(57)【要約】      （修正有）【課題】異方性導電材料を用いた半導体デバイスウエーハ同士の接合方法を提供する。【解決手段】複数の突起電極１７を有する半導体デバイスが複数形成された第１半導体デバイスウエーハ１１の該突起電極側を絶縁体１０で被覆する絶縁体被覆ステップと、該絶縁体１０が被覆された第１半導体デバイスウエーハ１１の該突起電極側を平坦化するとともに該突起電極１７の端面を露出させる突起電極端面露出ステップと、該突起電極１７に対応した電極を有する第２半導体デバイスウエーハ２４の該電極と第１半導体デバイスウエーハ１１の該突起電極１７とを異方性導電体２８で接合し、該電極と該突起電極１７とを接続する接合ステップと、を具備する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の突起電極を有する半導体デバイスが複数形成された第１半導体デバイスウエーハを、該突起電極に対応した電極を有する第２半導体デバイスウエーハに接合する半導体ウエーハの接合方法であって、
第１半導体デバイスウエーハの該突起電極側を絶縁体で被覆して該突起電極間に該絶縁体を充填する絶縁体被覆ステップと、
該絶縁体が被覆された第１半導体デバイスウエーハの該突起電極側を平坦化するとともに該突起電極の端面を露出させる突起電極端面露出ステップと、
該突起電極端面露出ステップを実施した後、該突起電極に対応した電極を有する第２半導体デバイスウエーハの該電極と第１半導体デバイスウエーハの該突起電極間に異方性導電体を介在させて第１半導体デバイスウエーハと第２半導体デバイスウエーハとを接合し、該電極と該突起電極とを接続する接合ステップと、
を具備したことを特徴とする半導体デバイスウエーハの接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体デバイスウエーハ同士を接合する半導体デバイスウエーハの接合方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスウエーハの表面にストリートと呼ばれる分割予定ラインによって区画された各領域にＩＣやＬＳＩ等のデバイスが形成される。
【０００３】
そして、分割予定ラインに沿って半導体デバイスウエーハをチップに分割することで、個々の半導体デバイスが製造される。このようにして製造された半導体デバイスは各種電気機器に広く利用されている。
【０００４】
近年、電気機器の小型化・薄型化を図るため、半導体デバイスを複数個積層して構成した積層型半導体デバイスが実用化されている。このような積層型半導体デバイスを製造するには、半導体デバイスウエーハを複数枚積層した積層ウエーハを形成した後、切削装置によって分割予定ラインに沿って積層ウエーハを切削してチップに分割している。
【０００５】
一方、半導体デバイスチップの軽薄短小化を実現するための技術として、デバイス表面にバンプと呼ばれる突起電極を複数形成し、これらのバンプを配線基板に形成された電極に相対させて直接接合するフリップチップボンディングと呼ばれる実装技術が実用化されている（例えば、特開２００１−２３７２７８号公報参照）。
【０００６】
バンプ付き半導体デバイスが複数形成された半導体デバイスウエーハを、他の半導体デバイスウエーハに接合して積層ウエーハを形成する際に、異方性導電フィルム（Ａｎｉｓｏｔｏｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（Ａｎｉｓｏｔｏｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ：ＡＣＰ）等の異方性導電材料（異方性導電体）が用いられている。
【０００７】
異方性導電フィルムは、熱硬化性エポキシ樹脂中にニッケル、金等の直径数μｍの球体からなる導電性金属粒子を分散させ、フィルム状に形成したものである。導電性粒子の構造は、主に内側からニッケル層、金メッキ層、最も外側に絶縁層を重ねて形成される。ペースト状のものを異方性導電ペーストと称する。
【０００８】
例えば、ウエーハ間に異方性導電材料を介して半導体デバイスウエーハ同士を積層した後、加熱しながらパット等で半導体デバイスウエーハを加圧することで、バンプ部分に介在する異方性導電材料内に分散する導電性金属粒子が接触しながら重なり、導電経路が形成される。
【０００９】
圧力がかからなかったバンプ間にある導電性金属粒子は絶縁層を保持しているため、横方向に並ぶバンプ間の絶縁は保持される。即ち、縦方向には導電性で横方向には絶縁性が保たれる異方性が形成される。そのため、横方向のバンプ間の間隔が狭くても短絡を起こさずに半導体デバイスウエーハ同士を接合することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−２３７２７８号公報
【特許文献２】再公表公報ＷＯ２００８／１１１６１５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
近年の電子機器の小型化、薄型化、高機能化に伴って、半導体デバイスチップのバンプ間も狭ピッチ化が進んでおり、バンプ間に異方性導電材料を充填する時点で、バンプ間に導電経路が形成されてしまう恐れがある。
【００１２】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、バンプ間で導電経路を形成することのない異方性導電材料を用いた半導体デバイスウエーハ同士の接合方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明によると、複数の突起電極を有する半導体デバイスが複数形成された第１半導体デバイスウエーハを、該突起電極に対応した電極を有する第２半導体デバイスウエーハに接合する半導体ウエーハの接合方法であって、第１半導体デバイスウエーハの該突起電極側を絶縁体で被覆して該突起電極間に該絶縁体を充填する絶縁体被覆ステップと、該絶縁体が被覆された第１半導体デバイスウエーハの該突起電極側を平坦化するとともに該突起電極の端面を露出させる突起電極端面露出ステップと、該突起電極端面露出ステップを実施した後、該突起電極に対応した電極を有する第２半導体デバイスウエーハの該電極と第１半導体デバイスウエーハの該突起電極間に異方性導電体を介在させて第１半導体デバイスウエーハと第２半導体デバイスウエーハとを接合し、該電極と該突起電極とを接続する接合ステップと、を具備したことを特徴とする半導体デバイスウエーハの接合方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の半導体デバイスウエーハの接合方法によると、突起電極間に絶縁体が充填された後、異方性導電材料を介して半導体デバイスウエーハ同士が接合されるため、突起電極間で導電経路が形成されることがない。また、絶縁体が突起電極間に充填されるとともに突起電極側に被覆された絶縁体は平坦化されるため、突起電極の高さが均一化され高さばらつきによる接続不良が防止される。
【００１５】
更に、突起電極を平坦化すると大気にふれた部分には数オングストロームの酸化膜が形成されてしまう。酸化膜を除去するためには、ドライエッチングやウエットエッチング等の処理を施す必要があるが、突起電極端面のみをエッチングするのは非常に難しいという問題が生じる。
【００１６】
しかし、本発明では、異方性導電材料を介して半導体デバイスウエーハ同士を接合するため、接合時に異方性導電材料の導電性金属粒子が酸化膜を突き破ることで導電経路を形成でき、酸化膜の除去が不要となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明実施形態による半導体デバイスチップの実装方法のフローチャートである。
【図２】バンプ付き半導体デバイスが複数形成された半導体デバイスウエーハの斜視図である。
【図３】半導体デバイスウエーハの概略側面図である。
【図４】絶縁体被覆ステップを示す一部断面側面図である。
【図５】突起電極端面露出ステップを示す一部断面側面図である。
【図６】突起電極端面露出ステップ実施後の半導体デバイスウエーハの一部断面側面図である。
【図７】接合ステップを示す一部断面側面図である。
【図８】分割ステップを示す一部断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。本発明実施形態の半導体デバイスウエーハの接合方法では、まず図１に示すフローチャートのステップＳ１０で突起電極（バンプ）付き半導体デバイスウエーハ１１を準備する。
【００１９】
図２に示すように、半導体デバイスウエーハ１１は表面１１ａ及び裏面１１ｂを有しており、表面１１ａには複数の分割予定ライン（ストリート）１３が直交して形成されており、分割予定ライン１３で区画された各領域にそれぞれ半導体デバイス１５が形成されている。
【００２０】
図２の拡大図に示すように、各半導体デバイス１５の４辺には複数の突起状のバンプ１７が形成されている。各半導体デバイス１５の４辺にバンプ１７が形成されているので、半導体デバイスウエーハ１１はバンプ１７が形成されているバンプ形成領域１９と、バンプ形成領域１９を囲繞する外周バンプ未形成領域２１を有している。図３は半導体デバイスウエーハ１１の概略側面図を示している。
【００２１】
次いで、図１のステップＳ１１で絶縁体被覆ステップを実施する。即ち、絶縁体被覆ステップでは、図４に示すように、半導体デバイスウエーハ１１のバンプ１７が形成された面（突起電極面）１１ａに非導電性接着フィルム（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：ＮＣＦ）１０を貼着して、バンプ１７間を非導電性接着フィルム１０で充填する。ＮＣＦは例えばエポキシ樹脂から形成されている。ＮＣＦに代わって、非導電性接着ペースト（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ：ＮＣＰ）を使用するようにしてもよい。
【００２２】
絶縁体被覆ステップ実施後、図１のステップＳ１２へ進んで突起電極端面露出ステップを実施する。即ち、この突起電極端面露出ステップでは、半導体デバイスウエーハ１１に貼着されたＮＣＦ１０をバイトで切削してバンプ１７を露出させるとともにバンプ１７の高さを揃える。
【００２３】
図５を参照すると、バイト切削装置１２で突起電極端面露出ステップを実施している状態の一部断面側面図が示されている。バイト切削装置１２のチャックテーブル１４でＮＣＦ１０が被覆された半導体デバイスウエーハ１１を吸引保持する。
【００２４】
バイト切削装置１２のスピンドル１６の先端にはマウンタ１８が固定されており、このマウンタ１８に対してバイト２２が装着されたバイトホイール２０が着脱可能に固定されている。
【００２５】
バイトホイール２０を矢印Ｒ１方向に回転させながら、チャックテーブル１４を矢印Ｙ方向に低速で加工送りすることにより、非導電性接着フィルム（ＮＣＦ）１０が切削されて、ＮＣＦ１０が平坦化されるとともに、バンプ１７の端面が露出される。突起電極端面露出ステップ実施後の一部断面側面図が図６に示されている。図６から明らかなように、バンプ１７が露出し隣接するバンプ間にはＮＣＦ１０が充填されている。
【００２６】
突起電極端面露出ステップ実施後、図１のステップＳ１３へ進んで半導体デバイスウエーハ１１上にＡＣＦ（異方性導電フィルム）２６を配設する。図７に示すように、第２半導体デバイスウエーハ２４上にＡＣＦ（異方性導電フィルム）２８を配設するようにしてもよい。
【００２７】
第２半導体デバイスウエーハ２４は、半導体デバイスウエーハ１１のバンプ１７に対応した複数の貫通電極２６を有している。ＡＣＦに代わってＡＣＰ（異方性導電ペースト）を使用してもよい。
【００２８】
次いで、ステップＳ１４へ進んで半導体デバイスウエーハ１１のバンプ（突起電極）１７と第２半導体デバイスウエーハ２４の貫通電極２６とを対応させた状態で第２半導体デバイスウエーハ２４上に半導体デバイスウエーハ１１を搭載する。
【００２９】
そして、ヒータ等で加熱しながらゴム等の弾力を持ったパッドで半導体デバイスウエーハ１１を加圧すると、バンプ１７部分に介在する異方性導電フィルム２８内に分散している導電性金属粒子が接触しながら重なり、半導体デバイスウエーハ１１のバンプ１７と第２半導体デバイスウエーハ２４の貫通電極２６とを接続する導電経路が形成される。
【００３０】
加熱しながらの加圧時に、隣接するバンプ１７間には非導電性接着フィルム（ＮＣＦ）１０が介在しているため、横方向のバンプ１７同士の間隔が狭くても短絡を起こさずに半導体デバイスウエーハ１１を第２半導体デバイスウエーハ２４に接合して積層ウエーハ３２を形成することができる。
【００３１】
次いで、切削装置のチャックテーブルで積層ウエーハ３２を吸引保持しながら、図８に示すように、切削ブレード３０で積層ウエーハ３２を分割予定ライン１３に沿って切削して積層デバイスチップ３４へと分割する（ステップＳ１５）。
【００３２】
ステップＳ１４の接合ステップの前に半導体デバイスウエーハ１０の裏面１１ｂを研削して半導体デバイスウエーハ１０を薄化するとともに、第２半導体デバイスウエーハ２４も研削して薄化するようにしてもよい。
【００３３】
或いは、ステップＳ１４の接合ステップを実施した後、積層ウエーハ３２の状態で半導体デバイスウエーハ１１及び第２半導体デバイスウエーハ２４を薄化するようにしてもよい。
【００３４】
上述した実施形態では、第２半導体デバイスウエーハ２４には複数の貫通電極２６が形成されているが、第２半導体デバイスウエーハ２４の電極は貫通電極に限定されるものではなく、第２半導体デバイスウエーハ２４上に半導体デバイスウエーハ１０のバンプ１７に対応した電極が形成されていればよい。
【符号の説明】
【００３５】
１１    半導体デバイスウエーハ
１３    分割予定ライン（ストリート）
１５    半導体デバイス（半導体デバイスチップ）
１７    バンプ（突起電極）
１０    ＮＣＦ又はＮＣＰ
２４    第２半導体デバイスウエーハ
２６    貫通電極
２８    異方性導電フィルム（ＡＣＦ）
３２    積層ウエーハ
３４    積層デバイスチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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