(57)【要約】【課題】内部でのノイズの電磁放射を低減できる光受信サブアセンブリ、これを有する光受信モジュール及び内部でのノイズの電磁放射を低減できる光受信サブアセンブリの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の一態様であるＲＯＳＡ１００は、導電性のステム１を有する。ステム２１〜２４は、ステム１を貫通し、かつステム１と絶縁される。誘電体からなる内部実装用基板１０の通過孔Ｈ１〜４にはリード２１〜２４が通され、リード２１〜２４は内部実装用基板１０上に突出する。内部実装用基板１０上には、基板上配線１２ａ〜１２ｄが形成される。基板上配線１２ａ〜１２ｄは、ソルダー部１５ｃ〜１５ｄにより、それぞれリード２１〜２４に接合される。フォトダイオード４は、基板上配線１２ｃを介してリード２４から電源供給され、受光した光信号を変換した電気信号を基板上配線１２ａ及び１２ｂを介して、リード２１及び２２のそれぞれに出力する。【選択図】図１Ａ
2012114342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有するステムと、
前記ステムを貫通し、かつ前記ステムと絶縁された電源リード及び出力リードと、
通過孔に前記電源リード及び前記出力リードを通すことにより前記電源リード及び前記出力リードが上面から突出する、誘電体からなる基板と、
前記基板上に形成され、前記電源リードと導電性材料で接合された第１の基板上配線と、
前記基板上に形成され、前記出力リードと前記導電性材料で接合された第２の基板上配線と、
前記第１の基板上配線を介して前記電源リードから電源供給され、受光した光信号を変換した電気信号を前記第２の基板上配線を介して前記出力リードに出力する受光素子と、を備える、
光受信サブアセンブリ。
【請求項２】
前記受光素子は、前記第１の基板上配線の上にフリップチップ実装されることを特徴とする、
請求項１に記載の光受信サブアセンブリ。
【請求項３】
前記受光素子からの前記電気信号を増幅し、増幅した電気信号を前記第２の基板上配線を介して前記出力リードに出力する増幅器を更に備えることを特徴とする、
請求項１又は２に記載の光受信サブアセンブリ。
【請求項４】
前記増幅器は、トランスインピーダンスアンプであることを特徴とする、
請求項３に記載の光受信サブアセンブリ。
【請求項５】
前記増幅器は、前記第２の基板上配線の上にフリップチップ実装されることを特徴とする、
請求項３又は４に記載の光受信サブアセンブリ。
【請求項６】
前記基板上に形成された第３の基板上配線を更に備え、
前記受光素子及び前記増幅器が前記第３の基板上にフリップチップ実装されることにより、前記受光素子からの前記電気信号が前記増幅器に出力されることを特徴とする、
請求項３乃至５のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリ。
【請求項７】
一端が前記第１の基板上配線と接続され、他端が接地されているコンデンサを更に備えることを特徴とする、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリ。
【請求項８】
前記基板を貫通し、前記ステムと前記コンデンサとを電気的に接続する貫通配線を更に備え、
前記ステムが接地されることにより、前記コンデンサが接地されることを特徴とする、
請求項７に記載の光受信サブアセンブリ。
【請求項９】
前記基板上に形成され、前記貫通配線と前記コンデンサとを接続する第４の基板上配線を更に備えることを特徴とする、
請求項８に記載の光受信サブアセンブリ。
【請求項１０】
前記導電性材料は、導電性ペースト又は半田からなることを特徴とする、
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリ。
【請求項１１】
前記基板は、絶縁性セラミックスからなることを特徴とする、
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリ。
【請求項１２】
前記基板は、アルミナ又は窒化シリコンからなることを特徴とする、
請求項１１に記載の光受信サブアセンブリ。
【請求項１３】
前記基板は、可塑性樹脂からなることを特徴とする、
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリ。
【請求項１４】
請求項１乃至１３に記載の前記光受信サブアセンブリを含むことを特徴とする、
光受信モジュール。
【請求項１５】
第１及び第２の基板上配線を、誘電体からなる基板上に形成し、
導電性を有するステムを貫通し、かつ前記ステムと絶縁された電源リード及び出力リードを、前記基板上に設けられた通過孔に通すことにより、前記基板を前記ステム上に配置し、
前記電源リードを、導電性材料により前記第１の基板上配線と接合し、
前記出力リードを、前記導電性材料により前記第２の基板上配線と接合し、
受光した光信号を変換した電気信号を出力する受光素子の電源端子を前記第１の基板上配線と接続するとともに、前記受光素子の出力端子を前記第２の基板上配線と接続する、
光受信サブアセンブリの製造方法。
【請求項１６】
前記受光素子を、前記第１の基板上配線の上にフリップチップ実装することを特徴とする、
請求項１５に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
【請求項１７】
前記受光素子からの前記電気信号を増幅し、増幅した電気信号を前記第２の基板上配線を介して出力する増幅器を、前記受光素子の前記出力端子と前記第２の基板上配線との間に接続することを特徴とする、
請求項１５又は１６に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
【請求項１８】
前記増幅器は、トランスインピーダンスアンプであることを特徴とする、
請求項１７に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
【請求項１９】
前記増幅器を、前記第２の基板上配線の上にフリップチップ実装することを特徴とする、
請求項１７又は１８に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
【請求項２０】
第３の基板上配線を、前記第１及び前記第２の配線とともに形成し、
前記受光素子及び前記増幅器を、前記第３の基板上にフリップチップ実装することにより、前記受光素子からの前記電気信号が前記増幅器に出力されることを特徴とする、
請求項１９に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
【請求項２１】
コンデンサの一端を、前記第１の基板上配線と接続し、
前記コンデンサの他端を接地することを特徴とする、
請求項１５乃至２０のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
【請求項２２】
前記ステムと前記コンデンサとを電気的に接続する貫通配線を、前記基板を貫通して形成することを特徴とする、
請求項２１に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
【請求項２３】
前記貫通配線と前記コンデンサとを接続する第４の基板上配線を、前記基板上に形成することを特徴とする、
請求項２２に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
【請求項２４】
前記導電性材料は、導電性ペースト又は半田からなることを特徴とする、
請求項１５乃至２３のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
【請求項２５】
前記基板は、絶縁性セラミックスからなることを特徴とする、
請求項１５乃至２４のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
【請求項２６】
前記基板は、アルミナ又は窒化シリコンからなることを特徴とする、
請求項２５に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
【請求項２７】
前記基板は、可塑性樹脂からなることを特徴とする、
請求項１５乃至２４のいずれか一項に記載の光受信サブアセンブリの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光受信サブアセンブリ、光受信サブアセンブリの製造方法及び光受信モジュールに関し、特に光通信用の光受信サブアセンブリ、光受信サブアセンブリの製造方法及び光受信モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光通信用受信モジュール内には、電気光学素子（フォトダイオード）やトランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）などが実装されている。また、発振防止及び外部からのノイズ流入を防ぐため、コンデンサや抵抗などのノイズ遮断用のフィルタ部材が実装される。これらのフィルタ部材は、光受光素子及びＴＩＡのそれぞれと、ボンディングワイヤで接続されている。これらのボンディングワイヤは長いため、ステムのリード部を介して流入したノイズが、受信モジュール内で電磁放射される。その結果、受信モジュール内のフォトダイオード及びＴＩＡにノイズが再吸収され、受信モジュールの受信感度低下を招くという問題が生じていた。
【０００３】
従来の光受信サブアセンブリ（以下、ＲＯＳＡ（Receiver Optical Sub-Assembly）と称する）（特許文献１）について説明する。図１０は、従来のＲＯＳＡ５００のステム上面を示す平面図である。ステム５１０は、円板状の導電体であり、そこにはリードピン５１１〜５１４が取り付けられている。リードピン５１１〜５１４はステム５１０を貫通しており、それらの先端はステム５１０の上面から突出している。ステム５１０とリードピン５１１〜５１４との間には絶縁性のシールガラスが介在しているので、ステム５１０とリードピン５１１〜５１４とは絶縁されている。
【０００４】
ステム５１０の上面には、メタライズ基板５１５及びトランスインピーダンスアンプ（以下、ＴＩＡと表記）５２２が実装されている。一般に、メタライズ基板は、その基体である誘電体基板と、誘電体基板の上面に全面的または部分的に形成された電極と、誘電体基板の下面を全面的に覆うベタのメタライズ電極とを有している。
【０００５】
ここで、メタライズ基板５１５について説明する。図１１Ａは、メタライズ基板５１５の上面図である。図１１Ｂは、メタライズ基板５１５の下面図である。メタライズ基板５１５は、誘電体基板５２８をその基体として含んでいる。誘電体基板５２８の上面には、図１１Ａに示すように、第１の電極５１６、第２の電極５１７、パッド電極５１８及びダンピング抵抗５１９が形成されている。第１の電極５１６は、ダンピング抵抗５１９を介してパッド電極５１８に接続されている。パッド電極５１８は、ワイヤ５４０を介してリードピン５１４に接続されている。第２の電極５１７は、第１の電極５１６、パッド電極５１８及びダンピング抵抗５１９から離間しており、したがって、これらから絶縁されている。また、誘電体基板５２８の下面は、図１１Ｂに示すように、ベタのメタライズ電極５２７によって全面的に覆われている。
【０００６】
メタライズ基板５１５の上面への電極形成方法は次の通りである。まず、誘電体基板５２８への接着性に優れたＮｉＣｒ、Ｔｉ、Ｍｏなどの材料からなる金属薄膜を誘電体基板５２８の上面に部分的に形成する。この形成には、マスク法かエッチング法が用いられる。その後、得られた金属薄膜上において電極に相当する部分を、ワイヤリングが容易で電気抵抗の小さな金属（例えばＡｕ）でメッキする。これにより、第１の電極５１６、第２の電極５１７及びパッド電極５１８が形成される。メッキされなかった箇所は、電気抵抗が大きいので、ダンピング抵抗５１９となる。
【０００７】
メタライズ基板５１５の第１の電極５１６上には、図１０に示すように、受光素子としてフォトダイオード（以下、「ＰＤ」）５２０が実装される。ＰＤ５２０はチップ状であり、その上面にはアノードまたはカソードの一方が設けられ、その下面の全面はアノードまたはカソードの他方によって覆われている。ＰＤ５２０は、その上面に入射した光信号を電気信号に変換する。ＰＤ５２０の下面は、第１の電極５１６にダイボンドされ、それにより、ＰＤ５２０の下面の電極が第１の電極５１６に接続される。上述のように第１の電極５１６はリードピン５１４に電気的に接続されており、ＰＤ５２０の駆動に必要なバイアス電圧は、リードピン５１４からパッド電極５１８、ダンピング抵抗５１９及び第１の電極５１６を介してＰＤ５２０に印加される。
【０００８】
なお、メタライズ基板５１５は、ＰＤ５２０の下面の電極（すなわち、バイアス端子）とステム５１０（すなわち、グラウンド電位）との間に挿入されるコンデンサの役割も持っている。
【０００９】
ＴＩＡ５２２は、ＰＤ５２０から出力される電気信号を受けて増幅する。光通信で使用される光受信器では、ＲＯＳＡ５００にメイン回路が接続されるが、このメイン回路は、この増幅された電気信号を更に増幅する増幅器を含んでいる。ＴＩＡ５２２は、これら一連の増幅器のうち初段の増幅器である。
【００１０】
ＴＩＡ５２２は、チップ状であり、その上面に四つの端子電極５２３〜５２６を有している。端子電極５２３は、ＰＤ５２０から電気信号を受け取るための端子であり、ワイヤ５４１を介してＰＤ５２０の上面の電極に接続されている。
【００１１】
端子電極５２４は、電源電圧を受けるための電源端子であり、ワイヤ５４２を介してメタライズ基板５１５上の第２の電極５１７に接続されている。第２の電極５１７は、別のワイヤ５４３を介してリードピン５１３にも接続されている。こうして端子電極５２４に電気的に接続されたリードピン５１３は、ＲＯＳＡ５００外の電源に接続され、ＴＩＡ５２２に電源電圧を供給する。
【００１２】
端子電極５２５及び５２６は、ＴＩＡ５２２によって増幅された電気信号を出力するための差動出力端子であり、ここで、端子電極５２５は正相出力端子、端子電極５２６は逆相出力端子である。端子電極５２５及び５２６は、それぞれリードピン５１１及び５１２にワイヤリングによって接続されている。ＴＩＡ５２２によって増幅された電気信号は、リードピン５１１及び５１２から出力される。
【００１３】
ステム５１０の上面には、リードピン５１１〜５１４の先端、メタライズ基板５１５及びＴＩＡ５２２を覆うレンズ付きキャップ（図示せず）が設置されている。ＲＯＳＡ５００は、ＰＤ５２０の受光部に光学的に接続された光ファイバ（図示せず）と、その光ファイバの先端を保持するフェルール（図示せず）を更に有している。このフェルールは、ステム５１０またはキャップに固定されたスリーブ（図示せず）に収容されている。ＰＤ５２０は、この光ファイバによって伝送される光信号を受けて電気信号に変換する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００７−２４２７０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、発明者は、上述の従来のＲＯＳＡには、以下の問題があることを見出した。図１０に示した従来のＲＯＳＡ５００においては、ＰＤ５２０はコンデンサ上にマウントされる。そして、ＰＤ５２０を、第１の電極５１６、ダンピング抵抗５１９、パッド電極５１８及びワイヤ５４０を介して、ステム５１０のリード５１４と接続している。この場合、リードピン５１３とコンデンサ（第２の電極５１７）との間のワイヤ５４３の長さは、３ｍｍと比較的長い。よって、ＲＯＳＡ５００では、リードピン５１３を通じて、ＲＯＳＡ５００外部からワイヤ５４３流入したノイズが、ＲＯＳＡ５００の内部でワイヤ５４３から電磁放射される。
【００１６】
一般に、ワイヤ（ボンディングワイヤ）の長さが長いほど、ワイヤから電磁放射されるノイズ量は多くなる。その結果、比較的長いワイヤ５４３から電磁放射されたノイズは、ＰＤ５２０とＴＩＡ５２２と間のワイヤ５４１、及び、ＴＩＡ５２２とコンデンサとの間のワイヤ５４２へ重畳される。その結果、ＲＯＳＡ５００が組み込まれた受信モジュールの受信感度を低下させてしまう。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の一態様である光受信サブアセンブリは、導電性を有するステムと、前記ステムを貫通し、かつ前記ステムと絶縁された電源リード及び出力リードと、通過孔に前記電源リード及び前記出力リードを通すことにより前記電源リード及び前記出力リードが上面から突出する、誘電体からなる基板と、前記基板上に形成され、前記電源リードと導電性材料で接合された第１の基板上配線と、前記基板上に形成され、前記出力リードと前記導電性材料で接合された第２の基板上配線と、前記第１の基板上配線を介して前記電源リードから電源供給され、受光した光信号を変換した電気信号を前記第２の基板上配線を介して前記出力リードに出力する受光素子と、を備えるものである。本発明の一態様である光受信サブアセンブリは、リードに接続されるボンディングワイヤの数を削減するとともに、ボンディングワイヤの長さを短縮することができる。これにより、光受信サブアセンブリ内部で電磁放射されるノイズ量を低減できる。
【００１８】
本発明の一態様である光受信サブアセンブリの製造方法は、第１及び第２の基板上配線を、誘電体からなる基板上に形成し、導電性を有するステムを貫通し、かつ前記ステムと絶縁された電源リード及び出力リードを、前記基板上に設けられた通過孔に通すことにより、前記基板を前記ステム上に配置し、前記電源リードを、導電性材料により前記第１の基板上配線と接合し、前記出力リードを、前記導電性材料により前記第２の基板上配線と接合し、受光した光信号を変換した電気信号を出力する受光素子の電源端子を前記第１の基板上配線と接続するとともに、前記受光素子の出力端子を前記第２の基板上配線と接続するものである。本発明の一態様である光受信サブアセンブリの製造方法は、リードに接続されるボンディングワイヤの数を削減するとともに、ボンディングワイヤの長さを短縮することができる。これにより、光受信サブアセンブリ内部で電磁放射されるノイズ量を低減できる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、内部でのノイズの電磁放射を低減できる光受信サブアセンブリ、これを有する光受信モジュール及び内部でのノイズの電磁放射を低減できる光受信サブアセンブリの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１Ａ】実施の形態１にかかるＲＯＳＡ１００の構成を示す上面図である。
【図１Ｂ】図１ＡのＩＢ−ＩＢ線におけるＲＯＳＡ１００の断面図である。
【図１Ｃ】図１ＡのＩＣ−ＩＣ線におけるＲＯＳＡ１００の断面図である。
【図２Ａ】実施の形態１にかかるステム１の構造を示す上面図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ線におけるステム１の断面図である。
【図３Ａ】実施の形態１にかかる内部実装用基板１０の製造工程を示す上面図である。
【図３Ｂ】実施の形態１にかかる内部実装用基板１０の製造工程を示す上面図である。
【図４Ａ】実施の形態１にかかるＲＯＳＡ１００の製造工程を示す上面図及び断面図である。
【図４Ｂ】実施の形態１にかかるＲＯＳＡ１００の製造工程を示す上面図及び断面図である。
【図４Ｃ】実施の形態１にかかるＲＯＳＡ１００の製造工程を示す上面図及び断面図である。
【図５】電磁放射されるノイズ量とボンディングワイヤの長さとの関係を示すグラフである。
【図６】光受信モジュールの電源ノイズ量と受信感度低下量との関係を示すグラフである。
【図７Ａ】実施の形態２にかかるＲＯＳＡ２００の構成を示す上面図である。
【図７Ｂ】図７ＡのＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線におけるＲＯＳＡ２００の断面図である。
【図８Ａ】実施の形態３にかかるＲＯＳＡ３００の構成を示す上面図である。
【図８Ｂ】図８ＡのＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線におけるＲＯＳＡ３００の断面図である。
【図９Ａ】実施の形態４にかかる光受信モジュール４００の構成を示す断面図である。
【図９Ｂ】実施の形態４にかかる光受信モジュール４００の構成を示す断面図である。
【図１０】従来のＲＯＳＡ５００のステム上面を示す平面図である
【図１１Ａ】ＲＯＳＡ５００のメタライズ基板５１５の上面図である。
【図１１Ｂ】ＲＯＳＡ５００のメタライズ基板５１５の下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。各図面においては、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略される。
【００２２】
実施の形態１
まず、本発明の実施の形態１にかかる光受信サブアセンブリ（以下、ＲＯＳＡ（Receiver Optical Sub-Assembly）と称する）について説明する。図１Ａは、実施の形態１にかかるＲＯＳＡ１００の構成を示す平面図である。図１Ｂは、図１ＡのIＢ−IＢ線におけるＲＯＳＡ１００の断面図である。図１Ｃは、図１ＡのIＣ−IＣ線におけるＲＯＳＡ１００の断面図である。
【００２３】
ＲＯＳＡ１００のステム１は、導電性材料により構成される。ステム１は、接地電位ＧＮＤに接続される。図１Ｂに示すように、リード２１〜２４は、ステム１を貫通し、リード封止部３を介してステム１に固定されている。リード封止部３は、リード２１〜２４とステム１とを絶縁し、かつ、外部に対する気密性を確保するために設けられる。リード封止部３は、例えばガラス材料により構成される。
【００２４】
ステム１上には、内部実装用基板１０が実装される。内部実装用基板１０は、例えばセラミックス材料であるアルミナなどの誘電体材料により構成される。内部実装用基板１０は、リード２１〜２４を通すための通過孔が設けられている。これにより、リード２１〜２４は、内部実装用基板１０上に突出する。
【００２５】
そして、図１Ａに示すように、リード２１〜２４は、ソルダー部１５ａ〜ｄを介して、基板上配線１２ａ〜ｄとそれぞれ接続される。ソルダー部１５ａ〜ｄは、半田や導電性ペーストなどの導電性材料より構成され、リード２１〜２４と基板上配線１２ａ〜ｄとをそれぞれ接合する。従って、ソルダー部１５ａ〜１５ｄを設けることにより、内部実装用基板１０がステム１上に固定される。
【００２６】
リード２１及び２２は、出力リードであり、後述するＴＩＡ３により増幅された電気信号を出力するための差動出力端子である。リード２３は、電源リードであり、ＴＩＡ３の電源端子である。リード２４は、電源リードであり、後述するフォトダイオード４の電源端子である。内部実装用基板１０上には、ＴＩＡ３、フォトダイオード４、コンデンサ５及び６が実装される。
【００２７】
ＴＩＡ３は、図１Ｃに示すように、内部実装用基板１０に設けられたＴＩＡ実装孔３１を介して、ステム１上に実装される（図１Ｃ）。そして、ＴＩＡ３は、図１Ａに示すように、ボンディングワイヤ３０ａ及び３０ｂを介して、基板上配線１２ａ及び１２ｂとそれぞれ接続される。これにより、ＴＩＡ３は、リード２１及び２２に差動信号を出力する。また、ＴＩＡ３は、ボンディングワイヤ３０ｃを介して、基板上配線１２ｃ接続される。これにより、ＴＩＡ３は、リード２３から、電源供給を受ける。
【００２８】
フォトダイオード４は、図１Ｃに示すように、内部実装用基板１０に設けられたフォトダイオード実装孔３２を介して、ステム１上に実装される。そして、フォトダイオード４は、図１Ａに示すように、ボンディングワイヤ３０ｄを介して、基板上配線１２ｄと接続される。これにより、フォトダイオード４は、リード２４から、電源供給を受ける。すなわち、フォトダイオード４の電源端子は、ボンディングワイヤ３０ｄ及び基板上配線１２ｄを介して、電源供給用のリード２４と接続される。
【００２９】
また、フォトダイオード４は、ボンディングワイヤ３０ｅを介して、ＴＩＡ３と接続される。これにより、フォトダイオード４は、受光した光信号を光電変換した電気信号を、ＴＩＡ３に出力する。すなわち、フォトダイオード４の出力端子は、ボンディングワイヤ３０ｅを介して、ＴＩＡ３と接続される。
【００３０】
コンデンサ５の一端は、基板上配線１２ｃと接続される。コンデンサ５の他端は、基板上配線１２ｆと接続される。基板上配線１２ｆは、内部実装用基板１０の裏面に通じる貫通配線１３と接続される。基板上配線１２ｆは、貫通配線１３を介して、ステム１と電気的に接続されている。これにより、コンデンサ５の基板上配線１２ｆ側の端部は、接地電位ＧＮＤとなる。
【００３１】
コンデンサ６の一端は、基板上配線１２ｄと接続される。コンデンサ５の他端は、基板上配線１２ｇと接続される。基板上配線１２ｇは、内部実装用基板１０の裏面に通じる貫通配線１３と接続される。基板上配線１２ｇは、貫通配線１４を介して、ステム１と電気的に接続されている。これにより、コンデンサ６の基板上配線１２ｇ側の端部は、接地電位ＧＮＤとなる。
【００３２】
図１Ｃに示すように、貫通配線１４は、内部実装用基板１０を貫通して形成される。貫通配線１４の内部は、例えば、金属が充填される。貫通配線１４は予め内部実装用基板１０に形成されていても良い。また、貫通配線１４は、内部実装用基板１０の上面側から貫通配線１４を形成するための貫通孔を満たすように半田付けを行い、形成してもよい。これは、貫通配線１３についても同様である。
【００３３】
従って、貫通配線１３及び１４は、ステム１と電気的に接続されることとなるので、貫通配線１３及び１４はグランド配線として機能する。
【００３４】
続いて、ＲＯＳＡ１００の製造方法について説明する。まず、ステム１を準備する。図２Ａは、ステム１の構造を示す上面図である。図２Ｂは、図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ線におけるステム１の断面図である。図２Ａ及び２Ｂに示すように、ステム１には、リード封止部３を介して、リード２１〜２４がステム１を貫通して形成されている。
【００３５】
次いで、内部実装用基板１０を作製する。図３Ａ及びＢは、内部実装用基板１０の製造工程を示す上面図である。図３Ａに示すように、内部実装用基板１０には、それぞれリード２１〜２４を通すためのリード通過孔Ｈ１〜Ｈ４が形成されている。また、内部実装用基板１０には、ＴＩＡ実装孔３１及びフォトダイオード実装孔３２が形成されている。さらに、内部実装用基板１０には、貫通配線１３及び１４が形成されている。まず、内部実装用基板１０上に、基板上配線１２ａ〜１２ｇを形成する。基板上配線１２ａ〜１２ｇの一部は、リード通過孔Ｈ１〜Ｈ４を囲むように形成される。次いで、図３Ｂに示すように、コンデンサ５及び６を実装する（図３Ｂ）。
【００３６】
次いで、ステム１に内部実装用基板１０を搭載する。図４Ａ〜Ｃは、ＲＯＳＡ１００の製造工程を示す上面図及び各上面図のＩＶＡ−ＩＶＡ線〜ＩＶＣ−ＩＶＣ線における断面図である。まず、図４Ａに示すように、ステム１上に、内部実装用基板１０を配置する。
【００３７】
次いで、図４Ｂに示すように、半田や導電性ペーストなどの導電性材料を用いて、リード２１〜２４及び基板上配線１２ａ〜１２ｄに接するように、ソルダー部１５ａ〜１５ｄをそれぞれ形成する。これにより、内部実装用基板１０をステム１上に固定する。そして、図４Ｃに示すように、フォトダイオード４及びＴＩＡ３のそれぞれを、内部実装用基板１０のＴＩＡ実装孔３１及びフォトダイオード実装孔３２を介して、ステム１上に実装する。最後に、ボンディングワイヤ３０ａ〜３０ｅを配線して、図１Ａ〜Ｃに示すＲＯＳＡ１００が製造される。
【００３８】
次に、ＲＯＳＡ１００の機能について説明する。本構成によれば、コンデンサ５とリード２３とは、基板上配線１２ｃにより、ボンディングワイヤを用いることなく接続される。また、コンデンサ６とリード２４とは、基板上配線１２ｄにより、ボンディングワイヤを用いることなく接続される。
【００３９】
すなわち、本構成によれば、ボンディングワイヤを配線上基板で代替することにより、ボンディングワイヤの数を削減することができる。具体的には、リード２３とコンデンサ５との間、及び、リード２４とコンデンサ６との間のボンディングワイヤを除去することが可能である。また、ＲＯＳＡ１００では、ボンディングワイヤの長さを短縮できる。これにより、ＲＯＳＡ１００内部におけるノイズの電磁放射を低減することができる。
【００４０】
一般に、ＲＯＳＡが搭載された光受信モジュールの電源からＲＯＳＡの電源リードを介して流入する電源ノイズは、ボンディングワイヤから電磁放射される。図５は、電磁放射されるノイズ量とボンディングワイヤの長さとの関係を示すグラフである。ここでは、従来のＲＯＳＡにおけるボンディングワイヤの長さを、例えば、３．５ｍｍとした場合について検討する。この場合、図５に示すように、ボンディングワイヤを除去することにより、電磁放射されるノイズ量を、１／１０以下に低減することができる。その結果、光受信モジュールの電源ノイズクロストークによる受信感度低下を防ぐことが可能となる。
【００４１】
図６は、光受信モジュールの電源ノイズ量と受信感度低下量との関係を示すグラフである。図６に示すように、本実施の形態にかかるＲＯＳＡ１００は、従来のＲＯＳＡと比べて、受信感度低下量を低減することが可能である。
【００４２】
実施の形態２
次に、本発明の実施の形態２にかかるＲＯＳＡ２００について説明する。図７Ａは、実施の形態２にかかるＲＯＳＡ２００の構成を示す平面図である。図７Ｂは、図７ＡのＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線におけるＲＯＳＡ２００の断面図である。図７Ａ及び図７Ｂに示すように、ＲＯＳＡ２００は、実施の形態１にかかるＲＯＳＡ１００の内部実装用基板１０及びフォトダイオード４を、それぞれ内部実装用基板４０及びフォトダイオード４１に置換した構成を有する。
【００４３】
内部実装用基板４０には、フォトダイオード実装孔は設けられておらず、フォトダイオード４１は、内部実装用基板４０上にフリップチップ実装される。図７Ｂに示すように、内部実装用基板４０上には、ＴＩＡ３とフォトダイオード４１との間に、基板上配線１２ｈが形成される。基板上配線１２ｈは、ボンディングワイヤ３０ｅを介して、ＴＩＡ３と接続される。
【００４４】
フォトダイオード４１のアノード及びカソードの一方は、フリップチップ実装により、基板上配線１２ｈと接続される。フォトダイオード４１のアノード及びカソードの他方は、フリップチップ実装により、コンデンサ６から延在する基板上配線１２ｃと接続される。
【００４５】
従って、本構成によれば、フォトダイオード４１とコンデンサ６との間のボンディングワイヤをさらに除去することが可能である。すなわち、ＲＯＳＡ２００では、ＲＯＳＡ１００におけるボンディングワイヤ３０ｄを除去することが可能である。よって、本構成によれば、実施の形態１と比べ、電磁放射されるノイズ量を更に低減することが可能である。
【００４６】
実施の形態３
次に、本発明の実施の形態３にかかるＲＯＳＡ３００について説明する。図８Ａは、実施の形態３にかかるＲＯＳＡ３００の構成を示す平面図である。図８Ｂは、図８ＡのＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線におけるＲＯＳＡ３００の断面図である。図８Ａ及び図８Ｂに示すように、ＲＯＳＡ２００は、実施の形態２にかかるＲＯＳＡ２００の内部実装用基板４０及びＴＩＡ３を、それぞれ内部実装用基板５０及びＴＩＡ５１に置換した構成を有する。
【００４７】
内部実装用基板５０には、ＴＩＡ実装孔は設けられておらず、ＴＩＡ５１は、内部実装用基板５０上にフリップチップ実装される。図８Ｂに示すように、内部実装用基板５０上には、基板上配線１２ｈが、フォトダイオード４１からＴＩＡ５１の下部まで延在して形成されている。これにより、フォトダイオード４１とＴＩＡ５１とが接続される。
【００４８】
また、基板上配線１２ａ〜１２ｃも、ＴＩＡ５１の下部まで延在して形成されている。これにより、基板上配線１２ａ〜１２ｃとＴＩＡ５１とが接続される。
【００４９】
従って、本構成によれば、フォトダイオード４１及び基板上配線１２ａ〜１２ｃと、ＴＩＡ５１と、の間のボンディングワイヤをさらに除去することが可能である。すなわち、ＲＯＳＡ３００では、ＲＯＳＡ２００におけるボンディングワイヤ３０ａ〜ｃ及び３０ｄを除去することが可能である。よって、本構成によれば、実施の形態１及び２と比べ、電磁放射されるノイズ量を更に低減することが可能である。
【００５０】
実施の形態４
次に、本発明の実施の形態４にかかる光受信モジュールについて説明する。図９Ａ及び図９Ｂは、実施の形態４にかかる光受信モジュール４００の構成を示す断面図である。光受信モジュール４００は、図９Ａに示すように、ＲＯＳＡ１００を有する。ＲＯＳＡ１０は、レンズキャップ４０１が被せられることにより気密封止され、ＣＡＮ４０２が構成される。その後、図９Ｂに示すように、ＣＡＮ４０２とレセプタクル４０３とを、光学的に結合する位置に配置し、接着樹脂４０４を用いて固定する。以上により、ＲＯＳＡ１００を有する光受信モジュール４００を構成することができる。
【００５１】
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、内部実装用基板は、アルミナに限らず、他の絶縁性セラミックス材料を用いることができる。例えば、内部実装用基板は、窒化シリコン（ＳｉＮ）により構成することが可能である。また、内部実装用基板は、例えば可塑性樹脂により構成してもよい。
【００５２】
実施の形態２又は３において、フォトダイオードとＴＩＡとをフリップチップ実装する場合には、内部実装用基板に予めフォトダイオードとＴＩＡを実装しておいてもよい。
【００５３】
実施の形態４において、光受信モジュールに組み込まれるのはＲＯＳＡ１００に限らず、ＲＯＳＡ２００又は３００を組み込むことも可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１  ステム
３  リード封止部
４、４１  フォトダイオード
５、６  コンデンサ
１０、４０、５０  内部実装用基板
１２ａ〜１２ｈ
１３、１４  貫通配線
１５ａ〜１５ｄ    ソルダー部
２１〜２４  リード
３０ａ〜３０ｅ  ボンディングワイヤ
３１  ＴＩＡ実装孔
３２  フォトダイオード実装孔
１００、２００、３００、５００  ＲＯＳＡ
４００  光受信モジュール
４０１  レンズキャップ
４０２  ＣＡＮ
４０３  レセプタクル
５１０  ステム
５１１〜５１４  リードピン
５１５  メタライズ基板
５１６  第１の電極
５１７  第２の電極
５１８  パッド電極
５１９  ダンピング抵抗
５２０  ＰＤ（受光素子）
５２３〜５２６  端子電極
５２７  メタライズ電極
５２８  誘電体基板
５４０〜５４３  ワイヤ
Ｈ１-Ｈ４  リード通過孔
【図１Ａ】
2012114342.tif 000003
【図１Ｂ】
2012114342.tif 000004
【図１Ｃ】
2012114342.tif 000005
【図２Ａ】
2012114342.tif 000006
【図２Ｂ】
2012114342.tif 000007
【図３Ａ】
2012114342.tif 000008
【図３Ｂ】
2012114342.tif 000009
【図４Ａ】
2012114342.tif 000010
【図４Ｂ】
2012114342.tif 000011
【図４Ｃ】
2012114342.tif 000012
【図５】
2012114342.tif 000013
【図６】
2012114342.tif 000014
【図７Ａ】
2012114342.tif 000015
【図７Ｂ】
2012114342.tif 000016
【図８Ａ】
2012114342.tif 000017
【図８Ｂ】
2012114342.tif 000018
【図９Ａ】
2012114342.tif 000019
【図９Ｂ】
2012114342.tif 000020
【図１０】
2012114342.tif 000021
【図１１Ａ】
2012114342.tif 000022
【図１１Ｂ】
2012114342.tif 000023