(57)【要約】【課題】親水性付与が所望される表面への親水性付与の実効性を高める。【解決手段】表面処理を受ける被処理材Ｗを、窒素充填済みの処理室１１０にワークテーブル１４０にて収容し、この収容済みの被処理材Ｗに対して、親水基の生成源となる酸素を被処理材Ｗの被処理表面に沿った層状のガス流ＯＦとして放出し、酸素の活性化を誘発する紫外線を、処理室１１０に収容済みの被処理材Ｗの被処理表面に向けて紫外線照射光源１２０から照射する。【選択図】図２
2012200622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
親水性を付与する表面処理装置であって、
表面処理を受ける被処理材を収容する処理室と、
親水基の生成源となるガスの活性化を誘発するエネルギー波を、前記処理室に収容済みの前記被処理材の被処理表面に向けて照射するエネルギー波照射部と、
該照射された前記エネルギー波の減衰を前記処理室において抑制する減衰抑制部と、
前記ガスを前記被処理表面に沿った層状のガス流として放出するガス放出部とを備える
表面処理装置。
【請求項２】
前記ガス放出部は前記ガスとして酸素を放出し、前記エネルギー波照射部は紫外線を照射し、前記減衰抑制部は前記処理室の内部を窒素充填の環境に置く請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項３】
前記被処理材を載置した状態で前記処理室に進退可能とされた処理材載置テーブルを備え、該処理材載置テーブルは、前記被処理材の前記被処理表面が前記ガス放出部の放出する前記層状のガス流の下方側に位置するよう前記処理室に進出する請求項１または請求項２に記載の表面処理装置。
【請求項４】
親水性を付与する表面処理方法であって、
表面処理を受ける被処理材を、窒素充填済みの処理室に収容し、
該収容済みの前記被処理材に対して、親水基の生成源となる酸素を前記被処理材の被処理表面に沿った層状のガス流として放出し、
前記酸素の活性化を誘発する紫外線を、前記処理室に収容済みの前記被処理材の前記被処理表面に向けて照射する
表面処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、親水性を付与する表面処理に関する。
【背景技術】
【０００２】
親水性を付与する処理は、種々の産業分野にて実施されており、紫外線にて酸素を活性化させてオゾンを生成し、そのオゾンにて被処理表面に親水基（水酸基）を形成する手法が一般的である（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０９−２５２７０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の特許公報では、光照射部と処理基板との間の酸素濃度を均一にした上で紫外線を照射して基板表面にオゾンにより親水基（水酸基）を形成し、これにより表面に親水性を付与している。しかしながら、以下に説明する理由から、更なる親水性付与の効率向上が要請されている。
【０００５】
紫外線の照射を受けた酸素は、紫外線のエネルギーを受けて活性化し、オゾンに変遷する。そして、光源から照射された紫外線は、処理基板表面に達するものの、光源の周辺において既に酸素を活性化させていることから、基板表面に到達する紫外線強度は低下してしまう。このため、基板表面においては、酸素からオゾンへの変遷が光源周辺より鈍り、変遷したオゾンによる基板表面の親水基生成、延いては親水性付与が所望通りに進まないことが危惧される。なお、光源と処理基板とを近接配置すれば、基板表面に到達する紫外線強度の低下を抑制できるものの、上記特許公報ではその図６にて説明されているように、酸素濃度が不均一となり、その採用が見送られているのが実情である。
【０００６】
本発明は、上記した課題を踏まえ、親水性付与が所望される表面への親水性付与の実効性を高めることをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した目的の少なくとも一部を達成するために、本発明では、以下の構成を採用した。
【０００８】
[適用１：表面処理装置]
親水性を付与する表面処理装置であって、
表面処理を受ける被処理材を収容する処理室と、
親水基の生成源となるガスの活性化を誘発するエネルギー波を、前記処理室に収容済みの前記被処理材の被処理表面に向けて照射するエネルギー波照射部と、
該照射された前記エネルギー波の減衰を前記処理室において抑制する減衰抑制部と、
前記ガスを前記被処理表面に沿った層状のガス流として放出するガス放出部とを備える
ことを要旨とする。
【０００９】
上記構成の表面処理装置では、親水基の生成源となるガスを放出するに当たり、処理室に収容済みの被処理材の被処理表面に沿った層状のガス流としてガスを放出させるので、被処理表面をガスリッチな状態とする。その上で、エネルギー波照射部から照射されたエネルギー波の減衰を抑制するので、ガスリッチな状態の被処理表面には、エネルギー波を強度低下を抑制して到達させて、このエネルギー波によりガスを活性化させる。この結果、上記構成の表面処理装置によれば、エネルギー波により活性化したガスの変遷を経た親水基の形成を、被処理表面においてより確実に且つ活発に起こすことができるので、高い実効性で被処理表面に親水性を付与できる。しかも、親水性付与に当たり、エネルギー波照射部を被処理材に近接配置する必要がない。
【００１０】
上記した表面処理装置は、次のような態様とすることができる。例えば、前記ガス放出部を前記ガスとして酸素を放出するものとし、前記エネルギー波照射部を紫外線を照射するものとし、前記減衰抑制部を前記処理室の内部を窒素充填の環境に置くものとできる。紫外線は窒素により吸収されがたいことから、上記態様によれば、処理室における紫外線の減衰を容易に抑制した上で、被処理材の被処理表面において紫外線照射により酸素をオゾンに変遷させ、このオゾンにより高い実効性で被処理表面に親水性を付与できる。
【００１１】
また、前記被処理材を載置した状態で前記処理室に進退可能な処理材載置テーブルを有するようにし、この処理材載置テーブルを、前記被処理材の前記被処理表面が前記ガス放出部の放出する前記層状のガス流の下方側に位置するよう前記処理室に進出するようにすることができる。こうすれば、処理室外での処理材載置テーブルへの被処理材のセットにより、ライン作業的に被処理表面に親水性を付与でき、生産性の向上やコスト低下を図ることができる。
【００１２】
[適用２：表面処理方法]
親水性を付与する表面処理方法であって、
表面処理を受ける被処理材を、窒素充填済みの処理室に収容し、
該収容済みの前記被処理材に対して、親水基の生成源となる酸素を前記被処理材の被処理表面に沿った層状のガス流として放出し、
前記酸素の活性化を誘発する紫外線を、前記処理室に収容済みの前記被処理材の前記被処理表面に向けて照射する
ことを要旨とする。
【００１３】
上記した手順を有する表面処理方法によれば、被処理材の被処理表面における効率的な酸素からオゾンへの変遷を経て、高い実効性で被処理表面に親水性を付与できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施例の表面処理装置１００の概略構成を透視して模式的に示す説明図である。
【図２】表面処理装置１００の概略構成を処理室１１０の概略断面視と共に示す説明図である。
【図３】酸素放出管１３１の概略を示す斜視図である。
【図４】既存構成の表面処理装置１００Ｈの概略構成を透視して模式的に示す説明図である。
【図５】処理室１１０での酸素濃度と被処理材Ｗの表面に到達する紫外線光量の積算値との関係および被処理材Ｗに付与された親水性を示す水滴接触角の低下値の関係を示すグラフである。
【図６】既存構成の表面処理装置１００Ｈにおける紫外線照射光源１２０と被処理材Ｗとの間におけるオゾン分布の様子を模式的に示す説明図である。
【図７】酸素を層状のガス流ＯＦでより確実に流す変形例の表面処理装置１００Ａの概略構成を模式的に示す説明図である。
【図８】紫外線照射光源１２０のオゾンによる損傷回避を図る変形例の表面処理装置１００Ｂの概略構成を模式的に示す説明図である。
【図９】燃料電池を含む燃料電池スタックの製造手順を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、その実施例を図面に基づき説明する。図１は本実施例の表面処理装置１００の概略構成を透視して模式的に示す説明図、図２は表面処理装置１００の概略構成を処理室１１０の概略断面視と共に示す説明図、図３は酸素放出管１３１の概略を示す斜視図である。
【００１６】
図１〜図２に示すように、表面処理装置１００は、処理室１１０と、紫外線照射光源１２０と、酸素放出系１３０と、窒素充填系１３５と、ワークテーブル１４０と、制御装置２００とを有する。処理室１１０は、気密に構成され、親水化付与のための被処理材Ｗを収容する。紫外線照射光源１２０は、処理室１１０の天井側に複数設置され、親水基である水酸基（ＯＨ）の生成源となる酸素の活性化を誘発する紫外線を放射する。本実施例では、紫外線照射光源１２０を、酸素の活性化の上で効率が高いとされている１７２ｎｍの波長の紫外線を放射するものとし、この紫外線を処理室１１０に収容済みの被処理材Ｗの被処理表面（図では上面）に向けて照射する。なお、照射する紫外線の波長は、上記の波長に限られるものではなく、酸素の活性化を経てオゾン生成が可能なエネルギーを有する波長であればよい。また、被処理材Ｗにあっては、その使用目的に適った強度や形状の金属鋼板や他の部材でもよく、本実施例では、被処理材Ｗをチタン製の薄板鋼板、或いはこの薄板鋼板を用いて構成済みの燃料電池用セパレーターとした。
【００１７】
図２に示すように、酸素放出系１３０は、酸素放出管１３１とガス貯留放出部１３２とを備え、後述する制御装置２００からの制御信号を受けて処理室１１０に酸素を放出する。ガス貯留放出部１３２は、酸素を貯留した図示しないタンクと当該タンクから酸素放出管１３１に延びる管路を備え、酸素放出管１３１に酸素を送り出す。酸素放出管１３１は、処理室１１０において、ワークテーブル１４０にセットされた被処理材Ｗの側方に配設され（図１〜図２参照）、図３に示すように軸線に沿ってスリット１３１ｓを有する。酸素放出管１３１は、このスリット１３１ｓを被処理材Ｗの被処理面より上方において被処理材Ｗの長手方向に延ばすので、ガス貯留放出部１３２から送られた酸素を、図２に示すように、酸素放出管１３１にて被処理材Ｗの被処理面に沿った層状のガス流ＯＦとして放出する。
【００１８】
窒素充填系１３５は、窒素放出部１３６とガスセンサー１３７とを備える。窒素放出部１３６は、純窒素を貯留した図示しないタンクと当該タンクから処理室１１０の内部まで延びる放出管路を備え、後述する制御装置２００からの制御信号を受けて処理室１１０に純窒素を放出する。ガスセンサー１３７は、処理室１１０の内部において紫外線照射光源１２０の側に位置し、光源周辺のオゾン濃度を検知してその検知信号を制御装置２００に出力する。制御装置２００は、ガスセンサー１３７の検知したオゾン濃度に基づいて、処理室１１０の内部における窒素充填の状況を判定し、窒素充填が不十分となると、窒素放出部１３６に制御信号を出力して、処理室１１０に純窒素を放出・充填する。純窒素は、紫外線を殆ど吸収しないことから、この純窒素で処理室１１０を充填した環境に置くことで、処理室１１０における紫外線の減衰を抑制することができる。なお、本実施例では、処理室１１０をほぼ大気圧で窒素充填することにした。
【００１９】
ワークテーブル１４０は、図２に示すように、被処理材Ｗのセットテーブルであり、リニア駆動機器１４２と係合されている。リニア駆動機器１４２は、ワークテーブル１４０の進退案内を図るよう処理室内外に掛けて架設された図示しないリニアレールとボールネジ等の駆動機構を備え、ワークテーブル１４０を、被処理材Ｗを載置した状態で往復動させる。これにより、ワークテーブル１４０は、処理室１１０のシャッター１１２を経て処理室１１０に進退する。処理室１１０に進出した状態では、ワークテーブル１４０は、そのセット済み被処理材Ｗの被処理表面を、酸素放出管１３１のスリット１３１ｓよりも下方に位置させる。このため、酸素放出管１３１から放出された酸素は、被処理材Ｗの被処理表面の上において当該表面に沿って層状に流れる。
【００２０】
制御装置２００は、論理演算を実行するＣＰＵやＲＡＭ、ＲＯＭ等を備えるマイクロコンピューターとして構成され、表面処理装置１００についての制御を司る。例えば、制御装置２００は、ガスセンサー１３７の検出オゾン濃度に基づいた窒素充填系１３５による窒素充填制御、操作パネルのスタートスイッチの操作に連動したシャッター１１２の開閉制御や、シャッター開閉に連動したワークテーブル１４０の進退駆動制御、被処理材Ｗのセットやワークテーブル１４０の進退に連動した酸素放出系１３０の酸素放出管１３１からの酸素放出制御と放出停止制御等を行う。こうした制御により、表面処理装置１００では、表面処理を受ける被処理材Ｗを、窒素充填済みの処理室１１０にワークテーブル１４０にて収容し、この収容済みの被処理材Ｗに対して、親水基の生成源となる酸素を被処理材Ｗの被処理表面に沿った層状のガス流ＯＦとして放出し、酸素の活性化を誘発する紫外線を、処理室１１０に収容済みの被処理材Ｗの被処理表面に向けて紫外線照射光源１２０から照射することになる。
【００２１】
次に、上記構成の表面処理装置１００の利点を、既存構成の表面処理装置１００Ｈと対比して説明する。図４は既存構成の表面処理装置１００Ｈの概略構成を透視して模式的に示す説明図である。この既存の表面処理装置１００Ｈは、本実施例の表面処理装置１００が行う窒素充填と酸素の層状放出の対比のためのものであり、図示するように、表面処理装置１００と同様に、処理室１１０と紫外線照射光源１２０、ワークテーブル１４０、ガス貯留放出部１３２を有する。この表面処理装置１００Ｈにおいては、ガス貯留放出部１３２は、処理室１１０の内部における酸素濃度が一定値となるよう、処理室１１０に酸素を放出する。
【００２２】
この図４に示す既存の表面処理装置１００Ｈにおいて、処理室内で維持する酸素濃度を変えつつ、ワークテーブル１４０の表面、詳しくはセット済みの被処理材Ｗの表面に到達する紫外線光量の積算値と、被処理材Ｗに付与された親水性を示す水滴接触角の低下値とを測定した。図５は処理室１１０での酸素濃度と被処理材Ｗの表面に到達する紫外線光量の積算値との関係および被処理材Ｗに付与された親水性を示す水滴接触角の低下値の関係を示すグラフ、図６は既存構成の表面処理装置１００Ｈにおける紫外線照射光源１２０と被処理材Ｗとの間におけるオゾン分布の様子を模式的に示す説明図である。
【００２３】
図５に示すように、酸素濃度が高くなる程、接触角低下値が大きくなって親水性が高まることが判る。これは、酸素濃度が高い故に、紫外線照射を経て活性化してオゾンに変遷する酸素自体が増えるためである。その一方、酸素濃度が高くなると、被処理材Ｗの表面に到達する紫外線光量（積算値）が低下する。この光量低下は、紫外線照射光源１２０から照射された紫外線が被処理材Ｗの表面に到達する以前に吸収されて起きるからに他ならない。処理室１１０の内部は、紫外線照射前は元より照射中にあっても気密とされており、紫外線照射によって酸素がオゾンに変遷することを考慮すると、生成されたオゾンにより紫外線が吸収され、被処理材Ｗの表面に到達する紫外線光量（積算値）が低下すると推考される。そして、図６に示すように、紫外線放射源である紫外線照射光源１２０に近いほど、酸素の活性化が活発でより多くのオゾンが生成され、こうして生成されたオゾンが紫外線を吸収して、被処理材Ｗの表面への到達紫外線光量（積算値）の低下を来していることになる。このため、図４に示すように、処理室１１０を一定の酸素濃度で維持して紫外線照射を行えば、高酸素濃度下で親水性を高めることができるものの、被処理材Ｗの表面に到達する紫外線光量（積算値）が低下していることから、被処理材Ｗの秘書委表面付近でのオゾン生成、延いては親水性付与の向上の余地があると言える。
【００２４】
こうした知見に立ち、図１〜図３に示した本実施例の表面処理装置１００では、
親水基である水酸基の生成源となる酸素を処理室１１０に放出するに当たり、処理室１１０に収容済みの被処理材Ｗの被処理表面に沿った層状のガス流ＯＦとして酸素を放出させるようにした。こうすることで、被処理材Ｗの被処理表面付近を酸素リッチな状態とする。その上で、紫外線吸収の少ない純窒素で処理室１１０を充填することにより、紫外線照射光源１２０から照射された紫外線の減衰を抑制して、酸素リッチ状態の被処理材Ｗの被処理表面に、紫外線をその強度低下を抑制して到達させる。つまり、被処理材Ｗの被処理表面には、酸素リッチな状況下で充分な強度の紫外線が照射されることになるため、この紫外線による酸素の活性化とこれによるオゾン生成を経た水酸基（親水基）の形成を、被処理材Ｗの被処理表面においてより確実に且つ活発に起こすことができる。この結果、本実施例の表面処理装置１００によれば、高い実効性で被処理材Ｗの被処理表面に親水性を付与できる。具体的には、図５において、いずれの酸素濃度（この場合には、層状のガス流ＯＦでの酸素放出量）においても、高い積算光量を得ることができると共に、高い親水性を得ることができた。しかも、こうした親水性付与に当たり、紫外線照射光源１２０を被処理材に近接配置する必要がないので、親水性付与対象となる被処理材Ｗの汎用性が高まる。
【００２５】
また、本実施例の表面処理装置１００では、被処理材Ｗを載置したワークテーブル１４０を処理室１１０に進退可能とし、このワークテーブル１４０を処理室１１０に進出させれば、被処理材Ｗの被処理表面を、酸素放出管１３１から吹き出されて酸素が層状に流れるガス流ＯＦの下方側に位置させる。よって、本実施例の表面処理装置１００によれば、処理室１１０の外部でのワークテーブル１４０への被処理材Ｗのセットにより、ライン作業的に被処理材Ｗの被処理表面に親水性を付与でき、生産性の向上とコスト低下を図ることができる。
【００２６】
また、本実施例の表面処理装置１００では、純窒素の充填にて紫外線減衰を抑制するので、簡便である。更に、本実施例の表面処理装置１００では、純窒素の充填により、紫外線照射光源１２０の周辺でのオゾン発生を抑制する。オゾンはその高い活性により光源周りや光源構成部材、例えば配線や光源フード等の劣化や損傷を招きやすいが、本実施例の表面処理装置１００によれば、純窒素の充填を経た紫外線照射光源１２０の周辺でのオゾンの発生抑制により、上記した劣化や損傷を効果的に防止できる。
【００２７】
次に、変形例について説明する。図７は酸素を層状のガス流ＯＦでより確実に流す変形例の表面処理装置１００Ａの概略構成を模式的に示す説明図、図８は紫外線照射光源１２０のオゾンによる損傷回避を図る変形例の表面処理装置１００Ｂの概略構成を模式的に示す説明図である。
【００２８】
図７の変形例の表面処理装置１００Ａは、紫外線照射光源１２０とワークテーブル１４０との間に透光プレート１６０を有する。この透光プレート１６０は、紫外線の透過効率の高い性質の材料、例えば石英等から形成され、紫外線を高い効率で透過させる。また、透光プレート１６０は、ワークテーブル１４０から適宜な間隔、具体的には被処理材Ｗが波状プレートであってもワークテーブル１４０を介した被処理材Ｗの進退に妨げとならず、しかも、層状のガス流ＯＦで流すことができるよう被処理材Ｗの被処理表面から隔てて設置される。この変形例の表面処理装置１００Ａにあっても、処理室１１０が窒素充填されていることと相まって、被処理材Ｗの被処理面に紫外線を強度低下を抑制して到達させることができ、高い実効性で親水性を付与できる。この他、この変形例では、透光プレート１６０を被処理材Ｗの被処理表面から離しているものの、この透光プレート１６０によって酸素の層状のガス流ＯＦを層状ガス流のまま維持できるので、親水性付与の実効性向上の上から望ましい。
【００２９】
図８の変形例の表面処理装置１００Ｂは、導波路１７０を紫外線照射光源１２０に対して装着して備える。導波路１７０は、透光プレート１６０と同様、紫外線の透過効率の高い性質の材料（例えば、石英）から形成され、その外表面に鏡面処理を受けることで、紫外線を外部に漏らすことなく透過させる。よって、この表面処理装置１００Ｂは、紫外線照射光源１２０の放出した紫外線を、導波路１７０を経て処理室１１０内の被処理材Ｗの被処理表面に照射し、既述した実施例と同様に、高い実効性で親水性を付与できる。この他、表面処理装置１００Ｂによれば、紫外線照射光源１２０を処理室１１０の外部に置くことも可能となるので、紫外線照射光源１２０の損傷を容易に回避できる。この場合、導波路１７０を、その下端の光放射面が図７に示した透光プレート１６０の配設位置となるよう延ばすようにすれば、酸素の層状のガス流ＯＦの維持ができる範囲で、紫外線放射面（導波路１７０の下端面）は被処理材Ｗの被処理面に近づく。よって、処理室１１０を窒素充填しなくても、或いはその充填の程度を低くしても、被処理材Ｗの被処理面に紫外線を強度低下を抑制して到達させて、高い実効性で親水性を付与できる。
【００３０】
次に、上記した表面処理装置１００により親水性が付与された被処理材Ｗを燃料電池のセパレーターに適用する場合について説明する。図９は燃料電池を含む燃料電池スタックの製造手順を示す工程図である。なお、燃料電池（電池セル）は、電解質膜を挟んで各膜面に電極を接合した膜電極接合体（ＭＥＡ）を含む発電体層と、電極面側にガス流路を形成する流路構成部材とを、一対のセパレーターにて挟持した周知の構成であり、燃料電池スタックは上記の燃料電池を積層して構成される。
【００３１】
図９に示すように、まず、燃料電池の構成部材となる上記の発電体層と、流路形成部材およびセパレーターを準備する（ステップＳ１００）。これら構成部材の準備個数は、燃料電池スタックに含まれる燃料電池の数（セル数）に応じて決定され、一つの燃料電池については、向かい合う二つのセパレーターと、電極ごとの流路形成部材と一つの発電体層とが準備される。そして、セパレーターの準備に際しては、上記した表面処理装置１００にて、カソード側のセパレーター表面に親水性を付与する。或いは、表面処理装置１００にて親水性付与済みのセパレーターを準備する。なお、アノード側のセパレーターについても親水性を付与してもよい。
【００３２】
構成部材の準備に続いては、ＭＥＡを含む発電体層を流路形成部材で挟持した上で、更にこれを一対のセパレーターで挟持して、燃料電池（電池セル）を組み付ける（ステップＳ１１０）。次いで、得られた燃料電池（電池セル）を積層してスタック化する（ステップＳ１３０）。このスタック化では、積層方向に延びる締結シャフトにて、積層方向に締結力を及ぼして固定する。これにより、燃料電池を積層した燃料電池スタックが得られる。こうして得られた燃料電池では、カソード側のセパレーター表面において親水性を発揮することから、カソードで生成された生成水の排出性が高まる。
【００３３】
以上、本発明の実施の形態を実施例にて説明したが、本発明は上記した実施例や変形例の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様にて実施することが可能である。例えば、上記の実施例と変形例では、酸素を層状のガス流として流して酸素をオゾンに変遷させ、このオゾンにより親水基である水酸基を生成して親水性を付与したが、これに限るものではない。例えば、酸素に代えて窒素を層状のガス流ＯＦとして放出し、紫外線に代えてＸ線やプラズマ放電波などを照射するようにすることもできる。こうすれば、水酸基に代わってシアノ基（ＣＮ）を被処理材Ｗの被処理表面に形成できるので、酸素放出を図る上記実施例と同様、高い実効性で親水性を付与できる。この場合には、Ｘ線やプラズマ放電波の減衰を処理室１１０において抑制するよう、処理室１１０を真空環境に置いたりすればよい。
【００３４】
また、酸素放出管１３１については、図２に示すスリット１３１ｓに代え、透孔を直線状に複数有するものとすることもできる。更に、酸素放出管１３１と被処理材Ｗを挟んで向き合う側に、吸引管を設置することもでき、こうすれば、酸素の層状のガス流ＯＦを維持できることから、紫外線照射を経た親水性付与の点でも望ましい。
【符号の説明】
【００３５】
１００、１００Ａ、１００Ｂ…表面処理装置
１００Ｈ…表面処理装置（既存構成）
１１０…処理室
１１２…シャッター
１２０…紫外線照射光源
１３０…酸素放出系
１３１…酸素放出管
１３１ｓ…スリット
１３２…ガス貯留放出部
１３５…窒素充填系
１３６…窒素放出部
１３７…ガスセンサー
１４０…ワークテーブル
１４２…リニア駆動機器
１６０…透光プレート
１７０…導波路
２００…制御装置
ＯＦ…層状のガス流
【図１】
2012200622.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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