(57)【要約】【課題】積層型電子部品において、内部電極の露出端に析出しためっき析出物を成長させて外部電極を形成するにあたり、バッチ処理の適用を可能にするとともに、外部電極となるべきめっき膜の特定の箇所への能率的な形成を可能とする。【解決手段】複数の内部電極３の隣り合う露出端間の距離を５０μｍ以下としながら、部品本体２の表面にＰｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等からなる複数の導電性粒子１０を付与する。導電性粒子１０は、その平均粒径が０．１〜１００ｎｍの範囲にあり、各々の間の平均間隔を１０〜１００ｎｍの範囲としながら、部品本体２の表面の全域にわたって島状に分布するように付与される。次いで、部品本体２に対して電解めっきを実施したとき、複数の内部電極３の各露出端が集まっている領域およびその近傍には、めっき成長が生じるが、その他の領域には、めっき成長が起こらないようにすることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の内部電極が内部に形成され、前記内部電極の各一部が露出している、積層構造の部品本体を用意する工程と、
前記内部電極と電気的に接続される外部電極を前記部品本体上に形成する、外部電極形成工程と
を備え、
前記部品本体において、複数の前記内部電極の隣り合う露出端間の距離は５０μｍ以下であり、
前記外部電極形成工程は、前記部品本体の表面にＰｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇから選ばれる少なくとも１種からなる複数の導電性粒子を付与する、導電化処理工程と、次いで、前記部品本体に対して電解めっきを実施し、前記部品本体における複数の前記内部電極の各前記露出端に析出しためっき析出物を成長させながら均一なめっき膜とする、電解めっき工程とを含み、
前記導電性粒子は、その平均粒径が０．１〜１００ｎｍの範囲にあり、
前記導電化処理工程において、前記導電性粒子は、各々の間の平均間隔を１０〜１００ｎｍの範囲としながら、前記部品本体の表面の全域にわたって島状に分布するように付与される、
積層型電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記導電化処理工程は、前記部品本体全体を導電化処理液に浸漬するバッチ処理法を用いて実施される、請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記電解めっき工程は、バレルめっき法を用いて実施される、請求項１または２に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記導電性粒子はＰｄ粒子である、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記めっき膜はその主成分がＣｕである、請求項１ないし４のいずれかに記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項６】
複数の内部電極が内部に形成され、前記内部電極の各一部が露出している、積層構造の部品本体と、
前記部品本体上に形成され、かつ前記内部電極と電気的に接続される、外部電極と
を備え、
前記部品本体において、複数の前記内部電極の隣り合う露出端間の距離は５０μｍ以下であり、
前記部品本体の表面には、複数の導電性粒子が、各々の間の平均間隔を１０〜１００ｎｍの範囲としながら、その全域にわたって島状に分布するように付与されていて、
前記外部電極は、前記部品本体における複数の前記内部電極の各前記露出端およびその近傍に析出しためっき析出物からなるめっき膜を含む、
積層型電子部品。
【請求項７】
前記めっき膜はその主成分がＣｕである、請求項６に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層型電子部品およびその製造方法に関するもので、特に、外部電極の少なくとも一部が複数の内部電極と電気的に接続されるようにして直接めっきにより形成された積層型電子部品およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサに代表される積層型電子部品は、一般に、たとえば誘電体セラミックからなる積層された複数の機能材料層と、機能材料層間の界面に沿って形成された複数の層状の内部電極とを含む、積層構造の部品本体を備えている。部品本体の一方および他方端面には、それぞれ、複数の内部電極の各端部が露出していて、これら内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように、外部電極が形成されている。
【０００３】
外部電極の形成にあたっては、一般に、金属成分とガラス成分とを含む導電性ペーストを部品本体の端面上に塗布し、次いで焼き付けることにより、ペースト電極層がまず形成される。ペースト電極層は、内部電極相互の電気的接続の役割を果たす。次に、ペースト電極層上に、たとえばニッケルを主成分とする第１のめっき層が形成され、さらにその上に、たとえば錫または金を主成分とする第２のめっき層が形成される。第２のめっき層は、はんだぬれ性を確保するためのものであり、第１のめっき層は、はんだ接合時のはんだ喰われを防止する役割を果たしている。
【０００４】
上述のように、外部電極は、典型的には、ペースト電極層、第１のめっき層および第２のめっき層の３層構造より構成される。
【０００５】
しかし、ペースト電極層は、その厚みが数十μｍ〜数百μｍと大きい。したがって、積層型電子部品の寸法を一定の規格値に収めるためには、このペースト電極層の体積を確保する必要が生じる分、不所望にも、静電容量確保のための実効体積を減少させる必要が生じる。一方、めっき層はその厚みが数μｍ程度であるため、仮にめっき層のみで外部電極を構成できれば、静電容量確保のための実効体積をより多く確保することができる。
【０００６】
たとえば、特開昭６３−１０４３１４号公報（特許文献１）には、無電解めっき法により形成された金属薄膜を外部電極とする方法が記載されている。より詳細には、特許文献１では、部品本体の全表面に活性化処理を施した後、無電解めっきを実施することによって、部品本体の全表面に金属薄膜を形成し、その後、マスキング・エッチングを実施することにより、不要な部分の金属薄膜を除去し、残部を外部電極とすることが記載されている。
【０００７】
特許文献１に記載の方法によれば、とりあえず部品本体の全表面に金属薄膜を形成すればよいので、活性化処理から無電解めっきまでの工程については、多数のチップ状の部品本体を能率的に取り扱うことができるバッチ処理（たとえばバレルめっき法）によって遂行することができる。よって、この点においては、生産性およびコストの面で有利であると言える。
【０００８】
他方、特許文献１に記載の方法では、無電解めっきの結果、部品本体の全表面に金属薄膜が形成されてしまうため、その後、不要な部分の金属薄膜を除去する必要がある。しかしながら、特定の箇所の金属薄膜を除去するためのマスキング・エッチングには、バッチ処理を単純に採用することができない。すなわち、マスキング・エッチングの対象となる部品本体の整列保持、整列保持された部品本体の特定へのエッチングレジストの付与、といったバッチ処理では扱えない工程が必要となるためである。したがって、結局は、特許文献１に記載の方法は、多数のチップ状の部品本体を能率的に取り扱うことができるといったバッチ処理の利点を享受し得ないことになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開昭６３−１０４３１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
この発明の目的は、バッチ処理の適用を可能にするとともに、外部電極となるべきめっき膜の特定の箇所への能率的な形成を可能とした、積層型電子部品の製造方法を提供しようとすることである。
【００１１】
この発明の他の目的は、上述した製造方法によって製造され得る積層型電子部品を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明は、複数の内部電極が内部に形成され、内部電極の各一部が露出している、積層構造の部品本体を用意する工程と、内部電極と電気的に接続される外部電極を部品本体上に形成する、外部電極形成工程とを備える、積層型電子部品の製造方法にまず向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００１３】
まず、部品本体において、複数の内部電極の隣り合う露出端間の距離は５０μｍ以下であるという条件が付される。
【００１４】
また、外部電極形成工程は、部品本体の表面にＰｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇから選ばれる少なくとも１種からなる複数の導電性粒子を付与する、導電化処理工程と、次いで、部品本体に対して電解めっきを実施し、部品本体における複数の内部電極の各露出端に析出しためっき析出物を成長させながら均一なめっき膜とする、電解めっき工程とを含む。上記めっき膜は外部電極の少なくとも一部となるものである。
【００１５】
上記導電化処理工程で付与される導電性粒子は、その平均粒径が０．１〜１００ｎｍの範囲にある。そして、導電化処理工程において、導電性粒子は、各々の間の平均間隔を１０〜１００ｎｍの範囲としながら、部品本体の表面の全域にわたって島状に分布するように付与される。
【００１６】
なお、上述の導電性粒子の平均粒径を求めるにあたっての粒径は、厳密な一次粒子の粒径でなく、複数の粒子が凝集しているものについては、それを１つの粒子とみなし、その観察像から求められるものである。
【００１７】
この発明に係る積層型電子部品の製造方法において、導電化処理工程は、部品本体全体を導電化処理液に浸漬するバッチ処理法を用いて実施されることが好ましく、また、電解めっき工程は、バレルめっき法を用いて実施されることが好ましい。
【００１８】
導電性粒子はＰｄ粒子であることが好ましい。
【００１９】
この発明は、また、複数の内部電極が内部に形成され、内部電極の各一部が露出している、積層構造の部品本体と、部品本体上に形成され、かつ内部電極と電気的に接続される、外部電極とを備える、積層型電子部品にも向けられる。
【００２０】
この発明に係る積層型電子部品は、部品本体において、複数の内部電極の隣り合う露出端間の距離は５０μｍ以下であり、部品本体の表面には、複数の導電性粒子が、各々の間の平均間隔を１０〜１００ｎｍの範囲としながら、その全域にわたって島状に分布するように付与されていて、外部電極は、部品本体における複数の内部電極の各露出端およびその近傍に析出しためっき析出物からなるめっき膜を含むことを特徴としている。
【００２１】
この発明において、めっき膜はその主成分がＣｕであることが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
この発明によれば、導電性粒子が島状に分布するように付与されるので、部品本体の表面の全域にわたって導電性粒子による不連続な膜が形成される。このような不連続な膜は、ある意味、中途半端な導体膜であるが、このような不連続な導体膜と電解めっきとを組み合わせることにより、部品本体の表面における複数の内部電極の各露出端が集まっている領域およびその近傍には、めっき成長が生じるが、その他の領域には、めっき成長が起こらないようにすることができる。したがって、バレルめっき等のバッチ処理を実施しても、外部電極を形成したい領域にのみ、めっき膜を形成することができる。
【００２３】
また、この発明では、めっき膜の形成に電解めっきが適用されるので、無電解が適用される場合に比べて、めっき液が積層体に与えるダメージを少なくすることが容易である。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】この発明に係る製造方法によって製造される積層型電子部品を示す断面図である。
【図２】図１に示した積層型電子部品の製造過程の途中であって、外部電極を形成する前の部品本体の外観を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
図１および図２を参照して、この発明が適用される積層型電子部品について説明する。
【００２６】
積層型電子部品１は、積層構造の部品本体２を備えている。部品本体２は、その内部に複数の内部電極３および４を形成している。より詳細には、部品本体２は、積層された複数の機能材料層５と、機能材料層５間の界面に沿って形成された複数の層状の内部電極３および４とを備えている。内部電極３と内部電極４とは、積層方向に見て交互に配置される。内部電極３および４は、たとえば、ニッケルを主成分としている。
【００２７】
積層型電子部品１が積層セラミックコンデンサを構成するとき、機能材料層５は、誘電体セラミックから構成される。なお、積層型電子部品１は、その他、インダクタ、サーミスタ、圧電部品などを構成するものであってもよい。したがって、積層型電子部品１の機能に応じて、機能材料層５は、誘電体セラミックの他、磁性体セラミック、半導体セラミック、圧電体セラミックなどから構成されてもよく、さらには、セラミック以外の材料から構成されてもよい。
【００２８】
部品本体２の一方および他方端面６および７には、それぞれ、複数の内部電極３および複数の内部電極４の各端部が露出している。これら内部電極３の隣り合う露出端間の距離および内部電極４の隣り合う露出端間の距離は、ともに５０μｍ以下とされる。
【００２９】
部品本体２の端面６および７上には、内部電極３の各端部および内部電極４の各端部を、それぞれ、互いに電気的に接続するように、外部電極８および９が形成されている。外部電極８および９の各々は、部品本体２の端面６および７上に電解めっきにより直接形成されためっき膜から構成される。より詳細には、外部電極８および９の各々を構成するめっき膜は、部品本体２における内部電極３および４の各露出端に、めっき液中の金属イオンを析出させ、この析出しためっき析出物をさらに成長させ、内部電極３および４のそれぞれの隣り合う露出端を架橋して均一な状態とすることによって形成される。
【００３０】
上述したように部品本体２の端面６および７上に直接形成されるめっき膜は、たとえば銅を主成分とすることが好ましい。銅は、良好な導電性を示し、かつめっき処理時のつきまわり性が良好であるので、めっき処理の能率化を図れ、かつ外部電極８および９の、部品本体２に対する固着力を高めることができるからである。
【００３１】
図１では図示しないが、外部電極８および９は、積層型電子部品１の実装性を向上させ、または実装性を付与するため、上記めっき膜上に形成される第２のめっき膜をさらに備えていてもよい。第２のめっき膜は、たとえば、ニッケルを主成分とするめっき層からなるはんだバリア層と、はんだぬれ性を付与するためにはんだバリア層上に形成される、錫または金を主成分とするめっき層からなるはんだぬれ性付与層とから構成される。
【００３２】
なお、図示した積層型電子部品１は、２個の外部電極８および９を備える２端子型のものであるが、この発明は多端子型の積層型電子部品にも適用することができる。
【００３３】
次に、図１に示した積層型電子部品１の製造方法、特に、外部電極８および９の形成方法について説明する。
【００３４】
まず、周知の方法により、図２に示すような部品本体２が作製される。部品本体２の端面６および７には、それぞれ、複数の内部電極３および４の各一部が露出している。図２には、一方の端面６に露出する複数の内部電極３が図示されている。
【００３５】
次に、外部電極８および９を電解めっきによって形成するにあたって、まず、部品本体２の表面に複数の導電性粒子１０を付与する、導電化処理工程が実施される。導電性粒子１０として、たとえばＰｄ粒子が有利に用いられる。導電化処理工程は、複数の部品本体２について、各部品本体２全体を導電化処理液に浸漬するバッチ処理法を用いて実施されることが好ましい。導電化処理液としては、たとえば、無電解めっきの前処理のために用いられる活性化処理液を有利に転用することができる。
【００３６】
部品本体２の表面に付与された導電性粒子１０は、その平均粒径が０．１〜１００ｎｍの範囲にある。また、この導電化処理工程において、導電性粒子１０は、各々の間の平均間隔を１０〜１００ｎｍの範囲としながら、部品本体２の表面の全域にわたって島状に分布するように付与される。
【００３７】
なお、図２において、導電性粒子１０を多数の斑点で図示したが、図示した斑点は、単に、導電性粒子１０の分布領域を示すもので、粒径や間隔までをも図解するものではない。
【００３８】
次いで、部品本体２に対して、たとえば銅の電解めっきが実施される。この電解めっきによって、部品本体２における複数の内部電極３および４の各露出端に析出しためっき析出物は、成長しながら、外部電極８および９となる均一なめっき膜を形成する。
【００３９】
上述の電解めっき工程において、部品本体２の表面における複数の内部電極３および４の各露出端が集まっている領域およびその近傍には、めっき成長が生じるが、その他の領域には、めっき成長が起こらない。そのため、外部電極８および９となるめっき膜は、部品本体２における複数の内部電極３および４の各露出端およびその近傍にのみ形成される。
【００４０】
上述したように、部品本体２の表面における複数の内部電極３および４の各露出端が集まっている領域およびその近傍において、めっき成長が選択的に生じるようにするため、前述したように、
（１）複数の内部電極３および４の各々の隣り合う露出端間の距離は５０μｍ以下であり、
（２）導電性粒子１０の平均粒径が０．１〜１００ｎｍの範囲にあり、かつ
（３）導電性粒子１０の各々の間の平均間隔が１０〜１００ｎｍの範囲にあることが重要である。
【００４１】
たとえば、導電性粒子１０の平均粒径が０．１〜１００ｎｍの範囲を外れ、０．１ｎｍ未満であると、電解めっき工程において、めっき成長を促進する機能を十分に果たすことができず、他方、平均粒径が１００ｎｍを超えると、連続的な膜となりやすく、島状に分布する状態が得られにくく、その結果、電解めっき工程で不所望な領域にまでめっき成長が生じる、といった異常析出が生じやすい。
【００４２】
また、導電性粒子１０の各々の間の平均間隔が１０ｎｍ未満であると、部品本体２の表面における複数の内部電極３および４の各露出端が集まっている領域およびその近傍以外の領域にも、めっき成長が生じることがある。
【００４３】
次に、好ましくは、上記のようにめっき膜が形成された部品本体２が熱処理される。熱処理温度としては、たとえば６００℃以上、好ましくは８００℃以上の温度が採用される。
【００４４】
次に、必要に応じて、上記めっき膜上に、たとえば、ニッケルを主成分とするめっき層からなるはんだバリア層と、はんだぬれ性を付与するためにはんだバリア層上に形成される、錫または金を主成分とするめっき層からなるはんだぬれ性付与層とからなる第２のめっき膜が形成され、積層型電子部品１が完成される。
【００４５】
図１に示す外部電極８および９は、それぞれ、部品本体２の端面６および７上に形成されるだけでなく、各々の端縁が端面６および７に隣接する１対の主面上ならびに１対の側面上に位置するように形成されている。このような形態の外部電極８および９を能率的に形成することを可能にするため、図示しないが、部品本体２の主面の、端面６および７に隣接する端部上ならびに／または部品本体２の外層部に、ダミー導体が形成されてもよい。このようなダミー導体は、電気的特性の発現に実質的に寄与するものではないが、めっき膜の形成のための金属イオンの析出をもたらし、かつめっき成長を促進するように作用する。
【００４６】
上述した外部電極形成工程の前に、端面６および７での内部電極３および４の露出を十分なものとするため、部品本体２の端面６および７に研磨処理を施しておくことが好ましい。この場合、内部電極３および４の各露出端が、端面６および７から突出する程度にまで研磨処理を施せば、各露出端が面方向に広がるため、めっき成長に要するエネルギーを低減することができる。
【００４７】
以下、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
【００４８】
試料となる積層型電子部品の部品本体として、長さ０．９４ｍｍ、幅０．４７ｍｍおよび高さ０．４７ｍｍの積層セラミックコンデンサ用部品本体であって、機能材料層がチタン酸バリウム系誘電体セラミックからなり、内部電極が、厚み０．６μｍであって、Ｎｉを主成分とするものを用意した。ここで、部品本体における複数の内部電極の隣り合う露出端間の距離に関しては、表１の「内部電極露出端間距離」の欄に示すように、５μｍ、１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍおよび６０μｍである７種類のものを用意した。
【００４９】
次に、部品本体の全表面に複数の導電性粒子を付与する、導電化処理を実施した。すなわち、各試料につき、１０００個の部品本体をメッシュ容器に入れ、バッチ処理にて所定の処理液に全体を浸漬した。導電化処理は、以下のいずれかの条件で実施した。表１の「導電化処理条件」の欄に示される記号は、以下の導電化処理条件の記号Ａ１〜Ａ５と対応している。
【００５０】
Ａ１．無電解めっき前処理に用いられる奥野製薬社製「ＴＭＰプロセス」を実施した。その内訳は以下のとおり：
１．センシタイザ（１００ｍｌ／Ｌ）に、液温２５℃で３分間浸漬、
２．純水（水温２５℃）に１分間浸漬する水洗を２回、
３．アクチベータ（５０ｍｌ／Ｌ）に、液温３０℃で１分間浸漬、
４．純水（水温２５℃）に１分間浸漬する水洗を２回。
【００５１】
Ａ２．無電解めっき前処理に用いられる奥野製薬社製「ＯＰＣプロセス」を実施した。その内訳は以下のとおり：
１．プレディップ（２６０ｇ／Ｌの「ＯＰＣ−ＳＡＬ  Ｍ」）に、液温２０℃で２分間浸漬、
２．キャタリスト（ＯＰＣ−８０キャタリストＭ：４５ｍｌ／Ｌ、ＯＰＣ−ＳＡＬ  Ｍ：２６０ｇ／Ｌ）に、液温２５℃で６分間浸漬、
３．純水（水温２５℃）に１分間浸漬する水洗を２回、
４．アクセレレーター（ＯＰＣ−５００アクセレレーターＭＸ−１：１００ｍｌ／Ｌ、ＯＰＣ-５００アクセレレーターＭＸ−２：１０ｍｌ／Ｌ）に液温３０℃で５分間浸漬、
５．純水（水温２５℃）に１分間浸漬する水洗を２回。
【００５２】
Ａ３．特開２０００-３３６４８６号公報に開示される無電解めっき前処理を実施した。その内訳は以下のとおり：
１．［センシタイジング］…ＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏ：１５ｇ／ＬおよびＨＣｌ：１５ｍｌ／Ｌを含むセンシタイジング溶液に、液温２０℃で１分間浸漬、
２．［純水洗］…純水（水温２５℃）に１５秒間浸漬、
３．［触媒付与］…ＡｇＮＯ３：１．５ｇ／Ｌ、ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ：０．３ｇ／ＬおよびＣｏＳＯ４・７Ｈ２Ｏ：０．２ｇ／Ｌを含む銀塩活性化溶液（ｐＨ７）に、液温２０℃で１分間浸漬、
４．［純水洗］…純水（水温２５℃）に１５秒間浸漬、
〈上記１〜４の工程を３回繰り返し〉
５．［触媒付与］…ＰｄＣｌ２：１ｇ／Ｌ、ＨＣｌ：１ｍｌ／Ｌ、Ｐｂ（ＮＯ３）２：０.１ｇ／Ｌ、Ａｇ２ＳＯ４：０.０３ｇ／Ｌおよびホウ弗化水素酸：０.０１ｍｌ／Ｌを含むパラジウム活性化溶液（ｐＨ１．５）に、液温２０℃で５秒間浸漬、
６．［純水洗］…純水（水温２５℃）に１５秒間浸漬、
〈上記５および６の工程を２回繰り返し〉
Ａ４．ダイレクトプレーティング前処理：アトテック社製「ネオパクトプロセス」を実施した。その内訳は以下のとおり：
１．コンディショナー（コンディショナーネオパクトＵ：５０ｍｌ／Ｌ、Ｎａ２ＣＯ３：１．７５ｇ／ＬおよびＮａＨＣＯ３：２．５ｇ／Ｌ）に、液温５０℃で５分間浸漬、
２．純水（水温２５℃）に１分間浸漬、
３．プリディップ（３５％ＨＣｌ：０.５ｍｌ／Ｌ；  ｐＨ７）に、液温２５℃で１分間浸漬、
４．コンダクター（ベーシックソリューションネオパクト：１００ｍｌ／Ｌおよびリデューシングソリューションネオパクト：１０ｍｌ／Ｌ；  電位計で−２４０〜−２８０ｍＶに調節）に、液温５０℃で１０分間浸漬、
５．純水（水温２５℃）に１５秒間浸漬、
６．ポストディップ（ポストディップネオパクト：２００ｍｌ／Ｌ）に、液温２５℃で２分間浸漬、
７．純水（水温２５℃）に１分間浸漬。
【００５３】
Ａ５．導電化処理を実施しなかった。
【００５４】
上記の条件Ａ１〜Ａ４の導電化処理による導電性粒子の付与状態を評価するため、別途、ガラス基板に対して同様の条件で導電化処理を実施し、ＡＦＭにて観察した。この観察結果から算出した導電性粒子の平均粒径は、条件Ａ１では、数〜数十ｎｍ、条件Ａ２では、数十〜１００ｎｍ、条件Ａ３では、０．１〜数ｎｍとなり、いずれも、島状に分布する不連続膜を形成していた。また、条件Ａ４では、導電性粒子の平均粒径が大きくなりすぎ、導電性粒子による連続膜が形成された。
【００５５】
次に、各試料につき、１０００個の部品本体を、容積３００ｍｌの水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径０．７ｍｍのメディアを１００ｍｌ投入し、バレルを周速２．６ｍ／分にて回転させながら、電解Ｃｕめっきおよび無電解Ｃｕめっきのいずれかを実施した。電解Ｃｕめっきおよび無電解Ｃｕめっきの各条件は以下のとおりとした。表１の「めっき条件」の欄に示される記号は、以下のめっき条件の記号Ｂ１およびＢ２と対応している。
【００５６】
Ｂ１．電解Ｃｕめっき
以下のＣｕめっき浴を用いながら、電流密度×時間を、１μｍの膜厚が得られるレベルである、０.１０Ａ／ｄｍ２×１５０分として、電解Ｃｕめっきを実施した。
〈電解Ｃｕめっき浴〉
・ピロリン酸銅：１４ｇ／Ｌ
・ピロリン酸：１２０ｇ／Ｌ
・シュウ酸カリウム：１０ｇ／Ｌ
・ｐＨ：８.７
・浴温：２５℃。
【００５７】
Ｂ２．無電解Ｃｕめっき
以下のＣｕめっき浴を用いながら、１μｍの膜厚が得られるように制御して、無電解Ｃｕめっきを実施した。
〈無電解Ｃｕめっき浴〉
・硫酸銅５水和物：１０ｇ／Ｌ
・ホルムアルデヒド：５ｇ／Ｌ
・酒石酸ナトリウムカリウム４水和物：３０ｇ／Ｌ
・ポリエチレングリコール：１ｇ／Ｌ
・水酸化ナトリウム：５ｇ／Ｌ
・浴温：４０℃
・エアレーション：０.５Ｌ／分。
【００５８】
以上のようにして得られた各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、Ｃｕめっき膜の連続性を評価するとともに、異常析出の有無を評価した。
【００５９】
Ｃｕめっき膜の連続性については、光学顕微鏡観察により、部品本体の端面において、めっき膜に覆われずに露出している部分の面積比率が５％以上であるとき、不良と判定した。そして、抜き取り試料数１００個において、１個以上の試料について不良と判定されたとき、表１の「連続性評価」の欄に「×」と表示し、不良が生じなかったとき、「○」と表示した。
【００６０】
Ｃｕめっき膜の異常析出については、光学顕微鏡観察により、部品本体の外部電極形成領域以外の領域にＣｕめっきが析出しているとき、不良と判定した。そして、抜き取り試料数１００個において、１個以上の試料について不良と判定されたとき、表１の「異常析出有無評価」の欄に「×」と表示し、不良が生じなかったとき、「○」と表示した。
【００６１】
【表１】
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【００６２】
前述した導電化処理の結果、付与された導電性粒子が島状に分布し、かつその平均粒径が０．１〜１００ｎｍの範囲にはいるのは、「導電化処理条件」が「Ａ１」、「Ａ２」および「Ａ３」の場合であった。
【００６３】
この「導電化処理条件」が「Ａ１」、「Ａ２」および「Ａ３」のいずれかを満たす試料１〜３では、「めっき条件」が電解めっきの「Ｂ１」であるとき、「内部電極露出端間距離」が５〜５０μｍの範囲において、「連続性評価」が「○」となり、また、「異常析出有無評価」も「○」となった。
【００６４】
試料４では、「導電化処理条件」が「Ａ５」であり、すなわち、導電化処理を実施せず、「めっき条件」が「Ｂ１」である電解めっきを実施したため、「内部電極露出端間距離」が２０μｍ以下と短い場合にのみ、「連続性評価」が「○」となり、また、「異常析出有無評価」も「○」となった。
【００６５】
試料５〜７および９では、「めっき条件」が「Ｂ２」である無電解めっきを実施したため、「導電化処理条件」が「Ａ１」、「Ａ２」、「Ａ３」および「Ａ４」のいずれであっても、「内部電極露出端間距離」が５〜６０μｍの範囲において、「連続性評価」が「○」となったが、「異常析出有無評価」については「×」となった。
【００６６】
試料８では、「導電化処理条件」が「Ａ４」であり、前述したように、導電性粒子の平均粒径が大きくなりすぎ、導電性粒子による連続膜が形成されたため、「めっき条件」が「Ｂ１」である電解めっきを実施したとき、「内部電極露出端間距離」が５〜６０μｍの範囲において、「連続性評価」が「○」となったが、「異常析出有無評価」については「×」となった。
【符号の説明】
【００６７】
１  積層型電子部品
２  部品本体
３，４  内部電極
５  機能材料層
６，７  端面
８，９  外部電極
１０  導電性粒子
【図１】
2012134413.tif 000004
【図２】
2012134413.tif 000005