(57)【要約】【課題】半導体装置の耐圧を確保することのできる技術を提供する。【解決手段】封止体４は、第１リード１の第１インナー部１Ａと、第１オフセット部１Ｃと、第１アウター部１Ｂの一部とを封止し、第２リード２の第２インナー部２Ａと、第２オフセット部２Ｃと、第２アウター部２Ｂの一部とを封止する。さらに、第１アウター部１Ｂは、封止体４の下面から露出する第１裏面Ｄ１１と、第１リード１の延在方向と直交する第１外端面Ｄ１２と、前記第１オフセット部１Ｃと前記第１アウター部１Ｂとの境界に位置する第１内端面Ｄ１３とを有し、第２アウター部２Ｂは、封止体４の下面から露出する第２裏面Ｄ２１と、第２リード２の延在方向と直交する第２外端面Ｄ２２と、第２オフセット部２Ｃと第２アウター部２Ｂとの境界に位置する第２内端面Ｄ２３とを有する。【選択図】図３
2012146824.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする、半田材を介して実装基板に搭載される半導体装置の製造方法：
（ａ）第１インナー部、前記第１インナー部とは反対側の第１アウター部、および前記第１インナー部と前記第１アウター部との間に位置する第１オフセット部を有する第１リードと、前記第１インナー部と対向する第２インナー部、前記第２インナー部とは反対側の第２アウター部、および前記第２インナー部と前記第２アウター部との間に位置する第２オフセット部を有する第２リードとを備えたリードフレームを準備する工程；
（ｂ）前記第１インナー部の上面に半導体チップを搭載する工程；
（ｃ）前記半導体チップの主面に形成された電極と前記第２インナー部とを、ワイヤを介して電気的に接続する工程；
（ｄ）前記第１アウター部の一部および前記第２アウター部の一部が露出するように、前記半導体チップ、前記ワイヤ、前記第１インナー部、前記第１オフセット部、前記第２インナー部、および前記第２オフセット部を樹脂で封止して、封止体を形成する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記封止体の下面、前記封止体の前記下面から露出する前記第１アウター部、および前記封止体の前記下面から露出する前記第２アウター部に向かって液体を噴出する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記封止体から露出する前記第１アウター部の一部および前記第２アウター部の一部のそれぞれの表面にメッキ層を形成する工程、
ここで、
前記第１アウター部は、前記封止体の前記下面から露出する第１裏面と、前記封止体の第１側面から露出し、かつ前記第１裏面と交わる第１外端面と、前記第１外端面とは反対側で、かつ前記第１裏面と交わり、かつ前記第１オフセット部と前記第１アウター部との境界に位置する第１内端面とを有し、
前記第２アウター部は、前記封止体の前記下面から露出する第２裏面と、前記封止体の前記第１側面とは反対側の第２側面から露出し、かつ前記第２裏面と交わる第２外端面と、前記第２外端面とは反対側で、かつ前記第２裏面と交わり、かつ前記第２オフセット部と前記第２アウター部との境界に位置する第２内端面とを有する。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、平面視において前記第１インナー部と前記第２インナー部とを結ぶ第１仮想線は、平面視において前記第１アウター部と前記第２アウター部とを結ぶ第２仮想線と重なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程では、電解処理を施して、前記液体を噴出することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程で噴出する前記液体は、樹脂ビーズまたはガラスビーズを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第１インナー部は前記第１アウター部よりも上方に位置し、前記第１インナー部と前記第１アウター部との間に形成された前記第１オフセット部は屈曲部であり、前記第２インナー部は前記第２アウター部よりも上方に位置し、前記第２インナー部と前記第２アウター部との間に形成された前記第２オフセット部は屈曲部であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第１インナー部および前記第１オフセット部の厚さは前記第１アウター部の厚さよりも薄く、前記第２インナー部および前記第２オフセット部の厚さは前記第２アウター部の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半田材を介して実装基板に搭載される半導体装置であって、
前記半導体装置は、第１リードと、前記第１リードと対向する第２リードと、前記第１リードに搭載された半導体チップと、前記半導体チップの主面に形成された電極と前記第２リードとを電気的に接続するワイヤと、前記半導体チップおよび前記ワイヤを封止する封止体とを含み、
前記第１リードは、第１インナー部と、前記第１インナー部とは反対側で、前記封止体の下面から露出する第１アウター部と、前記第１インナー部と前記第１アウター部との間に位置する第１オフセット部とを有し、
前記第２リードは、前記第１インナー部と対向する第２インナー部と、前記第２インナー部とは反対側で、前記封止体の前記下面から露出する第２アウター部と、前記第２インナー部と前記第２アウター部との間に位置する第２オフセット部とを有し、
前記封止体は、前記第１リードの前記第１インナー部および前記第１オフセット部と、前記第２リードの前記第２インナー部および前記第２オフセット部とを封止し、
前記第１アウター部は、前記封止体の下面から露出する第１裏面と、前記封止体の第１側面から露出し、かつ前記第１裏面と交わる第１外端面と、前記第１外端面とは反対側で、かつ前記第１裏面と交わり、かつ前記第１オフセット部と前記第１アウター部との境界に位置する第１内端面とを有し、
前記第２アウター部は、前記封止体の前記下面から露出する第２裏面と、前記封止体の第２側面から露出し、かつ前記第２裏面と交わる第２外端面と、前記第２外端面とは反対側で、かつ前記第２裏面と交わり、かつ前記第２オフセット部と前記第２アウター部との境界に位置する第２内端面とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、前記第１リードの前記第１インナー部の厚さが前記第１アウター部の厚さよりも薄く、前記第２リードの前記第２インナー部の厚さが前記第２アウター部の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置において、平面視において前記第１インナー部と前記第２インナー部とを結ぶ第１仮想線は、平面視において前記第１アウター部と前記第２アウター部とを結ぶ第２仮想線と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７記載の半導体装置において、前記第１リードの前記第１インナー部が前記第１アウター部よりも前記封止体の上面側に位置し、前記第２リードの前記第２インナー部が前記第２アウター部よりも前記封止体の上面側に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項７記載の半導体装置において、前記第１内端面および前記第２内端面の前記封止体の前記下面からの高さは、０．０５ｍｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項７記載の半導体装置において、前記封止体の前記下面にそれぞれ露出している前記第１リードの前記第１アウター部と前記第２リードの前記第２アウター部との間隔は、対向する前記第１リードの前記第１インナー部と前記第２リードの前記第２インナー部との間隔よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項７記載の半導体装置において、前記第１内端面および前記第２内端面は前記封止体の内部にあり、前記第１外端面および前記第２外端面は前記封止体の外部にあることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術および半導体装置に関し、特に、半導体チップを樹脂により封止した半導体装置の製造に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば対向するように配置されたタブ部およびポスト部と、各部位からそれぞれ延在する第１リード部および第２リード部と、タブ部上に搭載された半導体チップと、半導体チップの表面電極とポスト部とを接続する導電性ワイヤと、半導体チップの周辺部を覆う封止樹脂とを有し、タブ部と第１リード部との高低差がポスト部と第２リード部との高低差よりも小さい半導体パッケージが特開２００４−１４６４８８号公報（特許文献１）に開示されている。
【０００３】
また、タブと、タブの周囲に配置された複数のリードと、タブのチップ支持面上に銀ペーストを介して搭載された半導体チップと、半導体チップのパッドとリードとを電気的に接続する複数のワイヤと、半導体チップおよび複数のワイヤを樹脂封止する封止体とを有し、タブのチップ支持面の周縁部に銀ペーストの流出を防ぐために、チップ支持面より高さの低い段差部を形成した半導体装置が特開２００９−７６６５８号公報（特許文献２）に開示されている。
【０００４】
また、ダイステージと、インナーリードと、インナーリードと段差部を付けて連なるアウターリードとを備えたリードフレームにおいて、インナーリードとアウターリードとの間にリード延在方向と直角に浅溝を形成し、浅溝が外側になるように折り曲げることにより、樹脂のモールド時に浅溝の側壁をダムとして機能させて、アウターリードの半田付け面となる平坦部におけるバリの発生を防止する技術が特開２０００−３１５７５９号公報（特許文献３）に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１４６４８８号公報
【特許文献２】特開２００９−７６６５８号公報
【特許文献３】特開２０００−３１５７５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
互いに対向するように配置された２つのリードと、一方のリードの上面に搭載された半導体チップと、この半導体チップと他方のリードとを電気的に接続するワイヤと、２つのリードのそれぞれの下面を露出させて、半導体チップおよびワイヤを封止する封止体とを有する半導体装置において、２つのリード間に高電圧を印加する場合、耐圧を確保するために２つのリード間の距離を十分に広げておく必要がある。これは、空気の耐圧が、例えば個体物（ここでは封止体）の耐圧に比べて一般的に低いため、一方のリードのうち封止体から露出して空気にさらされる部分と、他方のリードのうち封止体から露出して空気にさらされる部分との最短距離で、半導体装置の耐圧が決まるためである。
【０００７】
しかし、ワイヤを介して一方のリードの上面に搭載された半導体チップと他方のリードとを電気的に接続する場合は、単に、互いに対向する２つのリード間の距離を大きくするとワイヤの長さが長くなるという問題が生じる。
【０００８】
そこで、本発明者らは、リードの形状を工夫することにより、一方のリードのうち封止体から露出して空気にさらされる部分と、他方のリードのうち封止体から露出して空気にさらされる部分との距離を広げる検討を行った。
【０００９】
例えば、図２３（または前述した特許文献１）に示すような形状を有し、互いに対向する２つのリード５１，５２を備えた半導体装置ＳＷの検討を行った。すなわち、一方のリード５１を、半導体チップＳＣが搭載される部分（以下、インナー部と言う）５１Ａと、このインナー部５１Ａと連なり（インナー部５１Ａの反対側に位置し）、実装基板に実装した際には実装基板の電極と接続される部分（以下、アウター部と言う）５１Ｂとに分ける。同様に、他方のリード５２を、ワイヤ５３が接続される部分（以下、インナー部と言う）５２Ａと、このインナー部５２Ａと連なり（インナー部５２Ａの反対側に位置し）、実装基板に実装した際には実装基板の電極と接続される部分（以下、アウター部と言う）５２Ｂとに分ける。そして、インナー部５１Ａがアウター部５１Ｂよりも実装基板から離れる方向に位置するように、またインナー部５２Ａがアウター部５２Ｂよりも実装基板から離れる方向に位置するように、それぞれのリード５１，５２を折り曲げて、インナー部５１Ａ，５２Ａの全体を封止体５４により覆う。なお、図２３において、符号５１Ｃで示す部分が、一方のリード５１のインナー部５１Ａとアウター部５１Ｂとの間に位置する折り曲げ部分（以下、屈曲部と言う）であり、符号５２Ｃで示す部分が、他方のリード５２のインナー部５２Ａとアウター部５２Ｂとの間に位置する折り曲げ部分（以下、屈曲部と言う）である。
【００１０】
これにより、一方のリード５１のうち封止体５４の下面に露出して空気にさらされる部分と、他方のリード５２のうち封止体５４の下面から露出して空気にさらされる部分との距離Ｄ１を広く保ちながら、互いに対向するインナー部５１Ａとインナー部５２Ａとの距離を、この距離Ｄ１よりも小さくできるので、ワイヤ５３の長さを短くすることができた。
【００１１】
一方、近年、半導体装置の高耐圧化に加えて、低コスト化の要求が強まっている。そこで、本発明者らは、この低コスト化の要求に応えるための一手段として、封止体５４を形成する工程（モールド工程）において、例えば前述した特許文献２に記載されているようなフィルム（またはラミネート）を使用せずに、リードフレームを直接、金型の表面（金型面）に配置することにより、半導体チップＳＣを樹脂で封止する検討を行った。ところが、フィルムを使用しない場合、このモールド工程において、封止体５４から露出しているリード５１のアウター部５１Ｂおよびリード５２のアウター部５２Ｂのそれぞれの下面（実装面）が薄い樹脂（以下、バリと言う）で覆われ易くなる。そのため、モールド工程の後に、液体をリード５１のアウター部５１Ｂおよびリード５２のアウター部５２Ｂのそれぞれの下面に圧力（水圧）をかけて噴きつけて、バリを除去する工程（バリ取り工程）が必要となった。
【００１２】
しかし、このバリ取りを施すと、図２４に示すように、封止体５４の下面の一部（斜線で示す部分）が剥がれて、例えば一方のリード５１のインナー部５１Ａとアウター部５１Ｂとの間の屈曲部５１Ｃの一部が封止体５４の下面に露出し（他方のリード５２も同様）、一方のリード５１の空気にさらされる部分と、他方のリード５２の空気にさらされる部分との距離Ｄ２が、前述の図２３に示した距離Ｄ１よりも短くなることが分かった。
【００１３】
この理由として、封止体５４を構成する樹脂の厚さが薄くなると、樹脂とリード５１，５２との密着強度が弱くなることが主な原因であると考えられた。すなわち、一方のリード５１のうちのインナー部５１Ａとアウター部５１Ｂとの間の屈曲部５１Ｃの下面側に形成される樹脂においては、インナー部５１Ａからアウター部５１Ｂに向かって樹脂の厚さは徐々に薄く形成されている。そのため、バリ取り工程において封止体５４に吹き付けられた液体の圧力（水圧）によって、屈曲部５１Ｃの下面側のアウター部５１Ｂに近い封止体５４の一部が剥がされて、屈曲部５１Ｃの一部が封止体５４から露出したと推考された。これは、他方のリード５２においても同様である。
【００１４】
なお、一方のリード５１の屈曲部５１Ｃの一部および他方のリード５２の屈曲部５２Ｃの一部が封止体５４から露出すると、実装基板５５に半導体装置ＳＷを実装した際に、図２５に示すように、一方のリード５１のアウター部５１Ｂおよび他方のリード５２のアウター部５２Ｂのそれぞれの表面に形成された半田材５６が封止体５４の下面（実装面）における中央部に寄ってしまう。従って、半導体装置ＳＷの耐圧は、半導体装置ＳＷの耐圧を考慮して設定された上記距離Ｄ１ではなく、この距離Ｄ１よりも短い、一方のリード５１の屈曲部５１Ｃの下面側に形成された半田材５６と、他方のリード５２の屈曲部５２Ｃの下面側に形成された半田材５６との距離（すなわち上記距離Ｄ２とほぼ同じ距離）により決まることになる。このため、半導体装置ＳＷにおいて耐圧低下の問題が生じてしまう。
【００１５】
本発明の目的は、半導体装置の耐圧を確保することのできる技術を提供することにある。
【００１６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１８】
この実施の形態は、半田材を介して実装基板に搭載される半導体装置の製造方法であって、第１リードの第１アウター部は、封止体の下面から露出する第１裏面と、第１裏面と交わる第１外端面と、第１裏面と交わり、かつ第１オフセット部と第１アウター部との境界に位置する第１内端面とを有し、第１リードと対向する第２リードの第２アウター部は、封止体の下面から露出する第２裏面と、第２裏面と交わる第２外端面と、第２裏面と交わり、かつ第２オフセット部と第２アウター部との境界に位置する第２内端面とを有する。
【発明の効果】
【００１９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２０】
半導体装置の耐圧を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施の形態による半導体装置の構造を示す上面図である。
【図２】本発明の一実施の形態による半導体装置の構造を示す底面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ′線に沿った要部断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態による半導体装置の構造を示す透過平面図である。
【図５】本発明の一実施の形態による半導体装置の各部位のそれぞれの代表的な寸法の一例を説明する半導体装置の要部断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態による半導体装置の製造方法のパッケージ工程の流れを説明する工程図である。
【図７】本発明の一実施の形態によるリードフレーム（多数個取り基材）を構成する単位フレームの要部平面図である。
【図８】図７のＩ−Ｉ′線方向に沿った要部断面図である。
【図９】本発明の一実施の形態によるリードフレームの加工方法の一例を説明するリードの部分断面図であり、（ａ）は第１成形金型を用いて加工したリードフレームの部分断面図、（ｂ）は第１成形金型を用いて加工し、引き続いて第２成形金型を用いて加工したリードフレームの部分断面図である。
【図１０】本発明の一実施の形態によるダイボンド工程における半導体装置の要部平面図である。
【図１１】図１０のＩＩ−ＩＩ′線方向に沿った要部断面図である。
【図１２】本発明の一実施の形態によるワイヤボンディング工程における半導体装置の要部平面図である。
【図１３】図１２のＩＩＩ−ＩＩＩ′線方向に沿った要部断面図である。
【図１４】本発明の一実施の形態によるモールド工程における半導体装置の要部平面図である。
【図１５】図１４のＩＶ−ＩＶ′線方向に沿った要部断面図である。
【図１６】本発明の一実施の形態によるバリ取り工程における半導体装置の要部断面図である。
【図１７】本発明の一実施の形態によるメッキ工程における半導体装置の要部断面図である。
【図１８】本発明の一実施の形態による切断工程における半導体装置の要部断面図である。
【図１９】本発明の一実施の形態による実装工程における半導体装置の要部断面図である。
【図２０】本発明の一実施の形態によるリードフレームの加工方法の第１変形例を説明するリードの部分断面図である。
【図２１】本発明の一実施の形態によるリードフレームの加工方法の第２変形例を説明するリードの部分断面図である。
【図２２】本発明の一実施の形態による半導体装置の他の例を説明する半導体装置の要部断面図である。
【図２３】本発明者らが本発明に先駆けて検討した半導体装置の要部断面図である。
【図２４】本発明者らが本発明に先駆けて新たに見出した半導体装置の問題点を説明するための半導体装置の要部平面図である。
【図２５】本発明者らが本発明に先駆けて新たに見出した半導体装置の問題点を説明するための半導体装置の要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下の実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００２３】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２４】
また、以下の実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。また、以下の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２５】
本発明の実施の形態による半導体装置の構造を図１〜図４を用いて説明する。図１は半導体装置の構造を示す上面図、図２は半導体装置の構造を示す底面図、図３は図１のＡ−Ａ′線に沿った要部断面図、図４は半導体装置の構造を示す透過平面図である。
【００２６】
図１〜図４に示すように、半導体装置ＳＷ１は、所定の間隔を有し、互いに対向して配置された一対の第１リード１と第２リード２とを備え、さらに、第１リード１に搭載された半導体チップＳＣ、第２リード２と半導体チップＳＣの主面（回路形成面）に形成されたパッド電極とを電気的に接続するワイヤ３、ならびに第１リード１の一部、第２リード２の一部、半導体チップＳＣおよびワイヤ３を封止する封止体４を備えている。
【００２７】
第１リード１および第２リード２は、例えば厚さが０．１〜０．３ｍｍ程度の銅、鉄、リン青銅などの熱伝導率の良い薄板金属をプレス加工することによって形成される。第１リード１はダイボンド電極として機能し、第２リード２はワイヤボンド電極として機能する。
【００２８】
第１リード１は、第１インナー部１Ａと、第１アウター部１Ｂと、第１インナー部１Ａと第１アウター部１Ｂとの間に位置する第１オフセット部１Ｃとから構成される。第１インナー部１Ａは第１アウター部１Ｂよりも上方（封止体４の上面側）に位置している。
【００２９】
第１インナー部１Ａは、半導体チップＳＣが搭載され、かつ封止体４により覆われる部分であり、第１インナー部１Ａは封止体４からは露出していない。
【００３０】
第１アウター部１Ｂは、半導体装置を実装基板に実装した際には、実装基板の電極と接続される部分である。また、第１アウター部１Ｂは封止体４から露出する部分と露出しない部分とを有している（封止体４に覆われる部分も一部に有する）。第１アウター部１Ｂの封止体４から露出した部分には、封止体４の下面から露出して実装基板の電極と直接接する第１裏面Ｄ１１と、封止体４の側面から突出し、かつ第１裏面Ｄ１１と交わる第１外端面Ｄ１２とがある。なお、本実施の形態では、第１外端面Ｄ１２が封止体４の側面から突出していることについて説明したが、封止体４の下面（実装面）から露出する第１裏面Ｄ１１の面積が大きい場合には、封止体４の側面から突出していなくてもよい。すなわち、第１外端面Ｄ１２が封止体４の側面から露出しているだけでもよい。また、第１アウター部１Ｂの封止体４から露出しない部分には、第１外端面Ｄ１２とは反対側で、かつ第１裏面Ｄ１１と交わる第１内端面Ｄ１３がある。この第１内端面Ｄ１３は、第１アウター部１Ｂと第１オフセット部１Ｃとの境界（界面）に位置する。
【００３１】
第１オフセット部１Ｃは、第１インナー部１Ａが第１アウター部１Ｂよりも上方（封止体４の上面側）に位置するように、第１リード１の一部を折り曲げた部分であって、第１インナー部１Ａと第１アウター部１Ｂとの間に位置する屈曲部である。また、第１オフセット部１Ｃは封止体４からは露出していない。
【００３２】
第２リード２は、第２インナー部２Ａと、第２アウター部２Ｂと、第２インナー部２Ａと第２アウター部２Ｂとの間に位置する第２オフセット部２Ｃとから構成される。第２インナー部２Ａは第２アウター部２Ｂよりも上方（封止体４の上面側）に位置している。
【００３３】
第２インナー部２Ａは、ワイヤ３と電気的に接続される部分であり、第２インナー部２Ａは封止体４からは露出していない。
【００３４】
第２アウター部２Ｂは、半導体装置を実装基板に実装した際には、実装基板の電極と接続される部分である。また、第２アウター部２Ｂは封止体４から露出する部分と露出しない部分とを有している（封止体４に覆われる部分も一部に有する）。第２アウター部２Ｂの封止体４から露出した部分には、封止体４の下面から露出して実装基板の電極と直接接する第２裏面Ｄ２１と、封止体４の側面から突出し、かつ第２裏面Ｄ２１と交わる第２外端面Ｄ２２とがある。なお、本実施の形態では、第２外端面Ｄ２２が封止体４の側面から突出していることについて説明したが、封止体４の下面（実装面）から露出する第２裏面Ｄ２１の面積が大きい場合には、封止体４の側面から突出していなくてもよい。すなわち、第２外端面Ｄ２２が封止体４の側面から露出しているだけでもよい。また、第２アウター部２Ｂの封止体４から露出しない部分には、第２外端面Ｄ２２とは反対側で、かつ第２裏面Ｄ２１と交わる第２内端面Ｄ２３がある。この第２内端面Ｄ２３は、第２アウター部２Ｂと第２オフセット部２Ｃとの境界（界面）に位置する。
【００３５】
第２オフセット部２Ｃは、第２インナー部２Ａが第２アウター部２Ｂよりも上方（封止体４の上面側）に位置するように、第２リード２の一部を折り曲げた部分であって、第２インナー部２Ａと第２アウター部２Ｂとの間に位置する屈曲部である。また、第２オフセット部２Ｃは封止体４からは露出していない。
【００３６】
半導体チップＳＣは、第１リード１の第１インナー部１Ａの上面に搭載されており、半導体チップＳＣの裏面と第１インナー部１Ａの上面とは、例えば金−錫（Ａｕ−Ｓｎ）共晶接合により電気的に接続されている。
【００３７】
ワイヤ３は、例えば金線であり、その直径は、例えば２０μｍ程度である。
【００３８】
封止体４は、例えばトランスファーモールド法により形成される。その素材は樹脂、例えばエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等である。
【００３９】
図５は、半導体装置ＳＷ１の各部位のそれぞれの代表的な寸法の一例を説明する半導体装置ＳＷ１の要部断面図である。
【００４０】
例えば、第１リード１と第２リード２との間に印加される電圧が６００Ｖの場合（空気の耐圧：３ｋＶ／１ｍｍ、封止体（樹脂）の耐圧：２０ｋＶ／１ｍｍ）、封止体４から露出する第１リード１と第２リード２との最短の距離（間隔）Ｌ１は０．８ｍｍ以上とすることが望ましい。また、対向する第１リード１と第２リード２との距離（間隔）Ｌ４は、封止体（樹脂）４の耐圧から、０．１ｍｍ以上とすることが望ましい。本実施の形態では、封止体４から露出する第１リード１と第２リード２との最短の距離Ｌ１は０．８ｍｍ、対向する第１リード１と第２リード２との距離Ｌ４は０．１ｍｍとした。
【００４１】
半導体装置ＳＷ１の耐圧を確保するためには、第１リード１と第２リード２との距離だけでなく、第１リード１および第２リード２を覆う封止体４の各部位の厚さ、さらに第１リード１および第２リード２のそれぞれの厚さも考慮する必要がある。本実施の形態では、例えば半導体装置ＳＷ１（封止体４）の裏面から第１リード１の第１インナー部１Ａの裏面までの距離Ｌ５および半導体装置ＳＷ１（封止体４）の裏面から第２リード２の第２インナー部２Ａの裏面までの距離Ｌ５は０．１ｍｍ、半導体チップＳＣからワイヤ３までの距離Ｌ２は０．０８ｍｍ、ワイヤ３から封止体４の上面までの距離Ｌ３は０．１ｍｍとした。
【００４２】
さらに、第１リード１および第２リード２の強度を維持するためには、それぞれの厚さは厚い方が好ましいが、高い耐圧を得るためには、それぞれの厚さは薄い方が好ましい。そこで、第１リード１の第１インナー部１Ａおよび第１オフセット部１Ｃのそれぞれの厚さを第１アウター部１Ｂの厚さよりも薄くし、同様に、第２リード２の第２インナー部２Ａおよび第２オフセット部２Ｃのそれぞれの厚さを第２アウター部２Ｂの厚さよりも薄くした。これにより、第１リード１および第２リード２の所望する耐圧を得ると同時に強度の低下を防止することができる。
【００４３】
また、第１リード１の第１内端面Ｄ１３の半導体装置ＳＷ１（封止体４）の裏面からの高さＬ６および第２リード２の第２内端面Ｄ２３の半導体装置ＳＷ１（封止体４）の裏面からの高さＬ６は、バリ取り工程における封止体４の剥がれを防止するために０．０５ｍｍ以上必要である。すなわち、上記高さＬ６が封止体４を構成する樹脂に含まれるフィラーの最大径（例えば０．０４８ｍｍ）よりも低くなると、第１内端面Ｄ１３および第２内端面Ｄ２３の各部分にフィラーが詰まり樹脂が入らなくなることがある。このような状態の場合、バリ取り工程において第１内端面Ｄ１３および第２内端面Ｄ２３の各部分に詰まったフィラーが取れやすくなる。そこで、上記高さＬ６をフィラーの最大径よりも大きく設定する。本実施の形態では、上記高さＬ６は０．０５ｍｍとした。
【００４４】
また、その他の部分の寸法の一例として、例えば第１リード１の第１オアウター部１Ｂのうち封止体４に覆われた部分の第１リード１の延在方向の長さＬ７および第２リード２の第２アウター部２Ｂのうち封止体４に覆われた部分の第２リード２の延在方向の長さＬ７は０．１ｍｍ、第１リード１の第１外端面Ｄ１２から第２リード２の第２外端面Ｄ２２までの距離Ｌ８は１．４ｍｍ、半導体装置ＳＷ１（封止体４）の裏面から上面までの高さＬ９は０．５４ｍｍとした。
【００４５】
上記したＬ１〜Ｌ９の寸法を有する半導体装置ＳＷ１において、第１リード１の第１アウター部１Ｂと第２リード２の第２アウター部２Ｂとの間で６００Ｖ以上の耐圧が得られた。
【００４６】
次に、本発明の実施の形態による半導体装置の製造方法の一例を図６〜図１９を用いて工程順に説明する。図６は半導体装置の製造方法のパッケージ工程の流れを説明する工程図、図７はリードフレーム（多数個取り基材）を構成する単位フレームの要部平面図、図８は図７のＩ−Ｉ′線方向に沿った要部断面図、図９（ａ）および（ｂ）はそれぞれリードフレームの加工方法の一例を説明するリードの部分断面図、図１０はダイボンド工程における半導体装置の要部平面図、図１１は図１０のＩＩ−ＩＩ′線方向に沿った要部断面図、図１２はワイヤボンディング工程における半導体装置の要部平面図、図１３は図１２のＩＩＩ−ＩＩＩ′線方向に沿った要部断面図、図１４はモールド工程における半導体装置の要部平面図、図１５は図１４のＩＶ−ＩＶ′線方向に沿った要部断面図、図１６はバリ取り工程における半導体装置の要部断面図、図１７はメッキ工程における半導体装置の要部断面図、図１８は切断工程における半導体装置の要部断面図、図１９は実装工程における半導体装置の要部断面図である。
【００４７】
（リードフレーム準備工程）
まず、図７および図８に示すように、金属製の枠組みであるリードフレーム５を用意する。リードフレーム５は多数個取り基材であり、例えば長手方向を列とし、これに直交する方向を行とすると、半導体装置が１つ形成される単位フレームが、例えば複数行２列に配置された構成となっている。なお、半導体装置の製造方法の一例の説明に用いる図７〜図１９では、単位フレームに該当する領域のみを図示している。
【００４８】
各単位フレームは、リードフレーム５の本体と繋がった第１リード１と、第１リード１と対向してリードフレーム５の本体と繋がった第２リード２とを含んでいる。また、図示は省略するが、各単位フレームの周囲には、リードフレーム５の位置決めのため、または樹脂封止に伴うリードフレームの歪みを緩和するために、複数の貫通孔が設けられている。
【００４９】
リードフレーム５は、例えば銅、鉄、リン青銅（銅を主成分として錫（３．５〜９．０％）およびリン（０．０３〜０．３５％）を含む合金）などの熱伝導性の良い薄板金属を母材とし、その厚さは０．１〜０．３ｍｍ程度である。
【００５０】
前述の図１〜図４を用いて説明したように、各単位フレームを構成する第１リード１は、第１インナー部１Ａと第１アウター部１Ｂと第１オフセット部１Ｃとから構成され、各単位フレームを構成する第２リード２は、第２インナー部２Ａと第２アウター部２Ｂと第２オフセット部２Ｃとから構成されている。平面視において第１リード１の第１インナー部１Ａと第２リード２の第２インナー部２Ａとを結ぶ第１仮想線Ｖ１は、平面視において第１リード１の第１アウター部１Ｂと第２リード２の第２アウター部２Ｂとを結ぶ第２仮想線Ｖ２と重なる。すなわち、第１インナー部１Ａ、第２インナー部２Ａ、第１アウター部１Ｂ、および第２アウター部２Ｂは、前述の図４にも示したように、平面視において１つの直線上に配置されている。
【００５１】
また、第１リード１において、第１インナー部１Ａは第１アウター部１Ｂよりも上方に位置しており、第２リード２において、第２インナー部２Ａは第２アウター部２Ｂよりも上方に位置している。そのため、第１リード１および第２リード２を加工して、第１インナー部１Ａを第１アウター部１Ｂよりも上方に位置するように、また、第２インナー部２Ａを第２アウター部２Ｂよりも上方に位置するように成形する必要がある。
【００５２】
このような形状のリードフレーム５（各単位フレーム）の加工方法の一例を図９（ａ）および（ｂ）を用いて以下に説明する。ここでは、第１リード１のみを図示して第２リード２の図示は省略するが、第２リード２も同様である。
【００５３】
まず、図９（ａ）に示すように、下金型６ａと上金型６ｂとを備える第１成形金型６を用いて、第１リード１の第１インナー部１Ａおよび第１オフセット部１Ｃ、ならびに第２リード２の第２インナー部２Ａおよび第２オフセット部２Ｃをプレスして、第１リード１の第１インナー部１Ａおよび第１オフセット部１Ｃのそれぞれの厚さを第１アウター部１Ｂよりも薄くし、第２リード２の第２インナー部２Ａおよび第２オフセット部２Ｃのそれぞれの厚さを第２アウター部２Ｂよりも薄くする。
【００５４】
このとき、第１インナー部１Ａおよび第１オフセット部１Ｃのそれぞれの上面は第１アウター部１Ｂの上面と同じ位置にあるのに対して、第１インナー部１Ａおよび第１オフセット部１Ｃのそれぞれの下面は第１アウター部１Ｂの上面と第１アウター部１Ｂの下面との間に位置する。ここで、第１アウター部１Ｂと第１オフセット部１Ｃとの境界で第１リード１の下面に第１内端面Ｄ１３が形成される。同様に、第２インナー部２Ａおよび第２オフセット部２Ｃのそれぞれの上面は第２アウター部２Ｂの上面と同じ位置にあるのに対して、第２インナー部２Ａおよび第２オフセット部２Ｃのそれぞれの下面は第２アウター部２Ｂの上面と第２アウター部２Ｂの下面との間に位置する。ここで、第２アウター部２Ｂと第２オフセット部２Ｃとの境界で第２リード２の下面に第２内端面Ｄ２３が形成される。
【００５５】
第１インナー部１Ａおよび第１オフセット部１Ｃの厚さと第１アウター部１Ｂの厚さとの差（前述の図５を用いて説明した第１リード１の第１内端面Ｄ１３の高さＬ６）および第２インナー部２Ａおよび第２オフセット部２Ｃの厚さと第２アウター部２Ｂの厚さとの差（前述の図５を用いて説明した第２リード２の第２内端面Ｄ２３の高さＬ６）は、例えば０．０５ｍｍ以上である。
【００５６】
次に、図９（ｂ）に示すように、下金型７ａと上金型７ｂとを備える第２成形金型７を用いて、第１オフセット部１Ｃおよび第２オフセット部２Ｃを折り曲げることにより、第１インナー部１Ａを第１アウター部１Ｂよりも上方に位置するよう成形し、また、第２インナー部２Ａを第２アウター部２Ｂよりも上方に位置するように成形する。
【００５７】
（ダイボンド工程）
次に、図１０および図１１に示すように、第１リード１の上面と半導体チップＳＣの裏面に形成された裏面電極とを、例えば金−錫（Ａｕ−Ｓｎ）共晶を用いて接合して、半導体チップＳＣを第１リード１の上面に搭載する。Ａｕ−Ｓｎ共晶に代えて、ペースト状の接着剤（例えば銀（Ａｇ）ペースト）を用いた接合、またはフィルム状の接着剤（ＤＡＦ（Die Attach Film））を用いた接合などを用いることができる。
【００５８】
（ワイヤボンディング工程）
次に、図１２および図１３に示すように、例えば熱圧着に超音波振動を併用したネイルヘッドボンディング（ボールボンディング）法により、半導体チップＳＣの主面に形成されたパッド電極８と第２リード２の第２インナー部２Ａとをワイヤ３を介して電気的に接続する。ワイヤ３には、例えば１５〜２０μｍφの金線を用いる。半導体チップＳＣにはダイオード、例えばＰＩＮ（Positive Intrinsic Negative）ダイオード、ｐｎダイオード（例えばスイッチングダイオードまたはチェナーダイオード）、またはショットキ・バリアダイオード等が形成されており、半導体チップＳＣの主面に形成されたパッド電極８と、半導体チップＳＣの裏面に形成された裏面電極とから２つの端子を取り出すことができる。
【００５９】
（モールド工程）
次に、図１４および図１５に示すように、半導体チップＳＣ、ワイヤ３、第１リード１の一部、および第２リード２の一部を保護する封止体４を形成する。封止体４は樹脂からなり、例えばエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等である。封止体４の形成には、上金型と下金型とを備える成形金型を用いる。まず、成形金型の樹脂導入孔から溶融樹脂を注入し、成形金型の窪み（キャビティ）内に溶融樹脂を充填した後、溶融樹脂を硬化させることにより封止体４が形成される。これにより、リードフレーム５の各単位フレームに半導体チップＳＣが搭載された半導体装置ＳＷ１が形成される。
【００６０】
ここで、第１リード１のうち、第１インナー部１Ａおよび第１オフセット部１Ｃは封止体４内に位置する。さらに、第１オフセット部１Ｃと第１アウター部１Ｂとの境界（界面）に位置する第１内端面Ｄ１３は封止体４内に位置するが、第１アウター部１Ｂの第１裏面Ｄ１１は封止体４の裏面から露出している。同様に、第２リード２のうち、第２インナー部２Ａおよび第２オフセット部２Ｃは封止体４内に位置する。さらに、第２オフセット部２Ｃと第２アウター部２Ｂとの境界（界面）に位置する第２内端面Ｄ２３は封止体４内に位置するが、第２アウター部２Ｂの第２裏面Ｄ２１は封止体４の裏面から露出している。
【００６１】
（バリ取り工程）
次に、図１６に示すように、モールド工程において成形金型の微細な隙間からはみ出し、第１リード１の第１アウター部１Ｂおよび第２リード２の第２アウター部２Ｂのそれぞれの表面に付着した余分な樹脂（バリ）を取り除く。バリを取り除く方法としては、例えば封止体４の下面（実装面）、封止体４の下面から露出する第１アウター部１Ｂ、および封止体４の下面から露出する第２アウター部２Ｂに向けて、数百ｋｇ／ｃｍ２の高圧の液体（高圧水）をノズルから噴射するウォータージェット法を用いる。このとき、電解処理を施してバリを浮かせる方法を併用してもよい。
【００６２】
上記ウォータージェット法を用いると、封止体４の下面（実装面）にも高圧水が噴射されるが、第１リード１の第１オフセット部１Ｃおよび第２リード２の第２オフセット部２Ｃのそれぞれの下面側に形成される封止体４の厚さが０．５ｍｍ以上あることから、封止体４の剥がれを防止することができる。従って、第１リード１の第１オフセット部１Ｃおよび第２リード２の第２オフセット部２Ｃは露出しない。
【００６３】
バリをより完全に取り除くために、高圧水に代えて、樹脂ビーズまたはガラスビーズ（フィラー）を含む液体を噴射する液体ホーニング法を用いてもよい。この際にも、噴出された液体による封止体４の剥がれを防止することができる。
【００６４】
（メッキ工程）
次に、図１７に示すように、リードフレーム５に半導体装置ＳＷ１が形成された状態でメッキ処理を施す。これにより、封止体４から突出した第１リード１の第１アウター部１Ｂおよび第２リード２の第２アウター部２Ｂのそれぞれの表面に、例えば厚さ１０μｍ以下の錫−銅（Ｓｎ−Ｃｕ）系合金または錫−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）系合金からなるメッキ層１０を形成する。バリ取り工程において、第１リード１の第１アウター部１Ｂおよび第２リード２の第２アウター部２Ｂのそれぞれの表面に付着したバリを完全に取り除いて、それぞれの表面を露出させているので、表面全体に均一にメッキ層１０を形成することができる。
【００６５】
（切断工程）
図１８に示すように、切断装置１１を用いて第１リード１の第１アウター部１Ｂおよび第２リード２の第２アウター部２Ｂを切断し、個々の半導体装置ＳＷ１に切り分ける。この際、例えば切断装置１１に備わるダイ１２上に置かれたリードフレーム５に、切断装置１１に備わる切断パンチ１３が封止体４の上面側から打ち下ろされて、リードフレーム５の本体から各半導体装置ＳＷ１が切り離される。
【００６６】
（外観検査工程）
例えば画像処理装置等を備えた外観検査装置を用いて半導体装置ＳＷ１の外観検査を行う。外観検査において外観不良と判断された半導体装置ＳＷ１は取り除かれる。
【００６７】
（実装工程）
図１９に示すように、実装基板１４上に半導体装置ＳＷ１を実装する。第１リード１の第１アウター部１Ｂと実装基板１４の実装面に設けられた電極１５とを半田材１６を介して電気的に接続し、同様に、第２リード２の第２アウター部２Ｂと実装基板１４の実装面に設けられた電極１５とを半田材１６を介して電気的に接続する。第１リード１の第１アウター部１Ｂおよび第２リード２の第２アウター部２Ｂのそれぞれの表面全体に均一にメッキ層１０が形成されているので、半田材１６が第１リード１の第１アウター部１Ｂおよび第２リード２の第２アウター部２Ｂのそれぞれの表面に十分に塗れて、強い実装強度が得られる。
【００６８】
また、第１リード１の第１アウター部１Ｂおよび第２リード２の第２アウター部２Ｂのそれぞれの表面にのみに半田材１６が塗られて実装基板１４上に半導体装置ＳＷ１が実装されているので、設計した第１リード１と第２リード２との形状から予測される半導体装置ＳＷ１の耐圧を得ることができる。
【００６９】
このように、本実施の形態によれば、（１）第１リード１の第１オフセット部１Ｃおよび第２リード２の第２オフセット部２Ｃのそれぞれの下面側に形成される封止体４の厚さを０．５ｍｍ以上としていることから、封止体４の剥がれに対する強度を向上させることができる。これにより、バリ取り工程において封止体４が剥がれることなく、第１リード１の第１アウター部１Ｂおよび第２リード２の第２アウター部２Ｂのそれぞれの表面に付着したバリを除去することができる。さらに、第１リード１の第１オフセット部１Ｃおよび第２リード２の第２オフセット部２Ｃは露出しないので、半導体装置ＳＷ１を実装基板１４に実装しても第１リード１と第２リード２との間の耐圧を確保することができる。
【００７０】
（２）モールド工程において、第１リード１の第１アウター部１Ｂおよび第２リード２の第２アウター部２Ｂのそれぞれの表面にバリが付着しても、バリを取り除いて、それぞれの表面を露出できるので、後のメッキ工程において、それぞれの表面全体に均一にメッキ層１０を形成することができる。これにより、実装基板１４に半導体装置ＳＷ１を実装する際に使用する半田材１６が、第１リード１の第１アウター部１Ｂおよび第２リード２の第２アウター部２Ｂのそれぞれの表面に塗れ易くなるので、半導体装置ＳＷ１の強い実装強度が得られる。
【００７１】
（３）第１リード１に第１オフセット部１Ｃを形成し、第２リード２に第２オフセット部２Ｃを形成することにより、第１リード１の第１インナー部１Ａおよび第２リード２の第２インナー部２Ａは封止体４により覆われて、互いに対向する第１インナー部１Ａと第２インナー部２Ａとの間には樹脂が介在する。従って、空気が介在する場合よりも、互いに対向する第１インナー部１Ａと第２インナー部２Ａとの距離を小さくしても、両者間の耐圧を確保することができる。これにより、ワイヤ３の長さを短くすることができるので、ワイヤ３の使用量を減らすことによる製造コストの低減や半導体装置ＳＷ１の小型化を図ることができる。
【００７２】
なお、前述した実施の形態では、リードフレーム５（各単位フレーム）の加工方法の一例を図９（ａ）および（ｂ）を用いて説明したが、リードフレーム５の加工方法はこれに限定されるものではない。以下に、リードフレーム５の加工方法の第１変形例、第２変形例、および第３変形例について説明する。
【００７３】
リードフレーム５の加工方法の第１変形例を、図２０を用いて説明する。図２０は、リードフレームの加工方法の第１変形例を説明するリードの部分断面図である。ここでは、第１リード１のみを図示して第２リード２の図示は省略するが、第２リード２も同様である。
【００７４】
まず、図２０に示すように、下金型１７ａと上金型１７ｂとを備える成形金型１７を用いて、第１リード１の第１インナー部１Ａおよび第１オフセット部１Ｃ、ならびに第２リード２の第２インナー部２Ａおよび第２オフセット部２Ｃをプレスして、第１リード１の第１インナー部１Ａおよび第１オフセット部１Ｃと第１アウター部１Ｂとが段違いになるように加工し、第２リード２の第２インナー部２Ａおよび第２オフセット部２Ｃと第２アウター部２Ｂとが段違いになるように加工する。ここで、第１リード１の下面の第１アウター部１Ｂと第１オフセット部１Ｃとの境界に第１内端面Ｄ１３が形成され、第２リード２の下面の第２アウター部２Ｂと第２オフセット部２Ｃとの境界に第２内端面Ｄ２３が形成される。
【００７５】
その後、前述の図９（ｂ）に示すように、下金型と上金型とを備える成形金型を用いて、第１オフセット部１Ｃおよび第２オフセット部２Ｃを屈曲することにより、第１インナー部１Ａを第１アウター部１Ｂよりも上方に位置するよう成形し、また、第２インナー部２Ａを第２アウター部２Ｂよりも上方に位置するように成形する。
【００７６】
しかし、第１変形例による加工方法では、第１リード１の一部（第１アウター部１Ｂと第１オフセット部１Ｃとの境界部）および第２リード２の一部（第２アウター部２Ｂと第２オフセット部２Ｃとの境界部）を引きちぎるような力が加わるため、第１リード１および第２リード２の強度が低下する恐れがある。
【００７７】
リードフレーム５の加工方法の第２変形例を、図２１を用いて説明する。図２１は、リードフレームの加工方法の第２変形例を説明するリードの部分断面図である。ここでは、第１リード１のみを図示して第２リード２の図示は省略するが、第２リード２も同様である。
【００７８】
まず、図２１に示すように、第１リード１の第１インナー部１Ａおよび第１オフセット部１Ｃの下面、ならびに第２リード２の第２インナー部２Ａおよび第２オフセット部２Ｃの下面をエッチングして、それぞれの厚さを薄く加工する。ここで、第１リード１の下面の第１アウター部１Ｂと第１オフセット部１Ｃとの境界に第１内端面Ｄ１３が形成され、第２リード２の下面の第２アウター部２Ｂと第２オフセット部２Ｃとの境界に第２内端面Ｄ２３が形成される。
【００７９】
その後、前述の図９（ｂ）に示すように、下金型と上金型とを備える成形金型を用いて、第１オフセット部１Ｃおよび第２オフセット部２Ｃを屈曲することにより、第１インナー部１Ａを第１アウター部１Ｂよりも上方に位置するよう成形し、また、第２インナー部２Ａを第２アウター部２Ｂよりも上方に位置するように成形する。
【００８０】
しかし、第２変形例による加工方法では、第１内端面Ｄ１３（第１リード１の第１アウター部１Ｂと第１オフセット部１Ｃとの境界）および第２内端面Ｄ２３（第２リード２の第２アウター部２Ｂと第２オフセット部２Ｃとの境界）が湾曲して、この部分に薄いバリが付着することがある。このバリはバリ取り工程において除去される可能性があり、封止体４に剥がれが生じる恐れがある。
【００８１】
リードフレーム５の加工方法の第３変形例を説明する。
【００８２】
まず、下金型と上金型とを備える成形金型を用いて、第１リード１の第１オフセット部１Ｃおよび第２リード２の第２オフセット部２Ｃをプレスして、薄く加工する。ここで、第１リード１の下面の第１アウター部１Ｂと第１オフセット部１Ｃとの境界に第１内端面Ｄ１３が形成され、第２リード２の下面の第２アウター部２Ｂと第２オフセット部２Ｃとの境界に第２内端面Ｄ２３が形成される。
【００８３】
次に、下金型と上金型とを備える成形金型を用いて、第１リード１の第１オフセット部１Ｃおよび第２リード２の第２オフセット部２Ｃが外側になるように折り曲げることにより、第１インナー部１Ａを第１アウター部１Ｂよりも上方に位置するよう成形し、また、第２インナー部２Ａを第２アウター部２Ｂよりも上方に位置するように成形する。
【００８４】
しかし、第１リード１と第２リード２との間の耐圧を考慮すると、第１リード１の第１オフセット部１Ｃおよび第２リード２の第２オフセット部２Ｃだけでなく、第１リード１の第１インナー部１Ａおよび第２リード２の第２インナー部２Ａも薄く加工することが好ましい。
【００８５】
また、前述した実施の形態では、個片タイプの半導体装置ＳＷ１について説明したが、半導体装置の構造はこれに限定されるものではない。例えば図２２に示すように、第１リード１の第１アウター部１Ｂおよび第２リード２の第２アウター部２Ｂが封止体４の側面から突出せず、封止体４の側面と同じ面で露出するＭＡＰ（Multi Array Package）タイプの半導体装置ＳＷ２に本発明を適用することもできる。
【００８６】
ただし、実装基板に半導体装置を実装した際の実装強度を考慮すると、第１リード１の第１アウター部１Ｂおよび第２リード２の第２アウター部２Ｂのそれぞれの下面の面積は大きい方が好ましい。また、個片タイプの半導体装置ＳＷ１のように、第１リード１の第１アウター部１Ｂおよび第２リード２の第２アウター部２Ｂのそれぞれの上面が封止体４から露出していると、これら上面にも半田材１６が形成される。従って、実装強度を向上するには、個片タイプの半導体装置ＳＷ１のように、第１リード１および第２リード２を封止体４の側面から突出させておくことが好ましい。
【００８７】
以上、本発明者らによってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明は、半導体チップを樹脂で封止した半導体装置およびその製造に適用することができる。
【符号の説明】
【００８９】
１  第１リード
１Ａ  第１インナー部
１Ｂ  第１アウター部
１Ｃ  第１オフセット部
２  第２リード
２Ａ  第２インナー部
２Ｂ  第２アウター部
２Ｃ  第２オフセット部
３  ワイヤ
４  封止体
５  リードフレーム
６  第１成形金型
６ａ  下金型
６ｂ  上金型
７  第２成形金型
７ａ  下金型
７ｂ  上金型
８  パッド電極
１０  メッキ層
１１  切断装置
１２  ダイ
１３  切断パンチ
１４  実装基板
１５  電極
１６  半田材
１７  成形金型
１７ａ  下金型
１７ｂ  上金型
５１  一方のリード
５１Ａ  インナー部
５１Ｂ  アウター部
５１Ｃ  屈曲部
５２  他方のリード
５２Ａ  インナー部
５２Ｂ  アウター部
５２Ｃ  屈曲部
５３  ワイヤ
５４  封止体
５５  実装基板
５６  半田材
Ｄ１１  第１裏面
Ｄ１２  第１外端面
Ｄ１３  第１内端面
Ｄ２１  第２裏面
Ｄ２２  第２外端面
Ｄ２３  第２内端面
ＳＣ  半導体チップ
ＳＷ，ＳＷ１，ＳＷ２  半導体装置
Ｖ１  第１仮想線
Ｖ２  第２仮想線
【図１】
2012146824.tif 000003
【図２】
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【図３】
2012146824.tif 000005
【図４】
2012146824.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2012146824.tif 000009
【図８】
2012146824.tif 000010
【図９】
2012146824.tif 000011
【図１０】
2012146824.tif 000012
【図１１】
2012146824.tif 000013
【図１２】
2012146824.tif 000014
【図１３】
2012146824.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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