(57)【要約】【課題】本発明は、半導体発光素子の製造方法に関する。【解決手段】本発明の一実施形態は、基板上にｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層を順次成長させて発光構造物を形成する段階と、上記ｐ型窒化物半導体層の上にスパッタリング工程を用いて透明電極を形成する段階と、上記スパッタリング工程の前又は上記スパッタリング工程中に当該スパッタリング工程が行われる反応室内部を窒素ガス雰囲気にする段階と、を含む半導体発光素子の製造方法を提供する。【選択図】図２
2012099820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層を順次成長させて発光構造物を形成する段階と、
前記ｐ型窒化物半導体層の上にスパッタリング工程を用いて透明電極を形成する段階と、
前記スパッタリング工程の前又は前記スパッタリング工程中に当該スパッタリング工程が行われる反応室内部を窒素ガス雰囲気にする段階と、
を含む、半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記透明電極は、透明伝導性酸化物からなる、請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記スパッタリング工程中に前記ｐ型窒化物半導体層から窒素粒子が放出されて当該ｐ型窒化物半導体層に窒素空孔が生じる、請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記反応室内部の窒素ガスは、前記窒素空孔に充填される、請求項３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記透明電極は、窒素ガス雰囲気下で形成された部分と、窒素ガスの供給が止まった状態で形成された部分と、を含む、請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記透明電極は、窒素ガス雰囲気下で一部が形成された後、窒素ガスの供給が止まった状態で残りが形成される、請求項５に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記透明電極が前記ｐ型窒化物半導体層の上面を全て覆った後に前記反応室内部への窒素ガスの供給を止める、請求項６に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記ｐ型窒化物半導体層は、ｐ型ＧａＮからなる、請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記発光構造物を一部除去してｎ型窒化物半導体層の一部を露出させる段階と、
前記露出されたｎ型窒化物半導体層に第１の電極を形成する段階と、
前記透明電極の上に第２の電極を形成する段階と、
をさらに含む、請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記ｎ型窒化物半導体層の上に透明電極を形成する段階をさらに含む、請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記ｎ型窒化物半導体層の上に位置する透明電極は、スパッタリング工程によって形成される、請求項１０に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記スパッタリング工程の後に、前記ｎ型窒化物半導体層は、前記透明電極の下部に対応する領域における窒素空孔の濃度が他の領域より高い、請求項１１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層の上に位置する各透明電極の上部にｎ型及びｐ型電極をそれぞれ形成する段階をさらに含む、請求項１０に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記ｎ型及びｐ型電極は、Ａｌを含む物質からなる、請求項１３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記ｎ型及びｐ型電極は、同じ物質からなる、請求項１３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記ｎ型及びｐ型電極は、同時に形成される、請求項１３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子の一種である発光ダイオード（ＬＥＤ）は、電流が加わると、ｐ型及びｎ型半導体の接合部分において電子と正孔との再結合によって色々な色の光を生じることができる半導体装置である。このような半導体発光素子は、フィラメントを用いた発光素子に比べて長い寿命、低い電源、優れた初期駆動特性、高い振動抵抗等の様々な長所を有するため、需要が増加し続けている。特に、近年では、青色系列の短波長領域の光を発光できるＩＩＩ族窒化物半導体が脚光を浴びている。
【０００３】
このようなＩＩＩ族窒化物半導体を用いる発光素子は、基板上にｎ型及びｐ型窒化物半導体層とその間に形成された活性層とを備える発光構造物を成長させることにより得られる。この場合、発光構造物の表面には、半導体層とのオーミックコンタクト機能又は電流分散機能等を行うために透明電極が形成される。このような透明電極は、高水準の電気伝導性と透光性を実現するために、結晶性に優れる必要がある。結晶性が悪くなると、発光構造物の品質に優れていても、素子全体の特性が大きく低下する可能性があるためである。したがって、当技術分野では、発光素子に用いられる透明電極の品質を向上させることができる方案が求められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、製造過程において電極特性の劣化現象を最小化することにより、電気的性能に優れた透明電極を有する半導体発光素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決するために、本発明の一実施形態は、
基板上にｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層を順次成長させて発光構造物を形成する段階と、上記ｐ型窒化物半導体層の上にスパッタリング工程を用いて透明電極を形成する段階と、上記スパッタリング工程の前又は上記スパッタリング工程中に当該スパッタリング工程が行われる反応室内部を窒素ガス雰囲気にする段階と、を含む半導体発光素子の製造方法を提供する。
【０００６】
本発明の一実施形態において、上記透明電極は、透明伝導性酸化物からなることができる。
【０００７】
本発明の一実施形態において、上記スパッタリング工程中に上記ｐ型窒化物半導体層から窒素原子が放出されて当該ｐ型窒化物半導体層に窒素空孔が生じる場合、上記反応室内部の窒素ガスは、上記窒素空孔に充填されることができる。
【０００８】
本発明の一実施形態において、上記透明電極は、窒素ガス雰囲気下で形成された部分と、窒素ガスの供給が止まった状態で形成された部分と、を含むことができる。
【０００９】
この場合、上記透明電極は、窒素ガス雰囲気下で一部が形成された後、窒素ガスの供給が止まった状態で残りが形成されることができる。
【００１０】
この場合、上記透明電極が上記ｐ型窒化物半導体層の上面を全て覆った後に上記反応室内部への窒素ガスの供給を止めることができる。
【００１１】
本発明の一実施形態において、上記ｐ型窒化物半導体層は、ｐ型ＧａＮからなることができる。
【００１２】
本発明の一実施形態において、上記半導体発光素子の製造方法は、上記発光構造物を一部除去して第１の導電型半導体層の一部を露出させる段階と、上記露出された第１の導電型半導体層に第１の電極を形成する段階と、上記透明電極の上に第２の電極を形成する段階と、をさらに含むことができる。
【００１３】
本発明の一実施形態において、上記半導体発光素子の製造方法は、上記発光構造物を一部除去してｎ型窒化物半導体層の一部を露出させる段階と、上記露出されたｎ型窒化物半導体層に第１の電極を形成する段階と、上記透明電極の上に第２の電極を形成する段階と、をさらに含むことができる。
【００１４】
本発明の一実施形態において、上記半導体発光素子の製造方法は、上記ｎ型窒化物半導体層の上に透明電極を形成する段階をさらに含むことができる。
【００１５】
この場合、上記ｎ型窒化物半導体層の上に位置する透明電極は、スパッタリング工程によって形成されることができる。
【００１６】
上記スパッタリング工程の後に、上記ｎ型窒化物半導体層は、上記透明電極の下部に対応する領域の窒素空孔の濃度が他の領域より高いことができる。
【００１７】
本発明の一実施形態において、上記半導体発光素子の製造方法は、上記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層の上に位置する各透明電極の上部にｎ型及びｐ型電極をそれぞれ形成する段階をさらに含むことができる。
【００１８】
この場合、上記ｎ型及びｐ型電極は、Ａｌを含む物質からなることができる。
【００１９】
また、上記ｎ型及びｐ型電極は、同じ物質からなることができる。
【００２０】
また、上記ｎ型及びｐ型電極は、同時に形成されることができる。
【００２１】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明により得られる半導体発光素子は、スパッタリング工程により透明電極を製造する上で、窒素空孔による電極特性の劣化現象を最小化することにより、電気的特性が大幅に向上した透明電極を提供することができる。
【００２３】
また、相対的に低コストのＡｌを電極に用いる場合、製造工程を単純化すると共に電極の外観不良を最小化することができ、さらに、電気的特性に優れた電極構造が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施形態による半導体発光素子の製造方法を概略的に示す工程断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による半導体発光素子の製造方法を概略的に示す工程断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による半導体発光素子の製造方法を概略的に示す工程断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による半導体発光素子の製造方法を概略的に示す工程断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による半導体発光素子の製造方法を概略的に示す工程断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による半導体発光素子の製造方法により得られた半導体発光素子を概略的に示す断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態により製造された半導体発光素子を概略的に示す断面図である。
【図８】図７のｎ型窒化物半導体層とｎ型電極の周辺領域を拡大して示す図である。
【図９】図７の構造を有する半導体発光素子の製造方法の一例を説明するための工程別の断面図である。
【図１０】図７の構造を有する半導体発光素子の製造方法の一例を説明するための工程別の断面図である。
【図１１】図７の構造を有する半導体発光素子の製造方法の一例を説明するための工程別の断面図である。
【図１２】図７の構造を有する半導体発光素子の製造方法の一例を説明するための工程別の断面図である。
【図１３】本発明による半導体発光素子の使用例を概略的に示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００２６】
但し、本発明の実施形態は、多様な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が後述する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野における通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張されることがある。なお、図面上において同一符号で表示される要素は、同一の要素である。
【００２７】
図１から図５は、本発明の一実施形態による半導体発光素子の製造方法を概略的に示す工程断面図である。図６は、本発明の一実施形態による半導体発光素子の製造方法により得られた半導体発光素子を概略的に示す断面図である。本実施形態による半導体発光素子の製造方法を説明すると、まず、図１に示されるように、基板１０１上にｎ型窒化物半導体層１０２、活性層１０３及びｐ型窒化物半導体層１０４を順次形成する。この場合、上記ｎ型窒化物半導体層１０２、活性層１０３及びｐ型窒化物半導体層１０４を備える構造を発光構造物という。
【００２８】
上記基板１０１としては、半導体成長用基板であって、サファイア、ＳｉＣ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＭｇＯ、ＬｉＡｌＯ２、ＬｉＧａＯ２、ＧａＮ等の電気絶縁性及び導電性物質からなる基板を用いることができる。これらのうち電気絶縁性を有するサファイアを最も好ましく用いることができ、当該サファイアからなる電気絶縁性の基板１０１を用いることにより、後述するようにｎ型窒化物半導体層１０２に連結される電極を形成するためのエッチング工程が伴われることができる。サファイアは、六角−菱型（Ｈｅｘａ−Ｒｈｏｍｂｏ  Ｒ３ｃ）の対称性を有する結晶体で、ｃ軸及びａ軸方向の格子定数がそれぞれ１３．００１Å及び４．７５８Åであり、Ｃ（０００１）面、Ａ（１１２０）面、Ｒ（１１０２）面等を有する。この場合、上記Ｃ面は、窒化物薄膜の成長が比較的容易であり高温で安定するため、窒化物成長用基板として主に用いられる。
【００２９】
上記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層１０２、１０４は、それぞれｎ型及びｐ型不純物がドープされた窒化物半導体からなり、例えば、ＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成を有する物質からなることができる。上記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層１０２、１０４の間に形成される活性層１０３は、電子と正孔との再結合によって所定のエネルギーを有する光を放出し、量子井戸層と量子障壁層とが交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ）構造、例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ構造を用いることができる。発光構造物を構成する上記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層１０２、１０４と上記活性層１０３は、有機金属化学蒸着（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＭＯＣＶＤ）、水素化気相エピタキシー（Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ；ＨＶＰＥ）、分子線エピタキシー（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ；ＭＢＥ）等の当技術分野における公知の工程を用いて成長されることができる。
【００３０】
次に、図２に示されるように、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工程を用いて上記ｐ型窒化物半導体層１０４の上に透明電極を形成する。スパッタリングとは、所望の薄膜と同質の物質からなるターゲットに高エネルギーの粒子を衝突させることにより、当該ターゲットから原子や分子が叩き出されて薄膜を形成する方法をいう。本実施形態と関連して具体的に説明すると、発光構造物１０２、１０３、１０４が形成された状態の上記基板１０１をスパッタリング反応室２００の内部の支持部２０１上に配置させた後、当該スパッタリング反応室２００の内部にスパッタリングガス２０５を注入する。上記スパッタリングガス２０５としては、当該技術分野における公知のアルゴン（Ａｒ）ガスを用いることができ、ガス注入部２０４を介して上記スパッタリング反応室２００の内部に注入されたスパッタリングガス２０５は、当該スパッタリング反応室２００の内部に印加された電圧によってイオン化されて、電子、イオン（例えば、Ａｒ＋イオン）、中性のガスが混じっているプラズマ状態となる。このため、スパッタリングターゲット２０２は、これに連結された電源部２０３によって陰極となるように帯電されることができる。この場合、図示されてはいないが、上記スパッタリング反応室２００の内部には、他の電源部と連結された陽極が存在し、例えば、上記支持部２０１が陽極の役割を行うことができる。
【００３１】
イオン状態の上記スパッタリングガス２０５は、上記スパッタリング反応室２００の内部に印加された電圧によって上記スパッタリングターゲット２０２と衝突し、これにより、当該スパッタリングターゲット２０２からスパッタされた物質が上記ｐ型窒化物半導体層１０４の上に薄膜を形成することができる。本実施形態のスパッタリングターゲット２０２は、透明電極を形成するための物質として、例えば、ＩＴＯ、ＣＩＯ、ＺｎＯ等の透明伝導性酸化物を用いることができる。なお、スパッタリング工程の場合、電子ビーム蒸着工程と比較して相対的に設備安定性が高く維持管理に有利であり薄膜の厚さ及び成分等を容易に調節することができる長所がある。しかしながら、スパッタリング工程により製造された透明電極は、その電気的特性、即ち、オーミック特性が電子ビーム蒸着に比べて劣る。これは、図３に示されるように、スパッタリングターゲット２０２によってｐ型窒化物半導体層１０４に窒素空孔ｖが生じるためであると理解される。
【００３２】
具体的には、上記スパッタリングガス２０５によって上記スパッタリングターゲット２０２からスパッタされた粒子は、上記ｐ型窒化物半導体層１０４と衝突して当該ｐ型窒化物半導体層１０４に損傷を誘発し、これにより、当該ｐ型窒化物半導体層１０４をなす物質が外部に離脱する。上記ｐ型窒化物半導体層１０４がｐ型ＧａＮからなる場合は、ガリウム粒子に比べて小さいサイズの窒素粒子がより容易に外部に離脱し、当該離脱された窒素粒子によって当該ｐ型窒化物半導体層１０４に窒素空孔ｖが生じ、これにより、自由電子の量が増加する。結局、上記増加した自由電子が上記ｐ型窒化物半導体層１０４に存在する正孔（ｈｏｌｅ）と相殺してキャリアの量が減少する。電気的特性の低下原因の一つとして、このような窒素空孔ｖの発生が挙げられる。
【００３３】
このような問題を最小化するために、本実施形態では、上記スパッタリングガス２０５と窒素ガス２０６とを共に上記スパッタリング反応室２００の内部に注入することにより、当該スパッタリング反応室２００の内部が窒素ガス雰囲気となるようにする。上記窒素ガス２０６の注入は、スパッタリング工程の前に行われるか又はスパッタリング工程中に行われることができ、透明電極を形成する段階において上記スパッタリング反応室２００の内部が窒素ガス雰囲気に維持される条件のみ満たせば良い。上記スパッタリング反応室２００の内部に注入された窒素ガス２０６は、図４に示されるように、スパッタリング工程によって生じた窒素空孔を充填することができるため、上記ｐ型窒化物半導体層１０４の電気的特性が劣ることを防止することができる。
【００３４】
一方、上述した窒素ガス２０６の注入工程は、スパッタリング工程全体にわたって行われることができるが、場合に応じては、スパッタリング工程の一部のみに適用されることができる。即ち、初期スパッタリング工程の場合、ｐ型窒化物半導体層１０４が露出されているため、窒素ガス２０６の注入工程が求められるが、図５に示されるように透明電極１０５がある程度形成されてｐ型窒化物半導体層１０４が露出されない場合は、窒素ガス２０６の供給を止め、スパッタリングガス２０５のみを注入することができる。すなわち、透明電極１０５の少なくともｐ型窒化物半導体層１０４に接する部分は、窒素ガス２０６が供給されている状態に形成され、透明電極１０５の少なくとも一部は、窒素ガス２０６が供給されていない状態で形成されてよい。これにより、工程をより効率よく行うことができる。
【００３５】
次に、図６に示されるように、素子に電気信号を印加するための第１及び第２の電極１０６、１０７を形成する。第１の電極１０６はｎ型電極であり、第２の電極１０７はｐ型電極である。これにより、半導体発光素子１００が得られる。本実施形態では、透明電極１０５を形成した後、当該透明電極１０５と発光構造物１０２、１０３、１０４の一部を除去して露出されたｎ型窒化物半導体層１０２の表面に第１の電極１０６を形成し、当該透明電極１０５上に第２の電極１０７を形成する方法を説明しているが、その工程の手順を変えることができる。即ち、透明電極１０５を形成する前に発光構造物１０２、１０３、１０４の一部を除去してｎ型窒化物半導体層１０２を露出させ、透明電極１０５を形成した後に第１及び第２の電極１０６、１０７を形成することができる。
【００３６】
図７は、本発明の他の実施形態により製造された半導体発光素子を概略的に示す断面図である。図８は、図７のｎ型窒化物半導体層とｎ型電極の周辺領域を拡大して示す図である。図７を参照すると、本実施形態による半導体発光素子３００は、基板３０１と、ｎ型窒化物半導体層３０２と、活性層３０３と、ｐ型窒化物半導体層３０４と、透明電極３０５、３０８と、ｎ型及びｐ型電極３０６、３０７と、を含む構造である。本実施形態では、透明電極をｎ型透明電極３０８とｐ型透明電極３０５とに区分して表現する。前述した実施形態とは異なり、本実施形態では、上記ｎ型窒化物半導体層３０２と上記ｎ型電極３０６との間に上記ｎ型透明電極３０８が配置され、当該ｎ型透明電極３０８は、上記ｐ型透明電極３０５と同様に透明伝導性酸化物からなることができる。また、上記ｎ型透明電極３０８もスパッタリング工程によって形成されることができるため、素子の電気的特性が向上することができる。
【００３７】
具体的には、前述と同様に、スパッタリング工程によってｎ型窒化物半導体層３０２をなす粒子の一部が再スパッタリング（ｒｅ−ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）効果のため当該ｎ型窒化物半導体層３０２から離脱する。この場合、相対的に小さいイオンサイズを有する窒素粒子の離脱が増加するため、図８に示されるように上記ｎ型窒化物半導体層３０２の内部に窒素空孔ｖが生じる。これにより、上記ｎ型窒化物半導体層３０２は、上記ｎ型透明電極３０８の下部に対応する領域の窒素空孔ｖの濃度が他の領域より高くなり、これは、自由電子の増加をもたらすため、当該ｎ型窒化物半導体層３０２の表面の抵抗を減少させることができる。
【００３８】
一方、上記ｎ型及びｐ型透明電極３０８、３０５の上に形成されるｎ型及びｐ型電極３０６、３０７は、一般に用いられるＡｕの代わりにＡｌを含む物質からなり、これにより、工程のコストを減少させることができる。また、Ａｌ電極を形成する上で、１回の工程でｎ型及びｐ型電極３０６、３０７を同時に形成するため、当該ｎ型及びｐ型電極３０６、３０７の外観不良を最小化することができる。具体的には、図９から図１２を参照して説明する。
【００３９】
図９から図１２は、図７の構造を有する半導体発光素子の製造方法の一例を説明するための工程別の断面図である。まず、図９に示されるように、ｎ型及びｐ型透明電極３０８、３０５が形成された状態で、絶縁部３０９を形成する。上記絶縁部３０９は、シリコン酸化物やシリコン窒化物等の誘電物質からなることができ、最終素子をパッシベーションする機能を行う。次に、ｎ型及びｐ型電極を形成するために、図１０に示されるように、マスク３１０を用いて絶縁部３０９の一部を除去することにより、透明電極３０５、３０８を露出させる。次に、図１１に示されるように、絶縁部３０９のオープン領域のみならずマスク３１０も覆うように、Ａｌを含む電極物質層３１１を形成させる。このように、本実施形態では、ｎ型及びｐ型電極を同じ物質、例えば、Ａｌを含む物質で同時に形成させるため、工程の便宜を図ることができる。
【００４０】
次に、図１２に示されるように、マスク３１０をリフトオフすることにより、ｎ型及びｐ型電極３０６、３０７に該当する部分以外の電極物質層３１１を除去する。本実施形態では、前述したように上記ｎ型及びｐ型電極３０６、３０７がＡｌを含む物質からなり、当該ｎ型及びｐ型電極３０６、３０７を形成する工程の後に絶縁膜を再び形成するか又は絶縁膜の一部を除去するためにエッチングする工程等が不要となるため、当該ｎ型及びｐ型電極３０６、３０７の損傷を最小化する。したがって、相対的に低コストのＡｌ電極を具現し且つ電極の外観不良を最小化することができる。
【００４１】
一方、上記のような過程により製造された半導体発光素子は、多様な分野で応用されることができる。図１３は、本発明による半導体発光素子の使用例を概略的に示す構成図である。図１３を参照すると、照光装置４００は、発光モジュール４０１と当該発光モジュール４０１が配置される構造物４０４と電源供給部４０３とを含んで構成され、上記発光モジュール４０１には、本発明により得られた一つ以上の半導体発光素子４０２が配置されることができる。この場合、上記半導体発光素子４０２は、それ自体が発光モジュール４０１に実装されるか又はパッケージの形態に提供されることができる。上記電源供給部４０３は、電源の入力を受けるインターフェース４０５と、上記発光モジュール４０１に供給される電源を制御する電源制御部４０６と、を含むことができる。この場合、上記インターフェース４０５は、過電流を遮断するフューズと、電磁波妨害信号を遮蔽する電磁波遮蔽フィルターと、を含むことができる。
【００４２】
上記電源制御部４０６は、電源として交流電源が入力される場合、交流を直流に変換させる整流部と、上記発光モジュール４０１に適した電圧に変換させる定電圧制御部と、を備えることができる。若し、電源自体が上記発光モジュール４０１に適した電圧を有する直流源（例えば、電池）であれば、上記整流部や定電圧制御部を省略することができる。また、上記発光モジュール４０１自体がＡＣ−ＬＥＤのような素子を採用する場合、当該発光モジュール４０１に交流電源が直接供給されることができるため、この場合にも上記整流部や定電圧制御部を省略することができる。なお、上記電源制御部４０６は、色温度等を制御して人間の感性に合う照明演出を可能にすることができ、上記電源供給部４０３は、上記半導体発光素子４０２の発光量と既設定の光量との比較を行うフィードバック回路装置と、所望の輝度や演色性等の情報が保存されたメモリ装置と、を含むことができる。
【００４３】
このような照光装置４００は、画像パネルを備える液晶表示装置等のディスプレイ装置に用いられるバックライトユニットやランプ、平板照明等の室内照明装置又は街灯、看板、表示板等の室外照明装置に用いられ、また、多様な交通手段用照明装置、例えば、自動車、船舶、航空機等に用いられることができる。さらに、ＴＶ、冷蔵庫等の家電製品や医療機器等にも広く用いられることができる。
【００４４】
本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されることなく添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載の本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で当該技術分野における通常の知識を有する者による多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた本発明の範囲に属する。
【００４５】
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【００４６】
１０１  基板
１０２  ｎ型窒化物半導体層
１０３  活性層
１０４  ｐ型窒化物半導体層
１０５  透明電極
１０６  第１の電極
１０７  第２の電極
２００  スパッタリング反応室
２０１  支持部
２０２  スパッタリングターゲット
２０３  電源部
２０４  ガス注入部
２０５  スパッタリングガス
２０６  窒素ガス
ｖ  窒素空孔
【図１】
2012099820.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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