(57)【要約】【課題】薄型で安価な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、リードフレームと、ＬＥＤチップと、透明樹脂と、ハウジング樹脂とを備えている。透明樹脂は、ＬＥＤチップ及びリードフレームの上面を覆うとともに第１のリードフレームと第２のリードフレームとの間に充填され、一部がリードフレームの下面側に露出されている。ハウジング樹脂は、リードフレーム上に設けられ、透明樹脂の上面を覆う上部と、透明樹脂の側面を覆う側面部と、透明樹脂の側面の一部を露出させる開口部とを有する。【選択図】図１
2012134295.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一平面上に配置されて相互に離隔した第１のリードフレームと第２のリードフレームとを有するリードフレームと、
前記リードフレームの上面に実装され、前記第１のリードフレームに接続された第１の端子と、前記第２のリードフレームに接続された第２の端子とを有するＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップと、
前記ＬＥＤチップ及び前記リードフレームの前記上面を覆うとともに前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームとの間に充填され、一部が前記リードフレームの下面側に露出された透明樹脂と、
前記リードフレーム上に設けられ、前記透明樹脂の上面を覆う上部と、前記透明樹脂の側面を覆う側面部と、前記透明樹脂の側面の一部を露出させる開口部とを有するハウジング樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記ハウジング樹脂における少なくとも内壁は、前記ＬＥＤチップが発する光に対する反射性を有することを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記第１のリードフレームの下面及び前記第２のリードフレームの下面にはそれぞれ凸部が形成され、
前記凸部の下面は前記透明樹脂で覆われずに露出し、前記凸部の側面は前記透明樹脂に覆われていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームのうちの少なくとも一方は、
周囲が前記透明樹脂に覆われたベース部と、
前記ベース部から延出し、その先端面が前記透明樹脂から露出し、その下面が前記透明樹脂に覆われた吊ピンと、
を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
凹部を有するハウジング樹脂における前記凹部に未硬化状態の透明樹脂を供給する工程と、
同一平面上に配置されて相互に離隔した第１のリードフレームと第２のリードフレームとを有し、一方の面にＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップが実装されたリードフレームシートの他方の面を支持体に支持させた状態で、前記一方の面及び前記ＬＥＤチップを前記透明樹脂に押し付けて前記透明樹脂を硬化させる工程と、
前記透明樹脂の硬化後、前記支持体を剥離する工程と、
前記透明樹脂の硬化後、前記ハウジング樹脂における前記凹部の壁部、前記凹部内の前記透明樹脂、前記透明樹脂の下の前記凹部の底部及び前記リードフレームシートを切断する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項６】
凹部を有する成形型における前記凹部に未硬化状態の透明樹脂を供給する工程と、
同一平面上に配置されて相互に離隔した第１のリードフレームと第２のリードフレームとを有し、一方の面にＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップが実装されたリードフレームシートの他方の面を支持体に支持させた状態で、前記一方の面及び前記ＬＥＤチップを前記透明樹脂に押し付けて前記透明樹脂を硬化させる工程と、
前記透明樹脂の硬化後、前記支持体を剥離する工程と、
前記透明樹脂の硬化後、前記透明樹脂及び前記リードフレームシートを切断する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記透明樹脂において、前記成形型の前記凹部に充填された部分の間の部分を切断することを特徴とする請求項６記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記リードフレームシートを形成する工程は、
導電シートを上面側及び下面側からそれぞれ選択的にエッチングし、少なくとも前記下面側からのエッチングは前記導電シートを貫通する前に停止させることにより、前記第１のリードフレームの下面及び前記第２のリードフレームの下面にそれぞれ凸部を形成する工程を有し、
前記支持体を剥離すると、前記凸部の下面は前記透明樹脂から露出されることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップを囲むパッケージの側面の一部が開口され、その開口から光が外部へと放出される構造を有するサイドビュータイプの半導体発光装置が知られている。
【０００３】
サイドビュータイプの発光装置の製造方法は、一般に、ハウジング樹脂の中空部にＬＥＤチップを実装する工程、そのＬＥＤチップとリードフレームとの配線を行う工程、およびハウジング樹脂の中空部に透明樹脂あるいは蛍光体を含んだ樹脂を充填する工程を有する。それら工程はハウジング樹脂の側面に形成された開口部を通じて行われるため、作業性が悪かった。
【０００４】
また、薄型化のためには、ハウジング樹脂の側面に形成する開口部の高さをできるだけ低くしたいが、開口部を通じて中空部にＬＥＤチップの実装や配線を行うことから、開口部を狭くするには限界があり、薄型化に制約があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−３１５６５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
薄型で安価な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態によれば、半導体発光装置は、リードフレームと、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップと、透明樹脂と、ハウジング樹脂と、を備えている。  
前記リードフレームは、同一平面上に配置されて相互に離隔した第１のリードフレームと第２のリードフレームとを有する。  
前記ＬＥＤチップは、  前記リードフレームの上面に実装され、前記第１のリードフレームに接続された第１の端子と、前記第２のリードフレームに接続された第２の端子とを有する。  
前記透明樹脂は、前記ＬＥＤチップ及び前記リードフレームの前記上面を覆うとともに前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームとの間に充填され、一部が前記リードフレームの下面側に露出されている。  
前記ハウジング樹脂は、前記リードフレーム上に設けられ、前記透明樹脂の上面を覆う上部と、前記透明樹脂の側面を覆う側面部と、前記透明樹脂の側面の一部を露出させる開口部とを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態の半導体発光装置の模式斜視図。
【図２】（ａ）は第１実施形態の半導体発光装置における光出射面側から見た模式側面図であり、（ｂ）は同半導体発光装置における実装面側の模式平面図。
【図３】第１実施形態の半導体発光装置におけるリードフレーム及びＬＥＤチップを示す模式斜視図。
【図４】第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。
【図５】第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。
【図６】図５（ａ）に示すハウジング樹脂の平面パターンの一例を示す模式平面図。
【図７】ハウジング樹脂のパターンの他の具体例を示す模式平面図。
【図８】リードフレームシートの模式平面図。
【図９】第２実施形態の半導体発光装置の模式側面図。
【図１０】第２実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。
【図１１】図１０（ａ）に示す成形型の平面パターンの一例を示す模式平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。
【００１０】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態の半導体発光装置の模式斜視図である。  
図２（ａ）は、本実施形態の半導体発光装置における光出射面側から見た模式側面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）における下面図である。  
図３は、本実施形態の半導体発光装置において、ハウジング樹脂及び透明樹脂を除いた要素の模式斜視図である。
【００１１】
本実施形態の半導体発光装置は、第１のリードフレーム（以下、単にリードフレームとも言う。）１１と、第２のリードフレーム（以下、単にリードフレームとも言う。）１２を備えている。
【００１２】
リードフレーム１１及びリードフレーム１２は、同一平面上に配置されており、相互に離隔している。リードフレーム１１及びリードフレーム１２の形状は平板状である。リードフレーム１１及びリードフレーム１２は同じ導電性材料からなり、例えば、銅板の上面及び下面に銀めっき層が形成された構造を有する。なお、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の端面には銀めっき層は形成されておらず、銅板が露出している。
【００１３】
ここで、本明細書においては、説明の便宜上、ＸＹＺ直交座標系を導入する。  
リードフレーム１１及びリードフレーム１２の上面に対して平行な方向のうち、リードフレーム１１からリードフレーム１２に向かう方向を＋Ｘ方向とする。  
リードフレーム１１及びリードフレーム１２の上面に対して垂直な方向のうち、上方（ＬＥＤチップ１４が実装されている方向）を＋Ｚ方向とする。  
＋Ｘ方向及び＋Ｚ方向の双方に対して直交する方向のうち一方を＋Ｙ方向とする。  
なお、＋Ｘ方向、＋Ｙ方向及び＋Ｚ方向の反対方向を、それぞれ、−Ｘ方向、−Ｙ方向及び−Ｚ方向とする。また、例えば、「＋Ｘ方向」及び「−Ｘ方向」を総称して、単に「Ｘ方向」ともいう。
【００１４】
リードフレーム１１は、Ｚ方向から見て矩形のベース部１１ａを有する。このベース部１１ａから、例えば４本の吊ピン１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅが延出している。
【００１５】
吊ピン１１ｂは、ベース部１１ａの＋Ｙ方向に向いた端縁のＸ方向中央部から＋Ｙ方向に向けて延出している。吊ピン１１ｃは、ベース部１１ａの−Ｙ方向に向いた端縁のＸ方向中央部から−Ｙ方向に向けて延出している。Ｘ方向における吊ピン１１ｂ及び吊ピン１１ｃの位置は相互に同一である。吊ピン１１ｄ及び吊ピン１１ｅは、ベース部１１ａの−Ｘ方向に向いた端縁のＹ方向の両端部から、−Ｘ方向に向けて延出している。吊ピン１１ｂ〜１１ｅは、ベース部１１ａの相互に異なる３辺からそれぞれ延出している。
【００１６】
リードフレーム１２は、リードフレーム１１と比較して、Ｘ方向の長さが短く、Ｙ方向の長さは同じである。リードフレーム１２は、Ｚ方向から見て矩形のベース部１２ａを有する。このベース部１２ａから、例えば４本の吊ピン１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅが延出している。
【００１７】
吊ピン１２ｂは、ベース部１２ａの＋Ｙ方向に向いた端縁におけるリードフレーム１１側の端部から＋Ｙ方向に向けて延出している。吊ピン１２ｃは、ベース部１２ａの−Ｙ方向に向いた端縁におけるリードフレーム１１側の端部から−Ｙ方向に向けて延出している。吊ピン１２ｄ及び吊ピン１２ｅは、ベース部１２ａの＋Ｘ方向に向いた端縁のＹ方向の両端部から、＋Ｘ方向に向けて延出している。吊ピン１２ｂ〜１２ｅは、ベース部１２ａの相互に異なる３辺からそれぞれ延出している。
【００１８】
リードフレーム１１における吊ピン１１ｄ及び吊ピン１１ｅのＹ方向の幅は、リードフレーム１２における吊ピン１２ｄ及び吊ピン１２ｅのＹ方向の幅と同一でもよく、異なっていてもよい。吊ピン１１ｄ及び吊ピン１１ｅの幅と、吊ピン１２ｄ及び吊ピン１２ｅの幅とを異ならせれば、アノードとカソードの判別が容易になる。
【００１９】
リードフレーム１１の下面１１ｆにおけるベース部１１ａのＸ方向中央部には、凸部１１ｇが形成されている。このため、リードフレーム１１の厚さは２水準の値をとり、ベース部１１ａのＸ方向中央部、すなわち、凸部１１ｇが形成されている部分は相対的に厚く、ベース部１１ａのＸ方向両端部及び吊ピン１１ｂ〜１１ｅは相対的に薄い。図２（ａ）及び（ｂ）において、ベース部１１ａにおける凸部１１ｇが形成されていない部分を、薄板部１１ｔとして示す。
【００２０】
同様に、リードフレーム１２の下面１２ｆにおけるベース部１２ａのＸ方向中央部には、凸部１２ｇが形成されている。これにより、リードフレーム１２の厚さも２水準の値をとり、ベース部１２ａのＸ方向中央部は凸部１２ｇが形成されているため相対的に厚く、ベース部１２ａのＸ方向両端部及び吊ピン１２ｂ〜１２ｅは相対的に薄い。図２（ｂ）において、ベース部１２ａにおける凸部１２ｇが形成されていない部分を、薄板部１２ｔとして示す。
【００２１】
ベース部１１ａ及びベース部１２ａのＸ方向両端部の下面には、それぞれ、ベース部１１ａ及びベース部１２ａの端縁に沿ってＹ方向に延びる切欠が形成されている。
【００２２】
凸部１１ｇは、リードフレーム１１におけるリードフレーム１２に対向する端縁から離隔した領域に形成されており、その端縁を含む領域は薄板部１１ｔとなっている。凸部１２ｇは、リードフレーム１２におけるリードフレーム１１に対向する端縁から離隔した領域に形成されており、その端縁を含む領域は薄板部１２ｔとなっている。
【００２３】
リードフレーム１１の上面とリードフレーム１２の上面とは同一平面上にあり、リードフレーム１１の凸部１１ｇの下面１１ｆとリードフレーム１２の凸部１２ｇの下面１２ｆは同一平面上にある。Ｚ方向における各吊ピンの上面の位置は、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の上面の位置と一致している。従って、各吊ピンは同一のＸＹ平面上に配置されている。
【００２４】
リードフレーム１１の上面のうち、ベース部１１ａに相当する領域の一部には、ダイマウント材１３が設けられている。ダイマウント材１３は、導電性であっても絶縁性であってもよい。導電性のダイマウント材１３として、例えば、銀ペースト、はんだ等を用いることができる。絶縁性のダイマウント材１３としては、例えば、透明樹脂ペーストを用いることができる。
【００２５】
ダイマウント材１３上には、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップ１４が設けられている。ＬＥＤチップ１４は、ダイマウント材１３によって、リードフレーム１１の上面に接合されている。
【００２６】
ＬＥＤチップ１４は、例えば、サファイア基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）等を含む半導体層が積層された構造を有する。ＬＥＤチップ１４は例えば直方体であり、その上面に端子１４ａ及び端子１４ｂ（図３参照）が設けられている。ＬＥＤチップ１４は、端子１４ａと端子１４ｂとの間に電圧が供給されることによって、例えば青色の光を出射する。
【００２７】
ＬＥＤチップ１４の端子１４ａにはワイヤ１５の一端が接合されている。ワイヤ１５は端子１４ａから＋Ｚ方向（直上方向）に引き出され、−Ｘ方向と−Ｚ方向との間の方向に向けて湾曲し、ワイヤ１５の他端はリードフレーム１１の上面に接合されている。これにより、端子１４ａはワイヤ１５を介してリードフレーム１１に接続されている。
【００２８】
一方、端子１４ｂにはワイヤ１６の一端が接合されている。ワイヤ１６は端子１４ｂから＋Ｚ方向に引き出され、＋Ｘ方向と−Ｚ方向との間の方向に向けて湾曲し、ワイヤ１６の他端はリードフレーム１２の上面に接合されている。これにより、端子１４ｂはワイヤ１６を介してリードフレーム１２に接続されている。ワイヤ１５及びワイヤ１６は金属、例えば、金又はアルミニウムによって形成されている。
【００２９】
リードフレーム１１及びリードフレーム１２の上面上には、ハウジング樹脂３０が設けられている。ハウジング樹脂３０は中空部を有し、その中空部に透明樹脂１７が充填されている。
【００３０】
透明樹脂１７は、ＬＥＤチップ１４が発する光に対する透過性を有する。透明樹脂１７として、例えばシリコーン樹脂を用いることができる。
【００３１】
透明樹脂１７は、リードフレーム１１の上面、リードフレーム１２の上面、ＬＥＤチップ１４、ワイヤ１５及びワイヤ１６を覆っている。また、透明樹脂１７は、リードフレーム１１とリードフレーム１２との間に充填されている。
【００３２】
リードフレーム１１の凸部１１ｇの下面１１ｆおよびリードフレーム１２の凸部１２ｇの下面１１ｆは、透明樹脂１７で覆われずに露出している。リードフレーム１１及びリードフレーム１２の下面側において、下面１１ｆ及び下面１２ｆ以外の部分は透明樹脂１７で覆われている。
【００３３】
すなわち、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の下面側に、透明樹脂１７の一部が露出している。その下面側に露出している透明樹脂１７の領域を、図２（ｂ）においてハッチングで表す。図２（ｂ）においてハッチングされていない領域である下面１１ｆ及び下面１２ｆは、透明樹脂１７で覆われずに露出し、それら下面１１ｆ及び下面１２ｆが、回路基板等に半導体発光装置を実装する際の外部電極パッドとなる。下面１１ｆ及び下面１２ｆと、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の下面側に露出している透明樹脂１７の下面とは、同一平面上にある。
【００３４】
各吊ピン１１ｂ〜１１ｅ、１２ｂ〜１２ｅの先端面は、透明樹脂１７で覆われずに露出している。各吊ピン１１ｂ〜１１ｅ、１２ｂ〜１２ｅの上面、下面及び側面は、透明樹脂１７で覆われている。
【００３５】
リードフレーム１１のベース部１１ａの周囲（薄板部１１ｔの端面も含む）及び凸部１１ｇの周囲は、透明樹脂１７で覆われている。リードフレーム１２のベース部１２ａの周囲（薄板部１２ｔの端面も含む）及び凸部１２ｇの周囲は、透明樹脂１７で覆われている。リードフレーム１１の薄板部１１ｔの下面及びリードフレーム１２の薄板部１２ｔの下面は、透明樹脂１７で覆われている。
【００３６】
ＬＥＤチップ１４の上方から見て、透明樹脂１７の形状は四角形（例えば矩形）である。リードフレーム１１の吊ピン１１ｂ〜１１ｅの先端面は、透明樹脂１７の相互に異なる３つの側面に露出している。リードフレーム１２の吊ピン１２ｂ〜１２ｅの先端面は、透明樹脂１７の相互に異なる３つの側面に露出している。
【００３７】
ハウジング樹脂３０より下の側面において、透明樹脂１７から露出しているのは、吊ピン１１ｂ〜１１ｅ、１２ｂ〜１２ｅの先端面のみである。また、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の下面側において、透明樹脂１７から露出しているのは、凸部１１ｇの下面及び凸部１２ｇの下面１２ｆのみである。
【００３８】
ハウジング樹脂３０は、透明樹脂１７の上面及び３つの側面を覆っている。ハウジング３０は、透明樹脂１７の上面を覆う上部３１と、透明樹脂１７の側面を覆う側面部３２と、透明樹脂１７の側面の一部を露出させる開口部３３とを有する。図１及び図２（ａ）には表されていないが、開口部３３に対向する透明樹脂１７の側面も、ハウジング樹脂３０の側面部３２が覆っている。ハウジング樹脂３０の上部３１及び側面部３２は、ハウジング樹脂３０の内部で発生する光に対する遮光性もしくは反射性を有する。
【００３９】
ハウジング樹脂３０における少なくとも内壁は、ＬＥＤチップ１４が発する光に対する反射性を有する。また、透明樹脂１７が蛍光体を含む場合には、ハウジング樹脂３０の内壁は、その蛍光体から発する光に対する反射材としても機能する。これにより、ハウジング樹脂３０内で発生した光を効率よく開口部３３に導くことができる。そのようなハウジング樹脂３０として、例えば、ポリアミド系の白色樹脂を用いることができる。
【００４０】
透明樹脂１７には、図２（ａ）に示すように、多数の蛍光体１８を分散させて含有させることができる。透明樹脂１７は、蛍光体１８が発する光に対する透過性を有する。蛍光体１８は粒状であり、ＬＥＤチップ１４から出射された光を吸収して、より波長が長い光を発光する。例えば、蛍光体１８は、ＬＥＤチップ１４から出射された青色の光の一部を吸収し、黄色の光を発光する。
【００４１】
これにより、ＬＥＤチップ１４が出射し、蛍光体１８に吸収されなかった青色の光と、蛍光体１８から発光された黄色の光との混合色として例えば白色光が、ハウジング樹脂３０の開口部３３から放出される。なお、ＬＥＤチップ１４が、側面発光する構造であれば、開口部３３から効率よく外部に光を放出させることができる。
【００４２】
蛍光体１８としては、例えば、黄緑色、黄色又はオレンジ色の光を発光するシリケート系の蛍光体を使用することができる。シリケート系の蛍光体は、以下の一般式で表すことができる。
【００４３】
（２−ｘ−ｙ）ＳｒＯ・ｘ（Ｂａｕ，Ｃａｖ）Ｏ・（１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）ＳｉＯ２・ａＰ２Ｏ５ｂＡｌ２Ｏ３ｃＢ２Ｏ３ｄＧｅＯ２：ｙＥｕ２＋
但し、０＜ｘ、０．００５＜ｙ＜０．５、ｘ＋ｙ≦１．６、０≦ａ、ｂ、ｃ、ｄ＜０．５、０＜ｕ、０＜ｖ、ｕ＋ｖ＝１である。
【００４４】
また、黄色蛍光体として、ＹＡＧ系の蛍光体を使用することもできる。ＹＡＧ系の蛍光体は、以下の一般式で表すことができる。
【００４５】
（ＲＥ１−ｘＳｍｘ）３（ＡｌｙＧａ１−ｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ
但し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、ＲＥはＹ及びＧｄから選択される少なくとも１種の元素である。
【００４６】
又は、蛍光体１８として、サイアロン系の赤色蛍光体及び緑色蛍光体を混合して使用することもできる。すなわち、蛍光体１８は、ＬＥＤチップ１４から出射された青色の光を吸収して緑色の光を発光する緑色蛍光体、及び青色の光を吸収して赤色の光を発光する赤色蛍光体とすることができる。
【００４７】
サイアロン系の赤色蛍光体は、例えば下記一般式で表すことができる。
【００４８】
（Ｍ１−ｘＲｘ）ａ１ＡｌＳｉｂ１Ｏｃ１Ｎｄ１
但し、ＭはＳｉ及びＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、特に、Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方であることが望ましい。Ｒは発光中心元素であり、特にＥｕが望ましい。ｘ、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１は、０＜ｘ≦１、０．６＜ａ１＜０．９５、２＜ｂ１＜３．９、０．２５＜ｃ１＜０．４５、４＜ｄ１＜５．７である。
【００４９】
このようなサイアロン系の赤色蛍光体の具体例を以下に示す。  
Ｓｒ２Ｓｉ７Ａｌ７ＯＮ１３：Ｅｕ２＋
【００５０】
サイアロン系の緑色蛍光体は、例えば下記一般式で表すことができる。  
（Ｍ１−ｘＲｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２
但し、ＭはＳｉ及びＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、特にＣａ及びＳｒの少なくとも一方が望ましい。Ｒは発光中心元素であり、特にＥｕが望ましい。ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は、０＜ｘ≦１、０．９３＜ａ２＜１．３、４．０＜ｂ２＜５．８、０．６＜ｃ２＜１、６＜ｄ２＜１１である。
【００５１】
このようなサイアロン系の緑色蛍光体の具体例を以下に示す。  
Ｓｒ３Ｓｉ１３Ａｌ３Ｏ２Ｎ２１：Ｅｕ２＋
【００５２】
次に、本実施形態の半導体発光装置の製造方法について説明する。  
図４（ａ）〜図５（ｄ）は、本実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図である。
【００５３】
図４（ａ）及び（ｂ）は、前述したリードフレーム１１及びリードフレーム１２を複数含むリードフレームシート２３の形成方法を示す。
【００５４】
リードフレームシート２３は、図４（ａ）に示す導電シート２１を加工して得られる。導電シート２１は、例えば、短冊状の銅板２１ａの上下面に銀めっき層２１ｂが形成されたものである。
【００５５】
その導電シート２１の上下面には、それぞれマスク２２ａ及びマスク２２ｂが設けられる。マスク２２ａ及びマスク２２ｂには、選択的に開口部２２ｃが形成されている。マスク２２ａ及びマスク２２ｂは、例えば印刷法によって形成することができる。
【００５６】
次に、マスク２２ａ及びマスク２２ｂが設けられた導電シート２１をエッチング液に浸漬することにより、導電シート２１をウェットエッチングする。これにより、導電シート２１のうち、開口部２２ｃ内に位置する部分がエッチングされて選択的に除去される。
【００５７】
このとき、例えば浸漬時間を調整することによってエッチング量を制御し、導電シート２１の上面側及び下面側からのエッチングがそれぞれ単独で導電シート２１を貫通する前に、エッチングを停止させる。すなわち、上下面側からハーフエッチングを施す。但し、上面側及び下面側の双方からエッチングされた部分は、導電シート２１を貫通するようにする。その後、マスク２２ａ及びマスク２２ｂを除去する。
【００５８】
これにより、図４（ｂ）に示すように、導電シート２１から銅板２１ａ及び銀めっき層２１ｂが選択的に除去されて、リードフレームシート２３が形成される。なお、図示の便宜上、図４（ｂ）以降の図においては、銅板２１ａ及び銀めっき層２１ｂを区別せずに、リードフレームシート２３として一体的に図示する。
【００５９】
図８（ａ）は、リードフレームシート２３の平面図であり、図８（ｂ）は、このリードフレームシート２３の素子領域Ｐの一部拡大平面図である。
【００６０】
図８（ａ）に示すように、リードフレームシート２３においては、例えば３つのブロックＢが設定されており、各ブロックＢには例えば１０００個程度の素子領域Ｐが設定されている。
【００６１】
図８（ｂ）に示すように、素子領域Ｐはマトリクス状に配列されており、素子領域Ｐ間は格子状のダイシング領域Ｄとなっている。各素子領域Ｐにおいては、相互に離隔したリードフレーム１１及びリードフレーム１２を含む基本パターンが形成されている。ダイシング領域Ｄにおいては、導電シート２１を形成していた導電性材料が、隣り合う素子領域Ｐ間をつなぐように残留している。
【００６２】
すなわち、素子領域Ｐ内においては、リードフレーム１１とリードフレーム１２とは相互に離隔しているが、ある素子領域Ｐに属するリードフレーム１１は、この素子領域Ｐから見て−Ｘ方向に位置する隣の素子領域Ｐに属するリードフレーム１２に連結されており、両フレームの間には、＋Ｘ方向に向いた平面形状が凸状の開口部２３ａが形成されている。
【００６３】
また、Ｙ方向において隣り合う素子領域Ｐに属するリードフレーム１１同士は、ブリッジ２３ｂを介して連結されている。同様に、Ｙ方向において隣り合う素子領域Ｐに属するリードフレーム１２同士は、ブリッジ２３ｃを介して連結されている。これにより、リードフレーム１１のベース部１１ａ及びリードフレーム１２のベース部１２ａのそれぞれから、３方向に向けて４本の導電部材が延出している。
【００６４】
更に、リードフレームシート２３の下面側からのエッチングをハーフエッチングとすることにより、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の下面に、それぞれ前述した凸部１１ｇ及び凸部１２ｇが形成される。
【００６５】
次に、図４（ｃ）に示すように、リードフレームシート２３の下面に、支持体として、例えばポリイミドからなる補強テープ２４を貼り付ける。そして、リードフレームシート２３の各素子領域Ｐに属するリードフレーム１１上に、ダイマウント材１３を供給する。例えば、ペースト状のダイマウント材１３を、吐出器からリードフレーム１１上に吐出させる、あるいは機械的な手段によりリードフレーム１１上に転写する。
【００６６】
次に、ダイマウント材１３上にＬＥＤチップ１４をマウントし、ダイマウント材１３を硬化させるための熱処理を行う。これにより、リードフレームシート２３の各素子領域Ｐにおけるリードフレーム１１上にダイマウント材１３を介してＬＥＤチップ１４が搭載される。
【００６７】
次に、図４（ｄ）に示すように、例えば超音波接合により、ワイヤ１５の一端をＬＥＤチップ１４の端子１４ａに接合し、他端をリードフレーム１１の上面に接合する。また、ワイヤ１６の一端をＬＥＤチップ１４の端子１４ｂに接合し、他端をリードフレーム１２の上面１２ｈに接合する。これにより、端子１４ａがワイヤ１５を介してリードフレーム１１に接続され、端子１４ｂがワイヤ１６を介してリードフレーム１２に接続される。
【００６８】
次に、図５（ａ）〜（ｄ）は、リードフレームシート２３に対して透明樹脂１７及びハウジング樹脂３０を設ける工程及びダイシング工程を表す。
【００６９】
図５（ａ）は、ハウジング樹脂３０が成形型４０にセットされた状態を示す。ハウジング樹脂３０は、例えば射出成形によって、複数の凹部３０ａを有する形状に成形されている。複数の凹部３０ａは、図６（ａ）の上面図に示すように、例えばマトリクス状に配置されている。隣り合う凹部３０ａ間には、例えば格子状の平面パターンで壁部３０ｂが存在する。ハウジング樹脂３０は、凹部３０ａを上に向けて成形型４０にセットされる。
【００７０】
ハウジング樹脂３０の凹部３０ａには、図５（ｂ）に示すように、液状またはジェル状の未硬化状態の透明樹脂１７が供給される。例えば、シリコーン樹脂等の透明樹脂に蛍光体を混合し、撹拌することにより、液状またはジェル状の蛍光体含有透明樹脂１７が調製される。透明樹脂１７は、ハウジング樹脂３０における複数の凹部３０ａ間の上面上にも供給される。
【００７１】
次に、図５（ｂ）に示すように、前述したＬＥＤチップ１４を実装したリードフレームシート２３を、成形型４０における透明樹脂１７及びハウジング樹脂３０の上方にセットする。リードフレームシート２３は、ＬＥＤチップ１４が実装された面を下方の透明樹脂１７及びハウジング樹脂３０に向けている。リードフレームシート２３におけるＬＥＤチップ１４の実装面の反対側の裏面には、補強テープ２４が貼り付けられている。
【００７２】
そして、リードフレームシート２３を下降させて、図５（ｃ）に示すように、透明樹脂１７に押し付ける。ＬＥＤチップ１４は、ハウジング樹脂３０の凹部３０ａ内に入り、透明樹脂１７は、ＬＥＤチップ１４、ワイヤ１５、ワイヤ１６及びリードフレームシート２３の表面（ＬＥＤチップ１４の実装面）を覆う。一つの凹部３０ａにつき、複数（図示では例えば２つ）のＬＥＤチップ１４が収まる。
【００７３】
さらに、このとき、透明樹脂１７は、リードフレームシート２３における前述したエッチングによって除去された部分にも充填される。リードフレームシート２３の裏面には補強テープ２４が貼り付けられているため、透明樹脂１７はリードフレームシート２３の裏面側にはみ出さない。したがって、前述したリードフレーム１１の凸部１１ｇの下面１１ｆ及びリードフレーム１２の凸部１２ｇの下面１２ｆは、透明樹脂１７で覆われない。
【００７４】
そして、リードフレームシート２３を透明樹脂１７に押し付けた状態で、透明樹脂１７を硬化させる。すなわち、透明樹脂１７は圧縮成形される。透明樹脂１７は、例えば熱硬化される。また、ハウジング樹脂３０における凹部３０ａ間の壁部３０ｂの上面は、リードフレームシート２３の表面に接着する。この結果、リードフレームシート２３、透明樹脂１７及びハウジング樹脂３０は一体に結合される。
【００７５】
次に、リードフレームシート２３、透明樹脂１７及びハウジング樹脂３０の結合体を、成形型４０から取り出す。この後、補強テープ２４を剥離する。これにより、リードフレームシート２３の裏面側に、リードフレーム１１の凸部１１ｇの下面１１ｆ及びリードフレーム１１の凸部１２ｇの下面１２ｆが露出する。
【００７６】
次に、例えばブレードを用いて、リードフレームシート２３、透明樹脂１７及びハウジング樹脂３０を切断する。それらを、図５（ｄ）における破線に沿って切断する。また、上面視での切断位置を、図６（ｂ）において破線で表す。後述する図７（ａ）及び（ｂ）においても、上面視での切断位置が破線で表される。
【００７７】
すなわち、ハウジング樹脂３０における凹部３０ａの周囲の壁部３０ｂ、凹部３０ａ内の透明樹脂１７、その透明樹脂１７の下の凹部３０ａの底部３０ｃが切断される。リードフレームシート２３は、壁部３０ｂの上の部分、及び凹部３０ａ内の透明樹脂１７の上の部分が切断される。
【００７８】
凹部３０ａ内の透明樹脂１７を切断することで、凹部３０ａ内の透明樹脂１７は２つに分割される。分割されたそれぞれの透明樹脂１７に少なくとも１つのＬＥＤチップ１４が含まれるように、凹部３０ａ内の透明樹脂１７を切断する。すなわち、凹部３０ａ内の複数のＬＥＤチップ１４の間の部分を切断する。
【００７９】
図６（ｂ）において、破線で囲まれた部分が個片化された１つの半導体発光装置となる。凹部３０ａ内の透明樹脂１７を切断することで、その切断面に透明樹脂１７が露出する。
【００８０】
図６（ｂ）の場合、個片化された１つの半導体発光装置は４つの側面を有する。その４つの側面のうち、３つの側面ではハウジング樹脂３０が透明樹脂１７を覆っているが、残りの１つの側面では透明樹脂１７が露出している。透明樹脂１７の上面は、図５（ａ）〜（ｄ）に示すハウジング樹脂３０における凹部３０ａの底部３０ｃに相当する部分で覆われている。したがって、個片化により、透明樹脂１７が露出している一部の側面から光が外部へと放出されるサイドビュータイプの半導体発光装置が得られる。
【００８１】
また、図７（ａ）に示すように、１つの凹部３０ａを３分割すると、真ん中の半導体発光装置６１では４つの側面のうちの対向する２つの側面で透明樹脂１７が露出される。すなわち、互いに逆方向の２方向に光を出射可能なサイドビュータイプの半導体発光装置が得られる。
【００８２】
あるいは、１つの凹部３０ａを縦方向と横方向に分割してもよい。例えば、図７（ｂ）には、１つの凹部３０ａを６分割した例を示す。この場合、４つの側面のうちの３つの側面で透明樹脂１７が露出したサイドビュータイプの半導体発光装置６２が得られる。また、コーナーを介してつながった２つの側面で透明樹脂１７が露出したサイドビュータイプの半導体発光装置６３を得ることもできる。
【００８３】
上記切断（ダイシング）工程により、リードフレームシート２３においては、図８（ｂ）に示すダイシング領域Ｄの部分が除去される。この結果、リードフレームシート２３における素子領域Ｐに配置された部分が個片化される。すなわち、リードフレームシート２３からリードフレーム１１及びリードフレーム１２が分離される。
【００８４】
また、ダイシング領域ＤにおけるＹ方向に延びる部分が、リードフレームシート２３の開口部２３ａを通過することにより、リードフレーム１１に吊ピン１１ｄ及び吊ピン１１ｅが、リードフレーム１２に吊ピン１２ｄ及び吊ピン１２ｅが形成される。
【００８５】
また、ブリッジ２３ｂが分断されることにより、リードフレーム１１に吊ピン１１ｂ及び吊ピン１１ｃが形成され、ブリッジ２３ｃが分断されることにより、リードフレーム１２に吊ピン１２ｂ及び吊ピン１２ｃが形成される。
【００８６】
それら吊ピン１１ｂ〜１１ｅ及び１２ｂ〜１２ｅの先端面は、透明樹脂１７で覆われず、ハウジング樹脂３０の下方の側面側に露出する。
【００８７】
前述したリードフレームシート２３、透明樹脂１７及びハウジング樹脂３０の結合体は、例えば、リードフレームシート２３側から切断される。あるいは、それら結合体を、ハウジング樹脂３０側から切断してもよい。
【００８８】
個片化後、各種のテストを行う。このとき、吊ピン１１ｂ〜１１ｅ及び１２ｂ〜１２ｅの先端面をテスト用の端子として使用することも可能である。
【００８９】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
【００９０】
透明樹脂１７がリードフレーム１１及びリードフレーム１２の下面の一部及び端面の大部分を覆っている。このため、リードフレーム１１の凸部１１ｇの下面１１ｆ及びリードフレーム１２の凸部１２ｇの下面１２ｆを透明樹脂１７から露出させて外部電極パッドを実現しつつ、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の保持性を高めることができる。
【００９１】
すなわち、ベース部１１ａのＸ方向中央部に凸部１１ｇを、ベース部１２ａのＸ方向中央部に凸部１２ｇを形成することによって、ベース部１１ａの下面のＸ方向の両端部及びベース部１２ａの下面のＸ方向の両端部に切欠を実現する。そして、この切欠内に透明樹脂１７が充填されることによって、リードフレーム１１及びリードフレーム１２を強固に保持することができる。これにより、ダイシングの際に、リードフレーム１１及びリードフレーム１２が透明樹脂１７から剥離しにくくなり、歩留まりを向上させることができる。
【００９２】
更にまた、リードフレーム１１及びリードフレーム１２のそれぞれの上面及び下面に銀めっき層が形成されている。銀めっき層は光の反射率が高いため、本実施形態の半導体発光装置は光の取出効率が高い。
【００９３】
更にまた、本実施形態においては、１枚の導電性シート２１から、多数、例えば、数千個程度の半導体発光装置を一括して製造することができる。これにより、半導体発光装置１個当たりの製造コストを低減することができる。
【００９４】
更にまた、本実施形態においては、リードフレームシート２３をウェットエッチングによって形成している。このため、別のレイアウトのリードフレームを製造する際には、マスクの原版のみを用意すればよく、金型によるプレス等の方法によってリードフレームシート２３を形成する場合と比較して、初期コストを低く抑えることができる。
【００９５】
更にまた、本実施形態においては、リードフレーム１１のベース部１１ａ及びリードフレーム１２のベース部１２ａから、それぞれ吊ピンが延出している。これにより、ベース部自体が透明樹脂１７の側面において露出することを防止し、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の露出面積を低減することができる。この結果、リードフレーム１１及びリードフレーム１２が透明樹脂１７から剥離することを防止できる。また、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の腐食も抑制できる。
【００９６】
この効果を製造方法の点から見ると、図８（ｂ）に示すように、リードフレームシート２３において、ダイシング領域Ｄに介在するように、開口部２３ａ、ブリッジ２３ｂ及びブリッジ部２３ｃを設けることにより、ダイシング領域Ｄに介在する金属部分を減らしている。これにより、ダイシングが容易になり、ダイシングブレードの磨耗を抑えることができる。
【００９７】
また、リードフレーム１１及びリードフレーム１２のそれぞれから、３方向に４本の吊ピンが延出している。これにより、図４（ｃ）に示すＬＥＤチップ１４のマウント工程において、リードフレーム１１が隣の素子領域Ｐのリードフレーム１１及びリードフレーム１２によって３方向から確実に支持されるため、マウント性が高い。同様に、図４（ｄ）に示すワイヤボンディング工程においても、ワイヤの接合位置が３方向から確実に支持されるため、例えば超音波接合の際に印加した超音波が逃げることが少なく、ワイヤをリードフレーム及びＬＥＤチップに良好に接合することができる。
【００９８】
更にまた、図５（ｄ）に示すダイシング工程において、リードフレームシート２３側からダイシングを行っている。これにより、透明樹脂１７を切断する位置にて、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の切断端部を形成する金属材料が、透明樹脂１７の側面上を＋Ｚ方向に延伸する。このため、この金属材料が透明樹脂１７の側面上を−Ｚ方向に延伸して下面側から突出し、バリが発生することがない。従って、半導体発光装置を実装する際に、バリに起因して実装不良となることがない。
【００９９】
また、ハウジング樹脂３０で覆う前のリードフレームシート２３上にＬＥＤチップ１４を実装でき、さらに例えばワイヤボンディングによりＬＥＤチップ１４とリードフレームとを電気的に接続することができる。狭い開口部を通じたチップ実装及び配線作業が不要である。この結果、生産効率を向上させ、コスト低減を図れる。
【０１００】
さらに、ハウジング樹脂３０に凹部３０ａを形成し、その凹部３０ａに透明樹脂１７を供給し、その凹部３０ａ内の透明樹脂１７に対して、リードフレームシート２３に実装されたＬＥＤチップ１４を押し付けて、透明樹脂１７を硬化させる。すなわち、狭い開口部を通じた透明樹脂の封入工程が不要である。この結果、生産効率を向上させ、コスト低減を図れる。
【０１０１】
また、凹部３０ａの深さを浅くすることで、あるいは凹部３０ａの底部３０ｃを薄くすることで、容易に薄型化を実現できる。凹部３０ａを浅くしても、あるいは凹部３０ａの底部３０ｃを薄くしても、製造効率の低減はまねかない。
【０１０２】
また、本実施形態では、リードフレーム１１及びリードフレーム１２を多数形成したリードフレームシート２３に対して、一括して透明樹脂１７及びハウジング樹脂３０を結合させ、その結合体をダイシングして、個々の半導体発光装置を得る。このため、個片化されたひとつひとつのチップ及びリードフレームに対して透明樹脂及びハウジング樹脂を設ける製造方法と比べて、製造効率が高く、材料使用効率も高くできる。この結果、本実施形態は、安価で且つ薄型のサイドビュータイプの半導体発光装置を提供することができる。
【０１０３】
（第２実施形態）
図９は、第２実施形態の半導体発光装置の模式側面図である。
【０１０４】
本実施形態の半導体発光装置は、図３に示す第１実施形態と同じ構成のＬＥＤチップ１４、リードフレーム１１及びリードフレーム１２を備える。また、第１実施形態と同様、ＬＥＤチップ１４の端子は、例えばワイヤによってリードフレーム１１及びリードフレーム１２と接続されている。
【０１０５】
ＬＥＤチップ１４を透明樹脂５１が覆っている。また、透明樹脂５１は、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の大部分を覆っている。透明樹脂５１は、ＬＥＤチップ１４の上方に設けられた凸部５１ａを有する。リードフレーム１１及びリードフレーム１２の下面は、回路基板等への実装面となる。凸部５１ａは、その実装面の反対側に突出している。
【０１０６】
透明樹脂５１は、ＬＥＤチップ１４が発する光に対する透過性を有する。透明樹脂５１として、例えばシリコーン樹脂を用いることができる。
【０１０７】
透明樹脂５１は、リードフレーム１１の上面、リードフレーム１２の上面、ＬＥＤチップ１４及びワイヤを覆っている。また、透明樹脂５１は、リードフレーム１１とリードフレーム１２との間に充填されている。
【０１０８】
前述したリードフレーム１１の凸部１１ｇの下面１１ｆおよびリードフレーム１２の凸部１２ｇの下面１１ｆは、透明樹脂５１で覆われずに露出している。リードフレーム１１及びリードフレーム１２の下面側において、下面１１ｆ及び下面１２ｆ以外の部分は透明樹脂５１で覆われている。すなわち、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の下面側に、透明樹脂５１の一部が露出している。
【０１０９】
各吊ピン１１ｂ〜１１ｅ、１２ｂ〜１２ｅの先端面は、透明樹脂５１で覆われずに露出している。各吊ピン１１ｂ〜１１ｅ、１２ｂ〜１２ｅの上面、下面及び側面は、透明樹脂５１で覆われている。
【０１１０】
リードフレーム１１のベース部１１ａの周囲及び凸部１１ｇの周囲は、透明樹脂５１で覆われている。リードフレーム１２のベース部１２ａの周囲及び凸部１２ｇの周囲は、透明樹脂５１で覆われている。リードフレーム１１の薄板部１１ｔの下面及びリードフレーム１２の薄板部１２ｔの下面は、透明樹脂５１で覆われている。
【０１１１】
透明樹脂５１の側面側に露出しているのは、吊ピン１１ｂ〜１１ｅ、１２ｂ〜１２ｅの先端面のみである。また、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の下面側において、透明樹脂５１から露出しているのは、凸部１１ｇの下面及び凸部１２ｇの下面１２ｆのみである。
【０１１２】
透明樹脂５１には、前述した第１実施形態と同様に、多数の蛍光体を分散させて含有させることができる。透明樹脂５１は、蛍光体が発する光に対する透過性を有する。蛍光体は粒状であり、ＬＥＤチップ１４から出射された光を吸収して、より波長が長い光を発光する。
【０１１３】
次に、本実施形態の半導体発光装置の製造方法について説明する。
【０１１４】
次に、図１０（ａ）〜（ｃ）は、リードフレームシート２３に対して透明樹脂５１を設ける工程及びダイシング工程を表す。
【０１１５】
リードフレームシート２３は、図４（ａ）及び（ｂ）を参照して説明した第１実施形態と同様に形成される。そのリードフレームシート２３に対するＬＥＤチップ１４の実装及びワイヤボンディングも、図４（ｃ）及び（ｄ）を参照して説明した第１実施形態と同様に行われる。
【０１１６】
本実施形態では、図１０（ａ）に示すように、複数の凹部４６が形成された成形型４５を用いて、透明樹脂５１の圧縮成形を行う。複数の凹部４６は、図１１の上面図に示すように、例えばマトリクス状に配置されている。その上面視における凹部４６の平面形状は、例えば円形である。
【０１１７】
凹部４６には、図１０（ａ）に示すように、液状またはジェル状の未硬化状態の透明樹脂５１が供給される。例えば、シリコーン樹脂等の透明樹脂に蛍光体を混合し、撹拌することにより、液状またはジェル状の蛍光体含有透明樹脂５１が調製される。透明樹脂５１は、成形型４５における複数の凹部４６間の上面上にも供給される。
【０１１８】
次に、前述したＬＥＤチップ１４を実装したリードフレームシート２３を、成形型４５の上方にセットする。リードフレームシート２３は、ＬＥＤチップ１４が実装された面を下方の透明樹脂５１に向けてセットされる。リードフレームシート２３におけるＬＥＤチップ１４の実装面の反対側の裏面には、補強テープ２４が貼り付けられている。
【０１１９】
そして、リードフレームシート２３を下降させて、図１０（ｂ）に示すように、透明樹脂５１に押し付ける。透明樹脂５１は、ＬＥＤチップ１４、ワイヤ及びリードフレームシート２３の表面（ＬＥＤチップ１４の実装面）を覆う。
【０１２０】
さらに、このとき、透明樹脂５１は、リードフレームシート２３における前述したエッチングによって除去された部分にも充填される。リードフレームシート２３の裏面には補強テープ２４が貼り付けられているため、透明樹脂５１はリードフレームシート２３の裏面側にはみ出さない。したがって、前述したリードフレーム１１の凸部１１ｇの下面１１ｆ及びリードフレーム１２の凸部１２ｇの下面１２ｆは、透明樹脂５１で覆われない。
【０１２１】
そして、リードフレームシート２３を透明樹脂５１に押し付けた状態で、透明樹脂５１を硬化させる。透明樹脂５１は、例えば熱硬化される。また、透明樹脂５１はリードフレーム１１及びリードフレーム１２の表面に接着する。この結果、リードフレームシート２３及び透明樹脂５１は一体に結合される。
【０１２２】
次に、リードフレームシート２３及び透明樹脂５１の結合体を、成形型４５から取り出す。この後、補強テープ２４を剥離する。これにより、リードフレームシート２３の裏面側に、リードフレーム１１の凸部１１ｇの下面１１ｆ及びリードフレーム１１の凸部１２ｇの下面１２ｆが露出する。
【０１２３】
次に、例えばブレードを用いて、リードフレームシート２３及び透明樹脂５１を切断する。それらを、図１０（ｃ）における破線に沿って切断する。また、上面視での切断位置を、図１１において破線で表す。
【０１２４】
透明樹脂５１において、成形型４５の凹部４６に充填された部分である凸部５１ａの間の部分が切断される。したがって、個片化された半導体発光装置は凸部５１ａを含む。
【０１２５】
図１１において、破線で囲まれた部分が個片化された１つの半導体発光装置となる。各半導体発光装置は、少なくとも１つのＬＥＤチップ１４を含む。リードフレーム１１及びリードフレーム１２上の透明樹脂５１は、ずべての部分が露出している。
【０１２６】
本実施形態では、成形型４５の底面に凹部４６を形成し、その凹部４６に透明樹脂５１を供給し、ＬＥＤチップ１４を実装したリードフレームシート２３を透明樹脂５１に押し付けて圧縮成形する。これにより、いわゆるレンズトップタイプの半導体発光装置を簡単に製造できる。
【０１２７】
成形型４５の底面に形成するパターン形状は、レンズが形成できる凹部を例に挙げたが、必要な光学特性を得られる形状であれば、どのような形でも構わない。
【０１２８】
本実施形態においても、リードフレーム１１及びリードフレーム１２を多数形成したリードフレームシート２３に対して、一括して透明樹脂５１を結合させ、その結合体をダイシングして、個々の半導体発光装置を得る。このため、個片化されたひとつひとつのチップ及びリードフレームに対して透明樹脂を設ける製造方法と比べて、製造効率が高く、材料使用効率も高くでき、安価な半導体発光装置を提供することができる。
【０１２９】
さらに本実施形態では、透明樹脂５１を囲むハウジング樹脂もしくは外囲器が設けられていないため、ハウジング樹脂がＬＥＤチップ１４から生じる光及び熱を吸収して劣化することがない。特に、ハウジング樹脂がポリアミド系の熱可塑性樹脂によって形成されている場合は劣化が進行しやすいが、本実施形態においてはそれがない。このため、本実施形態の半導体発光装置は、耐久性が高い。従って、本実施形態の半導体発光装置は寿命が長く、信頼性が高く、幅広い用途に適用可能である。また、ハウジング樹脂が設けられていないため、部品点数及び工程数が少なく、コストが低い。
【０１３０】
また、透明樹脂体５１をシリコーン樹脂によって形成している。シリコーン樹脂は光及び熱に対する耐久性が高いため、これによっても、半導体発光装置の耐久性が向上する。
【０１３１】
更に、透明樹脂体５１の側面を覆うハウジング樹脂が設けられていないため、広い角度に向けて光が出射される。このため、本実施形態の半導体発光装置は、広い角度で光を出射する必要がある用途、例えば、照明及び液晶テレビのバックライトとして使用する際に有利である。
【０１３２】
また、本実施形態においても、第１実施形態と同様、透明樹脂５１がリードフレーム１１及びリードフレーム１２の下面の一部及び端面の大部分を覆っている。このため、リードフレーム１１の凸部１１ｇの下面１１ｆ及びリードフレーム１２の凸部１２ｇの下面１２ｆを透明樹脂５１から露出させて外部電極パッドを実現しつつ、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の保持性を高めることができる。
【０１３３】
すなわち、ベース部１１ａのＸ方向中央部に凸部１１ｇを、ベース部１２ａのＸ方向中央部に凸部１２ｇを形成することによって、ベース部１１ａの下面のＸ方向の両端部及びベース部１２ａの下面のＸ方向の両端部に切欠を実現する。そして、この切欠内に透明樹脂５１が充填されることによって、リードフレーム１１及びリードフレーム１２を強固に保持することができる。これにより、ダイシングの際に、リードフレーム１１及びリードフレーム１２が透明樹脂５１から剥離しにくくなり、歩留まりを向上させることができる。
【０１３４】
更にまた、本実施形態においても、リードフレーム１１のベース部１１ａ及びリードフレーム１２のベース部１２ａから、それぞれ吊ピンが延出している。これにより、ベース部自体が透明樹脂５１の側面において露出することを防止し、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の露出面積を低減することができる。この結果、リードフレーム１１及びリードフレーム１２が透明樹脂５１から剥離することを防止できる。また、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の腐食も抑制できる。
【０１３５】
更にまた、図１０（ｃ）に示すダイシング工程において、リードフレームシート２３側からダイシングを行っている。これにより、リードフレーム１１及びリードフレーム１２の切断端部を形成する金属材料が、透明樹脂５１の側面上を＋Ｚ方向に延伸する。このため、この金属材料が透明樹脂５１の側面上を−Ｚ方向に延伸して下面側から突出し、バリが発生することがない。従って、半導体発光装置を実装する際に、バリに起因して実装不良となることがない。
【０１３６】
前述した各実施形態において、ＬＥＤチップ１４は上面に２つの端子を設けた構造に限らず、下面に一方の端子を設けて、その一方の端子をフェイスダウンボンディングで一方のリードフレームに接合させてもよい。あるいは、下面に２つの端子を設けて、それら２つの端子をそれぞれ第１のリードフレーム１１と第２のリードフレーム１２に対してフェイスダウンボンディングで接合させてもよい。また、１つの半導体発光装置に搭載するＬＥＤチップ１４は、複数であってもよい。
【０１３７】
また、第１のリードフレーム１１と第２のリードフレーム１２との間に、それらに対して同一平面状で離隔した第３のリードフレームを設け、その第３のリードフレームにＬＥＤチップ１４を搭載してもよい。この場合、第３のリードフレームを、電極としてではなく、ヒートシンクとして機能させることができる。
【０１３８】
また、ＬＥＤチップ１４は、青色の光を出射するチップに限定されない。また、蛍光体は、青色光を吸収して黄色の光を発光する蛍光体に限定されない。ＬＥＤチップ１４は、青色以外の色の可視光を出射するものであってもよく、紫外線又は赤外線を出射するものであってもよい。蛍光体は、青色光、緑色光又は赤色光を発光する蛍光体であってもよい。
【０１３９】
また、半導体発光装置全体が出射する光の色も、白色には限定されない。上述のような赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体について、それらの重量比Ｒ：Ｇ：Ｂを調節することにより、任意の色調を実現できる。例えば、白色電球色から白色蛍光灯色までの白色発光は、Ｒ：Ｇ：Ｂ重量比が、１：１：１〜７：１：１及び１：１：１〜１：３：１及び１：１：１〜１：１：３のいずれかとすることで実現できる。更に、透明樹脂には、蛍光体が含まれなくてもよい。この場合は、ＬＥＤチップ１４から出射された光が、半導体発光装置から出射される。
【０１４０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１４１】
１１…第１のリードフレーム、１２…第２のリードフレーム、１４…ＬＥＤチップ、１１ｂ〜１１ｅ，１２ｂ〜１２ｅ…吊ピン、１１ｇ，１２ｇ…凸部、１７，５１…透明樹脂、２３…リードフレームシート、２４…支持体、３０…ハウジング樹脂、３３…開口部、４５…成形型
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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