(57)【要約】 【課題】露光不良の発生を抑制できるマスクを提供する。【解決手段】マスクは、第１、第２投影光学系の物体面側で第１方向に移動されながら露光光が照射され、その少なくとも一部の像が基板に投影される。第１、第２投影光学系は、第２方向に関して異なる位置に配置され、それぞれ投影領域を形成する。投影領域は、第１、第２方向に第１、第２寸法を有する第１領域と、第２方向に関して第１領域の隣に位置し、第１、第２方向に第３、第４寸法を有する第２領域と、を含む。第３寸法は第１寸法よりも小さい。マスクは、第１、第２投影光学系のそれぞれによって投影され、第１パターンが形成された第１部分と、第２方向に関して第１部分の隣に位置する第２部分と、を有し、第２方向に関する第１部分の第５寸法は、第２寸法以下であり、第１部分からの露光光が第１領域に入射し、第２領域に入射しない。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１、第２投影光学系の物体面側で第１方向に移動されながら露光光が照射され、その少なくとも一部の像が前記第１、第２投影光学系の像面側に配置された基板に投影されるマスクであって、
前記第１、第２投影光学系は、前記第１方向と交差する第２方向に関して異なる位置に配置され、前記第１、第２投影光学系のそれぞれは、前記像が投影される投影領域を形成し、
前記投影領域は、前記第１方向に第１寸法を有し、前記第２方向に第２寸法を有する第１領域と、前記第２方向に関して前記第１領域の隣に位置し、前記第１方向に前記第１寸法よりも小さい第３寸法を有し、前記第２方向に第４寸法を有する第２領域と、を含み、
前記第１、第２投影光学系のそれぞれによって投影され、第１パターンが形成された第１部分と、前記第２方向に関して第１部分の隣に位置する第２部分と、を有し、
前記第２方向に関する第１部分の第５寸法は、前記第２寸法以下であり、
前記第１部分からの前記露光光が前記第１領域に入射し、前記第２領域に入射しないマスク。
【請求項２】
前記第２部分からの前記露光光が前記第２領域に入射する請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
前記第２部分に形成された第２パターンを有する請求項１又は２に記載のマスク。
【請求項４】
前記第１、第２投影光学系は、前記第２方向に関して第１，第２投影光学系それぞれの前記第２領域が重複し、前記第１領域が重複しないように配置される請求項１〜３のいずれか一項に記載のマスク。
【請求項５】
前記第１、第２投影光学系それぞれの前記第２領域を通過した前記露光光は、前記基板において重複するように照射され、
前記第１、第２投影光学系それぞれの前記第１領域を通過した前記露光光は、前記基板において重複しないように照射される請求項１〜４のいずれか一項に記載のマスク。
【請求項６】
前記第１、第２投影光学系と、
前記物体面側で請求項１〜５のいずれか一項に記載のマスクを保持して移動可能な第１可動部材と、
前記投影光学系の像面側で、前記基板を保持して移動可能な第２可動部材と、を備え、
前記露光光の照射中において、前記マスクと前記基板とを前記第１方向に同期移動しつつ、前記第１、第２投影光学系を介して、前記第１部分を含む前記マスクの少なくとも一部の像を前記基板の露光領域に投影する露光装置。
【請求項７】
前記第１検出領域を有し、前記第１検出領域に配置された前記基板の表面の位置を検出する第１検出装置と、
前記第１方向に関して前記第１検出領域と異なる位置に配置される第２検出領域を有し、前記第２検出領域に配置された前記基板の表面の位置を検出する第２検出装置と、を備え、
前記露光領域の露光開始位置において、前記第１、第２検出領域の両方に前記基板が配置される請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記第１、第２検出領域の両方に前記基板が配置される第１状態で、前記第１方向に前記基板を移動しながら、前記第１部分の像を前記基板に投影する請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記第１方向に関する前記基板の移動において、前記第１状態から、前記第１、第２検出領域の少なくとも一方に前記基板が配置されない第２状態に変化し、
前記第２状態において、前記第１部分の像を前記基板に投影しない請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を露光結果に基づいて処理することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１１】
第１、第２投影光学系の物体面側で、マスクを第１方向に移動しながら前記マスクに露光光を照射することと、
前記投影光学系の像面側で、前記マスクの移動と同期して、基板を第１方向に移動して、前記第１、第２投影光学系を介して前記マスクの少なくとも一部の像を前記基板の露光領域に投影することと、を含み、
前記第１、第２投影光学系は、前記第１方向と交差する第２方向に関して異なる位置に配置され、前記第１、第２投影光学系のそれぞれは、前記像が投影される投影領域を形成し、
前記投影領域は、前記第１方向に第１寸法を有し、前記第２方向に第２寸法を有する第１領域と、前記第２方向に関して前記第１領域の隣に位置し、前記第１方向に前記第１寸法よりも小さい第３寸法を有し、前記第２方向に第４寸法を有する第２領域と、を含み、
前記マスクは、前記第１、第２投影光学系のそれぞれによって投影され、第１パターンが形成された第１部分と、前記第２方向に関して第１部分の隣に位置する第２部分と、を有し、
前記第２方向に関する第１部分の第５寸法は、前記第２寸法以下であり、
前記第１部分からの前記露光光を前記第１領域に入射し、前記第２領域に入射しない露光方法。
【請求項１２】
前記基板の移動において、第１検出領域に配置された前記基板の表面の位置を第１検出装置で検出することと、
前記第１方向に関して前記第１検出領域とは異なる位置に配置される前記第２検出領域に配置された前記基板の表面の位置を検出することと、を含み、
前記第１、第２検出領域の両方に前記基板が配置される第１状態において、前記第１部分の像を前記基板に投影し、
前記第１、第２検出領域の少なくとも一方に前記基板が配置されない第２状態において、前記第１部分の像を前記基板に投影しない請求項１１に記載の露光方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を露光結果に基づいて処理することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイ等の電子デバイスの製造工程において、マスクを露光光で照明し、投影光学系の投影領域に照射されたマスクからの露光光で感光性の基板を露光する露光装置が使用される。下記特許文献には、複数の投影光学系を有し、それら複数の投影光学系のうち、例えば第１投影光学系の投影領域に第２投影光学系の投影領域の一部を所定方向に関して重複させた状態で基板を露光する、所謂、マルチレンズ型露光装置に関する技術の一例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２９６６６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
マルチレンズ型露光装置において、複数の投影光学系のそれぞれの投影領域の相対位置が変動したり、複数の投影光学系のそれぞれの像面の位置が変動したりすると、例えば基板に形成されるパターンの寸法が不均一になったり、パターンに欠陥が生じたりする等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できるマスク、露光装置、及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、第１、第２投影光学系の物体面側で第１方向に移動されながら露光光が照射され、その少なくとも一部の像が第１、第２投影光学系の像面側に配置された基板に投影されるマスクであって、第１、第２投影光学系は、第１方向と交差する第２方向に関して異なる位置に配置され、第１、第２投影光学系のそれぞれは、像が投影される投影領域を形成し、投影領域は、第１方向に第１寸法を有し、第２方向に第２寸法を有する第１領域と、第２方向に関して第１領域の隣に位置し、第１方向に第１寸法よりも小さい第３寸法を有し、第２方向に第４寸法を有する第２領域と、を含み、第１、第２投影光学系のそれぞれによって投影され、第１パターンが形成された第１部分と、第２方向に関して第１部分の隣に位置する第２部分と、を有し、第２方向に関する第１部分の第５寸法は、第２寸法以下であり、第１部分からの露光光が第１領域に入射し、第２領域に入射しないマスクが提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を露光結果に基づいて処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、第１、第２投影光学系の物体面側で、マスクを第１方向に移動しながらマスクに露光光を照射することと、投影光学系の像面側で、マスクの移動と同期して、基板を第１方向に移動して、第１、第２投影光学系を介してマスクの少なくとも一部の像を基板の露光領域に投影することと、を含み、第１、第２投影光学系は、第１方向と交差する第２方向に関して異なる位置に配置され、第１、第２投影光学系のそれぞれは、像が投影される投影領域を形成し、投影領域は、第１方向に第１寸法を有し、第２方向に第２寸法を有する第１領域と、第２方向に関して第１領域の隣に位置し、第１方向に第１寸法よりも小さい第３寸法を有し、第２方向に第４寸法を有する第２領域と、を含み、マスクは、第１、第２投影光学系のそれぞれによって投影され、第１パターンが形成された第１部分と、第２方向に関して第１部分の隣に位置する第２部分と、を有し、第２方向に関する第１部分の第５寸法は、第２寸法以下であり、第１部分からの露光光を第１領域に入射し、第２領域に入射しない露光方法が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、第３の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を露光結果に基づいて処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態に係る露光装置の一例を示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係る検出システムの一例を示す斜視図である。
【図３】本実施形態に係る検出装置の一例を示す図である。
【図４】本実施形態に係る照明領域と投影領域との関係の一例を示す模式図である。
【図５】本実施形態に係る投影領域とマスクとの関係の一例を示す模式図である。
【図６】本実施形態に係る投影領域と検出領域と基板との関係の一例を示す模式図である。
【図７】本実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図８】本実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図９】本実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図１０】本実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図１１】本実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図１２】本実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図１３】本実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図１４】本実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図１５】本実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図１６】本実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図１７】本実施形態に係る露光方法の一例を説明するための図である。
【図１８】本実施形態に係るデバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。一例として、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１３】
図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの概略を示す斜視図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明システムＩＳと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭの少なくとも一部の像を基板Ｐに投影する投影システムＰＳと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置３とを備えている。
【００１４】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。基板Ｐは、例えばガラスプレート等の基材と、その基材上に形成された感光膜（塗布された感光材）とを含む。本実施形態において、基板Ｐは、マザーガラスと呼ばれる大型のガラスプレートを含み、その基板Ｐの一辺のサイズ又は対角長は、例えば５００ｍｍ以上である。さらに一例として、本実施形態においては、基板Ｐの基材として、一辺が約１５００ｍｍの矩形のガラスプレートを用いる。
【００１５】
投影システムＰＳは、物体面からの露光光ＥＬを像面に照射して、物体面の像を像面に投影する。本実施形態において、投影システムＰＳの物体面は、ＸＹ平面とほぼ平行である。また、投影システムＰＳの像面も、ＸＹ平面とほぼ平行である。本実施形態において、投影システムＰＳの物体面にマスクＭの下面（パターン形成面）が配置され、投影システムＰＳの像面に基板Ｐの表面（露光面）が配置される。マスクステージ１は、投影システムＰＳの物体面側で移動可能である。基板ステージ２は、投影システムＰＳの像面側で移動可能である。
【００１６】
マスクＭのパターンは、マスクＭの下面に配置されている。マスクＭの下面に配置されているパターンは、基板Ｐにデバイスを形成するためのパターン（デバイスパターン）である。露光装置ＥＸは、投影システムＰＳの物体面に配置されたマスクＭのパターン（パターン形成面）からの露光光ＥＬを、像面に配置された基板Ｐの表面に照射する。これにより、マスクＭのパターンの少なくとも一部の像が基板Ｐの表面に投影され、基板Ｐが露光される。
【００１７】
本実施形態において、投影システムＰＳは、ＸＹ平面に沿って並設された投影光学系ＰＬを複数有する。複数の投影光学系ＰＬのそれぞれが、物体面及び像面を有し、物体面からの露光光ＥＬを像面に照射して物体面の像を像面に投影する。複数の投影光学系ＰＬのそれぞれは、マスクＭのパターン（パターン形成面）の一部の像を基板Ｐの表面に形成可能である。照明システムＩＳは、複数の投影光学系ＰＬに対応する照明モジュールＩＬを複数有する。
【００１８】
本実施形態において、投影システムＰＳは、投影光学系ＰＬを７つ有する。照明システムＩＳは、照明モジュールＩＬを７つ有する。なお、投影光学系ＰＬ及び照明モジュールＩＬの数は７つに限定されず、７つ未満でもよいし、７つより多くてもよい。例えば投影システムＰＳが、投影光学系ＰＬを１１個有し、照明システムＩＳが、照明モジュールＩＬを１１個有してもよい。
【００１９】
照明モジュールＩＬは、照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射して、その照明領域ＩＲを露光光ＥＬで照明する。照明領域ＩＲは、投影システムＰＳの物体面における視野領域であって、照明システムＩＳから射出される露光光ＥＬが照射される照射領域である。なお、投影システムＰＳの物体面において露光光ＥＬが照射される照射領域は、視野領域を含む領域であればよい。照明モジュールＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭのパターン（パターン形成面）の一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。上述のように、本実施形態において、照明システムＩＳは、照明モジュールＩＬを７つ有する。照明システムＩＳは、異なる７つの照明領域ＩＲのそれぞれを露光光ＥＬで照明する。本実施形態において、７つの照明領域ＩＲは、ＸＹ平面内において異なる位置に配置される。７つの照明領域ＩＲは、離れている。
【００２０】
本実施形態において、照明システムＩＳは、光源から射出される露光光ＥＬを複数（７つ）の照明モジュールＩＬに分岐するライトガイドユニットを有する。ライトガイドユニットは、例えば光ファイバを含む。本実施形態においては、光源として水銀ランプを用い、照明システムＩＳから射出される露光光ＥＬとして、その水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）を用いる。
【００２１】
投影光学系ＰＬは、物体面の像が投影される投影領域ＰＲを形成する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬの像面側に形成される。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、その投影領域ＰＲにマスクＭのパターンの像を投影する。投影領域ＰＲは、投影システムＰＳから射出され、投影システムＰＳの像面において露光光ＥＬが照射される照射領域である。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの表面の一部にマスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。複数の投影光学系ＰＬは、それぞれ物体面に配置されたマスクＭのパターン（パターン形成面）の一部の像を、像面に配置された基板Ｐの表面に形成可能である。上述のように、本実施形態において、投影システムＰＳは、投影光学系ＰＬを７つ有する。投影システムＰＳは、異なる７つの投影領域ＰＲのそれぞれにパターンの像を投影する。本実施形態において、７つの投影領域ＰＲは、ＸＹ平面内において異なる位置に配置される。７つの投影領域ＰＲは、離れている。
【００２２】
以下の説明において、７つの照明モジュールＩＬのそれぞれを適宜、第１〜第７照明モジュールＩＬ１〜ＩＬ７、と称し、７つの照明領域ＩＲのそれぞれを適宜、第１〜第７照明領域ＩＲ１〜ＩＲ７、と称する。また、７つの投影光学系ＰＬのそれぞれを適宜、第１〜第７投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７、と称し、７つの投影領域ＰＲのそれぞれを適宜、第１〜第７投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７、と称する。
【００２３】
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、マスクステージ１及び基板ステージ２の位置を計測する干渉計システム６と、基板Ｐのアライメントマークを検出するマーク検出システム６０、及び基板Ｐの表面の位置を検出する検出システム７０を含む検出ユニット７とを備えている。
【００２４】
本実施形態において、投影システムＰＳは、定盤１５０に支持される。検出ユニット７は、定盤１５０に形成された開口１５０Ａに配置される。
【００２５】
干渉計システム６は、マスクステージ１の位置を計測する第１干渉計ユニット６Ａと、基板ステージ２の位置を計測する第２干渉計ユニット６Ｂとを有する。第１干渉計ユニット６Ａは、マスクステージ１に配置された計測ミラーを用いて、ＸＹ平面内におけるマスクステージ１（マスクＭ）の位置を計測する。第２干渉計ユニット６Ｂは、基板ステージ２に配置された計測ミラーを用いて、ＸＹ平面内における基板ステージ２（基板Ｐ）の位置を計測する。
【００２６】
マスクステージ１は、マスクＭの下面の少なくとも一部を保持するマスク保持部を有し、マスクＭを保持した状態で移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭの下面（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステージ１は、例えばリニアモータ等を含む駆動システム１Ｄの作動により、照明領域ＩＲ（ＩＲ１〜ＩＲ７）に対してマスクＭを保持して移動可能である。本実施形態において、マスクステージ１は、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。
【００２７】
基板ステージ２は、基板Ｐの裏面の少なくとも一部を保持する基板保持部を有し、基板Ｐを保持した状態で移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ２は、例えばリニアモータ等を含む駆動システム２Ｄの作動により、投影領域ＰＲ（ＰＲ１〜ＰＲ７）に対して基板Ｐを保持して移動可能である。本実施形態において、基板ステージ２は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２８】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置である。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、複数の投影光学系ＰＬを有し、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ基板Ｐを露光する、所謂、マルチレンズ型スキャン露光装置である。
【００２９】
基板Ｐの露光時、制御装置３は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、基板Ｐの表面（マスクＭの下面）に入射する露光光ＥＬの光路と交差するＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＸ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＸ軸方向とする。基板Ｐの露光時、マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、投影システムＰＳの物体面側でＸ軸方向に移動し、基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、投影システムＰＳの像面側でＸ軸方向に移動する。制御装置３は、投影システムＰＳの像面側で投影システムＰＳの投影領域ＰＲに対して基板ＰをＸ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＸ軸方向への移動と同期して、投影システムＰＳの物体面側で照明システムＩＳの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＸ軸方向に移動しつつ、マスクＭ及び投影システムＰＳを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板ＰはマスクＭ及び投影システムＰＳからの露光光ＥＬで露光される。
【００３０】
すなわち、基板Ｐの露光において、マスクＭは、投影システムＰＳの物体面側でＸ軸方向に移動されながら露光光ＥＬを照射され、そのマスクＭの少なくとも一部の像が投影システムＰＳを介して投影システムＰＳの像面側に配置された基板Ｐに投影される。制御装置３は、照明システムＩＳからの露光光ＥＬの照射中において、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に同期移動しつつ、投影システムＰＳを介して、マスクＭの少なくとも一部の像を、投影システムＰＳの像面側に配置された基板Ｐの少なくとも一部に投影する。
【００３１】
本実施形態において、第１、第３、第５、第７投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７が、Ｙ軸方向に沿って並ぶように配置される。また、第２、第４、第６投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６が、Ｙ軸方向に沿って並ぶように配置される。すなわち、Ｙ軸方向に関して、第１、第３、第５、第７投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７の位置は、それぞれ異なり、Ｘ軸方向に関して、第１、第３、第５、第７投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７の位置は、ほぼ等しい。また、Ｙ軸方向に関して、第２、第４、第６投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６の位置は、それぞれ異なり、Ｘ軸方向に関して、第２、第４、第６投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６の位置は、ほぼ等しい。
【００３２】
本実施形態において、Ｘ軸方向に関して、第１、第３、第５、第７投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７の位置と、第２、第４、第６投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６の位置とは、異なる。本実施形態において、第１、第３、第５、第７投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７は、第２、第４、第６投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６に対して、＋Ｘ側に配置されている。
【００３３】
また、Ｙ軸方向に関して、第１、第３、第５、第７投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７の位置と、第２、第４、第６投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６の位置とは、異なる。本実施形態においては、Ｙ軸方向に関して、第１、第３、第５、第７投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７のうち互いに隣り合う投影光学系の間に、第２、第４、第６投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６がそれぞれ配置される。
【００３４】
本実施形態において、マーク検出システム６０及び検出システム７０を含む検出ユニット７は、第１、第３、第５、第７投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７と、第２、第４、第６投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６との間に配置される。
【００３５】
図２は、検出ユニット７の斜視図である。図２において、マーク検出システム６０は、複数のアライメント顕微鏡６０Ａ〜６０Ｆを有する。複数のアライメント顕微鏡６０Ａ〜６０Ｆは、Ｙ軸方向に配置される。本実施形態において、マーク検出システム６０は、６つのアライメント顕微鏡６０Ａ〜６０Ｆを有する。アライメント顕微鏡６０Ａ〜６０Ｆのそれぞれは、基板Ｐのアライメントマークを検出可能である。
【００３６】
検出システム７０は、複数の検出装置７０Ａ〜７０Ｇを有する。本実施形態において、検出システム７０は、７つの検出装置７０Ａ〜７０Ｇを有する。検出装置７０Ａ〜７０Ｇのそれぞれは、Ｚ軸方向に関する基板Ｐの位置を検出可能である。
【００３７】
本実施形態において、第１、第２、第４、第６、第７検出装置７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｄ、７０Ｆ、７０Ｇが、Ｙ軸方向に沿って並ぶように配置される。また、第３、第５検出装置７０Ｃ、７０Ｅが、Ｙ軸方向に沿って並ぶように配置される。すなわち、Ｙ軸方向に関して、第１、第２、第４、第６、第７検出装置７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｄ、７０Ｆ、７０Ｇの位置は、それぞれ異なり、Ｘ軸方向に関して、第１、第２、第４、第６、第７検出装置７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｄ、７０Ｆ、７０Ｇの位置は、ほぼ等しい。また、Ｙ軸方向に関して、第３、第５検出装置７０Ｃ、７０Ｅの位置は、それぞれ異なり、Ｘ軸方向に関して、第３、第５検出装置７０Ｃ、７０Ｅの位置は、ほぼ等しい。
【００３８】
本実施形態において、Ｘ軸方向に関して、第１、第２、第４、第６、第７検出装置７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｄ、７０Ｆ、７０Ｇの位置と、第３、第５検出装置７０Ｃ、７０Ｅの位置とは、異なる。本実施形態において、第１、第２、第４、第６、第７検出装置７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｄ、７０Ｆ、７０Ｇは、第３、第５検出装置７０Ｃ、７０Ｅに対して、＋Ｘ側に配置されている。
【００３９】
また、Ｙ軸方向に関して、第１、第２、第４、第６、第７検出装置７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｄ、７０Ｆ、７０Ｇの位置と、第３、第５検出装置７０Ｃ、７０Ｅの位置とは、異なる。本実施形態においては、Ｙ軸方向に関して、第２、第４、第６検出装置７０Ｂ、７０Ｄ、７０Ｆのうち互いに隣り合う検出装置の間に、第３、第５検出装置７０Ｃ、７０Ｅがそれぞれ配置される。
【００４０】
本実施形態においては、アライメント顕微鏡６０Ａ〜６０Ｇの＋Ｘ側に、第１、第２、第４、第６、第７検出装置７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｄ、７０Ｆ、７０Ｇが配置され、−Ｘ側に、第３、第５検出装置７０Ｃ、７０Ｅが配置される。
【００４１】
第１〜第７検出装置７０Ａ〜７０Ｇは、基板ステージ２に保持された基板Ｐと対向可能である。第１検出装置７０Ａは、第１検出領域ＡＦ１を有する。第１検出装置７０Ａは、第１検出領域ＡＦ１に配置された基板Ｐの表面の位置を検出可能である。第２検出装置７０Ｂは、第２検出領域ＡＦ２を有する。第２検出装置７０Ｂは、第２検出領域ＡＦ２に配置された基板Ｐの表面の位置を検出可能である。同様に、第３〜第７検出装置７０Ｃ〜７０Ｇは、第３〜第７検出領域ＡＦ３〜ＡＦ７をそれぞれ有する。第３〜第７検出装置７０Ｃ〜７０Ｇのそれぞれは、第３〜第７検出領域ＡＦ３〜ＡＦ７に配置された基板Ｐの表面の位置を検出可能である。
【００４２】
検出装置７０Ａ〜７０Ｇそれぞれの検出結果は制御装置３に出力される。制御装置３は、検出装置７０Ａ〜７０Ｇの検出結果に基づいて、Ｚ軸方向に関する基板Ｐの位置を求める。また、複数の検出装置７０Ａ〜７０Ｇは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれにおいて２次元的に配置されている。したがって、制御装置３は、複数の検出装置７０Ａ〜７０Ｇの検出結果に基づいて、θＸ方向及びθＹ方向に関する基板Ｐの位置（傾き）を求めることができる。制御装置３は、検出システム７０の検出結果に基づいて、駆動システム２Ｄを制御して、Ｚ軸方向に関する基板Ｐの位置の調整、及びθＸ、θＹ方向に関する基板Ｐの位置の調整を実行する。
【００４３】
以下の説明において、Ｚ軸方向に関する基板Ｐの位置の調整を適宜、高さ調整、と称し、θＸ、θＹ方向に関する基板Ｐの位置の調整を適宜、レベリング調整、と称する。
【００４４】
なお、本実施形態においては、検出ユニット７は、マスクＭの下面の位置を検出可能な複数の検出装置８０Ａ〜８０Ｄを含む検出システム８０を有する。制御装置３は、検出装置８０Ａ〜８０Ｄの検出結果に基づいて、基板Ｐの位置を求めることができる。
【００４５】
本実施形態において、アライメント顕微鏡６０Ａ〜６０Ｆ、検出装置７０Ａ〜７０Ｇ、及び検出装置８０Ａ〜８０Ｇは、ハウジングＨに保持される。
【００４６】
図３は、検出装置７０Ａを示す概略構成図である。なお、検出装置７０Ｂ〜７０Ｇ、及び検出装置８０Ａ〜８０Ｄも、検出装置７０Ａと同等の構成であるため、その説明を省略する。
【００４７】
図３に示すように、検出装置７０Ａは、検出光を射出する光源７１と、光源７１から射出された検出光が入射される送光レンズ系７２と、送光レンズ系７２を通過した検出光を検出領域ＡＦ１に導くミラー７３と、検出領域ＡＦ１に配置された基板Ｐの表面で反射した検出光を受光レンズ系７５に導くミラー７４と、受光レンズ系７５を通過した検出光を受光する受光素子７６とを有する。受光素子７６は、撮像素子を含む。送光レンズ系７２は、検出光を例えばスリット状に整形する。検出領域ＡＦ１に配置された基板ＰのＺ軸方向に関する位置がΔＺだけ変位すると、受光素子７６の受光面におけるＸ軸方向に関する検出光の入射位置（結像位置）がΔＸだけ変位する。受光素子７６の受光信号は、制御装置３に出力される。制御装置３は、受光素子７６による撮像位置の基準位置に対する変位量ΔＸに基づいて、Ｚ軸方向に関する基板Ｐの表面の変位量ΔＺを求めることができる
【００４８】
図４は、マスクＭの下面（パターン形成面）における照明領域ＩＲと、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲとの関係の一例を示す図である。図４は、一例として、第１、第２投影光学系ＰＬ１、ＰＬ２に対応する第１、第２照明領域ＩＲ１、ＩＲ２と、第１、第２投影領域ＰＲ１、ＰＲ２との関係を示す。
【００４９】
図４において、第１投影領域ＰＲ１と第２投影領域ＰＲ２とは、Ｙ軸方向に関して異なる位置に配置される。また、第１投影領域ＰＲ１と第２投影領域ＰＲ２とは、Ｘ軸方向に関して異なる位置に配置される。
【００５０】
第１投影領域ＰＲ１は、Ｘ軸方向に寸法Ｗ１ａを有し、Ｙ軸方向に寸法Ｗ２ａを有する中央領域Ｃ１と、Ｙ軸方向に関して中央領域Ｃ１の隣に位置し、Ｘ軸方向に寸法Ｗ３ａを有し、Ｙ軸方向に寸法Ｗ４ａを有する端領域Ｔ１ｂとを含む。本実施形態において、寸法Ｗ３ａは、寸法Ｗ１ａよりも小さい。寸法Ｗ４ａは、寸法Ｗ２ａよりも小さい。端領域Ｔ１ｂは、中央領域Ｃ１の−Ｙ側に配置される。
【００５１】
第２投影領域ＰＲ２は、Ｘ軸方向に寸法Ｗ１ｂを有し、Ｙ軸方向に寸法Ｗ２ｂを有する中央領域Ｃ２と、Ｙ軸方向に関して中央領域Ｃ２の隣に位置し、Ｘ軸方向に寸法Ｗ３ｂを有し、Ｙ軸方向に寸法Ｗ４ｂを有する端領域Ｔ２ａ、Ｔ２ｂとを含む。本実施形態において、寸法Ｗ３ｂは、寸法Ｗ１ｂよりも小さい。寸法Ｗ４ｂは、寸法Ｗ２ｂよりも小さい。
【００５２】
第１、第２投影領域ＰＲ１、ＰＲ２は、Ｘ軸方向（走査方向）の積算露光量が等しくなるように配置されている。Ｙ軸方向に関する端領域Ｔ１ｂと端領域Ｔ２ａとが、Ｙ軸方向に関して重複するように配置される。端領域Ｔ１ｂと端領域Ｔ２ａとは、Ｘ軸方向に関する投影領域の寸法の和が同じになるように重複する。一方、中央領域Ｃ１と中央領域Ｃ２とは重複しない。
【００５３】
なお、本実施形態において、投影領域ＰＲ（ＰＲ１〜ＰＲ７）は、ＸＹ平面内において台形である。投影領域の端領域とは、ＸＹ平面内において台形の投影領域のうち、Ｘ軸に対して傾斜するエッジを含む三角形の部分をいう。投影領域の中央領域とは、端領域部以外の投影領域の長方形の部分をいう。
【００５４】
図５は、第１〜第７投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７と、マスクＭとの位置関係の一例を示す模式図である。
【００５５】
本実施形態において、第１照明領域ＩＲ１からの露光光ＥＬは、第１投影光学系ＰＬ１の第１投影領域ＰＲ１に入射し、第２照明領域ＩＲ２からの露光光ＥＬは、第２投影光学系ＰＬ２の第２投影領域ＰＲ２に入射し、第３照明領域ＩＲ３からの露光光ＥＬは、第３投影光学系ＰＬ３の第３投影領域ＰＲ３に入射し、第４照明領域ＩＲ４からの露光光ＥＬは、第４投影光学系ＰＬ４の第３投影領域ＰＲ３に入射し、第５照明領域ＩＲ５からの露光光ＥＬは、第５投影光学系ＰＬ５の第５投影領域ＰＲ５に入射し、第６照明領域ＩＲ６からの露光光ＥＬは、第６投影光学系ＰＬ６の第６投影領域ＰＲ６に入射し、第７照明領域ＩＲ７からの露光光ＥＬは、第７投影光学系ＰＬ７の第７投影領域ＰＲ７に入射する。
【００５６】
本実施形態において、第１、第３、第５、第７投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７の第１、第３、第５、第７投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で配置されている。また、第２、第４、第６投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６の第２、第４、第６投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で配置されている。すなわち、Ｙ軸方向に関して、第１、第３、第５、第７投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７の位置は、それぞれ異なり、Ｘ軸方向に関して、第３、第５、第７投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７の位置は、ほぼ等しい。また、Ｙ軸方向に関して、第２、第４、第６投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６の位置は、それぞれ異なり、Ｘ軸方向に関して、第２、第４、第６投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６の位置は、ほぼ等しい。
【００５７】
本実施形態において、Ｘ軸方向に関して、第１、第３、第５、第７投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７の位置と、第２、第４、第６投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６の位置とは、異なる。本実施形態において、第１、第３、第５、第７投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７は、第２、第４、第６投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６に対して、＋Ｘ側に配置されている。
【００５８】
また、Ｙ軸方向に関して、第１、第３、第５、第７投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７の位置と、第２、第４、第６投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６の位置とは、異なる。本実施形態においては、Ｙ軸方向に関して、第１、第３、第５、第７投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７のうち互いに隣り合う投影領域の間に、第２、第４、第６投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６がそれぞれ配置される。
【００５９】
図４を参照して説明したように、第２投影領域ＰＲ２は、Ｘ軸方向に寸法Ｗ１ｂを有し、Ｙ軸方向に寸法Ｗ２ｂを有する中央領域Ｃ２と、Ｘ軸方向に寸法Ｗ３ｂを有し、Ｙ軸方向に寸法Ｗ４ｂを有する端領域Ｔ２ａ、Ｔ２ｂとを有する。第３〜第６投影領域ＰＲ３〜ＰＲ６は、第２投影領域ＰＲ２と同等の大きさ及び形状を有する。すなわち、第３投影領域ＰＲ３は、中央領域Ｃ３と、Ｙ軸方向に関して中央領域Ｃ３に隣接する端領域Ｔ３ａ、Ｔ３ｂを有し、Ｘ軸方向に関する端領域Ｔ３ａ、Ｔ３ｂの寸法は、中央領域Ｃ３の寸法よりも小さい。第４投影領域ＰＲ４は、中央領域Ｃ４と、Ｙ軸方向に関して中央領域Ｃ４に隣接する端領域Ｔ４ａ、Ｔ４ｂを有し、Ｘ軸方向に関する端領域Ｔ４ａ、Ｔ４ｂの寸法は、中央領域Ｃ４の寸法よりも小さい。第５投影領域ＰＲ５は、中央領域Ｃ５と、Ｙ軸方向に関して中央領域Ｃ５に隣接する端領域Ｔ５ａ、Ｔ５ｂを有し、Ｘ軸方向に関する端領域Ｔ５ａ、Ｔ５ｂの寸法は、中央領域Ｃ５の寸法よりも小さい。第６投影領域ＰＲ６は、中央領域Ｃ６と、Ｙ軸方向に関して中央領域Ｃ６に隣接する端領域Ｔ６ａ、Ｔ６ｂを有し、Ｘ軸方向に関する端領域Ｔ６ａ、Ｔ６ｂの寸法は、中央領域Ｃ６の寸法よりも小さい。
【００６０】
第７投影領域ＰＲ７は、第１投影領域ＰＲ１と同等の大きさ及び形状を有する。すなわち、第７投影領域ＰＲ７は、中央領域Ｃ７と、Ｙ軸方向に関して中央領域Ｃ７に隣接する端領域Ｔ７ａを有し、Ｘ軸方向に関する端領域Ｔ７ａの寸法は、中央領域Ｃ７の寸法よりも小さい。
【００６１】
第１〜第７投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７のそれぞれは、Ｘ軸方向（走査方向）の積算露光量が等しくなるように配置されている。すなわち、第１〜第７投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７のうちＹ軸方向に関して互いに隣り合う投影領域のそれぞれの端領域同士が、Ｙ軸方向に関して重複するように配置され、Ｘ軸方向に関する投影領域の寸法の和が、同じになるように設けられている。一方、第１〜第７投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の中央領域は、重複しない。
【００６２】
本実施形態において、第１投影光学系ＰＬ１及び第２投影光学系ＰＬ２は、第１投影領域ＰＲ１の＋Ｙ側の端領域Ｔ１ｂと、第２投影領域ＰＲ２の−Ｙ側の端領域Ｔ２ａとをＹ軸方向に関して重複させる。第２投影光学系ＰＬ２及び第３投影光学系ＰＬ３は、第２投影領域ＰＲ２の＋Ｙ側の端領域Ｔ２ｂと、第３投影領域ＰＲ３の−Ｙ側の端領域Ｔ３ａとをＹ軸方向に関して重複させる。第３投影光学系ＰＬ３及び第４投影光学系ＰＬ４は、第３投影領域ＰＲ３の＋Ｙ側の端領域Ｔ３ｂと、第４投影領域ＰＲ４の−Ｙ側の端領域Ｔ４ａとをＹ軸方向に関して重複させる。第４投影光学系ＰＬ４及び第５投影光学系ＰＬ５は、第４投影領域ＰＲ４の＋Ｙ側の端領域Ｔ４ｂと、第５投影領域ＰＲ５の−Ｙ側の端領域Ｔ５ａとをＹ軸方向に関して重複させる。第５投影光学系ＰＬ５及び第６投影光学系ＰＬ６は、第５投影領域ＰＲ５の＋Ｙ側の端領域Ｔ５ｂと、第６投影領域ＰＲ６の−Ｙ側の端領域Ｔ６ａとをＹ軸方向に関して重複させる。第６投影光学系ＰＬ６及び第７投影光学系ＰＬ７は、第６投影領域ＰＲ６の＋Ｙ側の端領域Ｔ６ｂと、第７投影領域ＰＲ７の−Ｙ側の端領域Ｔ７ａとをＹ軸方向に関して重複させる。
【００６３】
Ｘ軸方向に関して、端領域Ｔ１ｂの寸法と端領域Ｔ２ａの寸法との和と、端領域Ｔ２ｂの寸法と端領域Ｔ３ａの寸法との和と、端領域Ｔ３ｂの寸法と端領域Ｔ４ａの寸法との和と、端領域Ｔ４ｂの寸法と端領域Ｔ５ａの寸法との和と、端領域Ｔ５ｂの寸法と端領域Ｔ６ａの寸法との和と、端領域Ｔ６ｂの寸法と端領域Ｔ７ａの寸法との和とは、ほぼ同じである。
【００６４】
また、Ｘ軸方向に関して、第１投影領域ＰＲ１の中央領域Ｃ１の寸法と、第２投影領域ＰＲ２の中央領域Ｃ２の寸法と、第３投影領域ＰＲ３の中央領域Ｃ３の寸法と、第４投影領域ＰＲ４の中央領域Ｃ４の寸法と、第５投影領域ＰＲ５の中央領域Ｃ５の寸法と、第６投影領域ＰＲ６の中央領域Ｃ６の寸法と、第７投影領域ＰＲ７の中央領域Ｃ７の寸法とは、ほぼ同じである。
【００６５】
また、Ｘ軸方向に関して、中央領域Ｃ１の寸法と、端領域Ｔ１ｂの寸法と端領域Ｔ２ａの寸法との和とは、ほぼ同じである。他の中央領域の寸法と、端領域どうしの寸法の和とも、同様の関係にある。
【００６６】
これにより、第１〜第７投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７に対してマスクＭ及び基板ＰをＸ軸方向に移動しながら露光したときの、Ｘ軸方向に関する積算露光量は、ほぼ同じになる。
【００６７】
以下の説明において、投影領域ＰＲが重複する部分を適宜、重複部Ｂ１〜Ｂ６、と称する。また、投影領域ＰＲが重複しない部分を適宜、非重複部Ａ１〜Ａ７、と称する。
【００６８】
本実施形態においては、第１投影領域ＰＲ１と第２投影領域ＰＲ２の一部とによって、重複部Ｂ１が設けられる。第２投影領域ＰＲ２と第３投影領域ＰＲ３の一部とによって、重複部Ｂ２が設けられる。第３投影領域ＰＲ３と第４投影領域ＰＲ４の一部とによって、重複部Ｂ３が設けられる。第４投影領域ＰＲ４と第５投影領域ＰＲ５の一部とによって、重複部Ｂ４が設けられる。第５投影領域ＰＲ５と第６投影領域ＰＲ６の一部とによって、重複部Ｂ５が設けられる。第６投影領域ＰＲ６と第７投影領域ＰＲ７の一部とによって、重複部Ｂ６が設けられる。
【００６９】
マスクＭは、第１パターンが形成された部分ＡＲと、Ｙ軸方向に関して部分ＡＲの隣に位置する部分ＢＲとを有する。マスクＭは、部分ＡＲを複数有する。本実施形態において、マスクＭは、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７に対応するように、部分ＡＲを７つ有する。
【００７０】
部分ＡＲは、その像が第１投影光学系ＰＬ１によって投影される部分ＡＲ１と、第２投影光学系ＰＬ２によって投影される部分ＡＲ２と、第３投影光学系ＰＬ３によって投影される部分ＡＲ３と、第４投影光学系ＰＬ４によって投影される部分ＡＲ４と、第５投影光学系ＰＬ５によって投影される部分ＡＲ５と、第６投影光学系ＰＬ６によって投影される部分ＡＲ６と、第７投影光学系ＰＬ７によって投影される部分ＡＲ７とを含む。部分ＡＲ１〜ＡＲ７は、Ｙ軸方向に間隔をあけて配置される。
【００７１】
部分ＢＲは、部分ＡＲ１の＋Ｙ側に配置される部分ＢＲ１と、部分ＡＲ１と部分ＡＲ２との間に配置される部分ＢＲ２と、部分ＡＲ２と部分ＡＲ３との間に配置される部分ＢＲ３と、部分ＡＲ３と部分ＡＲ４との間に配置される部分ＢＲ４と、部分ＡＲ４と部分ＡＲ５との間に配置される部分ＢＲ５と、部分ＡＲ５と部分ＡＲ６との間に配置される部分ＢＲ６と、部分ＡＲ６と部分ＡＲ７との間に配置される部分ＢＲ７と、部分ＡＲ７の−Ｙ側に配置される部分ＢＲ８と、を含む。
【００７２】
本実施形態において、Ｙ軸方向に関する部分ＡＲ１〜ＡＲ７の寸法は、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の中央領域Ｃ１〜Ｃ７の寸法以下である。基板Ｐの露光において、部分ＡＲ１〜ＡＲ７からの露光光ＥＬは、第１〜第７投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の中央領域Ｃ１〜Ｃ７に入射し、端領域には入射しない。
【００７３】
また、本実施形態においては、基板Ｐの露光において、部分ＢＲ１〜ＢＲ８からの露光光ＥＬは、第１〜第７投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７の端領域に入射する。
【００７４】
すなわち、本実施形態においては、基板Ｐの露光において、部分ＡＲ（ＡＲ１〜ＡＲ７）は、投影領域ＰＲが重複しない非重複部Ａ１〜Ａ７に配置される。つまり、部分ＡＲは、重複照明されない。部分ＢＲ（図５に示す例では、ＢＲ２〜ＢＲ７）の少なくとも一部は、投影領域ＰＲが重複する重複部Ｂ１〜Ｂ６に配置される。つまり、部分ＢＲは、少なくとも２つの照明モジュールによって重複照明される。
【００７５】
マスクＭの部分ＢＲを通過した露光光ＥＬは、投影システムＰＳの複数の投影光学系ＰＬのうち、少なくとも２つの投影光学系ＰＬを介して、重複部Ｂ１〜Ｂ６に照射される。換言すれば、部分ＢＲの像は、重複露光によって基板Ｐに形成される。一方、マスクＭの部分ＡＲを通過した露光光ＥＬは、投影システムＰＳの複数の投影光学系ＰＬのうち、いずれか１つの投影光学系ＰＬを介して、非重複部Ａ１〜Ａ７に照射される。換言すれば、部分ＡＲの像は、重複露光されずに（単露光で）基板Ｐに形成される。
【００７６】
本実施形態において、マスクＭは、基板Ｐに表示デバイス（例えばフラットパネルディスプレイ）を形成するためのパターンを含む。部分ＡＲに配置される第１パターンは、表示デバイスの表示部（画素部）を形成するためのパターンを含む。
【００７７】
本実施形態において、部分ＢＲは、第２パターンを含む。部分ＢＲに配置される第２パターンは、表示部（画素部）の周囲の少なくとも一部に配置される配線若しくは駆動部を形成するためのパターンを含み、第１パターンに含まれるような表示部（画素部）用のパターンは含まれない。
【００７８】
なお、部分ＢＲには、何もパターンが含まれなくてもよい。また、部分ＡＲは、表示部（画素部）用のパターンのみならず、その周囲に配置される配線若しくは駆動部等を形成するためのパターンを含んでもよい。また、換言すると、第１パターンは、所定のパターンを含むパターンであり、第２パターンは、その所定のパターンを含まないパターンとされる。その所定のパターンは、例えば、所定の線幅以下（もしくは所定の解像度以上）で基板Ｐに露光されるべきパターンとすることができ、第２パターンは、その所定の線幅以下（もしくはその所定の解像度以上）で基板Ｐに露光されるべきパターンを含まない。
【００７９】
図６は、第１〜第７投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７と、第１〜第７検出領域ＡＦ１〜ＡＦ７と、基板Ｐとの位置関係の一例を示す模式図であり、基板Ｐの表面を含む平面内の位置関係を示す。
【００８０】
本実施形態において、第１、第２、第４、第６、第７検出装置７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｄ、７０Ｆ、７０Ｇの第１、第２、第４、第６、第７検出領域ＡＦ１、ＡＦ２、ＡＦ４、ＡＦ６、ＡＦ７が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で配置されている。また、第３、第５検出装置７０Ｃ、７０Ｅの第３、第５検出領域ＡＦ３、ＡＦ５が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で配置されている。すなわち、Ｙ軸方向に関して、第１、第２、第４、第６、第７検出領域ＡＦ１、ＡＦ２、ＡＦ４、ＡＦ６、ＡＦ７の位置は、それぞれ異なり、Ｘ軸方向に関して、第１、第２、第４、第６、第７検出領域ＡＦ１、ＡＦ２、ＡＦ４、ＡＦ６、ＡＦ７の位置は、ほぼ等しい。また、Ｙ軸方向に関して、第３、第５検出領域ＡＦ３、ＡＦ５の位置は、それぞれ異なり、Ｘ軸方向に関して、第３、第５検出領域ＡＦ３、ＡＦ５の位置は、ほぼ等しい。
【００８１】
本実施形態において、Ｘ軸方向に関して、第１、第２、第４、第６、第７検出領域ＡＦ１、ＡＦ２、ＡＦ４、ＡＦ６、ＡＦ７の位置と、第３、第５検出領域ＡＦ３、ＡＦ５の位置とは、異なる。本実施形態において、第１、第２、第４、第６、第７検出領域ＡＦ１、ＡＦ２、ＡＦ４、ＡＦ６、ＡＦ７は、第３、第５検出領域ＡＦ３、ＡＦ５に対して、＋Ｘ側に配置されている。
【００８２】
以下の説明において、第１〜第７検出領域ＡＦ１〜ＡＦ７のうち、第１、第２、第４、第６、第７検出領域ＡＦ１、ＡＦ２、ＡＦ４、ＡＦ６、ＡＦ７を合わせて適宜、第１検出領域群Ｇ１、と称し、第３、第５検出領域ＡＦ３、ＡＦ５を合わせて適宜、第２検出領域群Ｇ２、と称する。Ｘ軸方向に関して、第１検出領域群Ｇ１の位置と、第２検出領域群Ｇ２の位置とは、異なる。第１検出領域群Ｇ１は、第２検出領域群Ｇ２に対して、＋Ｘ側に配置される。
【００８３】
本実施形態において、第１〜第７検出領域ＡＦ１〜ＡＦ７は、第１、第３、第５、第７投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７と、第２、第４、第６投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６との間に配置される。
【００８４】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法の一例について説明する。
【００８５】
図６に示すように、本実施形態においては、基板Ｐに第１〜第４の露光領域（露光対象領域、ショット領域）ＰＡ１〜ＰＡ４が定められている。露光装置ＥＸは、それら複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４を順次露光する。
【００８６】
図７〜図１０は、基板Ｐの露光領域ＰＡ１が露光される状態の一例を示す。基板Ｐの露光領域ＰＡ１を露光する際、制御装置３は、基板Ｐが図７に示す状態から、図８及び図９に示す状態を経て、図１０に示す状態になるように、基板Ｐを保持した基板ステージ２を移動する。
【００８７】
図７は、基板Ｐが露光領域ＰＡ１の露光開始位置に配置されている状態の一例を示す図である。露光領域ＰＡ１を露光するために、制御装置３は、基板Ｐが露光領域ＰＡ１の露光開始位置に配置されるように、基板Ｐを保持した基板ステージ２を制御する。本実施形態において、露光開始位置は、基板Ｐの表面の中央部分が投影システムＰＳの射出面と対向する位置を含む。露光領域ＰＡ１の露光開始位置において、基板Ｐは、第１〜第７投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７及び第１〜第７検出装置７０Ａ〜７０Ｇと対向する。露光領域ＰＡ１の露光開始位置において、第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の両方に基板Ｐが配置される。
【００８８】
基板Ｐが露光領域ＰＡ１の露光開始位置に配置された後、制御装置３は、露光領域ＰＡ１の露光を開始する。制御装置３は、投影システムＰＳ（第１〜第７投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７）の物体面側で、マスクＭをＸ軸方向に移動しながらそのマスクＭに露光光ＥＬを照射する。また、制御装置３は、マスクＭに露光光ＥＬを照射しつつ、投影システムＰＳの像面側で、マスクＭの移動と同期して、基板ＰをＸ軸方向に移動する。本実施形態において、基板Ｐは、−Ｘ方向に移動する。これにより、マスクＭからの露光光ＥＬが投影システムＰＳを介して基板Ｐに照射され、マスクＭの少なくとも一部の像が基板Ｐの露光領域ＰＡ１に投影される。
【００８９】
本実施形態において、制御装置３は、投影システムＰＳの像面に配置される基板Ｐに対する露光光ＥＬの照射の少なくとも一部と並行して、検出システム７０を用いて、基板Ｐの表面の位置を検出する。基板Ｐの移動において、制御装置３は、検出システム７０の検出結果に基づいて、基板Ｐの高さ調整及びレベリング調整を実行しつつ、その基板ＰをＸ軸方向に移動しながら露光する。
【００９０】
上述したように、非重複部Ａ１〜Ａ７に照射される露光光ＥＬによって、基板Ｐに部分ＡＲの像が形成される。重複部Ｂ１〜Ｂ６に照射される露光光ＥＬによって、基板Ｐに部分ＢＲの像が形成される。
【００９１】
図８は、露光領域ＰＡ１の露光が開始された時点から所定時間経過後の状態を示す。図７に示す状態から図８に示す状態において、第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の両方に基板Ｐが配置される。すなわち、図７に示す状態から図８に示す状態においては、制御装置３は、第１、第２検出領域群Ｇ１、Ｇ２の両方に基板Ｐが配置される状態で、Ｘ軸方向に基板Ｐを移動しながら、マスクＭの部分ＡＲの像を基板Ｐに投影する。
【００９２】
図７に示す状態から図８に示す状態においては、検出システム７０は、第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の両方の検出結果を用いて、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する基板Ｐの位置を精確に求めることができる。そのため、制御装置３は、その検出システム７０の検出結果に基づいて、基板Ｐの表面（露光面）と投影システムＰＳの像面との位置調整を精確に実行することができる。したがって、基板Ｐに形成されるパターンは、所望の形状となる。
【００９３】
図９は、露光領域ＰＡ１の露光において、第２検出領域群Ｇ２に基板Ｐが配置され、第１検出領域群Ｇ１に基板Ｐが配置されない状態を示す。図９に示す状態においては、検出システム７０による、Ｚ軸方向に関する基板Ｐの表面の位置の検出精度は維持される。一方、図９に示す状態においては、検出システム７０による、θＸ及びθＹ方向に関する基板Ｐの表面の位置の検出精度が低下する可能性がある。
【００９４】
本実施形態においては、第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の少なくとも一方に基板Ｐが配置されない状態において、露光装置ＥＸは、部分ＡＲの像を基板Ｐに投影しない。例えば、第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の少なくとも一方に基板Ｐが配置されない状態において部分ＡＲの像が基板Ｐに投影されないように、マスクＭの大きさ及び露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４の大きさが定められてもよいし、マスクＭ及び基板Ｐの移動条件が定められてもよいし、露光光ＥＬの照射が停止されてもよい。なお、第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の少なくとも一方に基板Ｐが配置されない状態において部分ＡＲの像が基板Ｐに投影された場合において、その部分ＡＲの像が投影された基板Ｐの一部を、製品として使用されないように破棄してもよい。
【００９５】
露光領域ＰＡ１の露光が終了した後、図１１に示すように、制御装置３は、基板ステージ２を制御して、露光領域ＰＡ２の露光開始位置に基板Ｐを配置する。図１１に示すように、露光領域ＰＡ２の露光開始位置において、第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の両方に基板Ｐが配置される。
【００９６】
制御装置３は、基板Ｐを−Ｘ方向に移動しつつ、露光領域ＰＡ２を露光する。第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の両方に基板Ｐが配置されている状態において、検出システム７０は、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する基板Ｐの表面の位置を精確に求めることができる。
【００９７】
図１２は、露光領域ＰＡ２の露光が開始された時点から所定時間経過後の状態を示す。図１２に示す状態においても、第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の両方に基板Ｐが配置されているため、検出システム７０は、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する基板Ｐの表面の位置を精確に求めることができる。
【００９８】
図１３は、露光領域ＰＡ２の露光において、第２検出領域群Ｇ２に基板Ｐが配置され、第１検出領域群Ｇ１に基板Ｐが配置されない状態を示す。図１３に示す状態においては、検出システム７０による、θＸ及びθＹ方向に関する基板Ｐの表面の位置の検出精度が低下する可能性がある。本実施形態においては、第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の少なくとも一方に基板Ｐが配置されない状態において、露光装置ＥＸは、部分ＡＲの像を基板Ｐに投影しない。
【００９９】
露光領域ＰＡ２の露光が終了した後、図１４に示すように、制御装置３は、基板ステージ２を制御して、露光領域ＰＡ３の露光開始位置に基板Ｐを配置する。図１４に示すように、露光領域ＰＡ３の露光開始位置において、第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の両方に基板Ｐが配置される。
【０１００】
制御装置３は、基板Ｐを＋Ｘ方向に移動しつつ、露光領域ＰＡ３を露光する。第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の両方に基板Ｐが配置されている状態において、検出システム７０は、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する基板Ｐの表面の位置を精確に求めることができる。
【０１０１】
図１５は、露光領域ＰＡ３の露光が開始された時点から所定時間経過後の状態を示す。図１５に示す状態においても、第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の両方に基板Ｐが配置されているため、検出システム７０は、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する基板Ｐの表面の位置を精確に求めることができる。
【０１０２】
一方、露光領域ＰＡ３の露光において、第１検出領域群Ｇ１に基板Ｐが配置され、第２検出領域群Ｇ２に基板Ｐが配置されない状態が発生する。その状態においては、検出システム７０による、θＸ及びθＹ方向に関する基板Ｐの表面の位置の検出精度が低下する可能性がある。第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の少なくとも一方に基板Ｐが配置されない状態において、露光装置ＥＸは、部分ＡＲの像を基板Ｐに投影しない。
【０１０３】
露光領域ＰＡ３の露光が終了した後、図１６に示すように、制御装置３は、基板ステージ２を制御して、露光領域ＰＡ４の露光開始位置に基板Ｐを配置する。図１６に示すように、露光領域ＰＡ４の露光開始位置において、第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の両方に基板Ｐが配置される。
【０１０４】
制御装置３は、基板Ｐを＋Ｘ方向に移動しつつ、露光領域ＰＡ４を露光する。第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の両方に基板Ｐが配置されている状態において、検出システム７０は、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する基板Ｐの表面の位置を精確に求めることができる。
【０１０５】
図１７は、露光領域ＰＡ３の露光が開始された時点から所定時間経過後の状態を示す。図１７に示す状態においても、第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の両方に基板Ｐが配置されているため、検出システム７０は、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する基板Ｐの表面の位置を精確に求めることができる。
【０１０６】
一方、露光領域ＰＡ４の露光において、第１検出領域群Ｇ１に基板Ｐが配置され、第２検出領域群Ｇ２に基板Ｐが配置されない状態が発生する。その状態においては、検出システム７０による、θＸ及びθＹ方向に関する基板Ｐの表面の位置の検出精度が低下する可能性がある。第１検出領域群Ｇ１及び第２検出領域群Ｇ２の少なくとも一方に基板Ｐが配置されない状態において、露光装置ＥＸは、部分ＡＲの像を基板Ｐに投影しない。
【０１０７】
以上により、露光領域ＰＡ１〜ＰＡ４の露光が終了する。
【０１０８】
以上説明したように、本実施形態によれば、Ｙ軸方向に関する部分ＡＲの寸法を、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲの寸法以下とし、部分ＡＲからの露光光ＥＬを投影領域ＰＲの中央領域に入射させ、端領域に入射させないようにしたので、部分ＡＲの像を基板Ｐに投影する際、重複露光（継ぎ露光）することなく、その部分ＡＲ（第１パターン）を基板Ｐに形成することができる。
【０１０９】
例えば、隣り合う投影領域ＰＲの重複部Ｂ１〜Ｂ６において、一方の投影領域ＰＲと他方の投影領域ＰＲとの相対位置が変動したり、目標の位置関係に対してずれたり、像面の位置が変動したりすると、その重複部Ｂ１〜Ｂ６に形成されるパターンの寸法が不均一になったり、パターンに欠陥が生じたりする等、露光不良が発生する可能性がある。例えば、部分ＡＲ（第１パターン）が表示部（画素部）を形成するためのパターンを含む場合、露光不良が発生すると、表示性能が低下したディスプレイが製造されてしまう等、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０１１０】
本実施形態によれば、精度が要求される第１パターンを含む部分ＡＲを露光する際、重複露光することなく、単露光できるように、Ｙ軸方向に関する投影領域ＰＲの中央領域の寸法に応じて部分ＡＲの寸法を定めたので、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１１１】
一方、配線若しくは駆動部を形成するためのパターン等、第１パターンよりも低いパターン転写精度が許容される第２パターンを含む部分ＢＲは、重複露光することによって、基板Ｐに効率良くパターンを形成することができる。
【０１１２】
また、本実施形態においては、第１、第２検出領域群Ｇ１、Ｇ２の両方に基板Ｐが配置される状態で、部分ＡＲの像を基板Ｐに投影するようにしたので、第１、第２検出領域群Ｇ１、Ｇ２を使った検出結果に基づいて、Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する基板Ｐの表面の位置を精確に調整しつつ、部分ＡＲの像を基板Ｐに投影することができる。一方、第１、第２検出領域群Ｇ１、Ｇ２の少なくとも一方に基板Ｐが配置されない状態において、部分ＡＲの像を基板Ｐに投影しないようにしたので、基板Ｐに対する部分ＡＲ（第１パターン）の像の転写不良の発生が抑制される。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１１３】
なお、本実施形態においては、第１、第３、第５、第７投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７（第１、第３、第５、第７投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７）と、第２、第４、第６投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６（第２、第４、第６投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６）との間に、検出装置７０Ａ〜７０Ｇ（検出領域ＡＦ１〜ＡＦ７）が配置されることしたが、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７（投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７）の外側に、検出装置７０Ａ〜７０Ｇ（検出領域ＡＦ１〜ＡＦ７）が配置されてもよい。例えば、第１、第３、第５、第７投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７の＋Ｘ側に、第１、第２検出領域群Ｇ１、Ｇ２が配置されてもよいし、第２、第４、第６投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６の−Ｘ側に、第１、第２検出領域群Ｇ１、Ｇ２が配置されてもよい。また、第１、第３、第５、第７投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７の＋Ｘ側に、第１検出領域群Ｇ１が配置され、第２、第４、第６投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６の−Ｘ側に、第２検出領域群Ｇ２が配置されてもよい。換言すれば、第１検出領域群Ｇ１と第２検出領域群Ｇ２との間に、第１〜第７投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７が配置されてもよい。また、第１、第３、第５、第７投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７の＋Ｘ側に第１検出領域群Ｇ１が配置され、第２検出領域群Ｇ２は省略されてもよいし、また、第２、第４、第６投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６の−Ｘ側に第２検出領域群Ｇ２が配置され、第１検出領域群Ｇ１は省略されてもよい。
【０１１４】
なお、上述の実施形態の基板Ｐとしては、ディスプレイデバイス用のガラス基板のみならず、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１１５】
なお、露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを介した露光光ＥＬで基板Ｐを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０１１６】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【０１１７】
また、本発明は、米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基板を保持せずに、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。
【０１１８】
露光装置ＥＸの種類としては、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置に限られず、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１１９】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。
【０１２０】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【０１２１】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。
各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了した後、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１２２】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１８に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクＭからの露光光ＥＬで基板Ｐを露光して基板Ｐにパターンの像を投影すること、及び露光された基板Ｐを露光結果に基づいて処理することを含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。なお、ステップ２０４において、露光された基板Ｐを露光結果に基づいて処理することは、露光された基板（感光膜）を現像することで、マスクのパターンに対応する露光パターン層（現像された感光膜の層）を形成すること、及びその露光パターン層を介して基板を加工することが含まれる。例えば、基板の加工は、現像された基板をエッチング処理することを含む。
【０１２３】
なお、上述の実施形態及び変形例の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０１２４】
１…マスクステージ、２…基板ステージ、３…制御装置、７０…検出システム、７０Ａ〜７０Ｇ…検出装置、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＩＬ１〜ＩＬ７…照明モジュール、ＩＲ１〜ＩＲ７…照明領域、ＩＳ…照明システム、Ｍ…マスク、ＡＦ１〜ＡＦ７…検出領域、ＡＲ…部分、ＢＲ…部分、Ｐ…基板、ＰＬ１〜ＰＬ７…投影光学系、ＰＲ１〜ＰＲ７…投影領域、ＰＳ…投影システム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2012242811.tif 000019
【図１８】
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