(57)【要約】      （修正有）【課題】導体チップを放熱板上に搭載した構成がモールド層中に設けられた構成を具備する、信頼性の高い半導体モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ３１、３２が、放熱板１１上にはんだ等を用いて接合される（チップ搭載工程）。次に内部リード（リード）４１、４２のそれぞれの一端を半導体チップ本体３１１、３２１の表面にあるカソード電極３１２、３２２とそれぞれ接続して固定する。また、内部リード４１、４２のそれぞれの他端を外部リード１２、１３の他端側にそれぞれはんだで固定する（内部リード固定工程）。次に、半導体チップ３１、３２を覆う矩形体形状のモールド層６０を形成する（モールド工程）。その後、連結部１５、１６を放熱板１１に近い側で切断し、かつ連結部１７〜２１を切断する。【選択図】図４
2012099773.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱板の上に半導体チップが搭載された構造がモールド層中に設けられ、前記半導体チップの一方の極が前記放熱板に接続され、前記モールド層から突出したリードに前記半導体チップの他方の極が接続された構成を具備する半導体モジュールの製造方法であって、
前記リードが、前記モールド層からその一端が突出する外部リードと、前記半導体チップにその一端が接続されその他端が前記外部リードの他端側に接続される弾性体で構成された内部リードと、を具備する構成とし、
前記放熱板と前記外部リードとが、複数の連結部を用いて外枠部と略同一平面上で、前記放熱板と前記外部リードとが直接接さない状態で一体化された構成を具備するリードフレームが用いられ、
前記リードフレームにおいて、前記放熱板と隣接する前記外部リードの一部を、前記リードフレームの法線方向に屈曲させる第１の曲げ加工工程と、
前記リードフレームにおいて、前記外部リードの一部が屈曲された側に前記放熱板が移動するように、前記放熱板に接続された前記連結部を屈曲させる第２の曲げ加工工程と、
前記放熱板から見て前記外部リードが存在する側の前記放熱板の主面上において、前記半導体チップの一方の極が前記放熱板に接続されるように前記半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、
前記内部リードの一端を前記半導体チップの他方の極に接続して固定し、かつ前記内部リードの他端を前記放熱板と隣接する前記外部リードの一部に接続して固定する内部リード固定工程と、
前記放熱板上において、前記半導体チップと前記内部リードとを覆う構成で前記モールド層を形成するモールド工程と、
を具備することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記放熱板と隣接する前記外部リードの一部には開口部が設けられ、
前記内部リード固定工程において、
前記内部リードの他端が前記開口部を貫通して前記外部リードから突出した形態とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記半導体チップと、前記半導体チップに接続される前記リードとを複数組具備することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項４】
放熱板の一方の主面上に半導体チップが搭載された構造がモールド層中に設けられ、前記半導体チップの一方の極が前記放熱板に接続され、前記モールド層から突出したリードに前記半導体チップの他方の極が接続された構成を具備する半導体モジュールであって、
前記リードは、前記モールド層からその一端が突出する外部リードと、前記半導体チップにその一端が接続されその他端が前記外部リードの他端側に接続される弾性体で構成された内部リードと、で構成され、
前記外部リードは、前記放熱板から見て前記半導体チップが搭載された側と同一の側に前記放熱板と直接接さない状態で設置され、かつ前記放熱板に隣接する他端側の一部が、前記放熱板側に向かって屈曲した形状とされ、
前記放熱板上において、前記半導体チップと前記内部リードとが前記モールド層中に封止されたことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項５】
前記外部リードの他端側の一部には開口部が設けられ、
前記モールド層中において前記内部リードの他端が前記開口部を貫通して前記外部リードから突出した形態を具備することを特徴とする請求項４に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記半導体チップと、前記半導体チップと対応する前記リードとを複数組具備することを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記半導体チップはダイオードチップであることを特徴とする請求項４から請求項６までのいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを放熱板上に搭載した構成がモールド層中に設けられた構成を具備する半導体モジュールの製造方法に関する。また、この半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
大電流の動作を行うパワー半導体素子として、整流用のダイオードがある。こうしたダイオードは、高い放熱性をもつ基板（放熱板）上に搭載された上でモールドされ、電極端子がその外部に取り出された形態とされる。例えばこれらのダイオードはＤＣ−ＤＣコンバータに用いられるが、その際には、複数のダイオードが並列に接続されて用いられる場合が多いため、複数のダイオードチップ（シリコンチップ）が一方の端子を共通にした形態で内蔵された構造をもつ半導体モジュールとされる場合が多い。ダイオードチップは例えば数ｍｍ角程度の大きさであり、その両面にそれぞれアノード電極とカソード電極が設けられている。こうした場合の半導体モジュールの構成は、例えば特許文献１、特許文献２に記載されている。
【０００３】
特許文献１に記載の技術においては、２つのダイオードにおけるアノード電極を共通の基板側に接続する構造を採用している。これによって、特別な絶縁構造を採用しない安価な半導体モジュールを実現している。
【０００４】
特許文献２に記載の技術においては、複数のダイオードチップを同一の放熱板上に搭載し、屈曲した形状のリードを上側に引き出した構造を採用している。この際、複数のダイオードにおける同一極性のリードは並べて配列されている。また、ダイオードチップはモールド層中に封止され、リードの一部はこのモールド層から突出した構成とされる。これにより、製造が容易でかつ接続が容易な半導体モジュールを得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２９７８６４号公報
【特許文献２】特開平６−１３５３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１、特許文献２に記載の半導体モジュールの製造は容易であるものの、上側に取り出されるリードの機械的強度が問題である。このリードには外部で電気的接続がとられるが、その際にリードに力が加わった場合には、リードに接続されたダイオードチップ（半導体チップ）に直接力が加わり、モールド層中において、これらの間の接合が破壊されたり、ダイオードチップが破損する場合があった。また、リードに電気的接続をとる際だけでなく、その製造時においても、各構成部品（リードや半導体チップ）を取り扱う際に、これらの間の接合部や半導体チップ等に過大な力が加わることがある。このため、この半導体モジュールの信頼性は低くなった。
【０００７】
従って、信頼性の高い半導体モジュールを容易に製造することは困難であった。
【０００８】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
本発明の半導体モジュールの製造方法は、放熱板の上に半導体チップが搭載された構造がモールド層中に設けられ、前記半導体チップの一方の極が前記放熱板に接続され、前記モールド層から突出したリードに前記半導体チップの他方の極が接続された構成を具備する半導体モジュールの製造方法であって、前記リードが、前記モールド層からその一端が突出する外部リードと、前記半導体チップにその一端が接続されその他端が前記外部リードの他端側に接続される弾性体で構成された内部リードと、を具備する構成とし、前記放熱板と前記外部リードとが、複数の連結部を用いて外枠部と略同一平面上で、前記放熱板と前記外部リードとが直接接さない状態で一体化された構成を具備するリードフレームが用いられ、前記リードフレームにおいて、前記放熱板と隣接する前記外部リードの一部を、前記リードフレームの法線方向に屈曲させる第１の曲げ加工工程と、前記リードフレームにおいて、前記外部リードの一部が屈曲された側に前記放熱板が移動するように、前記放熱板に接続された前記連結部を屈曲させる第２の曲げ加工工程と、前記放熱板から見て前記外部リードが存在する側の前記放熱板の主面上において、前記半導体チップの一方の極が前記放熱板に接続されるように前記半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、前記内部リードの一端を前記半導体チップの他方の極に接続して固定し、かつ前記内部リードの他端を前記放熱板と隣接する前記外部リードの一部に接続して固定する内部リード固定工程と、前記放熱板上において、前記半導体チップと前記内部リードとを覆う構成で前記モールド層を形成するモールド工程と、を具備することを特徴とする。
本発明の半導体モジュールの製造方法において、前記放熱板と隣接する前記外部リードの一部には開口部が設けられ、前記内部リード固定工程において、前記内部リードの他端が前記開口部を貫通して前記外部リードから突出した形態とすることを特徴とする。
本発明の半導体モジュールの製造方法は、前記半導体チップと、前記半導体チップに接続される前記リードとを複数組具備することを特徴とする。
本発明の半導体モジュールは、放熱板の一方の主面上に半導体チップが搭載された構造がモールド層中に設けられ、前記半導体チップの一方の極が前記放熱板に接続され、前記モールド層から突出したリードに前記半導体チップの他方の極が接続された構成を具備する半導体モジュールであって、前記リードは、前記モールド層からその一端が突出する外部リードと、前記半導体チップにその一端が接続されその他端が前記外部リードの他端側に接続される弾性体で構成された内部リードと、で構成され、前記外部リードは、前記放熱板から見て前記半導体チップが搭載された側と同一の側に前記放熱板と直接接さない状態で設置され、かつ前記放熱板に隣接する他端側の一部が、前記放熱板側に向かって屈曲した形状とされ、前記放熱板上において、前記半導体チップと前記内部リードとが前記モールド層中に封止されたことを特徴とする。
本発明の半導体モジュールにおいて、前記外部リードの他端側の一部には開口部が設けられ、前記モールド層中において前記内部リードの他端が前記開口部を貫通して前記外部リードから突出した形態を具備することを特徴とする。
本発明の半導体モジュールは、前記半導体チップと、前記半導体チップと対応する前記リードとを複数組具備することを特徴とする。
本発明の半導体モジュールにおいて、前記半導体チップはダイオードチップであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は以上のように構成されているので、信頼性の高い半導体モジュールを容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法において用いられるリードフレームの構成を、半導体チップが搭載される前までの状態において示す斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法において用いられるリードフレームの構成を、半導体チップが搭載される前までの状態において示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法において用いられるリードフレームを異なる方向から見た斜視図（ａ）、側面図（ｂ）である。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法において用いられるリードフレーム上の構成を、半導体チップが搭載される以降の状態において示す斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法において、内部リードの固定の状況を示す斜視図（ａ）、断面図（ｂ）である。
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの一例において外部から電極端子を接続する際の形態を示す斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法において、他の構成のリードフレームを用いた場合の形態の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態となる半導体モジュールについて説明する。この半導体モジュールにおいては、２つのダイオードチップ（シリコンチップ：半導体チップ）が同一の放熱板上に搭載された構造がモールド層中に封入されている。各ダイオードチップのアノード電極（一方の極）は、この放熱板に接続されており、各カソード電極（他方の極）に接続されたリードが、このモールド層から突出した構成とされる。ここで、リードは、モールド層からその一端が突出しその他端側に開口部が設けられた外部リードと、ダイオードチップにおけるカソード電極にその一端が接続されその他端が外部リードの他端側に接続される内部リードとで構成される。
【００１３】
この半導体モジュールを製造する際には、リードを構成するうちの一方である外部リードと放熱板とが一体化されたリードフレームが用いられる。このリードフレーム１０の斜視図を図１に示す。ここで、このリードフレーム１０は、平板から図１（ａ）の形態で製造され、第１の曲げ加工工程後に図１（ｂ）の形態とされ、第２の曲げ加工工程後に図１（ｃ）の形態とされる。また、これに対応した平面図を図２（ａ）〜（ｃ）にそれぞれ示す。なお、実際にはこのリードフレーム１０は多数が配列された形態で一体化された大面積の形態で使用され、これを用いて多数の半導体モジュールが製造される。図１、２に示されたリードフレーム１０は、この大型のリードフレームのうち、１個の半導体モジュールに対応した箇所となっている。
【００１４】
図１（ａ）、図２（ａ）に示されるように、このリードフレーム１０においては、放熱板１１と、外部リード１２、１３とが外枠部１４との間で連結部１５〜２１を用いて固定されている。ただし、放熱板１１と外部リード１２、１３とは連結部１５〜２１、外枠部１４を介してのみ接しており、直接には接していない。
【００１５】
リードフレーム１０は、熱伝導率、電気伝導度が高く、充分な機械的強度をもち、かつ曲げ加工が可能な材料として、例えば銅や銅合金で構成される。このため、図１（ａ）、図２（ａ）の形態は、この材料で構成された平板を加工することによって形成される。ただし、放熱板１１は外部リード１２、１３よりも厚く設定されるため、この平板においては、放熱板１１となる箇所が厚く、外部リード１２、１３となる箇所がこれよりも薄くされる。また、連結部１５〜２１は、後で機械的に折り曲げられたり、切断されるために、外部リード１２、１３と同様に薄いことが好ましい。平板がこのような板厚設定とされた後に、例えばプレス加工等が施されることによって、図１（ａ）、図２（ａ）の形態のリードフレーム１０が製造される。この状態では、放熱板１１、外部リード１２、１３、外枠部１４はいずれも平面形状であり、これらは略同一平面上に配置された形態となっている。なお、外部リード１２、１３の一端側に接続された連結部１７、１８の中心には、後でこれらを切断することが容易となるように、開口が形成されている。
【００１６】
なお、図１（ａ）、図２（ａ）に示されるように、放熱板１１、外部リード１２、１３には円形の開口や切り欠き部が形成されている。これらは、後で放熱板１１、外部リード１２、１３をビス止め固定する際に用いられる。また、外部リード１２、１３における放熱板１１側には、矩形開口部（開口部）１２１、１３１がそれぞれ設けられている。
【００１７】
次に、図１（ａ）、図２（ａ）の形態のリードフレーム１０において、外部リード１２、１３の他端側の一部を、図１（ｂ）、図２（ｂ）に示されるように、下側に向かって折り曲げる（第１の曲げ加工工程）。この工程においては、外部リード１２、１３において矩形開口部１２１、１３１が形成されたその一部（他端側）を、共にリードフレーム１０の法線方向（図中下側）に向かって屈曲させる。この作業は、通常の機械曲げ加工によって行うことができる。
【００１８】
次に、図１（ｃ）、図２（ｃ）に示されるように、放熱板１１が元の位置と平行の状態で下側（外部リード１２、１３の一部が屈曲された側）に移動するように、放熱板１１に接続された連結部１５、１６を折り曲げる（第２の曲げ加工工程）。これにより、放熱板１１は、外枠部１４よりも下側に平行に移動する。この際、外部リード１２、１３の折り曲げられた先端部と放熱板１１とは接さない状態とされる。図１（ｃ）、図２（ｃ）の状態を図１（ｃ）中の矢印方向上側から見た斜視図を図３（ａ）、この矢印方向から見た側面図を図３（ｂ）に示す。
【００１９】
以上の工程により、最終的に、リードフレーム１０は、図１（ｃ）、図２（ｃ）、図３に示された形態となる。この状態においては、外部リード１２、１３と放熱板１１とは異なる平面上に位置し、矩形開口部１２１、１３１が形成された外部リード１２、１３の他端側の一部は、放熱板１１がある側に向かって屈曲した形状とされている。
【００２０】
この形態とされたリードフレーム１０上に半導体チップが搭載される。また、内部リードが半導体チップと接続され、この内部リードが外部リードと接続されることによって、リード（外部リード）と半導体チップとの電気的接続がなされる。ここで用いられる半導体チップは、例えばダイオードが内部に形成されたダイオードチップである。その形状は矩形体であり、その裏面側（放熱板１１に接合される側）にダイオードのアノード電極が、表面側にカソード電極がそれぞれ設けられている。
【００２１】
図４は、上記の形態のリードフレーム１０上に半導体チップを搭載する以降の工程を示す、図１に対応した斜視図である。
【００２２】
まず、図４（ａ）に示されるように、半導体チップ３１、３２が、放熱板１１上にはんだ等を用いて接合される（チップ搭載工程）。半導体チップ３１、３２が搭載されるのは、放熱板１１から見て外枠部１４や外部リード１２、１３が存在する側の放熱板１１の主面である。半導体チップ３１、３２は、矩形体形状の半導体チップ本体３１１、３２１の表面にカソード電極３１２、３２２が形成された構成をなしている。半導体チップ３１、３２の接合の際、これらの裏面にあるアノード電極と放熱板１１とは電気的にも接合されるため、基板１１は半導体チップ３１、３２共通のアノード端子となる。
【００２３】
次に、図４（ｂ）に示されるように、内部リード（リード）４１、４２のそれぞれの一端を半導体チップ本体３１１、３２１の表面にあるカソード電極３１２、３２２とそれぞれ接続して固定する。また、内部リード４１、４２のそれぞれの他端を外部リード１２、１３の他端側（放熱板１１と隣接し、屈曲した外部リード１２、１３の一部）にそれぞれはんだで固定する（内部リード固定工程）。これにより、内部リード４１、４２はこの構造中で固定される。この際、内部リード４１、４２の他端は外部リード１２における矩形開口部１２１、外部リード１３における矩形開口部１３１をそれぞれ貫通した上ではんだによって外部リード１２、１３にそれぞれ接合される。
【００２４】
内部リード４１、４２は、それぞれクランク状に屈曲した形状をなすが、その材質は、導電性でありかつ弾性変形が可能な材料を用いることができ、リードフレーム１０とは異なる材料を用いることができる。
【００２５】
図５（ａ）は、外部リード１２、内部リード４１、半導体チップ３１の間の接合の状況を示す拡大斜視図、これらの接合部分の断面図が図５（ｂ）である。半導体チップ本体３１１の裏面に形成されたアノード電極３１３と放熱板１１とははんだ層５１で接合され、半導体チップ本体３１１の表面に形成されたカソード電極３１２と内部リード４１の一端（図５（ｂ）における左側下面）とははんだ層５２で接合される。内部リード４１の他端（図５（ｂ）における右端）が外部リード１２における矩形開口部１２１を貫通した状態で、矩形開口部１２１中にはんだ層５３が形成されることによって、内部リード４１と外部リード１２とが接合される。なお、斜視図（図５（ａ））においては、はんだ層５１〜５３の記載は省略している。
【００２６】
次に、図４（ｃ）に示されるように、半導体チップ３１、３２を覆う矩形体形状のモールド層６０を形成する（モールド工程）。モールド層６０は、例えば樹脂材料で構成される。この工程は、通常の半導体モジュールを製造する場合に行われるモールド工程と同様である。この際に、連結部１５〜２１はいずれもモールド層６０の外側に露出した形態とされる。
【００２７】
その後、連結部１５、１６を放熱板１１に近い側で切断し、かつ連結部１７〜２１を切断することによって外枠部１４を分離すれば、図４（ｄ）に示されるように、個々の半導体モジュール１００が得られる。この半導体モジュール１００を使用する際には、外部リード１２、１３に、外部から配線が接続される。
【００２８】
上記の製造方法を実行するに際して、図４（ｃ）に示された構造（放熱板１１上の構造）は、外枠部１４ごと取り扱うことができる。前記のように、実際には、多数のリードフレーム１０が配列された大型のリードフレームを用いて同時に多数の半導体モジュールが製造される。この場合においても、図４（ｃ）に示された構造が配列された構造全体を外枠部１４を用いて扱うことが可能である。この点については、図４（ａ）（ｂ）の状態においても同様であり、半導体チップ３１、３２が搭載された以降の工程において、外枠部１４と直接接触することによって、全体の構造を取り扱うことが可能である。この際、外部リード１２、１３や放熱板１１は連結部１５〜２１を介して外枠部１４と接続されているため、外枠部１４を取り扱うことによって加わる力は、外部リード１２、１３や放熱板１１に連結部１５〜２１を介して伝わり、半導体モジュールにおいて最も重要な構成要素である半導体チップ３１、３２にはこの力が直接伝わることはない。また、半導体チップ３１、３２と内部リード４１、４２との接合部にもこの力が伝わらないため、これらの間のはんだ接合部の破壊も抑制される。
【００２９】
また、高い歩留まりで高信頼性の半導体モジュールを製造するためには、上記の製造工程において、リード（外部リード、内部リード）、半導体チップ、放熱板の位置関係は高精度で維持されることが必要である。これに対して、リードフレーム１０が図１（ｃ）の形態とされて以降は、放熱板１１、外部リード１２、１３の位置関係は連結部１５〜２１と外枠部１４によって維持される。また、内部リード４１、４２とこれらとの間の位置関係は、外部リード１２、１３における矩形開口部１２１、１３１によって維持される。このため、上記の製造方法において、これらの構成要素の位置関係は高精度で維持される。このため、高い歩留まりで高い信頼性をもつ半導体モジュールを容易に製造することができる。
【００３０】
この半導体モジュール１００に対して配線を接続する際の構成について、以下に説明する。この場合に配線を接続する際の形態を示す斜視図が図６である。まず、図６（ａ）は、モールド層６０を形成した後の外観斜視図である。この状態においては、モールド層６０から外部リード１２、１３の上部が上方かつ外側に向かって突出している。
【００３１】
次に、図６（ｂ）に示されるように、モールド層６０の上面に２個のナット６１、６２を埋め込む。ナット６１、６２は、それぞれが外部リード１２、１３に設けられた円形の開口部に対応する。
【００３２】
次に、図６（ｃ）に示されるように、外部リード１２、１３を内側に向かって折り曲げる。この際、外部リード１２、１３にある開口部と、ナット６１、６２とが対応する位置となっていれば、上方から、この開口部にビス６３、６４を貫通させることにより、配線を外部リード１２、１３にビス止めして固定することができる。
【００３３】
すなわち、モールド層６０を形成後に、図６（ｂ）に示された形態でナット６１、６２をモールド層６０の上面に設置することにより、配線の接続を特に容易に行うことができる。
【００３４】
外部リード１２、１３を内側に向かって折り曲げる際には、これらに外部から大きな力が加わる。しかしながら、こうした場合においても、上記の構造の半導体モジュール１０においては、外部リード１２、１３が直接半導体チップ３１、３２の固定されておらず、この際に発生する応力は内部リード４１、４２が弾性変形することによって緩和される。また、図５（ｂ）に示された形態がモールド層６０の中に形成されている。この場合、外部リード１２を貫通して内部リード４１の他端が突出した形態となっているため、外部リード１２に対して図５（ｂ）中の白矢印で示された方向に力が加わった際におけるモールド層６０と外部リード１２、内部リード４１との間の接合の耐性も高まる。
【００３５】
また、内部リード４１、４２を外部リード１２、１３に接続する際には、内部リード４１、４２の他端をそれぞれ矩形開口部１２１、１３１に貫通させた後に、これらがはんだ（はんだ層５３）で固定される。このため、内部リード４１、４２と外部リード１２、１３の接合の位置精度も高まる。
【００３６】
従って、この半導体モジュール１００の信頼性を高めることができる。また、上記のリードフレーム１０を用いてこの半導体モジュール１００を容易に製造することができる。
【００３７】
なお、放熱板、リード（外部リード、内部リード）、外枠部、連結部が接続された形態をもつリードフレームの構成は、上記の製造方法が適用できる限りにおいて任意である。例えば、図７は、２つの放熱板上にそれぞれ半導体モジュールが２個並べて製造されるような形態としたリードフレーム４１０を用いた際のモールド工程後（図４（ｃ）に対応）の形態の斜視図である。このリードフレーム４１０においては、放熱板４１１、４１２と、外部リード４１３〜４１６が各半導体モジュール用に用いられ、これらの外側に外枠部４１７が配置される。放熱板４１１と放熱板４１２とは、図中の中央付近で連結部４１８〜４２２で接続され、この箇所においてこの構造が連結部４２３によって外枠部４１７に接続される。また、放熱板４１１の左端部は、連結部４２４〜４２６を介して連結部４２７によって外枠部４１７に接続される。同様に、放熱板４１２の右端部は、連結部４２８〜４３０を介して連結部４３１によって外枠部４１７に接続される。外部リード４１３、４１４と外枠部４１７との接続方法、外部リード４１５、４１６と外部リード４１７との接続方法は図１に記載のリードフレーム１０とそれぞれ同様である。
【００３８】
図７の構成に用いられるリードフレーム４１０においては、隣接する放熱板４１１、４１２において共通する連結部４２３が用いられる。これにより、第２の曲げ加工工程を、隣接する放熱板４１１、４１２で共通に行うことができるため、製造工程の単純化、第２の曲げ加工工程後の放熱板４１１、４１２の位置精度を向上させることができる。
【００３９】
なお、上記の例では、外部リード１２、１３の他端側に矩形開口部１２１、１３１を形成し、矩形開口部１２１、１３１を内部リード４１、４２が貫通させて形態として内部リード４１、４２と外部リード１２、１３を接続したが、これらの接続方法は任意である。例えば、矩形以外の形状の開口部を用いてもよく、開口部を用いずにこれらを直接接続してはんだで固定することもできる。
【００４０】
また、上記の例では半導体チップとリードを２組ずつ用いていたが、これらを３組以上としてもよい。あるいは、１組だけであっても同様に半導体モジュールを製造できることは明らかである。また、放熱板を２個の半導体チップの共通のアノード電極として用いたが、放熱板を２つに分割可能な構成とし、それぞれを個々の半導体チップのアノード電極とすることも可能である。
【００４１】
また、上記の例では、表面形状が平坦である放熱板に半導体チップが搭載されるとしたが、放熱板の表面の形態は、半導体チップを同様に搭載でき、かつ上記の製造方法が適用できる限りにおいて任意である。例えば、半導体チップを搭載しやすいような凹凸を適宜形成することもできる。
【００４２】
また、上記の例では、放熱板側にダイオードのアノード電極を接続し、リード側にカソード電極を接続する構成としたが、これらが逆であっても同様の効果を奏することは明らかである。また、ダイオードだけでなく、２つの電極端子を用いて駆動する半導体デバイスを用いた半導体モジュールであれば、同様の構成を使用することができることは明らかである。
【符号の説明】
【００４３】
１０、４１０  リードフレーム
１１、４１１、４１２  放熱板
１２、１３、４１３〜４１６  外部リード（リード）
１４、４１７  外枠部
１５〜２１、４１８〜４３１  連結部
３１、３２  半導体チップ
４１、４２  内部リード（リード）
５１〜５３  はんだ層
６０  モールド層
１００  半導体モジュール
１２１、１３１  矩形開口部（開口部）
３１１、３２１  半導体チップ本体（半導体チップ）  
３１２、３２２  カソード電極（半導体チップ）
３１３  アノード電極（半導体チップ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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