(57)【要約】【課題】導体薄膜と金属支持層との密着性を向上させることができ、金属接続部の金属支持層からの剥離を有効に防止することのできる配線回路基板の製造方法を提供すること。【解決手段】金属支持層２を用意し、ベース絶縁層３を、金属支持層２の上に、ベース開口部１３が形成されるように形成し、導体薄膜４を、ベース絶縁層３の上と、ベース絶縁層のベース開口部１３から露出する金属支持層２の上とに形成し、導体薄膜４を加熱し、導体パターン５を、ベース絶縁層３の上に形成される導体薄膜４の上に形成するとともに、グランド接続部１２を、ベース絶縁層３のベース開口部１３から露出する金属支持層２の上に形成される導体薄膜４の上に、グランド配線９に連続して形成する。【選択図】図４
2012114217.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持層を用意する工程、
絶縁層を、前記金属支持層の上に、開口部が形成されるように形成する工程、
導体薄膜を、前記絶縁層の上と、前記絶縁層の前記開口部から露出する前記金属支持層の上とに形成する工程、
前記導体薄膜を加熱する工程、
導体パターンを、前記絶縁層の上に形成される前記導体薄膜の上に形成する工程、および、
金属接続部を、前記絶縁層の前記開口部から露出する前記金属支持層の上に形成される前記導体薄膜の上に、前記導体パターンに連続して形成する工程
を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記導体薄膜を加熱する工程を、前記金属接続部を形成する工程の前に、実施することを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記導体薄膜を加熱する工程では、前記導体薄膜を、１８０〜３５０℃で、１〜３時間、加熱することを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記導体薄膜を形成する工程では、前記導体薄膜を、厚み１０〜１０００ｎｍで形成することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記導体薄膜を形成する工程では、前記導体薄膜を、真空蒸着により形成し、
前記金属接続部を形成する工程では、前記金属接続部を、めっきにより形成することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記導体パターンを形成する工程では、前記導体パターンを、グランド配線および信号配線を含むように形成し、
前記金属接続部を形成する工程では、前記金属接続部を、前記グランド配線に連続し、かつ、前記信号配線と独立して形成することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記導体パターンを形成する工程では、前記導体パターンを、複数の信号配線を含むように形成し、
前記金属接続部を形成する工程では、前記金属接続部を、一の前記信号配線の両側に配置される前記信号配線に連続するように形成するとともに、１対の前記金属接続部を、前記導体薄膜および前記金属支持層を介して導通されるように形成することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、回路付サスペンション基板として好適に用いられる配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属支持基板と、その上に形成されるベース絶縁層と、その上に形成される導体パターンとを備える回路付サスペンション基板が知られており、磁気ヘッドを搭載してハードディスクドライブなどに用いられている。また、導体パターンは、磁気ヘッドと外部基板とに接続されており、電気信号が磁気ヘッドと外部基板との間を導体パターンを介して伝送されている。
【０００３】
また、金属支持基板と導体パターンとの電位差に起因するノイズを低減すべく、導体パターンを、金属支持基板に導通するグランド端子を介してグランド接続した回路付サスペンション基板が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
特許文献１の回路付サスペンション基板では、金属支持基板の上に、ベース開口部を有するベース絶縁層を形成し、次いで、ベース開口部から露出する金属支持基板の上に、金属薄膜（種膜）を形成し、続いて、金属薄膜の上に、グランド端子をめっきにより形成している。つまり、グランド端子は、金属薄膜を介して金属支持基板の上に形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１２２０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の回路付サスペンション基板では、金属薄膜と金属支持基板との密着性が不十分であるため、グランド端子が金属支持基板から剥離する場合がある。
【０００７】
とりわけ、導体パターンの高密度化の観点から、グランド端子が狭小に形成される場合には、金属支持基板と金属薄膜との接触面積が小さくなる。そのため、金属支持基板と金属薄膜との密着性を向上させる必要がある。
【０００８】
本発明の目的は、導体薄膜と金属支持層との密着性を向上させることができ、金属接続部の金属支持層からの剥離を有効に防止することのできる配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製造方法は、金属支持層を用意する工程、絶縁層を、前記金属支持層の上に、開口部が形成されるように形成する工程、導体薄膜を、前記絶縁層の上と、前記絶縁層の前記開口部から露出する前記金属支持層の上とに形成する工程、前記導体薄膜を加熱する工程、導体パターンを、前記絶縁層の上に形成される前記導体薄膜の上に形成する工程、および、金属接続部を、前記絶縁層の前記開口部から露出する前記金属支持層の上に形成される前記導体薄膜の上に、前記導体パターンに連続して形成する工程を備えることを特徴としている。
【００１０】
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、前記導体薄膜を加熱する工程を、前記金属接続部を形成する工程の前に、実施することが好適である。
【００１１】
また、本発明の配線回路基板の製造方法において、前記導体薄膜を加熱する工程では、前記導体薄膜を、１８０〜３５０℃で、１〜３時間、加熱することが好適である。
【００１２】
また、本発明の配線回路基板の製造方法において、前記導体薄膜を形成する工程では、前記導体薄膜を、厚み１０〜１０００ｎｍで形成することが好適である。
【００１３】
また、本発明の配線回路基板の製造方法において、前記導体薄膜を形成する工程では、前記導体薄膜を、真空蒸着により形成し、前記金属接続部を形成する工程では、前記金属接続部を、めっきにより形成することが好適である。
【００１４】
また、本発明の配線回路基板の製造方法において、前記導体パターンを形成する工程では、前記導体パターンを、グランド配線および信号配線を含むように形成し、前記金属接続部を形成する工程では、前記金属接続部を、前記グランド配線に連続し、かつ、前記信号配線と独立して形成することが好適である。
【００１５】
また、本発明の配線回路基板の製造方法において、前記導体パターンを形成する工程では、前記導体パターンを、複数の信号配線を含むように形成し、前記金属接続部を形成する工程では、前記金属接続部を、一の前記信号配線の両側に配置される前記信号配線に連続するように形成するとともに、１対の前記金属接続部を、前記導体薄膜および前記金属支持層を介して導通されるように形成することが好適である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、導体薄膜を加熱するので、導体薄膜と金属支持層との密着性を向上させることができ、金属接続部が金属支持層から剥離することを有効に防止することができる。
【００１７】
そのため、金属接続部と金属支持層との接続信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態により得られる回路付サスペンション基板の平面図を示す。
【図２】図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の信号配線に沿う断面図を示す。
【図３】図３は、図１に示す回路付サスペンション基板のグランド接続部の拡大平面図を示す。
【図４】図４は、図１に示す回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図であり、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図であって、（ａ）は、金属支持層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、導体薄膜を形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストを形成する工程、（ｅ）は、導体パターンおよびグランド接続部を形成する工程、（ｆ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｇ）は、導体パターンおよびグランド接続部から露出する導体薄膜を除去する工程、（ｈ）は、カバー絶縁層を形成する工程を示す。
【図５】図５は、本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態により得られる回路付サスペンション基板の平面図を示す。
【図６】図６は、図１に示す回路付サスペンション基板の信号配線接続部の拡大図であり、（ａ）は、平面図、（ｂ）は、底面図を示す。
【図７】図７は、図１に示す回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図であり、図６（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図であって、（ａ）は、金属支持層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、導体薄膜を形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストを形成する工程、（ｅ）は、導体パターンおよび信号配線接続部を形成する工程を示す。
【図８】図８は、図７に引き続き、図１に示す回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図であり、図６（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図であって、（ｆ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｇ）は、導体パターンおよびグランド接続部から露出する導体薄膜を除去する工程、（ｈ）は、支持開口部を形成して、支持接続部を形成する工程、（ｉ）は、カバー絶縁層を形成する工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態により得られる回路付サスペンション基板の平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の信号配線に沿う断面図、図３は、図１に示す回路付サスペンション基板のグランド接続部の拡大平面図、図４は、図１に示す回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図であり、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。
【００２０】
なお、図１および図３において、カバー絶縁層６は、導体パターン５およびグランド接続部１２の相対配置を明確に示すため、省略している。また、図１において、ベース絶縁層３は、グランド接続部１２の形状を明確に示すため、省略している。
【００２１】
図１において、この回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッド（図示せず）と外部基板（図示せず）とを実装して、ハードディスクドライブに搭載される。
【００２２】
回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びる平帯状に形成されており、金属支持層２と、それに支持される導体パターン５とを備えている。
【００２３】
金属支持層２は、回路付サスペンション基板１の平面形状に対応する形状に形成されている。
【００２４】
導体パターン５は、金属支持層２の先端部（長手方向一端部）に形成されるヘッド側端子７と、金属支持層２の後端部（長手方向他端部）に形成される外部側端子１７と、ヘッド側端子７と外部側端子１７とを電気的に接続する信号配線８とを一体的に備えている。また、導体パターン５は、ヘッド側端子７と電気的に接続されるグランド配線９を備えている。
【００２５】
ヘッド側端子７は、信号配線８に接続される信号端子１０と、グランド配線９に接続されるグランド端子１１とを備えている。
【００２６】
また、金属支持層２には、ヘッド側端子７を先後方向に挟むスリット２１が厚み方向を貫通するように形成されている。
【００２７】
そして、この回路付サスペンション基板１は、図２および図４（ｈ）に示すように、金属支持層２と、金属支持層２の上に形成される絶縁層としてのベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体薄膜４と、導体薄膜４の上に形成される導体パターン５と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン５を被覆するように形成されるカバー絶縁層６とを備えている。
【００２８】
金属支持層２を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが挙げられる。好ましくは、ステンレスが挙げられる。
【００２９】
金属支持層２の厚みは、例えば、１５〜５０μｍ、好ましくは、２０〜３０μｍである。
【００３０】
ベース絶縁層３は、金属支持層２の上面において、導体パターン５に対応するパターンに形成されている。また、ベース絶縁層３には、先後方向途中において、厚み方向を貫通する開口部としてのベース開口部１３が形成されている。ベース開口部１３は、図３に示すように、平面視略円形状に形成されている。また、ベース開口部１３は、後述するグランド接続部１２に対応する位置に配置されている。
【００３１】
ベース絶縁層３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などが挙げられる。好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。
【００３２】
ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、３〜３３μｍである。
【００３３】
導体薄膜４は、図２および図４（ｈ）に示すように、導体パターン５およびグランド接続部１２に対応するように形成され、ベース絶縁層３の上面と、ベース絶縁層３のベース開口部１３の内側面と、ベース開口部１３から露出する金属支持層２の上面とに形成されている。
【００３４】
導体薄膜４を形成する導体材料としては、例えば、例えば、クロム、銅、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、またはそれらの酸化物などの金属材料が挙げられる。好ましくは、クロム、銅が挙げられる。また、導体薄膜４は、異なる種類の金属材料から形成される複数の層から形成することもできる。
【００３５】
導体薄膜４の厚みは、例えば、１０〜１０００ｎｍ、好ましくは、１０〜２００ｎｍである。導体薄膜４の厚みが上記した範囲であれば、導体薄膜４と金属支持層２との密着力を向上させることができる。
【００３６】
導体パターン５は、導体薄膜４の上面に形成されており、図１に示すように、ヘッド側端子７と、外部側端子１７と、信号配線８と、グランド配線９とを備える配線回路パターンとして形成されている。
【００３７】
ヘッド側端子７は、回路付サスペンション基板１の先端部において、幅方向に間隔を隔てて複数（６つ）配置され、より具体的には、５つの信号端子１０と、その幅方向一方側に配置される１つのグランド端子１１とを備えている。各ヘッド側端子７は、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。
【００３８】
外部側端子１７は、回路付サスペンション基板１の後端部において、幅方向に間隔を隔てて複数（５つ）配置され、各外部側端子１７は、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。
【００３９】
信号配線８は、信号端子１０の後端部および外部側端子１７の先端部に連続するように形成されている。
【００４０】
グランド配線９は、信号配線８の幅方向一方側に形成され、幅方向最一方側の信号配線８と幅方向一方側に間隔を隔てて配置されている。
【００４１】
これにより、グランド配線９は、信号配線８と独立して形成されている。すなわち、グランド配線９は、信号配線８と電気的に絶縁されている。
【００４２】
また、グランド配線９の後端部は、後で詳述する金属接続部としてのグランド接続部１２に接続されている。また、グランド配線９の先端部は、グランド端子１１に接続されている。
【００４３】
導体パターン５およびグランド接続部１２を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだまたはこれらの合金などが挙げられる。好ましくは、銅が挙げられる。導体パターン５の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００４４】
また、各ヘッド側端子７および各外部側端子１７の幅（幅方向長さ）は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。また、各ヘッド側端子７間の間隔および各外部側端子１７間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。
【００４５】
各信号配線８およびグランド配線９の幅は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍであり、各信号配線８間の間隔、および、幅方向最一方側の信号配線８とグランド配線９との間の間隔は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍである。
【００４６】
カバー絶縁層６は、図２および図４（ｈ）で示すように、導体パターン５および後述するグランド接続部１２から露出するベース絶縁層３の上面と、信号配線８の上面および側面と、グランド配線９の上面および側面と、グランド接続部１２の上面および側面とに形成されている。また、カバー絶縁層６は、ヘッド側端子７および外部側端子１７を露出するように形成されている。
【００４７】
カバー絶縁層６を形成する絶縁材料としては、ベース絶縁層３を形成する絶縁材料と同様のものが挙げられる。また、カバー絶縁層６の厚みは、例えば、２〜２０μｍ、好ましくは、４〜１５μｍである。
【００４８】
次に、グランド接続部１２について詳述する。
【００４９】
グランド接続部１２は、図１に示すように、回路付サスペンション基板１の先後方向途中において、グランド配線９の後端部に電気的に接続されている。つまり、グランド接続部１２は、信号配線８と独立して形成されている。
【００５０】
また、グランド接続部１２は、図３に示すように、ベース絶縁層３のベース開口部１３に対応するように形成されている。
【００５１】
詳しくは、図２、図３および図４（ｈ）に示すように、グランド接続部１２は、平面視略円形状をなし、ベース絶縁層３のベース開口部１３内に充填される下部１４と、下部１４の上端からベース開口部１３の周囲のベース絶縁層３の上面を被覆する上部１５とを連続して備えている。
【００５２】
下部１４は、ベース絶縁層３のベース開口部１３から露出する金属支持層２の上面に形成される導体薄膜４の上面と、ベース絶縁層３のベース開口部１３の内側面に形成される導体薄膜４の内側面とに接触するように、ベース開口部１３内に充填されている。
【００５３】
上部１５は、下部１４の上と、ベース開口部１３の周囲のベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜４の上面とに連続して形成されている。また、上部１５の先端部には、グランド配線９の後端部が連続している。
【００５４】
これにより、グランド接続部１２は、導体薄膜４を介して金属支持層２に電気的に接続されるとともに、グランド配線９およびグランド端子１１に電気的に接続されている。つまり、グランド端子１１およびグランド配線９は、グランド接続部１２を介して、金属支持層２に電気的に接続（グランド接続）されている。
【００５５】
なお、上部１５は、カバー絶縁層６に被覆されている。
【００５６】
下部１４の幅および長さ（最大直径、ベース開口部１３の最大内径）は、例えば、０．０１〜１．０ｍｍ、好ましくは、０．０５〜０．５ｍｍである。また、下部１４の下面の面積は、例えば、７．８５×１０−５〜０．７８５ｍｍ２、好ましくは、１．９６×１０−３〜０．２９６ｍｍ２である。
【００５７】
また、上部１５の幅および長さ（最大直径）は、例えば、０．０２〜２．０ｍｍ、好ましくは、０．１〜１．０ｍｍである。上部１５の厚みは、導体パターン５の厚みと同一である。
【００５８】
次に、回路付サスペンション基板１の製造方法について、図４を参照して説明する。
【００５９】
まず、図４（ａ）に示すように、この方法では、長手方向に延びる平板状の金属支持層２を用意する。
【００６０】
次いで、図４（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持層２の上に、ベース開口部１３が形成されるように、形成する。
【００６１】
ベース絶縁層３を形成するには、例えば、金属支持層２の上に、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布して、感光性のベース皮膜を形成した後、それを露光および現像して、上記したパターンとし、次いで、必要に応じて、加熱硬化させる。
【００６２】
次いで、図４（ｃ）に示すように、導体薄膜４を、ベース絶縁層３の上と、ベース絶縁層３のベース開口部１３から露出する金属支持層２の上とに形成する。
【００６３】
具体的には、導体薄膜４を、ベース絶縁層３の上面と、ベース絶縁層３のベース開口部１３の内側面と、ベース絶縁層３のベース開口部１３から露出する金属支持層２の上面とに、連続して形成する。
【００６４】
導体薄膜４を形成する方法としては、例えば、真空蒸着、めっきなどの薄膜形成方法が挙げられる。好ましくは、真空蒸着が挙げられる。
【００６５】
真空蒸着は、製造途中の回路付サスペンション基板１の環境を真空雰囲気にした状態で、上記した導体材料を蒸発させて、ベース絶縁層３を含む金属支持層２の上面全面に付着させる方法である。
【００６６】
真空蒸着であれば、導体薄膜４を上記した所望の厚みで形成することができ、また、安定した厚みで形成することができる。
【００６７】
真空蒸着としては、例えば、スパッタ蒸着（スパッタリング）、抵抗加熱蒸着、電子ビーム加熱蒸着、イオンプレーティングなどが挙げられ、好ましくは、スパッタリングが挙げられる。
【００６８】
好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングを順次施すスパッタリングが挙げられる。
【００６９】
その後、この方法では、製造途中の回路付サスペンション基板１を加熱する。
【００７０】
これにより、導体薄膜４が加熱され、導体薄膜４と金属支持層２との密着性を向上させることができる。
【００７１】
加熱温度は、例えば、１８０℃以上であり、好ましくは、１８０〜３５０℃、さらに好ましくは、２００〜３００℃である。また、加熱時間は、例えば、１〜３時間、好ましくは、１〜２時間である。
【００７２】
加熱温度および加熱時間が上記した範囲を超える場合には、導体薄膜４が異なる種類の金属材料から形成される複数の層からなる場合（具体的には、クロムから形成される下層およびその上に積層され、銅から形成される上層からなる場合）に、例えば、加熱によって、下層の金属材料（クロム）が、上層に浸入して、上層の上面におけるその後のめっき（後述）によるグランド接続部１２の積層（析出）を阻害する場合がある。一方、加熱温度および加熱時間が上記した範囲に満たない場合には、ベース開口部１３内における導体薄膜４と金属支持層２との密着力を充分に向上させることができない場合がある。
【００７３】
加熱は、例えば、大気などの酸素含有雰囲気下、例えば、真空（低濃度酸素存在）雰囲気下、例えば、窒素などの不活性ガス雰囲気下で実施する。好ましくは、真空雰囲気下または不活性ガス雰囲気下で、実施する。
【００７４】
次いで、図４（ｄ）〜図４（ｇ）に示すように、導体パターン５を、ベース絶縁層３の上に形成される導体薄膜４の上に、ヘッド側端子７、外部側端子１７、信号配線８およびグランド配線９を上記したパターンで形成する。同時に、グランド接続部１２を、ベース絶縁層３のベース開口部１３から露出する金属支持層２の上に形成される導体薄膜４の上と、ベース開口部１３の周囲のベース絶縁層３の上とに、グランド配線９に連続して形成する。
【００７５】
導体パターン５およびグランド接続部１２を形成するには、例えば、アディティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。
【００７６】
アディティブ法では、まず、図４（ｄ）に示すように、めっきレジスト１６を、導体薄膜４の上面に、導体パターン５およびグランド接続部１２のパターンの逆パターンで形成する。
【００７７】
次いで、図４（ｅ）に示すように、導体パターン５を、めっきレジスト１６から露出する導体薄膜４の上面に形成する。同時に、グランド接続部１２を、めっきレジスト１６から露出する導体薄膜４の上面（ベース開口部１３から露出する金属支持層２の上面に形成される導体薄膜４の上面と、ベース開口部１３の周囲のベース絶縁層３の上面に形成される導体薄膜４の上面）および内側面（ベース絶縁層３のベース開口部１３の内側面に形成される導体薄膜４の内側面）に、形成する。
【００７８】
導体パターン５およびグランド接続部１２を形成する方法としては、例えば、電解めっきなどのめっきなどが挙げられる。めっきであれば、導体パターン５およびグランド接続部１２を上記した所望の厚みで形成することができる。
【００７９】
次いで、図４（ｆ）に示すように、めっきレジスト１６を、例えば、エッチング、剥離などによって除去する。
【００８０】
次いで、図４（ｇ）に示すように、導体パターン５およびグランド接続部１２から露出する導体薄膜４を、例えば、ソフトエッチングによって、除去する。
【００８１】
なお、ソフトエッチングでは、導体パターン５およびグランド接続部１２は、エッチングレジストとなり、ソフトエッチングによって除去されないか、あるいは、導体パターン５およびグランド接続部１２の厚みが導体薄膜４の厚みより十分に厚いことから、実質的に除去されない。
【００８２】
これにより、導体パターン５およびグランド接続部１２を、導体薄膜４の上に形成する。
【００８３】
次いで、図４（ｈ）に示すように、カバー絶縁層６を、ベース絶縁層３の上に、導体パターン５およびグランド接続部１２を被覆するように形成する。例えば、感光性の合成樹脂を、導体パターン５およびグランド接続部１２を含むベース絶縁層３の上に塗布して、感光性のカバー皮膜を形成した後、それを露光および現像して、上記したパターンとし、次いで、必要に応じて、加熱硬化させる。
【００８４】
その後、図示しないが、必要により、ヘッド側端子７および外部側端子１７の上面に、金属めっき層を形成する。金属めっき層は、例えば、金および／またはニッケルからなり、厚みが、例えば、０．０１〜１μｍである。
【００８５】
その後、スリット２１（図１参照）を、例えば、エッチング、ドリル穿孔、レーザ加工によって形成する。また、これと同時に、金属支持層２を外形加工する。
【００８６】
これにより、回路付サスペンション基板１を得る。
【００８７】
その後、ヘッド側端子７およびグランド接続部１２に磁気ヘッド（図示せず）を接続するとともに、外部側端子１７に外部基板（図示せず）を接続する。
【００８８】
そして、電気信号が磁気ヘッドと外部基板との間を、信号端子１０、信号配線８および外部側端子１７を伝送されつつ、磁気ヘッドの一部がグランド端子１１、グランド配線９およびグランド接続部１２を介してグランド接続される。
【００８９】
そして、上記した方法によれば、導体薄膜４を加熱するので、導体薄膜４と金属支持層２との密着性を向上させることができ、グランド接続部１２が金属支持層２から剥離することを有効に防止することができる。
【００９０】
そのため、グランド接続部１２と金属支持層２との接続信頼性を向上させることができる。
【００９１】
また、金属支持層２と導体パターン５（信号配線８）との電位差に起因するノイズを低減することができる。
【００９２】
なお、上記した説明では、導体薄膜４の加熱を、図４（ｇ）で示す導体パターン５およびグランド接続部１２の形成前、より具体的には、図４（ｄ）で示すめっきレジスト１６の形成前に実施しているが、その時期はこれに限定されない。例えば、図４（ｇ）で示す導体パターン５およびグランド接続部１２の形成後であって、図４（ｈ）で示すカバー絶縁層６の形成前、あるいは、形成と同時（より具体的には、カバー絶縁層６を形成するための硬化での加熱と同時）、さらには、形成後に実施することもできる。
【００９３】
導体薄膜４を、導体パターン５およびグランド接続部１２の形成後に加熱すれば、グランド接続部１２がめっきで形成される場合に、めっきにおける析出の阻害を防止することができる。
【００９４】
つまり、導体薄膜４がクロム薄膜およびその上に形成される銅薄膜からなる場合に、加熱（具体的には、３５０℃を超える加熱）によって銅薄膜の上面にクロムが移行する場合があり、その後に、グランド接続部１２をめっきにより形成しようとすると、銅薄膜の上面のクロムによって、めっき層（グランド接続部１２）の析出が阻害される。
【００９５】
しかし、導体薄膜４を、導体パターン５およびグランド接続部１２の形成後に加熱すれば、加熱時にはすでにグランド接続部１２がめっきにより形成されているので、上記しためっきにおける析出の阻害を回避することができる。
【００９６】
そのため、グランド接続部１２の金属支持層２に対する剥離を防止することができる。
【００９７】
また、図４（ｈ）で示すカバー絶縁層６の形成と同時に、導体薄膜４を加熱すれば、それらの加熱を同時に実施することができるので、製造工程を低減することができる。
【００９８】
好ましくは、図４（ｇ）で示す導体パターン５およびグランド接続部１２の形成前に、導体薄膜４を加熱する。グランド接続部１２の形成前に、導体薄膜４を加熱することにより、めっき時の電着応力により、導体薄膜４が金属支持層２から剥離することを防止することができる。
【００９９】
また、上記した図３の実施形態では、グランド接続部１２を、平面視略円形状に形成しているが、その平面形状は特に限定されず、例えば、平面視略矩形状などに形成することもできる。
【０１００】
図５は、本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態により得られる回路付サスペンション基板の平面図、図６は、図１に示す回路付サスペンション基板の信号配線接続部の拡大図、図７および図８は、図１に示す回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図を示す。
【０１０１】
なお、以降の各図面において、上記した各部に対応する部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１０２】
上記した図１〜図４の実施形態では、本発明の金属接続部をグランド接続部１２として説明しているが、例えば、図５〜図８で示すように、信号配線８を電気的に接続するための信号配線接続部２２とすることもできる。
【０１０３】
図５において、導体パターン５は、２対の信号配線８と、信号配線８の先端部に接続されるヘッド側端子７と、信号配線８の後端部に接続される外部側端子１７とを備えている。
【０１０４】
各信号配線８は、第１配線１９と、第１配線１９に接続される第２配線２０とを備えている。
【０１０５】
第２配線２０は、第１配線１９の先側部分から分岐し、第１配線１９の後側部分に接合（合流）している。また、回路付サスペンション基板１の先端部において、一方の１対の信号配線８のうちの一の信号配線８Ａの第２配線２０Ａは、厚み方向に投影したときに、一の信号配線８Ａに隣接する他の信号配線８Ｂの第２配線２０Ｂと交差するように、形成されている。
【０１０６】
具体的には、図５および図６に示すように、回路付サスペンション基板１の先端部において、第２配線２０Ａの途中には、信号配線接続部２２が２つ形成されている。
【０１０７】
信号配線接続部２２は、他の信号配線８Ｂの第２配線２０Ｂの幅方向両側に間隔を隔てて配置されている。各信号配線接続部２２は、平面視略円形状に形成されている。
【０１０８】
また、ベース絶縁層３には、図６（ａ）、図６（ｂ）および図８（ｉ）に示すように、信号配線接続部２２に対応するベース開口部１３が形成されている。
【０１０９】
信号配線接続部２２は、ベース開口部１３内に充填される下部１４と、下部１４の上端から、上側および外側に膨出する上部１５とを一体的に備えている。上部１５は、第２配線２０Ａに連続するように形成されている。
【０１１０】
金属支持層２には、厚み方向を貫通する支持開口部２３が形成されている。支持開口部２３は、幅方向に長い底面視略矩形枠状をなし、２つの信号配線接続部２２を囲むように形成されている。
【０１１１】
また、金属支持層２には、支持開口部２３の内側において、支持開口部２３によって仕切られる支持接続部１８が形成されている。支持接続部１８は、幅方向に長い底面視略矩形状をなし、他の信号配線８Ｂの第２配線２０Ｂを幅方向に横切るように形成されている。また、支持接続部１８は、支持開口部２３の周囲の金属支持層２の内側に間隔を隔てて配置されている。これにより、支持接続部１８は、支持開口部２３の周囲の金属支持層２と電気的に絶縁されている。
【０１１２】
また、支持接続部１８は、幅方向両端部において、２つの信号配線接続部２２の下部１４の下面に形成される導体薄膜４と接触している。
【０１１３】
これにより、１対の信号配線接続部２２は、導体薄膜４および支持接続部１８を介して、電気的に接続される。つまり、一の信号配線８Ａの第２配線２０Ａの途中部分は、信号配線接続部２２、導体薄膜４および支持接続部１８を介して電気的に接続（導通）されている。
【０１１４】
回路付サスペンション基板１の後端部において、一方の１対の信号配線８のうちの他の信号配線８Ｂの第２配線２０Ｂにも、１対の信号配線接続部２２が形成されており、途中部分が、信号配線接続部２２、導体薄膜４および支持接続部１８を介して電気的に接続（導通）されている。
【０１１５】
さらに、他方の１対の信号配線８にも、上記と同様に、信号配線接続部２２がそれぞれ形成されている。
【０１１６】
この回路付サスペンション基板１を得るには、図７（ａ）に示すように、金属支持層２を用意する。
【０１１７】
次いで、図７（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持層２の上に、ベース開口部１３が形成されるように形成する。
【０１１８】
次いで、図７（ｃ）に示すように、導体薄膜４を、ベース絶縁層３の上と、ベース絶縁層３のベース開口部１３から露出する金属支持層２の上とに形成する。
【０１１９】
次いで、図７（ｄ）、図７（ｅ）、図８（ｆ）および図８（ｇ）に示すように、導体パターン５を、ベース絶縁層３の上に形成される導体薄膜４の上に上記したパターンで形成するとともに、信号配線接続部２２を、ベース絶縁層３のベース開口部１３から露出する金属支持層２の上に形成される導体薄膜４の上に形成する。
【０１２０】
すなわち、図７（ｄ）に示すように、まず、めっきレジスト１６を、導体薄膜４の上面に、導体パターン５および信号配線接続部２２のパターンの逆パターンで形成する。
【０１２１】
次いで、図７（ｅ）に示すように、導体パターン５を、めっきレジスト１６から露出する導体薄膜４の上面に形成する。同時に、グランド接続部１２を、めっきレジスト１６から露出する導体薄膜４の上面および内側面に形成する。
【０１２２】
次いで、図８（ｆ）に示すように、めっきレジスト１６を除去する。
【０１２３】
次いで、図８（ｇ）に示すように、導体パターン５および信号配線接続部２２から露出する導体薄膜４を除去する。
【０１２４】
次いで、図８（ｈ）に示すように、カバー絶縁層６を、ベース絶縁層３の上に、導体パターン５および信号配線接続部２２を被覆するように形成する。
【０１２５】
その後、図８（ｉ）に示すように、スリット２１（図１参照）および支持開口部２３を、金属支持層２に形成する。支持開口部２３の形成により、支持接続部１８が形成される。
【０１２６】
そして、この回路付サスペンション基板１では、第２配線２０（２０Ａおよび２０Ｂ）が、１対の信号配線接続部２２、導体薄膜４および支持接続部１８を介して導通されるように形成されているので、導体パターン５における特性インピーダンスを低減することができる。
【０１２７】
また、信号配線接続部２２の下の導体薄膜４と、支持接続部１８との密着性を向上させることができ、信号配線接続部２２が信号配線接続部２２から剥離することを有効に防止することができる。
【０１２８】
また、上記した各実施形態では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板１として説明したが、例えば、図示しないが、金属支持層２を補強層として備えるフレキシブル配線回路基板として製造することもできる。
【実施例】
【０１２９】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、それらに限定されない。
【０１３０】
実施例１
ステンレスからなる厚み２５μｍの金属支持層を用意し（図４（ａ）参照）し、次いで、ポリイミドからなる厚み１０μｍのベース絶縁層を、金属支持層の上に、ベース開口部が形成されるように形成した（図４（ｂ）参照）。ベース開口部は、平面視略円形状であり、内径が０．６ｍｍ、面積０．２８ｍｍ２であった。
【０１３１】
次いで、厚み１００ｎｍの導体薄膜を、ベース絶縁層の上面と、ベース絶縁層のベース開口部の内側面と、ベース絶縁層のベース開口部から露出する金属支持層の上面とに、連続して形成した（図４（ｃ）参照）。
【０１３２】
具体的には、まず、厚み３０ｎｍのクロム薄膜を、クロムスパッタリングにより、ベース絶縁層の上面全面と、ベース絶縁層のベース開口部の内側面と、ベース開口部から露出する金属支持層の上面とに、連続して形成した。
【０１３３】
続いて、厚み７０ｎｍの銅薄膜を、クロム薄膜の表面（上面および側面）に、銅スパッタリングにより形成した。
【０１３４】
その後、製造途中の回路付サスペンション基板を、２００℃で、１時間、真空雰囲気下で加熱した。
【０１３５】
次いで、めっきレジストを、導体薄膜の上面に、導体パターンおよびグランド接続部のパターンの逆パターンで形成した（図４（ｄ）参照）。
【０１３６】
次いで、電解銅めっきにより、厚み２０μｍの導体パターンを、めっきレジストから露出する導体薄膜の上面に形成した。これと同時に、グランド接続部を、めっきレジストから露出する導体薄膜４の上面および内側面に、形成した（図４（ｅ）参照）。グランド接続部は、平面視円形状で、上部および下部を有し、下部がベース開口部内に充填され、上部がグランド配線に接続されるように、形成した。グランド接続部は、平面視略円形状で形成し、その上部の厚みが２０μｍ、直径が１．２ｍｍであった。
【０１３７】
次いで、めっきレジストを、エッチングによって除去した（図４（ｆ）参照）。
【０１３８】
次いで、導体パターンおよびグランド接続部から露出する導体薄膜を、導体パターンおよびグランド接続部をエッチングレジストとするソフトエッチングにより除去した（図４（ｇ）参照）。
【０１３９】
次いで、ポリイミドからなる厚み５μｍのカバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、導体パターンおよびグランド接続部を被覆するように形成した（図４（ｈ）参照）。
【０１４０】
その後、スリットを、エッチングによって形成すると同時に、金属支持層を外形加工した（図１参照）。
【０１４１】
これにより、回路付サスペンション基板を得た。
【０１４２】
実施例２
導体薄膜の加熱温度を、２５０℃に変更した以外は、実施例１と同様に処理して、回路付サスペンション基板を得た。
【０１４３】
実施例３
導体薄膜の加熱を、導体パターンおよびグランド接続部の形成後に実施し、加熱温度を３８０℃に変更し、加熱時間を３時間に変更した以外は、実施例１と同様に処理して、回路付サスペンション基板を得た。
【０１４４】
比較例１
導体薄膜を加熱しなかった以外は、実施例１と同様に処理して、回路付サスペンション基板を得た。
（評価）
（剥離試験）
実施例１〜３および比較例１の回路付サスペンション基板（カバー絶縁層が形成される前の回路付サスペンション基板）の上面全面に、粘着テープを貼着し、回路付サスペンション基板を固定した状態で、粘着テープを剥離する９０℃ピール試験（剥離速度：２５ｍｍ／分）を実施した。
【０１４５】
これによって、グランド接続部の金属支持層に対する剥離力を評価した。
【０１４６】
その結果を表１に示す。
【０１４７】
【表１】
2012114217.tif 000003
【符号の説明】
【０１４８】
１    回路付サスペンション基板
２    金属支持層
３    ベース絶縁層
４    導体薄膜
５    導体パターン
８    信号配線
９    グランド配線
１２  グランド接続部
１３  ベース開口部
２２  信号配線接続部
【図１】
2012114217.tif 000004
【図２】
2012114217.tif 000005
【図３】
2012114217.tif 000006
【図４】
2012114217.tif 000007
【図５】
2012114217.tif 000008
【図６】
2012114217.tif 000009
【図７】
2012114217.tif 000010
【図８】
2012114217.tif 000011