(57)【要約】      （修正有）【課題】マルチ軸センサを製造する方法を提供する。【解決手段】第１のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第１の活性化表面１１４を有する第１のダイ１０２を製作するステップと、第２のアプリケーション・エレクトロニクスを有する第２の活性化表面１１５、および、第２のアプリケーション・エレクトロニクスから第２の活性化表面と隣接している第２のダイ１０４の側面インタフェースまで伸びる少なくとも一つの電気的接続を有する第２のダイを製造するステップと、第１の活性化表面と同一平面上の側面インタフェースを整列配置するステップと、複数の電気的接続１１９と第１の活性化表面との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップとを有する。【選択図】図１
2012255785.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチ軸センサを製造する方法であって、
第１のアプリケーション・エレクトロニクス（１１６）を備えた第１の活性化表面（１１４）を有する第１のダイ（１０２）を製作するステップと、
第２のアプリケーション・エレクトロニクス（１１０）を有する第２の活性化表面（１１５）、および、第２のアプリケーション・エレクトロニクス（１１０）から第２の活性化表面（１１５）と隣接している第２のダイ（１０４）の側面インタフェース（１２８）まで伸びる少なくとも一つの電気的接続を有する第２のダイ（１０４）を製造するステップと、
第１の活性化表面（１１４）と同一平面上の側面インタフェース（１２８）を整列配置するステップと、
複数の電気的接続（１１８）と第１の活性化表面（１１４）との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップと
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
第３のダイ（３０６）を製造するステップであって、第３のダイ（３０６）が、第３のアプリケーション・エレクトロニクス（３１１）を備えた第３の活性化表面（３１３）と、第２の複数の電気的接続（３１７）とを有することを特徴とするステップと、
第１の活性化表面（１１４）および第３の活性化表面（３１３）との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップと
をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
方向センサ装置であって、
第１のアプリケーション・エレクトロニクス（１１６）を備える第１の活性化表面（１１４）を包含する第１のダイ（１０２）と、
第１のダイ（１０２）に結合された第２のダイ（１０４）であって、該第２のダイ（１０４）が、第２のアプリケーション・エレクトロニクス（１１０）を備えた第２の活性化表面（１１５）を包含し、第２の活性化表面（１１５）が、第１の活性化回路（１１４）に対して垂直に方位付けされたことを特徴とする、第２のダイ（１０４）と、
第２のアプリケーション・エレクトロニクス（１１０）から第２の活性化表面（１１５）と隣接している第２のダイ（１０４）の側面インタフェースまで伸びている複数の電気的接続（１１８）であって、第２のダイ（１０４）の側面インタフェースが第１の活性化表面（１１４）と同一平面上であることを特徴とする、複数の電気的接続（１１８）と、
複数の電気的接続（１１８）と第１の活性化表面（１１４）との間に少なくとも一つの電気的相互接続と、
を有することを特徴とする方向センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  磁力計が、方向情報を提供するためにポータブル電子デバイスにおいて使われる。この種のデバイス内部の物理的なスペースが小さいので、したがって、それらが使用される磁力計は大きさに制限がある。このように、非常に小型センサが組み立てられることができるので、集積回路磁力計が使われる。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  集積回路磁力計の１つの限界は、３次元センサが単一のダイに現在組み立てられることができないということである。その代わりに、別々のセンサダイは、直交して配置されなければならず、３次元センサデバイスを形成するために一緒に組み立てられなければならない。一般的に、その活性化回路が非回転ダイに対して垂直であるように、この装置はダイのうちの少なくとも１つが回転することを必要とする。これは各々に対して垂直である表面を電気的に接続する必要があり、それは現在のむずかしくて高価な技術である。
【０００３】
[0003]  上で述べた理由に関し、および、当業者が本願明細書を読んで理解するために以下に述べる他の理由に関し、３次元センサための改良されたシステムと方法用の技術の必要性がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
[0004]  本発明の実施形態は、直交するダイを接続させるための方法および装置を提供し、以下の詳細な説明を読み、研究することによって理解される。
[0005]  ある実施形態では、マルチ軸センサを製造する方法であって、
第１のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第１の活性化表面を有する第１のダイを製作するステップと、
第２のアプリケーション・エレクトロニクスを有する第２の活性化表面、および、第２のアプリケーション・エレクトロニクスから第２の活性化表面と隣接している第２のダイの側面インタフェースまで伸びる少なくとも一つの電気的接続を有する第２のダイを製造するステップと、
第１の活性化表面と同一平面上の側面インタフェースを整列配置するステップと、
複数の電気的接続と第１の活性化表面との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップと
を有する。
【０００５】
[0006]  現在の開示の実施形態は、好ましい実施形態および以下図の説明を考慮して、より容易によく理解され、更なる効果および用途ついてより直ちに明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】[0007]  図１は、ある実施形態によるセンサを例示しているブロック図である。
【図２】[0008]  図２は、本発明のある実施形態によるセンサの製造を例示するブロック図である。
【図３】[0009]  図３は、本発明のある実施形態によるセンサを例示するブロック図である。
【図４】[0010]  図４は、本発明のある実施形態によるセンサを例示するブロック図である。
【図５ａ】[0011]  図５ａは、本発明のある実施形態の取付面上のセンサの取付けを例示するブロック図である。
【図５ｂ】[0011]  図５ｂは、本発明のある実施形態の取付面上のセンサの取付けを例示するブロック図である。
【図６】[0012]  図６は、本発明のある実施形態の方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
[0013]  一般的な慣行によれば、種々の記載されている特徴は、一定の比率で描かれず、典型的な実施形態に関連する特定の特徴を強調するように描かれる。図面およびテキストを通して同じエレメントには同じ参照番号が用いられる。
【０００８】
[0014]  以下の詳細な説明において、例示の特定の実施形態によって示され、本願発明の一部を形成する図面を参照して、本願発明を説明する。しかし、他の実施形態が利用されることができ、論理的、機械的および電気的な変更が可能であることができ得る。さらに、図面および明細書に示される方法は、個々の行為が実行されることができるオーダーを限定するように解釈されない。したがって、以下の詳細な説明は、限定的に解釈されない。
【０００９】
[0015]  本発明の実施形態は、垂直方向のセンサダイから垂直方向のセンサの側面の方へ接続インタフェースを延長することによって、直交して方位付けされたセンサダイを電気的に接続する必要性について述べる。垂直に取り付けたセンサダイの側面は、水平に方位付けられたセンサから成る水平表面に合わせられる。垂直方向のセンサの側面上の接続インタフェースは、水平に方位付けられたセンサの水平表面に接続されている。後で詳しく述べるように、垂直方向のセンサの側面も有する水平に方位付けられたセンサの表面を整列配置することは、他の構成要素（例えばプリント回路基板（PCB）または他の電子デバイス）へのセンサの取付けを容易にする。
【００１０】
[0016]  図１は、多数の軸に沿ってアプリケーションを実行するためのアプリケーション・エレクトロニクスを含む集積回路デバイスを例示する線図である。すなわち、アプリケーション・エレクトロニクスは、複数の軸に沿って感知するセンサを含む。図１に図示した実施形態では、集積回路センサデバイス100は、ｙ軸120、ｘ軸122およびｚ軸124に沿って感知する。ある実施形態では、センサデバイス100は、磁場の構成要素を測定することができる磁気センサから成る。かかる実施形態では、センサデバイス100は、磁場を測定するために様々な磁気検知技術の一つ以上を利用する。例えば、センサデバイス100は、異方性磁気抵抗（AMR）センサ、巨大磁気抵抗（GMR）センサ、トンネリング磁気抵抗（TMR）センサ、磁気インピーダンス（MI）センサなどを使用して磁場を感知することができる。他の実施形態では、アプリケーション・エレクトロニクスは、慣性または回転センサのような他のセンサ機能を提供する。
【００１１】
[0017]  図１に示すように、センサデバイス100は、水平に方位付けられた活性化表面114から成る第１のダイ102、および、垂直方向の活性化表面115から成る第２のダイ104を含む。本願明細書において用いられる用語「水平」および「垂直」は、センサデバイス100が載置されるベースに関して、ダイ102およびダイ104の活性化表面領域が互いに直交して配置されることを示す。
【００１２】
[0018]  ある実施形態では、ダイ102は、活性化表面114に作られる少なくとも一つのアプリケーション・センサ116を有する集積回路ダイとして製造される。図１の特定の実施形態では、アプリケーション・センサ116は、２本の直交軸（ｘ軸122およびｙ軸120）に沿って感知する平面方向（面内）のセンサを備える。すなわち、アプリケーション・センサ116は、活性化表面114の平面にある方向の感覚に有能なだけである。活性化表面114を含んでいる平面に対して直角である磁場の構成要素を感知することが可能ではない。ダイ104はまた、活性化表面115に作られる少なくとも一つのアプリケーション・センサ110を有する集積回路として製造される。アプリケーション・センサ116のように、アプリケーション・センサ110はまた、活性化表面の平面に形成される。アプリケーション・センサ110は、センサ116によって感知される２つの軸に対して直角である少なくとも一つの軸に沿って、感知するように方位付けされる。別の実施形態では、アプリケーション・センサ116は、（例えば、ｘ軸122のような）単一の軸をに沿って感知し、アプリケーション・センサ110は、他の２つの直交軸（例えば、ｙ軸120およびｚ軸124）に沿って感知する。
【００１３】
[0019]  活性化表面115は、アプリケーション・センサ110の製造中に水平に方位付けされる。次いで、ダイ１０２およびダイ１０４がウェハ再構築を通じて一緒に組み立てられるとき、活性化表面115の平面が活性化表面114の平面と直角をなすように、ダイ１０４は回転する。例えば、水平アプリケーション・センサ116が、水平活性化表面114の平面のｙ軸120およびｘ軸122に沿って感知するとき、ダイ１０４は、垂直アプリケーション・センサ110が、垂直活性化表面115の平面のｚ軸124に沿って感知するように回転する。このように、単一のウェハを形成するためにアプリケーション・センサ110をアプリケーション・センサ116と結合することにより、センサデバイス100が３つの直交軸（例えば、ｙ軸120、ｘ軸122および、ｚ軸124）に沿って感知することができる。
【００１４】
[0020]  ダイ１０４が回転したあと、結合手段は、ダイ１０４をダイ１０２に結合する。結合手段は、ポリフィル（poly-fill）、または、他の集積回路結合手段を含むことができる。ダイ１０２にダイ１０４を結合することによって、センサ100は、３つの直交軸に沿って方向を感知することができる単一の再構築されたウェハになる。ある実施形態では、活性化表面115は、ダイ１０２の垂直側面112に結合される。別の実施形態では、ダイ１０４のいかなる側も垂直側部面112に結合されることができ、活性化表面115は、活性化表面314に対して直交方位に維持される。
【００１５】
[0021]  アプリケーション・センサ110をアプリケーション・センサ116に電気的に接続するために、ダイ１０４は、アプリケーション・センサ110からダイ１０４の水平面インタフェース128の方へ伸びる複数の垂直の電気的接続118を含む。図１に示すように、側面128および活性化表面114が同じ平面内で整列配置されるように、側面インタフェース128は活性化表面114に配置される。次いで、相互接続119は、ダイ１０４上の垂直電気的接続118とダイ１０２の活性化表面114上のアプリケーション・センサ116との間のセンサ100に形成される。ある実施形態では、相互接続119は、側面インタフェース128および活性化表面114と同じ平面にあるように作られる。複数のボンディングパッド126は、センサ100を他の装置（例えばプリント回路基板または他の集積回路）と相互接続するように表面114に提供される。
【００１６】
[0022]  図２は、図１にて説明したように、センサデバイス100を組み立てる方法を例示する線図である。複数の単一の軸のセンサは、（250で示すような）第１のウェハの上に形成され、複数の２軸センサは、（260で示すような）第２のウェハの上に形成される。２つのウェハは、上で議論される技術のいずれに基づいてもよい。第１のウェハは、単一の軸センサダイの行および列に第１のウェハをソーイングすることにより、（252で示される）個々の単一の軸センサダイに個別化される。第１のウェハの個別化もまた、垂直の電気的接続118を露出させる。第２のウェハは、２軸センサダイの行および列に第２のウェハをソーイングすることによって、（262で示される）個々の２軸センサダイに個別化される。254で示すように、個々の単一の軸センサダイは、活性化表面が垂直方向であるように、回転する。図１に戻って参照すると、ダイ１０４は、センサ110から側面インタフェース128まで伸びている垂直電気的接続118で示される。単一の軸のセンサダイの回転もまた、各々のダイのための側面インタフェース128を整列配置するのに役立ち、その結果、それらのそれぞれの垂直電気的接続118が、264で示すように非回転２軸センサダイの活性化表面114によって形成される平面に配置される。
【００１７】
[0023]  個々のシングルの軸センサダイおよび個々の非回転２軸センサダイは、再構築されたウェハを形成するために互いに結合される。ウェハが再構築されるとき、ウェハ・レベル・プロセスのパフォーマンスが、個々の単一の軸センサダイを個々の２軸センサダイに電気的に接続する。これは、270で例示される。ある実施形態では、垂直電気的接続118は、メタライゼーション層への接続のための接続118を準備するために研磨される。接続118が研磨されるとき、絶縁層は、再構築されたウェハの上に堆積され、ボンディングパッド126および118に接触を形成するためのパターンが絶縁層にエッチングされる。電気的接続を形成するために、メタライゼーション層は側面インタフェースおよび第１の活性化表面の上に堆積され、絶縁層にエッチングされる接触間に電気的接続を形成する。メタライゼーション層が堆積するとき、他のパターンはメタライゼーション層の一部を除去し、第１のダイ102と第２のダイ104と間の電気的接続の形成を完了させるためにメタライゼーション層にエッチングされる。次いで、結果として生じる３軸センサは、（272で示される）個々のセンサに分離される。
【００１８】
[0024]  実施形態によっては、ダイは最終的なセンサデバイスによって占められるスペースの量を減らすバックグラウンドである。例えば、オペレーションのために不必要な材料は、回転されるダイの減少する寸法に結果としてなる（223で示される）第１のウェハから作り出されるダイの底面からの背景である。更に、不必要な材料は、ダイ１０４の高さに合致するために（233で示される）第２のウェハの底面から除去される。
【００１９】
[0025]  図３は、３つ単一軸のウェハが、３本の直交軸に沿って感知することができるセンサデバイス300を形成するために一緒に結合される、（全体的に３００で示される）３つの軸センサデバイスの他の実施形態を例示している図である。センサデバイス300は、第１のダイ302、第２のダイ304および第３のダイ306を含む。
【００２０】
[0026]  ダイ302は、水平に方位付けられた活性化表面314、および、活性化表面314に作られるアプリケーション・センサ316を含む。アプリケーション・センサ316は、活性化表面314によって形成される平面の中にある軸に沿って感知することができる。例えば、図３に示すように、活性化表面314によって形成される平面は、ｙ軸320およびｘ軸322を含む。したがって、活性化表面314に横たわるアプリケーション・センサ316は、ｘ軸322、ｙ軸320、もしくは、ｘ軸322およびｙ軸320の平面の他の軸に沿って感知することができる。
【００２１】
[0027]  第２のダイ304は、側面インタフェース328上に形成された電気的接続318、および、垂直方向の活性化表面315上に形成されるアプリケーション・センサ310を含む。アプリケーション・センサ310が、活性化表面315にあるとき、アプリケーション・センサ310が活性化表面315を含んでいる平面において感知する。図３に示すように、活性化表面315は、ｚ軸324およびｙ軸320によって形成される平面にある。アプリケーション・センサ310が、平面の中の感覚は、活性化表面315によって形成される面内で感知するとき、アプリケーション・センサ310は、ｚ軸324、ｙ軸320、または、ｚ軸324およびｙ軸320の組合せに沿って感知することができる。
【００２２】
[0028]  第３のダイ306は、垂直方向の活性化表面313の上に形成されるアプリケーション・センサ311、および、側面インタフェース330に形成された電気的接続317を含む。アプリケーション・センサ311が活性化表面313にあるので、アプリケーション・センサ311は、活性化表面313を含む平面において感知する。図３に示すように、活性化表面313は、ｚ軸324およびｙ軸320によって形成される平面にある。アプリケーション・センサ311が活性化表面313を含む平面内で感知するので、アプリケーション・センサ311は、ｚ軸324、ｙ軸320、または、ｚ軸324およびｙ軸320の組合せに沿って感知することができる。全ての３次元の感度を提供するために、アプリケーション・センサ316によって感知される軸に加えて、アプリケーション・センサ310によって感知される軸に対して直角であると軸に沿って、アプリケーション・センサ311は、感知する。センサ310、311および316は、図１に関して上記したセンサ技術のいずれかを利用する。
【００２３】
[0029]  第２のダイ304および第3のダイ306は、図2に関して上記の通りに同様の方法で第１のダイ302に結合される。ダイ304および306がダイ302に結合されるとき、側面インタフェース328および側面インタフェース330が活性化表面314に合わせられるように、それらはダイ302に関して配置される。側面インタフェース328が活性化表面314に合わせられるとき、接続318は相互接続319を介して活性化表面314に接続している。側面インタフェース330が、活性化表面314に合わせられるとき、接続317は相互接続321を介して活性化表面314に接続している。整列配置された表面の相互接続が、単一の平坦面に作られる相互接続319および321を許容する。
【００２４】
[0030]  図３は、ダイ302の対向する側に結合されるダイ304およびダイ306を例示するけれども、他の実施形態では、それらは、ダイ302の隣接した側にとどまり、その結果、活性化表面315および活性化表面313が互いに対して直角の平面にある。
【００２５】
[0031]  図４は、３つのシングルの軸ウェハが3本の直交軸に沿って感知することができるセンサデバイス400を形成するために結合される（全体的に400で示される）３つの軸センサデバイスの他の実施形態を例示している図である。センサデバイス400は、第１のダイ402、第２のダイ404および第３のダイ406を含む。３つの単一の軸のウェハの使用により、３つの同じく設計されたデバイスを使用している３つの軸のウェハの形成を可能にする。
【００２６】
[0032]  第１のダイ402は、活性化表面414に作られたアプリケーション・センサ416および第１の水平に方位付けられた活性化表面414を含む。アプリケーション・センサ416は、活性化表面414によって形成される平面内にある軸に沿って感知することができる。例えば、図４に示すように、活性化表面414によって形成される平面は、ｙ軸420およびｘ軸422を含む。したがって、活性化表面414に横たわるアプリケーション・センサ416は、ｘ軸422、ｙ軸420、もしくは、ｘ軸422およびｙ軸420の平面の他の軸に沿って感知する。
【００２７】
[0033]  第３のダイ406は、第１のダイ402と類似し、第２の水平に方位付けられた活性化表面413、および、活性化表面413に作られるアプリケーション・センサ411を含む。アプリケーション・センサ411は、活性化表面413によって形成される平面内にある軸に沿って感知することができる。例えば、図４に示すように、活性化表面413によって形成される平面は、ｙ軸420およびｘ軸422を含む活性化表面414を含む同じ平面である。したがって、活性化表面413に横たわるアプリケーション・センサ411は、ｘ軸422、ｙ軸420、または、ｘ軸422およびｙ軸420のの平面の他の軸に沿って感知する。更に、センサ411は、センサ416によって感知される軸に対して直角である軸において感知する。例えば、センサ416がｙ軸420に沿って感知するとき、センサ411はｘ軸422に沿って感知する。また、第３のダイ406は、第１のダイ406の側面に結合され、上記の通りにウェハ・プロセスを介して第１のダイ406に電気的に接続される。
【００２８】
[0034]  第２のダイ404は、垂直方向の活性化表面415の上に形成されるアプリケーション・センサ410と、側面インタフェース428に形成された電気的接続418を含む。アプリケーション・センサ410が、活性化表面415にあるとき、アプリケーション・センサ410は、活性化表面415を含んでいる平面において感知する。図４に示すように、活性化表面415は、ｚ軸424およびｙ軸420によって形成される平面にある。アプリケーション・センサ410が、活性化表面415によって形成された平面内で感知されるので、アプリケーション・センサ410は、ｚ軸424、ｙ軸420、または、ｚ軸424およびｙ軸420の組合せに沿って感知する。第２のダイは、図2に関して上記の通り同様の方法で第１のダイ402または第3のダイ406に結合される。ダイ404、406および402が再構築されたウェハを形成するために接合されるときに、側面インタフェース428は活性化表面414および413に合わせられる。側面インタフェース428が、活性化表面414および413に合わせられるとき、接続418は、相互接続419を介して活性化表面414または活性化表面413に接続される。
【００２９】
[0035]  図5a-bは、センサデバイスの取付けを例示する。図5aにおいて、センサデバイス500aは、取付表面550に結合されて、ワイヤーボンディング540を介して取付表面550に電気的に接続される。例えば、センサデバイス500aのベースは、取付表面550に結合され、センサデバイス500aは、図1のセンサデバイス100、図3のセンサデバイス300または図4のセンサデバイス400と同様に機能する。取付面550は、プリント回路基板（PCB）または他の表面でありえる。センサデバイス500aを取付表面550に接続するために、導線は、センサデバイス500aの水平活性化表面にあるボンディングパッドに結合される。ボンディングパッドは、ボンディングパッド126として図1に示される。導線が、センサデバイス500aの水平活性化表面にあるボンディングパッドに結合されるとき、導線は取付面550に接続される。
【００３０】
[0036]  別の実施形態では、図5bは、取付表面550に接続され、フリップチップ接続445を介して取付表面550に電気的に結合されるセンサデバイス500bを例示する。例えば、センサデバイス500bの水平活性化表面は、取付表面550に直接接続されることができる。センサデバイス500bの水平活性化表面が、取付表面550に直接接続するとき、センサデバイス500bの水平活性化表面にあるボンディングパッドは、取付表面550に直接結合される。
【００３１】
[0037]  図６は、マルチ軸センサを組み立てるために第１のダイを第２のダイに電気的に接続する方法600を例示している工程系統図である。方法は、第１のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第１の活性化表面を有する第１のダイを製造するステップ602から始まる。第１のアプリケーション・エレクトロニクスは、第1の活性化表面の平面内に横たわる少なくとも一つの方向の軸線に沿って感度が高い測定機能を実行するように設計されている。例えば、ある実施形態では、アプリケーション・エレクトロニクスは、単一の軸または２軸磁気センサから成る。
【００３２】
[0038]  方法は、第２のアプリケーション・エレクトロニクスを有する第２の活性化表面、を有する第２のダイ、および、第２のアプリケーション・エレクトロニクスから第２の活性化表面と隣接している第２のダイの側面インタフェースまで伸びる複数の電気的接続を製造するステップ604へ進む。第１のダイと同様に、アプリケーション・エレクトロニクスは、第１の活性化表面の平面内に位置する少なくとも一つの方向軸線に沿って、感度が高い測定機能を実行するように設計される。ある実施形態では、第２のアプリケーション・エレクトロニクスは、単一の軸か２軸磁気センサから成る。側面上のインタフェースは、第２のアプリケーション・エレクトロニクスと相互接続する複数の電気的接続へのアクセスを提供する。
【００３３】
[0039]  方法は、第１の活性化表面と同一平面上の側面インタフェースを整列配置するステップ606へ進む。例えば、第２のダイの側面インタフェースが、第１の活性化表面と整列配置し、第１の活性化表面および側面は同じ平面の中にあるように、第２のダイは回転する。ある実施形態では、第１の活性化表面と同一平面上にある側面を整列配置することで、第２のダイを更に回転させ、その結果、第１の活性化表面が、第１の活性化表面に関して直交して方位づけされるように構成されている。
【００３４】
[0040]  方法は、複数の電気的接続と第１の活性化表面との間の少なくとも一つの電気的接続を形成するステップ608へ進む。電気的接続を形成することは、ウェハ・レベル・プロセスを使用して実行される。ある実施形態では、電気的接続を形成することは、メタライゼーション層に接続するためのインタフェースを準備するために側面上でインタフェースを研磨することを含む。側面が研磨されるとき、絶縁体層は、再構成されたウェハの上に堆積され、ボンディングパッドに接触を形成するためのパターンは、絶縁体層にエッチングされる。電気的接続を形成するために、メタライゼーション層は、接触を接続するために側面インタフェースおよび第1の活性化表面の上に堆積する。
【００３５】
[0041]  ある実施形態では、第２の活性化表面が、第１のダイの垂直側面に接着されるように、第１のダイはポリフィル（poly-fill）を有する第２のダイに結合される。ある実施形態では、方法は、第１のダイおよび第２のダイをプリント回路基板に載置することを更に含む。図3および4に関して言及したように、いくつかの別の実施形態では、方法は、３つの独立した単一の軸のセンシングダイを利用することを含む。そのような実施形態では、方法は、第３のダイを製造することを更に含み、第３のダイは第３のアプリケーションを有する第3の活性化表面から成る。
【００３６】
例示の実施形態
[0042]  実施形態１は、マルチ軸センサを製造する方法であって、該方法は、
第１のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第１の活性化表面を有する第１のダイを製作するステップと、
第２のアプリケーション・エレクトロニクスを有する第２の活性化表面、および、第２のアプリケーション・エレクトロニクスから第２の活性化表面と隣接している第２のダイの側面インタフェースまで伸びる少なくとも一つの電気的接続を有する第２のダイを製造するステップと、
第１の活性化表面と同一平面上の側面インタフェースを整列配置するステップと、
複数の電気的接続と第１の活性化表面との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップと
を有することを特徴とする。
【００３７】
[0043]  実施形態２は、実施形態１の方法を含み、少なくとも一つの電気的接続を形成するステップが、ウェハ・レベル・プロセスを実行するステップを有することを特徴とする。
【００３８】
[0044]  実施形態３は、実施形態２の方法を含み、ウェハ・レベル・プロセスを実行するステップは、
側面インタフェースを研磨するステップと、
マルチ軸センサの表面の上に絶縁層を堆積させるステップと、
絶縁層を第１のパターンでエッチングするステップと、
マルチ軸センサの表面の上にメタライゼーション層を堆積させるステップと、
メタライゼーション層を第２のパターンでエッチングするステップ
のうちの少なくとも１つから成ることを特徴とする。
【００３９】
[0045]  実施形態４は実施形態1〜3のいずれかの方法を含み、第１の活性化表面と同一平面上の側面インタフェースを整列配置するステップが更に、第２の活性化表面が、第１の活性化表面に対して直交して方位づけされるように、第２のダイを回転させるステップを有することを特徴とする。
【００４０】
[0046]  実施形態５は、実施形態1〜4のいずれかの方法を含み、第１のアプリケーション・エレクトロニクスおよび第２のアプリケーション・エレクトロニクスが更に各々、平面方向の（面内）磁気センサから成ることを特徴とする。
【００４１】
[0047]  実施形態６は、実施形態５の方法を含み、第１のアプリケーション・エレクトロニクスは、２軸磁気センサから成る。
[0048]  実施形態７は、実施形態1〜6のいずれかの方法を含み、第２のダイの第２の活性化表面を第１のダイに結合するステップを更に含む。
【００４２】
[0049]  実施形態８は、実施形態1〜7のいずれかの方法を含み、該方法が、
第３のダイを製造するステップであって、第３のダイが、第３のアプリケーション・エレクトロニクスを有する第３の活性化表面と、第２の複数の電気的接続とを有することを特徴とするステップと、
第１の活性化表面および第３の活性化表面との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップと
をさらに有することを特徴とする。
【００４３】
[0050]  実施形態９は、実施形態1〜8のいずれかの方法を含み、第１のダイおよび第２のダイの一方または両方をバックグラインド（backgrinding）することを更に含む。
[0051]  実施形態10は、実施形態1〜9のいずれかの方法を含み、マルチ軸センサをプリント回路基板に載置することを更に含む。
【００４４】
[0052]  実施形態11は、方向センサ装置を含み、該装置が、
第１のアプリケーション・エレクトロニクスを備える第１の活性化表面と、
第１のダイに結合された第２のダイであって、該第２のダイが、第２のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第２の活性化表面を包含し、第２の活性化表面が、第１の活性化回路に対して垂直に方位付けされたことを特徴とする、第２のダイと、
第２のアプリケーション・エレクトロニクスから第２の活性化表面と隣接している第２のダイの側面インタフェースまで伸びている複数の電気的接続であって、第２のダイの側面インタフェースが第１の活性化表面と同一平面上であることを特徴とする、複数の電気的接続と、
複数の電気的接続と第１の活性化表面との間に少なくとも一つの電気相互接続と
を有することを特徴とする。
【００４５】
[0053]  実施形態12は、実施形態11の装置を含み、第１のアプリケーション・エレクトロニクスおよび第２のアプリケーション・エレクトロニクスは各々、平面方向の（面内）磁気センサから更に成る。
【００４６】
[0054]  実施形態13は、実施形態12の装置を含み、第１のアプリケーション・エレクトロニクスは２軸磁気センサから成る。
[0055]  実施形態14は、実施形態12-13のいずれかの装置を含み、第２のアプリケーション・エレクトロニクスは２軸磁気センサから成る。
【００４７】
[0056]  実施形態15は、実施形態11〜14のいずれかの装置を含み、第１のダイは、第１のダイに第２のダイの第２の活性化表面を結合することによって第２のダイに結合される。
【００４８】
[0057]  実施形態16が、実施形態11〜15のいずれかの装置を包含し、
少なくとも一つの電気的接続が、側面インタフェースおよび第１の活性化表面の上に堆積するメタライゼーション層とを備える。
【００４９】
[0058]  実施形態17は、実施形態11〜16のいずれかの装置を含み、
第１のダイに結合される第３のダイであって、該第３のダイが第３のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第３の活性化表面を包含することを特徴とする、第３のダイと、
第３の活性化表面と第１の活性化表面との間の少なくとも一つの電気的相互接続と
を更に有することを特徴とする。
【００５０】
[0059]  実施形態18は、複数の軸を感知するための装置を含み、該装置が、
第１の活性化表面を有する第１のダイと、
第２の活性化表面を包含する第２のダイであって、第１の活性化表面および第２の活性化表面が、互いに対して直交する平面内に包含されることを特徴とする、第２のダイと、
第２の活性化表面に各々結合する複数の電気的接続を含んでいる接続側面インタフェースと、
第２のダイを第１のダイに結合する結合材料と、
第１の活性化表面に複数の電気的接続の間に形成された少なくとも一つの電気相互接続と、
を有することを特徴とする。
【００５１】
[0060]  実施形態19は、実施形態18の装置を含み、第１のアプリケーション・エレクトロニクスおよび第２のアプリケーション・エレクトロニクスは各々、平面方向の（面内）磁気センサから更に成り、
第１のアプリケーション・エレクトロニクスおよび第２のアプリケーション・エレクトロニクスが一緒に３つの直交軸上の磁場を感知することを提供する。
【００５２】
[0061]  実施形態20は、実施形態18-19のいずれかの装置を含み、少なくとも一つの電気相互接続が、ウェハ・レベル・プロセスを使用して形成されることを特徴とする。
[0062]  特定の実施形態を例示し、本願明細書において記載してきたけれども、同じ目的を達成するために算出されるいかなる装置も特定の図示した実施形態と置換されることができることは当業者によって認められる。したがって、本発明が特許請求の範囲およびそれの均等の範囲だけによって制限されることは明白に企図される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
2012255785.tif 000008
【図６】
2012255785.tif 000009
【外国語明細書】
2012255785000001.pdf