(57)【要約】【課題】インプリント領域に異物や凹凸が存在する場合に、モールドの交換を行うことなく、パターン形成時のモールドの破損を防止するインプリント装置を提供する。【解決手段】モールド３は、パターンを形成するための凹凸パターンを有する第１押印部２０と、ダミー用の第２押印部２１との少なくとも２つの押印部を有する。制御手段は、異物検査手段の検査結果に基づいて、インプリント領域に異物、又は凹凸が存在するかどうかを判定し、存在しないと判定した場合には、第１押印部２０を選択し、一方、存在すると判定した場合には、第２押印部２１を選択し、第２押印部２１を選択した場合には、第２押印部２１が第１押印部２０よりも基板５との距離が近くなるように退避手段を制御した後、第２押印部２１と未硬化樹脂との接触を実行させる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の樹脂とモールドとを互いに接触させて、前記基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記モールドを保持する保持手段と、
前記基板上にて前記樹脂のパターンを形成するインプリント領域に、異物、又は凹凸が存在するかどうかを検査する異物検査手段と、
前記保持手段、及び前記異物検査手段の動作を制御する制御手段と、を備え、
前記モールドは、前記パターンを形成するための凹凸パターンを有する第１押印部と、ダミー用の第２押印部との少なくとも２つの押印部を有し、
前記保持手段は、前記モールドの前記保持手段に対向する面を保持する保持部と、少なくともいずれか一方の前記押印部を前記保持手段の側に退避させる退避手段とを備え、
前記制御手段は、前記異物検査手段の検査結果に基づいて、前記インプリント領域に前記異物、又は凹凸が存在するかどうかを判定し、
前記異物、又は凹凸が存在しないと判定した場合には、前記第１押印部を選択し、
一方、前記異物、又は凹凸が存在すると判定した場合には、前記第２押印部を選択し、
前記第２押印部を選択した場合には、前記第２押印部が前記第１押印部よりも前記基板との距離が近くなるように前記退避手段を制御した後、前記第２押印部と前記樹脂との接触を実行させる、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記モールドは、前記保持手段に向かう面にくぼみ部を有し、
前記第１押印部は、前記基板に向かう面で、かつ、前記くぼみ部が形成された領域に対向する位置に設置されることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記第２押印部は、前記基板に向かう面で、かつ、前記くぼみ部が形成された領域に対向しない位置に設置されることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記第１押印部は、第１基部と、該第１基部に形成される凹凸パターンとからなり、
前記第１基部の高さは、前記第２押印部の頂部までの高さよりも高いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記モールドは、前記保持手段に向かう面に少なくとも２つのくぼみ部を有し、
前記第２押印部は、前記基板に向かう面で、かつ、前記くぼみ部が形成された領域に対向する位置に設置されることを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記第２押印部は、前記モールドの前記基板に向かう面との間に位置する緩衝部に設置された第２基部と、該第２基部に形成されるダミーパターンとからなることを特徴とする請求項３又は５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記第２押印部は、緩衝部材で形成された第２基部からなることを特徴とする請求項３又は５に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記退避手段は、前記くぼみ部に形成される空間領域の内部圧力を増減させる圧力制御機構であることを特徴とする請求項１又は５に記載のインプリント装置。
【請求項９】
更に、前記インプリント領域に前記樹脂を塗布する塗布手段を備え、
前記制御手段は、前記異物検査手段の前記検査結果に基づいて、前記塗布手段による前記樹脂の塗布量を調整することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
更に、前記インプリント領域に前記樹脂を塗布する塗布手段を備え、
前記制御手段は、前記第１押印部、又は前記第２押印部の選択結果に基づいて、前記塗布手段による前記樹脂の塗布量をそれぞれ変更することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記樹脂は、紫外線を受光することで硬化する紫外線硬化樹脂であり、
更に、前記紫外線を照射する照明系ユニットを備え、
前記制御手段は、前記異物、又は凹凸が存在しないと判定した場合には、前記第１押印部と前記樹脂とを接触させる第１押印工程と、
前記照明系ユニットにより前記樹脂に前記紫外線を照射させて硬化させる第１硬化工程と、
前記樹脂が硬化した後、前記第１押印部と硬化した樹脂とを引き離す第１離型工程と、
を実行することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記制御手段は、前記異物、又は凹凸が存在すると判定した場合には、前記第２押印部と前記樹脂とを接触させる第２押印工程を実行した後、
前記照明系ユニットにより前記樹脂に前記紫外線を照射させて硬化させる第２硬化工程と、前記第２押印部と前記樹脂とを引き離す第２離型工程を実行し、前記第２硬化工程を前記第２離型工程の前、又は後に実行する、
ことを特徴とする請求項１１に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
転写される凹凸パターンを有するモールドであって、
被処理対象の基板に向かう第１面に、前記凹凸パターンを有する第１押印部と、ダミー用の第２押印部との少なくとも２つの押印部を有することを特徴とするモールド。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載のインプリント装置、又は、請求項１３に記載のモールドを用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、及びそれを用いた物品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に加え、モールド（型）と基板上の未硬化樹脂とを互いに接触させて、モールドに形成された微細な凹凸パターンに対応する樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が存在する。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の一つとして、光硬化法がある。この光硬化法は、まず、基板上のインプリント領域（ショット領域）に紫外線硬化樹脂（インプリント樹脂、光硬化樹脂）を塗布する。次に、この樹脂（未硬化樹脂）とモールドとを接触（押印）させる。そして、紫外線を照射して樹脂を硬化させたうえで離型することにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。
【０００３】
上記技術を採用した従来のインプリント装置では、インプリント領域に異物や凹凸が存在すると、モールドをその基板上の樹脂に接触させる際、モールドの凹凸パターンが破損する場合がある。そこで、特許文献１は、インプリント領域に異物や凹凸が存在する場合は、通常のインプリント工程で使用する第１テンプレート（モールド）とは異なる第２テンプレートに交換することで、第１テンプレートの破損を防止するパターン形成方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−６９７６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に示すパターン形成方法では、第１テンプレートと第２テンプレートとの２つのテンプレートを採用するため、装置構成が複雑となる。更に、一般のインプリント工程に、インプリント領域に異物や凹凸が存在すると、第１テンプレートと第２テンプレートとを交換する工程が加わるため、スループットが低下する。
【０００６】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、インプリント領域に異物や凹凸が存在する場合、モールドの交換を行うことなく、パターン形成時のモールドの破損を防止するインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上の樹脂とモールドとを互いに接触させて、基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、モールドを保持する保持手段と、基板上にて樹脂のパターンを形成するインプリント領域に、異物、又は凹凸が存在するかどうかを検査する異物検査手段と、保持手段、及び異物検査手段の動作を制御する制御手段と、を備え、モールドは、パターンを形成するための凹凸パターンを有する第１押印部と、ダミー用の第２押印部との少なくとも２つの押印部を有し、保持手段は、モールドの保持手段に対向する面を保持する保持部と、少なくともいずれか一方の押印部を保持手段の側に退避させる退避手段と、を備え、制御手段は、異物検査手段の検査結果に基づいて、インプリント領域に異物、又は凹凸が存在するかどうかを判定し、異物、又は凹凸が存在しないと判定した場合には、第１押印部を選択し、一方、異物、又は凹凸が存在すると判定した場合には、第２押印部を選択し、第２押印部を選択した場合には、第２押印部が第１押印部よりも基板との距離が近くなるように退避手段を制御した後、第２押印部と未硬化樹脂との接触を実行させることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、インプリント領域に異物や凹凸が存在する場合、モールドの交換を行うことなく、パターン形成時のモールドの破損を防止するインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】第１実施形態に係るモールドの形状を示す概略図である。
【図３】第１実施形態に係る第２押印部の形状の例を示す概略図である。
【図４】第１実施形態に係るモールド保持装置の構成を示す概略図である。
【図５】くぼみ部が変形したモールドの状態を示す概略図である。
【図６】第１実施形態に係る異物検査装置の構成を示す概略図である。
【図７】パターンが形成されるまでの状態の流れを説明する概略図である。
【図８】第１実施形態に係るインプリント工程を示すフローチャートである。
【図９】第２実施形態に係る吸着部分を図示したモールドを示す概略図である。
【図１０】第３実施形態に係るモールドの形状を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係るインプリント装置について説明する。図１は、本実施形態のインプリント装置の構成を示す概略図である。このインプリント装置１は、半導体デバイス製造工程に使用される、被処理対象であるウエハ上（基板上）に対してモールドの凹凸パターンを転写する加工装置であり、インプリント技術の中でも光硬化法を採用した装置である。なお、以下の各図において、モールドに対する紫外線の照射軸と平行にＺ軸（鉛直方向）を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で後述のモールド保持装置を基準としてウエハステージが移動する方向にＸ軸（水平方向）を取り、Ｘ軸に直交する方向にＹ軸を取って説明する。インプリント装置１は、照明系ユニット２と、モールド３と、モールド保持装置４と、ウエハ５と、ウエハステージ６と、塗布装置７と、異物検査装置８と、位置検出装置９と、制御装置１０とを備える。
【００１２】
照明系ユニット２は、インプリント処理の際に、モールド３に対して紫外線を照射する照明手段である。この照明系ユニット２は、光源２ａと、不図示であるが、光源２ａから出射された紫外線をインプリントに適切な光に調整する複数の光学素子や、照射、及び非照射を調整するシャッター等とから構成される。
【００１３】
モールド３は、ウエハ５への対向面に、所定の凹凸パターン（例えば、回路パターン）が３次元状に形成された型材（型）である。また、モールド３の材質は、融解石英や透明有機ポリマー等、紫外線を透過させることが可能な材料とし、その他、金属等による形成部を含む場合もある。図２は、本実施形態に係るモールド３の形状を示す概略図であり、特に、図２（ａ）は、モールド３をＺ方向の上面から見た平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ´断面を示す図である。本実施形態のモールド３の特徴は、図２に示すように、ウエハ５への対向面（第１面３ａ）において、通常のインプリント工程に使用する凹凸パターン部（第１押印部２０）に加えて、ダミー用の第２押印部２１の少なくとも２つの押印部を有する点にある。更に、モールド３は、第１面３ａの反対側の紫外線入射面（第２面３ｂ）の中央部に、深さが１ｍｍ程度のくぼみ部２２を有する。
【００１４】
第１押印部２０は、第２面３ｂに形成されたくぼみ部２２に対向する第１面３ａの領域の中心部に形成され、第１基部２３と、該第１基部２３上に形成される凹凸パターン２４とから構成される。この第１基部２３、及び凹凸パターン２４の形状は、製造する物品により適宜設定される。第１基部２３は、３０μｍ程度の厚みで形成される。例えば、ウエハ５上の紫外線硬化樹脂に対して、数〜数十μｍのパターンを形成する場合には、凹凸パターン２４の凸部２４から凹部２５までの深さは、数十〜数百ｎｍ程度とする。
【００１５】
第２押印部２１は、第１押印部２０と同様に第１面３ａで、かつ、上記くぼみ部２２に対向する領域の外に形成される。この場合、第２押印部２１は、後述する第２押印工程を効率良く実施するために、図２（ａ）に示すように、第１押印部２０とＸ方向で同じ列に形成することが望ましい。図３は、第２押印部２１の形状の例を示す概略図である。この第２押印部２１は、図３（ａ）に示すように、第２基部２６と、該第２基部２６上に形成されるダミーパターン２７とから構成される。この第２基部２６の外周形状は、第１押印部２０と同様であり、厚みは、第１基部２３の３０μｍに対して、１５μｍ程度である。このとき、ダミーパターン２７の形状は、第１押印部２０の凹凸パターン２４と同様である。但し、ダミーパターン２７の形状は、これに限定するものではない。例えば、図３（ｂ）に示すように、パターン中心部を底点とするなだらかな錘状のダミーパターン２８を採用してもよいし、又は、図３（ｃ）に示すように、特定のパターンを形成しなくともよい。特に、ダミーパターン２７を採用する場合には、第１押印部２０の第１基部２３の厚みは、第１面３ａからダミーパターン２７の凸部までの高さ（頂部までの高さ）よりも高く設定する。なお、この第２押印部２１は、モールド３と一体で形成するのではなく、ウエハ５上に異物や凹凸や存在しても柔軟に押印可能なように、第１面３ａと第２基部２６との間に緩衝部を設けたり、又は、第２基部２６を緩衝部材で形成したりしてもよい。このような柔軟性を有する材料としては、例えば、メタクリル酸メチル樹脂等がある。
【００１６】
モールド保持装置４は、モールド３を保持し、ウエハ５上に塗布された紫外線硬化樹脂にモールド３を接触させる保持手段（押印手段）である。図４は、モールド保持装置４の構成を示す概略図である。このモールド保持装置４は、吸着力や静電力によりモールド３を引きつけて保持するチャック３０を有するモールドベース（保持部）３１と、該モールドベース３１を駆動する不図示のベース駆動機構とを備える。モールドベース３１は、そのＺ方向の中心部に、照明系ユニット２から照射された紫外線をモールド３に向けて通過させるための空間３２を有する。また、モールドベース３１は、紫外線を通過させつつ、空間３２に密に設置されるシールガラス３３と、該シールガラス３３とモールド３の第２面３ｂとで挟まれる空間領域３４の内部圧力を増減させる圧力制御機構３５とを有する。この圧力制御機構３５は、空間領域３４の内部圧力をインプリント装置１内の気圧よりも局所的に低下させることにより、図５に示すように、モールド３のくぼみ部２２をモールド保持装置４側に向けて凸型に変形（退避）させることができる退避手段である。これとは反対に、圧力制御機構３５は、空間領域３４の内部圧力をインプリント装置１内の気圧よりも局所的に上昇させれば、不図示であるが、くぼみ部２２をウエハ５側に向けて凸型に変形させることができる。ベース駆動機構は、押印動作のためにモールドベース３１をＺ方向に駆動する駆動系である。このベース駆動機構に採用するアクチュエーターは、リニアモーターやエアシリンダー等が採用可能である。更に、モールド保持装置４は、モールド３に圧縮力を加えることにより、凹凸パターン２４を所望の形状に補正する不図示の倍率補正機構（形状補正機構）を備える場合もある。この倍率補正機構は、一般的に、モールド３の外周部側面の領域に対してそれぞれ対向するように設置された複数の駆動機構からなる。但し、倍率補正機構の構成は、これに限定されず、例えば、モールド３に対して引張力を加える構成としてもよいし、又は、モールドベース３１自体を駆動させることでモールド３とモールドベース３１との接触面にせん断力を与える構成としてもよい。なお、本実施形態のインプリント装置１では、固定されたウエハ５上の紫外線硬化樹脂に対してモールド３を押し付ける構成としているが、これとは反対に、固定されたモールド３に対してウエハ５上の紫外線硬化樹脂を押し付ける構成もあり得る。この場合、後述するウエハステージ６が押印手段となる。
【００１７】
ウエハ５は、例えば、単結晶シリコンからなる被処理基板であり、被処理面には、成形部となる紫外線硬化樹脂（以下、単に「樹脂」と表記する）が塗布される。また、ウエハステージ６は、ウエハ５を真空吸着により保持し、かつ、ＸＹ平面内でモールド保持装置４に対して相対的に移動可能な基板保持手段である。このウエハステージ６は、不図示であるが、ウエハ５を直接保持する補助部材と、該補助部材を駆動するためのアクチュエーターとを備える。また、ウエハステージ６は、パターンの重ね合せのための精密な位置決めだけではなく、ウエハ５の表面の姿勢を調整する不図示の機構も有する。
【００１８】
塗布装置７は、ウエハ５上に紫外線硬化樹脂を塗布する塗布手段である。この紫外線硬化樹脂は、紫外線を受光することにより硬化する性質を有する光硬化樹脂であり、製造する半導体デバイスの種類により適宜選択される。以下、簡単化のために、紫外線硬化樹脂を単に「樹脂」と表記し、紫外線照射前の未硬化の状態の樹脂を「未硬化樹脂」と表記する。ここで、樹脂は、揮発性が高く、一般に１〜数ショット（インプリント領域）毎に塗布されるので、塗布装置７は、モールドベース１１付近に設置し、可能な限りウエハステージ６の移動距離を短くすることが望ましい。また、本実施形態の塗布装置７は、塗布パターンを、上記の第１押印部２０による第１押印工程用と、第２押印部２１による第２押印工程用との２種類準備し、その選択結果により切り替え可能とする。
【００１９】
異物検査装置８は、ウエハ５上に異物や凹凸が存在しているかどうかを検査する異物検査手段である。図６は、異物検査装置８の構成を示す概略図である。この異物検査装置８は、ウエハ５上の検査領域であるショットに向けて光を照射する照明系４０と、ショットからの散乱光を受光する検出系４１とを備える。この異物検査装置８が検査対象とする異物や凹凸のサイズは、数μｍから数ｎｍのオーダーである。ここで、照明系４０が、ショットに対して照明光を照射すると、ショット上に異物（又は、凹凸）４２が存在しない場合は、ショットの表面が平らな面であるため、入射光が正反射し、検出系４１は、出射光を受光しない。一方、ショット上に異物４２が存在する場合は、異物４２にて光が正反射角度以外に散乱し、検出系４１は、この散乱光を受光することで異物４２を検出する。なお、異物検査装置８の構成は、これに限らず、例えば、ＣＣＤセンサー等を採用し、ショットを撮影することで異物検査を実施する撮像装置も適用可能である。これらの検査装置では、直接、検出系４１からの出力信号に基づいて異物４２の存在を判定してもよいし、異なるショットの出力信号や画像を適宜比較参照することで、その相違点から異物４２の存在を判定してもよい。なお、この異物検査装置８による異物検査工程と、押印工程との間に大きく時間差があると、その間に異物４２が付着する可能性があるため、異物検査工程後には、早急に押印工程に移行することが望ましい。そこで、図１に示すように、異物検査装置８をモールド保持装置４に可能な限り近隣に設置し、異物検査装置８は、押印工程と塗布工程との間で１ショット毎に検査を実施すれば、生産性を低下させることなく、所望のショットの異物検査を行うことができる。
【００２０】
位置検出装置９は、ウエハ５上に設けられたアライメントマークを検出することで、ウエハ５の位置を検出する検出手段である。後述の制御装置１０は、この位置検出装置９の出力信号に基づいて、ウエハ５の下地との位置や形状のずれ量を適宜算出し、塗布工程、及び押印工程等の際の基準とする。
【００２１】
制御装置１０は、インプリント装置１の各構成要素の動作、及び調整等を制御する制御手段である。この制御装置１０は、インプリント装置１の各構成要素に回線により接続された、磁気記憶媒体等の記憶手段を有するコンピュータ、及びシーケンサ等で構成され、プログラム、若しくはシーケンスにより、各構成要素の制御を実行する。なお、制御装置１０は、インプリント装置１と一体で構成しても良いし、若しくは、インプリント装置１とは別の場所に設置し、遠隔で制御する構成としても良い。
【００２２】
次に、インプリント装置１によるインプリント工程について説明する。まず、インプリント装置１によるパターン形成工程（塗布工程、押印工程、硬化工程、及び離型工程）について説明する。図７は、ウエハ５上にパターンが形成されるまでの状態の流れを説明する概略図である。まず、図７（ａ）に示すように、塗布装置７は、ウエハ５上の目標のショットに対して樹脂（未硬化樹脂）５０を塗布する（塗布工程）。次に、図７（ｂ）に示すように、モールド保持装置４は、モールド３をウエハ５に対して少しずつ近づけて樹脂５０に接触させ、第１押印部２０に形成された凹凸パターン２４を樹脂５０に押し付ける（押印工程）。このとき、樹脂５０は、凹凸パターン２４に沿って流動しつつ、凹凸パターン２４の隅々に充填される。次に、図７（ｃ）に示すように、照明系ユニット２は、モールド３の上面から紫外線５１を一定時間照射し、樹脂５０を硬化させる（硬化工程）。次に、図７（ｄ）に示すように、モールド保持装置４は、モールド３をウエハ５上の樹脂５０から引き離す（離型工程）。インプリント装置１による以上の工程により、ウエハ５上のショットの表面には、凹凸パターン２４に倣った３次元形状の樹脂の層が形成される。その後は、このインプリント装置１とは別のエッチング装置が、図７（ｅ）に示すようにエッチング処理を行って溝を形成し、この溝の形成後、また別の樹脂剥離装置が、図７（ｆ）に示すように樹脂５０を除去することで、ウエハ５上へのパターン形成が完了する。
【００２３】
次に、インプリント装置１によるインプリント工程の一連の流れについて説明する。図８は、本実施形態に係るインプリント工程の流れを示すフローチャートである。まず、このインプリント工程の実行に先立ち、制御装置１０は、不図示のウエハ搬送系により、ウエハ５をウエハステージ６に載置させ、その後、ウエハステージ６に構成された不図示の真空吸着手段により、ウエハ５を保持させる。次に、制御装置１０は、ウエハステージ６を適宜駆動させ、同時に、位置検出装置９に、ウエハ５上に設けられたアライメントマークを検出させて、ウエハ５の位置情報を取得する。その後、制御装置１０は、図８に示す１ショット毎のインプリント処理を開始する。
【００２４】
まず、制御装置１０は、ウエハステージ６を駆動して目標の被処理領域である第１ショットを異物検査装置８の検査位置へ移動させ、異物検査装置８は、異物（凹凸）４２の有無を検査する（異物検査工程：ステップＳ１００）。このとき、異物検査装置８が異物４２を検出した場合には、制御装置１０は、異物４２の個数、平面サイズ、高さ、及びウエハ５又はショットの座標内での位置等の検査結果を内部の記憶装置に記録する。なお、本実施形態では、この異物検査装置８による異物検査をショット毎に行うが、例えば、ウエハ５をウエハステージ６上に搭載する毎に、ウエハ５の全面を検査してもよい。
【００２５】
次に、制御装置１０は、再度ウエハステージ６を駆動して第１ショットを塗布装置７の塗布位置へ移動させ、第１ショットへ適量の樹脂５０を塗布する（塗布工程：ステップＳ１０１）。ここで、制御装置１０は、ステップＳ１００にて凹状の変形が検知された場合には、塗布装置７に、記録されたショット座標部分の塗布量が多くなるよう塗布させる。この塗布量は、異物４２毎に記録した平面サイズ、及び高さの情報に基づいて算出される。
【００２６】
次に、制御装置１０は、ステップＳ１００での検査結果に基づいて、第１ショットに異物４２が存在するかどうかの判定を実行する（ステップＳ１０２）。このとき、制御装置１０は、第１押印部２０の凹凸パターン２４の幅、及び深さに対して、異物４２の平面サイズ、及び高さが十分に小さいかどうかを基準として異物４２の存在を判定する。例えば、凹凸パターン２４の幅が数十μｍであれば、平面サイズが数ｎｍの異物４２は十分に小さいため、制御装置１０は、これを異物と判定しなくともよい。また、検出された凹凸部が全て凹であれば、そのまま押印工程を実施しても、凹凸パターン２４の破損の恐れがないため、制御装置１０は、この場合もこれを異物と判定しなくともよい。このステップＳ１０２にて、制御装置１０は、異物４２が存在しないと判定した場合には（ＮＯ）、使用する押印部を第１押印部２０と選択し、以下のステップＳ１０３に移行する。
【００２７】
次に、制御装置１０は、第１押印部２０とウエハ５上の塗布面との位置合わせや、倍率補正機構による凹凸パターン２４の形状補正を実施し、ベース駆動機構を駆動させてウエハ５上の樹脂５０に第１押印部２０を接触させる（第１押印工程：ステップＳ１０３）。同時に、制御装置１０は、圧力制御機構３５により空間領域３４の内部圧力を高圧にし、くぼみ部２２の形状をウエハ５に向けて凸型に変形させ、第１押印部２０が樹脂５０に接触してから徐々に内部圧力を低下させて、最後にくぼみ部２２の形状を平面に戻す。これにより、凹凸パターン２４と樹脂５０との間に存在する気体を外部に押し出せるので、樹脂５０中に混入する気泡を低減させつつ充填を実施することができる。なお、ベース駆動機構の駆動量は、予め第１押印部２０をウエハステージ６上の測距センサ（不図示）により計測し、また、ウエハ５をモールド保持装置４上の測距センサ（不図示）により計測して算出しておく。又は、制御装置１０は、押印工程の完了を、モールド保持装置４の内部に設置された荷重センサー（不図示）の計測値に基づいて判断してもよい。
【００２８】
次に、制御装置１０は、一定時間樹脂５０の充填を待った後、照明系ユニット２によりモールド３に対して紫外線を照射させ、樹脂５０を硬化させる（第１硬化工程：ステップＳ１０４）。そして、制御装置１０は、樹脂が硬化した後、ベース駆動機構を再駆動させ、第１押印部２０をウエハ５上の樹脂５０から引き離し（第１離型工程：ステップＳ１０５）、その後、第１ショットに対するインプリント工程を終了する。制御装置１０は、圧力制御機構３５により空間領域３４の内部圧力を高圧にして、くぼみ部２２の形状をウエハ５側に向けて凸型に変形させて第１押印部２０の離型を開始させる。その後、制御装置１０は、徐々に内部圧力を減少させ、最後にくぼみ部２２の形状を平面に戻す。これにより、くぼみ部２２には、ウエハ５から離れる際の離型面積を小さくすることで離型力を減少させることができる。
【００２９】
一方、ステップＳ１０２にて、制御装置１０は、異物４２が存在すると判定した場合には（ＹＥＳ）、使用する押印部を第２押印部２１と選択し、第２押印部２１の押印位置にショットが位置するようにウエハステージ６を駆動する。そして、制御装置１０は、ベース駆動機構を駆動させてウエハ５上の樹脂５０に第２押印部２１を接触させる（第２押印工程：ステップＳ１０３）。この場合、制御装置１０は、予め圧力制御機構３５により空間領域３４の内部圧力を低圧にし、くぼみ部２２の形状をモールドベース３１側に向けて凸型に変形させておく。これにより、第１押印部２０は、モールドベース３１側に若干退避するので、第２押印部２１と樹脂５０との接触時に、第１ショットとは別のショットとの接触を回避することができる。
【００３０】
次に、制御装置１０は、接触後一定時間待った後、硬化工程ではなく、そのままベース駆動機構を再駆動させ、第２押印部２１をウエハ５上の樹脂５０から引き離す（第２離型工程：ステップＳ１０７）。このとき、離散的な液滴として塗布されていた樹脂５０は、硬化していないため、充填された後、一様に均された状態になる。
【００３１】
そして、制御装置１０は、再度、ウエハステージ６を駆動し、第１ショットを第１押印部２０の押印位置に移動させ、照明系ユニット２によりモールド３に対して紫外線を照射させることで樹脂５０を硬化させる（第２硬化工程：ステップＳ１０８）。その後、制御装置１０は、第１ショットに対するインプリント工程を終了する。なお、このとき樹脂５０を硬化させるのは、異物４２が存在した第１ショットの状態を、正常にパターンが形成された他のショットの状態に可能な限り近づけるためである。
【００３２】
以上のように、本実施形態のインプリント装置１によれば、モールド３は、第１押印部２０に加えて、ダミー用の第２押印部２１を有し、インプリント領域に異物等が存在する場合には、第２押印部２１を使用してインプリント工程を続行する。即ち、インプリント装置１は、インプリント領域に異物等が存在してもモールド３の交換を行う必要がないため、スループットを低下させることなく、パターン形成時のモールド３、特に凹凸パターン２４が形成された第１押印部２０の破損を防止することができる。
【００３３】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係るインプリント装置について説明する。本実施形態のインプリント装置の特徴は、第１実施形態に係るモールドベース３１の吸着部分を変更して、モールド３に形成される第２押印部２１にも紫外線を照射させる点にある。図９は、本実施形態に係るモールドベースの吸着部分６０を図示したモールド３を示す概略図である。図９に示すように、この場合、モールドベース３１の吸着部分６０は、モールド３の第２面３ｂにおいて、第１押印部２０と第２押印部２１との設置位置を結ぶＸ方向の透過列（列）６１を回避するように、この列６１を基準とした左右対称の領域とする。この構成によれば、図８に示す第１実施形態のインプリント工程におけるステップＳ１０８のように、第２押印部２１を使用した際に、樹脂５０を硬化させるために第１ショットを紫外線の照射部に移動させる必要がない。したがって、制御装置１０は、第１ショットに異物４２が存在すると判定し、第２押印部２１を使用したインプリント工程を実行する際、ステップＳ１０７とＳ１０８とを逆、即ち、第１押印部２０を使用したインプリント工程と同様とすることができる。これにより、本実施形態のインプリント装置は、第１実施形態と同様の効果を奏すると共に、ウエハステージ６の移動を単純化できるので、更にスループットを向上させることができる。
【００３４】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係るインプリント装置について説明する。本実施形態のインプリント装置の特徴は、第１実施形態に係るモールド３の形状を変更し、第２面（第２面３ｂに相当）に少なくとも２つのくぼみ部を形成し、この各くぼみ部に対応した第１面（第１面３ａに相当）に押印部を形成したモールドを採用する点にある。図１０は、本実施形態に係るモールド７０の形状を示す概略図である。特に、図１０（ａ）は、モールド７０をＺ方向の上面から見た平面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ´断面と、この場合のモールドベース７１の構成を示す図である。モールド７０は、第２面７０ｂにおいて、Ｘ方向の中心軸を中心としつつＹ方向の中心軸に対してそれぞれ対称となるように、第１くぼみ部７２、及び第２くぼみ部７３を有する。この各くぼみ部７２、７３の形状は、第１実施形態に係るくぼみ部２２と同様である。一方、モールド７０は、第１面７０ａにおいて、第２面７０ｂに形成された第１くぼみ部７２に対向する領域の中心部に形成される第１押印部７４と、第２面７０ｂに形成された第２くぼみ部７３に対向する領域の中心部に形成される第２押印部７５とを有する。ここで、第１押印部７４は、第１実施形態に係る第１押印部２０に対応し、生産用の凹凸パターン７６が形成されており、一方、第２押印部７５は、第１実施形態に係る第２押印部２１に対応し、ダミー用の凹凸パターン７７が形成されている。但し、本実施形態の第１押印部７４と第２押印部７５との第１面７０ａからの高さは、同一である。これに対して、モールドベース７１は、モールド７０の第１くぼみ部７２と第２くぼみ部７３との形状をそれぞれ独立して変形可能とする、シールガラス７８、７９で形成された第１空間領域８０、及び第２空間領域８１とを有する。この第１空間領域８０、及び第２空間領域８１では、第１実施形態に係る圧力制御機構３５と同様に、それぞれ第１圧力制御機構８２と第２圧力制御機構８３とにより内部圧力が制御される。この場合、制御装置１０は、第１押印部７４の使用時には、第２圧力制御機構８３により第２空間領域８１の内部圧力を低圧にし、第２くぼみ部７３の形状をモールドベース７１側に向けて凸型に変形させておく。これにより、第２押印部７５は、モールドベース７１側に若干退避するので、第１押印部７４と樹脂５０との接触時に第１ショットとは別のショットとの接触を回避することができる。これは、第２押印部７５の使用時も同様である。更に、モールドベース７１の吸着部分８４は、第２実施形態と同様に、モールド７０の第２面７０ｂにおいて、第１押印部７４と第２押印部７５との設置位置を結ぶＸ方向の透過列（列）８５を回避するように、この列８５を基準とした左右対称の領域とする。この構成によれば、本実施形態のインプリント装置は、第２実施形態と同様の効果を奏すると共に、第１押印部７４、及び第２押印部７５の相対高さを自在に調整できる点で有利である。
【００３５】
なお、図１０に示すように、第１空間領域８０、及び第２空間領域８１を有するモールドベース７１を採用する場合には、以下のような変形もあり得る。例えば、モールド７０において、ダミー用の凹凸パターン７７が形成された第２押印部７５の第１面７０ａからの高さを、生産用の凹凸パターン７６が形成された第１押印部７４の第１面７０ａからの高さよりも予め高く設定する。このとき、モールドベース７１は、第１押印部７４に対応する第１空間領域８０には上記のような内部圧力を制御する第１圧力制御機構８２を設置せず、第２押印部７５に対応した第２圧力制御機構８３のみを設置する。この場合、制御装置１０は、第１押印部７４の使用時には、常に第２圧力制御機構８３により第２空間領域８１の内部圧力を低圧にして、第２くぼみ部７３の形状をモールドベース７１側に向けて凸型に変形させておく。これにより、第２押印部７５は、モールドベース７１側に若干退避するので、第１押印部７４と樹脂５０との接触時に第１ショットとは別のショットとの接触を回避することができる。一方、制御装置１０は、第２押印部７５の使用時には、単に第２くぼみ部７３の形状をモールドベース７１側に向けて凸型に変形させる退避状態を解除すればよい。この構成によれば、モールドベース７１は、第２圧力制御機構８３のみを制御すればよいので、更に装置構成、及び制御の単純化が可能となる。なお、この構成を採用する場合には、モールド７０における第１押印部７４の位置に対して、第１くぼみ部７２を必ずしも設置する必要はない。
【００３６】
（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。更に、該製造方法は、パターンが形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子等の他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンが形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００３８】
１    インプリント装置
３    モールド
４    モールド保持装置
５    ウエハ
８    異物検査装置
１０  制御装置
２０  第１押印部
２１  第２押印部
２４  凹凸パターン
３１  モールドベース
３５  圧力制御機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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