(57)【要約】【課題】２個のビアを用いた配線接続構造を、ホットスポットが生じにくい構造によって実現する。【解決手段】第１配線層において第１方向に延びる第１配線１１と、第１配線層の上層または下層の配線層に形成された接続対象配線３０とを電気的に接続するために、第１および第２のビア２１，２２が設けられている。そして、第１配線１１の第２端部１１ｂから、第１方向と直交する第２方向に第３配線１３が延びており、さらに第３配線１３から、第１方向において第１配線１１と反対の向きに第４配線１４が延びている。すなわち、第１、第３、第４配線１１，１３，１４によってクランク状の配線が形成されている。そして、第３配線１３の配線幅Ｗ３は、第１配線１１における端部１１ａ，１１ｂ間の部分の配線幅Ｗ１以上である。【選択図】図１
2012151241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線層に形成されており、第１方向に延びる第１配線と、
前記第１配線層の上層または下層の配線層に形成されており、前記第１配線と重なるように前記第１方向に延びる接続対象配線と、
前記第１配線の第１端部と前記接続対象配線との間に設けられており、前記第１配線と前記接続対象配線とを電気的に接続する第１のビアと、
前記第１配線の第２端部と前記接続対象配線との間に設けられており、前記第１配線と前記接続対象配線とを電気的に接続する第２のビアと、
前記第１配線層に形成されており、前記第１配線の前記第１端部から、前記第１方向に直交する第２方向において延びるように配置された第２配線と、
前記第１配線層に形成されており、前記第１配線の前記第２端部から、前記第２方向において延びるように配置された第３配線と、
前記第１配線層に形成されており、前記第３配線から、前記第１方向において、前記第１配線と反対の向きに延びるように形成された第４配線とを備え、
前記第３配線の配線幅は、前記第１配線における前記第１端部と前記第２端部とに挟まれた部分の配線幅以上である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２配線と前記第３配線とは、前記第２方向において同じ向きに延びている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記第１配線の前記第１端部から前記第２配線の先端部までの距離は、前記第１配線の前記第２端部から前記第３配線における前記第４配線の基部までの距離以上である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２配線と前記第３配線とは、前記第２方向において反対の向きに延びている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２の配線は、前記第１配線の前記第１端部から、前記第２方向において両方の向きに延びている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第３配線は、前記第１配線の前記第２端部から、前記第２方向において、前記第４配線が存在する方と反対の向きにも延びている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜６のうちのいずれか１項記載の半導体装置において、
前記第１配線層において前記第１〜第４配線のいずれとも分離されて形成されており、前記第２配線を先端部から仮想的にさらに延ばした領域に重なるように、かつ、前記第２方向において延びるように、配置されている第５配線を備えた
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜６のうちのいずれか１項記載の半導体装置において、
前記第１配線層において前記第１〜第４配線のいずれとも分離されて形成されており、前記第１配線を前記第２端部から仮想的にさらに延ばした領域と重なるように、かつ、前記第２方向において延びるように配置されている第５配線を備え、
前記第５配線を仮想的にさらに延ばした領域と、前記第４配線とが重なっている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜６のうちのいずれか１項記載の半導体装置において、
前記第１ビアと前記第２ビアとの間に配置されており、前記第１配線と前記接続対象配線とを電気的に接続する第３ビアを備えた
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１〜６のうちのいずれか１項記載の半導体装置において、
前記第１ビアおよび前記第２ビアが、単一のビアとして一体に構成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のうちのいずれか１項記載の半導体装置において、
前記第１配線における前記第１端部と前記第２端部とに挟まれた部分の長さと、前記第２配線の配線幅と、前記第３配線の配線幅とが、互いに等しい
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１〜１０のうちのいずれか１項記載の半導体装置において、
前記第１〜第４配線は、信号配線として用いられている
ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものであり、特に、ビアを用いた配線接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体製造技術の進歩は非常に目覚しく、微細化が益々進んでいる。この微細化は、マスクプロセス技術、光リソグラフィ技術およびエッチング技術等の微細パターン形成技術の飛躍的な進歩により実現されている。ここで、パターンサイズが十分大きい時代には、設計パターンに忠実なマスクパターンを作成し、そのマスクパターンを投影光学系によってウェハ上に転写し、下地をエッチングすることによって、ほぼ設計通りのパターンをウェハ上に形成することができた。しかし、パターンの微細化が進むにつれて、各プロセスでパターンを忠実に形成することが困難になってきており、最終仕上り寸法が設計通りにならないという問題が生じてきた。
【０００３】
この問題を解決するために、各プロセスでの変換差を考慮して、最終仕上り寸法が設計パターン寸法と等しくなるよう、設計パターンと異なるマスクパターンを作成する処理が非常に重要になっている。
【０００４】
このような中、近年ではより一層の微細化に伴い、リソグラフィ工程におけるｋ１値（ｋ１＝Ｗ／（ＮＡ／λ）、Ｗ：設計パターンの寸法、λ：露光装置の露光波長、ＮＡ：露光装置に使用されているレンズの開口数）が益々低減している。この結果、いわゆる光近接効果（ＯＰＥ：Optical Proximity Effect）がより増大する傾向にあるため、補正のためのＯＰＣ（Optical Proximity Correction）処理の負荷が非常に大きくなっている。
【０００５】
そして、微細化がさらに進むと、ＯＰＣ処理による補正は完全とはいえなくなり、設計パターンと最終仕上がり寸法の乖離は大きくなっていく。このようなＯＰＣ処理によるマスク補正が困難な設計パターンはホットスポットと呼ばれる。非特許文献１には、ホットスポットが生じる配線形状の一例が示されている。
【０００６】
このようなホットスポットに対して、特許文献１には、ＯＰＣ処理を行う前のレイアウト設計の段階で、ホットスポットを発生させない方法が開示されている。
【０００７】
また、特許文献２には、第１の配線と第２の配線との交差領域に２個のビアを構成し、歩留まりを向上させる方法について開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第３６７５３３８号
【特許文献２】特開２００９−２５２８０５号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Jae-Hyun Kang他、「Combination of rule and pattern based lithography unfriendly pattern  detection in OPC flow」  SPIE Vol.7122 7122N-3 Figure2
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図１０はホットスポットの発生について説明するための図であり、クランク状の配線構造の設計パターンと仕上がり形状との関係を示す図である。図１０において、実線は配線構造の元の設計パターン、破線はＯＰＣ補正後の設計パターン、太実線は実際の仕上がり形状である。第２の配線１１２に対して、第１の配線１１１と第３の配線１１３とが互いに逆向きに延びるよう接続されており、いわゆるクランク状の配線が形成されている。そして、第１の配線１１１の配線幅Ｗ１１は、第２の配線１１２の配線幅Ｗ１２よりも大きい。
【００１１】
このような配線構造において、ＯＰＣ処理を行わないと、光の干渉により最終仕上がり形状が設計パターンから大きく変化する。すなわち、点線矢印で示すように、第１の配線１１１と第２の配線１１２とに挟まれた凹部が外側に膨らみ（向きａ１）、また別の配線１２１による光の干渉の影響を受け、第２の配線１１２の一部も外側に膨らむ（向きａ２）。このため、ＯＰＣ処理では、実線矢印で示すように、向きａ１，ａ２とは逆の向きｂ１，ｂ２に設計パターンを補正する必要がある。
【００１２】
ところが、ＯＰＣ補正後の設計パターンから得られた実際の仕上がり形状では、第２の配線１１２の配線幅が元の設計パターンと比べて細くなっている。すなわちホットスポットが生じている。特に、第２の配線１１２の配線幅Ｗ１２に対して第１の配線１１１の配線幅Ｗ１１が大きい場合、第１の配線１１１と第２の配線１１２との間に挟まれた部分の内側への補正ｂ１が大きくなるため、ホットスポットがより顕著となり、最終仕上がり形状の配線が細る。最終仕上がりの配線が細ることにより、配線抵抗が大きくなり、半導体集積回路の遅延故障の原因になる。
【００１３】
図１１は配線接続のために２個のビアを配置した場合の配線構造の一例を示す図である。図１１において、第１の配線１３１、第２の配線１３２および第３の配線１３３は同一配線層で接続されており、いわゆるクランク状になっている。また配線１５０が、第１の配線１３１の上層または下層に形成されている。そして、第１の配線１３１と配線１５０とが２個のビア１４１，１４２によって電気的に接続されている。ここで、配線とビアを同時に製造するデュアルダマシン方法等では、ビアを構成するために配線の埋め込みを利用するため、ビアの上下の配線層においてビア周辺の配線領域が大きいほど、製造が容易になる。このため図１１の構成においても、ビアの製造を容易にするために、第１の配線１３１の配線幅を大きくしている。
【００１４】
この結果、図１１の配線構造は、図１０で示したようなホットスポットが生じやすい配線構造と等価になっている。つまり、ビアの製造工程での歩留まり向上を目的として２個のビアを配置した配線接続構造を採用することによって、ホットスポットが形成されやすい配線構造となってしまい、このことが逆に、リソグラフィ工程での歩留まり低下の要因となる。
【００１５】
加えて、従来では、設計パターン中にホットスポットとなる配線形状を検出した場合、このような配線形状を作らないように再度レイアウト設計をやり直していた。つまり、半導体集積回路のレイアウトにホットスポットが存在すると、半導体集積回路設計のＴＡＴ（Turn Around Time）が長くなる、という問題があった。
【００１６】
前記の問題に鑑み、本発明は、２個のビアを用いた配線接続構造を、ホットスポットが生じにくい構造によって実現し、ビア製造工程での歩留まり向上とホットスポット回避とを両立することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の一態様では、半導体装置は、第１配線層に形成されており、第１方向に延びる第１配線と、前記第１配線層の上層または下層の配線層に形成されており、前記第１配線と重なるように前記第１方向に延びる接続対象配線と、前記第１配線の第１端部と前記接続対象配線との間に設けられており、前記第１配線と前記接続対象配線とを電気的に接続する第１のビアと、前記第１配線の第２端部と前記接続対象配線との間に設けられており、前記第１配線と前記接続対象配線とを電気的に接続する第２のビアと、前記第１配線層に形成されており、前記第１配線の前記第１端部から、前記第１方向に直交する第２方向において延びるように配置された第２配線と、前記第１配線層に形成されており、前記第１配線の前記第２端部から、前記第２方向において延びるように配置された第３配線と、前記第１配線層に形成されており、前記第３配線から、前記第１方向において、前記第１配線と反対の向きに延びるように形成された第４配線とを備え、前記第３配線の配線幅は、前記第１配線における前記第１端部と前記第２端部とに挟まれた部分の配線幅以上であるものである。
【００１８】
この態様によると、第１配線層において第１方向に延びる第１配線と、第１配線層の上層または下層の配線層に形成された接続対象配線とを電気的に接続するために、第１および第２のビアが設けられている。そして、第１配線から第１方向と直交する第２方向に第３配線が延びており、さらに第３配線から第１方向において第１配線と反対の向きに第４配線が延びている。すなわち、第１、第３、第４配線によって、クランク状の配線が形成されている。そして、第３配線の配線幅は、第１配線における端部間の部分の配線幅以上であるので、ホットスポットの発生が回避される。しかも、第１配線においてビアが設けられる第１端部および第２端部から、第２方向に第２配線および第３配線がそれぞれ延びているため、ビア周辺の配線領域が大きく確保されており、これによりビアの製造が容易になっている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によると、高歩留まりが期待できる、２個のビアを用いた配線接続構造を、ホットスポットの発生を回避しつつ、実現することができる。したがって、配線の細りによる断線を未然に防止でき、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができるとともに、半導体集積回路設計のＴＡＴを短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置における配線接続構造を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る変形例に係る半導体装置における配線接続構造を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面図である。
【図３】第１の実施形態の変形例に係る半導体装置における配線接続構造を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面図である。
【図４】第２の実施形態に係る半導体装置における配線接続構造を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面図である。
【図５】第３の実施形態に係る半導体装置における配線接続構造を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面図である。
【図６】第１の適用例の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面図である。
【図７】第２の適用例の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面図である。
【図８】第３の適用例の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面図である。
【図９】第４の適用例の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面図である。
【図１０】ホットスポットの発生を説明するための図である。
【図１１】２個のビアを用いた配線接続構造の模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２２】
（第１の実施形態）
図１は第１の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、配線およびビアの構造を模式的に示している。同図中、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の線Ａ−Ａにおける断面図、（ｃ）は（ａ）の線Ｂ−Ｂにおける断面図である。
【００２３】
図１において、第１配線１１、第２配線１２、第３配線１３および第４配線１４は同一の配線層（第１配線層）に形成されており、接続対象配線３０がその下層の配線層に形成されている。第１配線１１は図面縦方向（第１方向）に延びている。第１配線１１と接続対象配線３０とは、その間に形成された第１および第２のビア２１，２２によって電気的に接続されている。第１のビア２１は第１配線１１の第１端部１１ａと接続対象配線３０との間に設けられており、第２のビア２２は第１配線１１の第２端部１１ｂと接続対象配線３０との間に設けられている。
【００２４】
第２配線１２は、第１配線１１の第１端部１１ａから、図面横方向（第１方向に直交する第２方向）において延びるように配置されている。第３配線１３は、第１配線１１の第２端部１１ｂから、図面横方向において延びるように配置されている。図１の構成では、第２配線１２および第３配線１３はともに、図面横方向において右向きに延びている。すなわち本実施形態では、第２配線１２および第３配線１３は同じ向きに延びている。
【００２５】
第４配線１４は、第３配線１３のある部分を基部１４ａとして、図面縦方向において下向きに延びている。すなわち、第４配線１４は、第３配線１３を基準とすると、第１配線１１と反対の向きに延びている。
【００２６】
そして、第３配線１３の配線幅Ｗ３が、第１配線１１における第１端部１１ａと第２端部１１ｂとの間の部分の配線幅Ｗ１と、等しくなっている。
【００２７】
図１に示すように、第１配線１１から第３配線１３、第４配線１４までの配線形状がいわゆるクランク状になっており、ホットスポットが生じやすい形状になっている。ところが本実施形態では、第３配線１３の配線幅Ｗ３が、第１配線１１における第１端部１１ａと第２端部１１ｂとの間の部分の配線幅Ｗ１と同じであるため、ホットスポットの発生が回避される。これにより配線の細りによる断線の発生を防止することができる。かつ、第１配線１１と接続対象配線３０とが、２つのビアすなわち第１および第２ビア２１，２２によって電気的に接続されているので、ビアの製造起因による歩留まり低下を抑えることができる。しかも、第２配線１２および第３の配線１３の存在によって、ビア２１，２２の周辺の配線領域が大きくなっているため、ビアの製造が容易である。
【００２８】
図２および図３は本実施形態の変形例に係る半導体装置を示す図であり、図１と共通の構成要素には図１と同一の符号を付しており、ここではその詳細な説明を省略する。
【００２９】
図１の構成では、図面横方向に延びている第２配線１２の先端部は、第４配線１４の基部１４ａよりも第１配線１１に近い位置にある。これに対して図２の構成では、第２配線１２Ａは図１の第２配線１２よりも長く延びており、第３配線１３Ａも第４配線１４の基部１４ａからさらに長く延びている。そして、第１配線１１の第１端部１１ａから第２配線１２Ａの先端部までの距離Ｄ１は、第１配線１１の第２端部１１ｂから第４配線１４の基部１４ａまでの距離Ｄ２よりも長くなっている。このような構成であっても、ホットスポットの発生を回避しつつ、２つのビア２１，２２を形成することができ、上述した図１の構成と同様の効果が得られる。なお、距離Ｄ１と距離Ｄ２とが等しくてもかまわない。
【００３０】
また、図１の構成では、第３配線１３の配線幅Ｗ３は第１配線１１の配線幅Ｗ１と等しくなっている。これに対して図３の構成では、第３配線１３Ｂの配線幅Ｗ３Ｂは第１配線１１の配線幅Ｗ１よりも大きくなっている。ホットスポットは第３配線１３Ｂの最終仕上がり形状が細ることにより発生するので、第３配線１３Ｂを太くすることによって、ホットスポットをより確実に回避することができる。なお、図３の構成では、第３配線１３Ｂの第１配線１１側の端が第１配線１１の側端に合っていないが、これらが揃っていてももちろんかまわない。
【００３１】
（第２の実施形態）
図４は第２の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、配線およびビアの構造を模式的に示している。同図中、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の線Ａ−Ａにおける断面図、（ｃ）は（ａ）の線Ｂ−Ｂにおける断面図である。なお、図１と共通の構成要素には図１と同一の符号を付している。
【００３２】
図４において、第１配線１１、第２配線１２Ｂ、第３配線１３および第４配線１４は同一の配線層（第１配線層）に形成されており、接続対象配線３０がその下層の配線層に形成されている。第１配線１１は図面縦方向（第１方向）に延びている。第１配線１１と接続対象配線３０とは、その間に形成された第１および第２のビア２１，２２によって電気的に接続されている。第１のビア２１は第１配線１１の第１端部１１ａと接続対象配線３０との間に設けられており、第２のビア２２は第１配線１１の第２端部１１ｂと接続対象配線３０との間に設けられている。
【００３３】
第２配線１２Ｂは、第１配線１１の第１端部１１ａから、図面横方向（第１方向に直交する第２方向）において延びるように配置されている。第３配線１３は、第１配線１１の第２端部１１ｂから、図面横方向において延びるように配置されている。図１の構成では、第２配線１２Ｂは図面横方向において左向きに延びており、第３配線１３は図面横方向において右向きに延びている。すなわち本実施形態では、第２配線１２Ｂと第３配線１３とは反対の向きに延びており、この点で第１の実施形態と異なっている。
【００３４】
第４配線１４は、第３配線１３のある部分を基部１４ａとして、図面縦方向において下向きに延びている。すなわち、第４配線１４は、第３配線１３を基準にすると、第１配線１１と反対の向きに延びている。
【００３５】
そして、第３配線１３の配線幅Ｗ３が、第１配線１１における第１端部１１ａと第２端部１１ｂとの間の部分の配線幅Ｗ１と、等しくなっている。
【００３６】
図４に示すように、第１配線１１から第３配線１３、第４配線１４までの配線形状がいわゆるクランク状になっており、ホットスポットが生じやすい形状になっている。ところが本実施形態では、第３配線１３の配線幅Ｗ３が、第１配線１１における第１端部１１ａと第２端部１１ｂとの間の部分の配線幅Ｗ１と同じであるため、ホットスポットの発生が回避される。これにより配線の細りによる断線の発生を防止することができる。かつ、第１配線１１と接続対象配線３０とが、２つのビアすなわち第１および第２ビア２１，２２によって電気的に接続されているので、ビアの製造起因による歩留まり低下を抑えることができる。しかも、第２配線１２Ｂおよび第３の配線１３の存在によって、ビア２１，２２の周辺の配線領域が大きくなっているため、ビアの製造が容易である。
【００３７】
また、図３の構成と同様に、第３配線１３の配線幅Ｗ３を第１配線１１の配線幅Ｗ１よりも大きくしてもよい。
【００３８】
（第３の実施形態）
図５は第３の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、配線およびビアの構造を模式的に示している。同図中、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の線Ａ−Ａにおける断面図、（ｃ）は（ａ）の線Ｂ−Ｂにおける断面図である。なお、図１と共通の構成要素には図１と同一の符号を付している。
【００３９】
図５において、第１配線１１、第２配線１２Ｃ、第３配線１３Ｃおよび第４配線１４は同一の配線層（第１配線層）に形成されており、接続対象配線３０がその下層の配線層に形成されている。第１配線１１は図面縦方向（第１方向）に延びている。第１配線１１と接続対象配線３０とは、その間に形成された第１および第２のビア２１，２２によって電気的に接続されている。第１のビア２１は第１配線１１の第１端部１１ａと接続対象配線３０との間に設けられており、第２のビア２２は第１配線１１の第２端部１１ｂと接続対象配線３０との間に設けられている。
【００４０】
第２配線１２Ｃは、第１配線１１の第１端部１１ａから、図面横方向（第１方向に直交する第２方向）において延びるように配置されている。第３配線１３Ｃは、第１配線１１の第２端部１１ｂから、図面横方向において延びるように配置されている。図１の構成では、第２配線１２Ｃは図面横方向において右向きおよび左向きの両方に延びており、第３配線１３もまた図面横方向において右向きおよび左向きの両方に延びている。すなわち本実施形態では、第２配線１２Ｃおよび第３配線１３Ｃは第１配線１１から両方の向きに延びており、この点で第１および第２の実施形態と異なっている。
【００４１】
第４配線１４は、第３配線１３のある部分を基部１４ａとして、図面縦方向において下向きに延びている。すなわち、第４配線１４は、第３配線１３を基準にすると、第１配線１１と反対の向きに延びている。
【００４２】
そして、第３配線１３の配線幅Ｗ３が、第１配線１１における第１端部１１ａと第２端部１１ｂとの間の部分の配線幅Ｗ１と、等しくなっている。
【００４３】
図５に示すように、第１配線１１から第３配線１３Ｃ、第４配線１４までの配線形状がいわゆるクランク状になっており、ホットスポットが生じやすい形状になっている。ところが本実施形態では、第３配線１３Ｃの配線幅Ｗ３が、第１配線１１における第１端部１１ａと第２端部１１ｂとの間の部分の配線幅Ｗ１と同じであるため、ホットスポットの発生が回避される。これにより配線の細りによる断線の発生を防止することができる。かつ、第１配線１１と接続対象配線３０とが、２つのビアすなわち第１および第２ビア２１，２２によって電気的に接続されているので、ビアの製造起因による歩留まり低下を抑えることができる。しかも、第２配線１２Ｃおよび第３の配線１３Ｃの存在によって、ビア２１，２２の周辺の配線領域が大きくなっているため、ビアの製造が容易である。
【００４４】
また、図３の構成と同様に、第３配線１３Ｃの配線幅Ｗ３を第１配線１１の配線幅Ｗ１よりも大きくしてもよい。
【００４５】
なお、図５では、第２配線１２Ｃと第３配線１３Ｃの両方が、図面横方向における両方の向きに延びているものとしたが、いずれか一方のみが、図面横方向における両方の向きに延びている構成としてもかまわない。
【００４６】
（適用例）
以下、上述の各実施形態に係る半導体装置の適用例を示す。なお、以下の各図面は図１の構成を基にしているが、上述した他の構成についても同様の適用が可能である。
【００４７】
図６は第１の適用例の構成を示す図である。図６の構成では、第１配線１１、第２配線１２、第３配線１３および第４配線１４と同一配線層に、第５配線４１が形成されている。第５配線４１は、第２配線１２をその先端部から仮想的にさらに延ばした領域と重なるように、かつ、図面横方向において延びるように、配置されており、同一配線層において、第１配線１１、第２配線１２、第３配線１３および第４配線１４のいずれとも接続されていない。図６の構成では、第５配線４１の下縁が、第２配線１２の下縁から延ばした補助線Ｌ１と一致している。
【００４８】
図７は第２の適用例の構成を示す図である。図７の構成では、第１配線１１、第２配線１２、第３配線１３および第４配線１４と同一配線層に、第５配線４２が形成されている。第５配線４２は、第１配線１１を第２端部１１ｂから仮想的にさらに延ばした領域と重なるように、かつ、図面横方向において延びるように、配置されており、同一配線層において、第１配線１１、第２配線１２、第３配線１３および第４配線１４のいずれとも接続されていない。そして、第５配線４２を仮想的にさらに延ばした領域と、第４配線１４とが重なっている。図７の構成では、第５配線４２の上縁から延ばした補助線Ｌ２が、第４配線１４と交わっている。
【００４９】
図８は第３の適用例の構成を示す図である。図８の構成では、第１ビア２１と第２ビア２２との間に、第１配線１１と接続対象配線３０とを電気的に接続する第３ビア２３が設けられている。
【００５０】
図９は第４の適用例の構成を示す図である。図９の構成では、図１の構成における第１ビア２１および第２ビア２２が一体に構成されており、ビア２５として形成されている。
【００５１】
なお、上述の各実施形態では、接続対象配線３０は、第１配線１１等が形成された配線層の下層に形成されているものとしたが、その上層に形成されている場合でも、同様に構成することによって同様の作用効果が得られる。
【００５２】
また、上述の各実施形態では、第１配線１１における第１端部１１ａと第２端部１１ｂとに挟まれた部分の長さと、第２配線１２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃの配線幅と、第３配線１３，１３Ａ，１３Ｃの配線幅とが、互いに等しくなっている。ただし、これに限られるものではない。
【００５３】
また、上述の各実施形態において、第１〜第４配線は例えば信号配線として用いられている。
【符号の説明】
【００５４】
１１  第１配線
１１ａ  第１端部
１１ｂ  第２端部
１２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ  第２配線
１３，１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ  第３配線
１４  第４配線
１４ａ  第４配線の基部
２１  第１ビア
２２  第２ビア
２３  第３ビア
２５  ビア
３０  接続対象配線
４１  第５配線
４２  第５配線
Ｗ１  第１配線の配線幅
Ｗ３，Ｗ３Ｂ  第３配線の配線幅
Ｄ１  第１配線の第１端部から第２配線の先端部までの距離
Ｄ２  第１配線の第２端部から第３配線における第４配線の基部までの距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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