(57)【要約】【課題】絶縁性および発光効率のいずれにも優れる発光素子を提供することができる絶縁基板および配線基板ならびにそれらの製造方法およびそれらを用いた発光素子の提供。【解決手段】金属基板と、前記金属基板の表面の一部に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、  前記金属基板が、バルブ金属基板であり、  前記絶縁層が、バルブ金属の陽極酸化皮膜であり、  前記金属基板の表面における３００〜７００ｎｍの波長領域での全反射率が、８５％以上であり、  前記金属基板の表面の平均表面粗さＲaが、０．０５〜２．００μｍであり、  原子間力顕微鏡を用いて前記金属基板の表面の５０μｍ×５０μｍの範囲を５１２×５１２点測定して得られる３次元データから近似三点法により求められる実面積Ｓxと幾何学的測定面積Ｓ0とから下記式（Ｉ）により求められる表面積差ΔＳが、０．７〜５０％である絶縁基板。  ΔＳ＝［（Ｓx−Ｓ0）／Ｓ0]×１００（％）    （Ｉ）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、前記金属基板の表面の一部に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、
前記金属基板が、バルブ金属基板であり、
前記絶縁層が、バルブ金属の陽極酸化皮膜であり、
前記金属基板の表面における３００〜７００ｎｍの波長領域での全反射率が、８５％以上であり、
前記金属基板の表面の平均表面粗さＲaが、０．０５〜２．００μｍであり、
原子間力顕微鏡を用いて前記金属基板の表面の５０μｍ×５０μｍの範囲を５１２×５１２点測定して得られる３次元データから近似三点法により求められる実面積Ｓxと幾何学的測定面積Ｓ0とから下記式（Ｉ）により求められる表面積差ΔＳが、０．７〜５０％である絶縁基板。
ΔＳ＝［（Ｓx−Ｓ0）／Ｓ0]×１００（％）    （Ｉ）
【請求項２】
前記金属基板の表面の平均表面粗さＲaが、０．１０〜１．００μｍであり、
前記金属基板の表面の前記表面積差ΔＳが、１．０〜１０％である請求項１に記載の絶縁基板。
【請求項３】
前記金属基板の表面の平均表面粗さＲaが、０．２０〜０．５０μｍであり、
前記金属基板の表面の前記表面積差ΔＳが、３．５〜６．０％である請求項１または２に記載の絶縁基板。
【請求項４】
前記絶縁層が、その表面の一部を露出した状態で前記金属基板に埋設される請求項１〜３のいずれかに記載の絶縁基板。
【請求項５】
前記絶縁層の厚みが、２０〜３００μｍである請求項１〜４のいずれかに記載の絶縁基板。
【請求項６】
前記バルブ金属が、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマスおよびアンチモンからなる群から選択される少なくとも１種の金属である請求項１〜５のいずれかに記載の絶縁基板。
【請求項７】
前記バルブ金属が、アルミニウムである請求項１〜６のいずれかに記載の絶縁基板。
【請求項８】
ＬＥＤ発光素子の発光観測面側に設けられる基板である請求項１〜７のいずれかに記載の絶縁基板。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の絶縁基板を製造する絶縁基板の製造方法であって、
バルブ金属基板の表面に所定の開口パターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、
前記マスク層の開口部に陽極酸化処理を施し、前記バルブ金属基板の表面の一部に陽極酸化皮膜を形成して絶縁基板を得る陽極酸化処理工程とを有する絶縁基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに記載の絶縁基板と、前記絶縁基板の前記絶縁層側の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板。
【請求項１１】
請求項１０に記載の配線基板を製造する配線基板の製造方法であって、
バルブ金属基板の表面に所定の開口パターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、
前記マスク層の開口部に陽極酸化処理を施し、前記バルブ金属基板の表面の一部に陽極酸化皮膜を形成する陽極酸化処理工程と、
前記陽極酸化皮膜の表面に金属配線層を形成する金属配線層形成工程と、
前記金属配線層を形成した後に前記マスク層を除去して配線基板を得る除去工程とを有する配線基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の配線基板と、前記配線基板の前記金属配線層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、前記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子に用いられる絶縁基板に関するものであり、詳しくは発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という。）に用いられる絶縁基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ＬＥＤは、蛍光灯と比較して、電力使用量が１／１００、寿命が４０倍（４００００時間）と言われている。このような省電力かつ長寿命という特徴が、環境重視の流れの中でＬＥＤが採用される重要な要素となっている。
特に白色ＬＥＤは、演色性に優れ、蛍光灯に比べて電源回路が簡便であるというメリットもあることから、照明用光源としての期待が高まっている。
近年、照明用光源として要求される発光効率の高い白色ＬＥＤ（３０〜１５０Ｌｍ／Ｗ）も続々と登場し、実用時における光の利用効率の点では、蛍光灯（２０〜１１０Ｌｍ／Ｗ）を逆転している。
これにより、蛍光灯にかわり白色ＬＥＤの実用化の流れが一気に高まり、液晶表示装置のバックライトや照明用光源として白色ＬＥＤが採用されるケースも増えつつある。
【０００３】
ところで、高輝度化を達成するためにＬＥＤチップに電流を大量に流すと、発熱量が増大して波長変換用蛍光体担持樹脂材料の経時劣化を促進し、その結果、長寿命という特徴が犠牲になるという問題点が指摘されている。
実際、従来のＬＥＤにおいては、長時間駆動させたり、発光輝度を高めるために高電流駆動させたりすると、ＬＥＤチップが著しく発熱して高温状態となり、熱劣化するという問題が生じている。
【０００４】
このような問題を解消するため、例えば、特許文献１では、「アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属プレートと、前記金属プレート上に形成された陽極酸化膜と、前記金属プレート上に実装された熱発生素子と、前記陽極酸化膜上に形成された電気的配線とを含む陽極酸化金属基板モジュール。」が記載されており（［請求項１］［請求項２］）、熱放出特性の更なる向上の観点から、金属プレート上に選択的に陽極酸化膜を形成し、金属プレートの上面を選択的に開放する態様も記載されている（［請求項５］［００２２］〜［００２４］［図４］）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２５１１７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者は、特許文献１の図４に記載された陽極酸化金属基板モジュールについて検討を行った結果、陽極酸化膜を形成させる部位や厚さによっては絶縁性（耐電圧）に劣る場合があり、また、金属（アルミニウム）プレートの表面状態によっては反射率が低下し、ＬＥＤの発光効率が低下する場合があることが明らかとなり、優れた絶縁性および発光効率を両立することが困難であることが分かった。
【０００７】
そこで、本発明は、絶縁性および発光効率のいずれにも優れる発光素子を提供することができる絶縁基板および配線基板ならびにそれらの製造方法およびそれらを用いた発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、絶縁基板を構成する金属基板表面の平均表面粗さＲaと所定の表面積差ΔＳとを特定の値とすることにより、優れた絶縁性と発光効率を両立できることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、以下の（１）〜（１２）を提供する。
【０００９】
（１）金属基板と、上記金属基板の表面の一部に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、
上記金属基板が、バルブ金属基板であり、
上記絶縁層が、バルブ金属の陽極酸化皮膜であり、
上記金属基板の表面における３００〜７００ｎｍの波長領域での全反射率が、８５％以上であり、
上記金属基板の表面の平均表面粗さＲaが、０．０５〜２．００μｍであり、
原子間力顕微鏡を用いて上記金属基板の表面の５０μｍ×５０μｍの範囲を５１２×５１２点測定して得られる３次元データから近似三点法により求められる実面積Ｓxと幾何学的測定面積Ｓ0とから下記式（Ｉ）により求められる表面積差ΔＳが、０．７〜５０％である絶縁基板。
ΔＳ＝［（Ｓx−Ｓ0）／Ｓ0]×１００（％）    （Ｉ）
【００１０】
（２）上記金属基板の表面の平均表面粗さＲaが、０．１０〜１．００μｍであり、
上記金属基板の表面の上記表面積差ΔＳが、１．０〜１０％である上記（１）に記載の絶縁基板。
【００１１】
（３）上記金属基板の表面の平均表面粗さＲaが、０．２０〜０．５０μｍであり、
上記金属基板の表面の上記表面積差ΔＳが、３．５〜６．０％である上記（１）または（２）に記載の絶縁基板。
【００１２】
（４）上記絶縁層が、その表面の一部を露出した状態で上記金属基板に埋設される上記（１）〜（３）のいずれかに記載の絶縁基板。
【００１３】
（５）上記絶縁層の厚みが、２０〜３００μｍである上記（１）〜（４）のいずれかに記載の絶縁基板。
【００１４】
（６）上記バルブ金属が、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマスおよびアンチモンからなる群から選択される少なくとも１種の金属である上記（１）〜（５）のいずれかに記載の絶縁基板。
【００１５】
（７）上記バルブ金属が、アルミニウムである上記（１）〜（６）のいずれかに記載の絶縁基板。
【００１６】
（８）ＬＥＤ発光素子の発光観測面側に設けられる基板である上記（１）〜（７）のいずれかに記載の絶縁基板。
【００１７】
（９）上記（１）〜（８）のいずれかに記載の絶縁基板を製造する絶縁基板の製造方法であって、
バルブ金属基板の表面に所定の開口パターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、
上記マスク層の開口部に陽極酸化処理を施し、上記バルブ金属基板の表面の一部に陽極酸化皮膜を形成して絶縁基板を得る陽極酸化処理工程とを有する絶縁基板の製造方法。
【００１８】
（１０）上記（１）〜（８）のいずれかに記載の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁層側の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板。
【００１９】
（１１）上記（１０）に記載の配線基板を製造する配線基板の製造方法であって、
バルブ金属基板の表面に所定の開口パターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、
上記マスク層の開口部に陽極酸化処理を施し、上記バルブ金属基板の表面の一部に陽極酸化皮膜を形成する陽極酸化処理工程と、
上記陽極酸化皮膜の表面に金属配線層を形成する金属配線層形成工程と、
上記金属配線層を形成した後に上記マスク層を除去して配線基板を得る除去工程とを有する配線基板の製造方法。
【００２０】
（１２）上記（１０）に記載の配線基板と、上記配線基板の上記金属配線層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、上記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子。
【発明の効果】
【００２１】
以下に説明するように、本発明によれば、絶縁性および発光効率のいずれにも優れる発光素子を提供することができる絶縁基板および配線基板ならびにそれらの製造方法およびそれらを用いた発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の絶縁基板の作製における電気化学的粗面化処理に用いられる交番波形電流波形図の一例を示すグラフである。
【図２】図２は、本発明の絶縁基板の作製における交流を用いた電気化学的粗面化処理におけるラジアル型セルの一例を示す概略図である。
【図３】図３は、本発明の絶縁基板（配線基板）の製造方法の各工程を説明する模式図である。
【図４】図４は、本発明の絶縁基板の作製における陽極酸化処理に用いられる陽極酸化処理装置の概略図である。
【図５】図５は、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の一構成例を示した模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
［絶縁基板］
以下に、本発明の絶縁基板について詳細に説明する。
本発明の絶縁基板は、金属基板と、上記金属基板の表面の一部に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、上記金属基板がバルブ金属基板であり、上記絶縁層がバルブ金属の陽極酸化皮膜であり、上記金属基板の表面における３００〜７００ｎｍの波長領域での全反射率が８５％以上であり、上記金属基板の表面の平均表面粗さＲaが０．０５〜２．００μｍであり、原子間力顕微鏡を用いて上記金属基板の表面の５０μｍ×５０μｍの範囲を５１２×５１２点測定して得られる３次元データから近似三点法により求められる実面積Ｓxと幾何学的測定面積Ｓ0とから上記式（Ｉ）により求められる表面積差ΔＳが０．７〜５０％である絶縁基板である。
次に、本発明の絶縁基板を構成する金属基板（バルブ金属基板）および絶縁層（バルブ金属の陽極酸化皮膜）について説明する。
【００２４】
〔金属基板〕
本発明の絶縁基板に用いられる金属基板は、バルブ金属からなる基板である。
ここで、バルブ金属とは、陽極酸化により金属表面がその金属の酸化物の皮膜で覆われる特性を有し、更にその酸化皮膜が、電流を一方方向にのみ流して逆方向には非常に流しにくい特性を有する金属のことであり、その具体例としては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。
これらのうち、本発明の絶縁基板を用いた白色系ＬＥＤ発光素子（以下、単に「本発明の発光素子」ともいう。）における光源の透過性が良好となり、加工性および強度にも優れる理由から、以下に詳述するアルミニウム基板であるのが好ましい。
【００２５】
＜アルミニウム基板＞
本発明の絶縁基板に好適に用いられるアルミニウム基板は、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等を用いることもできる。
ここで、上記合金板に含まれてもよい異元素としては、ケイ素、鉄、銅、マンガン、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタン等が挙げられ、合金中の異元素の含有量は、１０質量％以下であるのが好ましい。
このようなアルミニウム基板は、組成や調製方法（例えば、鋳造方法等）等については特に限定されず、特開２００７−２４５１１６号公報の［００２４］〜［００４４］段落に記載された組成、調製方法等を適宜採用することができる。
【００２６】
本発明においては、上記金属基板の厚みは、０．１〜２．０ｍｍ程度であり、０．１５〜１．５ｍｍであるのが好ましく、０．２〜１．０ｍｍであるのがより好ましい。この厚さは、ユーザーの希望等により適宜変更することができる。
【００２７】
また、本発明においては、上記金属基板の表面における３００〜７００ｎｍの波長領域での全反射率（以下、単に「全反射率」ともいう。）が８５％以上であり、９０％以上であるのが好ましく、９２％以上であるのがより好ましい。なお、この全反射率の値は、本発明の絶縁基板の表面（絶縁層により形成される表面を除く）の全反射率と同様である。
ここで、全反射率は、分光光度計で測定された値をいい、全反射率が８５％以上であると、本発明の発光素子の発光効率が良好なものとなる。
【００２８】
更に、本発明においては、全反射率を８５％以上とする観点から、上記金属基板の表面の平均表面粗さＲaは０．０５〜２．００μｍであり、発光方向への反射光量を増やし、また、上記金属基板での多重反射による反射光量の低減を抑制できる等の理由から、０．１０〜１．００μｍであるのが好ましく、０．２０〜０．５０μｍであるのがより好ましい。なお、この平均表面粗さＲaの値は、本発明の絶縁基板の表面（絶縁層により形成される表面を除く）の平均表面粗さＲaと同様である。
ここで、平均表面粗さＲaの値は、触針式粗さ計（例えば、ｓｕｆｃｏｍ５７５、東京精密社製）で２次元粗さ測定を行い、ＩＳＯ４２８７に規定されている平均表面粗さＲaを５回測定し、その平均値を用いる。
【００２９】
更に、本発明においては、全反射率を８５％以上とする観点から、原子間力顕微鏡を用いて上記金属基板の表面の５０μｍ×５０μｍの範囲を５１２×５１２点測定して得られる３次元データから近似三点法により求められる実面積Ｓxと幾何学的測定面積Ｓ0とから下記式（Ｉ）により求められる表面積差ΔＳは０．７〜５０％であり、本発明の発光素子の白色性（散乱性）が向上する理由から、１．０〜１０％であるのが好ましく、３．５〜６．０％であるのがより好ましい。なお、この表面積差ΔＳの値は、本発明の絶縁基板の表面（絶縁層により形成される表面を除く）の表面積差ΔＳと同様である。
ΔＳ＝［（Ｓx−Ｓ0）／Ｓ0]×１００（％）    （Ｉ）
【００３０】
ここで、表面積差ΔＳは、上記金属基板の表面の凹凸の程度を示すファクターの１つである。表面積差ΔＳが大きいと、より光を散乱させることができ、全反射率が高くなる。
【００３１】
また、表面積差ΔＳを求めるために、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＡＦＭ）により表面形状を測定し、３次元データを求める。測定は、例えば、以下の条件で行うことができる。
即ち、上記金属基板を１ｃｍ角の大きさに切り取って、ピエゾスキャナー上の水平な試料台にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチし、原子間力が働く領域に達したところで、ＸＹ方向にスキャンし、その際、試料の凹凸をＺ方向のピエゾの変位でとらえる。ピエゾスキャナーは、ＸＹ方向について１５０μｍ、Ｚ方向について１０μｍ、走査可能なものを使用する。カンチレバーは共振周波数１２０〜１５０ｋＨｚ、バネ定数１２〜２０Ｎ／ｍのもの（ＳＩ−ＤＦ２０、ＮＡＮＯＰＲＯＢＥ社製）を用い、ＤＦＭモード（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｏｄｅ）で測定する。また、求めた３次元データを最小二乗近似することにより試料のわずかな傾きを補正し基準面を求める。計測の際は、表面の５０μｍ×５０μｍの範囲を５１２×５１２点測定する。ＸＹ方向の分解能は１．９μｍ、Ｚ方向の分解能は１ｎｍ、スキャン速度は６０μｍ／ｓｅｃとする。
【００３２】
上記で求められた３次元データ（ｆ（ｘ，ｙ））を用い、隣り合う３点を抽出し、その３点で形成される微小三角形の面積の総和を求め、実面積Ｓxとする。表面積差ΔＳは、得られた実面積Ｓxと幾何学的測定面積Ｓ0とから、上記式（Ｉ）により求められる。
【００３３】
＜金属基板の作製方法（表面処理）＞
上記金属基板の作製方法は特に限定されないが、上述した平均表面粗さＲaおよび表面積差ΔＳを有する表面形状とし、上述した全反射率を達成する観点から、少なくとも粗面化処理を含む表面処理を施す必要がある。
上記表面処理としては、上記金属基板に対して、例えば、電解液を用いた電気化学的粗面化処理（異なる電解液を用いた電気化学的粗面化処理を複数回施す態様も含む。以下、本段落において同様。）、アルカリエッチング処理および酸によるデスマット処理を順次施す方法；機械的粗面化処理、アルカリエッチング処理、酸によるデスマット処理、電解液を用いた電気化学的粗面化処理、アルカリエッチング処理および酸によるデスマット処理を順次施す方法；アルカリエッチング処理、酸によるデスマット処理、電解液を用いた電気化学的粗面化処理、アルカリエッチング処理および酸によるデスマット処理を順次施す方法；等が挙げられる。
次に、これらの表面処理について説明する。なお、以下の説明においては、金属基板の好適例であるアルミニウム基板を用いて説明する。
【００３４】
（機械的粗面化処理）
機械的粗面化処理としては、例えば、アルミニウム基板の表面を金属ワイヤーでひっかくワイヤーブラシグレイン法、研磨球と研磨剤でアルミニウム基板の表面を砂目立てするボールグレイン法、特開平６−１３５１７５号公報および特公昭５０−４００４７号公報に記載されているナイロンブラシと研磨剤で表面を砂目立てするブラシグレイン法を用いることができる。
また、凹凸面をアルミニウム基板に圧接する転写方法を用いることもできる。即ち、特開昭５５−７４８９８号、特開昭６０−３６１９５号、特開昭６０−２０３４９６号の各公報に記載されている方法のほか、転写を数回行うことを特徴とする特開平６−５５８７１号公報、表面が弾性であることを特徴とする特開平６−２４１６８号公報に記載されている方法も適用可能である。
また、放電加工、ショットブラスト、レーザ、プラズマエッチング等を用いて、微細な凹凸を食刻した転写ロールを用いて繰り返し転写を行う方法や、微細粒子を塗布した凹凸のある面を、アルミニウム基板に接面させ、その上より複数回繰り返し圧力を加え、アルミニウム基板に微細粒子の平均直径に相当する凹凸パターンを複数回繰り返し転写させる方法を用いることもできる。転写ロールへ微細な凹凸を付与する方法としては、特開平３−８６３５号、特開平３−６６４０４号、特開昭６３−６５０１７号の各公報等に記載されている公知の方法を用いることができる。また、ロール表面にダイス、バイト、レーザ等を使って２方向から微細な溝を切り、表面に角形の凹凸をつけてもよい。このロール表面には、公知のエッチング処理等を行って、形成させた角形の凹凸が丸みを帯びるような処理を行ってもよい。
また、表面の硬度を上げるために、焼き入れ、ハードクロムめっき等を行ってもよい。
そのほかにも、機械的粗面化処理としては、特開昭６１−１６２３５１号公報、特開昭６３−１０４８８９号公報等に記載されている方法を用いることもできる。
本発明においては、生産性等を考慮して上述したそれぞれの方法を併用することもできる。これらの機械的粗面化処理は、電気化学的粗面化処理の前に行うのが好ましい。
【００３５】
以下、機械的粗面化処理として好適に用いられるブラシグレイン法について説明する。ブラシグレイン法は、一般に、円柱状の胴の表面に、ナイロン（商標）、プロピレン、塩化ビニル樹脂等の合成樹脂からなる合成樹脂毛等のブラシ毛を多数植設したローラ状ブラシを用い、回転するローラ状ブラシに研磨剤を含有するスラリー液を噴きかけながら、上記アルミニウム基板の表面の一方または両方を擦ることにより行う方法である。上記ローラ状ブラシおよびスラリー液の代わりに、表面に研磨層を設けたローラである研磨ローラを用いることもできる。ローラ状ブラシを用いる場合、曲げ弾性率が好ましくは１０，０００〜４０，０００ｋｇｆ／ｃｍ2、より好ましくは１５，０００〜３５，０００ｋｇｆ／ｃｍ2であり、かつ、毛腰の強さが好ましくは５００ｇｆ以下、より好ましくは４００ｇｆ以下であるブラシ毛を用いる。ブラシ毛の直径は、一般的には、０．２〜０．９ｍｍである。ブラシ毛の長さは、ローラ状ブラシの外径および胴の直径に応じて適宜決定することができるが、一般的には、１０〜１００ｍｍである。
【００３６】
研磨剤は公知の物を用いることができる。例えば、パミストン、ケイ砂、水酸化アルミニウム、アルミナ粉、炭化ケイ素、窒化ケイ素、火山灰、カーボランダム、金剛砂等の研磨剤；これらの混合物を用いることができる。中でも、パミストン、ケイ砂が好ましい。特に、ケイ砂は、パミストンに比べて硬く、壊れにくいので粗面化効率に優れる点で好ましい。研磨剤の平均粒径は、粗面化効率に優れ、かつ、砂目立てピッチを狭くすることができる点で、３〜５０μｍであるのが好ましく、６〜４５μｍであるのがより好ましい。研磨剤は、例えば、水中に懸濁させて、スラリー液として用いる。スラリー液には、研磨剤のほかに、増粘剤、分散剤（例えば、界面活性剤）、防腐剤等を含有させることができる。スラリー液の比重は０．５〜２であるのが好ましい。
【００３７】
機械的粗面化処理に適した装置としては、例えば、特公昭５０−４００４７号公報に記載された装置を挙げることができる。
【００３８】
（電気化学的粗面化処理）
電気化学的粗面化処理（以下、「電解粗面化処理」ともいう。）には、通常の交流を用いた電気化学的粗面化処理に用いられる電解液を用いることができる。中でも、塩酸または硝酸を主体とする電解液を用いるのが、上述した表面形状を得やすいので好ましい。
【００３９】
電解粗面化処理は、例えば、特公昭４８−２８１２３号公報および英国特許第８９６，５６３号明細書に記載されている電気化学的グレイン法（電解グレイン法）に従うことができる。この電解グレイン法は、正弦波形の交流電流を用いるものであるが、特開昭５２−５８６０２号公報に記載されているような特殊な波形を用いて行ってもよい。また、特開平３−７９７９９号公報に記載されている波形を用いることもできる。また、特開昭５５−１５８２９８号、特開昭５６−２８８９８号、特開昭５２−５８６０２号、特開昭５２−１５２３０２号、特開昭５４−８５８０２号、特開昭６０−１９０３９２号、特開昭５８−１２０５３１号、特開昭６３−１７６１８７号、特開平１−５８８９号、特開平１−２８０５９０号、特開平１−１１８４８９号、特開平１−１４８５９２号、特開平１−１７８４９６号、特開平１−１８８３１５号、特開平１−１５４７９７号、特開平２−２３５７９４号、特開平３−２６０１００号、特開平３−２５３６００号、特開平４−７２０７９号、特開平４−７２０９８号、特開平３−２６７４００号、特開平１−１４１０９４の各公報に記載されている方法も適用できる。また、前述のほかに、電解コンデンサーの製造方法として提案されている特殊な周波数の交番電流を用いて電解することも可能である。例えば、米国特許第４，２７６，１２９号明細書および同第４，６７６，８７９号明細書に記載されている。
【００４０】
電解槽および電源については、種々提案されているが、米国特許第４２０３６３７号明細書、特開昭５６−１２３４００号、特開昭５７−５９７７０号、特開昭５３−１２７３８号、特開昭５３−３２８２１号、特開昭５３−３２８２２号、特開昭５３−３２８２３号、特開昭５５−１２２８９６号、特開昭５５−１３２８８４号、特開昭６２−１２７５００号、特開平１−５２１００号、特開平１−５２０９８号、特開昭６０−６７７００号、特開平１−２３０８００号、特開平３−２５７１９９号の各公報等に記載されているものを用いることができる。また、特開昭５２−５８６０２号、特開昭５２−１５２３０２号、特開昭５３−１２７３８号、特開昭５３−１２７３９号、特開昭５３−３２８２１号、特開昭５３−３２８２２号、特開昭５３−３２８３３号、特開昭５３−３２８２４号、特開昭５３−３２８２５号、特開昭５４−８５８０２号、特開昭５５−１２２８９６号、特開昭５５−１３２８８４号、特公昭４８−２８１２３号、特公昭５１−７０８１号、特開昭５２−１３３８３８号、特開昭５２−１３３８４０号号、特開昭５２−１３３８４４号、特開昭５２−１３３８４５号、特開昭５３−１４９１３５号、特開昭５４−１４６２３４号の各公報等に記載されているもの等も用いることができる。
【００４１】
電解液である酸性溶液としては、硝酸、塩酸のほかに、米国特許第４，６７１，８５９号、同第４，６６１，２１９号、同第４，６１８，４０５号、同第４，６００，４８２号、同第４，５６６，９６０号、同第４，５６６，９５８号、同第４，５６６，９５９号、同第４，４１６，９７２号、同第４，３７４，７１０号、同第４，３３６，１１３号、同第４，１８４，９３２号の各明細書等に記載されている電解液を用いることもできる。
【００４２】
酸性溶液の濃度は０．５〜２．５質量％であるのが好ましいが、スマット除去処理での使用を考慮すると、０．７〜２．０質量％であるのが特に好ましい。また、液温は２０〜８０℃であるのが好ましく、３０〜６０℃であるのがより好ましい。
【００４３】
塩酸または硝酸を主体とする水溶液は、濃度１〜１００ｇ／Ｌの塩酸または硝酸の水溶液に、硝酸アルミニウム、硝酸ナトリウム、硝酸アンモニウム等の硝酸イオンを有する硝酸化合物または塩化アルミニウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム等の塩酸イオンを有する塩酸化合物の少なくとも一つを１ｇ／Ｌから飽和するまでの範囲で添加して使用することができる。また、塩酸または硝酸を主体とする水溶液には、鉄、銅、マンガン、ニッケル、チタン、マグネシウム、シリカ等のアルミニウム合金中に含まれる金属が溶解していてもよい。好ましくは、塩酸または硝酸の濃度０．５〜２質量％の水溶液にアルミニウムイオンが３〜５０ｇ／Ｌとなるように、塩化アルミニウム、硝酸アルミニウム等を添加した液を用いることが好ましい。
【００４４】
更に、Ｃｕと錯体を形成しうる化合物を添加して使用することによりＣｕを多く含有するアルミニウム基板に対しても均一な砂目立てが可能になる。Ｃｕと錯体を形成しうる化合物としては、例えば、アンモニア；メチルアミン、エチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、トリメチルアミン、シクロヘキシルアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）等のアンモニアの水素原子を炭化水素基（脂肪族、芳香族等）等で置換して得られるアミン類；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム等の金属炭酸塩類が挙げられる。また、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム、硫酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、炭酸アンモニウム等のアンモニウム塩も挙げられる。温度は１０〜６０℃が好ましく、２０〜５０℃がより好ましい。
【００４５】
電気化学的粗面化処理に用いられる交流電源波は、特に限定されず、サイン波、矩形波、台形波、三角波等が用いられるが、矩形波または台形波が好ましく、台形波が特に好ましい。台形波とは、図１に示したものをいう。この台形波において電流がゼロからピークに達するまでの時間（ＴＰ）は１〜３ｍｓｅｃであるのが好ましい。１ｍｓｅｃ未満であると、アルミニウム基板の進行方向と垂直に発生するチャタマークという処理ムラが発生しやすい。ＴＰが３ｍｓｅｃを超えると、特に硝酸電解液を用いる場合、電解処理で自然発生的に増加するアンモニウムイオン等に代表される電解液中の微量成分の影響を受けやすくなり、均一な砂目立てが行われにくくなる。
【００４６】
台形波交流のｄｕｔｙ比は１：２〜２：１のものが使用可能であるが、特開平５−１９５３００号公報に記載されているように、アルミニウムにコンダクタロールを用いない間接給電方式においてはｄｕｔｙ比が１：１のものが好ましい。台形波交流の周波数は０．１〜１２０Ｈｚのものを用いることが可能であるが、５０〜７０Ｈｚが設備上好ましい。５０Ｈｚよりも低いと、主極のカーボン電極が溶解しやすくなり、また、７０Ｈｚよりも高いと、電源回路上のインダクタンス成分の影響を受けやすくなり、電源コストが高くなる。
【００４７】
電解槽には１個以上の交流電源を接続することができる。主極に対向するアルミニウム基板に加わる交流の陽極と陰極との電流比をコントロールし、均一な砂目立てを行うことと、主極のカーボンを溶解することとを目的として、図２に示したように、補助陽極２８を設置し、交流電流の一部を分流させることが好ましい。図２において、２１はアルミニウム基板であり、２２はラジアルドラムローラであり、２３ａおよび２３ｂは主極であり、２４は電解処理液であり、２５は電解液供給口であり、２６はスリットであり、２７は電解液通路であり、２８は補助陽極であり、２９ａおよび２９ｂはサイリスタであり、３０は交流電源であり、３１は主電解槽であり、３２は補助陽極槽である。整流素子またはスイッチング素子を介して電流値の一部を二つの主電極とは別の槽に設けた補助陽極に直流電流として分流させることにより、主極に対向するアルミニウム基板上で作用するアノード反応にあずかる電流値と、カソード反応にあずかる電流値との比を制御することができる。主極に対向するアルミニウム基板上で、陰極反応と陽極反応とにあずかる電気量の比（陰極時電気量／陽極時電気量）は、０．３〜０．９５であるのが好ましい。
【００４８】
電解槽は、縦型、フラット型、ラジアル型等の公知の表面処理に用いる電解槽が使用可能であるが、特開平５−１９５３００号公報に記載されているようなラジアル型電解槽が特に好ましい。電解槽内を通過する電解液は、アルミニウムウェブの進行方向に対してパラレルであってもカウンターであってもよい。
【００４９】
（硝酸電解）
硝酸を主体とする電解液を用いた電気化学的粗面化処理により、平均開口径０．７〜５μｍの凹凸（中波構造）を形成させることができる。ただし、電気量を比較的多くしたときは、電解反応が集中し、波長５μｍを超える凹凸も生成する。
このような表面形状を得るためには、電解反応が終了した時点でのアルミニウム基板のアノード反応にあずかる電気量の総和が、１〜１０００Ｃ／ｄｍ2であるのが好ましく、５０〜３００Ｃ／ｄｍ2であるのがより好ましい。この際の電流密度は２０〜１００Ａ／ｄｍ2であるのが好ましい。
また、例えば、高濃度、例えば、硝酸濃度１５〜３５質量％の硝酸電解液を用いて３０〜６０℃で電解を行ったり、硝酸濃度０．７〜２質量％の硝酸電解液を用いて高温、例えば、８０℃以上で電解を行ったりすることで、平均開口径０．０１〜０．２μｍの凹凸（小波構造）を形成させることもできる。
【００５０】
（塩酸電解）
塩酸はそれ自身のアルミニウム溶解力が強いため、わずかな電解を加えるだけで表面に微細な凹凸を形成させることが可能である。この微細な凹凸は、平均開口径が０．０１〜０．２μｍの小波構造であり、アルミニウム基板の表面の全面に均一に生成する。
このような表面形状を得るためには電解反応が終了した時点でのアルミニウム基板のアノード反応にあずかる電気量の総和が、１〜１００Ｃ／ｄｍ2であるのが好ましく、２０〜７０Ｃ／ｄｍ2であるのがより好ましい。この際の電流密度は２０〜５０Ａ／ｄｍ2であるのが好ましい。
【００５１】
上記の硝酸、塩酸等の電解液中で行われる電解粗面化処理の前および／または後に、アルミニウム基板に陰極電解処理を行うことが好ましい。この陰極電解処理により、アルミニウム基板表面にスマットが生成するとともに、水素ガスが発生してより均一な電解粗面化処理が可能となる。
陰極電解処理は、酸性溶液中で陰極電気量が好ましくは３〜８０Ｃ／ｄｍ2、より好ましくは５〜３０Ｃ／ｄｍ2で行われる。陰極電気量が３Ｃ／ｄｍ2未満であると、スマット付着量が不足する場合があり、また、８０Ｃ／ｄｍ2を超えると、スマット付着量が過剰となる場合がある。電解液は、電解粗面化処理で使用する溶液と同一であっても異なっていてもよい。
【００５２】
（アルカリエッチング処理）
アルカリエッチング処理は、上記アルミニウム基板をアルカリ溶液に接触させることにより、表層を溶解させる処理である。
電解粗面化処理より前に行われるアルカリエッチング処理は、機械的粗面化処理を行っていない場合には、アルミニウム基板（圧延アルミ）の表面の圧延油、汚れ、自然酸化皮膜等を除去することを目的として、また、既に機械的粗面化処理を行っている場合には、機械的粗面化処理によって生成した凹凸のエッジ部分を溶解させ、急峻な凹凸を滑らかなうねりを持つ表面に変えることを目的として行われる。
【００５３】
アルカリエッチング処理の前に機械的粗面化処理を行わない場合、エッチング量は、０．１〜１０ｇ／ｍ2であるのが好ましく、１〜５ｇ／ｍ2であるのがより好ましい。エッチング量が０．１ｇ／ｍ2未満であると、表面の圧延油、汚れ、自然酸化皮膜等が残存する場合があるため、後段の電解粗面化処理において均一な凹凸生成ができずムラが発生してしまう場合がある。一方、エッチング量が１〜１０ｇ／ｍ2であると、表面の圧延油、汚れ、自然酸化皮膜等の除去が十分に行われる。上記範囲を超えるエッチング量とするのは、経済的に不利となる。
【００５４】
アルカリエッチング処理の前に機械的粗面化処理を行う場合、エッチング量は、３〜２０ｇ／ｍ2であるのが好ましく、５〜１５ｇ／ｍ2であるのがより好ましい。エッチング量が３ｇ／ｍ2未満であると、機械的粗面化処理等によって形成された凹凸を平滑化できない場合があり、後段の電解粗面化処理において均一な凹凸形成ができない場合がある。一方、エッチング量が２０ｇ／ｍ2を超えると、凹凸構造が消滅してしまう場合がある。
【００５５】
電解粗面化処理の直後に行うアルカリエッチング処理は、酸性電解液中で生成したスマットを溶解させることと、電解粗面化処理により形成された凹凸のエッジ部分を溶解させることを目的として行われる。電解粗面化処理で形成される凹凸は電解液の種類によって異なるためにその最適なエッチング量も異なるが、電解粗面化処理後に行うアルカリエッチング処理のエッチング量は、０．１〜３５ｇ／ｍ2であるのが好ましく、１〜２０ｇ／ｍ2であるのがより好ましく、２〜１５ｇ／ｍ2であるのが特に好ましい。硝酸電解液を用いた場合、塩酸電解液を用いた場合よりもエッチング量は多めに設定する必要がある。電解粗面化処理が複数回行われる場合には、それぞれの処理後に、必要に応じてアルカリエッチング処理を行うことができる。
【００５６】
アルカリ溶液に用いられるアルカリとしては、例えば、カセイアルカリ、アルカリ金属塩が挙げられる。具体的には、カセイアルカリとしては、例えば、カセイソーダ、カセイカリが挙げられる。また、アルカリ金属塩としては、例えば、タケイ酸ソーダ、ケイ酸ソーダ、メタケイ酸カリ、ケイ酸カリ等のアルカリ金属ケイ酸塩；炭酸ソーダ、炭酸カリ等のアルカリ金属炭酸塩；アルミン酸ソーダ、アルミン酸カリ等のアルカリ金属アルミン酸塩；グルコン酸ソーダ、グルコン酸カリ等のアルカリ金属アルドン酸塩；第二リン酸ソーダ、第二リン酸カリ、第三リン酸ソーダ、第三リン酸カリ等のアルカリ金属リン酸水素塩が挙げられる。中でも、エッチング速度が速い点および安価である点から、カセイアルカリの溶液、および、カセイアルカリとアルカリ金属アルミン酸塩との両者を含有する溶液が好ましい。特に、カセイソーダの水溶液が好ましい。
【００５７】
アルカリ溶液の濃度は、エッチング量に応じて決定することができるが、１〜５０質量％であるのが好ましく、１０〜３５質量％であるのがより好ましい。アルカリ溶液中にアルミニウムイオンが溶解している場合には、アルミニウムイオンの濃度は、０．０１〜１０質量％であるのが好ましく、３〜８質量％であるのがより好ましい。アルカリ溶液の温度は２０〜９０℃であるのが好ましい。処理時間は１〜１２０秒であるのが好ましい。
【００５８】
アルミニウム基板をアルカリ溶液に接触させる方法としては、例えば、アルミニウム基板をアルカリ溶液を入れた槽の中を通過させる方法、アルミニウム基板をアルカリ溶液を入れた槽の中に浸せきさせる方法、アルカリ溶液をアルミニウム基板の表面に噴きかける方法が挙げられる。
【００５９】
（デスマット処理）
電解粗面化処理またはアルカリエッチング処理を行った後、表面に残留する汚れ（スマット）を除去するために酸洗い（デスマット処理）が行われるのが好ましい。
用いられる酸としては、例えば、硝酸、硫酸、リン酸、クロム酸、フッ化水素酸、ホウフッ化水素酸が挙げられる。上記デスマット処理は、例えば、上記アルミニウム基板を塩酸、硝酸、硫酸等の濃度０．５〜３０質量％の酸性溶液（アルミニウムイオン０．０１〜５質量％を含有する。）に接触させることにより行う。アルミニウム基板を酸性溶液に接触させる方法としては、例えば、アルミニウム基板を酸性溶液を入れた槽の中を通過させる方法、アルミニウム基板を酸性溶液を入れた槽の中に浸せきさせる方法、酸性溶液をアルミニウム基板の表面に噴きかける方法が挙げられる。デスマット処理においては、酸性溶液として、上述した電解粗面化処理において排出される硝酸を主体とする水溶液もしくは塩酸を主体とする水溶液の廃液、または、後述する陽極酸化処理において排出される硫酸を主体とする水溶液の廃液を用いることができる。デスマット処理の液温は、２５〜９０℃であるのが好ましい。また、処理時間は、１〜１８０秒であるのが好ましい。デスマット処理に用いられる酸性溶液には、アルミニウムおよびアルミニウム合金成分が溶け込んでいてもよい。
【００６０】
〔絶縁層〕
本発明の絶縁基板に用いられる絶縁層は、上記金属基板（バルブ金属基板）の表面の一部に設けられる層であって、上述したバルブ金属の陽極酸化皮膜である。
ここで、上記絶縁層は、上記金属基板とは別のバルブ金属基材の陽極酸化皮膜であってもよいが、絶縁層の形成欠陥を防ぐ観点から、上記金属基板の表面の一部に後述する陽極酸化処理を施すことによって金属基板上に形成される陽極酸化皮膜であるのが好ましい。
また、表面の一部とは、後述する本発明の発光素子において設けられる青色ＬＥＤ発光素子と電気的に接続する配線、すなわち、後述する本発明の配線基板において設けられる金属配線層と本発明の絶縁基板との接触面を少なくとも含み、かつ、上記接触面の面積の１．２倍以下の面積となる部分をいい、上記接触面のみであるのが好ましい。
本発明においては、上記絶縁層を上記金属基板の表面の一部に設けることにより、本発明の発光素子の絶縁性が良好なものとなる。
【００６１】
また、本発明においては、青色ＬＥＤ発光素子が発光する際に発生する熱を速やかに上記金属基板の内部に伝熱させることができ、本発明の発光素子の放熱性が良好となる理由から、上記絶縁層は、その表面の一部を露出した状態で上記金属基板に埋設されているのが好ましく、露出表面が上記金属基板の表面から突出しているのがより好ましい。
【００６２】
更に、本発明においては、本発明の発光素子の絶縁性がより良好となる理由から、上記絶縁層の厚みは２０〜３００μｍであるのが好ましく、８０〜１５０μｍであるのがより好ましい。
特に、本発明の発光素子の絶縁性と発光効率のバランスの観点から、上記絶縁層の厚みと上記金属基板の厚みとの比率（絶縁層の厚み／金属基板の厚み）が０．００３〜３．０であるのが好ましく、０．０１０〜１．０であるのがより好ましい。
【００６３】
［絶縁基板の製造方法］
以下に、本発明の絶縁基板の製造方法について詳細に説明する。
本発明の絶縁基板の製造方法は、上述した本発明の絶縁基板を製造する方法であって、
バルブ金属基板の表面に所定の開口パターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、
上記マスク層の開口部に陽極酸化処理を施し、上記バルブ金属基板の表面の一部に陽極酸化皮膜を形成して絶縁基板を得る陽極酸化処理工程とを有する絶縁基板の製造方法である。
次に、マスク層形成工程および陽極酸化処理工程について、図３に示す本発明の絶縁基板（配線基板）の製造方法の各工程を説明する模式図を用いて説明する。
【００６４】
〔マスク層形成工程〕
上記マスク層形成工程は、図３に示すように、バルブ金属基板１の表面に所定の開口パターン（開口部）２を有するマスク層３を形成する工程である。
ここで、上記バルブ金属基板とは、上述した本発明の絶縁基板において説明した金属基板と同様である。
また、上記所定の開口パターンとは、後述する本発明の発光素子において設けられる青色ＬＥＤ発光素子と電気的に接続する配線、すなわち、後述する本発明の配線基板において設けられる金属配線層の形成パターンをいう。
【００６５】
本発明においては、上記マスク層は、例えば、上記バルブ金属基板の表面に画像記録層を形成した後に、上記画像記録層に対して露光または加熱によりエネルギーを付与して所定の開口パターンに現像する方法等により形成することができる。
ここで、上記画像記録層を形成する材料は特に限定されず、従来公知の感光層（フォトレジスト層）や感熱層を形成する材料を用いることができ、必要に応じて、赤外線吸収剤等の添加剤も含有していてもよい。
【００６６】
〔陽極酸化処理工程〕
上記陽極酸化処理工程は、図３に示すように、マスク層３の開口部２に陽極酸化処理を施し、バルブ金属基板１の表面の一部に陽極酸化皮膜４を形成して絶縁基板５を得る工程である。
ここで、上記陽極酸化皮膜は、上述した本発明の絶縁基板において説明した絶縁層を形成するものである。
【００６７】
本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、平版印刷版用支持体の製造等で行われている従来公知の方法で施すことができる。
具体的には、陽極酸化処理に用いられる溶液としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等や、水酸化ナトリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属／アルカリ土類金属の水酸化物等を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
この際、少なくともアルミニウム基板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が電解液中に含まれていても構わない。更には、第２、第３の成分が添加されていても構わない。ここでいう第２、第３の成分としては、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属のイオン；アンモニウムイオン等の陽イオン；硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオン等の陰イオンが挙げられ、０〜１００００ｐｐｍ程度の濃度で含まれていてもよい。
【００６８】
また、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度１〜８０質量％、液温５〜７０℃、電流密度０．５〜６０Ａ／ｄｍ2、電圧１〜６００Ｖ、電解時間１５秒〜２０時間であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。
【００６９】
更に、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、特開昭５４−８１１３３号、特開昭５７−４７８９４号、特開昭５７−５１２８９号、特開昭５７−５１２９０号、特開昭５７−５４３００号、特開昭５７−１３６５９６号、特開昭５８−１０７４９８号、特開昭６０−２００２５６号、特開昭６２−１３６５９６号、特開昭６３−１７６４９４号、特開平４−１７６８９７号、特開平４−２８０９９７号、特開平６−２０７２９９号、特開平５−２４３７７号、特開平５−３２０８３号、特開平５−１２５５９７号、特開平５−１９５２９１号の各公報等に記載されている方法を使用することもできる。
【００７０】
中でも、特開昭５４−１２８５３号公報および特開昭４８−４５３０３号公報に記載されているように、電解液として硫酸溶液を用いるのが好ましい。電解液中の硫酸濃度は、１０〜３００ｇ／Ｌであるのが好ましく、また、アルミニウムイオン濃度は、１〜２５ｇ／Ｌであるのが好ましく、２〜１０ｇ／Ｌであるのがより好ましい。このような電解液は、例えば、硫酸濃度が５０〜２００ｇ／Ｌである希硫酸に硫酸アルミニウム等を添加することにより調製することができる。
【００７１】
本発明においては、上記陽極酸化処理工程において、硫酸を含有する電解液中で陽極酸化処理を行う場合には、上記バルブ金属基板と対極との間に直流を印加してもよく、交流を印加してもよい。
上記バルブ金属基板に直流を印加する場合、電流密度は１〜６０Ａ／ｄｍ2であるのが好ましく、５〜４０Ａ／ｄｍ2であるのがより好ましい。
【００７２】
また、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理を連続的に施す場合には、上記バルブ金属基板の一部に電流が集中していわゆる「焼け」が生じないように、陽極酸化処理の開始当初は、５〜１０Ａ／ｄｍ2の低電流密度で電流を流し、陽極酸化処理が進行するにつれ、３０〜５０Ａ／ｄｍ2またはそれ以上に電流密度を増加させるのが好ましい。連続的に陽極酸化処理を行う場合には、上記バルブ金属基板に、電解液を介して給電する液給電方式により行うのが好ましい。
【００７３】
更に、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理に用いられる電解装置としては、特開昭４８−２６６３８号、特開昭４７−１８７３９号、特公昭５８−２４５１７号の各公報等に記載されているものを用いることができる。中でも、図４に示す装置が好適に用いられる。
図４は、バルブ金属基板の表面を陽極酸化処理する装置の一例を示す概略図である。陽極酸化処理装置４１０において、バルブ金属基板４１６は、図４中矢印で示すように搬送される。電解液４１８が貯溜された給電槽４１２にてバルブ金属基板４１６は給電電極４２０によって（＋）に荷電される。そして、バルブ金属基板４１６は、給電槽４１２においてローラ４２２によって上方に搬送され、ニップローラ４２４によって下方に方向変換された後、電解液４２６が貯溜された電解処理槽４１４に向けて搬送され、ローラ４２８によって水平方向に方向転換される。ついで、バルブ金属基板４１６は、電解電極４３０によって（−）に荷電されることにより、その表面に陽極酸化皮膜が形成され、電解処理槽４１４を出たバルブ金属基板４１６は後工程に搬送される。上記陽極酸化処理装置４１０において、ローラ４２２、ニップローラ４２４およびローラ４２８によって方向転換手段が構成され、バルブ金属基板４１６は、給電槽４１２と電解処理槽４１４との槽間部において、上記ローラ４２２、４２４および４２８により、山型および逆Ｕ字型に搬送される。給電電極４２０と電解電極４３０とは、直流電源４３４に接続されている。
【００７４】
また、図４の陽極酸化処理装置４１０の特徴は、給電槽４１２と電解処理槽４１４とを１枚の槽壁４３２で仕切り、バルブ金属基板４１６を槽間部において山型および逆Ｕ字型に搬送したことにある。これによって、槽間部におけるバルブ金属基板４１６の長さを最短にすることができる。よって、陽極酸化処理装置４１０の全体長を短くできるので、設備費を低減することができる。また、バルブ金属基板４１６を山型および逆Ｕ字型に搬送することによって、各槽４１２および４１４の槽壁４３２にバルブ金属基板４１６を通過させるための開口部を形成する必要がなくなる。よって、各槽４１２および４１４内の液面高さを必要レベルに維持するのに要する送液量を抑えることができるので、稼働費を低減することができる。
【００７５】
本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、ある１つの処理条件で単独処理されてもよいが、陽極酸化皮膜の、場所による形状、あるいは深さ方向における形状、等のように形状を制御したい場合には、２つ以上の条件の異なる陽極酸化処理を順次組み合わせて処理してもよい。
【００７６】
また、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、形成される陽極酸化皮膜（絶縁性）を有する本発明の発光素子の全反射率がより向上する理由から、例えば、特許第３，７１４，５０７号、特開２００２−２８５３８２号公報、特開２００６−１２４８２７号公報、特開２００７−２３１３３９号公報、特開２００７−２３１４０５公報、特開２００７−２３１３４０号公報、特開２００７−２３８９８８号公報等に記載されている方法により、ハニカム状に配列したマイクロポアを形成する陽極酸化処理が好ましい。
これらの処理は、各特許および公報の処理条件にて記載されている処理が好ましい。
【００７７】
〔封孔処理〕
本発明の絶縁基板の製造方法においては、上記陽極酸化皮膜（絶縁層）が多孔質の場合、本発明の発光素子の放熱性の観点から、皮膜中に存在するマイクロポアを封じる封孔処理を行ってもよい。
封孔処理は、沸騰水処理、熱水処理、蒸気処理、ケイ酸ソーダ処理、亜硝酸塩処理、酢酸アンモニウム処理等の公知の方法に従って行うことができる。例えば、特公昭５６−１２５１８号公報、特開平４−４１９４号公報、特開平５−２０２４９６号公報、特開平５−１７９４８２号公報等に記載されている装置および方法で封孔処理を行ってもよい。
【００７８】
〔水洗処理〕
また、本発明の絶縁基板の製造方法においては、上述した各処理の工程終了後には水洗を行うのが好ましい。水洗には、純水、井水、水道水等を用いることができる。処理液の次工程への持ち込みを防ぐためにニップ装置を用いてもよい。
【００７９】
〔その他の処理〕
更に、本発明の絶縁基板の製造方法においては、必要に応じて絶縁基板の表面に種々の処理を施すことができる。
例えば、本発明の発光素子の白色性（散乱性）を高めるために、酸化チタン等の白色性絶縁性材料からなる無機絶縁層、白色レジスト等の有機絶縁層を設けてもよい。
また、上記白色以外にも、例えば電着処理により、酸化アルミニウムよりなる絶縁層に所望の色を着色することができる。具体的には、「陽極酸化」金属表面技術協会編．金属表面技術講座Ｂ（１９６９  ＰＰ．１９５〜２０７）、「新アルマイト理論」カロス出版（１９９７  ＰＰ．９５〜９６）等に記載されているような有色染色性のイオン種、具体的には、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ａｕイオン、Ｐｂイオン、Ａｇイオン、Ｓｅイオン、Ｓｎイオン、Ｎｉイオン、Ｃｕイオン、Ｂｉイオン、Ｍｏイオン、Ｓｂイオン、Ｃｄイオン、Ａｓイオン等を電解液に混入して、電解処理することにより、着色を施すことができる。
【００８０】
また、同様に酸化アルミニウムよりなる絶縁層に、更に絶縁性および高反射性を高めるため、例えば、特開平６−３５１７４号公報の段落［００１６]〜［００３５]に記載されているような、ゾルゲル法による層を設けることもできる。
ここで、ゾルゲル法とは、一般に金属アルコキシドからなるゾルを加水分解・重縮合反応により、流動性を失ったゲルとし、このゲルを加熱して酸化物層（セラミック層）を形成する方法である。
また、上記金属アルコキシドは、特に限定されないが、厚さが均一性の良い層を形成させる観点から、Ａｌ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｂａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｂｉ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｃａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｆｅ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｇａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｇｅ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｈｆ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｉｎ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｋ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｌａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｌｉ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｍｇ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｍｏ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｎａ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｎｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｐ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｂ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｉ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｎ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｓｒ（Ｏ−Ｒ)ｎ、Ｔａ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｔｉ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｖ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｗ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｙ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｚｎ（Ｏ−Ｒ）ｎ、Ｚｒ（Ｏ−Ｒ）ｎ等が挙げられる（文章中Ｒは、置換基を有してもよい、鎖状、分枝状、および、環状の、炭化水素基、ｎは任意の自然数を示す。）。
中でも、絶縁層との反応性に優れ、ゾルゲル層形成性に優れた、Ｓｉ（Ｏ−Ｒ）ｎ系がより好ましい。
【００８１】
本発明においては、ゾルゲル層を形成する方法は特に限定されないが、層の厚さを制御する観点から、ゾル液を塗布して加熱する方法が好ましい。
また、ゾル液の濃度としては、０．１〜９０質量％が好ましく、１〜８０質量％がより好ましく、５〜７０質量％が特に好ましい。
また、本発明においてゾルゲル層を形成する際には、その厚さは、高反射率、絶縁性の観点から、０．０１μｍ〜２０μｍが好ましく、０．０５μｍ〜１５μｍがより好ましく、０．１μｍ〜１０μｍが特に好ましい。この範囲より厚くなると、高反射率の観点から好ましくなく、この範囲より薄くなると絶縁性の観点から好ましくない。なお、層を厚くするために、繰り返し重ねて塗布してもよい。
【００８２】
［配線基板］
以下に、本発明の配線基板について詳細に説明する。
本発明の配線基板は、上述した本発明の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁層側の上部に設けられる配線層とを有する配線基板である。
【００８３】
本発明においては、上記金属配線層の材料は、電気を通す素材であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられ、これらを１種単独で使用してもよく２種以上を併用してもよい。
これらのうち、電気抵抗が低い理由からＣｕを用いるのが好ましい。なお、Ｃｕによる配線層の表層には、ワイヤボンディングの容易性を高める観点から、Ａｕ層やＮｉ／Ａｕ層を設けていてもよい。
【００８４】
また、本発明においては、上記金属配線層の厚さは、導通信頼性およびパッケージのコンパクト性の観点から、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜５００μｍがより好ましく、５〜２５０μｍが特に好ましい。
【００８５】
［配線基板の製造方法］
以下に、本発明の配線基板の製造方法について詳細に説明する。
本発明の配線基板の製造方法は、上述した本発明の配線基板を製造する方法であって、
バルブ金属基板の表面に所定の開口パターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、
上記マスク層の開口部に陽極酸化処理を施し、上記バルブ金属基板の表面の一部に陽極酸化皮膜を形成する陽極酸化処理工程と、
上記陽極酸化皮膜の表面に金属配線層を形成する金属配線層形成工程と、
上記金属配線層を形成した後に上記マスク層を除去して配線基板を得る除去工程とを有する配線基板の製造方法である。
次に、金属配線層形成工程および除去工程について、図３に示す本発明の絶縁基板（配線基板）の製造方法の各工程を説明する模式図を用いて説明する。なお、上記マスク層形成工程および上記陽極酸化処理工程は、上述した本発明の絶縁基板の製造方法において説明したものと同様である。
【００８６】
〔金属配線層形成工程〕
上記金属配線層形成工程は、図３に示すように、上記陽極酸化処理工程により形成された陽極酸化皮膜４の表面に金属配線層６を形成する工程である。
ここで、上記陽極酸化皮膜の表面に金属配線層を形成する方法は、マスク層３の開口部２内に対して、例えば、電解めっき処理、無電解めっき処理、置換めっき処理などの種々めっき処理；スパッタリング処理；蒸着処理；等を施す方法が挙げられる。
これらのうち、耐熱性が高い観点から、金属のみの層形成であることが好ましく、厚膜／均一形成化および高密着性の観点から、めっき処理による層形成が特に好ましい。
【００８７】
本発明においては、上記めっき処理は、非導電性物質（絶縁基板）に対するめっき処理になるため、シード層と呼ばれる還元金属層を設けた後、その金属層を利用して厚い金属層を形成する手法を用いるのが好ましい。
また、上記シード層の形成には、無電解めっきが用いるのが好ましく、めっき液としては、主成分（例えば、金属塩、還元剤等）と補助成分（例えば、ｐＨ調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤等）から構成される溶液を用いるのが好ましい。なお、めっき液としては、ＳＥ−６５０・６６６・６８０、ＳＥＫ−６７０・７９７、ＳＦＫ−６３（いずれも日本カニゼン社製）、メルプレートＮＩ−４１２８、エンプレートＮＩ−４３３、エンプレートＮＩ−４１１（いずれもメルテックス社製）等の市販品を適宜用いることができる。
また、上記金属配線層の材料として銅を用いた場合、硫酸、硫酸銅、塩酸、ポリエチレングリコールおよび界面活性剤を主成分とし、その他各種添加剤を加えた種々の電解液を用いることができる。
【００８８】
このようにして形成される金属配線層は、ＬＥＤ実装の設計に応じ、公知の方法でパターン形成される。また、実際にＬＥＤが実装される箇所には、再度金属層（半田も含む）を設け、熱圧着や、フリップチップ、ワイヤボンディング等で、接続しやすい用に適宜加工することができる。
好適な金属層としては、半田、または、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属素材が好ましく、加熱によるＬＥＤの実装の観点では、半田、または、Ｎｉを介してのＡｕ、Ａｇを設ける方法が接続信頼性の観点から好ましい。
【００８９】
具体的には、パターンが形成された銅（Ｃｕ）配線上に、ニッケル（Ｎｉ）を介して金（Ａｕ）を形成する方法としては、Ｎｉストライクめっきを施し、その後にＡｕめっきを施す方法が挙げられる。
ここで、Ｎｉストライクめっきは、Ｃｕ配線層の表面酸化層の除去とＡｕ層密着性確保を目的に施される。
また、Ｎｉストライクめっきには、一般的なＮｉ／塩酸混合液を用いてもよく、ＮＩＰＳ−１００（日立化成工業製）等の市販品を用いてもよい。
一方、Ａｕめっきは、Ｎｉストライクめっきを施した後に、ワイヤボンディングや半田の濡れ性を向上させる目的で施される。
また、Ａｕめっきは無電解めっきで生成させるのが好ましく、ＨＧＳ−５４００（日立化成工業社製）、ミクロファブＡｕシリーズ、ガルバノマイスターＧＢシリーズ、プレシャスハブＩＧシリーズ（いずれも田中貴金属社製）等の市販の処理液を用いることができる。
【００９０】
〔除去工程〕
上記除去工程は、図３に示すように、金属配線層６を形成した後にマスク層３を除去して配線基板７を得る工程である。
ここで、上記マスク層を除去する方法は特に限定されず、例えば、上述したマスク層を溶解し、バルブ金属基板、陽極酸化皮膜および金属配線層が溶解しない溶液を用いて溶解し、除去する方法等が挙げられる。
【００９１】
［白色系ＬＥＤ発光素子］
以下に、本発明の発光素子について詳細に説明する。
本発明の発光素子は、上述した本発明の配線基板と、上記配線基板の上記金属配線層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、上記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子である。
なお、上述した本発明の配線基板は、使用される発光素子の形状やＬＥＤの種類等に限定はなく、種々の用途に用いることができる。
次に、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の構成を図面を用いて説明する。
【００９２】
図５は、本発明の発光素子の好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図である。
ここで、図５に示す発光素子１０は、青色ＬＥＤ８がＹＡＧ系の蛍光粒子１１を混入した透明樹脂１２でモールドされており、ＹＡＧ系の蛍光粒子１１によって励起された光と青色ＬＥＤ８の残光とにより、白色系光が発光されるものであり、青色ＬＥＤ８が、外部接続用の電極を兼ねた金属配線層６を有する本発明の配線基板７にワイヤボンディングされている。
【００９３】
ここで、図５に示す青色ＬＥＤは、基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。
半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。
【００９４】
また、図５に示す透明樹脂の材質は熱硬化性樹脂が好ましい。
上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。
また、透明樹脂は、青色ＬＥＤを保護するため硬質のものが好ましい。
また、透明樹脂は、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。
また、透明樹脂は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収剤、酸化防止剤からなる群から選択される少なくとも１種を混合することもできる。
【００９５】
更に、図５に示す蛍光粒子は、青色ＬＥＤからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。
蛍光粒子としては、具体的には、例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、サイアロン系蛍光体、βサイアロン系蛍光体；Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体；Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体；Ｅｕ等のランタノイド系元素で主に付活される有機錯体；等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００９６】
一方、本発明の配線基板は、紫外〜青色ＬＥＤとそれを吸収し可視光領域で蛍光を発する蛍光発光体とを用いた蛍光体混色型白色系ＬＥＤ発光素子の配線基板として用いることもできる。
これらの蛍光発光体が青色ＬＥＤからの青色光を吸収して蛍光（黄色系蛍光）を生じ、この蛍光と青色ＬＥＤの残光とにより、発光素子から白色系光が発光される。
上述した方式は、青色ＬＥＤ光源チップと黄色蛍光体１種とを組み合わせたいわゆる「擬似白色発光型」であるが、このほかにも、例えば紫外〜近紫外ＬＥＤ光源チップと赤色／緑色／青色蛍光体等を数種組み合わせた「紫外〜近紫外光源型」、及び、赤色／緑色／青色３光源で白色発光させる「ＲＧＢ光源型」、等の公知の発光方法を用いる発光ユニットの発光素子の基板に本発明の配線基板を用いることができる。
【００９７】
本発明の配線基板にＬＥＤ素子を実装する方法は加熱による実装を伴うが、半田リフローを含めての熱圧着、およびフリップチップによる実装方法では、均一かつ確実な実装を施す観点から、最高到達温度は２２０〜３５０℃が好ましく、２４０〜３２０℃がより好ましく、２６０〜３００℃が特に好ましい。
これらの最高到達温度を維持する時間としては、同観点から２秒〜１０分が好ましく、５秒〜５分がより好ましく、１０秒〜３分が特に好ましい。
また、金属基板と陽極酸化皮膜との熱膨張率差に起因して陽極酸化皮膜内に発生するクラックを抑制する観点から、上記最高到達温度に到達する前に、所望の一定温度で５秒〜１０分、より好ましくは１０秒〜５分、特に好ましくは２０秒〜３分の熱処理を施す方法をとることもできる。所望の一定温度としては、８０〜２００℃であることが好ましく、１００〜１８０℃がより好ましく、１２０〜１６０℃が特に好ましい。
【００９８】
また、ワイヤボンディングでの実装時の温度としては、確実な実装を施す観点から、８０〜３００℃が好ましく、９０〜２５０℃がより好ましく、１００〜２００℃が特に好ましい。加熱時間としては、２秒〜１０分が好ましく、５秒〜５分がより好ましく、１０秒〜３分が特に好ましい。
【実施例】
【００９９】
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
（実施例１）
＜アルミニウム基板の作製＞
Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ鋳造法で作成した。
次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ０．２４ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ １０５０材のアルミニウム基板を得た。
このアルミニウム基板を幅１０３０ｍｍにした後、以下に示す粗面化処理を施した。
【０１００】
＜粗面化処理＞
まず、上記アルミニウム基板に対して、下記（ａ）〜（ｃ）の粗面化処理を施した。
ここで、粗面化処理後のアルミニウム基板表面の３００〜７００ｎｍの波長領域での全反射率を分光反射率測定器（ＳＰ６４、Ｘ−Ｒｉｔｅ社製）にて測定したところ９０％であった。
また、粗面化処理後のアルミニウム基板表面について、触針式粗さ計（ｓｕｆｃｏｍ５７５、東京精密社製）で２次元粗さ測定を行い、ＩＳＯ４２８７に規定されている平均表面粗さＲaを５回測定したところ、その平均値は１．２０μｍであった。
また、粗面化処理後のアルミニウム基板表面について、原子間力顕微鏡を用い、上記式（Ｉ）から求められる表面積差ΔＳは１３．５％であった。
【０１０１】
（ａ）電気化学的粗面化処理
６０Ｈｚの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行った。このときの電解液は、硝酸１０．５ｇ／Ｌ水溶液（アルミニウムイオンを５ｇ／Ｌ、アンモニウムイオンを０．００７質量％含む。）、液温５０℃であった。交流電源波形は図１に示した波形であり、電流値がゼロからピークに達するまでの時間ＴＰが０．８ｍｓｅｃ、ｄｕｔｙ比１：１、台形の矩形波交流を用いて、カーボン電極を対極として電気化学的な粗面化処理を行った。補助アノードにはフェライトを用いた。使用した電解槽は図２に示すものを使用した。電流密度は電流のピーク値で３０Ａ／ｄｍ2、電気量はアルミニウム板が陽極時
の電気量の総和で２２０Ｃ／ｄｍ2であった。補助陽極には電源から流れる電流の５％を
分流させた。その後、スプレーによる水洗を行った。
【０１０２】
（ｂ）アルカリエッチング処理
アルミニウム板をカセイソーダ濃度２６質量％、アルミニウムイオン濃度６．５質量％の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を３２℃で行い、アルミニウム板を１０．０ｇ／ｍ2溶解し、電気化学的粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成した凹凸のエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、スプレーによる水洗を行った。
【０１０３】
（ｃ）デスマット処理
温度３０℃の硫酸濃度１５質量％水溶液（アルミニウムイオンを４．５質量％含む。）で、スプレーによるデスマット処理を行い、その後、スプレーで水洗した。なお、デスマット処理に用いた硝酸水溶液は、硝酸水溶液中で交流を用いて電気化学的粗面化処理を行う工程の廃液を用いた。
【０１０４】
＜マスク層の形成＞
粗面化処理を施したアルミニウム基板の表面に、フォトレジスト（ＦＣ−２３０Ｇ、東洋紡社製）をコートし、所定の開口パターンを付与するべくマスクを介してＵＶ照射を施した。その後、非照射部をアルカリ現像液で現像することで完全に除去し、アルミニウム基板表面をパターン状に露出させた。
【０１０５】
＜陽極酸化処理＞
マスク層を形成させたアルミニウム基板に対して、１５０ｇ／Ｌの硫酸電解液を用い、５０℃、２０Ａ／ｄｍ2の電流密度の条件にて定電流陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板の表面露出部上に厚さ１２０μｍの陽極酸化皮膜（絶縁層）が形成された絶縁基板を作製した。
なお、陽極酸化皮膜の８５μｍ分は、アルミニウム基板に埋設された状態で形成され、残りの３５μｍ分は、アルミニウム基板の表面から突出された状態で形成された。
【０１０６】
＜金属配線層の形成＞
陽極酸化処理により形成した陽極酸化皮膜上に、無電解Ｎｉ−Ｃｕめっき法によりシード層を形成した後、電解銅めっき法により１７μｍ厚のＣｕ配線層を形成させた。
【０１０７】
＜マスク層の除去＞
Ｃｕ配線層を形成させた後、無電解Ｎｉめっき法および無電解Ａｕめっき法を順に施し、Ｃｕ配線層の表面をコートした後、モノメタノールアミン溶剤を用いて残存するマスク層をすべて除去し、配線基板を作製した。
【０１０８】
＜青色ＬＥＤの実装＞
作製した配線基板に青色ＬＥＤをワイヤボンディング法により実装し、Ｃｕ配線層と青色ＬＥＤとを接続した。
【０１０９】
＜黄色蛍光体含有封止材の形成＞
青色ＬＥＤを実装した後、表面に黄色蛍光体を含有した封止材を設けることで、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
【０１１０】
（実施例２）
上記アルカリエッチング処理（ｂ）のアルミニウム溶解量を１５．０ｇ／ｍ2とした以外は、実施例１と同様の方法により、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
なお、実施例１と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は９２％であり、平均表面粗さＲa（平均値）は０．５５μｍであり、表面積差ΔＳは８．０％であった。
【０１１１】
（実施例３）
上記電気化学的粗面化処理（ａ）の電流密度のピーク値を２０Ａ／ｄｍ2とした以外は、実施例２と同様の方法により、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
なお、実施例１と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は９４％であり、平均表面粗さＲa（平均値）は０．３０μｍであり、表面積差ΔＳは４．５％であった。
【０１１２】
（実施例４）
５％硫酸電解液を用い、１５℃、２５Ｖの電圧条件にて定電圧陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板の表面露出部上に厚さ１００μｍの陽極酸化皮膜（絶縁層）を形成させた以外は、実施例３と同様の方法により、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
なお、陽極酸化皮膜の７０μｍ分は、アルミニウム基板に埋設された状態で形成され、残りの３０μｍ分は、アルミニウム基板の表面から突出された状態で形成された。
【０１１３】
（実施例５）
１０％硫酸電解液を用い、２０℃、１６Ｖの電圧条件にて定電圧陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板の表面露出部上に厚さ１００μｍの陽極酸化皮膜（絶縁層）を形成させた以外は、実施例３と同様の方法により、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
なお、陽極酸化皮膜の７０μｍ分は、アルミニウム基板に埋設された状態で形成され、残りの３０μｍ分は、アルミニウム基板の表面から突出された状態で形成された。
【０１１４】
（実施例６）
陽極酸化処理の後に、絶縁基板を８０℃の純水に１分間浸漬させ、浸漬させた状態で１１０℃の雰囲気下で１０分間加熱した処理（封孔処理）を施した以外は、実施例４と同様の方法により、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
【０１１５】
（実施例７）
上記電気化学的粗面化処理（ａ）の電流密度のピーク値を３５Ａ／ｄｍ2とし、上記アルカリエッチング処理（ｂ）のアルミニウム溶解量を４０．０ｇ／ｍ2とした以外は、実施例１と同様の方法により、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
なお、実施例１と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は８９％であり、平均表面粗さＲa（平均値）は０．０５μｍであり、表面積差ΔＳは４．５％であった。
【０１１６】
（実施例８）
上記電気化学的粗面化処理（ａ）の電流密度のピーク値を３５Ａ／ｄｍ2とし、上記アルカリエッチング処理（ｂ）のアルミニウム溶解量を８．０ｇ／ｍ2とした以外は、実施例１と同様の方法により、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
なお、実施例１と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は８９％であり、平均表面粗さＲa（平均値）は２．００μｍであり、表面積差ΔＳは４．５％であった。
【０１１７】
（実施例９）
上記電気化学的粗面化処理（ａ）の電流密度のピーク値を３２Ａ／ｄｍ2とし、上記アルカリエッチング処理（ｂ）のアルミニウム溶解量を３０．０ｇ／ｍ2とした以外は、実施例１と同様の方法により、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
なお、実施例１と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は９０％であり、平均表面粗さＲa（平均値）は０．１２μｍであり、表面積差ΔＳは４．５％であった。
【０１１８】
（実施例１０）
上記アルカリエッチング処理（ｂ）のアルミニウム溶解量を１２．０ｇ／ｍ2とした以外は、実施例１と同様の方法により、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
なお、実施例１と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は９０％であり、平均表面粗さＲa（平均値）は０．９５μｍであり、表面積差ΔＳは４．５％であった。
【０１１９】
（実施例１１）
上記電気化学的粗面化処理（ａ）の電流密度のピーク値を３２Ａ／ｄｍ2とし、上記アルカリエッチング処理（ｂ）のアルミニウム溶解量を２５．０ｇ／ｍ2とした以外は、実施例１と同様の方法により、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
なお、実施例１と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は９１％であり、平均表面粗さＲa（平均値）は０．２２μｍであり、表面積差ΔＳは４．５％であった。
【０１２０】
（実施例１２）
上記電気化学的粗面化処理（ａ）の電流密度のピーク値を３２Ａ／ｄｍ2とし、上記アルカリエッチング処理（ｂ）のアルミニウム溶解量を２０．０ｇ／ｍ2とした以外は、実施例１と同様の方法により、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
なお、実施例１と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は９１％であり、平均表面粗さＲa（平均値）は０．４８μｍであり、表面積差ΔＳは４．５％であった。
【０１２１】
（比較例１〜６）
実施例１〜６において、マスク層の形成を陽極酸化処理後に施すことで、アルミニウム基板の表面全体に陽極酸化皮膜を形成させた以外は、それぞれ実施例１〜６と同様の方法により、各擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
【０１２２】
（比較例７）
粗面化処理を施さなかった以外は、実施例１と同様の方法により、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
なお、実施例１と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は８４％であり、平均表面粗さＲa（平均値）は０．０１５μｍであり、表面積差ΔＳは０．５％であった。
【０１２３】
（比較例８）
上記アルカリエッチング処理（ｂ）のアルミニウム溶解量を４０．０ｇ／ｍ2とした以外は、実施例１と同様の方法により、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
なお、実施例１と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は８５％であり、平均表面粗さＲa（平均値）は０．０４μｍであり、表面積差ΔＳは０．９％であった。
【０１２４】
（比較例９）
上記電気化学的粗面化処理（ａ）の電流密度のピーク値を３５Ａ／ｄｍ2とし、上記アルカリエッチング処理（ｂ）のアルミニウム溶解量を２．０ｇ／ｍ2とした以外は、実施例１と同様の方法により、擬似白色型ＬＥＤパッケージを作製した。
なお、実施例１と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は８５％であり、平均表面粗さＲa（平均値）は１．３０μｍであり、表面積差ΔＳは５５．０％であった。
【０１２５】
＜発光効率＞
作製した各擬似白色型ＬＥＤパッケージについて、一定の電流値（０．０８Ａ）で発光させた際の電圧Ｅ（Ｖ）と、色度Ｘ値＝０．３３での光拘束量（ｌｍ）とを測定し、下記式から発光効率（ｌｍ／Ｗ）を算出した。結果を第１表に示す。
発光効率（１ｍ／Ｗ）＝光拘束量（ｌｍ）／（０．０８（Ａ）×Ｅ（Ｖ））
【０１２６】
＜絶縁破壊電圧＞
得られた各擬似白色型ＬＥＤパッケージについて、ＪＩＳＣ２１１０規格の方法に従い、絶縁破壊電圧（ｋＶ）を計測した。結果を第１表に示す。
【０１２７】
＜熱伝導率＞
作製した各擬似白色型ＬＥＤパッケージについて、６Ｗで１００時間発光させた間の最高到達温度（℃）を計測した。結果を第１表に示す。
【０１２８】
【表１】
2012134471.tif 000002
【０１２９】
第１表に示す結果から、アルミニウム基板の表面の全面に絶縁層（陽極酸化皮膜）が形成されていると、アルミニウム基板表面の全反射率、平均表面粗さＲaおよび表面積差ΔＳが所定の範囲内であっても、発光効率が劣ることが分かった（比較例１〜６）。
また、アルミニウム基板の表面の一部に絶縁層（陽極酸化皮膜）が形成されていても、平均表面粗さＲaおよび表面積差ΔＳが所定の範囲外であると、アルミニウム基板表面の全反射率が８５％未満となり、発光効率が劣ることが分かった（比較例７）。
更に、アルミニウム基板の表面の一部に絶縁層（陽極酸化皮膜）が形成されていても、平均表面粗さＲaおよび表面積差ΔＳのいずれか一方が所定の範囲外であると、アルミニウム基板表面の全反射率は８５％となるが、発光効率が劣ることが分かった（比較例８および９）。
これに対し、アルミニウム基板の表面の一部に絶縁層（陽極酸化皮膜）を形成し、アルミニウム基板表面の全反射率、平均表面粗さＲaおよび表面積差ΔＳが所定の範囲内であると、全面を絶縁層で覆った比較例１〜６と同等の優れた絶縁性を有し、かつ、発光効率が極めて向上することが分かった（実施例１〜１２）。
また、実施例１〜６で作製した擬似白色型ＬＥＤパッケージは、比較例１〜６よりも放熱性にも優れることが分かった。
特に、平均表面粗さＲaが０．２０〜０．５０μｍの範囲内であり、かつ、表面積差ΔＳが３．５〜６．０％の範囲内である実施例３〜６、１１および１２で作製した擬似白色型ＬＥＤパッケージは、絶縁性、発光効率および放熱性のバランスに優れることが分かった。
【符号の説明】
【０１３０】
１  バルブ金属基板
２  開口パターン（開口部）
３  マスク層
４  陽極酸化皮膜
５  絶縁基板
６  金属配線層
７  配線基板
８  青色ＬＥＤ
９  ワイヤ
１０  発光素子
１１  蛍光粒子
１２  透明樹脂
２１  アルミニウム基板
２２  ラジアルドラムローラ
２３ａ、１３ｂ  主極
２４  電解処理液
２５  電解液供給口
２６  スリット
２７  電解液通路
２８  補助陽極
２９ａ、２９ｂ  サイリスタ
３０  交流電源
３１  主電解槽
３２  補助陽極槽
４１０  陽極酸化処理装置
４１２  給電槽
４１４  電解処理槽
４１６  バルブ金属基板
４１８、４２６  電解液
４２０  給電電極
４２２、４２８  ローラ
４２４  ニップローラ
４３０  電解電極
４３２  槽壁
４３４  直流電源
【図１】
2012134471.tif 000003
【図２】
2012134471.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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