(57)【要約】【課題】導電性及び密着性に優れ、耐候性が良好な導電性ペースト及び該ペーストを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池を提供する。【解決手段】球状の半導体及びその表面を被覆する半導体層からなり、上記半導体層が半導体の一部を露出させる開口部を有し、この半導体の露出部に電極が形成された複数の球状光電変換素子と、複数の球状光電変換素子を個々に内部に配置して取り付けるための複数の凹部を有し、上記凹部が半導体層の開口部より大きい孔を底部に有し、上記半導体層と電気的に接続される導電体層を兼ねる構造を有する支持体とを備えた光電変換装置の半導体の露出部を孔と対向させた状態で球状光電変換素子を孔の縁部に固着するとともに半導体層と導電体層とを電気的に接続するための導電性ペーストにおいて、上記ペーストがＡｇ粉末、熱可塑性樹脂、ガラスフリット及び溶媒を少なくとも含むことを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
球状の半導体及びその表面を被覆する半導体層からなり、前記半導体層が前記半導体の一部を露出させる開口部を有し、前記半導体の露出部に電極が形成された複数の球状光電変換素子と、前記複数の球状光電変換素子を個々に内部に配置して取り付けるための複数の凹部を有し、前記凹部が前記半導体層の開口部より大きい孔を底部に有し、前記半導体層と電気的に接続される導電体層を兼ねる構造を有する支持体とを備えた光電変換装置の前記半導体の露出部を前記孔と対向させた状態で前記球状光電変換素子を前記孔の縁部に固着するとともに前記半導体層と前記導電体層とを電気的に接続するための導電性ペーストにおいて、
前記ペーストがＡｇ粉末、熱可塑性樹脂、ガラスフリット及び溶媒を少なくとも含むことを特徴とする導電性ペースト。
【請求項２】
熱可塑性樹脂がアクリル系樹脂である請求項１記載の導電性ペースト。
【請求項３】
ペースト中に含まれるＡｇ粉末の含有割合が５０〜９０質量％、ガラスフリットの含有割合が１〜１０質量％、熱可塑性樹脂及び溶媒が残部である請求項１又は２記載の導電性ペースト。
【請求項４】
前記複数の球状光電変換素子と前記支持体との固着及び電気的接続に請求項１ないし３いずれか１項に記載の導電性ペーストを用いることを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし３いずれか１項に記載の導電性ペーストを用いて製造された太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、球状の光電変換素子とこの素子を内部に配置する凹部を有する支持体とを備えた光電変換装置の球状光電変換素子と支持体とを固着するとともに、球状光電変換素子の半導体層と支持体の導電体層とを電気的に接続するために使用する導電性ペースト及び該ペーストを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、環境保護の立場から、クリーンなエネルギーの研究開発が進められている。中でも太陽電池は、その資源である太陽光が無限であること、無公害であることなどから注目を集めている。
【０００３】
従来、太陽電池による太陽光発電には、単結晶シリコンや多結晶シリコンのバルク状結晶を製造し、これをスライス加工した半導体ウェーハを光電変換層として使用するバルク太陽電池が用いられてきた。しかしバルク太陽電池に使用する上記シリコン結晶は、結晶の成長に多くのエネルギと時間とを要し、かつ、続く製造工程においても複雑な工程が必要となるため量産効率が上がり難く、また、原料の多くが無駄になり、低価格の太陽電池を提供することが困難であった。
【０００４】
一方、厚さが数マイクロメートル以下のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）などの半導体層を光電変換層として用いたａ−Ｓｉ太陽電池は、ガラスやステンレススチールなどの安価な基板上に、光電変換層となる半導体層をプラズマ化学気相成長法等の手法によって薄膜状に形成するので、シリコン結晶を使用する場合のような複雑な工程が不要であり、積層した膜の全てを素子の活性層として用いることができる。従って、このａ−Ｓｉ太陽電池は、薄型で軽量、製造コストの安さ、大面積化が容易であることなどの利点を有する。その反面、このａ−Ｓｉ太陽電池にはアモルファス構造に起因して光電変換効率が経時的に低下するという問題があった。
【０００５】
ａ−Ｓｉ太陽電池のような特性低下がなく、安価で、高出力が期待できる太陽電池として、球状のｐ型半導体の表面にｎ型半導体層を形成した球状の光電変換素子を用いた光電変換装置が検討されている。この光電変換装置は、直径１ｍｍ前後の小さな球状素子を用いることにより、光電変換部全体の平均厚みを薄くし、原料Ｓｉの使用量を軽減するものである。
【０００６】
この種の光電変換装置では、多数の凹部を有する支持体の各凹部内に、直径１ｍｍ前後の球状の光電変換素子を取り付けた構成とし、凹部内面を反射鏡として作用させている。上記構成によれば、素子の材料、特に高価なＳｉの使用量を低減するとともに、反射鏡の作用により、素子に直接照射される光の４〜６倍の光を素子に照射できるので、光の有効利用ができるなどの利点を有する。また、支持体の凹部の底に孔を有し、孔の縁部に導電性接着剤により球状の光電変換素子を固定する構造がとられる。そして、素子は、その表面の半導体層が上記導電性接着剤により導電体層を兼ねる支持体に接続される。一方、表面を研削して半導体の露出部を設け、ここに半導体の電極が形成され、支持体の孔を通して支持体とは絶縁された導電体に電気的に接続される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
この特許文献１では、球状の光電変換素子を支持体に固定するための導電性接着剤として、エポキシ系接着剤にＡｇ粉を導電材として混合したものが使用され、支持体裏面側の孔の内壁面にこの導電性接着剤を塗布し、素子の電極を有する部分を孔内に位置するように押しつけ、１５０℃で加熱処理することで素子を支持体に固定することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−３０２９６２号公報（段落［０００３］，［０００４］，［００２３］、図９，１０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
球状の光電変換素子と支持体とを固定した後は、支持体の凹部に樹脂などの封止材を導入することで、固着した球状光電変換素子は封止されるが、上記特許文献１に示されたエポキシ系接着剤を使用した導電性接着剤を用いた場合、得られた光電変換装置を実地に設置して使用していると、その熱履歴や湿度によって光電変換装置内部に水分が徐々に入り込み、この水分が存在することによって固定箇所のエポキシ系接着剤が劣化し、導電性が低下したり、固定強度が低下するといった問題が生じる。
【００１０】
また、支持体に導電性接着剤を塗布し、球状の光電変換素子を塗布面に接触させた状態、即ち、加熱処理前は、従来の導電性接着剤に混合しているエポキシ系接着剤は接着性に劣るため、球状の光電変換素子が支持体から外れてしまうおそれがあった。
【００１１】
本発明の目的は、焼成前の密着性に優れ、かつ、焼成後の導電性及び密着性に優れ、耐候性が良好な、導電性ペースト及び該ペーストを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は上記従来の導電性ペーストの有する問題点を解決するために鋭意検討し、熱可塑性樹脂を配合することで焼成前の密着性を向上させ、また、熱硬化性樹脂に代えてガラスフリットとすることで耐候性を向上させることで上記問題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
【００１３】
本発明の第１の観点は、図３に示すように、球状の半導体１１及びその表面を被覆する半導体層１２からなり、上記半導体層１２が半導体１１の一部を露出させる開口部１３を有し、この半導体１１の露出部１４に電極１６が形成された複数の球状光電変換素子１０と、複数の球状光電変換素子１０を個々に内部に配置して取り付けるための複数の凹部２１を有し、上記凹部２１が半導体層１２の開口部１３より大きい孔２２を底部に有し、上記半導体層１２と電気的に接続される導電体層を兼ねる構造を有する支持体２０とを備えた光電変換装置３０の半導体１１の露出部１４を孔２２と対向させた状態で球状光電変換素子１０を孔２２の縁部に固着するとともに半導体層１２と導電体層とを電気的に接続するための導電性ペースト２３において、上記ペースト２３がＡｇ粉末、熱可塑性樹脂、ガラスフリット及び溶媒を少なくとも含むことを特徴とする。
【００１４】
本発明の第２の観点は、第１の観点に基づく発明であって、更に上記熱可塑性樹脂がアクリル系樹脂であることを特徴とする。
【００１５】
本発明の第３の観点は、第１又は第２の観点に基づく発明であって、更に上記ペースト中に含まれるＡｇ粉末の含有割合が５０〜９０質量％、ガラスフリットの含有割合が１〜１０質量％、熱可塑性樹脂及び溶媒が残部であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第４の観点は、複数の球状光電変換素子と支持体との固着及び電気的接続に第１ないし第３の観点に基づく導電性ペーストを用いることを特徴とする太陽電池の製造方法である。
【００１７】
本発明の第５の観点は、第１ないし第３の観点に基づく導電性ペーストを用いて製造された太陽電池である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の導電性ペーストは、光電変換装置の球状光電変換素子と支持体とを固着するとともに、球状光電変換素子の半導体層と支持体の導電体層とを電気的に接続するための導電性ペーストであり、上記ペースト中にＡｇ粉末、熱可塑性樹脂、ガラスフリット及び溶媒を少なくとも含むので、熱可塑性樹脂と溶媒が塗布乾燥後の密着性に寄与するため、焼成前であっても球状の光電変換素子が支持体から外れることがなく、また、ガラスフリットが焼成後の密着性に寄与するため、得られた光電変換装置を実地に設置して使用して、その熱履歴や湿度によって光電変換装置内部に水分が徐々に入り込んだとしても、従来のエポキシ系接着剤に比べると劣化が小さいため、導電性の低下や、固定強度の低下を抑制できるため、耐候性に優れる。
【００１９】
また本発明の太陽電池は、上記導電性ペーストを用いて製造され、ペースト中に含まれるガラスフリットが焼成後の密着性に寄与するため、得られた光電変換装置を実地に設置して使用して、その熱履歴や湿度によって光電変換装置内部に水分が徐々に入り込んだとしても、従来のエポキシ系接着剤に比べると劣化が小さいため、導電性の低下や、固定強度の低下を抑制できるため、耐候性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明実施形態の光電変換装置の概略図である。
【図２】（ａ）は球状光電変換素子の断面図、（ｂ）は支持体の断面図である。
【図３】本発明の導電性ペーストを用いた光電変換装置の工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。
【００２２】
本発明の導電性ペーストは、球状の光電変換素子とこの素子を内部に配置する凹部を有する支持体とを備えた光電変換装置の球状光電変換素子と支持体とを固着するとともに、球状光電変換素子の半導体層と支持体の導電体層とを電気的に接続するために用いられる。
【００２３】
本発明の特徴ある構成は、ペースト中に、Ａｇ粉末、熱可塑性樹脂、ガラスフリット及び溶媒を少なくとも含むところにある。このように構成された導電性ペーストでは、熱可塑性樹脂と溶媒が塗布乾燥後の密着性に寄与するため、焼成前であっても球状の光電変換素子が支持体から外れることがなく、また、ガラスフリットが焼成後の密着性に寄与するため、得られた光電変換装置を実地に設置して使用して、その熱履歴や湿度によって光電変換装置内部に水分が徐々に入り込んだとしても、従来のエポキシ系接着剤に比べると劣化が小さいため、導電性の低下や、固定強度の低下を抑制できるため、耐候性に優れる。
【００２４】
本発明の導電性ペーストに含有するＡｇ粉末には、平均粒径が０．１〜１．０μｍの範囲内の粉末を使用することが好適である。また、熱可塑性樹脂としては、１００℃以上の加熱により軟化することが可能な、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース系樹脂及びポリアミド系樹脂を使用することができる。このうち、アクリル樹脂が熱分解性及び基板への密着性の理由により好ましい。また、ガラスフリットとしては、酸化鉛、酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化リン、酸化カルシウム及び酸化チタンからなる群より選ばれた１種又は２種以上の酸化物からなり、３５０〜５００℃の軟化点を有する酸化物を使用することができる。ガラスフリットの平均粒子径については０．１〜１．０μｍであることが好ましい。なお、本発明で使用されるガラスフリット及びＡｇ粉末の平均粒径は、レーザー回折／散乱式粒度分布測定装置（株式会社堀場製作所製  ＬＡ−９１０）を用い、ＪＩＳ  Ｒ  １６２９に従って測定した時の、体積基準の積算分率における５０％径の値（Ｄ50）をいう。更に、溶媒としては、熱可塑性樹脂を溶解できる有機溶剤であれば特に限定されるものではないが、具体的には、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、カルビトール系溶剤、炭化水素系溶剤、ジオール系溶剤、グリコール系溶剤、グリコールエーテル系溶剤などが挙げられ、更にこれらの溶剤を複数混合させた溶剤も使用することができる。
【００２５】
本発明の導電性ペーストは、焼成前の密着性、焼成後の導電性及び密着性をそれぞれ考慮すると、Ａｇ粉末の含有割合が５０〜９０質量％、ガラスフリットの含有割合が１〜１０質量％、熱可塑性樹脂及び溶媒が残部とすることが好ましい。このうち、Ａｇ粉末が８３質量％、アクリル系樹脂と溶媒の合計が１５質量％、ガラスフリットが２質量％の割合が特に好ましい。
【００２６】
本発明の導電性ペーストは、Ａｇ粉末、熱可塑性樹脂、ガラスフリット及び溶媒を上記含有割合となるように加え、ミキサで混合し、更に三本ロールミルを用いて１００〜４００Ｐａ・ｓ程度混練することにより得られる。
【００２７】
次に本発明の導電性ペーストを用いた光電変換装置の製造方法を説明する。
【００２８】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、複数の球状光電変換素子１０と支持体２０をそれぞれ用意する。
【００２９】
図２（ａ）に示すように、球状光電変換素子１０は、球状の半導体１１及びその表面を被覆する半導体層１２からなり、上記半導体層１２が半導体１１の一部を露出させる開口部１３を有し、更に半導体の露出部１４に電極１６が形成された構成をとる。
【００３０】
この球状光電変換素子１０は、例えば、以下のようにして製造することができる。先ず、極微量のホウ素を含むｐ型多結晶Ｓｉ塊を坩堝内に供給して不活性ガス雰囲気中で溶融させ、この融液を坩堝底部の微小なノズル孔から滴下させ、その液滴を自然落下中に冷却して固化させることにより、多結晶又は単結晶の球状のｐ型半導体を作製する。次に、球状のｐ型半導体の表面を研磨し、更にエッチングなどにより表面層の約５０μｍを除去した後、オキシ塩化リンを拡散源として８００〜９５０℃で１０〜３０分間熱処理する。これにより、ｐ型半導体の表面にリンを拡散させた厚さが約０．５μｍ程度のｎ型半導体層を半導体層として形成する。なお、このｎ型半導体層は、ｐ型半導体表面にフォスフィンを含むシランなどの混合ガスを用いたＣＶＤ法を施すことによっても形成することができる。上記のようにして直径０．８〜１．２ｍｍ程度の球状の半導体１１及びその表面を被覆する半導体層１２からなる球状の素子を作製する。
【００３１】
上記のように球状の半導体１１の表面に半導体層１２を形成した後、その一部を例えばグラインドなどの手法により研削して除去することにより、半導体層１２に開口部１３を形成し、半導体１１の一部を露出させる。なお、開口部１３は、球状素子の表面の一部を残してパラフィンなどでマスキングし、エッチング処理によりマスキング部分以外の半導体層１２を除去する方法によっても形成することができる。
【００３２】
なお、上記の実施形態では、半導体１１がｐ型半導体であり、半導体層１２がｎ型半導体層である球状素子を例示したが、半導体１１がｎ型半導体であり、半導体層１２がｐ型半導体層であっても良い。また、上記の実施形態では、結晶Ｓｉ半導体からなる球状素子を例示したが、化合物半導体その他の材料から構成されてもよく、単結晶や多結晶に限らず、アモルファス材料から構成されてもよい。また、半導体１１と半導体層１２の界面にノンドープ層を形成したｐｉｎ形構造としてもよく、更に、ＭＩＳ形やショットキーバリヤ形、ホモ接合形、ヘテロ接合形などの構成を有していてもよい。
【００３３】
続いて、半導体１１の露出部１４に電極１６を形成する。電極１６は、例えば、半導体１１の露出部１４に導電性ペーストを塗布し、熱処理することにより形成することができる。半導体１１がｐ型半導体から構成される場合には、一般的に、Ａｌ粉若しくはこれにＡｇ粉などを混合した導電材を分散させたガラスフリット型導電性ペーストが用いられる。電極１６を形成する際の導電性ペーストの塗布方法は、ディスペンサー法に限らず、スクリーン印刷やオフセット印刷、インクジェット法で行うこともできる。電極１６の形状は特に限定せず、円形以外に、楕円形、多角形、リング状或いは点の集合などであってもよい。
【００３４】
図２（ｂ）に示すように、支持体２０は、前述した複数の球状光電変換素子１０を個々に内部に配置して取り付けるための複数の凹部２１を有し、上記凹部２１が球状光電変換素子１０の半導体層１２の開口部１３より大きい孔２２を底部に有し、上記半導体層１２と電気的に接続される導電体層を兼ねる構造を有する。
【００３５】
この支持体２０は、例えば、厚さ０．２ｍｍのＡｌ薄板をプレス加工して作製され、支持体２０の凹部２１は蜂の巣状に形成されその開口端は図２（ｂ）に示される支持体２０を下方より視たときに六角形をなす。各開口端は相互に隣接し、凹部２１は底になるほど狭くなっている。凹部２１の底部に形成された孔２２は前述した球状光電変換素子１０の半導体の露出部１４よりやや大きい。孔２２は円形であってもその他の形状であってもよいが、半導体の露出部１４と相似形であることが好ましい。
【００３６】
また、半導体層１２と支持体２０の凹部２１の底部を接続させることにより、支持体２０は導電体層として機能し、各球状光電変換素子１０の半導体層１２を電気的に並列に接続する役割を果たす。そのため、本発明における支持体２０の少なくとも受光面側は導電性を有することを必要とする。
【００３７】
支持体２０に耐熱性が乏しい材料を用いると、球状光電変換素子を位置決めした後の熱処理工程などによって変形或いは変質し易いので、本発明では金属などの耐熱性を確保できる支持体用材料を使用することが好ましい。支持体の主材料としては、加工性、導電性、フレキシブル性及びコスト等を総合するとＡｌが好ましいが、Ｃｕ、ステンレス鋼及びＮｉなどの他の導電性材料であっても良い。導電性及び反射性に優れたＡｇなどのメッキ層を表面に形成することにより、導電体層或いは反射鏡としての機能を高めることもできる。
【００３８】
そして、図３に示すように、支持体２０の孔２２の縁部に本発明の導電性ペースト２３を塗布する。導電性ペーストの塗布方法は、特に限定されるものではないが、ディスペンス法や転写法などを使用することができる。
【００３９】
次に、球状の光電変換素子１０の半導体１１の露出部１４を支持体２０の凹部２１内の孔２２と対向させ、この状態で球状光電変換素子１０を孔２２の縁部に接触させる。そして接触させた状態で、１５０℃、３０分間保持することで、導電性ペースト２３を乾燥させる。導電性ペースト２３に含有する熱可塑性樹脂と溶媒が塗布乾燥後の密着性に寄与するため、焼成前であっても球状の光電変換素子１０が支持体２０から外れることがなく、優れた密着性を有する。
【００４０】
次に、接触させた箇所を焼成する。この焼成により、球状光電変換素子１０が支持体２０の凹部２１内の孔２２の縁部に固着され、球状光電変換素子１０の半導体層１２と支持体２０の導電体層とが電気的に接続される。導電性ペースト２３に含有するガラスフリットが焼成後の密着性に寄与するため、得られた光電変換装置を実地に設置して使用して、その熱履歴や湿度によって光電変換装置内部に水分が徐々に入り込んだとしても、従来のエポキシ系接着剤に比べると劣化が小さいため、導電性の低下や、固定強度の低下を抑制できるため、耐候性に優れた光電変換装置が得られる。
【００４１】
焼成にはレーザーを用い、接触させた箇所へのレーザー照射で局所的に焼成することが、光電変換素子や支持体の材質を痛めることがないため好ましい。また、焼成温度はガラスが軟化し、且つ、Ａｇが焼結させる必要があるという理由から、４００〜１２００℃の範囲内が好ましい。
【００４２】
焼成後は、図１に示すように、凹部２１に封止材２４を導入して、固着した球状光電変換素子１０を封止することで、光電変換装置３０が得られる。封止材としては、例えば、シリコーン樹脂やウレタン樹脂等を使用することができるが、これらに限らず、従来より知られている材料を採用することができる。
【００４３】
上述のようにして得られた太陽電池は、上記導電性ペースト中に含まれるガラスフリットが焼成後の密着性に寄与するため、得られた光電変換装置を実地に設置して使用して、その熱履歴や湿度によって光電変換装置内部に水分が徐々に入り込んだとしても、従来のエポキシ系接着剤に比べると劣化が小さいため、導電性の低下や、固定強度の低下を抑制できるため、耐候性に優れる。
【実施例】
【００４４】
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
【００４５】
＜実施例１＞
粒径０．２μｍのＡｇ粉末、アクリル系樹脂、ガラスフリット及び溶媒を、Ａｇ粉末の含有割合が８３質量％、ガラスフリットの含有割合が２質量％、アクリル系樹脂及び溶媒の合計が１５質量％となるように加え、ミキサで混合し、更に三本ロールミルを用いて混練したものを実施例１の導電性ペーストとした。なお、ガラスフリットにはＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス粉末を、溶媒にはブチルカルビトールアセテートを使用した。
【００４６】
＜比較例１＞
エポキシ系接着剤に粒径１〜１０μｍの球状及び鱗片状Ａｇ粉末を導電材として混合したものを比較例１の導電性ペーストとした。配合割合はエポキシ系接着剤が１５質量％、Ａｇ粉末が８５質量％とした。
【００４７】
＜比較試験及び評価１＞
実施例１及び比較例１の導電性ペーストを用い、図３に示すように、支持体２０の孔２２の縁部に導電性ペーストを塗布し、球状光電変換素子１０の半導体１１の露出部１４を支持体２０の凹部２１内の孔２２と対向させ、この状態で球状光電変換素子１０を孔２２の縁部に接触させ、そして接触させた状態で、１５０℃、３０分間保持することで、乾燥させた。次に、実施例１では、接触させた箇所へレーザー照射して、１０００℃で焼成した。また、比較例１では、球状光電変換素子１０を接触させた支持体２０を２００℃に加熱した。そして、凹部２１に封止材２４を導入して、固着した球状光電変換素子１０を封止することで、光電変換装置３０を得た。
【００４８】
得られた光電変換装置３０の抵抗値を測定し、これを０日における抵抗値とした。次に光電変換装置３０を高温高湿槽（８５℃、８５％）に入れ、３日後、７日後の抵抗値をそれぞれ測定し、０日の抵抗値を１００％としたときの変化率を求め、これを光電変換装置の耐候性評価とした。その結果を次の表１に示す。
【００４９】
【表１】
2012146767.tif 000002
表１から明らかなように、比較例１の導電性ペーストを用いて製造された光電変換装置では、３日後には１５０％、７日後には２００％と、抵抗値の変化幅が大きく、耐候性に劣る結果となった。一方、実施例１の導電性ペーストを用いて製造された光電変換装置では、３日後では１１０％、７日後では１２０％と、抵抗値の変化幅が小さく、耐候性に優れることが確認された。
【符号の説明】
【００５０】
１０  球状光電変換素子
１１  球状の半導体
１２  半導体層
１３  開口部
１４  露出部
１６  電極
２０  支持体
２１  凹部
２２  孔
２３  導電性ペースト
２４  封止材
３０  光電変換装置
【図１】
2012146767.tif 000003
【図２】
2012146767.tif 000004
【図３】
2012146767.tif 000005