(57)【要約】【課題】  固体電解コンデンサの静電容量の低下なく、陽極体の側面部の酸化物誘電体の製造工数を削減し、漏れ電流による不良率を低くする。【解決手段】  表面が多孔質状に拡面化された弁作用金属箔を陽極体１とする固体電解コンデンサにおいて、コンデンサ素子に第二の固体電解質層６の側面部から延伸して、第二の固体電解質層６における平面部の外縁部の少なくとも一部を覆うように、第二の固体電解質層６とグラファイト層７との間に絶縁樹脂層１０を形成する。【選択図】図１
2012134389.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極部および陽極部を有するコンデンサ素子と、前記陰極部と前記陽極部にそれぞれ電気的に接続する電極端子を備え、前記電極端子の一部を露出させて前記コンデンサ素子をモールド樹脂にて外装した固体電解コンデンサにおいて、
前記コンデンサ素子は、多孔質状に拡面化された多孔質部と前記多孔質部を除去した陽極体芯部を端部に有し、平面部と前記平面部に直交する側面部を有した平板状の弁作用金属箔からなる陽極体と、前記陽極体の側面部の一部と平面部の表面に形成した前記多孔質部を絶縁樹脂で形成した分離部で区分した前記端部からなる前記陽極部と、前記多孔質部の表面に形成した誘電体酸化皮膜と、前記誘電体酸化皮膜の表面および前記側面部の表面全体に形成した第一の固体電解質層と、前記第一の固体電解質層の表面に形成した第二の固体電解質層と、前記第二の固体電解質層上に配したグラファイト層と銀ペースト層からなる陰極部を備え、前記第二の固体電解質層の側面部から延伸して、前記第二の固体電解質層の平面部における外縁部の少なくとも一部を覆うように、前記第二の固体電解質層と前記グラファイト層との間に絶縁樹脂層を形成したことを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項２】
陰極部および陽極部を有するコンデンサ素子と、前記陰極部と前記陽極部にそれぞれ電気的に接続する電極端子を備え、前記電極端子の一部を露出させて前記コンデンサ素子をモールド樹脂にて外装した固体電解コンデンサにおいて、
前記コンデンサ素子は、多孔質状に拡面化された多孔質部と前記多孔質部を除去した陽極体芯部を端部に有し、平面部と前記平面部に直交する側面部を有した平板状の弁作用金属箔からなる陽極体と、前記陽極体の側面部の一部と平面部の表面に形成した前記多孔質部を絶縁樹脂で形成した分離部で区分した前記端部からなる前記陽極部と、前記多孔質部の表面に形成した誘電体酸化皮膜と、前記誘電体酸化皮膜の表面および前記側面部の表面全体に形成した第一の固体電解質層と、前記第一の固体電解質層の上に配した第二の固体電解質層と、前記第二の固体電解質層の表面に、順次形成したグラファイト層と銀ペースト層からなる陰極部を備え、前記第一の固体電解質層の側面部から延伸して、前記第一の固体電解質層の平面部における外縁部の少なくとも一部を覆うように、前記第一の固体電解質層と前記第二の固体電解質層との間に絶縁樹脂層を形成したことを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項３】
前記絶縁樹脂層の形成範囲が、前記第二の固体電解質層または前記第一の固体電解質層の前記外縁部から、前記第二の固体電解質層または前記第一の固体電解質層における前記平面部の中央に向かって、１ｍｍ以下の幅の範囲であることを特徴とする請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】
前記絶縁樹脂層の形成範囲の前記幅が、前記第二の固体電解質層または前記第一の固体電解質層の、一方の平面部と前記一方の平面部と対向する他方の平面部において異なることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体電解コンデンサに関し、特に電解質として導電性高分子を用いた固体電解コンデンサの構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
電解質として導電性高分子を用いた固体電解コンデンサの弁作用金属としては、主にタンタル、ニオブ、アルミニウムを用いたものが実用化されている。例えば、アルミニウム固体電解コンデンサは、近年、電子機器の薄型化の要求にともない、缶ケースに素子を封入する巻回型では高さが問題となっており、代わりに、コンデンサ素子をモールド樹脂で外装した製品が増えてきている。
【０００３】
モールド樹脂にて外装するアルミニウム固体電解コンデンサを製造する際に用いられるアルミニウム箔は、表面をエッチングすることで多孔質状に拡面化を行う。その後、化成液中で陽極酸化し、アルミニウム箔の表面に誘電体酸化皮膜を形成する。この誘電体酸化皮膜を形成した化成箔をコンデンサ素子の陽極体として用いる。通常の製造工程において、陽極体はロール状、シート状で供給され、コンデンサ素子の形状に切断して使用する。この場合、コンデンサ素子の形状に切断した陽極体の切断面（側面部）は、誘電体酸化皮膜が存在しない、アルミニウムが部分的に露出した状態となる。なお、陽極体は絶縁樹脂等を用いて、コンデンサ素子における正の電極部になる側の陽極部と、負の電極部になる陰極部に分けられる。
【０００４】
一方、このような製品のコンデンサ素子には、外装する際にモールド樹脂による成形圧力が加わる。その成形圧力により、特にコンデンサ素子の陰極部の側面部分で多孔質層や誘電体酸化皮膜の破損が発生し易く、その破損が原因となって漏れ電流（ＬＣ）が流れ、電気的な短絡不良（ショート不良）を起こしやすい。製品の定格電圧が高い程、ショート不良の発生が顕著であり、製造歩留まりにも大きな影響を与える。
【０００５】
特許文献１には、電解質としてポリピロールを化学重合で形成する巻回型アルミニウム固体電解コンデンサの製造方法において、アルミニウム箔の切断面における未化成部分を、絶縁材料で被覆することが提案されている。しかし、この方法で製造された固体電解コンデンサは、絶縁樹脂が拡面化により生じた空孔内部に浸透し、コンデンサとしての静電容量が減少してしまうという欠点がある。
【０００６】
また、特許文献２には、この静電容量の減少を改善し、ＬＣの発生を抑制した技術が提案されている。その内容としては、陽極体に形成した第一の酸化物誘電体（誘電体酸化皮膜と同等）と、陽極体の切断面である側面部に形成した第二の酸化物誘電体の表面に固体電解質層を形成する。その後、陽極体の側面部においてマスキング樹脂部を形成し、さらに、陽極体とマスキング樹脂部の表面にグラファイト層を形成することが記載されている。
【０００７】
ここで、特許文献２について図面を用いて具体的に説明する。図３は特許文献２のノイズフィルタの内部素子の構造を示した図であり、図３（ａ）は斜視図、図３（ｂ）はＡ−Ａ線の断面図である。
【０００８】
内部素子１１１を構成するアルミニウム箔からなる陽極体１０１は、陽極体芯部１０１ａと、エッチングなどにより形成した多孔質部１０２を有している。この時すでに、多孔質部１０２の表面には第一の誘電体酸化皮膜（図示なし）を形成している。陽極体１０１は抜き金型などを用いて内部素子１１１を形成するのに必要な形状に切断される。その際、切断面である側面部には陽極体芯部１０１ａが露出してしまう。また、切断時の応力等により、切断面付近には凹凸や欠損等が発生し易く、ＬＣが生じやすい。そのため、ＬＣを抑制する手段の一つとして側面部に第二の誘電体酸化皮膜１０３を形成している。
【０００９】
その後、固体電解質層１０５を、第一の誘電体酸化皮膜と第二の誘電体酸化皮膜１０３の表面に形成する。そして、内部素子１１１の側面部に、ＬＣを抑制する手段として絶縁樹脂からなるマスキング樹脂層１１０を形成している。その後、固体電解質層１０５とマスキング樹脂層１１０を覆うようにグラファイト層１０７を形成し、内部素子１１１を得ている。
【００１０】
なお、陽極体１０１には陽極部と陰極部を分離するためにレジスト樹脂からなる分離部１０９を形成している。分離部１０９にて挟まれた部分が陰極部となり、分離部１０９で分離された両端の部分が陽極部となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平３−９５９１０号公報
【特許文献２】特開２００７−３３５８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
前述したように、陽極体の側面部は切断による凹凸や欠損が発生し易く、特に欠損を基点としてＬＣが発生し易い。従来技術では、ＬＣを抑制する手段として側面部に第二の誘電体酸化皮膜１０３を形成しているが、側面部の表面に形成する第二の酸化物誘電体を所望する厚みにするために、多くの製造工数を必要とし、製造工程の効率化が図れないという課題があった。
【００１３】
従って、本発明の課題は、静電容量の低下を抑制し、陽極体の側面部の酸化物誘電体の製造工数を削減し、かつ、漏れ電流による不良率が低い固体電解コンデンサの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
すなわち、本発明の固体電解コンデンサは、陰極部および陽極部を有するコンデンサ素子と、前記陰極部と前記陽極部にそれぞれ電気的に接続する電極端子を備え、前記電極端子の一部を露出させて前記コンデンサ素子をモールド樹脂にて外装した固体電解コンデンサにおいて、前記コンデンサ素子は、多孔質状に拡面化された多孔質部と前記多孔質部を除去した陽極体芯部を端部に有し、平面部と前記平面部に直交する側面部を有した平板状の弁作用金属箔からなる陽極体と、前記陽極体の側面部の一部と平面部の表面に形成した前記多孔質部を絶縁樹脂で形成した分離部で区分した前記端部からなる前記陽極部と、前記多孔質部の表面に形成した誘電体酸化皮膜と、前記誘電体酸化皮膜の表面および前記側面部の表面全体に形成した第一の固体電解質層と、前記第一の固体電解質層の表面に形成した第二の固体電解質層と、前記第二の固体電解質層上に配したグラファイト層と銀ペースト層からなる陰極部を備え、前記第二の固体電解質層の側面部から延伸して、前記第二の固体電解質層の平面部における外縁部の少なくとも一部を覆うように、前記第二の固体電解質層と前記グラファイト層との間に絶縁樹脂層を形成したことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の固体電解コンデンサは、陰極部および陽極部を有するコンデンサ素子と、前記陰極部と前記陽極部にそれぞれ電気的に接続する電極端子を備え、前記電極端子の一部を露出させて前記コンデンサ素子をモールド樹脂にて外装した固体電解コンデンサにおいて、前記コンデンサ素子は、多孔質状に拡面化された多孔質部と前記多孔質部を除去した陽極体芯部を端部に有し、平面部と前記平面部に直交する側面部を有した平板状の弁作用金属箔からなる陽極体と、前記陽極体の側面部の一部と平面部の表面に形成した前記多孔質部を絶縁樹脂で形成した分離部で区分した前記端部からなる前記陽極部と、前記多孔質部の表面に形成した誘電体酸化皮膜と、前記誘電体酸化皮膜の表面および前記側面部の表面全体に形成した第一の固体電解質層と、前記第一の固体電解質層の上に配した第二の固体電解質層と、前記第二の固体電解質層の表面に、順次形成したグラファイト層と銀ペースト層からなる陰極部を備え、前記第一の固体電解質層の側面部から延伸して、前記第一の固体電解質層の平面部における外縁部の少なくとも一部を覆うように、前記第一の固体電解質層と前記第二の固体電解質層との間に絶縁樹脂層を形成したことを特徴とする。
【００１６】
本発明の固体電解コンデンサは、前記絶縁樹脂層の形成範囲が、前記第二の固体電解質層または前記第一の固体電解質層の前記外縁部から、前記第二の固体電解質層または前記第一の固体電解質層における前記平面部の内側に向かって、最大１ｍｍの範囲であることを特徴とする。
【００１７】
本発明の固体電解コンデンサは、前記絶縁樹脂層の形成範囲が、前記第二の固体電解質層または前記第一の固体電解質層の、一方の平面部と前記一方の平面面と対向する他方の平面部において異なることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、コンデンサ素子において第二の固体電解質層の側面部から延伸して、第二の固体電解質層における平面部の外縁部の少なくとも一部を覆うように、第二の固体電解質層とグラファイト層との間に絶縁樹脂層を形成することで静電容量の低下を抑制し、陽極体の側面部の酸化物誘電体の製造工数を削減し、かつ、漏れ電流による不良率が低い固体電解コンデンサを提供できる。
【００１９】
また、本発明では、コンデンサ素子において第一の固体電解質層の側面部から延伸して、第一の固体電解質層における平面部の外縁部の少なくとも一部を覆うように、第一の固体電解質層と第二の固体電解質層との間に絶縁樹脂層を形成することで静電容量の低下を抑制し、陽極体の側面部の酸化物誘電体の製造工数を削減し、かつ、漏れ電流による不良率が低い固体電解コンデンサを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態１における固体電解コンデンサを示す図であり、図１（ａ）はコンデンサ素子の平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線の部分断面図、図１（ｃ）はＢ−Ｂ線の断面図。
【図２】本発明の実施形態２における固体電解コンデンサを示す図であり、図２（ａ）はコンデンサ素子の平面図、図２（ｂ）はＡ−Ａ線の部分断面図、図２（ｃ）はＢ−Ｂ線の断面図。
【図３】図３は特許文献２のノイズフィルタの内部素子の構造を示した図であり、図３（ａ）は斜視図、図３（ｂ）はＡ−Ａ線の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の実施形態１を図面を用いて説明する。
【００２２】
図１は本発明の実施形態１における固体電解コンデンサを示す図であり、図１（ａ）はコンデンサ素子の平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線の部分断面図、図１（ｃ）はＢ−Ｂ線の断面図である。
【００２３】
一般的に、コンデンサ素子は図１（ａ）に示すように平板の形状を有しており、陽極体１には弁作用金属であるタンタル、アルミニウム、チタン、ニオブ、ジルコニウム、またはこれらの合金などからなる箔や板が用いられる。
【００２４】
図１（ｂ）や図１（ｃ）に示すように、箔の表面をエッチングにより多孔質化し、陽極体芯部１ａを残し、多孔質部２を形成する。陽極体１はこの陽極体芯部１ａと多孔質部２を有した構成となる。
【００２５】
続いて、エポキシ系等のレジスト樹脂からなる分離部９を形成し、コンデンサ素子の陽極部と陰極部になる領域に分断する。この場合、陽極部は正の電極部になる側であり、陰極部は負の電極部になる固体電解質層と、グラファイトペーストおよび銀ペーストなどからなる層を形成する側であり、それぞれ、外部端子に接続する部分となる。
【００２６】
次に、陰極部の陽極体の多孔質部２をアジピン酸二水素アンモニウム水溶液等を用いて陽極酸化し、多孔質部２の表面に誘電体酸化皮膜（図示なし）を形成する。なお、誘電体酸化被膜を形成した後に、コンデンサ素子の陽極部と陰極部を分断することも可能である。
【００２７】
そして、この誘電体酸化皮膜を形成した陽極体１を、金型等を用いてコンデンサ素子を形成するのに必要な形状に切断する。本発明では、陽極体の切断面である側面部４に第二の誘電体酸化皮膜の形成を行わないため作業工程を削減でき、製造工程の効率化を図ることが可能になる。
【００２８】
次に、この陰極部をポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）等の導電性高分子の懸濁水溶液に浸漬し、引き上げ後、陰極部表面に余分に付着した導電性高分子の懸濁水溶液を除去し、洗浄、乾燥する工程を数回繰り返すことで、陽極体１の陰極部側の表面に第一の固体電解質層５を形成する。
【００２９】
導電性高分子としては、ピロール、チオフェン、アニリンおよびその誘導体からなる導電性重合体があるが、熱に対して安定なチオフェンを用いることが多い。また、二酸化マンガン、酸化ルテニウムなどの酸化物誘導体、ＴＣＮＱ（７，７，８，８，‐テトラシアノキノジメタンコンプレックス塩）などの有機物半導体が導電性高分子の液に含まれていてもよい。
【００３０】
この時、導電性高分子の懸濁水溶液において、導電性高分子の濃度は導電性高分子の凝集を抑えるために、０．１〜３０．０ｍａｓｓ％が好ましく、０．３〜３．０ｍａｓｓ％がより好ましい。また、粘度は導電性高分子が多孔質層へ入り易くするために、１０〜５００ｍＰａ・ｓが好ましく、１０〜１００ｍＰａ・ｓがより好ましい。
【００３１】
さらに、第一の固体電解質層５を形成した陰極部をポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）等の導電性高分子の懸濁水溶液に浸漬し、引き上げ後、陰極部表面に余分に付着した導電性高分子の懸濁水溶液を除去し、洗浄、乾燥する工程を数回繰り返すことで、陽極体１の陰極部側の表面に第二の固体電解質層６を形成する。
【００３２】
この時、導電性高分子の懸濁水溶液において、導電性高分子の濃度は０．１〜３０．０ｍａｓｓ％が好ましく、１．０〜１０．０ｍａｓｓ％がより好ましい。また、粘度は１０〜５００ｍＰａ・ｓが好ましく、２０〜３００ｍＰａ・ｓがより好ましい。
【００３３】
また、ここでは第一の固体電解質層５と第二の固体電解質層６とを懸濁液に浸漬する方法で形成する例を説明しているが、電解重合、化学重合で形成することも可能である。
【００３４】
続いて、第二の固体電解質層６を形成した陽極体１における陰極部の側面部４から延伸して、第二の固体電解質層６の平面部における外縁部の少なくとも一部を覆うように、絶縁樹脂層１０を形成する。
【００３５】
絶縁樹脂層１０を形成する絶縁樹脂としてはエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂等があげられるが、密着性や封止性の良好なエポキシ樹脂が好ましい。
【００３６】
絶縁樹脂層１０の塗布はマスク印刷等を用いて行い、１２０℃〜１８０℃で３０ｍｉｎ〜１２０ｍｉｎの加熱処理を行い完了する。
【００３７】
絶縁樹脂層１０の形成範囲は、第二の固体電解質層６の側面部４の端部から第二の固体電解質層６の平面部の方向へ、０．０３ｍｍ〜１ｍｍの範囲で延伸させることが好ましい。形成範囲を０．０３ｍｍより狭くすると第二の固体電解質層６の角部が露出し、ＬＣが発生し易くなり、１ｍｍより広くすると静電容量を低下させる度合いが大きくなるためである。
【００３８】
次に、この絶縁樹脂層１０と第二の固体電解質層６を覆うようにグラファイト層７および銀ペースト層８を浸漬法により順番に形成し、コンデンサ素子を得る。最後に、このコンデンサ素子を外部電極端子と電気的に接続し、モールド樹脂で外装して本発明の固体電解コンデンサを得る。
【００３９】
本発明の実施形態２を図面を用いて説明する。
【００４０】
図２は、本発明の実施形態２における固体電解コンデンサを示す図であり、図２（ａ）はコンデンサ素子の平面図、図２（ｂ）はＡ−Ａ線の部分断面図、図２（ｃ）はＢ−Ｂ線の断面図である。
【００４１】
第一の固体電解質層５を形成させるところまでは実施形態１と同様の工程をとる。  その後、第一の固体電解質層５を形成した陽極体１における陰極部の側面部４から延伸して、第一の固体電解質層５の平面部における外縁部の少なくとも一部を覆うように、絶縁樹脂層１０を形成する。続いて、第一の固体電解質層５と絶縁樹脂層１０を覆うように第二の固体電解質層６を形成する。絶縁樹脂層１０を第一の固体電解質層５と第二の固体電解質層６の間に形成することにより、グラファイト層７と第二の固体電解質層６が全面で接触するため、ＬＣの発生を抑制するだけではなく、等価直列抵抗値（ＥＳＲ）の増加を抑制することを可能にしたものである。
【００４２】
次に、実施形態１と同様に、グラファイト層７および銀ペースト層８を浸漬法により順番に形成し、コンデンサ素子を得る。最後に、このコンデンサ素子を外部電極端子と電気的に接続し、モールド樹脂で外装して本発明の固体電解コンデンサを得る。
【００４３】
また、陽極体をコンデンサ素子を形成するのに必要な形状に金型等を用いて打ち抜いた場合、金型を入れる面の多孔質部の方が、金型を抜く面の多孔質部より欠損が発生し易い場合がある。この場合、欠損が多く発生する面と、欠損の発生が少ない面の状況に対応させて、絶縁樹脂層の形成面積を変化させ形成することが望ましい。欠損の発生に応じて絶縁樹脂を塗布することで、静電容量の低下を抑制し、ＬＣの発生による不良率を低くできる。
【実施例】
【００４４】
以下、本発明を実施例に基づき、さらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００４５】
（実施例１）
厚み１００μｍのアルミニウム箔表面をエッチングにより多孔質化し、つづいて、陰極部の多孔質部の表面に化成処理にて誘電体酸化皮膜を形成した。誘電体酸化皮膜は、濃度１３ｍａｓｓ％のアジピン酸二水素アンモニウム水溶液を用いて、印加電圧５０Ｖにて実施した。
【００４６】
その後、金型を用いて長さ６ｍｍ、幅３ｍｍの形状に陽極体を切断した。エポキシ樹脂を用いて分離部を形成し、コンデンサ素子となる陽極部と陰極部に分離した。コンデンサ素子の陰極部の大きさは、３．０×４．０ｍｍとした。
【００４７】
つぎに、多孔質部の空孔内部へ第一の固体電解質層を形成した。導電性高分子の懸濁水溶液は、固形成分量は１．５ｍａｓｓ％であり、粘度が２０ｍＰａ・ｓであるポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）懸濁水溶液を用いた。
【００４８】
ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）懸濁水溶液に上述の化成を行った陰極部を５分間浸漬した。引き上げた後、陰極部表面に付着した余分なポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）懸濁水溶液をエアーブローで除去し、１２５℃で１５分間乾燥する工程を８回繰り返すことで、第一の固体電解質層の形成が完了した。第一の固体電解質層の厚みは平均で１μｍとした。
【００４９】
さらに、第一の固体電解質層を形成した陰極部をポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）の導電性高分子の懸濁水溶液に浸漬し、引き上げ後、陰極部表面に余分に付着した導電性高分子の懸濁水溶液を除去し、洗浄、乾燥する工程を５回繰り返すことで、陽極体の陰極部側の表面に第二の固体電解質層を形成した。このときの導電性高分子の濃度は２．０ｍａｓｓ％とし、粘度は２０ｍＰａ・ｓとした。第二の固体電解質層の厚みは平均で５μｍとした。
【００５０】
そして、第二の固体電解質層の側面部から延伸して、第二の固体電解質層の平面部における外縁部を覆うように、絶縁樹脂層を形成した。絶縁樹脂層にはエポキシ系樹脂を用い、印刷には専用のマスクを使用した。このとき、絶縁樹脂層の外縁部での形成範囲は、第二の固体電解質層の側面部の端部から平面部の方向に０．２ｍｍとした。硬化条件は１５０℃、３０分間とした。絶縁樹脂層の厚みは平均で３０μｍとした。
【００５１】
次に、グラファイト層および銀導電性樹脂層を浸漬法により順番に形成し、コンデンサ素子を作製した。最後に、このコンデンサ素子を外部電極端子と電気的に接続し、モールド樹脂で外装して本発明の固体電解コンデンサを得た。サンプル数は１００個とした。
【００５２】
（実施例２）
絶縁樹脂層を第二の固体電解質層の側面部の端部から平面部の方向に０．５ｍｍの範囲で形成したこと以外は実施例１と同様とした。
【００５３】
（実施例３）
絶縁樹脂層を第二の固体電解質層の側面部の端部から平面部の方向に１．０ｍｍの範囲で形成したこと以外は実施例１と同様とした。
【００５４】
（実施例４）
第一の固体電解質層を形成後、絶縁樹脂層を形成し、その上に第二の固体電解質層を形成した以外は実施例１と同様とした。固体電解質層の厚みは実施例１と同様とした。
【００５５】
（実施例５）
絶縁樹脂層を第一の固体電解質層の側面部の端部から平面部の方向に０．５ｍｍの範囲で形成したこと以外は実施例４と同様とした。
【００５６】
（実施例６）
絶縁樹脂層を第一の固体電解質層の側面部の端部から平面部の方向に１．０ｍｍの範囲で形成したこと以外は実施例４と同様とした。
【００５７】
（実施例７）
陽極体を金型で打ち抜いた際に多孔質部に欠損が多く発生している面には、絶縁樹脂層を陰極部の側面部の端部から平面部の方向に０．５ｍｍ、ほとんど発生しないもう一方の面には絶縁樹脂層を陰極部の側面部の端部から平面部の方向に０．２ｍｍの範囲で絶縁樹脂層を形成した以外は実施例１と同様とした。
【００５８】
（実施例８）
陽極体を金型で打ち抜いた際に多孔質部に欠損が多く発生している面には、絶縁樹脂層を陰極部の側面部の端部から平面部の方向に０．５ｍｍ、ほとんど発生しないもう一方の面には絶縁樹脂層を陰極部の側面部の端部から平面部の方向に０．２ｍｍの範囲で絶縁樹脂層を形成した以外は実施例４と同様とした。
【００５９】
（実施例９）
コンデンサ素子の側面部の誘電体酸化被膜の表面に形成される第一の固体電解質層の厚が０．０５μｍとなるように、第一の固体電解質層の形成工程で、コンデンサ素子の側面部に付着した余分なポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）懸濁水溶液をエアーブローで除去した以外は実施例４と同様とした。
【００６０】
（比較例１）
絶縁樹脂層を形成しない以外は実施例１と同様とした。
【００６１】
（比較例２）
従来例として、陽極体の切断面である側面部に絶縁樹脂層を形成した後、第一の固体電解質層、第二の固体電解質層を順次重ねて形成した。絶縁樹脂層の印刷用のマスクの開口部形状、固体電解質層の形成方法、厚みは実施例１と同様とした。
【００６２】
実施例１〜９および比較例１、２において、固体電解コンデンサを各１００個製造した。評価結果として、ＬＣＲメーターを用いて測定した１２０Ｈｚでの静電容量と、１００ｋＨｚでのＥＳＲと、電源と電流計を用いて測定した電圧印加３０Ｖで６０秒後のＬＣの平均値と、ショート不良発生率を表１に示した。なお、ＬＣ確認試験において印加した電圧は通常想定される電圧より大きな値であり、破壊試験に相当する電圧を印加した。
【００６３】
【表１】
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【００６４】
まず、本発明の実施例におけるＬＣの値について述べると、いずれの実施例でも最大で０．１７μＡであり、ショート不良の発生もなかった。比較例１は絶縁樹脂層を形成していないため、ＬＣが１ｍＡ以上となり、ショート不良発生率は１００％となった。
【００６５】
次に、絶縁樹脂層の形成範囲と静電容量を比較すると、絶縁樹脂層を形成していない比較例１と実施例１の静電容量がほぼ同等であり、絶縁樹脂層の形成範囲が最大の実施例６においても、比較例１より２２％程度の低下に抑制できている。本発明によれば絶縁樹脂層を塗布しても、静電容量の低下レベルが製品の静電容量の許容範囲内に収まることが分かった。また、多孔質部に直接、絶縁樹脂層を形成した比較例２は静電容量の低下が最も大きかった。
【００６６】
第一の固体電解質層と第二の固体電解質層の間に絶縁樹脂層を形成した実施例４〜６では、実施例４〜６の静電容量が実施例４〜６の静電容量よりわずかに低くなるが、ＥＳＲの増加が抑制されることが分かった。ＥＳＲの増加が抑制された原因は、第二の固体電解質層とグラファイト層における界面の接触抵抗がコンデンサ素子全体のＥＳＲに対して影響度が高く、その接触面積が実施例１〜３と比較し大きいためだと考えられる。
【００６７】
絶縁樹脂層を陰極部の欠損の発生度合いに合わせて形成した実施例７では、静電容量、ＥＳＲ、ＬＣとも実施例１と実施例２と同程度であった。実施例８も実施例４、実施例５に対して同様の傾向であった。
【００６８】
実施例９は、素子陰極部側面部に固体電解質層を０．０５μｍと薄く形成していることで、実施例４と比較し漏れ電流が改善されている。
【００６９】
以上のように、本発明を用いることにより静電容量の低下を抑制し、ＬＣの発生を防止し、ショート不良率を減少させ、さらに、製造工程の効率化を可能にした固体電解コンデンサを提供することができる。
【００７０】
以上、実施例を用いて、この発明を説明したが、この発明は、これらの実施例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更があっても本発明に含まれる。すなわち、当業者であれば、当然なしえるであろう各種変形、修正もまた本発明に含まれる。
【符号の説明】
【００７１】
１、１０１        陽極体
１ａ、１０１ａ    陽極体芯部
２、１０２        多孔質部
１０３            第二の誘電体酸化皮膜
４                側面部
５                第一の固体電解質層
６                第二の固体電解質層
７、１０７        グラファイト層
８                銀ペースト層
９、１０９        分離部
１０              絶縁樹脂層
１０５            固体電解質層
１１０            マスキング樹脂層
１１１            内部素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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