(57)【要約】      （修正有）【課題】信頼性低下を防止ないしは抑制する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】モールド工程において、ワイヤ流れ不良が発生しやすい排出部側の領域において、ワイヤ５の延在方向と、樹脂の流れ方向を０度に近づける。ワイヤ流れ不良が発生しやすいリード４は、中央領域４ｅの隣に配置される張出領域４ｆにワイヤ５を接合する。中央領域４ｅは、延在部４ａと先端部４ｂの境界線の中心と先端部４ｂの先端面４ｃ側の端辺の中心を結ぶ中心線（仮想線）ＣＬを中心軸として、延在部４ａと同じ幅を有する領域である。一方、張出領域４ｆは、中央領域４ｅと隣接して配置され、中央領域４ｅから第１方向Ｙに沿って張り出した領域である。【選択図】図１０
2012109435.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視において、第１方向に沿って配置され、かつ、互いに対向する第１および第２長辺と、前記第１方向と直交する第２方向に沿って配置され、かつ、互いに対向する第１および第２短辺とを有し、半導体チップを封止する封止体を有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）上面、および前記上面とは反対側の下面を有するダイパッドと、前記ダイパッドにそれぞれ接続される複数の吊りリードと、前記第１および第２長辺のそれぞれに沿って配置される複数のリードとを備えた製品形成領域を有するリードフレームを準備する工程、
（ｂ）四辺形の平面形状を成す第１主面、前記第１主面に形成された複数の電極パッド、および前記第１主面とは反対側の第２主面を有する半導体チップを、平面視において、前記第１主面の第１辺、第２辺、第３辺および第４辺が前記第１、第２長辺、前記第１、第２短辺とそれぞれ並ぶように前記ダイパッドの前記上面に搭載する工程、
（ｃ）前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリードとを、複数のワイヤを介して、それぞれ電気的に接続する工程、
（ｄ）前記製品形成領域を覆うキャビティ、前記キャビティの前記第１短辺側に配置された供給部、および前記キャビティの前記第２短辺側に配置された排出部を有する成形金型の前記キャビティ内に前記半導体チップを配置し、前記供給部から前記排出部に向かって樹脂を供給し、前記半導体チップ、前記複数のワイヤ、および前記複数のリードを前記樹脂で封止し、前記封止体を形成する工程、
を含み、
前記複数のリードのうち、前記第１方向に沿った先端面を有し、かつ、前記第１方向に沿った先端面をそれぞれ有する複数のリードのうち、先端部が排出部にもっとも近い位置に配置される第１リード、および前記第１リードの前記供給部側の隣に配置される第２リードは、
前記第１または第２長辺側の一方から他方に向かって前記第２方向に沿って延びる延在部と、前記延在部よりも前記ダイパッド側に位置する前記先端面を有し、かつ、前記延在部と一体に形成されて接続される前記先端部とを有し、
前記第１および第２リードの先端部は、
前記延在部と前記先端部の境界線の中心と、前記先端部の前記先端面側の端辺の中心を結ぶ線を中心軸として、前記延在部と同じ幅を有する中央領域と、前記中央領域から前記第１方向に沿って張り出した張出領域と、を有し、
前記複数の電極パッドのうちの複数の第１電極パッドは、前記第１主面の四辺のうち、前記第１辺または前記第２辺に沿って配置され、
前記（ｃ）工程では、
前記複数のワイヤのうちの第１ワイヤの一方を前記第１電極パッドに接続し、前記第１ワイヤの他方を前記第１リードの前記張出領域に接続し、前記複数のワイヤのうちの第２ワイヤの一方を前記第１電極パッドに接続し、前記第２ワイヤの他方を前記第２リードの前記張出領域に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１および第２長辺を３等分した時に、最も前記第２短辺側に配置される第１領域よりも前記第１短辺側に配置される第２領域には、前記複数のリードのうちの第３リードが配置され、
前記第３リードは、
前記第１または第２長辺側の一方から他方に向かって前記第２方向に沿って延びる延在部と、前記延在部よりも前記ダイパッド側に位置する前記先端面を有し、かつ、前記延在部と一体に形成されて接続される前記先端部とを有し、
前記第３リードの先端部は、
前記延在部と前記先端部の境界線の中心と、前記先端部の前記先端面側の端辺の中心を結ぶ線を中心軸として、前記延在部と同じ幅を有する中央領域と、前記中央領域から前記第１方向に沿って張り出した張出領域と、を有し、
前記（ｃ）工程では、
前記複数のワイヤのうちの第３ワイヤの一方を前記第１電極パッドに接続し、前記第３ワイヤの他方を前記第３リードの前記中央領域に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１ワイヤが接続される前記第１リードの張出領域は、前記第１リードの中央領域よりも前記排出部側に配置され、
前記第２ワイヤが接続される前記第２リードの張出領域は、前記第２リードの前記中央領域よりも前記排出部側に配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１または第２リードは、前記第１または第２リードの中央領域よりも前記供給部側に配置される第１張出領域と、前記第１または第２リードの中央領域よりも前記排出部側に配置される第２張出領域とを有し、
前記第２張出領域は、前記第１張出領域よりも面積が大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１において、
前記第１リードと前記排出部の間には、第４リードが配置され、
前記第４リードは、
前記第１方向に対して傾斜する先端面、前記第１または第２長辺側の一方から他方に向かって前記第２方向に沿って延びる延在部、前記キャビティの内側で前記半導体チップの前記第１主面の前記第４辺に向かって屈曲し前記第１方向に対して前記第４辺に向かって傾斜する傾斜部、および前記傾斜部よりも前記ダイパッド側に位置する前記先端面を有し、かつ、前記延在部と一体に形成されて接続される先端部、を有し、
前記複数の電極パッドのうちの第２電極パッドは、前記第１主面の四辺のうち、前記第４辺に沿って配置され、
前記（ｃ）工程では、
前記複数のワイヤのうちの第４ワイヤの一方を前記第２電極パッドに接続し、前記第４ワイヤの他方を前記第４リードの前記先端部の中央領域に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１において、
前記第１および第２長辺を３等分した時に、最も前記第２短辺側に配置される第１領域には、前記複数のリードのうちの第５リードが配置され、
前記第５リードは、
前記第１または第２長辺側の一方から他方に向かって前記第２方向に沿って延びる延在部と、前記延在部よりも前記ダイパッド側に位置する前記先端面を有し、かつ、前記延在部と一体に形成されて接続される前記先端部とを有し、
前記第５リードの先端部は、
前記延在部と前記先端部の境界線の中心と、前記先端部の前記先端面側の端辺の中心を結ぶ線を中心軸として、前記延在部と同じ幅を有する中央領域と、前記中央領域から前記第１方向に沿って張り出した張出領域と、を有し、
前記（ｃ）工程では、
前記複数のワイヤのうちの複数の第５ワイヤの一方をそれぞれ前記第１電極パッドに接続し、前記複数の第５ワイヤの他方を一つの前記第５リードの前記中央領域に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
平面視において、第１方向に沿って配置され、かつ、互いに対向する第１および第２長辺と、前記第１方向と直交する第２方向に沿って配置され、かつ、互いに対向する第１および第２短辺とを有し、半導体チップを封止する封止体を有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）上面、および前記上面とは反対側の下面を有するダイパッドと、前記ダイパッドにそれぞれ接続される複数の吊りリードと、前記第１および第２長辺のそれぞれに沿って配置される複数のリードとを備えた複数の製品形成領域を有するリードフレームを準備する工程、
（ｂ）四辺形の平面形状を成す第１主面、前記第１主面に形成された複数の電極パッド、および前記第１主面とは反対側の第２主面を有する複数の半導体チップを、平面視において、前記第１主面の第１辺、第２辺、第３辺および第４辺が前記第１、第２長辺、前記第１、第２短辺とそれぞれ並ぶように前記複数の製品形成領域がそれぞれ備える前記ダイパッドの前記上面に搭載する工程、
（ｃ）前記複数の半導体チップのそれぞれが備える前記複数の電極パッドと前記複数のリードとを、複数のワイヤを介して、それぞれ電気的に接続する工程、
（ｄ）前記複数の製品形成領域をそれぞれ覆う複数のキャビティ、前記複数のキャビティの前記第１短辺側に配置された供給部、および前記キャビティの前記第２短辺側に配置された排出部を有する成形金型の前記複数のキャビティ内に前記複数の半導体チップをそれぞれ配置し、前記供給部から前記排出部に向かって樹脂を供給し、前記半導体チップ、前記複数のワイヤ、および前記複数のリードを前記樹脂で封止し、前記封止体を形成する工程、
を含み、
前記リードフレームには、前記第１方向に沿って複数列で前記複数の製品形成領域が配置され、
前記（ｄ）工程では、
第１列の製品形成領域から末端列の製品形成領域に向かって、順次、前記樹脂が供給され、
前記末端列の製品形成領域に配置される前記複数のリードのうち、前記第１方向に沿った先端面を有し、かつ、前記第１方向に沿った先端面をそれぞれ有する複数のリードのうち、先端部が排出部にもっとも近い位置に配置される第１リード、および前記第１リードの前記供給部側の隣に配置される第２リードは、
前記第１または第２長辺側の一方から他方に向かって前記第２方向に沿って延びる延在部と、前記延在部よりも前記ダイパッド側に位置する前記先端面を有し、かつ、前記延在部と一体に形成されて接続される前記先端部とを有し、
前記第１および第２リードの先端部は、
前記延在部と前記先端部の境界線の中心と、前記先端部の前記先端面側の端辺の中心を結ぶ線を中心軸として、前記延在部と同じ幅を有する中央領域と、前記中央領域から前記第１方向に沿って張り出した張出領域とを有し、
前記複数の電極パッドのうちの複数の第１電極パッドは、前記第１主面の四辺のうち、前記第１辺または前記第２辺に沿って配置され、
前記（ｃ）工程では、
前記複数のワイヤのうちの第１ワイヤの一方を前記第１電極パッドに接続し、前記第１ワイヤの他方を前記第１リードの前記張出領域に接続し、前記複数のワイヤのうちの第２ワイヤの一方を前記第１電極パッドに接続し、前記第２ワイヤの他方を前記第２リードの前記張出領域に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記複数の製品形成領域のそれぞれは、前記第１リードおよび前記第２リードを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記複数の製品形成領域のそれぞれには、
前記第１および第２長辺を３等分した時に、最も前記第２短辺側に配置される第１領域よりも前記第１短辺側に配置される第２領域には、前記複数のリードのうちの第３リードが配置され、
前記第３リードは、
前記第１または第２長辺側の一方から他方に向かって前記第２方向に沿って延びる延在部と、前記延在部よりも前記ダイパッド側に位置する前記先端面を有し、かつ、前記延在部と一体に形成されて接続される前記先端部とを有し、
前記第３リードの先端部は、
前記延在部と前記先端部の境界線の中心と、前記先端部の前記先端面側の端辺の中心を結ぶ線を中心軸として、前記延在部と同じ幅を有する中央領域と、前記中央領域から前記第１方向に沿って張り出した張出領域とを有し、
前記（ｃ）工程では、
前記複数のワイヤのうちの第３ワイヤの一方を前記第１電極パッドに接続し、前記第３ワイヤの他方を前記第３リードの前記中央領域に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１ワイヤが接続される前記第１リードの張出領域は、前記第１リードの中央領域よりも前記排出部側に配置され、
前記第２ワイヤが接続される前記第２リードの張出領域は、前記第２リードの前記中央領域よりも前記排出部側に配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１または第２リードは、前記第１または第２リードの中央領域よりも前記供給部側に配置される第１張出領域と、前記第１または第２リードの中央領域よりも前記排出部側に配置される第２張出領域とを有し、
前記第２張出領域は、前記第１張出領域よりも面積が大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７において、
前記第１リードと前記排出部の間には、第４リードが配置され、
前記第４リードは、
前記第１方向に対して傾斜する先端面、前記第１または第２長辺側の一方から他方に向かって前記第２方向に沿って延びる延在部、前記キャビティの内側で前記半導体チップの前記第１主面の前記第４辺に向かって屈曲し前記第１方向に対して前記第４辺に向かって傾斜する傾斜部、および前記傾斜部よりも前記ダイパッド側に位置する前記先端面を有し、かつ、前記延在部と一体に形成されて接続される先端部、を有し、
前記複数の電極パッドのうちの第２電極パッドは、前記第１主面の四辺のうち、前記第４辺に沿って配置され、
前記（ｃ）工程では、
前記複数のワイヤのうちの第４ワイヤの一方を前記第２電極パッドに接続し、前記第４ワイヤの他方を前記第４リードの前記先端部の中央領域に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９において、
前記複数の製品形成領域のそれぞれにおいて、
前記成形金型の前記供給部は、前記第１短辺の中心よりも前記第１長辺または第２長辺の何れか一方に寄せて配置され、前記成形金型の前記排出部は、前記第２短辺の中心よりも前記第１長辺または第２長辺の他方に寄せて配置され、かつ、前記第１方向に沿って隣り合う前記排出部と前記供給部は前記第１方向に沿って対向するように配置され、
前記複数のリードのうち、前記第２方向に沿って前記第１リードと対向する第６リード、および前記第６リードの前記供給部側の隣に配置される第７リードは、
前記第１または第２長辺側の一方から他方に向かって前記第２方向に沿って延びる延在部と、前記延在部よりも前記ダイパッド側に位置する前記先端面を有し、かつ、前記延在部と一体に形成されて接続される前記先端部とを有し、
前記第６および第７リードの先端部は、
前記延在部と前記先端部の境界線の中心と、前記先端部の前記先端面側の端辺の中心を結ぶ線を中心軸として、前記延在部と同じ幅を有する中央領域と、前記中央領域から前記第１方向に沿って張り出した張出領域とを有し、
前記（ｃ）工程では、
前記複数のワイヤのうちの第６ワイヤの一方を前記第１電極パッドに接続し、前記第６ワイヤの他方を前記第６リードの前記張出領域に接続し、前記複数のワイヤのうちの、第７ワイヤの一方を前記第１電極パッドに接続し、前記第７ワイヤの他方を前記第７リードの前記張出領域に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
平面視において、第１方向に沿って配置され、かつ、互いに対向する第１および第２長辺と、前記第１方向と直交する第２方向に沿って配置され、かつ、互いに対向する第１および第２短辺とを有し、半導体チップを封止する封止体を有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）上面、および前記上面とは反対側の下面を有するダイパッドと、前記ダイパッドにそれぞれ接続される複数の吊りリードと、前記第１および第２長辺のそれぞれに沿って配置される複数のリードとを備えた製品形成領域を有するリードフレームを準備する工程、
（ｂ）四辺形の平面形状を成す第１主面、前記第１主面に形成された複数の電極パッド、および前記第１主面とは反対側の第２主面を有する半導体チップを、平面視において、前記第１主面の第１辺、第２辺、第３辺および第４辺が前記第１、第２長辺、前記第１、第２短辺とそれぞれ並ぶように前記ダイパッドの前記上面に搭載する工程、
（ｃ）前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリードとを、複数のワイヤを介して、それぞれ電気的に接続する工程、
（ｄ）前記製品形成領域を覆うキャビティ、前記キャビティの前記第１短辺側に配置された供給部、および前記キャビティの前記第２短辺側に配置された排出部を有する成形金型の前記キャビティ内に前記半導体チップを配置し、前記供給部から前記排出部に向かって樹脂を供給し、前記半導体チップ、前記複数のワイヤ、および前記複数のリードを前記樹脂で封止し、前記封止体を形成する工程、
を含み、
前記複数のリードのうち、前記第１方向に沿った先端面を有し、かつ、前記第１方向に沿った先端面をそれぞれ有する複数のリードのうち、先端部が排出部にもっとも近い位置に配置される第１リード、および前記第１リードの前記供給部側の隣に配置される第２リードは、
前記第１または第２長辺側の一方から他方に向かって前記第２方向に沿って延びる延在部と、前記延在部よりも前記ダイパッド側に位置する前記先端面を有し、かつ、前記延在部と一体に形成されて接続される前記先端部とを有し、
前記第１および第２リードの先端部は、
前記先端部の前記延在部側の境界線の中心と、前記先端部の前記先端面側の端辺の中心を結ぶ線を中心軸として、前記延在部と同じ幅を有する中央領域と、前記中央領域から前記第１方向に沿って張り出した張出領域と、を有し、
前記複数の電極パッドのうちの複数の第１電極パッドは、前記第１主面の四辺のうち、前記第１辺または前記第２辺に沿って配置され、
前記（ｃ）工程では、
前記複数のワイヤのうちの第１ワイヤの一方を前記第１電極パッドに接続し、前記第１ワイヤの他方を前記第１リードの前記張出領域に接続し、前記複数のワイヤのうちの、第２ワイヤの一方を前記第１電極パッドに接続し、前記第２ワイヤの他方を前記第２リードの前記張出領域に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記第１および第２長辺を３等分した時に、最も前記第２短辺側に配置される第１領域よりも前記第１短辺側に配置される第２領域には、前記複数のリードのうちの第３リードが配置され、
前記第３リードは、
前記第１または第２長辺側の一方から他方に向かって前記第２方向に沿って延びる延在部と、前記延在部よりも前記ダイパッド側に位置する前記先端面を有し、かつ、前記延在部と一体に形成されて接続される前記先端部とを有し、
前記第３リードの先端部は、
前記先端部の前記延在部側の境界線の中心と、前記先端部の前記先端面側の端辺の中心を結ぶ線を中心軸として、前記延在部と同じ幅を有する中央領域と、前記中央領域から前記第１方向に沿って張り出した張出領域と、を有し、
前記（ｃ）工程では、
前記複数のワイヤのうちの第３ワイヤの一方を前記第１電極パッドに接続し、前記第３ワイヤの他方を前記第３リードの前記中央領域に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記第１ワイヤが接続される前記第１リードの張出領域は、前記第１リードの中央領域よりも前記排出部側に配置され、
前記第２ワイヤが接続される前記第２リードの張出領域は、前記第２リードの前記中央領域よりも前記排出部側に配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記第１または第２リードは、前記第１または第２リードの中央領域よりも前記供給部側に配置される第１張出領域と、前記第１または第２リードの中央領域よりも前記排出部側に配置される第２張出領域とを有し、
前記第２張出領域は、前記第１張出領域よりも面積が大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１４において、
前記第１リードと前記排出部の間には、第４リードが配置され、
前記第４リードは、
前記第１方向に対して傾斜する先端面、前記第１または第２長辺側の一方から他方に向かって前記第２方向に沿って延びる延在部、前記キャビティの内側で前記半導体チップの前記第１主面の前記第４辺に向かって屈曲し前記第１方向に対して前記第４辺に向かって傾斜する傾斜部、および前記延在部よりも前記ダイパッド側に位置する前記先端面を有し、かつ、前記延在部と一体に形成されて接続される先端部、を有し、
前記複数の電極パッドのうちの第２電極パッドは、前記第１主面の四辺のうち、前記第４辺に沿って配置され、
前記（ｃ）工程では、
前記複数のワイヤのうちの第４ワイヤの一方を前記第２電極パッドに接続し、前記第４ワイヤの他方を前記第４リードの前記先端部の中央領域に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１４において、
前記第１および第２長辺を３等分した時に、最も前記第２短辺側に配置される第１領域には、前記複数のリードのうちの第５リードが配置され、
前記第５リードは、
前記第１または第２長辺側の一方から他方に向かって前記第２方向に沿って延びる延在部と、前記延在部よりも前記ダイパッド側に位置する前記先端面を有し、かつ、前記延在部と一体に形成されて接続される前記先端部とを有し、
前記第５リードの先端部は、
前記先端部の前記延在部側の境界線の中心と、前記先端部の前記先端面側の端辺の中心を結ぶ線を中心軸として、前記延在部と同じ幅を有する中央領域と、前記中央領域から前記第１方向に沿って張り出した張出領域と、を有し、
前記（ｃ）工程では、
前記複数のワイヤのうちの複数の第５ワイヤの一方をそれぞれ前記第１電極パッドに接続し、前記複数の第５ワイヤの他方を一つの前記第５リードの前記中央領域に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、半導体チップと複数のリードを接続するワイヤを樹脂封止する半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特開昭５９−１０２４９号公報（特許文献１）には、略長方形の平面形状からなる半導体チップの対向する長辺に沿って、それぞれ複数のリードが配置された半導体装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭５９−１０２４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置には、略長方形の平面形状からなる封止体の互いに対向する長辺のそれぞれに沿って複数のリードが配置される、所謂、ＳＯＰ（Small Outline Package）、または、ＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Package）と呼ばれる半導体装置がある。このＳＯＰ型、またはＳＯＮ型の半導体装置は、ダイパッド上に半導体チップを搭載し、半導体チップの主面に形成された複数の電極パッドと、複数のリードとを、複数のワイヤを介して、それぞれ電気的に接続する。その後、半導体チップ、複数のワイヤ、および複数のリードを樹脂封止して封止体を形成する。この封止体を形成するモールド工程では、複数のリードが配置されない一方の短辺側から、該短辺と対向する他方の短辺に向かって樹脂を供給する。
【０００５】
ところが、本願発明者がＳＯＰ型、またはＳＯＮ型の半導体装置について検討した結果、半導体装置の信頼性低下要因となる以下の課題が発生することを見出した。すなわち、モールド工程において、ワイヤが樹脂の流れ方向に向かって変形する不良（ワイヤ流れ不良）が発生する。ワイヤが樹脂の流れ方向に向かって変形すると、隣に配置されるワイヤとの距離が短くなり、短絡不良が発生しやすくなる。また、ワイヤの変形量が大きい場合、ワイヤと電極パッド、あるいはワイヤとリードの接合部における接続信頼性が低下する。つまり、半導体装置の信頼性が低下する。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体装置の信頼性低下を防止ないしは抑制する技術を提供することにある。
【０００７】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【０００９】
すなわち、本願発明の一態様である半導体装置の製造方法は、平面視において、第１方向に沿って配置され、かつ、互いに対向する第１および第２長辺と、前記第１方向と直交する第２方向に沿って配置され、かつ、互いに対向する第１および第２短辺とを有し、半導体チップを封止する封止体を有する半導体装置の製造方法であり、以下の工程を含んでいる。（ａ）上面、および前記上面とは反対側の下面を有するダイパッドと、前記ダイパッドにそれぞれ接続される複数の吊りリードと、前記第１および第２長辺のそれぞれに沿って配置される複数のリードとを備えた製品形成領域を有するリードフレームを準備する工程を含んでいる。また、（ｂ）四辺形の平面形状を成す第１主面、前記第１主面に形成された複数の電極パッド、および前記第１主面とは反対側の第２主面を有する半導体チップを、平面視において、前記第１主面の第１辺、第２辺、第３辺および第４辺が前記第１、第２長辺、前記第１、第２短辺とそれぞれ並ぶように前記ダイパッドの前記上面に搭載する工程を含んでいる。また、（ｃ）前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリードとを、複数のワイヤを介して、それぞれ電気的に接続する工程を含んでいる。また、（ｄ）前記製品形成領域を覆うキャビティ、前記キャビティの前記第１短辺側に配置された供給部、および前記キャビティの前記第２短辺側に配置された排出部を有する成形金型の前記キャビティ内に前記半導体チップを配置し、前記供給部から前記排出部に向かって樹脂を供給し、前記半導体チップ、前記複数のワイヤ、および前記複数のリードを前記樹脂で封止し、前記封止体を形成する工程を含んでいる。また、前記複数のリードのうち、前記第１方向に沿った先端面を有し、かつ、前記排出部側に配置される第１リードは、前記第１または第２長辺側から前記第２方向に沿って延びる延在部と、前記延在部よりも前記ダイパッド側に位置する前記先端面を有し前記延在部と一体に形成されて接続される先端部と、を有する。
【００１０】
また、前記先端部は、前記延在部と前記先端部の境界線の中心と、前記先端部の前記先端面側の端辺の中心を結ぶ線を中心軸として、前記延在部と同じ幅を有する中央領域と、前記中央領域から前記第１方向に沿って張り出した張出領域とを有する。また、前記（ｃ）工程では、前記複数のワイヤのうちの第１ワイヤの一方を前記複数の電極パッドのうちの第１電極パッドに接続し、前記第１ワイヤの他方を前記第１リードの前記張出領域に接続するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【００１２】
すなわち、本願発明の一態様によれば、半導体装置の信頼性低下を防止ないしは抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の上面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の内部構造を示す平面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図４】図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図５】図２のＣ部の拡大平面図である。
【図６】図２のＤ部の拡大平面図である。
【図７】図２のＥ部の拡大平面図である。
【図８】図２のＦ部の拡大平面図である。
【図９】図５に示す複数のリードのうち、ダイパッドの長辺と対向する先端面を有するリードの先端部周辺の拡大平面図である。
【図１０】図７に示す複数のリードのうち、ダイパッドの長辺と対向する先端面を有するリードの先端部周辺の拡大平面図である。
【図１１】本発明の一実施の形態である半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。
【図１２】リードフレーム準備工程で準備するリードフレームを示す平面図である。
【図１３】図１２のＳ部の拡大平面図である。
【図１４】図１３に示すダイパッド上に、ボンディング材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。
【図１５】図１４のＧ−Ｇ線に沿った拡大断面図である。
【図１６】図１４に示す半導体チップと複数のリードを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大平面図である。
【図１７】図１６のＨ−Ｈ線に沿った拡大断面図である。
【図１８】図１６に示すリードフレームの製品形成領域に、封止体を形成した状態を示す平面図である。
【図１９】図１８のＳ部の拡大平面図である。
【図２０】モールド工程において成形金型内に樹脂を供給した状態を示し、図１９のＪ−Ｊ線に沿った拡大断面図である。
【図２１】モールド工程において成形金型内に樹脂を供給した状態を示し、図１９のＫ−Ｋ線に沿った拡大断面図である。
【図２２】図１９に示す樹脂を供給する際の流れ方向を示し、第１段階目の拡大平面図である。
【図２３】図１９に示す樹脂を供給する際の流れ方向を示し、第２段階目の拡大平面図である。
【図２４】図１９に示す樹脂を供給する際の流れ方向を示し、第３段階目の拡大平面図である。
【図２５】図１９に示す樹脂を供給する際の流れ方向を示し、第４段階目の拡大平面図である。
【図２６】図１９に示す樹脂を供給する際の流れ方向を示し、第５段階目の拡大平面図である。
【図２７】図２７は、ワイヤ流れ不良が発生しやすい領域と、リードのへの接合位置の関係を示す拡大平面図である。
【図２８】図２７に対する変形例であって、図１８に示す複数の製品形成領域のうち、第４列目の製品形成領域を示す拡大平面図である。
【図２９】図７に対する変形例であって、図２８に示すベント部周辺に対応する拡大平面図である。
【図３０】図８に対する変形例であって、図２８に示すベント部周辺に対応する拡大平面図である。
【図３１】図２７に対する変形例であって、図１８に示す複数の製品形成領域のうち、第１列目〜第３列目までの各製品形成領域を示す拡大平面図である。
【図３２】図２７に対する変形例であって、図１８に示す複数の製品形成領域のうち、第１列目または第３列目の製品形成領域を示す拡大平面図である。
【図３３】図１９に対する変形例であって樹脂の流れ方向を示す拡大平面図である。
【図３４】図１０に対する変形例であって、複数のリードのうち、ダイパッドの長辺と対向する先端面を有するリードの先端部周辺の拡大平面図である。
【図３５】図２７に対する変形例を示す拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００１５】
同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Ｃｕ層、ニッケル・めっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００１６】
さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００１７】
また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００１８】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。
【００１９】
本実施の形態では、半導体装置の一例として、ＳＯＰ型の半導体装置に適用した実施態様について説明する。図１は本実施の形態の半導体装置の上面図、図２は図１に示す半導体装置の内部構造を示す平面図、図３は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図、図４は図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００２０】
＜半導体装置＞
まず、本実施の形態のＳＯＰ（半導体装置）１の構成の概要について、図１〜図４を用いて説明する。図１〜図４に示すように、本実施の形態のＳＯＰ１は、ダイパッド２（図２〜図４参照）と、ダイパッド２上にダイボンド材を介して搭載された半導体チップＣＨ（図２〜図４参照）と、を備えている。また、ＳＯＰ１は、半導体チップＣＨの周囲に配置された複数のリード４（図２、図３参照）と、半導体チップＣＨの複数のパッドＰＤ（図２、図３参照）と複数のリード４とを、それぞれ電気的に接続する複数のワイヤ５（図２、図３参照）と、を有している。また、ＳＯＰ１は半導体チップＣＨ、複数のワイヤ５、および複数のリード４を封止する封止体（樹脂を硬化させて形成する樹脂体）６を備えている。また、ダイパッド２には、複数の吊りリード９（図２、図４参照）が接続されている。なお、複数の吊りリード９は、ダイパッド２と一体に形成されており、この複数の吊りリード９によりダイパッドは支持されている。
【００２１】
＜外観構造＞
次に、ＳＯＰ１の外観構造について説明する。図１に示す封止体６の平面形状は四つの主辺を有する略長方形の形状からなる。詳細には、封止体６は、平面視において、第１方向Ｙに沿って配置され、互いに対向する長辺６ａおよび長辺６ｂを有している。また、第１方向Ｙと直交する第２方向Ｘに沿って配置され、互いに対向する短辺６ｃおよび短辺６ｄを有している。この長辺６ａ、６ｂおよび短辺６ｃ、６ｄが封止体６の四つの主辺に相当する。また、各主辺の間の四つの角部では、面取り加工が施され、これにより封止体６の欠けを抑制している。封止体６は上面６ｅと、この上面６ｅとは反対側の下面（裏面、実装面）６ｆ（図３参照）と、この上面６ｅと下面６ｆとの間に位置する側面６ｇとを有している。側面６ｇは、図３および図４に示すように傾斜面となっている。
【００２２】
また、図１および図２に示すように、封止体６の長辺６ａ、６ｂ側には、長辺６ａ、６ｂのそれぞれに沿って、複数のリード４が配置されている。一方、短辺６ｃ、６ｄ側には、リード４は配置されていない。複数のリード４は、それぞれ金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）から成る。詳しくは、銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に、例えばニッケル（Ｎｉ）からなるめっき導体膜（図示は省略）が形成されている。本実施の形態では、例えば、長辺６ａ、６ｂに沿って、それぞれ２４本のリードが配置されている。図２および図３に示すように複数のリード４の一部分（インナリード部）は、それぞれ第２方向Ｘに沿って側面６ｇよりも封止体６の内側に配置され、封止体６により封止されている。また複数のリード４の他部分（インナリード部と一体に形成されるアウタリード部）は、それぞれ第２方向Ｘに沿って側面６ｇよりも封止体６の外側に配置され、封止体６から露出している。言い換えれば、複数のリード４は、それぞれ第２方向Ｘに沿って封止体６の内部から長辺６ａ、６ｂに向かって延び、封止体６の外側にアウタリード部が露出している。また、図３に示すようにリード４のアウタリード部は、封止体６の外側で下面６ｆ方向に向かって屈曲し、ガルウィング状に形成されている。複数のリード４は、ＳＯＰ１を実装基板（図示は省略）に実装する際の外部接続端子（外部端子）であり、実装基板の実装面に形成された複数の端子と、半田材などの接合材を介して電気的に接続される。このため、複数のリード４のアウタリード部の最下面は、封止体６の下面６ｆよりも低い位置に配置されている。なお、複数のリード４のアウタリード部の表面には、実装時にリード４と接合材との接続性（濡れ性）を向上させるため、例えば半田からなる外装導体膜（図示は省略）が形成されている。
【００２３】
＜内部構造＞
次にＳＯＰ１の内部構造について説明する。図３に示すように、ダイパッド２は、上面（チップ搭載面）２ｅおよび上面２ｅの反対側に位置する下面２ｆを有している。ダイパッド２の上面２ｅおよび下面２ｆのそれぞれは、図２に示すように例えば、平面形状が長方形から成る。ダイパッド２が有する各辺は、それぞれ封止体６の各辺に沿って配置される。言い換えれば、ダイパッド２は、図２に示すように封止体６の長辺６ａ、６ｂに沿った長辺２ａ、２ｂと、封止体６の短辺６ｃ、６ｄに沿った長辺２ｃ、２ｄを有している。また、本実施の形態では、ダイパッド２の外形サイズ（平面サイズ）の方が半導体チップＣＨの外形サイズよりも大きい。
【００２４】
ダイパッド２上には、半導体チップＣＨが搭載されている。本実施の形態では、ダイパッド２上に複数（図２では２個）の半導体チップＣＨ１、ＣＨ２が搭載されている。複数の半導体チップＣＨは、それぞれ下面（主面、裏面）３ｆ（図３参照）をダイパッド２の上面２ｅと対向させた状態で、ダイボンド材（接着材）を介してダイパッド２上に搭載されている。つまり、複数のパッド（電極パッド、ボンディングパッド）ＰＤが形成された上面（主面、表面）３ｅ（図３参照）の反対面（下面３ｆ）をチップ搭載面（上面２ｅ）と対向させる、所謂、フェイスアップ実装方式により搭載されている。このダイボンド材は、半導体チップＣＨをダイボンディングする際の接着材であって、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂に、銀（Ａｇ）などから成る金属粒子を含有させたダイボンド材を用いている。
【００２５】
ダイパッド２上に搭載される半導体チップＣＨの平面形状（本実施の形態では半導体チップＣＨ１、ＣＨ２それぞれの平面形状）は四角形から成る。半導体チップＣＨが有する各辺は、それぞれ封止体６の各辺に沿って配置される。言い換えれば、複数の半導体チップＣＨのそれぞれは、図２に示すように封止体６の長辺６ａ、６ｂに沿った辺３ａ、３ｂと、封止体６の短辺６ｃ、６ｄに沿った辺３ｃ、３ｄを有している。また、図３に示すように、半導体チップＣＨは、上面（主面、表面）３ｅと、上面３ｅとは反対側の下面（主面、裏面）３ｆと、この上面３ｅと下面３ｆとの間に位置する側面とを有している。また、半導体チップＣＨの上面３ｅには、複数のパッドＰＤが形成されており、本実施の形態では、複数のパッドＰＤが上面３ｅの各辺（辺３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ）に沿って形成されている。
【００２６】
また、図示は省略するが、半導体チップＣＨの主面（詳しくは、半導体チップＣＨの基材（半導体基板）の上面（主面、半導体素子形成面）に設けられた半導体素子形成領域）には、複数の半導体素子（回路素子）が形成されている。複数のパッドＰＤは、半導体チップＣＨの内部（詳しくは、上面３ｅと図示しない半導体素子形成領域の間）に配置される配線層に形成された配線（図示は省略）を介して、この半導体素子と電気的に接続されている。半導体チップＣＨ（詳しくは、半導体チップＣＨの基材）は、例えばシリコン（Ｓｉ）から成る。また、上面３ｅには、半導体チップＣＨの基材および配線を覆う絶縁膜が形成されており、複数のパッドＰＤのそれぞれの表面は、この絶縁膜に形成された開口部において、絶縁膜から露出している。また、パッドＰＤは金属からなり、本実施の形態では、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる。さらに、このパッドＰＤの表面には、めっき膜が形成されており、本実施の形態では、例えばニッケル（Ｎｉ）膜を介して、金（Ａｕ）膜が形成された多層構造である。パッドＰＤの表面をニッケル膜で覆うことにより、パッドＰＤの腐食（汚染）を抑制することができる。
【００２７】
また、半導体チップＣＨの周囲（詳しくは、ダイパッド２の周囲）には、例えば、ダイパッド２と同じ銅（Ｃｕ）から成る複数のリード４が配置されている。そして、半導体チップＣＨの上面３ｅに形成された複数のパッドＰＤは、封止体６の内部に位置する複数のリード４（インナリード部）と、複数のワイヤ（導電性部材）５を介してそれぞれ電気的に接続されている。ワイヤ５は、例えば、金（Ａｕ）から成り、ワイヤ５の一部（例えば一方の端部）がパッドＰＤに接合され、他部（例えば他方の端部）がリード４のボンディング領域に接合されている。なお、図示は省略するが、リード４のボンディング領域の表面（詳しくはニッケル（Ｎｉ）から成るめっき膜の表面）には、導体膜が形成されている。導体膜は例えば、銀（Ａｇ）、あるいは金（Ａｕ）から成る。リード４のボンディング領域の表面に、銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）から成る導体膜を形成することにより、金（Ａｕ）からなるワイヤ５との接合強度を向上させることができる。リード４のさらに詳細な構造およびワイヤ５のボンディング領域の詳細については、後述する。
【００２８】
また、図２に示すようにダイパッド２には、複数（図２では３本）の吊りリード９が接続（連結）されている。複数の吊りリード９は、それぞれ一方の端部がダイパッド２の短辺に接続されている。また複数の吊りリード９はそれぞれ他方の端部が第１方向Ｙに沿って封止体６の短辺６ｃ、６ｄに向かって延び、短辺６ｃ、６ｄの外側で封止体６から露出している。つまり、複数のリード４は、長辺６ａ、６ｂのそれぞれに配置され、短辺６ｃ、６ｄ側には配置されない。一方、複数の吊りリード９は、短辺６ｃ、６ｄのそれぞれに配置され、長辺６ａ、６ｂ側には配置されない。このように、吊りリード９を短辺６ｃ、６ｄに配置することで、長辺６ａ、６ｂ側に配置した複数のリード４の配列を阻害することなく配置できるので、配置密度を高めることができる。また、ＳＯＰ１の外部接続端子である複数のリード４を長辺６ａ、６ｂ側に配置することで、外部接続端子数を増加させることができる。また、複数の吊りリード９は、それぞれ屈曲部を有し、封止体６内におけるダイパッド２の高さはリード４の高さとは異なる位置に配置（オフセット配置）されている。本実施の形態では、図３に示すように、ダイパッド２は、リード４よりも低い位置に配置（ダウンセット配置）されている。このようにダイパッド２の位置をオフセット配置することで、封止体６の厚さ方向において半導体チップＣＨを略中央に配置することができるので、半導体チップＣＨ、ダイパッド２、ワイヤ５およびリード４の一部を確実に封止することができる。
【００２９】
＜リードの詳細＞
次に、図３に示す複数のリード４の詳細について説明する。図５は図２のＣ部の拡大平面図、図６は図２のＤ部の拡大平面図、図７は図２のＥ部の拡大平面図、図８は図２のＦ部の拡大平面図である。また、図９は、図５に示す複数のリードのうち、ダイパッドの長辺と対向する先端面を有するリードの先端部周辺の拡大平面図、図１０は、図７に示す複数のリードのうち、ダイパッドの長辺と対向する先端面を有するリードの先端部周辺の拡大平面図である。図５〜図８に示すように複数のリード４のそれぞれは、長辺６ａ、６ｂの一方の長辺から他方の長辺に向かって、第２方向Ｘに沿って延びる延在部４ａを有している。また、複数のリード４のそれぞれは、延在部４ａよりもダイパッド２側（言い換えれば半導体チップＣＨ側）に位置する先端面４ｃ（リード４のダイパッド２側の側面）を有し、延在部４ａと一体に形成されて接続される先端部４ｂ（図５〜図８において、ハッチングを付して示す領域）を有している。この先端部４ｂは、リード４のボンディング領域となっており、複数のワイヤ５のそれぞれは、この先端部４ｂに接続（接合）されている。
【００３０】
また、複数のリード４の先端面４ｃのうち、ダイパッド２の長辺２ａ、２ｂと対向配置される先端面４ｃは、第１方向Ｙに沿って配置されている。第１方向Ｙに沿って配置される先端面４ｃを有するリード４は、半導体チップＣＨの複数のパッドＰＤのうち、辺３ａ、３ｂ（第１方向Ｙに沿った辺）に沿って配置されるパッドＰＤとそれぞれ電気的に接続される。言い換えれば、半導体チップＣＨの辺３ａ、３ｂ（第１方向Ｙに沿った辺）に沿って配置されるパッドＰＤと電気的に接続されるリード４の先端面４ｃは、辺３ａ、３ｂと対向するように第１方向Ｙに沿って配置される。一方、複数のリード４のうち、ダイパッド２の長辺２ａ、２ｂよりも外側（封止体６の短辺６ｃ、６ｄ側）に配置されるリード４は、封止体６の内側でダイパッド２の短辺２ｃ、２ｄ（半導体チップＣＨの辺３ｃ、３ｄ）に向かって屈曲している。そしてこれらのリード４の先端面４ｃは、第１方向Ｙに対して傾斜するように配置されている。先端面４ｃが大１方向Ｙに対して傾斜するリードのそれぞれは、封止体６の内部で、辺３ｃまたは辺３ｄに向かって屈曲し第１方向Ｙに対して辺３ｃまたは辺３ｄに向かって傾斜する傾斜部、および前記先端面を有し前記延在部と一体に形成されて接続される先端部４ｂを有している。第１方向Ｙに対して傾斜するように配置される先端面４ｃを有するリード４は、半導体チップＣＨの有する複数のパッドＰＤのうち、辺３ｃ、３ｄ（第２方向Ｘに沿った辺）に沿って配置されるパッドＰＤとそれぞれ電気的に接続される。言い換えれば、半導体チップＣＨの辺３ｃ、３ｄ（第２方向Ｘに沿った辺）に沿って配置されるパッドＰＤと電気的に接続されるリード４の先端面４ｃは、辺３ｃ、３ｄと対向するように第２方向Ｘに沿って配置される。つまり、本実施の形態では、複数のリード４の先端面４ｃは、ワイヤ５を介して接続されるパッドＰＤと対向するようにそれぞれ配置されている。このように、リード４の先端面４ｃとパッドＰＤを対向配置することにより、複数のワイヤ５の長さを揃えることができる。ワイヤ５の長さを揃えると、端子（パッドＰＤおよびリード４）のレイアウトに起因するインピーダンス成分の増加を抑制することができるので、ＳＯＰ１の電気特性を安定化して、信頼性を向上させることができる。
【００３１】
また、前記したように複数のワイヤ５のそれぞれは、リード４の先端部４ｂに接続（接合される）が、本実施の形態では、平面視におけるリード４の先端部４ｂの位置に応じて、ワイヤ５を接合する領域が異なっている。詳しく説明すると、図２に示す封止体６の長辺６ａ、６ｂを３等分した時に、最も短辺６ｄ側に配置される領域１０ａ１よりも短辺６ｃ側に配置される領域１０ａ２では、図５、図６および図９に示すように、先端部４ｂの中央領域４ｅにワイヤ５が接合される。一方、図２に示す封止体６の長辺６ａ、６ｂを３等分した時に、最も短辺６ｄ側に配置される領域１０ａ１では、図７、図８および図１０に示すように、先端部４ｂの中央領域４ｅから第１方向Ｙに沿って張り出した張出領域４ｆにワイヤ５が接合される。この先端部４ｂの中央領域４ｅおよび張出領域４ｆは以下のように定義される。すなわち、図９および図１０にハッチングを付して示すように、中央領域４ｅは、延在部４ａと先端部４ｂの境界線の中心と先端部４ｂの先端面４ｃ側の端辺の中心を結ぶ中心線（仮想線）ＣＬを中心軸として、延在部４ａと同じ幅を有する領域である。先端部４ｂの先端面４ｃ側の端辺とは、リード４の側面を構成する先端面４ｃが備える各辺のうち、先端部４ｂのワイヤ接合面である上面と交差する辺（先端辺）である。この端辺は、図９や図１０に示すように延在部４ａと先端部４ｂの境界線よりも半導体チップＣＨ側（ダイパッド２側）に、該境界線と対向するように配置されている。一方、張出領域４ｆは、中央領域４ｅと隣接して配置され、中央領域４ｅから第１方向Ｙに沿って張り出した領域である。
【００３２】
後述するワイヤボンディング工程において、ワイヤ５とリード４を確実に接合する観点からは、図９に示すように中央領域４ｅに接合することが好ましい。ワイヤボンディング時にボンディング位置が若干ずれてもリード４と接合することができるからである。しかし、本実施の形態では、後述するモールド工程において、ワイヤ５の変形を抑制する観点から、一部のリード４についてはワイヤ５を張出領域４ｆに接合している。
【００３３】
モールド工程の詳細は後述するが、以下、張出領域４ｆにワイヤ５を接合する効果について簡単に説明する。ＳＯＰ１の製造工程では、複数のリード４が互いに対向する長辺６ａ、６ｂに沿って配置されているので、所謂、トランスファモールド方式を採用するモールド工程では、リード４が配置されていない一方の短辺６ｃから他方の短辺６ｄに向かって樹脂（硬化して封止体６となる封止用の樹脂）を供給する。このため、樹脂は、長辺６ａ、６ｂに沿って流れることとなる。
【００３４】
ここで、樹脂の流れ方向とワイヤ５の延在方向の成す角度によっては、ワイヤ５が樹脂から受ける圧力により変形する不良（ワイヤ流れ不良）が発生する場合がある。ワイヤ５の長さを一定とした場合、このワイヤ流れ不良は、樹脂の流れ方向とワイヤ５の延在方向の成す角度が９０度となる時に最も発生し易く、樹脂の流れ方向とワイヤ５の延在方向の成す角度が０度となる時に最も発生し難い。したがって、ワイヤ５を、樹脂の流れ方向に対して０度に近い角度を成す方向に延在させることによりワイヤ流れ不良を抑制することができる。図１０に当てはめると、モールド工程において、樹脂は第１方向Ｙに沿って流れる。このため、ワイヤ５を張出領域４ｆに接合すれば、ワイヤ５の延在方向と樹脂の流れ方向（第１方向Ｙ）の成す角度は、中央領域４ｅに接合した場合よりも０度に近づくこととなる。この結果、ワイヤ流れ不良を抑制することができる。つまり、ワイヤ流れ不良によるＳＯＰ１の信頼性低下を抑制することができる。
【００３５】
また、ワイヤ流れ不良は、樹脂の供給部周辺では殆ど発生せず、排出部周辺において発生し易い。これは、樹脂が排出部周辺まで供給されると、中空空間の体積が小さくなることにより内部圧力が上昇し、これに伴って樹脂の圧力が上昇するためと考えられる。したがって、本実施の形態のように、ワイヤ流れ不良が発生し易い領域（図２に示す封止体６の長辺６ａ、６ｂを３等分した時に最も短辺６ｄ側の領域）において、ワイヤ５を張出領域４ｆに接合すれば、ワイヤ流れ不良を抑制することができる。この場合、図２に示す封止体６の長辺６ａ、６ｂの中心よりも短辺６ｃ側の領域（供給部側の領域）では、ワイヤ流れ不良は殆ど発生しないので、図９に示すようにワイヤ５を中央領域４ｅに接合することができる。このため、ワイヤ５とリード４を確実に接合することができる。つまり、ワイヤ５とリード４のワイヤボンディング不良による信頼性低下を抑制することができる。
【００３６】
＜半導体装置の製造工程＞
次に、図１〜図１０に示すＳＯＰ１の製造工程について、説明する。本実施の形態におけるＳＯＰ１は、図１１に示す組立てフローに沿って製造される。図１１は、本実施の形態の半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。各工程の詳細については、図１２〜図２６を用いて、以下に説明する。
【００３７】
１．リードフレーム準備工程；
図１２は、リードフレーム準備工程で準備するリードフレームを示す平面図、図１３は、図１２のＳ部の拡大平面図である。
【００３８】
まず、図１１に示すリードフレーム準備工程（Ｓ１）として、図１２に示すようなリードフレーム１０を準備する。本実施の形態で使用するリードフレーム１０は、枠部（枠体）１０ｂの内側に複数の製品形成領域１０ａを備えている。図１２では、行方向（第２方向Ｘ）に４個、列方向（第１方向Ｙ）に４個の製品形成領域１０ａが、マトリクス状に配置され、合計１６個の製品形成領域１０ａを備えている。このように、複数の製品形成領域１０ａをマトリクス状に配置することで、製造効率を向上させることができる。特に、図１１に示すモールド工程（Ｓ４）では、複数の製品形成領域１０ａのそれぞれに封止体を形成するが、複数の封止体を一括して形成することで、製造効率を大幅に向上させることができる。リードフレーム１０は、金属から成り、本実施の形態では、例えば、銅（Ｃｕ）から成る。詳しくは、銅（Ｃｕ）から成る基材の表面に、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる導体膜が形成されている。また、一方の枠部１０ｂには、それぞれランナ領域１０ｃが行方向（第２方向Ｘ）に沿って配置されている。このランナ領域１０ｃは後述するモールド工程において、樹脂を各製品形成領域１０ａ内に配置されるキャビティに向かって供給する経路となるランナ部が配置される領域である。
【００３９】
また、図１２の部分拡大図である図１３に示すように、ダイパッド２は、製品形成領域１０ａの中央部に形成されている。ダイパッド２は長方形の平面形状を成し、第１方向Ｙに沿って配置される二つの長辺２ａ、２ｂおよび第２方向Ｘに沿って配置される二つの短辺２ｃ、２ｄを有している。ダイパッド２には、複数の吊りリード９が接続されている。本工程で準備するリードフレーム１０が備える複数の吊りリード９には、ダイパッド２の位置をオフセット配置するための屈曲部が形成されている。また、ダイパッド２の隣には、長辺２ａ、２ｂに沿ってそれぞれ複数のリード４が形成されている。複数のリード４のそれぞれは、図５〜図１０を用いて説明したように、第２方向Ｘに沿って延在する延在部４ａ、および延在部４ａよりもダイパッド２側に位置する先端面４ｃを有し、ボンディング領域となる先端部４ｂを有している。また、図示は省略するが、リード４のボンディング領域となる先端部４ｂ（図５〜図８参照）の表面には、例えば例えば、銀（Ａｇ）、あるいは金（Ａｕ）から成る導体膜が形成されている。
【００４０】
また、ダイパッド２の周囲には、ダイパッド２および複数のリード４の一部を囲むようにダム部（タイバー、フレーム部）１１が配置されている。複数のリード４はダム部１１の一部を構成するタイバー１１ａと一体に形成され、タイバー１１ａを介して連結されている。ダム部１１は、後述するモールド工程において、樹脂の流出を堰き止める部分であって、封止領域（図１に示す封止体６を形成する領域）はこのダム部１１により規定される。したがって、本実施の形態では、ダム部１１は、略長方形の平面形状を成す。言い換えれば、第１方向Ｙに沿った二本の長辺（タイバー１１ａの内側の辺）と、第２方向Ｘに沿った二本の短辺を有している。本工程で準備するリードフレーム１０では、ダイパッド２、複数のリード４、および複数の吊りリード９は、それぞれダム部１１に連結（接続）され、一体に形成されている。また、ダム部１１は、枠部１０ｂと一体に形成されており、ダイパッド２および複数のリード４は、ダム部１１を介して枠部１０ｂに支持されている。
【００４１】
２．ダイボンディング工程；
図１４は、図１３に示すダイパッド上に、ボンディング材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図、図１５は、図１４のＧ−Ｇ線に沿った拡大断面図である。次に、図１１に示すダイボンディング工程（Ｓ２）として、図１４および図１５に示すように半導体チップＣＨを、ダイパッド２のチップ搭載領域上にダイボンド材７（図１５参照）を介して搭載する。
【００４２】
本実施の形態では、図１５に示すように、半導体チップＣＨの下面３ｆ（複数のパッドＰＤが形成された上面３ｅの反対側の面）をダイパッド２の上面２ｅと対向させた状態で搭載する、所謂フェイスアップ実装方式で搭載する。また、図１４に示すように半導体チップＣＨの各辺が、ダイパッド２の各辺に沿って配置されるように固定する。本実施の形態では、複数（図１４および図１５では２個）の半導体チップＣＨ１、ＣＨ２を搭載する。したがって、まず、半導体チップＣＨ１が有する辺３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄがダイパッド２の長辺２ａ、２ｂ、短辺２ｃ、２ｄにそれぞれ沿うように搭載する。次に、半導体チップＣＨ２が有する辺３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄがダイパッド２の長辺２ａ、２ｂ、短辺２ｃ、２ｄとそれぞれ並ぶように（それぞれ沿うように）搭載する。なお、半導体チップＣＨ１、ＣＨ２の搭載順序は上記に限定されない。また、例えば、図１２に示す複数の製品形成領域１０ａのそれぞれに、半導体チップＣＨ１（図１４参照）を搭載し、その後、半導体チップＣＨ１の隣に、それぞれ半導体チップＣＨ１（図１４参照）を搭載することができる。つまり、先に全ての半導体チップＣＨ１を搭載した後で、半導体チップＣＨを搭載することができる。本実施の形態のように、種類の異なる複数の半導体チップＣＨを一つの製品形成領域１０ａに搭載する場合には、半導体チップＣＨの種類毎にまとめて搭載する方が、製造効率を向上させることができる。
【００４３】
また、本実施の形態では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂であるダイボンド材７を介して半導体チップＣＨを搭載するが、ダイボンド材７は、硬化（熱硬化）させる前には流動性を有するペースト材である。このようにペースト材をダイボンド材７として用いる場合には、まず、ダイパッド２上に、ダイボンド材７を塗布し、その後、半導体チップＣＨの下面３ｆをダイパッド２の上面２ｅに接着する。そして、接着後に、ダイボンド材７を硬化させる（例えば熱処理を施す）と、図１５に示すように、半導体チップＣＨはダイボンド材７を介してダイパッド２上に固定される。なお、本実施の形態では、ダイボンド材７に、熱硬化性樹脂からなるペースト材を用いる実施態様について説明したが、種々の変形例を適用することができる。例えば、ペースト材ではなく、両面に接着層を備えるテープ材（フィルム材）である接着材を、予め半導体チップＣＨの下面３ｆに貼り付けておき、テープ材を介して半導体チップＣＨをダイパッド２上に搭載しても良い。
【００４４】
３．ワイヤボンディング工程；
図１６は、図１４に示す半導体チップと複数のリードを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大平面図、図１７は、図１６のＨ−Ｈ線に沿った拡大断面図である。次に、図１１に示すワイヤボンディング工程（Ｓ３）として、図１６および図１７に示すように、半導体チップＣＨの複数のパッドＰＤと複数のリード４とを、複数のワイヤ（導電性部材）５を介して、それぞれ電気的に接続する。
【００４５】
本工程では、例えば、ヒートステージ１５を準備し、各製品形成領域１０ａのダイパッド２上に、半導体チップＣＨが搭載されたリードフレーム１０をヒートステージ上に配置する。そして、半導体チップＣＨのパッドＰＤとリード４とを、ワイヤ５を介して電気的に接続する。ここで、本実施の形態では、キャピラリ１６を介してワイヤ５を供給し、超音波と熱圧着を併用してワイヤ５を接合する、所謂、ネイルヘッドボンディング方式によりワイヤ５を接続している。また、本実施の形態では、半導体チップＣＨのパッドＰＤにワイヤの一部を接続した後、ワイヤ５の他部をリード４における先端部４ｂ（ボンディング領域）に接続する、所謂、正ボンディング方式によりワイヤを接続している。
【００４６】
ここで、本実施の形態では、図５〜図１０を用いて説明したように、複数のリード４のうちの一部は、ワイヤ５をリード４の張出領域４ｆ（図１０参照）に接合する。また、複数のリード４の他の一部は、ワイヤ５をリード４の中央領域４ｅ（図９参照）に接合する。この時、リード４の先端部４ｂを安定して固定することにより、ワイヤ５とリード４の上面を確実に接合することができるので、図１７に示すように、リード４の先端部４ｂの下面側を、ヒートステージのリード支持面１５ａと当接させた状態でワイヤ５を接合することが好ましい。特に、張出領域４ｆにワイヤ５を接合するリード４の場合、ワイヤボンディング時にリード４の先端部４ｂが傾くと接合不良の原因となるので、張出領域４ｆの下面側をリード支持面１５ａと当接させることが好ましい。本実施の形態では、前記したように、ダイパッド２の位置がリード４の位置に対してオフセットされているので、ヒートステージ１５にも段差部を設け、ダイパッド２を支持するダイパッド支持面１５ｂがリード支持面１５ａよりも低い位置となっている。これにより、ダイパッド２およびリード４の下面側を安定的に保持することができる。
【００４７】
また、図１７に拡大して示すように、リード４の先端部４ｂ（ボンディング領域）の上面には、例えば、銀（Ａｇ）、あるいは金（Ａｕ）から成る導体膜ＣＦ１が形成されている。図１７では、基材である銅膜ＢＭの表面が導体膜であるニッケル膜ＣＦ２で覆われ、このニッケル膜ＣＦ２の上面に導体膜ＣＦ１が積層された例を示している。ワイヤ５の一部は、この導体膜ＣＦ１に接合されている。また、ワイヤ５は金属からなり、本実施の形態では、例えば金（Ａｕ）からなる。そのため、ワイヤ５の接合領域に導体膜ＣＦ１を形成することにより、ワイヤ５とリード４の接合強度を向上させることができる。特に、張出領域４ｆにワイヤ５を接合するリード４の場合、ワイヤ５とリード４の接合強度を向上させることで、接合不良を抑制することができる。
【００４８】
４．モールド工程；
図１８は、図１６に示すリードフレームの製品形成領域に、封止体を形成した状態を示す平面図である。また、図１９は、図１８のＳ部の拡大平面図、図２０は、モールド工程において成形金型内に樹脂を供給した状態を示し、図１９のＪ−Ｊ線に沿った拡大断面図である。また、図２１は、モールド工程において成形金型内に樹脂を供給した状態を示し、図１９のＫ−Ｋ線に沿った拡大断面図である。次に、図１１に示すモールド工程（Ｓ４）として、図１８に示すように、複数の製品形成領域１０ａのそれぞれに封止体（封止体）６を形成し、図２０に示すように各製品形成領域１０ａの半導体チップＣＨ、複数のワイヤ５、ダイパッド２、および複数のリード４それぞれの一部分（インナリード部）を封止する。
【００４９】
本実施の形態では、内面にキャビティが形成された上型（上金型）および上型のキャビティと対向する位置にキャビティが形成された下型（下金型）を備えた成形金型の上型と下型の間に、図１６や図１７に示すリードフレーム１０を固定した状態で、軟化（可塑化）させた熱硬化性樹脂（樹脂）を、キャビティ内に圧入して成形し、その後加熱硬化させる、所謂トランスファモールド方式を用いている。また、トランスファモールド方式では、供給部（ゲート部）からキャビティ内部に樹脂を供給し、排出部（ベント部）からキャビティ内の残ガスや余剰な樹脂を排出する。キャビティに対する供給部の位置により分類すると、キャビティの上方に供給部を配置するトップゲート方式、およびキャビティの側面側に供給部を配置するサイドゲート方式に大別できる。本実施の形態では、成形金型の小型化の観点、あるいは、成形金型のメンテナンスの容易さの観点で有利なサイドゲート方式を適用している。
【００５０】
以下、本実施の形態のモールド工程を詳細に説明する。まず、成形金型準備工程として、図２０および図２１に示す成形金型２０を準備する。
【００５１】
成形金型２０は、上型（上金型）２１、および下型（下金型）２２を備えている。上型２１は金型面（クランプ面、内面）２１ａ（図２１参照）およびこの金型面２１ａ側に形成されたキャビティ（凹部）２３を有する。キャビティ２３は四辺形（詳しくは角部が面取りされた四角形）の形状を成し、互いに対向する長辺２３ａ、２３ｂ（図２１参照）、および長辺２３ａ、２３ｂとそれぞれ交差（直交）し、互いに対向する短辺２３ｃ、２３ｄ（図２０参照）を有している。下型２２は、金型面（クランプ面、内面）２２ａ（図２１参照）およびこの金型面２２ａ側に形成されたキャビティ（凹部）２４を有する。上型２１のキャビティ２３と下型２２のキャビティ２４は互いに対向する位置に配置され、上型２１の金型面２１ａと下型２２の金型面２２ａを対向させて重ね合わせることにより、キャビティ２３、２４に囲まれた中空空間が成形金型２０内に形成される。また、上型２１の金型面２１ａ側には、中空空間内に樹脂を供給するためのゲート部（供給部）２５、および中空空間の内部ガスおよび余剰な樹脂を排出するためのベント部（排出部）２６が形成されている。ゲート部２５およびベント部２６は、キャビティ２３の側面側に配置され、キャビティ２３の側面に接続されている。なお、図２０では、上型２１のみにゲート部２５およびベント部２６を形成する例を示しているが、例えば、下型２２の金型面２２ａにおいて、ゲート部２５、ベント部２６のそれぞれと対向する位置にゲート部およびベント部を形成することもできる。
【００５２】
また、本実施の形態では、図１９に示すキャビティ２３の長辺２３ａ、２３ｂ側には、それぞれ複数のリードが配置されているので、ゲート部２５およびベント部２６を短辺２３ｃ、２３ｄ側に配置している。なお、図１９では、成形金型２０（図２０、図２１参照）の各構成部の平面位置を示すため、樹脂（硬化させることで封止体となる封止用の樹脂）６ｐに成形金型２０の各構成部の符号を付して説明する。図１９に示すように、キャビティ２３の長辺２３ａ、２３ｂ、短辺２３ｃ、２３ｄは、それぞれ封止体６の長辺６ａ、６ｂ、短辺６ｃ、６ｄに対応する。図１９を用いてゲート部２５およびベント部２６の位置を詳しく説明すると、ゲート部２５は、キャビティ２３の短辺２３ｃ側に、ベント部２６は短辺２３ｄ側にそれぞれ接続されている。また、ゲート部２５は、短辺２３ｃの中心よりも長辺２３ａ側に、ベント部２６は、短辺２３ｄの中心よりも長辺２３ｂ側に、それぞれ寄せて配置している。このようにゲート部２５およびベント部２６を短辺２３ｃ、２３ｄの中心から互いに対向する長辺２３ａ、２３ｂ側にずらして配置することにより、図２０に示すキャビティ２３、２４により形成される中空空間の角部に樹脂６ｐを供給し易くなる。
【００５３】
また、本実施の形態では、図１８に示すように、複数の製品形成領域１０ａのそれぞれに、一括して複数の封止体６を形成する。このため、図２０および図２１に示す成形金型２０には、図１８に示す複数の製品形成領域１０ａに対応して複数のキャビティ２３、２４が形成されている。本実施の形態のように、複数の製品形成領域１０ａのそれぞれに、一括して複数の封止体６を形成すると、製造効率を向上させることができる。特に、図１８に示すように、製品形成領域１０ａの列数（第１方向Ｙに沿って配置される製品形成領域１０ａの数）を増やすと、成形金型２０（図２１参照）の大型化を抑制することができる点で好ましい。製品形成領域１０ａの列数を増やし、かつ、成形金型の大型化を抑制する観点からは、図１８に示すように隣り合う製品形成領域１０ａのベント部２６とゲート部２５を連結することが好ましい。本実施の形態では、製品形成領域を樹脂６ｐの供給方向である第１方向Ｙに沿って、複数列（４列）で製品形成領域１０ａを配置している。そして、第１列目の製品形成領域１０ａのベント部２６と第２列目の製品形成領域１０ａのゲート部２５が、製品形成領域間流路であるキャビティ２７を介して連結されている。同様に、第２列目、第３列目のベント部２６は、キャビティ２７を介して第３列目、第４列目のゲート部２５とそれぞれ連結されている。また、第１列目のゲート部２５は、図示しない加熱室（ポット部）に連結されたランナ部２８に連結されている。また、第４列目のベント部２６には、フローキャビティ２９に連結されている。これにより、複数列で配置された各製品形成領域１０ａに第１列目から第４列目に向かって順次樹脂６ｐを供給することができる。
【００５４】
次に、クランプ工程として、図２０および図２１に示すように、リードフレーム１０を上型２１と下型２２の間に配置し、リードフレーム１０のクランプ領域（成形金型２０の金型面２１ａ、２２ａと対向する領域）を成形金型２０でクランプする。本工程では、まず、リードフレーム１０を上型２１と下型２２の間に配置する。詳しくは、半導体チップＣＨが搭載されたダイパッド２、複数のワイヤ５および複数のリード４のそれぞれ一部（複数のインナリード４ａ）が、キャビティ２３、２４内に位置するように配置する。また、図１９に示すキャビティ２３の長辺２３ａ、２３ｂ（封止体６の長辺６ａ、６ｂ）に図１４に示すダイパッド２の長辺２ａ、２ｂ（図１６に示す半導体チップＣＨの辺３ａ、３ｂ）がそれぞれ沿うように、図１９に示すキャビティ２３の短辺２３ｃ、２３ｄ（封止体６の短辺６ｃ、６ｄ）に図１４に示すダイパッド２の短辺２ｃ、２ｄがそれぞれ沿うように配置する。次に、図２０および図２１に示すようにリードフレーム１０を上型２１と下型２２とでクランプする。上型２１のキャビティ２３の周囲に配置された金型面２１ａは、リードフレーム１０の上面のクランプ領域に当接し、リードフレーム１０を下型２２に向かって押し付ける。一方、下型２２とリードフレーム１０の間には、下型２２のキャビティ２４の周囲に配置された金型面２２ａは、リードフレーム１０の下面のクランプ領域に当接し、リードフレーム１０を上型２１に向かって押し付ける。なお、クランプ工程では、金型面２１ａ、２２ａの距離を近づけてリードフレーム１０を挟み込むことでリードフレーム１０を成形金型２０内に固定するが、上型２１を移動させる方法、下型２２を移動させる方法、あるいは上型２１および下型２２の両方を移動させる方法を適用することができる。
【００５５】
次に、封止体形成工程として、図２０に示すように成形金型２０によりリードフレーム１０をクランプした状態でキャビティ２３、２４内に樹脂６ｐを供給（圧入）し、これを硬化させることで封止体６を形成する。本工程では、まず、図示しない加熱室（ポット部）で熱硬化性樹脂からなる樹脂ペレット（図示は省略）を軟化（可塑化）させ、上型２１に形成されたゲート部２５に通じるランナ部２８（図１８参照）を経由して樹脂６ｐをキャビティ２３、２４に供給する。なお、加熱室およびランナ部２８は、それぞれ成形金型２０に形成される。樹脂６ｐは、図１８に矢印を付して示すように、ランナ部２８から第１列目、第２列目、第３列目、第４列目順で各製品形成領域１０ａのキャビティ２３、２４（図２０参照）内に供給される。
【００５６】
＜樹脂の流れ方向と、ワイヤ流れ不良との関係＞
以下、製品形成領域１０ａ内での樹脂の流れ方向について、第４列目の製品形成領域１０ａの拡大平面図を例として説明する。図２２〜図２６は、図１９に示す樹脂を供給する際の流れ方向を段階的に示す拡大平面図である。なお、図２２〜図２６では、製品形成領域１０ａ内における樹脂６ｐの流れ方向を、矢印を付して示している。
【００５７】
まず、樹脂６ｐの供給開始直後は、図２２に示すように、樹脂６ｐは、ゲート部２５からキャビティ２３に沿って、等方的に広がる。また、この時、キャビティ２３の外側において、成形金型２０（図２１参照）の金型面２１ａ、２２ａ（図２１参照）と、ダム部１１に囲まれた領域内にも樹脂６ｐが埋め込まれる。しかし、図２３や図２４に示すように、樹脂６ｐが、半導体チップＣＨが配置された領域に到達すると、樹脂６ｐの流れが、半導体チップＣＨに阻害され、流れにくくなる。一方、リード４が配置された領域およびリード４と半導体チップＣＨの間の領域では、樹脂６ｐの流れは阻害され難い。このため、図２３や図２４に示すように、キャビティ２３の長辺２３ａ、２３ｂと半導体チップＣＨの辺３ａ、３ｂ（図１６参照）の間の領域では樹脂６ｐが流れやすくなり、該領域では、第１方向Ｙに沿って樹脂６ｐが流れることとなる。そして、本実施の形態のように、ゲート部２５を短辺２３ｃの中心よりも長辺６ｂ側に寄せて配置する場合には、図２５に示すようにゲート部２５に近い方の長辺６ｂ側が先に封止され、次に、ベント部２６に近い方の長辺６ａ側が封止される。次に、図２６に示すように、ベント部２６の最も近い位置に配置されるリード４のインナリード部が封止され、その後、余剰な樹脂６ｐが残ガスとともにベント部２６に排出される。これにより、図１９に示す封止体６が成形される。
【００５８】
ここで、前記したように、トランスファモールド方式によるモールド工程では、樹脂６ｐの流れ方向とワイヤ５の延在方向の成す角度によっては、ワイヤ５が樹脂６ｐから受ける圧力により変形する不良（ワイヤ流れ不良）が発生する場合がある。そして、このワイヤ流れ不良は、樹脂６ｐの流れ方向とワイヤ５の延在方向の成す角度が９０度となる時に最も発生し易く、樹脂６ｐの流れ方向とワイヤ５の延在方向の成す角度が０度となる時に最も発生し難い。以下、ワイヤ流れ不良の発生し易い領域について説明する。
【００５９】
まず、図２２〜図２４に示すように、樹脂６ｐがキャビティ２３の長辺２３ａ、２３ｂを３等分した時に、最も短辺２３ｄ側に配置される領域（図２に示す領域１０ａ１）に到達するまでの領域（図２に示す領域１０ａ２）においては、ワイヤ流れ不良は殆ど発生しない。この領域１０ａ２内において、樹脂６ｐの流れ方向とワイヤ５（図１６参照）の成す角度が９０度となっている場合であってもワイヤ流れ不良は殆ど発生しない。これは、図２２〜図２４に示す段階では、キャビティ２３内の未充填領域（樹脂６ｐが充填されていない領域）の体積が十分に大きいので、樹脂６ｐの供給圧力は、ワイヤ５を変形させる程高くはないものと考えられる。ところが、本願発明者の検討によれば、樹脂６ｐがキャビティ２３の長辺２３ａを３等分した時に最もベント部２６側になる領域１０ａ１（図２参照）では、ワイヤ流れ不良の発生頻度が増加する。特に、ベント部２６の周辺領域（例えば図２５に示す未充填領域）では、ワイヤ５が樹脂６ｐの進行方向に向かって大きく変形する場合がある。なお、ワイヤ流れ不良により、ワイヤ５の変形の程度が特に大きくなるベント部２６の周辺領域は、本願発明者の検討によれば、ベント部２６に最も近いリード４からゲート部２５に向かって、３本〜４本程度のリード４が配置される狭い領域である。このようにベント部２６側でワイヤ流れ不良が発生する理由は、未充填領域の体積の減少に伴って、キャビティ２３内の内部圧力が上昇し、これに対応して樹脂６ｐの供給圧力が高くなっているためと考えられる。また、本実施の形態では図１８に示すように製品形成領域１０ａを樹脂６ｐの供給方向である第１方向Ｙに沿って複数列で配置し、第１列から末端列（本実施の形態では第４列）の製品形成領域１０ａに向かって順次樹脂６ｐを供給する。この場合、樹脂６ｐの供給方向の末端列の製品形成領域１０ａのベント部２６周辺（すなわち、図２５に示す未充填領域）において、特にワイヤ５が大きく変形し易い。これは、第１列目の製品形成領域１０ａから末端列の製品形成領域１０ａまでは、前記したように隣り合う製品形成領域１０ａのベント部２６とゲート部２５が連結（連通）されている。このため、第１列目から第３列目までのベント部２６の周辺においては、末端列側の製品形成領域１０ａに向かって内部ガスが流れ込むことによりキャビティ２３内の内部圧力の上昇が抑制できるためと考えられる。
【００６０】
本実施の形態では、ワイヤ５の変形が生じ易い領域において、図１０を用いて説明したように、ワイヤ５をリード４の先端部４ｂの張出領域４ｆに接合している。例えば、図２５および図２６に示す複数のリード４のうち、先端面４ｃ（図１０参照）が第１方向Ｙに沿っており、かつ、ベント部２６の最も近い位置に配置されるリードＰ２は、ワイヤ５をリード４の先端部４ｂ（図１０参照）の張出領域４ｆ（図１０参照）に接合している。また、リードＰ２のゲート部２５側の隣に配置されるリードＰ３も、ワイヤ５をリード４の先端部４ｂの張出領域４ｆに接合している。さらに、リードＰ３のゲート部２５側の隣に配置されるリードＰ４も、ワイヤ５をリード４の先端部４ｂの張出領域４ｆに接合している。これにより、リードＰ２、Ｐ３、Ｐ４に接続されるワイヤ５の延在方向と樹脂６ｐの流れ方向（第１方向Ｙ）の成す角度は、中央領域４ｅに接合した場合よりも０度に近づくこととなる。この結果、ワイヤ流れ不良を抑制することができる。このため、リードＰ２，Ｐ３、Ｐ４に接続されるワイヤ５が変形し、各ワイヤ５よりもベント部２６側に配置されるワイヤ５と接触して短絡不良となることを抑制できる。また、リードＰ２，Ｐ３、Ｐ４に接続されるワイヤ５が変形により接合不良となることを抑制できる。
【００６１】
一方、図２５に示すベント部２６周辺に位置する複数のリード４のうち、先端面４ｃ（図７参照）が半導体チップＣＨの辺３ｄ（第２方向Ｘに沿った辺）と対向するリードＰ１は、図１０に示すような張出領域４ｆが形成されず、図７に示すように先端部４ｂの中央領域４ｅに接合されている。リードＰ１に接合されるワイヤ５には、図２５に示すように主に半導体チップＣＨの上面側から樹脂６ｐが供給される。また、リードＰ１に接続されるワイヤ５は、半導体チップＣＨの辺３ｄに沿って配置されるパッドＰＤに接続される。したがって、先端部４ｂの中央にワイヤ５を接合しても、リードＰ１に接合されるワイヤ５の延在方向と樹脂６ｐの流れ方向の成す角度は、０度に近い。そこで、本実施の形態では、リードＰ１に接合されるワイヤ５は、リードＰ１の先端部４ｂの中央領域４ｅに接合する。このように、リードＰ２よりもベント部２６側に配置されるリード４であっても、ワイヤ５の延在方向と樹脂６ｐの流れ方向の成す角度が構造上０度に近くなるリードＰ１については、先端部４ｂの中央にワイヤ５を接合することで、ワイヤボンディング工程時の接続信頼性を向上させることができる。
【００６２】
＜好ましい態様＞
次に、前記したワイヤ流れ不良を抑制する観点、あるいは、ワイヤ５の接続信頼性の低下を抑制する観点から本実施の形態の好ましい態様について説明する。図２７は、ワイヤ流れ不良が発生しやすい領域と、リードのへの接合位置の関係を示す拡大平面図である。なお、図２７は、図１６に示す拡大平面領域に対応している。
【００６３】
まず、ワイヤ流れ不良の発生頻度は、前記したように図１９に示す長辺６ａ、６ｂ（キャビティ２３の長辺２３ａ、２３ｂ）を３等分した時に、最もベント部２６側の領域（図２７に示す領域１０ａ１）で増加する。したがって、ほぼ確実にワイヤ流れ不良を抑制する観点から、図２７に示すように、領域１０ａ１内に先端部４ｂが配置されるリード４であるリードＰ２〜リードＰ７およびリードＰ２６〜リードＰ３１のそれぞれは、張出領域４ｆ（図７参照）にワイヤ５を接合している。ただし、リードＰ１やリードＰ２５のように先端面４ｃが半導体チップＣＨの辺３ｄと対向するように配置され、辺３ｄに沿って配置されるパッドＰＤと接続されるリード４は、前記したように、構造上ワイヤ流れ不良が発生し難い。このため、リードＰ１およびリードＰ２は、図２７に示す領域１０ａ１内に先端部４ｂが配置されるリード４であるが、図７や図８に示すように、張出領域４ｆ（図９、図１０参照）を形成せず、ワイヤ５を中央領域４ｅ（図９、図１０）に接合している。リードＰ１〜リードＰ７およびリードＰ２５〜リードＰ３１には、例えば信号電流など、各リード４に固有の電流が流れるが、これらのリード４に接合されるワイヤ５のワイヤ流れ不良を抑制することにより、隣り合うワイヤ５同士の短絡不良を抑制することができる。また、図２７に示すリードＰ８やリードＰ３２のように、複数のワイヤ５が一つのリード４に接合される場合がある。リードＰ８やリードＰ３２は、例えば、電源電位電流や基準電位電流などが流れるリード４であって、インピーダンス成分を低減するため、あるいは複数の半導体チップＣＨに接続される電源回路、基準電位回路を共通化するため、複数のワイヤ５が接続される。このように複数のワイヤ５が一つのリード４に接合される場合には、ワイヤ５のそれぞれを、中央領域４ｅに接合することができる。複数のワイヤ５を一つのリード４に接合する場合、ワイヤ５の配置密度が高くなるので、ワイヤ流れ不良は発生し難くなる。また、仮に、一つのリード４に接合されるワイヤ５同士が接触した場合であっても、短絡不良とはならない。
【００６４】
一方、ワイヤ流れ不良が殆ど発生しない領域、すなわち、図２７に示す領域１０ａ２では、張出領域４ｆ（図９参照）を形成しない、あるいは張出領域４ｆを形成した場合でも図９に示すようにワイヤ５を中央領域４ｅに接合している。領域１０ａ２では、ワイヤ５の延在方向と樹脂６ｐ（図１９参照）の流れ方向の成す角度によらず、ワイヤ流れ不良が発生し難い。したがって、この領域１０ａ２に先端部４ｂが配置されるワイヤ５は、中央領域４ｅにワイヤ５を接続した方が、ワイヤボンディング工程におけるワイヤ５の接続信頼性の低下を抑制する観点から好ましい。
【００６５】
ところで、領域１０ａ２に先端部４ｂが配置されるリード４は、中央領域４ｅにワイヤ５を接合するので、図９に示す張出領域４ｆを設けない構成とすることもできる。しかし、図９に示すように中央領域４ｅにワイヤ５を接合する場合でも張出領域４ｆを設けることで、以下の効果を得ることができる。すなわち、図２に示すように完成したＳＯＰ１では、複数のリード４がそれぞれ分離しているため、リード４と封止体６の接着強度が低下すると、長辺６ａあるいは長辺６ｂに向かってリード４が抜けてしまう不良（抜け不良）が発生する懸念がある。図９に示すように張出領域４ｆを形成すれば、張出領域４ｆが抜け不良を抑制するアンカーとして機能する。したがって、図２７に示す領域１０ａ２に配置されるリード４についても張出領域４ｆを形成することが好ましい。なお、図２７に示すリードＰ１、リードＰ２０〜リードＰ２５、およびリードＰ４４〜リードＰ４８は、図９あるいは図１０に示す張出領域４ｆを形成していない。しかし、これらのリード４は何れも封止体６（図２参照）内に第１方向Ｙおよび第２方向Ｘに対して傾斜する傾斜部を有している。また、図５〜図８に示すようにこれらのリード４は半導体チップＣＨの辺３ｃまたは辺３ｄと対向するように先端面４ｃが配置されるので、半導体チップＣＨの辺３ｃまたは辺３ｄに向かって廻り込ませるために傾斜部の長さが他のリード４よりも長くなる。このように長い傾斜部を有するリード４は、傾斜部が抜け不良を抑制するアンカーとして機能するため、張出領域４ｆを形成していない。
【００６６】
また、図１８に示すように本実施の形態では複数の製品形成領域１０ａにそれぞれ封止体６を形成する。この場合、複数の製品形成領域１０ａのそれぞれについて、図２７に示す態様を適用することが特に好ましい。
【００６７】
また、図７に示すリードＰ４や図８に示すリードＰ２９のように、中央領域４ｅよりもゲート部２５（図１９参照）側および中央領域４ｅよりもベント部２６（図１９参照）側の両隣にそれぞれ張出領域４ｆが形成されている場合、ベント部２６側の張出領域４ｆにワイヤ５を接合することが好ましい。特にベント部２６ａの周辺領域では、ベント部２６側の張出領域４ｆにワイヤ５を接合することにより、ワイヤ５の延在方向と樹脂６ｐ（図２５参照）の流れ方向の成す角度を０度に近づけることができるからである。また、図７に示すリードＰ２、Ｐ３や図８に示すリードＰ２７、Ｐ２８のように、中央領域４ｅの何れか一方の隣に、他方よりも面積が広い張出領域４ｆを形成する場合には、ベント部２６側の張出領域４ｆを広くすることが好ましい。張出領域４ｆにワイヤ５を接合する時に、張出領域４ｆの面積を広くすることにより、ワイヤボンディング時の接続信頼性が向上するからである。
【００６８】
このように、ワイヤ流れ不良を抑制する観点、あるいは、ワイヤ５の接続信頼性の低下を抑制する観点からは、図２７を用いて説明した態様が特に好ましいが、種々の変形例を適用することができる。以下では、図２７に示す実施態様の代表的な変形例について説明する。
【００６９】
＜変形例＞
前記したように、ワイヤ流れ不良は、図２７に示す領域１０ａ１において発生頻度が増加するが、ワイヤ５の変形の程度は、図１９に示すベント部２６に近づく程大きくなる。言い換えると、ワイヤ５の変形の程度が特に大きい領域は、例えば図２５に示す未充填領域、すなわち、ベント部２６に最も近いリード４からゲート部２５に向かって、３本〜４本程度のリード４が配置される狭い領域である。また、図１８に示すように製品形成領域１０ａを樹脂６ｐの供給方向である第１方向Ｙに沿って複数列で配置し、第１列から末端列（本実施の形態では第４列）の製品形成領域１０ａに向かって順次樹脂６ｐを供給する。この場合、樹脂６ｐの供給方向の末端列の製品形成領域１０ａのベント部２６周辺（図２５に示す未充填領域）において、特にワイヤ５が大きく変形し易い。
【００７０】
したがって、ワイヤ５の変形の程度が特に大きい領域についてのみ、ワイヤ流れ不良の対策を施す場合には、図２８〜図３１に示す変形例が考えられる。図２８は図２７に対する変形例であって、図１８に示す複数の製品形成領域のうち、第４列目の製品形成領域を示す拡大平面図である。また、図２９は図７に対する変形例であって、図２８に示すベント部周辺に対応する拡大平面図、図３０は図８に対する変形例であって、図２８に示すベント部周辺に対応する拡大平面図である。また図３１は、図２７に対する変形例であって、図１８に示す複数の製品形成領域のうち、第１列目〜第３列目までの各製品形成領域を示す拡大平面図である。
【００７１】
図２８〜図３１に示す変形例では、第１方向Ｙに沿って複数列で配置された製品形成領域１０ａのうち、末端列である第４列目の製品形成領域１０ａの、特にワイヤ５の変形が大きくなる領域にワイヤ流れ対策が施されている。図２８では、複数のリード４のうち、第１方向Ｙに沿った先端面４ｃ（図２９参照）を有し、かつ、第１方向Ｙに沿った先端面４ｃを有する複数のリード４のうち、先端部４ｃがベント部２６にもっとも近い位置に配置されるリードＰ２、およびリードＰ２のゲート部２５側の隣に配置されるリードＰ３にワイヤ流れ対策が施されている。つまり、図２９に示すようにリードＰ２、Ｐ３は先端部４ｂの張出領域４ｆにワイヤ５が接合されている。一方、その他のリード４（リードＰ１およびリードＰ４〜リードＰ４８）は、例えば図２９や図３０に示すように先端部４ｂの中央領域４ｅにワイヤ５が接合されている。また、図３１に示すように、第１列目〜第３列目までの各製品形成領域１０ａのそれぞれは、図２９に示すように張出領域４ｆにワイヤ５を接合するリード４を有していない。言い換えれば、図２８〜図３１に示す変形例では、ワイヤ流れ不良によるワイヤ５の変形の程度が最も大きいリードＰ２、Ｐ３のみに対してワイヤ流れ対策を施している。このように張出領域４ｆに接合するワイヤ５を最小限に留めることにより、ワイヤボンディング工程における接続信頼性を向上させることができる。
【００７２】
ところで、ワイヤ流れ不良による短絡不良を抑制する効果が得られる最小限の構成としては、図２９に示すリードＰ２のみを張出領域４ｆに接合する構成とすることもできる。また、リードＰ２がベント部２６に最も近いリード４である場合（つまり、図２９に示すリードＰ１が存在しない場合）、リードＰ２に接続されるワイヤ５が変形しても短絡不良は発生しない。この場合、図２９に示すリードＰ３のみを張出領域４ｆに接合する構成が、短絡不良を抑制する効果が得られる最小限の構成となる。しかし、ワイヤ流れによるワイヤ５の変形量が大きい場合、ワイヤ５とパッドＰＤ、あるいはワイヤ５とリード４の接合部における接続信頼性が低下する。この接続信頼性の低下を抑制する観点からは、リードＰ２がベント部２６に最も近いリード４である場合であってもリードＰ２およびリードＰ３のそれぞれを張出領域４ｆに接合することが好ましい。また、本願発明者の検討によれば、ベント部２６に最も近いリード４からゲート部２５に向かって、３本〜４本程度のリード４が配置される領域において、ワイヤ５の変形の程度が特に大きくなる。このため、図２９に示すリードＰ３についても張出領域４ｆにワイヤ５を接合することが好ましい。
【００７３】
また、図２８〜図３１に示す変形例では、図１８に示すリードフレーム１０において、製品形成領域１０ａの位置によって、最終製品であるＳＯＰ１のワイヤボンディング位置が異なってしまう。したがって、各製品形成領域１０ａで同様の位置にワイヤボンディングされた最終製品を取得する観点からは、図１８に示す第１列目〜第３列目までの製品形成領域１０ａについても、第４列目の製品形成領域１０ａと同じリード４にワイヤ流れ対策を施すことが好ましい。
【００７４】
また、図１８に示す第１列目〜第３列目までの製品形成領域１０ａでは、第４列目の製品形成領域１０ａよりは、ワイヤ流れによるワイヤ５（図２７参照）の変形の程度が小さいが、第１列目〜第３列目までの製品形成領域１０ａでもワイヤ５が変形する。したがって、第１列目〜第４列目までの製品形成領域１０ａのそれぞれにワイヤ流れ対策を施すことが好ましい。ただし、図１８に示すように、本実施の形態では、ゲート部２５およびベント部２６をそれぞれ異なる長辺側に寄せて配置している。また、各列の製品形成領域１０ａ間のベント部２６とゲート部２５の接続距離を短くするため、ゲート部２５とベント部２６を列毎に交互に異なる長辺に寄せて配置している。言い換えると、隣り合うベント部２６とゲート部２５は第１方向Ｙに沿って対向するように配置されている。詳しくは、第１列目と第３列目の製品形成領域１０ａのベント部２６は、長辺６ｂ（図１９参照）側に寄せて配置され、第２列目と第４列目の製品形成領域１０ａのベント部２６は、長辺６ａ（図１９参照）側に寄せて配置されている。したがって、第１列目と第３列目の製品形成領域１０ａにおいては、長辺６ｂ側に配置されるリード４の方が、長辺６ａ側に配置されるリード４よりもベント部２６に近くなる。このため、図３２に示すように、第１列目と第３列目の製品形成領域１０ａにおいては、リードＰ２６およびリードＰ２７にワイヤ流れ対策を施す（図１０に示すように張出領域４ｆにワイヤ５を接合する）ことが好ましい。図３２は、図２７に対する変形例であって、図１８に示す複数の製品形成領域のうち、第１列目または第３列目の製品形成領域を示す拡大平面図である。また、この場合、各製品形成領域１０ａで同様の位置にワイヤボンディングされた最終製品を取得する観点からは、リードＰ２およびリードＰ３についてもワイヤ流れ対策を施すことが好ましい。言い換えると、ゲート部２５とベント部２６を列毎に交互に異なる長辺に寄せて配置する場合、ベント部２６に近いリード４はリードＰ２、Ｐ３あるいはリードＰ２６、Ｐ２７のいずれか一方になる。この場合でも、ベント部２６に近いリード４に対して第２方向Ｘに沿って対向するリード４に対しては、図１０に示すように張出領域４ｆにワイヤ５を接合することが好ましい。
【００７５】
また、図１８〜図３２では、図１９に示すようにキャビティ２３の短辺２３ｃ、２３ｄの中心よりも長辺２３ａまたは長辺２３ｂ側寄せた位置にゲート部２５およびベント部２６を配置する実施態様について説明したが、図３３に示すようにキャビティ２３の短辺２３ｃ、２３ｄの中心にゲート部２５およびベント部２６を配置する実施態様に適用することもできる。図３３は、図１９に対する変形例であって樹脂の流れ方向を示す拡大平面図である。図３３に示す変形例では、図２２〜図２６に示したような段階的な樹脂６ｐの流れについては図示を省略するが、図３３に矢印を付して示すように、樹脂６ｐは、ゲート部２５からベント部２６に向かって主として第１方向Ｙに沿って流れる。したがって、例えば、図２７を用いて説明した構成、あるいは図３２を用いて説明した構成を適用することにより、ワイヤ流れ不良を抑制することができる。
【００７６】
また、図１０では張出領域４ｆを有するリード４の先端部の形状の一例を示しているが、例えば、図３４に示す変形例に適用することができる。図３４は図１０に対する変形例であって、複数のリードのうち、ダイパッドの長辺と対向する先端面を有するリードの先端部周辺の拡大平面図である。図３４に示すリード４は、延在部４ａと先端部４ｂの境界線において、先端部４ｂの一部が第１方向Ｙに沿った方向に窪んだ凹部４ｇを有している。張出領域４ｆの面積を大きく確保する場合、隣に配置された先端部４ｂとの距離が近づく。この場合、図３４に示すように凹部４ｇを設けることで、隣り合う先端部４ｂ同士の接触をさけることができる。図３４に示す構造のリード４の場合、先端部４ｂと延在部４ａの境界線における中心が異なるので、中心領域４ｅおよび張出領域４ｆを以下のように定義する。すなわち、図３４に示すリード４は、先端部４ｂの延在部４ａ側の境界線の中心と、先端部４ｂの先端面４ｃ側の端辺の中心を結ぶ線（仮想線）ＣＬを中心軸として、延在部４ａと同じ幅を有する中央領域４ｅと、中央領域４ｅから第１方向Ｙに沿って張り出した張出領域と、を有している。先端部４ｂの先端面４ｃ側の端辺とは、リード４の側面を構成する先端面４ｃが備える各辺のうち、先端部４ｂのワイヤ接合面である上面と交差する辺（先端辺）である。この端辺は、図３４に示すように延在部４ａと先端部４ｂの境界線よりも半導体チップＣＨ側（ダイパッド２側）に、該境界線と対向するように配置されている。この定義は、図１０に示すリード４にも当てはめることができる。また、図３４に示すリード４の場合、凹部４ｇはゲート部２５（図２７参照）側に設け、ワイヤ５を接続する張出領域４ｆはベント部２６（図２７参照）に設けることが好ましい。これによりワイヤ５の延在方向と、樹脂６ｐ（図１９参照）の流れ方向が成す角度を０度に近づけることができる。
【００７７】
上記の工程により、図１９〜図２１に示すように、製品形成領域１０ａの半導体チップＣＨ、複数のワイヤ５、ダイパッド２、および複数のリード４それぞれの一部分（インナリード部）は樹脂６ｐにより封止される。そして、樹脂６ｐを硬化温度以上まで加熱することにより、図１８に示すようにリードフレーム１０の各製品形成領域１０ａに封止体６が形成される。本工程では、キャビティ２７（図１９参照）およびフローキャビティ２９（図１９参照）内にも樹脂６ｐが充填され、キャビティ２３、２４（図２０参照）内の樹脂６ｐと共に硬化させる。これにより、キャビティ２７およびフローキャビティ２９内にも樹脂体が形成される。
【００７８】
なお、樹脂６ｐを硬化させて封止体６にする工程について簡単に説明する。まず、成形金型２０を樹脂６ｐの硬化温度以上まで加熱して、樹脂６ｐを熱硬化（仮硬化）させる。その後、成形金型２０からリードフレーム１０を取り出し、加熱炉内で、さらに加熱して完全に硬化（本硬化）させる。樹脂６ｐを完全に硬化させるためには、数時間程度の加熱時間を要するが、このように、加熱硬化を２段階に分けて行うことにより、一つの成形金型２０による処理効率を向上させることができる。
【００７９】
５．めっき工程
次に、図１１に示すめっき工程（Ｓ５）として、図１８に示す封止体６から露出する複数のリード４の露出部（アウタリード部）に例えば半田などからなる外装導体膜を形成する。本工程では、被めっき加工物であるリードフレーム１０を、めっき液（図示は省略）が入っためっき槽（図示は省略）内に配置して、例えば、電解めっき法により外装導体膜（図示は省略）を形成する。この電解めっき法によれば、封止体６から露出している領域に一括して外装導体膜を形成することができる。本実施形態の外装導体膜は、Ｐｂ（鉛）を実質的に含まない、所謂、鉛フリー半田からなり、例えばＳｎ（錫）のみ、Ｓｎ（錫）−Ｂｉ（ビスマス）、またはＳｎ（錫）−Ａｇ（銀）−Ｃｕ（Ｃｕ）などである。ここで、鉛フリー半田とは、鉛（Ｐｂ）の含有量が０．１ｗｔ％以下のものを意味し、この含有量は、ＲｏＨｓ（Restriction of Hazardous Substances）指令の基準として定められている。
【００８０】
このため、本めっき工程で使用するめっき液には、例えばＳｎ２＋や、Ｂｉ３＋などの金属塩が含まれている。なお、本実施の形態では、鉛フリー半田めっきの例としてＳｎ−Ｂｉの合金化金属めっきを用いているが、ＢｉをＣｕやＡｇなどの金属に置き換えることができる。
【００８１】
６．マーク工程
次に、図１１に示すマーク工程（Ｓ６）として、製品（ＳＯＰ１）を識別する識別記号などをマーキングする。本実施の形態では、例えば、図１８に示す封止体６それぞれの上面にレーザを照射することにより、識別記号をマーキングする。
【００８２】
７．リード成形工程
次に、図１１に示すリード成形工程（Ｓ７）として、図１９に示すようにタイバー１１ａにより連結された複数のリード４をそれぞれ分割し、図３に示すようにリード４の封止体６からの露出部をガルウィング形状に成形する。複数のリード４を分割する方法は、例えば、パンチ（切断刃）とダイ（支持部材）を用いてプレス加工により分割することができる。なお、図１９では、タイバー１１ａとキャビティ２３の長辺２３ａ、２３ｂの間の隙間に樹脂（ダム内樹脂）が埋め込まれているが、例えば、本工程でタイバー１１ａを切断する際に、ダム内樹脂も取り除くことができる。また、リード４のアウタリード部を成形する方法は、例えば、曲げパンチ（曲げ加工用押圧具）とダイ（支持部材）を用いて成形することができる。なお、リード４の曲げ加工精度向上の観点から、リード４に曲げ加工を施す前に、アウタリード部の先端を予め切断しておくことが好ましい。
【００８３】
８．個片化工程
次に、図１１に示す個片化工程（Ｓ８）として、図１９に示すようにダム部１１に連結されている複数の吊りリード９を切断し、製品形成領域１０ａ毎に分割して複数のＳＯＰ１（図１参照）を取得する。例えば図１８に示すように１６個の製品形成領域１０ａを備えるリードフレーム１０からは、１６個の個片化された組立体（検査工程を施す前の半導体装置）が取得できる。複数のリード４および複数の吊りリード９を切断する方法は、例えば、リードフレーム１０の上面側にパンチ（切断刃）５２を配置し、下面側にはダイ（支持部材；図示は省略）をそれぞれ配置してプレスすることで切断する。
【００８４】
以上の各工程により、図１に示すＳＯＰ１の組み立て工程が完了する。その後、外観検査や電気的試験など、必要な検査、試験を行い、出荷、あるいは、図示しない実装基板に実装する。
【００８５】
＜その他の変形例＞
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８６】
例えば、前記実施の形態で説明した技術を図３５に示す構造に適用することができる。図３５は図２７に対する変形例を示す拡大平面図である。図３５に示す構造と図２７に示す構造の相違点を以下に説明する。
【００８７】
まず、第１の相違点は図３５に示す構造では、一つの製品形成領域１０ａに一つの半導体チップＣＨを搭載している点である。図３５に示す半導体チップＣＨの上面（主面）は、長方形の平面形状を成し、辺３ａ、３ｂが長辺、辺３ｃ、３ｄがそれぞれ短辺となっている。図３５に示す構造においても、前記実施の形態で説明した変形例を含む技術を適用することができる。
【００８８】
また、第２の相違点は、図３５に示す構造では、ダイパッド２の平面積が、半導体チップＣＨの平面積よりも小さくなっている点である。このように、ダイパッド２の平面積が半導体チップＣＨの平面積よりも小さい場合、半導体チップＣＨの下面の一部が、封止体６（図２参照）と接触するため前記実施の形態で説明した効果に加え、封止体６との密着性を向上させることができる。
【００８９】
また、第３の相違点は、図３５に示す構造では、各リード４がそれぞれ第１方向Ｙに沿った先端面を有し、半導体チップＣＨの長辺に沿って配置されたパッドＰＤとそれぞれ接続されている点である。言い換えれば、各リード４の先端面は、それぞれ半導体チップＣＨの長辺である辺３ａまたは辺３ｂと対向している（あるいは、吊りリードと対向している）。このような構造においては、前記実施の形態で説明した図２７に示すリードＰ１やリードＰ２５などを考慮せずに適用することができる。つまり、複数のリード４のうち、最もベント部２６に近い位置に配置されるリードＰ１（あるいは、リードＰ１９）およびその隣に配置されるリードＰ２（リードＰ２０）に前記実施の形態で説明したワイヤ流れ対策を施す。また、封止体６（図２参照）の長辺６ａ、６ｂ（図２参照）を３等分した時に、最も短辺６ｄ（図２参照）側に配置される領域１０ａ１において、図１０や図２４に示すように、先端部４ｂの中央領域４ｅから第１方向Ｙに沿って張り出した張出領域４ｆにワイヤ５が接合することが特に好ましい。
【００９０】
また、前記実施の形態では、ＳＯＰを例に取り上げて説明したが、複数のリードの下面が、封止体の下面において封止体から露出するＳＯＮに適用することもできる。ＳＯＮに適用した場合、リードの長さをＳＯＰよりも短くすることができるので、図１２や図１８に示す第２方向Ｘに沿って配置される製品形成領域１０ａの配置間隔をさらに短くすることができる。また、前記実施の形態で説明した個片化工程の際に複数のリードを分割することで、リード成形工程を省略することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明は、樹脂封止型の半導体装置、例えば、ＳＯＰに利用可能である。
【符号の説明】
【００９２】
１  ＳＯＰ（半導体装置）
２  ダイパッド（チップ搭載部）
２ａ、２ｂ  長辺
２ｃ、２ｄ  短辺
２ｅ  上面（チップ搭載面）
２ｆ  下面
３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ  辺
３ｅ  上面（主面、表面）
３ｆ  下面（主面、裏面）
４  リード
４ａ  延在部
４ｂ  先端部（ボンディング領域）
４ｃ  先端面
４ｅ  中央領域
４ｆ  張出領域
４ｇ  凹部
５  ワイヤ（導電性部材）
６  封止体
６ａ、６ｂ  長辺
６ｃ、６ｄ  短辺
６ｅ  上面
６ｆ  下面（裏面、実装面）
６ｇ  側面
６ｐ  樹脂
７  ダイボンド材（接着材）
９  吊りリード
１０  リードフレーム
１０ａ  製品形成領域
１０ａ１、１０ａ２  領域
１０ｂ  枠部（枠体）
１１  ダム部（タイバー、フレーム部）
１１ａ  タイバー
１５  ヒートステージ
１５ａ  リード支持面
１５ｂ  ダイパッド支持面
１６  キャピラリ
２０  成形金型
２１  上型（上金型）
２１ａ  金型面（クランプ面、内面）
２２  下型（下金型）
２２ａ  金型面（クランプ面、内面）
２３、２４  キャビティ
２３ａ、２３ｂ  長辺
２３ｃ、２３ｄ  短辺
２５  ゲート部（供給部）
２６  ベント部（排出部）
２７  キャビティ（製品形成領域間流路）
２８  ランナ部
２９  フローキャビティ
ＢＭ  銅膜
ＣＦ１  導体膜（めっき導体膜）
ＣＦ２  ニッケル膜（導体膜、めっき導体膜）
ＣＨ  半導体チップ
Ｐ１〜Ｐ４８  リード
ＰＤ  パッド（電極パッド、ボンディングパッド）
Ｘ  第２方向
Ｙ  第１方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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