(57)【要約】【課題】  温度制御用の回路を別途設けることなく、発光ダイオードの温度に応じて適切な電流を加えることができる発光ダイオード装置を提供する。【解決手段】  発光ダイオード装置１は、発光ダイオード２の温度が上昇すると抵抗値ＲＴが非線形に減少する変化特性のサーミスタ３と、サーミスタ３の温度に応じた抵抗値の変化特性を線形化するための抵抗器４とを備える。発光ダイオード２とサーミスタ３と抵抗器４は電源に対して並列に接続され、サーミスタ３は発光ダイオード２の温度と同じ温度となるように配置される。抵抗器４の抵抗値Ｒｒは、発光ダイオードの抵抗値ＲＬの数倍から数十倍で、発光ダイオード２に電源から電流が加えられて熱が発生する前のサーミスタ３の抵抗値ＲＴの数分の一に設定されている。【選択図】  図２
2012204783.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードと、
前記発光ダイオードの温度が上昇すると抵抗値が非線形に減少する変化特性のサーミスタと、
前記サーミスタの温度に応じた抵抗値の変化特性を線形化するための抵抗器と、
前記発光ダイオード、前記サーミスタ及び前記抵抗器を配置するための基板とを備え、
前記発光ダイオードと前記サーミスタと前記抵抗器とは、電源に対して並列に接続され、
前記サーミスタは、前記発光ダイオードの温度と同じ温度となるように配置され、
前記抵抗器の抵抗値は、前記発光ダイオードの抵抗値の数倍から数十倍に設定されると共に、前記発光ダイオードに前記電源から電流が加えられて熱が発生する前の前記サーミスタの抵抗値の数分の一に設定されていることを特徴とする発光ダイオード装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光ダイオード装置において、前記サーミスタは、前記発光ダイオードに近接して配置され、又は前記発光ダイオードの熱を前記サーミスタに伝達する部材を介して配置されていることを特徴とする発光ダイオード装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光ダイオード装置において、前記抵抗器は、前記基板との間に断熱空間を備えた抵抗部と、他に接続する接続部とで構成されていることを特徴とする発光ダイオード装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、発光ダイオードは、発光することで発光ダイオード自身の温度が上昇する。この温度上昇により、予め定められた温度を超えて損傷することを防止するために、発光ダイオードに加えられる電流を制限する発光素子モジュールが知られている（特許文献１）。この発光素子モジュールは、発光ダイオードの熱がヒートシンクを介して伝達されるサーミスタ薄膜を備える。サーミスタ薄膜は、発光ダイオードの駆動時の発熱による温度の変化を正確且つ敏感に検出でき、検出信号を発光素子モジュールが備える温度制御部に出力する。温度制御部は、サーミスタ薄膜から入力された検出信号に応じて発光ダイオードを所定の一定温度に保持する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−３３５７４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の発光ダイオード装置では、温度制御部のような回路を別途設ける必要があり、装置の複雑化及び大型化の要因となっている。
【０００５】
そこで、本発明は、上記温度制御部のような温度制御用の回路を別途設けることなく、発光ダイオードの温度に応じて適切な電流を加えることができる発光ダイオード装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の発光ダイオード装置は、発光ダイオードと、発光ダイオードの温度が上昇すると抵抗値が非線形に減少する変化特性のサーミスタと、サーミスタの温度に応じた抵抗値の変化特性を線形化するための抵抗器と、発光ダイオード、サーミスタ及び抵抗器を配置するための基板とを備え、発光ダイオードとサーミスタと抵抗器とは、電源に対して並列に接続され、サーミスタは、発光ダイオードの温度と同じ温度となるように配置され、抵抗器の抵抗値は、発光ダイオードの抵抗値の数倍から数十倍に設定されると共に、発光ダイオードに電源から電流が加えられて熱が発生する前のサーミスタの抵抗値の数分の一に設定されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、温度が上昇すると抵抗値が減少するサーミスタが発光ダイオードの温度と同じ温度となるように配置されているので、発光ダイオードが発光することで温度が上昇すると、サーミスタの抵抗値が減少する。
【０００８】
また、抵抗器がサーミスタの温度に対する抵抗値の変化特性を線形化するので、サーミスタと抵抗器との合成抵抗値が、発光ダイオードの温度上昇に応じて線形に減少する。発光ダイオードとサーミスタと抵抗器とは電源に対して並列に接続されているので、発光ダイオードの温度が上昇する前に比べて、上昇後は発光ダイオードの抵抗値に対するサーミスタと抵抗器との合成抵抗値の割合が増加する。このため、発光ダイオードの温度が上昇した場合には、上昇する前に比べて発光ダイオードに加えられる電流が減少する。従って、発光ダイオードの温度が上昇した場合には、発光ダイオードに加えられる電流が減少するため、発光ダイオードの更なる発熱が抑制される。
【０００９】
また、抵抗器の抵抗値は、発光ダイオードに電源から電流が加えられることで熱が発生する前のサーミスタの抵抗値の数分の一に設定されている。発光ダイオードとサーミスタと抵抗器との各素子は並列に接続されているので、各素子に加えられる電流は、各素子の抵抗値に反比例する。従って、発光ダイオードの発熱前には、サーミスタに加えられる電流は小さくなり、その分発光ダイオードに加えられる電流が大きくなる。
【００１０】
また、抵抗器の抵抗値は、発光ダイオードの抵抗値の数倍から数十倍に設定されているので、発光ダイオードが発熱してサーミスタの温度も上昇することでサーミスタの抵抗値が減少した場合であっても、発光ダイオードに損傷を与えるほどの大きな電流が加えられることを防止できる。
【００１１】
このように、発光ダイオードの温度が上昇する前は、発光ダイオードを充分に発光させることができる電流が加えられ、発光ダイオードの温度が上昇した後は、発光ダイオードに加えられる電流が減少して発光ダイオードの発熱を抑制し、発光ダイオードの損傷を防止できる。従って、前述の温度制御部のような回路を別途設けることなく、発光ダイオードの温度に応じて適切な電流を加えることができる。
【００１２】
ここで、同じ温度とは、全く同じ温度である必要はなく、発熱による発光ダイオードの損傷を抑制可能な程度の差があってもよい。
【００１３】
本発明において、サーミスタは、発光ダイオードに近接して配置され、又は発光ダイオードの熱をサーミスタに伝達する部材を介して配置されることが好ましい。サーミスタを、発光ダイオードに近接して配置するか、又は発光ダイオードの熱をサーミスタに伝達する部材を介して配置することで、サーミスタと発光ダイオードとの温度の差を小さくすることができる。
【００１４】
本発明において、抵抗器は抵抗部と接続部とで構成され、抵抗部と基板との間に断熱空間が設けられることが好ましい。これにより、発光ダイオードの熱が抵抗器に伝達されにくくなり、抵抗器の抵抗値が温度変化によって変化し難くなる。このため、サーミスタと抵抗器との合成抵抗値の理論値と実際値との誤差を少なくできる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は実施形態の発光ダイオード装置の平面図、（ｂ）は背面図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図。
【図３】本実施形態の抵抗器の側面図。
【図４】本実施形態の抵抗器の斜視図。
【図５】本実施形態の発光ダイオード装置の等価回路を示す図。
【図６】（ａ）は温度変化に対するサーミスタの抵抗値の変化、（ｂ）は温度変化に対するサーミスタと抵抗器との合成抵抗値の変化、（ｃ）は温度変化に対する発光ダイオードに加えられる電流の変化をそれぞれ示す図。
【図７】別の実施形態の発光ダイオード装置を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１から図６を参照して、本発明の実施形態の発光ダイオード装置の構成について説明する。
【００１７】
本実施形態の発光ダイオード装置１は、電流が加えられることで発光する発光ダイオード２と、サーミスタ３と、抵抗器４と、多層基板５とを備える。
【００１８】
発光ダイオード２は、実使用領域の電流の範囲が０．０２〜１［Ａ］程度、抵抗値が０．１〜３［Ω］の一般的な発光ダイオードを使用する。本実施形態では、発光ダイオード２として、抵抗値ＲＬが１［Ω］の発光ダイオードを使用している。
【００１９】
サーミスタ３は、温度が上昇すると抵抗値が小さくなる負の温度特性を持つ所謂ＮＴＣサーミスタ（Negative Temperature Coefficient Thermistor）である。サーミスタ３は、温度の変化に対して抵抗値が非線形に変化する。詳細には、サーミスタ３は、図６（ａ）に示されるように、下に凸の変化特性となっている。ここで、図６（ａ）の横軸は温度Ｔ、縦軸はサーミスタ３の抵抗値ＲＴを示す。サーミスタ３の抵抗値ＲＴは、図６（ａ）に示されるように、温度Ｔが０°のとき７２［Ω］、温度Ｔが３０°のとき１８［Ω］、温度Ｔが６０°のとき５［Ω］となる。
【００２０】
抵抗器４は、抵抗部４ａと接続部４ｂとで構成されている。抵抗部４ａは、熱の影響によって抵抗値が変化し難い材料で構成されている。接続部４ｂは、所謂リード線又は金属端子で構成されており、多層基板５上の電極等に半田付けされることで、抵抗部４ａに電流が加えられる。本実施形態では、抵抗器４として、抵抗値Ｒｒが１４．２［Ω］の抵抗を使用している。
【００２１】
多層基板５は、セラミックで形成された基板を積層して多層構造に形成されている。セラミックの材料は、酸化アルミニウムＡｌ２Ｏ３又は窒化アルミニウムＡｌＮが使用される。また、多層基板５は、中間層５１と上部層５２と下部層５３とで構成される。
【００２２】
中間層５１は、下部層５３の上側（図２の上方向）に積層されており、中間層５１の上側（図２の上方向）には上部層５２が積層されている。
【００２３】
中間層５１には、発光ダイオード２、サーミスタ３、抵抗器４が実装される。詳細には、中間層５１の上側表面に発光ダイオード２及び抵抗器４が実装され、中間層５１の下側表面にサーミスタ３が実装される。
【００２４】
中間層５１の上側表面及び下側表面に実装される発光ダイオード２、サーミスタ３及び抵抗器４を避けるように、上部層５２及び下部層５３にはキャビティ（空間）５２ａ，５２ｂ，５３ａが形成されている。詳細には上部層５２のキャビティ５２ａ内には発光ダイオード２が配置され、上部層５２のキャビティ５２ｂ内には抵抗器４が配置され、下部層５３のキャビティ５３ａ内にはサーミスタ３が配置され、それぞれが中間層５１の表面上に実装されている。
【００２５】
中間層５１及び下部層５３には、多数のビア（貫通孔）が設けられている。詳細には、中間層５１には、放熱をするための放熱ビア５１ａが複数設けられていると共に、発光ダイオード２に通電するための電極ビア５１ｂ，５１ｃ及び抵抗器４に通電するための電極ビア５１ｅ，５１ｆが設けられている。サーミスタ３に通電するための電極ビア（図示省略）等の複数の電極ビアが設けられている。また、下部層５３には、放熱をするための放熱ビア５３ｂが複数設けられている。これらの放熱ビア５１ａ，５３ｂの内部には、モリブデン又はタングステン等の熱伝導率の高い材料が充填されている。
【００２６】
また、下部層５３の下側表面には電極部材６ａ，６ｂが接着されており、外部の回路（図示省略）から電圧が加えられ、発光ダイオード２の発光が可能となる。電極部材６ａ，６ｂと発光ダイオード２、サーミスタ３及び抵抗器４との配線は省略する。
【００２７】
中間層５１の発光ダイオード２の下側の面にも放熱ビア５１ａが設けられており、発光ダイオード２が発光することで発生した熱が、放熱ビア５１ａを介して中間層５１の逆側（この場合には下側）の面に伝達される。サーミスタ３の温度が発光ダイオード２と同じ温度になるように、この逆側の面の放熱ビア５１ａの下側にサーミスタ３が実装されている。このようにして、サーミスタ３には、発光ダイオード２の発生した熱が効率良く伝達され、サーミスタ３の温度が発光ダイオード２と同じ温度になる。
【００２８】
本実施形態の放熱ビア５１ａに充填されたモリブデン又はタングステン等が、本発明における「発光ダイオードの熱をサーミスタに伝達する部材」に相当する。また、本実施形態では、サーミスタ３は、発光ダイオード２に対して中間層５１を介して配置されているが、発光ダイオード２の熱が充分に伝達できるという点では、発光ダイオードに近接して配置されているものである。なお、サーミスタ３を発光ダイオード２と同じ側の面、例えば中間層５１の上側の面に近接して実装してもよい。
【００２９】
発光ダイオード２は、融点が３００°程度の金錫ＡｕＳｎで中間層５１に接合され、その後、サーミスタ３が融点が２３０°程度のＳｎＡｇＣｕ系の無鉛半田で中間層５１に接合される。
【００３０】
抵抗器４は、発光ダイオード２の発光によって発生する熱の影響を少なくするために、発光ダイオード２とは離れた場所に実装されている。また、抵抗器４は、中間層５１から伝達される熱を少なくするために、中間層５１との間に空間７を設けるように実装されている。更に、抵抗器４の付近の中間層５１には、発光ダイオード２の熱の影響を少なくするために、ガラス５１ｄを充填している。これらによって、抵抗器４が発光ダイオード２の熱の影響を少なくでき、抵抗器４の抵抗値Ｒｒを一定に保つことができる。
【００３１】
図５に示されるように、発光ダイオード２とサーミスタ３と抵抗器４とは、電源（図示省略）に対して並列に接続されている。また、図１〜図４では省略しているが、発光ダイオード２とサーミスタ３と抵抗器４との並列回路に加えられる電圧を制限するための制限抵抗器４１が電源にこれらの並列回路に対して直列に接続されている。制限抵抗器４１は、抵抗器４と同様に、中間層５１の表面上に実装され、制限抵抗器４１を配置するための空間を形成するために、上部層５２又は下部層５３にはキャビティ（図示省略）が設けられている。
【００３２】
電源は定電圧回路（図示省略）を介して電圧が加えられており、このときの電圧は１３．５［Ｖ］に設定されている。
【００３３】
図６（ａ）に示されるように、サーミスタ３の温度変化に対する抵抗値ＲＴの変化は下に凸の非線形の特性を有する。このため抵抗器４を接続せずに、発光ダイオード２とサーミスタ３とを電源に対して並列に接続した場合には、低温時、特に３０°よりも低い温度では、サーミスタ３の抵抗値ＲＴの減少が著しく、この減少に応じて発光ダイオード２に加えられる電流ＩＬも著しく減少する。
【００３４】
この場合には、発光ダイオード２の輝度を高く保つことができる温度の範囲が狭いため、発光ダイオード２の性能を充分に発揮できない。そこで、低温時における発光ダイオード２に加えられる電流ＩＬの著しい減少を抑制するために、発光ダイオード２とサーミスタ３とに抵抗器４を加えている。すなわち、図６（ｂ）に示されるように、サーミスタ３と抵抗器４との合成抵抗値ＲＴＲが温度Ｔの増加に対して線形に減少するように、電源に対して発光ダイオード２とサーミスタ３と抵抗器４とを並列に接続する。なお、線形とは直線である必要はなく多少の誤差があってもよい。
【００３５】
ここで、図６（ｂ）の横軸は温度Ｔ、縦軸はサーミスタ３と抵抗器４との合成抵抗値ＲＴＲを示す。合成抵抗値ＲＴＲは、図６（ｂ）に示されるように、温度Ｔが０°のとき１１．９［Ω］、温度Ｔが３０°のとき７．９［Ω］、温度Ｔが６０°のとき４［Ω］となる。
【００３６】
サーミスタ３と抵抗器４との合成抵抗値ＲＴＲの変化が温度変化に対して略線形となるので、図６（ｃ）に示されるように、発光ダイオード２に加えられる電流ＩＬの温度変化に対する変化も略線形となる。このため、抵抗器４を接続しない場合のように、発光ダイオード２に加えられる電流ＩＬの著しい減少を防止でき、発光ダイオード２の輝度を不要に下げることを防止できる。これによって発光ダイオード２の性能を充分に発揮できる。ここで、図６（ｃ）の横軸は温度Ｔ、縦軸は発光ダイオード２に加えられる電流ＩＬを示す。
【００３７】
なお、抵抗器４の抵抗値Ｒｒは、サーミスタ３を使用する温度範囲を０°〜６０°として、この温度範囲内でサーミスタ３と抵抗器４との合成抵抗値ＲＴＲの変化が温度変化に対して線形になるように決定している。詳細には、下限温度０°のときのサーミスタ３の抵抗値ＲＴ１と、上限温度６０°のときのサーミスタ３の抵抗値ＲＴ２と、下限温度０°及び上限温度６０°の中間の温度３０°のときのサーミスタ３の抵抗値ＲＴ３とから「Ｒｒ＝（ＲＴ１×ＲＴ２＋ＲＴ２×ＲＴ３−２×ＲＴ１×ＲＴ３）/（ＲＴ１＋ＲＴ３−２×ＲＴ２）」として、抵抗器４の抵抗値Ｒｒを決定している。
【００３８】
抵抗器４の抵抗値Ｒｒは、発光ダイオード２の抵抗値ＲＬの数倍から数十倍であると共に、発光ダイオード２に電流ＩＬが加えられることで熱が発生する前、すなわち、下限温度０°のときのサーミスタ３の抵抗値ＲＴの数分の一に設定するとよい。本実施形態では上述のように、抵抗器４の抵抗値Ｒｒは１４．２［Ω］、下限温度０°のときのサーミスタ３の抵抗値ＲＴは７２［Ω］、発光ダイオード２の抵抗値ＲＬは１．０［Ω］としている。
【００３９】
発光ダイオード２とサーミスタ３と抵抗器４との各素子は並列に接続されているため、各素子２，３，４に加えられる電流は、各素子の抵抗値ＲＬ，ＲＴ，Ｒｒに反比例する。従って、発光ダイオードの温度Ｔが下限温度０°のときのサーミスタ３の抵抗値ＲＴ（７２［Ω］）は、抵抗器４の抵抗値Ｒｒ（１４．２［Ω］）に比べて大きいので、サーミスタ３に加えられる電流は小さくなり、その分発光ダイオード２に加えられる電流ＩＬが大きくなる（ＩＬ＝０．４０３［Ａ］）。
【００４０】
また、発光ダイオード２が発熱してサーミスタ３の温度が上昇（例えば６０°）することでサーミスタ３の抵抗値ＲＴ（５［Ω］）が減少した場合であっても、抵抗器４の抵抗値Ｒｒ（１４．２［Ω］）は、発光ダイオード２の抵抗値ＲＬ（１［Ω］）に比べて大きいので、発光ダイオード２に損傷を与えるほどの大きな電流ＩＬが加えられることを防止できる。
【００４１】
以上のように、本実施形態の発光ダイオード装置１では、発光ダイオード２の温度が上昇する前は、発光ダイオード２の性能に応じた発光が充分にできる電流ＩＬが加えられ、発光ダイオード２の温度が上昇した後は、発光ダイオード２に加えられる電流ＩＬが減少して発光ダイオード２の発熱を抑制し、発光ダイオード２の損傷を防止できる。従って、前述した温度制御部のような回路を別途設けることなく、発光ダイオード２の温度に応じて適切な電流ＩＬを加えることができる。
【００４２】
また、本実施形態の発光ダイオード装置１では、サーミスタ３は、熱を伝達する部材として、放熱ビア５１ａに充填されたモリブデン又はタングステン等及びセラミックで形成された中間層５１を介して、発光ダイオード２に近接して配置されている。これにより、サーミスタ３の温度と発光ダイオード２の温度との差を小さくすることができ、発光ダイオード２の温度が発光ダイオード２を損傷させるほど高くなることを適切に防止できる。
【００４３】
また、本実施形態の発光ダイオード装置１では、抵抗器４の抵抗部４ａは、基板としての中間層５１との間に空間が設けられている。これによって、発光ダイオード２の熱が抵抗器４に伝達されにくくなり、抵抗器４の抵抗値Ｒｒが温度変化によって変化し難くなる。このため、サーミスタと抵抗器との合成抵抗値の理論値と実際値との誤差を少なくできる。更に、抵抗器４の付近の中間層５１にはガラス５１ｄが充填されている。これによって、抵抗器４に伝達される発光ダイオード２の熱の伝達を更に抑制できる。
【００４４】
なお、本実施形態では、多層基板としてセラミック基板で構成しているが、これに限らずガラスエポキシ基板で構成してもよい。この場合、発光ダイオード２の温度とサーミスタ３の温度とを同じにするために、発光ダイオード２の電極とサーミスタ３の電極とを同一の厚銅箔上に実装する。この場合、Ａｕバンプ接合による接合を行なうことが望ましい。
【００４５】
また、本実施形態では、発光ダイオード２に電流を加えるために定電圧回路を利用して一定の電圧を、発光ダイオード２、サーミスタ３、抵抗器４及び制限抵抗器４１で構成される回路に加えたが、定電流回路を利用して一定の電流を加えるようにしてもよい。この場合には、制限抵抗器４１に加えられる電流と、発光ダイオード２、サーミスタ３及び抵抗器４によって構成される並列回路全体に加えられる電流とは同じになるので、制限抵抗器４１は不要となる。これによっても、温度制御部のような回路を別途設けることなく、発光ダイオード２の温度に応じて適切な電流ＩＬを加えることができるという効果が得られる。
【００４６】
また、本実施形態では、発光ダイオード２、サーミスタ３、抵抗器４及び制限抵抗器４１の抵抗値を上述した値のものを使用しているが、これに限らない。発光ダイオード２の発熱前に充分な輝度が得られるような電流を発光ダイオード２に加えることができると共に、発光ダイオード２の発熱時には発光ダイオード２に加えられる電流を減少させ、発光ダイオード２の損傷が防止できる抵抗値であればよい。また、電圧値及び電流値も、本実施形態での値は一例であり、この値に限られるものではない。
【００４７】
また、本実施形態では、抵抗器４の抵抗部４ａと基板としての中間層５１との間に空間７が設けられて実装されたディスクリートタイプの抵抗器を用いたが、これに限定されず、リード線がない面実装タイプのものであってもよい。
【００４８】
また、多層基板５のように積層構造の基板である必要はない。例えば、図７に示されるように、一枚で形成された基板８上に、発光ダイオード２、サーミスタ３、抵抗器４及び制限抵抗器４１が実装されていてもよい。
【００４９】
詳細には、基板８の上側（図７の上方向）の表面上に、発光ダイオード２と抵抗器４が実装されている。抵抗器４は、発光ダイオード２の熱の影響を抑制するために発光ダイオード２から遠くに配置されている。同様に、制限抵抗器４１も基板８の上側に実装されている（図示省略）。
【００５０】
また、基板８の下側（図７の下方向）の表面上にサーミスタ３が実装されている。基板８は、本実施形態の多層基板５と同様にセラミック基板で構成してもよく、又はガラスエポキシ基板で構成してもよい。
【００５１】
基板８の上側には、発光ダイオード２の光が透過できるように、透明な樹脂でレンズ状に形成された透光性レンズ９が、発光ダイオード２及び抵抗器４を覆うように接合されている。
【００５２】
発光ダイオード２、サーミスタ３、抵抗器４及び制限抵抗器４１は、基板８上の配線パターン（図示省略）及び電極ビア（図示省略）等を介して電気的に接続されている。発光ダイオード２、サーミスタ３、抵抗器４及び制限抵抗器４１の電気的な配線については、本実施形態の図５に示されるものと同じである。
【００５３】
このような構成であっても、温度制御部のような回路を別途設けることなく、発光ダイオード２の温度に応じて適切な電流ＩＬを加えることができるという効果が得られる。
【符号の説明】
【００５４】
１…発光ダイオード装置、２…発光ダイオード、３…サーミスタ、４…抵抗器、４ａ…抵抗部、４ｂ…接続部、５…多層基板（基板）、７…空間（断熱空間）、８…基板。
【図１】
2012204783.tif 000003
【図２】
2012204783.tif 000004
【図３】
2012204783.tif 000005
【図４】
2012204783.tif 000006
【図５】
2012204783.tif 000007
【図６】
2012204783.tif 000008
【図７】
2012204783.tif 000009