(57)【要約】【課題】配線パターンを覆う絶縁層をできる限り薄くする。【解決手段】配線パターン１は、第一の一対の端子３，４及び該第一の一対の端子３，４間を接続する複数の第一の引き回し部５を有する第一の配線２と、第二の一対の端子７，８及び該第二の一対の端子７，８間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部９を有する第二の配線６とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線とを含む配線パターン。
【請求項２】
前記第一の配線及び前記第二の配線が基材の上面の上に形成され、
前記第一の配線、前記第二の配線及び前記基材の各上面が絶縁層によって覆われていることを特徴とする請求項１に記載の配線パターン。
【請求項３】
前記複数の第一の引き回し部が前記第一の一対の端子の間に亘って線状に延びており、
前記少なくとも一つの第二の引き回し部が前記第二の一対の端子の間に亘って線状に延びており、
前記複数の引き回し部及び前記少なくとも一つの第二の引き回し部が全長に亘って一様な幅を有し、
前記複数の第一の引き回し部の幅の和が、前記少なくとも一つの第二の引き回し部の幅の和と異なっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線パターン。
【請求項４】
前記複数の第一の引き回し部の幅の和が、前記少なくとも一つの第二の引き回し部の幅の和よりも大きいことを特徴とする請求項３に記載の配線パターン。
【請求項５】
前記第一の配線及び第二の配線がメッキにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の配線パターン。
【請求項６】
前記第一の配線及び第二の配線がメッキにより同時に形成されたものであることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の配線パターン。
【請求項７】
前記第一の引き回し部の幅と前記第二の引き回し部の幅が等しいことを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の配線パターン。
【請求項８】
半導体基板と、
該半導体基板の電極に接続されて設けられた配線パターンとを備える半導体装置であって、
前記配線パターンは、第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線とを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線に対応した形状を有する第一の導体下地と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線に対応した形状を有する第二の導体下地とを含む導体下地を形成し、前記第一の導体下地及び前記第二の導体下地に同時にメッキを行うことを特徴とする配線パターンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線パターン及びその製造方法並びに半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、プリント基板及びフレキシブル配線シート（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）等には、多数の配線からなる配線パターンが設けられている。配線パターンは、積層された絶縁体の層間に形成されている。例えば、特許文献１に記載の技術によると、第一の絶縁層（６）、第二の絶縁層（１０）、絶縁性バッファ層（１７）及び第三の絶縁層（２１）がこれらの順に基板（１）の上に積層され、これらの層間に配線パターン（９，１３，２０）がそれぞれ形成されている。特許文献１に記載の装置は半導体パッケージであり、半導体チップ（５ｂ）が第一の絶縁層（６）に埋め込まれ、別の半導体チップ（１６）がバッファ層（１７）に埋め込まれている。
また、これらの配線パターンは、電解メッキによって形成され、その後、配線パターンを覆うように絶縁層が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−４７７３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、配線パターンには、細い配線もあれば、太い配線もある。太い配線は、細い配線よりも抵抗が低いから、大電流に適している。
太い配線は、電解メッキ時における電気力線が密になることから、厚くなる傾向にあるのに対して、細い配線は、電解メッキ時における電気力線が疎となることから、薄くなる傾向にある。
このため、太い配線と細い配線が混在している場合に、配線パターンを覆うように絶縁層を形成すると、細くて薄い配線に適合するような厚さの絶縁体によってこれらの配線を絶縁被覆したとしても、太い配線が絶縁体の層から突き出てしまう。一方、太くて厚い配線に適合するような厚さの絶縁体によってこれらの配線を絶縁被覆すると、絶縁体の層が厚くなってしまい、材料コストが嵩んでしまう。そのため、太い配線の代わりに、大電流に適した細い配線を用いて、太い配線と細い配線が混在しないことが望まれる。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、第一の一対の端子及び該端子間を接続する第一の配線を有する第一の配線パターンと、第二の一対の端子及び該端子間を接続する第二の配線を有する第二の配線パターンとを含み、第一の一対の端子間には第二の一対の端子間とは異なる量の電流が供給されるような第一の配線パターンおよび第二の配線パターンを含む配線パターンであって、第一の配線パターンと第二の配線パターンとがメッキで同時に形成される場合に、これらの配線パターンを覆う絶縁層を可及的に薄くすることができるような配線パターンを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するための本発明に係る配線パターンは、
第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線とを含む。
【０００６】
本発明に係る半導体装置は、
半導体基板と、
該半導体基板の電極に接続されて設けられた配線パターンとを備える半導体装置であって、
前記配線パターンは、第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線とを含む。
【０００７】
本発明に係る配線パターンの製造方法は、
第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線に対応した形状を有する第一の導体下地と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線に対応した形状を有する第二の導体下地とを含む導体下地を形成し、前記第一の導体下地及び前記第二の導体下地に同時にメッキを行う方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、第一の一対の端子間を接続する第一の配線と、該第一の配線とメッキで同時に形成され第二の一対の端子間を接続する第二の配線とを含み、第一の一対の端子間には第二の一対の端子間とは異なる量の電流が供給されるような第一の配線および第二の配線を含む配線パターンであって、該配線パターンを覆う絶縁層を可及的に薄くすることができるような配線パターンを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る多層配線基板の平面図。
【図２】図１における切断線II-IIに沿った矢視断面図。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係るフレキシブル配線シート。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る部品埋込型配線板の断面図。
【図５】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の一部を破断した状態で示したその半導体装置の斜視図。
【図６】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の一部を破断した状態で示したその半導体装置の要部の斜視図。
【図７】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の要部の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明を実施するための形態について、図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１１】
＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る多層配線基板２０を示した平面図であり、図２は図１における切断線II-IIに沿った矢視断面図である。図１においては、第２の配線パターン２３Ｂのみを図示しており、第１の配線パターン２３Ａ、第１の接続用導体２４Ａ、第２の接続用導体２４Ｂ、絶縁基板２１、第１の絶縁層２２Ａ、及び第２の絶縁層２２Ｂの図示を省略した。
【００１２】
図２に示すように、本実施形態の多層配線基板２０は絶縁基板２１を有する。この絶縁基板２１の上に２層の絶縁層が積層されていて、第１の配線パターン２３Ａが絶縁基板２１の上に形成され、その第１の配線パターン２３Ａが第１の絶縁層２２Ａによって被覆されている。また、第２の絶縁層２２Ｂを除く各絶縁層２２上に第２の配線パターン２３Ｂがそれぞれ形成され、それぞれの第２の配線パターン２３Ｂが第２の絶縁層２２Ｂによって被覆されている。第１乃至第２の配線パターン２３Ａ，２３Ｂは、後述する第一の配線２及び第二の配線６を少なくとも有する。第１乃至第２の配線パターン２３Ａ，２３Ｂは、第一の配線２及び第二の配線６のほかに別の配線や導体パターンを有していてもよい。また、絶縁基板２１上に３層以上の絶縁層及び配線パターンが積層されていてもよい。
【００１３】
一又は複数のビアが各絶縁層２２Ａ，２４Ｂを貫通し、各ビアに第１の接続用導体２４Ａ又は第２の接続用導体２４Ｂが埋め込まれ、異なる層の配線パターン２３Ａ，２３Ｂが第１の接続用導体２４Ａによって導通している。第一の配線２については、何れかの接続用導体２４Ａが後述する第一のランド３に接続し、他の何れかの接続用導体２４Ａが後述する第一のランド４に接続する。また、第二の配線６についても、何れかの接続用導体２４Ａが後述する第三のランド７に接続し、他の何れかの接続用導体２４Ａが後述する第四のランド８に接続する。なお、第２最上層の絶縁層２２Ｂに形成された接続用導体２４Ｂはこの多層配線基板２０の端子である。
【００１４】
図１に示す多層配線基板２０は配線パターン１を含む。この配線パターン１は絶縁基材としての絶縁基板２１の上に形成されている。絶縁基板２１は例えば樹脂、ゴム、セラミック、ガラス、酸化シリコン又は窒化シリコンからなる。絶縁層は例えば樹脂、ゴム、セラミック、ガラス、酸化シリコン又は窒化シリコンからなる。絶縁基材としては、絶縁基板２１の他に絶縁膜、絶縁層、絶縁フィルム、絶縁シート、絶縁基板その他の絶縁材が好適である。
【００１５】
配線パターン１は、例えばアディティブ法（例えば、セミアディティブ法又はフルアディティブ法）又はサブトラクト法によって形成されたものである。配線パターン１の形成工程には、導体層を成膜するメッキ工程（例えば、電解メッキ工程又は無電解メッキ工程）又は気相成長工程（例えば、スパッタリング工程）が少なくとも１回含まれる。
【００１６】
配線パターン１は、導体下地（例えば、シード層）と導体層（例えば、メッキ層）の積層体である。配線パターン１は導体の単層であってもよいし、更に多くの導体層を積層したものでもよい。
配線パターン１は、銅その他の金属からなる。
この際、一対の第一のランド３，４（第一の一対の端子）と、複数本の第一の線条体５（第一の引き回し部）を有する第一の配線２に対応した形状を有する第一の導体下地と、一対のランド７，８（第二の一対の端子）と、一本の第二の線条体９（第二の引き回し部）を有する第二の配線６に対応した形状を有する第二の導体下地とを含む導体下地を形成し、第一の導体下地及び第二の導体下地に同時にメッキを行うことにより、配線パターンを製造する。
【００１７】
配線パターン１は、第一の配線２及び第二の配線６を少なくとも有する。配線パターン１は、第一の配線２及び第二の配線６のほかに別の配線や導体パターンを有していてもよい。図１では、第一の配線２の数が２であり、第二の配線６の数が３であるが、配線パターン１が有する第一の配線２の数及び第二の配線６の数は任意である。
【００１８】
第一の配線２は、一対の第一のランド３，４と、複数本の第一の引き回し線条体５と、を有する。図１に示される第一の線条体５の本数が２本であるが、第一の線条体５の本数は３本以上であってもよい。なお、線条体とは、直線状、曲線状、折れ線状その他の線状に形作られるように延びているとともに、その延びる方向に沿って長さを有するとともに、その延びる方向に直交する方向に沿って幅を有するものである。
【００１９】
第一のランド３，４及びこれらの第一の線条体５が絶縁基材の上に形成されている。第一のランド３と第一のランド４が離れており、複数本の第一の線条体５が第一のランド３から第一のランド４にかけて線状に延びている。これらの第一の線条体５の一端に第一のランド３が接続され、これらの第一の線条体５の他端に第一のランド４が接続されている。第一のランド３，４及びこれらの第一の線条体５が一体に形成されている。
【００２０】
これらの第一の線条体５は幅が等しいことが好ましい。これらの第一の線条体５の幅が等しい場合には、メッキ工程により配線パターンを形成する際に第一の線条体５を互いに同等の厚みに形成することができる。なお、何れかの第一の線条体５の幅が異なっていてもよいし、全ての第一の線条体５の幅が異なっていてもよい。
第一の線条体５の幅は全長に亘って一様であることが好ましい。
【００２１】
図１では、全ての第一の線条体５が直線状である。なお、何れかの第一の線条体５が直線状であり、他の第一の線条体５が曲線状であってもよい。また、全ての第一の線条体５が曲線状であってもよい。全ての第一の線条体５が直線状又は曲線状である場合、これらの第一の線条体５が互いに平行であることが好ましい。何れかの第一の線条体５が他の第一の線条体５に対して傾斜していてもよいが、何れの第一の線条体５も交差しない。
【００２２】
本実施形態の複数本の第一の線条体５は互いに長さが等しい。
【００２３】
第一のランド３，４は、いわゆるティアドロップ型（滴型）に成形されている。第一のランド３，４の形状がティアドロップ型ではなく、三角形、四角形その他の多角形であってもよいし、円形又は楕円形であってもよい。
【００２４】
第二の配線６は、一対の第二のランド７，８と、一本の第二の引き回し線条体９と、を有する。第二のランド７，８及び第二の線条体９は絶縁基材の上に形成されている。第二のランド７と第二のランド８が離れており、第二の線条体９が第二のランド７から第二のランド８にかけて線状に延びている。第二の線条体９の一端に第二のランド７が接続され、第二の線条体９の他端に第二のランド８が接続されている。第二のランド７，８及び第二の線条体９が一体に形成されている。第二の配線６の第二の線条体９と第一の配線２の第一の線条体５は幅がほぼ等しい。
【００２５】
配線パターン１をアディティブ法で形成する場合、配線パターン１を形成する部分以外をマスクし、これをメッキ液に浸漬すると、マスク以外の部分（以下、マスク開口部という。）に金属が析出する。その場合、第一の配線２の第一の線条体５に対応する第一のマスク開口部と、第二の配線６の第二の線条体９に対応する第二のマスク開口部は幅がほぼ等しいので、第一のマスク開口部における電気力線と第二のマスク開口部における電気力線は密度がほぼ等しくなる。そのため、第一の線条体５と第二の線条体９をほぼ等しい厚さで成長させることができる。従って、配線パターン１の上に絶縁層を薄く成膜しても、第一の配線２及び第二の配線６が絶縁層から突き出ていない。絶縁層の成膜時や硬化時の加熱によって絶縁層と絶縁基材の積層体が反るように変形するが、絶縁層を薄く成膜することができるから、そのような反りを防止することができる。
【００２６】
また、第一のランド３と第一のランド４の間に複数本の第一の線条体５が設けられているから、これらのランド３，４間の抵抗を低減することができる。つまり、大きな電流に適した第一の配線２と、大きな電流に適さない第二の配線６を絶縁層と絶縁基材との間に混在させることができる。
【００２７】
本実施形態では、第二の配線６が第二の線条体９を一本だけ含むものを例示して説明したが、第二の配線６の第二の線条体９と第一の配線２の第一の線条体５は幅がほぼ等しい場合には、第二の配線６が第二の線条体９を二本以上含むものであってもよい。この場合、第一の配線２の第一の線条体５の本数と、第二の配線６の第二の線条体９の本数が異なっていてよい。即ち、第一の配線２の第一の線条体５の幅の和が、第二の配線６の第二の線条体９の幅の和と異なっていてよい。尚、上述の実施形態においては、第一の配線２の第一の線条体５の幅の和が、第二の配線６の第二の線条体９の幅の和よりも大きい。
【００２８】
＜第２の実施の形態＞
図３は、第２の実施の形態に係るフレキシブル配線シート３０の断面図である。図３に示すように、絶縁性ベースフィルム３１の上に配線パターン３２が形成され、絶縁性カバーレイフィルム３３が接着剤等によって絶縁性ベースフィルム３１に貼着され、配線パターン３２が絶縁性カバーレイフィルム３３によって被覆されている。配線パターン３２は、上述した第一の配線２及び第二の配線６を少なくとも有する。配線パターン３２は、第一の配線２及び第二の配線６のほかに別の配線や導体パターンを有していてもよい。絶縁性ベースフィルム３１と絶縁性カバーレイフィルム３３のどちらか一方又は両方に複数の開口が形成され、配線パターン３２の一部が開口の下に重なっている。第一の配線２の第一のランド３，４が開口にそれぞれ重なり、第二の配線６に第三のランド７及び第四のランド８が開口に重なる。
【００２９】
＜第３の実施の形態＞
図４は、第３の実施の形態に係る部品埋込型配線板４０の断面図である。図４に示すように、半導体チップ４１がベースプレート４２の表側の面上に搭載され、その半導体チップ４１の裏側の面がダイボンディング材４３によってベースプレート４２に接着されている。ベースプレート４２の裏面には、オーバーコート層５２が成膜されている。
【００３０】
半導体チップ４１は、パッケージされたものでもよいし、ベアチップでもよい。半導体チップ４１が半導体パッケージである場合、そのパッケージ方式は任意である。好ましくは、半導体チップ４１は、チップサイズにパッケージしたものであって、いわゆるＣＳＰ（Chip Size Package）である。特に、半導体チップ４１は、ＣＳＰの中でも特にＷＬＰ（Wafer Level Package）であることが好ましい。ＷＬＰとは、個片化する前の半導体ウエハの表面を樹脂によって封止した後に、それをチップサイズに個片化したものである。
【００３１】
ベースプレート４２の上に絶縁性の封止層４４が積み重ねられている。半導体チップ４１が封止層４４に埋め込まれ、この封止層４４が半導体チップ４１を覆っている。封止層４４は、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、ガラス布エポキシ樹脂、カーボン繊維強化エポキシ樹脂、カーボン布エポキシ樹脂、ガラス繊維強化ポリイミド樹脂、ガラス布ポリイミド樹脂、カーボン繊維強化ポリイミド樹脂、カーボン布ポリイミド樹脂その他の繊維強化樹脂からなる。
【００３２】
封止層４４には複数のビアが開けられ、接続用導体４５が各ビアに埋め込まれている。半導体チップ４１の表側の面に複数の端子が設けられ、接続用導体４５が半導体チップ４１の端子にそれぞれ接続されている。封止層４４の上には多層配線構造４６が設けられている。つまり、一又は複数の絶縁層４７が封止層４４の上に積層され、オーバーコート層４８が第２の絶縁層４７Ｂの上に成膜され、配線パターン４９が第１の絶縁層４７Ａと封止層４４との間、隣り合う絶縁層４７の間、第２の絶縁層４７Ｂとオーバーコート層４８との間にそれぞれ形成されている。なお、絶縁層４７が一層も無く、オーバーコート層４８が封止層４４の上に成膜され、そのオーバーコート層４８と封止層４４との間に配線パターン４９が形成されていてもよい。
【００３３】
配線パターン４９は、上述した第一の配線２及び第二の配線６を少なくとも有する。配線パターン４９は、第一の配線２及び第二の配線６のほかに別の配線や導体パターンを有していてもよい。
【００３４】
複数のビアが各絶縁層４７を貫通し、各ビアに接続用導体５０が埋め込まれ、異なる層の配線パターン４９が接続用導体５０によって導通している。第１の配線パターン４９Ａが接続用導体４５によって半導体チップ４１の端子に導通している。
【００３５】
オーバーコート層４８は、ソルダーレジストである。つまり、オーバーコート層４８には複数の開口が開けられており、半田バンプ５１が各開口内に形成されている。これら半田バンプ５１は、第２の配線パターン４９Ｂに接続されている。
【００３６】
＜第４の実施の形態＞
図５は、第４の実施の形態に係る半導体装置１０１の一部を破断した状態で示した半導体装置１０１の斜視図である。図６は、半導体装置１０１の一部を破断した状態で示した半導体装置１０１の要部の斜視図である。図７は、半導体装置１０１の要部の断面図である。
【００３７】
半導体装置１０１は、チップサイズにパッケージしたものであって、いわゆるＣＳＰ（Chip Size Package）である。特に、この半導体装置１０１は、個片化する前の半導体ウエハの表面を樹脂によって封止した後に、それをチップサイズに個片化したものである。つまり、半導体装置１０１は、ＣＳＰの中でも特にＷＬＰ（Wafer Level Package）である。
【００３８】
半導体装置１０１は、半導体基板１０２、パッシベーション層１０４、第一の絶縁層１０５、第二の絶縁層１０６、配線１０７、アウター端子１０９、バンプ１１０、封止層１１１及び配線パターン１１２等を備える。
【００３９】
半導体基板１０２は、シリコンといった半導体材料等からなる。半導体基板１０２の表側の表層には、集積回路が形成されている。
【００４０】
半導体基板１０２の表側の面が、パッシベーション層１０４によって被覆されている。パッシベーション層１０４は、酸化シリコン又は窒化シリコンを含有する。パッシベーション層１０４は、絶縁層である。パッシベーション層１０４が、絶縁層１０５によって被覆されている。絶縁層１０５は、樹脂、酸化シリコン又は窒化シリコンを含有する。なお、絶縁層１０５が形成されていなくてもよい。
【００４１】
絶縁層１０５（絶縁層１０５が無い場合には、パッシベーション層１０４）が、絶縁層１０６によって被覆されている。絶縁層１０６は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の樹脂を含有する。例えば、絶縁層１０６には、ポリイミド（ＰＩ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、エポキシ系、フェノール系、シリコン系等のプラスチック材料又はこれらの複合材料等を用いることができる。
【００４２】
半導体基板１０２の表側の面の上には、複数のインナー端子１０３が形成されている。インナー端子１０３は、半導体基板１０２の表層に形成された集積回路の配線の一部であったり、各種電気素子（例えば、ダイオード、トランジスタ、抵抗、コンデンサ等）の電極であったりする。パッシベーション層１０４及び絶縁層１０５のうちインナー端子１０３に重なる位置には、コンタクトホール１０５ａが形成されている。
【００４３】
配線パターン１１２が、絶縁層１０５（絶縁層１０５が無い場合には、パッシベーション層１０４）の上に形成されている。配線パターン１１２は、第一の配線１２０及び第二の配線１３０を少なくとも有する。配線パターン１１２が有する第一の配線１２０の数及び第二の配線１３０の数は任意である。配線パターン１１２は、第一の配線１２０及び第二の配線１３０のほかに別の配線や導体パターンを有していてもよい。
【００４４】
配線パターン１１２は、導体下地（例えば、シード層）１１２ａと導体層（例えば、メッキ層）１１２ｂの積層体である。配線パターン１１２は導体の単層であってもよいし、更に多くの導体層を積層したものでもよい。
【００４５】
第一の配線１２０は、上述した第一の配線２と同様に設けられている。つまり、第一の配線１２０は、一対の第一のランド１２１，１２２と、複数本の第一の線条体１２３と、を有する。第二の配線１３０は、上述した第二の配線６と同様に設けられている。つまり、第二の配線１３０は、一対の第二のランド１３１，１３２と、一本の第二の線条体１３３と、を有する。第一の線条体１２３と第二の線条体１３３は幅が等しいことが好ましい。
【００４６】
第一の配線１２０の第一のランド１２１が、パッシベーション層１０４及び絶縁層１０５に開けられたコンタクトホール１０５ａを通じて、インナー端子１０３にそれぞれ接続されている。第二の配線１３０の第三のランド１３１が、コンタクトホール１０５ａを通じてインナー端子１０３にそれぞれ接続されている。また、配線パターン１１２が有する他の配線や導体パターンが、コンタクトホール１０５ａを通じてインナー端子１０３上に接続されている。
【００４７】
絶縁層１０６が配線パターン１１２の上から絶縁層１０５（絶縁層１０５が無い場合には、パッシベーション層１０４）の上に成膜され、配線パターン１１２が絶縁層１０６によって絶縁被覆されている。複数のビアが各絶縁層２２を貫通し、各ビアに接続用導体１１３が埋め込まれている。第一の配線１２０の第一のランド１２２が接続用導体１１３にそれぞれ接続されている。第二の配線１３０の第四のランド１３２が接続用導体１１３にそれぞれ接続されている。配線パターン１１２が有する他の配線や導体パターンが、接続用導体１１３に接続されている。
【００４８】
複数の配線１０７が、絶縁層１０６上に形成されている。配線１０７は、導体下地（シード層）１０７ａと導体層１０７ｂの積層体である。なお、配線１０７は導体の単層であってもよいし、更に多くの導体層を積層したものでもよい。
【００４９】
配線１０７の一部（端部）が接続用導体１１３にそれぞれ積み重ねられている。第一の配線１２０の第一のランド１２２が接続用導体１１３によって配線１０７にそれぞれ導通している。第二の配線１３０の第四のランド１３２が接続用導体１１３によって配線１０７にそれぞれ導通している。配線パターン１１２が有する他の配線や導体パターンが、接続用導体１１３によって配線１０７に導通している。
【００５０】
ランド１０８上には、アウター端子１０９がそれぞれ形成され、配線１０７がアウター端子１０９にそれぞれ接続されている。アウター端子１０９は、突起状に設けられた柱状電極である。アウター端子１０９は、銅その他の金属からなる。
【００５１】
遮光性の封止層１１１が絶縁層１０６上に形成され、配線１０７が封止層１１１によって覆われている。アウター端子１０９が封止層１１１を貫通するように封止層１１１に埋設されている。アウター端子１０９の頭頂面が封止層１１１によって覆われていないが、アウター端子１０９の周面が封止層１１１によって覆われて保護されている。封止層１１１の表面が、アウター端子１０９の頭頂面と面一に設けられているか、又は、アウター端子１０９の頭頂面よりも僅かに高い位置にある。
【００５２】
封止層１１１は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の絶縁性樹脂を含有し、好ましくは、絶縁性樹脂（エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等）にフィラー（例えば、ガラスフィラー）を配合した繊維強化樹脂からなる。
【００５３】
バンプ１１０がアウター端子１０９の頭頂面上に形成されている。バンプ１１０は半田バンプである。
【００５４】
半導体装置１０１の製造方法は、以下のような手順になる。
つまり、集積回路及びパッシベーション層１０４が形成された半導体ウエハを分断する前に、絶縁層１０５を形成し、その後、配線パターン１１２を形成する。配線パターン１１２をアディティブ法で形成する場合、第一の配線１２０の第一の線条体１２３に対応する第一のマスク開口部と、第二の配線１３０の第二の線条体１３３に対応する第二のマスク開口部は幅がほぼ等しいので、第一のマスク開口部における電気力線と第二のマスク開口部における電気力線は密度がほぼ等しくなる。そのため、第一の線条体１２３と第二の線条体１３３をほぼ等しい厚さで成長させることができる。従って、その後に絶縁層１０６を薄く成膜しても、第一の配線１２０及び第二の配線１３０が絶縁層１０６から突き出ていない。絶縁層１０６の成膜時や硬化時の加熱によって半導体ウエハが反るように変形するが、絶縁層１０６を薄く成膜することができるから、そのような反りを防止することができる。そのため、半導体ウエハをハンドリングしやすくなる。また、絶縁層１０６が薄いから、絶縁層１０６の材料コストも削減することができる。
【００５５】
絶縁層１０６の成膜後は、絶縁層１０６にビア１０６ａを形成する。次に、ビア１０６ａ内に接続用導体１１３を埋め込む。その後、配線１０７及びアウター端子１０９をパターニングした後、封止層１１１を形成する。次に、その封止層１１１の表面及びアウター端子１０９の頭頂面を研削し、半導体ウエハの裏面も研削する。次に、バンプ１１０を形成する。その後、半導体ウエハを封止層１１１等とともに分断する。こうして、複数の半導体装置１０１が製造される。
【００５６】
なお、バンプ１１０が無くてもよい。バンプ１１０が無い状態の半導体装置１０１を図４に示された半導体チップ４１として用いてもよい。
【００５７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、本発明の範囲は、上述の実施の形態に限定するものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲とその均等の範囲を含む。
以下に、この出願の願書に最初に添付した特許請求の範囲に記載した発明を付記する。付記に記載した請求項の項番は、この出願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の通りである。
【００５８】
〔付記〕
＜請求項１＞
第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線とを含む配線パターン。
＜請求項２＞
前記第一の配線及び前記第二の配線が基材の上面の上に形成され、
前記第一の配線、前記第二の配線及び前記基材の各上面が絶縁層によって覆われていることを特徴とする請求項１に記載の配線パターン。
＜請求項３＞
前記複数の第一の引き回し部が前記第一の一対の端子の間に亘って線状に延びており、
前記少なくとも一つの第二の引き回し部が前記第二の一対の端子の間に亘って線状に延びており、
前記複数の引き回し部及び前記少なくとも一つの第二の引き回し部が全長に亘って一様な幅を有し、
前記複数の第一の引き回し部の幅の和が、前記少なくとも一つの第二の引き回し部の幅の和と異なっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線パターン。
＜請求項４＞
前記複数の第一の引き回し部の幅の和が、前記少なくとも一つの第二の引き回し部の幅の和よりも大きいことを特徴とする請求項３に記載の配線パターン。
＜請求項５＞
前記第一の配線及び第二の配線がメッキにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の配線パターン。
＜請求項６＞
前記第一の配線及び第二の配線がメッキにより同時に形成されたものであることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の配線パターン。
＜請求項７＞
前記第一の引き回し部の幅と前記第二の引き回し部の幅が等しいことを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の配線パターン。
＜請求項８＞
半導体基板と、
該半導体基板の電極に接続されて設けられた配線パターンとを備える半導体装置であって、
前記配線パターンは、第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線とを含むことを特徴とする半導体装置。
＜請求項９＞
第一の一対の端子及び該第一の一対の端子間を接続する複数の第一の引き回し部を有する第一の配線に対応した形状を有する第一の導体下地と、第二の一対の端子及び該第二の一対の端子間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部を有する第二の配線に対応した形状を有する第二の導体下地とを含む導体下地を形成し、前記第一の導体下地及び前記第二の導体下地に同時にメッキを行うことを特徴とする配線パターンの製造方法。
【符号の説明】
【００５９】
１  配線パターン
２  第一の配線
３、４  第一のランド（第一の端子）
５  第一の線条体（第一の引き回し部）
６  第二の配線
７、８  第二のランド（第二の端子）
９  第二の線条体（第二の引き回し部）
２１  絶縁基板
２２  絶縁層
２３  配線パターン
３１  絶縁性ベースフィルム
３２  配線パターン
３３  絶縁性カバーレイフィルム
４４  封止層
４７  絶縁層
４８  オーバーコート層
４９ 配線パターン
５０  半田バンプ
１０１  半導体装置
１０２  半導体基板
１０４  パッシベーション層
１０５  絶縁層
１０６  絶縁層
１１２  配線パターン
１２０  第一の配線
１２１、１２２  第一のランド（第一の端子）
１２３  第一の線条体（第一の引き回し部）
１３０  第二の配線
１３１、１３２  第二のランド（第二の端子）
１３３  第二の線条体（第二の引き回し部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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