(57)【要約】【課題】  Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。【解決手段】  半導体素子は、基板と、前記基板上に形成された共晶層と、前記共晶層上方に形成された絶縁層と、各々が前記絶縁層上に形成された密着層と、前記密着層上に形成されたＡｇ反射膜と、前記Ａｇ反射膜上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成され、第１導電型の第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層の上に形成され、電流が流れることにより発光する第２の窒化物半導体層と、該第２の窒化物半導体層の上に形成された、第２導電型の第３の窒化物半導体層とを含んだ半導体積層とを有する複数の半導体発光素子と、前記密着層及びＡｇ反射膜上方に形成され、隣接する半導体発光素子の一方の前記第１導電型の第１の窒化物半導体層と他方の前記第２導電型の第３の窒化物半導体層とを接続し、積層の最下層が前記密着層と同一の材料からなる配線電極とを有する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された共晶層と、
前記共晶層上方に形成された絶縁層と、
各々が前記絶縁層上に形成された密着層と、前記密着層上に形成されたＡｇ反射膜と、前記Ａｇ反射膜上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成され、第１導電型の第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層の上に形成され、電流が流れることにより発光する第２の窒化物半導体層と、該第２の窒化物半導体層の上に形成された、第２導電型の第３の窒化物半導体層とを含んだ半導体積層とを有する複数の半導体発光素子と、
前記密着層及びＡｇ反射膜上方に形成され、隣接する半導体発光素子の一方の前記第１導電型の第１の窒化物半導体層と他方の前記第２導電型の第３の窒化物半導体層とを接続し、積層の最下層が前記密着層と同一の材料からなる配線電極と
を有する半導体素子。
【請求項２】
前記密着層の一端が、前記Ａｇ反射膜の一端から５μｍ〜５０μｍ突出しており、該突出部において、前記配線電極の最下層と接する請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
前記密着層及び前記配線電極の最下層がＴｉからなる請求項１又は２記載の半導体素子。
【請求項４】
前記密着層及び前記配線電極の最下層がＰｔからなる請求項１又は２記載の半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、同一基板上に複数の発光セル（ＬＥＤ素子）を設けるＬＥＤアレイが知られている（特許文献１参照）。特許文献１には、このようなＬＥＤアレイにおいて、支持基板上に絶縁層、密着層を介して、Ａｇなどの反射層を設け、ＩＴＯなどの透明電極の上に半導体積層構造を持つような構造が開示されている。
【０００３】
Ａｇは反射率が高いが、マイグレーション即ち移動を起こしやすく、特に通電時や温度変化などによってマイグレーションを起こしやすい事が知られている。
【０００４】
図１６は、従来例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）３０１の素子構造を表す概略断面図である。
【０００５】
従来の窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）３０１は、シリコン（Ｓｉ）基板１０、ＡｕＳｎ膜９とＡｕ層８との共晶合金層、密着層としてのＴｉ層７、ＳｉＯ２絶縁層６、Ｐｔ密着層９０、反射電極（Ａｇ反射膜）４、ＩＴＯなどの透明電極３、ｎ型ＧａＮ層２１、活性層２２、ｐ型ＧａＮ層２３を含むＧａＮ系発光部２、及び配線電極７０を含んで構成される。
【０００６】
配線電極７０は、ｐ型ＧａＮ層２３とオーミック接触を形成するＴｉ層７１、Ａｌ層６２、Ｔｉ層６３、Ａｕ層６４の積層からなり、隣接する２つの発光素子３０１の一方のｎ側（ｎ型ＧａＮ層２１）と他方のｐ側（ｐ型ＧａＮ層２３）を電気的に接続する。配線電極７０の一番下地のＴｉ層７１は、Ａｇ反射膜４の一部の上面および側面を覆っており、また、Ｐｔ密着層９０に接している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３０３２９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図１６に示す従来のＬＥＤ素子３０１では、Ｐｔ密着層９０の上にＡｇ反射膜４とＴｉ層７１とが並んで配置されている。Ｐｔ−Ａｇ界面がＰｔ−Ｔｉ界面に連続し、さらにＴｉ−ＳｉＯ２界面へと連続する。通電時において、Ａｇ反射膜４から、支持基板１０側に積層する金属層（Ｔｉ層）７１と密着層９０との界面（図中点線で囲んだ部分）に沿ってＡｇがマイグレーションを起こす。ＡｇがＳｉＯ２層６ａ中に拡散し、絶縁性を低下させると、隣接するＬＥＤ素子３０１間に、リーク、短絡を生じるという現象が発生していた。
【０００９】
本発明の目的は、Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制することが可能な半導体素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一観点によれば、半導体素子は、基板と、前記基板上に形成された共晶層と、前記共晶層上方に形成された絶縁層と、各々が前記絶縁層上に形成された密着層と、前記密着層上に形成されたＡｇ反射膜と、前記Ａｇ反射膜上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成され、第１導電型の第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層の上に形成され、電流が流れることにより発光する第２の窒化物半導体層と、該第２の窒化物半導体層の上に形成された、第２導電型の第３の窒化物半導体層とを含んだ半導体積層とを有する複数の半導体発光素子と、前記密着層及びＡｇ反射膜上方に形成され、隣接する半導体発光素子の一方の前記第１導電型の第１の窒化物半導体層と他方の前記第２導電型の第３の窒化物半導体層とを接続し、積層の最下層が前記密着層と同一の材料からなる配線電極とを有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制することが可能な半導体素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施例によるＬＥＤアレイ１００の概略平面図である。
【図２】図１に示すＬＥＤアレイ１００の等価回路図である。
【図３】本発明の第１の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）１０１の素子構造を表す概略断面図である。
【図４】本発明の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）１０１の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図５】本発明の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）１０１の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図６】本発明の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）１０１の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図７】本発明の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）１０１の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図８】本発明の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）１０１の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図９】本発明の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）１０１の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１０】本発明の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）１０１の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１１】本発明の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）１０１の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１２】本発明の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）１０１の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１３】本発明の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）１０１の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１４】本発明の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）１０１の製造方法を説明するための概略断面図である。
【図１５】本発明の第２の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）２０１の素子構造を表す概略断面図である。
【図１６】従来例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）の素子構造を表す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は、本発明の実施例によるＬＥＤアレイ１００の概略平面図である。図２は、図１に示すＬＥＤアレイ１００の等価回路図である。
【００１４】
本発明の実施例によるＬＥＤアレイ１００は、４つの窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）１０１を基板１０（図３）上に配置し直列接続したものである。個々のＬＥＤ素子１０１は、配線電極１６により左側素子のｎ側（図３のｎ型ＧａＮ層２１）と右側素子のｐ側（図３のｐ型ＧａＮ層２３）が接続されており、両端のＬＥＤ素子１０１は、配線電極１６により給電パッド１７に接続されている。
【００１５】
車両のヘッドランプや照明に用いるためのＬＥＤ素子には大出力が求められているが、単純に素子面積を大きくするだけだと駆動電流が大きくなってしまうということや、均一に電流を流すことが難しくなってしまうことから、本実施例では、複数のＬＥＤ素子１０１をアレイ化し、ＬＥＤアレイ１００としている。またそれぞれのＬＥＤ素子１０１に同じ電流値を流すには図２の等価回路に示すとおり、直列接続が好ましい。
【００１６】
また、車両のヘッドランプでは従来光源としてフィラメントが用いられており、その光源にあわせて、光学設計を行っている。その代用としてＬＥＤを用いる場合、光源をフィラメントと類似した形状にするとヘッドランプの光学設計の変更も少なくてよい。したがって、ＬＥＤアレイ１００のひとつのＬＥＤ素子１０１を正方形と考えると４つ程度を直列接続することが好ましい。
【００１７】
図３は、本発明の第１の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）１０１の素子構造を表す概略断面図である。
【００１８】
窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）１０１は、シリコン（Ｓｉ）基板１０、ＡｕＳｎ膜９とＡｕ層８との共晶合金層、密着層としてのＴｉ層７、ＳｉＯ２絶縁層６、Ｔｉ密着層５、反射電極（Ａｇ反射膜）４、ＩＴＯなどの透明電極３、ｎ型ＧａＮ層（第１の窒化物半導体層）２１、活性層（第２の窒化物半導体層）２２、ｐ型ＧａＮ層（第３の窒化物半導体層）２３を含むＧａＮ系発光部２、及び配線電極１６を含んで構成される。
【００１９】
本実施例では、熱伝導率のよいＳｉ基板を用いることで駆動電流値を高く設定している。なお、サファイアなどの成長基板は熱伝導率が低く、ジャンクションの温度がすぐに上昇してしまい、あまり高い温度下で駆動させることが困難であり、自動車のヘッドランプの使用を考えると駆動電流値を低く設定せざるを得ない。
【００２０】
図に示すように、ＩＴＯ透明電極３の一端は、ＧａＮ系発光部２の一端から突出している。また、Ａｇ反射膜４の一端もＩＴＯ透明電極３の突出した端部からさらに突出している。さらに、Ｔｉ密着層５の一端は、Ａｇ反射膜４の突出した端部から５μｍ〜５０μｍ程度突出している。これにより、図に示すように、ＩＴＯ透明電極３、Ａｇ反射膜４、Ｔｉ密着層５の積層の一端は階段状の段差を形成している。
【００２１】
配線電極１６は、Ｔｉ層６１、Ａｌ層６２、Ｔｉ層６３、Ａｕ層６４の積層からなり、隣接する発光素子１０１の一方のｎ側（ｎ型ＧａＮ層２１）と他方のｐ側（ｐ型ＧａＮ層２３）とを電気的に接続する。絶縁層６ａは、ＩＴＯ透明電極３、Ａｇ反射膜４、Ｔｉ密着層５の積層の階段状の段差のある端部とは逆の端部の壁面に形成され、隣り合う発光素子１０１を素子分離する。
【００２２】
配線電極１６の一番下地の層６１を、Ａｇ反射膜４に接し、支持基板側に積層する金属層と同じ金属にすることでＡｇのマイグレーションを防止できる。本実施例では、配線電極１６の一番下地の層をＴｉ層６１とし、Ａｇ反射膜４に接し、支持基板側に積層する金属層をＴｉ密着層５として、同じチタン（Ｔｉ）層としている。配線電極１６の一番下地の層（最下層）６１と密着層５を同じ金属で形成することで相互拡散により界面をなくすことができる。よって、界面を伝わるＡｇのマイグレーションを防止することができる。
【００２３】
ｐ側（ｎ型ＧａＮ層２３）に接続する配線電極１６はＡｇ反射膜４を完全に覆いこむのがマイグレーション抑制のためには効果的であり、一部はＩＴＯ透明電極３の上（ＧａＮ系発光部２の端部から突出した部分）まで覆う必要がある。
【００２４】
ｎ側（ｎ型ＧａＮ層２１）に接続する配線電極１６は、ｎ型ＧａＮ層２１の表面上に形成されるので、輝度を損なわないように図１に示すような櫛歯形の平面形状となっている。
【００２５】
図３〜図１３を参照して、窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）１０１の製造方法を説明する。
【００２６】
まず図４に示すように、サファイア基板１を準備し、ＭＯＣＶＤにより、バッファ層２０と、ｎ型ＧａＮ層２１、活性層２２、ｐ型ＧａＮ層２３を含むＧａＮ系発光部２とを成長させる。サファイア基板１上に、（ＧａＮ系発光部２）を成膜する。ＧａＮ系発光部２は、例えば、サファイア基板１をＭＯＣＶＤ装置に投入後、サーマルクリーニングを行い、バッファ層２０を成長した後に、Ｓｉ等をドープしたｎ型ＧａＮ層２１を成長させる。続いて、活性層２２として、例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多層膜からなる多重量子井戸構造を成長させる。その後、活性層２２上にＭｇ等をドープしたｐ型ＧａＮ層２３を成長させる。なお、本願図３〜図１６に示す断面図は、説明の便宜上、縮尺を変更している。例えば、図中活性層２２をＧａＮ系発光部２の上側表面よりに配置しているが、実際にはＧａＮ系発光部２の下側表面よりに配置される。
【００２７】
その後、図５に示すように、ＧａＮ系発光部２上に、ＩＴＯなどの透明電極３を２０００Å程度の膜厚で、スパッタ等により成膜する。なお、ＩＴＯ透明電極３の膜厚はこれに限定されるものではなく、必要に応じて成膜後透明化させてもよい。
【００２８】
続いて、図６に示すように、Ａｇなどの反射電極（Ａｇ反射膜）４を約３０００Å、Ｔｉ密着層５を３０００Å、ＳｉＯ２絶縁層６を６０００Å、Ｔｉ層７を２０００Å、Ａｕ層８を２０００Åの順に電子ビーム（ＥＢ）蒸着にて成膜を行う。
【００２９】
次に、ＡｕＳｎ膜９を成膜したＳｉ基板１０を準備し、図７に示すように、Ａｕ層８とＡｕＳｎ膜９とを張り合わせて共晶させる。
【００３０】
次に、サファイア基板１の裏面よりエキシマレーザを照射して、バッファ層２０を分解させ、サファイア基板１とＧａＮ系発光部２を分離し、図８に示す状態とする。なお、必要に応じてＧａＮ系発光部２の剥離面を研磨してもよい。
【００３１】
その後、既存のフォトリソグラフィ技術によりＧａＮ系発光部２をパターニングする。具体的には、図９に示すように、ＧａＮ系発光部２表面にフォトレジスト１１を塗布、露光、現像し、ドライエッチングにてＧａＮ系発光部２の不要な一部（露出部分）２ｅを除去して、ストリート部２４を形成する。
【００３２】
さらに、図１０に示すように、ＧａＮ系発光部２表面、ＩＴＯ透明電極３の表面の一部にフォトレジスト１２を塗布、露光、現像し、フォトレジスト１２の一部がＧａＮ系発光部２の端部から突出するＩＴＯ透明電極３の表面の一部を覆うようにする。ドライエッチングにて、ＩＴＯ透明電極３をエッチングし、ＩＴＯ透明電極の露出部分３ｅを除去する。その後、フォトレジスト１１をリムーバで除去する。
【００３３】
次に、図１１に示すように、ＧａＮ系発光部２表面、ＩＴＯ透明電極３の表面の一部及び露出したＡｇ反射膜４の表面の一部にフォトレジスト１３を塗布、露光、現像し、フォトレジスト１３の一部がＡｇ層４の表面の一部を覆うようにする。その後、硝酸にてＡｇ反射膜４をウェットエッチングして、Ａｇ反射膜４の露出部分４ｅを除去する。その後、フォトレジスト１３をリムーバで除去する。フォトレジスト１３の一部がＡｇ反射膜４の表面の一部を覆うようにパターニングを行うことにより、Ａｇ反射膜４の端部がＩＴＯ透明電極３の端部から突出することになる。なお、Ａｇ反射膜４の端部とＩＴＯ透明電極３の端部を揃えることもできるが、後に形成する配線電極１６の密着性を向上させるためには、段差を設けるようにしたほうがよい。
【００３４】
さらに、図１２に示すように、再度、フォトレジスト１４の一部がＴｉ密着層５の表面の一部を覆うようにパターニングを行い、ドライエッチングにてＴｉ密着層５の露出部分５ｅをエッチングにより除去する。なお、フォトレジスト１４の一部がＴｉ密着層５の表面の一部を覆う幅（Ａｇ反射膜４の端部から突出する幅）Ｗは５μｍ以上５０μｍ以下とする。これ以下だとパターン精度により後に形成する配線電極１６（の最下層６１）とＴｉ密着層５がほとんど密着しない可能性があり、また５０μｍ以上だとストリート部２４の幅を増やさなければならず、発光面積が減少し、輝度減少につながる。このように、フォトレジスト１４の一部がＴｉ密着層５の表面の一部を覆うようにパターニングを行うことにより、Ｔｉ密着層５の端部がＡｇ反射膜４の端部から５μｍ〜５０μｍ程度突出することになる。なお、Ｔｉ密着層５の端部をＡｇ反射膜４の端部から突出させなくても、Ｔｉ密着層５の端部側面に後に形成する配線電極１６を成膜させることはできるが、膜厚が薄くなりすぎてＡｇのマイグレーションを防止することができない可能性がある。
【００３５】
次に、図１３に示すように、再度、フォトレジスト１５を塗布、露光、現像し、ＩＴＯ透明電極３、Ａｇ反射膜４、Ｔｉ密着層５の積層の段差のない側面、ＳｉＯ２絶縁層６の少なくとも一部の表面、及びＧａＮ系発光部２表面の一部を露出させるようにパターニングを行い、ＳｉＯ２などからなる絶縁層６ａをＬＥＤ素子１０１の側面（段差のない側の側面）に成膜し、隣り合うＬＥＤ素子１０１を素子分離する。その後、フォトレジスト１５をリムーバで除去する。
【００３６】
次に、図１４に示すように、配線電極１６の一番下地の層であるＴｉ膜６１を、Ｔｉ密着層５と接触させてＡｇ反射膜４を完全に覆いこみ、一部はＩＴＯ透明電極３の上（ＧａＮ系発光部２の端部から突出した部分）まで覆うように形成する。また、絶縁膜６ａ上を通り、ｎ型ＧａＮ層２１の表面上にまで延在させ、ｎ型ＧａＮ層２１とオーミックコンタクトを形成する。Ｔｉ膜６１の膜厚は、例えば、２５０Åとする。
【００３７】
最後に、図３に示すように、Ｔｉ膜６１上に膜厚３０００ÅのＡｌ膜６２、膜厚１０００ÅのＴｉ膜６３、及び膜厚２０００ÅのＡｕ膜６４を順次成膜し、Ｔｉ膜６１、Ａｌ膜６２、Ｔｉ膜６３、Ａｕ膜６４からなる配線電極１６を形成する。なお、図１に示すＬＥＤアレイ１００の両端においては、配線電極１６は、給電パッド１７に接続されている。
【００３８】
以上により、窒化物半導体発光素子１０１が完成する。一枚の基板から複数の素子を製造する場合は、スクライブ後ブレイキングして素子分離を行う。
【００３９】
なお、青色ＧａＮの発光素子を白色化するには発光素子を封止充填する樹脂に黄色の蛍光体を入れる。
【００４０】
図１５は、本発明の第２の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）２０１の素子構造を表す概略断面図である。
【００４１】
第２の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）２０１は、密着層９０の材料が第１の実施例の密着層５と異なり、それに伴い配線電極２６の構成が第１の実施例の配線電極１６と異なる。その他の構成は第１の実施例と同一であるので、同一の参照番号を付して説明を省略する。
【００４２】
上述の第１の実施例では、絶縁膜６とＡｇ反射膜４の間に密着層５をＴｉで形成したが、第２の実施例では、絶縁膜６とＡｇ反射膜４の間に密着層９０をＰｔで形成した。
【００４３】
異なる金属層間に生じる界面をなくすために、配線電極２６の最下層９１は、密着層９０と同一材料で形成する必要があるため、第２の実施例では、配線電極２６の最下層をＰｔ膜９１とした。また、配線電極２６は、ｎ型ＧａＮ層２１とオーミックコンタクトを取る必要があるため、配線電極２６がｎ型ＧａＮ層２１と接触する部分の構造を第１の実施例とは異ならせた。第２の実施例では、Ｐｔ膜９１上に積層されるＴｉ膜６１、Ａｌ膜６２、Ｔｉ膜６３、Ａｕ膜６４を直接ｎ型ＧａＮ層２１表面に接触させてオーミックコンタクトを取っている。なお、第２の実施例の変形例として、Ｐｔ膜９１とｎ型ＧａＮ層２１の間にコンタクト層（図示せず）設けるようにしてもよい。この場合、Ｔｉ膜６１、Ａｌ膜６２、Ｔｉ膜６３、Ａｕ膜６４を直接ｎ型ＧａＮ層２１表面に接触させる必要はない。
【００４４】
以下に、第２の実施例による窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）２０１の製造方法について簡単に説明する。
【００４５】
まず、Ｔｉ密着層５をＰｔ密着層９０に換えて、それ以外を第１の実施例と同様に図４〜図１３に示すように、絶縁膜６ａまでを形成する。その後、Ｐｔ膜９１を形成する部分だけを露出するようにレジストをパターニングし、Ｐｔ膜９１を１０００Å成膜して、レジストを除去する。なお、Ｐｔ膜９１は、Ｐｔ密着層９０と接触させてＡｇ反射膜４を完全に覆いこみ、一部はＩＴＯ透明電極３の上（ＧａＮ系発光部２の端部から突出した部分）まで覆うように形成する。また、絶縁膜６ａ上を通り、ｎ型ＧａＮ層２１の表面上にまで延在させる。
【００４６】
その後、配線電極２６の部分のみが露出するように再度レジストをパターニングする。続いて、Ｐｔ膜９１上にＴｉ膜６１を、厚さ１０Åで成膜し、Ｔｉ膜６１上に膜厚２０００ÅのＡｌ膜６２、膜厚１０００ÅのＴｉ膜６３、及び膜厚２５００ÅのＡｕ膜６４を順次成膜し、Ｔｉ膜６１、Ａｌ膜６２、Ｔｉ膜６３、Ａｕ膜６４からなる配線電極２６を形成する。なお、図１に示すＬＥＤアレイ１００の両端においては、配線電極２６は、給電パッド１７に接続される。
【００４７】
以上により、窒化物半導体発光素子２０１が完成する。一枚の基板から複数の素子を製造する場合は、スクライブ後ブレイキングして素子分離を行う。
【００４８】
以上、本発明の第１及び第２の実施例によれば、Ａｇ反射膜と絶縁膜間の密着層を配線電極の一番下地の層（最下層）と同じ金属で形成することで、相互拡散により界面をなくすことができる。よって、界面を伝わるＡｇのマイグレーションによるリークを抑制することができる。したがって、ＡｇのリークによるＬＥＤ素子間の導通を防ぐことができる。
【００４９】
以上、実施例、及び変形例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。
【符号の説明】
【００５０】
１…サファイア基板、２…ＧａＮ系発光部、３…ＩＴＯ透明電極、４…Ａｇ反射膜、５…密着層、６…絶縁層、７…Ｔｉ層、８…Ａｕ層、９…ＡｕＳｎ膜、１０…シリコン（Ｓｉ）基板、１１〜１５…フォトレジスト、１６、２６…配線電極、１７…給電パッド、２０…バッファ層、２１…ｎ型ＧａＮ層、２２…活性層、２３…ｐ型ＧａＮ層、６１…最下層（Ｔｉ膜）、６２…Ａｌ膜、６３…Ｔｉ膜、６４…Ａｕ膜、９１…最下層（Ｐｔ膜）、１００…ＬＥＤアレイ１００、１０１、２０１…窒化物半導体発光素子（ＬＥＤ素子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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