(57)【要約】【課題】設計期間の短縮を図ること。【解決手段】設計装置は、補正パターンにより生じるエラーのうち、コーナー部の丸まりの影響を受ける箇所のエラーについては、コーナー部のエラー抽出処理（ステップ３５）と検証処理（ステップ３６）において、その妥当性を検証する。そして、設計装置は、補正パターンによるエラーのうち、コーナー部の丸まりによりマスク上又は基板上において問題とならない（線幅が規定以上となる）箇所のエラーは、疑似エラーと判定する。一方、設計装置は、コーナー部において、マスク上又は基板上において問題となる（線幅が規定未満となる）箇所のエラーは、真性エラーと判定する。【選択図】図３
2012037842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設計装置が実行する設計方法であって、
設計データに含まれる第１のパターンの光学的近接効果に対する補正パターンを生成し、前記第１のパターンと前記補正パターンとに応じた第２のパターンを生成する作成工程と、
前記第２のパターンの形状を検証する検証工程と、
を含み、
前記検証工程は、
前記第１のパターンの配線幅に応じて設定された最小線幅を用いて前記第２のパターンの形状を検証する第１の検証工程と、
前記第２のパターンのうち、前記第１のパターンのコーナー部に応じて設定された抽出範囲に含まれるパターンの形状を、前記コーナー部に応じて設定された補正最小線幅を用いて検証する第２の検証工程と、
を含むことを特徴とする設計方法。
【請求項２】
前記抽出範囲は、前記コーナー部に対応して基板上に形成されるパターンの形状に応じて設定される、ことを特徴とする請求項１記載の設計方法。
【請求項３】
両端にコーナー部が形成されたパターンについて、両端のコーナー部に応じてそれぞれ設定された前記抽出範囲の少なくとも一部が重なる場合に、前記補正最小線幅よりも小さな値を用いて検証を実施する、ことを特徴とする請求項１または２記載の設計方法。
【請求項４】
前記検証工程において、
前記第１の検証工程を実施し、その実施結果においてエラーの有無を判定し、エラーがある場合にコーナー部に対応して設定された抽出範囲に含まれるエラーを抽出し、抽出したエラーのパターンに対して前記第２の検証工程を実施する、ことを特徴とする請求項１〜３のうちの何れか一項に記載の設計方法。
【請求項５】
設計データに含まれる第１のパターンの光学的近接効果に対する補正パターンを生成し、前記第１のパターンと前記補正パターンとに応じた第２のパターンを生成する作成処理と、
前記第２のパターンの形状を検証する検証処理と、
を実行し、
前記検証処理において、
前記第１のパターンの配線幅に応じて設定された最小線幅を用いて前記第２のパターンの形状を検証する第１の検証処理と、
前記第２のパターンのうち、前記第１のパターンのコーナー部に応じて設定された抽出範囲に含まれるパターンの形状を、前記コーナー部に応じて設定された補正最小線幅を用いて検証する第２の検証処理と、
を実行することを特徴とする設計装置。
【請求項６】
設計装置が実行するプログラムであって、
設計データに含まれる第１のパターンの光学的近接効果に対する補正パターンを生成し、前記第１のパターンと前記補正パターンとに応じた第２のパターンを生成する作成ステップと、
前記第２のパターンの形状を検証する検証ステップと、
を含み、
前記検証ステップは、
前記第１のパターンの配線幅に応じて設定された最小線幅を用いて前記第２のパターンの形状を検証する第１の検証ステップと、
前記第２のパターンのうち、前記第１のパターンのコーナー部に応じて設定された抽出範囲に含まれるパターンの形状を、前記コーナー部に応じて設定された補正最小線幅を用いて検証する第２の検証ステップと、
を含むことを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
設計方法、設計装置及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路装置の製造において、例えばシリコン等の基板上に素子や配線などの図形（パターン）を形成するためフォトマスクが用いられている。そして、フォトマスク上のマスクパターンの形状と、フォトマスクを用いて基板上に形成されたパターン（例えば、レジストパターン）の形状とに差が生じる。例えば、内角即ち凹部では脹らみが生じ、外角即ち凸部では丸みが生じる。
【０００３】
このような形状の差は、例えば近接効果によるものであり、これを補正する方法の１つに光近接効果補正（Optical Proximity Correction：ＯＰＣ）がある。この補正は、先端補正、線幅補正、コーナー補正を含む。設計装置は、予め設定されたルールに従って、半導体集積回路装置のパターンデータに、上記補正の補正データを付加した形状のパターンデータを含む描画データを生成する（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
この描画データに対して、データの妥当性を保証する１つの方法は、デザインルールチェック（Design Rule Check:ＤＲＣ）である。ＤＲＣは、描画データにおいて、線幅や間隔が設計基準（デザインルール）を満たすか否かを判定し、設計基準を満たさない箇所をエラーとして検出する。また、別の方法としてシミュレーションによる検証（Ｓｉｍ検証）がある。これは、描画データに基づいて基板に形成されるパターンの形状をシミュレーションし、シミュレーション結果における線幅／間隔が基準値を満たすか否かを判定し、基準値を満たさない箇所をエラーとして検出する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−９３７０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ＤＲＣ検証では、図１６に示すように、パターンの幅Ｗが設計基準を満たさない場合がある。しかし、この箇所に対し、基板上に形成されたパターンの幅は、基準値に近い値となる。つまり、ＤＲＣでは、正しく形成される部分についてもエラーを出力する。このようなエラーを疑似エラーという。一方、基板上でも問題となる部分のエラーを、真性エラーという。
【０００７】
設計工程では、ＤＲＣにより抽出されたエラーの箇所を例えば目視により確認し、真性エラーか疑似エラーかを判定する。そして、真性エラーについて、例えばレイアウトパターンを修正する処理が行われる。疑似エラーは、半導体装置の集積度に応じて増加し、真性エラーの発見を妨げる要因となる。なお、上記のＤＲＣにより検出されたエラーの箇所について、シミュレーションによる検証を実行する方法が考えられる。しかし、シミュレーションは、実行時間が長いため、設計期間を長くする要因となる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一観点によれば、設計データに含まれる回路パターンの光学的近接効果に対する補正パターンを生成し、前記回路パターンを前記補正パターンにて補正したパターンを露光するために変換し、変換後のパターンを含む描画データを生成する作成工程と、前記描画データに含まれる描画用パターンの形状を検証する検証工程と、を含み、前記検証工程は、前記回路パターンの配線幅に応じて設定された最小線幅を用いて前記描画パターンの形状を検証する第１の検証工程と、前記回路パターンのコーナー部に応じて設定された抽出範囲に含まれるパターンに対して、前記コーナー部に応じて設定された補正最小線幅を用いて前記描画パターンの形状を検証する第２の検証工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一観点によれば、設計期間の短縮を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】設計装置の概略構成図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）はＯＰＣ処理の説明図である。
【図３】設計処理のフローチャートである。
【図４】描画データの説明図である。
【図５】（ａ）（ｂ）は線幅変動の説明図である。
【図６】コーナー部における設定範囲の説明図である。
【図７】コーナー部における線幅変動の説明図である。
【図８】コーナー部における設定範囲の説明図である。
【図９】コーナー部における設定範囲の説明図である。
【図１０】コーナー部における線幅変動の説明図である。
【図１１】コーナー部における設定範囲の説明図である。
【図１２】コーナー部における線幅変動の説明図である。
【図１３】検証処理の一例を示す説明図である。
【図１４】別の設計処理を示すフローチャートである。
【図１５】基準点の説明図である。
【図１６】描画データの説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、一実施形態を添付図面に従って説明する。
図１に示すように、設計装置１１は、半導体装置の製造工程に用いるフォトマスクの描画データを生成するための装置であり、例えば一般的なＣＡＤ（Computer Aided Design ）である。この設計装置１１は、中央処理装置（以下、ＣＰＵという）１２、メモリ１３、記憶装置１４、表示装置１５、入力装置１６、及び、ドライブ装置１７により構成され、それらはバス１８を介して相互に接続されている。
【００１２】
ＣＰＵ１２は、メモリ１３を利用してプログラムを実行する。プログラムは、ＣＰＵ１２を、描画データを生成する設計装置としての各種手段として機能させるためのものである。メモリ１３には、各種処理を提供するために必要なプログラムとデータが格納され、メモリ１３としては、通常、キャッシュ・メモリ、システム・メモリおよびディスプレイ・メモリを含む。
【００１３】
表示装置１５は、パターン表示、パラメータ入力画面等の表示に用いられ、これにはＣＲＴ，ＬＣＤ，ＰＤＰ等が用いられる。入力装置１６は、ユーザからの要求や指示，パターン，パラメータの入力に用いられ、これにはキーボードおよびマウス装置（図示せず）等が用いられる。
【００１４】
設計装置１１は、設計データや描画データに基づくパターン（図形）を表示装置１５に表示させる。そして、設計装置１１は、ユーザが操作する入力装置１６からの信号に従って、表示装置１５上のパターンの追加，削除を行うとともに、レイアウトデータに対してパターンデータの追加，削除を行う。
【００１５】
記憶装置１４は、通常、磁気ディスク装置、光ディスク装置、光磁気ディスク装置を含む。この記憶装置１４には、半導体装置（半導体集積回路装置）の描画データを生成するためのプログラムデータを含むファイルや、各種データを含むファイルが格納され、ＣＰＵ１２は、入力装置１６による指示に応答しているプログラム，データをメモリ１３へ転送し、それを実行する。
【００１６】
この設計装置１１において、記憶装置１４には図３に示すファイル２１〜２４が格納される。設計装置１１は、記憶装置１４のファイル２１〜２４に格納されたデータに基づいて実行する処理に応じてデータを作成し、そのデータを含むファイル２５，２６（図３参照）を記憶装置１４に格納する。なお、以下の説明において、各ファイルに含まれるデータの総称に各ファイルの符号を付して説明する。
【００１７】
ＣＰＵ１２が実行するプログラムデータは、記録媒体１９にて提供される。ドライブ装置１７は、記録媒体１９を駆動し、その記憶内容にアクセスする。ＣＰＵ１２は、ドライブ装置１７を介して記録媒体１９からプログラムデータを読み出し、それを記憶装置１４にインストールする。
【００１８】
記録媒体１９としては、磁気テープ（MT）、メモリカード、フレキシブルディスク、光ディスク（CD-ROM,DVD-ROM,… ）、光磁気ディスク（MO,MD,…）等、任意のコンピュータ読み取り可能な記録媒体を使用することができる。この記録媒体１９に、上述のプログラム，データを格納しておき、必要に応じて、メモリ１３にロードして使用することもできる。
【００１９】
尚、記録媒体１９には、通信媒体を介してアップロード又はダウンロードされたプログラムデータを記録した媒体、ディスク装置を含む。更に、コンピュータによって直接実行可能なプログラムを記録した記録媒体だけでなく、いったん他の記録媒体（ハードディスク等）にインストールすることによって実行可能となるようなプログラムを記録した記録媒体や、暗号化されたり、圧縮されたりしたプログラムを記録した記録媒体も含む。
【００２０】
次に、設計装置１１が実行する処理の概要を説明する。
図１に示す設計装置１１は、図３に示すステップ３１〜３８の各処理を順次実行することにより、設計データに基づく描画データの作成と、作成した描画データの検証処理を行う。つまり、設計装置１１が実行する処理は、設計データから描画データを作成する作成処理と、描画データを検証する検証処理を含む。そして、作成処理（作成工程）は図３に示すステップ３１，３２を含み、検証処理（検証工程）は図３に示すステップ３３〜３７を含む。
【００２１】
設計データ２１は、回路パターンのレイアウトデータを含む。回路パターンは、半導体等の基板に素子や配線を形成するためのパターンであり、レイアウトデータはパターンを形成する位置（座標値）を含む。
【００２２】
作成基準２２は、補正パターンを作成するための作成ルール（パラメータ）であり、補正パターンに係る値（例えば、補正パターンを作成する配線間隔、補正パターンの線幅）を含む。
【００２３】
テーブル２３には、配線パターンの線幅を検証するための値を含む。この値は、半導体装置の設計規則に応じた値である。設計規則は、配線パターンの幅や間隔がプロセス技術によって決まる大きさを満たしているか否かを検証するために設定されている。設計値は、配線パターンにおいて、許容される線幅の最小値、つまり配線パターンの最小線幅を含む。
【００２４】
テーブル２４には、テーブル２３と同様に、配線パターンの線幅を検証するための値を含む。なお、このテーブル２４に含まれる値は、ＯＰＣ処理によりコーナー部に対して生成される補正パターン（セリフパターンと呼ばれることもある）の細りを考慮して設定されている。この値は、例えば、上記の最小線幅から補正パターンの幅を減算して得られた値（補正最小線幅）である。
【００２５】
また、テーブル２４には、所定領域において発生したエラーを抽出する範囲の設定値（抽出範囲）が含まれる。この抽出範囲は、パターンのコーナー部に対応して設定されている。また、抽出範囲は、コーナー部における線幅変動に応じて設定されている。
【００２６】
描画データは、半導体装置の製造工程に用いるフォトマスクを作成するためのデータである。フォトマスクは、基板と、基板上に形成されたマスクパターンを含む。基板は例えば石英ガラスであり、マスクパターンは、例えばクロム等の金属パターンである。なお、フォトマスクは、レチクルや単にマスクと呼ばれる。
【００２７】
マスクパターンは回路パターンに従って基板上の膜を露光して形成される。露光時の光学的近接効果は、回路パターンの形状に比べ、マスクパターンの形状に、パターン幅の拡大，縮小、パターン長の先端の丸み、角部の丸み（内角の脹らみ，外角の丸み）、等の変形を生じさせる。補正パターンは、基板上のパターンにおいて、露光時の光学的近接効果による変形を抑制するためのパターンを含む。つまり、補正パターンは、設計パターン通りの回路パターンを形成するためのパターンである。そして、マスクパターンは、回路パターンと補正パターンとを含む。
【００２８】
ステップ３１において、設計装置１１は、光学的近接効果に対応する補正処理（ＯＰＣ処理）を実行する。この処理において、設計装置１１は、設計データ２１と作成基準２２に基づいて、その設計データ２１に対して、回路パターンに対応する補正パターンのレイアウトデータを作成する。設計装置１１は、作成基準２２の作成ルールに従って、設計データ２１に含まれる回路パターンに対する補正パターンを作成する。そして、設計装置１１は、回路パターンのレイアウトデータと、補正パターンのレイアウトデータを含む中間データ２５を作成する。
【００２９】
例えば、図２（ａ）に示すように、設計データ２１は、パターン４０を含む。設計装置１１は、このパターン４０に対し、図２（ｂ）に示すように、補正パターン４１〜４６を生成する。補正パターン４１，４２は、パターン先端の変形を抑制するためのものである。補正パターン４３，４４は、パターン幅の変形を抑制するためのものである。補正パターン４５，４６は、角部の丸みを抑制するためのものである。
【００３０】
そして、設計装置１１は、パターン４０と補正パターン４１〜４６を合成して、図２（ｃ）に実線にて示す描画用パターン４７を生成する。パターン４０と補正パターン４１〜４６の合成には、図形論理演算が用いられる。図形論理演算は、複数のパターンのＡＮＤ（積）処理、ＯＲ（和）処理、ＳＵＢ（減算）処理、ＥＯＲ（排他的論理和）処理、等を含む。図３に示す中間データ２５は、そして、このような描画用パターン４７を含む。尚、図２（ｃ）に示す破線は、変形前のパターン、つまり図２（ａ）に示すパターン４０を示す。
【００３１】
次に、図３のステップ３２において、設計装置１１はフラクチャ処理を実行する。この処理において、設計装置１１は、中間データ２５を描画データ２６に変換する。描画データ２６は、例えば図示しない露光装置が入力可能な形式のデータであり、露光装置に応じた露光補正処理を含む。露光装置は、そのデータに従って、基板上の膜（例えば、クロム膜）上に形成したレジスト膜に対して、電子ビームを照射し、回路パターンと補正パターンとに応じたレジストパターンを描画する。
【００３２】
次に、ステップ３３（第１の検証工程）において、設計装置１１は、描画データ２６に対する補正チェック処理を実行する。この処理において、設計装置１１は、テーブル２３に含まれる設計ルールに従って、描画データ２６に含まれるパターンの線幅や間隔等を検証する。設計装置１１は、設計ルールに含まれる最小線幅より小さな線幅の部分を、設計ルールを満足しないと判定し、その部分をエラーとする。そして、設計装置１１は、エラーとした部分を示す情報を生成する。さらに、設計装置１１は、このエラー情報を含むファイルを、例えば図１に示すメモリ１３に一時的なファイルとして格納する。
【００３３】
次に、ステップ３４において、設計装置１１は、ステップ３３における補正チェック処理におけるエラー情報の有無を判定する。エラー情報が存在しない、つまりファイルにエラー情報が含まれない場合（ＮＯ）、設計装置１１は、処理を終了する。一方、エラー情報が存在する、つまりファイルにエラー情報が含まれる場合（ＹＥＳ）、設計装置１１は、次のステップ３５に移行する。
【００３４】
ステップ３５において、設計装置１１は、エラー抽出処理を実行し、コーナー部に対するエラー情報を抽出する。この処理において、設計装置１１は、テーブル２４に含まれる抽出範囲に基づいて、ファイルに含まれるエラー箇所のうち、抽出範囲に含まれるエラー箇所のエラー情報をコーナー部に対するエラー情報として抽出する。そして、設計装置１１は、抽出したエラー情報を含む一時的なファイルを、例えばメモリ１３（図１参照）に作成する。一方、抽出範囲に含まれない箇所のエラーについて、その箇所のエラーを真性エラーと設定する。つまり、抽出範囲に含まれない箇所のエラー情報は、真性エラーを示す情報を含む。
【００３５】
次に、ステップ３６（第２の検証工程）において、設計装置１１は、検証処理を実行する。この処理において、設計装置１１は、ステップ３５において抽出したエラー情報と、テーブル２４に含まれる検証データとに基づいて、エラーとして示された箇所のパターン形状が、検証データを満足するか否かを判定する。例えば、パターン形状としてエラー箇所の線幅と補正最小線幅とを比較し、エラー箇所の線幅が補正最小線幅より小さいか否かを判定する。設計装置１１は、補正最小線幅より小さな線幅の箇所のエラーを真性エラーと設定し、補正最小線幅以上の線幅の箇所を疑似エラーと設定する。つまり、ステップ３５において抽出されたエラー情報に対して、真性エラーと疑似エラーのうちの何れか一方が設定される。そして、設計装置１１は、真性エラーを設定したエラー情報を含む一時的なファイルを、例えばメモリ１３（図１参照）に作成する。このファイルは、疑似エラーを設定したエラー情報を含まない。
【００３６】
次に、ステップ３７において、設計装置１１は、エラー判定処理を実行する。この処理において、設計装置１１は、ファイルに真性エラーが含まれるか否かを判定する。真性エラーが含まれない場合（ＮＯ）、設計装置１１は、処理を終了する。一方、真性エラーが含まれる場合（ＹＥＳ）、設計装置１１は、ステップ３８に移行する。
【００３７】
ステップ３８において、設計装置１１は、内容確認処理を実行する。この処理において、設計装置１１は、真性エラーと設定された箇所の内容（線幅等）を確認するために必要な処理、例えば、エラー箇所を含むレイアウトの表示と、真性エラーと判定した箇所を示す表示情報を表示する。表示情報は、例えば、両端が矢印として形成された直線である。なお、真性エラーと判定した箇所を示す表示情報として、その箇所を囲む図形（例えば、丸）を表示する、その箇所の線種や線色を他の箇所の線種や線色と異なるものにして表示する、等の情報を用いることができる。このような表示は、設計者がエラー箇所を把握することを容易にする。そして、設計者がセルのレイアウトやパターンのレイアウトを変更することにより、エラー箇所が修正された設計データ２１が作成される。
【００３８】
次に、コーナー部における線幅変動について説明する。
図４に示すように、描画データ２６はパターン５０を含む。このパターン５０において、コーナー部近傍のパターン５１（図中、左端）の配線幅をＷ１、コーナー部から離れた部分のパターン５２（図中、右端）の配線幅をＷ２とする。この図において、両配線幅Ｗ１，Ｗ２は互いに同じ値である。
【００３９】
このパターン５０において、パターン５１に対するフォト後のシミュレーション結果、つまり、パターン５１により形成される基板上のパターンをシミュレーションした結果を図５（ａ）に示す。また、パターン５２に対するフォト後のシミュレーション結果を図５（ｂ）に示す。図５（ａ）及び図５（ｂ）において、縦軸は、パターン５１，５２のフォト後のシミュレーション結果（配線幅）である。図５（ａ）及び図５（ｂ）において、横軸は、パターン５１，５２における設計値からの減少率である。つまり、「０％」は、配線幅Ｗ１を設計値と等しい値としたときのシミュレーション結果を示し、「−５０％」は、配線幅Ｗ１，Ｗ２を設計値より５０％減少させた値としたときのシミュレーション結果を示す。
【００４０】
コーナー部近傍の部分では、図５（ａ）に示すように、描画データの配線幅を設計値から５０％減少させた場合に断線が発生する。一方、コーナー部から離れた部分では、図５（ｂ）に示すように、描画データの配線幅を設計値から３０％減少させた場合に断線が発生する。つまり、コーナー部から離れた部分では、コーナー部近傍の部分と比べ、配線幅の変動の許容範囲が狭いことになる。言い換えれば、コーナー部から離れた部分の配線幅と、コーナー部近傍の部分の配線幅が互いに等しく、コーナー部から離れた部分をエラーと反転した場合であっても、コーナー部近傍の部分では、実際に形成されるパターンの配線幅が設計基準を満足する場合がある。
【００４１】
このため、コーナー部近傍の部分を判定するための閾値（補正最小線幅）を、コーナー部から離れた部分を判定するための閾値（最小線幅）よりも小さく設定する。これにより、コーナー部近傍の部分について発生するエラーのうち、実際に形成されるパターンでは問題とならないエラー（疑似エラー）を除くことが可能となる。
【００４２】
次に、抽出範囲について説明する。
図６に示すように、コーナー部を有するパターン６０は、コーナー部の一点、例えばコーナー部の内側角部を基準点Ｏ１とし、この基準点Ｏ１から、各パターンの延びる方向に沿って設定される範囲（図６において、２つの破線により挟まれた領域）を抽出範囲とする。この抽出範囲は、基準点Ｏ１からの距離Ｌ１により規定される。
【００４３】
このパターン６０に対するフォト後のシミュレーション結果を図７に示す。この図７において、縦軸はフォト後のシミュレーション値（配線幅）であり、横軸は、基準点Ｏ１からの距離である。コーナー部から離れるほど、シミュレーション値が小さくなる、つまり実際に形成されるパターンが細くなり、距離によっては断線する。
【００４４】
このため、フォト後のシミュレーション値が設計基準を満足する範囲に応じて、上記の抽出範囲とする。そして、この抽出範囲に含まれるパターンに対するシミュレーション値に基づいて、この抽出範囲に含まれるパターンに対する補正最小線幅を設定する。
【００４５】
上記の抽出範囲に対する補正最小線幅は、パターンに含まれるコーナー部の状態に応じて設定される。
例えば、図８に示すように、パターン７０は、２つのコーナー部に挟まれたパターン７１と、そのパターン７１の端部（図において上下両端）から同じ方向（図において左方向）にそれぞれ延びるパターン７２，７３を含む。このパターン７０は、所謂コ字状のパターンと呼ばれる。パターン７１は、２つのコーナー部に対する基準点Ｏ１，Ｏ２からそれぞれ長さＬ１により設定される抽出範囲が重ならない、つまり、パターン７１において基準点Ｏ１，Ｏ２間の長さが、抽出範囲を設定する長さＬ１の２倍の値よりも長い。このようなパターン７１の場合、抽出範囲のパターンは、それぞれに対応するコーナー部における丸まり（ラウンディング）の影響を受ける。つまり、基準点Ｏ１と長さＬ１により規定される抽出範囲に含まれるパターンは、基準点Ｏ１を設定したコーナー部による影響を受ける。一方、基準点Ｏ２と長さＬ１により規定される抽出範囲に含まれるパターンは、基準点Ｏ２を設定したコーナー部による影響を受ける。
【００４６】
一方、２つのコーナー部に対する抽出範囲が部分的に重なる場合がある。例えば、図９に示すように、パターン８０は、図８に示すパターン７０と同様に、２つのコーナー部に挟まれたパターン８１と、そのパターン８１の端部（図において上下両端）から同じ方向（図において左方向）にそれぞれ伸びるパターン８２，８３を服務。パターン８１の長さは、２つのコーナー部に対する基準点Ｏ１，Ｏ２間の長さ（パターンを形成する軸（例えばＹ軸）方向の距離）が、抽出範囲を設定する長さＬ１の２倍の値よりも短い。このような場合、パターン８１により基板上に形成されるパターンの幅は、２つのコーナー部における丸まり（ラウンディング）の影響を受ける。つまり、基準点Ｏ１と長さＬ１により規定される抽出範囲に含まれるパターンは、基準点Ｏ１を設定したコーナー部による影響とともに、基準点Ｏ２を設定したコーナー部による影響を受ける。一方、基準点Ｏ２と長さＬ１により規定される抽出範囲に含まれるパターンは、基準点Ｏ２を設定したコーナー部による影響を受けるとともに、基準点Ｏ１を設定したコーナー部による影響を受ける。
【００４７】
パターン８１に対するフォト後のシミュレーション結果を図１０に示す。この図１０において、縦軸及び横軸は、図７と同様である。図１０に示すシミュレーション結果と図７に示すシミュレーション結果を比較した場合、図１０の方が、基準点から同じ距離に対する配線幅が広くなっている。また、断線するときの基準点からの長さ（距離）が長くなっている。
【００４８】
従って、図８に示すように、抽出範囲が重ならない場合と比べ、図９に示すように、抽出範囲が重なる場合には、その抽出範囲に含まれるパターンに対する補正最小線幅（第２の補正最小線幅）を、図８のパターン７１に対する補正最小線幅（第１の補正最小線幅）よりも小さな値に設定することができる。更に、抽出範囲が重なる領域（図９において長さＬ２にて示す領域）については、重ならない領域（長さＬ１にて設定される領域から長さＬ２にて設定される領域を除いた領域）と比べ、更に小さな補正最小線幅を設定することができる。このように検証に用いる線幅を設定することにより、更に擬似エラーを減少させることができ、エラーを確認する作業に要する時間を短縮することができる。
【００４９】
このように、図１０に示す特性は、図９において、パターン８１に接続されたパターン８２，８３の方向に影響されない。つまり、図１１に示すように、パターン９０は、２つのコーナー部に挟まれたパターン９１と、パターン９１の両端（図１１において上下両端）から互いに異なる方向に沿って延びるパターン９２，９３を含む。このパターン９０は、所謂クランク状のパターンと呼ばれる。
【００５０】
パターン９１に対するフォト後のシミュレーション結果を図１２に示す。この図１２において、縦軸及び横軸は、図１０と同様である。図１２に示すシミュレーション結果は、図１０に示すそれと同じである。従って、このようなパターン９１に対して、図９に示すパターン８１と同様に、それぞれの領域に応じて補正最小線幅が設定される。このように検証に用いる線幅を設定することにより、更に擬似エラーを減少させることができ、エラーを確認する作業に要する時間を短縮することができる。
【００５１】
次に、上記のように構成された設計装置１１による検証処理を説明する。
今、図１３に示すように、描画データに含まれるパターン１００は、補正パターンにより凹部１０１，１０２が形成されたパターン１０３，１０４における配線幅Ｗ３，Ｗ４において、検証エラーが発生している。
【００５２】
図１に示す設計装置１１は、パターンのコーナー部における基準点から長さにより設定される抽出範囲のエラーを抽出する。図１３のパターン１００の場合、設計装置１１は、図３に示すステップ３５において、パターン１０３（凹部１０１）に対するエラーを抽出し、パターン１０４（凹部１０２）に対応するエラーを抽出しない。次に、設計装置１１は、抽出したエラーに対する配線幅Ｗ３と、この抽出範囲に対して設定された補正最小線幅と比較する。例えば、線幅Ｗ３が補正最小線幅以上とすると、設計装置１１は、このパターン１０３に対応するエラーを擬似エラーと設定する。
【００５３】
上記処理により、エラーを確認するとき（図３のステップ３８）には、パターン１０４に対応するエラーのみが示される。従って、内容確認処理に対して示されるエラーの数が減少する。図１３に示すパターン１００の場合は、２つのエラーに対して１つのみが内容確認処理において示される。同様のエラーが半導体チップに含まれる他のパターンについて生じているとすれば、１つの半導体チップの描画データに対して示されるエラーの数が、大きく減少することとなる。また、１つのパターンに発生するすべてのエラーが擬似エラーとして設定される場合もある。この結果、確認が必要なエラーの数が少なくなり、確認に要する時間を減少させることができる。
【００５４】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）設計装置１１は、補正パターンにより生じるエラーのうち、コーナー部の丸まりの影響を受ける箇所のエラーについては、コーナー部のエラー抽出処理（ステップ３５）と検証処理（ステップ３６）において、その妥当性を検証する。そして、設計装置１１は、補正パターンによるエラーのうち、コーナー部の丸まりによりマスク上又は基板上において問題とならない（線幅が規定以上となる）箇所のエラーは、疑似エラーと判定する。一方、設計装置１１は、コーナー部において、マスク上又は基板上において問題となる（線幅が規定未満となる）箇所のエラーは、真性エラーと判定する。
【００５５】
従って、補正パターンによる疑似エラーは、内容確認処理（ステップ３８）において表示されない。つまり、作業者にとっては、疑似エラーが大きく減少することとなる。つまり、確認すべきエラー（真性エラー）の数を、従来に比べて大幅に減少させることができる。従って、そのエラーを確認する作業に要する時間を短縮することができ、ひいては設計時間の短縮を図ることができる。
【００５６】
（２）両端のコーナー部に対する抽出範囲が部分的に重なるパターン８１，９１の場合、それぞれの抽出範囲に含まれるパターンは、両端のコーナー部の丸まりの影響を受ける。このため、抽出範囲に含まれるパターンに対する補正最小線幅（第２の補正最小線幅）を、抽出範囲が重ならない場合の補正最小線幅（第１の補正最小線幅）よりも小さな値に設定することができる。このように検証に用いる線幅を設定することにより、更に擬似エラーを減少させることができ、エラーを確認する作業に要する時間を短縮することができる。
【００５７】
尚、上記実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・図１に示す設計装置１１が実行する処理の流れは、図３に示す流れに限定されず、適宜変更されてもよい。たとえば、図１４に示すフローチャートに従って実行されてもよい。図１４に示すステップ１１１，１１２にかかる処理は、図３に示すステップ３１，３２の処理と同じである。ステップ１１３において、設計装置１１は、描画データ２６に含まれるパターンの線幅を順次抽出し、その線幅がコーナー部に対応するものか否かを判定する。この判定には、テーブル２４に含まれる抽出範囲が用いられる。つまり、設計装置１１は、線幅を抽出した箇所が抽出範囲に含まれるか否かを判定する。そして、設計装置１１は、抽出範囲に含まれない場合（ＮＯ）にステップ１１４に移行し、抽出範囲に含まれる場合（ＹＥＳ）にステップ１１５に移行する。
【００５８】
ステップ１１４（第１の検証工程）において、設計装置１１は、図３に示すステップ３３における補正チェックと同様に、コーナー部に対応しない配線幅（抽出範囲に含まれない箇所の配線幅）を最小線幅と比較し、その比較結果に応じてエラーか否かを判定する。そして、エラーと判定した配線幅に関する情報を一時的なファイルに格納する。そして、抽出範囲に含まれない配線幅の全てについて補正チェックを行うと、設計装置１１はステップ１１６に移行する。
【００５９】
一方、ステップ１１５（第２の検証工程）において、設計装置１１は、図３に示すステップ３６における検証処理と同様に、コーナー部に対応する配線幅（抽出範囲に含まれる箇所の配線幅）を補正最小線幅と比較し、その比較結果に応じてエラーか否かを判定する。そして、エラーと判定した配線幅に関する情報（配線幅を測定したパターンの座標値等）を一時的なファイルに格納する。このときのファイルは、ステップ１１４におけるファイルと同一のもの、または異なるものとする。そして、抽出範囲に含まれる配線幅の全てに対して補正チェックを行うと、設計装置１１はステップ１１６に移行する。
【００６０】
ステップ１１６とステップ１１７にかかる処理は、図３に示すステップ３７とステップ３８の処理とそれぞれ同じである。
このように処理を行うことにより、抽出範囲に含まれる箇所の配線幅に対するチェックの回数が１回となるため、配線幅のチェックに要する時間を短縮することができ、ひいては設計時間の短縮を図ることができる。
【００６１】
・上記各形態において、補正チェック（検証処理）の対象は、補正パターンにより線幅が変更されたパターンを含むデータであればよく、描画データ２６に限定されない。つまり、図３，図１４に示す中間データ２５を用いて補正チェックを行うようにしてもよい。この中間データ２５には、回路パターンと補正パターンとを合成し、例えば図２（ｃ）に示す描画用パターン４７が含まれる。このような描画用パターン４７に対して補正チェック（検証処理）を行うことで、上記形態と同様の効果を奏する。
【００６２】
・上記各形態において、抽出範囲を設定する基準点を、コーナー部の内側角部に設定したが、その他の箇所を基準点として設定しても良い。例えば、図１５に示すように、コーナー部の外側角部に基準点Ｏ１１を設定しても良い。また、コーナー部の外側角部と内側角部との間の点、例えば中点に基準点Ｏ１２を設定しても良い。なお、各基準点Ｏ１，Ｏ１１，Ｏ１２の設定において、設計データ２１を参照して設定しても良い。つまり、設計データ２１に含まれるパターンの座標値を読み込み、その座標値に従って基準点を設定することができる。
【００６３】
・複数の設計装置を用い、各設計装置に割り当てた処理を実行させるようにしてもよい。
例えば、第１の設計装置にてステップ３１，３２の処理を行い、第１の装置と異なる第２の設計装置にてステップ３３〜３７の処理を行う。
【００６４】
第１の設計装置は、図３に示す作成基準２２に従って、設計データ２１の回路パターンに対応する補正パターンを作成し、描画データ２６を作成する。そして、第１の設計装置により生成した描画データ２６を、光ファイバ等の通信媒体や、磁気ディスク等の記憶媒体を用いて、第１の設計装置から第２設計の装置に供給する。第２の設計装置は、テーブル２３，２４の最小線幅，補正最小線幅に従って、描画データ２６に含まれる描画用パターンに対する検証処理を実行する。
【００６５】
つまり、第２の装置に、設計データ２１や中間データ２５を記憶する必要が無いため、データを転送する媒体にかかる負荷を低減することができる。また、第２の装置において、設計データ２１や中間データ２５を記憶する必要が無いため、記憶装置等のリソースが少ない装置であっても、描画データ２６に対するチェック処理を行うことができる。
【００６６】
また、複数の設計装置を用い、描画データを分割する、描画データに対し、半導体装置を分割した範囲を検証範囲として各設計装置に設定する。このようにすることで、記憶装置等のリソースが少ない装置であっても、描画データ２６に対する検証処理を行うことができる。また、個々の設計装置に処理を分担させることで、チェックに要する時間を短縮することができる。
【００６７】
・上記各形態では、テーブル２４に最小線幅から補正パターンに応じた値を減じた値を格納した。これに対し、テーブル２４に含まれる値は、テーブル２３に含まれる値に対する係数であってもよい。例えば、最小線幅から補正パターンの形状に応じた値を減じた値を算出するように設定された係数（例えば、［０．９］）とする。このようにしても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６８】
上記各形態に関し、以下の付記を開示する。
（付記１）
設計装置が実行する設計方法であって、
設計データに含まれる第１のパターンの光学的近接効果に対する補正パターンを生成し、前記第１のパターンと前記補正パターンとに応じた第２のパターンを生成する作成工程と、
前記第２のパターンの形状を検証する検証工程と、を含み、
前記検証工程は、
前記第１のパターンの配線幅に応じて設定された最小線幅を用いて前記第２のパターンの形状を検証する第１の検証工程と、
前記第２のパターンのうち、前記第１のパターンのコーナー部に応じて設定された抽出範囲に含まれるパターンの形状を、前記コーナー部に応じて設定された補正最小線幅を用いて検証する第２の検証工程と、
を含むことを特徴とする設計方法。
（付記２）
前記抽出範囲は、前記コーナー部に対応して基板上に形成されるパターンの形状に応じて設定される、ことを特徴とする付記１記載の設計方法。
（付記３）
両端にコーナー部が形成されたパターンについて、両端のコーナー部に応じてそれぞれ設定された前記抽出範囲の少なくとも一部が重なる場合に、前記補正最小線幅よりも小さな値を用いて検証を実施する、ことを特徴とする付記１または２記載の設計方法。
（付記４）
前記検証工程において、
前記第１の検証工程を実施し、その実施結果においてエラーの有無を判定し、エラーがある場合にコーナー部に対応して設定された抽出範囲に含まれるエラーを抽出し、抽出したエラーのパターンに対して前記第２の検証工程を実施する、ことを特徴とする付記１〜３のうちの何れか一項に記載の設計方法。
（付記５）
前記検証工程において、
検証する配線幅がコーナー部に応じて設定された抽出範囲に含まれるパターンの配線幅に対して第２の検証工程を実施し、前記抽出範囲に含まれないパターンの配線幅に対して前記第１の検証工程を実施する、ことを特徴とする付記１〜３のうちの何れか一項に記載の設計方法。
（付記６）
前記抽出範囲は、コーナー部に対して設定される基準点と、その基準点からの長さにより設定される、ことを特徴とする付記１〜５のうちの何れか一項に記載の設計方法。
（付記７）
前記基準点は、前記コーナー部の内側角部、前記コーナー部の外側角部、前記内側角部と前記外側角部とを結ぶ線分上の点、のうちの何れか１つに設定される、ことを特徴とする付記６記載の設計方法。
（付記８）
前記基準点は、前記第２のパターンに対して、前記設計データに含まれる第１のパターンに基づいて設定される、ことを特徴とする付記６または７記載の設計方法。
（付記９）
前記第２のパターンは、前記第１のパターンを前記補正パターンにて補正した描画用パターンである、付記１〜８のうちの何れか一項に記載の設計方法。（中間データに対応）
（付記１０）
前記第２のパターンは、前記第１のパターンを前記補正パターンにて補正したパターンを露光するために変換した描画パターンである、付記１〜８のうちの何れか一項に記載の設計方法。
（付記１１）
設計データに含まれる第１のパターンの光学的近接効果に対する補正パターンを生成し、前記第１のパターンと前記補正パターンとに応じた第２のパターンを生成する作成処理と、
前記第２のパターンの形状を検証する検証処理と、を実行し、
前記検証処理において、
前記第１のパターンの配線幅に応じて設定された最小線幅を用いて前記第２のパターンの形状を検証する第１の検証処理と、
前記第２のパターンのうち、前記第１のパターンのコーナー部に応じて設定された抽出範囲に含まれるパターンの形状を、前記コーナー部に応じて設定された補正最小線幅を用いて検証する第２の検証処理と、
を実行することを特徴とする設計装置。
（付記１２）
設計装置が実行するプログラムであって、
設計データに含まれる第１のパターンの光学的近接効果に対する補正パターンを生成し、前記第１のパターンと前記補正パターンとに応じた第２のパターンを生成する作成ステップと、
前記第２のパターンの形状を検証する検証ステップと、を含み、
前記検証ステップは、
前記第１のパターンの配線幅に応じて設定された最小線幅を用いて前記第２のパターンの形状を検証する第１の検証ステップと、
前記第２のパターンのうち、前記第１のパターンのコーナー部に応じて設定された抽出範囲に含まれるパターンの形状を、前記コーナー部に応じて設定された補正最小線幅を用いて検証する第２の検証ステップと、
を含むことを特徴とするプログラム。
【符号の説明】
【００６９】
２１  設計データ
２６  描画データ
３３  補正チェック処理
３５  エラー抽出処理
３６  検証処理
４０  パターン（第１のパターン）
４１〜４６  補正パターン
４７  描画用パターン（第２のパターン）
７０，８０，９０  パターン
７１，８１，９１  パターン
Ｏ１，Ｏ２  基準点
Ｌ１，Ｌ２  長さ
Ｗ１〜Ｗ４  線幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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