(57)【要約】      （修正有）【課題】マイクロストリップラインを含みかつ良好な高周波特性を有する信号配線を備えた基板を提供する。【解決手段】基板１０ａは、絶縁性基材２０ａと、該絶縁性基板を挟むよう配置された導電層３０ａと、高速信号配線１００ａ，２００ａを備える。高速信号配線は、マイクロストリップライン１１０ａ，２１０ａと、導電性パッド１２０ａ，２２０ａと、中継ライン１３０ａ，２３０ａから構成される。特に、中継ラインは、マイクロストリップラインよりも特性インピーダンスが高くなるよう、該マイクロストリップラインの線幅よりも細い線幅を有する。【選択図】図３
2012151365.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、該第１面に対向する第２面を有する絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の前記第２面上に設けられた導電層と、
前記絶縁性基材の前記第１面上に設けられるとともに所定の線幅を有する第１マイクロストリップラインと、
電子部品の端子と電気的に接続される第１導電性パッドであって、前記絶縁性基材の前記第１面上に設けられ、かつ、前記第1マイクロストリップラインよりも低い特性インピーダンスを有する第１導電性パッドと、
前記第１マイクロストリップラインの前記一端と前記導電性パッドを電気的に接続するよう前記第１マイクロストリップラインの前記一端と前記第１導電性パッドとの間に設けられた中継ラインであって、前記第１マイクロストリップラインの線幅よりも細い線幅を有する第１中継ラインと、を備えた基板。
【請求項２】
前記導電層は、前記絶縁性基材の前記第２面のうち、前記絶縁性基材を介して前記第１マイクロストリップラインと対向する部分を含む一方、前記第１導電性パッドと対向する部分を含まない所定領域に配置されていることを特徴とする請求項１記載の基板。
【請求項３】
前記絶縁性基材の前記第１面上に設けられるとともに所定の線幅を有する第２マイクロストリップラインであって、前記第１マイクロストリップラインとともに差動マイクロストリップラインを構成する第２マイクロストリップラインと、
前記絶縁性基材の前記第１面上に形成された第２導電性パッドであって、前記第1及び第２導電性パッドの差動インピーダンスが前記第1及び第２マイクロストリップラインの差動インピーダンスよりも低くなっている第２導電性パッドと、
前記第２マイクロストリップラインの前記一端と前記第２導電性パッドを電気的に接続するよう前記第２マイクロストリップラインの前記一端と前記第２導電性パッドとの間に設けられた第２中継ラインであって、前記第２マイクロストリップラインの線幅よりも細い線幅を有する第２中継ラインと、を更に備えたことを特徴とする請求項１記載の基板。
【請求項４】
前記導電層は、前記絶縁性基材の前記第２面のうち、前記絶縁性基材を介して前記第１及び第２マイクロストリップラインの双方と対向する部分を含む一方、前記第１及び第２導電性パッドの双方と対向する部分を含まない所定領域に配置されていることを特徴とする請求項３記載の基板。
【請求項５】
請求項１又は２記載の基板と、
前記基板の前記第1導電性パッドと電気的に接続された少なくとも１つの端子を有する回路要素と、を備えた電子部品。
【請求項６】
前記回路要素は、前記基板の少なくとも一部を収納するハウジングと、前記基板の前記第1導電性パッドと前記端子とを電気的に接続した状態で保持する構造を有するコネクタを含むことを特徴とする請求項５記載の電子部品。
【請求項７】
前記基板の前記第1導電性パッドと前記回路要素の前記端子は、直接接触又は半田付けにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項５記載の電子部品。
【請求項８】
前記第１マイクロストリップラインから前記回路要素の前記端子に至る電気経路長は、当該電気経路を伝搬する信号に含まれる最大周波数の、実効誘電率における波長の１／４未満であることを特徴とする請求項５記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス、信号配線、コネクタ等の回路要素の端子への接続構造を有するとともに高速信号配線の主要部としてマイクロストリップライン又は差動マイクロストリップラインがその表面に設けられた基板、及びそれを含む電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
大規模集積回路（ＬＳＩ）等の電子デバイスの高性能化に伴い、近年、取り扱うデータ（信号）の大容量化、高速処理化が著しくなってきている一方で、低電力化等の理由から電子デバイス、信号配線、コネクタ等の回路要素の小型化も盛んに進められている。このような大量かつ高速の信号伝送を担う信号配線（signal trace）には、同一面積でより多くのデータを取り扱うための高密度化と、確実に大量データを信号波形の劣化を抑えつつ伝送するための良好な高周波特性が要求される。
【０００３】
特に、このような信号伝送経路の一部には、集積化や配線設計が容易なプリント配線基板（ＰＣＢ：Printed Circuit Board）が広く利用されており、また、より長距離に亘ってノイズの影響を受けずに確実な高速信号伝送を行うため、２本の信号配線を利用した差動信号伝送が適用されることもある。
【０００４】
図１４は、従来の配線基板の構成を示す平面図である。図１４に示されたように、ＰＣＢなどの従来の配線基板（以下、単に基板という）では、絶縁性基材の一方の面に上述のような大量かつ高速の信号伝送を担う信号配線１が配置される一方、該絶縁性基材の他方の面にグラウンドプレーン４が配置されている。信号配線１は、高速信号伝送用に設計された線幅Ｗ１のマイクロストリップライン２と、該マイクロストリップライン２と他の回路要素におけるいずれかの端子とを電気的に接続するための導電性パッド３から構成されている。導電性パッド３は、他の回路要素の端子との接触状態を安定的に維持するため、ある程度の面積が要求される。そのため、マイクロストリップライン２の一端に向かって伸びる、当該導電性パッド３の長手方向（図１４において、信号配線１の中心線ＡＸに沿った方向）に直交する幅Ｗ２（導電性パッド３の導体幅）は、マイクロストリップライン２の線幅Ｗ１よりも太くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−０８５０８８号公報
【特許文献２】特開２００２−３４３４６６号公報
【特許文献３】特開平６−９６８１４号公報
【特許文献４】実開平０３−０９５５８４号公報
【特許文献５】特開２００７−３０５５３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
発明者は、上記従来技術について検討した結果、以下のような課題を発見した。すなわち、従来の信号配線１（図１４）では、導電性パッド３のように導体幅が大きくなると、特性インピーダンスが低く、かつ、容量成分（Ｃ成分）が大きくなる。一方、マイクロストリップライン２のように導体幅が小さくなると、特性インピーダンスが高くなり、かつ、誘導成分（Ｌ成分）も大きくなる。そのため、マイクロストリップライン２の一端と導電性パッド３の接続部分ＣＯ１０が、当該信号配線１における特性インピーダンスの不連続点となる。このように信号伝送経路における不連続点の存在は、高周波特性の低下要因である反射を引き起こすことが知られている。
【０００７】
上述のように、従来、高周波を伝送するため、基板は、特性インピーダンスを制御可能なマイクロストリップラインを用いて対応していたが、端子部やコネクタとの接続において、特性インピーダンスのミスマッチに起因した高周波特性の劣化が更なる高速信号伝送の弊害になりつつあった。
【０００８】
本発明は上述のような従来技術の考察に基づいてなされたものであり、マイクロストリップラインを含みかつ良好な高周波特性を有する信号配線を、備えた基板及びそれを含む電子部品を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の課題を解決するため、本発明は、少なくともその表面に信号配線が設けられた、ＰＣＢに代表される基板に関し、絶縁性基材と、該絶縁性基材を挟む導電層及び第１高速信号配線を備える。絶縁性基材は、第１面と、該第１面に対向する第２面を有する。導電層は、絶縁性基材の第２面上に設けられ、代表的には、第１高速信号配線と対を成すグラウンドプレーンである。第１高速信号配線は、絶縁性基材の第１面上に設けられ、第１マイクロストリップラインと、別の回路要素におけるいずれかの端子と電気的に接続される第１導電性パッドと、第１中継ラインから構成されている。第１マイクロストリップラインは、所定の線幅を有する。第１導電性パッドは、第1マイクロストリップラインよりも低い特性インピーダンスを有する。第１中継ラインは、第１マイクロストリップラインの一端と導電性パッドを電気的に接続するよう第１マイクロストリップラインの一端と第１導電性パッドとの間に設けられている。第１中継ラインは、第１マイクロストリップラインの線幅よりも細い線幅を有する。
【００１０】
なお、ＬＳＩ等の電子デバイス用に用意される基板は、信号数の増加に対応するために多層構造の採用が一般的である。高速信号伝送用の信号配線としては、基板の最外層上に配置するときはマイクロストリップライン、該基板の内層に配置するときはストリップラインが適用される。高速信号の送信及び受信を行う電子デバイスは基板と半田により基板の最外層上の導体に接続される。しかしながら、基板の内層に配置されたストリップラインと最外層の導体を接続するためには、スルーホールが使用される。この場合、スルーホールも特性インピーダンスがコントロールされた伝送線路ではなく、高周波特性の劣化の原因となる。一方、送信用ＬＳＩの接続部から受信用ＬＳＩの接続部の間の基板上の配線をすべてマイクロストリップラインにすると、スルーホールによる信号劣化の原因を抑えることができる。そこで、本発明に係る基板では、高速信号配線の主要部として、マイクロストリップラインが採用されている。
【００１１】
また、本発明に係る基板は、高速差動信号伝送を可能にする構成を備えてもよい。この場合、上記第１高速信号配線と対を成す第２高速信号配線も絶縁性基材の第１面上に配置される。この第２高速信号配線は、第２マイクロストリップラインと、第２導電性パッドと、第２中継ラインから構成されている。第２マイクロストリップラインは、所定の線幅を有し、かつ、第１マイクロストリップラインとともに差動マイクロストリップラインを構成する。第１及び第２導電性パッドの差動インピーダンスは、第１及び第２マイクロストリップラインの差動インピーダンスよりも低くなっている。第２中継ラインは、第２マイクロストリップラインの一端と第２導電性パッドを電気的に接続するよう第２マイクロストリップラインの一端と第２導電性パッドとの間に設けられている。第２中継ラインは、第２マイクロストリップラインの線幅よりも細い線幅を有する。
【００１２】
上述のように、第１及び第２導電性パッドの導体幅は、それぞれ、第１及び第２マイクロストリップラインの線幅よりも太く設定されている。上述のように導体幅が広いと特性インピーダンスは低下するがＣ成分が大きくなる。一方、導体幅を細くすると特性インピーダンスは高くなりＬ成分も大きくなる。本発明に係る基板では、特性インピーダンスの低い導電性パッドと特性インピーダンスの高いマイクロクロストリップラインとの間に、マイクロストリップラインよりも高い特性インピーダンスを有する中継ラインを配置することにより、マイクロストリップラインに接続される前に、導電性パッド部分の低いインピーダンスを中継ライン部分の高いインピーダンスで補償することができる。
【００１３】
本発明に係る基板において、絶縁性基材の第２面上に設けられた導電層は、該絶縁性基材の第２面のうち、第１面上に設けられたマイクロストリップラインと対向する部分を含む一方、第１面上に設けられた導電性パッドと対向する部分を含まない所定領域に配置されてもよい。このように、第２面上に設けられた導電層のうち、絶縁性基材を介して導電性パッドの直下に位置する部分を除去しておくことにより、第１面上に設けられた高速信号配線の高周波特性を更に改善することが可能になる。
【００１４】
上述のように絶縁性基材を介して導電性パッドの直下に位置する導電層の一部を除去することは、該導電性パッドの特性インピーダンスを高くすることができるので有効である。一方で、除去された導電層の一部の他に、更に別の絶縁性基材を介して別の導電層が存在する場合（多層構造基板）、該別の導電層と導電性パッドとのＣ結合の影響により所望の値まで当該導電性パッドの特性インピーダンスを高くすることができない場合がある。その場合でも、マイクロストリップラインと導電性パッドとの間に高い特性インピーダンスを有する中継ラインを配置することが有効である。また、従来の高速信号配線に対して、絶縁性基材を介して導電性パッド直下に位置する導電層の一部を完全に除去してしまうと、高速信号配線間のクロストークや電磁障害（ＥＭＩ）の問題が起こることがある。しかしながら、導電性パッドと対向している導電層の一部を完全になくすことは望ましくない場合などでも、中継ラインの追加のみで特性インピーダンスを調整又は補償しきれる場合もあり得る。
【００１５】
なお、当該基板は、上述のように複数の絶縁性基材と複数の導電層とを交互に積層した多層構造が採用されてもよい。特に、多層構造の基板では、内層の導電層が絶縁性基材の面よりも小さい面積を有する場合、該小さい面積を有する導電層を挟む絶縁性基材同士が一体化された構造となる。ただし、本明細書では、１層の導電層を挟む絶縁性基材は、それぞれ別部材として規定するものとする。
【００１６】
上述のような構造を有する本発明に係る基板は、電子デバイス、信号配線、コネクタ等の回路要素を含む電子部品への適用が可能である。すなわち、本発明に係る電子部品は、上述のような構造を有する基板（本発明に係る基板）と、回路要素を備え、該回路要素は、基板の高速信号配線の一部を構成する導電性パッドと電気的に接続された少なくとも１つの端子を有する。
【００１７】
本発明に係る電子部品では、導体幅の大きな導電性パッドの他、コネクタ等の別の回路要素でもその特性インピーダンスが所望の値よりも低下している場合があり得る。このような場合でも、高速信号配線に一部として中継ラインが追加されることにより、信号伝送経路全体の特性インピーダンスを調整することが可能になる。
【００１８】
なお、回路要素としてのコネクタは、基板の少なくとも一部を収納するハウジングと、該基板の導電性パッドに電気的に接続される端子と、基板を保持する構造を有する。また、導電性パッドと他の回路要素の端子は、直接接触又は半田付けにより電気的に接続される。
【００１９】
さらに、本発明に係る電子部品において、マイクロストリップラインから他の回路要素の端子に至る電気経路長は、当該電気経路を伝搬する信号に含まれる最大周波数の、実効誘電率における波長の１／４未満であるのが好ましい。このように、マイクロストリップライン以外の中継ライン、導電性パッド、他の回路要素の端子は、特性インピーダンスの不連続を構成している。この不連続部分の長さに相当する電気経路長が伝送信号に含まれる最大周波数の実効誘電率における波長の１／４未満であれば、高速信号線路における電磁波の共振を効果的に抑制され得る。そのため、コネクタ等の他の回路要素の経路長が短ければ、高い周波数までこの効果を発揮することが可能になる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、特性インピーダンスの低い導電性パッドと特性インピーダンスの高いマイクロクロストリップラインとの間に、マイクロストリップラインよりも高い特性インピーダンスを有する中継ラインを配置することにより、マイクロストリップラインに接続される前に、導電性パッド部の低いインピーダンスを中継ラインの高いインピーダンスで補償している。これにより、マイクロストリップラインと導電性パッドと間の接続部分（インピーダンス不連続点）で発生する信号反射を効果的に低減することが可能になる。
【００２１】
特に、基板とコネクタの接続部では特性インピーダンスが低くなる傾向がある。そのため、この部分又はその周辺回路の特性インピーダンスを高くすると、低くなった特性インピーダンスを補償をすることができる。このインピーダンス補償は、例えばＣ成分をＣとし、Ｌ成分をＬとしたときに、以下の式（１）で与えられる値が所望の特性インピーダンスに近くなるように調整するのがよい。
【数１】
2012151365.tif 000003
【００２２】
さらに、特性インピーダンスが低くなる部分の電気経路長が、伝送信号に含まれる最大周波数の実効誘電率における波長の１／４未満であれば、該インピーダンス低下部分における反射がさらに小さくなり、特性インピーダンスを一定に維持する上でより効果的である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係る基板の概略構成を説明するための斜視図である。
【図２】図１に示された基板上に設けられた高速信号配線の構成を示す平面図である。
【図３】第１実施形態に係る基板の構成を示す平面図及び側面図である。
【図４】第２実施形態に係る基板の構成を示す平面図及び側面図である。
【図５】種々の構造を有する高速信号配線について、その特性インピーダンスをシミュレートした結果を示すグラフである。
【図６】種々の構造を有する高速信号配線について、その挿入損失をシミュレートした結果を示すグラフである。
【図７】図５及び図６に示されたシミュレーション結果を得るために用意されたシミュレーションモデルの一例の構成を説明するための斜視図である（基板内部の構造を詳細に表現するために絶縁性基材は図示を省略）。
【図８】高速信号配線のうち、マイクロストリップラインを除く特性インピーダンスの不連続区間の電気経路長を説明するための斜視図である。
【図９】本発明に係る電子部品の一実施形態として、本実施形態に係る基板が適用されたカードエッジコネクタの一例を示す斜視図である。
【図１０】図９中に示されたコネクタ部分の、Ｉ−Ｉ線に沿った構造を示す断面図である。
【図１１】本発明に係る基板の他の実施形態として、本発明に係る電子部品へ適用可能な構造を示す展開図である。
【図１２】本発明に係る電子部品の他の実施形態として、図１１に示された本実施形態に係る基板が適用されたケーブルコネクタの一例を示す斜視図（一部破断図）である。
【図１３】本発明に係る電子部品の他の実施形態として、本実施形態に係る基板が適用された２ピースコネクタの一例を示す斜視図である。
【図１４】従来の配線基板の構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、この発明に係る基板及び電子部品の各実施形態を、図１〜図１３を用いて詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。また、必要に応じて従来の高速信号配線の構成を示す図１４も参照する。
【００２５】
図１は、本発明に係る基板の概略構成を説明するための斜視図である。また、図２は、図１に示された基板１０の表面上に設けられた第１高速信号配線１００（又は第２高速信号配線２００）の構成を示す平面図である。
【００２６】
図１に示されたように、本願発明に係る基板は、複数の絶縁性基材２０、４０、６０と、グラウンドプレーンとして機能する複数の導電層３０、５０が交互に積層された多層構造を有する、ＰＣＢに代表される基板である。特に、最表部に位置する絶縁性基材２０は、基板１０の上面に相当する第１面２１と、該第１面２１に対向する第２面を有する。
【００２７】
絶縁性基材２０の第１面２１上には、差動信号伝送を可能にするため、対を成す第１高速信号配線１００と第２高速信号配線２００が設けられ、第２面２２上にはグラウンドプレーン３０が設けられている。第１高速信号配線１００は、第１マイクロストリップライン１１０と、第１導電性パッド１２０と、第１マイクロストリップライン１１０と第１導電性パッド１２０を連絡する第１第１中継ライン１３０から構成されている。一方、第２高速信号配線２００は、第１マイクロストリップライン１１０と差動マイクロストリップラインを構成する第２マイクロストリップライン２１０と、第２導電性パッド２２０と、第２マイクロストリップライン２１０と第２導電性パッド２２０を連絡する第２中継ライン２３０から構成されている。さらに、絶縁性基材２０の第１面２１上には、第１及び第２導電性パッド１２０、２２０の双方を挟むように、グラウンド用の導電性パッド３００、４００が配置されている。絶縁性基材２０には、その内面上に導体部材が設けられた貫通孔３５０、４５０が設けられており,導電性パッド３００、４００のそれぞれは、貫通孔３００、４００の内面上に設けられた導体部材を介してグラウンドプレーン３０に電気的に接続されている。
【００２８】
なお、上記絶縁性基材２０、４０、６０それぞれの材料は、ガラス繊維入りエポキシ樹脂等の誘電体からなる。また、基材材料は、ガラス繊維の代わりに紙を含んでもよいし、エポキシ樹脂の代わりにフェノール樹脂やポリアミド樹脂を含んでもよい。導電層３０、５０それぞれの材料は、一般に銅が使用されるが、銅以外にも銀や金が使用されてもよい。上記高速信号配線の材料も、導電層材料と同じでよい。また、その他の材料が意図された応用例には適宜選択される。
【００２９】
さらに、積層された２枚の絶縁性基材の間には、上記１枚の導電層に代えて、絶縁性基材よりも高い誘電率を有する誘電体層と、該誘電体層を挟み、協働してコンデンサを構成する２枚の導電層で構成された層構造が配置されてもよい。このような層構造としては、例えば、スリーエム社製のEmbedded Capacitor Material（ＥＣＭ）が使用可能である。ＥＣＭは、高誘電材料を柔軟性のあるシート状に形成したものである。このような基板は、印刷回路板を作製する方法によって、作製することができる。
【００３０】
第１高速信号配線１００は、図２に示されたように、第１マイクロストリップライン１１０と、第１導電性パッド１２０と、第１中継ライン１３０から構成されている。なお、第２高速信号配線２００についても同様に構成されている。
【００３１】
第１マイクロストリップライン１１０は、高速信号伝送用にその特性インピーダンスが調整された線幅Ｗ１（中心線ＡＸに直交する方向に沿った幅）を有する。第１導電性パッド１２０の導体幅は、コネクタなどの他の回路要素との接触マージンを確保するため、第１マイクロストリップライン１１０の一端に向かって伸びた当該第１導電性パッド１２０の長手方向（図２中の第１高速信号線１００の中心線ＡＸに相当）に直交する方向の幅Ｗ２（＞Ｗ）である。第１中継ライン１３０は、第１マイクロストリップライン１１０と第２導電性パッド１２０との間に配置され、一端が第１マイクロストリップライン１１０の一端に接続される一方、他端が第１導電性パッド１２０に接続されている。また、第１中継ライン１３０は、第１マイクロストリップライン１１０の線幅Ｗ１よりも細い線幅Ｗ３（＜Ｗ１）を有する。ここで、第１マイクロストリップライン１１０、第１導電性パッド１２０、及び第１中継ライン１３０は、それぞれ異なる導体幅を有し、特性インピーダンスも異なっている。そのため、第１導電性パッド１２０と第１中継ライン１３０の接続点ＣＯ１と、第１マイクロストリップライン１１０と第１中継ライン１３０の接続点ＣＯ２は、特性インピーダンスの不連続点となっている。換言すれば、第１高速信号配線において、第１導電性パッド１２０及び第１中継ライン１３０が該第１高速信号配線における特性インピーダンスの不連続区間の一部を構成していることになる。
【００３２】
なお、図２に示された高速信号配線は、直線形状を有するが、所定曲率の曲がった部分を有する形状であってもよい。また、上述のように基板上の信号配線は、導体幅が大きくなるほどその特性インピーダンスは低下する傾向にある。したがって、本願発明は、図２に示されたように、低い特性インピーダンスを有する導電性パッドと高い特性インピーダンスを有するマイクロストリップラインとの間に、マイクロストリップラインよりも更に高い特性インピーダンスを有する中継ラインを配置することにより、導電性パッドとマイクロストリップラインとの間のインピーダンス補償を行っている。
【００３３】
図３は、第１実施形態に係る基板の構成を示す平面図及び側面図である。この第１実施形態に係る基板１０ａは、２枚の絶縁性基材と２枚の導電層が交互に積層された多層構造を有し、基板裏面に相当する面に設けられたグラウンドプレーン５０ａ（導電層）と、該グラウンドプレーン５０ａ上に設けられた絶縁性基材４０ａと、該絶縁性基材４０ａ上に設けられたグラウンドプレーン３０ａ（導電層）と、該グラウンドプレーン３０ａ上に設けられた絶縁性基材２０ａを備える。絶縁性基材２０ａの第１面２１ａ（グラウンドプレーン３０ａとの接触面に対向する面）は基板１０ａの上面に相当する。絶縁性基材２０ａの第１面２１ａ上には、差動信号伝送を担う２本の高速信号配線（第１高速信号配線１００ａ、第２高速信号配線２００ａ）が形成されるとともに、グラウンド用の導電性パッド３００ａ、４００ａも形成されている。
【００３４】
ここで、第１高速信号配線１００ａは、高速信号伝送用に設計された第１マイクロストリップライン１１０ａと、第１導電性パッド１２０ａと、第１マイクロストリップライン１１０ａと第１導電性パッド１２０ａとの間に配置された第１中継ライン１３０ａから構成されている。第２高速信号配線２００ａは、高速信号伝送用に設計された第２マイクロストリップライン２１０ａと、第２導電性パッド２２０ａと、第２マイクロストリップライン２１０ａと第２導電性パッド２２０ａとの間に配置された第２中継ライン２３０ａから構成されている。第１面２１ａにおいて、グラウンド用の導電性パッド３００ａが形成された領域内には、グラウンドプレーン３０ａを介してグラウンドプレーン５０ａにまで到達する貫通孔３５０ａが形成されており、該貫通孔３５０ａの内面に設けられた導体部材を介して、グラウンド用の導電性パッド３００ａがグラウンドプレーン３０ａ、５０ａの双方に電気的に接続されている。同様に、第２面２１ａにおいて、グラウンド用の導電性パッド４００ａが形成された領域内には、グラウンドプレーン３０ａを介してグラウンドプレーン５０ａにまで到達する貫通孔４５０ａが形成されており、該貫通孔４５０ａの内面に設けられた導体部材を介して、グラウンド用の導電性パッド４００ａもグラウンドプレーン３０ａ、５０ａの双方に電気的に接続されている。
【００３５】
図４は、第２実施形態に係る基板の構成を示す平面図及び側面図である。この第２実施形態に係る基板１０ｂも、第１実施形態に係る基板１０ａと同様に、２枚の絶縁性基材と２枚の導電層が交互に積層された多層構造を有し、基板裏面に相当する面に設けられたグラウンドプレーン５０ｂ（導電層）と、該グラウンドプレーン５０ｂ上に設けられた絶縁性基材４０ｂと、該絶縁性基材４０ｂ上に設けられたグラウンドプレーン３０ｂ（導電層）と、該グラウンドプレーン３０ｂ上に設けられた絶縁性基材２０ｂを備える。絶縁性基材２０ｂの第１面２１ｂ（グラウンドプレーン３０ｂとの接触面に対向する面）は基板１０ｂの上面に相当する。絶縁性基材２０ｂの第１面２１ｂ上には、差動信号伝送を担う２本の高速信号配線（第１高速信号配線１００ｂ、第２高速信号配線２００ｂ）が形成されるとともに、グラウンド用の導電性パッド３００ｂ、４００ｂも形成されている。ただし、この第２実施形態に係る基板１０ｂでは、絶縁性基材２０ｂと絶縁性基材４０ｂとに挟まれたグラウンドプレーン３０ｂの一部が除去されている。
【００３６】
第１高速信号配線１００ｂは、高速信号伝送用に設計された第１マイクロストリップライン１１０ｂと、第１導電性パッド１２０ｂと、第１マイクロストリップライン１１０ｂと第１導電性パッド１２０ｂとの間に配置された第１中継ライン１３０ｂから構成されている。第２高速信号配線２００ｂは、高速信号伝送用に設計された第２マイクロストリップライン２１０ｂと、第２導電性パッド２２０ｂと、第２マイクロストリップライン２１０ｂと第２導電性パッド２２０ｂとの間に配置された第２中継ライン２３０ｂから構成されている。第１面２１ｂにおいて、グラウンド用の導電性パッド３００ｂが形成された領域内には、グラウンドプレーン３０ｂを介してグラウンドプレーン５０ｂにまで到達する貫通孔３５０ｂが形成されており、該貫通孔３５０ｂの内面に設けられた導体部材を介して、グラウンド用の導電性パッド３００ｂがグラウンドプレーン３０ｂ、５０ｂの双方に電気的に接続されている。同様に、第２面２１ｂにおいて、グラウンド用の導電性パッド４００ｂが形成された領域内には、グラウンドプレーン３０ｂを介してグラウンドプレーン５０ｂにまで到達する貫通孔４５０ｂが形成されており、該貫通孔４５０ｂの内面に設けられた導体部材を介して、グラウンド用の導電性パッド４００ｂもグラウンドプレーン３０ｂ、５０ｂの双方に電気的に接続されている。
【００３７】
上述のように構成された第２実施形態に係る基板１０ｂでは、グラウンドプレーン３０ｂの一部、すなわち、絶縁性基材２０ｂを介して導電性パッド１２０ｂ、２２０ｂ、３００ｂ、４００ｂの直下に位置する部分が除去されている。特に高速信号配線１００ｂ、２００ｂに関して、このように絶縁性基材２０ｂを介して第１及び第２導電性パッド１２０ｂ、２２０ｂの直下に位置するグラウンドプレーン３０ｂの一部を除去することは、該第１及び第２導電性パッド１２０ｂ、２２０ｂそれぞれの特性インピーダンスを高くすることができるので有効である。ただし、図４に示された例では、除去されたグラウンドプレーン３０ｂの一部の他に、更に別の絶縁性基材４０ｂを介して別のグラウンドプレーン５０ｂが存在する。この場合、グラウンドプレーン５０ｂと第１及び第２導電性パッド１２０ｂ、２２０ｂとのＣ結合の影響により所望の値まで当該第１及び第２導電性パッド１２０ｂ、２２０ｂそれぞれの特性インピーダンスを高くすることができない場合がある。その場合でも、第１マイクロストリップライン１１０ｂと第１導電性パッド１２０ｂとの間、第２マイクロストリップライン２１０ｂと第２導電性パッド２２０ｂとの間それぞれに、高い特性インピーダンスを有する第１及び第２中継ライン１３０ｂ、２３０ｂが配置されることで、当該第１及び第２高速信号配線１００ｂ、２００ｂそれぞれの特性インピーダンス調整又は補償が可能になる。
【００３８】
なお、図４に示された第２実施形態に係る基板１０ｂは、上述のようにグラウンドプレーン３０ｂの一部が除去されることにより、絶縁性基材２０ｂと絶縁性基材４０ｂが一体化された構造となる。ただし、本明細書では、１枚のグラウンドプレーン３０ｂを挟む絶縁性基材２０ｂ、４０ｂは、それぞれ別部材として取り扱うものとする。
【００３９】
ここで、大量かつ高速の信号伝送を担う信号配線は高密度化と良好な高周波特性が要求されるのは上述のとおりである。基板などに設けられた信号配線の高密度化は、線自体の細幅化と他の回路要素（電子デバイス、コネクタ等）の端子間隔を狭小化により実現される。一方、信号配線の良好な高周波特性を実現するためには、該信号配線における反射、挿入損失、クロストークの低減が重要となってくる。
【００４０】
上記基板では、信号配線における反射の低減は、当該信号配線全体に亘って特性インピーダンスを一定に保つことが最も好ましい。ここで、特性インピーダンスは、信号用導体の幅、信号用導体とグラウンド用導体との距離、信号用導体とグラウンド用導体の間に位置する誘電体材料の厚み、該誘電体材料の誘電率、さらに、差動信号伝送をする場合は、２本の信号用導体間の距離も影響する。図１４に示されたように、絶縁性基材の表面に形成されたマイクロストリップラインに関しては、その特性インピーダンスの制御は容易であり、１本の信号配線とグラウンドプレーンによるシングルエンド伝送において、特性インピーダンスＺｏは以下の式（２）で決定される。
【数２】
2012151365.tif 000004
【００４１】
また、差動信号伝送用の差動マイクロストリップラインの場合、その差動インピーダンスＺｄｉｆｆは以下の式（３）で決定される。
【数３】
2012151365.tif 000005
【００４２】
信号配線における挿入損失を小さく抑えるには、反射損失、導体損失、誘電体損失を小さく抑えることが有効であるが、上述のように反射の低減も一つの手段となる。
【００４３】
信号配線間のクロストークは、容量結合（Ｃ結合）、誘導結合（Ｌ結合）により発生する。Ｃ結合は、隣接する信号配線間の距離が小さいと大きくなるため、信号配線の高密度化に伴い信号端子（例えば図１４の導電性パッド３）間の距離が小さくなるとクロストークの原因となる。ただし、信号配線の近傍にグラウンド用の導体パターンがあると、信号用導体とグラウンド用導体との容量が大きくなり、クロストークが低下する。
【００４４】
そこで発明者は、上述のような構造を有する第１及び第２実施形態に係る基板について、その特性インピーダンス及び挿入損失を、従来の基板（図１４参照）を比較対象として図７にその一例を示す差動信号伝送モデルを用いてシミュレーションした。
【００４５】
図５は、第１実施形態、第２実施形態、及び従来の各基板（いずれも差動信号伝送を行うための差動マイクロストリップラインが形成されている）について、その差動インピーダンスを反射率測定法（ＴＤＲ：Time Domain Reflectometry）によりシミュレーションした結果を示すグラフである。この図５において、縦軸はシミュレーションのために用意された差動信号伝送モデルの各差動インピーダンスを示し、横軸は時間を示す。更に、図５において、グラフＧ５１０は従来の基板（図１４参照）を含み差動信号伝送モデルの差動インピーダンスを示し、グラフＧ５２０は第１実施形態に係る基板（図３参照）を含む差動信号伝送モデルの差動インピーダンスを示し、そして、グラフＧ５３０は第２実施形態に係る基板（図４参照）を含む差動信号伝送モデルの差動インピーダンスを示す。
【００４６】
一方、図６は、第１実施形態、第２実施形態、及び従来の各基板（いずれも差動信号伝送を行うための差動マイクロストリップラインが形成されている）について、その挿入損失をシミュレートした結果を示すグラフである。この図６において、縦軸はシミュレーションのために用意された差動信号伝送モデルの各挿入損失を示し、横軸は伝送される信号周波数周を示す。更に、図６において、グラフＧ６１０は従来の基板（図１４参照）を含み差動信号伝送モデルの挿入損失を示し、グラフＧ６２０は第１実施形態に係る基板（図３参照）を含む差動信号伝送モデルの挿入損失を示し、そして、グラフＧ５３０は第２実施形態に係る基板（図４参照）を含む差動信号伝送モデルの挿入損失を示す。
【００４７】
図５及び図６のシミュレーション結果を得るため、発明者は、ＣＳＴ社  ＭＷ−ＳＴＵＤＩＯのトランジェントソルバー（Transient solver）にて３次元電磁界シミュレーションを行い、差動信号伝送のＴＤＲと挿入損失計算を行った。なお、図７に示された差動信号伝送モデル（シミュレーションモデル）は、一例として、第２実施形態に係る基板１０ｃが組み込まれたモデルである。この差動信号伝送モデルにおいて、接続側基板１０００と、接続用コネクタＣは各モデルに共通の構成要素であり、シミュレーション対象の基板のみが、取り替えられる。シミュレーション条件としては、電磁波の励起はモデルの基板端面に相当するところに設定したウェーブガイドポートにより行い、境界条件は「損失のある導体壁（Conducting wall）」とした。また、コネクタＣのハウジング材料は誘電率４に設定し、基板材料の誘電率は４．３に設定し、そして、各端子は完全導体に設定した。
【００４８】
図７に示された差動信号伝送モデルを構成する各基板及びコネクタについては、内部構造を明確に表現するため、絶縁材料部分は省略されている。この図７において、各シミュレーションに共通の接続用基板１０００には差動信号配線として、従来の差動マイクロストリップラインが形成されている。この接続用基板１０００の絶縁性基材内にはグラウンドプレーン１１００が包埋され、その裏面にはグラウンドプレーン１２００が設けられている。接続用基板１０００の上面には、第１高速信号配線２０００と、第２高速信号配線３０００が配置されている。第１高速信号配線２０００は、差動信号伝送用の第１マイクロストリップライン２１００と、それに接続された第１導電性パッド２２００から構成されている。第２高速信号配線３０００は、第１マイクロストリップライン２１００と差動信号伝送用に対を成す第２マイクロストリップライン３１００と、それに接続された第２導電性パッド３２００から構成されている。さらに、接続用基板１０００の上面には、グラウンド用の導電性パッド４０００、５０００が設けられている。これら導電性パッド４０００、５０００が形成された領域内には、グラウンドプレーン１１００を介してグラウンドプレーン１２００にまで到達する貫通孔４５００、５５００がそれぞれ形成されており、これら貫通孔４５００、５５００の内面に設けられた導体部材４５１０、５５１０を介して、導電性パッド４０００、５０００のそれぞれが、グラウンドプレーン１１００、１２００の双方に電気的に接続されている。なお、グラウンドプレーン１１００は、絶縁性基材を介して導電性パッド２２００、３２００、４０００、５０００それぞれの直下に位置する部分が除去された形状を有する。
【００４９】
なお、接続用基板１０００において、第１及び第２マイクロストリップライン２０００、３０００の差動インピーダンスは１００Ωに設定されている。また、第１及び第２導電性パッド２２００、３２００のサイズは０．２８ｍｍ×１．３ｍｍ（導体幅×パッド長）に設定されている。
【００５０】
一方、シミュレーション対象の基板１０ｃ（図７の例では第２実施形態に係る基板に相当）は、高速信号配線１００ｃ、２００ｃの構造を除き、上述の接続用基板１０００と同様の構造を有する。すなわち、基板１０ｃの絶縁性基材内にはグラウンドプレーン３０ｃが包埋され、その裏面にはグラウンドプレーン５０ｃが設けられている。基板１０ｃの上面には、第１高速信号配線１００ｃと、第２高速信号配線２００ｃが配置されている。第１高速信号配線１００ｃは、差動信号伝送用の第１マイクロストリップライン１１０ｃと、第１導電性パッド１２０ｃと、これらを接続する第１中継ライン１３０ｃから構成されている。第２高速信号配線２００ｃは、第１マイクロストリップライン１１０ｃと差動信号伝送用に対を成す第２マイクロストリップライン２１０ｃと、第２導電性パッド２２０ｃと、これらを接続する第２中継ライン２３０ｃから構成されている。さらに、基板１０ｃの上面には、グラウンド用の導電性パッド３００ｃ、４００ｃが設けられている。これら導電性パッド３００ｃ、４００ｃが形成された領域内には、グラウンドプレーン３０ｃを介してグラウンドプレーン５０ｃにまで到達する貫通孔３５０ｃ、４５０ｃがそれぞれ形成されており、これら貫通孔３５０ｃ、４５０ｃの内面に設けられた導体部材３５１ｃ、４５１ｃを介して、導電性パッド３００ｃ、４００ｃのそれぞれが、グラウンドプレーン３０ｃ、５０ｃの双方に電気的に接続されている。なお、グラウンドプレーン３０ｃは、絶縁性基材を介して導電性パッド１２０ｃ、２２０ｃ、３００ｃ、４００ｃそれぞれの直下に位置する部分が除去された形状を有する。
【００５１】
なお、基板１０ｃにおいて、第１及び第２マイクロストリップライン１００ｃ、２００ｃの差動インピーダンスは１００Ωに設定されている。また、導電性パッド３００ｃ、１２０ｃ、２２０ｃ、４００ｃ間のピッチは０．６５ｍｍに設定され、第１及び第２導電性パッド１２０ｃ、２２０ｃのサイズは０．３３ｍｍ×１．０ｍｍ（導体幅×パッド長）に設定されている。さらに、第１及び第２中継ライン１３０ｃ、２３０ｃのサイズは、１．３ｍｍ×０．１３ｍｍ（ライン長×線幅）に設定されている。
【００５２】
各シミュレーションに共通のコネクタＣは、絶縁性材料からなるハウジング内に４系統の電気経路を有する。このコネクタＣにおいて、第１電気経路はコネクタピンＣ１０により構成され、コネクタピンＣ１０は、接続用基板１０００に設けられたグラウンド用の導電性パッド５０００の領域Ｐ２１に直接接触する端子部Ｃ１１と、シミュレーション対象の基板１０ｃに設けられたグラウンド用の導電性パッド３００ｃの領域Ｐ１１に直接接触する端子部Ｃ１２を有する。第２電気経路はコネクタピンＣ２０により構成され、コネクタピンＣ２０は、接続用基板１０００に設けられた第２導電性パッド３２００の領域Ｐ２２に直接接触する端子部Ｃ２１と、基板１０ｃに設けられた第１導電性パッド１２０ｃの領域Ｐ１２に直接接触する端子部Ｃ２２を有する。第３電気経路はコネクタピンＣ３０により構成され、コネクタピンＣ３０は、接続用基板１０００に設けられた第１導電性パッド２２００の領域Ｐ２３に直接接触する端子部Ｃ３１と、基板１０ｃに設けられた第２導電性パッド２２０ｃの領域Ｐ１３に直接接触する端子部Ｃ３２を有する。第４電気経路はコネクタピンＣ４０により構成され、コネクタピンＣ４０は、接続用基板１０００に設けられた導電性パッド４０００の領域Ｐ２４に直接接触する端子部Ｃ４１と、基板１０ｃに設けられた導電性パッド４００ｃの領域Ｐ１４に直接接触する端子部Ｃ４２を有する。
【００５３】
以上の構成により、図７に示された例の差動信号伝送モデルでは、グラウンド用の導電性パッド３００ｃ、５０００がコネクタピンＣ１０を介して電気的に接続され、グラウンド用の導電性パッド４００ｃ、４０００がコネクタピンＣ４０を介して電気的に接続される。また、基板１０ｃの第１マイクロストリップライン１１０ｃは、コネクタピンＣ２０を介して接続用基板１０００の第２マイクロストリップライン３１００に電気的に接続され、基板１０ｃの第２マイクロストリップライン２１０ｃは、コネクタピンＣ３０を介して接続用基板１０００の第１マイクロストリップライン２１００に電気的に接続される。なお、接続用基板１０００における接続領域Ｐ２１〜Ｐ２４から基板１０ｃにおける接続領域Ｐ１１〜Ｐ１４までの距離は５．７ｍｍに設定されている。
【００５４】
図５から分かるように、矢印ＣＯで示された部位において、従来の基板（グラフＧ５１０）では、導電性パッドの存在により、急激に差動信号伝送における特性インピーダンスの落ち込みが発生している。一方、第１及び第２実施形態に係る基板（グラフＧ５２０、５３０）では、矢印ＣＯで示された部位において、差動信号伝送における特性インピーダンスピークが発生している。これはマイクロストリップラインと導電性パッドの間に追加された中継ラインが寄与しており、導電性パッドの存在により発生する特性インピーダンスの落ち込みが、グラフＧ５１０よりはグラフＧ５２０の方が、更には、グラフＧ５２０よりもグラフＧ５３０の方が緩和されている。以上のように、第１及び第２実施形態に係る基板では、従来の基板と比較して、目標値（差動特性インピーダンス：１００Ω）に対する変動幅を効果的に抑制していることが分かる。したがって、本発明に係る基板は、従来の基板と比較しても、高速信号配線における特性インピーダンスの安定性を向上させるために有効であることが分かる。
【００５５】
また、図６からも分かるように、従来の基板（グラフＧ６１０）の挿入損失は、８ＧＨｚを越えたあたりから急激に低下することが分かる。一方、第１実施形態に係る基板（グラフＧ６２０）では、８ＧＨｚを越える高周波域において、従来の基板よりも確実に挿入損失が改善されている。特に１０ＧＨｚを超えた周波数領域では、この改善傾向は、第２実施形態に係る基板（グラフＧ６３０）の場合に顕著になっている。
【００５６】
なお、高速信号配線において特性インピーダンスの安定性に影響を与える回路要素は、マイクロストリップラインを除いた、コネクタを含む電気経路である。図８は、図７に示されたシミュレーションモデルを例に、特性インピーダンスの不連続区間の電気経路長を説明するための斜視図である。この図８に示された例では、本願発明に係る高速信号配線１００ｄと従来の高速信号配線３０００ａがコネクタピンＣ１００を介して接続されている。特に、高速信号配線１００ｄは、マイクロストリップライン１１０ｄと、導電性パッド１２０ｄと、中継ライン１３０ｄから構成され、従来の高速信号配線３０００ａは、マイクロストリップライン３１００ａと導電性パッド３２００ａから構成されている。また、導電性パッド３０００ａがコネクタピンＣ１００の端子部Ｃ１１０と接触し、導電性パッド１２０ｄがコネクタピンＣ１００の端子部Ｃ１２０に接触することにより、マイクロストリッピライン３０００ａとマイクロストリップライン１１０ｄが電気的に接続されている。
【００５７】
図８の構成において、特性インピーダンスの不連続区間の長さ（電気経路長）は、中継ライン１３０ｄが占める区間Ｌｃ、導電性パッド１２０ｄの一部が占める区間Ｌｂ２、コンタクトピンＣ１００の占める区間Ｌａ、導電性パッド３２００ａの一部が閉める区間Ｌｂ１の合計である。このように定義される電気経路長は、該電気経路を伝搬する信号に含まれる最大周波数の、実効誘電率における波長の１／４未満であるのが好ましい。このように、特性インピーダンスの不連続部分の長さに相当する電気経路長が伝送信号に含まれる最大周波数の実効誘電率における波長の１／４未満であれば、高速信号線路における電磁波の共振を効果的に抑制され得るからである。したがって、中継ラインのライン長は、特性インピーダンスの不連続区間の長さ、すなわちこの区間の電気経路長の範囲内で設定されるのが好ましい。
【００５８】
次に、上述のような構造を有する基板（本発明に係る基板）が適用された、本願発明に係る電子部品の各実施形態について、図９〜図１３を参照しながら詳細に説明する。
【００５９】
通常、基板間の電気的接続は、コネクタなどの回路要素を介して行われることが多い。しかしながら、コネクタ自身、及び、コネクタと基板との接続部は、構造や材料が均一でないため、この部分における信号伝送経路の特性インピーダンスが変化し高周波特性が著しく低下してしまう。
【００６０】
例えばコネクタの場合、接触信頼性を維持するためのばね設計を始め、端子の樹脂ハウジングへの保持や剛性等、さまざまな機能を構造的に実現する必要がある。そのため、当該コネクタは複雑な形状となる。
【００６１】
一例として、カードエッジコネクタと基板との接続部は、カードエッジコネクタの端子と基板との位置ずれを吸収するため、該基板上の接続用パッド（図１４の導電性パッド３に相当）の幅を広く取る必要があり、したがってパッド幅は、高速信号伝送用に設計されたマイクロストリップラインよりも導体幅が広くなる場合が多い。このようにカードエッジコネクタと基板との接続部分に関しては、基板上に配置される接続用パッドは導体幅自体が広いことに加え、基板上のパッド間スペースが小さいこと、コネクタ端子が接続用パッド上に存在すること、信号用導体とグラウンド用導体の対向面積が大きいこと、差動信号伝送用途においてはグラウンド用導体との対向面積の大きさに加えて対を成す２本の信号用導体の対向面積が大きいこと、高密度化に伴い配線間や端子間距離が小さくなる傾向があること、などの理由から、上記接続部における特性インピーダンスが所望の値より低くなる。
【００６２】
上述のようにコネクタ及びその周辺回路は、基板の制御された特性インピーダンスからはずれており、信号の反射の原因となる。しかしながら、コネクタ自身の特性インピーダンスのミスマッチは、特性インピーダンスの不連続部分の長さが短いほど小さくなる。特に、種々のコネクタの中でも上記カードエッジコネクタは、２ピースコネクタなどと比較してもコネクタの電気長が短く、高周波特性がよい。そのため、基板に接続されるコネクタにはカードエッジコネクタがよく利用されている。
【００６３】
なお、信号周波数が高くなると、小さな特性インピーダンスのミスマッチも信号品質に影響するが、上述の理由から、信号品質が重要な高速信号伝送には、コネクタから電子デバイス（ＬＳＩ等）までの信号配線としてマイクロストリップラインを利用することが多いのが現状である。
【００６４】
特に近年、信号周波数が高くなり、特性インピーダンスのずれにより、カードエッジコネクタをマイクロストリップラインの基板と組み合わせて使うだけでは不十分な場合がでてきた。更に、カードエッジコネクタにおいて、当該コネクタと基板の接続部のパッド幅が広いことに起因して特性インピーダンスが低くなる部分による信号の高周波特性の劣化の影響も顕著になってきた。
【００６５】
本願発明に係る基板は、上記特許文献１〜３に記載されたカードエッジコネクタへの適用へも好適である。特に、上記特許文献１の図１１のような絶縁性ハウジングを有するコネクタ、すなわち、バネ側端子の変位を絶縁性ハウジングの形状に沿わせて行うコネクタは、接触時の端子の応力を分散することができる。一方、端子の一部を固定することによりバネを構成するコネクタで応力分散を実現しようとすると、長い端子が必要になるが、この構造では、短い端子で同じ内部応力にて同じ接触力を実現することができる。このようなカードエッジコネクタと本願発明に係る基板の組合せにより、優れた高周波特性を実現することができる。
【００６６】
図９及び図１０には、上記カードエッジコネクタのより具体的な構造が示されている。なお、図９は、本発明に係る電子部品の一実施形態として、本実施形態に係る基板が適用されたカードエッジコネクタの一例を示す斜視図である。また、図１０は、図９中に示されたコネクタ部分の、Ｉ−Ｉ線に沿った構造を示す断面図である。
【００６７】
図９及び図１０に示されたように、差動信号伝送用の２本のマイクロストリップライン５１１、５１２が設けられた基板５１０上にはカードエッジコネクタ５２０が搭載されている。また、このカードエッジコネクタ５２０は、図９中の矢印ＡＲ１に沿って基板５３０の一端（導電性パッドが形成された側の一端）が差し込まれた状態で、該基板５３０を保持する構造を備える。
【００６８】
基板５３０の表面には、本実施形態における高速信号配線（マイクロストリップライン、中継ライン、導電性パッド）と同様の構造を有する差動信号伝送用の２本の高速信号配線１００ｅ、２００ｅが配置されている。また、この基板５３０の表面にはグラウンド用の導電性パッド３００ｅ、４００ｅも配置されている。カードエッジコネクタ５２０は、絶縁性材料からなるハウジング５２１を備える。このハウジング５２１は、基板５３０の一端（導電性パッドが配置されているた側の一端）が挿入される収納空間５２２を有するとともに、該収納空間５２２に収納された基板５３０の両側に位置するよう配置された１対のコンタクトピンを備える。一方のコンタクトピンは、基板５３０が空間５２２に挿入されたときに矢印ＡＲ３１に沿って撓む端子部５２４ａを有するとともに、ハウジング５２１の外部に露出している端子部５２３ａを有する。他方のコンタクトピンは、基板５３０が空間５２２に挿入されたときに矢印ＡＲ３２に沿って撓む端子部５２４ｂを有するとともに、ハウジング５２１の外部に露出している端子部５２３ｂを有する。基板５３０は、端子部５２４ａ、５２４ｂの弾性力によりハウジング５２１内において保持される。なお、端子部５２３ｂは、基板５１０上に配置されたマイクロストリップライン５１１、５１２の一端に電気的に接続された導電性パッドに半田付けされている。
【００６９】
さらに、図１１は、本発明に係る基板の他の実施形態として、本発明に係る電子部品へ適用可能な構造を示す展開図である。この図１１に示された基板６００は、例えば図１２に示されたようなケーブルコネクタへの適用に適している。
【００７０】
すなわち、図１１に示された基板６００は、グラウンドプレーン６３０が絶縁性基材６１０、６２０により挟まれた構造を有し、その側面からはグラウンドプレーン６３０の一部が露出している。一方、他の側面（一方の信号配線用端子が設けられている側）６０１、６０２にはグラウンドプレーン６３０は露出していない。すなわち、この基板６００は、絶縁性基材を介して信号配線用端子の直下には、グラウンドプレーンが存在しない構成が採用されている。
【００７１】
基板６００の裏面６２１上には、本実施形態における高速信号配線６５１、６５２が配置されている。これら高速信号配線６５１、６５２は、信号配線用端子６６１と、該裏面６２１と上面６３１とを連絡するスルーホール端子６６２を含み、マイクロストリップラインとこれら端子間には、該マイクロストリップラインよりも高い特性インピーダンスを有する中継ラインが配置されている。同様に、基板６００の上面６３１上には、本実施形態における高速信号配線６５３、６５４が配置されている。これら高速信号配線６５３、６５４も、信号配線用端子６６３と、裏面６２１上に配置されたスルーホール端子６６４と電気的に接続された信号配線用端子６６４を含み、マイクロストリップラインとこれら端子間には、該マイクロストリップラインよりも高い特性インピーダンスを有する中継ラインが配置されている。
【００７２】
上述のような構造を有する基板６００は、例えば上記特許文献４及び５に記載されたようなケーブルコネクタ等への適用が可能である。なお、図１２は、本発明に係る電子部品の他の実施形態として、図１１に示された本実施形態に係る基板が適用されたケーブルコネクタの一例を示す斜視図（一部破断図）である。
【００７３】
図１２には、異なる形状の接続部分を有するケーブルコネクタ７１０、７２０が示されている.ケーブルコネクタ７１０は、４芯ケーブルとコネクタボディ７１１と、接続用端子７１４を内蔵するジョイント部７１２を備える。コネクタボディ７１１内には、図１１に示された基板６００と同じ構造の基板６３０ａ（絶縁性基材内にグラウンドプレーン６３０ａが包埋されている）が収納されており、その表面には両端に中継ラインが接続されたマイクロストリップライン６５０ａと、信号配線用端子６６３ａ、６６４ａが配置されている。信号配線用端子６６３ａは、それぞれ、ケーブル７１２の各導体芯に、半田６７１により電気的に接続されている。一方、信号配線端子６６４ａは、それぞれ接続用端子７１４に、半田６７２により電気的に接続されている。
【００７４】
一方、ケーブルコネクタ７２０は、多芯ケーブル７２２と、コネクタボディ７２１と、ケーブルコネクタ７１０のジョイント部７１３を位置決めした状態で収納するスリーブ部７２３を有する。コネクタボディ７２１及びスリーブ部７２３内には、図１１に示された基板６００と同じ構造の基板６３０ｂ（絶縁性基材内にグラウンドプレーン６３０ａが包埋されている）が収納されており、その表面には両端に中継ラインが接続されたマイクロストリップライン６５０ｂと、信号配線用端子６６３ｂが配置されている。ケーブルコネクタ７１０のジョイント部７１３がケーブルコネクタ７２０のスリーブ部７２３に収納されると同時に、基板６００ｂの端部（信号配線用端子６６３ｂが配置された側の端部）が、接続用端子７１４により把持されることにより、ケーブルコネクタ７１０とケーブルコネクタ７２０が接続される。
【００７５】
なお、図１２の例では、基板６００ｂを接続用端子７１４の弾性力を利用して把持しているが、この基板６００ｂの保持構造は、例えば上記特許文献４に示されたように、コンプレッションマウント構造により、電気的な接続状態を維持した状態で、基板６００ｂを保持する構造であってもよい。
【００７６】
さらに、図１３は、本発明に係る電子部品の他の実施形態として、２ピースコネクタの一例を示す斜視図である。この図１３に示された例では、基板８１０に搭載されたコネクタ８１３と、基板８２０に搭載されたコネクタ８２３とを介して、基板８１０上に配置された高速信号配線８５０と、基板８２０上に配置された高速信号配線（不図示）とが電気的に接続される。
【００７７】
基板８１０は、コネクタ８１３が搭載される上面８１１と、該上面とグラウンドプレーンを挟むように対向する裏面８１２を有する。また、基板８２０も、コネクタ８２３が搭載された上面８２２と、グラウンドプレーンを介して上面と対向する裏面８２１を有する。基板８１０の上面８１１上に搭載されるコネクタ８１３は、基板８２０の上面８２２上に搭載されたコネクタ８２３のコネクタピン８２４を、電気的に接続した状態で収納する複数の開口８１４を備え、端子８１５は基板８１０の上面８１１上に配置された高速信号配線８５０の導電性パッドに半田付けされる。
【符号の説明】
【００７８】
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、５３０、６００、６００ａ、６００ｂ、８１０、８２０…基板、２０、２０ａ、２０ｂ、４０、４０ａ、４０ｂ、６０、６２０、６３０…絶縁性基材（基材）、３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、６３０、６３０ａ、６３０ｂ…グラウンドプレーン（導電層）、１１０、１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ…第１マイクロストリップライン、２１０、２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ…第２マイクロストリップライン、６５１〜６５４、６５０ａ、６５０ｂ、８５０…マイクロストリップ線路、１２０、１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄ…第１導電性パッド、２２０、２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ、２２０ｄ…第２導電性パッド、６６１〜６６４、６６３ａ、６６３ｂ、６６４ａ…導電性パッド、１３０、１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ、１３０ｄ…第１中継ライン、２３０、２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃ…第２中継ライン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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