(57)【要約】【課題】特性の良い半導体薄膜を高速且つ安価に製造することができる薄膜製造装置を提供する。【解決手段】本発明に係る薄膜製造装置は、成膜室３１に導入した複数の原料ガスをプラズマCVDにより基板上に成膜する薄膜製造装置において、前記複数の原料ガスを、各々の固体の原料をプラズマエッチングによりエッチングガスと反応させることで生成する原料ガス生成室１２及び２２と、前記原料ガス生成室１２及び２２内の圧力が、5000Pa以上大気圧以下、前記成膜室３１内の圧力が500Pa以下となるように、それぞれの圧力を調整する圧力コントローラ１９、２９及び３９と、前記原料ガス生成室１２及び２２と前記成膜室３１の圧力差を維持しつつ、前記原料ガス生成室で生成された原料ガスを前記成膜室に導入するためのニードルバルブ１７及び２７と、を有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室に導入した複数の原料ガスをプラズマCVDにより基板上に成膜する薄膜製造装置において、
前記複数の原料ガスを、各々の固体の原料をプラズマエッチングによりエッチングガスと反応させることで生成する原料ガス生成室と、
前記原料ガス生成室の圧力が5000Pa以上大気圧以下、前記成膜室の圧力が500Pa以下となるように、それぞれの圧力を調整する圧力調整手段と、
前記原料ガス生成室と前記成膜室の圧力差を維持しつつ、前記原料ガス生成室で生成された原料ガスを前記成膜室に導入するための導入手段と、
を有することを特徴とする薄膜製造装置。
【請求項２】
前記原料ガス生成室が、生成する原料ガスの種類毎に1室ずつ設けられていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造装置。
【請求項３】
前記導入手段が前記原料ガス生成室の1室毎に設けられ、各々が前記成膜室への流量を調整可能であることを特徴とする請求項２に記載の薄膜製造装置。
【請求項４】
前記原料ガス生成室と前記成膜室の間に、該原料生成室の各々で生成した原料ガスを混合するための混合室が設けられていることを特徴とする請求項２又は３に記載の薄膜製造装置。
【請求項５】
前記導入手段が、ニードルバルブ又はマスフローコントローラであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜製造装置。
【請求項６】
圧力が5000Pa以上大気圧以下である空間において、複数の原料ガスを、各々の固体の原料をプラズマエッチングによりエッチングガスと反応させることで生成する原料ガス生成工程と、
圧力が500Pa以下である空間に、前記原料ガス生成工程で生成された複数の原料ガスを導入し、プラズマCVDにより基板上に成膜する成膜工程と、
を有することを特徴とする薄膜製造方法。
【請求項７】
前記原料ガスを生成するための空間が、生成する原料ガスの種類毎に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の薄膜製造方法。
【請求項８】
生成される原料ガス毎に、前記成膜工程を行う空間への供給量を調整することを特徴とする請求項７に記載の薄膜製造方法。
【請求項９】
異なる空間で生成された原料ガスを混合するための空間が設けられていることを特徴とする請求項７又は８に記載の薄膜製造方法。
【請求項１０】
前記固体の原料が粒状であることを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載の薄膜製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜用の原料ガスを生成しつつ、プラズマCVD（Chemical Vapor Deposition）により基板への成膜を行う薄膜製造装置及び薄膜製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
SiH4（シラン）ガスとH2（水素）ガスをプラズマ中で分解し、p, i, nの半導体層を順次成膜することにより作製されるシリコン系薄膜太陽電池は、製造コストが安く、市場拡大が期待される太陽電池である。
【０００３】
しかしながら、従来の薄膜太陽電池は太陽光発電効率が低く、それを向上することが求められていた。この要求に対し、特許文献１及び非特許文献１では、p層、i層、n層をそれぞれ多層構造にし、受光面側に吸収波長（バンドギャップ）の短い層を置き、裏面側にかけて吸収波長の長い層を配置することにより、太陽光に多く含まれる長波長の光エネルギーの吸収効率を高めた薄膜太陽電池を提案している。
【０００４】
シランガスを用いた成膜でバンドギャップの異なる膜を成膜するには、結晶性の異なる成膜を行えば良いことが非特許文献１及び２に記載されている。すなわち、微結晶から多結晶へと結晶性を向上させていくことにより、長波長側の光エネルギーの吸収効率を高めることができる。
【０００５】
微結晶成膜技術については、多くの研究開発があり、プラズマ発生に使用するRF電源の周波数の選択、容量結合型プラズマ（CCP）でのプラズマエネルギーの制御や定在波対策、誘導結合型プラズマ（ICP）の利用などが提案されてきた。一方、1m2を超える量産型薄膜太陽電池においては、プラズマ制御とガス分解技術が困難を極め、微結晶の成膜速度が計画通りには上がらない。このことが薄膜太陽電池のコスト低減の壁となっている。
【０００６】
バンドギャップを変える方法として、GeH4（ゲルマン）ガスを使用することが特許文献２に記載されている。ゲルマンを使うと、シリコン微結晶を作るより容易にバンドギャップの異なる多層膜を作製できる。しかしながら、現実にはゲルマンガスを用いた薄膜太陽電池は商品化されていない。これは、ゲルマンガスが非常に高価で、太陽電池の売価が市場の求める額を遙かに超えるという経済性の問題と、ゲルマンガスの保存時における危険性の問題と、があるからである
【０００７】
危険性の問題とは、ゲルマンガスの原子的結合が弱く、振動だけでも水素の結合が外れるため、ガスのモル数が2倍、すなわちボンベ内の圧力が2倍になり、ガスを収容するボンベが爆発してしまうことである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭59-175170号公報
【特許文献２】特開昭61-024229号公報
【特許文献３】特開平11-251248号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】濱川圭弘,"ナノクリスタルシリコン超薄膜高効率太陽電池の開発",[online],2003年6月6日,立命館大学COE拠点「マイクロ・ナノサイエンス・集積化システム」シンポジウム,[平成22年11月5日検索],インターネット<URL:http://www.mint.se.ritsumei.ac.jp/project/COE/FirstSymposium/proc/Keynote-Hamakawa-Solar.pdf>
【非特許文献２】外山利彦,"７.プラズマCVDによる高速製膜技術を用いた微結晶Si太陽電池の高効率化（<小特集>次世代シリコン太陽電池製造のためのプラズマ技術）",The Japan Society of Plasma Science and Nuclear Fusion Research,Vol.86,No.1 (2010)21-27
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
以上の問題に対処するために、特許文献３には、成膜用の空間とは別に、原料ガス生成用の空間を設け、そこで成膜用のプラズマと異なるプラズマによりGe元素の板を元素状水素と反応させ、気相に取り込むことによりゲルマンガスを生成しつつ、シランガスを成膜用の空間に供給し、これらを成膜用のプラズマにより作用させることで、多結晶SiGe薄膜を製造する方法を記載している。
【００１１】
以下は、特許文献３の実施例１に記載されている多結晶SiGe薄膜の製造方法の具体的な手順である（図４）。
(1) 無Na（ナトリウム）ガラスの基板Ｓをアノード電極５３に取り付け、チャンバ５１（成膜用の空間）の室内を4×10-4Pa（≒3×10-6Torr）以下の圧力にする。また、基板Ｓの表面温度を350℃に加熱する。
(2) 流量コントローラ５７を介して1.0sccmのSiH4ガスを原料ガスとしてガス導入管５９よりチャンバ５１内に導入し、同時に流量コントローラ５８を介して300sccmのH2ガスをガス導入管５９よりチャンバ５１内に導入する。それと共に、流量コントローラ５５を介して100sccmのH2ガスをガス導入管５６より、Ge板５０が載置される反応管（原料ガス生成用の空間）５４内に導入する。
(3) チャンバ５１の内圧が33Pa（≒250mTorr）に安定したところで、マイクロ波電力を500W印加し、水素ガスにより反応管５４の内部にグロー放電プラズマを生成する。
(4) それと同時に、RF電力を100W印加し、カソード電極５２とアノード電極５３との間にグロー放電プラズマを生成する。
(5) そのまま放電を120分間続ける。
(6) その後、すべての放電を停止し、ガスの導入を停止し、基板Ｓを室温近くまで冷やした後、基板Ｓを取り出す。
【００１２】
この特許文献３の方法では、安価なGe板を用いて安全に多結晶SiGe薄膜を製造することができる。しかしながら、上記のように、薄膜太陽電池の量産においてはコスト削減のために1m2を越える基板上でより高速に成膜することが求められており、それには原料ガスの供給量を大幅に増やすことが必要になる。同時に、製造される薄膜の特性が高いことも望まれる。
【００１３】
本発明が解決しようとする課題は、原料ガスを生成しつつプラズマCVDにより半導体薄膜を製造する薄膜製造装置において、特性の良い半導体薄膜を高速に製造することができる薄膜製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために成された本発明は、
成膜室に導入した複数の原料ガスをプラズマCVDにより基板上に成膜する薄膜製造装置において、
前記複数の原料ガスを、各々の固体の原料をプラズマエッチングによりエッチングガスと反応させることで生成する原料ガス生成室と、
前記原料ガス生成室の圧力が5000Pa以上大気圧以下、前記成膜室の圧力が500Pa以下となるように、それぞれの圧力を調整する圧力調整手段と、
前記原料ガス生成室と前記成膜室の圧力差を維持しつつ、前記原料ガス生成室で生成された原料ガスを前記成膜室に導入するための導入手段と、
を有することを特徴とする。
【００１５】
引用文献３に記載の薄膜製造装置では、図４に示すように、原料ガス生成用の空間である反応管２６と成膜用の空間であるチャンバ３１とが連通しており、両方の空間の圧力差はない。また、これらの空間における圧力は、成膜に適した低圧領域（上記の例では約33Pa）である。
【００１６】
一方、本発明に係る薄膜製造装置では、原料ガス生成室と成膜室とを圧力的に分離しており、成膜室では成膜に適した500Pa以下の低圧領域に、原料ガス生成室では大気圧近傍の高圧領域にそれぞれの圧力を調整している。これは以下の理由による。
【００１７】
原料ガス生成室内の圧力を5000Paから大気圧までの高圧領域にしているのは、この圧力領域でプラズマを生成すると、エッチングガスのほとんどが分解され、ラジカルとして気相内に存在することになるからである。このようにガス分子のほとんどが分解された状況では、生成されたラジカルが元のガス分子に戻るには3体反応以外になく、壁や被エッチング物等の表面でラジカル同士が衝突しない限りラジカルが消滅しなくなる。従って、殆どのラジカルは消滅せずに原料のエッチングに寄与することになり、原料ガスの生成効率を飛躍的に高めることができる。なお、このような高圧領域で生成されるプラズマは、一般に「大気圧プラズマ」と称される。
【００１８】
しかしながら、このような大気圧近傍の高圧領域で成膜すると、電子温度やイオン温度、気体温度が高くなり、基板及びその上に形成される半導体膜への衝突のダメージが大きくなって、良質の膜が得られない。そこで、本発明では、成膜室を原料ガス生成室と圧力的に分離し、成膜に適した500Pa以下の低圧領域で成膜を行う。以上の構成により、原料ガス生成室から導入される十分な量の原料ガスを用いて、特性の良い半導体薄膜を高速に製造することができるようになる。また、原料ガス生成室の圧力は成膜室に比べて十分に高いため、原料ガス生成室で生成した原料ガスを成膜室に導入するにはマスフローコントローラやニードルバルブを成膜室と原料ガス生成室の間に設けるだけで良く、ガス流量の調整が容易になるという利点もある。
【００１９】
なお、前記原料ガス生成室は、生成する原料ガスの種類毎に1室ずつ用意することが好ましい。これにより、各々の原料に適した圧力条件で原料ガスを生成することができると共に、それぞれの原料ガスの生成量を調整することができる。また、前記導入手段は、前記原料ガス生成室の1室毎に設けられ、それぞれで成膜室への流量を調整できるようにすることが好ましい。さらに、各原料ガス生成室で生成した原料ガスを混合するための混合室を別途設けても良い。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る薄膜製造装置では、圧力的に分離された原料ガス生成室と成膜室を設け、原料ガス生成室の圧力を5000Paから大気圧までの高圧領域に、成膜質の圧力を500Pa以下の低圧領域にすることで、原料ガス生成室では原料ガスの生成効率を飛躍的に高め、成膜室では原料ガス生成室から導入される十分な量の原料ガスを用いて、特性の良い半導体薄膜を高速に製造することができるようにしたものである。これにより、大面積のSiGe薄膜太陽電池を高速に製造することができ、SiGe薄膜太陽電池のコスト削減と実用化への道が開かれることが期待される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明に係る薄膜製造装置の一実施例を示す概略図。
【図２】各ガス分子に対する電極間距離dと圧力pと放電開始電圧VSの関係（パッシェンの法則）を示すグラフ。
【図３】本実施例の薄膜製造装置の変形例を示す概略図。
【図４】従来の薄膜製造装置の一例を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明に係る薄膜製造装置の一実施例を、a-SiGe:H（水素化アモルファスシリコンゲルマニウム）薄膜を製造する場合を例に、図１を用いて説明する。
【００２３】
本実施例の薄膜製造装置は、大別して、GeH4（ゲルマン）ガスを生成する第１原料ガス生成部１０と、SiH4（シラン）ガスを生成する第２原料ガス生成部２０と、基板Ｓの表面にa-SiGe:H薄膜を作製する薄膜製造部３０と、に分かれている。
【００２４】
第１原料ガス生成部１０は、内部にGe板１１を載置した石英管（第１原料ガス生成室）１２と、マイクロ波電力を投入するための図示しないマイクロ波電源と、を備えるマイクロ波プラズマ発生装置１３を有する。ここで、石英管１２の一方の端部側には、エッチングガス導入管１４を介してH2（水素）ガスを所定の流量で供給するマスフローコントローラ１５が設けられ、もう一方の端部側には、石英管１２内で生成されるGeH4ガスを、原料ガス供給管１６を介して薄膜製造部３０側に所定の流量で送出するためのニードルバルブ１７が設けられている。また、原料ガス供給管１６には管内部の圧力を測定する圧力計１８が設けられている。圧力計１８で測定された圧力の測定信号は圧力コントローラ１９に送出され、圧力コントローラ１９はこの測定信号に基づいて石英管１２内の圧力を5000Pa以上、大気圧以下の所定の設定値に保つように、マスフローコントローラ１５を制御する。
【００２５】
同様に、第２原料ガス生成部２０は、内部にSi板２１を載置した石英管（第２原料ガス生成室）２２と、マイクロ波電力を投入するための図示しないマイクロ波電源と、を備えるマイクロ波プラズマ発生装置２３を有する。ここで、石英管２２の一方の端部側には、エッチングガス導入管２４を介してH2（水素）ガスを所定の流量で供給するマスフローコントローラ２５が設けられ、もう一方の端部側には、石英管２２内で生成されるSiH4ガスを、原料ガス供給管２６を介して薄膜製造部３０側に所定の流量で送出するためのニードルバルブ２７が設けられている。また、原料ガス供給管２６には管内部の圧力を測定する圧力計２８が設けられている。圧力計２８で測定された圧力の測定信号は圧力コントローラ２９に送出され、圧力コントローラ２９はこの測定信号に基づいて石英管２２内の圧力を5000Pa以上、大気圧以下の所定の設定値に保つように、マスフローコントローラ２５を制御する。
【００２６】
薄膜製造部３０は、チャンバ３１（成膜室）内に互いに平行に配置されたカソード電極３２及びアノード電極３３を備える平行平板型のプラズマCVD装置により構成されている。ここで、カソード電極３２には整合回路３４１を介してRF電源３４が接続され、アノード電極３３には、その下面（カソード電極３２側の面）に装着された基板Ｓを加熱するためのヒータ３５及び温度コントローラ３６が設けられている。また、チャンバ３１には排気管３７１及び排気量調整ユニット３７２を介してチャンバ３１内の真空排気を行う排気装置３７と、チャンバ３１内の圧力を測定する圧力計３８と、圧力計３８により測定された圧力に基づいて排気量調整ユニット３７２を制御し、チャンバ３１内の圧力を500Pa以下の所定の設定値に保つ圧力コントローラ３９と、が設けられている。
【００２７】
また、本実施例の薄膜製造装置は、第１原料ガス生成部１０及び第２原料ガス生成部２０と薄膜製造部３０の間に設けられた混合室４０を有する。第１原料ガス生成部１０で生成されたGeH4ガスと第２原料ガス生成部２０で生成されたSiH4ガスはこの混合室４０内で混合され、原料ガス導入管４１を介してチャンバ３１内に導入される。
【００２８】
以下、本実施例の薄膜製造装置を用いたa-SiGe:H薄膜の製造方法の手順を説明する。
(1) 石英管１２及び２２の内部に、Ge板１１及びSi板２１をそれぞれ載置する。また、チャンバ３１内のアノード電極３３の下面に石英基板Ｓを取り付ける。なお、Ge板１１及びSi板２１には、50mm×15mm×1mmの大きさのものを用いた。
(2) マスフローコントローラ１５により流量200sccmのH2ガスを、エッチングガス導入管１４を介して石英管１２内に導入すると共に、マイクロ波プラズマ発生装置１３に周波数2.45GHzのマイクロ波電力5000Wを投入し、石英管１２内に水素プラズマを生成する。また、石英管１２内の圧力が5000Paとなるように圧力コントローラ１９を設定する。
(3) 同様に、マスフローコントローラ２５により流量400sccmのH2ガスを、エッチングガス導入管２４を介して石英管２２内に導入すると共に、マイクロ波プラズマ発生装置２３に周波数2.45GHzのマイクロ波電力7000Wを投入することにより、石英管２２内に水素プラズマを生成する。また、石英管２２内の圧力が5000Paとなるように圧力コントローラ２９を設定する。
【００２９】
上記(2)及び(3)の工程（原料ガス生成工程）では、エッチングガス導入管を介して石英管内に導入されたH2分子がプラズマにより分解され、Hラジカルが生成される。このHラジカルは下流である原料ガス供給管の方に流れ、その途中に載置されたGe板又はSi板の表面で反応し、GeH4分子又はSiH4分子となって該表面から離脱する。これにより、原料ガスであるGeH4ガスとSiH4ガスが生成され、そのまま原料ガス供給管を介して次の工程に導入される。なお、原料ガスの生成に寄与しなかったHラジカルは、石英管や原料ガス供給管等の壁面でHラジカル同士が衝突すること（3体反応）により元のH2ガスに戻り、原料ガスと共に次の工程に導入される。
【００３０】
(4) 流量比が1:1になるように調整したニードルバルブ１７及び２７を介してGeH4ガス、SiH4ガス及びH2ガスを混合室４０に導入する。
(5) カソード電極３２とアノード電極３３の間の距離（電極ギャップ）dを3cmとしたチャンバ３１内に混合室４０で混合されたGeH4、SiH4、H2のガスを導入すると共に、RF電源３４から整合回路３４１を介して周波数13.56MHzのRF電力100Wをカソード電極３２に投入することにより、カソード電極３２とアノード電極３３の間に水素ガスプラズマを生成する。また、チャンバ３１内の圧力が66Paになるように圧力コントローラ３９を設定し、基板Ｓの温度が230℃となるように温度コントローラ３６を設定する。
【００３１】
上記(5)の工程（成膜工程）により、アノード電極３３に装着された石英基板Ｓの表面（下面）にa-SiGe:H膜が作製される。
【００３２】
なお、(5)の成膜工程においてシース内の電界が強い（すなわち放電電圧が高い）と、ガスの分解率が高くなり、生成されるラジカル種およびイオン種は、ダングリングボンドの多い活性なものになると共に、ラジカル同士の反応も進み、気相中でポリマー状のラジカル種が多く形成されるようになる。これらのラジカル種が基板に到達すると、欠陥や空隙が多い2次元構造の膜が形成されることになる。3次元の網目構造の緻密な良質の膜を形成するためには、原料ガスの分解の大きさを制御し、ダングリングボンドの少ない、すなわちSiH3、GeH3のような分解の進んでいないラジカル種を基板に運び、基板上の表面反応を利用することが一般的である。また、プラズマと基板の間の電位差が大きいと、イオン種が膜に衝突したときに膜にダメージを与えてしまう。以上の理由から、印加電圧は低くすることが望ましく、低い印加電圧で放電を開始するには、図２に示すパッシェン曲線が極小となる近傍の条件でプラズマを生成することが望ましい。
【００３３】
一方、ラジカル種の気相中の反応を抑えるためには、プラズマ中の圧力を低くすることが必要である。一般的に500Pa以下の圧力で、良質なSi膜あるいはSiGe膜が作製される。ただし、圧力が低すぎると気相中での原料ガス濃度が低くなりすぎるため、ラジカル種の生成効率が小さくなり、それに伴って膜の堆積速度が低くなってしまう。
【００３４】
例えば、成膜工程で生成される水素ガスプラズマに対して放電開始電圧Vsを1000V以下とした場合、図２に示すH2のパッシェン曲線から、pd（pは圧力、dは電極間距離）の範囲は133Pa・cm（≒1Torr・cm）から2667Pa・cm（≒20Torr・cm）までとなる。電極間距離dは装置によって異なるが、例えばd≦10cmとした場合では、チャンバ３１内の圧力の下限値は13Paとなる。
【００３５】
なお、上記実施例では、第１原料ガス生成部１０及び第２原料ガス生成部２０で生成される原料ガスと共にH2ガスをチャンバ３１内に導入していたが、図示しない導入管より別途、H2ガスをチャンバ３１内に導入しても良い。さらに、製造する薄膜の伝導度及び伝導の型を制御するために、PH3、BF3、B2H6等のドーピングガスをチャンバ３１内に導入しても良い。
【００３６】
また、本実施例では原料ガスを生成するための原料としてGeとSiの板を用いていたが、これらは粒状のものであっても良い。実際に半導体薄膜を製造する上では、粒状の原料を用いる方がコストの面で有利であり、さらに粒状のものの方が板状のものより表面積が大きくなり、エッチングレートを高くすることができるため、より原料ガスの供給量を増やすことができる。
【００３７】
また、本実施例では原料ガス生成室として2室用意したが、1室のみとしても良い。この場合、SiH4ガスとGeH4ガスの生成比率や必要量等に応じて、原料ガス生成室内に載置するSiとGeの量を決める。このとき、粒状のSi及びGeを混ぜ合わせて原料ガス生成室内に載置しても良いし、これらをホットプレスで板状にした後に原料ガス生成室内に載置しても良い。また、原料ガス生成室は3室以上用意しても良く、さらに原料にはSiやGe以外の元素も用いることができる。また、エッチングガスにはH2ガスの他、F2ガス等も用いても良い。
【００３８】
本発明に係る薄膜製造装置の変形例を図３に示す。この変形例の薄膜製造装置は、図１の圧力計１８、２８及び圧力コントローラ１９、２９の代わりに流量計１８Ａ、２８Ａ及び流量コントローラ１９Ａ、２９Ａを用いたものである。このように、流量計１８Ａ、２８Ａ及び流量コントローラ１９Ａ、２９Ａを用いた場合でも、石英管１２、２２の内部の圧力を適宜調整することができる。また、これらの例では、石英管１２、２２の内部で生成された原料ガスをチャンバ３１内に所定の流量で導入する導入手段として、ニードルバルブ１７、２７を用いたが、マスフローコントローラなど、一定の流量でチャンバ３１内に導入できるものであればどのようなものを用いても良い。
【符号の説明】
【００３９】
１０…第１原料ガス生成部
１１、５０…Ge板
１２、２２…石英管
１３、２３…マイクロ波プラズマ発生装置
１４、２４…エッチングガス導入管
１５、２５…マスフローコントローラ
１６、２６…原料ガス供給管
１７、２７…ニードルバルブ
１８、２８、３８…圧力計
１８Ａ、２９Ａ…流量計
１９、２９、３９…圧力コントローラ
１９Ａ、２９Ａ、５５、５７、５８…流量コントローラ
２０…第２原料ガス生成部
２１…Si板
３０…薄膜製造部
３１、５１…チャンバ
３２、５２…カソード電極
３３、５３…アノード電極
３４…RF電源
３４１…整合回路
３５…ヒータ
３６…温度コントローラ
３７…排気装置
３７１…排気管
３７２…排気量調整ユニット
４０…混合室
４１…原料ガス導入管
５４…反応管
５６、５９…ガス導入管
Ｓ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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