(57)【要約】  【課題】  パッケージの封止性を良好に維持することが可能な半導体素子実装構造体を提供する。  【解決手段】  半導体素子実装構造体１であって、上面に半導体素子２を設けた基板４と、基板４上に半導体素子２を取り囲んで設けられるとともに、側面に貫通孔Ａを有する枠体５と、貫通孔Ａに嵌合して設けられた、枠体５の内外を電気的に接続するコネクタ６と、枠体５内に設けられ、コネクタ６と接続された配線基板７と、枠体５上に設けられ、半導体素子２および配線基板７を被覆した蓋体８とを備え、貫通孔Ａは、断面視してコネクタ６と当接する内壁面で挟まれる領域が枠体５外側よりも枠体５内側で幅狭となっている幅狭部９を有している。【選択図】  図１
2012134350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に半導体素子を設けた基板と、
前記基板上に前記半導体素子を取り囲んで設けられるとともに、側面に貫通孔を有する枠体と、
前記貫通孔に嵌合して設けられた、前記枠体の内外を電気的に接続するコネクタと、
前記枠体内に設けられ、前記コネクタに接続された配線基板と、
前記枠体上に設けられ、前記半導体素子および前記配線基板を被覆した蓋体とを備え、
前記貫通孔は、断面視して前記コネクタと当接する内壁面で挟まれる領域が前記枠体外側よりも前記枠体内側で幅狭となっている幅狭部を有することを特徴とする半導体素子実装構造体。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体素子実装構造体であって、
前記幅狭部は、前記枠体外側から前記枠体内側に向かって漸次幅狭となっていることを特徴とする半導体素子実装構造体。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体素子実装構造体であって、
前記幅狭部は、前記貫通孔の端部に位置することを特徴とする半導体素子実装構造体。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体素子実装構造体であって、
前記幅狭部は、断面視して前記コネクタと当接する内壁面で挟まれる領域に複数設けられていることを特徴とする半導体素子実装構造体。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体素子実装構造体であって、
前記枠体内で取り囲まれ、前記基板と前記蓋体とで封止された領域における圧力は、前記枠体外における圧力よりも小さいことを特徴とする半導体素子実装構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子収納用パッケージに、半導体素子を実装した半導体素子実装構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光通信の分野等で使用される半導体レーザダイオード、フォトダイオード等の半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージが知られている（例えば、特許文献１参照）。そして、半導体素子収納用パッケージの内部に半導体素子を収納して、半導体素子を半導体素子収納用パッケージの外部と電気的に接続されるように組み立てることにより半導体素子実装構造体が構成される。
【０００３】
近年では、半導体素子実装構造体のパッケージ内の封止性を良好に維持することで、半導体素子の光信号を良好に伝送し続ける技術が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２４３９９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、半導体素子収納用パッケージ内の封止性を良好に維持することが可能な半導体素子実装構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態に係る半導体素子実装構造体は、上面に半導体素子を設けた基板と、前記基板上に前記半導体素子を取り囲んで設けられるとともに、側面に貫通孔を有する枠体と、前記貫通孔に嵌合して設けられた、前記枠体の内外を電気的に接続するコネクタと、前記枠体内に設けられ、前記コネクタと接続された配線基板と、前記枠体上に設けられ、前記半導体素子および前記配線基板を被覆した蓋体とを備え、前記貫通孔は、断面視して前記コネクタと当接する内壁面で挟まれる領域が前記枠体外側よりも前記枠体内側で幅狭となっている幅狭部を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、半導体素子収納用パッケージ内の封止性を良好に維持することが可能な半導体素子実装構造体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る半導体素子実装構造体の分解斜視図である。
【図２】図２は、半導体素子実装構造体の透過平面図である。
【図３】図３は、図２に示した仮想切断線Ｘ−Ｘ’に沿って半導体素子実装構造体を切断した断面図である。
【図４】一変形例に係る半導体素子実装構造体の断面図であって、図３の図面に相当する。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態に係る半導体素子実装構造体について、図面を参照しながら
説明する。
【００１０】
＜半導体素子実装構造体の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体素子実装構造体１を示す分解斜視図である。半導体素子実装構造体１は、電気信号を光信号に変換して外部に出力する、または外部から入力された光信号を電気信号に変換するための装置であって、例えば発光ダイオード、半導体レーザダイオードまたはフォトダイオード等の半導体素子２を実装したものである。なお、半導体素子実装構造体１は、半導体素子収納用パッケージ３に半導体素子２を実装したものである。
【００１１】
また、図２は、半導体素子実装構造体１の透過平面図である。図３は、図２に示した仮想切断線Ｘ−Ｘ’に沿って半導体素子実装構造体１を切断した断面図であって、半導体素子２を取り除いた状態を示す。
【００１２】
半導体素子実装構造体１は、上面に半導体素子２を設けた基板４と、基板４上に半導体素子２を取り囲んで設けられるとともに、側面に貫通孔Ａを有する枠体５と、貫通孔Ａに嵌合して設けられた、枠体５の内外を電気的に接続する同軸コネクタ６と、枠体５内に設けられ、同軸コネクタ６と接続された配線基板７と、枠体５上に設けられ、半導体素子２および配線基板７を被覆した蓋体８とを備え、貫通孔Ａは、断面視して同軸コネクタ６と当接する内壁面で挟まれる領域が枠体５外よりも枠体５内で幅狭となる幅狭部９を有する。
【００１３】
基板４は、例えば、銅、タングステン、鉄、ニッケルまたはコバルト等の金属、あるいはこれらの金属を複数種含む合金から成る。基板４は、熱伝導性の優れた材料から成る。基板４に半導体素子２を実装した状態で半導体素子２が作動すると、半導体素子２から発生した熱が基板４に伝わる。基板４は放熱板として機能し、半導体素子２が発する熱を効率良く外部に放熱することができる。なお、基板４のヤング率は、例えば１００ＧＰａ以上４１０ＧＰａ以下に設定されている。ここで、ヤング率とは、弾性範囲で単位ひずみ当たり、どれだけ応力が必要かの値を決める定数である。なお、基板４は、平面視したときの一辺の長さが、例えば３ｍｍ以上１００ｍｍ以下のものであって、上下方向の厚みが、例えば０．３ｍｍ以上３ｍｍ以下のものである。
【００１４】
基板４上には、図２に示すように、半導体素子２を実装する実装領域Ｒが設けられている。実装領域Ｒには、半導体素子２を載置する台座１０が設けられる。台座１０は、半導体素子２を載置する部材である。なお、半導体素子２は、台座１０を介さずに基板４上に直接設けてもよい。また、実装領域Ｒは、基板４上であって枠体５で囲まれる領域のことをいう。
【００１５】
台座１０は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス等の絶縁材料から成る。台座１０上には、高周波信号が伝送されるモリブデンまたはマンガン等の金属を含む金属ペーストを焼結して成る配線が形成されている。そして、台座１０上の配線と半導体素子２が、例えば、インジウム、鉛、銀または錫等の金属を含む半田またはろう材等の接合部材を介して接続される。また、台座１０は、例えば、半田またはろう材等の接合部材を介して基板の実装領域Ｒに接続される。
【００１６】
枠体５は、例えば、銅、タングステン、鉄、ニッケルまたはコバルト等の金属、あるいはこれらの金属を複数種含む合金から成る。枠体５は、半導体素子２を実装する実装領域Ｒを囲むように基板４上に設けられる。なお、枠体５は、基板４と一体的に形成されていてもよいし、基板４と別個独立に形成されていてもよい。基板４と枠体５とが別個独立に
形成された場合、基板４と枠体５とは例えば、半田またはろう材等の接合部材を介して接続される。なお、枠体５は、平面視したときの外周の一辺の長さが、例えば５ｍｍ以上１００ｍｍ以下のものであって、内周の一辺の長さが、例えば３ｍｍ以上９９ｍｍ以下のものである。また、枠体５の上下方向の厚みが、例えば０．５ｍｍ以上１５ｍｍ以下のものである。
【００１７】
枠体５の側面には、レンズ孔Ｌが設けられている。かかるレンズ孔Ｌは、半導体素子２が発する光が通る高さ位置に設けられる。レンズ孔Ｌは、透光性封止部材１１を支持する機能を備えている。
【００１８】
また、透光性封止部材１１は、レンズ孔Ｌを封止するように、レンズ孔Ｌに設けられている。透光性封止部材１１は、光を透過させるとともに、枠体５内の気密性を保つための機能を備えている。なお、透光性封止部材１１は、サファイアまたはガラス等から構成されるレンズである。そして、透光性封止部材１１は、半導体素子２から発せられる光信号を集光し、あるいは平行光に変換する機能を有している。そのため、透光性封止部材１１は、半導体素子２から発せられる光信号の光軸を調整することができる。
【００１９】
また、枠体５の側面に、貫通孔Ａが設けられている。貫通孔Ａは、レンズ孔Ｌが設けられた枠体５の側面とは異なる側面に設けられている。貫通孔Ａは、例えば、レンズ孔Ｌと直交する枠体５の側面に設けられている。
貫通孔Ａには、外部から枠体５に向かって、通信用コネクタまたは同軸用コネクタ等のコネクタ６を取り付ける機能を備えている。コネクタ６を枠体５の貫通孔Ａに挿入して、貫通孔Ａに嵌合して接続する。なお、貫通孔Ａの大きさは、外部から取り付けるコネクタを脱着可能な大きさに設定されている。
【００２０】
コネクタ６は、枠体５の内外を電気的に接続する信号線１２と、信号線１２と間を空けて信号線１２の周囲を取り囲むグランド層１３と、信号線１２とグランド層１３との間に介在された誘電体１４とを備えている。コネクタ６は、外部の電気信号をパッケージ内の配線基板７に、あるいはパッケージ内の配線基板７の電気信号を外部に伝えるためのものである。
【００２１】
信号線１２は、所定の電気信号を伝達する機能を備えている。信号線１２は、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルトまたはクロム等の金属材料からなる。グランド層１３は、共通の電位、例えばアース電位にする機能を備えている。また、グランド層１３は、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルトまたはクロム等の金属材料からなる。そして、枠体５は、金属材料からなり、グランド層１３と枠体５とは電気的に接続されている。
【００２２】
誘電体１４は、絶縁性の材料であって、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたは窒化珪素等の無機材料、あるいはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはエチレン樹脂等の有機材料、ホウ珪酸ガラス等のガラス材料、あるいは酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミック材料から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。
【００２３】
また、誘電体１４には、多数のフィラーが含有されていても構わない。誘電体１４が有機材料からなる場合であれば、誘電体１４中にフィラーが含有されていることによって、誘電体１４の硬化前の粘度を調整することができ、誘電体１４の厚み寸法を所望の値に近づけることができる。フィラーは、球状であって、フィラーの径は、例えば０．０５μｍ以上６μｍ以下に設定されており、熱膨張率は、例えば−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃
以下である。なお、フィラーは、例えば、酸化珪素、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたは水酸化アルミニウム等から成る。
【００２４】
また、誘電体１４に含有されるフィラーの比誘電率は、誘電体１４を構成する材料の比誘電率よりも小さく設定することができる。このように、誘電体１４の比誘電率よりも小さい低誘電率のフィラーとすることで、誘電体１４全体をさらに低誘電率化することができ、信号線１２に伝送される電気信号の伝送効率を向上させることができる。なお、フィラーは、絶縁性のフィラーとすることができる。フィラーを絶縁性とすることで、信号線１２に伝わる信号の特性インピーダンスへの影響を低減することができる。
【００２５】
枠体５は、枠体５の内壁面の一部であって、枠体５に設けられた貫通孔Ａの近傍に、凸部５Ａが設けられている。凸部５Ａは、枠体５の一部であって、枠体５内に向かって突出している。凸部５Ａは、配線基板７を実装するものである。配線基板７は、例えば、リジッド基板、フレキシブル基板またはリジッドフレキシブル基板等のプリント基板、あるいは酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス等から成るセラミック基板である。
【００２６】
配線基板７は、コネクタ６の信号線１２と接続される。また、配線基板７は、半導体素子２とボンディングワイヤ１５によって電気的に接続される。そして、コネクタ６に伝達される信号を配線基板７を介して半導体素子２に伝えることができる。あるいは、半導体素子２の信号を配線基板７を介してコネクタ６に伝えることができる。
【００２７】
枠体５に配線基板７を実装する凸部５Ａが設けられた構造の場合は、コネクタ６の信号線１２と配線基板７との距離を短くすることができることで、信号線１２と配線基板７との間の電気的損失を抑えることができ、電気伝送特性を向上させることができる。
【００２８】
蓋体８は、枠体５上に、枠体５内を全て覆うように設けられている。蓋体８は、枠体５内の気密性を保つための機能を備えている。蓋体８は、例えば、銅、タングステン、鉄、ニッケルまたはコバルト等の金属、あるいはこれらの金属を複数種含む合金、あるいは酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミックスから成る。
【００２９】
また、蓋体８は、シールリングを介して、枠体５の上面に接合される。ここで、シールリング１６は、例えば、蓋体８とのシーム溶接性に優れた、例えば、銅、タングステン、鉄、ニッケルまたはコバルト等の金属、あるいはこれらの金属を複数種含む合金からなる。そして、基板４、枠体５および蓋体８によってパッケージ内が封止されている。その結果、半導体素子２と配線基板７は、パッケージ内にて気密封止されて、パッケージ外から保護されている。ここで、枠体５内で取り囲まれ、基板４と蓋体８で封止された領域における圧力は、枠体５外における圧力よりも小さくなるように設定されている。なお、蓋体８は、平面視したときの一辺の長さが、例えば５ｍｍ以上１００ｍｍ以下のものであって、上下方向の厚みが、例えば５ｍｍ以上２５ｍｍ以下のものである。
【００３０】
枠体５内で取り囲まれ、基板４と蓋体８で封止された領域における雰囲気の圧力は、例えば、１．０×１０−１０Ｐａ以上５．０×１０４Ｐａ以下に設定されている。また、枠体５外における雰囲気の圧力は、例えば、０．９×１０５Ｐａ以上１．１×１０５Ｐａ以下に設定されている。
そして、両者の圧力差によって、枠体５外から枠体５内に向かって圧力が印加されている。
【００３１】
貫通孔Ａには、断面視してコネクタ６と当接する内壁面で挟まれる領域が枠体５外側よりも枠体５内側で幅狭となっている幅狭部９が形成されている。幅狭部９は、コネクタ６と枠体５との接合状態を良好に維持するためのものである。枠体５外から枠体５内に向かって圧力が印加されると、コネクタ６が枠体５外から枠体５内に向かって押圧されて、幅狭部９にて貫通孔Ａの内壁面に強固に当接する。この際に、幅狭部９がコネクタ６のストッパーとして機能する。そして、枠体５の貫通孔Ａがコネクタ６によって隙間無く埋められる。なお、幅狭部９の個所は、断面視して上下の厚みが、例えば１ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。
【００３２】
コネクタ６は、断面視したときに外周が金属製のグランド層１３であるため、金属製の枠体５と強固に接続される。また、コネクタ６は、断面視したときにグランド層１３で囲まれる領域に誘電体１４が設けられているため、誘電体１４が樹脂材料から成る場合は、誘電体１４にてグランド層１３から加わる応力を緩和することができる。さらに、コネクタ６は、パッケージ内外の圧力の差に起因して、パッケージ内に向かって押圧されるが、誘電体１４によって応力が緩和されるとともに、貫通孔Ａの内壁面にコネクタ６の外周が強固に当接される。その結果、枠体５に貫通孔Ａが設けられているが、貫通孔Ａにコネクタ６を隙間無く嵌合させて接続することで、貫通孔Ａが設けられている個所に起因してパッケージ内の封止が破壊されるのを抑制することができる。
【００３３】
仮に、幅狭部９が存在しないとすると、パッケージ内外の圧力の差に起因して、コネクタ６がパッケージ内に向かって押圧されると、コネクタ６が貫通孔Ａの内壁面から剥離しようとする。その結果、コネクタ６の外周と貫通孔Ａの内壁面との間にパッケージ内外を接続する隙間が発生し、パッケージ内の封止性を破壊する虞がある。そこで、貫通孔Ａに幅狭部９を設けて、コネクタ６のストッパーとして機能させることで、コネクタ６の外周と貫通孔Ａの内壁面との間に隙間が発生するのを抑制し、パッケージ内の封止性を良好に維持することができる。また、コネクタ６が移動しないように幅狭部９にて固定されるため、コネクタ６の信号線１２と配線基板７との電気的接続状態が良好に維持されて、半導体素子実装構造体１の電気特性を長期にわたって良好に維持することができる。
【００３４】
特に、枠体５に配線基板７を実装する凸部５Ａが設けられた構造の場合は、電気伝送特性を向上させることができるが、コネクタ６の位置ずれが発生すると、配線基板７と信号線１２との電気的接続状態が破壊される虞がある。貫通孔Ａに幅狭部９を設けることで、コネクタ６の位置ずれを抑制し、配線基板７と信号線１２との電気的接続状態を良好に維持することができる。
【００３５】
幅狭部９は、枠体５外から枠体５内に向かって漸次幅狭となるように設定されている。枠体５に加わるコネクタ６からの応力は、コネクタ６の枠体５内側の端部に集中するが、幅狭部９を漸次幅狭に変化するように設定することで、コネクタ６の枠体５内側の端部との接触個所の面積を大きくするとともに、幅狭部９に加わる応力を分散させることができる。その結果、コネクタ６と枠体５との接続個所において、特定個所に応力が集中するのを抑制し、枠体５にクラックが発生しにくくすることができ、パッケージの封止性を良好に維持することができる。
【００３６】
幅狭部９は、貫通孔Ａの端部に位置するように設けられている。貫通孔Ａは、コネクタ６と当接する個所を貫通孔Ａの端部に設けることで、枠体５外側よりも枠体５内側の断面の大きさを小さくすることができる。枠体５内側の貫通孔Ａの端部に幅狭部９を設けることで、コネクタ６のパッケージ内側に位置する端面の面積を小さくすることができ、誘電体１４のパッケージ内で露出する端面を小さくすることで、誘電体１４を介してパッケージ内外を接続する隙間を発生しにくくすることができ、パッケージ内外の封止性を良好に維持することができる。特に、誘電体１４が樹脂材料から構成されている場合は、誘電体
１４に空隙が発生しやすいが、誘電体１４の端面の面積を小さくすることで、誘電体１４に発生することがある空隙を介してパッケージの封止性が破壊される虞を低減することができる。
【００３７】
幅狭部９は、断面視してコネクタ６と当接する枠体５の貫通孔Ａの内壁面で挟まれる領域に複数設けられている。コネクタ６は、枠体５外と枠体５内との圧力の差に起因して、枠体５外から枠体５内に向かって押圧されるが、貫通孔Ａの内壁面に幅狭部９を複数設けることで、枠体５の貫通孔Ａの内壁面におけるコネクタ６から受ける応力を複数の幅狭部９によって効果的に分散させることができる。複数の幅狭部９のそれぞれによって、コネクタ６から受ける応力を分散させることで、貫通孔Ａの内壁面とコネクタ６の外周との間にクラックが発生するのを抑制することができ、パッケージ内外の封止性を良好に維持することができる。
【００３８】
本実施形態によれば、枠体５内外の圧力の差に起因した応力がコネクタ６に加わり、コネクタ６がパッケージ内に向かって移動しようとするが、貫通孔Ａの幅狭部９によってコネクタ６が移動しないようにするとともに、コネクタ６と幅狭部９とを強固に接続することができる。その結果、パッケージ内の封止性を良好に維持することができる。また、パッケージ内の封止性が破壊されにくいため、半導体素子２および配線基板７が大気にさらされにくく、腐食しにくいため、半導体素子２および配線基板７の電気的特性を良好に維持することができる。このように、封止性を良好に維持することが可能な半導体素子実装構造体１を提供することができる。
【００３９】
＜変形例＞
本発明は上述した実施形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、コネクタ６の形状を変えてもよい。以下、本実施形態の変形例について説明する。なお、本実施形態の変形例に係る半導体素子実装構造体のうち、本実施形態に係る半導体素子実装構造体１と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。なお、図４は、一変形例に係る半導体素子実装構造体の断面図であって、図３に相当する。
【００４０】
上記一実施形態に係る半導体素子実装構造体１は、図３に示すように、断面視して貫通孔Ａの内壁面が、枠体５の外側端部位置にて平面方向に平行に形成されていたが、これに限られない。
【００４１】
例えば図４に示すように、一変形例に係る半導体素子実装構造体１は、貫通孔Ｂの内壁面が、枠体５の外側端部位置にて、段差５Ｂが形成されていても構わない。枠体５の貫通孔Ｂに段差５Ｂを設けて、グランド層１３Ｂを、段差５Ｂ表面に形成されないようにして、貫通孔Ｂの段差５Ｂ部分において、枠体５の表面を露出させることができる。そして、枠体５とグランド層１３Ｂとの熱膨張差に起因した応力がコネクタ６Ｂに印加されにくくすることができ、コネクタ６Ｂにクラックが発生する虞を低減することができる。
【００４２】
＜半導体素子実装構造体の製造方法＞
ここで、図１に示す半導体素子実装構造体１の製造方法について説明する。
【００４３】
まず、基板４を準備する。基板４には、所定形状にプレス成形したものを用いる。また、枠体５についても準備する。枠体５は、例えば銅から成る金属体をプレス機で打ち抜いて作製することができる。そして、枠体５の側面の一部には、例えばプレス機を用いて、貫通孔Ａを形成する。また、枠体５の側面の一部であって、貫通孔Ａが形成された側面と異なる側面に、例えばプレス機を用いて、レンズ孔Ｌを形成する。そして、枠体５を例えば半田を介して基板４上に接続する。
【００４４】
次に、台座１０を準備する。台座１０が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、特定の形状に成形して、焼結することで得られる。なお、台座１０の上面には、予め焼結前に金属ペーストを所定パターンに塗布しておき、これを同時に焼結して配線を形成しておく。
【００４５】
次に、枠体５で囲まれる基板４上に、台座１０を例えばろう材を介して接続する。そして、半導体素子２を、例えばろう材を介して台座１０上の配線と接続する。また、枠体５の凸部５Ａ上に、配線基板７を実装する。さらに、枠体５の側面に位置する貫通孔Ａに枠体５の内外を電気的に接続するコネクタ６を設けて、信号線６と配線基板７とを電気的に接続する。さらに、配線基板７と半導体素子２とをボンディングワイヤ１５で電気的に接続する。
【００４６】
次に、枠体５のレンズ孔Ｌに、枠体５の外側から枠体５の内側に向けて、例えばガラスから成る透光性封止部材１１を嵌合させて取り付ける。
【００４７】
ここで、枠体５内の封止性を良好に維持するために、大気中よりも低圧力とした真空雰囲気中に、蓋体８を取り付けていない作製途中の半導体素子実装構造体１を配置する。そして、枠体５内の封止性を保つ状態で、蓋体８を枠体５上に接続することで、半導体素子実装構造体１を作製することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１  半導体素子実装構造体
２  半導体素子
３  半導体素子収納用パッケージ
４  基板
５  枠体
５Ａ  凸部
６  コネクタ
７  配線基板
８  蓋体
９  幅狭部
１０  台座
１１  透光性封止部材
１２  信号線
１３  グランド層
１４  誘電体
１５  ボンディングワイヤ
１６  シールリング
Ａ  貫通孔
Ｒ  実装領域
Ｌ  レンズ孔
【図１】
2012134350.tif 000003
【図２】
2012134350.tif 000004
【図３】
2012134350.tif 000005
【図４】
2012134350.tif 000006