(57)【要約】【課題】光発生装置を構成する半導体レーザ、光学部品及び光導波路を基板上に搭載固定するに際して、各半導体レーザ、光学部品及び光導波路相互間の位置合わせを精度良く行うことが可能な光発生装置を提供する。【解決手段】シリコン基板２上にて半導体レーザ４が搭載固定される半導体レーザ搭載領域８の基準面６からの高さが大きくなるとともに、光学部品３が搭載固定される光学部品搭載領域７及び放熱部材１３を介して光導波路５が搭載固定される光導波路搭載領域９の基準面６からの高さが小さくなるように、シリコン基板２に選択的エッチングが行われてシリコン基板２に各搭載領域７、８、９による凹凸形状が形成され、これに基づき半導体レーザ４、光学部品３、光導波路５の相互間における高さ方向の位置合わせが行われるように光発生装置１を構成する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ、光学部品及び光導波路をシリコン基板上に搭載した光発生装置において、
前記シリコン基板上にて前記半導体レーザ、光学部品及び光導波路が搭載される各搭載領域のそれぞれが基準面から所定の高さとなるように凹凸形状を有し、半導体レーザ、光学部品及び光導波路の相互間の位置合わせが前記シリコン基板の凹凸形状に基づいて行われることを特徴とする光発生装置。
【請求項２】
前記シリコン基板上には、前記半導体レーザを電気的に接続する配線回路が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光発生装置。
【請求項３】
前記シリコン基板の外周縁には、前記各搭載領域に対応した開口を有する回路基板が載置され、前記半導体レーザは、前記回路基板と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の光発生装置。
【請求項４】
半導体レーザ、光学部品及び光導波路をシリコン基板上に搭載した光発生装置において、
前記シリコン基板には、前記半導体レーザを位置決めする第１位置決め溝及び前記光導波路を位置決めする第２位置決め溝が形成され、
前記半導体レーザ及び光導波路は、それぞれ第１位置決め溝及び第２位置決め溝に位置決めされることにより、相互に位置合わせされることを特徴とする光発生装置。
【請求項５】
前記光導波路は、導波路型の第２次高調波発生素子であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の光発生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、半導体レーザ、光学部品及び光導波路を基板上に搭載した光発生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板上に半導体レーザ、光学部品及び光導波路を搭載し、半導体レーザから発せられる光を光学部品から光導波路に導光することにより、第２次高調波のような短波長光を得る各種の光発生装置が提案されている。
【０００３】
例えば、ＳＨＧ（Second Harmonic Generation：第２次高調波）発生素子とそのＳＨＧ発生装置において、ＳＨＧ発生素子が、半導体レーザから発生される基本波の光軸に沿って配置される装置や平板状のシリコン（Ｓｉ）基板上に搭載固定される装置が知られている（特許文献１、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−１６０９３０号公報
【特許文献２】特開２００１−１９４６９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記特許文献１に記載されたＳＨＧ発生装置では、この装置を構成する半導体レーザ、光学レンズ系及び光導波路を半導体レーザからの光の光軸に沿って配設する構造が記載されているものの、半導体レーザ、光学レンズ系及び光導波路を搭載固定する基板については開示、示唆されてはいない。
【０００６】
ここに、かかるＳＨＧ装置では、所望の第２次高調波を得るために、半導体レーザ、光学レンズ系、光導波路とこれらが搭載固定される基板の相互間で非常に厳格な位置合わせ精度が要求されるところ、基板については何ら記載されていないことから、各半導体レーザ、光学レンズ系及び光導波路の位置合わせがどのように行われるかについては不明である。
【０００７】
また、前記特許文献２の短波長光発生装置では、半導体レーザと光波長変換素子が平板状のＳｉマウント上に搭載固定されており、このＳｉマウントは寸法精度安定性等の見地からして半導体レーザ等を搭載固定する基板としては好ましいものではあるが、この種の光発生装置においては、一般に半導体レーザから発せられた光の光軸等を適正に調整するため光学部品が必要とされ、光学部品の存在を勘案した場合、半導体レーザ、光学部品及び光導波路を平板状のＳｉマウントに搭載固定して各半導体レーザ、光学部品及び光導波路相互間の位置合わせを精度良く行うことは困難なものである。
【０００８】
本願は、光発生装置を構成する半導体レーザ、光学部品及び光導波路を基板上に搭載固定するに際して、各半導体レーザ、光学部品及び光導波路相互間の位置合わせを精度良く行うことが可能な光発生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願の一観点に基づけば、本願に係る光発生装置は、半導体レーザ、光学部品及び光導波路をシリコン基板上に搭載した光発生装置において、前記シリコン基板上にて前記半導体レーザ、光学部品及び光導波路が搭載される各搭載領域のそれぞれが基準面から所定の高さとなるように凹凸形状を有し、半導体レーザ、光学部品及び光導波路の相互間の位置合わせが前記シリコン基板の凹凸形状に基づいて行われる。
【００１０】
また、本願の他の観点に基づけば、本願に係る光発生装置は、半導体レーザ、光学部品及び光導波路をシリコン基板上に搭載した光発生装置において、前記シリコン基板には、前記半導体レーザを位置決めする第１位置決め溝及び前記光導波路を位置決めする第２位置決め溝が形成され、前記半導体レーザ及び光導波路は、それぞれ第１位置決め溝及び第２位置決め溝に位置決めされることにより、相互に位置合わせされる。
【発明の効果】
【００１１】
本願の一観点に基づく光発生装置では、シリコン基板上にて半導体レーザ、光学部品及び光導波路が搭載される各搭載領域のそれぞれが基準面から所定高さとなるように凹凸形状を有し、半導体レーザ、光学部品及び光導波路の相互間の位置合わせがシリコン基板の凹凸形状に基づいて行われるので、各半導体レーザ、光学部品、光導波路の位置合わせ精度は、シリコン基板に対する凹凸形状の加工精度で決定されることとなる。従って、シリコン基板は、比較的容易に精度良く凹凸加工され、また、寸法精度安定性を有していることに基づき、かかるシリコン基板上に搭載される半導体レーザ、光学部品及び光導波路相互間の位置合わせを精度良く行うことができる。
【００１２】
本願の他の観点に基づく光発生装置では、シリコン基板には、半導体レーザを位置決めする第１位置決め溝及び光導波路を位置決めする第２位置決め溝が形成され、半導体レーザ及び光導波路は、それぞれ第１位置決め溝及び第２位置決め溝に位置決めされることにより、相互に位置合わせされるので、半導体レーザと光導波路の位置合わせ精度は、シリコン基板に対する第１位置決め溝と第２位置決め溝の加工精度で決定されることとなる。従って、シリコン基板は、比較的容易に精度良く溝加工され、また、寸法精度安定性を有していることに基づき、かかるシリコン基板の第１位置決め溝に位置決めされる半導体レーザと第２位置決め溝に位置決めされる光導波路相互間の位置合わせを精度良く行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】第１の実施形態に係る光発生装置を模式的に示す分解斜視図である。
【図１Ｂ】第１の実施形態に係る光発生装置の平面図である。
【図２】第１の実施形態に光発生装置を模式的に示す斜視図である。
【図３】第１の実施形態に係る光発生装置の製造工程を示す説明図である。
【図４Ａ】第１の実施形態に係る光発生装置の他の例を模式的に示す分解斜視図である。
【図４Ｂ】第１の実施形態に係る光発生装置の他の例を模式的に示す平面図である。
【図５】第２の実施形態に係る光発生装置の模式断面図である。
【図６】第２の実施形態に係る光発生装置におけるシリコン基板の製造工程を示す説明図である。
【図７Ａ】第３の実施形態に係る光発生装置を模式的に示す分解斜視図である。
【図７Ｂ】第３の実施形態に係る光発生装置を嵌合溝側から見て示す側面図である。
【図７Ｃ】第３の実施形態に係る光発生装置をガイド溝側から見て示す側面図である。
【図８Ａ】第３の実施形態に係る光発生装置を模式的に示す斜視図である。
【図８Ｂ】第３の実施形態に係る光発生装置を光学部品側から見て示す側面図である。
【図８Ｃ】第３の実施形態に係る光発生装置を光導波路の端面側から見て示す側面図である。
【図８Ｄ】第３の実施形態に係る光発生装置の平面図である。
【図９】第３の実施形態に係る光発生装置の製造工程を断面で示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本願の第１の実施形態に係る光発生装置について、図１乃至図３を用いて説明する。
図１、２において、光発生装置１は、シリコン（Ｓｉ）基板２上に、基本波の発振源である半導体レーザ４と、基本波を集光して光軸を変換させる光学部品３と、基本波を第２次高調波へ変換させる導波路型の第２次高調波素子５（ＳＨＧ：Second Harmonic Generation）とが搭載されている。以下、導波路型第２次高調波発生素子５については、光導波路５と略す。
【００１５】
まず、本願の第１の実施形態に係る光発生装置について説明する（図２参照）。
本願の第１の実施形態に係る光発生装置１では、（１）基本波（例えば、波長約６５０〜６９０ｎｍ帯）の発振源である半導体レーザ４からの出射光は、光学部品３へ入射、集光される（図２にて矢印Ａ１で示す）。（２）集光された基本波は、光学部品３にて補正（補正機構としては、例えばミラー等）され、光導波路５へ入射する（図２にて矢印Ａ２で示す）。（３）光導波路５に入射した基本波は、光導波路５にて短波長（例えば波長約５３２ｎｍ）に波長変換されて出射する（図２にて矢印Ａ３で示す）。本願は、以上のような（１）〜（３）の動作にて光が伝播するように光軸が構成されている。
【００１６】
シリコン基板２には、図１及び図２の図面左側から、光学部品搭載領域７、光学部品搭載領域７と隣接した半導体レーザ搭載領域８及び半導体レーザ搭載領域８に隣接した光導波路搭載領域９が設けられている。尚、光学部品搭載領域７は、シリコン基板２の下面（底面）を基準とした基準面６からの高さが小さい高さＬ（例えば約５００ｎｍ）に形成されている。半導体レーザ搭載領域８は、基準面６からの高さが大きい高さＣ（例えば約６７５ｎｍ）に形成され、光導波路搭載領域９は、光学部品搭載領域７と同様に、基準面６からの高さが高さＲ（例えば約５００ｎｍ）に形成されている。
【００１７】
光学部品搭載領域７には、図２に示すように、接着剤や半田等を用いて直接、光学部品３が搭載固定される。光学部品３の高さ方向に対する位置合わせは、シリコン基板２の基準面６から光学部品搭載領域７の高さＬで規定される。
【００１８】
半導体レーザ搭載領域８には、光学部品搭載領域７と同様に、接着剤や半田等を用いて直接、半導体レーザ４が搭載固定される。半導体レーザ４の高さ方向に対する位置合わせは、シリコン基板２の基準面６からの高さＣで規定される。また、半導体レーザ搭載領域８には、シリコン基板２上面に配線パターン１０の接続端子１１が形成されている。半導体レーザ４は、ワイヤボンディングによりワイヤ１２で接続端子１１と電気的に接続されている。
【００１９】
光導波路搭載領域９には、光導波路５の熱を放出する機能や光導波路５との応力を緩和する機能を有する放熱部材１３と光導波路５が搭載される。光導波路搭載領域９に、接着剤や半田等を用いて直接、放熱部材１３が搭載固定され、光導波路５は、放熱部材１３の上面に接着剤等により搭載固定される。光導波路５の高さ方向に対する位置合わせは、シリコン基板２の基準面６からの高さＲ及び放熱部材１３の高さにより規定される。放熱部材１３としては、例えば銅部材を用いることができる。銅と光導波路５（光導波路５の材料としては例えば、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３等）の熱膨張率を合わせることによって、環境の温度変化に応じて両者が同じ熱膨張を示すため、応力等を緩和することができる（銅の熱膨張率＝約１３ｐｐｍ／℃、光導波路５の熱膨張率＝約１６ｐｐｍ／℃）。尚、放熱部材１３としては、銅に限定されず、銅合金（例えばＢｅＣｕやＣｕＷ）やＦｅＮｉ合金、４２コバール等、熱伝導率が高いものや熱膨張率を調整してある合金などを用いることができる。
【００２０】
前述したように、シリコン基板２には、光学部品搭載領域７、半導体レーザ搭載領域８及び光導波路搭載領域９が形成されている。また、各搭載領域７、８、９は、搭載される光学部品３、半導体レーザ４及び光導波路５の高さ方向に対する位置合わせを規定した高さ（各Ｌ、Ｃ、Ｒ）が設けられており、凹凸形状を有している。第１の実施形態によれば、シリコン基板２に形成された凹凸形状及び放熱部材１３の高さに基づき各搭載領域７、８、９のそれぞれに搭載固定される光学部品３、半導体レーザ４及び光導波路５の相互の高さ方向における位置合わせが行われる。
【００２１】
続いて、第１の実施形態における光発生装置１の製造方法について図３に基づき説明する。
図３にて、凹凸形状を有するシリコン基板２を多数個取りした製造方法を例にして説明するが、これに限定されず、単数で製造してもよい。
先ず、両面が平坦化されたシリコン基板２を用意する（図３（Ａ））。シリコン基板２の両面を平坦化する方法としては研磨等を用いることができる。また、シリコン基板２としては、単結晶構造を有するシリコンウェハを用いることができる。
【００２２】
次に、シリコン基板２の表面に、エッチング用マスクのパターニング処理が行われる（図３（Ｂ））。シリコン基板２の表面には、空気中の酸素や窒素と反応してＳｉＯ２もしくはＳｉＮ被膜が形成されている（図示なし）。かかるパターニング処理は、ノボラック系樹脂のレジストを使用してフォトリソグラフィを行い、レジスト開口部から露出したＳｉＯ２もしくはＳｉＮ被膜をＲＩＥ（Reactive Ion Etching）もしくはフッ化水素水溶液等のエッチング液でエッチング除去することによりマスク１４を形成する。ここで、シリコン基板２において、基準面６からの高さを大きく規定する部分（半導体レーザ搭載領域８の高さＣに該当する部分（図２参照））にマスク１４が形成される。一方、マスク１４が形成されていない部分は、基準面６からの高さを小さく規定する部分（光学部品搭載領域７の高さＬに該当する部分及び光導波路搭載領域９の高さＲに該当する部分（図２参照））に相当し、シリコン基板２が露出している。
【００２３】
前記のようにマスク１４が形成された後、シリコン基板２のエッチング処理が行われる（図３（Ｃ））。エッチング処理としては、例えば、強アルカリである水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液にシリコン基板２を浸漬して行う（エッチング処理工程）。
このエッチング処理により、図３（Ｃ）に示すように、マスク１４が形成されていない部分（光学部品搭載領域７及び光導波路搭載領域９に該当する部分）は、エッチングが行われて基準面６からの高さが小さく形成される。これに対して、マスク１４が形成されている部分（半導体レーザ搭載領域８に該当する部分）は、エッチングされることなく、基準面６からの高さが大きく維持される。尚、マスク１４の形成部分と非形成部分との間は、テーパー状に形成されているが、これは、シリコン基板２の単結晶構造に由来するものである。
【００２４】
続いて、シリコン基板２の上面に、酸化物の絶縁被膜１５を形成する（図３（Ｄ））。かかる絶縁被膜形成処理は、シリコン基板２を１０００℃以上の酸素雰囲気中に晒すことにより、その表面に酸化絶縁被膜１５を形成する。尚、図３（Ｄ）に示すように、シリコン基板２の下面に形成された絶縁被膜１５は、研磨もしくはエッチング等により除去される。
【００２５】
続いて、絶縁被膜１５を形成した後、サブトラクティブ法やセミアディティブ法等の周知の技術により配線パターン１０及び接続端子１１を形成する（図３（Ｅ））。
【００２６】
この後、ダイシングブレードを使用して、シリコン基板２の個片化を行う。図３（Ｆ）は、ダイシングブレードによって切断される領域１６を示している。個片化された個々のシリコン基板２は、第１の実施形態における光発生装置１のシリコン基板として使用される。
【００２７】
前記した製造方法により、シリコン基板２を選択的にエッチング処理することで、基準面６からの高さを大きく規定する部分（半導体レーザ搭載領域８の高さＣに該当する部分）及び基準面６からの高さを小さく規定する部分（光学部品搭載領域７の高さＬに該当する部分及び光導波路搭載領域９の高さＲに該当する部分）とが形成された凹凸形状のシリコン基板２が形成される。そして、光学部品３及び半導体レーザ４は、各搭載領域７、８のそれぞれに接着剤を介して搭載固定され、光導波路５は、搭載領域９に放熱部材１３を介して接着剤で搭載固定される（図３（Ｇ））。これにより、、第１の実施形態における光発生装置１が製造される。
【００２８】
以上のように、第１の実施形態に係る光発生装置１によれば、シリコン基板２に形成された凹凸形状及び放熱部材１３の高さに基づき各搭載領域７、８、９のそれぞれに搭載固定される光学部品３、半導体レーザ４及び光導波路５の相互の高さ方向における位置合わせが行われる。このことから、シリコン基板２の上面に搭載される各光学部品３、半導体レーザ４及び光導波路５の高さ方向に対する相互の位置合わせは、シリコン基板２を基準として行うことができ、容易に実装することができる。また、シリコン基板２の高さ方向を利用して、各搭載部品３、４、５を配置することで、通常必要としていた各搭載部品（光学部品３、半導体レーザ４、光導波路５）の搭載領域を縮小することができ、光発生装置１を小型化することができる。
尚、各光学部品３、半導体レーザ４及び光導波路５の高さ方向に対する位置合わせ精度は、シリコン基板２に対する選択的エッチングによる凹凸形状の加工精度で決定されるが、シリコン（Ｓｉ）は比較的容易に精度良く選択的にエッチング加工かることができ、寸法の精度安定性を有している。そのため、シリコン基板の高さ方向に対する相互の位置合わせを精度良く行うことができる。
【００２９】
また、第１の実施形態の変形例として、図４に示すように構成してもよい。
即ち、第１の実施形態に係る光発生装置１では、半導体レーザ４と電気的に接続される配線パターン１０及び接続端子１１がシリコン基板２の上面に直接形成されていた。図４に示す変形例では、光学部品搭載領域７、半導体レーザ搭載領域８及び光導波路搭載領域９に対応する開口１７が形成されるとともに、半導体レーザ４と電気的に接続される接続端子１９と配線パターン１８が形成された回路基板２０が、シリコン基板２の外周縁に搭載固定されている。
かかる第１実施形態の変形例においても、前記した第１実施形態の光発生装置１と同様の効果を得ることができる。
【００３０】
次に、第２の実施形態に係る光発生装置について、図５に基づき説明する。尚、以下において第１の実施形態の光発生装置１に使用されている部材等と同一の部材等については同一の番号を付して説明する。
【００３１】
図５において、第２の実施形態に係る光発生装置２１は、基本的には、前記第１実施形態に係る光発生装置１と同様の構造を有している。第１の実施形態に係る光発生装置１ではシリコン基板２に光導波路５を搭載固定するに際に、シリコン基板２の光導波路搭載領域９上に、接着剤や半田等を用いて放熱部材１３を固定し、放熱部材１３の上面に光導波路５を接着剤等により固定している。しかし、第２実施形態に係る光発生装置２１では、シリコン基板２の下面（底面）を基準とした基準面６からの高さが大きい高さＰを有する光導波路搭載領域２２を形成する。そして、光導波路搭載領域２２の上面に光導波路５が接着剤等を介して直接固定されている点が第１の実施形態と相違する。
【００３２】
尚、第２の実施形態に係る光発生装置２１においては、光導波路搭載領域２２の高さＰは、シリコン基板２の下面（底面）を基準とした基準面６からの高さが最も大きく、光学部品搭載領域７の高さＱは、シリコン基板２の下面（底面）を基準とした基準面６からの高さが最も小さくなるように規定される。また、半導体レーザ搭載領域８の高さＯは、光導波路搭載領域２２の高さＰと光学部品搭載領域７の高さＱとの間で規定される。このように、第２の実施形態においても、シリコン基板２は、凹凸形状を有している。
【００３３】
続いて、第２の実施形態に係る光発生装置２１の製造方法について図６に基づき説明する。
図６において、第１の実施形態の製造方法に使用されている同一部材等については同一の番号を付して説明する。
先ず、第１の実施形態と同様に両面が平坦化されたシリコン基板２を用意する（図６（Ａ））。次に、シリコン基板２において、光導波路搭載領域２２に対応する部分にマスク１４を形成する（図６（Ｂ））。この状態でエッチング処理を所定時間行って光導波路搭載領域２２以外の高さを小さくする。エッチング処理が半導体レーザ搭載領域８の高さとなる高さＯの位置まで達した時点で半導体レーザ搭載領域８に対応する部分にマスク１４を形成する（図６（Ｃ））。その後、再びエッチング処理を行い、光学部品搭載領域７の高さとなる高さＱの位置まで達した時点でエッチング処理を終了する。このように、第２の実施形態におけるシリコン基板２は、エッチング処理の時間を段階的に調節することにより、各搭載領域７、８、９の基準面６からの高さを、それぞれ規定される高さＱ、Ｏ、Ｐに形成することができる。
【００３４】
かかる第２実施形態においても、前記した第１の実施形態の光発生装置１と同様の効果を得ることができるとともに、放熱部材１３を使用せず、光導波路搭載領域２２の上面に光導波路５が接着剤等を介して直接固定できる点で、実装方法を簡略化することができる。
【００３５】
次に、第３の実施形態に係る光発生装置について図７乃至図９に基づき説明する。
【００３６】
先ず、第３の実施形態に係る光発生装置３１について説明する（図７、図８参照）。
第３の実施形態に係る光発生装置３１も第１の実施形態と同様の構成からなる。具体的には、（１）基本波（例えば、波長約６５０〜６９０ｎｍ帯）の発振源である半導体レーザ３６からの出射光は、光学部品４０へ入射、集光される。（２）集光された基本波は、光学部品４０にて補正（補正機構としては、例えばミラー等）され、光導波路３３へ入射する。
（３）光導波路３３に入射した基本波は、光導波路３３にて短波長（例えば波長約５３２ｎｍ）に波長変換されて出射する。以上のような（１）〜（３）の動作にて光が伝播するように光軸が構成されている。
【００３７】
図７及び図８において、第３の実施形態に係る光発生装置３１は、側面視で逆Ｌ字状に形成されている。光発生装置３１のシリコン基板３２は、垂直部３２Ａと垂直部３２Ａに連続する水平部３２Ｂが一体的に形成されている。
【００３８】
シリコン基板３２の垂直部３２Ａには、半導体レーザ３６が搭載される面（一方の面）に、半導体レーザ３６が位置決め搭載される嵌合溝３７（第１位置決め溝）が形成されている。また、垂直部３２Ａの一方の面には、嵌合溝３７に隣接して接続端子３８が形成されている。半導体レーザ３６は、接続端子３８とワイヤボンディングによりワイヤ３９で電気的に接続される。
【００３９】
また、嵌合溝３７に位置決め配置された半導体レーザ３６の上に、光学部品４０が所定の位置に接着剤や半田等を介して搭載固定される。
【００４０】
垂直部３２Ａの一方の面と反対側の面（他方の面）には、水平部３２Ｂが突出するように配置されている。光導波路３３が位置決め搭載されるガイド溝３４（第２位置決め溝）は、垂直部３２Ａと水平部３２Ｂを貫通して形成されている。ガイド溝３４の一端は、垂直部３２Ａの嵌合溝３７に開口しており、他端は水平部３２Ｂの端面に開口している。また、ガイド溝３４において、水平部３２Ｂ（水平部３２Ｂの下面）では、ガイド溝３４の開口が下面と面一で露出している。
【００４１】
光導波路３３は、ガイド溝３４を基準として位置決め搭載される。尚、光導波路３３の一端（ガイド溝３４の一端に配置される側）は、垂直部３２Ａの一方の面と略面一に配置される。一方で、光導波路３３の他端（水平部３２Ｂの端面に配置される側）は、水平部３２Ｂの端面から突出している（図８Ｄの平面図を参照）。また、水平部３２Ｂに位置する光導波路３３は、水平部３２Ｂの下面と面一で露出している。
【００４２】
放熱部材３５は、水平部３２Ｂの下面に露出した光導波路３３に当接するように接着剤等を用いてシリコン基板３２に搭載固定される。尚、放熱部材３５は、第１の実施形態における放熱部材１３と同様の材料を用いることができる。
【００４３】
前記した第３実施形態に係る光発生装置３１では、光導波路３３は、ガイド溝３４を基準として位置決め搭載され、半導体レーザ３６は、嵌合溝３７を基準として位置決め搭載される。これにより、光導波路３３及び半導体レーザ３６の相互位置合わせをすることができる。
【００４４】
続いて、第３の実施形態に係る光発生装置３１の逆Ｌ字状シリコン基板３２の製造方法について図９に基づき説明する。
図９にて、逆Ｌ字状シリコン基板３２を多数個取りした製造方法を例にして説明するが、これに限定されず、単数で製造してよい。
先ず、第１の実施形態と同様に両面が平坦化されたシリコン基板３２を用意する（図９（Ａ））。
【００４５】
次に、シリコン基板３２に対してエッチング処理が行われ、ガイド溝３４及び嵌合溝３７が形成される（図９（Ｂ））。エッチング処理としては例えばボッシュプロセスが用いられる。ボッシュプロセスとは、シリコンの深掘エッチング技術であり、具体的には、エッチング（エッチングステップ）とエッチング側壁保護（保護ステップ）とを繰り返し行うエッチング方法である。エッチングステップでは、六フッ化硫黄（ＳＦ６）を用いて等方性エッチングを行い、保護ステップでは、テフロン（登録商標）系のガス（例えばＣ４Ｆ８）を用いて側壁を保護（横方向にエッチングが進行することを抑制）する。
【００４６】
続いて、シリコン基板３２の表面全体に絶縁被膜４２を形成する（図９（（Ｃ））。かかる絶縁被膜形成処理は、シリコン基板３２を１０００℃以上の酸素雰囲気中に晒して、その表面に酸化物の絶縁被膜４２を形成する処理である。
【００４７】
続いて、絶縁被膜４２を形成した後、サブトラクティブ法やセミアディティブ法等の周知の技術により配線パターンや接続端子３８を形成する（図９（Ｄ））。
【００４８】
この後、ダイシングブレードを使用して、シリコン基板３２の個片化を行う。
図９（Ｅ）は、ダイシングブレードによって切断される領域４３を示している。個片化された個々のシリコン基板３２は、第３の実施形態における光発生装置３１として使用される。
【００４９】
前記した製造方法により個片化された各シリコン基板３２において、ガイド溝３４に光導波路３３が位置決め搭載され、嵌合溝３７に半導体レーザ３６が位置決め搭載される。また、嵌合溝３７に位置決め搭載された半導体レーザ３６上で、垂直部３２Ａの一方の面（半導体レーザ３６が搭載される面）側に光学部品４０が搭載固定される。また、垂直部３２Ａの他方の面及び水平部３２Ｂの下面に、露出した光導波路３３に当接するように放熱部材３５がシリコン基板３２に搭載固定される。これにより、第３の実施形態における光発生装置３１が製造される。
【００５０】
以上のように、第３の実施形態に係る光発生装置３１によれば、シリコン基板３２に形成されたガイド溝３４及び嵌合溝３７を基準として光導波路３３及び半導体レーザ３６の位置決めが行われる。このことから、光導波路３３及び半導体レーザ３６の相互の位置決めがシリコン基板３２を基準として行うことができ、容易に精度良く実装することができる。また、シリコン基板３２を立体的に利用して、各搭載部品（光導波路３３、半導体レーザ３４、放熱部材３５及び光学部品４０）を配置することで、通常必要としてした各搭載部品等の搭載領域の大きさや高さ等を縮小することができ、光発生装置３１を小型化することができる。
【００５１】
尚、本願は、前記第１実施形態乃至第３実施形態に係る光発生装置に限定されるものではなく、本願の要旨を逸脱しない範囲内で種々改良、変形が可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【００５２】
１            第１実施形態に係る光発生装置
２            シリコン基板
３            光学部品
４            半導体レーザ
５            光導波路
６            基準面
７            光学部品搭載領域
８            半導体レーザ搭載領域
９            光導波路搭載領域
２１          第２実施形態に係る光発生装置
３１          第３実施形態に係る光発生装置
３２          シリコン基板
３３          光導波路
３４          ガイド溝
３６          半導体レーザ
３７          嵌合溝
４０          光学部品
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９】
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