(57)【要約】      （修正有）【課題】効率良く振動波を検出する振動部を有する撮像装置を提供する。【解決手段】撮像装置１は、第１の基板１０の一部からなる振動部３８と、第１の基板１０の第１の主面１２の振動部３８と異なる位置に形成された撮像部１４と、を具備する。前記第１の基板の第２の主面と、前記振動部以外の領域において接合された第２の基板３０を具備する。前記第２の基板の前記振動部と対向する位置に、空洞部が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板の一部からなり、音声波または超音波により振動する振動部と、
前記第１の基板の第１の主面の前記振動部と異なる位置に形成された撮像部と、を具備することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１の基板の第２の主面と、前記振動部以外の領域において接合された第２の基板を具備することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第２の基板の前記振動部と対向する位置に、空洞部が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記振動部の振動を検出する、前記第１の基板の前記第２の主面に形成された可動電極と、前記第２の基板に形成された固定電極と、を有することを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記可動電極と前記固定電極とに電圧が印加されることより、前記振動部が振動し振動波を発生することを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記振動部の振動を検出する、前記第１の基板に形成されたピエゾ抵抗素子を有することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記第１の基板の前記振動部形成領域の前記第２の主面に、凹部が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記撮像部が、裏面照射型撮像部であることを特徴とする請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
ウエハプロセスにより製造されることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像部に加えて、振動波を受信する振動部を有する撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開平１１−１２７３９３公報には、映像情報を収集する固体撮像部と音声情報を収集するマイクロフォンとを１つのデバイスに集約したマイクロフォン機能付固体撮像部が提案されている。前記固体撮像部は、固体撮像部の前面にマイクロフォンの振動板が配置されている。
【０００３】
このため前方にレンズなどの光学素子が形成された場合、光学素子が音声を遮ってしまい、効率的に音波を検出できないおそれがあった。また、振動版の振動により撮像画像の品質が劣化するおそれがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１２７３９３公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、効率良く振動波を検出する振動部を有する撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態の撮像装置は、第１の基板の一部からなる振動部と、前記第１の基板の第１の主面の前記振動部と異なる位置に形成された撮像部と、を具備する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の実施形態によれば、効率良く振動波を検出する振動部を有する撮像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態の撮像装置の構造を説明するための斜視図である。
【図２】第１実施形態の撮像装置の構造を説明するための図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】第１実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】第１実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】第１実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】第２実施形態の撮像装置の構造を説明するための斜視図である。
【図７】第２実施形態の撮像装置の構造を説明するための図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図である。
【図８】第３実施形態の撮像装置の構造を説明するための斜視図である。
【図９】第３実施形態の撮像装置の構造を説明するための図８のＩＸ−ＩＸ線に沿った断面図である。
【図１０】第４実施形態の撮像装置の構造を説明するための斜視図である。
【図１１】第４実施形態の撮像装置の構造を説明するための図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図である。
【図１２】第５実施形態の撮像装置の構造を説明するための斜視図である。
【図１３】第５実施形態の撮像装置の構造を説明するための図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図１４】第６実施形態の撮像装置の構造を説明するための斜視図である。
【図１５】第６実施形態の撮像装置の構造を説明するための図１２のＸＶ−ＸＩＶ線に沿った断面図である。
【図１６】第６実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】第７実施形態の撮像装置の構造を説明するための斜視図である。
【図１８】第７実施形態の撮像装置の構造を説明するための図１２のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜第１実施形態＞
図１は第１実施形態の撮像装置１の構造を説明するための斜視図であり、図２は撮像装置１の構造を説明するための断面図である。なお、以下の図は全て模式図であり、縦横の寸法比等は実際とは異なっている。
【００１０】
＜撮像装置１の構造＞
図１および図２に示すように、撮像装置１は、第１の基板１０と第２の基板３０とが接合されている。撮像装置１は、撮像部１４による撮像機能に加えて、外部からの振動波を振動部３８の振動により検出する振動波検出機能を有する。なお、振動部３８は、第１の基板１０が第２の基板３０と接合されずメンブレン状となっている領域である。すなわち、図２に示すように、振動部３８の直下は第２の基板３０の凹部３３により空洞部３７が形成されている。
【００１１】
メンブレン状の第１の基板１０は、第１の基体１１と保護膜１９とを有する。第２の基板３０は第２の基体３１と保護膜３４とを有する。第１の基体１１および第２の基体３１はシリコン等の半導体からなる。
【００１２】
第１の基体１１の第１の主面１２には、撮像部１４と、複数の配線２０と、複数の電極パッド２１と、が形成されている。撮像部１４は、フォトダイオード等の受光素子が形成された受光領域と、受光領域上に形成されたカラーフィルタ（不図示）と、カラーフィルタ上に形成された光学素子であるマイクロレンズ（不図示）と、を有する。そして、受光領域の隣接領域には、シフトレジスタ、出力アンプ、Ａ／Ｄ変換器およびメモリー回路等からなる駆動用／信号処理用の回路（不図示）が形成されている。
【００１３】
電極パッド２１は、第１の基板１０の周辺部に沿って形成されており、配線２０を介して撮像部１４と接続されている。
また、第１の基体１１の第１の主面１２には、振動部３８の振動を検出するための電極パッド１７と電極パッド３５とが、それぞれ貫通孔１８Ａ、１８Ｂにより露出している。
【００１４】
一方、第１の基体１１の第２の主面１３には、可動電極１５と配線１６と電極パッド１７と保護膜１９とが形成されている。
【００１５】
可動電極１５は、撮像部１４形成領域とは異なる領域の対向領域に形成されている。電極パッド１７は、配線１６によって可動電極１５と接続されている。保護膜１９はシリコン酸化膜などからなる。
【００１６】
そして、第２の基体３１には、空洞部３７となる凹部３３が形成されている。凹部３３の断面形状は底部が開口部よりも小さいテーパ形状であることが望ましい。凹部３３の底部には固定電極３２が形成されている。また、第２の基体３１には、電極パッド３５および配線３６（図４（Ｂ）参照）が形成されている。電極パッド３５は、配線３６を介して固定電極３２と接続されている。
【００１７】
シリコン酸化膜からなる保護膜３４は、第２の基板３０の表面を覆うように形成されている。
【００１８】
第１の基板１０と第２の基板３０とは、振動検出部３８Ａを構成する可動電極１５と固定電極３２が対向するように接合されている。凹部３３と第１の基板１０の第２の主面１３によって形成される空洞部３７には空気が封入されている。空洞部３７の内部は窒素またはアルゴン等の気体により封止されていてもよいし、真空であってもよいし、外気と挿通していてもよい。
【００１９】
ここで、第１の基板１０は、厚さが第２の基板３０の厚さよりも薄く、膜状である。凹部３３上の第１の基板１０、すなわち第１の基板１０の第２の基板３０と接合されていない領域はメンブレン状であり、振動部３８となる。
【００２０】
第１の基板１０の厚さは１〜１０μmが好ましい。前記範囲以上であれば、振動部３８の機械的強度が確保され、前記範囲以下であれば、振動部３８が外部からの振動波により感度よく振動する、
【００２１】
また、凹部３３の深さは３０〜１００μmが好ましい。前記範囲以上であれば、可動電極１５と固定電極３２とが接触することがなく、前記範囲以下であれば感度よく電極間距離を計測可能である。なお、第２の基板３０の厚さは、機械的強度の確保および撮像装置の小型化のために、２５０〜５００μmが好ましい。
【００２２】
振動検出部３８Ａである対向配置している可動電極１５と固定電極３２とはコンデンサを構成している。振動部３８が外部からの振動波により振動（変位）すると、可動電極１５と固定電極３２との間の距離が変化するため、コンデンサの静電容量が変化する。撮像装置１は、可動電極１５と固定電極３２の間の静電容量を検出することで振動波を検出する。
【００２３】
振動部３８および振動検出部３８Ａは、振動波が音声波であればマイクロフォンとしての機能を有し、振動波が超音波であれば超音波トランスデューサとしての機能を有する。すなわち、振動部３８は、音声波または超音波により振動する。
【００２４】
＜撮像装置１の製造方法＞
次に、図３〜図５を用いて、撮像装置１の製造方法について説明する。撮像装置１は、第１の基板１０と、第２の基板３０と、を準備した後に、両者を接合することにより製造される。
＜第１の基板の準備工程＞
【００２５】
図３（Ａ）に示すように、シリコンからなる第１の基体１１の第１の主面１２に、公知の方法により撮像部１４が形成される。このときの第１の基体１１の厚さは、機械的強度が確保可能な、例えば５００〜１０００μmが好ましい。
【００２６】
図３（Ｂ）に示すように、電極パッド２１と、撮像部１４と電極パッド２１とを接続する配線２０と、が第１の主面１２に形成される。なお、以下の図においては電極パッド２１と配線２０とは図示しない。
【００２７】
電極パッド２１と配線２０とは、スパッタ装置により第１の主面１２全面に導電膜としてアルミニウム膜を成膜後、パターニングして形成される。導電膜の材料として、モリブデン、タングステン、チタン、タンタル、または銅等を用いてもよい。
【００２８】
次に、図示しないが、撮像部１４の受光領域上にカラーフィルタが形成され、さらにカラーフィルタ上にマイクロレンズが形成される。
【００２９】
図３（Ｃ）に示すように、第１の基体１１が、第２の主面１３側から、厚さが１〜１０μmのメンブレン状になるまで研磨される。研磨は、砥石等による機械研磨またはドライエッチング等による。
【００３０】
図３（Ｄ）に示すように、研磨後の第２の主面１３に、可動電極１５と、電極パッド１７と、可動電極１５と電極パッド１７とを接続する配線１６と、が形成される。可動電極１５と電極パッド１７と配線１６とは、第２の主面１３全面に導電膜を成膜後、パターニングして形成される。
【００３１】
図３（Ｅ）に示すように、第１の基体１１の第２の主面１３を覆う保護膜１９が形成される。例えばシリコン酸化膜からなる保護膜１９は、テトラエトキシシラン等を原料ガスとして用いたプラズマ化学気層成長法（プラズマＣＶＤ）などを用いて形成される。
以上の工程により、第１の基体１１と保護膜１９とを有するメンブレン状の第１の基板１０が準備される。
【００３２】
＜第２の基板の準備工程＞
図４（Ａ）に示すように、シリコンからなる第２の基体３１のおもて面に凹部３３が形成される。第２の基体３１の厚さは、機械的強度が確保可能な、例えば２５０〜５００μmが好ましい。
【００３３】
凹部３３は、ＫＯＨまたはＴＭＡＨ等のアルカリ溶液でウエットエッチングしたり、ＩＣＰ−ＲＩＥ等でドライエッチングしたりして形成される。
【００３４】
図４（Ｂ）に示すように、凹部３３の底部の固定電極３２と、第２の基体３１の表面の電極パッド３５と、固定電極３２から凹部３３の側面を介して電極パッド３５に至る配線３６と、が形成される。固定電極３２と電極パッド３５と配線３６とは、第２の基体３１のおもて面全面に導電膜を成膜後、パターニングして形成される。なお、以下の図においては電極パッド３５と配線３６とは図示しない。
【００３５】
図４（Ｃ）に示すように、第２の基体３１のおもて面を覆うように例えばシリコン酸化膜からなる保護膜３４が形成される。
以上の工程により、第２の基体３１と保護膜３４とを有する第２の基板３０が準備される。
【００３６】
＜基板接合工程＞
図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すように、第１の基板１０の第２の主面１３側と第２の基板３０のおもて面とが、可動電極１５と固定電極３２が対向するように、接着層（不図示）を介して接合される。接合により凹部３３は空洞部３７となる。
【００３７】
＜貫通孔形成工程＞
図５（Ｃ）に示すように、第１の基体１１を貫通する貫通孔１８Ａと、第１の基板１０および保護膜３４を貫通する貫通孔１８Ｂ（不図示）と、が形成され、電極パッド１７および電極パッド３５（不図示）が、第１の主面１２側に露出する。
以上の工程により、撮像装置１が完成する。
【００３８】
なお、以上の工程は生産性の良いウエハプロセスで行われる。すなわち、多数の撮像部１４等が形成された第１のウエハと、多数の凹部３３等が形成された第２のウエハと、が接合された後に、個片化されることにより、多数の撮像装置１が一括して製造される。
【００３９】
撮像装置１は、撮像部１４が形成されている第１の基板１０の一部分が振動部３８を構成している。そして、撮像部１４と振動部３８とは、第１の基板１０の異なる位置に形成されている。このため、撮像部１４の受光領域の上（前面）にマイクロレンズ等の光学素子が配設されても振動部３８には影響がない。また、マイクロレンズの前面に、さらにカバーガラス等の機械的強度の高い保護部材を配設することもできる。
【００４０】
さらに、受光領域の前面に振動部３８が存在しないため、振動部３８の振動による撮像画像の乱れがなく、撮像装置１は、高精度な撮像が可能である。
【００４１】
また、振動部３８の振動検出感度を決定する可動電極１５と固定電極３２との間の距離は、凹部３３の深さにより決定されるため、撮像装置１は、感度調整が容易である。
【００４２】
以上の説明のように、撮像装置１は、振動部３８が撮像部１４とは異なる位置に形成されているために、効率良く振動波を検出することができる。また、撮像装置１はウエハプロセスによる一括製造が可能であり生産性がよい。
【００４３】
なお、撮像装置１は、可動電極１５と固定電極３２の間に電圧を印加することにより振動波を発生することもできる。すなわち振動部３８は振動波を受信する受信機能だけでなく、振動波を発生する送信機能も有している。
【００４４】
例えば、撮像装置１は、送信機能により発生した超音波が、被検物に反射して戻ってきたエコー信号を受信機能により受信する。
【００４５】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態の撮像装置１Ａについて説明する。本実施形態の撮像装置１Ａは第１実施形態の撮像装置１と類似しているため、同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
【００４６】
第１実施形態の撮像装置１では、振動部３８の振動は、第１の振動検出部３８Ａである可動電極１５と固定電極３２との間の静電容量変化により検出された。これに対して本実施形態の撮像装置１Ａでは、振動部３８の振動は、第２の振動検出部３８Ｂであるピエゾ抵抗素子２２の抵抗変化により検出される。
【００４７】
図６および図７に示すように、撮像装置１Ａは振動部３８の変形（振動）を検出する第２の振動検出部３８Ｂであるピエゾ抵抗素子２２を有する。ピエゾ抵抗素子２２は、第１の基体１１Ａ（第１の基板１０Ａ）の第１の主面１２に、拡散法またはイオン注入法によってホウ素などの不純物を添加することによって形成される。なお、振動部３８の変形を検出可能な位置に、複数のピエゾ抵抗素子を形成してもよい。
【００４８】
第１の主面１２には、ピエゾ抵抗素子２２の抵抗変化を測定するための、導電膜からなる配線１６Ａと電極パッド１７Ａ１、１７Ａ２とが、形成されている。
【００４９】
図７に示すように、撮像装置１Ａにおいては、第２の基体３１Ａ（第２の基板３０Ａ）の空洞部３７Ａを形成している凹部３３Ａは、裏面に開口のある貫通孔である。もちろん、凹部は撮像装置１と同様の凹部であってもよい。
【００５０】
撮像装置１Ａは、撮像装置１の効果を有し、さらに、第１の振動検出部３８Ａの構造および第２の基板の加工が容易であるため、生産性に優れている。
【００５１】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態の撮像装置１Ｂについて説明する。本実施形態の撮像装置１Ｂは撮像装置１および撮像装置１Ａと類似しているため、同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
【００５２】
図８および図９に示す撮像装置１Ｂは、第１の振動検出部３８Ａと、第２の振動検出部３８Ｂと、を有する。第１の振動検出部３８Ａは可動電極１５と固定電極３２とを有し、電極間の静電容量変化を電極パッド３５Ｂ１、３５Ｂ２を介して検出する。第２の振動検出部３８Ｂは、２つのピエゾ抵抗素子２２Ａ、２２Ｂを有し、ピエゾ抵抗素子２２Ａ、２２Ｂの抵抗変化を電極パッド１７Ｂ１、１７Ｂ２を介して検出する。そして、撮像装置１Ｂでは、振動部３８の振動は、第１の振動検出部３８Ａまたは第２の振動検出部３８Ｂの少なくともいずれかより検出される。
【００５３】
すなわち、第１の基体１１Ｂ（第１の基板１０Ｂ）は、第１の主面１２に、第２の振動検出部３８Ｂであるピエゾ抵抗素子２２Ａ、２２Ｂを有し、第２の主面１３に第１の振動検出部３８Ａを構成する可動電極１５を有する。そして、第１の主面１２には複数の電極パッド２１、１７Ｂ１、１７Ｂ２と、電極パッド３５Ｂ１、３５Ｂ２と、が露出している。なお、ピエゾ素子は１個でもよい。
【００５４】
受信する振動波の周波数／強度により振動部３８の振動状態は異なる。例えば、撮像装置１Ｂは、第１の振動検出部３８Ａにより周波数の低い音波を検出し、第２の振動検出部３８Ｂにより周波数の高い音波を検出してもよい。さらに撮像装置１Ｂは、第１の振動検出部３８Ａにより音波を検出し、第２の振動検出部３８Ｂにより超音波を検出してもよい。
【００５５】
撮像装置１Ｂは撮像装置１および撮像装置１Ａが有する効果を有し、さらに振動状態の異なる振動波を、効率良く検出することができる。
【００５６】
なお、撮像装置１Ｂは、可動電極１５と固定電極３２の間に電圧を印加することにより振動波を発生することもできる。例えば、撮像装置１Ｂは、可動電極１５と固定電極３２の間に電圧を印加することにより超音波を発生し、第１の振動検出部３８Ａまたは第２の振動検出部３８Ｂによりエコー信号を検出してもよい。
【００５７】
＜第４実施形態＞
次に第４実施形態の撮像装置１Ｃについて説明する。本実施形態の撮像装置１Ｃは第３実施形態の撮像装置１Ｂ等と類似しているため、同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
【００５８】
図１０および図１１に示すように、撮像装置１Ｃは、第２実施形態の撮像装置１Ａのように第１の基体１１Ｃの第２の主面１３にも凹部３３Ｃ１を形成することで、振動部３８のみをメンブレン化している。すなわち、撮像装置１Ｃの空洞部３７Ｃは、第１の基体１１Ｃの凹部３３Ｃ１と、第２の基体３１Ｃの凹部３３Ｃ２と、で形成されている。
【００５９】
撮像装置１Ｃは撮像装置１〜撮像装置１Ｂが有する効果を有し、さらに第１の基板１０Ｃは全体がメンブレン状ではないために、取り扱いが容易である。
【００６０】
なお、撮像装置１Ｃは、第１の振動検出部３８Ａと第２の振動検出部３８Ｂとを有するが、いずれか１方のみを有していればよく、さらに第１の振動検出部３８Ａを用いて振動波を発生することもできる。
【００６１】
＜第５実施形態＞
次に第５実施形態の撮像装置１Ｄについて説明する。本実施形態の撮像装置１Ｄは第４実施形態の撮像装置１Ｃ等と類似しているため、同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
【００６２】
図１２および図１３に示すように、撮像装置１Ｄにおいては、第２の基板３０Ｄ（第２の基体３１Ｄ）は平板状である。すなわち、撮像装置１Ｄの空洞部３７Ｄは、第１の基板１０Ｄ（第１の基体１１Ｃ）の凹部３３Ｄと、第２の基板３０Ｄのおもて面とで形成されている。
【００６３】
撮像装置１Ｄは撮像装置１Ｃが有する効果を有し、さらに第２の基板３０Ｄが平板状であるため製造が容易である。
【００６４】
なお、撮像装置１Ｄは、第１の振動検出部３８Ａと第２の振動検出部３８Ｂとを有するが、いずれか１方のみを有していればよく、さらに第１の振動検出部３８Ａを用いて振動波を発生することもできる。
【００６５】
＜第６実施形態＞
次に第６実施形態の撮像装置１Ｅについて説明する。本実施形態の撮像装置１Ｅは第１実施形態の撮像装置１等と類似しているため、同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
【００６６】
図１４および図１５に示すように、撮像装置１Ｅは裏面照射型の撮像部１４Ｅと、第１の振動検出部３８Ａと、を有する
【００６７】
図１６（Ａ）〜図１６（Ｄ）を用いて、撮像装置１Ｅの製造方法について説明する。なお、撮像装置１Ｅの製造方法は第１実施形態の撮像装置１の製造方法と類似しているため、異なる部分についてのみ説明する。
【００６８】
＜第１の基板の準備工程＞
図１６（Ａ）に示すように、第１の基板１０Ｅ（第１の基体１１Ｅ）は、シリコンからなる支持層１１Ｅ１とシリコン酸化膜からなる絶縁膜１１Ｅ２とシリコンからなる活性層１１Ｅ３を有するＳＯＩ基板である。
最初に、第１の基体１１Ｅの活性層１１Ｅ３に、撮像部１４Ｅが形成される。
【００６９】
図１６（Ｂ）に示すように、第１の基体１１Ｅの活性層１１Ｅ３側に、可動電極１５Ｅと、電極パッド１７Ｅと、配線１６Ｅと、図示しない撮像部１４Ｅと電極パッド２１Ｅとを接続する配線２０Ｅと、が形成される。
可動電極１５Ｅ、電極パッド２１Ｅ、電極パッド１７Ｅ、配線２０Ｅ、配線１６Ｅは、スパッタ装置により導体膜を第１の基体１１Ｅの活性層１１Ｅ３側全面に形成後、パターニングして形成される。
【００７０】
さらに、第１の基体１１Ｅの活性層１１Ｅ３側の面を覆う、シリコン酸化膜からなる保護膜１９Ｅが形成される。以上の工程により、第１の基板１０Ｅが準備される。第１の基板１０の準備工程は第１実施形態の第１の基板１０の準備工程と同じである。
【００７１】
〈基板接合工程〉
図１６（Ｃ）に示すように、第１の基板１０Ｅと第２の基板３０とが、接着層(不図示)を介して接合される。
【００７２】
〈基板研磨工程〉
図１６（Ｄ）に示すように、第１の基板１０Ｅの支持層１１Ｅ１および絶縁膜１１Ｅ２が除去される。支持層１１Ｅ１の除去には研磨またはドライエッチング等による。絶縁膜１１Ｅ２の除去は、ウエットエッチングまたはドライエッチング等による。
【００７３】
電極パッドを第１の主面１２側に露出するための貫通孔が形成される。以上の工程により、撮像装置１Ｅが完成する。
【００７４】
撮像装置１Ｅは、第１の実施形態の効果を有すると共に、撮像部１４Ｅは裏面照射型であるので、配線によって入射光が遮られることがないため撮像時の光検出感度が高い。また、第１の基板１０Ｅと第２の基板３０Ｅとを接合してから、第１の基板１０Ｅを薄く加工するので、接合前の第１の基板１０Ｅの取り扱いが容易である。
【００７５】
なお、撮像装置１Ｅは、第２の振動検出部３８Ｂを有していてもよく、さらに第１の振動検出部３８Ａを用いて振動波を発生することもできる。
【００７６】
また、本実施の形態の裏面照射型撮像部１４Ｅを、第１実施形態〜第４の実施形態に適用してもよい。
【００７７】
＜第７実施形態＞
次に第７実施形態の撮像装置１Ｆについて説明する。本実施形態の撮像装置１Ｆは第２実施形態の撮像装置１Ａ等と類似しているため、同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
【００７８】
図１７および図１８に示すように、撮像装置１Ｆは、第２の基板を有していない。撮像装置１Ｆの振動部３８は第１の基板１０Ｆが第２の主面１３側に凹部（貫通孔）３３Ｆが形成されてメンブレン状になった領域である。
【００７９】
撮像装置１Ｆは、第２実施形態の撮像装置１Ａ等と同じ効果を有し、構造が簡単である。
【００８０】
本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、実施例の種々の組み合わせ、変更、改変等ができる。
【符号の説明】
【００８１】
１、１Ａ〜１Ｆ…撮像装置、１０…第１の基板、１１…第１の基体、１２…第１の主面、１３…第２の主面、１４…撮像部、…受光領域、…マイクロレンズ、１５…可動電極、１６…配線、１７…電極パッド、１８…貫通孔、１９…保護膜、２１…電極パッド、２２…ピエゾ抵抗素子、３０…第２の基板、３１…第２の基体、３２…固定電極、３３…凹部、３４…保護膜、３５…電極パッド、３６…配線、３７…空洞部、３８…振動部、３８Ａ…第１の振動検出部、３８Ｂ…第２の振動検出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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