(57)【要約】【課題】基本特性および信頼性を保ったまま、水平方向の放射広がり角を容易に小さく変更することができる半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザは、ｎ型ＧａＡｓ基板１と、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に形成されたｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２と、型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２上に形成され、ノンドープＧａＩｎＰウェル層を含む多重量子井戸活性層３と、多重量子井戸活性層３上に形成され、ストライプ状のリッジ部８を有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４と、リッジ部８が延びる方向に直交するように形成された一対の共振器端面９Ａ，９Ｂとを備える。多重量子井戸活性層３の共振器端面９Ａ，９Ｂ近傍の部分は、ノンドープＧａＩｎＰウェル層が隣接するノンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層またはノンドープＡｌＧａＩｎＰバリア層と混晶化した窓部３ａ，３ｂである。また、リッジ部８は共振器端面９Ａ，９Ｂ近傍を除いた領域に形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
上記基板上に形成された第一導電型クラッド層と、
上記第一導電型クラッド層上に形成され、量子井戸層を含む活性層と、
上記活性層上に形成され、ストライプ状のリッジ部を有する第二導電型クラッド層と、
上記リッジ部が延びる方向に直交するように形成された一対の共振器端面と
を備え、
上記活性層の上記共振器端面近傍の部分は、上記量子井戸層が隣接する隣接層と混晶化した窓領域であり、
上記リッジ部は上記共振器端面近傍を除いた領域に形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザにおいて、
上記第二導電型クラッド層の上記共振器端面近傍の部分の厚さは、上記第二導電型クラッド層が上記リッジ部を有する部分の厚さと同じであることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体レーザにおいて、
上記窓領域の共振器方向の長さが５μｍ以上かつ６０μｍ以下であることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか一項に記載の半導体レーザにおいて、
上記第二導電型クラッド層の上記共振器端面近傍の部分における共振器方向の長さが、上記窓領域の共振器長方向の長さ以下であることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか一項に記載の半導体レーザにおいて、
上記活性層の上記共振器端面近傍の部分にＺｎを拡散させることにより、上記窓領域が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか一項に記載の半導体レーザにおいて、
上記量子井戸層の材料はＧａＩｎＰからなることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか一項に記載の半導体レーザにおいて、
上記量子井戸層の材料はＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓであることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体レーザにおいて、
上記第二導電型クラッド層がＡｌＧａＩｎＰまたはＧａＩｎＰからなることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか一項に記載の半導体レーザにおいて、
互いに異なる複数の波長のレーザ光を出射することを特徴とする半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＣＤ（コンパクトディスク）およびＤＶＤ（デジタル多用途ディスク）などの光ディスクに記録・再生などを行う光学ピックアップ装置などに用いられる半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
光ピックアップにおいて、記録速度の向上が図られ、例えば、ＣＤ−Ｒ（書き込み可能なコンパクトディスク）、ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ（書き込み／書き換え可能なデジタル多用途ディスク）などでは１６倍速の記録速度のものが実用化されている。光ピックアップの記録速度を上げるためには半導体レーザの高出力化が必要となる。
【０００３】
上記半導体レーザの高出力化のためには、ＣＯＤ（光学損傷）レベルが高いこと、電流−光出力特性に直線性がある、つまりキンクレベルが高いこと、また、高温動作時の動作電流が低いことが必要とされる。
【０００４】
上記ＣＯＤレベルを向上させた半導体レーザとしては、例えば特開２００１−１５８６４号公報（特許文献１）に記載のいわゆる端面窓レーザがある。この端面窓レーザでは、多重量子井戸活性層の共振器方向の端部にＺｎなどを熱拡散させて、この端部の多重量子井戸構造を無秩序化している。これにより、上記多重量子井戸活性層の共振器方向の端部のバンドギャップが増大する。その結果、上記多重量子井戸活性層の共振器方向の端部における光吸収が無くなり、この端部およびその近傍の部分が温度上昇で破壊されないようになっている。また、上記端面窓レーザは、多重量子井戸活性層の共振器方向の端部に電流が流れないようにする構造を備えている。
【０００５】
上記キンクレベルを高くする一般的な方法としては、導波路となるストライプの幅を狭くする。この幅が広いと横方向の光閉じ込めが不安定となりキンクが発生する。通常、１μｍから５μｍ程度の範囲でストライプの幅を調整する。
【０００６】
上記半導体レーザの高温動作時の動作電流を下げるためには、半導体レーザの共振器長を長くし、発振しきい値の温度特性を向上させる。
【０００７】
以下、図６を用いて、半導体レーザの概略構造について説明する（この半導体レーザは、この発明の課題を明確にするために便宜上提示するもので、公知技術ではない）。この半導体レーザは、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に順次形成されたｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０２、多重量子井戸活性層１０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４、ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層１０５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６を備える。
【０００８】
上記多重量子井戸活性層１０３の共振器方向の端部１０３ａはＺｎの拡散により量子井戸構造が無秩序化されている。また、図示しないが、上記多重量子井戸活性層１０３は、ノンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層、ノンドープＧａＩｎＰウェル層およびノンドープＡｌＧａＩｎＰバリア層からなっている。
【０００９】
また、上記半導体レーザは、所定の幅を有して共振器方向に延びるストライプ状のリッジ部１０８を備える。このリッジ部１０８は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４の上部と、ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層１０５の全部と、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６の全部とによって構成されている。
【００１０】
上記リッジ部１０８の共振器端面側の部分における上面および側面は酸化シリコン１０７で覆われている。この酸化シリコン１０７は、リッジ部１０８の共振器方向の中央部における側面の大部分、および、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４の両側部の上面も覆っている。つまり、上記酸化シリコン１０７は、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６の共振器方向の中央部１０１ａの上面および側面が露出するように、リッジ部１０８上からｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４の両側部上にわたって形成される。
【００１１】
また、図示しないが、上記ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６の中央部１０６ａの上面上のみに、オーミックコンタクト用の電極が形成されている。これにより、上記リッジ部１０８の共振器方向の中央部には電流が流れるが、リッジ部１０８の共振器方向の端部には電流が流れないようにしている。
【００１２】
このような半導体レーザを光ピックアップに搭載する場合、半導体レーザの特性のうち、レーザ光の放射広がり角が重要となる。垂直方向（層厚方向に平行な方向）の放射広がり角は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０２、多重量子井戸活性層１０３およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４などの各層構造、つまり、層厚や組成を調整することで設定される。また、水平方向（層厚方向に垂直な方向）の放射広がり角は、横方向における発光部とそれ以外の部分との屈折率差、そして、リッジ幅で決定される。
【００１３】
上記水平方向の放射広がり角を調整するリッジ幅に関しては、キンクレベルを高くするため、狭くする必要があるが、ある程度キンクレベルを犠牲にし、水平方向の放射広がり角が仕様に合うように調整される場合がある。
【００１４】
また、上記リッジ幅が狭くなると、電流が流れる部分の面積が小さくなるため、抵抗が高くなるという悪影響が生じる。その上、上記リッジ幅が狭いと、発光部の光密度が高くなることにより、抵抗が高くなることとの相乗効果で、発光部の温度が上昇し、動作電流が高くなり、ひいては、半導体レーザの内部の劣化を引き起こすことになる。
【００１５】
したがって、上記リッジ幅は、放射広がり角、抵抗、動作電流、信頼性の全てを満足するために最適化される必要がある。
【００１６】
ここで、上記水平方向の放射広がり角をシステム側の要望により小さく変更する必要がある場合、全てにおいて最適化されている構造を見直す必要がある。
【００１７】
しかしながら、上記変更は、層構造から端面窓構造、リッジ幅の設計を全てやり直す必要があり、簡単に変更できるものではないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開２００１−１５８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
そこで、本発明の課題は、基本特性および信頼性を保ったまま、水平方向の放射広がり角を容易に小さく変更することができる半導体レーザを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザは、
基板と、
上記基板上に形成された第一導電型クラッド層と、
上記第一導電型クラッド層上に形成され、量子井戸層を含む活性層と、
上記活性層上に形成され、ストライプ状のリッジ部を有する第二導電型クラッド層と、
上記リッジ部が延びる方向に直交するように形成された一対の共振器端面と
を備え、
上記活性層の上記共振器端面近傍の部分は、上記量子井戸層が隣接する隣接層と混晶化した窓領域であり、
上記リッジ部は上記共振器端面近傍を除いた領域に形成されていることを特徴としている。
【００２１】
本明細書において、第１導電型とは、ｐ型またはｎ型を意味する。また、第２導電型とは、第１導電型がｐ型の場合はｎ型、ｎ型の場合はｐ型を意味する。
【００２２】
上記構成によれば、上記共振器端面近傍を除いた領域にリッジ部を形成することにより、基本特性および信頼性を保ったまま、水平方向の放射広がり角を容易に小さく変更することができる。
【００２３】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記第二導電型クラッド層の上記共振器端面近傍の部分の厚さは、上記第二導電型クラッド層が上記リッジ部を有する部分の厚さと同じである。
【００２４】
上記実施形態によれば、上記第二導電型クラッド層の共振器端面近傍の部分を、第二導電型クラッド層が上記リッジ部を有する部分と同じ厚さにすることにより、垂直方向の放射広がり角に影響を及ぼすことがなく水平方向の放射広がり角を容易に小さく変更することができる。
【００２５】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記窓領域の共振器方向の長さが５μｍ以上かつ６０μｍ以下である。
【００２６】
上記実施形態によれば、上記窓領域の共振器方向の長さを５μｍ以上かつ６０μｍ以下にすることにより、発振しきい値や効率に悪影響を及ぼすことなく高出力が実現できる。
【００２７】
また、上記窓領域の共振器方向の長さが５μｍ未満であると、窓領域が狭すぎることでレーザチップの製造工程においてチップ切り出しの精度により、ばらつきが生じ、再現よく窓領域が確保できず、窓効果が得られにくくなる。
【００２８】
また、上記窓領域の共振器方向の長さが６０μｍを越えると、共振器長に対し電流注入領域が狭くなることで発振しきい値が上昇、効率の低下等に悪影響が生じ、高温動作においても不利になる。
【００２９】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記第二導電型クラッド層の上記共振器端面近傍の部分における共振器方向の長さが、上記窓領域の共振器長方向の長さ以下である。
【００３０】
上記実施形態によれば、上記第二導電型クラッド層の共振器端面近傍の部分における共振器方向の長さを、窓領域の共振器長方向の長さ以下にすることにより、半導体レーザ素子の水平方向の放射広がり角以外の特性に影響を及ぼさない。
【００３１】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記活性層の上記共振器端面近傍の部分にＺｎを拡散させることにより、上記窓領域が形成されている。
【００３２】
上記実施形態によれば、上記活性層の共振器端面近傍の部分にＺｎを拡散させることにより、量子井戸層に隣接する隣接層に量子井戸層を容易かつ確実に混晶化できる。
【００３３】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記量子井戸層はＧａＩｎＰからなる。
【００３４】
上記実施形態によれば、上記量子井戸層をＧａＩｎＰで形成することにより、６６０ｎｍ帯の赤色レーザ光を得ることができる。
【００３５】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記量子井戸層はＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓからなる。
【００３６】
上記実施形態によれば、上記量子井戸層はＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓで形成することにより、７８０ｎｍ帯の赤外レーザ光を得ることができる。
【００３７】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記第二導電型クラッド層がＡｌＧａＩｎＰまたはＧａＩｎＰからなる。
【００３８】
上記実施形態によれば、上記第二導電型クラッド層をＡｌＧａＩｎＰまたはＧａＩｎＰで形成することにより、量子井戸層とのバンドギャップ差を十分に確保できるため高温動作、高出力動作時のキャリア漏れを防ぐことができる。
【００３９】
一実施形態の半導体レーザでは、
互いに異なる複数の波長のレーザ光を出射する。
【００４０】
上記実施形態によれば、互いに異なる複数の波長のレーザ光を出するので、例えばＣＤおよびＤＶＤに使用可能な光ピックアップに搭載すれば、この光ピックアップの半導体レーザの搭載数を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１は本発明の一実施形態の赤色半導体レーザの概略斜視図である。
【図２】図２は上記半導体レーザの要部の概略断面の拡大図である。
【図３】図３は図１のＦ３−Ｆ３線矢視の概略断面図である。
【図４】図４は図１のＦ４−Ｆ４線矢視の概略断面図である。
【図５】図５は水平方向の放射広がり角を示す図である。
【図６】図６は参考例の半導体レーザの概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下、本発明の半導体レーザを図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００４３】
図１は、本発明の一実施形態のＡｌＧａＩｎＰ系の高出力の赤色半導体レーザを前方の斜め上方から見た概略斜視図である。
【００４４】
上記赤色半導体レーザは、ＤＶＤ記録用ピックアップに搭載される半導体レーザであって、ｎ型ＧａＡｓ基板１と、このｎ型ＧａＡｓ基板１上に順次形成されたｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２、多重量子井戸活性層３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６からなる積層構造を備える。また、上記赤色半導体レーザは、上記積層構造の端面からなる一対の共振器端面９Ａ，９Ｂを備えている。なお、ｎ型ＧａＡｓ基板１は本発明の基板の一例で、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２は本発明の第一導電型クラッド層の一例で、多重量子井戸活性層３は本発明の活性層の一例で、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４は本発明の第二導電型クラッド層の一例である。
【００４５】
上記多重量子井戸活性層３は、共振器端面９Ａ，９Ｂ近傍にＺｎの拡散により量子井戸構造を無秩序化した窓部３ａ，３ｂを有している。また、上記窓部３ａ，３ｂの共振器方向の長さ（以下、「窓長さ」と言う。）は例えば３０μｍに設定されている。一方、上記窓部３ａと窓部ｂとの間の中央部３ｃの量子井戸構造は無秩序化されていない。なお、上記窓部３ａ，３ｂは本発明の窓領域の一例である。
【００４６】
また、上記中央部３ｃ上には、共振器端面９Ａ，９Ｂに垂直な方向に延びるようにストライプ状のリッジ部８が形成されている。このリッジ部８が形成されている領域は、共振器方向において内部側の領域であり、かつ、共振器端面９Ａ，９Ｂ近傍を除いた領域である。また、上記リッジ部８の側面の大部分は絶縁膜の一例である酸化シリコン７で覆われているが、リッジ部８の側面の残りの一部とリッジ部８の上面とは酸化シリコン７で覆われていない。また、上記リッジ部８の上面上には、オーミックコンタクト用の電極（図示せず）が形成されており、リッジ部８のみに電流を流せるようになっている。
【００４７】
上記酸化シリコン７は、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６の共振器方向の端部の上面も覆っている。別の言い方をすれば、上記共振器端面９Ａ，９Ｂ近傍上にも酸化シリコン７を形成している。
【００４８】
図２は、上記多重量子井戸活性層３の中央部３ｃおよびその近傍の断面を拡大した図である。
【００４９】
上記多重量子井戸活性層３は、２層のノンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層３１Ａ，３１Ｂと、３層のノンドープＧａＩｎＰウェル層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃと、２層のノンドープＡｌＧａＩｎＰバリア層３３Ａ，３３Ｂとで構成されている。また、上記窓部３ａ，３ｂにおいては、ノンドープＧａＩｎＰウェル層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃが、それぞれ、ノンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層３１Ａ，３１ＢおよびノンドープＡｌＧａＩｎＰバリア層３３Ａ，３３Ｂのうち隣接する層と混晶化している。なお、上記ノンドープＧａＩｎＰウェル層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃは本発明の量子井戸層の一例で、ノンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層３１Ａ，３１ＢおよびノンドープＡｌＧａＩｎＰバリア層３３Ａ，３３Ｂは本発明の隣接層の一例である。
【００５０】
図３は、図１のＦ３−Ｆ３線を含んで層厚方向に平行な平面で切った断面を矢印方向から見た概略図である。また、図４は、図１のＦ４−Ｆ４線を含んで層厚方向に平行な平面で切った断面を矢印方向から見た概略図である。
【００５１】
上記リッジ部８は、図３，図４に示すように、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の上部と、ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層５の共振器方向の中央部と、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６の共振器方向の中央部とで構成されている。ここで、リッジ幅は層厚方向において一定の例えば２μｍに設定されている。また、上記リッジ部８は窓部３ａ上に形成されていない。また、図示しないが、上記リッジ部８は窓部３ｂ上にも形成されていない。
【００５２】
また、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の共振器端面９Ａ近傍の部分は、リッジ部８に連なり、リッジ部８の幅よりも広い幅を有している。また、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の共振器端面９Ａ近傍の部分の厚さＤ１は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４がリッジ部８を有する部分（ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の共振器方向の中央部）の厚さＤ２と同じである。また、図示しないが、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の共振器端面９Ｂ近傍の部分は、リッジ部８に連なり、リッジ部８よりよりも広い幅を有している。また、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の共振器端面９Ｂ近傍の部分の厚さも、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４がリッジ部８を有する部分の厚さＤ２と同じである。
【００５３】
また、図１に示すように、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の共振器端面９Ａ，９Ｂ近傍の部分、つまり、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４のリッジ部８が形成されていない部分は、共振器方向の長さＬが窓長さと同じ３０μｍに設定されている。
【００５４】
上記構成の赤色半導体レーザは、図６の参考例の半導体レーザに比べて、図５に示すように、水平方向の放射広がり角が約１．５度小さくなる。ここで、本実施形態の赤色半導体レーザと参考例の半導体レーザとは、リッジ幅、窓長さおよび内部構造は同じである。したがって、本実施形態の赤色半導体レーザと参考例の半導体レーザとは、水平方向の放射広がり角以外の特性が変化しない。
【００５５】
つまり、本実施形態の赤色半導体レーザは、参考例の半導体レーザから、内部構造（積層された各層の層厚、組成比、リッジ幅など）の設計変更を行うことなく、水平方向の放射広がり角のみを容易に変更することができた。
【００５６】
上記赤色半導体レーザにおいて、水平方向の放射広がり角が小さくなった理由は、共振器端面９Ａ，９Ｂ近傍で横方向の屈折率差が無くなり、近視野像が広がるからである。この近視野像が広がることにより、遠視野像が狭くなる、つまり、水平放射広がり角が小さくなる。
【００５７】
また、上記共振器端面９Ａ，９Ｂ近傍は、電流非注入領域であり、非発光領域である。このような共振器端面９Ａ，９Ｂ近傍の変更は放射角特性以外に影響を与えず、高出力時安定動作が可能となる。
【００５８】
また、高出力動作に影響する動作電流、動作電圧、キンク、発振しきい値、またそれらの温度特性などは、内部の活性領域に依存し、共振器端面９Ａ，９Ｂ近傍の構造に依存しない。
【００５９】
また、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の共振器端面９Ａ近傍の部分の厚さＤ１を、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４がリッジ部８を有する部分の厚さＤ２と同じにしているので、図６の参考例の半導体レーザの垂直方向の放射広がり角と同じ垂直方向の放射広がり角を確実に得られる。
【００６０】
また、上記窓部３ａ，３ｂの窓長さを３０μｍにしているので、発振しきい値や効率に悪影響が及ぶのを確実に防ぐことができる。
【００６１】
また、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の共振器端面９Ａ，９Ｂ近傍の部分における共振器方向の長さＬを窓長さと同じにしているので、半導体レーザ素子の水平方向の放射広がり角以外の特性に影響を及ぶのを確実に防ぐことができる。
【００６２】
上記実施形態では、窓部３ａ，３ｂの共振器方向の長さを、３０μｍに設定していたが、５μｍ以上かつ６０μｍ以下であれば、他の長さに設定してもよい。
【００６３】
上記実施形態において、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４のリッジ部８を有さない部分における共振器方向の長さは、窓長さと同じにしていたが、窓長さよりも短くしてもよい。この場合も、上記実施形態と同様の作用効果が得られる。
【００６４】
例えば、上記実施形態のように窓長さが３０μｍの場合、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４のリッジ部８を有さない部分における共振器方向の長さは、共振器端面９Ａ，９Ｂからから５μｍ以上あればよい。ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４のリッジ部８を有さない部分における共振器方向の長さが、共振器端面９Ａ，９Ｂから５μｍ未満にすると、レーザチップの切り出しの精度によりバラツキが生じ、実用的ではない。
【００６５】
上記実施形態において、多重量子井戸活性層３とは異なる層数や材料で量子井戸活性層を構成してもよい。例えば、上記多重量子井戸活性層３の換わりに、単一量子井戸活性層を用いてもよい。あるいは、ノンドープＧａＩｎＰウェル層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃの換わりに、ノンドープＧａＡｓウェル層またはノンドープＡｌＧａＡｓウェル層を用いてもよい。このノンドープＧａＡｓウェル層またはノンドープＡｌＧａＡｓウェル層を用いる場合、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の換わりに、ｐ型ＧａＩｎＰクラッド層を用いてもよい。
【００６６】
上記実施形態において、ｎ型ＧａＡｓ基板１の換わりに、ｎ型ＧａＡｓ以外の半導体からなる半導体基板を用いてもよいし、絶縁体からなる絶縁基板を用いてもよい。
【００６７】
上記実施形態において、ｐ型の層をｎ型の層に変更すると共に、ｎ型の層をｐ型の層に変更してもよい。つまり、各層の導電型を逆にしてもよい。
【００６８】
上記実施形態の赤色半導体レーザの構造を、例えば、青色半導体レーザにも適用してもよいし、あるいは、互いに異なる複数の波長のレーザ光を出射する半導体レーザに適用してもよい。
【００６９】
本発明の具体的な実施形態および変形例について説明したが、本発明は上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々変更して実施することができる。
【符号の説明】
【００７０】
１…ｎ型ＧａＡｓ基板
２…ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
３…多重量子井戸活性層
３ａ，３ｂ…窓部
３ｃ…中央部
４…ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
５…ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層
６…ｐ型ＧａＡｓキャップ層
７…酸化シリコン
８…リッジ部
９Ａ，９Ｂ…共振器端面
３１Ａ，３１Ｂ…ノンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ…ノンドープＧａＩｎＰウェル層
３３Ａ，３３Ｂ…ノンドープＡｌＧａＩｎＰバリア層
【図１】
2012114357.tif 000003
【図２】
2012114357.tif 000004
【図３】
2012114357.tif 000005
【図４】
2012114357.tif 000006
【図５】
2012114357.tif 000007
【図６】
2012114357.tif 000008