(57)【要約】【課題】  光電変換装置における変換効率の向上を図る。【解決手段】  光電変換装置３１は、カルコパイライト構造のＩ−III−VI族化合物を含む光吸収層３と、光吸収層３上に位置するアモルファスまたは微結晶構造のIII−VI族化合物を含む中間層４と、中間層４上に位置する結晶構造を有するVI族化合物を含むバッファ層５とを備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルコパイライト構造のＩ−III−VI族化合物を含む光吸収層と、
該光吸収層上に位置するアモルファスまたは微結晶構造のIII−VI族化合物を含む中間層と、
該中間層上に位置する結晶構造を有するVI族化合物を含むバッファ層と
を備えることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記中間層は非形成部を有し、該非形成部で前記光吸収層と前記バッファ層とが接続している、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記光吸収層はIII族元素としてガリウムを含むとともにVI族元素としてセレンを含み、前記中間層はIII族元素としてガリウムを含むとともにVI族元素として硫黄を含む、請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記バッファ層はVI族元素として硫黄を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の光電変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｉ−III−VI族化合物を含む光電変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光発電等に使用される光電変換装置として、ＣＩＧＳ等といったカルコパイライト構造のＩ−III−VI族化合物半導体によって光吸収層が形成されたものがある（例えば、特許文献１）。カルコパイライト構造のＩ−III−VI族化合物半導体は、光吸収係数が高く、光電変換装置の薄型化と大面積化と製造コストの抑制とに適しており、カルコパイライト構造のＩ−III−VI族化合物半導体を用いた次世代太陽電池の研究開発が進められている。
【０００３】
このような光電変換装置は、ガラス等の基板の上に、Ｍｏ等の下部電極と、光吸収層と、イオウ含有亜鉛混晶化合物等のバッファ層と、ＺｎＯ等の上部電極とが、この順に積層されて構成されている。このバッファ層は、光吸収層上にＣＢＤ（Chemical Bath Deposition）法によって結晶成長されることにより形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−３３０６１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光電変換装置はさらなる変換効率の向上が要求されている。この変換効率は、光電変換装置において光のエネルギーが電気エネルギーに変換される割合を示し、例えば、光電変換装置から出力される電気エネルギーの値が、光電変換装置に入射される光のエネルギーの値で除されて、１００が乗じられることで導出される。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、光電変換装置における変換効率の向上を図ることを目的とする
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る光電変換装置は、カルコパイライト構造のＩ−III−VI族化合物を含む光吸収層と、該光吸収層上に位置するアモルファスまたは微結晶構造のIII−VI族化合物を含む中間層と、該中間層上に位置する結晶構造を有するVI族化合物を含むバッファ層とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、中間層の存在によって光吸収層とバッファ層との接合が良好となり、光電変換装置における変換効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態に係る光電変換装置の斜視図である。
【図２】図１の光電変換装置の断面図である。
【図３】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図４】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図５】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図６】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図７】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図８】光電変換装置の変形例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同一符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。
【００１１】
＜(1)光電変換装置の構成＞
図１は、光電変換装置２１の構成を示す上面図である。図２は、図１の光電変換装置２１の断面図である。
【００１２】
光電変換装置２１は、基板１の上に複数の光電変換セル２０が並設された構成を有している。図１では、図示の都合上、２つの光電変換セル２０のみが示されているが、実際の光電変換装置２１には、図面の左右方向に、多数の光電変換セル２０が平面的に（二次元的に）配列されている。
【００１３】
各光電変換セル２０は、下部電極層２、光吸収層３、中間層４、バッファ層５、上部電極層６、およびグリッド電極７を主に備えている。光電変換装置２１では、上部電極層６およびグリッド電極７が設けられた側の主面が受光面となっている。また、光電変換装置２１には、第１〜３溝部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３といった３種類の溝部が設けられている。
【００１４】
基板１は、複数の光電変換セル２０を支持するものであり、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂、または金属等の材料で構成されている。ここでは、基板１が、１〜３ｍｍ程度の厚さを有する青板ガラス（ソーダライムガラス）で構成されているものとする。
【００１５】
下部電極層２は、基板１の一主面の上に設けられた導電層であり、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、または金（Ａｕ）等の金属を含む。あるいはこれらの金属の積層構造体であってもよい。また、下部電極層２は、０．２〜１μｍ程度の厚さを有し、例えば、スパッタリング法または蒸着法等の公知の薄膜形成方法によって形成される。
【００１６】
光吸収層３は、下部電極層２の一主面の上に設けられた、第１の導電型（ここではｐ型の導電型）を有する半導体層であり、１〜３μｍ程度の厚さを有している。光吸収層３は、カルコパイライト構造のＩ−III−VI族化合物を主として含む半導体層である。なお、ここでは、光吸収層３は、ｐ型の導電型を有するカルコパイライト構造のＩ−III−VI族化合物によって主として構成されているものとする。
【００１７】
ここで、Ｉ−III−VI族化合物は、Ｉ−Ｂ族元素（１１族元素とも言う）とIII−Ｂ族元素（１３族元素とも言う）とVI−Ｂ族元素（１６族元素とも言う）との化合物である。そして、Ｉ−III−VI族化合物としては、例えば、ＣｕＩｎＳｅ２（二セレン化銅インジウム、ＣＩＳとも言う）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（二セレン化銅インジウム・ガリウム、ＣＩＧＳとも言う）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２（二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム、ＣＩＧＳＳとも言う）等が挙げられる。なお、光吸収層３は、薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体の薄膜によって構成されていても良い。なお、ここでは、光吸収層３が、ＣＩＧＳによって構成されているものとする。
【００１８】
このような光吸収層３は、例えば、次のようにして作製される。先ず、下部電極層２上
に、蒸着またはスパッタリング等の方法によってＩ−Ｂ族元素およびIII−Ｂ族元素が供給されて前駆体層が形成される。あるいは下部電極層２上に、Ｉ−Ｂ族元素およびIII−Ｂ族元素を含む原料溶液が塗布されることによって前駆体層が形成される。なお、これらの前駆体層にはVI−Ｂ族元素が含まれていても良い。これらの前駆体層は、異なる組成比の複数の積層体であってもよい。そして、この前駆体層がカルコゲン元素を含む雰囲気下で加熱されることによって、Ｉ−III−VI族化合物が形成される。なお、カルコゲン元素とは、VI−Ｂ族元素のうちＳ、Ｓｅ、Ｔｅをいう。
【００１９】
後述する中間層４が良好に形成されるという観点からは、光吸収層３は、有機配位子と金属元素との錯体化合物を含む原料溶液が用いられて前駆体層が形成され、この前駆体層が加熱されることによって形成されてもよい。このような有機配位子を含む前駆体層は、加熱されても有機成分が何らかの状態で光吸収層３中に残存しやすくなる。このような有機成分の残存物を有する光吸収層３上に中間層４が形成されると、残存物が中間層４の結晶化を抑制するため、中間層４がアモルファスあるいは微結晶構造の状態となりやすくなる。
【００２０】
光吸収層３の形成を良好にするとともに中間層４の形成を良好にするという観点からは、上記有機配位子はカルコゲン元素含有有機化合物であってもよい。カルコゲン元素含有有機化合物とは、カルコゲン元素と炭素との結合を有する有機化合物である。例えば、チオール、スルフィド、ジスルフィド、チオフェン、スルホキシド、スルホン、チオケトン、スルホン酸、スルホン酸エステル、スルホン酸アミド、セレノール、セレニド、ジセレニド、セレノキシド、セレノン、テルロール、テルリド、ジテルリド等がある。特に、配位力が高く金属元素と安定な錯体を形成しやすいという観点からは、チオール、スルフィド、ジスルフィド、セレノール、セレニド、ジセレニド、テルロール、テルリド、ジテルリドが用いられてもよい。
【００２１】
このような有機配位子と金属元素との錯体化合物の例としては、米国特許第６９９２２０２号明細書に記載されているような、一つの分子中にＩ−Ｂ族元素とIII−Ｂ族元素とカルコゲン元素含有有機化合物とが含まれた錯体化合物が挙げられる。あるいは、Ｉ−Ｂ族元素とカルコゲン元素含有有機化合物との錯体化合物と、III−Ｂ族元素とカルコゲン元素含有有機化合物との錯体化合物との混合体であってもよい。
【００２２】
中間層４は、アモルファスまたは微結晶構造のIII−VI族化合物を含む半導体層である。なお、微結晶構造とは、平均粒径が１０ｎｍ以下のナノサイズの結晶粒子で主に構成されたものを言い、Ｘ線回折による結晶ピークをほとんど示さす、アモルファスに近い状態である。III−VI族化合物としては、Ｇａ２Ｓ３やＩｎ２Ｓ３等が挙げられる。
【００２３】
アモルファスまたは微結晶構造の中間層４を有することによって光吸収層３の一主面を平滑化することができる。その結果、この中間層４を介して結晶構造を有するバッファ層５が光吸収層３と良好に接合することが可能となり、光電変換層２１の変換効率が向上する。なお、中間層４は、よりアモルファスに近い状態とすれば、光吸収層３と第１の半導体層５との接合性がより高められる。このような観点から、中間層４は、アモルファスか、または平均粒径が５ｎｍ以下の微結晶構造とされてもよい。
【００２４】
光吸収層３との密着性を高めるという観点から、中間層４に含まれるIII−Ｂ族元素は光吸収層３に含まれるIII−Ｂ族元素と同じものであってもよい。特にアモルファスあるいは微結晶構造の中間層４の作製が容易という観点からは、光吸収層３はIII族元素としてＧａを含むとともにVI族元素としてＳｅを含み、中間層４はIII族元素としてＧａを含むとともにVI族元素としてＳを含んでもよい。
【００２５】
中間層４の厚みは、電荷移動を良好にするという観点からは、第１の半導体層５の厚みの１／１００〜１／５程度である。具体的には、中間層４は、例えば、１ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚みを有する。
【００２６】
中間層４の結晶性は、中間層４の断面が走査型電子顕微鏡（SEM）や透過型電子顕微鏡（TEM）にて分析された場合に、グレインが確認できない場合やグレインの平均サイズが１０ｎｍ以下であった場合、または主としてIII族とVI族からなる中間層の存在が確認できるがＸ線回折により結晶ピークが見られない場合などに、アモルファスあるいは微結晶構造であることが確認される。
【００２７】
このような中間層４は、例えば以下のような方法で作製される。まず、下部電極層２上に周知の方法により光吸収層３が形成される。次に、光吸収層３上にIII−Ｂ族元素を含む皮膜が形成され、この皮膜がVI−Ｂ族元素を含む雰囲気で加熱されることによってIII−VI族化合物となる。この加熱処理は、III−VI族化合物がアモルファスあるいは微結晶構造の状態で終了される。
【００２８】
あるいは、上記光吸収層３上にIII−Ｂ族元素およびVI−Ｂ族元素を含む皮膜が形成され、この皮膜が加熱されることにより、III−VI族化合物が形成されてもよい。この場合も、加熱処理は、III−VI族化合物がアモルファスあるいは微結晶構造の状態で終了される。
【００２９】
中間層４の別の作製方法として、以下のような方法も採用され得る。まず、下部電極層２上に周知の方法により光吸収層３が形成される。次に、この光吸収層３が硫黄蒸気（以下、Ｓ蒸気ともいう）を含む雰囲気下で加熱処理される。Ｓ蒸気を含む雰囲気とは、窒素等の不活性ガスや水素等の還元性ガス中で固体状の硫黄が加熱されて蒸発し、雰囲気中にＳ蒸気が混入したものである。このようなＳ蒸気はＳ８等のクラスターの状態で光吸収層３の表面に被着するとともに液層を形成しやすい傾向がある。この硫黄の液層が光吸収層３の表面のIII−Ｂ族元素と反応し、アモルファスまたは微結晶構造のIII−VI族化合物を含む中間層４が良好に形成される。
【００３０】
上記のようにＳ蒸気を含む雰囲気での加熱により中間層４が形成される場合、中間層４をより良好に形成するという観点からは、光吸収層３は、少なくとも表面部において、Ｉ−Ｂ族元素のモル数がIII−Ｂ族元素のモル数よりも若干過剰となっていてもよい。この場合のＩ−Ｂ族元素のモル数は、例えばIII−Ｂ族元素のモル数の０．８０〜０．９９倍程度である。これにより、過剰に存在するIII−Ｂ族元素と硫黄とがより良好に反応する。
【００３１】
また、上記のようにＳ蒸気を含む雰囲気での加熱により中間層４が形成される場合、光吸収層３に含まれるIII−Ｂ族元素にはガリウムが含まれていてもよい。ガリウムは硫黄との反応がより良好に進行しやすく、硫化ガリウムを主に含む中間層４がより良好に形成される。
【００３２】
また、上記のようにＳ蒸気を含む雰囲気での加熱により中間層４が形成される場合、光吸収層３に含まれるＩ−III−VI族化合物のVI−Ｂ族元素としてセレンが含まれていてもよい。Ｉ−III−VI族化合物にセレンが含まれている場合、Ｓ蒸気を含む雰囲気での加熱によりセレンが硫黄に置換され、III−Ｂ族元素と硫黄との化合物が形成されやすくなる。
【００３３】
バッファ層５は、光吸収層３の一主面の上に中間層４を介して設けられた半導体層である。この半導体層は、光吸収層３の導電型とは異なる導電型（ここではｎ型の導電型）を
有している。また、バッファ層５は、Ｉ−III−VI族化合物半導体によって主に構成されている光吸収層３とヘテロ接合する態様で設けられている。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体（キャリア）が異なる半導体のことである。また、上記のように光吸収層３の導電型がｐ型である場合、バッファ層５の導電型は、ｎ型でなく、ｉ型であっても良い。更に、光吸収層３の導電型がｎ型またはｉ型であり、バッファ層５の導電型がｐ型である態様も有り得る。
【００３４】
バッファ層５は、例えば、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化インジウム（Ｉｎ２Ｓ３）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、セレン化インジウム（Ｉｎ２Ｓｅ３）、Ｉｎ（ＯＨ，Ｓ）、（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓｅ，ＯＨ）、および（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ等のVI族元素を含む化合物半導体によって構成されている。そして、リーク電流が低減される観点から言えば、バッファ層５は、１Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有していてもよい。なお、バッファ層５は、例えばケミカルバスデポジション（ＣＢＤ）法等で結晶成長される。
【００３５】
光吸収層３との電気的な接合を良好にするという観点からは、バッファ層５のVI族元素としてＳが含まれていてもよい。この場合、中間層４のVI族元素にもＳが含まれていると、中間層４上へより良好にバッファ層５が形成され得る。
【００３６】
また、バッファ層５の厚さは、１０〜２００ｎｍに設定される。バッファ層５上に上部電極層６がスパッタリング等で製膜される際のダメージが抑制される観点から言えば、１００〜２００ｎｍであってもよい。
【００３７】
上部電極層６は、バッファ層５の上に設けられた、ｎ型の導電型を有する透明導電膜であり、光吸収層３において生じた電荷を取り出す電極である。上部電極層６は、バッファ層５よりも低い抵抗率を有する物質によって構成されている。上部電極層６には、いわゆる窓層と呼ばれるものも含まれ、この窓層に加えて更に透明導電膜が設けられる場合には、これらが一体の上部電極層６とみなされても良い。
【００３８】
上部電極層６は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の物質、例えば、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、およびＳｎＯ２等の金属酸化物半導体等が採用され得る。これらの金属酸化物半導体には、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、ＩｎおよびＦ等のいずれかの元素が含まれてもよい。このような元素が含まれた金属酸化物半導体の具体例としては、例えば、ＡＺＯ（Aluminum Zinc Oxide）、ＧＺＯ（Gallium Zinc Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）、ＦＴＯ（fluorine tin oxide）等がある。
【００３９】
上部電極層６は、スパッタリング法、蒸着法、または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等によって、０．０５〜３．０μｍの厚さを有するように形成される。ここで、光吸収層３から電荷が良好に取り出される観点から言えば、上部電極層６は、１Ω・ｃｍ未満の抵抗率と、５０Ω／□以下のシート抵抗とを有していてもよい。
【００４０】
バッファ層５および上部電極層６は、光吸収層３が吸収する光の波長領域に対して光を透過させ易い性質（光透過性とも言う）を有する素材であってもよい。これにより、バッファ層５と上部電極層６とが設けられることで生じる、光吸収層３における光の吸収効率の低下が抑制される。
【００４１】
また、光透過性が高められると同時に、光反射のロスが防止される効果が高められ、更に光電変換によって生じた電流が良好に伝送される観点から言えば、上部電極層６は、０．０５〜０．５μｍの厚さを有していてもよい。更に、上部電極層６とバッファ層５との界面で光反射のロスが防止される観点から言えば、上部電極層６とバッファ層５との間で絶対屈折率が略同一であってもよい。
【００４２】
グリッド電極７は、導電性を有する電極であり、例えば、銀（Ａｇ）等の金属からなる。光吸収層３において発生して上部電極層６において取り出された電荷を集電する役割を担う。グリッド電極７は設けられていなくてもよいが、グリッド電極７が設けられれば、上部電極層６の薄層化が可能となる。
【００４３】
グリッド電極７および上部電極層６によって集電された電荷は、第２溝部Ｐ２に設けられた接続部８を通じて、隣の光電変換セル２０に伝達される。接続部８は、図１および図２に示されるようにグリッド電極７が延在されて設けられていてもよい。あるいは、接続部８は、上部電極層６が延在されて設けられていてもよく、第２溝部Ｐ２内に他の導電性部材が充填されることにより設けられてもよい。これにより、光電変換装置２１においては、隣り合う光電変換セル２０の一方の下部電極層２と、他方の上部電極層６およびグリッド電極７とが、第２溝部Ｐ２に設けられた接続部８が接続導体とされて、電気的に直列に接続されている。
【００４４】
グリッド電極７は、良好な導電性が確保されつつ、光吸収層３への光の入射量を左右する受光面積の低下が最小限にとどめられるように、５０〜４００μｍの幅を有していてもよい。
【００４５】
＜(2)光電変換装置の製造方法＞
図３から図７は、光電変換装置２１の製造途中の様子をそれぞれ模式的に示す断面図である。なお、図３から図７で示される各断面図は、図２で示された断面に対応する部分の製造途中の様子を示す。
【００４６】
まず、洗浄された基板１の略全面に、スパッタリング法等が用いられて、Ｍｏ等からなる下部電極層２が成膜される。そして、下部電極層２の上面からその直下の基板１の上面にかけて、第１溝部Ｐ１が形成される。第１溝部Ｐ１は、例えば、ＹＡＧレーザー等によるレーザー光が走査されつつ形成対象位置に照射されることで溝加工が行われる、スクライブ加工によって形成されることが好適である。図３は、第１溝部Ｐ１が形成された後の状態を示す図である。
【００４７】
第１溝部Ｐ１が形成された後、下部電極層２の上に、光吸収層３と中間層４とが上述した方法によって形成される。図４は、光吸収層３および中間層４が形成された後の状態を示す図である。
【００４８】
光吸収層３および中間層４が形成された後、中間層４の上にバッファ層５と上部電極層６とが形成される。図５は、バッファ層５および上部電極層６が形成された後の状態を示す図である。
【００４９】
バッファ層５は、溶液成長法（ＣＢＤ法とも言う）によって形成される。例えば、酢酸カドミウムとチオ尿素とがアンモニア水に溶解され、これに中間層４の形成までが行われた基板１が浸漬されることで、中間層４の上にＣｄＳを含むバッファ層５が形成される。また、上部電極層６は、スパッタリング法、蒸着法、またはＣＶＤ法等で形成される。
【００５０】
上部電極層６が形成された後、上部電極層６の上面からその直下の下部電極層２の上面にかけて、第２溝部Ｐ２が形成される。第２溝部Ｐ２は、例えば、４０〜５０μｍ程度のスクライブ幅のスクライブ針を用いたスクライビングが、ピッチがずらされながら連続して数回にわたって行われることで形成される。また、スクライブ針の先端形状が第２溝部Ｐ２の幅に近い程度にまで広げられたうえでスクライブされることによって第２溝部Ｐ２が形成されても良い。あるいは、２本または２本を超えるスクライブ針が相互に当接また
は近接した状態で固定され、１回から数回のスクライブが行われることによって第２溝部Ｐ２が形成されても良い。図６は、第２溝部Ｐ２が形成された後の状態を示す図である。第２溝部Ｐ２は、第１溝部Ｐ１よりも若干ずれた位置に形成される。
【００５１】
第２溝部Ｐ２が形成された後、上部電極層６上にグリッド電極７が形成される。グリッド電極７については、例えば、Ａｇ等の金属粉が樹脂バインダー等に分散している導電性を有するペースト（導電ペーストとも言う）が、所望のパターンを描くように印刷され、これが固化されることで形成される。なお、導電ペーストが上部電極層６上に印刷される際、第２溝部Ｐ２内にも導電ペーストが充填されてもよい。これにより、グリッド電極７と下部電極層２とを電気的に接続する接続部８がグリッド電極７の形成と同じ工程で形成され、工程が簡略化される。図７は、グリッド電極７および接続部８が形成された後の状態を示す図である。
【００５２】
グリッド電極７および接続部８が形成された後、グリッド電極７の上面および上部電極層６の上面からその直下の下部電極層２の上面にかけて、第３溝部Ｐ３が形成される。第３溝部Ｐ３の幅は、例えば、４０〜１０００μｍ程度であることが好適である。また、第３溝部Ｐ３は、第２溝部Ｐ２と同様に、メカニカルスクライビングによって形成されてもよい。このようにして、第３溝部Ｐ３の形成によって、図１および図２で示された光電変換装置２１が製作されたことになる。
【００５３】
＜(3)変形例＞
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００５４】
図８は、光電変換装置の変形例の断面図である。図８においては図１と同様な構成および機能を有する部分については同一符号が付されている。この変形例としての光電変換装置３１においては、中間層４’が非形成部を有している点で図１の光電変換装置２１と異なっている。中間層４’の非形成部においては光吸収層３とバッファ層５とが接続している。これにより、中間層４’によって光吸収層３とバッファ層５との接合性が高められるとともに、非形成部において電荷移動が良好に行なわれ、光電変換効率がより高くなる。
【００５５】
なお、上記一実施形態および変形例をそれぞれ構成する全部または一部は、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
【符号の説明】
【００５６】
１：基板
２：下部電極層
３：光吸収層
４：中間層
５：バッファ層
６：上部電極層
７：グリッド電極
２０、３０：光電変換セル
２１、３１：光電変換装置
【図１】
2012204482.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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