(57)【要約】      （修正有）【課題】シリコン基板の下面に樹脂からなる裏面保護膜が設けられた半導体装置の製造に際し、シリコン切削用のブレードの寿命が長くなるようにする。【解決手段】ウエハ２１の下面に形成された樹脂からなる裏面保護膜３のダイシングストリート２２の幅方向中央部に対応する部分に、レーザーにより開口部２３を形成する。次に、樹脂切削用のブレード２７を用いて、ダイシングストリート２２およびその両側の樹脂からなる封止膜１３およびウエハ２１の上面側を切削して溝２８を形成する。次に、シリコン切削用のブレードを用いて、ダイシングストリート２２に対応する部分におけるウエハ２１および裏面保護膜３を切削する。この場合、シリコン切削用のブレードによる裏面保護膜３の切削は開口部２３の分だけ減少し、ブレードの目詰まりのリスクを低減し、ウエハの切削面のチッピング発生を抑えることができるとともに、ブレードの寿命を長くすることができる。【選択図】図１１
2012069747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
該半導体基板の一方の面側に設けられた封止膜と、
前記半導体基板の他方の面側の少なくとも外縁部以外に設けられた裏面保護膜と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、
前記半導体基板の一方の面に絶縁膜が設けられ、
該絶縁膜上に配線が設けられ、
該配線のランド上に外部接続用電極が設けられ、
該外部接続用電極の周囲には前記封止膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記封止膜の側面は前記外縁部の垂直面と面一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２に記載の発明において、前記外部接続用電極上に半田バンプが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体ウエハの一方の面側に封止膜を形成するとともに、他方の面側に裏面保護膜を形成し、
ダイシングストリートに対応する部分の前記裏面保護膜に開口部を形成し、
前記ダイシングストリートに対応する部分の少なくとも前記封止膜に第１のブレードで溝を形成し、
前記ダイシングストリートに対応する部分の少なくとも前記半導体ウエハを第２のブレードでダイシングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記半導体ウエハの一方の面側には、配線と、前記配線のランド上に設けられた外部接続用電極と、が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載の発明において、前記ダイシングストリートに対応する部分の前記裏面保護膜を第２のブレードでダイシングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半導体ウエハの一方の面側に封止膜を形成するとともに、他方の面側に裏面保護膜を形成し、
ダイシングストリートに対応する部分の前記裏面保護膜に開口部を形成し、
前記ダイシングストリートに対応する部分の少なくとも前記封止膜に第１のブレードで溝を形成し、
前記ダイシングストリートに対応する部分の少なくとも前記半導体ウエハをステルスダイシングにより分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記半導体ウエハの一方の面側には、配線と、前記配線のランド上に設けられた外部接続用電極と、が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の発明において、前記ステルスダイシングは、前記裏面保護膜の下面をダイシングテープの上面に貼り付け、レーザービームを照射するレーザー加工により、前記溝の幅方向中央部に対応する部分における前記半導体ウエハの内部にステルスダイシング層を形成し、
前記ダイシングテープを周囲方向に引っ張って拡張することにより、前記半導体ウエハを前記ステルスダイシング層の部分で割断して個々の半導体基板に分離することであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項５または８に記載の発明において、前記裏面保護膜への前記開口部の形成は、レーザービームを照射するレーザー加工により行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項５または８に記載の発明において、前記裏面保護膜の形成は、樹脂シートを前記半導体ウエハの下面に貼り付けることにより行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項５または８に記載の発明において、前記半導体ウエハを個々の半導体基板に分離する前に、前記裏面保護膜の下面をダイシングテープの上面に貼り付けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項５または８に記載の発明において、前記第１のブレードは樹脂切削用のブレードであり、前記第２のブレードは半導体切削用のブレードであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項７または９に記載の発明において、前記裏面保護膜に前記開口部を形成した後に、前記外部接続用電極上に半田バンプを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項７または９に記載の発明において、前記半導体ウエハの下面に前記裏面保護膜を形成した後に、前記外部接続用電極上に半田バンプを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、ＣＳＰ(Chip Size Package)と呼ばれるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この半導体装置は半導体基板を備えている。半導体基板上に設けられた絶縁膜の上面には配線が設けられている。配線のランド上面には柱状の外部接続用電極が設けられている。配線を含む絶縁膜の上面において外部接続用電極の周囲には樹脂からなる封止膜が設けられている。外部接続用電極の上面には半田バンプが設けられている。半導体基板の下面には樹脂からなる裏面保護膜が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２２９１１２号公報
【０００４】
上記従来の半導体装置の製造方法では、まず、ウエハ状態の半導体基板（以下、半導体ウエハという）上に絶縁膜、配線、外部接続用電極および封止膜を形成している。次に、半導体ウエハの下面を研削し、半導体ウエハの厚さを薄くしている。次に、半導体ウエハの下面に裏面保護膜を形成している。次に、外部接続用電極の上面に半田バンプを形成している。次に、封止膜、半導体ウエハおよび裏面保護膜をダイシングストリートに沿って切断し、半導体装置を複数個得ている。
【０００５】
ところで、特許文献１に記載はないが、ダイシングに用いられるブレードは、砥粒（例えば、ダイヤモンドの粒）を含む結合剤を成形して円盤状とした砥石からなり、加工条件により、砥粒の集中度を選択する必要がある。すなわち、砥粒の集中度の違いにより、切削時にブレードの各砥粒にかかる負荷が変化し、自生発刃（切削に伴う結合剤の摩耗に応じて新しい砥粒が出てくること）の起こりやすさなどが変化し、切削対象によっては切削対象に余計な力が加わり、切削対象の切削面にチッピング（欠け）が発生しやすくなる。
【０００６】
したがって、１種類のブレードで樹脂からなる封止膜、半導体ウエハおよび樹脂からなる裏面保護膜を切断するのは好ましくない。そこで、樹脂からなる封止膜および半導体ウエハの上面側を樹脂切削用のブレードで切削し、半導体ウエハの残りおよび樹脂からなる裏面保護膜を砥粒の集中度が樹脂切削用のブレードよりも低い半導体切削用のブレードで切削することにより、半導体ウエハの切削面のチッピング（欠け）を抑制することが考えられる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、半導体切削用のブレードで樹脂からなる裏面保護膜を切削して行くと、当該ブレードに樹脂による目詰まりが徐々に進行し、この樹脂による目詰まりが進行した状態のブレードで半導体ウエハを切削すると、半導体ウエハの切削面にチッピング（欠け）が発生してしまう。これを回避するには、ブレードの切削能力を安定させるために行う、プリカットと呼ばれる、プリカット基板（被加工物のダミー）を用いた試し切りが必要となる。しかし、当該ブレードのプリカットを頻繁に行うと、当該ブレードの寿命が短くなってしまうという問題がある。
【０００８】
そこで、この発明は、半導体ウエハの切削面に発生するチッピング（欠け）を抑制すると共に、半導体切削用のブレードの樹脂による目詰まりの進行を遅らせ、プリカットを行なう頻度を減少させることで、半導体切削用のブレードの寿命を長くすることを目的とする。あるいは半導体切削用のブレードを用いることなく、半導体ウエハを切断することができる半導体装置の製造方法およびそれにより得られた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明に係る半導体装置は、半導体基板と、該半導体基板の一方の面側に設けられた封止膜と、前記半導体基板の他方の面側の少なくとも外縁部以外に設けられた裏面保護膜と、を具備することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体基板の一方の面に絶縁膜が設けられ、該絶縁膜上に配線が設けられ、該配線のランド上に外部接続用電極が設けられ、該外部接続用電極の周囲には前記封止膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記封止膜の側面は前記外縁部の垂直面と面一であることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る半導体装置は、請求項２に記載の発明において、前記外部接続用電極上に半田バンプが設けられていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの一方の面側に封止膜を形成するとともに、他方の面側に裏面保護膜を形成し、ダイシングストリートに対応する部分の前記裏面保護膜に開口部を形成し、前記ダイシングストリートに対応する部分の少なくとも前記封止膜に第１のブレードで溝を形成し、前記ダイシングストリートに対応する部分の少なくとも前記半導体ウエハを第２のブレードでダイシングすることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項５に記載の発明において、前記半導体ウエハの一方の面側には、配線と、前記配線のランド上に設けられた外部接続用電極と、が設けられていることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項５に記載の発明において、前記ダイシングストリートに対応する部分の前記裏面保護膜を第２のブレードでダイシングすることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの一方の面側に封止膜を形成するとともに、他方の面側に裏面保護膜を形成し、ダイシングストリートに対応する部分の前記裏面保護膜に開口部を形成し、前記ダイシングストリートに対応する部分の少なくとも前記封止膜に第１のブレードで溝を形成し、前記ダイシングストリートに対応する部分の少なくとも前記半導体ウエハをステルスダイシングにより分離することを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項８に記載の発明において、前記半導体ウエハの一方の面側には、配線と、前記配線のランド上に設けられた外部接続用電極と、が設けられていることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項８に記載の発明において、前記ステルスダイシングは、前記裏面保護膜の下面をダイシングテープの上面に貼り付け、レーザービームを照射するレーザー加工により、前記溝の幅方向中央部に対応する部分における前記半導体ウエハの内部にステルスダイシング層を形成し、前記ダイシングテープを周囲方向に引っ張って拡張することにより、前記半導体ウエハを前記ステルスダイシング層の部分で割断して個々の半導体基板に分離することであることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項５または８に記載の発明において、前記裏面保護膜への前記開口部の形成は、レーザービームを照射するレーザー加工により行うことを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項５または８に記載の発明において、前記裏面保護膜の形成は、樹脂シートを前記半導体ウエハの下面に貼り付けることにより行うことを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項５または８に記載の発明において、前記半導体ウエハを個々の半導体基板に分離する前に、前記裏面保護膜の下面をダイシングテープの上面に貼り付けることを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項５または８に記載の発明において、前記第１のブレードは樹脂切削用のブレードであり、前記第２のブレードは半導体切削用のブレードであることを特徴とするものである。
請求項１５に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７または９に記載の発明において、前記裏面保護膜に前記開口部を形成した後に、前記外部接続用電極上に半田バンプを形成することを特徴とするものである。
請求項１６に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７または９に記載の発明において、前記半導体ウエハの下面に前記裏面保護膜を形成した後に、前記外部接続用電極上に半田バンプを形成することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、半導体ウエハおよび裏面保護膜を半導体切削用のブレードで切削するとき、当該ブレードによる裏面保護膜に対する切削は裏面保護膜に予め形成された開口部の分だけ減少し、これによりブレードの目詰まりのリスクを低減し、半導体ウエハの切削面のチッピング発生を抑えることができる。また、ブレードのプリカット頻度を低くすることができるので、半導体切削用のブレードの寿命を長くすることができる。
また、この発明によれば、ダイシングストリートに対応する部分における裏面保護膜に開口部を形成し、ステルスダイシングにより半導体ウエハを個々の半導体基板に分離しているので、半導体ウエハの切削面のチッピング発生を大幅に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明の第１実施形態としての半導体装置の平面図。
【図２】図１のII−II線にほぼ沿う部分の断面図。
【図３】図１および図２に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初準備したものの断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】この発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図。
【図１４】図１３に示す半導体装置の製造方法の一例において、所定の工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【図１６】図１５に続く工程の断面図。
【図１７】図１６に続く工程の断面図。
【図１８】図１７に続く工程の断面図。
【図１９】図１８に続く工程の断面図。
【図２０】図１９に続く工程の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての半導体装置の平面図を示し、図２は図１のII−II線にほぼ沿う部分の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはＣＳＰと呼ばれるものであり、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の周辺部上部には断面ほぼ方形状の外縁部２が設けられている。シリコン基板１の下面全体にはエポキシ系樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂からなる裏面保護膜３が設けられている。
【００１３】
シリコン基板１の上面には、図示していないが、所定の機能の集積回路を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサなどの素子が形成されている。シリコン基板１の上面周辺部には、上記集積回路の各素子に接続されたアルミニウム系金属などからなる複数の接続パッド４が設けられている。
【００１４】
シリコン基板１の周辺部および接続パッド４の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン、窒化シリコンなどからなるパッシベーション膜（絶縁膜）５が設けられ、接続パッド４の中央部はパッシベーション膜５に設けられた開口部６を介して露出されている。パッシベーション膜５の上面にはポリイミド系樹脂などからなる保護膜（絶縁膜）７が設けられている。パッシベーション膜５の開口部６に対応する部分における保護膜７には開口部８が設けられている。
【００１５】
保護膜７の上面には複数の配線９が設けられている。配線９は、保護膜７の上面に設けられた銅などからなる下地金属層１０と、下地金属層１０の上面に設けられた銅からなる上部金属層１１との２層構造となっている。配線９の一端部９ａは、パッシベーション膜５および保護膜７の開口部６、８を介して接続パッド４に接続されており、他端部はランド９ｂとなっており、その間は引き回し線部９ｃとなっている。配線９のランド９ｂの上面には銅からなる柱状の外部接続用電極１２が設けられている。
【００１６】
シリコン基板１の外縁部２を除く周辺部上面および配線９を含む保護膜７の上面において外部接続用電極１２の周囲にはシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂からなる封止膜１３が設けられている。この場合、封止膜１３の側面は外縁部２の垂直面と面一となっている。ここで、外部接続用電極１２は、その上面が封止膜１３の上面と面一乃至封止膜１３の上面よりも数μｍ低くなるように設けられている。外部接続用電極１２の上面には半田バンプ１４が設けられている。
【００１７】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図３に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ２１という）上に接続パッド４、パッシベーション膜５、保護膜７、下地金属層１０と上部金属層１１とからなる２層構造の配線９、外部接続用電極１２および封止膜１３が形成され、半導体ウエハ２１の下面側が研削されて半導体ウエハ２１の厚さが薄くなったものを準備する。
【００１８】
この場合、封止膜１３はシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂によって形成されている。なお、図３において、符号２２で示す領域はダイシングストリートである。そして、ダイシングストリート２２およびその両側におけるパッシベーション膜５および保護膜７は除去され、この除去された部分には封止膜１３が形成されている。
【００１９】
次に、図３に示すものの上下を反転し、図４に示すように、半導体ウエハ２１の底面（封止膜１３などが形成された面とは反対側の面）を上に向ける。次に、図５に示すように、半導体ウエハ２１の上面（底面）にエポキシ系樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂からなる裏面保護膜３を形成する。裏面保護膜３の形成方法は、樹脂シートを貼り付ける方法であってもよく、また印刷法、スピンコート法などであってもよい。樹脂シートを貼り付ける方法の場合には、半導体ウエハ２１が多少反っていても、半導体ウエハ２１の上面全体に一定の厚さ（例えば、２０〜４０μｍ）の樹脂シートを良好に貼り付けることができる。
【００２０】
次に、図６に示すように、ダイシングストリート２２の中央部に対応する部分における裏面保護膜３に、レーザービームを照射するレーザー加工により、開口部２３を格子状に形成する。この場合、後述するシリコン切削用の第２のブレード２９の幅が例えば３０μｍであれば、開口部（Ｗ１）２３の幅はそれよりもやや小さくて例えば２５μｍとする。しかし、後述する第２の溝（Ｗ３）３０の幅と同じ３０μｍだとなお良い。次に、図６に示すものの上下を反転し、図７に示すように、封止膜１３などが形成された面側を上に向ける。
【００２１】
次に、図８に示すように、外部接続用電極１２の上面に半田バンプ１４を形成する。次に、図９に示すように、裏面保護膜３の下面を、フィルム２５の上面に接着層２６が設けられたものからなるダイシングテープ２４の接着層２６の上面に貼り付ける。例として、フィルム２５の厚さは約８０μｍ、接着層２６の厚さは５〜１０μｍ程度である。
【００２２】
この場合、この貼り付け工程は真空チャンバー（図示せず）内において行うと、ダイシングテープ２４の接着層２６の一部が裏面保護膜３の開口部２３内に入り込んで該開口部２３を介して露出された半導体ウエハ２１の下面の少なくとも一部に接着され、ひいては該開口部２３を介して露出された半導体ウエハ２１の下面をダイシングテープ２４に確実に接着することができる。この結果、後述するダイシング工程における切断動作の安定度を増大することができる。ダイシングテープ２４は、半導体ウエハ２１を最終的に半導体装置に完全に個片化する際、各半導体装置がバラバラにならないように保持するために必要不可欠である。
【００２３】
次に、図１０に示すダイシング装置を準備する。この場合、図１０（Ａ）は図９に示すものの平面図を示し、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図を示し、図１０（Ｃ）は図１０（Ｂ）に示すものをチャックテーブル上に配置した状態の断面図を示す。半導体ウエハ２１のサイズより大きい円形状のダイシングテープ２４の上面のほぼ中央部に半導体ウエハ２１の下面を貼り付ける。更に、ダイシングテープ２４の外周部の下面にダイシングフレーム４０を貼り付ける。これを、チャックテーブル４１上に置き、ダイシングフレーム４０をダイシングフレーム用治具４２で固定する。
【００２４】
次に、後述する第１のブレード２７がダイシングフレーム用治具４２に当たらないように、ダイシングフレーム用治具４２を下降させて、半導体ウエハ２１の下面よりやや低い位置までダイシングフレーム４０を引っ張る。次に、半導体ウエハ２１をダイシングテープ２４を介してチャックテーブル４１の上面に真空吸着する。
【００２５】
次に、図１１に示すように、第１のブレード２７を準備する。この第１のブレード２７は樹脂切削用の円盤状の砥石からなり、その厚さはダイシングストリート２２の幅（例えば８０μｍ）よりも小さく、例えば５０μｍ程度となっている。第１のブレード２７と、図示しないカメラと、を半導体ウエハ２１上に配置する。第１のブレード２７を回転させながら降下させ、半導体ウエハ２１を載せたチャックテーブル４１を動かすことにより、ダイシングストリート２２に対応する部分における封止膜１３および半導体ウエハ２１の上面側を切削して第１の溝２８を形成する。この場合、第１のブレード２７は樹脂切削用であるが、シリカフィラーを含むエポキシ系樹脂などからなる封止膜１３のみに第１の溝（Ｗ２）２８を形成するのは加工上困難であるため、半導体ウエハ２１の上面側に第１の溝（Ｗ２）２８をなるべく浅く形成する。
【００２６】
次に、図１２に示すように、第２のブレード２９を準備する。この第２のブレード２９はシリコン（半導体）切削用の円盤状の砥石からなり、その厚さは第１のブレードの幅（例えば５０μｍ）よりもやや小さくて例えば３０μｍとなっている。そして、この第２のブレード２９を用いて、ダイシングストリート２２（第１の溝２８の中央部）に対応する部分における半導体ウエハ２１、裏面保護膜３およびダイシングテープ２４の接着層２６の上面側を切削して第２の溝（Ｗ３）３０を形成し、ダイシングする。
【００２７】
この場合、接着層２６の上面側を多少なりとも切り込まないと、完全に個片化し、半導体装置に分離することはできない。接着層２６の上面側を第２のブレード２９で切り込んだ際の目詰まりについてであるが、ダイシングテープ２４のフィルム２５の厚さ約８０μｍと異なり、接着層２６の厚さは５〜１０μｍ程度と薄い。従って、２０〜４０μｍの厚さも持つ裏面保護膜３を切削することに比べると、接着層２６の厚さは薄いので、多少の目詰まりは起こるが、それほど影響はない。
【００２８】
第２のブレード２９はシリコン切削用であるが、エポキシ系樹脂などからなる裏面保護膜３には予め開口部２３が形成されているため、第２のブレード２９による裏面保護膜３に対する切削は開口部２３の分だけ減少し、第２のブレード２９の樹脂目詰まりのリスクを大幅に低減し、半導体ウエハ２１の切削面のチッピング（欠け）を抑制することができる。半導体ウエハ２１の下面全面を裏面保護膜３で覆うことにより、なお一層半導体ウエハ基板２１の切削面のチッピング（欠け）を防止できる。しかし、裏面保護膜３の開口部（Ｗ１）２３の幅と、半導体ウエハ２１を切削して第２の溝（Ｗ３）２０を形成しダイシングする第２のブレード２９の幅とが同じであると更に良い。この結果、第２のブレード２９のプリカットの頻度を減らすことができ、第２のブレード２９の寿命を長くすることができる。
【００２９】
ところで、図１２に示す状態では、半導体ウエハ２１および裏面保護膜３はダイシングストリート２２に対応する部分において完全に切断され、個々のシリコン基板１および裏面保護膜３に分離されている。そこで、次に、個々に分離されたシリコン基板１などをダイシングテープ２４からピックアップすると、図２に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３０】
（第２実施形態）
図１３はこの発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図２に示す半導体装置と大きく異なる点は、シリコン基板１の外縁部を除く下面に裏面保護膜３を設けた点である。
【００３１】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図５に示す工程後に、図１４に示すように、ダイシングストリート２２に対応する部分における裏面保護膜３に、レーザービームを照射するレーザー加工により、開口部２３を格子状に形成する。この場合、シリコン切削用のダイシングブレードの幅が例えば３０μｍであれば、開口部２３の幅はそれと同じで３０μｍとする。次に、図１４に示すものの上下を反転し、図１５に示すように、封止膜１３などが形成された面側を上に向ける。
【００３２】
次に、図１６に示すように、外部接続用電極１２の上面に半田バンプ１４を形成する。次に、図１７に示すように、裏面保護膜３の下面を、ダイシングテープ２４の接着層２６の上面に貼り付ける。この場合も、この貼り付け工程は真空チャンバー（図示せず）内において行うと、ダイシングテープ２４の接着層２６の一部が裏面保護膜３の開口部２３内に入り込んで該開口部２３を介して露出された半導体ウエハ２１の下面の少なくとも一部に接着され、後述するダイシング工程における切断動作の安定度を増大することができる。
【００３３】
次に、図１８に示すように、ブレード（第１のブレード）３１を準備する。このブレード３１は樹脂切削用の円盤状の砥石からなり、その厚さはダイシングストリート２２の幅（例えば８０μｍ）よりも小さくて例えば３０μｍとなっている。そして、このブレード３１を用いて、ダイシングストリート２２に対応する部分における封止膜１３および半導体ウエハ２１の上面側を切削して溝３２を形成する。この場合も、ブレード３１は樹脂切削用であるが、シリカフィラーを含むエポキシ系樹脂などからなる封止膜１３のみに溝３２を形成するのは加工上困難であるため、半導体ウエハ２１の上面側に溝３２をなるべく浅く形成する。
【００３４】
次に、図１９に示すように、溝３２を介して露出された半導体ウエハ２１のダイシングストリート２２の幅方向中央部に対応する部分に対してステルスダイシングを行なう。すなわち、半導体ウエハ２１に対して透過性となる１０００ｎｍ程度から長波長側の近赤外領域の波長のレーザービームを、対物レンズ光学系（図示せず）を用いて、ダイシングストリート２２の幅方向中央部に対応する部分における半導体ウエハ２１の内部に焦点を結ぶように集光して照射する。すると、ダイシングストリート２２の幅方向中央部に対応する部分における半導体ウエハ２１の厚さ方向の中央部に幅数μｍのステルスダイシング層（垂直なクラック）３３が形成される。
【００３５】
次に、図２０に示すように、ダイシングテープ２４をその周囲方向に引っ張って拡張すると、この拡張に応じて溝３２の幅が広がり、半導体ウエハ２１がステルスダイシング層３３の部分で割断され、個々のシリコン基板１に分離される。このように、半導体ウエハ２１内部から割断する方法であり、半導体ウエハを外部から切断するレーザーダイシングとは大きく異なっている。レーザーダイシングの殆どは、ダイシング対象材質に対して吸収の高い波長のレーザー光を使用しているため、レーザー加工時に熱が発生し、デバイス特性に影響を与えてしまう。その点、ステルスダイシングでは、半導体ウエハ内部の焦点付近までレーザー光を導光可能なため、半導体ウエハ表層部へのダメージがない。
【００３６】
この場合、ステルスダイシングであり、ブレードを用いていないため、ブレードを用いた場合の不都合を解消することができる。低ランニングコストでありながら、ダイシング速度は速く、半導体ウエハのチッピング（欠け）や発塵はない。次に、個々に分離されたシリコン基板１などをダイシングテープ２４からピックアップすると、図１３に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３７】
（その他の実施形態）
半田バンプ１４の形成時期は上記第１、第２実施形態に限定されるものではない。すなわち、図５に示すように、半導体ウエハ１２の上面（底面）に裏面保護膜３を形成した後に、外部接続用電極１２上に半田バンプ１２を形成するようにしてもよい。ただし、この場合、ダイシングテープ２４の接着層２６の厚さは半田バンプ１２を十分に覆うことができる厚さとする必要がある。また、上部金属層１１上に外部接続用電極１２を形成せずに、直接半田バンプ１４を形成するようにしても良い。
【符号の説明】
【００３８】
１  シリコン基板（半導体基板）
２  外縁部
３  裏面保護膜
４  接続パッド
５  パッシベーション膜（絶縁膜）
７  保護膜（絶縁膜）
９  配線
１２  外部接続用電極
１３  封止膜
１４  半田バンプ
２１  半導体ウエハ
２２  ダイシングストリート
２３  開口部
２４  ダイシングテープ
２７  第１のブレード
２８  第１の溝
２９  第２のブレード
３０  第２の溝
３１  ブレード（第１のブレード）
４０  ダイシングフレーム
４１  チャックテーブル
４２  ダイシングフレーム用治具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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