(57)【要約】【課題】本発明では、放熱性が良好で長期使用時の耐久性に優れ、光の指向性に優れ、対象となる表示部へ的確に光を照射することができる製造コストの安価なバックライト用発光装置を提供する。【解決手段】光沢度が８０〜１１０％であるＳｎめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが表面に施された熱伝導率が１５０〜４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である凸凹部を有する銅或いは銅合金異形断面板２と、異形断面板２の凹部３の底面に形成されたカソードパターニング回路およびアノードパターニング回路と、凹部３の底面に直接実装されカソードパターニング回路およびアノードパターニング回路の間に直列或いは並列に接続された複数個の発光素子４，４ａ，４ｂと、複数個の発光素子４，４ａ，４ｂを覆うように凹部３内を封止する透明樹脂とから構成される。【選択図】図１
2012134435.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光沢度が８０〜１１０％であるＳｎめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが表面に施された熱伝導率が１５０〜４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である凸凹部を有する銅或いは銅合金異形断面板と、当該異形断面板の凹部の底面に形成されたカソードパターニング回路およびアノードパターニング回路と、前記凹部の底面に直接実装され前記カソードパターニング回路およびアノードパターニング回路の間に直列或いは並列に接続された複数個の発光素子と、当該複数個の発光素子を覆うように前記凹部内を封止する透明樹脂とから構成されたことを特徴とするバックライト用発光装置。
【請求項２】
前記凹部の側面の少なくとも下部の断面形状が、両側面どうしの間隔を上方に向かうにしたがって漸次広げるように、円弧曲線或いは放物線からなる凹状曲線に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のバックライト用発光装置。
【請求項３】
前記めっきの表面の算術平均粗さＲａが０．０３〜０．０９μｍであり、最大高さＲｚが０．４０〜０．８５μｍであり、二乗平均平方根粗さＲｑと最大高さＲｚの比率（Ｒｑ／Ｒｚ）が０．１０〜０．２５であることを特徴とする請求項１又は２に記載のバックライト用発光装置。
【請求項４】
戦記異形断面板の上に前記発光素子に被せるように配置され、熱伝導率が１５０〜４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である銅或いは銅合金製の天板を備え、前記天板は、前記複数個の発光素子の間隔に合わせて形成される各発光素子に対峙する複数の開口部が形成されており、少なくとも下面及び前記開口部の内周面に光沢度が８０〜１１０％であるＳｎめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが施され、前記透明樹脂は、前記異形断面板と前記天板との間に形成された空間部に注入されることにより前記発光素子を樹脂封止する構成とされることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のバックライト用発光装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載のバックライト用発光装置が機器内のバックライト発光装置固定部に接着或いはビス止めにより直接固定されたことを特徴とする液晶を使用する電子或いは電気機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バックライト用発光装置に関し、特に詳しくは、耐久性と放熱性に優れたＣＯＢ型のバックライト用発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＯＢ型のバックライト装置として、樹脂基板に複数の発光素子（ＬＥＤ素子）を直接的に搭載するものが知られている。この種のバックライト装置では、基板としてガラスエポキシ樹脂（熱伝導率：０．２〜０．３Ｗ／ｍＫ）を用い、基板に導電性金属からなる電極パターンを形成する。バックライト装置を利用する表示装置では、基板の発光素子の搭載面と対向して表示部を設けるため、ＬＥＤ素子から基板側へ入射した光を基板にて反射させる必要がある。そこで、基板表面を白色樹脂のソルダーレジスト層により被覆し、基板表面の反射率を高めたものが一般的である。しかしながら、樹脂基板を用いたＣＯＢ型のバックライト装置は、基板の熱伝導率が低く、発光素子にて生じた熱が装置内にこもり易く、これにより、長期の使用に際し、白色のソルダーレジスト層が黄変するおそれがあった。
また、透明なガラス基板上にＩＴＯからなる透明導電膜を形成したＬＥＤ表示装置が提案されており、このＬＥＤ表示装置により、ＬＥＤチップ実装部と基板側のメタライズ部以外は透明に保つことができ、かつ表示品位を向上させることができるが、この様なＬＥＤ表示装置は、基板が透明であるため、ＬＥＤ素子から発せられた光は基板を透過してしまい、基板の搭載面に対向する表示部へ的確に光を照射することができず、バックライト装置としての性能は低下する傾向がある。
これらの対策として、基板の熱伝導率を向上させ、長期の使用に際しての劣化を抑制することのできるバックライト装置及びこれを備えた表示装置として次の特許文献がある。
【０００３】
特許文献１では、各ＬＥＤ素子が搭載される基板をガラスとし、各ＬＥＤ素子にて生じた熱が基板から効率良く放散されるようにするとともに、ガラスに反射性を持たせることにより各ＬＥＤ素子から発せられた光が基板を透過しないようにし、基板のＬＥＤ素子の搭載面と対向する表示部へ的確に光を照射するようにしたことを特徴とする基板の熱伝導率を向上させ、長期の使用に際しての劣化を抑制することのできるバックライト装置及びこれを備えた表示装置が開示されている。
また、特許文献２では、側面と樹脂および／または導電性金属から形成された底面とを有する凹部に複数のＬＥＤチップが搭載され、該凹部が透光性樹脂で封止されているＬＥＤパッケージにおいて、該ＬＥＤチップ各々を隔てる障壁が該底面と同一の樹脂または同一の導電性金属で一体成型されていることを特徴とする３イン１パッケージやマルチチップパッケージにおける出力ロスを低減する低コストのＬＥＤパッケージが開示されている。
特許文献３では、ＬＥＤチップ収納凹部の銀めっきの表面が酸化・硫化し難く、放熱性が良好なＬＥＤ発光装置が開示されている。アルミ板にアルマイト処理した基台の上に、上面に所定の導電パターンを形成し、ＬＥＤチップをダイボンドする領域を有する開口部を備えたプリント基板を貼付し、プリント基板の開口部に位置する基台の上にＬＥＤチップを透明ペーストでダイボンドし、ＬＥＤチップの上面電極とプリント基板上に形成した導電パターンとを金線でワイヤーボンディングし、プリント基板の外周上面に、ＬＥＤチップを覆うように外周部に封止樹脂注入孔を有するシリコーン樹脂よりなるレンズ付ケースを貼付し、レンズ付ケースに設けた封止樹脂注入孔よりゴム／ゲル系シリコーン樹脂よりなる封止樹脂を注入してＬＥＤチップを封止することにより製造される。
特許文献４では、半導体のパッケージの放熱性および製造コストを改善する構造および製造方法として、金属基板の一部分に半導体がダイボンディングされ、他の部分に半導体の電極がボンディングされ、両部分は分割されているが封止樹脂により相互に連結された構造を有し、かつ金属基板の両部分は電極端子ともなっている構造が開示されている。集合金属基板上の所定位置に多数の半導体をダイボンディングし、半導体の各々の電極と金属板上の他の所定位置とをそれぞれワイヤーボンディングし、半導体を封止する樹脂を基板全面に充填しかつ硬化させた後、集合金属基板の各所定領域と各他の所定領域とを封止樹脂を残して分割する加工と集合金属基板および封止樹脂をデバイス毎に切断分離する加工を行い製造される。
また、特許文献５に記載のように、メタル基板の上に穴あき樹脂基板を接合し、その穴の中にＬＥＤ素子を搭載して、透明ガラス又は樹脂製のカバー板を設けた構成のものも提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１７０８４７号公報
【特許文献２】特開２００８−４１６９９号公報
【特許文献３】特開２００７−１２９０５３号公報
【特許文献４】特開２０００−７７７２５号公報
【特許文献５】特開２００３−２１８３９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の特許文献に開示されるバックライト装置は、放熱性及び耐久性が充分とは言えず、製造コストも安価ではなかった。
本発明では、放熱性が良好で長期使用時の耐久性に優れた製造コストの安価なバックライト用発光装置を提供する。また、本発明は、光の指向性に優れ、対象となる表示部へ的確に光を照射することが出来るバックライト用発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは鋭意検討の結果、放熱性が良好で長期使用時の耐久性に優れた製造コストの安価なバックライト用発光装置を提供するには、次の事項が重要であることを見出した。
（１）熱伝導率を向上させるには、ＬＥＤチップが直接搭載される基板として、熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である銅或いは銅合金板を使用する。
（２）耐久性、特に樹脂封止される反射層の耐久性を向上させるには、反射層として、銅或いは銅合金板の表面に高耐久及び耐熱性で光沢度が８０〜１１０％であるＳｎめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきを施す。
（３）構造を簡略化し製造コストを下げ表示部へ的確に光を照射するには、基板上に後から樹脂などにより反射部を形成するのではなく、銅或いは銅合金板の片側に凸凹を有する異形断面形状として反射部を一体成形し、その表面に光沢度が８０〜１１０％であるＳｎめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきを施し、凹部の底面に複数個の発光素子を直接的に搭載し、凹部の側面を反射部として使用し、その凹部内を透明樹脂で封止する必要がある。
特に、凹部の側面の少なくとも下部の断面形状が、両側面どうしの間隔を上方に向かうにしたがって漸次広げるように、円弧曲線或いは放物線からなる凹状曲線により形成されていると、その凹状曲線によるパラボラ効果にて反射光の指向性が高まり、対象となる表示部へ的確に反射光を照射することが可能である。
更に、施されためっきの表面の表面粗さとして、算術平均粗さＲａが０．０３〜０．０９μｍであり、最大高さＲｚが０．４０〜０．８５μｍであり、二乗平均平方根粗さＲｑと最大高さＲｚの比率（Ｒｑ／Ｒｚ）が０．１０〜０．２５であると、鏡面反射率が高まり反射光の直進性が増して、より効率良く対象となる表示部へ的確に光を照射することが可能となる。
また、発光素子の間隔に合わせて形成した各発光素子に対峙する複数の開口部を有する熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である銅或いは銅合金製の天板を、異形断面板の上に樹脂封止がなされた発光素子に被せるように配置し、その開口部と天板の内面に、光沢度が８０〜１１０％であるＳｎめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきを施すことにより、対象となる表示部へ、より効率的に更に的確に光を照射することが可能となる。
また、銅或いは銅合金異形断面板の裏側の平板部を電子機器部内のバックライト装置固定部に直接接着或いはビス留めしてバックライト用発光装置として使用することにより、取り扱いが非常に容易となる。
【０００７】
即ち、本発明のバックライト用発光装置は、光沢度が８０〜１１０％であるＳｎめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが表面に施された熱伝導率が１５０〜４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である凸凹部を有する銅或いは銅合金異形断面板と、当該異形断面板の凹部の底面に形成されたカソードパターニング回路およびアノードパターニング回路と、前記凹部の底面に直接実装され前記カソードパターニング回路およびアノードパターニング回路の間に直列或いは並列に接続された複数個の発光素子と、当該複数個の発光素子を覆うように前記凹部内を封止する透明樹脂とから構成されたことを特徴とする。
本発明において、銅或いは銅合金断面条材の表面に施されるめっきは、耐熱性、樹脂に対する耐硫化性の観点から、Ｓｎめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきであり、反射率の観点から、その光沢度は８０〜１１０％である。光沢度が８０％未満では反射効果が不足し、１１０％を超えると反射効果が飽和して無駄となる。めっきの厚みは０．２〜３．０μｍが好ましく、０．２μｍ未満では耐熱性、耐硫化性が不足し、３．０μｍを超えると効果が飽和し、高価なＡｇを使用する場合はコスト的にも無駄となる。
また、銅或いは銅合金断面条材の熱伝導率は、１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満では、効果が充分ではなく、４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）を超えると効果が飽和し、製造コストの観点から無駄である。
【０００８】
更に、本発明の本発明のバックライト用発光装置は、前記凹部の側面の少なくとも下部の断面形状が、両側面どうしの間隔を上方に向かうにしたがって漸次広げるように、円弧曲線或いは放物線からなる凹状曲線により形成されていることを特徴とする。
円弧曲線或いは放物線形状を有していることにより、パラボラ効果が生じて反射光の指向性が高まり、対象となる表示部へ的確に反射光を照射することが可能となる。
【０００９】
更に、本発明のバックライト用発光装置は、前記めっきの表面の算術平均粗さＲａが０．０３〜０．０９μｍであり、最大高さＲｚが０．４０〜０．８５μｍであり、二乗平均平方根粗さＲｑと最大高さＲｚの比率（Ｒｑ／Ｒｚ）が０．１０〜０．２５であることを特徴とする。
めっきの表面の算術平均粗さＲａ、最大高さＲｚ、二乗平均平方根粗さＲｑと最大高さＲｚの比率（Ｒｑ／Ｒｚ）が、上記の範囲内であることにより、めっき表面部の鏡面反射率が高まり、反射光の直進性が増して、前記のパラボラ効果による反射光の指向性の高まりと相俟って、より効率良く対象となる表示部へ的確に光を照射することが可能となる。
本発明では、表面に施されるめっきの種類により鏡面反射率は異なるが、鏡面反射率は５５〜８５％であり、Ｒａが０．０３μｍ未満、或いは、Ｒｚが０．４０μｍ未満、或いは、Ｒｑ／Ｒｚが０．１０未満では、効果が飽和して製造コスト的に無駄であり、Ｒａが０．０９μｍ、或いは、Ｒｚが０．８５μｍ、或いはＲｑ／Ｒｚが０．２５を超えると、鏡面反射率が低下して直進性が低下する。
本発明で意味する鏡面反射率とは、分光測色計を用いて、観察視野１０°、波長範囲３６０〜７４０ｎｍの可視光領域について、全反射率と乱反射率を測定し、全反射率から乱反射率を差し引いた数値を鏡面反射率とした。
【００１０】
更に、本発明のバックライト用発光装置は、前記異形断面板の上に前記発光素子に被せるように配置され、熱伝導率が１５０〜４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である銅或いは銅合金製の天板を備え、前記天板は、前記複数個の発光素子の間隔に合わせて形成される各発光素子に対峙する複数の開口部が形成されており、少なくとも下面及び前記開口部の内周面に光沢度が８０〜１１０％以上であるＳｎめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが施され、前記透明樹脂は、前記異形断面板と前記天板との間に形成された空間部に注入されることにより前記発光素子を樹脂封止する構成とされることを特徴とする。
対象となる表示部へより効率的に更に的確に光を照射するための光投射口を有する従来のこの種の天板は、樹脂製であることが多く、耐久性および熱伝導性に問題があった。天板を熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である銅或いは銅合金とすることにより、耐久性及び熱伝導性を改良することができ、更には、かしめ等の接続手段により、異形断面板と容易に接続することが可能となる。
【００１１】
更に、本発明の液晶を使用する電子或いは電気機器は、本発明のバックライト用発光装置が機器内のバックライト発光装置固定部に接着或いはビス止めにより直接固定されたことを特徴とする。
本発明のバックライト用発光装置は、銅或いは銅合金異形断面板の裏側が平板部であり、液晶を使用する電子或いは電気機器部内のバックライト装置固定部に、この平板部を直接的に接着或いはビス留めすることにより、複雑な取り付け機構なしに簡単に取り付けることが出来る。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、放熱性が良好で長期使用時の耐久性に優れ、また、光の指向性に優れ、対象となる表示部へ的確に光を照射できる製造コストの安価なバックライト用発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態のバックライト用発光装置の斜視図である。
【図２】本発明の第２実施形態のバックライト用発光装置の斜視図である。
【図３】図２の実施形態における異形断面板の断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態のバックライト用発光装置の斜視図である。
【図５】本発明の第４実施形態のバックライト用発光装置の斜視図である。
【図６】図５のバックライト用発光装置の断面図である。
【図７】本発明の第５実施形態のバックライト用発光装置を示す断面図である。
【図８】本発明の第６実施形態のバックライト用発光装置を示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１を参照に本発明の第１実施形態のバックライト用発光装置を説明する。
第１実施形態のバックライト用発光装置１は、光沢度が８０〜１１０％であるＳｎめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが表面に施された熱伝導率が１５０〜４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である凸凹部を有する銅或いは銅合金異形断面板２と、銅或いは銅合金異形断面板２の凹部３の底面に直接実装（ＣＯＢ）された複数個の発光素子４，４ａ，４ｂと、凹部３の内底面に形成されたカソードパターニング回路５ｂおよびアノードパターニング回路５ａと、複数個の発光素子４，４ａ、４ｂ間を直列接続する配線６と、直列接続された複数個の発光素子の先頭の素子４ａをアノードパターニング回路５ａに接続する配線７ａおよび末端の素子４ｂをカソードパターニング５ｂ回路に接続する配線７ｂと、複数個の発光素子４，４ａ，４ｂを覆うように凹部３内を封止する透明樹脂８とから構成される。カソードパターニング回路５ｂおよびアノードパターニング回路５ａは、図示されていない電源と接続されている。
【００１５】
銅或いは銅合金異形断面板２の素材となる銅或いは銅合金は、放熱性の観点から、熱伝導率が１５０〜４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、耐熱性、耐久性、放熱性のバランスの観点より、特にＦｅ；１．５〜２．６質量％、Ｐ；０．００８〜０．１５質量％及びＺｎ；０．０１〜０．５質量％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる組成を有していることが好ましく、また、強度を向上させるために、本組成に加えＮｉ；０．００３〜０．５質量％及び又はＳｎ；０．００３〜０．５質量％を含有しても良い。
銅或いは銅合金異形断面板２の表面に施されているＳｎめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきは、耐熱性、樹脂に対する耐硫化性の観点から、厚みが０．２〜３．０μｍあり、反射率の観点から、その光沢度は８０〜１１０％である。光沢度が８０％未満では反射効果が不足し、１１０％を超えると反射効果が飽和して無駄となる。めっきの厚みが０．２μｍ未満では耐熱性、耐硫化性が不足し、３．０μｍを超えると効果が飽和しコスト的に無駄となる。
また、めっきは、反射率、耐熱性を重視すると、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきであることが特に好ましく、コスト、耐久性、耐熱性を考慮すると、下地層を有する２層或いは３層のめっきとすることが好ましい。
【００１６】
次に、下地層を有するＡｇ−Ｓｎ合金めっきを使用したバックライト用発光装置１につき説明する。
銅或いは銅合金平板を圧延により厚肉部と薄肉部とが幅方向に並んだ異形断面板を作製して焼鈍し、仕上げ圧延して所定形状に成形した異形断面板２の表面に、３層めっきの場合は、Ｎｉめっき、Ｃｕめっき、Ｓｎめっきを順に施し、これらをリフロー処理した後に、電気化学還元法にて表面の酸化膜を除去し、その表面にシアン系化合物を使用したＡｇストライクめっき法にてＡｇ−Ｓｎ合金めっきを施す。下地層を２層めっきとする場合は、Ｎｉめっきは不要である。
この場合、電気化学還元法にて弱アルカリ電解液中でＳｎめっき層の酸化膜を還元して完全に除去することにより、Ｓｎめっき層のＳｎ金属面を露出させ、次のＡｇめっきを密着させることができる。また、Ａｇめっきを施した後に合金化処理を施すことにより、ＡｇとＳｎとの相互拡散を確実にすることができる。
Ａｇストライクめっきの条件は、表１に示す通りである。
【００１７】
【表１】
2012134435.tif 000003
【００１８】
ここで、シアン化銀カリウムの濃度は１ｇ／Ｌ未満であると、Ｓｎめっき層に対して所望の面積被覆率が得られず、また８ｇ／Ｌを超えると、Ａｇめっき表面が粗くなるので、１〜８ｇ／Ｌが好ましい。
Ａｇストライクめっき後の合金化処理条件は、表２に示す通りである。
【００１９】
【表２】
2012134435.tif 000004
【００２０】
この合金化処理により、表面のＡｇとその下のＳｎとが相互拡散して合金化し、表面にＡｇ３Ｓｎ合金層が形成される。
また、封止に使用する樹脂の硫化に対する耐久性を増す為に、Ａｇ３Ｓｎ合金層の表面に５〜２０ｎｍの透明な酸化錫皮膜を形成することが好ましい。
【００２１】
以上のようなめっき方法により、Ｎｉめっき層とＣｕ−Ｓｎ合金層とＡｇ−Ｓｎ合金めっき層を有する銅或いは銅合金異形断面板２が完成され、最表面のＡｇ−Ｓｎ合金めっき層は、表面の光沢度が８０〜１１０％とされる。これにより銅或いは銅合金異形断面板２の凹部３の側面１１は、耐久性及び耐熱性を有する良好な反射板として作用し、優れたバックライト装置を形成する。
また、銅或いは銅合金異形断面板２の裏面９、外部側面１０、凸部上面１２には、この様なめっきが施されていなくても良い。
【００２２】
このＡｇ−Ｓｎ合金めっきが表面に施された銅合金異形断面板２の凹部３の底面には、複数個の発光素子４，４ａ，４ｂが直接実装される。この場合、発光素子４，４ａ，４ｂの凹部３の底面と接する面にＡｕ−Ｓｎはんだを蒸着し、押圧しながら２４０〜３１０℃の温度で加熱することにより、Ａｇ−Ｓｎ合金めっき層との間で３元系のＡｕ−Ａｇ−Ｓｎ合金層が形成され、発光素子４が強固に実装される。
ボイド等の欠陥がなく高い接合強度となるＡｕ−Ａｇ−Ｓｎ合金層を得るために、２４０℃以上の加熱温度とするのが好ましい。加熱温度が３１０℃を超えても、接合強度のそれ以上の向上は期待できないとともに、熱応力が大きくなるので好ましくない。
アノードパターニング回路５ａ及びカソードパターニング回路５ｂは、絶縁性接着テープまたは接着樹脂にて、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきが表面に施された銅或いは銅合金異形断面板２の凹部３の底面に接着される。また。耐久性、耐熱性の観点から、アノードパターニング回路５ａ及びカソードパターニング回路５ｂは、Ａｇ或いはＡｇ−Ｓｎ合金めっきが表面に施された銅ストリップ上に形成されることが好ましい。
複数個の発光素子４，４ａ，４ｂの間は配線（金ワイヤー）６で直列接続され、末端部の発光素子４ａ，４ｂは各パターニング回路５ａ、５ｂに配線７ａ，７ｂ（金ワイヤー）で接続される。パターニング回路５ａ、５ｂは、図示しない配線により電源に接続される。
更に、凹部３内は複数個の発光素子４，４ａ，４ｂを覆うように透明樹脂８で封止される。透明樹脂８の材質は特に限定されないが、透明性、耐久性、耐熱性などを考慮するとシリコーン樹脂であることが好ましい。
【００２３】
この様な本発明のバックライト用発光装置１は、裏面９の平面部を電子機器部内のバックライト装置固定部（図示しない）に、接着剤により直接接合、或いは、両端に形成したビス止め穴１３を介して直接接合して使用される。
【００２４】
次に、図２及び図３を参照に本発明の第２実施形態のバックライト用発光装置を説明する。
図２及び図３のバックライト用発光装置２１は、光沢度が８０〜１１０％であるＳｎめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが表面に施された熱伝導率が１５０〜４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である凸凹部を有し、その凹部２２の側面２３の少なくとも下部は断面形状が、両側面２３どうしの間隔を上方に向かうにしたがって漸次広げるように、円弧曲線或いは放物線からなる凹状曲線２４を有している銅或いは銅合金異形断面板２５と、銅或いは銅合金異形断面板２５の凹部２２の底面に直接実装（ＣＯＢ）された複数個の発光素子２６，２６ａ，２６ｂと、凹部２２の内底面に形成されたカソードパターニング回路２７ｂおよびアノードパターニング回路２７ａと、複数個の発光素子２６，２６ａ、２６ｂ間を直列接続する配線２８と、直列接続された複数個の発光素子の先頭の素子２６ａをアノードパターニング回路２７ａに接続する配線２９ａおよび末端の素子２６ｂをカソードパターニング２７ｂ回路に接続する配線２９ｂと、複数個の発光素子２６，２６ａ，２６ｂを覆うようにパラボラ形状を有している凹部２２内を封止する透明樹脂３０とから構成される。カソードパターニング回路２７ｂおよびアノードパターニング回路２７ａは、図示されていない電源と接続されている。
図３では、凹部２２の側面２３の断面下部における凹状曲線２４が、凹部２２の底面から側面２３の下部にかけて単一の曲率半径Ｒの円弧曲線である例として図示している。
【００２５】
銅或いは銅合金異形断面板２５の素材となる銅或いは銅合金は、放熱性の観点から、熱伝導率が１５０〜４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、耐熱性、耐久性、放熱性のバランスの観点より、特にＦｅ；１．５〜２．６質量％、Ｐ；０．００８〜０．１５質量％及びＺｎ；０．０１〜０．５質量％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる組成を有していることが好ましく、また、強度を向上させるために、本組成に加えＮｉ；０．００３〜０．５質量％及び又はＳｎ；０．００３〜０．５質量％を含有しても良い。
銅或いは銅合金異形断面板２５の表面に施されているＳｎめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきは、耐熱性、樹脂に対する耐硫化性の観点から、厚みが０．２〜３．０μｍあり、反射率の観点から、その光沢度は８０〜１１０％である。光沢度が８０％未満では反射効果が不足し、１１０％を超えると反射効果が飽和して無駄となる。めっきの厚みが０．２μｍ未満では耐熱性、耐硫化性が不足し、３．０μｍを超えると効果が飽和しコスト的に無駄となる。
また、めっきの表面の算術平均粗さＲａが０．０３〜０．０９μｍであり、最大高さＲｚが０．４０〜０．８５μｍであり、二乗平均平方根粗さＲｑと最大高さＲｚの比率（Ｒｑ／Ｒｚ）が０．１０〜０．２５である。
めっきの表面の算術平均粗さＲａ、最大高さＲｚ、二乗平均平方根粗さＲｑと最大高さＲｚの比率（Ｒｑ／Ｒｚ）が、上記の範囲内であることにより、めっき表面部の鏡面反射率が高まり、反射光の直進性が増して、前記のパラボラ効果による反射光の指向性の高まりと相俟って、より効率良く対象となる表示部へ的確に光を照射することが可能となる。
本発明では、表面に施されるめっきの種類により鏡面反射率は異なるが、鏡面反射率は５５〜８５％が好ましい。Ｒａが０．０３μｍ未満、或いは、Ｒｚが０．４０μｍ未満、或いはＲｑ／Ｒｚが０．１０未満では、効果が飽和して製造コスト的に無駄であり、Ｒａが０．０９μｍ、或いは、Ｒｚが０．８５μｍ、或いはＲｑ／Ｒｚが０．２５を超えると、鏡面反射率が低下して直進性が低下する。
また、めっきは、反射率、耐熱性を重視すると、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきであることが特に好ましく、コスト、耐久性、耐熱性を考慮すると、下地層を有する２層或いは３層のめっきとすることが好ましい。
【００２６】
次に、下地層を有するＡｇ−Ｓｎ合金めっきを使用したバックライト用発光装置２１につき説明する。
銅或いは銅合金平板を圧延により厚肉部と薄肉部とが幅方向に並んだ異形断面板を作製して焼鈍し、仕上げ圧延し、更に凹部２２の側面２３の少なくとも下部の断面形状が凹部２２の両側面２３どうしの間隔を上方に向かうにしたがって漸次広げるように凹状曲線２４を有する所定形状に加工成形する。この異形断面板２５の表面に、３層めっきの場合は、Ｎｉめっき、Ｃｕめっき、Ｓｎめっきを順に施し、これらをリフロー処理した後に、電気化学還元法にて表面の酸化膜を除去し、その表面にシアン系化合物を使用したＡｇストライクめっき法にて、めっきの表面の表面粗さ算術平均粗さＲａが０．０３〜０．０９μｍであり、最大高さＲｚが０．４０〜０．８５μｍであり、二乗平均平方根粗さＲｑと最大高さＲｚの比率（Ｒｑ／Ｒｚ）が０．１０〜０．２５であるＡｇ−Ｓｎ合金めっきを施した。下地層を２層めっきとする場合は、Ｎｉめっきは不要である。
この場合、電気化学還元法にて弱アルカリ電解液中でＳｎめっき層の酸化膜を還元して完全に除去することにより、Ｓｎめっき層のＳｎ金属面を露出させ、次のＡｇめっきを密着させることができる。また、Ａｇめっきを施した後に合金化処理を施すことにより、ＡｇとＳｎとの相互拡散を確実にすることができる。
Ａｇストライクめっきの条件は、表３に示す通りである。
【００２７】
【表３】
2012134435.tif 000005
【００２８】
ここで、シアン化銀カリウムの濃度は１ｇ／Ｌ未満であると、Ｓｎめっき層に対して所望の面積被覆率が得られず、また５ｇ／Ｌを超えると、Ａｇめっき表面が粗くなるので、１〜５ｇ／Ｌが好ましい。
Ａｇストライクめっき後の合金化処理条件は、表４に示す通りである。
【００２９】
【表４】
2012134435.tif 000006
【００３０】
この合金化処理により、表面のＡｇとその下のＳｎとが相互拡散して合金化し、表面にＡｇ３Ｓｎ合金層が形成される。
また、封止に使用する樹脂の硫化に対する耐久性を増す為に、Ａｇ３Ｓｎ合金層の表面に５〜２０ｎｍの透明な酸化錫皮膜を形成することが好ましい。
【００３１】
以上のようなめっき方法により、Ｎｉめっき層とＣｕ−Ｓｎ合金層とＡｇ−Ｓｎ合金めっき層を有し、その凹部２２の内部側面２３の少なくとも下部の断面形状が両側面２３どうしの間隔を上方に向かうにしたがって漸次広げるように、放物線の凹状曲線２４から構成されるパラボラ形状を有している銅或いは銅合金異形断面板２５が完成され、最表面のＡｇ−Ｓｎ合金めっき層は、表面の光沢度が８０〜１１０％であり、表面の算術平均粗さＲａが０．０３〜０．０９μｍであり、最大高さＲｚが０．４０〜０．８５μｍであり、二乗平均平方根粗さＲｑと最大高さＲｚの比率（Ｒｑ／Ｒｚ）が０．１０〜０．２５である。
これにより、銅或いは銅合金異形断面板２５の凹部２２の内部側面２３は、耐久性及び耐熱性を有し、光の指向性に優れ対象となる表示部へ的確に光を照射することが可能な反射板として作用し、優れたバックライト装置を形成する。
また、銅或いは銅合金異形断面板２５の裏面３１、外部側面３２、凸部上面３３には、この様なめっきが施されていなくても良い。
【００３２】
このＡｇ−Ｓｎ合金めっきが表面に施された銅合金異形断面板２５の凹部２２の平坦な底面には、複数個の発光素子２６，２６ａ，２６ｂが直接実装される。この場合、発光素子２６，２６ａ，２６ｂの凹部２２の底面と接する面にＡｕ−Ｓｎはんだを蒸着し、押圧しながら２４０〜３１０℃の温度で加熱することにより、Ａｇ−Ｓｎ合金めっき層との間で３元系のＡｕ−Ａｇ−Ｓｎ合金層が形成され、発光素子２６，２６ａ，２６ｂが強固に実装される。
ボイド等の欠陥がなく高い接合強度となるＡｕ−Ａｇ−Ｓｎ合金層を得るために、２４０℃以上の加熱温度とするのが好ましい。加熱温度が３１０℃を超えても、接合強度のそれ以上の向上は期待できないとともに、熱応力が大きくなるので好ましくない。
アノードパターニング回路２７ａ及びカソードパターニング回路２７ｂは、絶縁性接着テープまたは接着樹脂にて、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきが表面に施された銅或いは銅合金異形断面板２５の凹部２２の底面に接着される。また。耐久性、耐熱性の観点から、アノードパターニング回路２７ａ及びカソードパターニング回路２７ｂは、Ａｇ或いはＡｇ−Ｓｎ合金めっきが表面に施された銅ストリップ上に形成されることが好ましい。
複数個の発光素子２６，２６ａ，２６ｂの間は配線（金ワイヤー）２８で直列接続され、末端部の発光素子２６ａ，２６ｂは各パターニング回路２７ａ、２７ｂに配線２９ａ，２９ｂ（金ワイヤー）で接続される。パターニング回路２７ａ、２７ｂは、図示しない配線により電源に接続される。
更に、凹部２２内は複数個の発光素子２６，２６ａ，２６ｂを覆うように透明樹脂３０で封止される。透明樹脂３０の材質は特に限定されないが、透明性、耐久性、耐熱性などを考慮するとシリコーン樹脂であることが好ましい。
【００３３】
この様な本発明のバックライト用発光装置２１は、裏面３１の平面部を電子機器部内のバックライト装置固定部（図示しない）に、接着剤により直接接合、或いは、両端に形成したビス止め穴３４を介して直接接合して使用される。
【００３４】
上述の第１及び第２実施形態では、複数の発光素子を直列に接続したものとして示したが、図４に示す第３実施形態のように発光素子を並列に接続してもよい。この第３実施形態のバックライト用発光装置４１では、銅或いは銅合金からなる異形断面板は第２実施形態のものと同じであり、この異形断面板及びその他の図２と共通部分には同一符号を付して説明を省略する。
アノードパターニング回路４２ａ及びカソードパターニング回路４２ｂが異形断面板２５の凹部２２の底面に、凹部２２の長さ方向に沿って平行に延びており、これらアノードパターニング回路４２ａ及びカソードパターニング回路４２ｂの間に配置するように複数の発光素子４３が凹部２２の底面上に直接実装され、各発光素子４３がアノードパターニング回路４２ａ及びカソードパターニング回路４２ｂに配線４４によりそれぞれ接続されることにより、アノードパターニング回路４２ａ及びカソードパターニング回路４２ｂの間に発光素子４３が並列に接続された状態とされている。
なお、これら第２実施形態及び第３実施形態において、その異形断面板は、凹部の内部側面の下部のみ断面が凹状曲線となるように形成しているが、内部側面の全体の断面が凹状曲線となるように形成してもよい。
【００３５】
次に、図５から図８を参照に、本発明の第４〜第６実施形態のバックライト用発光装置を説明する。
図５及び図６に示す第４実施形態のバックライト用発光装置５１は、上記の第１実施形態の異形断面板２と同様の銅或いは銅合金からなる異形断面板５２と、この異形断面板５２に直接実装された複数個の発光素子５３に被せるように、配置された銅或いは銅合金製の天板５４とを備えている。なお、図１に示す第１実施形態のバックライト用発光装置１と共通部分には同一符号を付して説明を省略する。
天板５４は、実装される複数個の発光素子５３の間隔に合わせて、それら発光素子５３に対峙する複数の開口部５５が形成され、その開口部５５の内周面は、天板５４の厚み方向に平行に形成されている。天板５４も、異形断面板５２と同じ材料により構成されており、銅或いは銅合金板により形成され、放熱性の観点から、熱伝導率が１５０〜４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、耐熱性、耐久性、放熱性のバランスの観点より、特にＦｅ；１．５〜２．６質量％、Ｐ；０．００８〜０．１５質量％、Ｚｎ；０．０１〜０．５質量％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる組成を有していることが好ましい。また、強度を向上させるために、本組成に加え、Ｎｉ；０．００３〜０．５質量％及びＳｎ；０．００３〜０．５質量％のいずれか一方もしくは両方を含有させてもよい。
【００３６】
また、天板５４の透明樹脂８が注入される部分（透明樹脂８と接触する部分）の表面に、Ｓｎめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが施されており、図５及び図６に示すバックライト用発光装置５１では、異形断面板５２の凹部３の表面（底面、内部側面１１）、天板５４の下面及び開口部５５の内周面に、めっきが施されている。なお、異形断面板５２の裏面９、側面、凸部上面１２、天板５４の上面、外部側面には、このようなめっきが施されていなくてもよい。
【００３７】
天板５４は、異形断面板５２の凹部３内に設けられた複数個の発光素子５３に被せられるように異形断面板５２の凸部上面１２に配置される。そして、異形断面板５２及び天板５４は、これら両外部側面に設けられたカシメ形状部５６でかしめられて、接合されている。異形断面板５２と天板５４との間に形成された空間部には、透明樹脂８が注入されており、発光素子５３が樹脂封止されている。
このように、異形断面板５２の上に天板５４を設けることで、さらに耐熱性、耐久性、放熱性を向上させることができる。また、天板５４の開口部５５の内周面にもめっきを施すことにより高光沢度に形成しており、発光素子５３から出射した光を開口部５５の内周面で反射させて指向性を付与することができる。
【００３８】
図７は、本発明の第５実施形態のバックライト用発光装置を示している。
第４実施形態のバックライト用発光装置５１においては、天板５４に形成された開口部５５の内周面を、天板５４の厚み方向に平行に構成したが、図７に示す第５実施形態のバックライト用発光装置６１のように、開口部６５の内周面が、天板６４の内面から該面に向かうにしたがって拡径する１２０度以内の拡がり角度を有するテーパ状に形成することにより、光の指向性を高めた充分な光が得られる。
【００３９】
図８は、本発明の第６実施形態のバックライト用発光装置を示している。
第６実施形態のバックライト用発光装置７１は、異形断面板７２及び天板７４の両方を、凹部を設けて構成している。つまり、天板７４も異形断面板によって形成している。
これらの凹部７２ａ，７４ａで形成される空間部に発光素子５３を収納することができ、天板７４の発光素子５３と対峙する箇所に開口部７５が形成される。
第４〜第６実施形態のその他の構成は、第１実施形態のものと同じであり、共通部分に同一符号を付して説明を省略する。
【実施例１】
【００４０】
三菱伸銅（株）の商品名、Ｃ１５１−ＥＳＨ（Ｃｕ；９９．８２質量％以上、Ｚｒ０．０５〜０．１５質量％、残部が不可避不純物）、ＴＡＭＡＣ１９４（Ｃｕ；９７質量％以上、Ｆｅ；２．１〜２．６質量％、Ｐ；０．０１５〜０．１５質量％、Ｚｎ；０．０５〜０．２０質量％、残部が不可避不純物）の２種類の銅合金平板を使用し、圧延により厚肉部と薄肉部とが幅方向に並んだ異形断面板を作製して焼鈍後、更に仕上げ圧延して、図１に示す諸寸法が、長さＬ；１０ｍｍ、全体幅Ｗ；５ｍｍ、凹部底面の幅Ｗ１；２．５ｍｍ、全体高さＨ；１．５ｍｍ、凹部底面までの高さＨ１；０．７ｍｍ、凹部の底面と内部側面との角度θ；７５°である各異形断面板を作製した。
次に、この異形断面板の表面を洗浄後、Ｃｕめっき、Ｓｎめっきを順に施し、加熱してリフロー処理することにより、Ｃｕ−Ｓｎ合金層、その上層にＳｎめっき層が形成された２層めっき異形断面板を作製し、更に、そのＳｎめっき表面を、電気化学還元法にて、電解液中でＳｎめっき層の酸化膜を除去し、表１に示す条件にて、膜厚を変化させてＡｇストライクめっきを施し、表２に示す条件にて、ベンゾチアゾール化合物を含む水溶液中にて合金化及び変色防止処理を施し、表５及び表６に示すめっき厚と光沢度を有するＡｇ−Ｓｎ合金層を表面に有する各異形断面板を作製した。
次に、このＡｇ−Ｓｎ合金めっきが施された異形断面板の凹部の底面上に、ＣＲＥＥ社製のＬＥＤチップ（縦０．９ｍｍ×横０．９ｍｍ×高さ２００μｍで底面に接合の為のＡｕ−Ｓｎはんだが蒸着されている）３個を６ｍｍ間隔で直列配置し、押圧しながら２４０〜３１０℃の温度で加熱し、凹部の底面と直接接合した。
次に、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきが施された異形断面板の凹部のＬＥＤチップが接合されていない底面上に、カソード及びアノードパターニング回路（表面がメッキ処理された銅ストリップ）を絶縁性接着テープにて貼り付け、直列配置された両端のＬＥＤチップの電極とカソードおよびアノードパターニング回路を金ワイヤーにてボンディングした。各ＬＥＤチップ間も金ワイヤーにてボンディングした。
次に、このＬＥＤチップが直接搭載された凹部内を完全に覆うように信越化学（株）社製のシリコーン樹脂にて封止して硬化させ、表５及び表６の実施例１〜６、比較例１〜４実施例１１〜１６、比較例１１〜１４に示すバックライト用発光装置を作製した。
【００４１】
この様に作製されたバックライト用発光装置のカソードパターニング回路およびアノードパターニング回路に通電し、放熱性及び耐久性を測定した。測定結果を表５及び表６に示す。
放熱性は、発光装置をバックライトの筐体を模したアルミ板（縦２００ｍｍ、横６５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）に接着樹脂にて貼り付け、１０００時間通電した後、素子１個当りに電圧３．３Ｖ、電流３５０ｍＡを負荷し発光させ、素子温度（ジャンクション温度Ｔｊ）を赤外線サーモグラフィ（ＮＥＣ三栄社製ＴＨ９１００）にて測定した。
耐久性は、加速試験を実施し、８５℃／８５%ＲＨの雰囲気中で１０００時間通電した後の輝度を測定し、初期輝度に対する輝度の低下率を算出した。輝度は輝度計（コニカミノルタセンシング社製ＣＳ−１００Ａ）にて測定した。
【表５】
2012134435.tif 000007
【００４２】
【表６】
2012134435.tif 000008
【００４３】
表５及び表６の結果より、本発明のバックライト用発光装置は、放熱性が良好で長期使用時の耐久性、特に、樹脂封止された反射層の耐久性に優れ、輝度が低下し難いことがわかる。
【実施例２】
【００４４】
三菱伸銅（株）の商品名、Ｃ１５１−ＥＳＨ（Ｃｕ；９９．８２質量％以上、Ｚｒ０．０５〜０．１５質量％、残部が不可避不純物）、ＴＡＭＡＣ１９４（Ｃｕ；９７質量％以上、Ｆｅ；２．１〜２．６質量％、Ｐ；０．０１５〜０．１５質量％、Ｚｎ；０．０５〜０．２０質量％、残部が不可避不純物）の２種類の銅合金平板を使用し、圧延により厚肉部と薄肉部とが幅方向に並んだ異形断面板を作製して焼鈍後、仕上げ圧延し、更に凹部内に曲面加工を施し、図２に示す諸寸法が、長さＬ；１０ｍｍ、全体幅Ｗ；５ｍｍ、凹部底面の幅Ｗ１；２．５ｍｍ、全体高さＨ；１．５ｍｍ、凹部底面までの高さＨ１；０．７ｍｍ、凹部の底面と内部側面との角度θ；７５°、凹状曲線が単一の曲率半径２．５ｍｍである異形断面板を作製した。
次に、この異形断面板の表面を洗浄後、Ｃｕめっき、Ｓｎめっきを順に施し、加熱してリフロー処理することにより、Ｃｕ−Ｓｎ合金層、その上層にＳｎめっき層が形成された２層めっき異形断面板を作製し、更に、そのＳｎめっき表面を、電気化学還元法にて、電解液中でＳｎめっき層の酸化膜を除去し、表３に示す条件にて、膜厚を変化させてＡｇストライクめっきを施し、表４に示す条件にて、ベンゾチアゾール化合物を含む水溶液中にて合金化及び変色防止処理を施し、表７及び表８に示す算術平均粗さＲａ、最大高さＲｚ、二乗平均平方根粗さＲｑと最大高さＲｚの比率（Ｒｑ／Ｒｚ）、めっき厚、光沢度、鏡面反射率を有するＡｇ−Ｓｎ合金層を表面に有する各異形断面板を作製した。
算術平均粗さＲａ、最大高さＲｚ、二乗平均平方根粗さＲｑは、レーザー顕微鏡（オリンパス社製ＯＬＳ３００）を用いて測定した。
光沢度は、堀場製作所（株）のハンディ光沢計：グロスチェッカＩＧ３０２を使用して測定した。
鏡面反射率は、分光測色計（Ｍｉｎｏｌｔａ−ＣＭ−２５００ｄ）を用いて、観察視野１０°、波長範囲３６０〜７４０ｎｍの可視光領域について、全反射率と乱反射率を測定し、全反射率から乱反射率を差し引いた値を鏡面反射率とした。
【００４５】
次に、このＡｇ−Ｓｎ合金めっきが施された異形断面板の凹部の平底面上に、ＣＲＥＥ社製のＬＥＤチップ（縦０．９ｍｍ×横０．９ｍｍ×高さ２００μｍで底面に接合の為のＡｕ−Ｓｎはんだが蒸着されている）３個を６ｍｍ間隔で直列配置し、押圧しながら２４０〜３１０℃の温度で加熱し、凹部の底面と直接接合した。
次に、Ａｇ−Ｓｎ合金めっきが施された異形断面板の凹部のＬＥＤチップが接合されていない平底面上に、カソード及びアノードパターニング回路（表面がメッキ処理された銅ストリップ）を絶縁性接着テープにて貼り付け、直列配置された両端のＬＥＤチップの電極とカソードおよびアノードパターニング回路を金ワイヤーにてボンディングした。各ＬＥＤチップ間も金ワイヤーにてボンディングした。
次に、このＬＥＤチップが直接搭載された凹部内を完全に覆うように信越化学（株）社製のシリコーン樹脂にて封止して硬化させ、実施例２１〜２６、比較例２１〜２４、及び実施例３１〜３６比較例３１〜３４に示すバックライト用発光装置を作製した。
【００４６】
この様に作製されたバックライト用発光装置のカソードパターニング回路およびアノードパターニング回路に通電し、放熱性及び耐久性を測定した。測定結果を表７、表８に示す。
放熱性は、発光装置をバックライトの筐体を模したアルミ板（縦２００ｍｍ、横６５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）に接着樹脂にて貼り付け、１０００時間通電した後、素子１個当りに電圧３．３Ｖ、電流３５０ｍＡを負荷し発光させ、素子温度（ジャンクション温度Ｔｊ）を赤外線サーモグラフィ（ＮＥＣ三栄社製ＴＨ９１００）にて測定した。
耐久性は、加速試験を実施し、８５℃／８５%ＲＨの雰囲気中で１０００時間通電した後の輝度を測定し、初期輝度に対する輝度の低下率を算出した。輝度は輝度計（コニカミノルタセンシング社製ＣＳ−１００Ａ）にて測定した。
【００４７】
【表７】
2012134435.tif 000009
【００４８】
【表８】
2012134435.tif 000010
【００４９】
表７及び表８の結果より、本発明のバックライト用発光装置は、放熱性が良好で長期使用時の耐久性、特に、樹脂封止された反射層の耐久性に優れ、輝度が低下し難く、鏡面反射率が高いことがわかる。
更に、この実施例の２１〜２６、３１〜３６のバックライト用発光装置は、［実施例１］の実施例１〜６、１１〜１６のバックライト用発光装置に比べ、１．３〜１．８倍の輝度にて、目的とする表示部へ的確に光を照射することが出来た。
【実施例３】
【００５０】
更に、上記の実施例２１〜２６、３１〜３６のバックライト用発光装置の異形断面板の上に天板を設けて放熱性及び耐熱性を測定した。
天板は、異形断面板と同様に、三菱伸銅（株）の商品名、Ｃ１５1−ＥＳＨ（Ｃｕ；９９．８２質量％以上、Ｚｒ；０．０５〜０．１５質量％、残部が不可避不純物）、ＴＡＭＡＣ１９４（Ｃｕ；９７質量％以上、Ｆｅ；２．１〜２．６質量％、Ｐ；０．０１５〜０．１５質量％、Ｚｎ；０．０５〜０．２０質量％、残部が不可避不純物）の２種類の銅合金平板を使用し、表９及び表１０に示す表面粗さの各天板を作製した。また、天板は圧延した平板を用いて作製し、焼鈍後にさらに仕上げ圧延して作製した。天板の厚さは１．０ｍｍ、開口部の直径は０．８ｍｍとした。
【００５１】
この天板の表面を洗浄後、Ｃｕめっき、Ｓｎめっきを順に施し、加熱してリフロー処理することにより、Ｃｕ−Ｓｎ合金層、その上層にＳｎめっき層が形成された２層めっき銅合金板を作製した。さらに、そのＳｎめっき表面を、電気化学還元法にて電解液中でＳｎめっき層の酸化膜を除去し、表３に示す条件にて膜厚を変化させてＡｇストライクめっきを施し、表４に示す条件にて、ベンゾチアゾール化合物を含む水溶液中にて合金化及び変色防止処理を施し、対応する異形断面板と同様のめっき厚と光沢度を有するＡｇ−Ｓｎ合金層を表面に有する天板を作製した。
異形断面板上のＬＥＤチップに被せるように天板を配置し、異形断面板と天板との間の空間部を完全に覆うように信越化学（株）社製のシリコーン樹脂にて封止して硬化させ、バックライト用発光装置を作製した。
【００５２】
この天板を設けたバックライト用発光装置は、実施例２１〜２６、３１〜３６のバックライト用発光装置に比べ、２．０〜２．５倍の輝度にて、目的とする表示部へ的確に光を照射することが出来た。
【００５３】
また、本発明のバックライト装置は構造が簡略化されているので製造コストが安価であり、電子機器部内のバックライト装置固定部に直接接着或いはビス留めして簡単に使用することができる。
以上、本発明の実施形態の製造方法について説明したが、本発明はこの記載に限定されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１，２１，４１，５１，６１，７１  バックライト用発光装置
２，２５，５２，７２  異形断面板
３，２２，７２ａ，７４ａ  凹部
４，４ａ，４ｂ，２６，２６ａ，２６ｂ，４３，５３  発光素子
５ａ，２７ａ，４２ａ  アノードパターニング回路
５ｂ，２７ｂ，４２ｂ  カソードパターニング回路
６，７ａ，７ｂ，２８，２９ａ，２９ｂ，４４  配線
８，３０  透明樹脂
９，３１  裏面
１０，３２  外部側面
１１，２３  凹部の側面
１２，３３  凸部上面
１３，３４  ビス止め穴
２４  凹状曲線
５４，６４，７４  天板
５５，６５，７５  開口部
５６  かしめ形状部
【図１】
2012134435.tif 000011
【図２】
2012134435.tif 000012
【図３】
2012134435.tif 000013
【図４】
2012134435.tif 000014
【図５】
2012134435.tif 000015
【図６】
2012134435.tif 000016
【図７】
2012134435.tif 000017
【図８】
2012134435.tif 000018