(57)【要約】【課題】半導体パッケージ用ステムの製造歩留まりを向上する。【解決手段】アイレット１１上に、めっき処理により、アイレット１１の酸化を防止する酸化防止膜２０（ニッケルめっき膜）を形成する。続いて、めっき処理により、酸化防止膜２０上に、ろう材１６への拡散を防止する拡散防止膜２１（鉄めっき膜）を形成する。続いて、拡散防止膜２１上にろう材１６を配した後、熱処理を施すことによってろう材１６を溶融させて、アイレット１１とヒートシンク１２とを接合する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体パッケージ用ステムの製造方法：
（ａ）導電性のアイレットを準備する工程；
（ｂ）前記アイレットから起立して設けられる導電性のヒートシンクを準備する工程；
（ｃ）前記アイレットと前記ヒートシンクとを接合する導電性のろう材を準備する工程；
（ｄ）前記アイレット上に、第１金属元素を含んで構成され、前記アイレットの酸化を防止する第１酸化防止膜を形成する工程；
（ｅ）前記第１酸化防止膜上に、前記第１金属元素とは異なる第２金属元素を含んで構成され、前記ろう材への拡散を防止する拡散防止膜を形成する工程；
（ｆ）前記拡散防止膜上に前記ろう材を配した後、熱処理を施すことによって前記ろう材を溶融させて、前記アイレットと前記ヒートシンクとを接合する工程。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体パッケージ用ステムの製造方法において、
（ｇ）前記（ｅ）工程後（ｆ）工程前に、前記第１金属元素と前記第２金属元素とを合金反応させる工程を含むことを特徴とする半導体パッケージ用ステムの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体パッケージ用ステムの製造方法において、
（ｈ）前記（ｆ）工程後に、前記アイレットおよび前記ヒートシンクの全体を覆うように、前記第１金属元素と同じ第３金属元素を含んで構成され、前記アイレットおよび前記ヒートシンクの酸化を防止する第２酸化防止膜を形成することを特徴とする半導体パッケージ用ステムの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体パッケージ用ステムの製造方法において、
前記（ｈ）工程では、前記第１酸化防止膜より薄い前記第２酸化防止膜を形成することを特徴とする半導体パッケージ用ステムの製造方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載の半導体パッケージ用ステムの製造方法において、
（ｉ）前記（ｆ）工程後に、露出している前記拡散防止膜を除去する工程を含むことを特徴とする半導体パッケージ用ステムの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体パッケージ用ステムの製造方法において、
前記ろう材は、銀元素を主成分として銅元素を含んで構成されており、
前記第１金属元素は、ニッケルであり、
前記第２金属元素は、鉄であることを特徴とする半導体パッケージ用ステムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ用ステム（以下、単に「ステム」という。）の製造技術に関し、特に、半導体レーザチップ（半導体素子）をパッケージングしてなる半導体パッケージ（半導体装置）に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２００７−８１０９８号公報（特許文献１）には、半導体レーザチップを搭載する柱状のヒートシンクがアイレットの一面側に設けられたステムに関する技術が記載されている。特に、ニッケルめっきが施されたアイレットとヒートシンクとをろう付けした後、ステム表面全体にニッケルめっき（完成めっき）を施す技術が記載されている（特許文献１の図３参照）。
【０００３】
また、特開２００１−４４３０９号公報（特許文献２）には、金属材料からなる基体と枠体とを接合するために、銀ろう材を用いる技術が記載されている（特許文献１の明細書段落［００１９］参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−８１０９８号公報
【特許文献２】特開２００１−４４３０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体レーザチップをパッケージングしてなる半導体パッケージなどの電子部品では、放熱性を高めるため銅材を使用する場合がある。ステムにおいても、半導体レーザチップを搭載するブロックとも称されるヒートシンクに銅材が使用される。例えば、特許文献１の技術は、防錆のためアイレット（基材）にニッケルめっき処理を施し、そのアイレットに別体のヒートシンクを銀ろう材で接合するものである。
【０００６】
このようなニッケルめっきが施されたアイレットに銀ろう材を介してヒートシンクを接合するステムにおいて、アイレットとヒートシンクとの接合が不安定になり、接合強度を保持できなくなるといった不具合などが生じることを、本発明者らは見出した。以下に、具体的に説明する。
【０００７】
図１に本発明者らが検討したステム１００の要部の断面を模式的に示す。ステム１００では、アイレット１１の錆による浸食を防止する、すなわちアイレット１１の酸化を防止する酸化防止膜２０が表面に形成されたアイレット１１に、ろう材１６を介してヒートシンク１２が接合されている。
【０００８】
ここで、アイレット１１は、鉄材（または鉄を含む金属材）からプレス加工によって所望の形状に抜き出されたものである。また、酸化防止膜２０は、例えば、めっき処理によって形成されたニッケル膜（ニッケルめっき膜）である。また、ろう材１６は、例えば、銀ろう材である。銀ろう材は、一般に、銀元素を主成分として銅元素を含んで構成されるものである。また、ヒートシンク１２は、銅材（または銅を含む金属材）からブロック状に形成したものである。
【０００９】
なお、酸化防止膜２０としては、ニッケル膜の他に、コバルト膜、スズ膜、金膜やそれらの積層膜や合金膜が考えられる。これらのうち、銀ろう材との濡れ性に優れたものは、ニッケル膜、金膜であることが知られている（例えば、特許文献２の明細書段落［００３５］参照）。
【００１０】
しかしながら、ステム１００では、ヒートシンク１２の根元の外周部で隙間１０１が生じている。このように隙間１０１が形成されたステム１００では、アイレット１１とヒートシンク１２との接合が不安定となり、製造歩留まりが低下してしまう。また、アイレット１１とヒートシンク１２を接合した後にステム１００全体の防錆のために行うめっき処理において、隙間１０１付近では、酸化防止膜２２が形成されず十分な防錆が得られなくなってしまう。
【００１１】
本発明の目的は、半導体パッケージ用ステムの製造歩留まりを向上することのできる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。本発明の一実施形態における半導体パッケージ用ステムの製造方法は、以下の工程を含む。（ａ）導電性のアイレットを準備する。（ｂ）前記アイレットから起立して設けられる導電性のヒートシンクを準備する。（ｃ）前記アイレットと前記ヒートシンクとを接合する導電性のろう材を準備する。（ｄ）前記アイレット上に、第１金属元素を含んで構成され、前記アイレットの酸化を防止する第１酸化防止膜を形成する。（ｅ）前記第１酸化防止膜上に、前記第１金属元素とは異なる第２金属元素を含んで構成され、前記ろう材への拡散を防止する拡散防止膜を形成する。（ｆ）前記拡散防止膜上に前記ろう材を配した後、熱処理を施すことによって前記ろう材を溶融させて、前記アイレットと前記ヒートシンクとを接合する。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次のとおりである。本発明の一実施形態によれば、半導体パッケージ用ステムの製造歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明者らが検討したステムの要部を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態におけるステムを備えた半導体パッケージを模式的に示す斜視図である。
【図３】図２に示すステムを模式的に示す平面図である。
【図４】本発明の一実施形態における製造工程中のステムを模式的に示す断面図である。
【図５】図４に続く製造工程中のステムを模式的に示す断面図である。
【図６】図５に続く製造工程中のステムを模式的に示す断面図である。
【図７】図６に続く製造工程中のステムを模式的に示す断面図である。
【図８】図７に続く製造工程中のステムを模式的に示す断面図である。
【図９】図８に続く製造工程中のステムを模式的に示す断面図である。
【図１０】図９に続く製造工程中のステムを模式的に示す断面図である。
【図１１】図１０に示すステムの要部を模式的に示す断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態における製造工程中のステムを模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００１６】
（実施形態１）
まず、本発明の実施形態におけるステム１０を備え、半導体レーザチップをパッケージング（封止）してなる半導体パッケージ５０（以下、単に「パッケージ」という。）の構造について図２および図３を参照して説明する。半導体パッケージ５０は、半導体装置として電子製品（例えば、オーディオ機器など）に組み込まれるものである。なお、図２では、説明を明解にするために、キャップ５２をステム１０に取り付ける前の状態（封止前の状態）で示している。
【００１７】
パッケージ５０のキャップ５２は、ステム１０に取り付けられ、半導体レーザチップ５１を気密封止するものであり、主に鉄から構成されている。このキャップ５２には、半導体レーザチップ５１の前端面から出射されるレーザ光を、キャップ５２の外部（パッケージ５０の外部）へ出射する開口部（窓）が形成されている。この開口部には、出射光を透過する窓ガラス５３が開口部を塞ぐようにして設けられている。また、キャップ５２には、ステム１０の一面（主面）の縁部で電気抵抗溶接される鍔部５４が形成されている。
【００１８】
パッケージ５０のステム１０は、導電性のアイレット１１と、アイレット１１の一面から起立して設けられた導電性のヒートシンク１２とを備えている。このヒートシンク１２は、放熱性に優れた金属からなり、例えば、主に銅から構成されている。ヒートシンク１２の搭載面に、半導体レーザチップ５１が搭載され、ヒートシンク１２を介して半導体レーザチップ５１で生じる熱が放散される。また、ヒートシンク１２は、導電性のろう材１６を介してアイレット１１に接合されている。
【００１９】
半導体レーザチップ５１は、ヒートシンク１２の搭載面に、その前端面が上方（窓ガラス５３側）を向き、後端面が下方（アイレット１１側）を向くようにして設けられる。半導体レーザチップ５１の下方のアイレット１１には凹部１７が傾斜面を有して形成されており、半導体レーザチップ５１の後端面から出射されたレーザ光を別の方向に反射させる。
【００２０】
また、ステム１０は、アイレット１１の厚さ方向に貫通して延在するリード１３ａ、１３ｂと、アイレット１１の主面とは反対の裏面から延在する接地用のリード１３ｃを有している。リード１３ａ、１３ｂは、導電体（例えば、金属）から構成され、アイレット１１に接合（例えば、ガラス封着）されている。このリード１３ａ、１３ｂは、半導体レーザチップ５１とはワイヤ（図示しない）を介して電気的に接続され、アイレット１１とは封止材１４ａ、１４ｂ（ガラス）を介して電気的に絶縁されている。また、リード１３ｃは、導電体（例えば、金属）から構成され、アイレット１１の裏面に接合（例えば、溶接）されている。このリード１３ｃは、接地用であるので、電気的に接続されているアイレット１１も接地されることとなる。
【００２１】
また、アイレット１１の縁部には、切り欠き部１５ａ、１５ｂ、１５ｃが形成されている。平面視コの字状の切り欠き部１５ｃは、アイレット１１の回転方向の位置出しに用いられる。平面視Ｖの字状の切り欠き部１５ａ、１５ｂは、アイレット１１の中心から対向して形成されており、半導体レーザチップ５１の搭載時におけるヒートシンク１２の搭載面の位置出しに用いられる。
【００２２】
キャップ５２がステム１１に取り付けられた状態のパッケージ５０では、キャップ５２によって、ヒートシンク１２、半導体レーザチップ５１およびアイレット１１の主面から突起するリード１３ａ、１３ｂが収められることとなる。また、キャップ５２の内部には、半導体レーザチップ５１が大気に曝された場合、大気中の水蒸気による特性の劣化（信頼性の低下）を防止するために、不活性ガス（例えば、窒素ガス）が気密封止される。
【００２３】
次に、本発明の実施形態におけるステム１０の製造方法について図４〜図１０を参照して説明する。なお、図４〜図１０は、図３に示すＡ−Ａ線に対応する断面図である。
【００２４】
まず、図４に示すように、リード１３ａ、１３ｂ（図３参照）が設けられる貫通穴１１ａ、１１ｂが形成されたアイレット１１を準備しておく。アイレット１１は、導電性を有しており、基材として例えば鉄系の金属部材が用いられている。貫通穴１１ａ、１１ｂは、例えばプレス加工によって形成される。また、図３に示したような平面形状のアイレット１１は、例えば帯状の金属部材に対してプレス加工を施すことによって得ることができる。
【００２５】
続いて、図５に示すように、アイレット１１上に、アイレット１１の酸化を防止する酸化防止膜２０を形成する。酸化防止膜２０を、ニッケル元素を含んで構成することによって、アイレット１１の酸化を防止することができる。また、アイレット１１の全体を覆うように、酸化防止膜２０を形成することによって、アイレット１１全体の酸化を防止することができる。本実施形態では、めっき処理によって酸化防止膜２０を形成している。電解めっき処理を用いた場合、貫通穴１１ａ、１１ｂの内壁を含めたアイレット１１全体に酸化防止膜２０を形成することができる。
【００２６】
続いて、図６に示すように、アイレット１１の酸化防止膜２０上に、ろう材１６（図２参照）への拡散を防止する拡散防止膜２１を形成する。酸化防止膜２０がニッケル元素を含んで構成される場合、拡散防止膜２１を、ニッケル元素とは異なる鉄元素を含んで構成することによって、酸化防止膜２０のニッケルの拡散を防止することができる。本実施形態では、めっき処理によって拡散防止膜２１を形成している。電解めっき処理を用いた場合、貫通穴１１ａ、１１ｂの内壁を含めたアイレット１１全体に拡散防止膜２１を形成することができる。
【００２７】
続いて、図７に示すように、アイレット１１に、アイレット１１を接地させるための接地用のリード１３ｃ（スポットリード）を接合する。リード１３ｃは、アイレット１１の裏面に、例えば溶接によって接合される。
【００２８】
続いて、図８に示すように、アイレット１１に、半導体レーザチップ５１と電気的に接続されるためのリード１３ａ、１３ｂを接合する。このリード１３ａ、１３ｂは、接地されるアイレット１１とは、電気的に絶縁される。このため、リード１３ａ、１３ｂは、アイレット１１に、絶縁性の封止材１４ａ、１４ｂを介して接合される。本実施形態では、ガラスで構成される封止材１４ａ、１４ｂを用いる。
【００２９】
例えば、円筒状の封止材１４ａ、１４ｂにガラスを用いた場合、封止材１４ａ、１４ｂの内部にリード１３ａ、１３ｂを貫通させた状態でアイレット１１の貫通穴１１ａ、１１ｂに嵌め込み（組み立て）、熱処理を施すことによってガラス溶着する。この熱処理は、例えば９６０℃以上の還元雰囲気（窒素、水素、二酸化炭素など）下の条件で行われる。このように、還元雰囲気下で熱処理を施すことによって、アイレット１１の酸化を防止することができる。なお、前述したように、アイレット１１の表面上に酸化防止膜２０が形成されているので、還元雰囲気下での熱処理によって、よりアイレット１１の酸化を防止することができることとなる。
【００３０】
続いて、図９に示すように、アイレット１１の主面側の拡散防止膜２１上にろう材１６、ヒートシンク１２を配した（組み立て）後、熱処理を施すことによって、ろう材１６を溶融させて、アイレット１１とヒートシンク１２とを接合する。これに先立ち、アイレット１１から起立して設けられる導電性のヒートシンク１２を準備しておく。本実施形態では、主に銅から構成されるヒートシンク１２（銅材）を用いる。また、アイレット１１とヒートシンク１２とを接合する導電性のろう材１６を準備しておく。本実施形態では、銀元素を主成分として銅元素を含んで構成されるろう材１６（銀ろう材）を用いる。
【００３１】
ヒートシンク１２の組み立て時の熱処理は、例えば８００℃以上の還元雰囲気（窒素、水素、二酸化炭素など）下の条件で行われる。このように、還元雰囲気下で熱処理を施すことによって、アイレット１１の酸化を防止することができる。なお、前述したように、アイレット１１の表面上に酸化防止膜２０が形成されているので、還元雰囲気下での熱処理によって、よりアイレット１１の酸化を防止することができることとなる。
【００３２】
続いて、図１０に示すように、アイレット１１およびヒートシンク１２の全体を覆うように、アイレット１１およびヒートシンク１２上に、アイレット１１およびヒートシンク１２の酸化を防止する酸化防止膜２２を形成する。本実施形態では、酸化防止膜２２を、ニッケル元素を含んで構成している。すなわち、酸化防止膜２０と同じ元素を含んで構成している。このような酸化防止膜２２を形成することによって、アイレット１１を含むステム１０の酸化を防止することができることとなる。
【００３３】
このように、アイレット１１およびヒートシンク１２の全体を覆うように、酸化防止膜２２を形成することによって、アイレット１１およびヒートシンク１２全体の酸化を防止することができる。本実施形態では、めっき処理によって酸化防止膜２２を形成している。電解めっき処理を用いた場合、封止材１４ａ、１４ｂの表面を除いたステム１０の表面全体に酸化防止膜２２を形成することができる。
【００３４】
また、本実施形態では、酸化防止膜２０より薄い酸化防止膜２２を形成する。例えば、リード１３ａ、１３ｂの組み立て時などの熱処理前に、アイレット１１の表面を覆う酸化防止膜２０をすでに形成しているので、酸化防止膜２２を薄くして形成することができる。また、酸化防止膜２２を薄く形成し、これを下地とすることによって、ワイヤなどの電気的接続に優れた金めっき膜（最表面膜）を形成することができる。
【００３５】
続いて、アイレット１１およびヒートシンク１２の全体を覆うように、アイレット１１およびヒートシンク１２上に、図示しない最表面膜を形成する。これにより、ステム１０が略完成する。本実施形態では、金めっき処理によって最表面膜（金めっき膜）を形成している。この最表面膜は、半導体レーザチップ５１を搭載するステム１０としての機能を考慮し、搭載時のはんだの濡れ性、リード１３ａ、１３ｂとの接続性を向上するために用いられる。
【００３６】
図１１に本実施形態におけるステム１０の要部の断面を模式的に示す。このステム１０は、図１で示したステム１００と同様に、アイレット１１にろう材１６を介してヒートシンク１２が接合されたものであるが、ヒートシンク１２の根元の外周部が隙間なくろう材１６で覆われている（符号Ｐで示す）。このため、アイレット１１とヒートシンク１２の接合が安定する。すなわち、本実施形態による製造技術によれば、ステム１０の製造歩留まりを向上することができる。
【００３７】
また、隙間なくろう材１６でヒートシンク１２の根元を覆うことができるので、その根元の外周部にも酸化防止膜２２を形成することができる。すなわち、酸化防止膜２２によってステム１０全体を覆うことができるので、防錆を向上することができる。このようにして、ステム１０の信頼性を向上することができる。
【００３８】
ここで、本実施形態におけるステム１０と、本発明者らが検討したステム１００との相違する点について説明する。この相違点は、本発明者らが新たに見出したものである。なお、特許文献２では、接合部材としての銀ろう材との濡れ性に優れたものとしてニッケル膜、金膜が記載されているが、以下に説明するようにニッケル膜と銀ろう材から生じる課題およびその解決手段については記載されていない。
【００３９】
図１で示したステム１００では、アイレット１１上の酸化防止膜２０がニッケル元素を含んで構成されており、この酸化防止膜２０上にろう材１６（銀ろう）を介してヒートシンク１２が設けられている。このろう材１６には、主成分として銀元素が含まれるが、その他に銅元素が含まれている。このため、ステム１００の製造工程では、熱処理において、アイレット１１表面の酸化防止膜２０中のニッケルと、ろう材１６中の銅とが、キュプロ化（白銅化）する。
【００４０】
このキュプロ化により、ろう材１６が銀リッチとなり、ろう材１６では銀と銅の比率（組成）に変化が生じる。ろう材１６の組成が変化することで、本来の機能が発揮できなくなってしまう。すなわち、ろう材１６の流れ性が損なわれ、接合に十分な量のろう材１６が確保できず、図１で示したように、隙間１０１が生じてしまうものと考えられる。このように隙間１０１が形成されたステム１００では、アイレット１１とヒートシンク１２との接合が不安定となり、製造歩留まりが低下してしまう。
【００４１】
そこで、本実施形態では、ろう材１６（銀ろう）での過剰なキュプロ化により、ろう材１６中の銅が消費されてしまうことを防止するため、酸化防止膜２０上に拡散防止膜２１を形成し、その拡散防止膜２１上にろう材１６を配している（図９参照）。これにより、熱処理を施したとしても、酸化防止膜２０中のニッケルは、拡散防止膜２１によって、ろう材１６中への拡散が防止され、ろう材１６の本来の機能が保持される。したがって、図１１に示したように、ヒートシンク１２の根元の外周部が隙間なくろう材１６で覆われて、アイレット１１とヒートシンク１２とは接合される。すなわち、本実施形態による製造技術によれば、ステム１０の製造歩留まりを向上することができる。
【００４２】
また、本実施形態では、例えば、リード１３ａ、１３ｂの組み立て時や、ヒートシンク１２のアイレット１１の組み立て時における熱処理によって、酸化防止膜２０中のニッケル元素と、拡散防止膜２１中の鉄元素とを合金反応させても良い。ニッケル鉄合金が形成されることによっても、酸化防止膜２０中のニッケル元素が、ろう材１６中へ拡散するのが防止される。すなわち、本実施形態による製造技術によれば、ステム１０の製造歩留まりを向上することができる。
【００４３】
（実施形態２）
前記実施形態１では、酸化防止膜２０上に形成した拡散防止膜２１をそのまま残存させた場合について説明したが、本実施形態では、ヒートシンク１２の組み立て後に不要な拡散防止膜２１を除去する場合について説明する。この相違の他は、前記実施形態１で説明した通りである。
【００４４】
図９に示したように、熱処理を施すことによって、ろう材１６を溶融させて、アイレット１１とヒートシンク１２とを接合した後、図１２に示すように、露出している拡散防止膜２１を除去する。本実施形態では、拡散防止膜２１が鉄によって構成されているので、この鉄を除去できるように、酸処理（例えば、塩酸処理）によって露出している拡散防止膜２１を除去する。
【００４５】
ここで、拡散防止膜２１を残存させておく場合、拡散防止膜２１を構成する鉄が酸化し、ステム１０の製造歩留まり（信頼性）を低下させることも考えられる。また、拡散防止膜２１は、熱処理の際に、酸化防止膜２０中のニッケルがろう材１６へ拡散するのを防止するために用いられるので、熱処理後であれば、拡散防止膜２１を除去しても良い。そこで、本実施形態では、アイレット１１とヒートシンク１２とを接合した後、露出している不要な拡散防止膜２１を除去している。
【００４６】
以上、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４７】
例えば、前記実施形態では、アイレット１１として、鉄系金属材からプレス加工によって形成したものを用いた場合について説明したが、ヒートシンク１２が配置される側に鉄材が配置される鉄−銅−鉄のクラッド材からプレス加工によって形成したものを用いても良い。
【００４８】
また、例えば、前記実施形態では、酸化防止膜２０、拡散防止膜２１を電解めっき処理によって形成した場合について説明したが、無電解めっき処理、蒸着法やスパッタ法などによって形成しても良い。
【００４９】
また、例えば、前記実施形態では、拡散防止膜２１として、めっき処理によって形成した鉄膜を用いた場合について説明したが、めっき処理によって形成した鉄−ニッケル合金膜などであっても良い。
【００５０】
また、例えば、前記実施形態では、リード１３ａ、１３ｂの組み立て後、ヒートシンク１２を組み立てる場合について説明したが、その逆であっても良い。すなわち、ヒートシンク１２を組み立てた後、リード１３ａ、１３ｂを組み立てても良い。
【符号の説明】
【００５１】
１０  ステム
１１  アイレット
１１ａ、１１ｂ  貫通穴
１２  ヒートシンク
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ  リード
１４ａ、１４ｂ  封止材
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ  切り欠き部
１６  ろう材
１７  凹部
２０  酸化防止膜
２１  拡散防止膜
２２  酸化防止膜
５０  パッケージ
５１  半導体レーザチップ
５２  キャップ
５３  窓ガラス
５４  鍔部
１００  ステム
１０１  隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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