(57)【要約】【課題】複数色を用いたカラー表示に際し、良好な色純度を確保することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、駆動基板１０上に、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを有し、各画素は、下部電極１１と上部電極１６との間に、有機積層膜１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを有する。有機積層膜１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、２以上の有機発光層と、それ以外の他の有機層とを含み、他の有機層の層構造が画素毎に異なっている。画素１０Ｇ，１０Ｂには、緑用電子ブロック層１５Ｇ，青用電子ブロック層１５Ｂを配置される。成膜プロセスにおいて、ある色の発光材料が所望の画素以外の画素に付着してしまった場合にも、それによる色光の混色が抑制される。緑用電子ブロック層１５Ｇ，青用電子ブロック層１５Ｂを用いることで、各色の有機発光材料の成膜順序や成膜箇所を適切に設定することができ、各画素から所望の色光を取り出し易くなる。【選択図】図１
2012114073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、互いに異なる色光を発する複数種類の画素を有し、
各画素は、
１または２以上の有機発光層と、前記有機発光層以外の他の有機層とを含み、前記他の有機層の層構造が前記画素の種類毎に異なる有機積層膜と、
前記有機積層膜を挟み込む第１電極および第２電極と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記複数種類の画素間の選択的な領域に突状部材が配設されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数種類の画素は、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素および青（Ｂ）画素であり、
前記有機積層膜として、
前記赤画素は、赤色発光層および青色発光層を少なくとも含み、
前記緑画素は、赤色発光層、緑色発光層および青色発光層と、緑用キャリアブロック層とを少なくとも含み、
前記青画素は、赤色発光層および青色発光層と、青用キャリアブロック層とを少なくとも含む
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記基板側から順に、
前記画素毎に配設された前記第１電極と、
前記赤画素、前記緑画素および前記青画素に共通して設けられた赤色発光層と、
前記緑画素に選択的に配置された緑用キャリアブロック層および緑色発光層と、
前記青画素に選択的に配置された青用キャリアブロック層と、
前記赤画素、前記緑画素および前記青画素に共通して設けられた青色発光層と、
前記赤画素、前記緑画素および前記青画素に共通して設けられた第２電極と
を備えた請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数種類の画素は、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素および青（Ｂ）画素であり、
前記有機積層膜として、
前記赤画素は、赤色発光層、緑色発光層および青色発光層を少なくとも含み、
前記緑画素は、赤色発光層、緑色発光層および青色発光層と、緑用キャリアブロック層とを少なくとも含み、
前記青画素は、赤色発光層、緑色発光層および青色発光層と、青用キャリアブロック層とを少なくとも含む
請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記基板側から順に、
前記画素毎に配設された前記第１電極と、
前記赤画素、前記緑画素および前記青画素に共通して設けられた赤色発光層と、
前記緑画素に選択的に配置された緑用キャリアブロック層と、
前記赤画素、前記緑画素および前記青画素に共通して設けられた緑色発光層と、
前記青画素に選択的に配置された青用キャリアブロック層と、
前記赤画素、前記緑画素および前記青画素に共通して設けられた青色発光層と、
前記赤画素、前記緑画素および前記青画素に共通して設けられた第２電極と
を備えた請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記赤画素、前記緑画素および前記青画素はそれぞれ、前記第１電極および前記第２電
極と前記有機積層膜とによる光共振器構造を有し、
前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のうちの選択的な画素に、前記有機積層膜の一部として膜厚調整層が設けられている
請求項３に記載の表示装置。
【請求項８】
前記基板側から順に、
前記画素毎に配設された前記第１電極と、
前記緑画素に選択的に配置された緑用膜厚調整層および前記青画素に選択的に配置された青用膜厚調整層と、
前記赤画素、前記緑画素および前記青画素に共通して設けられた赤色発光層と、
前記緑画素に選択的に配置された緑用キャリアブロック層および緑色発光層と、
前記青画素に選択的に配置された青用キャリアブロック層と、
前記赤画素、前記緑画素および前記青画素に共通して設けられた青色発光層と、
前記赤画素、前記緑画素および前記青画素に共通して設けられた第２電極と
を備えた請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記緑用キャリアブロック層および前記青用キャリアブロック層は、正孔輸送材料から構成されている
請求項３に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記緑用膜厚調整層および前記青用膜厚調整層は、正孔輸送材料から構成されている
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記基板側から順に、
前記画素毎に配設された前記第１電極と、
前記緑画素に選択的に配置された緑用正孔輸送層および緑色発光層と、
前記赤画素に選択的に配置された赤用正孔輸送層および赤色発光層と、
前記赤画素、前記緑画素および前記青画素に共通して設けられた青色発光層と、
前記赤画素、前記緑画素および前記青画素に共通して設けられた第２電極と
を備え、
前記緑色発光層および赤色発光層の膜厚が、前記青色発光層よりも薄く形成されている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記基板が絶縁膜によって平坦化された駆動基板であると共に、前記第１電極が前記画素毎に配設され、
前記第１電極の表面が前記絶縁膜の表面と同一面をなすように設けられるか、または、
前記有機層よりも下層に設けられると共に前記第１電極を含む下地層の厚みが前記突状部材へ近づくに従って段階的に大きくなるように構成されている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１３】
基板上に互いに異なる色光を発する複数種類の画素を形成する際に、
各画素領域において、
基板上に第１電極を形成する工程と、
１または２以上の有機発光層と、前記有機発光層以外の他の有機層とを含み、前記他の有機層の層構造が前記画素の種類毎に異なる有機積層膜を形成する工程と、
前記有機積層膜を形成した後、第２電極を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記基板上の複数種類の画素間の選択的な領域に突状部材を形成し、
前記突状部材を利用した斜方蒸着により、前記有機積層膜の少なくとも一部を形成する
請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記有機積層膜を形成する工程では、
赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素および青（Ｂ）画素の全面に渡って赤色発光層を形成するステップと、
前記赤色発光層を形成した後、前記緑画素に緑用キャリアブロック層を斜方蒸着により形成するステップと、
前記緑用キャリアブロック層上に緑色発光層を斜方蒸着により形成するステップと、
前記緑色発光層を形成した後、前記青画素に選択的に青用キャリアブロック層を斜方蒸着により形成するステップと、
前記青用キャリアブロック層を形成した後、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素の全面に渡って青色発光層を形成するステップと
を含む請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記有機積層膜を形成する工程では、
赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素および青（Ｂ）画素の全面に渡って赤色発光層を形成するステップと、
前記赤色発光層を形成した後、前記緑画素に緑用キャリアブロック層を斜方蒸着により形成するステップと、
前記緑用キャリアブロック層を形成した後、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素の全面に渡って緑色発光層を形成するステップと、
前記緑色発光層を形成した後、前記青画素に選択的に青用キャリアブロック層を斜方蒸着により形成するステップと、
前記青用キャリアブロック層を形成した後、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素の全面に渡って青色発光層を形成するステップと
を含む請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記有機積層膜を形成する工程では、
前記赤色発光層を形成するステップの前に、
前記緑画素に緑用膜厚調整層を斜方蒸着により形成するステップと、
前記青画素に青用膜厚調整層を斜方蒸着により形成するステップと
を含む請求項１５または１６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記有機積層膜を形成する工程では、
緑（Ｇ）画素に緑用正孔輸送層を斜方蒸着により形成するステップと、
前記緑用正孔輸送層上に緑色発光層を形成するステップと、
赤（Ｒ）画素に赤用正孔輸送層を斜方蒸着により形成するステップと、
前記赤用正孔輸送層上に赤色発光層を形成するステップと、
前記緑色発光層および前期赤色発光層を形成した後、前記赤画素、前記緑画素および青（Ｂ）画素の全面に渡って青色発光層を形成するステップとを含み、
前記緑色発光層および赤色発光層の膜厚を、前記青色発光層よりも薄く形成する
請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記緑色発光層を形成するステップの後、前記赤色正孔輸送層を形成するステップおよび前記赤色発光層を形成するステップを行う
請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
基板上に、互いに異なる色光を発する複数種類の画素を有し、
前記複数種類の画素はそれぞれ、
１または２以上の有機発光層と、前記有機発光層以外の他の有機層とを含み、前記他の有機層の層構造が前記画素の種類毎に異なる有機積層膜と、
前記有機積層膜を挟み込む第１電極および第２電極と
を有する表示装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カラー表示を行う有機ＥＬ素子を用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electroluminescence：以下、ＥＬと略称する
）を利用した有機ＥＬ表示装置では、一対の電極間に正孔輸送層や発光層を含む有機層を有する有機ＥＬ素子が表示画素として用いられている。有機ＥＬ素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子は、応答速度が１マイクロ秒以下であることから、有機ＥＬ表示装置において、単純マトリックス方式によるデューティ駆動が可能である。但し、画素数の増加に伴って高デューティ化が進んだ場合、十分な輝度を確保するためには、有機ＥＬ素子に瞬間的に大電流を供給する必要があるため、この単純マトリックス方式では、素子にダメージが生じ易くなる。
【０００４】
一方、アクティブマトリックス駆動方式では、サブピクセル毎に、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）と共に保持容量を形成することで、信号電圧を保持することができる。それ故、１フレームにおける所望の期間中、常に信号電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子に供給することができる。従って、アクティブマトリックス駆動方式では、単純マトリックス方式のように瞬間的に大電流を有機ＥＬ素子に供給する必要がなく、素子に対するダメージを少なくすることができる。尚、１画素は、例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の３種のサブピクセルから構成されており、これによりフルカラーの映像表示を実現できる。
【０００５】
ところで、このようなフルカラーの有機ＥＬ表示装置を製造するためには、サブピクセル毎に各色の発光層を塗り分ける必要があり、様々な手法が試みられている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１では、基板上に突部をパターン配置し、斜方から真空蒸着（以下、斜方蒸着という）を行うことにより、各色発光層の塗り分けを行っている。具体的には、突部を画素間の選択的な領域に配置して、成膜する有機材料毎に適宜角度を変えて斜方蒸着を行うことにより、突部を塗り分け用のマスクとして利用している。この際、まず、赤色サブピクセルに赤色発光層、緑色サブピクセルに緑色発光層をそれぞれ斜方蒸着により選択的に形成した後、青色発光層については、全サブピクセルにわたって成膜する。尚、この他にも、金属製の蒸着マスクを一時的にアライメントして、発光層をパターン形成する方法や、印刷やインクジェット方式によるものもある。あるいは、白色発光の有機ＥＬ素子とカラーフィルタとを組み合わせて用いる手法等もあり、フルカラーの映像表示を実現するために様々な手法が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３３６９６１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に記載の手法では、突部をマスクとして赤色発光材料を蒸着する際に、その赤色発光材料を、他のサブピクセル、例えば青色サブピクセルに全く付着させないようにすることは困難である。換言すると、真空中での分子の運動方向の変化や蒸着装置の壁面における反射等により、実際には、青色サブピクセルに付着する赤色
発光分子が存在する。ここで、赤色の発光のエネルギーは青色に比べて低いため、赤色発光分子が青色サブピクセルに付着すると、その付着量が微量であっても青色発光分子の励起エネルギーが速やかにエネルギー移動し、青色サブピクセルから赤色の発光が生じてしまう。このような発光光の混色は、色純度を低下させ、表示品位の低下を招く。また、近年では、表示装置の応用範囲が多岐にわたり、画素の微細化に対する要求も高まっており、上記のような色光の混色を抑制して、色純度の低下を防ぐことが望まれている。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、カラー表示に際し、良好な色純度を確保することが可能な表示装置および表示装置の製造方法、ならびに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の表示装置は、基板上に、互いに異なる色光を発する複数種類の画素を有し、各画素は、１または２以上の有機発光層と、その有機発光層以外の他の有機層とを含み、他の有機層の層構造が画素の種類毎に異なる有機積層膜と、有機積層膜を挟み込む第１電極および第２電極とを備えたものである。
【００１０】
本発明の表示装置の製造方法は、基板上に互いに異なる色光を発する複数種類の画素を形成する際に、各画素領域において、基板上に第１電極を形成する工程と、１または２以上の有機発光層と、その有機発光層以外の他の有機層とを含み、有機層の層構造が画素の種類毎に異なる有機積層膜を形成する工程と、有機積層膜を形成した後、第２電極を形成する工程とを含むものである。
【００１１】
本発明の表示装置の製造方法では、第１電極と第２電極との間に有機積層膜を設け、その有機積層膜が、１または２以上の有機発光層とそれ以外の他の有機層とを含み、他の有機層における層構造（即ち、他の有機層の層数や種類、厚み等）が、画素の種類毎に異なるようにする。例えば、選択的な画素に対し、有機材料よりなるキャリアブロック層を配置するようにする。これにより、成膜プロセスにおいて、ある色の有機発光材料が所望の画素以外の画素に付着してしまった場合であっても、その付着による色光の混色が抑制される。換言すると、そのようなキャリアブロック層を用いることで、各色の有機発光材料の成膜順序や成膜箇所を適切に設定することができ、各画素から所望の色光を取り出し易くなる。
【００１２】
本発明の表示装置では、第１電極および第２電極間に設けられた有機積層膜が、１または２以上の有機発光層とそれ以外の他の有機層とを含み、他の有機層における層構造（即ち、他の有機層の層数や種類、厚み等）が、画素の種類毎に異なっている。例えば、選択的な画素において、有機材料よりなるキャリアブロック層が配置されている。これにより、各画素に自己の色光とは異なる色の有機発光材料が付着している場合であっても、その付着による色光の混色が抑制される。
【００１３】
本発明の電子機器は、上記本発明の表示装置を備えたものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の表示装置および表示装置の製造方法によれば、第１電極と第２電極との間に設けられる有機積層膜が、１または２以上の有機発光層とそれ以外の他の有機層とを含み、他の有機層における層構造が、画素の種類毎に異なっている。例えば、選択的な画素において、有機材料よりなるキャリアブロック層を配置する。これにより、各画素において、色光の混色を抑制することができる。よって、複数色を用いたカラー表示に際し、良好な色純度を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の断面構造を表すものである。
【図２】図１に示したＲ，Ｇ，Ｂ３種の有機ＥＬ素子における各有機積層膜の概略構成を表す断面図である。
【図３】図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す図である。
【図４】図３に続く工程を表す図である。
【図５】図４に続く工程を表す図である。
【図６】図５に続く工程を表す図である。
【図７】図６に続く工程を表す図である。
【図８】比較例に係る表示装置の構成および製造方法について説明するための断面図である。
【図９】比較例に係る表示装置における各色光の発光強度を表す特性図である。
【図１０】図１に示した表示装置における各色光の発光強度を表す特性図である。
【図１１】変形例１に係る表示装置の断面構造を表すものである。
【図１２】図１１に示したＲ，Ｇ，Ｂ３種の有機ＥＬ素子における各有機積層膜の概略構成を表す断面図である。
【図１３】図１１に示した表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１４】図１３に続く工程を表す図である。
【図１５】図１４に続く工程を表す図である。
【図１６】図１１に示した表示装置における各色光の発光強度を表す特性図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の断面構造を表すものである。
【図１８】図１７に示したＲ，Ｇ，Ｂ３種の有機ＥＬ素子における各有機積層膜の概略構成を表す断面図である。
【図１９】図１７に示した表示装置の製造方法を工程順に表す図である。
【図２０】図１９に続く工程を表す図である。
【図２１】図２０に続く工程を表す図である。
【図２２】図２１に続く工程を表す図である。
【図２３】図２２に続く工程を表す図である。
【図２４】図１７に示した表示装置における各色光の発光強度を表す特性図である。
【図２５】変形例２に係る表示装置の断面構造を表すものである。
【図２６】図２５に示したＲ，Ｇ，Ｂ３種の有機ＥＬ素子における各有機積層膜の概略構成を表す断面図である。
【図２７】図２５に示した表示装置における各色光の発光強度を表す特性図である。
【図２８】本発明の第３の実施の形態に係る表示装置の断面構造を表すものである。
【図２９】図２８に示したＲ，Ｇ，Ｂ３種の有機ＥＬ素子における各有機積層膜の概略構成を表す断面図である。
【図３０】図２８に示した表示装置の製造方法を工程順に表す図である。
【図３１】図３０に続く工程を表す図である。
【図３２】図３１に続く工程を表す図である。
【図３３】本発明の第４の実施の形態に係る表示装置（斜方蒸着前の基板構造）の構造を表す断面図である。
【図３４】比較例に係る基板構造を表す断面図である。
【図３５】図３３に示した基板構造における効果を説明するための図である。
【図３６】変形例３に係る基板構造を表す断面図である。
【図３７】図３６に示した基板構造における効果を説明するための図である。
【図３８】変形例４に係る基板構造を表す断面図である。
【図３９】その他の変形例に係る基板構造を表す断面図である。
【図４０】各実施の形態に係る表示装置の周辺回路を含む全体構成を表す図である。
【図４１】図４０に示した画素の回路構成を表す図である。
【図４２】図４０に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図４３】適用例１の外観を表す斜視図である。
【図４４】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図４５】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図４６】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図４７】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（緑用電子ブロック層，青用電子ブロック層を用いた例）
２．変形例１（１．において緑色発光層をＲ，Ｇ，Ｂ共通層とした例）
３．第２の実施の形態（緑用膜厚調整層，青用膜厚調整層を用いた例）
４．変形例２（３．において緑色発光層をＲ，Ｇ，Ｂ共通層とした例）
５．第３の実施の形態（赤色発光層，緑色発光層を薄膜化した例）
６．第４の実施の形態（斜め蒸着時におけるケラレ抑制構造を付加した例）
７．変形例３（６．においてリーク防止絶縁膜を設けた例）
８．変形例４（６．ケラレ抑制構造の他の例）
９．適用例（電子機器の例）
【００１７】
＜第１の実施の形態＞
［表示装置１の全体構成］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置１の断面構造を表すものである。表示装置１は、例えばアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置であり、また、後述の上部電極１６の側から光が取り出される上面発光型である。この表示装置１は、駆動基板１０上に、マトリクス状に配列する３種類の画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを有する。これらの画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、Ｒ，Ｇ，Ｂのサブピクセルに対応するものであり、それぞれが有機ＥＬ素子よりなる。即ち、画素１０Ｒは、赤色光を発する赤色有機ＥＬ素子、画素１０Ｇは、緑色光を発する緑色有機ＥＬ素子、画素１０Ｂは、青色光を発する青色有機ＥＬ素子からそれぞれなる。
【００１８】
これらの画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば、駆動基板１０の側から順に、下部電極１１、有機積層膜（１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）および上部電極１６をこの順に有している。
【００１９】
駆動基板１０は、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの駆動回路を含む基板であり、画素毎にＴＦＴが配設されている。駆動基板１０の表面は、平坦化膜で覆われており、この平坦化膜に設けられた開口を介して、各ＴＦＴと下部電極１１とが電気的に接続されている。
【００２０】
下部電極１１は、例えば各有機発光層に正孔を注入するアノード電極として機能するものである。この下部電極１１は、本実施の形態のような上面発光型の表示装置では、反射電極としても機能するため、できるだけ高い反射率を有していることが発光効率を高める上で望ましい。例えば、下部電極１１の構成材料としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム、モリブデン（Ｍｏ）およびクロム（Ｃｒ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。この下部電極１１は、このような金属材料を用いた単層構造でもよいし、複数の層の積層構造であってもよい。また、上記材料よりなる下部電極表面に、更にインジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電膜を設けた構造であってもよい。但し、Ａｌ合金を下部電極１１として用いた場合、高反射率は確保できるものの、表面に酸化皮膜が生じ易いことや、仕事関数が大きくないことに起因して正孔注入障壁が生じ易い。そのため、この場合には、適切な材料よりなる正孔注入層を別途設けることが望ましい。
【００２１】
この下部電極１１は、駆動基板１０上に画素毎に設けられるが、望ましくは本実施の形態のように、駆動基板１０の表面（平坦化膜等の表面）と段差が形成されないように（下部電極１１および駆動基板１０の各表面が同一面をなすように）設けられていることが望ましい。これにより、有機材料を斜方蒸着により成膜する際、ケラレの発生を抑制し、有機材料を所望領域に略均一に蒸着可能となる。よって、電流集中の発生を抑制したり、所望の発光色を得やすくなる。
【００２２】
尚、本実施の形態では、簡便化のため、上述したＴＦＴおよび平坦化膜の図示は省略している。また、この下部電極１１上には、下部電極１１に対向して開口を有する画素間絶縁膜が、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの全面に渡って形成されていてもよい（詳細は後述）。この場合には、画素間絶縁膜の開口部分に、有機積層膜１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂがそれぞれ形成される。
【００２３】
有機積層膜１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂはそれぞれ、赤色発光層１４Ｒ，緑色発光層１４Ｇ，青色発光層１４Ｂのうちの１または２以上の有機発光層と、このような有機発光層以外の他の有機層（例えば正孔輸送層や後述の電子ブロック層）とを積層したものである。詳細は後述するが、これらの有機積層膜１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂでは、有機発光層以外の有機層の構造が互いに異なっている。
【００２４】
上部電極１６は、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通の電極となっており、例えば各有機発光層に電子を注入するカソード電極として機能するものである。この上部電極１６は、本実施の形態のような上面発光型の表示装置では、透明導電材料から構成されている。例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電膜、およびマグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）共蒸着膜、の単層膜あるいはこれらの積層膜が挙げられる。尚、上部電極１６としてＭｇ−Ａｇ共蒸着膜を用い、かつ有機層積層膜１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの総膜厚（総光路長）および各有機発光層と電極との距離を適切に設定することにより、各画素に光共振器構造を形成することができ、発光効率および色純度の向上が可能である（詳細は、第２の実施の形態において後述する）。
【００２５】
これらの画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間の選択的な領域には、リブ１１０が配設されている。ここでは、画素１０Ｒ，１０Ｇ間および画素１０Ｂ，１０Ｒ間の各領域に設けられている。リブ１１０は、詳細は後述するが、成膜プロセスにおいて、各色発光層や電子ブロック層等の塗り分け（パターニング）の際に利用されるシャドーマスクとして機能するものである。このリブ１１０は、例えばフォトレジスト等の感光性樹脂材料により構成されており、画素間ピッチや蒸着角度等の諸条件を考慮して適切な形状（幅，高さ）で形成されている。
【００２６】
上記のような画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上部電極１６側には、全画素を覆うように保護層１７が設けられている。更に、保護膜１７上には、接着層１８により封止基板１９が貼り合わせられている。保護膜１７は、例えばシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜等からなり、接着層１８は、例えばＵＶ硬化樹脂よりなる。封止基板１９には、カラーフィルタや、ブラックマトリクス（いずれも図示せず）等が設けられていてもよい。
【００２７】
（有機積層膜１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの構成）
図２（Ａ）〜（Ｃ）は、有機積層膜１２Ｇ，１２Ｂ，１２Ｒの断面構造を表したものである。このように、有機積層膜１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂはいずれも、下部電極１１の側から順に正孔輸送層１３および赤色発光層１４Ｒを、各画素に共通の層として有している。但し、有機積層膜１２Ｇでは、図２（Ａ）に示したように、赤色発光層１４Ｒ上に、緑用電子ブロック層１５Ｇ、緑色発光層１４Ｇおよび青色発光層１４Ｂがこの順に積層されている。有機積層膜１２Ｂでは、図２（Ｂ）に示したように、赤色発光層１４Ｒ上に、青用電子ブロック層１５Ｂおよび青色発光層１４Ｂがこの順に積層されている。有機積層膜１２Ｒでは、図２（Ｃ）に示したように、赤色発光層１４Ｒ上に青色発光層１４Ｂが積層されている。
【００２８】
このように、有機積層膜１２Ｇ，１２Ｂ，１２Ｒのそれぞれに、異なる色光の発光層が積層されることになるが、有機積層膜１２Ｇの再結合位置Ｄｇは緑色発光層１４Ｇ、有機積層膜１２Ｂの再結合位置Ｄｂは青色発光層１４Ｂ、有機積層膜１２Ｒの再結合位置Ｄｒは赤色発光層１４Ｒにそれぞれ形成されるようになっている。この理由については後述する。
【００２９】
即ち、画素１０Ｇにおける有機積層膜１２Ｇは、発光層として、赤色発光層１４Ｒ，緑色発光層１４Ｇおよび青色発光層１４Ｂを有し、これらの発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１３および緑用電子ブロック層１５Ｇを有している。画素１０Ｂにおける有機積層膜１２Ｂは、発光層として、赤色発光層１４Ｒおよび青色発光層１４Ｂを有し、これらの発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１３および青用電子ブロック層１５Ｇを有している。画素１０Ｒにおける有機積層膜１２Ｒは、発光層として、赤色発光層１４Ｒおよび青色発光層１４Ｂを有し、これらの発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１３を有している。
【００３０】
このように、画素の種類毎に、有機積層膜１２Ｇ，１２Ｂ，１２Ｒの層構造、詳細には有機発光層以外の有機層の層構造が互いに異なっている。即ち、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎に、有機発光層以外の有機層の層数や種類、厚み等が異なっている。
【００３１】
表示装置１全体としては、駆動基板１０上において、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの全面に渡って正孔輸送層１３および赤色発光層１４Ｒがこの順に設けられている。赤色発光層１４Ｒ上では、画素１０Ｇにおいて緑用電子ブロック層１５Ｇおよび緑色発光層１４Ｇがこの順に設けられ、画素１０Ｂにおいて青用電子ブロック層１５Ｂおよび青色発光層１４Ｂがこの順に設けられている。そして、これらを覆うように、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの全面に渡って、青色発光層１４Ｂが設けられている。
【００３２】
正孔輸送層１３は、正孔注入効率を高めるためのものであり、例えばヘキサアザトリフェニレン誘導体（化１）および４，４’−ビス（Ｎ−１−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（α−ＮＰＤ）により構成されている。
【００３３】
【化１】
2012114073.tif 000003
【００３４】
赤色発光層１４Ｒ、緑色発光層１４Ｇおよび青色発光層１４Ｂはそれぞれ、電界をかけることにより、下部電極１１側から注入された正孔の一部と、上部電極１６側から注入された電子の一部とを再結合して、赤色、緑色および青色の色光をそれぞれ発生するものである。これらの各色発光層はそれぞれ、例えばスチリルアミン誘導体、芳香族アミン誘導体、ぺリレン誘導体、クマリン誘導体、ピラン系色素、トリフェニルアミン誘導体等の有機材料を含んで構成されている。
【００３５】
赤色発光層１４Ｒは、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。この赤色発光層１８Ｒは、例えば４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４'−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］
−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を混合したものから構成されている。
【００３６】
緑色発光層１４Ｇは、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。この緑色発光層１８Ｇは、例えば、ＡＤＮやＤＰＶＢｉにクマリン６を混合したものから構成されている。
【００３７】
青色発光層１４Ｂは、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。この青色発光層１８Ｂは、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４'−ビス［２−｛４−（Ｎ
，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を混合したものから構成されている。
【００３８】
緑用電子ブロック層１５Ｇおよび青用電子ブロック層１５Ｂは、例えば上下に積層された異なる色の発光層同士の間において、所定方向への電子の移動を遮蔽する機能を有するものである。これらの緑用電子ブロック層１５Ｇおよび青用電子ブロック層１５Ｂは、例えば上記正孔輸送層１３と同様の正孔輸送材料により構成されている。
【００３９】
例えば、本実施の形態において、緑用電子ブロック層１５Ｇは、緑色発光層１４Ｇと赤色発光層１４Ｒとの間に配置されることにより、上部電極１６側から注入された電子を、緑色発光層１４Ｇよりも下層に配置された赤色発光層１４Ｒに届けないようになっている。換言すると、画素１０Ｇでは、緑用電子ブロック層１５Ｇにより、電子−正孔対による再結合が、赤色発光層１４Ｒではなく緑色発光層１４Ｇにおいて発生するように、上記再結合位置を変化させるようになっている。尚、緑色発光層１４Ｇ上には更に、青色発光層１４Ｂが設けられるが、エネルギー的に緑色発光が青色発光よりも支配的となる。
【００４０】
同様に、青用電子ブロック層１５Ｂは、青色発光層１４Ｂと赤色発光層１４Ｒとの間に配置されることにより、上部電極１６側から注入された電子を、青色発光層１４Ｂよりも下層に配置された赤色発光層１４Ｒに届けないようになっている。換言すると、画素１０Ｂでは、青用電子ブロック層１５Ｂにより、電子−正孔対による再結合が、赤色発光層１４Ｒではなく青色発光層１４Ｂにおいて発生するように、上記再結合位置を変化させるようになっている。
【００４１】
尚、この有機積層膜１２Ｇ，１２Ｂ，１２Ｒには、上記のような正孔輸送層１３や各色発光層の他にも、必要に応じて、例えば正孔注入層および電子輸送層（いずれも図示せず）等が積層されていてもよい。正孔注入層としては、例えば４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）を用いることができる。電子輸送層は、各色発光層への電子注入効率を高めるためのものであり、例えば８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）やＢＣＰにより構成されている。また、有機積層膜１２Ｇ，１２Ｂ，１２Ｒ上に、更に電子注入層が設けられていてもよい。電子注入層の構成材料としては、例えばＬｉ2Ｏ、Ｃｓ2Ｏ、ＬｉＦやＣａＦ2等のアルカリ金属酸化物、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類フッ化物等が挙げられる。
【００４２】
［表示装置１の製造方法］
上記のような表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。図３〜図８は、表示装置１の製造方法を工程順に表す断面図である。尚、各図において、駆動基板１０の下方に、（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の符号を付記しているが、これらは各画素領域（画素形成予定領域）を表しており、（Ｒ）は画素１０Ｒ、（Ｇ）は画素１０Ｇ、（Ｂ）は画素１０Ｂの画素領域をそれぞれ表している。
【００４３】
まず、図３（Ａ）に示したように、駆動基板１０上の各画素領域に、例えば上述の材料よりなる下部電極１１を、例えばスパッタ法およびフォトリソグラフィによりパターン形成する。この際、駆動基板１０に設けられた駆動回路（ＴＦＴ含む）を被覆する平坦化膜（図示せず）に開口を形成しておき、この開口を介して、下部電極１１と平坦化膜下層に設けられたＴＦＴとが電気的に接続されるようにする。その後、形成した下部電極１１上に、画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の全体に渡って画素間絶縁膜（図示せず）を形成し、下部電極１１に対向する領域に、有機積層膜１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの形成領域となる開口部を形成する。
【００４４】
続いて、図３（Ｂ）に示したように、画素間の選択的な領域に、上述の材料等よりなるリブ１１０をパターン形成する。ここでは、リブ１１０を、画素領域（Ｒ），（Ｇ）間および画素領域（Ｒ），（Ｂ）間に、例えばフォトリソグラフィにより形成する。
【００４５】
次いで、図４（Ａ）に示したように、駆動基板１０に略垂直な方向からの真空蒸着により、画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の全面に渡って、上述した材料よりなる正孔輸送層１３を成膜する。
【００４６】
続いて、図４（Ｂ）に示したように、駆動基板１０に略垂直な方向からの真空蒸着により、画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の全面に渡って、上述した材料よりなる赤色発光層１４Ｒを成膜する。これにより、駆動基板１０上において、正孔輸送層１３および赤色発光層１４Ｒが、各画素領域に共通の層として形成される。尚、この結果として、各リブ１１０の上面にも、正孔輸送層１３および赤色発光層１４Ｒが堆積される。
【００４７】
この後、図５（Ａ）に示したように、形成したリブ１１０を利用した斜方蒸着により、上述した材料よりなる緑用電子ブロック層１５Ｇを形成する。このとき、蒸着源に対して画素領域（Ｇ）が曝され、画素領域（Ｒ），（Ｂ）についてはリブ１１０の陰となるような角度方向Ｄ１から蒸着を行う。このようにして、画素１０Ｇとなる画素領域（Ｇ）に、選択的に緑用電子ブロック層１５Ｇを形成する。尚、この結果、画素領域（Ｒ），（Ｂ）間に設けられたリブ１１０の画素領域（Ｒ）側の側面にも、緑用電子ブロック層１５Ｇが成膜される。
【００４８】
続いて、図５（Ｂ）に示したように、リブ１１０を利用した斜方蒸着により、上述した材料よりなる緑色発光層１４Ｇを形成する。この際、上記緑用電子ブロック層１５Ｇの場合と同じ角度方向Ｄ１から蒸着を行う。即ち、形成した緑用電子ブロック層１５Ｇ上に重ねて緑色発光層１４Ｇを成膜する。このようにして、画素１０Ｇとなる画素領域（Ｇ）に、選択的に緑色発光層１４Ｇを形成する。尚、この結果、画素領域（Ｒ），（Ｂ）間に設けられたリブ１１０の画素領域（Ｒ）側の側面にも、緑色発光層１４Ｇが成膜される。
【００４９】
次いで、図６（Ａ）に示したように、リブ１１０を利用した斜方蒸着により、上述した材料よりなる青用電子ブロック層１５Ｂを形成する。このとき、蒸着源に対して画素領域（Ｂ）が曝され、画素領域（Ｒ），（Ｇ）についてはリブ１１０の陰となるような角度方向Ｄ２に沿って蒸着を行う。このようにして、画素１０Ｂとなる画素領域（Ｂ）に、選択的に青用電子ブロック層１５Ｂを形成する。尚、この結果、画素領域（Ｒ），（Ｇ）間に設けられたリブ１１０の画素領域（Ｒ）側の側面にも、青用電子ブロック層１５Ｂが成膜される。
【００５０】
続いて、図６（Ｂ）に示したように、駆動基板１０に略垂直な方向からの真空蒸着により、画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の全面に渡って、上述した材料よりなる青色発光層１４Ｂを成膜する。これにより、駆動基板１０上において、青色発光層１４Ｂが、各画素領域に共通の層として形成される。尚、この結果、各リブ１１０上にも、青色発光層１４Ｂが堆積される。このようにして、各画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）にそれぞれ、有機積層膜１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを形成する。
【００５１】
この後、図７に示したように、画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の全面に渡って、上述した材料よりなる上部電極１６を、例えば真空蒸着あるいはスパッタにより成膜する。これにより、駆動基板１０上に、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００５２】
最後に、形成した画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの全面を覆うように保護層１７を成膜した後、この保護層１７の上面に接着層１８を介して封止基板１９を貼り合わせることにより、図１に示した表示装置１を完成する。
【００５３】
［表示装置１の作用・効果］
本実施の形態の表示装置１では、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのそれぞれに、各色の映像信号に応じた駆動電流が印加されると、下部電極１１および上部電極１６を通じて、有機積層膜１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに電子および正孔が注入される。これらの電子および正孔は、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける赤色発光層１４Ｒ，緑色発光層１４Ｇ，青色発光層１４Ｂにおいてそれぞれ再結合され、発光光を生じる。このようにして、表示装置１では、Ｒ，Ｇ，Ｂのフルカラーの映像表示がなされる。
【００５４】
ここで、表示装置１では、上記のようなフルカラーの映像表示を実現するために、駆動基板１０上において、Ｒ，Ｇ，Ｂ３種の画素をパターン形成する（各色発光層を塗り分ける）必要がある。そこで、本実施の形態では、製造プロセスにおいて、シャドウマスクとしてリブ１１０を画素間の選択的な領域に配設し、このリブ１１０を利用して、各色発光材料を斜方蒸着することにより、上記塗り分けを行っている。このようなリブ１１０を利用した成膜プロセスを用いる場合の作用、効果について、以下に説明する。
【００５５】
（比較例）
図８は、本実施の形態の比較例に係る表示装置１００の概略構成および製造プロセスを説明するための断面図である。尚、簡便化のため、保護層，接着層および封止基板の図示は省略している。この表示装置１００では、駆動基板１０１上に画素１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂが配置され、各画素では、下部電極１０２と上部電極１０５との間に、発光層を含む有機積層膜が形成されている。画素間の選択的な領域には、各色発光層を塗り分けるためのリブ１０１０が配設されている。有機積層膜としては、例えば、赤色光を発する画素１００Ｒでは、下部電極１０２の側から順に、正孔輸送層１０３，赤色発光層１０４Ｒおよび青色発光層１０Ｂが積層されている。緑色光を発する画素１００Ｇでは、下部電極１０２の側から順に、正孔輸送層１０３，緑色発光層１０４Ｇおよび青色発光層１０Ｂが積層されている。青色光を発する画素１００Ｂでは、下部電極１０２の側から順に、正孔輸送層１０３および青色発光層１０Ｂが積層されている。
【００５６】
即ち、画素１００Ｒでは、発光層として赤色発光層１０４Ｒおよび青色発光層１０Ｂを含み、有機発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１０３を含んでいる。画素１００Ｇでは、発光層として緑色発光層１０４Ｇおよび青色発光層１０Ｂを含み、有機発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１０３を含んでいる。画素１００Ｂでは、発光層として青色発光層１０Ｂを含み、その有機発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１０３を含んでいる。つまり、比較例においては、各画素において、発光層以外の有機層の層構造に相違はなく、いずれも各画素に共通の正孔輸送層１０３のみを有する構造となっている。
【００５７】
ここで、画素１００Ｒ，１００Ｇには、２種の発光層が積層されることになるが、この場合、発光エネルギーの低い色光の発光が支配的となる。詳細には、発光エネルギーは、赤色光，緑色光，青色光の順に高くなるため、赤色発光層１０４Ｒ，緑色発光層１０４Ｇ，青色発光層１０４Ｂの順に、電荷の再結合位置が形成され易い。即ち、青色発光層１０４Ｂよりも緑色発光層１０４Ｇ、緑色発光層１０４Ｇよりも赤色発光層１０４Ｒにおける発光が支配的となる。そのため、上記比較例の構造では、画素１００Ｒにおいて赤色光、画素１００Ｇにおいて緑色光、画素１００Ｂにおいて青色光の発光が生じ、フルカラーの映像表示が可能となる。
【００５８】
このような表示装置１００では、製造プロセスにおいて、上記のようにリブ１０１０を利用した斜方蒸着により各色発光層の塗り分けを行うが、この際、例えば次のような手順で成膜を行う。即ち、下部電極１０２上に正孔輸送層１０３を形成した後、まず、リブ１０１０を利用した斜方蒸着により、赤色発光層１０４Ｒを形成する。具体的には、蒸着源に対して画素１００Ｒが曝され、画素１００Ｇ，１００Ｂについてはリブ１０１０の陰となるような角度方向Ｄ１０１から蒸着を行うことにより、画素１００Ｒに、選択的に赤色発光層１０４Ｒを形成する。続いて、リブ１０１０を利用した斜方蒸着により、緑色発光層１０４Ｇを形成する。具体的には、蒸着源に対して画素１００Ｇが曝さ２から蒸着を行うことにより、画素１００Ｇに、選択的に緑色発光層１０４Ｇを形成する。この後、駆動基板１０１に略垂直な方向から、画素１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂの全面に渡って、青色発光層１０４Ｂを成膜する。最後に、この青色発光層１０４Ｂ上に上部電極１０５を形成することにより、上記のような積層構造を有する表示装置１００を完成する。
【００５９】
ところが、上記のような比較例の手法では、リブ１０１０をマスクとして赤色発光層１０４Ｒを蒸着する際に、その赤色発光材料の一部が、目的とする画素１００Ｒ以外の画素１００Ｇ，１００Ｂに付着してしまうことがある。これは、真空中での分子の運動方向の変化や、蒸着装置の壁面における反射に起因する。特に、赤色の発光のエネルギーは青色に比べて低いため、赤色発光分子が青色サブピクセルに付着すると、その付着量が微量であっても、青色発光分子の励起エネルギーが赤色発光分子に速やかに移動し、赤色の発光が生じてしまう。即ち、画素１００Ｂから青色光だけでなく赤色光が混在して発生してしまう。このような色光の混色は、色純度を低下させ、表示品位の低下を招きかねない。
【００６０】
この比較例の数値実施例として、以下のようなサンプルを作製し、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色光の発光強度を測定した。この際、各画素１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂの幅（ピッチ）を２６μｍ、下部電極１０２を幅８μｍ，厚み５０ｎｍのアルミニウム膜とした。リブ１０１０は、画素１００Ｂ，１００Ｇ間、画素１００Ｂ，１００Ｒ間に、高さ６μｍ、幅６μｍのフォトレジストにより形成した。正孔輸送層１０３としては、厚み１０ｎｍのヘキサアザトリフェニレン誘導体（上記化１）と、厚み１８ｎｍのα−ＮＰＤとを積層したものを用いた。赤色発光層１０４Ｒの成膜工程では、角度方向Ｄ１０１を７３°方向とし、赤色発光材料としてはＤＰＶＢｉにＢＳＮを混合したものを用い、膜厚を５０ｎｍとした。緑色発光層１０４Ｇの成膜工程では、角度方向Ｄ１０２を−７３°方向とし、緑色発光材料としてはＡＤＮにクマリン６を混合したものを用い、膜厚を２５ｎｍとした。青色発光層１０４Ｂとしては、ＤＰＶＢｉにＤＰＡＶＢｉを混合したものを用い、膜厚を１５ｎｍとした。また、この青色発光層１０４Ｂ上に、厚み３０ｎｍのＢＣＰよりなる電子輸送層と、厚み０．３ｎｍのフッ化リチウムよりなる電子注入層（いずれも図示せず）とを成膜し、この上に上部電極１０５としてＭｇ−Ａｇ（１０：１）共蒸着膜を１５ｎｍ形成した。尚、図示しない保護層としてチッ化珪素膜を１μｍの厚さで成膜した後、ＵＶ硬化樹脂を用いて封止ガラスを貼り合せた。このようにして作製した比較例の表示装置１００における上記測定結果を図９に示す。
【００６１】
図９に示したように、画素１００Ｒからは赤色光、画素１００Ｇからは緑色光の発光がそれぞれ得られたが、画素１００Ｂからは赤色光と緑色光の混ざった黄色の発光が得られ、青色の発光が得られなかった。また、上記のような設定とすることにより、各画素では、下部電極１０２と上部電極１０５との間において光共振器構造が形成されたが、共振の次数は赤０次、緑０次、青０次であった。
【００６２】
これに対し、本実施の形態では、上述のように、有機積層膜１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが、１または２以上の有機発光層とそれ以外の他の有機層とを含み、他の有機層の層構造（即ち、他の有機層の層数や種類、厚み等）が、画素の種類毎に異なっている。例えば、有機発光層以外の有機層として、有機積層膜１２Ｇは、正孔輸送層１３および緑用電子ブロック層１５Ｇを含み、有機積層膜１２Ｂは、正孔輸送層１３および青用電子ブロック層１５Ｂを含み、有機積層膜１２Ｒは、正孔輸送層１３を含んでいる。
【００６３】
このような層構造により、画素１０Ｒでは、有機積層膜１２Ｒにおける赤色発光層１４Ｒおよび青色発光層１４Ｂのうち、上述の理由から、赤色発光層１４Ｒに再結合位置Ｄｒが形成され、赤色光の発光が得られる。
【００６４】
一方、画素１０Ｇでは、有機積層膜１２Ｇにおいて、赤色発光層１４Ｒ，緑色発光層１４Ｇおよび青色発光層１４Ｂの３色の発光層が積層されている。このため、上述した発光エネルギーの観点からは、赤色発光層１４Ｒに再結合位置が形成されることになるが、本実施の形態では、図２（Ａ）に示したように、赤色発光層１４Ｒと緑色発光層１４Ｇとの間に、緑用電子ブロック層１５Ｇが挟み込まれている。このため、上部電極１６側から注入された電子は、赤色発光層１４Ｒへ届かず、緑用電子ブロック層１５Ｇよりも上層に留まる。緑用電子ブロック層１５Ｇ上には、緑色発光層１４Ｇおよび青色発光層１４Ｂが積層されているが、これら２色の発光層においては、上述の発光エネルギーの観点から、緑色の発光が支配的となる（緑色発光層１４Ｇに再結合位置Ｄｇが形成される）。従って、画素１０Ｇでは、緑色発光層１４Ｇによる緑色光の発光が得られる。
【００６５】
他方、画素１０Ｂでは、有機積層膜１２Ｂにおいて、赤色発光層１４Ｒおよび青色発光層１４Ｂの２色の発光層が積層されている。このため、上述した発光エネルギーの観点からは、赤色発光層１４Ｒに再結合位置が形成されることになるが、本実施の形態では、図２（Ｂ）に示したように、赤色発光層１４Ｒと青色発光層１４Ｂとの間に、青用電子ブロック層１５Ｂが挟み込まれている。このため、上部電極１６側から注入された電子は、赤色発光層１４Ｒへ届かず、青用電子ブロック層１５Ｂよりも上層に留まる。即ち、青用電子ブロック層１５Ｂ上に積層された青色発光層１４Ｂに再結合位置Ｄｂが形成される。従って、画素１０Ｂでは、青色発光層１４Ｂによる青色光の発光が得られる。
【００６６】
上記のように、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎に、発光層以外の有機層の層構造が異なっており、具体的には、本実施の形態では、画素１０Ｇに緑用電子ブロック層１５Ｇ、画素１０Ｂに青用電子ブロック層１５Ｂがそれぞれ所定の位置に設けられている。これにより、成膜プロセスにおいて、斜方蒸着より選択的な画素にのみ成膜する発光材料が、所望の画素以外の画素に付着してしまった場合であっても、その付着による色光の混色が抑制される。
【００６７】
例えば、緑色発光層１４Ｇの成膜工程において、緑色発光材料が、画素１０Ｇ以外の画素１０Ｒ，１０Ｂへ付着してしまった場合、画素１０Ｒでは、元々赤色光の発光が支配的であるため問題はない。一方、画素１０Ｂでは、緑色発光層１４Ｇの成膜工程の後に、青用電子ブロック層１５Ｂを形成するため、緑色発光層１４Ｇの成膜工程において付着した緑色発光分子に電子が移動することが防止される。
【００６８】
また、赤色発光層１４Ｒを、３色の発光層の中で最も下層に設け（３色の発光層の中で最初に成膜し）、画素１０，１０ｂでは、その赤色発光層１４Ｒ上に緑用電子ブロック層１５Ｇおよび青用電子ブロック層１５Ｂを積層することにより、画素１０Ｇ，１０Ｂにおける赤色発光層１４Ｒへの電子の移動は防止される。
【００６９】
尚、赤色発光層１４Ｒ上には、緑用電子ブロック層１５Ｇおよび青用電子ブロック層１５Ｂの各成膜工程において、その電子ブロック層に用いられる材料（例えば、正孔輸送材料）が、付着してしまうこともあるが、付着量が微量であれば、ほとんどの励起エネルギーは赤色発光材料に移動するので、赤色光の発光の妨げにはならない。
【００７０】
このように、電子ブロック層を用いることで、蒸着材料の付着による影響が最小限となるように、各色の有機発光材料の成膜順序や成膜箇所を適切に設定することができ、この結果、各画素から所望の色光を取り出し易くなる。
【００７１】
本実施の形態の数値実施例として、以下のようなサンプルを作製し、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色光の発光強度を測定した。この際、各画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの幅（ピッチ）を２６μｍ、下部電極１１を幅８μｍ，厚み５０ｎｍのＩＴＯ膜とした。また、下部電極１１の下層には、厚み１００ｎｍのアルミニウムミラーを設けた。リブ１１０は、画素１０Ｒ，１０Ｇ間、画素１０Ｂ，１０Ｒ間に、高さ６μｍ、幅６μｍのフォトレジストにより形成した。正孔輸送層１３としては、厚み１０ｎｍのヘキサアザトリフェニレン誘導体（上記化１）と、厚み１８ｎｍのα−ＮＰＤとを積層したものを用いた。赤色発光層１４Ｒとしては、ＤＰＶＢｉにＢＳＮを混合したものを用い、膜厚を１０ｎｍとした。緑用電子ブロック層１５Ｇの成膜工程では、斜方蒸着の角度方向Ｄ１を７３°方向とし、電子ブロック材料としては、α−ＮＰＤを用い、膜厚を１００ｎｍとした。緑色発光層１４Ｇの成膜工程においても、角度方向Ｄ１を７３°方向とし、緑色発光材料としては、ＡＤＮにクマリン６を混合したものを用い、膜厚を１０ｎｍとした。また、青用電子ブロック層１５Ｂの成膜工程では、斜方蒸着の角度方向Ｄ２を−７３°方向とし、電子ブロック材料としては、α−ＮＰＤを用い、膜厚を７０ｎｍとした。青色発光層１４Ｂとしては、ＤＰＶＢｉにＤＰＡＶＢｉを混合したものを用い、膜厚を１５ｎｍとした。また、この青色発光層１４Ｂ上に、厚み３０ｎｍのＢＣＰよりなる電子輸送層と、厚み０．３ｎｍのフッ化リチウムよりなる電子注入層（いずれも図示せず）とを成膜し、この上に上部電極１６としてＭｇ−Ａｇ（１０：１）共蒸着膜を１５ｎｍ形成した。保護層１７としては、厚み１μｍのチッ化珪素膜を用い、この上にＵＶ硬化樹脂よりなる接着層１８を用いて封止基板１９を貼り合せた。このようにして作製した表示装置１における上記測定結果を図１０に示す。
【００７２】
図１０に示したように、画素１０Ｒから赤色光、画素１０Ｇから緑色光、画素１０Ｂから青色光の各発光が得られた。また、上記のような設定とすることにより、各画素では、下部電極１１下層のＡｌミラーと上部電極１６間において光共振器構造が形成され、その共振の次数は赤０次、緑１次、青１次であった。
【００７３】
以上のように、本実施の形態では、下部電極１１および上部電極１６間に設けられた有機積層膜１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが、２色以上の発光層とそれ以外の他の有機層とを含み、他の有機層における層構造が、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎に異なっている。例えば、画素１０Ｇの所定の位置に緑用電子ブロック層１５Ｇ、画素１０Ｂの所定の位置に青用電子ブロック層１５Ｂがそれぞれ配置されている。これにより、各画素に自己の色光とは異なる色の有機発光材料が付着した場合であっても、その付着による色光の混色を抑制することができる。よって、複数色を用いたカラー表示に際し、良好な色純度を確保することが可能となる。
【００７４】
（変形例１）
［表示装置１Ａの構成］
ここで、上記第１の実施の形態の変形例（変形例１）に係る表示装置(表示装置１Ａ)について説明する。以下では、上記第１の実施の形態と同様の構成要素については、同一の符号を付し適宜説明を省略する。図１１は、表示装置１Ａの断面構造を表したものである。表示装置１Ａは、上記第１の実施の形態の表示装置１と同様、例えばアクティブマトリクス型、上面発光型の有機ＥＬ表示装置であり、駆動基板１０上に、それぞれが有機ＥＬ素子よりなる３種類の画素１０Ｒ１，１０Ｇ１，１０Ｂ１を有するものである。これらの画素１０Ｒ１，１０Ｇ１，１０Ｂ１は、上記第１の実施の形態と同様、駆動基板１０の側から順に、下部電極１１、有機積層膜（１２Ｒ１，１２Ｇ１，１２Ｂ１）および上部電極１６をこの順に有している。有機積層膜１２Ｒ１，１２Ｇ１，１２Ｂ１はそれぞれ、上記第１の実施の形態と同様、赤色発光層１４Ｒ，緑色発光層１４Ｇ１，青色発光層１４Ｂのうち１または２以上の発光層を含む有機積層膜であり、発光層以外の層構造が互いに異なるものである。また、各画素間にはリブ１１０が配設され、上部電極１６上には、保護層１７、接着層１８および封止基板１９が設けられている。
【００７５】
但し、本変形例では、緑色発光層１４Ｇ１が各画素１０Ｒ１，１０Ｇ１，１０Ｂ１に共通の層として設けられている。換言すると、本変形例では、有機積層膜１２Ｒ１，１２Ｇ１，１２Ｂ１が、赤色発光層１４Ｒ，緑色発光層１４Ｇ１，青色発光層１４Ｂの全ての発光層を有している。以下、このような有機積層膜１２Ｒ１，１２Ｇ１，１２Ｂ１の積層構造について具体的に説明する。
【００７６】
図１２（Ａ）〜（Ｃ）は、有機積層膜１２Ｒ１，１２Ｇ１，１２Ｂ１の断面構造を表したものである。有機積層膜１２Ｇ１では、図１２（Ａ）に示したように、正孔輸送層１３上に、赤色発光層１４Ｒ、緑用電子ブロック層１５Ｇ、緑色発光層１４Ｇ１および青色発光層１４Ｂがこの順に積層されている。有機積層膜１２Ｂ１では、図１２（Ｂ）に示したように、正孔輸送層１３上に、赤色発光層１４Ｒ、緑色発光層１４Ｇ１、青用電子ブロック層１５Ｂおよび青色発光層１４Ｂがこの順に積層されている。有機積層膜１２Ｒ１では、図１２（Ｃ）に示したように、正孔輸送層１３上に、赤色発光層１４Ｒ、緑色発光層１４Ｇ１および青色発光層１４Ｂが積層されている。緑色発光層１４Ｇ１は、上記第１の実施の形態の緑色発光層１４Ｇと同等の材料により構成されている。
【００７７】
このように、緑色発光層１４Ｇ１が各画素に設けられている（全色の有機発光層が各画素に設けられている）場合であっても、有機積層膜１２Ｇ１の再結合位置Ｄｇは緑色発光層１４Ｇ１、有機積層膜１２Ｂ１の再結合位置Ｄｂは青色発光層１４Ｂ、有機積層膜１２Ｒ１の再結合位置Ｄｒは赤色発光層１４Ｒにそれぞれ形成されるようになっている。
【００７８】
即ち、画素１０Ｇ１における有機積層膜１２Ｇ１は、発光層として、赤色発光層１４Ｒ，緑色発光層１４Ｇ１および青色発光層１４Ｂの３色全ての発光層を有し、これらの発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１３および緑用電子ブロック層１５Ｇを有している。画素１０Ｂ１における有機積層膜１２Ｂ１は、発光層として３色全ての発光層を有し、これらの発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１３および青用電子ブロック層１５Ｇを有している。画素１０Ｒ１における有機積層膜１２Ｒ１は、発光層として３色全ての発光層を有し、これらの発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１３を有している。
【００７９】
表示装置１Ａ全体としては、駆動基板１０上に、画素１０Ｒ１，１０Ｇ１，１０Ｂ１の全面に渡って正孔輸送層１３が設けられ、この正孔輸送層１３上には、基板全面に渡って赤色発光層１４Ｒが形成されている。赤色発光層１４Ｒ上では、画素１０Ｇ１に対応する選択的な領域に緑用電子ブロック層１５Ｇが設けられており、この緑用電子ブロック層１５Ｇ上に、基板全面に渡って緑色発光層１４Ｇ１が設けられている。この緑色発光層１４Ｇ１上の画素１０Ｂ１に対応する選択的な領域に青用電子ブロック層１５Ｂが設けられ、この青用電子ブロック層１５Ｂ上に、基板全面に渡って青色発光層１４Ｂが設けられている。
【００８０】
［表示装置１Ａの製造方法］
上記のような表示装置１Ａは、例えば次のようにして製造することができる。図１３〜図１５は、表示装置１Ａの製造方法を説明するための断面図である。
【００８１】
まず、上記第１の実施の形態と同様にして、駆動基板１０上に下部電極１１、リブ１１０、正孔輸送層１３、赤色発光層１４Ｒおよび緑用電子ブロック層１５Ｇを形成する（図１３（Ａ））。続いて、図１３（Ｂ）に示したように、駆動基板１０に略垂直な方向からの真空蒸着により、画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の全面に渡って、緑色発光層１４Ｇ１を成膜する。これにより、駆動基板１０上において、緑色発光層１４Ｇ１が、各画素領域に共通の層として形成される。尚、この結果、各リブ１１０上にも、緑色発光層１４Ｇ１が堆積される。
【００８２】
次いで、図１４（Ａ）に示したように、上記第１の実施の形態と同様にして、リブ１１０を利用した斜方蒸着により、画素領域（Ｂ）に選択的に青用電子ブロック層１５Ｂを形成する。この後、図１４（Ｂ）に示したように、上記第１の実施の形態と同様にして、駆動基板１０に略垂直な方向からの真空蒸着により、画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の全面に渡って、青色発光層１４Ｂを成膜する。これにより、駆動基板１０上において、青色発光層１４Ｂが、各画素領域に共通の層として形成される。このようにして、各画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）にそれぞれ、有機積層膜１２Ｒ１，１２Ｇ１，１２Ｂ１を形成する。
【００８３】
この後、図１５に示したように、上記第１の実施の形態と同様にして、画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の全面に渡って、上部電極１６を、例えば真空蒸着あるいはスパッタにより成膜する。これにより、駆動基板１０上に、画素１０Ｒ１，１０Ｇ１，１０Ｂ１が形成される。最後に、上記第１の実施の形態と同様にして、各画素１０Ｒ１，１０Ｇ１，１０Ｂ１の全面を覆うように保護層１７を成膜した後、この保護層１７の上面に接着層１８を介して封止基板１９を貼り合わせることにより、図１１に示した表示装置１Ａを完成する。
【００８４】
本変形例のように、赤色発光層１４Ｒおよび青色発光層１４Ｂだけでなく、緑色発光層１４Ｇ１についても、各画素に共通の層として成膜することができる。換言すると、緑色発光層１４Ｇ１は、上記第１の実施の形態で説明したように、リブ１１０を用いた斜方蒸着により成膜してもよいが、本変形例のように、他の発光層と同様にして垂直方向からの蒸着によって成膜することも可能である。このようにして、各画素に３色全ての発光層を成膜した場合であっても、画素１０Ｇ１が緑用電子ブロック層１５Ｇ、画素１０Ｂ１が青用電子ブロック層１５Ｂをそれぞれ有するため、上述したように、各画素では適切な層において電荷の再結合が生じ、所望の色光を取り出し易くなる。よって、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００８５】
ここで、本変形例の数値実施例として、以下のようなサンプルを作製し、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色光の発光強度を測定した。この際、各画素１０Ｒ１，１０Ｇ１，１０Ｂ１の幅（ピッチ）、下部電極１１のスケールおよび構成材料、反射ミラーの設置、リブ１１０スケールおよび構成材料は、上記第１の実施の形態における数値実施例と同様とした。また、正孔輸送層１３、赤色発光層１４Ｒ、緑色発光層１４Ｇ１、青色発光層１４Ｂ、緑用電子ブロック層１５Ｇおよび青用電子ブロック層１５Ｂの各構成材料は、上記第１の実施の形態ど同様とし、各層の膜厚を次のように設定した。即ち、正孔輸送層１３を６８ｎｍ、赤色発光層１４Ｒを７ｎｍ、緑色発光層１４Ｇ１を１０ｎｍ、青色発光層１４Ｂを１５ｎｍ、緑用電子ブロック層１５Ｇを３０ｎｍ、青用電子ブロック層１５Ｂを３０ｎｍにそれぞれ設定した。また、緑用電子ブロック層１５Ｇの成膜工程では、斜方蒸着の角度方向Ｄ１を７３°方向、青用電子ブロック層１５Ｂの成膜工程では、斜方蒸着の角度方向Ｄ２を−７３°方向とした。また、青色発光層１４Ｂ上には、ＢＣＰよりなる膜厚３５ｎｍの電子輸送層、ＬＩＦよりなる膜厚０．３ｎｍの電子注入層、およびＭｇ−Ａｇ共蒸着膜よりなる膜厚１２ｎｍの上部電極１６をこの順に形成した。このようにして作製した表示装置１Ａにおける上記測定結果を図１６に示す。
【００８６】
図１６に示したように、画素１０Ｒ１から赤色光、画素１０Ｇ１から緑色光、画素１０Ｂ１から青色光の各発光が得られた。また、上記のような設定とすることにより、各画素では、下部電極１１下層のＡｌミラーと上部電極１６間において光共振器構造が形成され、その共振の次数は赤０次、緑１次、青１次となった。
【００８７】
＜第２の実施の形態＞
［表示装置２の構成］
図１７は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置２の断面構造を表すものである。表示装置２は、上記第１の実施の形態の表示装置１と同様、例えばアクティブマトリクス型、上面発光型の有機ＥＬ表示装置であり、駆動基板１０上に、それぞれが有機ＥＬ素子よりなる３種類の画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを有するものである。以下では、上記第１の実施の形態と同様の構成要素については、同一の符号を付し適宜説明を省略する。
【００８８】
これらの画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、例えば、駆動基板１０の側から順に、下部電極１１、有機積層膜（２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ）および上部電極１６をこの順に有している。また、上記第１の実施の形態と同様、画素２０Ｒ，２０Ｂ間および画素２０Ｒ，２０Ｇ間にはリブ１１０が配設され、上部電極１６上には、保護層１７、接着層１８および封止基板１９が設けられている。上部電極１６は、上記第１の実施の形態で説明した各種電極材料を用いることができるが、本実施の形態では、上述した材料のうち、Ｍｇ−Ａｇ共蒸着薄膜を用いるようにする。これにより、有機積層膜２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの総膜厚および、各色発光層と電極との距離を適正化することで、各画素に所望の光共振器構造を形成することができる。
【００８９】
（有機積層膜２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの構成）
有機積層膜２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂはそれぞれ、上記第１の実施の形態と同様、赤色発光層１４Ｒ，緑色発光層１４Ｇ，青色発光層１４Ｂのうちの１または２以上の有機発光層と、このような有機発光層以外の他の有機層とを積層したものである。また、これらの有機積層膜２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂでは、上記発光層以外の有機層の層構造（有機層の層数や種類、厚み等）が互いに異なっている。
【００９０】
図１８（Ａ）〜（Ｃ）は、有機積層膜２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの断面構造を表したものである。有機積層膜２２Ｇでは、図１８（Ａ）に示したように、正孔輸送層１３上に、緑用膜厚調整層２１Ｇ、赤色発光層１４Ｒ、緑用電子ブロック層１５Ｇ、緑色発光層１４Ｇおよび青色発光層１４Ｂがこの順に積層されている。有機積層膜２２Ｂでは、図１８（Ｂ）に示したように、正孔輸送層１３上に、青用膜厚調整層２１Ｂ、赤色発光層１４Ｒ、青用電子ブロック層１５Ｂおよび青色発光層１４Ｂがこの順に積層されている。緑用膜厚調整層２１Ｇおよび青用膜厚調整層２１Ｂは、例えば上述したような正孔輸送層１３と同様の材料（正孔輸送材料）により構成されている。有機積層膜２２Ｒでは、図１８（Ｃ）に示したように、正孔輸送層１３上に、赤色発光層１４Ｒおよび青色発光層１４Ｂが積層されている。
【００９１】
このように、本実施の形態においても、有機積層膜２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂのそれぞれに、異なる色光の発光層が積層されることになるが、有機積層膜２２Ｇの再結合位置Ｄｇは緑色発光層１４Ｇ、有機積層膜２２Ｂの再結合位置Ｄｂは青色発光層１４Ｂ、有機積層膜２２Ｒの再結合位置Ｄｒは赤色発光層１４Ｒにそれぞれ形成されるようになっている。
【００９２】
即ち、画素２０Ｇにおける有機積層膜２２Ｇは、発光層として、赤色発光層１４Ｒ，緑色発光層１４Ｇおよび青色発光層１４Ｂを有し、これらの発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１３，緑用膜厚調整層２１Ｇおよび緑用電子ブロック層１５Ｇを有している。画素２０Ｂにおける有機積層膜２２Ｂは、発光層として、赤色発光層１４Ｒおよび青色発光層１４Ｂを有し、これらの発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１３、青用膜厚調整層２１Ｂおよび青用電子ブロック層１５Ｇを有している。画素２０Ｒにおける有機積層膜２２Ｒは、発光層として、赤色発光層１４Ｒおよび青色発光層１４Ｂを有し、これらの発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１３を有している。
【００９３】
表示装置２全体としては、駆動基板１０上に、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの全面に渡って正孔輸送層１３が設けられ、この正孔輸送層１３上において、画素２０Ｇでは緑用膜厚調整層２１Ｇ、画素２０Ｂでは青用膜厚調整層２１Ｂがそれぞれ設けられている。これらの緑用膜厚調整層２１Ｇおよび青用膜厚調整層２１Ｂを覆うように、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの全面に渡って赤色発光層１４Ｒが形成されている。この赤色発光層１４Ｒ上では、上記第１の実施の形態と同様、画素２０Ｇにおいて緑用電子ブロック層１５Ｇおよび緑色発光層１４Ｇがこの順に設けられ、画素２０Ｂにおいて青用電子ブロック層１５Ｂおよび青色発光層１４Ｂがこの順に設けられている。そして、これらを覆うように、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの全面に渡って、青色発光層１４Ｂが設けられている。
【００９４】
［表示装置２の製造方法］
上記のような表示装置２は、例えば次のようにして製造することができる。図１９〜図２３は、表示装置２の製造方法を工程順に表す断面図である。
【００９５】
まず、上記第１の実施の形態と同様にして、駆動基板１０上に下部電極１１を形成した後、リブ１１０を形成する。この後、図１９（Ａ）に示したように、駆動基板１０に略垂直な方向からの真空蒸着により、画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の全面に渡って、正孔輸送層１３を成膜する。
【００９６】
この後、図１９（Ｂ）に示したように、リブ１１０を利用した斜方蒸着により、上述した材料よりなる緑用膜厚調整層２１Ｇを形成する。このとき、蒸着源に対して画素領域（Ｇ）が曝され、画素領域（Ｒ），（Ｂ）についてはリブ１１０の陰となるような角度方向Ｄ１から蒸着を行う。このようにして、画素２０Ｇとなる画素領域（Ｇ）に、選択的に緑用膜厚調整層２１Ｇを形成する。尚、この結果、画素領域（Ｒ），（Ｂ）間に設けられたリブ１１０の画素領域（Ｒ）側の側面にも、緑用膜厚調整層２１Ｇが成膜される。また、緑色膜厚調整層２１Ｇの厚みを、画素２０Ｇの光共振器構造において、所望の共振長となるように適切な値に設定する。
【００９７】
続いて、図２０（Ａ）に示したように、リブ１１０を利用した斜方蒸着により、上述した材料よりなる青用膜厚調整層２１Ｂを形成する。このとき、蒸着源に対して画素領域（Ｂ）が曝され、画素領域（Ｒ），（Ｇ）についてはリブ１１０の陰となるような角度方向Ｄ２から蒸着を行う。このようにして、画素２０Ｂとなる画素領域（Ｂ）に、選択的に青用膜厚調整層２１Ｂを形成する。尚、この結果、画素領域（Ｒ），（Ｇ）間に設けられたリブ１１０の画素領域（Ｒ）側の側面にも、青用膜厚調整層２１Ｂが成膜される。また、青色膜厚調整層２１Ｂの厚みを、画素２０Ｂの光共振器構造において、所望の共振長となるように適切な値に設定する。
【００９８】
この後、図２０（Ｂ）に示したように、上記第１の実施の形態と同様、駆動基板１０に略垂直な方向からの真空蒸着により、画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の全面に渡って、赤色発光層１４Ｒを成膜する。これにより、駆動基板１０上において、赤色発光層１４Ｒが、各画素領域に共通の層として形成される。尚、この結果として、各リブ１１０の上面にも、赤色発光層１４Ｒが堆積される。
【００９９】
次いで、図２１（Ａ）に示したように、上記第１の実施の形態と同様、リブ１１０を利用した斜方蒸着により、画素領域（Ｇ）に選択的に緑用電子ブロック層１５Ｇを形成する。尚、この結果、画素領域（Ｒ），（Ｂ）間に設けられたリブ１１０の画素領域（Ｒ）側の側面にも、緑用電子ブロック層１５Ｇが成膜される。
【０１００】
続いて、図２１（Ｂ）に示したように、上記第１の実施の形態と同様、リブ１１０を利用した斜方蒸着により、画素領域（Ｇ）において、緑用電子ブロック層１５Ｇ上に重ねて緑色発光層１４Ｇを形成する。尚、この結果、画素領域（Ｒ），（Ｂ）間に設けられたリブ１１０の画素領域（Ｒ）側の側面にも、緑色発光層１４Ｇが成膜される。
【０１０１】
次いで、図２２（Ａ）に示したように、上記第１の実施の形態と同様、リブ１１０を利用した斜方蒸着により、画素領域（Ｂ）に選択的に青用電子ブロック層１５Ｂを形成する。尚、この結果、画素領域（Ｒ），（Ｇ）間に設けられたリブ１１０の画素領域（Ｒ）側の側面にも、青用電子ブロック層１５Ｂが成膜される。
【０１０２】
続いて、図２２（Ｂ）に示したように、上記第１の実施の形態と同様、駆動基板１０に略垂直な方向からの真空蒸着により、画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の全面に渡って、青色発光層１４Ｂを成膜する。これにより、駆動基板１０上において、青色発光層１４Ｂが、各画素領域に共通の層として形成される。尚、この結果、各リブ１１０上にも、青色発光層１４Ｂが堆積される。このようにして、各画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）にそれぞれ、有機積層膜２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを形成する。
【０１０３】
この後、図２３に示したように、上記第１の実施の形態と同様、画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の全面に渡って、上部電極１６を、例えば真空蒸着あるいはスパッタにより成膜する。これにより、駆動基板１０上に、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが形成される。
【０１０４】
最後に、上記第１の実施の形態と同様にして、形成した画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの全面を覆うように保護層１７を成膜した後、この保護層１７の上面に接着層１８を介して封止基板１９を貼り合わせることにより、図１７に示した表示装置２を完成する。
【０１０５】
［表示装置２の作用・効果］
本実施の形態の表示装置２では、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂのそれぞれに、各色の映像信号に応じた駆動電流が印加されると、下部電極１１および上部電極１６を通じて、有機積層膜２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂに電子および正孔が注入される。これらの電子および正孔は、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂにおける赤色発光層１４Ｒ，緑色発光層１４Ｇ，青色発光層１４Ｂにおいてそれぞれ再結合され、各色の発光光を生じる。このようにして、表示装置１では、Ｒ，Ｇ，Ｂのフルカラーの映像表示がなされる。
【０１０６】
ここで、表示装置２においても、上記第１の実施の形態の表示装置１と同様、フルカラーの映像表示を実現するために、製造プロセスにおける各色発光層の塗り分けを、リブ１１０を用いて行う。また、本実施の形態においても、有機積層膜２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂが、１または２以上の有機発光層とそれ以外の他の有機層とを含み、他の有機層の層構造が、画素の種類毎に異なっている。例えば、有機発光層以外の有機層として、有機積層膜２２Ｇは、正孔輸送層１３、緑用膜厚調整層２１Ｇおよび緑用電子ブロック層１５Ｇを含み、有機積層膜２２Ｂは、正孔輸送層１３、青用膜厚調整層２１Ｂおよび青用電子ブロック層１５Ｂを含み、有機積層膜２２Ｒは、正孔輸送層１３を含んでいる。
【０１０７】
このような層構造により、画素２０Ｒでは、上記第１の実施の形態における画素１０Ｒと同様、赤色発光層１４Ｒに再結合位置Ｄｒが形成され、赤色光の発光が得られる。また、画素２０Ｇでは、有機積層膜２２Ｇにおいて、赤色発光層１４Ｒ，緑色発光層１４Ｇおよび青色発光層１４Ｂが積層されるが、緑用電子ブロック層１５Ｇを有するため、上記第１の実施の形態と同様の理由から、緑色発光層１４Ｇにおいて再結合が生じる。従って、画素１０Ｇでは、緑色発光層１４Ｇによる緑色光の発光が得られる。画素２０Ｂにおいても同様で、有機積層膜２２Ｂには、赤色発光層１４Ｒおよび青色発光層１４Ｂが積層されるが、青用電子ブロック層１５Ｂを有するため、青色発光層１４Ｂにおいて再結合が生じる。従って、画素２０Ｂでは、青色発光層１４Ｂによる青色光の発光が得られる。
【０１０８】
上記のように、本実施の形態においても、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ毎に、発光層以外の有機層の層構造が異なっており、具体的には、画素２０Ｇに緑用電子ブロック層１５Ｇ、画素２０Ｂに青用電子ブロック層１５Ｂがそれぞれ所定の位置に設けられている。これにより、成膜プロセスにおいて、斜方蒸着より選択的な画素にのみ成膜する発光材料が、所望の画素以外の画素に付着してしまった場合であっても、その付着による色光の混色が抑制される。即ち、電子ブロック層を用いることで、蒸着材料の付着による影響が最小限となるように、各色の有機発光材料の成膜順序や成膜箇所を適切に設定することができ、この結果、各画素から所望の色光を取り出し易くなる。
【０１０９】
また、本実施の形態では、画素２０Ｇに緑用膜厚調整層２１Ｇ、画素２０Ｂに青用膜厚調整層２１Ｂがそれぞれ設けられていることにより、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの光共振器構造において、各共振長を所望の値に調整することができる。これにより、各画素における発光効率および色純度が向上する。
【０１１０】
本実施の形態の数値実施例として、以下のようなサンプルを作製し、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色光の発光強度を測定した。この際、各画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの幅（ピッチ）、下部電極１１のスケールおよび構成材料、反射ミラーの設置、リブ１１０スケールおよび構成材料、正孔輸送層１３の厚みおよび成膜材料は、上記第１の実施の形態における数値実施例と同様とした。緑用膜厚調整層２１Ｇの成膜工程では、斜方蒸着の角度方向Ｄ１を７３°方向とし、成膜材料としてはα−ＮＰＤを用い、膜厚を８０ｎｍとした。また、青用膜厚調整層２１Ｂの成膜工程では、斜方蒸着の角度方向Ｄ２を−７３°方向とし、成膜材料としてはα−ＮＰＤを用い、膜厚を４０ｎｍとした。赤色発光層１４Ｒの成膜材料および膜厚については、上記第１の実施の形態における数値実施例と同様とした。緑用電子ブロック層１５Ｇの成膜工程では、斜方蒸着の角度方向Ｄ１を７３°方向とし、電子ブロック材料としては、α−ＮＰＤを用い、膜厚を２０ｎｍとした。緑色発光層１４Ｇについては、上記第１の実施の形態と同様とした。また、青用電子ブロック層１５Ｂの成膜工程では、斜方蒸着の角度方向Ｄ２を−７３°方向とし、電子ブロック材料としては、α−ＮＰＤを用い、膜厚を３０ｎｍとした。青色発光層１４Ｂについては、上記第１の実施の形態と同様とした。また、上記第１の実施の形態と同様の成膜材料および膜厚よりなる電子輸送層、電子注入層および上部電極１６をこの順に形成し、更に保護層１７、接着層１８を介して封止基板１９を貼り合せた。このようにして作製した表示装置２における上記測定結果を図２４に示す。
【０１１１】
図２４に示したように、画素２０Ｒから赤色光、画素２０Ｇから緑色光、画素２０Ｂから青色光の各発光が得られた。また、上記のような設定とすることにより、各画素では、下部電極１１下層のＡｌミラーと上部電極１６間において光共振器構造が形成され、その共振の次数は赤０次、緑１次、青１次であった。また、緑用膜厚調整層２１Ｇおよび青用膜厚調整層２１Ｂを別途設けることにより、緑用電子ブロック層１５Ｇおよび青用電子ブロック層１５Ｂの膜厚を実施例１に比べて薄く形成することができる。このため、赤色発光層１４上における電子ブロック材料の付着量が減少し、この結果、画素２０Ｒにおける赤色光の発光量が実施例１よりも増した。
【０１１２】
以上のように、本実施の形態では、下部電極１１および上部電極１６間に設けられた有機積層膜２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂが、２色以上の発光層とそれ以外の他の有機層とを含み、他の有機層における層構造が、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ毎に異なっている。例えば、画素２０Ｇの所定の位置に緑用膜厚調整層２１Ｇおよび緑用電子ブロック層１５Ｇ、画素２０Ｂの所定の位置に青用膜厚調整層２１Ｂおよび青用電子ブロック層１５Ｂがそれぞれ配置されている。これにより、各画素に自己の色光とは異なる色の有機発光材料が付着した場合であっても、その付着による色光の混色を抑制することができる。よって、複数色を用いたカラー表示に際し、良好な色純度を確保することが可能となる。また、各画素において所望の共振長を有する光共振器構造を実現することができ、発光効率および色純度を向上させることができる。
【０１１３】
（変形例２）
［表示装置２Ａの構成］
ここで、上記第２の実施の形態の変形例（変形例２）に係る表示装置(表示装置２Ａ)について説明する。以下では、上記第１，２の実施の形態と同様の構成要素については、同一の符号を付し適宜説明を省略する。図２５は、表示装置２Ａの断面構造を表したものである。表示装置２Ａは、上記第２の実施の形態の表示装置２と同様、例えばアクティブマトリクス型、上面発光型の有機ＥＬ表示装置であり、駆動基板１０上に、それぞれが有機ＥＬ素子よりなる３種類の画素２０Ｒ１，２０Ｇ１，２０Ｂ１を有するものである。これらの画素２０Ｒ１，２０Ｇ１，２０Ｂ１は、上記第２の実施の形態と同様、駆動基板１０の側から順に、下部電極１１、有機積層膜（２２Ｒ１，２２Ｇ１，２２Ｂ１）および上部電極１６をこの順に有している。有機積層膜２２Ｒ１，２２Ｇ１，２２Ｂ１はそれぞれ、上記第２の実施の形態と同様、赤色発光層１４Ｒ，緑色発光層１４Ｇ１，青色発光層１４Ｂのうち１または２以上の発光層を含む有機積層膜であり、発光層以外の層構造が互いに異なるものである。また、各画素間にはリブ１１０が配設され、上部電極１６上には、保護層１７、接着層１８および封止基板１９が設けられている。また、有機積層膜２２Ｇ１には、緑用膜厚調整層２１Ｇ、有機積層膜２２Ｂ１には、青用膜厚調整層２１Ｂがそれぞれ設けられている。
【０１１４】
但し、本変形例では、上記第１の実施の形態の変形例１と同様、緑色発光層１４Ｇ１が各画素２０Ｒ１，２０Ｇ１，２０Ｂ１に共通の層として設けられている。換言すると、本変形例では、有機積層膜２２Ｒ１，２２Ｇ１，２２Ｂ１が、赤色発光層１４Ｒ，緑色発光層１４Ｇ１，青色発光層１４Ｂの全ての発光層を有している。以下、このような有機積層膜２２Ｒ１，２２Ｇ１，２２Ｂ１の積層構造について具体的に説明する。
【０１１５】
図２６（Ａ）〜（Ｃ）は、有機積層膜２２Ｒ１，２２Ｇ１，２２Ｂ１の断面構造を表したものである。有機積層膜２２Ｇ１では、図２６（Ａ）に示したように、正孔輸送層１３上に、緑用膜厚調整層２１Ｇ、赤色発光層１４Ｒ、緑用電子ブロック層１５Ｇ、緑色発光層１４Ｇ１および青色発光層１４Ｂがこの順に積層されている。有機積層膜２２Ｂ１では、図２６（Ｂ）に示したように、正孔輸送層１３上に、青用膜厚調整層２１Ｂ、赤色発光層１４Ｒ、緑色発光層１４Ｇ１、青用電子ブロック層１５Ｂおよび青色発光層１４Ｂがこの順に積層されている。有機積層膜２２Ｒ１では、図２６（Ｃ）に示したように、正孔輸送層１３上に、赤色発光層１４Ｒ、緑色発光層１４Ｇ１および青色発光層１４Ｂが積層されている。
【０１１６】
このように、緑色発光層１４Ｇ１が各画素に設けられている（全色の有機発光層が各画素に設けられている）場合であっても、有機積層膜２２Ｇ１の再結合位置Ｄｇは緑色発光層１４Ｇ１、有機積層膜２２Ｂ１の再結合位置Ｄｂは青色発光層１４Ｂ、有機積層膜２２Ｒ１の再結合位置Ｄｒは赤色発光層１４Ｒにそれぞれ形成されるようになっている。
【０１１７】
即ち、画素２０Ｇ１における有機積層膜２２Ｇ１は、発光層として、赤色発光層１４Ｒ，緑色発光層１４Ｇ１および青色発光層１４Ｂの３色全ての発光層を有し、これらの発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１３、緑用膜厚調整層２１Ｇおよび緑用電子ブロック層１５Ｇを有している。画素２０Ｂ１における有機積層膜１２Ｂ１は、発光層として３色全ての発光層を有し、これらの発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１３、青用膜厚調整層２１Ｂおよび青用電子ブロック層１５Ｇを有している。画素２０Ｒ１における有機積層膜１２Ｒ１は、発光層として３色全ての発光層を有し、これらの発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１３を有している。
【０１１８】
表示装置２Ａ全体としては、駆動基板１０上に、画素２０Ｒ１，２０Ｇ１，２０Ｂ１の全面に渡って正孔輸送層１３が設けられ、この正孔輸送層１３上の画素２０Ｇ１に対応する選択的な領域に緑用膜厚調整層２１Ｇ、画素２０Ｂ１に対応する選択的な領域に青用膜厚調整層２１Ｂがそれぞれ設けられている。これらの緑用膜厚調整層２１Ｇおよび青用膜厚調整層２１Ｂ上には、基板全面に渡って赤色発光層１４Ｒが形成されている。赤色発光層１４Ｒ上では、画素１０Ｇ１に対応する選択的な領域に緑用電子ブロック層１５Ｇが設けられており、この緑用電子ブロック層１５Ｇ上に、基板全面に渡って緑色発光層１４Ｇ１が設けられている。この緑色発光層１４Ｇ１上の画素１０Ｂ１に対応する選択的な領域に青用電子ブロック層１５Ｂが設けられ、この青用電子ブロック層１５Ｂ上に、基板全面に渡って青色発光層１４Ｂが設けられている。
【０１１９】
尚、このような表示装置２Ａは、例えば次のようにして製造することができる。即ち、図示は省略するが、上記第２の実施の形態の表示装置２と同様にして、駆動基板１０上に下部電極１１、リブ１１０、正孔輸送層１３、緑用膜厚調整層２１Ｇ、青用膜厚調整層２１Ｂ、赤色発光層１４Ｒおよび緑用電子ブロック層１５Ｇをこの順に形成する。この後、上記変形例１の表示装置１Ａと同様にして、緑色発光層１４Ｇ１、青用電子ブロック層１５Ｂ、青色発光層１４Ｂを成膜する。このようにして成膜した有機積層膜２２Ｒ１，２２Ｇ１，２２Ｂ１上に、上部電極１６および保護層１７を順に成膜した後、保護層１７の上面に接着層１８を介して封止基板１９を貼り合わせる。これにより、図２５に示した表示装置２Ａを完成する。
【０１２０】
本変形例のように、有機積層膜２２Ｇ１が緑用膜厚調整層２１Ｇ、有機積層膜２２Ｂ１が緑用膜厚調整層２１Ｂをそれぞれ有する場合であっても、赤色発光層１４Ｒおよび青色発光層１４Ｂだけでなく、緑色発光層１４Ｇ１についても、各画素に共通の層として成膜することができる。換言すると、緑色発光層１４Ｇ１は、上記第２の実施の形態で説明したように、リブ１１０を用いた斜方蒸着により成膜してもよいが、本変形例のように、他の発光層と同様にして垂直方向からの蒸着によって成膜することも可能である。このようにして、各画素に３色全ての発光層を成膜した場合であっても、画素２０Ｇ１が緑用電子ブロック層１５Ｇ、画素２０Ｂ１が青用電子ブロック層１５Ｂをそれぞれ有するため、上述したように、各画素では適切な層において電荷の再結合が生じ、所望の色光を取り出し易くなる。よって、上記第１，２の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【０１２１】
本変形例の数値実施例として、以下のようなサンプルを作製し、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色光の発光強度を測定した。この際、各画素１０Ｒ１，１０Ｇ１，１０Ｂ１の幅（ピッチ）、下部電極１１のスケールおよび構成材料、反射ミラーの設置、リブ１１０スケールおよび構成材料は、上記第１の実施の形態における数値実施例と同様とした。また、正孔輸送層１３、赤色発光層１４Ｒ、緑色発光層１４Ｇ１、青色発光層１４Ｂ、緑用電子ブロック層１５Ｇおよび青用電子ブロック層１５Ｂの各構成材料、膜厚および成膜条件は、上記変形例１における数値実施例と同様とした。尚、緑用膜厚調整層２１Ｇの成膜工程では、斜方蒸着の角度方向Ｄ１を７３°方向とし、成膜材料としてはα−ＮＰＤを用い、膜厚を８４ｎｍとした。また、青用膜厚調整層２１Ｂの成膜工程では、斜方蒸着の角度方向Ｄ２を−７３°方向とし、成膜材料としてはα−ＮＰＤを用い、膜厚を３５ｎｍとした。また、青色発光層１４Ｂ上には、ＢＣＰよりなる膜厚３５ｎｍの電子輸送層、ＬＩＦよりなる膜厚０．３ｎｍの電子注入層、およびＭｇ−Ａｇ共蒸着膜よりなる膜厚１２ｎｍの上部電極１６をこの順に形成した。このようにして作製した表示装置２Ａにおける上記測定結果を図２７に示す。
【０１２２】
図２７に示したように、画素２０Ｒ１から赤色光、画素２０Ｇ１から緑色光、画素２０Ｂ１から青色光の各発光が得られた。また、上記のような設定とすることにより、各画素では、下部電極１１下層のＡｌミラーと上部電極１６間において光共振器構造が形成され、その共振の次数は赤０次、緑１次、青１次であった。
【０１２３】
＜第３の実施の形態＞
［表示装置３の構成］
図２８は、本発明の第３の実施の形態に係る表示装置３の断面構造を表すものである。表示装置３は、上記第１の実施の形態の表示装置１と同様、例えばアクティブマトリクス型、上面発光型の有機ＥＬ表示装置であり、駆動基板１０上に、それぞれが有機ＥＬ素子よりなる３種類の画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂを有するものである。以下では、上記第１の実施の形態と同様の構成要素については、同一の符号を付し適宜説明を省略する。
【０１２４】
これらの画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂは、例えば、駆動基板１０の側から順に、下部電極１１、有機積層膜（３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ）および上部電極１６をこの順に有している。また、上記第１の実施の形態と同様、画素３０Ｒ，３０Ｂ間および画素３０Ｒ，３０Ｇ間にはリブ１１０が配設され、上部電極１６上には、保護層１７、接着層１８および封止基板１９が設けられている。
【０１２５】
（有機積層膜３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂの構成）
有機積層膜３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂはそれぞれ、上記第１の実施の形態と同様、赤色発光層３３Ｒ，緑色発光層３３Ｇ，青色発光層３３Ｂのうちの１または２以上の有機発光層と、このような有機発光層以外の他の有機層とを積層したものである。また、これらの有機積層膜３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂでは、上記発光層以外の有機層の層構造（有機層の層数や種類、厚み等）が互いに異なっている。
【０１２６】
図２９（Ａ）〜（Ｃ）は、有機積層膜３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂの断面構造を表したものである。有機積層膜３２Ｒでは、図２９（Ａ）に示したように、正孔輸送層１３上に、赤用正孔輸送層３１Ｒ、赤色発光層３３Ｒおよび青色発光層３３Ｂがこの順に積層されている。有機積層膜３２Ｇは、図２９（Ｂ）に示したように、正孔輸送層１３上に、緑用正孔輸送層３１Ｇ、緑色発光層３３Ｇおよび青色発光層３３Ｂがこの順に積層されている。緑用正孔輸送層３１Ｇおよび赤用正孔輸送層３１Ｒは、例えば上述したような正孔輸送層１３と同様の材料（正孔輸送材料）により構成されている。有機積層膜３２Ｂでは、図２９（Ｃ）に示したように、正孔輸送層１３上に、青色発光層１４Ｂが積層されている。
【０１２７】
このように、本実施の形態では、有機積層膜３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂのそれぞれに、１または２以上色光の発光層が積層されることになるが、有機積層膜３２Ｇの再結合位置Ｄｇは緑色発光層３３Ｇ、有機積層膜３２Ｒの再結合位置Ｄｒは赤色発光層３３Ｒ、有機積層膜３２Ｂの再結合位置Ｄｂは青色発光層３３Ｂにそれぞれ形成されるようになっている。
【０１２８】
即ち、画素３０Ｒにおける有機積層膜３２Ｒは、発光層として、赤色発光層３３Ｒおよび青色発光層３３Ｂを有し、これらの発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１３および赤用正孔輸送層３１Ｒを有している。画素３０Ｇにおける有機積層膜３２Ｇは、発光層として、緑色発光層３３Ｇおよび青色発光層３３Ｂを有し、これらの発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１３および緑用正孔輸送層３１Ｇを有している。画素３０Ｂにおける有機積層膜３２Ｂは、発光層として、青色発光層３３Ｂを有し、この発光層以外の有機層としては、正孔輸送層１３を有している。
【０１２９】
表示装置３全体としては、駆動基板１０上に、画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの全面に渡って正孔輸送層１３が設けられ、この正孔輸送層１３上において、画素３０Ｒでは赤用正孔輸送層３１Ｒ、画素３０Ｇでは緑用正孔輸送層３１Ｇが、それぞれ設けられている。これらの緑用正孔輸送層３１Ｇおよび赤用正孔輸送層３１Ｒを覆うように、画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの全面に渡って青色発光層３３Ｂが形成されている。
【０１３０】
本実施の形態では、これらの各色発光層のうち、緑色発光層３３Ｇおよび赤色発光層３３Ｒが、青色発光層３３Ｂに比べて、極めて薄く形成されている。
【０１３１】
［表示装置３の製造方法］
上記のような表示装置３は、例えば次のようにして製造することができる。図３０〜図３２は、表示装置３の製造方法を工程順に表す断面図である。
【０１３２】
まず、上記第１の実施の形態と同様にして、駆動基板１０上に下部電極１１を形成した後、リブ１１０を形成し、更に、画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の全面に渡って、正孔輸送層１３を成膜する。この後、図３０（Ａ）に示したように、リブ１１０を利用した斜方蒸着により、上述した材料よりなる赤用正孔輸送層３１Ｒを形成する。このとき、蒸着源に対して画素領域（Ｒ）が曝され、画素領域（Ｇ），（Ｂ）についてはリブ１１０の陰となるような角度方向Ｄ１から蒸着を行う。このようにして、画素３０Ｒとなる画素領域（Ｒ）に、選択的に赤用正孔輸送層３１Ｒを形成する。尚、この結果、画素領域（Ｇ），（Ｂ）間に設けられたリブ１１０の画素領域（Ｂ）側の側面にも、赤用正孔輸送層３１Ｒが成膜される。
【０１３３】
続いて、図３０（Ｂ）に示したように、リブ１１０を利用した斜方蒸着により、画素領域（Ｒ）において、赤用正孔輸送層３１Ｒ上に重ねて、所定の膜厚で赤色発光層３３Ｒを形成する。尚、この結果、画素領域（Ｇ），（Ｂ）間に設けられたリブ１１０の画素領域（Ｂ）側の側面にも、赤色発光層３３Ｒが成膜される。
【０１３４】
次いで、図３１（Ａ）に示したように、リブ１１０を利用した斜方蒸着により、上述した材料よりなる緑用正孔輸送層３１Ｇを形成する。このとき、蒸着源に対して画素領域（Ｇ）が曝され、画素領域（Ｒ），（Ｂ）についてはリブ１１０の陰となるような角度方向Ｄ２から蒸着を行う。このようにして、画素３０Ｇとなる画素領域（Ｇ）に、選択的に緑用正孔輸送層３１Ｇを形成する。尚、この結果、画素領域（Ｒ），（Ｂ）間に設けられたリブ１１０の画素領域（Ｂ）側の側面にも、緑用正孔輸送層３１Ｇが成膜される
【０１３５】
続いて、図３１（Ｂ）に示したように、リブ１１０を利用した斜方蒸着により、画素領域（Ｇ）において、緑用正孔輸送層３１Ｇ上に重ねて、所定の膜厚で緑色発光層３３Ｇを形成する。尚、この結果、画素領域（Ｒ），（Ｂ）間に設けられたリブ１１０の画素領域（Ｂ）側の側面にも、緑色発光層３３Ｇが成膜される。
【０１３６】
この後、図３２（Ａ）に示したように、駆動基板１０に略垂直な方向からの真空蒸着により、画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の全面に渡って、青色発光層３３Ｒを成膜する。これにより、駆動基板１０上において、青色発光層３３Ｒが、各画素領域に共通の層として形成される。尚、この結果として、各リブ１１０の上面にも、青色発光層３３Ｒが堆積される。このようにして、各画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）にそれぞれ、有機積層膜３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂを形成する。
【０１３７】
この後、図３２（Ｂ）に示したように、上記第１の実施の形態と同様、画素領域（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の全面に渡って、上部電極１６を、例えば真空蒸着あるいはスパッタにより成膜する。これにより、駆動基板１０上に、画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂが形成される。
【０１３８】
最後に、上記第１の実施の形態と同様にして、形成した画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの全面を覆うように保護層１７を成膜した後、この保護層１７の上面に接着層１８を介して封止基板１９を貼り合わせることにより、図２８に示した表示装置３を完成する。
【０１３９】
［表示装置３の作用・効果］
本実施の形態の表示装置３では、画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂのそれぞれに、各色の映像信号に応じた駆動電流が印加されると、下部電極１１および上部電極１６を通じて、有機積層膜３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂに電子および正孔が注入される。これらの電子および正孔は、画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂにおける赤色発光層３３Ｒ，緑色発光層３３Ｇ，青色発光層３３Ｂにおいてそれぞれ再結合され、各色の発光光を生じる。このようにして、表示装置３では、Ｒ，Ｇ，Ｂのフルカラーの映像表示がなされる。
【０１４０】
ここで、表示装置３においても、上記第１の実施の形態の表示装置１と同様、フルカラーの映像表示を実現するために、製造プロセスにおける各色発光層の塗り分けを、リブ１１０を用いて行う。また、本実施の形態においても、有機積層膜３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂが、１または２以上の有機発光層とそれ以外の他の有機層とを含み、他の有機層の層構造が、画素の種類毎に異なっている。例えば、有機発光層以外の有機層として、有機積層膜３２Ｒは、正孔輸送層１３および赤用正孔輸送層３１Ｒを含み、有機積層膜３２Ｇは、正孔輸送層１３および緑用正孔輸送層３１Ｇを含み、有機積層膜３２Ｂは、正孔輸送層１３を含んでいる。
【０１４１】
このような層構造により、画素３０Ｒでは、上述した発光エネルギーに起因して、赤色発光層３３Ｒに再結合位置Ｄｒが形成され、赤色光の発光が得られる。また同様に、画素３０Ｇでは、緑色発光層３３Ｇに再結合位置Ｄｇが形成され、緑色光の発光が得られる。画素３０Ｂでは、成膜された青色発光層３３Ｂにおいて再結合が生じ、青色光の発光が得られる。ここで、本実施の形態では、画素３０Ｒ，３０Ｇにおいて、赤用正孔輸送層３１Ｒおよび緑用正孔輸送層３１Ｇが設けられていることにより、赤色発光層３３Ｒおよび緑色発光層３３Ｇの薄膜化が可能である。このため、赤色発光層３３Ｒおよび緑色発光層３３Ｇの成膜工程において、画素３０Ｂに赤色発光材料および緑色発光材料が付着してしまったとしても、その付着量を極微量に抑えることができる。従って、そのような発光材料の付着による混色の影響を、極微小な許容範囲内に抑えることができる。
【０１４２】
以上のように、本実施の形態では、下部電極１１および上部電極１６間に設けられた有機積層膜３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂが、１または２以上の発光層とそれ以外の他の有機層とを含み、他の有機層における層構造が、画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂ毎に異なっている。例えば、画素３０Ｇの所定の位置に緑用正孔輸送層３１Ｇ、画素３０Ｒの所定の位置に赤用正孔輸送層３１Ｒがそれぞれ配置されている。これにより、各画素に自己の色光とは異なる色の有機発光材料が付着した場合であっても、その付着による色光の混色を抑制することができる。よって、複数色を用いたカラー表示に際し、良好な色純度を確保することが可能となる。
【０１４３】
＜第４の実施の形態＞
上記実施の形態等では、アノードとして機能する下部電極１１が駆動基板１０の表面（平坦化膜表面）と段差が生じないように設けられた場合について説明したが、本実施の形態では、そのような段差の発生が不可避の場合の好適な構造例について説明する。ここでは、駆動基板１０の平坦面上に下部電極１１が画素毎に配設され、更にその上に、下部電極１１に対向して開口を有する画素間絶縁膜（画素間絶縁膜４２）が形成された構成を例に挙げる。尚、本実施の形態においても、駆動基板１０に配設されたＴＦＴおよび平坦化膜の図示は省略している。また、表示装置のうち、一部の構成要素についてのみ示している。
【０１４４】
図３３は、本実施の形態における斜方蒸着前の基板構成を表したものである。本実施の形態では、下部電極１１が配設された駆動基板１０上に、画素間絶縁膜４２が形成されている。これらの下部電極１１および画素間絶縁膜４２を下地層４１として、有機層４３が形成されている。有機層４３は、上述した正孔輸送層や赤色発光層などの垂直方向からの蒸着によって成膜される層である。尚、図３３には図示しないが、本実施の形態においても、上記実施の形態と同様、有機層４３上に、斜方蒸着によって各色発光層やブロック層が画素領域毎に塗り分けられており、更に上部電極１６、保護層１７、接着層１８および封止基板１９が順に設けられている。
【０１４５】
リブ１１０は、上記実施の形態等と同様、蒸着順序や画素の色配列に応じて、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間の選択的な領域に設けられている。ここでは、それぞれがＲ，Ｇ，Ｂのいずれかに対応する画素領域Ｓ１〜Ｓ３のうちの画素領域Ｓ１，Ｓ３間および画素領域Ｓ２，Ｓ３間にリブ１１０が設けられている。即ち、斜方蒸着の対象となる画素領域Ｓ１，Ｓ２（例えばＧ，Ｂの画素形成領域）間にはリブ１１０が設けられていない。
【０１４６】
画素間絶縁膜４２は、各画素（発光領域）を電気的に分離するための絶縁膜であり、下部電極１１に対向して開口（開口Ｈ１，Ｈ２）を有している。この画素間絶縁膜４２は、例えばポリイミド，アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜、あるいは酸化ケイ素（ＳｉＯx）または窒化ケイ素（ＳｉＮx）等の無機絶縁膜により構成されている。この画素間絶縁膜４２上に、上記リブ１１０が配設されている。
【０１４７】
本実施の形態では、斜方蒸着の対象となる画素領域Ｓ１，Ｓ２の境界Ｂ１からリブ１１０側に向かって（リブ１１０へ近づくに従って）、下地層４１の厚み（高さ）が段階的に大きくなっている（雛壇構造ｓｔ１，ｓｔ２を有している）。具体的には、画素間絶縁膜４２において、開口Ｈ１が、画素領域Ｓ１，Ｓ２の各下部電極１１に共通して設けられており、即ち、画素領域Ｓ１，Ｓ２間（境界Ｂ１付近）では、下部電極１１のエッジ（端部）が絶縁膜によって覆われておらず、駆動基板１０の表面も露出している。一方、実質的に斜方蒸着の対象とならない画素領域Ｓ３（例えばＲの画素形成領域）では、下部電極１１のエッジ全て覆うように開口Ｈ２が設けられている。
【０１４８】
このように、斜方蒸着の対象となる画素領域Ｓ１，Ｓ２において、境界Ｂ１からリブ１１０に向かって段階的に厚みが大きくなっていることにより、以下に説明するように、斜方蒸着時のケラレが生じにくくなり、蒸着による膜厚むらを軽減することができる。
【０１４９】
例えば、仮に、図３４（Ａ），（Ｂ）に示したように、画素間絶縁膜４２’が下部電極１１毎に開口Ｈ１を有する場合（全画素領域における下部電極１１のエッジが画素間絶縁膜４２’によって覆われている場合）について考える。この場合、画素領域Ｓ１への斜方蒸着の際には、図３４（Ａ）に示したように、画素間絶縁膜４２’および下部電極１１間の段差（Ｘ１）の影響によってケラレが生じる。このため、画素領域Ｓ１では、下部電極１１上において、局所的に薄膜となる部分が生じ、均一な厚みで有機材料を蒸着することができない。あるいは、画素領域Ｓ２への斜方蒸着の際には、図３４（Ｂ）に示したように、画素間絶縁膜４２’および下部電極１１間の段差（Ｘ２）の影響によってケラレが生じる。このため、画素領域Ｓ２においても、下部電極１１上に均一な厚みで有機材料を蒸着することができない。尚、上記のような画素領域Ｓ１，Ｓ２への斜方蒸着工程を連続的に行う場合にも同様の現象が生じる。このように、下部電極１１上に均一な膜厚で各色発光層等の有機材料を成膜できないと、局所的な部分に電流が集中したり、所望の発光色が得られなかったりする。
【０１５０】
これに対し、本実施の形態では、上述のように画素間絶縁膜４２において、開口Ｈ２を画素領域Ｓ１，Ｓ２の双方に共通して設け、境界Ｂ１からリブ１１０に向かって下地層４１の厚みを段階的に変化させてなる雛壇構造ｓｔ１，ｓｔ２を有している。これにより、画素領域Ｓ１への斜方蒸着の際には、例えば図３５（Ａ）に示したように、角度方向Ｄ１に沿って有機材料を放出する蒸着源（図示せず）に対し、影となる部分が生じない。このため、画素領域Ｓ１では、下部電極１１上に、略均一な厚みで有機材料４４ａを堆積させることができる。あるいは、画素領域Ｓ２への斜方蒸着の際には、図３５（Ｂ）に示したように、角度方向Ｄ２に沿って有機材料を放出する蒸着源（図示せず）に対し、影となる部分が生じない。このため、画素領域Ｓ２においても、下部電極１１上に、略均一な厚みで有機材料４４ｂを堆積させることができる。よって、斜方蒸着時において、ケラレの発生を抑制し、略均一な厚みで有機材料の成膜を行うことができる。これにより、上記実施の形態等で説明した場合（下部電極１１および駆動基板１０の各表面が同一面を形成する場合）と同等の効果を得ることができる。
【０１５１】
＜変形例３＞
上記第４の実施の形態では、斜方蒸着の対象となる画素領域Ｓ１，Ｓ２において、下部電極１１のエッジが露出した構成となっている。このため、例えば、高精細の有機ＥＬディスプレイを作製する場合等、隣接画素間の距離が非常に近くなる場合には、画素領域Ｓ１，Ｓ２間において、発光層等の有機層を通じてリーク電流が発生することも考えられる。このようなリーク電流は、発光特性に影響を与えるために、できるだけ抑制されることが望ましい。
【０１５２】
そこで、図３６に示したように、画素領域Ｓ１，Ｓ２間の境界Ｂ１付近にリーク防止絶縁膜４５を設けてもよい。リーク防止絶縁膜４５は、例えば絶縁性を有するリブ（突起物）であり、例えば画素間絶縁膜４２と同様の材料により構成されている。このリーク防止絶縁膜４５は、そのアスペクト比（厚みおよび幅の比）が、蒸着源側からみて下部電極１１上に死角となる領域が形成されないような範囲に設定されていることが望ましい。リーク防止絶縁膜４５に起因して生じるケラレの影響が下部電極１１上へ及ばないようにするためである。このようなリーク防止絶縁膜４５は、例えば画素間絶縁膜４２と同一工程においてパターニング形成することもできる。
【０１５３】
これにより、本変形例においても、画素領域Ｓ１への斜方蒸着の際には、例えば図３７（Ａ）に示したように、角度方向Ｄ１に沿って有機材料を放出する蒸着源（図示せず）に対し、影となる部分が生じない。このため、画素領域Ｓ１では、下部電極１１上に、略均一な厚みで有機材料４６ａを堆積させることができる。あるいは、画素領域Ｓ２への斜方蒸着の際には、図３５（Ｂ）に示したように、角度方向Ｄ２に沿って有機材料を放出する蒸着源（図示せず）に対し、影となる部分が生じない。このため、画素領域Ｓ２においても、下部電極１１上に、略均一な厚みで有機材料４６ｂを堆積させることができる。よって、斜方蒸着時において、ケラレの発生を抑制し、略均一な厚みで有機材料の成膜を行うことができる。加えて、本変形例では、画素領域Ｓ１，Ｓ２間にリーク防止絶縁膜４５が設けられていることにより、画素領域Ｓ１，Ｓ２間でのリーク電流の発生を抑制することができ、発光特性の劣化を防ぐことができる。
【０１５４】
尚、上記変形例３では、画素領域Ｓ１，Ｓ２間に、リーク防止絶縁膜４５（リブ）を設けるようにしたが、画素間の絶縁が可能となる構成であれば、特にリブに限定されない。例えば、有機材料のパターニングに影響が出ない範囲で溝を形成してもよいし、あるいは画素間絶縁膜４２とは異なる絶縁材料よりなる構造物を設けるようにしてもよい。
【０１５５】
＜変形例４＞
図３８は、上記第４の実施の形態の変形例（変形例４）に係る基板構成を表したものである。本変形例では、絶縁膜４２ａがリブ１１０と下部電極１１との間隙を埋め込むように形成されている。これらの絶縁膜４２ａおよび下部電極１１によって、駆動基板１０上に雛壇構造ｓｔ１，ｓｔ２が形成されている。絶縁膜４２ａは、例えばポリイミド、アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂等の有機絶縁膜、あるいは酸化ケイ素または窒化ケイ素等の無機絶縁膜により構成されている。
【０１５６】
このように、リブ１１０と下部電極１１との間隙を埋めるように絶縁膜４２ａを形成するようにしてもよく、この場合であっても、上記第４の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【０１５７】
尚、上記変形例４では、下部電極１１とリブ１１０とが離隔して設けられた場合を例示したが、図３９に示したように、これらが隣接して配置されていてもよい。この場合には、下部電極１１とリブ１１０との隣接する角部に絶縁膜４２ａを形成することにより、雛壇構造ｓｔ１を形成することができる。
【０１５８】
［表示装置１〜３の全体構成、画素回路構成］
次に、上記第１〜３の実施の形態に係る表示装置１〜３の全体構成および画素回路構成について説明する。図３３は、有機ＥＬディスプレイとして用いられる表示装置の周辺回路を含む全体構成を表すものである。このように、例えば駆動基板１０上には、有機ＥＬ素子を含む複数の画素ＰＸＬＣがマトリクス状に配置されてなる表示領域３０が形成され、この表示領域３０の周辺に、信号線駆動回路としての水平セレクタ（ＨＳＥＬ）３１と、走査線駆動回路としてのライトスキャナ（ＷＳＣＮ）３２と、電源線駆動回路としての電源スキャナ（ＤＳＣＮ）３３とが設けられている。
【０１５９】
表示領域３０において、列方向には複数（整数ｎ個）の信号線ＤＴＬ１〜ＤＴＬｎが配置され、行方向には、複数（整数ｍ個）の走査線ＷＳＬ１〜ＷＳＬｍおよび電源線ＤＳＬ１〜ＤＳＬｍがそれぞれ配置されている。また、各信号線ＤＴＬと各走査線ＷＳＬとの交差点に、各画素ＰＸＬＣ（Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する画素のいずれか１つ）が設けられている。各信号線ＤＴＬは水平セレクタ３１に接続され、この水平セレクタ３１から各信号線ＤＴＬへ映像信号が供給されるようになっている。各走査線ＷＳＬはライトスキャナ３２に接続され、このライトスキャナ３２から各走査線ＷＳＬへ走査信号（選択パルス）が供給されるようになっている。各電源線ＤＳＬは電源スキャナ３３に接続され、この電源スキャナ３３から各電源線ＤＳＬへ電源信号（制御パルス）が供給されるようになっている。
【０１６０】
図３４は、画素ＰＸＬＣにおける具体的な回路構成例を表したものである。各画素ＰＸＬＣは、有機ＥＬ素子３Ｄを含む画素回路４０を有している。この画素回路４０は、サンプリング用トランジスタ３Ａおよび駆動用トランジスタ３Ｂと、保持容量素子３Ｃと、有機ＥＬ素子３Ｄとを有するアクティブ型の駆動回路である。
【０１６１】
サンプリング用トランジスタ３Ａは、そのゲートが対応する走査線ＷＳＬに接続され、そのソースおよびドレインのうちの一方が対応する信号線ＤＴＬに接続され、他方が駆動用トランジスタ３Ｂのゲートに接続されている。駆動用トランジスタ３Ｂは、そのドレインが対応する電源線ＤＳＬに接続され、ソースが有機ＥＬ素子３Ｄのアノードに接続されている。また、この有機ＥＬ素子３Ｄのカソードは、接地配線３Ｈに接続されている。なお、この接地配線３Ｈは、全ての画素ＰＸＬＣに対して共通に配線されている。保持容量素子３Ｃは、駆動用トランジスタ３Ｂのソースとゲートとの間に配置されている。
【０１６２】
サンプリング用トランジスタ３Ａは、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パルス）に応じて導通することにより、信号線ＤＴＬから供給される映像信号の信号電位をサンプリングし、保持容量素子３Ｃに保持するものである。駆動用トランジスタ３Ｂは、所定の第１電位（図示せず）に設定された電源線ＤＳＬから電流の供給を受け、保持容量素子３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流を有機ＥＬ素子３Ｄへ供給するものである。有機ＥＬ素子３Ｄは、この駆動用トランジスタ３Ｂから供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光するようになっている。
【０１６３】
このような回路構成では、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パルス）に応じてサンプリング用トランジスタ３Ａが導通することにより、信号線ＤＴＬから供給された映像信号の信号電位がサンプリングされ、保持容量素子３Ｃに保持される。また、上記第１電位に設定された電源線ＤＳＬから駆動用トランジスタ３Ｂへ電流が供給され、保持容量素子３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流が有機ＥＬ素子３Ｄ（赤色、緑色および青色の各有機ＥＬ素子）へ供給される。そして、各有機ＥＬ素子３Ｄは、供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置において、映像信号に基づく映像表示がなされる。
【０１６４】
＜適用例＞
以下、上記のような表示装置１〜３の電子機器への適用例について説明する。表示装置１〜３は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、表示装置１〜３は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０１６５】
（モジュール）
上記表示装置は、例えば図３５に示したようなモジュールとして、後述の適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１０の一辺に、封止用基板５０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、水平セレクタ３１、ライトスキャナ３２および電源スキャナ３３の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【０１６６】
（適用例１）
図３６は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００が表示装置１〜３に相当する。
【０１６７】
（適用例２）
図３７は、デジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が表示装置１〜３に相当する。
【０１６８】
（適用例３）
図３８は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が表示装置１〜３に相当する。
【０１６９】
（適用例４）
図３９は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。この表示部６４０が表示装置１〜３に相当する。
【０１７０】
（適用例５）
図４０は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、表示装置１〜３に相当する。
【０１７１】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、本発明のキャリアブロック層として、電子ブロック機能を有する電子ブロック層を用いた場合を例に挙げて説明したが、これに限らず、正孔ブロック機能を有する正孔ブロック層を用いるようにしてもよい。
【０１７２】
また、上記実施の形態等では、リブ等の突状部材を使用して斜方蒸着を行う場合を例に挙げて説明したが、必ずしもそのような突状部材を基板上に形成する必要はなく、蒸着方向に応じて特定の画素領域をマスクすることが可能なシャドーマスクを使用すればよい。
【０１７３】
また、上記実施の形態では、有機発光層以外の有機層の一例として、Ｒ，Ｇ，Ｂの３種の画素の選択的な画素に電子ブロック層や膜厚調整層を設けた例について説明したが、これらの層を設ける画素は、上述のものに限定されず、また全ての画素に設けるようにしてもよい。
【０１７４】
更に、本発明における有機積層膜は、上記実施の形態等で説明した有機積層膜に限定されず、更に他の層を備えていてもよい。
【符号の説明】
【０１７５】
１〜３…表示装置、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ，３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂ…画素、１ｂ，１０…駆動基板、１１…下部電極、１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ，３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ…有機積層膜、１３…正孔輸送層、１４Ｒ，３３Ｒ…赤色発光層、１４Ｇ，３３Ｇ…緑色発光層、１４Ｂ，３３Ｂ…青色発光層、１５Ｇ…緑用電子ブロック層、１５Ｂ…青用電子ブロック層、１６…上部電極、１７…保護膜、１８…接着層、１９…封止基板、２１Ｇ…緑用膜厚調整層、２１Ｂ…青用膜厚調整層、３１Ｇ…緑用正孔輸送層、３１Ｒ…赤用正孔輸送層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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