(57)【要約】【課題】製造時に高濃度拡散領域を必要以上に拡大させることなく、回転方向に受光面グリッド電極のアライメントがずれた場合でも、高濃度拡散領域上に精度良く受光面グリッド電極を位置合わせすることが可能である太陽電池セルおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ｐ型半導体基板と、前記半導体基板の受光面側に形成されたｎ型の拡散層と、前記ｎ型の拡散層に部分的に形成される１または複数の受光面グリッド電極とから構成される太陽電池セルであって、前記ｎ型の拡散層には、複数の高濃度拡散領域と、それら高濃度拡散領域間に位置する低濃度拡散領域が形成され、前記高濃度拡散領域の幅は平面視において両端部が中心部に比べ広幅に構成され、前記受光面グリッド電極は、前記高濃度拡散領域に形成され、隣接する前記高濃度拡散領域の中心間距離が１．５〜３．０ｍｍである、太陽電池セルが提供される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型半導体基板と、
前記半導体基板の受光面側に形成されたｎ型の拡散層と、
前記ｎ型の拡散層に部分的に形成される１または複数の受光面グリッド電極とから構成される太陽電池セルであって、
前記ｎ型の拡散層には、複数の高濃度拡散領域と、それら高濃度拡散領域間に位置する低濃度拡散領域が形成され、
前記高濃度拡散領域の幅は平面視において両端部が中心部に比べ広幅に構成され、
前記受光面グリッド電極は、前記高濃度拡散領域に形成され、
隣接する前記高濃度拡散領域の中心間距離が１．５〜３．０ｍｍである、太陽電池セル。
【請求項２】
ｎ型の半導体基板と、
前記半導体基板の受光面側に形成されたｐ型の拡散層と、
前記ｐ型の拡散層に部分的に形成される１または複数の受光面グリッド電極とから構成される太陽電池セルであって、
前記ｐ型の拡散層には、複数の高濃度拡散領域と、それら高濃度拡散領域間に位置する低濃度拡散領域が形成され、
前記高濃度拡散領域の幅は平面視において両端部が中心部に比べ広幅に構成され、
前記受光面グリッド電極は、前記高濃度拡散領域に形成され、
隣接する前記高濃度拡散領域の中心間距離が１．５〜３．０ｍｍである、太陽電池セル。
【請求項３】
前記高濃度拡散領域の平面視における中心部の幅Ａは、両端部の幅Ｂよりも狭く構成され、前記中心部の幅Ａと前記両端部の幅Ｂの長さの差は０．５ｍｍ以内である、請求項１または２に記載の太陽電池セル。
【請求項４】
前記高濃度拡散領域のシート抵抗が２５〜５５Ω／□である、請求項１〜３のいずれかに記載の太陽電池セル。
【請求項５】
前記低濃度拡散領域のシート抵抗が６０〜１５０Ω／□である、請求項１〜４のいずれかに記載の太陽電池セル。
【請求項６】
前記半導体基板が単結晶または多結晶シリコンであり、その比抵抗が０．３〜５０Ω・ｃｍである、請求項１〜５のいずれかに記載の太陽電池セル。
【請求項７】
太陽電池セルの製造方法であって、
半導体基板上の絶縁膜に塗布されたレジスト膜をマスクとして、前記絶縁膜を所定のパターンにエッチングする工程と、
所定のパターンに形成された前記絶縁膜をマスクとして、前記半導体基板の露出部分を高濃度拡散領域とする工程と、
所定のパターンに形成された前記絶縁膜を除去し、前記半導体基板の残りの部分を低濃度拡散領域とする工程と、
前記高濃度拡散領域の上に導電性ペーストからなる電極をスクリーン印刷によって形成する工程とを備え、
前記高濃度拡散領域の幅は平面視において両端部が中心部に比べ広幅に構成される、太陽電池セルの製造方法。
【請求項８】
太陽電池セルの製造方法であって、
半導体基板の受光面全面に低濃度拡散領域を形成する工程と、
高濃度拡散領域とするべき部分にリン酸ガラスを残し、追加の熱処理を行なうことで、高濃度拡散領域を形成する工程と、
前記高濃度拡散領域の上に導電性ペーストからなる電極をスクリーン印刷によって形成する工程とを備え、
前記高濃度拡散領域の幅は平面視において両端部が中心部に比べ広幅に構成される、太陽電池セルの製造方法。
【請求項９】
太陽電池セルの製造方法であって、
半導体基板の受光面全面に高濃度拡散領域を形成する工程と、
高濃度拡散領域とするべき部分にレジスト膜をマスクとして形成し、露出している部分をエッチングすることにより低濃度拡散領域を形成する工程と、
前記高濃度拡散領域の上に導電性ペーストからなる電極をスクリーン印刷によって形成する工程とを備え、
前記高濃度拡散領域の幅は平面視において両端部が中心部に比べ広幅に構成される、太陽電池セルの製造方法。
【請求項１０】
太陽電池セルの製造方法であって、
半導体基板に絶縁膜を形成する工程と、
絶縁膜上に形成されたレジスト膜をマスクとして、絶縁膜を所定のパターンにエッチングする工程と、
レジスト膜を除去し、半導体基板の露出部分を高濃度拡散領域とし、同時に拡散源である拡散元素が絶縁膜を貫通して低濃度拡散領域を形成する工程と、
前記高濃度拡散領域の上に導電性ペーストからなる電極をスクリーン印刷によって形成する工程とを備え、
前記高濃度拡散領域の幅は平面視において両端部が中心部に比べ広幅に構成される、太陽電池セルの製造方法。
【請求項１１】
前記高濃度拡散領域のシート抵抗が２５〜５５Ω／□である、請求項７〜１０のいずれかに記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項１２】
前記低濃度拡散領域のシート抵抗が６０〜１５０Ω／□である、請求項７〜１１のいずれかに記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項１３】
前記半導体基板が単結晶または多結晶シリコンであり、その比抵抗が０．３〜５０Ω・ｃｍである、請求項７〜１２のいずれかに記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項１４】
前記高濃度拡散領域および／または前記低濃度拡散領域を形成するためのマスクであるレジスト膜を、スクリーン印刷によって形成する、請求項７〜１３のいずれかに記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項１５】
前記高濃度拡散領域を形成するためのレジスト膜を形成する場合と、前記電極を形成する場合のアライメント方法が同一の方法である、請求項１４に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項１６】
前記高濃度拡散領域を形成するためのレジスト膜を形成する場合と、前記電極を形成する場合のアライメント方法が、半導体基板の対角を形成するそれぞれの２辺を用いて行う方法である、請求項１４に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項１７】
前記高濃度拡散領域を形成するためのレジスト膜を形成する場合と、前記電極を形成する場合のアライメント方法が、半導体基板の中心位置を検出することによって行う方法である、請求項１４に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項１８】
前記レジスト膜の形成に用いるレジスト剤として、スクリーン印刷法にて印刷可能であり、耐ＨＦ（フッ化水素酸）性を有し、アルカリ性水溶液にて剥離が可能なレジスト剤を用いる、請求項７〜１７のいずれかに記載の太陽電池セルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池セルおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池セルは、光エネルギーを電力に変換する半導体素子であり、ｐ−ｎ接合型、ｐｉｎ型、ショットキー型等があり、特にｐ−ｎ接合型が広く用いられている。また、太陽電池をその基板材料をもとに分類すると、シリコン結晶系太陽電池、アモルファス（非晶質）シリコン系太陽電池、化合物半導体系太陽電池の３種類に大きく分けられる。シリコン結晶系太陽電池は、さらに、単結晶系太陽電池と多結晶系太陽電池に分類される。太陽電池用シリコン結晶基板は比較的容易に製造できることから、シリコン結晶系太陽電池が最も普及している。
【０００３】
太陽電池は、クリーンなエネルギー源として近年需要が高まっており、それに伴い太陽電池セルの需要も高まっている。また、エネルギー効率の観点から、太陽電池セルの、光エネルギーから電力への変換効率ができるだけ高いものが望まれている。
【０００４】
光エネルギーから電力への変換効率を高めるため、例えば特許文献１には、図１に示すように、拡散層に高濃度拡散領域を設け、受光面グリッド電極の高濃度拡散領域への印刷を確実に行うために高濃度拡散領域の幅を広げ、受光面グリッド電極のアライメントにずれが生じた場合でも低濃度拡散領域に受光面グリッド電極が触れることがない構造である、太陽電池セル及びその製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１１８４７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に記載の発明においては、受光面グリッド電極のアライメントのずれが大きくなった場合には、高濃度拡散領域を拡げることのみで対応する必要があり、太陽電池セルにおいて高濃度拡散領域を拡げすぎた場合、短絡電流（Ｊｓｃ）の低下が起こってしまい、変換効率の向上が図られない恐れがあった。また、図２に示すように、受光面グリッド電極のアライメントが平面視において回転方向にずれた場合に、受光面グリッド電極が高濃度拡散領域から外れて低濃度拡散領域に触れてしまう恐れがあった。
【０００７】
上記事情に鑑み、本発明の目的は、製造時に高濃度拡散領域を必要以上に拡大させることなく、回転方向に受光面グリッド電極のアライメントがずれた場合でも、高濃度拡散領域上に精度良く受光面グリッド電極を位置合わせすることが可能である太陽電池セルおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明によれば、ｐ型半導体基板と、前記半導体基板の受光面側に形成されたｎ型の拡散層と、前記ｎ型の拡散層に部分的に形成される１または複数の受光面グリッド電極とから構成される太陽電池セルであって、前記ｎ型の拡散層には、複数の高濃度拡散領域と、それら高濃度拡散領域間に位置する低濃度拡散領域が形成され、前記高濃度拡散領域の幅は平面視において両端部が中心部に比べ広幅に構成され、前記受光面グリッド電極は、前記高濃度拡散領域に形成され、隣接する前記高濃度拡散領域の中心間距離が１．５〜３．０ｍｍである、太陽電池セルが提供される。
【０００９】
また、本発明によれば、ｎ型の半導体基板と、前記半導体基板の受光面側に形成されたｐ型の拡散層と、前記ｐ型の拡散層に部分的に形成される１または複数の受光面グリッド電極とから構成される太陽電池セルであって、前記ｐ型の拡散層には、複数の高濃度拡散領域と、それら高濃度拡散領域間に位置する低濃度拡散領域が形成され、前記高濃度拡散領域の幅は平面視において両端部が中心部に比べ広幅に構成され、前記受光面グリッド電極は、前記高濃度拡散領域に形成され、隣接する前記高濃度拡散領域の中心間距離が１．５〜３．０ｍｍである、太陽電池セルが提供される。
【００１０】
前記高濃度拡散領域の平面視における中心部の幅Ａは、両端部の幅Ｂよりも狭く構成され、前記中心部の幅Ａと前記両端部の幅Ｂの長さの差は０．５ｍｍ以内であっても良い。
【００１１】
前記高濃度拡散領域のシート抵抗が２５〜５５Ω／□であっても良く、前記低濃度拡散領域のシート抵抗が６０〜１５０Ω／□であっても良い。また、前記半導体基板が単結晶または多結晶シリコンであり、その比抵抗が０．３〜５０Ω・ｃｍであっても良い。
【００１２】
また、別の観点からの本発明によれば、太陽電池セルの製造方法であって、半導体基板上の絶縁膜に塗布されたレジスト膜をマスクとして、前記絶縁膜を所定のパターンにエッチングする工程と、所定のパターンに形成された前記絶縁膜をマスクとして、前記半導体基板の露出部分を高濃度拡散領域とする工程と、所定のパターンに形成された前記絶縁膜を除去し、前記半導体基板の残りの部分を低濃度拡散領域とする工程と、前記高濃度拡散領域の上に導電性ペーストからなる電極をスクリーン印刷によって形成する工程とを備え、前記高濃度拡散領域の幅は平面視において両端部が中心部に比べ広幅に構成される、太陽電池セルの製造方法が提供される。
【００１３】
また、本発明によれば、太陽電池セルの製造方法であって、半導体基板の受光面全面に低濃度拡散領域を形成する工程と、高濃度拡散領域とするべき部分にリン酸ガラスを残し、追加の熱処理を行なうことで、高濃度拡散領域を形成する工程と、前記高濃度拡散領域の上に導電性ペーストからなる電極をスクリーン印刷によって形成する工程とを備え、前記高濃度拡散領域の幅は平面視において両端部が中心部に比べ広幅に構成される、太陽電池セルの製造方法が提供される。
【００１４】
また、本発明によれば、太陽電池セルの製造方法であって、半導体基板の受光面全面に高濃度拡散領域を形成する工程と、高濃度拡散領域とするべき部分にレジスト膜をマスクとして形成し、露出している部分をエッチングすることにより低濃度拡散領域を形成する工程と、前記高濃度拡散領域の上に導電性ペーストからなる電極をスクリーン印刷によって形成する工程とを備え、前記高濃度拡散領域の幅は平面視において両端部が中心部に比べ広幅に構成される、太陽電池セルの製造方法が提供される。
【００１５】
また、本発明によれば、太陽電池セルの製造方法であって、半導体基板に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に形成されたレジスト膜をマスクとして、絶縁膜を所定のパターンにエッチングする工程と、レジスト膜を除去し、半導体基板の露出部分を高濃度拡散領域とし、同時に拡散源である拡散元素が絶縁膜を貫通して低濃度拡散領域を形成する工程と、前記高濃度拡散領域の上に導電性ペーストからなる電極をスクリーン印刷によって形成する工程とを備え、前記高濃度拡散領域の幅は平面視において両端部が中心部に比べ広幅に構成される、太陽電池セルの製造方法が提供される。
【００１６】
前記高濃度拡散領域のシート抵抗が２５〜５５Ω／□であっても良く、前記低濃度拡散領域のシート抵抗が６０〜１５０Ω／□であっても良い。また、前記半導体基板が単結晶または多結晶シリコンであり、その比抵抗が０．３〜５０Ω・ｃｍであっても良い。
【００１７】
前記高濃度拡散領域および／または前記低濃度拡散領域を形成するためのマスクであるレジスト膜を、スクリーン印刷によって形成しても良い。前記高濃度拡散領域を形成するためのレジスト膜を形成する場合と、前記電極を形成する場合のアライメント方法が同一の方法であっても良い。この場合、前記高濃度拡散領域を形成するためのレジスト膜を形成する場合と、前記電極を形成する場合のアライメント方法が、半導体基板の対角を形成するそれぞれの２辺を用いて行う方法であっても良く、前記高濃度拡散領域を形成するためのレジスト膜を形成する場合と、前記電極を形成する場合のアライメント方法が、半導体基板の中心位置を検出することによって行う方法であっても良い。
【００１８】
また、前記レジスト膜の形成に用いるレジスト剤として、スクリーン印刷法にて印刷可能であり、耐ＨＦ（フッ化水素酸）性を有し、アルカリ性水溶液にて剥離が可能なレジスト剤を用いても良い。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、製造時に高濃度拡散領域を必要以上に拡大させることなく、回転方向に受光面グリッド電極のアライメントがずれた場合でも、高濃度拡散領域上に精度良く受光面グリッド電極を位置合わせすることが可能である太陽電池セルおよびその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】従来の太陽電池セルにおける高濃度拡散領域と受光面グリッド電極を示す説明図である。
【図２】従来の太陽電池セルにおける受光面グリッド電極のアライメント不良時を示す説明図である。
【図３】本発明の実施にかかる太陽電池セルの製造工程の説明図である。
【図４】所定のパターンに形成された高濃度拡散領域の平面視での概略説明図である。
【図５】基板上に高濃度拡散領域を格子状に形成した場合の平面視での説明図である。
【図６】従来型の太陽電池セルの性能及び本発明にかかる太陽電池セルの性能を比較したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図３（ａ）〜（ｉ）は、単結晶シリコン基板からなる半導体基板１を用いて太陽電池セル２０を製造する工程の説明図である。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２２】
先ず、図３（ａ）に示すように、たとえばＣＺ法により作製された結晶面方位（１００）、１２．５ｃｍ角、厚さが３０〜５００μｍで、比抵抗が０．５〜５０Ω・ｃｍ（ドーパント濃度４×１０１５〜５×１０１６ｃｍ−３程度）の単結晶シリコン基板からなるｐ型（ボロンドープ）の半導体基板１が用意される。
【００２３】
次に、高濃度（１０ｗｔ％）の水酸化ナトリウム水溶液にシリコン基板を浸漬させ、ダメージ層を取り除いた。なお、ここでは半導体基板１のダメージ層除去のために水酸化ナトリウム水溶液を用いたが、水酸化カリウム等の強アルカリ水溶液を用いても構わない。またフッ硝酸などの酸水溶液でも同様の目的を達成することが可能である。
【００２４】
太陽電池は通常、表面に凸凹形状を形成するのが好ましい。その理由は、可視光域の反射率を低減させるために、できる限り２回以上の反射を受光面で行わせる必要があるためである。そこで、ダメージエッチングを行なった基板を、例えば３ｗｔ％の水酸化ナトリウムにイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸し、ウエットエッチングすることにより、ランダムテクスチャ構造を形成する。これら一つ一つの山のサイズは１〜２０μｍ程度である。他の代表的な表面凸凹構造としてはＶ溝、Ｕ溝が挙げられる。これらは研削機を利用して形成可能である。また、ランダムな凸凹構造を作るには酸エッチングやリアクティブ・イオン・エッチングなどが代替法として用いることが可能である。
【００２５】
次に、図３（ｂ）に示すように、酸素を含有する雰囲気中で、９８０℃の加熱処理により、半導体基板１の表面に酸化膜２が形成される。なお、酸化膜の代わりに窒化膜を形成することとしてもよい。
【００２６】
次に、図３（ｃ）に示すように、酸化膜２上に所定のパターンでレジスト膜３が例えば１０〜３０μｍの厚さに塗布される。この場合、レジスト膜３に形成される隙間部４について、隣接する隙間部４同士の中心間距離Ｌが１．５〜３．０ｍｍ、各隙間部４の幅Ｍが、中心間距離Ｌの２０〜６０％の大きさとなるように、レジスト膜３がパターン形成される。レジスト膜３のパターン形成は、例えば、スクリーン印刷によって行われる。また、レジスト膜３として塗布されるレジスト剤として、スクリーン印刷法にて印刷可能であり、耐ＨＦ（フッ化水素酸）性を有し、アルカリ性水溶液にて剥離が可能なレジスト剤が用いられる。
【００２７】
次に、図３（ｄ）に示すように、レジスト膜３をマスクとして、例えば１０％ＨＦ水溶液を用いた湿式エッチングが行われ、酸化膜２が所定のパターンにエッチングされる。この場合、レジスト膜３に形成されている隙間部４と同様のパターンに、酸化膜２がエッチングされる。
【００２８】
次に、図３（ｅ）に示すように、レジスト膜３が除去される。この場合、レジスト膜３は、アルカリ性水溶液によって剥離される。
【００２９】
次に、拡散炉において、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）ガスを含有する雰囲気中で８７０℃に加熱されることによって、図３（ｆ）に示すように、所定のパターンにエッチングされた酸化膜２をマスクとして、半導体基板１の露出部分にリン（Ｐ）が拡散される。こうして、半導体基板１の表面に複数の高濃度拡散領域５が島状に形成される。この場合、高濃度拡散領域５のシート抵抗は、２５〜５５Ω／□（ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅ）にされる。また、互いに隣接する高濃度拡散領域５同士の中心間距離Ｌが１．５〜３．０ｍｍとなる。
【００３０】
図４は、所定のパターンに形成された高濃度拡散領域５の平面視での概略説明図である。ここで、図４には、説明のために以下に説明する受光面グリッド電極７も図示している。図４に示すように、高濃度拡散領域５の幅は平面視において両端部が中心部に比べ広幅に構成されている。即ち、高濃度拡散領域５は所謂蝶ネクタイ形状を有しており、中心部の幅Ａは、両端部の幅Ｂよりも狭く構成されている。ここで、中心部の幅Ａと両端部の幅Ｂの長さの差は０．５ｍｍ以内である。
【００３１】
中心部の幅Ａと両端部の幅Ｂの長さの差を０．５ｍｍ以内とするのは、通常、太陽電池用シリコン基板の仕様は、外形寸法±０．５ｍｍが主流であり、仮に公差いっぱいにずれた基板に対しても本実施の形態にかかる太陽電池セルの構造であれば、選択拡散構造を形成することができるからである。
【００３２】
次に、図３（ｇ）に示すように、例えば１０％ＨＦ水溶液を用いた湿式エッチングが行われ、酸化膜２が除去される。
【００３３】
次に、拡散炉において、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）ガスを含有する雰囲気中で８３０℃に加熱されることによって、図３（ｈ）に示すように、半導体基板１の表面全体にリン（Ｐ）が拡散される。こうして、半導体基板１の表面において、複数の高濃度拡散領域５同士の間に低濃度拡散領域６が形成される。この場合、低濃度拡散領域６のシート抵抗は、６０〜１５０Ω／□にされる。
【００３４】
次に、プラズマエッチャーにて半導体基板周辺部のＰＮ接合分離を行ない、引き続き、基板表面に形成されたリン酸ガラスをフッ酸水溶液にて取り除いた後、プラズマＣＶＤ装置を用いて、エミッタ層上に表面保護膜（パッシベーション膜）兼反射防止膜８として例えば窒化膜を堆積する。他の反射防止膜８として、酸化膜、二酸化チタン膜、酸化亜鉛膜、酸化スズ膜等があり、代替が可能である。また、形成法も上記以外にもリモートプラズマＣＶＤ法、コーティング法、真空蒸着法等があるが、経済的な観点から、上記のように窒化膜をプラズマＣＶＤ法によって形成するのが最適である。さらに、上記反射防止膜８上にトータルの反射率が最も小さくなるような条件、例えば二フッ化マグネシウム膜といった屈折率が１から２の間の膜を形成すれば、反射率がさらに低減し、生成電流密度が高くなる。
【００３５】
次に、図３（i）に示すように、スクリーン印刷機を用いて、基板裏面側に裏面電極９を印刷し、乾燥させる。例えば、裏面電極９は、Ａｇを含有する導電性ペーストをスクリーン印刷で基板裏面側に塗付することにより形成される。
その後、基板裏面側の裏面電極９以外の部分にアルミニウムなどからなるペーストを塗布、乾燥させる。
さらに、各高濃度拡散領域５の上に受光面グリッド電極７が形成される。例えば、受光面グリッド電極７は、Ａｇを含有する導電性ペーストをスクリーン印刷で各高濃度拡散領域５上に塗布することにより形成される。
その後、焼成を行ない、受光面グリッド電極７や裏面電極９を焼結させ、裏面電極９以外の部分にＡＬ−ＢＳＦ１０を形成させ、太陽電池セル２０が製造される。
【００３６】
以上説明した工程で製造された太陽電池セル２０においては、高濃度拡散領域５の形状を、平面視において両端部が中心部に比べ広幅に構成している。即ち、高濃度拡散領域５は所謂蝶ネクタイ形状を有しており、中心部の幅Ａは、両端部の幅Ｂよりも狭く構成される。これにより、従来技術において問題となっていた受光面グリッド電極７のアライメント（位置合わせ）が回転方向にずれた場合であっても、受光面グリッド電極７の位置合わせが容易となり、高濃度拡散領域５上に精度良く受光面グリッド電極７を位置合わせすることが可能となる。
【００３７】
以上、本発明の実施の形態の一例を説明したが、本発明は図示の形態に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００３８】
例えば、上記実施の形態においては、図４に示すように、高濃度拡散領域５を島状に平行に並べた構造を挙げて説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、高濃度拡散領域５を基板上において９０度回転させた方向にも形成させる（所謂格子状に形成させる）ことも可能である。図５は、基板上に高濃度拡散領域５を格子状に形成した場合の平面視での説明図である。図５に示すように、格子状に高濃度拡散領域５を形成することにより、基板外形寸法の公差以上にアライメントがずれてしまった場合にも、縦方向の高濃度拡散領域５と受光面グリッド電極７が接触するため、太陽電池セル２０の性能を維持することが可能となる。
【実施例】
【００３９】
本発明の実施例として、図２に示す従来技術にかかる太陽電池セルと、図４に示す本発明にかかる太陽電池セルの性能をそれぞれ測定した。図６は、従来型の太陽電池セルの性能及び本発明にかかる太陽電池セルの性能を比較したグラフである。図６に示すように、本発明にかかる太陽電池セルは、その位置にかかわらず、安定して高性能であることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、太陽電池セルおよびその製造方法に適用できる。
【符号の説明】
【００４１】
１…半導体基板
２…酸化膜
３…レジスト膜
４…隙間部
５…高濃度拡散領域
６…低濃度拡散領域
７…受光面グリッド電極
８…反射防止膜
９…裏面電極
１０…ＡＬ−ＢＳＦ
２０…太陽電池セル
Ｌ…中心間距離
Ｍ…幅
【図１】
2012134398.tif 000003
【図２】
2012134398.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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