(57)【要約】【課題】ウェハで検出された欠陥の座標を適正に変換する。【解決手段】ウェハ端部の表面画像を取得し（ステップＳ１）、取得された表面画像を用いて、ウェハ端部の欠陥を、そのウェハに設定されている第１原点からの座標によって検出する（ステップＳ２）。更に、取得された表面画像を用いて、ウェハ上にある複数のスクライブラインのうち、一のスクライブラインを検出する（ステップＳ３）。そして、検出されたその一のスクライブラインに基づき、ウェハ端部の欠陥の、第１原点からの座標を、ウェハ上の複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する（ステップＳ４）。【選択図】図１
2012134310.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のスクライブラインを含むウェハの表面画像を取得する工程と、
取得された前記表面画像を用いて、前記ウェハの欠陥を、前記ウェハに設定されている第１原点からの座標で検出する工程と、
取得された前記表面画像を用いて、前記複数のスクライブラインのうちの一のスクライブラインを検出する工程と、
検出された前記一のスクライブラインに基づき、前記欠陥の前記第１原点からの座標を、前記複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する工程と
を含むことを特徴とする欠陥検査方法。
【請求項２】
取得された前記表面画像に含まれる、前記ウェハの端を検出する工程と、
検出された前記一のスクライブラインと前記ウェハの端との配置に基づき、検出された前記一のスクライブラインの、前記ウェハ上での位置を決定する工程と
を更に含み、
前記位置に基づき、前記欠陥の前記第１原点からの座標を前記第２原点からの座標に変換する
ことを特徴とする請求項１に記載の欠陥検査方法。
【請求項３】
検出された前記一のスクライブラインに基づき、前記ウェハに対して行われる露光のショットの仮想レイアウトを生成する工程を含み、
前記欠陥の前記第１原点からの座標を、前記仮想レイアウトのショットに設定されている前記第２原点からの座標に変換する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の欠陥検査方法。
【請求項４】
前記欠陥の前記第２原点からの座標を用いて、前記欠陥の電子顕微鏡画像を取得する工程を更に含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の欠陥検査方法。
【請求項５】
複数のスクライブラインを含むウェハの表面画像を取得する取得部と、
前記取得部で取得された前記表面画像を用いて、前記ウェハの欠陥を、前記ウェハに設定されている第１原点からの座標で検出する第１検出部と、
前記取得部で取得された前記表面画像を用いて、前記複数のスクライブラインのうちの一のスクライブラインを検出する第２検出部と、
前記第２検出部で検出された前記一のスクライブラインに基づき、前記第１検出部で検出された前記欠陥の前記第１原点からの座標を、前記複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する変換部と
を含むことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項６】
複数のスクライブラインを含むウェハの表面画像を取得する取得部と、
前記取得部で取得された前記表面画像を用いて、前記ウェハの欠陥を、前記ウェハに設定されている第１原点からの座標で検出する第１検出部と、
前記取得部で取得された前記表面画像を用いて、前記複数のスクライブラインのうちの一のスクライブラインを検出する第２検出部と、
前記第２検出部で検出された前記一のスクライブラインに基づき、前記第１検出部で検出された前記欠陥の前記第１原点からの座標を、前記複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する変換部と
を含む第１欠陥検査装置と、
前記欠陥の前記第２原点からの座標を用いて、前記欠陥の電子顕微鏡画像を取得する第２取得部を含む第２欠陥検査装置と
を含むことを特徴とする欠陥検査システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、欠陥検査方法及び欠陥検査装置、並びに欠陥検査装置を含む欠陥検査システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置等、ウェハを用いた電子装置の製造分野では、ウェハの表面に存在する異物等の欠陥の検査が行われる。欠陥の検査には、例えば、ウェハの表面にレーザ光を照射してその散乱光から欠陥の位置（座標）や大きさ等の情報を取得する表面欠陥検査装置が用いられる。また、表面欠陥検査装置で取得された欠陥の座標に基づいて、当該欠陥のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）像を取得するＳＥＭレビュー装置も用いられる。このほか、ウェハ表面のうち、その端部（エッジ部）の欠陥を検査するエッジ検査装置も用いられる。
【０００３】
尚、ウェハを扱う製造装置や検査装置を用いる場合においては、異なる装置間でウェハの位置合わせが行われる。例えば、ウェハに設けられているマーク、ウェハのノッチやオリエンテーションフラット（オリフラ）の位置、ウェハの端部位置、スクライブラインの配置等の情報を用いて、ウェハの位置合わせを行う技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１７６９４１号公報
【特許文献２】特開２００８−２９８６９６号公報
【特許文献３】特開２００４−１８６３０６号公報
【特許文献４】特開平４−２１３８５２号公報
【特許文献５】特開昭６３−１６８７０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記のような欠陥検査装置のうち、表面欠陥検査装置とＳＥＭレビュー装置は、例えば、ウェハの表面で検出される欠陥の位置を、スクライブラインに基づいて設定された原点（スクライブラインの交差領域に設定された原点等）からの座標で認識する。その場合、表面欠陥検査装置で検出された欠陥について、そのＳＥＭ像をＳＥＭレビュー装置で比較的精度良く取得することができる。
【０００６】
一方、エッジ検査装置は、スクライブラインの配置を考慮せず、例えば、ウェハの端部で検出される欠陥の位置を、スクライブラインによらないでウェハに設定された原点（ウェハ中心部等）からの座標で認識する。その場合、エッジ検査装置で検出された欠陥について、そのＳＥＭ像をＳＥＭレビュー装置で取得する際、両装置間で欠陥の位置を示す座標にずれが生じ、欠陥のＳＥＭ像を精度良く取得することができないことがある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、複数のスクライブラインを含むウェハの表面画像を取得する工程と、取得された前記表面画像を用いて、前記ウェハの欠陥を、前記ウェハに設定されている第１原点からの座標で検出する工程と、取得された前記表面画像を用いて、前記複数のスクライブラインのうちの一のスクライブラインを検出する工程と、検出された前記一のスクライブラインに基づき、前記欠陥の前記第１原点からの座標を、前記複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する工程とを含む欠陥検査方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
開示の方法によれば、ウェハで検出された欠陥の座標を適正に変換することができ、その結果、欠陥検査の精度向上を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】欠陥検査方法の一例を示す図である。
【図２】欠陥検査装置の構成例を示す図である。
【図３】欠陥検査システムの構成例を示す図である。
【図４】欠陥検査フローの一例を示す図である。
【図５】欠陥検査装置の一例を示す図である。
【図６】搬送部の一例を示す図である。
【図７】欠陥検出工程の説明図（その１）である。
【図８】欠陥検出工程の説明図（その２）である。
【図９】欠陥検出工程の説明図（その３）である。
【図１０】表面画像抽出工程の説明図である。
【図１１】二値化画像生成工程の説明図である。
【図１２】スクライブライン検出工程の説明図（その１）である。
【図１３】スクライブライン検出工程の説明図（その２）である。
【図１４】エッジライン検出工程の説明図（その１）である。
【図１５】エッジライン検出工程の説明図（その２）である。
【図１６】交差パターン取得工程の説明図である。
【図１７】仮想レイアウト生成工程の説明図である。
【図１８】座標変換工程の説明図（その１）である。
【図１９】座標変換工程の説明図（その２）である。
【図２０】座標変換工程の説明図（その３）である。
【図２１】座標変換工程の説明図（その４）である。
【図２２】欠陥検査システムの一例を示す図（その１）である。
【図２３】欠陥検査システムの一例を示す図（その２）である。
【図２４】欠陥検査装置に含まれるハードウェアの一構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は欠陥検査方法の一例を示す図、図２は欠陥検査装置の構成例を示す図である。
図１に示すような欠陥検査は、例えば図２に示すような欠陥検査装置１０を用いて行うことができる。
【００１１】
図２に示す欠陥検査装置１０は、取得部１１、第１検出部１２、第２検出部１３、変換部１４、記憶部１５及びステージ１６を有している。
取得部１１は、ステージ１６上に載置されたウェハ１００の端部の表面画像を取得する。ウェハ１００は、例えば、ノッチ合わせ等の位置合わせを行って、ステージ１６上に載置される。尚、欠陥検査装置１０では、このウェハ１００の位置合わせ及びステージ１６上へのセット時に、当該ウェハ１００の中心とステージ１６の原点とのオフセットが決定される。
【００１２】
ウェハ１００には、その上に形成される、形成途中或いは形成後の個々の半導体素子（チップ）領域を画定する、縦横に延在された複数のスクライブライン１０１が含まれる。スクライブライン１０１は、フォトリソグラフィ技術を利用して複数個分のチップ領域をまとめて露光する際の、或いは１個分のチップ領域を露光する際の、ショット（露光ショット）の範囲を画定するラインでもある。取得部１１によって取得される、ウェハ１００の端部の表面画像には、このようなスクライブライン１０１の端部が撮像される。
【００１３】
第１検出部１２は、取得部１１で取得された表面画像を用いて、ウェハ１００の端部に存在する欠陥を検出する。第１検出部１２は、欠陥検査装置１０において予めステージ１６上のウェハ１００に設定されている第１原点（ステージ１６の原点（ウェハ１００の中心部等））からの座標で、ウェハ１００の端部の欠陥を検出する。
【００１４】
第２検出部１３は、取得部１１で取得された表面画像を用い、その表面画像に含まれる、ウェハ１００上のスクライブライン１０１を検出する。第２検出部は、ウェハ１００上の複数のスクライブライン１０１のうち、少なくとも１本のスクライブライン１０１を検出する。
【００１５】
変換部１４は、第１検出部１２で検出された欠陥の第１原点からの座標を、スクライブライン１０１に基づいて設定されている別の第２原点からの座標に変換する。例えば、変換部１４は、第２検出部１３で検出されたスクライブライン１０１に基づき、ウェハ１００上の複数のスクライブライン１０１のレイアウトを求める。そして、変換部１４は、第１検出部１２で検出された欠陥の第１原点からの座標を、レイアウトを求めた複数のスクライブライン１０１の所定箇所（スクライブライン１０１の交差部（ショットの角部）等）に設定されている第２原点からの座標に変換する。
【００１６】
記憶部１５には、予め、ウェハ１００に対する露光時に適用されるショットのサイズやレイアウト、スクライブライン１０１の幅、スクライブラインとウェハ１００の端（エッジライン）との交差パターン等の情報が記憶される。尚、記憶部１５には、取得部１１で取得された表面画像、第１検出部１２で検出された欠陥の座標、第２検出部１３で検出されたスクライブライン１０１に関する情報、変換部１４によって変換された座標等も記憶される。
【００１７】
このような欠陥検査装置１０を用いた欠陥検査において、欠陥検査装置１０は、図１に示すように、まず、ウェハ１００の端部の表面画像を、取得部１１によって取得する（ステップＳ１）。例えば、欠陥検査装置１０は、位置合わせされたウェハ１００が載置されているステージ１６を回転させる等して、当該ウェハ１００の、１周分の端部の表面画像を、取得部１１によって取得する。取得部１１では、例えば、ウェハ１００の端（外周端、エッジライン）からその中心側に向かって数ｍｍ程度の端部の表面画像が取得される。
【００１８】
次いで、欠陥検査装置１０は、取得部１１で取得した表面画像を用い、ウェハ１００の端部の欠陥を、第１検出部１２によって検出する（ステップＳ２）。このとき、ウェハ１００の端部の欠陥は、欠陥検査装置１０で予め第１原点として設定されている、ステージ１６の原点（ウェハ１００の中心部）からの座標によって、検出される。
【００１９】
また、欠陥検査装置１０は、取得部１１で取得した表面画像を用い、その表面画像に含まれる、ウェハ１００上の少なくとも１本のスクライブライン１０１を、第２検出部１３によって検出する（ステップＳ３）。取得部１１によって取得される、ウェハ１００の端部の表面画像には、スクライブライン１０１の端部が撮像される。ステップＳ３では、そのようなウェハ１００の端部の表面画像に存在する、少なくとも１本のスクライブライン１０１の端部を検出する。
【００２０】
尚、上記のステップＳ１において、取得部１１により、ウェハ１００の、１周分の端部の表面画像を取得している場合、ステップＳ３では、その表面画像のうち一部の表面画像を用い、当該一部の表面画像に存在するスクライブライン１０１を検出する。
【００２１】
また、ウェハ１００の端部の表面画像からスクライブライン１０１を検出する際には、例えば、ショットの角部等に設定されている第２原点を含むようなスクライブライン１０１（即ち、ショットを画定しているスクライブライン１０１）を検出する。その場合、スクライブライン１０１の検出に用いる表面画像としては、そのような第２原点を含むスクライブライン１０１が存在する表面画像を用いる。
【００２２】
上記のようにしてウェハ１００の端部の欠陥、及びスクライブライン１０１を検出した後、欠陥検査装置１０は、変換部１４により、ウェハ１００の端部で検出された欠陥の第１原点からの座標を、第２原点からの座標に変換する（ステップＳ４）。第２原点は、ショットの角部（スクライブライン１０１の交差部）等、ショットを画定するスクライブライン１０１上の位置に設定される。変換部１４は、検出したスクライブライン１０１に基づき、欠陥の第１原点からの座標を、ショットの角部等、スクライブライン１０１の所定箇所に設定されている第２原点からの座標に変換する。
【００２３】
例えば、変換部１４は、ウェハ１００の端部の表面画像から検出されたスクライブライン１０１の、ウェハ１００上での位置を特定し、その位置に基づき、ウェハ１００上の複数のスクライブライン１０１（全部又は一部）のレイアウトを求める。そして、変換部１４は、欠陥の第１原点からの座標を、ショットの角部等、ウェハ１００上のレイアウトが求められたスクライブライン１０１の所定箇所に設定されている第２原点からの座標に変換する。
【００２４】
より具体的には、変換部１４は、検出されたスクライブライン１０１を基準に、ウェハ１００全体についてのショットの仮想レイアウト（スクライブライン１０１のレイアウト）を生成する。このとき、変換部１４は、記憶部１５に記憶された、ショットのサイズやレイアウト、スクライブラインの幅やウェハ１００のエッジラインとの交差パターン等の情報を用いて、検出したスクライブライン１０１の位置を特定し、仮想レイアウトを生成する。そして、変換部１４は、その仮想レイアウトの、あるショットに相当する領域のウェハ１００端部に存在する欠陥について、その第１原点からの座標を、当該ショットの角部等に設定されている第２原点からの座標に変換する。
【００２５】
以上のような欠陥の座標変換を行う欠陥検査装置１０は、ＳＥＭレビュー装置（欠陥検査装置）と組み合わせ、欠陥の検出とその観察を行う欠陥検査システムに適用することができる。
【００２６】
図３は欠陥検査システムの構成例を示す図である。
欠陥検査システム１は、上記のような欠陥検査装置１０、及びＳＥＭレビュー装置２０を含む。ＳＥＭレビュー装置２０は、ウェハ１００表面のＳＥＭ像を取得する取得部２１、及びウェハ１００が載置されるステージ２２を有する。
【００２７】
欠陥検査システム１では、上記のように欠陥検査装置１０によってウェハ１００の端部に存在する欠陥の座標変換が行われた後、その変換後の座標が用いられて、ＳＥＭレビュー装置２０による欠陥の観察が行われる。ＳＥＭレビュー装置２０では、欠陥検査装置１０の変換部１４で変換され、記憶部１５に記憶された欠陥座標に基づき、ウェハ１００が載置されたステージ２２が水平面内を移動し、それにより、ＳＥＭの視野内に当該欠陥が導入される。ＳＥＭレビュー装置２０は、例えば、ショットの角部に設定されている原点からの座標に基づいてステージ２２を移動させ、対象欠陥の観察を行う。
【００２８】
上記のような欠陥検査装置１０とは別に、ＳＥＭレビュー装置２０と組み合わせることのできる検査装置として、ウェハ１００の端部より内側の領域について欠陥の検出を行う表面欠陥検査装置がある。表面欠陥検査装置では、検出される欠陥を、例えばＳＥＭレビュー装置２０と同様に、ショットの角部に設定されている原点からの座標で認識する。ＳＥＭレビュー装置２０では、このような表面欠陥検査装置から出力される欠陥座標に基づいて、ウェハ１００が載置されたステージ２２が移動され、対象欠陥の観察が行われる。
【００２９】
表面欠陥装置及びＳＥＭレビュー装置２０では、いずれも、ウェハ１００の位置合わせが行われ、ウェハ１００に対する露光時に適用されるショットサイズ、ショットレイアウトが認識される。そして、表面欠陥検査装置では、ショットの角部に設定されている原点からの座標で欠陥が検出され、ＳＥＭレビュー装置２０では、ショットの角部に設定されている原点からの座標に基づいて欠陥の観察が行われる。そのため、表面欠陥検査装置で検出された欠陥について、そのＳＥＭ像を、ＳＥＭレビュー装置２０で精度良く自動的に取得することができる。
【００３０】
一方、上記の欠陥検査装置１０では、ウェハ１００の端部の欠陥を、まず、ショットの角部でない第１原点（ステージ１６の原点（ウェハ１００の中心部））からの座標で検出する。このような座標を用いてＳＥＭレビュー装置２０で対象欠陥の観察を行うと、欠陥検査装置１０とＳＥＭレビュー装置２０の間で、欠陥の位置を示す座標にずれが生じ、対象欠陥がＳＥＭの視野から外れてしまい、当該欠陥が自動的には観察できなくなる場合がある。
【００３１】
これに対し、上記の欠陥検査装置１０では、ウェハ１００の端部の表面画像から検出されるスクライブライン１０１に基づき、ウェハ１００上のスクライブライン１０１のレイアウトを求める。このようなレイアウトを用い、ウェハ１００の端部で検出された欠陥の座標を、例えば、ＳＥＭレビュー装置２０と同様に、ショットの角部に設定されている原点からの座標に変換する。欠陥検査装置１０は、ウェハ１００の端部で検出された欠陥の座標として、この変換後の座標を、ＳＥＭレビュー装置２０に出力する。
【００３２】
即ち、欠陥検査装置１０は、上記の表面欠陥検査装置と同様に、欠陥の座標として、ショットの角部に設定されている原点（第２原点）からの座標を、ＳＥＭレビュー装置２０に出力することができる。これにより、欠陥検査装置１０とＳＥＭレビュー装置２０の間で欠陥の座標がずれるのを抑制し、対象欠陥のＳＥＭ像を精度良く自動的に取得することが可能になる。
【００３３】
尚、以上の説明では、ステップＳ１でウェハ１００の端部の表面画像を取得した後、その表面画像を用いて、ステップＳ２でウェハ１００の端部の欠陥を検出し、ステップＳ３で少なくとも１本のスクライブライン１０１を検出するようにした。このステップＳ２とステップＳ３は、順番を入れ替えても構わない。
【００３４】
また、欠陥検査装置１０及びＳＥＭレビュー装置２０が有する処理機能は、コンピュータを用いて実現することができる。欠陥検査装置１０及びＳＥＭレビュー装置２０は、それらが有する処理機能を記述したプログラムをコンピュータ上で実行することにより、当該処理機能を実現する。
【００３５】
以下、欠陥検査の一例について、より詳細に説明する。
図４は欠陥検査フローの一例を示す図、図５は欠陥検査装置の一例を示す図である。また、図６〜図２３は欠陥検査の各工程の説明図である。以下、図４〜図２３を参照して、欠陥検査を説明する。
【００３６】
まず、図５に示す欠陥検査装置３０について説明する。
図５に示す欠陥検査装置３０は、ウェハ１００が載置されるステージ３１、ステージ３１を回転させる回転機構部３２、及び回転機構部３２の駆動を制御する駆動制御部３３を有している。ウェハ１００は、搬送部３４によって、ステージ３１上に移載されるようになっている。
【００３７】
搬送部３４は、図６に示すように、少なくとも１つのポート３４ａ、ハンドラー３４ｂ、位置合わせ機構部３４ｃを含む。ここで、ポート３４ａには、１枚又は複数枚のウェハ１００が収容されたＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）がセットされる。ハンドラー３４ｂは、ポート３４ａにセットされたＦＯＵＰから１枚ずつウェハ１００を取り出し、図６に太矢印で示したように、そのウェハ１００を位置合わせ機構部３４ｃに搬送し、位置合わせ後のウェハ１００をステージ３１に搬送する。位置合わせ機構部３４ｃは、ハンドラー３４ｂでＦＯＵＰから取り出されたウェハ１００を、ステージ３１へ搬送する前に、ウェハ１００のノッチ、オリフラ、アライメントマーク等の位置合わせを行う。
【００３８】
このようにしてウェハ１００が載置されたステージ３１が、駆動制御部３３で制御される回転機構部３２によって回転される。ステージ３１の回転条件は、予めレシピとして設定しておき、欠陥検査装置３０が備えるハードディスクドライブ（Hard Disk Drive；ＨＤＤ）等の記憶部３５に記憶しておく。駆動制御部３３は、記憶部３５に記憶されたレシピに基づき、回転機構部３２を制御し、ステージ３１を回転させる。
【００３９】
欠陥検査装置３０の画像取得部３６は、ステージ３１上に載置されたウェハ１００の端部の表面画像を取得する。画像取得部３６は、例えば、レーザ光を照射してその散乱光を検出することで表面画像を取得する。尚、このほか、画像取得部３６としては、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）等のイメージセンサによって表面画像を取得するものを用いることもできる。画像取得部３６では、ステージ３１を回転させることで、ウェハ１００の外周に沿った端部の表面画像が連続的に取得される。画像取得部３６で取得された表面画像は、記憶部３５に記憶される。また、記憶部３５に記憶された表面画像は、モニタ等を用いた表示部３７に表示することができるようになっている。
【００４０】
欠陥検査装置３０は、更に、欠陥検出部３８、スクライブライン検出部３９、及びエッジライン検出部４０を有している。
欠陥検出部３８は、画像取得部３６で取得され、記憶部３５に記憶された表面画像を用いて、ウェハ１００の端部に存在する欠陥を検出する。このような表面画像を用いた欠陥検出は、例えば、欠陥検出部３８が備えるＡＤＣ（Auto Defect Classification）機能を用いて、行うことができる。表面画像を用いた欠陥検出条件（表面画像内の異質な箇所を欠陥とするか否かの判定条件等）は、予めレシピとして設定しておき、記憶部３５に記憶しておく。欠陥検出部３８は、ステージ３１上のウェハ１００に対して設定されている第１原点からの座標、ここではステージ３１の原点（ウェハ１００の中心部）からの座標によって、ウェハ１００の端部の欠陥を検出する。
【００４１】
スクライブライン検出部３９は、ウェハ１００上のスクライブライン１０１のうち、画像取得部３６で取得され、記憶部３５に記憶された表面画像に含まれるスクライブラインを検出する。スクライブライン検出部３９は、例えば、ウェハ１００の端部の表面画像のうち、所定のスクライブライン（例えば、ショットの角部に設定される第２原点が含まれるようなスクライブライン）が存在する表面画像を抽出する抽出部を含む。また、スクライブライン検出部３９は、例えば、当該抽出部で抽出された表面画像からスクライブラインを検出するための画像処理を行う画像処理部を含む。
【００４２】
エッジライン検出部４０は、画像取得部３６で取得され、記憶部３５に記憶された表面画像に含まれるウェハ１００の端（エッジライン）を検出する。エッジライン検出部４０は、例えば、表面画像からウェハ１００のエッジラインを検出するための画像処理を行う画像処理部を含む。
【００４３】
欠陥検査装置３０は、更に、パターン取得部４１、パターン比較部４２、仮想レイアウト生成部４３、座標変換部４４、及び座標出力部４５を有している。
パターン取得部４１は、スクライブライン検出部３９で検出されたスクライブラインと、エッジライン検出部４０で検出されたウェハ１００のエッジラインとが交差する略Ｔ字状の交差パターンを、画像処理によって取得する。尚、このパターン取得部４１では、検出されたスクライブラインとウェハ１００のエッジラインとの交差パターンとして、当該スクライブラインとエッジラインとの交角を求めてもよい。
【００４４】
記憶部３５には、ウェハ１００上に形成されるスクライブライン（全部又は一部）と、ウェハ１００のエッジラインとの交差パターンを、比較用に予め記憶しておく。パターン比較部４２は、パターン取得部４１で取得された交差パターンと、記憶部３５に記憶された比較用交差パターンとを比較する。このパターン比較部４２により、パターン取得部４１で取得した交差パターンに含まれるスクライブラインが、ウェハ１００上のどのスクライブラインか、即ち、当該交差パターンに含まれるスクライブラインのウェハ１００上での位置が特定される。
【００４５】
また、記憶部３５には、ウェハ１００に対する露光時に適用されるショットサイズ、ショットレイアウト、ウェハ１００の中心とショットレイアウトの中心のオフセット、スクライブラインの幅等を予め記憶しておく。更に、記憶部３５には、ショットの角部に設定されている第２原点の位置を予め記憶しておく。仮想レイアウト生成部４３は、ウェハ１００上での位置が特定された交差パターンのスクライブラインを基準に、記憶部３５に記憶されたショットサイズ、ショットレイアウト、スクライブライン幅を用い、ウェハ１００上のショットの仮想レイアウトを生成する。
【００４６】
座標変換部４４は、仮想レイアウト生成部４３で生成されたショットの仮想レイアウトに基づき、欠陥検出部３８で検出された欠陥の第１原点からの座標を、ショットの角部に設定されている第２原点からの座標に変換する。その際、座標変換部４４は、ウェハ１００の端部で検出された各欠陥の第１原点からの座標を、当該欠陥が含まれる一ショットの角部に設定されている第２原点からの座標に変換する。座標変換部４４で変換された座標は、記憶部３５に記憶される。
【００４７】
座標出力部４５は、このようにして記憶部３５に記憶された変換後の座標を、ＳＥＭレビュー装置等、他の欠陥検査装置に出力する。
欠陥検査装置３０の入力部４６からは、欠陥検査前に、ステージ３１の回転条件、表面画像を用いた欠陥検出条件、比較用交差パターン、ショットサイズ、ショットレイアウト、スクライブライン幅、及びショット角部の第２原点の位置等の情報が入力される。入力部４６から入力された情報は、記憶部３５に記憶され、欠陥検査の処理において適宜利用される。
【００４８】
続いて、上記構成を有する欠陥検査装置３０を用いた欠陥検査の一例を、図４に示すフローに従って順に説明する。
欠陥検査装置３０では、まず、欠陥検査に用いるレシピのロード（読み込み）が行われる（ステップＳ１０）。レシピは、欠陥検査前に、１種類又は複数種類、予め記憶部３５に記憶しておく。レシピとしては、例えば、ステージ３１の回転条件（回転角度、回転速度等）、及び欠陥検出条件（表面画像内の異質な反射率の箇所を欠陥とするか否かの反射率の閾値等）を記憶しておく。欠陥検査装置３０は、例えば、オペレータによる入力部４６からの指令に基づき、記憶部３５に記憶されている所定レシピのロードを開始する。
【００４９】
次いで、欠陥検査装置３０は、搬送部３４により、検査するウェハ１００を、位置合わせを行って、ステージ３１上にセットする（ステップＳ１１）。そして、欠陥検査装置３０は、ロードしたレシピに従い、駆動制御部３３で回転機構部３２を制御してステージ３１を回転させ、画像取得部３６でウェハ１００の端部の表面画像を取得する（ステップＳ１２）。画像取得部３６で取得された表面画像は、記憶部３５に記憶される。
【００５０】
尚、ステップＳ１１におけるウェハ１００の位置合わせ及びステージ３１上へのセット時に、当該ウェハ１００の中心とステージ３１の原点とのオフセットを決定することができる。或いは、ステップＳ１２におけるウェハ１００端部の表面画像の取得後に、当該表面画像を用いて、当該ウェハ１００の中心とステージ３１の原点とのオフセットを決定することもできる。
【００５１】
欠陥検査装置３０は、ウェハ１００の端部の表面画像を取得した後、その取得した表面画像を用い、欠陥検出部３８で欠陥を検出する（ステップＳ１３）。
図７〜図９は欠陥検出工程の説明図である。尚、図７は表面画像の一例を示す図、図８は表面画像内の反射率の一例を示す図、図９は欠陥検出の一例を示す図である。
【００５２】
例えば、画像取得部３６が、ウェハ１００の端部にレーザ光を照射してその散乱光を検出するものである場合、図７に示すように、画像取得部３６で取得される表面画像１２０には、反射率の違いに起因した、異なるコントラストの部分１２１が現れる。図８には、画像取得部３６で取得される表面画像内の、ある領域での反射率波形１２２を例示している。
【００５３】
欠陥検出部３８は、画像取得部３６で取得される、このような表面画像１２０を用い、ウェハ１００上の異なるコントラストの部分１２１が欠陥か否かを判定する。例えば、欠陥検出部３８は、図９に示すように、表面画像１２０内のある１箇所の部分１２１ａについて、当該部分１２１ａを含む所定範囲（図９（Ａ）に点線１２１ｃで図示）の反射率波形１２１ｂを抽出する（図９（Ｂ））。そして、欠陥検出部３８は、当該部分１２１ａの反射率波形１２１ｂが、予め設定された閾値を上回る反射率を示す場合、当該部分１２１ａを欠陥と判定する。反射率の閾値は、欠陥検査前に予め設定しておき、記憶部３５に記憶しておく。欠陥検出部３８は、記憶部３５に記憶されたその閾値を用い、反射率波形１２１ｂが、設定された閾値を上回る反射率を示すか否かで、当該部分１２１ａが欠陥か否かを判定する。
【００５４】
例えば、図９（Ｂ）の例において、設定されている閾値が点線Ｔ１であった場合には、反射率波形１２１ｂの反射率（ピーク）がその点線Ｔ１を上回るため、欠陥検出部３８は、この反射率波形１２１ｂの部分１２１ａを欠陥と判定する。また、設定されている閾値が点線Ｔ２であった場合には、反射率波形１２１ｂの反射率（ピーク）がその点線Ｔ２を下回るため、欠陥検出部３８は、この反射率波形１２１ｂの部分１２１ａを欠陥でないと判定する。
【００５５】
欠陥検出部３８は、このような判定処理を実行することにより、表面画像１２０内の異質なコントラストの部分１２１について、それぞれ欠陥か否かを判定し、欠陥と判定したものについては、その位置を欠陥座標として記憶部３５に記憶する。その際、欠陥検出部３８は、欠陥と判定した部分１２１の位置を、ステージ３１上のウェハ１００に対して設定されている第１原点からの座標、ここではステージ３１の原点（ウェハ１００の中心部）からの座標で表わす。
【００５６】
尚、ここでは、画像取得部３６が、ウェハ１００の端部にレーザ光を照射してその散乱光を検出するものである場合を例にして説明した。このほか、画像取得部３６が、ＣＣＤ等のイメージセンサによって表面画像を取得するものである場合には、例えば、表面画像１２０のコントラストについて閾値を設定し、記憶部３５に記憶しておく。そして、その閾値を用いて、表面画像１２０内の異質なコントラストの部分１２１について、それぞれ欠陥か否かを判定し、欠陥と判定したものの座標（第１原点からの座標）を記憶部３５に記憶するようにすればよい。
【００５７】
上記のようにしてウェハ１００の端部の欠陥を検出した後、欠陥検査装置３０は、ステップＳ１２で取得した表面画像を用い、スクライブライン検出部３９により、ウェハ１００上のスクライブライン１０１のうち、所定のスクライブラインを検出する。スクライブライン検出部３９では、例えば、ショットの角部に設定される第２原点を含むようなスクライブラインを検出する。
【００５８】
スクライブラインの検出にあたり、スクライブライン検出部３９は、まず、画像取得部３６で取得され、記憶部３５に記憶された表面画像から、第２原点を含むスクライブラインが存在していると予想される領域の表面画像を抽出する（ステップＳ１４）。
【００５９】
表面画像を抽出する際には、ショットサイズ、ショットレイアウト、スクライブライン幅、ショットレイアウト中心のオフセット（マップオフセット）、ショットレイアウト内の第２原点を含むスクライブラインの位置等の情報が利用される。これらの情報は、予め記憶部３５に記憶しておく。
【００６０】
図１０は表面画像抽出工程の説明図である。
スクライブライン検出部３９は、例えば、記憶部３５に記憶されたショットサイズ、ショットレイアウト、スクライブライン幅、及びマップオフセットの情報を用い、ウェハ１００上にショットレイアウト１３０を設定する。
【００６１】
尚、このショットレイアウト１３０は、表面画像を抽出するためにウェハ１００上に設定するものであり、当該ウェハ１００上に実際に存在する、ショットを画定しているスクライブラインのレイアウトとは必ずしも一致しない。ここでは、ｘ方向、ｙ方向共に、マップオフセットが０μｍである場合、即ち、ステージ３１の原点（ウェハ１００の中心部）とショットレイアウト中心とのオフセットが０μｍであるものとする。
【００６２】
ウェハ１００に対するショットレイアウト１３０の設定後、スクライブライン検出部３９は、記憶部３５に記憶されている情報に基づき、ショットレイアウト１３０の複数のスクライブライン１３１から、第２原点を含む１本のスクライブライン１３１ａを選択する。そして、スクライブライン検出部３９は、選択したスクライブライン１３１ａの一部（線分ＡＢ）と、ショットレイアウト１３０の中心（点Ｃ）とを含む△ＡＢＣから、θ＝∠ＡＣＢを算出する。例えば、点Ｃがウェハ１００の中心かつステージ３１の原点（０，０）、ウェハ１００の半径ＣＡが１５００００μｍ、１ショットの一辺のサイズＣＢが２２６６０μｍであるとすると、θは、次式（１），（２）から、約８１．３°と求めることができる。
【００６３】
ｃｏｓθ＝ＣＢ／ＣＡ
＝２２６６０／１５００００＝０．１５１０６６６６６・・・（１）
ｃｏｓ-1０．１５１０６６６６６＝８１．３１１２５３５・・・（２）
スクライブライン検出部３９は、このようにして求めた約８１．３°の角度を用い、画像取得部３６で取得され、記憶部３５に記憶された表面画像のうち、８１．３°付近に相当するウェハ１００端部（Ａ部）の表面画像を抽出する。このような処理により、ショットレイアウト１３０を用いた計算上、第２原点を含むスクライブラインが存在すると予想される、ウェハ１００端部の表面画像が抽出される。
【００６４】
ここでは、マップオフセットが０μｍである場合を例にしたが、マップオフセットが０μｍでない場合には、そのオフセットを考慮した領域の、ウェハ１００の端部の表面画像を抽出するようにすればよい。
【００６５】
尚、ステージ３１と、そこにセットされるウェハ１００の位置関係は位置合わせによってわかっているので、抽出した表面画像が、ウェハ１００のどの領域の端部の画像で、ステージ３１上のどの座標領域のものであるのかがわかる。
【００６６】
次いで、スクライブライン検出部３９は、抽出した表面画像について、その反射率或いはコントラストに基づき、二値化処理を実行し、二値化画像を生成する（ステップＳ１５）。
【００６７】
図１１は二値化画像生成工程の説明図である。
スクライブライン検出部３９は、抽出した表面画像から、この図１１に示すような二値化画像１４０を生成する。生成される二値化画像１４０には、ウェハ１００上のスクライブライン１４１（ここでは一例として２本）、ウェハ１００のエッジライン１４２、ウェハ１００上に形成されるチップのパターン１４５が含まれる。
【００６８】
欠陥検査装置３０は、上記のようにしてスクライブライン検出部３９により抽出した表面画像を二値化処理して得た二値化画像１４０から、スクライブライン１４１及びエッジライン１４２を検出していく。尚、スクライブライン１４１及びエッジライン１４２を検出する処理は、二値化画像１４０内のどのスクライブライン１４１が第２原点を含むスクライブラインに相当するのかを確定するために行う。
【００６９】
まず欠陥検査装置３０は、スクライブライン検出部３９により、二値化画像１４０からスクライブライン１４１を検出する（ステップＳ１６）。
図１２及び図１３はスクライブライン検出工程の説明図である。
【００７０】
スクライブライン１４１の検出の際、スクライブライン検出部３９は、まず、図１２に示すように、二値化画像１４０における、ウェハ１００の外周に向かう第１方向Ｄ１と交差する第２方向Ｄ２の反射率波形１５０を取得する。即ち、パターン１４５からエッジライン１４２の方向に突出したスクライブライン１４１を横切る方向Ｄ２の反射率波形１５０を取得する。スクライブライン検出部３９は、このような第２方向Ｄ２の反射率波形１５０を、第１方向Ｄ１の位置をずらして複数取得する。このようにして取得される複数の反射率波形１５０を並べると図１３のようになる。ここでは一例として、３つの反射率波形１５０、即ち、第１方向Ｄ１の位置が異なる３つの反射率波形１５０を並べて図示している。
【００７１】
図１３において、各反射率波形１５０の矢印で示した範囲の波形部分１５１がスクライブライン１４１に相当し、丸で囲った部分がスクライブライン１４１のエッジに相当する。スクライブライン検出部３９は、複数の反射率波形１５０から、このような波形部分１５１が、図１３のように連続的に第１方向Ｄ１に向かって並んでおり、更に、予め記憶部３５に記憶されているスクライブライン１４１の幅に相当しているかを判定する。これらの条件を満たす場合、スクライブライン検出部３９は、この図１３の例のように一定幅の波形部分１５１が第１方向Ｄ１に並ぶ二値化画像１４０内の領域を、スクライブライン１４１として検出する。
【００７２】
ここで、二値化画像１４０（抽出した表面画像）が、ウェハ１００のどの領域の端部の画像で、ステージ３１上のどの座標領域のものであるのかはわかっている。検出したスクライブライン１４１のステージ３１上での位置は、ステージ３１の原点（ウェハ１００の中心部）からの座標で表すことができる。
【００７３】
尚、スクライブライン検出部３９では、ここに示したように反射率波形１５０に基づいてスクライブライン１４１を検出するほか、コントラスト波形に基づいてスクライブライン１４１を検出することも可能である。
【００７４】
このようなスクライブライン検出部３９によるスクライブライン１４１の検出後、欠陥検査装置３０は、エッジライン検出部４０により、エッジライン１４２を検出する（ステップＳ１７）。
【００７５】
図１４及び図１５はエッジライン検出工程の説明図である。
エッジライン検出部４０は、まず、図１４に示すように、スクライブライン検出部３９で生成された二値化画像１４０について、ウェハ１００のエッジライン１４２に沿った第３方向Ｄ３と交差する第４方向Ｄ４の反射率波形１６０を取得する。その際は、エッジライン１４２を横切る方向Ｄ４の反射率波形１６０を取得する。エッジライン検出部４０は、このような第４方向Ｄ４の反射率波形１６０を、第３方向Ｄ３の位置をずらして複数取得する。このようにして取得される複数の反射率波形１６０を並べると図１５のようになる。ここでは一例として、３つの反射率波形１６０、即ち、第３方向Ｄ３の位置が異なる３つの反射率波形１６０を並べて図示している。
【００７６】
図１５において、各反射率波形１６０の丸で囲った波形部分１６１がエッジライン１４２に相当する。エッジライン検出部４０は、複数の反射率波形１６０から、この丸で囲ったような波形部分１６１が、図１５のように連続的かつ直線的に第３方向Ｄ３に向かって並んでいるかを判定する。この条件を満たす場合、エッジライン検出部４０は、この図１５の例のように波形部分１６１が第３方向Ｄ３に並ぶ二値化画像１４０内のラインを、ウェハ１００のエッジライン１４２として検出する。
【００７７】
ここで、二値化画像１４０（抽出した表面画像１２０）が、ウェハ１００のどの領域の端部で、ステージ３１上のどの座標領域のものであるのかはわかっている。検出したエッジライン１４２のステージ３１上での位置は、ステージ３１の原点（ウェハ１００の中心部）からの座標で表すことができる。
【００７８】
尚、エッジライン検出部４０では、ここに示したように反射率波形１６０に基づいてエッジライン１４２を検出するほか、コントラスト波形に基づいてエッジライン１４２を検出することも可能である。
【００７９】
エッジライン１４２の検出後、欠陥検査装置３０は、パターン取得部４１により、検出したスクライブライン１４１とエッジライン１４２との交差パターンを取得する（ステップＳ１８）。
【００８０】
図１６は交差パターン取得工程の説明図である。
パターン取得部４１は、図１６（Ａ）に示すように、ステップＳ１６で検出したスクライブライン１４１と、ステップＳ１７で検出したエッジライン１４２とを含む二値化画像１４０ａを改めて生成する。そして、パターン取得部４１は、図１６（Ａ）に点線で示したように、いずれか１本のスクライブライン１４１をエッジライン１４２に向かって延長する画像処理を行う。それにより、図１６（Ｂ）に示すような、スクライブライン１４１とエッジライン１４２との交差パターン１４３を取得する。尚、パターン取得部４１では、更に図１６（Ｃ）に示すような、スクライブライン１４１とエッジライン１４２との交角１４３ａを取得し、それを交差パターン１４３としてもよい。
【００８１】
交差パターン１４３の取得後、欠陥検査装置３０は、パターン比較部４２により、その取得した交差パターン１４３と、予め記憶部３５に記憶されている比較用交差パターンとの比較を行う（ステップＳ１９）。その際は、取得した交差パターン１４３を、記憶部３５に記憶されている、ショットレイアウト内の第２原点を含むスクライブラインとウェハ１００のエッジラインとの交差パターンと比較する。
【００８２】
パターン比較部４２は、交差パターン１４３が、予め記憶部３５に記憶されている所定の比較用交差パターンと合致する場合、当該交差パターン１４３のスクライブライン１４１が、ウェハ１００上の第２原点を含むスクライブラインであると判定する（ステップＳ２０）。また、パターン比較部４２は、交差パターン１４３が、予め記憶部３５に記憶されている所定の比較用交差パターンと合致しない場合には、二値化画像１４０ａ内の別のスクライブライン１４１を選択し（ステップＳ２１）、ステップＳ１８〜Ｓ２０の処理を実行する。このような処理を行うことにより、二値化画像１４０ａ内のどのスクライブライン１４１が、第２原点を含むスクライブラインに相当するかを確定する。
【００８３】
例えば、複数個分のチップ領域をまとめて露光する場合、ショットを画定するスクライブライン間には、個々のチップを隔てるスクライブラインも存在している。上記のようにして交差パターン１４３を取得し、比較用交差パターンとの比較を行うことにより、ショットの角部に設定される第２原点を含むようなスクライブラインを、精度良く特定することができる。
【００８４】
尚、ここではスクライブライン１４１をエッジライン１４２に向かって延長する画像処理を行って交差パターン１４３を取得するようにしたが、そのような画像処理は、必ずしも行うことを要しない。即ち、スクライブライン１４１とエッジライン１４２とが離間した状態のままのパターンを用い、記憶部３５にはそのようなパターンに対応する比較用パターンを記憶しておき、パターン比較部４２により、両者を比較するようにしてもよい。
【００８５】
欠陥検査装置３０は、別の箇所について、ステップＳ１４〜Ｓ２２の処理を繰り返す（ステップＳ２２）。例えば、欠陥検査装置３０は、図１０に示したようなスクライブライン１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄをそれぞれ選択し、上記同様、ステップＳ１４〜Ｓ２２の処理を実行する。
【００８６】
尚、欠陥検査装置３０では、必ずしもこのように複数個所についてステップＳ１４〜Ｓ２２の処理を実行することを要せず、いずれか１箇所についてステップＳ１４〜Ｓ２２の処理を実行するのみでもよい。但し、ステップＳ１４〜Ｓ２２の処理を実行する箇所の数が増えるほど、各箇所について得られる二値化画像１４０，１４０ａ内のスクライブライン１４１と、ショットレイアウト内のスクライブラインとの対応精度を向上させることができる。
【００８７】
以上の処理により、画像取得部３６で取得したウェハ１００端部の表面画像のうち、どの表面画像の、どのスクライブラインが、ショットレイアウト上のどのスクライブラインに対応しているのかが部分的にわかることになる。欠陥検査装置３０は、このような対応関係に基づき、仮想レイアウト生成部４３により、例えばウェハ１００全体についての、ショットの仮想レイアウトを生成する（ステップＳ２３）。
【００８８】
図１７は仮想レイアウト生成工程の説明図である。
仮想レイアウト生成部４３は、図１７に示すような、ウェハ１００と、当該ウェハ１００上に形成される複数のスクライブライン１７１の配置関係を示すイメージデータである、仮想レイアウト１７０を生成する。
【００８９】
仮想レイアウト１７０を生成する際、仮想レイアウト生成部４３は、ショットレイアウト上のスクライブラインとの対応が確定している、表面画像（二値化画像１４０，１４０ａ）から検出された上記スクライブライン１４１を基準にする。そして、ショットレイアウトと、そのショットサイズ、スクライブライン幅を用い、データ上、ウェハ１００に対し、その基準のスクライブライン１４１の位置を起点にして、ショットを所定スクライブライン幅で次々と展開していく。それにより、図１７に示したような、ウェハ１００全体についての仮想レイアウト１７０を生成する。
【００９０】
仮想レイアウト１７０の生成後、欠陥検査装置３０は、座標変換部４４により、仮想レイアウト１７０を用いて、欠陥検出部３８で検出された欠陥の座標を変換する処理を実行する（ステップＳ２４）。
【００９１】
図１８〜図２１は座標変換工程の説明図である。
座標変換部４４は、仮想レイアウト１７０内の、中心部を通る縦横のスクライブライン１７１について、それらのステージ３１上での座標を求め、図１８に示すように、縦横のスクライブライン１７１の中心線１７１ａが交差する位置（座標）を求める。座標変換部４４は、図１９に示した、中心線１７１ａの交点と、ステージ３１の原点（０，０）（ウェハ１００の中心部（第１原点））との差を、オフセットとする。図１８及び図１９の例では、中心線１７１ａの交点とステージ３１の原点（０，０）とが一致しており、オフセットは０である。
【００９２】
欠陥検査装置３０は、このようにしてオフセットを求めることで、仮想レイアウト１７０内の各ショットを、ステージ３１上の座標で認識可能にする。各ショットの原点（ショットの角部（第２原点））は、図２０に示すように、各ショットを画定するスクライブライン１７１の中心線１７１ａの交点、或いは当該交点付近に設定された原点マーク１７３の位置等に、設定することができる。原点マーク１７３を用いる場合は、当該原点マーク１７３の、例えば左上の角１７３ａを原点とする等、ルールを規定しておく。そして、中心線１７１ａの交点と角１７３ａとの差をオフセットとして予めレシピとして組み込んでおくことにより、各ショットの原点位置（座標）を補正することができる。
【００９３】
欠陥検査装置３０は、オフセットを設定したうえで、座標変換部４４により、図２１に示すように、欠陥検出部３８で検出された欠陥の第１原点Ｏ１（ステージ３１の原点（０，０））からの座標を、第２原点Ｏ２（ショットの角部）からの座標に変換する。即ち、図２１に示したように、欠陥検査装置３０は、欠陥検出部３８で検出され、記憶部３５に記憶された、欠陥１８０の第１原点Ｏ１からの座標（ｘ１，ｙ１）、及び各ショットの配置（座標）から、欠陥１８０が含まれるショット１８１を求める。そして、当該ショット１８１の角部に設定されている第２原点Ｏ２（ｘ２，ｙ２）を求め、欠陥１８０の座標（ｘ１，ｙ１）を、第２原点Ｏ２（ｘ２，ｙ２）からの座標（ｘ１−ｘ２，ｙ１−ｙ２）に変換する。これにより、欠陥検査装置３０は、ショット１８１が特定されれば、欠陥１８０が当該ショット１８１内の座標（ｘ１−ｘ２，ｙ１−ｙ２）の位置に存在すると認識することが可能になる。
【００９４】
欠陥検査装置３０は、以上のような座標変換を、欠陥検出部３８で検出された全部又は一部の欠陥について実行し、変換後の座標を記憶部３５に記憶する（ステップＳ２５）。  更に、欠陥検査装置３０は、記憶部３５に記憶された変換後の座標を、座標出力部４５によって他の欠陥検査装置に出力する（ステップＳ２６）。
【００９５】
以上述べたような欠陥検査装置３０は、ＳＥＭレビュー装置等の別の欠陥検査装置と共に、欠陥検査システムに利用することができる。
図２２及び図２３は欠陥検査システムの一例を示す図である。
【００９６】
図２２に示す欠陥検査システム５０は、欠陥検査装置３０、及びＳＥＭレビュー装置５１を含む。ＳＥＭレビュー装置５１では、欠陥検査装置３０で検査が行われたウェハ１００が、ステージ５１ａ上に位置合わせを行って載置される。欠陥検査装置３０は、記憶部３５に記憶された、座標変換部４４による変換後の欠陥の座標を、座標出力部４５により、ＳＥＭレビュー装置５１に出力する。
【００９７】
ＳＥＭレビュー装置５１は、ウェハ１００のショットを特定し、当該ショットの角部に設定されている原点からの座標に基づき、欠陥のＳＥＭ像を取得部５１ｂで取得する。欠陥検査装置３０からＳＥＭレビュー装置５１に出力される欠陥の座標は、ショットの角部に設定されている原点からの座標になっている。そのため、ＳＥＭレビュー装置５１でのＳＥＭ像の取得の際、対象欠陥がＳＥＭの視野から外れてしまうのを抑制し、欠陥検査装置３０で検出されたウェハ１００端部の欠陥について、そのＳＥＭ像を、精度良く、自動的に、取得することが可能になる。
【００９８】
また、図２３に示すように、ウェハ１００の端部の欠陥を検査する欠陥検査装置（エッジ検査装置）３０に加え、ウェハ１００の端部より内側の欠陥を検査する別の欠陥検査装置（表面欠陥検査装置）５２を更に含む欠陥検査システム５０ａを実現することもできる。欠陥検査装置５２は、ウェハ１００の端部より内側の領域にある欠陥を、ショットの角部に設定された原点からの座標で検出し、その座標を記憶部５２ａに記憶し、記憶したその座標を、座標出力部５２ｂからＳＥＭレビュー装置５１に出力する。ＳＥＭレビュー装置５１は、欠陥検査装置５２から出力される、ショットの角部に設定されている原点からの座標に基づき、ウェハ１００の端部より内側の領域にある欠陥のＳＥＭ像を、精度良く、自動的に、取得する。
【００９９】
尚、欠陥検査装置３０が有する処理機能は、コンピュータを用いて実現することができる。
図２４はコンピュータを用いた欠陥検査装置に含まれるハードウェアの一構成例を示す図である。
【０１００】
欠陥検査装置３０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２０１によって、装置全体が制御され、上記のような処理機能が実現される。ＣＰＵ２０１とバス２０８を介して接続されたＲＡＭ（Random Access Memory）２０２には、ＣＰＵ２０１に実行させるＯＳ（Operating System）のプログラムやアプリケーションプログラムの少なくとも一部が一時的に格納される。また、ＲＡＭ２０２には、ＣＰＵ２０１による処理に必要な各種データが格納される。
【０１０１】
バス２０８に接続されている周辺機器としては、ＨＤＤ２０３、グラフィック処理装置２０４、入力インタフェース２０５、光学ドライブ装置２０６、及び通信インタフェース２０７がある。ＨＤＤ２０３には、ＯＳのプログラム、アプリケーションプログラム、及び各種データ（例えば、レシピ、欠陥座標、ショットに関する情報等のデータ）が格納される。グラフィック処理装置２０４は、ＣＰＵ２０１からの命令に従って、画像を、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）を用いた表示装置や液晶表示装置等のモニタ３０１の画面に表示させる。入力インタフェース２０５は、キーボード３０２やマウス３０３から送られてくる信号（例えば、レシピ、ショットに関する情報等を示す信号）をＣＰＵ２０１に送信する。光学ドライブ装置２０６は、レーザ光等を利用して、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）−ＲＡＭやＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc Read Only Memory）等の光ディスク３０４に記録されたデータの読み取りを行う。通信インタフェース２０７は、ネットワーク４００を介して、他の装置との間でデータの送受信（変換後の欠陥座標のＳＥＭレビュー装置への送信等）を行う。
【０１０２】
以上のようなハードウェア構成によって、欠陥検査装置３０の処理機能を実現することができる。尚、欠陥検査装置１０についても、これと同様のハードウェア構成によって、その処理機能を実現することができる。
【０１０３】
また、欠陥検査装置１０，３０が有すべき機能の処理内容を記述したプログラムが提供される。そのプログラムをコンピュータで実行することにより、上記処理機能がコンピュータ上で実現される。処理内容を記述したプログラムは、コンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録しておくことができる。
【０１０４】
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  複数のスクライブラインを含むウェハの表面画像を取得する工程と、
取得された前記表面画像を用いて、前記ウェハの欠陥を、前記ウェハに設定されている第１原点からの座標で検出する工程と、
取得された前記表面画像を用いて、前記複数のスクライブラインのうちの一のスクライブラインを検出する工程と、
検出された前記一のスクライブラインに基づき、前記欠陥の前記第１原点からの座標を、前記複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する工程と
を含むことを特徴とする欠陥検査方法。
【０１０５】
（付記２）  取得された前記表面画像に含まれる、前記ウェハの端を検出する工程と、
検出された前記一のスクライブラインと前記ウェハの端との配置に基づき、検出された前記一のスクライブラインの、前記ウェハ上での位置を決定する工程と
を更に含み、
前記位置に基づき、前記欠陥の前記第１原点からの座標を前記第２原点からの座標に変換する
ことを特徴とする付記１に記載の欠陥検査方法。
【０１０６】
（付記３）  検出された前記一のスクライブラインを、検出された前記ウェハの端に向かって延長し、前記一のスクライブラインと前記ウェハの端との配置を求めることを特徴とする付記２に記載の欠陥検査方法。
【０１０７】
（付記４）  前記一のスクライブラインと前記ウェハの端との配置を、予め設定された配置と比較し、前記一のスクライブラインの位置を決定することを特徴とする付記２又は３に記載の欠陥検査方法。
【０１０８】
（付記５）  検出された前記一のスクライブラインに基づき、前記ウェハに対して行われる露光のショットの仮想レイアウトを生成する工程を含み、
前記欠陥の前記第１原点からの座標を、前記仮想レイアウトのショットに設定されている前記第２原点からの座標に変換する
ことを特徴とする付記１乃至４のいずれかに記載の欠陥検査方法。
【０１０９】
（付記６）  前記表面画像を、前記ウェハの外周に沿って取得することを特徴とする付記１乃至５のいずれかに記載の欠陥検査方法。
（付記７）  取得された前記表面画像のうち、前記ウェハの、前記一のスクライブラインが含まれる領域に対応した表面画像を抽出し、抽出した当該表面画像から前記一のスクライブラインを検出することを特徴とする付記１乃至６のいずれかに記載の欠陥検査方法。
【０１１０】
（付記８）  前記欠陥の前記第２原点からの座標を用いて、前記欠陥の電子顕微鏡画像を取得する工程を更に含むことを特徴とする付記１乃至７のいずれかに記載の欠陥検査方法。
【０１１１】
（付記９）  複数のスクライブラインを含むウェハの表面画像を取得する取得部と、
前記取得部で取得された前記表面画像を用いて、前記ウェハの欠陥を、前記ウェハに設定されている第１原点からの座標で検出する第１検出部と、
前記取得部で取得された前記表面画像を用いて、前記複数のスクライブラインのうちの一のスクライブラインを検出する第２検出部と、
前記第２検出部で検出された前記一のスクライブラインに基づき、前記第１検出部で検出された前記欠陥の前記第１原点からの座標を、前記複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する変換部と
を含むことを特徴とする欠陥検査装置。
【０１１２】
（付記１０）  複数のスクライブラインを含むウェハの表面画像を取得する取得部と、
前記取得部で取得された前記表面画像を用いて、前記ウェハの欠陥を、前記ウェハに設定されている第１原点からの座標で検出する第１検出部と、
前記取得部で取得された前記表面画像を用いて、前記複数のスクライブラインのうちの一のスクライブラインを検出する第２検出部と、
前記第２検出部で検出された前記一のスクライブラインに基づき、前記第１検出部で検出された前記欠陥の前記第１原点からの座標を、前記複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する変換部と
を含む第１欠陥検査装置と、
前記欠陥の前記第２原点からの座標を用いて、前記欠陥の電子顕微鏡画像を取得する第２取得部を含む第２欠陥検査装置と
を含むことを特徴とする欠陥検査システム。
【符号の説明】
【０１１３】
１，５０，５０ａ  欠陥検査システム
１０，３０，５２  欠陥検査装置
１１，２１，５１ｂ  取得部
１２  第１検出部
１３  第２検出部
１４  変換部
１５，３５，５２ａ  記憶部
１６，２２，３１，５１ａ  ステージ
２０，５１  ＳＥＭレビュー装置
３２  回転機構部
３３  駆動制御部
３４  搬送部
３４ａ  ポート
３４ｂ  ハンドラー
３４ｃ  位置合わせ機構部
３６  画像取得部
３７  表示部
３８  欠陥検出部
３９  スクライブライン検出部
４０  エッジライン検出部
４１  パターン取得部
４２  パターン比較部
４３  仮想レイアウト生成部
４４  座標変換部
４５，５２ｂ  座標出力部
４６  入力部
１００  ウェハ
１０１  スクライブライン
１２０  表面画像
１２１，１２１ａ  部分
１２１ｂ，１２２，１５０，１６０  反射率波形
１２１ｃ  点線
１３０  ショットレイアウト
１３１，１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄ，１４１，１７１  スクライブライン
１４０，１４０ａ  二値化画像
１４２  エッジライン
１４３  交差パターン
１４３ａ  交角
１４５  パターン
１５１，１６１  波形部分
１７０  仮想レイアウト
１７１ａ  中心線
１７３  原点マーク
１７３ａ  角
１８０  欠陥
１８１  ショット
２０１  ＣＰＵ
２０２  ＲＡＭ
２０３  ＨＤＤ
２０４  グラフィック処理装置
２０５  入力インタフェース
２０６  光学ドライブ装置
２０７  通信インタフェース
２０８  バス
３０１  モニタ
３０２  キーボード
３０３  マウス
３０４  光ディスク
４００  ネットワーク
Ｏ１，Ｏ２  原点
Ｔ１，Ｔ２  閾値
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４  方向
【図１】
2012134310.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2012134310.tif 000007
【図６】
2012134310.tif 000008
【図７】
2012134310.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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