(57)【要約】【課題】電圧のばらつきを抑制するのに必要な電源電圧検出部の構成を簡素なもので済ませることができる高電圧発生回路、イオン発生装置及び静電霧化装置を提供する。【解決手段】電源回路３と高電圧制御部５との間に、電源電圧Ｖccを高電圧制御部５に入力可能なレベルの電圧信号Ｓｖに変換する電源電圧検出部４を設ける。これにより、高電圧発生部１０から出力される高電圧Ｖoutのばらつき要因を、高電圧制御部５の前段で前もって取り除く。高電圧制御部５は、電圧信号Ｓｖを基にパルス幅変調方式又は周波数変調方式にて高電圧制御信号Ｓｋを生成し、この高電圧制御信号Ｓｋを高電圧発生部１０に出力する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源部から入力した電源電圧を基に高電圧制御部がパルス状の高電圧制御信号を生成し、前記高電圧制御部が前記高電圧制御信号により高電圧発生部のスイッチング部をスイッチングし、該スイッチングにより生成されたパルス状の電圧を昇圧部にて昇圧して出力する高電圧発生回路において、
前記高電圧制御部よりも前段に配置され、前記電源部から出力される前記電源電圧を、前記高電圧制御部に入力可能なレベルに変換し、これを検出信号として出力する電源電圧検出部と、
前記電源電圧検出部から前記検出信号を入力し、当該検出信号に基づく前記高電圧制御信号を生成して、該高電圧制御信号を前記高電圧発生部に出力する信号波形生成部と
を備えたことを特徴とする高電圧発生回路。
【請求項２】
前記信号波形生成部は、出力のパルス幅を変調するパルス変調方式により、前記高電圧制御信号を前記検出信号に応じたパルス幅の波形にて出力する
ことを特徴とする請求項１に記載の高電圧発生回路。
【請求項３】
前記信号波形生成部は、出力の周波数を変調する周波数変調方式により、前記高電圧制御信号を前記検出信号に応じた周波数を有する波形にて出力する
ことを特徴とする請求項１に記載の高電圧発生回路。
【請求項４】
電源部から入力した電源電圧を基に高電圧制御部がパルス状の高電圧制御信号を生成し、前記高電圧制御部が前記高電圧制御信号により高電圧発生部のスイッチング部をスイッチングし、該スイッチングにより生成されたパルス状の電圧を昇圧部にて昇圧し、昇圧後の高電圧を放電電極に印加して、当該放電電極からイオン粒子を放出するイオン発生装置において、
前記高電圧制御部よりも前段に配置され、前記電源部から出力される前記電源電圧を、前記高電圧制御部に入力可能なレベルに変換し、これを検出信号として出力する電源電圧検出部と、
前記電源電圧検出部から前記検出信号を入力し、当該検出信号に基づく前記高電圧制御信号を生成して、該高電圧制御信号を前記高電圧発生部に出力する信号波形生成部と
を備えたことを特徴とするイオン発生装置。
【請求項５】
電源部から入力した電源電圧を基に高電圧制御部がパルス状の高電圧制御信号を生成し、前記高電圧制御部が前記高電圧制御信号により高電圧発生部のスイッチング部をスイッチングし、該スイッチングにより生成されたパルス状の電圧を昇圧部にて昇圧し、昇圧後の高電圧を放電電極及び対向電極の間に印加して、当該放電電極に発生した帯電微粒子水を前記対向電極から放出する静電霧化装置において、
前記高電圧制御部よりも前段に配置され、前記電源部から出力される前記電源電圧を、前記高電圧制御部に入力可能なレベルに変換し、これを検出信号として出力する電源電圧検出部と、
前記電源電圧検出部から前記検出信号を入力し、当該検出信号に基づく前記高電圧制御信号を生成して、該高電圧制御信号を前記高電圧発生部に出力する信号波形生成部と
を備えたことを特徴とする静電霧化装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極等に高電圧を印加する高電圧発生回路、イオン発生装置及び静電霧化装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、家電製品の分野では、イオン粒子を空気中に放出可能なイオン発生装置や、ナノメータサイズの帯電微粒子水を空気中に放出可能な静電霧化装置等が広く普及してきている。これら装置は、放電電極に高電圧を印加することにより、イオン発生装置の場合はイオン粒子を、静電霧化装置の場合は帯電微粒子水を、それぞれ空気中に放出する。
【０００３】
この種のイオン発生装置や静電霧化装置には、図７に示すような高電圧発生回路８１（例えば特許文献１等参照）が設けられている。高電圧発生回路８１には、電源部８２から出力される直流の電源電圧Ｖ１を基に高電圧発生回路８１の動作を制御する高電圧制御部８３と、高電圧制御部８３から出力される高電圧制御信号８４を基に直流高電圧Ｖ２を発生する高電圧発生部８５と、放電により微粒子を発生する放電電極８６とが設けられている。
【０００４】
高電圧制御部８３は、パルス状（矩形波）の高電圧制御信号８４を高電圧発生部８５に出力し、この高電圧制御信号８４にて高電圧発生部８５のスイッチング素子をスイッチングする。高電圧発生部８５は、このスイッチングにより発生したパルス状の電圧を昇圧し、昇圧後の２次電圧を整流部にて直流の高電圧Ｖ２に変換する。よって、高電圧発生部８５からは、高電圧制御信号８４に準じた直流高電圧Ｖ２が出力され、この直流高電圧Ｖ２が放電電極８６に印加される。
【０００５】
図７の高電圧発生回路８１には、高電圧出力のばらつきを低く抑えるために、高電圧発生部８５に高電圧検出部８７が接続されている。高電圧検出部８７は、高電圧発生部８５が出力した直流高電圧Ｖ２の値を検出し、その高電圧信号８８を高電圧制御部８３に出力する。高電圧制御部８３は、この高電圧信号８８を基に高電圧制御信号８４を調整し、調整後の高電圧制御信号８４にて高電圧発生部８５を動作させる。このように、直流高電圧Ｖ２をフィードバック制御すれば、直流高電圧Ｖ２のばらつきが抑制されるので、直流高電圧を所望範囲内の値に設定することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−６４０５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、図７の高電圧発生部８５の場合、高電圧Ｖ２のばらつきを抑制するために、高電圧発生部８５の出力側、つまり昇圧の２次側に、高電圧検出部８７を配置しなければならない。このように、昇圧の２次側に高電圧検出部８７を配置すると、高電圧検出部８７は高電圧Ｖ２を検出できる回路を使用しなければならず、部品として構造が複雑になり、また部品コストも高くなってしまう。特に、この種の高電圧発生回路８１では、数1000ｋＶの高電圧Ｖ２が出力されるので、上記問題が顕著となってしまう現状があった。
【０００８】
本発明の目的は、電圧のばらつきを抑制するのに必要な電源電圧検出部の構成を簡素なもので済ませることができる高電圧発生回路、イオン発生装置及び静電霧化装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記問題点を解決するために、本発明では、電源部から入力した電源電圧を基に高電圧制御部がパルス状の高電圧制御信号を生成し、前記高電圧制御部が前記高電圧制御信号により高電圧発生部のスイッチング部をスイッチングし、該スイッチングにより生成されたパルス状の電圧を昇圧部にて昇圧して出力する高電圧発生回路において、前記高電圧制御部よりも前段に配置され、前記電源部から出力される前記電源電圧を、前記高電圧制御部に入力可能なレベルに変換し、これを検出信号として出力する電源電圧検出部と、前記電源電圧検出部から前記検出信号を入力し、当該検出信号に基づく前記高電圧制御信号を生成して、該高電圧制御信号を前記高電圧発生部に出力する信号波形生成部とを備えたことを要旨とする。
なお、「前段」とは、高電圧発生回路の信号経路において、高電圧制御部よりも上流の位置（高電圧制御部内も含む）のことを言う。
【００１０】
本発明では、前記信号波形生成部は、出力のパルス幅を変調するパルス変調方式により、前記高電圧制御信号を前記検出信号に応じたパルス幅の波形にて出力することを要旨とする。
【００１１】
本発明では、前記信号波形生成部は、出力の周波数を変調する周波数変調方式により、前記高電圧制御信号を前記検出信号に応じた周波数を有する波形にて出力することを要旨とする。
【００１２】
本発明では、電源部から入力した電源電圧を基に高電圧制御部がパルス状の高電圧制御信号を生成し、前記高電圧制御部が前記高電圧制御信号により高電圧発生部のスイッチング部をスイッチングし、該スイッチングにより生成されたパルス状の電圧を昇圧部にて昇圧し、昇圧後の高電圧を放電電極に印加して、当該放電電極からイオン粒子を放出するイオン発生装置において、前記高電圧制御部よりも前段に配置され、前記電源部から出力される前記電源電圧を、前記高電圧制御部に入力可能なレベルに変換し、これを検出信号として出力する電源電圧検出部と、前記電源電圧検出部から前記検出信号を入力し、当該検出信号に基づく前記高電圧制御信号を生成して、該高電圧制御信号を前記高電圧発生部に出力する信号波形生成部とを備えたことを要旨とする。
【００１３】
本発明では、電源部から入力した電源電圧を基に高電圧制御部がパルス状の高電圧制御信号を生成し、前記高電圧制御部が前記高電圧制御信号により高電圧発生部のスイッチング部をスイッチングし、該スイッチングにより生成されたパルス状の電圧を昇圧部にて昇圧し、昇圧後の高電圧を放電電極及び対向電極の間に印加して、当該放電電極に発生した帯電微粒子水を前記対向電極から放出する静電霧化装置において、前記高電圧制御部よりも前段に配置され、前記電源部から出力される前記電源電圧を、前記高電圧制御部に入力可能なレベルに変換し、これを検出信号として出力する電源電圧検出部と、前記電源電圧検出部から前記検出信号を入力し、当該検出信号に基づく前記高電圧制御信号を生成して、該高電圧制御信号を前記高電圧発生部に出力する信号波形生成部とを備えたことを要旨とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、電圧のばらつきを抑制するのに必要な電源電圧検出部の構成を簡素なもので済ませることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】一実施形態の静電霧化装置のブロック図。
【図２】高電圧発生回路の回路図。
【図３】パルス幅変調方式の通信シーケンスを示すタイミングチャート。
【図４】周波数変調方式の通信シーケンスを示すタイミングチャート。
【図５】別例のイオン発生装置の概略を示す構成図。
【図６】他の別例の静電霧化装置のブロック図。
【図７】従来の高電圧発生回路の構成図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した高電圧発生回路、イオン発生装置及び静電霧化装置の一実施形態を図１〜図４に従って説明する。
図１に示すように、静電霧化装置１には、電源２から電源電力を入力する電源回路３が設けられている。静電霧化装置１には、電源回路３から出力される直流の電源電圧Ｖccを検出する電源電圧検出部４と、静電霧化装置１の動作を制御する高電圧制御部５とが設けられている。電源電圧検出部４は、電源回路３から出力される電源電圧Ｖccを監視し、その電源電圧Ｖccに準じた電圧信号Ｓｖを高電圧制御部５に出力する。なお、電圧信号Ｓｖが検出信号に相当する。
【００１７】
高電圧制御部５は、ペルチェ用電源回路６を介してペルチェユニット７の放電電極８に接続されている。ペルチェユニット７には、放電電極８の向かい側に対向電極９が設けられている。また、高電圧制御部５には、放電電極８に高電圧Ｖoutを出力する高電圧発生部１０が接続されている。高電圧制御部５は、電源電圧検出部４から入力した電圧信号Ｓｖに準じた高電圧制御信号Ｓｋを高電圧発生部１０に出力し、この高電圧制御信号Ｓｋにて高電圧発生部１０から直流の高電圧Ｖout（例えば数1000ｋＶ）を発生させる。
【００１８】
放電電極８が高電圧制御部５よってペルチェ方式により冷却されると、放電電極８の表面に水分が付着する。この状態で高電圧発生部１０から放電電極８に高電圧Ｖoutが印加されると、放電電極８にはマイナスに帯電した水が付着するとともに、放電電極８と対向電極９との間に、放電電極８に付着した水を吸引する力が発生する。そして、放電電極８に付着した水の吸引力と重力とのバランスが臨界点に達すると、放電電極８に付着した水が分裂をし始め、最終的にミスト状の帯電微粒子水となって外部に放出される。
【００１９】
図２に示すように、電源電圧検出部４に直流の電源電圧Ｖccを出力する電源部１１は、電源２及び電源回路３から構成される電源部分であって、例えば交流電源１２及び整流回路１３から構成されている。交流電源１２から出力された交流電源は、整流回路１３にて直流に変換され、これが直流の電源電圧Ｖccとして電源電圧検出部４に出力される。なお、電源部１１は、単なる直流電源でもよい。
【００２０】
電源電圧検出部４には、直列接続された２つの抵抗１４，１５と、コンデンサ１６とが設けられている。抵抗１４，１５の直列回路は、電源部１１に並列接続されている。また、コンデンサ１６は、抵抗１４，１５の中間端子とグランドとの間に接続されている。電源電圧検出部４は、電源部１１から入力した直流の電源電圧Ｖccを抵抗１４，１５によって分圧することにより、高電圧制御部５に入力可能なレベルの電圧信号Ｓｖに変換する。また、コンデンサ１６は、直流の電源電圧Ｖccから高周波ノイズをカットすることにより、電圧信号Ｓｖを平滑化する。
【００２１】
高電圧制御部５には、静電霧化装置１のコントロールユニットとしてマイクロコンピュータ１７が設けられている。マイクロコンピュータ１７には、Ａ／Ｄ入力部１８が設けられ、Ａ／Ｄ入力部１８に電源電圧検出部４からの電圧信号Ｓｖが入力されている。マイクロコンピュータ１７は、電源電圧検出部４から入力した電圧信号Ｓｖを基にパルス状（矩形波）の高電圧制御信号Ｓｋを生成し、この高電圧制御信号Ｓｋを高電圧発生部１０に出力する。
【００２２】
マイクロコンピュータ１７には、高電圧制御信号Ｓｋの信号波形を制御する信号波形生成部１９が設けられている。信号波形生成部１９は、マイクロコンピュータ１７が高電圧制御信号Ｓｋを生成するとき、高電圧制御信号Ｓｋを電圧信号Ｓｖの値に準じた波形に変調することにより生成する。
【００２３】
信号波形生成部１９が高電圧制御信号Ｓｋを生成するときの変調方式としては、図３に示すパルス変調方式（ＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御）と、図４に示す周波数変調方式（ＰＦＭ（Pulse Frequency Modulation）制御）とがある。ＰＷＭ制御は、信号の周期を一定にしておいて、パルス（Ｈレベル）のオン時間を変える制御である。また、ＰＦＭ制御は、信号のパルス幅を一定とし、パルスの出力タイミング（周波数）を変える制御である。
【００２４】
図３に示すパルス変調方式の場合、信号波形生成部１９は、例えばパルス幅をＹ１とし、電源電圧Ｖccに基づいて入力した電源電圧検出部４からの電圧信号ＳｖをＸとすると、Ｙ１＝ｆ（ｘ）により決定したパルス幅の高電圧制御信号Ｓｋを出力する。また、図４に示す周波数変調方式の場合、信号波形生成部１９は、例えば周波数をＹ２とし、電源電圧Ｖccに基づいて入力した電源電圧検出部４からの電圧信号ＳｖをＸとすると、Ｙ２＝ｆ（ｘ）により決定した周波数の高電圧制御信号Ｓｋを出力する。
【００２５】
高電圧発生部１０には、高電圧制御信号Ｓｋによりスイッチングされるスイッチング部２０と、スイッチング部２０のオンにより生じた電圧（１次電圧）を昇圧する昇圧部２１と、昇圧後の交流の２次電圧を直流に変換する整流部２２とが設けられている。
【００２６】
スイッチング部２０は、例えばＦＥＴ（Field Effect Transistor）２３が使用されている。スイッチング部２０は、ゲート端子が抵抗２４を介してマイクロコンピュータ１７に接続され、ソース端子が昇圧部２１の１次側に接続され、ドレイン端子がグランドに接地されている。スイッチング部２０は、高電圧制御信号ＳｋのＨ／Ｌの信号レベルにより、オンオフが切り換えられる。
【００２７】
昇圧部２１は、例えば昇圧トランスが使用されている。スイッチング部２０に高電圧制御信号Ｓｋが入力されると、高電圧制御信号ＳｋのＨ／Ｌの繰り返しによってスイッチング部２０がオンオフを繰り返し、パルス状の電圧が昇圧部２１の１次側に発生する。昇圧部２１は、１次側に発生したパルス状の電圧を昇圧し、これを２次側から交流電圧として出力する。
【００２８】
整流部２２は、ダイオード２５及びコンデンサ２６がＴ字接続された回路からなる。整流部２２は、昇圧部２１の２次側から出力された交流の高電圧を整流し、これを正の直流高電圧Ｖoutとして放電電極８に印加する。
【００２９】
次に、本例の高電圧発生回路の動作を、図２を用いて説明する。
静電霧化装置１に電源が投入されると、電源部１１から直流の電源電圧Ｖccが電源電圧検出部４に入力される。電源電圧検出部４は、電源部１１から入力した電源電圧Ｖccを、高電圧制御部５に入力可能なレベルの電圧信号Ｓｖに変換し、高電圧制御部５に出力する。つまり、仮に電源電圧Ｖccにばらつきがあった場合、このばらつきが電源電圧検出部４により取り除かれ、ばらつき抑制された電圧信号Ｓｖが高電圧制御部５に供給される。
【００３０】
ここで、直流高電圧Ｖoutのばらつきは、電圧経路の最上流に位置する電源電圧Ｖccの変動が主要因となっている。よって、電源電圧検出部４を高電圧制御部５の前段に配置して電源電圧Ｖccを監視すれば、これは直流高電圧Ｖoutのばらつきを監視することと同義となる。このため、本例の場合は、高電圧制御部５の前段に配置した電源電圧検出部４にて、直流高電圧Ｖoutのばらつき要因を前もって取り除いていることになる。電源電圧検出部４は、例えば電源電圧Ｖccが高めの値をとれば、高い値の電圧信号Ｓｖを出力し、電源電圧Ｖccが低めの値をとれば、低い値の電圧信号Ｓｖを出力する。
【００３１】
高電圧制御部５に電圧信号Ｓｖが入力されると、信号波形生成部１９は、電圧信号Ｓｖに応じた波形の高電圧制御信号Ｓｋを生成する。ここで、変調方式がパルス幅変調方式の場合、電圧信号Ｓｖが高めであれば、パルス幅の大きな高電圧制御信号Ｓｋを生成し、電圧信号Ｓｖが低めであれば、パルス幅の小さな高電圧制御信号Ｓｋを生成する。よって、高電圧制御部５は、ＰＷＭ制御にてスイッチング部２０を制御して、そのときの電圧信号Ｓｖに応じた波形のパルス電圧を昇圧部２１の１次側に生成する。
【００３２】
また、周波数変調方式の場合、信号波形生成部１９は、電圧信号Ｓｖに応じた周波数を有する高電圧制御信号Ｓｋを生成する。例えば、電圧信号Ｓｖが高めであれば、周波数の高い高電圧制御信号Ｓｋを生成し、電圧信号Ｓｖが低めであれば、周波数の低い高電圧制御信号Ｓｋを生成する。よって、高電圧制御部５は、ＰＦＭ制御にてスイッチング部２０を制御して、そのときの電圧信号Ｓｖに応じた波形のパルス電圧を１次側に生成する。
【００３３】
昇圧部２１の１次側に矩形波のパルス電圧がかかると、昇圧部２１の２次側からは、パルス状の高電圧が出力される。整流部２２は、昇圧部２１の２次側から出力されたパルス状の高電圧を、ダイオード２５及びコンデンサ２６により順電圧の期間のみ整流し、正の直流高電圧Ｖoutを放電電極８に出力する。正の直流高電圧Ｖoutが放電電極８に印加されると、放電電極８においてコロナ放電が発生し、これにより放電電極８から帯電微粒子水が発生する。
【００３４】
以上により、本例においては、高電圧制御部５の前段に、電源電圧Ｖccを高電圧制御部５に入力可能なレベルの電圧信号Ｓｖに変換可能な電源電圧検出部４を設けたので、高電圧制御部５から出力される高電圧制御信号Ｓｋを、電圧ばらつきが抑制された信号として出力することが可能となる。よって、直流高電圧Ｖoutがばらつきの少ないものとなるので、直流高電圧Ｖoutを所望範囲内の値に設定することが可能となる。
【００３５】
また、電源電圧検出部４を高電圧制御部５の前段に配置したので、電源電圧検出部４は電源電圧Ｖccという低い値の電圧を監視するもので済む。よって、電源電圧検出部４として、高電圧を検出できるような構成が複雑で、かつ高価な部品を使用せずに済む。従って、電源電圧検出部４を簡素な構成のもので済ませることが可能となり、また部品コストも安価で済む。
【００３６】
本実施形態の構成によれば、以下に記載の効果を得ることができる。
（１）電源回路３と高電圧制御部５との間に、電源電圧Ｖccを高電圧制御部５に入力可能なレベルの電圧信号Ｓｖに変換出力する電源電圧検出部４を設けた。よって、電源電圧Ｖccという低い電圧にて高電圧Ｖoutのばらつき要因を取り除くことが可能となるので、電源電圧検出部４の構成を簡素なもので済ませることができる。また、電源電圧検出部４の部品コストも安価に済む。
【００３７】
（２）パルス変調方式又は周波数変調方式により生成した高電圧制御信号Ｓｋにてスイッチング部２０をスイッチングするので、スイッチング部２０から安定した電圧を出力することができる。
【００３８】
（３）直流高電圧Ｖoutは例えば数1000ｋｖという高い電圧値をとるので、背景技術で述べたように、高電圧発生部１０に電源電圧検出部を接続して検出電圧を高電圧制御部５にフィードバックする方式では、電源電圧検出部の部品として、非常に高い電圧を検出することが可能な複雑で高価な回路を使用しなければならない。しかし、本例の場合は、低い電圧を検出できればよい電源電圧検出部４で済むので、数1000ｋＶという高電圧を検出することが可能な複雑で高価な回路を使用しなくてもよいという点で、非常に効果が高いと言える。
【００３９】
なお、実施形態はこれまでに述べた構成に限らず、以下の態様に変更してもよい。
・図５に示すように、本例の高電圧発生回路をイオン発生装置６１に採用してもよい。イオン発生装置６１は、高電圧発生部１０から高電圧Ｖoutを放電電極８に印加することにより、放電電極８からイオン粒子を発生するものである。
【００４０】
・図６に示すように、高電圧発生部１０から出力される高電圧を対向電極９に印加して、２極間に電位差を持たせるものでもよい。
・放電電極８（対向電極９）は、複数設けられていてもよい。
【００４１】
・スイッチング部２０は、ＦＥＴから構成されることに限定されず、例えばトランジスタを使用した回路でもよい。
・電源電圧検出部４は、２つの抵抗１４，１５及びコンデンサ１６からなる回路に限定されず、電源電圧Ｖccを高電圧制御部５に入力可能なレベルの電圧信号Ｓｖに変換できれば、その構成は特に限定されない。
【００４２】
・昇圧部２１は、トランス以外の部材を使用してもよい。
・高電圧発生部１０から整流部２２を省略して、パルス状の高電圧を出力する回路としてもよい。
【００４３】
・高電圧発生部１０から出力される電圧は、正又は負のどちらでもよい。
・電源電圧検出部４は、マイクロコンピュータ１７から独立した別回路から構成されることに限定されない。例えば、電源電圧Ｖccを検出する機能をマイクロコンピュータ１７に設け、電源電圧Ｖccを高電圧制御部５に入力可能なレベルに変換する処理を、マイクロコンピュータ１７内でプログラム的に処理するものでもよい。この場合、電源電圧検出部４を別回路にて設ける必要がないので、高電圧発生回路の小型化が可能となる。
【００４４】
・検出信号は、電圧信号Ｓｖに限らず、例えば電流信号でもよい。
・高電圧発生回路は、静電霧化装置１やイオン発生装置６１に使用されることに限らず、その他の機器や装置に使用してもよい。
【符号の説明】
【００４５】
１…静電霧化装置、４…電源電圧検出部、５…高電圧制御部、８…放電電極、９…対向電極、１０…高電圧発生部、１１…電源部、１９…信号波形生成部、２０…スイッチング部、２１…昇圧部、６１…イオン発生装置、Ｖcc…電源電圧、Ｓｋ…高電圧制御信号、Ｓｖ…検出信号としての電圧信号、Ｖout…高電圧（直流高電圧）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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