(57)【要約】【課題】処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する装置の損傷等を確実に防止する。【解決手段】収納筐体２９０と包囲部材２８０との間の間隙ＳＰ３と、包囲部材２８０と処理炉２０２との間の間隙ＳＰ４とに不活性ガスを供給し、間隙ＳＰ４の不活性ガスは直接的に接続孔２８４を介して不活性ガス排出管２９１に到達し、間隙ＳＰ３の不活性ガスは包囲部材２８０の開口部２８３を介して包囲部材２８０の内側に回り込んで接続孔２８４から不活性ガス排出管２９１に到達する。これにより、不活性ガスを収納筐体２９０の隅々まで行き渡らせて、ヒータ室ＨＲ内に漏れた処理ガスを滞留させること無く略完全に希釈して外部に排出させることができる。よって、処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する基板処理装置１０１の損傷等を確実に防止することができる。【選択図】図８
2012134325.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ガスを用いて内部で基板を処理する処理容器と、
一端に開口部を有し、前記処理容器の周囲を包囲する包囲部材と、
前記処理容器および前記包囲部材を収納する収納筐体と、
前記収納筐体の壁部を貫通して前記包囲部材の壁部に接続され、前記包囲部材内と前記収納筐体外とを連通するガス配管と、
前記収納筐体と前記包囲部材との間に設けられる第一間隙と、
前記包囲部材と前記処理容器との間に設けられ、前記開口部を介して前記第一間隙に接続される第二間隙と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
処理ガスを用いて処理容器内で基板を処理するとともに、
前記処理容器と当該処理容器の周囲を包囲して一端に開口部を有する包囲部材とを収納する収納筐体の壁部を貫通し、前記包囲部材の壁部に接続されて前記包囲部材内と前記収納筐体外とを連通するガス配管を介して、前記収納筐体と前記包囲部材との間に設けられる第一間隙および、前記包囲部材と前記処理容器との間に設けられて前記開口部を介して前記第一間隙に接続される第二間隙から、前記収納筐体内のガスを前記収納筐体外へ排出する基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置および基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体あるいは太陽電池用のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）による基板処理装置として、例えば、特許文献１および特許文献２に記載された技術が知られている。これらの基板処理装置は、水素ガス等の処理ガスを用いるため、当該処理ガスの漏れによる爆発等から基板処理装置を保護するために、保護構造（防爆構造）を備えている。
【０００３】
特許文献１には、基板を処理する処理容器としてのアウターチューブの外側に誘導加熱装置を設け、当該誘導加熱装置の壁体に、壁体内の雰囲気を外部の設備に排出するブロワと、爆発放散口およびこれを開閉する爆発放散口開閉装置とを設けた技術が開示されている。これにより壁体内に漏れた処理ガスを、ブロワを作動させて設備に排出しつつ、例えば、壁体内で水素ガスと酸素ガスとが混合して爆発が生じたとしても、その圧力を爆発放散口から外部に放散（開放）させ、ひいては爆発に起因する基板処理装置の損傷等を防止することができる。
【０００４】
一方、特許文献２には、基板を処理する処理容器としての反応管の下端部にスカベンジャーを設け、ガス供給管と反応ガス導入ノズルとの接続部分やシールキャップのシール部分等から反応ガス（処理ガス）が漏れたとしてもこれを捕獲し、かつスカベンジャー内に不活性ガス（窒素ガス等）を導入することで反応ガスを希釈するようにした技術が開示されている。その後、不活性ガスで希釈された反応ガスは、不活性ガス排気管を介して外部に排出される。これにより、反応ガスの漏れに起因する爆発等を未然に防ぎ、基板処理装置の損傷等を防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１５３４６７号公報
【特許文献２】特開平０８−１９５３５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述の特許文献１に記載された技術によれば、壁体内に漏れた水素ガス等の処理ガスを、希釈せずにブロワを介して外部の設備に排出するため、ブロワによって吸引されるまでは、処理ガスは壁体内に滞留することになる。したがって、処理ガスがブロワによって吸引されるまでの間の爆発リスクを低減させる工夫が必要となっていた。
【０００７】
一方、上述の特許文献２に記載された技術によれば、基板処理装置を形成する各構成部品の各接続部分にそれぞれシール材を設け、シール性能を向上させて処理ガスの漏れを抑え、これにより爆発リスクを低減しているが、仮に処理ガスが漏れた場合には、不活性ガスが通過し難いスカベンジャー内の角部に処理ガスが滞留する虞がある。したがって、爆発リスクをより低減させるためには、スカベンジャー内に導入される不活性ガスの通過経路等を工夫する必要があった。
【０００８】
本発明の目的は、処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する装置の損傷等を確実に防止し得る基板処理装置および基板の製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１１】
すなわち、本発明に係る基板処理装置は、処理ガスを用いて内部で基板を処理する処理容器と、一端に開口部を有し、前記処理容器の周囲を包囲する包囲部材と、前記処理容器および前記包囲部材を収納する収納筐体と、前記収納筐体の壁部を貫通して前記包囲部材の壁部に接続され、前記包囲部材内と前記収納筐体外とを連通するガス配管と、前記収納筐体と前記包囲部材との間に設けられる第一間隙と、前記包囲部材と前記処理容器との間に設けられ、前記開口部を介して前記第一間隙に接続される第二間隙とが備えられる。
【発明の効果】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【００１３】
すなわち、処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する装置の損傷等を確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係る基板処理装置の概要を示す斜視図である。
【図２】ウェハを保持したサセプタを示す上面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】ウェハをサセプタから分離する様子を示す断面図である。
【図５】ボートの全体構造を示す側面図である。
【図６】ウェハを保持したサセプタをボートに装填した状態を示す上面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図８】図１の基板処理装置の処理炉内と処理炉周辺の概略を示す断面図である。
【図９】図８のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図１０】（ａ）は処理ガス供給部の詳細図，（ｂ）は処理ガス排出部の詳細図である。
【図１１】（ａ）は不活性ガス供給部の詳細図，（ｂ）は不活性ガス排出部の詳細図である。
【図１２】図８の破線円Ｄ部分の部分拡大図である。
【図１３】図８の破線円Ｅ部分の部分拡大図である。
【図１４】図８の破線円Ｆ部分の部分拡大図である。
【図１５】（ａ），（ｂ）は、圧力開放バルブの詳細構造および作動状態を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらは互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例，詳細，補足説明等の関係にある。
【００１６】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数，数値，量，範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００１７】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００１８】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状，位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１９】
また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかり易くするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００２０】
本発明を実施するための実施の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ等）の製造方法に含まれる様々な処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。以下の説明では、半導体基板（半導体ウェハ）にエピタキシャル成長法による成膜処理，ＣＶＤ法による成膜処理，あるいは酸化処理や拡散処理等を行なう縦型の基板処理装置に本発明の技術的思想を適用した場合について述べる。特に、本実施の形態では、複数の基板を一度に処理するバッチ方式の基板処理装置を対象にして説明する。
【００２１】
＜基板処理装置の構成＞
まず、本発明の一実施の形態における基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。図１は本発明に係る基板処理装置の概要を示す斜視図を、図２はウェハを保持したサセプタを示す上面図を、図３は図２のＡ−Ａ線に沿う断面図を、図４はウェハをサセプタから分離する様子を示す断面図を、図５はボートの全体構造を示す側面図を、図６はウェハを保持したサセプタをボートに装填した状態を示す上面図を、図７は図６のＢ−Ｂ線に沿う断面図をそれぞれ表している。
【００２２】
以下、基板処理装置１０１を構成する各部材について説明するが、筐体１１１の側面のうち、カセット１１０が搬入搬出される側を正面として説明する。また、筐体１１１内における各部材の位置について、正面に向かう方向を前方、正面から遠ざかる方向を後方として説明する。
【００２３】
図１に示すように、基板処理装置１０１は、ウェハキャリアとしてのカセット１１０を備え、カセット１１０にはシリコン等からなる半導体基板としての複数のウェハ（基板）２００が収納されている。基板処理装置１０１の外郭をなす筐体１１１は、例えば略直方体形状に形成され、その内部にはカセット１１０が搬入搬出されるようになっている。筐体１１１の正面壁１１１ａの下方には、基板処理装置１０１をメンテナンスするための開口部として、正面メンテナンス口１０３が設けられ、正面メンテナンス口１０３は、筐体１１１の正面壁１１１ａに設けられた正面メンテナンス扉１０４により開閉可能となっている。
【００２４】
正面メンテナンス扉１０４には、カセット搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するよう設けられ、カセット搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３により開閉可能となっている。カセット搬入搬出口１１２の筐体１１１内側にはカセットステージ（基板収容器受渡し台）１１４が設置されている。カセット１１０は、カセットステージ１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつ、カセットステージ１１４上から搬出されるようになっている。カセットステージ１１４には、工程内搬送装置により、カセット１１０内のウェハ２００が垂直姿勢となり、かつ、カセット１１０のウェハ出し入れ口が上方向を向くよう、カセット１１０が載置されるようになっている。
【００２５】
筐体１１１内の前後方向の略中央下部には、カセット棚（基板収容器載置棚）１０５が設置され、カセット棚１０５は、複数段および複数列で複数個のカセット１１０を保管し、カセット１１０内のウェハ２００を出し入れ可能に配置されている。カセット棚１０５は、スライドステージ（水平移動機構）１０６上に横方向に移動可能に設置されている。また、カセット棚１０５の上方にはバッファ棚（基板収容器保管棚）１０７が設置され、バッファ棚１０７にもカセット１１０が保管されるようになっている。
【００２６】
カセットステージ１１４とカセット棚１０５との間には、カセット搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。カセット搬送装置１１８は、カセット１１０を保持した状態で昇降可能なカセットエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、搬送機構としてのカセット搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとを備えている。カセットエレベータ１１８ａおよびカセット搬送機構１１８ｂの連続動作により、カセットステージ１１４，カセット棚１０５およびバッファ棚１０７の間で、カセット１１０を搬送できるようになっている。
【００２７】
カセット棚１０５の後方には、ウェハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されている。ウェハ移載機構１２５は、ウェハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウェハ移載装置（基板移載装置）１２５ａおよびウェハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウェハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂを備えている。図１に模式的に示すように、ウェハ移載装置エレベータ１２５ｂは、筐体１１１の前方に向かう右側部分に設置されている。これらのウェハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウェハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウェハ移載装置１２５ａに設けたツイーザ（基板保持具）１２５ｃが、基板処理装置１０１のサセプタ保持機構（図示せず）にあるサセプタ２１８（図２参照）に対して、ウェハ２００を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するようになっている。
【００２８】
図２，図３に示すように、サセプタ２１８は円盤形状に形成され、環状の周縁部２１８ａと円形状の中央部２１８ｂとを備えている。周縁部２１８ａの厚み寸法は、中央部２１８ｂの厚み寸法に比して略２倍の厚み寸法に設定され、周縁部２１８ａと中央部２１８ｂとの間には段差部２１８ｃが形成されている。つまりサセプタ２１８は、中央部２１８ｂが窪んだ凹形状となっている。中央部２１８ｂには、ウェハ移載機構１２５のツイーザ１２５ｃの動作によって、中央部２１８ｂの軸心に合わせて円盤形状のウェハ２００が保持されている。ウェハ２００の外周側と周縁部２１８ａの内周側との間には環状隙間が形成され、つまりウェハ２００の直径寸法は中央部２１８ｂの直径寸法よりも小さい直径寸法となっている。また、ウェハ２００の厚み寸法は、中央部２１８ｂの厚み寸法と略同じ厚み寸法に設定され、これによりウェハ２００は、サセプタ２１８を側面から見た際に、周縁部２１８ａによって略隠れるようになっている。
【００２９】
サセプタ２１８の中央部２１８ｂには、断面が略Ｔ字形状（フランジ形状）に形成された３つのピン孔ＰＨが設けられ、各ピン孔ＰＨは中央部２１８ｂの周方向に沿って６０°間隔（等間隔）で設けられている。ただし、ピン孔ＰＨの数は３つに限らず、４つ以上設けても良い。各ピン孔ＰＨには、ウェハ２００をサセプタ２１８から分離する際にウェハ２００を支持する支持部材ＭＴが装着されており、各支持部材ＭＴは、各ピン孔ＰＨと同様に断面が略Ｔ字形状に形成され、各ピン孔ＰＨに対して図３中上方側に着脱自在となっている。ここで、各支持部材ＭＴおよび各ピン孔ＰＨをフランジ形状とすることで、各支持部材ＭＴの図３中下方側への脱落を防止している。
【００３０】
サセプタ２１８は加熱体としての機能を備え、ウェハ２００およびその周辺雰囲気（処理炉２０２内）を加熱するようになっている。サセプタ２１８は、炭化シリコン（ＳｉＣ）等で表面が被覆された導電性材料（カーボンやカーボングラファイト等）により形成され、表面を被覆することでサセプタ２１８の母材となる導電性材料からの不純物の放出を抑制している。ここで、サセプタ２１８は、円盤形状のウェハ２００をその全域に亘って均一に加熱するために、円盤形状に形成するのが望ましいが、楕円形状に形成したり、多角形形状（例えば正六角形形状等）に形成したりすることもできる。また、サセプタ２１８の周縁部２１８ａの外周側を、図３に示すように略直角の角部を有するよう形成したが、断面が略円弧形状となるように形成したり、断面が鋭角状となるよう尖らせたりしても良い。この場合、サセプタ２１８の水平方向から供給される処理ガスを、ウェハ２００に導入し易くできる等のメリットが得られる。
【００３１】
基板処理装置１０１のサセプタ保持機構には、図４に示すように突き上げピン昇降機構ＵＤＵが設けられ、この突き上げピン昇降機構ＵＤＵには３つの突き上げピンＰＮ（図示では２つ）が備えられている。各突き上げピンＰＮは、ウェハ２００をサセプタ２１８から分離させるためのもので、突き上げピン昇降機構ＵＤＵにより昇降駆動される。突き上げピン昇降機構ＵＤＵの具体的な動作は、まず、各突き上げピンＰＮをサセプタ２１８の各ピン孔ＰＨに装着された各支持部材ＭＴにそれぞれ接触するよう位置決めし、その後、突き上げピン昇降機構ＵＤＵを上昇駆動させる。すると、図４に示すように、各突き上げピンＰＮと各支持部材ＭＴとが一体となり、各ピン孔ＰＨから各支持部材ＭＴが外れて、各支持部材ＭＴおよびウェハ２００が上昇する。これによりウェハ２００はサセプタ２１８から分離され、ウェハ２００をサセプタ２１８から脱装することができる。
【００３２】
ここで、ウェハ２００をサセプタ２１８から分離する際に、ウェハ２００に与えるダメージを低減させるため、図３，図４に示すように各支持部材ＭＴをフランジ形状とし、ウェハ２００との接触部分を大きくしている。また、ウェハ２００をサセプタ２１８に保持させた状態（図３参照）のもとで、各ピン孔ＰＨからの放熱を抑制するために、各支持部材ＭＴは各ピン孔ＰＨに対して略隙間無く装着されるようにしている。
【００３３】
基板処理装置１０１は、サセプタ保持機構の他に、サセプタ移動機構（図示せず）も備えている。サセプタ移動機構は、サセプタ保持機構とボート（基板保持体）２１７との間において、ウェハ２００を保持したサセプタ２１８をボート２１７に複数積載するように、装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
【００３４】
図５〜図７に示すように、ボート２１７は、ウェハ２００を保持した複数枚（例えば５０枚〜１００枚程度）のサセプタ２１８を、その中心を揃えて長手方向（垂直方向）に複数段整列させた状態で、それぞれ水平に積載保持できるよう構成されている。つまり、ウェハ２００は、サセプタ２１８を介してボート２１７に複数積載されるようになっている。
【００３５】
ボート２１７は、各サセプタ２１８を保持する保持体として機能するもので、円盤状の底板２１７ａと、円盤状の天板２１７ｂと、底板２１７ａと天板２１７ｂとを連結する３本の支柱ＰＲとから構成されている。また、各支柱ＰＲのサセプタ２１８（ウェハ２００）側、つまりボート２１７の中心軸側には、複数の保持部ＨＵが突出して形成され、各保持部ＨＵにはサセプタ２１８がそれぞれ載置されるようになっている。各保持部ＨＵは、各支柱ＰＲの軸方向に沿って等間隔で複数設けられ、各保持部ＨＵの各支柱ＰＲの軸方向に沿う間隔は、サセプタ２１８の厚み寸法よりも長い距離となるよう設定され、これによりウェハ２００の一側面（図７中上側面）の全域に処理ガスが行き渡るようにしている。なお、各支柱ＰＲ，各保持部ＨＵ，底板２１７ａおよび天板２１７ｂは、それぞれ耐熱材料としての石英（ＳｉＯ２）材により形成されている。また、各支柱ＰＲを３本設けたものを例示したが、サセプタ２１８をボート２１７の横方向からセット可能であれば、４本以上の支柱ＰＲを設けることもできる。
【００３６】
図１に示すように、バッファ棚１０７の後方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを基板処理装置１０１内へ供給するために、供給ファンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４ａが設けられ、クリーンユニット１３４ａはクリーンエアを筐体１１１の内部に流通させるよう構成されている。また、ウェハ移載装置エレベータ１２５ｂ側とは反対側、つまり筐体１１１の前方に向かう左側部分には、ウェハ２００を保持したサセプタ２１８等にクリーンエアを供給するように、供給ファンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット（図示せず）が設置されている。そして、このクリーンユニットから吹き出されたクリーンエアは、ウェハ２００を保持したサセプタ２１８等を通過した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体１１１の外部へ排気されるようになっている。
【００３７】
ウェハ移載装置（基板移載装置）１２５ａの後方には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という）を維持可能な気密性能を有する耐圧筐体１４０が設置されている。この耐圧筐体１４０により、ボート２１７を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室（移載室）１４１が形成されている。
【００３８】
耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａにはウェハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１４２が設けられ、ウェハ搬入搬出口１４２はゲートバルブ（基板搬入搬出口開閉機構）１４３によって開閉されるようになっている。耐圧筐体１４０の一対の側壁にはロードロック室１４１内に不活性ガス（窒素ガス等）を導入するためのガス供給管１４４が接続されている。また、耐圧筐体１４０の一対の側壁には、ロードロック室１４１から不活性ガス等を排気し、当該ロードロック室１４１内を負圧にするためのガス排気管（図示せず）がそれぞれ接続されている。
【００３９】
ロードロック室１４１の上方には、内部で基板を処理する処理容器としての処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２は筒状に形成され、その下端部は炉口シャッタ（炉口ゲートバルブ，炉口開閉機構）１４７により開閉されるよう構成されている。
【００４０】
図１に模式的に示すように、ロードロック室１４１には、ボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（支持体保持体昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５に連結された連結具としてのアーム（図示せず）には、蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられ、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
【００４１】
基板処理装置１０１を構成する各駆動部、つまりアクチュエータ等の電気部品は、図１に示すようにコントローラ２４０と電気的に接続され、コントローラ２４０は、基板処理装置１０１を構成する各駆動部の動作を、所定の制御ロジックに基づき制御するようになっている。
【００４２】
＜基板処理装置の動作＞
基板処理装置１０１は、概ね上述のように構成され、以下、基板処理装置１０１の動作、特にウェハ２００の処理炉２０２に対する搬入搬出動作について説明する。
【００４３】
図１に示すように、カセット１１０がカセットステージ１１４に供給されるのに先立ち、カセット搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放される。その後、カセット１１０はカセット搬入搬出口１１２から筐体１１１内に搬入され、カセットステージ１１４上に載置される。このとき、カセットステージ１１４上に載置されるウェハ２００は垂直姿勢となっており、かつ、カセット１１０のウェハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。
【００４４】
次に、カセット１１０は、カセット搬送装置１１８によって、カセットステージ１１４から取り上げられるとともに、カセット１１０内のウェハ２００が水平姿勢となり、かつ、カセット１１０のウェハ出し入れ口が筐体１１１の後方を向くように、筐体１１１の後方に向けて９０°回転させられる。続いて、カセット１１０は、カセット搬送装置１１８によって、カセット棚１０５あるいはバッファ棚１０７の指定された位置へ自動的に搬送され、受け渡される。つまり、カセット１１０は、バッファ棚１０７に一時的に保管された後、カセット搬送装置１１８によってカセット棚１０５に移載されるか、あるいは、直接、カセット棚１０５に搬送される。
【００４５】
その後、スライドステージ１０６は、カセット棚１０５を水平移動させ、移載の対象となるカセット１１０をウェハ移載装置１２５ａに対峙するように位置決めする。ウェハ２００は、ウェハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによって、カセット１１０からウェハ出し入れ口を通じてピックアップされる。このとき、サセプタ保持機構では、突き上げピン昇降機構ＵＤＵが上昇駆動され、各突き上げピンＰＮが上昇される（図４参照）。続いて、各突き上げピンＰＮと一体となった各支持部材ＭＴ上に、ウェハ移載装置１２５ａの駆動によりウェハ２００が載置される。そして、突き上げピン昇降機構ＵＤＵが下降駆動され、ウェハ２００を載置した突き上げピンＰＮが下降して、図３に示すようにウェハ２００がサセプタ２１８上に保持される。その後、ウェハ移載装置１２５ａはカセット１１０に戻り、次のウェハ２００をサセプタ保持機構に装填する。
【００４６】
次に、予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室１４１のウェハ搬入搬出口１４２がゲートバルブ１４３の動作により開放されると、サセプタ移動機構の駆動により、サセプタ保持機構からウェハ２００を保持したサセプタ２１８（図３参照）が脱装される。その後、サセプタ移動機構の駆動により、サセプタ保持機構から脱装したサセプタ２１８を、ウェハ搬入搬出口１４２を通じてロードロック室１４１内に搬入し、ボート２１７に装填する。その後、サセプタ移動機構はサセプタ保持機構に戻り、ウェハ２００を保持した次のサセプタ２１８をピックアップする。そして、サセプタ移動機構は、当該動作を繰り返すことで次々とウェハ２００を保持したサセプタ２１８をボート２１７に装填していく。これにより、図７に示すように、ウェハ２００を保持した各サセプタ２１８は、ボート２１７の各保持部ＨＵにそれぞれ保持されて水平状態となる。
【００４７】
次に、予め指定された枚数のサセプタ２１８（ウェハ２００）がボート２１７に装填されると、ウェハ搬入搬出口１４２がゲートバルブ１４３によって閉じられる。その後、処理炉２０２の下端部が炉口シャッタ１４７によって開放される。続いて、各サセプタ２１８が装填されたボート２１７およびシールキャップ２１９が、ボートエレベータ１１５の駆動により上昇し、ボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されるとともに、シールキャップ２１９により処理炉２０２の下端部が閉塞される。
【００４８】
ボート２１７のローディング後は、処理炉２０２内において各ウェハ２００に任意の処理が実施される。各ウェハ２００の処理後は、ボートエレベータ１１５の駆動により、シールキャップ２１９が下降して処理炉２０２の下端部が開放されるとともに、ボート２１７が処理炉２０２から引き出される。その後は、概ね上述した動作と逆の動作を辿って、処理済みの各ウェハ２００を収納したカセット１１０が、筐体１１１の外部に取り出される。
【００４９】
＜処理炉の構成＞
次に、基板処理装置１０１を形成する処理炉２０２について、図面を参照しながら説明する。図８は図１の基板処理装置の処理炉内と処理炉周辺の概略を示す断面図を、図９は図８のＣ−Ｃ線に沿う断面図を、図１０（ａ）は処理ガス供給部の詳細図，（ｂ）は処理ガス排出部の詳細図を、図１１（ａ）は不活性ガス供給部の詳細図，（ｂ）は不活性ガス排出部の詳細図をそれぞれ表している。
【００５０】
図８に示すように、処理炉２０２は、アウターチューブ２０５，インナーチューブ２３０およびマニホールド２０９を備えている。アウターチューブ２０５は、耐熱材料としての石英（ＳｉＯ２）材により有底の筒状に形成され、上端が閉塞し下端が開口している。アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が設けられている。マニホールド２０９は、例えば、石英（ＳｉＯ２）材若しくはステンレス材等から筒状に形成され、上端および下端の双方が開口している。
【００５１】
マニホールド２０９は、シール部材としての環状シール２６７を介してアウターチューブ２０５を支持しており、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間は気密に保持されている。マニホールド２０９は、ステンレス材等から筒状に形成されたベース部材２５０に支持され、これによりアウターチューブ２０５は、基板処理装置１０１に対して垂直に据え付けられた状態となっている。ただし、マニホールド２０９は、特にアウターチューブ２０５と別体で設ける場合に限定されず、アウターチューブ２０５と一体化することもできる。
【００５２】
アウターチューブ２０５の内側にはインナーチューブ２３０が設けられ、インナーチューブ２３０は耐熱材料としての石英（ＳｉＯ２）材で形成され、アウターチューブ２０５と同様に有底の筒状をなしている。インナーチューブ２３０は、アウターチューブ２０５と同心円状に設けられ、インナーチューブ２３０とアウターチューブ２０５との間には環状の間隙ＳＰ１が形成されている。インナーチューブ２３０の内側には処理室２０１が形成され、当該処理室２０１にはボート２１７が収容されている。ボート２１７の中心軸は、処理炉２０２の中心軸と一致した状態となっている。
【００５３】
インナーチューブ２３０の側壁部２３０ａには、処理ガス（図示せず）を処理室２０１内に供給するための処理ガス供給管３００が設けられている。また、インナーチューブ２３０の側壁部２３０ａには、複数のガス供給口２３０ｂが設けられ、処理ガス供給管３００を介して処理室２０１内に処理ガスが供給される。処理ガス供給管３００は間隙ＳＰ１内に配置され、処理ガス供給管３００の他端側は、インナーチューブ２３０の下端部分で直角に折り曲げられ、マニホールド２０９およびベース部材２５０を貫通して外部に延在している。ここで、処理ガス供給管３００とマニホールド２０９およびベース部材２５０との間には、それぞれシール部材（図示せず）が設けられ、これにより気密が保持されている。
【００５４】
インナーチューブ２３０の下端側は、シール部材としての環状シール２６８を介してマニホールド２０９に支持され、これによりマニホールド２０９とインナーチューブ２３０との間は気密に保持されている。つまり、間隙ＳＰ１は、各環状シール２６７，２６８によって外部から遮断されている。
【００５５】
マニホールド２０９の軸方向に沿う処理ガス供給管３００側とは反対側（図中下側）には、処理室２０１内を通過した処理ガスを外部に排出するための処理ガス排出管３０１の一端側が接続されている。処理ガス排出管３０１は、処理ガス供給管３００に対して略平行に設けられ、処理ガス排出管３０１の他端側は、ベース部材２５０を貫通して外部に延在している。ここで、処理ガス排出管３０１とマニホールド２０９およびベース部材２５０との間には、それぞれシール部材（図示せず）が設けられ、これにより気密が保持されている。ここで、処理ガス供給管３００および処理ガス排出管３０１は、いずれも耐熱材料としての石英（ＳｉＯ２）材で形成されている。
【００５６】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端の開口部分を気密に閉塞するための炉口蓋体として、シールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属材料により略円盤形状に形成されている。シールキャップ２１９は、処理炉２０２の外部に設けた昇降機構としての昇降モータ（図示せず）によって垂直方向に移動し、これによりボート２１７を処理室２０１に対して搬入搬出できるようになっている。なお、シールキャップ２１９には、回転機構によって回転可能な回転軸（図示せず）が貫通しており、当該回転軸の一端側は、ボート２１７に一体回転可能に設けた断熱筒２１６に接続されている。これにより、回転機構を回転駆動することで回転軸および断熱筒２１６を介してボート２１７が回転し、ひいては各ウェハ２００を処理室２０１内で回転させることができる。
【００５７】
ボート２１７の下部には、例えば、耐熱性材料としての石英（ＳｉＯ２）材により略円筒形状に形成された断熱筒２１６が配置され、断熱筒２１６を設けることにより、誘導加熱装置２０６による誘導加熱で生じた熱が回転機構等の駆動機構側（図中下側）に伝わり難くしている。ただし、断熱筒２１６は、ボート２１７と別体として設けずに、ボート２１７の下部に一体に設けても良い。また、断熱筒２１６に代えて、あるいは断熱筒２１６に加えて、ボート２１７の下部、あるいは断熱筒２１６の下部に複数枚の断熱板を設けるように構成しても良い。
【００５８】
なお、ボート２１７は、ウェハ２００の成膜処理時における膜中への不純物の混入を抑制するために高純度で汚染物を放出しない材料，かつ断熱筒２１６の熱劣化を抑制すべく熱伝導率の低い材料，かつウェハ２００への熱影響を極力抑制するために誘導加熱装置２０６により誘導加熱されない材料で形成するのが望ましい。そこで、本実施の形態においては、これらの条件を満足するようボート２１７を石英（ＳｉＯ２）材により形成している。
【００５９】
処理炉２０２の周囲には、当該処理炉２０２を包囲するよう筒状の誘導加熱装置２０６が設けられている。誘導加熱装置２０６は、高周波電流を印加することにより各ウェハ２００を輻射熱により加熱するもので、誘導加熱部としてのＲＦコイル２０６１と、ＲＦコイル２０６１を保持する筒状のコイル筐体２０６２とを備えている。ＲＦコイル２０６１は高周波電源（図示せず）に接続され、この高周波電源により、ＲＦコイル２０６１には高周波電流が流れるようになっている。
【００６０】
コイル筐体２０６２は、例えばステンレス材等により筒状に形成され、その上端側には開口部２０６３が形成されている。コイル筐体２０６２の下端側は、シール部材としての環状シール２６９および支持板２７０を介してベース部材２５０に支持されている。コイル筐体２０６２の内壁側にはＲＦコイル２０６１が設けられ、ＲＦコイル２０６１は、コイル筐体２０６２の内壁に設けたコイル支持部（図示せず）により支持されている。コイル支持部は、ＲＦコイル２０６１とコイル筐体２０６２との間に所定の隙間を形成するようになっている。
【００６１】
ＲＦコイル２０６１は螺旋状に形成され、コイル筐体２０６２の軸方向に沿って複数の領域（ゾーン）に区分けされている。例えば、コイル筐体２０６２の下方側のゾーンから、ＲＦコイルＬ，ＲＦコイルＣＬ，ＲＦコイルＣ，ＲＦコイルＣＵ，ＲＦコイルＵというように５つのゾーンに区分けされている。これらの５つのゾーンに区分けされたＲＦコイルＬ，ＲＦコイルＣＬ，ＲＦコイルＣ，ＲＦコイルＣＵ，ＲＦコイルＵは、それぞれ独立して制御可能となっている。
【００６２】
マニホールド２０９，ベース部材２５０および支持板２７０は、スカベンジャー２６０を形成している。スカベンジャー２６０は、処理ガスの漏れを捕獲するとともに、内部で不活性ガス（窒素ガス等）を混合し、漏れた処理ガスを希釈するものである。
【００６３】
ベース部材２５０の下端側には、スカベンジャー２６０内に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給ノズル２６１が接続されている。不活性ガス供給ノズル２６１から供給された不活性ガス（図示せず）は、スカベンジャー２６０内から、環状シール２６７と環状シール２６９との間の間隙ＳＰ２を介して、アウターチューブ２０５とコイル筐体２０６２との間に流出するようになっている。また、スカベンジャー２６０内の不活性ガスは、支持板２７０に設けた貫通孔２７１（図９参照）を介して、コイル筐体２０６２と包囲部材２８０との間にも流出するようになっている。
【００６４】
誘導加熱装置２０６の周囲には、処理炉２０２および誘導加熱装置２０６を包囲するよう包囲部材２８０が設けられている。図９に示すように包囲部材２８０は、断面が八角形形状に形成され、互いに対向する壁部としての長辺部２８１と短辺部２８２とを備えている。包囲部材２８０は、銅板を屈曲成形することにより八角形形状に形成され、長手方向両端側（図中上下側）が開口した中空状となっている。包囲部材２８０の長手方向一端側（図中上側）には開口部２８３が形成され、包囲部材２８０の長手方向他端側（図中下側）は、ベース部材２５０に一体に設けたベース板２５１に固定されている。
【００６５】
包囲部材２８０は、誘導加熱装置２０６のＲＦコイル２０６１から放射される誘導磁場が、その周囲にある収納筐体２９０に到達するのを阻止するもので、これによりステンレス材料等よりなる収納筐体２９０が加熱されるのを防止している。ここで、包囲部材２８０には誘導電流が流れるが、包囲部材２８０は銅製であるためその抵抗値が小さく、包囲部材２８０の発熱は抑制される。ここで、包囲部材２８０を断面が八角形形状となるよう形成したが、熱源としてのＲＦコイル２０６１からの距離を等しくして、包囲部材２８０の局所的な加熱を防止するためにも円筒形状とするのがより望ましい。
【００６６】
包囲部材２８０の長手方向一端側には接続孔２８４が設けられ、当該接続孔２８４は略長方形形状に形成されている。接続孔２８４は、包囲部材２８０の短辺部２８２に設けられ、接続孔２８４には、図９に示すように不活性ガスを外部に排出するための不活性ガス排出管（ガス配管）２９１の一端側が接続されている。
【００６７】
包囲部材２８０の周囲には、処理炉２０２および包囲部材２８０を収納する収納筐体２９０が設けられている。収納筐体２９０は、図９に示すように断面が略正方形形状に形成され、その内部にはヒータ室ＨＲが形成されている。収納筐体２９０と包囲部材２８０との間には所定寸法の間隙ＳＰ３が形成され、包囲部材２８０と処理炉２０２との間には所定寸法の間隙ＳＰ４が形成されている。包囲部材２８０は、処理炉２０２と収納筐体２９０との間で収納筐体２９０寄りに配置され、これにより間隙ＳＰ３の容積の方が間隙ＳＰ４の容積よりも小さくなっている。間隙ＳＰ３と間隙ＳＰ４とは、包囲部材２８０の開口部２８３（図８参照）を介して互いに接続され、間隙ＳＰ３は本発明における第１間隙を構成し、間隙ＳＰ４は本発明における第２間隙を構成している。
【００６８】
収納筐体２９０の側部には、図９に示すようにラジエターボックス２９３が設けられ、当該ラジエターボックス２９３の内部には、不活性ガス排出装置３５０が設けられている。不活性ガス排出装置３５０には、不活性ガス排出管２９１の他端側が接続され、不活性ガス排出管２９１は収納筐体２９０の壁部２９０ａを貫通している。なお、不活性ガス排出管２９１と壁部２９０ａとの間にはシール部材（図示せず）が設けられ、これにより両者間の気密を保持している。これにより、不活性ガス排出管２９１は、包囲部材２８０内と収納筐体２９０外とを連通するようになっている。
【００６９】
収納筐体２９０は、図８に示すように、底壁部２９２を備える有底状に形成され、上端部分が閉塞し下端部分が開口している。収納筐体２９０の下端部は、シール部材（図示せず）を介してベース板２５１に取り付けられ、これにより気密を保持している。
【００７０】
収納筐体２９０の底壁部２９２には、非常時用の圧力開放口２９２ａ（図１５参照）と、当該圧力開放口２９２ａを開閉する圧力開放口開閉装置４００とが設けられている。何らかの理由で、ヒータ室ＨＲ内で爆発が発生した場合には、ヒータ室ＨＲ内が高圧となり、基板処理装置１０１の比較的強度の弱い箇所が変形または破損する虞がある。このように、基板処理装置１０１が損傷するのを最小限に抑えるために、圧力開放口開閉装置４００は、ヒータ室ＨＲ内が所定圧力以上となった際に圧力開放口２９２ａを開き、ヒータ室ＨＲの内部圧力を外部に開放するになっている。
【００７１】
圧力開放口開閉装置４００は、図８に示すように、圧力開放口２９２ａを開閉する開閉体４０１と、この開閉体４０１を圧力開放口２９２ａに向けて常時押圧する一対のスプリング４０２と、各スプリング４０２の端部を支持する台座４０３と、各スプリング４０２の押圧力、つまり圧力開放口開閉装置４００が作動する圧力を調整するための一対の調整ノブ４０４とから形成されている。
【００７２】
ベース板２５１の間隙ＳＰ３と対向する部分には、一対の不活性ガス供給ノズル２５２が接続されている。各不活性ガス供給ノズル２５２から供給された不活性ガス（図示せず）は、包囲部材２８０と収納筐体２９０との間の間隙ＳＰ３内に供給され、間隙ＳＰ３を通って包囲部材２８０の開口部２８３に向けて流れるようになっている。ただし、各不活性ガス供給ノズル２５２のベース板２５１への接続方法としては、各不活性ガス供給ノズル２５２から吐出される不活性ガスが、間隙ＳＰ３内を螺旋状に流れて開口部２８３に向かうような接続方法としても良い。
【００７３】
図８，図１０（ａ）に示すように、処理ガス供給管３００の他端側には、ガス管３１１を介して処理ガス供給装置３１０が接続されている。処理ガス供給装置３１０は、３つのバルブ１７７，１７８，１７９，ガス流量制御装置としての３つのＭＦＣ（Mass Flow Controller）１８３，１８４，１８５および第１のガス供給源１８０，第２のガス供給源１８１，第３のガス供給源１８２を備えている。ガス管３１１は上流側で３つに分岐しており、各バルブ１７７，１７８，１７９，各ＭＦＣ１８３，１８４，１８５および各ガス供給源１８０，１８１，１８２は、分岐したガス管３１１のそれぞれに対応して一組ずつ設けられている。各ＭＦＣ１８３，１８４，１８５および各バルブ１７７，１７８，１７９には、コントローラ２４０が電気的に接続され、当該コントローラ２４０により供給するガスの流量が所望の流量となるよう所望のタイミングで制御される。ガス管３１１は上流側でさらに分岐（図示せず）され、バルブおよびＭＦＣを介して不活性ガス供給源（図示せず）に接続されている。
【００７４】
図８，図１０（ｂ）に示すように、処理ガス排出管３０１の他端側には、ガス管３２１を介して処理ガス排出装置３２０が接続されている。処理ガス排出装置３２０は、圧力検出器としての圧力センサ２４１，圧力調整器としてのＡＰＣ（Automatic Pressure Control）バルブ２４２および真空ポンプ等の真空排気装置２４６を備え、これらはこの順序でガス管３２１の下流側に接続されている。圧力センサ２４１およびＡＰＣバルブ２４２には、コントローラ２４０が電気的に接続され、当該コントローラ２４０は、圧力センサ２４１により検出された圧力に基づいてＡＰＣバルブ２４２の開度を調節し、これにより処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御される。
【００７５】
図８，図１１（ａ）に示すように、不活性ガス供給ノズル２５２，２６１には、ガス管３３１，３４１を介して間隙ＳＰ３，ＳＰ４に不活性ガスを供給する第一不活性ガス供給装置３３０，第二不活性ガス供給装置３４０がそれぞれ接続され、第一，第二不活性ガス供給装置３３０，３４０はいずれも同様に構成されている。第一，第二不活性ガス供給装置３３０，３４０は、バルブ３３２，３４２，ＭＦＣ３３３，３４３および不活性ガス供給源３３４，３４４をそれぞれ備え、これらはこの順序で各ガス管３３１，３４１の上流側に接続されている。ＭＦＣ３３３，３４３およびバルブ３３２，３４２には、コントローラ２４０の不活性ガス供給量制御部（ガス供給量制御部）２４３が電気的に接続され、当該不活性ガス供給量制御部２４３によって、供給する不活性ガスの流量が所望の流量となるよう所望のタイミングで制御される。ここで、第一不活性ガス供給装置３３０は本発明における第一ガス供給部を構成し、第二不活性ガス供給装置３４０は本発明における第二ガス供給部を構成している。
【００７６】
図８，図９，図１１（ｂ）に示すように、不活性ガス排出管２９１の他端側には、不活性ガス排出装置３５０が接続されている。不活性ガス排出装置３５０は、ヒータ室ＨＲ内の圧力を検出する圧力センサ３５１，ヒータ室ＨＲ内から排出される不活性ガスの温度を下げるラジエータ３５２，ヒータ室ＨＲ内のガス濃度を検出するガス検知器３５３，ヒータ室ＨＲ内から排出される不活性ガスの排出量を調整する流量調整バルブ３５４を備え、これらはこの順序で不活性ガス排出管２９１の下流側に接続されている。また、不活性ガス排出管２９１の下流側には、流量調整バルブ３５４と並列にダンパ３５５が設けられ、当該ダンパ３５５は、例えばヒータ室ＨＲ内の急激な圧力変動を抑えるようになっている。圧力センサ３５１，ガス検知器３５３および流量調整バルブ３５４には、コントローラ２４０が電気的に接続され、当該コントローラ２４０は、ヒータ室ＨＲ内の圧力に応じて流量調整バルブ３５４を所望のタイミングで制御するとともに、ヒータ室ＨＲ内のガス濃度に応じて一対の第一不活性ガス供給装置３３０を所望のタイミングでフィードバック制御する。ここで、不活性ガス排出管２９１を接続する接続孔２８４は、収納筐体２９０ではなく、その内側の包囲部材２８０に設けられている方が望ましい。収納筐体２９０側に接続孔２８４を設けると、間隙ＳＰ４を介して流れてきた不活性ガスが流路の狭く、滞留が発生しやすい間隙ＳＰ３に向かって流れてくる。一方、包囲部材２８０側に接続孔２８４を設けると、間隙ＳＰ４を介して流れてきた不活性ガスは、そのまま接続孔２８４を介して不活性ガス排出管２９１から排出される。また、間隙ＳＰ３を介して流れてきた不活性ガスは、間隙ＳＰ４に向かって流れ、不活性ガス排出管２９１から排出されることになるが、間隙ＳＰ４は、流路や容積が大きく、不活性ガスや漏洩ガスが滞留しにくいため、より確実に漏洩ガスを排気することができる。
【００７７】
＜基板の製造工程＞
次に、基板処理装置１０１を使用した半導体デバイスの製造工程の一工程における基板の製造工程について、図面を参照しながら説明する。図１２は図８の破線円Ｄ部分の部分拡大図を、図１３は図８の破線円Ｅ部分の部分拡大図を、図１４は図８の破線円Ｆ部分の部分拡大図を、図１５（ａ），（ｂ）は圧力開放バルブの詳細構造および作動状態を説明する説明図をそれぞれ表している。
【００７８】
本実施の形態では、基板の製造工程の一工程として、ウェハ等の基板上に、エピタキシャル成長法を使用してシリコン（Ｓｉ）等の半導体膜を形成する方法（半導体装置の製造方法）について説明する。なお、本実施の形態では、半導体装置の製造方法を例に説明するが、本実施の形態で開示される基板の製造方法は、半導体装置の製造方法に限定されるものではない。例えば、第１導電型（例えばｐ型）の半導体基板であるウェハ等の基板上に、第１導電型とは反対導電型の第２導電型（例えばｎ型）のエピタキシャル成長法を使用してシリコン（Ｓｉ）等の半導体膜を成膜し、ｐｎ接合を形成する太陽電池の製造方法に適用することもできる。
【００７９】
本実施の形態においては、以下に述べる〔スタンバイ工程〕，〔ボートローディング工程〕，〔真空排気工程（１）〕，〔圧力制御工程〕，〔昇温工程〕，〔成膜工程〕，〔真空排気工程（２）〕および〔ボートアンローディング工程〕を経て、各ウェハ２００を処理するようになっている。
【００８０】
〔スタンバイ工程〕
まず、図８に示す処理室２０１内にボート２１７を搬入する前段階として、処理室２０１はスタンバイ状態となっている。ここで、スタンバイ状態とは、ボート２１７が処理炉２０２の真下にあるロードロック室１４１（図１参照）に配置され、ウェハ２００を保持した各サセプタ２１８をボート２１７に装填した状態を指している。
【００８１】
〔ボートローディング工程〕
ウェハ２００を保持した各サセプタ２１８がボート２１７に装填されると、ボート２１７は、スタンバイ状態から上昇駆動されて処理炉２０２内に搬入、つまりインナーチューブ２３０内に搬送（ボートローディング）される。その後、シールキャップ２１９は処理炉２０２を密封した状態となる。このとき、処理炉２０２内の内部圧力は、例えば、760Torr（＝760×133.3Pa）となっている。
【００８２】
〔真空排気工程（１）〕
ボートローディングに引き続き、処理炉２０２内に不活性ガスとして、例えば、Ｎ２（窒素）ガスが供給され、処理炉２０２内を不活性ガスに置換する。なお、不活性ガスは、ガス管３１１の上流側に接続した不活性ガス供給源から、処理ガス供給管３００を介して供給される。その後、処理炉２０２内を不活性ガスで満たして、かつ所望の圧力となるよう、ガス管３２１の下流側に接続した真空排気装置２４６（図１０（ｂ）参照）を作動させ、真空引きにより処理炉２０２内を減圧する。
【００８３】
〔圧力制御工程〕
真空引きに引き続き、処理炉２０２内の圧力を圧力センサ２４１で測定し、測定した圧力に基づいてＡＰＣバルブ２４２がフィードバック制御される。この時、ガス管３１１に接続した不活性ガス供給源からは、不活性ガスとして、例えばＮ２ガスが、処理ガス供給管３００を介して供給される。この圧力制御により処理炉２０２内の圧力は、16000Pa〜93310Paの範囲から選択される処理圧力のうち、一定の処理圧力に調整される。例えば、200Torr〜700Torr（200×133.3Pa〜700×133.3Pa）となる。なお、処理炉２０２内の圧力は、各ウェハ２００の処理を終えるまで一定の処理圧力に維持される。
【００８４】
〔昇温工程〕
そして、各ウェハ２００を所望の温度とするよう誘導加熱装置２０６に高周波電流を印加し、ＲＦコイル２０６１から放射される誘導磁場により各サセプタ２１８に誘導電流（渦電流）を生じさせる。つまり、誘導加熱装置２０６に高周波電流を流すことで被誘導体である各サセプタ２１８には渦電流が発生し、これにより各サセプタ２１８は昇温される。これにより、各サセプタ２１８からの輻射熱で各ウェハ２００が加熱される。ここで、サセプタ２１８においては、その周縁部２１８ａから中央部２１８ｂに熱伝導により熱が伝達し、これによりサセプタ２１８の全域を均等に加熱できる。このように、基板処理装置１０１では、誘導加熱により各ウェハ２００を加熱するコールドウォール方式を採用している。コールドウォール方式においては、各ウェハ２００を誘導加熱で効率的に加熱できるよう、被誘導体である各サセプタ２１８にウェハ２００をそれぞれ保持させている。つまり、サセプタ２１８は、ウェハ２００を保持する機能に加えて、誘導電流により加熱される加熱源としての機能も備えている。
【００８５】
各ウェハ２００を加熱する際、コントローラ２４０は、処理炉２０２内の温度が所望の温度分布となるよう放射温度計（図示せず）により検出した温度情報を監視しており、この温度情報に基づいて誘導加熱装置２０６への通電具合をフィードバック制御する。ここで、処理炉２０２内を昇温する際には、処理ガス供給管３００も加熱される。したがって、処理ガス供給管３００内を流れる処理ガスも加熱され、各ウェハ２００に供給される処理ガスの温度を、成膜に最適な温度に昇温させることができる。例えば、原料ガスとしてＳｉＨＣｌ３（トリクロロシラン）、キャリアガスとして水素（Ｈ２）を用いる場合には、各サセプタ２１８を1150℃以上となるように誘導加熱する。さらに、各ウェハ２００は、700℃〜1200℃の範囲から選択される処理温度のうち、一定の温度で加熱される。
【００８６】
〔成膜工程〕
各ウェハ２００の加熱処理においては、ボート２１７を回転駆動することで各ウェハ２００を処理室２０１内で回転させている。その後、各ウェハ２００の温度が安定したところで、第１のガス供給源１８０，第２のガス供給源１８１，第３のガス供給源１８２からそれぞれ処理ガスを供給する。そして、各ガス供給源１８１，１８２，１８３からの処理ガスが所望の流量となるよう各ＭＦＣ１８３，１８４，１８５の開度が調節された後、各バルブ１７７，１７８，１７９が開かれる。これにより、図１０（ａ）の矢印（１）に示すように、それぞれの処理ガスがガス管３１１を通って混合され、処理ガス供給管３００に流入する。ここで、処理ガス供給管３００を流れる処理ガスにより、当該処理ガス供給管３００内において成膜されるのを抑えるために、処理ガス供給管３００の温度は1000°以下となるよう温度調整される。
【００８７】
ここで、第１のガス供給源１８０，第２のガス供給源１８１，第３のガス供給源１８２には、Ｓｉ系およびＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）系の原料ガスとしてＳｉＨ２Ｃｌ２（ジクロロシラン），ＳｉＨＣｌ３（トリクロロシラン），ＳｉＣｌ４（四塩化ケイ素）等，ドーピングガスとしてＢ２Ｈ６（ジボラン），ＢＣl３（三塩化ホウ素），ＰＨ３（ホスフィン）等，キャリアガスとして水素（Ｈ２）がそれぞれ封入されている。
【００８８】
処理炉２０２内に供給された処理ガスは、各ウェハ２００間を通過して各ウェハ２００の表面上に行き渡った後、処理ガス排出管３０１に到達し、図１０（ｂ）の矢印（２）に示すように、処理ガス排出管３０１からガス管３２１に排出される。このとき、処理ガスは各ウェハ２００間を通過する際に各サセプタ２１８によって加熱されるとともに、加熱された各ウェハ２００と接触する。これにより、各ウェハ２００の表面上にエピタシャル成長によりシリコン（Ｓｉ）などの半導体膜が形成される。
【００８９】
〔真空排気工程（２）〕
成膜処理を終えると、誘導加熱装置２０６への高周波電流の印加を停止させる等して、処理炉２０２内の温度を低下させる。そして、処理炉２０２内を所望の圧力とすべく真空排気装置２４６を作動させて、処理室２０１内の雰囲気を外部に排出（真空引き）して処理炉２０２内を減圧する。その後、不活性ガス供給源から不活性ガスとして、例えば、Ｎ２ガスを処理炉２０２内に供給して処理炉２０２内を不活性ガスに置換し、処理炉２０２内の圧力を常圧に復帰させる。
【００９０】
〔ボートアンローディング工程〕
次いで、シールキャップ２１９を下降させることにより、処理炉２０２が開口するとともに、処理済の各ウェハ２００がボート２１７に保持された状態で処理室２０１からロードロック室１４１（図１参照）に向けて搬出（ボートアンローディング）される。そして、処理済の各ウェハ２００をボート２１７から取り出せる状態となる（ウェハディスチャージ）。その後、基板処理装置１０１はスタンバイ状態に復帰する。以上のようにして、各ウェハ２００の表面上に半導体膜を形成することができる。
【００９１】
＜漏洩ガスの希釈化処理＞
基板処理装置１０１は、上記各工程を経て各ウェハ２００を処理するが、これに加えてヒータ室ＨＲ（収納筐体２９０）内の雰囲気を不活性ガスに置換する処理、つまり漏洩ガスの希釈化処理も行うようになっている。この漏洩ガスの希釈化処理は、上記各工程と並行して常時行うようにしても良く、この場合には処理炉２０２の周辺を不活性ガスで冷却できるというメリットがある。その一方で、漏洩ガスの希釈化処理を、ヒータ室ＨＲ内に処理ガスが漏洩し得る〔成膜工程〕でのみ行うようにすることもできる。
【００９２】
図１１（ａ）に示すように、各不活性ガス供給源３３４，３４４からの不活性ガス（Ｎ２ガス等）が所望の流量となるよう各ＭＦＣ３３３，３４３の開度が調節された後、各バルブ３３２，３４２が開かれる。これにより、図中矢印（３）に示すように、不活性ガスが各ガス管３３１，３４１に流入し、各不活性ガス供給ノズル２５２，２６１に到達する。一対の不活性ガス供給ノズル２５２から吐出された不活性ガスは、図１２の矢印（４）に示すように、収納筐体２９０と包囲部材２８０との間の間隙ＳＰ３に供給される。
【００９３】
一方、不活性ガス供給ノズル２６１から吐出された不活性ガスは、図１３の矢印（５），（６）に示すように、まずスカベンジャー２６０内に供給される。スカベンジャー２６０内に供給された不活性ガスは、図中矢印（５）に示すように、環状シール２６７と環状シール２６９との間の間隙ＳＰ２を介して、アウターチューブ２０５とコイル筐体２０６２との間（間隙ＳＰ４の一部）に流出する。さらに、図中矢印（６）に示すように、支持板２７０の貫通孔２７１（図９参照）を介して、コイル筐体２０６２と包囲部材２８０との間（間隙ＳＰ４の一部）にも流出する。
【００９４】
各不活性ガス供給ノズル２５２（一対の第一不活性ガス供給装置３３０）からは、例えば、それぞれ１分間に200Lの吐出量（200L/min）で不活性ガスが吐出され、したがって間隙ＳＰ３には合計400L/minの不活性ガスが供給される。一方、不活性ガス供給ノズル２６１（第二不活性ガス供給装置３４０）からは、例えば、１分間に300Lの吐出量（300L/min）で不活性ガスが吐出され、したがって間隙ＳＰ４には合計300L/minの不活性ガスが供給される。つまり、コントローラ２４０の不活性ガス供給量制御部２４３は、一対の第一不活性ガス供給装置３３０から間隙ＳＰ３に供給されるガス供給量を、第二不活性ガス供給装置３４０から間隙ＳＰ４に供給されるガス供給量よりも多くするよう、第一，第二不活性ガス供給装置３３０，３４０を制御する。
【００９５】
ここで、間隙ＳＰ３の容積の方が間隙ＳＰ４の容積よりも小さいため、間隙ＳＰ３を流れる不活性ガスの流速の方が、間隙ＳＰ４を流れる不活性ガスの流速よりも速くなる。これにより、各不活性ガス供給ノズル２５２から吐出した不活性ガスは、収納筐体２９０内の隅々まで行き渡り、さらには図１４の矢印（４）に示すように包囲部材２８０の内側の接続孔２８４に回り込む。即ち、不活性ガス供給ノズル２５２，２６１を処理室２０１の下方に設け、不活性ガスを排気する接続孔２８４を不活性ガス供給ノズル２６２，２６１の反対側である処理室２０１の上方に設けることにより、不活性ガスの主流を下方から上方へと一方向にでき、漏洩ガスの滞留を抑制することができる。したがって、間隙ＳＰ３および間隙ＳＰ４を通過した不活性ガスは、収納筐体２９０内の角部等に漏れた処理ガスを滞留させること無く略完全に希釈することができ、その後、図１４の矢印（４）〜（６）に示すように、接続孔２８４にスムーズに集約されて不活性ガス排出管２９１（図９参照）に導かれる。また、間隙ＳＰ３に流れる不活性ガスの流量は、間隙ＳＰ４に流れる不活性ガスの流量より大きいため、間隙ＳＰ４から間隙ＳＰ３に向かって不活性ガスが流れにくくなっている。従って、包囲部材２８０を設けたことにより形成された間隙ＳＰ３は、流路が狭く漏洩ガスが滞留しやすくなっているが、間隙ＳＰ３の不活性ガスの流れを下方から上方へ一方向とすることができ、間隙ＳＰ３にある漏洩ガスを確実に排気することができる。
【００９６】
その後、不活性ガス排出管２９１に導かれた不活性ガス、つまりヒータ室ＨＲ内に漏れて不活性ガスにより希釈された処理ガスは、図１１（ｂ）の矢印（７）に示すように、ラジエータ３５２により冷却された後、流量調整バルブ３５４を通って収納筐体２９０外の排気処理設備（図示せず）に排出される。
【００９７】
ここで、漏洩ガスの希釈化処理の制御パターン（防爆制御パターン）としては、圧力センサ３５１，ガス検知器３５３および流量調整バルブ３５４をそれぞれ制御することでヒータ室ＨＲ内のガス濃度を制御するパターンや、ヒータ室ＨＲ内の圧力を制御するパターン等が挙げられる。ヒータ室ＨＲ内のガス濃度を制御する場合は、圧力センサ３５１，ガス検知器３５３および流量調整バルブ３５４をそれぞれ制御して、ヒータ室ＨＲ内のガス濃度を最適化、例えば、ヒータ室ＨＲ内に供給する不活性ガス（Ｎ２ガス）中の酸素ガス（Ｏ２ガス）濃度を１％未満に制御する。これにより、ヒータ室ＨＲ内に漏れた処理ガス（水素ガス等）の濃度を確実に下げて、ヒータ室ＨＲ内の雰囲気を爆発範囲に入れないよう制御でき、爆発リスクを低減できる。
【００９８】
また、ヒータ室ＨＲ内の圧力を制御する場合は、ガス検知器３５３により検出された処理ガスの濃度が所定値以上となり、ヒータ室ＨＲ内の雰囲気が爆発範囲に到達しそうなときに、圧力センサ３５１により検出したヒータ室ＨＲ内の圧力が、圧力センサ２４１により検出した処理炉２０２内の圧力を上回るよう、流量調整バルブ３５４を制御する。これにより、ヒータ室ＨＲ内に漏れた処理ガスを希釈しつつ、処理炉２０２から収納筐体２９０内に処理ガスが漏れるのを防止できる。また、ヒータ室ＨＲ内の圧力を大気圧以上となるよう設定することで、外部からヒータ室ＨＲ内への酸素ガスの進入も防止でき、より爆発リスクを低減することが可能となる。ここで、ヒータ室ＨＲ内の雰囲気が爆発範囲に到達しそうなことをコントローラ２４０の記憶部（図示せず）に記憶させておき、その発生頻度等に基づいて警報（図示せず）を鳴らす等しても良く、これにより基板処理装置１０１のメンテナンス作業（シール交換作業等）を促すこともできる。
【００９９】
さらには、より安全サイドで基板処理装置１０１を保護する場合には、ガス検知器３５３により検出された処理ガスの濃度が所定値以上となった場合に、処理炉２０２内への処理ガスの供給を緊急停止するとともに、ヒータ室ＨＲ内への不活性ガスの供給量を最大量（300L/min＋400L/min）とする。このように処理ガスの供給元を緊急停止し、ヒータ室ＨＲ内の雰囲気を不活性ガスで素早く一掃することで、爆発リスクをさらに低減させることが可能となる。
【０１００】
ここで、仮にヒータ室ＨＲ内の処理ガスの濃度が所定値以上となり、何らかの理由で、ヒータ室ＨＲ内で爆発が発生した場合には、ヒータ室ＨＲ内の圧力が高圧となる。すると、図１５（ａ）に示すように、ヒータ室ＨＲ内の圧力Ｆが網掛け矢印のように圧力開放口２９２ａから開閉体４０１に負荷され、図１５（ｂ）の矢印（８）に示すように、開閉体４０１が各スプリング４０２のバネ力に抗して移動し、圧力開放口２９２ａが開口する。これにより、ヒータ室ＨＲと外部とが連通状態となり、図中矢印（９）に示すようにヒータ室ＨＲ内の圧力Ｆが外部に開放される。これにより、基板処理装置１０１の比較的強度の弱い箇所が変形または破損するのを防止して、基板処理装置１０１を保護することができる。
【０１０１】
＜本実施の形態の代表的効果＞
以上、本実施の形態で説明した技術的思想によれば、少なくとも、以下に記載する複数の効果のうち、１つ以上の効果を奏する。
【０１０２】
（１）本実施の形態によれば、収納筐体２９０と包囲部材２８０との間の間隙ＳＰ３と、包囲部材２８０と処理炉２０２との間の間隙ＳＰ４とに不活性ガスを供給し、間隙ＳＰ４の不活性ガスは直接的に接続孔２８４を介して不活性ガス排出管２９１に到達し、間隙ＳＰ３の不活性ガスは包囲部材２８０の開口部２８３を介して包囲部材２８０の内側に回り込んで接続孔２８４から不活性ガス排出管２９１に到達する。これにより、不活性ガスを収納筐体２９０の隅々まで行き渡らせて、ヒータ室ＨＲ内に漏れた処理ガスを滞留させること無く略完全に希釈して外部に排出させることができる。よって、処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する基板処理装置１０１の損傷等を確実に防止することができる。
【０１０３】
（２）本実施の形態によれば、間隙ＳＰ３への不活性ガスの供給量（400L/min）を、間隙ＳＰ４への不活性ガスの供給量（300L/min）よりも多くしたので、間隙ＳＰ３に供給した不活性ガスを包囲部材２８０の内側の接続孔２８４に回り込み易くしつつ、処理炉２０２から収納筐体２９０内に漏れた処理ガスを、収納筐体２９０の角部に滞留させ難くして、処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをさらに低減して、爆発に起因する基板処理装置１０１の損傷等をより確実に防止することができる。
【０１０４】
（３）本実施の形態によれば、間隙ＳＰ３の容積を間隙ＳＰ４の容積よりも小さくしたので、間隙ＳＰ３を流れる不活性ガスの流速を、間隙ＳＰ４を流れる不活性ガスの流速よりも速くすることができる。したがって、間隙ＳＰ３に供給した不活性ガスを包囲部材２８０の内側の接続孔２８４に回り込み易くしつつ、処理炉２０２から収納筐体２９０内に漏れた処理ガスを、収納筐体２９０の角部に滞留させ難くして、処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをさらに低減して、爆発に起因する基板処理装置１０１の損傷等をより確実に防止することができる。
【０１０５】
（４）本実施の形態によれば、収納筐体２９０の底壁部２９２に、非常時用の圧力開放口２９２ａと圧力開放口開閉装置４００を設けたので、何らかの理由で、ヒータ室ＨＲ内で爆発が発生した場合に圧力開放口開閉装置４００を作動させ、ヒータ室ＨＲ内の高圧を外部に開放できるので、基板処理装置１０１の比較的強度の弱い箇所の変形または破損を防止することができる。
【０１０６】
（５）本実施の形態で説明した基板処理装置１０１を、基板の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、基板の処理方法において、上述した複数の効果のうち、１つ以上の効果を奏する。
【０１０７】
（６）本実施の形態で説明した基板処理装置１０１を、半導体装置の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、半導体装置の製造方法において、上述した複数の効果のうち、１つ以上の効果を奏する。
【０１０８】
（７）本実施の形態で説明した基板処理装置１０１を、太陽電池の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、太陽電池の製造方法において、上述した複数の効果のうち、１つ以上の効果を奏する。
【０１０９】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上述した各実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、上記各実施の形態ではエピタキシャル装置を例示して説明したが、ＣＶＤ装置，ＡＬＤ装置，酸化装置，拡散装置，あるいはアニール装置等、その他の基板処理装置においても本発明における技術的思想を適用することができる。
【０１１０】
また、上述した各実施の形態では、加熱体として、円盤形状のサセプタ２１８を用いる例として説明したが、これに変えて、例えばアウターチューブ２０５とインナーチューブ２３０との間に棒状のサセプタ（被誘導加熱体）を複数本設けるようにしても良いし、アウターチューブ２０５の外周側の誘導加熱装置２０６に変えて、抵抗加熱方式の加熱ヒータを設けるようにしても良い。
【０１１１】
本発明は少なくとも以下の実施の形態を含む。
【０１１２】
〔付記１〕
処理ガスを用いて内部で基板を処理する処理容器と、
一端に開口部を有し、前記処理容器の周囲を包囲する包囲部材と、
前記処理容器および前記包囲部材を収納する収納筐体と、
前記収納筐体の壁部を貫通して前記包囲部材の壁部に接続され、前記包囲部材内と前記収納筐体外とを連通するガス配管と、
前記収納筐体と前記包囲部材との間に設けられる第一間隙と、
前記包囲部材と前記処理容器との間に設けられ、前記開口部を介して前記第一間隙に接続される第二間隙と、
を備える基板処理装置。
【０１１３】
〔付記２〕
前記第一間隙にガスを供給する第一ガス供給部と、
前記第二間隙にガスを供給する第二ガス供給部と、
前記第一ガス供給部から前記第一間隙に供給されるガス供給量を、前記第二ガス供給部から前記第二間隙に供給されるガス供給量よりも多くするよう、前記第一ガス供給部および前記第二ガス供給部を制御するガス供給量制御部と、
を備える付記１記載の基板処理装置。
【０１１４】
〔付記３〕
前記第一間隙の容積が前記第二間隙の容積よりも小さくなるよう、前記包囲部材が前記処理容器と前記収納筐体との間に配置されている付記１記載の基板処理装置。
【０１１５】
〔付記４〕
処理ガスを用いて処理容器内で基板を処理するとともに、
前記処理容器と当該処理容器の周囲を包囲して一端に開口部を有する包囲部材とを収納する収納筐体の壁部を貫通し、前記包囲部材の壁部に接続されて前記包囲部材内と前記収納筐体外とを連通するガス配管を介して、前記収納筐体と前記包囲部材との間に設けられる第一間隙および、前記包囲部材と前記処理容器との間に設けられて前記開口部を介して前記第一間隙に接続される第二間隙から、前記収納筐体内のガスを前記収納筐体外へ排出する基板の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【０１１６】
本発明は、半導体装置や太陽電池などを製造する製造業に幅広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１１７】
１０１…基板処理装置、１０３…正面メンテナンス口、１０４…正面メンテナンス扉、１０５…カセット棚、１０６…スライドステージ、１０７…バッファ棚、１１０…カセット、１１１…筐体、１１１ａ…正面壁、１１２…カセット搬入搬出口、１１３…フロントシャッタ、１１４…カセットステージ、１１５…ボートエレベータ、１１８…カセット搬送装置、１１８ａ…カセットエレベータ、１１８ｂ…カセット搬送機構、１２５…ウェハ移載機構、１２５ａ…ウェハ移載装置、１２５ｂ…ウェハ移載装置エレベータ、１２５ｃ…ツイーザ、１３４ａ…クリーンユニット、１４０…耐圧筐体、１４０ａ…正面壁、１４１…ロードロック室、１４２…ウェハ搬入搬出口、１４３…ゲートバルブ、１４４…ガス供給管、１４７…炉口シャッタ、１７７，１７８，１７９…バルブ、１８０…第１のガス供給源、１８１…第２のガス供給源、１８２…第３のガス供給源、１８３，１８４，１８５…ＭＦＣ、２００…ウェハ（基板）、２０１…処理室、２０２…処理炉（処理容器）、２０５…アウターチューブ、２０６…誘導加熱装置、２０６１…ＲＦコイル、２０６２…コイル筐体、２０６３…開口部、２０９…マニホールド、２１６…断熱筒、２１７…ボート、２１７ａ…底板、２１７ｂ…天板、２１８…サセプタ、２１８ａ…周縁部、２１８ｂ…中央部、２１８ｃ…段差部、２１９…シールキャップ、２３０…インナーチューブ、２３０ａ…側壁部、２３０ｂ…ガス供給口、２４０…コントローラ、２４１…圧力センサ、２４２…ＡＰＣバルブ、２４３…不活性ガス供給量制御部（ガス供給量制御部）、２４６…真空排気装置、２５０…ベース部材、２５１…ベース板、２５２…不活性ガス供給ノズル、２６０…スカベンジャー、２６１…不活性ガス供給ノズル、２６７，２６８，２６９…環状シール、２７０…支持板、２７１…貫通孔、２８０…包囲部材、２８１…長辺部（壁部）、２８２…短辺部（壁部）、２８３…開口部、２８４…接続孔、２９０…収納筐体、２９０ａ…壁部、２９１…不活性ガス排出管（ガス配管）、２９２…底壁部、２９２ａ…圧力開放口、２９３…ラジエターボックス、３００…処理ガス供給管、３０１…処理ガス排出管、３１０…処理ガス供給装置、３１１…ガス管、３２０…処理ガス排出装置、３２１…ガス管、３３０…第一不活性ガス供給装置（第一ガス供給部）、３３１…ガス管、３３２…バルブ、３３３…ＭＦＣ、３３４…不活性ガス供給源、３４０…第二不活性ガス供給装置（第二ガス供給部）、３４１…ガス管、３４２…バルブ、３４３…ＭＦＣ、３４４…不活性ガス供給源、３５０…不活性ガス排出装置、３５１…圧力センサ、３５２…ラジエータ、３５３…ガス検知器、３５４…流量調整バルブ、３５５…ダンパ、４００…圧力開放口開閉装置、４０１…開閉体、４０２…スプリング、４０３…台座、４０４…調整ノブ、ＨＲ…ヒータ室、ＨＵ…保持部、ＭＴ…支持部材、ＰＨ…ピン孔、ＰＮ…突き上げピン、ＰＲ…支柱、ＳＰ１…間隙、ＳＰ２…間隙、ＳＰ３…間隙（第一間隙）、ＳＰ４…間隙（第二間隙）、ＵＤＵ…突き上げピン昇降機構
【図１】
2012134325.tif 000003
【図２】
2012134325.tif 000004
【図３】
2012134325.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2012134325.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2012134325.tif 000012
【図１１】
2012134325.tif 000013
【図１２】
2012134325.tif 000014
【図１３】
2012134325.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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