラスタ室（Ｔ６）内に設置された真空ロボットにより、第一基板１２は真空ベーク用キャリア４０から切り離され、単独にて封着室（Ｓ８）に搬送される。押し上げピン４４を押し下げてから、封着室（Ｓ８）に搬入されるまでの所要時間は約１５分で、真空度、特に水分圧も１０-6Ｐａ未満であるため、この間のＮＥＧ３９の性能劣化は、無視できるほど小さい。
【００５２】
第二基板１３は、第一基板１２の真空ベーク処理と並行して、もう一つのインラインベーク室（Ｈ２１Ｆ〜Ｈ３３Ｆ）にて真空ベークされる。第一基板１２用と同様の構造で、基板サイズが小さい第二基板１３に合わせてサイズ修正された真空ベーク用キャリア４０に予め第二基板１３を設置する。図２の左下のもう一つのロードロック室（Ｌ１Ｆ）から真空ベーク用キャリア４０ごと第二基板１３を製造装置に投入し、真空引きを行う。次に、昇温ゾーン（Ｈ２１Ｆ、Ｈ２２Ｆ、Ｈ２３Ｆ）にてステップ式に昇温され、定温加熱ゾーン（Ｈ３１Ｆ）では４５０℃まで加熱され、降温ゾーン（Ｈ３１Ｆ、Ｈ３２Ｆ）では１２０℃以下まで冷却される。また、真空ベーク中は、第一基板１２の場合より高温であるため、第一基板１２の２倍以上真空度が悪いが、ＮＥＧ性能劣化の問題がないため最終的な画像表示装置の寿命性能には、全く影響しない。
【００５３】
第二基板１３は、第一基板１２と同様に、搬送室（ＴＲＶ４）、クラスタ室（Ｔ６）に順次、搬送された後、ゲッター室（Ｅ７）に送られる。ゲッター室（Ｅ７）では、ＥＢ蒸着法により第二基板１３の内面上のアノード３７表面に蒸発型ゲッター３８としてＴｉ膜が膜厚３０ｎｍ程度に蒸着された後、第二基板１３は単独で封着室（Ｓ８）に搬送される。
【００５４】
封着室（Ｓ８）に搬送された第一及び第二基板１２，１３は、互いに対向させて配置される。封着室では、第一及び第二基板１２，１３を、封着事前温度の１２０℃となるよう再加熱し全体の温度分布が小さくなるまで３０分間、再加熱される。その後、両側から圧力を加えながら、支持枠２２近傍のみ局所加熱して、金属シール材料を溶融させて接合封止を行う。局所加熱は、対向するコーナー間（右下と左上）に数十Ａの電流を間欠的に流す方法で行う。別の対向するコーナー（右上と左下）に流路を切り替えて、交互に流す方法で、温度分布を小さくする。
【００５５】
接合封止され気密容器となった外囲器１１は、封着室（Ｓ８）からクラスタ室（Ｔ６）、搬送室（ＴＲＶ４）を経由してアンロード室（ＵＬ５）に搬送される。アンロード室が大気圧にまでベントされた後、外囲器１１は装置外に搬出され、真空ベーク工程・接合封止工程が完了する。
【００５６】
以上のように本実施例で製造された画像表示装置１０では、ＮＥＧ３９が理想的な高真空環境下にてゲッター活性化されたのと同様の高い初期性能を備え、接合封止後のゲッター性能を高く維持できるため、外囲器１１内部を高真空に長時間維持することができる。このため、画質寿命の長い画像表示装置１０を提供することができる。更に、ＮＥＧ３９が高い初期性能を備えることで、予めＮＥＧ３９の膜厚を薄く設定することが可能となり、厚膜のプロセス・コストを削減する等の設計自由度が向上する。
【００５７】
特許文献１の技術ではリアプレートとフェースプレートを対向させて同時に真空ベーク処理を行っていたが、上記のように第一基板１２と第二基板１３を別々に真空ベーク処理することで、二つの効果が得られる。
【００５８】
一つ目の効果は、真空度の改善である。画像表示装置を製造する場合の第二基板１３は、ガラスフリット等を分散させた蛍光体材料を印刷マスクにて印刷した後に焼成して蛍光膜３６をパターン形成している。蛍光膜３６は、焼成後にも溶媒等の残存成分が少なくなく、真空ベーク時に多量のガスを放出する。１時間後の４５０℃真空ベーク後の比較で、第二基板１３が対向板４１より１桁以上放出ガスレートが大きいという測定結果が得られた。第一基板１２の真空ベーク処理時に放出ガスが少ない対向板４１を用いることで、１０-6Ｐａ未満という高いギャップ空間の真空度（水分圧）が得られる。
【００５９】
もう一つの効果は、真空ベーク処理温度を第一基板１２と第に基板１３とで異なる温度に設定できることによる効果である。第二基板１３を４５０℃、第一基板１２を４１０℃に設定したことで、８０分程度の定温加熱時間で脱ガス処理が完了できた。同じ温度で第一及び第二基板１２，１３の両者を真空ベークした場合、第一基板１２の加熱に対する制約から４１０℃程度までしか加熱温度を上げにくいことになる。放出ガスが元々多い、画像表示装置の製造に用いる第二基板１３を同程度まで脱ガス処理する場合、５倍以上の処理時間が必要となるため、定温加熱時間を４００分以上とする必要を生じる。このため、昇温から降温までの全ベーク処理プロセス時間が２倍以上かかることになり、処理タクトが半減する。第一基板１２と第二基板１３を別々に真空ベーク処理することは、製造コストの面からも効果が大きい。
【００６０】
本実施例では、定温加熱に設定された各ゾーンに真空ベーク用キャリア４０を順次投入・搬出して次のゾーンに搬送している。しかし、図３に示した加熱時間に応じて加熱処理するために、処理時間に応じた大きさ（長さ）に加熱チャンバーを変え、一定速度で搬送しながら加熱処理しても良い。
【００６１】
［実施例２］
実施例１では、第一基板１２の内面側の全面にＮＥＧ３９を形成していたが、本実施例では、支持枠２２を有する第一基板１２の内面側の支持枠２２よりも内側と外側で異なる状態のＮＥＧ材を付設する。つまり、図８に示すように、外囲器１１の内部となる、支持枠２２よりも内側の領域には非蒸発型第一ゲッターとしてＮＥＧ３９を形成する。外囲器１１の外部となる、支持枠２２よりも外側の領域には、非蒸発型第二ゲッターとして、非蒸発型第一ゲッターより厚く吸着性能が高いＮＥＧ４５を付設してある。
【００６２】
図８に本実施例での真空ベーク用キャリア４０に第一基板１２をセットした際の真空ベーク用キャリア４０周辺部の断面構造概略図を示す。真空ベーク用キャリア４０には、ＮＥＧ３９の付設面と対向する位置に対向板４１が予め配置され、ＮＥＧ４５と対向板４１の間にスカート４２が配置されている。ＮＥＧ４５としては、合金ＮＥＧ材料粉末を焼結して板状に成形したものや、ガラス母材表面にＮＥＧ材料をコーティングしたものを用いることができる。これらは、高い吸着性能で、しかも廉価であり、クリップ等を用いて容易に取り外し可能に付設することができる。ＮＥＧ４５の単位面積あたりの吸着性能は、ＮＥＧ３９より容易に高くすることができ、これによって支持枠２２よりも内側の領域へのガスの侵入を抑制しやすくなる。また、ＮＥＧ４５を取り外し可能に付設しておくと、接合封止して外囲器１１を形成後、ＮＥＧ材４５を外囲器１１から取り外すことで、リアプレート２１の四４辺に形成される引出し配線パターンへを露出させて、その後の接続作業を容易にすることができる。これ以外の工程は実施例１と同様である。
【００６３】
［実施例３］
本実施例では、支持枠２２を第一基板１２に予め接合するのでなく、支持枠２２を第二基板１３に予め接合した構成とし、第一基板１２の内面全面にＮＥＧ３９を形成する。この構成の場合、第一基板１２は接合部材２４を上面に備えた支持枠２２を有しないため、第一基板１２と対向板４１は実施例１よりも更に近づけることが可能となる（図９）。
【００６４】
真空ベーク用キャリア４０には、ＮＥＧ３９を介して第一基板１２と対向する位置に対向板４１が予め配置され、図４で説明したスカート４２は不要で、第一基板１２と対向板４１を４ｍｍ以下の距離まで近づけることができる。第一基板１２と対向板４１との距離が１８．８ｍｍの場合と、第一基板１２を押し上げて４ｍｍにまで近接させた場合との、それぞれのギャップ空間の真空度分布をシミュレーションにより計算した。その結果、ギャップ間距離が１８．８ｍｍの場合にはギャップ空間の半分以上のエリアで１０-6Ｐａより悪い真空度となり、ギャップ間距離が４ｍｍの場合にはギャップ空間の殆どのエリアで１０-6Ｐａ未満の高い真空度分布となることが判った。即ち、対向板４１と第一基板１２の距離を４ｍｍにまで近づければ、真空ベーク処理時のギャップ空間の真空度は、全面にわたって１０-6Ｐａ未満とすることが可能となる。これ以外の工程は実施例１と同様である。
【符号の説明】
【００６５】
１２：第一基板（リアプレート）、１３：第二基板（フェースプレート）、２２：支持枠、３２：電子放出素子、３６：蛍光膜（画像形成部材）、３７：アノード（メタルバック）、３９：ＮＥＧ〔非蒸発型（第一）ゲッター〕、４１：対向板、４２：スカート、４５：ＮＥＧ（非蒸発型第二ゲッター）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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