(57)【要約】 【課題】一度のモード変換で半導体回路チップからポストウォール導波路に高周波信号を伝播できる安価なミリ波の高周波変換回路を提供すること。【解決手段】高周波変換回路は、導波路基板と、導波路基板上に実装され、高周波信号を出力する半導体回路チップと、導波路基板上に設けられ、高周波信号を導くための導波路を形成する２列に配列された複数の導通ポストと、半導体回路チップと導波路との間を接続され、半導体回路チップから出力された高周波信号をモード変換して導波路に導くための線状の伝送線路と、導波路基板に設けられ、半導体回路チップから出力された高周波信号が伝送線路を通って導波路に伝送される際に発生する高周波電流の経路を遮る開口とを具備し、開口と伝送線路とを電磁気的に結合させる。【選択図】図１
2012213146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導波路基板と、
前記導波路基板上に実装され、高周波信号を出力する半導体回路チップと、
前記導波路基板上に設けられ、前記高周波信号を導くための導波路を形成する２列に配列された複数の導通ポストと、
前記半導体回路チップと前記導波路との間を接続され、前記半導体回路チップから出力された前記高周波信号をモード変換して前記導波路に導くための線状の伝送線路と、
前記導波路基板に設けられ、前記半導体回路チップから出力された前記高周波信号が前記伝送線路を通って前記導波路に伝送される際に発生する高周波電流の経路を遮る開口と、
を具備し、
前記開口と前記伝送線路とを電磁気的に結合させることを特徴とする高周波変換回路。
【請求項２】
前記開口は、少なくとも長方形状、曲線状、円形状、矩形状、屈曲状又は湾曲状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の高周波変換回路。
【請求項３】
前記開口は、前記高周波電流の経路を遮る方向の長さが前記高周波信号の中心周波数における波長の略半分に形成されていることを特徴とする請求項２記載の高周波変換回路。
【請求項４】
前記開口は、前記高周波電流の経路を遮る方向の長さが前記高周波信号の中心周波数における波長の略半分の整数倍に形成されていることを特徴とする請求項２記載の高周波変換回路。
【請求項５】
前記開口は、当該開口の中心を前記導波路の幅方向の中心と略一致して設けられることを特徴とする請求項２記載の高周波変換回路。
【請求項６】
前記開口は、前記導波路の幅方向に対して前記長方形状の長手方向を所定の角度に傾斜させて設けられることを特徴とする請求項２記載の高周波変換回路。
【請求項７】
前記開口は、前記所定の角度として６０°以下であることを特徴とする請求項６記載の高周波変換回路。
【請求項８】
前記開口は、前記導波路の幅方向の中心位置から所定の距離離なれて設けられることを特徴とする請求項２記載の高周波変換回路。
【請求項９】
前記線状の伝送線路は、ボンディングワイヤを有することを特徴とする請求項１記載の高周波変換回路。
【請求項１０】
前記ボンディングワイヤは、前記開口の周囲の前記導波路基板上に接続されることを特徴とする請求項１記載の高周波変換回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、例えば半導体回路チップから出力された高周波信号をモード変換して導波路に導く高周波変換回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば自動車レーダなどの高周波の電磁波を信号（以下、高周波信号と称する）として取り扱うシステムがある。同システムは、高周波信号を発生して増幅する例えば半導体回路チップ等の素子と、この素子から出力される高周波信号を受信するアンテナとを備える。同システムでは、素子とアンテナとを結ぶ信号線路を実現する際に、どのように高周波信号を伝播させるかという課題がある。
【０００３】
通常、周波数１８［ＧＨｚ］程度までの電磁波を取り扱う場合、素子とアンテナとを結ぶ信号線路としては、任意の絶縁体上に金属パターンを形成して実現される例えばマイクロストリップ線路やコプレーナ線路等の線路構造が用いられている。  
周波数１８［ＧＨｚ］を超える周波数帯域では、半導体回路チップ等の素子を実装する基板上から信号エネルギの一部が中空に放射するために、高周波信号の伝送特性が著しく劣化する。
【０００４】
従って、高周波信号のエネルギが中空に放射されないポスト壁導波路（誘電体導波管：以下、ポストウォール導波路と称する）が用いられている。ポストウォール導波路の構造は、絶縁基板に２つのグランド層を対向配置し、各グランド層間に複数のヴィアホールを並行に２列配列し、グランド層と２列のヴィアホールとによって囲まれた絶縁基板内の領域を導波路と等価の伝送線路に形成している。
【０００５】
ポストウォール導波路と半導体回路チップとを接続するには、ポストウォール導波路と半導体回路チップと間をボンディングワイヤにより接続する。通常、絶縁基板上には、マイクロストリップライン若しくはコプレーナラインがパターン形成されている。マイクロストリップライン若しくはコプレーナラインには、インピーダンス整合回路が装荷される。このような構成であれば、ボンディングワイヤの誘導性を例えば５０Ωの特性インピーダンスに整合した伝送線路とし、当該５０Ωの伝送線路からポストウォール導波路へのモード変換が行なわれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３４０３１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
半導体回路チップから出力された高周波信号を、ボンディングワイヤの伝送モードを一度マイクロストリップライン若しくはコプレーナライン等の平面回路にモード変換し、その後、ポストウォール導波路での伝送モードに変換する構造では、２度のモード変換が必要になり、この２度のモード変換損失によってミリ波信号の伝送特性が劣化してしまう。  
解決しようとする課題は、一度のモード変換で半導体回路チップからポストウォール導波路に高周波信号を伝播できる安価なミリ波の高周波変換回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態によれば、導波路基板と、前記導波路基板上に実装され、高周波信号を出力する半導体回路チップと、前記導波路基板上に設けられ、前記高周波信号を導くための導波路を形成する２列に配列された複数の導通ポストと、前記半導体回路チップと前記導波路との間を接続され、前記半導体回路チップから出力された前記高周波信号をモード変換して前記導波路に導くための線状の伝送線路と、前記導波路基板に設けられ、前記半導体回路チップから出力された前記高周波信号が前記伝送線路を通って前記導波路に伝送される際に発生する高周波電流の経路を遮る開口とを具備し、前記開口と前記伝送線路とを電磁気的に結合させる高周波変換回路である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】高周波変換回路の第１の実施形態を示す外観構成図。
【図２】同変換回路を横方向から見た外観図。
【図３】同変換回路における導波路を示す概略構成図。
【図４】同変換回路におけるモード変換回路を示す拡大構成図。
【図５】同変換回路におけるポストウォール導波路の導体表面電流の流れの３次元電磁界シミュレータの結果を示す図。
【図６】同変換回路による周波数に対する伝送特性及び反射特性を示す図。
【図７】高周波変換回路の第２の実施形態を示す構成図。
【図８】高周波変換回路の第３の実施形態を示す構成図。
【図９】高周波変換回路の第４の実施形態を示す構成図。
【図１０】高周波変換回路の第５の実施形態を示す構成図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［第１の実施の形態］  
以下、第１の実施の形態について、図面を参照して説明する。  
図１乃至図３は高周波変換回路の構成図を示す。図１は外観図を示す。図２は同高周波変換回路を横方向から見た外観図を示す。  
高周波変換回路は、導波路基板としてのミリ波インターポーザ基板Ａを含む。ミリ波（ミリメートル波）は、波長１ｍｍ〜１ｃｍの電磁波、周波数では３０〜３００ＧＨｚに対応する。ミリ波インターポーザ基板Ａは、２枚のグラウンド層１、２と絶縁基板５とを含む。各グラウンド層１、２は、互いに対向配置されている。各グラウンド層１、２は、それぞれ導体により成る。各グラウンド層１、２の間には、絶縁基板５が設けられる。絶縁基板５は、単層樹脂基板等から成る。
【００１１】
各グラウンド層１、２の間には、導通ポストとしての複数のヴィアホール６が並行に２列配列されている。各ヴィアホール６と各グラウンド層１、２とにより囲まれた領域によって伝送線路（以下、ポストウォール導波路と称する）７が形成されている。ポストウォール導波路７は、高周波信号を導くための導波路と等価の伝送線路である。
【００１２】
図３はポストウォール導波路７の概略構成図を示す。ポストウォール導波路７は、互いに並行に配列された各ヴィアホール６の各列間に高周波信号の伝送路８が形成される。図１に示すように各ヴィアホール６の各列間には、インピーダンス整合用の複数のヴィアホール９が設けられている。グラウンド層２には、図２に示すように接続回路１０が設けられている。接続回路１０は、ポストウォール導波路７とアンテナ給電口とを導波路で接続する。
【００１３】
グラウンド層１上には、半導体回路チップ（ミリ波ＭＭＩＣ）１１が実装されている。半導体回路チップ１１は、ミリ波の高周波信号を出力する。  
半導体回路チップ１１の出力端子とグラウンド層１上との間は、ボンディングワイヤ１２による高周波信号−接地伝送線路を実現するために、線状の伝送線路としてのボンディングワイヤ１２が接続されている。ボンディングワイヤ１２は、半導体回路チップ１１の出力端子（電極端子）とグラウンド層１上との間をボンディングによって接続する。ボンディングワイヤ１２は、半導体回路チップ１１から出力された高周波信号をモード変換してポストウォール導波路７に導く。
【００１４】
モード変換は、半導体回路チップ１１から出力された高周波信号のモードをポストウォール導波路７で伝送するためのモードに変換する。かかる構成であれば、ボンディングワイヤ１２を介して半導体回路チップ１１の出力端子とグラウンド層１上との間には、モード変換回路１３が形成される。
【００１５】
図４はモード変換回路１３の拡大構成図を示す。モード変換回路１３におけるボンディングワイヤ１２は、１本のミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａと、２本のグランド用ボンディングワイヤ１２ｂ、１２ｃとを含む。ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａは、２本のグランド用ボンディングワイヤ１２ｂ、１２ｃの間に配置されている。ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａは、半導体回路チップ１１の出力端子（電極端子）に接続されている。ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａは、半導体回路チップ１１から出力された高周波信号を伝送する。２本のグランド用ボンディングワイヤ１２ｂ、１２ｃは、グラウンド［０Ｖ］されている。半導体回路チップ１１は、ダイマウント用のペースト１４によってグラウンド層１上に実装されている。
【００１６】
グラウンド層１には、凹型状のモード変換用開口１５が設けられている。モード変換用開口１５は、半導体回路チップ１１から出力された高周波信号がミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを通ってポストウォール導波路７に伝送される際に発生する高周波電流の経路を遮り、ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａに生じる高周波信号の伝送モードの不連続を吸収する。これにより、モード変換回路１３は、モード変換用開口１５の外囲の導体層にミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを接続することにより、モード変換用開口１５とミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａとによる伝送線路を電磁気的に結合させる。
【００１７】
ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａは、例えば図４に示すように半導体回路チップ１１から接続回路１０に向かってモード変換用開口１５を跨いでグラウンド層１に接続されている。２本のグランド用ボンディングワイヤ１２ｂ、１２ｃは、半導体回路チップ１１から接続回路１０に向かってモード変換用開口１５の手前となるグラウンド層１に接続されている。  
モード変換用開口１５は、上記の通り半導体回路チップ１１から出力された高周波信号がミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを通ってポストウォール導波路７に伝送される際に発生する高周波電流の経路を遮るところに設けられている。
【００１８】
モード変換用開口１５は、高周波電流の経路を遮る方向の長さが高周波信号の中心周波数における波長の略半分に形成されている。  
モード変換用開口１５は、当該開口の中心をポストウォール導波路７の幅方向の中心位置に略一致して設けられている。モード変換用開口１５は、当該開口１５の中心がポストウォール導波路７の幅方向の中心から任意の距離だけ離れて設けてもよい。
【００１９】
ポストウォール導波路７における導体表面の高周波電流について説明する。  
モード変換は、ボンディングワイヤ１２ａから伝播される高周波電流がポストウォール導波路７における導体表面の高周波電流と同様の電流を励起できる構造とすることにより可能であるものと考えられる。  
ポストウォール導波路７の導体表面電流の流れを確認するために３次元電磁界シミュレータを用いて高周波電流の流れを取得した。図５は高周波電流の流れのシミュレーション結果を示す。高周波電流のべクトルＢは、任意の点から湧き出すように広がり、任意の点に吸い込まれていくように伝播していく。任意の点同士の距離は、高周波信号の波長の長さの半分である。シミュレーション結果に基づいてモード変換用開口１５は、ボンディングワイヤ１２ａから伝播する高周波電流がベクトルＢにより示す伝播を容易とするために、ポストウォール導波路７の管幅方向の中心値から少しずれた任意の場所に設けられる。
【００２０】
モード変換用開口１５は、上記の通り凹型状に形成されたパターンの開口に形成されている。高周波電流は、凹型状のモード変換用開口１５に沿って流れる。モード変換用開口１５に沿って流れる高周波電流により、ポストウォール導波路７の表面電流と同様の電流ベクトル、すなわちポストウォール導波路７の表面電流と同様の流れ方向と電流量とを有する電流を励起することが可能になる。すなわち、高周波電流が凹型状のモード変換用開口１５に沿って流れることにより、高周波電流の流れによって磁界が発生し、当該磁界によって高周波電流が発生する。このようなモード変換用開口１５に沿って流れる高周波電流が波源となって当該高周波電流が伝送する。
【００２１】
モード変換用開口１５からさらに強くグラウンド層１の内部への電界の引き込みを行うために、モード変換補助用のヴィアホール１７がモード変換用開口１５の近傍に設けられている。グラウンド層１の内部への電界は、前記高周波電流の流れにより発生する。  
ポストウォール導波路７内には、インピーダンス整合用のヴィアホール９が配置されている。インピーダンス整合用のヴィアホール９による誘導性の働きを用いてモード変換後のインピーダンス不整合が除去される。
【００２２】
このように上記第１の実施の形態によれば、半導体回路チップ１１の出力端子とグラウンド層１上との間にボンディングワイヤ１２を接続し、半導体回路チップ１１から出力された高周波信号のモードをモード変換回路１３によってポストウォール導波路７で伝送するためのモードに変換する。モード変換回路１３にモード変換用開口１５を設け、モード変換用開口１５の外囲の導体層にミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを接続し、モード変換用開口１５とミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａとによる伝送線路を電磁気的に結合する。これにより、モード変換用開口１５によって半導体回路チップ１１から出力された高周波信号がミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを通ってポストウォール導波路７に伝送される際に発生する高周波電流の経路がモード変換用開口１５によって遮られ、ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａに生じる高周波信号の伝送モードの不連続が吸収される。この結果、半導体回路チップ１１とポストウォール導波路７とが高周波的に不連続無く接続され、高品質な信号の授受が可能となる。
【００２３】
上記第１の実施の形態によれば、２度のモード変換が必要なく、当該２度のモード変換損失によってミリ波信号の伝送特性が劣化することもなく、一度のモード変換で半導体回路チップ１１からポストウォール導波路７に高周波信号を伝播でき、しかも安価なミリ波の高周波変換回路を実現できる。
【００２４】
図６は周波数に対する伝送特性及び反射特性を示す。同図に示すように例えば自動車レーダで使用する周波数帯７６〜７７［ＧＨｚ］において反射特性≦−２０［ｄＢ］、伝送特性≧−０．８［ｄＢ］であり良好な特性を有することが確認できる。これにより、低コストで、簡単な構造で良好な特性を有するミリ波の高周波変換回路モジュールの実現が可能である。
【００２５】
［第２の実施の形態］  
次に、第２の実施の形態について図面を参照して説明する。  
図７は高周波変換回路の構成図を示す。同図において図１乃至図４と同一部分には同一符号を付してその説明は省略する。グラウンド層１には、直線状のモード変換用開口２０が設けられている。モード変換用開口２０は、ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａからポストウォール導波路７に向かう伝送路８の方向に対して垂直方向に設けられている。モード変換用開口２０は、半導体回路チップ１１から出力された高周波信号がミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを通ってポストウォール導波路７に伝送される際に発生する高周波電流の経路を遮り、ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａに生じる高周波信号の伝送モードの不連続を吸収する。モード変換回路１３は、直線状のモード変換用開口２０の外囲の導体層にミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを接続することにより、モード変換用開口２０とミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａとによる伝送線路を電磁気的に結合させる。
【００２６】
ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａは、半導体回路チップ１１から接続回路１０に向かってモード変換用開口２０を跨いでグラウンド層１に接続されている。２本のグランド用ボンディングワイヤ１２ｂ、１２ｃは、半導体回路チップ１１から接続回路１０に向かってモード変換用開口２０の手前となるグラウンド層１に接続されている。  
モード変換用開口２０は、上記の通り、半導体回路チップ１１から出力された高周波信号がミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを通ってポストウォール導波路７に伝送される際に発生する高周波電流の経路を遮るところに設けられる。
【００２７】
モード変換用開口２０は、高周波電流の経路を遮る方向の長さが高周波信号の中心周波数における波長の略半分に形成されている。
【００２８】
モード変換用開口２０は、当該開口の中心をポストウォール導波路７の幅方向の中心と略一致して設けられる。モード変換用開口２０は、当該開口２０の中心がポストウォール導波路７の幅方向の中心から任意の距離はなれて設けられてもよい。  
このように直線状のモード変換用開口２０であっても、上記第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００２９】
［第３の実施の形態］  
次に、第３の実施の形態について、図面を参照して説明する。  
図８は高周波変換回路の構成図を示す。同図において図１乃至図４と同一部分には同一符号を付してその説明は省略する。グラウンド層１には、直線状のモード変換用開口２１が設けられている。モード変換用開口２１は、ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａからポストウォール導波路７に向かう伝送路８の方向に対して所定の角度θ、例えば略６０°傾斜して設けられている。
【００３０】
モード変換用開口２１は、半導体回路チップ１１から出力された高周波信号がミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを通ってポストウォール導波路７に伝送される際に発生する高周波電流の経路を遮り、ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａに生じる高周波信号の伝送モードの不連続を吸収する。モード変換回路１３は、傾斜するモード変換用開口２１の外囲の導体層にミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを接続することにより、傾斜するモード変換用開口２１とミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａとによる伝送線路を電磁気的に結合させる。
【００３１】
ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａは、半導体回路チップ１１から接続回路１０に向かってモード変換用開口２１を跨いでグラウンド層１に接続されている。２本のグランド用ボンディングワイヤ１２ｂ、１２ｃは、半導体回路チップ１１から接続回路１０に向かってモード変換用開口２１の手前となるグラウンド層１に接続されている。  
モード変換用開口２１は、上記の通り、半導体回路チップ１１から出力された高周波信号がミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを通ってポストウォール導波路７に伝送される際に発生する高周波電流の経路を遮るところに設けられる。
【００３２】
モード変換用開口２１は、高周波電流の経路を遮る方向の長さが高周波信号の中心周波数における波長の略半分に形成されている。  
モード変換用開口２１は、当該開口の中心をポストウォール導波路７の幅方向の中心と略一致して設けられる。モード変換用開口２１は、当該開口２１の中心がポストウォール導波路７の幅方向の中心から任意の距離はなれて設けられてもよい。  
このように傾斜するモード変換用開口２１であっても、上記第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００３３】
［第４の実施の形態］  
次に、第４の実施の形態について図面を参照して説明する。図１乃至図４と同一部分には同一符号を付してその説明は省略する。  
図９は高周波変換回路の構成図を示す。同図において図１乃至図４と同一部分には同一符号を付してその説明は省略する。グラウンド層１には、直線を湾曲させた曲線状（円弧状）のモード変換用開口２２が設けられている。モード変換用開口２２は、半導体回路チップ１１から出力された高周波信号がミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを通ってポストウォール導波路７に伝送される際に発生する高周波電流の経路を遮り、ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａに生じる高周波信号の伝送モードの不連続を吸収する。
【００３４】
モード変換回路１３は、曲線状のモード変換用開口２２の外囲の導体層にミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを接続することにより、曲線状のモード変換用開口２２とミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａとによる伝送線路を電磁気的に結合させる。  
モード変換用開口２２は、上記の通り、半導体回路チップ１１から出力された高周波信号がミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを通ってポストウォール導波路７に伝送される際に発生する高周波電流の経路を遮るところに設けられている。
【００３５】
ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａは、半導体回路チップ１１から接続回路１０に向かってモード変換用開口２２を跨いでグラウンド層１に接続されている。２本のグランド用ボンディングワイヤ１２ｂ、１２ｃは、半導体回路チップ１１から接続回路１０に向かってモード変換用開口２２の手前となるグラウンド層１に接続されている。
【００３６】
モード変換用開口２２は、高周波電流の経路を遮る方向の長さが高周波信号の中心周波数における波長の略半分に形成されている。  
モード変換用開口２２は、当該開口の中心をポストウォール導波路７の幅方向の中心と略一致して設けられる。モード変換用開口２２は、当該開口２２の中心がポストウォール導波路７の幅方向の中心から任意の距離はなれて設けられてもよい。  
このように曲線状のモード変換用開口２２であっても、上記第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００３７】
［第５の実施の形態］  
次に、第５の実施の形態について図面を参照して説明する。  
図１０は高周波変換回路の構成図を示す。同図において図１乃至図４と同一部分には同一符号を付してその説明は省略する。グラウンド層１には、直線状のモード変換用開口２３が設けられている。モード変換用開口２３は、ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａからポストウォール導波路７に向かう伝送路８の方向と同一方向に設けられている。モード変換用開口２３は、半導体回路チップ１１から出力された高周波信号がミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを通ってポストウォール導波路７に伝送される際に発生する高周波電流の経路を遮り、ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａに生じる高周波信号の伝送モードの不連続を吸収する。
【００３８】
モード変換回路１３は、直線状のモード変換用開口２３の外囲の導体層にミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを接続することにより、直線状のモード変換用開口２３とミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａとによる伝送線路を電磁気的に結合させる。  
ミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａは、半導体回路チップ１１から接続回路１０に向かってモード変換用開口２３を跨いでグラウンド層１に接続されている。２本のグランド用ボンディングワイヤ１２ｂ、１２ｃは、半導体回路チップ１１から接続回路１０に向かってモード変換用開口２３の手前となるグラウンド層１に接続されている。
【００３９】
モード変換用開口２３は、上記の通り、半導体回路チップ１１から出力された高周波信号がミリ波信号用ボンディングワイヤ１２ａを通ってポストウォール導波路７に伝送される際に発生する高周波電流の経路を遮るところに設けられている。  
モード変換用開口２３は、高周波電流の経路を遮る方向の長さが高周波信号の中心周波数における波長の略半分に形成されている。
【００４０】
モード変換用開口２３は、当該開口の中心をポストウォール導波路７の幅方向の中心と略一致して設けられる。モード変換用開口２３は、当該開口２３の中心がポストウォール導波路７の幅方向の中心から任意の距離はなれて設けられてもよい。  
このように直線状のモード変換用開口２３であっても、上記第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００４１】
高周波変換回路は、第１乃至第５の実施の形態に限らず、以下のように変形してもよい。  
各モード変換用開口１５、２０〜２３は、長方形状、円形状、矩形状、又は屈曲状に形成してもよい。  
各モード変換用開口１５、２０〜２３は、高周波電流の経路を遮る方向の長さが高周波信号の中心周波数における波長の略半分の整数倍に形成してもよい。
【００４２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４３】
１，２：グラウンド層、５：絶縁基板、６：ヴィアホール、７：伝送線路（ポストウォール導波路）、８：伝送路、９：インピーダンス整合用のヴィアホール、１０：接続回路、１１：半導体回路チップ（ミリ波ＭＭＩＣ）、１２：ボンディングワイヤ、１３：モード変換回路、１２ａ：ミリ波信号用ボンディングワイヤ、１２ｂ，１２ｃ：グランド用ボンディングワイヤ、１４：ダイマウント用のペースト、１５：モード変換用開口、１７：モード変換補助用のヴィアホール、２０：直線状のモード変換用開口、２１：傾斜するモード変換用開口、２２：曲線状のモード変換用開口、２３：直線状のモード変換用開口。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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