(57)【要約】【課題】半導体装置接合用バンプ同士や半導体装置接合用バンプと配線との短絡を抑制し、ファインピッチ化を容易とする。【解決手段】配線２１が形成された第１主面Ｓ１および複数の半導体装置接合用バンプ３１が形成された第２主面Ｓ２を有する絶縁性基板１０を備え、半導体装置接合用バンプ３１は、第２主面Ｓ２上でそれぞれが独立して分散状に配置され、絶縁性基板１０を貫通するビア１２を介して第１主面Ｓ１の配線２１と導通している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線が形成された第１主面および複数の半導体装置接合用バンプが形成された第２主面を有する絶縁性基板を備え、
前記半導体装置接合用バンプは、前記第２主面上でそれぞれが独立して分散状に配置され、前記絶縁性基板を貫通するビアを介して前記第１主面の前記配線と導通している
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
前記配線及び前記半導体装置接合用バンプは、
前記第１主面上及び前記第２主面上に形成された金属薄膜をそれぞれパターニングして形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
前記半導体装置接合用バンプは、それぞれの高さ及び幅が略均一である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】
前記半導体装置接合用バンプは、略平坦な接合面を有する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項５】
前記半導体装置接合用バンプと前記第１主面の前記配線とは、同一の導体材から成る
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置接合用バンプを備える半導体装置用テープキャリアに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置用テープキャリアには、柔軟性を有する絶縁性基板に銅箔等により配線パターンを形成した、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式やＴＣＰ（Tape Carrier Package）方式等の半導体装置用テープキャリア（以降、これらを代表してＴＡＢテープと記す）がある。現在、ＴＡＢテープはＩＣパッケージ等の一部用途で活用され、量産されている。
【０００３】
上述のＴＡＢテープは、図５（ａ１）に示す断面図のように、例えば絶縁性基板５１０の配線５２１が形成された面と同一面側に半導体装置接合用バンプ５３１を備えており、半導体装置接合用バンプ５３１は半導体装置６１０が備える接合用パッド６２０等と物理的に接合されていた。図５（ａ２）には、図５（ａ１）の断面に対して垂直方向からみたＴＡＢテープの断面図を示す。この半導体装置接合用バンプ５３１は、例えば絶縁性基板５１０上に配線５２１を形成した後、配線５２１上に金属メッキ等により形成されていた。金（Ａｕ）や金と銅（Ｃｕ）との合金をメッキして形成されたバンプが、例えば特許文献１及び特許文献２に開示されている。
【０００４】
近年では、半導体装置の特性向上に応じた高周波化への対応に伴い、伝導速度の高いＴＡＢテープの必要性が高まっている。このため、例えばＴＡＢテープが備える絶縁性基板の両面に配線が形成された２メタルＴＡＢテープ（両面配線テープ）が用いられるようになってきた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３２４６３５号公報
【特許文献２】特開２００８−２８８３２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述のような配線と半導体装置接合用バンプとが絶縁性基板の同一面に形成される従来のＴＡＢテープには、いくつかの課題があった。例えば、従来のＴＡＢテープでは、半導体装置接合用バンプ間に充分なクリアランスが取れず、例えば配線に対して半導体装置接合用バンプが位置ずれを起こすと、図５（ｂ）に示すように、隣接する半導体装置接合用バンプ５３１ａ，５３１ｂ同士や、半導体装置接合用バンプ５３１ｄと配線５２１ｃとが接触し、短絡してしまう場合があった。
【０００７】
特に、上述のように金属メッキにより半導体装置接合用バンプを形成すると、メッキに用いる導体材は配線表面から放射状に、したがって、配線側面から横方向へも成長する。このため、ＴＡＢテープの配線設計の際には、半導体装置接合用バンプの横方向の成長も考慮に入れたクリアランスとしなければならなかった。こうした課題は、ＴＡＢテープのファインピッチ化が進むとより顕著になり、ファインピッチ化の妨げとなっていた。
【０００８】
本発明の目的は、半導体装置接合用バンプ同士や半導体装置接合用バンプと配線との短絡を抑制し、ファインピッチ化が容易となる半導体装置用テープキャリアを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様によれば、配線が形成された第１主面および複数の半導体装置接合用バンプが形成された第２主面を有する絶縁性基板を備え、前記半導体装置接合用バンプは、前記第２主面上でそれぞれが独立して分散状に配置され、前記絶縁性基板を貫通するビアを介して前記第１主面の前記配線と導通している半導体装置用テープキャリアが提供される。
【００１０】
本発明の第２の態様によれば、前記配線及び前記半導体装置接合用バンプは、前記第１主面上及び前記第２主面上に形成された金属薄膜をそれぞれパターニングして形成されている第１の態様に記載の半導体装置用テープキャリアが提供される。
【００１１】
本発明の第３の態様によれば、前記半導体装置接合用バンプは、それぞれの高さ及び幅が略均一である第１又は第２の態様に記載の半導体装置用テープキャリアが提供される。
【００１２】
本発明の第４の態様によれば、前記半導体装置接合用バンプは、略平坦な接合面を有する第１〜第３の態様のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアが提供される。
【００１３】
本発明の第５の態様によれば、前記半導体装置接合用バンプと前記第１主面の前記配線とは、同一の導体材から成る第１〜第４の態様のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアが提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、半導体装置接合用バンプ同士や半導体装置接合用バンプと配線との短絡を抑制し、ファインピッチ化が容易となる半導体装置用テープキャリアが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの一部を示す図であって、（ａ１）は絶縁性基板の第１主面側からみた斜視図であり、（ａ２）は絶縁性基板の第２主面側からみた斜視図であり、（ｂ）は（ａ１）のＡ−Ａ断面の一部を表した断面図であり、（ｃ）は（ａ１）のＢ−Ｂ断面の一部を表した断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアに半導体装置を実装する様子を示す図であり、（ａ１）は絶縁性基板の第２主面側からみた斜視図であり、（ａ２）は絶縁性基板の第１主面側からみた斜視図であり、（ｂ）は（ａ２）のＡ−Ａ断面の一部を表した断面図であり、（ｃ）は（ａ２）のＢ−Ｂ断面の一部を表した断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の各工程を、図１（ａ１）のＡ−Ａ断面と同方向側の断面図で示す工程図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の各工程を、図１（ａ１）のＢ−Ｂ断面と同方向側の断面図で示す工程図である。
【図５】（ａ１）は従来例に係る半導体装置用テープキャリアを示す断面図であり、（ａ２）は（ａ１）の断面に対して垂直方向からみた半導体装置用テープキャリアの断面図であり、（ｂ）は従来例に係る半導体装置用テープキャリアの課題を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアについて説明する。
【００１７】
（１）半導体装置用テープキャリアの構造
まずは、本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアとしてのＴＡＢテープの構造について、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係るＴＡＢテープの一部を示す図であって、（ａ１）は絶縁性基板の第１主面側からみた斜視図であり、（ａ２）は絶縁性基板の第２主面側からみた斜視図であり、（ｂ）は（ａ１）のＡ−Ａ断面の一部を表した断面図であり、（ｃ）は（ａ１）のＢ−Ｂ断面の一部を表した断面図である。本実施形態に係るＴＡＢテープは可撓性を有する長尺状のフィルムであり、図１（ａ１）のＢ−Ｂ断面の水平方向に、長尺状に延びている（一部のみを図示）。
【００１８】
図１に示すように、ＴＡＢテープは、例えば配線２１が形成された第１主面Ｓ１および複数の半導体装置接合用バンプ３１が形成された第２主面Ｓ２を有する絶縁性基板１０を備えている。絶縁性基板１０は、可撓性を有する樹脂、例えば厚さ２０μｍ〜５０μｍのポリイミド（ＰＩ）等から構成される。絶縁性基板１０には、絶縁性基板１０を貫通するビアホールに例えば銅（Ｃｕ）が充填されたビア１２が形成されている。第１主面Ｓ１側では、ビア１２は絶縁性基板１０上に形成された配線２１の上面と略同一の高さまで充填され、絶縁性基板１０の表面から突出したビア１２の側面と配線２１の側面とが密着した状態となっている。また、第２主面Ｓ２側では、ビア１２は絶縁性基板１０の表面と略同一の高さまで充填され、絶縁性基板１０上に形成された半導体装置接合用バンプ３１の裏面とビア１２の下端部とが密着した状態となっている。このように、ビア１２を介して、第１主面Ｓ１側の配線２１と第２主面Ｓ２側の半導体装置接合用バンプ３１とが導通している。
【００１９】
絶縁性基板１０の第１主面Ｓ１に形成された配線２１は、例えば配線２１の幅（ライン幅）と配線２１間の幅（スペース幅）とがそれぞれ３０μｍ（Ｌ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍ）となるよう配置されている。配線２１は、例えば導体材としての銅等から構成される。配線２１の厚さは、例えば１２μｍ〜１８μｍである。配線２１は、その一部を除く主要部分が絶縁性保護膜６０により覆われている。絶縁性保護膜６０には、例えばウレタン系樹脂やエポキシ系樹脂等で構成される、厚さ２０μｍ〜５０μｍのソルダーレジスト等が用いられる。絶縁性保護膜６０により、例えば金属異物等の付着による短絡等から配線２１を保護することができる。なお、図１（ａ１）においては、配線２１等の構造を明示するため、配線２１上に浮かせた状態で絶縁性保護膜６０を図示した。
【００２０】
絶縁性基板１０の第２主面Ｓ２に形成された半導体装置接合用バンプ３１は、第２主面Ｓ２上でそれぞれが独立して分散状に配置されている。半導体装置接合用バンプ３１は、例えば導体材としての銅等から構成される。半導体装置接合用バンプ３１は、例えば高さが１０μｍ以上で、寸法が４０μｍ×４０μｍの矩形に形成されている。上述のとおり、半導体装置接合用バンプ３１は、ビア１２を介して第１主面Ｓ１の配線２１と導通している。
【００２１】
絶縁性保護膜６０に覆われていない配線２１の露出した表面と、半導体装置接合用バンプ３１の表面とは、メッキ薄膜７２，７３にそれぞれ覆われている。メッキ薄膜７２，７３は、例えばスズ（Ｓｎ）系金属や金（Ａｕ）等から構成される。金製のメッキ薄膜７２，７３であれば、例えば厚さを１．０μｍ以下、好ましくは０．２μｍ〜０．５μｍとすることができる。これによって、配線２１の露出部分と半導体装置接合用バンプ３１とが保護される。
【００２２】
上述のように、本実施形態に係るＴＡＢテープは、配線２１と半導体装置接合用バンプ３１とが、絶縁性基板１０のそれぞれ異なる面に形成されている。このように、半導体装置接合用バンプ３１と配線２１とを物理的に隔てて形成したので、半導体装置接合用バンプ３１と配線２１とが接触して短絡してしまうことがない。
【００２３】
また、本実施形態に係るＴＡＢテープは、絶縁性基板１０の片面（第１主面Ｓ１）に配線２１を有する１メタルＴＡＢテープとして構成され、かつ、絶縁性基板１０のもう一方の面（第２主面Ｓ２）に半導体装置接合用バンプ３１を配置して、２メタル化された構成となっている。これにより、配線と半導体装置接合用バンプとが絶縁性基板の同一面に形成された従来の１メタルＴＡＢテープに比べ、配線２１や半導体装置接合用バンプ３１の配置に余裕ができ、半導体装置接合用バンプ３１同士や配線２１同士の接触・短絡をいっそう抑制することができる。
【００２４】
また、配線２１や半導体装置接合用バンプ３１の配置に余裕があるため、半導体装置接合用バンプ３１同士や配線２１同士の接触・短絡を抑制しつつ、ファインピッチ化を図ることが容易となる。
【００２５】
以上により、例えば配線２１部分ではＬ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍ以下であり、半導体装置接合用バンプ３１間及び半導体装置接合用バンプ３１と配線２１との間が２０μｍ以下であるような、ファインピッチのＴＡＢテープを容易に得ることができる。
【００２６】
（２）半導体装置の実装方法
次に、本発明の一実施形態に係るＴＡＢテープへの半導体装置の実装方法について、図２を用いて説明する。図２は本発明の一実施形態に係るＴＡＢテープ上に半導体装置を実装する様子を示す図であり、（ａ１）は絶縁性基板の第２主面側からみた斜視図であり、（ａ２）は絶縁性基板の第１主面側からみた斜視図であり、（ｂ）は（ａ２）のＡ−Ａ断面の一部を表した断面図であり、（ｃ）は（ａ２）のＢ−Ｂ断面の一部を表した断面図である。
【００２７】
図２（ａ１）に示すように、ＴＡＢテープに半導体装置１１０を実装する際には、ＴＡＢテープの第２主面Ｓ２、すなわち半導体装置接合用バンプ３１が形成された側の面を上に向けて、半導体装置実装装置（図示せず）のステージ２００上にＴＡＢテープを載置する。
【００２８】
一方、図２（ａ２）に示すように、ＴＡＢテープがステージ２００上に載置される際、第１主面Ｓ１側がステージ２００と接触することとなる。しかし、第１主面Ｓ１側には半導体装置接合用バンプ３１は形成されておらず、半導体装置接合用バンプ３１がステージ２００と接触して変形等してしまうのを抑制することができる。
【００２９】
ステージ２００上にＴＡＢテープが載置されたら、半導体装置実装装置内のＴＡＢテープ上方に、例えばアルミニウム製の接合用パッド１２０を有する面を下に向けて半導体装置１１０を保持し、互いに対向させた半導体装置接合用バンプ３１と接合用パッド１２０との位置合わせを行った後、半導体装置接合用バンプ３１と接合用パッド１２０とを接触させる。この状態で、ＴＡＢテープの第１主面Ｓ１側或いは半導体装置１１０の接合用パッド１２０とは反対の面側のいずれか一方若しくは両側から加圧しつつ、超音波振動を加える。これにより、図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、半導体装置接合用バンプ３１と接合用パッド１２０とが接合され、ＴＡＢテープ上に半導体装置１１０が実装される。
【００３０】
（３）半導体装置用テープキャリアの製造方法
次に、本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアとしてのＴＡＢテープの製造方法について、図３及び図４を用いて説明する。図３は、本実施形態に係るＴＡＢテープの製造方法の各工程を、図１（ａ１）のＡ−Ａ断面と同方向側の断面図で示す工程図である。図４は、本実施形態に係るＴＡＢテープの製造方法の各工程を、図１（ａ１）のＢ−Ｂ断面と同方向側の断面図で示す工程図である。なお、図３の（ａ）〜（ｍ）で示す各工程は、図４の（ａ）〜（ｍ）で示す各工程と対応している。
【００３１】
本実施形態に係る製造方法は、図３（ａ）、図４（ａ）に示すように、例えば、第１主面Ｓ１上に金属薄膜としての銅箔２０が形成され、第２主面Ｓ２上に金属薄膜としての銅箔３０が形成された絶縁性基板１０に対して実施される。銅箔２０，３０の厚さは、例えばそれぞれ１２μｍ〜１８μｍとすることができるが、銅箔３０については、後述する半導体装置接合用バンプ３１を１０μｍ以上の高さに形成可能な厚さであればよい。
【００３２】
（ビア形成工程）
まずは、図３（ｂ）、図４（ｂ）に示すように、上述の絶縁性基板１０にビアホール１１を形成する。すなわち、例えば絶縁性基板１０の第１主面Ｓ１の側からレーザを照射し、銅箔２０及び絶縁性基板１０を貫通させ、銅箔３０の裏面（絶縁性基板１０側の面）を露出させてビアホール１１を形成する。後述するように、主にビアホール１１の位置に対応して半導体装置接合用バンプ３１が形成される。
【００３３】
次に、図３（ｃ）、図４（ｃ）に示すように、例えば銅メッキにより、ビアホール１１内に銅箔３０の裏面側から第１主面Ｓ１側へ向かって銅を充填してビア１２を形成する。これによって、銅箔３０の裏面とビア１２の下端部とが密着した状態となる。そして、第１主面Ｓ１側では、ビア１２を銅箔２０の上面と略同一の高さまで充填し、絶縁性基板１０の表面から突出したビア１２の側面と、上記レーザにより貫通させた銅箔２０の側面とが密着した状態となるまで銅を充填する。
【００３４】
（配線形成工程）
続いて、第１主面Ｓ１上に配線２１を形成する。すなわち、図３（ｄ）、図４（ｄ）に示すように、第１主面Ｓ１側の銅箔２０及びビア１２の上に、例えば感光性ドライフィルム４０をラミネートする。次に、図３（ｅ）、図４（ｅ）に示すように、感光性ドライフィルム４０を露光・現像して開口し、ライン部（未開口部）とスペース部（開口部）からなる感光性ドライフィルムパターン４１を形成する。このとき、ライン部のいくつかはビア１２上を通って配置される。この感光性ドライフィルムパターン４１をマスクとして、例えばエッチング液を用いて銅箔２０をパターニングし、図３（ｆ）、図４（ｆ）に示すように、例えばＬ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍの配線２１を形成する。このとき、配線２１のいくつかは、ビア１２の突出部を一部に含んで形成される。配線２１の形成後、図３（ｇ）、図４（ｇ）に示すように、感光性ドライフィルムパターン４１を除去する。
【００３５】
（半導体装置接合用バンプ形成工程）
引き続き、第２主面Ｓ２上に半導体装置接合用バンプ３１を形成する。すなわち、図３（ｈ）、図４（ｈ）に示すように、第２主面Ｓ２側の銅箔３０上に、例えば感光性ドライフィルム５０をラミネートする。次に、図３（ｉ）、図４（ｉ）に示すように、感光性ドライフィルム５０を露光・現像して開口し、感光性ドライフィルムパターン５１を形成する。この感光性ドライフィルムパターン５１をマスクとして、例えばエッチング液を用いて銅箔３０をパターニングし、図３（ｊ）、図４（ｊ）に示すように、例えば高さが１０μｍ以上で、寸法が４０μｍ×４０μｍの矩形を有する半導体装置接合用バンプ３１を形成する。このとき、主に、第１主面Ｓ１の配線２１と導通している箇所、つまり、先に形成したビア１２上に、半導体装置接合用バンプ３１を形成することで、半導体装置接合用バンプ３１は、第２主面Ｓ２上でそれぞれが独立して分散状に配置される。半導体装置接合用バンプ３１の形成後、図３（ｋ）、図４（ｋ）に示すように、感光性ドライフィルムパターン５１を除去する。
【００３６】
（絶縁性保護膜・メッキ薄膜形成工程）
次に、図３（ｌ）、図４（ｌ）に示すように、配線２１の主要部分に、例えばソルダーレジスト等を塗布して絶縁性保護膜６０を形成する。そして、図３（ｍ）、図４（ｍ）に
示すように、配線２１の露出した表面及び半導体装置接合用バンプ３１の表面に金メッキを施し、例えば厚さが１．０μｍ以下、好ましくは０．２μｍ〜０．５μｍのメッキ薄膜７２，７３をそれぞれ形成する。このように、例えばメッキ薄膜７２，７３同士が接触して半導体装置接合用バンプ３１間あるいは半導体装置接合用バンプ３１と配線２１との間で接触・短絡が起きたりしないよう、メッキ薄膜７２，７３は上述のようなごく薄い膜とする。以上により、本実施形態に係るＴＡＢテープが製造される。
【００３７】
上述のように、本実施形態では、半導体装置接合用バンプ３１を、例えば配線２１と同様のプロセス、すなわち、銅箔３０をパターニングすることで形成している。このように、半導体装置接合用バンプ３１と配線２１とを、共に微細加工性に優れるパターニングによる手法で形成することで、配線２１に対する半導体装置接合用バンプ３１の位置精度が向上して半導体装置接合用バンプ３１の位置ずれを抑制することができ、また、ファインピッチ化も容易となる。
【００３８】
従来技術では、配線と半導体装置接合用バンプとが、それぞれパターニング、金属メッキの異なるプロセスで形成されていた。このため、配線を形成する際には半導体装置接合用バンプの形成時の位置公差も考慮しなければならず、高度な位置精度を出し難かった。特に、金属メッキの加工精度の問題から、形成される半導体装置接合用バンプの径や高さにばらつきが生じてしまうことがあった。半導体装置接合用バンプの径がばらつくと、半導体装置接合用バンプ間等の間隔が不ぞろいとなってしまう。また、半導体装置接合用バンプの接合面（トップ面）の高さがばらつくと、半導体装置との接合不良が生じてしまう。
【００３９】
また、従来の金属メッキ等で半導体装置接合用バンプを形成すると、メッキ材は配線表面から放射状に広がり、球状の半導体装置接合用バンプが形成される。このため、たとえ配線の形成時に微細加工性の高いパターニング手法を用いたとしても、半導体装置接合用バンプをメッキする際の配線側面から横方向へのメッキ材の成長を考慮に入れた配線ピッチとしなければならなかった。
【００４０】
また、金属メッキにより球状に形成された半導体装置接合用バンプを半導体装置の接合用パッドに接合すると、半導体装置接合用バンプのトップ面が曲面となっているために接合用パッドとの接合が曲面の頂点での接合となり、接合面積が広く取れずに接合不良が生じてしまう場合があった。
【００４１】
しかしながら、本実施形態によれば、半導体装置接合用バンプ３１を、配線２１の形成時と同様、銅箔３０のパターニングにより形成することで微細加工性が向上し、半導体装置接合用バンプ３１のそれぞれの幅が略均一となる。これによって、半導体装置接合用バンプ３１間や配線２１間を所定間隔に保つことができ、各部材間の接触等による短絡を抑制することができる。同様に、半導体装置接合用バンプ３１のそれぞれの高さも略均一となり、より確実に半導体装置１１０の接合用パッド１２０と接合することができる。
【００４２】
また、金属メッキを用いる場合と異なり、横方向への成長を考慮に入れることなく配線ピッチを設定することができ、ＴＡＢテープのファインピッチ化が容易となる。
【００４３】
また、半導体装置１１０との接合面にあたる半導体装置接合用バンプ３１のトップ面（接合面）が略平坦となって、接合面積を広く取ることができる。よって、より確実に半導体装置１１０の接合用パッド１２０と接合することができる。
【００４４】
（４）一実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す少なくともひとつまたは複数の効果が得られる。
【００４５】
本実施形態によれば、配線２１が形成された第１主面Ｓ１および複数の半導体装置接合用バンプ３１が形成された第２主面Ｓ２を有する絶縁性基板１０を備え、半導体装置接合用バンプ３１は、第２主面Ｓ２上でそれぞれが独立して分散状に配置され、絶縁性基板１０を貫通するビア１２を介して第１主面Ｓ１の配線２１と導通している。これにより、半導体装置接合用バンプ３１同士や半導体装置接合用バンプ３１と配線２１との短絡を抑制することができる。よって、ＴＡＢテープのファインピッチ化が容易となる。
【００４６】
また、本実施形態によれば、絶縁性基板１０の片面ずつに配線２１と半導体装置接合用バンプ３１とをそれぞれ配置し、２メタル化したＴＡＢテープとしている。これにより、配線２１や半導体装置接合用バンプ３１の配置に余裕ができ、半導体装置接合用バンプ３１同士や配線２１同士の短絡をいっそう抑制することができる。また、ファインピッチ化が容易となる。
【００４７】
また、本実施形態によれば、ＴＡＢテープに半導体装置１１０を実装する際、半導体装置実装装置のステージ２００に接触するのは、専ら半導体装置接合用バンプ３１が形成されていない第２主面Ｓ２である。よって、半導体装置接合用バンプ３１の変形等を抑制することができる。
【００４８】
また、本実施形態によれば、配線２１及び半導体装置接合用バンプ３１は、第１主面Ｓ１上及び第２主面Ｓ２上に形成された銅箔２０，３０をそれぞれパターニングして形成されている。これにより、配線２１に対する半導体装置接合用バンプ３１の位置精度が向上し、半導体装置接合用バンプ３１の位置ずれを抑制することができる。
【００４９】
また、本実施形態によれば、半導体装置接合用バンプ３１を銅箔３０のパターニングにより形成することで、半導体装置接合用バンプ３１のそれぞれの幅が略均一となり、半導体装置接合用バンプ３１同士や配線２１同士の短絡を抑制することができる。
【００５０】
また、本実施形態によれば、半導体装置接合用バンプ３１を銅箔３０のパターニングにより形成することで、半導体装置接合用バンプ３１のそれぞれの高さが略均一となり、より確実に半導体装置１１０の接合用パッド１２０と接合することができる。
【００５１】
また、本実施形態によれば、半導体装置接合用バンプ３１を銅箔３０のパターニングにより形成することで、半導体装置１１０との接合面にあたる半導体装置接合用バンプ３１の接合面（トップ面）が略平坦となり、より確実に半導体装置１１０の接合用パッド１２０と接合することができる。したがって、半導体装置１１０の実装の精度や安定性、信頼性を向上させることができる。
【００５２】
また、本実施形態によれば、半導体装置接合用バンプ３１と配線２１とは同一の導体材から成り、同一のプロセスにより形成される。これにより、ＴＡＢテープの材料や製造工程を共通化することができ、ＴＡＢテープの構成を簡素化し、また、製造工程を簡便にすることができる。よって、ＴＡＢテープの材料費や製造コストを削減することができる。
【００５３】
＜他の実施形態＞
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００５４】
例えば、上述の実施形態においては、半導体装置接合用バンプ３１と配線２１とは銅により構成されるとしたが、これに限られず、上述のようなエッチング液等を用いたパターニングによる手法で形成可能な材料であれば、他の導体材により構成されていてもかまわ
ない。ビア１２の充填においても、銅以外の材料やメッキ以外の手法を用いてもよい。
【００５５】
また、上述の実施形態においては、絶縁性基板１０はポリイミド（ＰＩ）等から構成されるとしたが、これに限られず、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、アラミド、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂により構成されていてもかまわない。
【００５６】
また、上述の実施形態においては、レーザ照射によりビアホール１１を形成することとしたが、薬液を用いたエッチング加工や、プレス加工によるパンチング、ピナクル刃（トムソン刃、彫刻刃を含む）による押し切り法等により、ビアホール１１を形成することも可能である。または、これらいくつかの方法を組み合わせてもよい。パンチングによりビアホール１１を形成する場合、まずは銅箔の一方のみ、例えば銅箔２０のみが形成された絶縁性基板１０に、パンチングでビアホール１１を設けた後に、銅箔３０を形成してもよい。
【００５７】
また、上述の実施形態においては、半導体装置接合用バンプ３１及び配線２１の形成時、感光性ドライフィルム４０，５０のパターンをマスクとすることとしたが、例えば液体状のフォトレジスト等を塗布してマスクを形成してもよい。また、例えばレーザ光等によって直接描画を行ってもよい。
【００５８】
また、異なるプロセスや異なる材料を用いて、絶縁性基板の同一面に、配線・半導体装置接合用バンプの組合せに限らず、所定の組合せの複数種の導体部を形成した場合に、位置精度等の課題が生じているようであれば、本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１０  絶縁性基板
１２  ビア
２１  配線
３１  半導体装置接合用バンプ
Ｓ１  第１主面
Ｓ２  第２主面 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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