(57)【要約】【課題】重量や厚みを小さくすることが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】素子用基板の表示領域に設けられた複数の有機ＥＬ素子と、複数の有機ＥＬ素子を被覆するシリコン窒化膜と、シリコン窒化膜の上面側に設けられたカラーフィルタと、カラーフィルタの上面に設けられた可撓性フィルムとを備えた表示装置。【選択図】図４
2012204076.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子用基板の表示領域に設けられた複数の有機ＥＬ素子と、
前記複数の有機ＥＬ素子を被覆するシリコン窒化膜と、
前記シリコン窒化膜の上面側に設けられたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタの上面に設けられた可撓性フィルムと
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記シリコン窒化膜の上面に平坦化膜が設けられ、
前記カラーフィルタは前記平坦化膜の上面に設けられている
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記カラーフィルタは、前記複数の有機ＥＬ素子の各々に対向する位置に設けられ、
前記可撓性フィルムは、前記表示領域に対向する領域に設けられている
請求項１または２記載の表示装置。
【請求項４】
前記可撓性フィルムは、前記カラーフィルタの上面に載せられている
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記可撓性フィルムは、接着層により前記カラーフィルタの上面に貼り合わせられている
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記シリコン窒化膜は、前記基板の側から、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第１シリコン窒化膜と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３未満の第２シリコン窒化膜と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第３シリコン窒化膜とをこの順に積層した構成を有する
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
素子用基板の表示領域に設けられた複数の有機ＥＬ素子と、
前記複数の有機ＥＬ素子を被覆するシリコン窒化膜と
を備え、
前記シリコン窒化膜は、前記基板の側から、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第１シリコン窒化膜と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３未満の第２シリコン窒化膜と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第３シリコン窒化膜とをこの順に積層した構成を有する
表示装置。
【請求項８】
素子用母基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、
前記複数の有機ＥＬ素子をシリコン窒化膜により被覆する工程と、
前記シリコン窒化膜の上面側にカラーフィルタを設ける工程と、
前記カラーフィルタの上面に可撓性フィルムを設ける工程と、
前記素子用母基板を切断することにより、前記表示領域に前記複数の有機ＥＬ素子を有する素子用基板を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記カラーフィルタを設ける工程は、
前記シリコン窒化膜の上面に平坦化膜を設ける工程と、
前記平坦化膜の上面に前記カラーフィルタを設ける工程と
を含む請求項８記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記カラーフィルタを、前記複数の有機ＥＬ素子の各々に対向する位置に設け、
前記可撓性フィルムを、前記表示領域に対向する領域に設ける
請求項８または９記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記可撓性フィルムを、前記カラーフィルタの上面に載せる
請求項８ないし１０のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記可撓性フィルムを、接着層により前記カラーフィルタの上面に貼り合わせる
請求項８ないし１０のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記シリコン窒化膜として、化学気相成長法により、前記基板の側から、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第１シリコン窒化膜と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３未満の第２シリコン窒化膜と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第３シリコン窒化膜とをこの順に積層する
請求項８ないし１２のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
素子用母基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、
前記複数の有機ＥＬ素子をシリコン窒化膜により被覆する工程と、
前記素子用母基板を切断することにより、前記表示領域に前記複数の有機ＥＬ素子を有する素子用基板を形成する工程と
を含み、
前記シリコン窒化膜として、化学気相成長法により、前記基板の側から、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第１シリコン窒化膜と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３未満の第２シリコン窒化膜と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第３シリコン窒化膜とをこの順に積層する
表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子を備えた表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子を備えた表示装置では、例えば、有機ＥＬ素子を設けた素子用基板に、封止用基板を接着層により貼り合わせた完全固体封止構造が採用されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−８６３５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような従来の構成では、素子用および封止用の２枚のガラス基板を用いるので、重量や厚みをそれ以上減らすことが難しく、更に軽量化・薄型化が可能な構成が望まれていた。また、製造工程においては、素子用基板と封止用基板の両方について、母基板を切断（スクライブ）する工程が必要となっていた。
【０００５】
本開示の目的は、重量や厚みを小さくすることが可能な表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示による第１の表示装置は、以下の（Ａ）〜（Ｄ）の構成要素を備えたものである。
（Ａ）素子用基板の表示領域に設けられた複数の有機ＥＬ素子
（Ｂ）複数の有機ＥＬ素子を被覆するシリコン窒化膜
（Ｃ）シリコン窒化膜の上面側に設けられたカラーフィルタ
（Ｄ）カラーフィルタの上面に設けられた可撓性フィルム
【０００７】
本開示の第１の表示装置では、複数の有機ＥＬ素子がシリコン窒化膜により被覆されている。シリコン窒化膜の上面側にはカラーフィルタが設けられ、このカラーフィルタの上面に可撓性フィルムが設けられている。よって、複数の有機ＥＬ素子がシリコン窒化膜により封止されると共に、カラーフィルタが可撓性フィルムにより表面保護され、従来の封止用基板は不要となる。
【０００８】
本開示による第２の表示装置は、素子用基板の表示領域に設けられた複数の有機ＥＬ素子と、複数の有機ＥＬ素子を被覆するシリコン窒化膜とを備えたものである。
【０００９】
本開示の第２の表示装置では、複数の有機ＥＬ素子がシリコン窒化膜により被覆されている。よって、複数の有機ＥＬ素子がシリコン窒化膜により封止され、従来の封止用基板は不要となる。
【００１０】
本開示による第１の表示装置の製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の工程を含むものである。
（Ａ）素子用母基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を形成する工程
（Ｂ）複数の有機ＥＬ素子をシリコン窒化膜により被覆する工程
（Ｃ）シリコン窒化膜の上面側にカラーフィルタを設ける工程
（Ｄ）カラーフィルタの上面に可撓性フィルムを設ける工程
（Ｅ）素子用母基板を切断することにより、表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する素子用基板を形成する工程
【００１１】
本開示による第２の表示装置の製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の工程を含むものである。
（Ａ）素子用母基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を形成する工程
（Ｂ）複数の有機ＥＬ素子をシリコン窒化膜により被覆する工程
（Ｃ）素子用母基板を切断することにより、表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する素子用基板を形成する工程
【発明の効果】
【００１２】
本開示の第１の表示装置、または本開示の第１の表示装置の製造方法によれば、複数の有機ＥＬ素子をシリコン窒化膜により被覆し、シリコン窒化膜の上面側にカラーフィルタを設け、このカラーフィルタの上面に可撓性フィルムを設けるようにしたので、従来のような封止用基板は不要となり、重量や厚みを小さくすることが可能となる。
【００１３】
本開示の第２の表示装置、または本開示の第２の表示装置の製造方法によれば、複数の有機ＥＬ素子をシリコン窒化膜により被覆するようにしたので、従来のような封止用基板は不要となり、重量や厚みを小さくすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示装置の構成を表す平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【図５】図４に示したシリコン窒化膜の構成を表す断面図である。
【図６】図４に示した有機ＥＬ素子の構成を表す断面図である。
【図７】図３に示した表示装置の製造方法を工程順に表す平面図である。
【図８】図７に続く工程を表す平面図である。
【図９】図８に続く工程を表す平面図である。
【図１０】図９に続く工程を表す平面図である。
【図１１】図４に示した表示装置の相対輝度劣化を調べた結果を表す図である。
【図１２】変形例１に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１３】変形例２に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１４】図１３に示したシリコン窒化膜の構成を表す断面図である。
【図１５】変形例３に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１６】本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す平面図である。
【図１７】図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線における断面図である。
【図１８】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１９】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２０】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２１】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２２】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２３】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（シリコン窒化膜の上面に直接カラーフィルタを設け、カラーフィルタの上面に可撓性フィルムを載せた例）
２．変形例１（シリコン窒化膜の上面に直接カラーフィルタを設け、カラーフィルタの上面に可撓性フィルムを接着層により貼り合わせた例）
３．変形例２（シリコン窒化膜の上面に平坦化膜およびカラーフィルタを設け、カラーフィルタの上面に可撓性フィルムを載せた例）
４．変形例３（シリコン窒化膜の上面に平坦化膜およびカラーフィルタを設け、カラーフィルタの上面に可撓性フィルムを接着層により貼り合わせた例）
５．第２の実施の形態（シリコン窒化膜のみにより有機ＥＬ素子を封止した例）
６．適用例
【００１６】
（第１の実施の形態）
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、有機ＥＬテレビジョン装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスなどの素子用基板１１の上に、後述する複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が設けられたものである。表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
【００１７】
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が設けられている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極６１の下層に設けられたアクティブ型の駆動回路である。画素駆動回路１４０は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、キャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有している。キャパシタＣｓの一方の電極は駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２の間に接続され、他方の電極は駆動トランジスタＴｒ１および有機ＥＬ素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）との間に接続されている。
【００１８】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００１９】
図３は、図１に示した表示装置の平面構成を表したものである。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線における断面構成を表したものである。素子用基板１１には、上述した信号線駆動回路１２０，走査線駆動回路１３０および画素駆動回路１４０が設けられている。これらは、第１絶縁膜１２により被覆されている。また、素子用基板１１の最外周領域（信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の外側）には、外部接続領域１５０が設けられている。外部接続領域１５０には、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長した端子１３が設けられている。端子１３の先端部は第１絶縁膜１２からは露出している。一方、第１絶縁膜１２上の表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色の光を発生する有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色の光を発生する有機ＥＬ素子１０Ｂが順に行列状に配置されている。
【００２０】
複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、シリコン窒化膜２０により被覆されている。シリコン窒化膜２０の上面２０Ａ側には、可撓性フィルム３０が設けられている。具体的には、シリコン窒化膜２０と可撓性フィルム３０との間には、カラーフィルタ４１およびブラックマトリクスとしての遮光膜４２が設けられており、可撓性フィルム３０はカラーフィルタ４１および遮光膜４２の上面に載せられている。これにより、この表示装置では、重量および厚みを小さくすることが可能となっている。
【００２１】
シリコン窒化膜２０は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂへの水分や酸素の進入を抑えるための封止層である。
【００２２】
シリコン窒化膜２０は、例えば、図５に示したように、素子用基板１１の側から、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第１シリコン窒化膜２１と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３未満の第２シリコン窒化膜２２と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第３シリコン窒化膜２３とをこの順に積層した構成を有していることが好ましい。これにより、シリコン窒化膜２０に、従来の封止用のガラス基板と同等以上の封止性能を持たせることが可能となる。すなわち、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第１シリコン窒化膜２１および第３シリコン窒化膜２３は膜密度が高いので、シリコン窒化膜２０のパッシベーション性を高めることが可能となる。一方、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３未満の第２シリコン窒化膜２２は、第１シリコン窒化膜２１および第３シリコン窒化膜２３よりも高い段差被覆性を有している。よって、第２シリコン窒化膜２２を設けることにより、シリコン窒化膜２０の段差の部分から水分や酸素が有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに進入することを抑制することが可能となる。
【００２３】
カラーフィルタ４１は、赤色フィルタ４１Ｒ，緑色フィルタ４１Ｇおよび青色フィルタ４１Ｂを有している。赤色フィルタ４１Ｒ，緑色フィルタ４１Ｇおよび青色フィルタ４１Ｂは、それぞれ、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対向する位置に設けられている。赤色フィルタ４１Ｒ，緑色フィルタ４１Ｇおよび青色フィルタ４１Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。
【００２４】
遮光膜４２は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するためのものである。遮光膜４２は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、クロムと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２ Ｏ３ ）とを交互に積層したものが挙げられる。
【００２５】
可撓性フィルム３０は、シリコン窒化膜２０の上面２０Ａ側、すなわち表示装置の最も外側に位置し、外部からの傷や衝撃を緩和するための表面保護層としての機能を有している。特に、可撓性フィルム３０は、表示領域１１０に設けられていることが好ましい。カラーフィルタ４１および遮光膜４２の損傷や剥離を回避することが可能となるからである。また、可撓性フィルム３０は、赤色フィルタ４１Ｒ，緑色フィルタ４１Ｇおよび青色フィルタ４１Ｂの厚みの違いによる段差に追随可能であり、それらの厚みの違いを吸収することが可能となっている。可撓性フィルム３０は、光取出し効率の向上のため、可視光領域（２００ｎｍないし８００ｎｍ）での透過率が７０％以上、好ましくは９０％以上であることが望ましい。このような可撓性フィルム３０の構成材料は特に限定されないが、例えば厚みが０．２ｍｍ程度であり、ポリプロピレン（ＯＰＰ），ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＮ）またはフッ素系樹脂などよりなるフィルムにより構成されている。
【００２６】
図６は、図３に示した有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの断面構成を表したものである。有機ＥＬ素子１０Ｒ, １０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、素子用基板１１および第１絶縁膜１２の側から、第１電極６１、第２絶縁膜６２、発光層を含む有機層６３、および第２電極６４がこの順に積層された構成を有し、発光層で発生した光を第２電極６４側から取り出すものである（トップエミッション）。
【００２７】
第１電極６１は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。第１電極６１は、例えば、厚みが約３０ｎｍのＩＴＯ（酸化インジウムスズ）層と、厚みが約１００ｎｍの銀（Ａｇ）合金層と、厚みが約３０ｎｍのＩＴＯ層とを順に積層した構成を有している。なお、第１電極６１の構成材料としては、銀（Ａｇ）またはその合金のほか、アルミニウム（Ａｌ）またはその合金、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいはモリブデン（Ｍｏ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極が挙げられる。なお、第１電極６１は、第１絶縁膜１２の接続孔１２Ａを介して、画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１に接続されている。
【００２８】
第２絶縁膜６２は、第１電極６１と第２電極６４との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものである。第２絶縁膜６２は、例えば、厚みが１００ｎｍないし２００ｎｍであり、ポジ型感光性ポリイミドあるいはポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールなどの有機材料、またはＳｉＯ2などの無機材料により構成されている。絶縁膜６２は、中央に発光領域に対応して開口部６２Ａを有している。なお、有機層６３および第２電極６４は、第２絶縁膜６２の上にも連続して設けられているが、発光が生じるのは第２絶縁膜６２の開口部６２Ａだけである。
【００２９】
有機層６３は、例えば、正孔注入層６３Ａ，正孔輸送層６３Ｂ，発光層６３Ｃおよび電子輸送層６３Ｄが第１電極６１の側からこの順に積層された構成を有している。正孔注入層６３Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層６３Ｂは、発光層６３Ｃへの正孔注入効率を高めるためのものである。発光層６３Ｃは、電界をかけることにより、第１電極６１から正孔注入層６３Ａおよび正孔輸送層６３Ｂを介して注入された正孔の一部と、第２電極６４から電子輸送層６３Ｄを介して注入された電子の一部とが再結合して、光を発生するものである。電子輸送層６３Ｄは、発光層６３Ｃへの電子注入効率を高めるためのものである。なお、電子輸送層６３Ｄと第２電極６４との間には、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）よりなる電子注入層（図示せず）が設けられていてもよい。
【００３０】
正孔注入層６３Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。
【００３１】
正孔輸送層６３Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。
【００３２】
有機ＥＬ素子１０Ｒの発光層６３Ｃは、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、有機ＥＬ素子１０Ｒの発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
【００３３】
有機ＥＬ素子１０Ｇの発光層６３Ｃは、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、有機ＥＬ素子１０Ｇの発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。
【００３４】
有機ＥＬ素子１０Ｂの発光層６３Ｃは、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種とを含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、有機ＥＬ素子１０Ｂの発光層は、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
【００３５】
電子輸送層６３Ｄは、例えば、厚みが２０ｎｍ程度であり、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３ ）により構成されている。
【００３６】
第２電極６４は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）などよりなる半透過性反射電極により構成されている。なお、表示領域１１０の周囲には、第２電極６４の電圧降下を抑制するための補助配線（図示せず）が設けられていることが望ましい。補助配線は、表示領域１１０を囲む枠状に設けられた導電膜であり、その幅は例えば約３ｍｍである。第２電極６４は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの共通電極として表示領域１１０の全体に設けられていると共に、表示領域１１０の周囲まで延在することにより補助配線に接続されている。
【００３７】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００３８】
図７ないし図１０は、この表示装置の製造方法を工程順に表したものである。まず、図７に示したように、ガラス等よりなる素子用母基板１１Ａを用意し、この素子用母基板１１Ａに、上述した信号線駆動回路１２０，走査線駆動回路１３０および画素駆動回路１４０を設ける。また、素子用母基板１１の外部接続領域１５０には、外部接続のための端子１３を設ける。なお、図７では、例えば１枚の素子用母基板１１Ａに１つの表示領域１１０が設定されている場合（いわゆる１面取り）を表しているが、１枚の素子用母基板１１Ａには複数の表示領域１１０を設定することも可能である（いわゆる多面取り）。素子用母基板１１Ａには、切断線１１Ｂが格子状に設定されている。
【００３９】
次いで、素子用母基板１１Ａに、例えばスピンコート法により、例えばポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールを塗布し、露光および現像する。これにより、接続孔１２Ａを形成すると共に、外部接続領域１５０の端子１３を露出させる。
【００４０】
続いて、Ｎ2等の不活性ガス雰囲気下でベーク処理を行い、ポリベンゾオキサゾールを硬化させることにより第１絶縁膜１２を形成すると共に、第１絶縁膜１２中に含まれる水分などを除去する。
【００４１】
そののち、同じく図７に示したように、第１絶縁膜１２上の表示領域１１０に、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。
【００４２】
具体的には、まず、第１絶縁膜１２の上に、例えばスパッタリング法により、厚みが約３０ｎｍのＩＴＯ（酸化インジウムスズ）層と、厚みが約１００ｎｍの銀（Ａｇ）合金層と、厚みが約３０ｎｍのＩＴＯ層とを順に積層した積層膜を形成する。続いて、この積層膜を例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形し、第１電極６１を形成する。また、同時に、表示領域１１０の周囲に枠状の補助配線（図示せず）を形成する。
【００４３】
第１電極６１および補助配線（図示せず）を形成したのち、第１絶縁膜１２上に、例えばスピンコート法により、ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールを塗布し、露光および現像を行う。これにより、開口部６２Ａを形成すると共に、補助配線（図示せず）を露出させる。
【００４４】
続いて、Ｎ2などの不活性ガス雰囲気中でベーク処理を行うことにより、ポリベンゾオキサゾールを硬化させて第２絶縁膜６２を形成すると共に、第１絶縁膜１２および第２絶縁膜６２に含まれる水分などを除去する。引き続き、微小異物などを除去するために純水などでスピン洗浄を行ったのち、真空雰囲気下でベーク処理を行う。そののち、真空雰囲気を維持したままで前処理室に素子用母基板１１Ａを搬送し、Ｏ2プラズマによって素子用基板１１の前処理を行う。続いて、真空雰囲気を維持した状態で次工程である有機層６３の蒸着を行う。このような工程を用いることにより、ベーク処理後に大気中の水分などが素子用母基板１１Ａの表面に吸着することが回避される。
【００４５】
そののち、第１電極６１上に、例えば蒸着法により、有機層６３を形成する。具体的には、まず、真空雰囲気下で、有機発光素子１０Ｂの有機層６３を形成するためのチャンバーに素子用母基板１１Ａを搬送し、素子用母基板１１Ａに蒸着用マスクをアライメントし、有機発光素子１０Ｂの有機層６３を、例えば約２００ｎｍの厚みで形成する。
【００４６】
次いで、真空雰囲気を維持した状態で有機発光素子１０Ｒの有機層６３を形成するためのチャンバーに素子用母基板１１Ａを搬送し、素子用母基板１１Ａに蒸着用マスクをアライメントし、有機発光素子１０Ｒの有機層６３を形成する。
【００４７】
続いて、真空雰囲気を維持した状態で有機発光素子１０Ｇの有機層６３を形成するためのチャンバーに素子用母基板１１Ａを搬送し、素子用母基板１１Ａに蒸着用マスクをアライメントし、有機発光素子１０Ｇの有機層６３を形成する。
【００４８】
有機層６３を形成したのち、真空雰囲気を維持した状態で、素子用母基板１１Ａに蒸着用マスクをアライメントし、例えば蒸着法により、有機層６３上，第２絶縁膜６２上および補助配線（図示せず）上に、例えばＬｉＦよりなる電子注入層（図示せず）を例えば１ｎｍの厚みで形成する。そののち、この蒸着マスクを用いた真空蒸着法により、電子注入層上に、例えばＭｇＡｇ合金よりなる第２電極６４を形成する。これにより、電子注入層を介して第２電極６４と補助配線（図示せず）とが接続される。以上により、図６に示したような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００４９】
有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、図８に示したように、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂをシリコン窒化膜２０により被覆する。シリコン窒化膜２０の成膜方法としては、例えば、原料ガスとしてシラン（ＳＨ４）ガス，アンモニア（ＮＨ３）ガスおよび窒素ガスを用いたＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法、特にプラズマＣＶＤ法を用いる。
【００５０】
その際、シリコン窒化膜２０として、素子用基板１１の側から、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第１シリコン窒化膜２１と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３未満の第２シリコン窒化膜２２と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第３シリコン窒化膜２３とをこの順に積層することが好ましい。Ｎ／Ｓｉ組成比は、原料ガスであるアンモニア（ＮＨ3）ガスおよびシラン（ＳＨ4）ガスの流量，成膜時の圧力，プラズマパワーおよび混合ガスの流量比などにより制御することが可能である。
【００５１】
シリコン窒化膜２０を形成したのち、シリコン窒化膜２０の上面２０Ａ側に、可撓性フィルム３０を設ける。
【００５２】
具体的には、シリコン窒化膜２０の上面２０Ａに、遮光膜４２の材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより遮光膜４２を形成する。続いて、シリコン窒化膜２０の上面２０Ａに赤色フィルタ４１Ｒの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ４１Ｒを形成する。続いて、赤色フィルタ４１Ｒと同様にして、青色フィルタ４１Ｂおよび緑色フィルタ４１Ｇを順次形成する。これにより、図９に示したように、シリコン窒化膜２０の上面２０Ａにカラーフィルタ４１および遮光膜４２が形成される。
【００５３】
カラーフィルタ４１および遮光膜４２を形成したのち、図１０に示したように、可撓性フィルム３０をカラーフィルタ４１および遮光膜４２の上面に載せる。
【００５４】
そののち、図３に示したように、素子用母基板１１Ａを切断線１１Ｂで切断し、表示領域１１０に複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを有する素子用基板１１を形成する。母基板の切断工程は、切断面の切り屑の発生などを抑えるための切断条件の設定が極めて難しいが、本実施の形態では素子用母基板１１Ａのみを切断すればよく、従来のように素子用母基板および封止用母基板の両方を切断する必要はなくなる。よって、本実施の形態の表示装置を容易に製造することが可能となる。以上により、図３および図４に示した表示装置が完成する。
【００５５】
なお、上記の製造方法と同様にして実際に表示装置を作製し、得られた表示装置について相対輝度劣化を調べた。図１１は、実験開始直後の輝度を１００％とした輝度の経時変化をものである。また、有機ＥＬ素子を設けた素子用基板に、封止用基板を接着層により貼り合わせた従来の表示装置を実際に作製し、得られた従来の表示装置についても同様にして相対輝度劣化を調べた。その結果を図１１に併せて示す。図１１から分かるように、本実施の形態の表示装置では、従来の封止用のガラス基板を用いた表示装置に比べてなんら遜色のない結果が得られた。
【００５６】
また、得られた本実施の形態の表示装置と従来の表示装置とについて、それぞれ重量および厚みを計測した。本実施の形態の表示装置の重量は１４ｇ（寸法は３０ｍｍ×３０ｍｍ）であったのに対して、従来の表示装置の重量は２３ｇ（寸法は３０ｍｍ×３０ｍｍ）であった。また、本実施の形態の表示装置の厚みは、素子用基板１１の厚みが０．７ｍｍ、可撓性フィルムの厚みが０．２ｍｍであり、合計厚みは９ｍｍであった。一方、従来の表示装置の厚みは、素子用基板の厚みが０．７ｍｍ、封止用基板の厚みが０．７ｍｍであり、合計厚みは１４ｍｍであった。
【００５７】
すなわち、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂをシリコン窒化膜２０により被覆し、このシリコン窒化膜２０の上面２０Ａにカラーフィルタ４１および遮光膜４２を設け、それらの上面に可撓性フィルム３０を載せるようにすれば、重量および厚みを小さくすることが可能となると共に、従来の封止用のガラス基板を有する表示装置と同等の封止特性（パッシベーション特性）が得られることが分かった。
【００５８】
この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄｓが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極６４，シリコン窒化膜２０，カラーフィルタ４１および可撓性フィルム３０を透過して（トップエミッション）取り出される。
【００５９】
ここでは、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがシリコン窒化膜２０により被覆され、シリコン窒化膜２０の上面２０Ａにカラーフィルタ４１および遮光膜４２と、可撓性フィルム３０とが設けられている。よって、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがシリコン窒化膜２０により封止されると共に、カラーフィルタ４１および遮光膜４２が可撓性フィルム３０により表面保護される。従って、従来の封止用のガラス基板は不要となり、重量や厚みが小さくなる。
【００６０】
このように本実施の形態の表示装置では、素子用基板１１の表示領域１１０に複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを設け、この複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂをシリコン窒化膜２０により被覆している。シリコン窒化膜２０の上面２０Ａ側には可撓性フィルム３０を設けるようにしている。よって、重量や厚みを小さくすることが可能となる。
【００６１】
本実施の形態の表示装置の製造方法では、素子用母基板１１Ａの表示領域１１０に複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成し、この複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂをシリコン窒化膜２０により被覆する。そののち、素子用母基板１１Ａを切断することにより、表示領域１１０に複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを有する素子用基板１１を形成し、シリコン窒化膜２０の上面２０Ａ側に可撓性フィルム３０を設けるようにしている。よって、従来のような封止用母基板を切断する工程は不要となり、本実施の形態の表示装置を容易に製造することが可能となる。
【００６２】
（変形例１）
なお、上記実施の形態では、可撓性フィルム３０をカラーフィルタ４１および遮光膜４２の上面に載せた場合について説明したが、図１２に示したように、可撓性フィルム３０は、接着層３１により貼り合わせられていることも可能である。これにより、使用中における可撓性フィルム３０の剥離や脱落を抑えることが可能となり、利便性が向上する。
【００６３】
（変形例２）
また、上記実施の形態では、シリコン窒化膜２０の上面２０Ａに直接カラーフィルタ４１および遮光膜４２を設けた場合について説明したが、図１３に示したように、シリコン近膜２０の上面２０Ａに平坦化膜５０を設け、この平坦化膜５０の上面にカラーフィルタ４１および遮光膜４２を設けることも可能である。
【００６４】
平坦化膜５０は、シリコン窒化膜２０の上面２０Ａが有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂなどの形状を反映した凹凸を有している場合に、この凹凸を平坦化するためのものである。また、平坦化膜５０の上にカラーフィルタ４０を設けることにより、輝度分布を低減したり色度再現性を向上させることが可能となる。平坦化膜５０は、例えば、厚みが１μｍ以上であり、ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールなどの感光性絶縁材料により構成されている。
【００６５】
本変形例においても、シリコン窒化膜２０は、図１４に示したように、上記実施の形態と同様に、素子用基板１１の側から、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第１シリコン窒化膜２１と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３未満の第２シリコン窒化膜２２と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第３シリコン窒化膜２３とをこの順に積層した構成を有していることが好ましい。
【００６６】
本変形例の表示装置は、シリコン窒化膜２０上に平坦化膜５０を形成したのちにカラーフィルタ４１および遮光膜４２を形成することを除いては、上記実施の形態と同様にして製造することが可能である。具体的には、シリコン窒化膜２０上に、例えばスピンコート法によりポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールを塗布し、露光，現像および焼成を行うことにより、シリコン窒化膜２０の上面２０Ａに平坦化膜５０を形成する。
【００６７】
（変形例３）
更に、変形例１および変形例２を組み合わせることも可能である。すなわち、図１５に示したように、シリコン窒化膜２０の上面２０Ａに平坦化膜５０と、カラーフィルタ４１および遮光膜４２とをこの順に設け、カラーフィルタ４１および遮光膜４２の上面に可撓性フィルム３０を接着層３１により貼り合わせることも可能である。
【００６８】
（第２の実施の形態）
図１６は、本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の平面構成を表したものである。図１７は、図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線における断面構成を表したものである。この表示装置は、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂをシリコン窒化膜２０により被覆し、シリコン窒化膜２０のみにより封止するようにしたものである。これにより、本実施の形態の表示装置では、従来の封止用のガラス基板を不要とし、重量および厚みを小さくすることが可能となっている。このことを除いては、本実施の形態の表示装置は、第１の実施の形態の表示装置と同様の構成、作用および効果を有し、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。
【００６９】
本実施の形態では、シリコン窒化膜２０は、素子用基板１１の側から、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第１シリコン窒化膜２１と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３未満の第２シリコン窒化膜２２と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第３シリコン窒化膜２３とをこの順に積層した構成を有している。これにより、シリコン窒化膜２０に、従来の封止用のガラス基板と同等以上の封止性能を持たせることが可能となる。すなわち、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第１シリコン窒化膜２１および第３シリコン窒化膜２３は膜密度が高いので、シリコン窒化膜２０のパッシベーション性を高めることが可能となる。一方、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３未満の第２シリコン窒化膜２２は、第１シリコン窒化膜２１および第３シリコン窒化膜２３よりも高い段差被覆性を有している。よって、第２シリコン窒化膜２２を設けることにより、シリコン窒化膜２０の段差の部分から水分や酸素が有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに進入することを抑制することが可能となる。
【００７０】
本実施の形態の表示装置は、特に、発光層で発生した光を第１電極６１側から取り出す場合（ボトムエミッション）に好適である。その場合には、第１電極６１は、ＩＴＯ，ＩＺＯ（登録商標），またはＳｎＯ2などの透明電極により構成され、第２電極６４は、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極により構成されている。また、第２電極６４は、上述した反射電極と透明電極との複合膜により構成されていてもよい。また、ボトムエミッションの場合には、カラーフィルタ４１および遮光膜４２は素子用基板１１側、例えば画素駆動回路１４０と第１絶縁膜１２との間に設けることが可能である。
【００７１】
（モジュールおよび適用例）
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００７２】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１８に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、外部接続領域１５０の端子１３に、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）１６０を接続したものである。
【００７３】
（適用例１）
図１９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７４】
（適用例２）
図２０は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７５】
（適用例３）
図２１は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７６】
（適用例４）
図２２は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７７】
（適用例５）
図２３は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７８】
以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００７９】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
素子用基板の表示領域に設けられた複数の有機ＥＬ素子と、
前記複数の有機ＥＬ素子を被覆するシリコン窒化膜と、
前記シリコン窒化膜の上面側に設けられたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタの上面に設けられた可撓性フィルムと
を備えた表示装置。
（２）
前記シリコン窒化膜の上面に平坦化膜が設けられ、
前記カラーフィルタは前記平坦化膜の上面に設けられている
前記（１）記載の表示装置。
（３）
前記カラーフィルタは、前記複数の有機ＥＬ素子の各々に対向する位置に設けられ、
前記可撓性フィルムは、前記表示領域に対向する領域に設けられている
前記（１）または（２）記載の表示装置。
（４）
前記可撓性フィルムは、前記カラーフィルタの上面に載せられている
前記（１）ないし（３）のいずれか１項に記載の表示装置。
（５）
前記可撓性フィルムは、接着層により前記カラーフィルタの上面に貼り合わせられている
前記（１）ないし（３）のいずれか１項に記載の表示装置。
（６）
前記シリコン窒化膜は、前記基板の側から、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第１シリコン窒化膜と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３未満の第２シリコン窒化膜と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第３シリコン窒化膜とをこの順に積層した構成を有する
前記（１）ないし（５）のいずれか１項に記載の表示装置。
（７）
素子用基板の表示領域に設けられた複数の有機ＥＬ素子と、
前記複数の有機ＥＬ素子を被覆するシリコン窒化膜と
を備え、
前記シリコン窒化膜は、前記基板の側から、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第１シリコン窒化膜と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３未満の第２シリコン窒化膜と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第３シリコン窒化膜とをこの順に積層した構成を有する
表示装置。
（８）
素子用母基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、
前記複数の有機ＥＬ素子をシリコン窒化膜により被覆する工程と、
前記シリコン窒化膜の上面側にカラーフィルタを設ける工程と、
前記カラーフィルタの上面に可撓性フィルムを設ける工程と、
前記素子用母基板を切断することにより、前記表示領域に前記複数の有機ＥＬ素子を有する素子用基板を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
（９）
前記カラーフィルタを設ける工程は、
前記シリコン窒化膜の上面に平坦化膜を設ける工程と、
前記平坦化膜の上面に前記カラーフィルタを設ける工程と
を含む前記（８）記載の表示装置の製造方法。
（１０）
前記カラーフィルタを、前記複数の有機ＥＬ素子の各々に対向する位置に設け、
前記可撓性フィルムを、前記表示領域に対向する領域に設ける
前記（８）または（９）記載の表示装置の製造方法。
（１１）
前記可撓性フィルムを、前記カラーフィルタの上面に載せる
前記（８）ないし（１０）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（１２）
前記可撓性フィルムを、接着層により前記カラーフィルタの上面に貼り合わせる
前記（８）ないし（１０）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（１３）
前記シリコン窒化膜として、化学気相成長法により、前記基板の側から、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第１シリコン窒化膜と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３未満の第２シリコン窒化膜と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第３シリコン窒化膜とをこの順に積層する
前記（８）ないし（１２）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（１４）
素子用母基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、
前記複数の有機ＥＬ素子をシリコン窒化膜により被覆する工程と、
前記素子用母基板を切断することにより、前記表示領域に前記複数の有機ＥＬ素子を有する素子用基板を形成する工程と
を含み、
前記シリコン窒化膜として、化学気相成長法により、前記基板の側から、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第１シリコン窒化膜と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３未満の第２シリコン窒化膜と、Ｎ／Ｓｉ組成比が１．３３以上の第３シリコン窒化膜とをこの順に積層する
表示装置の製造方法。
【符号の説明】
【００８０】
１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１１…基板、１２…第１絶縁膜、１３…端子、２０…シリコン窒化膜、３０…可撓性フィルム、３１…接着層、４１…カラーフィルタ、４２…遮光膜、５０…平坦化膜、６１…第１電極、６２…第２絶縁膜、６３…有機層、６４…第２電極、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１３０…走査線駆動回路、１４０…画素駆動回路、１５０…外部接続領域、Ｔｒ１，Ｔｒ２…トランジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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