(57)【要約】【課題】製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことができ、発電効率の向上をも見込めるような、新たな薄膜太陽電池の製造プロセスを提供する。【解決手段】基板０上の第一の電極膜１をセル単位に分割する分離溝１１を形成した後、発電層２及び第二の電極膜３を重ねて製膜する。そして、発電層２及び第二の電極膜３をセル単位に分割する分離溝２１を形成しつつ、当該分離溝２１の両側縁部において第一の電極膜１と第二の電極膜３とを電気的に短絡するよう溶接する。しかる後、分離溝２１の一方側の側縁部において、第一の電極膜１と第二の電極膜３との溶接部分３１を電気的に絶縁するよう除去する。【選択図】図２
2012114398.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程と、
分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、
発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成するとともに、当該分離溝の片側にある第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する処理工程と
を具備する薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項２】
基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第一のレーザ加工工程と、
分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、
発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成しつつ当該分離溝の両側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡するよう溶接する第二のレーザ加工工程と、
第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜との溶接部分を電気的に絶縁するよう除去する第三のレーザ加工工程と
を具備する薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項３】
基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第一のレーザ加工工程と、
分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、
発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成しつつ当該分離溝の片側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡するよう溶接する第二のレーザ加工工程と
を具備する薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項４】
基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第一のレーザ加工工程と、
分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、
発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第二のレーザ加工工程と、
第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程と
を具備する薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項５】
基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第一のレーザ加工工程と、
分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、
発電層及び第二の電極膜を切削した凹溝を形成する第二のレーザ加工工程と、
第二のレーザ加工工程にて形成した凹溝に第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程と、
前記凹溝における、前記分離溝とは反対側の側縁部に、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第三のレーザ加工工程と
を具備する薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項６】
請求項２記載の薄膜太陽電池の製造方法を実施するためのものであって、
第一の電極膜に重ねて製膜された発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成しつつ当該分離溝の両側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡するよう溶接するためのレーザ光を照射する第二のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段と、
第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜との溶接部分を電気的に絶縁するよう除去する第三のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段と
を具備するレーザ加工機。
【請求項７】
請求項３記載の薄膜太陽電池の製造方法を実施するためのものであって、
第一の電極膜に重ねて製膜された発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成しつつ当該分離溝の片側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡するよう溶接するためのレーザ光を照射する第二のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段を具備するレーザ加工機。
【請求項８】
請求項４記載の薄膜太陽電池の製造方法を実施するためのものであって、
第一の電極膜に重ねて製膜された発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第二のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段と、
第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程用の塗布手段と
を具備する薄膜太陽電池製造装置。
【請求項９】
請求項５記載の薄膜太陽電池の製造方法を実施するためのものであって、
第一の電極膜に重ねて製膜された発電層及び第二の電極膜を切削した凹溝を形成する第二のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段と、
第二のレーザ加工工程にて形成した凹溝に第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程用の塗布手段と、
前記凹溝における、前記分離溝とは反対側の側縁部に、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第三のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段と
を具備する薄膜太陽電池製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜太陽電池の製造方法、及びその方法の実施のためのレーザ加工機、薄膜太陽電池製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜太陽電池の製造過程では、基板上に積層膜、即ち第一の電極膜、発電層（光電変換層、光吸収層）及び第二の電極膜を製膜する。シリコン系太陽電池であれば、透明基板上に透明導電膜、シリコン膜、裏面電極膜をこの順に重ねることが多い。ＣＩＧＳ系（または、ＣＩＳ系、カルコパイライト系）太陽電池であれば、基板上に裏面電極膜、ＣＩＧＳ膜、透明導電膜をこの順に重ねることが通例である。
【０００３】
従来の製造手順では、まず、基板上に第一の電極膜を製膜し、この電極膜にレーザ光を照射してこれを除去、膜をセル単位に分割する分離溝を形成する（Ｐ１加工）。次いで、第一の電極膜の上に発電層を製膜し、この発電層にレーザ光を照射してこれを除去、分離溝を形成する（Ｐ２加工）。先に第一の電極膜に形成した分離溝内には、発電層の構成材料が入り込む。さらに、発電層の上に第二の電極膜を製膜し、発電層にレーザ光を照射して発電層もろとも第二の電極膜を除去、分離溝を形成する（Ｐ３加工）。先に発電層に形成した分離溝内には、第二の電極膜の構成材料が入り込む。以上を経て、光起電力素子として機能する複数のセルを直列に接続した構造が完成する（例えば、下記特許文献を参照）。
【０００４】
前記手順によれば、レーザ加工工程が少なくとも三回（Ｐ１、Ｐ２及びＰ３）訪れ、かつこれらレーザ加工工程間に発電層の製膜工程及び第二の電極膜の製膜工程が介在することとなる。従って、太陽電池製造ラインには、Ｐ１加工を行うレーザ加工機、蒸着装置、Ｐ２加工を行うレーザ加工機、蒸着装置、Ｐ３加工を行うレーザ加工機というように、少なくとも三基のレーザ加工機を配設する必要があった。
【０００５】
また、製造した薄膜太陽電池製品において、セルとセルとの境界領域は、光起電力素子として機能しない非発電領域となる。具体的には、Ｐ１加工で形成した分離溝から、Ｐ２加工で形成した分離溝を跨いで、Ｐ３加工で形成した分離溝に至る範囲が該当する。薄膜太陽電池製品の発電効率を高めるには、この非発電領域を狭めることが不可欠である。しかし、非発電領域を狭めるためには、Ｐ１、Ｐ２及びＰ３加工において形成する三本の分離溝間の距離をより小さく詰めなければならない。これにはレーザ加工精度を飛躍的に高めなくてはならないという難点があり、実現は容易ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４５６３４９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らせる、及び／または、発電効率の向上を見込めるような、新たな薄膜太陽電池の製造プロセスを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る薄膜太陽電池の製造方法は、基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程と、分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成するとともに、当該分離溝の片側にある第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する処理工程とを具備する。
【０００９】
本発明によれば、レーザ加工工程と処理工程との間に、発電層の製膜及び第二の電極膜の製膜の両工程をまとめて配置することができる。そして、処理工程で必要となるレーザ加工機を集約することができる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となる。
【００１０】
より具体的には、基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第一のレーザ加工工程と、分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成しつつ当該分離溝の両側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡するよう溶接する第二のレーザ加工工程と、第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜との溶接部分を電気的に絶縁するよう除去する第三のレーザ加工工程とを実施する。この場合、第二のレーザ加工工程及び第三のレーザ加工工程が、上記の「処理工程」に相当する。
【００１１】
当該製造方法によれば、第一のレーザ加工工程と第二のレーザ加工工程との間に、発電層の製膜及び第二の電極膜の製膜の両工程をまとめて配置することができる。そして、第二のレーザ加工工程と第三のレーザ加工工程とを、一基のレーザ加工機に集約することができる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となる。
【００１２】
さらには、発電層を分割する分離溝と、第二の電極膜を分割する分離溝とを一括に形成できることから、セルとセルとの境界領域に所在する分離溝の本数が一本少なくなり、薄膜太陽電池製品における非発電領域を狭めることが容易になる。
【００１３】
当該製造方法を実施するためのレーザ加工機としては、第一の電極膜に重ねて製膜された発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成しつつ当該分離溝の両側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡するよう溶接するためのレーザ光を照射する第二のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段と、第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜との溶接部分を電気的に絶縁するよう除去する第三のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段とを具備するものが考えられる。このような加工機であれば、第二のレーザ加工工程及び第三のレーザ加工工程の両方を実行することが可能である。
【００１４】
あるいは、基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第一のレーザ加工工程と、分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成しつつ当該分離溝の片側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡するよう溶接する第二のレーザ加工工程とを実施してもよい。この場合、第二のレーザ加工工程が、上記の「処理工程」に相当する。
【００１５】
当該製造方法によれば、第一のレーザ加工工程と第二のレーザ加工工程との間に、発電層の製膜及び第二の電極膜の製膜の両工程をまとめて配置することができる。そして、第二のレーザ加工工程を、一基のレーザ加工機に集約することができる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となる。
【００１６】
さらには、発電層を分割する分離溝と、第二の電極膜を分割する分離溝とを一括に形成できることから、セルとセルとの境界領域に所在する分離溝の本数が一本少なくなり、薄膜太陽電池製品における非発電領域を狭めることが容易になる。
【００１７】
あるいは、基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第一のレーザ加工工程と、分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第二のレーザ加工工程と、第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程とを実施してもよい。この場合、第二のレーザ加工工程及び短絡処理工程が、上記の「処理工程」に相当する。
【００１８】
当該製造方法によれば、第一のレーザ加工工程と第二のレーザ加工工程との間に、発電層の製膜及び第二の電極膜の製膜の両工程をまとめて配置することができる。そして、第二のレーザ加工工程を、一基のレーザ加工機に集約することができる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となる。
【００１９】
さらには、発電層を分割する分離溝と、第二の電極膜を分割する分離溝とを一括に形成できることから、セルとセルとの境界領域に所在する分離溝の本数が一本少なくなり、薄膜太陽電池製品における非発電領域を狭めることが容易になる。
【００２０】
当該製造方法を実施するための薄膜太陽電池製造装置としては、第一の電極膜に重ねて製膜された発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第二のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段と、第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程用の塗布手段とを具備するものが考えられる。このような製造装置であれば、第二のレーザ加工工程及び短絡処理工程の両方を実行することが可能である。
【００２１】
あるいは、基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第一のレーザ加工工程と、分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、発電層及び第二の電極膜を切削した凹溝を形成する第二のレーザ加工工程と、第二のレーザ加工工程にて形成した凹溝に第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程と、前記凹溝における、前記分離溝とは反対側の側縁部に、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第三のレーザ加工工程とを実施してもよい。この場合、第二のレーザ加工工程、短絡処理工程及び第三のレーザ加工工程が、上記の「処理工程」に相当する。
【００２２】
当該製造方法によれば、第一のレーザ加工工程と第二のレーザ加工工程との間に、発電層の製膜及び第二の電極膜の製膜の両工程をまとめて配置することができる。そして、第二のレーザ加工工程と第三のレーザ加工工程とを、一基のレーザ加工機に集約することができる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となる。
【００２３】
当該製造方法を実施するための薄膜太陽電池製造装置としては、第一の電極膜に重ねて製膜された発電層及び第二の電極膜を切削した凹溝を形成する第二のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段と、第二のレーザ加工工程にて形成した凹溝に第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程用の塗布手段と、前記凹溝における、前記分離溝とは反対側の側縁部に、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第三のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段とを具備するものが考えられる。このような製造装置であれば、第二のレーザ加工工程、短絡処理工程及び第三のレーザ加工工程をまとめて実行することが可能である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、薄膜太陽電池の製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことができ、及び／または、薄膜太陽電池製品の発電効率の向上を見込める。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態の薄膜太陽電池の製造方法の手順を示す図。
【図２】同実施形態の薄膜太陽電池の製造方法の手順、及びこれにより完成した電池の構造を示す図。
【図３】本発明の一実施形態の薄膜太陽電池の製造方法の手順を示す図。
【図４】同実施形態の薄膜太陽電池の製造方法により完成した電池の構造を示す図。
【図５】本発明の一実施形態の薄膜太陽電池の製造方法の手順を示す図。
【図６】同実施形態の薄膜太陽電池の製造方法の手順、及びこれにより完成した電池の構造を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。以下に述べる各実施形態は、主としてシリコン系薄膜太陽電池の製造を念頭に置いている。但し、ＣＩＧＳ系や有機薄膜系等の太陽電池の製造に本発明を適用することを妨げるものではない。
【００２７】
＜第一実施形態＞図１及び図２に示す本実施形態の薄膜太陽電池の製造方法には、以下の工程が含まれる。
（ａ）透明導電膜の製膜
（ｂ）透明導電膜の分離溝形成
（ｃ）シリコン膜の製膜
（ｄ）裏面電極膜の製膜
（ｅ）シリコン膜及び裏面電極膜の分離溝形成
（ｆ）シリコン膜及び裏面電極膜の分離溝の一方側の側縁部の除去
図１に示すように、製膜工程（ａ）では、第一の電極膜たる透明導電膜１（特に、ＴＣＯ膜）を、ＣＶＤ法等により透明基板０上に蒸着する。但し、今日では、太陽電池等の製造用に予め透明導電膜１が製膜されたガラス基板が市販されている。そのような基板を入手できる場合、（ａ）の工程は省略することができる。
【００２８】
第一のレーザ加工工程（ｂ）では、レーザ光４１を照射して、透明導電膜１をセル単位に分割する複数本の分離溝１１を切削形成する。レーザ光４１は、例えば波長１０６４ｎｍの近赤外レーザとする。このレーザ光４１は、透明基板０側から、透明基板０を透過させて照射する。
【００２９】
製膜工程（ｃ）では、発電層たるシリコン膜２（非晶質半導体膜、非晶質半導体膜と微結晶半導体膜との重層等）を、ＣＶＤ法等により透明導電膜１上に蒸着する。このとき、シリコン膜２の構成材料が、先に透明導電膜１に形成した分離溝１１内に入り込む。
【００３０】
図２に示すように、製膜工程（ｄ）では、第二の電極膜たる裏面電極膜（特に、メタル膜）３を、スパッタリング法等によりシリコン膜２上に蒸着する。
【００３１】
第二のレーザ加工工程（ｅ）では、レーザ光４２を照射して、シリコン膜２をセル単位に分割する複数本の分離溝２１を切削形成する。各分離溝２１は、（ａ）で形成した各分離溝１１にできるだけ近接させる。レーザ光４２は、例えば波長５３２ｎｍの第二高調波可視光（緑色）レーザとする。このレーザ光４２は、透明基板０側から、透明基板０及び透明導電膜１を透過させて照射する。波長５３２ｎｍのレーザ光４２は、透明導電膜１には殆ど吸収されず、専らシリコン層２に吸収される。レーザ光４２のエネルギを吸収したシリコン膜２は、その上に重なっている裏面電極膜３もろとも吹き飛ぶ。よって、裏面電極膜３とシリコン膜２とをともに貫く深底の分離溝２１が、一括に形成されることとなる。尤も、レーザ光を裏面電極膜３側から照射して、裏面電極膜３及び発電層２に分離溝２１を切削形成しても構わない。
【００３２】
さらに、（ｅ）では、分離溝２１の両側縁部において、透明導電膜１と裏面電極膜３とを電気的に短絡するよう溶接する。そのために、波長５３２ｎｍのレーザ光４２に照射位置（または、レーザ光軸）を重ね合わせるようにして、例えば波長１０６４ｎｍのレーザ光４３を、波長５３２ｎｍのレーザ光４２と同時に、または波長５３２ｎｍのレーザ光４２の照射後に照射する。このレーザ光４３は、図２に示しているように透明基板０側から透明基板０を透過させて照射してもよいし、裏面電極膜３側から透明基板０を透過させることなく直接に照射してもよい。
【００３３】
しかして、第三のレーザ加工工程（ｆ）では、（ｅ）で形成した各分離溝２１の一方側（図１及び図２中右側、分離溝１１からより遠い側）の側縁部において、透明導電膜１と裏面電極膜３との溶接部分３１を電気的に絶縁するよう除去する。そのために、各分離溝２１の一方側の側縁部に、例えば波長５３２ｎｍのレーザ光４４を照射して、透明導電膜１の層に垂れ下がり溶着している裏面電極膜３の成分３１を切削除去する。このレーザ光４４は、図２に示しているように透明基板０側から透明基板０を透過させて照射してもよいし、裏面電極膜３側から透明基板０を透過させることなく直接に照射してもよい。
【００３４】
以上の工程（ａ）ないし（ｆ）を経て、図２下段中矢印で表しているように、（ｅ）で形成した分離溝２１の他方側（図１及び図２中左側、分離溝１１により近い側）の側縁部に残存する溶接部分３１を通じた電荷の通り道が完成する。非発電領域は、（ａ）で形成した分離溝１１から、（ｅ）で形成した分離溝２１の一方側の側縁部までの範囲となる。
【００３５】
本実施形態の製造方法に含まれる工程（ｅ）及び（ｆ）は、一基のレーザ加工機によって実施することが可能である。第二のレーザ加工工程（ｅ）及び第三のレーザ加工工程（ｆ）を実施するためのレーザ加工機は、シリコン膜２及び裏面電極膜３に分離溝２１を形成するレーザ光４２、４３を照射するレーザ光照射手段と、シリコン膜２及び裏面電極膜３に形成した分離溝２１の一方側の側縁部の溶接部分３１を除去するレーザ光４４を照射するレーザ光照射手段とを具備する。
【００３６】
前者のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長１０６４ｎｍ及び波長５３２ｎｍ（第二高調波）のパルスレーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザを基板０の被加工面に製膜された積層膜１、２、３に向けて出射させる加工ノズル５２とを組み合わせてなる。光学系は、光ファイバ、ミラー、レンズ等の任意の光学要素を用いて構成することができる。既に述べた通り、波長５３２ｎｍのレーザ光４２は裏面電極膜３及びシリコン膜２を貫く分離溝２１を切削形成するものであり、波長１０６４ｎｍのレーザ光４３はその分離溝２１の両側縁部において裏面電極膜３と透明導電膜１とを溶接し電気的に短絡させるものである。波長５３２ｎｍのレーザ光４２と波長１０６４ｎｍのレーザ光４３とは、図２に示しているように同一の加工ノズル５２から出射させてもよく、別個の加工ノズルから出射させてもよい（波長１０６４ｎｍのレーザ光４３を裏面電極膜３側から照射する場合には、波長５３２ｎｍのレーザ光４２を出射させる加工ノズルと、波長１０６４ｎｍのレーザ光４３を出射させる加工ノズルとを、基板０を挟むように上下に対向配置する）。また、光学系及び加工ノズル５２は、工程（ｂ）を実施する（透明導電膜１にレーザ光４１を照射する）ための光学系及び加工ノズル５１と共通化しても構わない。さすれば、工程（ｂ）と（ｅ）及び（ｆ）とを一基のレーザ加工機によって実施することも可能となる。
【００３７】
後者のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長５３２ｎｍのパルスレーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザを基板０の被加工面に製膜された積層膜１、２、３に向けて出射させる加工ノズル５３とを組み合わせてなる。これらの光学系及び加工ノズル５３は、前者のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル５２と共通化しても構わない。
【００３８】
加工ノズル５２、５３は、基板０に対して相対変位可能に設ける。典型的には、薄膜１、２、３に形成する分離溝１１、２１が延伸するＹ軸方向に往復走行でき、かつＹ軸方向とは直交するＸ軸方向（光起電力素子として機能するセルが並ぶ方向、セルとセルとを分かつ分離溝１１、２１が並ぶ方向）にピッチ送り移動できるリニアモータ台車等に、加工ノズル５２、５３を支持させる。分離溝１１、２１によって多数のセルを区画する都合上、加工ノズル５２、５３はＸ軸方向に複数基配列させて設置することが望ましい。因みに、不動の基板０に対して加工ノズル５２、５３をＸ軸方向及び／またはＹ軸方向に移動させるのに替えて、基板０自体を加工ノズル５２、５３に対してＸ軸方向及び／またはＹ軸方向に移動させ得る機構を実装することも考えられる。
【００３９】
本実施形態における薄膜太陽電池の製造方法は、基板０上の第一の電極膜１をセル単位に分割する分離溝１１を形成するレーザ加工工程（ｂ）と、分離溝１１を形成した第一の電極膜１に発電層２及び第二の電極膜３を重ねて製膜する製膜工程（ｃ、ｄ）と、発電層２及び第二の電極膜３をセル単位に分割する分離溝２１を形成するとともに当該分離溝２１の片側にある第一の電極膜１と第二の電極膜３とを電気的に短絡する処理工程（ｅ、ｆ）とを具備する。
【００４０】
即ち、本実施形態によれば、基板０上の第一の電極膜１をセル単位に分割する分離溝１１を形成する第一のレーザ加工工程（ｂ）と、分離溝１１を形成した第一の電極膜１に発電層２及び第二の電極膜３を重ねて製膜する製膜工程（ｃ、ｄ）と、発電層２及び第二の電極膜３をセル単位に分割する分離溝２１を形成しつつ当該分離溝２１の両側縁部において第一の電極膜１と第二の電極膜３とを電気的に短絡するよう溶接する第二のレーザ加工工程（ｅ）と、第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝２１の一方側の側縁部において第一の電極膜１と第二の電極膜３との溶接部分３１を電気的に絶縁するよう除去する第三のレーザ加工工程（ｆ）とを具備する薄膜太陽電池の製造方法を実施することとしたため、第一のレーザ加工工程と第二のレーザ加工工程との間に、発電層２の蒸着及び第二の電極膜３の蒸着の両工程をまとめて配置することができる。そして、第二のレーザ加工工程と第三のレーザ加工工程とを、一基のレーザ加工機に集約することができる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となり、製造ラインが占有するスペースの縮小につながる。製造ラインがシンプルになれば、製造ラインの中途で製品基板０が滞留することが少なくなり、タクトタイムの短縮、製造コストの削減に資する。
【００４１】
加えて、セルとセルとの境界領域に形成する分離溝１１、２１の本数が、従来の三本から二本に減少する。これにより、薄膜太陽電池製品における非発電領域を縮小、即ち有効発電領域を拡大して、発電効率を一層向上させることも可能となる。
【００４２】
なお、上記第一実施形態の変形例として、第二のレーザ加工工程（ｅ）において、発電層２及び第二の電極膜３をセル単位に分割する分離溝２１を形成しつつ当該分離溝２１の片側縁部のみ、第一の電極膜１と第二の電極膜３とを電気的に短絡するよう溶接するように処理すれば、第三のレーザ加工工程（ｆ）、及び第三のレーザ加工工程（ｆ）用のレーザ光照射手段は不要となる。
【００４３】
また、第二のレーザ加工工程（ｅ）における、分離溝２１の切削形成と、分離溝の両側縁部または片側縁部の電気的短絡のための溶接とは、同時ないし同時期に行われることもあれば、時間差をおいて行われることもある。
【００４４】
＜第二実施形態＞図３ないし図４に示す本実施形態の薄膜太陽電池の製造方法には、以下の工程が含まれる。
（ａ）透明導電膜の製膜
（ｂ）透明導電膜の分離溝形成
（ｃ）シリコン膜の製膜
（ｄ）裏面電極膜の製膜
（ｅ’）シリコン膜及び裏面電極膜の分離溝形成
（ｆ’）分離溝の片側の側縁部における透明導電膜と裏面電極膜との間の短絡
製膜工程（ａ）、第一のレーザ加工工程（ｂ）、製膜工程（ｃ、ｄ）については、図１に示し、第一実施形態の説明にて述べた通りである。
【００４５】
図３に示すように、第二のレーザ加工工程（ｅ’）では、レーザ光４５を照射して、シリコン膜２をセル単位に分割する複数本の分離溝２１を切削形成する。各分離溝２１は、（ａ）で形成した各分離溝１１にできるだけ近接させる。レーザ光４５は、例えば波長５３２ｎｍの第二高調波可視光レーザとする。このレーザ光４５は、透明基板０側から、透明基板０及び透明導電膜１を透過させて照射する。波長５３２ｎｍのレーザ光４５は、透明導電膜１には殆ど吸収されず、専らシリコン層２に吸収される。レーザ光４５のエネルギを吸収したシリコン膜２は、その上に重なっている裏面電極膜３もろとも吹き飛ぶ。よって、裏面電極膜３とシリコン膜２とをともに貫く深底の分離溝２１が、一括に形成されることとなる。尤も、レーザ光を裏面電極膜３側から照射して、裏面電極膜３及び発電層２に分離溝２１を切削形成しても構わない。
【００４６】
第一実施形態と異なり、本実施形態における第二のレーザ加工工程（ｅ’）では、分離溝２１の両側縁部において、透明導電膜１と裏面電極膜３とを電気的に短絡するように溶接はしない。
【００４７】
替わりに行う短絡処理工程（ｆ’）では、（ｅ’）で形成した各分離溝２１の一方側（図３及び図４中左側、分離溝１１により近い側）の側縁部において、導電体（特に、銀）６を塗布する。導電体６は、分離溝２１の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜３と、（ｂ）で形成した分離溝１１の他方側（図３及び図４中右側、分離溝２１により近い側）の側縁部に位置する透明導電膜１とを電気的に短絡するためのものである。導電体６の塗布は、液体吐出装置であるディスペンサやインクジェットノズル（ヘッド）等７１を塗布手段として用いて行う。この塗布手段は、裏面電極膜３側から液体またはペースト状の導電体６を分離溝２１内に向けて吐出する。吐出された導電体６は、一部が分離溝２１内に入り込み、分離溝２１の底部に露出している透明導電膜１に接触するとともに、残りが分離溝２１の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜３の上を覆う。なお、この導電体６は、分離溝２１の他方側（図３及び図４中右側、分離溝１１からより遠い側）の側縁部にある裏面電極膜３に接触させてはならない。
【００４８】
その後、塗布した導電体６を硬化させる。図３に示すように、本実施形態では、導電体６にレーザ光４６を照射することで、この導電体６を焼成（または、焼結）することとしている。レーザ光４６は、例えば波長１０６４ｎｍの近赤外レーザや、波長５３２ｎｍの第二高調波可視光レーザとする。このレーザ光４６は、図３に示しているように透明基板０側から透明基板０を透過させて照射してもよいし、あるいは、裏面電極膜３側から透明基板０を透過させることなく直接に照射してもよい。尤も、第一の電極膜１がＴＣＯ膜である場合に、波長１０６４ｎｍのレーザ４６を透明基板０側から透過させて照射することは、このレーザ光４６のエネルギがＴＣＯ膜１に吸収されてしまうために困難であると言える。
【００４９】
以上の工程（ａ）ないし（ｆ’）を経て、図４中矢印で表しているように、（ｆ’）で分離溝２１の一方側の側縁部に塗布し焼成した導電体６部分を通じた電荷の通り道が完成する。非発電領域は、（ａ）で形成した分離溝１１から、（ｅ’）で形成した分離溝２１の他方側の側縁部までの範囲となる。
【００５０】
本実施形態の製造方法に含まれる工程（ｅ’）及び（ｆ’）は、一基の製造装置によって実施することが可能である。第二のレーザ加工工程（ｅ’）及び短絡処理工程（ｆ’）を実施するための製造装置は、シリコン膜２及び裏面電極膜３に分離溝２１を形成するレーザ光４５を照射するレーザ光照射手段と、形成した分離溝２１の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜３と透明導電膜１に形成した分離溝１１の他方側の側縁部に位置する透明導電膜１とを電気的に短絡する導電体６を塗布する導電体６の塗布手段と、塗布した導電体６を焼成するレーザ光４６を照射するレーザ光照射手段とを具備する。
【００５１】
分離溝２１形成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長５３２ｎｍのパルスレーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザを基板０の被加工面に製膜された積層膜１、２、３に向けて出射させる加工ノズル５４とを組み合わせてなる。光学系は、光ファイバ、ミラー、レンズ等の任意の光学要素を用いて構成することができる。既に述べた通り、波長５３２ｎｍのレーザ光４５は裏面電極膜３及びシリコン膜２を貫く分離溝２１を切削形成するものである。光学系及び加工ノズル５４は、工程（ｂ）を実施する（透明導電膜１に波長１０６４ｎｍのレーザ光４１を照射する）ための光学系及び加工ノズル５１と共通化しても構わない。さすれば、工程（ｂ）と（ｅ’）及び（ｆ’）とを一基の製造装置によって実施することも可能となる。
【００５２】
導電体６の塗布手段は、裏面電極膜３側から導電体６を分離溝２１内に向けて吐出する、ディスペンサまたはインクジェットノズル等７１を有してなる。
【００５３】
導電体６焼成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長１０６４ｎｍまたは５３２ｎｍのパルスレーザまたはＣＷ（連続波）レーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザまたはＣＷレーザを基板０の被加工面に塗布された導電体６に向けて出射させる加工ノズル５５とを組み合わせてなる。これらの光学系及び加工ノズル５５は、分離溝形成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル５４と共通化しても構わない。
【００５４】
加工ノズル５４、５５、ディスペンサまたはインクジェットノズル等７１はそれぞれ、基板０に対して相対変位可能に設ける。典型的には、薄膜１、２、３に形成する分離溝１１、２１が延伸するＹ軸方向に往復走行でき、かつＹ軸方向とは直交するＸ軸方向（光起電力素子として機能するセルが並ぶ方向、セルとセルとを分かつ分離溝１１、２１が並ぶ方向）にピッチ送り移動できるリニアモータ台車等に、加工ノズル５４、５５及びディスペンサまたはインクジェットノズル等７１を支持させる。分離溝１１、２１によって多数のセルを区画する都合上、これら加工ノズル５４、５５及びディスペンサまたはインクジェットノズル等７１はＸ軸方向に複数基配列させて設置することが望ましい。因みに、不動の基板０に対して加工ノズル５４、５５及びディスペンサまたはインクジェットノズル等７１をＸ軸方向及び／またはＹ軸方向に移動させるのに替えて、基板０自体を加工ノズル５４、５５及びディスペンサまたはインクジェットノズル等７１に対してＸ軸方向及び／またはＹ軸方向に移動させ得る機構を実装することも考えられる。
【００５５】
本実施形態における薄膜太陽電池の製造方法は、基板０上の第一の電極膜１をセル単位に分割する分離溝１１を形成するレーザ加工工程（ｂ）と、分離溝１１を形成した第一の電極膜１に発電層２及び第二の電極膜３を重ねて製膜する製膜工程（ｃ、ｄ）と、発電層２及び第二の電極膜３をセル単位に分割する分離溝２１を形成するとともに当該分離溝２１の片側にある第一の電極膜１と第二の電極膜３とを電気的に短絡する処理工程（ｅ’、ｆ’）とを具備する。
【００５６】
即ち、本実施形態によれば、基板０上の第一の電極膜１をセル単位に分割する分離溝１１を形成する第一のレーザ加工工程（ｂ）と、分離溝１１を形成した第一の電極膜１に発電層２及び第二の電極膜３を重ねて製膜する製膜工程（ｃ、ｄ）と、発電層２及び第二の電極膜３をセル単位に分割する分離溝２１を形成する第二のレーザ加工工程（ｅ’）と、第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝２１の一方側の側縁部において第一の電極膜１と第二の電極膜３とを電気的に短絡する導電体６を塗布する短絡処理工程（ｆ’）とを具備する薄膜太陽電池の製造方法を実施することとしたため、第一のレーザ加工工程と第二のレーザ加工工程との間に、発電層２の蒸着及び第二の電極膜３の蒸着の両工程をまとめて配置することができる。そして、第二のレーザ加工工程と短絡処理工程とを、一基の製造装置に集約することができる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となり、製造ラインが占有するスペースの縮小につながる。製造ラインがシンプルになれば、製造ラインの中途で製品基板０が滞留することが少なくなり、タクトタイムの短縮、製造コストの削減に資する。
【００５７】
加えて、セルとセルとの境界領域に形成する分離溝１１、２１の本数が、従来の三本から二本に減少する。これにより、薄膜太陽電池製品における非発電領域を縮小、即ち有効発電領域を拡大して、発電効率を一層向上させることも可能となる。
【００５８】
＜第三実施形態＞図５ないし図６に示す本実施形態の薄膜太陽電池の製造方法には、以下の工程が含まれる。
（ａ）透明導電膜の製膜
（ｂ）透明導電膜の分離溝形成
（ｃ）シリコン膜の製膜
（ｄ）裏面電極膜の製膜
（ｅ’’）シリコン膜及び裏面電極膜の凹溝形成
（ｆ’’）凹溝を介した透明導電膜と裏面電極膜との間の短絡
（ｇ）シリコン膜及び裏面電極膜の分離溝形成
製膜工程（ａ）、第一のレーザ加工工程（ｂ）、製膜工程（ｃ、ｄ）については、図１に示し、第一実施形態の説明にて述べた通りである。
【００５９】
図５に示すように、第二のレーザ加工工程（ｅ’’）では、レーザ光４７を照射して、シリコン膜２及び裏面電極膜３に後述する導電体６を貫入せしめるための凹溝２２を切削形成する。各凹溝２２は、（ａ）で形成した各分離溝１１にできるだけ近接させる。レーザ光４７は、例えば波長１０６４ｎｍの近赤外レーザや、波長５３２ｎｍの第二高調波可視光レーザとする。このレーザ光４７は、図５に示しているように透明基板０側から透明基板０を透過させて照射してもよいし、あるいは、裏面電極膜３側から透明基板０を透過させることなく直接に照射してもよい。特に、第一の電極膜１がＴＣＯ膜であり、波長１０６４ｎｍのレーザ４７を透明基板０側から透過させて照射する場合、レーザ光４７はＴＣＯ膜１に吸収される。レーザ光４７のエネルギを吸収したＴＣＯ膜１は、その上に重なっているシリコン膜２及び裏面電極膜３もろとも吹き飛ぶ。よって、図５及び図６中右方にしているように、裏面電極膜３、シリコン膜２及び透明導電膜１の全てを貫く深底の凹溝２２が、一括に形成されることとなる。
【００６０】
短絡処理工程（ｆ’’）では、（ｅ’’）で形成した各凹溝２２内に導電体６を塗布する。導電体６は、後のレーザ加工工程（ｇ）にて形成する分離溝２１の一方側（図５及び図６中左側、分離溝１１により近い側）の側縁部に位置する裏面電極膜３と、（ａ）で形成した分離溝１１の他方側（図５及び図６中右側、分離溝２１により近い側）の側縁部に位置する透明導電膜１とを電気的に短絡するためのものである。導電体６の塗布は、液体吐出装置であるディスペンサやインクジェットノズル（ヘッド）等７２を塗布手段として用いて行う。この塗布手段は、裏面電極膜３側から液体またはペースト状の導電体６を凹溝２２内に向けて吐出する。吐出された導電体６は、一部が凹溝２２内に入り込み、凹溝２２の底部に露出している透明導電膜１に接触するとともに、残りが凹溝２２の少なくとも一方側（図５及び図６中左側、分離溝１１により近い側）の側縁部に位置する裏面電極膜３の上を覆う。
【００６１】
その後、塗布した導電体６を硬化させる。第二実施形態における工程（ｆ’）と同じく、導電体６にレーザ光４８を照射することで、この導電体６を焼成（または、焼結）することができる。レーザ光４８は、例えば波長１０６４ｎｍの近赤外レーザや、波長５３２ｎｍの第二高調波可視光レーザとする。このレーザ光４８は、図５に示しているように透明基板０側から透明基板０を透過させて照射してもよいし、あるいは、裏面電極膜３側から透明基板０を透過させることなく直接に照射してもよい。
【００６２】
しかして、第三のレーザ加工工程（ｇ）では、レーザ光４９を照射して、シリコン膜２をセル単位に分割する複数本の分離溝２１を切削形成する。各分離溝２１は、（ａ）で形成した各分離溝１１及び（ｅ’’）で形成した各凹溝２２にできるだけ近接させる。レーザ光４９は、例えば波長５３２ｎｍの第二高調波可視光レーザとする。このレーザ光４９は、透明基板０側から、透明基板０及び透明導電膜１を透過させて照射する。波長５３２ｎｍのレーザ光４９は、透明導電膜１には殆ど吸収されず、専らシリコン層２に吸収される。レーザ光４９のエネルギを吸収したシリコン膜２は、その上に重なっている裏面電極膜３もろとも吹き飛ぶ。よって、裏面電極膜３とシリコン膜２とをともに貫く深底の分離溝２１が、一括に形成されることとなる。
【００６３】
以上の工程（ａ）ないし（ｇ）を経て、図６下段中矢印で表しているように、（ｆ’’）で凹溝２２内に塗布し焼成した導電体６部分を通じた電荷の通り道が完成する。非発電領域は、（ａ）で形成した分離溝１１から、（ｇ）で形成した分離溝２１の他方側（図５及び図６中右側、分離溝１１からより遠い側）の側縁部までの範囲となる。
【００６４】
本実施形態の製造方法に含まれる工程（ｅ’’）ないし（ｇ）は、一基の製造装置によって実施することが可能である。第二のレーザ加工工程（ｅ’’）、短絡処理工程（ｆ’’）及び第三のレーザ加工工程（ｇ）を実施するための製造装置は、シリコン膜２及び裏面電極膜３に凹溝２２を形成するレーザ光４７を照射するレーザ光照射手段と、形成した凹溝２２の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜３と透明導電膜１に形成した分離溝１１の他方側の側縁部に位置する透明導電膜１とを電気的に短絡する導電体６を塗布する導電体６の塗布手段と、塗布した導電体６を焼成するレーザ光４８を照射するレーザ光照射手段と、シリコン膜２及び裏面電極膜３に分離溝２１を形成するレーザ光４９を照射するレーザ光照射手段とを具備する。
【００６５】
凹溝２２形成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長５３２ｎｍのパルスレーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザを基板０の被加工面に製膜された積層膜１、２、３に向けて出射させる加工ノズル５６とを組み合わせてなる。光学系は、光ファイバ、ミラー、レンズ等の任意の光学要素を用いて構成することができる。既に述べた通り、波長５３２ｎｍのレーザ光４７は裏面電極膜３及びシリコン膜２を貫く凹溝２２を切削形成するものである。光学系及び加工ノズル５６は、工程（ｂ）を実施する（透明導電膜１に波長１０６４ｎｍのレーザ光４１を照射する）ための光学系及び加工ノズル５１と共通化しても構わない。さすれば、工程（ｂ）と（ｅ’’）、（ｆ’’）及び（ｇ）とを一基の製造装置によって実施することも可能となる。
【００６６】
導電体６の塗布手段は、裏面電極膜３側から導電体６を凹溝２２内に向けて吐出する、ディスペンサまたはインクジェットノズル等７２を有してなる。
【００６７】
導電体６焼成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長１０６４ｎｍまたは５３２ｎｍのパルスレーザまたはＣＷレーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザまたはＣＷレーザを基板０の被加工面に塗布された導電体６に向けて出射させる加工ノズル５７とを組み合わせてなる。これらの光学系及び加工ノズル５７は、凹溝形成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル５６と共通化しても構わない。
【００６８】
分離溝２１形成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長５３２ｎｍのパルスレーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザを基板０の被加工面に製膜された積層膜１、２、３に向けて出射させる加工ノズル５８とを組み合わせてなる。光学系は、光ファイバ、ミラー、レンズ等の任意の光学要素を用いて構成することができる。波長５３２ｎｍのレーザ光４９は裏面電極膜３及びシリコン膜２を貫く分離溝２１を切削形成するものである。光学系及び加工ノズル５８は、凹溝形成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル５６と共通化してもよく、及び／または、焼成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル５７と共通化しても構わない。
【００６９】
加工ノズル５６、５７、５８、ディスペンサまたはインクジェットノズル等７２はそれぞれ、基板０に対して相対変位可能に設ける。典型的には、薄膜１、２、３に形成する分離溝１１、２１が延伸するＹ軸方向に往復走行でき、かつＹ軸方向とは直交するＸ軸方向（光起電力素子として機能するセルが並ぶ方向、セルとセルとを分かつ分離溝１１、２１が並ぶ方向）にピッチ送り移動できるリニアモータ台車等に、加工ノズル５６、５７、５８及びディスペンサまたはインクジェットノズル等７２を支持させる。分離溝１１、２１によって多数のセルを区画する都合上、これら加工ノズル５６、５７、５８及びディスペンサまたはインクジェットノズル等７２はＸ軸方向に複数基配列させて設置することが望ましい。因みに、不動の基板０に対して加工ノズル５６、５７、５８及びディスペンサまたはインクジェットノズル等７２をＸ軸方向及び／またはＹ軸方向に移動させるのに替えて、基板０自体を加工ノズル５６、５７、５８及びディスペンサまたはインクジェットノズル等７２に対してＸ軸方向及び／またはＹ軸方向に移動させ得る機構を実装することも考えられる。
【００７０】
本実施形態における薄膜太陽電池の製造方法は、基板０上の第一の電極膜１をセル単位に分割する分離溝１１を形成するレーザ加工工程（ｂ）と、分離溝１１を形成した第一の電極膜１に発電層２及び第二の電極膜３を重ねて製膜する製膜工程（ｃ、ｄ）と、発電層２及び第二の電極膜３をセル単位に分割する分離溝２１を形成するとともに当該分離溝２１の片側にある第一の電極膜１と第二の電極膜３とを電気的に短絡する処理工程（ｅ’’、ｆ’’、ｇ）とを具備する。
【００７１】
即ち、本実施形態によれば、基板上０の第一の電極膜１をセル単位に分割する分離溝１１を形成する第一のレーザ加工工程（ｂ）と、分離溝１１を形成した第一の電極膜１に発電層２及び第二の電極膜３を重ねて製膜する製膜工程（ｃ、ｄ）と、発電層２及び第二の電極膜３を切削した凹溝２２を形成する第二のレーザ加工工程（ｅ’’）と、第二のレーザ加工工程にて形成した凹溝２２に第一の電極膜１と第二の電極膜３とを電気的に短絡する導電体６を塗布する短絡処理工程（ｆ’’）と、前記凹溝２２における、前記分離溝１１とは反対側の側縁部に、発電層２及び第二の電極膜３をセル単位に分割する分離溝２１を形成する第三のレーザ加工工程（ｇ）とを具備する薄膜太陽電池の製造方法を実施することとしたため、第一のレーザ加工工程と第二のレーザ加工工程との間に、発電層２の蒸着及び第二の電極膜３の蒸着の両工程をまとめて配置することができる。そして、第二のレーザ加工工程、短絡処理工程及び第三のレーザ加工工程を、一基の製造装置に集約することができる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となり、製造ラインが占有するスペースの縮小につながる。製造ラインがシンプルになれば、製造ラインの中途で製品基板０が滞留することが少なくなり、タクトタイムの短縮、製造コストの削減に資する。
【００７２】
第二実施形態と比較すると、セルとセルとの境界領域に形成する溝１１、２１、２２の本数は三本であり、一本増える。だが、第二実施形態の短絡処理工程（ｅ’）では導電体６を分離溝２１の他方側の側縁部にある裏面電極膜３に接触させないよう塗布位置を精密に制御しなくてはならないのに対して、本実施形態の短絡処理工程（ｅ’’）ではそのような微細な制御が不要であるという利点がある。
【００７３】
なお、本発明は以上に詳述した各実施形態に限られるものではない。上記実施形態では、シリコン系薄膜太陽電池の製造を念頭に置いていたが、本発明に係る製造方法をＣＩＧＳ系薄膜太陽電池等の製造に適用することも当然に可能である。ＣＩＧＳ系太陽電池を製造する場合、第一の電極膜１がＭｏ等の裏面電極膜、発電層２がＣＩＧＳ、ＣＩＧＳＳ、ＣＩＳ、ＣＺＴＳ等の半導体膜、第二の電極膜３がＴＣＯ等の透明導電膜となる。この場合、発電層２だけを切削するＰ２加工や、第二の電極膜３だけを切削するＰ３加工が容易ではないが、発電層２及び第二の電極膜３を一挙に切削することが許される本発明の採用により、当該太陽電池の量産化に資する。
【００７４】
有機薄膜太陽電池を製造する場合には、発電層２が導電性ポリマー、フラーレンその他の有機薄膜半導体等となる。換言すれば、第一の電極膜、発電層及び第二の電極膜はそれぞれ、一意には特定されない。シリコン系太陽電池の例及びＣＩＧＳ系太陽電池の例から明らかなように、第一の電極膜１と第二の電極膜３とのうち何れが透明導電膜であり何れが裏面電極膜であるかも、限定されないことは言うまでもない。
【００７５】
第一のレーザ加工工程、第二のレーザ加工工程、第三のレーザ加工工程、焼成（または、焼結）工程の各々で用いるレーザ光の波長もまた、上記実施形態のそれには限定されない。パルスレーザであるか連続波レーザであるかも問われない。
【００７６】
また、第一の電極膜と発電層の間や、発電層と第二の電極膜との間に、別途中間層を敷設することもあり得る。
【００７７】
導電体６の材質によっては、これをレーザ焼成以外の方法で乾燥、固化または定着させることもあり得る。導電体６の焼成処理は必須の構成要素ではない。
【００７８】
その他各部の具体的構成は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明は、薄膜太陽電池パネルの製造に適用することができる。
【符号の説明】
【００８０】
０…基板
１…第一の電極膜
１１…分離溝
２…発電層
２１…分離溝
２２…凹溝
３…第二の電極膜
３１…溶接部分
６…導電体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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