(57)【要約】【課題】ウエハを複数のチップに分割した後チップのウエハ内の位置を識別すること。【解決手段】ウエハ面内に複数のチップ領域２０ａ〜２０ｃとそれぞれのチップ領域間にそれぞれスクライブライン３０ａおよび３０ｂとを形成する工程と、前記スクライブラインの幅方向に配列された複数の前記スクライブラインにおいて、前記幅方向の前記ウエハを切断する位置１〜４が異なるように前記ウエハを切断することにより前記ウエハをチップに分割する工程と、を含む半導体装置の製造方法。【選択図】図２
2012109354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ面内に複数のチップ領域とそれぞれのチップ領域間にそれぞれスクライブラインとを形成する工程と、
前記スクライブラインの幅方向に配列された複数の前記スクライブラインにおいて、前記幅方向の前記ウエハを切断する位置が異なるように前記ウエハを切断することにより前記ウエハをチップに分割する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記スクライブライン内に前記ウエハを切断する位置を示す第１パターンが形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記チップ領域と前記スクライブラインとを形成する工程は、前記ウエハ面内に形成された複数のショット領域内に複数のチップ領域を形成する工程を含み、
前記ウエハをチップに分割する工程は、前記スクライブラインの幅方向に配列されたショット領域それぞれ内の互いに対応する前記スクライブラインにおいて、前記幅方向に互いに異なる位置を切断するように前記ウエハを切断することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記複数のチップ領域には、それぞれ前記ショット内の位置を示す第２パターンが形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
チップ領域と、
前記チップ領域の周囲に形成されたスクライブラインと、
前記スクライブライン内のウエハを切断する位置に対応し、前記ウエハ内に形成された複数のチップ領域のうちいずれのチップ領域かを示すパターンを具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
チップ領域と、
前記チップ領域の周囲に形成されたスクライブラインと、
前記スクライブライン内のウエハを切断する位置に対応し、前記ウエハ内に形成された複数のショット領域のうちいずれのショット領域に形成されたチップ領域かを示す第１パターンと、
前記ショット領域内に形成された複数のチップ領域のうちいずれのチップ領域かを示す第２パターンと、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウエハ内に、複数のチップとなる領域（チップ領域）を形成する。ウエハ内のチップ領域の間には、ウエハを切断するためのスクライブラインが形成されている。複数のチップ領域が分割されるように、ウエハをスクライブラインにおいて例えばダイシング法を用い切断する。これにより、複数のチップが形成される。各チップには、例えば、ＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit）等の半導体素子が形成されている。スクライブラインの中心からずらしてウエハを切断する方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２３１６５９号公報
【特許文献２】特開２００６−１４０２７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ウエハを複数のチップに分割した後、チップに不具合が発生した場合、不具合が生じたチップがウエハ内のどの位置のチップであるかを識別したい場合がある。本半導体装置およびその製造方法は、ウエハを複数のチップに分割した後チップのウエハ内の位置を識別することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
例えば、ウエハ面内に複数のチップ領域とそれぞれのチップ領域間にそれぞれスクライブラインとを形成する工程と、前記スクライブラインの幅方向に配列された複数の前記スクライブラインにおいて、前記幅方向の前記ウエハを切断する位置が異なるように前記ウエハを切断することにより前記ウエハをチップに分割する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を用いる。
【０００６】
チップ領域と、前記チップ領域の周囲に形成されたスクライブラインと、前記スクライブライン内のウエハを切断する位置に対応し、前記ウエハ内に形成された複数のチップ領域のうちいずれのチップ領域かを示すパターンを具備することを特徴とする半導体装置を用いる。
【０００７】
例えば、チップ領域と、前記チップ領域の周囲に形成されたスクライブラインと、前記スクライブライン内のウエハを切断する位置に対応し、前記ウエハ内に形成された複数のショット領域のうちいずれのショット領域に形成されたチップ領域かを示す第１パターンと、前記ショット領域内に形成された複数のチップ領域のうちいずれのチップ領域かを示す第２パターンと、を具備することを特徴とする半導体装置を用いる。
【発明の効果】
【０００８】
本半導体装置およびその製造方法によれば、ウエハを複数のチップに分割した後チップのウエハ内の位置を識別することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、ウエハ内に形成されたショット領域を示す平面図である。
【図２】図２（ａ）は、実施例１に係るウエハの切断方法を説明するためのウエハの一部を拡大した平面図、図２（ｂ）は、切断されたチップの平面図である。
【図３】図３（ａ）は、実施例１に係るウエハの切断方法の別の例を説明するためのウエハの一部を拡大した平面図、図３（ｂ）は、切断されたチップの平面図である。
【図４】図４（ａ）は、実施例１に係るウエハの切断方法の別の例を説明するためのウエハの一部を拡大した平面図、図４（ｂ）は、切断されたチップの平面図である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１におけるウエハ内のチップ位置を識別する方法を説明するための平面図である。
【図６】図６（ａ）は、実施例２のショット領域内のチップ領域の配置を示す平面図、図６（ｂ）は、チップ領域を示す平面図である。
【図７】図７は、実施例２のパターンの配置を示す平面図である。
【図８】図８は、実施例２のウエハに形成されたショット領域の一部を示す平面図である。
【図９】図９（ａ）は、チップ領域の列の記号と切断位置との対応を示す図、図９（ｂ）は、チップ領域の行の記号と切断位置との対応を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照に実施例について説明する。
【実施例１】
【００１１】
図１は、ウエハ内に形成されたショット領域を示す平面図である。図１のように、例えばシリコン基板であるウエハ１０内に複数のショット領域１２が形成されている。ショット領域１２は、例えば縮小露光装置を用いパターンを形成する際に、１回の露光で露光される領域である。これにより、複数のショット領域１２はそれぞれ同じパターンを有している。１つのショット領域１２には、１つのチップ領域が含まれていてもよいし、複数のチップ領域が含まれていてもよい。チップ領域には、ＬＳＩ等の半導体素子が形成されている。半導体素子としては、例えばロジック回路、メモリ回路またはロジック回路とメモリ回路との混成回路等である。
【００１２】
図２（ａ）は、実施例１に係るウエハの切断方法を説明するためウエハの一部を拡大した平面図、図２（ｂ）は、切断されたチップの平面図である。図２（ａ）のように、ウエハ１０に複数のチップ領域２０ａから２０ｃが配列されている。チップ領域２０ａから２０ｃの間には、スクライブライン３０ａおよび３０ｂが形成されている。スクライブライン３０ａおよび３０ｂは、チップ領域２０ａから２０ｃ間においてウエハ１０を切断する領域である。スクライブライン３０ａおよび３０ｂにおいては、例えば半導体基板上に絶縁膜が形成されている。絶縁膜は、例えば多層配線の層間絶縁膜であり、１層でも複数層でもよい。絶縁膜としては、酸化シリコン膜または低ｋ絶縁膜を用いることができる。チップ領域２０ａから２０ｃの外周に沿った領域には、例えば金属パターンが形成されている。金属パターンは、例えばチップの切断面から半導体素子に水分が浸入することを抑制する耐湿性リングである。金属パターンは、例えば半導体素子と電気的に接続するためのパッドであってもよい。
【００１３】
スクライブライン３０ａおよび３０ｂの幅方向の複数の位置のいずれかを選択してウエハを切断する。例えば、スクライブライン３０ａおよび３０ｂ内にウエハ１０を切断する位置１〜４がある。例えば、チップ領域２０ａと２０ｂとの間のスクライブライン３０ａにおいては、切断位置１においてウエハ１０を切断する。ウエハの切断方法としては例えばダイシング法を用いる。スクライブライン３０ａのチップ領域２０ａ側には、幅Ｗ１のスクライブライン３０ａが残存する。スクライブライン３０ａのチップ領域２０ｂ側には、幅Ｗ２のスクライブライン３０ａが残存する。チップ領域２０ｂと２０ｃとの間のスクライブライン３０においては、切断位置２においてウエハを切断する。スクライブライン３０ｂのチップ領域２０ｂ側には、幅Ｗ３のスクライブライン３０ｂが残存する。スクライブライン３０ｂのチップ領域２０ｃ側には、幅Ｗ４のスクライブライン３０ｂが残存する。
【００１４】
図２（ｂ）のように、ウエハ１０を分割後のチップ領域２０ｂを含むチップ２２においては、チップ領域２０ｂの左側には幅Ｗ２のスクライブライン３０ａが残存している。チップ領域２０ｂの右側には幅Ｗ３のスクライブライン３０ｂが残存している。このように、ウエハ１０内において、スクライブライン内の切断位置を変えることにより、ウエハ１０を切断した後に、ウエハ１０内のチップ２２の位置を識別することができる。なお、スクライブライン毎にウエハを切断する位置を変える場合、一定ピッチを用いウエハを切断することができない。このため、例えばスクライブライン毎に作業者がスクライブライン内の切断位置にダイサーのブレードを合わせることにより、異なるピッチでウエハを切断することができる。または、例えば、切断ピッチを記憶できるようなダイサーを用いることにより、異なるピッチでウエハを切断することができる。
【００１５】
図３（ａ）は、実施例１に係るウエハの切断方法の別の例を説明するためのウエハの一部を拡大した平面図、図３（ｂ）は、切断されたチップの平面図である。スクライブライン３０ａおよび３０ｂの幅方向に複数のパターンＰ１からＰ４が形成されている。パターンＰ１からＰ４は、絶縁体または金属から形成されている。パターンＰ１からＰ４を視認しやすくするためには、パターンＰ１からＰ４は金属から形成されていることが好ましい。パターンＰ１からＰ４としては、例えば銅等の配線材料、ポリシリコン等のゲート材料を用いることができる。
【００１６】
図３（ａ）のように、スクライブライン３０ａにおいては、パターンＰ１を切断するようにウエハ１０を切断する。スクライブライン３０ｂにおいては、パターンＰ２を切断するようにウエハ１０を切断する。図３（ｂ）のように、ウエハ１０を分割した後のチップ２２において、チップ領域２０ｂの左側にはパターンＰ２からＰ４が残存する。チップ領域２０ｂの右側にはパターンＰ１が残存する。このように、パターンＰ１からＰ４を用いることにより、スクライブライン３０ａおよび３０ｂ内の切断位置をより明確に識別することができる。
【００１７】
スクライブライン３０ａおよび３０ｂ内に形成されるパターンは、ウエハ１０を切断する位置を示すパターンであればよい。すなわち、パターンは、チップ領域の周囲のスクライブライン内のウエハを切断する位置に対応し、ウエハ内に形成された複数のチップ領域のうちいずれのチップ領域かを示すパターンであればよい。例えば、図３（ａ）のように、パターンはダイシンングにより削れる領域に形成されていてもよい。また、切断位置がパターンの間に位置するようにパターンが形成されていてもよい。このように、パターンは、ウエハを切断する位置に対応し、複数設けられていてもよい。さらに、パターンは、図３（ａ）のように、チップ領域間のスクライブラインの延伸方向の中央に形成することもできる。さらにスクライブラインの交差する箇所にパターンを形成してもよい。さらに、パターンは切断位置ごとに孤立していなくともよい。例えば、パターンは、スクライブラインの幅方向につながっていてもよい。例えば、パターンが階段形状で形成されており、スクライブラインの延伸方向の長さが異なるパターンでもよい。
【００１８】
図４（ａ）は、実施例１に係るウエハの切断方法の別の例を説明するためのウエハの一部を拡大した平面図、図４（ｂ）は、切断されたチップの平面図である。図４（ａ）のように、パターンＰ１からＰ４が、チップ領域２０の上下左右の４周囲のスクライブライン内に形成されている。
【００１９】
チップ領域２０ａの左側のスクライブライン３０ａにおいては、パターンＰ１を切断するようにウエハを切断する。チップ領域２０ａの右側のスクライブライン３０ｂにおいては、パターンＰ２を切断するようにウエハを切断する。チップ領域２０ａの上側のスクライブライン３０ｃにおいては、パターンＰ４を切断するようにウエハを切断する。チップ領域２０ａの下側のスクライブライン３０ｄにおいては、パターンＰ３を切断するようにウエハを切断する。
【００２０】
図４（ｂ）のように、チップ領域２０ａの左側にはパターンＰ２からＰ４が残存する。チップ領域２０ａの右側にはパターンＰ１が残存する。チップ領域２０ａの上側にはパターンが残存しない。チップ領域２０ａの下側にはパターンＰ１とＰ２とが残存する。このように、左右方向に加え上下方向についてもウエハ１０内のチップの位置を、スクライブライン３０ａから３０ｄ内の切断位置をより識別することができる。
【００２１】
図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１におけるウエハ内のチップ位置を識別する方法を説明するための平面図である。図５（ａ）は、ウエハ１０内のチップ２２の配列を示す図である。図５（ｂ）および図５（ｃ）は、チップ２２ａおよび２２ｂの平面図である。図５（ａ）のように、列のスクライブラインの切断は、左側から切断位置１、１、２、２、３、３…のように行なう。行のスクライブラインの切断は、上側から切断位置１、１、２、２、３、３…のように行なう。
【００２２】
図５（ｂ）のように、チップ２２ａにおいては、チップ領域２０ａの左側にはパターンＰ２からＰ４が残存しており、右側にはパターンＰ１が残存している。チップ領域２０ａの上側にはパターンＰ４が残存しており、下側にはパターンＰ１およびＰ２が残存している。以上より、チップ領域２０ａはウエハ１０の５行２列目のチップ２２ａであることがわかる。図５（ｃ）のように、チップ２２ｂにおいては、チップ領域２０ｂの左側にはパターンＰ３およびＰ４が残存しており、右側にはパターンＰ１およびＰ２が残存している。チップ領域２０ｂの上側にはパターンＰ２からＰ４が残存しており、下側にはパターンＰ１が残存している。以上より、チップ領域２０ｂはウエハ１０の２行４列目のチップ２２ｂであることがわかる。
【００２３】
実施例１によれば、図１のように、ウエハ１０面内に複数のチップ領域とそれぞれのチップ領域２０ａから２０ｃ間にそれぞれスクライブライン３０ａおよび３０ｂとを形成する。図２（ａ）のように、スクライブライン３０ａおよび３０ｂの幅方向に配列された複数のスクライブライン３０ａおよび３０ｂにおいて、幅方向のウエハ１０を切断する位置が異なるようにウエハ１０を切断する。このように、ウエハ１０を複数のチップ２２に分割する。これにより、チップ２２のウエハ１０内での位置を、スクライブライン３０内の切断位置により識別することができる。
【００２４】
さらに、図３（ａ）のように、スクライブライン３０内にウエハ１０を切断する位置を示すパターンＰ１からＰ４（第１パターン）が形成されている。これにより、図３（ｂ）のように、スクライブライン３０内の切断位置をより明確に識別することができる。よって、チップ２２のウエハ内での位置をより明確に識別することができる。
【実施例２】
【００２５】
実施例２においては、ウエハサイズが例えば３００ｍｍ、ショットサイズが例えば３０×２５ｍｍである。図１のウエハの平面図のようにウエハ１０内にショット領域１２が上下左右方向にマトリックス状に配列している。図６（ａ）は、実施例２のショット領域内のチップ領域の配置を示す平面図、図６（ｂ）は、チップ領域を示す平面図である。図６（ａ）のように、ショット領域１２には、６列×５行のチップ領域２０が配列されている。図６（ｂ）のように、チップ領域２０内にはパターン２４が形成されている。パターン２４は、ショット領域１２内に形成された複数のチップ領域２０のうちいずれのチップ領域かを示すパターンである。例えば、ショット領域１２内のチップ領域２０が３０個ある場合に、それぞれのチップ領域２０に０１から３０の数字をパターン２４として形成してもよい。また、アルファベットまたは図形等をパターン２４として用いてもよい。ウエハ１０内に形成された複数のショット領域１２内には同じパターンが形成される。よって、ショット領域１２内の対応するチップ領域２０には、同じパターン２４が形成される。このように、パターン２４を用いることにより、ショット領域１２内の各チップ領域２０の位置を識別することができる。
【００２６】
図７は、実施例２のパターンの配置を示す平面図である。チップ領域２０ａおよび２０ｂ間のスクライブライン３０内にパターンＰ１からＰ４が形成されている。パターンＰ１からＰ４は、ウエハ１０を切断する切断位置１から４に対応し形成されている。チップ領域２０ａおよび２０ｂ間のスクライブライン３０の幅ＷＳＬは、例えば９０μｍである。切断位置１〜４は４箇所である。パターンＰ２とＰ３とのパターン中心の間隔Ｗａを、例えば１６μｍとする。パターンＰ１とＰ２とのパターン中心の間隔ＷｂおよびパターンＰ３とＰ４とのパターン中心の間隔Ｗｂを例えば１７μｍとする。パターンＰ１の中心とチップ領域２０ａとの間隔ＷｃおよびパターンＰ４の中心とチップ領域２０ｂとの間隔Ｗｃを例えば２０μｍとする。また、パターンＰ１からＰ４の幅Ｗｐを例えば１μｍとする。例えば、ダイシングブレードの幅ＷＤを２０μｍ、ダイシングブレードの位置ズレ精度を５μｍとする。この場合、切断の中心から両側２０μｍ／２のウエハ１０が削れる。切断の中心は最大５μｍすれる。このため、狙った切断の中心から最大２０μｍ／２＋５μｍ＝１５μｍ両側が削れる可能性がある。パターンＰ１からＰ４の最小間隔は間隔Ｗａ＝１６μｍである。よって、パターンＰ１からＰ４の幅ＷＰが１μｍであれば、狙った切断位置の隣のパターンが削られることはない。
【００２７】
図８は、実施例２のウエハに形成されたショット領域の一部を示す平面図である。ショット領域１２内のチップ領域２０の位置を０１から３０を用い示している。切断位置は、チップ領域２０間の切断位置を示している。切断位置１は、図７において、パターンＰ１（切断位置１）を目標にウエハを切断することを示している。ＡからＭは、チップ領域２０の列を示す記号である。ａからｐはチップ領域２０の行を示す記号である。
【００２８】
図９（ａ）は、チップ領域の列の記号と切断位置との対応を示す図、図９（ｂ）は、チップ領域の行の記号と切断位置との対応を示す図である。図９（ａ）において、切断位置の左側の数字は、チップ領域２０の左側のスクライブラインおける切断位置を示し、切断位置の右側の数字は、チップ領域２０の右側のスクライブラインおける切断位置を示している。図９（ｂ）において、切断位置の左側の数字は、チップ領域２０の上側のスクライブラインおける切断位置を示し、切断位置の右側の数字は、チップ領域２０の下側のスクライブラインおける切断位置を示している。実施例２においては、１つのスクライブライン内に４つの切断位置があるため、左右の切断位置で１６種類の列の記号を設けることができる。同様に、上下の切断位置で１６種類の行の記号を設けることができる。
【００２９】
図８のように、１３種類の列の記号を順番に附せば、ショット領域１２内の位置を示す記号と合わせ、図１の３００ｍｍウエハ１０の列すべてについて識別することが可能となる。同様に、１６種類の行の記号を順番に附せば、ショット領域内の位置を示す記号（例えば図６（ｂ）のパターン２４）と合わせ、図１の３００ｍｍウエハ１０の行全てについて識別することが可能となる。このように、ショット領域１２内のパターン２４とスクライブラインの切断位置とを組み合わせることにより、ウエハ１０内のチップ領域を全て識別することができる。
【００３０】
実施例２によれば、図１および図６（ａ）のように、ウエハ１０面内に形成された複数のショット領域１２内にそれぞれ対応する複数のチップ領域２０を形成する。図８のように、ウエハ１０を複数のチップに分割する際に、スクライブライン３０の幅方向に配列されたショット領域１２それぞれ内の互いに対応するスクライブライン３０において、幅方向に互いに異なる位置を切断する。例えば、図８において、列方向に配列されたショット領域１２内のチップ領域０１においては、列記号はそれぞれＡ、Ｇ、Ｍである。そこで、チップ領域０１を示す記号（例えば図６（ｂ）のパターン２４）があるチップについて、チップ領域の左右のスクライブライン内にパターンＰ１およびＰ４のいずれが残存しているかを調べる。これにより、このチップ領域０１が列記号Ａ，Ｇ，Ｍのうちいずれのチップ領域かを識別することができる。同様に、例えば行方向に配列されたショット領域１２内のチップ領域０１においては、行記号はそれぞれａ、ｆ、ｋおよびｐである。そこで、チップ領域０１の印があるチップについて、チップ領域の上下のスクライブライン内にパターンＰ１からＰ４のいずれが残存しているかを調べる。これにより、このチップ領域０１が行記号ａ、ｆ、ｋおよびｐのうちいずれのチップ領域かを識別することができる。
【００３１】
また、スクライブラインの幅方向に配列されたショット領域１２それぞれ内の互いに対応するチップ領域２０について考える。これらのチップ領域２０の幅方向に形成された２つのスクライブライン３０内のウエハ１０を切断する位置の組み合わせが異なるようにウエハ１０を切断する。例えば、図１の列方向に配列されたショット領域１２内のチップ領域０１は、全て異なる列記号となるようにする。これにより、ウエハ１０内のいずれの列記号を有するチップ領域かを識別することができる。
【００３２】
さらに、スクライブラインの幅方向に配列された全てのショット領域１２それぞれ内の互いに対応するチップ領域２０について考える。これら全てのチップ領域２０の４つの周囲に形成されたスクライブラインのウエハを切断する位置の組み合わせが異なるようにウエハ１０を切断する。例えば、図８において、列方向および行方向に配列されたショット領域１２内のチップ領域０１においては、列記号および行記号が異なるようにする。これにより、行と列の位置を識別することができる。
【００３３】
さらに、図６（ｂ）のように、チップ領域２０には、ショット領域内の位置を示すパターン２４（第２パターン）が形成されている。これにより、どのショット領域内のどのショット領域のチップかを識別することができる。
【００３４】
実施例２のように、作製されたチップは、ウエハ内に形成された複数のショット領域のうちいずれのショット領域に形成されたチップ領域かを示す第１パターンＰ１からＰ４を含んでいる。かつ、ショット領域１２内に形成された複数のチップ領域のうちいずれのチップ領域かを示す第２パターン２４を含んでいる。これにより、ウエハ内の位置を識別することができる。
【００３５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００３６】
実施例１〜２を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
付記１：ウエハ面内に複数のチップ領域とそれぞれのチップ領域間にそれぞれスクライブラインとを形成する工程と、前記スクライブラインの幅方向に配列された複数の前記スクライブラインにおいて、前記幅方向の前記ウエハを切断する位置が異なるように前記ウエハを切断することにより前記ウエハをチップに分割する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
付記２：前記スクライブライン内に前記ウエハを切断する位置を示す第１パターンが形成されていることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
付記３：前記チップ領域と前記スクライブラインとを形成する工程は、前記ウエハ面内に形成された複数のショット領域内に複数のチップ領域を形成する工程を含み、前記ウエハをチップに分割する工程は、前記スクライブラインの幅方向に配列されたショット領域それぞれ内の互いに対応する前記スクライブラインにおいて、前記幅方向に互いに異なる位置を切断するように前記ウエハを切断することを特徴とする付記１または２記載の半導体装置の製造方法。
付記４：前記複数のチップ領域には、それぞれ前記ショット内の位置を示す第２パターンが形成されていることを特徴とする付記３記載の半導体装置の製造方法。
付記５：前記ウエハをチップに分割する工程は、前記スクライブラインの幅方向に配列された全てのショット領域それぞれ内の互いに対応する前記チップ領域において、前記チップ領域の前記幅方向に形成された２つの前記スクライブライン内の前記ウエハを切断する位置の組み合わせが異なるように前記ウエハを切断することを特徴とする付記３または４記載の半導体装置の製造方法。
付記６：前記ウエハをチップに分割する工程は、前記ウエハ内の全てのショット領域それぞれ内の互いに対応する前記チップ領域において、前記チップ領域の４つの周囲に形成された前記スクライブラインの前記ウエハを切断する位置の組み合わせが異なるように前記ウエハを切断することを特徴とする付記３から５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
付記７：前記第１パターンは、前記ウエハを切断する位置に対応し複数設けられていることを特徴とする付記２記載の半導体装置の製造方法。
付記８：チップ領域と、前記チップ領域の周囲に形成されたスクライブラインと、前記スクライブライン内のウエハを切断する位置に対応し、ウエハ内に形成された複数のチップ領域のうちいずれのチップ領域かを示すパターンを具備することを特徴とする半導体装置。
付記９：チップ領域と、前記チップ領域の周囲に形成されたスクライブラインと、前記スクライブライン内のウエハを切断する位置に対応し、ウエハ内に形成された複数のショット領域のうちいずれのショット領域に形成されたチップ領域かを示す第１パターンと、前記ショット領域内に形成された複数のチップ領域のうちいずれのチップ領域かを示す第２パターンと、を具備することを特徴とする半導体装置。
【符号の説明】
【００３７】
１０            ウエハ
１２            ショット領域
２０            チップ領域
２２            チップ
２４            パターン
３０            スクライブライン
Ｐ１〜Ｐ４      パターン
【図１】
2012109354.tif 000003
【図２】
2012109354.tif 000004
【図３】
2012109354.tif 000005
【図４】
2012109354.tif 000006
【図５】
2012109354.tif 000007
【図６】
2012109354.tif 000008
【図７】
2012109354.tif 000009
【図８】
2012109354.tif 000010
【図９】
2012109354.tif 000011