(57)【要約】      （修正有）【課題】突起電極間で導電経路を形成することのない異方性導電材料を用いた半導体デバイスチップの実装方法を提供する。【解決手段】複数の突起電極１７を有する半導体デバイスチップを、配線基板又はウエーハ１１上に実装する半導体デバイスチップの実装方法であって、半導体デバイスウエーハを用意するステップと、半導体デバイスウエーハの突起電極側を絶縁体で被覆して隣接する突起電極間に絶縁体を充填する絶縁体被覆ステップと、絶縁体が被覆された突起電極側を平坦化し、突起電極の端面を露出させる突起電極端面露出ステップと、半導体デバイスウエーハを個々の半導体デバイスチップに分割する分割ステップと、配線基板又はウエーハの電極と半導体デバイスチップの突起電極間に異方性導電体を介在させて半導体デバイスチップを配線基板又はウエーハ上に搭載し、電極と突起電極とを接続する実装ステップと、を具備したことを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の突起電極を有する半導体デバイスチップを、該突起電極に対応した電極を有する配線基板又はウエーハ上に実装する半導体デバイスチップの実装方法であって、
格子状に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれ複数の突起電極を有する半導体デバイスが形成された半導体デバイスウエーハを用意するステップと、
該半導体デバイスウエーハの該突起電極側を絶縁体で被覆して隣接する該突起電極間に該絶縁体を充填する絶縁体被覆ステップと、
該絶縁体が被覆された半導体デバイスウエーハの該突起電極側を平坦化するとともに該突起電極の端面を露出させる突起電極端面露出ステップと、
該半導体デバイスウエーハを該分割予定ラインに沿って個々の半導体デバイスチップに分割する分割ステップと、
該突起電極に対応した電極を有する配線基板又はウエーハの該電極と半導体デバイスチップの該突起電極間に異方性導電体を介在させて半導体デバイスチップを配線基板又はウエーハ上に搭載し、該電極と該突起電極とを接続する実装ステップと、
を具備したことを特徴とする半導体デバイスチップの実装方法。
【請求項２】
複数の突起電極を有する半導体デバイスチップを、該突起電極に対応した電極を有する配線基板又はウエーハ上に実装する半導体デバイスチップの実装方法であって、
半導体デバイスチップの該突起電極側を絶縁体で被覆して隣接する該突起電極間に該絶縁体を充填する絶縁体被覆ステップと、
該絶縁体が被覆された半導体デバイスチップの該突起電極側を平坦化するとともに該突起電極の端面を露出させる突起電極端面露出ステップと、
該突起電極端面露出ステップを実施した後、該突起電極に対応した電極を有する配線基板又はウエーハの該電極と半導体デバイスチップの該突起電極間に異方性導電体を介在させて半導体デバイスチップを配線基板又はウエーハ上に実装し、該電極と該突起電極とを接続する実装ステップと、
を具備したことを特徴とする半導体デバイスチップの実装方法。
【請求項３】
複数の半導体デバイスチップを粘着テープに貼着する貼着ステップを更に具備し、該突起電極端面露出ステップは複数の半導体デバイスチップが該粘着テープに貼着された状態で実施する請求項２記載の半導体デバイスチップの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプ付き半導体デバイスチップを配線基板やウエーハ上に搭載して電気的に接続する半導体デバイスチップの実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスチップの軽薄短小化を実現するための技術として、デバイス表面にバンプと呼ばれる突起電極を複数形成し、これらのバンプを配線基板に形成された電極に相対させて直接接合するフリップチップボンディングと呼ばれる実装技術が実用化されている（例えば、特開２００１−２３７２７８号公報参照）。
【０００３】
バンプ付き半導体デバイスチップを配線基板やウエーハ上に搭載して、半導体デバイスチップのバンプと配線基板やウエーハ上の電極とを接合する場合や、バンプ付き半導体ウエーハ同士を接続する際に異方性導電フィルム（Ａｎｉｓｏｔｏｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（Ａｎｉｓｏｔｏｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ：ＡＣＰ）等の異方性導電材料（異方性導電体）が用いられている。
【０００４】
異方性導電フィルムは、熱硬化性エポキシ樹脂中にニッケル、金等の直径数μｍの球体からなる導電性金属粒子を分散させ、フィルム状に形成したものである。導電性粒子の構造は、主に内側からニッケル層、金メッキ層、最も外側に絶縁層を重ねて形成される。ペースト状のものを異方性導電ペーストと称する。
【０００５】
例えば、配線基板上に異方性導電材料を介して半導体デバイスチップを搭載した後、加熱しながらパット等で半導体デバイスチップを加圧することで、バンプ部分に介在する異方性導電材料内に分散する導電性金属粒子が接触しながら重なり、導電経路が形成される。
【０００６】
圧力がかからなかったバンプ間にある導電性金属粒子は絶縁層を保持しているため、横に並ぶバンプ間の絶縁は保持される。即ち、縦方向には導電性で横方向には絶縁性が保たれる異方性が形成される。そのため、横方向のバンプ間の間隔が狭くても短絡を起こさずにバンプ付き半導体デバイスチップを実装できるメリットがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２３７２７８号公報
【特許文献２】再公表公報ＷＯ２００８／１１１６１５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年の電子機器の小型化、薄型化、高機能化に伴って、半導体デバイスチップのバンプ間も狭ピッチ化が進んでおり、バンプ間に異方性導電材料を充填する時点で、バンプ間に導電経路が形成されてしまう恐れがある。
【０００９】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、バンプ間で導電経路を形成することのない異方性導電材料を用いた半導体デバイスチップの実装方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１記載の発明によると、複数の突起電極を有する半導体デバイスチップを、該突起電極に対応した電極を有する配線基板又はウエーハ上に実装する半導体デバイスチップの実装方法であって、格子状に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれ複数の突起電極を有する半導体デバイスが形成された半導体デバイスウエーハを用意するステップと、該半導体デバイスウエーハの該突起電極側を絶縁体で被覆して隣接する該突起電極間に該絶縁体を充填する絶縁体被覆ステップと、該絶縁体が被覆された半導体デバイスウエーハの該突起電極側を平坦化するとともに該突起電極の端面を露出させる突起電極端面露出ステップと、該半導体デバイスウエーハを該分割予定ラインに沿って個々の半導体デバイスチップに分割する分割ステップと、該突起電極に対応した電極を有する配線基板又はウエーハの該電極と半導体デバイスチップの該突起電極間に異方性導電体を介在させて半導体デバイスチップを配線基板又はウエーハ上に搭載し、該電極と該突起電極とを接続する実装ステップと、を具備したことを特徴とする半導体デバイスチップの実装方法が提供される。
【００１１】
請求項２記載の発明によると、複数の突起電極を有する半導体デバイスチップを、該突起電極に対応した電極を有する配線基板又はウエーハ上に実装する半導体デバイスチップの実装方法であって、半導体デバイスチップの該突起電極側を絶縁体で被覆して隣接する該突起電極間に該絶縁体を充填する絶縁体被覆ステップと、該絶縁体が被覆された半導体デバイスチップの該突起電極側を平坦化するとともに該突起電極の端面を露出させる突起電極端面露出ステップと、該突起電極端面露出ステップを実施した後、該突起電極に対応した電極を有する配線基板又はウエーハの該電極と半導体デバイスチップの該突起電極間に異方性導電体を介在させて半導体デバイスチップを配線基板又はウエーハ上に実装し、該電極と該突起電極とを接続する実装ステップと、を具備したことを特徴とする半導体デバイスチップの実装方法が提供される。
【００１２】
好ましくは、半導体デバイスチップの実装方法は、複数の半導体デバイスチップを粘着テープ上に貼着する貼着ステップを更に具備し、突起電極端面露出ステップは複数の半導体デバイスチップを粘着テープに貼着した状態で実施される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の実装方法によると、突起電極間に絶縁体が充填された後、異方性導電材料を介して半導体デバイスチップが実装されるため、突起電極間で導電経路が形成されることがない。また、絶縁体が突起電極間に充填されるとともに突起電極側に被覆された絶縁体は平坦化されるため、突起電極の高さが均一化され高さばらつきによる接続不良が防止される。
【００１４】
更に、突起電極を平坦化すると大気にふれた部分には数オングストロームの酸化膜が形成されてしまう。酸化膜を除去するためには、ドライエッチングやウエットエッチング等の処理を施す必要があるが、突起電極端面のみをエッチングするのは非常に難しいという問題が生じる。
【００１５】
しかし、本発明では、異方性導電材料を介して半導体デバイスチップを実装するため、実装時に異方性導電材料の導電性金属粒子が酸化膜を突き破ることで導電経路を形成でき、酸化膜の除去が不要となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明第１実施形態による半導体デバイスチップの実装方法のフローチャートである。
【図２】バンプ付き半導体デバイスが複数形成された半導体デバイスウエーハの斜視図である。
【図３】半導体デバイスウエーハの概略側面図である。
【図４】絶縁体被覆ステップを示す一部断面側面図である。
【図５】突起電極端面露出ステップを示す一部断面側面図である。
【図６】突起電極端面露出ステップ実施後の半導体デバイスウエーハの一部断面側面図である。
【図７】裏面研削ステップを示す一部断面側面図である。
【図８】半導体デバイスウエーハを保護テープからダイシングテープに転写する様子を示す一部断面側面図である。
【図９】半導体デバイスウエーハを各デバイスチップへと分割する様子を示す一部断面側面図である。
【図１０】図１０（Ａ）は半導体デバイスチップを配線基板に実装する実装ステップの説明図、図１０（Ｂ）は配線基板上に半導体デバイスチップが実装された状態の側面図である。
【図１１】本発明第２実施形態による半導体デバイスチップの実装方法のフローチャートである。
【図１２】第２実施形態の突起電極端面露出ステップを示す一部断面側面図である。
【図１３】突起電極端面露出ステップ実施後の粘着テープを介して環状フレームに支持された複数の半導体デバイスチップの一部断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。本発明第１実施形態の半導体デバイスチップの実装方法では、まず図１に示すフローチャートのステップＳ１０で突起電極（バンプ）付き半導体デバイスウエーハ１１を準備する。
【００１８】
図２に示すように、半導体デバイスウエーハ１１は表面１１ａ及び裏面１１ｂを有しており、表面１１ａには複数の分割予定ライン（ストリート）１３が直交して形成されており、分割予定ライン１３で区画された各領域にそれぞれ半導体デバイス１５が形成されている。
【００１９】
図２の拡大図に示すように、各半導体デバイス１５の４辺には複数の突起状のバンプ１７が形成されている。各半導体デバイス１５の４辺にバンプ１７が形成されているので、半導体デバイスウエーハ１１はバンプ１７が形成されているバンプ形成領域１９と、バンプ形成領域１９を囲繞する外周バンプ未形成領域２１を有している。図３は半導体デバイスウエーハ１１の概略側面図を示している。
【００２０】
次いで、図１のステップＳ１１で絶縁体被覆ステップを実施する。即ち、絶縁体被覆ステップでは、図４に示すように、半導体デバイスウエーハ１１のバンプ１７が形成された面（突起電極面）１１ａに非導電性接着フィルム（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：ＮＣＦ）１０を貼着して、バンプ１７間を非導電性接着フィルム１０で充填する。ＮＣＦは例えばエポキシ樹脂から形成されている。ＮＣＦに代わって、非導電性接着ペースト（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ：ＮＣＰ）を使用するようにしてもよい。
【００２１】
絶縁体被覆ステップ実施後、図１のステップＳ１２へ進んで突起電極端面露出ステップを実施する。即ち、この突起電極端面露出ステップでは、半導体デバイスウエーハ１１に貼着されたＮＣＦ１０をバイトで切削してバンプ１７を露出させるとともにバンプ１７の高さを揃える。
【００２２】
図５を参照すると、バイト切削装置１２で突起電極端面露出ステップを実施している状態の一部断面側面図が示されている。バイト切削装置１２のチャックテーブル１４でＮＣＦ１０が被覆された半導体デバイスウエーハ１１を吸引保持する。
【００２３】
バイト切削装置１２のスピンドル１６の先端にはマウンタ１８が固定されており、このマウンタ１８に対してバイト２２が装着されたバイトホイール２０が着脱可能に固定されている。
【００２４】
バイトホイール２０を矢印Ｒ１方向に回転させながら、チャックテーブル１４を矢印Ｙ方向に低速で加工送りすることにより、非導電性接着フィルム（ＮＣＦ）１０が切削されて、ＮＣＦ１０が平坦化されるとともに、バンプ１７の端面が露出される。突起電極端面露出ステップ実施後の一部断面側面図が図６に示されている。図６から明らかなように、バンプ１７が露出し隣接するバンプ間にはＮＣＦ１０が充填されている。
【００２５】
突起電極端面露出ステップ実施後、図１のステップＳ１３へ進んで半導体デバイスウエーハ１１の裏面１１ｂを研削して半導体デバイスウエーハ１１を薄化するとともに、半導体デバイスウエーハ１１を切削して個々の半導体デバイスチップへと分割する。
【００２６】
この裏面研削ステップでは、図７に示すように、半導体デバイスウエーハ１１のバンプ１７表面に保護テープ２３を貼着し、保護テープ２３を介して半導体デバイスウエーハ１１を研削装置２４のチャックテーブル２６で吸引保持して、半導体デバイスウエーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。
【００２７】
研削装置２４の研削ユニット２８は、スピンドル３０の先端に固定されたホイールマウント３２と、ホイールマウント３２に着脱可能に装着された研削ホイール３４から構成される。研削ホイール３４は環状基台３６と、環状基台３６の下端部外周に配設された複数の研削砥石３８を含んでいる。
【００２８】
図７に示した状態で、チャックテーブル２６を矢印ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール３４を矢印ｂで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、研削装置２４の研削ユニット送り機構を駆動して研削ホイール３４の研削砥石３８を半導体デバイスウエーハ１１の裏面１１ｂに接触させる。
【００２９】
そして、研削ホイール３４を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、半導体デバイスウエーハ１１の裏面１１ｂを研削して半導体デバイスウエーハ１１を例えば７０μｍの厚みに仕上げる。
【００３０】
裏面研削ステップ実施後、図８に示すように、保護テープ２３に貼着されている半導体デバイスウエーハ１１をダイシングテープＴに転写する転写ステップを実施する。この転写ステップでは、外周部が環状フレームＦに貼着されたダイシングテープＴに研削により薄化された半導体デバイスウエーハ１１の裏面１１ｂを貼着し、保護テープ２３をバンプ１７側から剥離する。
【００３１】
次いで、切削装置のチャックテーブルで半導体デバイスウエーハ１１をダイシングテープＴを介して吸引保持しながら、図９に示すように、切削ブレード４０で半導体デバイスウエーハ１１を分割予定ライン１３に沿って切削して個々の半導体デバイスチップ１５へと分割する。
【００３２】
このように半導体デバイスウエーハ１１を個々の半導体デバイスチップ１５へと分割した後、図１のステップＳ１４及び図１０（Ａ）に示すように、半導体デバイスチップ１５のバンプ１７上に異方性導電フィルム（ＡＣＦ）４２を配設する。ＡＣＦ４２に代わって、異方性導電ペースト（ＡＣＰ）を使用しても良い。
【００３３】
そして、ステップＳ１５へ進んで、半導体デバイスチップ１５のバンプ１７と配線基板４４の電極４６とを対応させた状態で配線基板４４上に半導体デバイスチップ１５を搭載する。図１０（Ａ）で半導体デバイスチップ１５のバンプ１７上にＡＣＦ４２を配設しているが、ＡＣＦ４２を配線基板４４側に配設するようにしても良い。
【００３４】
次いで、ステップＳ１６へ進んでヒータ等で加熱しながらゴムなどの弾力を持ったパッドで半導体デバイスチップ１５を加圧すると、バンプ１７部分に介在する異方性導電フィルム４２内に分散している導電性金属粒子が接触しながら重なり、半導体デバイスチップ１５のバンプ１７と配線基板４４の電極４６とを接続する導電経路が形成される。
【００３５】
加熱しながらの加圧時に、隣接するバンプ１７間には非導電性接着フィルム（ＮＣＦ）１０が介在しているため、横方向のバンプ１７同士の間隔が狭くても短絡を起こさずに半導体デバイスチップ１５を配線基板４４上に実装することができる。
【００３６】
上述した実施形態では、半導体デバイスチップ１５のバンプ１７をＡＣＦ４２を介して配線基板４４の電極４６に接続する例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体デバイスチップ１５のバンプ１７をＡＣＦ４２を介してウエーハの電極に接続する例についても同様に適用可能である。
【００３７】
また、上述した実施形態では、本発明の実装方法を半導体デバイスウエーハに適用した例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体デバイスウエーハを分割して得られる半導体デバイスチップのバンプを配線基板又はウエーハの電極に接続する第２実施形態についても同様に適用可能である。
【００３８】
この第２実施形態について図１１乃至図１３を参照して詳細に説明する。この実施形態では、まず図１１に示すフローチャートのステップＳ２０で突起電極（バンプ）付き半導体デバイスウエーハ１１を準備する。
【００３９】
次いで、ステップＳ２１へ進んで、半導体デバイスウエーハ１１の裏面を研削装置で研削して薄化し、薄化された半導体デバイスウエーハを切削装置で切削して、個々の半導体デバイスチップ１５へと分割する。
【００４０】
次いで、ステップＳ２２で絶縁体被覆ステップを実施する。この絶縁体被覆ステップでは、半導体デバイスチップ１５のバンプ１７が形成された面（突起電極面）に非導電性接着フィルム（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：ＮＣＦ）を貼着して、バンプ１７間を非導電性接着フィルム１０で充填する。
【００４１】
ＮＣＦは例えばエポキシ樹脂から形成されている。ＮＣＦに代わって、非導電性接着ペースト（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ：ＮＣＰ）を使用するようにしてもよい。
【００４２】
絶縁体被覆ステップ実施後、ステップＳ２３へ進んで突起電極端面露出ステップを実施する。この突起電極端面露出ステップでは、突起電極面にＮＣＦ１０が被覆された複数個の半導体デバイスチップ１５を外周部が環状フレームＦに貼着された粘着テープＴに貼着する。
【００４３】
そして、図１２に示すように、バイト切削装置１２のチャックテーブル１４でそれぞれＮＣＦ１０が被覆された複数個の半導体デバイスチップ１５を粘着テープＴを介して吸引保持する。
【００４４】
バイトホイール２０を矢印Ｒ１方向に回転させながら、チャックテーブル１４を矢印Ｙ方向に低速で加工送りすることにより、非導電性接着フィルム（ＮＣＦ）１０が切削されて、ＮＣＦ１０が平坦化されるとともに、バンプ１７の端面が露出される。
【００４５】
突起電極端面露出ステップ実施後の一部断面側面図が図１３に示されている。図１３から明らかなように、各半導体デバイスチップ１５ではバンプ１７が露出し隣接するバンプ間にはＮＣＦ１０が充填されている。
【００４６】
突起電極端面露出ステップ終了後、各半導体デバイスチップ１５を粘着テープＴから剥離し、ステップＳ２４へ進んで半導体デバイスチップ１５上に異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を配設する。
【００４７】
ステップＳ２４〜ステップＳ２６は、図１に示した第１実施形態のフローチャートのステップＳ１４〜ステップＳ２６の実装方法と同様であり、その詳細は図１０を参照して説明されているので、ここでは省略することにする。
【符号の説明】
【００４８】
１１    半導体デバイスウエーハ
１３    分割予定ライン（ストリート）
１５    半導体デバイス（半導体デバイスチップ）
１７    バンプ（突起電極）
１０    ＮＣＦ又はＮＣＰ
２２    バイト
２３    保護テープ
３４    研削ホイール
３８    研削砥石
４０    切削ブレード
４２    異方性導電フィルム（ＡＣＦ）
４４    配線基板
４６    電極
Ｔ    ダイシングテープ
Ｆ    環状フレーム
【図１】
2012204588.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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