(57)【要約】【課題】界面酸化および歪印加による端面劣化を確実に抑制することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】対向する共振器面１０８，１０９を有するレーザ構造部１０７と、対向する共振器面の少なくとも一方に形成された保護膜１１０，１２０と、を有し、保護膜１１０，１２０は、共振器面に接する側から結晶構造が非晶質層１１１，１２１および多結晶層１１２，１２２の多段構造を有する窒化物誘電体膜により形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する共振器端面を有するレーザ構造部と、
上記対向する共振器端面の少なくとも一方に形成された保護膜と、を有し、
上記保護膜は、
共振器端面に接する側から結晶構造が非晶質層および多結晶層の多段構造を有する窒化物誘電体膜により形成されている
半導体レーザ素子。
【請求項２】
上記保護膜の多結晶層が六方晶系の結晶構造を有する
請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
半導体の格子定数ａと上記保護膜における六方晶結晶構造の格子定数ａとの格子不整合度が５０％以上である
請求項２記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
上記保護膜が、
活性層よりバンドギャップエネルギーが大きい窒化物材料を含む
請求項１から３のいずれか一に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
上記保護膜は、
光出射側の第１端面に形成され、
上記保護膜の多結晶層の上記非晶質層と接する側と反対側に誘電体保護膜が形成されている
請求項１から４のいずれか一に記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
上記保護膜は、
光反射側の第１端面と対向する光反射側の第２端面に形成され、
上記保護膜の多結晶層の上記非晶質層と接する側と反対側に誘電体膜を多層に繰り返し積層した多層構造膜が形成されている
請求項１から５のいずれか一に記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
対向する共振器面を有するレーザ構造部を形成する第１ステップと、
上記対向する共振器面の少なくとも一方に保護膜を形成する第２ステップと、を有し、
上記第２ステップにおいて、
上記保護膜を、共振器面に接する側から結晶構造が非晶質層および多結晶層の多段構造を有する窒化物誘電体膜により形成する
半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項８】
上記保護膜の多結晶層が六方晶系の結晶構造を有する
請求項７記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項９】
半導体の格子定数ａと上記保護膜における六方晶結晶構造の格子定数ａとの格子不整合度が５０％以上である
請求項８記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１０】
上記保護膜が、
活性層よりバンドギャップエネルギーが大きい窒化物材料を含む
請求項７から９のいずれか一に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振器面に特定構造の保護膜を有する半導体レーザ素子およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
たとえば光ディスクや光磁気ディスクの書き込み用として高出力化合物半導体レーザ素子が実用に供されている。
【０００３】
図１（Ａ）および（Ｂ）は一般的な化合物半導体レーザ素子の構造を示す簡略断面図であって、図１（Ａ）はレーザストライプ垂直方向の構造を示し、図１（Ｂ）はレーザストライプ水平方向の構造を示している。
【０００４】
図１の半導体レーザ素子１０は、基板上１１にｎ型クラッド層１２、量子井戸発光層１３、ｐ型クラッド層１４が形成され、ｐ側およびｎ側には各々ｐ電極１５、ｎ電極１６が形成されている。
半導体レーザ素子１０は、対向する共振器面としてのフロント端面１７およびリア端面１８を有し、フロント端面１７およびリア端面１８には端面保護膜が成膜されている。
端面保護膜として、フロント端面（光出射側端面）１７には単層の酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）１９が成膜され、リア端面（光反射側端面）１８には酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）２０および酸化チタン（ＴｉＯ２）２１の多層膜が成膜されている。
【０００５】
上記のような化合物半導体レーザ素子は高出力化に伴う動作電流の増加により、端面劣化が問題となっていたが、調査の結果、突然劣化の一因が光出射部の破壊であることが明らかとなった。
光出射部の劣化は半導体と保護膜界面に形成された非発光再結合準位により、光が吸収され光出射部が過度に発熱されることが原因である。
非発光再結合準位が発生する主要因としては半導体の酸化、半導体と保護膜界面での結晶欠陥の発生などが考えられている。
【０００６】
これらの問題に対し、端面保護膜材料の変更による改善技術が種々提案されている（たとえば特許文献１〜７参照）。
【０００７】
特許文献１には、保護膜構造が多孔質膜／緻密膜であり、保護膜材料としてＳｉＮ、ＢＮ、ＡｌＮ、ＧａＮを採用した半導体レーザ素子が開示されている。
【０００８】
特許文献２には、保護膜構造が同軸配向結晶／異軸配向結晶であり、保護膜材料として窒化物を採用した半導体レーザ素子が開示されている。
【０００９】
特許文献３には、保護膜構造が異軸配向結晶単層であり、保護膜材料として窒化物を採用した半導体レーザ素子が開示されている。
【００１０】
特許文献４には、保護膜構造が六方晶系構造であり、保護膜材料としてＺｎＯ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＢＮを採用した半導体レーザ素子が開示されている。
【００１１】
特許文献５には、保護膜構造が一部が非晶質であり、保護膜材料としてＡｌＮを採用した半導体レーザ素子が開示されている。
【００１２】
特許文献６には、保護膜構造が同軸結晶であり、保護膜材料としてＡｌ-Ｏ-Ｎ、ＡｌＮを採用した半導体レーザ素子が開示されている。
【００１３】
特許文献７には、保護膜構造が結晶性膜であり、保護膜材料としてＡｌ1-ｘ-ｙ-ｚＧａｘＩｎｙＢｚＮを採用した半導体レーザ素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特許第３７７４５０３号公報
【特許文献２】特開２００８-１８２２０８号公報
【特許文献３】特開２００９-７６８５８号公報
【特許文献４】特開２００６-２０３１６２号公報
【特許文献５】特開２００７-１０３８１４号公報
【特許文献６】特開２００７-２７３９５１号公報
【特許文献７】特開２０００-４９４１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
上記のように、提案された半導体レーザ素子では、端面保護膜材料として窒化物材料が主として採用されているが、膜構造状態については様々な構造形態が採用されている。
そして、これらの半導体レーザ素子においては、界面酸化や歪印加による端面劣化を確実に抑制することが未だ困難である。
【００１６】
本発明は、界面酸化および歪印加による端面劣化を確実に抑制することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の第１の観点の半導体レーザ素子は、対向する共振器面を有するレーザ構造部と、上記対向する共振器面の少なくとも一方に形成された保護膜と、を有し、上記保護膜は、共振器面に接する側から結晶構造が非晶質層および多結晶層の多段構造を有する窒化物誘電体膜により形成されている。
【００１８】
本発明の第２の観点の半導体レーザ素子の製造方法は、対向する共振器面を有するレーザ構造部を形成する第１ステップと、上記対向する共振器面の少なくとも一方に保護膜を形成する第２ステップと、を有し、上記第２ステップにおいて、上記保護膜を、共振器面に接する側から結晶構造が非晶質層および多結晶層の多段構造を有する窒化物誘電体膜により形成する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、界面酸化および歪印加による端面劣化を確実に抑制することできる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】一般的な化合物半導体レーザ素子の構造を示す簡略断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る化合物半導体レーザ素子の構造を示す簡略断面図である。
【図３】ＧａＡｓ半導体端面へのＡｌＮ保護膜の明視野走査透過電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ:ＳＴＥＭ）による断面像を示す図である。
【図４】ＧａＡｓ半導体端面へのＡｌＮ保護膜の明視野透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ:ＴＥＭ）による断面像および電子回折像を示す図である。
【図５】化合物半導体のバンドギャップとウルツ鉱型ＡｌＮの格子不整合度との関係を示す図である。
【図６】ＧａＮ化合物半導体の端面ＡｌＮの高分解能ＴＥＭ像を示す図である。
【図７】端面保護膜を有する半導体レーザ素子におけるレーザ動作時間とレーザ出力劣化率の関係を示す図である。
【図８】ＧａＮ系半導体とＡｌＧａＩｎＰ系半導体のＡＩＮコート膜による歪のＴＥＭ像を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面に関連付けて説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．半導体レーザ素子の構造例
２．ＴＥＭ像解析
３．六方晶系の同定方法
４．端面保護膜を有する半導体レーザ素子の動作時間評価
【００２２】
＜半導体レーザ素子の構造例＞
図２（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る化合物半導体レーザ素子の構造を示す簡略断面図であって、図２（Ａ）はレーザストライプ垂直方向の構造を示し、図２（Ｂ）はレーザストライプ水平方向の構造を示している。
【００２３】
図２の半導体レーザ素子１００は、基板上１０１にｎ型クラッド層１０２、量子井戸発光層１０３、ｐ型クラッド層１０４が形成され、ｐ側およびｎ側には各々ｐ電極１０５、ｎ電極１０６が形成されている。
半導体レーザ素子１００は、共振器としてのレーザ構造部１０７を形成する、対向する共振器端面としてのフロント端面（第１端面）１０８およびリア端面（第２端面）１０９を有し、フロント端面１０８およびリア端面１０９には端面保護膜が成膜されている。
なお、フロント端面は第１端面に相当し、リア端面は第２端面に相当する。
【００２４】
本実施形態の半導体レーザ素子１００においては、端面保護膜として、フロント端面（光出射側端面）１０８には端面１０８側から非晶質窒化物膜１１１および多結晶窒化物膜１１２を積層した第１誘電体保護膜１１０が形成されている。
リア端面（光反射側端面）１０９には、フロント端面側と同様に、端面１０９側非晶質窒化物膜１２１および多結晶窒化物膜１２２を積層した第２誘電体保護膜１２０が形成されている。
第１誘電体保護膜１１０および第２誘電体保護膜１２０は、たとえば窒化アルミニウムＡｌＮが適用される。
なお、非晶質層は微結晶を含んでいてもかまわない。
【００２５】
このように、本実施形態においては、共振器としてのレーザ構造部１０７のフロント端面１０８およびリア端面１０９に接して非晶質窒化物膜１１１，１２１が形成され、非晶質窒化物膜１１１，１２１に重ねて多結晶窒化物膜１１２，１２２が形成されている。
フロント端面１０８およびリア端面１０９に接して非晶質窒化物膜１１１，１２１が形成されていることから、半導体への酸素の供給源がたち切られ、半導体界面の酸化が抑止され、非晶質膜であるため半導体界面への歪印加が軽減される。
なお、非晶質窒化物膜１１１，１２１は、その膜厚がたとえば５ｎｍ以下に設定されて形成される。
【００２６】
そして、半導体レーザ素子１００は、フロント端面１０８側においては、第１誘電体保護膜１１０を保護するために、酸化物もしくは窒化物の第３誘電体保護膜１１３が成膜されている。すなわち、第１誘電体保護膜１１０の多結晶窒化物膜１１２の非晶質窒化物膜１１１と接する側と反対側に第３誘電体保護膜１１３が形成されている。
リア端面１０９側においては、酸化物もしくは窒化物の誘電体膜１２３−１，１２３−２と酸化チタン（ＴｉＯ２）膜１２４−１，１２４−２の多層構造膜１２５が形成されている。
すなわち、リア端面１０９側において、第２誘電体保護膜１２０の多結晶層１２２に接する側に誘電体膜を多層に繰り返し積層した多層構造膜１２５が形成されている。すなわち、第２誘電体保護膜１２０の多結晶窒化物膜１２２の非晶質窒化物膜１２１と接する側と反対側に多層構造膜１２５が形成されている。
誘電体膜１２３−１，１２３−２としては、たとえば酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が適用される。
【００２７】
ここで、半導体レーザ素子１０の製造方法の一例について説明する。
たとえば、図２（Ａ）に示すように、ｎ型（たとえばＧａＡｓ）基板１０１上にＧａＡｓバッファ層（図示せず）を介して、ＧａＡｓに格子整合したｎ-ＩｎＧａＰクラッド層１０２を形成する。
ついで、Ｉｎ1-ｘＧａｘＡｓｙＰ1-ｙ障壁層とＩｎｚＧａ1-ｚＡｓ量子井戸層により形成される量子井戸発光層１０３を形成する。
さらに、ＧａＡｓ基板に格子整合したｐ-ＩｎＧａＰクラッド層１０４、ｐ-ＧａＡｓ光導波路層、ｐ-ＧａＡｓキャップ層を形成する。
これらの各層は、ＭＯＶＰＥ法、またはガスソースＭＢＥ法、またはＣＢＥ法により順次形成する。
次に、たとえば酸化膜をマスクに、ホトエッチング工程によりリッジを形成する。このときのエッチングはウエット、ＲＩＥ、ＲＩＢＥ等、方法を問わない。
エッチングはｐ-ＧａＡｓ光導波路層を完全に除去し、かつ量子井戸発光層１０３に達しないようにｐ-ＩｎＧａＰクラッド層１０４の途中で止まるようにする。
次に、エッチングマスクとして用いた酸化膜を選択成長のマスクとして、ｎ-ＩｎＧａＰ電流狭窄層（図示せず）をＭＯＶＰＥ法により選択成長する。
その後、成長炉からウエハを取りだし、選択成長マスクとして用いた酸化膜をエッチングにより除去する。その後、ｐ-ＧａＡｓコンタクト層をＭＯＶＰＥ法またはＭＢＥ法により形成する。
そして、ｐ側オーミック電極１０５、ｎ側オーミック電極１０６を形成した後、劈開法により所定の共振器長のレーザ素子を得る。
【００２８】
この後、図２（Ｂ）に示すように、ＡｌＮ保護膜１１０，１２０を成膜する。
ＡｌＮの成膜方法は、Ａｌターゲットを用い、ＡｒとＮ２ガス雰囲気でＤＣスパッタにより成膜する。
なお、本製法に限らず、Ａｌターゲット、あるいはＡｌＮターゲットを用いたＲＦスパッタ法、ＥＣＲスパッタ法、ＥＢ蒸着法などであってもよく、製法は限定されない。
そして、フロント端面１０８側に第１誘電体保護膜１１０に対する保護膜として第３誘電体膜１１３を成膜する。
また、リア端面１０９側に第１誘電体保護膜１１０に対する保護膜としてＳｉＯ２およびＴｉＯ２の多層構造膜１２５を成膜する。
【００２９】
＜２．ＴＥＭ像解析＞
以上のように製造される半導体レーザ素子１００のＧａＡｓ半導体端面部の解析を行う。
図３および図４は、ＧａＡｓ半導体端面へのＡｌＮ保護膜の断面ＴＥＭ像を示す図である。
図３は、ＧａＡｓ半導体端面へのＡｌＮ保護膜の明視野走査透過電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ:ＳＴＥＭ）による断面像を示している。
図４（Ａ）は、ＧａＡｓ半導体端面へのＡｌＮ保護膜の明視野透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ:ＴＥＭ）による断面像を、図４（Ｂ）は電子回折像を示している。
【００３０】
図３にて、ＧａＡｓ半導体１３０の界面に３ｎｍ程度の非晶質ＡｌＮ膜１３１が形成され、さらにその表層に多結晶ＡｌＮ膜１３２が形成されていることが確認された。
また、図４にて、多結晶ＡｌＮ膜１３３の結晶構造が六方晶構造（ウルツ鉱型）であることが同定された。
【００３１】
＜３．六方晶系の同定方法＞
ここで、多結晶ＡｌＮ膜の結晶構造が六方晶構造（ウルツ鉱型）であることの同定方法について説明する。
なお、ここではＡｌＮ結晶構造の面間隔と端面ＡｌＮ膜の面間隔測定値を示す表１を参照する。
【００３２】
ＡｌＮ結晶のとりうる結晶構造は閃亜鉛鉱型（立方晶系）とウルツ鉱型（六方晶系）であり、各々の構造における面間隔の文献値と本測定試料の面間隔との比較により結晶構造の同定を行った。
表１に示すように、測定された面間隔はウルツ鉱型(六方晶系)とよい一致を示していることから、本コート膜における多結晶ＡｌＮは六方晶系であると同定される。
【００３３】
【表１】
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【００３４】
図５は、化合物半導体のバンドギャップとウルツ鉱型ＡｌＮの格子不整合度との関係を示す図である。
図６は、ＧａＮ化合物半導体の端面ＡｌＮの高分解能ＴＥＭ像を示す図である。
なお、図５において、横軸はバンドギャップエネルギーを、縦軸が格子不整合度をそれぞれ示している。
【００３５】
本発明の実施形態が適用される条件は、化合物半導体の格子定数ａと窒化物多結晶膜における格子定数ａとの格子不整合度の絶対値が５０％以上の関係にあるときである。
保護膜にＡｌＮを用いた場合、図５に示すように、閃亜鉛鉱構造を有する化合物半導体が対象となる（ただし、窒化物半導体は除く）。
半導体と保護膜の格子不整合度が５０％以下の場合、たとえば図６に示すように、ＧａＮ半導体１４０にＡｌＮ保護膜１４１を成膜した場合（格子不整合度２％）、半導体端面には非晶質構造が形成されず、エピタキシャルな膜が成長をしてしまう。
このため、半導体側には歪が印加される。
【００３６】
＜４．端面保護膜を有する半導体レーザ素子の動作時間評価＞
図７は、端面保護膜を有する半導体レーザ素子におけるレーザ動作時間とレーザ出力劣化率の関係を示す図である。
ここでは、ＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体レーザを用いている。
図７において、横軸がレーザ動作時間を、縦軸がレーザ出力劣化率を、それぞれ示している。
また、図７において、Ａで示す線群が端面保護膜として窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いた場合の特性を、Ｂで示す線群が端面保護膜として酸化アルミニウム（アルミナ：Ａｌ２Ｏ３）を適用した場合の特性を示している。
【００３７】
試作した半導体レーザ素子の保護膜等の厚さは以下の通りである。
本実施形態に係る半導体レーザ素子１０のフロント側は、半導体／ＡｌＮの膜厚は２０５ｎｍ、リア側は、半導体／ＡｌＮの膜厚は７９ｎｍである。
また、リア側のＴｉＯ２の膜厚６３ｎｍおよびＳｉＯ２の膜厚は１１０.５ｎｍで、この多層膜を４回繰り返し成膜し、さらにＴｉＯ２の膜厚６３ｎｍおよびＳｉＯ２の膜厚２２１ｎｍの多層構造膜を成膜した。
図７からわかるように、本実施形態に係るＡｌＮコート膜適用試作レーザは、従来のアルミナコート膜適用レーザに比べ劣化を抑制する効果が得られる。
【００３８】
本実施形態に係る半導体レーザ素子１００は、酸化物保護膜に対し窒化物保護膜を用いることで半導体への酸素の供給源が断ち切られ、半導体界面の酸化を抑制することができる。
【００３９】
また、本実施形態に係る半導体レーザ素子１００は、半導体に接する保護膜が非晶質であるため半導体界面への歪印加を軽減され、活性層厚み変調型などの窓構造を有する半導体レーザ素子に対して、窓構造効果への悪影響を抑制することができる。
【００４０】
図８（Ａ）および（Ｂ）は、ＧａＮ系半導体とＡｌＧａＩｎＰ系半導体のＡＩＮコート膜による歪のＴＥＭ像を示す図である。
図８（Ａ）は、ＧａＮ系半導体の端面に直接多結晶単層ＡｌＮコートを成膜した場合のＴＥＭ像を示している。
図８（Ｂ）は、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体の端面に非晶質および多結晶の２段構造ＡｌＮコート膜を成膜した場合のＴＥＭ像を示している。
【００４１】
図８（Ａ）のＴＥＭ像に示すように、ＧａＮ系半導体１５０端面に直接多結晶単層ＡｌＮコート膜１５１を成膜すると、半導体側に歪に起因するコントラストＣＴＳが観察される。
これに対して、図８（Ｂ）のＴＥＭ象に示すように、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体１６０の端面に非晶質および多結晶の２段構造ＡｌＮコート膜１６１を成膜した場合、歪起因のコントラストは観察されない。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態の半導体レーザ素子１００においては、端面保護膜として、フロント端面（光出射側端面）１０８にはＭ端面１０８側から非晶質窒化物膜１１１および多結晶窒化物膜１１２を積層した第１誘電体保護膜１１０が形成されている。
リア端面（光反射側端面）１０９には、フロント端面側と同様に、端面１０９側非晶質窒化物膜１２１および多結晶窒化物膜１２２を積層した第２誘電体保護膜１２０が形成されている。
このように、本実施形態の半導体レーザ素子１００においては、共振器１０７のフロント端面１０８およびリア端面１０９に接して非晶質窒化物膜１１１，１２１が形成され、非晶質窒化物膜１１１，１２１に重ねて多結晶窒化物膜１１２，１２２が形成されている。
フロント端面１０８およびリア端面１０９に接して非晶質窒化物膜１１１，１２１が形成されていることから、半導体への酸素の供給源がたち切られ、半導体界面の酸化が抑止され、非晶質膜であるため半導体界面への歪印加が軽減される。
その結果、半導体界面の酸化を抑制することができ、活性層厚み変調型などの窓構造を有する半導体レーザ素子に対して、窓構造効果への悪影響を抑制することができる。
すなわち、本実施形態においては、高出力半導体レーザにおける端面劣化を抑制するために、光出射面の保護膜として半導体界面側から非晶質層および多結晶層の２段構造を有する窒化物誘電体保護膜を用いる。これにより、界面酸化および歪印加による端面劣化を抑制した高信頼性半導体レーザを実現することが可能となる。
【００４３】
なお、上述した実施形態においては、共振器を含むレーザ構造部１０７のフロント端面１０８およびリア端面１０９に非晶質層および多結晶層の２段構造を有する窒化物誘電体保護膜１１０，１２０を配置した例を示した。
この構成が最適な効果を発現することが可能であるが、レーザ構造部１０７のフロント端面１０８およびリア端面１０９のいずれか一方に窒化物誘電体保護膜を配置して構成であっても、界面酸化および歪印加による端面劣化を抑制することは可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１００・・・化合物半導体レーザ素子、１０１・・・半導体基板、１０２・・・ｎ型クラッド層、１０３・・・量子井戸発光層、１０４・・・ｐ型クラッド層、１０５・・・ｐ側、１０６・・・ｎ電極１０６、１０７・・・共振器、１０８・・・フロント端面、１０９・・・リア端面、１１０・・・第１誘電体保護膜、１１１・・・非晶質窒化物膜、１１２・・・多結晶窒化物膜、１１３・・・第３誘電体膜、１２０・・・第２誘電体保護膜、１２１・・・非晶質窒化物膜、１２２・・・多結晶窒化物膜、１２３−１，１２３−２・・・誘電体膜、１２４−１，１２４−２・・・酸化チタン（ＴｉＯ２）膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図４】
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