(57)【要約】【課題】  小さな表面実装用の圧電発振器及びその製造方法を提供する。【解決手段】  圧電発振器（１００）は、圧電振動片（３０）を固定する第１接続端子（１５）が形成された第１底面（１１）と、圧電振動片を発振させるＩＣチップ（４０）を固定する第２接続端子（１６）が形成され第１底面とは異なる第２底面（１２）とを含むパッケージ（１０）を有する表面実装型の圧電発振器である。そして、圧電発振器は、パッケージでＩＣチップの下面（４２）から第２底面（１２）まで塗布された保護樹脂（ＲＳ）と、非導電性部材で形成され、ＩＣチップの上面から第２底面までつながり保護樹脂を上面から第２底面まで浸透させる浸透部材（８１）と、を備える。【選択図】  図１
2012105165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動片を固定する第１接続端子が形成された第１底面と、前記圧電振動片を発振させるＩＣチップを固定する第２接続端子が形成され前記第１底面とは異なる第２底面とを含むパッケージを有する表面実装型の圧電発振器であって、
前記パッケージ内で前記ＩＣチップの下面から前記第２底面まで塗布された保護樹脂と、
非導電性部材で形成され、前記ＩＣチップの上面から前記第２底面までつながり前記保護樹脂を前記上面から前記第２底面まで浸透させる浸透部材と、
を備える表面実装型の圧電発振器。
【請求項２】
前記浸透部材は、前記ＩＣチップの厚さよりも直径が小さい複数の粒子又は長さが短い複数の繊維を含む請求項１に記載の表面実装型の圧電発振器。
【請求項３】
前記浸透部材は、前記ＩＣチップの厚さよりも直径が大きい粒子、長さが長い繊維又は長さが長い板材を含む請求項１に記載の表面実装型の圧電発振器。
【請求項４】
前記パッケージは、前記第１底面が形成された第１キャビティと前記第２底面が形成された第２キャビティとを有し、前記第１キャビティと前記第２キャビティとは前記パッケージを構成する部材で分離されている請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の表面実装型の圧電発振器。
【請求項５】
前記パッケージは、前記第１底面と前記第２底面とが同じキャビティ内に有する請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の表面実装型の圧電発振器。
【請求項６】
圧電振動片と前記圧電振動片を発振させるＩＣチップとを有する表面実装型圧電発振器の製造方法であって、
パッケージの底面に形成された接続端子に前記ＩＣチップをフリップチップボンディングで接続する工程と、
液状の保護樹脂を前記ＩＣチップの上面から前記底面まで浸透させる浸透部材を、前記上面から前記底面までつながるように配置する工程と、
前記保護樹脂を前記ＩＣチップの上面に塗布する工程と、
を有する表面実装型の圧電発振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電振動片と圧電振動片を発振させるＩＣチップとが載置される表面実装型の圧電発振器及び表面実装型の圧電発振器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装用の圧電発振器が電子機器に広く使用されている。圧電発振器には圧電振動片を発振させるＩＣチップが搭載され、そのＩＣチップ及びＩＣチップの接続端子に対する衝撃など保護の観点から、ＩＣチップの周辺に液状の保護樹脂をニードルノズルを使用して塗布し、塗布後に保護樹脂を固化している。表面実装用の圧電発振器も小型化に伴い、ニードルノズルを使用してＩＣチップと底面との間に液状の保護樹脂を塗布することが困難になってきている。
【０００３】
図８（ａ）〜（ｃ）は、従来例を説明する圧電発振器の断面図である。圧電発振器２００は、パッケージ２１０の両主面に凹部を有し一主面側の凹部に圧電振動片２３０を収容するキャビティ２２０を備え、他主面の凹部に第２底面２１２を有しＩＣチップ２４０を収容するキャビティ２２１を備えている。
【０００４】
図８（ａ）に示されるように、キャビティ２２１の第２壁面２１４とＩＣチップ２４０の側面との間の隙間（クリアランス）は例えば０．２ｍｍ以下と小さく、圧電発振器２００の小型化に伴いニードルノズル２９０の先端が第２壁面２１４とＩＣチップ２４０の側面との間の隙間に入り込まない。ニードルノズル２９０から吐出される保護樹脂ＲＳは、球状の保護樹脂ＲＳａを形成する。ニードルノズル２９０の先端側が第２底面２１２に到達しないと、保護樹脂ＲＳはＩＣチップ２４０の下面と第２底面２１２との間隙に侵入できない。例えばＩＣチップ２４０の天井側からニードルノズル２９０によって保護樹脂ＲＳを塗布すると、図８（ｂ）に示されるように、ニードルノズル２９０から塗布される保護樹脂ＲＳは、ＩＣチップ２４０の上面に表面張力により引き寄せられてＩＣチップ２４０と第２底面２１２との間隙に入り込んでいかない。表面張力で膨らむ以上に保護樹脂ＲＳを多く塗布すると外部電極２３１よりも保護樹脂ＲＳが高くなってしまうおそれがある。一方、無理やりキャビティ２２１のへ壁面２１４からニードルノズル２９０によって保護樹脂ＲＳを塗布すると、図８（ｃ）に示されるように、ニードルノズル２９０から吐出される保護樹脂ＲＳは、外部電極２３１の上に乗り上げる不具合が発生する。
【０００５】
そこで例えば、特許文献１では、ニードルノズル用に圧電発振器のパッケージの一部を切り欠いたパッケージ構造を提案している。また、特許文献２は毛細管現象により保護樹脂がＩＣチップと底面との間に流れるようにパッケージの一部に溝が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２６４４２９号公報
【特許文献２】特開２００５−００６１７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１及び特許文献２の圧電発振器もパッケージの一部を切り欠き又は溝を形成するためのスペースのため、パッケージ自体を大きくしなければならない。圧電発振器の小型化の要望が進むにつれ、さらに小さな圧電発振器が求められるようになっている。
【０００８】
そこで、本発明は、さらに小さな表面実装用の圧電発振器及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１観点の表面実装型の圧電発振器は、圧電振動片を固定する第１接続端子が形成された第１底面と、圧電振動片を発振させるＩＣチップを固定する第２接続端子が形成され第１底面とは異なる第２底面とを含むパッケージを有する表面実装型の圧電発振器である。そして、圧電発振器は、パッケージでＩＣチップの下面から第２底面まで塗布された保護樹脂と、非導電性部材で形成され、ＩＣチップの上面から第２底面までつながり保護樹脂を上面から第２底面まで浸透させる浸透部材と、を備える。
【００１０】
第２観点の圧電発振器において、浸透部材はＩＣチップの厚さよりも直径が小さい複数の粒子又は長さが短い複数の繊維を含む。
第３観点において、浸透部材はＩＣチップの厚さよりも直径が大きい粒子、長さが長い繊維又は長さが長い板材を含む。
【００１１】
第４観点の圧電発振器において、パッケージは、第１底面が形成された第１キャビティと第２底面が形成された第２キャビティとを有し第１キャビティと第２キャビティとはパッケージを構成する部材で分離されている。
第５観点において、パッケージは第１底面と第２底面とが同じキャビティ内に有する。
【００１２】
第６観点の圧電発振器の製造方法は、圧電振動片と圧電振動片を発振させるＩＣチップとを有する圧電発振器の製造方法である。この方法は、パッケージの底面に形成された接続端子にＩＣチップをフリップチップボンディングで接続する工程と、液状の保護樹脂をＩＣチップの上面から底面まで浸透させる浸透部材を、上面から底面までつながるように配置する工程と、保護樹脂をＩＣチップの上面に塗布する工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の製造方法によれば、小さな表面実装用の圧電発振器を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は、第１実施形態の第１圧電発振器１００の平面図である。  （ｂ）は、第１圧電発振器１００のＡ−Ａ’断面図である。  （ｃ）は、第１圧電発振器１００に保護樹脂を塗布した状態の断面図である。
【図２】第１実施形態の第１水晶発振器のＩＣチップを装着する製造工程を示したフローチャートである。
【図３】（ａ）は、第２実施形態の第２水晶発振器１１０の断面図である。  （ｂ）は、第２水晶発振器１１０の平面図である。
【図４】（ａ）は、第３実施形態の第３水晶発振器１２０の断面図である。  （ｂ）は、第３水晶発振器１２０の平面図である。
【図５】（ａ）は、第４実施形態の第４水晶発振器１３０の断面図である。  （ｂ）は、第４水晶発振器１３０の平面図である。
【図６】（ａ）は、第５実施形態の第５水晶発振器１４０の断面図である。  （ｂ）は、第５水晶発振器１４０の平面図である。
【図７】（ａ）は、第６実施形態の第６水晶発振器１５０の断面図である。  （ｂ）は、カバーと圧電振動片とを装着する前の状態を示した第６水晶発振器１５０の平面図である。  （ｃ）は、保護樹脂を塗布した状態を示した（ｂ）の断面図である。
【図８】（ａ）は、従来実施形態を説明する水晶発振器の断面図およびノズルから吐出される保護樹脂の図である。  （ｂ）及び（ｃ）は、従来実施形態を説明する水晶発振器の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜第１実施形態；第１水晶発振器１００の構成＞
図１（ａ）は、本実施形態の第１水晶発振器１００の平面図である。理解を助けるため保護樹脂の塗装前の状態を示している。図１（ｂ)は、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面図であり保護樹脂の塗装前の状態を示している。図１（ｃ)は、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面図であり保護樹脂を第２キャビティに塗布した状態を示している。
【００１６】
図１（ａ）、（ｂ）に示されるように、第１水晶発振器１００はセラミックパッケージ１０、ＡＴカット水晶振動片３０及びＩＣチップ４０を有している。第１水晶発振器１００は表面実装型であり、一対の励振電極を有するＡＴカット水晶振動片３０を有している。ＡＴカット水晶振動片３０は、主面が人工水晶の結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜している。このため、第１水晶発振器１００の長辺方向をＸ軸方向、第１水晶発振器１００の短辺方向をＹ’軸方向、第１水晶発振器１００の上下方向をＺ’軸方向として説明する。また本明細書の説明としてＺ’軸方向の高低を、＋方向を高く−方向を低いと表現する。
【００１７】
セラミックパッケージ１０は、複数枚のセラミックシートが積層されて形成されている。セラミックパッケージ１０の一方の主面に凹部があり第１キャビティ２０が形成されており、他方の主面にも凹部があり第２キャビティ２１が形成されている。そのためセラミックパッケージ１０の断面がＨ形状である。第１キャビティ２０の第１底面１１には第１接続端子１５が形成されている。第２キャビティ２１の第２底面１２には第２接続端子１６が形成されている。
【００１８】
第１キャビティ２０側の第１底面１１から第１壁面１３が立ち上がって形成されておりその第１壁面１３の端部に天井面１８が形成されている。第１底面１１にはＡＴカット水晶振動片３０が取り付けられる第１接続端子１５が形成されている。天井面１８には封止用のカバー２９が接合される。
【００１９】
第２キャビティ２１側の第２底面１２から第２壁面１４が立ち上がって形成されておりその第２壁面１４の端部に実装面１９が形成されている。第２底面１２にはＩＣチップ４０が取り付けられる第２接続端子１６が形成されている。実装面１９には例えばその四隅に４つの外部電極３１が形成されている。
【００２０】
ＡＴカット水晶振動片３０は、第１キャビティ２０の第１底面１１に配置された２本の第１接続端子１５に導電性接着剤３５で接続される。ＩＣチップ４０は、その下面４２に例えば６つのバンプ４９を有しており、６つのバンプ４９は、第２キャビティ２１の第２底面１２に配置された６本の第２接続端子１６に超音波フリップチップボンディングで接続される。６本のうちの４本の第２接続端子１６は、４つの外部電極３１に接続されている。残り２本の第２接続端子１６は２本の第１接続端子１５を介してＡＴカット水晶振動片３０に接続されている。本明細書では外部電極３１が４つ又はバンプ４９が６つある例を示すが、外部電極３１が４つ以上又はバンプ４９が６つ以上であってもよい。この場合には第２接続端子１６の本数も適宜増える。
【００２１】
カバー２９で封止された第１キャビティ２０は真空状態又は不活性ガスで満たされた状態である。第２キャビティ２１は図１（ｃ）に示されるように、ＩＣチップ４０が保護樹脂ＲＳ（アンダーフィル）で覆われている。保護樹脂ＲＳは主剤と硬化剤を混ぜたエポキシ樹脂でリフロー工程で硬化させた状態である。保護樹脂ＲＳはＩＣチップ４０の下面４２と第２キャビティ２１の第２底面１２との隙間にも入り込んでいる。このため、第１水晶発振器１００に衝撃が加わってもＩＣチップ４０のバンプ４９が第２接続端子１６から剥がれるおそれが少ない。保護樹脂ＲＳが第２底面１２まで流れ込むように、非導電性の浸透部材８１がＩＣチップ４０の上面４１から第２底面１２まで配置されている。ＩＣチップ４０は一般にＺ‘軸方向から見て矩形形状であり、第２キャビティ２１もＺ‘軸方向から見て矩形形状である。このため、少なくともＩＣチップ４０と第２キャビティ２１との一辺に浸透部材８１が配置されている。第１実施形態で使用される浸透部材８１は、溶融アルミナ、焼結アルミナなどのセラミック材料からなる小さな球体の粒子である。浸透部材８１の粒子の直径はＩＣチップ４０の厚さよりも小さい。
【００２２】
（第１水晶発振器１００の製造方法）
図２は、第１水晶発振器１００のＩＣチップを装着する製造工程を示したフローチャートである。
【００２３】
ステップＳ１０２において、ＡＴカット水晶振動片３０は、第１キャビティ２０の第１底面１１に形成された第１接続端子１５に導電性接着剤３５を介して配置される。導電性接着剤３５は仮硬化され、ＡＴカット水晶振動片３０が固定される。
【００２４】
ステップＳ１０４において、ＩＣチップ４０は、第２キャビティ２１の第２底面１２に形成された第２接続端子１６に配置される。ＩＣチップ４０と第２接続端子１６との接続は、超音波フリップチップボンディングにより行われる。超音波フリップチップボンディングは、第２接続端子１６とＩＣチップ４０との電極の位置を合わせた状態で、所定荷重で加圧して超音波を発振して行われる。
【００２５】
ステップＳ１０６において、第２キャビティ２１の第２壁面１４の一辺とＩＣチップ４０の側面の一辺との隙間に、複数の粒子からなる非導電性の浸透部材８１をＩＣチップ４０の上面４１から第２底面１２まで配置する（図１（ａ）、（ｂ）を参照）。本実施形態では第２壁面１４の一辺とＩＣチップ４０の側面の一辺との隙間であったが、二辺以上に浸透部材８１を配置してもよい。
【００２６】
ステップＳ１０８において、ニードルノズル９０を使ってＩＣチップ４０の上面４１に保護樹脂ＲＳを塗布する。塗布された保護樹脂ＲＳは、ＩＣチップ４０の上面４１の浸透部材８１の浸透作用で浸透部材８１をつたって第２底面１２に流れる。一旦保護樹脂ＲＳが第２底面１２に流れると、次々と保護樹脂ＲＳが第２底面１２流れ出し、ＩＣチップ４０の下面４２と第２底面１２との間隙にも流入する。保護樹脂ＲＳはＩＣチップ４０の外面全体を被覆し第２キャビティ２１内に充填される。ＩＣチップ４０は、外気と接することによってその電極などに結露が生じてショートを起こすなどの不具合を生じるおそれがあるが、第２キャビティ２１内に保護樹脂ＲＳを塗布することによって外気から遮断される。なお、第２接続端子１６とＩＣチップ４０との接合強度の補強、又は、第２接続端子１６及びバンプ４９の腐食防止の観点からは、第２底面１２とＩＣチップ４０の下面４２間に保護樹脂ＲＳが充填されれば足り、ＩＣチップ４０の上面４１まで保護樹脂ＲＳが充填される必要はない。
【００２７】
ステップＳ１１０において、保護樹脂ＲＳによりＩＣチップ４０の外面全体を被覆されたセラミックパッケージ１０は、リフロー炉等で７０°Ｃから１５０°Ｃに保持される。これにより保護樹脂ＲＳが硬化される。
なお、ステップＳ１０２の工程は、ステップＳ１０８の後工程で行われてもよい。
【００２８】
＜第２実施形態；第２水晶発振器１１０の構成＞
図３（ａ）は、本実施形態の第２水晶発振器１１０の断面図であり、図３（ｂ)は、（ａ）の保護樹脂塗装前の平面図である。第２水晶発振器１１０と第１水晶発振器１００との違いは、セラミック粒子からなる浸透部材８１に代わりセラミックファイバーロープから成る浸透部材８２が用いられている点である。
【００２９】
第２水晶発振器１１０は、浸透部材８２を除いて、図１に示される第１水晶発振器１００と同じ構成、機能には、同じ符号を付しているので、同一符号の説明は省略する．以下、第３〜第６水晶発振器についても同一符号の説明は省略する。
【００３０】
図３（ａ），（ｂ）に示されるように、複数の繊維からなるセラミックファイバーロープである浸透部材８２は、ＩＣチップ４０の上面４１から第２底面１２まで配置される。浸透部材８２の両端が第２底面１２に接するように配置されてもよいし、片方の端のみが第２底面１２に接するように配置されてもよい。セラミックファイバーロープには、アルミナ・シリカを主成分としアルミナ含有量が４０〜６０パーセント程度の原料を繊維化させたガラス質繊維と、アルミナ含有量が７０％以上の原料を高温焼成により結晶化させたアルミナファイバーが含まれる。セラミックファイバーロープは第２実施形態のように１本だけを配置したものでもよいし複数本並べてもよい。また、浸透部材８２は、長さが長いセラミックファイバーを束ねた又は編んだ布状のものでもよい。
【００３１】
ＩＣチップ４０の上面４１からニードルノズル９０によって塗布された保護樹脂ＲＳは、浸透部材８２をつたって第２底面１２に流れる。一旦保護樹脂ＲＳが第２底面１２に流れると、次々と保護樹脂ＲＳが第２底面１２流れ出し、ＩＣチップ４０の下面４２と第２底面１２との間隙にも流入する。保護樹脂ＲＳはＩＣチップ４０の外面全体を被覆し第２キャビティ２１内に充填される。
【００３２】
＜第３実施形態；第３水晶発振器１２０の構成＞
図４（ａ）は、本実施形態の第３水晶発振器１２０の断面図であり、図４（ｂ)は、（ａ）の保護樹脂塗装前の平面図である。第３水晶発振器１２０と第１水晶発振器１００との違いは、ＩＣチップ４０の厚さよりも直径が小さい複数の粒子からなる非導電性の浸透部材８１に代わりＩＣチップ４０の厚さよりも直径が大きい粒子からなる非導電性の浸透部材８３が用いられている点である。浸透部材８３は、球体ではなくラグビーボール状または砕石状の塊でよい。
【００３３】
図４（ａ），（ｂ）に示されるように、ラグビーボール状の浸透部材８３は、ＩＣチップ４０の一辺と第２キャビティ２１の第２壁面１４の一辺との間に挿入される。浸透部材８３は、１個だけでなく複数個挿入してもよい。
【００３４】
ＩＣチップ４０の上面４１からニードルノズル９０によって塗布された保護樹脂ＲＳは、浸透部材８３をつたって第２底面１２に流れる。一旦保護樹脂ＲＳが第２底面１２に流れると、次々と保護樹脂ＲＳが第２底面１２流れ出し、ＩＣチップ４０の下面４２と第２底面１２との間隙にも流入する。保護樹脂ＲＳはＩＣチップ４０の外面全体を被覆し第２キャビティ２１内に充填される。
【００３５】
＜第４実施形態；第４水晶発振器１３０の構成＞
図５（ａ）は、本実施形態の第４水晶発振器１３０の断面図であり、図５（ｂ)は、（ａ）の保護樹脂塗装前の平面図である。第４水晶発振器１３０と第１水晶発振器１００との違いは、複数の粒子からなる非導電性の浸透部材８１に代わり、板状の非導電性の浸透部材８４が用いられている点である。
【００３６】
図５（ａ），（ｂ）に示されるように、浸透部材８４は、ガラス、水晶又はセラミックなどから成り、細長い立方体の板状である。浸透部材８４の板状の１つの幅（第１辺）はＩＣチップ４０の一辺と第２壁面１４の一辺との間よりも狭い。浸透部材８４の板状の１つの幅（第２辺）はＩＣチップ４０の厚さよりも長く第２キャビティ２１の厚さよりも短い。浸透部材８４は、ＩＣチップ４０の１辺と第２壁面１４の一辺との間に配置される。浸透部材８４は、他の辺に配置されてもよい。
【００３７】
ＩＣチップ４０の上面４１からニードルノズル９０によって塗布された保護樹脂ＲＳは、浸透部材８４をつたって第２底面１２に流れる。一旦保護樹脂ＲＳが第２底面１２に流れると、次々と保護樹脂ＲＳが第２底面１２流れ出し、ＩＣチップ４０の下面４２と第２底面１２との間隙にも流入する。保護樹脂ＲＳはＩＣチップ４０の外面全体を被覆し第２キャビティ２１内に充填される。
【００３８】
＜第５実施形態；第５水晶発振器１４０の構成＞
図６（ａ）は、本実施形態の第５水晶発振器１４０の断面図であり、図６（ｂ)は、（ａ）の保護樹脂塗装前の平面図である。第５水晶発振器１４０と第１水晶発振器１００との違いは、複数の粒子からなる非導電性の浸透部材８１に代わり、一本の折れ曲がった非導電性の浸透部材８５が用いられている点である。
【００３９】
図６（ａ），（ｂ）に示されるように、浸透部材８５は、ガラス、水晶又はセラミックなどから成る。その浸透部材８５は、ＩＣチップ４０の上面４１から第２底面１２に曲がる２つの部分とその２つの部分をつなぎＩＣチップ４０の上面４１の長さとほぼ同じ長さの部分とを有する。そのため浸透部材８５の両端は第２底面１２に接触するように形成されている。浸透部材８５の形状は、ＩＣチップ４０の縦方向（Ｘ軸方向）に限定されることなく、横方向（Ｙ’軸方向）に形成されたものでもよい。浸透部材８５は、ＩＣチップ４０の上に複数個載置してもよい。
【００４０】
ＩＣチップ４０の上面４１からニードルノズル９０によって塗布された保護樹脂ＲＳは、表面張力で浸透部材８５をつたって第２底面１２に流れる。一旦保護樹脂ＲＳが第２底面１２に流れると、次々と保護樹脂ＲＳが第２底面１２流れ出し、ＩＣチップ４０の下面４２と第２底面１２との間隙にも流入する。保護樹脂ＲＳはＩＣチップ４０の外面全体を被覆し第２キャビティ２１内に充填される。
【００４１】
＜第６実施形態；第６水晶発振器１５０の構成＞
図７（ａ）は、本実施形態の第６水晶発振器１５０の断面図であり、図７（ｂ)は、カバーと圧電振動片とを装着する前の状態を示した第６水晶発振器１５０の平面図である。図７（ｃ）は、保護樹脂を塗布した状態を示した（ｂ）の断面図である。第６水晶発振器１５０と第１水晶発振器１００との違いは、第６水晶発振器１５０のＡＴカット水晶振動片３０とＩＣチップ４０とが一つのキャビティ２２に収納されている点である。
【００４２】
図７（ａ）に示されるように、第６水晶発振器１５０は表面実装用のセラミックパッケージ１０’を有している。セラミックパッケージ１０’は、複数枚のセラミックシートを積層して段差部を備えたキャビティ２２を持つ箱状に形成される。キャビティ２２は上段に第１底面１１を有し、その第１底面１１に第１接続端子１５が形成される。キャビティ２２の下段に第２底面１２を有し、その第２底面１２に第２接続端子１６が形成される。キャビティ２２はカバー２９で封止される。
【００４３】
ＡＴカット水晶振動片３０は第１底面１１の第１接続端子１５に導電性接着剤３５で接着固定される。ＩＣチップ４０は第２底面１２の第２接続端子１６に超音波フリップチップボンディングで接続される。セラミックパッケージ１０’は、実装面１７の四隅に外部電極３１が形成される。６本のうちの４本の第２接続端子１６は、４つの外部電極３１に接続されている。残り２本の第２接続端子１６は２本の第１接続端子１５を介してＡＴカット水晶振動片３０に接続されている。
【００４４】
（第６水晶発振器１５０の製造方法）
図７（ａ）に示された第６水晶発振器１５０にＩＣチップを装着する製造工程は、第１実施形態で説明された図２のフローチャートと実質的に同じである。しかし、ＡＴカット水晶振動片３０とＩＣチップ４０とが一つのキャビティ２２に配置されているため、製造工程の順番に差異がある。第６水晶発振器１５０と第１水晶発振器１００との相違点を説明する。
【００４５】
ＩＣチップ４０を保護樹脂ＲＳによって固着された後、ＡＴカット水晶振動片３０は、第１接続端子１５に導電性接着剤３５を用いて接着される。その後、キャビティ２２は、カバー２９により真空中で密封され第６水晶発振器１５０が完成する。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において上記各実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。例えば、浸透部材８１は、溶融アルミナ、焼結アルミナなどのセラミック材料を用いているが、水晶、ガラスなどの非導電性部材を用いることができる。また、セラミックファイバーロープの浸透部材８２は、非導電性部材のガラスファイバーロープに替えることができる。
【００４７】
また、本実施形態では水晶振動片が用いられたが、Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３などの圧電材料の振動片が用いられてもよく、また水晶片は、ＡＴカットの水晶材であったが同じように厚みすべりモードで振動するＢＴカットなどであっても同様に適用できる。さらに、厚みすべりモードの水晶片だけでなく、Ｚカットの水晶材から形成され矩形形状の基部とその基部の一辺から伸びる一対の振動腕とからなる音叉型水晶振動片にも適用できる。
【符号の説明】
【００４８】
１０、１０’、２１０  …  セラミックパッケージ
１１  …  第１底面、１２  …  第２底面
１３  …  第１壁面、１４  …  第２壁面
１５  …  第１接続端子、１６  …  第２接続端子
１７、１９  …  実装面
２０，２１，２２  …  キャビティ
２９  …  カバー
３０、２３０  …  圧電振動片、  ３５  …  導電性接着剤
４０、２４０  …  ＩＣチップ，４１  …  上面，４２  …  下面
８１，８２，８３，８４，８５  …  浸透部材
９０、２９０  …  ニードルノズル
ＲＳ  …  保護樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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