(57)【要約】【課題】インクジェット方式を用いた微細配線の形成において、複数の材料にまたがるよう形成された微細配線の断線が防止され、好ましい微細配線形成が実現される配線構造体製造方法及び配線構造体製造装置並びに配線構造体を提供する。【解決手段】シリコンデバイス(12)を含む基板(10)の表面に、基板とシリコンデバイスをまたがって形成される電気配線(20)のパターンに対応して、基板の基材に対応する第１の密着補助層(14)をインクジェット方式によりパターンニングして形成するとともに、シリコンデバイスに対応する第２の密着補助層(16)をインクジェット方式によりパターンニングして形成し、第１の密着補助層及び第２の密着補助層の上に、めっき受容性層(18)をインクジェット方式によりパターンニングして形成し、めっき受容性層に対してめっき処理を行い電気配線が形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
材質が異なる第１の基材及び第２の基材を含む基板の表面に、前記第１の基材及び第２の基材をまたがって形成される電気配線のパターンに対応して、前記第１の基材に対応する第１の密着補助層をインクジェット方式によりパターンニングして形成するとともに、前記第２の基材に対応する第２の密着補助層をインクジェット方式によりパターンニングして形成する密着補助層形成工程と、
前記第１の密着補助層及び前記第２の密着補助層の上に、めっき触媒又はめっき触媒の前駆体と相互作用する官能基と重合性基とを有するポリマー、もしくは、前記ポリマーを形成しうるポリマー前駆体を含有するめっき受容性層をインクジェット方式によりパターンニングして形成するめっき受容性層形成工程と、
前記形成されためっき受容性層に対してめっき処理を行うめっき処理工程と、
を含むことを特徴とする配線構造体製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線構造体製造方法において、
前記基板の表面における、前記第１の基材と前記第２の基材との境界を検出する検出工程と、
前記検出工程により得られた情報に基づいて、前記第１の密着補助層及び前記第２の密着補助層が形成される位置を調整する調整工程と、
を含むことを特徴とする配線構造体製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の配線構造体製造方法において、
前記密着補助層形成工程は、前記境界を含む前記境界の近傍領域に対して、前記第１の密着補助層を形成する第１の密着補助層液及び前記第２の密着補助層を形成する第２の密着補助層液を所定の比率で打滴して第３の密着補助層を形成することを特徴とする配線構造体製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の配線構造体製造方法において、
前記密着補助層形成工程は、前記第１の密着補助層を形成する第１の密着補助層液と前記第２の密着補助層を形成する第２の密着補助層液が所定の比率で混合された第３の密着補助層液を用いて、前記境界を含む前記境界の近傍領域に対して第３の密着補助層を形成することを特徴とする配線構造体製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の配線構造体製造方法において、
前記第１の基材と前記第２の基材との境界における隙間に対して、前記第１の密着補助層液を打滴する充填工程を含むことを特徴とする配線構造体製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の配線構造体製造方法において、
前記第１の基材と前記第２の基材との段差に傾斜部を形成する傾斜部形成工程を含むことを特徴とする配線構造体製造方法。
【請求項７】
材質が異なる第１の基材及び第２の基材を含む基板の表面に、前記第１の基材及び第２の基材をまたがって形成される電気配線のパターンに対応して、前記第１の基材に対応する第１の密着補助層をインクジェット方式によりパターンニングして形成するとともに、前記第２の基材に対応する第２の密着補助層をインクジェット方式によりパターンニングして形成する密着補助層形成手段と、
前記第１の密着補助層及び前記第２の密着補助層の上に、めっき触媒又はめっき触媒の前駆体と相互作用する官能基と重合性基とを有するポリマー、もしくは、前記ポリマーを形成しうるポリマー前駆体を含有するめっき受容性層をインクジェット方式によりパターンニングして形成するめっき受容性層形成手段と、
前記めっき受容性層に対してめっき処理を行うめっき処理手段と、
を含むことを特徴とする配線構造体製造装置。
【請求項８】
材質が異なる第１の基材及び第２の基材を含む基板の表面に、前記第１の基材及び第２の基材をまたがって形成される電気配線のパターンに対応して、前記第１の基材に対応して形成される第１の密着補助層と、
材質が異なる第１の基材及び第２の基材を含む基板の表面に、前記第１の基材及び第２の基材をまたがって形成される電気配線のパターンに対応して、前記第２の基材に対応して形成される第２の密着補助層と、
前記第１の密着補助層及び前記第２の密着補助層の上に形成され、めっき触媒又はめっき触媒の前駆体と相互作用する官能基と重合性基とを有するポリマー、もしくは、前記ポリマーを形成しうるポリマー前駆体を含有するめっき受容性層と、
前記めっき受容性層に対するめっき処理により析出させた金属導体による電気配線と、
を備えたことを特徴とする配線構造体。
【請求項９】
請求項８に記載の配線構造体において、
前記電気配線は、前記基板上に搭載された素子間、又は前記素子と前記基板に搭載された構成要素とを電気的に接続する構造を有することを特徴とする配線構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線構造体製造方法及び配線構造体製造装置並びに配線構造体に係り、特に、インクジェット方式を用いた微細パターンの形成技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、薄型化に伴い、実装される各種電子デバイス（ＩＣチップなどの能動素子や、キャパシタ、レジスタなどの受動素子）もますます小型化しており、多種多様な実装基板の小型化、薄型化の手法が提案されている。大きな配線スペースを必要とするワイヤボンディングなどに代わるフリップチップ法、複数の半導体素子をパッケージ内で集積するＳｉＰ、素子を基板内に内蔵する内蔵基板、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）などが提案実用化されている。
【０００３】
現在の液晶ディスプレイは、画面大型化や生産効率向上のためにマザーガラス基板が大型化しており、必然的に製造装置も巨大化する結果、設備投資額がはねあがり製造コスト低減が困難になっている。また、画面大型化に伴うガラス基板の重量増加によりディスプレイ筐体のコストダウンも限界にきている。これらの課題を解決する方法として、ガラス基板上に薄膜トランジスタ（TFT,Thin Film Transistor）を直接形成する手法に代わり、ＴＦＴを予めシリコン基板を使って大量に作製しておき、それをガラス基板上に実装する手法が提案されている。また、かかる技術を適用して、予め作製されたＴＦＴを樹脂フィルムに埋め込むことでフレキシブルディスプレイや電子ペーパーを実現しようという提案もなされている。
【０００４】
一般に、配線基板の製造方法としてフォトリソ法が知られている。フォトリソ法は、絶縁層と銅箔からなる銅張積層板の上にドライフィルムレジスト又は液レジストによるレジスト層を形成し、フォトマスクを介してレジスト層に紫外線を照射してパターン露光（現像）することによりレジスト層のパターニングを行い、レジストパターンにより被覆されていない銅箔部分をエッチングにより除去して導体パターンが得られる。上記したサブトラクティブ法以外にも、セミアディティブ法、アディティブ法がフォトリソ法として知られている。
【０００５】
一方、フォトリソ法は、レジスト層の露光に用いるフォトマスクを作製する必要がある。また、エッチング工程やめっき工程とは別に中間材料としてのレジストの現像工程が必要となる。これに対して、印刷技術を用いたプリンタブルエレクトロニクスによる配線描画が提案されている。特に、インクジェット方式を用いて導電性微粒子材料を直接パターニングする方法は、マスクレス、かつ、オンデマンドで配線基板の製造が可能であり、レジスト現像や配線エッチング工程も削減できるなどフォトリソ法に代わる技術として期待されている。
【０００６】
他方、インクジェット方式による配線基板（配線パターン）の形成では、以下の課題が存在している。まず、配線基板の導体（配線）として一般に用いられる銅に対して、現在実用化されている金や銀などの導電インクは材料の原価が銅インクと比較して１０倍以上と高価である。一方、銅インクは金や銀などの導電インクと比較して材料の原価が安価であるものの、酸化されやすい性質を有するためにパターニング後の還元工程が必須である。すなわち、金インク又は銀インクであるにせよ銅インクであるにせよ、いずれにしてもコストメリットを出すことが課題となっている。
【０００７】
また、インクジェット方式で描画された配線パターンに導電性を発現させるには、高温で長時間にわたる焼成処理（例えば、２００℃で一時間）が必要である。そうすると、耐熱性の低い汎用の樹脂基板を用いることが困難である。他方で、焼成処理のための設備が必要となり、製造装置全体としての小型化が困難である。また、ランニングコストの低減化も課題として挙げられる。
【０００８】
さらに、良好な吐出特性を確保する観点から、インクジェット方式に適用される導電インクの粘度はおおよそ２０ｍＰａ・ｓ以下となっているので、１回の描画によって得られる塗布厚は１μｍ程度が限界である。好ましい電気的特性を確保する観点から、配線の厚みは１０μｍ以上としたいところ、１０μｍ以上の塗布厚を得るためには、描画工程及び硬化工程を複数回にわたって繰り返さなければならない。さらにまた、インクジェット方式により得られた配線は、基板との密着性（基板との間の接合力）が低いといった課題も存在している。
【０００９】
特許文献１は、インクジェットヘッド方式を用いて、導電性微粒子を含有する液体材料によってチップ部品と回路基板とを導電接続する接続配線を形成する技術を開示している。また、特許文献２は、いわゆる「ＭＡＴ技術（micro assembling technology）」を用いてドライバーＩＣ（平板状素子）を作製し、樹脂基板にドライバーＩＣが埋め込まれた平板状素子付き基板の製造方法を開示している。かかる平板状素子付き基板に形成される金属配線の形成方法として、インクジェット方式が例示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００６−１４０２７０号公報
【特許文献２】特開２０１０−２７３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、インクジェット方式により描画された配線は、異なる材料にまたがって形成される場合に、使用される導電インクとの親和性が高い方の材料側に導電インクが引き寄せられ、一方、導電インクとの親和性が低い材料によって導電インクがはじかれる、いわゆる、液食われが発生する。結果として、異なる材料の境界において導電インクが分断され、配線切れが生じてしまう。
【００１２】
特許文献１及び特許文献２に係る発明は、異なる材料にまたがって配線が形成されるので、上記のように液食われによる断線が発生しうるものの、かかる課題について記載又は示唆をしていない。
【００１３】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、インクジェット方式を用いた微細配線の形成において、複数の材料にまたがるよう形成された微細配線の断線が防止され、好ましい微細配線形成が実現される配線構造体製造方法及び配線構造体製造装置並びに配線構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明に係る配線構造体製造方法は、材質が異なる第１の基材及び第２の基材を含む基板の表面に、前記第１の基材及び第２の基材をまたがって形成される電気配線のパターンに対応して、前記第１の基材に対応する第１の密着補助層をインクジェット方式によりパターンニングして形成するとともに、前記第２の基材に対応する第２の密着補助層をインクジェット方式によりパターンニングして形成する密着補助層形成工程と、前記第１の密着補助層及び前記第２の密着補助層の上に、めっき触媒又はめっき触媒の前駆体と相互作用する官能基と重合性基とを有するポリマー、若しくは、前記ポリマーを形成しうるポリマー前駆体を含有するめっき受容性層をインクジェット方式によりパターンニングして形成するめっき受容性層形成工程と、前記形成されためっき受容性層に対してめっき処理を行うめっき処理工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、材質が異なる複数の基材を含む基板の表面に、該複数の基材をまたがるように電気配線を形成する際に、インクジェット方式によりパターンニングされる密着補助層が基材の材質に対応して基材ごとに形成されるので、基材の材質の違いによりドットが不均一に形成される液食われが防止され、異なる基材の境界においても連続した好ましい密着補助層のパターンが形成される。当該密着補助層上にめっき受容性層が形成され、さらに、めっき受容性層に対して施されためっき処理により析出させた金属導体によって好ましい電気配線パターンが形成された配線構造体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る配線構造体製造方法の概略構成を示す説明図
【図２】図１に示す配線構造体製造方法により製造された配線構造体の概略構造を示す平面図
【図３】本発明の第２実施形態に係る配線構造体製造方法により作製された配線構造体の概略構造を示す断面図
【図４】図３に示す中間密着補助層の他の態様を示す説明図
【図５】本発明の第３実施形態に係る配線構造体製造方法の概略構成を示す説明図
【図６】本発明の実施形態に係る配線構造体製造装置の概略構成図
【図７】図６に示す密着補助層形成部の概略構成図
【図８】図７に示す密着補助層形成部に具備されるインクジェットヘッドの立体構造を示す断面図
【図９】図７に示す密着補助層形成部に具備されるインクジェットヘッドのノズル配置を示す平面図
【図１０】図７に示す密着補助層形成部の液体供給系の概略構成を示すブロック図
【図１１】図６に示す配線構造体製造装置の制御系の構成を示すブロック図
【図１２】本発明の第１応用例に係る配線構造体の立体構造を示す断面図
【図１３】本発明の第２応用例に係る配線構造体の立体構造を示す断面図
【図１４】図１３に示す配線構造体の他の態様を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について詳説する。
【００１８】
〔配線構造体製造方法の説明〕
（第１実施形態）
図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る配線構造体製造方法の概略構成を示す説明図である。図１（ａ）は、ポリカーボネートを基材とする基板１０に電子デバイス（シリコンチップ）１２が埋め込まれた構造体が図示されている。シリコンチップ１２の上面（パッド形成面）には、電気配線（図１（ｄ）に符号２０を付して図示）が接合されるパッド（電極）１３が形成されている。以下に説明する各工程を経て、図１（ａ）に図示の構造を有する構造体に電気配線が形成されて配線構造体１が作製される。なお、以下の説明において、図１（ａ）に図示した構造体を「基板１０」と記載することがある。
【００１９】
図１（ｂ）は、図１（ａ）に図示された基板１０の基材部分に第１の密着補助層１４が形成され、シリコンチップ１２に第２の密着補助層１６が形成された状態が図示されている（密着補助層形成工程）。第１の密着補助層１４及び第２の密着補助層１６は、インクジェット方式により形成され、基板１０に形成される電気配線に対応してパターンニングされる。第２の密着補助層１６は、パッド１３及び第１の密着補助層１４との間を埋め、かつ、パッド１３及び第１の密着補助層１４と接触するよう形成される。
【００２０】
例えば、第１の密着補助層１４を形成する第１の密着補助層液は、少なくともアニオン系分散剤及びノニオン系分散剤から選択された１種類以上の分散剤と、樹脂粒子と、水系分散剤と、を含有するＮＢＲ（ニトリルゴム）ラテックス系の材料が適用され、インクジェット方式による打滴が可能な粘度（１０ｃＰ程度）に、所定の溶媒を用いて希釈されている。また、第２の密着補助層１６を形成する第２の密着補助層液は、シランカップリング系の材料が適用され、第１の密着補助層液と同様に、１０ｃＰ程度の粘度に希釈されている。
【００２１】
電気配線２０のパターンに対応して、インクジェット方式により第１の密着補助層液及び第２の密着補助層液が打滴されると、加熱（例えば、１００℃以上の温度で２時間以下、好ましくは１時間以下）による硬化処理、酸性化合物又は多価金属塩を溶解した処理液を付与する疎水化処理、及び所定の洗浄液を用いた洗浄工程が施され、第１の密着補助層１４と第２の密着補助層１６が連続した構造を有する密着補助層が形成される。
【００２２】
第１の密着補助層１４及び第２の密着補助層１６は、後述するめっき受容性層（図１（ｃ）に符号１８を付して図示）及び電気配線と、基板１０との密着性を高めるための接着層として設けられる。また、第１の密着補助層１４は基板１０の基材（ポリカーボネート）との親和性が高いので、基板１０の表面に留まろうとし、第２の密着補助層１６はシリコンチップ１２の基材であるシリコンとの親和性が高いので、シリコンチップ１２の表面に留まろうとする。そうすると、基板１０とシリコンチップ１２との境界における第１の密着補助層１４及び第２の密着補助層１６の移動が抑制され、該境界における液食われの発生が抑制され、第１の密着補助層１４と第２の密着補助層１６の連続性が保たれる。
【００２３】
図１（ｂ）に示すように、基板１０及びシリコンチップ１２上に、第１の密着補助層１４及び第２の密着補助層１６を含む密着補助層が形成されると、図１（ｃ）に示すように、第１の密着補助層１４及び第２の密着補助層１６の上に、インクジェット方式により電気配線のパターンに対応してパターンニングされためっき受容性層１８が形成される。めっき受容性層１８を形成するめっき受容性層液は、所定の官能基を有するポリマーと、所定の沸点を示す溶媒が含有される。
【００２４】
めっき受容性層１８を形成するめっき受容性層液は、特に、該溶媒が１８０℃未満の沸点を有する溶媒と１８０℃以上の沸点を有する溶媒とを含む混合溶媒である場合に、優れた連続吐出安定性やパターン形成性が得られるという効果が顕著となる。その理由としては、まず、沸点の高い溶媒を含有することによって、溶媒成分の揮発に起因するノズルの目詰まりが抑制される。さらに、沸点の低い溶媒を含有することによって、液が基板上に着弾する際に、該溶媒の大部分が揮発して粘度が上昇するため、結果として液の広がりなどが抑制され、優れたパターン性能が得られる。なお、第１の密着補助層１４を形成する第１の密着補助層液、及び第２の密着補助層１６を形成する第２の密着補助層液についても同様である。
【００２５】
めっき受容性層液１８Ａに適用されるポリマーは、無電解めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基（相互作用性基）と重合性官能基とを含有するポリマーである。ポリマー中に相互作用性基が含まれることによって、後述するめっき触媒に対する優れた吸着性が達成され、結果としてめっき処理の際に十分な厚さのめっき膜（金属膜）を得ることができる。また、ポリマー中に重合性官能基が含まれることにより、膜中で架橋反応が進行し強度に優れたポリマー層を得ることができる。
【００２６】
電気配線２０のパターンに対応して打滴されためっき受容性層液に対して、加熱処理（乾燥処理）又は露光等のエネルギー付与処理を施して硬化させ、第１の密着補助層１４と第２の密着補助層１６の境界においても連続する構造のめっき受容性層１８が形成される。加熱処理（乾燥処理）の一例として、ヒータによる加熱、乾燥風の噴射が挙げられる。また処理条件の一例として、１００℃〜３００℃の温度で、５分から１２０分といった条件が挙げられる。
【００２７】
露光には、ＵＶランプ、可視光線などによる光照射等を適用することができる。光源の例として、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯等が挙げられる。放射線としては、電子線、Ｘ線、イオンビーム、遠赤外線などがある。また、ｇ線、ｉ線、Ｄｅｅｐ−ＵＶ光、高密度エネルギービーム（レーザービーム）も使用される。
【００２８】
例えば、赤外線レーザーによる走査露光、キセノン放電灯などの高照度フラッシュ露光や、赤外線ランプ露光を適用した場合、露光時間は、ポリマーの反応性及び光源により異なるが、通常、１０秒〜５時間の間である。露光エネルギーは、使用される材料によって適宜選択されるが、３０〜１５００ｍＷ／ｃｍ２が好ましい。
【００２９】
図１（ｃ）に示すように、めっき受容性層１８が形成されると、図１（ｄ）に示すように、めっき膜（電気配線）２０が形成される。なお、第１の密着補助層１４を形成する第１の密着補助層液、第２の密着補助層１６を形成する第２の密着補助層液、及びめっき受容性層液の詳細は後述する。
【００３０】
図１（ｄ）に示すめっき処理工程は、無電解めっき触媒又はその前駆体が付与されたポリマー層（めっき受容性層１８）に対し、めっき処理を施すことで、めっき膜を形成する工程である。形成されためっき膜は、１０×１０６（ジーメンス／ｍ）〜１００×１０６（ジーメンス／ｍ）程度の高い電気伝導率を有する優れた導電性を有するとともに、めっき受容性層１８との間で優れた密着性を有する。
【００３１】
本工程において行われるめっきの種類は、めっき受容性層１８中に発現するハイブリッド構造の形成性及び密着性向上の点から、無電解めっきを行うことが好ましい。また、所望の膜厚のめっき層を得るために、無電解めっきの後に、さらに、電気めっきを行うことがより好ましい態様である。
【００３２】
なお、めっき触媒又はその前駆体が付与されためっき受容性層１８がシード層として機能する場合は、めっき受容性層１８に対して電気めっきを行うことも可能である。めっき受容性層１８との間に相互作用を形成しためっき触媒又はその前駆体の機能によって、めっきの種類を適宜選択することができる。
【００３３】
図１（ｄ）に示すように、基板１０とシリコンチップ１２との境界２２の基板１０側に第１の密着補助層１４が形成され、シリコンチップ１２側に第２の密着補助層１６が形成される。かかる構造を有する配線構造体１は、基板１０の表面及びシリコンチップ１２表面のいずれにおいても好ましい密着性を有する電気配線（めっき膜）２０を得ることができる。また、めっき膜を用いた電気配線は、数十ミクロンから１００μｍ程度の厚みを得ることができるので、上述した電気伝導率を有する好ましい電気的特性を確保しうる。
【００３４】
基板１０の材質がポリイミドの場合の第１の密着補助層液は、エポキシ系材料又はポリイミド系の材料が適用される。また、基板１０の材質がシクロオレフィンポリマー（ＣＰＯ）の場合にも、密着性を補助し得る材料が適宜選択される。
【００３５】
図２は、図１（ａ）〜（ｄ）を用いて説明した配線構造体製造方法により製造された配線構造体の概略構造を示す平面図である。同図に示すシリコンチップ１２は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やダイオードなどの能動素子及び抵抗器などの受動素子から構成される集積回路２４が形成されている。集積回路２４は入出力端子としてパッド１３が形成され、電気配線２０はパッド１３と電気的に接続される。
【００３６】
すなわち、本例に示す製造方法により作製される配線構造体は、基板１０に搭載される集積回路などを含む電子デバイス間を電気的に接続する電気配線や、電子デバイスと他の構成要素（不図示）とを電気的に接続する電気配線が形成される。例えば、本例に示す配線構造体を液晶ディスプレイに適用すると、シリコンチップ１２はドライバーＩＣであり、他の構成要素はカラーフィルタの電極となる。他にも、フレキシブルディスプレイや電子ペーパーにも適用可能である。
【００３７】
本例に示す配線構造体製造方法では、基板１０とシリコンチップ１２との境界２２を検出し、検出結果に基づいて第１の密着補助層１４と第２の密着補助層１６との形成位置（第１の密着補助層液と第２の密着補助層液との打滴位置の境界）が調整される。検出工程に適用されるセンサの構成例として、光源とＣＣＤなどの撮像装置を具備した光学式センサが挙げられる。このように、基板１０とシリコンチップ１２との境界２２と、第１の密着補助層１４と第２の密着補助層１６と境界が一致するように、第１の密着補助層１４及び第２の密着補助層１６の形成位置の調整をすることで、基板１０とシリコンチップ１２との境界２２において断線が発生することなく、かつ、良好な基板１０及びシリコンチップ１２との密着性を有する電気配線が形成される。
【００３８】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る配線構造体の製造方法について説明する。図３（ａ）は、本例に示す配線構造体の製造方法により作製された配線構造体の構造を示す断面図である。図３（ａ）に示す配線構造体は、基板１０とシリコンチップ１２との境界２２を含み、該境界２２から基板１０側及びシリコンチップ１２側の両側に第３の密着補助層２８が形成されている。すなわち、第１の密着補助層１４と第２の密着補助層１６が第３の密着補助層２８によりつながれた構造を有する、連続した密着補助層が形成される。図３（ａ）に示す第３の密着補助層２８は、第３の密着補助層２８の形成領域に対して、第１の密着補助層液及び第２の密着補助層液が所定の比率で打滴されて形成されている。
【００３９】
図３（ａ）に示す第３の密着補助層２８は、図３（ｂ）に示すように、第１の密着補助層液１４Ａと第２の密着補助層液１６Ａが交互に打滴され、両者の打滴比率が５０％となる構造を有し、第１の密着補助層１４と第２の密着補助層１６との境界（基板１０とシリコンチップ１２との境界２２）を境にして、基板１０側とシリコンチップ１２側に同数のドットが形成されている。もちろん、第１の密着補助層１４と第２の密着補助層１６との境界を境にして、基板１０側は第１の密着補助層液１４Ａの打滴比率を第２の密着補助層液１６Ａよりも多くするとともに、シリコンチップ１２は第２の密着補助層液１６Ａの打滴比率を第１の密着補助層液１４Ａの打滴比率よりも多くするように、基板１０側とシリコンチップ１２側で打滴比率を異ならせる態様も可能である。
【００４０】
さらに、基板１０側の打滴数とシリコンチップ１２側の打滴数を異ならせてもよい。例えば、第３の密着補助層２８の形成領域の基板１０側の端からシリコンチップ１２側の端に向かって、第１の密着補助層液１４Ａに対する第２の密着補助層液１６Ａの打滴比率を徐々に多くするように、第１の密着補助層液１４Ａの打滴比率と、第２の密着補助層液１６Ａの打滴比率に勾配を持たせる態様も可能である。
【００４１】
なお、図３（ｂ）に示す第３の密着補助層２８を形成する際は、第１の密着補助層液１４Ａと第２の密着補助層液１６Ａのうち、先に打滴された液が揮発固形化する前に次の液が打滴されることが好ましい。
【００４２】
図３（ｃ）に示す第３の密着補助層２８’は、第３の密着補助層２８’の形成領域の同一打滴位置に、第１の密着補助層液１４Ａ及び第２の密着補助層液１６Ａの両方を打滴して構成されている。すなわち、同図に示す第３の密着補助層２８’は、基板１０（シリコンチップ１２）上で第１の密着補助層液１４Ａと第２の密着補助層液１６Ａが混合されている。なお、図３（ｃ）では、第１の密着補助層液１４Ａと第２の密着補助層液１６Ａとの位置をずらして図示しているが、実際は、第３の密着補助層２８’の形成領域では、第１の密着補助層液１４Ａと第２の密着補助層液１６Ａが重ねて打滴され、第１の密着補助層１４と第２の密着補助層１６と第３の密着補助層２８’が一列に並べられている。
【００４３】
また、図４に示す第３の密着補助層２８”は、第１の密着補助層液と第２の密着補助層液とを予め所定の混合比率で混合された混合液により形成されている。すなわち、第１の密着補助層液と第２の密着補助層液との混合液がインクジェットヘッドに充填され、該混合液によるドットが形成される。
【００４４】
本例に示す配線構造体製造方法によれば、第１の密着補助層１４と第２の密着補助層１６との形成位置の調整がずれた場合や、基板１０の搬送位置ずれ、打滴の着弾位置ずれが発生した場合にも、所定の密着信頼性が確保された好ましい電気配線が形成される。
【００４５】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図５（ａ），（ｂ）は、本例に示す配線構造体製造方法の概略図である。図５（ａ）に示すように、樹脂（ポリカーボネート）製の基板１０にシリコンチップ１２を埋め込む際に、基板１０の弾性変形により基板１０とシリコンチップ１２との間に（シリコンチップ１２の周囲に）隙間１０Ａが発生することがある。本例に示す配線構造体製造方法では、図５（ｂ）に示すように、第１の密着補助層１４を形成する第１の密着補助層液１４Ａが隙間１０Ａに充填される。
【００４６】
すなわち、第１実施形態において説明した検出工程により、基板１０とシリコンチップ１２との境界２２が検出され、隙間１０Ａを埋めるように第１の密着補助層液１４Ａの打滴位置及び打滴量が調整される。なお、基板１０の材質や基板１０にシリコンチップ１２を埋め込む際の条件（温度、加圧力、処理時間等）などに基づいて、シミュレーションや実験等により予め隙間１０Ａの体積を求めて記憶しておき、該隙間１０Ａの体積情報に基づいて第１の密着補助層液１４Ａの打滴量が変更される。
【００４７】
もちろん、第２実施形態で説明した第３の密着補助層２８（２８’，２８”）を形成する第３の密着補助層液を用いて、隙間１０Ａを埋める態様も好ましい。
【００４８】
本例に示す配線構造体製造方法によれば、基板１０とシリコンチップ１２との間に隙間１０Ａが生じた場合でも、第１の密着補助層液１４Ａ（又は、第３の密着補助層液）を用いて隙間１０Ａが埋められるので、隙間１０Ａに起因する電気配線の断線が抑制されるとともに、隙間１０Ａに起因する電気配線の接合性能の低下が抑制され、好ましい電気配線が形成される。
【００４９】
〔配線構造体製造装置の説明〕
（全体構成）
次に、上述した配線構造体製造方法を具現化するための装置について説明する。図６は、本発明の実施形態に係る配線構造体製造装置１００の概略構成を示す全体構成図である。同図に示す配線構造体製造装置１００は、基板１０に第１の密着補助層１４（図１（ｂ）〜（ｄ）参照）を形成する第１の密着補助層形成部１２０と、基板１０に第２の密着補助層１６を形成する第２の密着補助層形成部１６０と、第１の密着補助層１４及び第２の密着補助層１６の上にめっき受容性層１８を形成するめっき受容性層形成部１７０と、第１の密着補助層１４及び第２の密着補助層１６の上にめっき受容性層１８が形成された基板１０にめっき処理を施すめっき処理部１８０と、を備えて構成されている。
【００５０】
図６に示す第１の密着補助層形成部１２０は、インクジェットヘッド１２２を備え、インクジェット方式により液滴化された第１の密着補助層液１４Ａが打滴される。また、第２の密着補助層形成部１６０はインクジェットヘッド１６２を備え、インクジェット方式により液滴化された第２の密着補助層液１６Ａが打滴される。さらに、めっき受容性層形成部１７０もまた、インクジェットヘッド１７２を備え、インクジェット方式により液滴化されためっき受容性層液１８Ａが打滴される。なお、図６では、第１の密着補助層１４、第２の密着補助層１６及びめっき受容性層１８の図示が省略されている。
【００５１】
図６では図示を省略したが、本例に示す配線構造体製造装置１００は、処理前の基板１０が収納される基板保管部と、めっき処理部１８０による処理後の基板１０を格納する基板格納部と、を具備するとともに、基板保管部、基板格納部、及び図６に図示した各部間における基板の受け渡しを行う基板受渡装置（各部へ基板を搬入するローダ装置、各部から基板を搬出するアンローダ装置）を具備している。なお、基板保管部から取り出した基板を、処理後に基板保管部に戻すように構成してもよい。
【００５２】
（第１の密着補助層形成部の詳細な説明）
次に、図６に示す第１の密着補助層形成部１２０の構成について詳細に説明する。図７は、インクジェット方式を用いて第１の密着補助層１４（図１（ｂ）〜（ｄ）参照）を形成する第１の密着補助層形成部１２０の概略構成を示す全体構成図である。同図に示す第１の密着補助層形成部１２０は、支持台１２６上に垂直に立てられた２本の支柱１２８の間に渡したスライドガイド１３０に沿って移動可能に構成されたヘッド保持部１３２の下部先端に、回転可能なステージ１３４を介して取り付けられたインクジェットヘッド１２２と、ヘッド保持部１３２に取り付けられたアライメント検出部１３６と、支持台１２６上に設けられ、その上に基板１０を保持する基板保持部１３８と、インクジェットヘッド１２２のノズル面を観察するノズル面観察部１４０と、インクジェットヘッド１２２の吐出状態を観察する吐出状態観察部１４２（１４２ａ、１４２ｂ）と、インクジェットヘッド１２２のノズル面に対してメンテナンス処理を施すメンテナンス処理部１４４と、を含んで構成されている。
【００５３】
ヘッド保持部１３２は、下方の先端にインクジェットヘッド１２２を保持し、スライドガイド１３０に沿ってインクジェットヘッド１２２とともに走査するように構成されている。インクジェットヘッド１２２をノズル面と平行な面内において回転させる回転機構を備えるとともに、基板１０とインクジェットヘッド１２２とのクリアランスを調整する上下機構を備えている。
【００５４】
インクジェットヘッド１２２を走査させる機構及びインクジェットヘッド１２２を上下させる機構の駆動源として、リニアモータ等の直線運動型のアクチュエータが適用される。インクジェットヘッド１２２のより正確な位置決めを行うために、リニアエンコーダやリニアスケールなどを備える態様が好ましい。また、インクジェットヘッド１２２を回転させる機構の駆動源としては、ステッピングモータやサーボモータ等の回転型アクチュエータが適用される。回転方向の位置を検出する手段としてロータリーエンコーダを備える態様が好ましい。
【００５５】
アライメント検出部１３６は、基板１０の被打滴面を照射する光源と、基板１０の被撮像面を撮像する撮像装置を含んで構成されている。すなわち、インクジェットヘッド１２２による打滴に先立ち、アライメント検出部１３６により基板１０が撮像され、その撮像信号に基づいて、基板１０の固定位置、姿勢、厚み、シリコンチップ１２との境界２２（基板１０上の座標）などが把握されるとともに、インクジェットヘッド１２２の位置（姿勢）、基板１０の固定位置、及び第１の密着補助層１４と第２の密着補助層１６との打滴位置などが調整される。
【００５６】
基板保持部１３８は、基板１０を被打滴面の裏側から固定保持するとともに、基板１０を幅方向、幅方向と直交する方向、上下方向、インクジェットヘッド１２２のノズル面と平行な面内における回転方向に移動させる機能を有している。基板１０を固定保持する方法の一例として、真空吸着（チャッキング）、静電吸着が挙げられる。また、基板保持部１３８の構成例として、ＸＹテーブルとθテーブルとを組み合わせた構成が挙げられる。
【００５７】
ノズル面観察部１４０は、インクジェットヘッド１２２のノズル面２０２Ａ（図８参照）を観察するブロックである。ノズル面観察部１４０から得られた観察結果に基づいて、インクジェットヘッド１２２に対してメンテナンス処理が必要であるか否かが判断され、また、インクジェットヘッド１２２を交換する必要があるか否かが判断される。ノズル面観察部１４０は、ノズル２００（図８参照）を撮像するための撮像装置及びノズル面２０２Ａに光を照射する光源を具備し、ノズル面観察部１４０の真上に移動させたインクジェットヘッド１２２のノズル面２０２Ａを下側から撮像する。なお、撮像装置の撮像範囲に対応してノズル面２０２Ａを複数の領域に分割し、インクジェットヘッド１２２を移動させながら領域ごとに撮像するように構成してもよい。
【００５８】
吐出状態観察部１４２は、インクジェットヘッド１２２のノズル２００から打滴された液滴の飛翔状態を観察するためのブロックであり、飛翔中の液滴に光を照射するための光源１４２ａと、該液滴を撮像する高速撮像素子１４２ｂと、を具備している。吐出状態観察部１４２から得られた情報から液滴の飛翔状態（飛翔方向及び飛翔速度）が把握されるとともに、インクジェットヘッド１２２の打滴補正がされる。
【００５９】
メンテナンス処理部１４４は、インクジェットヘッド１２２の良好な打滴状態を保つために、インクジェットヘッド１２２に対してメンテナンス処理を施すブロックである。メンテナンス処理部１４４は、ノズル面２０２Ａをクリーニングするためのワイパーや、ノズル２００（図８参照）内部の乾燥を防止するためにノズルを封止するキャップ（図１０に符号２８４を付して図示）等を備えている。なお、該キャップは予備吐出（パージ）や吸引の際の液体の受け皿としても利用される。
【００６０】
（インクジェットヘッドの構造）
図８は、インクジェットヘッド１２２を構成する記録素子単位となる１チャンネル分の液滴吐出素子（１つのノズル２００に対応したインク室ユニット）の立体的構成を示す断面図である。同図に示すように、本例のインクジェットヘッド１２２は、ノズル２００が形成されたノズルプレート２０２と、圧力室２０４や共通流路２０６等の流路が形成された流路板２０８等を積層接合した構造から成る。ノズルプレート２０２は、インクジェットヘッド１２２のノズル面２０２Ａを構成し、各圧力室２０４にそれぞれ連通する複数のノズル２００が副走査方向に沿って一列に形成されている。
【００６１】
流路板２０８は、圧力室２０４の側壁部を構成するとともに、共通流路２０６から圧力室２０４にインクを導く個別供給路の絞り部（最狭窄部）としての供給口２１０を形成する流路形成部材である。なお、説明の便宜上、図８では簡略的に図示しているが、流路板２０８は一枚又は複数の基板を積層した構造である。ノズルプレート２０２及び流路板２０８は、シリコンを材料とする半導体製造プロセスによって所要の形状に加工することが可能である。
【００６２】
共通流路２０６はインク供給源たるインクタンク（不図示）と連通しており、インクタンクから供給されるインクは共通流路２０６を介して各圧力室２０４に供給される。圧力室２０４の一部の面（図８における天面）を構成する振動板２１２には、上部電極（個別電極）２１４及び下部電極２１６を備え、上部電極２１４と下部電極２１６との間に圧電体２１８がはさまれた構造を有するピエゾアクチュエータ（圧電素子）２２０が接合されている。振動板２１２を金属薄膜や金属酸化膜により構成すると、ピエゾアクチュエータ２２０の下部電極２１６に相当する共通電極として機能する。なお、樹脂などの非導電性材料によって振動板を形成する態様では、振動板部材の表面に金属などの導電材料による下部電極層が形成される。
【００６３】
上部電極２１４に駆動電圧を印加することによってピエゾアクチュエータ２２０が変形して圧力室２０４の容積が変化し、これに伴う圧力変化によりノズル２００からインクが吐出される。インク吐出後、ピエゾアクチュエータ２２０が元の状態に戻る際、共通流路２０６から供給口２１０を通って新しいインクが圧力室２０４に再充填される。
【００６４】
なお、本例に示すインクジェットヘッド１２２の吐出方式として、サーマル方式を適用してもよい。サーマル方式についての詳細な説明は省略するが、サーマル方式では、液室内に設けられたヒータに駆動信号が印加されると液室内の液体が加熱され、液室内の液体の膜沸騰現象を利用してノズルから所定量の液滴が吐出される。
【００６５】
図９（ａ）は、インクジェットヘッド１２２のノズル配置を示すインクジェットヘッド１２２のノズル面の平面図である。同図に示すように、インクジェットヘッド１２２は、副走査方向（図中上下方向）について、複数のノズル２００が配置ピッチＰｎで一列に並べられた構造を有している。ノズル２００の配置ピッチを高密度化するために、図９（ｂ）に示すように複数のノズル２００を千鳥状に配置してもよいし、マトリクス状に配列してもよい。図９（ｂ）に示す千鳥配置におけるノズル２００の実質的な配置ピッチＰｎ’は、図９（ａ）に示すノズル２００の配置ピッチＰｎの１／２となっている。
【００６６】
（液体供給系の説明）
図１０は、インクジェットヘッド１２２に対して、第１の密着補助層液１４Ａ（以下、単に「液体」と記載することがある。）を供給する液体供給系の概略構成を示すブロック図である。同図に示す液体供給系は、インクジェットヘッド１２２に供給される液体が貯留されるメインタンク２４０と、メインタンク２４０から液体を汲み上げる供給ポンプ２４２と、液体に含まれる異物や気泡を除去するフィルタ２４４と、液体に脱気処理を施す脱気装置２４６と、脱気装置２４６とインクジェットヘッド１２２との間に配設されるサブタンク２４８と、を含み、これらの各部が所定の管路（チューブ）によって接続されている。
【００６７】
図１０に示すように、メインタンク２４０は、供給ポンプ２４２及びフィルタ２４４を介して脱気装置２４６の液入口と連通し、さらに、脱気装置２４６の液出口２４６Ｂは、サブタンク２４８の液入口２４８Ａと連通するとともに、サブタンク２４８の液出口２４８Ｂはインクジェットヘッド１２２の液体供給口１２２Ａと連通している。すなわち、メインタンク２４０に貯留される第１の密着補助層液１４Ａは、供給ポンプ２４２により圧力が付与されてメインタンク２４０から送り出され、脱気装置２４６によって脱気処理を施された後にサブタンク２４８を介してインクジェットヘッド１２２へ送られる。
【００６８】
メインタンク２４０は、インクジェットヘッド１２２に供給される第１の密着補助層液１４Ａが貯留される基タンクである。メインタンク２４０は、内部の液体の温度を検出する温度センサ２５２が設けられるとともに、内部の液体の温度が一定範囲内に保たれるように、液温の調節を行う温調器（熱交換器）２５４が設けられている。また、図示は省略するが、内部の液の残量を検出する手段を備える態様が好ましい。
【００６９】
フィルタ２４４は、供給ポンプ２４２によってメインタンク２４０から送り出された液体の異物、気泡等を除去する。フィルタ２４４には、超高分子量ポリエチレン（ＵＰＥ）メンブレン、ナイロンメンブレンなどが適用される。フィルタ２４４のメッシュサイズはインクジェットヘッド１２２のノズル径と同等若しくはノズル径以下とすることが好ましい。
【００７０】
脱気装置２４６は、気体透過性膜により周囲を囲まれた脱気処理領域（不図示）を具備している。減圧ポンプ２５６によって脱気領域内の圧力が減圧され、脱気領域内の液体から溶存気体が除去される。脱気装置２４６と減圧ポンプ２５６との間には、気体とともに脱気領域から吸い出された液を一次貯留するトラップ部２５８が設けられている。なお、図示は省略するが、脱気装置２４６の液出口２４６Ｂの近傍には、脱気処理済みの液体の溶存酸素量を検出する溶存酸素計が備えられている。また、脱気装置２４６の液出口２４６Ｂとサブタンク２４８の液入口２４８Ａとの間には、バルブ２６０が設けられている。
【００７１】
サブタンク２４８は、インクジェットヘッド１２２の背圧調整を行う手段として機能するとともに、背圧の変動を抑制するダンパーとして機能する。サブタンク２４８は、弾性膜２６２によって液室２４８Ｃと気室２４８Ｄに区画されル構造を有し、液室２４８Ｃは液入口２４８Ａと液出口２４８Ｂが設けられている。一方、気室２４８Ｄは気体流路２６４及びバルブ２６６を介してポンプ２６８と連通している。
【００７２】
バルブ２６６を開き、ポンプ２６８を減圧方向に動作させると、気室２４８Ｄ内の圧力が下降して、弾性膜２６２は気室２４８Ｄ側に凸となるように弾性変形する。そうすると、液室２４８Ｃの液体が減圧されるとともに、インクジェットヘッド１２２の内部圧力（背圧）が減圧され、ノズルの内部にメニスカスが形成されるとともに、このメニスカスの形状はノズルの内部側に凸形状となって安定する。
【００７３】
さらに、サブタンク２４８は、液室２４８Ｃ内の温度を検出する温度センサ２７０と、液室２４８Ｃ内の圧力を検出する圧力センサ２７２と、液室２４８Ｃの内の液体を加熱又は冷却するための温調器（熱交換機）２７４と、を具備している。すなわち、サブタンク２４８はメインタンク２４０とは別個に独立して温度調整ができるように調整されている。
【００７４】
また、図１０に示す液体供給系は、バルブ２７６、パージポンプ２７８を介して脱気装置２４６の液出口２４８Ｂとインクジェットヘッド１２２の液体供給口１２２Ａとを連通させるバイパス流路２８０を有している。インクジェットヘッド１２２への第１の密着補助層液１４Ａの初期充填時や、インクジェットヘッド１２２のパージを実行するときは、バルブ２６０を閉じるとともに、脱気装置２４６とパージポンプ２７８との間に設けられたバルブ２７６を開いた後にパージポンプ２７８を動作させて、サブタンク２４８を介さずに第１の密着補助層液１４Ａを直接インクジェットヘッド１２２へ供給して、インクジェットヘッド１２２内部にある第１の密着補助層液１４Ａを強制的に排出される。
【００７５】
他方、通常のインクジェットヘッド１２２の動作時には、バルブ２７６が閉じられるとともにバルブ２６０が開かれ、サブタンク２４８を介してインクジェットヘッド１２２へ第１の密着補助層液１４Ａが供給される。
【００７６】
インクジェットヘッド１２２は、内部の液体の温度を検出するための温度センサ２８０と、インクジェットヘッド１２２の内部の液体を加熱又は冷却するための温調器（熱交換機）２８２と、を備えている。温度センサ２８０の検出結果に基づいて、インクジェットヘッド１２２内部の液体の温度が一定範囲内に保たれるように、構成されている。
【００７７】
（メンテンナンス処理部の説明）
図１０に示すように、第１の密着補助層形成部１２０は、インクジェットヘッド１２２のメンテナンス手段として、キャップ２８４と、吸引ポンプ２８６と、回収タンク２８８と、を含むメンテナンス処理部１４４を具備している。メンテナンス処理部１４４は、インクジェットヘッド１２２の退避位置に対応して設けられ、インクジェットヘッド１２２を通常の動作位置から該退避位置へ移動させて、インクジェットヘッド１２２のメンテナンスが実行される。
【００７８】
キャップ２８４は、インクジェットヘッド１２２の休止時にノズル面に密着させてノズルの乾燥を防止するための手段として機能するとともに、パージ実行時においてインクジェットヘッド１２２から排出させた第１の密着補助層液１４Ａの液受けとして機能する。また、ノズルから第１の密着補助層液１４Ａを吸引して強制的に排出させるときは、ノズル面にキャップ２８４を密着させて、キャップ２８４と接続される吸引ポンプ２８６を動作させる。そうすると、ノズルの内部にある劣化した（粘度上昇により硬化した）第１の密着補助層液１４Ａはノズルから吸い出され、吸引ポンプ２８６と連通する回収タンク２８８へ送られる。
【００７９】
なお、キャップ２８４は、インクジェットヘッド１２２のノズル配置や構造に対応して、複数の領域に区画されていてもよい。また、図示を省略するがメンテナンス処理部１４４は、ノズル面を拭き取り清掃するクリーニングブレードが具備されている。
【００８０】
さらに、メンテナンス処理部１４４は、インクジェットヘッド１２２内の第１の密着補助層液１４Ａを循環させる循環系２９２が具備されている。インクジェットヘッド１２２の排出口１２２Ｂと連通する循環流路のバルブ２９４を開いて、インクジェットヘッド１２２から第１の密着補助層液１４Ａを排出させ、所定の処理（脱気処理、異物除去処理等）が施された後に、処理後の第１の密着補助層液１４Ａをインクジェットヘッド１２２の内部へ戻すように構成されている。
【００８１】
以上説明した、第１の密着補助層形成部１２０における液体供給系及びメンテナンス処理部の構造は、図６に図示した第２の密着補助層形成部１６０及びめっき受容性層形成部１７０にも適用することができる。また、図７に図示した第１の密着補助層形成部１２０に第２の密着補助層液１６Ａを打滴するインクジェットヘッド１６２を備え、第１の密着補助層形成部１２０と第２の密着補助層形成部１６０とを一体構成としてもよい。
【００８２】
（めっき処理部の詳細な説明）
次に、図６に戻り、めっき処理部１８０について詳説する。同図に示すめっき処理部１８０は、無電解めっき法によりめっき受容性層１８の表面にめっき金属（めっき膜）を析出させる処理部である。このめっき膜は、シリコンチップ１２と電気的に接続される電気配線２０（図１（ｄ）参照）となる。図６に示すめっき処理部１８０は、浴槽１８２内に所定のめっき液１８４が貯留されるとともに、電源装置１８６から正電極１８８と負電極１８９との間に所定の電圧が印加されると、浴槽１８２内に浸漬した基板１０にめっき液１８４に溶解している金属イオンが還元され、めっき受容性層１８の表面にめっき金属が析出する。なお、先に述べたように、めっき受容性層１８がシード層としての機能を有する場合は、電解めっき法を適用してもよいし、無電解めっき法により析出させためっき膜をシード層として電解めっき法によりめっき金属をさらに積層させてもよい。
【００８３】
また、めっき受容性層液１８Ａに無電解めっき触媒前駆体（金属塩など）が含有される場合は、無電解めっき浴中において、めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、一般的に知られている無電解めっき浴を使用することができる。
【００８４】
なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液（還元液）を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。触媒活性化液は、無電解めっき触媒前駆体（主に金属イオン）を０価金属に還元できる還元剤を溶解した液で、還元剤の濃度は液全量に対して０．１〜５０質量％、好ましくは１〜３０質量％が好ましい。還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボランのようなホウ素系還元剤、ホルムアルデヒド、次亜リン酸などの還元剤を使用することが可能である。
【００８５】
一般的な無電解めっき浴の組成としては、溶剤の他に、めっき用の金属イオン、還元剤、金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、公知の添加物が含まれていてもよい。めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶媒である必要があり、その点から、アセトンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類が好ましく用いられる。
【００８６】
無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、パラジウム、ロジウムが知られており、中でも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。
【００８７】
また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加物がある。例えば、銅の無電解めっきの浴は、銅塩としてＣｕＳＯ4、還元剤としてＨＣＯＨ、添加剤として銅イオンの安定剤であるＥＤＴＡやロッシェル塩などのキレート剤、トリアルカノールアミンなどが含まれている。また、ＣｏＮｉＰの無電解めっきに使用されるめっき浴には、その金属塩として硫酸コバルト、硫酸ニッケル、還元剤として次亜リン酸ナトリウム、錯化剤としてマロン酸ナトリウム、りんご酸ナトリウム、こはく酸ナトリウムが含まれている。また、パラジウムの無電解めっき浴は、金属イオンとして（Ｐｄ（ＮＨ３）４）Ｃｌ２、還元剤としてＮＨ３、Ｈ２ＮＮＨ２、安定化剤としてＥＤＴＡが含まれている。これらのめっき浴には、上記成分以外の成分が入っていてもよい。
【００８８】
このようにして形成される無電解めっきによるめっき膜（金属膜）の膜厚は、めっき浴の金属イオン濃度、めっき浴への浸漬時間、又は、めっき浴の温度などにより制御することができるが、導電性、密着性の観点からは、０．２〜２．０μｍであることが好ましい。また、めっき浴への浸漬時間としては、１分〜６時間程度であることが好ましく、１分〜３時間程度であることがより好ましい。
【００８９】
以上のようにして得られた無電解めっきによるめっき膜は、ＳＥＭによる断面観察により、ポリマー層中に無電解めっき触媒やめっき金属からなる微粒子がぎっしりと分散しており、さらにポリマー層上にめっき金属が析出していることが確認された。基板とめっき膜との界面は、ポリマーと微粒子とのハイブリッド状態であるため、基板（有機成分）と無機物（触媒金属又はめっき金属）との界面が平滑（例えば、凹凸差が５００ｎｍ以下）であっても、密着性が良好となる。
【００９０】
なお、本例に示すめっき処理部１８０に適用される電気めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。
【００９１】
また、電気めっきにより得られる金属膜の膜厚については、用途に応じて異なるものであり、めっき浴中に含まれる金属濃度、又は電流密度などを調整することで制御することができる。なお、一般的な電気配線などに用いる場合の膜厚は、導電性の観点から、１．０〜３０μｍであることが好ましい。
【００９２】
本発明において、前述のめっき触媒、めっき触媒前駆体に由来する金属や金属塩、及び／又は、無電解めっきにより、ポリマー層中に析出した金属が、該層中でフラクタル状の微細構造体として形成されていることによって、金属膜とポリマー層との密着性をさらに向上させることができる。
【００９３】
（制御系の説明）
次に、本例に示す配線構造体製造装置１００の制御系の構成について説明する。図１１は、配線構造体製造装置１００の制御系の概略構成を示すブロック図である。同図に示す制御系は、通信インターフェース（通信Ｉ／Ｆ）３０２、システムコントローラ３０４、画像メモリ３０６、プリント制御部３０８、ヘッドドライバ３１０、画像バッファメモリ３１２、めっき処理制御部３１６、メンテナンス制御部３１８、観察制御部３２２、ロードアンロード制御部３２４、アライメント制御部３２６、モータ制御部３３０等を備えている。
【００９４】
通信インターフェース３０２は、ホストコンピュータ３００から送られてくる、第１の密着補助層液１４Ａ、第２の密着補助層液１６Ａ、めっき受容性層液１８Ａの情報（これらをまとめて、「インク情報」という。）、基板１０、シリコンチップ１２の情報（下地基材情報）や、電気配線２０（図１（ｄ）等参照）のパターン情報などを受信するインターフェース部である。通信インターフェース３０２には、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）などのシリアルインターフェースを適用してもよいし、セントロニクスなどのパラレルインターフェースを適用してもよい。なお、通信を高速化するためのバッファメモリを搭載してもよい。
【００９５】
ホストコンピュータ３００から送り出された前記した各情報は、通信インターフェース３０２を介してシステムコントローラ３０４に取り込まれ、一旦画像メモリ３０６に記憶される。画像メモリ３０６は、通信インターフェース３０２を介して入力された情報を一旦格納する記憶手段であり、システムコントローラ３０４を通じて情報の読み書きが行われる。画像メモリ３０６は、半導体素子からなるメモリに限らず、ハードディスクなどの磁気媒体を用いてもよい。
【００９６】
システムコントローラ３０４は、通信インターフェース３０２、画像メモリ３０６、プリント制御部３０８、ヘッドドライバ３１０等の各部を制御する制御部である。システムコントローラ３０４は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）及びその周辺回路等から構成され、ホストコンピュータ３００との間の通信制御、画像メモリ３０６の読み書き制御等を行うとともに、めっき処理制御部３１６、メンテナンス制御部３１８、観察制御部３２２、ロードアンロード制御部３２４、アライメント制御部３２６、モータ制御部３３０等の各制御部を制御する制御信号を生成する。
【００９７】
プリント制御部３０８は、システムコントローラ３０４の制御に従い、画像メモリ３０６内の電気配線２０のパターン情報や、基板１０とシリコンチップ１２との境界２２の位置情報（下地基材情報）から、第１の密着補助層１４及び第２の密着補助層１６、及びめっき受容性層１８の描画制御用の信号（駆動波形）を生成するための各種加工、補正などの処理を行う信号処理機能を有し、生成した印字制御信号（駆動波形）をヘッドドライバ３１０に供給する制御部である。
【００９８】
プリント制御部３０８において所要の信号処理が施され、電気配線２０のパターン情報及び基板１０とシリコンチップ１２との境界２２の位置情報に基づいてヘッドドライバ１１０を介してインクジェットヘッド１２２，１６２，１７２の打滴量や打滴タイミングの制御が行われる。これにより、基板１０上に着弾する第１の密着補助層液１４Ａ、第２の密着補助層液１６Ａ、及びめっき受容性層液１８Ａにおける所望のドットサイズやドット配置が実現される。
【００９９】
プリント制御部３０８には、画像バッファメモリ３１２が備えられており、プリント制御部３０８による処理に用いられる電気配線２０のパターン情報及び基板１０とシリコンチップ１２との境界２２の位置情報や、各種パラメータなどのデータが画像バッファメモリ３１２に一時的に格納される。
【０１００】
なお、図１１では画像バッファメモリ３１２がプリント制御部３０８に付随する態様で示されているが、画像メモリ３０６と兼用されてシステムコントローラ３０４に付随する態様でもよい。さらに、プリント制御部３０８とシステムコントローラ３０４とを統合して一つのプロセッサで構成する態様も可能である。
【０１０１】
ヘッドドライバ３１０は、プリント制御部３０８から与えられる駆動波形に基づいてインクジェットヘッド１２２，１６２，１７２を駆動し、インクジェットヘッド１２２，１６２，１７２から第１の密着補助層液１４Ａ、第２の密着補助層液１６Ａ及びめっき受容性層液１８Ａを打滴させる。ヘッドドライバ３１０は、インクジェットヘッド１２２，１６２，１７２の駆動条件を一定に保つためのフィードバック制御系を含んでもよい。
【０１０２】
めっき処理制御部３１６は、システムコントローラ３０４から送り出される指令信号に基づいて、めっき処理部１８０における電源装置１８６の制御や、めっき処理時間等、めっき処理における各種制御を実行する。すなわち、めっき処理制御部３１６は、各種設定やパラメータを参照して、所定のパターンを有し、かつ、所定の厚みを有する電気配線２０（めっき膜）が形成されるように、めっき処理部１８０の制御を行う。
【０１０３】
メンテナンス制御部３１８は、第１の密着補助層形成部１２０、第２の密着補助層形成部１６０、及びめっき受容性層形成部１７０におけるインクジェットヘッド１２２，１６２，１７２のメンテナンス処理実行時の制御を行う。ここでいう「メンテナンス」とは、ノズル面のワイピング、ノズルのパージ、吸引などの処理が含まれる。例えば、液滴の着弾位置のずれや飛翔方向の異常が発見された場合や、定期的メンテナンスの実行タイミングとなった場合、装置の稼動開始時等のイニシャライズ処理が実行される場合は、インクジェットヘッド１２２，１６２，１７２を所定のメンテナンス位置に移動させて、インクジェットヘッド１２２，１６２，１７２のメンテナンス処理が実行される。
【０１０４】
図１１に図示するメンテナンス制御部３１８は、図１０のバルブ２６０，２７６の開閉を制御するバルブ制御部や、パージポンプ２７８や吸引ポンプ２８６の動作を制御するポンプ制御部が含まれる。
【０１０５】
観察制御部３２２は、ノズル面観察部１４０や吐出状態観察部１４２（光源１４２ａ、高速撮像素子１４２ｂ）を含む観察部３２０を制御する。観察制御部３２２は、ノズル面観察部１４０や吐出状態観察部１４２から得られた検出信号に対して、ノイズ除去や波形整形等の所定の処理を施すとともに、該処理後の信号をシステムコントローラ３０４へ送出する。
【０１０６】
基板受渡制御部（ロードアンロード制御部）３２４は、基板保管部、第１の密着補助層形成部１２０、第２の密着補助層形成部１６０、めっき受容性層形成部１７０、基板格納部のそれぞれの間の基板の受け渡しを行う基板受渡装置（ロード装置及びアンロード装置）３３２の動作を制御する。例えば、上記各部の処理開始タイミングにおいて、各部へ処理対象の基板が搬入され、各部における処理が終了すると、処理済みの基板１０が搬出されるように基板受渡装置を制御する。
【０１０７】
アライメント制御部３２６は、図６に図示したアライメント検出部１３６の検出結果に基づいて、基板保持部１３８に保持される基板１０の姿勢を調整するように、調整機構を動作させるとともに、インクジェットヘッド１２２，１６２，１７２の位置調整を行うアライメント部３３４の動作を制御する。すなわち、アライメント検出部１３６により検出された基板１０の姿勢、位置、厚みに基づいて、基板１０の姿勢を微調整させるように調整機構を動作させるとともに、インクジェットヘッド１２２，１６２，１７２のそれぞれを最適位置に調整させるように、各インクジェットヘッド１２２，１６２，１７２の調整機構であるアライメント部３３４を動作させる。
【０１０８】
モータ制御部３３０は、インクジェットヘッド１２２，１６２，１７２の走査機構の駆動源となるモータや、基板１０を移動させる移動機構の駆動源となるモータの動作を制御するドライバー部である。図１１では、前記したモータが符号３３６付してまとめて図示されている。
【０１０９】
なお、図１１では図示を省略したが、装置の制御に用いられる各種プログラムや、各種制御パラメータが格納されるプログラム格納部や、各種情報を表示する表示部、オペレータにより操作されるキーボード、マウス等のユーザインターフェースが具備されている。
【０１１０】
なお、上述した配線構造体製造装置１００は、先に説明した配線構造体製造方法における第１実施形態〜第３実施形態に対応して、適宜変更をすることが可能である。
【０１１１】
〔応用例〕
次に、本発明に係る配線基板製造方法（装置）の応用例について説明する。なお、以下の説明では、先に説明した部分と同一又は類似する部分には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【０１１２】
（第１応用例）
図１２は、第１応用例に係る配線構造体（基板）の立体構造を示す断面図である。同図に示す配線構造体４００は、ポリカーボネート基板１０に複数のシリコンチップ１２（１２‐１，１２‐２）が搭載され、シリコンチップ１２‐１とシリコンチップ１２‐２との間をまたがるように電気配線２０が形成されている。すなわち、図１２に示すように、基板１０の表面におけるシリコンチップ１２‐１，１２‐２間の領域には、電気配線２０に対応してパターンニングされた第１の密着補助層１４が形成され、シリコンチップ１２‐１及びシリコンチップ１２‐２の側面には、電気配線２０に対応してパターンニングされた第２の密着補助層１６が形成される。さらに、第１の密着補助層１４及び第２の密着補助層１６の上にめっき受容性層１８が形成され、さらにまた、めっき受容性層１８の上には、めっき膜から成る電気配線２０が形成される。
【０１１３】
図１２に示す配線構造体４００は、基板１０上に搭載された個別のシリコンチップ（１２‐１とシリコンチップ１２‐２）とを電気的に接続させる電気配線が形成されているが、シリコンチップ１２‐１（又は、シリコンチップ１２‐２）と他の構成要素（例えば、コネクタ）とを電気的に接続させる電気配線を形成してもよい。なお、図１２では図示を省略したが、シリコンチップ１２‐１，１２‐２の上面には、数μｍ程度の厚みを有するパッド（電極）が設けられており（図２参照）、電気配線２０はシリコンチップ１２‐１のパッドとシリコンチップ１２‐２のパッドを電気的に接続している。
【０１１４】
第１応用例に係る配線構造体４００の製造方法（装置）によれば、基板１０とシリコンチップ１２‐１及びシリコンチップ１２‐２との境界における電気配線２０の断線が防止され、好ましい密着性、耐久性を備えた電気配線２０が形成される。
【０１１５】
（第２応用例）
図１３は、第２応用例に係る配線構造体５００の立体構造を示す断面図である。同図に示す配線構造体５００は、シリコンチップ１２の側面を取り囲むように、基板１０とシリコンチップ１２との間の段差を埋めるスペーサー５０２が形成されており、スペーサー５０２の傾斜面５０４に電気配線２０が形成される。スペーサー５０２は、第１の密着補助層１４を構成する第１の密着補助層液を所定の形状にパターンニングして塗布し、かつ、硬化させることにより形成される。その後、シリコンチップ１２の上面（パッド１３の形成面）には、第２の密着補助層１６が形成される。なお、インクジェット方式による打滴と硬化を複数回にわたり繰り返すことで、スペーサー５０２を形成することも可能である。
【０１１６】
図１３に示すシリコンチップ１２は、上面に数十μｍ〜１００μｍ程度の厚み（高さ）を有する接続端子５０６が、上述したパッド上に形成されている。接続端子５０６の厚みは、電気配線２０と直接接触できる程度であればよい。接続端子５０６は、１０×１０６（ジーメンス／ｍ）〜１００×１０６（ジーメンス／ｍ）程度の高い電気伝導度を有する金、銀、銅、パラジウムなどの金属が用いられ、シリコンチップ１２の製造プロセスの中で形成される。もちろん、シリコンチップ１２を基板１０に搭載した後に、接続端子５０６形成することも可能である。
【０１１７】
第２応用例に係る配線構造体５００の製造方法（装置）によれば、基板１０とシリコンチップ１２との段差に対応する傾斜面５０４を有するスペーサー５０２を備えることで、基板１０とシリコンチップ１２との段差に起因する電気配線２０の断線や、密着性の低下を回避することができる。また、シリコンチップ１２のパッド上に、電気配線の形成位置に対応する厚みを有する接続端子５０６を備えることで、電気配線２０とパッドとの電気接続が確実にされる。
【０１１８】
なお、スペーサー５０２は、樹脂材料により形成することも可能である。例えば、ディスペンサー等により樹脂材料をパターンニングしながら塗布し、硬化させて、スペーサー５０２を形成してもよい。スペーサー５０２に適用可能な樹脂材料は、ポリイミド樹脂、シリコン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）などが挙げられる。また、ドライフィルムを固着させてもよい。かかる態様では、スペーサー５０２の材料に合わせて第１の密着補助層１４を構成する材料が選択される。
【０１１９】
また、図１４に符号５０６’を付して図示するように、接続端子５０６を柱状のポスト形状としてもよい。かかる態様によれば、接続ポスト５０６’と電気配線２０との接続が端面接続ではなくなることで、接続ポスト５０６’と電気配線２０との接合の信頼性が向上する。
【０１２０】
〔その他〕
（基板の材料）
本発明に適用される基板１０の基材は、寸度的に安定なものであることが好ましく、例えば、紙、プラスチック（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン等）がラミネートされた紙、ガラス基材、金属板（例えば、アルミニウム、亜鉛、銅等）、プラスチックフィルム（例えば、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリイミド、ポリエーテルイミド、エポキシ樹脂（ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、若しくはＩＴＯを有していてもよい）、ビスマレインイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフェニレンオキサイド、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン、シアネート樹脂等、フェノール樹脂、アラミド樹脂、シクロオレフィンポリマー、ポリフェニレンエーテル、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート）、金属がラミネート若しくは蒸着された紙又はプラスチックフィルム等が含まれる。本発明に使用される基材としては、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂が好ましい。
【０１２１】
基材は、一般的には、平板状の基材（各種の基板）が用いられるが、必ずしも平板状の基材に限定されず、円筒形などの任意の形状の基材を用いてもよい。
【０１２２】
（密着補助層液）
密着補助層液（第１の密着補助層液１４Ａ、第２の密着補助層液１６Ａの総称）に用いるラテックスは、少なくとも、アニオン系分散剤及びノニオン系分散剤から選択された少なくとも１種の分散剤、樹脂粒子、及び水系分散媒を含むものである。具体的には、本発明におけるラテックスは、水に不溶な樹脂粒子が水又は水溶性の分散媒中に分散したものであり、アニオン系分散剤又はノニオン系分散剤を含むものである。
【０１２３】
ここで、水系分散媒とは、水、又は水に９０質量％以下の水混和性の有機溶媒を混合した混合溶媒である。水混和性の有機溶媒としては、例えば、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、ハロゲン系溶剤などの水溶性可燃性液体が挙げられる。
【０１２４】
＜水溶性可燃性液体＞
水系分散媒に用いうる水溶性可燃性液体について説明する。
【０１２５】
ケトン系溶剤としては、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、γ−ブチロラクトン、ヒドロキシアセトンなどが挙げられる。
【０１２６】
エステル系溶剤としては、酢酸２−（２−エトキシエトキシ）エチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、メチルセロソルブアセテート、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸ヒドロキシプロピル、グリコール酸メチル、グリコール酸エチルなどが挙げられる。
【０１２７】
アルコール系溶剤としては、メタノール、エタノール、プロパノール、１−メトキシー２−プロパノール、イソプロピルアルコール、ノルマルプロピルアルコール、３−アセチル−１−プロパノール、２−（アリルオキシ）エタノール、１−ペンタノール、３−メチル−１−ブタノール、ｎ−ヘキサノール、１−ヘプタノール、２−エチル−１,３−ヘキサンジオール、２−アミノエタノール、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、（±）−２−アミノ−１−プロパノール、３−アミノ−１−プロパノール、２−ジメチルアミノエタノール、２，３−エポキシ−１−プロパノール、エチレングリコール、２−フルオロエタノール、ジアセトンアルコール、２−メチルシクロヘキサノール、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、グリセリン、２，２’，２”−ニトリロトリエタノール、２−ピリジンメタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−［２−（ベンジルオキシ）エトキシ］エタノール、２，３−ブタンジオール、２−ブトキシエタノール、２，２’−チオジエタノール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、１，３−プロパンジオール、ジグリセリン、２，２’−メチルイミノジエタノール、１，２−ペンタンジオールなどが挙げられる。他に、アルコール系溶剤には、３−アミノ−１−プロパノール、メタクリル酸トリフルオロエチル、ペンタデカフルオロオクタノールなどのアルコール誘導体も含まれる。
【０１２８】
エーテル系溶剤としては、ビス（２−エトキシエチル）エーテル、ビス［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］エーテル、１、２−ビス（２−メトキシエトキシ）エタン、ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］エーテル、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、２−（２−ブトキシエトキシ）エタノール、２−［２−（２−クロロエトキシ）エトキシ］エタノール、２−エトキシエタノール、２−（２−エトキシエトキシ）エタノール、２−イソブトキシエタノール、２−  ２−イソブトキシエトキシ）エタノール、２−イソプロポキシエタノール、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エタノール、２−（２−メトキシエトキシ）エタノール、１−エトキシ−２−プロパノール、１−メトキシ−２−プロパノール、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、メトキシ酢酸、２−メトキシエタノールなどが挙げられる。
【０１２９】
グリコール系溶剤としては、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、エチレングリコール、ヘキサエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールなどが挙げられる。
【０１３０】
アミン系溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。
【０１３１】
チオール系溶剤としては、メルカプト酢酸、２−メルトカプトエタノールなどが挙げられる。
【０１３２】
ハロゲン系溶剤としては、３−ブロモベンジルアルコール、２−クロロエタノール、３−クロロ−１，２−プロパンジオールなどが挙げられる。
【０１３３】
上記溶剤以外の水溶性可燃性液体に包含される溶剤としては、乳酸メチル、乳酸エチル、モルホリン、Ｎ−エチルモルホリン、ぎ酸、酢酸などが挙げられる。
【０１３４】
混合溶媒中に含まれる水溶性可燃性液体は、総含有量が上記範囲であれば、１種のみを用いてもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
【０１３５】
ラテックスが含む樹脂粒子を構成する樹脂としては、特に制限はないが、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、ポリウレア／ウレタン、ＳＢＲ（スチレン−ブタジエン系）、ＭＢＲ（ＭＭＡ／ブタジエン、アクリル／ブタジエン）、ＮＢＲ（アクリロニトリル／ブタジエン）、ＮＲ（天然ゴム）、アクリルゴム、ＢＲ（ブタジエンゴム）、ＣＲ（クロロプレンゴム）、ＩＲ（イソプレンゴム）、ＶＰ（ＳＢＲ／ジビニルピリジン）、ＥＰＤＭ（エチレンプロピレンジエンゴム）及びこれらの共重合体などが挙げられる。ラテックスとしては、特に、シアノ基を含む樹脂粒子を含むものが好ましい。
【０１３６】
そのようなラテックスとしては、市販品を用いてもよく、具体的には、Ｎｉｐｏｌ  １５６１（日本ゼオン（株））、Ｎｉｐｏｌ  １５６２（日本ゼオン（株））、Ｎｉｐｏｌ  １５７７Ｋ（日本ゼオン（株））、Ｎｉｐｏｌ  ＬＸ１１０（日本ゼオン（株））、ＬＸ  ５３１（日本ゼオン（株））、ＬＸ  ５３１Ｂ（日本ゼオン（株））、Ｎｉｐｏｌ  ＳＸ１５０３Ａ（日本ゼオン（株））、ＬＸ  ５１３（日本ゼオン（株））、ＮＫ−３００（日本エイアンドエル（株））、ＮＫ−３０１（日本エイアンドエル（株））として市販されるものを用いてもよい。これら市販品のラテックスには、後述するようなアニオン系分散剤及び／又はノニオン系分散剤が含まれる。
【０１３７】
また、樹脂粒子としては、種類の異なるものが併用されていてもよい。併用できる樹脂粒子としては、例えば、ＳＢＲとＮＲ、ＩＲとＮＲ、ＣＲとＮＲ、ＮＢＲでニトリル量が異なるもの、ＳＢＲでスチレン量が異なるもの、ＳＢＲとＶＰ、ＮＢＲとＭＢＲ、ＳＢＲとＮＢＲ、ＳＢＲとＭＢＲ、ＢＲとＣＲ、ＮＢＲとＶＰ、ＣＲとＶＰなどが挙げられる。
【０１３８】
ラテックスに含まれるアニオン系分散剤又はノニオン系分散剤について説明する。
【０１３９】
＜アニオン系分散剤＞
アニオン系分散剤としては、例えば、牛脂脂肪酸、部分水添牛脂脂肪酸、オレイン酸、パルミチン酸、ドデシル硫酸等の脂肪酸及びそのカリウム塩、ナトリウム塩等の脂肪酸塩；ロジン酸、水添ロジン酸等の樹脂酸及びそのナトリウム塩、カリウム塩等の樹脂酸塩；ドデシルベンゼンスルホン酸等のアルキルベンゼンスルホン酸及びそのナトリウム塩等のアルキルベンゼンスルホン酸塩が挙げられる。これらのアニオン系分散剤の中でも、使いやすさの点からは、オレイン酸やパルミチン酸などの長鎖脂肪酸及びその塩が好ましい。
【０１４０】
＜ノニオン系分散剤＞
ノニオン系分散剤としては、例えば、ポリエチレングリコールエステル型、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドのブロック共重合体等のプルロニック型等の各分散剤が挙げられ、エチレングリコール型の分散剤が好ましい。
【０１４１】
アニオン系分散剤又はノニオン系分散剤は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。また、これらの分散剤の併用態様としては、アニオン系分散剤のみを２種以上用いる態様、ノニオン系分散剤のみを２種以上用いる態様、１種又は２種以上のアニオン系分散剤と１種又は２種以上のノニオン系分散剤を用いる態様のいずれであってもよい。併用する際には、アニオン系分散剤としては長鎖脂肪酸及びその塩とノニオン系分散剤としてはエチレングリコール型の分散剤を組み合わせて使うことが特に好ましい。
【０１４２】
基材とラテックスとの接触により形成された樹脂層Ａの膜厚は、適宜設定することができるが、０．０１μｍ〜５μｍが好ましく、０．０６μｍ〜３μｍがより好ましく、１μｍ〜２μｍが最も好ましい。
【０１４３】
（めっき受容性層液）
本発明に係る配線構造体製造方法（装置）に適用されるめっき受容性層液は、所定の官能基を有するポリマーと、所定の沸点を示す溶媒が含有される。該溶媒が所定の沸点を有することによって、優れた連続吐出安定性やパターン形成性を示すインクが得られる。特に、該溶媒が、１８０℃未満の沸点を有する溶媒と１８０℃以上の沸点を有する溶媒とを含む混合溶媒である場合にその効果が顕著となる。その理由としては、まず、沸点の高い溶媒を含有することによって、ノズルの目詰まりが抑制される。さらに、沸点の低い溶媒を含有することによって、インクが基板上に着弾する際に、該溶媒の大部分が揮発してインク粘度が上昇するため、結果としてインクの広がりなどが抑制され、優れたパターン性能が得られる。
【０１４４】
＜ポリマー＞
本発明のめっき受容性層液に使用されるポリマーは、無電解めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基（以後、適宜「相互作用性基」とも称する）と重合性官能基とを含有するポリマーである。ポリマー中に相互作用性基が含まれることによって、後述するめっき触媒に対する優れた吸着性が達成され、結果としてめっき処理の際に十分な厚さのめっき膜（金属膜）を得ることができる。また、ポリマー中に重合性官能基が含まれることにより、後述する基板との優れた密着性が発現されるとともに、膜中で架橋反応が進行し強度に優れたポリマー層を得ることができる。
【０１４５】
［相互作用性基］
相互作用性基としては、後述するめっき触媒などと相互作用を形成すれば、その種類は特に限定されない。例えば、極性基（親水性基）や、多座配位を形成可能な基、含窒素官能基、含硫黄官能基、含酸素官能基などの非解離性官能基（解離によりプロトンを生成しない官能基）が挙げられる。特に、上記インクを用いて得られるポリマー層の吸水性、吸湿性を低減するためには、金属イオン吸着能を示す部位としての非解離性官能基を用いることが好ましい。
【０１４６】
極性基としては、アンモニウム、ホスホニウムなどの正の荷電を有する官能基、又は、スルホン酸基、カルボキシル基、リン酸基、ホスホン酸基、Ｎ−ヒドロキシ構造を含む基、フェノール性水酸基、水酸基などの負の荷電を有するか、負の荷電に解離しうる酸性基が挙げられる。これらは、解離基の対イオンの形で、又は非解離状態の形でも金属イオンと吸着する。
【０１４７】
非解離性官能基としては、具体的には、金属イオンと配位形成可能な基、含窒素官能基、含硫黄官能基、含酸素官能基、含リン官能基などが好ましい。より具体的には、イミド基、ピリジン基、３級のアミノ基、アンモニウム基、ピロリドン基、アミジノ基、トリアジン環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾール基、ベンズイミダゾール基、キノリン基、ピリミジン基、ピラジン基、キナゾリン基、キノキサリン基、プリン基、トリアジン基、ピペリジン基、ピペラジン基、ピロリジン基、ピラゾール基、アニリン基、アルキルアミン基構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアノ基、シアネート基（Ｒ−Ｏ−ＣＮ）などの含窒素官能基、エーテル基、カルボニル基、エステル基、Ｎ−オキシド構造を含む基、Ｓ−オキシド構造を含む基などの含酸素官能基、チオエーテル基、チオキシ基、チオフェン基、チオール基、スルホキシド基、スルホン基、スルフィット基、スルホキシイミン構造を含む基、スルホキシニウム塩構造を含む基、スルホン酸エステル構造を含む基などの含硫黄官能基、フォスフィン基、ホスフェート基、ホスホルアミド基などの含リン官能基、塩素、臭素などのハロゲン原子を含む基、及び不飽和エチレン基などが挙げられる。また、隣接する原子又は原子団との関係により非解離性を示す態様であれば、イミダゾール基、ウレア基、チオウレア基を用いてもよい。さらに、シクロデキストリンやクラウンエーテルなどの包接能を有する化合物に由来する官能基であってもよい。
【０１４８】
中でも、極性が高く、めっき触媒などへの吸着能が高いことから、エーテル基（より具体的には、−Ｏ−(ＣＨ2)n−Ｏ−（ｎは１〜５の整数）で表される構造）、又は、シアノ基が特に好ましく、シアノ基がさらに好ましい。
【０１４９】
［重合性基］
重合性基としては、例えば、ラジカル重合性基、カチオン重合性基などが挙げられるが、後述する基板との反応性の観点からは、ラジカル重合性基が好ましい。ラジカル重合性基としては、例えば、アクリル酸エステル基、メタクリル酸エステル基、イタコン酸エステル基、クロトン酸エステル基、イソクロトン酸エステル基、マレイン酸エステル基などの不飽和カルボン酸エステル基、スチリル基、アリル基などが挙げられる。中でも、メタクリル酸エステル基（メタアクリロイル基）、アクリル酸エステル基（アクリロイル基）、アリル基、スチリル基が好ましく、アクリロイル基、メタクリロイル基が特に好ましい。
【０１５０】
＜ポリマーの好適態様＞
［式（１）で表されるユニット］
上記ポリマーの好適態様の一つとして、基板との反応性により優れる点から、次式（１）で表されるユニット（繰り返し単位）が含有されるポリマーが挙げられる。該ユニットは、重合性基を有するユニット（重合性基含有ユニット）である。
【０１５１】
【化１】
2012082478.tif 000003
【０１５２】
当該式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立して、水素原子、又は、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。Ｒ１〜Ｒ４が、置換又は無置換のアルキル基である場合、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、炭素数１〜２のアルキル基がより好ましい。より具体的には、無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられ、また、置換アルキル基としては、メトキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、フッ素原子）などで置換された、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。
【０１５３】
なお、Ｒ１としては、水素原子、メチル基、又は、ヒドロキシ基若しくは臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ２としては、水素原子、メチル基、又は、ヒドロキシ基若しくは臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ３としては、水素原子が好ましい。Ｒ４としては、水素原子が好ましい。
【０１５４】
Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、単結合、又は、置換若しく無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基としては、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜１１）、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２）、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、又は、これらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。該有機基は、発明の効果を損なわない範囲で、ヒドロキシ基などの置換基を有していてもよい。
【０１５５】
置換又は無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチル基、ヘキシル基、又は、これらの基がメトキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、フッ素原子）などで置換されたものが好ましい。置換又は無置換の芳香族炭化水素基としては、無置換のフェニル基、又は、メトキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、フッ素原子）などで置換されたフェニル基が好ましい。
【０１５６】
Ｙ及びＺとしては、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、置換又は無置換の芳香族炭化水素基などが好ましく挙げられる。
【０１５７】
Ｌ１は、置換又は無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基の定義は、上記Ｙ及びＺで表される有機基と同義であり、例えば、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、又は、これらを組み合わせた基などが挙げられる。
【０１５８】
Ｌ１としては、無置換のアルキル基、又は、ウレタン結合若しくはウレア結合を有する二価の有機基が好ましく、無置換のアルキル基及びウレタン結合を有する二価の有機基がより好ましく、総炭素数１〜９であるものが特に好ましい。なお、ここで、Ｌ１の総炭素数とは、Ｌ１で表される置換又は無置換の二価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。
【０１５９】
Ｌ１の構造として、より具体的には、次式（１−１）、次式（１−２）、又は、次式（１−３）で表される構造であることが好ましい。
【０１６０】
【化２】
2012082478.tif 000004
【０１６１】
当該式（１−１）及び当該式（１−２）中、Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立して、炭素原子、水素原子、及び酸素原子からなる群より選択される２つ以上の原子を用いて形成される２価の有機基である。好ましくは、置換若しくは無置換の、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、又はブチレン基や、エチレンオキシド基、ジエチレンオキシド基、トリエチレンオキシド基、テトラエチレンオキシド基、ジプロピレンオキシド基、トリプロピレンオキシド基、テトラプロピレンオキシド基が挙げられる。
【０１６２】
［式（４）で表されるユニット］
上記式（１）で表されるユニットの好適態様として、次式（４）で表されるユニットが挙げられる。
【０１６３】
【化３】
2012082478.tif 000005
【０１６４】
当該式（４）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｚ及びＬ１は、上記式（１）で表されるユニット中の各基の定義と同じである。Ｔは、酸素原子、又はＮＲ（Ｒは、水素原子又はアルキル基を表し、好ましくは水素原子又は炭素数１〜５の無置換のアルキル基である。）を表す。
【０１６５】
［式（５）で表されるユニット］
上記式（４）で表されるユニットの好適態様として、次式（５）で表されるユニットが挙げられる。
【０１６６】
【化４】
2012082478.tif 000006
【０１６７】
当該式（５）中、Ｒ１、Ｒ２、及びＬ１は、上記式（１）で表されるユニット中の各基の定義と同じである。Ｔ及びＱは、それぞれ独立して、酸素原子又はＮＲ（Ｒは、水素原子又はアルキル基を表し、好ましくは水素原子又は炭素数１〜５の無置換のアルキル基である。）を表す。
【０１６８】
上記式（４）及び上記式（５）において、Ｗは、酸素原子であることが好ましい。また、上記式（４）及び上記式（５）において、Ｌ１は、無置換のアルキレン基、又は、ウレタン結合若しくはウレア結合を有する二価の有機基が好ましく、ウレタン結合を有する二価の有機基がより好ましく、総炭素数１〜９であるものが特に好ましい。
【０１６９】
ポリマー中における上記式（１）で表されるユニットの含有量は特に制限されないが、後述する基板との密着性、保存安定性、及び合成難易度の観点で、全ユニット（１００モル％）に対して、５〜５０モル％が好ましく、５〜４０モル％がより好ましい。５モル％未満の場合、反応性（硬化性、重合性）が低下することがあり、５０モル％を超える場合、ポリマーの合成の際にゲル化が起きやすく、反応の制御が難しくなる。
【０１７０】
［式（２）で表されるユニット］
上記ポリマーの好適態様の一つとして、めっき触媒の優れた吸着性点から、次式（２）で表されるユニット（繰り返し単位）を有するポリマーが挙げられる。該ユニットは、相互作用性基を含有するユニット（相互作用性基含有ユニット）である。
【０１７１】
【化５】
2012082478.tif 000007
【０１７２】
当該式（２）中、Ｒ５は、水素原子、又は、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。Ｒ５で表される置換又は無置換のアルキル基は、上述したＲ１〜Ｒ４で表される置換又は無置換のアルキル基と同義である。Ｒ５としては、水素原子、メチル基、又は、ヒドロキシ基若しくは臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
【０１７３】
Ｘ及びＬ２は、それぞれ独立に、単結合、又は置換若しく無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基の定義は、上述の通りである。Ｘとしては、好ましくは、単結合、エステル基、アミド基、エーテル基であり、より好ましくは、単結合、エステル基、アミド基であり、最も好ましくは、単結合、エステル基である。Ｌ２は、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキレン基、芳香族基、又はこれらを組み合わせた基であることが好ましい態様の１つである。該アルキレン基と芳香族基とを組み合わせた基は、さらに、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレア基を含んでいてもよい。中でも、Ｌ２は、総炭素数が１〜１５であることが好ましく、特に無置換であることが好ましい。なお、ここで、総炭素数とは、例えば、Ｌ２で表される置換又は無置換の二価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。
【０１７４】
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、フェニレン基、及びこれらの基が、メトキシ基、ヒドロキシル基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等で置換されたもの、さらには、これらを組み合わせた基が挙げられる。
【０１７５】
Ｗは、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基を表す。Ｗはポリマー直鎖から直接結合してもよい。つまり、前述のＸ及びＬ２が単結合となり、Ｗが直接炭素原子に結合してもよい。非解離性官能基の定義は、上述の通りである。
【０１７６】
上記式（２）で表されるユニットの好適態様の一つとして、次式（６）で表されるユニットが挙げられる。
【０１７７】
【化６】
2012082478.tif 000008
【０１７８】
当該式（６）中、Ｒ５、Ｘ及びＬ２の定義は、上記式（２）中の各基と同義である。上記式（２）で表されるユニットの他の好適態様として、次式（７）で表されるユニットが挙げられる。
【０１７９】
【化７】
2012082478.tif 000009
【０１８０】
当該式（７）中、Ｒ５及びＬ２の定義は、上記式（２）中の各基と同義である。Ｒ６は、無置換の、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、又はアリール基を表す。ポリマー中における上記式（２）で表されるユニットの含有量は特に制限されないが、めっき触媒又はその前駆体に対する吸着性、合成のしやすさの観点から、ポリマー中の全ユニット（１００モル％）に対して、２０〜９０モル％が好ましく、さらに好ましくは３０〜８０モル％である。
【０１８１】
＜任意ユニット＞
上記ポリマーは、水溶液に対する親和性が向上し、現像性がより向上する点から、さらに次式（３）で表されるユニットを有していてもよい。該ユニットは、イオン性極性基を有するユニットに該当する。
【０１８２】
【化８】
2012082478.tif 000010
【０１８３】
当該式（３）中、Ｒ７は、水素原子、又は、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。Ｒ７で表される置換又は無置換のアルキル基は、上述したＲ１〜Ｒ４で表される置換又は無置換のアルキル基と同義である。Ｒ７としては、水素原子、メチル基、又は、ヒドロキシ基若しくは臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｕ及びＬ３は、それぞれ独立して、単結合、又は置換若しく無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基の定義は、上述の通りである。Ｕの好ましい態様は、上記Ｘの好ましい態様と同じである。Ｌ３の好ましい態様は、上記Ｌ２の好ましい態様と同じである。
【０１８４】
Ｖは、イオン性極性基を表し、ポリマーの水溶液への現像性を付与しうるものであれば特に限定されない。具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、ボロン酸基が挙げられる。中でも、適度な酸性（他の官能基を分解しない）という点から、カルボン酸基が好ましく、電気配線として必要な低吸水性と、を両立するという観点で、特に、ポリマー主鎖に直接結合しているカルボン酸基、脂環構造と直接結合しているカルボン酸基（脂環式カルボン酸基）、ポリマー主鎖から離れたカルボン酸基（長鎖カルボン酸基）が好ましく、最も好ましくは、ポリマー主鎖に直結しているカルボン酸基である。
【０１８５】
このようなイオン性極性基は、ポリマーの一部に付加・置換させることで、ポリマー中に導入していてもよいし、また、イオン性極性基がペンダントされたモノマーを共重合することで、ポリマー中に導入してもよい。
【０１８６】
上記式（３）で表されるユニットにおいては、適度な酸性（他の官能基を分解しない）、アルカリ水溶液中では親水性を示し、水を乾燥すると環状構造により疎水性を示しやすいという点から、Ｖがカルボン酸基であり、且つ、Ｌ３のＶとの連結部に４員〜８員の環構造を有することが好ましい。ここで、４員〜８員の環構造としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、フェニル基が挙げられ、中でも、シクロヘキシル基、フェニル基が好ましい。即ち、この態様では、上記式（３）で表されるユニットの末端が脂環式カルボン酸基となる。
【０１８７】
また、上記式（３）で表されるユニットにおいては、適度な酸性（他の官能基を分解しない）、アルカリ水溶液中では親水性を示し、水を乾燥すると長鎖アルキル基構造により疎水性を示しやすいという点から、Ｖがカルボン酸基であり、且つ、Ｌ３の鎖長が６原子〜１８原子であることが好ましい。ここで、Ｌ３の鎖長とは、上記式（３）中のＵとＶとの距離を表し、ＵとＶとの間が６原子〜１８原子の範囲で離間していることが好ましいことを意味する。Ｌ３の鎖長として、より好ましくは、６原子〜１４原子であり、さらに好ましくは、６原子〜１２原子である。
【０１８８】
一方、上記式（３）で表されるユニットにおいて、Ｖがカルボン酸基であり、且つ、Ｕ及びＬ３が単結合であることも好ましい態様の１つである。この態様であると、ポリマー主鎖でカルボン酸基が遮蔽されると予想され、その結果、疎水化でき、金属パターン形成直後において、基板と金属パターンとの密着性を高めることができ、また、ポリマー層の水に対する耐性を高めることができる。
【０１８９】
ポリマー中における上記式（３）で表されるユニットの含有量は特に制限されないが、水溶液による現像性と耐湿密着性の点から、ポリマー中の全ユニット（１００モル％）に対して、２０〜７０モル％が好ましく、さらに好ましくは２０〜６０モル％である。特に好ましくは３０〜５０モル％である。この範囲にて、より現像性と耐湿密着力を両立することができる。
【０１９０】
ポリマー中における上述したユニットの結合様式は特に限定されず、各ユニットがランダムに結合したランダム重合体であっても、各ユニットが同じ種類同士連結してブロック部を形成するブロックポリマーであってもよい。
【０１９１】
なお、上述したポリマーは、上記ユニット以外に、本発明の効果を損なわない範囲で、他のユニットを含んでいてもよい。但し、後述するように重合性基をポリマーに反応させて導入する場合は、１００％導入することが困難な際には少量の反応性部分が残ってしまうことから、これが他のユニットとなる可能性もある。
【０１９２】
本例のめっき受容性層液１８Ａに適用されるポリマーの好ましい態様としては、上記式（１）で表されるユニットと、上記式（６）で表されるユニットとを有するポリマー、上記式（１）で表されるユニットと上記式（７）で表されるユニットとを有するポリマー、上記式（１）で表されるユニット、上記式（２）で表されるユニット、及び上記式（３）で表されるユニットを有するポリマーなどが挙げられる。
【０１９３】
本例のめっき受容性層液１８Ａに適用されるポリマーの重量平均分子量は特に限定されないが、１０００以上２０万以下が好ましく、さらに好ましくは２０００以上１０万以下である。特に、インクジェット吐出安定性、重合感度、密着性の観点から、該ポリマーの重量平均分子量は、８０００以上５万以下であることが好ましい。
【０１９４】
また、本例のめっき受容性層液１８Ａに適用されるポリマーの重合度としては、１０量体以上のものを使用することが好ましく、さらに好ましくは２０量体以上のものである。また、２０００量体以下が好ましく、１０００量体以下が特に好ましい。
【０１９５】
＜ポリマーの合成方法＞
ポリマーの合成方法としては、以下の方法が好ましく挙げられる。
【０１９６】
ｉ）相互作用性基を有するモノマー、及び重合性基を有するモノマーを共重合する方法、ｉｉ）相互作用性基を有するモノマー、及び二重結合前駆体を有するモノマーを共重合させ、次に塩基などの処理により二重結合を導入する方法、ｉｉｉ）相互作用性基を有するモノマー及び二重結合導入のための反応性基を有するモノマーを共重合させ、得られた反応性基を有するポリマーに、該反応性基と反応しうる重合性基を有するモノマーを反応させ、二重結合を導入（重合性基を導入する）する方法が挙げられる。
【０１９７】
合成適性の観点から、好ましい方法としては、上記ｉｉ）及び上記ｉｉｉ）の方法である。合成する際の重合反応の種類は特に限定されず、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合などが挙げられるが、ラジカル重合で行うこと好ましい。また、上記のイオン性極性基を有するユニットを導入する場合は、イオン性極性基を有するモノマーを合わせて使用する。
【０１９８】
なお、本発明のポリマーは、特許公開２００９−２８０９０５号の段落〔００９７〕〜〔０１２５〕に記載の方法などを参照して合成することができる。具体的には、上記ii）の合成方法において、二重結合前駆体を二重結合に変換するには、下記に示すように、Ｂ、Ｃで表される脱離基を脱離反応により除去する方法、つまり、塩基の作用によりＣを引き抜き、Ｂが脱離する反応を使用する。
【０１９９】
なお、下記式中、Ａは重合性基を有する有機団、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基、Ｂ及びＣはそれぞれ独立して脱離反応により除去される脱離基であり、Ｂ、Ｃのいずれか一方が水素原子であり、他方がハロゲン原子、スルホン酸エステル基、エーテル基、又はチオエーテル基を表す。ここでいう脱離反応とは、塩基の作用によりＣが引き抜かれ、Ｂが脱離するものである。Ｂはアニオンとして、Ｃはカチオンとして脱離するものが好ましい。また、塩基としては、アルカリ金属類の水素化物、水酸化物又は炭酸塩、有機アミ化合物、金属アルコキシド化合物が好ましい例として挙げられる。
【０２００】
【化９】
2012082478.tif 000011
【０２０１】
また、上記ｉｉｉ）の合成方法において、二重結合導入のための反応性基を有するモノマーとしては、反応性基としてカルボキシル基、水酸基、エポキシ基、又はイソシアネート基を有するモノマーが挙げられる。また、反応性基を有するポリマーと反応させる重合性基を有するモノマーとしては、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、イソシアネート基、ハロゲン化ベンジル基などの反応性基を有することが好ましい。
【０２０２】
ポリマー中の反応性基と、モノマー中の反応性基との組み合わせとしては、以下のようなパターンがある。
【０２０３】
即ち、（ポリマーの反応性基、モノマーの反応性基）＝（カルボキシル基、エポキシ基）、（カルボキシル基、イソシアネート基）、（水酸基、エポキシ基）、（水酸基、イソシアネート基）、（イソシアネート基、水酸基）、（イソシアネート基、カルボキシル基）、（エポキシ基、カルボキシル基）等を挙げることができる。
【０２０４】
なお、ポリマーの合成方法として、側鎖にヒドロキシル基を有するポリマー、及び、イソシアネート基と重合性基とを有する化合物を用い、該ヒドロキシル基に該イソシアネート基を付加させることによりＬ１中のウレタン結合を形成することが好ましい。
【０２０５】
また、ポリマーの合成方法として、側鎖にカルボキシル基を有するポリマー、及び、ハロゲン化ベンジル基と重合性基とを有する化合物を用い、該カルボキシル基に該ハロゲン化ベンジル基を付加させることによりＬ１中のメチレン基を形成することも好ましい。
【０２０６】
＜溶媒＞
本発明のインクジェットインクには、次式（Ａ）で表される沸点の平均値を満たす溶媒類（液体類）が含有される。
【０２０７】
【数１】
2012082478.tif 000012
【０２０８】
該溶媒は、上述したポリマーを溶解又は分散させることができる。本発明において、用いられる溶媒が所定の沸点を示すことにより、優れた連続吐出安定性や、ポリマー層の優れた形成性を示すインクを得ることができる。インクジェットインク中で使用される溶媒類（液体類）は、当該の式（Ａ）で表される、沸点の平均値が１５０℃以上を示す。
【０２０９】
上記式（Ａ）中、Ｗｉインクジェットインク中のｉ番目の溶媒の溶媒全量に対する質量比（ｉ番目の溶媒質量／全溶媒質量）（質量分率）を表す。Ｔｂｉはインクジェットインク中のｉ番目の溶媒の沸点（℃）（１気圧下）を表す。ｉは１〜ｎの整数を表す。
【０２１０】
ｎはインクジェットインクに含有される溶媒の数を表し、具体的には、ｎは１以上の整数を表す。例えば、２種の溶媒を使用する場合はｎ＝２となり、３種の溶媒を使用する場合はｎ＝３となる。なお、ｎの上限は特に制限されないが、コストなどの観点より、５以下が好ましく、３以下がより好ましい。上記式（Ａ）中、Σは合計を表す。
【０２１１】
上記式（Ａ）では、各溶媒の沸点値に、該溶媒の全溶媒中における質量分率を乗じて得た値を求め、それらを足した総和である。得られる値によって、インクジェット中の溶媒の揮発の程度を見積もることができる。より具体的には、１種の溶媒のみを使用する場合は、ｎ＝１となり、使用される溶媒の沸点値がＴ（ｂ）に該当する。
【０２１２】
また、二種類の溶媒を併用する場合（溶媒Ｘの沸点：ＴＸ、溶媒Ｙの沸点：ＴＹ）、Ｔ（ｂ）は、次式
Ｔ（ｂ）＝｛ＴＸ×(溶媒Ｘの質量／全溶媒質量)｝＋｛ＴＹ×(溶媒Ｙの質量／全溶媒質量)｝
より求めることができる。
【０２１３】
さらに、三種類の溶媒を併用する場合（溶媒Ｘの沸点：ＴＸ、溶媒Ｙの沸点：ＴＹ、溶媒Ｚの沸点：ＴＺ）、Ｔ（ｂ）は、次式
Ｔ（ｂ）＝｛ＴＸ×(溶媒Ｘの質量／全溶媒質量)｝＋｛ＴＹ×(溶媒Ｙの質量／全溶媒質量)｝＋｛ＴＺ×(溶媒Ｚの質量／全溶媒質量)｝
より求めることができる。
【０２１４】
上記式（Ａ）で表されるＴ（ｂ）は、１５０℃以上を示すが、インクの連続吐出安定性、ポリマー層の形成性がより優れる点で、１５５℃以上が好ましく、１６０℃以上がより好ましい。上限に関しては特に制限はないが、通常、２７０℃以下が好ましく、２４０℃以下がより好ましい。
【０２１５】
使用される溶媒は、非重合性溶媒（非重合性液体）であっても、重合性基を含有する重合性溶媒（重合性液体）であってもよい。なお、重合性溶媒は、重合性基を有する液状モノマーを意味する。重合性溶媒は、吐出可能な粘度を有していれば特に限定されないが、溶解性の観点より、分子量３００以下、重合性官能基数２以下のものが特に好ましい。
【０２１６】
より具体的に、使用される溶媒としては、例えば、アルデヒド系溶媒（例えば、２−アルアルデヒド、ベンズアルデヒドなどの沸点１８０℃未満である溶媒）、エーテル系溶媒（例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピルエーテル、１，４−ジオキサン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエチルアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテルなどの沸点１８０℃未満の溶媒、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテルなどの沸点１８０℃以上の溶媒）、アミド系溶媒（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどの沸点１８０℃未満の溶媒、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドンなどの沸点１８０℃以上の溶媒）、アミン系溶媒（例えば、トリエチルアミン、ピリジンなどの沸点１８０℃未満の溶媒）、脂肪族炭化水素系溶媒（例えば、シクロヘキサン、ヘプタンなどの沸点１８０℃未満の溶媒）、芳香族炭化水素系溶媒（例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの沸点１８０℃未満の溶媒、アニリン、クレソール、テトラリンなどの沸点１８０℃以上の溶媒）、アルコール系溶媒（例えば、エタノール、ブタノール、ヘキサノール、メチルシクロヘキサノールなどの沸点１８０℃未満の溶媒、グリセロール、２−エチル−１−ヘキサノール、ベンジルアルコール、デカノールなどの沸点１８０℃以上の溶媒）、エステル系溶媒（例えば、エチルアセテート、プロピルアセテート、ジエチルカルボネート、エチルラクテートなどの沸点１８０℃未満の溶媒、２−エトキシエチルアセテート、エチルベンゾエート、プロピレンカルボネート、トリアセチンなどの沸点１８０℃以上の溶媒）、ケトン系溶媒（例えば、２−ブタノン、シクロヘキサノンなどの沸点１８０℃未満の溶媒、アセトフェノンなどの沸点１８０℃以上の溶媒）、ニトリル系溶媒（例えば、アセトニトリルなどの沸点１８０℃未満の溶媒、シアノエチルアクリレートなどの沸点１８０℃以上の溶媒）、ハロゲン系溶媒（例えば、トリクロロメタン、テトラクロロメタン）、硫黄系溶媒（例えば、ジメチルスルホキシド）、有機酸（例えば、酢酸）などが挙げられる。
【０２１７】
中でも、溶解性、インクジェットヘッド攻撃性、素材の選択性の観点より、アルコール系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒（特に、（オリゴ）エチレングリコール誘導体、（オリゴ）プロピレングリコール誘導体）、重合性溶媒などが好ましい。
【０２１８】
本例に示すめっき受容性層液１８Ａに適用される溶媒は、上記したものを一種のみ使用してもよいし、二種以上の混合溶媒として使用してもよい。
【０２１９】
＜溶媒の好適態様＞
使用される溶媒の好適態様の一つとして、沸点が１８０℃未満である溶媒Ａ、及び、沸点が１８０℃以上である溶媒Ｂを少なくとも含有し、質量基準で溶媒Ａが溶媒Ｂよりも多く含まれる混合溶媒が挙げられる。該混合溶媒を使用すると、優れた連続吐出安定性を保持しつつ、描画時のポリマー膜の面状が向上し、細線描画時の精度向上にも繋がる点で好ましい。
【０２２０】
該好適態様においては、溶媒Ａ及び溶媒Ｂをそれぞれ２種以上含有していてもよい。
【０２２１】
溶媒Ａは、沸点（１気圧下）が１８０℃未満の溶媒を表す。溶媒Ａの沸点としては、インクジェットヘッドから吐出後にいち早く揮発しインク成分を増粘させる点から、１５０℃以下がより好ましく、１４０℃以下が特に好ましい。その沸点の下限としては７０℃以上が好ましく、９０℃以上がより好ましい。
【０２２２】
溶媒Ｂは、沸点（１気圧下）が１８０℃以上の溶媒を表す。溶媒Ｂの沸点としては、インクジェットヘッドの乾燥を抑制し、優れた連続吐出安定性を付与する点から、２００℃以上がより好ましく、２２０℃以上が特に好ましい。不揮発性分としての扱いとなる重合性溶媒を除き、その沸点の上限としては３３０℃以下が好ましく、３００℃以下がより好ましい。溶媒Ａと溶媒Ｂとの沸点の差は特に限定されないが、５０℃以上が好ましく、７０℃以上がより好ましい。
【０２２３】
なお、溶媒Ａ（または溶媒Ｂ）が二種以上使用される場合は、全溶媒Ａ量に対する各溶媒Ａの質量分率に、各溶媒Ａの沸点を乗じて得た値を足した値を、溶媒Ａの沸点とする。溶媒Ｂの場合も同様である。より具体的には、各溶媒の沸点は、それぞれ次式（Ｂ）又は次式（Ｃ）で表される沸点である。
【０２２４】
【数２】
2012082478.tif 000013
【０２２５】
式（Ｂ）中、ＷＡｉはインクジェットインク中のｉ番目の溶媒Ａの溶媒Ａ全量に対する質量比（ｉ番目の溶媒Ａ質量／全溶媒Ａ質量）（質量分率）を表す。
【０２２６】
ＴＡｂｉはインクジェットインク中のｉ番目の溶媒Ａの沸点（℃）（１気圧下）を表す。ｉは１〜ｎＡの整数を表す。
【０２２７】
ｎＡはインクジェットインクに含有される溶媒Ａの数を表し、具体的には、ｎＡは１以上の整数を表す。例えば、二種の溶媒Ａを使用する場合はｎＡ＝２となり、三種の溶媒Ａを使用する場合はｎＡ＝３となる。なお、ｎＡの上限は特に制限されないが、コストなどの観点より、５以下が好ましく、３以下がより好ましい。式（Ｂ）中、Σは合計を表す。
【０２２８】
式（Ｃ）中、ＷＢｉはインクジェットインク中のｉ番目の溶媒Ｂの溶媒Ｂ全量に対する質量比（ｉ番目の溶媒Ｂ質量／全溶媒Ｂ質量）（質量分率）を表す。
【０２２９】
ＴＢｂｉはインクジェットインク中のｉ番目の溶媒Ｂの沸点（℃）（１気圧下）を表す。ｉは１〜ｎＢの整数を表す。
【０２３０】
ｎＢはインクジェットインクに含有される溶媒Ｂの数を表し、具体的には、ｎＢは１以上の整数を表す。なお、ｎＢの上限は特に制限されないが、コストなどの観点より、５以下が好ましく、３以下がより好ましい。
【０２３１】
該好適態様において、インクジェット中、質量基準で溶媒Ａが溶媒Ｂよりも多く含有される。言い換えると、インクジェットインク中における溶媒Ａと溶媒Ｂとの質量比（溶媒Ａの質量／溶媒Ｂの質量）は１を超える数値となる。
【０２３２】
該質量比としては、連続吐出安定性と、描画時のポリマー膜の面状の両立の点から、２以上がより好ましい。上限としては、通常、２０以下が好ましく、１０以下がより好まし
溶媒Ｂの好ましい態様としては、描画時のポリマー膜の面状良化の点から、重合性溶媒（重合性液体）が挙げられる。重合性溶媒としては、分子量が比較的小さく、ポリマー成分への溶解性が高い分子量３００以下で２官能以下のものが望ましく、さらに、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基（式（１）内のＷ基）を有することが好ましい。
【０２３３】
具体的には、イミド基、ピリジン基、３級のアミノ基、アンモニウム基、ピロリドン基、アミジノ基、トリアジン環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾール基、ベンズイミダゾール基、キノリン基、ピリミジン基、ピラジン基、ナゾリン基、キノキサリン基、プリン基、トリアジン基、ピペリジン基、ピペラジン基、ピロリジン基、ピラゾール基、アニリン基、アルキルアミン基構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアノ基、シアネート基（Ｒ−Ｏ−ＣＮ）などの含窒素官能基、エーテル基、カルボニル基、エステル基、Ｎ−オキシド構造を含む基、Ｓ−オキシド構造を含む基、Ｎ−ヒドロキシ構造を含む基、フェノール性水酸基、又は水酸基を含む、（メタ）アクリレート又は（メタ）アクリルアミドなどが好ましい。
【０２３４】
＜インクジェット方式への対応＞
本発明に適用されるめっき受容性層液は、上記ポリマーと上記溶媒とが含まれる。インクジェットインク中におけるポリマーの含有量は特に制限されないが、連続吐出安定性により優れる点で、インク全量に対して、１〜２０質量％が好ましく、４〜１５質量％がより好ましい。
【０２３５】
インクジェットインク中における上記溶媒の含有量は特に制限されないが、連続吐出安定性により優れる点で、インク全量に対して、８０〜９９質量％が好ましく、８５〜９６質量％がより好ましい。
【０２３６】
＜任意成分＞
本発明に適用されるめっき受容性層液は、本発明の効果を損なわない範囲で、界面活性剤、ラジカル発生剤などを含有していてもよい。
【０２３７】
＜界面活性剤＞
本発明に適用されるめっき受容性層液は、さらに界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤を含む場合、インクジェット吐出安定性、着弾時のレベリング性の点で好ましい。
【０２３８】
界面活性剤の例として、ノニオン系界面活性剤、両性界面活性剤、アンモニウムイオンを対イオンとするアニオン系界面活性剤、有機酸アニオンを対イオンとするカチオン系界面活性剤などが挙げられる。ノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリエチレングリコール誘導体、ポリプロピレングリコール誘導体が挙げられる。両性界面活性剤としては、例えば、長鎖アルキルのベタイン類が挙げられる。アンモニウムイオンを対イオンとするアニオン系界面活性剤としては、例えば、長鎖アルキル硫酸アンモニウム塩、アルキルアリール硫酸アンモニウム塩、アルキルアリールスルホン酸アンモニウム塩、アルキルリン酸アンモニウム塩、ポリカルボン酸系高分子のアンモニウム塩などが挙げられる。
【０２３９】
めっき受容性層液中の界面活性剤の含有量は、特に限定されないが、インク全量に対して、５質量％以下が好ましく、０．０１〜２質量％がより好ましい。上記範囲内であれば、インクの他物性を損ねることなく、好ましい表面張力を得られる点で好ましい。
【０２４０】
＜ラジカル発生剤＞
本発明に適用されるめっき受容性層液は、上記ポリマー中の重合性基の反応を促進する目的で、ラジカル発生剤（重合開始剤）を含有していてもよい。ラジカル発生剤は、ポリマーの種類にあわせて選択することができ、光ラジカル発生剤、熱ラジカル発生剤などが挙げられる。
【０２４１】
中でも、オキシムエステル類、アシルホスフィンオキサイド類、α―ヒドロキシアルキルケトン類、ロフィンダイマー類、及びトリハロメチルトリアジン類からなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。
【０２４２】
ラジカル発生剤の含有量は、インク全量に対して、０．１〜５質量％であることが好ましく、より好ましくは０．５〜３質量％である。含有量が上述の範囲内であると、より良好な感度と強固な硬化部を形成することができる。
【０２４３】
〔インクジェットインクの製造方法〕
本発明に適用される密着補助層液及びめっき受容性層液の製造には、公知のインクジェットインクの製造方法を適用することが可能である。例えば、溶媒中に上記ポリマーを溶解させた後、インクジェットインクに必要な各成分（例えば、界面活性剤、ラジカル発生剤）を溶解させてインクジェットインクを調製することができる。
【０２４４】
＜インクジェットインクの物性値＞
本発明のインクジェットインクの物性値としては、インクジェットヘッドで吐出可能な範囲であれば特に限定されないが、インク粘度は安定吐出の観点から、打滴時のヘッド内の温度において２０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、２〜１５ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。また、装置で吐出する際には、インクジェットインクの温度を２０〜８０℃の範囲でほぼ一定温度に保持することが好ましく、該温度範囲で粘度が２０ｍＰａ・ｓとなることがより好ましい。装置の温度を高温に設定すると、インクの粘度が低下し、より高粘度のインクを吐出可能となる。しかし、温度が高くなることにより、熱によるインクの変性や熱重合反応がヘッド内で発生したり、インクを吐出するノズル表面で溶剤が蒸発したりして、ノズル詰まりが起こりやすくなるため、５０℃以下であることが好ましい。なお、上記粘度は、一般に用いられるＥ型粘度計（例えば、東機産業（株）製Ｅ型粘度計（ＲＥ−８０Ｌ）を用いることにより測定される値である。
【０２４５】
また、インクジェットインクの２５℃の表面張力（静的表面張力）としては、非浸透性の基板に対する濡れ性の向上、及び吐出安定性の点で、２０〜４０ｍＮ／ｍが好ましく、２０〜３５ｍＮ／ｍがより好ましい。上述の表面張力は、一般的に用いられる表面張力計（例えば、協和界面科学（株）製、表面張力計ＦＡＣＥ  ＳＵＲＦＡＣＥ  ＴＥＮＳＩＯＭＥＴＥＲ  ＣＢＶＢ−Ａ３など）を用いて、ウィルヘルミー法で液温２５℃、６０％ＲＨにて測定される値である。
【０２４６】
以上説明した密着補助層液及びめっき受容性層液は、本発明の適用範囲を限定するものではなく、本発明の作用効果が得られる範囲において、適宜変更することが可能である。
【０２４７】
本例では、基板上の配線パターン描画を行う方法及び装置を例示したが、本発明は、紙などの記録媒体上に画像を形成するグラフィック印刷や、有機ＥＬパネルなどの薄型パネルの作製にも適用可能であり、同様の効果を得ることができる。
【０２４８】
以上、本発明に係る配線構造体パターン形成方法及びパターン形成装置並びに複合型ヘッドについて詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよい。
【０２４９】
〔付記〕
上記に詳述した実施形態についての記載から把握される通り、本明細書では以下に示す発明を含む多様な技術思想の開示を含んでいる。
【０２５０】
（発明１）：材質が異なる第１の基材及び第２の基材を含む基板の表面に、前記第１の基材及び第２の基材をまたがって形成される電気配線のパターンに対応して、前記第１の基材に対応する第１の密着補助層をインクジェット方式によりパターンニングして形成するとともに、前記第２の基材に対応する第２の密着補助層をインクジェット方式によりパターンニングして形成する密着補助層形成工程と、前記第１の密着補助層及び前記第２の密着補助層の上に、めっき触媒又はめっき触媒の前駆体と相互作用する官能基と重合性基とを有するポリマー、若しくは、前記ポリマーを形成しうるポリマー前駆体を含有するめっき受容性層をインクジェット方式によりパターンニングして形成するめっき受容性層形成工程と、前記形成されためっき受容性層に対してめっき処理を行うめっき処理工程と、を含むことを特徴とする配線構造体製造方法。
【０２５１】
本発明によれば、材質が異なる複数の基材を含む基板の表面に、該複数の基材をまたがるように電気配線を形成する際に、インクジェット方式によりパターンニングされる密着補助層が基材の材質に対応して基材ごとに形成されるので、基材の材質の違いによりドットが不均一に形成される液食われが防止され、異なる基材の境界においても連続した好ましい密着補助層のパターンが形成される。当該密着補助層上にめっき受容性層が形成され、さらに、めっき受容性層に対して施されためっき処理により析出させた金属導体によって好ましい電気配線パターンが形成された配線構造体を得ることができる。
【０２５２】
本発明において、第１の基材を基板とし、第２の基材を該基板に搭載される素子とする態様が可能である。基板の一例として、プリント配線基板、フレキシブル基板、ガラス基板などが挙げられる。また、素子の一例として、集積回路が形成されたシリコン基板が挙げられる。
【０２５３】
第２の密着補助層は、第１の密着補助層と第２の基材（素子）に形成される電極との間を埋めるように、第１の密着補助層及び電極と接触するように形成される態様が好ましい。
【０２５４】
本発明において、めっき受容性層に対してめっき触媒又はめっき触媒の前駆体を付与する工程を含み、前記めっき処理工程は、前記付与されためっき触媒又はめっき触媒の前駆体に対してめっき処理を施すように構成してもよい。
【０２５５】
（発明２）：発明１に記載の配線構造体製造方法において、前記基板の表面における、前記第１の基材と前記第２の基材との境界を検出する検出工程と、前記検出工程により得られた情報に基づいて、前記第１の密着補助層及び前記第２の密着補助層が形成される位置を調整する調整工程と、を含むことを特徴とする。
【０２５６】
かかる態様によれば、第１の基材と第２の基材との境界を検出し、当該境界に合わせて第１の密着補助層と第２の密着補助層との境界が決められるので、第１の密着補助層を形成する液体及び第２の密着補助層を形成する液体の濡れ広がりが抑止でき、第１の密着補助層と第２の密着補助層との境界が正確に描画され、密着信頼性が向上する。
【０２５７】
検出工程は、基板のパターン形成面を撮像する撮像工程と、読取結果（読取信号）に基づいて第１の基材と第２の基材との境界位置を把握する工程と、該境界位置を記憶する記憶工程と、を含む態様が好ましい。
【０２５８】
また、第１の基材と第２の基材との境界位置は、パターン形成面の座標として把握し、記憶する態様が好ましい。
【０２５９】
（発明３）：発明１又は２に記載の配線構造体製造方法において、前記密着補助層形成工程は、前記境界を含む前記境界の近傍領域に対して、前記第１の密着補助層を形成する第１の密着補助層液及び前記第２の密着補助層を形成する第２の密着補助層液を所定の比率で打滴して第３の密着補助層を形成することを特徴とする。
【０２６０】
かかる態様によれば、第１の密着補助層と第２の密着補助層との境界と、第１の基材と第２の基材との境界と、のアライメントにずれが生じたとしても、所定の密着性を確保しうる。
【０２６１】
（発明４）：発明１又は２に記載の配線構造体製造方法において、前記密着補助層形成工程は、前記第１の密着補助層を形成する第１の密着補助層液と前記第２の密着補助層を形成する第２の密着補助層液が所定の比率で混合された第３の密着補助層液を用いて、前記境界を含む前記境界の近傍領域に対して第３の密着補助層を形成することを特徴とする。
【０２６２】
かかる態様において、打滴前に第１の密着補助層液と第２の密着補助層液とを混合してもよいし、打滴後に基板上で第１の密着補助層液と第２の密着補助層液とを混合してもよい。
【０２６３】
（発明５）：発明１乃至４のいずれかに記載の配線構造体製造方法において、前記第１の基材と前記第２の基材との境界における隙間に対して、前記第１の密着補助層液を打滴する充填工程を含むことを特徴とする。
【０２６４】
かかる態様によれば、第１の基材と第２の基材との間に隙間が生じたとしても、当該隙間を第１の密着補助層液により埋めることで、第１の基材と第２の基材との境界における断線が防止されるとともに、所定の密着性を確保しうる。
【０２６５】
（発明６）：発明１乃至５のいずれかに記載の配線構造体製造方法において、前記第１の基材と前記第２の基材との段差に傾斜部を形成する傾斜部形成工程を含むことを特徴とする。
【０２６６】
かかる態様において、第１の基材と第２の基材との間に段差が生じたとしても、傾斜部に電気配線を形成することで、第１の基材と第２の基材との間の段差に起因する断線が防止されるとともに、所定の密着性能を確保しうる。
【０２６７】
「傾斜部」の一例として、第１の基材の上面と第２の基材の上面との段差をつなぐ傾斜面を有する構造体が挙げられる。第１の基材上に第２の基材が搭載される場合には、第１の基材に対応する第１に密着補助層液を用いて傾斜部が形成される。
【０２６８】
傾斜部形成工程は、傾斜部を構成する液体を打滴する工程と、該液体を硬化させる工程と、を含む態様がありうる。
【０２６９】
（発明７）：材質が異なる第１の基材及び第２の基材を含む基板の表面に、前記第１の基材及び第２の基材をまたがって形成される電気配線のパターンに対応して、前記第１の基材に対応する第１の密着補助層をインクジェット方式によりパターンニングして形成するとともに、前記第２の基材に対応する第２の密着補助層をインクジェット方式によりパターンニングして形成する密着補助層形成手段と、前記第１の密着補助層及び前記第２の密着補助層の上に、めっき触媒又はめっき触媒の前駆体と相互作用する官能基と重合性基とを有するポリマー、若しくは、前記ポリマーを形成しうるポリマー前駆体を含有するめっき受容性層をインクジェット方式によりパターンニングして形成するめっき受容性層形成手段と、前記めっき受容性層に対してめっき処理を行うめっき処理手段と、を含むことを特徴とする配線構造体製造装置。
【０２７０】
本発明において、密着補助層形成手段は、インクジェット方式により第１の密着補助層液を打滴する第１のインクジェットヘッドを備えた第１の密着補助層形成手段と、インクジェット方式により第２の密着補助層液を打滴する第２のインクジェットヘッドを備えた第２の密着補助層形成手段と、を備える態様が可能である。
【０２７１】
また、めっき受容性層形成手段は、インクジェット方式によりめっき受容性層液を打滴するインクジェットヘッドを備える態様が可能である。
【０２７２】
さらに、めっき受容性層に対してめっき触媒又はめっき触媒の前駆体を付与するめっき触媒付与手段を備え、前記めっき処理手段は、前記付与されためっき触媒又はめっき触媒の前駆体に対してめっき処理を施すように構成してもよい。
【０２７３】
さらにまた、前記基板の表面における、前記第１の基材と前記第２の基材との境界を検出する検出する検出手段と、前記検出工程により得られた情報に基づいて、前記第１の密着補助層及び前記第２の密着補助層が形成される位置を調整する調整手段と、を備える態様が好ましい。
【０２７４】
（発明８）：材質が異なる第１の基材及び第２の基材を含む基板の表面に、前記第１の基材及び第２の基材をまたがって形成される電気配線のパターンに対応して、前記第１の基材に対応して形成される第１の密着補助層と、材質が異なる第１の基材及び第２の基材を含む基板の表面に、前記第１の基材及び第２の基材をまたがって形成される電気配線のパターンに対応して、前記第２の基材に対応して形成される第２の密着補助層と、前記第１の密着補助層及び前記第２の密着補助層の上に形成され、めっき触媒又はめっき触媒の前駆体と相互作用する官能基と重合性基とを有するポリマー、若しくは、前記ポリマーを形成しうるポリマー前駆体を含有するめっき受容性層と、前記めっき受容性層に対するめっき処理により析出させた金属導体による電気配線と、を備えたことを特徴とする配線構造体。
【０２７５】
本発明によれば、第１の基材と第２の基材との境界における電気配線の断線が防止され、かつ、当該電気配線は第１の基材及び第２の基材との好ましい密着性が確保される。
【０２７６】
（発明９）：発明８に記載の配線構造体において、前記電気配線は、前記基板上に搭載された素子間、又は前記素子と前記基板に搭載された構成要素とを電気的に接続する構造を有することを特徴とする。
【０２７７】
かかる態様において、基板と素子との間に段差が生じている場合には、素子の周囲に傾斜部を備える態様が好ましい。
【符号の説明】
【０２７８】
１…配線構造体、１０…基板、１０Ａ…隙間、１２…シリコンチップ、１４…第１の密着補助層、１４Ａ…第１の密着補助層液、１６…第２の密着補助層、１６Ａ…第２の密着補助層液、１８…めっき受容性層、１８Ａ…めっき受容性層液、２０…電気配線、２２…境界、２６…パッド、２８，２８’，２８”…第３の密着補助層、１００…配線構造体製造装置、１２０…第１の密着補助層形成部、１２２，１６２，１７２…インクジェットヘッド、１３６…アライメント検出部、１６０…第２の密着補助層形成部、１８０…めっき処理部、３０４…システムコントローラ、３０８…プリント制御部、３１０…ヘッドドライバ、３２６…アライメント制御部、３３４…アライメント部、３２０…観察部、３２２…観察制御部
【図１】
2012082478.tif 000014
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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