(57)【要約】【課題】本発明は、薄型化並びに小型化を実現しつつ、渦電流損を効率良く減少することができる電子部品を有する電子回路装置を提供する。【解決手段】電子回路装置において、第１の方向に第１の磁心（３３２Ｃ）、磁気ギャップ（３Ｇ）のそれぞれが配列されたコア（３３）と、第１の方向と交差する第２の方向において第１の磁心の周面から第１の離間距離Ｌ１を有し第１の磁心の周囲に配設された少数巻線（３２）と、第１の方向において少数巻線に積層され、第２の方向において第１の磁心の周面から第１の離間距離Ｌ１よりも大きい第２の離間距離Ｌ２を有し磁気ギャップの周囲に配設された多数巻線（３１）とを有する電子部品（第１のトランス（３））を備える。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に磁心、磁気ギャップのそれぞれが配列された磁性体と、
前記第１の方向と交差する第２の方向において前記磁心の周面から第１の離間距離を有し前記磁心の周囲に配設された少数巻線と、
前記第１の方向において前記少数巻線に積層され、前記第２の方向において前記磁心の周面から前記第１の離間距離よりも大きい第２の離間距離を有し前記磁気ギャップの周囲に配設された多数巻線と、
を有する電子部品を備えたことを特徴とする電子回路装置。
【請求項２】
前記磁気ギャップと前記少数巻線との間及び前記磁気ギャップと前記多数巻線との間が第４の離間距離に設定され、この第４の離間距離は前記第２の離間距離に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の電子回路装置。
【請求項３】
前記少数巻線は第１の絶縁基材の表面上に配設された第１の導電体により構成され、前記多数巻線は第２の絶縁基材の表面上に配設された第２の導電体により構成され、前記電子部品は前記第１の絶縁基材、前記第１の導電体、前記第２の絶縁基材、前記第２の導電体のそれぞれを積層したシートトランスであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子回路装置。
【請求項４】
前記少数巻線において前記第１の導電体の前記磁心から前記第１の離間距離を有する領域の幅寸法がそれ以外の領域の幅寸法に比べて小さく設定され、前記多数巻線において前記第２の導電体の前記磁心から前記第２の離間距離を有する領域の幅寸法がそれ以外の領域の幅寸法に比べて小さく設定されていることを特徴とする請求項３に記載の電子回路装置。
【請求項５】
前記少数巻線において前記第１の導電体のその側面と前記磁心又は前記磁性体とが対向する領域の幅寸法がそれ以外の領域の幅寸法に比べて小さく設定され、前記多数巻線において前記第２の導電体のその側面と前記磁気ギャップ、前記磁心又は前記磁性体とが対向する領域の幅寸法がそれ以外の領域の幅寸法に比べて小さく設定されていることを特徴とする請求項３に記載の電子回路装置。
【請求項６】
前記少数巻線の前記第１の導電体、前記多数巻線の前記第２の導電体に放熱体が装着されていることを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の電子回路装置。
【請求項７】
第１の方向に第１の磁心、磁気ギャップ、第２の磁心のそれぞれが配列された磁性体と、
前記第１の方向と交差する第２の方向において前記第１の磁心の周面から第１の離間距離を有し前記第１の磁心の周囲に配設された第１の少数巻線と、
前記第１の方向において前記第１の少数巻線に積層され、前記第２の方向において前記第１の磁心の周面から前記第１の離間距離よりも大きい第２の離間距離を有し前記磁気ギャップの周囲に配設された多数巻線と、
前記第１の方向において前記多数巻線を介在して前記第１の少数巻線に積層され、前記第２の方向において前記第２の磁心の周面から前記第２の離間距離よりも小さい第３の離間距離を有し前記第２の磁心の周囲に配設された第２の少数巻線と、
を有する電子部品を備えたことを特徴とする電子回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路装置に関し、特に磁性体を有する電子部品が実装された電子回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば汎用テレビジョンの電源ユニットには、直流−直流（ＤＣ−ＤＣ）コンバータが組み込まれている。ＤＣ−ＤＣコンバータは、例えば一般家庭用１００Ｖの交流電圧から変換された直流電圧を、更に制御回路ユニット、駆動回路ユニット等に使用される直流電圧に変換する。ＤＣ−ＤＣコンバータは、最終的に１２Ｖや２４Ｖの直流電圧を生成する。
【０００３】
薄型化並びに大画面化の傾向にある液晶テレビジョン、プラズマテレビジョン等の汎用テレビジョンの開発には電源ユニットの薄型化並びに小型化が重要な課題になっている。下記特許文献１には電源ユニットの薄型化並びに小型化に最適なコイル装置が開示されている。このコイル装置は積層シートコイルを用いている。コイル装置の積層コイルシートは、一次コイル基板、二次コイル基板、一次コイル基板のそれぞれを順次積層している。これらの一次コイル基板、二次コイル基板のそれぞれにはコイルシートが設けられている。積層シートコイルのコア装着孔には、積層シートコイルの表面側から上部コア部の突起部が装着され、裏面側から下側コア部の突起部が装着され、双方の突起部間にはギャップが設けられている。このコイル装置においては、ギャップの位置に近い二次コイル基板のコイルシート（二次コイル）がギャップから離されており、このシートコイルを通過するギャップからの漏洩磁束を減少することができるので、エネルギ損失を低減することができる特徴がある。
【０００４】
また、下記特許文献２には、インダクタンス値、変圧比、変流比の精度の高い、インダクタンス、変成器等の電磁誘導装置が開示されている。この電磁誘導装置は、磁路の一部にギャップ部のある磁心と、このギャップ部をとばして磁心に巻き回された巻線とを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１６２０３５号公報
【特許文献２】特開平１−２８６４０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前述の特許文献１に開示されたコイル装置、特許文献２に開示された電磁誘導装置のそれぞれにおいては、以下の点について配慮がなされていなかった。
【０００７】
まず、特許文献１に開示されたコイル装置においては、積層シートコイルが一次コイル（多数巻線：Ｐ）、二次コイル（少数巻線：Ｓ）、一次コイル（多数巻線：Ｐ）のそれぞれのコイルシートを順次積層して構成され、ギャップに最も近いコイルシートは二次コイルである。二次コイルであるコイルシートの体積は一次コイルであるコイルシートの体積に比べて大きく設定されているので、二次コイルであるコイルシートはギャップからの漏洩磁束を拾いやすい。このため、渦電流損を効率良く減少することが難しかった。
【０００８】
一方、特許文献２に開示された電磁誘導装置においては、ギャップ部をとばして磁心に巻線が巻き回されているので、ギャップ部の周囲に無駄なスペースが必要となり、薄型化並びに小型化を実現することが難しかった。
【０００９】
本発明は上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、薄型化並びに小型化を実現しつつ、渦電流損を効率良く減少することができる電子部品を備えた電子回路装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の実施例に係る第１の特徴は、電子回路装置において、第１の方向に磁心、磁気ギャップのそれぞれが配列された磁性体と、第１の方向と交差する第２の方向において磁心の周面から第１の離間距離を有し磁心の周囲に配設された少数巻線と、第１の方向において少数巻線に積層され、第２の方向において磁心の周面から第１の離間距離よりも大きい第２の離間距離を有し磁気ギャップの周囲に配設された多数巻線と、を有する電子部品を備える。
【００１１】
第１の特徴に係る電子回路装置において、磁気ギャップと少数巻線との間及び磁気ギャップと多数巻線との間が第４の離間距離に設定され、この第４の離間距離は第２の離間距離に設定されていることが好ましい。
【００１２】
第１の特徴に係る電子回路装置において、少数巻線は第１の絶縁基材の表面上に配設された第１の導電体により構成され、多数巻線は第２の絶縁基材の表面上に配設された第２の導電体により構成され、電子部品は第１の絶縁基材、第１の導電体、第２の絶縁基材、第２の導電体のそれぞれを積層したシートトランスであることが好ましい。
【００１３】
第１の特徴に係る電子回路装置において、少数巻線において少なくとも第１の導電体の磁心から第１の離間距離を有する領域の幅寸法がそれ以外の領域の幅寸法に比べて小さく設定され、多数巻線において少なくとも第２の導電体の磁心から第２の離間距離を有する領域の幅寸法がそれ以外の領域の幅寸法に比べて小さく設定されていることが好ましい。
【００１４】
第１の特徴に係る電子回路装置において、少数巻線において第１の導電体のその側面と磁心又は磁性体とが対向する領域の幅寸法がそれ以外の領域の幅寸法に比べて小さく設定され、多数巻線において第２の導電体のその側面と磁気ギャップ、磁心又は磁性体とが対向する領域の幅寸法がそれ以外の領域の幅寸法に比べて小さく設定されていることが好ましい。
【００１５】
第１の特徴に係る電子回路装置において、少数巻線の第１の導電体、多数巻線の第２の導電体に放熱体が装着されていることが好ましい。
【００１６】
本発明の実施例に係る第２の特徴は、電子回路装置において、第１の方向に第１の磁心、磁気ギャップ、第２の磁心のそれぞれが配列された磁性体と、第１の方向と交差する第２の方向において第１の磁心の周面から第１の離間距離を有し第１の磁心の周囲に配設された第１の少数巻線と、第１の方向において第１の少数巻線に積層され、第２の方向において第１の磁心の周面から第１の離間距離よりも大きい第２の離間距離を有し磁気ギャップの周囲に配設された多数巻線と、第１の方向において多数巻線を介在して第１の少数巻線に積層され、第２の方向において第２の磁心の周面から第２の離間距離よりも小さい第３の離間距離を有し第２の磁心の周囲に配設された第２の少数巻線と、を有する電子部品を備える。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、薄型化並びに小型化を実現しつつ、渦電流損を効率良く減少することができる電子部品を備えた電子回路装置を提供することである。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施例１に係る電子回路装置の回路システムブロック図である。
【図２】実施例１に係る電子回路装置の一部樹脂封止体を取り除いた平面図（上面図）である。
【図３】図２に示す電子回路装置の一部樹脂封止体を取り除いた底面図（下面図）である。
【図４】図２及び図３に示す電子回路装置の側面断面図である。
【図５】図２乃至図３に示す電子回路装置の樹脂封止体を含む全体斜視図である。
【図６】実施例１に係る電子回路装置の第１のトランス（電子部品）の分解斜視図である。
【図７】図６に示す第１のトランスの要部断面図である。
【図８】図６及び図７に示す第１のトランスの少数巻線の一部及び絶縁基材の平面図である。
【図９】図６及び図７に示す第１のトランスの多数巻線及び絶縁基材の平面図である。
【図１０】図６及び図７に示す第１のトランスの少数巻線の他の一部及び絶縁基材の平面図である。
【図１１】実施例１に係る第１のトランスの多数巻線及び少数巻線の積層状態並びに接続状態を説明する分解平面図である。
【図１２】実施例１に係る第１のトランスの配線幅と損失との関係を示す図である。
【図１３】本発明の実施例２に係る電子回路装置において第１のトランスの少数巻線の一部及び絶縁基材の平面図である。
【図１４】本発明の実施例３に係る電子回路装置において第１のトランスの要部断面図である。
【図１５】（Ａ）は本発明の実施例４に係る電子回路装置において第１のトランスの平面図、（Ｂ）は第１のトランスの側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
次に、図面を参照して、本発明の一実施例を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
【００２０】
また、以下に示す実施例はこの発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は各構成部品の配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００２１】
（実施例１）
本発明の実施例１は、電源ユニットに組み込まれる電源モジュールとしての電子回路装置に本発明を適用した例を説明するものである。ここでは、電子回路装置はＤＣ−ＤＣコンバータである。
【００２２】
［電子回路装置の電子回路システムブロック構成］
図１に示すように、実施例１に係る電子回路装置１は、ＤＣ−ＤＣコンバータを１つの電源モジュールとして構築されている。この電子回路装置１は、トランジスタ部２、メイントランスとして使用される第１のトランス（電子部品）３、コンデンサ４１、４２、４３（電子部品）、ダイオード（電子部品）５、制御部６、ドライブ用トランスとして使用される第２のトランス（電子部品）７、温度検出部８等の複数の電子部品を少なくとも備えている。また、電子回路装置１においては、入力端子Ｖin+、Ｖin-、出力端子Ｖout+、Ｖout-、直流電圧端子ＤＣＩＮ、切換信号端子ＯＮ／ＯＦＦ、出力電圧調整端子ＴＲＭ、リモートセンシング端子Ｖs+、Ｖs-が配設されている。
【００２３】
トランジスタ部２は、第１の絶縁ゲート型トランジスタ（以下、単にＩＧＦＥＴ（insulated gate field effect transistor）という。）２１と、第２のＩＧＦＥＴ２２と、ダイオード２３及び２４とを備えている。ここで、ＩＧＦＥＴとは、ＭＯＳＦＥＴ（metal oxide semiconductor field effect transistor）、ＭＩＳＦＥＴ（metal insulated semiconductor field effect transistor）のいずれも含む意味において使用される。なお、トランジスタ部２においては、同等の機能を有していれば、ＩＧＦＥＴに限定されるものではなく、例えばＩＧＢＴ（insulated gate bipolar transistor）、バイポーラトランジスタ等を使用することができる。
【００２４】
第１のＩＧＦＥＴ２１の主電極の一端は入力端子Ｖin+に接続され、主電極の他端は第２のＩＧＦＥＴ２２の主電極の一端に接続され、ゲート電極は第２のトランス７に接続されている。第１のＩＧＦＥＴ２１の主電極の一端と他端との間には逆バイアス方向にダイオード２３が設けられている。第２のＩＧＦＥＴ２２の主電極の他端は入力端子Ｖin-に接続され、ゲート電極は第２のトランス７に接続されている。第２のＩＧＦＥＴ２２の主電極の一端と他端との間には逆バイアス方向にダイオード２４が設けられている。また、入力端子Ｖin+とＶin-との間にはコンデンサ４２が挿入されている。
【００２５】
第１のトランス（実施例１に係る電子回路）３は、一次側コイルとして使用される多数巻線（Ｐ）３１、二次側コイルとして使用される少数巻線（Ｓ）３２及びコア（磁性体）３３を備えている。多数巻線３１の一端はトランジスタ部２の出力つまり第１のＩＧＦＥＴ２１の主電極の他端及び第２のＩＧＦＥＴ２２の主電極の一端に接続され、他端はコンデンサ４１を電気的に直列に介在させて入力端子Ｖin-に接続されている。つまり、多数巻線３１は商用電源側に接続される巻線（コイル）である。少数巻線３２の一端はダイオード５を電気的に直列に介在させて出力端子Ｖout+に接続され、他端は出力端子Ｖout-に接続されている。
【００２６】
出力端子Ｖout+とＶout-との間には、コンデンサ４３、温度検出部８のそれぞれが電気的に並列に挿入されている。温度検出部８は、電子回路装置１の温度を検出し、その検出結果を制御部６に出力する。制御部６においては、温度検出部８からの検出結果に基づき予め設定された温度上昇が検出された場合には、第２のトランス７を介してトランジスタ部２の動作を停止させる制御、すなわちこの電子回路システムの動作を停止させる制御を行うことができる。
【００２７】
制御部６は、図示しないが、制御用ＩＣとフォトカプラとを少なくとも備えている。この制御部６は、切換信号端子ＯＮ／ＯＦＦから入力される切換信号に基づき、この電子回路装置１のＤＣ−ＤＣコンバータの動作の制御を行う。
【００２８】
［電子回路装置の動作］
図１に示す実施例１に係る電子回路装置１において、まず入力端子Ｖin+、Ｖin-間に変換前の直流電圧が与えられ、更に直流電圧端子ＤＣＩＮには直流電圧例えば１２Ｖが供給され、切換信号端子ＯＮ／ＯＦＦには電子回路装置１の切換信号（起動信号）が与えられる。切換信号端子ＯＮ／ＯＦＦにＯＮ信号が与えられると、制御部６は、第２のトランス７を介してトランジスタ部２の第１のＩＧＦＥＴ２１のＯＮ動作を行い、第２のＩＧＦＥＴ２２のＯＦＦ動作を行う。第１のＩＧＦＥＴ２１のＯＮ動作が行われると、トランジスタ部２（第１のＩＧＦＥＴ２１の主電極の他端）から第１のトランス３の多数巻線３１に直流電流が流れる。この多数巻線３１に直流電流が流れると、電磁誘導作用によって少数巻線３２に直流電流が発生する。この直流電圧は出力端子Ｖout+、Ｖout-間に変換後の直流電圧として出力される。
【００２９】
実施例１に係る電子回路装置１においては、変換前の直流電圧は例えば３８５Ｖであり、変換後の直流電圧は例えば１２Ｖ又は２４Ｖである。
【００３０】
［電子回路装置の基本デバイス構造（全体構造）］
実施例１に係る電子回路装置１の基本的なデバイス断面構造は図２乃至図５に示す通りである。電子回路装置１は、第１の表面１１Ａ及びそれに対向する第２の表面１１Ｂを有する基板（回路基板）１１と、基板１１に第１の表面１１Ａから第２の表面１１Ｂに渡って配設された第１のトランス（電子部品）３と、この第１のトランス３の底面（図４中、下側表面であって、電子回路装置１の実装面側）に向かい合わせて配設され、金属製板材により構成された応力緩衝体９１と、基板１１、第１のトランス３及び応力緩衝体９１の少なくとも第１のトランス３側を被覆する樹脂封止体１７とを備えている。
【００３１】
実施例１において、電子回路装置１の第１のトランス３を構築するコア３３には磁性体が使用され、この磁性体は強磁性体である。この第１のトランス３の詳細な構造は後述する。
【００３２】
なお、実施例１において、第２のトランス（電子部品）７は、第１のトランス３と同様の構造を備えているが、第１のトランス３に比べて小さいサイズ（小さい変換効率）に設定されている。また、第２のトランス７の底面には応力緩衝体９１が向かい合わせて配設されているが、第２のトランス７と応力緩衝体９１との間は若干離隔されている。
【００３３】
また、実施例１において、電子回路装置１には第１のトランス３及び第２のトランス７が使用されているが、磁性体により構築される電子部品はこれに限定されるものではなく、電子回路装置１にはリアクタンス、インダクタ等の磁性体により構築される電子部品を搭載してもよい。
【００３４】
応力緩衝体９１は、実施例１において、樹脂封止体１７の熱収縮によって第１のトランス３等の磁性体に及ぼす応力を減少することができる機能を有し、更に磁性体から発生する熱（第１のトランス３及び第２のトランス７の動作によって発生する熱）を樹脂封止体１７の外部に放出する機能を有する。
【００３５】
［基板（回路基板）の構成］
図２乃至図４に示すように、電子回路装置１の基板１１は、その構造を明確に図示していないが、絶縁基材とその絶縁基材の表面（第１の表面１１Ａ側）、それと対向する裏面（第２の表面１１Ｂ側）の少なくともいずれか一方に配設された導電体とを備えている。特に積層枚数を限定するものではないが、実施例１において、基板１１は１枚の板状の絶縁基材を有する単層構造により構成され、第１の表面１１Ａ及び第２の表面１１Ｂのそれぞれに導電体（端子、配線等）が配設されている。第１の表面１１Ａ及び第２の表面１１Ｂに配設された導電体は基板１１の第１の表面１１Ａから第２の表面１１Ｂに渡って配設された接続孔配線（スルーホール配線又はビア配線）を通して電気的に接続されている。なお、基板１１は２層以上の多層の絶縁基板を備えていてもよい。
【００３６】
基板１１の絶縁基材は、実施例１において、プリント配線板に多用されているガラスエポキシ樹脂基板により構成されている。必ずしもこの数値に限定されるものではないが、基板１１は、長辺を例えば６０ｍｍ−６２ｍｍに設定し、短辺を例えば４２ｍｍ−４４ｍｍに設定した長方形の平面形状を有する。図４に示す基板１１の厚さは例えば０．８ｍｍ−１．６ｍｍに設定されている。
【００３７】
基板１１の導電体は、実施例１において、銅（Ｃｕ）、Ｃｕ合金、金（Ａｕ）等の導電性に優れた材料により構成されている。例えば、Ｃｕが使用される場合、ラミネート法やプレス成形法により貼り付けられたＣｕ箔か又はそのＣｕ箔の表面にめっき法によりＣｕめっき層を積層した複合膜により形成される。単層のＣｕ箔の場合、その膜厚は例えば３０μｍ−４０μｍに設定されている。また、複合膜の場合、Ｃｕ箔の膜厚は例えば１５μｍ−２０μｍに設定され、Ｃｕめっき層は例えば１５μｍ−２５μｍに設定されている。
【００３８】
［電子部品の構成］
図２及び図４に示すように、基板１１の第１の表面１１Ａ上には、電子部品として、前述の図１において説明したトランジスタ部２、第１のトランス３、コンデンサ４２、４３、ダイオード５、制御部６、第２のトランス７及び温度検出部８等が実装されている。図３及び図４に示すように、基板１１の第２の表面１１Ｂには、前述の図１において説明した電子部品として、例えばコンデンサ４１等が実装されている。
【００３９】
図１、図２及び図４に示すように、トランジスタ部２は、第１のＩＧＦＥＴ２１及びダイオード２３を有する半導体チップを樹脂封止体により封止した半導体装置と、同様に第２のＩＧＦＥＴ２２及びダイオード２４を有する半導体チップを樹脂封止体により封止した半導体装置とを備え、２個の半導体装置により構築されている。トランジスタ部２は、第１の表面１１Ａにおいて、図２中、周辺領域の右下側に配設されている。
【００４０】
コンデンサ４２は例えばコンデンサ本体を樹脂封止体により封止して構成されている。樹脂封止体には一実施例においてガラスエポキシ樹脂を実用的に使用することができる。コンデンサ４２は、目的とする容量値によりその搭載個数は限定されるものではないが、基板１１の第１の表面１１Ａにおいて、図２中、周辺領域の右下側に４個配設されている。コンデンサ４３は例えばコンデンサ本体を樹脂封止体により封止して構成されている。コンデンサ４３は、同様に目的とする容量値によりその搭載個数は限定されるものではないが、基板１１の第１の表面１１Ａにおいて、図２中、周辺領域の左下側に６個配設されている。
【００４１】
また、コンデンサ４１は、前述のコンデンサ４２及び４３と同様に、例えばコンデンサ本体を樹脂封止体により封止して構成されている。コンデンサ４１は、目的とする容量値によりその搭載個数は限定されるものではないが、基板１１の第２の表面１１Ｂにおいて、図３中、周辺領域の左下側に４個配設されている。このコンデンサ４１はコンデンサ４２の配置位置に対向する位置に配置されている。
【００４２】
ダイオード５は例えばダイオード本体具体的にはダイオードチップ（半導体素子）を樹脂封止体により封止して構成されている。ダイオード５は、目的とする整流特性によりその搭載個数は限定されるものではないが、基板１１の第１の表面１１Ａにおいて、図２中、周辺領域の左上側に１個配設されている。
【００４３】
制御部６は、トランジスタ、論理回路、抵抗、容量等、少なくともトランジスタ部２の制御を行う回路を有する半導体チップを樹脂封止体により封止した半導体装置（制御用ＩＣ）６１と、フォトカプラ６２及び６３とを備え、構築されている。制御部６の半導体装置６１は、基板１１の第１の表面１１Ａにおいて、図２中、周辺領域の右上側に配設されている。フォトカプラ６２及び６３は、基板１１の第１の表面１１Ａにおいて、図２中、左上側に配設されている。
【００４４】
温度検出部８は、基板１１の第１の表面１１Ａにおいて、図２中、周辺領域の左上側であって、ダイオード５とフォトカプラ６２及び６３との間に配設されている。この温度検出部８はダイオード５を配設した領域から離間した位置に配設され、温度検出部８自体の熱による破損や誤動作を防止するようになっている。
【００４５】
［第１のトランス及び第２のトランス（電子部品）の構成］
実施例１に係る電子回路装置１において、第１のトランス３並びに第２のトランス７は磁性体詳細には強磁性体により構築されている。第１のトランス３は、図２乃至図４に示すように、基板１１の第１の表面１１Ａの中央領域において、開口１５内に挿入されて配設されている。開口１５は、実施例１において、基板１１の第１の表面１１Ａからそれに対向する第２の表面１１Ｂに貫通する貫通穴として構成されている。
【００４６】
図６乃至図１１に示すように、実施例１において第１のトランス（電子部品）３にはシートトランス構造が採用されている。この第１のトランス３は、多数巻線３１（１）−３１（４）、第１の少数巻線３２（１）及び第２の少数巻線３２（２）を有し、図６及び図７に示すように、中央部分に貫通穴１２５を有するトランス基板１２と、トランス基板１２の表面１２Ａ（図６及び図７中、上側表面）、それに対向する裏面１２Ｂ（図６及び図７中、下側表面）及び側面１２Ｃの一部に沿って配設され中央部分の貫通穴１２５にもトロイダルコアの第１の磁心３３２Ｃ、第２の磁心３３１Ｃ及び磁気ギャップ３Ｇを有するコア３３とを備えている。ここでは、コア３３は第１のコア（下部コア）３３１と第２のコア（上部コア）３３２とを備え、第１の磁心３３２Ｃは第２のコア３３２に一体に構成され、第２の磁心３３１Ｃは第１のコア３３１に一体に構成されている。
【００４７】
この第１のトランス３は、第１の方向（図６及び図７中、Ｚ方向に対して逆方向）に第１の磁心３３２Ｃ、磁気ギャップ３Ｇ、第２の磁心３３１Ｃのそれぞれが順次配列されたコア（磁性体）３３と、第１の方向と交差する第２の方向（図６及び図７中、Ｘ方向及びＹ方向）において第１の磁心３３２Ｃの周面から第１の離間距離Ｌ１を有し第１の磁心３３２Ｃの周囲に配設された第１の少数巻線３２（１）と、第１の方向において第１の少数巻線３２（１）に積層され、第２の方向において第１の磁心３３２Ｃの周面から第１の離間距離Ｌ１よりも大きい第２の離間距離Ｌ２を有し磁気ギャップ３Ｇの周囲に配設された多数巻線３１（１）−３１（４）と、第１の方向において多数巻線３１（１）−３１（４）を介在して第１の少数巻線３２（１）に積層され、第２の方向において第２の磁心３３１Ｃの周面から第２の離間距離Ｌ２よりも小さい第３の離間距離Ｌ３を有し第２の磁心３３１Ｃの周囲に配設された第２の少数巻線３２（２）とを備えている。
【００４８】
トランス基板（単に、「基板」と表現する場合がある。）１２は、特に図７に示すように、表面（トランス基板１２の表面１２Ａ側の表面であって、トランス基板１２の説明において以下同様。）及びそれと対向する裏面（トランス基板１２の表面１２Ｂ側の裏面であって、トランス基板１２の説明において以下同様。）を有する第１の絶縁基材１２１（１）と、以下同様に表面及び裏面を有する第１の絶縁基材１２１（２）と、第２の絶縁基材１２２（１）と、第１の絶縁基材１２１（３）と、第２の絶縁基材１２２（２）と、第１の絶縁基材１２１（４）と、第１の絶縁基材１２１（５）とを第１の方向に順次積層して構成されている。この積層数に必ずしも限定されるものではないが、実施例１において、トランス基板１２は、５層の第１の絶縁基材１２１（１）−１２１（５）と、２層の第２の絶縁基材１２２（１）及び１２２（２）とを積層し、合計７層のシート状の絶縁基材を積層した構造を有する。
【００４９】
第１の絶縁基材１２１（１）の表面上には第１の導電体１２７（１）が配設されている。第１の絶縁基材１２１（２）の表面上には第３の導電体１２８（１）が配設されている。第１の絶縁基材１２１（１）の裏面は第１の絶縁基材１２１（２）の表面に向かい合わせて配設され、第１の絶縁基材１２１（１）の裏面と第１の絶縁基材１２１（２）の表面とが接着されている。第１の絶縁基材１２１（２）の裏面は第２の絶縁基材１２２（１）の表面に接着されている。
【００５０】
第２の絶縁基材１２２（１）の表面上には第２の導電体１２６（１）が配設され、裏面上には第２の導電体１２６（２）が配設されている。第２の絶縁基材１２２（２）の表面上には第２の導電体１２６（３）が配設され、裏面上には第２の導電体１２６（４）が配設されている。第２の絶縁基材１２２（１）の裏面は第２の絶縁基材１２２（２）の表面に向かい合わせて配設され、第２の絶縁基材１２２（１）の裏面は第１の絶縁基材１２１（３）を介して第２の絶縁基材１２２（２）の表面に接着されている。
【００５１】
第１の絶縁基材１２１（５）の裏面上には第１の導電体１２７（２）が配設されている。第１の絶縁基材１２１（４）の裏面上には第３の導電体１２８（２）が配設されている。第１の絶縁基材１２１（５）の表面は第１の絶縁基材１２１（４）の裏面に向かい合わせて配設され、第１の絶縁基材１２１（５）の表面と第１の絶縁基材１２１（４）の裏面とが接着されている。第１の絶縁基材１２１（４）の表面は第２の絶縁基材１２２（４）の裏面に接着されている。
【００５２】
すなわち、トランス基板１２は、表面１２Ａ側からその裏面となる表面１２Ｂ側に向かって、第１の導電体１２７（１）、第１の絶縁基材１２１（１）、第３の導電体１２８（１）、第１の絶縁基材１２１（２）、第２の導電体１２６（１）、第２の絶縁基材１２２（１）、第２の導電体１２６（２）、第１の絶縁基材１２１（３）、第２の導電体１２６（３）、第２の絶縁基材１２２（２）、第２の導電体１２６（４）、第１の絶縁基材１２１（４）、第３の導電体１２８（２）、第１の絶縁基材１２１（５）、第１の導電体１２７（２）のそれぞれが順次積層され、絶縁基材と導電体とが交互に積層された多層基板である。
【００５３】
図６、図７、図８及び図１１に示すように、第１の導電体１２７（１）は、トランス基板１２の貫通穴１２５を中心としてその周囲に巻き回わして延在し、少数巻線（二次コイル）３２を構成している。この第１の導電体１２７（１）は、少なくとも第１の磁心３３２Ｃから第１の離間距離Ｌ１を有する領域の幅寸法Ｗ１をそれ以外の領域の幅寸法Ｗ１ｈに比べて小さく設定している。更に詳細には、第１の導電体１２７（１）は、その側面と第１の磁心３３２Ｃ又はこの第１の磁心３３２Ｃに対向する第２のコア３３２とが対向する領域の幅寸法Ｗ１をそれ以外の領域の幅寸法Ｗ１ｈに比べて小さく設定している。
【００５４】
第１の導電体１２７（１）の幅寸法Ｗ１の領域は、磁気ギャップ３Ｇや第２のコア３３２からの離間距離を確保している領域であり、磁気ギャップ３Ｇや第２のコア３３２等からの漏洩磁束を拾いにくくしている。一方、第１の導電体１２７（１）の幅寸法Ｗ１ｈの領域は、第１の絶縁基材１２１（１）のデッドスペースを有効に利用して導電体幅を拡張して配設面積を拡張した領域である。この領域特に符号３２Ｈを付してハッチングを施した領域は、第１の導電体１２７（１）の一部を幅寸法Ｗ１に縮小したことによる配線抵抗値の増大に伴い発生する熱を放出する放熱体３２Ｈを構築する。
【００５５】
図７、図１０及び図１１に示すように、第１の導電体１２７（２）は、第１の導電体１２７（１）と同様な構成を有し、トランス基板１２の貫通穴１２５を中心としてその周囲に巻き回わして延在し、第１の導電体１２７（１）に電気的に直列に接続され、少数巻線（二次コイル）３２を構成している。基本的には図８に示す第１の導電体１２７（１）と同様に、第１の導電体１２７（２）は、特に図１０に示すように、少なくとも第２磁心３３１Ｃから第３の離間距離Ｌ３を有する領域の幅寸法Ｗ３をそれ以外の領域の幅寸法Ｗ３ｈに比べて小さく設定している。更に詳細には、第１の導電体１２７（２）は、その側面と第２の磁心３３１Ｃ又はこの第２の磁心３３１Ｃに対向する第１のコア３３１とが対向する領域の幅寸法Ｗ３をそれ以外の領域の幅寸法Ｗ３ｈに比べて小さく設定している。
【００５６】
第１の導電体１２７（２）の幅寸法Ｗ３の領域は、磁気ギャップ３Ｇや第１のコア３３１からの離間距離を確保している領域であり、磁気ギャップ３Ｇや第１のコア３３１等からの漏洩磁束を拾いにくくしている。一方、第１の導電体１２７（２）の幅寸法Ｗ３ｈの領域は、第１の絶縁基材１２１（５）のデッドスペースを有効に利用して導電体幅を拡張して配設面積を拡張した領域である。この領域（ハッチングした領域）は、第１の導電体１２７（２）の一部を幅寸法Ｗ３に縮小したことによる配線抵抗値の増大に伴い発生する熱を放出する放熱体３２Ｈを構築する。
【００５７】
つまり、実施例１において、少数巻線３２は、漏洩磁束を拾いにくくし、渦電流損を効率良く減少しつつ、その弊害として発生する熱を効率良く放出する機能を有する。更に、実施例１においては、少数巻線３２及び放熱体３２Ｈは、同一の第１の導電体１２７（１）又は第１の導電体１２７（２）によって一体に構成される（装着される）とともに、第１の絶縁基材１２１（１）又は１２１（５）のデッドスペースを有効に利用しつつ簡易な構造により構成されている。
【００５８】
図７、図９及び図１１に示すように、第２の絶縁基材１２２（１）の表面上に配設された第２の導電体１２６（１）は、貫通穴１２５を中心としてその周囲を螺旋状に複数周巻き回わして延在し、多数巻線（一次コイル）３１を構成している。実施例１に係る第１のトランス３は４層の第２の導電体１２６（１）〜１２６（４）を備え、第２の絶縁基材１２２（１）の裏面上に配設された第２の導電体１２６（２）、第２の絶縁基材１２２（２）の表面上に配設された第２の導電体１２６（３）、第２の絶縁基材１２２（２）の裏面上に配設された第２の導電体１２６（４）のそれぞれも同様に、貫通穴１２５を中心としてその周囲を螺旋状に複数周巻き回わして延在し、多数巻線３１を構成している。第２の導電体１２６（１）−１２６（４）は、詳細には説明しないが、接続孔配線を通してそれぞれ電気的に直列に接続されている。
【００５９】
第２の導電体１２６（１）は、特に図９に示すように、少なくとも第１磁心３３２Ｃから第１の離間距離Ｌ１及び第３の離間距離Ｌ３に比べて大きな第２の離間距離Ｌ２を有する領域の幅寸法Ｗ２をそれ以外の領域の幅寸法Ｗ２ｈに比べて小さく設定している。更に詳細には、第２の導電体１２６（１）は、その側面と第１の磁心３３２Ｃ又はこの第１の磁心３３２Ｃに対向する第２のコア３３２とが対向する領域の幅寸法Ｗ２をそれ以外の領域の幅寸法Ｗ２ｈに比べて小さく設定している。
【００６０】
第２の導電体１２６（１）の幅寸法Ｗ２の領域は、少数巻線３２と同様に、磁気ギャップ３Ｇや第２のコア３３２からの離間距離を確保している領域であり、磁気ギャップ３Ｇや第２のコア３３２等からの漏洩磁束を拾いにくくしている。一方、第２の導電体１２６（１）の幅寸法Ｗ２ｈの領域は、第２の絶縁基材１２２（２）のデッドスペースを有効に利用して導電体幅を拡張して配設面積を拡張した領域である。この領域（ハッチングした領域）は、第２の導電体１２６（１）の一部を幅寸法Ｗ２に縮小したことによる配線抵抗値の増大に伴い発生する熱を放出する放熱体３１Ｈを構築する。
【００６１】
図７に示すように、実施例１に係る第１のトランス３は、磁気ギャップ３Ｇとほぼ同一の平面上であって磁気ギャップ３Ｇの周囲に沿って第１の絶縁基材１２１（３）が配設され、第１の絶縁基材１２１（３）の表面上に第２の絶縁基材１２２（１）が配設され、第１の絶縁基材１２１（３）の裏面上に第２の絶縁基材１２２（２）が配設されている。このような構造を有するので、第２のコア３２の第１の磁心３３２Ｃの周囲に第１の導電体１２６（１）、１２６（２）のそれぞれが配設され、第１のコア３１の第２の磁心３３１Ｃの周囲に第１の導電体１２６（３）、１２６（４）のそれぞれが配設されている。
【００６２】
従って、第２の導電体１２６（２）は、特に図１０に示すように、第１の導電体１２６（１）に電気的に直列に接続するために若干の平面形状は相違するものの、基本的には第２の導電体１２６（１）と同様に、幅寸法Ｗ２を有す領域と幅寸法Ｗ２ｈを有する領域とを備え、放熱体３１Ｈを備えている。第２の導電体１２６（３）、１２６（４）のそれぞれは、同様に若干の平面形状は相違するものの、基本的には第２の導電体１２６（１）と同様に、幅寸法Ｗ２を有す領域と幅寸法Ｗ２ｈを有する領域とを備え、放熱体３１Ｈを備えている。なお、第２の導電体１２６（３）、１２６（４）のそれぞれにおいて、第２の離間寸法Ｌ２の基準位置は第１のコア３１１の第２の磁心３３１Ｃの周面である。
【００６３】
図７に示す第３の導電体１２８（１）は、多数巻線３１を構築する第２の導電体１２６（１）と少数巻線３２を構築する第１の導電体１２７（１）との間に配設され（挟み込まれ）、シールド層として機能する。同様に、第３の導電体１２８（２）は、多数巻線３１を構築する第２の導電体１２６（４）と少数巻線３２を構築する第１の導電体１２７（２）との間に配設され（挟み込まれ）、シールド層として機能する。第３の導電体１２８（１）と第１の磁心３３２Ｃの周面との間は、第１の離間距離Ｌ１と第２の離間距離Ｌ２との間の第５の離間距離Ｌ５に設定されている。同様に、第３の導電体１２８（２）と第２の磁心３３１Ｃの周面との間は、第３の離間距離Ｌ３と第２の離間距離Ｌ２との間の第５の離間距離Ｌ５に設定されている。
【００６４】
実施例１において、第１の導電体１２７（１）、１２７（２）、第２の導電体１２６（１）−１２６（４）、第３の導電体１２８（１）、１２８（２）のそれぞれには同一導電性材料が使用されている。例えば、これらの導電体にはＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｕ等の導電性に優れた金属箔又は金属膜が使用されている。第１の導電体１２７（１）、１２７（２）及び第２の導電体１２６（１）−１２６（４）に例えばＣｕ箔が使用される場合、その膜厚は例えば６０μｍ−８０μｍに設定されている。第３の導電体１２８（１）及び１２８（２）に例えばＣｕ箔が使用される場合、その膜厚は、第１の導電体１２７（１）、１２７（２）及び第２の導電体１２６（１）−１２６（４）の膜厚に比べて薄く、例えば２０μｍ−４０μｍに設定されている。
【００６５】
第１の絶縁基材１２１（１）−１２１（５）は、少なくとも電気的絶縁機能を有し、かつ接着機能を有する。実施例１において、第１の絶縁基材１２１（１）−１２１（５）には、積層のときに硬化されておらず、積層後に硬化される、例えば熱硬化型樹脂接着剤を含浸させたガラス繊維クロス、いわゆるプリプレグが使用されている。ガラス繊維クロスには、例えばＳｉＯ2を主成分とし、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｒ2Ｏ、Ｂ2Ｏ3等の少なくともいずれかが添加された３μｍ−１０μｍ径を有する単糸を数十本から数百本程度束ね、これを平織りしたものである。熱硬化型樹脂接着剤には例えばエポキシ樹脂が使用されている。第１の絶縁基材１２１（１）−１２１（５）の膜厚は例えば１８０μｍ−２２０μｍに設定されている。
【００６６】
第２の絶縁基材１２２（１）、１２２（２）は、同様に、少なくとも電気的絶縁機能を有し、かつ接着機能を有する。第２の絶縁基材１２２（１）は、表面上に第２の導電体１２６（１）、裏面上に第２の導電体１２６（２）をそれぞれ接着し、このときに硬化されているので、積層のときには既に硬化されている。第２の絶縁基材１２２（２）は、表面上に第２の導電体１２６（３）、裏面上に第２の導電体１２６（４）をそれぞれ接着し、このときに硬化されているので、積層のときには既に硬化されている。第２の絶縁基材１２２（１）、１２２（２）には、第１の絶縁基材１２１（１）−１２１（５）と同様に、例えば熱硬化型樹脂接着剤を含浸させたガラス繊維クロスが使用されている。第２の絶縁基材１２２（１）、１２２（２）の膜厚は例えば５０μｍ−７０μｍに設定されている。
【００６７】
なお、特に符号を付けて説明しないが、第１の導電体１２７（１）と１２７（２）との電気的接続、第２の導電体１２６（１）−１２６（４）間の電気的接続、第３の導電体１２８（１）と１２８（２）との間の電気的接続は、第１の絶縁基材１２１（１）−１２１（５）、第２の絶縁基材１２２（１）、１２２（２）のそれぞれに配設された接続孔内に埋設された接続孔配線（スルーホール配線又はビア配線）を通じて行われている。この接続レイアウトは図１１に示す通りである。接続孔配線には、電気導電性に優れ、半導体製造過程において製作し易い、例えばＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｕ等の金属材料が使用されている。
【００６８】
ここで、実施例１において、少数巻線３２を構築する第１の導電体１２７（１）の幅寸法Ｗ１、第１の導電体１２７（２）の幅寸法Ｗ３のそれぞれは、同一寸法に設定され、例えば４．９ｍｍ−５．１ｍｍに設定されている。また、第１の導電体１２７（１）の幅寸法Ｗ１ｈ、第１の導電体１２７（２）の幅寸法Ｗ３ｈのそれぞれは、同一寸法に設定され、例えば５．５ｍｍ−７．０ｍｍに設定されている。放熱体３２Ｈは実効的に第１の導電体１２７（１）の幅寸法Ｗ１ｈから幅寸法Ｗ１を差し引いた領域である。また、放熱体３２Ｈは実効的に第１の導電体１２７（１）の幅寸法Ｗ１ｈから幅寸法Ｗ１を差し引いた領域である。
【００６９】
実施例１に係る第１のトランス３において、少数巻線３２を構築する第１の導電体１２７（１）及び１２７（２）は、図１２に示すように、Ｃｕを使用する場合、銅損を最小にすることができる幅寸法Ｗ１及びＷ２に設定されている。ここで、銅損とは、電気抵抗（巻線抵抗）によって失われる電気エネルギ（損失）である。失われた電気エネルギはジュール熱となる。図１２において、横軸は第１の導電体１２７の配線幅、縦軸は損失である。第１の導電体１２７の直流抵抗損は配線幅の増加に従い減少するが、交流抵抗損は逆に配線幅の増加に従い増加する。第１の導電体１２７（１）の幅寸法Ｗ１及び第１の導電体１２７（２）の幅寸法Ｗ３は、直流抵抗損並びに交流抵抗損（銅損）が最小となる範囲内において設定されている。
【００７０】
一方、多数巻線３１を構築する第２の導電体１２６（１）−１２６（４）の幅寸法Ｗ２のそれぞれは、同一寸法に設定され、例えば０．８ｍｍ−０．９ｍｍに設定されている。また、第２の導電体１２６（１）−１２６（４）の幅寸法Ｗ２ｈのそれぞれは、同一寸法に設定され、例えば１．０ｍｍ−３．０ｍｍに設定されている。放熱体３１Ｈは実効的に第２の導電体１２６（１）−１２６（４）の幅寸法Ｗ２ｈから幅寸法Ｗ２を差し引いた領域である。
【００７１】
第１の導電体１２７（１）の幅寸法Ｗ１及び第１の導電体１２７（２）の幅寸法Ｗ３と同様に、第２の導電体１２６（１）−１２６（４）の幅寸法Ｗ２は、図１２に示す銅損が最小となる範囲内において設定されている。
【００７２】
更に、図７に示すように、第１のトランス３において、磁気ギャップ３Ｇと少数巻線３２の第１の導電体１２７（１）の磁気ギャップ３Ｇ側の端部との間、第１の導電体１２７（２）の磁気ギャップ３Ｇ側の端部との間、磁気ギャップ３Ｇと多数巻線３１の第２の導電体１２６（１）−（４）の磁気ギャップ３Ｇ側の端部との間がそれぞれ第４の離間距離Ｌ４に設定されている。この第４の離間距離Ｌ４の基準位置Ｃ１は、第１の磁心３３２Ｃ及び第２の磁心３３１Ｃの周囲の延長上であって磁気ギャップ３Ｇの第１の方向の中間である。実施例１において、第４の離間距離Ｌ４は第２の離間距離Ｌ２と同一に設定しているので、結果的に、基準位置Ｃ１を中心とし第４の離間距離Ｌ４を半径とする同心円（便宜的に漏洩磁束が影響を及ぼす境界領域を破線により示す。）上又はそれよりも外側に第１の導電体１２７（１）、第２の導電体１２６（１）−１２６（４）、第１の導電体１２７（２）のそれぞれの磁気ギャップ３Ｇ側の端部が配設されている。ここでは、第３の導電体１２８（１）、１２８（２）のそれぞれの磁気ギャップ３Ｇ側の端部は同様に同心円上（又はそれよりも外側）に配設されている。磁気ギャップ３Ｇから第４の離間距離Ｌ４を確保して少数巻線３２、多数巻線３１のそれぞれの端部の位置決めを行うことによって、磁気ギャップ３Ｇからの漏洩磁束を少数巻線３２、多数巻線３１のそれぞれが拾いにくくなる。換言すれば、同心円内においては磁気ギャップ３Ｇからの漏洩磁束の影響が大きいので、漏洩磁束の影響が少ない同心円上又はそれよりも外側に少数巻線３２、多数巻線３１等が配設されている。
【００７３】
また、第１のトランス３において、コア（磁性体）３３の磁気ギャップ３Ｇに対して第２の方向に対向する基準位置Ｃ２からも同様に、少数巻線３２の第１の導電体１２７（１）の磁気ギャップ３Ｇとは反対側の端部、第１の導電体１２７（２）の磁気ギャップ３Ｇとは反対側の端部、多数巻線３１の第２の導電体１２６（１）−（４）の磁気ギャップ３Ｇとは反対側の端部がそれぞれ第４の離間距離Ｌ４に設定されている。この基準位置Ｃ２は、実施例１において、第１のコア３１のトランス基板１２の側面１２Ｃに沿って配設された内壁面上及び第２のコア３２のトランス基板１２の側面１２Ｃに沿って配設された内壁面上であって第１のコア３１と第２のコア３２とを重ね合わせた位置である。従って、基準位置Ｃ２を中心とし第４の離間距離Ｌ４を半径とする同心円上又はそれよりも外側に第１の導電体１２７（１）、第２の導電体１２６（１）−１２６（４）、第１の導電体１２７（２）のそれぞれの磁気ギャップ３Ｇとは反対側の端部が配設されている。第３の導電体１２８（１）、１２８（２）のそれぞれの磁気ギャップ３Ｇとは反対側の端部は同様に同心円上に配設されている。第１のコア３１と第２のコア３２との連結部分から第４の離間距離Ｌ４を確保して少数巻線３２、多数巻線３１のそれぞれの磁気ギャップ３Ｇとは反対側の端部の位置決めを行うことによって、連結部分からの漏洩磁束を少数巻線３２、多数巻線３１のそれぞれが拾いにくくなる。
【００７４】
図６に示すコア３３は、例えば金属酸化物をセラミックとして燒結したフェライト磁性材により形成された強磁性体である。金属酸化物には、例えば酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ2）を主成分とし、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属化合物を混合したものを実用的に使用することができる。また、コア３３は他にアモルファス磁性材料により形成してもよい。コア３３は、第２の磁心３３１Ｃを一体に構成しかつ突出させ、この第２の磁心３３１Ｃを中心としてトランス基板１２の両方の側面１２Ｃに沿って突出し、トランス基板１２の裏面１２Ｂ側に配設された第１のコア（下部コア材）３３１と、第１の磁心３３２Ｃを一体に構成しかつ突出させ、この第１の磁心３３２Ｃを中心としてトランス基板１２の両方の側面１２Ｃに沿って突出し、トランス基板１２の表面１２Ａ側に配設された第２のコア（上部コア材）３３２とを備えている。第１のコア３３１の第２の磁心３３１Ｃと第２のコア３３２の第１の磁心３３２Ｃとは磁気ギャップ３Ｇを介在して磁気的に接続されている。第１のコア３３１の両側と第２のコア３３２の両側とはここでは直接接触し磁気的に接続されている。
【００７５】
第１のコア３３１の断面形状はE型形状であり、第２のコア３３２の断面形状はＥ型形状であることから、コア３３はＥ−Ｅ型コア形状を有する。なお、コア３３は、第１のコア３３１、第２のコア３３２のいずれか一方の断面形状をＩ型形状とし、Ｅ−Ｉ型コア形状としてもよい。この場合、Ｉ型形状となるコア側には磁心が存在しなくなるので、磁心が存在しない側において少数巻線３２の一部の第１の導電体１２７は省略される。例えば、第１のトランス３において、第１のコア３３１をＩ型形状とし、第２の磁心３３１Ｃが省略されると、その周囲に配設された第１の導電体１２７（２）が省略される。そして、第２のコア３３２の第１の磁心３３２Ｃの周囲に少数巻線３２を構築する第１の導電体１２７（１）が配設され、第２のコア３３２の第１の磁心３３２Ｃと第１のコア３３１との間の磁気ギャップ３Ｇの周囲に多数巻線３１を構築する第２の導電体１２６（１）−１２６（４）が配設される。
【００７６】
詳細な構造の説明は省略するが、第２のトランス７は、第１のトランス３に対して誘導起電力並びに全体のサイズを小さく設定し、第１のトランス３の構造と同様にシートトランス構造により構成されている。また、図２乃至図４に示すように、第１のトランス３の基板１１への実装方法と同様に、第２のトランス７は、基板１１に配設された開口１６に挿入された状態において実装されている。
【００７７】
［硬化型応力緩和材の構造及び特性］
図２乃至図４に示すように、実施例１に係る電子回路装置１においては、第１のトランス３のコア３３の側面周囲、つまりトランス基板１２の２つの長辺及び２つの短辺に沿う４つの側面１２Ｃに対応しそれぞれに平行な４つの側面にのみその全域に少なくとも硬化型応力緩和材３５が配設されている。ここでは、図４に示すように、コア３３の上面３Ａ並びに下面３Ｂには硬化型応力緩和材３５は配設されていない。硬化型応力緩和材３５の膜厚はコア３３の側面から離れるに従って薄く設定されている。コア３３の側面から最も離れた位置（終端）において硬化型応力緩和材３５の膜厚は実質的にゼロである。第１のトランス３のコア３３の側面に配設された硬化型応力緩和材３５は樹脂封止体１７の第１のトランス３のコア３３に及ぼす応力の減少に寄与する。
【００７８】
実施例１において、硬化型応力緩和材３５には、例えば白色半流動性を有する加熱硬化型接着性液状シリコーンゴム（熱硬化型シリコーン樹脂）が使用されている。この加熱硬化型接着性液状シリコーンゴムは、硬化前、白色半流動性を有し、例えば２３℃の温度において約３．５Ｐａ・ｓ−４．５Ｐａ・ｓの粘度を有する。加熱硬化型接着性液状シリコーンゴムは、コーティング技術、ポッティング技術等を用いて塗布した後、例えば１５０℃、１時間の熱処理を行い硬化される。硬化後において、加熱硬化型接着性液状シリコーンゴムは、白色ゴム状に変化し、例えば２０−２２の硬さ（タイプＡ）を有し、例えば２．０×１０-4／℃−２．２×１０-4／Ｋの線膨張係数を有する。
【００７９】
なお、硬化型応力緩和材３５は熱硬化型シリコーン樹脂に限定されない。第１のトランス３のコア３３に樹脂封止体１７の収縮により発生する応力を減少する材料であれば、紫外線硬化型シリコーン樹脂（ゴム）若しくは室温硬化型シリコーン樹脂（ゴム）、又は熱硬化型、紫外線硬化型、室温硬化型のいずれかのエポキシ樹脂を、硬化型応力緩和材３５として使用することができる。硬化型でない例えばゲル状の樹脂はトランスファモールド法を用いた樹脂封止体１７の製造工程において流出してしまい、コア３３の側面にゲル状の樹脂を確実に付着させることは難しい。
【００８０】
［リードの構造］
図２乃至図５に示すように、基板１１の長辺に沿った一側面（図２中及び図３中下側側面、図５中左側側面）にはリード（外部端子）１８０−１８９が配列され、一側面に対向する他の一側面（図２中及び図３中上側側面、図５中右側側面）にはリード１９０−１９３が配列されている。これらのリード１８０−１９３において、樹脂封止体１７内の部分はインナー部であり、樹脂封止体１７外に突出した部分はアウター部である。
【００８１】
リード１８０は直流電圧端子ＤＣＩＮとして使用される。リード１８１は切換信号端子ＯＮ／ＯＦＦとして使用される。リード１８２は入力端子Ｖin+として使用される。リード１８３は入力端子Ｖin-として使用される。リード１８４は出力端子Ｖout-として使用される。リード１８５は負極のリモートセンシング端子Ｖs-として使用される。リード１８６は空き端子ＮＣである。リード１８７は出力電圧調整端子ＴＲＭとして使用される。リード１８８は正極のリモートセンシング端子Ｖs+として使用される。リード１８９は出力端子Ｖout-として使用される。空き端子ＮＣとして使用されるリード１８６は実施例１において放熱経路としての機能を有する。
【００８２】
また、リード１９０−１９３は空き端子ＮＣである。この空き端子ＮＣとして使用されるリード１９０−１９３は同様に放熱経路としての機能を有する。
【００８３】
リード１８０−１９３は電気伝導性に優れた例えばＣｕ又はＣｕ合金により構成されている。この導電性材料は、熱抵抗も小さく、熱伝導性にも優れている。リード１８０−１９３の厚さは例えば０．３ｍｍ−０．５ｍｍに設定されている。
【００８４】
リード１８０−１９３は符号は付けないが基板１１に配設された端子に接着層を介して電気的かつ機械的に接続されている。この接着層には、熱抵抗が小さく、熱伝導性に優れた例えば半田、ペースト等を使用することができる。半田としては例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田を実用的に使用することができる。また、ペーストには例えば導電性ペーストとして用いられるＡｇペーストを実用的に使用することができる。
【００８５】
［応力緩衝体の構造］
図２乃至図５に示すように、応力緩衝体９１は、その表面９１Ａ（図４中、上側表面）に接着層４を介在して第１のトランス３のコア３３の第１のコア３３１の下面３Ｂを接着し、第１のトランス３に取り付けられている。この応力緩衝体９１は、例えば製造過程においてトランスファモールド法を用いて電子回路装置１の樹脂封止体１７を成形した直後の温度収縮に伴い第１のトランス３のコア（磁性体）３３に与える応力を、応力緩衝体９１の剛性によって減少する機能を有する。すなわち、応力緩衝体９１は、樹脂封止体１７の熱収縮に伴う圧縮応力に反発する機能を有し、実効的にコア３３に加わる応力を減少する。また、応力緩衝体９１は、電子回路装置１の製品として完成した後の実稼働における温度上昇並びに温度下降の温度サイクルによって生じると樹脂封止体１７の熱膨張並びに熱収縮に伴うコア３３に与える応力を減少する機能を有する。
【００８６】
このようなコア３３に与える応力を極力減少し、かつ電子回路装置１の薄型化並びに小型化を図るために、応力緩衝体９１は、表面９１Ａのサイズをそれに対向するコア３３の下面３Ｂのサイズに比べて出来る限り大きく設定している。応力緩衝体９１のサイズが大きい方が樹脂封止体１７の割合に対する応力緩衝体９１の割合が多くなるので、応力緩衝体９１によってコア３３に加わる応力を確実に減少することができる。また、換言すれば、樹脂封止体１７の割合が少なくなるので、応力の発生要因そのものを減少することができる。また、応力緩衝体９１は、特に薄型化される樹脂封止体１７の機械的強度を向上することができる。
【００８７】
応力緩衝体９１は金属製板材により構成され、この金属製板材には、樹脂封止体１７に比べて高い適度な剛性を有し、樹脂封止体１７に比べて遙かに熱伝導性に優れ、更にコア３３の線膨張係数に近い、例えばＣｕ（線膨張係数：１．７×１０-6）板又はＣｕ合金板を使用することが好ましい。このＣｕ板又はＣｕ合金板は、そのまま（無垢状態）でも使用可能であるが、表面に例えばＮｉ膜等のめっき膜を形成してもよい。
【００８８】
図４に示すように、接着層４は、第１のトランス３と応力緩衝体９１とを機械的に装着する機能に加えて、双方の間を電気的に絶縁する機能を備えている。この接着層４には、実施例１において、例えばガラス繊維クロスに熱硬化型接着剤を含浸させたプリプレグが使用される。なお、ガラス繊維クロスに熱硬化型接着剤を含浸させたプリプレグに代えて、接着層４には例えば熱硬化性接着剤を両面に塗布したガラス繊維クロスを使用することができる。
【００８９】
［樹脂封止体の構造］
図２乃至図５に示すように、実施例１に係る電子回路装置１においては、前述のように複数の電子部品を実装した基板１１が樹脂封止体１７により気密封止されている。樹脂封止体１７はトランスファモールド法により成形されている。実施例１に係る電子回路装置１は、ＤＣ−ＤＣコンバータを１つの部品としてモールド化されたものである。樹脂封止体１７には例えば離型剤が含まれるオルソクレゾールノボラックエポキシ系樹脂が使用されている。
【００９０】
［電子回路装置の特徴］
このように構成される実施例１に係る電子回路装置１は、少数巻線３２（第１の導電体１２７（１））、多数巻線３１（１２６（１）−１２６（４））、少数巻線３２（１２７（２））を順次積層したシートトランス構造を有し、コア３３の磁気ギャップ３Ｇの周囲に少数巻線３１を配設するとともに、この磁気ギャップ３Ｇに対して第２の離間距離Ｌ２（又は第４の離間距離Ｌ４）を確保して少数巻線３１を離した第１のトランス（電子部品）３を備えている。この第１のトランス３においては、シートトランス構造を採用し、磁気ギャップ３Ｇの周囲にも多数巻線３１を配設しているので、薄型化並びに小型化を実現することができる。更に、この第１のトランス３においては、磁気ギャップ３Ｇの周囲に全体的な体積が大きい少数巻線３２ではなく全体的な体積が小さい多数巻線３１を配設し、磁気ギャップ３Ｇと多数巻線３１との距離を大きくしているので、磁気ギャップ３Ｇからの多数巻線３１において拾う漏洩磁束を減少することができ、渦電流損を効率良く減少することができる。結果的に、この第１のトランス３を搭載する電子回路装置１の薄型化並びに小型化を実現することができるとともに、渦電流損を効率良く減少することができる。第２のトランス（電子部品）７についても、同様の効果を奏することができる。
【００９１】
更に、電子回路装置１において、第１のトランス３には少数巻線３２に放熱体３２Ｈを備え、多数巻線３１に放熱体３１Ｈを備えているので、より一層渦電流損を減少することができる。また、放熱体３２Ｈにおいては、第１の絶縁基材１２１（１）、１２１（５）のデッドスペースが有効に利用され、第１の導電体１２７（１）の配線幅を拡張した幅寸法Ｗ１ｈ、第１の導電体１２７（２）の配線幅を拡張した幅寸法Ｗ３ｈに設定する簡易な構造により実現することができる。放熱体３１Ｈにおいては、第２の絶縁基材１２２（１）、１２２（２）のデッドスペースが有効に利用され、第２の導電体１２６（１）−１２６（４）の配線幅を拡張した幅寸法Ｗ２ｈに設定する簡易な構造により実現することができる。
【００９２】
（実施例２）
本発明の実施例２は、実施例１に係る電子回路装置１の第１のトランス３（又は第２のトランス７）において、磁気ギャップ３Ｇからの漏洩磁束を拾いにくくしつつ、巻線の配線幅を確保して抵抗値の増加に伴う熱の発生を減少し、確実に渦電流損を減少するようにした例を説明するものである。
【００９３】
［第１のトランス（電子部品）の構成］
図１３に示すように、実施例２に係る電子回路装置１の第１のトランス３において、少数巻線３２の一部を構築する第１の導電体１２７（１）は、その側面と第１の磁心３３２Ｃ又はこの第１の磁心３３２Ｃに対向する第２のコア３３２とが対向する領域において幅寸法Ｗ１１を有する部分とその幅寸法Ｗ１１よりも大きな幅寸法Ｗ１ｈを有する部分とを、第１の導電体１２７（１）の延在方向に繰り返し配置して構成されている。つまり、第１の導電体１２７（１）の一部には、第１の方向（図６及び図７に示す座標軸のＺ方向）から見て、この第１の導電体１２７（１）の延在方向に向かってその左右に交互に波打つジグザク形状の平面形状を有する。
【００９４】
ここで、幅寸法Ｗ１１は、磁気ギャップ３Ｇやコア３３からの漏洩磁束の影響が生じる境界（便宜的に破線を用いて示す。）よりも更に外側であって、第１の磁心３３２Ｃの周面や第２のコア３２の内壁面から第１の離間距離Ｌ１を越える、第１の導電体１２７（１）の配線幅である。つまり、幅寸法Ｗ１１は実施例１に係る第１の導電体１２７（１）の幅寸法Ｗ１に比べて小さい寸法である。幅寸法Ｗ１ｈは前述の実施例１に係る第１の導電体１２７（１）の幅寸法Ｗ１ｈと同一寸法である。
【００９５】
このように構成される第１のトランス３においては、第１の導電体１２７（１）の幅寸法Ｗ１１の部分において磁気ギャップ３Ｇやコア３３からの距離を十分に確保して漏洩磁束を更に拾いにくくし、第１の導電体１２７（１）の幅寸法Ｗ１ｈの部分において配線幅を増加して配線抵抗を下げ熱の発生を減少することができるので、渦電流損を確実に減少することができる。
【００９６】
なお、ここでは、第１のトランス３において、少数巻線３２の一部を構築する第１の導電体１２７（１）について説明したが、少数巻線３２の他一部を構築する第１の導電体１２７（２）、多数巻線３１を構築する第２の導電体１２６（１）−１２６（４）についても同様の構成が採用されている。また、第１のトランス３の構造は第２のトランス７に採用してもよい。
【００９７】
［電子回路装置の特徴］
実施例２に係る電子回路装置１においては、実施例１に係る電子回路装置１によって得ることができる効果と同様の効果を奏することができる。
【００９８】
（実施例３）
本発明の実施例３は、実施例２に係る電子回路装置１において、第１のトランス３等の変形例を説明するものである。
【００９９】
［第１のトランス（電子部品）の構成］
図１４に示すように、実施例３に係る電子回路装置１の第１のトランス３は、多数巻線３１を構築する第２の導電体１２６（１）、１２６（３）の磁気ギャップ３Ｇ側の端部を第２の離間距離Ｌ２（又は第４の離間距離Ｌ４）よりも小さく設定し磁気ギャップ３Ｇ側に近接させ、第２の導電体１２６（１）、１２６（３）の磁気ギャップ３Ｇとは反対側の端部を第２の離間距離Ｌ２よりも大きく設定しコア３３の内壁から離間させている。更に、第１のトランス３は、多数巻線３１を構築する第２の導電体１２６（２）、１２６（４）の磁気ギャップ３Ｇ側の端部を第２の離間距離Ｌ２（又は第４の離間距離Ｌ４）よりも大きく設定し磁気ギャップ３Ｇから離間させ、第２の導電体１２６（２）、１２６（４）の磁気ギャップ３Ｇとは反対側の端部を第２の離間距離Ｌ２よりも小さく設定しコア３３の内壁側に近接させている。
【０１００】
表現を代えれば、第１のトランス３は、多数巻線３１を構築する第２の導電体１２６（１）を磁気ギャップ３Ｇ（第２の磁心３３２Ｃ）側に近接させ、その下層の第２の導電体１２６（２）をコア３３（第２のコア３３２）の磁気ギャップ３Ｇとは反対側の内壁面に近接させ、その下層の第２の導電体１２６（３）を再び磁気ギャップ３Ｇ（第１の磁心３３１Ｃ）側に近接させ、その下層の第２の導電体１２６（４）をコア３３（第１のコア３３１）の磁気ギャップ３Ｇとは反対側の内壁面に近接させている。第２の導電体１２６（１）−１２６（４）は、第２の方向（図６及び図７に示す座標軸のＹ方向）から見て、この第１の方向（Ｚ軸とは反対の方向）に向かって第２の方向と同一平面上において交差する方向（Ｘ方向）に交互に配設位置をずらした断面形状を有する。
【０１０１】
このように構成される第１のトランス３においては、第２の導電体１２６（１）−１２６（４）の一方の端部の磁気ギャップ３Ｇ又はコア３３からの離間距離を第２の離間距離Ｌ２よりも大きく設定することができるので、この部分において漏洩磁束を拾いにくくし、渦電流損を確実に減少することができる。
【０１０２】
なお、第１のトランス３は、第２の導電体１２６（１）及び１２６（２）を同一方向にずらし、これらと異なる方向において第２の導電体１２６（３）及び１２６（４）を同一方向にずらしてもよい。また、第１のトランス３は、第２の導電体１２６（１）及び１２６（４）を同一方向にずらし、これらと異なる方向において第２の導電体１２６（２）及び１２６（３）を同一方向にずらしてもよい。また、第１のトランス３の構造は第２のトランス７に採用してもよい。
【０１０３】
（実施例４）
本発明の実施例４は、実施例１乃至実施例３のいずれかに係る電子回路装置１において、放熱特性を向上した例を説明するものである。
【０１０４】
［第１のトランス（電子部品）の構成］
図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）に示すように、実施例４に係る電子回路装置１の第１のトランス３は、コア３３外において第１の絶縁基材１２１（１）に延在する第１の導電体１２７（１）の表面上に放熱体３２Ｈが配設され、コア３３外において第１の絶縁基材１２１（２）に延在する第１の導電体１２７（２）の表面上に放熱体３２Ｈが配設されている。放熱体３２Ｈには例えば熱伝導性に優れたＣｕ板（Ｃｕ角柱）、Ｃｕ合金板（Ｃｕ合金角柱）を実用的に使用することができる。放熱体３２Ｈの平面形状は、ここでは方形状であるが、円形状、楕円形状、３角形状、５角以上の多角形状のいずれであってもよい。放熱体３２Ｈは第１の導電体１２７（１）、１２７（２）のそれぞれの表面上に例えば熱伝導性に優れた接着材を用いて熱的にかつ機械的に接続される。この接着材には例えばはんだが使用される。
【０１０５】
実施例４に係る放熱体３２Ｈは、第１の導電体１２７（１）、１２７（２）のそれぞれとは別の材料によって形成されているが、立体的形状を有するので、樹脂封止体１７との接触面積を大きく確保することができる。すなわち、放熱体３２Ｈから樹脂封止体１７への熱抵抗値を減少することができるので、放熱効果を高め、より一層渦電流損を確実に減少することができる。
【０１０６】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明を実施例１及び実施例２によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものでない。本発明は様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術に適用することができる。
【０１０７】
例えば、本発明は、電子回路装置１としてＤＣ−ＤＣコンバータに限定されるものではなく、ＤＣ−ＤＣコンバータとその前段にそれとともに電源モジュールを構築する高周波対策用力率改善（ＰＦＣ：Power Factor Correction）回路を電子回路装置１としてもよい。また、本発明は、磁性体を用いて製作される電子部品を備えた電子回路装置に広く適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０８】
本発明は、薄型化並びに小型化を実現しつつ、渦電流損を効率良く減少することができる電子部品を備えた電子回路装置に広く適用可能である。
【符号の説明】
【０１０９】
１…電子回路装置
１１…基板
１２…トランス基板
１２１…第１の絶縁基材
１２２…第２の絶縁基材
１２６…第２の導電体
１２７…第１の導電体
１２８…第３の導電体
１７…樹脂封止体
１８０−１９３、１８００−１８０８、１９００−１９０３…リード
２…トランジスタ部
２１…第１のＩＧＦＥＴ
２２…第２のＩＧＦＥＴ
３…第１のトランス
３Ｇ…磁気ギャップ
３３…コア
３１Ｈ、３２Ｈ…放熱体
３３１…第１のコア
３３１Ｃ…第２の磁心
３３２…第２のコア
３３２Ｃ…第１の磁心
４１−４３…コンデンサ
５…ダイオード
６…制御部
７…第２のトランス
８…温度検出部
９１…応力緩衝体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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