(57)【要約】【課題】遮断帯域で良好な遮断特性を得ることができる帯域可変フィルタを得る。【解決手段】一端が接地されている可変容量素子３ａの他端と一端が接地されている伝送線路２ａの他端とが接続されている第１の可変共振器と、第１の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されている可変容量素子３ｂの他端と一端が接地されている伝送線路２ｂの他端とが接続されている第２の可変共振器と、一端が入出力端子１ａと接続され、他端が第１の可変共振器の伝送線路２ａと接続されているインダクタ６ａと、一端が入出力端子１ｂと接続され、他端が第２の可変共振器の伝送線路２ｂと接続されているインダクタ６ｂとを備える。【選択図】図１
2012217089.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が接地されている可変容量素子の他端と一端が接地されている伝送線路の他端とが接続されている第１の可変共振器と、上記第１の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されている可変容量素子の他端と一端が接地されている伝送線路の他端とが接続されている第２の可変共振器と、一端が第１の入出力端子と接続され、他端が上記第１の可変共振器の伝送線路と接続されている第１のインダクタと、一端が第２の入出力端子と接続され、他端が上記第２の可変共振器の伝送線路と接続されている第２のインダクタとを備えた帯域可変フィルタ。
【請求項２】
一端が接地されているキャパシタの他端と一端が接地されている伝送線路の他端とが接続されている第１の可変共振器と、上記第１の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されているキャパシタの他端と一端が接地されている伝送線路の他端とが接続されている第２の可変共振器と、一端が第１の入出力端子と接続され、他端が上記第１の可変共振器の伝送線路と接続されている第１のインダクタと、一端が第２の入出力端子と接続され、他端が上記第２の可変共振器の伝送線路と接続されている第２のインダクタと、一端が上記第１の入出力端子と接続され、他端が上記第２の入出力端子と接続されている可変容量素子とを備えた帯域可変フィルタ。
【請求項３】
一端が接地されているキャパシタの他端と一端が接地されている伝送線路の他端とが接続されている第１の可変共振器と、上記第１の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されているキャパシタの他端と一端が接地されている伝送線路の他端とが接続されている第２の可変共振器と、一端が第１の入出力端子と接続され、他端が上記第１の可変共振器の伝送線路と接続されている第１のインダクタと、一端が第２の入出力端子と接続され、他端が上記第２の可変共振器の伝送線路と接続されている第２のインダクタとを備え、一端が接地されている可変容量素子と伝送線路が接続されている可変反射回路が、上記第１の入出力端子及び上記第２の入出力端子のうちの少なくとも一方に接続されていることを特徴とする帯域可変フィルタ。
【請求項４】
一端が接地されているキャパシタの他端と一端が接地されている伝送線路の他端とが接続されている第１の可変共振器と、上記第１の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されているキャパシタの他端と一端が接地されている伝送線路の他端とが接続されている第２の可変共振器と、一端が第１の入出力端子と接続され、他端が上記第１の可変共振器の伝送線路と接続されている第１の可変容量素子と、一端が第２の入出力端子と接続され、他端が上記第２の可変共振器の伝送線路と接続されている第２の可変容量素子とを備えた帯域可変フィルタ。
【請求項５】
一端が第１の入出力端子と接続され、他端が第２の入出力端子と接続されている可変容量素子が設けられていることを特徴とする請求項１、請求項３または請求項４記載の帯域可変フィルタ。
【請求項６】
第１の入出力端子と第１のインダクタの間に第１の可変容量素子が接続され、第２の入出力端子と第２のインダクタの間に第２の可変容量素子が接続されていることを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の帯域可変フィルタ。
【請求項７】
一端が接地されている可変容量素子と伝送線路が接続されている可変反射回路が、第１の入出力端子及び上記第２の入出力端子のうちの少なくとも一方に接続されていることを特徴とする請求項１、請求項２または請求項４記載の帯域可変フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、遮断帯域で良好な遮断特性が得られる帯域可変フィルタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１４は以下の特許文献１に開示されている従来の帯域可変フィルタを示す構成図である。
この帯域可変フィルタでは、結合回路の通過端子に片側が接地されている可変容量素子が接続されるとともに、その結合回路のアイソレーション端子に片側が接地されている可変容量素子が接続されており、これらの可変容量素子に印加するバイアス電圧を制御することで、通過帯域を制御するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−９４４５３号公報（段落番号［００１８］、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の帯域可変フィルタは以上のように構成されているので、可変容量素子に印加するバイアス電圧を制御することで、通過帯域を制御することができる。しかし、結合回路の周波数選択性のみで、遮断帯域の特性が決まるため、大きな遮断特性が得られないなどの課題があった。
【０００５】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、遮断帯域で良好な遮断特性を得ることができる帯域可変フィルタを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る帯域可変フィルタは、一端が接地されている可変容量素子の他端と一端が接地されている伝送線路の他端とが接続されている第１の可変共振器と、第１の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されている可変容量素子の他端と一端が接地されている伝送線路の他端とが接続されている第２の可変共振器と、一端が第１の入出力端子と接続され、他端が第１の可変共振器の伝送線路と接続されている第１のインダクタと、一端が第２の入出力端子と接続され、他端が第２の可変共振器の伝送線路と接続されている第２のインダクタとを備えるようにしたものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、一端が接地されている可変容量素子の他端と一端が接地されている伝送線路の他端とが接続されている第１の可変共振器と、第１の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されている可変容量素子の他端と一端が接地されている伝送線路の他端とが接続されている第２の可変共振器と、一端が第１の入出力端子と接続され、他端が第１の可変共振器の伝送線路と接続されている第１のインダクタと、一端が第２の入出力端子と接続され、他端が第２の可変共振器の伝送線路と接続されている第２のインダクタとを備えるように構成したので、遮断帯域で良好な遮断特性を得ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】この発明の実施の形態１による帯域可変フィルタを示す構成図である。
【図２】図１の帯域可変フィルタの電気特性の計算例を示す説明図である。
【図３】この発明の実施の形態２による帯域可変フィルタを示す構成図である。
【図４】図３の帯域可変フィルタの電気特性の計算例を示す説明図である。
【図５】この発明の実施の形態３による帯域可変フィルタを示す構成図である。
【図６】図５の帯域可変フィルタの電気特性の計算例を示す説明図である。
【図７】この発明の実施の形態４による帯域可変フィルタを示す構成図である。
【図８】図７の帯域可変フィルタの電気特性の計算例を示す説明図である。
【図９】この発明の実施の形態５による帯域可変フィルタを示す構成図である。
【図１０】この発明の実施の形態５による帯域可変フィルタを示す構成図である。
【図１１】この発明の実施の形態５による帯域可変フィルタを示す構成図である。
【図１２】この発明の実施の形態５による帯域可変フィルタを示す構成図である。
【図１３】この発明の実施の形態５による帯域可変フィルタを示す構成図である。
【図１４】特許文献１に開示されている従来の帯域可変フィルタを示す構成図である。
【図１５】インダクタが接続されていない従来の帯域可変フィルタの電気特性の計算例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による帯域可変フィルタを示す構成図である。
図１において、入出力端子１ａは信号を入出力する端子であり、第１の入出力端子を構成している。
入出力端子１ｂは信号を入出力する端子であり、第２の入出力端子を構成している。
制御端子１ｃはバイアス電圧を入力する端子である。
【００１０】
第１の可変共振器は伝送線路２ａ及び可変容量素子３ａから構成されている。
第１の可変共振器を構成している伝送線路２ａは一端が接地されており、他端がキャパシタ４ａを介して可変容量素子３ａと接続されている。
第１の可変共振器を構成している可変容量素子３ａは一端が接地されており、他端がキャパシタ４ａを介して伝送線路２ａと接続されている。
【００１１】
第２の可変共振器は第１の可変共振器と隣接配置されており、伝送線路２ｂ及び可変容量素子３ｂから構成されている。
第２の可変共振器を構成している伝送線路２ｂは一端が接地されており、他端がキャパシタ４ｂを介して可変容量素子３ｂと接続されている。
第２の可変共振器を構成している可変容量素子３ｂは一端が接地されており、他端がキャパシタ４ｂを介して伝送線路２ｂと接続されている。
なお、第１の可変共振器と第２の可変共振器から結合回路が構成されている。
【００１２】
抵抗５ａは一端が制御端子１ｃと接続され、他端が可変容量素子３ａ及びキャパシタ４ａの接続点と接続されており、制御端子１ｃから抵抗５ａを介してバイアス電圧が第１の可変共振器が供給されて、可変容量素子３ａの容量値が制御される。
抵抗５ｂは一端が制御端子１ｃと接続され、他端が可変容量素子３ｂ及びキャパシタ４ｂの接続点と接続されており、制御端子１ｃから抵抗５ｂを介してバイアス電圧が第２の可変共振器が供給されて、可変容量素子３ｂの容量値が制御される。
【００１３】
インダクタ６ａは一端が入出力端子１ａと接続され、他端が第１の可変共振器の伝送線路２ａと接続されており、第１のインダクタを構成している。
インダクタ６ｂは一端が入出力端子１ｂと接続され、他端が第２の可変共振器の伝送線路２ｂと接続されており、第２のインダクタを構成している。
【００１４】
次に動作について説明する。
第１の可変共振器は、可変容量素子３ａの呈する容量値に応じて共振周波数が変化し、
第２の可変共振器は、可変容量素子３ｂの呈する容量値に応じて共振周波数が変化する。
第１の可変共振器及び第２の可変共振器の共振周波数が変化することで、入出力端子１ａと入出力端子１ｂ間の通過周波数が変化する。
図１の帯域可変フィルタでは、制御端子１ｃから供給されるバイアス電圧によって、可変容量素子３ａ及び可変容量素子３ｂの容量値を変化させることができるので、入出力端子１ａと入出力端子１ｂ間の通過周波数を変化させることができる。
【００１５】
また、図１の帯域可変フィルタでは、入出力端子１ａと第１の可変共振器の伝送線路２ａの間にインダクタ６ａが接続され、入出力端子１ｂと第２の可変共振器の伝送線路２ｂの間にインダクタ６ｂが接続されており、そのインダクタ６ａ，６ｂの接続点が第１及び第２の可変共振器の接地点近傍であるため、高周波数において高い遮断特性を得ることができる。
【００１６】
ここで、図２は図１の帯域可変フィルタの電気特性の計算例を示す説明図である。
図２において、Ｓ１１は反射振幅を示し、Ｓ２１は通過振幅を示している。
Ｓ１１，Ｓ２１の線が３本ずつあるのは、可変容量素子３ａ，３ｂの容量値を変化させているためである。
この計算例では、通過帯域が約３８０〜４４０ＭＨｚまで変化している。
一方、図１５はインダクタ６ａ，６ｂが接続されていない従来の帯域可変フィルタの電気特性の計算例を示す説明図である。
双方の電気特性を比べると、この実施の形態1による帯域可変フィルタは、従来の帯域可変フィルタより、遮断帯域（通過帯域以外の周波数）での遮断特性が優れていることが分かる。
【００１７】
以上で明らかなように、この実施の形態１によれば、一端が接地されている可変容量素子３ａの他端と一端が接地されている伝送線路２ａの他端とが接続されている第１の可変共振器と、第１の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されている可変容量素子３ｂの他端と一端が接地されている伝送線路２ｂの他端とが接続されている第２の可変共振器と、一端が入出力端子１ａと接続され、他端が第１の可変共振器の伝送線路２ａと接続されているインダクタ６ａと、一端が入出力端子１ｂと接続され、他端が第２の可変共振器の伝送線路２ｂと接続されているインダクタ６ｂとを備えるように構成したので、遮断帯域で良好な遮断特性を得ることができる効果を奏する。
【００１８】
即ち、図１の帯域可変フィルタでは、入出力端子１ａと第１の可変共振器の伝送線路２ａの間にインダクタ６ａを接続するとともに、入出力端子１ｂと第２の可変共振器の伝送線路２ｂの間にインダクタ６ｂを接続することで、高周波数での遮断特性を高めることができる効果を奏する。
これにより、高周波数からの干渉信号を抑圧することが可能となる。また、インダクタ６ａ，６ｂと可変共振器の接続を接地点から物理的に離すことができるため、ばらつきの少ない回路を得ることが可能となる。
【００１９】
実施の形態２．
図３はこの発明の実施の形態２による帯域可変フィルタを示す構成図であり、図において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
第１の可変共振器は伝送線路２ａ及びキャパシタ１１ａから構成されている。
第１の可変共振器を構成している伝送線路２ａは一端が接地されており、他端がキャパシタ１１ａと接続されている。
第１の可変共振器を構成しているキャパシタ１１ａは一端が接地されており、他端が伝送線路２ａと接続されている。
【００２０】
第２の可変共振器は伝送線路２ｂ及びキャパシタ１１ｂから構成されている。
第２の可変共振器を構成している伝送線路２ｂは一端が接地されており、他端がキャパシタ１１ｂと接続されている。
第２の可変共振器を構成しているキャパシタ１１ｂは一端が接地されており、他端が伝送線路２ｂと接続されている。
【００２１】
可変容量素子１２ａは一端が入出力端子１ａと接続されている。
可変容量素子１２ｂは一端が入出力端子１ｂと接続され、他端が可変容量素子１２ａの他端と接続されている。
抵抗５は一端が制御端子１ｃと接続され、他端が可変容量素子１２ａ，１２ｂの他端と接続されており、制御端子１ｃから抵抗５を介してバイアス電圧が供給されて、可変容量素子１２ａ，１２ｂの容量値が制御される。
【００２２】
次に動作について説明する。
図３の帯域可変フィルタでは、入出力端子１ａと入出力端子１ｂ間の通過帯域が、第１の可変共振器及び第２の可変共振器の共振周波数によって決定される。
また、図３の帯域可変フィルタでは、入力信号が可変共振器側の経路を通る成分と、その入力信号が分岐されて可変容量素子１２ａ，１２ｂ側の経路を通る成分との打ち消し合いによって、通過帯域近傍の遮断帯域での遮断量にピークを持たせることができる。
この遮断帯域の周波数は、可変容量素子１２ａ，１２ｂの容量値によって変化させることができる。
【００２３】
ここで、図４は図３の帯域可変フィルタの電気特性の計算例を示す説明図である。
この計算例では、通過帯域が約４２０ＭＨｚである。
図４より、通過帯域近傍の遮断帯域において、遮断量のピークが生じることが分かる。
図４において、重ね書きしている線は、可変容量素子１２ａ，１２ｂの容量値を変えたときの特性であり、ピークの生じる周波数を変化できることが分かる。
以上のことから、図３の帯域可変フィルタでは、遮断帯域で良好な遮断特性が得られる。
【００２４】
以上で明らかなように、この実施の形態２によれば、一端が接地されているキャパシタ１１ａの他端と一端が接地されている伝送線路２ａの他端とが接続されている第１の可変共振器と、第１の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されているキャパシタ１１ｂの他端と一端が接地されている伝送線路２ｂの他端とが接続されている第２の可変共振器と、一端が入出力端子１ａと接続され、他端が第１の可変共振器の伝送線路２ａと接続されているインダクタ６ａと、一端が入出力端子１ｂと接続され、他端が第２の可変共振器の伝送線路２ｂと接続されているインダクタ６ｂと、一端が入出力端子１ａと接続されている可変容量素子１２ａと、一端が入出力端子１ｂと接続され、他端が可変容量素子１２ａの他端と接続されている可変容量素子１２ｂとを備えるように構成したので、遮断帯域で良好な遮断特性を得ることができる効果を奏する。
【００２５】
即ち、図３の帯域可変フィルタでは、入出力端子１ａと入出力端子１ｂを可変容量素子１２ａ，１２ｂで直結することによって、通過帯域近傍での遮断特性を高めることができる効果を奏する。
これにより、通過帯域近傍における干渉信号を抑圧することが可能となる。 
【００２６】
実施の形態３．
図５はこの発明の実施の形態３による帯域可変フィルタを示す構成図であり、図において、図３と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
伝送線路２１ａは一端が入出力端子１ａと接続され、他端がキャパシタ２３ａを介して可変容量素子２２ａと接続されている。
可変容量素子２２ａは一端が接地されており、他端がキャパシタ２３ａを介して伝送線路２１ａと接続されている。なお、伝送線路２１ａと可変容量素子２２ａから第１の可変反射回路が構成されている。
【００２７】
伝送線路２１ｂは一端が入出力端子１ｂと接続され、他端がキャパシタ２３ｂを介して可変容量素子２２ｂと接続されている。
可変容量素子２２ｂは一端が接地されており、他端がキャパシタ２３ｂを介して伝送線路２１ｂと接続されている。なお、伝送線路２１ｂと可変容量素子２２ｂから第２の可変反射回路が構成されている。
【００２８】
図５の帯域可変フィルタでは、入出力端子１ａ，１ｂの双方に可変反射回路が接続されている例を示しているが、入出力端子１ａ，１ｂの少なくとも一方に可変反射回路が接続されていればよい。
【００２９】
次に動作について説明する。
図５の帯域可変フィルタでは、第１の可変共振器及び第２の可変共振器が通過帯域を形成し、第１の可変反射回路及び第２の可変反射回路が減衰特性を形成している。
ここで、図６は図５の帯域可変フィルタの電気特性の計算例を示す説明図である。
この計算例では、通過帯域が約４２０ＭＨｚであり、２２０ＭＨｚ付近と６７０ＭＨｚ付近の遮断帯域において、遮断量のピークが生じることが分かる。
図６において、重ね書きしている線は、可変容量素子２２ａ，２２ｂの容量値を変えたときの特性であり、ピークの生じる周波数を変化できることが分かる。
【００３０】
図５の帯域可変フィルタでは、２２０ＭＨｚ付近の遮断特性が第１の可変反射回路によって形成され、６７０ＭＨｚ付近の遮断特性が第２の可変反射回路によって形成されている。
なお、可変反射回路を片方だけにすれば、ピークを１つにすることができ、このような可変反射回路を増やすことによって、減衰特性のピークを増やすことも可能である。
【００３１】
以上のことから、図５の帯域可変フィルタでは、遮断帯域で良好な遮断特性が得られる。
なお、インダクタ６ａ，６ｂは、高周波数での減衰特性を良好にするとともに、可変反射回路と可変共振器とを分離する役割を果たしている。
これにより、遮断特性にピークを持たせた場合でも、通過帯域内の特性に与える影響を軽減することができる。
【００３２】
以上で明らかなように、この実施の形態３によれば、一端が接地されているキャパシタ１１ａの他端と一端が接地されている伝送線路２ａの他端とが接続されている第１の可変共振器と、第１の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されているキャパシタ１１ｂの他端と一端が接地されている伝送線路２ｂの他端とが接続されている第２の可変共振器と、一端が入出力端子１ａと接続され、他端が第１の可変共振器の伝送線路２ａと接続されているインダクタ６ａと、一端が入出力端子１ｂと接続され、他端が第２の可変共振器の伝送線路２ｂと接続されているインダクタ６ｂとを備え、一端が接地されている可変容量素子２２と伝送線路２１が接続されている可変反射回路が、入出力端子１ａ，１ｂの少なくとも一方に接続されているように構成したので、遮断帯域で良好な遮断特性を得ることができる効果を奏する。
【００３３】
即ち、図５の帯域可変フィルタでは、通過帯域よりも低周波数あるいは高周波数の少なくとも一方での遮断特性を高めることができる効果を奏する。
これにより、当該遮断帯域における干渉信号を抑圧することが可能となる。
【００３４】
実施の形態４．
図７はこの発明の実施の形態４による帯域可変フィルタを示す構成図であり、図において、図３と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
可変容量素子３１ａは一端がキャパシタ３２ａを介して入出力端子１ａと接続され、他端が第１の可変共振器の伝送線路２ａと接続されており、第１の可変容量素子を構成している。
可変容量素子３１ｂは一端がキャパシタ３２ｂを介して入出力端子１ｂと接続され、他端が第２の可変共振器の伝送線路２ｂと接続されており、第２の可変容量素子を構成している。
【００３５】
次に動作について説明する。
図７の帯域可変フィルタでは、第１の可変共振器及び第２の可変共振器が通過帯域を形成し、可変容量素子３１ａが入出力端子１ａと第１の可変共振器間の結合量を変え、可変容量素子３１ｂが入出力端子１ｂと第２の可変共振器間の結合量を変える。
これにより、通過帯域の帯域幅を変化させることができる。
【００３６】
ここで、図８は図７の帯域可変フィルタの電気特性の計算例を示す説明図である。
この計算例では、通過帯域が約３８０ＭＨｚである。
図８において、重ね書きしている線は、可変容量素子３１ａ，３１ｂの容量値を変えたときの特性であり、通過帯域の帯域幅を変化できることが分かる。
以上のことから、図７の帯域可変フィルタでは、遮断帯域で良好な遮断特性が得られる。
【００３７】
以上で明らかなように、この実施の形態４によれば、一端が接地されているキャパシタ１１ａの他端と一端が接地されている伝送線路２ａの他端とが接続されている第１の可変共振器と、第１の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されているキャパシタ１１ｂの他端と一端が接地されている伝送線路２ｂの他端とが接続されている第２の可変共振器と、一端が入出力端子１ａと接続され、他端が第１の可変共振器の伝送線路２ａと接続されている可変容量素子３１ａと、一端が入出力端子１ｂと接続され、他端が第２の可変共振器の伝送線路２ｂと接続されている可変容量素子３１ｂとを備えるように構成したので、遮断帯域で良好な遮断特性を得ることができる効果を奏する。
【００３８】
即ち、図７の帯域可変フィルタでは、通過帯域近傍での遮断特性を高めることができる効果を奏する。
これにより、当該遮断帯域における干渉信号を抑圧することが可能となる。
【００３９】
実施の形態５．
上記実施の形態１〜４に開示している帯域可変フィルタは、適宜組み合わせることが可能である。
例えば、上記実施の形態１による図１の帯域可変フィルタに対して、上記実施の形態２による図３の帯域可変フィルタで用いられる可変容量素子１２ａ，１２ｂを適用させると、図９に示すような帯域可変フィルタになる。
図９の帯域可変フィルタでは、図１及び図３の帯域可変フィルタの特徴である高周波数における良好な遮断特性と、通過帯域近傍における良好な遮断特性とを併せ持つことができる。
【００４０】
例えば、上記実施の形態１による図１の帯域可変フィルタに対して、上記実施の形態３による図５の帯域可変フィルタで用いられる第１及び第２の可変反射回路の可変容量素子２２ａ，２２ｂを適用させると、図１０に示すような帯域可変フィルタになる。
図１０の帯域可変フィルタでは、図１及び図５の帯域可変フィルタの特徴である高周波数における良好な遮断特性と、通過帯域よりも低周波あるいは高周波における良好な遮断特性とを併せ持つことができる。
【００４１】
例えば、上記実施の形態１による図１の帯域可変フィルタに対して、上記実施の形態４による図７の帯域可変フィルタで用いられる可変容量素子３１ａ，３１ｂを適用させると、図１１に示すような帯域可変フィルタになる。
図１１の帯域可変フィルタでは、図１及び図７の帯域可変フィルタの特徴である高周波数における良好な遮断特性と、通過帯域近傍における良好な遮断特性とを併せ持つことができる。
【００４２】
ここでは、上記実施の形態１と上記実施の形態２の組み合わせ、上記実施の形態１と上記実施の形態３の組み合わせ、上記実施の形態１と上記実施の形態４の組み合わせについて示したが、他の実施の形態で用いられる可変容量素子を組み合わせることで、各々の特徴を併せ持った帯域可変フィルタを実現することができる。
例えば、図１２は上記実施の形態１，２，４で用いられる可変容量素子を組み合わせた帯域可変フィルタであり、図１３は上記実施の形態１〜４で用いられる可変容量素子を組み合わせた帯域可変フィルタである。
【００４３】
上記のいずれの実施の形態においても、可変容量素子に同一のバイアス電圧を印加することを想定しているが、それぞれの可変容量素子に異なるバイアス電圧を印加することも可能であり、これにより減衰特性のピークの位置や通過帯域での反射特性を任意に調整することができる。
【００４４】
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１ａ  入出力端子（第１の入出力端子）、１ｂ  入出力端子（第２の入出力端子）、１ｃ  制御端子、２ａ，２ｂ  伝送線路、３ａ，３ｂ  可変容量素子、４ａ，４ｂ  キャパシタ、５，５ａ，５ｂ  抵抗、６ａ  インダクタ（第１のインダクタ）、６ｂ  インダクタ（第２のインダクタ）、１１ａ，１１ｂ  キャパシタ、１２ａ，１２ｂ  可変容量素子、２１ａ，２１ｂ  伝送線路（可変反射回路）、２２ａ，２２ｂ  可変容量素子（可変反射回路）、２３ａ，２３ｂ  キャパシタ、３１ａ  可変容量素子（第１の可変容量素子）、３１ｂ  可変容量素子（第２の可変容量素子）、３２ａ，３２ｂ  キャパシタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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