(57)【要約】【課題】  光デバイスを損傷することのない光デバイスユニットの加工方法を提供することである。【解決手段】  金属支持板の表面に接合された半導体層を有し、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有する光デバイスユニットを、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して分割溝を形成し個々の光デバイスに分割する光デバイスユニットの加工方法であって、光デバイスユニットの該デバイス領域に形成された分割予定ラインにのみレーザビームを照射して分割溝を形成する分割溝形成工程を具備したことを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持板の表面に接合された半導体層を有し、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有する光デバイスユニットを、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して分割溝を形成し個々の光デバイスに分割する光デバイスユニットの加工方法であって、
光デバイスユニットの該デバイス領域に形成された分割予定ラインにのみレーザビームを照射して分割溝を形成する分割溝形成工程を具備したことを特徴とする光デバイスユニットの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サファイア基板等の基板から半導体層がリフトオフにより剥離されて金属支持板に接合された光デバイスユニットを、個々の光デバイスに分割する光デバイスユニットの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
サファイア基板、ＳｉＣ基板等のエピタキシー基板の表面に窒化ガリウム（ＧａＮ）等の半導体層（エピタキシャル層）を形成し、該半導体層にＬＥＤ等の複数の光デバイスが格子状に形成されたストリート（分割予定ライン）によって区画されて形成された光デバイスウエーハは、モース硬度が比較的高く切削ブレードによる分割が困難であることから、一般的にレーザビームの照射によって個々の光デバイスに分割され、分割された光デバイスは照明器具、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される（例えば、特開平１０−３０５４２０号公報参照）。
【０００３】
また最近では、サファイア基板、ＳｉＣ基板等のエピタキシー基板上に積層された半導体層をレーザリフトオフにより基板から剥離し、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）等のヒートシンクとなる金属支持板に接合して複数の光デバイスが形成された半導体層を金属支持板に移し替え、その後、分割予定ラインにレーザビームを照射して金属支持板とともに個々の光デバイスに分割する技術が例えば特表２００５−５１６４１５号公報に開示されている。
【０００４】
このレーザリフトオフと称する技術によると、高価なサファイア基板、ＳｉＣ基板等を繰り返して使用することができ、更に光デバイスはヒートシンクとなる金属支持板に接合されているので放熱特性等に優れるという利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特表２００５−５１６４１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、金属支持板の線膨張係数は比較的大きいためレーザビームの照射による熱によって又は溝の形状に起因して内部応力が開放されることによって伸縮し、一定の間隔で設定されている分割予定ラインの間隔が変化して一定の間隔で、即ち所定ピッチで割り出し送りしてレーザビームを照射すると、分割予定ラインからレーザビームが外れて光デバイスを損傷させるという問題がある。
【０００７】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体層が基板からリフトオフされて金属支持板に接合された光デバイスユニット、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して光デバイスを損傷させることなく個々の光デバイスに分割する光デバイスユニットの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によると、金属支持板の表面に接合された半導体層を有し、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有する光デバイスユニットを、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して分割溝を形成し個々の光デバイスに分割する光デバイスユニットの加工方法であって、光デバイスユニットの該デバイス領域に形成された分割予定ラインにのみレーザビームを照射して分割溝を形成する分割溝形成工程を具備したことを特徴とする光デバイスユニットの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の光デバイスユニットの加工方法によると、デバイス領域に形成された分割予定ラインのみにレーザビームを照射して分割溝を形成するので、外周余剰領域の強度が維持されてデバイス領域の伸びを抑制することができる。
【００１０】
従って、レーザビームの照射により光デバイスユニットが加熱されても分割予定ラインの間隔が殆ど変化することがなく、分割予定ラインから外れて光デバイスにレーザビームが照射され光デバイスを損傷させてしまうという問題を解消できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】レーザビーム加工装置の外観斜視図である。
【図２】レーザビーム照射ユニットのブロック図である。
【図３】ダイシングテープを介して環状フレームに支持された光デバイスユニットの斜視図である。
【図４】分割溝形成工程を説明する斜視図である。
【図５】分割溝形成工程を説明する斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の光デバイスユニットの分割方法を実施するのに適したレーザ加工装置２の概略構成図を示している。
【００１３】
レーザ加工装置２は、静止基台４上にＸ軸方向に移動可能に搭載された第１スライドブロック６を含んでいる。第１スライドブロック６は、ボールねじ８及びパルスモータ１０から構成される加工送り手段１２により一対のガイドレール１４に沿って加工送り方向、すなわちＸ軸方向に移動される。
【００１４】
第１スライドブロック６上には第２スライドブロック１６がＹ軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第２スライドブロック１６はボールねじ１８及びパルスモータ２０から構成される割り出し送り手段２２により一対のガイドレール２４に沿って割り出し方向、すなわちＹ軸方向に移動される。
【００１５】
第２スライドブロック１６上には円筒支持部材２６を介してチャックテーブル２８が搭載されており、チャックテーブル２８は加工送り手段１２及び割り出し送り手段２２によりＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能である。チャックテーブル２８は、ダイシングテープを介してフレームに支持されたウエーハを保持する保持面を有すると共に、チャックテーブル２８にはフレームをクランプするクランパ３０が設けられている。
【００１６】
静止基台４にはコラム３２が立設されており、このコラム３２にはレーザビーム照射ユニット３４を収容するケーシング３５が取り付けられている。レーザビーム照射ユニット３４は、図２に示すように、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザを発振するレーザ発振器６２と、繰り返し周波数設定手段６４と、パルス幅調整手段６６と、パワー調整手段６８とを含んでいる。
【００１７】
レーザビーム照射ユニット３４のパワー調整手段６８により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング３５の先端に取り付けられた集光器３６のミラー７０で反射され、更に集光用対物レンズ７２によって集光されてチャックテーブル２８に保持されている光デバイスユニット１１に照射される。
【００１８】
ケーシング３５の先端部には、集光器３６とＸ軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像手段３８が配設されている。撮像手段３８は、可視光によって半導体ウエーハの加工領域を撮像する通常のＣＣＤ等の撮像素子を含んでいる。
【００１９】
撮像手段３８は更に、光デバイスユニット１１に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線ＣＣＤ等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ（制御手段）４０に送信される。
【００２０】
コントローラ４０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）４２と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）４４と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）４６と、カウンタ４８と、入力インターフェイス５０と、出力インターフェイス５２とを備えている。
【００２１】
５６は案内レール１４に沿って配設されたリニアスケール５４と、第１スライドブロック６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段５６の検出信号はコントローラ４０の入力エンターフェイス５０に入力される。
【００２２】
６０はガイドレール２４に沿って配設されたリニアスケール５８と第２スライドブロック１６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段６０の検出信号はコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。
【００２３】
撮像手段３８で撮像した画像信号もコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。一方、コントローラ４０の出力インターフェイス５２からはパルスモータ１０、パルスモータ２０、レーザビーム照射ユニット３４等に制御信号が出力される。
【００２４】
次に図３を参照して、レーザ加工装置２による加工対象であるウエーハ形状の光デバイスユニット１１の構成について説明する。光デバイスユニット１１は、光デバイスウエーハからレーザリフトオフにより窒化ガリウム（ＧａＮ）等の半導体層１５をサファイア基板から剥離し、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）等のヒートシンクとなる金属支持板１３に半田付け等により接合して構成されている。
【００２５】
このようなレーザリフトオフによる金属支持板１３に接合された半導体層１５を有する光デバイスユニット１１の製造は、高価なサファイア基板又はＳｉＣ基板等のエピタキシー基板を再利用できるという点で優れている。更に、半導体層１５は金属支持板１３に接合されているため、光デバイスユニット１１から分割された光デバイス１９は放熱特性等の点において優れている。
【００２６】
半導体層１５のレーザリフトオフには、例えばＹＡＧレーザの第３高調波である波長３５５ｎｍのレーザビームを使用する。サファイア基板はこの波長のレーザビームに対して透明である。
【００２７】
レーザビームは基板側から照射され、放射エネルギーはサファイア基板とＧａＮ半導体層との間の境界層において吸収され、この境界層が例えば８５０℃以上の高温に加熱される。ＧａＮ境界層はこの温度では窒素の発生下で分解され、半導体層と基板との結合が分離される。
【００２８】
分離された半導体層は、半田付け又は接着剤等で金属支持板１３に接合され、ウエーハ形状の光デバイスユニット１１が製造される。光デバイスユニット１１の表面においては、格子状に形成された複数の分割予定ライン（ストリート）１７によって区画された各領域にＬＥＤ（発光ダイオード）、ＬＤ（レーザダイオード）等の光デバイス１９が形成されている。
【００２９】
このように構成された光デバイスユニット１１は、複数の光デバイス１９が形成されているデバイス領域２１と、デバイス領域２１を囲繞する外周余剰領域２３をその表面に備えている。
【００３０】
光デバイスユニット１１では、サファイア基板から半導体層１５を剥離し、金属支持板１３に接合しているため、金属支持板１３上にはｐ型半導体層及びｎ型半導体層の順に積層された複数の光デバイス１９が形成されている。
【００３１】
光デバイスユニット１１の個々の光デバイス１９への分割には、光デバイスユニット１１が金属支持板１３を有しているため、切削ブレードによる切削は困難であり、レーザ加工装置を使用するのが好ましい。
【００３２】
光デバイスユニット１１の個々の光デバイス１９への分割に先立って、光デバイスユニット１１は粘着テープであるダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴの外周部は環状フレームＦに貼着される。これにより、光デバイスユニット１１はダイシングテープＴを介して環状フレームＦにより支持される。
【００３３】
次に、レーザ加工装置２を使用した本発明の光デバイスユニットの分割方法について詳細に説明する。まず、レーザ加工装置２のチャックテーブル２８で、ダイシングテープＴを介して環状フレームＦで支持された光デバイスユニット１１を吸引保持し、クランパ３０で環状フレームＦをクランプする。
【００３４】
次いで、チャックテーブル２８をＸ軸方向に移動して光デバイスユニット１１を撮像手段３８の直下に位置づける。撮像手段３８で光デバイスユニット１１の加工領域を撮像して、レーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット３４の集光器３６と分割予定ライン１７との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザビーム照射位置のアライメントが遂行される。
【００３５】
第１の方向に伸長する分割予定ライン１７のアライメントが終了したならば、チャックテーブル２８を９０度回転して、第１の方向に伸長する分割予定ライン１７に直交する第２の方向に伸長する分割予定ライン１７についても同様にアライメントを遂行する。
【００３６】
本発明の光デバイスユニットの加工方法では、デバイス領域２１の分割予定ライン１７にのみレーザビームを照射することを特徴とする。即ち、アライメント工程終了後、図４に示すように、レーザビーム照射ユニット３４の集光器３６からデバイス領域２１の分割予定ライン１７にのみレーザビームを照射して分割溝２５を形成する。外周余剰領域２３にはレーザビームを照射しないことが重要である。
【００３７】
この分割溝形成工程は、デバイス領域２１の第１の方向に伸長する全ての分割予定ライン１７に沿って実施した後、チャックテーブル２８を９０度回転し、デバイス領域２１の第２の方向に伸長する全ての分割予定ライン１７に沿って実施する。デバイス領域２１における第１及び第２の方向に伸長する全ての分割予定ライン１７に沿って分割溝２５を形成した状態の斜視図が図５に示されている。
【００３８】
この分割溝形成工程のレーザ加工条件は例えば以下のように設定されている。
【００３９】
光源                    ：ＬＤ励起Ｑスイッチ  Ｎｄ：ＹＡＧパルスレーザ
波長                    ：３５５ｎｍ（ＹＡＧレーザの第３高調波）
出力                    ：７．０Ｗ
スポット形状            ：短軸１０μｍ、長軸１０〜２００μｍの楕円
送り速度                ：１００ｍｍ／ｓ
【００４０】
分割溝形成工程を一回実施しただけでは、浅い分割溝２５が形成されるだけで、光デバイスユニット１１を個々の光デバイス１９に分割することはできない。よって、本発明の加工方法では、分割溝形成工程を複数回（本実施形態では６回）実施して光デバイスユニット１１を個々の光デバイス１９に分割する。
【００４１】
２回目以降の分割溝形成工程では、図５に示すように、集光器３６からデバイス領域２１に形成された分割溝２５に沿ってレーザビームを照射して、２回目以降の分割溝２５を形成する。
【００４２】
本実施形態では、分割溝形成工程を６回繰り返すことにより、光デバイスユニット１１を個々の光デバイス１９に分割できるとともに、外周余剰領域２３を各光デバイス１９から分離することができる。
【００４３】
本発明の光デバイスユニットの加工方法では、光デバイスユニット１１の外周余剰領域２３にはレーザビームを照射しないので、外周余剰領域２３の強度が維持されてデバイス領域２１の伸びを抑制することができる。
【００４４】
従って、レーザビームの照射によって光デバイスユニット１１のデバイス領域２１の温度が上昇されても、外周余剰領域２３によりデバイス領域２１の伸びを抑制できるため、分割予定ライン１７の間隔の変化を抑制することができ、分割予定ライン１７から外れて光デバイス１９にレーザビームが照射されて光デバイス１９を損傷させるという問題を回避することができる。
【符号の説明】
【００４５】
２    レーザ加工装置
１１    光デバイスユニット
１３    金属支持板
１５    半導体層
１７    分割予定ライン
１９    光デバイス
２１    デバイス領域
２３    外周余剰領域
２５    分割溝
２８    チャックテーブル
３４    レーザビーム照射ユニット
３６    集光器
３８    撮像手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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