(57)【要約】【課題】画像データを記憶する際の高信頼性と低コストとを両立させる。【解決手段】ＮＡＮＤフラッシュメモリを有し、画像を符号化することにより、当該画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、当該画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成してＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶する記憶装置であって、ＮＡＮＤフラッシュメモリは、ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリと、ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリとから構成され、生成した低周波成分画像データをＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶し、生成した高周波成分画像データをＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶する。【選択図】図１
2012147074.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮＡＮＤフラッシュメモリを有し、画像を符号化することにより、当該画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、当該画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成して前記ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶する記憶装置であって、
前記ＮＡＮＤフラッシュメモリは、ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリと、ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリとから構成され、
前記生成した低周波成分画像データを前記ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶し、前記生成した高周波成分画像データを前記ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶する記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の記憶装置において、
前記ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した低周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスと、前記ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した高周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスとを対応付けて記憶する記憶装置。
【請求項３】
ＮＡＮＤフラッシュメモリを有し、画像を符号化することにより、当該画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、当該画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成して前記ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶する記憶装置における記憶方法であって、
前記ＮＡＮＤフラッシュメモリを構成するＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに前記生成した低周波成分画像データを記憶し、前記ＮＡＮＤフラッシュメモリを構成するＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに前記生成した高周波成分画像データを記憶する処理を有する記憶方法。
【請求項４】
請求項３に記載の記憶方法において、
前記ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した低周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスと、前記ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した高周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスとを対応付けて記憶する処理をさらに有する記憶方法。
【請求項５】
ＮＡＮＤフラッシュメモリを有し、画像を符号化することにより、当該画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、当該画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成して前記ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶する記憶装置に、
前記ＮＡＮＤフラッシュメモリを構成するＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに前記生成した低周波成分画像データを記憶する機能と、
前記ＮＡＮＤフラッシュメモリを構成するＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに前記生成した高周波成分画像データを記憶する機能と、を実現させるためのプログラム。
【請求項６】
請求項５に記載のプログラムにおいて、
前記記憶装置に、
前記ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した低周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスと、前記ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリの記憶領域のうち前記生成した高周波成分画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスとを対応付けて記憶する機能をさらに実現させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像データを記憶する記憶装置、記憶方法およびプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
撮像装置等において撮影された画像は、ＪＰＥＧ（Ｊｏｉｎｔ  Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｅｘｐｅｒｔｓ  Ｇｒｏｕｐ）等の圧縮方式を用いて符号化され、その撮像装置等が備えるＮＡＮＤフラッシュメモリに画像データとして記憶されるのが通常である。
【０００３】
なお、画像を圧縮する際の圧縮条件の変更を可能にする技術が例えば、特許文献１に開示されている。また、画像の圧縮を高速に行うための技術が例えば、特許文献２に開示されている。
【０００４】
ここで、ＮＡＮＤフラッシュメモリは、ＳＬＣ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｅｌｌ）  ＮＡＮＤフラッシュメモリと、ＭＬＣ（Ｍｕｌｔｉ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｅｌｌ）  ＮＡＮＤフラッシュメモリとに分類される。
【０００５】
ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリは、１つのメモリセルで１ビットのデータを記憶するＮＡＮＤフラッシュメモリであり、信頼性は高いが高コストである。一方、ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリは、１つのメモリセルで２ビット以上のデータを記憶するＮＡＮＤフラッシュメモリであり、信頼性は低いが低コストである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−２０５１４４号公報
【特許文献２】特開平８−１９５９５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
画像データは、コストを重視してＭＬＣ  ＮＡＭＤフラッシュメモリに記憶することが多い。しかし、ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶されたデータは、ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶されたデータと比べてビット化けの発生率が高い。ビット化けが発生した場合、画像データを復号化することによって生成された画像に乱れ（画乱れ）が生じてしまう。つまり、画像データを記憶する際の高信頼性を確保できないという問題点がある。
【０００８】
一方で、画像データをＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶させると、コストがかかってしまうという問題点がある。
【０００９】
本発明は、画像データを記憶する際の高信頼性と低コストとを両立させることができる記憶装置、記憶方法およびプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために本発明の記憶装置は、ＮＡＮＤフラッシュメモリを有し、画像を符号化することにより、当該画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、当該画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成して前記ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶する記憶装置であって、
前記ＮＡＮＤフラッシュメモリは、ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリと、ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリとから構成され、
前記生成した低周波成分画像データを前記ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶し、前記生成した高周波成分画像データを前記ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶する。
【００１１】
また、上記目的を達成するために本発明の記憶方法は、ＮＡＮＤフラッシュメモリを有し、画像を符号化することにより、当該画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、当該画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成して前記ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶する記憶装置における記憶方法であって、
前記ＮＡＮＤフラッシュメモリを構成するＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに前記生成した低周波成分画像データを記憶し、前記ＮＡＮＤフラッシュメモリを構成するＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに前記生成した高周波成分画像データを記憶する処理を有する。
【００１２】
また、上記目的を達成するために本発明のプログラムは、ＮＡＮＤフラッシュメモリを有し、画像を符号化することにより、当該画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、当該画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成して前記ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶する記憶装置に、
前記ＮＡＮＤフラッシュメモリを構成するＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに前記生成した低周波成分画像データを記憶する機能と、
前記ＮＡＮＤフラッシュメモリを構成するＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに前記生成した高周波成分画像データを記憶する機能と、を実現させる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、画像の低周波成分を示す低周波成分画像データがＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶され、その画像の高周波成分を示す高周波成分画像データがＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶される。
【００１４】
ここで、低周波成分画像データには、上述した特許文献１にも記載されているように、画像のＤＣ成分と低周波成分とが含まれているため、低周波成分画像データによって画像のおおまかな輪郭や色が再現できる。
【００１５】
そのため、ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶されていた高周波成分画像データにビット化けが発生した場合でも、画像データを復号化することによって生成された画像に人間の目で見てはっきりとわかるような画乱れは生じない。
【００１６】
従って、低周波成分画像データを信頼性の高いＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶し、高周波成分画像データを低コストのＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶することにより、画像データを記憶する際の高信頼性と低コストとを両立させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の記憶装置を適用した撮像装置の実施の一形態の構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示したＲＡＭに記憶された画像を符号化するときの動作を説明するためのフローチャートである。
【図３】図１に示した符号化処理部によって量子化された後の離散コサイン変換係数の一例を示す図である。
【図４】図３に示した低周波バンドに属する離散コサイン変換係数をジグザグスキャンするときの順番を説明するための図である。
【図５】図３に示した高周波バンドに属する離散コサイン変換係数をジグザグスキャンするときの順番を説明するための図である。
【図６】図１に示したＲＡＭに記憶された１組の画像データをＮＡＮＤ  フラッシュメモリに記憶させるときの動作を説明するためのフローチャートである。
【図７】図１に示したＮＡＮＤフラッシュメモリのアドレスマップの一例を示す図であり、（ａ）はＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリのアドレスマップの一例を示す図、（ｂ）はＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリのアドレスマップの一例を示す図である。
【図８】図１に示した  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶された１組の画像データを読み出すときの動作を説明するためのフローチャートである。
【図９】図１に示したＲＡＭに記憶された１組の画像データを復号化するときの動作を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１９】
図１は、本発明の記憶装置を適用した撮像装置の実施の一形態の構成を示すブロック図である。
【００２０】
本実施形態の撮像装置２００は図１に示すように、記憶装置１００と、操作部２０１と、表示コントローラ２０２と、表示デバイス２０３と、カメラデバイス２０４とを備えている。
【００２１】
記憶装置１００は、制御部１０１と、符号化処理部１０２と、復号化処理部１０３と、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１０４と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）１０５と、フラッシュメモリコントローラ１０６と、ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７と、ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８とを備えている。
【００２２】
ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７は、１つのメモリセルで１ビットのデータを記憶するＮＡＮＤフラッシュメモリである。
【００２３】
ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８は、１つのメモリセルで２ビット以上のデータを記憶するＮＡＮＤフラッシュメモリである。なお、以降、ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７とＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８との両方を指す場合には単に、ＮＡＮＤフラッシュメモリという。
【００２４】
操作部２０１は、ユーザが撮像装置２００を操作するためのヒューマンインタフェースである。操作部２０１は、ユーザから各種の指示を受け付け、受け付けた指示の内容を示すユーザ指示情報を制御部１０１へ出力する。
【００２５】
制御部１０１は、操作部２０１から出力されたユーザ指示情報を受け付け、受け付けたユーザ指示情報が示す内容に応じて撮像装置２００の各部を動作させるための各種のコマンドを出力する。また、制御部１０１は、後述する低周波成分画像データをフラッシュメモリコントローラ１０６を介してＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７に記憶させる。また、制御部１０１は、後述する高周波成分画像データをフラッシュメモリコントローラ１０６を介してＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８に記憶させる。また、制御部１０１は、ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７およびＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８に記憶された低周波成分画像データおよび高周波成分画像データをフラッシュメモリコントローラ１０６を介して読み出す。
【００２６】
ＲＡＭ１０４は、制御部１０１が各種の制御プログラムを実行する際に必要となるデータを記憶し、ワークメモリとして使用される。
【００２７】
ＲＯＭ１０５は、制御部１０１が実行する各種の制御プログラムや固定データを記憶している。
【００２８】
カメラデバイス２０４は、入射された光から被写体像をレンズ（不図示）によって結像し、結像した被写体像をイメージセンサ（不図示）等の撮像素子によって電気信号に変換する。これにより、カメラデバイス２０４は、例えばＹＵＶフォーマットの画像を取得する。そして、カメラデバイス２０４は、取得した画像をＲＡＭ１０４に記憶させる。
【００２９】
符号化処理部１０２は、ＲＡＭ１０４に記憶された画像を読み出してＪＰＥＧ等を用いて符号化することによって画像データを生成する。このとき、符号化処理部１０２は、ＲＡＭ１０４に記憶された画像の低周波成分を示す低周波成分画像データと、その画像の高周波成分を示す高周波成分画像データとを生成する。そして、符号化処理部１０２は、生成した低周波成分画像データと高周波成分画像データとから構成される１組の画像データをＲＡＭ１０４に記憶させる。なお、画像から低周波成分画像データと高周波数成分画像データとを生成する方法はすでにプログレッシブＪＰＥＧなどで実現されている。プログレッシブＪＰＥＧを用いて符号化する技術は例えば、上述した特許文献１に開示されている。
【００３０】
復号化処理部１０３は、ＲＡＭ１０４に記憶された１組の画像データを構成する低周波成分画像データと高周波成分画像データとを復号化することにより、表示デバイス２０３へ表示するための画像を生成してＲＡＭ１０４に記憶させる。なお、復号化の方法については例えば、上述した特許文献２に開示されている。
【００３１】
表示コントローラ２０２は、ＲＡＭ１０４に記憶された画像を表示デバイス２０３に表示させる。
【００３２】
表示デバイス２０３は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）や有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）である。
【００３３】
以下に、上記のように構成された撮像装置２００の動作について説明する。
【００３４】
操作部２０１は、ユーザから撮影の指示を受け付けると、その旨を示すユーザ指示情報を制御部１０１へ出力する。
【００３５】
操作部２０１から出力されたユーザ指示情報を受け付けた制御部１０１は、撮影を指示するための撮影コマンドをカメラデバイス２０４へ出力する。
【００３６】
制御部１０１から出力された撮影コマンドを受け付けたカメラデバイス２０４は、入射された光から被写体像をレンズによって結像し、結像した被写体像をイメージセンサ等の撮像素子によって電気信号に変換して画像を取得する。
【００３７】
次に、操作部２０１は、撮影した画像を保存する指示をユーザから受け付けると、その旨を示すユーザ指示情報を制御部１０１へ出力する。
【００３８】
操作部２０１から出力されたユーザ指示情報を受け付けた制御部１０１は、画像の保存を指示するための保存コマンドをカメラデバイス２０４へ出力する。
【００３９】
制御部１０１から出力された保存コマンドを受け付けたカメラデバイス２０４は、取得した画像をＲＡＭ１０４に記憶させる。
【００４０】
次に、制御部１０１は、ＲＡＭ１０４に記憶された画像を符号化するための符号化コマンドを符号化処理部１０２へ出力する。
【００４１】
符号化処理部１０２は、制御部１０１から出力された符号化コマンドを受け付けると、ＲＡＭ１０４に記憶された画像を符号化する。以下に、この動作の詳細について説明する。
【００４２】
図２は、図１に示したＲＡＭ１０４に記憶された画像を符号化するときの動作を説明するためのフローチャートである。
【００４３】
符号化処理部１０２は、ＲＡＭ１０４に記憶された画像を読み出して複数のプレーン毎に８×８画素の複数のブロックに分割する（ステップＳ１）。
【００４４】
そして、符号化処理部１０２は、複数のブロック毎に離散コサイン変換を実行する（ステップＳ２）。これにより、ＲＡＭ１０４から読み出された画像が空間周波数成分である離散コサイン変換係数に変換される。離散コサイン変換係数は、８×８の行列で表される周波数空間の係数である。
【００４５】
次に、符号化処理部１０２は、離散コサイン変換係数を量子化する（ステップＳ３）。量子化では、離散コサイン変換係数を要素毎に定められたスケールファクタと呼ばれる値で除算することによって符号データ量を削減する。
【００４６】
図３は、図１に示した符号化処理部１０２によって量子化された後の離散コサイン変換係数の一例を示す図である。図３に示す数字のそれぞれが量子化された後の離散コサイン変換係数である。なお、以降、量子化された後の離散コサイン変換係数のことを単に、離散コサイン変換係数という。
【００４７】
以降の処理は、離散コサイン変換係数を低周波バンドと高周波バンドとに分けて実行される。ここでは、図３に示すように、離散コサイン変換係数「０〜５」が低周波バンドに属し、離散コサイン変換係数「６〜６３」が高周波バンドに属するものとする。
【００４８】
再度、図２を参照すると、次に、符号化処理部１０２は、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数をジグザグスキャンする（ステップＳ４）。これにより、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数が１次元配列化される。
【００４９】
図４は、図３に示した低周波バンドに属する離散コサイン変換係数をジグザグスキャンするときの順番を説明するための図である。
【００５０】
符号化処理部１０２は図４に示すように、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数「０〜５」を昇順にジグザグスキャンする。
【００５１】
そして、符号化処理部１０２は、二次元ハフマン変換を実行することによって低周波成分画像データを生成する（ステップＳ５）。
【００５２】
次に、符号化処理部１０２は、高周波バンドに属する離散コサイン変換係数をジグザグスキャンする（ステップＳ６）。これにより、高周波バンドに属する離散コサイン変換係数が１次元配列化される。
【００５３】
図５は、図３に示した高周波バンドに属する離散コサイン変換係数をジグザグスキャンするときの順番を説明するための図である。
【００５４】
符号化処理部１０２は図５に示すように、高周波バンドに属する離散コサイン変換係数「６〜６３」を昇順にジグザグスキャンする。
【００５５】
そして、符号化処理部１０２は、二次元ハフマン変換を実行することによって高周波成分画像データを生成する（ステップＳ７）。
【００５６】
以上により、低周波成分画像データと高周波成分画像データとから構成される１組の画像データが生成されたことになる。
【００５７】
次に、符号化処理部１０２は、生成した１組の画像データをＲＡＭ１０４に記憶させる（ステップＳ８）。
【００５８】
次に、図１に示したＲＡＭ１０４に記憶された１組の画像データをＮＡＮＤ  フラッシュメモリに記憶させるときの動作について説明する。
【００５９】
図６は、図１に示したＲＡＭ１０４に記憶された１組の画像データをＮＡＮＤ  フラッシュメモリに記憶させるときの動作を説明するためのフローチャートである。
【００６０】
まず、制御部１０１は、１組の画像データを構成する低周波成分画像データと高周波成分画像データとのそれぞれが記憶された記憶領域を示すアドレスを管理するための管理テーブルを生成する（ステップＳ２１）。
【００６１】
次に、制御部１０１は、ＲＡＭ１０４に記憶されている１組の画像データのうち低周波成分画像データをフラッシュメモリコントローラ１０６を介してＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７に記憶させる（ステップＳ２２）。
【００６２】
また、制御部１０１は、ＲＡＭ１０４に記憶されている１組の画像データのうち高周波成分画像データをフラッシュメモリコントローラ１０６を介してＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８に記憶させる（ステップＳ２３）。
【００６３】
次に、制御部１０１は、ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７の記憶領域のうち、ステップＳ２２にて低周波成分画像データを記憶した記憶領域を示すアドレスを、ステップＳ２１にて生成した管理テーブルに書き込む（ステップＳ２４）。
【００６４】
また、制御部１０１は、ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８の記憶領域のうち、ステップＳ２３にて高周波成分画像データを記憶した記憶領域を示すアドレスを、ステップＳ２１にて生成した管理テーブルに書き込む（ステップＳ２５）。
【００６５】
以上により、１組の画像データを構成する低周波成分画像データが記憶されたＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７の記憶領域を示すアドレスと、その１組の画像データを構成する高周波成分画像データが記憶されたＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８の記憶領域を示すアドレスとが対応付けられて管理テーブルに記憶されることになる。
【００６６】
そして、制御部１０１は、アドレスが書き込まれた管理テーブルをＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７に記憶させる（ステップＳ２６）。
【００６７】
図７は、図１に示したＮＡＮＤフラッシュメモリのアドレスマップの一例を示す図であり、（ａ）はＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７のアドレスマップの一例を示す図、（ｂ）はＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８のアドレスマップの一例を示す図である。
【００６８】
図７（ａ）に示すように、ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７には、管理テーブル１１と、１組の画像データのうちの低周波成分画像データ１２が記憶されている。また、図７（ｂ）に示すように、ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８には、その１組の画像データのうちの高周波成分画像データ１３が記憶されている。
【００６９】
次に、図１に示した  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶された１組の画像データを読み出して復号化し、表示デバイス２０３に表示するための例えばＹＵＶフォーマットの画像を生成する動作について説明する。
【００７０】
まず、ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶された１組の画像データを読み出すときの動作について説明する。
【００７１】
図８は、図１に示したＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶された１組の画像データを読み出すときの動作を説明するためのフローチャートである。
【００７２】
まず、操作部２０１は、ユーザから画像の表示の指示を受け付ける。なお、ユーザは、画像をサムネイル等の縮小した状態で表示するか、縮小せずに表示するかのいずれかを選択しているものとする。
【００７３】
ユーザからの指示を受け付けた操作部２０１は、その旨を示すユーザ指示情報を制御部１０１へ出力する。
【００７４】
操作部２０１から出力されたユーザ指示情報を受け付けた制御部１０１は、フラッシュメモリコントローラ１０６を介してＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７から管理テーブルを読み出す（ステップＳ４１）。
【００７５】
次に、制御部１０１は、読み出した管理テーブルから、ユーザから表示を指示された画像を示す１組の画像データを構成する低周波成分画像データが記憶されているＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７の記憶領域を示すアドレスを抽出する（ステップＳ４２）。
【００７６】
また、制御部１０１は、読み出した管理テーブルから、ステップＳ４２にて抽出したアドレスに対応するアドレス、すなわち高周波成分画像データが記憶されているＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８の記憶領域を示すアドレスを抽出する（ステップＳ４３）。
【００７７】
次に、制御部１０１は、ステップＳ４２にて抽出したＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７のアドレスに基づき、フラッシュメモリコントローラ１０６を介してＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７から低周波成分画像データを読み出してＲＡＭ１０４に記憶させる（ステップＳ４４）。
【００７８】
次に、制御部１０１は、受け付けたユーザ指示情報が、画像を縮小して表示することを示しているかどうかを確認する（ステップＳ４５）。なお、画像を縮小して表示するか、画像を縮小せずに表示するかを確認しているのは、高周波成分画像データは画像の細かな部分を示しているため、画像を縮小して表示する場合、高周波成分画像データは必要ないからである。
【００７９】
ステップＳ４５における確認の結果、受け付けたユーザ指示情報が画像を縮小して表示することを示していない場合、つまり、高周波成分画像データが必要である場合、制御部１０１は、ステップＳ４３にて抽出したＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８のアドレスに基づき、フラッシュメモリコントローラ１０６を介してＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８から高周波成分画像データを読み出してＲＡＭ１０４に記憶させる（ステップＳ４６）。
【００８０】
以上により、ユーザから表示を指示された画像を示す１組の画像データを構成する低周波成分画像データと高周波成分画像データとがＲＡＭ１０４に記憶されたことになる。
【００８１】
一方、ステップＳ４５における確認の結果、受け付けたユーザ指示情報が画像を縮小して表示することを示している場合、つまり、高周波成分画像データが必要でない場合、処理を終了する。
【００８２】
次に、図１に示したＲＡＭ１０４に記憶された１組の画像データを復号化するときの動作について説明する。
【００８３】
図９は、図１に示したＲＡＭ１０４に記憶された１組の画像データを復号化するときの動作を説明するためのフローチャートである。
【００８４】
まず、制御部１０１は、ＲＡＭ１０４に記憶された１組の画像データを復号化するための復号化コマンドを復号化処理部１０３へ出力する。
【００８５】
制御部１０１から出力された復号化コマンドを受け付けた復号化処理部１０３は、ＲＡＭ１０４に記憶された１組の画像データを構成する低周波成分画像データと高周波成分画像データと並べ替える（ステップＳ６１）。具体的には、１次元配列となっている低周波成分画像データと高周波成分画像データを複数のブロック毎にジグザグスキャンする前の８×８の行列にする。
【００８６】
次に、復号化処理部１０３は、逆量子化する（ステップＳ６２）。具体的には、図２に示したフローチャートおけるステップＳ３において除算した時の値を用いた乗算が実行される。
【００８７】
次に、復号化処理部１０３は、複数のブロック毎に逆離散コサイン変換を実行する（ステップＳ６３）。これにより、複数のブロックのそれぞれが８×８の画素データに変換されて画像が生成される。
【００８８】
このように本実施形態においては、画像の低周波成分を示す低周波成分画像データがＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７に記憶され、その画像の高周波成分を示す高周波成分画像データがＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８に記憶される。
【００８９】
ここで、低周波成分画像データには、上述した特許文献１にも記載されているように、画像のＤＣ成分と低周波成分とが含まれているため、低周波成分画像データによって画像のおおまかな輪郭や色が再現できる。
【００９０】
そのため、ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８に記憶されていた高周波成分画像データにビット化けが発生した場合でも、画像データを復号化することによって生成された画像に人間の目で見てはっきりとわかるような画乱れは生じない。
【００９１】
従って、本実施形態のように、画像を示す１組の画像データを構成する低周波成分画像データを信頼性の高いＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７に記憶し、その１組の画像データを構成する高周波成分画像データを低コストのＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８に記憶することにより、画像データを記憶する際の高信頼性と低コストとを両立させることができる。
【００９２】
次に、本実施形態の記憶装置１００を適用することによって高信頼性と低コストとを両立させることができることを具体例を用いて説明する。
【００９３】
チップ面積が同じ場合、ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリは、ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリの２倍以上の容量を確保できる。そのため、ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリのビットあたりの単価は、ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリの半分以下である。ここでは、ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリとＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリとの価格の比率を、ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリの価格：ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリの価格＝２：１とする。
【００９４】
この条件下で、図３に示した低周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数と高周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数との比率に応じてコストがどのように変化するかを示す。
【００９５】
（１）信頼性を重視した場合
高信頼性を確保するため、図３に示した６４個の離散コサイン変換係数の全てを低周波バンドに属するものとする。この場合、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数：高周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数＝１００：０となる。
【００９６】
各バンド内の離散コサイン変換係数の数と、それに基づいて符号化される画像データのサイズとは比例する。そのため、低周波成分画像データのサイズ：高周波成分画像データのサイズ＝１００：０となる。
【００９７】
そして、低周波成分画像データをＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶し、高周波成分画像データをＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリに記憶する。この場合のコストを「コストＡ」とすると、コストＡ＝（（低周波成分画像データのサイズ）×（ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリの価格）＋（高周波成分画像データのサイズ）×（ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリの価格））＝１００×２＋０×１＝２００となる。
【００９８】
（２）コスト重視した場合
コストを重視し、図３に示した６４個の離散コサイン変換係数の全てを高周波バンドに属するものとする。この場合、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数：高周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数＝０：１００となる。これにより、低周波成分画像データのサイズ：高周波成分画像データのサイズ＝０：１００となる。
【００９９】
この場合のコストを「コストＢ」とすると、コストＢ＝（（低周波成分画像データのサイズ）×（ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリの価格）＋（高周波成分画像データのサイズ）×（ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリの価格））＝０×２＋１００×１＝１００となる。
【０１００】
（３）本実施形態の記憶装置１００を適用して高信頼性と低コストと両立した場合
図３に示した６４個の離散コサイン変換係数のうち、２割が低周波バンドに属するものとし、８割が高周波バンドに属するものとする。この場合、低周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数：高周波バンドに属する離散コサイン変換係数の数＝２０：８０となる。これにより、低周波成分画像データのサイズ：高周波成分画像データのサイズ＝２０：８０となる。
【０１０１】
この場合のコストを「コストＣ」とすると、コストＣ＝（（低周波成分画像データのサイズ）×（ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリの価格）＋（高周波成分画像データのサイズ）×（ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュのメモリ価格））＝２０×２＋８０×１＝１２０となる。つまり、上記の（２）コストを重視した場合に比べて２割のコストアップで信頼性を向上させることが可能である。
【０１０２】
また、本実施形態においてサムネイルなどの縮小した画像を表示する場合には、画像データの読み出し時間を短縮することが可能である。縮小した画像を表示する場合には、高周波成分画像データは必要なく、低周波成分画像データだけを読み出せばよいからである。
【０１０３】
また、本実施形態においては、低周波数成分画像データおよび高周波数画像データが記憶された記憶領域を示すアドレスが管理テーブルに書き込まれている。そのため、低周波数成分画像データおよび高周波数画像データを読み出す際の時間を短縮することが可能となる。これは、読み出しの際にＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７およびＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０８のどこの記憶領域に記憶された画像データを読み出せばよいかをその都度確認する必要がなくなるからである。
【０１０４】
なお、本実施形態では、管理テーブルと低周波成分画像データとをＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ１０７に記憶させたが、管理テーブルと低周波成分画像データとをＲＡＭ１０４に記憶させることも可能である。
【０１０５】
この場合、管理テーブルと低周波成分画像データとの読み出しにかかる時間の短縮および信頼性の向上を図ることができる。これは、ＲＡＭ１０４は基本的に、ＮＡＮＤフラッシュメモリに比べて読み出し時のアクセス時間が短く、また電源オン状態であればビット化けが発生しないからである。
【０１０６】
また、本実施形態では、本発明の記憶装置を適用した撮像装置について説明したが、撮像装置には例えば、撮像機能を有する携帯電話等の携帯端末が含まれる。
【０１０７】
また、本発明においては、記憶装置内の処理は上述の専用のハードウェアにより実現されるもの以外に、その機能を実現するためのプログラムを記憶装置にて読取可能な記録媒体に記録し、この記録媒体に記録されたプログラムを記憶装置に読み込ませ、実行するものであっても良い。記憶装置にて読取可能な記録媒体とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＤＶＤ、ＣＤなどの移設可能な記録媒体の他、記憶装置に内蔵されたＨＤＤなどを指す。
【符号の説明】
【０１０８】
１１    管理テーブル
１２    低周波成分画像データ
１３    高周波成分画像データ
１００    記憶装置
１０１    制御部
１０２    符号化処理部
１０３    復号化処理部
１０４    ＲＡＭ
１０５    ＲＯＭ
１０６    フラッシュメモリコントローラ
１０７    ＳＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ
１０８    ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュメモリ
２００    撮像装置
２０１    操作部
２０２    表示コントローラ
２０３    表示デバイス
２０４    カメラデバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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