(57)【要約】【課題】トレンチにおける延設方向と平行な方向に延びる対向する側壁の面方位が互いに異なることを抑制する。【解決手段】（０００１）面にオフ角が設けられていると共にオフ方向が〈１１−２０〉方向とされたＳｉＣ半導体基板（１）に、オフ方向との成す内角が３０°となる方向、または−３０°となる方向にトレンチ（２）を延設する。これにより、トレンチ（２）における延設方向と平行な方向に延びる対向する側壁の面方位が互いに異なることを抑制しつつ、これらの側壁をそれぞれほぼ{１１−２０}面とすることができる。【選択図】図１
2012146921.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素半導体基板（１）の表面から形成されたトレンチ（２）を有する炭化珪素半導体装置において、
前記炭化珪素半導体基板（１）は、（０００１）面または（０００−１）面にオフ角が設けられていると共にオフ方向が〈１１−２０〉方向とされており、
前記トレンチ（２）は、前記オフ方向との成す内角が３０°となる方向、または−３０°となる方向に延設されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
【請求項２】
前記トレンチ（２）は、前記オフ方向との成す内角が３０°となる方向に延設された第１トレンチ（３）と、前記オフ方向との成す内角が−３０°となる方向に延設された第２トレンチ（４）とが交互に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項３】
前記トレンチ（２）は、前記第１トレンチ（３）と前記第２トレンチ（４）とが離間していることを特徴とする請求項２に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項４】
前記トレンチ（２）は、前記第１トレンチ（３）と前記第２トレンチ（４）とが連結された波形状とされており、
前記炭化珪素半導体基板（１）には、前記第１トレンチ（３）と前記第２トレンチ（４）とが連結された部分であるエッジ部（２ｃ）の下部に電界緩和層（５）が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項５】
前記炭化珪素半導体基板（１）には、前記トレンチ（２）の下部に電界緩和層（５）が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項６】
前記電界緩和層（５）は、前記トレンチ（２）の延設方向と平行に延設されていることを特徴とする請求項５に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項７】
前記電界緩和層（５）は、前記トレンチ（２）の延設方向と直交する方向にストライプ状に延設されていることを特徴とする請求項５に記載の炭化珪素半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トレンチが形成された炭化珪素（以下では、単にＳｉＣという）半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＳｉＣ半導体基板にトレンチ構造のＭＯＳＦＥＴやＪ−ＦＥＴ等の半導体素子が形成されてなるＳｉＣ半導体装置が知られている。例えば、特許文献１には、（０００１）面にオフ角が設けられていると共にオフ方向が〈１１−２０〉方向とされたＮ＋型のＳｉＣ基板上に、Ｎ−型ドリフト層、Ｐ＋型ベース領域、Ｎ＋型ソース領域が順にエピタキシャル成長させられて構成されたＳｉＣ半導体基板にトレンチが形成されてなるＳｉＣ半導体装置が開示されている。
【０００３】
具体的には、このようなＳｉＣ半導体装置では、ＳｉＣ半導体基板の主表面からＮ＋型ソース領域およびＰ＋型ベース領域を貫通し、Ｎ−型ドリフト層に達するトレンチが形成されている。そして、トレンチの内壁には、チャネル層が形成されている。また、チャネル層およびＮ＋型ソース領域の一部を覆うように、酸化膜が形成されている。そして、この酸化膜のうち、トレンチ内に位置する部分の表面には、ポリシリコンまたは金属で構成されたゲート電極が形成され、このゲート電極によってトレンチ内が埋め込まれている。
【０００４】
また、ＳｉＣ半導体基板のうちトレンチが形成された場所とは異なる場所において、Ｎ＋型ソース領域を貫通してＰ＋型ベース領域まで達するように、コンタクト用トレンチが形成され、コンタクト用トレンチには、Ｐ＋型ベース領域およびＮ＋型ソース領域と電気的に接続されるソース電極が形成されている。そして、ＳｉＣ半導体基板の裏面側にはドレイン電極が形成されている。
【０００５】
なお、上記ＳｉＣ半導体基板は、Ｎ−型ドリフト層、Ｐ＋型ベース領域、Ｎ＋型ソース領域がＳｉＣ基板の表面状態を承継するため、全体として（０００１）面にオフ角が設けられていると共にオフ方向が〈１１−２０〉方向とされている。
【０００６】
このようなＳｉＣ半導体装置は、ゲート電極に所定のゲート電圧が印加されると、チャネル層にチャネル領域が形成されてソース電極とドレイン電極との間に電流が流れる。チャネル領域は、チャネル層がトレンチの側壁に沿って形成されるため、面方位がトレンチの側壁の面方位と等しくなる。そして、チャネル領域は、面方位が{１１−２０}面とされることにより、移動度およびゲート電圧の閾値電圧Ｖｔの観点から好ましいことから、上記ＳｉＣ半導体装置では、側壁が{１１−２０}面となるように、例えば、〈−１１００〉方向にトレンチが延設される。つまり、トレンチは、オフ方向との成す内角が９０°となる方向に延設されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１５６９６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のようなＳｉＣ半導体装置では、通常、トレンチの側壁はＳｉＣ半導体基板の表面に対して垂直とならず、トレンチは開口部の面積より底面の面積の方が小さくなるテーパ形状となる。そして、ＳｉＣ半導体基板はオフ角を有しているため、トレンチにおける延設方向と平行な方向に延びる対向する側壁は、互いに面方位が異なることになる。すなわち、トレンチにおけるオフ方向の上流側の側壁と（０００１）面との成す角度と、トレンチにおけるオフ方向の下流側の側壁と（０００１）面との成す角度とが互いに異なることになる。
【０００９】
図８は、オフ方向との成す内角が９０°となる方向（図中紙面奥行き方向）にトレンチが延設されたＳｉＣ半導体基板の断面図である。なお図８のＳｉＣ半導体基板は、（０００１）面に対して４°のオフ角を有し、オフ方向が〈１１−２０〉方向とされている。
【００１０】
図８に示されるように、ＳｉＣ半導体基板Ｊ１の表面とトレンチＪ２の側壁Ｊ２ａ、Ｊ２ｂとの成す内角（テーパ角）が８７°であるとすると、オフ角が４°であるため、トレンチＪ２におけるオフ方向の上流側の側壁Ｊ２ａと（０００１）面との成す角度は９１°となる。これに対し、トレンチＪ２におけるオフ方向の下流側の側壁Ｊ２ｂと（０００１）面との成す角度は８３°となる。すなわち、トレンチＪ２におけるオフ方向の上流側の側壁Ｊ２ａと（０００１）面との成す角度と、トレンチＪ２におけるオフ方向の下流側の側壁Ｊ２ｂと（０００１）面との成す角度とが８°異なることになる。したがって、トレンチＪ２におけるオフ方向の上流側の側壁Ｊ２ａに沿って形成されるチャネル領域と、トレンチＪ２におけるオフ方向の下流側の側壁Ｊ２ｂに沿って形成されるチャネル領域との面方位が８°異なることになり、電流のアンバランスが発生するため、ＳｉＣ半導体装置が破壊される可能性があるという問題がある。
【００１１】
なお、上記では、（０００１）面にオフ角を有するＳｉＣ半導体基板にトレンチを形成してなるＳｉＣ半導体装置について説明したが、（０００−１）面にオフ角を有するＳｉＣ半導体基板にトレンチを形成してなるＳｉＣ半導体装置についても、同様の問題が発生する。
【００１２】
本発明は上記点に鑑みて、（０００１）面または（０００−１）面にオフ角を有し、オフ方向が〈１１−２０〉方向とされたＳｉＣ半導体基板にトレンチを形成してなるＳｉＣ半導体装置において、トレンチにおける延設方向と平行な方向に延びる対向する側壁の面方位が互いに異なることを抑制することができるＳｉＣ半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため、本発明者らは鋭意検討を行った。そして、トレンチの側壁をほぼ｛１１−２０｝面としつつ、対向する側壁の面方位が互いに異なることを抑制する方法として、オフ方向との成す内角が３０°または−３０°となる方向にトレンチを延設すればよいことを見出した。
【００１４】
図６（ａ）は、オフ方向との成す内角が９０°となる方向にトレンチを延設したときのＳｉＣ半導体基板の拡大平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図７（ａ）はオフ方向と成す内角が３０°となる方向にトレンチを延設したときのＳｉＣ半導体基板の拡大平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。なお、図６および図７では、便宜的に、ＳｉＣ半導体基板の表面に対して垂直であるトレンチを記してある。また、ＳｉＣ半導体基板は、（０００１）面に対して４°のオフ角を有し、オフ方向が〈１１−２０〉方向とされている。
【００１５】
図６に示されるように、ＳｉＣ半導体基板１に、オフ方向との成す内角が９０°となる方向にトレンチ２を形成したときのトレンチ幅（延設方向と垂直方向の長さ）をＬとし、（０００１）面におけるトレンチ２の側壁と交差する点のうち、オフ方向の上流側の点を点Ａ、オフ方向の下流側の点を点Ｂとし、点Ａと点ＢとのＳｉＣ半導体基板１の厚さ方向（以下、単に厚さ方向という）のずれをｈとする。すると、ｔａｎ４°＝ｈ／Ｌと示される。
【００１６】
この場合、図７に示されるように、ＳｉＣ半導体基板１に、オフ方向との成す内角が３０°となる方向に幅がＬであるトレンチ２を延設した場合、（０００１）面における延設方向と垂直方向となる直線とトレンチ２の側壁と交差する点のうち、オフ方向の上流側の点を点Ｃ、オフ方向の下流側の点を点Ｄとすると、点Ｃと点Ｄとの厚さ方向のずれは以下のようになる。
【００１７】
すなわち、図７（ａ）に示されるように、延設方向と垂直方向に延び、ＳｉＣ半導体基板１の表面と平行となる線分を線分ＥＦとし、この線分ＥＦとトレンチ２の側壁と交差する点のうち、オフ方向の上流側の点を点Ｇ、オフ方向の下流側の点を点Ｈとし、点Ｈを通りオフ方向と平行な線分と、当該点Ｈを通る線分と垂直となる点Ｇを通る線分との交点を点Ｉとすると、点Ｇ、Ｈ、Ｉで形成される三角形は、角度Ｈが６０°、角度Ｉが９０°の直角三角形となる。また、線分ＧＨの長さはトレンチ２の幅のＬである。したがって、線分ＨＩの長さはＬ／２となる。
【００１８】
このため、図７（ａ）および（ｂ）に示されるように、点Ｄは点Ｈが厚さ方向にずれた点であるため、点Ｃと点Ｄはオフ方向と平行な方向にＬ／２だけずれていることになる。そして、上記のように、点Ａと点Ｂとはオフ方向にＬだけずれたときに厚さ方向のずれがｈとなるため、点Ｃと点Ｄとの厚さ方向のずれはｈ／２となる。
【００１９】
したがって、ｔａｎｘ°＝ｈ／２Ｌと示され、ｔａｎ４°＝ｈ／Ｌであるため、ｘ°＝２°となる。すなわち、オフ方向との成す内角が３０°となる方向にトレンチ２を延設した場合には、２°のオフ角を有するＳｉＣ半導体基板１に対して、オフ方向と垂直方向となる方向にトレンチ２を形成したことと同じとなる。このため、例えば、ＳｉＣ半導体基板１の表面とトレンチ２の側壁との成す内角（テーパ角）が８７°である場合には、トレンチ２におけるオフ方向の上流側の側壁と（０００１）面との成す内角が８９°となると共に、トレンチ２におけるオフ方向の下流側の側壁と（０００１）面との成す内角が８５°となる。つまり、延設方向に延びる対向する側壁の面方位のずれを４°とすることができ、面方位が互いに異なることを抑制することができる。
【００２０】
なお、上記では、（０００１）面にオフ角を有するＳｉＣ半導体基板にトレンチを形成する場合について説明したが、（０００−１）面にオフ角を有するＳｉＣ半導体基板にトレンチを形成する場合も同様である。
【００２１】
したがって、請求項１に記載の発明では、ＳｉＣ半導体基板（１）の表面から形成されたトレンチ（２）を有するＳｉＣ半導体装置において、ＳｉＣ半導体基板（１）は、（０００１）面または（０００−１）面にオフ角が設けられていると共にオフ方向が〈１１−２０〉方向とされており、トレンチ（２）は、オフ方向との成す内角が３０°となる方向、または−３０°となる方向に延設されていることを特徴としている。
【００２２】
このようなＳｉＣ半導体装置では、トレンチ（２）における延設方向と平行な方向に延びる対向する側壁の面方位が互いに異なることを抑制しつつ、これらの側壁をそれぞれほぼ{１１−２０}面とすることができる。
【００２３】
例えば、請求項２に記載の発明のように、請求項１に記載の発明において、トレンチ（２）を、オフ方向との成す内角が３０°となる方向に延設された第１トレンチ（３）と、オフ方向との成す内角が−３０°となる方向に延設された第２トレンチ（４）とを交互に形成して構成することができる。このようなＳｉＣ半導体装置では、一方の側壁に沿って形成されるチャネル領域に電流が集中することを抑制することができる。
【００２４】
また、請求項３に記載の発明のように、請求項２に記載の発明において、トレンチ（２）を第１トレンチ（３）と第２トレンチ（４）とが離間したものとすることができる。このようなＳｉＣ半導体装置では、第１トレンチ（３）と第２トレンチ（４）とが離間しており、第１トレンチ（３）と第２トレンチ（４）とを連結させたときに形成されるエッジ部（２ｃ）が存在しないため、電界が集中することを抑制することができる。
【００２５】
そして、請求項４に記載の発明のように、請求項２に記載の発明において、トレンチ（２）を第１トレンチ（３）と第２トレンチ（４）とが連結された波形状とし、ＳｉＣ半導体基板（１）には、第１トレンチ（３）と第２トレンチ（４）とが連結された部分であるエッジ部（２ｃ）の下部に電界緩和層（５）を形成することができる。このようなＳｉＣ半導体装置では、ＳｉＣ半導体基板（１）のうちトレンチ（２）のエッジ部（２ｃ）の下部に電界緩和層（５）が形成されているため、エッジ部（２ｃ）に電界が集中することを抑制することができる。
【００２６】
また請求項５に記載の発明のように、請求項１に記載の発明において、ＳｉＣ半導体基板（１）のうちトレンチ（２）の下部に電界緩和層（５）を形成することができる。これによれば、トレンチ（２）の下部に電界が集中することを抑制することができる。
【００２７】
そして、請求項６に記載の発明のように、電界緩和層（５）をトレンチ（２）の延設方向と平行に延設することができる。また、請求項７に記載の発明のように、電界緩和層（５）をトレンチ（２）の延設方向と直交する方向にストライプ状に延設することができる。
【００２８】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１実施形態におけるＳｉＣ半導体基板の平面図である。
【図２】本発明の第２実施形態におけるＳｉＣ半導体基板の平面図である。
【図３】本発明の第３実施形態におけるＳｉＣ半導体基板の平面図である。
【図４】本発明の第４実施形態におけるＳｉＣ半導体基板の平面図である。
【図５】本発明の第５実施形態におけるＳｉＣ半導体基板の平面図である。
【図６】（ａ）はオフ方向との成す内角が９０°となる方向にトレンチを延設したときのＳｉＣ半導体基板の拡大平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図７】（ａ）はオフ方向との成す内角が３０°となる方向にトレンチを延設したときのＳｉＣ半導体基板の拡大平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図８】オフ方向との成す内角が９０°となる方向にトレンチが延設されたＳｉＣ半導体基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。図１はＳｉＣ半導体基板の平面図であり、この図に基づいて説明する。
【００３１】
図１に示されるように、ＳｉＣ半導体基板１は、本実施形態では、（０００１）面に４°のオフ角が設けられていると共にオフ方向が〈１１−２０〉方向とされている。そして、このＳｉＣ半導体基板１には、オフ方向との成す内角が３０°となる方向にトレンチ２が延設されている。
【００３２】
言い換えると、トレンチ２は、オフ方向と平行な方向に延びる直線と、トレンチ２の延設方向と平行な方向に延びる直線との内角が３０°とされている。そして、トレンチ２の対向する側壁は、それぞれほぼ{１１−２０}面とされている。また、トレンチ２は、異方性エッチング等により形成されており、開口部の面積より底面の面積の方が小さくなるテーパ形状とされている。
【００３３】
なお、オフ方向との成す内角が３０°となる方向とは、オフ方向を基準として延設方向が半時計周りにあるときの方向である。また、後述のオフ方向との成す内角が−３０°となる方向とは、オフ方向を基準として延設方向が時計周りにあるときの方向である。すなわち、オフ方向との成す内角が３０°となる方向とは言い換えるとオフ方向との成す内角が−１５０°となる方向のことであり、オフ方向との成す内角が−３０°となる方向とは言い換えるとオフ方向との成す内角が１５０°となる方向のことである。また、本明細書において、オフ方向との成す内角が３０°または−３０°となる方向とは、完全にオフ方向との成す内角が３０°または−３０°となる方向に加えて、製造誤差等の若干の誤差を含むものであり、例えば、オフ方向との成す内角が３０°±５°または−３０°±５°となる方向を含むものである。
【００３４】
そして、特に限定されるものではないが、このようなＳｉＣ半導体基板１を用いて、例えば、次のようなトレンチ構造を有するＳｉＣ半導体装置が構成される。すなわち、上記ＳｉＣ半導体基板１は、（０００１）面にオフ角が設けられていると共にオフ方向が〈１１−２０〉方向とされたＮ＋型のＳｉＣ基板上に、Ｎ−型ドリフト層、Ｐ＋型ベース領域、Ｎ＋型ソース領域が順にエピタキシャル成長させられて構成されている。
【００３５】
そして、トレンチ２は、主表面からＮ＋型ソース領域およびＰ＋型ベース領域を貫通し、Ｎ−型ドリフト層に達するまで形成されている。トレンチ２の内壁には、Ｎ−型チャネル層が形成されている。また、Ｎ−型チャネル層およびＮ＋型ソース領域の一部を覆うように、酸化膜が形成されている。この酸化膜のうち、トレンチ２内に位置する部分の表面には、ポリシリコンまたは金属で構成されたゲート電極が形成され、このゲート電極によってトレンチ２内が埋め込まれている。
【００３６】
また、ＳｉＣ半導体基板１のうちトレンチ２が形成された場所とは異なる場所において、Ｎ＋型ソース領域を貫通してＰ＋型ベース領域まで達するように、コンタクト用トレンチが形成され、コンタクト用トレンチには、Ｐ＋型ベース領域およびＮ＋型ソース領域と電気的に接続されるソース電極が形成されている。そして、ＳｉＣ半導体基板１の裏面にはドレイン電極が形成されている。
【００３７】
なお、上記ＳｉＣ半導体基板１は、Ｎ−型ドリフト層、Ｐ＋型ベース領域、Ｎ＋型ソース領域がＳｉＣ基板の表面状態を承継するため、全体として（０００１）面にオフ角が設けられていると共にオフ方向が〈１１−２０〉方向となっている。
【００３８】
以上説明したように、本実施形態のＳｉＣ半導体装置では、トレンチ２は、オフ方向との成す内角が３０°となる方向に延設されている。このため、トレンチ２における延設方向と平行な方向に延びる対向する側壁の面方位が互いに異なることを抑制することができる。したがって、従来のＳｉＣ半導体装置と比較して、延設方向と平行な方向に延びる対向する側壁にそれぞれ形成されるチャネル領域の面方位が互いに異なることを抑制することができ、電流のアンバランスが発生することを抑制することができると共にＳｉＣ半導体装置が破壊されることを抑制することができる。
【００３９】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態のＳｉＣ半導体装置は、上記第１実施形態と比較して、トレンチ２の形状を変更したものであり、その他に関しては上記第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図２は、本実施形態におけるＳｉＣ半導体基板１の平面図である。
【００４０】
図２に示されるように、トレンチ２は、オフ方向との成す内角が３０°となる方向に延設された第１トレンチ３と、オフ方向との成す内角が−３０°となる方向に延設された第２トレンチ４とが交互に形成されて構成されている。そして、第１トレンチ３と第２トレンチ４とは連結されている。すなわち、トレンチ２は、エッジ部２ｃを有する波形状とされている。
【００４１】
このようなＳｉＣ半導体装置では、トレンチ２の側壁に沿って形成されるチャネル領域のうち、一方の側壁に沿って形成されるチャネル領域に電流が集中することを抑制することができる。
【００４２】
すなわち、上記第１実施形態では、トレンチ２における対向する側壁の面方位が互いに異なることを抑制することができるものの、面方位を完全に一致させることができない。つまり、上記第１実施形態では、トレンチ２におけるオフ方向の上流側の側壁に沿って形成されるチャネル領域の面方位の方が、オフ方向の下流側の側壁に沿って形成されるチャネル領域の面方位よりも{１１−２０}面に近くなり、電流密度が高くなる。
【００４３】
これに対し、本実施形態では、第１トレンチ３と第２トレンチ４とを交互に形成しているため、{１１−２０}面に近くなる側壁が交互に形成されることになる。したがって、一方の側壁に沿って形成されるチャネル領域に電流が集中することを抑制することができる。
【００４４】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態のＳｉＣ半導体装置は、上記第２実施形態と比較して、トレンチ２の形状を変更したものであり、その他に関しては上記第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図３は、本実施形態におけるＳｉＣ半導体基板１の平面図である。
【００４５】
図３に示されるように、トレンチ２は、第１トレンチ３と第２トレンチ４とが離間して形成されている。すなわち、トレンチ２は、エッジ部２ｃが存在しない形状とされている。このように本実施形態では、エッジ部２ｃが存在しないため、第２実施形態と比較して、第１トレンチ３と第２トレンチ４とが連結されている部分に電界が集中することを抑制することができる。
【００４６】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態のＳｉＣ半導体装置は、上記第２実施形態と比較して、ＳｉＣ半導体基板１に電界緩和層を形成したものであり、その他に関しては上記第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図４は、本実施形態におけるＳｉＣ半導体基板１の平面図である。
【００４７】
図４に示されるように、本実施形態では、ＳｉＣ半導体基板１のうち第１トレンチ３と第２トレンチ４とが連結されるエッジ部２ｃの下部に電界緩和層５が形成されている。具体的には、電界緩和層５は、エッジ部２ｃの下部を含んでオフ方向と垂直方向に延設されており、例えば、上記のように、ＳｉＣ基板がＮ型で形成されている場合には、Ｐ型層で形成されている。
【００４８】
このようなＳｉＣ半導体装置では、ＳｉＣ半導体基板１のうちトレンチ２のエッジ部２ｃの下部に電界緩和層５が形成されているため、第２実施形態と比較して、第１トレンチ３と第２トレンチ４とが連結される部分であるエッジ部２ｃに電界が集中することを抑制することができる。
【００４９】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態について説明する。本実施形態のＳｉＣ半導体装置は、上記第１実施形態と比較して、ＳｉＣ半導体基板１に電界緩和層を形成したものであり、その他に関しては上記第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図５は、本実施形態におけるＳｉＣ半導体基板１の平面図である。
【００５０】
図５に示されるように、本実施形態では、ＳｉＣ半導体基板１のうちトレンチ２の下部に電界緩和層５が形成されている。具体的には、電界緩和層５は、トレンチ２の延設方向と平行な方向に延設されており、上記のように、ＳｉＣ基板がＮ型で形成されている場合には、Ｐ型層で形成されている。
【００５１】
このようなＳｉＣ半導体装置では、トレンチ２の下部に電界緩和層５が形成されているため、第１実施形態と比較して、トレンチ２の下部に電界が集中することを抑制することができる。
【００５２】
（他の実施形態）
上記各実施形態では、（０００１）面にオフ角が設けられているＳｉＣ半導体基板１を用いた例について説明したが、（０００−１）面にオフ角が設けられているＳｉＣ半導体基板１を用いることもでき、この場合も上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５３】
また、上記各実施形態では、ＳｉＣ半導体装置としてトレンチ構造のＭＯＳＦＥＴを例に挙げて説明したが、もちろんトレンチ構造のＪ−ＦＥＴにも適用することができる。
【００５４】
そして、上記第１実施形態では、オフ方向との成す角度が３０°となる方向にトレンチ２を延設した例について説明したが、例えば、オフ方向との成す角度が−３０°となる方向にトレンチ２を延設することもできる。
【００５５】
さらに、上記第５実施形態では、電界緩和層５がトレンチ２の延設方向と平行な方向に延設されている例に説明したが、例えば、電界緩和層５がトレンチ２の延設方向と直交する方向にストライプ状に延設されていてもよい。
【符号の説明】
【００５６】
１      ＳｉＣ半導体基板
２      トレンチ
３      第１トレンチ
４      第２トレンチ
【図１】
2012146921.tif 000003
【図２】
2012146921.tif 000004
【図３】
2012146921.tif 000005
【図４】
2012146921.tif 000006
【図５】
2012146921.tif 000007
【図６】
2012146921.tif 000008
【図７】
2012146921.tif 000009
【図８】
2012146921.tif 000010