(57)【要約】【課題】ランプ点灯開始指令が発せられる前に、ランプに高電圧が印加されて放電が開始されてしまうことを防止するイグナイタ回路及びそれを備えた閃光放電ランプ点灯装置を供給する。【解決手段】本発明の閃光放電ランプ点灯装置はスナバー回路を有するイグナイタ回路を備える。スナバー回路は第１のスイッチ素子、低抵抗素子及びコンデンサの直列回路からなる。制御回路が、点灯回路から閃光放電ランプに電圧を印加させるための点灯回路起動信号を点灯回路に対して出力し、点灯回路起動信号を出力した後に、イグナイタ回路から閃光放電ランプに始動パルス電圧を印加させるためのイグナイタ回路起動信号をイグナイタ回路に出力するように構成される。点灯回路起動信号の出力前に第１のスイッチ素子が導通状態となり、点灯回路起動信号の出力後であってイグナイタ回路起動信号の出力前に第１のスイッチ素子が非導通状態となるように構成される。【選択図】図１
2012114025.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
閃光放電ランプ点灯装置であって、
閃光放電ランプに電力を供給する点灯回路、
前記点灯回路に配線を介して接続され、前記閃光放電ランプにパルス電圧を印加するイグナイタ回路、及び
前記点灯回路及び前記イグナイタ回路を制御する制御回路
を備え、
前記制御回路が、前記点灯回路から前記閃光放電ランプに電圧を印加させるための点灯回路起動信号を該点灯回路に対して出力し、前記点灯回路起動信号を出力した後に、前記イグナイタ回路から前記閃光放電ランプに始動パルス電圧を印加させるためのイグナイタ回路起動信号を該イグナイタ回路に出力するように構成され、
前記イグナイタ回路が前記点灯回路からの入力端にスナバー回路を備え、
前記スナバー回路が、第１のスイッチ素子（３２）、低抵抗素子（２７）及びコンデンサ（２８）の直列回路からなり、前記点灯回路起動信号の出力前に前記第１のスイッチ素子が導通状態となり、前記点灯回路起動信号の出力後であって前記イグナイタ回路起動信号の出力前に前記第１のスイッチ素子が非導通状態となるように構成された閃光放電ランプ点灯装置。
【請求項２】
請求項１の閃光放電ランプ点灯装置において、
前記イグナイタ回路が、前記閃光放電ランプに二次巻線が直列接続されるパルストランス（２６）、及び前記イグナイタ回路起動信号に応じて前記パルストランスの一次巻線と前記コンデンサ（２８）が閉回路を構成するように動作する第２のスイッチ素子（２９）を備えた閃光放電ランプ点灯装置。
【請求項３】
請求項１の閃光放電ランプ点灯装置において、前記低抵抗素子（２７）が１Ω以上１００Ω以下の抵抗値を有する閃光放電ランプ点灯装置。
【請求項４】
閃光放電ランプ点灯装置の点灯回路に接続され、閃光放電ランプに始動パルス電圧を印加するイグナイタ回路であって、
前記点灯回路からの入力端子間に接続されたスナバー回路を備え、
前記スナバー回路が第１のスイッチ素子（３２）、低抵抗素子（２７）及びコンデンサ（２８）の直列回路からなり、前記第１のスイッチ素子が、前記点灯回路からの電圧印加が開始される時点では導通状態であり、前記閃光放電ランプに始動パルス電圧を印加する時点では非導通状態となるように構成されたイグナイタ回路。
【請求項５】
請求項４のイグナイタ回路であって、さらに、前記閃光放電ランプに二次巻線が直列接続されるパルストランス（２６）、及び前記始動パルス電圧を発生させるために前記パルストランスの一次巻線と前記コンデンサ（２８）が閉回路を構成するように動作する第２のスイッチ素子（２９）を備えたイグナイタ回路。
【請求項６】
請求項４のイグナイタ回路において、前記低抵抗素子（２７）が１Ω以上１００Ω以下の抵抗値を有するイグナイタ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は概略として、閃光放電ランプ点灯装置及びそれに用いるイグナイタ回路に関し、具体的には、擬似太陽光を照射する擬似太陽光照射装置に用いるキセノンランプ点灯装置及びそれに用いるイグナイタ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池の光電変換特性などの各種太陽エネルギー利用機器の性能測定のために、自然太陽光のスペクトル分布を再現する擬似太陽光を被照射体に照射する擬似太陽光照射装置が知られている。この種の擬似太陽光照射装置においては、照射ボックスの内部にキセノンランプからなる光源が設置され、多層蒸着膜が形成されたスペクトル調整用の透過型の光学フィルタが設けられ、この光源からの光が光学フィルタを通過することで放射面から擬似太陽光が放射される。
【０００３】
同装置では、例えば、発光長が１０００ｍｍ以上のキセノンランプ（以下、「ランプ」という）が用いられ、直流のランプ電流が通電され、そのランプ電流値を点灯装置によって調整することにより照射面の照度が制御される。一般的には、点灯時のランプ電流は数十アンペア（例えば７０Ａ）、ランプ電圧は数百ボルト（例えば５００Ｖ）程度であり、このランプ電流／電圧が、１回の点灯あたり数十ｍＳｅｃから数百ｍＳｅｃにわたって通電／印加される。この出力状態が定電流又は定電力で制御され、点灯期間中に被照射体の性能が測定される。
【０００４】
上記の場合、ランプ電力が３５ｋＷとなり、瞬時（例えば１００ｍＳｅｃ）とはいえ、この電力を商用電源から直接供給すると、同じ商用電源の系統の周辺機器に障害を及ぼすことや、商用電源と照射装置の間に容量の大きい接点及び配線が必要となることが問題なる。そこで一般には、点灯装置において電力を蓄積し、点灯指令に応じてその蓄積された電力をランプに供給する構成が採用される（例えば、特許文献１）。
【０００５】
図５に従来の点灯装置を示す。整流器２及び平滑コンデンサ３で構成される直流電源回路１００で交流電源１が直流電圧に変換され、その直流電圧が充電回路２００に供給される。充電回路２００はトランジスタ４、５、６及び７からなるインバータを含む。制御回路２５からの充電指令に応じて、ＰＷＭ制御回路８によってトランジスタ４、７及びトランジスタ５、６の導通時間が制御され、高周波で交互に導通される。これによりトランス９の一次巻線に交流電圧が発生するとともに、トランス９の二次巻線に昇圧比に応じた電圧が発生する。トランス９の二次巻線に発生した電圧は整流器１０で整流され、コイル１１で平滑されて大容量の電解コンデンサ（充電コンデンサ）１３に充電される。充電コンデンサ１３がランプ電圧よりも充分に高い電圧（例えば、９００Ｖ）に充電されると、ＰＷＭ制御回路８はインバータの動作を一旦停止（又は充電電圧を保持）し、スタンバイ状態となる。
【０００６】
次に、ランプを点灯させる時の動作を、図６を参照して説明する。時間ｔ０において制御回路２５からランプ点灯指令−１（点灯回路起動信号）がＰＷＭ制御回路２１に発せられると、電流制御回路３００が動作を開始する。電流制御回路３００は降圧チョッパ回路からなり、降圧チョッパ回路は、ＩＧＢＴ等の半導体スイッチ１６、ダイオード１７、コイル１８、コンデンサ１９、電流検出抵抗２０、半導体スイッチ１６の導通時間を制御するＰＷＭ制御回路２１、誤差増幅器２２、基準電圧２３及び帰還素子２４で構成される。この時点で、イグナイタ回路４１０及びランプ３９の両端に充電コンデンサ１３の電圧とほぼ等しい直流電圧（９００Ｖ）が直ちに印加される。
【０００７】
イグナイタ回路４１０は抵抗４１、パルス用コンデンサ４２、パルストランス２６、サイリスタ等の半導体スイッチ２９等から構成される。イグナイタ回路４１０において、電流制御回路３００からの出力電圧を受けると、パルス用コンデンサ４２は抵抗４１を介して所定の時定数をもって電流制御回路３００の出力電圧とほぼ等しい電圧に充電される。一般に、抵抗４１の抵抗値は高い抵抗値、例えば、数十ｋΩから数百ｋΩに設定される。その後、時間ｔ１において制御回路２５からイグナイタ回路４１０に対してランプ点灯指令−２（イグナイタ回路起動信号）が発せられ、サイリスタ２９が導通状態となる。これにより、パルス用コンデンサ４２の電圧がパルストランス２６の一次巻線に印加され、巻数比に応じたパルス電圧が二次巻線に発生する。そのパルス電圧が上記直流電圧に重畳されてランプ３９端に印加されることにより、ランプ３９の絶縁破壊が起こる。
【０００８】
ランプ３９が絶縁破壊を起こすと、コンデンサ１３の充電電圧を電源として電流制御回路３００からの制限された電流がランプ３９に投入される。電流制御回路３００において、電流検知抵抗２０に流れる電流に比例する電圧信号（検出電圧）と基準電圧２３からの電圧信号（基準電圧）が誤差増幅器２２に入力され、両者が等しくなるように、ＰＷＭ制御回路２１によって半導体スイッチ１６の導通時間がＰＷＭ制御される。これにより、コンデンサ１３を電源とするランプ３９の直流点灯が設定時間ｔ２まで定電流制御で行われる。
【０００９】
なお、ランプ３９が放電を開始すると充電コンデンサ１３の充電電圧は急激に低下する。ランプの定電流点灯に必要な電圧を下回るとランプ電流は低下してしまうため、コンデンサ１３には、点灯時間内（時間ｔ１−ｔ２の間）にわたって設定電流を供給することができるように十分な容量のものが選択される。
【００１０】
ところで、一般的には、このような擬似太陽光照射装置は点灯装置が大型となるため、点灯装置は、ランプが設置されている照射装置内に内蔵されず、ランプとは離れた場所に設置されることが多い。そのため、点灯装置の出力部から配線されるランプ配線３８ａ、３８ｂは数ｍから数十ｍの長さになる。ここで、イグナイタ回路が点灯装置側に設置された場合、パルストランス２６の電圧がランプ電線３８ａ、３８ｂ間の浮遊容量によって低下してランプ３９が不点灯となる可能性が高い。そこで、イグナイタ回路は通常、ランプ配線３８ａ、３８ｂの点灯装置側ではなくランプ３９の近傍に設置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１０−７３５５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
図５の回路において、図６に示すように時間ｔ０においてランプ点灯指令−１（点灯回路起動信号）が制御回路２５からＰＷＭ制御回路２１に発せられると、充電コンデンサ１３とほぼ等しい直流電圧（９００Ｖ）がコンデンサ１９端に出力され、この電圧が数ｍから数十ｍのランプ配線３８ａ、３８ｂを介してイグナイタ回路４１０およびランプ３９に印加される。しかし、ランプ３９に印加される直流出力電圧の立ち上りは、ランプ配線３８ａ、３８ｂ間の浮遊容量やインダクタンスの影響を受け、図６（ｔ０付近）に示すように振動を起こす。この過渡的なパルス状の高電圧（以下、スパイク電圧という）がランプ３９に印加されると、図７に示すように、時間ｔ１でイグナイタ回路４１０がランプ点灯指令−２（イグナイタ回路起動信号）を受けてランプ始動パルスを発生する前に（時間ｔ０において）、この意図しないスパイク電圧によってランプ３９が絶縁破壊を起こして点灯を開始してしまうことがある。
【００１３】
上記のタイミングでランプ３９が点灯を開始すると、その時点（ｔ０付近）から充電コンデンサ１３が放電を開始してしまうため、測定用の点灯時間ｔ１−ｔ２の途中で充電電圧が必要電圧を下回ってしまう。従って、測定終了時ｔ２の前に、設定電流による定電流点灯を維持できなくなり、正しい測定ができなくなってしまう場合がある。
【００１４】
そこで、本発明は、イグナイタ回路の大型化やコストアップを抑えつつも、点灯指令（イグナイタ回路起動信号）が発せられる前にランプが放電を開始してしまうことを防止するイグナイタ回路及びそれを備えた閃光放電ランプ点灯装置を供給することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の側面による閃光放電ランプ点灯装置は、閃光放電ランプに電力を供給する点灯回路、点灯回路に配線を介して接続され、閃光放電ランプにパルス電圧を印加するイグナイタ回路、並びに点灯回路及びイグナイタ回路を制御する制御回路を備え、制御回路は、点灯回路から閃光放電ランプに電圧を印加させるための点灯回路起動信号を点灯回路に対して出力し、点灯回路起動信号を出力した後に、イグナイタ回路から閃光放電ランプに始動パルス電圧を印加させるためのイグナイタ回路起動信号をイグナイタ回路に出力するように構成され、イグナイタ回路が点灯回路からの入力端にスナバー回路を備える。スナバー回路は第１のスイッチ素子（３２）、低抵抗素子（２７）及びコンデンサ（２８）の直列回路からなり、点灯回路起動信号の出力前に第１のスイッチ素子が導通状態となり、点灯回路起動信号の出力後であってイグナイタ回路起動信号の出力前に第１のスイッチ素子が非導通状態となるように構成される。
【００１６】
本発明の第２の側面は、閃光放電ランプ点灯装置の点灯回路に接続され、閃光放電ランプに始動パルス電圧を印加するイグナイタ回路である。イグナイタ回路は点灯回路からの入力端子間に接続されたスナバー回路を備え、スナバー回路は第１のスイッチ素子（３２）、低抵抗素子（２７）及びコンデンサ（２８）の直列回路からなる。第１のスイッチ素子が、点灯回路からの電圧印加が開始される時に導通状態となり、閃光放電ランプに始動パルス電圧を印加する時に非導通状態となるように構成される。
【００１７】
上記第１及び第２の側面において、イグナイタ回路は、閃光放電ランプに二次巻線が直列接続されるパルストランス（２６）、及び第２のスイッチ素子（２９）であって導通したときに前記パルストランスの一次巻線とコンデンサ（２８）が閉回路を構成するように動作する第２のスイッチ素子を備える。なお、低抵抗素子（２７）は１Ω以上１００Ω以下の抵抗値とするのが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施例による閃光放電ランプ点灯装置の回路図である。
【図２】本発明の第１の実施例の動作を説明する図である。
【図３】本発明の第２の実施例による閃光放電ランプ点灯装置の回路図である。
【図４】本発明の第２の実施例の動作を説明する図である。
【図５】従来の閃光放電ランプ点灯装置の回路図である。
【図６】従来の閃光放電ランプ点灯装置の動作を説明する図である。
【図７】従来の閃光放電ランプ点灯装置の動作を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の閃光放電ランプ点灯装置は、点灯回路からの入力電圧の急峻な上昇に対するスナバー回路を持つイグナイタ回路を備える。当業者には分かるように、スナバー回路とは、電子回路における急激な電圧の上昇を抑えるための回路を意味し、一般に（本実施例でも）低抵抗素子とコンデンサの直列回路を含む。後述するように、実施例におけるスナバー回路は、サイリスタ２９の導通時及びランプ３９の点灯時に主回路（パルストランス２６の二次側及びランプ３９を含む電流経路）の動作に影響を与えない構成となっていることを特徴とする。
【００２０】
なお、以降の説明において、ランプ配線３８ａ及び３８ｂより前段側のパワー回路部（即ち、直流電源回路１００、充電回路２００、電流制御回路３００）をまとめて点灯回路というものとする。また、以降の実施例では、閃光放電ランプであるランプ３９としてキセノンランプを用いているが、閃光放電ランプであれば他の成分が封入されたランプを用いてもよい。
【００２１】
実施例１．
図１は本発明における第１の実施例の閃光放電ランプ点灯装置である。点灯回路の構成及び動作は従来例のものと同様であるのでその詳細な説明を省略する。
本実施例では、イグナイタ回路の構成が従来例と異なる。本実施例におけるイグナイタ回路４０１は、パルストランス２６の前段（入力端子）に、スイッチ素子３２、低抵抗素子２７及びスナバー兼パルス用コンデンサ２８（以下、「コンデンサ２８」という）の直列回路からなるスナバー回路を備える。スイッチ素子３２は制御回路２５からの信号により導通／非導通が制御される。ここでスイッチ素子３２はトランジスタ等の半導体素子でもリレー等の接点素子でもかまわない。低抵抗素子２７は、従来例における抵抗４１とは異なり、例えば、１００Ω以下、好ましくは１Ω以上１００Ω以下程度の抵抗値を有する。
【００２２】
コンデンサ２８のパルス用コンデンサの機能として、コンデンサ２８はパルストランス２６の一次巻線の一方に接続される。パルストランス２６、サイリスタ等の半導体スイッチ素子２９、ダイオード３０及びトリガ回路３１の構成及び動作は従来のイグナイタ回路４１０と同様である。
【００２３】
図２を参照して、本実施例の動作を説明する。
まず、時間ｔａの前に、従来例と同様に充電回路２００の充電コンデンサ１３がランプ電圧よりも充分に高い電圧（例えば、９００Ｖ）に充電され、ＰＷＭ制御回路８はインバータの動作を一旦停止（又は充電電圧を保持）させ、スタンバイ状態となっているものとする。
【００２４】
ランプを点灯させる際、時間ｔ０より前のタイミングの時間ｔａで、スイッチ素子３２を導通状態にする指令−Ａが制御回路２５から出力される。これにより、低抵抗素子２７及びコンデンサ２８がランプ配線３８ａ、３８ｂ間に接続される。
【００２５】
時間ｔ０において、従来例と同様に、制御回路２５からランプ点灯指令−１（点灯回路起動信号）がＰＷＭ制御回路２１に対して発せられる。電流制御回路３００が動作を開始すると、充電コンデンサ１３の充電電圧とほぼ等しい直流電圧（９００Ｖ）がコンデンサ１９端に出力される。この電圧が数ｍから数十ｍのランプ配線３８ａ、３８ｂを介してイグナイタ回路４００およびランプ３９に印加される。
【００２６】
上記のように低抵抗素子２７の抵抗値を数Ωから数十Ωとし、かつコンデンサ２８の容量を適正な値に設定することにより、ランプ端に印加される直流出力電圧の立ち上りに対して低抵抗素子２７及びコンデンサ２８はスナバー機能として動作することができる。即ち、従来ではｔ０においてランプ３９にスパイク電圧が印加されていたが（図６、７参照）、本実施例ではコンデンサ２８がスナバーコンデンサをして機能するので、ｔ０におけるスパイク電圧を十分に低減することが可能となる。これにより、時間ｔ１にイグナイタ回路４０１がランプ始動のためのパルス電圧を発生する前に、高電圧がランプ３９に印加されて点灯開始してしまうことを防止できる。また、このスナバー機能により、コンデンサ２８には、充電コンデンサ１３の充電電圧とほぼ等しい直流電圧（９００Ｖ）が充電される。
【００２７】
時間ｔ０より後の時間ｔｂにおいて、スイッチ素子３２を非導通状態にする指令−Ｂが制御回路２５から出力される。これにより、低抵抗素子２７及びコンデンサ２８はランプ配線３８ａから切り離される。スイッチ素子３２を非導通状態にすることにより、後にサイリスタ２９が導通するときにランプ配線３８ａ側（充電電圧９００Ｖ）から低抵抗素子２７を介して電流が流れないようにするとともに、サイリスタ２９が導通してパルス電圧を発生した後、コンデンサ２８の充電電圧を次のランプ点灯に備えてリセットすることができる。
【００２８】
時間ｔ１において、従来例と同様に、制御回路２５からランプ点灯指令−２（イグナイタ回路起動信号）がトリガ回路３１に対して発せられる。トリガ回路３１からのトリガ信号によりサイリスタ２９が導通状態となると、コンデンサ２８の電圧がパルストランス２６の一次巻線に印加され、二次巻線にはその巻数比に応じたパルス電圧が発生する。このパルス電圧が上記直流電圧に重畳され、ランプ３９端に印加されることによりランプ３９の絶縁破壊が起こる。この時点から充電コンデンサ１３の放電が開始され、その後設定時間ｔ２までランプを定電流点灯することができる。また、パルストランス２６にてパルス電圧を発生することにより、コンデンサ２８の充電電圧がリセットされる。
【００２９】
以上、本実施例の構成によると、簡素な構成でイグナイタ回路を構成し、かつ、イグナイタ回路起動信号が発せられる前にランプが放電を開始してしまうことを防止することができる。
特に、コンデンサ２８がスナバー用コンデンサとパルス用コンデンサを兼ねるので、部品点数が少なくて済み有利である。
【００３０】
実施例２．
図３は発明における第２の実施例の閃光放電ランプ点灯装置の回路図である。
本実施例では、イグナイタ回路が第１の実施例と異なる。本実施例におけるイグナイタ回路４０２は、パルストランス２６の前段（入力端子）に、コンデンサ４０、コンデンサ４０からパルストランス２６側への放電を防止するダイオード３３及び低抵抗素子２７の直列接続からなるスナバー回路を備える。
【００３１】
コンデンサ４０には高抵抗素子３４及び３５が接続され、高抵抗素子３５にはパルス用コンデンサ３６が直列接続される。パルス用コンデンサ３６には定電圧ダイオード３７が並列接続される。パルス用コンデンサ３６、パルストランス２６の一次巻線、及びサイリスタ（スイッチ素子）２９が閉回路を構成するように接続される。パルストランス２６、サイリスタ２９、ダイオード３０及びトリガ回路３１の構成及び動作は第１の実施例のイグナイタ回路４０１と同様である。なお、第１の実施例と同様に、低抵抗素子２７は、例えば、１００Ω以下、好ましくは１Ω以上１００Ω以下程度の抵抗値を有する。一方、高抵抗素子３４及び３５は従来回路の抵抗４１と同様に数十ｋΩから数百ｋΩの抵抗値を有する。好ましくは、高抵抗素子３４、３５は低抵抗素子２７の１００倍以上の抵抗値を有し、より好ましくは１０００倍以上１００００倍以下の抵抗値を有する。
【００３２】
図４を参照して、本実施例の動作を説明する。
第１の実施例と同様に、時間ｔ０以前に充電回路２００の充電コンデンサ１３がランプ電圧よりも充分に高い電圧（例えば、９００Ｖ）に充電され、ＰＷＭ制御回路８はインバータの動作を一旦停止（又は充電電圧を保持）させ、スタンバイ状態となっているものとする。
【００３３】
時間ｔ０において、第１の実施例と同様に、制御回路２５からランプ点灯指令−１（点灯回路起動信号）がＰＷＭ制御回路２１に対して発せられる。電流制御回路３００が動作を開始すると、充電コンデンサ１３の充電電圧とほぼ等しい直流電圧（９００Ｖ）がコンデンサ１９端に出力される。この電圧が数ｍから数十ｍのランプ配線３８ａ、３８ｂを介してイグナイタ回路４００およびランプ３９に印加される。
【００３４】
上記のように低抵抗素子２７の抵抗値を数Ωから数十Ωとし、かつコンデンサ４０の容量を適正な値に設定することにより、ランプ端に印加される直流出力電圧の立ち上りに対して低抵抗素子２７及びコンデンサ４０はスナバー機能として動作することができる。即ち、従来ではｔ０においてランプ３９にスパイク電圧が印加されていたが（図６、７参照）、本実施例ではコンデンサ４０がスナバーコンデンサをして機能するので、ｔ０におけるスパイク電圧を十分に低減することが可能となる。これにより、時間ｔ１にイグナイタ回路４０２がランプ始動のためのパルス電圧を発生する前に、高電圧がランプ３９に印加されて点灯開始してしまうことを防止できる。
【００３５】
また、コンデンサ４０が充電されると、パルス用コンデンサ３６は高抵抗素子３５を介して一定の時定数をもって充電されていく。なお、本実施例においては、必要とされるパルス電圧の高さを定電圧ダイオード３７で決まるパルス用コンデンサ３６の充電電圧によって設定できるとともに、パルス電圧の幅をパルス用コンデンサ３６の容量で設定することが可能となる。従って、第１の実施例に比べて若干部品数は増えるものの、第１の実施例よりも設計に柔軟性のある回路方式となる。
【００３６】
時間ｔ１において、第１の実施例と同様に、制御回路２５からランプ点灯指令−２（イグナイタ回路起動信号）がトリガ回路３１に対して発せられる。トリガ回路３１からのトリガ信号によりサイリスタ２９が導通状態となると、パルス用コンデンサ３６の電圧がパルストランス２６の一次巻線に印加され、二次巻線にはその巻数比に応じたパルス電圧が発生する。このパルス電圧が上記直流電圧に重畳され、ランプ３９端に印加されることによりランプ３９の絶縁破壊が起こる。この時点から充電コンデンサ１３の放電が始まり、その後設定時間ｔ２までランプを定電流点灯することができる。また、パルストランス２６にてパルス電圧を発生することにより、パルス源コンデンサ３６の充電電圧がリセットされる。
【００３７】
以上、本実施例の構成によると、簡素な構成でイグナイタを構成し、かつ、イグナイタ回路起動信号が発せられる前にランプが放電を開始してしまうことを防止することができる。
特に、本実施例では、上述したようにパルストランス２６の一次巻線に印加するパルスの高さ及び幅をスナバー機能とは別に設定できるので設計の自由度が高まり有利である。
【００３８】
また、制御回路２５からイグナイタ回路４０２へのスナバー制御信号（指令−Ａ、Ｂ）を送る必要がないので、制御回路２５の構成を簡素化することができる。
さらに、本実施例では、イグナイタ回路と点灯回路及び制御回路との配線が従来構成と同様であるので、従来の閃光放電ランプ点灯装置においてイグナイタ回路のみを本実施例のものと交換するだけで本発明の効果を得ることができる。従って、本実施例は汎用性が高い点で有利である。
【００３９】
変形例．
上記に最も好適な実施例を示したが、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で、例えば以下のように変形可能である。
（１）実施例１ではスイッチ素子３２を制御回路２５からの信号によって制御する構成としたが、イグナイタ回路４０１にその入力端子間電圧を検出する電圧検出回路を設け、その電圧検出結果に基づいてスイッチ素子３２を制御してもよい。具体的には、入力端子間電圧が所定の閾値よりも低いときにスイッチ素子３２を導通状態にしておき、入力端子間電圧が所定の閾値を超えてから所定時間経過後にスイッチ素子３２が非導通状態となるようにすればよい。
【００４０】
（２）実施例１において指令−Ｂと指令−１を個別の指令としたが、指令−Ｂと指令−１を一連の指令としてもよい。具体的には、制御回路２５からイグナイタ回路４０１への信号線を制御回路２５とトリガ回路３１間の信号線のみとして、トリガ回路３１からスイッチ素子３２を制御するようにする。そして、制御回路２５からの指令によってスイッチ素子３２を非導通とした直後にサイリスタ２９を導通させるようにしてもよいし、言い換えると、サイリスタ２９を導通させる直前にスイッチ素子３２を非導通とするようにしてもよい。但し、この場合には、ランプ照射による測定開始タイミングをサイリスタ２９が導通状態となるタイミングに合わせる工夫が必要となる。
【００４１】
（３）上記第１及び第２の実施例では、低抵抗素子２７を数Ω〜数十Ωとしているが、コンデンサ２８、スイッチ素子３２、コンデンサ４０、ダイオード３３の特性（電流定格等）によっては低抵抗素子２７を１Ω以下とすることも可能である。
【符号の説明】
【００４２】
２５．制御回路
２６．パルストランス
２７．低抵抗素子
２８．コンデンサ
２９．サイリスタ（スイッチ素子）
３０．ダイオード
３１．トリガ回路
３２．スイッチ素子
３３．ダイオード
３４、３５．高抵抗素子
３６．パルス用コンデンサ
３７．定電圧ダイオード
３８ａ、ｂ．ランプ配線
４０．コンデンサ
１００．直流電源回路
２００．充電回路
３００．電流制御回路
４０１、４０２．イグナイタ回路
【図１】
2012114025.tif 000003
【図２】
2012114025.tif 000004
【図３】
2012114025.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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