(57)【要約】【課題】薄膜サーミスタ等の電子素子の寸法が大きくなってしまう、熱応答性が悪くなる等の不都合を解消する。【解決手段】電子素子を形成してなる基板の上にガラスペーストを全面印刷、あるいは塗布によって形成する工程と、ガラス層を形成するためにガラスペーストを焼成する工程と、前記ガラス層上にフォトリソグラフィを使い所望形状のレジストを形成する工程と、ガラス層の不要部分を除去するため、レジストをマスクとしてガラス層にエッチングを施して電子素子のガラス保護膜を形成する工程と、によって電子素子のガラス保護膜を製造し、ガラス保護膜の上面を平面状とし、ガラス保護膜の厚さを薄くしたことである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子を形成してなる基板上の全面にガラスペーストを形成する工程と、
ガラス層を形成するために前記ガラスペーストを焼成する工程と、
前記ガラス層上にフォトリソグラフィを使い所望形状のレジストを形成する工程と、
前記ガラス層の不要部分を除去するため、前記レジストをマスクとして前記ガラス層にエッチングを施して前記電子素子のガラス保護膜を形成する工程と、
を有する電子素子の保護膜の製造方法。
【請求項２】
前記電子素子の保護膜の製造方法が、さらに、前記ガラス保護膜の角にアール（Ｒ）を付けるために熱処理する工程を有する電子素子の保護膜の製造方法。
【請求項３】
前記基板上に、全面印刷でガラスペーストが形成される請求項１記載の電子素子の保護膜の製造方法。
【請求項４】
前記基板上の全面に、塗布によってガラスペーストが形成される請求項１記載の電子素子の保護膜の製造方法。
【請求項５】
前記電子素子が薄膜サーミスタからなる請求項１から４のいずれかに記載の電子素子の保護膜の製造方法。
【請求項６】
電子素子を形成してなる基板上の全面にガラスペーストを形成する工程と、
ガラス層を形成するために前記ガラスペーストを焼成する工程と、
前記ガラス層上にフォトリソグラフィを使い所望形状のレジストを形成する工程と、
前記ガラス層の不要部分を除去するため、前記レジストをマスクとして前記ガラス層にエッチングを施して前記電子素子のガラス保護膜を形成する工程と、
前記ガラス保護膜の角にアール（Ｒ）を付けるために熱処理する工程と、によって製造された電子素子の保護膜。
【請求項７】
前記基板上に、全面印刷でガラスペーストが形成される請求項６記載の電子素子の保護膜。
【請求項８】
前記基板上の全面に、塗布によってガラスペーストが形成される請求項６記載の電子素子の保護膜。
【請求項９】
前記電子素子が薄膜サーミスタからなる請求項６から８のいずれかに記載の電子素子の保護膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、薄膜サーミスタ等の電子素子の保護膜およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図５は、従来の薄膜サーミスタ等の電子素子の保護膜の製造工程を示す断面図である。
【０００３】
図５（ａ）に示すように、複数（この場合３個）の薄膜サーミスタ２をなすセラミックス基板１が用意され、図５（ｂ）に示すように、この各薄膜サーミスタ２上に、スクリーン印刷等により所定量のガラスペースト３が形成される。その後、セラミックス基板１ごとガラスペースト３が焼成されると、図５（ｃ）に示すような半球状のガラス保護膜３ａが形成される。なお、セラミックス基板１上に形成された３個の薄膜サーミスタ２は、それぞれに分割されて使用される。
【０００４】
なお、記載すべき先行技術文献情報はありませんでした。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記図５に示したような従来のガラス保護膜３Ａの形成方法では、各薄膜サーミスタ２上に、スクリーン印刷等により所定量のガラスペースト３を形成し、その後、セラミックス基板１ごとガラスペースト３が焼成するようにしているので、各薄膜サーミスタ２上のガラスペースト３は、その焼成過程におきまして、そのガラスペースト３自身の表面張力等により、その上面が球状に変形し、半球状のガラス保護膜３ａが形成されてしまうものであった。
【０００６】
このように、ガラス保護膜３ａの上面が半球状となった場合、このガラス保護膜３ａの厚みが厚くなって熱容量が大きくなり、熱応答性が悪くなる問題があった。
【０００７】
さらに、このガラス保護膜３ａの上面の他の部材との接触が点接触となってしまうとともに、熱応答性が悪くなってしまう等の問題点があった。
【０００８】
この発明は、上記したような不都合を解消するためになされたもので、その課題は、電子素子の寸法を小さく抑えることができると共に、熱応答性を改善することができる電子素子の保護膜およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の特徴は、電子素子を形成してなる基板の上にガラスペーストを全面にスクリーン印刷またはスピンコータによって塗布して形成する工程と、ガラス層を形成するためにガラスペーストを焼成する工程と、前記ガラス層上にフォトリソグラフィを使い所望形状のレジストを形成する工程と、ガラス層の不要部分を除去するため、レジストをマスクとしてガラス層にエッチングを施して電子素子のガラス保護膜を形成する工程と、によって電子素子のガラス保護膜を製造し、ガラス保護膜の上面を平面状とし、ガラス保護膜の厚さを薄くしたことである。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように、本発明によれば、ガラス保護膜の高さを低く抑え、ガラス保護膜の
上面が平らになっているので、電子素子の寸法を小さく抑えることができると共に、熱応答性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明の一実施形態である電子素子の平面図である。
【図２】図１に示した電子素子のＢ−Ｂ線による断面図である。
【図３】図１および図２に示した電子素子の保護膜の製造工程を示す図１のＢ−Ｂ線による断面図である。
【図４】図１および図２に示した電子素子の保護膜の製造工程を示す図１のＢ−Ｂ線による断面図である。
【図５】従来の電子素子の保護膜の製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
この発明の実施形態に係わる電子素子の保護膜およびその製造方法について、図面を参照して説明する。なお、以下の実施形態では、電子素子として薄膜サーミスタを挙げて説明をしているが、電子素子としては薄膜サーミスタに限らず、他の種類の電子素子でもよい。
【００１３】
図１は、この発明の一実施形態である薄膜サーミスタからなる電子素子の平面図であり、図２は、図１に示した電子素子のＢ−Ｂ線による断面図である。
【００１４】
図１および図２において、本発明の第１の実施形態に係わる薄膜サーミスタ１１は、セラミックス基板１２と、このセラミックス基板１２の上に形成した第１および第２の電極膜１４Ａ，１４Ｂと、この電極膜１４Ａ，１４Ｂの一部を覆うようにセラミックス基板１２上に形成した感熱膜１５と、この感熱膜１５の上に形成した保護膜１７から構成されている。なお、図1においては、保護膜１７は、一点鎖線で示されている。
【００１５】
ここで、保護膜１７は、後述するような製造方法で形成しているので、その上面１７ａが平面状をなしており、その厚さは、後述するように、従来と比較して、薄くなっている。また、保護膜１７は、その材質がガラス成分よりなっており、その上面の角１７ｂにはアール（Ｒ）が付けられている。
【００１６】
このように、保護膜１７は、その上面１７ａが平面状をなし、かつ、その厚さが薄くなっているので、薄膜サーミスタ１１の寸法を小さく抑えることができると共に、薄膜サーミスタ１１の熱容量を小さくでき熱応答性を改善することができる。
【００１７】
次に、電子素子の保護膜の製造方法について、図３および図４を参照して説明する。
【００１８】
図３（ａ）〜（ｄ）および図４（ｅ）〜（ｈ）は、図１および図２に示した電子素子（薄膜サーミスタ）の保護膜の製造工程を示す図１のＢ−Ｂ線による断面図である。
【００１９】
なお、説明の都合上、製造途中のものと、最終構成部分とは、同一符号を用いて説明する。
【００２０】
まず、図３（ａ）に示すように、複数（この場合３個）の薄膜サーミスタ１１をなすセラミックス基板１２が用意される。ここでは、アルミナ、石英、ムライト、ステアタイトなどのセラミックスで構成したセラミックス基板１２の表面に、３個の第１および第２の電極膜１４Ａ，１４Ｂと感熱膜１５が、それぞれ形成され、３個の薄膜サーミスタ２をなすようになっている。
【００２１】
次に、図３（ｂ）に示すように、３個の薄膜サーミスタ１１をなすセラミックス基板１２上に、ガラスペーストを全面印刷、あるいはガラスペーストをスピンコートでコーティング（塗布）により形成し、その後、コンベア炉等によってガラスペーストを焼成し、厚さが５μｍ〜１５μｍのガラス層１７ｃを形成する。ここで、ガラス層１７ｃを薄く形成することで、後述するように、薄いガラス保護膜１７が形成される。
【００２２】
次に、図３（ｃ）に示すように、ガラス層１７ｃ上に感光性樹脂等からなるレジストを塗布しレジスト膜１８を形成し、図３（ｄ）に示すように、所定形状のフォトマスク１９を用いて、レジスト膜１８に紫外線照射Ｌを行って露光し、ガラス層１７ｃ上に、図４（ｅ）に示すような所望形状のレジスト２０を形成する（公知のフォトリソグラフィによってレジストを形成した）。
【００２３】
次に、図４（ｆ）に示すように、レジスト２０をマスクとしてフッ酸等の薬液でガラス層１７ｃにエッチングを施し、ガラス層１７ｃの不要部分を溶解除去し、レジスト２０を取り除けば、図４（ｇ）に示すような、その上面１７ａが平面状をなしており、その厚さが従来と比較して薄い保護膜１７が形成される。
【００２４】
すなわち、上述のような製造方法で、ガラス保護膜１７を形成すれば、図４にしめした従来例のようにガラスペースト３を用いてスクリーン印刷等によりガラス保護膜を形成した場合と比較して、その上面１７ａを平面状とすることができると共に、寸法のパターニング精度も良く、尚且つその厚さを薄くすることができる。この実施形態の場合、ガラス保護膜１７の厚さは、５μｍ〜１５μｍの範囲で厚みをコントロールできる。
【００２５】
そして、最後に、図４（ｈ）に示すように、熱処理を行ってガラス保護膜１７の角にアール（Ｒ）を付ける。これは、図４（ｆ）に示すエッチングにより、ガラス保護膜１７の角にエッジが立ち、チップ化したときにチップ同士でエッジを傷つける恐れがあるため、ガラス保護膜１７の角１７ｂにアール（Ｒ）を付けて上記問題が起らないようにしているものである。
【００２６】
この発明は前述の発明の実施の形態に限定されることなく、適宜な変更を行うことにより、その他の態様で実施し得るものである。
【符号の説明】
【００２７】
１…セラミックス基板、２…薄膜サーミスタ、３…ガラスペースト、
３ａ…ガラス保護膜、１１…薄膜サーミスタ、１２…セラミックス基板、
１４Ａ，１４Ｂ…電極膜、１５…感熱膜、１７…ガラス保護膜、
１７ａ…ガラス保護膜の上面、１７ｂ…ガラス保護膜の角、１７ｃ…ガラス層、
１８…レジスト膜、１９…フォトマスク、２０…レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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