(57)【要約】 【課題】ビアホール加工性に優れた回路基板、回路基板の製造方法および半導体装置を提供すること【解決手段】絶縁層２１と、絶縁層２１の少なくとも一方の面側に厚さが２.０μｍより大きく、１２μｍ以下である金属層１１とが積層された積層板を用意する工程と、  金属層１１を選択的に除去した後、選択的に除去した部分にレーザを照射することにより絶縁層２１に貫通孔１９を形成する工程と、金属層１１をエッチングにより所望の厚みを除去する工程と、金属層１１および貫通孔１９内壁面に導体層１５を形成する工程と、を含むことを特徴とする回路基板１の製造方法である。【選択図】 図１
2012054382.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層の少なくとも一方の面側に厚さが２.０μｍより大きく、１２μｍ以下である金属層とが積層された積層板を用意する工程と、
前記金属層を選択的に除去した後、選択的に除去した部分にレーザを照射することにより前記絶縁層に貫通孔を形成する工程と、
前記金属層をエッチングにより所望の厚みを除去する工程と、
前記金属層および前記貫通孔内壁面に導体層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記導体層を形成した後、
前記導体層の表面に開口部を設けたレジスト層を形成する工程と、
前記導体層の前記開口部に電解めっきにより導体部を形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、をさらに含む請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記導体層は、無電解めっきにより形成される請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかの方法で製造された回路基板。
【請求項５】
請求項４に記載の回路基板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板、回路基板の製造方法および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板へ導体回路を形成する方法には、大別してサブトラクティブ法とセミアディティブ法が知られている。セミアディティブ法では、導体回路の精細度を決定する要因が、フォトリソグラフィ法で用いるめっきマスク（フォトマスク）の精度に依存するために、セミアディティブ法で形成する導体回路の精度は、サブトラクティブ法においてエッチング法で形成する導体回路の精度に比べると、回路幅精度に優れた工法である。従って、高精細な導体回路を形成する手法としては、セミアディティブ法が有利である（例えば特許文献１）。
【０００３】
しかしながら、例えば、セミアディティブ法で導体回路を形成する手法では、電解めっきの給電を取るための導体層を導体回路形成後に除去することが必要となる。導体層は、薄さ、厚み分布の均一性が求められる。この要求を満たすためには金属箔の厚さの薄い金属箔積層板（極薄金属箔積層板とも言う）を使用する必要がある。一方で、極薄金属箔をエッチングにより選択的に除去するコンフォーマルマスク法で、層間接続用ビアホールをレーザ形成する場合において、金属箔が薄いためよる、金属箔下の絶縁層樹脂の熱劣化、金属箔と絶縁層の剥離、金属箔表面の変質等の問題があり、導体回路形成における不具合、さらには絶縁信頼性が低下するといった問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３７１３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ビアホール加工性に優れた回路基板、回路基板の製造方法および半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような課題は、下記（１）〜（５）に記載の本発明により達成される。
（１）絶縁層と、前記絶縁層の少なくとも一方の面側に厚さが２.０μｍより大きく、１２μｍ以下である金属層とが積層された積層板を用意する工程と、
前記金属層を選択的に除去した後、前記選択的に除去した部分にレーザを照射することにより前記絶縁層に貫通孔を形成する工程と、
前記金属層をエッチングにより所望の厚みを除去する工程と、
前記金属層および前記貫通孔内壁面に導体層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
（２）前記導体層を形成した後、
前記導体層の表面に開口部を設けたレジスト層を形成する工程と、
前記導体層の前記開口部に電解めっきにより導体部を形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、をさらに含む上記（１）に記載の回路基板の製造方法。
（３）前記導体層は、無電解めっきにより形成される上記（１）または（２）に記載の回路基板の製造方法。
（４）上記（１）ないし（３）のいずれかの方法で製造された回路基板。
（５）上記（４）に記載の回路基板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、貫通孔の精度がよく、導体回路微細化を可能とする信頼性の高い回路基板、回路基板の製造方法および半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態にかかる回路基板の断面図である。
【図２】回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図３】回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】回路基板上に半導体チップを搭載する工程を示す図である。
【図７】半導体装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
本実施形態では、両面に回路層が形成された両面の回路基板１を例にあげて好適な製造方法について以下に説明する。
なお、本発明はこれから説明するものに限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
たとえば、絶縁層を複数積層したビルドアップ多層プリント配線基板においても適応される。
【００１０】
はじめに、本実施形態で説明する製造方法で得られた回路基板１について説明する。図１に示すように、回路基板１は、導電体２０が貫通する絶縁層２１と、絶縁層２１の一方の面側（図中上面）に設けられ、導電体２０に接続された第一回路パターン２２と、この第一回路パターン２２を被覆するとともに、第一回路パターン２２の一部上に開口が形成された第一被覆層（第一ソルダーレジスト層ともいう）２３と、絶縁層２１の他方の面側（図中下面）に設けられ、導電体２０に接続された第二回路パターン２４と、第二回路パターン２４を被覆する第二被覆層（第二ソルダーレジスト層ともいう）２５と、第一被覆層２３の開口内に設けられた半田層２６と、第二被覆層２５の開口内に設けられた半田ボール２９を備える。以下、図中上面を上面、図中下面を下面ともいう。第一被覆層２３は、第一回路パターン層２２を被覆するとともに、第一回路パターン層２２の一部の上方に位置する部分に開口が形成されている。さらにこの開口内には、第一回路パターン層２２に接続された金属層２７と、この金属層２７上に設けられた半田層２６とが配置されている。金属層２７は、たとえば銅層２７１、ニッケル層２７２等の積層構造である。
【００１１】
次に、回路基板１の好適な製造方法について説明する。
はじめに、絶縁層２１の上面に第一金属層１１が、下面にに第二金属層１２が設けられた金属張り積層板１０を用意する（図２（ａ））。
【００１２】
（絶縁層２１）
絶縁層２１としては、プリント配線板の絶縁材料として汎用的に用いられる樹脂複合材料を用いることができる。例えば、樹脂組成物を繊維基材に含浸または塗工したプリプレグを加熱硬化させた樹脂基材や、樹脂フィルムを用いることができる。
【００１３】
絶縁層を構成する樹脂組成物としては、例えば、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂などを単独あるいは複数組み合わせて用いることができる。樹脂組成物には低熱膨張性向上の為に、無機充填材を含んでいてもよい。
【００１４】
繊維基材を構成する基材としては、例えば、ガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材、あるいはガラス以外の無機化合物を成分とする繊布又は不繊布等の無機繊維基材があげられる。これらのなかでも、プリント配線基板としたときの剛性の面からガラス織布繊維基材が好ましい。
【００１５】
プリプレグを用いる場合は、前記熱硬化性樹脂に無機充填材、必要に応じて、硬化剤、硬化促進剤を調整した樹脂ワニスを、ガラス織布繊維基材等の基材に含浸し、乾燥させることで絶縁層２１が得られる。
【００１６】
プリプレグの表裏面に金属層を重ね加熱加圧成形することによって、金属張り積層板１０を得ることができる。また、絶縁層２１にめっき処理を直接施すことでも金属張り積層板１０を得ることができる。ただし、積層板を得る方法は上記限定されるものではなく、適宜選択することができる。
【００１７】
樹脂フィルムを使用する場合は、樹脂フィルムとしては、例えばポリイミド樹脂フィルム、ポリエーテルイミド樹脂フィルム、ポリアミドイミド樹脂フィルム等のポリイミド樹脂系樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム等のポリアミド樹脂系フィルム、ポリエステル樹脂フィルム等のポリエステル樹脂系フィルムが挙げられる。これら中でも主としてポリイミド樹脂系フィルムが好ましい。これにより、弾性率と耐熱性を特に向上することができる。
【００１８】
樹脂フィルムを用いる場合、金属層にベースとなる樹脂を塗布し加熱乾燥して積層板としたもの、金属箔に接着剤樹脂を塗布し、樹脂フィルムを加熱加圧成形した積層板としたもの、樹脂フィルムに直接スパッタリングやめっきにより金属層を形成し積層板としたものを使用することができる。ただし、積層板を得る方法は上記限定されるものではなく、適宜選択することができる。
【００１９】
絶縁層２１の厚みは、回路基板１の仕様に決定されるものであり、特に限定されるものではないが、２０μｍ〜３００μｍが好ましく、より好ましくは４０μｍ〜１００μｍである。
【００２０】
次に第一金属層１１について説明する。第一金属層１１の金属種はニッケル、クロム、コバルト、モリブデン、バナジウム、タングステンまたは銅などの単一金属か、またはそれらの合金薄膜が好適である。また、極薄金属層を用いる場合は、金属種としては、ステンレス、ニッケル、アルミ、鉄、銅などがもちいられ、エッチング性などから銅がより好適に用いられる。
【００２１】
第一金属層１１の厚みは２μｍより大きく、１２μｍ以下である。第一金属層１１が２μｍよりも薄い場合は、第一金属層１１のビーム照射部付近の熱容量が小さく放熱がなされにくい為に熱蓄積が起こる。そのため、貫通孔周辺の第一金属層１１下面にある絶縁層２１の樹脂が熱により劣化する。第一金属層１１と絶縁層２１の密着が劣化し、信頼性が低下する。また、第一金属層１１のビーム照射部付近の熱蓄積における金属表面の変色が生じ、これらは後工程にて第一金属層１１を除去することで取り除くことが可能であるが、第一金属層１１が２μｍよりも薄い場合は、第一金属層１１を薄く残して除去することが困難となり絶縁層２１が露出する恐れが生じる。第一金属層１１が１２μｍよりも厚い場合は、セミアディティブプロセスにおける電解めっきの給電を取るための第一金属層１１および導体層を回路パターン形成後に除去することが困難となり、微細回路形成が困難となる。また、後工程において第一金属層１１を所望の厚みに除去するが、第一金属層１１が１２μｍよりも厚い場合は、第一金属層１１の除去量が多いため、第一金属層１１を厚み精度よく均一に除去することが困難となる。すなわち、厚みばらつきが大きくなることで、セミアディティブプロセスにおける電解めっきの給電を取るための第一金属層１１および導体層を回路パターン形成後に除去することが困難となり回路微細回路形成が困難となる。
【００２２】
第二金属層１２としては、第一金属層１１と金属の種類、金属の厚さは異なっていてもよいし、同じであってもよい。第二金属層１２側においても第一金属層１１側と同じ回路パターンの微細化と精度要求あるのであれば、第一金属層１１と同種であることが好ましい。
【００２３】
次に、レジスト形成、マスク露光、現像、エッチング除去、剥離により第一金属層の貫通孔の形成部分を選択的に除去する（コンフォーマルマスク形成）。
また、所望する貫通孔の直径に相当する開口径を持つコンフォーマルマスクを形成することが好ましい（図２（ｂ））。
【００２４】
第一金属層１１を選択的に除去した部分に第一金属層１１面側からレーザを照射する。レーザを照射することにより絶縁層２１に貫通孔１９を形成する（図２（ｃ））。レーザをとしては、例えば、炭酸ガスレーザ加工機、ＵＶレーザ加工機、エキシマレーザ加工機などがあり、好ましくは、炭酸ガスレーザ加工機である。炭酸ガスレーザ加工機がより好ましい。炭酸ガスレーザ加工機が、無機基材の加工が比較的容易な発振波長領域である点が挙げられる。
レーザの加工条件としては特に限定はされないが、例えば、絶縁層２１の厚みが４０μｍで第一金属層１１および第二金属層１２の厚みが３μｍでかつ炭酸ガスレーザ加工機を用いる場合は、好ましくはビーム径１００〜１８０μｍ、パルス幅１〜１００μｍ、基準エネルギー０．５〜９．０ｍＪであり、より好ましくはビーム径１１０〜１３０μｍ、パルス幅１〜２０μｍ、基準エネルギー１．０〜３．０ｍＪである。
例えば、絶縁層２１の厚みが１００μｍで第一金属層１１および第二金属層１２の厚みが１２μｍでかつ炭酸ガスレーザ加工機を用いる場合は、好ましくはビーム径１００〜１８０μｍ、パルス幅１〜１００μｍ、基準エネルギー０．５〜９．０ｍＪであり、より好ましくはビーム径１１０〜１３０μｍ、パルス幅３０〜５０μｍ、基準エネルギー６．０〜８．０ｍＪである。
また、レーザ加工後の貫通孔１９内の炭化物残渣を過マンガン酸デスミア処理やプラズマ洗浄等で適宜洗浄除去することが好ましい。
【００２５】
次に、第一および第二金属層の表層の金属層を所定の厚みに除去する（図２（ｄ））。所定の厚さとしては、２．０μｍ以下とすることが好ましい。これにより、電解めっきにより電極として用いる第一および第二金属層１１、１２は薄膜化されてセミアディティブプロセス工法にける第一回路パターン層２２および第二回路パターン層２４の除去工程の除去量を減らすことができる。これにより微細回路形成がし易くなる。
また、第一および第二金属層１１、１２の表層の金属層を所定の厚みに除去することで、レーザ加工時に発生した第一金属層１１上の貫通孔１９周辺部に発生するスミアの除去や第一および第二金属層１１、１２上の金属酸化膜の除去を行うことが出来る。これにより貫通孔１９周辺の電解めっきの盛り上がりや変色析出などの異常析出を抑えた平滑な電解めっきを行うことが出来る。
【００２６】
第一および第二金属層１１、１２の表層金属層を所定の厚みに除去する方法としては、アルカリ性エッチング液、塩化第二鉄エッチング液、塩化第二銅エッチング液、過酸化水素‐硫酸エッチング液を用いた方法があげられるが、特に、エッチングの速度の制御が容易で安定性に優れた過酸化水素‐硫酸エッチング液が好ましい。また、使用する設備の機構としては、高圧スプレー方式や浸漬方式で行うことが好ましい。特に高圧スプレー方式がより好ましい。高圧スプレー方式においては金属層の厚みを回路基板１の面内均一量を精度よく除去することができる。
【００２７】
次に、第一および第二金属層１１、１２上および、絶縁層２１の貫通孔１９内壁面に導体層１５を付与する（図３（ａ））。導体層１５の厚さとしては、例えば、０．０５μｍ以上、２．０μｍ以下が好ましい。導体層１５の形成方法としては、スパッタリング法、蒸着法、無電解めっき法が好ましい。その中では無電解めっき法が好ましい。また、導体層１５としてはニッケル、クロム、コバルト、モリブデン、バナジウム、タングステンまたは銅などの単一金属か、またはそれらの合金が好適である。特に、貫通孔１９内の絶縁層２１内壁部分との導体密着性、および、セミアディディププロセスの給電層となる第一および第二金属層１１、１２および導体層１５の除去性を鑑みると、銅がより好適である。
【００２８】
その後、図３（ｂ））に示すように、回路パターンを形成しない部分にレジストマスクＭを配置する。レジストマスクＭとしてはフィルム状のネガ型感光性レジストを用いることができる。
レジストマスクＭの形成方法としては、ネガ型感光性レジストを例えば真空ラミネータなどを用いて導体層上に形成する。次に、回路パターンを形成する部分をマスクしたフォトマスクを用いて、紫外線照射を行う。次に、現像を行う。現像液としては炭酸ナトリウム溶液を用いることができる。
【００２９】
次に、導体層１５上にめっきを施す（図３（ｃ））。めっきの方法としては硫酸銅めっきを用いることができる。めっきの厚みは回路パターン部分において１μｍ以上、５０μｍ以下が好ましく、５μｍ以上、４０μｍ以下がより好ましい。これにより、ビアとなる導電体２０を形成するとともに、金属膜４２を形成する（金属膜４２は、導体層１５と導体層１５上のめっき膜を示す）。
【００３０】
次に、レジストマスクを剥離液によって剥離する。剥離液としては、例えば、アルカリ水溶性の液体を用いることができる。
【００３１】
次に、レジストマスクが形成されていた部分の第一および第二金属層１１、１２および導体層１５を除去する。除去方法としては、過酸化水素‐硫酸エッチング液と高圧スプレー方式が好ましい。また、第一および第二金属層１１、１２は導体層１５の形成前に薄膜化されている為、速やかにエッチング除去が可能となる。さらには電解めっきによって形成された第一および第二回路パターン２２、２４を長い時間エッチング等にさらすことがないので回路精度に優れ、かつ、高密度配線に適した回路基板とすることが出来る。
【００３２】
その後、図４（ａ）に示すように第一および第二回路パターン２２、２４上に、第一および第二ソルダーレジスト層２３、２５を形成する。第一および第二ソルダーレジスト層２３、２５は感光性タイプや非感光性タイプのものが上げられる。また、シート状や液状のものが上げられる。これらは適宜選択すればよい。
次に、図４（ｂ））に示すように、第一および第二ソルダーレジスト層２３、２５が感光性タイプの場合は、たとえば、マスク露光、現像工程を経て開口部を形成することができる。
また、非感光タイプの場合は、たとえば、レーザ光を照射し開口部を形成することができる。
以上の工程により、回路基板１が完成する。
【００３３】
次に、この回路基板１を使用した半導体装置６の製造方法について説明する。
なお、本発明はこれから説明するものに限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００３４】
（半導体実装）
第一ソルダーレジスト層２３の開口部に接続端子２６を形成する。接続端子２６の形成方法は特に限定はされず、回路基板１および半導体素子６の仕様により適宜決めることができるが、めっき法、ペースト印刷法、ボール搭載法が好ましい。また、必要に応じて開口部の回路パターン部を保護する表面処理を行うことが好ましい。表面処理としては、無電解ニッケルめっきを施したあと、置換金めっきを用いることができる（図５）。
【００３５】
次に、半導体素子５を回路基板１に実装する。
具体的な方法は回路基板１および半導体素子５の仕様により適宜決めることができるが、フラックス活性を有する接着剤３を介して半導体素子の電極と回路基板の接続端子を加熱加圧により接続する方法や、半導体素子の電極と回路基板の接続端子を加熱加圧により接続した後、液状アンダーフィル３を接続部分に注入する方法により実装することができる（図６）。
【００３６】
（樹脂封止）
次に、半導体素子５を設置した回路基板１を、エポキシ樹脂組成物と金型を用いて圧縮成形し半導体素子を回路基板上に封止する。これにより、得られた半導体装置６の信頼性を確保することができる。
【００３７】
（半田ボール搭載）
さらに、第二ソルダーレジスト層２５の開口部に半田ボール２９を形成する。これにより、他の基板等への２次実装が容易となる。半田ボール２９を付与する方法としては、例えばめっき法、ペースト印刷法、ボール搭載法が挙げられる。必要に応じて開口部の回路パターン部を保護する表面処理２８を行うことが好ましい。
【００３８】
（ダイシング）
次に、図７に示すように、回路基板を分割し、一つの半導体素子と、分割された一つの回路基板とで構成される複数の半導体装置６を得る。
【実施例】
【００３９】
次に、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
【００４０】
実施形態と同様の方法で回路基板を製造した。
以下のようにして絶縁層を作製した。ガラス繊維基材にエポキシ樹脂組成物を含浸し厚さ４０μｍのプリプレグを作成した。次に、プリプレグの一方の面に第一金属層として剥離層で支持部材である１２μｍピーラブル銅箔が付いた３μｍの銅箔、他方の面に第二金属層として第一の金属層と同様の銅箔を積層し、加圧加熱成形して厚みが４６μｍの金属張り積層板を作成した。
【００４１】
次に、１２μｍピーラブル銅箔を剥した後に、レジスト形成、マスク露光、現像、エッチング除去、剥離により第一金属層の貫通孔の形成部分を選択的に除去するしコンフォーマルマスクを形成した。コンフォーマルマスクの開口径は７５μｍであった。
【００４２】
次に、コンフォーマルマスクを形成した第一金属層面側から炭酸ガスレーザ加工機を用いて、パルス幅３μｍ、基準エネルギー１．３ｍＪ、ビーム径１２０μｍを照射し、プラズマ洗浄を行うことでφ７５μｍの貫通孔を得た。
【００４３】
次に、過酸化水素‐硫酸エッチング液を用いて高圧スプレー方式により、第一および第二金属層の厚みが２．０μｍとなるようにエッチング処理を行った。
【００４４】
次に、第一および第二金属層上および、絶縁層の貫通孔内部に無電解銅めっきを行い厚さ１μｍの導体層を付与した。
【００４５】
次に、フィルム状のネガ型感光性レジストＵＦＧ−２５５（旭化成イーマテリアルズ製）を第一金属層および第二金属層にラミネートし、フォトマスクを利用して紫外線照射し、現像を行った後、回路パターン用のレジストマスクが得られた。
【００４６】
次に、液温２５℃０．５Ａ／ｄｍ２の条件で回路パターン部分で硫酸銅めっきを厚み１５μｍ行い、レジストマスクを剥離液によって剥離し、過酸化水素‐硫酸エッチング液を用いて高圧スプレー方式により、回路パターン部以外の第一および第二の金属層および導体層を除去することで、最小ピッチ６０μｍの回路パターンを形成した。
【００４７】
次に、シート状感光性ソルダーレジストＰＦＲ−８００  ＡＵＳ４１０（太陽インキ製）を用いて、第一および第二回路パターン上にラミネートし、フォトマスクを利用して紫外線照射し、ポストキュアし、現像を行った後、第一および第二ソルダーレジスト層が得られた。
【００４８】
次に、第一および第二ソルダーレジスト層の開口部から露出した、第一および第二回路パターンを無電解ニッケルめっき２．０μｍ、置換金めっき０．１μｍで表面処理を施し回路基板を得た。
【００４９】
得られた回路基板の第一ソルダーレジスト層の開口部にボール搭載を行い、シート状フラックス活性機能付き接着剤をラミネートし、半導体素子（ＴＥＧチップ、サイズ１５ｍｍ×１５ｍｍ、厚み０．８ｍｍ）を加熱加圧により実装した。
【００５０】
次に、半導体素子を設置した回路基板を、エポキシ樹脂組成物を用いて圧縮成形し半導体素子を回路基板上に封止し、ダイシングにより回路基板を分割し、半導体素子と分割された一つの回路基板とで構成される複数の半導体装置を得た。
【００５１】
（実施例２）
ガラス繊維基材にエポキシ樹脂組成物を含浸し厚さ４０μｍのプリプレグを作成した。次に、プリプレグの一方の面に第一金属層として１２μｍの極薄銅箔、他方の面に第二金属層として第一の金属層と同様の銅箔を積層し、加圧加熱成形して厚みが１２４μｍの積層板を作製し、炭酸ガスレーザ条件を、パルス幅３μｍ、基準エネルギー１．３ｍＪ、ビーム径１２０μｍを照射し、φ７５μｍの貫通孔を得た以外は実施例１と同等にして、半導体素子と分割された一つの回路基板１とで構成される複数の半導体装置を得た。
【００５２】
（実施例３）
ガラス繊維基材にエポキシ樹脂組成物を含浸し厚さ１００μｍのプリプレグを作成した。次に、プリプレグの一方の面に第一金属層として１２μｍの極薄銅箔、他方の面に第二金属層として第一の金属層と同様の銅箔を積層し、加圧加熱成形して厚みが１２４μｍの積層板を作製し、炭酸ガスレーザ条件を、パルス幅４μｍ、基準エネルギー７．０ｍＪ、ビーム径１６０μｍを照射し、φ７５μｍの貫通孔を得た以外は実施例１と同等にして、半導体素子と分割された一つの回路基板１とで構成される複数の半導体装置を得た。
【００５３】
以上、実施例１〜３いずれにおいても貫通孔の精度がよく、微細回路が最小ピッチ６０μｍの回路基板および半導体装置を得ることができた。
【符号の説明】
【００５４】
１     回路基板
２     基板
３     樹脂層
５     半導体素子
６     半導体装置
１０   積層板
１１   第一金属層
１２   第二金属層
１５   導体層
１９   貫通孔
２０   導電体
２１   絶縁層
２２   第一回路パターン層
２３   第一被覆層（第一ソルダーレジスト層）
２４   第二回路パターン層
２５   第二被覆層（第二ソルダーレジスト層）
２６   半田層
２７   金属層
２８   金属層
２９   半田ボール
４１   金属膜
４２   金属膜
２７１ 銅層
２７２ ニッケル層
Ｍ     マスク
【図１】
2012054382.tif 000003
【図２】
2012054382.tif 000004
【図３】
2012054382.tif 000005
【図４】
2012054382.tif 000006
【図５】
2012054382.tif 000007
【図６】
2012054382.tif 000008
【図７】
2012054382.tif 000009