(57)【要約】【課題】ディスクと磁気ヘッド間の接触検知を提供する。【解決手段】磁気ディスクと、磁気ヘッドと、当該磁気ヘッドに埋め込まれていて、当該磁気ディスクと当該磁気ヘッドの接触を検知するように構成された埋め込み接触センサと、当該磁気ヘッドに埋め込まれていて、当該磁気ディスクと前記磁気ヘッドの当該接触の検知を容易にするように構成されたＴＦＣとを含むＨＤＤ。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスクと、
磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドに埋め込まれていて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触を検知するように構成された埋め込み接触センサと、
前記磁気ヘッドに埋め込まれていて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触の検知を補助するように構成された熱式浮上量制御用の要素と、
を含むハードディスクドライブ。
【請求項２】
前記埋め込み接触センサが検知する接触と、前記熱式浮上量制御用の要素が検知する接触とは、前記磁気ヘッドのうち読み出しヘッド及び書き込みヘッドを含む部分が前記磁気ディスクに接触する真正接触を含む、
請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項３】
前記熱式浮上量制御用の要素が検知する接触は、前記磁気ヘッドのうち読み出しヘッド及び書き込みヘッドを含まない部分が前記磁気ディスクに接触する擬似接触を含む、
請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項４】
磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触検知方法であって、
前記磁気ヘッドに埋め込まれていて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触を検知するように構成された熱式浮上量制御用の要素に基づいて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触の検知を実行するステップと、
前記磁気ヘッドに埋め込まれていて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触を検知するように構成された埋め込み接触センサに基づいて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触の検知を実行するステップと、
前記熱式浮上量制御用の要素による接触の検知と、前記埋め込み接触センサによる接触の検知と、に応答して、前記磁気ヘッドのうち読み出しヘッド及び書き込みヘッドを含む部分が前記磁気ディスクに接触する真正接触を判定するステップと、
を含む接触検知方法。
【請求項５】
前記埋め込み接触センサによる接触の検知と、前記熱式浮上量制御用の要素による接触の非検知と、に応答して、前記真正接触を判定するステップを含む、
請求項４に記載の接触検知方法。
【請求項６】
前記熱式浮上量制御用の要素による接触の検知と、前記埋め込み接触センサによる接触の非検知と、に応答して、前記磁気ヘッドのうち前記読み出しヘッド及び前記書き込みヘッドを含まない部分が前記磁気ディスクに接触する疑似接触を判定するステップを含む、
請求項４に記載の接触検知方法。
【請求項７】
磁気ヘッドのうち読み出しヘッド及び書き込みヘッドを含まない部分が磁気ディスクに接触する疑似接触を、
前記磁気ヘッドに埋め込まれていて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触を検知するように構成された熱式浮上量制御用の要素による接触の検知と、
前記磁気ヘッドに埋め込まれていて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触を検知するように構成された埋め込み接触センサによる接触の非検知と、
に基づいて判定するステップに応答して、
前記磁気ヘッドをバニシングしてエアベアリング面のフェンスを除去するステップを含むバニシング方法。
【請求項８】
前記埋め込み接触センサにより接触が検知されるまで前記磁気ヘッドをバニシングする、
請求項７に記載のバニシング方法。
【請求項９】
前記磁気ディスクのバニシングゾーンで前記磁気ヘッドをバニシングする、
請求項７に記載のバニシング方法。
【請求項１０】
前記磁気ディスクの内径バニシングゾーンで前記磁気ヘッドをバニシングする、
請求項９に記載のバニシング方法。
【請求項１１】
前記磁気ディスクの外径バニシングゾーンで前記磁気ヘッドをバニシングする、
請求項９に記載のバニシング方法。
【請求項１２】
前記埋め込み接触センサにより接触が検知されるまで、前記熱式浮上量制御用の要素に供給する電力を増大させるステップを含む、
請求項７に記載のバニシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスクと磁気ヘッドとの間の接触検知に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクの記録密度が増加するにつれて、磁気ディスク上方で浮上しているヘッド要素の間の隙間を減らすことが重要である。熱式浮上量制御（ＴＦＣ）は、ヘッド要素を加熱するヒーターを用いて隙間を調整する。
【０００３】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の製造テストにおいて、ＴＦＣの供給電力が段階的に増大する。ヘッドスライダと磁気ディスクの接触が検知された場合、指定された隙間に対応する供給電力が接触検知時の供給電力から減算され、ヘッドに対する標準的な供給電力として保存される。この較正手順は、製造時接触検知と呼ばれる。しかし、ＨＤＤ内の汚染により製造時接触検知の結果を歪める恐れがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記課題を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のハードディスクドライブは、磁気ディスクと、磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドに埋め込まれていて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触を検知するように構成された埋め込み接触センサと、前記磁気ヘッドに埋め込まれていて、前記磁気ディスクと前記磁気ヘッドの接触の検知を補助するように構成された熱式浮上量制御用の要素と、を含む。
【０００６】
特に強調する場合を除き、以下の記述で参照する図面は原寸大では描かれていないことを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態によるＨＤＤの実施形態を示す図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態による磁気ヘッドを示す図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態による磁気ヘッドを示す図である。
【図３】本発明の一実施形態によるＡＢＳフェンス除去のフローの例を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態による接触の検知方法のフローの例を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態によるバニシングを実行する方法のフローの例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本件技術の実施形態を詳細に参照し、その例を添付の図面に示す。本件技術について各種の実施形態と合わせて記述しているが、本件技術がこれらの実施形態に限定されないことを理解されたい。むしろ、本件技術は代替物、変型、および等価物を本願することを意図しており、添付の請求項に記載の各種実施形態の概念および範囲に含まれる。
【０００９】
更に、実施形態の以下の記述において、本件技術を完全に理解いただけるよう多数の具体的な詳細事項を開示している。しかし、本件技術は、これらの具体的な詳細事項が無くても実施できる。他の例において、本実施形態の態様を無用に分かりにくくしないよう、公知の方法、手順、構成要素、および回路については詳述しない。
【００１０】
ここで図１を参照するに、コンピュータシステム用の磁気ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）１００を含む情報記憶システムの一実施形態の模式図を示すが、１つのヘッドと１つのディスク表面の組合せのみを示している。１つのヘッド−ディスク組合せについて本明細書で記述する内容は複数のヘッド−ディスクの組合せにも適用できる。換言すれば、本件技術はヘッド−ディスクの組合せの数から独立している。
【００１１】
一般に、ＨＤＤ１００は内部ベースプレート１１３および内部カバー（図示せず）を有する。一実施形態において、内部筐体１１３は、少なくとも１つの磁気ディスク（媒体）１３８を有するディスクパックを含んでいる。ディスク１３８で表すようにディスクパックは、ディスクパックが回転可能な回転軸および当該軸に対する半径方向を定める。
【００１２】
中心駆動ハブ１３０を有するスピンドルモーターアセンブリが軸として動作してディスクパックのディスク１３８を内部ベースプレート１１３に対して円周方向に回転させる。アクチュエータアセンブリ１１５は、１つ以上のアクチュエータアーム１１６を含んでいる。多くのアクチュエータアーム１１６が存在する場合、それらは通常、ベース／筐体１１３に可動的にまたはピボット的に搭載されたくしの形状で表される。コントローラ１５０もまた、アクチュエータアーム１１６をディスク１３８に対して選択的に移動させる内部ベースプレート１１３に搭載されている。アクチュエータアセンブリ１１５は、アーム電子機器（ＡＥ）とＨＤＤ１００が収められたコンピュータ等のホストシステムの間でデータを伝送する可撓ケーブル等のコネクタアセンブリに結合されていてもよい。
【００１３】
一実施形態において、各アクチュエータアーム１１６は、自身から延びる少なくとも１つのカンチレバーを有する一体型リードサスペンション（ＩＬＳ）１２０を有する。ＩＬＳ１２０は、データアクセス記憶装置で使用可能な任意の形状のリードサスペンションであってもよい。スライダまたは磁気ヘッド１２１、ＩＬＳ１２０、および読み出し／書き込みヘッドを含む一体型のレベルをヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）と呼ぶ。
【００１４】
ＩＬＳ１２０はバネに類した性質を有し、スライダ１２１のエアベアリング面をディスク１３８に向けて付勢または押圧して、スライダ１２１をディスク１３８から正確な距離で浮上させる。ＩＬＳ１２０は、バネに類した性質を提供するヒンジ領域、および読み出しおよび書き込みトレースやヒンジ領域を介した電気接続をサポートする可撓ケーブル式の相互接続を有する。従来のボイスコイルモーター（ＶＣＭ）磁石アセンブリ内で自由移動可能なボイスコイル１１２もまた、ヘッドジンバルアセンブリに対向してアクチュエータアーム１１６に搭載されている。コントローラ１５０によるアクチュエータアセンブリ１１５の移動により、ヘッドジンバルアセンブリがディスク１３８の表面に同心円状に設けられたトラックの円弧に沿って移動する。
【００１５】
特に、ヘッドＩＣであるＡＥは、ＨＤＤ１００に配置されたＩＣ（パッケージ化ＩＣ）を構成する。通常、ＡＥはアクチュエータアセンブリ１１６の揺動軸の近くにあって、アクチュエータアセンブリ１１６の一部に連結された可撓プリント回路（ＦＰＣ）（図示せず）に固定されている。ＡＥ回路の一部はヘッドスライダ１２１に電気的に接続されている。
【００１６】
一実施形態において、ＡＥ回路の一部は、読込み／書き込みチャネルＬＳＩに接続されている。ＡＥは、制御データに基づいて磁気ディスク１３８にアクセス（読み出しまたは書き込み）するヘッドスライダ１２１（磁気ヘッド）を選択し、読み出し／書き込み信号を増幅する。
【００１７】
また、読み出し／書き込みチャネルＬＳＩコードは、書き込みデータを変調し、ＡＥにデータを出力して、読み出された再生波形（例：ＡＥおよびコードの出力信号）からデータを検知して、データをコード復調する。
【００１８】
読み出し処理において、読み出し／書き込みチャネルが、ＡＥから供給された読み出し信号からデータを抽出してデータを復号化する。書き込み処理において、読み出し／書き込みチャネルコードが書き込みデータを変調し、コード変調されたデータを書き込み信号に変換して、信号をＡＥに供給する。
【００１９】
図２Ａに、本発明の一実施形態による磁気ヘッド２２０Ａ（ヘッドスライダ）を示す。磁気ヘッド２２０Ａは、エアベアリング面（ＡＢＳ）２２５、熱式浮上量制御用の要素（ＴＦＣ）２３０、埋め込み接触センサ（ＥＣＳ）２４０、読み出しヘッド２５０、および書き込みヘッド２６０を含んでいる。
【００２０】
ＴＦＣ２３０は、磁気ヘッド２２０Ａと磁気ディスク１３８の間の浮上高さを制御しやすくするために磁気ヘッド２２０Ａを加熱するように構成されており、例えばヒーターからなる。例えば、ＴＦＣ２３０に電力が供給された場合、磁気ヘッド２２０Ａは浮上高さが下がるようにＴＦＣ２３０の領域内で膨張する。
【００２１】
その上、ＴＦＣ２３０は更に、磁気ディスク１３８と磁気ヘッド２２０Ａの接触の検知を容易にするように構成される。上述のように、ＴＦＣ２３０に供給される電力はＨＤＤ１００の製造テスト中に段階的に増加される。磁気ヘッド２２０Ａとディスク１３８の間で接触が検知された場合、指定された隙間に対応する電力が接触検知時の電力から減算されて、ヘッドに供給する標準的な電力として保存される。この較正手順を製造時接触検知と呼ぶ。
【００２２】
従来の製造時接触検知では、熱式浮上量制御と合わせて、以下の方法を用いることができる。（１）ＶＣＭ電流の平均、（２）ＶＣＭ電流の標準偏差、（３）位置決め誤差信号（ＰＥＳ）の標準偏差、（４）サーボ可変ゲインアンプ（ＶＧＡ）の平均、または（５）サーボＶＧＡの標準偏差。上述の方法により、現在の隙間は数ナノメートル（ｎｍ）に過ぎない。製造テスト中と使用中における条件の違いを考慮すれば、現在の隙間は限界に近い。従って、使用中の意図しない接触の危険性が増大する。
【００２３】
読み出しヘッド２５０および書き込みヘッド２６０の近傍にＥＣＳ２４０が配置されている。ＥＣＳ２４０は、磁気ディスク１３８と磁気ヘッド２２０Ａの接触の使用時接触検知および高精度の製造時接触検知を容易にするように構成されている。概念的に、ＥＣＳ２４０は磁気ヘッド２２０Ａに埋め込まれた抵抗素子である。ＥＣＳ２４０は、ＥＣＳ２４０の抵抗が摩擦に起因する熱により変化するサーマルアスペリティ（ＴＡ）現象を通じて、磁気ヘッド２２０Ａと磁気ディスク１３８の接触を確認できる。
【００２４】
特に、固定電流または固定電圧がＥＣＳ２４０に加えられた場合に、抵抗値の変化が電圧または電流から測定される。一実施形態において、ＥＣＳ２４０は抵抗素子である。ＥＣＳ２４０の抵抗は、ヘッド−ディスク接触により変化する。一般に、ＥＣＳ２４０の抵抗値は、接触により生じる温度上昇により増大する。従って、ＥＣＳ２４０に関連付けられた回路は、ＥＣＳ２４０の抵抗を監視して、ヘッド−ディスク接触により生じたＥＣＳ２４０の抵抗の変化を検知する。例えば、図２Ａに示すように、ＥＣＳ２４０の抵抗の変化は、磁気ディスク１３８に磁気ヘッド２２０Ａが接触することにより生じる。
【００２５】
ＥＣＳ２４０は、自身の抵抗性により、上述の従来方法より高い接触感度を与える。しかし、ＥＣＳ２４０は、従来の方法と組み合わせて、且つ同時に用いて製造時接触検知能力を向上させることができる。
【００２６】
一実施形態において、（１）ＥＣＳ２４０および（２）従来の接触方法（例：ＶＣＭ電流平均）の両方が磁気ヘッド２２０Ａと磁気ディスク１３８の接触を検知または報告した場合、真正（現実）の接触力が生起したものとみなされる。
【００２７】
別の実施形態において、磁気ヘッド２２０Ａと磁気ディスク１３８の接触の検知または報告を（１）ＥＣＳ２４０は行なうが、（２）従来の接触の検知方法は行なわない場合、真正（現実）の接触力が生起したものとみなされる。
【００２８】
真正（現実）の接触とは、（１）読み出しヘッド２５０または書き込みヘッド２６０と磁気ディスク１３８との物理的接触、または（２）読み出しヘッド２５０または書き込みヘッド２６０の近傍とディスク１３８との物理的接触である。例えば、真正の接触と考えられるのはＥＣＳ２４０が磁気ディスク１３８と接触している場合であり、その理由はＥＣＳ２４０が読み出しヘッド２５０および書き込みヘッド２６０と同等な位置関係にあるためである。別の例では、真正の接触が生じるのは、ＴＦＣ２３０により生じた突出部の頂点が磁気ディスク１３８に接触した場合である。
【００２９】
図２Ｂに、本発明の一実施形態による磁気ヘッド２２０Ｂを示す。磁気ヘッド２２０Ｂは、磁気ヘッド２２０Ａに類似しているが、磁気ヘッド２２０ＢはＡＢＳフェンス２８０（または汚染）を含んでいる。ＡＢＳフェンス２８０は多くの場合、ＡＢＳ溝またはポケット（図示せず）の近くに存在する。
【００３０】
一実施形態において、磁気ヘッド２２０Ｂと磁気ディスク１３８の接触の検知または報告を（１）ＥＣＳ２４０が行なわず、（２）従来の接触方法が行なう場合、疑似接触力が生じたとみなされる。例えば、図２Ｂに示すように、磁気ディスク１３８にＡＢＳフェンスが接触することにより、ＥＣＳ２４０に近接する領域は磁気ディスク１３８に接触できないため、ＥＣＳ２４０は接触を検知しない。
【００３１】
疑似接触とは、ＡＢＳフェンス２８０またはＡＢＳ上（多くの場合ＡＢＳ溝またはポケットの近傍）にある異物（汚染）により生じる接触である。疑似接触では、読み出しヘッド２５０および書き込みヘッド２６０が磁気ディスク１３８の充分近くに存在しないため、所望の記録および再生性能が得られない確率が高い。
【００３２】
従来の製造時接触検知では、真正接触に似た摩擦力および摩擦振動は疑似接触中にも作用するため、真正接触と疑似接触の区別は困難である。
【００３３】
疑似接触が生じたならば、ＡＢＳフェンス２８０はヘッドのバニシングにより除去されなければならない。バニシングの結果、ＡＢＳフェンス２８０と磁気ディスク１３８の隙間は、ＥＣＳ２４０と磁気ディスク１３８の隙間より大きくなる。従って、真正接触が生じ得る。
【００３４】
ここで図１、図２Ｂを参照するに、ＡＢＳフェンス２８０を有する磁気ヘッド２２０Ｂが磁気ディスク１３８の内径（ＩＤ）と外径（ＯＤ）の間を移動する。通常、磁気ヘッド２２０Ｂは、スキューの為、ＩＤおよびＯＤで反対方向に傾く。このため、ＡＢＳフェンス２８０のバニシングは、ＥＣＳ２４０に対するＡＢＳフェンス２８０の向きに応じてＩＤバニシングゾーン１４５またはＯＤバニシングゾーン１４０のいずれかで行なうことがより適している。一実施形態において、ＯＤバニシングゾーン１４０は、ＩＤバニシングゾーン１４５より広い領域を有している。
【００３５】
ＩＤバニシングゾーン１４５およびＯＤバニシングゾーン１４０がデータゾーンではないことを理解されたい。従って、データが失われる恐れがない。更に、ＩＤと比較して、ＯＤの方が周速が速いため、ＯＤバニシングゾーン１４０でバニシングを行なう方がより適している場合がある。
【００３６】
一実施形態において、ＡＢＳフェンス２８０のバニシングはＩＤバニシングゾーン１４５で生じる。例えば、磁気ディスク１３８のＩＤに近接して疑似接触が生じた場合、ＡＢＳフェンス２８０のバニシングはＩＤバニシングゾーン１４５で実行される。
【００３７】
別の実施形態において、ＡＢＳフェンス２８０のバニシングはＯＤバニシングゾーン１４０で生じる。例えば、磁気ディスク１３８のＯＤに近接して疑似接触が生じた場合、ＡＢＳフェンス２８０のバニシングはＯＤバニシングゾーン１４０で実行される。
【００３８】
更に別の実施形態において、ＡＢＳフェンス２８０のバニシングはＯＤバニシングゾーン１４０および／またはＩＤバニシングゾーン１４５で生じる。例えば、磁気ディスク１３８のＩＤおよびＯＤに近接して疑似接触が生じた場合、ＡＢＳフェンス２８０のバニシングはＯＤバニシングゾーン１４０および／またはＩＤバニシングゾーン１４５で実行される。
【００３９】
図３に、本発明の一実施形態によるＡＢＳフェンス２８０を除去するフロー図を示す。３１０において、ＴＦＣ２３０のヒーター出力が初期値で適用される。３２０においてＥＣＳ２４０が接触を報告したならば、３６０において、適用されたヒーター出力の数値が接触電力として保存される。
【００４０】
３２０においてＥＣＳ２４０が接触を報告せず、３３０において従来方法により接触が報告されなかった場合、３１５においてヒーター出力を増大させる。これは接触が報告されるまで繰り返される。
【００４１】
３２０においてＥＣＳ２４０が接触を報告せず、しかし、３３０において従来方法により接触が報告された場合、疑似接触と判断される。この場合、３４０においてヒーター出力を増大させる。加熱により生じた膨張は通常より極めて大きく、３５０においてバニシング効果が得られる。バニシング処理が終了した時点で、疑似接触の前の真正接触の報告を確認するために初期接触確認のフローが復元される。
【００４２】
図４に、本発明の一実施形態による接触の検知方法４００を示す。各種の実施形態において、方法４００は、コンピュータ可読且つコンピュータ実行可能な命令の制御下でプロセッサおよび電気的要素により実行される。コンピュータ可読且つコンピュータ実行可能な命令は、例えばコンピュータ使用可能な揮発性および不揮発性メモリ等のデータ記憶媒体に常駐している。しかし、コンピュータ可読且つコンピュータ実行可能な命令は、任意の種類のコンピュータ可読記憶媒体に常駐していてもよい。いくつかの実施形態において、方法４００は少なくともＨＤＤ１００により実行される。
【００４３】
方法４００の４１０において、磁気ディスクと磁気ヘッドの接触の検知が部分的にＴＦＣに基づいて実行される。なお、４１０における接触検知では、位置決め誤差信号、あるいはボイスコイルモーター電流値、あるいはサーボ可変ゲインアンプによる接触検知を、ＴＦＣによる接触検知と組み合わせてもよい。方法４００の４２０において、磁気ディスクと磁気ヘッドの接触の検知がＥＣＳに基づいて実行される。方法４００の４３０において、ＴＦＣおよびＥＣＳに基づく接触の検知に応答して、接触は磁気ディスクと磁気ヘッドの真正接触であるとみなされる。
【００４４】
一実施形態において、方法４００の４４０において、ＥＣＳに基づくがＴＦＣには基づかない接触の検知に応答して、接触は磁気ディスクと磁気ヘッドの真正接触であるとみなされる。
【００４５】
別の実施形態において、方法４００の４５０において、ＴＦＣに基づくがＥＣＳには基づかない接触の検知に応答して、接触は磁気ディスクと磁気ヘッドの疑似接触であるとみなされる。
【００４６】
図５に、本発明の一実施形態によるバニシングの方法５００を示す。各種の実施形態において、方法５００はコンピュータ可読且つコンピュータ実行可能な命令の制御下でプロセッサおよび電気的要素により実施される。コンピュータ可読且つコンピュータ実行可能な命令は例えばコンピュータが使用可能な揮発性および不揮発性メモリ等のデータ記憶媒体に常駐している。しかし、コンピュータ可読且つコンピュータ実行可能な命令は、任意の種類のコンピュータ可読な記憶媒体に常駐していてもよい。いくつかの実施形態において、方法５００は少なくともＨＤＤ１００により実行される。
【００４７】
方法５００の５１０において、磁気ヘッドに配置されたＴＦＣに基づくがＥＣＳには基づかない磁気ディスクと磁気ヘッドの接触の検知に応答して、磁気ヘッドがバニシングされてＡＢＳフェンスを除去する。一実施形態では、５１２において、ＥＣＳが接触を検知するまで磁気ヘッドをバニシングする。別の実施形態では、５１４において、磁気ディスクのバニシングゾーンで磁気ヘッドをバニシングする。例えば、５１６において、磁気ディスクの内径バニシングゾーンで磁気ヘッドをバニシングする。別の例では、５１８において、磁気ディスクの外径バニシングゾーンで磁気ヘッドをバニシングする。
【００４８】
方法５００の５２０において、ＥＣＳが接触を検知するまでＴＦＣに対する電力を増大させる。
【００４９】
本発明の各種の実施形態について上の通り記述してきた。本発明を具体例について記述しているが、本発明がそのような実施形態に限定されるものと解釈すべきではなく、以下の請求項に従い解釈すべきである。
【符号の説明】
【００５０】
１００  ＨＤＤ、１１２  ボイスコイル、１１３  内部ベースプレート、１１５  アクチュエータアセンブリ、１１６  アクチュエータアーム、１２０  ＩＬＳ、１２１  磁気ヘッド、１３０  中心駆動ハブ、１３８  磁気ディスク、１４０  ＯＤバニシングゾーン、１４５  ＩＤゾーンバニシングゾーン、２２０Ａ，２２０Ｂ  磁気ヘッド、２２５  ＡＢＳ、２３０  ＴＦＣ、２４０  ＥＣＳ、２５０  読み出しヘッド、２６０  書き込みヘッド、２８０  ＡＢＳフェンス。
【図１】
2012109007.tif 000003
【図２Ａ】
2012109007.tif 000004
【図２Ｂ】
2012109007.tif 000005
【図３】
2012109007.tif 000006
【図４】
2012109007.tif 000007
【図５】
2012109007.tif 000008