(57)【要約】【課題】樹脂成分中に金属材料を残存させることなく、端子同士間に選択的に金属材料を凝集させて、これら端子同士を電気的に接続することができる導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、および、信頼性の高い電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の導電接続シート１は、樹脂組成物層１１、１３と、低融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層１２１と、第１の金属材料より低融点の第２の金属材料で構成される第２の金属層１２２とを備える積層体により構成されるものであり、このものを、端子２１有する半導体チップ（基材）上に配置する際に、端子２１上に配置されるべき第１の部分１５と、この第１の部分１５以外の第２の部分１６とからなり、第１の金属層１２１は、第１の部分１５に対応して選択的に設けられている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層と、前記第１の金属材料より低融点の第２の金属材料で構成される第２の金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートであって、
当該導電接続シートを、端子を有する基材上に配置する際に、前記端子上に配置されるべき第１の部分と、この第１の部分以外の第２の部分とからなり、
前記第１の金属層は、前記第１の部分に対応して選択的に設けられていることを特徴とする導電接続シート。
【請求項２】
前記第１の金属層の融点と前記第２の金属層の融点との差は、２０℃以上である請求項１に記載の導電接続シート。
【請求項３】
前記第２の金属層は、前記第１の部分および前記第２の部分の双方に、ほぼ均一な厚さで設けられている請求項１または２に記載の導電接続シート。
【請求項４】
前記第２の金属層は、前記第２の部分において、部分的に設けられている請求項３に記載の導電接続シート。
【請求項５】
前記第１の金属層と前記第２の金属層とは、互いに接触して積層されている請求項３または４に記載の導電接続シート。
【請求項６】
前記第２の金属層は、前記第２の部分に対応して、選択的に設けられている請求項１または２に記載の導電接続シート。
【請求項７】
前記第１の金属層と前記第２の金属層とで、１つの層が構成される請求項６に記載の導電接続シート。
【請求項８】
前記基材と対向配置される対向基材を接着し、かつ、前記基材が有する端子と、前記対向配置される対向基材が有する端子とを電気的に接続するものである請求項１ないし７のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項９】
前記第１の金属層および第２の金属層は、それぞれ、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金または錫の単体である請求項１ないし８のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項１０】
前記第１の金属層および第２の金属層は、それぞれ、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金またはＳｎ−Ａｇ合金を主材料として構成される請求項９に記載の導電接続シート。
【請求項１１】
前記積層体において、前記樹脂組成物層は、第１の樹脂組成物層および第２の樹脂組成物層とで構成され、前記積層体は、前記第１の樹脂組成物層、前記第１の金属層、前記第２の金属層および前記第２の樹脂組成物層がこの順で積層されたもので構成される請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の導電接続シートを、前記基材が有する端子と、対向基材が有する端子同士の間に配置する配置工程と、前記第１の金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物層が変形可能な温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を硬化または固化させる硬化・固化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の導電接続シートを、前記基材上に配置する配置工程と、前記第１の金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物層が変形可能な温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。
【請求項１４】
前記基材が有する端子と、対向基材が有する端子とが、請求項１ないし１１のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
前記基材が有する端子と、対向基材が有する端子とが、請求項１ないし１１のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化および小型化の要求に伴い、電子材料における接続端子間の狭ピッチ化がますます進む方向にあり、微細な配線回路における端子間接続も高度化している。
【０００３】
端子間接続方法としては、例えば、ＩＣチップ等の電子部品を回路基板（搭載基板）に電気的に接続する際に異方性導電接着剤または異方性導電フィルムを用いて多数の端子間を一括で接続するフリップチップ接続技術が知られている。このような異方性導電接着剤または異方性導電フィルムは、熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤に導電性粒子を分散させたフィルムまたはペーストであり、これを接続すべき電子部材の間に配置して熱圧着することにより、対向する多数の端子間を一括で接続することができる一方、接着剤中の樹脂によって隣接する端子間の絶縁性を確保することが可能となる。
【０００４】
しかし、異方性導電接着剤または異方性導電フィルムにおいて、導電性粒子の凝集を制御することは困難であり、導電性粒子と端子、または導電性粒子同士が十分に接触せずに対向する端子間の一部が導通しなかったり、対向する端子間（導通性領域）以外の樹脂（絶縁性領域）中に導電性粒子が残存して隣接する端子間の絶縁性が十分に確保されないという問題があった。このため、端子間のさらなる狭ピッチ化に対応することが困難な状況であった。
【０００５】
他方、電子部材に接続端子を製造する場合、従来は金属パッドが設けられた基板上に半田ペーストを印刷し、半田リフロー装置等を用いて半田ペーストを加熱溶融させて行っていた。しかし、この方法では、接続端子が狭ピッチである場合、半田ペーストを印刷する時に使用するマスクのコストが高くなり、また接続端子が小さいと印刷できない場合があった。
【０００６】
また、半田ボールを接続端子に搭載し、半田リフロー装置等を用いて半田ボールを加熱溶融させて行う方法では、接続端子が小さいと、半田ボールの作製コストが高くなり、また、小径の半田ボールを作製することが技術的に困難な場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６１−２７６８７３号公報
【特許文献２】特開２００４−２６０１３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
かかる問題点を解決することを目的に、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートが検討されている。
【０００９】
かかる構成の導電接続シートを、対向する端子間に配置した状態で、低融点の金属材料を融点以上の温度で加熱すると、溶融した金属材料が選択的に、対向する端子同士間に凝集し、さらに、この端子間を除く領域には樹脂成分が充填されることから、対向する多数の端子同士を一括して選択的に凝集した金属材料で接続することができ、さらに、樹脂組成物中に含まれる樹脂成分により隣接する端子間の絶縁性が確保することができるようになる。
【００１０】
しかしながら、隣接する端子間におけるピッチの大きさ等によっては、溶融した金属材料を対向する端子同士間に選択的に凝集させることができず、対向する端子同士が位置する領域以外の領域において、樹脂成分中に金属材料が残存し、これに起因して、隣接する端子間における絶縁性が十分に確保できないという問題が生じる。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、樹脂成分中に金属材料を残存させることなく、端子同士間に選択的に金属材料を凝集させて、これら端子同士を電気的に接続することができる導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、および、信頼性の高い電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような目的は、下記（１）〜（１５）に記載の本発明により達成される。
（１）  樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層と、前記第１の金属材料より低融点の第２の金属材料で構成される第２の金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートであって、
当該導電接続シートを、端子を有する基材上に配置する際に、前記端子上に配置されるべき第１の部分と、この第１の部分以外の第２の部分とからなり、
前記第１の金属層は、前記第１の部分に対応して選択的に設けられていることを特徴とする導電接続シート。
【００１３】
（２）  前記第１の金属層の融点と前記第２の金属層の融点との差は、２０℃以上である上記（１）に記載の導電接続シート。
【００１４】
（３）  前記第２の金属層は、前記第１の部分および前記第２の部分の双方に、ほぼ均一な厚さで設けられている上記（１）または（２）に記載の導電接続シート。
【００１５】
（４）  前記第２の金属層は、前記第２の部分において、部分的に設けられている上記（３）に記載の導電接続シート。
【００１６】
（５）  前記第１の金属層と前記第２の金属層とは、互いに接触して積層されている上記（３）または（４）に記載の導電接続シート。
【００１７】
（６）  前記第２の金属層は、前記第２の部分に対応して、選択的に設けられている上記（１）または（２）に記載の導電接続シート。
【００１８】
（７）  前記第１の金属層と前記第２の金属層とで、１つの層が構成される上記（６）に記載の導電接続シート。
【００１９】
（８）  前記基材と対向配置される対向基材を接着し、かつ、前記基材が有する端子と、前記対向配置される対向基材が有する端子とを電気的に接続するものである上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２０】
（９）  前記第１の金属層および第２の金属層は、それぞれ、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金または錫の単体である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２１】
（１０）  前記第１の金属層および第２の金属層は、それぞれ、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金またはＳｎ−Ａｇ合金を主材料として構成される上記（９）に記載の導電接続シート。
【００２２】
（１１）  前記積層体において、前記樹脂組成物層は、第１の樹脂組成物層および第２の樹脂組成物層とで構成され、前記積層体は、前記第１の樹脂組成物層、前記第１の金属層、前記第２の金属層および前記第２の樹脂組成物層がこの順で積層されたもので構成される上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２３】
（１２）  上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の導電接続シートを、前記基材が有する端子と、対向基材が有する端子同士の間に配置する配置工程と、前記第１の金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物層が変形可能な温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を硬化または固化させる硬化・固化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。
【００２４】
（１３）  上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の導電接続シートを、前記基材上に配置する配置工程と、前記第１の金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物層が変形可能な温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。
【００２５】
（１４）  前記基材が有する端子と、対向基材が有する端子とが、上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【００２６】
（１５）  前記基材が有する端子と、対向基材が有する端子とが、上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の導電接続シートを用いて、端子同士間を電気的に接続する接続部の形成に適用すると、端子同士の間に位置する第１の部分に十分量の金属材料を供給することができるとともに、第１の部分以外の第２の部分に余分な金属材料が供給されるのを防止することができる。そのため、加熱溶融した金属材料を選択的に第１の部分すなわち端子同士の間に凝集させて接続部を形成し、その周囲に樹脂成分により構成される封止層を形成する際に、封止層中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、封止層により隣接する端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【００２８】
さらに、導電接続シートを用いて、電極上に対応して設けられた接続端子の形成に適用すると、加熱溶融した金属材料を、電極が位置する第１の部分に選択的に凝集させて接続端子を形成し、第１の部分以外の第２の部分の周囲に樹脂成分により構成される補強層を形成する際に、補強層中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、補強層により隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する接続端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の導電接続シートを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。
【図２】本発明の導電接続シートの第１の構成を示す縦断面図である。
【図３】本発明の端子間の接続方法を用いて、半導体装置が備える接続部および封止層を製造する方法を説明するための縦断面図である。
【図４】本発明の接続端子の形成方法を用いて、半導体チップが備える端子に対応して接続端子を形成する方法を説明するための縦断面図である。
【図５】本発明の導電接続シートの第２の構成を示す縦断面図である。
【図６】本発明の導電接続シートの第２の構成を示す平面図である。
【図７】本発明の導電接続シートの第３の構成を示す縦断面図である。
【図８】本発明の導電接続シートの他の構成を示す縦断面図である。
【図９】導電接続シートが備える金属層の全体形状を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法および電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３１】
まず、本発明の導電接続シートを説明するのに先立って、本発明の導電接続シートを用いて製造された半導体装置について説明する。
【００３２】
＜半導体装置＞
図１は、本発明の導電接続シートを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３３】
図１に示す半導体装置１０は、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を支持するインターポーザー（基板）３０と、複数の導電性を有するバンプ（端子）７０とを有している。
【００３４】
インターポーザー３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。
【００３５】
さらに、インターポーザー３０の上面（一方の面）には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される端子４１が、所定形状で設けられている。
【００３６】
また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。
【００３７】
各バンプ７０は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が端子４１の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー３０の下面（他方の面）から突出している。
【００３８】
バンプ７０のインターポーザー３０から突出する部分は、ほぼ球形状（Ｂａｌｌ状）をなしている。
【００３９】
このバンプ７０は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。
【００４０】
また、インターポーザー３０上には、複数（本実施形態では３つ）の端子４１が形成されている。この端子４１に、接続部８１を介して、半導体チップ２０が有する複数（本実施形態では３つ）の端子２１が電気的に接続されている。
【００４１】
なお、本実施形態では、図１に示すように、端子２１は、半導体チップ２０に形成されている面側から突出する構成をなしており、端子４１も、インターポーザー３０から突出する構成をなしている。
【００４２】
また、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間の間隙には、各種樹脂材料で構成される封止材が充填され、この封止材の硬化物により、封止層８０が形成されている。この封止層８０は、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との接合強度を向上させる機能や、前記間隙への異物や水分等の浸入を防止する機能を有している。
【００４３】
かかる構成の半導体装置１０において、接続部８１と封止層８０との形成に、本発明の導電接続シートが適用される。
【００４４】
すなわち、本発明の導電接続シートは、半導体チップ（基材）２０と、対向配置されるインターポーザー（対向基材）３０とを接着し、かつ、端子２１と端子４１とを電気的に接続するために用いられる。
【００４５】
以下、本発明の導電接続シートについて説明する。
本発明の導電接続シートは、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層と、前記第１の金属材料より低融点の第２の金属材料で構成される第２の金属層とを備える積層体により構成されるものであり、このものを、端子を有する基材上に配置する際に、前記端子上に配置されるべき第１の部分と、この第１の部分以外の第２の部分とからなり、第１の金属層は、第１の部分に対応して選択的に設けられていることを特徴とする。
【００４６】
このような導電接続シートを用いて、端子同士間を電気的に接続する接続部の形成に適用すると、対向する端子同士が位置する第１の部分に十分量の金属材料を供給することができるとともに、この第１の部分以外の第２の部分に余分な金属材料が供給されるのを防止することができる。そのため、加熱溶融した金属材料を第１の部分に位置する端子同士の間に選択的に凝集させて接続部を形成し、その周囲である第２の部分に樹脂成分により構成される封止層を形成する際に、封止層中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、第２の部分に位置する封止層により、隣接する端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【００４７】
さらに、導電接続シートを用いて、端子上に対応して設けられた接続端子の形成に適用すると、端子が位置する第１の部分に十分量の金属材料を供給することができるとともに、この第１の部分以外の第２の部分に余分な金属材料が供給されるのを防止することができる。そのため加熱溶融した金属材料を第１の部分に位置する端子上に選択的に凝集させて接続端子を形成し、その周囲である第２の部分に樹脂成分により構成される補強層を形成する際に、補強層中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、第２の部分に位置する補強層により隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する接続端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【００４８】
＜導電接続シート（第１の構成）＞
まず、本発明の導電接続シートの第１の構成について説明する。
【００４９】
図２は、本発明の導電接続シートの第１の構成を示す縦断面図であり、より詳しくは、第１の構成の導電接続シートを半導体チップとインターポーザーとの間に配置した状態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００５０】
第１の構成では、導電接続シート１は、図２に示すように、第１の樹脂組成物層１１と、金属層１２と、第２の樹脂組成物層１３とがこの順に互いに接合するように積層された三層構造をなす積層体、すなわち、第１の樹脂組成物層１１と第２の樹脂組成物層１３との間で金属層１２がこれらに互いに接合する構成を有する三層構造をなす積層体で構成されるものであり、半導体チップ（基板）２０とインターポーザー（対向基板）３０とを電気的に接続する際に、対向する端子２１と端子４１との間に配置される第１の部分１５と、この第１の部分１５以外の第２の部分１６とからなるものである。
【００５１】
かかる構成の導電接続シート１において、金属層１２は、低融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層１２１と、第１の金属材料より低融点の第２の金属材料で構成される第２の金属層１２２とが互いに接触するように積層された積層体で構成され、第１の金属層１２１は、第１の部分１５に対応して選択的に設けられ、第２の金属層１２２は、箔状（層状）をなし、第１の部分１５および第２の部分１６の双方にほぼ均一な厚さで設けられている。
【００５２】
また、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３が、樹脂成分を含有する樹脂組成物で構成されている。
【００５３】
以下、導電接続シート１を構成する各層について順次説明するが、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３については、ともに、樹脂成分を含有する樹脂組成物で構成されるため、第１の樹脂組成物層１１を代表に説明する。
【００５４】
また、第１の金属層１２１および第２の金属層１２２について、その構成材料は、融点が異なること以外、ともに、低融点の金属材料で構成されるため、第１の金属層１２１を代表に説明する。
【００５５】
なお、以下では、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を、単に「樹脂組成物層１１」および「樹脂組成物層１３」と言うこともある。さらに、第１の金属層１２１および第２の金属層１２２を、それぞれ、単に「金属層１２１」および「金属層１２２」と言うこともある。
【００５６】
＜＜樹脂組成物層１１＞＞
樹脂組成物層１１は、本実施形態では、樹脂成分を含有する樹脂組成物で構成される。
【００５７】
なお、本発明では、樹脂組成物としては、室温で液状、固形状のいずれの形態も使用することができる。なお、本明細書中において、「室温で液状」とは室温（２５℃程度）で一定の形態を持たない状態を意味し、ペースト状もこれに含まれる。
【００５８】
樹脂組成物は、樹脂成分を含有するものであれば、特に限定されず、硬化性樹脂組成物または熱可塑性樹脂組成物を用いることができる。
【００５９】
硬化性樹脂組成物としては、加熱により硬化する硬化性樹脂組成物、および、化学線を照射することにより硬化する硬化性樹脂組成物等が挙げられ、これらの中でも、加熱により硬化する硬化性樹脂組成物が好ましく用いられる。加熱により硬化する硬化性樹脂組成物は、硬化後の線膨張率や弾性率等の機械特性に優れる。
【００６０】
また、熱可塑性樹脂組成物としては、所定の温度に加熱することにより、成形が可能な程度に柔軟性を有するものであれば、特に限定されるものではない。
【００６１】
（ａ）硬化性樹脂組成物
硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂成分を含有し、加熱することにより溶融し硬化するものである。
【００６２】
また、硬化性樹脂組成物には、硬化性樹脂成分の他に、必要に応じて、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。
【００６３】
以下、硬化性樹脂組成物に含まれる各種材料について詳述する。
（i）硬化性樹脂成分
硬化性樹脂成分は、加熱することにより溶融し硬化するものであれば特に限定されないが、通常、半導体装置製造用の接着剤成分として使用できるものが用いられる。
【００６４】
このような硬化性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂（ポリイミド前駆体樹脂）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。特に、これらの中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ樹脂が好ましい。なお、これらの硬化性樹脂成分は１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【００６５】
前記エポキシ樹脂としては、特に限定されず、室温で液状および室温で固形状のいずれのエポキシ樹脂をも使用することができる。また、室温で液状のエポキシ樹脂と室温で固形状のエポキシ樹脂とを併用することも可能である。硬化性樹脂組成物が液状の場合には、室温で液状のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、硬化性樹脂組成物が固形状の場合には、液状および固形状のいずれのエポキシ樹脂も使用することが可能であり、さらに、フィルム形成性樹脂成分を硬化性樹脂組成物が含有する構成とするのが好ましい。
【００６６】
室温（２５℃）で液状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種を組み合わせて用いることができる。
【００６７】
室温で液状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１６０〜２５０ｇ／ｅｑであることがより好ましく、１７０〜２２０ｇ／ｅｑであることが特に好ましい。前記エポキシ当量が上記下限未満になると、用いるエポキシ樹脂の種類によっては、硬化物の収縮率が大きくなる傾向があり、半導体装置１０やこの半導体装置１０を備える電子機器に反りが生じるおそれがある。また、前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物にフィルム形成性樹脂成分を併用する構成とした場合に、フィルム形成性樹脂成分、特にポリイミド樹脂との反応性が低下する傾向をしめすことがある。
【００６８】
さらに、室温（２５℃）で固形状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、固形３官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が好ましく用いられる。
【００６９】
なお、室温で固形状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３０００ｇ／ｅｑが好ましく、１６０〜２５００ｇ／ｅｑがより好ましく、１７０〜２０００ｇ／ｅｑが特に好ましい。
【００７０】
室温で固形状のエポキシ樹脂の軟化点は、４０〜１２０℃程度であることが好ましく、５０〜１１０℃程度であることがより好ましく、６０〜１００℃程度であることが特に好ましい。前記軟化点が前記範囲内にあると、硬化性樹脂組成物のタック性を抑えることができ、容易に取り扱うことが可能となる。
【００７１】
また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化性樹脂成分の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【００７２】
例えば、液状の硬化性樹脂組成物の場合には、硬化性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、１０重量％以上であることが好ましく、１５重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましく、２５重量％以上であることがさらにより好ましく、３０重量％以上であることがなお好ましく、３５重量％以上であることが特に好ましい。また、１００重量％未満であることが好ましく、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【００７３】
また、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、硬化性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【００７４】
硬化性樹脂組成物における硬化性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【００７５】
（ii）フィルム形成性樹脂成分
上述したように、硬化性樹脂組成物として、固形状のものを使用する場合、硬化性樹脂組成物には、前記硬化性樹脂成分の他に、さらにフィルム形成性樹脂成分を含有する構成とするのが好ましい。
【００７６】
このようなフィルム形成性樹脂成分としては、有機溶媒に可溶であり、単独で成膜性を有するものであれば特に限定されるものではなく、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のいずれのものも使用することができ、また、これらを組み合わせて用いることもできる。
【００７７】
具体的には、フィルム形成性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これら中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂およびポリイミド樹脂が好ましい。
【００７８】
なお、本明細書中において、「（メタ）アクリル系樹脂」とは、（メタ）アクリル酸およびその誘導体の重合体、または（メタ）アクリル酸およびその誘導体と他の単量体との共重合体を意味する。ここで、「（メタ）アクリル酸」等と表記するときは、「アクリル酸またはメタクリル酸」等を意味する。
【００７９】
（メタ）アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、ポリアクリル酸−２−エチルヘキシル等のポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ブチル等のポリメタクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリアクリルアミド、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリロニトリル共重合体、メタクリル酸メチル−α−メチルスチレン共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−メタクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−アクリル酸共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド共重合体等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド共重合体が好ましい。
【００８０】
また、フェノキシ樹脂の骨格は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＦタイプおよびビフェニルタイプ等が挙げられる。
【００８１】
また、ポリイミド樹脂としては、繰り返し単位中にイミド結合を持つ樹脂であれば特に限定されず、例えば、ジアミンと酸二無水物を反応させ、得られたポリアミド酸を加熱、脱水閉環することにより得られるものが挙げられる。
【００８２】
ジアミンとしては、特に限定されず、例えば、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニル、４，６−ジメチル−ｍ−フェニレンジアミン、２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン等の芳香族ジアミン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミンが挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８３】
また、酸二無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメリット酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８４】
ポリイミド樹脂としては、溶剤に可溶なものでも、不溶なものでもよいが、他の成分（硬化性樹脂成分）と混合する際のワニス化が容易であり、取扱性に優れている点で溶剤可溶性のものが好ましい。特に、様々な有機溶媒に溶解できる点でシロキサン変性ポリイミド樹脂を用いることが好ましい。
【００８５】
フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、８，０００〜１，０００，０００程度であるのが好ましく、８，５００〜９５０，０００程度であるのがより好ましく、９，０００〜９００，０００程度であるのがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂の重量平均分子量が上記の範囲であると、成膜性を向上させることが可能で、かつ、硬化前の樹脂組成物層１１の流動性を抑制することができる。
【００８６】
なお、フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、例えば、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）により測定することができる。
【００８７】
また、フィルム形成性樹脂成分としては、このものの市販品を使用することができ、さらに、本発明の効果を損ねない範囲で、可塑剤、安定剤、無機フィラー、帯電防止剤や顔料等の各種添加剤を配合したものを使用することもできる。
【００８８】
また、硬化性樹脂組成物において、上述したフィルム形成性樹脂成分の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【００８９】
例えば、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、フィルム形成性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましい。また、５０重量％以下であることが好ましく、４５重量％以下であることがより好ましく、４０重量％以下であることがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると溶融前の硬化性樹脂組成物の流動性を抑制することができ、樹脂組成物層１１を容易に取り扱うことが可能となる。
【００９０】
（iii）フラックス機能を有する化合物
硬化性樹脂組成物として、前記硬化性樹脂成分の他に、さらにフラックス機能を有する化合物を含有する構成とするのが好ましい。フラックス機能を有する化合物は、端子２１、４１および金属層１２に形成された表面酸化膜を還元する作用を有するものである。そのため、硬化性樹脂組成物中に、かかる化合物が含まれていると、後述する、接続部および封止層の形成方法で詳述するように、たとえ、端子２１、４１および金属層１２の表面に酸化膜が形成されたとしても、この化合物の作用により酸化膜を確実に除去することができる。その結果、溶融状態の金属層１２がより高い選択性をもって、端子２１、４１同士の間に凝集することとなる。
【００９１】
このようなフラックス機能を有する化合物としては、特に限定されないが、例えば、フェノール性水酸基および／またはカルボキシル基を有する化合物が好ましく用いられる。
【００９２】
フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メシトール、３，５−キシレノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、カテコール、ｐ−ｔｅｒｔ−アミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、ｏ−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のフェノール製水酸基を含有する樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９３】
また、カルボキシル基を有する化合物としては、例えば、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。前記脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。前記脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。前記芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９４】
脂肪族カルボン酸としては、特に限定されないが、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸、カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸、ピメリン酸等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、下記式（１）：
【００９５】
ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ      （１）
（式（１）中、ｎは１〜２０の整数である。）
で表される脂肪族カルボン酸が好ましく用いられ、これらのうち、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸がより好ましく用いられる。
【００９６】
芳香族カルボン酸の構造は、特に限定されないが、下記式（２）または下記式（３）で表される化合物が好ましい。
【００９７】
【化１】
2012079526.tif 000003
［式中、Ｒ1〜Ｒ5は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ1〜Ｒ5の少なくとも一つは水酸基である。］
【００９８】
【化２】
2012079526.tif 000004
［式中、Ｒ6〜Ｒ20は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ6〜Ｒ20の少なくとも一つは水酸基またはカルボキシル基である。］
【００９９】
このような芳香族カルボン酸としては、例えば、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１００】
このようなフラックス機能を有する化合物は、金属層１２と端子２１、４１とが電気的に接続し得るように、金属層１２および端子２１、４１の表面酸化膜を還元する作用を示すとともに、硬化性樹脂成分を硬化する硬化剤としての機能、すなわち、硬化性樹脂成分と反応可能な官能基を有するものであるのが好ましい。
【０１０１】
このような官能基は、硬化性樹脂成分の種類に応じて適宜選択され、例えば、硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂の場合、カルボキシル基、水酸基、アミノ基のようなエポキシ基と反応可能な官能基が挙げられる。このようなフラックス機能を有する化合物は、硬化性樹脂組成物の溶融時には金属層１２および端子２１、４１に形成された表面酸化膜を還元してこれらの表面の濡れ性を高め、接続部８１を容易に形成し、端子２１、４１間を電気的に接続することが可能となる。さらに、接続部８１により端子２１、４１間に電気的な接続が完了した後においては、この化合物は、硬化剤として作用し、硬化性樹脂成分に付加して樹脂の弾性率またはＴｇを高める機能を発揮する。したがって、このようなフラックス機能を有する化合物をフラックスとして用いるとフラックス洗浄が不要であり、また、フラックスの残存に起因するイオンマイグレーションの発生等を的確に抑制または防止することが可能となる。
【０１０２】
このような作用を備えるフラックス機能を有する化合物としては、少なくとも１つのカルボキシル基を有する化合物が挙げられる。例えば、硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂の場合、脂肪族ジカルボン酸およびカルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物等が挙げられる。
【０１０３】
前記脂肪族ジカルボン酸としては、特に限定されないが、脂肪族炭化水素基にカルボキシル基が２個結合した化合物が挙げられる。前記脂肪族炭化水素基は、飽和または不飽和の非環式であってもよいし、飽和または不飽和の環式であってもよい。また、脂肪族炭化水素基が非環式の場合には直鎖状でも分岐状でもよい。
【０１０４】
このような脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、前記式（１）においてｎが１〜２０の整数である化合物が挙げられる。前記式（１）中のｎが前記範囲内にあると、フラックス活性、接着時のアウトガスおよび硬化性樹脂組成物の硬化後の弾性率およびガラス転移温度のバランスが良好となる。特に、硬化性樹脂組成物の硬化後の弾性率の増加を抑制し、インターポーザー３０等の被接着物との接着性を向上させることができるという観点から、ｎは３以上であることが好ましく、弾性率の低下を抑制し、接続信頼性をさらに向上させることができるという観点から、ｎは１０以下であることが好ましい。
【０１０５】
また、前記式（１）で示される脂肪族ジカルボン酸としては、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸等が挙げられる。中でも、アジピン酸、スベリン酸、セバシン酸、ドデンカン二酸が好ましく、セバシン酸がより好ましい。
【０１０６】
さらに、カルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物としては、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。中でも、フェノールフタリン、ゲンチジン酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸が好ましく、フェノールフタリン、ゲンチジン酸がより好ましい。
【０１０７】
上述のようなフラックス機能を有する化合物は、１種単独で用いても２種以上を併用して用いるようにしてもよい。
【０１０８】
なお、いずれの化合物も吸湿しやすく、ボイド発生の原因となるため、本発明においては、使用前に予め乾燥させることが好ましい。
【０１０９】
フラックス機能を有する化合物の含有量は、使用する樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【０１１０】
例えば、樹脂組成物が液状の場合、フラックス機能を有する化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、１重量％以上が好ましく、２重量％以上がより好ましく、３重量％以上が特に好ましい。また、５０重量％以下が好ましく、４０重量％以下がより好ましく、３０重量％以下がさらに好ましく、２５重量％以下が特に好ましい。
【０１１１】
また、固形状の樹脂組成物の場合には、フラックス機能を有する化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、１重量％以上が好ましく、２重量％以上がより好ましく、３重量％以上が特に好ましい。また、５０重量％以下が好ましく、４０重量％以下がより好ましく、３０重量％以下がさらに好ましく、２５重量％以下が特に好ましい。
【０１１２】
フラックス機能を有する化合物の含有量が上記範囲内であると、金属層１２および端子２１、４１の表面酸化膜を電気的に接合できるように確実に除去することができる。さらに、樹脂組成物が硬化性樹脂組成物の場合、硬化時に、硬化性樹脂成分に効率よく付加して硬化性樹脂組成物の弾性率またはＴｇを高めることができる。また、未反応のフラックス機能を有する化合物に起因するイオンマイグレーションの発生を抑制することができる。
【０１１３】
（iｖ）硬化剤
硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、フェノール類、アミン類、チオール類等が挙げられる。このような硬化剤は、硬化性樹脂成分の種類等に応じて適宜選択することができる。例えば、硬化性樹脂成分としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性（例えば、耐熱性、耐湿性等）が得られる点で硬化剤としてフェノール類を用いることが好ましく、硬化性樹脂成分の硬化後の物性が優れている点で２官能以上のフェノール類がより好ましく用いられる。なお、このような硬化剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。
【０１１４】
フェノール類としては、例えば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性が良好であり、硬化後の物性が優れている点でフェノールノボラック樹脂およびクレゾールノボラック樹脂が好ましい。
【０１１５】
また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化剤の配合量は、使用する硬化性樹脂成分や硬化剤の種類、およびフラックス機能を有する化合物が硬化剤として機能する官能基を有する場合、その官能基の種類や使用量によって適宜設定される。
【０１１６】
例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合、硬化剤の含有量は硬化性樹脂組成物の全重量に対して、０．１〜５０重量％程度であるのが好ましく、０．２〜４０重量％程度であるのがより好ましく、０．５〜３０重量％程度であるのがさらに好ましい。硬化剤の含有量が前記範囲内にあると端子２１、４１間に形成された接続部８１の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することができる。
【０１１７】
（ｖ）硬化促進剤
また、上述したように、硬化性樹脂組成物には、さらに、硬化促進剤を添加することができる。これにより、硬化性樹脂組成物を、確実かつ容易に硬化させることができる。
【０１１８】
硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンのイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１９】
また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化促進剤の配合量は、使用する硬化促進剤の種類に応じて適宜設定することができる。
【０１２０】
例えば、イミダゾール化合物を使用する場合には、イミダゾール化合物の配合量は、硬化性樹脂組成物中において０．００１重量％以上であることが好ましく、０．００３重量％以上であることがより好ましく、０．００５重量％以上であることがさらに好ましい。また、１．０重量％以下であることが好ましく、０．７重量％以下であることがより好ましく、０．５重量％以下であることがさらに好ましい。イミダゾール化合物の配合量が前記下限未満になると、用いる硬化促進剤の種類によっては、硬化促進剤としての作用が十分に発揮されず、硬化性樹脂組成物を十分に硬化できない傾向を示すことがある。また、イミダゾール化合物の配合量が前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物の硬化が完了する前に溶融状態の金属層１２が端子２１、４１の表面に十分に移動できず、絶縁性領域に形成される封止層８０中に金属層１２の一部が残存し、封止層８０における絶縁性が十分に確保できなくなるおそれがある。
【０１２１】
（ｖi）シランカップリング剤
また、上述したように、硬化性樹脂組成物には、さらに、シランカップリング剤を添加することができる。
【０１２２】
シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。このようなシランカップリング剤を添加することにより、インターポーザー３０等の接合部材（被着体）と硬化性樹脂組成物との密着性を高めることができる。
【０１２３】
なお、このようなシランカップリング剤は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いることもできる。
【０１２４】
また、硬化性樹脂組成物において、上述したシランカップリング剤の配合量は、前記接合部材や硬化性樹脂成分等の種類に応じて適宜設定される。例えば、硬化性樹脂組成物中において０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０５重量％以上であることがより好ましく、０．１重量％以上であることがさらに好ましい。また、２重量％以下であることが好ましく、１．５重量％以下であることがより好ましく、１重量％以下であることがさらに好ましい。
【０１２５】
なお、硬化性樹脂組成物には、上述した各成分の他に、さらに、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、充填剤、帯電防止剤および顔料等が配合されていてもよい。
【０１２６】
また、上述したような硬化性樹脂組成物は、上記各成分を混合・分散させることによって調製することができる。各成分の混合方法や分散方法は特に限定されず、従来公知の方法で混合、分散させることができる。
【０１２７】
また、前記各成分を溶媒中でまたは無溶媒下で混合して液状の硬化性樹脂組成物を調製してもよい。このとき用いられる溶媒としては、各成分に対して不活性なものであれば特に限定はないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ニ塩基酸エステル（ＤＢＥ）、３−エトキシプロピオン酸エチル（ＥＥＰ）、ジメチルカーボネート（ＤＭＣ）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分濃度が１０〜６０重量％となる量であることが好ましい。
【０１２８】
（ｂ）熱可塑性樹脂組成物
熱可塑性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂成分を含有し、所定温度により軟化するものである。
【０１２９】
また、熱可塑性樹脂組成物には、熱可塑性樹脂成分の他に、必要に応じて、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。
【０１３０】
（i）熱可塑性樹脂成分
熱可塑性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、酢酸ビニル系、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、塩化ビニル樹脂、（メタ）アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、イソブチレン樹脂、ビニルエーテル樹脂、液晶ポリマー樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリウレタン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル等が挙げられる。これら熱可塑性樹脂成分は、単一の重合体でもよく、これら熱可塑性樹脂成分の少なくとも２種以上の共重合体でもよい。
【０１３１】
熱可塑性樹脂成分の軟化点は、特に限定されないが、導電接続シート１を構成する金属層１２の融点より１０℃以上低いことが好ましく、２０℃以上低いことがより好ましく、３０℃以上低いことがさらに好ましい。
【０１３２】
また、熱可塑性樹脂成分の分解温度は、特に限定されないが、金属層１２の融点よりも１０℃以上高いことが好ましく、２０℃以上高いことがより好ましく、３０℃以上高いことがさらに好ましい。
【０１３３】
また、熱可塑性樹脂組成物において、上述した熱可塑性樹脂成分の配合量は、使用する熱可塑性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定される。
【０１３４】
例えば、液状の熱可塑性樹脂組成物の場合には、熱可塑性樹脂成分の配合量は、熱可塑性樹脂組成物中において、１０重量％以上であることが好ましく、１５重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましく、２５重量％以上であることがさらにより好ましく、３０重量％以上であることがなお好ましく、３５重量％以上であることが特に好ましい。また、１００重量％以下であることが好ましく、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【０１３５】
また、固形状の熱可塑性樹脂組成物の場合には、熱可塑性樹脂成分の配合量は、熱可塑性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【０１３６】
熱可塑性樹脂組成物における熱可塑性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【０１３７】
（ii）その他の添加剤
また、熱可塑性樹脂成分の他、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤や、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、充填剤、帯電防止剤および顔料等が配合されていてもよいが、これらのものは、前述した「（ａ）硬化性樹脂組成物」において説明したものと同じものを用いることができる。さらに、好ましい化合物およびその配合量等についても同様である。
【０１３８】
なお、本発明においては、上述したもののうち、樹脂組成物としては、硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。中でも、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂１０〜９０重量％、硬化剤０．１〜５０重量％、フィルム形成性樹脂５〜５０重量％及びフラックス機能を有する化合物１〜５０重量％を含むものがより好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂２０〜８０重量％、硬化剤０．２〜４０重量％、フィルム形成性樹脂１０〜４５重量％及びフラックス機能を有する化合物２〜４０重量％を含むものがさらに好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂３５〜５５重量％、硬化剤０．５〜３０重量％、フィルム形成性樹脂１５〜４０重量％及びフラックス機能を有する化合物３〜２５重量％を含むものが特に好ましい。これにより、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【０１３９】
また、導電接続シート１における樹脂組成物層１１の厚みは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましい。また、樹脂組成物層１１の厚みは、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。樹脂組成物層１１の厚みが前記範囲内にあると、隣接する端子２１、４１間の間隙に樹脂組成物を十分に充填して封止層８０を形成することができ、樹脂組成物の硬化後または固化後の機械的接着強度および対向する端子２１、４１間の電気的接続を十分に確保することができ、接続部８１の形成も可能にすることができる。
【０１４０】
以上のような構成の樹脂組成物層１１、１３が、導電接続シート１において、後述する本発明の端子間の接続方法および本発明の接続端子の形成方法において、それぞれ形成される封止層８０および補強層８６を構成する構成材料となるものである。
【０１４１】
＜＜金属層１２１＞＞
金属層１２１は、低融点の金属材料で構成され、本発明では、第１の部分１５に対して、選択的に設けられるものである。
【０１４２】
かかる金属層（金属箔層）１２１は、融点以上に加熱されると溶融し、さらに、樹脂組成物層１１、１３がフラックス機能を有する化合物を含む場合、樹脂組成物層１１、１３に含まれるフラックス機能を有する化合物の作用により、金属層１２１の表面に形成された酸化膜が還元されるため、溶融状態の金属層１２１の濡れ性が向上する。そのため、端子２１、４１との間に選択的に金属層１２１（および金属層１２２）が凝集し、最終的には、このものの固化物により、接続部８１が形成される。
【０１４３】
ここで、本発明では、低融点の金属材料は、その融点が、３３０℃以下、好ましくは３００℃以下、より好ましくは２８０℃以下、さらに好ましくは２６０℃以下のものが適宜選択される。これにより、半導体装置１０を形成するための端子２１、４１間の接続においては、半導体装置１０の各種部材が熱履歴により損傷してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０１４４】
さらに、接続部８１形成後、すなわち端子２１、４１間の接続後における半導体装置１０の耐熱性を確保するという観点からは、低融点の金属材料は、その融点が１００℃以上、好ましくは１１０℃以上、より好ましくは１２０℃以上であるものが適宜選択される。
【０１４５】
なお、低融点の金属材料すなわち金属層１２１の融点は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定することができる。
【０１４６】
このような低融点の金属材料は、上述した融点を有し、さらに、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、金属層１２１の表面に形成された酸化膜が除去可能なものであれば、特に限定されず、例えば、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金、または錫の単体等が挙げられる。
【０１４７】
このような合金のうち、低融点の金属材料としては、その溶融温度および機械的物性等を考慮すると、Ｓｎ−Ｐｂの合金、鉛フリー半田であるＳｎ−Ｂｉの合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕの合金、Ｓｎ−Ａｇの合金等のＳｎを含む合金で構成されるのが好ましい。
【０１４８】
なお、低融点の金属材料としてＳｎ−Ｐｂの合金を用いた場合、錫の含有率は、３０重量％以上１００重量％未満であることが好ましく、３５重量％以上１００重量％未満であることがより好ましく、４０重量％以上１００重量％未満であることがさらに好ましい。また、鉛フリー半田を用いた場合、錫の含有率は、１５重量％以上１００重量％未満であることが好ましく、２０重量％以上１００重量％未満であることがより好ましく、２５重量％以上１００重量％未満であることがさらに好ましい。
【０１４９】
具体的には、例えば、Ｓｎ−Ｐｂの合金としては、Ｓｎ−３７Ｐｂ（融点１８３℃）、鉛フリー半田としては、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ（融点２１７℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ（融点２２１℃）、Ｓｎ−５８Ｂｉ（融点１３９℃）、Ｓｎ−９．０Ｚｎ（融点１９９℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｂｉ−３．０Ｉｎ（融点１９３℃）、Ａｕ−２０Ｓｎ（融点２８０℃）等が挙げられ、特に、Ｓｎ−３７ＰｂまたはＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕが好ましく用いられる。
【０１５０】
以上のような構成の金属層１２１と金属層１２２とが、導電接続シート１において、後述する本発明の端子間の接続方法および本発明の接続端子の形成方法において、それぞれ形成される接続部８１および接続端子８５を構成する構成材料となるものである。
【０１５１】
なお、導電接続シート１において、上述した低融点の金属材料の配合量、すなわち、金属層１２（金属層１２１と金属層１２２との合計）の占有量は、導電接続シート１において、５重量％以上であることが好ましく、２０重量％以上であることがより好ましく、３０重量％以上であることがさらに好ましい。また、１００重量％未満であることが好ましく、８０重量％以下であることがより好ましく、７０重量％以下であることがさらに好ましい。
【０１５２】
導電接続シート１における金属材料の配合量すなわち金属層１２の占有量が前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１、４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０１５３】
あるいは、金属層１２の占有量を導電接続シート１に対する体積比率で定義してもよい。例えば、金属層１２の占有量（配合量）は、導電接続シート１に対して１体積％以上であることが好ましく、５体積％以上であることがより好ましく、１０体積％以上であることがさらに好ましい。また、９０体積％以下であることが好ましく、８０体積％以下であることがより好ましく、７０体積％以下であることがさらに好ましい。金属層１２の占有量が前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１、４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０１５４】
以上のような構成の導電接続シート１は、半導体チップ２０が有する端子２１と、インターポーザー３０が有する端子４１とを電気的に接続する際に、端子２１と端子４１との間に配置されるべき第１の部分１５と、この第１の部分１５以外の第２の部分１６とからなり、第１の構成では、第１の金属層１２１は、第１の部分１５に対応して選択的に設けられ、第２の金属層１２２は、箔状（層状）をなし、第１の部分１５および第２の部分１６の双方に、ほぼ均一な厚さで設けられているが、かかる点に関する説明は後に行うこととする。
【０１５５】
なお、導電接続シート１の厚みは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましく、また、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。導電接続シート１の厚みが前記範囲内にあると隣接する端子２１、４１間の間隙に樹脂組成物で構成される封止層８０を十分に充填することができる。また、樹脂成分の硬化後または固化後の機械的接着強度および対向する端子間の電気的接続を十分に確保することができる。また、目的や用途に応じた接続端子の製造も可能にすることができる。
【０１５６】
また、本実施形態では、金属層１２および端子２１、４１に酸化膜が形成されている場合に、この酸化膜を除去することを目的に、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を構成する樹脂組成物には、フラックス機能を有する化合物が含まれていてもよいと説明したが、樹脂組成物には、フラックス機能を有する化合物に代えて、酸化防止剤が含まれていてもよい。
【０１５７】
＜導電接続シート１の製造方法＞
次に、上述したような第１の構成の導電接続シート１は、例えば、以下のような製造方法により、製造することができる。
【０１５８】
本実施形態の導電接続シートの製造方法は、第１の樹脂組成物層１１と、この第１の樹脂組成物層１１上に形成された金属層１２とを備える導電接続シート形成用シートを得る第１の工程と、金属層１２上に第１の樹脂組成物層１３を形成する第２の工程とを有する。
【０１５９】
以下、各工程について説明する。
［１］第１の工程
まず、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等のシートや、表面がフッ素樹脂やシリコーン樹脂で離型処理された基材等の剥離基材上に、第１の樹脂組成物層１１を形成する。
【０１６０】
この剥離基材上への第１の樹脂組成物層１１の形成は、例えば、以下のようにして行われる。
【０１６１】
（i）２５℃で樹脂組成物が液状をなす場合
第１の樹脂組成物層１１を構成する樹脂組成物が、２５℃で液状をなす場合、剥離基材上に、液状をなす樹脂組成物を供給して液状の樹脂組成物を付着させた後、この樹脂組成物を所定温度で半硬化させることにより第１の樹脂組成物層１１が形成される。
【０１６２】
なお、形成すべき第１の樹脂組成物層１１に厚さの制御が必要な場合には、液状の樹脂組成物が供給された剥離基材を一定の間隙を有するバーコーターを通過させたり、液状の樹脂組成物をスプレーコーター等により、剥離基材に吹き付けることにより、目的とする厚さの第１の樹脂組成物層１１を容易に製造することができる。
【０１６３】
また、巻重状の剥離基材を使用する場合、剥離基材上に、液状の樹脂組成物を直接塗布し、その後、この樹脂組成物を半硬化させつつ巻き取ることにより、第１の樹脂組成物層１１が設けられた巻重状の剥離基材を得ることができる。
【０１６４】
（ii）２５℃で樹脂組成物が固形状をなす場合
第１の樹脂組成物層１１を構成する樹脂組成物が、２５℃で固形状をなす場合、まず、樹脂組成物を有機溶剤に溶解してワニスを得る。そして、このワニスを剥離基材上に供給（塗布）して付着させた後、所定の温度で乾燥させることにより第１の樹脂組成物層１１が形成される。
【０１６５】
なお、形成すべき第１の樹脂組成物層１１に厚さの制御が必要な場合には、ワニスが供給された剥離基材を一定の間隙を有するバーコーターを通過させたり、ワニスをスプレーコーター等により、剥離基材に吹き付けることにより、目的とする厚さの第１の樹脂組成物層１１を容易に製造することができる。
【０１６６】
また、巻重状の剥離基材を使用する場合、剥離基材上に、ワニスを直接塗布し、その後、このワニスを乾燥させつつ巻き取ることにより、第１の樹脂組成物層１１が設けられた巻重状の剥離基材を得ることができる。
【０１６７】
次に、剥離基材上に形成された第１の樹脂組成物層１１の剥離基材と反対側の面のほぼ全面に、第２の金属材料を用いた、蒸着、スパッタ、めっき等の各種成膜法（気相成膜法および液相成膜法）により、第２の金属層１２２を形成する。次いで、第１の部分１５に対応する領域に開口部を有するマスクを用意し、第１の金属材料を用いた、蒸着、スパッタ、めっき等の各種成膜法により、第１の部分に対して選択的に、第１の金属層１２１を形成する。これにより、第１の樹脂組成物層１１上に、第２の金属層１２２と第１の金属層１２１とがこの順で積層された積層体で構成される金属層１２が形成される。
【０１６８】
［２］第２の工程
次に、金属層１２上に第２の樹脂組成物層１３を形成する。
【０１６９】
この金属層１２上への第２の樹脂組成物層１３の形成は、例えば、金属層１２上に直接第２の樹脂組成物層１３を形成する場合、前記工程［１］において、剥離基材上に第１の樹脂組成物層１１を形成する場合に説明したのと同様の方法を用いて行うことができる。
【０１７０】
また、第２の樹脂組成物層１３を、前記工程［１］において剥離基材上に第１の樹脂組成物層１１を形成したのと同様に、剥離基材上に形成した場合には、金属層１２と第２の樹脂組成物層１３とが対向した状態で、これらを熱ロールでラミネートして金属層１２に第２の樹脂組成物層１３を圧着することで、金属層１２上に第２の樹脂組成物層１３を形成することができる。
【０１７１】
なお、本工程［２］に先立って、金属層１２には、第２の樹脂組成物層１３との密着性を高めるため、その表面粗さを向上させることを目的に、エンボス加工を施すようにしてもよい。
以上のような工程を経て、導電接続シート１を得ることができる。
【０１７２】
この導電接続シート１が、例えば、半導体装置１０が備える接続部８１および封止層８０の形成に用いられる。
【０１７３】
ここで、接続部８１と封止層８０との形成は、導電接続シート１を用いて、端子２１、４１との間に接続部８１が形成され、さらに、この接続部８１を取り囲むように封止層８０が形成されて隣接する接続部８１が絶縁されることにより行われるが、これら接続部８１と封止層８０との形成に、導電接続シート１を用いた、本発明の端子間の接続方法または本発明の接続端子の形成方法が適用される。
【０１７４】
＜本発明の端子間の接続方法＞
以下では、まず、本発明の端子間の接続方法を適用して、接続部８１と封止層８０とを形成する場合について詳述する。
【０１７５】
図３は、本発明の端子間の接続方法を用いて、半導体装置が備える接続部および封止層を製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１７６】
以下に説明する接続部８１および封止層８０の形成方法では、導電接続シート１を半導体チップ（基材）２０が有する端子２１と、インターポーザー（対向基材）３０に設けられた端子４１との間に配置する配置工程と、第１の金属材料の融点以上であり、かつ、樹脂組成物層１１、１３が変形可能な温度に導電接続シート１を加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を硬化または固化させる硬化（固化）工程とを有している。
【０１７７】
なお、接続部８１および封止層８０を形成するに際し、導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合と、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合とでは、その形成方法が若干異なる。そのため、以下では、樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合を第１実施形態とし、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合を第２実施形態として実施形態ごとに説明する。
【０１７８】
＜＜第１実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される第１実施形態では、半導体チップ２０が有する端子２１と、インターポーザー３０に設けられた端子４１との間に導電接続シート１を配置する配置工程と、第１の金属層１２１（第１の金属材料）の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程と、硬化性樹脂組成物の硬化を完了させる硬化工程とを有している。
【０１７９】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
まず、半導体チップ２０と、端子４１が設けられたインターポーザー３０とを用意する。
【０１８０】
次いで、インターポーザー３０の端子４１側の面における、半導体チップ２０を搭載すべき搭載領域６５に導電接続シート１を載置する。このとき、導電接続シート１を、金属層１２において、第１の金属層１２１が選択的に設けられている第１の部分１５が、端子４１に対応するように配置する。
【０１８１】
そして、この状態で、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、導電接続シート１をインターポーザー３０の端子４１側の面に熱圧着させる。これにより、第１の樹脂組成物層１１が溶融状態（変形可能な状態）となるため、インターポーザー３０から突出する端子４１は、第１の樹脂組成物層１１中に埋入することとなる。
【０１８２】
さらに、この状態を維持したまま、インターポーザー３０の搭載領域６５に半導体チップ２０を載置する。この際、これらが備える端子２１と端子４１とがそれぞれ対向するように、インターポーザー３０に半導体チップ２０を位置あわせする（図３（ａ）参照。）。換言すれば、第１の部分１５に対して端子２１が対応するように、インターポーザー３０に半導体チップ２０を位置あわせする。
【０１８３】
これにより、半導体チップ２０を、導電接続シート１を介してインターポーザー３０の搭載領域６５に配置したとき、対向する端子２１、４１同士の間には、導電接続シート１の第１の部分１５が、端子２１、４１以外の領域には、第２の部分１６が位置することになる。
【０１８４】
なお、導電接続シート１は、図３（ａ）に示すように、インターポーザー３０の端子４１側に熱圧着される場合に限らず、半導体チップ２０の端子２１側に熱圧着されていてもよいし、これらの双方に熱圧着されていてもよい。
【０１８５】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、搭載領域６５において、半導体チップ２０とインターポーザー３０との間に配置された導電接続シート１を、図３（ｂ）に示すように、第１の金属層１２１の融点以上で加熱する。
【０１８６】
加熱温度は、第１の金属層１２１の融点以上であればよく、例えば、加熱時間を短くするなど、加熱時間を調整することによって、金属材料が硬化性樹脂組成物中を移動できる範囲すなわち「硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない」範囲であれば、その上限は特に制限されない。
【０１８７】
具体的には、加熱温度は、第１の金属層１２１の融点より５℃以上高い温度であるのが好ましく、１０℃以上高い温度であるのがより好ましく、２０℃以上高い温度であるのがさらに好ましく、３０℃以上高い温度であるのが特に好ましい。
【０１８８】
具体的には、加熱温度は、使用する第１の金属層１２１および硬化性樹脂組成物の組成等によって適宜設定されるが、１００℃以上であることが好ましく、１３０℃以上であることがより好ましく、１４０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが最も好ましい。なお、接続すべき半導体チップ２０およびインターポーザー３０等の熱劣化を防止するという観点から、加熱温度は、２６０℃以下であることが好ましく、２５０℃以下であることがより好ましく、２４０℃以下であることがさらに好ましい。
【０１８９】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２（第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の双方）が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料（第１の金属材料および第２の金属材料の双方）が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０１９０】
この際、硬化性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、還元されることにより除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、対向して配置された端子２１、４１間に凝集し易い状態となる。
【０１９１】
さらに、たとえ端子２１、４１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子２１、４１間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となる。
【０１９２】
なお、第１の構成では、金属層１２が層状をなしており、導電接続シート１中には、金属材料で構成される粒子等が含まれていないため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１、４１の表面に凝集する際に、その一部が端子４１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、封止層８０に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０１９３】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、硬化性樹脂成分中を移動して端子２１、４１間に選択的に凝集する。
【０１９４】
このとき、本実施形態では、前記工程［１］で説明したように、半導体チップ２０を搭載すべき搭載領域６５において、対向する端子２１、４１同士の間に、第１の金属層１２１が選択的に形成されている第１の部分１５が対応するように導電接続シート１が配置されている。すなわち、対向する端子２１、４１同士が位置する領域には第１の部分１５が対応し、それ以外の領域には第２の部分１６が対応するように、インターポーザー３０上に導電接続シート１が配置されている。
【０１９５】
このことから、対向する端子２１、４１が位置する第１の部分１５では、第２の金属材料よりも高融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層１２１が選択的に配置されることとなる。
【０１９６】
換言すれば、端子２１、４１同士の間に金属材料を選択的に凝集させてこれらを電気的に接合すべき第１の部分１５では第１の金属材料および第２の金属材料の双方が存在し、金属材料を残存させることなく樹脂成分を充填して絶縁性を維持すべき第２の部分１６では第２の金属材料が単独で存在することとなる。
【０１９７】
そのため、第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の双方が溶融する第１の金属層（第１の金属材料）１２１の融点よりも高い温度で導電接続シート１を加熱すると、まず、融点が低い第２の金属層１２２が溶融し、その後融点が高い第１の金属層１２１が溶融する。そのため、第２の部分１６において単独で存在する第２の金属層（第２の金属材料）１２２が、溶融状態となることで、第１の金属層１２１、すなわち第１の部分１５に向かって、樹脂組成物層１１、１３中を移動（凝集）することとなる。
【０１９８】
したがって、凝集する金属材料（溶融した第１の金属層１２１および第２の金属層１２２）をより高い選択性をもって、第１の部分１５に位置する端子４１上に凝集させることができる。そして、凝集した金属材料の量が増大するにしたがって、最終的には、凝集した金属材料を介して端子２１と端子４１とが接続される。
【０１９９】
すなわち、図３（ｃ）に示すように、端子２１、４１の間には金属材料で構成される接続部８１が形成され、端子２１と端子４１とが接続部８１を介して電気的に接続される。このとき、接続部８１の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が、金属材料を混在することなく充填されて封止層８０が形成される。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性が確保されることから、隣接する端子２１、４１間のショートが防止されることとなる。
【０２００】
なお、加熱温度は、最終的に、第１の金属層１２１の融点以上に設定すればよく、まず、第２の金属層１２２の融点よりも高く第１の金属層１２１の融点よりも低い温度に設定し、次いで、第１の金属層１２１の融点よりも高い温度に設定するようにしてもよい。かかる構成とすれば、第１の金属層１２１に先立って第２の金属層１２２を溶融状態にすることができるため、溶融状態の第２の金属層１２２をより確実に第１の部分１５に位置する第１の金属層１２１に向かって移動させることができる。
【０２０１】
なお、第１の金属層１２１の融点と第２の金属層１２２の融点との差は、第２の金属層１２２の融点の方が第１の金属層１２１の融点よりも低くなっていれば良いが、２０℃以上であるのが好ましく、３０〜１００℃程度であるのがより好ましい。これにより、本工程［２］において、溶融状態の第２の金属層１２２の第１の金属層１２１に対する凝集が開始された後に、第１の金属層１２１を確実に溶融状態とすることができる。そのため、溶融状態の第２の金属層１２２をより的確に第１の部分１５に位置する第１の金属層１２１に凝集させることができる。
【０２０２】
このような第１の金属層１２１と第２の金属層１２２との組み合わせとしては、例えば、第２の金属層１２２がＳｎ−５８Ｂｉ（融点１３９℃）で構成され、第１の金属層１２１がＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ（融点２１７℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ（融点２２１℃）、Ｓｎ−９．０Ｚｎ（融点１９９℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｂｉ−３．０Ｉｎ（融点１９３℃）のうちの何れかで構成される場合や、第２の金属層１２２がＳｎ−３７Ｐｂ（融点１８３℃）で構成され、第１の金属層１２１がＡｕ−２０Ｓｎ（融点２８０℃）で構成される場合等が挙げられる。
【０２０３】
また、本構成において、第１の部分１５における金属層１２の厚さ、すなわち、第１の金属層１２１と第２の金属層１２２の合計厚さは、特に限定されるものではなく、対向する端子２１、４１間のギャップ、および隣接する端子間２１、４１の離隔距離等に応じて適宜設定されるが、上記のように、半導体チップ２０とこれを搭載するインターポーザー３０における端子２１、４１間の接続においては、第１の部分１５における金属層１２の厚みは、０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましく、２μｍ以上であることがさらに好ましく、また、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。第１の部分１５における金属層１２の厚みが前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１、４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０２０４】
さらに、本構成では、第１の部分１５における金属層１２の厚さ、すなわち第１の金属層１２１と第２の金属層１２２の合計厚さが、第２の部分１６における金属層１２の厚さ、すなわち第２の金属層１２２の厚さよりも厚くなっているが、第１の部分における金属層１２の厚さをＡ［μｍ］とし、第２の部分における金属層１２の厚さをＢ［μｍ］としたとき、これらの厚さの比であるＡ／Ｂは、２〜２０程度であるのが好ましく、３〜１０程度であるのがより好ましい。これにより、溶融状態の第２の金属層１２２を、より優れた選択性をもって、第１の金属層１２１に凝集させることができるようになる。
【０２０５】
以上のような導電接続シート１を用いた接続部８１および封止層８０の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１、４１間で凝集させて接続部８１を形成し、その周囲に硬化性樹脂組成物で構成された封止層８０を形成することができる。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性を確保してリーク電流の発生を確実に防ぐことができるので、端子２１、４１間の接続部８１を介した接続の接続信頼性を高めることができる。
【０２０６】
また、微細な配線回路においても多数の端子２１、４１間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。さらに、次工程［３］において、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。
【０２０７】
なお、本工程［２］では、対向する端子２１、４１間の距離を近づけるように、半導体チップ２０とインターポーザー３０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図３（ｂ）中の半導体チップ２０とインターポーザー３０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、対向する端子２１、４１間の距離を一定に制御することができるため、対向する端子２１、４１間の接続部８１による電気的な接続信頼性を高めることが可能となる。
【０２０８】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０２０９】
なお、本構成では、図２に示すように、第１の金属層１２１は、第１の部分１５において、第２の金属層１２２の全面を覆うように形成されている場合について説明したが、かかる場合に限定されず、平面視で第２の金属層１２２の少なくとも一部に形成されていればよく、その形状は特に限定されるものではない。
【０２１０】
［３］硬化工程
次に、前記加熱工程［２］において、接続部８１と封止層８０とを形成した後、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、封止層８０を固定する。
【０２１１】
これにより、端子２１、４１間の接続部８１による電気的信頼性、および、封止層８０による機械的信頼性の双方を十分に確保することができる。
【０２１２】
特に本実施形態では、高溶融粘度時に高絶縁抵抗値を有する硬化性樹脂組成物を使用しているため、封止層（絶縁性領域）８０の絶縁性をより確実に確保することができる。
【０２１３】
硬化性樹脂組成物の硬化は、硬化性樹脂組成物を加熱することによって実施することができる。硬化性樹脂組成物の硬化温度は、硬化性樹脂組成物の組成に応じて適宜設定することができる。具体的には、前記加熱工程［２］での加熱温度より少なくとも５℃低い温度であることが好ましく、少なくとも１０℃低い温度であることがより好ましい。より具体的には、１００℃以上であることが好ましく、１２０℃以上であることがより好ましく、１３０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが最も好ましい。また、３００℃以下であることが好ましく、２６０℃以下であることがより好ましく、２５０℃以下であることがさらに好ましく、２４０℃以下であることが最も好ましい。硬化温度が前記範囲内にあると、導電接続シート１が熱分解してしまうのを確実に防止しつつ、硬化性樹脂組成物を十分に硬化させることができる。
【０２１４】
以上のような工程を経て、搭載領域６５において、半導体チップ２０とインターポーザー３０との間に、接続部８１および封止層８０が形成されることから、半導体チップ２０とインターポーザー３０とが電気的に接続される。
【０２１５】
＜＜第２実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される第２実施形態では、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に導電接続シート１を配置する配置工程と、第１の金属層１２１（第１の金属材料）の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程と、熱可塑性樹脂組成物を固化させる固化工程とを有している。
【０２１６】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される本実施形態においても、樹脂組成物層１１、１３が熱硬化性樹脂組成物で構成される前記第１実施形態と同様にして、インターポーザー３０の端子４１側の面における、半導体チップ２０を搭載すべき搭載領域６５に導電接続シート１を載置する。このとき、導電接続シート１を、第１の金属層１２１が選択的に設けられている第１の部分１５が、端子４１に対応するように配置する。
【０２１７】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体チップ２０と、端子４１が設けられたインターポーザー３０との間に配置された導電接続シート１を、図３（ｂ）に示すように、第１の金属層１２１の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で加熱する。
【０２１８】
加熱温度は、第１の金属層１２１の融点より５℃以上高い温度であるのが好ましく、１０℃以上高い温度であるのがより好ましく、２０℃以上高い温度であるのがさらに好ましく、３０℃以上高い温度であるのが特に好ましい。
【０２１９】
具体的には、加熱温度は、使用する第１の金属層１２１および熱可塑性樹脂組成物の組成等によって適宜設定されるが、例えば、前述した第１実施形態の加熱工程［２］で説明したのと同様の温度範囲に設定される。
【０２２０】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２（第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の双方）が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料（第１の金属材料および第２の金属材料の双方）が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２２１】
この際、熱可塑性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、還元されることにより除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、対向して配置された端子２１、４１間に凝集し易い状態となる。
【０２２２】
さらに、たとえ端子２１、４１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子２１、４１間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となる。
【０２２３】
なお、第１の構成では、金属層１２が層状をなしており、導電接続シート１中には、金属材料で構成される粒子等が含まれていないため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１、４１の表面に凝集する際に、その一部が端子４１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、封止層８０に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２２４】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、熱可塑性樹脂成分中を移動して端子２１、４１間に選択的に凝集する。
【０２２５】
このとき、本実施形態では、前記工程［１］で説明したように、半導体チップ２０を搭載すべき搭載領域６５において、対向する端子２１、４１同士の間に、第１の金属層１２１が選択的に形成されている第１の部分１５が対応するように導電接続シート１が配置されている。すなわち、対向する端子２１、４１同士が位置する領域には第１の部分１５が対応し、それ以外の領域には第２の部分１６が対応するように、インターポーザー３０上に導電接続シート１が配置されている。
【０２２６】
このことから、対向する端子２１、４１が位置する第１の部分１５では、第２の金属材料よりも高融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層１２１が選択的に配置されることとなる。
【０２２７】
換言すれば、端子２１、４１同士の間に金属材料を選択的に凝集させてこれらを電気的に接合すべき第１の部分１５では第１の金属材料および第２の金属材料の双方が存在し、金属材料を残存させることなく樹脂成分を充填して絶縁性を維持すべき第２の部分１６では第２の金属材料が単独で存在することとなる。
【０２２８】
そのため、第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の双方が溶融する第１の金属層（第１の金属材料）１２１の融点よりも高い温度で導電接続シート１を加熱すると、まず、融点が低い第２の金属層１２２が溶融し、その後融点が高い第１の金属層１２１が溶融する。そのため、第２の部分１６において単独で存在する第２の金属層（第２の金属材料）１２２が、溶融状態となることで、第１の金属層１２１、すなわち第１の部分１５に向かって、樹脂組成物層１１、１３中を移動（凝集）することとなる。
【０２２９】
したがって、凝集する金属材料（溶融した第１の金属層１２１および第２の金属層１２２）をより高い選択性をもって、第１の部分１５に位置する端子４１上に凝集させることができる。そして、凝集した金属材料の量が増大するにしたがって、最終的には、凝集した金属材料を介して端子２１と端子４１とが接続される。
【０２３０】
すなわち、図３（ｃ）に示すように、端子２１、４１の間には金属材料で構成される接続部８１が形成され、端子２１と端子４１とが接続部８１を介して電気的に接続される。このとき、接続部８１の周囲を取り囲んで熱可塑性樹脂組成物が、金属材料を混在することなく充填されて封止層８０が形成される。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性が確保されることから、隣接する端子２１、４１間のショートが防止されることとなる。
【０２３１】
以上のような接続部８１および封止層８０の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１、４１間で凝集させて接続部８１を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物で構成された封止層８０を形成することができる。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性を確保してリーク電流の発生を確実に防ぐことができるので、端子２１、４１間の接続部８１を介した接続の接続信頼性を高めることができる。
【０２３２】
また、微細な配線回路においても多数の端子２１、４１間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。さらに、次工程［３］において、熱可塑性樹脂組成物を固化させることにより接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。
【０２３３】
［３］固化工程
次に、前記加熱工程［２］において、接続部８１と封止層８０とを形成した後、熱可塑性樹脂組成物を固化させることにより、封止層８０を固定する。
【０２３４】
これにより、端子２１、４１間の接続部８１による電気的信頼性、および、封止層８０による機械的信頼性の双方を十分に確保することができる。
【０２３５】
熱可塑性樹脂組成物の固化は、前記加熱工程［２］で加熱した熱可塑性樹脂組成物を冷却することによって実施することができる。
【０２３６】
熱可塑性樹脂組成物の冷却による熱可塑性樹脂組成物の固化すなわち封止層８０の固定は、熱可塑性樹脂組成物の組成に応じて適宜選択される。具体的には、自然冷却による方法でもよく、また、冷気を吹きつける等の方法から適宜選択される。
【０２３７】
熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、特に限定されないが、金属層１２の融点より低いことが好ましい。具体的には、熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、金属層１２の融点より１０℃以上低いことが好ましく、２０℃以上低いことがより好ましい。また、熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、５０℃以上であることが好ましく、６０℃以上であることがより好ましく、１００℃以上であることがさらに好ましい。熱可塑性樹脂組成物の固化温度が前記範囲内にあると、接続部８１を確実に形成することができるとともに、封止層８０を優れた耐熱性を発揮するものとすることができる。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性が的確に確保され、隣接する端子２１、４１間のショートをより確実に防止することができる。
【０２３８】
以上のような工程を経て、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に、接続部８１および封止層８０が形成される。
【０２３９】
なお、第１実施形態および第２実施形態では、半導体チップ２０とインターポーザー３０とがそれぞれ備える端子２１と端子４１との間に、接続部８１を形成して電気的に接続する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、各種電子機器が有する電子部品が備える端子同士を電気的に接続する場合に適用することができ、電子部品としては、例えば、半導体ウエハ、リジッド基板およびフレキシブル基板等が挙げられる。
【０２４０】
＜本発明の接続端子の形成方法＞
次に、本発明の接続端子の形成方法を用いて、接続部８１と封止層８０とを形成する場合について説明する。
【０２４１】
この場合、まず、本発明の接続端子の形成方法を適用して、半導体チップ２０に、端子２１に対応して接続端子８５を形成するともに、この接続端子８５を取り囲むように補強層８６を形成し、次いで、これら接続端子８５と補強層８６が設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０に接続（実装）することで、半導体チップ２０とインターポーザー３０との間に接続部８１と封止層８０とが形成される。
【０２４２】
以下では、本発明の接続端子の形成方法を適用して、半導体チップ２０の端子２１側の面に接続端子８５と補強層８６とを形成する方法について詳述する。
【０２４３】
図４は、本発明の接続端子の形成方法を用いて、半導体チップが備える端子に対応して接続端子を形成する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２４４】
以下に説明する接続端子８５および補強層８６の形成方法では、半導体チップ２０上に導電接続シート１を配置する配置工程と、第１の金属材料の融点以上であり、かつ、樹脂組成物層１１、１３が変形可能な温度に導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。
【０２４５】
なお、接続端子８５と補強層８６とを形成するに際し、導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合と、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合とでは、その形成方法が若干異なる。そのため、以下では、樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合を第３実施形態とし、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合を第４実施形態として実施形態ごとに説明する。
【０２４６】
＜＜第３実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される第３実施形態では、半導体チップ２０上に導電接続シート１を配置する配置工程と、第１の金属層１２１（第１の金属材料）の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。
【０２４７】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
まず、半導体チップ２０を用意する。
【０２４８】
次いで、半導体チップ２０の端子２１側の面上に導電接続シート１を載置する。このとき、導電線接続シート１の第１の部分１５が端子２１に対応し、第２の部分１６が端子２１以外の領域に対応するように配置する。また、本実施形態では、金属層１２の第１の金属層１２１が形成されているのと反対側の面、すなわち導電接続シート１の第１の樹脂組成物層１１側の面が、半導体チップ２０と対向するように、半導体チップ２０上に導電接続シート１を載置する（図４（ａ）参照。）。
【０２４９】
そして、この状態で、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、導電接続シート１を半導体チップ２０の端子２１側の面に熱圧着させる。これにより、第１の樹脂組成物層１１が溶融状態となるため、半導体チップ２０から突出する端子２１は、第１の樹脂組成物層１１中に埋入することとなる。
【０２５０】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、インターポーザー３０上に配置された導電接続シート１（金属層１２）を、図４（ｂ）に示すように、第１の金属層１２１（第１の金属材料）の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で加熱する。
【０２５１】
導電接続シート１を加熱する温度は、前記第１実施形態の加熱工程［２］で導電接続シート１を加熱した温度と同様の温度に設定される。
【０２５２】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２（第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の双方）が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料（第１の金属材料および第２の金属材料の双方）が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２５３】
この際、硬化性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、還元されることにより除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、端子２１上に凝集し易い状態となる。
【０２５４】
さらに、たとえ端子２１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子２１間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となる。
【０２５５】
なお、第１の構成では、金属層１２が層状をなしており、導電接続シート１中には、金属材料で構成される粒子等が含まれていないため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１上に凝集する際に、その一部が端子２１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、補強層８６に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２５６】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、硬化性樹脂成分中を移動して端子２１上に選択的に凝集する。
【０２５７】
このとき、本実施形態では、前記工程［１］で説明したように、端子２１上に、第１の金属層１２１が選択的に形成されている第１の部分１５が対応するように導電接続シート１が配置されている。すなわち、端子２１が位置する領域には第１の部分１５が対応し、それ以外の領域には第２の部分１６が対応するように、半導体チップ２０上に導電接続シート１が配置されている。
【０２５８】
このことから、端子２１が位置する第１の部分１５では、第２の金属材料よりも高融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層１２１が選択的に配置されることとなる。
【０２５９】
換言すれば、端子２１上に金属材料を選択的に凝集させて接続端子８５を形成すべき第１の部分１５では第１の金属材料および第２の金属材料の双方が存在し、金属材料を残存させることなく樹脂成分を充填して補強層８６を形成すべき第２の部分１６では第２の金属材料が単独で存在することとなる。
【０２６０】
そのため、第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の双方が溶融する第１の金属層（第１の金属材料）１２１の融点よりも高い温度で導電接続シート１を加熱すると、まず、融点が低い第２の金属層１２２が溶融し、その後融点が高い第１の金属層１２１が溶融する。そのため、第２の部分１６において単独で存在する第２の金属層（第２の金属材料）１２２が、溶融状態となることで、第１の金属層１２１、すなわち第１の部分１５に向かって、樹脂組成物層１１、１３中を移動（凝集）することとなる。
【０２６１】
したがって、凝集する金属材料（溶融した第１の金属層１２１および第２の金属層１２２）をより高い選択性をもって、第１の部分１５に位置する端子２１上に凝集させることができる。そして、凝集した金属材料の量が増大するにしたがって、最終的には、凝集した金属材料により接続端子８５が形成される。
【０２６２】
すなわち、図４（ｃ）に示すように、端子２１の表面には金属材料で構成される接続端子８５が形成される。このとき、接続端子８５の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が、金属材料が混在することなく充填されて補強層８６が形成される。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性が確保されることから、隣接する接続端子８５間のショートが確実に防止されることとなる。
【０２６３】
以上のような接続端子８５および補強層８６の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１に凝集させて接続端子８５を形成し、その周囲に硬化性樹脂組成物で構成された補強層８６を形成することができる。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性を確保することができる。
【０２６４】
また、微細なピッチで複数の端子２１を有する半導体チップ２０においても端子２１に対応して複数の接続端子８５を一括して形成することが可能となる。
【０２６５】
なお、本工程［２］では、導電接続シート１と端子２１との距離を近づけるように、導電接続シート１と半導体チップ２０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図４（ｂ）中の導電接続シート１と半導体チップ２０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、導電接続シート１と端子２１との距離を一定に制御することができるため、端子２１の表面における溶融状態の金属材料の凝集能をより高めることが可能となる。
【０２６６】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０２６７】
以上のような工程［１］および工程［２］を経て、接続端子８５および補強層８６が形成される。すなわち、接続端子８５および補強層８６を形成するための、配置工程［１］および加熱工程［２］に、本発明の接続端子の形成方法が適用される。
【０２６８】
なお、本実施形態のように、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、硬化性樹脂成分を用いる場合、前記加熱工程［２］では、硬化性樹脂組成物を完全には硬化させない状態としておくのが好ましい。これにより、接続端子８５と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０に実装する際に、補強層８６を加熱することで、再度、溶融状態とすることができるようになる。
【０２６９】
以上のように、導電接続シート１を用いて半導体チップ２０に形成された端子２１に対応して接続端子８５を形成する場合、導電接続シート１の第１の部分１５が端子２１に対応し、第２の部分１６が端子２１以外の領域に対応するように、導電接続シート１を半導体チップ２０上に配置して加熱することにより、溶融状態の金属層１２が端子２１上に選択的に凝集し、その結果、接続端子８５が形成されることとなる。
【０２７０】
このような接続端子８５と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０に配置した状態で、接続端子８５と補強層８６とを加熱することにより、接続端子８５が再び溶融状態となるため、その後、このものを冷却することで、インターポーザー３０と半導体チップ２０との間に、接続部８１と封止層８０とが形成され、その結果、インターポーザー３０と半導体チップ２０とが電気的に接続される。
【０２７１】
そして、本実施形態では、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、硬化性樹脂成分が含まれ、このものが未硬化の状態のものも存在するため、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、封止層８０を固定する。これにより、接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。
【０２７２】
＜＜第４実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される第４実施形態では、半導体チップ２０上に導電接続シート１を配置する配置工程と、第１の金属層１２１の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。
【０２７３】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される本実施形態においても、樹脂組成物層１１、１３が熱硬化性樹脂組成物で構成される前記第３実施形態と同様にして、導電接続シート１を半導体チップ２０の端子２１側の面に熱圧着（配置）させる。
【０２７４】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体チップ２０上に配置された導電接続シート１（金属層１２）を、図４（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で加熱する。
【０２７５】
導電接続シート１を加熱する温度は、前記第１実施形態の加熱工程［２］で導電接続シート１を加熱した温度と同様の温度に設定される。
【０２７６】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２（第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の双方）が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料（第１の金属材料および第２の金属材料の双方）が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２７７】
この際、熱可塑性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、還元されることにより除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、端子２１上に凝集し易い状態となる。
【０２７８】
さらに、たとえ端子２１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子２１間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となる。
【０２７９】
なお、第１の構成では、金属層１２が層状をなしており、導電接続シート１中には、金属材料で構成される粒子等が含まれていないため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１上に凝集する際に、その一部が端子２１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、補強層８６に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２８０】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、熱可塑性樹脂成分中を移動して端子２１上に選択的に凝集する。
【０２８１】
このとき、本実施形態では、前記工程［１］で説明したように、端子２１上に、第１の金属層１２１が選択的に形成されている第１の部分１５が対応するように導電接続シート１が配置されている。すなわち、端子２１が位置する領域には第１の部分１５が対応し、それ以外の領域には第２の部分１６が対応するように、半導体チップ２０上に導電接続シート１が配置されている。
【０２８２】
このことから、端子２１が位置する第１の部分１５では、第２の金属材料よりも高融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層１２１が選択的に配置されることとなる。
【０２８３】
換言すれば、端子２１上に金属材料を選択的に凝集させて接続端子８５を形成すべき第１の部分１５では第１の金属材料および第２の金属材料の双方が存在し、金属材料を残存させることなく樹脂成分を充填して補強層８６を形成すべき第２の部分１６では第２の金属材料が単独で存在することとなる。
【０２８４】
そのため、第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の双方が溶融する第１の金属層（第１の金属材料）１２１の融点よりも高い温度で導電接続シート１を加熱すると、まず、融点が低い第２の金属層１２２が溶融し、その後融点が高い第１の金属層１２１が溶融する。そのため、第２の部分１６において単独で存在する第２の金属層（第２の金属材料）１２２が、溶融状態となることで、第１の金属層１２１、すなわち第１の部分１５に向かって、樹脂組成物層１１、１３中を移動（凝集）することとなる。
【０２８５】
したがって、凝集する金属材料（溶融した第１の金属層１２１および第２の金属層１２２）をより高い選択性をもって、第１の部分１５に位置する端子２１上に凝集させることができる。そして、凝集した金属材料の量が増大するにしたがって、最終的には、凝集した金属材料により接続端子８５が形成される。
【０２８６】
すなわち、図４（ｃ）に示すように、端子２１の表面には金属材料で構成される接続端子８５が形成される。この際、熱可塑性樹脂組成物が冷却されることにより、金属材料が混在することなく熱可塑性樹脂組成物が接続端子８５の周囲を取り囲んで固化することで、補強層８６が形成される。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性が確保されることから、隣接する接続端子８５間のショートが確実に防止されることとなる。
【０２８７】
以上のような接続端子８５および補強層８６の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１に凝集させて接続端子８５を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物で構成された補強層８６を形成することができる。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性を確保することができる。
【０２８８】
また、微細なピッチで複数の端子２１を有する半導体チップ２０においても端子２１に対応して複数の接続端子８５を一括して形成することが可能となる。
【０２８９】
なお、本工程［２］では、導電接続シート１と端子２１との距離を近づけるように、導電接続シート１と半導体チップ２０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図４（ｂ）中の導電接続シート１と半導体チップ２０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、導電接続シート１と端子２１との距離を一定に制御することができるため、端子２１の表面における溶融状態の金属材料の凝集能をより高めることが可能となる。
【０２９０】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０２９１】
以上のような工程［１］および工程［２］を経て、接続端子８５および補強層８６が形成される。すなわち、接続端子８５および補強層８６を形成するための、配置工程［１］および加熱工程［２］に、本発明の接続端子の形成方法が適用される。
【０２９２】
以上のように、導電接続シート１を用いて半導体チップ２０の端子２１側の面に接続端子８５を形成する場合、接続端子８５を形成しようとする部分に、導電接続シート１を配置して加熱することにより、溶融状態の金属層１２が端子２１上に選択的に凝集し、その結果、接続端子８５が形成されることとなる。
【０２９３】
このような接続端子８５と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０に配置した状態で、接続端子８５と補強層８６とを加熱することにより、接続端子８５が再び溶融状態となるため、その後、このものを冷却することで、インターポーザー３０と半導体チップ２０との間に、接続部８１と封止層８０とが形成され、その結果、インターポーザー３０と半導体チップ２０とが電気的に接続される。
【０２９４】
以上のような工程を経て、半導体チップ２０の端子２１上に、接続端子８５が形成され、この接続端子８５を取り囲むように補強層８６が形成される。
【０２９５】
なお、第３実施形態および第４実施形態では、半導体チップ２０が備える端子２１に対応するように接続端子８５を形成する場合に、本発明の接続端子の形成方法を適用する場合ついて説明したが、この場合に限定されず、各種電子機器に用いられる電子部品が備える端子（電極）上に、接続端子（バンプ）を形成する場合に適用することができ、各種電子部品としては、例えば、半導体ウエハおよびフレキシブル基板等が挙げられる。
【０２９６】
また、前記第１〜第４実施形態では、半導体チップ２０とインターポーザー３０との間に、図２に示した第１の構成の導電接続シート１を配置して接続部８１および封止層８０を形成する場合について説明したが、導電接続シートの構成は、かかる場合に限定されず、例えば、以下に示すような第２、第３の構成の導電接続シートを用いることができる。
【０２９７】
＜導電接続シート（第２の構成）＞
図５は、本発明の導電接続シートの第２の構成例を示す縦断面図、図６は、第２の構成例の導電接続シートの構成を示す平面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２９８】
以下、本発明の導電接続シートの第２の構成例である導電接続シート１００について説明するが、前述した導電接続シート１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０２９９】
導電接続シート１００では、このものが備える第２の金属層１２２の第２の部分１６における構成が異なること以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。
【０３００】
すなわち、導電接続シート１００では、第２の部分１６において、図５に示すように、第２の金属層１２２が部分的に設けられていること以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。
【０３０１】
かかる構成の導電接続シート１００によっても、前述した本発明の端子間の接続方法および本発明の接続端子の形成方法を適用して、接続部８１および接続端子８５を形成することができる。
【０３０２】
なお、この第２の構成のように、第２の部分において第２の金属層１２２が部分的に設けられていることにより、導電接続シート１００を加熱して、第２の金属層１２２を端子２１、４１同士間に凝集させる際に、この第２の金属層１２２が部分的に設けられている領域において、第２の金属層１２２を容易に分断させることができるので、端子２１、４１同士間に対する凝集力の向上を図ることができる。
【０３０３】
また、第２の金属層１２２は、第２の部分１６において、平面視で部分的に形成されていればよく、その形状は特に限定されず、一定の形状が繰り返しパターン状に形成されていてもよいし、形状が不規則であってもよいし、規則的な形状と不規則な形状とが混在していてもよい。
【０３０４】
具体的には、図６に示すように、例えば、第２の部分における第２の金属層１２２の形状としては、点線の抜き模様状（ａ）、実線の抜き模様状（ｂ）またはチェッカー模様状（ｃ）等が挙げられる。なお、これらの形状は一例であり、目的や用途に応じてこれらの形状を組み合わせたり、変形させて用いることができる。
【０３０５】
なお、上記（ａ）〜（ｃ）に示すように、第２の部分のほぼ中央で第２の金属層１２２が２つに分断される構成とすることにより、端子２１、４１同士間に対する凝集力の向上を図ることができるとともに、第２の部分に位置する第２の金属層１２２が封止層８０中に残存するのを的確に抑制または防止することができる。
【０３０６】
＜導電接続シート（第３の構成）＞
図７は、本発明の導電接続シートの第３の構成例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０３０７】
以下、本発明の導電接続シートの第３の構成例である導電接続シート１０１について説明するが、前述した導電接続シート１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０３０８】
導電接続シート１０１では、このものが備える第２の金属層１２２の構成が異なること以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。
【０３０９】
すなわち、本構成では、第２の金属層１２２は、第１の部分１５および第２の部分１６の双方に設けられることなく、第２の部分１６に対応して、選択的に設けられている。
【０３１０】
さらに、第１の金属層１２１と第２の金属層１２２とは、その厚さがほぼ等しくなっている。
【０３１１】
また、第１の金属層１２１が第１の部分１５に対応して選択的に設けられ、第２の金属層１２２が第２の部分１６に対応して選択的に設けられており、互いに相補的な形状をなしているため、それぞれを重ね合わせることにより、第１の金属層１２１と第２の金属層１２２とで、１つの層が形成されている。
【０３１２】
かかる構成の導電接続シート１０１によっても、前述した本発明の端子間の接続方法および本発明の接続端子の形成方法を適用して、接続部８１および接続端子８５を形成することができる。
【０３１３】
また、この第３の構成では、図７に示すように、第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の厚さがほぼ等しくなっている場合について説明したが、かかる限定されず、互いに異なっていても良く、前記第１の構成で説明したように、第２の金属層１２２よりも第１の金属層１２１が厚くなっているのが好ましい。これにより、溶融状態の第２の金属層１２２を、より優れた選択性をもって、第１の金属層１２１に凝集させることができるようになる。
【０３１４】
なお、本発明では、第１の部分１５に対応して選択的に第１の金属層１２１が設けられていればよく、上述した第１の構成〜第３の構成の導電接続シート１、１００、１０１に限定されず、例えば、第２の構成と第３の構成との導電接続シートを組み合わせるようにしてもよい。
【０３１５】
また、前述した第１の構成〜第３の構成の導電接続シート１、１００、１０１では、第１の金属層１２１と第２の金属層１２２とが互いに接触するように積層された積層体である場合について説明したが、これに限定されず、例えば、第１の金属層１２１と第２の金属層１２２とを個別に設けることとし、これらの間に、前記樹脂組成物層１１、１３と同様の構成の樹脂組成物層を介在させるようにしてもよい。
【０３１６】
さらに、第１の部分１５に対応して、選択的に設けられている第１の金属層１２１は、その形成領域が、必ずしも、前記第１の構成〜第３の構成で示したように、第１の部分１５の平面視形状に対して完全に一致する必要はなく、平面視において、第１の部分１５に対して、第１の金属層１２１の形成領域の少なくとも一部が重なっていればよい。
【０３１７】
具体的には、平面視における選択的に設けられた第１の金属層１２１の大きさが第１の部分１５よりも小さく、第１の金属層１２１が第１の部分１５内に形成されている場合（図８（ａ）参照）、平面視における選択的に設けられた第１の金属層１２１の大きさが第１の部分１５よりも大きく、第１の金属層１２１が第１の部分１５を包含する領域に形成されている場合（図８（ｂ）参照）、平面視における選択的に設けられた第１の金属層１２１の大きさが第１の部分１５の大きさとほぼ同様であり、第１の金属層１２１が第１の部分１５と第２の部分１６との境界線を跨ぐように形成されている場合（図８（ｃ）参照）等が挙げられる。
【０３１８】
また、本発明では、金属層１２は、第１の金属層１２１が第１の部分１５に対応して設けられている限りにおいて、平面視における、その全体形状は特に限定されるものではない。
【０３１９】
すなわち、金属層１２が、平面視で樹脂組成物層１１の一部に形成されている場合、一定の形状が繰り返しパターン状に形成されていてもよいし、形状が不規則であってもよいし、規則的な形状と不規則な形状とが混在していてもよい。
【０３２０】
具体的には、図９に示すように、樹脂組成物層１１の上に、各種形状にパターニングされた金属層１２が形成されている。例えば、金属層１２の形状としては、点線の抜き模様状（ａ）、縞模様状（ｂ）、水玉模様状（ｃ）、矩形模様状（ｄ）、チェッカー模様状（ｅ）、額縁状（ｆ）、格子模様状（ｇ）または多重の額縁状（ｈ）等が挙げられる。なお、これらの形状は一例であり、目的や用途に応じてこれらの形状を組み合わせたり、変形させて用いることができる。
【０３２１】
以上、本発明の導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法および電子機器について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０３２２】
例えば、本発明の導電接続シートの各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
【０３２３】
また、本発明の端子間の接続方法および接続端子の形成方法には、必要に応じて任意の工程が追加されてもよい。
【実施例】
【０３２４】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．評価方法
各実施例および各比較例の導電接続シートを用いて、対向する端子同士を接続するために作製した端子接続体において、端子間の接続抵抗、導通路（接続部）形成性および導通路以外の領域に位置する封止層に残存する金属層の有無を以下の方法により測定または評価した。
【０３２５】
（１）接続抵抗
得られた端子接続体中の対向する端子間の抵抗を４端子法（抵抗計：岩崎通信機（株）製、「デジタルマルチメータＶＯＡ７５１０」、測定プローブ：日置電機(株)製、「ピン型リード９７７１」）により１２点測定し、その平均値が３０ｍΩ未満の場合を「Ａ」、３０ｍΩ以上の場合を「Ｂ」と判定した。
【０３２６】
（２）導通路形成性
得られた端子接続体中の対向する端子１０組について、その端子間の断面を走査型電子顕微鏡（日本電子（株）製、「ＪＳＭ−７４０１Ｆ」）で観察し、１０組全てにおいて半田により円柱状の導通路（接続部）が形成されている場合を「Ａ」、１組でも導通路が形成されていない端子が存在する場合を「Ｂ」、隣接している端子とショート接触している場合を「Ｃ」と判定した。
【０３２７】
（３）残存金属層の有無
得られた端子接続体の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（日本電子社製、型番「ＪＳＭ−７４０１Ｆ」）で観察し、全ての金属層（金属材料）が対向する端子間の導通路形成に寄与している場合を「Ａ」、導通路形成に寄与せずに対向する端子間（接続部）以外の樹脂（封止層）中に金属層の一部が残存している場合を「Ｂ」と判定した。
【０３２８】
２．導電接続シートの作製
［実施例１］
まず、エポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、「ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ」、エポキシ当量１８５ｇ／ｅｑ、エポキシ樹脂１）を、硬化剤として、フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、「ＰＲ−５３６４７」）を、フィルム形成性樹脂として、変性ビフェノール型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、「ＹＸ−６９５４」）を、フラックス機能を有する化合物として、セバシン酸（東京化成工業社製）を、シランカップリング剤として、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、「ＫＢＭ−３０３」）を、硬化促進剤として、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、「キュアゾール２Ｐ４ＭＺ」）をそれぞれ用意した。
【０３２９】
そして、導電接続シートが備える樹脂組成物層を形成するための樹脂組成物を、表１に示すような配合比で混合することにより調製した。
【０３３０】
その後、樹脂組成物層を形成するための樹脂組成物を、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解することにより、樹脂固形分４０％の樹脂組成物のワニスを調製した。そして、得られたワニスを、コンマコーターを用いて、ポリエステルシートに塗布し、９０℃×５分間の条件で乾燥させて、ポリエステルシート上に、厚さ３０μｍの第１の樹脂組成物層を形成した。さらに、上記と同様の工程を経ることで、異なるポリエステルシート上に、厚さ３０μｍの第２の樹脂組成物層を形成した。
【０３３１】
次に、ポリエステルシート上の第１の樹脂組成物層の上面の全面に、Ｓｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）を蒸着源として用いた真空蒸着法により、厚さ５μｍになるまで第２の金属層（Ｓｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）、融点：１３９℃）を形成し、その後、第１の部分に対応する領域に開口部を有するマスクを用いて、Ｓｎ／Ｐｂ＝６３／３７（重量比）を蒸着源として用いた真空蒸着法により、第１の部分に対応して選択的に厚さ５μｍの第１の金属層（Ｓｎ／Ｐｂ＝６３／３７（重量比）、融点：１８３℃）を形成することで、第１の樹脂組成物層上に、第１の金属層と第２の金属層との積層体で構成される金属層を形成した。
【０３３２】
次に、形成した金属層と、予めポリエステルシート上に設けられた第２の樹脂組成物層とを対向した状態とし、これらを熱ロールで６０℃、０．３ＭＰａ、０．３ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートして金属層に第２の樹脂組成物層を圧着することで、金属層上に第２の樹脂組成物層１３を形成した。
【０３３３】
その後、２つのポリエステルシートを第１の樹脂組成物層および第２の樹脂組成物層からそれぞれ剥離させることにより、第１の金属層が第１の部分に対応して選択的に設けられ、第２の金属層が箔状（層状）をなし、第１の部分および第２の部分の双方にほぼ均一な厚さで設けられている実施例１の導電接続シートを得た。
【０３３４】
［実施例２、３］
第１の金属層を形成する際に用いる蒸着源と、第２の金属層を形成する際に用いる蒸着源とを、それぞれ、表１に示したものを用いたこと以外は、前記実施例１と同様にして導電接続シートを製造した。
【０３３５】
［実施例４］
まず、前記実施例１と同様にして、２つのポリエステルシート上に、それぞれ、第１の樹脂組成物層および第２の樹脂組成物層を形成した。
【０３３６】
次に、支持基材（ポリテトラフルオロエチレン）上の全面に、Ｓｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）を蒸着源として用いた真空蒸着法により、厚さ５μｍの第２の金属層（Ｓｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）、融点：１３９℃）を形成した後、回路形成時に使用する感光性レジストで被覆し、露光、現像後に、第１の部分の金属層をエッチングし、感光性レジストを剥離することで、第２の部分に対応して選択的に厚さ５μｍの第２の金属層を形成した。その後、第１の部分に対応する領域に開口部を有するマスクを用いて、Ｓｎ／Ｐｂ＝６３／３７（重量比）を蒸着源として用いた真空蒸着法により、第１の部分に対応して選択的に厚さ５μｍの第１の金属層（Ｓｎ／Ｐｂ＝６３／３７（重量比）、融点：１８３℃）を形成することで、支持基材上に、第１の部分に第１の金属層が第２の部分に第２の金属層がそれぞれ選択的に設けられた１つの層で構成される金属層を形成した。
【０３３７】
次に、支持基材上に形成した金属層を、予めポリエステルシート上に設けられた第１の樹脂組成物層に転写させることにより、第１の樹脂組成物層上に、第１の金属層と第２の金属層とが１つの層で構成される金属層を形成した。
【０３３８】
次に、第１の樹脂組成物層上に形成した金属層と、予めポリエステルシート上に設けられた第２の樹脂組成物層とを対向した状態とし、これらを熱ロールで６０℃、０．３ＭＰａ、０．３ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートして金属層に第２の樹脂組成物層を圧着することで、金属層上に第２の樹脂組成物層を形成した。
【０３３９】
その後、前記実施例１と同様にして、２つのポリエステルシートを第１の樹脂組成物層および第２の樹脂組成物層からそれぞれ剥離させることにより、第１の部分に第１の金属層が第２の部分に第２の金属層がそれぞれ選択的に設けられた１つの層で構成される実施例４の導電接続シートを得た。
【０３４０】
［実施例５、６］
第１の金属層を形成する際に用いる蒸着源と、第２の金属層を形成する際に用いる蒸着源とを、それぞれ、表１に示したものを用いたこと以外は、前記実施例４と同様にして導電接続シートを製造した。
【０３４１】
［比較例１］
まず、前記実施例１と同様にして、２つのポリエステルシート上に、それぞれ、第１の樹脂組成物層および第２の樹脂組成物層を形成した。
【０３４２】
次に、支持基材上の全面に、Ｓｎ／Ｐｂ＝６３／３７（重量比）を蒸着源として用いた真空蒸着法により、厚さ５μｍの第１の金属層（Ｓｎ／Ｐｂ＝６３／３７（重量比）、融点：１８３℃）を形成した後、回路形成時に使用する感光性レジストで被覆し、露光、現像後に、第１の部分の金属層をエッチングし、感光性レジストを剥離することで、第２の部分に対応して選択的に厚さ５μｍの第１の金属層を形成した。その後、支持基材の全面に、Ｓｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）を蒸着源として用いた真空蒸着法により、第１の部分の厚さが５μｍになるまで第２の金属層（Ｓｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）、融点：１３９℃）を形成することで、支持基材上に、第２の部分に第１の金属層が第１の部分および第２の部分の双方に第２の金属層がそれぞれ設けられた１つの層で構成される金属層を形成した。
【０３４３】
次に、支持基材上に形成した金属層を、予めポリエステルシート上に設けられた第１の樹脂組成物層に転写させることにより、第１の樹脂組成物層上に、第１の金属層と第２の金属層との積層体で構成される金属層を形成した。
【０３４４】
次に、第１の樹脂組成物層上に形成した金属層と、予めポリエステルシート上に設けられた第２の樹脂組成物層とを対向した状態とし、これらを熱ロールで６０℃、０．３ＭＰａ、０．３ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートして圧着することで、金属層上に第２の樹脂組成物層を形成した。
【０３４５】
その後、前記実施例１と同様にして、２つのポリエステルシートを第１の樹脂組成物層および第２の樹脂組成物層からそれぞれ剥離させることにより、第１の金属層が第２の部分に対応して選択的に設けられ、第２の金属層が箔状（層状）をなし、第１の部分および第２の部分の双方にほぼ均一な厚さで設けられている比較例１の導電接続シートを得た。
【０３４６】
［比較例２］
第１の金属層を形成する際に用いる蒸着源と、第２の金属層を形成する際に用いる蒸着源とを、それぞれ、表２に示したものを用いたこと、すなわち、第１の金属層を第２の金属層よりも低融点のもので構成したこと以外は、前記実施例４と同様にして導電接続シートを製造した。
【０３４７】
３．導電接続シートを用いた端子間の接続
次に、各実施例および各比較例の導電接続シートを用いて、対向する端子間の接続を行った。
【０３４８】
より詳しくは、まず、基板として、ＦＲ−４基材（厚み０．１ｍｍ）と回路層（銅回路、厚み１２μｍ）とで構成され、銅回路上にＮｉ／Ａｕメッキ（厚み３μｍ）を施して形成された接続端子（端子径１００μｍ、隣接する端子の中心間距離３００μｍ）を有するものを２つ用意した。
【０３４９】
次に、実施例および比較例ごとに、かかる構成の基板間に、各実施例および各比較例の導電接続シートを配置し、この状態で、熱圧着装置（筑波メカニクス社製、「ＴＭＶ１−２００ＡＳＢ」）を用いて、表１、２に示すような条件で熱圧着（基板間ギャップ５０μｍ）を施して、対向する端子同士の間に接続部を形成することにより、端子間を電気的に接続した。その後、１８０℃で１時間加熱することにより樹脂組成物を硬化させて端子接続体を得た。
【０３５０】
次に、得られた端子接続体について、前述した評価方法を用いて、対向する端子間の接続抵抗、端子間の導通路形成性および絶縁性領域中の残存半田の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表１、２に示す。
【０３５１】
【表１】
2012079526.tif 000005
【０３５２】
【表２】
2012079526.tif 000006
【０３５３】
表１に示したように、各実施例では、第１の部分すなわち端子に対応する部分に選択的に第１の金属層が形成されていることに起因して、第２の金属層を選択的に端子同士の間に凝集させることができ、各評価とも優れた結果が得られることが判った。
【０３５４】
これに対して、表２に示したように、各比較例では、第２の金属層を端子同士の間に選択的に凝集させることができず、その結果、各評価とも各実施例と比較して明らかに劣る結果となった。
【符号の説明】
【０３５５】
１、１００、１０１          導電接続シート
１０                        半導体装置
１１                        第１の樹脂組成物層
１２                        金属層
１２１                      第１の金属層
１２２                      第２の金属層
１３                        第２の樹脂組成物層
１５                        第１の部分
１６                        第２の部分
２０                        半導体チップ
２１                        端子
３０                        インターポーザー
４１                        端子
６５                        搭載領域
７０                        バンプ（端子）
８０                        封止層
８１                        接続部
８５                        接続端子
８６                        補強層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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