(57)【要約】【課題】残膜量の変動を低減したインプリント方法、半導体集積回路製造方法およびドロップレシピ作成方法を提供すること。【解決手段】被処理基板上に転写されたパターンの欠陥検査を行い、欠陥の画像データを生成する。欠陥が検出されたとき、前記生成された画像データから欠陥輪郭を抽出して、前記抽出した欠陥輪郭を前記半導体集積回路のパターンデータに反映させ、前記欠陥輪郭が反映されたパターンデータに基づいて第１ドロップレシピを生成する。そして、硬化性樹脂材料の塗布に使用しているドロップレシピを前記生成した第１ドロップレシピで更新する。【選択図】図９
2012069701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化性樹脂材料の塗布量分布を定義したドロップレシピに基づいて被処理基板に硬化性樹脂材料を順次塗布して、前記硬化性樹脂材料が塗布された被処理基板にテンプレートに作成された半導体集積回路のパターンを順次転写するインプリント方法であって、
被処理基板上に転写されたパターンの欠陥検査を行い、欠陥の画像データを生成する検査ステップと、
前記検査ステップにより欠陥が検出されたとき、前記生成された画像データから欠陥輪郭を抽出して、前記抽出した欠陥輪郭を前記半導体集積回路のパターンデータに反映させ、前記欠陥輪郭が反映されたパターンデータに基づいて第１ドロップレシピを生成する第１ドロップレシピ生成ステップと、
硬化性樹脂材料の塗布に使用しているドロップレシピを前記生成した第１ドロップレシピで更新するドロップレシピ更新ステップと、
を備えることを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記ドロップレシピ更新ステップは、
前記使用しているドロップレシピおよび前記第１ドロップレシピの夫々に基づいて被処理基板上に転写されるパターンの残膜量を夫々計算する残膜量計算ステップと、
前記残膜量計算ステップにより算出された２つの残膜量の差分が許容範囲内であるか否かに基づいて前記使用しているドロップレシピを更新するか否かを判定する再設定判定ステップと、
を備えることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記生成された画像データから欠陥輪郭を抽出して、前記抽出した欠陥輪郭を当該欠陥輪郭を含む矩形形状または矩形を組み合わせた形状に修正し、前記修正した欠陥輪郭を前記半導体集積回路のパターンデータに反映させ、前記修正された欠陥輪郭が反映されたパターンデータに基づいて第２ドロップレシピを生成する第２ドロップレシピ生成ステップをさらに備え、
前記残膜量計算ステップでは、さらに前記第２ドロップレシピに基づいて残膜量を計算し、
前記再設定判定ステップでは、前記使用しているドロップレシピにかかる残膜量と前記第１ドロップレシピにかかる残膜量との差分と、前記使用しているドロップレシピにかかる残膜量と前記第２ドロップレシピにかかる残膜量との差分とがともに許容範囲内であるか否かに基づいて前記使用しているドロップレシピを更新するか否かを判定する、
ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
硬化性樹脂材料の塗布量分布を定義したドロップレシピに基づいて被処理基板に硬化性樹脂材料を順次塗布して、前記硬化性樹脂材料が塗布された被処理基板にテンプレートに作成された半導体集積回路のパターンを順次転写するインプリント方法であって、
硬化性樹脂材料の塗布を開始する際、当該テンプレートの欠陥にかかる予め用意された画像データから欠陥輪郭を抽出して、前記抽出した欠陥輪郭を前記半導体集積回路のパターンデータに反映させ、前記欠陥輪郭が反映されたパターンデータに基づいてドロップレシピを生成するドロップレシピ生成ステップと、
前記生成したドロップレシピを硬化性樹脂材料の塗布に使用するドロップレシピに設定するドロップレシピ設定ステップと、
を備えることを特徴とするインプリント方法。
【請求項５】
硬化性樹脂材料の塗布量分布を定義したドロップレシピに基づいて被処理基板に硬化性樹脂材料を順次塗布して、前記硬化性樹脂材料が塗布された被処理基板にテンプレートに作成された半導体集積回路のパターンを順次転写して、前記半導体集積回路を製造する半導体集積回路製造方法であって、
被処理基板上に転写されたパターンの欠陥検査を行い、欠陥の画像データを生成する検査ステップと、
前記検査ステップにより欠陥が検出されたとき、前記生成された画像データから欠陥輪郭を抽出して、前記抽出した欠陥輪郭を前記半導体集積回路のパターンデータに反映させ、前記欠陥輪郭が反映されたパターンデータに基づいて第１ドロップレシピを生成する第１ドロップレシピ生成ステップと、
硬化性樹脂材料の塗布に使用しているドロップレシピを前記生成した第１ドロップレシピで更新するドロップレシピ更新ステップと、
を備えることを特徴とする半導体集積回路製造方法。
【請求項６】
前記ドロップレシピ更新ステップは、
前記使用しているドロップレシピおよび前記第１ドロップレシピの夫々に基づいて被処理基板上に転写されるパターンの残膜量を夫々計算する残膜量計算ステップと、
前記残膜量計算ステップにより算出された２つの残膜量の差分が許容範囲内であるか否かに基づいて前記使用しているドロップレシピを更新するか否かを判定する再設定判定ステップと、
を備えることを特徴とする請求項５に記載の半導体集積回路製造方法。
【請求項７】
前記生成された画像データから欠陥輪郭を抽出して、前記抽出した欠陥輪郭を当該欠陥輪郭を含む矩形形状または矩形を組み合わせた形状に修正し、前記修正した欠陥輪郭を前記半導体集積回路のパターンデータに反映させ、前記修正された欠陥輪郭が反映されたパターンデータに基づいて第２ドロップレシピを生成する第２ドロップレシピ生成ステップをさらに備え、
前記残膜量計算ステップでは、さらに前記第２ドロップレシピに基づいて残膜量を計算し、
前記再設定判定ステップでは、前記使用しているドロップレシピにかかる残膜量と前記第１ドロップレシピにかかる残膜量との差分と、前記使用しているドロップレシピにかかる残膜量と前記第２ドロップレシピにかかる残膜量との差分とがともに許容範囲内であるか否かに基づいて前記使用しているドロップレシピを更新するか否かを判定する、
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体集積回路製造方法。
【請求項８】
硬化性樹脂材料の塗布量分布を定義したドロップレシピに基づいて被処理基板に硬化性樹脂材料を順次塗布して、前記硬化性樹脂材料が塗布された被処理基板にテンプレートに作成された半導体集積回路のパターンを順次転写して、前記半導体集積回路を製造する半導体集積回路製造方法であって、
硬化性樹脂材料の塗布を開始する際、当該テンプレートの欠陥にかかる予め用意された画像データから欠陥輪郭を抽出して、前記抽出した欠陥輪郭を前記半導体集積回路のパターンデータに反映させ、前記欠陥輪郭が反映されたパターンデータに基づいてドロップレシピを生成するドロップレシピ生成ステップと、
前記生成したドロップレシピを硬化性樹脂材料の塗布に使用するドロップレシピに設定するドロップレシピ設定ステップと、
を備えることを特徴とする半導体集積回路製造方法。
【請求項９】
テンプレートの欠陥にかかる予め用意された画像データから欠陥輪郭を抽出して、前記抽出した欠陥輪郭を前記半導体集積回路の予め用意されたパターンデータに反映させ、前記欠陥輪郭が反映されたパターンデータに基づいて硬化性樹脂材料の塗布量分布を定義したドロップレシピを作成することを特徴とするドロップレシピ作成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリント方法、半導体集積回路製造方法およびドロップレシピ作成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の製造技術としてナノインプリント・リソグラフィ技術（以下、単にナノインプリンティング）が知られている。ナノインプリンティングは、半導体集積回路のパターンが形成されたテンプレートを半導体ウェハに塗布されたレジストにプレスすることによって当該テンプレートに形成されているパターンをレジストに転写する技術である。このナノインプリントによれば、テンプレートをレジストにプレスした際、テンプレートパターンの凸部分に対応するレジストパターンの溝部分にレジストの残膜が生じる。プレス工程の後に実行されるエッチング工程における加工変換差を小さくするためには、この残膜の厚さ（残膜量）のダイ中における位置的変動およびダイ間の変動を小さくすることが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２９６７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、残膜量の変動を低減したインプリント方法、半導体集積回路製造方法およびドロップレシピ作成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの実施形態によれば、被処理基板上に転写されたパターンの欠陥検査を行い、欠陥の画像データを生成する。欠陥が検出されたとき、前記生成された画像データから欠陥輪郭を抽出して、前記抽出した欠陥輪郭を前記半導体集積回路のパターンデータに反映させ、前記欠陥輪郭が反映されたパターンデータに基づいて第１ドロップレシピを生成する。そして、硬化性樹脂材料の塗布に使用しているドロップレシピを前記生成した第１ドロップレシピで更新する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、ナノインプリンティングによる転写工程を説明する図である。
【図２】図２は、テンプレートとドロップレシピとの間に齟齬が発生している例について説明する図である。
【図３】図３は、テンプレートとドロップレシピとの間に齟齬が発生している例について説明する図である。
【図４】図４は、第１の実施形態にかかるインプリントシステムの構成を示すブロック図である。
【図５】図５は、テンプレートパターンの例を示す図である。
【図６】図６は、制御装置の機能構成を説明する図である。
【図７】図７は、欠陥の輪郭形状の修正を説明する図である。
【図８】図８は、第１の実施形態の半導体集積回路製造方法を説明するフローチャートである。
【図９】図９は、第２の実施形態の半導体集積回路製造方法を説明するフローチャートである。
【図１０】図１０は、第３の実施形態の利用の概要を説明する図である。
【図１１】図１１は、第３の実施形態のドロップレシピ作成システムの構成を説明する図である。
【図１２】図１２は、制御装置の機能構成を説明する図である。
【図１３】図１３は、本発明の第３の実施形態のドロップレシピ作成方法を説明するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるインプリント方法、半導体集積回路製造方法およびドロップレシピ作成方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１の実施形態）
まず、ナノプリンティングによる一般的な転写工程について説明する。図１は、ナノインプリンティングによる転写工程を説明する図である。なお、ここでは一例として、紫外線照射によりレジスト（光硬化性樹脂材料）を硬化させる光ナノインプリントについて説明するが、本実施形態は加熱によりレジスト（熱硬化性樹脂材料）を硬化させる熱ナノインプリンティングにも適用できる。
【０００９】
転写工程では、まず、図１（ａ）に示すように、加工対象のウェハ１００（被処理基板の一例）にレジスト材料１０１（硬化性樹脂材料の一例）が塗布される。インプリント装置には、ウェハ１００に対して平行に２次元的に駆動されるレジスト材料１０１を吐出するノズルを有し、レジスト材料の塗布量分布を定義したドロップレシピに基づいてレジスト材料１０１の塗布量を局所的に変化させることができるタイプのものがある。ドロップレシピは、デザインパターン（あるいはレジストパターンやテンプレートパターンでもよい）の設計データ（パターンデータ）に基づいて作成される。ドロップレシピは、レジストパターンの密度が高い部分には塗布量を多くし、レジストパターンの密度が低い部分には塗布量を少なくするように定義される。図１（ａ）では、このようなタイプのインプリント装置により、テンプレート１０２の凹部に対応する位置にレジスト材料１０１の液滴が滴下されている。
【００１０】
続いて、レジスト材料１０１が塗布されたウェハ１００にテンプレート１０２がプレスされる。すると、レジスト材料１０１は毛細管現象によりテンプレート１０２に形成されているテンプレートパターンの凹部に入り込む。レジスト材料１０１がテンプレートパターンに充分に入り込んだ後、図１（ｂ）に示すようにテンプレート１０２の上方から紫外線が照射される。テンプレート１０２は、石英などの紫外線を透過する材質で構成されており、テンプレート１０２の上方から照射された紫外線はテンプレート１０２を透過してレジスト材料１０１に照射される。レジスト材料１０１は紫外線照射により硬化する。
【００１１】
レジスト材料１０１の硬化後、テンプレート１０２が離型され、図１（ｃ）に示すように、ウェハ１００上に硬化したレジスト材料１０１によるレジストパターンが形成される。ここで、テンプレート１０２の凸部に対応する位置には、レジストパターンの溝が形成されるわけであるが、限られた時間でプレスを行う必要があるため、およびテンプレート１０２のウェハ１００への押し付けによるウェハ１００の破損を防止するため、レジストパターンの溝部分に若干の残膜が残される。ドロップレシピがテンプレート１０２に対して適切に設定されている場合、残膜量（Residual  Layer  Thickness；ＲＬＴ）はウェハ１００上で均一になる。図１の例では、図１（ａ）に示すように、ドロップレシピが適切に設定され、残膜量は均一な値Δｌ０となっている。
【００１２】
しかしながら、テンプレート１０２を使い続けるうちにテンプレート１０２に欠陥が生じた場合で、かつ、そのままテンプレート１０２を使用し続けた場合、テンプレートパターンとドロップレシピとが齟齬するケースが発生する。以下に、図２および図３を参照して、テンプレート１０２とドロップレシピとの間に齟齬が発生している例について説明する。
【００１３】
図２では、テンプレート１０２における点線で示す位置の凹部が消失している。凹部の消失は、例えばこの凹部に微粒子を噛むことによって生じる。このテンプレート１０２を使用した場合、プレス時に消失した凹部に対応する位置に滴下されていたレジスト材料１０１が周囲に位置する凹部に完全に移動するだけの充分な時間がないため、消失した凹部に隣接する凸部に対応する位置の残膜量（Δｌ１）が他の位置における残膜量よりも厚くなる。本図では、消失した凹部に近いほど残膜量が厚くなっている（Δｌ１＞Δｌ２＞Δｌ０）。
【００１４】
図３では、テンプレート１０２の凸部が一部欠損している。凸部の欠損は、例えば離型時にテンプレート１０２に強い力がかかることによって生じる。このテンプレート１０２を使用した場合、欠損部周辺では、レジスト材料１０１の局所的な不足がおき、テンプレートパターンの凸部および凹部に充分にレジスト材料１０１が入り込まない。したがって、欠損した凸部に対応するレジストパターンの溝部分の残膜量は意図した厚さとならない。本図では、２つの欠損した凸部に対応した位置の残膜量（Δｌ４、Δｌ５）が共にΔｌ０よりも薄くなっている。
【００１５】
このように、転写工程時にテンプレート１０２に欠陥が生じると、欠陥の周辺の残膜量が変動する。また、欠陥発生前後で残膜量が変動する。残膜量が変動すると、エッチング工程における被加工率が変動し、結果として歩留まりの低下を招く。そこで、本発明の実施形態では、残膜量の変動を小さくするために、欠陥が発生したとき、発生した欠陥の影響を考慮してドロップレシピを再設定することとした。
【００１６】
図４は、本発明の第１の実施形態にかかるインプリントシステムの構成を示すブロック図である。図示するように、インプリントシステム１は、欠陥検査装置２と、データ保存用サーバ３と、インプリント装置４と、制御装置５とを備えている。欠陥検査装置２、データ保存用サーバ３、インプリント装置４、および制御装置５はインターネットやイントラネットなどのネットワークで接続されている。
【００１７】
インプリント装置４は、半導体集積回路の製造ラインに組み込まれて設置されており、製造ラインを流れるウェハに対して逐次レジストパターンの転写工程を実行する。インプリント装置４は、ウェハにレジスト材料を塗布する際、制御装置５により設定されたドロップレシピＤ３７に基づいて塗布量分布の制御を実行する。
【００１８】
欠陥検査装置２は、ウェハ上に形成されたレジストパターンの欠陥検査を実行する。具体的には、欠陥検査装置２は、テンプレートパターンが転写されたウェハのＳＥＭ（Scanning  Electron  Microscope）画像を撮像し、撮像したＳＥＭ画像（欠陥画像データＤ３４）を出力する。そして、欠陥検査装置２は、欠陥画像データＤ３４に基づいてテンプレート上に発生した欠陥の位置を記述した欠陥位置データＤ３５を作成する。欠陥画像データＤ３４および欠陥位置データＤ３５はデータ保存用サーバ３に格納される。
【００１９】
欠陥位置データＤ３５は、例えば欠陥座標を記述したテキスト形式のデータであってもよいし、欠陥座標をビットマップ形式で示したデータであってもよい。なお、欠陥検査装置２は、ＳＥＭ画像ではなく顕微光学画像を撮像し、撮像した顕微光学画像を出力するとともに、撮像した画像に基づいて欠陥位置データＤ３５を作成するようにしてもよい。
【００２０】
データ保存用サーバ３は、インプリントシステム１で使用される各種データを記憶するサーバである。具体的には、データ保存用サーバ３には、予め、製造対象の半導体集積回路のデザインパターンを記述した設計データであるパターンデータＤ３１と、メモリセルアレイにかかる情報（救済可能領域の箇所を示す救済可能領域情報Ｄ３２および冗長領域の位置を示す冗長領域情報Ｄ３３）とが格納される。また、データ保存用サーバ３には、欠陥検査装置２が作成した欠陥画像データＤ３４と欠陥位置データＤ３５と救済領域情報Ｄ３６とが格納される。パターンデータＤ３１のフォーマットとしては、どのようなものであってもよいが、例えばＧＤＳに代表されるＣＡＤフォーマットを採用することができる。また、パターンデータＤ３１としては、レジストパターンあるいはテンプレートパターンの設計データを用いることもできる。
【００２１】
基板上に形成されるメモリデバイスのメモリセルアレイにおいては、偶発的に発生するパターンの切断や接触による不具合が発生した場合、この不具合の箇所を回路的に置き換える冗長回路を適用することが一般的に行われている。したがって、冗長回路で置き換えることが可能なメモリセルアレイ領域に欠陥が生じた場合、該メモリセルアレイ領域は後工程において救済せしめることができる。
【００２２】
具体的には、メモリチップの動作を制御する制御回路は、メモリセルアレイ内の一定の単位（救済可能領域）毎の動作を、アドレス指定により制御する。このアドレス指定により不具合箇所を含む行線または列線が選択される条件となった場合、制御回路は、当該アドレスの選択駆動を停止して、メモリセルアレイ内の別の場所に設けられた冗長回路としてのメモリセルアレイ（冗長領域）の行線または列線に対応するアドレスを選択駆動する。
【００２３】
図５は、テンプレートパターンの例を示す図である。図５の例にかかるテンプレートパターン１０３によれば、１回のプレスによって夫々２つのメモリセルアレイ１０４を有するメモリチップ１０５のパターンが転写される。そして、夫々のメモリセルアレイ１０４は、５つの救済可能領域１０６と３箇所の救済できない領域（非救済可能領域）１０７と１つの冗長領域１０８とを備えている。非救済可能領域１０７は、例えばロウデコーダやカラムデコーダなどメモリセルアレイにアクセスするための周辺回路が該当する。５つの救済可能領域１０６のうちの１つに不具合が発見されると、該不具合が生じた救済可能領域１０６が冗長領域１０８に置換される。なお、図５に示した救済可能領域１０６や冗長領域１０８の数は一例であって、メモリセルアレイの高集積化が進んでいる現在においては、実際のメモリセルアレイは図５で示した例よりも多くの救済可能領域１０６および冗長領域１０８を夫々備えて構成される。
【００２４】
救済可能領域情報Ｄ３２は、救済可能領域の箇所を示すデータであり、冗長領域情報Ｄ３３は冗長領域の位置を示すデータである。救済領域情報Ｄ３６は、制御装置５により作成される、救済領域に設定されている救済可能領域を示す情報である。救済可能領域情報Ｄ３２、冗長領域情報Ｄ３３および救済領域情報Ｄ３６は、救済可能領域の範囲および冗長領域の範囲を夫々座標で記述したデータであってもよいし、ビットマップ形式で夫々の領域の範囲を示したデータであってもよい。
【００２５】
制御装置５は、データ保存用サーバ３に格納されているパターンデータＤ３１に基づいてドロップレシピＤ３７を生成し、生成したドロップレシピＤ３７をインプリント装置４に設定する。さらに、制御装置５は、欠陥位置データＤ３５を参照して新たな欠陥を発見したとき、救済可能領域情報と冗長領域情報とに基づいて、発見した欠陥が救済可能であるか否かを判定する。救済可能であると判定したとき、制御装置５は、欠陥画像データＤ３４とパターンデータＤ３１とに基づいてドロップレシピＤ３７を再生成し、再生成したドロップレシピＤ３７をインプリント装置４に再設定する。制御装置５のさらに詳細な構成を以下に説明する。
【００２６】
制御装置５は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）５１と、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）５２と、ネットワークインタフェース５３と、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）５４と、ＣＤ−ＲＯＭドライブ５５と、入力装置５６と、出力装置５７とを有する、通常のコンピュータと同等の構成を備えている。ＣＰＵ５１、ＲＡＭ５２、ネットワークインタフェース５３、ＲＯＭ５４、ＣＤ−ＲＯＭドライブ５５、入力装置５６および出力装置５７は夫々バスラインを介して互いに接続されている。
【００２７】
ＣＰＵ５１は、ドロップレシピＤ３７を設定するためのコンピュータプログラムであるインプリント装置設定プログラム５８を実行する。入力装置５６は、マウスやキーボードを備えて構成され、オペレータからの制御装置５の操作が入力される。入力装置５６へ入力された操作情報は、ＣＰＵ５１へ送られる。
【００２８】
インプリント装置設定プログラム５８は、ＲＯＭ５４内に格納されており、バスラインを介してＲＡＭ５２へロードされる。ＣＰＵ５１はＲＡＭ５２内にロードされたインプリント装置設定プログラム５８を実行する。ＣＰＵ５１は、ＲＡＭ５２に展開されたインプリント装置設定プログラム５８を実行することによって、ドロップレシピＤ３７を作成し、作成したドロップレシピＤ３７をインプリント装置４に設定する。
【００２９】
出力装置５７は、液晶モニタなどの表示装置であり、ＣＰＵ５１からの指示に基づいて、操作画面などオペレータに対する出力情報を表示する。ネットワークインタフェース５３は、欠陥検査装置２、データ保存用サーバ３およびインプリント装置４が接続されるネットワークに接続するための接続インタフェースである。ＣＤ−ＲＯＭドライブ５５は、コンピュータに読み取り可能な記録媒体としてのＣＤ−ＲＯＭ５９をリードするための読み出し装置である。
【００３０】
なお、制御装置５で実行されるインプリント装置設定プログラム５８を、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供または配布するように構成しても良い。また、インプリント装置設定プログラム５８をインターネット等のネットワーク経由で提供または配布するように構成してもよい。また、ＲＯＭ５４等に予め組み込んで制御装置５に提供するように構成してもよい。また、インプリント装置設定プログラム５８を、ＣＤ−ＲＯＭ５９などの記録媒体に記録して提供または配布するように構成してもよい。ＣＤ−ＲＯＭ５９に記録されたインプリント装置設定プログラム５８は、ＣＤ−ＲＯＭドライブ５５を介してＣＰＵ５１によって読み出されてＲＡＭ５２内に展開される。
【００３１】
図６は、制御装置５がインプリント装置設定プログラム５８を実行することによりＲＡＭ５２内に形成される制御装置５の機能構成を説明する図である。図示するように、制御装置５は、ドロップレシピ生成部６１と、ドロップレシピ出力部６２と、欠陥判定部６３と、欠陥輪郭データ生成部６４と、欠陥輪郭データ修正部６５と、パターンデータ合成部６６と、再設定判定部６７と、を備えている。
【００３２】
ドロップレシピ生成部６１は、パターンデータＤ３１に基づいてドロップレシピを生成する。ドロップレシピＤ３７には、レジストパターンの密度が高い部分には塗布量を多くし、レジストパターンの密度が低い部分には塗布量を少なくするように塗布量分布が定義される。また、ドロップレシピ生成部６１は、パターンデータ合成部６６が出力する２枚のパターンデータの夫々に基づいて２枚の修正ドロップレシピを生成する。生成した修正ドロップレシピは例えばＲＡＭ５２に一時格納される。
【００３３】
ドロップレシピ出力部６２は、ドロップレシピ生成部６１が作成したドロップレシピＤ３７をインプリント装置４に設定する。
【００３４】
欠陥判定部６３は、欠陥位置データＤ３５を参照して欠陥の検出を行う。欠陥判定部６３は、新たな欠陥を発見したとき、救済可能領域情報Ｄ３２および冗長領域情報Ｄ３３に基づいて、当該欠陥が救済可能であるか否かを判定する。欠陥判定部６３は、救済可能であると判定したとき、当該欠陥が発生した位置を救済領域に設定する旨の情報である救済領域情報Ｄ３６を出力する。
【００３５】
欠陥輪郭データ生成部６４は、欠陥画像データＤ３４から救済可能と判定された欠陥の輪郭を抽出して、当該欠陥の輪郭形状を記述した欠陥輪郭データを作成する。欠陥輪郭データは例えばＲＡＭ５２に一時格納される。欠陥輪郭データのフォーマットはパターンデータＤ３１と同一のフォーマットであってよい。
【００３６】
欠陥輪郭データ修正部６５は、欠陥輪郭データに記述されている欠陥の輪郭形状を、当該欠陥を含む矩形に修正する。修正された欠陥輪郭データもＲＡＭ５２に一時格納される。図７は、欠陥の輪郭形状の修正を説明する図である。欠陥が図７左図の符号１１０に示す不定形の形状であった場合、図７右図に示すように、当該欠陥の最外周（図７右図点線）が内側に含む符号１１１に示す矩形領域に修正されている。欠陥形状を矩形に修正することによって、欠陥輪郭データのデータサイズを減少させることができる。なお、欠陥輪郭データ修正部６５は、欠陥の輪郭を１個の矩形ではなく、矩形を組み合わせた形状に修正するようにしてもよい。
【００３７】
パターンデータ合成部６６は、欠陥輪郭データ（修正前および修正後）とパターンデータＤ３１とを合成し、パターンデータを作成する。２枚のパターンデータはＲＡＭ５２を介してドロップレシピ生成部６１に送られ、ドロップレシピ生成部６１により２枚の修正ドロップレシピが生成される。修正前の欠陥輪郭データとパターンデータＤ３１とを合成したパターンデータに基づいて生成された修正ドロップレシピを第１修正ドロップレシピ、修正後の欠陥輪郭データとパターンデータＤ３１とを合成したパターンデータに基づいて生成された修正ドロップレシピを第２修正ドロップレシピということとする。また、修正前のドロップレシピを修正前ドロップレシピということとする。各修正ドロップレシピはＲＡＭ５２に一時格納される。
【００３８】
再設定判定部６７は、ドロップレシピＤ３７を再設定するか否かを判定する。具体的には、再設定判定部６７は、修正前ドロップレシピ、第１修正ドロップレシピおよび第２修正ドロップレシピの夫々に基づいてＲＬＴ分布を求め、修正前後のＲＬＴの差分を計算する。そして、再設定判定部６７は、修正前ドロップレシピに基づくＲＬＴと第１ドロップレシピに基づくＲＬＴとの差分、および修正前ドロップレシピに基づくＲＬＴと第２ドロップレシピに基づくＲＬＴとの差分のうちの何れか一方でも予め定められた許容範囲を越える場合、第１修正ドロップレシピをドロップレシピ出力部６２に送る。ドロップレシピ出力部６２は、送られてきた第１修正ドロップレシピをドロップレシピＤ３７としてインプリント装置４に設定する。なお、第２ドロップレシピは、修正された欠陥輪郭データを用いて生成されたものであるため、修正前ドロップレシピに基づくＲＬＴと第２ドロップレシピに基づくＲＬＴとの差分は、修正前ドロップレシピに基づくＲＬＴと第１ドロップレシピに基づくＲＬＴとの差分よりも大きい値となる。したがって、修正前ドロップレシピと第２ドロップレシピとに基づいて算出した差分を用いることで、加速度試験的な意味合いを持たせることができ、再設定しないための判定基準を厳しくすることができる。なお、差分計算に用いる位置的範囲は、パターン全体でなくてもよく、新しく発見された欠陥の周辺部のみであってよい。
【００３９】
図８は、本発明の第１の実施形態の半導体集積回路製造方法を説明するフローチャートである。図示するように、ます、ドロップレシピ生成部６１は、データ保存用サーバ３に格納されているパターンデータＤ３１に基づいてドロップレシピＤ３７を生成する（ステップＳ１）。ドロップレシピ出力部６２は、生成されたドロップレシピＤ３７をインプリント装置４に設定する（ステップＳ２）。
【００４０】
インプリント装置４は、設定されたドロップレシピＤ３７を使用して転写工程を実行する（ステップＳ３）。欠陥検査装置２は、ウェハをサンプリングし、転写工程により生成されたレジストパターンの欠陥検査を実行する（ステップＳ４）。欠陥検査装置２は、欠陥画像データＤ３４および欠陥位置データＤ３５を生成してデータ保存用サーバ３に格納する。なお、ここでは、欠陥検査装置２はウェハを抜き取り検査するものとしているが、レジストパターンが形成された全てのウェハを順次検査するようにしてもよい。
【００４１】
欠陥判定部６３は、欠陥位置データＤ３５に基づいて、ウェハに新たに欠陥が発生しているか否かを判定する（ステップＳ５）。新たに欠陥が発生しているか否かは、新たに出力された欠陥位置データＤ３５と前回の欠陥検査時の欠陥位置データＤ３５とを比較し、両者に相違がある場合、新たな欠陥が発生していると判定することができる。あるいは、救済可能領域に発生した欠陥は後述するステップＳ８により救済領域に設定されるので、すでに発見され、救済可能と判定された欠陥が位置する救済可能領域は、救済領域に設定されている。したがって、欠陥検査した領域のうち救済領域情報Ｄ３６に救済領域として設定されている領域を除く領域に欠陥が発生している場合、新たな欠陥が発生していると判定することができる。
【００４２】
ウェハに新たな欠陥が発生していなかった場合（ステップＳ５、Ｎｏ）、ステップＳ３に移行する。新たに欠陥が発生していた場合（ステップＳ５、Ｙｅｓ）、欠陥判定部６３は、救済可能領域情報Ｄ３２および冗長領域情報Ｄ３３を参照して、当該欠陥が救済可能であるか否かを判定する（ステップＳ６）。発生した欠陥が救済可能領域内に位置する場合、当該欠陥は救済することができる。発生した欠陥が救済可能ではないとき（ステップＳ６、Ｎｏ）、欠陥判定部６３は、出力装置５７の表示画面に警告を出力する（ステップＳ７）。発生した欠陥が救済可能であった場合（ステップＳ７、Ｙｅｓ）、欠陥判定部６３は、当該欠陥の発生位置を含む救済可能領域を救済領域とする救済領域情報Ｄ３６を生成する（ステップＳ８）。すでに救済領域情報Ｄ３６が生成されている場合、当該救済領域情報Ｄ３６に新たな欠陥の発生位置を含む救済可能領域を救済領域とする追加編集を行う。
【００４３】
続いて、欠陥輪郭データ生成部６４は、欠陥画像データＤ３４から欠陥輪郭データを作成する（ステップＳ９）。パターンデータ合成部６６は、作成された欠陥輪郭データとパターンデータＤ３１とを合成する（ステップＳ１０）。ドロップレシピ生成部６１は、合成されたパターンデータに基づいて第１ドロップレシピを作成する（ステップＳ１１）。
【００４４】
欠陥輪郭データ修正部６５は、欠陥輪郭データに記述されている欠陥の輪郭形状を矩形に修正する（ステップＳ１２）。パターンデータ合成部６６は、修正された欠陥輪郭データとパターンデータＤ３１とを合成する（ステップＳ１３）。ドロップレシピ生成部６１は、ステップＳ１３にて合成されたパターンデータに基づいて第２ドロップレシピを作成する（ステップＳ１４）。
【００４５】
再設定判定部６７は、第１ドロップレシピと修正前ドロップレシピとの差分ＲＬＴおよび第２ドロップレシピと修正前ドロップレシピとの差分ＲＬＴを計算する（ステップＳ１５）。なお、修正前ドロップレシピは、その時点でインプリント装置４に設定され、使用されているドロップレシピＤ３７である。
【００４６】
ステップＳ１５の後、再設定判定部６７は、算出した差分ＲＬＴがともに許容範囲内であるか否かを判定する（ステップＳ１６）。２つの差分ＲＬＴがともに許容範囲内であった場合（ステップＳ１６、Ｙｅｓ）、ステップＳ３に移行する。２つの差分ＲＬＴのうちどちらか一方でも許容範囲を外れると（ステップＳ１６、Ｎｏ）、ドロップレシピ出力部６２は、第１ドロップレシピをインプリント装置４に設定し（ステップＳ１７）、ステップＳ３に移行する。
【００４７】
以上述べたように、第１の実施形態によれば、ウェハ上に転写されたパターンの欠陥検査を行って欠陥画像データＤ３４を生成し（ステップＳ４）、欠陥が検出されたとき（ステップＳ５、Ｙｅｓ、ステップＳ６、Ｙｅｓ）、欠陥画像データＤ３４から欠陥輪郭（欠陥輪郭データ）を抽出して（ステップＳ９）、抽出した欠陥輪郭を半導体集積回路のパターンデータＤ３１に反映させ、欠陥輪郭が反映されたパターンデータに基づいて第１ドロップレシピを生成し（ステップＳ１１）、ステップＳ３にて使用しているドロップレシピＤ３７を前記生成した第１ドロップレシピで更新する（ステップＳ１５、ステップＳ１６、およびステップＳ１７）、ように構成したので、テンプレートに欠陥が発生する毎に欠陥が発生したテンプレートに対応するようにドロップレシピＤ３７を更新するので、ダイ中における残膜量の位置的変動およびダイ間の残膜量の変動を小さくすることができる。
【００４８】
なお、図２や図３などから分かるように、生じた欠陥のサイズが大きいほどＲＬＴの変動が大きくなる。設定されているドロップレシピＤ３７および第１ドロップレシピの夫々に基づいてＲＬＴを夫々計算し（ステップＳ１５）、算出されたＲＬＴの差分が許容範囲内であるか否かに基づいて設定されているドロップレシピＤ３７を更新するか否かを判定する（ステップＳ１６）、ように構成したので、発生した欠陥がＲＬＴに与える影響に応じて柔軟にドロップレシピＤ３７の更新／不更新することができる。
【００４９】
また、欠陥輪郭を当該欠陥輪郭を含む矩形形状または矩形を組み合わせた形状に修正し（ステップＳ１２）、修正した欠陥輪郭をパターンデータＤ３１に反映させ（ステップＳ１３）、修正した欠陥輪郭が反映されたパターンデータに基づいて第２ドロップレシピを生成し（ステップＳ１４）、設定されているドロップレシピＤ３７、第１ドロップレシピおよび第２ドロップレシピの夫々に基づいてＲＬＴを夫々計算し（ステップＳ１５）、設定されているドロップレシピＤ３７にかかるＲＬＴと第１ドロップレシピにかかるＲＬＴとの差分と、設定されているドロップレシピＤ３７にかかるＲＬＴと第２ドロップレシピにかかるＲＬＴとの差分とがともに許容範囲内であるか否かに基づいてドロップレシピＤ３７を更新するか否かを判定する（ステップＳ１６）、ように構成したので、ドロップレシピＤ３７を更新しないための条件がより厳しくなるため、ドロップレシピＤ３７の更新頻度を合理的に向上させることができる。
【００５０】
なお、救済可能な欠陥を発見した際、当該欠陥部分を実際に図７右図の符号１１１に示すように矩形に加工するようにしてもよい。矩形は、ノズルから吐出することができるレジスト材料の液滴の最小サイズを考慮した形状とするとよい。例えばノズルが直径１０μｍの液滴を吐出することができる場合、各辺のサイズを１０μｍの整数倍とするとよい。このようにすることによって、ドロップレシピをより適したものとすることができる。
【００５１】
（第２の実施形態）
新規のテンプレートを用いてインプリントを開始する際において、当該新規のテンプレートにかかる欠陥画像データＤ３４および欠陥位置データＤ３５を入手済みである場合、当該欠陥画像データＤ３４および欠陥位置データＤ３５を用いてドロップレシピを生成するようにしてもよい。新規のテンプレートにかかる欠陥画像データＤ３４および欠陥位置データＤ３５は、例えばテンプレート製造業者などにより供給される。
【００５２】
図９は、本発明の第２の実施形態の半導体集積回路製造方法を説明するフローチャートである。なお、第２の実施形態の半導体集積回路製造方法を実行するためのインプリントシステムは、欠陥画像データＤ３４および欠陥位置データＤ３５が予めデータ保存用サーバ３に格納されていることを除いて第１の実施形態と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００５３】
図示するように、まず、欠陥判定部６３は、予めデータ保存用サーバ３に格納されている欠陥位置データＤ３５、救済可能領域情報Ｄ３２および冗長領域情報Ｄ３３を参照して、新規のテンプレートに発生している欠陥が救済可能であるか否かを判定する（ステップＳ２１）。ステップＳ２１での判定手法は第１の実施形態におけるステップＳ６と同じである。
【００５４】
当該欠陥が救済可能ではないとき（ステップＳ２１、Ｎｏ）、欠陥判定部６３は、出力装置５７の表示画面に警告を出力する（ステップＳ３１）。発生した欠陥が救済可能であった場合（ステップＳ２１、Ｙｅｓ）、欠陥判定部６３は、当該欠陥の発生位置を含む救済可能領域を救済領域とする救済領域情報Ｄ３６を生成する（ステップＳ２２）。
【００５５】
続いて、欠陥輪郭データ生成部６４は、予めデータ保存用サーバ３に格納されている欠陥画像データＤ３４から欠陥輪郭データを作成する（ステップＳ２３）。パターンデータ合成部６６は、作成された欠陥輪郭データとパターンデータＤ３１とを合成する（ステップＳ２４）。ドロップレシピ生成部６１は、合成されたパターンデータに基づいてドロップレシピを作成する（ステップＳ２５）。ドロップレシピ出力部６２は、生成されたドロップレシピＤ３７をインプリント装置４に設定する（ステップＳ２６）。
【００５６】
その後、ステップＳ２７〜ステップＳ４１において、第１の実施形態のステップＳ３〜ステップＳ１７と同等の処理が実行される。
【００５７】
このように、第２の実施形態によれば、レジスト材料の塗布を開始する際、当該テンプレートの欠陥にかかる予め用意された欠陥画像データＤ３４から欠陥輪郭（欠陥輪郭データ）を抽出して（ステップＳ２３）、抽出した欠陥輪郭データを半導体集積回路のパターンデータＤ３１に反映させ（ステップＳ２４）、欠陥輪郭が反映されたパターンデータＤ３１に基づいてドロップレシピを生成し（ステップＳ２５）、生成したドロップレシピをレジスト材料の塗布に使用するドロップレシピＤ３７に設定する（ステップＳ２６）、ように構成したので、新規のテンプレートを用いたインプリントを開始したとき、転写開始直後のダイ中における残膜量の位置的変動を小さくすることができる。
【００５８】
なお、以上の説明では、欠陥画像データＤ３４および欠陥位置データＤ３５が予め用意されているとして説明したが、新規のテンプレートに発生している欠陥に対応する救済領域情報Ｄ３６も予め用意される場合、ステップＳ２１およびステップＳ２２をスキップしてステップＳ２３の処理からスタートするようにしてもよい。
【００５９】
フォトリソグラフィの分野においては、フォトマスク製造業者は、製造したフォトマスクに欠陥がある場合、フォトマスク上の欠陥がリソグラフィ工程における条件のゆらぎによってレジストパターンに欠陥として現われたり現われなかったりして品質管理が複雑化することを防止するために、図７符号１１１に示すように欠陥を矩形の欠陥に修正して納品する場合がある。テンプレートの製造に関しても、テンプレート製造業者は、テンプレート上の欠陥を矩形に修正して納品することがある。第２の実施形態では、欠陥が矩形に修正されたテンプレートが納品されたとしても、ダイ上の残膜量を均一になるように転写を行うことができる。
【００６０】
（第３の実施形態）
半導体集積回路の製造、テンプレートの製造およびドロップレシピの生成は夫々別々の業者が行うことができる。第３の実施形態では、ドロップレシピがドロップレシピ作成業者により作成される。図１０は、第３の実施形態の利用の概要を説明する図である。
【００６１】
図１０に示すように、テンプレート製造業者２００は、半導体集積回路製造業者１００からの依頼によりテンプレートを製造し、製造したテンプレートを半導体集積回路製造業者１００に納品する。また、テンプレート製造業者２００は、製造したテンプレートの欠陥検査を行い、欠陥画像データＤ３４および欠陥位置データＤ３５を生成して、生成したこれらのデータをドロップレシピ作成業者３００に送信する。半導体集積回路製造業者１００は、テンプレートのパターンデータＤ３１、救済可能領域情報Ｄ３２、冗長領域情報Ｄ３３を予めドロップレシピ作成業者３００に送信しておく。
【００６２】
ドロップレシピ作成業者３００は、送信されてきたパターンデータＤ３１、救済可能領域情報Ｄ３２、冗長領域情報Ｄ３３、欠陥画像データＤ３４および欠陥位置データＤ３５に基づいてドロップレシピＤ３７を作成し、作成したドロップレシピＤ３７を半導体集積回路製造業者１００に納品する。半導体集積回路製造業者１００は、テンプレート製造業者２００から送られてきたテンプレートとドロップレシピ作成業者３００から送られてきたドロップレシピとを用いて転写工程を実行する。
【００６３】
図１１は、ドロップレシピ作成業者３００がドロップレシピを作成するための、第３の実施形態のドロップレシピ作成システムの構成を説明する図である。なお、ここでは、第１の実施形態と同様の構成については同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００６４】
図示するように、ドロップレシピ作成システム７は、データ保存用サーバ３と制御装置８とがネットワークで接続されて構成される。なお、制御装置８はデータ保存用サーバ３を兼ねる構成となっていてもよい。
【００６５】
データ保存用サーバ３は、ドロップレシピ作成システム７で使用される各種データを記憶するサーバである。具体的には、データ保存用サーバ３には、半導体集積回路製造業者１００から送信されてくるパターンデータＤ３１、救済可能領域情報Ｄ３２および冗長領域情報Ｄ３３が格納される。また、データ保存用サーバ３には、テンプレート製造業者２００から送信されてくる欠陥画像データＤ３４および欠陥位置データＤ３５が格納される。また、データ保存用サーバには、制御装置８により作成された救済領域情報Ｄ３６およびドロップレシピＤ３７が格納される。
【００６６】
制御装置８は、データ保存用サーバ３に格納されているパターンデータＤ３１等に基づいてドロップレシピＤ３７を生成し、生成したドロップレシピＤ３７をデータ保存用サーバ３に出力する。
【００６７】
制御装置８は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）５１と、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）５２と、ネットワークインタフェース５３と、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）５４と、ＣＤ−ＲＯＭドライブ５５と、入力装置５６と、出力装置５７とを有する、通常のコンピュータと同等の構成を備えている。ＲＯＭ５３は、ドロップレシピＤ３７を作成するためのコンピュータプログラムであるドロップレシピ作成プログラム８１が格納されており、ドロップレシピ作成プログラム８１はＣＰＵ５１に読み出されてＲＡＭ５２へロードされる。
【００６８】
なお、制御装置８で実行されるドロップレシピ作成プログラム８１を、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供または配布するように構成しても良い。また、ドロップレシピ作成プログラム８１をインターネット等のネットワーク経由で提供または配布するように構成してもよい。また、ＲＯＭ５４等に予め組み込んで制御装置８に提供するように構成してもよい。また、ドロップレシピ作成プログラム８１を、ＣＤ−ＲＯＭ５９などの記録媒体に記録して提供または配布するように構成してもよい。ＣＤ−ＲＯＭ５９に記録されたドロップレシピ作成プログラム８１は、ＣＤ−ＲＯＭドライブ５５を介してＣＰＵ５１によって読み出されてＲＡＭ５２内に展開される。
【００６９】
図１２は、制御装置８がドロップレシピ作成プログラム８１を実行することによりＲＡＭ５２内に形成される制御装置８の機能構成を説明する図である。図示するように、制御装置８は、ドロップレシピ生成部６１と、ドロップレシピ出力部８２と、欠陥判定部６３と、欠陥輪郭データ生成部６４と、パターンデータ合成部６６と、を備えている。
【００７０】
ドロップレシピ生成部６１は、パターンデータＤ３１に基づいてドロップレシピを生成する。ドロップレシピ出力部８２は、ドロップレシピ生成部６１が作成したドロップレシピＤ３７をデータ保存用サーバ３に格納する。
【００７１】
欠陥判定部６３は、欠陥位置データＤ３５を参照して欠陥の検出を行い、検出した欠陥が救済可能であるか否かを判定する。欠陥判定部６３は、救済可能であると判定したとき、当該欠陥が発生した位置を救済領域に設定する旨の情報である救済領域情報Ｄ３６を出力する。
【００７２】
欠陥輪郭データ生成部６４は、欠陥画像データＤ３４から救済可能と判定された欠陥の輪郭を抽出して、当該欠陥の輪郭形状を記述した欠陥輪郭データを作成する。パターンデータ合成部６６は、欠陥輪郭データとパターンデータＤ３１とを合成し、ドロップレシピＤ３７を作成するためのパターンデータを作成する。
【００７３】
図１３は、本発明の第３の実施形態のドロップレシピ作成方法を説明するフローチャートである。なお、ここでは、半導体集積回路製造業者１００から送信されてきたパターンデータＤ３１、救済可能領域情報Ｄ３２および冗長領域情報Ｄ３３、並びにテンプレート製造業者２００から送信されてきた欠陥画像データＤ３４および欠陥位置データＤ３５は、データ保存用サーバ３に予め格納されているものとする。
【００７４】
図示するように、まず、欠陥判定部６３は、データ保存用サーバ３に格納されている欠陥位置データＤ３５、救済可能領域情報Ｄ３２および冗長領域情報Ｄ３３を参照して、新規のテンプレートに発生している欠陥が救済可能であるか否かを判定する（ステップＳ５１）。ステップＳ５１での判定手法は第１の実施形態におけるステップＳ６と同じである。
【００７５】
当該欠陥が救済可能ではないとき（ステップＳ５１、Ｎｏ）、欠陥判定部６３は、出力装置５７の表示画面に警告を出力する（ステップＳ５２）。ドロップレシピ作成業者３００は、当該警告を確認したとき、半導体集積回路製造業者１００および／またはテンプレート製造業者２００にテンプレートの再製造を勧める旨の通知を送るようにするとよい。
【００７６】
発生した欠陥が救済可能であった場合（ステップＳ５１、Ｙｅｓ）、欠陥判定部６３は、当該欠陥の発生位置を含む救済可能領域を救済領域とする救済領域情報Ｄ３６を生成する（ステップＳ５３）。
【００７７】
続いて、欠陥輪郭データ生成部６４は、予めデータ保存用サーバ３に格納されている欠陥画像データＤ３４から欠陥輪郭データを作成する（ステップＳ５４）。パターンデータ合成部６６は、作成された欠陥輪郭データとパターンデータＤ３１とを合成する（ステップＳ５５）。ドロップレシピ生成部６１は、合成されたパターンデータに基づいてドロップレシピを作成する（ステップＳ５６）。ドロップレシピ出力部８２は、生成されたドロップレシピＤ３７をデータ保存用サーバ３に出力し（ステップＳ５７）、ドロップレシピ作成処理が終了となる。ドロップレシピ作成業者３００は、データ保存用サーバ３に格納されたドロップレシピＤ３７を半導体集積回路製造業者１００へ送る。
【００７８】
このように、第３の実施形態によれば、テンプレートの欠陥にかかる予め用意された欠陥画像データＤ３４から欠陥輪郭（欠陥輪郭データ）を抽出して（ステップＳ５４）、抽出した欠陥輪郭データを半導体集積回路の予め用意されたパターンデータＤ３１に反映させ（ステップＳ５５）、欠陥輪郭が反映されたパターンデータＤ３１に基づいてドロップレシピを作成する（ステップＳ５６）、ように構成したので、新規のテンプレートを用いたインプリントを開始したとき、転写開始直後のダイ中における残膜量の位置的変動を小さくすることができる。
【００７９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８０】
１  インプリントシステム、２  欠陥検査装置、３  データ保存用サーバ、４  インプリント装置、５  制御装置、５１  ＣＰＵ、５２  ＲＡＭ、５３  ネットワークインタフェース、５４  ＲＯＭ、５５  ＣＤ−ＲＯＭドライブ、５６  入力装置、５７  出力装置、５８  インプリント装置設定プログラム、５９  ＣＤ−ＲＯＭ、６１  ドロップレシピ生成部、６２  ドロップレシピ出力部、６３  欠陥判定部、６４  欠陥輪郭データ生成部、６５  欠陥輪郭データ修正部、６６  パターンデータ合成部、６７  再設定判定部、Ｄ３１  パターンデータ、Ｄ３２  救済可能領域情報、Ｄ３３  冗長領域情報、Ｄ３４  欠陥画像データ、Ｄ３５  欠陥位置データ、Ｄ３６  救済領域情報、Ｄ３７  ドロップレシピ。
【図１】
2012069701.tif 000003
【図２】
2012069701.tif 000004
【図３】
2012069701.tif 000005
【図４】
2012069701.tif 000006
【図５】
2012069701.tif 000007
【図６】
2012069701.tif 000008
【図７】
2012069701.tif 000009
【図８】
2012069701.tif 000010
【図９】
2012069701.tif 000011
【図１０】
2012069701.tif 000012
【図１１】
2012069701.tif 000013
【図１２】
2012069701.tif 000014
【図１３】
2012069701.tif 000015