(57)【要約】【課題】  生産性を向上させることが可能なウェハダイシングプレス装置を提供する。【解決手段】  ウェハダイシングプレス装置１００は、ウェハＷの第１面を支持する支持部材１０、ウェハＷの第２面に圧力を印加する加圧装置２０を備える。加圧装置２０は、圧力を発生させる圧力発生装置２１で発生した圧力をウェハＷの第２面に印加する圧力分散装置２２を備える。圧力分散装置２２では、圧力発生装置２１で発生した圧力をダイヤフラム２２１によってウェハＷに伝達する。このとき、ダイヤフラム２２１は、フレーム２１１内の作動流体１の圧力によってウェハＷ側に変形しつつウェハＷと密着し、ウェハＷに作動流体１の圧力を均一に分散して印加する。これにより、ウェハＷ内部に形成されているレーザ損傷層を分割起点としてウェハＷ内部にクラックが生成し、ウェハＷに多数形成されている半導体素子を個別に分離することができる。【選択図】  図２
2012160711.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの第１面を支持する支持部材と、
前記ウェハ内部のレーザ損傷層を分割起点として前記ウェハの第２面に分散させた圧力を印加する加圧装置と、
を備えることを特徴とするウェハダイシングプレス装置。
【請求項２】
前記支持部材は、
支持板と、
前記支持板に設けられ、前記ウェハの第１面と対応する弾性層と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載のウェハダイシングプレス装置。
【請求項３】
前記弾性層は、ゴム、シリコン、ウレタン及びそれらの組み合わせのうちいずれか一つ以上の材料から形成されることを特徴とする請求項２に記載のウェハダイシングプレス装置。
【請求項４】
前記加圧装置は、
圧力を発生させる圧力発生装置と、
前記圧力発生装置で発生した圧力を前記ウェハの第２面に等しく分散させる圧力分散装置と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載のウェハダイシングプレス装置。
【請求項５】
前記圧力発生装置は、
内部空間を有するフレームと、
作動流体を供給する作動流体供給装置と、
前記作動流体の通路を形成し、前記フレームと前記作動流体供給装置とを連結する流圧ラインと、
前記作動流体供給装置に制御信号を入力する制御部と、
を含むことを特徴とする請求項４に記載のウェハダイシングプレス装置。
【請求項６】
前記作動流体は、空気、窒素、不活性ガス及びそれらの組み合わせのうちいずれか一つ以上を選択することを特徴とする請求項５に記載のウェハダイシングプレス装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記ウェハに臨界破断圧力以上の圧力が作用するように前記作動流体供給装置に圧力制御信号を入力することを特徴とする請求項５に記載のウェハダイシングプレス装置。
【請求項８】
前記圧力分散装置は、
内部空間を有するフレームの一側に設けられ、前記圧力発生装置で発生した圧力を前記ウェハに伝達するダイヤフラムを備えることを特徴とする請求項４に記載のウェハダイシングプレス装置。
【請求項９】
前記ダイヤフラムは、作動流体の圧力によって変形自在な弾性材料から形成される膜を備えることを特徴とする請求項７に記載のウェハダイシングプレス装置。
【請求項１０】
前記ダイヤフラムは、ゴム、シリコン、ウレタン及びそれらの組み合わせのうちいずれか一つ以上の材料から形成されることを特徴とする請求項９に記載のウェハダイシングプレス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハダイシングプレス装置及びウェハダイシングプレス装置を用いた半導体ウェハダイシングシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハ上に形成された多数の半導体素子領域を分離し、半導体チップとして得るため、ダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）工程が行われる。従来、ダイシング工程では、ダイヤモンドまたは超硬合金のソーイングブレードが利用されるが、１つのウェハで得ることができる半導体チップの数を増やすため、半導体素子領域間の間隔は、断続的に狭くなっており、これによりソーイングブレードが通過するスクライブレーン（ｓｃｒｉｂｅ  ｌａｎｅ）の幅も狭まってきた。最近では、ソーイングブレードの厚みにほぼ同じ程度にスクライブレーンの幅が狭くなったため、ソーイングブレードを利用してダイシングするための工程マージンが非常に狭いという実情である。このため、最近の半導体チップの小型化をより実現するため、半導体チップの厚みを薄くなることが要求されており、薄い半導体チップを得るため、最近ではレーザを利用する方法が開発された。特許文献１には、分離のためのレーザをパルス状に照射するレーザービームを用いて電子部品を切断するための方法および装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００８−５４２００３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、生産性を向上させることが可能なウェハダイシングプレス装置、及びウェハダイシングプレス装置を用いた半導体ウェハダイシングシステムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によると、ウェハダイシングプレス装置は、ウェハの第１面を支持する支持部材と、ウェハ内部のレーザ損傷層を分割起点としてウェハの第２面に分散させた圧力を印加する加圧装置と、を備える。
【０００６】
また、本発明によると、支持部材は、支持板と、支持板に設けられウェハの第１面と対応する弾性層と、を備える。弾性層は、ゴム、シリコン、ウレタン及びそれらの組み合わせのうちいずれか一つ以上の材料から形成される。
【０００７】
また、本発明によると、加圧装置は、圧力を発生させる圧力発生装置と、圧力発生装置で発生した圧力をウェハの第２面に等しく分散させる圧力分散装置と、を備える。
【０００８】
また、本発明によると、圧力発生装置は、内部空間を有するフレームと、作動流体を供給する作動流体供給装置と、作動流体の通路を形成し、フレームと作動流体供給装置とを連結する流圧ラインと、作動流体供給装置に制御信号を入力する制御部と、を備える。
【０００９】
また、本発明によると、作動流体供給装置が供給する作動流体は、空気、窒素、不活性ガス及びそれらの組み合わせのうちいずれか一つ以上である。
【００１０】
また、本発明によると、制御部は、ウェハに臨界破断圧力以上の圧力が作用するように作動流体供給装置に圧力制御信号を入力するものであってもよい
【００１１】
また、本発明によると、圧力分散装置は、内部空間を有するフレームの一側に設けられ、圧力発生装置で発生した圧力をウェハに伝達するダイヤフラムを備える。
【００１２】
また、本発明によると、ダイヤフラムは、作動流体の圧力によって変形自在な弾性材料から形成される膜であってもよい。
【００１３】
また、本発明によると、ダイヤフラムは、ゴム、シリコン、ウレタン及びそれらの組み合わせのうちいずれか一つ以上の材料から形成される。
【００１４】
また、本発明によると、半導体ウェハダイシングシステムは、ウェハにレーザ損傷層を形成するようにレーザ光を照射するレーザ装置、レーザ損傷層が形成されたウェハを研磨する研磨装置、および、ウェハの第１面を支持する支持部材とウェハ内部のレーザ損傷層を分割起点として機能するようにウェハの第２面に圧力を印加する加圧装置と、を有するウェハダイシングプレス装置からを構成されている。
【００１５】
また、本発明によると、レーザ装置は、ウェハ内部にレーザ損傷層を形成するようにレーザ光を照射するステルスレーザ装置であってもよい。
【００１６】
また、本発明によると、研磨装置はウェハの背面を研磨するものであってもよい
【００１７】
また、本発明によると、ウェハダイシングプレス装置の支持部材は、支持板と、支持板に設けられウェハの第１面と対応する弾性層と、を含む。
【００１８】
また、本発明によると、ウェハダイシングプレス装置の加圧装置は、圧力を発生させる圧力発生装置と、圧力発生装置で発生した圧力をウェハの第２面に等しく分散させる圧力分散装置と、を含む。
【００１９】
また、本発明によると、圧力発生装置は、内部空間を有するフレームと、作動流体を供給する作動流体供給装置と、作動流体の通路を形成し、フレームと作動流体供給装置とを連結する流圧ラインと、作動流体供給装置に制御信号を入力する制御部と、を含む。
【００２０】
また、本発明によると、圧力分散装置は、内部空間を有するフレームの一側に設けられ、作動流体の圧力をウェハに伝達するダイヤフラムを備える。
【００２１】
また、本発明によると、半導体ウェハダイシングシステムは、ウェハの活性面にテープを付着するテープ付着装置をさらに備える。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によるウェハダイシングプレス装置では、レーザ光照射によってウェハ内部に分割起点として機能するレーザ損傷層を形成し、ダイヤフラムを利用してウェハ全体に等しく均一な圧力を作用させることによって、１回のレーザ光照射及び１回のプレスだけでウェハに形成されている多数の半導体素子を個別に分離することができる。これにより、ウェハダイシング時間及び費用を低減することができる。また、ダイシング圧力がウェハ全体に等しく作用するだけでなく、ウェハに臨界破断圧力以上の最小圧力だけ正確に作用させることができるため、圧力不均一による局所的な分離の失敗や、過剰な圧力による異物発生及び半導体素子領域の破損を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態によるウェハダイシングプレス装置における圧力印加前の状態を示す概念図である。
【図２】図１のウェハダイシングプレス装置における圧力印加状態を示す概念図である。
【図３】ウェハのクラック進行状態を示す概念図である。
【図４】ウェハのクラック進行状態を示す概念図であって、図３とは異なる圧力を作用させたときのクラック進行状態を示す概念図である。
【図５】本発明の一実施形態の変形例によるウェハダイシングプレス装置における圧力印加状態を示す概念図である。
【図６】本発明の一実施形態によるウェハダイシングプレス装置において、ウェハに作用する圧力を示すグラフである。
【図７】本発明の一実施形態によるウェハダイシングプレス装置を適用した半導体ウェハダイシングシステムを示す概念図である。
【図８】本発明の一実施形態によるウェハダイシングプレス装置を適用した半導体ウェハダイシング方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、添付された図面を参照しつつ、本発明のさまざまな実施形態について詳細に説明する。本発明の実施形態は、当技術分野で当業者に本発明についてさらに完全に説明するために提供されるものであり、下記実施形態は、さまざまな異なる形態に変形され、本発明の範囲が、下記実施形態に限定されるものではない。これらの実施形態は、本開示をさらに忠実であって完全なものにし、当業者に本発明の思想を完全に伝達するために提供されるものである。また、図面で各層の厚みや大きさは、説明の便宜性及び明確性のために誇張されている。本明細書で同じ符号は、同じ要素を指す。明細書全体にわたって、層、領域または基板のような１つの構成要素が他の構成要素「上に」、「連結され」、または「下に」位置すると言及するときは、１つの構成要素が直接に他の構成要素「上に」、「連結され」、または「下に」接触したりするなど、その間に介在されるさらに他の構成要素が存在しうると解釈されてもよい。一方、１つの構成要素が、他の構成要素の「直接に上に」、「直接に連結され」、または「直接に下に」位置すると言及するときは、その間に介在する他の構成要素が存在しないと解釈される。
【００２５】
（一実施形態）
図１は、本発明の一実施形態によるウェハダイシングプレス装置１００の圧力印加前の状態を示す概念図であり、図２は、図１のウェハダイシングプレス装置１００の圧力印加状態を示す概念図である。
【００２６】
図１及び図２に図示されているように、ウェハダイシングプレス装置１００は、支持部材１０及び加圧装置２０を含む。
【００２７】
支持部材１０には、内部にレーザ損傷層Ｌが形成されたウェハＷが載置され、テープＴが接着されたウェハＷの第１面Ｗａを支持する。支持部材１０は、ウェハＷ以上の大きさを有する支持板１１、及びウェハＷの第１面Ｗａと対応する支持板１１の一側面に形成される弾性層１２を含む。
【００２８】
弾性層１２は、ゴム、シリコン、ウレタン及びそれらの組み合わせのうちいずれか一つ以上の材料から形成されている。
【００２９】
前述のウェハＷは、レーザ光照射によって、内部に分割起点として機能するレーザ損傷層Ｌが形成されており、ウェハＷの第１面Ｗａ、すなわち、活性面ＷＣ（図７参照）にテープＴが接着され、活性面ＷＣに形成された半導体素子領域を外部異物や衝撃から保護する。ここで、ウェハＷの第１面Ｗａと活性面ＷＣは、一致しても一致しなくともよい。
【００３０】
半導体素子領域は、ウェハＷの第１面Ｗａと対応する弾性層１２によって、外部の異物や衝撃、後述する加圧装置２０から印加される過剰な圧力から保護される。
【００３１】
弾性層１２は、ウェハＷの特定部分に圧力が過重にかかることを防止する役割も行うことができる。すなわち、ウェハＷの特定部分に過剰な圧力がかかれば、弾性層１２が変形し、圧力が低い部分に圧力を伝達させることもできる。
【００３２】
一方、図２に図示されているように、加圧装置２０は、ウェハＷ内部のレーザ損傷層Ｌを分割起点として機能するように、ウェハＷの第２面Ｗｂに分散させた圧力を発生させる圧力発生装置２１、及び圧力発生装置２１で発生した圧力をウェハＷの第２面Ｗａ全面に等しく印加する圧力分散装置２２を含む。
【００３３】
圧力発生装置２１は、内部空間Ａを形成するフレーム２１１と、内部空間Ａに作動流体１を供給する作動流体供給装置２１２と、作動流体１の通路が形成し、フレーム２１１と作動流体供給装置２１２とを連結する流圧ライン２１３と、作動流体供給装置２１２に制御信号を入力する制御部２１４と、を備える。
【００３４】
作動流体供給装置２１２から供給される作動流体１は、ガスであってもよく、そのうちでも、空気、窒素、あるいはヘリウム、ネオン、アルゴンなどの不活性ガスであってもよい。
【００３５】
また、図５に図示されているように、作動流体供給装置２１２は、空圧ポンプＡＰであってもよい。
【００３６】
また、制御部２１４は、図６に図示されているように、ウェハＷに臨界破断圧力Ｐ１以上の圧力Ｐを印加するように、作動流体供給装置２１２に圧力制御信号を入力することが可能である。ここで、ウェハＷに加えられる圧力Ｐは、臨界破断圧力Ｐ１以上であると同時に、図６に図示されているように、必要以上にウェハＷに過剰な圧力がかからないように、最小の圧力で最適化されることが望ましい。
【００３７】
一方、図２に図示されているように、圧力分散装置２２は、内部空間Ａが形成されるフレーム２１１の一側に設けられ、圧力発生装置２１で発生した圧力をウェハＷに伝達するダイヤフラム２２１を備える。
【００３８】
ダイヤフラム２２１は、作動流体１の圧力によって変形自在な弾性材料から形成される膜であり、ウェハＷとの密着性と圧力分散効率とを高めるために、弾性変形が容易なクッション表面を有することが可能であり、そのために、ゴム、シリコン、ウレタン及びそれらの組み合わせのうちいずれか一つ以上を含んだ材料から形成されている。
【００３９】
図２は、図１のウェハダイシングプレス装置１００の圧力印加状態を示す概念図であり、図３及び図４は、ウェハＷのクラックＣ１、Ｃ２の進行状態を示す概念図である。
【００４０】
ウェハダイシングプレス装置１００の圧力印加状態について説明すると、まず、図３に図示されているように、プレス２１１の内部空間Ａに作動流体１が供給され、比較的小さい圧力Ｆ１が発生する。これにより、ダイヤフラム２２１が、作動流体１の圧力Ｆ１によって、ウェハＷ側に変形しつつ、ウェハＷと密着し、ウェハＷに圧力を伝達する。
【００４１】
このとき、作動流体１の圧力Ｆ１は、一定の温度で、ガスの圧力と体積とは互いに反比例するというボイルの法則によって、ダイヤフラム２２１の表面に等しく均一に作用する。ダイヤフラム２２１は、ウェハＷの全面にわたって、このように均一な圧力Ｆ１を伝達する。
【００４２】
ウェハＷ内部のレーザ損傷層Ｌに均一な圧力Ｆ１が伝達され、分割起点として各レーザ損傷層Ｌにおいて均一にクラックＣ１が形成される。
【００４３】
これと同時に、弾性層１２は、ウェハＷの特定部分に過剰な圧力がかかれば、弾性層１２が変形し、圧力が低い部分に圧力を伝達させることによってウェハＷの特定部分に過剰な圧力がかかることを防止する。
【００４４】
次に、図４に図示されているように、プレス２１１の内部空間Ａに作動流体１が持続的にさらに供給され、比較的大きい圧力Ｆ２が発生する。ダイヤフラム２２１は、作動流体１の圧力Ｆ２によって、ウェハＷ側にさらに大きく変形しつつ、ウェハＷとさらに密着する。これにより、ウェハＷにさらに大きい圧力を伝達する。
【００４５】
このとき、作動流体１の圧力Ｆ２は、一定の温度でガスの圧力と体積とは互いに反比例するというボイルの法則によって、ダイヤフラム２２１の表面に等しく均一に作用する。ダイヤフラム２２１は、ウェハＷの全面にわたって、このような均一かつ、圧力Ｆ１より大きい圧力Ｆ２を伝達することができる。
【００４６】
ウェハＷ内部のレーザ損傷層Ｌに均一な圧力Ｆ２が伝達され、各レーザ損傷層Ｌでは、完全なクラックＣ２が発生し、完全分断される。ここで、前述のクラックＣ１、Ｃ２の方向は、ウェハＷの結晶構造によって、上下方向に進み、クラックＣ１、Ｃ２がウェハＷの半導体素子領域を侵犯することを防止することができる。
【００４７】
このとき、弾性層１２は、ウェハＷに必要以上の圧力が作用しても、ウェハＷの活性層を保護し、半導体素子領域の破損を防止することができる。
【００４８】
従って、ダイヤフラム２２１を利用し、ウェハＷ全体に等しく均一な圧力を印加することによって、ウェハを速かに完全分断することができる。また、ウェハに臨界破断圧力以上の最小圧力を正確に作用させることにより、圧力不均一による局部的な分断失敗や、過剰な圧力による異物の発生、及び半導体素子領域の破損を防止することができる。
【００４９】
図７は、本発明の一実施形態によるウェハダイシングプレス装置を適用した半導体ウェハダイシングシステム１０００を示す概念図である。
【００５０】
図７に図示されているように、半導体ウェハダイシングシステム１０００は、テープ付着装置１１０と、レーザ装置１２０と、研磨装置１３０と、ウェハダイシングプレス装置１００と、を含む。
【００５１】
テープ付着装置１１０は、ウェハＷの活性面ＷＣにテープＴを付着させる。ここで、テープＴは、ウェハＷの活性面ＷＣを保護し、半導体素子部分に異物が付着したり、外部の衝撃によって半導体素子部分が破損したりすることを防止する。
【００５２】
レーザ装置１２０は、ウェハＷにレーザ損傷層Ｌを形成するようにレーザ光Ｋを照射する。レーザ装置１２０には、ウェハＷ内部にレーザ損傷層Ｌを形成するようにレーザ光Ｋを照射するステルスレーザ装置が適用されてもよい。
【００５３】
レーザ装置１２０は、図７に図示されているように、ウェハＷの内部に集光点を合わせてレーザ光Ｋを照射することによって、ウェハＷ内部に多光子吸収による光学的損傷部を形成させることができる。
【００５４】
このとき、ウェハＷ内部に光学的損傷部を十分に形成させるため、レーザ光Ｋが照射される量である絶対照射量が必要であり、このため、レーザ光Ｋの移動時間、すなわち、最小スキャニング時間がかかる。
【００５５】
半導体ウェハダイシングシステム１０００では、ウェハダイシングプレス装置１００が、ウェハＷ全体に等しく均一な圧力を印加し、クラックを直線的に、かつ速かに形成することができるために、レーザ装置１２０を１回照射するだけでもウェハを完全に分割することができる。
【００５６】
従って、レーザ光照射によってウェハ内部に分割起点として機能するスキャンレーザ損傷層を１つ形成し、ダイヤフラムを利用してウェハ全体に等しく均一な圧力を１回印加することによって１回のレーザ光照射及び１回のプレスだけで、個々の半導体素子を完全に分離することができる。
【００５７】
研磨装置１３０は、レーザ損傷層Ｌが形成されたウェハＷの背面（または、非活性面）Ｗｄを研磨する装置であり、ウェハＷの背面Ｗｄを研磨し、ウェハ厚Ｈ１をウェハ厚Ｈ２とすることにより、ウェハを軽薄化することができる。このとき、研磨を行う段階で、レーザ損傷層Ｌを分割起点として微細なクラックが発生させることもできる。
【００５８】
図７に示すウェハダイシングプレス装置１００は、前述のように、ウェハＷの第１面Ｗａを支持する支持部材１０、ウェハＷ内部のレーザ損傷層Ｌを分割起点として機能するようにウェハＷの第２面Ｗｂに圧力を印加する加圧装置２０、を備える。
【００５９】
ここで、ウェハダイシングプレス装置１００の支持部材１０は、支持板１１と、支持板１１に設けられ、ウェハＷの第１面Ｗａと対応する弾性層１２と、を備える。また、ウェハダイシングプレス装置１００の加圧装置２０は、圧力を発生させる圧力発生装置２１と、圧力発生装置２１で発生した圧力をウェハＷの第２面Ｗｂに等しく分散させる圧力分散装置２２と、を含む。
【００６０】
圧力発生装置２１は、内部空間Ａを形成するフレーム２１１と、内部空間Ａに作動流体１を供給する作動流体供給装置２１２と、作動流体１の通路を形成し、フレーム２１１と作動流体供給装置２１２とを連結する流圧ライン２１３と、作動流体供給装置２１２に制御信号を入力する制御部２１４と、を含む。
【００６１】
また、圧力分散装置２２は、内部空間Ａが形成されるフレーム２１１の一側に設けられ、作動流体１の圧力をウェハＷに伝達するダイヤフラム２２１を備える。ダイヤフラム２２１は、作動流体１の圧力によって変形自在な弾性材料から形成される膜である。
【００６２】
図８は、本発明の一実施形態によるウェハダイシングプレス装置１００を適用した半導体ウェハダイシングシステム１０００における半導体ウェハダイシング方法を示すフローチャートである。
【００６３】
半導体ウェハダイシング方法について説明すると、半導体ウェハダイシングシステム１０００における半導体ウェハダイシング方法は、図８に示すように、図７のテープ付着装置１１０を利用し、ウェハＷの活性面ＷＣにテープＴを付着するテープ付着段階（Ｓ１）と、次に、図７のレーザ装置１２０を利用し、ウェハＷ内部にレーザ損傷層Ｌを形成するようにレーザ光Ｋを照射するレーザ光照射段階（Ｓ２）と、次に、図７の研磨装置１３０を利用し、ウェハＷを薄く研磨することができるように、レーザ損傷層Ｌが形成されたウェハＷの背面Ｗｄを研磨するウェハ研磨段階（Ｓ３）と、次に、図７のウェハダイシングプレス装置１００を利用し、ウェハＷの第１面Ｗａを支持し、ウェハＷ内部のレーザ損傷層Ｌを分割起点として機能するように、ウェハＷの第２面Ｗｂに圧力を印加するダイヤフラムプレッシング段階（Ｓ４）と、を含む。
【００６４】
ここで、ウェハダイシングプレス装置１００の作動流体供給装置２１２に、制御信号を入力する制御部２１４は、図６に図示されているように、ウェハＷに臨界破断圧力Ｐ１以上の圧力Ｐが作用するように、作動流体供給装置２１２に圧力制御信号を入力することができる。ここで、ウェハＷに加えられる圧力Ｐは、臨界破断圧力Ｐ１以上であると同時に、図６に図示されているように、必要以上にウェハＷに圧力を加えないように、最小の圧力で最適化されることが望ましい。
【００６５】
前述した方法以外にも、制御部２１４は、ウェハＷに対して圧力Ｐを段階的に印加したり、衝撃を小さくするために圧力Ｐの昇圧速度または降圧速度を遅くしたり、圧力Ｐの昇降を多数回反復させるなど、ウェハＷの厚み、レーザ損傷層Ｌの特性、クラックの形態などを考慮して、多様な形態で圧力印加制御形態を最適化し、これをプログラミングし、制御信号を入力することができる。
【００６６】
本発明は、前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の思想を害さない範囲内で、当業者による変形が可能であるということは言うまでもない。従って、本発明で権利を請求する範囲は、詳細な説明の範囲内で決まるものではなく、特許請求の範囲と、その技術的思想とによって限定されるものである。
【符号の説明】
【００６７】
１                作動流体、
１０              支持部材、
１１              支持板、
１２              弾性層、
１００            ウェハダイシングプレス装置、
１１０            テープ付着装置、
１２０            レーザ装置、
１３０            研磨装置、
２０              加圧装置、
２１              圧力発生装置、
２１１            フレーム、
２１２            作動液体供給装置、
２１３            流圧ライン、
２１４            制御部、
２２              圧力分散装置、
２２１            ダイヤフラム、
１０００          半導体ウェハダイシングシステム、
Ａ                内部空間、
ＡＰ              空圧ポンプ、
Ｃ１，Ｃ２        クラック、
Ｆ１，Ｆ２，Ｐ    圧力、
Ｈ１，Ｈ２        ウェハ厚、
Ｋ                レーザ光、
Ｌ                レーザ損傷層、
Ｐ１              臨界破断圧力、
Ｔ                テープ、
Ｗ                ウェハ、
ＷＣ              活性面、
Ｗａ              第１面、
Ｗｂ              第２面、
Ｗｄ              ウェハの背面。
【図１】
2012160711.tif 000003
【図２】
2012160711.tif 000004
【図３】
2012160711.tif 000005
【図４】
2012160711.tif 000006
【図５】
2012160711.tif 000007
【図６】
2012160711.tif 000008
【図７】
2012160711.tif 000009
【図８】
2012160711.tif 000010