(57)【要約】【課題】効率良く正確にパターン間のパターン形状が同一であるか否かを判定すること。【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、パターン形状判定方法において、パターン形状の判定基準となる第１のパターンにパターン形状の判定基準位置となる第１の基準位置を設定する。また、前記第１のパターンとパターン形状が同一であるか否かが判定される判定対象としての第２のパターンにパターン形状の判定基準位置となる第２の基準位置を設定する。パターン形状が同一であるか否かを判定する際に用いるパターン寸法差の判定基準を、前記第１の基準位置からの距離毎に当該距離に応じた値に設定する。前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間の寸法差が、前記パターン寸法差の判定基準内であるか否かに基づいて、前記第２のパターンが前記第１のパターンと同一のパターン形状であるか否かを判定する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形状の判定基準となる第１のパターンにパターン形状の判定基準位置となる第１の基準位置を設定するとともに、前記第１のパターンとパターン形状が同一であるか否かが判定される判定対象としての第２のパターンにパターン形状の判定基準位置となる第２の基準位置を設定する基準位置設定ステップと、
前記第１のパターンと前記第２のパターンとが同一形状であるか否かを判定する際に用いる判定基準としての前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間の許容寸法差を、前記第１の基準位置からの距離毎に当該距離に応じた値に設定する寸法差設定ステップと、
前記第１および前記第２の基準位置からの位置毎に算出される前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間の寸法差が、当該寸法差の算出される位置に設定されている許容寸法差の範囲内であるか否かに基づいて、前記第２のパターンが前記第１のパターンと同一のパターン形状であるか否かを判定する形状判定ステップと、
を含むことを特徴とするパターン形状判定方法。
【請求項２】
前記第１のパターンには、前記第１の基準位置から所定範囲の距離を有した判定対象エリアが複数設定されるとともに、前記許容寸法差は、前記判定対象エリア毎に設定され、
前記形状判定ステップは、前記判定対象エリアに設定されている許容寸法差に基づいて、前記第２のパターンが前記第１のパターンと同一のパターン形状であるか否かを判定することを特徴とする請求項１に記載のパターン形状判定方法。
【請求項３】
基板上にパターン転写した場合にパターン形成不良となる可能性が所定値よりも高いパターン形状であるホットスポットを登録するホットスポット登録ステップをさらに含み、
前記第１のパターンは、登録されている前記ホットスポットであることを特徴とする請求項１または２に記載のパターン形状判定方法。
【請求項４】
基板上にパターン転写した場合にパターン形成不良となる可能性が所定値よりも低いパターン形状であるクリーンパターンを登録するクリーンパターン登録ステップをさらに含み、
前記第１のパターンは、登録されている前記クリーンパターンであることを特徴とする請求項１または２に記載のパターン形状判定方法。
【請求項５】
前記許容寸法差は、前記第１のパターンを基板上に転写した場合に前記基板上に形成される第１の基板上パターンの前記第１の基準位置における理想値からの最大寸法変動量に基づいて設定されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のパターン形状判定方法。
【請求項６】
パターン形状の判定基準となる第１のパターンにパターン形状の判定基準位置となる第１の基準位置を設定するとともに、前記第１のパターンとパターン形状が同一であるか否かが判定される判定対象としての第２のパターンにパターン形状の判定基準位置となる第２の基準位置を設定する基準位置設定ステップと、
前記第１のパターンと前記第２のパターンとが同一形状であるか否かを判定する際に用いる判定基準としての前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間の許容寸法差を、前記第１の基準位置からの距離毎に当該距離に応じた値に設定する寸法差設定ステップと、
前記第１および前記第２の基準位置からの位置毎に算出される前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間の寸法差が、当該寸法差の算出される位置に設定されている許容寸法差の範囲内であるか否かに基づいて、前記第２のパターンが前記第１のパターンと同一のパターン形状であるか否かを判定する形状判定ステップと、
前記第２のパターンを基板上に転写した場合に前記基板上に形成される基板上パターンの形状を算出する基板上パターン算出ステップと、
算出した前記基板上パターンが所望の形状であるか否かを判定する基板上パターン判定ステップと、
を含み、
前記第２のパターンのうち前記第１のパターンとは同一のパターン形状でないと判定された第２のパターンに対しては、前記第２のパターン毎に前記基板上パターンの形状が算出され、前記第２のパターンのうち前記第１のパターンと同一のパターン形状であると判定された第２のパターンに対しては、同一の基板上パターンが設定されることを特徴とするパターン形状検証方法。
【請求項７】
パターン形状の判定基準となる第１のパターンにパターン形状の判定基準位置となる第１の基準位置を設定するとともに、前記第１のパターンとパターン形状が同一であるか否かが判定される判定対象としての第２のパターンにパターン形状の判定基準位置となる第２の基準位置を設定する基準位置設定ステップと、
前記第１のパターンと前記第２のパターンとが同一形状であるか否かを判定する際に用いる判定基準としての前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間の許容寸法差を、前記第１の基準位置からの距離毎に当該距離に応じた値に設定する寸法差設定ステップと、
前記第１および前記第２の基準位置からの位置毎に算出される前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間の寸法差が、当該寸法差の算出される位置に設定されている許容寸法差の範囲内であるか否かに基づいて、前記第２のパターンが前記第１のパターンと同一のパターン形状であるか否かを判定する形状判定ステップと、
前記第２のパターンを補正することによって、前記第２のパターンを基板上に形成する際に用いるマスクのマスクパターンを作成するマスクパターン作成ステップと、
を含み、
前記第２のパターンのうち前記第１のパターンとは同一のパターン形状でないと判定された第２のパターンに対しては、前記第２のパターン毎に前記マスクパターンが作成され、前記第２のパターンのうち前記第１のパターンと同一のパターン形状であると判定された第２のパターンに対しては、同一のマスクパターンが設定されることを特徴とするパターン補正方法。
【請求項８】
請求項７に記載のパターン補正方法によって作成されたマスクパターンを用いてリソグラフィ用マスクの製造を行うことを特徴とするリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載のパターン補正方法によって作成されたマスクパターンを用いて半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形状判定方法、パターン形状検証方法、パターン補正方法、リソグラフィ用マスクの製造方法および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体製造技術の進歩は非常に目覚しく、最小加工寸法４０ｎｍサイズの半導体装置が量産されている。このような半導体装置の微細化は、マスクプロセス技術、光リソグラフィ技術、およびエッチング技術等の微細パターン形成技術の飛躍的な進歩により実現されている。パターンサイズが十分大きい時代には、ウエハ上に形成したい集積回路パターンの平面形状をそのまま設計パターンとして描き、その設計パターンに忠実なマスクパターンを作製していた。そして、作製したマスクパターンを投影光学系によってウエハ上に転写し、レジストを被加工膜として下地をエッチングすることによってほぼ設計パターン通りのパターンがウエハ上に形成できた。
【０００３】
ところが、集積回路パターンの微細化が進むにつれて、各プロセスでパターンを忠実に形成することが困難になってきており、この結果、最終的な仕上り寸法が設計パターン通りにならない問題が生じてきた。特に微細加工を達成するために最も重要なリソグラフィプロセスやエッチングプロセスでは、形成したいパターンの周辺に配置された他のパターンが、形成したいパターンの寸法精度に大きく影響を与える。
【０００４】
このような影響を回避するために開発されたのが、光近接効果補正（ＯＰＣ：Optical  Proximity  Correction）やプロセス近接効果補正（ＰＰＣ：Process  Proximity  Correction）という技術である。これらの技術は、加工後の集積回路パターン形状が設計パターン（所望値）になるよう、予め補助パターンを付加したり、パターンの幅を太めたり細めたりするといったものである。
【０００５】
また、ＯＰＣ後やＰＰＣ後のパターン形状が適切であるか否かを、リソグラフィや加工などのプロセスシミュレーションを用いたＯＰＣ検証によって検証するＯＰＣ検証技術の開発も進められている。
【０００６】
しかしながらＯＰＣ検証は、リソグラフィや加工などのシミュレーションを行うので、集積回路パターン全体に対して実施する場合には長時間を要する。このため、集積回路パターン内から同一パターンを抽出し、同一パターンには同じシミュレーション結果を適用することが行われている。したがって、効率良く正確にパターン間のパターン形状が同一であるか否かを判定することが望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−３４１３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の一つの実施形態は、効率良く正確にパターン間のパターン形状が同一であるか否かを判定するパターン形状判定方法、パターン形状検証方法、パターン補正方法、リソグラフィ用マスクの製造方法および半導体装置の製造方法を得る。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一つの実施形態によれば、パターン形状判定方法が提供される。パターン形状判定方法は、基準位置設定ステップと、寸法差設定ステップと、形状判定ステップと、を含んでいる。基準位置設定ステップでは、パターン形状の判定基準となる第１のパターンにパターン形状の判定基準位置となる第１の基準位置を設定する。また、前記第１のパターンとパターン形状が同一であるか否かが判定される判定対象としての第２のパターンにパターン形状の判定基準位置となる第２の基準位置を設定する。寸法差設定ステップでは、前記第１のパターンと前記第２のパターンとが同一形状であるか否かを判定する際に用いる判定基準としての前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間の許容寸法差を、前記第１の基準位置からの距離毎に当該距離に応じた値に設定する。形状判定ステップでは、前記第１および前記第２の基準位置からの位置毎に算出される前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間の寸法差が、当該寸法差の算出される位置に設定されている許容寸法差の範囲内であるか否かに基づいて、前記第２のパターンが前記第１のパターンと同一のパターン形状であるか否かを判定する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施の形態に係るパターン形状判定装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、パターン形状判定処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図３】図３は、判定エリアを説明するための図である。
【図４】図４は、パターン形状判定条件とウエハ上寸法変動量との関係を示す図である。
【図５】図５は、実施の形態に係るパターン形状判定方法を設計パターンの検証処理に適用した場合の検証処理手順を示すフローチャートである。
【図６】図６は、実施の形態に係るパターン形状判定方法を光近接効果補正に適用した場合の光近接効果補正処理手順を示すフローチャートである。
【図７】図７は、パターン形状判定装置のハードウェア構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るパターン形状判定方法、パターン形状検証方法、パターン補正方法、リソグラフィ用マスクの製造方法および半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【００１２】
（実施の形態）
図１は、実施の形態に係るパターン形状判定装置の構成を示すブロック図である。パターン形状判定装置１は、パターン形状の判定基準となる第１のパターン（後述する判定基準パターンＰａ）と、パターン形状の判定対象となる第２のパターン（後述する判定対象パターンＰｂ）と、が同一形状であるか否かを判定するコンピュータなどである。
【００１３】
リソグラフィでは、パターン上の所定位置（着目点）に与える影響は、着目点に近いパターンほど大きく遠いほど小さい。したがって、本実施の形態では、着目点を中心としたパターン形状の解析を行うために、着目点からの距離を考慮したパターンマッチングを行う。
【００１４】
本実施の形態のパターン形状判定装置１は、集積回路パターンの設計パターン（レイアウトデータ）上の所定位置に後述する着目点Ａを設定する。また、パターン形状判定装置１は、判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとを同一形状であると判断するか否かの判断基準値として、判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとの間の許容寸法差（後述する寸法許容差ｘ）を設定する。パターン形状判定装置１は、着目点Ａからの距離毎に、着目点Ａからの距離に応じた寸法許容差ｘを設定する。
【００１５】
パターン形状判定装置１は、寸法許容差ｘに基づいて、着目点Ａからの距離毎に判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとの間の寸法差が、寸法許容差ｘの範囲内であるか否かを判定する。パターン形状判定装置１は、寸法許容差ｘの範囲内であると判定した判定対象パターンＰｂを、判定基準パターンＰａと同一形状のパターンであると判定する。また、パターン形状判定装置１は、寸法許容差ｘの範囲内でないと判定した判定対象パターンＰｂを、判定基準パターンＰａとは異なる形状のパターンであると判定する。
【００１６】
パターン形状判定装置１は、例えば、第１の設計パターンと第２の設計パターンとの間で判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとが同一形状であるか否かを判断する。換言すると、パターン形状判定装置１は、第１の設計パターン内に含まれている判定基準パターンＰａと、第２の設計パターン内に含まれている判定対象パターンＰｂとが同一形状であるか否かを判断する。
【００１７】
なお、パターン形状判定装置１は、１チップ分や１ショット分などの１つの設計パターン内で、判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとが同一形状であるか否かを判断してもよい。また、パターン形状判定装置１は、ホットスポット近傍のパターンを判定基準パターンＰａとしてもよい。
【００１８】
ホットスポットは、ウエハなどの基板上に形成されるパターンのうち寸法変動が大きな箇所であり、パターン形成不良となる可能性が所定値よりも高い位置（座標）である。換言すると、ホットスポットは、リソグラフィシミュレーションなどによって検出されるウエハ上で問題（パターンの断線やショートなど）を引き起こす部位である。
【００１９】
パターン形状判定装置１は、入力部１１、着目点設定部１２、判定エリア設定部１３、許容寸法差設定部１４、判定基準位置設定部１５、形状比較部１６、パターン分類部１７、出力部１８を備えている。
【００２０】
入力部１１は、着目点Ａや判定基準パターンＰａが設定される第１の設計パターン（例えば１チップ分や１ショット分）、判定対象パターンＰｂが設定される第２の設計パターン（例えば１チップ分や１ショット分）などが入力される。入力部１１は、第１の設計パターンを着目点設定部１２に送り、第２の設計パターンを判定基準位置設定部１５に送る。
【００２１】
着目点設定部１２は、第１の設計パターン上に着目点Ａを設定する。着目点設定部１２は、例えば、第１の設計パターン上の各位置を所定の寸法間隔で順番に着目点Ａに設定する。着目点設定部１２は、第１の設計パターン上で最小寸法となっている位置、ホットスポット、その他過去の知見などに基づいて技術者が指定する位置などを着目点Ａに設定してもよい。着目点設定部１２は、着目点Ａの座標と、第１の設計パターンを、判定エリア設定部１３に送る。
【００２２】
判定基準位置設定部１５は、第２の設計パターン上に判定対象パターンＰｂの基準位置（判定対象基準位置Ｂ）を設定する。判定基準位置設定部１５は、第２の設計パターン上の各位置を所定の寸法間隔で順番に判定対象基準位置Ｂに設定する。判定基準位置設定部１５は、判定対象基準位置Ｂの座標と、第２の設計パターンを、判定エリア設定部１３に送る。
【００２３】
判定エリア設定部１３は、着目点Ａの周辺にパターン形状の判定対象となるエリア（判定エリアＪａ）を設定する。判定エリアＪａは、例えば、第１の設計パターン上で着目点Ａから所定の距離範囲を有したエリアである。判定エリア設定部１３は、例えば着目点ＡからのプラスＸ方向への距離範囲と、マイナスＸ方向への距離範囲と、プラスＹ方向への距離範囲と、マイナスＹ方向への距離範囲と、を設定することによって、第１の設計パターン上に１〜複数の判定エリアＪａを設定する。
【００２４】
また、判定エリア設定部１３は、判定対象基準位置Ｂの周辺にパターン形状の判定対象となるエリア（判定エリアＪｂ）を設定する。判定エリアＪｂは、例えば、第２の設計パターン上で判定対象基準位置Ｂから所定の距離範囲を有したエリアである。判定エリアＪａと判定エリアＪｂとは、同じ大きさのエリアである。
【００２５】
例えば、判定エリアＪａの中心座標（判定エリアＪａ内での着目点Ａの座標）と判定エリアＪｂの中心座標（判定エリアＪｂ内での判定対象基準位置Ｂの座標）とは、同一の座標である。判定エリア設定部１３は、同じ大きさのエリアに設定された判定エリアＪａと判定エリアＪｂとを対応付けするとともに、対応付けを示す情報（エリアの大きさ毎に対応付けされた判定エリアＪａ，Ｊｂの組を示す情報）を生成し、許容寸法差設定部１４に送る。
【００２６】
判定エリア設定部１３は、判定エリアＪａの第１の設計パターン上での座標（範囲）と、第１の設計パターンを、許容寸法差設定部１４に送る。また、判定エリア設定部１３は、判定エリアＪｂの第２の設計パターン上での座標（範囲）と、第２の設計パターンを、許容寸法差設定部１４に送る。
【００２７】
許容寸法差設定部１４は、判定エリアＪａ，Ｊｂの組ごとに、判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとの間の寸法許容差ｘを設定する。寸法許容差ｘは、判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとを同一形状と判断するか否かの判断基準である。許容寸法差設定部１４は、各判定エリアＪａの着目点Ａからの距離に基づいて、判定エリアＪａ，Ｊｂの組ごとに寸法許容差ｘを設定する。これにより、着目点Ａからの距離に応じた寸法許容差ｘが各判定エリアＪａ，Ｊｂの組に設定される。
【００２８】
許容寸法差設定部１４は、例えば、判定基準パターンＰａをウエハ上に形成した場合のウエハ上パターン寸法と、判定対象パターンＰｂをウエハ上に形成した場合のウエハ上パターン寸法と、の間の寸法許容差（同一形状と判断するか否かの基準値）に基づいて、寸法許容差ｘを設定する。なお、許容寸法差設定部１４は、判定対象パターンＰｂ内の最小パターン寸法に基づいて、寸法許容差ｘを設定してもよい。寸法許容差ｘは、例えば、判定基準パターンＰａまたは判定対象パターンＰｂの最小パターン寸法の５％以下の寸法に設定される。許容寸法差設定部１４は、設定した寸法許容差ｘと、判定エリアＪａと、判定エリアＪｂと、の組を、形状比較部１６に送る。
【００２９】
形状比較部１６は、判定エリアＪａ，Ｊｂの組ごとに、寸法許容差ｘに基づいて、判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとが同一形状であるか否かを判断する。例えば、判定エリアＪａ内の判定基準パターンＰａのパターン寸法と、判定エリアＪａ内の判定対象パターンＰｂのパターン寸法と、の寸法差が、寸法許容差ｘの範囲内であれば、判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとは、同一形状であると判断される。形状比較部１６は、形状判定の結果と、判定基準パターンＰａと、判定対象パターンＰｂと、をパターン分類部１７に送る。
【００３０】
パターン分類部１７は、判定対象パターンＰｂのうち、判定基準パターンＰａと形状が同一であると判断された各判定対象パターンＰｂを、同一形状のグループとして対応付けする。また、パターン分類部１７は、判定対象パターンＰｂのうち、判定基準パターンＰａと形状が異なると判断された各判定対象パターンＰｂを、非同一形状のグループとして対応付けする。パターン分類部１７は、同一形状のグループに設定された判定対象パターンＰｂと、非同一形状のグループに設定された判定対象パターンＰｂと、を出力部１８に送る。
【００３１】
出力部１８は、同一形状のグループに設定された判定対象パターンＰｂと、非同一形状のグループに設定された判定対象パターンＰｂを、それぞれパターン形状検証装置２またはパターン補正装置３に送る。
【００３２】
パターン形状検証装置２は、第２の設計パターンにＯＰＣやリソグラフィシミュレーションを適用することによって、ウエハ上パターン（レジストパターンまたはエッチング後パターン）の形状を導出する装置である。なお、第２の設計パターンへのＯＰＣは、パターン補正装置３が行ってもよい。パターン形状検証装置２は、同一形状のグループに設定された判定対象パターンＰｂに対しては、同一のウエハ上パターン（例えば、判定基準パターンＰａのウエハ上パターン）を設定する。パターン形状検証装置２は、導出したウエハ上パターンの形状と、第２の設計パターンと、を比較することによって、ウエハ上パターンの形状を検証する。パターン形状検証装置２は、ウエハ上パターンの形状検証結果をパターン補正装置３に送る。
【００３３】
パターン補正装置３は、ウエハ上パターンの形状検証結果に基づいて、第２の設計パターンにＯＰＣを実行することによってマスクパターン（補正パターン）を生成する。パターン補正装置３は、同一形状のグループに設定された判定対象パターンＰｂに対しては、同一のマスクパターンを適用する。なお、パターン補正装置３は、同一形状のグループに設定された判定対象パターンＰｂと、非同一形状のグループに設定された判定対象パターンＰｂと、に基づいて、マスクパターンを補正してもよい。この場合、パターン補正装置３は、後述する補正パターンライブラリを用いてマスクパターンを補正する。
【００３４】
つぎに、パターン形状判定処理の処理手順について説明する。図２は、パターン形状判定処理の処理手順を示すフローチャートである。パターン形状判定装置１の入力部１１へは、判定基準パターンＰａが設定される第１の設計パターン、判定対象パターンＰｂが設定される第２の設計パターンなどが入力される。入力部１１は、第１の設計パターンを着目点設定部１２に送り、第２の設計パターンを判定基準位置設定部１５に送る。
【００３５】
着目点設定部１２は、第１の設計パターン上に着目点Ａを設定する（ステップＳ１０）。着目点設定部１２は、例えば、第１の設計パターン上のホットスポットを着目点Ａに設定する。着目点設定部１２は、着目点Ａの座標と、第１の設計パターンを、判定エリア設定部１３に送る。
【００３６】
また、判定基準位置設定部１５は、第２の設計パターン上に判定対象基準位置Ｂを設定する（ステップＳ２０）。判定基準位置設定部１５は、第２の設計パターン上の各位置を所定の寸法間隔で順番に判定対象基準位置Ｂに設定する。判定基準位置設定部１５は、判定対象基準位置Ｂの座標と、第２の設計パターンを、判定エリア設定部１３に送る。
【００３７】
判定エリア設定部１３は、着目点Ａの周辺にパターン形状の判定対象となる判定エリアＪａを１〜複数設定する。また、判定エリア設定部１３は、判定対象基準位置Ｂの周辺にパターン形状の判定対象となる判定エリアＪｂを設定する。判定エリア設定部１３は、着目点Ａに対する判定エリアＪａの大きさと同じ判定エリアＪｂを設定する。
【００３８】
ここで、判定エリアＪａ，Ｊｂについて説明する。なお、判定エリアＪａと判定エリアＪｂとは、同様のエリアであるので、ここでは判定エリアＪａについて説明する。図３は、判定エリアを説明するための図である。図３の（ａ）では、第１の設計パターン５０の上面図を示し、図３の（ｂ）では、判定エリアＪａの上面図を示している。
【００３９】
図３の（ａ）に示すように、着目点Ａは、第１の設計パターン５０上の位置に設定される。図３の（ｂ）に示すように、判定エリア設定部１３は、着目点Ａの周辺に、判定エリアＪａとして、判定エリア５１ａ、判定エリア５２ａ、判定エリア５３ａなどを設定する。例えば、判定エリア５１ａは、着目点Ａを中心とした正方形領域である。また、判定エリア５２ａは、判定エリア５１ａの周辺を囲むリング状領域であり、判定エリア５２ａの外周は正方形となっている。また、判定エリア５３ａは、判定エリア５２ａの周辺を囲むリング状領域であり、判定エリア５３ａの外周は正方形となっている。
【００４０】
判定エリア５１ａは、例えばＸ軸方向およびＹ軸方向に１５０ｎｍの幅を有した正方形領域（着目点Ａから縦横７５ｎｍの範囲）である。また、判定エリア５２ａは、例えばＸ軸方向およびＹ軸方向に７００ｎｍの幅を有した正方形領域（着目点Ａから縦横３５０ｎｍの範囲）から判定エリア５１ａをくり抜いた領域である。また、判定エリア５３ａは、例えばＸ軸方向およびＹ軸方向に５μｍの幅を有した正方形領域（着目点Ａから縦横２５００ｎｍの範囲）から判定エリア５１ａ，５２ａをくり抜いた領域である。
【００４１】
判定エリア設定部１３は、判定エリア５１ａ〜５３ａと同じ大きさの判定エリアＪｂとして、判定エリア５１ｂ〜５３ｂ（図示せず）を、第２の設計パターン上に設定する。判定エリア設定部１３は、同じ大きさのエリアに設定された判定エリア５１ａと判定エリア５１ｂとを対応付ける。同様に、判定エリア設定部１３は、判定エリア５２ａと判定エリア５２ｂとを対応付け、判定エリア５３ａと判定エリア５３ｂとを対応付ける。判定エリア設定部１３は、判定エリア５１ａ，５１ｂ、判定エリア５２ａ，５２ｂ、判定エリア５３ａ，５３ｂの各対応付けを示す情報を生成し、許容寸法差設定部１４に送る。
【００４２】
第１の設計パターン５０上には、判定エリア５１ａ〜５３ａの組が複数組設定され、第２の設計パターン上には、判定エリア５１ｂ〜５３ｂの組が複数組設定される。第１の設計パターン５０上に設定される各判定エリア５１ａ〜５３ａの組は、隣接する他の判定エリア５１ａ〜５３ａの組と、その一部の領域が重なり合ってもよい。同様に、第２の設計パターン上に設定される各判定エリア５１ｂ〜５３ｂの組は、隣接する他の判定エリア５１ｂ〜５３ｂの組と、その一部の領域が重なり合ってもよい。
【００４３】
判定エリア設定部１３は、判定エリア５１ａ〜５３ａの第１の設計パターン５０上での座標と、第１の設計パターン５０を、許容寸法差設定部１４に送る。また、判定エリア設定部１３は、判定エリア５１ｂ〜５３ｂの第２の設計パターン上での座標と、第２の設計パターンを、許容寸法差設定部１４に送る。
【００４４】
許容寸法差設定部１４は、着目点Ａからの距離に応じた寸法許容差ｘを設定する（ステップＳ３０）。具体的には、許容寸法差設定部１４は、判定エリアＪａ，Ｊｂの組ごとに、判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとの間の寸法許容差ｘを設定する。換言すると、判定エリアＪａ，Ｊｂの組ごとに寸法許容差ｘが対応づけされる。なお、着目点Ａからの距離に応じた寸法許容差ｘは、予め導出しておいてもよい。
【００４５】
例えば、許容寸法差設定部１４は、判定エリア５１ａ，５１ｂの組に対して、寸法許容差ｘ＝０（許容差なし）を設定する。また、許容寸法差設定部１４は、例えば、判定エリア５２ａ，５２ｂの組に対して、寸法許容差ｘ＝１ｎｍを設定し、判定エリア５３ａ，５３ｂの組に対して、寸法許容差ｘ＝５ｎｍを設定する。許容寸法差設定部１４は、設定した寸法許容差ｘと、判定エリアＪａ，Ｊｂと、の組を、形状比較部１６に送る。
【００４６】
形状比較部１６は、判定エリアＪａ，Ｊｂの組ごとに、寸法許容差ｘに基づいて、判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとのパターン形状を比較する（ステップＳ４０）。このとき、形状比較部１６は、判定エリアＪａ内の第１〜第Ｎ（Ｎは自然数）の座標における判定基準パターンＰａのパターン寸法と、判定エリアＪｂ内の前記第１〜第Ｎの座標における判定対象パターンＰｂのパターン寸法と、の寸法差が、それぞれ寸法許容差ｘ以内（許容範囲内）であるか否かを判断する。この判断結果に基づいて、形状比較部１６は、各判定エリア５１ａ，５１ｂ〜５３ａ，５３ｂの組ごとに、判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとが同一形状であるか否かを判断する。
【００４７】
例えば、判定エリア５１ａ内の判定基準パターンＰａのパターン寸法と、判定エリア５１ｂ内の判定対象パターンＰｂのパターン寸法と、の同一座標における寸法差が０（同一寸法）であれば、判定エリア５１ａ，５１ｂ内において判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとは、同一形状であると判断される。
【００４８】
同様に、判定エリア５２ａ内の判定基準パターンＰａのパターン寸法と、判定エリア５２ｂ内の判定対象パターンＰｂのパターン寸法と、の同一座標における寸法差が１ｎｍ以内であれば、判定エリア５２ａ，５２ｂ内において判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとは、同一形状であると判断される。
【００４９】
また、判定エリア５３ａ内の判定基準パターンＰａのパターン寸法と、判定エリア５３ｂ内の判定対象パターンＰｂのパターン寸法と、の同一座標における寸法差が５ｎｍ以内であれば、判定エリア５３ａ，５３ｂ内において判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとは、同一形状であると判断される。形状比較部１６は、形状判定の結果と、判定基準パターンＰａと、判定対象パターンＰｂと、をパターン分類部１７に送る。
【００５０】
形状比較部１６が判定基準パターンＰａのパターン寸法と判定対象パターンＰｂのパターン寸法と、の寸法差が、許容範囲内であると判断すると（ステップＳ５０、Ｙｅｓ）、パターン分類部１７は、許容範囲内であると判断された判定対象パターンＰｂを、同一形状グループに設定する（ステップＳ６０）。
【００５１】
一方、形状比較部１６が判定基準パターンＰａのパターン寸法と判定対象パターンＰｂのパターン寸法と、の寸法差が、許容範囲内でないと判断すると（ステップＳ５０、Ｎｏ）、パターン分類部１７は、許容範囲内でないと判断された判定対象パターンＰｂを、非同一形状グループに設定する（ステップＳ７０）。
【００５２】
パターン分類部１７は、同一形状のグループに設定された判定対象パターンＰｂと、非同一形状のグループに設定された判定対象パターンＰｂと、判定基準パターンＰａと、を出力部１８に送る。出力部１８は、同一形状のグループに設定された判定対象パターンＰｂと、非同一形状のグループに設定された判定対象パターンＰｂと、判定基準パターンＰａとを、それぞれパターン形状検証装置２またはパターン補正装置３に送る。
【００５３】
この後、パターン形状検証装置２は、第２の設計パターンに基づいて、ウエハ上パターンの形状を検証する。このとき、パターン形状検証装置２は、同一形状グループに設定された判定対象パターンＰｂに対しては、同一のウエハ上パターンを適用し、重複したウエハ上パターンの形状導出処理を省略する。パターン形状検証装置２は、検証結果をパターン補正装置３に送る。
【００５４】
そして、パターン補正装置３は、ウエハ上パターンの形状検証結果に基づいて、第２の設計パターンを補正する。このとき、パターン補正装置３は、同一形状グループに設定された判定対象パターンＰｂに対しては、同一の補正パターンを適用し、重複した補正パターンの算出処理を省略する。
【００５５】
つぎに、パターン形状判定装置１が、判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとは同一形状であると判断した場合の、ウエハ上寸法の理想値からの最大変動量（以下、ウエハ上寸法変動量という）について説明する。図４は、パターン形状判定条件とウエハ上寸法変動量との関係を示す図である。図４において、横軸は着目点Ａからの距離を示し、縦軸は寸法許容差ｘを示している。
【００５６】
ウエハ上寸法変動量の変動量領域６０は、ウエハ上寸法の理想値からのずれ量が０〜１ｎｍの領域である。同様に、変動量領域６１〜６５は、ウエハ上寸法の理想値からのずれ量が、それぞれ１ｎｍ〜２ｎｍ、２ｎｍ〜３ｎｍ、３ｎｍ〜４ｎｍ、４ｎｍ〜５ｎｍ、５ｎｍ〜６ｎｍの領域である。また、変動量領域６６〜７０は、ウエハ上寸法の理想値からのずれ量が、それぞれ６ｎｍ〜７ｎｍ、７ｎｍ〜８ｎｍ、８ｎｍ〜９ｎｍ、９ｎｍ〜１０ｎｍ、１０ｎｍ〜１１ｎｍの領域である。
【００５７】
ここでは、着目点Ａの周辺に設定される判定エリア５１ａ内の判定基準パターンＰａとの間で、寸法許容差ｘ＝０（パターンの完全一致）の場合にパターン形状が同一であると判定している。また、判定エリア５２ａなどに配置されている判定基準パターンＰａの寸法許容差ｘを、１ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍと変化させて、パターン形状が同一であるか否かを判定している。また、判定エリア５２ａのＸ軸方向の幅およびＹ軸方向の幅を、５０ｎｍ〜３０００ｎｍまで変動させている。
【００５８】
このようなパターン形状判定条件で、判定基準パターンＰａと同一形状であると判定された判定対象パターンＰｂに対して、パターン形状検証装置２を用いてリソグラフィシミュレーションが行なわれる。ここでは、パターン形状検証装置２が、判定基準パターンＰａと同一形状であると判定された判定対象パターンＰｂのウエハ上寸法変動量を算出する。
【００５９】
パターン形状検証装置２は、例えば、判定対象パターンＰｂをウエハ上に転写する際に用いられる露光条件（λ＝１９３ｎｍ、ＮＡ＝１．２０)を用いて、判定対象パターンＰｂのウエハ上寸法変動量を算出する。
【００６０】
例えば、判定エリア５２ａのＸ軸方向の幅およびＹ軸方向の幅を７００ｎｍとする。そして、判定エリア５１ａ内での寸法許容差ｘを０とし、判定エリア５２ａ内での寸法許容差ｘを５ｎｍとする。この場合、図４に示すように、ウエハ上寸法変動量（着目点Ａに与える影響）は、最大でも２ｎｍとなる。
【００６１】
このように、図４に示したような、パターン形状判定条件とウエハ上寸法変動量との関係が予め分かっている場合は、この関係を用いて、判定対象パターンＰｂのウエハ上寸法変動量の導出や寸法許容差ｘの設定を行ってもよい。
【００６２】
また、パターン形状検証装置２は、着目点Ａに与える影響（ウエハ上寸法変動量）を、所定の関数を用いて算出してもよい。以下に示す式（１）を用いることによって、着目点Ａでのウエハ上寸法変動量を算出できる。
【００６３】
【数１】
2012068454.tif 000003
【００６４】
ここでのＸ1は、寸法許容差ｘであり、Ｘ2は着目点Ａからの距離である。また、Ｊ1は、１次のＢｅｓｓｅｌ関数であり、ａ，ｂは、最小二乗法を用いて算出される係数である。例えば、図４に示したグラフの場合、ａ＝１．５８×１０6であり、ｂ＝１．９８である。そして、Ｆ（Ｘ1，Ｘ2）がウエハ上寸法変動量である。
【００６５】
例えば、着目点Ａからの縦横方向の距離が１５０ｎｍの判定エリアＪａでの寸法許容差ｘを０とする。また、着目点Ａからの縦横方向の距離が１５０ｎｍ〜７００ｎｍの判定エリアＪａでの寸法許容差ｘを１ｎｍとし、着目点Ａからの縦横方向の距離が７００ｎｍの判定エリアＪａでの寸法許容差ｘを５ｎｍとする。この場合、判定基準パターンＰａと同一形状であると判定された判定対象パターンＰｂに対して、リソグラフィシミュレーションを行なって、ウエハ上寸法変動量を算出すると、着目点Ａでのウエハ上寸法変動量は２ｎｍ未満となることが分かった。
【００６６】
つぎに、本実施の形態に係るパターン形状判定方法によって、パターン判定を行った場合の判定結果と、他の方法を用いてパターン判定を行った場合の判定結果との差異について説明する。予め着目点Ａでのウエハ上寸法変動量が２ｎｍ以内と分かっている３１個の設計パターンに対して、種々の方法（１）〜（３）でパターン形状の判定を行った。
【００６７】
方法（１）
設計パターンの形状判定画像内におけるパターン形状が完全に一致している場合にパターン形状が同一であると判断すると、３１個の中には７個のパターンバリエーション（７つのパターン形状）があると判定された。
【００６８】
方法（２）
また、設計パターンの形状判定画像内におけるパターン形状が１ｎｍの寸法差である場合にパターン形状が同一であると判断すると、３１個の中には４個のパターンバリエーションがあると判定された。
【００６９】
方法（３）
本実施の形態に係るパターン形状判定方法によって、パターン形状の判定を行った場合、３１個の中には１個のパターンバリエーションしかない（全て同一形状のパターンである）と判定された。このように、着目点Ａに与える影響を考慮してパターン形状の判定を行った場合、代表した１つのパターン形状を検証することで、３１個のパターンを検証することになり、パターン検証の時間を大幅に削減することが可能となる。
【００７０】
つぎに、本実施の形態に係るパターン形状判定方法を設計パターンの検証処理に適用した場合の検証処理手順について説明する。図５は、実施の形態に係るパターン形状判定方法を設計パターンの検証処理に適用した場合の検証処理手順を示すフローチャートである。パターン形状検証装置２へは、パターン形状の判定対象であり且つパターン形状の検証対象である第２の設計パターン（ＧＤＳデータ）が入力される。
【００７１】
パターン形状検証装置２は、種々のホットスポットを格納しているホットスポットライブラリ３１に接続されている。ホットスポットライブラリ３１は、リソグラフィシミュレーション、加工シミュレーション、実際に形成したウエハ上パターンの結果などから分かっている知見（ホットスポットを含むパターン形状）を記憶するデータベースなどの記憶手段である。ホットスポットは、ウエハ上にパターン転写した場合にパターン形成不良となる可能性が所定値よりも高いパターンである。
【００７２】
パターン形状検証装置２へは、ホットスポットライブラリ３１から、ホットスポットが入力される。パターン形状検証装置２は、ホットスポットと同じパターン形状を有したパターンを、第２の設計パターン内から抽出する。具体的には、ホットスポットを判定基準パターンＰａとし、判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとの形状比較（パターンマッチング）が行われる（ステップＳ１１０）。すなわち、ホットスポットを含むパターンに着目点Ａが設定され、第２の設計パターンに判定対象基準位置Ｂが設定される。そして、着目点Ａおよび判定対象基準位置Ｂを中心にして、判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとの形状比較が行われる。パターン形状検証装置２は、第２の設計パターンの中からホットスポットにマッチングしなかった領域を抽出する（ステップＳ１２０）。
【００７３】
パターン形状検証装置２は、種々のクリーンパターンを格納しているクリーンパターンライブラリ３２に接続されている。クリーンパターンライブラリ３２は、リソグラフィシミュレーション、加工シミュレーション、実際に形成したウエハ上パターンの結果などから分かっている知見（クリーンパターンを含むパターン形状）を記憶するデータベースなどの記憶手段である。クリーンパターンは、ホットスポットとはならないことが分かっているパターンであり、パターン検証の不要なパターンである。換言すると、クリーンパターンは、ウエハ上にパターン転写した場合にパターン形成不良となる可能性が所定値よりも低いパターンである。パターン形状検証装置２へは、クリーンパターンライブラリ３２から、クリーンパターンが入力される。
【００７４】
パターン形状検証装置２は、クリーンパターンと同じパターン形状を有したパターンを、第２の設計パターン内から抽出する。具体的には、クリーンパターンを判定基準パターンＰａとし、判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとの形状比較（パターンマッチング）が行われる（ステップＳ１３０）。すなわち、クリーンパターンを含むパターンに着目点Ａが設定され、第２の設計パターンに判定対象基準位置Ｂが設定される。そして、着目点Ａおよび判定対象基準位置Ｂを中心にして、判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂとの形状比較が行われる。パターン形状検証装置２は、第２の設計パターンの中からクリーンパターンにマッチングしなかった領域を抽出する（ステップＳ１４０）。
【００７５】
これにより、第２の設計パターンの中から、ホットスポットにもクリーンパターンにもマッチングしなかった領域が、検証対象パターンとして抽出される。なお、パターン形状検証装置２は、クリーンパターンのパターンマッチングを先に行い、その後、ホットスポットのパターンマッチングを行ってもよい。
【００７６】
検証対象パターンとして最終的に残ったパターンは、ウエハ上パターンなどが未知である。このため、検証対象パターンに対してリソグラフィシミュレーション等が実施され、問題箇所（補正の必要なパターン）の有無などが解析される。
【００７７】
具体的には、パターン形状検証装置２は、検証対象パターンにＯＰＣを行うとともに、ＯＰＣ後の検証対象パターンにリソグラフィシミュレーションを行なうことによって、ウエハ上パターンの形状を導出する。パターン形状検証装置２は、導出したウエハ上パターンの形状と、第２の設計パターンと、を比較することによって、ウエハ上パターンの形状を検証する（ステップＳ１５０）。パターン形状検証装置２は、ウエハ上パターンの形状検証結果をパターン補正装置３に送る。
【００７８】
パターン補正装置３は、ウエハ上パターンの形状検証結果に基づいて、検証対象パターンを補正する（ステップＳ１６０）。また、パターン補正装置３は、ホットスポットの設計パターンを補正する。このとき、パターン補正装置３は、同一形状グループに設定されているホットスポットに対しては、同一の補正パターンを適用し、重複した補正パターンの算出処理を省略する。
【００７９】
また、パターン補正装置３は、クリーンパターンの設計パターンを補正する。このとき、パターン補正装置３は、同一形状グループに設定されているクリーンパターンに対しては、同一の補正パターンを適用し、重複した補正パターンの算出処理を省略する。
【００８０】
このように、本実施の形態では、予め第２の設計パターンがホットスポットやクリーンパターンと一致するか否かを確認し、ホットスポットやクリーンパターンと一致するパターン領域の解析を省略している。このため、実際にシミュレーションなどで解析を行うパターン領域は、第２の設計パターンの全体領域に比べて狭くなる。したがって、解析ＴＡＴ（検証ＴＡＴ）を短くすることが可能となる。
【００８１】
また、本実施の形態に係るパターン形状判定方法を、第２の設計パターンの光近接効果補正（ＯＰＣ）に適用してもよい。図６は、実施の形態に係るパターン形状判定方法を光近接効果補正に適用した場合の光近接効果補正処理手順を示すフローチャートである。パターン形状判定装置１およびパターン補正装置３は、種々の補正パターンを格納している補正パターンライブラリ３３に接続されている。
【００８２】
補正パターンライブラリ３３は、第２の設計パターン（判定対象パターンＰｂ）と形状比較を行うための第１の設計パターン（１〜複数の判定基準パターンＰａ）と、各判定基準パターンＰａをＯＰＣしたことによって得られたマスクパターン（補正後パターン）と、を記憶するデータベースなどの記憶手段である。補正パターンライブラリ３３内では、判定基準パターンＰａと、判定基準パターンＰａを補正した後の補正後パターンと、が対応付けされている。
【００８３】
パターン形状判定装置１へは、補正パターンライブラリ３３から、判定基準パターンＰａが入力される。また、パターン形状判定装置１へは、判定対象パターンＰｂが設定される第２の設計パターンなどが入力される。
【００８４】
パターン形状判定装置１は、判定基準パターンＰａと、判定対象パターンＰｂと、の形状比較（パターンマッチング）を行なう（ステップＳ２１０）。パターン形状判定装置１はパターンマッチングの結果に基づいて、判定基準パターンＰａと形状が一致した判定対象パターンＰｂを第２の設計パターン内から抽出する。
【００８５】
パターン形状判定装置１は、抽出した判定対象パターンＰｂを、パターン補正装置３に送る。パターン補正装置３は、パターン形状判定装置１が抽出した判定対象パターンＰｂに対応する判定基準パターンＰａの補正後パターンを、補正パターンライブラリ３３から読み出す。パターン補正装置３は、読み出した補正後パターンを、判定対象パターンＰｂのマスクパターンに適用する。換言すると、パターン補正装置３は、判定基準パターンＰａにマッチングした領域を、補正後パターンに差し替える（ステップＳ２２０）。
【００８６】
さらに、パターン補正装置３は、判定基準パターンＰａにマッチングしなかった領域に対し、ルールベースやモデルベース（シミュレーションモデル）を用いて、設計パターンをマスクパターンに補正する（ステップＳ２３０）。この後、パターン補正装置３からは、第２の設計パターンに対応するマスクパターンが出力される。
【００８７】
これにより、設計パターンからマスクパターンへの補正を実施する領域が、第２の設計パターン全体を補正する場合に比べて狭くなる。したがって、補正ＴＡＴを短くすることが可能となる。
【００８８】
パターン形状の判定処理は、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。そして、設計パターンを補正することによってマスクパターンが生成され、マスクパターンを用いてマスク（フォトマスク）（リソグラフィ用マスク）が作製される。さらに、作製されたマスクを用いて半導体装置（半導体集積回路）が製造される。具体的には、レジストの塗布されたウエハにマスクを用いて露光を行ない、その後ウエハを現像してウエハ上にレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとして、レジストパターンの下層側をエッチングする。これにより、実パターンをウエハ上に形成する。半導体装置を製造する際には、上述したパターン形状の判定、マスクパターンの生成、マスクの作製、露光処理、現像処理、エッチング処理などがレイヤ毎に行われる。
【００８９】
つぎに、パターン形状判定装置１のハードウェア構成について説明する。図７は、パターン形状判定装置のハードウェア構成を示す図である。パターン形状判定装置１は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）９１、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）９２、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）９３、表示部９４、入力部９５を有している。パターン形状判定装置１では、これらのＣＰＵ９１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、表示部９４、入力部９５がバスラインを介して接続されている。
【００９０】
ＣＰＵ９１は、コンピュータプログラムであるパターン形状判定プログラム９７を用いてパターンの判定を行う。表示部９４は、液晶モニタなどの表示装置であり、ＣＰＵ９１からの指示に基づいて、第１の設計パターン、第２の設計パターン、判定エリアＪａ，Ｊｂ、判定基準パターンＰａ、判定対象パターンＰｂ、着目点Ａ、判定対象基準位置Ｂ、寸法許容差ｘ、パターン形状が同一であるか否かの判定結果などを表示する。入力部９５は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報（パターン形状の判定に必要なパラメータ等）を入力する。入力部９５へ入力された指示情報は、ＣＰＵ９１へ送られる。
【００９１】
パターン形状判定プログラム９７は、ＲＯＭ９２内に格納されており、バスラインを介してＲＡＭ９３へロードされる。図７では、パターン形状判定プログラム９７がＲＡＭ９３へロードされた状態を示している。
【００９２】
ＣＰＵ９１はＲＡＭ９３内にロードされたパターン形状判定プログラム９７を実行する。具体的には、パターン形状判定装置１では、使用者による入力部９５からの指示入力に従って、ＣＰＵ９１がＲＯＭ９２内からパターン形状判定プログラム９７を読み出してＲＡＭ９３内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。ＣＰＵ９１は、この各種処理に際して生じる各種データをＲＡＭ９３内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。
【００９３】
パターン形状判定装置１で実行されるパターン形状判定プログラム９７は、着目点設定部１２、判定エリア設定部１３、許容寸法差設定部１４、判定基準位置設定部１５、形状比較部１６、パターン分類部１７を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。
【００９４】
なお、本実施の形態では、ホットスポットライブラリ３１とクリーンパターンライブラリ３２の２つのライブラリを用いてパターン検証の簡略化を図っているが、２つのライブラリのうちの何れか一方のライブラリを用いてパターン検証の簡略化を図ってもよい。
【００９５】
また、本実施の形態では、設計パターンに対してパターン形状が同一であるか否かの判定を行ったが、マスクパターンに対してパターン形状が同一であるか否かの判定を行ってもよい。
【００９６】
また、判定エリアＪａ，Ｊｂは、正方形領域に限らず、他の形状を有した領域（例えば、円領域や長方形領域）でもよい。また、判定エリアＪａ，Ｊｂ毎の寸法許容差ｘは、式（１）で示したような関数を用いて設定してもよい。
【００９７】
また、本実施の形態のパターン形状判定方法は、λ＝１９３ｎｍの光露光に限らず、ＥＵＶ（Extreme  Ultra-Violet）に適用してもよい。
【００９８】
このように実施の形態によれば、着目点Ａからの距離に応じて設定された寸法許容差ｘに基づいて、判定基準パターンＰａと判定対象パターンＰｂと、が同一形状であるか否かを判定するので、効率良く正確にパターン間のパターン形状が同一であるか否かを判定することが可能となる。
【００９９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１００】
１…パターン形状判定装置、２…パターン形状検証装置、３…パターン補正装置、１２…着目点設定部、１３…判定エリア設定部、１４…許容寸法差設定部、１５…判定基準位置設定部、１６…形状比較部、１７…パターン分類部、３１…ホットスポットライブラリ、３２…クリーンパターンライブラリ、３３…補正パターンライブラリ、５０…設計パターン、５１ａ〜５３ａ…判定エリア、Ａ…着目点、Ｂ…判定対象基準位置。
【図１】
2012068454.tif 000004
【図２】
2012068454.tif 000005
【図３】
2012068454.tif 000006
【図４】
2012068454.tif 000007
【図５】
2012068454.tif 000008
【図６】
2012068454.tif 000009
【図７】
2012068454.tif 000010