(57)【要約】【課題】本発明は、同時測定を行うチップに関わる不要な干渉を最小限にする半導体ウェハ、当該半導体ウェハをテストするためのプローブ装置、プローブ装置ごとの相関を気にすることなく、治具の製作が可能となるウェハテスト装置及びウェハテスト方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体ウェハは、複数の半導体チップが形成されており、複数の半導体チップは、ｎ個（ｎは２以上の整数）の半導体チップが３６０／ｎ度ずつ回転して配置され、かつ上記ｎ個の半導体チップそれぞれの間に１つ以上の半導体チップが挟まれて配置された配置パターンを基本単位とし、当該基本単位を複数繰り返すように配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップが形成されている半導体ウェハにおいて、
複数の半導体チップは、
ｎ個（ｎは２以上の整数）の半導体チップが３６０／ｎ度ずつ回転して配置され、かつ上記ｎ個の半導体チップのそれぞれの間に１つ以上の半導体チップが挟まれて配置された配置パターンを基本単位とし、当該基本単位を複数繰り返すように配置されていることを特徴とする半導体ウェハ。
【請求項２】
上記複数の半導体チップは、
ｎ個（ｎは２以上の整数）の半導体チップがｎ回の回転対称に配置され、かつ上記ｎ個の半導体チップのそれぞれの間に１つ以上の半導体チップが挟まれて配置された配置パターンを基本単位とし、当該基本単位を複数繰り返すように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項３】
上記半導体チップが正方形に形成された場合、ｎは４であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ウェハ。
【請求項４】
上記半導体チップが長方形に形成された場合、ｎは２であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ウェハ。
【請求項５】
半導体ウェハは複数のレチクルに分けられ、各レチクルで複数の半導体チップは、上記基本単位を複数繰り返すように配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ウェハ。
【請求項６】
請求項１〜５の何れかに記載の半導体ウェハに形成された半導体チップの良否判定を行うウェハテスト装置に備えられ、
半導体チップのテスト端子にテスト信号を出力するとともに、当該半導体チップからのリターン信号を受信するプローブを備えた同一のプローブユニットをｎ個有し、
ｎ個の上記プローブユニットが３６０／ｎ度ずつ回転して配置されるように組み合わせられてなることを特徴とするプローブ装置。
【請求項７】
上記ｎ個のプローブユニットの配置がｎ回の回転対称性を有するように組み合わされてなることを特徴とする請求項６に記載のプローブ装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載のプローブ装置と、
半導体ウェハを載置するためのステージと、
上記半導体ウェハと上記プローブ装置とを、半導体ウェハに対して水平方向及び上下方向に相対移動させる移動機構と、
移動機構の動作制御を行う制御部とを備えることを特徴とするウェハテスト装置。
【請求項９】
半導体ウェハに形成された半導体チップの良否判定を行うウェハテスト方法であって、
請求項６又は７に記載のプローブ装置のｎ個のプローブユニットによって、請求項１〜５の何れか一項に記載の半導体ウェハに配置された、基本単位を構成する上記ｎ個の半導体チップのテスト端子に信号を出力するとともに、当該半導体チップからのリターン信号を受信するテスト工程
を含んでいることを特徴とするウェハテスト方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体チップが形成されている半導体ウェハ及び半導体ウェハをテストするためのプローブ装置、ウェハテスト装置及びウェハテスト方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来は、半導体チップの特性が同一になるように、同一方向に配置し、チップの取り数が、最大限になるよう配置していた。また、特許文献１のように、隣接したチップをミラー配置したりすることで、テストの測定精度を上げようとしていた。また、特許文献２のように、ウェハを回転することで、ウェハテスト装置を共用できるようにしていた。また、ウェハテスト装置の共用化をはかるため、特許文献３のように、専用の試験パッドを配置し、それを点対称に配置するという方法もあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４-３０４１３２号公報（２００４年１０月２８日公開）
【特許文献２】特開２００５-３１７５６１号公報（２００５年１１月１０日公開）
【特許文献３】特開２００１-３０８１５２号公報（２００１年１１月２日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
以上のように、装置間の測定差を減らするため、特許文献１のように、隣接したチップをミラー構造にし、入出力を対称にすることは可能である。しかしながら、プローブカードの針や配線が、同時に測定される他のチップの近傍に配置されたり、配線が交差したりする。そのため、ノイズが回り込むなど、測定の特性に影響を及ぼしており、特に、アナログや高周波用半導体においては、大きな測定誤差となり問題となっていた。
【０００５】
また、ウェハテスト装置の有効利用の問題などから、特許文献２のように、ウェハを回転させてプロービングする方法が考えられている。しかし、単にウェハテスト装置を有効利用するだけでは、テスト回路が複雑に配線されることになり、同時測定するＤＵＴ（Device Under Test、テスト対象）間の測定差は大きくなるばかりであった。さらに、特許文献３のように、専用の試験パッドを用意し、ＤＵＴ間の測定精度が向上できるとしても、アナログ回路や高周波回路は、ロジック回路で使用できるＳＣＡＮテストなどで、テストしきれないので、数個の試験用パッドだけでテストすることはできないという問題があった。
【０００６】
本発明は、以上のような問題に対し、複数のチップを同時にテストするときに、ウェハテスト装置の測定ユニット間の個体差を最小限に抑え、精度よく測定するために、半導体ウェハやウェハテスト装置の個々の測定ユニットを所定の関係に配置することで、測定ユニット同士の配線関係を同じにし、ＤＵＴ間の差をなくすための、ウェハ配置とウェハをテストするための装置及び方法とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体ウェハは、複数の半導体チップが形成されている半導体ウェハにおいて、複数の半導体チップは、ｎ個（ｎは２以上の整数）の半導体チップが３６０／ｎ度ずつ回転して配置され、かつ上記ｎ個の半導体チップのそれぞれの間に１つ以上の半導体チップが挟まれて配置された配置パターンを基本単位とし、当該基本単位を複数繰り返すように配置されていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明に係る半導体ウェハは、複数の半導体チップが形成されており、複数の半導体チップは、ｎ個（ｎは２以上の整数）の半導体チップがｎ回の回転対称に配置され、かつ上記ｎ個の半導体チップそれぞれの間に１つ以上の半導体チップが挟まれて配置された配置パターンを基本単位とし、当該基本単位を複数繰り返すように配置されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係るプローブ装置は、上記半導体ウェハの良否判定を行うウェハテスト装置に好適に使われ、半導体チップのテスト端子にテスト信号を出力するとともに、当該半導体チップからのリターン信号を受信するプローブを備えた同一のプローブユニットをｎ個有し、ｎ個の上記プローブユニットが３６０／ｎ度ずつ回転して配置されるように組み合わせられてなることを特徴とする。
【００１０】
また、上記プローブ装置において、上記ｎ個のプローブユニットの配置がｎ回の回転対称性を有するように組み合わされてなることが好ましい。
【００１１】
上記構成によれば、本発明に係る半導体ウェハは、ｎ個（ｎは２以上の整数）の半導体チップが３６０／ｎ度ずつ回転して配置（好ましくはｎ回の回転対称に配置）され、かつ上記ｎ個の半導体チップそれぞれの間に１つ以上の半導体チップが挟まれて配置された配置パターンを基本単位として、この基本単位を繰り返して配置することで構成される。ｎ個の半導体チップそれぞれの間には、少なくとも１つの半導体チップが挟まれているので、このｎ個の半導体チップを同時にテストする場合であっても、半導体チップ同士の干渉を最小限にすることができる。また、ｎ個の半導体チップは３６０／ｎ度ずつ回転して配置（好ましくはｎ回の回転対称性をもって配置）されているため、同時にテストする場合に、半導体チップ同士の干渉が均等化される。よって、ＤＵＴ間のテスト差をなくすことができ、精度よくテストできる。
【００１２】
また、ｎ個のプローブユニットが３６０／ｎ度ずつ回転して配置されるように（より好ましくはｎ回の回転対称性を有して）組み合わせられてなるプローブ装置において、各プローブユニットのレイアウトを同じにすることで、ｎ個の半導体チップを同時テストするとき、プローブユニット間の個体差の影響を最小限に抑え、精度よくテストできる。
【００１３】
なお、本発明において、ｎ個の半導体チップが３６０／ｎ度ずつ回転して配置されるとは、離間配置されたｎ個の半導体チップを時計回り又は反時計回りに順に１番目、２番目・・ｎ番目と称する場合、半導体チップの向きが１番目と２番目とでは３６０／ｎ度回転し、２番目と３番目とでは３６０／ｎ度回転し、・・・（ｎ−１番目）とｎ番目とでは３６０／ｎ度回転している関係を指す。
【００１４】
また、ｎ個のプローブユニットが３６０／ｎ度ずつ回転して配置されるとは、ｎ個のプローブユニットを時計回り又は反時計回りに順に１番目、２番目・・ｎ番目と称する場合、プローブユニットの向きが１番目と２番目とでは３６０／ｎ度回転し、２番目と３番目とでは３６０／ｎ度回転し、・・・（ｎ−１番目）とｎ番目とでは３６０／ｎ度回転している関係を指す。
【００１５】
上記半導体ウェハにおいて、半導体チップが正方形に形成された場合、ｎは４であることが好ましい。これにより、Ｘ方向とＹ方向とにおいて、基本単位を構成する４個の半導体チップを同時テストする際の、半導体チップ同士の間隔が一致し、より精度よくテストできる。
【００１６】
上記半導体ウェハにおいて、半導体チップが長方形に形成された場合、ｎは２であることが好ましい。これにより、Ｘ方向またはＹ方向において、基本単位を構成する２個の半導体チップを同時テストする際の、半導体チップ同士の間隔が一致し、より精度よくテストできる。なお、上記したＸ方向・Ｙ方向とは、半導体ウェハの面内における直交する任意の二方向であって、半導体チップの並び方向を指す。
【００１７】
上記半導体ウェハにおいて、半導体ウェハは複数のレチクルに分けられ、各レチクルで複数の半導体チップは、上記基本単位を複数繰り返すように配置されていることが好ましい。これにより、半導体ウェハ全体を同じ基本単位の繰り返し配置により形成し、テストする場合、同じプローブ装置で簡単にテストすることができる。
【００１８】
また、本発明は、上記プローブ装置を備えたウェハテスト装置、及びこのウェハテスト装置によるウェハテスト方法を提供する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、半導体チップを回転配置することで、プローブ装置のプローブユニット（テスト回路）ごとの相関を気にすることなく、治具の製作が可能となり、かつ、同時テストを行う半導体チップに関わる不要な干渉を最小限にすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（ａ）本発明の実施形態に係る半導体ウェハを示す構成図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す半導体ウェハ上の１つのレチクルにおける、半導体チップの配置例を示す概略構成図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は半導体チップが正方形状に形成された場合の１つのレチクルでの配置例を示す概略構成図である。
【図３】半導体チップが長方形状に形成された場合の１つのレチクルでの他の配置例を示す概略構成図である。
【図４】図３に示すレチクルを２つ並べた場合を示す概略構成図である。
【図５】本発明の実施形態に係るウェハテスト装置により、図２に示す半導体チップをテストする場合の様子を示す概略構成図である。
【図６】１個の半導体チップに対応するプローブ装置中のプローブユニットを示す概略構成図である。
【図７】本発明の実施形態に係るプローブ装置の各プローブユニットにそれぞれ設置されるプローブの配置を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２２】
〔実施形態１〕
本発明では、複数の半導体チップを同時にテストするとき、精度よくテストするために、ウェハテスト装置におけるプローブ装置、及び半導体ウェハ上の半導体チップの配置に工夫を凝らしている。
【００２３】
まず、ウェハテスト装置のテスト対象（ＤＵＴ）となる半導体ウェハについて説明する。
【００２４】
例えば、図１（ａ）は、本発明の実施形態に係る半導体ウェハを示す平面図である。同図に示すように、円形状の半導体ウェハ１は、１２個のレチクル２に分けられ、各レチクル２には、複数の半導体チップ３が配置される。すべてのレチクル２は全く同じ形状・配置パターンを有している。
【００２５】
ここで、本発明の技術を理解しやすくするために、半導体ウェハ１における１つのレチクル２を対象として、本発明の実施形態に係る半導体チップ３の配置を説明する。もちろん、本発明の実施形態に係る半導体ウェハ１におけるレチクル２は上記数に限定されず、１個のレチクル２における半導体チップ３の形状・配置も以下の実施形態に限定されない。
【００２６】
また、ここのレチクルとは、半導体チップを形成するときの、１つのマスクに対応する半導体ウェハ上の小領域を指す。
【００２７】
本発明の実施形態に係る半導体ウェハ１では、詳しくは、半導体ウェハ１の各レチクル２は、基本単位の半導体チップが複数繰り返して配置されている。ここで、基本単位とは、ｎ個（ｎは２以上の整数）の半導体チップが３６０／ｎ度ずつ回転して（より好ましくはｎ回の回転対称に）配置され、かつｎ個の半導体チップのそれぞれの間に１つ以上の半導体チップが挟まれて配置された配置パターンを指す。また、全ての基本単位の間で、ｎ個の半導体チップの配置間隔は固定されている。すなわち、ある基本単位に含まれる任意の二つの半導体チップ間の配置間隔は、他の基本単位に含まれる対応する二つの半導体チップ間の配置間隔と同じになっている。また、基本単位同士は、半導体ウェハ１の面内方向において、互いに位置がずれるように配置されている。以下具体的な配置例で詳しく説明する。
【００２８】
（配置例１）
まず、一例として、４個（ｎ＝４、Ｘ方向２個×Ｙ方向２個）の半導体チップで基本単位を構成する場合の半導体ウェハ１（詳しくは、レチクル２）の配置について説明する。
【００２９】
例えば、図１（ｂ）は、正方形に形成された半導体チップＦをレチクル２上に配置した場合の平面図である。同図に示すように、レチクル２には、Ｘ方向に４個、Ｙ方向に４個で、すべて１６個の半導体チップＦが配置されている。なお、Ｘ方向、Ｙ方向とは、半導体ウェハの面内における直交する任意の二方向であって、半導体チップの並び方向を指す。
【００３０】
また、１６個の半導体チップＦがすべて同じ向きではなく、レチクル２を左から右に且つ上から下に、均等に４等分（左上部分、左下部分、右下部分、右上部分の）した各部分での半導体チップＦのみが同じ向きに配置されている。ここで、半導体チップが同じ向きに配置されたとは、半導体チップのテスト端子３０を含めたレイアウトが同じ向きになることである。
【００３１】
説明を簡単にするために、向きの同じ４つの半導体チップ３を一組（一つのチップ群）とし、左上部分、左下部分、右下部分、右上部分の順に（反時計回り方向）、それぞれチップ群Ｐ１、チップ群Ｐ２、チップ群Ｐ３、チップ群Ｐ４と呼ぶ。
【００３２】
図１（ｂ）に示すレチクル２は、Ｆ１ａ〜Ｆ１ｄで示す４個の半導体チップＦで基本単位を構成している。同様に、Ｆ２で示す４個の半導体チップ３、Ｆ３で示す４個の半導体チップ３、Ｆ４で示す４個の半導体チップ３も、それぞれ基本単位を構成している。すなわち、レチクル２は、基本単位を４つ繰り返した配置パターンを有している。なお、各基本単位は、半導体ウェハ１の面内方向において、互いに位置がずれるように配置されている以外は同一なので、以下、４個の半導体チップＦ１ａ〜Ｆ１ｄで構成された基本単位についてより詳細に説明する。
【００３３】
この基本単位は、４つの半導体チップＦ１ａ、Ｆ１ｂ、Ｆ１ｃ、Ｆ１ｄが、これらチップから等距離にある点を中心として、時計回り方向または反時計回り方向に、順に９０度（４回回転、３６０度／４）ずつ回転した形状（回転対称性）で配置されてなる。また、この４個の半導体チップＦ１ａ〜Ｆ１ｄのそれぞれ間には、１個の他の半導体チップＦ２又はＦ４が挟まれている。
【００３４】
以上説明のように、基本単位を構成する４つの半導体チップＦ１ａ、Ｆ１ｂ、Ｆ１ｃ、Ｆ１ｄは、半導体チップのテスト端子３０を含めたレイアウトが互いに回転対称性を有するように配置されている。よって、これら半導体チップＦ１ａ〜Ｆ１ｄを同時にテストする場合に、半導体チップ同士の干渉が均等化される。また、半導体チップＦ１ａ〜Ｆ１ｄのそれぞれ間には、１個の他の半導体チップＦ２又はＦ４が挟まれているので、半導体チップ同士の干渉を最小限にすることができる。
【００３５】
なお、基本単位を構成するＦ２で示す４個の半導体チップ３は、半導体チップＦ１ａ〜Ｆ１ｄ全体を、図中で下方（Ｙ方向）に一チップ分ずらした配置に相当する。同様に、Ｆ３で示す４個の半導体チップ３、Ｆ４で示す４個の半導体チップ３も、半導体チップＦ１ａ〜Ｆ１ｄ全体を、それぞれ、図中で右方（Ｘ方向）、斜め下方（Ｘ及びＹ方向）に一チップ分ずらした配置に相当する。
【００３６】
各レチクル２における半導体チップ３は、図１（ｂ）に示す例以外に、図２（ａ）〜（ｃ）に示すように配置されてもよい。例えば、４個の半導体チップＦ１を１つの基本単位とした場合、基本単位として、４個の半導体チップＦ１が４回の回転対称性を有し、かつ４個の半導体チップＦ１のＸ方向またはＹ方向での間に１つ以上の半導体チップ３が挟まれて配置された配置パターンを有している。この配置パターンのように、Ｘ方向またはＹ方向に１個分ずつ移動した位置に、４個の半導体チップＦ２またはＦ３またはＦ４を配置すると、図１（ｂ）に示すようなレチクル２が得られる。
【００３７】
上記配置例において、半導体チップ３は正方形状を有し、基本単位を構成する半導体チップ３同士のＸ方向及びＹ方向の間隔は同じである。これにより、基本単位を構成する半導体チップ３をＤＵＴとして同時にテストするとき、テスト精度をより高くすることができる。
【００３８】
もちろん、半導体チップ３の形状は長方形であってもよいが、長方形の場合は、同時にテストされる半導体チップ同士のＸ方向及びＹ方向での間隔が一致しないため、４個（Ｘ方向２個×Ｙ方向２個）の半導体チップ３により基本単位の配置パターンを構成する場合には、正方形状を有する半導体チップを配置するのが好ましい。
【００３９】
なお、上記配置例では、基本単位となる半導体チップの間に１個の他の半導体チップを挟んだ構成を説明したが、本発明はこれに限定されない。ただ、図１（ｂ）、図２（ａ）〜（ｃ）のように、テスト精度を上げるために、基本単位を構成する４個の半導体チップ間の距離を、Ｘ方向及びＹ方向で同じにすることが好ましい。
【００４０】
また、半導体ウェハ１を構成する複数レチクル２のそれぞれに配置された半導体チップ３の数（Ｘ方向４個×Ｙ方向４個）は、単に本発明の実施形態を説明するための一例に過ぎない。
【００４１】
（配置例２）
次に、他の一例として、２個（ｎ＝４、Ｘ方向２個×Ｙ方向１個）の半導体チップで基本単位を構成する場合の半導体ウェハ１（詳しくは、レチクル２’）の配置について説明する。
【００４２】
例えば、図３に示すように、レチクル２’は、Ｘ方向に４個、Ｙ方向に６個で、全部で２４個の半導体チップ３を有している。各半導体チップＦは長方形に形成されている。また、２４個の半導体チップ３がすべて同じ向きではなく、レチクル２’を左から右に、均等に２等分した各部分、すなわちチップ群Ｑ１またはＱ２での半導体チップＦのみが同じ向きに配置されている。
【００４３】
図３に示すレチクル２’において、例えば、チップ群Ｑ１の左列の半導体チップ３と、チップ群Ｑ２の左列の半導体チップ３とは、間に他の１個の半導体チップを挟んだ状態で、互いに時計回り方向または反時計回り方向に、１８０度（２回回転、３６０度／２）回転した形状に配置されている。つまり、本配置例において、この２個の半導体チップを基本単位とすると、レチクル２’は、この基本単位を、１２回繰り返して配置したものとなる。
【００４４】
例えば、チップ群Ｑ１、Ｑ２にそれぞれ半導体チップＦ１〜Ｆ１２が同じ向きに配置された場合、チップ群Ｑ１における半導体チップＦ１と、チップ群Ｑ２における半導体チップＦ１とは、互いに時計回り方向または反時計回り方向に、１８０度（２回回転、３６０度／２）回転した形状に配置されている。また、両チップ群における半導体チップＦ１同士の間には、半導体チップＦ１２が挟まれている。このように、図４において、２個ずつの半導体チップＦ１〜Ｆ１２は、基本単位の繰り返し配置となる。なお、同時に検査される半導体チップは原則として２個（基本単位）ずつだが、２個以上の基本単位を構成する半導体チップを同時に検査してもよい。２個以上の基本単位を構成する半導体チップを同時に検査する場合、各基本単位は互いに１個以上の半導体チップを挟んで離間していることが好ましい。具体的には例えば、互いに離間する４つの半導体チップＦ１、Ｆ４を同時に検査すること等が例示される。
【００４５】
図４は、同じ配置パターンを有するレチクル２’を、２つ隣接して配置した構成を示す平面図である。
【００４６】
なお、この配置例において、半導体チップ３は正方形状を有しても、長方形状を有してもよい。
【００４７】
なお、上記配置例１、２において、基本単位をとなる半導体チップとの間に１個以上の半導体チップを挟んで設置するのは、テスト時、隣接する半導体チップをテストすることによる、半導体チップ同士の干渉を最小限に抑えるためである。
【００４８】
〔実施形態２〕
次に、本発明の実施形態に係るウェハテスト装置（図示せず）、プローブ装置及びウェハテスト方法について説明する。
【００４９】
本発明の実施形態に係るウェハテスト装置は、半導体ウェハに配置された半導体チップのテスト端子にテスト信号を出力するとともに、当該半導体チップからのリターン信号を受信してテストするプローブ装置と、上記半導体ウェハを載置するためのステージと、上記半導体ウェエハと上記プローブ装置とを、半導体ウェハに対して水平方向（ＸＹ方向）及び上下方向（ＸＹ方向の垂直方向）に相対移動させる移動機構と、移動機構の動作制御を行う制御部とを備えている。
【００５０】
ここで、ウェハテスト装置の上記ステージ、移動機構及び制御部は、上記機能を実現できるものであれば、従来と同じものを使ってもよく、特に限定がない。以下、本発明に係るプローブ装置について詳しく説明する。
【００５１】
本発明の実施形態に係るプローブ装置５は、上記実施形態に係る半導体ウェハ１に形成された半導体チップ３の良否判定を行うものであって、半導体チップ３のテスト端子３０にテスト信号を出力するとともに、当該半導体チップ３からのリターン信号を受信するプローブ４０を備えた、ｎ個（ｎは２以上の整数）の同一のプローブユニット４を有している。また、このｎ個のプローブユニット４は、これらプローブユニット４から等距離にある点を中心として、その配置がｎ回の回転対称性を有し、組み合わせられてｎ個の半導体チップ３の同時テストに用いられる。
【００５２】
例えば、図２に示す半導体ウェハ１のレチクル２における４個の半導体チップＦ１（ＤＵＴ）を同時テストしようとする場合、図５のように、プローブ装置５に、４個のプローブユニット４（４１〜４４）を設け、この４個のプローブユニット４は、４回の回転対称性を有し、つまり、あるプローブユニット４を基準として、９０度（３６０度／４）ずつ回転して配置された状態となっている。ここで、各々のプローブユニット４は、図６に示すような構成になっている。
【００５３】
そして、半導体ウェハ１をステージに載せた状態で、４個のプローブユニット４のプローブ４０により、ＤＵＴとなる半導体チップＦ１のテスト端子３０に信号を出力するとともに、当該半導体チップ３からのリターン信号を受信するテスト工程を行う。ここで、同時にテストされるＤＵＴが１つの基本単位となる。
【００５４】
次に、制御部により移動機構の動作を制御して、半導体ウェハ１とプローブ装置５とを半導体ウェハ１に対して水平方向及び上下方向に相対移動させて、次の１つの基本単位となる４個の半導体チップＦ３をテストする。このようにして、それぞれ基本単位となる４個の半導体チップＦ４、Ｆ２をテストする。
【００５５】
ここで、移動機構は、半導体ウェハを載せるステージに設置されて、制御部の制御により、ステージを移動することで、プローブ装置に対して半導体ウェハを左右及び上下移動してもよい、または、移動機構をプローブ装置に設置して、半導体ウェハに対して、プローブ装置を左右及び上下移動してもよい。
【００５６】
なお、テスト順は、Ｆ１→Ｆ２→Ｆ３→Ｆ４のように、反時計回り方向に限定せず、半導体ウェハ１上の同時にテストされる半導体チップ３の配置が、プローブ装置５のプローブユニット４１〜４４にそれぞれ対応できれば、どのような順番でもよい。
【００５７】
また、図３に示す半導体ウェハ１のレチクル２’における２個の半導体チップＦ１（基本単位）を同時テストする場合も同じである。すなわち、プローブ装置５に、２個のプローブユニット４を設け、この２個のプローブユニット４が、２回の回転対称性を有し、つまり、プローブユニット４はそれぞれ１８０度（３６０度／２）回転して配置された状態となっている。
【００５８】
なお、図４に示すように、２つのレチクル２’（図４参照）において、例えばそれぞれの半導体チップＦ１を同時にテストしようとする場合は、プローブ装置５として、２個のプローブユニット４が２回の回転対称性を有して設けられてなる構成を、２セット備えればよい。
【００５９】
以上のように、同時にテストされる半導体チップ３は、１個以上の飛びとなって、つまり、隣接している半導体チップを同時にテストしないので、半導体チップ同士の干渉を最小限にすることができる。
【００６０】
また、本発明において、隣接する半導体チップを同時にテストしないように、プローブ装置を設計したので、プローブ装置ごとの相関を気にすることなく、治具の製作が可能となり、かつ、同時テストを行う半導体チップに関わる不要な干渉を最小限にすることが可能である。
【００６１】
つまり、プローブ装置においてプローブや配線が、同時に測定される他の半導体チップの近傍に配置されたり、配線が交差したりすることなく、ノイズが回り込むなど、特性に影響を及ぼすことを避けることができて、テスト誤差を最小限にすることができる。特に、アナログや高周波用半導体においては、大きなテスト誤差が生じやすいが、以上のような構成によりテスト誤差を最小限に抑制できる。
【００６２】
以下、プローブ装置５のプローブユニット（プローブ）の設計について簡単に説明する。
【００６３】
図７のように、一般例として、１つのレチクル２に、Ｎ行Ｍ列（Ｎ、Ｍは何れも偶数）の正方形状の半導体チップ３が配置される場合、両辺を２等分した４つの領域毎に、半導体チップ群を９０度ずつ回転させて配置する。便宜的に、４つの領域のうち図中で右上の領域を領域Ａとし、他の領域を、反時計回りに順に、領域Ｂ、領域Ｃ、領域Ｄとすると、領域Ａに配する半導体チップは全て同じ向きに形成し、領域Ｂに配する半導体チップは全て、領域Ａに配する半導体チップを反時計回りに９０度回転させた向きに形成する。同様に、領域Ｃに配する半導体チップは全て、領域Ｂに配する半導体チップを反時計回りに９０度回転させた向きに形成し、領域Ｄに配する半導体チップは全て、領域Ｃに配する半導体チップを反時計回りに９０度回転させた向きに形成する。
【００６４】
この場合、基本単位を構成する４つの半導体チップ３は、領域Ａ内にある１個の半導体チップ３を起点として列方向にＭ/２個分、及び／又は、行方向にＮ／２個分離れた半導体チップ３である（すなわち、図中でプローブ４０が配置される４つの半導体チップの組み合わせ）。これら４つの半導体チップ３は、ＮとＭとが等しい場合を除き回転対称性はないが、９０度（３６０度／４）ずつ回転して配置された関係にある。
【００６５】
よって、半導体チップ３をテストするプローブ装置において、上記基本単位を構成する半導体チップ３の同時検査が可能なように、４つのブローブユニットに設置されるプローブ４０同士を、(Ｍ/２+１，Ｎ/２+１)の間隔になるように配置すればよい。なお、４つのプローブユニットは、９０度（３６０度／４）ずつ回転して配置されるように組合せられてなる。
【００６６】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、複数の半導体チップを同時テストする場合の半導体ウェハ、及び半導体ウェハに対するウェハテストを実行する装置に対して好適に利用できるものである。
【符号の説明】
【００６８】
１      半導体ウェハ
２      レチクル
３      半導体チップ
３０    テスト端子
４      プローブユニット
４０    プローブ
５      プローブ装置
４１〜４４      プローブユニット
Ｆ１〜Ｆ１２    半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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