(57)【要約】【課題】本発明は印刷回路基板及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明の一実施例による印刷回路基板は、コア基板に形成された第１回路パターンと、第１回路パターンをカバーするようにコア基板上に積層され、ナノサイズの均一な表面粗さが形成された絶縁層と、絶縁層に形成された第２回路パターンと、第１回路パターンと前記第２回路パターンを電気的に接続し、前記絶縁層を貫通するビアパターンとを含む。【選択図】図１
2012109526.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１回路パターンが形成されたコア基板と、
前記コア基板上に形成され、ナノサイズの均一な表面粗さが形成された絶縁層と、
を含む印刷回路基板。
【請求項２】
前記粗さが形成された絶縁層にメッキにより形成された第２回路パターンをさらに含む請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項３】
前記第１回路パターンと前記第２回路パターンを電気的に接続し、前記絶縁層を貫通するビアパターンをさらに含む請求項２に記載の印刷回路基板。
【請求項４】
前記絶縁層は３００ｎｍ以下の中心線平均粗さＲａを有する請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項５】
前記中心線平均粗さＲａが１５０ｎｍ〜２５０ｎｍである請求項４に記載の印刷回路基板。
【請求項６】
前記第２回路パターンのライン／スペースが１０μｍ／１０μｍ以下である請求項２に記載の印刷回路基板。
【請求項７】
前記第２回路パターンの厚さが２５μｍ以下である請求項２に記載の印刷回路基板。
【請求項８】
前記絶縁層の厚さが１００μｍ以下である請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項９】
第１回路パターンが形成されたコア基板を設けるステップと、
前記コア基板に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に金属箔の表面粗さを転写して均一な表面粗さを形成するステップと、
前記絶縁層に第２回路パターンと、前記第１回路パターンと前記第２回路パターンを電気的に接続するビアパターンとを形成するステップと、
を含む印刷回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２回路パターンと前記ビアパターンはメッキにより形成される請求項９に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記金属箔は銅箔である請求項９に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記粗さを形成するステップは、
前記絶縁層に金属箔を付着するステップと、
前記金属箔を除去するステップと、
を含む請求項９に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記金属箔を除去するステップは、
前記金属箔を全部エッチングまたは部分エッチングして除去する請求項１２に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第２回路パターンと前記ビアパターンを形成するステップは、
セミアディティブ工法またはモディファイドセミアディティブ工法により形成される請求項１２に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁層は３００ｎｍ以下の中心線平均粗さＲａを有する請求項９に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１６】
前記中心線平均粗さＲａが１５０ｎｍ〜２５０ｎｍである請求項１５に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第２回路パターンのライン／スペースが１０μｍ／１０μｍ以下である請求項９に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１８】
前記第２回路パターンの厚さが２５μｍ以下である請求項９に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１９】
前記絶縁層の厚さが１００μｍ以下である請求項９に記載の印刷回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は印刷回路基板及びその製造方法に関し、より詳細には、簡単な方法で絶縁層の表面に均一な粗さを形成して微細な回路パターンを備えた印刷回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子産業分野では、電子機器の小型化及び薄膜化のために、部品実装時に高密度化、高精度化、高集積化が可能な印刷回路基板を用いた実装技術を採用している。このような印刷回路基板は、ファクトリーオートメーション（ＦＡ）機器、オフィスオートメーション（ＯＡ）機器、通信機器、放送機器、携帯型コンピュータなど、様々な分野で用いられている。
【０００３】
特に、電子製品が小型化、高密度化、パッケージ（ｐａｃｋａｇｅ）化及び個人携帯化などのような軽薄短小化される傾向に伴い、印刷回路基板も小型化及び高密度化が同時に進んでいる。さらに、近来のＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）などのＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）技術の発達に伴い、チップを実装できる高密度印刷回路基板に対する関心もますます高まっている。
【０００４】
パッケージ印刷回路基板の回路を具現する工法には、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）、セミアディティブ（ＳＡＰ；Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）及びモディファイドセミアディティブ（ＭＳＡＰ；Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）工法などがある。
【０００５】
サブトラクティブ工法は、銅箔積層板（ＣＣＬ；Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ）の既存の銅箔上に電気銅メッキでパネルメッキをするため、銅箔全体の厚さが厚くなる。
【０００６】
このような肉厚の銅箔をエッチングする場合には、エッチングファクターのために微細な回路を形成することができない。よって、微細回路を具現するためには、ＳＡＰまたはＭＳＡＰ工法により、絶縁材に無電解メッキと電解メッキで導体層を形成した後、エッチングなどの方法によって所望の回路を形成することができる。しかし、この場合には、絶縁材と導体層との接着力を確保しなければならないという問題点があった。
【０００７】
また、印刷回路基板の場合、回路の幅が狭くなるほど、絶縁層と導体層との間に要求される接着力は強くなるため、一定の接着力を確保するためには微細で均一な粗さが絶縁層の表面に形成されなければならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】韓国登録特許第１０−０５３８１７６号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００３／０１４８１０７号明細書
【特許文献３】韓国公開特許第２０１０−００６３５２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、絶縁層に均一な粗さを形成して導体層と絶縁層との接着力を確保し、微細パターンを形成できる印刷回路基板を提供することにある。
【００１０】
本発明のさらに他の目的は、絶縁層に均一な粗さを形成して導体層と絶縁層の間の接着力を強化させ、印刷回路基板に微細パターンを形成する印刷回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一実施例による印刷回路基板は、第１回路パターンが形成されたコア基板と、コア基板上に形成され、ナノサイズの均一な表面粗さが形成された絶縁層とを含む。
【００１２】
前記粗さが形成された絶縁層には、メッキにより形成された第２回路パターンをさらに含むことができる。
【００１３】
前記第１回路パターンと前記第２回路パターンを電気的に接続し、前記絶縁層を貫通するビアパターンをさらに含むことができる。
【００１４】
前記絶縁層は３００ｎｍ以下の中心線平均粗さＲａ（ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃａｌ  ａｖｅｒａｇｅ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有することができる。
【００１５】
前記中心線平均粗さＲａは１５０ｎｍ〜２５０ｎｍであることができる。
【００１６】
前記第２回路パターンのライン／スペースは１０μｍ／１０μｍ以下であることができる。
【００１７】
前記第２回路パターンの厚さは２５μｍ以下、絶縁層の厚さは１００μｍ以下であることができる。
【００１８】
本発明の他の実施例による印刷回路基板の製造方法は、第１回路パターンが形成されたコア基板を設けるステップと、コア基板に絶縁層を形成するステップと、絶縁層に金属箔の表面粗さを転写して均一な表面粗さを形成するステップと、絶縁層に第２回路パターンと、第１回路パターンと第２回路パターンを電気的に接続するビアパターンとを形成するステップとを含む。
【００１９】
前記第２回路パターンと前記ビアパターンは、メッキにより形成されることができる。
【００２０】
前記金属箔は銅箔であることができる。
【００２１】
前記粗さを形成するステップは、絶縁層に金属箔を付着するステップと、金属箔を除去するステップとを含むことができる。
【００２２】
前記金属箔は全部エッチング（ｆｕｌｌ−ｅｔｃｈｉｎｇ）または部分エッチング（ｓｅｍｉ−ｅｔｃｈｉｎｇ）して除去されることができる。
【００２３】
前記第２回路パターンと前記ビアパターンを形成するステップは、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）またはＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）工法により形成されることができる。
【００２４】
前記絶縁層は、３００ｎｍ以下の中心線平均粗さＲａを有することができる。
【００２５】
前記中心線平均粗さＲａは１５０ｎｍ〜２５０ｎｍであることができる。
【００２６】
前記第２回路パターンのライン／スペースは１０μｍ／１０μｍ以下であることができる。
【００２７】
前記第２回路パターンの厚さは２５μｍ以下であることができる。
【００２８】
前記絶縁層の厚さは１００μｍ以下であることができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の一実施例によると、絶縁層に均一な粗さが形成されて導体層と絶縁層との接着力を確保することができ、これによって微細な回路パターンが形成された印刷回路基板及びその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】本発明の一実施例においてＳＡＰ方式により回路パターンを形成する工程を示す工程フローチャートである。
【図３】本発明の他の実施例において、ＭＳＡＰ方式により回路パターンを形成する工程を示す工程フローチャートである。
【図４】本発明の一実施例によって微細な回路パターンが形成された印刷回路基板を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、添付された図面を参照して本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が本発明を容易に実施することができるように好ましい実施例を詳しく説明する。但し、本発明を説明するに当たって、関連する公知機能または構成についての具体的な説明が本発明の旨を不明確にする虞があると判断される場合はその詳細な説明を省略する。
【００３２】
また、類似する機能及び作用をする部分については、図面全体において同じ符号を使用する。
【００３３】
なお、明細書全般において、ある部分が他の部分と「連結」されているというのは、「直接的に連結」されている場合だけでなく、その中間に他の素子を介して「間接的に連結」されている場合も含む。また、ある構成要素を「含む」というのは、反対の記載が特に無ければ、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。
【００３４】
図１は、本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法を示すフローチャートであり、図２は、本発明の一実施例においてＳＡＰ工法により回路パターンを形成する工程を示す工程フローチャートであり、図３は本発明の他の実施例において、ＭＳＡＰ工法により回路パターンを形成する工程を示す工程フローチャートであり、図４は本発明の一実施例によって微細な回路パターンが形成された印刷回路基板を示す断面図である。
【００３５】
図１を参照すると、本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法は、内部回路パターンが形成されたコア基板に絶縁層を形成するステップＳ１００と、絶縁層の表面に粗さを形成するステップＳ２００と、絶縁層にビアホールを形成するステップＳ３００と、絶縁層に金属メッキ層を形成するステップＳ４００とを含む。
【００３６】
前記絶縁層の表面に粗さを形成するステップＳ２００は、絶縁層に金属箔を付着するステップＳ２１０と、金属箔をエッチングして除去するステップＳ２２０とを含むことができる。
【００３７】
本発明の一実施例による印刷回路基板は、図４に示すように、第１回路パターン１１、１２が形成されたコア基板１０と、前記コア基板１０上で第１回路パターン１１、１２をカバーし、ナノサイズの均一な表面粗さが形成された絶縁層２０とを含み、前記絶縁層２０にメッキにより形成された第２回路パターン４３をさらに含むことができる。また、第１回路パターン１１、１２と前記第２回路パターン４３を電気的に接続し、前記絶縁層２０を貫通するビアパターン４１を含むことができる。
【００３８】
本発明の一実施例によると、絶縁層２０にナノサイズの均一な粗さが形成され、前記絶縁層２０上に薄くて微細な第２回路パターンが形成されることができる。
【００３９】
本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法については図２を参照しながら説明する。
【００４０】
本発明の一実施例による印刷回路基板の製造方法によると、第１回路パターン１１、１２が形成されたコア基板１０を設けるステップと、コア基板１０に絶縁層２０を形成するステップと、絶縁層２０に金属箔を付着して均一なナノサイズの表面粗さを形成するステップと、絶縁層２０に第２回路パターン４３と、第１回路パターン１１、１２と第２回路パターン４３を電気的に接続するビアパターン４１とを形成するステップとを含む。
【００４１】
図２（ａ）を参照すると、第１回路パターン１１、１２が形成されたコア基板１０を設ける。また、前記第１回路パターン１１、１２が形成されたコア基板１０に絶縁層２０を形成する。
【００４２】
コア基板１０の表面には、さらに、回路パターンを含むレイヤーがビルドアップ（ｂｕｉｌｄ−ｕｐ）されることができる。
【００４３】
本発明の一実施例によると、内部基板１３の一面または両面に第１回路パターン１１、１２が形成されたコア基板１０が設けられ、前記コア基板１０上に絶縁層２０がビルドアップされ、その後、絶縁層上に回路パターンがビルドアップされる。
【００４４】
本発明の一実施例によると、前記内部基板１３はプリプレグのような物質であることができる。半硬化状態のプリプレグは、優れた接着力を有する。
【００４５】
ここで、コア基板１０にレイヤーがビルドアップされるということは、コア基板１０に第２層回路のような多層の回路が有機的に相互接続され、コア基板に付着されて分離されない状態、即ち、積層された状態を意味する。
【００４６】
第１回路パターン１１、１２は内部基板１３の両面または一面に形成されてコア基板１０を形成し、その後、第１回路パターン１１、１２が形成されたコア基板１０に絶縁層２０を形成する。絶縁層２０は、好ましくは、エポキシまたはポリイミドのような樹脂であることができる。
【００４７】
図２（ｂ）及び図２（ｃ）を参照すると、絶縁層２０に金属箔を付着して均一なナノサイズの表面粗さを形成する。
【００４８】
本発明の一実施例によると、絶縁層２０に粗面を含む金属箔３０を付着することで絶縁層の表面に粗さを形成することができる。また、金属箔３０の粗面に形成された粗さを絶縁層の表面に転写することにより金属箔３０を除去することができる。
【００４９】
即ち、図２（ｂ）を参照すると、前記絶縁層２０に適切な粗さを形成するために金属箔３０を付着する。金属箔３０は滑面３０ａと粗面３０ｂで構成され、前記金属箔３０の粗面３０ｂを絶縁層２０に付着されるように形成できる。
【００５０】
本発明の一実施例によると、前記金属箔３０の粗面３０ｂに形成された凸凹が絶縁層の表面に転写されることで、絶縁層の表面に粗さが形成されることができる。そのため、本発明の一実施例によると、金属箔３０の粗さを適切に選択することで絶縁層２０の表面２０ａに形成される粗さを調節できる。
【００５１】
金属箔３０に形成された粗さは金属箔３０全体に均一に形成されるため、湿式工程により粗さを形成する従来技術とは異なり、絶縁層の表面２０ａ全体に均一な粗さが形成されることができる。
【００５２】
本発明の一実施例によると、前記金属箔は、回路パターンを形成する導電性物質などから成ることができる。よって、金属箔は、粗さの形成後にエッチングのような除去工程により全部または一部が除去されることができ、一部が除去される場合、金属箔は回路パターンの一部を構成することができる。
【００５３】
本発明の一実施例によると、前記金属箔は、これに制限されないが、銅箔であってもよい。また、前記銅箔の一部が除去されて銅薄膜を形成した場合には、ＭＳＡＰ工法により回路パターンを形成することができ、前記銅箔の一部は回路パターンの一部を構成することができる。
【００５４】
本発明の好ましい実施例によると、前記絶縁層２０の中心線平均粗さは３００ｎｍ以下であることができ、より好ましくは、１５０ｎｍ〜２５０ｎｍであることができる。即ち、本発明の一実施例によると、絶縁層２０の表面に非常に微細な粗さが形成されることができる。
【００５５】
前記絶縁層の表面２０ａに形成される粗さに応じて絶縁層２０に接合する金属薄膜４０との結合力を調節することができる。粗さが過度に大きい場合は、金属薄膜４０との結合力が非常に強くなり、エッチングなどの後工程において過エッチングをしなければならないという問題があるため適切ではない。一方、粗さが過度に小さく滑らかな場合は、金属薄膜４０との結合力が不十分なため、金属薄膜４０が分離されるという問題がある。そのため、絶縁層の表面２０ａに形成される粗さを調節することで、適切な粗さを有することができる。特に、絶縁層に３００ｎｍ以下の中心線平均粗さを有するようにすることができ、好ましくは、絶縁層の表面２０ａの中心線平均粗さＲａを１５０ｎｍ〜２５０ｎｍに調節することができる。
【００５６】
化学的方法によると、絶縁層の表面２０ａに均一な粗さを形成することができないが、本発明の一実施例によると、所望の粗さを有する金属箔３０を選択して絶縁層の表面２０ａの粗さを調節することができる。
【００５７】
本発明の一実施例によると、絶縁層２０に薄くて微細な金属薄膜をメッキにより形成することができる。
【００５８】
絶縁層２０上に微細な回路パターンを形成するためには、絶縁層と回路パターンの間に一定の接着力を確保しなければならないが、本発明の一実施例によると、前記絶縁層２０に均一で繊細な粗さが形成されることにより、薄い金属薄膜をメッキにより形成することができ、エッチングなどの工程により微細なサイズの回路パターンを形成することができる。
【００５９】
本発明の一実施例によると、絶縁層の表面２０ａに絶縁層上に形成される回路パターンが微細に形成されることができる。即ち、本発明の一実施例によると、前記第２回路パターン４３とビアパターン４１のライン／スペースが微細に形成されることができ、これは、絶縁層上にメッキにより金属薄膜を形成することができ、また、メッキにより形成された薄膜は、絶縁層に形成された均一な粗さにより一定の結合力を維持することができるためである。
【００６０】
よって、エッチングなどの工程により金属薄膜の一部を除去することで微細なサイズの回路パターンを形成することができる。
【００６１】
本発明の一実施例によると、均一な粗さが提供されることから、メッキ層を付着できる一定の結合力を確保することができ、薄膜の形成が可能となる。
【００６２】
本発明の一実施例によると、前記金属薄膜により形成された回路パターンは２５μｍ以下の厚さを有することができ、また、微細な粗さが形成されることにより絶縁層の厚さも１００μｍ以下と薄くなることができる。
【００６３】
一方、粗さが過度に大きい場合は、過エッチングをしなければならないため微細な回路パターンを形成できず、粗さが過度に小さい場合は、回路パターンが剥離される。そのため、適切な結合力を有するよう、微細な粗さに形成されなければならない。
【００６４】
本発明の一実施例によると、適切な粗さを有するように絶縁層の表面２０ａが形成されるため、微細なサイズのライン／スペース（Ｌ／Ｓ）を有する第２回路パターン４３を形成することができ、特に、第２回路パターン４３のライン／スペース（Ｌ／Ｓ）は１０μｍ／１０μｍ以下に形成されることができる。
【００６５】
一方、一般的な印刷回路基板において、回路パターンを形成するために、絶縁層が形成されたコア基板上に金属薄膜である銅箔（ｃｏｐｐｅｒ  ｆｏｉｌ）を付着した後、銅箔として残存すべき回路配線にはレジスト（Ｒｅｓｉｓｔ）を印刷し、銅を溶解できるエッチング液に印刷された基板を浸すと、レジストが残存しない部分は腐食されるようになり、その後、レジストを除去すると、銅箔が所望の形態で残存して回路パターンを形成するようになる。
【００６６】
本発明の一実施例によると、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）またはＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）工法により回路パターンを形成することができる。ＳＡＰ工法では、ＤＦＲ（ｄｒｙ  ｆｉｌｍ  ｒｅｓｉｓｔｅｒ）を付着し、これを印刷、露光、現像してパターンウォール（Ｐａｔｔｅｒｎ  Ｗａｌｌ）を形成した後、パターンウォールの間に無電解メッキまたは電解メッキ方式で銅メッキして回路パターンを形成し、その後、ＤＦＲからなるパターンウォールを除去した状態で、銅厚だけを全体的にエッチングすると、銅箔回路パターンのみが表面に残存するようになる。前記ＳＡＰ工法では、無電解メッキまたは電解メッキ方式により銅メッキを施すことができる。
【００６７】
一方、ＭＳＡＰ工法の場合は、絶縁層上に銅箔が形成された状態で、無電解メッキまたは電解メッキ方式により、ＳＡＰ工法と同様に銅メッキしてパターンを形成することができる。
【００６８】
本発明の一実施例によると、絶縁層に回路パターンを形成するためにメッキすることのより、絶縁層の表面に粗さが形成されることで絶縁層と金属薄膜の間に均一な結合力が提供され、超薄の金属薄膜が形成されることができる。
【００６９】
図２（ｃ）を参照すると、金属箔３０が形成された絶縁層２０に粗さを形成した後、金属箔３０を除去する工程を行う。前記金属箔３０はエッチング工程により除去できる。また、前記金属箔を全部エッチングまたは部分エッチングすることもできる。
【００７０】
図２（ｃ）から図２（ｅ）に示すように、前記金属箔を全部エッチングする場合、その後、ＳＡＰ工程により無電解メッキ及び電解メッキ、エッチング工程を経て回路パターンが形成されることができる。
【００７１】
図３（ａ）から図３（ｃ）に示すように、前記金属箔を部分エッチングして絶縁層２０の表面に形成された金属箔３０を部分的に除去する場合、絶縁層２０上には薄膜層３０’が形成されることができる。その後、ＭＳＡＰ工程により銅箔をシード層として無電解メッキ及び電解メッキ工程、エッチング工程を経て絶縁層上に適切な形態の回路パターンが形成されることができる。
【００７２】
金属箔を全部エッチングする図２（ｃ）及び部分エッチングする図３（ａ）に示すように、本発明の一実施例によると、金属箔を全部エッチングまたは部分エッチングすることで、絶縁層２０の表面に厚く形成された金属箔３０を除去することができる。前記金属箔は箔状態では非常に厚いため、薄い回路パターンを形成するためにはｎ絶縁層２０上に超薄の薄膜層３０’が形成されなければならない。
【００７３】
したがって、本発明では、絶縁層２０上に形成された金属箔を全部エッチング（図２（ｃ））したり、部分エッチング（図３（ａ））することで金属箔を除去する。
【００７４】
図２（ｄ）及び図３（ｂ）を参照すると、その後、絶縁層２０にレーザードリルまたはＣＮＣドリル（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｄｒｉｌｌ）を用いてホール２５を形成する。
【００７５】
前記ホール２５は第１回路パターン１１を外部に露出させることができ、その後に形成される第２回路パターン４３と第１回路パターン１１、１２を電気的に接続するのに使用される貫通ホールを提供することができる。
【００７６】
図２（ｅ）及び図３（ｃ）を参照すると、前記絶縁層２０及び／または絶縁層２０上に形成された薄膜層３０’に金属メッキ層４０、４０’を形成する。前記金属メッキ層４０、４０’は、これに制限されないが、真空蒸着法によりシード層（図示せず）を薄く形成した後、電解メッキまたは無電解メッキにより金属層を付加することで金属メッキ層４０、４０’を形成することができる。
【００７７】
本発明の一実施例によると、前記金属メッキ層は、銅で形成された銅メッキ層であることができるが、これに限らず、回路パターンを構成する導電性金属であってもよい。また、前記金属メッキ層の厚さは０．５μｍ以下、好ましくは、１０ｎｍ〜０．５μｍに形成されることができる。
【００７８】
図４を参照すると、所望の形態の第２回路パターン４３を形成するために金属メッキ層４０（図２Ｃを参照）または金属メッキ層４０’と薄膜層３０’の一部分をエッチングして除去する。これにより、絶縁層２０の一部分が露出し、絶縁層２０上には第２回路パターン４３とこれらを接続するビアパターン４１が形成される。
【００７９】
本発明の一実施例によると、金属箔の粗面を用いて表面粗さを形成するため、別途、デスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）のような湿式工程が不要であり、廃液などが発生しないため環境に優しい。
【００８０】
デスミアのような化学工程の場合、スウェリング（ｓｗｅｌｌｉｎｇ）、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）及びリダクション（ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ）のような複雑な工程を行うことなく、金属箔を付着しエッチングして全部または一部を除去する工程を行うため、製造工程が短縮されて、製造コスト及び時間を低減させることができる。
【００８１】
本発明の一実施例によると、絶縁層に所望のサイズの粗さを形成するために、所望の粗さが形成された金属箔を付着させて金属箔の粗さを転写させることができる。即ち、所望の粗さを有する金属箔を適切に選択でき、所望の粗さを有するように微細な粗さのサイズを調節することができる。
【００８２】
また、本発明の一実施例によると、微細な粗さが形成されることにより、絶縁層上に微細なサイズのパターンを形成しても結合力を維持することができる。これにより、回路パターンが微細化され、製品の小型化が実現される。
【００８３】
また、金属箔の場合、表面全体にわたって均一な粗さが形成されることにより、化学的に粗さを形成する工程に比べて絶縁層の表面にわたって均一な粗さが形成され、製品の信頼性が増加するようになる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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