(57)【要約】  【課題】  生産性を向上させることが可能な発光素子の製造方法を提供する。  【解決手段】  本発明の発光素子の製造方法は、単結晶基板５の上面５Ａに、単結晶基板５と異なる熱膨張係数を有し、底面６Ｂが単結晶基板５と接するとともに、頂面６Ａ方向から底面６Ｂに向かうにつれて単結晶基板５の上面５Ａと平行な断面積が頂面６Ａの面積よりも小さくなる突起部６を複数有する基体４を準備する工程と、突起部６の頂面６Ａに、熱膨張係数が単結晶基板５よりも突起部６を構成する材料に近い半導体層２を成長させる工程と、しかる後、温度を降下させることによって、単結晶基板５と複数の突起部６との間に熱応力を生じさせて突起部６と単結晶基板５とを両者の界面付近で分断し、半導体層２側に突起部６の残存部を凸状体３として複数形成する工程とを有する。そのため、単結晶基板５を容易に除去することができ、生産性を向上させることができる。【選択図】  図４
2012099533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶基板の上面に、該単結晶基板と異なる熱膨張係数を有し、底面が前記単結晶基板と接するとともに、頂面方向から前記底面に向かうにつれて前記単結晶基板の前記上面と平行な断面積が前記頂面の面積よりも小さくなる突起部を複数有する基体を準備する工程と、
前記突起部の前記頂面に、熱膨張係数が前記単結晶基板よりも前記突起部を構成する材料に近い半導体層を成長させる工程と、
しかる後、温度を降下させることによって、前記単結晶基板と複数の前記突起部との間に熱応力を生じさせて前記突起部と前記単結晶基板とを両者の界面付近で分断し、前記半導体層側に前記突起部の残存部を凸状体として複数形成する工程と
を有する発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記凸状体を複数形成する工程において、前記単結晶基板の側面に対して、前記突起部の前記頂面と平行な方向に外力を加える請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記基体を準備する工程と、前記半導体層を成長させる工程との間に、前記単結晶基板をエッチングして、前記単結晶基板と前記突起部との接触面積を前記突起部の前記底面の面積よりも小さくする工程をさらに有する請求項１または２に記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、発光素子または受光素子として、基板上に半導体層を積層した半導体基板が用いられている。特に、発光素子または受光素子をフリップチップ構造で用いる場合、例えば半導体層で発生する光が基板で吸収されることがあった。
【０００３】
そこで、半導体層から基板を除去する技術として、例えば、基板上に半導体層を積層した後、レーザーによって半導体層から基板を除去する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第2003/0189212号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、半導体層から基板をレーザーによって除去する場合には、基板にレーザー照射する時間が長くなることから、基板を除去する工程の時間が長くなっていた。また、レーザーで基板を完全に除去することにより、基板と接していた半導体層がレーザーによって損傷を受けることがあった。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板を容易に除去することが可能な発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態にかかる発光素子の製造方法は、単結晶基板の上面に、該単結晶基板と異なる熱膨張係数を有し、底面が前記単結晶基板と接するとともに、頂面方向から前記底面に向かうにつれて前記単結晶基板の前記上面と平行な断面積が前記頂面の面積よりも小さくなる突起部を複数有する基体を準備する工程と、前記突起部の前記頂面に、熱膨張係数が前記単結晶基板よりも前記突起部を構成する材料に近い半導体層を成長させる工程と、しかる後、温度を降下させることによって、前記単結晶基板と複数の前記突起部との間に熱応力を生じさせて前記突起部と前記単結晶基板とを両者の界面付近で分断し、前記半導体層側に前記突起部の残存部を凸状体として複数形成する工程とを有している。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一実施形態にかかる発光素子によれば、単結晶基板と半導体層とが異なる熱膨張係数を持つことから、単結晶基板と半導体層との間に熱応力は生じさせることにより、単結晶基板と半導体層とを両者の界面付近で分断する。そのため、半導体層から基板を容易に除去することができ、生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態にかかる発光素子を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる発光素子の製造方法の一例を示す断面図であり、図１のＡ−Ａ’線で切断したときの断面に相当する。
【図３】本発明の一実施形態にかかる発光素子の製造方法の一例の一工程を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる発光素子の製造方法の一例の一工程を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかる発光素子の製造方法の変形例の一例の一工程を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態にかかる発光素子の製造方法の変形例の一例の一工程を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態にかかる発光素子の製造方法の変形例の一例の一工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態の例について図を参照しながら説明する。
【００１１】
なお、本発明は以下の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変更を施すことができる。
【００１２】
本例の発光素子の製造方法によって製造された発光素子１を図１に示す。発光素子１は、半導体層２および凸状体３から主に構成されている。
【００１３】
以下、図２−図４を参照しつつ、本例の発光素子１の製造方法について、各工程を説明する。なお、図２−図４は、図１のＡ−Ａ’線で切断したときの断面に相当する。
【００１４】
（基体を準備する工程）
基体４は、図２に示すように、単結晶基板５および複数の突起部６から構成されている。
【００１５】
単結晶基板５は、例えばサファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウムなどを用いることができる。単結晶基板５の厚みとしては、例えば１μｍ以上2000μｍ以下程度である。なお、単結晶基板５の厚みは、単結晶基板５の上面５Ａから第２主面５Ｂまでの厚みを指す。本例において、単結晶基板５としてサファイアを用いている。なお、単結晶基板５の上面５Ａを、以下の説明において、第１主面５Ａと称することがある。本例において、単結晶基板５はサファイアで構成されている。
【００１６】
単結晶基板５は、平面視形状が例えば四角形状などの多角形状または円形状などに設定されている。単結晶基板５として、単結晶基板５の第１主面５Ａが平坦なものを用いることができる。
【００１７】
単結晶基板５の第１主面５Ａの平坦性は、表面粗さＲｚが例えば10ｎｍ以下に設定されている。なお、単結晶基板５としては、単結晶基板５の第１主面５Ａを研磨したものを用いてもよい。単結晶基板５の第１主面５Ａの表面粗さＲｚとしては、ＪＩＳ  Ｂ0601−2001に準拠した最大高さ粗さＲｚを用いればよい。
【００１８】
単結晶基板５の第１主面５Ａとしては、例えば単結晶基板５の結晶面が揃っているものを用いることができる。単結晶基板５がサファイアの場合であれば、単結晶基板５の結晶面としては、例えばサファイアのＡ面、Ｃ面またはＲ面などを用いることができる。
【００１９】
突起部６は、単結晶基板５の第１主面５Ａに複数形成されている。突起部６は、単結晶基板５の第１主面５Ａから最も遠い位置に頂面６Ａを有している。突起部６の頂面６Ａは、例えば0.5μｍ以上５μｍ以下に設定されている。突起部６の底面６Ｂは、頂面６Ａよ
りも小さい面積で形成されており、例えば0.3μｍ以上2.5μｍ以下に設定されている。なお、突起部６の頂面６Ａは、結晶を成長しやすくするために、単結晶基板５の第１主面５Ａに対して平坦になっている。複数の突起部６は、頂面６Ａの面積が、単結晶基板５の第１主面５Ａの面積に対して、例えば40％以上85％以下に設定されている。
【００２０】
突起部６は、頂面６Ａ方向から底面６Ｂに向かうにつれて単結晶基板５の第１主面５Ａと平行な断面積が頂面６Ａの面積よりも小さくなる漸小部６’を有している。このような漸小部６’は、断面積が最も小さくなる最小部分が突起部６の底面６Ｂとなるように設定されている。
【００２１】
漸小部６’は、単結晶基板５の第１主面５Ａと平行な断面積が、頂面６Ａから底面６Ｂ方向に向かうにつれて、突起部６の頂面６Ａの面積から漸次小さくなるように設定されていてもよいし、突起部６の頂面６Ａの面積から段階的に小さくなるように設定されていてもよい。漸小部６’の断面積は、それぞれの断面において、頂面６Ａの面積に対して、例えば0.3倍よりも大きく１倍よりも小さく設定されている。突起部６の底面６Ｂ付近で、
断面積が変化する割合が大きくなる程、後述する熱応力の大きさを大きくすることができる。
【００２２】
突起部６は、単結晶基板５の材料と異なる熱膨張係数を有している材料を用いることができ、例えばIII−Ｖ族半導体などの半導体材料、または、サファイア、窒化アルミニウ
ム、酸化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウムなどの結晶材料などを用いることができる。III−Ｖ族半導体としては、例えばガリウム燐、ガリウム
ヒ素またはボロン、アルミニウム、ガリウムまたはインジウムのうち少なくとも１つの窒化物からなる混晶を用いることができる。
【００２３】
本例において、単結晶基板５がサファイア（熱膨張係数  約5.3×10−6[１／Ｋ]）で構成されていることから、突起部６として窒化ガリウム（熱膨張係数  約4.5×10−6[１／
Ｋ]）を用いている。なお、本明細書に記載している熱膨張係数値は、室温時における値
を例示しており、この熱膨張係数値は、ＪＩＳ  Ｒ1618−1994に記載された測定方法によって測定することができる。
【００２４】
単結晶基板５の第１主面５Ａに突起部６を形成する方法としては、結晶成長法を用いることができる。具体的には、単結晶基板５の第１主面５Ａの一部が露出する露出領域を有するマスクパターンを形成する。その後、成長させる半導体の組成比、成長温度および成長圧力などの成長条件を調整することにより、マスクパターンから露出した単結晶基板５の第１主面５Ａに、突起部６の底面６Ｂを成長させた後、この突起部６の底面６Ｂから外方向へ広がるように結晶成長させればよい。すなわち、突起部６の底面６Ｂに、突起部６の底面６Ｂよりも面積が少し大きい結晶を成長させていけばよく、これを繰り返すことにより、単結晶基板５の第１主面５Ａから遠ざかるにつれて、突起部６の底面６Ｂの面積よりも大きい断面積をもつ突起部６を形成することができる。
【００２５】
このようにして、単結晶基板５の上面５Ａに、複数の突起部６を形成した基体４を準備することができる。
【００２６】
（半導体層を成長させる工程）
次に、図３に示すように、突起部６の頂面６Ａに、半導体層２を結晶成長させる。
【００２７】
半導体層２は、第１半導体層２ａ、発光層２ｂおよび第２半導体層２ｃを順次積層することによって構成されている。半導体層２は、全体の厚みが例えば２μｍ以上50μｍ以下に設定される。
【００２８】
半導体層２としては、単結晶基板５の材料の熱膨張係数よりも突起部６を構成する材料の熱膨張係数に近い熱膨張係数を持つ材料であればよく、例えばIII−Ｖ族半導体を用い
ることができる。
【００２９】
III−Ｖ族半導体としては、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素などを例示することができる。III族窒化物半導体としては、ボロン、アルミニウム、ガリウム
またはインジウムのうち少なくとも１つの窒化物からなる混晶を用いることができ、例えば窒化ガリウムを用いることができる。本例においては、半導体層２として、突起部６を構成する材料と同じである窒化ガリウムを用いており、半導体層２の各層は、屈折率が、例えば1.8以上2.7以下に設定される。
【００３０】
第１半導体層２ａは、厚みが、例えば0.5μｍ以上30μｍ以下に設定されている。第１
半導体層２ａは、複数の突起部６の頂面６Ａに結晶成長させることにより設けられることから、厚み方向に延在する転位７を有するようになる。
【００３１】
発光層２ｂは、第１半導体層２ａに設けられている。発光層２ｂは、禁制帯幅の広い障壁層と禁制帯幅の狭い井戸層からなる量子井戸構造が複数回繰り返し規則的に積層された多層量子井戸構造（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）を用いることができる。発光層２
ｂは、厚みが、例えば0.5μｍ以上10μｍ以下に設定されている。
【００３２】
第２半導体層２ｃは、発光層２ｂに設けられている。第２半導体層２ｃは、電子または正孔のどちらかを多数キャリアとすることにより、第１半導体層２ａとは逆導電型を示すように設定されている。半導体に導電型を付与する方法としては、例えばマグネシウムまたはシリコンを不純物として添加する方法を用いることができる。第２半導体層２ｃは、厚みが、例えば１μｍ以上10μｍ以下に設定されている。
【００３３】
半導体層２を単結晶基板５の第１主面５Ａ上に結晶成長させる方法としては、分子線エピタキシャル法、有機金属エピタキシャル法、ハイドライド気相成長法またはパルスレーザデポジション法などを用いることができる。
【００３４】
半導体層２を結晶成長させる方法としては、例えば、単結晶基板５の第１主面５Ａに対して垂直である垂直方向よりも第１主面５Ａと平行な平面方向に結晶成長しやすくした横方向成長を用いることができる。具体的には、半導体層２のそれぞれの層において組成比、成長温度および成長圧力などの成長条件を調整することにより、光半導体層２を横方向成長させることができる。半導体層２を突起部６の頂面６Ａに結晶を横方向成長させた場合には、平面透視して隣接する２つの突起部６同士の間の領域で転位７が結合するようになる。
【００３５】
転位７は、結晶成長させる半導体の層の結晶面に、意図しない結晶面または原子ステップが発生することによって生じやすくなり、例えば刃状転位またはらせん状転位などの種類がある。このような転位７は、第１半導体層２ａと突起部６との間で格子定数が異なることに起因したり、突起部６の頂面６Ａに有する転位が引き継がれたりすることにより、第１半導体層２ａと単結晶基板との界面で起こりやすくなる。
【００３６】
単結晶基板５上に半導体層２として窒化ガリウムを結晶成長させるには、窒化ガリウムの組成比、成長温度および成長圧力などの成長条件を調整すればよい。成長温度としては、例えば350℃以上1500℃以下に設定することができる。突起部６の頂面６Ａ上に窒化ガ
リウムからなる第１半導体層２ａの低温バッファ層を設ける場合には、成長温度として例えば350℃以上800℃以下に設定すればよい。
【００３７】
ここで、成長温度とは、半導体層２を結晶成長させる成長容器内の温度を指す。成長容器内における温度の測定方法は、例えば、成長容器内に熱電対を配置して測定する方法または成長容器外から照射温度計で測定する方法などを用いることができる。一方、成長容器内の温度を測定することが困難な場合には、単結晶基板５の基板温度を成長温度として用いればよい。単結晶基板５の基板温度は、例えば、単結晶基板５の温度を制御するヒーター温度、単結晶基板５の基板温度を測定するサセプター温度、単結晶基板５にレーザを照射して、反射した光を測定することにより基板温度を測定する照射温度計の温度を用いることができる。なお、サセプターは、単結晶基板５の側面および第２主面５Ｂに接するように配置すればよい。
【００３８】
半導体層２を横方向成長によって結晶成長させる場合は、突起部６の頂面６Ａに第１半導体層２ａの結晶体を結晶成長させた後、第１半導体層２ａ、発光層２ｂおよび第２半導体層２ｃを順に横方向成長させる。結晶体は、例えば三角錐形状または六角錐形状などの多角錐形状、三角錐台形状または六角錐台形状などの多角錐台形状、円錐形状、または円錐台形状などを用いることができる。
【００３９】
このように半導体層２の厚み方向に延びる転位７の数を少なくすることにより、半導体層２の結晶品質を向上させることができ、半導体層２の発光効率を向上させることができる。また、第１半導体層２ａを横方向に結晶成長させて、半導体層２の第１半導体層２ａ内で転位４を結合させた場合には、発光層２ｂに延在する転位４を少なくすることができるため、発光層２ｂで発光する領域を広げることができる。
【００４０】
（凸状体を形成する工程）
次に、凸状体３を形成する工程について説明する。
【００４１】
半導体層２を成長させた後、成長温度から温度を降下させる。すなわち、半導体層２を成長させた成長温度から室温程度まで温度を降下させればよい。具体的には、半導体層２を例えば350℃以上1500℃以下の成長温度で成長させた後、単結晶基板５と半導体層２と
の積層体を成長容器から取り出すことにより、積層体の温度を、例えば10℃以上35℃以下の室温に降下させればよい。温度を降下させる方法としては、自然に温度降下させる方法または単結晶基板５と半導体層２との積層体自体を強制的に冷却して温度降下させる方法などを用いることができる。
【００４２】
単結晶基板５と半導体層２との積層体を強制的に冷却する場合は、積層体全体を冷却する方法、または半導体層２もしくは単結晶基板５のいずれかを強制的に冷却する方法などを用いることができる。具体的に、単結晶基板５と半導体層２との積層体を強制的に冷却する方法としては、例えば、積層体を室温よりも低い温度の低温雰囲気中に配置する方法、または室温よりも低い温度を持つ載置台に単結晶基板５を置く方法などを用いることができる。
【００４３】
このように、単結晶基板５と半導体層２との積層体の温度を降下させることにより、単結晶基板５と突起部６との間に熱応力が生じるようになる。一方、半導体層２と突起部６との熱膨張係数差が、単結晶基板５と突起部６との熱膨張係数差よりも小さくなるように設定されていることから、半導体層２と突起部６との間には熱応力が生じにくくなっている。
【００４４】
さらに、突起部６および半導体層２のそれぞれで熱応力が生じた場合でも、突起部６が漸小部６’を有していることにより、突起部６の漸小部６’の断面積が最小となる底面６Ｂに集中しやすくなっている。
【００４５】
ここで、熱応力とは、単結晶基板５と突起部６とに熱が加わった際に、単結晶基板５と突起部６とが異なる熱膨張係数を持つことから、単結晶基板５と突起部６とが異なる熱膨張をすることにより、両者の界面で発生する応力のことを指す。
【００４６】
このように、単結晶基板５と突起部６との間に熱応力が集中することにより、突起部６が割れやすくなり、単結晶基板５と突起部６とを、両者の界面付近で分断することができる。単結晶基板５と突起部６とを分断することにより、図４に示すように、半導体層２側に突起部６の残存部である凸状体３を複数形成することができる。
【００４７】
以上のように、単結晶基板５と突起部６とが異なる熱膨張係数を有することにより、単結晶基板５と突起部６との界面付近に熱応力を集中させて分断することによって、半導体層２から単結晶基板５を容易に除去することができる。このように、単結晶基板５を除去する際に、元々必要であった温度降下を利用することにより、単結晶基板５を除去する工程の時間を短縮することができ、生産性を向上させることができる。
【００４８】
さらに、単結晶基板５から分断される位置が半導体層２から離隔していることから、突起部６の頂面６Ａと接している、半導体層２の主面が損傷を受けることを抑制しつつ、単結晶基板５を除去することができる。
【００４９】
（電極を形成する工程）
次に、第１半導体層２ａに電気的に接続される第１電極８と、第２半導体層２ｃに電気的に接続される第２電極９と、を形成する。まず、第１半導体層２ａの一部が露出する露出部を形成した後、第１電極３を形成する。このような露出部は、第１半導体層２ａの一部が露出されるように、例えば半導体層２の一部を深さ方向にエッチングすることにより形成することができる。
【００５０】
その後、露出部および第２半導体層２ｃの表面に第１電極３および第２電極４となる材料を蒸着やスパッタなどの方法により形成する。
【００５１】
（各種変形例）
（変形例１）
凸状体３を複数形成する工程において、単結晶基板５の側面５Ｃに対して、突起部６の頂面６Ａと平行な方向に外力を加えてもよい。外力は、単結晶基板５と半導体層２との積層体の温度を降下させる途中で、加えればよい。外力の加え方は、単結晶基板５の側面５Ｃに一瞬だけ衝撃力を加える方法、外力の大きさを徐々に大きくしていく方法または一定の大きさの外力を一定時間加え続ける方法などを用いることができる。
【００５２】
このように外力を加えることにより、単結晶基板５と突起部６との界面付近で分断されやすくなり、単結晶基板５をさらに容易に除去することができる。その結果、発光素子１の生産性を向上させることができる。
【００５３】
また、外力は半導体層２の側面に加えてもよい。半導体層２の側面に外力を加えることにより、応力が半導体層２内および突起部６内に発生することとなる。この外力による応力が、断面が最小となる突起部６の底面６Ｂに集中することとなり、単結晶基板５と突起部６との界面付近でさらに分断されやすくなる。そのため、単結晶基板５をさらに容易に除去することができ、発光素子１の生産性をさらに向上させることができる。
【００５４】
（変形例２）
凸状体３を複数形成する工程において、半導体層２を結晶成長させた後、成長温度から
室温よりも低い温度まで降下させてもよい。室温よりも低い温度としては、例えば−200
℃以上10度以下に設定することができる。室温よりも低い温度まで降下させる方法としては、例えば液体窒素などを用いることができる。このように単結晶基板５と半導体層２との積層体を成長温度から室温よりも低い温度まで降下させることにより、温度差が大きくなるため、発生する熱応力を大きくすることができる。
【００５５】
凸状体３を複数形成する工程において、半導体層２を成長温度から室温まで降下させるとともに、単結晶基板５を成長温度から室温よりも低い温度まで降下させてもよい。このように温度を降下させる方法としては、例えば、単結晶基板５と半導体層２との積層体を室温雰囲気に置くとともに、単結晶基板５のみを液体窒素の溶液に浸漬させればよい。このように単結晶基板５と半導体層２との積層体を成長温度から温度を降下させることにより、単結晶基板５と突起部６との界面に発生する応力の大きさを大きくすることができるため、単結晶基板５と突起部６との界面付近で分断することができ、半導体層２から単結晶基板５をさらに容易に除去することができる。
【００５６】
（変形例３）
基体４を準備する工程と、半導体層２を成長させる工程との間に、単結晶基板５をエッチングして、単結晶基板５の突起部６との接触面積を、突起部６の底面６Ｂの面積よりも小さくする工程をさらに有していてもよい。この工程について、図５および図６を参照しつつ、以下に説明する。
【００５７】
まず、図５（ａ）に示すように、基体４を準備する。その後、図５（ｂ）に示すように、エッチング液10を、隣接する突起部６の間に位置する空間に注入する。エッチング液10としては、単結晶基板５がエッチングされやすく、かつ突起部６がエッチングされにくい材料を用いることができる。具体的に、単結晶基板５としてサファイアを用いた場合であれば、エッチング液10としては、例えばフッ酸などを用いることができる。
【００５８】
そして、図５（ｃ）に示すように、単結晶基板５が突起部６によって選択的にエッチングされる。また、平面透視して、突起部６の底面６Ｂと重なる領域の単結晶基板５は、エッチング液10のサイドエッチングによって一部除去される。そのため、突起部６の底面６と接触する単結晶基板５の接触面積が、突起部６の底面６Ｂの面積よりも小さくなる。
【００５９】
さらに、エッチング液10を取り除いた後、図６（ａ）に示すように、突起部６の頂面６Ａに半導体層２を結晶成長させる。そして、図６（ｂ）に示すように、凸状体３を複数形成する工程を経ることにより、発光素子１を製造することができる。
【００６０】
このように、突起部６の底面６Ｂと接触する単結晶基板５の接触面積を、突起部６の底面６Ｂの面積よりも小さくすることにより、熱応力が突起部６と単結晶基板５との界面付近にさらに集中しやすくなるため、単結晶基板５と突起部６とを分断しやすくすることができる。その結果、発光素子１の生産性をさらに向上することができる。
【００６１】
基体４を準備する工程において、第１主面５Ａ側に複数の凸部11を有する単結晶基板５を用いてもよい。まず、図７（ａ）に示すように、第１主面５Ａ側に複数の凸部11を有する単結晶基板５を準備する。この単結晶基板５では、図７（ａ）に示すような複数の凸部11の上面が、第１主面５Ａとなるように形成されている。
【００６２】
このような複数の凸部11の上面に、図７（ｂ）に示すように、突起部６が形成される。突起部６は、例えば結晶成長によって形成することができる。このように結晶成長によって突起部６を形成する場合には、すべての工程を、結晶成長させる容器内で行なうことができるので、工程間で不純物の混入などを防ぐことができるとともに、生産性を向上させ
ることができる。また、単結晶基板５に複数の凸部11を有することから、単結晶基板５内で発生した熱応力を突起部６と接触する界面に集中させることができ、単結晶基板５と突起部６とをさらに分断されやすくすることができる。
【００６３】
上述の説明においては、基体４を形成する工程において、突起部６を単結晶基板５上に形成する方法として結晶成長を用いる場合について説明したが、例えば分子間力または接着剤などによって、突起部６を単結晶基板５の第１主面５に接合してもよい。
【００６４】
上述した変形例は、適宜それぞれを組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１  発光素子
２  半導体層
３  凸状体
４  基体
５  単結晶基板
５Ａ  第１主面
５Ｂ  第２主面
５Ｃ  側面
６  突起部
６Ａ  頂面
６Ｂ  底面
６’  漸小部
７  転位
８  第１電極
９  第２電極
10  エッチング液
11  凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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