(57)【要約】【課題】高熱伝導率と高隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物を提供すること。【解決手段】半導体素子と基板とをバンプ接続した後、半導体素子と基板との隙間を封止する際に用いる液状封止樹脂組成物であって、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材を含有し、（Ｃ）無機充填材が平均径０．５μｍ以上１．０μｍ未満の球状アルミナ（１）と平均径１．０μｍ以上３．０μｍ未満の球状アルミナ（２）との混合物を含み、且つ（Ｄ）塩基性化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物であり、好ましくはｐＨ値が７を超えるものである液状封止樹脂組成物。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の組立に用いる液状封止樹脂組成物であって、（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）アミン系硬化剤、（Ｃ）無機充填材を含有し、（Ｃ）無機充填材が平均径０．５μｍ以上１．０μｍ未満の球状アルミナ（１）と平均径１．０μｍ以上３．０μｍ未満の球状アルミナ（２）との混合物を含有し、且つ（Ｄ）塩基性化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物。
【請求項２】
ｐＨ値が７を超えるものである請求項１記載の液状封止樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｄ）塩基性化合物が、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノネン−５、およびそれらの塩のうち少なくとも１種類である請求項1又は２記載の液状封止樹脂組成物。
【請求項４】
（Ｃ）無機充填材の含有量が８０質量％以上であって、そのうち（Ｃ）無機充填剤に占める０．５μｍ以上１．０μｍ未満の球状アルミナ（１）の割合が５質量％以上５０質量％未満である請求項１〜３いずれか一項に記載の液状封止樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか一項に記載の液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜４いずれか一項に記載の液状封止樹脂組成物を充填する充填工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高熱伝導率と高隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物、及びその液状封止樹脂組成物を用いたバンプ接続方式の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年様々な電子情報処理機器には、狭い面積に高密度実装することが可能なバンプ接続方式の半導体装置が広く用いられるようになってきている。そのようなバンプ接続方式の半導体装置では、半導体素子をバンプによって電気的に接続した後、接続信頼性を向上するために、アンダーフィル材と呼ばれる液状封止樹脂をバンプ接続部へ充填して硬化させ、接続バンプ周辺を補強するのが一般的である。
【０００３】
また一方で高度情報化社会進展の一端として、あらゆる情報が電子データ化され、それを瞬時に処理して伝達する必要にも迫られてきており、さらに低炭素社会の実現など環境問題への対応も必須とされていることから、大容量の電子データを高速且つ低消費電力で処理できる安価な電子情報処理機器が求められてきている。それに伴って機器に組み入れられる半導体装置にも、より低消費電力で安定した高速動作の可能なことが求められており、そのため半導体装置の発熱対策も重要になってきたことから、バンプ接続方式の半導体装置に用いられる液状封止樹脂に対しても高い熱伝導性が必要になってきている。
さらに、電子情報処理機器の低価格化を実現するために、半導体装置は小型・薄型化が進んできており、近年ではバンプ接続方式の半導体装置における接続部の隙間やバンプ間隔は１００μｍに満たないものがほとんどで、今後もますます微細化が進むとみられるため、用いられる液状封止樹脂にはいっそう高い隙間流入性が求められてきている。このように、高い熱伝導性と高い隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂が求められてきた。
【０００４】
従来、半導体装置用液状封止樹脂には熱時寸法の安定性や強度保持のためシリカフィラーを含有するのが一般的であったが、熱伝導性を改善するためには比較的熱伝導性の低いシリカフィラーに替えて、より高い熱伝導性のフィラーをできるだけ多く含有するのが一般的であり、窒化ケイ素や窒化アルミニウム、アルミナ、酸化マグネシウムなどの高熱伝導性フィラーを使用できることは広く知られている。
それらの中で、例えば球状アルミナを用いたものとして、平均粒径２〜３０μｍであり、且つ粒径２４μｍ以上の粒子を１５％以上、１μｍ以下の粒子を３％以上含有する球状アルミナを含有したものが提案されている（特許文献１参照）。しかし、この技術では２４μｍ以上の粒子を１５％以上含有していることを必要とすることから、バンプ接続部の隙間やバンプとバンプの間へフィラーが詰まる可能性が高くなるため、ますます微細化する傾向にある半導体装置への適用には限界があった。一方、前述に比べてより小さい径の球状アルミナを用いることで、そのような問題に対応するものとして、平均粒子径が１〜５μｍ、最大粒子径が２０μｍ以下で、１０μｍを超える粒子の構成割合が１０質量％未満の球状アルミナを組成物全体の６０〜９０質量％含有するものも提案されている（特許文献２参照）。しかしこの技術では流動性に問題が生じるとの理由から、平均径１μｍ未満のアルミナを用いることはできなかった。その結果、平均径１μｍ以下のアルミナを用いることでアルミナの充填度をアップし、高熱伝導化を図ることは困難であった。さらに、平均径１μｍ未満のフィラーを用いるものとして、平均粒径１〜３０μｍのアルミナと平均粒径０．１〜３０μｍのシリカの混合物に、さらに平均粒径０．１μｍ未満の超微粉無機充填材を全樹脂組成物中に４４〜７５体積％含むものなども提案されている（特許文献３）。しかし、アルミナと比べて熱伝導性の低いシリカを併用する必要があることから、アルミナだけを含有したものに比べ熱伝導性が低下することは避ける事が出来ないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第２６４３７１４号公報
【特許文献２】特開２００８−２７４０８３号公報
【特許文献３】特開２０１０−１１８６４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、従来は実現が困難であった高い熱伝導率と高い隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は以下の通りである。
［１］半導体装置の組立に用いる液状封止樹脂組成物であって、（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）アミン系硬化剤、（Ｃ）無機充填材を含有し、（Ｃ）無機充填材が平均径０．５μｍ以上１．０μｍ未満の球状アルミナ（１）と平均径１．０μｍ以上３．０μｍ未満の球状アルミナ（２）との混合物を含有し、且つ（Ｄ）塩基性化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物。
［２］ｐＨ値が７を超えるものである［１］記載の液状封止樹脂組成物。
［３］（Ｄ）塩基性化合物が、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノネン−５、およびそれらの塩のうち少なくとも１種類である［１］又は［２］記載の液状封止樹脂組成物。
［４］（Ｃ）無機充填材の含有量が８０質量％以上であって、そのうち（Ｃ）無機充填剤に占める０．５μｍ以上１．０μｍ未満の球状アルミナ（１）の割合が５質量％以上５０質量％未満である［１］〜［３］いずれかに記載の液状封止樹脂組成物。
［５］［１］〜［４］いずれかに記載の液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されていることを特徴とする半導体装置。
［６］［１］〜［４］いずれかに記載の液状封止樹脂組成物を充填する充填工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、高い熱伝導率と高い隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物の提供を可能にし、それを用いて組み立てられたバンプ接続方式の半導体装置の発熱対策や小型・薄型化を可能にすることで、低消費電力で安定した高速動作が可能な半導体装置を得ることができる
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の液状封止樹脂組成物および半導体装置について説明する。
本発明は、半導体素子をバンプ接続した後、接続部の隙間を封止する際に用いる液状封止樹脂組成物であって、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材を含有し、（Ｃ）無機充填材が平均径０．５μｍ以上１．０μｍ未満の球状アルミナ（１）と平均径１．０μｍ以上３．０μｍ未満の球状アルミナ（２）との混合物を含有し、且つ（Ｄ）塩基性化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物、及び該液状封止樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置である。
【００１０】
まず、液状封止樹脂組成物について説明する。
本発明の液状封止樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）を含む。これにより、硬化後の封止樹脂脂組成物が耐熱性、耐湿性、機械的強度に優れ、且つバンプ接続部を強固に接着することができる。そのため、信頼性に優れた半導体装置を得ることができる。
エポキシ樹脂（Ａ）としては、一分子中にエポキシ基を２個以上有するものであれば特に分子量や構造は限定されるものではないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルトルイジン、ジアミノジフェニルメタン型グリシジルアミン、アミノフェノール型グリシジルアミンなどの芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオキシド、アリサイクリックジエポキシ−アジペイドなどの脂環式エポキシなどの脂肪族エポキシ樹脂が挙げられる。
【００１１】
さらに本発明の場合、芳香族環にグリシジル構造またはグリシジルアミン構造が結合した構造を含むものが耐熱性、機械特性、耐湿性という観点からより好ましく、脂肪族または脂環式エポキシ樹脂は信頼性、特に接着性という観点から使用する量を制限するほうがさらに好ましい。これらは単独でも２種以上混合して使用してもよい。また本発明では液状封止樹脂組成物の態様のため、エポキシ樹脂（Ａ）として最終的に常温（２５℃）で液状であることが好ましいが、常温で固体のエポキシ樹脂であっても常温で液状のエポキシ樹脂に溶解させ、結果的に液状の状態であればよい。
本発明において、常温とは２５℃を指し、また、液状とは樹脂又は樹脂組成物が流動性を有していることを指す。
本発明において、上記液状樹脂組成物は、常温（２５℃）において流動性を有している。
【００１２】
本発明の液状封止樹脂組成物は、アミン系硬化剤（Ｂ）を含む。そのようなものとしては、例えばジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、テトラエチレンペンタミン、ｍ−キシレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、２−メチルペンタメチレンジアミン脂肪族ポリアミン、イソフォロンジアミン、１，３−ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、ノルボルネンジアミン、１，２−ジアミノシクロヘキサンなどの脂環式ポリアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、１，４−ビス（２−アミノ−２−メチルプロピル）ピペラジンなどのピペラジン型のポリアミン、ジアミノジフェニルメタン、ｍ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン、ジエチルトルエンジアミン、トリメチレンビス（４−アミノベンゾエート）、ポリテトラメチレンオキシド−ジ−Ｐ−アミノベンゾエートなどの芳香族ポリアミン類が挙げられる。これらは、単独で用いても２種以上の硬化剤を配合して用いてもよい。さらに半導体装置の封止用途を考慮すると、耐熱性、電気的特性、機械的特性、密着性、耐湿性の観点から芳香族ポリアミン型硬化剤が一層好ましい。性状としては、熱硬化性液状封止樹脂組成物の流動性を確保するため液状の硬化剤が好ましいが、結果的に常温で液状の状態であれば固形の硬化剤を溶解させて用いることもできる。
アミン系硬化剤以外の硬化剤として、フェノール類、酸無水物、ポリアミド樹脂、ポリスルフィド樹脂などを併用してもよい。
【００１３】
本発明の液状封止樹脂組成物は、無機充填材（Ｃ）として平均径０．５μｍ以上１．０μｍ未満の球状アルミナ（１）と平均径１．０μｍ以上３．０μｍ未満の球状アルミナ（２）との混合物を含む。球状アルミナ（１）の平均径が０．５μｍ以上であるとバンプ接続部の隙間への流入性を向上させる効果が高くなり、１．０μｍ未満であると熱伝導率を向上させる効果が高くなる。球状アルミナ（２）の平均径が１．０μｍ以上であると、バンプ接続部の隙間への流入性を向上させる効果が高くなり、３．０μｍ未満であると熱伝導率を向上させる効果が高くなる。
【００１４】
無機充填材（Ｃ）は、高熱伝導と高隙間流入性とを兼備しており半導体装置の信頼性を十分保持可能で、バンプ接続部への流入が可能であれば含有量に制限はないが、含有量８０質量％以上で、そのうち無機充填剤（Ｃ）に占める０．５μｍ以上１．０μｍ未満の球状アルミナ（１）の割合が５質量％以上５０質量％未満であることが好ましい。無機充填剤（Ｃ）の含有量が８０質量％以上であると熱伝導率上昇効果が高くなり、そのうちアルミナ（１）の割合が５質量％以上であるとバンプ接続部の隙間への流入性を向上させる効果が高くなり、５０質量％未満であると熱伝導率を向上させる効果が高くなる。
球状アルミナ以外の無機充填材も、本発明の効果である高熱伝導と低誘電率、高隙間流入性とが得られる範囲で加えることができ、そのようなものとしては球状シリカ、窒化ケイ素や窒化アルミニウム、酸化マグネシウムなどを適宜併用することができる。
【００１５】
本発明の液状封止樹脂組成物は塩基性化合物（Ｄ）を含有する。塩基性化合物とは、液状封止樹脂組成物に加えることで封止樹脂系全体のｐＨ値を塩基性方向へ移行させるように働き、そのことによって球状アルミナの表面電位をマイナス方向へ変位させることで各々の封止樹脂系への分散性を改善し、粘度を低下できるので隙間流入性を向上させることができる。それと同時に、球状アルミナ粒子同士の静電気的相互作用を弱められるので、未充填ボイドや巻き込みボイド、揮発ボイドなど熱伝導を妨げる各種ボイドの発生を抑制できることから、高い熱伝導率を得ることができる。
【００１６】
従って、塩基性化合物（Ｄ）として、封止樹脂物全体のｐＨ値を塩基性方向へ移行し得るものであれば特に制限はないが、そのようなものとしては、例えばヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミンなどの１級アミン類、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、イソプロピルベンジルアミン、ジヘキシルアミン、ジオクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジフェニルアミン、ジベンジルアミン、ジデシルアミンなどの２級アミン類、イミノジエタノール、エチルアミノエタノール、イソプロピルアミノエタノール、ベンジルエタノールアミン、ジブチルアミノエタノール、アニリノエタノール、２−アミノ−２−エチル−１，３−プロパンジオール、イソプロパノールアミン、アミノメチルプロパノール、エタノールアミン、アミノプロパノール、ヘキサノールアミン、アミノエトキシエタノール、トリスヒドロキシメチルアミノメタンなどの１級，２級，３級アミノアルコール類、N-2-（アミノエチル）-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-2-（アミノエチル）-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-2-（アミノエチル）-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-トリエトキシシリル-Ｎ-（1,3-ジメチル-ブチリデン）プロピルアミンとその部分加水分解物、3-トリメトキシシリル-Ｎ-（1,3-ジメチル-ブチリデン）プロピルアミンとその部分加水分解物、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシランなどの各種塩基性カップリング剤や、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン（ＤＢＵ）あるいはその塩、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン（ＤＢＮ）あるいはその塩などの塩基性物質などを挙げる事ができる。
なかでも、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン（ＤＢＵ）あるいはその塩、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン（ＤＢＮ）あるいはその塩が封止樹脂系のｐＨ値を塩基性に移行させる効果がより高く好ましい。
【００１７】
塩基性化合物（Ｄ）の配合量は、封止樹脂物全体のｐＨ値を塩基性方向へ移行し得るものであれば特に制限はないが、０．００５質量％以上１．０質量％以下であることが好ましい。
【００１８】
特に封止樹脂系のｐＨ値は、７を超えることが好ましく、そのことによって球状アルミナの樹脂系への分散性がいっそう向上し、粘度が低下して隙間流入性が向上する。それと同時に球状アルミナ粒子同士の静電気的相互作用がいっそう弱まるので、未充填ボイドや巻き込みボイド、揮発ボイドなど熱伝導を妨げる各種ボイドの発生が抑制され、高い熱伝導率を得ることができる。さらに好ましくは、ｐＨ値８より大きいことが、アルミナの等電点を上回るので、前記効果がいっそう高くなる。
ここでｐＨ値とは、水素イオン指数または水素イオン濃度指数を指す。ｐＨ値の決定方法は特に限定されないが、例えばリトマス試験紙などのｐＨ試験紙、ｐＨ指示薬、ｐＨ電極やｐＨセンサーなどを用いた一般的なものを使用することができる。なお、ｐＨ値の決定に際しては、液状封止樹脂組成物のｐＨ値を変動させない範囲で前処理を施したり、添加剤を加えたり、加熱や冷却などの操作も加えることができる。
本願では、液状封止樹脂組成物０．０１〜０．１ｍｌを、ｐＨメーターのセンサー部に乗せ、その上から純水を０．０２〜０．２ｍｌ加えて検体とした。さらに、センサー部を傾けるなどして全体が検体で覆われるようにし、ｐＨ値が安定するまで静置し、表示されたｐＨ値を液状樹脂組成物のｐＨ値とした。
【００１９】
本発明の液状封止樹脂組成物には、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機充填材（Ｃ）として平均径０．５μｍ以上１．０μｍ未満の球状アルミナ（１）と平均径１．０μｍ以上３．０μｍ未満の球状アルミナ（２）との混合物、塩基性化合物（Ｄ）を含有する以外に、必要に応じて密着助剤、分散剤、ブリード防止剤、着色剤、消泡剤、希釈剤、顔料、難燃剤、レベリング剤などの各種添加剤を用いることができる。ただし、それらの添加物によって塩基性化合物の働きが抑えられる場合は、適宜塩基性化合物（Ｄ）の配合量を増やすことで本発明の効果を維持できる。
【００２０】
本発明の液状封止樹脂組成物は、上述した各成分、添加剤などをプラネタリーミキサー、三本ロール、二本熱ロール、ライカイ機などの装置を用いて分散混練したのち、真空下で脱泡処理して製造するなど、一般的に知られている製造方法を用いることができる。さらに、液状封止樹脂組成物の製造に際しては、必要に応じて原料投入工程、分散混練工程などにおいて、原料投入の順序や投入時間を調整することや、何度かに分けて原料投入や分散混練を行うこと、加温すること、熟成工程を付加することなども可能である。
【００２１】
このような液状封止樹脂組成物は、半導体装置の製造プロセスにおける時間の短縮や半導体デバイスへの熱応力低減の観点から、１５０℃以下２時間以下の硬化条件でエポキシ樹脂の反応率が９５％以上であることが好ましい。その理由としては、反応率が９５％以上になると、高温保管などによる後硬化により、ガラス転移温度（Ｔｇ）や破壊靱性値などの物性が変化することが少なく、反りや剥離など半導体装置へ悪影響が低減されるからである。ここで硬化とは、エポキシ樹脂の熱硬化反応によって３次元網状構造を形成することを指し、その反応率（Ｙ）はＤＳＣ（示差走査熱量測定）により測定し、未硬化のサンプルの発熱量Ａ（ｍＪ／ｍｇ）と硬化後のサンプルの発熱量Ｂ（ｍＪ／ｍｇ）を測定し、Ｙ（％）＝（１−Ｂ／Ａ）×１００の計算式を用いて算出する。ＤＳＣによる発熱量測定はアルミパンにサンプルを２０ｍｇ秤量し蓋をした後、Ｓｅｉｋｏ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＤＳＣ２２０を用い３０−３００℃の温度範囲を１０℃／ｍｉｎの昇温条件で測定し、横軸に温度（℃）縦軸にＤＳＣ（ｍＪ／ｍｇ）をとったグラフにおけるベースラインを底辺とした反応ピークの面積として求めることができる。
【００２２】
次に、半導体装置について説明する。
本発明の半導体装置は、上述した液状封止樹脂組成物を用いて製造される。
例えばフリップチップ接続のアンダーフィル材に適用した場合について説明すると、まず半田バンプを有する半導体素子と基板とを、リフロー装置を通して半田接続を行う。次に、半導体素子と基板との間隙に液状封止樹脂組成物を充填する。充填する方法としては、毛細管現象を利用する方法が一般的である。具体的には、半導体素子の一辺に上記液状封止樹脂組成物を塗布した後、半導体素子と基板との間隙に毛細管現象で流し込む方法、半導体素子の２辺に上記液状封止樹脂組成物を塗布した後、半導体素子と基板との間隙に毛細管現象で流し込む方法、半導体素子の中央部にスルーホールを開けておき、半導体素子の周囲に上記液状封止樹脂組成物を塗布した後、半導体素子と基板との間隙に毛細管現象で流し込む方法などが挙げられる。また、一度に全量を塗布するのではなく、２度に分けて塗布する方法なども行われる。次に、充填した上記液状封止樹脂組成物を硬化させる。硬化条件は、特に限定されないが、例えば１００℃〜１７０℃の温度範囲で１〜１２時間加熱を行うことにより硬化できる。さらに、例えば１００℃で１時間加熱した後、引き続き１５０℃で２時間加熱するような、段階的に温度を変化させながら加熱硬化を行っても良い。このようにして、半導体素子と基板との間が、液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されている半導体装置を得ることができる。
【００２３】
このような半導体装置には、フリップチップ方式の半導体装置、キャビティーダウン型ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ  ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）型ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）型ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）等が挙げられる。
【実施例】
【００２４】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１〜７）（比較例１〜５）
下記に示すエポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）、無機充填剤（Ｃ）として球状アルミナと球状シリカとの混合物、塩基性化合物（Ｄ）、その他に希釈溶剤、密着助剤を表１に示した組成で配合、それを３本ロールにて十分に混練分散した後、真空脱泡して液状封止樹脂組成物を得た。なお、塩基性化合物と希釈溶剤とは予め室温混合したものを用いた。
【００２５】
○エポキシ樹脂（Ａ）
大日本インキ化学工業（株）製  （ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）
ジャパンエポキシレジン（株）製（ＪＥＲ−６３０）
○硬化剤（Ｂ）
日本化薬（株）製  （カヤハードＡＡ）
○無機充填材（Ｃ）
・球状アルミナ（１）
電気化学工業（株）製  （ＡＳＦＰ−２０：平均径０．２μｍ）
アドマテクス（株）製  （ＡＯ−５０２：平均径０．７μｍ）
・球状アルミナ（２）
昭和電工（株）製      （ＣＢ−Ｐ０２：平均径２．０μｍ）
昭和電工（株）製      （ＣＢ−Ａ０５Ｓ：平均径３．０μｍ）
昭和電工（株）製      （ＣＢ−Ｐ０５：平均径４．０μｍ）
○塩基性化合物（Ｄ）
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）
ＤＢＵ−フェノール塩  サンアプロ(株)製Ｕ−ＣＡＴ  （ＳＡ−１）
１，５−ジアザビシクロ（４，３，０）ノネン−５    （ＤＢＮ）
○希釈溶剤
ブチルセロソルブアセテート（ＢＣＳＡ）
○密着助剤
信越化学（株）製  （ＫＢＭ−４０３）
【００２６】
（測定及び評価）
得られた液状封止樹脂組成物および半導体装置について、以下の測定及び評価を行った。得られた結果を表１に示す。
【００２７】
１．ｐＨの測定
各液状封止樹脂組成物０．０５ｍｌを、予め校正液を用いて校正されたＨＯＲＩＢＡ製コンパクトｐＨメーター「Ｂ−２１１」のセンサー部に乗せ、その上から純水約０．１ｍｌ加えて検体とした。さらに、センサー部を傾けるなどして全体が検体で覆われるようにし、センサー部の蓋を閉めてｐＨ値が安定したとの表示が出るまで静置した。表示されたｐＨ値を液状樹脂組成物のｐＨ値とした。
【００２８】
２．熱伝導率の測定と評価
各液状封止樹脂組成物について、１５０℃雰囲気下で２時間加熱して得られる硬化物の熱拡散率α、密度ρおよび比熱Ｃｐを下記方法によってそれぞれ測定して求め、式（１）により熱伝導率λを算出した。
熱拡散率αは、熱拡散率測定装置ＬＦＡ４４７ Ｎａｎｏｆｌａｓｈ（ＮＥＴＺＳＣＨ社製）を用い、ＪＩＳ  Ｒ  １６１１：２０１１（最小二乗法）に準拠したレーザーフラッシュ法によって測定、密度ρはＪＩＳ  Ｋ  ７１１２Ａ法に準拠した水中置換法によって測定、また比熱Ｃｐについては示差走査熱量計  ＤＳＣ７（ＰＥＲＫＩＮ−ＥＬＭＥＲ社製）を用い、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２３に準拠した方法によって測定した。
熱伝導率の評価については、熱伝導率値が１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上のものは良好、１．５Ｗ／ｍ・Ｋ未満のものは不可と判定した。
λ＝α×ρ×Ｃｐ  ・・・・・・・・・・・式（１）
λ：熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）
α：熱拡散率（ｍ２／ｓｅｃ）
ρ：密度（ｋｇ／ｍ３）
Ｃｐ：比熱（Ｊ／ｋｇ・Ｋ）
【００２９】
３．隙間流入速度の測定と評価
１８ｍｍ×１８ｍｍのガラス板(上)とガラス板(下)とを７０±１０μｍの間隔が空くように張り合わせて、隙間のある平行平面を持つガラスセルを作製した。このガラスセルをホットプレートの上に置き、ガラス板(上)の上面温度が１１０±１℃になるよう温度調整しながら５分間静置した。その後、ガラスセルの一辺に、室温で２４時間静置した液状封止樹脂組成物０．０５〜０．１ｍＬを毛細管現象を利用して塗布し、１８ｍｍ流れきる時間（秒）を測定した。隙間流入時間が４００秒未満のものを良好、４００秒以上のものを不可と判定した。
【００３０】
４．隙間流入性の評価
バンプサイズ１００μｍ、バンプ数３８７２個の半田バンプが設けられた１５ｍｍ角の半導体素子と、ＢＴ基板（ビスマレイミドトリアジン基板、接続パッド：金メッキ表面）とを、ロジン系フラックス剤（タルチンケスター社製  Ｋｅｓｔｅｒ６５０２）を使用し、２６０℃で加熱して半田を溶融接合して得られた、半導体素子とＢＴ基板との隙間が８０μｍの半導体装置を、１１０℃に加熱した熱板上に乗せ、半導体素子とＢＴ基板との隙間に前記の液状封止樹脂組成物を半導体素子の一辺から毛細管現象を利用して充填した後、１５０℃で２時間硬化封止して半導体装置を得た。得られた半導体装置を、超音波深傷装置を用いて検査し、未充填部の無かったものを良好、未充填部のあったものを不可と判定した。
【００３１】
【表１】
2012224799.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明は、高熱伝導率と低誘電率、高隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置を得ることに利用することができる。