(57)【要約】【課題】  画像を表示でき、入力手段にて接触される個所の位置情報を精度良く抽出できる電子機器を提供する。【解決手段】  電子機器は、表示パネルと、それぞれコンデンサ３７を含んだ複数のセンサ回路３２を有したセンサモジュールと、複数のセンサ回路に対して書込み動作及び読み取り動作を行い、複数のセンサ回路が接触位置に重なっているのかどうかを判断する制御モジュールと、を備える。制御モジュールは、複数のセンサ回路３２のコンデンサ３７の第１電極Ｅ１に振動成分を持つプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を与え、第２電極Ｅ２に上記振動成分と同位相の振動成分を持つ基準電圧ＶＳＳを与えることにより書込み動作を行い、入力手段による入力動作に応じて第１電極Ｅ１に生じる静電容量結合の強弱に起因したコンデンサ３７の静電容量変動を読み取ることにより読み取り動作を行う。【選択図】図７
2012073668.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示し、入力手段にて接触される個所の位置情報を抽出する電子機器において、
画像を表示する表示面を有した表示パネルと、
前記表示パネルに設けられ、それぞれコンデンサを含んだ複数のセンサ回路を有したセンサモジュールと、
前記複数のセンサ回路に対して書込み動作及び読み取り動作を行い、前記複数のセンサ回路が接触位置に重なっているのかどうかを判断する制御モジュールと、を備え、
前記制御モジュールは、
前記複数のセンサ回路のコンデンサの第１電極に振動成分を持つプリチャージ電圧を与え、前記第１電極に対して前記表示面の反対側に位置した第２電極に前記振動成分と同位相の振動成分を持つ基準電圧を与えることにより前記書込み動作を行い、
前記入力手段による入力動作に応じて前記第１電極に生じる静電容量結合の強弱に起因した前記コンデンサの静電容量変動を読み取ることにより前記読み取り動作を行い、
前記接触位置に重なっていないセンサ回路において、前記書込み動作における前記第１電極の電圧値の上昇は促進され、前記コンデンサの保持電圧の値は大きく、前記コンデンサの出力電圧はタイミングによらずに一定であり、
前記接触位置に重なっているセンサ回路において、前記書込み動作における前記第１電極の電圧値の上昇は抑制され、前記コンデンサの保持電圧の値は小さく、前記コンデンサの出力電圧はタイミングによって変動することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記表示面に隙間を置いて対向配置され、接地された透明電極が形成され、可撓性を有するカバーをさらに備え、
前記入力手段にて前記カバーの外面を押圧することにより、前記接触位置に重なっているセンサ回路において、前記透明電極が前記第１電極に近接し、前記第１電極に生じる静電容量結合が強くなることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
画像を表示し、入力手段にて接触される個所の位置情報を抽出する電子機器において、
画像を表示する表示面を有した表示パネルと、
前記表示面に隙間を置いて対向配置された透明電極が形成され、可撓性を有するカバーと、
前記表示パネルに設けられ、それぞれコンデンサを含む複数のセンサ回路を有したセンサモジュールと、
前記透明電極に振動成分を持つ接地レベルの電圧を与え、前記複数のセンサ回路に対して書込み動作及び読み取り動作を行い、前記複数のセンサ回路が接触位置に重なっているのかどうかを判断する制御モジュールと、を備え、
前記制御モジュールは、
前記複数のセンサ回路のコンデンサの第１電極に定電圧であるプリチャージ電圧を与え、前記第１電極に対して前記表示面の反対側に位置した第２電極に定電圧である基準電圧を与えることにより前記書込み動作を行い、
前記入力手段による入力動作に起因した前記隙間の変動応じて前記第１電極に生じる静電容量結合の強弱に起因した前記コンデンサの静電容量変動を読み取ることにより前記読み取り動作を行い、
前記接触位置に重なっていないセンサ回路において、前記書込み動作における前記第１電極の電圧値の上昇は促進され、前記コンデンサの保持電圧の値は大きく、前記コンデンサの出力電圧はタイミングによらずに一定であり、
前記接触位置に重なっているセンサ回路において、前記書込み動作における前記第１電極の電圧値の上昇は抑制され、前記コンデンサの保持電圧の値は小さく、前記コンデンサの出力電圧はタイミングによって変動することを特徴とする電子機器。
【請求項４】
前記表示パネルは、前記表示面に重ねられ、それぞれ前記赤色、緑色及び青色のうち互いに異なる色を表示するための第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含み、互いに直交する行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に設けられた複数の画素と、それぞれ前記複数の画素の第１副画素、第２副画素及び第３副画素に接続され、前記列方向に沿って延出した複数の信号線と、をさらに有し、
各センサ回路は、
前記第３副画素に接続された信号線及び第１電極間に接続され、前記信号線を介して入力される前記プリチャージ電圧を前記第１電極に与えるかどうか切替えるプリチャージ制御スイッチと、
前記第１電極に接続されたゲート電極、前記第２電極とともに前記基準電圧が与えられる前記第２副画素に接続された信号線に接続されたソース電極、及びドレイン電極を有し、前記コンデンサの保持電圧の減衰量が少ない場合に導通状態となり、前記コンデンサの保持電圧の減衰量が多い場合に非導通状態となる、アンプとして機能するアンプトランジスタと、
前記ドレイン電極及び第１副画素に接続された信号線間に接続され、前記コンデンサの静電容量変動を読み取る際に導通状態に切替える出力制御スイッチと、をさらに有し、
前記第１副画素に接続された信号線には他のプリチャージ電圧が与えられ、
前記出力制御スイッチが導通状態に切替えられた際、前記コンデンサの静電容量変動に応じて前記第１副画素に接続された信号線の電位は変動することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記制御モジュールは、フレーム期間毎に前記コンデンサの静電容量変動を示す情報をデータ化して検出画像を生成し、連続するフレーム間の前記検出画像の差分を算出して差分画像を生成し、前記複数のセンサ回路が前記接触位置に重なっているのかどうかを判断することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記制御モジュールは、前記差分画像の重心座標を前記入力手段にて入力された位置であると判断することを特徴とする請求項５に記載の電子機器。
【請求項７】
前記第１電極は、ポリシリコンで形成され、前記第２電極より大きい面積を有していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項８】
前記複数のセンサ回路は、それぞれ前記コンデンサに並列に接続され、前記表示面側から入射される光の量に応じて、前記コンデンサに静電容量変動を生起させる検知素子をさらに含んでいることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項９】
前記制御モジュールは、前記第１電極に前記プリチャージ電圧を与えるタイミングと、前記コンデンサの静電容量変動を読み取るタイミングとで、前記第１電極又は第２電極の電位を変化させることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記制御モジュールは、前記第１電極に前記プリチャージ電圧を与えるタイミングと、前記コンデンサの静電容量変動を読み取るタイミングとで、前記透明電極の電位を変化させることを特徴とする請求項２又は３に記載の電子機器。
【請求項１１】
切替え手段をさらに備え、
前記制御モジュールは、電圧レベルが周期的に異なる前記プリチャージ電圧を前記第１電極に与え、
前記切替え手段は、前記複数のセンサ回路の第１電極に、前記プリチャージ電圧を与えるタイミングを切替えることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項１２】
前記表示パネルは、前記表示面に重ねられ、それぞれ前記赤色、緑色及び青色のうち互いに異なる色を表示するための第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含み、互いに直交する行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に設けられた複数の画素をさらに有し、
前記制御モジュールは、少なくとも連続する２水平ブランク期間をまとめた期間中に、ブランクとなった複数の画素に重なった各センサ回路に対して書込み動作及び読み取り動作を行い、前記各センサ回路が接触位置に重なっているのかどうかを判断することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項１３】
前記制御モジュールは、垂直ブランク期間中に、全てのセンサ回路に対して書込み動作及び読み取り動作を行い、前記各センサ回路が接触位置に重なっているのかどうかを判断することを特徴とする請求項１２に記載の電子機器。
【請求項１４】
前記表示パネルは、前記表示面に重ねられ、それぞれ前記赤色、緑色及び青色のうち互いに異なる色を表示するための第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含み、互いに直交する行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に設けられた複数の画素をさらに有し、
前記制御モジュールは、前記複数の画素がインタレース駆動された場合の垂直ブランク期間中に、ブランクとなった複数の画素に重なった各センサ回路に対して書込み動作及び読み取り動作を行い、前記各センサ回路が接触位置に重なっているのかどうかを判断することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、画像を表示し、入力手段にて接触される個所の位置情報を抽出する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＰＤＡ（パーソナル・デジタル・アシスタント）及びタブレットＰＣ（パーソナルコンピュータ）のような電子機器は、光センサを有した液晶表示パネルを有している。電子機器は、ペン等を用いて表示画面から直接データを入力可能に構成されている。さらに、上記電子機器は、光センサにて環境光を測定することも可能である。これにより、表示画像の明るさを環境光の照度に対応するように調整することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２０９２０５号公報
【特許文献２】特開２００６−２４４４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、画像を表示することができる、光センサを備えた電子機器を使用する場合、照明等の外光環境によっては、真に接触（入力）しているときと、単に空中に浮いているときと、の区別が困難となる恐れがある。そして、光センサによる光検出に誤りが生じた場合、誤入力となってしまう。このため、入力手段にて接触される個所の位置情報を精度良く抽出する技術が求められている。  
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、画像を表示でき、入力手段にて接触される個所の位置情報を精度良く抽出できる電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態に係る電子機器は、
画像を表示し、入力手段にて接触される個所の位置情報を抽出する電子機器において、
画像を表示する表示面を有した表示パネルと、
前記表示パネルに設けられ、それぞれコンデンサを含んだ複数のセンサ回路を有したセンサモジュールと、
前記複数のセンサ回路に対して書込み動作及び読み取り動作を行い、前記複数のセンサ回路が接触位置に重なっているのかどうかを判断する制御モジュールと、を備え、
前記制御モジュールは、
前記複数のセンサ回路のコンデンサの第１電極に振動成分を持つプリチャージ電圧を与え、前記第１電極に対して前記表示面の反対側に位置した第２電極に前記振動成分と同位相の振動成分を持つ基準電圧を与えることにより前記書込み動作を行い、
前記入力手段による入力動作に応じて前記第１電極に生じる静電容量結合の強弱に起因した前記コンデンサの静電容量変動を読み取ることにより前記読み取り動作を行い、
前記接触位置に重なっていないセンサ回路において、前記書込み動作における前記第１電極の電圧値の上昇は促進され、前記コンデンサの保持電圧の値は大きく、前記コンデンサの出力電圧はタイミングによらずに一定であり、
前記接触位置に重なっているセンサ回路において、前記書込み動作における前記第１電極の電圧値の上昇は抑制され、前記コンデンサの保持電圧の値は小さく、前記コンデンサの出力電圧はタイミングによって変動することを特徴としている。
【０００６】
また、一実施形態に係る電子機器は、
画像を表示し、入力手段にて接触される個所の位置情報を抽出する電子機器において、
画像を表示する表示面を有した表示パネルと、
前記表示面に隙間を置いて対向配置された透明電極が形成され、可撓性を有するカバーと、
前記表示パネルに設けられ、それぞれコンデンサを含む複数のセンサ回路を有したセンサモジュールと、
前記透明電極に振動成分を持つ接地レベルの電圧を与え、前記複数のセンサ回路に対して書込み動作及び読み取り動作を行い、前記複数のセンサ回路が接触位置に重なっているのかどうかを判断する制御モジュールと、を備え、
前記制御モジュールは、
前記複数のセンサ回路のコンデンサの第１電極に定電圧であるプリチャージ電圧を与え、前記第１電極に対して前記表示面の反対側に位置した第２電極に定電圧である基準電圧を与えることにより前記書込み動作を行い、
前記入力手段による入力動作に起因した前記隙間の変動応じて前記第１電極に生じる静電容量結合の強弱に起因した前記コンデンサの静電容量変動を読み取ることにより前記読み取り動作を行い、
前記接触位置に重なっていないセンサ回路において、前記書込み動作における前記第１電極の電圧値の上昇は促進され、前記コンデンサの保持電圧の値は大きく、前記コンデンサの出力電圧はタイミングによらずに一定であり、
前記接触位置に重なっているセンサ回路において、前記書込み動作における前記第１電極の電圧値の上昇は抑制され、前記コンデンサの保持電圧の値は小さく、前記コンデンサの出力電圧はタイミングによって変動することを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る電子機器の構成を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルと、バックライトユニットとを示す概略断面図である。
【図３】図３は、上記液晶表示パネルの画素、及び画素に重なったセンサ回路の等価回路を示す図である。
【図４】図４は、上記画素及びセンサ回路を示す平面図である。
【図５】図５は、上記センサ回路の一部を示す断面図であり、コンデンサ及びアンプトランジスタを示す図である。
【図６】図６は、センサモジュールが設けられた上記液晶表示パネルを示す概略断面図であり、入力手段による入力動作により、センサモジュールのコンデンサに静電容量結合の強弱を生じさせている状態を示す図である。
【図７】図７は、接触位置に重なっているセンサ回路を示す等価回路を示す図である。
【図８】図８は、接触位置に重なっていないセンサ回路における、時間に対する図７に示したノードｎ０、ｎ１の電圧値の変化をグラフで示す図である。
【図９】図９は、接触位置に重なっているセンサ回路における、時間に対する図７に示したノードｎ０、ｎ１の電圧値の変化をグラフで示す図である。
【図１０】図１０は、図１に示したアレイ基板上に形成される回路を示すブロック図である。
【図１１】図１１は、上記センサ回路に対して行う書込み動作から読み取り動作までの一連の動作中のセンサ回路の等価回路を示す図である。
【図１２】図１２は、図１１に続く、上記一連の動作中のセンサ回路の等価回路を示す図である。
【図１３】図１３は、図１２に続く、上記一連の動作中のセンサ回路の等価回路を示す図である。
【図１４】図１４は、図１３に続く、上記一連の動作中のセンサ回路の等価回路を示す図である。
【図１５】図１５は、図１４に続く、上記一連の動作中のセンサ回路の等価回路を示す図である。
【図１６】図１６は、図１に示したセンサ用ＩＣの概略構成を示すブロック図である。
【図１７】図１７は、入力手段が近接されたセンサ回路及び入力手段が近接されなかったセンサ回路から出力された信号に基づく、時間に対する差分画像の階調値の変化をグラフで示す図である。
【図１８】図１８は、時間に対する、入力手段が近接されたセンサ回路から出力された信号に基づく差分画像の重心座標の変化量をグラフで示す図である。
【図１９】図１９は、同時に複数個所に入力手段が接触している様子を示す液晶表示パネルの側面図及び平面図を縦に並べた図である。
【図２０】図２０は、センサモジュールが設けられた上記液晶表示パネル及び導光板を示す概略断面図であり、入力手段による入力動作により、入力手段にて反射される反射光を、光センサを用いて検出している状態を示す図である。
【図２１】図２１は、センサモジュールが設けられた上記液晶表示パネル及び導光板を示す概略断面図であり、入力手段による入力動作により、環境光を光センサを用いて検出し、入力手段の影を検出している状態を示す図である。
【図２２】図２２は、上記センサ回路の第１電極の変形例を示す図であり、上記画素及びセンサ回路を示す平面図である。
【図２３】図２３は、複数の画素ＰＸを含んだ画素群ＰＸＧを示す概略図である。
【図２４】図２４は、上記液晶表示パネルの画素、及び画素に重なったセンサ回路の等価回路を示す図であり、センサ回路の変形例を示す図である。
【図２５】図２５は、上記液晶表示パネル及びカバーを示す概略断面図であり、カバーの透明電極が接地されている状態を示す図である。
【図２６】図２６は、センサモジュールが設けられた上記液晶表示パネル及びカバーを示す概略断面図であり、入力手段による入力動作により、カバーの外面を押圧している状態を示す図である。
【図２７】図２７は、上記液晶表示パネル及びカバーを示す概略断面図であり、カバーの透明電極に接地レベルの電圧を与えている状態を示す図である。
【図２８】図２８は、第２の実施形態に係る電子機器において、書込み動作のタイミングと、読み取り動作のタイミングとで、第２電極の電位を変化させ、入力手段にて接触される個所の位置情報を抽出する場合の概念を説明する概略図である。
【図２９】図２９は、第３の実施形態に係る電子機器において、センサ用ＩＣ及び液晶表示パネルの概略構成を示す図であり、センサ用ＩＣのＤＡＣから液晶表示パネル側に出力されるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を、液晶表示パネル内部で、複数の画素に複数の電位を異なるタイミングで印加するように処理した例を示す図である。
【図３０】図３０は、第３の実施形態に係る電子機器において、センサ用ＩＣ及び液晶表示パネルの概略構成を示す図であり、センサ用ＩＣのＤＡＣから液晶表示パネル側に出力されるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を、センサ用ＩＣ内部で、複数の画素に複数の電位を異なるタイミングで印加するように処理した例を示す図である。
【図３１】図３１は、第３の実施形態に係る電子機器において、時間に対するプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１の変化をグラフで示す図である。
【図３２】図３２は、第３の実施形態に係る電子機器において、上記液晶表示パネルの一部の領域の複数の画素を示す図であり、画素に与えるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１のレベルを５個に分類した例を示す図である。
【図３３】図３３は、第４の実施形態に係る電子機器において、連続する４水平ブランク期間をまとめた期間中に、上記センサ回路を動作する例を示す図である。
【図３４】図３４は、第４の実施形態に係る電子機器において、上記センサ回路を動作する時間を確保した具体例について説明する図である。
【図３５】図３５は、第４の実施形態に係る電子機器において、１水平ブランク期間中に、全てのセンサ回路を動作する例を示す図である。
【図３６】図３６は、第４の実施形態に係る電子機器において、インタレース駆動された場合の１垂直ブランク期間中に、センサ回路を動作する例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しながら第１の実施形態に係る電子機器について詳細に説明する。  
図１は、電子機器の構成を示す平面図である。図１に示すように、電子機器は、画像を表示する表示パネルとしての液晶表示パネルＤＰ、制御モジュールとしてのセンサ用ＩＣ（Integrated Circuit）４、表示用ＩＣ５、駆動ボード６、電源回路７、フレキシブル基板８、センサ用ＩＣ４のインタフェース（Ｉ／Ｆ）９ａ、及び表示用ＩＣ５のインタフェース９ｂを備えている。
【０００９】
表示用ＩＣ５は、液晶表示パネルＤＰにチップオングラス（ＣＯＧ）実装されている。表示用ＩＣ５は、表示処理の制御を行う。液晶表示パネルＤＰは、ホスト側のＣＰＵからインタフェース９ａ及び表示用ＩＣ５を介して伝送されてくる映像信号（Ｖｓｉｇ）に基づいて画像を表示する。
【００１０】
フレキシブル基板８は、液晶表示パネルＤＰに圧着され、駆動ボード６と接続されている。電源回路７及びセンサ用ＩＣ４は、駆動ボード６上に載置されている。電源回路７はセンサ用ＩＣ４や表示用ＩＣ５等に電源を供給する。センサ用ＩＣ４は、ＣＯＧ実装されていてもよい。
【００１１】
センサ用ＩＣ４の中には各種画像処理ブロックが含まれる。センサ用ＩＣ４は、液晶表示パネルＤＰに内蔵回路を駆動するための制御信号を出力するとともに、液晶表示パネルＤＰから出力されるセンサ（センサモジュール）のデータを受けて所定の信号処理を行いユーザが入力手段にて液晶表示パネルＤＰのどこを押しているかの「座標」とタイミングを計算して「接触フラグ」をインタフェース９ａを介してホスト側に出力する。
【００１２】
図２は、図１に示した液晶表示パネルＤＰと、バックライトユニットＢＵとを示す概略断面図である。  
図１及び図２に示すように、液晶表示パネルＤＰは、アレイ基板１と、対向基板２と、液晶層３とを備えている。アレイ基板１及び対向基板２は、それぞれ矩形状に形成されている。アレイ基板１は、対向基板２よりも大きな寸法に形成されている。アレイ基板１及び対向基板２は、各々の３辺がほぼ重なるように配置されている。アレイ基板１の残る一辺において、アレイ基板１は、対向基板２よりも外側へ延出している。
【００１３】
アレイ基板１は、透明な絶縁基板として、矩形状のガラス基板１ｓを有している。ガラス基板１ｓ上にアレイパターン１ｐが形成されている。対向基板２は、透明な絶縁基板として、矩形状のガラス基板２ｓを有している。ガラス基板２ｓ上に対向パターン２ｐが形成されている。この実施形態において、対向パターン２ｐは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の着色層を有したカラーフィルタを含んでいる。液晶表示パネルＤＰは、アレイ基板１及び対向基板２に重なった矩形状の表示領域Ｒ１を有している。なお、後述する入力領域Ｒ２は表示領域Ｒ１に重なっている。
【００１４】
アレイ基板１及び対向基板２は、複数本の柱状スペーサ１１により所定の隙間を保持して対向配置されている。アレイ基板１及び対向基板２は、表示領域Ｒ１の周縁部である両基板の周縁部に配置された矩形枠状のシール材１２により互いに接合されている。
【００１５】
液晶層３は、アレイ基板１及び対向基板２間に挟持され、シール材１２で囲まれている。図示しないが、シール材１２の一部に形成された液晶注入口は、封止材により封止されている。
【００１６】
アレイ基板１の外面には偏光板１３が配置され、対向基板２の外面には偏光板１４が配置されている。偏光板１３は、表示面Ｓを有している。また、この実施形態において、表示面Ｓは入力面としても機能している。
【００１７】
バックライトユニットＢＵは、対向基板２に対してアレイ基板１の反対側に配置されている。バックライトユニットＢＵは、偏光板１４に対向配置された導光板ＢＵａと、導光板の一側縁に対向配置された光源ＢＵｂ及び反射板ＢＵｃとを備えている。バックライトユニットＢＵは、偏光板１４に向けて光を放出する。
【００１８】
液晶表示パネルＤＰは、入射されるバックライトを透過させるかどうか制御される。液晶表示パネルＤＰは、偏光板１３の外面側に光を放射させることにより、表示領域Ｒ１に画像を表示する。
【００１９】
図３は、液晶表示パネルＤＰの画素ＰＸ、及び画素ＰＸに重なったセンサ回路３２の等価回路を示す図である。図４は、画素ＰＸ及びセンサ回路３２を示す平面図である。  
図１乃至図４に示すように、液晶表示パネルＤＰは、互いに直交する行方向ｄ１及び列方向ｄ２に沿ってマトリクス状に設けられた複数の画素ＰＸを有している。複数の画素ＰＸは、表示面Ｓに重なっている。この実施形態において、画素数は２４０×３２０であり、画素ピッチは１５３μｍである。
【００２０】
画素ＰＸは、赤色、緑色及び青色のうち互いに異なる色を表示するための第１副画素ＳＰＸａ、第２副画素ＳＰＸｂ及び第３副画素ＳＰＸｃを含んでいる。この実施形態において、第１副画素ＳＰＸａは赤色の着色層に、第２副画素ＳＰＸｂは緑色の着色層に、第３副画素ＳＰＸｃは青色の着色層に、それぞれ重なっている。
【００２１】
アレイパターン１ｐは、複数の走査線２１、複数の信号線２２、複数の補助容量線２３を有している。走査線２１は、行方向ｄ１に延出し、列方向ｄ２に間隔を置いて並んでいる。補助容量線２３は、走査線２１に間隔を置いて並べられている。補助容量線２３は、走査線２１と同様、行方向ｄ１に延出し、列方向ｄ２に間隔を置いて並んでいる。
【００２２】
信号線２２は、列方向ｄ２に延出し、行方向ｄ１に間隔を置いて並んでいる。ここで、信号線２２は、第１副画素ＳＰＸａに接続された信号線２２ａ、第２副画素ＳＰＸｂに接続された信号線２２ｂ、及び第３副画素ＳＰＸｃに接続された信号線２２ｃに分類することができる。
【００２３】
水平走査期間中や垂直走査期間中、信号線２２ａ、２２ｂ、２２ｃには映像信号Ｖｓｉｇが与えられる。後述するが、水平ブランク期間中、信号線２２ｃには振動成分を持つプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１が与えられ、信号線２２ｂにはプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１の振動成分と同位相の振動成分を持つ基準電圧ＶＳＳが与えられ、信号線２２ａには定電圧である他のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ２が与えられる。
【００２４】
走査線２１、信号線２２及び補助容量線２３は、第１副画素ＳＰＸａ、第２副画素ＳＰＸｂ及び第３副画素ＳＰＸｃに接続されている。
【００２５】
第１副画素ＳＰＸａ、第２副画素ＳＰＸｂ及び第３副画素ＳＰＸｃは、それぞれ副画素回路３１を有している。副画素回路３１は、スイッチング素子としての副画素スイッチ３３と、補助容量素子ＣＳと、液晶容量ＬＣとを備えている。
【００２６】
副画素スイッチ３３は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で形成され、ここでは、ＮＭＯＳ型のＴＦＴで形成されている。副画素スイッチ３３において、ゲート電極は走査線２１に接続され、ソース電極は信号線２２に接続され、ドレイン電極は補助容量素子ＣＳ及び液晶容量ＬＣに接続されている。補助容量素子ＣＳの他方の電極は補助容量線２３で形成されている。ホスト側のＣＰＵから信号線２２を通じて伝送されてきた映像信号は、走査線２１に伝送されてきた走査信号により副画素スイッチ３３がオンしたときに、副画素スイッチ３３を介して補助容量素子ＣＳ及び液晶容量ＬＣに与えられ、表示に用いられる。
【００２７】
センサ回路３２は、液晶表示パネルＤＰに設けられ、画素ＰＸに重ねられている。液晶表示パネルＤＰに設けられた複数のセンサ回路３２はセンサモジュールを形成している。複数のセンサ回路３２（センサモジュール）は、アレイパターン１ｐに含まれている。各センサ回路３２は、第１副画素ＳＰＸａ、第２副画素ＳＰＸｂ及び第３副画素ＳＰＸｃに横断的に配置されている。
【００２８】
各センサ回路３２は、センサ容量としてのコンデンサ３７と、プリチャージ制御スイッチ３８と、アンプトランジスタ３５と、出力制御スイッチ３４とを備えている。  
図５は、センサ回路３２の一部を示す断面図であり、コンデンサ３７及びアンプトランジスタ３５を示す図である。
【００２９】
図３乃至図５に示すように、コンデンサ３７は、ガラス基板１ｓ上に形成された第１電極Ｅ１と、第１電極Ｅ１に対して表示面Ｓの反対側に位置した第２電極Ｅ２とを有している。第１電極Ｅ１は、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成され、第２電極Ｅ２より大きい面積を有している。第２電極Ｅ２は、ゲート絶縁膜ＧＩを挟んで第１電極Ｅ１に対向配置されている。第２電極Ｅ２は、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）で形成されている。
【００３０】
図３及び図４に示すように、プリチャージ制御スイッチ３８は、ＴＦＴで形成され、ここでは、ＮＭＯＳ型のＴＦＴで形成されている。プリチャージ制御スイッチ３８は、信号線２２ｃ及び第１電極Ｅ１間に接続され、信号線２２ｃを介して入力されるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を第１電極Ｅ１に与えるかどうか切替える。
【００３１】
詳しくは、プリチャージ制御スイッチ３８において、ゲート電極は制御線ＣＲＴに接続され、ソース電極は信号線２２ｃに接続され、ドレイン電極は第１電極Ｅ１に接続されている。プリチャージ制御スイッチ３８は、制御線ＣＲＴを介してゲート電極にハイ（Ｈ）レベルの制御信号が与えられるタイミングで、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を第１電極Ｅ１に与える。
【００３２】
図３乃至図５に示すように、アンプトランジスタ３５は、半導体層ＳＬ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを有している。半導体層ＳＬは、ガラス基板１ｓ上に形成されている。半導体層ＳＬは、ポリシリコンで形成されている。ゲート電極ＧＥは、ゲート絶縁膜ＧＩを挟んで半導体層ＳＬに対向配置されている。ゲート電極ＧＥは、モリブデンタングステンで形成されている。
【００３３】
ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩ上に形成され、パッシベーション膜ＰＳで覆われている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩ及びゲート絶縁膜ＧＩに形成されたコンタクトホールを通って半導体層ＳＣのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、アルミニウムで形成されている。
【００３４】
アンプトランジスタ３５において、ゲート電極ＧＥは第１電極Ｅ１に接続され、ソース電極ＳＥは第２電極Ｅ２とともに信号線２２ｂに接続されている。アンプトランジスタ３５は、ＴＦＴで形成され、ここでは、ＮＭＯＳ型のＴＦＴで形成されている。アンプトランジスタ３５は、コンデンサ３７の保持電圧の減衰量が少ない場合に導通状態（オン）となり、コンデンサ３７の保持電圧の減衰量が多い場合に非導通状態（オフ）となる。アンプトランジスタ３５は、アンプ（ソースフォロアアンプ）として機能する。
【００３５】
図３及び図４に示すように、出力制御スイッチ３４は、ＴＦＴで形成され、ここでは、ＮＭＯＳ型のＴＦＴで形成されている。出力制御スイッチ３４は、ドレイン電極ＤＥ（図５）及び信号線２２ａ間に接続され、コンデンサ３７の静電容量変動を読み取る際に導通状態に切替える。
【００３６】
詳しくは、出力制御スイッチ３４において、ゲート電極は制御線ＯＰＴに接続され、ソース電極はドレイン電極ＤＥ（図５）に接続され、ドレイン電極は信号線２２ａに接続されている。信号線２２ａには他のプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ２が与えられる。出力制御スイッチ３４は、制御線ＯＰＴを介してゲート電極にハイ（Ｈ）レベルの制御信号が与えられるタイミングで導通状態に切替えられる。その際、信号線２２ａの電位は、コンデンサ３７の静電容量変動に応じて変動することになる。  
なお、上述した出力制御スイッチ３４、プリチャージ制御スイッチ３８及び副画素スイッチ３３は、アンプトランジスタ３５と同時に同一材料を用いて形成されている。
【００３７】
各センサ回路３２は、検知素子としての光センサ３６をさらに備えている。この実施形態において、光センサ３６はＰＩＮ型の光ダイオードで形成されている。光センサ３６はコンデンサ３７に並列に接続されている。図示しないが、バックライトが光センサ３６に直接入射することがないよう、光センサ３６は、遮光部材により遮光されている。光センサ３６は、半導体リーク電流の特性を利用し、入射される光の量に応じた電流を出力するものである。このため、光センサ３６は、表示面Ｓ側から入射される光の量に応じて、コンデンサ３７に静電容量変動を生起させることができる。
【００３８】
コンデンサ３７、プリチャージ制御スイッチ３８、アンプトランジスタ３５、出力制御スイッチ３４及び光センサ３６は、特定の副画素に集中することがないように配置されている。第１副画素ＳＰＸａ、第２副画素ＳＰＸｂ及び第３副画素ＳＰＸｃ間において、開口率が均等になるよう、副画素の幅は調整されている。
【００３９】
図６は、センサモジュール（センサ回路３２）が設けられた液晶表示パネルＤＰを示す概略断面図であり、入力手段２０による入力動作により、センサモジュール（センサ回路３２）のコンデンサ３７に静電容量結合の強弱を生じさせている状態を示す図である。
【００４０】
図７は、接触位置（入力手段２０が表示面Ｓに接触した位置）に重なっているセンサ回路３２を示す等価回路である。  
この実施形態において、入力手段２０は、指等の導体である。第１電極Ｅ１はよりガラス基板１ｓに近い方（下層）に位置しているため、第１電極Ｅ１は入力手段２０と静電容量結合し易い。
【００４１】
図１、及び図３乃至図７に示すように、センサ用ＩＣ４は、複数のセンサ回路３２に対して書込み動作及び読み取り動作を行い、複数のセンサ回路３２が接触位置に重なっているのかどうかを判断する。
【００４２】
センサ用ＩＣ４は、複数のセンサ回路３２のコンデンサ３７の第１電極Ｅ１に振動成分を持つプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を与え、第２電極Ｅ２に上記振動成分と同位相の振動成分を持つ基準電圧ＶＳＳを与えることにより上記書込み動作を行う。ここで、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１の中心の値は４Ｖである。また、上記振動成分であるが、周波数は５０Ｈｚ、振幅は±０．５Ｖである。またさらに、基準電圧ＶＳＳは、振動成分を持つ接地（ＧＮＤ）レベルの電圧である。
【００４３】
センサ用ＩＣ４は、信号線２２ａの電位変動を検出することにより、入力手段２０による入力動作に応じて第１電極Ｅ１に生じる静電容量結合の強弱に起因したコンデンサ３７の静電容量変動を読み取ることができる。センサ用ＩＣ４は、信号線２２ａの電位変動を検出することにより上記読み取り動作を行う。入力手段２０が第１電極Ｅ１に近接するほど、上記静電容量結合は強くなる。
【００４４】
接触位置に重なっていないセンサ回路３２において、書込み動作における第１電極Ｅ１の電圧値の上昇は促進され、コンデンサ３７の保持電圧の値は大きく、コンデンサ３７の出力電圧はタイミングによらずに一定である。
【００４５】
図８は、接触位置に重なっていないセンサ回路３２における、時間に対する図７に示したノードｎ０、ｎ１の電圧値の変化をグラフで示す図である。図８に示すように、コンデンサ３７の出力電圧はタイミングによらずに一定となることが分かる。これは、上記静電容量結合が弱く、すなわち結合容量ＣＣが小さく、第１電極Ｅ１の保持電圧の振動成分の減衰量が少ないからである。このため、コンデンサ３７の静電容量変動を読み取って撮像画像として再現し、時系列に並べても大きな差異は出ない。
【００４６】
図１、及び図３乃至図７に示すように、一方、接触位置に重なっているセンサ回路３２において、書込み動作における第１電極Ｅ１の電圧値の上昇は抑制され、コンデンサ３７の保持電圧の値は小さく、コンデンサ３７の出力電圧はタイミングによって変動する。
【００４７】
図９は、接触位置に重なっているセンサ回路３２における、時間に対する図７に示したノードｎ０、ｎ１の電圧値の変化をグラフで示す図である。図９に示すように、コンデンサ３７の出力電圧がタイミングによって変動することが分かる。これは、上記静電容量結合が強く、すなわち結合容量ＣＣが大きく、第１電極Ｅ１の保持電圧の振動成分の減衰量が多いからである。このため、コンデンサ３７の静電容量変動を読み取って撮像画像として再現すると、タイミングにより、撮像に濃淡が生じる。
【００４８】
上述したように、入力手段２０が表示面Ｓに接触したのかどうかを判定する際、コンデンサ３７の保持電圧の値の変化を読み取ることで判定することができるが、さらに、コンデンサ３７の出力電圧がタイミングによって変動する（時間の経過とともに上下動する）のかどうかを読み取ることができるため、より精度良く判定することができる。
【００４９】
図１０は、アレイ基板１上に形成される回路を示すブロック図である。図１０に示すように、下辺のＸドライバ（Ｘ−ｄｒ）４１はＣＯＧ実装等によりアレイ基板１上に実装されている。Ｘドライバ４１は、表示用ＩＣ５から出力される映像信号（Ｖｓｉｇ）をアレイ基板１上の所定の信号線（２２）に書き込むための回路である。下辺のプリチャージ回路４２は、アレイ基板１上の所定の信号線（２２ａ、２２ｃ）に所定の電圧を書き込むための回路である。
【００５０】
右辺のＹドライバ（Ｙ−ｄｒ）４３は所定のタイミングで副画素スイッチ（３３）のゲート電極を開閉して信号線（２２）に書き込まれた映像信号（Ｖｓｉｇ）を所定の副画素に書き込むための回路である。Ｙドライバ４３は、制御線（ＯＰＴ）に接続された図示しないＯＰＴ回路を含んでいる。ＯＰＴ回路は、所定のタイミングでセンサ回路（３２）のアンプトランジスタ（３５）を信号線（２２ａ）に接続させるよう、制御線（ＯＰＴ）に制御信号を与える。
【００５１】
左辺には露光時間可変回路４４が備えられている。露光時間可変回路４４は、制御線（ＣＲＴ）に接続されている。露光時間可変回路４４は、プリチャージ制御スイッチ３８のゲート電極に制御信号を与え、プリチャージ制御スイッチ３８の導通状態を切替える。プリチャージ制御スイッチ３８がオンとなることにより、プリチャージ電圧（Ｖｐｒｃ１）が第１電極（Ｅ１）に与えられる。なお、露光時間可変回路４４は、光センサ３６用である。
【００５２】
上辺にはＡ／Ｄ変換回路４５及びＳ／Ｒ出力回路４６が設けられている。Ａ／Ｄ変換回路４５は画素のセンサ回路（３２）が出力するセンサの信号（信号線２２ａの電位変動）をデジタル信号に変換する。Ｓ／Ｒ出力回路４６は、Ａ／Ｄ変換回路４５の出力をパラレル−シリアル変換するとともに増幅して外部ＬＳＩ（センサＬＳＩ）に出力する。
【００５３】
次に、センサ用ＩＣ４によるセンサ回路３２の駆動方法について説明する。  
図１１乃至図１５は、センサ回路３２に対して行う書込み動作から読み取り動作までの一連の動作中のセンサ回路３２の等価回路を示す図である。これら一連の動作は、映像信号の書込みをしていない水平ブランク期間中に行われる。
【００５４】
図１１に示すように、センサ用ＩＣ４によるセンサ回路３２の駆動方法がスタートすると、まず、プリチャージ制御スイッチ３８にはオン状態となるレベル（Ｈレベル）の制御信号が与えられ、出力制御スイッチ３４にはオフ状態となるレベル（ロー（Ｌ）レベル）の制御信号が与えられる。このため、プリチャージ制御スイッチ３８はオン、出力制御スイッチ３４はオフとなる。
【００５５】
これにより、信号線２２ｃに与えられる振動成分を持ち中心の値が４Ｖのプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１は、プリチャージ制御スイッチ３８を通って第１電極Ｅ１に与えられる。信号線２２ｂに与えられ、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１の振動成分と同位相の振動成分を持つ基準電圧ＶＳＳは、第２電極Ｅ２に与えられる。なお、基準電圧ＶＳＳは、上記一連の動作中、常時、信号線２２ｂに与えられる。  
上記のことから、コンデンサ３７はプリチャージされる。
【００５６】
図１２に示すように、続いて、プリチャージ制御スイッチ３８及び出力制御スイッチ３４にはオフ状態となるレベルの制御信号が与えられる。このため、プリチャージ制御スイッチ３８はオフに切替えられ、出力制御スイッチ３４はオフに維持される。  
これにより、所定の時間、入力手段（２０）による入力動作に応じて第１電極Ｅ１に生じる静電容量結合の強弱に起因してコンデンサ３７の静電容量は変動する。
【００５７】
上記静電容量結合が弱ければ、すなわち結合容量ＣＣが小さければ、第１電極Ｅ１の電圧値の上昇は促進され、第１電極Ｅ１はほぼ４Ｖを維持し、第１電極Ｅ１の保持電圧の振動成分の減衰量は少なくなる。
【００５８】
上記静電容量結合が強ければ、すなわち結合容量ＣＣが大きければ、第１電極Ｅ１の電圧値の上昇は抑制され、第１電極Ｅ１は０Ｖに近づき、第１電極Ｅ１の保持電圧の振動成分の減衰量は多くなる。
【００５９】
図１３に示すように、次いで、プリチャージ制御スイッチ３８及び出力制御スイッチ３４はオフに維持した状態で、信号線２２ａに５Ｖのプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ２が与えられる。これにより、信号線２２ａはプリチャージされる。その後、信号線２２ａはハイインピーダンス状態となる。
【００６０】
図１４に示すように、続いて、信号線２２ａへのプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ２の印加を中止した後、出力制御スイッチ３４にはオン状態となるレベルの制御信号が所定のタイミングで与えられる。このため、プリチャージ制御スイッチ３８はオフに維持され、出力制御スイッチ３４はオンに切替えられる。
【００６１】
これにより、アンプトランジスタ３５及び信号線２２ａは導通し、アンプトランジスタ３５の開閉状態に応じて信号線２２ａのプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ２は信号線２２ｂ（ＧＮＤ）に抜け、信号線２２ａの電位が変動する。
【００６２】
コンデンサ３７の残存電圧が例えば４Ｖのままならばアンプトランジスタ３５はオンし、信号線２２ａの電位は５Ｖから０Ｖに向かって変化する。コンデンサ３７の残存電圧が例えば０Ｖならばアンプトランジスタ３５はオフし、信号線２２ａの電位は５Ｖのまま殆ど変化しない。
【００６３】
図１５に示すように、その後、コンパレータ４８により、信号線２２ａの電位と基準電源４７の基準電圧とを比較し、信号線２２ａの電位が基準電圧より大きい場合にはハイレベルの信号を出力し、信号線２２ａの電位が基準電圧より小さい場合にはローレベルの信号を出力する。コンパレータ４８の出力は、センサ用ＩＣ４へ伝送される。
【００６４】
センサ用ＩＣ４は、信号線２２ａの電位変動を検出することにより、入力手段２０による入力動作に応じて第１電極Ｅ１に生じる静電容量結合の強弱に起因したコンデンサ３７の静電容量変動を読み取ることができる。すなわち、センサ用ＩＣ４は、センサ回路３２（コンデンサ３７）が接触位置に重なっているのかどうか判断することができる。  
上記のように、センサ用ＩＣ４によるセンサ回路３２の駆動が行われる。
【００６５】
図１６は、センサ用ＩＣ４の概略構成を示すブロック図である。  
図１６に示すように、センサ用ＩＣ４は、レベルシフタ（Ｌ／Ｓ）９１、階調化回路９２、キャリブレーション回路９３、ＤＡＣ(Digital Analog Convertor)９４、フレーム間差分処理回路９６、エッジ検出回路９７、接触確率計算回路９８、ＲＡＭ(Random Access Memory)９９を備えている。
【００６６】
階調化回路９２は、コンパレータ（４８）から伝送されてきた２値画像を基に多階調画像を生成する。言い替えると、階調化回路９２は、フレーム期間毎にコンデンサ（３７）の静電容量変動を示す情報をデータ化して検出画像を生成する。
【００６７】
その生成（変換）の手法としては、例えば、各画素（ＰＸ）について、その周囲の１２画素×１２画素の正方形領域で０又は１からなる２値データの和を取ることにより、０乃至１４４の間の多階調値を得る。または１６×１６画素の正方形領域で０乃至２５５の間の多階調値を得るようにしても良い。センサ用ＩＣ４の内部に設けるメモリ領域の配置効率を考慮して適性値を決めるのがよい。あるいは、アレイ基板１上の回路で、撮像画像のデータをアナログ信号で出力し、これを階調化回路９２でＡ／Ｄ変換器により多階調のデジタル信号に変換するようにしてもよい。センサ用ＩＣ４の内部に設けるメモリ領域の配置効率を考慮して適性値を決めるのが良い。
【００６８】
キャリブレーション回路９３は、階調化回路９２から与えられる信号に基づき、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を適正なものに調整するための制御信号を出力する。この制御信号を受けたＤＡＣ９４、レベルシフタ９１では、プリチャージ時間を調節する。
【００６９】
その他、キャリブレーション回路９３は、階調化回路９２から与えられる信号に基づき、光センサ３６が露光される時間を適正なものに調整するための制御信号を出力することも可能である。この制御信号を受けたＤＡＣ９４、レベルシフタ９１では、プリチャージ時間及び露光時間を調節する。
【００７０】
フレーム間差分処理回路９６は、現在のフレームにおける多階調画像とＲＡＭ９９に格納されている過去の多階調画像との差分を取った差分画像を生成する。言い替えると、フレーム間差分処理回路９６は、連続するフレーム間の上記検出画像の差分を算出して差分画像を生成する。そして、フレーム間差分処理回路９６は、連続する上記差分画像の階調値から入力手段（２０）の接触位置（接触領域）を抽出することができる。これにより、複数のセンサ回路（３２）が接触位置に重なっているのかどうかを判断することができる。
【００７１】
図１７は、入力手段（２０）が近接されたセンサ回路（３２）及び入力手段（２０）が近接されなかったセンサ回路（３２）から出力された信号に基づく、時間に対する差分画像の階調値の変化をグラフで示す図である。
【００７２】
図１６及び図１７に示すように、実線のデータは、差分画像の階調値が所定値以上であり、この階調値に濃淡（振動）が生じていることから、フレーム間差分処理回路９６は、対応するセンサ回路（３２）が接触位置に重なっていると判断することができる。
【００７３】
破線のデータは、差分画像の階調値が所定値未満であり、この階調値に濃淡（振動）が生じていないことから、フレーム間差分処理回路９６は、対応するセンサ回路（３２）が接触位置に重なっていないと判断することができる。
【００７４】
図１６に示すように、また、フレーム間差分処理回路９６は、生成した差分画像からこの重心を算出し、確率計算の候補として、入力手段（２０）による入力位置座標がこの重心にある旨を示す信号を出力する。
【００７５】
図１８は、時間に対する、入力手段（２０）が近接されたセンサ回路（３２）から出力された信号に基づく差分画像の重心座標の変化量をグラフで示す図である。図１６及び図１８に示すように、一瞬ではあるが入力手段（２０）が接触状態（入力手段（２０）が近接している状態）を維持している間、差分画像の重心座標の変化量は所定値以下となり、ここではほぼ０となることから、フレーム間差分処理回路９６は、上記差分画像の重心座標を入力手段（２０）にて入力された位置であると判断することができる。
【００７６】
図１６に示すように、エッジ検出回路９７は、各フレームの多階調画像についてエッジの強さ（階調の空間的変化の大きさ）を算出し、階調値が所定の閾値以上のエッジについてその重心を算出し、確率計算の候補として、入力手段（２０）による入力位置座標がこの重心にある旨を示す信号を出力する。
【００７７】
また、キャリブレーション完了時点の多階調画像をメモリに保持しておき、最新の多階調画像から減算した新たな多階調画像に対してエッジ検出をすることも有効である。センサの特性ばらつきに起因する撮像ムラを減殺でき、真に入力手段（２０）によるエッジのみを切り出すことができるようになるからである。
【００７８】
接触確率計算回路９８は、階調化回路９２、フレーム間差分処理回路９６、エッジ検出回路９７からそれぞれ出力された信号に基づいて接触確率を計算する。接触確率計算回路９８に、多角的に接触判断し結果の平均値を算出するよう設定した場合には、接触判定の精度が極めて高いシステムを実現できる。
【００７９】
図１９は、同時に複数個所に入力手段（指）２０が接触している様子を示す液晶表示パネルの側面図及び平面図を縦に並べた図である。図１９に示すように、入力手段２０が２個所で接触している場合、差分画像の階調値が所定値以上となり、この階調値に濃淡（振動）が生じるデータが２つ生じることになる。
【００８０】
この場合も、上記手法と同様の手法を用いることにより、２個所とも、複数のセンサ回路（３２）が接触位置に重なっているのかどうかを判断することができ、入力手段２０にて入力された位置座標がどこであるのかを判断することができる。この例では、一方の位置座標が（Ｘ１，Ｙ１）であり、他方の位置座標が（Ｘ２，Ｙ２）である。勿論、接触タイミングを検出することもできる。
【００８１】
次に、光センサ３６について説明する。  
入力手段２０が非導体の場合、接触位置に重なっているセンサ回路３２において、第１電極Ｅ１に静電容量結合の強弱を生じさせることはできない。そこで、上述したように、この実施形態の電子機器のセンサ回路３２が光センサ３６を備えることにより、電子機器は、入力手段２０が非導体であっても、入力手段２０にて接触される個所の位置情報を抽出することができる。
【００８２】
ここで、所定の露光時間、光センサ３６に入射する光の量に応じて光センサ３６にリーク電流が発生すると、コンデンサ３７の保持電圧が変化する。コンデンサ３７は、リーク電流が少なければほぼ４Ｖを維持し、リーク電流が多ければ０Ｖに近づくことになる。
【００８３】
図２０は、センサモジュールが設けられた液晶表示パネルＤＰ及び導光板ＢＵａを示す概略断面図であり、入力手段２０による入力動作により、入力手段２０にて反射される反射光Ｌ２を、光センサ３６を用いて検出している状態を示す図である。図２１は、センサモジュールが設けられた液晶表示パネルＤＰ及び導光板ＢＵａを示す概略断面図であり、入力手段２０による入力動作により、環境光Ｌ１を光センサ３６を用いて検出し、入力手段２０の影を検出している状態を示す図である。
【００８４】
図２０及び図２１に示すように、センサ用ＩＣ（４）は、図示しない他の光センサ等を用いることにより、環境光Ｌ１の照度を検知することができる。そして、複数の光センサ３６は、環境光Ｌ１の照度に応じて環境光Ｌ１又は導光板ＢＵａから放射される光の反射光Ｌ２を選択的に検出する。
【００８５】
センサ用ＩＣ（４）は、環境光Ｌ１の照度が、基準値以上の場合に環境光Ｌ１を検出して入力手段２０の影を検出し（図２１）、上記基準値未満の場合に入力手段２０にて反射される反射光Ｌ２を検出する（図２０）ように複数の光センサ３６に検出させる対象を切替えるものである。
【００８６】
例えば、屋内で使用した場合等、反射光Ｌ２の照度が環境光Ｌ１の照度より十分高く、環境光Ｌ１を考慮しなくとも良い場合、センサ用ＩＣ（４）は、入力手段２０にて反射される反射光Ｌ２を検出するように切替える。一方、屋外で使用した場合等、環境光Ｌ１の照度が反射光Ｌ２の照度より十分高く、反射光Ｌ２を考慮しなくとも良い場合、センサ用ＩＣ（４）は、環境光Ｌ１を検出して入力手段２０の影を検出するように切替える。
【００８７】
上記のように構成された第１の実施形態に係る電子機器によれば、電子機器は、画像を表示し、入力手段２０にて接触される個所の位置情報を抽出するものである。電子機器は、液晶表示パネルＤＰと、センサモジュールと、センサ用ＩＣ４とを備えている。センサ用ＩＣ４は、複数のセンサ回路３２に対して書込み動作及び読み取り動作を行い、複数のセンサ回路３２が接触位置に重なっているのかどうかを判断する。
【００８８】
センサ用ＩＣ４は、複数のセンサ回路３２のコンデンサ３７の第１電極Ｅ１に振動成分を持つプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を与え、第２電極Ｅ２に上記振動成分と同位相の振動成分を持つ基準電圧ＶＳＳを与えることにより書込み動作を行う。センサ用ＩＣ４は、入力手段２０による入力動作に応じて第１電極Ｅ１に生じる静電容量結合の強弱に起因したコンデンサ３７の静電容量変動を読み取ることにより読み取り動作を行う。
【００８９】
接触位置に重なっていないセンサ回路３２において、書込み動作における第１電極Ｅ１の電圧値の上昇は促進され、コンデンサ３７の保持電圧の値は大きく、コンデンサ３７の出力電圧はタイミングによらずに一定となる。一方、接触位置に重なっているセンサ回路３２において、書込み動作における第１電極Ｅ１の電圧値の上昇は抑制され、コンデンサ３７の保持電圧の値は小さく、コンデンサ３７の出力電圧はタイミングによって変動する。
【００９０】
上述したように、入力手段２０が表示面Ｓに接触したのかどうかを判定する際、コンデンサ３７の保持電圧の値の変化を読み取ることで判定することができるが、さらに、コンデンサ３７の出力電圧がタイミングによって変動する（時間の経過とともに上下動する）のかどうかを読み取ることができるため、より精度良く判定することができる。  
上記のことから、画像を表示でき、入力手段にて接触される個所の位置情報を精度良く抽出できる電子機器を得ることができる。
【００９１】
次に、上記第１の実施形態に係る電子機器の変形例について説明する。  
図２２は、センサ回路３２の第１電極Ｅ１の変形例を示す図であり、画素ＰＸ及びセンサ回路３２を示す平面図である。図２２に示すように、コンデンサ３７を形成する２つの電極のうち、第１電極Ｅ１のサイズを大きくしてもよい。ここでは、第１電極Ｅ１は、行方向ｄ１に延出し、赤の副画素ＳＰＸａに重なっている。これにより、入力手段２０と静電容量結合し易い第１電極Ｅ１にすることができる。また、第１電極Ｅ１は、ポリシリコンで形成され、光透過性を有するため、表示画像の輝度レベルの低下は抑制される。
【００９２】
図２３は、複数の画素ＰＸを含んだ画素群ＰＸＧを示す概略図である。図２４は、液晶表示パネル（ＤＰ）の画素ＰＸ、及び画素ＰＸに重なったセンサ回路３２の等価回路を示す図であり、センサ回路３２が光センサ（３６）に替えて抵抗素子３９を有した状態を示す図である。図２４に示した画素ＰＸは、静電容量結合専用の画素として用いることができる。なお、図２４に示した画素ＰＸを、光センサ無しの画素ＰＸと称する。これに対し、図３に示した画素ＰＸを、光センサ付きの画素ＰＸと称する。
【００９３】
図２３及び図２４に示すように、光センサ無しの画素ＰＸは、光センサ付きの画素ＰＸに対して一定の割合で配置することができる。ここでは、画素群ＰＸＧは９個の画素ＰＸを含み、このうちの１個の画素ＰＸが光センサ無しの画素ＰＸである。光センサ無しの画素ＰＸは（５）の画素ＰＸであり、光センサ付きの画素ＰＸは（１）乃至（４）及び（６）乃至（９）の画素ＰＸである。抵抗素子３９は、ポリシリコンに不純物を注入することにより形成することができる。
【００９４】
図６等に示したガラス基板１ｓや偏光板１３等の光学フィルムは極力薄く低誘電率であることが好ましく、これにより、入力手段２０にて、第１電極Ｅ１に静電容量変動を生起させ易くすることができる。電子機器が携帯電話の場合、液晶表示パネルＤＰの表示面Ｓ上に透明アクリル板等の保護板を設ける場合があるが、そのような場合、保護板は低誘電率の透明絶縁材料を用いた方が好ましい。
【００９５】
図７等に示したプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１の持つ（に与える）振動成分及び基準電圧ＶＳＳの持つ（に与える）振動成分に関して、周波数は５０Ｈｚに限らず種々変形可能であり、また、振幅も±０．５Ｖに限らず種々変形可能である。その他、上記両振動成分の波形も種々変形可能であり、例えば同位相の三角波や方形波であってもよい。
【００９６】
図２５は、液晶表示パネルＤＰ及びカバー５０を示す概略断面図であり、カバー５０の透明電極５２が接地されている状態を示す図である。図２６は、センサモジュールが設けられた液晶表示パネルＤＰ及びカバー５０を示す概略断面図であり、入力手段２０による入力動作により、カバー５０の外面を押圧している状態を示す図である。
【００９７】
図２５及び図２６に示すように、電子機器は、カバー５０をさらに備えている。カバー５０は、ＰＥＴ（polyethylene terephthalate resin）フィルム５１と、ＰＥＴフィルム５１上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を塗布して形成された透明電極５２とを有している。透明電極５２は接地されている。カバー５０は、表示面Ｓに隙間を置いて対向配置され、可撓性を有するものである。カバー５０は、ＰＥＴフィルム５１を用いて形成したが、これに限定されるものではなく種々変形可能であり、可撓性を有した絶縁フィルム（シート）を用いて形成されていればよい。
【００９８】
透明電極５２が第１電極Ｅ１に対して充分距離を置いて配置されるよう、カバー５０は支持部材５５により支持されている。なお、液晶表示パネルＤＰも支持部材５６により支持されている。透明電極５２及び偏光板１３間には、図示しない複数のスペーサが設けられ、これらのスペーサは透明電極５２及び偏光板１３間の隙間を保持している。
【００９９】
入力手段２０にてカバー５０の外面を押圧することにより、接触位置に重なっているセンサ回路（３２）において、透明電極５２が第１電極（Ｅ１）に近接し、第１電極（Ｅ１）に生じる静電容量結合が強くなる。すなわち、ＰＥＴフィルム５１（カバー５０）はやわらかいため、入力手段２０で接触したところの透明電極５２のみが、表示面Ｓに接触する。
【０１００】
上記のことから、電子機器にカバー５０を設けることにより、入力手段２０が爪やペン等の非導体であっても、第１電極に静電容量結合の強弱を生じさせることができるため、電子機器は、非導体の入力手段２０にて接触される個所の位置情報を抽出することができる。
【０１０１】
また、軽くなでる程度の接触ではカバー５０及び表示面Ｓ間の隙間（エアギャップ）は維持されたままになるので、第１電極（Ｅ１）に生じる静電容量結合が強くなることはない。そして、この減少を利用することにより、押し圧（Ｚ軸）の度合を検知することが可能となる。
【０１０２】
図２７は、液晶表示パネルＤＰ及びカバー５０を示す概略断面図であり、透明電極５２に接地レベルの電圧Ｖ５２を与えている状態を示す図である。図２７に示すように、例えば、センサ用ＩＣ（４）は、透明電極５２に振動成分を持つ接地レベルの電圧Ｖ５２を与え、複数のセンサ回路（３２）に対して書込み動作及び読み取り動作を行い、複数のセンサ回路（３２）が接触位置に重なっているのかどうかを判断する。
【０１０３】
上記の場合、複数のセンサ回路（３２）のコンデンサ（３７）の第１電極（Ｅ１）に定電圧であるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を与え、第２電極Ｅ２に定電圧である基準電圧ＶＳＳを与えることにより書込み動作を行う。すなわち、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１及び基準電圧ＶＳＳに振動成分は加えられない。
【０１０４】
入力手段２０による入力動作に起因したカバー５０及び表示面Ｓ間の隙間の変動応じて第１電極（Ｅ１）に生じる静電容量結合の強弱に起因したコンデンサ（３７）の静電容量変動を読み取ることにより読み取り動作を行う。上記の場合においても、接触位置に重なったコンデンサ３７の出力電圧はタイミングによって変動することになる。
【０１０５】
次に、第２の実施形態に係る電子機器について詳細に説明する。なお、この実施形態において、他の構成は上述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【０１０６】
図２８は、書込み動作のタイミング（コンデンサ３７にプリチャージするタイミング）と、読み取り動作のタイミング（センサ回路３２から信号が出力されるタイミング）とで、第２電極Ｅ２の電位を変化させ、入力手段２０にて接触される個所の位置情報を抽出する場合の概念を説明する概略図である。
【０１０７】
図２８に示すように、液晶表示パネル（ＤＰ）の行数は４００である。センサ用ＩＣ（４）は、第１電極（Ｅ１）にプリチャージ電圧（Ｖｐｒｃ１）を与えるタイミングと、コンデンサ（３７）の静電容量変動を読み取るタイミングとで、第１電極（Ｅ１）又は第２電極（Ｅ２）の電位を変化させる。ここでは、センサ用ＩＣ（４）は、第２電極（Ｅ２）の電位を変化させている。詳しくは、センサ用ＩＣ（４）は、第２電極（Ｅ２）に与える基準電圧ＶＳＳの値をＬレベルからＨレベル若しくはＨレベルからＬレベルに変化させている。２水平走査期間を８８μｓとすると、基準電圧ＶＳＳの振動成分の周波数は１１ｋＨｚとなる。
【０１０８】
コンデンサ（３７）をプリチャージするときに基準電圧ＶＳＳがＬレベルにある場合、センサ回路（３２）から信号を出力する時に基準電圧ＶＳＳをＨレベルとすると、入力手段（２０）と静電容量結合している部位と他の部位とで出力時のコンデンサ（３７）に電位差が生じる。入力手段（２０）と静電容量結合しているコンデンサ（３７）の方が保持電圧が小さくなる。
【０１０９】
そして、コンデンサ３７の保持電圧の変動を読み取って撮像画像として再現すると、接触領域の撮像は縞模様となる。この縞模様はフレームが替わる毎に（Ｎ→Ｎ＋１→Ｎ＋２）反転する。ここで、図２８に、白及び黒と記載しているが、これは入力手段２０が接触したと仮定した場合の撮像画像の色（階調）を示している。
【０１１０】
上述したポイントを守ることにより、電子機器は、種々変形可能である。例えば、コンデンサ（３７）をプリチャージする際は、垂直ブランク期間にまとめて一括して行い、センサ回路（３２）から信号を出力する際は、各水平期間中に行ってもよい。これにより、消費電力の低減を図ることができる。
【０１１１】
その他、センサ用ＩＣ（４）は、第１電極（Ｅ１）にプリチャージ電圧（Ｖｐｒｃ１）を与えるタイミングと、コンデンサ（３７）の静電容量変動を読み取るタイミングとで、透明電極（５２）の電位を変化させてもよい。
【０１１２】
上記のように構成された第２の実施形態に係る電子機器によれば、電子機器は、液晶表示パネルＤＰと、センサモジュールと、センサ用ＩＣ４とを備え、必要に応じてカバー５０をさらに備えている。このため、上述した第１の実施形態の電子機器と同様の効果を得ることができる。
【０１１３】
センサ用ＩＣ４は、第１電極Ｅ１にプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を与えるタイミングと、コンデンサ３７の静電容量変動を読み取るタイミングとで、第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２又は透明電極５２の電位を変化させることができる。ノイズの影響を受けにくくすることができるため、接触判定の精度を高めることができる。
【０１１４】
そして、接触領域の撮像を縞模様とすることができるため、この模様から入力手段２０にて接触される個所の位置情報を抽出することができるため、センサ用ＩＣ４の回路構成をより簡単なものとすることができる。  
上記のことから、画像を表示でき、入力手段にて接触される個所の位置情報を精度良く抽出できる電子機器を得ることができる。
【０１１５】
次に、第３の実施形態に係る電子機器について詳細に説明する。なお、この実施形態において、他の構成は上述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。  
上述した第１の実施形態では、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１は一定レベルの定電圧であったが、この実施の形態においては、電圧レベルが周期的に異なるものである。
【０１１６】
図２９は、センサ用ＩＣ４及び液晶表示パネルの概略構成を示す図であり、センサ用ＩＣ４のＤＡＣ１００から液晶表示パネルＤＰ側に出力されるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を、液晶表示パネルＤＰ内部で、複数の画素ＰＸに複数の電位を異なるタイミングで印加するように処理した例を示す図である。
【０１１７】
図３０は、センサ用ＩＣ４及び液晶表示パネルの概略構成を示す図であり、センサ用ＩＣ４のＤＡＣ１００から液晶表示パネルＤＰ側に出力されるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を、センサ用ＩＣ４内部で、複数の画素ＰＸに複数の電位を異なるタイミングで印加するように処理した例を示す図である。  
図３１は、時間に対するプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１の変化をグラフで示す図である。
【０１１８】
図２９、図３０及び図３１に示すように、センサ用ＩＣ４は、電圧レベルが周期的に異なるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を第１電極（Ｅ１）に与える。そして、電子機器は、複数のセンサ回路（３２）の第１電極（Ｅ１）に、上記プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を与える（プリチャージ制御スイッチ３８を開く）タイミングを切替えることができる切替え手段を備えている。
【０１１９】
製造誤差により、センサ回路３２内のトランジスタ（ＴＦＴ）の閾値（Ｖｔｈ）にばらつきが生じても、何れかのセンサ回路３２が、入力手段２０が接触したことを検出することができる。このため、キャリブレーション回路９３を用いたキャリブレーション機能を使用しなくとも対応できるため、上記キャリブレーションの手間を省くことができる。
【０１２０】
図３２は、液晶表示パネルＤＰの一部の領域の複数の画素ＰＸを示す図であり、画素ＰＸに与えるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１のレベルを５個に分類した例を示す図である。図３２に示すように、画素ＰＸは、画素ＰＸＡ（Ａ）、ＰＸＢ（Ｂ）、ＰＸＣ（Ｃ）、ＰＸＤ（Ｄ）、ＰＸＥ（Ｅ）の５個に分類されている。各画素ＰＸ（各画素ＰＸに重なったセンサ回路３２）に与えるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１の値（レベル）であるが、例えば、画素ＰＸＡは２．０Ｖ、画素ＰＸＢは２．２Ｖ、画素ＰＸＣは２．４Ｖ、画素ＰＸＤは２．６Ｖ、画素ＰＸＥは２．８Ｖである。上記のように、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を少しずつ変化させて各画素ＰＸに与えている。
【０１２１】
各画素ＰＸにプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を規則的に変化させて印加する際には、行毎、列毎または市松状に電圧値を変えることが望ましい。このように、各画素ＰＸにプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を規則的に変化させて印加することにより、センサ回路（３２）内のトランジスタの閾値がばらついた場合でも、何れかのセンサ回路３２が、入力手段２０が接触したことを検出することができる。なお、画素ＰＸを分類する個数や、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１の電圧値は、上記の例に限定されるものではなく、種々変形可能である。
【０１２２】
上記のように構成された第３の実施形態に係る電子機器によれば、電子機器は、液晶表示パネルＤＰと、センサモジュールと、センサ用ＩＣ４とを備え、必要に応じてカバー５０をさらに備えている。このため、上述した第１の実施形態の電子機器と同様の効果を得ることができる。
【０１２３】
センサ用ＩＣ４は、電圧レベルが周期的に異なるプリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を第１電極Ｅ１に与える。切替え手段は、複数のセンサ回路３２の第１電極Ｅ１に、プリチャージ電圧Ｖｐｒｃ１を与えるタイミングを切替えることができる。
【０１２４】
製造誤差により、センサ回路３２内のトランジスタの閾値にばらつきが生じても、何れかのセンサ回路３２が、入力手段２０が接触したことを検出することができる。このため、キャリブレーション回路９３を用いたキャリブレーション機能を使用しなくとも対応できるため、上記キャリブレーションの手間を省くことができる。  
上記のことから、画像を表示でき、入力手段にて接触される個所の位置情報を精度良く抽出できる電子機器を得ることができる。
【０１２５】
次に、第４の実施形態に係る電子機器について詳細に説明する。なお、この実施形態において、他の構成は上述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【０１２６】
上述した第１の実施形態では、１水平ブランク期間毎に、ブランクとなった複数の画素に重なったセンサ回路（３２）を動作させたが、この実施の形態においては、少なくとも連続する２水平ブランク期間をまとめた期間中に、ブランクとなった複数の画素に重なったセンサ回路（３２）を動作させるものである。
【０１２７】
図３３は、連続する４水平ブランク期間をまとめた期間中に、センサ回路３２を動作する例を示す図である。図３３に示すように、センサ用ＩＣ４は、連続する４水平ブランク期間をまとめた期間（４Ｈブランク）中に、ブランクとなった複数の画素（ＰＸ）に重なった各センサ回路（３２）に対して書込み動作から読み取り動作までの一連の動作を行い、各センサ回路（３２）が接触位置に重なっているのかどうかを判断する。  
映像無しのブランク期間中は、信号線（２２）をセンサ回路（３２）専用に使用することができる。信号線（２２）を使用することにより、各副画素への映像信号（Ｖｓｉｇ）の書込みと、センサ回路（３２）の動作とを行うことができ、配線の増大を抑制することができるため、開口率の低下を抑制することができる。
【０１２８】
図３４は、センサ回路（３２）を動作する時間を確保した具体例について説明する図である。図３４に示すように、この例では、表示用ＩＣ（５）を１個（４選択）から２個（２選択）に増加し、４×４の間引きにより、センサ回路（３２）を動作する時間を確保することができる。これにより、センサ用ＩＣ４の製造コストの低減及び性能の向上を図ることができる。
【０１２９】
センサ用ＩＣ４は、少なくとも連続する２水平ブランク期間をまとめた期間中に、ブランクとなった複数の画素（ＰＸ）に重なった各センサ回路（３２）に対して書込み動作から読み取り動作までの一連の動作を行い、各センサ回路（３２）が接触位置に重なっているのかどうかを判断すればよく、これにより上記の効果を得ることができる。
【０１３０】
図３５は、１垂直ブランク期間（Ｖブランク）中に、全てのセンサ回路（３２）を動作する例を示す図である。図３５に示すように、センサ用ＩＣ４は、１垂直ブランク期間中に、全てのセンサ回路（３２）に対して書込み動作から読み取り動作までの一連の動作を行い、各センサ回路（３２）が接触位置に重なっているのかどうかを判断する。これにより、上記のように、開口率の低下を抑制することができ、また、センサ用ＩＣ４の製造コストの低減及び性能の向上を図ることができる。
【０１３１】
図３６は、インタレース駆動された場合の１垂直ブランク期間（Ｖブランク）中に、センサ回路３２を動作する例を示す図である。図３６に示すように、センサ用ＩＣ４は、複数の画素（ＰＸ）がインタレース駆動された場合の垂直ブランク期間中に、ブランクとなった複数の画素（ＰＸ）に重なった各センサ回路（３２）に対して書込み動作から読み取り動作までの一連の動作を行い、各センサ回路（３２）が接触位置に重なっているのかどうかを判断する。
【０１３２】
ここでは、１／２インタレース駆動され、奇数行の複数の画素（ＰＸ）と、偶数行の複数の画素（ＰＸ）とに分かれて駆動される。このように、１／２インタレース駆動した場合は、ノンインタレース駆動しない場合に比べ、垂直ブランク期間の間隔が半分になり、読出し速度は倍速になる。このため、時間間隔を狭めて各センサ回路（３２）が接触位置に重なっているのかどうかを判断したい場合に好適である。
【０１３３】
上記のように駆動する際、１／２インタレース駆動に限らず、種々変形可能であり、例えば１／３インタレース駆動や１／４インタレース駆動を行ってもよく、これにより、さらに時間間隔を狭めて各センサ回路（３２）が接触位置に重なっているのかどうかを判断することができる。
【０１３４】
上記のように構成された第４の実施形態に係る電子機器によれば、電子機器は、液晶表示パネルＤＰと、センサモジュールと、センサ用ＩＣ４とを備え、必要に応じてカバー５０をさらに備えている。このため、上述した第１の実施形態の電子機器と同様の効果を得ることができる。
【０１３５】
センサ用ＩＣ４は、少なくとも連続する２水平ブランク期間をまとめた期間中に、ブランクとなった複数の画素ＰＸに重なった各センサ回路３２に対して書込み動作から読み取り動作までの一連の動作を行い、各センサ回路３２が接触位置に重なっているのかどうかを判断することができる。また、センサ用ＩＣ４は、垂直ブランク期間中に、全てのセンサ回路３２に対して書込み動作から読み取り動作までの一連の動作を行い、各センサ回路３２が接触位置に重なっているのかどうかを判断することができる。このため、開口率の低下を抑制することができ、また、センサ用ＩＣ４の製造コストの低減及び性能の向上を図ることができる。
【０１３６】
センサ用ＩＣ４は、複数の画素ＰＸがインタレース駆動された場合の垂直ブランク期間中に、ブランクとなった複数の画素ＰＸに重なった各センサ回路３２に対して書込み動作から読み取り動作までの一連の動作を行い、各センサ回路３２が接触位置に重なっているのかどうかを判断することができる。このため、時間間隔を狭めて各センサ回路３２が接触位置に重なっているのかどうかを判断することができる。  
上記のことから、画像を表示でき、入力手段にて接触される個所の位置情報を精度良く抽出できる電子機器を得ることができる。
【０１３７】
なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【０１３８】
例えば、表示パネルは、液晶表示パネルＤＰに限定されるものではなく、画像を表示領域Ｒ１に表示するように構成されたものであれば良い。  
この発明は、上記電子機器に限定されるものではなく、各種の電子機器に適応可能である。
【符号の説明】
【０１３９】
１…アレイ基板、１ｓ…ガラス基板、１ｐ…アレイパターン、２…対向基板、３…液晶層、４…センサ用ＩＣ、５…表示用ＩＣ、１３…偏光板、２０…入力手段、２２，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ…信号線、３１…副画素回路、３２…センサ回路、３４…出力制御スイッチ、３５…アンプトランジスタ、３６…光センサ、３７…コンデンサ、３８…プリチャージ制御スイッチ、３９…抵抗素子、５０…カバー、５１…ＰＥＴフィルム、５２…透明電極、９１…レベルシフタ、９２…階調化回路、９３…キャリブレーション回路、９４…ＤＡＣ、９６…フレーム間差分処理回路、９７…エッジ検出回路、９８…接触確率計算回路、９９…ＲＡＭ、１００…ＤＡＣ、ＤＰ…液晶表示パネル、ＢＵ…バックライトユニット、Ｅ１…第１電極、Ｅ２…第２電極、ＣＣ…結合容量、Ｖｐｒｃ１，Ｖｐｒｃ２…プリチャージ電圧、ＶＳＳ…基準電圧、Ｖ５２…電圧、Ｒ１…表示領域、Ｒ２…入力領域、Ｓ…表示面、ＰＸＧ…画素群、ＰＸ…画素、ＳＰＸａ，ＳＰＸｂ，ＳＰＸｃ…副画素、ｄ１…行方向、ｄ２…列方向、Ｌ１…環境光、Ｌ２…反射光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2012073668.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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