(57)【要約】【課題】低温かつ短時間で体積抵抗率が低い回路等を形成することができる導電性組成物に用いられる表面処理銀粉ならびにそれを用いた導電性組成物および太陽電池セルの提供。【解決手段】脂肪酸銀塩で表面処理された銀粉であって、  前記脂肪酸銀塩が、カルボキシ銀塩基（−ＣＯＯＡｇ）と水酸基（−ＯＨ）とをそれぞれ１個以上有する脂肪酸銀塩（Ａ１）、および／または、カルボキシ銀塩基（−ＣＯＯＡｇ）を２個以上有するポリカルボン酸銀塩（Ａ２）である表面処理銀粉。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
脂肪酸銀塩で表面処理された銀粉であって、
前記脂肪酸銀塩が、カルボキシ銀塩基（−ＣＯＯＡｇ）と水酸基（−ＯＨ）とをそれぞれ１個以上有する脂肪酸銀塩（Ａ１）、および／または、カルボキシ銀塩基（−ＣＯＯＡｇ）を２個以上有するポリカルボン酸銀塩（Ａ２）である表面処理銀粉。
【請求項２】
前記脂肪酸銀塩（Ａ１）が、下記式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）のいずれかで表される化合物である請求項１に記載の表面処理銀粉。
【化１】
2012054103.tif 000014
（式（Ｉ）中、ｎは０〜２の整数を表し、Ｒ1は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ2は炭素数１〜６のアルキレン基を表す。ｎが０または１である場合、複数のＲ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。ｎが２である場合、複数のＲ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
式（ＩＩ）中、Ｒ1は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、複数のＲ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
式（ＩＩＩ）中、Ｒ1は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ3は炭素数１〜６のアルキレン基を表す。複数のＲ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項３】
前記脂肪酸銀塩（Ａ１）が、前記カルボキシ銀塩基に対するα位および／またはβ位の炭素原子に前記水酸基を有している請求項１または２に記載の表面処理銀粉。
【請求項４】
前記脂肪酸銀塩（Ａ１）が、前記カルボキシ銀塩基を１個有し、前記水酸基を１個または２個有する請求項１〜３のいずれかに記載の表面処理銀粉。
【請求項５】
前記ポリカルボン酸銀塩（Ａ２）が、水酸基を有しない請求項１〜４のいずれかに記載の表面処理銀粉。
【請求項６】
前記ポリカルボン酸銀塩（Ａ２）が、下記式（ＩＶ）で表される化合物である請求項１〜５のいずれかに記載の表面処理銀粉。
【化２】
2012054103.tif 000015
（式（ＩＶ）中、ｍは、２〜６の整数を表し、Ｒ4は、炭素数１〜２４のｍ価の飽和脂肪族炭化水素基、炭素数２〜１２のｍ価の不飽和脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２のｍ価の脂環式炭化水素基、または、炭素数６〜１２のｍ価の芳香族炭化水素基を表す。Ｒ4の炭素数をｐとすると、ｍ≦２ｐ＋２である。）
【請求項７】
前記脂肪酸銀塩（Ａ１）が、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−ｎ−酪酸銀塩および／または２−ヒドロキシイソ酪酸銀塩である請求項１〜６のいずれかに記載の表面処理銀粉。
【請求項８】
前記ポリカルボン酸銀塩（Ａ２）が、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸銀塩である請求項１〜７のいずれかに記載の表面処理銀粉。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載された表面処理銀粉を含有する導電性組成物。
【請求項１０】
太陽電池電極用ペーストに用いる請求項９に記載の導電性組成物。
【請求項１１】
受光面側の表面電極、半導体基板および裏面電極を具備し、
前記表面電極および／または前記裏面電極が、請求項１０に記載の導電性組成物を用いて形成される太陽電池セル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面処理銀粉ならびにそれを用いた導電性組成物および太陽電池セルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、銀粒子などの導電性粒子に熱可塑性樹脂（例えば、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂等）や熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等）などからなるバインダ、有機溶剤、硬化剤、触媒等を添加し混合して得られる銀ペースト（導電性組成物）を、合成樹脂基材上（例えば、ポリエステルフィルム等）に所定の回路パターンとなるように印刷し、これらを加熱して導体回路をなす導電性配線を形成し、回路基板を製造する方法が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、このような導電性組成物（導電ペースト）に用いられる材料として、「芯材としての銀粒子と、この銀粒子の表面に被覆された銀化合物の被覆部とを備えた銀化合物被覆銀粒子を含む、銀化合物被覆銀粉。」が記載されており（［請求項１］）、銀化合物として、酸化銀、炭酸銀、ヘキサン酸銀が記載されている（［請求項２］）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２９８９３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、本発明者が、特許文献１に記載された銀化合物被覆銀粉について検討したところ、被覆に用いる銀化合物の種類によっては、線幅の細い（１００μｍ程度以下）の回路や電極（以下、「回路等」ともいう。）を印刷するのが困難となったり、低温（１５０〜１８０℃程度）かつ短時間（数分〜数十分程度）の焼成後に形成される回路等の体積抵抗率が高くなったりする場合があることが明らかとなった。
【０００６】
そこで、本発明は、細線部における印刷性に優れ、低温かつ短時間で体積抵抗率が低い回路等を形成することができる導電性組成物に用いられる表面処理銀粉ならびにそれを用いた導電性組成物および太陽電池セルを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、特定の脂肪酸銀塩を用いて表面処理した銀粉を含有する導電性組成物が、細線部における印刷性に優れ、低温かつ短時間で体積抵抗率が低い回路等を形成することができることを見出し、本発明を完成させた。即ち、本発明は、下記（１）〜（１１）を提供する。
【０００８】
（１）脂肪酸銀塩で表面処理された銀粉であって、
上記脂肪酸銀塩が、カルボキシ銀塩基（−ＣＯＯＡｇ）と水酸基（−ＯＨ）とをそれぞれ１個以上有する脂肪酸銀塩（Ａ１）、および／または、カルボキシ銀塩基（−ＣＯＯＡｇ）を２個以上有するポリカルボン酸銀塩（Ａ２）である表面処理銀粉。
【０００９】
（２）上記脂肪酸銀塩（Ａ１）が、下記式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）のいずれかで表される化合物である上記（１）に記載の表面処理銀粉。
【化１】
2012054103.tif 000002
（式（Ｉ）中、ｎは０〜２の整数を表し、Ｒ1は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ2は炭素数１〜６のアルキレン基を表す。ｎが０または１である場合、複数のＲ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。ｎが２である場合、複数のＲ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
式（ＩＩ）中、Ｒ1は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、複数のＲ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
式（ＩＩＩ）中、Ｒ1は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ3は炭素数１〜６のアルキレン基を表す。複数のＲ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
【００１０】
（３）上記脂肪酸銀塩（Ａ１）が、上記カルボキシ銀塩基に対するα位および／またはβ位の炭素原子に上記水酸基を有している上記（１）または（２）に記載の表面処理銀粉。
【００１１】
（４）上記脂肪酸銀塩（Ａ１）が、上記カルボキシ銀塩基を１個有し、上記水酸基を１個または２個有する上記（１）〜（３）のいずれかに記載の表面処理銀粉。
【００１２】
（５）上記ポリカルボン酸銀塩（Ａ２）が、水酸基を有しない上記（１）〜（４）のいずれかに記載の表面処理銀粉。
【００１３】
（６）上記ポリカルボン酸銀塩（Ａ２）が、下記式（ＩＶ）で表される化合物である上記（１）〜（５）のいずれかに記載の表面処理銀粉。
【化２】
2012054103.tif 000003
（式（ＩＶ）中、ｍは、２〜６の整数を表し、Ｒ4は、炭素数１〜２４のｍ価の飽和脂肪族炭化水素基、炭素数２〜１２のｍ価の不飽和脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２のｍ価の脂環式炭化水素基、または、炭素数６〜１２のｍ価の芳香族炭化水素基を表す。Ｒ4の炭素数をｐとすると、ｍ≦２ｐ＋２である。）
【００１４】
（７）上記脂肪酸銀塩（Ａ１）が、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−ｎ−酪酸銀塩および／または２−ヒドロキシイソ酪酸銀塩である上記（１）〜（６）のいずれかに記載の表面処理銀粉。
【００１５】
（８）上記ポリカルボン酸銀塩（Ａ２）が、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸銀塩である上記（１）〜（７）のいずれかに記載の表面処理銀粉。
【００１６】
（９）上記（１）〜（８）のいずれかに記載された表面処理銀粉を含有する導電性組成物。
【００１７】
（１０）太陽電池電極用ペーストに用いる上記（９）に記載の導電性組成物。
【００１８】
（１１）受光面側の表面電極、半導体基板および裏面電極を具備し、
上記表面電極および／または上記裏面電極が、上記（１０）に記載の導電性組成物を用いて形成される太陽電池セル。
【発明の効果】
【００１９】
以下に示すように、本発明によれば、細線部における印刷性に優れ、低温かつ短時間で体積抵抗率が低い回路等を形成することができる導電性組成物に用いられる表面処理銀粉ならびにそれを用いた導電性組成物および太陽電池セルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は太陽電池セルの好適な実施態様の一例を示す断面図である。
【図２】図２は銀粉（ＡｇＣ−１０３、福田金属箔粉工業社製）を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した写真である。
【図３】図３は銀粉（ＡｇＣ−２０１１、福田金属箔粉工業社製）を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
［表面処理銀粉］
本発明の表面処理銀粉は、脂肪酸銀塩で表面処理された銀粉であって、上記脂肪酸銀塩が、カルボキシ銀塩基（−ＣＯＯＡｇ）と水酸基（−ＯＨ）とをそれぞれ１個以上有する脂肪酸銀塩（Ａ１）、および／または、カルボキシ銀塩基（−ＣＯＯＡｇ）を２個以上有するポリカルボン酸銀塩（Ａ２）である表面処理銀粉である。
以下に、表面処理が施される銀粉（未処理）、脂肪酸銀塩（Ａ１）およびポリカルボン酸銀塩（Ａ２）ならびに表面処理方法について詳述する。
【００２２】
＜銀粉（未処理）＞
表面処理が施される銀粉は特に限定されず、従来公知の導電性ペーストで配合されているものを使用することができる。
【００２３】
上記銀粉は、後述する表面処理を施して得られる本発明の表面処理銀粉を含有する導電性組成物（以下、「本発明の導電性組成物」ともいう。）の印刷性がより良好となり、体積抵抗率のより小さい回路等を形成することができる理由から、平均粒子径が０．５〜１０μｍの球状の銀粉末であるのが好ましい。
ここで、平均粒子径とは、球状の銀粉末の粒子径の平均値をいい、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて測定された５０％体積累積径（Ｄ５０）をいう。なお、平均値を算出する基になる粒子径は、球状の銀粉末の断面が楕円形である場合はその長径と短径の合計値を２で割った平均値をいい、正円形である場合はその直径をいう。例えば、後述する実施例で使用する銀粉（ＡｇＣ−１０３、福田金属箔粉工業社製）の写真（図２）で示されるものは球状の銀粉末に該当するが、銀粉（ＡｇＣ−２０１１、福田金属箔粉工業社製）の写真（図３）で示されるものは球状の銀粉末には該当せず、フレーク（鱗片）状の銀粉末に該当するものである。
また、球状とは、長径／短径の比率が２以下の粒子の形状をいう。
【００２４】
上記銀粉の平均粒子径は、本発明の導電性組成物の印刷性がより良好となる理由から、０．７〜５μｍであるのが好ましく、本発明の導電性組成物の焼結速度が適当となり作業性に優れる理由から、１〜３μｍであるのがより好ましい。
【００２５】
本発明においては、上記銀粉として、球状の銀粉末とフレーク状の銀粉末とを併用することができるが、フレーク状の銀粉末を併用する場合の含有量は、上記銀粉の総質量のうち５０質量％以下であるのが好ましい。
【００２６】
また、本発明においては、このような銀粉として市販品を用いることができ、その具体例としては、ＡｇＣ−１０２（形状：球状、平均粒子径：１．５μｍ、福田金属箔粉工業社製）、ＡｇＣ−１０３（形状：球状、平均粒子径：１．５μｍ、福田金属箔粉工業社製）、ＡＧ４−８Ｆ（形状：球状、平均粒子径：２．２μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）、ＡＧ２−１Ｃ（形状：球状、平均粒子径：１．０μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）、ＡＧ３−１１Ｆ（形状：球状、平均粒子径：１．４μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）、ＥＨＤ（形状：球状、平均粒子径：０．５μｍ、三井金属社製）、ＡｇＣ−２０１１（形状：フレーク状、平均粒子径：２〜１０μｍ、福田金属箔粉工業社製）等が挙げられる。
【００２７】
＜脂肪酸銀塩（Ａ１）＞
上記脂肪酸銀塩（Ａ１）は、カルボキシ銀塩基（−ＣＯＯＡｇ）と水酸基（−ＯＨ）とをそれぞれ１個以上有する脂肪酸銀塩であり、具体的には、以下に示す水酸基を１個以上有する脂肪酸と酸化銀とを反応させて得られるものである。
【００２８】
上記反応に用いられる脂肪酸は、水酸基を１個以上有する脂肪酸であれば特に限定されず、例えば、下記式（１）〜（３）で表される化合物が挙げられる。
【００２９】
【化３】
2012054103.tif 000004
【００３０】
式（１）中、ｎは０〜２の整数を表し、Ｒ1は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ2は炭素数１〜６のアルキレン基を表す。ｎが０または１である場合、複数のＲ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。ｎが２である場合、複数のＲ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
式（２）中、Ｒ1は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、複数のＲ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
式（３）中、Ｒ1は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ3は炭素数１〜６のアルキレン基を表す。複数のＲ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
【００３１】
上記式（１）〜（３）中、Ｒ1の炭素数１〜１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基が挙げられる。Ｒ1としては、水素原子、メチル基、エチル基であるのが好ましい。
また、上記式（１）中、Ｒ2の炭素数１〜６のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ヘプタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基が挙げられる。Ｒ2としては、メチレン基、エチレン基であるのが好ましい。上記式（１）中、ｎの０〜２の整数としては、１または２であるのが好ましい。
また、上記式（３）中、Ｒ3の炭素数１〜６のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ヘプタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基が挙げられる。Ｒ2としては、メチレン基、エチレン基であるのが好ましい。
【００３２】
上記式（１）で表される化合物としては、具体的には、例えば、下記式（１ａ）で表される２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−ｎ−酪酸、下記式（１ｂ）で表される２，２−ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸、下記式（１ｃ）で表されるヒドロキシピバリン酸、下記式（１ｄ）で表されるβ−ヒドロキシイソ酪酸等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３３】
【化４】
2012054103.tif 000005
【００３４】
上記式（２）で表される化合物としては、具体的には、例えば、下記式（２ａ）で表される２−ヒドロキシ−２−メチル−ｎ−酪酸、下記式（２ｂ）で表される２−ヒドロキシイソ酪酸、下記式（２ｃ）で表されるグリコール酸、下記式（２ｄ）で表されるＤＬ−２−ヒドロキシ酪酸等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３５】
【化５】
2012054103.tif 000006
【００３６】
上記式（３）で表される化合物としては、具体的には、例えば、下記式（３ａ）で表されるＤＬ−３−ヒドロキシ酪酸、下記式（３ｂ）で表されるβ−ヒドロキシ吉草酸等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種を併用してもよい。
【００３７】
【化６】
2012054103.tif 000007
【００３８】
これらのうち、本発明の導電性組成物を用いた回路等の形成がより低温かつ短時間で可能となる理由から、上記カルボキシ銀塩基に対するα位および／またはβ位の炭素原子に上記水酸基を有しているものが好ましく、上記カルボキシ銀塩基を１個有し、上記水酸基を１個または２個有するものがより好ましい。これは、得られる表面処理銀粉の表面付近に存在する脂肪酸銀塩（Ａ１）の還元が焼成時に速やかに進行し、銀粒子が生成しやすくなるためと考えられる。
特に、本発明の導電性組成物を用いた回路等の形成が更に低温かつ短時間で可能となる理由から、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−ｎ−酪酸および／または２−ヒドロキシイソ酪酸であるのが好ましい。
【００３９】
一方、上記反応に用いられる酸化銀は、酸化銀（Ｉ）、即ち、Ａｇ2Ｏである。
【００４０】
上記脂肪酸銀塩（Ａ１）は、上述した水酸基を１個以上有する脂肪酸と酸化銀とを反応させて得られ、以下に示す反応式中の下記式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される化合物であるのが好ましい。
この反応は、例えば、上記式（１）〜（３）で表される化合物を用いた場合は以下に示す反応式で表される反応が進行するものであれば特に限定されないが、上記酸化銀を粉砕しつつ進行させる方法や、上記酸化銀を粉砕した後に上記脂肪酸を反応させる方法が好ましい。前者の方法としては、具体的には、上記酸化銀と、溶剤により上記脂肪酸を溶液化したものとを、ボールミル等により混練し、固体である上記酸化銀を粉砕させながら、室温で、１〜２４時間程度、好ましくは２〜８時間反応させるのが好ましい。
【００４１】
【化７】
2012054103.tif 000008
【００４２】
式（Ｉ）中、ｎは０〜２の整数を表し、Ｒ1は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ2は炭素数１〜６のアルキレン基を表す。ｎが０または１である場合、複数のＲ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。ｎが２である場合、複数のＲ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
式（ＩＩ）中、Ｒ1は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、複数のＲ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
式（ＩＩＩ）中、Ｒ1は水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ3は炭素数１〜６のアルキレン基を表す。複数のＲ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
【００４３】
上記脂肪酸を溶液化する溶媒としては、具体的には、例えば、ブチルカルビトール、メチルエチルケトン、イソホロン、α−テルピネオール等が挙げられ、これらを１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
【００４４】
＜ポリカルボン酸銀塩（Ａ２）＞
上記ポリカルボン酸銀塩（Ａ２）は、カルボキシ銀塩基（−ＣＯＯＡｇ）を２個以上有するポリカルボン酸銀塩であり、具体的には、以下に示すカルボキシ基を２個以上有する脂肪酸と酸化銀とを反応させて得られるものである。
【００４５】
上記反応に用いられる脂肪酸は、カルボキシ基を２個以上有する脂肪酸であれば特に限定されないが、水酸基を有していない脂肪酸であるのが好ましく、例えば、下記式（４）で表される化合物等が挙げられる。
【００４６】
【化８】
2012054103.tif 000009
【００４７】
式（４）中、ｍは、２〜６の整数を表し、Ｒ4は、炭素数１〜２４のｍ価の飽和脂肪族炭化水素基、炭素数２〜１２のｍ価の不飽和脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２のｍ価の脂環式炭化水素基、または、炭素数６〜１２のｍ価の芳香族炭化水素基を表す。Ｒ4の炭素数をｐとすると、ｍ≦２ｐ＋２である。
なお、式（４）中、ｍが２以上の場合、カルボキシ基の炭素が結合するＲ4の炭素は、同一であっても異なっていてもよい。
【００４８】
上記式（４）中、ｍの２〜６の整数としては、２〜５であるのが好ましく、２〜４であるのがより好ましい。
【００４９】
上記式（４）中、Ｒ4が示す飽和脂肪族炭化水素基の１〜２４の炭素数としては、１〜１２であるのが好ましく、１〜６であるのがより好ましい。
ｍが２の場合におけるＲ4が示す飽和脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エタン−１，１−ジイル基、エタン−１，２−ジイル基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基等が挙げられる。
ｍが３の場合におけるＲ4が示す飽和脂肪族炭化水素基としては、例えば、メタン−トリイル基、エタン−１，１，２−トリイル基、プロパン−１，１，３−トリイル基、プロパン−１，２，３−トリイル基、ブタン−１，１，３−トリイル基、ブタン−１，１，４−トリイル基、ブタン−１，２，４−トリイル基等が挙げられる。
ｍが４の場合におけるＲ4が示す飽和脂肪族炭化水素基としては、例えば、エタン−１，２，２，２−テトライル基、プロパン−１，２，２，３−テトライル基、ブタン−１，２，３，４−テトライル基等が挙げられる。
【００５０】
上記式（４）中、Ｒ4が示す不飽和脂肪族炭化水素基の２〜１２の炭素数としては、２〜１０であるのが好ましく、２〜６であるのがより好ましい。
ｍが２の場合におけるＲ4が示す不飽和脂肪族炭化水素基としては、例えば、エチレン−１，２−ジイル基、プロペン−１，３−ジイル基等が挙げられる。
ｍが３の場合におけるＲ4が示す不飽和脂肪族炭化水素基としては、例えば、プロペン−１，２，３−トリイル基、プロペン−１，３，３−トリイル基等が挙げられる。
ｍが４の場合におけるＲ4が示す不飽和脂肪族炭化水素基としては、例えば、プロペン−１，１，２，３−テトライル基等が挙げられる。
【００５１】
上記式（４）中、Ｒ4が示す脂環式炭化水素基の３〜１２の炭素数としては、３〜１０であるのが好ましく、３〜６であるのがより好ましい。
ｍが２の場合におけるＲ4が示す脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロヘキサン−１，２−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロヘキセン−１，２−ジイル基、シクロヘキセン−４，５−ジイル基、１−メチルシクロヘキセン−４，５−ジイル基等が挙げられる。
ｍが３の場合におけるＲ4が示す脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロパン−１，２，３−トリイル基、シクロペンタン−１，１，２−トリイル基、シクロヘキサン−１，２，４−トリイル基等が挙げられる。
ｍが４の場合におけるＲ4が示す脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロブタン−１，２，３，４−テトライル基、シクロペンタン−１，２，３，４−テトライル基、シクロペンタン−１，２，４，５−テトライル基、シクロヘキサン−１，２，４，５−テトライル基、３，６−ジメチルシクロヘキサン−１，２，４，５−テトライル基等が挙げられる。
【００５２】
上記式（４）中、Ｒ4が示す芳香族炭化水素基の６〜１２の炭素数としては、６〜１０であるのが好ましく、６〜８であるのがより好ましい。
ｍが２の場合におけるＲ4が示す芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン−１，２−ジイル基、ベンゼン−１，３−ジイル基、ベンゼン−１，４−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，３−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基等が挙げられる。
ｍが３の場合におけるＲ4が示す芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン−１，２，４−トリイル基、ベンゼン−１，３，５−トリイル基等が挙げられる。
ｍが４の場合におけるＲ4が示す芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン−１，２，４，５−テトライル基、ビフェニル−３，３′，４，４′−テトライル基等が挙げられる。
【００５３】
上記式（４）で表される化合物としては、例えば、脂肪族ポリカルボン酸、脂環式ポリカルボン酸、芳香族ポリカルボン酸が挙げられる。
脂肪族ポリカルボン酸としては、具体的には、例えば、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸などの飽和ジカルボン酸；フマル酸、マレイン酸、イタコン酸などの不飽和ジカルボン酸；トリカルバリル酸などの飽和トリカルボン酸；アコニット酸などの不飽和トリカルボン酸；１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸などの飽和テトラカルボン酸；等が挙げられる。
脂環式ポリカルボン酸としては、具体的には、例えば、４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸、４−メチル−４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸などの不飽和脂環式ジカルボン酸；１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸などの飽和脂環式テトラカルボン酸；等が挙げられる。
芳香族ポリカルボン酸としては、具体的には、例えば、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸などのベンゼンジカルボン酸；トリメリット酸、トリメシン酸などのトリカルボン酸；ピロメリット酸、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸などのテトラカルボン酸；１，４−ナフタレンジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，３−ナフタレンジカルボン酸などのナフタレンジカルボン酸；等が挙げられる。
これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５４】
これらのうち、本発明の導電性組成物の印刷性がより良好となり、本発明の導電性組成物を用いた回路等の形成がより低温かつ短時間で可能となる理由から、脂肪族ポリカルボン酸、脂環式ポリカルボン酸が好ましく、飽和ジカルボン酸、飽和テトラカルボン酸、不飽和脂環式ジカルボン酸であるのがより好ましい。
特に、本発明の導電性組成物を用いた回路等の形成が更に低温かつ短時間で可能となる理由から、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸であるのが好ましい。
【００５５】
一方、上記反応に用いられる酸化銀は、上述した脂肪酸銀塩（Ａ１）の反応（合成）と同様、Ａｇ2Ｏである。
【００５６】
上記ポリカルボン酸銀塩（Ａ２）は、上述したカルボキシ基を２個以上有するポリカルボン酸と酸化銀とを反応させて得られ、以下に示す反応式中の下記式（ＩＶ）で表される化合物であるのが好ましい。
この反応は、例えば、上記式（４）で表される化合物を用いた場合は以下に示す反応式で表される反応が進行するものであれば特に限定されず、上述した式（１）〜（３）で表される化合物を用いた場合と同様の方法が挙げられる。
【００５７】
【化９】
2012054103.tif 000010
【００５８】
式（ＩＶ）中、ｍは、２〜６の整数を表し、Ｒ4は、炭素数１〜２４のｍ価の飽和脂肪族炭化水素基、炭素数２〜１２のｍ価の不飽和脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１２のｍ価の脂環式炭化水素基、または、炭素数６〜１２のｍ価の芳香族炭化水素基を表す。Ｒ4の炭素数をｐとすると、ｍ≦２ｐ＋２である。
なお、式（ＩＶ）中、ｍが２以上の場合、カルボキシ基の炭素が結合するＲ4の炭素は、同一であっても異なっていてもよい。
【００５９】
＜表面処理方法＞
上述した銀粉の表面に施される表面処理は特に限定されず、例えば、上述した脂肪酸銀塩（Ａ１）および／またはポリカルボン酸銀塩（Ａ２）（以下、「脂肪酸銀塩（Ａ１）等」ともいう。）を溶媒に溶解または均一に分散させた溶液に上述した銀粉（未処理）を添加して混合した後に、溶媒を除去する方法等が挙げられる。
【００６０】
ここで、上記溶媒は、上記脂肪酸銀塩（Ａ１）等が溶解または均一に分散するものであれば特に限定されないが、その具体例としては、水、メチルエチルケトン、トルエン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等が挙げられる。
また、上記溶液（上記溶媒に上記脂肪酸銀塩（Ａ１）等が分散した分散液を含む）中の上記脂肪酸銀塩（Ａ１）等の濃度は、上記溶媒に対する溶解度や分散度によっても異なるため特に限定されないが、例えば、上記で例示した溶媒を用いる場合には、１〜２０質量％であるのが好ましく、１０質量％程度であるのがより好ましい。
また、上記混合の条件は特に限定されず、例えば、ロール、ニーダー、ボールミル等により、１〜２４時間撹拌する方法等が挙げられる。
また、上記溶媒を除去する方法は特に限定されず、例えば、ろ過により溶媒の簡易的に取り除いた後に、加熱真空乾燥により残存する溶媒を取り除く方法等が挙げられる。なお、加熱真空乾燥における加熱温度は、上記脂肪酸銀塩（Ａ１）等の融点未満の温度であるのが好ましい。
【００６１】
このような表面処理を施された本発明の表面処理銀粉を含有する本発明の導電性組成物は、細線部における印刷性に優れ、低温かつ短時間で体積抵抗率が低い回路等を形成することができる。
これは、本発明の表面処理銀粉においては銀粉の表面付近に脂肪酸銀塩（Ａ１）等が存在しているため、銀粉と離れて脂肪酸銀塩（Ａ１）等が存在している場合よりも銀粉同士を融着させる効率が上がり、また、特許文献１に記載されたヘキサン酸銀塩で銀粉を表面処理（被覆）した場合よりも、銀粉の表面付近に存在する脂肪酸銀塩（Ａ１）等の存在率が高くなるためと考えられる。
【００６２】
［導電性組成物］
本発明の導電性組成物は、上述した本発明の表面処理銀粉（以下、「銀粉（Ａ）」ともいう。）を含有する導電性組成物であり、所望により、脂肪酸銀塩（Ｂ）、樹脂（Ｃ）、溶媒（Ｄ）等を更に含有することができる。
以下に、任意成分である脂肪酸銀塩（Ｂ）、樹脂（Ｃ）および溶媒（Ｄ）等について詳述する。
【００６３】
＜脂肪酸銀塩（Ｂ）＞
本発明の導電性組成物が所望により含有する上記脂肪酸銀塩（Ｂ）は特に限定されず、具体的には、例えば、上記銀粉（Ａ）の表面処理に用いた脂肪酸銀塩（Ａ１）および／またはポリカルボン酸銀塩（Ａ２）であってもよく、下記式（５）で表される脂肪酸と酸化銀とを反応させて得られるもの（以下、「脂肪酸銀塩（Ｂ１）」ともいう。）であってもよい。
【００６４】
【化１０】
2012054103.tif 000011
【００６５】
式（５）中、Ｒ5は、炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ6は、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ7は、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。
【００６６】
上記式（５）中、Ｒ5の炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基が挙げられる。Ｒ5としては、メチル基、エチル基であるのが好ましい。
また、上記式（５）中、Ｒ6の炭素数１〜１０のアルキル基としては、上記Ｒ5の炭素数１〜６のアルキル基以外に、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基が挙げられる。Ｒ6としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基であるのが好ましい。
更に、上記式（５）中、Ｒ7の水素原子以外の炭素数１〜６のアルキル基としては、Ｒ5と同様、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基が挙げられる。Ｒ7としては、水酸基、メチル基、エチル基であるのが好ましい。
【００６７】
本発明においては、上記式（５）で表されるカルボン酸としては、具体的には、例えば、２−メチルプロパン酸（別名：イソ酪酸）、２−メチルブタン酸（別名：２−メチル酪酸）、２−メチルペンタン酸、２−メチルヘプタン酸、２−エチルブタン酸、２−エチルヘキサン酸、ネオデカン酸等が挙げられる。
これらのうち、イソ酪酸、ネオデカン酸であるのが好ましい。
【００６８】
一方、上記反応に用いられる酸化銀は、上述した脂肪酸銀塩（Ａ１）の反応（合成）と同様、Ａｇ2Ｏである。
【００６９】
上記脂肪酸銀塩（Ｂ１）は、上記式（５）で表される脂肪酸と酸化銀とを反応させて得られるものであり、以下の反応式に示す下記式（Ｖ）で表される化合物である。
この反応における溶媒等の条件は、上述した式（１）〜（３）で表される化合物を用いた場合と同様の条件が挙げられる。
【００７０】
【化１１】
2012054103.tif 000012
【００７１】
式（Ｖ）中、上記式（５）と同様、Ｒ5は、炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ6は、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ7は、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。
【００７２】
本発明においては、上記脂肪酸銀塩（Ｂ）の含有量は、印刷性がより良好となり、体積抵抗率のより小さい回路等を形成することができる理由から、上記銀粉（Ａ）１００質量部に対して１〜１００質量部であるのが好ましく、５〜８０質量部であるのがより好ましい。
【００７３】
＜樹脂（Ｃ）＞
本発明の導電性組成物が所望により含有する樹脂（Ｃ）は特に限定されず、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂などの熱硬化性樹脂；酢酸ビニル樹脂、ブチラール樹脂などの熱可塑性樹脂；等を用いることができ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００７４】
これらのうち、シリコン基板との密着性がより良好となる理由から、熱硬化性樹脂であるのが好ましく、特に、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂およびウレタン樹脂からなる群から選択される少なくとも１種であるのがより好ましく、エポキシ樹脂であるのが更に好ましい。
【００７５】
本発明においては、上記樹脂（Ｃ）の含有量は、上記銀粉（Ａ）１００質量部に対して、０．５〜１０質量部であるのが好ましく、１〜５質量部であるのがより好ましい。
【００７６】
＜溶媒（Ｄ）＞
本発明の導電性組成物が所望により含有する溶媒（Ｄ）は、本発明の導電性組成物を基材上に塗布することができるものであれば特に限定されない。
上記溶媒（Ｄ）としては、具体的には、例えば、ブチルカルビトール、メチルエチルケトン、イソホロン、α−テルピネオール等が挙げられ、これらを１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
また、上記溶媒（Ｄ）の含有量は、上記銀粉（Ａ）１００質量部に対して、２〜３０質量部であるのが好ましく、５〜２５質量部であるのがより好ましい。
【００７７】
本発明の導電性組成物は、必要に応じて、上述した銀粉（Ａ）以外の金属粉、還元剤、上述した樹脂（Ｃ）の硬化剤等の添加剤を含有していてもよい。
上記金属粉としては、具体的には、例えば、銅、アルミニウム等が挙げられ、中でも、銅であるのが好ましい。また、０．０１〜１０μｍの粒径の金属粉であるのが好ましい。
上記還元剤としては、具体的には、例えば、エチレングリコール類等が挙げられる。
上記硬化剤は特に限定されないが、上記樹脂（Ｃ）としてエポキシ樹脂を用いた場合は、具体的には、例えば、スルホニウム系、アンモニウム系、ホスホニウム系等のカチオン系の硬化剤が好適に挙げられる。
一方、チクソ性がより良好となり、アスペクト比をより高くすることができる理由から酸化銀の含有量は上述した溶媒（Ｄ）１００質量部に対して５質量部以下であるのが好ましく、１質量部以下であるのがより好ましく、実質的に酸化銀を含有していない態様が最も好ましい。
【００７８】
本発明の導電性組成物は特に限定されず、上記銀粉（Ａ）ならびに所望により含有していてもよい上記脂肪酸銀塩（Ｂ）、上記樹脂（Ｃ）、上記溶媒（Ｄ）および添加剤を、ロール、ニーダー、押出し機、万能かくはん機等により混合する方法が挙げられる。
【００７９】
［太陽電池セル］
本発明の太陽電池セルは、受光面側の表面電極、半導体基板および裏面電極を具備し、上記表面電極および／または上記裏面電極が、上述した本発明の導電性組成物を用いて形成される太陽電池セルである。
ここで、本発明の太陽電池セルは、上述した本発明の導電性組成物が全裏面電極型（いわゆるバックコンタクト型）太陽電池の裏面電極の形成にも適用することができるため、全裏面電極型の太陽電池にも適用することができる。
以下に、本発明の太陽電池セルの構成について図１を用いて説明する。
【００８０】
図１に示すように、本発明の太陽電池セル１は、受光面側の表面電極４と、ｐ層５およびｎ層２が接合したｐｎ接合シリコン基板７と、裏面電極６とを具備するものである。
また、図１に示すように、本発明の太陽電池セル１は、反射率低減のため、例えば、ウェハー表面にエッチングを施して、ピラミッド状のテクスチャを形成し、反射防止膜３を具備するのが好ましい。
【００８１】
＜表面電極／裏面電極＞
本発明の太陽電池セルが具備する表面電極および裏面電極は、いずれか一方または両方が本発明の本発明の導電性組成物を用いて形成されていれば、電極の配置（ピッチ）、形状、高さ、幅等は特に限定されない。
ここで、表面電極および裏面電極は、図１に示すように、通常、複数個有するものであるが、本発明においては、例えば、複数の表面電極の一部のみが本発明の太陽電池電極用ペーストで形成されたものであってもよく、複数の表面電極の一部と複数の裏面電極の一部が本発明の太陽電池電極用ペーストで形成されたものであってもよい。
【００８２】
＜反射防止膜＞
本発明の太陽電池セルが具備していてもよい反射防止膜は、受光面の表面電極が形成されていない部分に形成される膜（膜厚：０．０５〜０．１μｍ程度）であって、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、酸化チタン膜、これらの積層膜等から構成されるものである。
【００８３】
＜シリコン基板＞
本発明の太陽電池セルが具備するシリコン基板は特に限定されず、太陽電池を形成するための公知のシリコン基板（板厚：１００〜４５０μｍ程度）を用いることができ、また、単結晶または多結晶のいずれのシリコン基板であってもよい。
【００８４】
また、上記シリコン基板はｐｎ接合を有するが、これは、第１導電型の半導体基板の表面側に第２導電型の受光面不純物拡散領域が形成されていることを意味する。なお、第１導電型がｎ型の場合には、第２導電型はｐ型であり、第１導電型がｐ型の場合には、第２導電型はｎ型である。
ここで、ｐ型を与える不純物としては、ホウ素、アルミニウム等が挙げられ、ｎ型を与える不純物としては、リン、砒素などが挙げられる。
【００８５】
本発明の太陽電池セルは、表面電極および／または裏面電極が本発明の本発明の導電性組成物を用いて形成されているため、受光により発生した起電力を電流として効率良く取り出すことができる。
【００８６】
本発明の太陽電池セルの製造方法は特に限定されないが、本発明の導電性組成物をシリコン基板上に塗布して配線を形成する配線形成工程と、得られた配線を熱処理して電極（表面電極および／または裏面電極）を形成する熱処理工程とを有する方法が挙げられる。
なお、本発明の太陽電池セルが反射防止層を具備する場合、反射防止膜は、プラズマＣＶＤ法等の公知の方法により形成することができる。
以下に、配線形成工程、熱処理工程について詳述する。
【００８７】
＜配線形成工程＞
上記配線形成工程は、本発明の導電性組成物をシリコン基材上に塗布して配線を形成する工程である。
ここで、塗布方法としては、具体的には、例えば、インクジェット、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、凸版印刷等が挙げられる。
【００８８】
＜熱処理工程＞
上記熱処理工程は、上記配線形成工程で得られた配線を熱処理して導電性の配線（電極）を得る工程である。
配線を熱処理することにより、上記表面処理銀粉の表面付近に存在する上記脂肪酸銀塩（Ａ）等や所望により添加する脂肪酸銀塩（Ｂ）から分解される銀が融解する際に銀粉（Ａ）が連結され、電極（銀膜）が形成される。
【００８９】
本発明においては、上記熱処理は特に限定されないが、１５０〜８００℃の温度で、数秒〜数十分間、加熱（焼成）する処理であるのが好ましい。温度および時間がこの範囲であると、シリコン基板上に反射防止膜を形成した場合であっても、ファイヤースルー法により容易に電極を形成することができる。
また、本発明においては、本発明の導電性組成物を用いているため、低温（１５０〜１８０℃程度）かつ短時間（数分〜数十分程度）であっても、良好な熱処理（焼成）を施すことができる。
【００９０】
なお、本発明においては、上記配線形成工程で得られた配線は、紫外線または赤外線の照射でも電極を形成することができるため、上記熱処理工程は、紫外線または赤外線の照射によるものであってもよい。
【実施例】
【００９１】
以下、実施例を用いて、本発明の表面処理銀粉および導電性組成物について詳細に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。
【００９２】
（実施例１：表面処理銀粉１の調製）
銀粉（型番：ＡＧ３−１１Ｆ、形状：球状、平均粒子径：１．４μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）１００ｇに、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）酪酸銀塩を１０質量％溶解させた水溶液１００ｇを加えて、２時間撹拌した。
その後、吸引ろ過で水を取り除き、真空オーブンにて４０℃６時間乾燥させることにより、表面処理銀粉１を調製した。
なお、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）酪酸銀塩の調製は、まず、酸化銀（東洋化学工業社製）５０ｇ、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−ｎ−酪酸（東京化成社製）６４ｇおよびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）３００ｇをボールミルに投入し、室温で２４時間撹拌させることにより反応させた。次いで、吸引ろ過によりＭＥＫを取り除き、得られた粉末を乾燥させることにより調製した。
【００９３】
（実施例２：表面処理銀粉２の調製）
銀粉（型番：ＡＧ３−１１Ｆ、形状：球状、平均粒子径：１．４μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）１００ｇに、２−ヒドロキシイソ酪酸銀塩を１０質量％溶解させた水溶液１００ｇを加えて、２時間撹拌した。
その後、吸引ろ過で水を取り除き、真空オーブンにて４０℃６時間乾燥させることにより、表面処理銀粉２を調製した。
なお、２−ヒドロキシイソ酪酸銀塩の調製は、まず、酸化銀（東洋化学工業社製）５０ｇ、２−ヒドロキシイソ酪酸（東京化成社製）４５ｇおよびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）３００ｇをボールミルに投入し、室温で２４時間撹拌させることにより反応させた。次いで、吸引ろ過によりＭＥＫを取り除き、得られた粉末を乾燥させることにより調製した。
【００９４】
（実施例３：表面処理銀粉３の調製）
銀粉（型番：ＡｇＣ−１０３、形状：球状、平均粒子径：１．５μｍ、福田金属箔粉工業社製）１００ｇに、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸銀塩を１０質量％溶解させたメチルエチルケトン（ＭＥＫ）溶液１００ｇを加えて、２時間撹拌した。
その後、吸引ろ過でＭＥＫを取り除き、真空オーブンにて４０℃６時間乾燥させることにより、表面処理銀粉３を調製した。
なお、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸銀塩の調製は、まず、酸化銀（東洋化学工業社製）５０ｇ、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸（新日本理化社製）２５．２９ｇおよびＭＥＫ３００ｇをボールミルに投入し、室温で２４時間撹拌させることにより反応させた。次いで、吸引ろ過によりＭＥＫを取り除き、得られた粉末を乾燥させることにより調製した。
【００９５】
（比較例１：表面処理銀粉４の調製）
銀粉（型番：ＡｇＣ−１０３、形状：球状、平均粒子径：１．５μｍ、福田金属箔粉工業社製）１００ｇに、イソ酪酸銀塩を１０質量％溶解させたメチルエチルケトン（ＭＥＫ）溶液１００ｇを加えて、２時間撹拌した。
その後、吸引ろ過でＭＥＫを取り除き、真空オーブンにて４０℃６時間乾燥させることにより、表面処理銀粉４を調製した。
なお、イソ酪酸銀塩の調製は、まず、酸化銀（東洋化学工業社製）５０ｇ、イソ酪酸（関東化学社製）３８ｇおよびＭＥＫ３００ｇをボールミルに投入し、室温で２４時間撹拌させることにより反応させた。次いで、吸引ろ過によりＭＥＫを取り除き、得られた粉末を乾燥させることにより調製した。
【００９６】
（比較例２：表面処理銀粉５の調製）
銀粉（型番：ＡｇＣ−１０３、形状：球状、平均粒子径：１．５μｍ、福田金属箔粉工業社製）１００ｇに、ネオデカン酸銀塩を１０質量％溶解させたトルエン溶液１００ｇを加えて、２時間撹拌した。
その後、吸引ろ過でトルエンを取り除き、真空オーブンにて４０℃６時間乾燥させることにより、表面処理銀粉５を調製した。
なお、ネオデカン酸銀塩の調製は、まず、酸化銀（東洋化学工業社製）５０ｇ、ネオデカン酸（東洋合成社製）７４．３ｇおよびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）３００ｇをボールミルに投入し、室温で２４時間撹拌させることにより反応させた。次いで、吸引ろ過によりＭＥＫを取り除き、得られた粉末を乾燥させることにより調製した。
【００９７】
（比較例３：表面処理銀粉６の調製）
銀粉（型番：ＡｇＣ−１０３、形状：球状、平均粒子径：１．５μｍ、福田金属箔粉工業社製）１００ｇに、ヘキサン酸銀塩を１０質量％溶解させたトルエン溶液１００ｇを加えて、２時間撹拌した。
その後、吸引ろ過でトルエンを取り除き、真空オーブンにて４０℃６時間乾燥させることにより、表面処理銀粉６を調製した。
なお、ヘキサン酸銀塩の調製は、まず、酸化銀（東洋化学工業社製）５０ｇ、ヘキサン酸（東京化成社製）５０．１３ｇおよびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）３００ｇをボールミルに投入し、室温で２４時間撹拌させることにより反応させた。次いで、吸引ろ過によりＭＥＫを取り除き、得られた粉末を乾燥させることにより調製した。
【００９８】
（実施例１〜３、比較例１〜５：導電性組成物の調製）
ボールミルに、下記第１表に示す表面処理銀粉または未処理銀粉等を下記第１表中に示す組成比となるように添加し、これらを混合することにより導電性組成物を調製した。
【００９９】
＜印刷性＞
調製した導電性組成物をＰＥＴフイルム（ルミラーＴ６０、東レ社製）上に、スクリーン印刷で塗布して配線（線幅：７０μｍ、長さ：５ｃｍ）を形成した。
スクリーン印刷で形成した乾燥（焼成）前の配線を光学顕微鏡で観察した。
その結果、断線や蛇行がなく、ニジミやメッシュ跡もない配線が形成されている場合を印刷性が良好なものとして「○」と評価し、断線や蛇行が確認されたり、ニジミやメッシュ跡が確認されたりした場合を印刷性が劣るものとして「×」と評価した。これらの結果を下記第１表に示す。
【０１００】
＜体積抵抗率（比抵抗）＞
スクリーン印刷で配線を形成した後、オーブンにて１８０℃および１５０℃の２つの条件で３０分間乾燥し、導電性の配線（電極）を形成させたサンプルを作製した。
作製した各サンプルについて、電極の体積抵抗率を抵抗率計（ロレスターＧＰ、三菱化学社製）を用いた４端子４探針法により測定した。その結果を下記第１表に示す。
【０１０１】
【表１】
2012054103.tif 000013
【０１０２】
第１表中の各成分は、以下のものを使用した。
・表面処理銀粉１〜６：それぞれ実施例１〜３および比較例１〜３で調製したものを用いた。
・２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−ｎ−酪酸銀塩：表面処理銀粉１の調製に用いた２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−ｎ−酪酸銀塩と同様の方法で調製したものを用いた。
・２−ヒドロキシイソ酪酸銀塩：表面処理銀粉２の調製に用いた２−ヒドロキシイソ酪酸銀塩と同様の方法で調製したものを用いた。
・１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸銀塩：表面処理銀粉３の調製に用いた１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸銀塩と同様の方法で調製したものを用いた。
・イソ酪酸銀塩：表面処理銀粉４の調製に用いたイソ酪酸銀塩と同様の方法で調製したものを用いた。
・ネオデカン酸銀塩：表面処理銀粉５の調製に用いたネオデカン酸銀塩と同様の方法で調製したものを用いた。
・ヘキサン酸銀塩：表面処理銀粉６の調製に用いたヘキサン酸銀塩と同様の方法で調製したものを用いた。
・未処理銀粉１：ＡｇＣ−１０３（形状：球状、平均粒子径：１．５μｍ、福田金属箔粉工業社製）
・未処理銀粉２：ＡＧ３−１１Ｆ、形状：球状、平均粒子径：１．４μｍ、ＤＯＷＡエレクトロニクス社製）
・α−テルピネール：溶媒
【０１０３】
第１表に示す結果から、所定の脂肪酸銀塩（Ａ１）やポリカルボン酸銀塩（Ａ２）に該当しない脂肪酸銀塩で表面処理した銀粉を用いて調製した比較例１〜３の導電性組成物は、１５０℃×３０分間の焼成条件では体積抵抗率が高くなることが分かった。特に、ヘキサン酸銀塩で表面処理をした銀粉を用いて調製した比較例３の導電性組成物は、印刷性も劣り、また、１８０℃×３０分間の焼成条件でも体積抵抗率が高くなることが分かった。
また、表面処理銀粉を用いず、未処理銀粉を用いて調製した比較例４および５の導電性組成物は、印刷性に優れるが、いずれの焼成条件でも体積抵抗率が高くなることが分かった。
【０１０４】
これに対し、所定の脂肪酸銀塩（Ａ１）やポリカルボン酸銀塩（Ａ２）で表面処理した銀粉を用いて調製した実施例１〜３の導電性組成物は、印刷性に優れ、いずれの焼成条件でも体積抵抗率が低くなることが分かった。
【符号の説明】
【０１０５】
１    太陽電池セル
２    ｎ層
３    反射防止膜
４    表面電極
５    ｐ層
６    裏面電極
７    シリコン基板
【図１】
2012054103.tif 000016
【図２】
2012054103.tif 000017
【図３】
2012054103.tif 000018