(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁基板のゆがみを抑制し、良好な平坦性を得る。【解決手段】液晶ポリマーを主成分とする絶縁基板１０の両面に第１配線２１ａ、および第２配線２１ｂを有する配線基板であって、絶縁基板１０の両面に形成された第１配線２１ａと第２配線２１ｂとの間で電気的導通をとるため、ビアホール３０の内面に銅めっきが施されたビア３１が一部に形成されている。絶縁基板１０の少なくとも一方の面は、少なくとも一部が絶縁基板１０に埋め込まれた配線２１ａと、配線２１ａ上に形成された絶縁被膜８０ａと、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶ポリマーを主成分とする絶縁基板の両面に配線を有する配線基板であって、
前記絶縁基板の少なくとも一方の面は、
少なくとも一部が前記絶縁基板に埋め込まれた前記配線と、
前記配線上に形成された絶縁被膜と、を備える
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記絶縁被膜が形成された前記絶縁基板の他方の面の高低差は１μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
液晶ポリマーを主成分とする絶縁基板の両面に配線を有する配線基板の製造方法であって、
前記絶縁基板の少なくとも一方の面の導体層をパターニングして前記絶縁基板上に前記配線を形成する工程と、
前記配線と前記絶縁基板との段差を埋めるよう、前記絶縁基板上の前記配線間の間隙部に前記液晶ポリマーを充填する工程と、
前記間隙部に前記液晶ポリマーが充填された前記配線上に絶縁被膜を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記液晶ポリマーを充填する工程では、
前記絶縁基板の両面を離形フィルムで挟んで加熱加圧し、前記絶縁基板を構成する前記液晶ポリマーを前記間隙部へ流動させる
ことを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。 
【請求項５】
前記液晶ポリマーを充填する工程では、
前記絶縁基板の両面に前記配線を形成した後、前記絶縁基板の両面を離形フィルムで挟んで加熱加圧し、前記絶縁基板を構成する前記液晶ポリマーを前記絶縁基板の両面の前記間隙部へ流動させる
ことを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ポリマーを用いた配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板には、耐熱性に優れ、高強度、低収縮率、高流動性を備える液晶ポリマーを主成分とする絶縁基板を用いたものがある。また、半導体チップを高密度に実装するため、係る絶縁基板の両面に配線が形成された配線基板が用いられるようになってきた。このような配線基板を製造するには、例えば絶縁基板の両面に形成した銅箔を、フォトリソグラフィによりパターニングして配線を形成し、配線の露出部分に例えばソルダーレジスト等の絶縁被膜を形成する。
【０００３】
なお、本願の関連技術として以下の文献を示す。特許文献１は、液晶ポリマーの流動性を活かした電子部品の実装技術に関する。特許文献２は、半硬化状態のポリイミドフィルムに銅配線を埋め込む技術に関する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１０１１５７号公報
【特許文献２】特開２００６−０４９７４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の絶縁被膜は、低収縮率を有する液晶ポリマーに比べて熱による収縮率が大きい。このため、絶縁基板の片面又は両面に絶縁被膜を形成すると、絶縁被膜が大きく収縮して絶縁基板にゆがみを生じさせてしまう場合があった。特に、絶縁被膜を形成した側の配線パターンが、絶縁基板の反対側の表面に浮き出て見える、いわゆるパターン浮きが起きることがあった。このパターン浮きは、配線間の間隙部に入り込んだ絶縁被膜が収縮し、絶縁被膜側の配線パターンに対応する凹凸が絶縁基板の絶縁被膜側とは反対側の面に生じるために起こる。このような状態では配線基板の平坦性が失われており、後工程で半導体チップを搭載する際に接続不良等の原因となり得る。
【０００６】
そこで本発明の目的は、絶縁基板のゆがみを抑制し、良好な平坦性を有する配線基板及び配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、液晶ポリマーを主成分とする絶縁基板の両面に配線を有する配線基板であって、前記絶縁基板の少なくとも一方の面は、少なくとも一部が前記絶縁基板に埋め込まれた前記配線と、前記配線上に形成された絶縁被膜と、を備える配線基板が提供される。
【０００８】
本発明の第２の態様によれば、前記絶縁被膜が形成された前記絶縁基板の他方の面の高低差は１μｍ以下である第１の態様に記載の配線基板が提供される。
【０００９】
本発明の第３の態様によれば、液晶ポリマーを主成分とする絶縁基板の両面に配線を有する配線基板の製造方法であって、前記絶縁基板の少なくとも一方の面の導体層をパターニングして前記絶縁基板上に前記配線を形成する工程と、前記配線と前記絶縁基板との段差を埋めるよう、前記絶縁基板上の前記配線間の間隙部に前記液晶ポリマーを充填する工
程と、前記間隙部に前記液晶ポリマーが充填された前記配線上に絶縁被膜を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法が提供される。
【００１０】
本発明の第４の態様によれば、前記液晶ポリマーを充填する工程では、前記絶縁基板の両面を離形フィルムで挟んで加熱加圧し、前記絶縁基板を構成する前記液晶ポリマーを前記間隙部へ流動させる第３の態様に記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１１】
本発明の第５の態様によれば、前記液晶ポリマーを充填する工程では、前記絶縁基板の両面に前記配線を形成した後、前記絶縁基板の両面を離形フィルムで挟んで加熱加圧し、前記絶縁基板を構成する前記液晶ポリマーを前記絶縁基板の両面の前記間隙部へ流動させる第３の態様に記載の配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、絶縁基板のゆがみを抑制し、良好な平坦性を有する配線基板及び配線基板の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る配線基板の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を示すフロー図である。
【図３】（ａ）は本発明の実施例に係る配線基板の平坦性を測定した結果を示すグラフであり、（ｂ）は比較例に係る配線基板の平坦性を測定した結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［一実施形態］
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板及び配線基板の製造方法について説明する。
【００１５】
＜配線基板の構造＞
本発明の一実施形態に係る配線基板の構造について、図１を用いて説明する。
【００１６】
図１は、本実施形態に係る配線基板の一部を示す断面図である。配線基板は可撓性を有する長尺状のフィルムであり、図１に示すように、例えば絶縁基板１０の両面に配線（第１配線２１ａ、第２配線２１ｂ）をそれぞれ有する両面配線基板となっている。
【００１７】
絶縁基板１０は液晶ポリマーを主成分とし、液晶ポリマーは例えば全芳香族ポリエステル樹脂より構成される。絶縁基板１０の厚さは、例えば２５μｍ〜１２５μｍである。絶縁基板１０には、絶縁基板１０の両面に形成された第１配線２１ａと第２配線２１ｂとの間で電気的導通をとるため、例えばビアホール３０の内面に銅めっきが施されたビア３１が一部に形成されている。
【００１８】
絶縁基板１０の両面の第１配線２１ａ及び第２配線２１ｂは、後述の第１銅箔２０ａ及び第２銅箔２０ｂをそれぞれパターニングして形成される。第１銅箔２０ａ及び第２銅箔２０ｂのそれぞれの厚さは、例えば９μｍ〜３５μｍである。
【００１９】
また、絶縁基板１０の少なくとも一方の面の配線、例えば第１配線２１ａは、少なくとも一部が絶縁基板１０に埋め込まれた状態となっている。少なくとも一部が埋め込まれた状態とは、図１に示すように、第１配線２１ａの高さと等しい分だけ絶縁基板１０に埋め込まれ、第１配線２１ａの上面と絶縁基板１０の上面とが同一の高さとなっている状態も含む。なお、図１に示した配線パターンはあくまでも一例であって、配線基板が有する第１配線２１ａ及び第２配線２１ｂにはランド等も含まれる。
【００２０】
第１配線２１ａ上には、例えばソルダーレジスト等の絶縁被膜８０ａがさらに設けられている。本実施形態においては、第１配線２１ａの少なくとも一部が絶縁基板１０に埋め込まれているため、第１配線２１ａ上に絶縁被膜８０ａを形成しても、隣り合う第１配線２１ａ、２１ａ間に絶縁被膜８０ａが入り込む余地はほとんどない。これにより、絶縁被膜８０ａの収縮による絶縁基板１０表面の凹凸の発生を抑制することができる。
【００２１】
第２配線２１ｂ上には、銅めっきパターン４１ｂが積層されている。具体的には、図１に示すように、第２配線２１ｂ上とビアホール３０の内面とを覆うように銅めっきパターン４１ｂが形成されている。ビアホール３０の内面に銅めっきを施すことでビア３１が形成され、このビア３１を介して、絶縁基板１０の両面に形成された第１配線２１ａと第２配線２１ｂとの間で電気的導通を取ることができる。なお、第２配線２１ｂ側、つまり銅めっきパターン４１ｂ上にも絶縁被膜（図示せず）が設けられていてもよい。
【００２２】
＜配線基板の製造方法＞
続いて、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法について、図２を用いて説明する。図２は、本実施形態に係る配線基板の製造工程を示すフロー図である。
【００２３】
（銅箔貼り合わせ工程）
まず、図２（ａ）に示すように、液晶ポリマーを主成分とする絶縁基板１０の両面に、それぞれ導体層としての第１銅箔２０ａ及び第２銅箔２０ｂを貼り合わせる。貼り合わせ方法としては、例えば熱による圧着がある。或いは、図示しない接着剤を介して、第１銅箔２０ａ及び第２銅箔２０ｂを貼り合わせてもよい。上記いずれの場合も、例えばロールラミネータによるラミネート法を用いて加熱加圧することにより、貼り合わせを実施する。その際、熱履歴を一定に保つため、１条掛け・多条掛けに関わらず１工程でラミネートすることが望ましい。接着剤を介する場合は、貼り合わせ後、接着剤のキュアを行う。
【００２４】
（ビアホール形成工程）
次に、図２（ｂ）に示すように、第１銅箔２０ａ及び第２銅箔２０ｂを貼り合せた絶縁基板１０に対してビアホール３０を形成する。ビアホール３０は、例えば第２銅箔２０ｂを貼り合せた側からレーザを照射し、第２銅箔２０ｂ及び絶縁基板１０を貫通させ、第１銅箔２０ａの裏面（絶縁基板１０側の面）を露出させることで形成することができる。
【００２５】
（銅めっき層形成工程）
続いて、図２（ｃ）に示すように、ビアホール３０内に銅めっき処理を施す。すなわち、電界めっきや無電界めっき等を用いて第２銅箔２０ｂ側から銅をめっきする。これによって、第２銅箔２０ｂ上と、ビアホール３０の内面とを覆うように銅めっき層４０ｂが形成される。以上により、ビアホール３０の内面に銅めっきが施されたビア３１が形成される。
【００２６】
（第１配線のパターン形成工程）
次に、第１銅箔２０ａをパターニングして第１配線２１ａを形成する。具体的には、まず、第１銅箔２０ａの全面にレジストコート材を塗布し、配線パターンを投影露光して現像し、図２（ｄ）に示すレジストパターン５０ａを得る。続いて、図２（ｅ）に示すように、第２銅箔２０ｂの全面に耐エッチング保護膜６０ｂを塗布する。そして、エッチング液等により、露出した第１銅箔２０ａをエッチングし、図２（ｆ）に示す第１配線２１ａのパターンを形成する。第１配線２１ａを形成した後、第１配線２１ａ上のレジストパターン５０ａと、第２銅箔２０ｂ上の耐エッチング保護膜６０ｂとを、アルカリ溶液のシャワーで物理的な力を加えながら、或いはアルカリ溶液に溶解させて除去すると、図２（ｇ）に示す構造が得られる。
【００２７】
図２（ｇ）の段階において、絶縁基板１０上に形成された第１配線２１ａと絶縁基板１０とは段差を有しており、第１配線２１ａ、２１ａ間には、間隙部Ｓ、すなわち、隣り合う第１配線２１ａ、２１ａのそれぞれの側面と、第１配線２１ａ、２１ａ間に露出した絶縁基板１０の表面とで区画される空間が存在している。上述のように、ソルダーレジスト等から構成される絶縁被膜８０ａは、低収縮率を有する液晶ポリマーを主成分とする絶縁基板１０に比べて熱による収縮率が大きい。このため、間隙部Ｓに絶縁被膜８０ａが入り込んで収縮すると、絶縁基板１０の絶縁被膜８０ａとは反対側の表面に凹凸が生じてしまうことがある。
【００２８】
そこで、本実施形態では、以下に示す液晶ポリマー充填工程を行い、絶縁基板１０表面の凹凸の発生を抑制する。
【００２９】
（液晶ポリマー充填工程）
液晶ポリマー充填工程では、配線２１ａと絶縁基板１０との段差を埋めるよう、第１配線２１ａ、２１ａ間の間隙部Ｓに液晶ポリマーを充填する。具体的には、まず、図２（ｈ）に示すように、例えば耐熱離形フィルム７０ａ、７０ｂにより、第１配線２１ａの形成された絶縁基板１０を両面から挟む。次に、絶縁基板１０の両面から加熱加圧する。このとき、加熱温度は例えば２００℃〜３５０℃程度とし、加える圧力は例えば１ＭＰａ〜５ＭＰａ程度とする。液晶ポリマーは熱可塑性があり、かつ流動性が高いため、上記のように加熱加圧することで、絶縁基板１０の液晶ポリマーの一部を第１配線２１ａ、２１ａ間の間隙部Ｓへと流動させ、充填することができる。
【００３０】
このとき、充填された液晶ポリマーの高さが、第１配線２１ａの上面の高さ以下となるようにする。第１配線２１ａ、２１ａ間の液晶ポリマーの高さが第１配線２１ａの高さを超え、特に液晶ポリマーが第１配線２１ａの表面に流れ出した場合、第１配線２１ａと半導体チップ等の接続端子との接合性を低下させてしまうからである。図２においては、第１配線２１ａの上面と充填された液晶ポリマーの上面とが同一の高さとなっている様子を例示する。このように、間隙部Ｓの少なくとも一部が液晶ポリマーで充填される。
【００３１】
なお、絶縁基板１０から間隙部Ｓへの流動を防止或いは軽減するために、液晶ポリマー充填工程の前、例えば第１配線のパターン形成工程における第１銅箔２０ａのエッチング後（図２（ｆ）の段階）に、間隙部Ｓに液晶ポリマーを別途、補充・充填するようにしてもよい。
【００３２】
その後、絶縁基板１０を冷却すると、再び液晶ポリマーが硬化して第１配線２１ａ、２１ａ間の間隙部Ｓに液晶ポリマーが充填された状態で固定される。耐熱離形フィルム７０ａ、７０ｂを取り除くと、少なくとも一部が絶縁基板１０に埋め込まれた第１配線２１ａが得られる。耐熱離形フィルム７０ａ、７０ｂで絶縁基板１０を挟むようにしたので、取り除く際、耐熱離形フィルム７０ａ、７０ｂへの液晶ポリマーの付着を抑えることができる。
【００３３】
（第２配線のパターン形成工程）
次に、第２銅箔２０ｂをパターニングして第２配線２１ｂを形成する。すなわち、第１配線のパターン形成工程と同様の手法により、図２（ｉ）に示すレジストパターン５０ｂを形成し、図２（ｊ）に示すように、第１配線２１ａ側の全面に耐エッチング保護膜６０ａを設けたうえで、露出した銅めっき層４０ｂ及び第２銅箔２０ｂをエッチングして、図２（ｋ）に示す銅めっきパターン４１ｂ及び第２配線２１ｂのパターンを形成する。最後に、レジストパターン５０ｂと耐エッチング保護膜６０ａとを除去すると、図２（ｌ）に示すように、絶縁基板１０の両面にそれぞれ第１配線２１ａ及び第２配線２１ｂを有する
配線基板が得られる。この後、図２（ｍ）に示すように、第１配線２１ａ上に、例えばソルダーレジスト等の絶縁被膜８０ａを設ける。或いは、第２配線２１ｂ側にも絶縁被膜（図示せず）を設けてもよい。以上により、本実施形態に係る配線基板が製造される。
【００３４】
＜一実施形態にかかる効果＞
本実施形態によれば、以下に示す少なくともひとつ以上の効果が得られる。
【００３５】
（ａ）本実施形態によれば、第１配線２１ａ、２１ａ間の間隙部Ｓには液晶ポリマーが充填されている。これによって、絶縁被膜８０ａは間隙部Ｓにはほとんど形成されず、絶縁被膜８０ａの収縮による絶縁基板１０の表面の凹凸の発生を抑制することができる。
【００３６】
従来の配線基板の製造方法は液晶ポリマー充填工程を有さず、配線間に残ったままの間隙部に絶縁被膜が入り込んでいた。熱収縮率の大きい絶縁被膜が特に間隙部で収縮すると、配線間に圧縮応力が加わり、配線パターンに対応する凹凸が絶縁基板の絶縁被膜とは反対側の面に生じてしまう場合があった。この凹凸を目視で確認すると、絶縁被膜が形成された側の配線パターンが絶縁基板の絶縁被膜とは反対側の表面に浮き出たように見えることがあった。
【００３７】
しかし、本実施形態では、第１配線２１ａ、２１ａ間の間隙部Ｓにはほとんど絶縁被膜８０ａが形成されないので、絶縁基板１０の表面の凹凸、いわゆるパターン浮きの発生を抑制することができる。
【００３８】
（ｂ）また、本実施形態によれば、上記構成により第１配線２１ａの少なくとも一部が絶縁基板１０に埋め込まれた状態となっている。これによって、第１配線２１ａの密着強度やピール強度を向上させることができる。
【００３９】
（ｃ）また、本実施形態によれば、第１配線２１ａと絶縁基板１０との段差を埋めるよう、第１配線２１ａ、２１ａ間の間隙部Ｓに液晶ポリマーを充填している。これによって、配線との段差が大きい絶縁基板の表面に絶縁被膜を形成する場合に比べ、絶縁被膜８０ａの厚さの均一性が向上する。
【００４０】
（ｄ）また、本実施形態によれば、液晶ポリマーの充填は、絶縁基板１０を構成する液晶ポリマーを間隙部Ｓへ流動させることで行っている。これによって、間隙部Ｓを充填する材料を別に用意する必要がなく、新たな材料を付加する工程も不要である。したがって、材料費を抑え、また、工程を簡略化することができ、生産性を向上させることが可能である。
【００４１】
［他の実施の形態］
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００４２】
例えば、上述の実施形態においては、第１配線２１ａ側に液晶ポリマー充填工程を行ったが、第２配線２１ｂ側に液晶ポリマー充填工程を行ってもよい。また、第１配線２１ａ側、第２配線２１ｂ側の両方に液晶ポリマー充填工程を施す場合には、第１配線２１ａ及び第２配線２１ｂの両方のパターン形成工程終了後、第１配線２１ａ側、第２配線２１ｂ側の両方に一括して液晶ポリマー充填工程を行ってもよい。
【００４３】
また、上述の実施形態においては、レーザ照射によりビアホール３０を形成することとしたが、薬液を用いたエッチング加工や、プレス加工によるパンチング、ピナクル刃（トムソン刃、彫刻刃を含む）による押し切り法等により、ビアホール３０を形成することも
可能である。または、これらいくつかの方法を組み合わせてもよい。パンチングによりビアホール３０を形成する場合、まずは銅箔の一方のみ、例えば第２銅箔２０ｂのみを絶縁基板１０に貼り合わせ、パンチングでビアホール３０を設けた後に、第１銅箔２０ａを貼り合わせてもよい。
【００４４】
また、上述の実施形態においてはビア３１を形成することとしたが、配線基板にはビア３１を形成しない場合もある。その場合、銅めっき層４０ｂの形成も不要である。
【００４５】
また、上述の実施形態においては、第１銅箔２０ａ及び第２銅箔２０ｂはロールラミネータによるラミネート法により貼り合わせるものとしたが、ロールラミネータは減圧式であってもよい。また、ダブルベルトプレスや減圧プレスによるプレス法、キャスト法、スパッタ法、蒸着法、湿式めっき法等の手法を用いることも可能である。
【００４６】
また、上述の実施形態においては、第１配線２１ａ及び第２配線２１ｂの材料として銅を用いることとしたが、他の金属材料を用いることも可能である。
【００４７】
また、上述の実施形態においては、液晶ポリマーは全芳香族ポリエステル樹脂により構成されることとしたが、半芳香族ポリエステル樹脂等により構成されていてもよい。また、液晶ポリマー以外にも、他の樹脂材等を添加してもよい。
【実施例】
【００４８】
次に、本発明に係る実施例について比較例とともに説明する。
【００４９】
まず、上述の実施形態に係る配線基板の製造方法と同様の方法を用いて、実施例に係る配線基板を製造した。このとき、絶縁基板１０として、新日鐵化学社製のエスパネックス（登録商標）のＬシリーズ用の、２５μｍ厚さの絶縁基板を用いた。また、第１銅箔２０ａ及び第２銅箔２０ｂとして、新日鐵化学社製の１８μｍ厚さのＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ：銅張積層基板）用銅箔を用いた。また、液晶ポリマー充填工程における加熱温度は２５０℃とし、加圧は２ＭＰａとした。これにより、液晶ポリマーが１５μｍ高さまで第１配線間の間隙部に充填された。すなわち、厚さ１８μｍの第１配線の上面の高さよりも３μｍ低い位置まで液晶ポリマーが充填された。その後、第１配線側に絶縁被膜を形成した。
【００５０】
一方、上述の実施形態に係る配線基板の製造方法のうち、液晶ポリマー充填工程を行わず、それ以外は上記と同様の方法を用いて、比較例に係る配線基板を製造した。絶縁基板と、第１銅箔及び第２銅箔とは、上記の実施例と同様の材料を使用し、第１配線側に絶縁被膜を設けた。
【００５１】
以上の実施例及び比較例に係る配線基板について、絶縁基板の平坦性を比較するため、絶縁被膜を形成した側とは反対側の絶縁基板の表面の高低差を、レーザ変位により測定した。レーザによる絶縁基板の表面のスキャン結果を、図３に示す。
【００５２】
図３（ａ）は本発明の実施例に係る配線基板の平坦性を測定した結果を示すグラフであり、図３（ｂ）は比較例に係る配線基板の平坦性を測定した結果を示すグラフである。図３（ａ）、（ｂ）の横軸は、絶縁基板の表面のレーザによるスキャン距離（μｍ）である。スキャン距離はともに、７４５．０００μｍとした。また、図３（ａ）、（ｂ）の縦軸は、絶縁基板の表面の凹凸（μｍ）を示している。つまり、絶縁基板の表面の平均高さを１０．００μｍの位置にとり、絶縁基板の表面の凹凸のプロファイルを示している。
【００５３】
実施例に係る配線基板について、図３（ａ）に示すスキャンの範囲Ｓ１１、Ｓ１２にお
けるそれぞれの高低差（絶縁基板の表面の最大高さと最小高さの差）を調べた。範囲Ｓ１１のスキャン距離は２４１．０２９μｍであり、この範囲内の高低差は０．６４μｍであった。範囲Ｓ１２のスキャン距離は１３９．３５９μｍであり、この範囲内の高低差は０．３６μｍであった。
【００５４】
同様に、比較例に係る配線基板について、図３（ｂ）に示すスキャンの範囲Ｓ２１、Ｓ２２におけるそれぞれの高低差（絶縁基板の表面の最大高さと最小高さの差）を調べた。範囲Ｓ２１のスキャン距離は１６４．７７６μｍであり、この範囲内の高低差は２．７２μｍであった。範囲Ｓ２２のスキャン距離は２７５．２１２μｍであり、この範囲内の高低差は２．３６μｍであった。
【００５５】
上記のように、比較例に係る配線基板においては、絶縁基板と配線との段差がそのまま残っており、絶縁基板の反対側の表面の高低差が約３μｍも生じている。これに対し、実施例に係る配線基板においては、液晶ポリマー充填工程によって絶縁基板と配線との段差が埋まり、絶縁基板の反対側の表面の高低差を１μｍ以下に抑えることができた。
【符号の説明】
【００５６】
１０    絶縁基板
２０ａ  第１銅箔
２０ｂ  第２銅箔
２１ａ  第１配線
２１ｂ  第２配線
３０    ビアホール
３１    ビア
４０ｂ  銅めっき層
４１ｂ  銅めっきパターン
【図１】
2012054326.tif 000003
【図２】
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【図３】
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