(57)【要約】      （修正有）【課題】熱膨張による浮きの発生を防止することにより、大型の平板状基板を均一に加熱する方法と装置を提供する。【解決手段】平板状基板を均一に加熱する基板加熱装置１であって、少なくとも、前記平板状基板３を載置して接触させることにより前記平板状基板３を加熱するための加熱プレート２と、前記加熱プレート２を包含して覆うことができるカバー４と、前記加熱プレート２とカバー４を制御することができる制御装置と、を備えており、前記加熱プレート２は、少なくとも前記平板状基板３を支えるための複数のワーク受けピンと、それらのワーク受けピンを前記制御装置で制御することができる駆動機構と、前記加熱プレート２を前記制御装置で制御することができる加熱機構と、を備えていることを特徴とする基板加熱装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状基板を均一に加熱する基板加熱装置であって、
少なくとも、前記平板状基板を載置して接触させることにより前記平板状基板を加熱するための加熱プレートと、
前記加熱プレートを包含して覆うことができるカバーと、
前記加熱プレートとカバーを制御することができる制御装置と、
を備えており、
前記加熱プレートは、少なくとも前記平板状基板を支えるための複数のワーク受けピンと、
それらのワーク受けピンを前記制御装置で制御することができる駆動機構と、
前記加熱プレートを前記制御装置で制御することができる加熱機構と、
を備えていることを特徴とする基板加熱装置。
【請求項２】
加熱プレートが複数の領域に分割されており、分割された個々の加熱プレートの温度を独立に設定することができることを特徴とする請求項１に記載の基板加熱装置。
【請求項３】
平板状基板を均一に加熱することができる基板加熱方法であって、少なくとも前記平板状基板を搬送する搬送工程と載置工程と真空密着工程と加熱工程と、
を備えており、
前記搬送工程は、前記平板状基板を加熱プレートの上方まで搬送し、
前記載置工程は、前記平板状基板を前記加熱プレートに備えられたワーク受けピン上に載置した後、前記ワーク受けピンを下げて行くことによって、前記平板状基板の中央部から先に前記加熱プレートに接触させ、順次、外周部に向って接触させて行き、最終的には前記平板状基板の全面を前記加熱プレートに密着させ、
前記真空密着工程は、前記平板状基板の全面が前記加熱プレートに密着した時に真空密着させて前記平板状基板を前記加熱プレートに密着して固定させ、
前記加熱工程は、前記平板状基板の全面が前記加熱プレートに密着後、一定時間加熱する、
ことを特徴とする基板加熱方法。
【請求項４】
ワーク受けピンの高さが最も低い加熱プレートの中央部と、最も高い外周部との差が１ｍｍ以上３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の基板加熱方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大型の平板状基板を均一に加熱する方法と装置に関する。  
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置などに用いられるカラーフィルタは、ガラス基板上に形成されたブラックマトリックス、着色画素、透明導電膜など、から構成される。ブラックマトリックスは、遮光性を有するマトリックス状のものが主に使用されており、材料としては金属クロム膜と酸化クロム膜を積層した構成のものや感光性樹脂に顔料を分散させて黒色にしたものがある。
【０００３】
近年では環境問題の高まりから、ブラックマトリックスの製造は、金属系材料から感光性樹脂に顔料を分散させた顔料分散レジストを用いる方法に移行しつつある。いずれもフォトレジストあるいはブラックの顔料を分散させた感光性材料をコーティングしたものを、フォトマスクを介して紫外線露光、現像して作製する。クロム膜の場合は、エッチングしたあとレジスト剥膜を行い、所定のパターンを得る。着色画素は、上記ブラックマトリックスパターン上に着色レジストを塗布し、フォトマスクを介して紫外線露光し、現像後、所定のパターンを得る。
【０００４】
この着色画素は一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）で構成され、各色ごとに同様の作業を３度繰り返し、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色画素を得る。さらにこのブラックマトリックスと着色画素上に、透明導電膜を形成する工程を実施する。近年ではさらにフォトスペーサ（ＰＳ）、ＭＶＡ方式（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ方式）で用いられる液晶の配向を分割するための微小な突起物を設けることがある。これらのパターンをガラス基板内に配置し、多面付けとなっている場合が多い。カラーフィルタのコストを低減する工夫が進み、特に携帯端末用途向けのパネルなど小型モニター用カラーフィルタの基板では、これまでの基板サイズから大型基板へと移り、さらに多くの面付けになっている。また基板を有効に使うため、１枚の基板に形成するパターン領域が広がり、面付けが多くなる方向にある。
【０００５】
カラーフィルタの作製方法はいろいろあるが、顔料分散法がよく知られた方法である。これはフォトリソグラフィ法を用い、レジストを基板にコートした後に基板を減圧環境に置いてある程度溶剤を揮発させてから、加熱されたプレート上で基板を接触させて、不要な溶剤を更に揮発させ、液体だったレジストを固化させた後、フォトマスクを介して、高圧水銀ランプ光で所定パターンに露光後、アルカリ系現像液でパターン部以外の不要部分を剥離・除去する方法である。
【０００６】
コート方法には従来からスピン式によるコーティングが多く用いられている。この方法は、チャックステージ上に基板を吸着固定した後、中央にノズルを用いてレジストを滴下し、その後チャックステージを高速回転させ、遠心力を用いてコーティングする方法である。このスピンコートで塗布された基板は基板外周部で膜厚が厚くなる傾向がある。これはレジストを遠心力で基板の回転中心から外に向って放射状に押し拡げることでレジストの塗膜を基板上に形成する方法であるが、外周部から外部に飛ばされずに残留したものが基板端面で盛り上がる自然現象である。その厚くなった部分は、現像工程だけでは十分薄くすることが困難なことから、あらかじめ現像工程前でガラス端部のレジスト剥離をアルカリ液で実施する方法が用いられる場合がある。またスピンコート法は無駄になるレジストが多いことや、基板の大型化による問題(装置構造の大型化の限界や塗布ばらつきの増大化、など)から、近年ではダイコートノズル、精密ポンプなどを組み合わせた塗布方式
が用いられるようになってきている。
【０００７】
加熱プレートは塗布後の不要溶剤を揮発させるために用いられる。レジストが塗布された基板を数十秒から数分の間、加熱プレート上に接触させて、レジスト内部の溶剤を揮発させる。この加熱プレートは温度制御装置で温度調整されている。加熱プレートは、基板の大きさに合わせて、単一もしくは複数存在する。また基板が大型の場合は、加熱プレートは複数の温度制御領域に分割されている場合もある。
【０００８】
加熱プレートは一般に基板の大きさに応じて、１つもしくは複数の温度制御領域に分割されている。特にフォトレジスト用オーブンでは基板中央部と外周部での温度上昇差を少なくすることで溶剤の揮発状態を均一にして、レジストの感光特性や現像特性を均一にすることで、露光、現像後のパターン形成乱れ（断面形状がオーバーハングになり、それに伴い、線幅のバラツキが大きくなると言った状態）を防止するための温度制御方法が提案されている。（特許文献１参照）
【０００９】
加熱プレートの設定温度は、レジスト内部に存在する溶剤成分の蒸気圧の温度特性、塗布膜厚などを考慮して設定される。また加熱プレートは外気と触れることを避けるためにカバー（箱状の覆い）で覆われている。カバーには、基板の出し入れ用に出入り口が設けてあり、必要に応じてシャッターが開閉する機構になっているか、カバー全体を上げ下げすることで、基板の出し入れを行うことができる。加熱プレートの温度は任意に設定できるが、一般には室温から１５０℃程度の設定まで可能である。処理時間に制約は無いが特に５０−１３０℃程度の範囲が多く用いられるのが通常である。
【００１０】
実際の生産ラインで基板を熱処理する場合、搬送ロボット等を使用して受け渡しを行うことが多い。その場合、一且加熱プレートに埋め込まれたワーク受けピンをある程度の高さに設定して、基板と加熱プレートを数ｍｍ程度の距離だけ離して用いる場合が多い。そのワーク受けピン上に基板を載せて、その後、そのピンを降下させて加熱プレートに接触させる制御が一般的な方法である。ワーク受けピンの材質に制限は無いが、ワーク受けピンの先端は、基板をキズつけないように、基板より硬度が低い材料、例えば耐熱性樹脂で被覆する。
【００１１】
加熱プレートの材質には特に制限が無いが、耐熱性が要求されるため、金属が用いられる場合が多い。特に熱伝導性が良いアルミニウムを母材にしたものが多用されている。ワーク受けピンは加熱プレート内に複数設置してあり、加熱プレートに、ワーク受けピンを収納する孔を開けてある。孔の径はたいてい数ｍｍである。ワーク受けピンを上下させるのは、加熱プレートの下に設置した駆動機構（モータ、エアシリンダー、ギア組み合わせ、等）で行う。基板の処理方法として、基板を加熱プレートに完全に接触させる方法、基板と加熱プレート間に隙間を設けて、直接熱を加えないで行う方法、または、それらを組み合わせた方法も用いられる。
【００１２】
基板を加熱プレートに完全接触させる場合には、真空吸着が用いられる。加熱プレートには真空吸着用孔が開けられており、処理時に加熱プレートと基板間を真空吸着させることができる。また隙間を設ける方法は、あらかじめ設定した高さになるようにワーク受けピンの位置を制御する。その制御には、エンコーダパルスを利用した方法や位置決めセンサー等を用いる方法がある。複数のワーク受けピンで基板を受ける場合、ワーク受けピンを平板に埋め込んだものを一括して上下させる方法が最も単純な制御方法である。この場合は、基板は、全面が加熱プレートにより加熱されることになる。
【００１３】
しかしながら、加熱プレート上で大型基板を加熱する際に、基板が熱膨張することで歪が発生する。一般に基板には、無アルカリガラスを用いることが多く（線膨張係数が３．０
−４．０×１０−６／℃程度）、基板が大型化するに従い、熱膨張による延び量は、熱処理時に無視できない程度の大きさになる。
【００１４】
基板が加熱されると、熱膨張により、基板が加熱プレートより離れてしまう場合がある。これは、基板処理中には真空吸着していることから、膨張歪の逃げ場が失われることによる。それを「浮き」と称する。浮きが発生すると、その部分に直接的には加熱プレートから熱伝導が起こらなくなり、所定の熱処理が十分になされない場合がある。所定の熱処理がなされないとその後のパターニング特性に影響して、所定のパターンが得られない場合があり、酷い場合にはパターン欠損(剥がれ)をもたらす場合がある。影響を受ける特性の代表として、パターン線幅、膜厚、基板との密着力、などが悪影響を受ける。
【００１５】
またレジストの断面形状が変化して、オーバーハング（逆台形、パターンの断面形状が、上部が幅広く、下部が幅が狭くなる状態）する。ムラが発生しやすくなるなどの問題もある。
【００１６】
急激な熱歪を抑制するためには、一旦加熱プレートの直上数ｍｍのところで基板を停止させて、数秒間、温度になじませた後に完全に加熱プレートに接触させる方法を用いるが、それでも接触開始時には急激に熱が加わるため、熱歪が発生する。この基板の浮きを防止するにはダブルコンタクト動作（特許文献２参照）が有効であるが、それでも基板が大型化することで浮きが発生する可能性が高くなってきている。複数のワーク受けピンを用いて、基板を下降させて加熱プレートに接触させる場合には、空気層が基板中央部から抜けず、基板中央部に空気だまりが発生する場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開平７−１１１２３２号公報
【特許文献２】特開２００６−３０１４９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は、熱膨張による浮きの発生を防止することにより、大型の平板状基板を均一に加熱する方法と装置を提供することを課題とした。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記の課題を解決する手段として、請求項１に記載の発明は、平板状基板を均一に加熱する基板加熱装置であって、
少なくとも、前記平板状基板を載置して接触させることにより前記平板状基板を加熱するための加熱プレートと、
前記加熱プレートを包含して覆うことができるカバーと、
前記加熱プレートとカバーを制御することができる制御装置と、
を備えており、
前記加熱プレートは、少なくとも前記平板状基板を支えるための複数のワーク受けピンと、
それらのワーク受けピンを前記制御装置で制御することができる駆動機構と、
前記加熱プレートを前記制御装置で制御することができる加熱機構と、
を備えていることを特徴とする基板加熱装置である。
【００２０】
また、請求項２に記載の発明は、加熱プレートが複数の領域に分割されており、分割された個々の加熱プレートの温度を独立に設定することができることを特徴とする請求項１に記載の基板加熱装置である。
【００２１】
また、請求項３に記載の発明は、平板状基板を均一に加熱することができる基板加熱方法であって、少なくとも前記平板状基板を搬送する搬送工程と載置工程と真空密着工程と加熱工程と、
を備えており、
前記搬送工程は、前記平板状基板を加熱プレートの上方まで搬送し、
前記載置工程は、前記平板状基板を前記加熱プレートに備えられたワーク受けピン上に載置した後、前記ワーク受けピンを下げて行くことによって、前記平板状基板の中央部から先に前記加熱プレートに接触させ、順次、外周部に向って接触させて行き、最終的には前記平板状基板の全面を前記加熱プレートに密着させ、
前記真空密着工程は、前記平板状基板の全面が前記加熱プレートに密着した時に真空密着させて前記平板状基板を前記加熱プレートに密着して固定させ、
前記加熱工程は、前記平板状基板の全面が前記加熱プレートに密着後、一定時間加熱する、
ことを特徴とする基板加熱方法である。
【００２２】
また請求項４に記載の発明は、ワーク受けピンの高さが最も低い加熱プレートの中央部と、最も高い外周部との差が１ｍｍ以上３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の基板加熱方法である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基板を単純に加熱プレート上に載置することによって、基板が熱膨張し、そのことによって基板中央部が盛り上がり、加熱プレートから浮く現象を回避できるため、基板を均一に加熱することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の基板加熱装置の外観の概略を示す概念図
【図２】本発明の基板加熱装置で使用する加熱プレートの例を示す平面図
【図３】本発明の基板加熱装置に、ロボットのアームに載せた基板が搬入された状態であり、基板の下方には、加熱プレートに複数のワーク受けピンが立っている状態を示す概念図
【図４】図３の状態から、ロボットのアームが下がって、ワーク受けピン上に基板が載置された状態を示す概念図
【図５】図４の状態から、ロボットのアームが水平移動して加熱装置から出て行った状態を示す概念図
【図６】図５の状態から、ワーク受けピンが徐々に下がっている途中の状態を示す概念図
【図７】図６の状態から、ワーク受けピンが完全に加熱プレートの孔の中に収納され、基板と加熱プレートが密着した状態を示す概念図
【図８】従来の例として、単純に基板を加熱プレート上に載置して真空密着して固定した場合、熱膨張によって基板が膨張するため、基板の中央部が加熱プレートから浮いてしまった状態を示す概念図
【図９】ＳＥＭ観察写真。（Ａ）は基板の中央部が加熱プレートから浮いてしまった部分のレジストパターン（浮き箇所と記載した写真）、（Ｂ）は浮かなかった正常な部分のレジストパターン（通常と記載した写真）。
【図１０】光学顕微鏡観察写真。（Ａ）は基板の中央部が加熱プレートから浮いてしまった部分のレジストパターン（線幅５．９μｍと記載した写真）、（Ｂ）は浮かなかった正常な部分のレジストパターン（線幅６．７μｍと記載した写真）。
【図１１】基板が加熱プレートに載置されてからの温度履歴を示すグラフ。「浮いた部分（浮き部）」と「正常部（浮かなかった部分）」との比較をし、浮き部の方が温度が低いことを示している。
【図１２】基板を加熱プレートから約３ｍｍの距離に保持して行う「ならし」の状態を示す概念図
【図１３】本発明の基板加熱方法の例。ワーク受けピンの高さを、図の長手方向中央部では、３ｍｍより１ｍｍ程度低くし、逆に外周部では１ｍｍ程度高くした例。
【図１４】図１３で示したワーク受けピンの状態を図示した概念図
【図１５】図１４の状態に基板を載置した状態を示す概念図
【図１６】図１５の基板が載置された初期状態から、ワーク受けピンが下降を始め、図の長手方向中央部が加熱プレートに接した状態を示す概念図
【図１７】図１６の状態から進んで、長手方向の外側の部分も、順次、加熱プレートに接し、最終的に基板全面が密着する様にすることで、矢印の方向に熱膨張し、基板中央部の浮きを回避することができることを示す概念図
【図１８】（Ａ）は浮きが発生した部分のレジストパターンのＳＥＭ像であり、オーバーハングが発生しており、平均的な線幅は設定より狭くなっていると同時に線幅のバラツキが大きくなっている状態を示している。（Ｂ）は浮きが発生していない正常な部分のレジストパターンのＳＥＭ像である。
【図１９】浮きが発生していない場合の基板温度の履歴を示すグラフ。中央部は、図１８で基板の中央部の実線の丸の部分、○部は、破線の丸の部分を指し、浮きが発生していない場合は、両者の温度履歴に差が無いことを示すデータの例。
【図２０】ワーク受けピンの駆動系が４つであり、４つの領域のワーク受けピンが、ａ→ｂ→ｃ→ｄの順に順次、駆動させることができる、本発明の加熱プレートの例。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明について、図面を用いて詳細に説明する。
【００２６】
図１は、本発明の基板加熱装置１の外観の概略を示す概念図である。加熱する対象物である基板３が、加熱プレート２上に載置され、カバー４が被せられている状態を示している。図示していないが、基板３が加熱プレート２上に載置されるには、カバー４が取り外されているか、図示していない、カバー４に設けられた出入り口を通って、搬送アームによって加熱プレート２上に搬送・載置され、カバー４が加熱プレート２と基板３を含んで被せられる。更に詳しくは、基板３は加熱プレート２に密着して載置される前に、図示していない、ワーク受けピン上に、搬送アームによって載置され、その後、ワーク受けピンが加熱プレート２に向って下降することによって、基板３が加熱プレート２に載置され、密着する。基板３と加熱プレート２を密着させるには、真空密着を使用することができる。
【００２７】
図２は、本発明の基板加熱装置１で使用する加熱プレート２上に基板３が載置された例を示す平面図である。この図から分かる様に、加熱プレート２には、ワーク受けピン２０が設けられている。ワーク受けピン２０は、基板３に面付されているパターンの有効面内にかからない位置に配置される必要がある。その為、想定される全ての面付に対応できる位置にワーク受けピンが設置され、ある面付の場合には使用し、別の面付けの場合には使用しない、というようなワーク受けピン２０の使い方が必要である。そのような制御を行わない場合は、基板の面付の種類に合わせて、適合する位置にワーク受けピンが設置されている加熱プレートに付け替える必要がある。
【００２８】
図３は、加熱プレート２にワーク受けピン２０が突き出している状態の上方に、搬送アーム５によって基板３が搬送されて来た状態を示している。
【００２９】
図４は、図３の状態から、搬送アーム５が下降して、基板３がワーク受けピン２０に載置され、支持された状態を示している。
【００３０】
図５は、図４の状態から、搬送アーム５が外部に移動した後の状態を示している。
【００３１】
図６は、図５の状態から、ワーク受けピン２０が下降し、基板３が加熱プレート２に向って近づいている状態を示している。
【００３２】
図７は、図６の状態から、ワーク受けピン２０が下降し、孔の中にワーク受けピン２０が完全に隠れた状態を示している。この状態から、更に基板３を加熱プレート２に密着させる為、図示していない真空引き孔から吸引して密着させ、基板３を加熱プレート２に固定する。
【００３３】
図８は、基板３が加熱プレート２から浮いてしまう現象の例を示している。例えば基板３の温度が室温（例えば２３℃）であり、加熱プレート２の温度が１２０℃前後の場合に、基板３を、加熱プレート２の温度に近づけずに、いきなり加熱プレート２上に載置すると、基板３が急激に熱膨張する。基板３を真空密着しておくと、基板３の中央部が盛り上がり、基板３の中央部で浮きが生じることがある。基板３がガラスである場合、急激な熱膨張による歪に耐え切れずに、割れてしまう場合も出てくる。真空密着していない場合は、基板３は熱膨張するだけであり、盛り上がることは無い。
【００３４】
図９は、図８で示した、盛り上がって加熱プレート２から浮いた部分、即ち浮きの部分は、盛り上がらなかった正常部に比べ、熱処理の程度が弱くなる。その為、基板３上に塗布された感光性レジストの溶剤分が十分に揮発せず、乾燥が不十分な状態が出てくる可能性がある。図９の（Ａ）には、基板が浮いた部分の感光性レジストのパターンの例を示している。パターンの断面形状はオーバーハングした状態になる。（Ｂ）には、正常部のパターンの断面形状の例を示している。オーバーハングが発生していない断面形状となっている。いずれもＳＥＭによる観察結果である。
【００３５】
図１０は、光学顕微鏡による観察結果を示した。図９の時の同じく、（Ａ）は、浮いた部分の光学顕微鏡写真、（Ｂ）は、正常部の光学顕微鏡写真である。浮いた部分は、正常部と比較して、感光性レジストのパターンの線幅が狭くなっている。また、パターンの端部のギザツキ（線幅の変動）が大きい事が分かるが、これはＳＥＭ観察の結果と同様である。
【００３６】
図１１は、加熱プレート２から浮いた部分と浮いていない正常部の温度履歴のグラフである。基板３を加熱プレート３に載置し密着すると、基板３の中央部に浮きが生じ、浮いた部分には加熱プレート２から熱が伝わらなくなり、温度の上昇が遅くなる。グラフの中に「コンタクト開始」と書いてあるのは、基板３が加熱プレート３に接した時点を示している。このコンタクト開始の時点から時間が経過するに連れて基板の温度が上昇するが、浮いた部分の温度は、正常部に比べ、温度の上昇が遅くなることを示すデータとなっている。
【００３７】
図１２は、加熱プレート２に設けてある各ワーク受けピン２０の高さをｍｍ単位で示している。この例は、全てのワーク受けピン２０の高さを約３ｍｍに設定した場合を示している。
【００３８】
図１３は、基板３の中央部のワーク受けピン２０の高さを約２ｍｍに、最外周部を約４ｍｍに、その中間では、約３ｍｍに設定した例を示している。
【００３９】
図１４は、図１３で示した状態を目で見て分かるように図示したものである。
【００４０】
図１５は、図１４で示したワーク受けピン２０の上に基板３を載置した状態を示している。基板３はワーク受けピン２０に沿って撓んだ状態で載置されている。
【００４１】
図１６は、図１５の状態から、ワーク受けピン２０が、図示していない駆動機構によって、一斉に駆動され、加熱プレート２の孔の中に引っ込んで行く途中の状態を示している。ワーク受けピン２０が下降して行き、丁度、基板３の中央部が加熱プレート２に接した状態を示している。その後、外周部のワーク受けピン２０も下降した結果、加熱プレート２の孔の中に引っ込んでしまい、基板３は、すっかり、加熱プレート２と接する状態に至る。通常は、この状態に至った時に、図示していない加熱プレート２上にある真空密着するための孔や溝などを使用した真空密着機構によって、基板３は加熱プレート２に密着し、固定される。ワーク受けピン２０を駆動する方法は、一定速度で単調に下降させても良いし、プログラムに従って複雑な駆動を行うこともできる。また、全ワーク受けピンを同一動作させても良いし、個別に、或いは、グループ毎に、動作させることも可能である。これらは、市販されているプログラマブルプロセッサなどの制御装置に予めプログラムし、実行することができる。
【００４２】
図１７は、加熱プレート２の上に載置された基板３の例として、ガラス基板に複数のパターンが面付された基板が載置されている状態を示している。実線の丸で囲まれた部分は、浮き部（加熱プレートから浮いた基板の部分）が出てくる可能性がある部分である。破線の丸で囲まれた部分は、正常部となる可能性が高い部分である。
【００４３】
図１８は、浮き部と正常部の線幅に関する状態を示すＳＥＭ像である。（Ａ）は浮き部のＳＥＭ像、（Ｂ）は正常部のＳＥＭ像である。両者を比較すると目で見ても明らかに浮き部の線幅の方が細いことが分かる。線幅の計測結果は、浮き部が５．２μｍ、正常部が６．５μｍであった例である。
【００４４】
図１９は、浮き部が発生しない場合の、図１７の実線の丸で囲まれた部分、図１９のグラフでは中央部と記載してある部分と破線の丸で囲まれた部分、図１９のグラフでは○部と記載してある部分、の温度履歴の測定結果の例である。両者とも殆ど温度履歴に差が無いことが分かる。
【００４５】
図２０は、本発明に於けるワーク受けピン２０の駆動方法の例を示している。この例では、ワーク受けピン２０を全て同じ高さに設定して置き、基板がその上に載置されてからのワーク受けピン２０の動作の順番をａ、ｂ、ｃ、ｄというように文字で表している。この例では、まず初めに細かい破線で囲まれたワーク受けピンを下降させ、次いで、粗い破線で囲まれたワーク受けピンを、その次に、細い実線で囲まれたワーク受けピン、その次に太い実線で囲まれたワーク受けピンを下降させる、ということを示している。
【００４６】
この様な順番にワーク受けピン２０を下降させることによって、基板の自重による基板中央部の撓みを発生させることができる。そして、撓みが発生すると同時に、加熱プレートの方に基板の下降が進み、ある時点で、基板の中央部が一番先に加熱プレートに接する。そうすると基板の中央部から加熱プレートによる加熱が開始される。ここで、注意しなければならないのは、基板の自重による撓みに対応したワーク受けピンの制御を行わなければならない点である。基板の剛性が高く、基板が自重では撓まないこともあるからである。
【００４７】
基板が加熱プレートに接した後は、基板の中央部から熱膨張が開始するのと並行して、順次外周部も、ある時間経過をもって下降し、加熱プレートに接して行く。基板全体が加熱プレートに接した後、加熱プレートに真空密着される。真空密着される時点では、基板は中央部から外周部に向って順次、熱膨張が起こっている為、基板を真空密着しても、もはや密着し固定した後に熱膨張する量は少なくなるため、浮きは生じない。
【００４８】
本発明は、将にこのことによって、基板を加熱プレートに載置して真空密着し、基板を固定して加熱しても、基板の中央部の浮きが発生しないのである。
【００４９】
基板の撓みの特性に適合したワーク受けピンの制御方法を選択することによって、最適なワーク受けピンの制御方法を選択することが可能である。
【００５０】
例えば、基板の形状は通常、矩形であるが、その縦横の比や基板の厚さ、基板を構成する材料の剛性、比熱、などによって基板がどれだけ自重によって撓むかが決まるので、それらに従って、ワーク受けピンの設置間隔、各ワーク受けピンの初期の高さ、下降させる速度、などを設定することが可能である。  
【符号の説明】
【００５１】
１・・・基板加熱装置
２・・・加熱プレート
３・・・基板
４・・・カバー
５・・・搬送アーム
２０・・・ワーク受けピン
２１・・・ワーク受けピンが昇降した時に入る孔
３０・・・加熱プレートから浮いた基板の部分
３１・・・基板の中に面付されたパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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