(57)【要約】      （修正有）【課題】電気的接続信頼性及び接着後の耐イオンマイグレーション性に優れ、脆性改善、良好なタック性、高い作業性を有するダイシングフィルム一体型接着シート電子部品および半導体装置を提供すること。【解決手段】支持体７の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルム３と、ダイシングテープ２とから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シート１０であって、前記接着フィルム３が、（Ａ）１核体から３核体の合計の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂と、（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物と、（Ｄ）成膜性樹脂と、を含む。【選択図】図１
2012146830.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シートであって、
前記接着フィルムが、
（Ａ）１核体から３核体の合計の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂と、
（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂と、
（Ｃ）フラックス機能を有する化合物と、
（Ｄ）成膜性樹脂と、
を含むことを特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項２】
前記（Ａ）１核体から３核体の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂の含有量が、３〜３０重量％である、請求項１に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項３】
前記（Ａ）１核体から３核体の合計の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００である、請求項１または２に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項４】
前記（Ａ）１核体から３核体の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂の１核体含有量が１％以下である、請求項１ないし３のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項５】
前記（Ａ）１核体から３核体の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂中の２核体と３核体の合計の含有量が３０〜７０％である、請求項１ないし４のいずれかに記載の
ダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項６】
前記（Ａ）１核体から３核体の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂が、フェノールノボラック樹脂および／又はクレゾールノボラック樹脂である、請求項１ないし５のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項７】
前記（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂の２５℃における粘度が、５００〜５０，０００ｍＰａ・ｓである、請求項１ないし６のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項８】
前記（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂の含有量が、１０〜８０重量％である、請求項１ないし７のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項９】
前記（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂と、前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物の配合比（（Ｂ）／（Ｃ））が、０．５〜１２．０である、請求項１ないし８のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項１０】
前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が、１分子中に２個のフェノール性水酸基と、少なくとも１個の芳香族に直接結合したカルボキシル基とを含むフラックス機能を有する化合物である、請求項１ないし９のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項１１】
前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が、フェノールフタリンを含むものである、請求項１ないし１０のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項１２】
前記（Ｄ）成膜性樹脂が、フェノキシ樹脂を含むものである、請求項１ないし１１のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする電子部品。
【請求項１４】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングテープ一体型接着シート、電子部品及び半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化及び軽薄短小化の要求に伴い、半導体パッケージ等の電子部品の高密度集積化、高密度実装化が進んでおり、これら電子部品の小型化、多ピン化が進んでいる。これら電子部品の電気的な接続を得るためには、半田接合が用いられている。この半田接合としては、例えば半導体チップ同士の導通接合部、フリップチップで搭載したパッケージのような半導体チップと回路基板間との導通接合部、回路基板同士の導通接合部等が挙げられる。この半田接合部には、電気的な接続強度及び機械的な接続強度を確保するために、一般的にアンダーフィル材と呼ばれる封止樹脂が注入されている（アンダーフィル封止）。
【０００３】
この半田接合部に生じた空隙（ギャップ）を液状封止樹脂（アンダーフィル材）で補強する場合、半田接合後に液状封止樹脂（アンダーフィル材）を供給し、これを硬化することによって半田接合部を補強している。しかしながら、電子部品の薄化、小型化に伴い、半田接合部は狭ピッチ化／狭ギャップ化しているため、半田接合後に液状封止樹脂（アンダーフィル材）を供給してもギャップ間に液状封止樹脂（アンダーフィル材）が行き渡らなく、完全に充填することが困難になるという問題が生じている。
【０００４】
このような問題に対して、異方導電フィルムを介して端子間の電気的接続と接着とを一括で行う方法が知られている。例えば半田粒子を含む接着フィルムを、部材間に介在させて熱圧着させることにより、両部材の電気接続部間に半田粒子を介在させ、他部に樹脂成分を充填させる方法や、金属粒子を接触させることによって電気的接続をとる方法が記載されている（例えば、特許文献１、２）。
【０００５】
しかしこの方法では、電気的接続信頼性や接着後の樹脂の耐イオンマイグレーション性を確保することは困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭６１−２７６８７３号公報
【特許文献２】特開平９−３１４１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、電気的接続信頼性及び接着後の耐イオンマイグレーション性に優れ、接着フィルムの脆性改善と良好なタック性を両立させ、さらに、作業性に優れたダイシングテープ一体型シート、電子部品および半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記（１）〜（１４）により達成される。
（１）  支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シートであって、
前記接着フィルムが、
（Ａ）１核体から３核体の合計の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂と、
（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂と、
（Ｃ）フラックス機能を有する化合物と、
（Ｄ）成膜性樹脂と、
を含むことを特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。
（２）  前記（Ａ）１核体から３核体の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂の含有量が、３〜３０重量％である、前記（１）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（３）  前記（Ａ）１核体から３核体の合計の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００である、前記（１）または（２）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（４）  前記（Ａ）１核体から３核体の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂の１核体含有量が１％以下である、前記（１）ないし（３）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（５）  前記（Ａ）１核体から３核体の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂中の２核体と３核体の合計の含有量が３０〜７０％である、前記（１）ないし（４）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（６）  前記（Ａ）１核体から３核体の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂が、フェノールノボラック樹脂および／又はクレゾールノボラック樹脂である、前記（１）ないし（５）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（７）  前記（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂の２５℃における粘度が、５００〜５０，０００ｍＰａ・ｓである、前記（１）ないし（６）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（８）  前記（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂の含有量が、１０〜８０重量％である、前記（１）ないし（７）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（９）  前記（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂と、前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物の配合比（（Ｂ）／（Ｃ））が、０．５〜１２．０である、前記（１）ないし（８）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（１０）  前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が、１分子中に２個のフェノール性水酸基と、少なくとも１個の芳香族に直接結合したカルボキシル基とを含むフラックス機能を有する化合物である、前記（１）ないし（９）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（１１）  前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が、フェノールフタリンを含むものである、前記（１）ないし（１０）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（１２）  前記（Ｄ）成膜性樹脂が、フェノキシ樹脂を含むものである、前記（１）ないし（１１）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（１３）  前記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする電子部品。
（１４）  前記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする半導体装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電気的接続信頼性及び接着後の耐イオンマイグレーション性に優れ、脆性改善と良好なタック性を両立し、さらに、作業性の高いダイシングテープ一体型接着シート、電子部品および半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明のダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、本発明のダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明のダイシングテープ一体型接着シートの製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シートであって、
前記接着フィルムが、
（Ａ）１核体から３核体の合計の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂と、
（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂と、
（Ｃ）フラックス機能を有する化合物と、
（Ｄ）成膜性樹脂と、
を含むことを特徴とする。
また、本発明の電子部品及び半導体装置は、第一の端子を有する支持体と、第二の端子を有する被着体とを上記接着フィルムを用いて、電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着したものである。
【００１２】
以下、本発明のダイシングテープ一体型接着シート、電子部品及び半導体装置とその製造方法に関して説明する。
【００１３】
本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、半田接合面に用いる接着フィルムと、ダイシングテープとを必須の構成要素とするものである。また、この他に、後述する介在層や外層を設けてもよい。ダイシングテープ一体型接着シートの各部の構成について、順次詳述する。
（ダイシングテープ）
ダイシングテープは、一般的に用いられるどのようなダイシングテープでも用いることが出来る。
具体的には、ダイシングテープとして、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第一樹脂組成物で構成されているものを用いることが出来る。
【００１４】
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を２種類以上混合してもよい。
【００１５】
また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、ダイシングテープ２が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００１６】
また、第一樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
【００１７】
さらに、第一樹脂組成物には、後述する第二樹脂組成物と同様の光重合開始剤を添加してもよい。
【００１８】
また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。
【００１９】
このようなダイシングテープの平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。ダイシングテープの平均厚さが前記範囲内であれば、ダイシングテープの形状追従性が確保され、接着フィルムの半導体ウエハーに対する密着性をより高めることができる。
【００２０】
介在層について後述するが、ダイシングテープ一体型接着シートにおいて、ダイシングテープと接着フィルムの間に介在層を有する場合、ダイシングテープは、介在層よりも粘着性が高いものが好ましい。これにより、接着フィルムに対する介在層の密着力よりも、介在層および支持フィルムに対するダイシングテープの密着力が大きくなる。そのため、後述する半導体装置の製造におけるピックアップ工程において、剥離を生じさせるべき所望の界面（すなわち介在層と接着フィルムとの界面）で剥離を生じさせることができる。
【００２１】
また、ダイシングテープの粘着性を高めることにより、後述する半導体装置の製造の第２の工程においては、半導体ウエハーをダイシングして個片化する際に、ダイシングテープとウエハーリングとの間が確実に固定されることとなる。その結果、半導体ウエハーの位置ずれが確実に防止され、半導体素子の寸法精度を高めることができる。
【００２２】
（接着フィルム）
本発明の接着フィルムは、（Ａ）１核体から３核体の合計の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂（以下、化合物（Ａ）とも記載する。）を含む。これにより、接着フィルムの硬化物のガラス転移温度を高めること、および、アウトガスとなるフェノール系ノボラック樹脂の量を低減することができ、さらに、耐イオンマイグレーション性を向上させることが可能となる。また、接着フィルムに適度な柔軟性を付与することができるため、接着フィルムの脆性を改善することが可能となる。さらに、接着フィルムに適度なタック性を付与することができるため、作業性に優れた接着フィルムを得ることができる。
【００２３】
前記化合物（Ａ）としては、特に限定されるわけではないが、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＦ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＡＦ型ノボラック樹脂等が挙げられるが、接着フィルムの硬化物のガラス転移温度を効果的に高めることができ、また、アウトガスとなるフェノール系ノボラック樹脂の量を低減することができる、フェノールノボラッック樹脂、クレゾールノボラック樹脂が好ましい。
【００２４】
前記化合物（Ａ）の含有量は、特に限定されるわけではないが、接着フィルム中に３〜３０重量％含まれることが好ましく、５〜２５重量％含まれることが特に好ましい。化合物（Ａ）の含有量を上記範囲とすることで、接着フィルムの硬化物のガラス転移温度を効果的に高めること、さらに、アウトガスとなるフェノール系ノボラック樹脂の量を効果的に低減することを両立することができる。
【００２５】
前記１核体から３核体の合計の含有量が３０％より小さい（４核体以上の合計の含有量が７０％以上）場合、（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂との反応性が低下し、接着フィルムの硬化物中に未反応のフェノール系ノボラック樹脂が残留するため、耐マイグレーション性が低下、また、接着フィルムが脆くなり作業性が低下してしまうといった問題が生じる。また、前記１核体から３核体の合計の含有量が７０％より大きい（４核体以上の合計の含有量が３０％以下）場合、接着フィルムを硬化させる際のあるとガス量が増大し、支持体または被着体の表面を汚染してしまったり、耐マイグレーション性が低下してしまったり、さらに、接着フィルムのタック性が大きくなり、ダイシングテープ一体型接着シートの作業性が低下してしまうといった問題が生じる。
【００２６】
前記化合物（Ａ）中の２核体と３核体の合計の含有量は、特に限定されるわけではないが、３０〜７０％であることが好ましい。上記下限値以上とすることで、接着フィルムを硬化させる際のアウトガス量が増大し、支持体または被着体の表面を汚染してしまうことをより効果的に防止することができる。また。上記上限値以下とすることで、接着フィルムの柔軟性と屈曲性をより効果的に確保することができる。
【００２７】
前記化合物（Ａ）中の１核体の含有量は、特に限定されるわけではないが、接着フィルム中に１％以下であることが好ましく、０．８％以下であることが特に好ましい。前記１核体の含有量を、上記範囲とすることで、接着フィルムを硬化する際のアウトガス量を低減することができ、支持体または被着体の汚染を抑制することができ、さらに、耐マイグレーション性を向上することができる。
【００２８】
前記化合物（Ａ）の重量平均分子量は、特に限定されるわけではないが、３００〜１，５００であることが好ましく、４００〜１４００であることが特に好ましい。上記下限値以上とすることで、接着フィルムを硬化させる際のアウトガス量が増大し、支持体または被着体の表面を汚染してしまうことをより効果的に防止することができる。また。上記上限値以下とすることで、接着フィルムの柔軟性と屈曲性をより効果的に確保することができる。
【００２９】
本発明の接着フィルムは、（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂（以下、化合物（Ｂ）とも記載する。）を含む。これにより、接着フィルムに柔軟性および屈曲性を付与することができるため、ハンドリング性に優れた接着フィルムを得ることができる。
【００３０】
前記化合物（Ｂ）としては、特に限定されるものではないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、接着フィルムの支持体および被着体に対する密着性、さらに、接着フィルム硬化後の機械特性に優れる、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。
【００３１】
また、前記化合物（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂としては、より好ましくは、２５℃における粘度が、５００〜５０，０００ｍＰａ・ｓであるもの、さらに好ましくは、８００〜４０，０００ｍＰａ・ｓであるものが挙げられる。２５℃における粘度を上記下限値以上とすることで、接着フィルムの柔軟性と屈曲性を確保することができる。また、２５℃における粘度を上記上限値以下とすることで接着フィルムのタック性が強くなり、ハンドリング性が低下することを防止することができる。
【００３２】
また、前記化合物（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂の含有量は、特に限定されるものではないが、１０〜８０重量％が好ましく、１５〜７５重量％が特に好ましい。上記下限値以上とすることで、接着フィルムの柔軟性と屈曲性をより効果的に発現させることができる。また、上記上限値以下とすることで、接着フィルムのタック性が強くなり、ハンドリング性が低下することをより効果的に防止することができる。
【００３３】
本発明の接着フィルムは、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物（以下、化合物（Ｃ）とも記載する。）を含む。これにより、支持体の第一の端子および被着体の第二の端子の少なくとも一方の半田表面の酸化膜を除去すること、また、場合によっては、支持体の第一の端子または被着体の第二の端子表面の酸化膜を除去することができ、確実に前記第一の端子と前記第二の端子を確実に半田接合することができるため、接続信頼性の高い電子部品、半導体装置等を得ることができる。
【００３４】
前記化合物（Ｃ）としては、半田表面の酸化膜を除去する働きがあれば、特に限定されるものではないが、カルボキシル基又はフェノール性水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基及びフェノール水酸基の両方を備える化合物が好ましい。
【００３５】
前記化合物（Ｃ）の配合量は、１〜３０重量％が好ましく、３〜２０重量％が特に好ましい。化合物（Ｃ）の配合量が、上記範囲であることにより、フラックス活性を向上させることができるとともに、接着フィルムを硬化した際に、未反応の化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および化合物（Ｃ）が残存するのを防止することができ、耐マイグレーション性を向上することができる。
【００３６】
また、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する化合物の中には、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が存在する（以下、このような化合物を、フラックス活性硬化剤とも記載する）。例えば、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する、脂肪族ジカルボン酸、芳香族ジカルボン酸等は、フラックス作用も有している。本発明では、このような、フラックスとしても作用し、エポキシ樹脂の硬化剤としても作用するようなフラックス活性硬化剤を、好適に用いることができる。
【００３７】
なお、カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、フェノール性水酸基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物とは、分子中にフェノール性水酸基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、カルボキシル基及びフェノール性水酸基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基及びフェノール性水酸基がそれぞれ１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。
【００３８】
これらのうち、カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としては、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。
【００３９】
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。
【００４０】
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。
【００４１】
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。
【００４２】
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る脂肪族カルボン酸としては、下記一般式（１）で示される化合物や、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。
ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ  （１）
（式（１）中、ｎは、１以上２０以下の整数を表す。）
【００４３】
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る芳香族カルボン酸としては、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、トリイル酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。
【００４４】
これらの前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物のうち、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が有する活性度、接着フィルムの硬化時におけるアウトガスの発生量、及び硬化後の接着フィルムの弾性率やガラス転移温度等のバランスが良い点で、前記一般式（１）で示される化合物が好ましい。そして、前記一般式（１）で示される化合物のうち、式（１）中のｎが３〜１０である化合物が、硬化後の接着フィルムにおける弾性率が増加するのを抑制することができるとともに、支持体と被着体の接着性を向上させることができる点で、特に好ましい。
【００４５】
前記一般式（１）で示される化合物のうち、式（１）中のｎが３〜１０である化合物としては、例えば、ｎ＝３のグルタル酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）３−ＣＯＯＨ）、ｎ＝４のアジピン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）４−ＣＯＯＨ）、ｎ＝５のピメリン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）５−ＣＯＯＨ）、ｎ＝８のセバシン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）８−ＣＯＯＨ）及びｎ＝１０のＨＯＯＣ−（ＣＨ２）１０−ＣＯＯＨ−等が挙げられる。
【００４６】
前記フェノール性水酸基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としては、フェノール類が挙げられ、具体的には、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ターシャリブチルフェノール、カテコール、ｐ−ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類等が挙げられる。
【００４７】
上述したようなカルボキシル基又はフェノール水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基及びフェノール水酸基の両方を備える化合物は、エポキシ樹脂との反応で三次元的に取り込まれる。
【００４８】
そのため、硬化後のエポキシ樹脂の三次元的なネットワークの形成を向上させるという観点からは、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としては、フラックス作用を有し且つエポキシ樹脂の硬化剤として作用するフラックス活性硬化剤が好ましい。フラックス活性硬化剤としては、例えば、１分子中に、エポキシ樹脂に付加することができる２つ以上のフェノール性水酸基と、フラックス作用（還元作用）を示す芳香族に直接結合した１つ以上のカルボキシル基とを備える化合物が挙げられる。このようなフラックス活性硬化剤としては、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；及びジフェノール酸等が挙げられ、これらは１種単独又は２種以上を組み合わせでもよい。
これらの中でも、半田表面の酸化膜を除去する効果とエポキシ樹脂との反応性に優れる、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸、フェノールフタリンが好ましい。
【００４９】
また、接着フィルム中、フラックス活性硬化剤の配合量は、１〜３０重量％が好ましく、３〜２０重量％が特に好ましい。接着フィルム中のフラックス活性硬化剤の配合量が、上記範囲であることにより、接着フィルムのフラックス活性を向上させることができるとともに、接着フィルム中に、エポキシ樹脂と未反応のフラックス活性硬化剤が残存するのが防止され、マイグレーションの発生を抑制することが出来る。
【００５０】
前記化合物（Ｂ）と前記化合物（Ｃ）の配合比は、特に限定されるわけではないが、（（Ｂ）／（Ｃ））が０．５〜１２．０であることが好ましく、２．０〜１０．０であることが特に好ましい。（（Ｂ）／（Ｃ））を上記下限値以上とすることで、接着フィルムを硬化させる際に、未反応の化合物（Ｃ）を低減することができるため、耐マイグレーション性を向上することができる。また、上記上限値以下とすることで、接着フィルムを硬化させる際に、未反応の化合物（Ｂ）を低減することができるため、耐マイグレーション性を向上することができる。
【００５１】
本発明の接着フィルムは、接着フィルムの成膜性を向上する（Ｄ）成膜性樹脂を含む。これにより、フィルム状態にするのが容易となる。また、接着フィルムの機械的特性にも優れる。
【００５２】
前記（Ｄ）成膜性樹脂としては、特に限定されるわけではないが、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等を挙げることができる。これらは、１種で用いても、２種以上を併用してもよい。中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂及びポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００５３】
前記（Ｄ）成膜性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されるわけではないが、１万以上が好ましく、より好ましくは２万〜１００万、更に好ましくは３万〜９０万である。重量平均分子量が前記範囲であると、接着フィルムの成膜性をより向上させることができる。
【００５４】
前記（Ｄ）成膜性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記接着フィルム中の０．１〜５０重量％が好ましく、１〜４０重量％がより好ましく、特に３〜３５重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、接着フィルムの流動性を抑制することができ、接着フィルムの取り扱いが容易になる。
【００５５】
また、前記接着フィルムは、硬化促進剤を更に含んでもよい。硬化促進剤は硬化性樹脂の種類等に応じて適宜選択することができる。硬化促進剤としては、例えば融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物を使用することができる。使用される硬化促進剤の融点が１５０℃以上であると、接着フィルムの硬化が完了する前に、半田バンプを構成する半田成分が半導体素子に設けられた内部電極表面に移動することができ、内部電極間の電気的接続を良好なものとすることができる。融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物としては、２−フェニルヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチルヒドロキシイミダゾール等が挙げられる。
【００５６】
前記硬化促進剤の含有量は、特に限定されるわけではないが、接着フィルム中０．００５〜１０重量％であることが好ましく、より好ましくは０．０１〜５重量％である。イミダゾール化合物の配合量を０．００５重量％以上とすることにより、硬化促進剤としての機能を更に効果的に発揮させて、接着フィルムの硬化性を向上させることができる。また、イミダゾールの配合量を１０重量％以下とすることにより、半田バンプを構成する半田成分の溶融温度における樹脂の溶融粘度が高くなりすぎず、良好な半田接合構造が得られる。また、接着フィルムの保存性を更に向上させることができる。
これらの硬化促進剤は、１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００５７】
また、前記接着フィルムは、シランカップリング剤を更に含んでもよい。シランカップリング剤を含むことにより、半導体素子、半導体ウエハー、基板およびチップ等の支持体または被着体に対する接着フィルムの密着性を高めることができる。シランカップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が使用できる。これらは１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。シランカップリング剤の配合量は、適宜選択すればよいが、前記樹脂組成物全体に対して、好ましくは０．０１〜１０重量％であり、より好ましくは０．０５〜５重量％であり、更に好ましくは０．１〜２重量％である。
【００５８】
前記接着フィルムは、無機充填材を更に含んでも良い。これにより、接着フィルムの線膨張係数を低下することができ、それによって信頼性を向上することができる。
前記無機充填材としては、例えば、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等を挙げることができるが、これらの中でもシリカが好ましい。また、シリカフィラーの形状としては、破砕シリカと球状シリカがあるが、球状シリカが好ましい。
【００５９】
前記無機充填材の平均粒径は、特に限定されないが、０．０１μｍ以上、２０μｍ以下が好ましく、０．０２μｍ以上、５μｍ以下が特に好ましい。上記範囲とすることで、接着フィルム内でフィラーの凝集を抑制し、外観を向上させることができる。
【００６０】
前記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体に対して５〜８０重量％が好ましく、特に１０〜７０重量％が好ましい。上記範囲とすることで、硬化後の接着フィルムと被接着物との間の線膨張係数差が小さくなり、熱衝撃の際に発生する応力を低減させることができるため、被接着物の剥離をさらに確実に抑制することができる。さらに、硬化後の接着フィルムの弾性率が高くなりすぎるのを抑制することができるため、半導体装置の信頼性が上昇する。
【００６１】
上述したような各樹脂成分を、溶媒中に混合して得られたワニスをポリエステルシート等の剥離処理を施した基材上に塗布し、所定の温度で、実質的に溶媒を含まない程度にまで乾燥させることにより、接着フィルムを得ることができる。ここで用いられる溶媒は、使用される成分に対し不活性なものであれば特に限定されないが、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ＤＩＢＫ(ジイソブチルケトン)、シクロヘキサノン、ＤＡＡ（ジアセトンアルコール）等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＢＥ（ニ塩基酸エステル）、ＥＥＰ（３−エトキシプロピオン酸エチル）、ＤＭＣ（ジメチルカーボネート）等が好適に用いられる。溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分が１０〜６０重量％となる範囲であることが好ましい。
【００６２】
得られた接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、１〜３００μｍであることが好ましく、特に５〜２００μｍであることが好ましい。厚さが前記範囲内であると、接合部の間隙に樹脂成分を十分に充填することができ、樹脂成分の硬化後の機械的接着強度を確保することができる。
【００６３】
このようにして得られた接着フィルムは、フラックス活性を有しているものである。したがって、半導体素子と基板、半導体素子と半導体素子、半導体ウエハと半導体ウエハ等の半田接続を必要とされる部材の接続において好適に用いることができるものである。
【００６４】
また、ダイシングテープ一体型接着シートは、上述した接着フィルム、ダイシングテープの他に、１つ以上の介在層を設けていてもよい。また、ダイシングテープ一体型接着シートの一方の面又は両面に１つ以上の外層を設けてもよい。介在層や外層としては、以下のような粘着層や支持フィルム等の基材が挙げられる。
【００６５】
（支持フィルム）
支持フィルムとは、以上のようなダイシングテープおよび接着フィルムを支持する機能を有する支持体である。また、ダイシングテープ一体型接着シートの外層として設ける場合、汚染や衝撃から保護する保護フィルムとしての機能も有する。
【００６６】
このような支持フィルムの構成材料としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物が挙げられる。
【００６７】
支持フィルムの平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜１５０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、支持フィルムは、適度な剛性を有するものとなるため、ダイシングテープおよび接着フィルムを確実に支持して、ダイシングテープ一体型接着シートの取扱いを容易にするとともに、ダイシングテープ一体型接着シートが適度に湾曲することで、第一の端子を有する支持体との密着性を高めることができる。
【００６８】
（粘着層）
粘着層は、一般的な粘着剤で構成されており、具体的には、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第二樹脂組成物で構成されている。
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合してもよい。
【００６９】
また、これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、粘着層が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００７０】
また、第二樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
【００７１】
さらに、第二樹脂組成物には、粘着層を紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤としてメトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等を添加してもよい。
【００７２】
また、第二樹脂組成物には、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。
【００７３】
このような粘着層の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。かかる厚さが前記範囲内であると、特に、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能であり、さらに、ダイシング時やピックアップ時に変形を生じにくいため、ダイシング性、ピックアップ性に優れた層が得られる。
【００７４】
（ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法）
以上説明したようなダイシングテープ一体型接着シート１０は、例えば以下のような方法で製造される。
【００７５】
まず、図２（ａ）に示す基材４ａを用意し、この基材４ａの一方の面上に介在層１を成膜する。これにより、基材４ａと介在層１との積層体６１を得る。介在層１の成膜は、前述した第二樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、第二樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。
【００７６】
上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
【００７７】
また、積層体６１と同様にして、図２（ａ）に示すように、用意した基材４ｂの一方の面上に接着フィルム３を成膜し、これにより、基材４ｂと接着フィルム３との積層体６２を得る。
【００７８】
さらに、各積層体６１、６２と同様にして、図２（ａ）に示すように、用意した支持フィルム４の一方の面上にダイシングテープ２を成膜し、これにより、支持フィルム４とダイシングテープ２との積層体６３を得る。
【００７９】
次いで、図２（ｂ）に示すように、介在層１と接着フィルム３とが接するように積層体６１と積層体６２とを積層し、積層体６４を得る。この積層は、例えばロールラミネート法等により行うことができる。
【００８０】
次いで、図２（ｃ）に示すように、積層体６４から基材４ａを剥離する。そして、図２（ｄ）に示すように、前記基材４ａを剥離した積層体６４に対して、基材４ｂを残して、前記接着フィルム３および前記介在層１の有効領域の外側部分を除去する。ここで、有効領域とは、その外周が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい領域を指す。
【００８１】
次いで、図２（ｅ）に示すように、介在層１の露出面にダイシングテープ２が接するように、基材４ａを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体６４と積層体６３を積層する。その後、基材４ｂを剥離することにより、図２（ｆ）に示すダイシングテープ一体型接着シート１０が得られる。
【００８２】
支持フィルムに直接ダイシングテープ２を成膜する方法について上述したが、ダイシングテープを、介在層１、接着フィルム３と同様に、基材上に成膜して、それを接着フィルム３、介在層１と積層してダイシングテープ一体型接着シートを作製してもよい。        
【００８３】
（半導体用フィルムの特性）
介在層１、ダイシングテープ２および接着フィルム３は、それぞれ異なる密着力を有しているが、それらは以下のような特性を有していることが好ましい。
【００８４】
まず、介在層１の接着フィルム３に対する密着力は、ダイシングテープ２の支持フィルム４に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、後述する第３の工程において、個片８３をピックアップした際に、ダイシングテープ２との支持フィルム４との間は剥離することなく、接着フィルム３と介在層１との間が選択的に剥離する。そして、ダイシングの際には、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持し続けることができる。
【００８５】
次に、上述したダイシングテープ一体型接着シートを用いた電子部品および半導体装置について説明する。
【００８６】
［１−２］図１（ａ）に示すように、上述したようなダイシングテープ一体型接着シート１０の接着フィルム３と、半導体ウエハー７とを密着させつつ、ダイシングテープ一体型接着シート１０と半導体ウエハー(支持体)７とを積層する（第１の工程）。ここで、半導体ウエハー（支持体）７において、接着フィルム３と接着する面は、第一の端子(図示せず)を有するものである。
【００８７】
なお、図１に示すダイシングテープ一体型接着シート１０では、接着フィルム３の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい形状に、あらかじめ設定されている。このため、半導体ウエハー７の下面全体が接着フィルム３の上面全体と密着し、これにより半導体ウエハー７がダイシングテープ一体型接着シート１０で支持されることとなる。この半導体素子１の第１の端子を接着フィルム３で覆うように、ダイシングテープ一体型接着シート１０をラミネートする（図１（ｂ））。
【００８８】
ダイシングテープ一体型接着シート１０を半導体ウエハー７に積層する方法としては、例えばロールラミネーター、平板プレス、ウエハーラミネーター等が挙げられる。
これらの中でもラミネート時に空気を巻き込まないようにするため、真空下でラミネートする方法（真空ラミネーター）が好ましい。
【００８９】
また、ラミネートする条件としては、特に限定されず、ボイドなくラミネートできればよいが、具体的には６０〜１５０℃×１秒〜１２０秒間が好ましく、特に８０〜１２０℃×５〜６０秒間が好ましい。ラミネート条件が前記範囲内であると、貼着性と、樹脂のはみ出しの抑制効果と、樹脂の硬化度とのバランスに優れる。
また、加圧条件も特に限定されないが、０．２〜２．０ＭＰａが好ましく、特に０．５〜１．５ＭＰａが好ましい。
【００９０】
上記積層の結果、図１（ｂ）に示すように、ダイシングテープ一体型接着シート１０と半導体ウエハー７とが積層されてなる積層体８が得られる。
【００９１】
［２］
［２−１］次に、ウエハーリング９を用意する。続いて、ダイシングテープ２の外周部２１の上面とウエハーリング９の下面とが密着するように、積層体８とウエハーリング９とを積層する。これにより、積層体８の外周部がウエハーリング９により支持される。  
ウエハーリング９は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、積層体８の変形を確実に防止することができる。
【００９２】
［２−２］次に、図示しないダイサーテーブルを用意し、ダイサーテーブルと支持フィルム４とが接触するように、ダイサーテーブル上に積層体８を載置する。
続いて、図１（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて積層体８に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。ダイシングブレード８２は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ積層体８の半導体ウエハー７側の面に押し当てることで切り込み８１が形成される。そして、半導体ウエハー７に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード８２を相対的に移動させることにより、半導体ウエハー７が複数の半導体素子７１に個片化される（第２の工程）。また、接着フィルム３も同様に、複数の接着フィルム３１に個片化される。このようなダイシングの際には、半導体ウエハー７に振動や衝撃が加わるが、半導体ウエハー７の下面がダイシングテープ一体型接着シート１０で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、半導体ウエハー７における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。
【００９３】
第２の工程において、ダイシングブレード８２の先端が粘着層内に留まるように、削り深さを設定してもよい。換言すれば、切り込み８１の先端が支持フィルム４に到達することなく、介在層１内またはダイシングテープ２内のいずれかに留まるようにダイシングを行う。このようにすれば、支持フィルム４の削り屑は発生し得ないため、削り屑の発生に伴う問題が確実に解消されることとなる。すなわち、半導体素子７１をピックアップする際には、引っ掛かり等の発生が防止され、ピックアップした半導体素子７１を被着体５にマウントする際には、異物の侵入および半田接合の不良が防止される。その結果、半導体装置１００の製造歩留まりが向上するとともに、信頼性の高い半導体装置１００を得ることができる。
【００９４】
［３］
［３−１］次に、複数の切り込み８１が形成された積層体８を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き延ばす（エキスパンド）。これにより、図１（ｄ）に示すように、積層体８に形成された切り込み８１の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体素子７１同士の間隔も拡大する。その結果、半導体素子７１同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の半導体素子７１をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。
【００９５】
［３−２］次に、図示しないダイボンダにより、個片化された半導体素子７１のうちの１つを、ダイボンダのコレット（チップ吸着部）で吸着するとともに上方に引き上げる。その結果、図２（ｅ）に示すように、接着フィルム３１と介在層１との界面が選択的に剥離し、半導体素子７１と接着フィルム３１とが積層されてなる個片８３がピックアップされる（第３の工程）。
【００９６】
なお、接着フィルム３１と介在層１との界面が選択的に剥離する理由は、前述したように、ダイシングテープ２の粘着性が介在層１の粘着性より高いため、支持フィルム４とダイシングテープ２との界面の密着力、および、ダイシングテープ２の介在層１との界面の粘着力は、介在層１と接着フィルム３との密着力より大きいからである。すなわち、半導体素子７１を上方にピックアップした場合、これらの３箇所のうち、最も粘着力の小さい介在層１と接着フィルム３との界面が選択的に剥離することとなる。
【００９７】
また、個片８３をピックアップする際には、ダイシングテープ一体型接着シート１０の下方から、ピックアップすべき個片８３を選択的に突き上げるようにしてもよい。これにより、積層体８から個片８３が突き上げられるため、前述した個片８３のピックアップをより容易に行うことができるようになる。なお、個片８３の突き上げには、ダイシングテープ一体型接着シート１０を下方から突き上げる針状体（ニードル）等が用いられる。  
【００９８】
［４］
［４−１］次に、半導体素子７１（チップ）を搭載（マウント）するための被着体５を用意する。
【００９９】
この被着体５は、前記接着フィルム３と接着する面に第２の端子（図示せず）を有するものである。この被着体５としては、半導体素子７１を搭載し、半導体素子７１と外部とを電気的に接続するための配線を有する基板や半導体素子等が挙げられる。
【０１００】
なお、第一の端子と第二の端子としては、例えばパッド部、半田バンプ等が挙げられる。また、第一の端子、第二の端子の少なくとも一方に半田が存在することが好ましい。  
【０１０１】
次いで、図２（ｆ）に示すように、ピックアップされた個片８３を、被着体５上に載置する。この際、半導体ウエハー（支持体）７の第一の端子と、被着体５の第二の端子とを位置合わせしながら、接着フィルム３を介して仮圧着する。
【０１０２】
［４−２］次に、図２（ｇ）に示すように、被着体５と半導体素子７１を半田接合する。（第４の工程）。  半田接続する条件は、使用する半田の種類にもよるが、例えばＳｎ−Ａｇの場合、２２０〜２６０℃×５〜５００秒間加熱して半田接続することが好ましく、特に２３０〜２４０℃×１０〜１００秒間加熱することが好ましい。
この半田接合は、半田が融解した後に、接着フィルム３が硬化するような条件で行うことが好ましい。すなわち、半田接合は、半田を融解させるが、接着フィルム３の硬化反応があまり進行させないような条件で実施することが好ましい。これにより、半田接続する際の半田接続部の形状を接続信頼性に優れるような安定した形状とすることができる。
【０１０３】
次に、接着フィルム３を加熱して硬化させる（第５の工程）。硬化させる条件は、特に限定されないが、１３０〜２２０℃×３０〜５００分間が好ましく、特に１５０〜２００℃×６０〜１８０分間が好ましい。
【０１０４】
以上のような方法によれば、第３の工程において、半導体素子７１に接着フィルム３１が付着した状態、すなわち個片８３の状態でピックアップされることから、第４の工程において、この接着フィルム３１をそのまま被着体５との接着に利用することができる。このため、別途アンダーフィル等を用意する必要がなく、半導体装置１００の製造効率をより高めることができる。
【０１０５】
このようにして、支持体（半導体ウエハー）７の個片８３と被着体５とが接着フィルム３の硬化物で接着された半導体装置を得ることができる。半導体装置は、上述したような接着フィルム３の硬化物で接着されているので電気的接続信頼性に優れている。
また、同様の方法により、半導体素子と半導体素子とを接着フィルム３の硬化物で接着されている電子部品を得ることができる。
【０１０６】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１０７】
（実施例１）
（粘着層の形成）
アクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％と酢酸ビニル７０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体１００重量部と、分子量が７００の５官能アクリレートモノマー４５重量部と、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３重量部と、を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線５００ｍＪ／ｃｍ２を照射し、ポリエステルフィルム上に粘着層を成膜した。
【０１０８】
（ダイシングテープの形成）
アクリル酸ブチル７０重量％とアクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体１００重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３重量部と、を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、ポリエステルフィルム上にダイシングテープを成膜した。その後、支持フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンシートをラミネートした。
【０１０９】
（接着フィルムの調製）
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）１５．０重量部と、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）４５．０重量部と、フラックス機能を有する化合物であるフェノールフタリン（東京化成工業社製）１５．０重量部と、成膜性樹脂としてビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）２４．４重量部と、硬化促進剤として２―フェニルー４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部と、シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−３０３）０．５重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
得られた樹脂ワニスを、ポリエステルフィルム（東レ株式会社製、ルミラー）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルムを得た。
【０１１０】
（ダイシングテープ一体型接着シートの製造）
粘着側のポリエステルフィルムを剥離して、粘着層を成膜したフィルムと、接着フィルムを成膜したフィルムとを、粘着層と接着フィルムとが接するようにラミネート（積層）し、積層体を得た。
【０１１１】
次に、ロール状の金型を用いて、粘着層と接着フィルムを半導体ウエハーの外径よりも大きく、かつウエハーリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後不要部分を除去して、第２積層体を得た。
【０１１２】
さらに、ダイシングテープの一方の面側にあるポリエステルフィルムを剥離した。そして、前記第２積層体の粘着層とダイシングテープとが接するように、これらを積層した。これにより、ポリエチレンシート（支持フィルム）、ダイシングテープ、粘着層（介在層）、接着フィルムおよびポリエステルフィルムの５層がこの順で積層してなるダイシングテープ一体型接着シートを得た。
【０１１３】
（半導体装置の製造）
半田バンプを有するシリコンウエハー（直径８インチ、厚さ１００μｍ）を用意した。ダイシングテープ一体型接着シートからポリエステルフィルムを剥離し、その剥離面と、シリコンウエハーの半田バンプを有する面が接するように、ダイシングテープ一体型接着シートとシリコンウエハーを積層した。これを真空ロールラミネーターで、１００℃でラミネートして、ダイシングテープ一体型接着シート付きのシリコンウエハーを得た。
【０１１４】
次いで、このダイシングテープ一体型接着シート付きのシリコンウエハーをシリコンウエハー側から、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、（株）ディスコ製）を用いて以下の条件でダイシング（切断）した。これにより、シリコンウエハーが個片化され、以下のダイシングサイズの半導体素子を得た。
【０１１５】
＜ダイシング条件＞
ダイシングサイズ        ：１０ｍｍ×１０ｍｍ角
ダイシング速度          ：５０ｍｍ／ｓｅｃ
スピンドル回転数        ：４０，０００ｒｐｍ
ダイシング最大深さ      ：０．１３０ｍｍ（シリコンウエハーの表面からの切り込み量）
ダイシングブレードの厚さ：１５μｍ
切り込みの横断面積      ：７．５×１０−５ｍｍ２（接着フィルムと介在層との界面より先端側の部分の横断面積）
【０１１６】
なお、このダイシングにより形成された切り込みは、その先端が介在層内に達していた。
【０１１７】
次いで、半導体素子の１つを半導体用フィルムの裏面からニードルで突き上げ、突き上げた半導体素子の表面をダイボンダのコレットで吸着しつつ上方に引き上げた。これにより、接着フィルム付き半導体素子をピックアップした。
【０１１８】
次に、パッドを有する回路基板のパッドと、半田バンプとが当接するように位置あわせを行いながら回路基板に半導体素子を１００℃、３０秒間で仮圧着した。
次に、２３５℃、３０秒間加熱して、半田バンプを溶融させて半田接続を行った。
そして、１８０℃、６０分間加熱して、接着フィルムを硬化させて、半導体素子と、回路基板とが接着フィルムの硬化物で接着された半導体装置を得た。
【０１１９】
（実施例２）
接着フィルムの樹脂ワニスの調製において、フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）１５．０重量部を、フェノールノボラック樹脂（三井化学社製、ＶＲ−９３０５）１５．０重量部に変更した以外は、実施例１と同様にダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
【０１２０】
（実施例３）
接着フィルムの樹脂ワニスの調製において、フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）１５．０重量部を５．０重量部へ、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）４５．０重量部を３５．０重量部へ、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）２４．４重量部を４４．４重量部へ配合量を変更した以外は、実施例１と同様にダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
【０１２１】
（実施例４）
接着フィルムの樹脂ワニスの調製において、フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）１５．０重量部を２５．０重量部へ、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）４５．０重量部を５０．０重量部へ、フェノールフタリン（東京化成工業社製）１５．０重量部を１０．０重量部へ、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）２４．４重量部を１４．４重量部へ配合量を変更した以外は、実施例１と同様にダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
【０１２２】
（実施例５）
接着フィルムの樹脂ワニスの調製において、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）４５．０重量部を５０．０重量部へ、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）２４．４重量部を１９．４重量部へ配合量を変更した以外は、実施例１と同様にダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
【０１２３】
（実施例６）
接着フィルムの樹脂ワニスの調製において、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）４５．０重量部を液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８３０ＬＶＰ）に変更した以外は、実施例１と同様にダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
【０１２４】
（実施例７）
接着フィルムの樹脂ワニスの調製において、フェノールフタリン（東京化成工業社製）１５．０重量部を、セバシン酸（東京化成工業社製）１５．０重量部に変更した以外は、実施例１と同様にダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
【０１２５】
（実施例８）
接着フィルムの樹脂ワニスの調製において、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）２４．４重量部をビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−７０）に変更した以外は、実施例１と同様にダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
【０１２６】
（比較例１）
接着フィルムの樹脂ワニスの調製において、フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）１５．０重量部を、フェノールノボラック樹脂（群栄化学工業社製、ＬＶ７０Ｓ）１５．０重量部に変更した以外は、実施例１と同様にダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
【０１２７】
各実施例および比較例の接着フィルムの樹脂ワニスの調整で使用したフェノール系ノボラック樹脂の物性を表１に示す。
【０１２８】
【表１】
2012146830.tif 000003
【０１２９】
また、各実施例および比較例で得られたダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置について、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表２に示す。
【０１３０】
１．接着フィルム作業性
各実施例および比較例で得られた接着フィルムについて、２５℃雰囲気下、４ｍｍ径の円柱に巻きつけ接着フィルムの接着フィルムの割れ、欠けを確認した。
○：接着フィルムの接着フィルムに割れ、欠けが全く発生しない。
×：接着フィルムの接着フィルムの一部に割れ、欠けが発生している。
【０１３１】
２．接着フィルムタック性
各実施例および比較例で得られたダイシングテープ一体型接着シートについて、各ダイシングテープ一体型接着シートの接着フィルム面同士を２５℃で重ね合わせ、０．１ＭＰａで圧着し、２つの接着フィルムが融合するかどうかを測定した。各符号は以下の通りである。
○：お互いの接着フィルムを剥がしたとき、接着フィルムの接着フィルム表面がなめらかでつやがある場合
×：お互いの接着フィルムを剥がしたとき、表面にこまかい凹凸が生じたりつやが無くなった場合、また、接着フィルム同士が融着して剥がすことができなかった場合
【０１３２】
３．イオンマイグレーション性
各実施例および比較例で得られた半導体装置について、１３０℃、８５％ＲＨの環境下で５Ｖの電圧を印加しながら、隣接バンプ間の絶縁抵抗値を連続測定し、イオンマイグレーションを評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：５００時間後の絶縁抵抗値が１．０Ｅ＋０６以上であった。
○：１００〜２５０時間で絶縁抵抗値が１．０Ｅ＋０６以下に低下した。
△：２４時間〜１００時間未満で絶縁抵抗値が１．０Ｅ＋０６以下に低下した。
×：０〜２４時間未満で絶縁抵抗値が１．０Ｅ＋０６以下に低下した。
【０１３３】
４．接続信頼性
各実施例および比較例で得られた半導体装置それぞれ２０個ずつについて、−５５℃の条件下に３０分、１２５℃の条件下に３０分ずつ交互に晒すことを１サイクルとする、温度サイクル試験を１００サイクル行い、試験後の半導体装置について、半導体素子と回路基板の接続抵抗値をデジタルマルチメーターで測定し、接続信頼性を評価した。各符号は、以下の通りである。
○：２０個すべての半導体装置の接続抵抗値が１０Ω以下であった。
×：１個以上の半導体装置の接続抵抗値が１０Ω以上であった。
【０１３４】
【表２】
2012146830.tif 000004
【符号の説明】
【０１３５】
１                    介在層
１１                  外周縁
２                    ダイシングテープ
２１                  外周部
３、３１              接着フィルム
４                    支持フィルム
４１                  外周部
４ａ、４ｂ            基材
５                    被着体
６１〜６４            積層体
７                    半導体ウエハー（支持体）
７１                  半導体素子
８                    積層体
８１                  切り込み
８２                  ダイシングブレード
８３                  個片
９                    ウエハーリング
１０、１０’          ダイシングテープ一体型接着シート
２５０                ダイボンダー
２６０                コレット
２７０                台
２８０                装置本体
４００                突き上げ装置
【図１】
2012146830.tif 000005
【図２】
2012146830.tif 000006
【図３】
2012146830.tif 000007