(57)【要約】【課題】電気光学装置において、コントラスト及び明るさを選択的に高める。【解決手段】電気光学装置は、走査線（１１）と重なるように設けられ、且つデータ線が延びる方向で互いに隣り合う画素電極間に位置する間隙領域を含む領域に重なるように形成された導電電極（４００）と、基準電位に対して極性が所定期間毎に反転する画像信号をデータ線に供給する画像信号供給部（１０１、９５、７）と、導電電極に導電電極電位を供給する導電電極電位供給部（３００）とを備える。導電電極電位供給部は、画素電極に供給される画像信号と同一極性の電位を有するように、導電電極電位を制御する第１動作モードと、導電電極が基準電位と同一の電位を有するように導電電極電位を制御する第２動作モードとを有する。【選択図】図３
2012163653.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に互いに交差するように設けられたデータ線及び走査線と、
前記基板上に前記データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、
前記画素電極に対向するように設けられ、所定の基準電位が供給される対向電極と、
前記基板と前記画素電極との間に、前記走査線と重なるように設けられ、且つ前記データ線が延びる方向で互いに隣り合う画素電極間に位置する間隙領域を含む領域に重なるように形成された導電電極と、
前記基準電位に対して極性が所定期間毎に反転する画像信号を前記データ線に供給する画像信号供給部と、
前記導電電極に導電電極電位を供給する導電電極電位供給部と
を備え、
前記導電電極電位供給部は、前記画素電極に供給される前記画像信号と同一極性の電位を有するように、前記導電電極電位を制御する第１動作モードと、
前記導電電極が前記基準電位と同一の電位を有するように前記導電電極電位を制御する第２動作モードと
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１及び第２動作モードのうちいずれの動作モードで前記導電電極電位供給部が動作すべきかを指定する指定部を備えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
当該電気光学装置は、ノーマリーホワイトモードの液晶装置であり、
前記指定部は、前記第１動作モードを、コントラストを重視すべきコントラスト重視モードとして設定し、前記第２動作モードを、明るさを重視すべき明るさ重視モードとして設定する
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
当該電気光学装置は、ノーマリーブラックモードの液晶装置であり、
前記指定部は、前記第１動作モードを、明るさを重視すべき明るさ重視モードとして設定し、前記第２動作モードを、コントラストを重視すべきコントラスト重視モードとして設定する
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記基板と前記導電電極との間にに誘電体膜を介して前記導電電極に対向するように配置されるとともに、前記画素電極に電気的に接続された画素電位側容量電極を備え、前記導電電極は容量線を構成することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクター等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、一対の素子基板及び対向基板間に、電気光学物質の一例である液晶が挟持される。素子基板上における画素領域には、画素毎に、画素電極、この画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）が層間絶縁膜を介して積層構造として作り込まれ、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。画素電極は、素子基板上の積層構造における例えば最上層に配置される。また、高コントラスト化等を目的として、画素スイッチング用のＴＦＴと画素電極との間に蓄積容量（或いは補助容量）が設けられることがある（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
一方、対向基板における素子基板と対向する側には、典型的には、画素領域の概ね全体に、複数の画素電極に対して共通に対向電極が形成される。液晶装置の駆動時には、対向電極は所定の基準電位に維持され、各画素では、画素電極及び対向電極間の電位差に基づく印加電圧が液晶に印加される。この際、例えば、画像信号は、所定の基準電位に対して、正極性及び負極性のいずれかに極性反転されて画素電極に供給される。
【０００４】
例えば特許文献１には、蓄積容量（或いは補助容量）を構成する一対の容量電極の一方の容量電極を対向電極に電気的に接続するとともに、他方の容量電極を画素電極に電気的に接続する構成が開示されている。このように一方の容量電極を対向電極に電気的に接続する場合、一方の容量電極が対向電極と同一の電位（即ち、所定の基準電位）に維持されるので、一方の容量電極を、互いに隣り合う画素電極間において、当該一方の容量電極の下層側（例えばデータ線など）と当該一方の容量電極の上層側に設けられる画素電極との電気的或いは電磁気的なカップリングを防止するシールド電極として機能させることができる。また、このようなシールド電極は、蓄積容量とは別個に独立して素子基板上における互いに隣り合う画素電極間に設けられる場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３５４４５７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前述したようにシールド電極が対向電極と同一の電位に維持される場合（即ち、シールド電極及び対向電極の両方が所定の基準電位に維持される場合）、シールド電極の電位によって、互いに隣り合う画素電極間に位置する液晶に、印加すべき印加電圧を十分に印加することが困難になるおそれがある。即ち、この場合、互いに隣り合う画素電極間に位置する液晶に印加される印加電圧に、シールド電極の電位が悪影響を及ぼしてしまうおそれがある。このため、液晶装置が例えばＴＮ（Twisted Nematic）液晶等が用いられるノーマリーホワイトモードである場合には、例えば、互いに隣り合う画素電極間の黒さを高めることが困難となり、表示画像のコントラストが低下してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。また、液晶装置が例えばＶＡ（Vertical Alignment）液晶等が用いられるノーマリーブラックモードである場合には、例えば、互いに隣り合う画素電極間の白さ（言い換えれば、明るさ）を高めることが困難となり、表示画像の明るさが低下してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。
【０００７】
本発明は、例えば前述した問題点に鑑みなされたものであり、例えばコントラスト及び明るさを選択的に高めることができ、高品位な表示を行うことが可能な電気光学装置、及びこのような電気光学装置を備える電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に互いに交差するように設けられたデータ線及び走査線と、前記基板上に前記データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、前記画素電極に対向するように設けられ、所定の基準電位が供給される対向電極と、前記基板と前記画素電極との間に、前記走査線と重なるように設けられ、且つ前記データ線が延びる方向で互いに隣り合う画素電極間に位置する間隙領域を含む領域に重なるように形成された導電電極と、前記基準電位に対して極性が所定期間毎に反転する画像信号を前記データ線に供給する画像信号供給部と、前記導電電極に導電電極電位を供給する導電電極電位供給部とを備え、前記導電電極電位供給部は、前記画素電極に供給される前記画像信号と同一極性の電位を有するように、前記導電電極電位を制御する第１動作モードと、前記導電電極が前記基準電位と同一の電位を有するように前記導電電極電位を制御する第２動作モードとを有する。
【０００９】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、対向電極に所定の基準電位が供給されるとともに、画素電極に画像信号が供給され、各画素では、画素電極及び対向電極間の電位差に応じた電圧が例えば液晶等の電気光学物質に印加される。これにより、画素電極が設けられた表示領域における画像表示が可能となる。この際、画像信号は、画像信号供給部によって、所定の基準電位に対して、正極性及び負極性のいずれかに極性反転されて画素電極に供給される。ここで、本発明に係る「正極性」は、画像信号の電位が所定の基準電位よりも高いことを意味し、正極性の画像信号は、所定の基準電位よりも高い電位を有する。また、本発明に係る「負極性」とは、画像信号の電位が所定の基準電位よりも低いことを意味し、負極性の画像信号は、所定の基準電位よりも低い電位を有する。
【００１０】
本発明では、基板と画素電極との間（言い換えれば、基板上の積層構造における画素電極よりも下層側）に、導電電極が設けられている。導電電極は、走査線と重なるように設けられている。例えば、導電電極は、複数の走査線の各々と対をなすように設けられ、走査線が延びる方向（例えばＸ方向）に沿って延びるように形成されている。更に、導電電極は、データ線が延びる方向（例えばＹ方向）で互いに隣り合う画素電極間に位置する間隙領域を含む領域に重なるように形成されている。例えば、複数の導電電極の各々は、当該導電電極と対をなす走査線に概ね重なるように形成されることで、データ線が延びる方向で互いに隣り合う画素電極間の間隙領域を含む領域に形成される。導電電極には、導電電極電位供給部によって導電電極電位が供給される。導電電極に導電電極電位が供給されることにより、間隙領域において、導電電極の下層側（例えばデータ線など）と導電電極の上層側に設けられる画素電極との電気的或いは電磁気的なカップリングを防止できる。
【００１１】
本発明では特に、導電電極電位供給部は、画素電極に供給される画像信号と同一極性の電位を有するように、導電電極電位を制御する第１動作モードと、導電電極が基準電位と同一の電位を有するように導電電極電位を制御する第２動作モードとを有する。
【００１２】
よって、導電電極電位供給部が第１動作モードで動作することにより、画素電極が設けられた領域と間隙領域とで、電気光学物質に印加される電圧の差を小さくすることができる。したがって、例えば、当該電気光学装置が、電気光学物質として例えばＴＮ液晶等が用いられるノーマリーホワイトモードの液晶装置である場合には、間隙領域における黒さを高めることができ、表示画像のコントラストを向上させることができる。また、例えば、当該電気光学装置が、電気光学物質として例えばＶＡ液晶等が用いられるノーマリーブラックモードの液晶装置である場合には、間隙領域における白さ（言い換えれば、明るさ）を高めることができ、表示画像の明るさを向上させることができる。
【００１３】
一方、導電電極電位供給部が第２動作モードで動作することにより、間隙領域に位置する電気光学物質に印加される電圧を、画素電極が設けられた領域に位置する電圧よりも低くすることができる。したがって、例えば、当該電気光学装置が、電気光学物質として例えばＴＮ液晶等が用いられるノーマリーホワイトモードの液晶装置である場合には、間隙領域における白さを高めることができ、表示画像の明るさを向上させることができる。また、例えば、当該電気光学装置が、電気光学物質として例えばＶＡ液晶等が用いられるノーマリーブラックモードの液晶装置である場合には、間隙領域における黒さを高めることができ、表示画像のコントラストを向上させることができる。
【００１４】
したがって、導電電極電位供給部が第１及び第２動作モードのいずれかで動作することにより、表示画像のコントラスト及び明るさのいずれかを高めることができる。即ち、例えばユーザーがコントラスト及び明るさのいずれを重視するかに応じて、導電電極電位供給部が第１及び第２動作モードのいずれかで動作することにより、コントラスト及び明るさが選択的に高められた高品位な画像を表示することが可能となる。
【００１５】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、コントラスト及び明るさを選択的に高めることができ、高品位な表示を行うことが可能となる。
【００１６】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記第１及び第２動作モードのうちいずれの動作モードで前記導電電極電位供給部が動作すべきかを指定する指定部を備える。
【００１７】
この態様によれば、導電電極電位供給部は、指定部によって指定された動作モードで動作する。よって、ユーザーは、指定部によって第１及び第２動作モードのいずれかを選択することができる。したがって、例えばユーザーがコントラスト及び明るさのいずれを重視するかに応じた表示を確実に行うことが可能となる。即ち、ユーザーが表示画像のコントラストを重視する場合には、表示画像のコントラストを確実に高めることができるとともに、ユーザーが表示画像の明るさを重視する場合には、表示画像の明るさを確実に高めることができる。
【００１８】
前述した指定部を備える態様では、当該電気光学装置は、ノーマリーホワイトモードの液晶装置であり、前記指定部は、前記第１動作モードを、コントラストを重視すべきコントラスト重視モードとして設定し、前記第２動作モードを、明るさを重視すべき明るさ重視モードとして設定してもよい。
【００１９】
この場合には、ユーザーがコントラスト及び明るさのいずれを重視するかに応じた表示を確実に行うことが可能なノーマリーホワイトモードの液晶装置を実現することができる。
【００２０】
前述した指定部を備える態様では、当該電気光学装置は、ノーマリーブラックモードの液晶装置であり、前記指定部は、前記第１動作モードを、明るさを重視すべき明るさ重視モードとして設定し、前記第２動作モードを、コントラストを重視すべきコントラスト重視モードとして設定してもよい。
【００２１】
この場合には、ユーザーがコントラスト及び明るさのいずれを重視するかに応じた表示を確実に行うことが可能なノーマリーブラックモードの液晶装置を実現することができる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板と前記導電電極との間にに誘電体膜を介して前記導電電極に対向するように配置されるとともに、前記画素電極に電気的に接続された画素電位側容量電極を備え、前記導電電極は容量線を構成する。
【００２３】
この態様によれば、導電電極、誘電体膜及び画素電位側容量電極によって蓄積容量が構成される。蓄積容量によって、画素電極に保持された画像信号がリークすることを低減或いは防止でき、コントラストを高めることができる。更に、導電電極が、蓄積容量を構成する一対の容量電極の一方を兼ねるので、例えば、基板上の積層構造において導電電極と蓄積容量とを別個に設ける場合と比較して、基板上の積層構造の単純化を図ることができる。加えて、蓄積容量に所定電位を供給するための容量線が導電電極によって構成されるので、基板上の積層構造をより単純化することができる。
【００２４】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、前述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。
【００２５】
本発明の電子機器によれば、前述した本発明の電気光学装置を備えるので、高品位な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００２６】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のII−II’線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図４】第１実施形態に係る液晶装置のシールド線の構成を、画素電極、データ線及び走査線の構成とともに示す平面図である。
【図５】図４のV−V’線断面図である。
【図６】第１実施形態に係る液晶装置のシールド電位制御回路が第１動作モードで動作する場合におけるシールド線の電位の経時変化を示すタイミングチャートである。
【図７】明るさ重視モードが指定されたときのシールド線の電位とコントラスト重視モードが指定されたときのシールド線の電位とを比較して示す表である。（ａ）はノーマリーホワイトモードの場合を示し、（ｂ）はノーマリーブラックモードの場合を示す。
【図８】第２実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図９】第２実施形態に係る液晶装置のシールド線及び蓄積容量の構成を示す断面図
【図１０】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例であるＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００２９】
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図７を参照して説明する。
【００３０】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００３１】
図１は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のII−II’線断面図である。
【００３２】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが互いに対向するように配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。なお、ＴＦＴアレイ基板１０は本発明に係る「基板」の一例である。
【００３３】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域５２ａよりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する辺に沿ったシール領域５２ａの内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４が設けられた辺に対向する辺に沿って、シールド電位制御回路３００が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３４】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、シールド電位制御回路３００、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００３５】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３６】
なお、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００３７】
次に、本実施形態に係る液晶装置１００の電気的な構成について、図３を参照して説明する。
【００３８】
図３は、本実施形態に係る液晶装置１００の電気的な構成を示すブロック図である。
【００３９】
図３に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００には、そのＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７及びシールド電位制御回路３００を含む駆動回路（或いは周辺回路）並びに画像信号線９５が設けられている。なお、シールド電位制御回路３００は、本発明に係る「導電電極電位供給部」の一例であり、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７及び画像信号線９５は、本発明に係る「画像信号供給部」の一例を構成する。
【００４０】
走査線駆動回路１０４には、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号を順次生成して走査線１１に出力する。
【００４１】
データ線駆動回路１０１には、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓｉ（但し、ｉ＝１、２、…、ｎ）を順次生成してサンプリング信号線９７に出力する。
【００４２】
サンプリング回路７は、データ線６毎に設けられた複数のサンプリング用ＴＦＴ１７１を備えている。サンプリング用ＴＦＴ１７１は、例えばＰチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴから構成されている。尚、サンプリング用ＴＦＴ１７１は、相補型のＴＦＴから構成されるようにしてもよい。
【００４３】
サンプリング用ＴＦＴ１７１のソース配線１７１Ｓは、画像信号線９５に電気的に接続されており、サンプリング用ＴＦＴ１７１のゲート配線１７１Ｇは、サンプリング信号線９７に電気的に接続されており、サンプリング用ＴＦＴ１７１のドレイン配線１７１Ｄは、データ線６に電気的に接続されている。各サンプリング用ＴＦＴ１７１は、画像信号線９５を介して画像信号ＶＩＤが入力されると共にサンプリング信号線９７を介してデータ線駆動回路１０１からサンプリング信号Ｓｉ（但し、ｉ＝１、２、…、ｎ）が入力されると、画像信号ＶＩＤをサンプリングして、各データ線６にデータ信号Ｄｉ（但し、ｉ＝１、２、…、ｎ）として印加するように構成されている。
【００４４】
図３に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０における画像表示領域１０ａに、複数の画素９００と、互いに交差するように配線されたｍ本の走査線１１（即ち、走査線Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍ）及びｎ本のデータ線６とを備えている。ここで、ｍ、ｎはそれぞれ自然数である。更に、本実施形態に係る液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０における画像表示領域１０ａに、ｍ本のシールド線４００（即ち、シールド線ＳＨ１、ＳＨ２、…、ＳＨｍ）を備えている。ｍ本の走査線の各々は、Ｘ方向に沿って延びるように形成されている。ｎ本のデータ線の各々は、Ｙ方向に沿って延びるように形成されている。ｍ本のシールド線４００の各々は、ｍ本の走査線１１の各々と対をなすように設けられている。即ち、シールド線ＳＨｉ（但し、ｉ＝１、２、…、ｍ）は、走査線Ｇｉ（但し、ｉ＝１、２、…、ｍ）と対をなしている。ｍ本のシールド線４００の各々は、ｍ本の走査線１１と同様に、Ｘ方向に沿って延びるように形成されている。なお、シールド線４００は、本発明に係る「導電電極」の一例である。
【００４５】
画素９００は、画像表示領域１０ａにｍ行×ｎ列のマトリクス状に２次元に配置されている。より具体的には、画素９００は、画像表示領域１０ａにおける左側から第１列、第２列、…、第ｎ列で、上側から第１行、第２行、…、第ｍ行のマトリクス状に配置されている。即ち、走査線Ｇ１、…、Ｇｍとｎ本のデータ線６との交点に対応して単位表示素子である画素９００が設けられている。
【００４６】
画素９００は、ＴＦＴ３０、液晶容量Ｃｌｃ及び蓄積容量７０を備えている。
【００４７】
液晶容量Ｃｌｃは、画素電極９、対向電極２１及び液晶層５０（図２参照）による容量である。対向電極２１には所定の中間電位（或いは「共通電位」）Ｖｃｏｍ（例えば７ボルト）が供給される。具体的には、対向電極２１には、外部電源から、図２を参照して前述した外部回路接続端子１０２、引回配線９０、上下導通端子１０６及び上下導通材１０７を介して所定の中間電位Ｖｃｏｍが供給される。ここで、中間電位Ｖｃｏｍは、本発明に係る「基準電位」の一例であり、例えば７ボルト（Ｖ）などの固定電位である。
【００４８】
なお、図６を参照して後述するように、本実施形態では、いわゆる線反転駆動方式が採用されており、画像信号ＶＩＤは、所定周期で、中間電位Ｖｃｏｍ（例えば７ボルト）に対して高位側の正極性と低位側の負極性とで極性反転される。即ち、各画素９００には、正極性の電位（即ち、プラスフィールドの電位、例えば７〜１２ボルト）と、負極性の電位（即ち、マイナスフィールドの電位、例えば２〜７ボルト）とが交互に供給される。より具体的には、画像信号ＶＩＤは、１本の走査線に対応する表示を行う間（即ち、１水平走査期間）、画素９００には中間電位Ｖｃｏｍよりも高い正極性の電位で供給され、これに続く次の１本の走査線に対応する表示を行う間は、逆に画素９００には中間電位Ｖｃｏｍよりも低い負極性の電位で供給されるように、電位が極性反転される。また、画像信号ＶＩＤの極性が反転される所定の周期は、特に限定されず、例えば、ｍ本の走査線に対応する表示を行う期間（即ち、１画面表示期間）であってもよい。
【００４９】
ＴＦＴ３０は、Ｎチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴである。ＴＦＴ３０のソースはデータ線６に電気的に接続されている。ＴＦＴ３０のゲートは走査線１１に電気的に接続されている。より具体的には、第ｉ行（但し、ｉ＝１、２、…、ｍ）をなす画素９００のＴＦＴ３０のゲートは、第ｉ番の走査線Ｇｉ（但し、ｉ＝１、２、…、ｍ）に電気的に接続されている。ＴＦＴ３０は、走査線線駆動回路１０４から供給される走査信号によってオンオフが切り換えられる。ＴＦＴ３０のドレインは、液晶容量Ｃｌｃ及び蓄積容量７０の各々の一端に電気的に接続されている。
【００５０】
蓄積容量７０は、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、液晶容量Ｃｌｃに並列に電気的に接続されている。蓄積容量７０を構成する一対の容量電極の一方は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。蓄積容量７０を構成する一対の容量電極の他方は、シールド線４００に電気的に接続されている。より具体的には、蓄積容量７０を構成する一対の容量電極の他方は、シールド線４００の一部によって構成されている。
【００５１】
ＴＦＴ３０のゲートに走査信号が入力されてＴＦＴ３０がオン状態になると、データ線６に電気的に接続されたＴＦＴ３０のソースに印加されている電圧が液晶容量Ｃｌｃ及び蓄積容量７０に印加され、供給されたデータ信号の電位が維持される。これにより、画像表示が行われる際に画素９００に供給されたデータ信号の電位を長時間保持することが可能となる。なお、データ線６に書き込むデータ信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５２】
液晶容量Ｃｌｃを構成する液晶に書き込まれた所定レベルのデータ信号Ｄｉ（但し、ｉ＝１、２、…、ｎ）は一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１００の画像表示領域１０ａからは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５３】
なお、本実施形態では、説明の簡単のため、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍがこの順に線順次で走査線１１に印加されるように構成しているが、走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、２、…、ｍ）が走査線１１に印加される順序は、任意の順序であってもよい。
【００５４】
シールド電位制御回路３００は、ｍ本のシールド線４００の各々にシールド電位を供給する。シールド電位制御回路３００は、シールド線ＳＨｉが、走査線Ｇｉに対応する画素９００に書き込まれるデータ信号と同一極性の電位を有するように、シールド電位を制御する第１動作モードと、ｍ本のシールド線４００の各々に、シールド電位として中間電位Ｖｃｏｍを供給する第２動作モードとを有している。シールド電位制御回路３００が第１及び第２動作モードのいずれで動作するかは、後述する選択部５００によって指定される。なお、シールド電位は、本発明に係る「導電電極電位」の一例である。
【００５５】
選択部５００は、例えば外部回路の一部として設けられ、ユーザーからの入力に応じて、シールド電位制御回路３００が第１及び第２動作モードのうちいずれの動作モードで動作すべきかを指定する。
【００５６】
なお、図７を参照して後述するように、例えば、液晶装置１００がノーマリーホワイトモードである場合には、第１動作モードは、コントラストを重視するコントラスト重視モードとして設定され、第２動作モードは、明るさを重視する明るさ重視モードとして設定される。ユーザーがコントラスト重視モードを選択すると、選択部５００によって第１動作モードが指定され、シールド電位制御回路３００は第１動作モードで動作する。一方、ユーザーが明るさ重視モードを選択すると、選択部５００によって第２動作モードが指定され、シールド電位制御回路３００は第２動作モードで動作する。また、例えば、液晶装置１００がノーマリーブラックモードである場合には、第１動作モードは、明るさ重視モードとして設定され、第２動作モードは、コントラスト重視モードとして設定される。ユーザーがコントラスト重視モードを選択すると、選択部５００によって第２動作モードが指定され、シールド電位制御回路３００は第２動作モードで動作する。一方、ユーザーが明るさ重視モードを選択すると、選択部５００によって第１動作モードが指定され、シールド電位制御回路３００は第１動作モードで動作する。
【００５７】
即ち、選択部５００は、ユーザーがコントラスト及び明るさのいずれを重視するかに応じて、シールド電位制御回路３００の動作モードを第１動作モードと第２動作モードとの間で切り替えるための切り替えスイッチとして機能する。
【００５８】
次に、本実施形態に係る液晶装置１００のシールド線４００の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。図４は、シールド線４００の構成を、画素電極９、データ線６及び走査線１１の構成とともに示す平面図である。図５は、図４のV−V’線断面図である。なお、図４においては、説明の便宜上、図５に示す容量電極７１の図示を省略している。図５においては、説明の便宜上、液晶層５０及び対向電極２１を図示している。また、図５においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００５９】
図４及び図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線６、走査線１１、シールド線４００及び画素電極９が設けられている。
【００６０】
走査線１１は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、Ｘ方向に沿って延びるように且つＹ方向で互いに隣り合う画素電極９間に位置する間隙領域Ｒｃに重なるように形成されている。走査線１１は、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。
【００６１】
走査線１１の上層側には下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２上には、ＴＦＴ３０（図４及び図５において図示省略。図３参照）が、例えばデータ線６及び走査線１１が互いに交差する交差部に重なるように設けられている。
【００６２】
データ線６は、ＴＦＴ３０の上層側に設けられた層間絶縁膜上に、Ｙ方向に沿って延びるように形成されている（図４参照。図５において図示省略）。データ線６は、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の導電材料からなる。データ線６の上層側には層間絶縁膜４２が設けられている。層間絶縁膜４２上には、蓄積容量７０が設けられている。
【００６３】
蓄積容量７０は、層間絶縁膜４２上に設けられた容量電極７１と、容量電極７１の上層側に設けられた誘電体膜７２と、誘電体膜７２の上層側に設けられたシールド線４００とから構成されている。容量電極７１は、本発明に係る「画素電位側容量電極」の一例であり、誘電体膜７２を介してシールド線４００の一部と対向するように、画素９００毎に島状に設けられている。容量電極７１は、誘電体膜７２及び層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホールを介して画素電極９に電気的に接続されている。誘電体膜７２は、例えば窒化シリコン等の透明な誘電性材料から形成されている。誘電体膜７２は、画像表示領域１０ａの略全体に重なるように形成されている。なお、誘電体膜７２は例えば窒化シリコン等の透明な誘電性材料で構成されるため、誘電体膜７２を、画像表示領域１０ａに広く形成しても、開口領域における光透過率を殆ど或いは実践上全く低下させることはない。
【００６４】
ここで本実施形態では特に、シールド線４００は、蓄積容量７０に所定電位を供給するための容量線を構成している。即ち、本実施形態では特に、シールド線４００は、各画素９００の蓄積容量７０を構成する一対の容量電極の一方の容量電極として機能する部分と、該一方の容量電極に所定電位（本実施形態ではシールド電位）を供給するための容量線として機能する部分とを有している。よって、シールド線４００とは別個に容量線を設ける場合と比較して、基板上の積層構造の単純化を図ることができる。
【００６５】
シールド線４００は、誘電体膜７２上に、走査線１１と概ね同様に、Ｘ方向に沿って延びるように且つＹ方向で互いに隣り合う画素電極９間に位置する間隙領域Ｒｃに重なるように形成されている。シールド線４００は、走査線１１と重なるように設けられている。シールド線４００は、例えばＡｌ等の導電材料からなる。シールド線４００の上層側には層間絶縁膜４３が設けられている。層間絶縁膜４３上には、複数の画素電極９がマトリクス状に設けられている。
【００６６】
画素電極９は、画素９００の各々に配置され、その境界にデータ線６及び走査線１１が格子状に配列するように形成されている（図４参照）。画素電極９は、例えばＩＴＯ等の透明導電材料からなる。画素電極９の上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。
【００６７】
他方、対向基板２０（図２参照）には、液晶層５０を介して複数の画素電極９に対向するように対向電極２１が設けられている。対向電極２１は、画素電極９と同様、例えばＩＴＯ等の透明導電材料からなる。
【００６８】
次に、シールド電位制御回路３００の動作について、図３から図５に加えて、図６及び図７を参照して説明する。
【００６９】
図６は、シールド電位制御回路３００が第１動作モードで動作する場合におけるシールド線ＳＨｉの電位の経時変化を示すタイミングチャートである。なお、図６には、シールド線４００の電位に加えて、走査線１１の電位及び画像信号ＶＩＤの電位が示されている。
【００７０】
図６において、液晶装置１００の動作時には、走査線Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍに対してこの順にパルス状の走査信号が供給され、走査線Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍは、この順に、所定期間だけ、ＴＦＴ３０をオン状態にするための電位（例えば１５．５ボルト）とされる。走査線Ｇ１、…、Ｇｍは、走査信号が供給される期間以外の期間では、ＴＦＴ３０をオフ状態にするための電位（例えば０ボルト）に維持される。
【００７１】
本実施形態では、いわゆる線反転駆動方式が採用されており、画像信号ＶＩＤは、所定周期で、基準電位（例えば７ボルト）に対して高位側の正極性と低位側の負極性とで極性反転される。即ち、各画素９００には、正極性の電位（即ち、プラスフィールドの電位、例えば１２ボルト）と、負極性の電位（即ち、マイナスフィールドの電位、例えば２ボルト）とが交互に供給される。即ち、各画素９００の画素電極９には、正極性の電位（即ち、プラスフィールドの電位、例えば７〜１２ボルト）と、負極性の電位（即ち、マイナスフィールドの電位、例えば２〜７ボルト）とが交互に供給される。より具体的には、画像信号ＶＩＤは、１本の走査線１１に対応する表示を行う間（即ち、１水平走査期間）、画素９００には正極性の電位（即ち、中間電位Ｖｃｏｍよりも高い電位）で供給され、これに続く次の１本の走査線に対応する表示を行う間は、逆に画素９００には負極性の電位（中間電位Ｖｃｏｍよりも低い電位）で供給されるように、電位が極性反転される。図６の例では、走査線Ｇ１に走査信号が供給される期間（即ち、走査線Ｇ１がＴＦＴ３０をオン状態とするための電位にされる期間）には、データ信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎは正極性の電位であり、走査線Ｇ２に走査信号が供給される期間には、データ信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎは負極性の電位であり、走査線Ｇ３に走査信号が供給される期間には、データ信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎは正極性の電位であり、走査線Ｇ４に走査信号が供給される期間には、データ信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎは負極性の電位である。
【００７２】
図３及び図６において、本実施形態では特に、シールド電位制御回路３００は、第１動作モードでは、シールド線ＳＨｉが、走査線Ｇｉに対応する画素９００に書き込まれるデータ信号と同一極性の電位を有するように、シールド電位を制御する。即ち、図６に示すように、シールド線ＳＨｉ（但し、ｉ＝１、２…、ｍ）は、シールド電位制御回路３００からシールド電位が供給されることにより、当該シールド線ＳＨｉが対をなす走査線Ｇｉに対応する画素９００（即ち、第ｉ行の画素９００）に書き込まれるデータ信号と同一極性の電位とされる。図６の例では、走査線Ｇ１に対応する画素９００（即ち、第１行の画素９００）に正極性のデータ信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎが書き込まれるのに対応して、走査線Ｇ１に走査信号が供給されるタイミングでシールド線ＳＨ１にシールド電位として正極性の電位が供給される。その後、次に走査線Ｇ１に走査信号が供給されるタイミングまで（即ち、走査線Ｇ１に対応する画素９００に負極性のデータ信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎが書き込まれる前まで）、シールド線ＳＨ１に供給されるシールド電位は正極性のまま維持される。走査線Ｇ２に対応する画素９００（即ち、第２行の画素９００）に負極性のデータ信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎが書き込まれるのに対応して、走査線Ｇ２に走査信号が供給されるタイミングでシールド線ＳＨ２にシールド電位として負極性の電位が供給される。その後、次に走査線Ｇ２に走査信号が供給されるタイミングまで（即ち、走査線Ｇ２に対応する画素９００に正極性のデータ信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎが書き込まれる前まで）、シールド線ＳＨ２に供給されるシールド電位は正極性のまま維持される。
【００７３】
図５において、このような第１動作モードでシールド電位制御部３００が動作することにより、画素電極９が設けられた画素電極領域Ｒｐと間隙領域Ｒｃとで、液晶層５０に印加される電圧の差を小さくすることができる。ここで、例えば、ｍ本のシールド線４００の各々にシールド電位として中間電位Ｖｃｏｍ（例えば７ボルト）が供給される場合には、シールド線４００及び対向電極２１のいずれもが中間電位Ｖｃｏｍとなり、シールド線４００及び対向電極２１間の電位差がゼロとなるので、液晶層５０のうち間隙領域Ｒｃに位置する部分に印加される電圧が、液晶層５０のうち画素電極領域Ｒｐに位置する部分に印加される電圧よりも低くなりやすい。
【００７４】
即ち、シールド電位制御部３００は、第１動作モードでは、シールド線ＳＨｉが、走査線Ｇｉに対応する画素電極９の電位と同一極性の電位を有するように、シールド電位を制御するので、画素電極領域Ｒｐと間隙領域Ｒｃとで、液晶層５０に印加される電圧の差を小さくすることができる。
【００７５】
したがって、例えば、液晶層５０を構成する液晶が例えばＴＮ液晶等であり、液晶装置１００がノーマリーホワイトモードの液晶装置である場合には、間隙領域Ｒｃにおける黒さを高めることができ、表示画像のコントラストを向上させることができる。また、例えば、液晶層５０を構成する液晶が例えばＶＡ液晶等がであり、液晶装置１００がノーマリーブラックモードの液晶装置である場合には、間隙領域Ｒｃにおける白さ（言い換えれば、明るさ）を高めることができ、表示画像の明るさを向上させることができる。
【００７６】
更に、本実施形態では特に、シールド電位制御回路３００は、第２動作モードでは、ｍ本のシールド線４００の各々に、シールド電位として中間電位Ｖｃｏｍを供給する。よって、シールド電位制御回路３００が第２動作モードで動作することにより、液晶層５０のうち間隙領域Ｒｃに位置する部分に印加される電圧を、液晶層５０のうち画素電極領域Ｒｐに位置する部分に印加される電圧よりも低くすることができる。したがって、例えば、液晶装置１００がノーマリーホワイトモードの液晶装置である場合には、間隙領域Ｒｃにおける白さを高めることができ、表示画像の明るさを向上させることができる。また、例えば、液晶装置１００がノーマリーブラックモードの液晶装置である場合には、間隙領域Ｒｃにおける黒さを高めることができ、表示画像のコントラストを向上させることができる。
【００７７】
図７は、明るさ重視モードが指定されたときのシールド線４００の電位とコントラスト重視モードが指定されたときのシールド線４００の電位とを比較して示す表である。図７（ａ）は、液晶装置１００がノーマリーホワイトモードの液晶装置である場合を示し、図７（ｂ）は、液晶装置１００がノーマリーブラックモードの液晶装置である場合を示している。
【００７８】
図７（ａ）に示すように、液晶装置１００がノーマリーホワイトモードの液晶装置である場合には、選択部５００では、前述したように、第２動作モードが明るさ重視モードとして設定され、第１動作モードがコントラスト重視モードとして設定される。即ち、ユーザーが選択部５００において明るさ重視モードを選択すると、選択部５００は、シールド電位制御回路３００の動作モードとして第２動作モードを指定する。これに応じて、シールド電位制御回路３００が第２動作モードで動作することで、ｍ本のシールド線４００は、画像信号ＶＩＤの極性にかかわらず（即ち、データ信号がプラスフィールドであってもマイナスフィールドであっても）、中間電位Ｖｃｏｍとされる。これにより、前述したように、表示画像の明るさを向上させることができる。一方、ユーザーが選択部５００においてコントラスト重視モードを選択すると、選択部５００は、シールド電位制御回路３００の動作モードとして第１動作モードを指定する。これに応じて、シールド電位制御回路３００が第１動作モードで動作することで、ｍ本のシールド線４００の各々は、対をなす走査線１１に対応する画素電極９の電位と同一極性の電位とされる、即ち、対をなす走査線１１に対応する画素９００に書き込まれるデータ信号がプラスフィールド（即ち、正極性）である場合には、正極性の電位とされ、対をなす走査線１１に対応する画素９００に書き込まれるデータ信号がマイナスフィールド（即ち、負極性）である場合には、負極性の電位とされる。これにより、前述したように、表示画像のコントラストを向上させることができる。
【００７９】
一方、図７（ｂ）に示すように、液晶装置１００がノーマリーブラックモードの液晶装置である場合には、選択部５００では、前述したように、第１動作モードが明るさ重視モードとして設定され、第２動作モードがコントラスト重視モードとして設定される。即ち、ユーザーが選択部５００において明るさ重視モードを選択すると、選択部５００は、シールド電位制御回路３００の動作モードとして第１動作モードを指定する。これに応じて、シールド電位制御回路３００が第１動作モードで動作することで、ｍ本のシールド線４００は、ｍ本のシールド線４００の各々は、対をなす走査線１１に対応する画素電極９の電位と同一極性の電位とされる、即ち、対をなす走査線１１に対応する画素９００に書き込まれるデータ信号がプラスフィールド（即ち、正極性）である場合には、正極性の電位とされ、対をなす走査線１１に対応する画素９００に書き込まれるデータ信号がマイナスフィールド（即ち、負極性）である場合には、負極性の電位とされる。これにより、前述したように、表示画像の明るさを向上させることができる。一方、ユーザーが選択部５００においてコントラスト重視モードを選択すると、選択部５００は、シールド電位制御回路３００の動作モードとして第２動作モードを指定する。これに応じて、シールド電位制御回路３００が第２動作モードで動作することで、ｍ本のシールド線４００は、画像信号ＶＩＤの極性にかかわらず（即ち、データ信号がプラスフィールドであってもマイナスフィールドであっても）、中間電位Ｖｃｏｍとされる。これにより、前述したように、表示画像のコントラストを向上させることができる。
【００８０】
このように本実施形態に係る液晶装置１００によれば、ユーザーがコントラスト及び明るさのいずれを重視するかに応じた表示を行うことが可能となる。即ち、ユーザーが表示画像のコントラストを重視する場合（即ち、コントラスト重視モードが選択された場合）には、表示画像のコントラストを確実に高めることができるとともに、ユーザーが表示画像の明るさを重視する場合（即ち、明るさ重視モードが選択された場合）には、表示画像の明るさを確実に高めることができる。
【００８１】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置１００によれば、表示画像のコントラスト及び明るさを選択的に高めることができ、高品位な表示を行うことが可能となる。
【００８２】
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る液晶装置について、図８及び図９を参照して説明する。
【００８３】
図８は、本実施形態に係る液晶装置１００ｂの電気的な構成を示すブロック図である。図９は、本実施形態に係る液晶装置１００ｂのシールド線４２０及び蓄積容量７０の構成を示す断面図であり、図５と同趣旨の断面図である。なお、図８及び図９において、図１から図７に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００８４】
図８及び図９において、第２実施形態に係る液晶装置１００ｂは、前述した第１実施形態におけるシールド線４００に代えてシールド線４２０を備える点、及び容量線６００を更に備える点で、前述した第１実施形態に係る液晶装置１００と異なり、その他の点については、前述した第１実施形態に係る液晶装置１００と概ね同様に構成されている。
【００８５】
容量線６００は、誘電体膜７２上に、走査線１１と概ね同様に、Ｘ方向に沿って延びるように且つＹ方向で互いに隣り合う画素電極９間に位置する間隙領域Ｒｃに重なるように形成されている。容量線６００には中間電位Ｖｃｏｍが供給される。容量線６００の一部は、誘電体膜７２を介して容量電極７１と対向しており、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として構成されている。即ち、前述した第１実施形態では、蓄積容量７０は、容量電極７１と、誘電体膜７２と、シールド線４００の一部とから構成されるのに対して、第２実施形態では、蓄積容量７０は、容量電極７１と、誘電体膜と、容量線６００の一部とから構成される。容量線６００は、例えばＡｌ等の導電材料からなる。容量線６００の上層側には層間絶縁膜４３が設けられている。
【００８６】
シールド線４２０は、層間絶縁膜４３上に、走査線１１と概ね同様に、Ｘ方向に沿って延びるように且つＹ方向で互いに隣り合う画素電極９間に位置する間隙領域Ｒｃに重なるように形成されている。シールド線４２０は、例えばＡｌ等の導電材料からなる。シールド線４２０の上層側には層間絶縁膜４４が設けられている。層間絶縁膜４４上には、複数の画素電極９がマトリクス状に設けられている。
【００８７】
以上のように構成された第２実施形態に係る液晶装置１００ｂによっても、シールド電位制御回路３００が第１動作モード及び第２動作モードを有することにより、前述した第１実施形態に係る液晶装置１００と概ね同様に、表示画像のコントラスト及び明るさを選択的に高めることができ、高品位な表示を行うことが可能となる。
【００８８】
＜電子機器＞
次に、前述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【００８９】
図１０は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクターについて説明する。
【００９０】
図１０に示されるように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００９１】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、前述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００９２】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００９３】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。
【００９４】
なお、図１０を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピューターや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００９５】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００９６】
本発明は、前述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００９７】
６…データ線、７…サンプリング回路、９…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１…走査線、２０…対向基板、２１…対向電極、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、９５…画像信号線、１０１…データ線駆動回路、１０４…走査線駆動回路、４００、４２０…シールド線、３００…シールド電位制御回路、５００…選択部、６００…容量線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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