(57)【要約】【課題】微細ピッチに対応可能なバンプ電極の形成用具及びその製造方法を提供すること、並びに当該バンプ電極形成用具を用いるバンプ電極の製造方法を提供すること。【解決手段】バンプ電極形成用具は、少なくとも１つの凹部を有するプレートと、凹部の内壁を被覆するように形成された第１導電材と、第１導電材上に供給されると共に、凹部に充填された第２導電材と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの凹部を有するプレートと、
前記凹部の内壁を被覆するように形成された第１導電材と、
前記第１導電材上に供給されると共に、前記凹部に充填された第２導電材と、
を備えることを特徴とするバンプ電極形成用具。
【請求項２】
前記第１導電材の層厚は０．０３μｍ以上０．１μｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載のバンプ電極形成用具。
【請求項３】
少なくとも１つの凹部を有するプレートを準備する工程と、
少なくとも前記凹部の内壁を被覆するように前記プレート上に第１導電材を形成する工程と、
前記第１導電材上の少なくとも前記凹部内に第２導電材を形成する工程と、を含むことを特徴とするバンプ電極形成用具の製造方法。
【請求項４】
前記凹部が形成されている側の前記プレートの面上に前記第１導電材の第１前駆層を形成し、
前記第１導電材の前記第１前駆層上に、前記第２導電材の第２前駆層を形成し、
少なくとも、前記プレートの前記凹部以外の領域上に形成された前記第１導電材の前記第１前駆層及び前記第２導電材の前記第２前駆層を除去することにより、
前記第１導電材及び前記第２導電材を形成することを特徴とする請求項３に記載のバンプ電極形成用具の製造方法。
【請求項５】
前記第１導電材又は前記第１導電材の前記第１前駆層を給電層として用いる電解めっきにより前記第２導電材又は前記第２導電材の前記第２前駆層を形成することを特徴とする請求項３又は４に記載のバンプ電極形成用具の製造方法。
【請求項６】
前記第１導電材又は前記第１導電材の前記第１前駆層の層厚は０．０３μｍ以上０．１μｍ未満であることを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載のバンプ電極形成用具の製造方法。
【請求項７】
請求項１又は２に記載のバンプ電極形成用具、又は請求項３〜６のいずれか一項に記載の方法によって製造したバンプ電極形成用具の第２導電材と、基板又は電子装置のパッドとを位置合わせして、前記第２導電材と前記パッドとを接触させる工程と、
前記第１導電材及び前記第２導電材を加熱して前記第１導電材と前記第２導電材とを融合させる工程と、
前記プレートを取り外し、前記第１導電材と前記第２導電材とが固溶化したバンプ電極を前記パッド上に形成する工程と、
を含むことを特徴とするバンプ電極の製造方法。
【請求項８】
少なくともプレートの凹部の内壁を被覆するように第１導電材を形成する工程と、
前記第１導電材上の少なくとも前記凹部内に第２導電材を形成する工程と、
前記第２導電材と、基板又は電子装置のパッドとを位置合わせして、前記第２導電材と前記パッドとを接触させる工程と、
前記第１導電材及び前記第２導電材を加熱して前記第１導電材と前記第２導電材とを融合させる工程と、
前記プレートを取り外し、前記第１導電材と前記第２導電材とが固溶化したバンプ電極を前記パッド上に形成する工程と、
を含むことを特徴とするバンプ電極の製造方法。
【請求項９】
前記第１導電材を給電層として用いる電解めっきにより前記第２導電材を形成することを特徴とする請求項８に記載のバンプ電極の製造方法。
【請求項１０】
前記第１導電材の層厚は０．０３μｍ以上０．１μｍ未満であることを特徴とする請求項８又は９に記載のバンプ電極の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプ電極の形成用具及びその製造方法に関する。また、本発明は、当該バンプ電極形成用具を用いるバンプ電極の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の小型化に伴い、半導体素子を回路基板に実装する方式は、フリップチップ実装方式が多用されている。フリップチップ実装方式においては、半導体素子又は回路基板側のパッド上に、主としてはんだ材からなるバンプ電極が形成される。
【０００３】
バンプ電極を形成する方法としては、例えば、開口を有するマスクを、パッドの位置と開口の位置が対応するように回路基板上に配置し、スキージを用いてはんだ材を開口に充填した後マスクを取り除くことによって、バンプ上にはんだ材を印刷する方法が知られている。この他にも、バンプ電極を形成する方法として、例えば特許文献１〜２に記載された方法が知られている。
【０００４】
特許文献１に記載のバンプ形成方法は、はんだボールを用い、基板の電極上にバンプを形成するバンプ形成方法であり、基板の電極上にフラックスまたははんだペーストを塗布する工程と、基板上に貫通穴を有する治具を、基板の電極と貫通穴とを位置合わせして配置する工程と、治具上にはんだボールを供給し、はんだボールを治具の貫通穴に充填する工程と、基板から治具を取り除く工程と、はんだボールを溶融させてはんだバンプを形成する工程と、を含むバンプ形成方法において、はんだボールを治具の貫通穴に充填する工程の後、または基板から治具を取り除く工程の後に、はんだ融点より低い温度に加熱された加圧部材を用いてはんだボールを基板の電極上に押し付けるように加圧すると同時に、フラックスまたははんだペーストを加熱して粘度上昇させ、はんだボールを基板の電極上に仮固定する工程を有する。
【０００５】
特許文献２に記載のバンプ電極の形成方法においては、バンプ形成治具の一表面に設けられた凹部内に半田ペースト材を充填し、バンプ形成治具の凹部と基材の一表面に設けられた電極パッドとを向かい合わせた状態にて半田ペースト材を溶融し、基材の電極パッドにバンプ電極を形成する。
【０００６】
また、バンプ電極を形成するための用具が、例えば特許文献３〜４に記載されている。
【０００７】
特許文献３に記載のバンプ転写用治具は、電気めっきではんだ形成後に加熱によって電子部品にはんだを転写するものであり、ステンレススチール類、アルミニウム類、鉄、４２アロイ、コバール、インバーから選択される金属からなる支持体、支持体上でかつ円状に取り囲むように電極の周りを覆っているレジスト、電極配置パターンに対応した位置関係で穿孔され、底部は該金属表面を露出させた開口部からなる。
【０００８】
特許文献４に記載のバンプシートは、バンプシートと半導体チップとを位置合わせし、バンプシート上に固定された半田を半導体チップに転写するためのバンプシートであり、バンプシート上に樹脂層が設けられ、この樹脂層上に銅の薄膜が形成され、この銅の薄膜上に転写用の半田を固定せしめている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−１０１２４２号公報
【特許文献２】国際公開第ＷＯ９９／０９５９０号
【特許文献３】国際公開第ＷＯ２００７／１２３１９５号
【特許文献４】特開２０００−３４９１１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
以下の分析は、本発明の観点から与えられる。
【００１１】
半導体装置の微細化に伴い、バンプ電極を形成するパッドの面積が小さくなっている。このため、はんだ材を印刷するためのマスクの開口の面積も小さくなっている。このような開口の小さいマスクを用いると、はんだ材の供給量にばらつきが生じやすくなる。また、マスクを取り除く際に、はんだ材が開口内に残存して、パッド上にはんだ材を安定して供給できないこともある。このような場合、半導体素子等の電子素子を回路基板に実装しても接続不良が生じてしまう。
【００１２】
一方、特許文献１に記載の方法では、はんだボールの充填欠損が生じやすく、外観検査やリワークが必要となる。このため、高い生産効率を維持することができない。特許文献２に記載の方法では、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の三元系はんだ材等の高融点の半田ペースト材を用いる場合には、転写時の高温加熱によって転写対象に不具合が生ずるおそれがある。
【００１３】
特許文献３に記載の方法では、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系等の三元系のはんだ材でバンプ電極を形成することができない。一方、特許文献４に記載の方法によれば、三元系のバンプ電極の形成が可能となる。しかしながら、半田下の銅の薄膜は平板状であるので、所望量の銅を供給するために銅の薄膜を厚くせざるを得ない場合も生ずる。また、半田と銅との接触面積も小さくなる。したがって、銅の薄膜を厚くすると、すべての銅を半田中に固溶させることが困難となる。
【００１４】
本発明の目的は、微細ピッチに対応可能なバンプ電極の形成用具及びその製造方法を提供することである。また、本発明の目的は、当該バンプ電極形成用具を用いるバンプ電極の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１視点によれば、少なくとも１つの凹部を有するプレートと、凹部の内壁を被覆するように形成された第１導電材と、第１導電材上に供給されると共に、凹部に充填された第２導電材と、を備えるバンプ電極形成用具が提供される。
【００１６】
本発明の第２視点によれば、少なくとも１つの凹部を有するプレートを準備する工程と、少なくとも凹部の内壁を被覆するようにプレート上に第１導電材を形成する工程と、第１導電材上の少なくとも凹部内に第２導電材を形成する工程と、を含むバンプ電極形成用具の製造方法が提供される。
【００１７】
本発明の第３視点によれば、上記第１視点に係るバンプ電極形成用具、又は上記第２視点に係る方法によって製造したバンプ電極形成用具の第２導電材と、基板又は電子装置のパッドとを位置合わせして、第２導電材とパッドとを接触させる工程と、第１導電材及び第２導電材を加熱して第１導電材と第２導電材とを融合させる工程と、プレートを取り外し、第１導電材と第２導電材とが固溶化したバンプ電極をパッド上に形成する工程と、を含むバンプ電極の製造方法が提供される。
【００１８】
本発明の第４視点によれば、少なくともプレートの凹部の内壁を被覆するように第１導電材を形成する工程と、第１導電材上の少なくとも凹部内に第２導電材を形成する工程と、第２導電材と、基板又は電子装置のパッドとを位置合わせして、第２導電材とパッドとを接触させる工程と、第１導電材及び第２導電材を加熱して第１導電材と第２導電材とを融合させる工程と、プレートを取り外し、第１導電材と第２導電材とが固溶化したバンプ電極をパッド上に形成する工程と、を含むバンプ電極の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明は、以下の効果のうち少なくとも１つを有する。
【００２０】
本発明によれば、プレートの凹部に被覆するので第１導電材の表面積を大きくすると共に、これにより第１導電材の厚さを薄くすることができる。したがって、第１導電材と第２導電材とを、より確実に、より迅速に融合させることができる。
【００２１】
本発明によれば、第１導電材を電解めっきの給電層として利用することができる。これにより、第２導電材の大きさを均一にすることができる。すなわち、複数のバンプ電極をばらつきなく形成することができる。また、プレートには電極バンプの剥離性のよい材料を使用することができるので、生産効率を高めることもできる。
【００２２】
本発明によれば、第２導電材の形成に電解めっきを用いても、三元系のバンプ電極を形成することができる。例えば、第１導電材に銅、第２導電材にＳｎＡｇ系はんだを用いることにより、ＳｎＡｇＣｕ系のバンプ電極を形成することができる。
【００２３】
また、第１導電材と第２導電材の固溶化によりバンプ電極を形成することにより、パッド上にバンプ電極を形成する際の加熱温度を低下させることができる。例えばＳｎＡｇＣｕ系のバンプ電極を形成する場合であっても、バンプ電極形成（転写）時の加熱温度は、ＳｎＡｇＣｕ系はんだの融点よりも低下させることができる。これにより、バンプ電極の転写対象物に対する加熱の影響を低減することができる。一方、例えば、形成されたバンプ電極の融点は高くなっているので、例えば、ＳｎＡｇＣｕ系バンプ電極を用いて電子素子を基板に実装する場合、実装時の加熱によるバンプ電極の溶融を防止することができる。これにより、バッド間のピッチが狭い場合であっても、バンプ電極の流動化によるパッド間の短絡を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１実施形態に係るバンプ電極形成用具の概略断面図。
【図２】本発明の第１実施形態に係るバンプ電極形成用具の製造方法を説明するための概略工程図。
【図３】本発明の第１実施形態に係るバンプ電極の製造方法を説明するための概略工程図。
【図４】本発明の第１実施形態に係るバンプ電極の製造方法を説明するための概略工程図。
【図５】本発明の第２実施形態に係るバンプ電極形成用具の概略断面図。
【図６】本発明の第２実施形態に係るバンプ電極形成用具の製造方法を説明するための概略工程図。
【図７】本発明の第２実施形態に係るバンプ電極形成用具の製造方法を説明するための概略工程図。
【図８】本発明の第２実施形態に係るバンプ電極の製造方法を説明するための概略工程図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の第１実施形態に係るバンプ電極形成用具について説明する。図１に、本発明の第１実施形態に係るバンプ電極形成用具の概略断面図を示す。バンプ電極形成用具１０は、転写プレート１１と、第１導電材１２と、第２導電材１３と、を有する。
【００２６】
転写プレート１１は、一方の面に少なくとも１つの凹部１１ａを有する。凹部１１ａの位置は、バンプ電極を形成する位置に対応している。凹部１１ａの形状及び寸法は、作製するバンプに応じて適宜決定する。
転写プレート１１の材料としては、第１導電材１２及び第２導電材１３によって形成されるバンプ電極との反応性が低いものを選択すると好ましい。また、バンプ電極との剥離性がよいものを選択すると好ましい。例えば、転写プレート１１として、ステンレス鋼、ポリイミド等の樹脂等を使用することができる。樹脂を使用する場合、転写プレート１１は、金属の母材に樹脂を被膜した複合構造を有していてもよい。
【００２７】
第１導電材１２は、凹部１１ａの内壁に沿って形成されている。好ましくは、第１導電材１２は、凹部１１ａの内壁を全面的に被覆するように形成されている。すなわち、第１導電材１２は、カップ形状を有し、第２導電材１３の表面の一部を被覆する。これにより、第１導電材１２が平板状である場合と比べて、第１導電材１２の表面積、すなわち第２導電材１３との接触面積を大きくすることができる。例えば、第１導電材１２が第２導電材１３の表面の５０％以上を被覆するようにすることができる。また、所望量に対する第１導電材１２の厚さを薄くすることができる。例えば、第１導電材１２の厚さは、０．１μｍ未満にすると好ましい。これにより、第１導電材１２と第２導電材１３との融合をより確実に行うことができる。第１導電材１２の厚さは、バンプ電極の組成及び給電層としての機能を考慮すると、０．０３μｍ以上であると好ましい。
【００２８】
第１導電材１２の厚さは、例えば、バンプ電極形成用具１０の断面観察により測定することができる。また、第１導電材１２を形成する際の層厚の制御は、例えば、所定の条件によって第１導電材１２を形成した後に、断面観察等によって層厚を導き出し、その後はプロセス条件の管理によって行うことができる。
【００２９】
第２導電材１３は、第１導電材１２上に、凹部１１ａを埋めるように形成されている。転写プレート１１からの第２導電材１３の露出面は、バンプ電極を形成するパッドと接触可能となっている。図１に示す形態においては、第２導電材１３の露出面と転写プレート１１の上面１１ｂとは、同一面を形成している。
【００３０】
第１導電材１２及び第２導電材１３の材料は、加熱により融合してバンプ電極となるものであると好ましい。例えば、バンプ電極形成用具１０がＳｎＡｇＣｕ系バンプ電極を形成するものである場合、第１導電材１２は銅を含有すると好ましく、第２導電材１３は、スズ及び銀を含有すると好ましい。例えば、第２導電材１３としてＳｎ３Ａｇ合金を使用することができる。また、第２導電材１３として他の鉛フリーはんだを使用してもよい。第１導電材１２として銅を使用し、第２導電材１３としてＳｎ３Ａｇ合金を使用する場合、１つの凹部１１ａ上に形成される第１導電材１２及び第２導電材１３の組成は、第１導電材１２と第２導電材１３の合計質量（すなわち、１つのバンプ電極の質量）に対して第１導電材１２が０．２質量％以上であると好ましい。また、第１導電材１２と第２導電材１３の合計質量（すなわち、１つのバンプ電極の質量）に対して第１導電材１２が１．２質量％以下、好ましくは０．５質量％以下であると好ましい。これにより、３元系のバンプ電極を形成することができると共に、形成されるバンプ電極の融点を高くすることができる。例えば、第２導電材１３としてＳｎ３Ａｇを使用し、第１導電材１２としてＣｕを使用する場合、第１導電材１２の含有率が１．２質量％であるとき、形成されたバンプ電極の溶融温度は２４８℃程度となり、第１導電材１２の含有率が０．５質量％のとき溶融温度は２１７℃〜２２０℃となる。
【００３１】
次に、本発明の第１実施形態に係るバンプ電極形成用具の製造方法、及び当該バンプ電極形成用具を用いたバンプ電極の形成方法について説明する。図２に、本発明の第１実施形態に係るバンプ電極形成用具の製造方法を説明するための概略工程図を示す。
【００３２】
まず、形成するバンプ電極と対応する位置に凹部１１ａを有する転写プレート１１を準備する（図２（ａ））。次に、凹部１１ａが形成されている側の転写プレート１１面上に、第１導電材１２の第１前駆層１２Ａを被膜する（図２（ｂ））。第１導電材１２は、転写プレート１１の全面、すなわち上面１１ｂ及び凹部１１ａ上に被膜する。第１導電材１２の第１前駆層１２Ａの層厚は、第１導電材１２の厚さとなるので、０．０３μｍ以上であると好ましく、０．１μｍ未満であると好ましい。第１前駆層１２Ａの形成方法としては、例えば、スパッタ法、蒸着法、電解めっき法、無電解めっき法等を適用することができる。
【００３３】
次に、転写プレート１１の全面に亘って、第１前駆層１２Ａ上に、第２導電材１３の第２前駆層１３Ａを形成する（図２（ｃ））。第２前駆層１３Ａの形成方法としては、例えば、スパッタ法、蒸着法、電解めっき法、無電解めっき法、印刷法等を適用することができる。電解めっき法を使用する場合、第１前駆層１２Ａを給電層として使用することができる。
【００３４】
次に、転写プレート１１の上面１１ｂ上の第１前駆層１２Ａ及び第２前駆層１３Ａを、例えばエッチング処理等で除去して、第１導電材１２及び第２導電材１３を形成する（図２（ｄ））。このとき、第２導電材１３の上面（露出面）は、転写プレート１１の上面１１ｂと同一面か、上面１１ｂよりも高いと好ましい。これにより、バンプ電極形成用具１０が製造される。
【００３５】
次に、バンプ電極形成用具１０を用いた第１実施形態に係るバンプ電極の製造方法について説明する。図３及び図４に、バンプ電極の製造方法を説明するための概略工程図を示す。
【００３６】
まず、バンプを形成する回路基板２０を準備する。回路基板２０は、バンプ電極を形成する対象物の例示であり、回路基板の他にも、例えば、半導体装置等の電子素子や半導体基板を対象物とすることもできる。図３及び図４に示す回路基板２０は、基板２１、及び基板２１に形成されたパッド２２を有する。第１実施形態に係るバンプ電極形成用具１０は、第２導電材１３の露出面が転写プレート１１の上面１１ｂと同一面又は同一面の近くにあるので、パッド２２は、第２導電材１３と接触できるように、基板２１面と同一面か基板２１面よりも突出していると好ましい。
【００３７】
次に、パッド２２上にフラックス２３を供給する（図３（ａ））。パッド２２が第２導電材１３と十分に反応できるのであれば、フラックス２３を供給しなくともよい。
【００３８】
次に、バンプ電極形成用具１０を転写ヘッド３２に固定する。回路基板２０を転写ステージ３１に固定する。転写ステージ３１及び転写ヘッド３２のうち少なくとも一方には、第２導電材１３等を加熱するための加熱機構（不図示）が組み込まれている。また、転写ステージ３１及び転写ヘッド３２のうち少なくとも一方には、冷却機構及び加圧機構が組み込まれていてもよい。次に、第２導電材１３（又は転写プレート１１の凹部１１ａ）とパッド２２とが対向するように位置合わせする。次に、第２導電材１３とパッド２２とを接触させる（図３（ｂ））。次に、加熱機構により第２導電材１３の融点以上の温度で第２導電材１３及び第１導電材１２を加熱し、第２導電材１３と第１導電材１２とを融合させ、バンプ電極１４を形成する（図３（ｃ））。融合加熱の前に、第２導電材１３の融点未満の温度で予備加熱を加えてもよい。例えば、第１導電材をＣｕとし、第２導電材をＳｎ３Ａｇとする場合、回路基板２０を１００℃に予備加熱し、バンプ電極形成用具１０を１５０℃に予備加熱し、バンプ電極１４を形成する際にはパッド２２の温度が２６０℃となるように加熱することができる。
【００３９】
次に、冷却機構によりバンプ電極形成用具１０を第２導電材１３の融点未満の温度まで冷却する。次に、転写プレート１１を転写ヘッド３２に固定した状態で転写ヘッド３２を上昇させる（図４（ｄ））。これにより、バンプ電極１４が転写プレート１１から分離される。転写プレート１１を第２導電材１３との反応性の低い材料で作製することによってバンプ電極１４は容易に分離可能となる。
【００４０】
フラックス２３を使用した場合には、回路基板２０上に残存したフラックス２３を洗浄する。これにより、バンプ電極１４の形成が終了する（図４（ｅ））。
【００４１】
本発明によれば、第１導電材１２と第２導電材１３との接触面積を広くすることができると共に、第１導電材１２を薄く形成できるので、第１導電材１２と第２導電材１３との融合をより容易にすることができる。また、第１導電材１２を給電層として、第２導電材１３を電解めっきにより形成できるので、各バンプ電極１４の寸法を均一化することができる。さらに、バンプ電極１４形成時に第１導電材１２と第２導電材１３を融合させるので、三元系のバンプ電極を形成することができる。さらに、バンプ電極１４形成時に第１導電材１２と第２導電材１３を融合させることにより、バンプ電極１４形成時に加える熱を低減することができる。さらに、バンプ電極の融点を高くすることができるので、パッド間隔の狭い場合であっても実装時に短絡が生じることを防止することができる。さらに、バンプ電極の組成、すなわち第１導電材１２と第２導電材１３の組成比は、凹部１１ａの寸法や第１導電材１２の層厚によって容易に調節することができる、すなわちバンプ電極の融点を容易に調節することができる。
【００４２】
本発明の第２実施形態に係るバンプ電極形成用具について説明する。図５に、本発明の第２実施形態に係るバンプ電極形成用具の概略断面図を示す。第２実施形態において、第１実施形態と同じ要素には同じ符号を付してある。
【００４３】
第２実施形態に係るバンプ電極形成用具４０は、転写プレート１１と、第１導電材１２と、第２導電材４３と、を備える。第１実施形態と異なる点は、第２導電材４３が転写プレート１１から突出している点である。第１導電材１２は、第２導電材４３の先端（例えば第２導電材４３の高さの３０％以上、好ましくは５０％以上）を被覆している。それ以外の形態は、第１実施形態と同様である。第２導電材４３の高さ（突出の程度）は、バンプ電極の組成、パッドの位置等によって適宜設定する。
【００４４】
第２実施形態に係るバンプ電極形成用具４０によれば、パッドが表層よりも低い位置にあっても第２導電材４３とパッドとを接触させることができる。また、第２導電材４３の量を第１実施形態よりも容易に多くすることができ、実装時に第２導電材４３によって熱膨張差による応力を緩和する際に有用である。
【００４５】
第２実施形態に係るバンプ電極形成用具４０の上記以外の形態は、第１実施形態と同様である。
【００４６】
本発明の第２実施形態に係るバンプ電極形成用具の製造方法について説明する。図６に、本発明の第２実施形態に係るバンプ電極形成用具の製造方法を説明するための概略工程図を示す。
【００４７】
転写プレート１１上に第１導電材の第１前駆層１２Ａを形成するまで（図６（ａ）〜図６（ｂ））は、第１実施形態と同様である。次に、転写プレート１１の上面１１ｂ（すなわち凹部１１ａ以外の領域）の第１前駆層１２Ａ上にマスク４５（例えばレジスト）を形成する（図６（ｃ））。マスク４５は、凹部１１ａ上に貫通孔４５ａを有する。
【００４８】
次に、凹部１１ａ及び貫通孔４５ａ内に第２導電材４３を充填する（図６（ｄ））。次に、マスク４５を除去する。次に、転写プレート１１の上面１１ｂ（すなわち凹部１１ａ以外の領域）にある第１導電材の第１前駆層１２Ａをエッチング等で除去する。これにより、転写プレート１１から突出した第２導電材４３が形成される（図６（ｅ））。
【００４９】
次に、本発明の第２実施形態に係るバンプ電極形成用具の別の製造方法について説明する。図７に、本発明の第２実施形態に係るバンプ電極形成用具の製造方法を説明するための概略工程図を示す。
【００５０】
転写プレート１１上に第１導電材の第１前駆層１２Ａを形成すると共に、第２導電材の第２前駆層４３Ａを形成するまで（図７（ａ）〜図７（ｃ））は、第１実施形態と同様である。ただし、本形態においては、第２導電材の第２前駆層４３Ａの厚さは、第２導電材４３の最終的な高さとなるようにする。
【００５１】
次に、第２導電材４３を形成する位置（すなわち凹部１１ａ上の領域）にマスク４６（例えばレジスト）を形成する（図７（ｄ））。次に、マスク４６をマスクとして、転写プレート１１の上面１１ｂ上の第１前駆層１２Ａ及び第２前駆層４３Ａを部分的に除去する。これにより、第２導電材４３を転写プレート１１から突出させることができる（図７（ｅ））。
【００５２】
次に、バンプ電極形成用具４０を用いた第２実施形態に係るバンプ電極の製造方法について説明する。図８に、バンプ電極の製造方法を説明するための概略工程図を示す。第２実施形態に係るバンプ電極の製造方法は、第１実施形態と同様とすることができる。
【００５３】
まず、回路基板５０を準備する。図８に示す回路基板５０は、基板５１と、基板５１上に形成されたパッド５２と、基板５１上に、パッド５２よりも高く、パッド５２を露出するように形成された絶縁膜５３とを有する。
【００５４】
次に、パッド５２上にフラックス５４を供給する（図８（ａ））。パッド５２が第２導電材４３と十分に反応できるのであれば、フラックス５４を供給しなくともよい。
【００５５】
次に、第２導電材４３とパッド５２とを位置合わせして、第２導電材４３とパッド５２とを接触させる（図８（ｂ））。このとき、パッド５２が絶縁膜５３よりも低い位置にあっても、第２導電材４３が突出しているので、第２導電材４３とパッド５２とを容易に接触させることができる。
【００５６】
次に、第２導電材４３及び第１導電材１２を加熱してバンプ電極４４を形成する（図８（ｃ）及び（ｄ））。上記以外の形態は、第１実施形態に係るバンプ電極の製造方法と同様である。
【００５７】
本発明のバンプ電極形成用具において、転写プレートの凹部の形状及び寸法、第１導電材の厚さ、第２導電材の量、形成するバンプ電極の組成等は、それぞれ相関しており、所望の設定に応じて適宜設定する。
【００５８】
本発明のバンプ電極形成用具及びバンプ電極の製造方法は、上記実施形態に基づいて説明されているが、上記実施形態に限定されることなく、本発明の範囲内において、かつ本発明の基本的技術思想に基づいて、上記実施形態に対し種々の変形、変更及び改良を含むことができることはいうまでもない。また、本発明の請求の範囲の枠内において、種々の開示要素の多様な組み合わせ・置換ないし選択が可能である。
【００５９】
本発明のさらなる課題、目的及び展開形態は、請求の範囲を含む本発明の全開示事項からも明らかにされる。
【００６０】
上記実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下の記載には限定されない。
【００６１】
（付記１）
少なくとも１つの凹部を有するプレートと、
前記凹部の内壁を被覆するように形成された第１導電材と、
前記第１導電材上に供給されると共に、前記凹部に充填された第２導電材と、
を備えることを特徴とするバンプ電極形成用具。
【００６２】
（付記２）
前記第２導電材は、前記プレートより突出していることを特徴とする付記１に記載のバンプ電極形成用具。
【００６３】
（付記３）
前記第１導電材の層厚は０．０３μｍ以上０．１μｍ未満であることを特徴とする付記１又は２に記載のバンプ電極形成用具。
【００６４】
（付記４）
前記第１導電材は、銅を含むことを特徴とする付記１〜３のいずれか一項に記載のバンプ電極形成用具。
【００６５】
（付記５）
前記第２導電材は、スズ及び銀を含むことを特徴とする付記１〜４のいずれか一項に記載のバンプ電極形成用具。
【００６６】
（付記６）
前記第１導電材は、前記第１導電材及び前記第２導電材の質量の合計に対して０．２質量％以上１．２質量％以下であることを特徴とする付記４又は５に記載のバンプ電極形成用具。
【００６７】
（付記７）
少なくとも１つの凹部を有するプレートを準備する工程と、
少なくとも前記凹部の内壁を被覆するように前記プレート上に第１導電材を形成する工程と、
前記第１導電材上の少なくとも前記凹部内に第２導電材を形成する工程と、を含むことを特徴とするバンプ電極形成用具の製造方法。
【００６８】
（付記８）
前記凹部が形成されている側の前記プレートの面上に前記第１導電材の第１前駆層を形成し、
前記第１導電材の前記第１前駆層上に、前記第２導電材の第２前駆層を形成し、
少なくとも、前記プレートの前記凹部以外の領域上に形成された前記第１導電材の前記第１前駆層及び前記第２導電材の前記第２前駆層を除去することにより、
前記第１導電材及び前記第２導電材を形成することを特徴とする付記７に記載のバンプ電極形成用具の製造方法。
【００６９】
（付記９）
前記第２導電材の前記第２前駆層上の前記凹部と対応する位置にマスクを形成し、
前記マスクが覆う領域以外の領域に形成された前記第１導電材の前記第１前駆層及び前記第２導電材の前記第２前駆層を除去することにより、
前記第１導電材及び前記第２導電材を形成することを特徴とする付記８に記載のバンプ電極形成用具の製造方法。
【００７０】
（付記１０）
前記凹部が形成されている側の前記プレートの面上に前記第１導電材の第１前駆層を形成し、
前記第１導電材の前記第１前駆層上に、前記凹部の位置に貫通孔を有するマスクを配置し、
前記凹部内又は前記凹部及び前記貫通孔内に前記第２導電材を形成し、
前記マスクを除去し、
前記プレートの前記凹部以外の領域上に形成された前記第１導電材の前記第１前駆層を除去することにより、
前記第１導電材及び前記第２導電材を形成することを特徴とする付記７に記載のバンプ電極形成用具の製造方法。
【００７１】
（付記１１）
前記第１導電材又は前記第１導電材の前記第１前駆層を給電層として用いる電解めっきにより前記第２導電材又は前記第２導電材の前記第２前駆層を形成することを特徴とする付記７〜１０のいずれか一項に記載のバンプ電極形成用具の製造方法。
【００７２】
（付記１２）
前記第１導電材又は前記第１導電材の前記第１前駆層の層厚は０．０３μｍ以上０．１μｍ未満であることを特徴とする付記７〜１１のいずれか一項に記載のバンプ電極形成用具の製造方法。
【００７３】
（付記１３）
前記第１導電材は銅を含み、
前記第２導電材はスズ及び銀を含むことを特徴とする付記７〜１２のいずれか一項に記載のバンプ電極形成用具の製造方法。
【００７４】
（付記１４）
前記第１導電材は、前記第１導電材及び前記第２導電材の質量の合計に対して０．２質量％以上１．２質量％以下であることを特徴とする付記１３に記載のバンプ電極形成用具の製造方法。
【００７５】
（付記１５）
付記１〜６のいずれか一項に記載のバンプ電極形成用具、又は付記７〜１４のいずれか一項に記載の方法によって製造したバンプ電極形成用具の第２導電材と、基板又は電子装置のパッドとを位置合わせして、前記第２導電材と前記パッドとを接触させる工程と、
前記第１導電材及び前記第２導電材を加熱して前記第１導電材と前記第２導電材とを融合させる工程と、
前記プレートを取り外し、前記第１導電材と前記第２導電材とが固溶化したバンプ電極を前記パッド上に形成する工程と、
を含むことを特徴とするバンプ電極の製造方法。
【００７６】
（付記１６）
少なくともプレートの凹部の内壁を被覆するように第１導電材を形成する工程と、
前記第１導電材上の少なくとも前記凹部内に第２導電材を形成する工程と、
前記第２導電材と、基板又は電子装置のパッドとを位置合わせして、前記第２導電材と前記パッドとを接触させる工程と、
前記第１導電材及び前記第２導電材を加熱して前記第１導電材と前記第２導電材とを融合させる工程と、
前記プレートを取り外し、前記第１導電材と前記第２導電材とが固溶化したバンプ電極を前記パッド上に形成する工程と、
を含むことを特徴とするバンプ電極の製造方法。
【００７７】
（付記１７）
前記第１導電材を給電層として用いる電解めっきにより前記第２導電材を形成することを特徴とする付記１６に記載のバンプ電極の製造方法。
【００７８】
（付記１８）
前記第１導電材の層厚は０．０３μｍ以上０．１μｍ未満であることを特徴とする付記１６又は１７に記載のバンプ電極の製造方法。
【００７９】
（付記１９）
前記第１導電材は銅を含み、
前記第２導電材はスズ及び銀を含むことを特徴とする付記１６〜１８のいずれか一項に記載のバンプ電極の製造方法。
【００８０】
（付記２０）
前記第１導電材は、前記第１導電材及び前記第２導電材の質量の合計に対して０．２質量％以上１．２質量％以下であることを特徴とする付記１９に記載のバンプ電極の製造方法。
【符号の説明】
【００８１】
１０，４０          バンプ電極形成用具
１１          転写プレート
１１ａ        凹部
１１ｂ        上面
１２          第１導電材
１２Ａ        第１前駆層
１３，４３          第２導電材
１３Ａ，４３Ａ        第２前駆層
１４，４４          バンプ電極
２０，５０          回路基板
２１，５１          基板
２２，５２          パッド
２３，５４          フラックス
３１          転写ステージ
３２          転写ヘッド
４５，４６          マスク
４５ａ          貫通孔
５３          絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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