(57)【要約】      （修正有）【課題】輝度寿命の向上した有機発光素子を提供する。【解決手段】発光層を備え、発光層が、下記一般式（１）で表される構造を有する化合物又は下記一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物を含有し、かつ、発光層において、発光層に含有される有機化合物全量に対する、一般式（１）で表される構造の骨格の割合が０．０１質量％〜２０質量％である、有機発光素子。2012146968.tif 000070【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を備え、
前記発光層が、下記一般式（１）で表される構造を有する化合物又は下記一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物を含有し、かつ、
前記発光層において、前記発光層に含有される有機化合物全量に対する、前記一般式（１）で表される構造の骨格の割合が０．０１質量％〜２０質量％である、有機発光素子。
【化１】
2012146968.tif 000065
［式中、
Ｒｘは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、１価の複素環チオ基、イミン残基、アミド化合物残基、酸イミド残基、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基からなる群より選ばれる官能基、又は、水素原子を示す。
但し、水素原子を有する前記官能基は、該水素原子が置換基で置換されていてもよい。複数あるＲｘは、同一であっても異なっていてもよい。］
【請求項２】
発光層と、該発光層に隣接する電荷輸送層とを備え、
前記電荷輸送層が、下記一般式（１）で表される構造を有する化合物又は下記一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物を含有し、かつ、
前記電荷輸送層において、前記電荷輸送層に含有される有機化合物全量に対する、前記一般式（１）で表される構造の骨格の割合が０．０１質量％〜５０質量％である、有機発光素子。
【化２】
2012146968.tif 000066
［式中、
Ｒｘは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、１価の複素環チオ基、イミン残基、アミド化合物残基、酸イミド残基、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基からなる群より選ばれる官能基、又は、水素原子を示す。
但し、水素原子を有する前記官能基は、該水素原子が置換基で置換されていてもよい。複数あるＲｘは、同一であっても異なっていてもよい。］
【請求項３】
前記一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物が、共役系高分子化合物である、請求項１又は２に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記共役系高分子化合物が、前記一般式（１）で表される構造から誘導される基を繰り返し単位として有する、請求項３に記載の有機発光素子。
【請求項５】
縮合重合で合成され、
下記一般式（１）で表される構造から誘導される基及び当該基とは相違する任意追加基が前記縮合重合により導入されており、
前記一般式（１）で表される構造から誘導される基及び前記任意追加基のモル数を、それぞれＮ１及びＮＭとしたときに、Ｎ１及びＮＭが下記式（Ｉ）を満たす、共役系高分子化合物。
０．０１≦Ｎ１×１００／（Ｎ１＋ＮＭ）≦２０    （Ｉ）
【化３】
2012146968.tif 000067
［式中、
Ｒｘは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、１価の複素環チオ基、イミン残基、アミド化合物残基、酸イミド残基、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基からなる群より選ばれる官能基、又は、水素原子を示す。
但し、水素原子を有する前記官能基は、該水素原子が置換基で置換されていてもよい。複数あるＲｘは、同一であっても異なっていてもよい。］
【請求項６】
前記一般式（１）で表される構造から誘導される基が、下記式（２）、式（３）、式（４）、式（５）、式（６）又は式（７）で表される、請求項５に記載の共役系高分子化合物。
【化４】
2012146968.tif 000068
［式中、
Ｒｘは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、１価の複素環チオ基、イミン残基、アミド化合物残基、酸イミド残基、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基からなる群より選ばれる官能基、又は、水素原子を示す。
但し、水素原子を有する前記官能基は、該水素原子が置換基で置換されていてもよい。複数あるＲｘは、同一であっても異なっていてもよい。］
【請求項７】
前記任意追加基として、下記式（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）で表される基のうち、少なくとも一つの基を含む、請求項５又は６に記載の共役系高分子化合物。
【化５】
2012146968.tif 000069
［式中、
Ａｒ１及びＡｒ５は、それぞれ独立に、アリーレン基、６員環以上の環から構成される２価の複素環基及び金属錯体構造を有する２価の基からなる群より選ばれる官能基を示し、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４は、それぞれ独立に、アリーレン基及び６員環以上の環から構成される２価の複素環基からなる群より選ばれる官能基を示す。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基及びアリールアルキル基からなる群より選ばれる官能基を示し、
Ｘ１は−ＣＲ３＝ＣＲ４−及び−Ｃ≡Ｃ−からなる群より選ばれる官能基を示す。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群より選ばれる官能基を示す。
ａは、０又は１である。
但し、水素原子を有する前記官能基は、該水素原子が置換基で置換されていてもよい。］
【請求項８】
前記式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）で表される任意追加基のモル数及びこれら以外の任意追加基のモル数を、それぞれＮＡ、ＮＢ、ＮＣ及びＮＭ’としたときに、前記Ｎ１、ＮＡ、ＮＢ、ＮＣ及びＮＭ’が下記式（ＩＩ）を満たす、請求項７に記載の共役系高分子化合物。
４０≦（ＮＡ＋ＮＢ＋ＮＣ）×１００／（Ｎ１＋ＮＡ＋ＮＢ＋ＮＣ＋ＮＭ’）＜１００    （ＩＩ）
【請求項９】
前記式（Ａ）で表される任意追加基を含む、請求項７又は８に記載の共役系高分子化合物。
【請求項１０】
前記式（Ｂ）で表される任意追加基を含む、請求項７〜９のいずれか一項に記載の共役系高分子化合物。
【請求項１１】
前記式（Ａ）で表される任意追加基及び前記式（Ｂ）で表される任意追加基を含む、請求項７〜１０のいずれか一項に記載の共役系高分子化合物。
【請求項１２】
発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料と、
請求項５〜１１のいずれか一項に記載の共役系高分子化合物と、を含む組成物。
【請求項１３】
請求項５〜１１のいずれか一項に記載の共役系高分子化合物と、有機溶媒と、を含むインク組成物。
【請求項１４】
請求項５〜１１のいずれか一項に記載の共役系高分子化合物を含有する、請求項３に記載の有機発光素子。
【請求項１５】
請求項１〜４及び１４のいずれか一項に記載の有機発光素子を備えた面状光源。
【請求項１６】
請求項１〜４及び１４のいずれか一項に記載の有機発光素子を備えた表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光素子及び共役系高分子化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、次世代ディスプレイとして、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子（以下、有機発光素子と言う。）を用いた有機ＥＬディスプレイが注目されている。この有機発光素子は、発光層、電荷輸送層等の有機層を備える。有機発光素子は低分子有機材料からなる場合、高分子有機材料からなる場合がある。高分子有機材料を主な材料として使用する場合、インクジェットやスピンコート等の塗布法を使用した際に均一な膜を容易に形成することができ、大型の有機ＥＬディスプレイを作製する際に有利であるため、これまでに高分子有機材料が提案されている（例えば、特許文献１〜２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−５６９０９号公報
【特許文献２】国際公開９９／５４３８５号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の高分子有機材料では、有機発光素子に用いる場合、その輝度寿命が十分であるとはいえなかった。
【０００５】
そこで、本発明は、輝度寿命の向上した有機発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、
発光層を備え、
前記発光層が、下記一般式（１）で表される構造を有する化合物又は下記一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物を含有し、かつ、
前記発光層において、前記発光層に含有される有機化合物全量に対する、前記一般式（１）で表される構造の骨格の割合が０．０１質量％〜２０質量％である、有機発光素子（以下、「有機発光素子Ｘ」と言うことがある。）を提供する。
【化１】
2012146968.tif 000002
一般式（１）中、Ｒｘは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、１価の複素環チオ基、イミン残基、アミド化合物残基、酸イミド残基、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基からなる群より選ばれる官能基、又は、水素原子を示す。但し、水素原子を有する前記官能基は、該水素原子が置換基で置換されていてもよい。複数あるＲｘは、同一であっても異なっていてもよい。
【０００７】
本発明はまた、
発光層と、該発光層に隣接する電荷輸送層とを備え、
前記電荷輸送層が、下記一般式（１）で表される構造を有する化合物又は下記一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物を含有し、かつ、
前記電荷輸送層において、前記電荷輸送層に含有される有機化合物全量に対する、前記一般式（１）で表される構造の骨格の割合が０．０１質量％〜５０質量％である、有機発光素子（以下、「有機発光素子Ｙ」と言うことがある。）を提供する。
【化２】
2012146968.tif 000003
［式中、
Ｒｘは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、１価の複素環チオ基、イミン残基、アミド化合物残基、酸イミド残基、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基からなる群より選ばれる官能基、又は、水素原子を示す。
但し、水素原子を有する前記官能基は、該水素原子が置換基で置換されていてもよい。複数あるＲｘは、同一であっても異なっていてもよい。］
【０００８】
本発明によれば、有機発光素子が、上述したいずれかの要件を満たすことにより、有機発光素子の輝度寿命が向上する。
【０００９】
上記一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物は、高分子化合物であることが好ましく、共役系高分子化合物であることがより好ましい。また、上記共役系高分子化合物は、上記一般式（１）で表される構造から誘導される基を繰り返し単位として有することが好ましい。これにより、有機発光素子の電気的特性が向上する。
【００１０】
本発明はまた、縮合重合で合成され、下記一般式（１）で表される構造から誘導される基及び上記基とは相違する任意追加基が上記縮合重合により導入されており、一般式（１）で表される構造から誘導される基及び上記任意追加基のモル数を、それぞれＮ１及びＮＭとしたときに、Ｎ１及びＮＭが下記式（Ｉ）を満たす、共役系高分子化合物（以下、「共役系高分子化合物Ｚ」と言うことがある。）を提供する。
０．０１≦Ｎ１×１００／（Ｎ１＋ＮＭ）≦２０    （Ｉ）
【化３】
2012146968.tif 000004
一般式（１）中、Ｒｘは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、１価の複素環チオ基、イミン残基、アミド化合物残基、酸イミド残基、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基からなる群より選ばれる官能基、又は、水素原子を示す。但し、水素原子を有する前記官能基は、該水素原子が置換基で置換されていてもよい。複数あるＲｘは、同一であっても異なっていてもよい。
【００１１】
本発明の共役系高分子化合物は、上記一般式（１）で表される構造から誘導される基を所定量有していることにより、有機発光素子に用いることで有機発光素子の電気的特性を一層向上させることができる。
【００１２】
上記共役系高分子化合物は、上記一般式（１）で表される構造から誘導される基が、下記式（２）、式（３）、式（４）、式（５）、式（６）又は式（７）で表される基とすることができる。下記式中、Ｒｘは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、１価の複素環チオ基、イミン残基、アミド化合物残基、酸イミド残基、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基からなる群より選ばれる官能基、又は、水素原子を示す。但し、水素原子を有する前記官能基は、該水素原子が置換基で置換されていてもよい。
【化４】
2012146968.tif 000005
【００１３】
上記共役系高分子化合物は、上記任意追加基として、下記式（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）で表される基のうち、少なくとも一つの基を含むことが好ましい。下記式中、Ａｒ１及びＡｒ５は、それぞれ独立に、アリーレン基、６員環以上の環から構成される２価の複素環基及び金属錯体構造を有する２価の基からなる群より選ばれる官能基を示し、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４は、それぞれ独立に、アリーレン基及び６員環以上の環から構成される２価の複素環基からなる群より選ばれる官能基を示す。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基及びアリールアルキル基からなる群より選ばれる官能基を示し、Ｘ１は−ＣＲ３＝ＣＲ４−及び−Ｃ≡Ｃ−からなる群より選ばれる官能基を示す。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群より選ばれる官能基を示す。ａは、０又は１である。但し、水素原子を有する前記官能基は、該水素原子が置換基で置換されていてもよい。
【化５】
2012146968.tif 000006
【００１４】
上記共役系高分子化合物が、上記式（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）で表される任意追加基のうち、少なくとも一つの基を含むことにより、電荷輸送及び電荷注入効率に優れた共役系高分子化合物となる。また、有機発光素子に用いたときに、輝度寿命を一層向上させることができる。
【００１５】
上記共役系高分子化合物は、上記式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）で表される任意追加基のモル数及びこれら以外の任意追加基のモル数を、それぞれＮＡ、ＮＢ、ＮＣ及びＮＭ’としたときに、Ｎ１、ＮＡ、ＮＢ、ＮＣ及びＮＭ’が下記式（ＩＩ）を満たすことが好ましい。
４０≦（ＮＡ＋ＮＢ＋ＮＣ）×１００／（Ｎ１＋ＮＡ＋ＮＢ＋ＮＣ＋ＮＭ’）＜１００    （ＩＩ）
【００１６】
上記共役系高分子化合物は、上記式（Ａ）で表される任意追加基を含むことが好ましい。これにより、電子輸送及び電子注入効率に優れた共役系高分子化合物となり、有機発光素子の電荷輸送層（特に電子輸送層）に好適に用いることができる。上記共役系高分子化合物は、上記式（Ｂ）で表される任意追加基を含むことが好ましい。これにより、正孔輸送及び正孔注入効率に優れた共役系高分子化合物となり、有機発光素子の電荷輸送層（特に正孔輸送層）に好適に用いることができる。上記共役系高分子化合物は、上記式（Ａ）で表される任意追加基及び上記式（Ｂ）で表される任意追加基を含むことが好ましい。これにより、正孔と電子の結合により励起エネルギーを効率良く形成することができる共役系高分子化合物となり、有機発光素子の発光層に好適に用いることができる。
【００１７】
本発明はまた、発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料と、上記共役系高分子化合物と、を含む組成物を提供する。本発明の組成物は、有機発光素子の発光層、電荷（正孔又は電子を意味し、以下、同様である。）輸送層又は電荷注入層の製造に用いることができ、製造効率を向上させることができる。
【００１８】
本発明はまた、上記共役系高分子化合物と、有機溶媒と、を含むインク組成物を提供する。インク組成物は有機溶媒を含むため、上記共役系高分子化合物を含む薄膜を積層・成膜させるにあたり、インク組成物を塗布した後、乾燥により有機溶媒を除去するだけでよく、製造上非常に有利である。
【００１９】
本発明はまた、共役系高分子化合物Ｚを含有する、有機発光素子Ｘ及び有機発光素子Ｙを提供する。
【００２０】
本発明はさらに、上記有機発光素子を備えた面状光源及び表示装置を提供する。上記有機発光素子は、輝度寿命が顕著に向上しているため、耐久性に優れた面状光源及び表示装置とすることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の有機発光素子は、輝度寿命が向上した素子である。また、本発明の共役系高分子化合物は、有機発光素子の電荷注入層、電荷輸送層又は発光層に含有させることで有機発光素子の輝度寿命を向上させることが可能である。
【００２２】
更に、本発明によれば、上記共役系高分子化合物を含有する組成物及びインク組成物、上記共役系高分子化合物、並びに、上記有機発光素子を有する面状光源、表示装置等を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】一実施形態に係る有機薄膜トランジスタの模式断面図である。
【図２】一実施形態に係る有機薄膜トランジスタの模式断面図である。
【図３】一実施形態に係る有機発光素子（構成ｉ）の模式断面図である。
【図４】一実施形態に係る有機発光素子（構成ｅ）の模式断面図である。
【図５】一実施形態に係る面状光源の模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、ｔｅｒｔ−ブチル基を「ｔ−Ｂｕ」、フェニル基を「Ｐｈ」とそれぞれ表記する場合がある。
【００２５】
＜用語の説明＞
以下、本明細書において共通して用いられる用語について、必要に応じて具体例を挙げて説明する。
【００２６】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
【００２７】
「Ｃｘ〜Ｃｙ」（ｘ、ｙはｘ＜ｙを満たす正の整数である。）という用語は、この用語の直後に記載された官能基名に該当する部分構造の炭素原子数が、ｘ〜ｙ個であることを意味する。即ち、「Ｃｘ〜Ｃｙ」の直後に記載された有機基が、複数の官能基名を組み合わせて命名された有機基（例えば、Ｃｘ〜Ｃｙアルコキシフェニル基）である場合、複数の官能基名のうち「Ｃｘ〜Ｃｙ」の直後に記載された官能基名（例えば、アルコキシ）に該当する部分構造の炭素原子数が、ｘ〜ｙ個であることを意味する。例えば、「Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基」は炭素原子数が１〜１２個であるアルキル基を意味し、「Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基」は「炭素原子数が１〜１２個であるアルコキシ基」を有するフェニル基を意味する。
【００２８】
アルキル基は、置換基を有していてもよく、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基及び環状アルキル基（即ち、シクロアルキル基）のいずれであってもよい。アルキル基としては、直鎖状アルキル基及び環状アルキル基が好ましく、非置換のアルキル基及びハロゲン原子等で置換されたアルキル基が好ましい。
【００２９】
置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、複素環チオ基、イミン残基、アミド化合物残基、酸イミド残基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられ、これらの基に含まれる水素原子の一部又は全部は、フッ素原子で置換されていてもよい（以下、「置換基」というときは、特記しない限り、同様の基を例示できる。）。
【００３０】
置換基を有していてもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ドデシル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられる。
【００３１】
アルキル基の炭素原子数は、直鎖状アルキル基又は分岐状アルキル基である場合、１〜２０であることが好ましく、１〜１５であることがより好ましく、１〜１２であることがさらに好ましく、環状アルキル基である場合、３〜２０であることが好ましく、３〜１５であることがより好ましく、３〜１２であることがさらに好ましい。Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基等が挙げられる。
【００３２】
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、直鎖状アルコキシ基、分岐状アルコキシ基及び環状アルコキシ基（即ち、シクロアルコキシ基）のいずれであってもよい。アルコキシ基としては、直鎖状アルコキシ基及び環状アルコキシ基が好ましく、非置換のアルコキシ基、及び、ハロゲン原子、アルコキシ基等で置換されたアルコキシ基が好ましい。
【００３３】
置換基を有していてもよいアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基等が挙げられる。
【００３４】
アルコキシ基の炭素原子数は、直鎖状アルコキシ基又は分岐状アルコキシ基である場合、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１５、さらに好ましくは１〜１２であり、環状アルコキシ基である場合、好ましくは３〜２０であり、より好ましくは３〜１５であり、さらに好ましくは３〜１２である。Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。
【００３５】
アルキルチオ基は、置換基を有していてもよく、直鎖状アルキルチオ基、分子鎖状アルキルチオ基及び環状アルキルチオ基（即ち、シクロアルキルチオ基）のいずれであってもよい。アルキルチオ基としては、直鎖状アルキルチオ基及び環状アルキルチオ基が好ましく、非置換のアルキルチオ基及びハロゲン原子等で置換されたアルキルチオ基が好ましい。
【００３６】
置換基を有していてもよいアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ドデシルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられる。
【００３７】
アルキルチオ基の炭素原子数は、直鎖状アルキルチオ基又は分岐状アルキルチオ基である場合、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１５、さらに好ましくは１〜１２であり、環状アルキルチオ基である場合、好ましくは３〜２０であり、より好ましくは３〜１５であり、さらに好ましくは３〜１２である。Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ドデシルチオ基等が挙げられる。
【００３８】
アリール基は、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子１個を除いた残りの原子団であり、置換基を有していてもよい。アリール基としては、非置換のアリール基、及び、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリール基が好ましい。アリール基としては、ベンゼン環を有する基、縮合環を有する基、並びに、ベンゼン環及び／又は縮合環が２個以上、単結合又は２価の有機基（例えば、ビニレン基等のアルキレン基）を介して結合した基等が含まれる。アリール基の炭素原子数は、好ましくは６〜６０、より好ましくは６〜４８、さらに好ましくは６〜３０である。
【００３９】
置換基を有していてもよいアリール基としては、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、２−フルオレニル基、ペンタフルオロフェニル基、ビフェニリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシビフェニリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルビフェニリル基等が挙げられ、中でも、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基、ビフェニリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシビフェニリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルビフェニリル基が好ましい。
【００４０】
Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基としては、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ブチルオキシフェニル基、イソブチルオキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基等が挙げられる。
【００４１】
Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基としては、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基等が挙げられる。
【００４２】
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、好ましくは非置換のアリールオキシ基、及び、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールオキシ基である。アリールオキシ基の炭素原子数は、好ましくは６〜６０、より好ましくは６〜４８、さらに好ましくは６〜３０である。
【００４３】
置換基を有していてもよいアリールオキシ基としては、フェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられ、中でもＣ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基が好ましい。
【００４４】
Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基としては、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、イソプロピルオキシフェノキシ基、ブチルオキシフェノキシ基、イソブチルオキシフェノキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基等が挙げられる。
【００４５】
Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基としては、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１，３，５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、ｓｅｃ−ブチルフェノキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基等が挙げられる。
【００４６】
アリールチオ基は、置換基を有していてもよく、好ましくは非置換のアリールチオ基、及び、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールチオ基である。アリールチオ基の炭素原子数は、好ましくは６〜６０、より好ましくは６〜４８、さらに好ましくは６〜３０である。置換基を有していてもよいアリールチオ基としては、フェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が挙げられる。
【００４７】
アリールアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは、非置換のアリールアルキル基、及び、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールアルキル基である。アリールアルキル基の炭素原子数は、好ましくは７〜６０、より好ましくは７〜４８、さらに好ましくは７〜３０である。置換基を有していてもよいアリールアルキル基としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基等が挙げられる。
【００４８】
アリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、好ましくは非置換のアリールアルコキシ基、及び、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールアルコキシ基である。アリールアルコキシ基の炭素原子数は、好ましくは７〜６０、より好ましくは７〜４８、さらに好ましくは７〜３０である。置換基を有していてもよいアリールアルコキシ基としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基等が挙げられる。
【００４９】
アリールアルキルチオ基は、置換基を有していてもよく、好ましくは非置換のアリールアルキルチオ基、及び、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールアルキルチオ基である。アリールアルキルチオ基の炭素原子数は、好ましくは７〜６０、より好ましくは７〜４８、さらに好ましくは７〜３０である。置換基を有していてもよいアリールアルキルチオ基としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基等が挙げられる。
【００５０】
アルケニル基は、置換基を有していてもよく、直鎖状アルケニル基、分岐状アルケニル基及び環状アルケニル基のいずれであってもよい。アルケニル基の炭素原子数は、好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜１５、さらに好ましくは２〜１０である。アルケニル基としては、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、１−オクテニル基等が挙げられる。
【００５１】
アリールアルケニル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは非置換のアリールアルケニル基、及び、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールアルケニル基である。アリールアルケニル基の炭素原子数は、好ましくは８〜６０、より好ましくは８〜４８、さらに好ましくは８〜３０である。置換基を有していてもよいアリールアルケニル基としては、フェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基等が挙げられ、中でもＣ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基が好ましい。Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基としては、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、１−オクテニル基等が挙げられる。
【００５２】
アルキニル基は、置換基を有していてもよく、直鎖状アルキニル基、分岐状アルキニル基及び環状アルキニル基のいずれであってもよい。アルキニル基の炭素原子数は、直鎖状アルキニル基及び分岐状アルキニル基では、好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜１５、さらに好ましくは２〜１０であり、環状アルキニル基では、好ましくは１０〜２０、より好ましくは１０〜１５である。置換基を有していてもよいアルキニル基としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、２−ヘキシニル基、１−オクチニル基及びアリールアルキニル基等が挙げられる。
【００５３】
アリールアルキニル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは非置換のアリールアルキニル基、及び、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたアリールアルキニル基である。アリールアルキニル基の炭素原子数は、好ましくは８〜６０、より好ましくは８〜４８、さらに好ましくは８〜３０である。置換基を有していてもよいアリールアルキニル基としては、フェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基等が挙げられ、中でもＣ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基が好ましい。Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、２−ヘキシニル基、１−オクチニル基等が挙げられる。
【００５４】
１価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団であり、置換基を有していてもよい。１価の複素環基としては、非置換の１価の複素環基、及び、アルキル基等の置換基で置換された１価の複素環基が好ましい。１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めずに、好ましくは４〜６０、より好ましくは４〜３０、さらに好ましくは４〜２０である。複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を含むものをいう。置換基を有していてもよい１価の複素環基としては、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ピロリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられ、中でもチエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基が好ましい。なお、１価の複素環基としては、１価の芳香族複素環基が好ましい。
【００５５】
１価の複素環チオ基は、チオール基の水素原子が上記１価の複素環基で置換された基であり、置換基を有していてもよい。１価の複素環チオ基としては、例えば、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジニルチオ基、ピラジニルチオ基、トリアジニルチオ基等のヘテロアリールチオ基が挙げられる。
【００５６】
アミノ基は、置換基を有していてもよく、好ましくは非置換のアミノ基並びにアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基から選ばれる１又は２個の置換基で置換されたアミノ基（以下、「置換アミノ基」という。）である。該置換基はさらに置換基（以下、有機基の有する置換基が、さらに有する置換基を、「二次置換基」という場合がある。）を有していてもよい。置換アミノ基の炭素原子数は、二次置換基の炭素原子数を含めずに、好ましくは１〜６０、より好ましくは２〜４８、さらに好ましくは２〜４０である。
【００５７】
置換アミノ基としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ドデシルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルアミノ基、ビス（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル）アミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルアミノ基、ビス（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジニルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基等が挙げられる。
【００５８】
シリル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは非置換のシリル基、並びに、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基から選ばれる１〜３個の置換基で置換されたシリル基（以下、「置換シリル基」という。）である。置換基は二次置換基を有していてもよい。置換シリル基の炭素原子数は、二次置換基の炭素原子数を含めないで、好ましくは１〜６０、より好ましくは３〜４８、さらに好ましくは３〜４０である。
【００５９】
置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−イソプロピルシリル基、ジメチル−イソプロピルシリル基、ジエチル−イソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ドデシルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が挙げられる。
【００６０】
アシル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは非置換のアシル基、及び、ハロゲン原子等で置換されたアシル基である。アシル基の炭素原子数は、好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜１８、さらに好ましくは２〜１６である。アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられる。
【００６１】
アシルオキシ基は、置換基を有していてもよく、好ましくは非置換のアシルオキシ基、及び、ハロゲン原子等で置換されたアシルオキシ基である。アシルオキシ基の炭素原子数は、好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜１８、さらに好ましくは２〜１６である。アシルオキシ基としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
【００６２】
イミン残基は、一般式：Ｈ−Ｎ＝Ｃ（ＲＹ１）２又は一般式：Ｈ−ＣＲＸ１＝Ｎ−ＲＹ１の少なくとも一方で表される構造を有するイミン化合物から、上記一般式中の水素原子を除いた残基を意味する。式中、ＲＸ１は水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基又はアリールアルキニル基を示す。式中、ＲＹ１は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基又はアリールアルキニル基を示す。但し、ＲＹ１が２個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、また、２個のＲＹ１は相互に結合し一体となって２価の基、例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等の炭素原子数２〜１８のアルキレン基として環を形成してもよい。このようなイミン化合物としては、例えば、アルジミン、ケチミン又はアルジミン中の窒素原子に結合した水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基等で置換された化合物が挙げられる。イミン残基の炭素原子数は、好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜１８、さらに好ましくは２〜１６である。イミン残基の具体例としては、以下の構造式で示される基が挙げられる。
【００６３】
【化６】
2012146968.tif 000007
【００６４】
アミド化合物残基は、一般式：Ｈ−ＮＲＸ２−ＣＯＲＹ２及び一般式：Ｈ−ＣＯ−Ｎ（ＲＹ２）２の少なくとも一方で表される構造を有するアミド化合物から、上記一般式中の水素原子を除いた残基を意味する。式中、ＲＸ２及びＲＹ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基又はアリールアルキニル基を表す。アミド化合物残基の炭素原子数は、好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜１８、さらに好ましくは２〜１６である。アミド化合物残基としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基及びジペンタフルオロベンズアミド基等が挙げられる。
【００６５】
酸イミド残基は、一般式：ＲＸ３−ＣＯ−ＮＨ−ＣＯ−ＲＹ３で表される構造を有する酸イミドから、上記一般式中の水素原子を除いた残基を意味する。式中、ＲＸ３及びＲＹ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基又はアリールアルキニル基を表すか、又は、ＲＸ３及びＲＹ３がともに構成原子となって形成される環構造を表す。酸イミド残基の炭素原子数は、好ましくは４〜２０、より好ましくは４〜１８、さらに好ましくは４〜１６である。酸イミド残基としては、例えば、以下に示す基が挙げられる。
【００６６】
【化７】
2012146968.tif 000008
【００６７】
アリーレン基は、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いてなる原子団を意味し、独立したベンゼン環又は縮合環を持つ基を含む。アリーレン基の炭素原子数は、好ましくは６〜６０、より好ましくは６〜４８、さらに好ましくは６〜３０、特に好ましくは６〜１８である。該炭素原子数は置換基の炭素原子数は含まない。アリーレン基としては、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基等のフェニレン基；２，７−ビフェニリレン基、３，６−ビフェニリレン基等のビフェニリレン基；１，４−ナフタレンジイル基、１，５−ナフタレンジイル基、２，６−ナフタレンジイル基等のナフタレンジイル基；１，４−アントラセンジイル基、１，５−アントラセンジイル基、２，６−アントラセンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基等のアントラセンジイル基；２，７−フェナントレンジイル基等のフェナントレンジイル基；１，７−ナフタセンジイル基、２，８−ナフタセンジイル基、５，１２−ナフタセンジイル基等のナフタセンジイル基；２，７−フルオレンジイル基、３，６−フルオレンジイル基等のフルオレンジイル基；１，６−ピレンジイル基、１，８−ピレンジイル基、２，７−ピレンジイル基、４，９−ピレンジイル基等のピレンジイル基；３，９−ペリレンジイル基、３，１０−ペリレンジイル基等のペリレンジイル基等が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。これらのうち、好ましくは、置換基を有していてもよいフェニレン基、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基である。
【００６８】
２価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、置換基を有していてもよい。２価の複素環基としては、非置換の２価の複素環基及びアルキル基等で置換された２価の複素環基が好ましい。２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、好ましくは４〜６０、より好ましくは４〜３０であり、さらに好ましくは４〜１２である。
【００６９】
２価の複素環基としては、２，５−ピリジンジイル基、２，６−ピリジンジイル基等のピリジンジイル基；２，６−キノリンジイル基等のキノリンジイル基；１，４−イソキノリンジイル基、１，５−イソキノリンジイル基等のイソキノリンジイル基；５，８−キノキサリンジイル基等のキノキサリンジイル基；２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジイル基等の２，１，３−ベンゾチアジアゾール基；４，７−ベンゾチアゾールジイル基等のベンゾチアゾールジイル基；２，７−カルバゾールジイル基、３，６−カルバゾールジイル基等のカルバゾールジイル基；３，７−フェノキサジンジイル基等のフェノキサジンジイル基；３，７−フェノチアジンジイル基等のフェノチアジンジイル基；２，７−ジベンゾシロールジイル基等のジベンゾシロールジイル基等が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。これらのうち、好ましくは置換基を有していてもよい２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジイル基、置換基を有していてもよいフェノキサジンジイル基、置換基を有していてもよいフェノチアジンジイル基である。なお、２価の複素環基としては、２価の芳香族複素環基が好ましい。
【００７０】
＜一般式（１）で表される構造を有する化合物及び一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物＞
一般式（１）で表される構造を有する化合物及び一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物について説明する。
【化８】
2012146968.tif 000009
一般式（１）中、Ｒｘは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、１価の複素環チオ基、イミン残基、アミド化合物残基、酸イミド残基、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基からなる群より選ばれる官能基、又は、水素原子を示す。但し、水素原子を有する上記官能基は、該水素原子が置換基で置換されていてもよい。
Ｒｘとして、好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基が好ましく、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基であり、さらに好ましくは水素原子である。複数あるＲｘは、同一であっても異なっていてもよい。
【００７１】
一般式（１）で表される構造を有する化合物としては、例えば、下記式で表される化合物が挙げられる。
【化９】
2012146968.tif 000010
【００７２】
一般式（１）で表される構造から誘導される基とは、一般式（１）中の１又は複数のＲｘを除いた残りの原子団からなる基である。
【００７３】
一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。例えば、分子量が３，０００以下の化合物とすることができる。
【００７４】
一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する高分子化合物において、この基は、高分子化合物の主鎖に含有されていてもよく、側鎖に含有されていてもよい。また、主鎖に含有される場合、高分子化合物の末端に含有されていてもよい。
【００７５】
高分子化合物としては、例えば、一般式（１）のＲｘを１個除いた原子団からなる基を含有する高分子化合物、一般式（１）のＲｘを１個除いた原子団からなる基を末端に含有する高分子化合物、一般式（１）のＲｘを２個除いた原子団からなる基を含有する高分子化合物が挙げられる。なお、これらの高分子化合物には、一般式（１）中の１又は複数のＲｘを除いた残りの原子団からなる基が１つ又は複数含有される。
【００７６】
一般式（１）のＲｘを１個除いた原子団からなる基を含有する高分子化合物は、例えば、この基を側鎖に含有する高分子化合物又はこの基を主鎖の末端に含有する高分子化合物が挙げられる。この基を主鎖の末端に含有する高分子化合物は、例えば、重合反応を止める際に使用する末端封止剤として一般式（１）のＲｘを１個除いた原子団からなる基を含むものを用いることにより得ることができる。
【００７７】
一般式（１）のＲｘを２個除いた原子団からなる基を含有する高分子化合物は、例えば、この基を主鎖に含有する高分子化合物が挙げられる。この基を主鎖に含有する高分子化合物は、例えば、一般式（１）のＲｘを２個取り除いた部分が重合の反応点となるような場合、一般式（１）のＲｘを２個取り除いた部分が連結基を介して重合の反応点となるような場合に得ることができる。
【００７８】
一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する高分子化合物としては、一般式（１）のＲｘを２個除いた原子団からなる基を含有するものが好ましく、より好ましくは一般式（１）のＲｘを２個取り除いた部分が重合の反応点となるようにして得ることができるものである。
【００７９】
一般式（１）のＲｘを２個除いた原子団からなる基としては、下記式（２）、式（３）、式（４）、式（５）、式（６）又は式（７）で表される基が好ましい。より好ましくは下記式（２）、式（３）、式（５）、式（６）又は式（７）で表される基であり、特に好ましくは下記式（２）で表される基である。
【化１０】
2012146968.tif 000011
【００８０】
上記式（２）、式（３）、式（４）、式（５）、式（６）又は式（７）で表される基の具体例としては、下記式で表される基が挙げられる。
【化１１】
2012146968.tif 000012
【００８１】
＜一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する共役系高分子化合物＞
一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する高分子化合物は、電荷注入性及び電荷輸送性がより良好になるので、共役系高分子化合物であることが好ましい。「共役系高分子化合物」とは、主鎖における全結合の５０〜１００％、特には７０〜１００％、とりわけ９０〜１００％が共役している高分子化合物を意味する。
【００８２】
上記の共役系高分子化合物は、上記一般式（１）で表される構造から誘導される基を繰り返し単位として有することが好ましい。ここで、「繰り返し単位として有する」とは、電子共役系を構成するように含まれることを意味する。
【００８３】
上記の共役系高分子化合物は、縮合重合で合成され、一般式（１）で表される構造から誘導される基及びその基とは相違する任意追加基が上記縮合重合により導入されたものである。また、共役系高分子化合物全体における一般式（１）で表される構造から誘導される基及び任意追加基のモル数を、それぞれ、Ｎ１及びＮＭとしたときに、下記式（ｉ）で計算される値が０．０１以上２０以下である。
Ｎ１×１００／（Ｎ１＋ＮＭ）    （ｉ）
【００８４】
式（ｉ）で計算される値は、縮合重合に供した化合物を単位とし、縮合重合により共役系高分子化合物に導入された化合物の合計を１００モル％としたときの、一般式（１）で表される構造から誘導される基のモル含有率を示す。本発明の共役系高分子化合物において、式（ｉ）で計算される値は、好ましくは０．０３以上１５以下であり、より好ましくは０．１以上１２．５以下である。
【００８５】
上記の共役系高分子化合物は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」という）によるポリスチレン換算の数平均分子量が、好ましくは１×１０３〜１×１０７であり、より好ましくは１×１０４〜５×１０６である。数平均分子量が１×１０３以上の場合は、電荷注入性及び電荷輸送性がより優れ、かつ、成膜性が向上し易く、１×１０７以下の場合は、塗布法による成膜性が良好になり易い。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量が、好ましくは１×１０４〜５×１０７であり、より好ましくは５×１０４〜１×１０７である。重量平均分子量が１×１０４以上の場合は、電荷注入性及び電荷輸送性がより優れ、かつ、成膜性が向上し易く、５×１０７以下の場合は、塗布法による成膜性が良好になり易い。
【００８６】
上記任意追加基としては、例えば、「導電性高分子材料」（シーエムシー出版）、「導電性高分子の最新応用技術」（シーエムシー出版）、「導電性高分子の基礎と応用」（株式会社アイピーシー、吉野勝美  編著）、「導電性ポリマー」（高分子学会  編集、吉村進一  著）、「高分子ＥＬ材料」（高分子学会  編集  大西敏博・小川珠美  著）等に記載の共役系高分子化合物を構成する基（モノマーから誘導される基）が挙げられ、これらのうち、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族複素環基が好ましい。
【００８７】
上記の共役系高分子化合物は、一般式（１）で表される構造から誘導される基と任意追加基の間の結合、及び、任意追加基と任意追加基の間の結合のうち、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは９０％以上が、直接結合、窒素原子、ビニレン基又はアセチレン基により連結された化合物であることが好ましい。
【００８８】
上記の共役系高分子化合物は、電荷輸送性、電荷注入性及び輝度寿命が優れるので、上記任意追加基として、下記一般式（Ａ）で表される任意追加基（以下、「任意追加基Ａ」という。）、下記一般式（Ｂ）で表される任意追加基（以下、「任意追加基Ｂ」という。）、及び下記一般式（Ｃ）で表される任意追加基（以下、「任意追加基Ｃ」という。）からなる群より選ばれる少なくとも一つの基を含有することが好ましい。
【化１２】
2012146968.tif 000013
一般式（Ａ）〜（Ｃ）中、Ａｒ１及びＡｒ５は、それぞれ独立に、アリーレン基、６員環以上の環から構成される２価の複素環基及び金属錯体構造を有する２価の基からなる群より選ばれる官能基を示し、
Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４は、それぞれ独立に、アリーレン基及び６員環以上の環から構成される２価の複素環基からなる群より選ばれる官能基を示す。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基及びアリールアルキル基からなる群より選ばれる官能基を示し、Ｘ１は−ＣＲ３＝ＣＲ４−及び−Ｃ≡Ｃ−からなる群より選ばれる官能基を示す。
Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群より選ばれる官能基を示す。
ａは、０又は１である。
但し、水素原子を有する前記官能基は、該水素原子が置換基で置換されていてもよい。ここで、６員環以上の環から構成される２価の複素環基は、好ましくは６員環より大きい２価の複素環基である。
【００８９】
また、本発明の共役系高分子化合物に含まれる上記一般式（１）で表される構造から誘導される基のモル数をＮ１とし、共役系高分子化合物に含まれる任意追加基Ａ、任意追加基Ｂ、任意追加基Ｃ及びこれら以外の任意追加基のモル数を、それぞれ、ＮＡ、ＮＢ、ＮＣ及びＮＭ’としたときに、下記式（ｉｉ）で計算される値が、４０以上１００未満であることが好ましく、さらに好ましくは５０以上１００未満であり、より好ましくは７０以上１００未満であり、特に好ましくは８０以上１００未満である。
（ＮＡ＋ＮＢ＋ＮＣ）×１００／（Ｎ１＋ＮＡ＋ＮＢ＋ＮＣ＋ＮＭ’）    （ｉｉ）
【００９０】
−一般式（Ａ）で表される任意追加基−
上記一般式（Ａ）において、Ａｒ１で表される基が置換基を有する場合、該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられ、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、置換アミノ基、１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基である。
【００９１】
上記一般式（Ａ）中、Ａｒ１で表される置換基を有していてもよいアリーレン基におけるアリーレン基は、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いてなる原子団を意味し、独立したベンゼン環又は縮合環を持つ基を含む。このアリーレン基の炭素原子数は、通常、６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
上記一般式（Ａ）中、Ａｒ１で表される置換基を有していてもよいアリーレン基におけるアリーレン基としては、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−ナフタレンジイル基、１，５−ナフタレンジイル基、２，６−ナフタレンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フェナントリレン基、５，１２−ナフタセニレン基、２，７−フルオレンジイル基、３，６−フルオレンジイル基、１，６−ピレンジイル基、１，８−ピレンジイル基、３，９−ペリレンジイル基、３，１０−ペリレンジイル基、２，６−キノリンジイル基、１，４−イソキノリンジイル基、１，５−イソキノリンジイル基、５，８−キノキサリンジイル基等が挙げられ、好ましくは、１，４−フェニレン基、１，４−ナフタレンジイル基、１，５−ナフタレンジイル基、２，６−ナフタレンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フルオレンジイル基、１，６−ピレンジイル基、３，９−ペリレンジイル基、３，１０−ペリレンジイル基、２，６−キノリンジイル基、１，４−イソキノリンジイル基、５，８−キノキサリンジイル基であり、より好ましくは、１，４−フェニレン基、１，４−ナフタレンジイル基、１，５−ナフタレンジイル基、２，６−ナフタレンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フルオレンジイル基、５，８−キノキサリンジイル基であり、特に好ましくは、１，４−フェニレン基、２，７−フルオレンジイル基である。
【００９２】
上記一般式（Ａ）中、Ａｒ１で表される置換基を有していてもよい６員環以上の環から構成される２価の複素環基としては、４，７−ベンゾ［１，２，５］チアジアゾールジイル基、３，７−フェノキサジンジイル基、３，７−フェノチアジンジイル基等が挙げられ、好ましくは、４，７−ベンゾ［１，２，５］チアジアゾールジイル基である。
【００９３】
上記一般式（Ａ）中、Ａｒ１で表される置換基を有していてもよい金属錯体構造を有する２価の基としては、イリジウム錯体又は白金錯体から水素原子２個を取り除いた残りの原子団（即ち、イリジウム錯体又は白金錯体の残基）等が挙げられ、下記式Ｍ−１、Ｍ−２、Ｍ−３、Ｍ−４、Ｍ−５、Ｍ−６及びＭ−７で表される基が好ましい。式中、Ｒは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を示す。複数あるＲは、同一であっても異なっていてもよい。
【化１３】
2012146968.tif 000014
【化１４】
2012146968.tif 000015
【００９４】
これらの中でも、Ａｒ１で表される基としては、下記式（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｇ）及び（Ｈ）で表される基からなる群より選択される少なくとも一種であることが望ましい。
【化１５】
2012146968.tif 000016
式（Ｄ）中、Ｒ１０は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を示す。これらの基に含まれる水素原子の一部又は全部は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｆは０〜４の整数である。Ｒ１０が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。
【化１６】
2012146968.tif 000017
式（Ｅ）中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を示す。
【化１７】
2012146968.tif 000018
式（Ｆ）中、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、カルボキシル基、ニトロ基又はシアノ基を示す。これらの基に含まれる水素原子の一部又は全部は、フッ素原子で置換されていてもよい。
【化１８】
2012146968.tif 000019
式（Ｇ）中、Ｒ１５は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はアリールアルキル基を示す。
【化１９】
2012146968.tif 000020
式（Ｈ）中、Ｒ１６は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はアリールアルキル基を示す。
【００９５】
上記式（Ｄ）中、Ｒ１０は、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、アシル基、１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、置換アミノ基、アシル基、１価の複素環基であり、更に好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の複素環基であり、特に好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基である。
【００９６】
上記式（Ｄ）中、ｆは、好ましくは０〜２の整数である。
【００９７】
上記式（Ｅ）中、Ｒ１１、Ｒ１２は、好ましくは、アルキル基、アリール基、１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基である。
【００９８】
上記式（Ｆ）中、Ｒ１３及びＲ１４は、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、アシル基、１価の複素環基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基であり、特に好ましくは、水素原子である。
【００９９】
上記式（Ｇ）中、Ｒ１５は、好ましくは、アルキル基、アリール基、１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基であり、更に好ましくは、アリール基である。
【０１００】
上記式（Ｈ）中、Ｒ１６は、好ましくは、アルキル基、アリール基、１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基であり、更に好ましくは、アリール基である。
【０１０１】
−一般式（Ｂ）で表される任意追加基−
上記一般式（Ｂ）において、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４で表される基が置換基を有する場合、該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基が挙げられ、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、アシル基、シアノ基であり、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基である。
【０１０２】
上記一般式（Ｂ）中、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４で表される置換基を有していてもよいアリーレン基におけるアリーレン基は、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いてなる原子団を意味し、独立したベンゼン環又は縮合環を持つ基を含む。このアリーレン基の炭素原子数は、通常、６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
【０１０３】
上記一般式（Ｂ）中、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４で表される置換基を有していてもよいアリーレン基におけるアリーレン基としては、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフタレンジイル基、２，６−ナフタレンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フェナントレンジイル基、５，１２−ナフタセンジイル基、２，７−フルオレンジイル基、３，８−ペリレンジイル基等が挙げられる。
【０１０４】
上記一般式（Ｂ）中、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４で表される置換基を有していてもよい６員環以上の環から構成される２価の複素環基における２価の複素環基は、炭素原子数が、通常、４〜６０であり、好ましくは４〜２０であり、より好ましくは４〜９である。上記一般式（Ｂ）中、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４で表される置換基を有していてもよい２価の複素環基における２価の複素環基としては、Ｎ−メチル−２，５−ピロールジイル基、４，７−ベンゾ［１，２，５］チアジアゾールジイル基、３，７−フェノキサジンジイル基、３，６−カルバゾールジイル基等が挙げられる。
【０１０５】
上記一般式（Ｂ）中、Ａｒ２及びＡｒ４はそれぞれ独立に、好ましくは、置換基を有していてもよいアリーレン基であり、より好ましくは、置換基を有していてもよい１，３−フェニレン基、置換基を有していてもよい１，４−フェニレン基、置換基を有していてもよい１，４−ナフタレンジイル基、置換基を有していてもよい２，６−ナフタレンジイル基であり、より好ましくは、置換基を有していてもよい１，４−フェニレン基、置換基を有していてもよい１，４−ナフタレンジイル基であり、特に好ましくは、置換基を有していてもよい１，４−フェニレン基である。
【０１０６】
上記一般式（Ｂ）中、Ａｒ３は、好ましくは、置換基を有していてもよい１，３−フェニレン基、置換基を有していてもよい１，４−フェニレン基、置換基を有していてもよい１，４−ナフタレンジイル基、置換基を有していてもよい２，７−フルオレンジイル基、置換基を有していてもよい４，７−ベンゾ［１，２，５］チアジアゾールジイル基、置換基を有していてもよい３，７−フェノキサジンジイル基であり、好ましくは、置換基を有していてもよい１，４−フェニレン基、置換基を有していてもよい１，４−ナフタレンジイル基、置換基を有していてもよい２，７−フルオレンジイル基であり、更に好ましくは置換基を有していてもよい１，４−フェニレン基である。
【０１０７】
上記一般式（Ｂ）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、好ましくは、アルキル基、アリール基、１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基であり、更に好ましくは、アリール基である。
【０１０８】
上記一般式（Ｂ）で表される任意追加基としては、以下の式（３Ｂ−１）、（３Ｂ−３）及び（３Ｂ−４）で表される基が挙げられる。なお、式中、Ｒａは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の複素環基、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基からなる群より選ばれる官能基を示す。但し、水素原子を有する上記官能基は、該水素原子が置換基で置換されていてもよい。複数あるＲａは、同一であっても異なっていてもよい。
【０１０９】
【化２０】
2012146968.tif 000021
【化２１】
2012146968.tif 000022
【０１１０】
−一般式（Ｃ）で表される任意追加基−
上記一般式（Ｃ）中、Ａｒ５で表される置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい６員環以上の環から構成される２価の複素環基及び置換基を有していてもよい金属錯体構造を有する２価の基は、Ａｒ１の項で説明し例示した基と同じである。
【０１１１】
上記一般式（Ｃ）中、Ｘ１である−ＣＲ３＝ＣＲ４−で示される官能基において、Ｒ３及びＲ４は、好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基であり、より好ましくは、水素原子、アリール基である。
【０１１２】
上記一般式（Ｃ）で表される任意追加基としては、以下の式（４Ａ−１）、（４Ａ−２）、（４Ａ−３）、（４Ａ−４）、（４Ａ−５）、（４Ａ−６）、（４Ａ−７）、（４Ａ−８）、（４Ａ−９）、（４Ａ−１０）及び（４Ａ−１１）で表される基が挙げられる。
【化２２】
2012146968.tif 000023
【化２３】
2012146968.tif 000024
【０１１３】
＜一般式（１）で表される構造を有する化合物の製造方法＞
アズレン（一般式（１）において、Ｒｘが全て水素原子の化合物）は、市販されており入手可能である。また、アズレンから、例えば、芳香族求電子置換反応、芳香族求核置換反応等により、アズレン環に直接結合している水素原子と、任意の官能基とを置換することによって、一般式（１）で表される構造を有する化合物を製造することができる。
【０１１４】
＜一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物の製造方法＞
−高分子化合物の製造方法−
以下、本発明の化合物が、好ましい実施形態である高分子化合物の場合（以下、「本発明の高分子化合物」と言う。）について、説明する。
一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物が高分子化合物である場合、該高分子化合物は、例えば、該高分子化合物に含まれる基に対応するモノマーを重合して得ることができる。モノマーは、予め合成し単離したものを用いてもよく、反応系中で合成してそのまま用いてもよい。得られる高分子化合物を有機発光素子に用いる場合、モノマーの純度が有機発光素子の性能に影響を与えることがある。そのため、これらのモノマーは蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製されていることが好ましい。
【０１１５】
重合方法としては、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法（ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７−２４８３頁（１９９５年））、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法（Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，第５１巻，２０９１頁（１９７８年））、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法（プログレッシブ  ポリマー  サイエンス（Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ），第１７巻，１１５３〜１２０５頁，１９９２年）、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応を用いる方法（ヨーロピアン  ポリマー  ジャーナル（Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｊｏｕｒｎａｌ），第４１巻，２９２３−２９３３頁（２００５年））等が挙げられる。これらのうち、原料の合成のし易さ、重合反応操作の簡便性の観点からは、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法が好ましく、高分子化合物の構造制御のし易さの観点からは、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のアリール−アリールクロスカップリング反応により重合する方法がより好ましく、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する反応が特に好ましい。
【０１１６】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法を選択する場合は、合成が簡便であり、かつ、各化合物が取り扱い易いので、重合反応により結合する一方のモノマーは、重合反応を生じる基として、下記置換基Ａ群を有することが好ましく、他方のモノマーは、重合反応を生じる基として、下記置換基Ｂ群を有することが好ましい。
（置換基Ａ群）
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）２ＲＡ（ＲＡはアルキル基、又は、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、フッ素原子若しくはシアノ基で置換されていてもよいアリール基を示す。）で表される基。
（置換基Ｂ群）
−Ｂ（ＯＲＢ１）２（ＲＢ１は水素原子又はアルキル基を示し、２個存在するＲＢ１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。）で表される基、−ＢＦ４Ｑ１（Ｑ１はリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム又はセシウムの１価の陽イオンを示す。）で表される基、−Ｓｎ（ＲＢ２）３（ＲＢ２は水素原子又はアルキル基を示し、３個存在するＲＢ２は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。）で表される基、−ＭｇＹ１（Ｙ１は塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で表される基、−ＺｎＹ２（Ｙ２は塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で表される基。
【０１１７】
重合方法としては、各モノマーを、必要に応じて適切な触媒や塩基とともに反応させる方法が挙げられる。Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法を選択する場合、所望の分子量を有する高分子化合物を得るためには、各モノマーが有する重合反応を生じる基として置換基Ａ群から選ばれた基（例えば、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子）の合計モル数と、置換基Ｂ群から選ばれた基（例えば、−Ｂ（ＯＲＢ１）２）の合計モル数との比率を調整すればよい。通常、前者のモル数に対する後者のモル数の比率を、０．９５〜１．０５とすることが好ましく、０．９８〜１．０２とすることがより好ましく、０．９９〜１．０１とすることがさらに好ましい。
【０１１８】
本発明の高分子化合物は、一般式（１）で表される構造から、１又は２つのＲｘを置換基Ａ群及び置換基Ｂ群からなる群より選ばれる官能基で置換したモノマー（以下、「本発明に関連するモノマー」という。）と、置換基Ａ群及び置換基Ｂ群からなる群より選ばれる官能基を有する任意のモノマーとを重合反応させることで得ることができる。
【０１１９】
本発明の高分子化合物の製造方法においては、本発明に関連するモノマーの全モノマーに対する仕込み比率を、０．０１モル％以上２０モル％以下とすることが好ましい。これにより、高分子化合物全体における一般式（１）で表される構造から誘導される基及び任意追加基のモル数を、それぞれ、Ｎ１及びＮＭとしたときに、下記式（ｉ）で計算される値が０．０１以上２０以下である高分子化合物を容易に製造することができる。
Ｎ１×１００／（Ｎ１＋ＮＭ）    （ｉ）
【０１２０】
−低分子化合物の製造方法−
一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する低分子化合物は、例えばｓｕｚｕｋｉカップリング反応、ｙａｍａｍｏｔｏカップリング反応、ｎｅｇｉｓｈｉカップリング反応などのカップリング反応を用いて合成することが可能である。ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を用いて上記低分子化合物を合成する例としては、上述した高分子化合物の製造方法において、重合反応させるモノマーの種類及びモル数を制御することにより得ることができる。例えば、一般式（１）で表される構造から、１つのＲｘを置換基Ａ群から選択した官能基で置換したモノマーと、置換基Ｂ群から選択した官能基を１つ有する任意のモノマーとを、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により、一般式（１）で表される構造から誘導される基と任意追加基からなる化合物を得ることができる。
【０１２１】
＜組成物＞
本発明の組成物は、本発明の共役系高分子化合物と、発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料からなる群より選ばれる少なくとも一種と、を含む。上記発光材料は、発光機能を有する低分子化合物から誘導される基を含有する高分子化合物、又は、本発明の共役系高分子化合物とは異なる構造を有し、発光機能を有する共役系高分子化合物が好ましい。上記電荷輸送材料は、電荷輸送機能を有する低分子化合物から誘導される基を含有する高分子化合物、又は、本発明の共役系高分子化合物とは異なる構造を有し、電荷輸送機能を有する共役系高分子化合物が好ましい。
【０１２２】
上記発光材料については、一般的な発光材料を用いることができる。発光材料として好ましくは、「有機ＥＬディスプレイ」（時任静夫、安達千波矢、村田英幸  共著  株式会社オーム社  平成１６年刊  第１版第１刷発行）１７〜４８頁、８３〜９９頁、１０１〜１２０頁に記載の蛍光材料又は三重項発光材料が利用できる。低分子の蛍光材料としては、例えば、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体、８−ヒドロキシキノリン誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体等が挙げられ、より具体的には、特開昭５７−５１７８１号公報、特開昭５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等を用いることができる。その他にも、上記発光材料としては、例えば、ＷＯ９９／１３６９２、ＷＯ９９／４８１６０、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＷＯ００／５３６５６、ＷＯ０１／１９８３４、ＷＯ００／５５９２７、ＧＢ２３４８３１６、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ００／０６６６５、ＷＯ９９／５４９４３、ＷＯ９９／５４３８５、ＵＳ５７７７０７０、ＷＯ９８／０６７７３、ＷＯ９７／０５１８４、ＷＯ００／３５９８７、ＷＯ００／５３６５５、ＷＯ０１／３４７２２、ＷＯ９９／２４５２６、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ００／２２０２６、ＷＯ９８／２７１３６、ＵＳ５７３６３６、ＷＯ９８／２１２６２、ＵＳ５７４１９２１、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９６／２９３５６、ＷＯ９６／１０６１７、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９５／０７９５５、特開２００１−１８１６１８号公報、特開２００１−１２３１５６号公報、特開２００１−３０４５号公報、特開２０００−３５１９６７号公報、特開２０００−３０３０６６号公報、特開２０００−２９９１８９号公報、特開２０００−２５２０６５号公報、特開２０００−１３６３７９号公報、特開２０００−１０４０５７号公報、特開２０００−８０１６７号公報、特開平１０−３２４８７０号公報、特開平１０−１１４８９１号公報、特開平９−１１１２３３号公報、特開平９−４５４７８号公報等に開示されているポリフルオレン、その誘導体の共重合体、ポリアリーレン、その誘導体の共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体の共重合体、芳香族アミン及びその誘導体の（共）重合体が例示される。
【０１２３】
上記発光材料は、共役系高分子化合物である発光材料であることが好ましく、上記一般式（Ａ）で表される任意追加基、上記一般式（Ｂ）で表される任意追加基及び上記一般式（Ｃ）で表される任意追加基からなる群から選ばれる少なくとも一種の任意追加基を有する高分子化合物である発光材料であることが特に好ましい。
【０１２４】
上記正孔輸送材料及び電子輸送材料は、主に電荷バランスの調整の役割を担う。
【０１２５】
上記正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等が挙げられる。その他にも、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されたもの、また、上記一般式（Ｂ）で表される任意追加基を含有する共役系高分子化合物が挙げられる。正孔輸送材料として、好ましくは、上記一般式（Ｂ）で表される任意追加基を含有する共役系高分子化合物である。
【０１２６】
本発明の組成物における正孔輸送材料の含有割合は、本発明の共役系高分子化合物１００質量部に対して、電荷バランスが良好になるので、好ましくは３〜３０質量部であり、より好ましくは３〜２０質量部であり、特に好ましくは３〜１０質量部である。
【０１２７】
上記電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。その他にも、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載された高分子化合物、また上記一般式（Ａ）で表される任意追加基を含む共役系高分子化合物が挙げられる。電子輸送材料として、好ましくは上記一般式（Ａ）で表される任意追加基を含む共役系高分子化合物である。
【０１２８】
本発明の組成物における電子輸送材料の含有割合は、本発明の共役系高分子化合物１００質量部に対して、電荷バランスが良好になるので、好ましくは５〜５０質量部であり、より好ましくは５〜３０質量部であり、特に好ましくは５〜２０質量部である。
【０１２９】
本発明の共役系高分子化合物は、有機溶媒と混合することにより、溶液又は分散液とすることができる。溶液又は分散液とすることにより、塗布法による成膜を行うことができる。この溶液又は分散液は、一般的に、インク組成物、液状組成物等と呼ばれる（以下、「インク組成物」と言う。）。このインク組成物は、上述した本発明の組成物において、有機溶媒を含む実施形態でもある。
【０１３０】
本発明のインク組成物に含まれる有機溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。なお、これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。これらの溶媒のうち、ベンゼン環を含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が１００℃以上である有機溶媒を含むと、粘度及び成膜性が優れるので好ましい。
【０１３１】
本発明のインク組成物は有機溶媒を含むため、本発明の共役系高分子化合物を含む薄膜を積層・成膜させるにあたり、本発明のインク組成物を塗布した後、乾燥により有機溶媒を除去するだけでよく、有機発光素子等の有機デバイスの製造上非常に有利である。なお、乾燥の際には、５０〜１５０℃に加温した状態で乾燥させてもよく、また、１０−３Ｐａ程度に減圧して乾燥させてもよい。
【０１３２】
積層・成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。
【０１３３】
本発明のインク組成物の好ましい粘度は、用いる塗布法によって異なるが、２５℃において０．５〜５００ｍＰａ・ｓの範囲が好ましく、インクジェットプリント法等、本発明のインク組成物が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまり及び飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において０．５〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。
【０１３４】
＜薄膜＞
本発明に係る薄膜は、本発明の共役系高分子化合物を含むものである。この薄膜は、上述の積層・成膜の方法により、本発明のインク組成物から容易に製造することができる。本発明に係る薄膜は、本発明の共役系高分子化合物を含むものであるため、例えば、本発明に係る薄膜を電荷輸送層又は発光層に有する有機発光素子は、輝度寿命が向上した素子となる。
【０１３５】
＜有機デバイス＞
本発明の有機発光素子の構成は、その他の有機デバイスにも適用できる。
【０１３６】
その他の有機デバイスとしては、有機半導体素子、有機発光素子が挙げられる。有機半導体素子の例としては、有機太陽電池、有機トランジスタが挙げられる。
【０１３７】
−有機半導体素子−
上記有機半導体素子は、上記薄膜を備える。この有機半導体素子としては、有機薄膜太陽電池、有機薄膜トランジスタが例示される。その製造には、本発明の組成物及び本発明に係る薄膜が好適に用いられる。具体的には、例えば、ＳｉＯ２等の絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に上記薄膜を形成し、Ａｕ等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、電界効果型有機トランジスタとすることができる。
【０１３８】
有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となり薄膜からなる有機半導体層（即ち、活性層）、電流経路を通る電流量を制御するゲート電極を備えるものであり、電界効果型、静電誘導型が例示される。
【０１３９】
電界効果型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層、この電流経路を通る電流量を制御するゲート電極並びに、有機半導体層とゲート電極との間に配置される絶縁層を備えることが好ましい。特に、ソース電極及びドレイン電極が、有機半導体層に接して設けられており、さらに有機半導体層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていることが好ましい。
【０１４０】
静電誘導型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層、並びに電流経路を通る電流量を制御するゲート電極を有し、このゲート電極が有機半導体層中に設けられていることが好ましい。特に、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層中に設けられたゲート電極が、有機半導体層に接して設けられていることが好ましい。ここで、ゲート電極の構造としては、ソース電極からドレイン電極へ流れる電流経路が形成され、且つゲート電極に印加した電圧で電流経路を流れる電流量が制御できる構造であればよく、例えば、くし形電極が挙げられる。
【０１４１】
図１は、有機薄膜トランジスタ（電界効果型有機薄膜トランジスタ）の一実施形態を示す模式断面図である。図１に示す有機薄膜トランジスタ１００は、基板１と、基板１上に所定の間隔をもって形成されたソース電極５及びドレイン電極６と、ソース電極５及びドレイン電極６を覆うようにして基板１上に形成された有機半導体層２と、有機半導体層２上に形成された絶縁層３と、ソース電極５とドレイン電極６との間の絶縁層３の領域を覆うように絶縁層３上に形成されたゲート電極４と、を備える。
【０１４２】
図２は、有機薄膜トランジスタ（電界効果型有機薄膜トランジスタ）の他の実施形態を示す模式断面図である。図２に示す有機薄膜トランジスタ１１０は、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極４と、ゲート電極４を覆うようにして基板１上に形成された絶縁層３と、ゲート電極４が下部に形成されている絶縁層３の領域を一部覆うように、絶縁層３上に所定の間隔を持って形成されたソース電極５及びドレイン電極６と、ソース電極５及びドレイン電極６を一部覆うように絶縁層３上に形成された有機半導体層２と、を備える。
【０１４３】
上述した有機薄膜トランジスタにおいては、有機半導体層２は、上述した本発明に係る薄膜から構成されており、ソース電極５とドレイン電極６との間の電流通路（チャネル）となる。また、ゲート電極４は、電圧を印加することにより有機半導体層２における電流通路（チャネル）を通る電流量を制御する。
【０１４４】
有機薄膜トランジスタのうち、電界効果型有機薄膜トランジスタは、公知の方法、例えば、特開平５−１１００６９号公報に記載の方法により製造することができる。また、静電誘導型有機薄膜トランジスタは、公知の方法、例えば、特開２００４−００６４７６号公報に記載の方法により製造することができる。
【０１４５】
−有機発光素子−
本実施形態に係る有機発光素子は、陽極と、陰極と、該陽極及び該陰極の間に存在する有機層と、を有し、該有機層には、上記一般式（１）で表される構造を有する化合物又は上記一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物が含まれる。一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物としては、本発明の共役系高分子化合物であることが好ましい。
【０１４６】
本実施形態に係る有機発光素子としては、以下の（ａ）〜（ｄ）の構造を有する素子が挙げられる。なお、「／」は、その前後の層が隣接して積層していることを示す。以下、同様である。
（ａ）陽極／発光層／陰極
（ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
【０１４７】
発光層とは、発光する機能を有する層である。
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層である。
電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。
正孔輸送層と電子輸送層を総称して電荷輸送層と言う。
発光層に隣接した正孔輸送層をインターレイヤー層と言う場合がある。
上記の一般式（１）で表される構造を有する化合物又は一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物は、発光層又は電荷輸送層（特に正孔輸送層）に含まれることが好ましい。
一般式（１）で表される構造を有する化合物又は一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物が発光層に含まれる場合、一般式（１）で表される構造の骨格の割合は０．０１質量％〜２０質量％であることが好ましく、また、一般式（１）で表される構造を有する化合物又は一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物が電荷輸送層（特に正孔輸送層）に含まれる場合、一般式（１）で表される構造の骨格の割合は０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましい。
【０１４８】
各層の積層・成膜は、それぞれ各層の材料を含む溶液を用いて行うことができる。溶液からの積層・成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。
【０１４９】
発光層の厚さは、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１５０】
本実施形態に係る有機発光素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、上記した本発明の組成物に含まれる正孔輸送材料と同様のものが挙げられる。正孔輸送層の成膜は、如何なる方法で行ってもよいが、使用される正孔輸送材料が低分子化合物である場合には、高分子バインダーとの混合液から成膜することが好ましい。使用される正孔輸送材料が高分子化合物である場合には、溶液から成膜することが好ましい。溶液からの成膜には、塗布法として例示した方法を用いることができる。
【０１５１】
正孔輸送材料と混合する高分子バインダーは、電荷輸送を極度に阻害しない化合物であって、可視光に対する吸収が強くない化合物が好ましい。高分子バインダーとしては、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が挙げられる。
【０１５２】
正孔輸送層の厚さは、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１５３】
本実施形態に係る有機発光素子が電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては、上記した本発明の組成物に含まれる電子輸送材料と同様のものが挙げられる。電子輸送層の成膜は、如何なる方法で行ってもよいが、電子輸送材料が低分子化合物である場合には、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が好ましい。電子輸送材料が高分子化合物である場合には、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が好ましい。溶液又は溶融状態からの成膜には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液からの成膜には、塗布法として例示した方法を用いることができる。
【０１５４】
電子輸送材料と混合する高分子バインダーは、電荷輸送を極度に阻害しない化合物であって、可視光に対する吸収が強くない化合物が好ましい。高分子バインダーとしては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が挙げられる。
【０１５５】
電子輸送層の厚さは、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１５６】
電極と電荷輸送層の間に、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有する電荷注入層を有していてもよい。更に、電極との密着性向上や電極からの電荷注入効率の改善のために、電極に隣接して上記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。なお、積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して選択すればよい。
【０１５７】
電荷注入層を設けた有機発光素子としては、以下の（ｅ）〜（ｉ）の構造を有する素子が挙げられる。
（ｅ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
（ｆ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｇ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ｈ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｉ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
【０１５８】
正孔注入層としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層等が挙げられる。
【０１５９】
電子注入層としては、導電性高分子を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層等が挙げられる。
【０１６０】
電荷注入層が導電性高分子を含む層である場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０−５Ｓ／ｃｍ〜１０３Ｓ／ｃｍであることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０−５Ｓ／ｃｍ〜１０２Ｓ／ｃｍであることがより好ましく、１０−５Ｓ／ｃｍ〜１０１Ｓ／ｃｍであることがさらに好ましい。かかる範囲を満たすために、導電性高分子に適量のイオンをドープしてもよい。
【０１６１】
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンとしては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられ、カチオンとしては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン等が挙げられる。
【０１６２】
電荷注入層の厚さは、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【０１６３】
電荷注入層に用いる材料としては、電極や隣接する層の材料との関係で選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボン等が挙げられる。
【０１６４】
絶縁層は、電荷注入を容易にする機能を有するものである。この絶縁層の平均厚さは、通常、０．１ｎｍ〜２０ｎｍであり、好ましくは０．５ｎｍ〜１０ｎｍ、より好ましくは１ｎｍ〜５ｎｍである。絶縁層に用いる材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。
【０１６５】
絶縁層を設けた有機発光素子としては、以下の（ｊ）〜（ｙ）の構造を有する素子が挙げられる。
（ｊ）陽極／絶縁層／発光層／陰極
（ｋ）陽極／発光層／絶縁層／陰極
（ｌ）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（ｍ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
（ｎ）陽極／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（ｏ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（ｐ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
（ｑ）陽極／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
（ｒ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
（ｓ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ｔ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
（ｕ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
（ｖ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（ｗ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｘ）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（ｙ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／電子注入層／絶縁層／陰極
【０１６６】
本実施形態に係る有機発光素子を形成する基板は、電極及び有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の基板が挙げられる。不透明な基板の場合には、該基板により近い電極と反対側の電極が透明又は半透明であることが好ましい。
【０１６７】
本実施形態において、通常は、陽極及び陰極からなる電極の少なくとも一方が透明又は半透明であり、陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。
【０１６８】
陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられ、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性無機化合物を用いて作製された膜、ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅等が用いられる。陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。
【０１６９】
陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。
【０１７０】
陽極の厚さは、光の透過性と電気伝導度とを考慮して選択することができるが、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは４０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１７１】
陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましく、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち２種以上の合金、或いはそれらのうち１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物等が用いられる。
【０１７２】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。
【０１７３】
陰極の厚さは、電気伝導度や耐久性を考慮して選択することができるが、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１７４】
陰極と発光層又は陰極と電子輸送層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。該発光素子を長期安定的に用いるためには、発光素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。
【０１７５】
保護層としては、樹脂、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、該保護カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴン等の不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、更に酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。
【０１７６】
図３は、本実施形態に係る有機発光素子（上記（ｉ）の構成を有する有機発光素子）の模式断面図である。図３に示す有機発光素子２００は、基板２０と、該基板２０上に形成された陽極２２、正孔注入層２３、正孔輸送層２４、発光層２５、電子輸送層２６、電子注入層２７及び陰極２８と、を有している。陽極２２は、基板２０と接するように基板２０上に設けられており、陽極２２の基板２０とは反対側には、正孔注入層２３、正孔輸送層２４、発光層２５、電子輸送層２６、電子注入層２７及び陰極２８が、この順で積層されている。
【０１７７】
図４は、本実施形態に係る有機発光素子（上記（ｅ）の構成を有する有機発光素子）の模式断面図である。図４に示す有機発光素子２２０は、基板２０と、該基板２０上に形成された陽極２２、正孔注入層２３、正孔輸送層２４、発光層２５及び陰極２８と、を有している。陽極２２は、基板と接するように基板２０上に設けられており、陽極２２の基板２０と反対側には、正孔注入層２３、正孔輸送層２４、発光層２５及び陰極２８が、この順で積層されている。
【０１７８】
有機発光素子の場合、上記一般式（１）で表される構造を有する化合物又は上記一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物が含まれる層は、発光層、正孔輸送層又は電子輸送層であることが好ましい。
【０１７９】
また、上記一般式（１）で表される構造を有する化合物又は上記一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物が含まれる層が複数あってもよい。例えば、一般式（１）で表される構造を有する化合物又は一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物を、正孔輸送層及び発光層に含有する有機発光素子、電子輸送層及び発光層に含有する有機発光素子、正孔輸送層及び電子輸送層に含有する有機発光素子、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層に含有する有機発光素子とすることができる。
【０１８０】
また、上記一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物としては、本発明の共役系高分子化合物として有機発光素子に含有されていることが好ましい。これにより、有機発光素子の輝度寿命が一層向上する。
【０１８１】
本発明の共役系高分子化合物が正孔輸送層に含有される場合、当該共役系高分子化合物は正孔注入性及び正孔輸送性が良好になるので、上記一般式（１）で表される構造から誘導される基及び２価の芳香族アミン残基を含有している共役系高分子化合物であることが好ましく、２価の芳香族アミン残基としては、上記一般式（Ｂ）で表される任意追加基であることがさらに好ましい。
【０１８２】
本発明の共役系高分子化合物が電子輸送層に含有される場合、電子注入性及び電子輸送性が良好になるので、上記一般式（１）で表される構造から誘導される基及び上記一般式（Ａ）で表される任意追加基を含有している共役系高分子化合物であることが好ましい。
【０１８３】
本発明の共役系高分子化合物が発光層に含有される場合、電荷（正孔及び電子）注入性及び輸送性が良好になり、かつ、正孔と電子の結合により励起エネルギーを効率良く形成することができるので、当該共役系高分子化合物は、
上記一般式（１）で表される構造から誘導される基、上記一般式（Ａ）で表される任意追加基及び上記一般式（Ｂ）で表される任意追加基を含有する共役系高分子化合物、
上記一般式（１）で表される構造から誘導される基、上記一般式（Ｂ）で表される任意追加基及び上記一般式（Ｃ）で表される任意追加基を含有する共役系高分子化合物、
又は上記一般式（１）で表される構造から誘導される基、上記一般式（Ａ）で表される任意追加基、上記一般式（Ｂ）で表される任意追加基及び上記一般式（Ｃ）で表される任意追加基を含む共役系高分子化合物が好ましい。
これらのうち、一般式（１）で表される構造から誘導される基、一般式（Ａ）で表される任意追加基及び一般式（Ｂ）で表される任意追加基を含有する共役系高分子化合物がより好ましい。
【０１８４】
上記一般式（１）で表される構造を有する化合物又は上記一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物を含有する層が有機発光素子等の有機デバイスに含有される場合、一般式（１）で表される構造を有する化合物又は一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物の含有量は、有機デバイスの種類及び有機デバイス中に用いる層の種類により選択することができる。
【０１８５】
有機発光素子の場合、各層における、上記一般式（１）で表される構造を有する化合物又は上記一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物の含有量については、
当該層が発光層である場合、発光層に含有される有機化合物全量に対して、一般式（１）で表される構造に換算して、０．０１質量％〜２０質量％であることが好ましく、０．０３質量％〜５質量％であることがより好ましく、０．０５質量％〜３質量％であることがさらに好ましく、また、
当該層が電荷輸送層の場合、電荷輸送層に含有される有機化合物全量に対して、一般式（１）で表される構造に換算して、０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．０１質量％〜２０質量％であることがより好ましく、１質量％〜１５質量％であることがさらに好ましい。
なお、「一般式（１）で表される構造の骨格」とは、一般式（１）で表される構造中の全てのＲｘを除いた残りの原子団を意味する。
当該層が、一般式（１）で表される構造を有する化合物及び一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物のいずれをも含有する場合は、上記含有量はこれらの含有量の合計値である。
【０１８６】
＜面状光源、表示装置＞
本発明に係る有機発光素子は、曲面状光源、平面状光源等の面状光源（例えば、照明）；セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置（例えば、ドットマトリックスのフラットディスプレイ）、液晶表示装置（例えば、液晶表示装置、液晶ディスプレイのバックライト）等の表示装置等に有用である。
【０１８７】
白色照明の一部として、本発明に係る有機発光素子を用いる場合は、白色の色純度を得るために青色以外の発光材料を有機発光素子の発光層にさらに含有していてもよいし、有機発光素子が青色以外の発光材料を有する第二の発光層を有していてもよい。
【０１８８】
本実施形態に係る有機発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、該面状の有機発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、陽極若しくは陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。更に、ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。
【０１８９】
図５は、本実施形態に係る面状光源の模式断面図である。図５に示す面状光源３００は、基板３０と、陽極３１と、正孔注入層３２と、発光層３３と、陰極３４と、保護層３５と、から構成されている。陽極３１は、基板３０と接するように基板３０上に設けられており、陽極３１の基板３０と反対側には、正孔注入層３２、発光層３３及び陰極３４がこの順で積層されている。また、保護層３５は、基板３０上に形成された陽極３１、電荷注入層３２、発光層３３及び陰極３４を全て覆うように、かつ、端部で基板３０と接するように、形成されている。発光層３３には、本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物、本発明に係る一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物又は本発明の共役系高分子化合物が含まれる。
【０１９０】
図５に示す面状光源３００は、発光層３３以外の発光層をさらに複数備えるものとし、それぞれの発光層に赤色発光材料、青色発光材料及び緑色発光材料を用い、それぞれの発光層の駆動を制御することで、カラー表示装置とすることができる。
【０１９１】
なお、本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物、又は本発明に係る一般式（１）で表される構造から誘導される基を有する化合物は、レーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜等の伝導性薄膜用材料、蛍光を発する発光性薄膜材料、高分子電界効果トランジスタの材料等としても有用である。
【実施例】
【０１９２】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【０１９３】
（数平均分子量及び重量平均分子量）
ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、ＧＰＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。測定する高分子化合物は、約０．５質量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」という。）に溶解させ、ＧＰＣに３０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相にはＴＨＦを用い、０．６ｍＬ／分の流速で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製、商品名：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。
【０１９４】
（ＮＭＲ測定）
単量体のＮＭＲ測定は、以下の条件で行った。
装置          ：  核磁気共鳴装置、ＩＮＯＶＡ３００（商品名）、バリアン社製
測定溶媒      ：  重水素化クロロホルム又は重水素化テトラヒドロフラン
サンプル濃度  ：  約１質量％
測定温度      ：  ２５℃
【０１９５】
ＬＣ−ＭＳの測定は、以下の方法で行った。測定試料を２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させて、ＬＣ−ＭＳ（アジレント・テクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、イオン交換水、アセトニトリル、テトラヒドロフラン又はそれらの混合液を用い、必要に応じて酢酸を添加した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ  ２  ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒子径３μｍ）を用いた。こうした条件で、測定試料をＬＣ−ＭＳにて測定し、解析した。
【０１９６】
＜合成例１Ａ：化合物１Ａの合成＞
化合物１Ａは、Ｅｕｒ．Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００５年，ｐｐ．２２０７に記載の方法に従って、合成した。
窒素雰囲気下、３口ナスフラスコにアズレン（３．０質量部）を仕込み、ヘキサンを加えて攪拌した。氷浴を用いて０℃まで冷却し、そこに、ＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）（１０．４質量部）を反応温度を保ちながら少しずつ加えた。反応終了後、得られた混合物を室温で２時間攪拌し、その後溶媒を除去した。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、及び、ヘキサンを用いた再結晶を行い精製した。目的とする化合物１Ａは、再結晶からの回収分として３．７５質量部（ＨＰＬＣ純度１００％）、及び、ろ液からの回収分として２．８３質量部（ＨＰＬＣ純度９９．６％）が得られた。全収率は９９．１％であった。化合物１Ａの構造はＮＭＲにより確認した。
【０１９７】
【化２４】
2012146968.tif 000025
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝８．３２（ｄ，１２Ｈｚ，２Ｈ），７．８１（ｓ，１Ｈ），７．６８（ｔ，１２Ｈｚ，１Ｈ），７．２７（ｍ，２Ｈ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝１４０．３６，１３８．５０，１３７．０１，１３６．０７，１２４．３３，１０２．９９．
【０１９８】
＜合成例１Ｂ：化合物１Ｂの合成＞
アルゴン気流下、反応容器に１−ブロモ−３，５−ジ−ｎ−ヘキシルベンゼン（２０．０質量部）とテトラヒドロフランを加え、均一溶液を調製し、該溶液を−６９℃まで冷却した。該溶液に２．７６Ｍのｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１−ブロモ−３，５−ジ−ｎ−ヘキシルベンゼンに対して１モル当量）を−６８℃で１．５時間かけて滴下し、さらに該溶液を−７０℃で１．５時間撹拌した。次いで、化合物１Ｂ−１（９．０質量部）とテトラヒドロフランとからなる溶液を−７０℃で１時間かけて滴下し、−７０℃で２時間撹拌した。次いで、該溶液に−７０℃にてメタノール及び蒸留水を加え撹拌した後、室温まで昇温し、室温にて一晩撹拌した。次いで、反応混合物をろ過し、ろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、ヘプタン及び水を加え撹拌し、静置して分液した有機層から水層を除去した。該有機層に飽和食塩水を加え撹拌し、静置して分液した有機層から水層を除去した。有機層に硫酸マグネシウムを加え撹拌し、ろ過して得られたろ液を濃縮し、化合物１Ｂを２３．４質量部得た。
【０１９９】
【化２５】
2012146968.tif 000026
【０２００】
＜合成例２Ｂ：化合物２Ｂの合成＞
アルゴン気流下、反応容器に化合物１Ｂ（４８．０質量部）及びジクロロメタンを加え、均一溶液を調製し、−３０℃に冷却した。該溶液に三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（化合物１Ｂに対して１モル当量）を３０分間かけて滴下し、室温にて一晩撹拌した。次いで、反応混合物を−２０℃に冷却し、蒸留水を加え、１時間撹拌した。その後、反応液を静置して分液させることにより、水層を除去して、有機層を得た。次いで、その有機層に水を加え撹拌し、静置して分液させることにより、水層を除去して、有機層を得た。得られた有機層に１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液を加え撹拌し、静置して分液させることにより、水層を除去して、有機層を得た。この有機層を濃縮し溶媒を除去した。次いで、この有機層を、トルエン及びヘプタンを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、濃縮して溶媒を除去した。次いで、得られた濃縮物に対して、酢酸ブチルとメタノールを用い再結晶することにより、目的とする化合物２Ｂを２３．２質量部得た。
【０２０１】
【化２６】
2012146968.tif 000027
【０２０２】
＜合成例３Ｂ：化合物３Ｂの合成＞
アルゴン気流下、４口フラスコに化合物２Ｂ（９．５質量部）、化合物３Ｂ−１（６．６質量部）、１，４−ジオキサン、酢酸カリウム（７．０５質量部）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ、０．１質量部）及び１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンジクロロパラジウム（ＩＩ）塩化メチレン錯体（ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ２Ｃｌ２、０．１５質量部）を加え、１００〜１０２℃で５時間撹拌した。次いで、得られた反応混合物を室温まで冷却した後、セライト及びシリカゲルを敷き詰めたろ過器でろ過し、得られたろ液を濃縮して溶媒を除去した。次いで、得られた濃縮物にヘキサンを加えて調製した溶液に、活性炭を加え、ヘキサンが還流する温度にて１時間撹拌した。得られた混合液を室温まで冷却後、セライトを敷き詰めたろ過器でろ過し、濃縮して溶媒を除去した。次いで、トルエン及びアセトニトリルで再結晶を行うことにより、目的とする化合物３Ｂを１０．１質量部得た。
【０２０３】
【化２７】
2012146968.tif 000028
【０２０４】
＜合成例１Ｃ：化合物１Ｃの合成＞
不活性雰囲気下、３口フラスコに、３−ｎ−ヘキシル−５−メチルブロモベンゼン（２６．２質量部）及び無水テトラヒドロフランを加え均一溶液とし、−７０℃に冷却した。得られた溶液に、２．５Ｍのｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（３−ｎ−ヘキシル−５−メチルブロモベンゼンに対して０．９３モル当量）を、溶液の温度が−７０℃に保たれるように滴下し、同温度にて４時間撹拌し、溶液（以下、「溶液Ａ」と言う。）を調製した。
別途、２口フラスコに、２−メトキシカルボニル−４，４’−ジブロモビフェニル（１６．０質量部）及び無水テトラヒドロフランを加え、溶液（以下、「溶液Ｂ」と言う。）を調製した。
溶液Ａに溶液Ｂを、溶液Ａの温度が−７０℃に保たれるように滴下し、撹拌した。次いで、反応液を室温にて１５時間撹拌した。次いで、反応液に水を０℃にて加え、撹拌した。次いで、減圧下で濃縮操作により溶媒を留去し、残留物にヘキサン及び水を加え、撹拌した。得られた混合液を静置して分液させることにより、水層を除去して、有機層を得た。この有機層を飽和食塩水にて洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥させた後、減圧下で濃縮することにより、下記式で表される化合物１Ｃを白色固体として得た。
【０２０５】
【化２８】
2012146968.tif 000029
【０２０６】
＜合成例２Ｃ：化合物２Ｃの合成＞
不活性雰囲気下、３口フラスコに、化合物１Ｃ（３０．０質量部）及び無水ジクロロメタンを加え、５℃に冷却した。得られた混合物に、温度が０〜５℃の範囲内に保たれるように、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（化合物１Ｃに対して４．２モル当量）を滴下した後、室温にて終夜撹拌した。反応液を、氷水に注意深く注ぎ、３０分撹拌し、静置して分液させることにより、水層を除去して、有機層を得た。この有機層に１０質量％リン酸カリウム水溶液を加え、２時間撹拌した後、静置して分液させることにより、水層を除去して、有機層を得た。得られた有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥させた後、濃縮することにより溶媒を留去し、オイル状の液体を得た。このオイル状の液体にメタノールを加えたところ、固体が生じた。この固体をｎ−ブチルアセテート及びメタノールを用いて再結晶を行うことにより、下記式で表される化合物２Ｃを２４．０質量部得た。
【０２０７】
【化２９】
2012146968.tif 000030
【０２０８】
＜合成例３Ｃ：化合物３Ｃの合成＞
３口フラスコに、化合物２Ｃ（８．０質量部）、ビス（ピナコレート）ジボロン（６．６質量部）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンジクロロパラジウム（ＩＩ）塩化メチレン錯体（Ｐｄ（ｄｐｐｆ）・ＣＨ２Ｃｌ２、０．１５質量部）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．０９９質量部）、無水１，４−ジオキサン及び酢酸カリウム（７．０質量部）を加え、１００℃で２０時間撹拌した。反応液を室温に冷却した後、シリカゲルを通液させ、シリカゲルをトルエンで洗浄し、得られた溶液の溶媒を濃縮することにより留去し、褐色の液体を得た。この液体を、ヘキサンを展開溶媒とし、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製した後、濃縮することにより得られた液体にアセトニトリルを加え、固体を得た。この固体をアセトニトリル及びトルエンを用いて再結晶を１回行い、ジクロロメタン及びメタノールを用いて再結晶を１回行い、得られた有機層を減圧下で乾燥させることにより、下記式で表される化合物３Ｃを２．９質量部得た。
【０２０９】
【化３０】
2012146968.tif 000031
【０２１０】
＜合成例１Ｄ：化合物１Ｄの合成＞
３口フラスコ内の気体を窒素で置換し、３口フラスコ内で、１−ブロモ−３−ｎ−ヘキシルベンゼン２２．６質量部を、無水テトラヒドロフランに溶解させた。得られた溶液を−７５℃以下に冷却し、２．５Ｍ  ｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１−ブロモ−３−ｎ−ヘキシルベンゼンに対して０．９６モル当量）を滴下し、−７５℃以下に保ちながら５時間撹拌した。反応液を−７０℃に保ちながら、そこに、２−メトキシカルボニル−４，４’−ジブロモビフェニル１５．０質量部を無水テトラヒドロフランに溶解させた溶液を滴下した。得られた溶液を室温までゆっくりと昇温後、終夜撹拌した。反応液を０℃で撹拌しながら、水を滴下した。反応液から溶媒を留去した後、残渣に水を加え、ヘキサンで３回抽出した。得られた有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄し、水層をヘキサンで再抽出した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、次いで、溶媒を留去したところ、２６．４質量部の化合物１Ｄの粗生成物を得た。
【０２１１】
【化３１】
2012146968.tif 000032
【０２１２】
＜合成例２Ｄ：化合物２Ｄの合成＞
３口フラスコ内で、上記で合成した化合物１Ｄ  ２６．４質量部を、ジクロロメタンに溶解させ、該フラスコ内の気体を窒素で置換した。得られた溶液を０℃以下に冷却した後、該溶液を５℃以下に保ちながら、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（化合物１Ｄに対して５モル当量）を滴下した。室温までゆっくり昇温後、終夜撹拌した。反応液を氷水中に撹拌しながら注ぎ、３０分撹拌した。反応液を分液し、水層をジクロロメタンで抽出した。有機層を合わせ、１０質量％リン酸カリウム水溶液を加えて分液し、有機層を水２回で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、次いで、溶媒を留去することによりオイル状の液体が得られた。このオイル状の液体をトルエンに溶解させ、シリカゲルを敷いたグラスフィルターに通し、ろ過した。ろ液から溶媒を留去した後、メタノールを加えて激しく撹拌したところ、結晶が得られた。この結晶をろ過し、メタノールで洗浄した。洗浄した結晶をヘキサンと酢酸ブチルとの混合溶媒で再結晶して、化合物２Ｄを１２．１質量部得た。
【０２１３】
【化３２】
2012146968.tif 000033
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝０．８６（ｔ，６Ｈ），１．２６（ｍ，１２Ｈ），１．５２（ｍ，４Ｈ），２．５１（ｔ，４Ｈ），６．８７（ｄ，２Ｈ），７．００（ｓ，２Ｈ），７．０４（ｄ，２Ｈ），７．１２（ｔ，２Ｈ），７．４６（ｄｄ，２Ｈ），７．４８（ｄ，２Ｈ），７．５５（ｄ，２Ｈ）．
【０２１４】
＜合成例３Ｄ：化合物３Ｄの合成＞
３口フラスコに化合物２Ｄ  ５．０質量部を加え、該フラスコ内の気体を窒素で置換した。そこに、無水テトラヒドロフランを加え、−７０℃以下に冷却した。得られた溶液を−７０℃以下に保ちながら２．５Ｍ  ｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（化合物２Ｄに対して２．２モル当量）を滴下した。滴下後、温度を保ちながら４時間撹拌した。そこに、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（化合物２Ｄに対して２．８モル当量）を加えた後、室温までゆっくり昇温し、終夜撹拌した。反応液を−３０℃に冷却し、そこに２Ｍ塩酸／ジエチルエーテル溶液を滴下した後、室温まで昇温した。反応液から溶媒を留去した後、生じた固体を、トルエンを加えて溶解させた。得られた溶液をシリカゲルを敷いたグラスフィルターに通してろ過し、ろ液の溶媒を留去して、５．０質量部の粗生成物を得た。この粗生成物を、窒素雰囲気下でトルエンとアセトニトリルとの混合溶媒で再結晶して、化合物３Ｄを３．４質量部得た。
【０２１５】
【化３３】
2012146968.tif 000034
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝０．８６（ｔ，６Ｈ），１．２６−１．２９（ｍ，１２Ｈ），１．３１（ｓ，２４Ｈ），１．５２−１．５３（ｍ，４Ｈ），２．５０（ｔ，４Ｈ），６．９２（ｄ，２Ｈ），７．００（ｄ，２Ｈ），７．０８（ｔ，２Ｈ），７．１３（ｓ，２Ｈ），７．７７（ｄ，２Ｈ），７．８１−７．８２（ｍ，４Ｈ）．
【０２１６】
＜合成例１Ｆ：化合物１Ｆの合成＞
３口フラスコに、３，５−ジブロモフェノール９．６質量部、３，５−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）フェニルボロン酸３０．９質量部（特開２００５−８２７３０号公報に記載の方法に従って合成した。）及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド９５．０質量部（２０質量％水溶液）を加えた後、フラスコ内の気体を窒素で置換した。そこに、トルエン及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．１５質量部を加え、１００℃で８時間加熱した。その後、得られた混合液を放冷すると、結晶が析出した。この結晶を、クロロホルムを加えて溶解させ、得られた溶液に１Ｎ塩酸を加えて酸性にし、分液した。得られた水層をクロロホルムで抽出し、抽出後のクロロホルムを有機層と合わせ、水、飽和食塩水の順で洗浄した。洗浄後の有機層を、シリカゲルを敷いたグラスフィルターに通してろ過し、ろ液から溶媒を留去したところ、４１．８質量部の粗生成物を得た。これに、ヘキサンを加え、還流温度まで昇温後、室温までゆっくり放冷し、ろ過し、得られた残渣をヘキサンで洗浄したところ、下記式で表される化合物１Ｆを２８．０質量部得た。
【０２１７】
【化３４】
2012146968.tif 000035
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ，ｐｏｓｉ）：７７５（［Ｍ＋Ｈ］＋，ｅｘａｃｔ  ｍａｓｓ＝７７４）．
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝１．３５（ｓ，３６Ｈ），５．１９（ｓ，１Ｈ），７．１５（ｓ，２Ｈ），７．４７（ｄ，８Ｈ），７．５９（ｓ，１Ｈ），７．６０（ｄ，８Ｈ），７．７８（ｓ，６Ｈ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝３１．８，３４．９，１１３．９，１１９．６，１２５．２，１２５．７，１２６．２，１２７．４，１３８．６，１４２．１，１４２．６，１４４．０，１５０．９，１５６．６．
【０２１８】
＜合成例２Ｆ：化合物２Ｆの合成＞
４口フラスコ内の気体を窒素で置換し、４口フラスコ内で化合物１Ｆ  ２８．０質量部及びＮ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン１３．０質量部を脱水ジクロロメタンに溶解させ、０℃に冷却した。そこに、無水トリフルオロメタンスルホン酸２５．０質量部を３０分かけて滴下した。そして、２０分撹拌後、冷浴を外し、１．５時間撹拌を継続した。得られた混合液を、シリカゲルを敷いたグラスフィルターに通し、ろ過し、得られた残渣をトルエンで洗浄して、混合液とした。得られた混合液から溶媒を留去したところ、下記式で表される化合物２Ｆを２８．９質量部得た。
【０２１９】
【化３５】
2012146968.tif 000036
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ−ＭＳ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：９４５（［Ｍ＋Ｋ］＋、ｅｘａｃｔ  ｍａｓｓ＝９０６）．
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝１．３８（ｓ，３６Ｈ），７．５２（ｄ，８Ｈ），７．５７（ｓ，２Ｈ），７．６４（ｄ，８Ｈ），７．７７（ｓ，４Ｈ），７．８５（ｓ，２Ｈ），７．９７（ｓ，１Ｈ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝３１．７，３４．９，１１９．３．
【０２２０】
＜合成例３Ｆ：化合物３Ｆの合成＞
４口フラスコ内の気体を窒素で置換し、フェノキサジン６．１質量部を入れ、脱水トルエンに溶解させた。そこに、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム０．７１質量部、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン０．８６質量部及び炭酸セシウム１５．２質量部を加え、１１０℃に加熱した。そこに、化合物２Ｆ  ２８．９質量部を窒素バブリングした脱水トルエンに溶解させた溶液を１時間かけて滴下した。そして、２０時間撹拌後、得られた混合物をシリカゲルを敷いたグラスフィルターで熱時ろ過し、得られた残渣をトルエンで洗浄した。得られた混合液から溶媒を留去したところ、３３．０質量部の粗生成物を得た。この粗生成物をトルエンに溶解させ、得られた溶液をメタノール１Ｌ中に滴下し、再沈殿させた。得られた溶液を、ろ過し、得られた沈殿をメタノールで洗浄したところ、５０．０質量部の粗生成物を得た。そこに、トルエンを加え、加熱して溶解させ、エタノールを滴下し、再結晶した。さらに、得られた生成物を、ろ過し、エタノールで洗浄したところ、２４．８質量部の生成物を得た。この生成物を、トルエンとエタノールとの混合溶媒を用いて再結晶したところ、下記式で表される化合物３Ｆを１６．６質量部得た。
【０２２１】
【化３６】
2012146968.tif 000037
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：９４０（［Ｍ＋Ｈ］＋、ｅｘａｃｔ  ｍａｓｓ＝９３９）．
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝１．３７（ｓ，３６Ｈ），６．１３−６．１６（ｍ，２Ｈ），６．６２−６．７１（ｍ，６Ｈ），７．５０（ｄ，８Ｈ），７．６４（ｄ，８Ｈ），７．７２（ｓ，２Ｈ），７．８３（ｓ，６Ｈ），８．１１（ｓ，１Ｈ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝３１．７，３４．９，１１３．７，１１５．８，１２１．７，１２３．７，１２５．０，１２６．０，１２６．１，１２６．３，１２７．４，１２８．８，１３４．６，１３８．４，１４０．４，１４１．１，１４２．８，１４４．３，１４５．３，１５１．０．
【０２２２】
＜合成例４Ｆ：化合物４Ｆの合成＞
４口フラスコ内の気体を窒素で置換し、化合物３Ｆ  １６．６質量部を加え、クロロホルムに溶解させた。得られた溶液を冷浴を用いて０℃に冷却し、そこに、６．３質量部のＮＢＳをＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）に溶解させた溶液を５０分かけて滴下した。そして、１０分撹拌後、冷浴を外し、３時間撹拌を継続した。得られた混合液を、再度０℃に冷却し、そこに、０．１質量部のＮＢＳをＤＭＦに溶解させた溶液を滴下した。混合液を室温で１．５時間撹拌した後、そこに、水を滴下し分液した。得られた水層をトルエンで２回抽出し、得られたトルエン溶液を有機層と合わせ、更にトルエンを加えた後、得られた混合液を、水及び飽和食塩水の順で洗浄した。洗浄後の混合液を、シリカゲルを敷いたグラスフィルターに通してろ過し、得られた残渣をトルエンで洗浄した。得られた混合液から溶媒を留去したところ、下記式で表される化合物４Ｆを２５．１質量部得た。
【０２２３】
【化３７】
2012146968.tif 000038
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：１０９６（［Ｍ＋Ｈ］＋、ｅｘａｃｔ  ｍａｓｓ＝１０９５）．
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝１．３７（ｓ，３６Ｈ），５．９９（ｄ，２Ｈ），６．７５（ｄ，２Ｈ），６．８５（ｂｒｓ，２Ｈ），７．５０（ｄ，８Ｈ），７．６１−７．６５（ｍ，１０Ｈ），７．８２（ｄ，６Ｈ），８．１１（ｓ，１Ｈ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝３１．７，３４．９，１１３．３，１１４．９，１１９．０，１２５．０，１２６．２，１２６．７，１２７．３，１２８．２，１２９．３，１３３．５，１３８．３，１３９．６，１４０．７，１４２．９，１４４．５，１４５．６，１５１．１．
【０２２４】
＜合成例１Ｇ：化合物１Ｇの合成＞
不活性雰囲気下で、３口フラスコに酢酸２２５質量部を入れ、５−ｔｅｒｔ−ブチル−ｍ−キシレン２４．３質量部を加えた。次いで、そこに、臭素３１．２質量部を加えた後、１５〜２０℃で３時間反応させた。反応液を水５００ｍＬに加え、析出した沈殿をろ過した。得られた沈殿を水２５０ｍＬで２回洗浄し、白色の固体である化合物１Ｇを３４．２質量部得た。
【０２２５】
【化３８】
2012146968.tif 000039
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝１．３（ｓ，９Ｈ），２．４（ｓ，６Ｈ），７．１（ｓ，２Ｈ）．
ＭＳ（ＦＤ＋）：Ｍ＋  ２４１．
【０２２６】
＜合成例２Ｇ：化合物２Ｇの合成＞
不活性雰囲気下で、３口フラスコに脱気した脱水トルエンを入れ、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン０．６３質量部を加えた。次いで、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム０．４１質量部、化合物１Ｇ９．６質量部、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム５．２質量部及びＮ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミン４．７質量部を加えた後、１００℃で３時間反応させた。反応液を飽和食塩水に加え、約５０℃に温めたクロロホルムで抽出した。得られた有機層から溶媒を留去したところ、固体が生じた。そこに、トルエンを加えて、固体が溶解するまで加熱した。次いで、放冷した後、沈殿をろ過し、白色の固体である化合物２Ｇを９．９質量部得た。
【０２２７】
【化３９】
2012146968.tif 000040
【０２２８】
＜合成例３Ｇ＞（化合物３Ｇの合成）
不活性雰囲気下で、３口フラスコに、脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを入れ、化合物２Ｇ５．２質量部を溶解した後、氷浴下でＮ−ブロモスクシンイミド３．５質量部をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドに溶解させた溶液を滴下し、一昼夜反応させた。反応液に水を加え、析出した沈殿をろ過し、得られた沈殿をメタノールで２回洗浄し、白色の固体である化合物３Ｇを４．４質量部得た。
【０２２９】
【化４０】
2012146968.tif 000041
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ８）：δ（ｐｐｍ）＝１．３（ｓ，１８Ｈ），２．０（ｓ，１２Ｈ），６．６〜６．７（ｄ，４Ｈ），６．８〜６．９（ｂｒ，４Ｈ），７．１（ｓ，４Ｈ），７．２〜７．３（ｄ，４Ｈ）．
ＭＳ（ＦＤ＋）：Ｍ＋  ７３８．
【０２３０】
＜重合例１：高分子化合物１の合成＞
不活性雰囲気下、化合物３Ｂ（２．６８８ｇ，２．９６ｍｍｏｌ）、下記式：
【化４１】
2012146968.tif 000042
で表される化合物１Ｈ（１．６４０ｇ，１．８０ｍｍｏｌ）、下記式：
【化４２】
2012146968.tif 000043
で表されるＦ８ＢＲ（０．４１１ｇ，０．７５ｍｍｏｌ）、下記式：
【化４３】
2012146968.tif 000044
で表される化合物１Ｊ（０．２３８ｇ，０．４５ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．１ｍｇ）及びトルエン（６２ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応液に２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１０ｍＬ）を滴下し、３時間２０分還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（３６．８ｍｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．１ｍｇ）、及び水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１０ｍＬ）を加え、更に１６時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を冷却後、水で２回、３質量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄した。得られた溶液をメタノールに滴下、濾取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物１を３．１２ｇ得た。高分子化合物１のポリスチレン換算の数平均分子量は８．０×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．６×１０５であった。
【０２３１】
高分子化合物１は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：
【化４４】
2012146968.tif 000045
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化４５】
2012146968.tif 000046
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化４６】
2012146968.tif 000047
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化４７】
2012146968.tif 000048
で表される繰り返し単位とを、５０：３０：１２．５：７．５のモル比で含有するランダム共重合体である。
【０２３２】
＜重合実施例１：高分子化合物２の合成＞
不活性雰囲気下、化合物３Ｂ（１．７９２２ｇ，１．９８ｍｍｏｌ）、化合物１Ａ（０．１４３０ｇ，０．５０ｍｍｏｌ）、化合物１Ｈ（１．０９３０ｇ，１．２０ｍｍｏｌ）、化合物１Ｊ（０．１５８４ｇ，０．３０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（０．７０ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（４．３０ｍｇ）、１−ヘキセン（３０．１ｍｇ）及びトルエン（５３ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応液に２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（７．５ｍＬ）を滴下し、３．５時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（２５．４ｍｇ）、酢酸パラジウム（０．７０ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（４．２８ｍｇ）及び２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（７．５ｍＬ）を加え、更に１７時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を冷却後、有機層を、水で２回、３質量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、生じた沈澱を濾取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物２を１．９５ｇ得た。高分子化合物２のポリスチレン換算の数平均分子量は３．５×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．４×１０５であった。
【０２３３】
高分子化合物２は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：
【化４８】
2012146968.tif 000049
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化４９】
2012146968.tif 000050
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化５０】
2012146968.tif 000051
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化５１】
2012146968.tif 000052
で表される繰り返し単位とを、５０：１２．５：３０：７．５のモル比で含有するランダム共重合体である。
【０２３４】
＜重合例２：高分子化合物３の合成＞
不活性雰囲気下、化合物３Ｃ（２．２７４９ｇ，２．９７ｍｍｏｌ）、Ｆ８ＢＲ（０．３２９０ｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、化合物２Ｄ（１．２３７５ｇ，１．９２ｍｍｏｌ）、化合物３Ｇ（０．１３３０ｇ，０．１８ｍｍｏｌ）、化合物４Ｆ（０．３２９５ｇ，０．３０ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．１ｍｇ）及びトルエン（７６ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応液に２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１０ｍＬ）を滴下し、２時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（３７ｍｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．１ｍｇ）、トルエン（６ｍＬ）、２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１０ｍＬ）を加え、更に１４．５時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を冷却後、有機層を、水で２回、３質量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、生じた沈澱を濾取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物３を２．４２ｇ得た。高分子化合物３のポリスチレン換算の数平均分子量は１．０×１０５であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．９×１０５であった。
【０２３５】
高分子化合物３は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：
【化５２】
2012146968.tif 000053
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化５３】
2012146968.tif 000054
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化５４】
2012146968.tif 000055
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化５５】
2012146968.tif 000056
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化５６】
2012146968.tif 000057
で表される繰り返し単位とを、５０：１０：３２：３：５のモル比で含有するランダム共重合体である。
【０２３６】
＜重合実施例２：高分子化合物４の合成＞
不活性雰囲気下、化合物３Ｃ（１．５１３５ｇ，１．９７ｍｍｏｌ）、Ｆ８ＢＲ（０．２１９３ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、化合物２Ｄ（０．７４７７ｇ，１．１６ｍｍｏｌ）、化合物３Ｇ（０．０８８６ｇ，０．１２ｍｍｏｌ）、化合物４Ｆ（０．２１９６ｇ，０．２０ｍｍｏｌ）、化合物１Ａ（０．０３４４ｇ，０．１２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（０．６２ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（４．２３ｍｇ）、１−ヘキセン（１５．０ｍｇ）及びトルエン（５２ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応液に２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（７ｍＬ）を滴下し、４時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（２５ｍｇ）、酢酸パラジウム（０．６３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（４．２６ｍｇ）、トルエン（４ｍＬ）、２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（７ｍＬ）を加え、更に１９時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を冷却後、有機層を、水で２回、３質量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、生じた沈澱を濾取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物４を１．５５ｇ得た。高分子化合物４のポリスチレン換算の数平均分子量は７．９×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．１×１０５であった。
【０２３７】
高分子化合物４は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：
【化５７】
2012146968.tif 000058
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化５８】
2012146968.tif 000059
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化５９】
2012146968.tif 000060
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化６０】
2012146968.tif 000061
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化６１】
2012146968.tif 000062
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化６２】
2012146968.tif 000063
で表される繰り返し単位とを、５０：１０：２９：３：５：３のモル比で含有するランダム共重合体である。
【０２３８】
＜実施例１：有機発光素子１の製造と評価＞
スパッタ法により４５ｎｍの厚さでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、正孔注入材料としてポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）を用いてスピンコートにより５０ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で１７０℃、１５分間乾燥した。
【０２３９】
次に、高分子化合物２を０．７質量％のキシレン溶液の状態でスピンコートして、約２０ｎｍの厚さに成膜した。その後、窒素雰囲気下においてホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱した。
【０２４０】
次に、高分子化合物３を１．２質量％のキシレン溶液の状態でスピンコートして、約６０ｎｍの厚さに成膜した。その後、窒素雰囲気下においてホットプレート上で１３０℃、１０分間加熱した。陰極としてフッ化ナトリウムを約３ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、有機発光素子１を作製した。なお、真空度が、１×１０−４Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
【０２４１】
得られた有機発光素子１に電圧を印加したところ、この素子から高分子化合物３に由来する４６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。
【０２４２】
上記で得られた有機発光素子１を初期輝度が５０００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２５７時間後に半減した。
【０２４３】
＜比較例１：有機発光素子Ｃ１の製造と評価＞
実施例１における高分子化合物２に代えて、高分子化合物１を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、有機発光素子Ｃ１を作製した。得られた有機発光素子Ｃ１に電圧を印加したところ、この素子から高分子化合物３に由来する４６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。
【０２４４】
上記で得られた有機発光素子Ｃ１を初期輝度が５０００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は８３時間後に半減した。
【０２４５】
＜実施例２：有機発光素子２の作製と評価＞
実施例１における高分子化合物２のキシレン溶液に代えて、高分子化合物２と高分子化合物１をそれぞれキシレンに溶解させた溶液を用いて、混合比率を、高分子化合物２：高分子化合物１＝７５：２５（質量比）とした溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、有機発光素子２を作製した。得られた有機発光素子２に電圧を印加したところ、この素子から高分子化合物３に由来する４６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。
【０２４６】
上記で得られた有機発光素子２を初期輝度が５０００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２２０時間後に半減した。
【０２４７】
＜実施例３：有機発光素子３の作製と評価＞
実施例１における高分子化合物２のキシレン溶液に代えて、高分子化合物２と高分子化合物１をそれぞれキシレンに溶解させた溶液を用いて、混合比率を、高分子化合物２：高分子化合物１＝５０：５０（質量比）とした溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、有機発光素子３を作製した。得られた有機発光素子３に電圧を印加したところ、この素子から高分子化合物３に由来する４６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。
【０２４８】
上記で得られた有機発光素子３を初期輝度が５０００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２２２時間後に半減した。
【０２４９】
＜実施例４：有機発光素子４の作製と評価＞
実施例１における高分子化合物２のキシレン溶液に代えて、高分子化合物２と高分子化合物１をそれぞれキシレンに溶解させた溶液を用いて、混合比率を、高分子化合物２：高分子化合物１＝２５：７５（質量比）とした溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、有機発光素子４を作製した。得られた有機発光素子４に電圧を印加したところ、この素子から高分子化合物３に由来する４６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。
【０２５０】
上記で得られた有機発光素子４を初期輝度が５０００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１７２時間後に半減した。
【０２５１】
＜実施例５：有機発光素子５の作製と評価＞
実施例１における高分子化合物３のキシレン溶液に代えて、高分子化合物４と高分子化合物３をそれぞれキシレンに溶解させた溶液を用いて、混合比率を、高分子化合物４：高分子化合物３＝７．５：９２．５（質量比）とした溶液を用いたこと、及び、高分子化合物２のキシレン溶液に代えて、高分子化合物１のキシレン溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、有機発光素子５を作製した。得られた有機発光素子５に電圧を印加したところ、この素子から高分子化合物３及び高分子化合物４に由来する４６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。
【０２５２】
上記で得られた有機発光素子５を初期輝度が５０００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２０６時間後に半減した。
【０２５３】
＜実施例６：有機発光素子６の作製と評価＞
実施例１における高分子化合物３のキシレン溶液に代えて、高分子化合物４と高分子化合物３をそれぞれキシレンに溶解させた溶液を用いて、混合比率を、高分子化合物４：高分子化合物３＝１０：９０（質量比）とした溶液を用いたこと、及び、高分子化合物２のキシレン溶液に代えて、高分子化合物１のキシレン溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、有機発光素子６を作製した。得られた有機発光素子６に電圧を印加したところ、この素子から高分子化合物３及び高分子化合物４に由来する４６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。
【０２５４】
上記で得られた有機発光素子６を初期輝度が５０００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１９３時間後に半減した。
【０２５５】
＜実施例７：有機発光素子７の作製と評価＞
実施例１における高分子化合物３のキシレン溶液に代えて、高分子化合物４と高分子化合物３をそれぞれキシレンに溶解させた溶液を用いて、混合比率を、高分子化合物４：高分子化合物３＝１２．５：８７．５（質量比）とした溶液を用いたこと、及び、高分子化合物２のキシレン溶液に代えて、高分子化合物１のキシレン溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、有機発光素子７を作製した。得られた有機発光素子７に電圧を印加したところ、この素子から高分子化合物３及び高分子化合物４に由来する４６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。
【０２５６】
上記で得られた有機発光素子７を初期輝度が５０００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１８６時間後に半減した。
【０２５７】
実施例と比較例の結果を下記にまとめた。
【表１】
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【符号の説明】
【０２５８】
１…基板、２…有機半導体層、３…絶縁層、４…ゲート電極、５…ソース電極、６…ドレイン電極、２０…基板、２２…陽極、２３…正孔注入層、２４…正孔輸送層、２５…発光層、２６…電子輸送層、２７…電子注入層、２８…陰極、３０…基板、３１…陽極、３２…正孔注入層、３３…発光層、３４…陰極、３５…保護層、１００…有機薄膜トランジスタ、１１０…有機薄膜トランジスタ、２００…有機発光素子（構成ｉ）、２２０…有機発光素子（構成ｅ）、３００…面状光源。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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