(57)【要約】【課題】  温度変化に伴う相対的位置ずれによる接触不良や接続点の破断等の問題を解決し、広範囲な温度範囲でも全半導体チップの電気的特性検査を確実にし、かつ、安価なプローブカードを提供する。【解決手段】  シリコンウェハの熱膨張係数と近似である材料を使用した補強板と金属基台とプローブ組立固定板を一括固定し、プローブと配線基板との接続を垂直方向のバネ力のみとしたこと。及び、隣接プローブ接続端子先端のプローブ長手方向（Ｘ方向）並びに垂直方向（Ｚ方向）における相対位置が複数値存在する構成とすることにより安価な基板を実現したこと。並びに、１個又は複数のプローブを着脱可能な構造とした。【選択図】図１
2012093328.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査半導体チップにプローブを接触させ、プローブを介してテスタとの間で電気的接続を行うプローブカードにおいて、
外縁部に前記テスタとの接続部及び該接続部からの配線路を有する外部接続基板と、
前記外部接続基板とプローブとを接続する中間配線基板と、
前記外部接続基板と概略同一の直径外形を有する金属基台と、
複数の前記プローブを１個又は２個以上の被検査半導体チップ電極と相対する位置に規則的に配列して一体化したプローブ組立体と、
１組又は２組以上の前記プローブ組立体を半導体ウェハ上の一部又は全部の被検査半導体チップ電極と相対する位置に配置固定するプローブ組立体固定板とを備え、
前記金属基台と前記外部接続基板と前記中間配線基板と前記プローブ組立体固定板とを一体に固定した
ことを特徴とするプローブカード。
【請求項２】
前記中間配線基板が、前記金属基台と前記プローブ組立体固定板との間に挟まれ、前記金属基台と前記プローブ組立体固定板と共に概略等間隔ピッチで複数の位置で固定されていることを特徴とする請求項１記載のプローブカード。
【請求項３】
補強板を有し、前記外部接続基板が前記補強板と前記金属基台との間に挟まれ、前記外部接続基板の厚さより僅かに大きいＺ方向高さを有するスペーサを介してＸＹ平面方向に沿って複数の位置で固定されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のプローブカード。
【請求項４】
少なくとも前記補強板と前記金属基台と前記プローブ組立体固定板の熱膨張係数が半導体ウェハの熱膨張係数と近似である材料から形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項５】
前記プローブが、金属箔が接着された樹脂フィルムを使用し、前記金属箔をエッチング加工して樹脂フィルム上にプローブ機能を含む導電体から成る導電パターンを形成し、前記樹脂フィルムの一辺から突き出した導電体をプローブ先端部とし、前記プローブの反対側の辺から突き出した導電体を前記中間配線基板へのプローブ出力端子とした樹脂フィルム付プローブであることを特徴とする請求項１記載のプローブカード。
【請求項６】
前記プローブが、金属箔をエッチング加工して被検査半導体チップ電極と接触するプローブ機能としてのバネ構造を含む導電体を形成し、被検査半導体チップ電極と反対側の辺から突き出した導電体を前記中間配線基板へのプローブ出力端子とした薄板状プローブであることを特徴とする請求項１記載のプローブカード。
【請求項７】
前記プローブ組立体は、１個又は２個以上の支持棒に、複数の前記プローブを前記プローブの面に加工した切り欠きに順次又は同時に装着し、前記支持棒を１個又は２個以上の固定用側板に保持固定し一体化したことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項８】
前記プローブ組立体固定板は複数の格子状の開口部を有し、１個又は２個以上の前記開口部と前記プローブ組立体の固定用側版の一部とが嵌合又は機械的に組み合わさることにより、前記プローブ組立体が前記プローブ組立体固定板に固定されることを特徴とする請求項１乃至請求項４記載のプローブカード。
【請求項９】
前記中間配線基板が、１枚又は２枚以上の非導電性フィルムの表面に前記プローブ出力端子と接触する複数のパッド部と、
前記パッド部から外縁方向へ延長し前記外部接続基板へ接続する配線パターン部を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項１０】
前記中間配線基板が、１枚又は２枚以上の非導電性フィルムの表面に前記プローブ出力端子と接触する複数のパッド部と、前記パッド部から前記外部接続基板方向へ延長する配線パターン部を有する第１の配線基板と、
１枚又は２枚以上の非導電性フィルムの表面に前記第１の配線基板と接続し、かつ、前記外部接続基板へ接続する複数の円周方向配線パターンを含む配線パターンを有する第２の配線基板から構成されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項１１】
前記プローブ出力端子は垂直方向（Ｚ方向）にバネ力を生じ、前記中間配線基板の接続パッドに対してバネの反発力にて接触し、平面方向（ＸＹ方向）には拘束されていないことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項１２】
前記中間配線基板の各層の一部又は全部が両面２層フレキシブルフラットケーブルであることを特徴とする請求項１記載のプローブカード。
【請求項１３】
隣接した前記プローブ出力端子のプローブ長手方向（Ｘ方向）の相対位置が、概ね０．５ｍｍ以上離れた粗いピッチとなるように形成されている複数のＸ方向位置が異なる種類のプローブが存在することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項１４】
前記プローブ出力端子の先端の垂直方向（Ｚ方向）位置が、複数の前記中間配線基板の各層におけるパッドのＺ方向位置に一致するように形成されている複数のＺ方向長さの異なる種類のプローブが存在することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項１５】
前記プローブの電極パッドとの接触部近傍における断面形状より僅かに大きく、隣接するパッド方向（Ｙ方向）におけるパッド幅と概略同一若しくは該パッド幅よりも小さい幅を有するスリット又は切り欠きを被検査半導体チップの各々のパッドの一部又は全てに対応する位置に複数配置し、該スリットにプローブ先端を挿入することによりプローブ先端位置を決定するプローブ配列用ガイドシートを有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項１６】
前記プローブ配列用ガイドシートの熱膨張係数が半導体ウェハの熱膨張係数と近似である材料から形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項１７】
前記プローブが前記支持棒を挿入する切り欠きを有し、前記切り欠きの開放幅（Ｚ方向幅）が、前記切り欠きが嵌合する前記支持棒のＺ方向高さより僅かに大きく、前記切り欠きの開放端側よりＸＹ平面に沿って一方向より前記支持棒を挿入することを特徴とする請求項１又は請求項７記載のプローブカード。
【請求項１８】
前記支持棒の前記プローブの切り欠きと接する少なくとも一つの面に、前記プローブの板厚より僅かに大きい幅の溝を有することを特徴とする請求項１、請求項７、請求項１７のいずれかに記載のプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、ＬＳＩなどの電子デバイスの製造工程において、半導体ウエハ上に形成された複数の半導体チップの回路検査に使用するプローバ装置のプローブカードに関するものである。特に、半導体チップ上に配列される回路端子（パッド）に対しウエハ状態のままプローブを接触させ、一括して半導体チップの電気的導通を測定するプロービングテストに使用するプローブカードに関する。
【背景技術】
【０００２】  半導体技術の進歩に伴って電子デバイスの集積度が向上し、各半導体チップ上の電極端子（パッド）の数も増加し、それにつれてパッド面積の縮小化、パッドピッチの狭小化などによるパッド配列の微細化が進んでいる。【０００３】  また、半導体の更なる低コスト化を目的にシリコンウェハ径の大型化が進み、直径３００ｍｍから直径４５０ｍｍへ移行しつつある。さらにウェハ状態でのＬＳＩ製品の品質確保のため、検査環境温度の広範囲化（例えば最大で−５０℃〜１５０℃）が要求されている。【０００４】  一方、半導体回路上のパッドをプローブ針により電気的接続を行い半導体回路の検査に用いるプローブカードにおいても、半導体技術に対応すべくプローブ配列の高密度化及び大型ウェハの一括検査の要求が高まっている。【０００５】  一般にプローブカードは、例えば、特開２００７−３３３４号公報に開示されているように、一方の面にプローブが配置され、また他方の面に各プローブに電気的に接続された接続端子が配置されるセラミックス基板を複数の基板部分に分割して形成し、フレームを用いて、これら複数のセラミックス基板部分を一枚板のように一体的に保持することにより、所望の大きさのプローブ基板を得る構成となっている。【０００６】  しかしながら、特開２００７−３３３４号公報で開示されているような構成のプローブカードでは、多層セラミックス基板を使用しているため、シリコンウェハの更なる大口径化に適用すると温度変化に伴う熱収縮による断線又は非検査電極パッドとの位置ずれの影響が顕著になってくるという問題が生じる。また、シリコンウェハの大口径化による配線数の増加に対応するため更なる多層化が必要であり、基板のコストアップに繋がるという問題が生じる。さらに、複数の基板に分割しても、多数のプローブがセラミックス基板に固着されているため、組立時における固着不良、又は、検査時におけるプローブの破損等により交換の必要が生じた場合、分割した基板に搭載した良品を含むプローブ全てを交換する必要があり、コストアップに繋がるという問題が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】  特開２００７−３３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】  本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、ウェハ上の全ての半導体チップを一括同時に検査するプローブカードにおいて、広範囲な温度変化によるシリコンウェハ上の電極パッドの変位量に追従可能なプローブ組立構造であり、かつ、組立後においても１個又は複数のプローブを交換可能な構造とすることにより、全半導体チップの電気的特性検査を確実にし、かつ安価なプローブカードを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】  本発明は、前記課題解決のため、外縁部にテスタとの接続部及び該接続部からの配線路を有する外部接続基板と、前記外部接続基板とプローブとを接続する中間配線基板と、前記外部接続基板と概略同一の直径を有する金属基台と、複数の前記プローブを１個又は２個以上の被検査半導体チップ電極と相対する位置に規則的に配列して一体化したプローブ組立体と、１組又は２組以上の前記プローブ組立体を半導体ウェハ上の一部又は全部の被検査半導体チップ電極と相対する位置に配置固定するプローブ組立体固定板とを備え、前記補強板と前記金属基台と前記プローブ組立体固定板を一体的に固定し、前記外部接続基板を前記補強板と前記金属基台との間に固定し、前記中間配線基板を前記金属基台と前記プローブ組立体固定板との間に固定したことを基本構成とし、広範囲な温度変化による電極パッドの変位量に追従可能なプローブ組立構造とする。【００１０】  少なくとも前記補強板と前記金属基台とプローブ組立体固定板の熱膨張係数が半導体ウェハの熱膨張係数と近似である材料から形成されていることにより、広範囲な温度変化による電極パッドの変位量への追従を可能とする。【００１１】  前記プローブ組立体は、１個又は２個以上の支持棒に、複数の前記プローブを前記プローブの面に加工した切り欠きに装着し、前記支持棒を１個又は２個以上の固定用側板に保持固定した構成としているため、プローブの着脱を１個単位で可能にする。【００１２】  前記プローブ組立体固定板は複数の格子状の開口部を有し、１個又は２個以上の前記開口部と前記プローブ組立体の固定用側版の一部とが嵌合又は機械的に組み合わさることにより、前記プローブ組立体が前記プローブ組立体固定板に固定される構成であるため、プローブ組立体単位での着脱を可能にする。【００１３】  前記中間配線基板が、前記金属基台と前記プローブ組立体固定板との間に挟まれ、前記金属基台と前記プローブ組立体固定板と共に概略等間隔ピッチで複数の位置で固定されている構成であるため、熱膨張係数の異なる中間配線基板を数箇所において強制的に固定することにより、プローブとの相対的位置ずれが少なくなり、広範囲な温度変化による電極パッドの変位量に追従可能なプローブ組立構造を可能にする。【００１４】  前記中間配線基板が、１枚又は２枚以上の非導電性フィルムの表面に前記プローブ出力端子と接触する複数のパッド部と、前記パッド部から前記外部接続基板方向へ延長する配線パターン部を有する第１の配線基板と、１枚又は２枚以上の非導電性フィルムの表面に前記第１の配線基板と接続し、かつ、前記外部接続基板へ接続する複数の円周方向配線パターンを含む配線パターンを有する第２の配線基板から構成されるため、安価な配線が可能になる。【００１５】  前記プローブ出力端子は垂直方向（Ｚ方向）にバネ力を生じ、前記中間配線基板の接続パッドに対してバネの反発力にて接触し、平面方向（ＸＹ方向）には拘束されていない構成としているため、広範囲な温度変化により前記プローブと前記中間配線基板の接続パッドとの間に相対的位置ずれが生じても、断線し難いという作用が生じる。【００１６】  前記プローブが、エッチングによる薄板状プローブで構成されている��め、狭ピッチで配列することができ、多ピン化への対応が可能である。【００１７】  隣接した前記プローブ出力端子のプローブ長手方向（Ｘ方向）の相対位置が、概ね０．５ｍｍ以上離れた粗いピッチとなるように形成されている複数の異なる種類のプローブが存在し、又は、前記プローブ出力端子の先端の垂直方向（Ｚ方向）位置が、前記中間配線基板の各層におけるパッド部のＺ方向位置に一致するように形成されている複数の異なる種類のプローブが存在する構成としているため、プローブ出力端子近傍での配線が容易となり、安価な基板を作製できる。【００１８】  前記プローブの電極パッドとの接触部近傍における断面形状より僅かに大きく、隣接するパッド方向（Ｙ方向）におけるパッド幅と概略同一若しくは該パッド幅よりも小さい幅を有するスリット又は切り欠きを被検査半導体チップの各々のパッドの一部又は全てに対応する位置に複数配置し、該スリットにプローブ先端を挿入することによりプローブ先端位置を決定するプローブ配列用ガイドシートを有し、前記プローブ配列用ガイドシートの熱膨張係数が半導体ウェハの熱膨張係数と近似である材料から形成されている構成としているため、広範囲な温度変化による電極パッドの変位量に追従可能であり、かつ、接触回数の増加に伴うプローブ先端の位置ずれが少ないプローブ組立を可能にする。【００１９】  前記プローブが前記支持棒を挿入する切り欠きを有し、前記切り欠きの開放幅（Ｚ方向幅）が、前記切り欠きが嵌合する前記支持棒のＺ方向高さより僅かに大きく、前記切り欠きの開放端側よりＸＹ平面に沿って一方向より前記支持棒を挿入可能な構成としているため、組立後であっても個々のプローブの着脱が可能となる。
【発明の効果】
【００２０】  本発明のプローブカードによれば、大型ウェハ上の全ての半導体チップを一括同時に検査するプローブカードにおいて、プローブ先端位置をシリコンウェハの熱収縮に追従可能な構成としたため、温度変化に伴う相対的位置ずれによる接触不良や接続点の破断等の問題を解決し、広範囲な温度範囲でも全半導体チップの電気的特性検査を確実にし、かつ、組立後においても１個又は複数のプローブを交換可能な構造とすることにより、安価なプローブカードを提供できるという効果が生じる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す斜視図である。
【図２】図１の部分拡大図である。
【図３】本発明の実施の形態を示すプローブカード全体の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態を示すプローブカードの正面図である。
【図５】図４の部分拡大図である。
【図６】図３の外周部の部分断面図である。
【図７】図３の外周部の部分断面詳細図である。
【図８】図７の部分詳細図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態を示す斜視図である。
【図１０】図９に係る外周部の部分断面詳細図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態を示す部分図である。
【図１２】図１０に係る部分詳細図である。
【図１３】本発明の実施の形態に係る全体動作説明図である。
【図１４】本発明の実施の形態に係る部分動作説明図である。
【図１５】本発明の実施の形態に係る部分動作説明図である。
【図１６】本発明の実施の形態に係る部分動作説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】  本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を示す図で、プローブカードの概略構造を示す斜視図、図２は、プローブの取付け状態を詳細に示す図１の部分拡大図、図３はプローブカード全体の断面図、図４はプローブカードをウェハ側から見た全体図である。なお、図１以降の各図（全てではないが、大部分の図）においてＸ，Ｙ，Ｚの一部又は全部の軸が記載されているが、これはそれぞれの図中におけるＸＹＺ三次元直交座標系の軸を表す。
【００２３】（全体構成）
図１乃至図４において、１００は本発明の実施形態を示すプローブカードで、プローバ（図示せず）のホルダ１０１上に設置され、被検査ウェハ１０２上の電極パッド１０３に接触させることにより検査が実施される。１０４はテスタ信号を送受するポゴピン群、６は外縁部に前記ポゴピン１０４との接続部６１（例えばランド）及び前記接続部６１からの配線路（スルーホールを含む）を有する外部接続基板、５は前記外部接続基板６と概略同一の直径を有する金属基台であり、前記接続部６１に相当する位置に開口部５１が設けられ、前記外部接続基板６と固定されている。４は前記外部接続基板６と複数のプローブ１とを接続する中間配線基板である。３はプローブ組立体固定板で、後述するプローブ組立体を配置固定する格子状の複数の開口部３１を有する。
【００２４】  ２は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に詳細に示すように複数のプローブ１を１個又は２個以上の被検査半導体チップ電極と相対する位置に規則的に配列して一体化したプローブ組立体であり、１組又は２組以上の前記プローブ組立体２を半導体ウェハ上の一部又は全部の被検査半導体チップ電極と相対する位置に、前記プローブ組立体固定板３に配置固定される。
【００２５】  ８はプローブ１の先端位置を決定するためのプローブ先端ガイド板で、前記プローブ１の先端部を挿入するスリット８１が設けられて、リング５２を介して適当な高さに固定されている。一方、プローブカード全体の強度を保持するための補強板７を、前記外部接続基板の反対側に設置している。
【００２６】（プローブ組立体）
図２はプローブ組立体２の構成を示す説明図である。図２（ａ）及び図２（ｂ）において、２１は支持棒、２２は固定用側板を示す。複数の前記プローブ１を支持棒２１に順次挿入し、被検査半導体チップの電極パッドと相対する位置に規則的に配列して固定したものを複数の固定用側板２２に固定することにより、プローブ組立体２を構成する。これにより１個又は２個以上の被検査半導体のチップ電極群と相対する位置に規則的に配列して一体化したプローブ組立体２とすることができる。図は、５本のプローブを設置した支持棒を２本固定用側板２２に取付け、１つのプローブ組立体の構成要素とした事例を示すが、プローブの数又は支持棒の数はこれに限定されるものではない。
【００２７】（プローブ組立体固定板）
図１及び図２（ｂ）に示すように、前記プローブ組立体固定板３の格子状の開口部３１に複数の前記プローブ組立体２を半導体ウェハ上の一部又は全部の被検査半導体チップ電極１０３と相対する位置になるように配置固定することにより、全数のプローブを所定の位置に設置することができる。前記プローブ組立体２とプローブ組立体固定板３との固定方法は、ネジ止め又は機械的な嵌合等により実施可能である。
【００２８】  図５は図４におけるプローブの取付け状態の例を詳細に示す部分拡大図である。図５において、２０は１組の前記プローブ組立体を示す。本図示例では、６×４個の被検査チップ１０５（斜線部が１個のＬＳＩチップに相当）の検査を対象とするプローブ組立体を構成している。前記プローブ組立体２における前記プローブ１の搭載数は、対象となるＬＳＩの大きさ、電極パッド配列等により任意に選択可能である。
【００２９】  図６は、図３のＡ部に相当するプローブカードの外周部における部分断面図を示し、プローブの構造及びプローブからテスタへの接続構造を説明するものである。図７は、さらに前記プローブ１との関係を詳細に示した部分断面図である。
【００３０】（プローブ構造）
図７において前記プローブ１の構造及び接続関係を説明する。金属箔１１が接着された樹脂フィルム１２を使用し、前記金属箔１１をエッチング加工して樹脂フィルム上にプローブ機能である平行バネ部１３Ａを含む導電体から成る導電パターン１７を形成し、前記平行バネ部１３Ａの反対側の辺から突き出した導電体を同様に平行ばね部１３Ｂとし、中間配線基板４への出力端子１８を設けている。
【００３１】  電極パッド１０３と接触するプローブ機能としての前記平行バネ部１３Ａは、垂直プローブ１４、２つの平行梁１５ａ、１５ｂ、固定部１６による平行四辺形バネを形成し、電極パッド１０３が垂直プローブ１４の先端部１４Ａと接触を開始し、さらに押圧力が増加すると前記垂直プローブ１４が垂直方向（Ｚ方向）にバネ力を生じ、この間に電極パッド１０３と電気的導通が行われる。
【００３２】  同様に、前記出力端子１８は、平行梁１５ｃ、１５ｄから成る平行バネ部１３Ｂを構成している。前記中間配線基板４に固定する際に垂直方向（Ｚ方向）にバネ力を生じ、前記中間配線基板４のパッド４２に対してバネの反発力にて接触することにより前記配線基板との電気的導通が行われる。この前記出力端子１８の前記中間配線基板のパッド４２に対するバネ荷重は、プローブ組立体２のプローブ組立体固定板３への固定終了後、常時負荷されている。
【００３３】（プローブの取付け構造１）
図１５において、プローブ１を支持棒２１に取り付ける方法を説明する。図１５（ａ）に示すように、プローブ１に設けた切り欠き１９の上下の銅箔部１７Ａ、１７Ｂに、切り欠き１９の開口側に延長してストッパー１９１Ａ、１９１Ｂを設けている。ストッパー１９１Ａ、１９１Ｂは銅箔部１７Ａ、１７Ｂをそれぞれ支点として平面ＹＺ方向に微小範囲におけるバネ力による回転動作Ｍａ、Ｍｂが生じる。
【００３４】（支持棒の溝）
また、図１５（ａ）に示すように、支持棒２１の前記プローブ１と接する１つの側面２１ａにプローブ１が所定の位置に設置できるように、あらかじめ溝２４を設けて、より正確な位置にプローブを配置することが可能である。図の例では１つの側面２１ａのみに溝が設けられているが、前記プローブ１と接する他の側面１２ｂ又は１２ｃに溝を設けてもよい。
【００３５】（プローブの着脱）
図１５にて、プローブ１と支持棒２１との着脱動作を説明する。図１５（ａ）において、切り欠き１９の開口幅Ｗ１は支持棒２１のＺ方向高さＷｒより僅かに大きく設定され、ストッパーの先端部１９２Ａ、１９２Ｂの距離Ｗｓは、Ｗｒよりも僅かに小さく設定されている。
【００３６】  前記プローブ１が支持棒２１に挿入される際にストッパー１９１Ａ、１９１Ｂが上下に押し広げられ、図１５（ｂ）に示すように、支持棒２１の挿入が完了した時点でストッパー１９１Ａ、１９１Ｂがそのバネ力の反発により元の相対距離Ｗｓに戻り、支持棒２１をロックすることになる。さらに、一度挿入組立を行ったプローブ１が破損等による事故が発生した場合、治具等を用いてストッパー１９１Ａ、１９１Ｂを上下に再び押し広げることにより、前記プローブ１の着脱交換が可能となる。
【００３７】  この構造により、前記プローブ１の平面方向（ＸＺ平面方向）のみの動作で着脱が可能であるため、図１５（ｃ）に示すように、組立後においても１つのプローブのみを着脱交換することが可能である。
【００３８】（プローブの取付け構造２）
図１６において、プローブを支持棒に取り付ける他の実施例を説明する。図１６（ａ）に示すように、プローブ１０Ｄに開口幅Ｗ１の切り欠き１９ａと前記開口幅１９ａよりも小さい開口幅Ｗ２の切り欠き１９ｂを設け、前記切り欠き１９ａ、１９ｂの上下の銅箔部１７Ａ、１７Ｂに、前記切り欠き１９ａの開口側に延長してストッパー１９１Ａ、１９１Ｂを設けている。ストッパー１９１Ａ、１９１Ｂは銅箔部１７Ａ、１７Ｂをそれぞれ支点として平面ＹＺ方向に微小範囲におけるバネ力による回転動作Ｍａ、Ｍｂが生じる。
【００３９】  また、図１６（ａ）に示すように、支持棒２１１は前記プローブ１０Ｄの前記切り欠き１９ａ、１９ｂと接するようにＺ方向高さがそれぞれＷｒａ、Ｗｒｂの外形形状を有する。Ｚ方向高さがＷｒａである側面２１１ａ及び２１１ｃ（図示省略）にはあらかじめ溝２４２を設け、Ｚ方向高さがＷｒｂである側面２１１ｂ及び２１１ｄ（図示省略）には溝２４１を設け、前述の実施例と同様に、所定の溝に前記プローブ１０Ｄを挿入し、図１６（ｂ）に示しように挿入が完了した時点でストッパー１９１Ａ、１９１Ｂがそのバネ力の反発により元の相対距離Ｗｓに戻り、支持棒２１１をロックすることになる。
【００４０】（支持棒の溝）
図１６（ｃ）は、前記溝２４１及び２４２の詳細を示すものである。前記溝２４１はその隣接ピッチＰｆが非常に狭いプローブ配列（概ねＰｆ＝２５μｍ以下）に使用する溝であり、前記溝２４２はその隣接ピッチＰｗが比較的大きいプローブ配列（概ねＰｗ＝２００μｍ以上）に使用する溝である。ピッチが大きい前記溝２４２は支持棒２１１の金属材に直接エッチング又はレーザ切削加工等の手段により形成可能であるが、狭ピッチの前記溝２４１は、ガラスへの応力印加による微細エッチング加工（例えば、特開２００９−１９０９０８号公報）等により形成可能であり、あらかじめ微細加工したガラス材を前記支持棒の側面２１１ｂ及び２１１ｄに貼り付けることにより作製することができる。
【００４１】（プローブの取付け−３態様）
前述した支持棒２１１を使用したプローブの取付けに関する実施例を、図１６（ｅ）〜図１６（ｇ）にて詳細に説明する。図において、前記支持棒２１１のＺ方向高さをＷｒａ、Ｗｒｂ、前記側面２１１ａ及び２１１ｃの前記溝２４２の実効底面（プローブが通過可能な面、以下同じ。）間距離をＷｒ１、前記側面２１１ｂ及び２１１ｄの前記溝２４１の実効底面間距離をＷｒ２、前記プローブ１０Ｄのストッパー先端間距離をＷｓ、前記切り欠き１９ａの開口幅をＷ１、前記切り欠き１９ｂの開口幅をＷ２とする。前記ストッパーの先端間距離Ｗｓは、前記溝２４２の実効底面間距離Ｗｒ１よりも僅かに小さく設定されており、全ての実施例に共通である。
【００４２】  図１６（ｅ）は、隣接ピッチが比較的大きいプローブ配列のみの場合の寸法関係を示す図である。本実施例では、Ｗｒａ＞Ｗ１＞Ｗｒ１、かつ、Ｗ２＞Ｗｒｂとなり、前記溝２４２のみを使用することにより、比較的大きいピッチのプローブ配列専用の支持棒となる。
【００４３】  図１６（ｆ）は、隣接ピッチが狭いプローブ配列のみの場合の寸法関係を示す図である。本実施例では、Ｗ１＞Ｗｒａ、かつ、Ｗｒｂ＞Ｗ２＞Ｗｒ２となり、前記溝２４１のみを使用することにより、図１６（ｄ）に示すような非常に狭いピッチのプローブ配列専用の支持棒となる。
【００４４】  図１６（ｇ）は、前記溝２４１及び前記溝２４２を使用した場合の寸法関係を示す図である。本実施例では、Ｗｒａ＞Ｗ１＞Ｗｒ１、かつ、Ｗｒｂ＞Ｗ２＞Ｗｒ２となり、前記溝２４１と２４２の両方を使用することになる。これにより、狭ピッチと粗いピッチが混在するプローブ配列にも使用することが可能となる。また、隣接ピッチが狭いプローブ配列のみの場合においても、ある周期又は信号機能単位ごとに前記溝２４２を通過させることにより、ピン配列番号の確認が容易になり組立中又は組立後における誤配列の防止に繋がるという効果が生じる。
【００４５】  また、本実施例では、前記プローブ１０Ｄの平面方向（ＸＺ平面方向）のみの動作で着脱が可能であるため、図１６（ｄ）に示すように、隣接したプローブが狭ピッチで配置された状態であっても、１つのプローブのみを着脱交換することが可能である。
【００４６】  以上説明した実施例の前記支持棒２１１により、狭ピッチのプローブ配列（例えば液晶ドライバＬＳＩ等）や狭ピッチと粗いピッチが混在するプローブ配列（例えばロジックＬＳＩ等）にも使用することが可能となる。
【００４７】（プローブ；樹脂フィルム無し）
本事例のプローブは金属箔が接着された樹脂フィルムを使用し、前記金属箔をエッチング加工する製造方法を例示したが、樹脂フィルムを使用せず、金属箔のみのプローブにも適用可能である。
【００４８】（接続構成）
図６乃至図８により、前記プローブ１からテスタ信号のインタフェースとなる前記ポゴピン１０４に至る接続構造について説明する。
【００４９】（中間配線基板；基本構成）
図７及び図８において、前記中間配線基板４の基本構成を詳細に説明する。図８（ａ）に示すように、前記中間配線基板４は、ポリイミド等の非導電性フィルム４１Ａの両面に銅箔が接着された両面２層フレキシブル基板を基本単位とするものである。
【００５０】  図７及び図８（ｂ）において、片方の銅箔面４１Ｂ１に前記プローブ出力端子１８先端と接触する複数のパッド４２−１乃至４２−３と、前記パッド４２−１乃至４２−３から前記ポゴピン１０４との接続部６１のある外縁方向へ延長し、該当する前記外部接続基板のスルーホール６４へ接続する配線パターン４３−１乃至４３−３、及び反対側の銅箔面４１Ｂ２に接続するためのスルーホール群４４をエッチングにより形成する。銅箔面４１Ｂ２には、必要に応じ銅箔のベタパターンをエッチングし、配線パターン４３−１乃至４３−３との寸法関係によりインピーダンス整合を確保することが可能である。基板の厚さは一例として、銅箔の厚さとして３５μｍ、非導電性フィルムであるポリイミドの厚さとして２５μｍが一般的である。以上のような構成による配線パターンを全てのプローブに対して配線した中間配線基板４を作製し、対応する前記外部接続基板のスルーホール６４と接続ピン等の半田付け又は圧入により接続することにより、プローブ１とポゴピン１０４との電気的接続が可能となる。
【００５１】（中間配線基板；多ピン配線）
図９は、本発明の第２の実施例を示す部分斜視図である。ウェハ全面一括型のプローブカードでは、ピン数が１万本から将来は数万本にも達すると予測されている。ピン数が増加した場合は当然のことながら中間配線基板が複数枚多層に必要である。その場合の構成例を図９及び図１０に示す。
【００５２】  図９において、４５Ａ、４５Ｂ、４５Ｃは外縁方向配線用基板であり、前述した基本構成を有する基板である。４６は円周方向配線用基板で、円周方向に複数の配線パターン並びに前記配線パターンから外部接続基板６との接続用スルーホールの位置まで延長する配線パターン、並びに各々の前記外縁方向配線用基板４５との接続用スルーホールを有する。前記外縁方向配線用基板４５Ａ、４５Ｂ、４５Ｃと前記円周方向配線用基板４６とをそれぞれ絶縁用フィルム（図示せず）を介して重ね合わせ、円周方向配線用基板４６のそれぞれ対応するスルーホールに接続ピン等の半田付け又は圧入により電気的接続を行う。電気的接続を行った後、前記プローブ組立体固定板３と前記金属基台５との間に挟み、ねじ止め等の手段により固定し一体化するものである。
【００５３】（プローブから外部接続基板へ接続詳細説明）
図１０乃至図１２にて、プローブ１からテスタ信号のインタフェースとなるポゴピン１０４に至る接続構造について説明する。図１０は、プローブからポゴピンに至る接続構造を説明した断面詳細図であり、図１１は、プローブ１の出力端子１８の先端座標の寸法関係を示す図であり、図１２は、前記外縁方向配線用基板４５Ａ、４５Ｂ、４５Ｃと前記円周方向配線用基板４６とを各々絶縁用フィルム４７を介して重ね合わせたときの前記中間配線基板４の部分詳細図を示す。
【００５４】（プローブのＸ、Ｚ方向段差接続）
図１０乃至図１２において、外縁方向配線用基板４５Ａ、４５Ｂ、４５Ｃとそれぞれに対応するプローブとの接続方法について説明する。電極パッド１０３Ａ、１０３Ｂ、１０３Ｃに対応するプローブ１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの出力端子を１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃとする。各々のプローブを製造する際、あらかじめ出力端子１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃが図１１に示す寸法関係となるように外形設計する。各々外形の異なるプローブであっても同一の金属箔上で一括エッチングすることにより安価に製造可能である。
【００５５】  図１０乃至図１２の例では、出力端子１８Ａに対し、出力端子１８
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ずらした位置に設置されている。Ｘ方向に先端位置をずらすことにより電極パッド１０３Ａ，１０３Ｂ、１０３Ｃが非常に狭ピッチ（例えば５０μｍ）で近接されていたとしても、プローブの出力端子１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃは安価な樹脂基板での最小スルーホールピッチ（例えば０．５ｍｍピッチ）で配置することが可能である。また、Ｚ方向に先端位置をずらすことにより対応する各基板にスルーホール接続することなく直接プローブの出力端子から外縁方向配線用基板４５に接続が可能となる。これにより、狭ピッチかつ多ピンのプローブから外部接続基板への配線が容易となる。
【００５６】（外部接続基板の構成）
図６、図７及び図１０に示すように、前記外部接続基板６には、テスタ信号のインタフェースとなるポゴピン１０４と接触するランド群６３、及び前記ランド群６３の近傍に外部接続基板６の反対側へ接続する配線路としてのスルーホール６４を有する。前記中間接続基板４と前記外部接続基板６との電気的接続は、対応するスルーホールを介して接続ピンによる半田付け又は圧入等により接続する。
【００５７】  図１０及び図１２において、プローブから外部接続基板への接続を詳細に説明する。電極パッド１０３Ａにプローブ１０Ａの先端部が接触すると、テスト信号の電気的導通が開始される。プローブの出力端子１８Ａの先端が、第１の外縁方向配線用基板４５Ａのパッド４２Ａに接続されているため、電気信号はパッド４２Ａから外縁部へ配線パターン４３Ａによって円周方向配線用基板４６の直下からスルーホール４４Ａを経由し、円周方向配線用基板４６の一つの円周方向配線４６１Ａに接続され、さらに外部接続基板６の該当するポゴピン用ランド６３１Ａの近傍から前記ランド６３１Ａへ接続するスルーホール６４１Ａへ配線パターンを経由し、前記ランド６３１Ａに接続される。
【００５８】  また、電極パッド１０３Ｂに対応するプローブ１０Ｂにおいては、プローブの出力端子１８Ｂの先端が、第２の外縁方向配線用基板４５Ｂのパッド４２１Ｂに接続されている。このとき第１の外縁方向配線用基板４５Ａには開口部４８Ａを設けることにより、プローブの出力端子１８Ｂの先端が直接パッド４２Ｂに接続されることになる。電気信号はパッド４２Ｂから外縁部へ配線パターン４３Ｂによって円周方向配線用基板４６の直下からスルーホール４４Ｂを経由し、円周方向配線用基板４６の一つの円周方向配線４６１Ｂに接続され、さらに外部接続基板６の該当するポゴピン用ランド６３１Ｂの近傍から前記ランド６３１Ｂへ接続するスルーホール６４１Ｂへ配線パターンを経由し、前記ランド６３１Ｂに接続される。
【００５９】  同様に、電極パッド１０３Ｃに対応するプローブ１０Ｃにおいては、プローブの出力端子１８Ｃの先端が、第３の外縁方向配線用基板４５Ｃのパッド４２Ｃに接続されている。このとき第１及び第２の外縁方向配線用基板４５Ａ、４５Ｂには開口部４８Ｂを設けることにより、プローブの出力端子１８Ｃの先端が直接パッド４２Ｃに接続されることになる。電気信号はパッド４２Ｃから外縁部へ配線パターン４３Ｃによって円周方向配線用基板４６の直下からスルーホール４４Ｃを経由し、円周方向配線用基板４６の一つの円周方向配線４６１Ｃに接続され、さらに外部接続基板６の該当するポゴピン用ランド６３１Ｃの近傍から前記ランド６３１Ｃへ接続するスルーホール６４１Ｃへ配線パターンを経由し、前記ランド６３１Ｃに接続される。
【００６０】  以上説明した構造及び動作により、配線数の増加に伴い、外縁方向配線用基板４５を増設させることが可能であり、また、円周方向配線基板４５の配線パターンを標準化し、スルーホールを選択することにより外部接続基板への配線が可能であるため、ＬＳＩの機種変更においても、いわゆる多層基板を新規に設計製造するよりも安価に作製することができる。
【００６１】（各部取付け関係）
以下に、前記補強板７と前記金属基台５とプローブ組立体固定板３及び前記外部接続基板６と前記中間接続基板４との相互関係を詳細に説明する。
【００６２】（開口部と中間接続基板との関係）
図６及び図７に示すように、前記外部接続基板６と概略同一の直径を有する前記金属基台５とプローブ組立体固定板３との間に、前記中間接続基板４を挟んで固定し、プローブ組立体固定板３に設けた開口部３１を介してプローブの出力端子１８と前記中間接続基板４のパッド部４２との接続が可能となる。また、前記金属基台５の反対側の面に前記外部接続基板６を固定し、前記金属基台５の周辺部に設置した開口部５１により、前記外部接続基板６と前記中間配線基板４との接続を可能にしている。
【００６３】（補強板と金属基台と中間接続基板との固定方法）
図６に示すように、補強板７と金属基台５とプローブ組立体固定板３及び中間配線基板４とは複数個所ネジ７２、７３により固定されている。補強板７と金属基台５とプローブ組立体固定板３の熱膨張係数が半導体ウェハの熱膨張係数と近似である材料（例えばＦｅ−３６Ｎｉ合金）を用いることにより、検査の温度範囲に伴いシリコンウェハの熱収縮に合わせて金属基台５及びプローブ組立体固定板３が概略同一の収縮量変化するため、プローブ組立体固定板３に固定されたプローブもそれに追従し、広範囲な温度変化においても常にプローブ先端が電極パッドに接触させることができる。
【００６４】  一方、前記中間配線基板４は銅箔及びポリイミド等によって構成されているため、シリコンウェハの熱膨張率よりも大きな値を有しているが、前記金属基台５とプローブ組立体固定板３との間に挟み、ＸＹ面にて複数個所ネジ止め等の手段によりＸＹ方向変位を拘束することで、温度変化に伴う熱収縮の発生においても、前記中間配線基板４の小範囲（例えば対象ＬＳＩ１０乃至２０個相当）における前記中間配線基板４の変位量を少なくできる。
【００６５】  また、前述した出力端子１８の先端位置を分散することにより、前記中間配線基板４上のパッド面積を大きく設置できるため、温度変化に伴う熱収縮の発生においても、出力端子１８が中間配線基板４のパッド部４２から外れることがない。また、プローブ１の出力端子１８と中間接続基板４のパッド４２とは、Ｚ方向のバネ力のみにより接触し、ＸＹ平面方向には拘束されないため、温度変化に伴う熱収縮差が生じても接触点の破断が生じることがない。
【００６６】（金属基台と補強板と外部接続基板との固定方法）
図６により、前記金属基台５と前記補強板７と前記外部接続基板６との固定関係を説明する。前記補強板７は、前記外部接続基板６を挟んで前記金属基台５にネジ７２によって数箇所固定している。この際、前記外部接続基板６の前記ネジ７２の貫通用穴６５にスペーサ７１を介して固定する。前記スペーサ７１のＺ方向高さは、前記外部接続基板６の厚さより僅かに大きく設定されている。これにより、前記外部接続基板６と、前記金属基台５及び前記補強板７との間に隙間が確保されるため、前記ネジ７２の固定によりＺ方向のみ拘束され、ＸＹ方向には拘束されない。
【００６７】  さらに、前記外部接続基板６の貫通用穴６５は、基板中心部近傍の穴６５ａでは、前記穴６５ａの内径が前記スペーサ７１の外形寸法より僅かに大きく設定されているが、基板外周近傍の穴６５ｂでは、前記穴６５ｂの内径が前記中心部近傍の穴６５ａの内径より大きく設定されている。これにより、熱膨張係数の大きい前記外部接続基板６が、温度変化に伴い前記金属基台５及び前記補強板７の熱収縮とは独立して円周方向に変位する。また、前記金属基台５及び前記補強板７との間に隙間を設けることにより、前記外部接続基板６に反りが発生しても、前記反りの前記金属基台５及び前記補強板７に対する影響を最小限にとどめることができる。したがって、プローブ先端の動作が安定するという効果がある。
【００６８】（全体の熱収縮動作関係）
図１３は、本発明の実施例により構成されたプローブカードにおける温度変化に伴う各部の熱収縮に対する動作を説明する模式図である。図１３にて、全体の熱収縮動作関係を説明する。
【００６９】  図１３において、ＣＴＥ１は前記金属基台５と前記補強板７とプローブ組立体固定板３の熱膨張係数〔１／Ｋ（℃）〕であり、半導体ウェハの熱膨張係数と近似である材料（例えばＦｅ−３６Ｎｉ合金）を用いている。ＣＴＥ２は半導体シリコンウェハ１０２の熱膨張係数であり、ＣＴＥ３は前記外部接続基板６及び前記中間配線基板４の熱膨張係数である。
【００７０】  前記金属基台５と前記補強板７と前記プローブ組立体固定板３は、半導体ウェハ１０２の熱膨張係数と近似である材料を使用し、かつ、ネジ７２及び７３にて各々ＸＹ平面方向に沿って平行に固定しているため、半導体ウェハ１０２のＸＹ方向の熱収縮に対し、一体となって半導体ウェハ１０２とほぼ同位相の熱収縮動作を行う。
【００７１】  一方、前記プローブ組立体固定板３に固定されている分割された単位の前記プローブ組立体２は前記分割単位で、前記プローブ組立体固定板３の熱収縮に伴う変位移動を行う。したがって、前記プローブ組立体２に搭載されたプローブ１の先端１４Ａの変位は、半導体ウェハ１０２上の電極パッド１０３の変位量の変化に追従することになる。
【００７２】  前記中間配線基板４は銅箔及びポリイミド等の樹脂によって構成されているため、シリコンウェハの熱膨張率ＣＴＥ２よりも大きな値を有しているが、図８（ａ）で示すように厚さの薄いフィルム状の基板を基本単位としているため、前記金属基台５とプローブ組立体固定板３との間に挟み、ＸＹ平面において複数個所ネジ止め等の手段により小範囲（例えば対象ＬＳＩ１０個乃至２０個相当）にＸＹ方向変位を拘束することで、後述するように温度変化に伴う熱収縮の発生においても、前記小範囲における前記中間配線基板４の前記パッド４２の変位量を十分少なくすることができる。
【００７３】  熱膨張係数の大きい前記外部接続基板６は前述したように、周辺近傍においてはＸＹ方向に拘束されていない構造のため、温度変化に伴い前記金属基台５及び前記補強板７の熱収縮とは独立して円周方向に変位する。また、前記金属基台５及び前記補強板７との間に隙間を設けることにより、前記外部接続基板６に反りが発生しても、前記反りの前記金属基台５及び前記補強板７に対する影響を最小限にとどめることができる。
【００７４】（中間配線基板の動作）
図１４にて、中間配線基板の熱収縮動作関係を詳細に説明する。図１４（ａ）は、熱的平衡状態（例えば常温）における関係を示す断面図である。前記中間配線基板４は前記金属基台５とプローブ組立体固定板３との間に挟み、ＸＹ平面においてネジ７３ａ、７３ｂ、７３ｃによってネジ止めされている。ネジ７３ａに相当する位置をＸ０、ネジ７３ｂに相当する位置をＸ１、ネジ７３ｃに相当する位置をＸ２とし、Ｘ０からＸ１までの距離をＬ１、Ｘ１からＸ２までの距離をＬ２とする。
【００７５】
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ある。Ｘ０を基準位置とし、図１４（ａ）における前記金属基台５等のＸ１に相当する位置をＸ１′、Ｘ２に相当する位置をＸ２′とし、前記ウェハ１０２のＸ１に相当する位置をＸ１″、Ｘ２に相当する位置をＸ２″とする。前記金属基台５と前記補強板７と前記プローブ組立体固定板３及び前記プローブ組立体固定板３に搭載されたプローブ組立体２は前述したように一体となって伸縮する。Ｘ１′の位置は
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化する。同様に、Ｘ１′とＸ２′との距離は、Ｌ２＋〔ＣＴＥ１×Ｌ
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【００７６】  また、ウェハ１０２の動作は、Ｘ０を基準位置とすると、Ｘ１″の
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に変化する。同様に、Ｘ１″とＸ２″との距離は、Ｌ２＋〔ＣＴＥ２
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７とプローブ組立体固定板３の熱膨張係数ＣＴＥ１を、ウェハ１０２の熱膨張係数ＣＴＥ２と近似の材料を用いることにより、プローブ先端１４Ａが電極パッド１０３に追従させることが可能である。
【００７７】  一方、中間配線基板４は、元の長さＬ１及びＬ２に対し図１４（ｂ）
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が、ネジ７３ａ、７３ｂ、７３ｃで拘束されているため、Ｘ方向に対しては前記金属基台５等と同じ距離だけ伸長することになり、各々の
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（ｂ）に示すようにネジ７３ａと７３ｂ間、及びネジ７３ｂと７３ｃ間での弛みとなって現れてくる。
【００７８】  しかしながら、拘束するネジ間距離を小範囲とすることで、温度変化に伴う熱収縮の発生においても、前記小範囲における前記中間配線基板４の前記パッド４２の変位量を十分少なくすることができる。また、前述したように隣接したプローブ出力端子１８の先端位置はＸ方向に例えば０．５ｍｍ以上に分散して配置しているため、パッド４２の面積を比較的大きく設置できるため、温度変化に伴う熱収縮に伴いパッド４２に変位量が生じても、プローブ出力端子１８がパッド４２から外れることがない。
【００７９】  以上説明した本発明により、大型ウェハ上の全ての半導体チップを一括同時に検査するプローブカードにおいて、プローブ先端位置をシリコンウェハの熱収縮に追従可能な構成としたため、温度変化に伴う相対的位置ずれによる接触不良の問題点を解決すると共に、プローブと配線基板との接続点における破断等の問題を解決し、広範囲な温度範囲でも全半導体チップの電気的特性検査を確実にし、かつ、組立後においても１個又は複数のプローブを交換可能な構造とし、中間配線基板を簡易な構造としたことにより、安価なプローブカードを提供するものである。
【産業上の利用可能性】
【００８０】  本発明は上記実施例に限定されず、大型ウェハ上の全ての半導体チップを一括同時に検査するプローブカードにおいて、上記実施例による薄板状プローブの他、従来のカンチレバー型又は垂直型にも適用可能であり、本発明の趣旨によるプローブ先端位置をシリコンウェハの熱収縮に追従可能な構成とすることにより、温度変化に伴う相対的位置ずれによる接触不良や接続点の破断等の問題を解決し、広範囲な温度範囲でも全半導体チップの電気的特性検査を確実に行うプローブカードを安価に提供する。
【符号の説明】
【００８１】１、１０Ａ〜１０Ｄ  プローブ
２、２０  プローブ組立体
３  プローブ組立体固定板
４  中間配線基板
５  金属基台
６  外部接続基板
７  補強板
８  プローブ先端ガイド板
１１  金属箔
１２  樹脂フィルム
１３Ａ、１３Ｂ  平行ばね部
１４  垂直プローブ
１４Ａ  プローブ先端部
１５ａ〜１５ｄ  平行粱
１６  固定部
１７、１７Ａ、１７Ｂ  導電パターン
１８  出力端子
１９  切り欠き
１９１Ａ、１９１Ｂ  ストッパー
２１、２１１  支持棒
２１ａ〜２１ｃ、２１１ａ〜２１１ｄ  側面
２２ａ、２２ｂ  固定用側板
２３  切り欠き
２４、２４１、２４２  溝
３１  開口部
４１Ａ  非導電性フィルム
４１Ｂ  銅箔
４２  パッド部
４３  配線パターン
４４  スルーホール
４５  外縁方向配線用基板
４６  円周方向配線用基板
４６１  円周方向配線パターン
４７  絶縁用フィルム
４８  開口部
５１  開口部
５２  リング
５３  カバー
６１  接続部
６２  配線路
６３、６３１  ランド
６４、６４１  スルーホール
６５  穴
７１  スペーサ
７２、７３  ねじ
８１  スリット
１００  プローブカード
１０１  ホルダ
１０２  被検査ウェハ
１０３  電極パッド
１０４  ポゴピン
１０５  被検査チップ
ＣＴＥ１、ＣＴＥ２、ＣＴＥ３  熱膨張係数
Ｐｗ、Ｐｆ  溝間ピッチ
Ｗｓ  ストッパー間距離
Ｗ１、Ｗ２  切り欠き開口幅
Ｗｒ、Ｗｒａ、Ｗｒｂ  支持棒外形寸法
Ｗｒ１、Ｗｒ２  支持棒溝底面間距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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