(57)【要約】【課題】露光に起因する欠陥を特定する欠陥検査装置および欠陥特定方法を提供する。【解決手段】複数の露光領域を有する半導体ウエハを示す画像信号を受け付ける欠陥検査装置は、複数の露光領域内のそれぞれに共通に設定される複数の分割エリアの位置を特定するエリア情報を保持し、検出部が、画像信号に示された半導体ウエハ内の欠陥を検出すると、特定部は、露光領域内における位置が同一の分割エリアにて構成される分割エリア群のうち、分割エリア群内の欠陥の数が第１欠陥閾値を超える欠陥候補エリア群を特定し、露光領域内で所定方向に連続している欠陥候補エリアの数が所定閾値を超えると、露光領域のうち、露光領域内の欠陥候補エリアに存在する欠陥の数が第２欠陥閾値を超える欠陥露光領域を特定し、欠陥露光領域の数が特定閾値を超える場合に、欠陥候補エリア内の欠陥を、露光による欠陥として特定する。【選択図】図１
2012099597.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光処理が行われた複数の露光領域を有する半導体ウエハを示す画像信号を受け付ける欠陥検査装置であって、
前記複数の露光領域内のそれぞれに共通に設定される複数の分割エリアの位置を特定するエリア情報を保持する保持手段と、
前記画像信号に示された半導体ウエハ内の欠陥を検出する検出手段と、
前記エリア情報を参照し、前記複数の露光領域内の分割エリアの中で前記露光領域内における位置が同一の分割エリアにて構成される分割エリア群のうち、該分割エリア群内の前記欠陥の数が第１欠陥閾値を超える欠陥候補エリア群を特定し、前記欠陥候補エリア群に対応する前記露光領域の位置に欠陥候補エリアが設けられた場合に、該欠陥候補エリアが前記露光領域内で所定方向に連続している数が所定閾値を超えると、前記露光領域のうち、該露光領域内の前記欠陥候補エリアに存在する欠陥の数が第２欠陥閾値を超える欠陥露光領域を特定し、該欠陥露光領域の数が特定閾値を超える場合に、前記欠陥候補エリア内の欠陥を、露光による欠陥として特定する特定手段と、を含む欠陥検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の欠陥検査装置において、
前記特定手段は、前記分割エリア群ごとに該分割エリア群内の分割エリアが重なるように前記複数の露光領域の画像を重ね合わせることによって、合成画像を生成し、前記合成画像を参照して前記欠陥候補エリア群を特定する、欠陥検査装置。
【請求項３】
露光処理が行われた複数の露光領域を有する半導体ウエハを示す画像信号を受け付ける欠陥検査装置での欠陥特定方法であって、
前記複数の露光領域内のそれぞれに共通に設定される複数の分割エリアの位置を特定するエリア情報を保持する保持ステップと、
前記画像信号に示された半導体ウエハ内の欠陥を検出する検出ステップと、
前記エリア情報を参照し、前記複数の露光領域内の分割エリアの中で前記露光領域内における位置が同一の分割エリアにて構成される分割エリア群のうち、該分割エリア群内の前記欠陥の数が第１欠陥閾値を超える欠陥候補エリア群を特定する第１特定ステップと、
前記第１特定ステップにて前記欠陥候補エリア群が特定されると、該欠陥候補エリア群に対応する前記露光領域の位置に欠陥候補エリアが設けられた場合に、該欠陥候補エリアが前記露光領域内で所定方向に連続している数が所定閾値を超えると、前記露光領域のうち、該露光領域内の前記欠陥候補エリアに存在する欠陥の数が第２欠陥閾値を超える欠陥露光領域を特定し、該欠陥露光領域の数が特定閾値を超える場合に、前記欠陥候補エリア内の欠陥を、露光による欠陥として特定する第２特定ステップと、を含む欠陥特定方法。
【請求項４】
請求項３に記載の欠陥特定方法において、
前記第１特定ステップでは、前記分割エリア群ごとに該分割エリア群内の分割エリアが重なるように前記複数の露光領域の画像を重ね合わせることによって、合成画像を生成し、前記合成画像を参照して前記欠陥候補エリア群を特定する、欠陥特定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、欠陥検査装置および欠陥特定方法に関し、特には、半導体ウエハの欠陥の中から露光に起因する欠陥を特定する欠陥検査装置および欠陥特定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体ウエハの欠陥を検出する欠陥検査装置が記載されている。特許文献１に記載の欠陥検査装置は、半導体ウエハの画像を投射する対物レンズと、対物レンズから投射された半導体ウエハの画像を画像信号に変換するイメージセンサと、画像信号を用いて半導体ウエハの欠陥を検出する信号処理装置と、を備えている。欠陥検査装置は、一般的に、半導体ウエハの欠陥を検出すると、その検出結果を表示する。
【０００３】
なお、半導体ウエハの欠陥としては、例えば、製造プロセスの途中で発生する欠陥の他に、リソグラフィ工程で露光機とフォトマスクとを用いて行われる露光に起因する欠陥などがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１４９１６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した従来の欠陥検査装置が検出した半導体ウエハの欠陥の中から、露光に起因する欠陥を特定する作業には時間がかかり、作業効率が悪いという問題があることを本願発明者は明らかにした。すなわち、半導体ウエハの欠陥の中から露光に起因する欠陥を特定する作業は、一般に、半導体装置の製造者が、欠陥検査装置に表示された検出結果を目視により確認して行われる。このため、露光に起因する欠陥を特定するのに時間がかかってしまい、作業効率が悪くなる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の欠陥検査装置は、露光処理が行われた複数の露光領域を有する半導体ウエハを示す画像信号を受け付ける欠陥検査装置であって、前記複数の露光領域内のそれぞれに共通に設定される複数の分割エリアの位置を特定するエリア情報を保持する保持手段と、前記画像信号に示された半導体ウエハ内の欠陥を検出する検出手段と、前記エリア情報を参照し、前記複数の露光領域内の分割エリアの中で前記露光領域内における位置が同一の分割エリアにて構成される分割エリア群のうち、該分割エリア群内の前記欠陥の数が第１欠陥閾値を超える欠陥候補エリア群を特定し、前記欠陥候補エリア群に対応する前記露光領域の位置に欠陥候補エリアが設けられた場合に、該欠陥候補エリアが前記露光領域内で所定方向に連続している数が所定閾値を超えると、前記露光領域のうち、該露光領域内の前記欠陥候補エリアに存在する欠陥の数が、第２欠陥閾値を超える欠陥露光領域を特定し、該欠陥露光領域の数が特定閾値を超える場合に、前記欠陥候補エリア内の欠陥を、露光による欠陥として特定する特定手段と、を含む。
【０００７】
本発明の欠陥特定方法は、露光処理が行われた複数の露光領域を有する半導体ウエハを示す画像信号を受け付ける欠陥検査装置での欠陥特定方法であって、前記複数の露光領域内のそれぞれに共通に設定される複数の分割エリアの位置を特定するエリア情報を保持する保持ステップと、前記画像信号に示された半導体ウエハ内の欠陥を検出する検出ステップと、前記エリア情報を参照し、前記複数の露光領域内の分割エリアの中で前記露光領域内における位置が同一の分割エリアにて構成される分割エリア群のうち、該分割エリア群内の前記欠陥の数が第１欠陥閾値を超える欠陥候補エリア群を特定する第１特定ステップと、前記第１特定ステップにて前記欠陥候補エリア群が特定されると、該欠陥候補エリア群に対応する前記露光領域の位置に欠陥候補エリアが設けられた場合に、該欠陥候補エリアが前記露光領域内で所定方向に連続している数が所定閾値を超えると、前記露光領域のうち、該露光領域内の前記欠陥候補エリアに存在する欠陥の数が第２欠陥閾値を超える欠陥露光領域を特定し、該欠陥露光領域の数が特定閾値を超える場合に、前記欠陥候補エリア内の欠陥を、露光による欠陥として特定する第２特定ステップと、を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、欠陥検査装置は、露光処理が行われた半導体ウエハのうち複数の露光領域内のそれぞれに共通に設定された複数の分割エリアの位置を特定するエリア情報を保持する。検出部が、画像信号に示された半導体ウエハ内の欠陥を検出すると、特定部は、エリア情報を参照し、複数の露光領域内の分割エリアの中で露光領域内における位置が同一の分割エリアにて構成される分割エリア群のうち、分割エリア群内の欠陥の数が第１欠陥閾値を超える欠陥候補エリア群を特定する。そして、特定部は、欠陥候補エリア群に対応する露光領域の位置に欠陥候補エリアが設けられた場合に、欠陥候補エリアが露光領域内で所定方向に連続している数が所定閾値を超えるか否かを判定する。
【０００９】
欠陥検査装置は、所定方向に所定閾値を超える数だけ連続している欠陥候補エリアを特定する。露光に起因する欠陥は、例えば、露光領域と露光領域との境界線の周辺に発生する可能性が高い。このため、欠陥候補エリアが連続している場所では、露光に起因する欠陥が発生している可能性が高い。よって、欠陥検査装置は、露光に起因する欠陥の可能性が高い欠陥候補エリアを特定することが可能となる。
【００１０】
さらに、本発明では、特定部は、所定方向に連続している欠陥候補エリアの数が、所定閾値を超えると、複数の露光領域のうち、露光領域内の欠陥候補エリアに存在する欠陥の数が、第２欠陥閾値を超える欠陥露光領域を特定し、欠陥露光領域の数が領域閾値を超える場合に、欠陥候補エリア内の欠陥を、露光による欠陥として特定する。
【００１１】
欠陥検査装置は、欠陥の数が第２欠陥閾値を超える欠陥候補エリアを有する露光領域の数が特定閾値を超えると、欠陥候補エリア内の欠陥を、露光に起因する欠陥として特定する。露光に起因する欠陥は、各露光領域で同じように発生する可能性が高い。このため、各露光領域においては、露光領域内の欠陥候補エリアに、露光に起因する欠陥が発生している可能性が高い。よって、欠陥検査装置は、露光に起因する可能性が高い欠陥候補エリアをより正確に特定することが可能となる。
【００１２】
したがって、本発明によれば、露光に起因する欠陥を精度良く特定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態における欠陥検査装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】ショット領域内のそれぞれに共通に設定された分割エリアを例示する図である。
【図３】ショット依存欠陥を説明するための図である。
【図４】欠陥検査装置の露光による欠陥の特定方法の処理手順例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態における欠陥検査装置の構成例を示すブロック図である。
【００１６】
欠陥検査装置１００は、半導体ウエハを示す画像信号を受け付ける。半導体ウエハは、リソグラフィ工程で、共通のフォトマスクを用いて露光処理（以下「ショット」と称する。）が行われた複数のショット領域を有する。欠陥検査装置１００は、検出情報保持部１１０と、検出部１２０と、特定部１３０と、を備える。
【００１７】
検出情報保持部１１０は、複数のショット領域内のそれぞれに共通に設定される複数の分割エリアの位置を特定するエリア情報を保持する。
【００１８】
図２は、ショット領域内のそれぞれに共通に設定された分割エリアを例示する図である。
【００１９】
図２には、半導体ウエハ内に３つのチップ１１〜１３を形成するためのショット領域が示されている。図２では、ショット領域内に、６つの分割エリアＡ〜Ｆが設定されている。例えば、チップ１１には、分割エリアＡおよび分割エリアＢが設定されている。
【００２０】
エリア情報には、例えば、半導体ウエハ内の原点と、その原点を基準とするショット領域の右上端の位置をショット領域ごとに特定するショット位置座標と、分割エリアの幅および高さと、が示される。
【００２１】
また、検出情報保持部１１０は、画像信号に示される半導体ウエハ内の欠陥を検出するための検査レシピを保持する。検査レシピには、例えば、露光処理によりショット領域内に形成されるパターンを示す画像を構成する各画素の輝度を示す基準パターン情報と、ショット領域内に欠陥があるか否かを判定するための差分閾値と、が含まれる。
【００２２】
検出情報保持部１１０は、検査レシピと、エリア情報と、を検出情報として保持する。
【００２３】
検出部１２０は、画像信号に示された半導体ウエハ内の欠陥を検出する。検出部１２０は、画像信号受付部１２１と、欠陥検出部１２２と、を備える。
【００２４】
画像信号受付部１２１は、半導体ウエハを示す画像信号を受け付ける。画像信号受付部１２１は、例えば、不図示のイメージセンサから画像信号を受け付ける。イメージセンサは、半導体ウエハを撮像して半導体ウエハを示す画像信号を生成し、その画像信号を、画像信号受付部１２１に供給する。画像信号受付部１２１は、画像信号を受け付けると、その画像信号を、欠陥検出部１２２に供給する。
【００２５】
欠陥検出部１２２は、例えば、画像信号受付部１２１から画像信号を受け付けると、ショット位置座標にて特定されるショット領域ごとに、画像信号に示される半導体ウエハを構成する各画素の輝度と、基準パターン情報に示される各画素の輝度との輝度差分を、画素ごとに算出する。欠陥検出部１２２は、画素ごとの輝度差分が、差分閾値を超えるか否かを判定し、輝度差分が差分閾値を超えると、差分閾値を超えた画素の位置を、欠陥の位置として検出する。
【００２６】
なお、欠陥検出部１２２は、半導体ウエハ内に形成されるチップごとに、画像信号に示される半導体ウエハを構成する各画素の輝度と、チップの基準パターンの画像を構成する各画素の輝度との輝度差分を画素ごとに算出し、輝度差分が判定閾値を超えると、判定閾値を超えた画素の位置を半導体ウエハ内の欠陥の位置として検出してもよい。この場合には、検査レシピには、半導体ウエハ内の複数のチップの位置を特定するチップ内座標と、チップの基準パターンの画像を構成する各画素の輝度を示すチップパターン情報と、チップ内に欠陥があるか否かを判定するための判定閾値と、が示されている。
【００２７】
特定部１３０は、エリア情報を参照し、複数のショット領域内の分割エリアの中でショット領域内における位置が同一の分割エリアにて構成される分割エリア群のうち、分割エリア群内の欠陥の数が、第１欠陥閾値を超える分割エリア群（以下「欠陥候補エリア群」と称する。）を特定する。
【００２８】
特定部１３０は、例えば、分割エリア群ごとに分割エリア群内の分割エリアが重なるように複数のショット領域の画像を重ね合わせることによって、合成画像を生成し、合成画像を参照して、欠陥候補エリア群を特定する。例えば、特定部１３０は、複数のショット領域の画像を重ね合わせることによって合成画像を生成し、合成画像内の分割エリアごとに、分割エリア内の欠陥の数が第１欠陥閾値を超えるか否かを判定する。そして、特定部１３０は、欠陥の数が第１欠陥閾値を超える合成画像内の分割エリアを、欠陥候補エリア群として特定する。なお、合成画像内の分割エリアのそれぞれは、分割エリア群に対応する。
【００２９】
第１欠陥閾値は、例えば、予め定められた閾値であり、検出情報保持部１１０に予め登録されている。なお、第１欠陥閾値は、分割エリア群ごとに存在する欠陥の数の標準偏差を用いて設定されてもよい。この場合、特定部１３０は、分割エリア群ごとに分割エリア群内の欠陥の数をカウントし、分割エリア群ごとの欠陥の数の標準偏差σを算出する。特定部１３０は、例えば、その標準偏差σを３倍した値と分割エリア群ごとの欠陥の数の平均値とを加算し、その加算した値を、第１欠陥閾値として設定する。
【００３０】
特定部１３０は、欠陥候補エリア群に対応するショット領域の位置に欠陥候補エリア（分割エリア）が設けられた場合に、ショット領域内で所定方向に連続している欠陥候補エリアの数が、連続閾値を超えるか否かを判定する。例えば、特定部１３０は、欠陥の数が第１欠陥閾値を超える合成画像内の分割エリアのうち、所定方向に連続している分割エリアの数が、連続閾値を超えるか否かを判定する。連続閾値は、例えば、予め定められた所定閾値であり、検出情報保持部１１０に予め登録されている。
【００３１】
特定部１３０は、縦方向または横方向などの所定方向に連続している欠陥候補エリアの数が連続閾値を超えると、複数のショット領域のうち、そのショット領域内の欠陥候補エリアに存在する欠陥の数が、第２欠陥閾値を超える欠陥ショット領域を特定する。第２欠陥閾値は、例えば、予め定められた閾値であり、検出情報保持部１１０に予め登録されている。なお、第２欠陥閾値は、複数のショット領域内の分割エリアごとに存在する欠陥の数の標準偏差を用いて設定されてもよい。
【００３２】
特定部１３０は、欠陥ショット領域の数が、領域閾値を超える場合には、欠陥候補エリア内の欠陥を、露光に起因する露光欠陥として特定する。露光欠陥は、以下、ショット依存欠陥と称される。なお、領域閾値は、予め定められた特定閾値であり、検出情報保持部１１０に予め登録されている。
【００３３】
本実施形態では、特定部１３０は、判定部１３１と、判定部１３２と、露光欠陥特定部１３３と、を備える。
【００３４】
判定部１３１は、エリア情報を参照し、分割エリア群のそれぞれを特定し、分割エリア群ごとに分割エリア群内の欠陥の数をカウントする。判定部１３１は、分割エリア群ごとに分割エリア群内の欠陥の数が、第１欠陥閾値を超えるか否かを判定する。例えば、判定部１３１は、複数のショット領域の画像を重ね合わせることによって合成画像を生成し、合成画像内の分割エリアごとに、合成画像内の分割エリアに存在する欠陥の数が、第１欠陥閾値を超えるか否かを判定する。
【００３５】
判定部１３１は、分割エリア群のうち、分割エリア群内の欠陥の数が、第１欠陥閾値を超えると、分割エリア群を、欠陥候補エリア群として特定する。判定部１３１は、例えば、合成画像内の分割エリアのうち、分割エリア内の欠陥の数が第１欠陥閾値を超えると、合成画像内の分割エリアを、欠陥候補エリア群として特定する。
【００３６】
判定部１３１は、欠陥候補エリア群に対応するショット領域の位置に欠陥候補エリアが設けられた場合には、欠陥候補エリアのショット領域内の位置を特定する候補エリア情報を、判定部１３２に供給する。
【００３７】
判定部１３２は、判定部１３１から候補エリア情報を受け付けると、候補エリア情報にて特定された欠陥候補エリアが縦方向または横方向に連続している数が、連続閾値を超えるか否かを判定する。例えば、判定部１３２は、欠陥の数が第１欠陥閾値を超える合成画像内の分割エリアのうち、所定方向に連続している分割エリアの数が、連続閾値を超えるか否かを判定する。
【００３８】
判定部１３２は、縦方向または横方向に連続している欠陥候補エリアの数が、連続閾値を超えると、連続閾値を超えた数の欠陥候補エリアに対応するショット領域の位置を特定する連続エリア情報を、露光欠陥特定部１３３に供給する。
【００３９】
露光欠陥特定部１３３は、判定部１３２から連続エリア情報を受け付けると、各ショット領域において、連続エリア情報にて特定される欠陥候補エリアの位置にある分割エリアを欠陥候補エリアとして特定し、ショット領域ごとに、ショット領域内の欠陥候補エリアに存在する欠陥の数が、第２欠陥閾値を超えるか否かを判定する。露光欠陥特定部１３３は、複数のショット領域のうち、欠陥候補エリア内の欠陥の数が第２欠陥閾値を超えると、ショット領域を、欠陥ショット領域として特定する。
【００４０】
露光欠陥特定部１３３は、欠陥ショット領域を特定すると、欠陥ショット領域の数が、領域閾値を超えるか否かを判定する。露光欠陥特定部１３３は、欠陥ショット領域の数が、領域閾値を超えると、欠陥候補エリア内の欠陥を、ショット依存欠陥として特定する。露光欠陥特定部１３３は、例えば、ショット依存欠陥を特定すると、半導体ウエハ内の欠陥とショット依存欠陥を示すショット依存欠陥情報とを表示する。
【００４１】
よって、本実施形態による欠陥検査装置１００は、露光処理が行われた複数の露光領域を有する半導体ウエハを示す画像信号を受け付け、複数の露光領域内のそれぞれに共通に設定された複数の分割エリアの位置を特定するエリア情報を保持する保持手段１１０と、画像信号に示された半導体ウエハ内の欠陥を検出する検出手段１２０と、エリア情報を参照し、複数の露光領域内の分割エリアの中で露光領域内における位置が同一の分割エリアにて構成される分割エリア群のうち、分割エリア群内の欠陥の数が第１欠陥閾値を超える欠陥候補エリア群を特定し、欠陥候補エリア群に対応する露光領域の位置に欠陥候補エリアが設けられた場合に、欠陥候補エリアが露光領域内で所定方向に連続している数が所定閾値を超えると、複数の露光領域のうち、露光領域内の欠陥候補エリアに存在する欠陥の数が第２欠陥閾値を超える欠陥露光領域を特定し、欠陥露光領域の数が特定閾値を超える場合に、欠陥候補エリア内の欠陥を、露光による欠陥として特定する特定手段１３０と、を有して構成されている。
【００４２】
図３は、ショット依存欠陥を説明するための図である。図３には、ショット領域内の左側にショット依存欠陥を有する半導体ウエハａと、ショット画面ｂと、が示されている。ショット画面ｂには、全てのショット領域内の欠陥が、１つのショット領域に重ね合わせられた合成画像が表示される。
【００４３】
図３では、欠陥検査装置１００が、半導体ウエハａを示す画像信号を受け付けると、ショット依存欠陥の特定方法を実行して、ショット画面ｂに合成画像が表示されると共に、例えば、ショット領域の左端にショット依存欠陥がある旨の表示が示される。
【００４４】
次に欠陥検査装置１００の動作について説明する。
【００４５】
図４は、欠陥検査装置１００でのショット依存欠陥の特定方法の処理手順例を示すフローチャートである。
【００４６】
まず、ユーザ操作により検出情報が設定され、その検出情報が検出情報保持部１１０に登録される（ステップＳ９０１）。検出情報には、画像信号に示された半導体ウエハの欠陥を検出するための検査レシピと、ショット領域内のそれぞれに共通に設定された複数の分割エリアの位置を特定するエリア情報と、連続閾値と、領域閾値と、が含まれる。
【００４７】
検出情報が検出情報保持部１１０に入力された後、欠陥検出部１２２は、画像信号受付部１２１から、露光後の半導体ウエハを示す画像信号を受け付けると、画像信号に示される半導体ウエハ内の欠陥を検出する（ステップＳ９０２）。欠陥検出部１２２は、ショット領域内の欠陥の位置を特定する欠陥位置情報を、判定部１３１に供給する。
【００４８】
判定部１３１は、欠陥検出部１２２から欠陥位置情報を受け付けると、エリア情報を参照し、分割エリア群のそれぞれを特定し、分割エリア群ごとに、欠陥位置情報に示された分割エリア群内の欠陥の数をカウントする。判定部１３１は、分割エリア群ごとに、分割エリア群内の欠陥の数が、第１欠陥閾値を超えるか否かを判定する（ステップＳ９０３）。例えば、判定部１３１は、分割エリア群ごとに分割エリア群内の分割エリアが重なるように複数のショット領域の画像を重ね合わせることによって、合成画像を生成し、合成画像内の分割エリア内の欠陥の数が第１欠陥閾値を超えるか否かを判定する。
【００４９】
判定部１３１は、分割エリア群内の欠陥の数が、第１欠陥閾値を超えない場合には、半導体ウエハ内の欠陥にはショット依存性がないと判定して、ショット依存欠陥の特定方法を終了する。
【００５０】
一方、判定部１３１は、分割エリア群内の欠陥の数が、第１欠陥閾値を超える場合には、第１欠陥閾値を超える分割エリア群を、欠陥候補エリア群として特定し、候補分割エリアに対応するショット領域の位置を特定する候補エリア情報を、判定部１３２に供給する。
【００５１】
判定部１３２は、判定部１３１から候補エリア情報を受け付けると、候補エリア情報にて特定された欠陥候補エリアが縦方向または横方向に連続している数が、検出情報保持部１１０内の連続閾値を超えるか否かを判定する（ステップ９０４）。例えば、判定部１３２は、欠陥の数が第１欠陥閾値を超える合成画像内の分割エリアのうち、所定方向に連続している分割エリアの数が、連続閾値を超えるか否かを判定する。
【００５２】
判定部１３２は、縦方向または横方向に連続している欠陥候補エリアの数が、連続閾値を超えない場合には、半導体ウエハ内の欠陥にはショット依存性がないと判定して、ショット依存欠陥の特定方法を終了する。
【００５３】
一方、判定部１３２は、縦方向または横方向に連続している欠陥候補エリアの数が、連続閾値を超える場合には、連続閾値を超える数の欠陥候補エリアの位置を特定する連続エリア情報を、露光欠陥特定部１３３に供給する。
【００５４】
露光欠陥特定部１３３は、判定部１３２から連続エリア情報を受け付けると、各ショット領域において、連続エリア情報にて特定される欠陥候補エリアの位置にある分割エリアを欠陥候補エリアとして特定し、ショット領域ごとに欠陥候補エリア内の欠陥の数が、第２欠陥閾値を超えるか否かを判定する。露光欠陥特定部１３３は、複数のショット領域のうち、欠陥候補エリア内の欠陥の数が、第２欠陥閾値を超えるショット領域を、欠陥ショット領域として特定する。
【００５５】
露光欠陥特定部１３３は、欠陥ショット領域を特定すると、欠陥ショット領域の数が、検出情報保持部１１０内の領域閾値を超えるか否かを判定する（ステップＳ９０５）。露光欠陥特定部１３３は、欠陥ショット領域の数が、領域閾値を超えない場合には、半導体ウエハ内の欠陥にはショット依存性がないと判定して、ショット依存欠陥の特定方法を終了する。
【００５６】
一方、露光欠陥特定部１３３は、欠陥ショット領域の数が、領域閾値を超えると、連続分割エリア内の欠陥をショット依存欠陥として特定し（ステップＳ９０６）、ショット依存欠陥の特定方法を終了する。
【００５７】
本実施形態によれば、露光処理が行われた複数の露光領域を有する半導体ウエハを示す画像信号を受け付ける欠陥検査装置では、検出情報保持部１１０が、複数の露光領域内のそれぞれに共通に設定された複数の分割エリアの位置を特定するエリア情報を保持する。検出部１２０が、画像信号に示された半導体ウエハ内の欠陥を検出すると、特定部１３０が、エリア情報を参照し、露光領域内における位置が同一の分割エリアにて構成される分割エリア群のうち、分割エリア群内の欠陥の数が、第１欠陥閾値を超える欠陥候補エリア群を特定する。特定部１３０は、例えば、分割エリア群ごとに分割エリア群内の分割エリアが重なるように複数の露光領域の画像を重ね合わせることによって、合成画像を生成し、合成画像を参照して欠陥候補エリア群を特定する。特定部１３０は、欠陥候補エリア群に対応する露光領域の位置に欠陥候補エリアが設けられた場合に、欠陥候補エリアが露光領域内で所定方向に連続している数が、所定閾値を超えるか否かを判定する。
【００５８】
欠陥検査装置１００は、所定方向に所定閾値を超える数だけ連続している欠陥候補エリアを特定する。露光に起因する欠陥は、例えば、露光領域と露光領域との境界線の周辺に発生する可能性が高い。このため、欠陥候補エリアが連続している場所では、露光に起因する欠陥が発生している可能性が高い。よって、欠陥検査装置は、露光に起因する欠陥の可能性が高い欠陥候補エリアを特定することが可能となる。
【００５９】
さらに、本実施形態では、特定部１３０は、所定方向に連続している欠陥候補エリアの数が所定閾値を超えると、複数の露光領域のうち、欠陥候補エリア内の欠陥の数が第２欠陥閾値を超える欠陥露光領域を特定し、欠陥露光領域の数が領域閾値を超える場合に、欠陥候補エリア内の欠陥を、露光による欠陥として特定する。
【００６０】
欠陥検査装置１００は、欠陥の数が第２欠陥閾値を超える欠陥候補エリアを有する露光領域が特定閾値を超えると、欠陥候補エリア内の欠陥を、露光に起因する欠陥として特定する。露光に起因する欠陥は、各露光領域で同じように発生する可能性が高い。このため、各露光領域においては、露光領域内の欠陥候補エリア内に、露光に起因する欠陥が発生している可能性が高い。よって、欠陥検査装置は、露光に起因する可能性が高い欠陥候補エリアをより正確に特定することが可能となる。
【００６１】
また、露光に起因する欠陥以外の原因によって、１つの露光領域で特定の分割エリアが全て欠陥となることがある。この場合、その特定の分割エリアが、露光に起因する欠陥として特定されてしまうことが考えられる。本実施形態では、分割エリア内の欠陥数が第２欠陥閾値を超える欠陥候補エリアを有する露光領域が特定閾値を超える場合に、欠陥候補エリア内の欠陥を、露光に起因する欠陥として特定する。このため、欠陥検査装置１００は、１つの露光領域で特定の分割エリア全部が欠陥となった場合でも、特定の分割エリアを、露光に起因する欠陥として誤って特定することを回避することが可能となる。
【００６２】
したがって、本実施形態によれば、欠陥検査装置１００は、露光に起因する欠陥を精度良く特定することが可能となる。
【００６３】
以上説明した実施形態において、図示した構成は単なる一例であって、本発明はその構成に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００６４】
１００  欠陥検査装置
１１０  検出情報保持部
１２０  検出部
１２１  画像信号受付部
１２２  欠陥検出部
１３０  特定部
１３１  判定部
１３２  判定部
１３３  露光欠陥特定部
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図３】
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