(57)【要約】【課題】本発明は、薄型化並びに小型化を実現しつつ、積層基板のエレクトロマイグレーションに起因する導電体間の短絡を防止することができ、磁性体を含む素子の電気的特性を向上することができる電子回路装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】電子回路装置において、第１の絶縁基材１２１（２）と、第１の絶縁基材１２１（２）の表面上に配設された第１の導電体１２８（１）と、第１の絶縁基材１２１（２）の裏面上に配設された第２の導電体１２６（１）と、第１の絶縁基材１２１（２）の裏面上に第２の導電体１２６（１）を介在し接着された第２の絶縁基材１２２（１）とを備えたトランス基板１２と、トランス基板１２に配設された磁性体と、基板１２の第１の絶縁基材１２１（２）の端面から第２の絶縁基材１２２（１）の端面に渡って配設された絶縁性を有する樹脂被膜１２９とを備える。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面及びそれと対向する第２の表面を有する第１の絶縁基材と、
前記第１の絶縁基材の前記第１の表面上に配設された第１の導電体と、
前記第１の絶縁基材の前記第２の表面上に配設された第２の導電体と、
前記第１の絶縁基材の前記第２の表面上に前記第２の導電体を介在し接着された第２の絶縁基材と、を備えた基板と、
前記基板に配設された磁性体と、
前記基板の前記第１の絶縁基材の端面から前記第２の絶縁基材の端面に渡って配設された絶縁性を有する樹脂被膜と、
を備えたことを特徴とする電子回路装置。
【請求項２】
前記第１の絶縁基材の端面及び前記第２の絶縁基材の端面を前記樹脂被膜を介在して覆うとともに前記基板の全体を覆い、かつ前記磁性体を覆う樹脂封止体を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の電子回路装置。
【請求項３】
前記樹脂被膜は、前記第１の絶縁基材及び第２の絶縁基材の端面から前記第１の絶縁基材と前記第２の絶縁基材との界面の一部まで配設されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子回路装置。
【請求項４】
前記第１の絶縁基材又は第２の絶縁基材の少なくともいずれか一方が熱硬化型樹脂接着剤を含浸させたガラス繊維クロスにより構成され、前記樹脂被膜は、その一部を前記ガラス繊維クロスに含浸させ、前記界面の一部まで配設されていることを特徴とする請求項３に記載の電子回路装置。
【請求項５】
前記樹脂被膜の第１の絶縁基材の端面上又は第２の絶縁基材の端面上の膜厚寸法に対して、前記樹脂被膜の第１の絶縁基材の端面又は第２の絶縁基材の端面から前記界面の一部に至る含浸寸法が大きいことを特徴とする請求項４に記載の電子回路装置。
【請求項６】
第１の表面及びそれと対向する第２の表面を有する第１の絶縁基材と、前記第１の絶縁基材の前記第１の表面上に配設された第１の導電体と、前記第１の絶縁基材の前記第２の表面上に配設された第２の導電体と、前記第１の絶縁基材の前記第２の表面上に前記第２の導電体を介在し接着された第２の絶縁基材と、を備え、複数の基板形成領域が規則的に配列された製作用基板を形成する工程と、
前記製作用基板において前記基板形成領域間の一部に前記第１の絶縁基材の端面及び前記第２の絶縁基材の端面の少なくとも一部が露出するスリットを形成する工程と、
前記製作用基板の端面の前記第１の絶縁基材の端面及び前記第２の絶縁基材の端面並びにスリット内壁面の前記第１の絶縁基材の端面及び前記第２の絶縁基材の端面に絶縁性を有する樹脂被膜を形成する工程と、
前記製作用基板において前記基板形成領域間の他の一部を切断し、前記製作用基板の切断された基板形成領域から複数の基板を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする電子回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路装置及びその製造方法に関し、特に絶縁基材と導電体とを積層した多層基板に磁性体が搭載されこの多層基板及び磁性体を樹脂封止体により封止する電子回路装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば汎用テレビジョンの電源ユニットには、直流−直流（ＤＣ−ＤＣ）コンバータが組み込まれている。ＤＣ−ＤＣコンバータは、例えば一般家庭用１００Ｖの交流電圧から変換された直流電圧を、更に制御回路ユニット、駆動回路ユニット等に使用される直流電圧に変換する。ＤＣ−ＤＣコンバータは、最終的に１２Ｖや２４Ｖの直流電圧を生成する。
【０００３】
薄型化並びに大画面化の傾向にある液晶テレビジョン、プラズマテレビジョン等の汎用テレビジョンの開発には電源ユニットの薄型化並びに小型化が重要な課題になっている。下記特許文献１には電源ユニットの薄型化並びに小型化に最適な発明が開示されている。
【０００４】
特許文献１に開示された発明は、基板と、この基板に搭載されたコア（磁性体）と、基板及びコアを被覆する樹脂封止体とを備えた電子回路装置である。コアはシートトランス構造を採用するトランスを構築する。トランスは、絶縁基材と導電体とを交互に積層した多層配線構造を有するトランス基板に、トロイダルコアの磁心として使用されるコアを配設している。絶縁基材にはガラスエポキシ樹脂が使用されている。導電体には銅等の電気電導性に優れた例えばＣｕが使用され、導電体はトランスの一次側巻線、二次側巻線のそれぞれとして使用される。樹脂封止体にはエポキシ樹脂が使用され、このエポキシ樹脂はトランスファモールド法を用いて成形されている。このように製作される電子回路装置においては、基板やトランス等の回路素子を１つのパッケージ内に組み込むことができるので、薄型化並びに小型化を実現することができる特徴がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１４１０７７号公報
【特許文献２】特開平５−１９８９４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述の特許文献１に開示された電子回路装置においては、以下の点について配慮がなされていなかった。道路脇や電柱等、高温度、高湿度に晒される過酷な外部環境下において使用される電子回路装置の開発に先立ち、電子回路装置に高温高湿バイアス試験（寿命試験）を実施したところ、不具合が発生した。具体的には、電子回路装置のトランス基板において、絶縁基材上の導電体や積層された絶縁基材間の導電体にエレクトロマイグレーションが発生し、絶縁基材間の界面及び絶縁基材の端面を通じて上下導電体間に短絡が発生した。特に、絶縁基材の周縁まで導電体が配設され、上下導電体間の絶縁分離距離が短い箇所において上記短絡が見られた。トランス基板に配設された導電体は巻線（コイル）として使用されており、特に一次側巻線間に短絡が発生すると、トランスの変換効率が低下し、電子回路装置の電気的特性が劣化する。
【０００７】
上記特許文献２には、上下絶縁層の端面に金属膜を形成し、この金属膜を用いて上下絶縁層の界面を封止した厚膜薄膜混成多層回路基板に関する発明が開示されている。絶縁層の密着力に対して金属膜の密着力が大きいので、上下絶縁層の界面の剥離を防止することができ、水分の浸入に起因するエレクトロマイグレーションを防止することができる。
【０００８】
しかしながら、特許文献２に開示された発明においては、水分の浸入に起因するエレクトロマイグレーションを防止することができるものの、数百Ｖ程度の高電圧の通電に伴うエレクトロマイグレーションは発生するので、上下絶縁層の界面に発生する導電性析出物が金属膜に接触した場合、上記のように上下導電体間に短絡が発生する。
【０００９】
本発明は上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、薄型化並びに小型化を実現しつつ、エレクトロマイグレーションに起因する導電体間の短絡を防止することができ、電気的特性を向上することができる電子回路装置を提供することである。
【００１０】
更に、本発明は、上記電子回路装置を簡易に製作することができる製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の実施例に係る第１の特徴は、電子回路装置において、第１の表面及びそれと対向する第２の表面を有する第１の絶縁基材と、第１の絶縁基材の第１の表面上に配設された第１の導電体と、第１の絶縁基材の第２の表面上に配設された第２の導電体と、第１の絶縁基材の第２の表面上に第２の導電体を介在し接着された第２の絶縁基材と、を備えた基板と、基板に配設された磁性体と、基板の第１の絶縁基材の端面から第２の絶縁基材の端面に渡って配設された絶縁性を有する樹脂被膜とを備える。
【００１２】
第１の特徴に係る電子回路装置において、第１の絶縁基材の端面及び第２の絶縁基材の端面を樹脂被膜を介在して覆うとともに基板の全体を覆い、かつ磁性体を覆う樹脂封止体を更に備えることが好ましい。
【００１３】
第１の特徴に係る電子回路装置において、樹脂被膜は、第１の絶縁基材及び第２の絶縁基材の端面から第１の絶縁基材と第２の絶縁基材との界面の一部まで配設されていることが好ましい。
【００１４】
第１の特徴に係る電子回路装置において、第１の絶縁基材又は第２の絶縁基材の少なくともいずれか一方が熱硬化型樹脂接着剤を含浸させたガラス繊維クロスにより構成され、樹脂被膜は、その一部をガラス繊維クロスに含浸させ、界面の一部まで配設されていることが好ましい。
【００１５】
第１の特徴に係る電子回路装置において、樹脂被膜の第１の絶縁基材の端面上又は第２の絶縁基材の端面上の膜厚寸法に対して、樹脂被膜の第１の絶縁基材の端面又は第２の絶縁基材の端面から界面の一部に至る含浸寸法が大きいことが好ましい。
【００１６】
本発明の実施例に係る第２の特徴は、電子回路装置の製造方法において、第１の表面及びそれと対向する第２の表面を有する第１の絶縁基材と、第１の絶縁基材の第１の表面上に配設された第１の導電体と、第１の絶縁基材の第２の表面上に配設された第２の導電体と、第１の絶縁基材の第２の表面上に第２の導電体を介在し接着された第２の絶縁基材と、を備え、複数の基板形成領域が規則的に配列された製作用基板を形成する工程と、製作用基板において基板形成領域間の一部に第１の絶縁基材の端面及び第２の絶縁基材の端面の少なくとも一部が露出するスリットを形成する工程と、製作用基板の端面の第１の絶縁基材の端面及び第２の絶縁基材の端面並びにスリット内壁面の第１の絶縁基材の端面及び第２の絶縁基材の端面に絶縁性を有する樹脂被膜を形成する工程と、製作用基板において基板形成領域間の他の一部を切断し、製作用基板の切断された基板形成領域から複数の基板を形成する工程とを備える。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、薄型化並びに小型化を実現しつつ、エレクトロマイグレーションに起因する導電体間の短絡を防止することができ、電気的特性を向上することができる電子回路装置を提供することができる。
【００１８】
更に、本発明によれば、上記電子回路装置を簡易に製作することができる製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施例に係る電子回路装置の回路システムブロック図である。
【図２】一実施例に係る電子回路装置の一部樹脂封止体を取り除いた平面図（上面図）である。
【図３】図２に示す電子回路装置の一部樹脂封止体を取り除いた底面図（下面図）である。
【図４】図２及び図３に示す電子回路装置の側面断面図である。
【図５】図２乃至図３に示す電子回路装置の樹脂封止体を含む全体斜視図である。
【図６】一実施例に係る電子回路装置の第１のトランスの分解斜視図である。
【図７】図６に示す第１のトランスの基板の断面図である。
【図８】図７に示す基板の拡大断面図である。
【図９】図６及び図７に示す基板の各層の導電体の平面形状を示す図である。
【図１０】一実施例に係る電子回路装置の高温高湿バイアス試験結果を示す図である。
【図１１】一実施例に係る電子回路装置の製造方法を説明する、第１工程における製作用基板の平面図である。
【図１２】第２の工程における製作用基板の平面図である。
【図１３】第３の工程における製作用基板の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、図面を参照して、本発明の一実施例を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
【００２１】
また、以下に示す実施例はこの発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は各構成部品の配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００２２】
本発明の一実施例は、特に外部環境下において使用される電源ユニットに組み込まれる電源モジュールとしての電子回路装置に本発明を適用した例を説明するものである。ここでは、電子回路装置はＤＣ−ＤＣコンバータである。
【００２３】
［電子回路装置の電子回路システムブロック構成］
図１に示すように、一実施例に係る電子回路装置１は、ＤＣ−ＤＣコンバータを１つの電源モジュールとして構築されている。この電子回路装置１は、トランジスタ部２、第１のトランス（メイントランス）３、コンデンサ４１、４２、４３（電子部品）、ダイオード（電子部品）５、制御部６、第２のトランス（ドライブ用トランス）７及び温度検出部８の複数の電子部品を少なくとも備えている。また、電子回路装置１においては、入力端子Ｖin+、Ｖin-、出力端子Ｖout+、Ｖout-、直流電圧端子ＤＣＩＮ、切換信号端子ＯＮ／ＯＦＦ、出力電圧調整端子ＴＲＭ、リモートセンシング端子Ｖs+、Ｖs-が配設されている。
【００２４】
トランジスタ部２は、第１の絶縁ゲート型トランジスタ（以下、単にＩＧＦＥＴ（insulated gate field effect transistor）という。）２１と、第２のＩＧＦＥＴ２２と、ダイオード２３及び２４とを備えている。ここで、ＩＧＦＥＴとは、ＭＯＳＦＥＴ（metal oxide semiconductor field effect transistor）、ＭＩＳＦＥＴ（metal insulated semiconductor field effect transistor）のいずれも含む意味において使用される。なお、トランジスタ部２においては、同等の機能を有していれば、ＩＧＦＥＴに限定されるものではなく、例えばＩＧＢＴ（insulated gate bipolar transistor）、バイポーラトランジスタ等を使用することができる。
【００２５】
第１のＩＧＦＥＴ２１の主電極の一端は入力端子Ｖin+に接続され、主電極の他端は第２のＩＧＦＥＴ２２の主電極の一端に接続され、ゲート電極は第２のトランス７に接続されている。第１のＩＧＦＥＴ２１の主電極の一端と他端との間には逆バイアス方向にダイオード２３が設けられている。第２のＩＧＦＥＴ２２の主電極の他端は入力端子Ｖin-に接続され、ゲート電極は第２のトランス７に接続されている。第２のＩＧＦＥＴ２２の主電極の一端と他端との間には逆バイアス方向にダイオード２４が設けられている。また、入力端子Ｖin+とＶin-との間にはコンデンサ４２が挿入されている。
【００２６】
第１のトランス３は、一次側巻線（コイル）３１、二次側巻線（コイル）３２及びコア３３を備えている。一次側巻線３１の一端はトランジスタ部２の出力つまり第１のＩＧＦＥＴ２１の主電極の他端及び第２のＩＧＦＥＴ２２の主電極の一端に接続され、他端はコンデンサ４１を電気的に直列に介在させて入力端子Ｖin-に接続されている。二次側巻線３２の一端はダイオード５を電気的に直列に介在させて出力端子Ｖout+に接続され、他端は出力端子Ｖout-に接続されている。
【００２７】
出力端子Ｖout+とＶout-との間には、コンデンサ４３、温度検出部８のそれぞれが電気的に並列に挿入されている。温度検出部８は、電子回路装置１の温度を検出し、その検出結果を制御部６に出力する。制御部６においては、温度検出部８からの検出結果に基づき予め設定された温度上昇が検出された場合には、第２のトランス７を介してトランジスタ部２の動作を停止させる制御、すなわちこの電子回路システムの動作を停止させる制御を行うことができる。
【００２８】
制御部６は、図示しないが、制御用ＩＣとフォトカプラとを少なくとも備えている。この制御部６は、切換信号端子ＯＮ／ＯＦＦから入力される切換信号に基づき、この電子回路装置１のＤＣ−ＤＣコンバータの動作の制御を行う。
【００２９】
［電子回路装置の動作］
図１に示す一実施例に係る電子回路装置１において、まず入力端子Ｖin+、Ｖin-間に変換前の直流電圧が与えられ、更に直流電圧端子ＤＣＩＮには直流電圧例えば１２Ｖが供給され、切換信号端子ＯＮ／ＯＦＦには電子回路装置１の切換信号（起動信号）が与えられる。切換信号端子ＯＮ／ＯＦＦにＯＮ信号が与えられると、制御部６は、第２のトランス７を介してトランジスタ部２の第１のＩＧＦＥＴ２１のＯＮ動作を行い、第２のＩＧＦＥＴ２２のＯＦＦ動作を行う。第１のＩＧＦＥＴ２１のＯＮ動作が行われると、トランジスタ部２（第１のＩＧＦＥＴ２１の主電極の他端）から第１のトランス３の一次側巻線３１に直流電流が流れる。この一次側巻線３１に直流電流が流れると、電磁誘導作用によって二次側巻線３２に直流電流が発生する。この直流電圧は出力端子Ｖout+、Ｖout-間に変換後の直流電圧として出力される。
【００３０】
一実施例に係る電子回路装置１においては、変換前の直流電圧は例えば３８５Ｖであり、変換後の直流電圧は例えば１２Ｖ又は２４Ｖである。
【００３１】
［電子回路装置の基本デバイス構造］
一実施例に係る電子回路装置１の基本的なデバイス断面構造は図２乃至図５に示す通りである。電子回路装置１は、第１の表面１１Ａ及びそれに対向する第２の表面１１Ｂを有する基板（回路基板）１１と、基板１１に第１の表面１１Ａから第２の表面１１Ｂに渡って配設された磁性体と、この磁性体の底面（図４中、下側表面であって、電子回路装置１の実装面側）に向かい合わせて配設され、金属製板材により構成された応力緩衝体９１と、基板１１、磁性体及び応力緩衝体９１の少なくとも磁性体側を被覆する樹脂封止体１７とを備えている。
【００３２】
一実施例において、電子回路装置１の磁性体は、前述の第１のトランス３又は第２のトランス７を構築する強磁性体である。この第１のトランス３（及び第２のトランス７）の詳細な構造は後述する。また、一実施例において、磁性体は第１のトランス３及び第２のトランス７を構築するが、これに限定されるものではなく、磁性体はリアクタンス、インダクタ等を構築してもよい。
【００３３】
一実施例において、応力緩衝体９１は、樹脂封止体１７の熱収縮によって磁性体に及ぼす応力を減少することができる機能を有し、更に磁性体（第１のトランス３及び第２のトランス７）から発生する熱を樹脂封止体１７の外部に放出する機能を有する。
【００３４】
［基板（回路基板）の構成］
図２乃至図４に示すように、電子回路装置１の基板１１は、その構造を明確に図示していないが、絶縁基材とその絶縁基材の表面（第１の表面１１Ａ側）、裏面（第２の表面１１Ｂ側）の少なくともいずれか一方に配設された導電体とを備えている。特に積層枚数を限定するものではないが、一実施例において、基板１１は１枚の板状の絶縁基材を有する単層構造により構成され、第１の表面１１Ａ及び第２の表面１１Ｂのそれぞれに導電体（端子、配線等）が配設されている。第１の表面１１Ａ及び第２の表面１１Ｂに配設された導電体は基板１１の第１の表面１１Ａから第２の表面１１Ｂに渡って配設された接続孔配線（スルーホール配線又はビア配線）を通して電気的に接続されている。なお、基板１１は２層以上の多層の絶縁基板を備えていてもよい。
【００３５】
基板１１の絶縁基材は、一実施例において、プリント配線板に多用されているガラスエポキシ樹脂基板により構成されている。必ずしもこの数値に限定されるものではないが、基板１１は、長辺を例えば６０ｍｍ−６２ｍｍに設定し、短辺を例えば４２ｍｍ−４４ｍｍに設定した長方形の平面形状を有する。図４に示す基板１１の厚さは例えば０．８ｍｍ−１．６ｍｍに設定されている。
【００３６】
基板１１の導電体は、一実施例において、銅（Ｃｕ）、Ｃｕ合金、金（Ａｕ）等の導電性に優れた材料により構成されている。例えば、Ｃｕが使用される場合、ラミネート法やプレス成形法により貼り付けられたＣｕ箔か又はそのＣｕ箔の表面にめっき法によりＣｕめっき層を積層した複合膜により形成される。単層のＣｕ箔の場合、その膜厚は例えば３０μｍ−４０μｍに設定されている。また、複合膜の場合、Ｃｕ箔の膜厚は例えば１５μｍ−２０μｍに設定され、Ｃｕめっき層は例えば１５μｍ−２５μｍに設定されている。
【００３７】
［電子部品の構成］
図２及び図４に示すように、基板１１の第１の表面１１Ａ上には、電子部品として、前述の図１において説明したトランジスタ部２、第１のトランス（磁性体）３、コンデンサ４２、４３、ダイオード５、制御部６、第２のトランス（磁性体）７及び温度検出部８等が実装されている。図３及び図４に示すように、基板１１の第２の表面１１Ｂには、前述の図１において説明した電子部品として、例えばコンデンサ４１等が実装されている。
【００３８】
図１、図２及び図４に示すように、トランジスタ部２は、第１のＩＧＦＥＴ２１及びダイオード２３を有する半導体チップを樹脂封止体により封止した半導体装置と、同様に第２のＩＧＦＥＴ２２及びダイオード２４を有する半導体チップを樹脂封止体により封止した半導体装置とを備え、構築されている。トランジスタ部２は、第１の表面１１Ａにおいて、図２中、周辺領域の右下側に配設されている。
【００３９】
コンデンサ４２は例えばコンデンサ本体を樹脂封止体により封止して構成されている。樹脂封止体には一実施例においてガラスエポキシ樹脂を実用的に使用することができる。コンデンサ４２は、目的とする容量値によりその搭載個数は限定されるものではないが、基板１１の第１の表面１１Ａにおいて、図２中、周辺領域の右下側に４個配設されている。コンデンサ４３は例えばコンデンサ本体を樹脂封止体により封止して構成されている。コンデンサ４３は、同様に目的とする容量値によりその搭載個数は限定されるものではないが、基板１１の第１の表面１１Ａにおいて、図２中、周辺領域の左下側に６個配設されている。
【００４０】
また、コンデンサ４１は、前述のコンデンサ４２及び４３と同様に、例えばコンデンサ本体を樹脂封止体により封止して構成されている。コンデンサ４１は、目的とする容量値によりその搭載個数は限定されるものではないが、基板１１の第２の表面１１Ｂにおいて、図３中、周辺領域の左下側に４個配設されている。このコンデンサ４１はコンデンサ４２の配置位置に対向する位置に配置されている。
【００４１】
ダイオード５は例えばダイオード本体具体的にはダイオードチップ（半導体素子）を樹脂封止体により封止して構成されている。ダイオード５は、目的とする整流特性によりその搭載個数は限定されるものではないが、基板１１の第１の表面１１Ａにおいて、図２中、周辺領域の左上側に１個配設されている。
【００４２】
制御部６は、トランジスタ、論理回路、抵抗、容量等、少なくともトランジスタ部２の制御を行う回路を有する半導体チップを樹脂封止体により封止した半導体装置（制御用ＩＣ）６１と、フォトカプラ６２及び６３とを備え、構築されている。制御部６の半導体装置６１は、基板１１の第１の表面１１Ａにおいて、図２中、周辺領域の右上側に配設されている。フォトカプラ６２及び６３は、基板１１の第１の表面１１Ａにおいて、図２中、左上側に配設されている。
【００４３】
温度検出部８は、基板１１の第１の表面１１Ａにおいて、図２中、周辺領域の左上側であって、ダイオード５とフォトカプラ６２及び６３との間に配設されている。この温度検出部８はダイオード５を配設した領域から離間した位置に配設され、温度検出部８自体の熱による破損や誤動作を防止するようになっている。
【００４４】
［磁性体（第１のトランス及び第２のトランス）の構成］
一実施例に係る電子回路装置１において、第１のトランス３並びに第２のトランス７は磁性体詳細には強磁性体により構築されている。第１のトランス３は、図２乃至図４に示すように、基板１１の第１の表面１１Ａの中央領域において、開口１５内に挿入されて配設されている。開口１５は、一実施例において、基板１１の第１の表面１１Ａからそれに対向する第２の表面１１Ｂに貫通する貫通穴として構成されている。
【００４５】
図６乃至図９に示すように、一実施例において第１のトランス３にはシートトランス構造が採用されている。第１のトランス３は、一次側巻線３１及び二次側巻線３２を有し、図６に示すように、中央部分に貫通穴を有するトランス基板１２と、トランス基板１２の表面１２Ａ（図６中、上側表面）、それに対向する裏面１２Ｂ（図６中、下側表面）及び側面１２Ｃの一部に沿って配設され中央部分の貫通穴１２５にもトロイダルコアの磁心として配設されたコア３３とを備えている。
【００４６】
トランス基板（単に、「基板」と表現する場合がある。）１２は、図７及び図８に示すように、表面（表面１２Ａ側の表面であって、トランス基板１２の説明において「第１の表面」と表現する。）及びそれと対向する表面（表面１２Ｂ側の表面であって、トランス基板１２の説明において「第２の表面」と表現する。）を有する第１の絶縁基材１２１（２）と、第１の絶縁基材１２１（２）の第１の表面上に配設された第１の導電体１２８（１）と、第１の絶縁基材１２１（２）の第２の表面上に配設された第２の導電体１２６（１）と、第１の絶縁基材１２１（２）の第２の表面上に第２の導電体１２６（１）を介在し接着された第２の絶縁基材１２２（１）とを備えている。
【００４７】
更に、トランス基板１２は、第１の絶縁基板１２１（２）の第１の表面上に第１の導電体１２８（１）を介在し接着された第１の絶縁基材１２１（１）と、第１の絶縁基材１２１（１）の第１の表面上に配設された第３の導電体１２７（１）と、第２の絶縁基材１２２（１）の第２の表面上に配設された第２の導電体１２６（２）と、第２の絶縁基材１２２（１）の第２の表面上に第２の導電体１２６（２）を介在し接着された第１の絶縁基材１２１（３）と、第１の絶縁基材１２１（３）の第２の表面上に配設された第２の導電体１２６（３）と、第１の絶縁基板１２１（３）の第２の表面上に第２の導電体１２６（３）を介在し接着された第２の絶縁基材１２２（２）と、第２の絶縁基材１２２（２）の第２の表面上に配設された第２の導電体１２６（４）と、第２の絶縁基材１２２（２）の第２の表面上に第２の導電体１２６（４）を介在し接着された第１の絶縁基材１２１（４）と、第１の絶縁基材１２１（４）の第２の表面上に配設された第１の導電体１２８（２）と、第１の絶縁基材１２１（４）の第２の表面上に第１の導電体１２８（２）を介在し接着された第１の絶縁基材１２１（５）と、第１の絶縁基材１２１（５）の第２の表面上に配設された第３の導電体１２７（２）とを備えている。すなわち、トランス基板１２は、表面１２Ａ（第１の表面）側から表面１２Ｂ（第２の表面）側に向かって、第３の導電体１２７（１）、第１の絶縁基材１２１（１）、第１の導電体１２８（１）、第１の絶縁基材１２１（２）、第２の導電体１２６（１）、第２の絶縁基材１２２（１）、第２の導電体１２６（２）、第１の絶縁基材１２１（３）、第２の導電体１２６（３）、第２の絶縁基材１２２（２）、第２の導電体１２６（４）、第１の絶縁基材１２１（４）、第１の導電体１２８（２）、第１の絶縁基材１２１（５）、第３の導電体１２７（２）のそれぞれが順次積層され、絶縁基材と導電体とが交互に積層された多層基板である。
【００４８】
図９に示すように、第２の導電体１２６（１）〜１２６（４）は、それぞれ貫通穴１２５を中心としてその周囲を螺旋状に複数周巻き回わして延在し、電気的に直列に接続され、一次側巻線３１を構成している。ここでは、４層の第２の導電体１２６（１）〜１２６（４）を用いて一次側巻線３１が構成されている。第３の導電体１２７（１）及び１２７（２）は、それぞれ貫通穴１２５を中心としてその周囲に巻き回わして延在し、電気的に直列に接続され、二次側巻線３２を構成している。第２の導電体１２６（１）〜１２６（４）は第３の導電体１２７（１）と１２７（２）との間に挟み込まれて配設されている。
【００４９】
第１の導電体１２８（１）は、一次側巻線３１を構築する第２の導電体１２６（１）と二次側巻線３２を構築する第３の導電体１２７（１）との間に配設され、シールド層として機能する。同様に、第１の導電体１２８（２）は、一次側巻線３１を構築する第２の導電体１２６（４）と二次側巻線３２を構築する第３の導電体１２７（２）との間に配設され、シールド層として機能する。
【００５０】
第２の導電体１２６（１）〜１２６（４）、第３の導電体１２７（１）、１２７（２）、第１の導電体１２８（１）、１２８（２）にはここでは同一導電性材料が使用されている。例えば、これらの導電体にはＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｕ等の導電性に優れた金属箔又は金属膜が使用されている。第２の導電体１２６（１）〜１２６（４）、第３の導電体１２７（１）、１２７（２）においては、例えばＣｕ箔の場合、その膜厚は例えば６０μｍ−８０μｍに設定されている。第１の導電体１２８（１）、１２８（２）においては、例えばＣｕ箔の場合、その膜厚は例えば２０μｍ−４０μｍに設定されている。
【００５１】
第１の絶縁基材１２１（１）〜１２１（５）は、少なくとも電気的絶縁機能を有し、かつ接着機能を有する。一実施例において、第１の絶縁基材１２１（１）〜１２１（５）には、積層のときに硬化されておらず、積層後に硬化される、例えば熱硬化型樹脂接着剤を含浸させたガラス繊維クロス、いわゆるプリプレグが使用されている。ガラス繊維クロスには、例えばＳｉＯ2を主成分とし、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｒ2Ｏ、Ｂ2Ｏ3等の少なくともいずれかが添加された３μm−１０μm径を有する単糸を数十本から数百本程度束ね、これを平織りしたものである。熱硬化型樹脂接着剤には例えばエポキシ樹脂が使用されている。第１の絶縁基材１２１（１）〜１２１（５）の膜厚は例えば１８０μｍ−２２０μｍに設定されている。
【００５２】
第２の絶縁基材１２２（１）、１２２（２）は、同様に、少なくとも電気的絶縁機能を有し、かつ接着機能を有する。第２の絶縁基材１２２（１）は、第１の表面上に第２の導電体１２６（１）、第２の表面上に第２の導電体１２６（２）をそれぞれ接着し、このときに硬化されているので、積層のときには既に硬化されている。第２の絶縁基材１２２（２）は、第１の表面上に第２の導電体１２６（３）、第２の表面上に第２の導電体１２６（４）をそれぞれ接着し、このときに硬化されているので、積層のときには既に硬化されている。第２の絶縁基材１２２（１）、１２２（２）には、第１の絶縁基材１２１（１）〜１２１（５）と同様に、例えば熱硬化型樹脂接着剤を含浸させたガラス繊維クロスが使用されている。第２の絶縁基材１２２（１）、１２２（２）の膜厚は例えば５０μｍ−７０μｍに設定されている。
【００５３】
なお、特に符号を付けて説明しないが、第１の導電体１２８（１）と１２８（２）との間の電気的接続、第２の導電体１２６（１）〜１２６（４）間の電気的接続、第３の導電体１２７（１）と１２７（２）との電気的接続は、第１の絶縁基材１２１（１）〜１２１（５）、第２の絶縁基材１２２（１）、１２２（２）のそれぞれに配設された接続孔内に埋設された接続孔配線（スルーホール配線又はビア配線）を通じて行われている。この接続孔配線には、電気導電性に優れ、半導体製造過程において製作し易い、例えばＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｕ等の金属材料が使用されている。
【００５４】
このように構成される第１のトランス３のトランス基板１２には、図７及び図８に示すように、トランス基板１２の側面１２Ｃ（貫通穴１２５内壁に相当する側面１２Ｃも含む。）に、絶縁性を有する樹脂被膜１２９が配設されている。この樹脂被膜１２９は、トランス基板１２の第１の絶縁基材１２１（１）及び１２１（２）の端面から第２の絶縁基材１２２（１）の端面に渡って、第１の絶縁基材１２１（３）の端面から第２の絶縁基材１２２（１）の端面に渡って、第１の絶縁基材１２１（４）及び１２１（５）の端面から第２の絶縁基材１２２（２）の端面に渡って、第１の絶縁基材１２１（３）の端面から第２の絶縁基材１２２（２）の端面に渡って配設されている。特に、樹脂被膜１２９は、トランス基板１２の端面（側面１２Ｃ）において、第１の絶縁基材１２１（１）と１２１（２）との界面、第１の絶縁基材１２１（２）と第２の絶縁基材１２２（１）との界面、第２の絶縁基材１２２（１）と第１の絶縁基材１２１（３）との界面、第１の絶縁基材１２１（３）と第２の絶縁基材１２２（２）との界面、第２の絶縁基材１２２（２）と第１の絶縁基材１２１（４）との界面及び第１の絶縁基材１２１（４）と第１の絶縁基材１２１（５）との界面を覆って配設されている。
【００５５】
特に、第１の導電体１２８（１）、１２８（２）、第２の導電体１２６（１）〜１２６（４）、第３の導電体１２７（１）、１２７（２）のそれぞれのトランス基板１２の側面１２Ｃまで十分な離間距離を確保することができない、トランス基板１２の側面１２Ｃには少なくとも樹脂被膜１２９が配設されている。この十分な離間距離を確保することができない領域とは、具体的にはトランス基板１２の各辺に沿う領域であって、各層の導電体がトランス基板１２の辺に沿って平行に延在する箇所及び各層の導電体が電気的に接続される箇所である。この領域においては、上下導電体間の短絡経路が短い。トランス基板１２の角部の領域においては、各層の導電体が円弧を持って延在しているので、各層の導電体とトランス基板１２の側面１２Ｃまでの離間距離は十分に確保することができる。つまり、この領域においては、上下導電体間の短絡経路が長い。
【００５６】
更に、トランス基板１２の第１の絶縁基材１２１（１）〜１２１（５）、第２の絶縁基材１２２（２）、１２２（２）のそれぞれの樹脂被膜１２９が配設された端面から内部に向かって、特にそれぞれの界面の端面から内部に至る一部には、樹脂被膜１２９の一部をこれら絶縁基材に含浸させた含浸領域１２９Ａが配設されている。ここでは、前述のように、第１の絶縁基材１２１（１）〜１２１（５）、第２の絶縁基材１２２（２）、１２２（２）のそれぞれにはガラス繊維クロスが使用されているので、含浸領域１２９Ａはガラス繊維クロスに樹脂被膜１２９の一部の樹脂を含浸させることにより構成されている。
【００５７】
一実施例において、樹脂被膜１２９には、各層の絶縁基材間の接合を主目的として、少なくとも絶縁基材間の界面の一部に含浸させることができる、ポリイミド系樹脂が使用されている。このポリイミド系樹脂は、各層の絶縁基材の端面に塗布した後、例えば１５０℃の温度において１時間の加熱を行い、ポリアミド酸形態として形成される。ポリイミド系樹脂は、絶縁材料として使用する場合、例えば２５０℃〜３５０℃の高温度において２時間〜６時間の加熱を行い硬化させ、ポリイミド形態として形成されるが、ここでは低温度において短時間の加熱を行い、粘度が低い性質を利用して含浸効果が優先されている。
【００５８】
図８において、樹脂被膜１２９のトランス基板１２の側面１２Ｃからそれに垂直方向の膜厚ｔ１は例えば１μｍ−５μｍの範囲内に設定されている。このとき、含浸領域１２９Ａのトランス基板１２の側面１２Ｃからそれに垂直方向の含浸寸法（含浸幅）ｔ２を、樹脂被膜１２９の膜厚ｔ１に比べて大きく、例えば２０μｍ−５０μｍの範囲内に設定することができる。
【００５９】
また、同様の趣旨から、樹脂被膜１２９には、例えば耐熱性を有する速硬化型液性エポキシ樹脂を使用することができる。このとき、樹脂被膜１２９の膜厚ｔ１は例えば５μｍ−２０μｍの範囲内に設定され、含浸領域１２９Ａの含浸寸法ｔ２を例えば１０μｍ−３０μｍの範囲内に設定することができる。更に、樹脂被膜１２９にはシロキサン樹脂を使用することができる。なお、後述する樹脂封止体１７にはエポキシ系樹脂が使用されるが、このエポキシ系樹脂はオルソクレゾールノボラックエポキシ系樹脂であり、このエポキシ系樹脂には離型剤が含まれるので、実効的な含浸効果を期待することができない。
【００６０】
図６に示すコア３３は、例えば金属酸化物をセラミックとして燒結したフェライト磁性材により形成された強磁性体である。金属酸化物には、例えば酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ2）を主成分とし、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属化合物を混合したものを実用的に使用することができる。また、コア３３は他にアモルファス磁性材料により形成してもよい。コア３３は、磁心３３１Ｃを一体に構成しかつ突出させ、この磁心３３１Ｃを中心としてトランス基板１２の両方の側面１２Ｃに沿って突出し、トランス基板１２の裏面１２Ｂ側に配設された第１のコア（下部コア材）３３１と、第１のコア３３１の磁心３３１Ｃ及び突出した両側に磁気的に接続され、トランス基板１２の表面１２Ａ側に配設された第２のコア（上部コア材）３３２とを備えている。第１のコア３３１の断面形状はE型形状であり、第２のコア３３２の断面形状が板材であってＩ型形状であることから、コア３３はＥ−Ｉ型コア形状を有する。なお、コア３３はＥ−Ｅ型コア形状であってもよい。
【００６１】
第２のトランス７は、第１のトランス３に対して誘導起電力並びに全体のサイズを小さく設定しているが、第１のトランス３の構造と同様にシートトランス構造により構成され、かつ樹脂被膜１２９が配設されている。また、第１のトランス３の基板１１への実装方法と同様に、第２のトランス７は、基板１１に配設された開口１６に挿入された状態において実装されている。
【００６２】
［トランスの特性］
前述の一実施例に係る電子回路装置１の第１のトランス３の高温高湿バイアス試験結果は図１０に示す通りである。図１０中、縦軸は第１のトランス３の試験良品数であり、横軸は通電時間（hour）である。試験条件は、温度８５℃、湿度８５％、印加される直流電圧５００Ｖである。
【００６３】
資料１は比較例に係るシートトランス構造を有するトランス（単品）であり、このトランス基板には一実施例に係る樹脂被膜１２９及び含浸領域１２９Ａが配設されていない。資料１においては、試験開始から約７００時間、１０００時間、１１５０時間を経過したときに、トランスの耐圧不良が発生している。これは、トランス基板の絶縁基材間の界面に、水分の浸入等によって生成されたエレクトロマイグレーションに起因する短絡経路が発生し、上下導電体間において短絡を生じた結果である。
【００６４】
これに対して、資料２は一実施例に係る電子回路装置１のシートトランス構造を有する第１のトランス（単品）３であり、この第１のトランス３は、樹脂被膜１２９及び含浸領域１２９Ａが配設されているので、試験開始から約１５００時間を経過しても、第１のトランス３の耐圧不良は発生していない。すなわち、資料２においては、トランス基板１２の側面１２Ｃに樹脂被膜１２９を配設し、更に樹脂被膜１２９の一部を少なくとも絶縁基材間の界面にまで含浸させ含浸領域１２９Ａを配設しているので、導電体間の短絡経路を根本的に遮断し、導電体間の短絡を防止することができるので、第１のトランス３の絶縁耐圧の特性劣化や破壊を防止することができる。このような効果は第２のトランス７においても同様である。
【００６５】
［トランス基板の製造方法］
前述のトランス基板１２は以下の製造方法を用いて製作されている。
【００６６】
まず最初に、図１１に示すように、複数のトランス基板１２を一度に製作するための製作用基板１２００が製作される。製作用基板１２００は、前述の図７及び図８に示すように、下層から上層に向かって、第１の絶縁基材１２１（５）、１２１（４）、第２の絶縁基材１２２（２）、第１の絶縁基材１２１（３）、第２の絶縁基材１２２（１）、第１の絶縁基材１２１（２）、１２１（１）のそれぞれを順次積層して形成されたものである。第２の絶縁基材１２２（１）の第１の表面上には第２の導電体１２６（１）が接着され、第２の表面上には第２の導電体１２６（２）が接着されている。第２の絶縁基材１２２（２）の第１の表面上には第２の導電体１２６（３）が接着され、第２の表面上には第２の導電体１２６（４）が接着されている。また、第１の絶縁基材１２１（１）の第１の表面上には第３の導電体１２７（１）が形成され、第１の絶縁基材１２１（１）と第１の絶縁基材１２１（２）との間には第１の導電体１２８（１）が形成される。第１の絶縁基材１２１（５）の第２の表面上には第３の導電体１２７（２）が形成され、第１の絶縁基材１２１（５）と第１の絶縁基材１２１（４）との間には第１の導電体１２８（２）が形成される。
【００６７】
この製作個数に限定されるものではないが、一実施例において、製作用基板１２００には、縦方向に５個、横方向に３個の基板形成領域１２０１が配列され、行列状に合計１５個の基板形成領域１２０１が配列されている。１つの基板形成領域１２０１は１つのトランス基板１２に相当し、最終的には１つの製作用基板１２００から合計１５個のトランス基板１２が製作される。
【００６８】
図１２に示すように、製作用基板１２００のそれぞれの基板形成領域１２０１に貫通穴１２５が形成されるとともに、基板形成領域１２０１間の周囲の一部を連結部１２０３として残して周囲の他部にスリット１２０２が形成される。貫通穴１２５は前述のようにコア３３の磁心３３１Ｃを通す貫通穴であり、貫通穴１２５が形成されると側面１２Ｃが露出する。
【００６９】
スリット１２０２は、ここでは製作用基板１２００の表面からそれに対向する裏面に貫通するスリットであり、主に側面１２Ｃを露出させここに樹脂被膜１２９を形成するために製作される。スリット１２０２は、導電体（図１２中、第３の導電体１２７（１））から基板形成領域１２０１間までの離間寸法を十分に確保することができない領域、つまり上下に積層される導電体間の短絡経路が短い領域に配設されている。スリット１２０２の形成方法は特に限定されるものではないが、ここではスリット１２０２はルータを用いた機械加工によって形成されている。また、ここでは、スリット１２０２、貫通穴１２５のそれぞれを形成する工程は同一製造工程であるが、別の製造工程を用いて双方を形成することができる。
【００７０】
連結部１２０３は、基板形成領域１２０１間を相互に連結し、同一製造工程において製作用基板１２００のすべての基板形成領域１２０１に樹脂被膜１２９を形成することができる機能を有する。連結部１２０３は、導電体（図１２中、第３の導電体１２７（１））から基板形成領域１２０１間までの離間寸法を十分に確保することができる領域、つまり上下に積層される導電体間の短絡経路が長い領域に配設されている。連結部１２０３は１つの基板形成領域１２０１に対して３カ所以上配設されていれば、製造過程中に発生する応力に対する機械的強度を確保することができる。
【００７１】
図１３に示すように、少なくとも製作用基板１２００のそれぞれの貫通穴１２５内壁に相当する側面１２Ｃ、スリット１２０２の内壁に相当する側面１２Ｃのそれぞれに樹脂被膜１２９が形成される。ここでは、樹脂被膜１２９には前述のようにポリイミド系樹脂が使用される。ポリイミド系樹脂は、ポッティング法を用いて塗布（コーティング）を行うか、フォトレジスト技術によって製作したマスクを用いて選択的に形成するか、又は刷毛塗りによって塗布を行う。ポリイミド系樹脂は、前述の条件を用いて側面１２Ｃに形成することにより、図７及び図８に示すように樹脂被膜１２９として形成されるとともに、一部を各層の絶縁基材に含浸させて含浸領域１２９Ａを形成する。
【００７２】
引き続き、製作用基板１２００のそれぞれの基板形成領域１２０１間、つまりスリット１２０２の中心部分並びに連結部１２０３を切断し、製作用基板１２００から個々に個片化された複数のトランス基板１２が製作される。切断には例えばダイシングカッタが使用され、機械的加工を用いて切断が行われる。
【００７３】
この後、トランス基板１２にコア３３が装着され、第１のトランス３を製作することができる。なお、第２のトランス７の製作方法は第１のトランス３の製作方法と実質的に同じである。
【００７４】
［硬化型応力緩和材の構造及び特性］
図３乃至図５に示すように、一実施例に係る電子回路装置１においては、第１のトランス３のコア３３の側面周囲、つまりトランス基板１２の２つの長辺及び２つの短辺に沿う４つの側面１２Ｃに対応しそれぞれに平行な４つの側面にのみその全域に少なくとも硬化型応力緩和材３５が配設されている。ここでは、図４に示すように、コア３３の上面３Ａ並びに下面３Ｂには硬化型応力緩和材３５は配設されていない。硬化型応力緩和材３５の膜厚はコア３３の側面から離れるに従って薄く設定されている。コア３３の側面から最も離れた位置（終端）の硬化型応力緩和材３５の膜厚は実質的にゼロである。第１のトランス３のコア３３の側面に配設された硬化型応力緩和材３５は、第１のトランス３とそれを実装する基板１１との接続領域まで引き延ばされ、この接続領域における応力の減少に寄与する。
【００７５】
一実施例において、硬化型応力緩和材３５には、例えば白色半流動性を有する加熱硬化型接着性液状シリコーンゴム（熱硬化型シリコーン樹脂）が使用されている。この加熱硬化型接着性液状シリコーンゴムは、硬化前、白色半流動性を有し、例えば２３℃の温度において約３．５Ｐａ・ｓ−４．５Ｐａ・ｓの粘度を有する。加熱硬化型接着性液状シリコーンゴムは、コーティング技術、ポッティング技術等を用いて塗布した後、例えば１５０℃、１時間の熱処理を行い硬化される。硬化後において、加熱硬化型接着性液状シリコーンゴムは、白色ゴム状に変化し、例えば２０−２２の硬さ（タイプＡ）を有し、例えば２．０×１０-4／℃−２．２×１０-4／Ｋの線膨張係数を有する。
【００７６】
なお、硬化型応力緩和材３５は熱硬化型シリコーン樹脂に限定されない。第１のトランス３のコア３３に樹脂封止体１７の収縮により発生する応力を減少する材料であれば、紫外線硬化型シリコーン樹脂（ゴム）若しくは室温硬化型シリコーン樹脂（ゴム）、又は熱硬化型、紫外線硬化型、室温硬化型のいずれかのエポキシ樹脂を、硬化型応力緩和材３５として使用することができる。硬化型でない例えばゲル状の樹脂はトランスファモールド法を用いた樹脂封止体１７の製造工程において流出してしまい、コア３３の側面にゲル状の樹脂を確実に付着させることは難しい。
【００７７】
［リードの構造］
図２乃至図５に示すように、基板１１の長辺に沿った一側面（図２中及び図３中下側側面、図５中左側側面）にはリード（外部端子）１８０−１８９が配列され、一側面に対向する他の一側面（図２中及び図３中上側側面、図５中右側側面）にはリード１９０−１９３が配列されている。これらのリード１８０−１９３において、樹脂封止体１７内の部分はインナー部であり、樹脂封止体１７外に突出した部分はアウター部である。
【００７８】
リード１８０は直流電圧端子ＤＣＩＮとして使用される。リード１８１は切換信号端子ＯＮ／ＯＦＦとして使用される。リード１８２は入力端子Ｖin+として使用される。リード１８３は入力端子Ｖin-として使用される。リード１８４は出力端子Ｖout-として使用される。リード１８５は負極のリモートセンシング端子Ｖs-として使用される。リード１８６は空き端子ＮＣである。リード１８７は出力電圧調整端子ＴＲＭとして使用される。リード１８８は正極のリモートセンシング端子Ｖs+として使用される。リード１８９は出力端子Ｖout-として使用される。空き端子ＮＣとして使用されるリード１８６は一実施例において放熱経路としての機能を有する。
【００７９】
また、リード１９０−１９３は空き端子ＮＣである。この空き端子ＮＣとして使用されるリード１９０−１９３は同様に放熱経路としての機能を有する。
【００８０】
リード１８０−１９３は電気伝導性に優れた例えばＣｕ又はＣｕ合金により構成されている。この導電性材料は、熱抵抗も小さく、熱伝導性にも優れている。リード１８０−１９３の厚さは例えば０．３ｍｍ−０．５ｍｍに設定されている。
【００８１】
リード１８０−１９３は符号は付けないが基板１１に配設された端子に接着層を介して電気的かつ機械的に接続されている。この接着層には、熱抵抗が小さく、熱伝導性に優れた例えば半田、ペースト等を使用することができる。半田としては例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田を実用的に使用することができる。また、ペーストには例えば導電性ペーストとして用いられるＡｇペーストを実用的に使用することができる。
【００８２】
［応力緩衝体の構造］
図３乃至図５に示すように、応力緩衝体９１は、その表面９１Ａ（図４中、上側表面）に接着層４を介在して第１のトランス３のコア３３の第１のコア３３１の下面３Ｂを接着し、第１のトランス３に取り付けられている。この応力緩衝体９１は、例えば製造過程においてトランスファモールド法を用いて電子回路装置１の樹脂封止体１７を成形した直後の温度収縮に伴い第１のトランス３のコア（磁性体）３３に与える応力を、応力緩衝体９１の剛性によって減少する機能を有する。すなわち、応力緩衝体９１は、樹脂封止体１７の熱収縮に伴う圧縮応力に反発する機能を有し、実効的にコア３３に加わる応力を減少する。また、応力緩衝体９１は、電子回路装置１の製品として完成した後の実稼働における温度上昇並びに温度下降の温度サイクルによって生じると樹脂封止体１７の熱膨張並びに熱収縮に伴うコア３３に与える応力を減少する機能を有する。
【００８３】
このようなコア３３に与える応力を極力減少し、かつ電子回路装置１の薄型化並びに小型化を図るために、応力緩衝体９１は、表面９１Ａのサイズをそれに対向するコア３３の下面３Ｂのサイズに比べて出来る限り大きく設定している。応力緩衝体９１のサイズが大きい方が樹脂封止体１７の割合に対する応力緩衝体９１の割合が多くなるので、応力緩衝体９１によってコア３３に加わる応力を確実に減少することができる。また、換言すれば、樹脂封止体１７の割合が少なくなるので、応力の発生要因そのものを減少することができる。また、応力緩衝体９１は、特に薄型化される樹脂封止体１７の機械的強度を向上することができる。
【００８４】
応力緩衝体９１は金属製板材により構成され、この金属製板材には、樹脂封止体１７に比べて高い適度な剛性を有し、樹脂封止体１７に比べて遙かに熱伝導性に優れ、更にコア３３の線膨張係数に近い、例えばＣｕ（線膨張係数：１．７×１０-6）板又はＣｕ合金板を使用することが好ましい。このＣｕ板又はＣｕ合金板は、そのまま（無垢状態）でも使用可能であるが、表面に例えばＮｉ膜等のめっき膜を形成してもよい。
【００８５】
図４に示すように、接着層４は、第１のトランス３と応力緩衝体９１とを機械的に装着する機能に加えて、双方の間を電気的に絶縁する機能を備えている。この接着層４には、一実施例において、例えばガラス繊維クロスに熱硬化型接着剤を含浸させたプリプレグが使用される。なお、ガラス繊維クロスに熱硬化型接着剤を含浸させたプリプレグに代えて、接着層４には例えば熱硬化性接着剤を両面に塗布したガラス繊維クロスを使用することができる。
【００８６】
［樹脂封止体の構造］
図２乃至図５に示すように、一実施例に係る電子回路装置１においては、前述のように複数の電子部品を実装した基板１１が樹脂封止体１７により気密封止されている。樹脂封止体１７はトランスファモールド法により成形されている。一実施例に係る電子回路装置１は、ＤＣ−ＤＣコンバータを１つの部品としてフルモールド化されたものである。前述のように、樹脂封止体１７には離型剤が含まれるオルソクレゾールノボラックエポキシ系樹脂が使用されている。
【００８７】
［電子回路装置の特徴］
このように構成される一実施例に係る電子回路装置１においては、第１のトランス３（及び第２のトランス７）のトランス基板１２の側面１２Ｃに樹脂被膜１２９を配設し、トランス基板１２の上下に積層された導電体間の短絡経路を遮断したので、薄型化並びに小型化を実現しつつ、エレクトロマイグレーションに起因する導電体間の短絡を防止することができ、第１のトランス３の変換効率を向上し、電気的特性を向上することができる。
【００８８】
更に、電子回路装置１においては、トランス基板１２の樹脂被膜１２９の一部を絶縁基材間の界面の一部まで含浸させ、含浸領域１２９Ａを生成したので、絶縁基材間の界面を強固に接着し、導電体間の短絡経路を根絶することができるので、エレクトロマイグレーションに起因する導電体間の短絡をより一層防止することができ、第１のトランス３の変換効率を向上し、電気的特性を向上することができる。
【００８９】
更に、電子回路装置１の製造方法においては、第１のトランス３（及び第２のトランス７）のトランス基板１２の側面に樹脂被膜１２９を形成し、この樹脂被膜１２９の一部を絶縁基材に含浸させて含浸領域１２９Ａを形成することができるので、簡易な方法によって電気的特性を向上することができる。
【００９０】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明を実施例１及び実施例２によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものでない。本発明は様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術に適用することができる。
【００９１】
例えば、本発明は、電子回路装置１としてＤＣ−ＤＣコンバータに限定されるものではなく、ＤＣ−ＤＣコンバータとその前段にそれとともに電源モジュールを構築する高周波対策用力率改善（ＰＦＣ：Power Factor Correction）回路を電子回路装置１としてもよい。また、本発明は、積層基板に磁性体を配設する電子回路装置に広く適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明は、薄型化並びに小型化を実現しつつ、積層基板のエレクトロマイグレーションに起因する導電体間の短絡を防止することができ、磁性体を含む素子の電気的特性を向上することができる電子回路装置及びその製造方法に広く適用することができる。
【符号の説明】
【００９３】
１…電子回路装置
１１…基板
１２…トランス基板
１２１…第１の絶縁基材
１２２…第２の絶縁基材
１２６…第２の導電体
１２７…第３の導電体
１２８…第１の導電体
１２９…樹脂被膜
１２９Ａ…含浸領域
１２００…製作用基板
１２０１…基板形成領域
１２０２…スリット
１２０３…連結部
１７…樹脂封止体
１８０−１９３、１８００−１８０８、１９００−１９０３…リード
２…トランジスタ部
２１…第１のＩＧＦＥＴ
２２…第２のＩＧＦＥＴ
３…第１のトランス
３３…コア
４…接着層
４１−４３…コンデンサ
５…ダイオード
６…制御部
７…第２のトランス
８…温度検出部
９１…応力緩衝体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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