(57)【要約】      （修正有）【課題】導電性シールド層とグランド配線との接続面積をより増加させて、より信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１は、絶縁基材１１と、絶縁基材の第１の主面側に設けられた複数の第１配線層と、絶縁基材の第２の主面側に設けられた複数の第２配線層と、絶縁基材の第１の主面から下面にまで貫通する複数のビア１４と、を有する回路基板１０と、回路基板において、絶縁基材の第１の主面側に搭載された半導体素子２０と、半導体素子を封止する封止樹脂層３０と、封止樹脂層を覆う導電性シールド層４０と、を備える。複数の第１配線層のいずれかは、回路基板の端部側において露出し、導電性シールド層は、半導体素子の側に向かい封止樹脂層内に延在するようにして、回路基板の端部側において露出する第１配線層に電気的に接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材と、前記絶縁基材の第１の主面側に設けられた複数の第１配線層と、前記絶縁基材の第２の主面側に設けられた複数の第２配線層と、前記絶縁基材の前記第１の主面から前記下面にまで貫通する複数のビアと、を有する回路基板と、
前記回路基板において、前記絶縁基材の前記第１の主面側に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子を封止する封止樹脂層と、
前記封止樹脂層を覆う導電性シールド層と、
を備え、
前記複数の第１配線層のいずれかは、前記回路基板の端部側において露出し、
前記導電性シールド層は、前記半導体素子の側に向かい前記封止樹脂層内に延在するようにして、前記回路基板の前記端部側において露出する前記第１配線層に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記導電性シールド層は、前記樹脂封止層内においてライン状に延在し、前記回路基板の前記端部側において露出する前記第１配線層に接触していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記回路基板の前記端部側において露出する前記第１配線層は、グランド電位となるように構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
絶縁基材と、前記絶縁基材の第１の主面側に設けられた複数の第１配線層と、前記絶縁基材の第２の主面側に設けられた複数の第２配線層と、前記絶縁基材の前記第１主面から前記第２主面にまで貫通する複数のビア接続部と、を有する回路基板と、
前記回路基板において、前記絶縁基材の前記第１の主面側に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子を封止する封止樹脂層と、
前記封止樹脂層を覆う導電性シールド層と、
を備え、
前記複数のビア接続部のいずれかは、前記回路基板の端部側において露出し、
前記導電性シールド層は、前記半導体素子の側に向かい前記封止樹脂層内に延在するようにして、前記回路基板の前記端部側において露出する前記ビア接続部に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記導電性シールド層は、前記樹脂封止層内においてライン状に延在し、前記回路基板の前記端部側において露出する前記ビア接続部に接触していることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記回路基板の前記端部側において露出する前記ビア接続部は、グランド電位となるように構成されていることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体装置。
【請求項７】
絶縁基材と、前記絶縁基材の第１の主面側に設けられた複数の第１配線層と、前記絶縁基材の第２の主面側に設けられた複数の第２配線層と、前記絶縁基材の前記第１の主面から前記第２の主面にまで貫通する複数のビア接続部と、を有する回路基板が、前記回路基板の主面に対して略平行な方向に複数連続して設けられた基板を準備する工程と、
前記複数の回路基板のそれぞれにおいて、前記第１の主面側に半導体素子を搭載する工程と、
前記複数の回路基板のそれぞれにおいて、前記複数の第１配線層のいずれかの所定の面に、マスク部材を形成する工程と、
前記半導体素子および前記複数の第１配線層を封止樹脂層で封止する工程と、
前記隣接する前記回路基板のそれぞれの間の前記封止樹脂層を分割し、前記封止樹脂層から前記マスク部材を露出させるとともに、前記隣接する前記回路基板のそれぞれの間の前記基板に溝を形成し、前記基板から前記第１配線層を露出させる工程と、
前記マスク部材を除去し、前記マスク部材が形成された前記第１配線層の前記所定の面を露出させる工程と、
それぞれの前記封止樹脂層を導電性シールド層で覆いつつ、前記露出した前記第１配線層の前記所定の面に前記導電性シールド層を接触させる工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
絶縁基材と、前記絶縁基材の第１の主面側に設けられた複数の第１配線層と、前記絶縁基材の第２の主面側に設けられた複数の第２配線層と、前記絶縁基材の前記第１の主面から前記第２の主面にまで貫通する複数のビア接続部と、を有する回路基板が、前記回路基板の主面に対して略平行な方向に複数連続して設けられた基板を準備する工程と、
前記複数の回路基板のそれぞれにおいて、前記第１の主面側に半導体素子を搭載する工程と、
前記複数の回路基板のそれぞれにおいて、前記複数のビア接続部のいずれかの所定の面に、マスク部材を形成する工程と、
前記半導体素子および前記複数の第１配線層を封止樹脂層で封止する工程と、
前記隣接する回路基板のそれぞれの間の前記封止樹脂層を分割し、前記封止樹脂層から前記マスク部材を露出させるとともに、前記隣接する前記回路基板のそれぞれの間の前記基板に溝を形成し、前記基板から前記ビア接続部を露出させる工程と、
前記マスク部材を除去し、前記マスク部材が形成された前記ビア接続部の前記所定の面を露出させる工程と、
それぞれの前記封止樹脂層を導電性シールド層で覆いつつ、前記露出した前記ビア接続部の前記所定の面に前記導電性シールド層を接触させる工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記マスク部材は、生分解性樹脂、水溶性樹脂、加水分解性樹脂、酵素分解性樹脂、有機酸溶解性樹脂のいずれかを含むことを特徴とする請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記マスク部材を、アルカリ分解および酵素分解、または、アルカリ水溶液分解および加水分解によって除去することを特徴とする請求項７〜９のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置には、外部への不要電磁波の漏洩を抑制することが求められる。例えば、携帯型通信機器等に用いられる半導体装置には、通信特性への悪影響を抑制するために、外部への不要電磁波の漏洩を抑制することが求められる。このため、シールド機能を有する半導体装置が必要とされる。シールド機能を有する半導体装置としては、回路基板上に搭載された半導体素子を封止する封止樹脂層の外面に沿って導電性シールド層を設けた構造を有するものがある。
【０００３】
また、回路基板の側面からの不要電磁波の漏洩を抑制するために、導電性シールド層を回路基板のグランド配線に接続させた半導体装置がある。しかしながら、導電性シールド層と回路基板のグランド配線との接続面積が小さくなると、不要電磁波の漏洩を充分に抑制できず、半導体装置の信頼性が低下する。従って、このような半導体装置については、導電性シールド層とグランド配線との接続面積をより増加させて、より信頼性を高くすることが要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１０３５７４号公報
【特許文献２】特開２００６−２８７０１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、より信頼性の高い半導体装置、その半導体装置を製造する製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の半導体装置は、絶縁基材と、前記絶縁基材の第１の主面側に設けられた複数の第１配線層と、前記絶縁基材の第２の主面側に設けられた複数の第２配線層と、前記絶縁基材の前記第１の主面から前記下面にまで貫通する複数のビアと、を有する回路基板と、前記回路基板において、前記絶縁基材の前記第１の主面側に搭載された半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止樹脂層と、前記封止樹脂層を覆う導電性シールド層と、を備える。前記複数の第１配線層のいずれかは、前記回路基板の端部側において露出し、前記導電性シールド層は、前記半導体素子の側に向かい前記封止樹脂層内に延在するようにして、前記回路基板の前記端部側において露出する前記第１配線層に電気的に接続されている。
【０００７】
実施形態の半導体装置は、絶縁基材と、前記絶縁基材の第１の主面側に設けられた複数の第１配線層と、前記絶縁基材の第２の主面側に設けられた複数の第２配線層と、前記絶縁基材の前記第１主面から前記第２主面にまで貫通する複数のビア接続部と、を有する回路基板と、前記回路基板において、前記絶縁基材の前記第１の主面側に搭載された半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止樹脂層と、前記封止樹脂層を覆う導電性シールド層と、を備える。前記複数のビア接続部のいずれかは、前記回路基板の端部側において露出し、前記導電性シールド層は、前記半導体素子の側に向かい前記封止樹脂層内に延在するようにして、前記回路基板の前記端部側において露出する前記ビア接続部に電気的に接続されている。
【０００８】
実施形態の半導体装置の製造方法は、絶縁基材と、前記絶縁基材の第１の主面側に設けられた複数の第１配線層と、前記絶縁基材の第２の主面側に設けられた複数の第２配線層と、前記絶縁基材の前記第１の主面から前記第２の主面にまで貫通する複数のビア接続部と、を有する回路基板が、前記回路基板の主面に対して略平行な方向に複数連続して設けられた基板を準備する工程と、前記複数の回路基板のそれぞれにおいて、前記第１の主面側に半導体素子を搭載する工程と、前記複数の回路基板のそれぞれにおいて、前記複数の第１配線層のいずれかの所定の面に、マスク部材を形成する工程と、前記半導体素子および前記複数の第１配線層を封止樹脂層で封止する工程と、前記隣接する前記回路基板のそれぞれの間の前記封止樹脂層を分割し、前記封止樹脂層から前記マスク部材を露出させるとともに、前記隣接する前記回路基板のそれぞれの間の前記基板に溝を形成し、前記基板から前記第１配線層を露出させる工程と、前記マスク部材を除去し、前記マスク部材が形成された前記第１配線層の前記所定の面を露出させる工程と、それぞれの前記封止樹脂層を導電性シールド層で覆いつつ、前記露出した前記第１配線層の前記所定の面に前記導電性シールド層を接触させる工程と、を備える。
を備える。
【０００９】
実施形態の半導体装置の製造方法は、絶縁基材と、前記絶縁基材の第１の主面側に設けられた複数の第１配線層と、前記絶縁基材の第２の主面側に設けられた複数の第２配線層と、前記絶縁基材の前記第１の主面から前記第２の主面にまで貫通する複数のビア接続部と、を有する回路基板が、前記回路基板の主面に対して略平行な方向に複数連続して設けられた基板を準備する工程と、前記複数の回路基板のそれぞれにおいて、前記第１の主面側に半導体素子を搭載する工程と、前記複数の回路基板のそれぞれにおいて、前記複数のビア接続部のいずれかの所定の面に、マスク部材を形成する工程と、前記半導体素子および前記複数の第１配線層を封止樹脂層で封止する工程と、前記隣接する回路基板のそれぞれの間の前記封止樹脂層を分割し、前記封止樹脂層から前記マスク部材を露出させるとともに、前記隣接する前記回路基板のそれぞれの間の前記基板に溝を形成し、前記基板から前記ビア接続部を露出させる工程と、前記マスク部材を除去し、前記マスク部材が形成された前記ビア接続部の前記所定の面を露出させる工程と、それぞれの前記封止樹脂層を導電性シールド層で覆いつつ、前記露出した前記ビア接続部の前記所定の面に前記導電性シールド層を接触させる工程と、を備える。
を備える。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置の概要を説明するための断面模式図であり、（ａ）は、全体図、（ｂ）は、拡大図である。
【図２】第１実施形態に係る半導体装置を説明する平面模式図である。
【図３】第１実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【図４】第１実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【図５】第２実施形態に係る半導体装置の模式図であり、（ａ）は、断面模式図、（ｂ）は、平面模式図である。
【図６】第２実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【図７】第２実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【図８】第３実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための斜視模式図である。
【図９】第４実施形態に係る半導体装置の模式図であり、（ａ）は、断面模式図、（ｂ）は、平面模式図である。
【図１０】第４実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【図１１】第４実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【図１２】第５実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【図１３】第５実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【図１４】第６実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【図１５】第６実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【図１６】第７実施形態に係る半導体装置の製造過程で用いられる半導体装置の下地を説明するための模式図であり、（ａ）は、下地の表面模式図、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ’位置の断面模式図であり、（ｃ）は、（ａ）のＹ−Ｙ’位置の断面模式図である。
【図１７】第７実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【図１８】第７実施形態に係る半導体装置の製造過程で用いられる半導体装置の別の下地を説明するための模式図であり、（ａ）は、下地の表面模式図、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ’位置の断面模式図であり、（ｃ）は、（ａ）のＹ−Ｙ’位置の断面模式図である。
【図１９】第８実施形態に係る半導体装置の製造過程で用いられる半導体装置の下地を説明するための模式図であり、（ａ）は、下地の下面模式図、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ’位置の断面模式図であり、（ｃ）は、（ａ）のＹ−Ｙ’位置の断面模式図である。
【図２０】第８実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【図２１】第８実施形態に係る半導体装置の製造過程で用いられる半導体装置の別の下地を説明するための模式図であり、（ａ）は、下地の下面模式図、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ’位置の断面模式図であり、（ｃ）は、（ａ）のＹ−Ｙ’位置の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。また、以下に説明する各実施形態は、適宜複合させることができる。
【００１２】
（第１実施形態）  
図１は、第１実施形態に係る半導体装置を説明するための断面模式図であり、（ａ）は、全体図、（ｂ）は、拡大図である。  
図２は、第１実施形態に係る半導体装置を説明する平面模式図である。
【００１３】
図１（ａ）には、図２のＸ−Ｘ’断面が示され、図１（ｂ）には、図１（ａ）の破線１００で囲った部分が示されている。  
第１実施形態に係る半導体装置１は、ＦＢＧＡ（Fine pitch Ball Grid Array）型の半導体パッケージである。半導体装置１は、回路基板１０を有する。回路基板１０は、インターポーザ基板とも称される。回路基板１０は、基体である絶縁基材１１と、絶縁基材１１の上面側の外周に設けられた複数の配線層１２と、配線層１２の内側に設けられた複数の配線層１５と、絶縁基材１１の下面側に設けられた複数の配線層１３と、を有する。配線層１２の側面は、回路基板１０の側面（端部側）１０ｗにおいて回路基板１０から露出している。配線層１２の電位については、グランド（ＧＮＤ）電位にすることができる。また、回路基板１０の上面および下面には、各配線層の一部を被覆するためのソルダレジスト層１６が形成されている。実施形態において、第１配線層は、配線層１２または配線層１５によって構成される。第２配線層は、配線層１３によって構成される。
【００１４】
回路基板１０は、さらに絶縁基材１１の上面（第１主面）から下面（第２主面）にまで貫通する複数のビア（ビア接続部）１４を有する。ビア１４については、図示する数に限らず、回路基板１０に複数設けられている。配線層１２のいずれかは、回路基板１０内のビアを介して外部接続端子１７のいずれかに接続されている。
【００１５】
複数の配線層１３のそれぞれは、ランド状の電極である。複数の配線層１３のそれぞれには、半田ボールである外部接続端子１７が接続されている。複数の外部接続端子１７のそれぞれは、例えば、実装基板（図示しない）に実装される。半導体装置１においては、外部接続端子１７を取り除いたＬＧＡ（Land Grid Array）構造としてもよい。
【００１６】
回路基板１０の上面側には、半導体素子２０が搭載されている。半導体素子２０の上面には、ワイヤ（ボンディングワイヤ）２１の一方の端が接続されている。ワイヤ２１の他方の端は、配線層１５に接続されている。ワイヤ２１は、配線層１５の少なくとも１つと、半導体素子の表面に設けられた電極（図示しない）と、を電気的に接続する。
【００１７】
半導体素子２０の外周およびワイヤ２１は、回路基板１０の上面側に設けられた封止樹脂層３０によって封止されている。半導体素子２０と回路基板１０との間隙には、ダイボンディング材（マウント材）２２が形成されている。
【００１８】
封止樹脂層３０の上面および側面は、導電性シールド層４０によって覆われている。導電性シールド層４０は、配線層１２の上方において封止樹脂層３０の側面から半導体素子２０の側に向かって封止樹脂層３０内に侵入している。さらに、導電性シールド層４０は、配線層１２に接触している。例えば、導電性シールド層４０の内面からは突起部４０ｐが延出している。導電性シールド層４０は、半導体素子２０の側に向かい封止樹脂層３０内に延在するようにして、回路基板１０の端部側において露出する配線層１２に電気的に接続されている。突起部４０ｐが封止樹脂層３０の側面に侵入することにより、導電性シールド層４０が配線層１２の上面および側面に接触することになる。
【００１９】
回路基板１０の端部側において露出する配線層１２は、グランド電位となるように構成されている。配線層１２の電位がグランド電位になると、配線層１２を通じて導電性シールド層４０の電位をグランド電位にすることができる。配線層１２と導電性シールド層４０との接点は、半導体装置１の各辺において複数設けられている（図２参照）。グランド電位と導電性シールド層４０との接点の数、位置は上述した例に限られない。また、グランド電位にある配線層１２と導電性シールド層４０との接点間の距離は、半導体素子２０等から放出される不要電磁波（電磁ノイズ、またはノイズ電波とも称する）の波長の半分以下に調整されている。
【００２０】
半導体素子２０は、フラッシュメモリ、ＤＲＡＭ等の記憶素子、マイクロプロセッサ等の演算素子である。ワイヤ２１は、例えば、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等の金属線である。
【００２１】
配線層１２、配線層１３、および配線層１５は、銅（Ｃｕ）箔、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）を含む導電性ペースト等である、配線層１２、配線層１３、および配線層１５には、必要に応じて表面にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等のめっき処理が施される。ビア１４は、例えば、柱状電極である。ビア１４は、全ての材が導電材で構成された柱状電極でもよく、この柱状電極のほか、筒状の円筒電極と、この円筒電極内の中空に埋設された樹脂等と、を含む形態でもよい。ビア１４の材質は、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）等である。
【００２２】
導電性シールド層４０は、半導体素子２０から放出される高周波ノイズを遮断するために、なるべく抵抗率が低い材料が選択される。導電性シールド層４０の材質としては、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられる。より具体的には、導電性シールド層４０は、銀（Ａｇ）ペーストを硬化させた銀（Ａｇ）含有層であり、そのシート抵抗が０．１（Ω／□）以下に調整されている。導電性シールド層４０の厚さは、数１０μｍであり、より好ましくは、１０〜９０μｍである。
【００２３】
次に、半導体装置１の製造過程について説明する。  
図３および図４は、第１実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。  
図３には、（ａ）〜（ｃ）の３つの段階の製造過程が例示されている。各段階の右側には、左側の破線１００で囲まれた部分の拡大図が示されている。
【００２４】
まず、図３（ａ）に示すように、回路基板１０が回路基板１０の主面に対して平行な方向に複数連続して設けられた基板１０Ａを準備する。続いて、複数の回路基板１０のそれぞれに半導体素子２０を搭載する。そして、複数の配線層１５の少なくとも１つと、半導体素子２０と、をワイヤ２１を介して電気的に接続する。この段階では、回路基板１０は、切断前の状態にあり、基板１０Ａ上には、複数の半導体素子２０が搭載される。これにより、絶縁基材１１と、絶縁基材１１の第１の主面側に設けられた複数の配線層１２と、絶縁基材１１の第２の主面側に設けられた複数の配線層１３と、絶縁基材１１の第１の主面から第２の主面にまで貫通する複数のビア接続部と、を有する回路基板１０が、回路基板の主面に対して略平行な方向に複数連続して設けられた基板１０Ａが準備される。さらに複数の回路基板１０のそれぞれにおいて、第１の主面側には、半導体素子２０が搭載される。
【００２５】
続いて、複数の回路基板１０のそれぞれにおいて、複数の配線層１２のいずれかの所定の面に、マスク部材５０を形成する。例えば、複数の配線層１２の中のいずれかの配線層１２の上面の少なくとも一部に、マスク部材５０を形成する。マスク部材５０は、複数の回路基板１０のそれぞれにおいて設けられる。例えば、図２に示す複数の配線層１２のそれぞれの上にマスク部材５０を設ける。これにより、それぞれの配線層１２の上面の少なくとも一部がマスク部材５０によって被覆される。
【００２６】
マスク部材５０の材質は、生分解性樹脂、水溶性樹脂、加水分解性樹脂、酵素分解性樹脂、有機酸溶解性樹脂のいずれかである。生分解性樹脂かつ水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）が選択される。生分解性樹脂かつ加水分解性樹脂としては、ポリＬ乳酸樹脂（ＰＬＬＡ）、澱粉樹脂が選択される。加水分解性樹脂かつ酵素分解性樹脂としては、ポリブチレンサクシネートラクテート樹脂（ＰＢＳＬ）が選択される。有機酸溶解性樹脂としては、共重合ナイロン、ポリアミドとポリアミドポアミンの交換反応したポリアミドが選択される。必要に応じて、マスク部材５０に紫外線吸収剤を含有させてもよい。
【００２７】
次に、図３（ｂ）に示すように、複数の半導体素子２０、ワイヤ２１、配線層１２、およびマスク部材５０を封止樹脂層３０によって封止する。
【００２８】
次に、図３（ｃ）に示すように、隣接する回路基板１０のそれぞれの間の封止樹脂層３０を分割し、封止樹脂層３０からマスク部材５０を露出させるとともに、隣接する回路基板１０のそれぞれの間の基板１０Ａに溝を形成し、基板１０Ａから配線層１２を露出させる。例えば、隣接する回路基板１０のそれぞれの間の封止樹脂層３０を分割し、さらに、基板１０Ａの上面に切削溝が形成する程度に溝３０ｔを形成する。溝３０ｔは、いわゆるハーフカットダイシング加工により形成する。ハーフカットダイシング加工では、封止樹脂層３０については分割するものの、回路基板１０については完全に分割しない。溝３０ｔが形成されることにより、マスク部材５０の側面が封止樹脂層３０から露出するとともに、配線層１２の側面が基板１０Ａから露出する。溝３０ｔの内部においては、封止樹脂層３０、マスク部材５０、および配線層１２のそれぞれの側面が面一になっている。この後、封止樹脂層３０を、必要に応じて硬化させる。
【００２９】
次に、図４（ａ）に示すように、マスク部材５０を除去する。これにより、マスク部材が形成された配線層１２の前記所定の面が露出する。  
例えば、マスク部材５０の材質がポリブチレンサクシネートラクテート樹脂の場合は、アルカリ水溶液とリパーゼ酵素液との混合液によるアルカリ分解と酵素分解とを併用してマスク部材５０を除去する。
【００３０】
マスク部材５０の材質がポリ乳酸等樹脂の場合は、アルカリ水溶液分解並びに加水分解によってマスク部材５０を除去する。ポリ乳酸樹脂は、アルカリ水溶液で加水分解する性質を有する。ポリ乳酸樹脂は、酸性水溶液に対して耐性を示すが、アルカリ水溶液では簡単に除去される。
【００３１】
このように、マスク部材５０の素材に応じて、アルカリ水溶液によるアルカリ分解、並びに加水分解によりマスク部材５０を除去したり、アルカリ水溶液とリパーゼ酵素液との混合液によりアルカリ分解と酵素分解とを併用してマスク部材５０を除去したりする。すなわち、実施形態では、マスク部材５０を、アルカリ分解および酵素分解、または、アルカリ水溶液分解および加水分解によって除去する。
マスク部材５０が除去されると、配線層１２の上面の少なくとも一部が露出する。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に示すように、それぞれの封止樹脂層３０を導電性シールド層４０で覆いつつ、露出した配線層１２の前記所定の面に導電性シールド層４０を接触させる。例えば、それぞれの封止樹脂層３０の上面および側面に、導電性シールド層４０を形成する。導電性シールド層４０の形成は、例えば、転写法、スクリーン印刷法、スプレー塗布法、ジェットディスペンス法、インクジェット法、エアロゾル法、無電解めっき法、電解めっき法、または真空処理法等で行われる。
【００３３】
溝３０ｔ内に埋設された導電性シールド層４０は、マスク部材５０が取り除かれた部分（空間）にも侵入する。すなわち、導電性シールド層４０の内面からは、突起部４０ｐが延出して、突起部４０ｐは、マスク部材５０が取り除かれた部分に侵入する。これにより、導電性シールド層４０が配線層１２の上面および側面に接触することになる。この後、外部接続端子１７を形成する。
【００３４】
次に、図４（ｃ）に示すように、溝３０ｔ内に形成された導電性シールド層４０および溝３０ｔの下の基板１０Ａを、ダイシングにより分断する。すなわち、連続した回路基板１０は個片化されて、半導体装置１が形成される。
【００３５】
なお、導電性シールド層４０は、必要に応じて耐食性や耐マイグレーション性に優れる保護膜で覆ってもよい。保護膜としては、ポリイミド樹脂等が用いられる。導電性シールド層４０、保護膜については、必要に応じて、焼成または紫外線照射で硬化させる。
【００３６】
半導体装置１によれば、導電性シールド層４０が配線層１２の側面だけでなく、配線層１２の上面および側面に接触する。従って、導電性シールド層４０と、グランド配線（すなわち、配線層１２）との接触面積は、導電性シールド層４０を配線層１２の側面のみで接触させる形態に比べ著しく増加する。その結果、半導体素子２０等からの不要電磁波は、導電性シールド層４０によって効率よく遮蔽される。特に、配線層１２の厚みが薄く、配線層１２の上面の面積が側面の面積よりも著しく大きい場合は、導電性シールド層４０が配線層１２の上面に接触することで、配線層１２と導電性シールド層４０との接触面積が著しく増大する。
【００３７】
また、半導体装置１によれば、導電性シールド層４０が配線層１２の上方において封止樹脂層３０にくい込んでいる。従って、導電性シールド層４０がくい込んだ部分においては、アンカー効果が生じる。アンカー効果によって、導電性シールド層４０と配線層１２とは機械的に強固に接続する。すなわち、半導体装置１においては、導電性シールド層４０と配線層１２との機械的な接続信頼性が向上する。
【００３８】
また、半導体装置１によれば、導電性シールド層４０を配線層１２の上方において封止樹脂層３０にくい込ませるだけで、導電性シールド層４０と、グランド配線との接触面積を増加させている。従って、半導体装置１の面積増加が抑制される。
【００３９】
このように、回路基板１０を含む半導体装置１からは効率よく不要電磁波の漏洩が抑制される。これにより、半導体装置１の信頼性がより向上する。
【００４０】
（第２実施形態）  
図５は、第２実施形態に係る半導体装置の模式図であり、（ａ）は、断面模式図、（ｂ）は、平面模式図である。図５（ａ）には、図５（ｂ）のＸ−Ｘ’断面が示されている。
【００４１】
第２実施形態に係る半導体装置２の基本構成は、半導体装置１と同じである。但し、半導体装置２では、導電性シールド層４０の突起部４０ｐが配線層１２の上面から封止樹脂層３０の上面にかけて、ライン状に延在している。導電性シールド層４０は、樹脂封止層３０内においてライン状に延在し、回路基板１０の端部側において露出する配線層１２に接触している。換言すれば、配線層１２の上面から封止樹脂層３０の上面にかけて、導電性シールド層４０がライン状に侵入している。
【００４２】
図６および図７は、第２実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【００４３】
半導体装置２の製造過程は、マスク部材５０とは形状の異なるマスク部材５１を用いるほかは、半導体装置１の製造過程と同じである。マスク部材５１は、金属または樹脂を含むコア材と、コア材の表面にマスク部材５０の材質の樹脂を形成した層と、を有する。あるいは、マスク部材５１の全体の材質をマスク部材５０と同じにしてもよい。
【００４４】
まず、図６（ａ）に示すように、基板１０Ａを準備した後、回路基板１０のそれぞれに半導体素子２０を搭載する。続いて、複数の配線層１５の少なくとも１つと、半導体素子２０と、をワイヤ２１を介して電気的に接続する。
【００４５】
続いて、複数の配線層１２の中のいずれかの配線層１２の上面の少なくとも一部に、マスク部材５１を形成する。マスク部材５１は、複数の回路基板１０のそれぞれにおいて設けられる。例えば、図５（ｂ）に示す複数の配線層１２のそれぞれの上にマスク部材５１を設ける。マスク部材５１は、配線層１２の上面から後工程で形成される封止樹脂層３０の上面にまで延びる棒材である。
【００４６】
次に、図６（ｂ）に示すように、複数の半導体素子２０、ワイヤ２１およびマスク部材５１を封止樹脂層３０によって封止する。すなわち、マスク部材５１の高さと、封止樹脂層３０と、の高さは略等しい。
【００４７】
次に、図６（ｃ）に示すように、隣接する回路基板１０のそれぞれの間の封止樹脂層３０を分割し、さらに、基板１０Ａの上面に切削溝が形成する程度に溝３０ｔを形成する。溝３０ｔは、いわゆるハーフカットダイシング加工により形成する。溝３０ｔが形成されることにより、配線層１２の側面およびマスク部材５１の側面が封止樹脂層３０から露出する。溝３０ｔにおいては、封止樹脂層３０、マスク部材５１、および配線層１２のそれぞれの側面が面一になっている。この後、封止樹脂層３０を、必要に応じて硬化させる。
【００４８】
次に、図７（ａ）に示すように、マスク部材５１を除去する。  
マスク部材５１がコア材と、樹脂層と、を有する場合、樹脂層の材質がポリブチレンサクシネートラクテート樹脂の場合は、アルカリ水溶液とリパーゼ酵素液との混合液によるアルカリ分解と酵素分解とを併用して樹脂層を除去する。樹脂層の材質がポリ乳酸等樹脂の場合は、アルカリ水溶液分解並びに加水分解によって樹脂層を除去する。ポリ乳酸樹脂は、アルカリ水溶液で加水分解する性質を有する。ポリ乳酸樹脂は、酸性水溶液に対して耐性を示すが、アルカリ水溶液では簡単に除去される。さらに、残ったコア材を封止樹脂層３０から取り除く。
【００４９】
マスク部材５１の全体の材質がマスク部材５０と同じである場合は、マスク部材５１を除去する方法は、マスク部材５０を除去する方法と同じである。  
マスク部材５１が除去されると、配線層１２の上面の少なくとも一部が露出する。
【００５０】
次に、図７（ｂ）に示すように、それぞれの封止樹脂層３０の上面および側面に、導電性シールド層４０を形成する。溝３０ｔ内に埋設された導電性シールド層４０は、マスク部材５１が取り除かれた部分にも侵入する。すなわち、導電性シールド層４０の内面からは、突起部４０ｐが延出して、突起部４０ｐは、マスク部材５１が取り除かれた部分に侵入する。これにより、導電性シールド層４０が配線層１２の上面および側面に接触することになる。この後、外部接続端子１７を形成する。
【００５１】
次に、図７（ｃ）に示すように、溝３０ｔ内に形成された導電性シールド層４０および溝３０ｔの下の基板１０Ａを、ダイシングにより分断する。すなわち、連続した回路基板１０は個片化されて、半導体装置２が形成される。
【００５２】
半導体装置２によれば、導電性シールド層４０が配線層１２の側面だけでなく、配線層１２の上面および側面に接触する。従って、導電性シールド層４０と、グランド配線（すなわち、配線層１２）との接触面積は、導電性シールド層４０を配線層１２の側面のみで接触させる形態に比べ著しく増加する。その結果、半導体素子２０等からの不要電磁波は、導電性シールド層４０によって効率よく遮蔽される。また、半導体装置２では、ライン状の突起部４０ｐを設けることにより、導電性シールド層４０の側面の一部の厚さがより厚くなる。従って、半導体装置２では、半導体装置１に比べ、さらに効率よく半導体素子２０等からの不要電磁波が導電性シールド層４０によって遮蔽される。
【００５３】
また、半導体装置２によれば、導電性シールド層４０が配線層１２の上方において封止樹脂層３０にくい込んでいる。従って、導電性シールド層４０がくい込んだ部分においては、アンカー効果が生じる。アンカー効果によって、導電性シールド層４０と配線層１２とは機械的に強固に接続する。すなわち、半導体装置２においては、導電性シールド層４０と配線層１２との機械的な接続信頼性が向上する。
【００５４】
また、半導体装置２によれば、導電性シールド層４０を配線層１２の上方において封止樹脂層３０にくい込ませるだけで、導電性シールド層４０と、グランド配線との接触面積を増加させている。従って、半導体装置２の面積増加が抑制される。
【００５５】
このように、回路基板１０を含む半導体装置２からは効率よく不要電磁波の漏洩が抑制される。これにより、半導体装置２の信頼性がより向上する。
【００５６】
（第３実施形態）  
上述したマスク部材５０、５１に関しては、それぞれ単独で用いる製造過程のほか、マスク部材５０とマスク部材５１とを併用する半導体装置の製造方法も実施形態に含まれる。
【００５７】
図８は、第３実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための斜視模式図である。
【００５８】
図８（ａ）には、マスク部材５０、５１を配線層１２上に配置した後の状態が示され、図８（ｂ）には、ハーフカットダイシング加工後の封止樹脂層３０および回路基板１０の状態が例示されている。
【００５９】
図８（ａ）に示すように、回路基板１０の配線層１２上に、マスク部材５０とマスク部材５１とを交互に配置してもよい。この状態で、封止樹脂層３０を形成した後、ハーフカットダイシング加工を行うと、図８（ｂ）に示すように、配線層１２の側面およびマスク部材５０、５１の側面が封止樹脂層３０から露出する。この後、マスク部材５０、５１を取り除き、第１および第２実施形態のごとく導電性シールド層４０を形成する。このような製造過程も、本発明の実施形態に含まれる。
【００６０】
（第４実施形態）  
図９は、第４実施形態に係る半導体装置の模式図であり、（ａ）は、断面模式図、（ｂ）は、平面模式図である。図９（ａ）には、図９（ｂ）のＸ−Ｘ’断面が示されている。
【００６１】
第４実施形態に係る半導体装置３の回路基板１０は、絶縁基材１１と、複数の配線層１２と、複数の配線層１５と、複数の配線層１３と、を有する。回路基板１０は、さらに絶縁基材１１の上面から下面にまで貫通する複数のビア１４を有する。
【００６２】
第４実施形態においては、回路基板１０の側面１０ｗにおいて、ビア１４が露出している。回路基板１０の端部側において露出するビア接続部は、グランド電位となるように構成されている。すなわち、回路基板１０の側面１０ｗにおいて露出したビア１４の電位については、グランド電位にすることができる。
【００６３】
封止樹脂層３０の上面および側面は、導電性シールド層４０によって覆われている。導電性シールド層４０は、ビア１４の上方において封止樹脂層３０の側面から半導体素子２０の側に向かって封止樹脂層３０内に侵入している。さらに、導電性シールド層４０は、回路基板１０の側面１０ｗにおいて露出したビア１４に接触している。例えば、導電性シールド層４０の内面からは突起部４０ｐが延出している。導電性シールド層４０は、半導体素子２０の側に向かい封止樹脂層３０内に延在するようにして、回路基板１０の端部側において露出するビア接続部に電気的に接続されている。突起部４０ｐが封止樹脂層３０の側面に侵入することにより、導電性シールド層４０が回路基板１０の側面１０ｗにおいて露出したビア１４の上面および側面に接触することになる。
【００６４】
回路基板１０の側面１０ｗにおいて露出したビア１４の電位がグランド電位になると、グランド電位にあるビア１４を通じて導電性シールド層４０の電位をグランド電位にすることができる。グランド電位にあるビア１４と導電性シールド層４０との接点は、半導体装置３の各辺において複数設けられている（図９（ｂ）参照）。グランド電位にあるビア１４と導電性シールド層４０との接点間の距離は、半導体素子２０等から放出される不要電磁波の波長の半分以下に調整されている。
【００６５】
回路基板１０の側面１０ｗにおいて露出したビア１４の露出面は、例えば、ハーフカットダイシングによって形成される。ビア１４が回路基板１０の厚さ方向において切断された切断面を回路基板１０の側面１０ｗにおいて露出させる。
【００６６】
ビア１４の切断面は必ずしもビア１４の中心である必要はなく、切断面にビア１４の一部が含まれている。ビア１４と、導電性シールド層４０と、の接触面積を増加させるには、ビア１４の切断面はビア１４の中心に近いほうが望ましい。
【００６７】
図１０および図１１は、第４実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【００６８】
まず、図１０（ａ）に示すように、基板１０Ａを準備した後、回路基板１０のそれぞれに半導体素子２０を搭載する。続いて、複数の配線層１５の少なくとも１つと、半導体素子２０と、をワイヤ２１を介して電気的に接続する。すなわち、絶縁基材１１と、絶縁基材１１の第１の主面側に設けられた複数の配線層１２と、絶縁基材１１の第２の主面側に設けられた複数の配線層１３と、絶縁基材１１の第１の主面から第２の主面にまで貫通する複数のビア接続部と、を有する回路基板１０が、回路基板１０の主面に対して略平行な方向に複数連続して設けられた基板１０Ａが準備される。さらに、複数の回路基板１０のそれぞれにおいて、第１の主面側に半導体素子２０が搭載される。
【００６９】
続いて、複数の回路基板１０のそれぞれにおいて、複数のビア接続部のいずれかの所定の面に、マスク部材５０を形成する。例えば、複数のビア１４の中のいずれかのビア１４の上面の少なくとも一部に、マスク部材５０を形成する。マスク部材５０は、複数の回路基板１０のそれぞれにおいて設けられる。
【００７０】
次に、図１０（ｂ）に示すように、複数の半導体素子２０、ワイヤ２１、配線層１２、およびマスク部材５０を封止樹脂層３０によって封止する。
【００７１】
次に、図１０（ｃ）に示すように、隣接する回路基板１０のそれぞれの間の封止樹脂層３０を分割し、封止樹脂層３０からマスク部材５０を露出させるとともに、隣接する回路基板１０のそれぞれの間の基板１０Ａに溝を形成し、基板１０Ａからビア接続部を露出させる。例えば、隣接する回路基板１０のそれぞれの間の封止樹脂層３０を分割し、さらに、基板１０Ａの上面に切削溝が形成する程度に溝３０ｔを形成する。溝３０ｔは、いわゆるハーフカットダイシング加工により形成する。溝３０ｔが形成されることにより、マスク部材５０の側面が封止樹脂層３０から露出するとともに、ビア１４の側面が基板１０Ａから露出する。溝３０ｔの内部においては、封止樹脂層３０、マスク部材５０、およびビア１４のそれぞれの側面が面一になっている。この後、封止樹脂層３０を、必要に応じて硬化させる。
【００７２】
次に、図１１（ａ）に示すように、マスク部材５０を除去する。これにより、マスク部材５０が形成されたビア接続部の前記所定の面が露出する。  
マスク部材５０が除去されると、ビア１４の上面の少なくとも一部が露出する。
【００７３】
次に、図１１（ｂ）に示すように、それぞれの封止樹脂層３０を導電性シールド層４０で覆いつつ、露出したビア接続部の前記所定の面に導電性シールド層４０を接触させる。例えば、それぞれの封止樹脂層３０の上面および側面に、導電性シールド層４０を形成する。溝３０ｔ内に埋設された導電性シールド層４０は、マスク部材５０が取り除かれた部分にも侵入する。すなわち、導電性シールド層４０の内面からは、突起部４０ｐが延出して、突起部４０ｐは、マスク部材５０が取り除かれた部分に侵入する。これにより、導電性シールド層４０がビア１４の上面および側面に接触することになる。この後、外部接続端子１７を形成する。
【００７４】
次に、図１１（ｃ）に示すように、溝３０ｔ内に形成された導電性シールド層４０および溝３０ｔの下の基板１０Ａを、ダイシングにより分断する。すなわち、連続した回路基板１０は個片化されて、半導体装置３が形成される。
【００７５】
半導体装置３においても、半導体装置１と同様の効果を得る。但し、導電性シールド層４０は、ビア１４の側面に接するので、半導体装置１に比べ、さらに導電性シールド層４０と、グランド配線（すなわち、ビア１４）との接触面積が増加する。その結果、半導体素子２０等からの不要電磁波は、導電性シールド層４０によってより効率よく遮蔽される。  また、半導体装置３の製造過程では、マスク部材５０に代えてマスク部材５１を用いてもよい。これにより、導電性シールド層４０は、樹脂封止層３０内においてライン状に延在し、回路基板１０の端部側において露出するビア接続部に接触する。
【００７６】
（第５実施形態）  
次に、実施形態に係る半導体装置の製造方法の変形例について説明する。  
図１２および図１３は、第５実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【００７７】
まず、図１２（ａ）に示すように、回路基板１０が回路基板１０の主面に対して平行な方向に複数連続して設けられた基板１０Ａを準備する。続いて、複数の回路基板１０のそれぞれに半導体素子２０を搭載する。そして、複数の配線層１５の少なくとも１つと、半導体素子２０と、をワイヤ２１を介して電気的に接続する。この段階では、回路基板１０は、切断前の状態にあり、基板１０Ａ上には、複数の半導体素子２０が搭載される。
【００７８】
続いて、複数の配線層１２の中のいずれかの配線層１２の上面の少なくとも一部に、マスク部材５０を形成する。マスク部材５０は、複数の回路基板１０のそれぞれにおいて設けられる。例えば、複数の配線層１２のそれぞれの上にマスク部材５０を設ける。これにより、それぞれの配線層１２の上面の少なくとも一部がマスク部材５０によって被覆される。
【００７９】
次に、図１２（ｂ）に示すように、複数の半導体素子２０、配線層１２およびワイヤ２１等を封止樹脂層３０によって封止する。これにより、基板１０Ａの上面側に封止樹脂層３０が形成される。続いて、基板１０Ａの下面側を下地に接触させる。下地は、ダイシングシート（ダイシングテープ）２００を含む。ダイシングシート２００の表面には、必要に応じて粘着層を設けてもよい。
【００８０】
次に、図１２（ｃ）に示すように、隣接する回路基板１０のそれぞれの間の封止樹脂層３０および基板１０Ａを分割し、さらに、ダイシングシート２００の上面に溝２００ｔを形成する。すなわち、封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれを個片化するとともに、個片化された回路基板１０のそれぞれの間のダイシングシート２００に、溝２００ｔを形成する。
【００８１】
なお、個片化された回路基板１０のそれぞれの間の距離は、例えば、２５０μｍである。封止樹脂層３０の厚みは、例えば、６００μｍである。回路基板１０の厚みは、例えば、１００μｍである。
【００８２】
封止樹脂層３０および回路基板１０の個片化、溝２００ｔの形成は、ダイシングブレード（図示しない）を用いたダイシング加工により形成する。個片化により、配線層１２のいずれかが回路基板１０の側面１０ｗにおいて露出する。また、個片化により、封止樹脂層３０および配線層１２のそれぞれの側面が面一になる。この後、封止樹脂層３０を、必要に応じて硬化させる。
【００８３】
次に、図１３（ａ）に示すように、マスク部材５０を除去する。  
次に、図１３（ｂ）に示すように、それぞれの封止樹脂層３０の上面を、導電性シールド層４０により被覆するとともに、それぞれの封止樹脂層３０の側面、およびそれぞれの回路基板１０の側面の少なくとも一部を導電性シールド層４０により被覆する。図１３（ａ）には、スキージ板３００を用いたスクリーン印刷法が例示されている。スクリーン印刷法は、大気圧下で実施してもよく、減圧下で実施してもよい。
【００８４】
溝３０ｔ内に埋設された導電性シールド層４０は、マスク部材５０が取り除かれた部分（空間）にも侵入する。すなわち、導電性シールド層４０の内面からは、突起部４０ｐが延出して、突起部４０ｐは、マスク部材５０が取り除かれた部分に侵入する。これにより、導電性シールド層４０が配線層１２の上面および側面に接触することになる。
【００８５】
さらに、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間においては、導電性シールド層４０を封止樹脂層３０から溝２００ｔに向かう方向に侵入させる。この際、ダイシングシート２００には、溝２００ｔが設けられているので、溝２００ｔが空気の逃げ道として機能する。これにより、導電性シールド層４０は、個片化された回路基板１０のそれぞれの間に円滑に侵入する。
【００８６】
すなわち、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間の空気は、上から来る導電性シールド層４０によって下方に押し出され、溝２００ｔと導電性シールド層４０とによって取り囲まれた空間２００ｓに収められる。そして、導電性シールド層４０は、回路基板１０の側面１０ｗにおいて露出した配線層１２に確実に接触する。これにより、導電性シールド層４０と配線層１２とが電気的に接続される。
【００８７】
仮に、溝２００ｔが形成されていない場合は、次のような不具合をもたらす。例えば、個片化された回路基板１０のそれぞれの間においては、導電性シールド層４０が封止樹脂層３０から回路基板１０に向かう方向に侵入させる際には、個片化された回路基板１０のそれぞれの間に存在する空気の逃げ道がない。従って、個片化された回路基板１０のそれぞれの間の空気は、上から来る導電性シールド層４０によって下方に充分に押し出すことができずに、封止樹脂層３０の側面近傍や回路基板１０の側面１０ｗ近傍で、ボイドとなって残存する場合がある。
【００８８】
特に、導電性シールド層４０と配線層１２との間にボイドが形成された場合は、配線層１２と導電性シールド層４０とが充分に接触しない場合がある。つまり、導電性シールド層４０と配線層１２とが電気的に接続されない可能性がある。その結果、導電性シールド層４０を設けても、不要電磁波を充分に遮蔽できなくなる可能性がある。
【００８９】
これに対し、実施形態では、空気を配線層１２の下方の溝２００ｔに収めるので、封止樹脂層３０の側面近傍や回路基板１０の側面１０ｗ近傍にボイドが形成しない。これにより、配線層１２と導電性シールド層４０とが確実に接触する。
【００９０】
このように、実施形態では、封止樹脂層３０の側面および回路基板１０の側面の少なくとも一部を導電性シールド層４０により被覆する際には、互いに隣接する封止樹脂層３０の間に形成された隙間３０ｓの上から下に導電性シールド層４０を侵入させる。さらに、導電性シールド層４０が配線層１２に接するまで導電性シールド層４０を溝２００ｔに向かって侵入させる。
【００９１】
次に、ダイシングシート２００を取り除き、回路基板１０の下面側に外部接続端子１７を形成した後、図１３（ｃ）に示すように、導電性シールド層４０をダイシングにより分断する。すなわち、連続した導電性シールド層４０は個片化されて、半導体装置１が形成される。
【００９２】
このような製造方法によれば、導電性シールド層４０は、回路基板１０の側面１０ｗにおいて配線層１２に確実に接触する。これにより、半導体装置１においては、不要電磁波の漏洩が効率よく抑制される。従って、半導体装置１の信頼性がより向上する。
【００９３】
なお、第５実施形態では、第１実施形態で例示した回路基板１０を例に説明したが、第４実施形態で例示した回路基板１０を用いてもよい。
【００９４】
（第６実施形態）  
図１４および図１５は、第６実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【００９５】
まず、図１４（ａ）に示す状態は、図１２（ａ）に示す状態と同じである。  
次に、図１４（ｂ）に示すように、複数の半導体素子２０、配線層１２およびワイヤ２１等を封止樹脂層３０によって封止する。これにより、基板１０Ａの上面側に封止樹脂層３０が形成される。続いて、基板１０Ａの下面側を下地に接触させる。下地は、ダイシングシート２００と、ダイシングシート２００の上に設けられたシート部材２０１と、を含む。シート部材２０１は、例えば、樹脂製の板部材である。シート部材２０１の主面には、必要に応じて粘着層を設けてもよい。
【００９６】
次に、図１４（ｃ）に示すように、隣接する回路基板１０のそれぞれの間の封止樹脂層３０および基板１０Ａを分割し、さらに、シート部材２０１の上面に溝２０１ｔを形成する。すなわち、封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれを個片化するとともに、個片化された回路基板１０のそれぞれの間のシート部材２０１に溝２０１ｔを形成する。
【００９７】
封止樹脂層３０および回路基板１０の個片化、溝２０１ｔの形成は、ダイシング加工により形成する。個片化により、配線層１２のいずれかが回路基板１０の側面１０ｗにおいて露出する。また、個片化により、封止樹脂層３０および配線層１２のそれぞれの側面が面一になっている。この後、封止樹脂層３０を、必要に応じて硬化させる。
【００９８】
次に、図１５（ａ）に示すように、マスク部材５０を除去する。  
次に、図１５（ｂ）に示すように、それぞれの封止樹脂層３０の上面を、導電性シールド層４０により被覆するとともに、それぞれの封止樹脂層３０の側面、およびそれぞれの回路基板１０の側面の少なくとも一部を導電性シールド層４０により被覆する。図１５（ａ）には、スキージ板３００を用いたスクリーン印刷法が例示されている。スクリーン印刷法は、大気圧下で実施してもよく、減圧下で実施してもよい。
【００９９】
溝３０ｔ内に埋設された導電性シールド層４０は、マスク部材５０が取り除かれた部分（空間）にも侵入する。すなわち、導電性シールド層４０の内面からは、突起部４０ｐが延出して、突起部４０ｐは、マスク部材５０が取り除かれた部分に侵入する。これにより、導電性シールド層４０が配線層１２の上面および側面に接触することになる。
【０１００】
さらに、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間においては、導電性シールド層４０を封止樹脂層３０から溝２０１ｔに向かう方向に侵入させる。この際、シート部材２０１には、溝２０１ｔが設けられているので。溝２０１ｔが空気の逃げ道として機能する。これにより、導電性シールド層４０は、個片化された回路基板１０のそれぞれの間に円滑に侵入する。
【０１０１】
すなわち、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間の空気は、上から来る導電性シールド層４０によって下方に押し出され、溝２０１ｔと導電性シールド層４０とによって取り囲まれた空間２０１ｓに収められる。そして、導電性シールド層４０は、回路基板１０の側面１０ｗにおいて露出した配線層１２に確実に接触する。これにより、導電性シールド層４０と配線層１２とが電気的に接続される。
【０１０２】
次に、ダイシングシート２００およびシート部材２０１を取り除き、回路基板１０の下面側に外部接続端子１７を形成した後、図１５（ｃ）に示すように、導電性シールド層４０をダイシングにより分断する。すなわち、連続した導電性シールド層４０は、個片化されて、半導体装置１が形成される。
【０１０３】
このような製造方法によれば、導電性シールド層４０は、回路基板１０の側面１０ｗにおいて配線層１２に確実に接触する。これにより、半導体装置１においては、不要電磁波の漏洩が効率よく抑制される。従って、半導体装置１の信頼性がより向上する。
【０１０４】
なお、第６実施形態では、第１実施形態で例示した回路基板１０を例に説明したが、第４実施形態で例示した回路基板１０を用いてもよい。
【０１０５】
（第７実施形態）  
図１６は、第７実施形態に係る半導体装置の製造過程で用いられる半導体装置の下地を説明するための模式図であり、（ａ）は、下地の表面模式図、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ’位置の断面模式図であり、（ｃ）は、（ａ）のＹ−Ｙ’位置の断面模式図である。
【０１０６】
図１６（ａ）には、個片化された封止樹脂層３０（または、回路基板１０）の位置が併せて表示されている。
【０１０７】
第７実施形態においては、封止樹脂層３０および回路基板１０をダイシングにより個片化する過程で、ダイシングシート２００と、シート部材２０２と、を含む下地を用いる。シート部材２０２は、ダイシングシート２００の上に設けられている。
【０１０８】
シート部材２０２は、例えば、樹脂製の板状体である。シート部材２０２の上面と下面には、必要に応じて粘着層を設けてもよい。
【０１０９】
さらに、シート部材２０２は、シート基材２０２ｂと、シート基材２０２ｂの上に設けられた層２０２ａと、を有する。層２０２ａには、空気の逃げ道となる溝が複数設けられている。例えば、隣接する封止樹脂層３０の間に形成された隙間３０ｓが延在する方向に対して略平行に延びる溝２０２ｘと、隙間３０ｓが延びる方向に対して略垂直に延びる２０２ｙと、がシート部材２０２に設けられている。
【０１１０】
図１７は、第７実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。  
このようなシート部材２０２を含む下地をダイシング工程で用いれば、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間において、上から下に導電性シールド層４０を侵入させても、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間に存在する空気は、層２０２ａ中の溝２０２ｘ、２０２ｙを通じて効率よく排気される（図１７（ｂ）の矢印参照）。これにより、導電性シールド層４０が個片化された回路基板１０のそれぞれの間に円滑に侵入する。
【０１１１】
すなわち、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間の空気は、上から来る導電性シールド層４０によって下方に押し出され、さらに層２０２ａの溝２０２ｘ、２０２ｙに排気される。そして、導電性シールド層４０は、回路基板１０の側面１０ｗにおいて露出した配線層１２に確実に接触する。これにより、導電性シールド層４０と配線層１２とが電気的に接続される。このような製造過程も、実施形態に含まれる。
【０１１２】
また、ダイシングシート２００の上に設けるシート部材には、上述した形態に限らず、ドット状の凸部を周期的に設けてもよい。
【０１１３】
図１８は、第７実施形態に係る半導体装置の製造過程で用いられる半導体装置の別の下地を説明するための模式図であり、（ａ）は、下地の表面模式図、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ’位置の断面模式図であり、（ｃ）は、（ａ）のＹ−Ｙ’位置の断面模式図である。
【０１１４】
図１８（ａ）には、個片化された封止樹脂層３０（または、回路基板１０）の位置が併せて表示されている。
【０１１５】
実施形態においては、封止樹脂層３０および回路基板１０をダイシングにより個片化する過程で、ダイシングシート２００と、シート部材２０３と、を含む下地を用いることができる。シート部材２０３は、ダイシングシート２００の上に設けられている。
【０１１６】
シート部材２０３は、例えば、樹脂製の板状体である。シート部材２０３の上面と下面には、必要に応じて粘着層を設けてもよい。
【０１１７】
シート部材２０３は、シート基材２０３ｂと、シート基材２０３ｂの上に設けられた層２０２ａと、を有する。層２０３ａには、ドット状に凸部２０３ｄが周期的に設けられている。
【０１１８】
このようなシート部材２０３を用いれば、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間において、上から下に導電性シールド層４０を侵入させても、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間に存在する空気は、凸部２０３ｄの間の隙間を通じて効率よく排気することができる。このような下地も、実施形態に含まれる。
【０１１９】
なお、層２０２ａ、２０３ａについては、溝２０２ｘ、２０２ｙや凸部２０３ｄを設けず、多孔質体としてもよい。
【０１２０】
（第８実施形態）  
図１９は、第８実施形態に係る半導体装置の製造過程で用いられる半導体装置の下地を説明するための模式図であり、（ａ）は、下地の下面模式図、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ’位置の断面模式図であり、（ｃ）は、（ａ）のＹ−Ｙ’位置の断面模式図である。
【０１２１】
図１９（ａ）には、個片化された封止樹脂層３０（または、回路基板１０）の位置が併せて表示されている。
【０１２２】
第８実施形態においては、封止樹脂層３０および回路基板１０をダイシングにより個片化する過程で、ダイシングシート２００と、シート部材２０４と、を含む下地を用いる。シート部材２０４は、ダイシングシート２００の上に設けられている。
【０１２３】
シート部材２０４は、例えば、樹脂製の板状体である。シート部材２０４の上面と下面主面には、必要に応じて粘着層を設けてもよい。
【０１２４】
さらに、シート部材２０４は、シート基材２０４ａと、シート基材２０４ａの下に設けられた層２０４ｂと、を有する。層２０４ｂには、空気の逃げ道となる溝が複数設けられている。例えば、隣接する封止樹脂層３０の間に形成された隙間３０ｓが延在する方向に対して略平行に延びる溝２０４ｘと、隙間３０ｓが延びる方向に対して略垂直に延びる２０４ｙと、がシート部材２０４に設けられている。
【０１２５】
図２０は、第８実施形態に係る半導体装置の製造過程を説明するための断面模式図である。
【０１２６】
このようなシート部材２０４を含む下地をダイシング工程で用いる場合には、図２０（ａ）に示すように、シート基材２０４ａにダイシングブレード（図示しない）で溝２０４ｔを形成する。溝２０４ｔを形成することにより、層２０４ｂの表面を露出させる。層２０４ｂの表面が露出されると、ダイシングブレードで形成した溝２０４ｔと、層２０４ｂ中の溝２０４ｘ、２０４ｙとが連通する。
【０１２７】
すなわち、隙間３０ｓから溝２０４ｔへ、さらに層２０４ｂ中の溝２０４ｘ、２０４ｙへ通じる通路が形成する。これにより、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間において、上から下に導電性シールド層４０を侵入させても、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間に存在する空気は、層２０４ｂ中の溝２０４ｘ、２０４ｙを通じて効率よく排気される（図２０（ｂ）の矢印参照）。これにより、導電性シールド層４０が個片化された回路基板１０のそれぞれの間に円滑に侵入する。
【０１２８】
すなわち、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間の空気は、上から来る導電性シールド層４０によって下方に押し出され、さらに層２０４ｂの溝２０４ｘ、２０４ｙに排気される。そして、導電性シールド層４０は、回路基板１０の側面１０ｗにおいて露出した配線層１２に確実に接触する。これにより、導電性シールド層４０と配線層１２とが電気的に接続される。
【０１２９】
また、ダイシングシート２００の上に設けるシート部材は、上述した形態に限らず、ドット状の凸部を周期的に設けてもよい。
【０１３０】
図２１は、第８実施形態に係る半導体装置の製造過程で用いられる半導体装置の別の下地を説明するための模式図であり、（ａ）は、下地の下面模式図、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ’位置の断面模式図であり、（ｃ）は、（ａ）のＹ−Ｙ’位置の断面模式図である。
【０１３１】
図２１（ａ）には、個片化された封止樹脂層３０（または、回路基板１０）の位置が併せて表示されている。
【０１３２】
第８実施形態においては、封止樹脂層３０および回路基板１０をダイシングにより個片化する過程で、ダイシングシート２００と、シート部材２０５と、を含む下地を用いることができる。シート部材２０５は、ダイシングシート２００の上に設けられている。
【０１３３】
シート部材２０５は、例えば、樹脂製の板状体である。シート部材２０５の上面と下面には、必要に応じて粘着層を設けてもよい。
【０１３４】
さらに、シート部材２０５は、シート基材２０５ａと、シート基材２０５ａの下に設けられた層２０５ｂと、を有する。層２０５ｂには、ドット状に凸部２０５ｄが周期的に設けられている。
【０１３５】
このようなシート部材２０５を用いても、上述した溝２０４ｔを形成して、層２０５ｂの表面を露出させれば、溝２０４ｔと、層２０５ｂ中の凸部２０５ｄ間の隙間とが連通する。従って、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間において、上から下に導電性シールド層４０を侵入させても、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間に存在する空気は、凸部２０３ｄの間の隙間を通じて効率よく排気することができる。このような下地も実施形態に含まれる。
【０１３６】
このようなシート部材２０５を用いれば、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間において、上から下に導電性シールド層４０を侵入させても、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間に存在する空気は、層２０５ｂに効率よく排気される（図２１（ｂ）参照）。これにより、導電性シールド層４０が個片化された回路基板１０のそれぞれの間に円滑に侵入する。
【０１３７】
すなわち、個片化された封止樹脂層３０および回路基板１０のそれぞれの間の空気は、上から来る導電性シールド層４０によって下方に押し出され、さらに層２０５ｂに排気される。そして、導電性シールド層４０は、回路基板１０の側面１０ｗにおいて露出した配線層１２に確実に接触する。これにより、導電性シールド層４０と配線層１２とが電気的に接続される。このような製造過程も実施形態に含まれる。
【０１３８】
なお、層２０４ｂ、２０５ｂについては、溝２０４ｘ、２０４ｙや凸部２０５ｄを設けず、多孔質体としてもよい。
【０１３９】
以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、実施形態の特徴を備えている限り、実施形態の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【０１４０】
また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも実施形態の特徴を含む限り実施形態の範囲に包含される。その他、実施形態の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても実施形態の範囲に属するものと了解される。
【０１４１】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１４２】
１、２、３  半導体装置
１０  回路基板
１０Ａ  基板
１０ｗ  側面
１１  絶縁基材
１２  配線層（第１配線層）
１３  配線層（第２配線層）
１４  ビア（ビア接続部）
１５  配線層
１６  ソルダレジスト層
１７  外部接続端子
２０  半導体素子
２１  ワイヤ
２２  ダイボンディング材
３０  封止樹脂層
３０ｓ  隙間
３０ｔ  溝
４０  導電性シールド層
４０ｐ  突起部
５０、５１  マスク部材
１００  破線
２００  ダイシングシート
２００ｓ  空間
２００ｔ  溝
２０１、２０２、２０３、２０４、２０５  シート部材
２０１ｓ  空間
２０１ｔ、２０４ｔ、２０２ｘ、２０２ｙ、２０４ｘ、２０４ｙ  溝
２０２ａ、２０３ａ、２０４ｂ、２０５ｂ  層
２０２ｂ、２０３ｂ、２０４ａ、２０５ａ  シート基材
２０３ｄ、２０５ｄ  凸部
３００ スキージ板
【図１】
2012160579.tif 000003
【図２】
2012160579.tif 000004
【図３】
2012160579.tif 000005
【図４】
2012160579.tif 000006
【図５】
2012160579.tif 000007
【図６】
2012160579.tif 000008
【図７】
2012160579.tif 000009
【図８】
2012160579.tif 000010
【図９】
2012160579.tif 000011
【図１０】
2012160579.tif 000012
【図１１】
2012160579.tif 000013
【図１２】
2012160579.tif 000014
【図１３】
2012160579.tif 000015
【図１４】
2012160579.tif 000016
【図１５】
2012160579.tif 000017
【図１６】
2012160579.tif 000018
【図１７】
2012160579.tif 000019
【図１８】
2012160579.tif 000020
【図１９】
2012160579.tif 000021
【図２０】
2012160579.tif 000022
【図２１】
2012160579.tif 000023