(57)【要約】【課題】電気的絶縁性を保持しつつ、高い真空度で配管などを接続可能な真空接続装置を提供する。【解決手段】対向するフランジ３、４は、これらの間に絶縁スペーサ１２を挟み、ボルト９とナット１０で締結することにより真空シールされる。座金７は絶縁性の樹脂からなり、ボルト９は絶縁性の樹脂１１で被覆されている。フランジ３、４の各対向面には、エッジ１３、１４が設けられており、エッジ１３、１４からフランジ３、４の各外周部に向かってテーパ部１５、１６が形成されている。テーパ部１５、１６によって挟まれた空間には、樹脂ガスケット５が介装されている。樹脂ガスケット５は、エッジ１３、１４より外周部側の空間内に留まっているようにする。樹脂ガスケット５は、テフロン（登録商標）からなることが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向するフランジ間に絶縁スペーサを挟み、締結部材で締結することにより、前記フランジ間を真空シールする真空接続装置であって、
前記フランジと前記締結部材の間に設けられた絶縁部材と、
前記フランジの各対向面に設けられたエッジと、
前記各エッジから前記フランジの各外周部に向かって形成されたテーパ部と、
前記各テーパ部によって挟まれた空間に介装される樹脂ガスケットとを有し、
前記樹脂ガスケットは、前記エッジより前記外周部側の前記空間内に留まっていることを特徴とする真空接続装置。
【請求項２】
前記樹脂ガスケットは、テフロン（登録商標）からなることを特徴とする請求項１に記載の真空接続装置。
【請求項３】
試料が載置される描画室と、
荷電粒子ビームを照射するビーム照射装置と、
前記描画室および前記ビーム照射装置の少なくとも一方にある気体を排気する排気装置と、
前記描画室または前記ビーム照射装置に繋がる配管と、前記排気装置に繋がる配管とを接続する真空接続装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記真空接続装置は、前記２つの配管の端部に設けられたフランジと、
前記フランジ同士を絶縁スペーサを挟んで締結する締結部材と、
前記フランジと前記締結部材の間に設けられた絶縁部材と、
前記フランジの各対向面に設けられたエッジと、
前記各エッジから前記フランジの各外周部に向かって形成されたテーパ部と、
前記各テーパ部によって挟まれた空間に介装される樹脂ガスケットとを有し、
前記樹脂ガスケットは、前記エッジより前記外周部側の前記空間内に留まっていることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記樹脂ガスケットは、テフロン（登録商標）からなることを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
荷電粒子ビーム描画装置に繋がる配管の端部と、排気装置に繋がる配管の端部とにそれぞれフランジを設け、
絶縁スペーサを挟んだ状態で前記フランジ同士を締結するとともに、前記フランジの各対向面に設けられたエッジから、前記フランジの各外周部に向かって形成されたテーパ部によって挟まれた空間に樹脂ガスケットを介装し、前記樹脂ガスケットが前記エッジより前記外周部側の前記空間内に留まるようにすることを特徴とする排気装置の荷電粒子ビーム描画装置への取付方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空接続装置、荷電粒子ビーム描画装置および排気装置の荷電粒子ビーム描画装置への取付方法に関し、より詳しくは、配管同士との接続などに用いられる真空接続装置と、この真空接続装置を備えた荷電粒子ビーム描画装置、および、この真空接続装置を用いて排気装置を荷電粒子ビーム描画装置に取り付ける方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大規模集積回路（ＬＳＩ；Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）の高集積化および大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路線幅は益々狭く微細なものとなっている。半導体素子は、回路パターンが形成された原画パターン（マスクまたはレチクルを指す。以下では、マスクと総称する。）を用い、いわゆるステッパと呼ばれる縮小投影露光装置によって、ウェハ上にパターンを露光転写して回路形成することにより製造される。こうした微細な回路パターンをウェハに転写するためのマスクの製造において、電子ビーム描画装置が用いられている。
【０００３】
電子ビーム描画装置は、基板を載置するためのステージを内蔵する描画室と、ステージに載置した基板に電子ビームを照射するビーム照射装置とを有する。かかる描画室やビーム照射装置の内部は所定の真空度に保たれる。
【０００４】
描画室内やビーム照射装置内の気体を排気する排気装置としては、例えば、イオンポンプまたは分子ポンプなどが好適である。配管同士、あるいは、配管と各種機器類および排気装置は、通常、配管継手の一種であるフランジによって接続される。そのなかでも、超高真空が必要な排気系には、一般に、コンフラットフランジ（ＣｏｎＦｌａｔ  Ｆｌａｎｇｅ）が用いられる。コンフラットフランジは、接続すべき配管の各端部に互いに対向して配置される。コンフラットフランジの内側には先の尖ったエッジが設けられており、通常は、銅製のガスケットを挟んで塑性変形させることによってシールする構成となっている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
一方、電子ビーム描画装置では、装置内における電気的絶縁性の保持が不可欠となる。しかしながら、銅製のガスケットを用いて接続する方法では、電子ビーム描画装置の電気的絶縁性を保持できないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特公昭５８−２１１５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、かかる問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、電気的絶縁性を保持しつつ、高い真空度で配管などを接続可能な真空接続装置を提供することにある。
【０００８】
また、本発明は、電気的絶縁性と高真空度を実現することのできる荷電粒子ビーム描画装置を提供することにある。
【０００９】
さらに、本発明は、電気的絶縁性と高真空度を保持しつつ、排気装置を荷電粒子ビーム描画装置へ取り付ける方法を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の態様は、対向するフランジ間に絶縁スペーサを挟み、締結部材で締結することにより、フランジ間を真空シールする真空接続装置であって、
フランジと締結部材の間に設けられた絶縁部材と、
フランジの各対向面に設けられたエッジと、
各エッジからフランジの各外周部に向かって形成されたテーパ部と、
各テーパ部によって挟まれた空間に介装される樹脂ガスケットとを有し、
樹脂ガスケットは、エッジより外周部側の空間内に留まっていることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の第１の態様において、樹脂ガスケットは、テフロン（登録商標）からなることが好ましい。
【００１３】
本発明の第２の態様は、試料が載置される描画室と、
荷電粒子ビームを照射するビーム照射装置と、
描画室およびビーム照射装置の少なくとも一方にある気体を排気する排気装置と、
描画室またはビーム照射装置に繋がる配管と、排気装置に繋がる配管とを接続する真空接続装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置であって、
真空接続装置は、２つの配管の端部に設けられたフランジと、
フランジ同士を絶縁スペーサを挟んで締結する締結部材と、
フランジと締結部材の間に設けられた絶縁部材と、
フランジの各対向面に設けられたエッジと、
各エッジからフランジの各外周部に向かって形成されたテーパ部と、
各テーパ部によって挟まれた空間に介装される樹脂ガスケットとを有し、
樹脂ガスケットは、エッジより外周部側の空間内に留まっていることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の第２の態様において、樹脂ガスケットは、テフロン（登録商標）からなることが好ましい。
【００１５】
本発明の第３の態様は、荷電粒子ビーム描画装置に繋がる配管の端部と、排気装置に繋がる配管の端部とにそれぞれフランジを設け、
絶縁スペーサを挟んだ状態でフランジ同士を締結するとともに、フランジの各対向面に設けられたエッジから、フランジの各外周部に向かって形成されたテーパ部によって挟まれた空間に樹脂ガスケットを介装し、樹脂ガスケットがエッジより外周部側の空間内に留まるようにすることを特徴とする排気装置の荷電粒子ビーム描画装置への取付方法に関する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の第１の態様によれば、電気的絶縁性を保持しつつ、高い真空度で配管等を接続可能な真空接続装置が提供される。
【００１７】
また、本発明の第２の態様によれば、電気的絶縁性と高真空度を実現することのできる荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
【００１８】
さらに、本発明の第３の態様によれば、電気的絶縁性と高真空度を保持しつつ、排気装置を荷電粒子ビーム描画装置へ取り付ける方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施の形態の真空接続装置によって配管同士を接続する様子を示す断面図である。
【図２】ガスケットの大きさを変えた以外は、図１と同じ構成を有するコンフラットフランジの断面図である。
【図３】電子ビーム描画装置の構成を示す図である。
【図４】電子ビーム描画方法の説明図である。
【図５】電子ビーム描画装置と排気装置が真空接続装置を介して接続する様子を示す概略平面図である。
【図６】真空接続装置によって配管同士を接続する様子を示す断面図の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１は、本実施の形態の真空接続装置によって配管同士を接続する様子を示す断面図である。
【００２１】
配管１は、図示しない電子ビーム描画装置の描画室に繋がっているものとすることができる。あるいは、配管１は、電子ビーム描画装置のビーム照射装置に繋がっているものとすることもできる。
【００２２】
配管２は、図示しない排気装置に繋がっているものとすることができる。ここで、排気装置は、イオンポンプまたは分子ポンプなどとすることができる。
【００２３】
配管１と配管２の各端部には、リング状のフランジ３とフランジ４が互いに対向するように設けられている。フランジ３、４は、互いの対向する面に、先の尖ったエッジ１３、１４を備えたコンフラットフランジである。これらのフランジは、締結部材で締結することによって真空シールされる。具体的には、フランジ３、４は、座金７、８を介し、ボルト９とナット１０によって締め付けられるようになっている。
【００２４】
締結部材を構成するボルト９とナット１０は金属製とすることができ、さらに、座金８も金属製とすることができる。但し、フランジと締結部材の間には絶縁部材を設ける。図１の例では、座金７を絶縁性の樹脂とするとともに、ボルト９を絶縁性の樹脂１１で被覆して、ボルト９と、フランジ３、４とが電気的に絶縁されるようにしている。
【００２５】
また、フランジ３とフランジ４の間には、絶縁性の樹脂からなるスペーサ（絶縁スペーサ）１２が設けられている。これにより、フランジ３とフランジ４が直接的に接触するのを防ぐことができる。
【００２６】
フランジ３には、エッジ１３から外周部へ向かってテーパ部１５が形成されている。同様に、フランジ４にも、エッジ１４から外周部へ向かってテーパ部１６が形成されている。フランジ３とフランジ４とが対向して配置されることで、テーパ部１５とテーパ部１６の間に空間が形成される。本実施の形態では、この空間に絶縁性の樹脂からなるガスケット（樹脂ガスケット）５を介装する。これにより、配管１と配管２の高真空下での接続を実現することができる。
【００２７】
ガスケット５は、電子ビーム描画装置へと続く空間に露出している。このため、ガスケット５を構成する樹脂としては、樹脂表面からの低分子物質などの放出が少ないものを用いる。
【００２８】
表１は、大気圧からの排気過程における樹脂の気体放出速度と吸水率とを比較した一例である。尚、吸水率は、常温常圧下で樹脂中に含まれる水分の割合である。
【００２９】
【表１】
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【００３０】
本発明者の検討によれば、１時間当たりの気体放出速度が１．６×１０−３Pa・m3・s-1・m-2以下の樹脂であれば、本実施の形態におけるガスケットの構成材料として使用可能である。しかしながら、高い真空度を実現する点からは、気体放出速度および吸水率のいずれもが低い値を示すテフロン（登録商標）を用いることが好ましい。
【００３１】
また、ガスケット５が電子ビーム描画装置へと続く空間に露出する面は、できるだけ小さいことが好ましい。
【００３２】
図２は、ガスケットの大きさを変えた以外は、図１と同じ構成を有するコンフラットフランジの断面図である。図２において、ガスケット６は、テーパ部１５とテーパ部１６によって形成される空間からエッジ１３、１４を超えて配管１、２の方へはみ出している。
【００３３】
一方、図１のガスケット５は、エッジ１３、１４より外周部側であって、テーパ部１５とテーパ部１６によって形成される空間に留まっている。
【００３４】
上記のような違いにより、図２で電子ビーム描画装置へと続く空間に露出する面Ｓ２の面積は、図１における対応する面Ｓ１の面積より大きくなる。本発明者の検討によれば、同じ樹脂を使用した場合であっても、図２のような構成とすることにより、配管１および配管２の内部の真空度は、図１の構成より低下することが分かっている。これは、樹脂から放出される気体の量が増えるためと推測される。
【００３５】
以上述べたように、本実施の形態の真空接続装置では、フランジ同士を対向させ、樹脂からなるスペーサを挟んだ状態で金属製のボルトで締め詰める。このとき、ボルトとフランジの間に樹脂製の座金を設けるとともに、フランジに接触するボルトの面を樹脂で被覆して、ボルトとフランジを電気的に絶縁する。また、互いに対向するフランジのエッジ間に、樹脂からなるガスケットを介装する。このような構造の真空接続装置とすることにより、電子ビーム描画装置の電気的絶縁性を保持しつつ、電子ビーム描画装置を排気装置に接続することができる。
【００３６】
また、真空接続装置に使用する樹脂としては、テフロン（登録商標）が好ましい。さらに、ガスケットは、フランジのエッジより外周部側であって、テーパ部によって形成される空間内に留まるようにすることが好ましい。このようにすることにより、樹脂から放出される気体の量を少なくすることができ、高真空度を実現することができる。
【００３７】
本実施の形態の真空接続装置は、配管同士、配管と各種機器類および排気装置との接続、または、配管と各種計器との接続などに用いることができる。
【００３８】
次に、図３〜図５を用いて、本実施の形態の電子ビーム描画装置について述べる。
【００３９】
図３に示すように、電子ビーム描画装置１０１は、描画部１０３と制御部１０４とで構成される。描画部１０３は、描画室３００と、描画室３００の天井部に設けた電子鏡筒３０１とを備えている。電子鏡筒３０１は、上述したビーム照射装置を構成する。
【００４０】
描画室３００内には、互いに直交するＸ方向とＹ方向に移動自在なステージ３０２が設けられており、ステージ３０２上に試料１０２が載置される。試料１０２は、例えば、ガラス基板上にクロム膜等の遮光膜とレジスト膜とが積層されたマスクである。
【００４１】
電子鏡筒３０１内には、上から順に、電子銃３０３と、照明レンズ３０４と、ブランキング偏向器３０５と、ブランキングアパーチャ３０６と、第１成形アパーチャ３０７と、投影レンズ３０８および成形偏向器３０９と、第２成形アパーチャ３１０と、主偏向器３１１と、対物レンズ３１２と、副偏向器３１３とが配置されている。
【００４２】
電子銃３０３から発せられた電子ビームＢは、照明レンズ３０４により第１成形アパーチャ３０７に照射されるが、ブランキングオン時（非描画期間）には、ブランキング偏向器３０５により偏向されてブランキングアパーチャ３０６上に照射され、第１成形アパーチャ３０７には照射されない。
【００４３】
第１成形アパーチャ３０７には矩形状の開口が形成されている。そして、電子ビームＢは、第１成形アパーチャ３０７を透過する際に、その断面形状が矩形に成形され、投影レンズ３０８により第２成形アパーチャ３１０上に投影される。この際、成形偏向器３０９により第２成形アパーチャ３１０への電子ビームＢの投影場所を変化させ、電子ビームＢの形状と寸法を制御する。
【００４４】
第２成形アパーチャ３１０を透過した電子ビームＢの焦点は、対物レンズ３１２により試料１０２に合わせられる。そして、主偏向器３１１による電子ビームＢの主偏向と副偏向器３１３による電子ビームＢの副偏向とで、試料１０２に対する電子ビームＢのショット位置が制御される。
【００４５】
試料１０２上に描画されるパターン５０は、図４に示すように、主偏向で偏向可能なＹ方向幅の短冊状の複数のストライプ５１に分割され、さらに、各ストライプ５１は、行列状の多数のサブフィールド５２に分割される。パターン５０の描画に際しては、ステージ３０２をストライプ５１の幅方向に直交するＸ方向に連続移動させつつ、電子ビームＢを主偏向により各サブフィールド５２に位置決めし、所定のショット図形５４に成形された電子ビームＢを副偏向によりサブフィールド５２の定位置にショットして図形５３を描画する。そして、１つのストライプ５１の描画を終了すると、ステージ３０２をＹ方向にステップ移動させてから次のストライプ５１の描画を行い、これを繰り返して試料１０２の全体にパターン５０を描画する。
【００４６】
このように、電子ビームＢは、主偏向器３１１と副偏向器３１３によって偏向され、連続的に移動するステージ３０２に追従しながら、照射位置を決められる。Ｘ方向のステージ移動を連続的に行うとともに、電子ビームＢのショット位置をステージ移動に追従させることで、描画時間の短縮を図ることができる。尚、本実施の形態においては、ステージ３０２を停止させた状態で１つの主偏向領域の描画を行い、次の領域へ移動するときには描画を行わないステップアンドリピート方式の描画方法であってもよい。
【００４７】
制御部１０４は、電子ビーム描画装置１０１の各種制御を行う制御計算機４００を備えている。制御計算機４００には、ステージ３０２の制御を行うステージ制御部４０６が接続されている。ステージ制御部４０６には、ステージ３０２を駆動する駆動部４０１と、ステージ３０２に固定したステージミラー３０２ａへのレーザ光の入反射でステージ３０２の位置を測定するレーザ側長計４０２とが接続されている。また、制御計算機４００には、偏向制御部４０３が接続されており、ブランキング偏向器３０５、成形偏向器３０９、主偏向器３１１および副偏向器３１３を偏向制御部４０３により各偏向器用アンプ３０５ａ、３０９ａ、３１１ａ、３１３ａを介して制御する。
【００４８】
制御部１０４は、さらに、パターンデータ（ＣＡＤデータ）を、電子ビーム描画装置１０１で処理可能なフォーマットに変換した描画データを記憶する記憶装置４０４を備えている。また、制御部１０４は、ショットデータ生成部４０５を備えている。
【００４９】
ショットデータ生成部４０５は、描画データで規定されるパターン５０を複数のストライプ５１に分割する処理、各ストライプ５１をサブフィールド５２に分割する処理、各サブフィールド５２内の図形５３の形状、大きさ、位置を決定する処理、図形５３を１回のショットで描画できる複数部分に分割する処理等を行ってショット図形５４のデータを生成する。このショット図形データは偏向制御部４０３へ送られる。
【００５０】
試料１０２に対して電子ビームによる描画を行う場合には、描画室３００と電子鏡筒３０１の内部を所定の真空度にする。具体的には、描画室３００と電子鏡筒３０１に配管を設け、これらを排気装置の配管に接続することにより、描画室３００や電子鏡筒３０１の内部の気体を排出する。排気装置としては、例えば、イオンポンプまたは分子ポンプなどを用いることができる。また、上記配管同士の接続には、本実施の形態の真空接続装置が用いられる。これにより、電気的絶縁性と高真空度を実現することのできる電子ビーム描画装置が提供される。
【００５１】
図５は、電子ビーム描画装置１０１の配管１と、排気装置２０１の配管２とが、フランジ３、４を介して接続する様子を示す概略平面図である。図１に示すように、本実施の形態によれば、フランジ３とフランジ４を対向させ、樹脂からなるスペーサ１２を挟んだ状態で金属製のボルト９で締め詰める。このとき、ボルト９とフランジ３の間に樹脂製の座金７を設けるとともに、フランジ３に接触するボルト９の面を樹脂１１で被覆して、ボルト９とフランジ３を電気的に絶縁する。また、互いに対向するフランジ３、４のテーパ部１５、１６によって挟まれた空間に、樹脂からなるガスケット５を介装する。このようにすることにより、電子ビーム描画装置１０１の電気的絶縁性を保持しつつ、電子ビーム描画装置１０１を排気装置２０１に接続することができる。
【００５２】
ガスケット５に使用する樹脂としては、テフロン（登録商標）が好ましい。さらに、ガスケット５は、フランジ３、４のエッジ１３、１４より外周部側であって、テーパ部１５、１６によって形成される空間内に留まるようにすることが好ましい。このようにすることにより、ガスケット５を構成する樹脂から放出される気体の量を少なくして、電子ビーム描画装置１０１の内部を高真空にすることができる。
【００５３】
尚、電子ビーム描画装置の絶縁性を保持した状態で、これを排気装置に接続する方法としては、例えば、図６に示す構造も考えられる。図６では、図示しない電子ビーム描画装置に繋がる配管１と、図示しない排気装置に繋がる配管２とが、真空接続装置１０００、２０００、３０００によって接続されている。
【００５４】
真空接続装置２０００は、配管１と配管５０００を接続するものであり、フランジ２００３とフランジ２００４とが、金属製の座金２００８を介して、ボルト２００９とナット２０１０で締め付けられている。また、これらの間には、銅製のガスケット２００５が介装されている。真空接続装置３０００は、配管２と配管４０００を接続するものであり、その構造は真空接続装置２０００と同じである。
【００５５】
真空接続装置１０００は、配管４０００と配管５０００を接続するものであり、フランジ１００３とフランジ１００４とが、樹脂スペーサ１０１１を挟んだ状態で、ボルト１００９とナット１０１０によって締め付けられている。尚、ボルト１００９とナット１０１０は金属製であり、座金１００８も金属製であるが、座金１００７は絶縁性の樹脂である。また、ボルト１００９のフランジ１００３、１００４と接触する部分には、絶縁性の樹脂が被覆されている。さらに、フランジ１００３とフランジ１００４の間には、セラミック製のシールリング１００５が配置されており、Ｏリング１００１によって真空シールされている。
【００５６】
図６の構造によっても、電子ビーム描画装置の絶縁性を保持した状態で、電子ビーム描画装置を排気装置に接続することができる。しかしながら、この構成では、図１に比べて真空接続装置と配管の数が増えるために装置が大型化する。また、配管抵抗が大きくなることによって真空度が低下するという問題もある。
【００５７】
これに対して、図１の真空接続装置によれば、樹脂ガスケットを用いることで、１つの真空接続装置で配管１と配管２を接続することができる。したがって、図６のように装置を大型化することがなく、また、高真空度を達成することができる。
【００５８】
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施することができる。例えば、上記実施の形態では、電子ビームを用いたが、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを用いた場合にも適用可能である。
【００５９】
また、上記では、本実施の形態の真空接続装置を介して、電子ビーム描画装置と排気装置を接続する例について述べたが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、電子ビーム描画装置以外の真空装置、例えば、スパッタリング装置およびＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置などの各種成膜装置、透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡などを、本実施の形態の真空接続装置を介して排気装置に接続することも可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１、２、４０００、５０００    配管
３、４、１００３、１００４、２００３、２００４    フランジ
５、６、２００５  ガスケット
７、８、１００７、１００８、２００８    座金
９、１００９、２００９    ボルト
１０、１０１０、２０１０    ナット
１１、１００２    樹脂
１２、１０１１    スペーサ
１３、１４    エッジ
１５、１６    テーパ部
１０００、２０００、３０００    真空接続装置
１００１    Ｏリング
１００５    シールリング
５０    パターン
５１    ストライプ
５２    サブフィールド
５３    図形
５４    ショット図形
１０１    電子ビーム描画装置
１０２    試料
１０３    描画部
１０４    制御部
２０１    排気装置
３００    描画室
３０１    電子鏡筒
３０２    ステージ
３０２ａ    ステージミラー
３０３    電子銃
３０４    照明レンズ
３０５    ブランキング偏向器
３０５ａ    ブランキングアンプ
３０６    ブランキングアパーチャ
３０７    第１成形アパーチャ
３０８    投影レンズ
３０９    成形偏向器
３０９ａ    成形アンプ
３１０    第２成形アパーチャ
３１１    主偏向器
３１１ａ    主偏向アンプ
３１２    対物レンズ
３１３    副偏向器
３１３ａ    副偏向アンプ
４００    制御計算機
４０１    駆動部
４０２    レーザ側長計
４０３    偏向制御部
４０４    記憶装置
４０５    ショットデータ生成部
４０６    ステージ制御部
Ｂ    電子ビーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
2012241779.tif 000006
【図４】
2012241779.tif 000007
【図５】
2012241779.tif 000008
【図６】
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