(57)【要約】【課題】金属の加熱時にアーク放電が発生せずに、金属が効率良く加熱されて溶融し、セラミックスの表面に金属層を形成することができるセラミックスのメタライズ方法を提供する。【解決手段】セラミックスをメタライズする場合、ワークの載置部１５上に、断熱材製の収容体２０内にセラミックス２１及び金属箔２２が収容されたワークＷを配置し、密閉容器１１内を不活性雰囲気にした状態でミリ波照射部１３からミリ波が照射される。収容体２０は有底箱状に形成され、その開口部が断熱材製の蓋体２０ａで覆われる。収容体２０の底部側から、加熱助剤２３、接合防止シート２４、セラミックス２１及び金属箔２２の順に積層して、金属箔２２の上に蓋体２０ａを載置する。【選択図】図１
2012082097.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックスと金属箔とを対向配置した状態で不活性雰囲気中においてミリ波加熱を行ない、前記金属箔を溶融させて前記セラミック表面に金属層を形成するセラミックスのメタライズ方法。
【請求項２】
前記金属箔は、厚さが１〜１００μｍである請求項１に記載のセラミックスのメタライズ方法。
【請求項３】
前記金属箔は、複数枚使用される請求項１又は請求項２に記載のセラミックスのメタライズ方法。
【請求項４】
前記金属箔の前記セラミックスとの接合面と反対側には断熱部材が配置され、前記セラミックス、前記金属箔及び前記断熱部材が積層された状態でミリ波加熱が行なわれる請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のセラミックスのメタライズ方法。
【請求項５】
前記金属箔の前記セラミックスとの接合面と反対側には断熱部材が配置され、前記断熱部材は前記金属箔が溶融するまでは、前記金属箔を前記セラミックス側へ押圧しない位置に配置され、前記金属箔が溶融した後、前記セラミックス側へ相対移動されて溶融した金属箔を前記セラミックス側へ押圧する請求項３に記載のセラミックスのメタライズ方法。
【請求項６】
前記ミリ波加熱の際に照射されたミリ波を、反射鏡を用いて前記金属箔の側方から前記セラミックスと前記断熱部材との間に向けて照射する請求項４又は請求項５に記載のセラミックスのメタライズ方法。  
【請求項７】
内部を不活性雰囲気にすることが可能に構成された密閉容器と、前記密閉容器内にミリ波発生装置から発生したミリ波が導波管を介して照射されるミリ波照射部と、照射されたミリ波により加熱処理されるワークの載置部とを備えているメタライズ装置。
【請求項８】
前記ワークの載置部の上方に設けられ、前記ワークの載置部に載置されたワークを加圧する加圧位置と、前記ワークを加圧不能な待機位置とに移動可能な加圧部を備えている請求項７に記載のメタライズ装置。
【請求項９】
前記ミリ波照射部から照射されたミリ波を反射して、その反射光を前記ワークの載置部上に載置された前記ワークに対してその側方から照射する反射鏡を備えている請求項７又は請求項８に記載のメタライズ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックスのメタライズ方法及びメタライズ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミックスのメタライズ方法として、金属の接合面以外の溶融や変形を伴わず、金属とセラミックスとを接合する直接接合法が提案されている（特許文献１参照）。この方法では、金属とセラミックスとの接合面を互いに重ね合わせ、次いで、不活性雰囲気中において、セラミックス側からマイクロ波を照射することにより、セラミックスの接合面を金属の融点以下の接合温度まで加熱し、金属とセラミックスとを接合させる。マイクロ波として周波数が約０．８〜２．５ＧＨｚのマイクロ波が使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−３０１７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、特許文献１の方法のように約０．８〜２．５ＧＨｚのマイクロ波を使用した場合は、金属がアーク放電を起こして不均一加熱となり、接合が良好に行なわれない。
本発明は、前記の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は金属の加熱時にアーク放電が発生せずに、金属が効率良く加熱されて溶融し、セラミックスの表面に金属層を形成することができるセラミックスのメタライズ方法及びメタライズ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記の目的を達成するため、請求項１に記載の発明のセラミックスのメタライズ方法は、セラミックスと金属箔とを対向配置した状態で不活性雰囲気中においてミリ波加熱を行ない、前記金属箔を溶融させて前記セラミック表面に金属層を形成する。ここで、「セラミックスと金属箔とを対向配置し」とは、セラミックスと１枚の金属箔を積層あるいは間隔をおいて配置した状態に限らず、セラミックスと複数枚の金属箔を積層あるいは金属箔間に積極的に空間を設ける状態で配置した状態を意味する。「不活性雰囲気中」とは、例えば、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気だけでなく、真空雰囲気をも意味する。「ミリ波」とは、周波数帯域が２０〜３０ＧＨｚの電磁波を意味する。
【０００６】
この発明では、ミリ波加熱により金属箔が溶融温度以上に加熱され、溶融状態でセラミックスの表面に拡がり、加熱終了後、金属が硬化してセラミックスの表面に金属層が形成される。したがって、金属箔の加熱時にアーク放電が発生せずに、金属箔が効率良く加熱されて溶融し、セラミックスの表面に金属層を形成することができる。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記金属箔は、厚さが１〜１００μｍである。金属箔の厚さが１００μｍより厚いと加熱が効率良く行なわれず、金属箔の厚さが１μｍより薄いと必要な厚さの金属層を形成するのに必要な金属箔の枚数が多くなり、金属箔を所定の位置に配置する作業に手間が掛かる。しかし、この発明では、金属箔の厚さが１〜１００μｍであるため、そのような問題が解消される。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記金属箔は、複数枚使用される。金属はミリ波の一部を吸収して発熱するとともに大部分を反射する。金属箔を複数枚使用した場合、金属箔の側方から入射したミリ波の一部が金属箔間で複数回反射することにより、金属箔の加熱が効率良く行なわれる。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の発明において、前記金属箔の前記セラミックスとの接合面と反対側には断熱部材が配置され、前記セラミックス、前記金属箔及び前記断熱部材が積層された状態でミリ波加熱が行なわれる。気体の方が固体より熱伝導率は低いが、対流を起こすため、不活性ガス雰囲気に金属箔が晒された状態では、結果として、ミリ波の照射により加熱された金属箔の熱が放散され易くなる。この発明では、不活性ガス雰囲気においてミリ波の照射により加熱された金属箔の熱が、セラミックスとの接合面と反対側の面から放散されることが断熱部材によって抑制され、金属箔が効率良く融点以上まで加熱される。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記金属箔の前記セラミックスとの接合面と反対側には断熱部材が配置され、前記断熱部材は前記金属箔が溶融するまでは、前記金属箔を前記セラミックス側へ押圧しない位置に配置され、前記金属箔が溶融した後、前記セラミックス側へ相対移動されて溶融した金属箔を前記セラミックス側へ押圧する。この発明では、断熱部材は金属箔が溶融するまでは、金属箔をセラミックス側へ押圧しない位置に配置されるため、複数枚の金属箔が相互に押圧されていない状態で金属箔間にミリ波が入射する。その結果、入射したミリ波が金属箔間で反射し易くなり、効率良く金属箔が加熱されて溶融した後、断熱部材の移動により溶融状態の金属がセラミックスの表面に押圧されて平坦な金属層が形成される。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、請求項４又は請求項５に記載の発明において、前記ミリ波加熱の際に照射されたミリ波を、反射鏡を用いて前記金属箔の側方から前記セラミックスと前記断熱部材との間に向けて照射する。この発明では、ミリ波が反射鏡を用いて積極的に複数枚の金属箔の側方から照射されるため、ミリ波が複数枚の金属箔間でより反射され易くなり、金属箔がより効率良く加熱される。  
【００１２】
請求項７に記載の発明のメタライズ装置は、内部を不活性雰囲気にすることが可能に構成された密閉容器と、前記密閉容器内にミリ波発生装置から発生したミリ波が導波管を介して照射されるミリ波照射部と、照射されたミリ波により加熱処理されるワークの載置部とを備えている。この発明のメタライズ装置では、ワークの載置部上にワークとしてセラミックス及び金属箔が積層された状態あるいは、セラミックス及び金属箔が断熱材で囲繞されたものが載置された状態でミリ波加熱が行なわれる。そして、金属箔の加熱時にアーク放電が発生せずに、金属が効率良く加熱されて溶融し、セラミックスの表面に金属層を形成することができる。
【００１３】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記ワークの載置部の上方に設けられ、前記ワークの載置部に載置されたワークを加圧する加圧位置と、前記ワークを加圧不能な待機位置とに移動可能な加圧部を備えている。この発明の装置を使用すれば、請求項６に記載の方法を実施することができる。
【００１４】
請求項９に記載の発明は、請求項７又は請求項８に記載の発明において、前記ミリ波照射部から照射されたミリ波を反射して、その反射光を前記ワークの載置部上に載置された前記ワークに対してその側方から照射する反射鏡を備えている。この発明では、ワークとして金属箔を複数枚使用したものに対してミリ波照射部から照射されたミリ波が反射鏡により金属箔に対してその側方から照射され、効率良く金属箔の加熱に使用される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、金属の加熱時にアーク放電が発生せずに、金属が効率良く加熱されてセラミックスの表面に金属層を形成することができるセラミックスのメタライズ方法及びメタライズ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施形態を示し、（ａ）はメタライズ装置の概略正面図、（ｂ）はワークの配置を示す模式図。
【図２】ワークの配置を示す模式図。
【図３】第２の実施形態におけるワークの配置を示す模式図。
【図４】第３の実施形態を示し、（ａ）は加圧前の状態を示す模式図、（ｂ）は加圧状態を示す模式図。
【図５】別の実施形態の模式図。
【図６】別実施形態におけるワークの配置を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（第１の実施形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施形態を図１及び図２にしたがって説明する。
図１（ａ）に示すように、メタライズ装置は、一般的なバッチ炉の筐体を利用して製作された密閉容器１１と、ミリ波発生装置１２と、ミリ波発生装置１２から発生したミリ波を密閉容器１１内に照射するミリ波照射部１３とを備えている。ミリ波発生装置１２は導波管１４を介してミリ波照射部１３に接続されている。ミリ波発生装置１２としては、例えば、ジャイロトロンが使用されている。
【００１８】
密閉容器１１は、扉１１ａを備え、内部にワークの載置部１５が配設されている。密閉容器１１は、扉１１ａを閉じた状態で内部を不活性雰囲気に保持可能に構成されている。具体的には、密閉容器１１は、不活性ガス（窒素ガスやアルゴンガス）を供給するための図示しない不活性ガス供給部に開閉バルブを介して接続されている。また、密閉容器１１は、密閉容器１１内の気体を外部に排出するための図示しないガス排出部に開閉バルブを介して接続されている。ミリ波照射部１３は、ワークの載置部１５の上方に配設されている。
【００１９】
次に前記のメタライズ装置を用いたセラミックスのメタライズ方法を説明する。
セラミックスをメタライズする場合、図１（ａ）に示すように、ワークの載置部１５上にワークＷを配置した状態で、密閉容器１１内を不活性雰囲気にした後、ミリ波照射部１３からミリ波が照射される。
【００２０】
ワークＷとして単にセラミックスと金属箔とを積載した状態で配置するのではなく、図１（ｂ）に示すように、ワークＷとして、断熱材製の収容体２０内にセラミックス２１及び金属箔２２が収容されたものをワークの載置部１５上に載置する。収容体２０は有底箱状に形成され、その開口部が断熱材製の蓋体２０ａで覆われるようになっている。断熱材としては、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）が使用されている。アルミナとしては、多孔質のものが好ましい。収容体２０内に、単にセラミックス２１及び金属箔２２を積層して収容するのではなく、収容体２０の底部側から、加熱助剤２３、接合防止シート２４、セラミックス２１及び金属箔２２の順に積層して、金属箔２２の上に蓋体２０ａを載置する。そして、矢印で示すように、蓋体２０ａをセラミックス２１側に加圧した状態でミリ波照射が行なわれる。収容体２０の底部面積はセラミックス２１とほぼ同面積となっている。ミリ波照射後、溶融した金属がセラミックス２１上から収容体２０の側面に流れ出さない。すなわち、収容体２０は断熱材の役目と流れ出し防止の役目とを担っている。
【００２１】
なお、接合防止シート２４は、セラミックス２１と加熱助剤２３との接合を防ぐ役割を果たすためのものである。即ち、金属箔２２のセラミックス２１との接合面と反対側には断熱部材（蓋体２０ａ）が配置され、セラミックス２１、金属箔２２及び断熱部材（蓋体２０ａ）が積層された状態でミリ波加熱が行なわれる。また、図１（ｂ）において、断熱材以外のハッチングを省略している。
【００２２】
次に実施例により具体的に説明する。
【実施例１】
【００２３】
図２に示すように、蓋体２０ａをセラミックス２１側に加圧する手段として重り２５が蓋体２０ａの上に載置される。重り２５として銅製のブロックを使用した。セラミックス２１として窒化アルミニウム製の矩形板（３０ｍｍ×２０ｍｍで厚さ０．６ｍｍ）、金属箔２２として厚さ６０μｍのアルミ箔を６枚、加熱助剤２３としてＳｉ粉末（粒径４５μｍのものを５ｇ）、接合防止シート２４としてカーボンシートをそれぞれ使用した。そして、図２のワークＷをワークの載置部１５上に載置し、不活性雰囲気としてアルゴンガス雰囲気において、ミリ波照射を行った。ミリ波発生装置１２の運転条件として、２８ＧＨｚ、１．３ｋＷにおいてミリ波を発生させた。ミリ波照射開始後、２００秒程度でアルミ箔の溶融温度（融点）に達した。その後、溶融金属を９００℃以上まで昇温した後、ミリ波照射を終了した。その結果、セラミックス２１の金属箔２２との対向面全体に均一に金属層が形成された。なお、図２において、断熱材以外のハッチングを省略している。
【００２４】
蓋体２０ａ上に重り２５を載置せずに、他の条件は同じにしてミリ波照射を行ったところ、重り２５がない状態では、セラミックス２１の金属箔２２との対向面全体に均一に金属層が形成されず、金属層のない部分が一部に発生する場合もあった。この原因としては、重り２５（加圧）がないと、セラミックス２１の片側表面全体に溶融した金属が濡れ難いためと考えられる。
【００２５】
加熱助剤２３を使用せず、かつ接合防止シート２４を残した状態で、２８ＧＨｚ、１．３ｋＷにおいてミリ波照射を行ったところ、目標温度に達するまでに時間がかかった。即ち、加熱助剤２３を使用する方が短時間でセラミックス２１のメタライズが可能になる。
【００２６】
また、金属箔２２の溶融後、その温度を融点よりあまり高く昇温しない場合は、溶融金属がセラミックス２１の片側表面全体に濡れない場合があった。これは金属が溶融状態であっても温度が低いと、溶融金属がセラミックス２１に対して濡れ難い高粘度に維持されるためと考えられる。
【００２７】
この実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
（１）セラミックスのメタライズ方法は、セラミックス２１と金属箔２２とを対向配置した状態で不活性雰囲気中においてミリ波加熱を行ない、金属箔２２を溶融させてセラミックス２１表面に金属層を形成する。したがって、金属箔の加熱時にアーク放電が発生せずに、金属箔が効率良く加熱されて溶融し、セラミックス２１の表面に金属層を形成することができる。
【００２８】
（２）金属箔２２は、厚さが１〜１００μｍである。したがって、金属箔２２の加熱が効率良く行なわれ、必要な厚さの金属層を形成するのに必要な金属箔２２の枚数が多くならず、金属箔２２を所定の位置に配置する作業に手間が掛からない。
【００２９】
（３）金属箔２２は、複数枚使用される。金属はミリ波の一部を吸収して発熱するとともに大部分を反射する。金属箔２２を複数枚使用した場合、金属箔２２の側方から入射したミリ波の一部が金属箔２２間で複数回反射することにより、金属箔２２の加熱が効率良く行なわれる。
【００３０】
（４）金属箔２２のセラミックス２１との接合面と反対側には断熱部材（蓋体２０ａ）が配置され、セラミックス２１、金属箔２２及び断熱部材が積層された状態でミリ波加熱が行なわれる。気体の方が固体より熱伝導率は低いが、対流を起こすため、不活性ガス雰囲気に金属箔２２が晒された状態では、結果として、ミリ波の照射により加熱された金属箔２２の熱が放散され易くなる。しかし、断熱部材が金属箔２２上に積層されているため、ミリ波の照射により加熱された金属箔２２の熱がセラミックス２１との接合面と反対側の面から放散されることが断熱部材によって抑制され、金属箔２２が効率良く融点以上まで加熱される。
【００３１】
（５）金属箔２２及びセラミックス２１は、断熱材製の有底箱状の収容体２０に収容された状態でミリ波の照射を受ける。したがって、ミリ波加熱により発熱した金属箔２２の熱が周囲に放散され難くなり、金属箔２２が効率良く融点以上に加熱される。
【００３２】
（６）収容体２０には底部にミリ波加熱により発熱する加熱助剤２３が配置され、セラミックス２１は加熱助剤２３の上に配置された接合防止シート２４の上に配置される。したがって、加熱助剤２３を使用しない場合に比べて短時間で金属箔２２を所望の温度まで加熱することができ、セラミックス２１のメタライズを短時間で行うことができる。
【００３３】
（７）メタライズ装置は、内部を不活性雰囲気にすることが可能に構成された密閉容器１１と、密閉容器１１内にミリ波発生装置１２から発生したミリ波が導波管１４を介して照射されるミリ波照射部１３と、照射されたミリ波により加熱処理されるワークＷの載置部１５とを備えている。したがって、ワークの載置部１５上にワークＷとしてセラミックス２１及び金属箔２２が積層された状態でミリ波加熱を行なうことにより、金属箔２２の加熱時にアーク放電が発生せずに、金属が効率良く加熱されて溶融し、セラミックス２１の表面に金属層を形成することができる。また、ワークＷとして、セラミックス２１及び金属箔２２が断熱材で囲繞されたものを用いれば、断熱材で囲繞されない場合に比べて短時間でセラミックス２１のメタライズが可能になる。
【００３４】
（第２の実施形態）
次に第２の実施形態を図３にしたがって説明する。この実施形態では、セラミックス２１の片面だけでなく両面に金属層が形成される点が前記第１の実施形態と異なっている。第１の実施形態と同一部分は同一符号を付して詳しい説明を省略する。
【００３５】
この実施形態ではメタライズ装置のワークの載置部１５上に載置されるワークＷとして、図３に示すように、収容体２０内に、下から加熱助剤２３、接合防止シート２４、金属箔２２、セラミックス２１、金属箔２２、接合防止シート２４、加熱助剤２３、蓋体２０ａの順に積層配置し、蓋体２０ａの上に重り２５を載置したものを使用する。そして、ワークＷをワークの載置部１５に載置した状態で、不活性雰囲気で第１の実施形態と同様にミリ波加熱が行われる。そして、金属箔２２及び加熱助剤２３がミリ波加熱により加熱されて金属箔２２が融点以上に加熱され、セラミックス２１の両面に金属層が形成される。なお、図２において、断熱材以外のハッチングを省略している。
【００３６】
したがって、この第２の実施形態によれば、第１の実施形態の（１）〜（５）及び（７）と同様な効果に加えて以下の効果を得ることができる。
（８）収容体２０にはセラミックス２１を挟んで上下両側に、金属箔２２、接合防止シート２４、加熱助剤２３が配置され、上側に配置された加熱助剤２３の上に蓋体２０ａが配置され、蓋体２０ａの上に重り２５が載置される。したがって、セラミックス２１の両面に金属層を形成することができる。また、金属板（アルミ）とセラミックス基板（窒化アルミ）とをアルミのろう材で接合した絶縁板であるＤＢＡ（Direct Brazed Aluminum）の作製に適用したばあい、従来のＤＢＡと異なり、セラミック基板と金属層とを結合するろう材が存在しないため、熱伝導が良くなる。
【００３７】
（第３の実施形態）
次に第３の実施形態を図４（ａ），（ｂ）にしたがって説明する。この実施形態では、金属箔２２のセラミックス２１との接合面と反対側に配置された断熱部材２６が、金属箔２２が溶融するまでは、金属箔２２をセラミックス２１側へ押圧しない位置に配置され、金属箔２２が溶融した後、セラミックス２１側へ相対移動されて、溶融した金属箔２２をセラミックス２１側へ押圧する点が第１の実施形態と異なっている。また、金属箔２２のミリ波加熱の際に照射されたミリ波を、反射鏡を用いて金属箔の側方からセラミックスと断熱部材との間に向けて照射する点も第１の実施形態と大きく異なっている。第１の実施形態と同一部分は同一符号を付して詳しい説明を省略する。
【００３８】
図４（ａ），（ｂ）に示すように、断熱部材２６は、密閉容器１１内に設けられた駆動アーム１６により、ワークの載置部１５上に載置されたセラミックス２１の上側において、駆動アーム１６と共に昇降されるようになっている。断熱部材２６は多孔質のアルミナで形成されており、駆動アーム１６は下端に吸引部１６ａを備えており、吸引部１６ａで断熱部材２６を吸引支持した状態で、断熱部材２６を昇降移動させるようになっている。断熱部材２６に形成された孔は、溶融された金属が侵入しない大きさで、かつ吸引部１６ａの吸引作用が断熱部材２６を介して金属箔２２に及ぶように形成されている。駆動アーム１６は、ワークの載置部１５に載置されたワークＷを加圧する加圧位置と、ワークＷを加圧不能な待機位置とに移動可能な加圧部として機能する。
【００３９】
また、密閉容器１１内にはミリ波照射部１３から照射されたミリ波を反射して、その反射光をワークの載置部１５上に載置されたワークＷに対してその側方から照射する反射鏡１７を備えている。反射鏡１７はリング状に形成されるとともに、反射面が放物面に形成されている。なお、図４（ａ），（ｂ）において、反射鏡１７以外のハッチングを省略している。
【００４０】
この実施形態では、図４（ａ）に示すように、ワークの載置部１５上にセラミックス２１及び１枚の金属箔２２を載置し、駆動アーム１６に固定された断熱部材２６に１枚の金属箔２２が吸引固定され、かつ断熱部材２６が待機位置に配置された状態で、不活性雰囲気においてミリ波加熱が行われる。ミリ波照射部１３から照射されたミリ波は、反射鏡１７で反射され、その反射光がワークの載置部１５上に載置されたワークＷに対してその側方から照射される。照射されたミリ波は、２枚の金属箔２２間で複数回反射されるとともに一部が金属箔２２に吸収されて金属箔２２を加熱する。そして、金属箔２２が融点以上の所定温度まで加熱された時点で駆動アーム１６が駆動されて、図４（ｂ）に示すように、断熱部材２６がセラミックス２１側へ移動されて、溶融した金属箔２２をセラミックス２１側へ押圧する。その後、吸引部１６ａの吸引作用が解除される。
【００４１】
なお、金属箔２２が所定温度まで加熱されるのに要する加熱時間を予め試験で確認しておき、ミリ波加熱開始からその加熱時間経過後、断熱部材２６が押圧位置に配置される。そして、ミリ波加熱が終了すると、セラミックス２１の片面に金属層２７が形成されて、セラミックス２１のメタライズが完了する。金属層２７が形成された後、所定時間経過後、吸引部１６ａが再び吸引状態になり、駆動アーム１６が断熱部材２６と共に待機位置まで移動する。
【００４２】
したがって、この第３の実施形態によれば、第１の実施形態の（１）〜（３）と同様な効果に加えて以下の効果を得ることができる。
（９）ミリ波が反射鏡１７を用いて積極的に複数枚の金属箔２２の側方から照射されるため、複数枚の金属箔２２間でミリ波が複数回反射される状態になり、金属箔２２が効率良く加熱される。
【００４３】
（１０）断熱部材２６は金属箔２２が溶融するまでは、金属箔２２をセラミックス２１側へ押圧しない位置に配置されるため、複数枚の金属箔２２は相互に押圧されていない状態で金属箔２２間に入射したミリ波が金属箔２２間で反射し易くなり、より効率良く金属箔２２が加熱される。
【００４４】
（１１）加熱助剤２３を用いなくても、所望の時間内に金属箔２２を融点以上に加熱することができる。
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
【００４５】
○  ワークＷとして収容体２０にセラミックス２１及び複数枚の金属箔２２等を収容する場合でも、図５に示すように、収容体２０の外側位置に反射鏡１７が配置される構成にするとともに、蓋体２０ａを駆動アーム１６で昇降可能な構成にする。そして、蓋体２０ａが金属箔２２をセラミックス２１側へ押圧しない状態でミリ波加熱を行って金属箔２２を融点以上まで加熱し、その後、蓋体２０ａを加圧位置に配置する。この実施形態においても、反射鏡１７を設けることにより、金属箔２２の加熱がより効率良く行われる。
【００４６】
○  反射鏡１７を設ける構成の場合、ミリ波照射部１３は、反射鏡１７の反射面に向かってミリ波を照射する構成にしてもよい。
○  第１及び第２の実施形態のように、反射鏡１７を設けない構成において、金属箔２２のセラミックス２１との接合面と反対側に配置した断熱部材（蓋体２０ａ）を、金属箔２２が溶融するまでは、金属箔２２をセラミックス２１側へ押圧しない位置に配置し、金属箔が溶融した後、セラミックス２１側へ押圧するようにしてもよい。
【００４７】
○  蓋体２０ａや断熱部材２６をワークの載置部１５側へ移動させて溶融後の金属箔２２をセラミックス２１側へ押圧する代わりに、ワークの載置部１５を移動して溶融した金属箔２２をセラミックス２１側へ相対移動させるようにしてもよい。即ち、断熱部材は金属箔２２が溶融するまでは、金属箔２２をセラミックス２１側へ押圧しない位置に配置され、金属箔２２が溶融した後、セラミックス２１側へ相対移動されて溶融した金属箔２２をセラミックス２１側へ押圧すればよい。
【００４８】
○  第１及び第２の実施形態のように蓋体２０ａの上に重り２５を載置して蓋体２０ａをセラミックス２１側へ加圧する構成において、図６に示すように、蓋体２０ａに鍔部２０ｂを設けるとともに、金属製の重り２５を鍔部２０ｂ上に載置される四角枠状に形成してもよい。金属製の重り２５はミリ波を反射し易いため、蓋体２０ａ全体を覆う形状の重り２５の場合、ミリ波が金属箔２２に吸収されて発熱に使用される割合が少なくなる。しかし、図６に示すような四角枠状にした場合は、ミリ波が金属箔２２に吸収されて発熱に使用される割合が多くなる。
【００４９】
○  第１の実施形態や図５及び図６に示す実施形態において、収容体２０内に収容されるセラミックス２１と金属箔２２との位置関係を逆にしてもよい。
○  金属箔２２の使用枚数は、金属箔２２の厚さ及びセラミックス２１上に形成したい金属層の厚さによって適宜設定される。複数枚の金属箔２２は厚さを全て同じにする必要はなく、異なる厚さの金属箔２２を混合して使用してもよい。
【００５０】
○  不活性雰囲気は、不活性ガス雰囲気に限らず、真空雰囲気であってもよい。
○  金属箔２２はアルミ箔に限らず他の金属箔であってもよい。
○  セラミックス２１は窒化アルミニウムに限らず、他のセラミックスを使用してもよい。
【００５１】
以下の技術的思想（発明）は前記実施形態から把握できる。
（１）請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の発明において、前記金属箔及びセラミックスは、断熱材製の有底箱状の収容体に収容された状態でミリ波の照射を受ける。
【００５２】
（２）前記技術的思想（１）に記載の発明において、前記収容体には底部にミリ波加熱により発熱する加熱助剤が配置され、前記セラミックスは前記加熱助剤の上に配置された接合防止シートの上に配置される。
【符号の説明】
【００５３】
Ｗ…ワーク、１１…密閉容器、１２…ミリ波発生装置、１３…ミリ波照射部、１４…導波管、１５…ワークの載置部、１７…反射鏡、２０ａ…断熱部材としての蓋体、２１…セラミックス、２２…金属箔、２６…断熱部材、２７…金属層。
【図１】
2012082097.tif 000003
【図２】
2012082097.tif 000004
【図３】
2012082097.tif 000005
【図４】
2012082097.tif 000006
【図５】
2012082097.tif 000007
【図６】
2012082097.tif 000008