(57)【要約】【課題】シンチレータの劣化を抑制しつつ、シンチレータの温度に応じた放射線画像の撮影の制限を緩和することのできる放射線画像撮影システム、放射線画像撮影装置、およびプログラムを得る。【解決手段】コンソール１１０のＣＰＵ１１３により、シンチレータを備えた放射線検出器２０の温度を電子カセッテ４０から取得し、取得した温度に基づいて、撮影を許容する撮影部位および撮影状態の少なくとも一方を特定する。【選択図】図１２
2012071105.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射された放射線を光に変換するシンチレータ、および当該シンチレータで変換された光を検出するセンサ部を有する放射線検出器を備え、前記放射線により示される放射線画像を撮影する放射線画像撮影装置と、
前記シンチレータの温度を検出する検出手段と、
前記シンチレータの温度に応じて前記放射線画像撮影装置による撮影を許容する撮影部位および撮影状態の少なくとも一方を示す撮影情報が予め記憶された記憶手段、および前記放射線画像撮影装置により放射線画像の撮影を行う際に前記検出手段により検出された温度に基づいて、前記記憶手段に記憶された前記撮影情報から前記放射線画像撮影装置による撮影を許容する撮影部位および撮影状態の少なくとも一方を特定する特定手段を備え、前記放射線画像撮影装置の動作を制御する制御装置と、
を有する放射線画像撮影システム。
【請求項２】
前記検出手段は、前記センサ部に発生する暗電流に基づいて前記シンチレータの温度を検出する
請求項１記載の放射線画像撮影システム。
【請求項３】
前記制御装置は、前記特定手段による特定結果が実際の撮影状況と一致しない場合に警告を行う警告手段をさらに備えた
請求項１または請求項２記載の放射線画像撮影システム。
【請求項４】
前記特定手段は、少なくとも前記撮影状態を特定し、
前記制御装置は、前記特定手段により特定された撮影状態が実際の撮影状態と一致しない場合で、かつ代替の撮影状態がある場合に、当該代替の撮影状態を提示する提示手段をさらに備えた
請求項１から請求項３の何れか１項記載の放射線画像撮影システム。
【請求項５】
前記撮影状態は、臥位での撮影および立位での撮影を含む
請求項１から請求項４の何れか１項記載の放射線画像撮影システム。
【請求項６】
前記センサ部は、前記シンチレータで発生した光を受光することにより電荷が発生する有機光電変換材料を含んで構成されている
請求項１から請求項５の何れか１項記載の放射線画像撮影システム。
【請求項７】
前記放射線検出器は、被写体を透過した放射線が透過する透過面を有する天板の前記放射線が入射される面の反対側の面に直接的に取り付けられている
請求項１から請求項６の何れか１項記載の放射線画像撮影システム。
【請求項８】
前記シンチレータは、ヨウ化セシウムを含んで構成され、
前記放射線検出器は、前記放射線が前記センサ部、前記シンチレータの順に入射されるように積層されている
請求項７記載の放射線画像撮影システム。
【請求項９】
前記放射線検出器は、前記天板に離間可能に取り付けられている
請求項７または請求項８記載の放射線画像撮影システム。
【請求項１０】
前記放射線画像撮影装置は、
前記放射線検出器と前記天板との間に内部空間が形成されるように前記放射線検出器を前記天板に対して接着する接着部材と、
前記内部空間および外部を連通すると共に、外部から前記内部空間への異物の混入を阻止する通気手段と、
をさらに備えた請求項７から請求項９の何れか１項記載の放射線画像撮影システム。
【請求項１１】
前記天板は、前記放射線検出器を収容する筐体の一部を構成する
請求項７から請求項１０の何れか１項記載の放射線画像撮影システム。
【請求項１２】
前記シンチレータは、ヨウ化セシウムを含んで構成されている
請求項１から請求項７の何れか１項記載の放射線画像撮影システム。
【請求項１３】
入射された放射線を光に変換するシンチレータ、および当該シンチレータで変換された光を検出するセンサ部を有する放射線検出器と、
前記シンチレータの温度を検出する検出手段と、
前記シンチレータの温度に応じて前記放射線検出器による撮影を許容する撮影部位および撮影状態の少なくとも一方を示す撮影情報が予め記憶された記憶手段と、
前記放射線検出器により放射線画像の撮影を行う際に前記検出手段により検出された温度に基づいて、前記記憶手段に記憶された前記撮影情報から前記放射線検出器による撮影を許容する撮影部位および撮影状態の少なくとも一方を特定する特定手段と、
を備えた放射線画像撮影装置。
【請求項１４】
コンピュータを、
入射された放射線を光に変換するシンチレータ、および当該シンチレータで変換された光を検出するセンサ部を有する放射線検出器を備え、前記放射線により示される放射線画像を撮影する放射線画像撮影装置における前記シンチレータの温度を、前記センサ部に発生する暗電流に基づいて検出する検出手段と、
前記放射線画像撮影装置により放射線画像の撮影を行う際に前記検出手段により検出された温度に基づいて、前記放射線画像撮影装置による撮影を許容する撮影部位および撮影状態の少なくとも一方を特定する特定手段と、
として機能させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像撮影システム、放射線画像撮影装置、およびプログラムに係り、特に、撮影対象を透過した放射線により示される放射線画像を撮影する放射線画像撮影システム、放射線画像撮影装置、およびプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、放射線を直接デジタルデータに変換できるＦＰＤ（Flat Panel Detector）等の放射線検出器が実用化されている。この放射線検出器を用いた放射線画像撮影装置は、従来のＸ線フイルムやイメージングプレートを用いた放射線画像撮影装置に比べて、即時に画像を確認でき、連続的に放射線画像の撮影を行う透視撮影（動画撮影）も行うことができるといったメリットがある。
【０００３】
この種の放射線検出器は、種々のタイプのものが提案されており、例えば、放射線を一度ＣｓＩ：Ｔｌ、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）などのシンチレータで光に変換し、変換した光をフォトダイオードなどのセンサ部で電荷に変換して蓄積する間接変換方式がある。放射線画像撮影装置では、放射線検出器に蓄積された電荷を電気信号として読み出し、読み出した電気信号をアンプで増幅した後にＡ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換部でデジタルデータに変換している。
【０００４】
この種の放射線画像撮影装置に関する技術として、特許文献１には、被写体を透過した放射線を検出し、放射線画像情報に変換する放射線変換パネルと、前記放射線変換パネルによって検出された放射線画像情報を記憶するメモリと、少なくとも前記放射線変換パネルと前記メモリを制御する制御部と、これら放射線変換パネル、前記メモリ、前記制御部に電源を供給するバッテリと、少なくとも前記放射線変換パネルの温度を検出する温度センサとを有する放射線検出カセッテと、前記被写体に向けて放射線を放射する撮影装置と、前記放射線検出カセッテと情報のやり取りを行って前記撮影装置を制御するホストコンピュータとを有する放射線画像撮影システムにおいて、前記放射線検出カセッテの前記制御部は、前記ホストコンピュータからの撮影条件に関する情報を受け取る手段と、前記メモリの空き容量を検出する容量検出手段と、前記バッテリの残量を検知する残量検知手段と、前記容量検出手段、前記残量検知手段および前記温度センサの結果と、受け取った前記撮影条件に関する情報とに基づいて前記放射線検出カセッテの使用許可／禁止を判別する判別手段と、を有することを特徴とする放射線画像撮影システムが開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、被写体を透過した放射線を検出して放射線画像情報に変換する放射線変換パネルと、前記放射線変換パネルの温度を検出する温度検出手段と、前記温度に基づいて前記放射線変換パネルでの感度、暗電流、濃度段差および残像のうち少なくとも１つを補正する補正手段と、を有することを特徴とする放射線検出装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２８３７３号公報
【特許文献２】特開２０１０−７５６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、放射線画像撮影装置では、撮影面に撮影対象とする部位が配置された状態で放射線画像の撮影が行われるため、当該撮影の際に撮影面に対して荷重がかかる。従って、特に撮影面を構成する天板に放射線検出器を直接取り付けた場合や、当該天板に放射線検出器を支持させた場合等には、放射線検出器にも荷重がかかる結果、放射線検出器が歪むことになる。
【０００８】
一方、間接変換方式の放射線検出器では、入射される放射線をシンチレータで光に変換しているが、当該シンチレータは温度が高くなるほど、歪みによる劣化が進行しやすくなる。
【０００９】
なお、シンチレータの劣化は、具体的にはシンチレータにクラックが発生することであるが、当該クラックが発生することにより、一例として図２２に示すように、その発生位置や大きさに応じて、感度の低下、撮影された画像のボケや欠陥画像等を招くことになる。この際、シンチレータで変換した光を電荷に変換するフォトダイオード等のセンサ部に近い位置で発生したクラックほど画質への影響は大きい。
【００１０】
従来型の可搬型の放射線画像撮影装置（以下、「電子カセッテ」ともいう。）では、一例として図２３（Ａ）に示すように、シンチレータが電子カセッテの筐体における天板から離間していたため、シンチレータに荷重がかかり難く、シンチレータの歪みを問題視する必要はなかった。これに対し、今後の電子カセッテでは、一例として図２３（Ｂ）に示すように、電子カセッテの薄型化を目的として、放射線検出器を天板に取り付ける形態が採用されることが予想され、特にシンチレータとしてＣｓＩを含むものを適用したり、センサ部を構成する基板としてフレキシブル基板が採用されたりした場合等には、荷重によるシンチレータの歪みに起因する劣化が重要な課題となってくる。
【００１１】
したがって、間接変換方式の放射線検出器を用いた放射線画像撮影装置では、シンチレータの温度が比較的高い場合には、放射線画像の撮影を行わないことがシンチレータの劣化を抑制するうえで好ましいが、これではシンチレータの温度によっては放射線画像の撮影を行うことができない場合がある、という問題点があった。
【００１２】
これに対し、上記特許文献１に開示されている技術でも、放射線変換パネルの温度に応じて放射線検出カセッテの使用を禁止することはできるものの、この場合には放射線画像の撮影を行うことができない、という問題点があった。
【００１３】
なお、上記特許文献２に開示されている技術では、放射線画像の撮影を行うことはできるものの、シンチレータの劣化を抑制することはできない、という問題点があった。
【００１４】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、シンチレータの劣化を抑制しつつ、シンチレータの温度に応じた放射線画像の撮影の制限を緩和することのできる放射線画像撮影システム、放射線画像撮影装置、およびプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の放射線画像撮影システムは、入射された放射線を光に変換するシンチレータ、および当該シンチレータで変換された光を検出するセンサ部を有する放射線検出器を備え、前記放射線により示される放射線画像を撮影する放射線画像撮影装置と、前記シンチレータの温度を検出する検出手段と、前記シンチレータの温度に応じて前記放射線画像撮影装置による撮影を許容する撮影部位および撮影状態の少なくとも一方を示す撮影情報が予め記憶された記憶手段、および前記放射線画像撮影装置により放射線画像の撮影を行う際に前記検出手段により検出された温度に基づいて、前記記憶手段に記憶された前記撮影情報から前記放射線画像撮影装置による撮影を許容する撮影部位および撮影状態の少なくとも一方を特定する特定手段を備え、前記放射線画像撮影装置の動作を制御する制御装置と、を有している。
【００１６】
請求項１記載の放射線画像撮影システムによれば、入射された放射線を光に変換するシンチレータ、および当該シンチレータで変換された光を検出するセンサ部を有する放射線検出器を備えた放射線画像撮影装置により、前記放射線により示される放射線画像が撮影される。
【００１７】
ここで、本発明では、前記放射線画像撮影装置の動作を制御する制御装置により、前記シンチレータの温度に応じて前記放射線画像撮影装置による撮影を許容する撮影部位および撮影状態の少なくとも一方を示す撮影情報が記憶手段によって予め記憶され、特定手段により、前記放射線画像撮影装置によって放射線画像の撮影を行う際に検出手段により検出された前記シンチレータの温度に基づいて、前記記憶手段に記憶された前記撮影情報から前記放射線画像撮影装置による撮影を許容する撮影部位および撮影状態の少なくとも一方が特定される。
【００１８】
このように、請求項１に記載の放射線画像撮影システムによれば、シンチレータの温度に基づいて、当該シンチレータの温度に応じて予め定められた撮影を許容する撮影部位および撮影状態の少なくとも一方を特定しているので、特定した撮影部位および撮影状態の少なくとも一方を適用して放射線画像の撮影を行うことにより、シンチレータの劣化を抑制しつつ、シンチレータの温度に応じた放射線画像の撮影の制限を緩和することができる。
【００１９】
なお、本発明は、請求項２に記載の発明のように、前記検出手段が、前記センサ部に発生する暗電流に基づいて前記シンチレータの温度を検出してもよい。これにより、前記検出手段として温度センサを用いる場合に比較して、より低コスト化することができる。
【００２０】
また、本発明は、請求項３に記載の発明のように、前記制御装置が、前記特定手段による特定結果が実際の撮影状況と一致しない場合に警告を行う警告手段をさらに備えてもよい。これにより、ユーザにとっての利便性を、より向上させることができる。
【００２１】
また、本発明は、請求項４に記載の発明のように、前記特定手段が、少なくとも前記撮影状態を特定し、前記制御装置が、前記特定手段により特定された撮影状態が実際の撮影状態と一致しない場合で、かつ代替の撮影状態がある場合に、当該代替の撮影状態を提示する提示手段をさらに備えてもよい。これにより、ユーザにとっての利便性を、より向上させることができる。なお、上記提示手段による提示には、表示装置による可視表示による提示、音声装置による可聴表示による提示、および画像形成装置による永久可視表示による提示が含まれる。
【００２２】
また、本発明は、請求項５に記載の発明のように、前記撮影状態が、臥位での撮影および立位での撮影を含んでもよい。これにより、これらの撮影を行う形態において、シンチレータの劣化を抑制しつつ、シンチレータの温度に応じた放射線画像の撮影の制限を緩和することができる。
【００２３】
なお、本発明では、立位での撮影においては、撮影台で撮影しても手で持って撮影しても荷重がかかり難いので、シンチレータの温度とは無関係に放射線画像撮影装置において想定される全ての撮影を許容するものとしてもよい。また、臥位での撮影の場合にも、放射線画像撮影装置を、当該放射線画像撮影装置の代わりに撮影対象による荷重を受けることのできる保持部に保持されていることを条件に、シンチレータの温度とは無関係に放射線画像撮影装置において想定される全ての撮影を許容するものとしてもよい。さらに、臥位での撮影において、放射線画像撮影装置を上記保持部に保持させない場合であっても、放射線画像撮影装置の代わりに撮影対象による荷重を受けることのできる外部強化筐体（所謂ジャケット）と放射線画像撮影装置とが一体構成されていることを条件として、シンチレータの温度とは無関係に放射線画像撮影装置において想定される全ての撮影を許容するものとしてもよい。
【００２４】
また、本発明は、請求項６に記載の発明のように、前記センサ部が、前記シンチレータで発生した光を受光することにより電荷が発生する有機光電変換材料を含んで構成されていてもよい。これにより、放射線画像撮影装置の耐衝撃性を向上させることができる。
【００２５】
また、本発明は、請求項７に記載の発明のように、前記放射線検出器が、被写体を透過した放射線が透過する透過面を有する天板の前記放射線が入射される面の反対側の面に直接的に取り付けられていてもよい。これにより、放射線画像撮影装置の耐衝撃性を向上させることができる。
【００２６】
ここで、請求項７に記載の発明は、前記天板が、強化繊維樹脂を含む材料により構成されていてもよい。これにより、天板をカーボン単体等で構成した場合に比較して、天板の強度を高くすることができる。
【００２７】
特に、本発明は、前記強化繊維樹脂が、炭素繊維強化プラスチックであるものとしてもよい。これにより、天板をカーボン単体等で構成した場合に比較して、天板の熱伝導性を高くすることができる結果、放射線検出器により得られた放射線画像の温度むらに起因する画像むらを抑制することができる。
【００２８】
ところで、シンチレータの劣化（クラック）は、シンチレータがＣｓＩを含み、かつ放射線検出器において放射線がセンサ部、シンチレータの順に入射される、所謂表面読取方式とされている態様において特に問題となる。
【００２９】
そこで、請求項７に記載の発明は、請求項８に記載の発明のように、前記シンチレータが、ヨウ化セシウムを含んで構成され、前記放射線検出器が、前記放射線が前記センサ部、前記シンチレータの順に入射されるように積層されていてもよい。これにより、上記態様においても、本発明の効果を得ることができる。
【００３０】
また、請求項７または請求項８に記載の発明は、請求項９に記載の発明のように、前記放射線検出器が、前記天板に離間可能に取り付けられていてもよい。これにより、効率的に筐体の交換を行うことができる。
【００３１】
また、請求項７から請求項９の何れか１項に記載の発明は、請求項１０に記載の発明のように、前記放射線画像撮影装置が、前記放射線検出器と前記天板との間に内部空間が形成されるように前記放射線検出器を前記天板に対して接着する接着部材と、前記内部空間および外部を連通すると共に、外部から前記内部空間への異物の混入を阻止する通気手段と、をさらに備えてもよい。
【００３２】
本発明によれば、接着部材を用いて放射線検出器および天板の間に内部空間が形成されるように放射線検出器を天板に接着しているので、放射線検出器および天板に対する接着部材の接触面に空気が残存していても、その残存していた空気を内部空間に逃がすことができる。また、通気手段にて内部空間と外部とが連通しているので、気圧が変化した場合でも、内部空間の圧力と外部の気圧とを一定に保つことができる。そのため、気圧変化によって天板に対する放射線検出器の接着性が低下することを防止することができる。
【００３３】
また、通気手段は、外部から内部空間への異物の混入を阻止するので、前記内部空間に放射線を吸収する金属片等の異物が混入して放射線画像に表示される懸念を排除することができる。従って、放射線画像の品質低下に繋がる異物混入を抑えることができる。
【００３４】
特に、請求項１０に記載の発明は、前記通気手段が、前記接着部材に形成されて前記内部空間および外部を曲がった状態で連通する連通路であってもよい。
【００３５】
本発明によれば、連通路が曲がっているので、外部から連通路に空気と共に異物が流入した場合でも、前記異物が内部空間に混入することを防止することができる。なぜなら、異物の質量が空気の質量よりも大きいので、連通路の曲がっている部位を流通する空気の流れに前記異物が追従することはできないからである。また、連通路が接着部材に形成されているので、前記異物が連通路の壁面に付着し易くなる。従って、連通路の曲がっている部位で空気の流れに追従できなくなった異物が接着性を持った連通路の壁面で確実に捕捉される。これにより、内部空間への異物の混入をより一層確実に防止することができる。
【００３６】
さらに、請求項７から請求項１０の何れか１項記載の発明は、請求項１１に記載の発明のように、前記天板が、前記放射線検出器を収容する筐体の一部を構成してもよい。これにより、天板を筐体とは別に構成する場合に比較して、より簡易に天板を構成することができる。
【００３７】
また、請求項１から請求項７の何れか１項記載の発明は、請求項１２に記載の発明のように、前記シンチレータが、ヨウ化セシウムを含んで構成されていてもよい。これにより、荷重によるヨウ化セシウムの柱状結晶間の接触の発生を未然に防止することができる結果、より効果的にシンチレータの劣化を抑制することができる。
【００３８】
一方、上記目的を達成するために、請求項１３に記載の放射線画像撮影装置は、入射された放射線を光に変換するシンチレータ、および当該シンチレータで変換された光を検出するセンサ部を有する放射線検出器と、前記シンチレータの温度を検出する検出手段と、前記シンチレータの温度に応じて前記放射線検出器による撮影を許容する撮影部位および撮影状態の少なくとも一方を示す撮影情報が予め記憶された記憶手段と、前記放射線検出器により放射線画像の撮影を行う際に前記検出手段により検出された温度に基づいて、前記記憶手段に記憶された前記撮影情報から前記放射線検出器による撮影を許容する撮影部位および撮影状態の少なくとも一方を特定する特定手段と、を備えている。
【００３９】
従って、本発明によれば、請求項１に記載の発明と同様に作用するので、請求項１に記載の発明と同様に、シンチレータの劣化を抑制しつつ、シンチレータの温度に応じた放射線画像の撮影の制限を緩和することができる。
【００４０】
一方、上記目的を達成するために、請求項１４に記載のプログラムは、コンピュータを、入射された放射線を光に変換するシンチレータ、および当該シンチレータで変換された光を検出するセンサ部を有する放射線検出器を備え、前記放射線により示される放射線画像を撮影する放射線画像撮影装置における前記シンチレータの温度を、前記センサ部に発生する暗電流に基づいて検出する検出手段と、前記放射線画像撮影装置により放射線画像の撮影を行う際に前記検出手段により検出された温度に基づいて、前記放射線画像撮影装置による撮影を許容する撮影部位および撮影状態の少なくとも一方を特定する特定手段と、として機能させるためのものである。
【００４１】
従って、本発明によれば、コンピュータを請求項１に記載の発明と同様に作用させることができるので、請求項１に記載の発明と同様に、シンチレータの劣化を抑制しつつ、シンチレータの温度に応じた放射線画像の撮影の制限を緩和することができる。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、シンチレータの劣化を抑制しつつ、シンチレータの温度に応じた放射線画像の撮影の制限を緩和することができる、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】実施の形態に係る放射線情報システムの構成を示すブロック図である。
【図２】実施の形態に係る放射線画像撮影システムの放射線撮影室における各装置の配置状態の一例を示す側面図である。
【図３】実施の形態に係る放射線検出器の３画素部分の概略構成を示す断面模式図である。
【図４】実施の形態に係る放射線検出器の１画素部分の信号出力部の構成を概略的に示した断面側面図である。
【図５】実施の形態に係る放射線検出器の構成を示す概略平面図である。
【図６】実施の形態に係る電子カセッテの構成を示す斜視図である。
【図７】実施の形態に係るシンチレータの構成を示す概略平面図である。
【図８】実施の形態に係る電子カセッテの構成を示す断面側面図である。
【図９】実施の形態に係る電子カセッテの筐体の内部構成を示す断面底面図である。
【図１０】実施の形態に係る電子カセッテの筐体の内部構成を示す一部拡大断面底面図である。
【図１１】実施の形態に係る電子カセッテにおいて放射線検出器を天板から剥離する状態を示す説明図である。
【図１２】実施の形態に係る放射線画像撮影システムの電気系の要部構成を示すブロック図である。
【図１３】実施の形態に係る撮影情報の構成を示す模式図である。
【図１４】第１の実施の形態に係る放射線画像撮影処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。
【図１５】実施の形態に係る初期情報入力画面の一例を示す概略図である。
【図１６】実施の形態に係る警告画面の一例を示す概略図である。
【図１７】第１の実施の形態に係る温度情報送信処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。
【図１８】第２の実施の形態に係る放射線画像撮影処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。
【図１９】第２の実施の形態に係る暗電流情報送信処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。
【図２０】放射線検出器への放射線の表面読取方式と裏面読取方式を説明するための断面側面図である。
【図２１】実施の形態に係る電子カセッテの筐体の内部構成の変形例を示す一部拡大断面底面図である。
【図２２】課題の説明に供する模式図（概略側面図）である。
【図２３】課題の説明に供する模式図（概略側面図）である。
【図２４】各種材料の感度特性の一例を示すグラフである。
【図２５】各種材料の感度特性の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、ここでは、本発明を、病院における放射線科部門で取り扱われる情報を統括的に管理するシステムである放射線情報システムに適用した場合の形態例について説明する。
【００４５】
［第１の実施の形態］
まず、図１を参照して、本実施の形態に係る放射線情報システム（以下、「ＲＩＳ」（Radiology Information System）と称する。）１００の構成について説明する。
【００４６】
ＲＩＳ１００は、放射線科部門内における、診療予約、診断記録等の情報管理を行うためのシステムであり、病院情報システム（以下、「ＨＩＳ」（Hospital Information System）と称する。）の一部を構成する。
【００４７】
ＲＩＳ１００は、複数台の撮影依頼端末装置（以下、「端末装置」と称する。）１４０、ＲＩＳサーバ１５０、および病院内の放射線撮影室（あるいは手術室）の個々に設置された放射線画像撮影システム（以下、「撮影システム」と称する。）１０４を有しており、これらが有線や無線のＬＡＮ（Local Area Network）等から成る病院内ネットワーク１０２に各々接続されて構成されている。なお、ＲＩＳ１００は、同じ病院内に設けられたＨＩＳの一部を構成しており、病院内ネットワーク１０２には、ＨＩＳ全体を管理するＨＩＳサーバ（図示省略。）も接続されている。
【００４８】
端末装置１４０は、医師や放射線技師が、診断情報や施設予約の入力、閲覧等を行うためのものであり、放射線画像の撮影依頼や撮影予約もこの端末装置１４０を介して行われる。各端末装置１４０は、表示装置を有するパーソナル・コンピュータを含んで構成され、ＲＩＳサーバ１５０と病院内ネットワーク１０２を介して相互通信が可能とされている。
【００４９】
一方、ＲＩＳサーバ１５０は、各端末装置１４０からの撮影依頼を受け付け、撮影システム１０４における放射線画像の撮影スケジュールを管理するものであり、データベース１５０Ａを含んで構成されている。
【００５０】
データベース１５０Ａは、患者（被検者）の属性情報（氏名、性別、生年月日、年齢、血液型、体重、患者ＩＤ（Identification）等）、病歴、受診歴、過去に撮影した放射線画像等の患者に関する情報、撮影システム１０４で用いられる、後述する電子カセッテ４０の識別番号（ＩＤ情報）、型式、サイズ、感度、使用開始年月日、使用回数等の電子カセッテ４０に関する情報、および電子カセッテ４０を用いて放射線画像を撮影する環境、すなわち、電子カセッテ４０を使用する環境（一例として、放射線撮影室や手術室等）を示す環境情報を含んで構成されている。
【００５１】
撮影システム１０４は、ＲＩＳサーバ１５０からの指示に応じて医師や放射線技師の操作により放射線画像の撮影を行う。撮影システム１０４は、放射線源１２１（図２も参照。）から曝射条件に従った線量とされた放射線Ｘ（図６も参照。）を被検者に照射する放射線発生装置１２０と、被検者の撮影部位を透過した放射線Ｘを吸収して電荷を発生し、発生した電荷量に基づいて放射線画像を示す画像情報を生成する放射線検出器２０（図６も参照。）を内蔵する電子カセッテ４０と、電子カセッテ４０に内蔵されているバッテリを充電するクレードル１３０と、電子カセッテ４０および放射線発生装置１２０を制御するコンソール１１０と、を備えている。
【００５２】
コンソール１１０は、ＲＩＳサーバ１５０からデータベース１５０Ａに含まれる各種情報を取得して後述するＨＤＤ１１６（図１２参照。）に記憶し、必要に応じて当該情報を用いて、電子カセッテ４０および放射線発生装置１２０の制御を行う。
【００５３】
図２には、本実施の形態に係る撮影システム１０４の放射線撮影室１８０における各装置の配置状態の一例が示されている。
【００５４】
同図に示すように、放射線撮影室１８０には、立位での放射線撮影を行う際に用いられる立位台１６０と、臥位での放射線撮影を行う際に用いられる臥位台１６４とが設置されており、立位台１６０の前方空間は立位での放射線撮影を行う際の被検者の撮影位置１７０とされ、臥位台１６４の上方空間は臥位での放射線撮影を行う際の被検者の撮影位置１７２とされている。
【００５５】
立位台１６０には電子カセッテ４０を保持する保持部１６２が設けられており、立位での放射線画像の撮影を行う際には、電子カセッテ４０が保持部１６２に保持される。同様に、臥位台１６４には電子カセッテ４０を保持する保持部１６６が設けられており、臥位での放射線画像の撮影を行う際には、電子カセッテ４０が保持部１６６に保持される。
【００５６】
また、放射線撮影室１８０には、単一の放射線源１２１からの放射線によって立位での放射線撮影も臥位での放射線撮影も可能とするために、放射線源１２１を、水平な軸回り（図２の矢印ａ方向）に回動可能で、鉛直方向（図２の矢印ｂ方向）に移動可能で、さらに水平方向（図２の矢印ｃ方向）に移動可能に支持する支持移動機構１２４が設けられている。ここで、支持移動機構１２４は、放射線源１２１を水平な軸回りに回動させる駆動源と、放射線源１２１を鉛直方向に移動させる駆動源と、放射線源１２１を水平方向に移動させる駆動源を各々備えている（何れも図示省略。）。
【００５７】
一方、クレードル１３０には、電子カセッテ４０を収納可能な収容部１３０Ａが形成されている。
【００５８】
電子カセッテ４０は、未使用時にはクレードル１３０の収容部１３０Ａに収納された状態で内蔵されているバッテリに充電が行われ、放射線画像の撮影時には放射線技師等によってクレードル１３０から取り出され、撮影姿勢が立位であれば立位台１６０の保持部１６２に保持され、撮影姿勢が臥位であれば臥位台１６４の保持部１６６に保持される。
【００５９】
ここで、本実施の形態に係る撮影システム１０４では、放射線発生装置１２０とコンソール１１０との間、および電子カセッテ４０とコンソール１１０との間で、無線通信によって各種情報の送受信を行う。
【００６０】
なお、電子カセッテ４０は、立位台１６０の保持部１６２や臥位台１６４の保持部１６６で保持された状態のみで使用されるものではなく、その可搬性から、腕部，脚部等を撮影する際には、保持部に保持されていない状態で使用することもできる。
【００６１】
次に、本実施の形態に係る放射線検出器２０の構成について説明する。図３は、本実施の形態に係る放射線検出器２０の３画素部分の構成を概略的に示す断面模式図である。
【００６２】
同図に示すように、本実施の形態に係る放射線検出器２０は、絶縁性の基板１上に、信号出力部１４、センサ部１３、およびシンチレータ８が順次積層しており、信号出力部１４、センサ部１３により画素部が構成されている。画素部は、基板１上に複数配列されており、各画素部における信号出力部１４とセンサ部１３とが重なりを有するように構成されている。
【００６３】
シンチレータ８は、センサ部１３上に透明絶縁膜７を介して形成されており、上方（基板１の反対側）または下方から入射してくる放射線を光に変換して発光する蛍光体を成膜したものである。このようなシンチレータ８を設けることで、被写体を透過した放射線を吸収して発光することになる。
【００６４】
シンチレータ８が発する光の波長域は、可視光域（波長３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ）であることが好ましく、この放射線検出器２０によってモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。
【００６５】
シンチレータ８に用いる蛍光体としては、具体的には、放射線としてＸ線を用いて撮像する場合、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を含むものが好ましく、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４２０ｎｍ〜７００ｎｍにあるＣｓＩ（Ｔｌ）（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）を用いることが特に好ましい。なお、ＣｓＩ（Ｔｌ）の可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。
【００６６】
シンチレータ８は、例えば、ＣｓＩ（Ｔｌ）等の柱状結晶で形成しようとする場合、蒸着基板への蒸着によって形成されてもよい。このように蒸着によってシンチレータ８を形成する場合、蒸着基板は、Ｘ線の透過率、コストの面からＡｌの板がよく使用されるがこれに限定されるものではない。なお、シンチレータ８としてＧＯＳを用いる場合、蒸着基板を用いずに、後述するＴＦＴ基板３０の表面にＧＯＳを塗布することにより、シンチレータ８を形成してもよい。
【００６７】
センサ部１３は、上部電極６、下部電極２、および当該上下の電極間に配置された光電変換膜４を有し、光電変換膜４は、シンチレータ８が発する光を吸収して電荷が発生する有機光電変換材料により構成されている。
【００６８】
上部電極６は、シンチレータ８により生じた光を光電変換膜４に入射させる必要があるため、少なくともシンチレータ８の発光波長に対して透明な導電性材料で構成することが好ましく、具体的には、可視光に対する透過率が高く、抵抗値が小さい透明導電性酸化物（TCO;Transparent Conducting Oxide）を用いることが好ましい。なお、上部電極６としてＡｕなどの金属薄膜を用いることもできるが、透過率を９０％以上得ようとすると抵抗値が増大し易いため、ＴＣＯの方が好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ２等を好ましく用いることができ、プロセス簡易性、低抵抗性、透明性の観点からはＩＴＯが最も好ましい。なお、上部電極６は、全画素部で共通の一枚構成としてもよく、画素部毎に分割してもよい。
【００６９】
光電変換膜４は、有機光電変換材料を含み、シンチレータ８から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。このように有機光電変換材料を含む光電変換膜４であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ８による発光以外の電磁波が光電変換膜４に吸収されることがほとんどなく、Ｘ線等の放射線が光電変換膜４で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。
【００７０】
光電変換膜４を構成する有機光電変換材料は、シンチレータ８で発光した光を最も効率よく吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ８の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ８の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ８から発された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ８の放射線に対する発光ピーク波長との差が、１０ｎｍ以内であることが好ましく、５ｎｍ以内であることがより好ましい。
【００７１】
このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物およびフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は５６０ｎｍであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ８の材料としてＣｓＩ（Ｔｌ）を用いれば、上記ピーク波長の差を５ｎｍ以内にすることが可能となり、光電変換膜４で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。
【００７２】
次に、本実施の形態に係る放射線検出器２０に適用可能な光電変換膜４について具体的に説明する。
【００７３】
本実施の形態に係る放射線検出器２０における電磁波吸収／光電変換部位は、１対の電極２，６と、当該電極２，６間に挟まれた有機光電変換膜４を含む有機層により構成することができる。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、および層間接触改良部位等の積み重ね、もしくは混合により形成することができる。
【００７４】
上記有機層は、有機ｐ型化合物または有機ｎ型化合物を含有することが好ましい。
【００７５】
有機ｐ型半導体（化合物）は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体（化合物）であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは２つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。
【００７６】
有機ｎ型半導体（化合物）は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体（化合物）であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、２つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。
【００７７】
この有機ｐ型半導体および有機ｎ型半導体として適用可能な材料、および光電変換膜４の構成については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。なお、光電変換膜４は、さらにフラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成してもよい。
【００７８】
光電変換膜４の厚みは、シンチレータ８からの光を吸収する点では膜厚は大きいほど好ましいが、ある程度以上厚くなると光電変換膜４の両端から印加されるバイアス電圧により光電変換膜４に発生する電界の強度が低下して電荷が収集できなくなるため、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは、５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、特に好ましくは８０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【００７９】
なお、図３に示す放射線検出器２０では、光電変換膜４は、全画素部で共通の一枚構成であるが、画素部毎に分割してもよい。
【００８０】
下部電極２は、画素部毎に分割された薄膜とする。下部電極２は、透明または不透明の導電性材料で構成することができ、アルミニウム、銀等を好適に用いることができる。
【００８１】
下部電極２の厚みは、例えば、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることができる。
【００８２】
センサ部１３では、上部電極６と下部電極２の間に所定のバイアス電圧を印加することで、光電変換膜４で発生した電荷（正孔、電子）のうちの一方を上部電極６に移動させ、他方を下部電極２に移動させることができる。本実施の形態の放射線検出器２０では、上部電極６に配線が接続され、この配線を介してバイアス電圧が上部電極６に印加されるものとする。また、バイアス電圧は、光電変換膜４で発生した電子が上部電極６に移動し、正孔が下部電極２に移動するように極性が決められているものとするが、この極性は逆であってもよい。
【００８３】
各画素部を構成するセンサ部１３は、少なくとも下部電極２、光電変換膜４、および上部電極６を含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜３および正孔ブロッキング膜５の少なくともいずれかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。
【００８４】
電子ブロッキング膜３は、下部電極２と光電変換膜４との間に設けることができ、下部電極２と上部電極６間にバイアス電圧を印加したときに、下部電極２から光電変換膜４に電子が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。
【００８５】
電子ブロッキング膜３には、電子供与性有機材料を用いることができる。
【００８６】
実際に電子ブロッキング膜３に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜４の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上電子親和力（Ｅａ）が大きく、かつ、隣接する光電変換膜４の材料のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）と同等のＩｐもしくはそれより小さいＩｐを持つものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。
【００８７】
電子ブロッキング膜３の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部１３の光電変換効率の低下を防ぐため、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００８８】
正孔ブロッキング膜５は、光電変換膜４と上部電極６との間に設けることができ、下部電極２と上部電極６間にバイアス電圧を印加したときに、上部電極６から光電変換膜４に正孔が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。
【００８９】
正孔ブロッキング膜５には、電子受容性有機材料を用いることができる。
【００９０】
正孔ブロッキング膜５の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部１３の光電変換効率の低下を防ぐため、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００９１】
実際に正孔ブロッキング膜５に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜４の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）が大きく、かつ、隣接する光電変換膜４の材料の電子親和力（Ｅａ）と同等のＥａもしくはそれより大きいＥａを持つものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。
【００９２】
なお、光電変換膜４で発生した電荷のうち、正孔が上部電極６に移動し、電子が下部電極２に移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜３と正孔ブロッキング膜５の位置を逆にすればよい。また、電子ブロッキング膜３と正孔ブロッキング膜５は両方設けなくてもよく、いずれかを設けておけば、ある程度の暗電流抑制効果を得ることができる。
【００９３】
各画素部の下部電極２下方の基板１の表面には信号出力部１４が形成されている。図４には、信号出力部１４の構成が概略的に示されている。
【００９４】
同図に示すように、本実施の形態に係る信号出力部１４は、下部電極２に対応して、下部電極２に移動した電荷を蓄積するコンデンサ９と、コンデンサ９に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力する電界効果型薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、単に薄膜トランジスタという場合がある。）１０が形成されている。コンデンサ９および薄膜トランジスタ１０の形成された領域は、平面視において下部電極２と重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素部における信号出力部１４とセンサ部１３とが厚さ方向で重なりを有することとなる。なお、放射線検出器２０（画素部）の平面積を最小にするために、コンデンサ９および薄膜トランジスタ１０の形成された領域が下部電極２によって完全に覆われていることが望ましい。
【００９５】
コンデンサ９は、基板１と下部電極２との間に設けられた絶縁膜１１を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する下部電極２と電気的に接続されている。これにより、下部電極２で捕集された電荷をコンデンサ９に移動させることができる。
【００９６】
薄膜トランジスタ１０は、ゲート電極１５、ゲート絶縁膜１６、および活性層（チャネル層）１７が積層され、さらに、活性層１７上にソース電極１８とドレイン電極１９が所定の間隔を開けて形成されている。活性層１７は、例えば、アモルファスシリコンや非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブなどにより形成することができる。なお、活性層１７を構成する材料は、これらに限定されるものではない。
【００９７】
活性層１７を構成可能な非晶質酸化物としては、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎのうちの少なくとも１つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｏ系）が好ましく、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎのうちの少なくとも２つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系）がより好ましく、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物が特に好ましい。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、ＩｎＧａＺｎＯ４がより好ましい。なお、活性層１７を構成可能な非晶質酸化物は、これらに限定されるものではない。
【００９８】
活性層１７を構成可能な有機半導体材料としては、フタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開２００９−２１２３８９号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。
【００９９】
薄膜トランジスタ１０の活性層１７を非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブで形成したものとすれば、Ｘ線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、信号出力部１４におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。
【０１００】
また、活性層１７をカーボンナノチューブで形成した場合、薄膜トランジスタ１０のスイッチング速度を高速化することができ、また、可視光域での光の吸収度合の低い薄膜トランジスタ１０を形成できる。なお、カーボンナノチューブで活性層１７を形成する場合、活性層１７に極微量の金属性不純物を混入するだけで、薄膜トランジスタ１０の性能は著しく低下するため、遠心分離などにより極めて高純度のカーボンナノチューブを分離・抽出して形成する必要がある。
【０１０１】
ここで、薄膜トランジスタ１０の活性層１７を構成する非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブや、光電変換膜４を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、基板１としては、半導体基板、石英基板、およびガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板や、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。
【０１０２】
また、基板１には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。
【０１０３】
一方、アラミドは、２００度以上の高温プロセスを適用できるために透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバＩＣの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して基板を形成してもよい。
【０１０４】
また、バイオナノファイバは、バクテリア（酢酸菌、Acetobacter Xylinum）が産出するセルロースミクロフィブリル束（バクテリアセルロース）と透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅５０ｎｍと可視光波長に対して１／１０のサイズで、かつ高強度、高弾性、低熱膨張である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を６０〜７０％も含有しながら、波長５００ｎｍで約９０％の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（３〜７ｐｐｍ）を有し、鋼鉄並の強度（４６０ＭＰａ）、高弾性（３０ＧＰａ）で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く基板１を形成できる。
【０１０５】
本実施の形態では、基板１上に、信号出力部１４、センサ部１３、透明絶縁膜７を順に形成することによりＴＦＴ基板３０を形成し、当該ＴＦＴ基板３０上に光吸収性の低い接着樹脂等を用いてシンチレータ８を貼り付けることにより放射線検出器２０を形成している。
【０１０６】
図５に示すように、ＴＦＴ基板３０には、上述したセンサ部１３、コンデンサ９、および薄膜トランジスタ１０を含んで構成される画素部３２が一定方向（図５の行方向）、および当該一定方向に対する交差方向（図５の列方向）に２次元状に複数設けられている。
【０１０７】
また、放射線検出器２０には、上記一定方向（行方向）に延設され、各薄膜トランジスタ１０をオン・オフさせるための複数本のゲート配線３４と、上記交差方向（列方向）に延設され、オン状態の薄膜トランジスタ１０を介して電荷を読み出すための複数本のデータ配線３６と、が設けられている。
【０１０８】
放射線検出器２０は、平板状で、かつ平面視において外縁に４辺を有する四辺形状、より具体的には、矩形状に形成されている。
【０１０９】
次に、本実施の形態に係る電子カセッテ４０の構成について説明する。図６には、本実施の形態に係る電子カセッテ４０の構成を示す斜視図が示されている。
【０１１０】
同図に示すように、本実施の形態に係る電子カセッテ４０は、放射線を透過させる材料からなる平板状の筐体４１を備えており、防水性、密閉性を有する構造とされている。筐体４１の内部には、種々の部品を収容する空間（外部空間）Ａが形成されており、当該空間内には、放射線Ｘが照射される筐体４１の照射面側から、被写体を透過した放射線Ｘを検出する放射線検出器２０、および放射線Ｘのバック散乱線を吸収する鉛板４３が順に配設されている。
【０１１１】
ここで、本実施の形態に係る電子カセッテ４０では、筐体４１の平板状の一方の面の放射線検出器２０の配設位置に対応する領域が放射線を検出可能な四辺形状の撮影領域４１Ａとされている。この筐体４１の撮影領域４１Ａを有する面が電子カセッテ４０における天板４１Ｂとされており、本実施の形態に係る電子カセッテ４０では、図８に示すように、放射線検出器２０が、ＴＦＴ基板３０が天板４１Ｂ側となるように配置され、当該天板４１Ｂの筐体４１における内側の面（天板４１Ｂの放射線が入射される面の反対側の面）に貼り付けられている。
【０１１２】
ところで、本実施の形態に係る撮影システム１０４は、シンチレータ８の温度に応じて電子カセッテ４０による撮影を許容する撮影部位および撮影状態を特定する撮影許容状況特定機能を有している。
【０１１３】
このため、本実施の形態に係る電子カセッテ４０では、図７に示すように、放射線検出器２０のシンチレータ８の下面側の中央部に、当該シンチレータ８の温度を検出するための温度センサ４６が設けられている。
【０１１４】
一方、図６および図８に示すように、筐体４１の内部の一端側には、放射線検出器２０と重ならない位置（撮影領域４１Ａの範囲外）に、後述するカセッテ制御部５８や電源部７０（共に図１２参照。）を収容するケース４２が配置されている。
【０１１５】
筐体４１は、電子カセッテ４０全体の軽量化を図るために、例えば、カーボンファイバ（炭素繊維）、アルミニウム、マグネシウム、バイオナノファイバ（セルロースミクロフィブリル）、または複合材料等で構成されている。
【０１１６】
複合材料としては、例えば、強化繊維樹脂を含む材料が用いられ、強化繊維樹脂には、カーボンやセルロース等が含まれる。具体的には、複合材料としては、炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ）や、発泡材をＣＦＲＰでサンドイッチした構造のもの、または発泡材の表面にＣＦＲＰをコーティングしたもの等が用いられる。なお、本実施の形態では、発泡材をＣＦＲＰでサンドイッチした構造のものが用いられている。これにより、筐体４１をカーボン単体で構成した場合と比較して、筐体４１の強度（剛性）を高めることができる。
【０１１７】
一方、図８に示すように、筐体４１の内部には、天板４１Ｂと対向する背面部４１Ｃの内面に支持体４４が配置され、支持体４４および天板４１Ｂの間には、放射線検出器２０および鉛板４３が放射線Ｘの照射方向にこの順で並んで配置されている。
【０１１８】
支持体４４は、軽量化の観点、寸法偏差を吸収する観点から、例えば、発泡材で構成されており、鉛板４３を支持する。
【０１１９】
図８〜図１０に示すように、天板４１Ｂの内面には、放射線検出器２０のＴＦＴ基板３０を剥離可能に接着する接着部材８０が設けられている。接着部材８０としては、例えば、両面テープが用いられる。この場合、両面テープは、一方の接着面の接着力が他方の接着面の接着力よりも強くなるように形成されている。
【０１２０】
具体的には、接着力の弱い面（弱接着面）は、１８０°ピール接着力で１．０Ｎ／ｃｍ以下に設定されている。そして、接着力の強い面（強接着面）が天板４１Ｂに接し、弱接着面がＴＦＴ基板３０に接する。これにより、ねじ等の固定部材等によって放射線検出器２０を天板４１Ｂに固定する場合と比べて電子カセッテ４０の厚みを薄くすることができる。また、衝撃や荷重で天板４１Ｂが変形しても、放射線検出器２０は剛性の高い天板４１Ｂの変形に追従するため、大きな曲率（緩やかな曲がり）しか発生せず、局所的な低曲率で放射線検出器２０が破損する可能性が低くなる。さらに、放射線検出器２０が天板４１Ｂの剛性の向上に寄与する。また、前記両面テープは、ＴＦＴ基板３０および天板４１Ｂと接する面以外の面にも接着力を有する。
【０１２１】
また、図９に示すように、接着部材８０は、帯状に形成された状態で筐体４１の側壁に沿って配置されている。これにより、ＴＦＴ基板３０を天板４１Ｂに接着した状態で、ＴＦＴ基板３０および天板４１Ｂの間に内部空間Ｂが形成される（図８も参照。）。
【０１２２】
図１０に示すように、接着部材８０には、天板４１Ｂの角部に対応する部位に内部空間Ｂと外部空間Ａを連通する連通路８２が形成されている。連通路８２は、曲がっており、詳細には、４つの角部８４を有している。つまり、連通路８２は、折り曲げられるようにして形成されたラビリンス構造を有している。なお、連通路８２の折り曲げられた部位（角部８４）の折り曲げ角度は、任意に設定することができ、弓なりに曲がっていてもよい。また、連通路８２の通路幅ｄは、空気が流通できる程度の範囲内において、できる限り狭く設定されている。ただし、連通路８２の通路幅ｄは、任意に設定してよい。
【０１２３】
このように、本実施の形態に係る電子カセッテ４０では、放射線検出器２０を筐体４１の天板４１Ｂの内部に貼り付けているため、筐体４１が、天板４１Ｂ側と背面部４１Ｃ側とで２つに分離可能とされており、放射線検出器２０を天板４１Ｂに貼り付けたり、放射線検出器２０を天板４１Ｂから剥離したりする際には、筐体４１を天板４１Ｂ側と背面部４１Ｃ側とで２つに分離した状態とされる。
【０１２４】
なお、本実施の形態では、放射線検出器２０の天板４１Ｂへの接着をクリーンルーム等で行わなくてもよい。なぜなら、放射線検出器２０および天板４１Ｂの間に放射線を吸収する金属片等の異物が混入した場合に、放射線検出器２０を天板４１Ｂから剥離して当該異物を除去できるからである。
【０１２５】
ところで、放射線検出器２０を直接把持するようにして天板４１Ｂから放射線検出器２０を剥離する場合、筐体４１の側壁が邪魔になる。そのため、図１１に示すように、放射線検出器２０のＴＦＴ基板３０に耳８６を設けてもよい。これにより、作業者は、耳８６を把持した状態で放射線検出器２０を天板４１Ｂから容易に剥離することができる。なお、耳８６は、ＴＦＴ基板３０に固定されていてもよいし、ＴＦＴ基板３０に着脱可能であってもよい。後者の場合、放射線画像の撮影時に耳８６が邪魔になる懸念を排除することができる。
【０１２６】
次に、図１２を参照して、本実施の形態に係る撮影システム１０４の電気系の要部構成について説明する。
【０１２７】
同図に示すように、電子カセッテ４０に内蔵された放射線検出器２０は、隣り合う２辺の一辺側にゲート線ドライバ５２が配置され、他辺側に信号処理部５４が配置されている。ＴＦＴ基板３０の個々のゲート配線３４はゲート線ドライバ５２に接続され、ＴＦＴ基板３０の個々のデータ配線３６は信号処理部５４に接続されている。
【０１２８】
また、筐体４１の内部には、画像メモリ５６と、カセッテ制御部５８と、無線通信部６０と、を備えている。
【０１２９】
ＴＦＴ基板３０の各薄膜トランジスタ１０は、ゲート線ドライバ５２からゲート配線３４を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、オン状態とされた薄膜トランジスタ１０によって読み出された電荷は、電気信号としてデータ配線３６を伝送されて信号処理部５４に入力される。これにより、電荷は行単位で順に読み出され、二次元状の放射線画像が取得可能となる。
【０１３０】
図示は省略するが、信号処理部５４は、個々のデータ配線３６毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路およびサンプルホールド回路を備えており、個々のデータ配線３６を伝送された電気信号は増幅回路で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、Ａ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号はマルチプレクサに順に（シリアルに）入力され、Ａ／Ｄ変換器によってデジタルの画像データへ変換される。
【０１３１】
信号処理部５４には画像メモリ５６が接続されており、信号処理部５４のＡ／Ｄ変換器から出力された画像データは画像メモリ５６に順に記憶される。画像メモリ５６は所定枚分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ５６に順次記憶される。
【０１３２】
画像メモリ５６はカセッテ制御部５８と接続されている。カセッテ制御部５８はマイクロコンピュータを含んで構成され、ＣＰＵ（中央処理装置）５８Ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）およびＲＡＭ（Random Access Memory）を含むメモリ５８Ｂ、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部５８Ｃを備えており、電子カセッテ４０全体の動作を制御する。
【０１３３】
また、カセッテ制御部５８には、温度センサ４６が接続されており、カセッテ制御部５８は、温度センサ４６の配設部位（本実施の形態では、放射線検出器２０におけるシンチレータ８の下面側の中央部）における温度を把握することができる。
【０１３４】
さらに、カセッテ制御部５８には無線通信部６０が接続されている。無線通信部６０は、ＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）８０２．１１ａ／ｂ／ｇ等に代表される無線ＬＡＮ（Local Area Network）規格に対応しており、無線通信による外部機器との間での各種情報の伝送を制御する。カセッテ制御部５８は、無線通信部６０を介して、放射線画像の撮影に関する制御を行うコンソール１１０などの外部装置と無線通信が可能とされており、コンソール１１０等との間で各種情報の送受信が可能とされている。
【０１３５】
また、電子カセッテ４０には電源部７０が設けられており、上述した各種回路や各素子（ゲート線ドライバ５２、信号処理部５４、画像メモリ５６、無線通信部６０、カセッテ制御部５８として機能するマイクロコンピュータ等）は、電源部７０から供給された電力によって作動する。電源部７０は、電子カセッテ４０の可搬性を損なわないように、バッテリ（充電可能な二次電池）を内蔵しており、充電されたバッテリから各種回路・素子へ電力を供給する。なお、図１２では、電源部７０と各種回路や各素子を接続する配線を省略している。
【０１３６】
一方、コンソール１１０は、サーバ・コンピュータとして構成されており、操作メニューや撮影された放射線画像等を表示するディスプレイ１１１と、複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される操作パネル１１２と、を備えている。
【０１３７】
また、本実施の形態に係るコンソール１１０は、装置全体の動作を司るＣＰＵ１１３と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたＲＯＭ１１４と、各種データを一時的に記憶するＲＡＭ１１５と、各種データを記憶して保持するＨＤＤ（ハードディスク・ドライブ）１１６と、ディスプレイ１１１への各種情報の表示を制御するディスプレイドライバ１１７と、操作パネル１１２に対する操作状態を検出する操作入力検出部１１８と、を備えている。また、コンソール１１０は、無線通信により、放射線発生装置１２０との間で後述する曝射条件等の各種情報の送受信を行うと共に、電子カセッテ４０との間で画像データ等の各種情報の送受信を行う無線通信部１１９を備えている。
【０１３８】
ＣＰＵ１１３、ＲＯＭ１１４、ＲＡＭ１１５、ＨＤＤ１１６、ディスプレイドライバ１１７、操作入力検出部１１８、および無線通信部１１９は、システムバスＢＵＳを介して相互に接続されている。従って、ＣＰＵ１１３は、ＲＯＭ１１４、ＲＡＭ１１５、ＨＤＤ１１６へのアクセスを行うことができると共に、ディスプレイドライバ１１７を介したディスプレイ１１１への各種情報の表示の制御、および無線通信部１１９を介した放射線発生装置１２０および電子カセッテ４０との各種情報の送受信の制御を各々行うことができる。また、ＣＰＵ１１３は、操作入力検出部１１８を介して操作パネル１１２に対するユーザの操作状態を把握することができる。
【０１３９】
一方、放射線発生装置１２０は、放射線源１２１と、コンソール１１０との間で曝射条件等の各種情報を送受信する無線通信部１２３と、受信した曝射条件に基づいて放射線源１２１を制御する線源制御部１２２と、を備えている。
【０１４０】
線源制御部１２２もマイクロコンピュータを含んで構成されており、受信した曝射条件等を記憶する。このコンソール１１０から受信する曝射条件には管電圧、管電流、曝射期間等の情報が含まれている。線源制御部１２２は、受信した曝射条件に基づいて放射線源１２１から放射線Ｘを照射させる。
【０１４１】
ところで、前述したように、本実施の形態に係る撮影システム１０４は、シンチレータ８の温度に応じて電子カセッテ４０による撮影を許容する撮影部位および撮影状態を特定する撮影許容状況特定機能を有している。このため、本実施の形態に係るコンソール１１０では、ＨＤＤ１１６に、一例として図１３に示す撮影情報が予め記憶されている。
【０１４２】
同図に示すように、本実施の形態に係る撮影情報は、シンチレータ８の予め定められた温度の範囲内に、電子カセッテ４０による撮影を許容する撮影部位および撮影状態が予め記憶されて構成されている。なお、同図に示すように、本実施の形態に係る撮影システム１０４では、上記撮影を許容する撮影部位として「腕部」および「脚部」の２種類が適用されており、上記撮影を許容する撮影状態として立位台１６０を用いて撮影を行う「立位撮影」、および臥位台１６４を用いて撮影を行う「臥位撮影」の２種類が適用されているが、これに限るものでないことは言うまでもない。
【０１４３】
同図に示す例では、例えば、シンチレータ８の温度が０度以上２５度未満の場合に撮影が許容される撮影部位および撮影状態は、「立位撮影」、「腕部」、「脚部」、および「臥位撮影」であり、これらの全てについて撮影が許容されていることを示している。また、例えば、シンチレータ８の温度が３５度以上の場合に撮影が許容される撮影部位および撮影状態は、「立位撮影」のみであることを示している。
【０１４４】
すなわち、立位撮影を行う際には、電子カセッテ４０の天板４１Ｂに対する被検者による加圧は殆ど生じないため、立位撮影は全ての温度範囲において許容されている。これに対し、臥位撮影を行う際には、電子カセッテ４０の天板４１Ｂに対して被検者が覆い被さる状態となるため、当該天板４１Ｂに対する加圧が相対的に大きく、シンチレータ８の温度が比較的低い場合（本実施の形態では、０度以上２５度未満の場合）のみ撮影が許容されている。
【０１４５】
次に、本実施の形態に係る撮影システム１０４の作用を説明する。
【０１４６】
まず、図１４を参照して、放射線画像の撮影を行う際のコンソール１１０の作用を説明する。なお、図１４は、この際にコンソール１１０のＣＰＵ１１３によって実行される放射線画像撮影処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムはＲＯＭ１１４の所定領域に予め記憶されている。
【０１４７】
同図のステップ３００では、予め定められた初期情報入力画面をディスプレイ１１１により表示させるようにディスプレイドライバ１１７を制御し、次のステップ３０２にて所定情報の入力待ちを行う。
【０１４８】
図１５には、上記ステップ３００の処理によってディスプレイ１１１により表示される初期情報入力画面の一例が示されている。同図に示すように、本実施の形態に係る初期情報入力画面では、これから放射線画像の撮影を行う被検者の氏名、撮影部位、撮影時の姿勢（本実施の形態では、臥位、立位の何れか）、および撮影時の放射線Ｘの曝射条件（本実施の形態では、放射線Ｘを曝射する際の管電圧、管電流、および曝射期間）の入力を促すメッセージと、これらの情報の入力領域が表示される。
【０１４９】
同図に示す初期情報入力画面がディスプレイ１１１に表示されると、撮影者は、撮影対象とする被検者の氏名、撮影部位、撮影時の姿勢、および曝射条件を、各々対応する入力領域に操作パネル１１２を介して入力する。
【０１５０】
そして、撮影時の姿勢が立位または臥位である場合に、撮影者は、対応する立位台１６０の保持部１６２または臥位台１６４の保持部１６６に電子カセッテ４０を保持させると共に放射線源１２１を対応する位置に位置決めした後、被検者を所定の撮影位置に位置させる。これに対し、撮影部位が腕部、脚部等の電子カセッテ４０を保持部に保持させない状態で放射線画像の撮影を行う場合に、撮影者は、当該撮影部位を撮影可能な状態に被検者、電子カセッテ４０、および放射線源１２１を位置決めする。その後、撮影者は、初期情報入力画面の下端近傍に表示されている終了ボタンを、操作パネル１１２を介して指定する。撮影者によって終了ボタンが指定されると、上記ステップ３０２が肯定判定となってステップ３０４に移行する。
【０１５１】
ステップ３０４では、温度センサ４６により計測された温度を示す情報（以下、「温度情報」という。）の送信を指示する指示情報を電子カセッテ４０へ無線通信部１１９を介して送信した後、次のステップ３０６にて、当該温度情報の受信待ちを行う。上記温度情報の送信を指示する指示情報を受信すると、電子カセッテ４０は、当該温度情報を、無線通信部６０を介してコンソール１１０に送信する。これに応じて、上記ステップ３０６が肯定判定となってステップ３０８に移行する。
【０１５２】
ステップ３０８では、ＨＤＤ１１６から前述した撮影情報（図１３も参照。）を読み出し、次のステップ３１０にて、読み出した撮影情報における、電子カセッテ４０から受信した温度情報により示される温度が属する温度範囲に対して放射線画像の撮影が許容されている撮影部位および撮影状態を特定する。
【０１５３】
次のステップ３１２では、上記ステップ３１０の処理によって特定した撮影部位および撮影状態が、上記初期情報入力画面上で入力された情報（以下、「初期情報」という。）に一致するか否かを判定し、肯定判定となった場合は後述するステップ３２２に移行する一方、否定判定となった場合にはステップ３１４に移行する。
【０１５４】
ステップ３１４では、予め定められた警告画面をディスプレイ１１１により表示させるようにディスプレイドライバ１１７を制御し、次のステップ３１６にて所定情報の入力待ちを行う。
【０１５５】
図１６には、上記ステップ３１４の処理によってディスプレイ１１１により表示される警告画面の一例が示されている。同図に示すように、本実施の形態に係る警告画面では、指定した撮影ではシンチレータ８の劣化が進みやすいことを示す情報、代替の撮影状況（同図に示す例では、「立位撮影」。）を示す情報、および当該代替の撮影状況に変更するか否かの選択入力を促す情報が表示される。なお、本実施の形態では、上記代替の撮影状況として、上記ステップ３１０の処理によって特定した撮影部位および撮影状態の何れか１つの撮影状況を適用する。
【０１５６】
同図に示す警告画面がディスプレイ１１１に表示されると、撮影者は、表示されている代替の撮影状況に変更する場合は、当該代替の撮影状況となるように被検者、電子カセッテ４０、放射線源１２１の各位置関係を変更した後に、当該警告画面に表示されている「変更する」ボタンを、操作パネル１１２を介して指定する。これに対し、撮影者は、表示されている代替の撮影状況に変更しない場合は、そのままの状態で当該警告画面に表示されている「変更しない」ボタンを、操作パネル１１２を介して指定する。撮影者によって何れかのボタンが指定されると、上記ステップ３１６が肯定判定となってステップ３１８に移行する。
【０１５７】
ステップ３１８では、上記警告画面で「変更する」ボタンが指定されたか否かを判定することにより、撮影者によって撮影状況の変更が指示されたか否かを判定し、否定判定となった場合はステップ３２２に移行する一方、肯定判定となった場合にはステップ３２０に移行して、初期情報に含まれる曝射条件を、上記警告画面で表示した代替の撮影状況に応じた曝射条件となるように変更した後、ステップ３２２に移行する。
【０１５８】
ステップ３２２では、初期情報に含まれる曝射条件を放射線発生装置１２０へ無線通信部１１９を介して送信することにより当該曝射条件を設定する。これに応じて放射線発生装置１２０の線源制御部１２２は、受信した曝射条件での曝射準備を行う。
【０１５９】
次のステップ３２４では、曝射開始を指示する指示情報を放射線発生装置１２０および電子カセッテ４０へ無線通信部１１９を介して送信する。
【０１６０】
これに応じて、放射線源１２１は、放射線発生装置１２０がコンソール１１０から受信した曝射条件に応じた管電圧、管電流、および曝射期間で放射線Ｘを発生して射出する。放射線源１２１から曝射された放射線Ｘは、被検者を透過した後に電子カセッテ４０に到達する。
【０１６１】
一方、電子カセッテ４０のカセッテ制御部５８は、上記曝射開始を指示する指示情報を受信すると、内蔵された放射線検出器２０の各画素部３２のコンデンサ９への電荷の蓄積を開始し、上記曝射条件で指定された曝射期間の経過後にゲート線ドライバ５２を制御してゲート線ドライバ５２から１ラインずつ順に各ゲート配線３４にオン信号を出力させ、各ゲート配線３４に接続された各薄膜トランジスタ１０を１ラインずつ順にオンさせる。
【０１６２】
放射線検出器２０は、各ゲート配線３４に接続された各薄膜トランジスタ１０を１ラインずつ順にオンされると、１ラインずつ順に各コンデンサ９に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線３６に流れ出す。各データ配線３６に流れ出した電気信号は信号処理部５４でデジタルの画像データに変換されて、画像メモリ５６に記憶される。
【０１６３】
カセッテ制御部５８は、撮影終了後、画像メモリ５６に記憶された画像データを無線通信によりコンソール１１０へ送信する。
【０１６４】
そこで、次のステップ３２６では、上記画像データが電子カセッテ４０から受信されるまで待機し、次のステップ３２８にて、受信した画像データに対してシェーディング補正等の各種の補正を行う画像処理を実行する。
【０１６５】
次のステップ３３０では、上記画像処理が行われた画像データ（以下、「補正画像データ」と称する。）をＨＤＤ１１６に記憶し、次のステップ３３２にて、補正画像データにより示される放射線画像を、確認等を行うためにディスプレイ１１１によって表示させるようにディスプレイドライバ１１７を制御し、次のステップ３３４にて、補正画像データをＲＩＳサーバ１５０へ病院内ネットワーク１０２を介して送信した後、本放射線画像撮影処理プログラムを終了する。なお、ＲＩＳサーバ１５０へ送信された補正画像データはデータベース１５０Ａに格納され、医師が撮影された放射線画像の読影や診断等を行うことが可能となる。
【０１６６】
次に、図１７を参照して、上記放射線画像撮影処理プログラムのステップ３０４の処理によって送信された温度情報の送信を指示する指示情報を受信した際の電子カセッテ４０の作用を説明する。なお、図１７は、この際に電子カセッテ４０のＣＰＵ５８Ａにより実行される温度情報送信処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムはメモリ５８Ｂの所定領域に予め記憶されている。
【０１６７】
同図のステップ４００では、この時点のシンチレータ８の温度を示す温度情報を、温度センサ４６から入力されている信号に基づいて導出し、次のステップ４０２にて、導出した温度情報を、無線通信部６０を介してコンソール１１０に送信し、その後に本温度情報送信処理プログラムを終了する。
【０１６８】
ところで、本実施の形態に係る電子カセッテ４０は、図８に示すように、放射線検出器２０がＴＦＴ基板３０側から放射線Ｘが照射されるように内蔵されている。
【０１６９】
ここで、放射線検出器２０は、図２０に示すように、シンチレータ８が形成された側から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の裏面側に設けられたＴＦＴ基板３０により放射線画像を読み取る、いわゆる裏面読取方式とされた場合、シンチレータ８の同図上面側（ＴＦＴ基板３０の反対側）でより強く発光し、ＴＦＴ基板３０側から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の表面側に設けられたＴＦＴ基板３０により放射線画像を読み取る、いわゆる表面読取方式とされた場合、ＴＦＴ基板３０を透過した放射線がシンチレータ８に入射してシンチレータ８のＴＦＴ基板３０側がより強く発光する。ＴＦＴ基板３０に設けられた各センサ部１３には、シンチレータ８で発生した光により電荷が発生する。このため、放射線検出器２０は、表面読取方式とされた場合の方が裏面読取方式とされた場合よりもＴＦＴ基板３０に対するシンチレータ８の発光位置が近いため、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高い。
【０１７０】
また、放射線検出器２０は、光電変換膜４を有機光電変換材料により構成しており、光電変換膜４で放射線がほとんど吸収されない。このため、本実施の形態に係る放射線検出器２０は、表面読取方式により放射線がＴＦＴ基板３０を透過する場合でも光電変換膜４による放射線の吸収量が少ないため、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。表面読取方式では、放射線がＴＦＴ基板３０を透過してシンチレータ８に到達するが、このように、ＴＦＴ基板３０の光電変換膜４を有機光電変換材料により構成した場合、光電変換膜４での放射線の吸収が殆どなく放射線の減衰を少なく抑えることができるため、表面読取方式に適している。
【０１７１】
また、薄膜トランジスタ１０の活性層１７を構成する非晶質酸化物や光電変換膜４を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。このため、基板１を放射線の吸収が少ないプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成することができる。このように形成された基板１は放射線の吸収量が少ないため、表面読取方式により放射線がＴＦＴ基板３０を透過する場合でも、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。
【０１７２】
また、本実施の形態によれば、図８に示すように、放射線検出器２０をＴＦＴ基板３０が天板４１Ｂ側となるように筐体４１内の天板４１Ｂに貼り付けているが、基板１を剛性の高いプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器２０自体の剛性が高いため、筐体４１の天板４１Ｂを薄く形成することができる。また、基板１を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器２０自体が可撓性を有するため、撮影領域４１Ａに衝撃が加わった場合でも放射線検出器２０が破損しづらい。
【０１７３】
以上詳細に説明したように、本実施の形態では、シンチレータ８の温度に基づいて、当該シンチレータ８の温度に応じて予め定められた撮影を許容する撮影部位および撮影状態の少なくとも一方を特定しているので、特定した撮影部位および撮影状態の少なくとも一方を適用して放射線画像の撮影を行うことにより、シンチレータの劣化を抑制しつつ、シンチレータの温度に応じた放射線画像の撮影の制限を緩和することができる。
【０１７４】
特に、シンチレータ８を、ＣｓＩを含んで構成した場合、ＣｓＩは熱膨張率が５０ＰＰＭ程度と大きく、ＣｓＩの温度が上昇すると、ＣｓＩの柱状結晶間の隙間（１〜数μｍ程度）が狭くなり、荷重による放射線検出器２０の変形によって柱状結晶同士が接触する可能性が高くなる。
【０１７５】
従って、シンチレータ８としてＣｓＩを含むものを適用する場合には、本実施の形態のようにシンチレータ８の温度の上昇に伴って大きな荷重が加わる撮影を制限することは極めて効果的である。
【０１７６】
また、本実施の形態では、撮影部位および撮影状態の少なくとも一方の特定結果が実際の撮影状況と一致しない場合に警告を行っているので、ユーザにとっての利便性を、より向上させることができる。
【０１７７】
また、本実施の形態では、特定された撮影状態が実際の撮影状態と一致しない場合で、かつ代替の撮影状態がある場合に、当該代替の撮影状態を提示しているので、ユーザにとっての利便性を、より向上させることができる。
【０１７８】
また、本実施の形態では、前記撮影状態が、臥位での撮影および立位での撮影を含んでいるので、これらの撮影を行う形態において、シンチレータの劣化を抑制しつつ、シンチレータの温度に応じた放射線画像の撮影の制限を緩和することができる。
【０１７９】
また、本実施の形態では、センサ部１３が、シンチレータ８で発生した光を受光することにより電荷が発生する有機光電変換材料を含んで構成されているので、電子カセッテ４０の耐衝撃性を向上させることができる。
【０１８０】
また、本実施の形態では、放射線検出器２０が、被写体を透過した放射線が透過する透過面を有する天板４１Ｂの放射線が入射される面の反対側の面に直接的に取り付けられているので、電子カセッテ４０の耐衝撃性を向上させることができる。
【０１８１】
特に、本実施の形態では、放射線検出器２０が天板４１Ｂに離間可能に取り付けられていているので、効率的に筐体の交換を行うことができる。
【０１８２】
また、本実施の形態では、天板４１Ｂが放射線検出器２０を収容する筐体４１の一部を構成しているので、天板を筐体とは別に構成する場合に比較して、より簡易に天板を構成することができる。
【０１８３】
また、本実施の形態では、ＴＦＴ基板３０および天板４１Ｂの間に内部空間Ｂが形成されているので、放射線検出器２０の天板４１Ｂへの接着時に、ＴＦＴ基板３０および天板４１Ｂに対する接着部材８０の接着面に空気が残存していても、その残存していた空気を内部空間Ｂに逃がすことができる。また、内部空間Ｂと外部空間Ａを連通する連通路８２が接着部材８０に形成されているので、外部空間Ａの気圧が変化した場合でも、内部空間Ｂの圧力と外部空間Ａの気圧とを一定に保つことができる。これにより、気圧変化によって天板４１Ｂに対するＴＦＴ基板３０の接着性が低下することを防止することができる。
【０１８４】
また、本実施の形態では、連通路８２が角部８４を有している。そのため、外部空間Ａから連通路８２に空気と共に空気よりも質量の大きい異物が流入した場合でも、角部８４を流通する空気の流れに前記異物が追従することができないので、前記異物が内部空間Ｂに混入することを防止することができる。これにより、放射線画像の品質低下に繋がる異物混入を抑えることができる。
【０１８５】
さらに、連通路８２が接着部材８０に形成され、接着部材８０がその全面に接着力を有しているので、角部８４において、空気に追従できなかった異物が連通路８２の壁面に付着し易くなる。従って、前記異物を連通路８２内で確実に捕捉することができる。よって、内部空間Ｂへの異物の混入をより一層確実に防止することができる。
【０１８６】
また、本実施の形態によれば、連通路８２の通路幅ｄを空気が流通できる範囲内において、できる限り狭く設定されているので、比較的小さな金属粉等の異物の混入に対応することができる。なお、想定される異物の大きさに応じて連通路８２の通路幅ｄを設定すると、効率的に異物の混入を防止することができる。
【０１８７】
ところで、一般的に、シンチレータ８はＴＦＴ基板３０よりも脆弱である。そのため、シンチレータ８を天板４１Ｂに接着部材８０にて接着した場合、放射線検出器２０を剥離するときにシンチレータ８が破損するおそれがある。しかしながら、本実施の形態では、接着部材８０にてＴＦＴ基板３０を天板４１Ｂに接着しているので、放射線検出器２０を剥離するときにシンチレータ８が破損する懸念を排除することができる。
【０１８８】
また、撮影環境によっては、天板４１Ｂに被写体（患者）を乗せた状態で撮影を行うことがある。この場合、天板４１Ｂに傷が付き易い。そして、天板４１Ｂに傷が付いた場合、当該傷が固定パターンノイズとして放射線画像に表示されることがあるため、筐体４１を交換することが望ましい。しかしながら、天板４１Ｂに放射線検出器２０を剥離不能に貼り付けた場合、筐体４１を交換するときに、高価な放射線検出器２０も一緒に交換する必要がありコストが掛かるといった問題が生じていた。本実施の形態によれば、放射線検出器２０を天板４１Ｂに対して剥離可能に接着しているので、効率的に筐体４１の交換を行うことができる。
【０１８９】
［第２の実施の形態］
本第２の実施の形態では、シンチレータ８の温度を、放射線検出器２０のセンサ部１３に発生する暗電流に基づいて検出する場合の形態例について説明する。すなわち、本実施の形態は、放射線検出器２０がシンチレータ８とＴＦＴ基板３０が密着して構成されていることから、ＴＦＴ基板３０側で発生する暗電流を利用してシンチレータ８の温度を検出するものである。なお、本実施の形態に係る撮影システム１０４の構成は、上記第１の実施の形態に係る撮影システム１０４と同様であるため、ここでの説明は省略する。
【０１９０】
まず、図１８を参照して、放射線画像の撮影を行う際の本第２の実施の形態に係るコンソール１１０の作用を説明する。なお、図１８は、この際にコンソール１１０のＣＰＵ１１３によって実行される、本第２の実施の形態に係る放射線画像撮影処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムはＲＯＭ１１４の所定領域に予め記憶されている。また、同図における図１４と同一の処理を実行するステップには、図１４と同一のステップ番号を付し、その説明を省略する。
【０１９１】
同図のステップ３０４’では、放射線検出器２０のセンサ部１３に発生する暗電流を示す情報（以下、「暗電流情報」という。）の送信を指示する指示情報を電子カセッテ４０へ無線通信部１１９を介して送信した後、次のステップ３０６’にて、当該暗電流情報の受信待ちを行う。上記暗電流情報の送信を指示する指示情報を受信すると、電子カセッテ４０は、当該暗電流情報を、無線通信部６０を介してコンソール１１０に送信する。これに応じて、上記ステップ３０６’が肯定判定となってステップ３０７に移行する。
【０１９２】
ステップ３０７では、電子カセッテ４０から受信した暗電流情報に基づいて、シンチレータ８の温度を示す温度情報を導出する。なお、本実施の形態では、電子カセッテ４０の暗電流とシンチレータ８の温度との関係を示す情報を、電子カセッテ４０と同型の実機を用いた実験や、電子カセッテ４０の設計仕様に基づくコンピュータ・シミュレーション等によって予め得ておき、当該情報から受信した暗電流情報により示される暗電流に対応する温度を導出することにより、上記温度情報を導出している。
【０１９３】
なお、この形態に限らず、暗電流は８℃で約２倍になることが知られているので、電子カセッテ４０の工場出荷時等において所定温度であるときの暗電流値と当該所定温度とを予め記憶しておき、電子カセッテ４０から受信した暗電流情報により示される暗電流値と、予め記憶しておいた暗電流値との差分から温度を逆算する形態としてもよい。
【０１９４】
その後、ステップ３１０’では、ステップ３０８の処理によって読み出した撮影情報における、上記ステップ３０７の処理によって導出した温度情報により示される温度が属する温度範囲に対して放射線画像の撮影が許容されている撮影部位および撮影状態を特定する。
【０１９５】
次に、図１９を参照して、上記放射線画像撮影処理プログラムのステップ３０４’の処理によって送信された暗電流情報の送信を指示する指示情報を受信した際の電子カセッテ４０の作用を説明する。なお、図１９は、この際に電子カセッテ４０のＣＰＵ５８Ａにより実行される暗電流情報送信処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムはメモリ５８Ｂの所定領域に予め記憶されている。
【０１９６】
同図のステップ４５０では、この時点の放射線検出器２０におけるセンサ部１３の暗電流を示す暗電流情報を次のように導出する。
【０１９７】
すなわち、まず、この時点で放射線検出器２０において蓄積されている電荷を排出するリセット動作を行った後、予め定められた電荷蓄積期間で放射線検出器２０による撮影を行う。この際、放射線は曝射されていないため、当該撮影によって得られた画像データが放射線検出器２０のセンサ部１３における暗電流を示す情報となる。
【０１９８】
そして、以上によって得られた画像データから、予め定められた領域（本実施の形態では、放射線検出器２０の中央部を含む一部領域）に対応するデータの平均値を暗電流情報として導出する。
【０１９９】
次のステップ４５２では、上記ステップ４５０の処理によって導出した暗電流情報を、無線通信部６０を介してコンソール１１０に送信し、その後に本暗電流情報送信処理プログラムを終了する。
【０２００】
以上詳細に説明したように、本実施の形態では、上記第１の実施の形態における効果に加えて、センサ部１３に発生する暗電流に基づいてシンチレータ８の温度を検出しているので、シンチレータ８の温度を温度センサにより検出する場合に比較して、より低コスト化することができる。
【０２０１】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることができ、当該変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【０２０２】
また、上記の実施の形態は、クレーム（請求項）にかかる発明を限定するものではなく、また実施の形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組み合わせにより種々の発明を抽出できる。実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【０２０３】
例えば、上記実施の形態では、撮影を許容する撮影状況と実際の撮影状況とが一致しない場合にコンソール１１０によって警告や代替の撮影状況の提示を行う場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、これらを電子カセッテ４０において実行する形態としてもよい。この場合、上記実施の形態に比較して、コンソール１１０による負荷を軽減することができる。
【０２０４】
また、上記実施の形態では、センサ部１３が、シンチレータ８で発生した光を受光することにより電荷が発生する有機光電変換材料を含んで構成されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、センサ部１３として有機光電変換材料を含まずに構成されたものを適用する形態としてもよい。
【０２０５】
また、上記実施の形態では、代替の撮影状況を１つのみ提示する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、代替の撮影状況が複数ある場合には、当該複数の撮影状況の２つ以上の組み合わせを提示する形態としてもよい。この場合、上記実施の形態に比較して、撮影者による撮影状況の選択肢が増えるため、シンチレータの温度に応じた放射線画像の撮影の制限を、より緩和することができる。
【０２０６】
また、上記実施の形態では、連通路８２に角部８４を複数設けた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、一例として図２１に示すように、連通路９０に角部９２を１つだけ有していてもよい。これにより、接着部材８０に連通路９０を容易に形成することができる。
【０２０７】
また、天板４１Ｂから放射線検出器２０を剥離するときに、有機溶剤等を接着部材８０に流し込み、接着部材８０の接着性を弱くした上で放射線検出器２０を剥離してもよい。この場合、接着部材８０が角部を有しているので、前記有機溶剤が接着部材８０にしみ込み易くなる。
【０２０８】
さらに、上記実施の形態では、電子カセッテ４０の筐体４１の内部にカセッテ制御部５８や電源部７０を収容するケース４２と放射線検出器２０とを重ならないように配置した場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、放射線検出器２０とカセッテ制御部５８や電源部７０を重なるように配置してもよい。
【０２０９】
また、上記実施の形態では、電子カセッテ４０とコンソール１１０との間、放射線発生装置１２０とコンソール１１０との間で、無線にて通信を行う場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、これらの少なくとも一方を有線にて通信を行う形態としてもよい。
【０２１０】
また、上記実施の形態では、放射線としてＸ線を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、γ線等の他の放射線を適用する形態としてもよい。
【０２１１】
また、放射線検出器２０のセンサ部１３として、光電変換膜４を、有機光電変換材料を含む材料で構成した有機ＣＭＯＳセンサを用いてもよく、放射線検出器２０のＴＦＴ基板３０として、薄膜トランジスタ１０としての有機材料を含む有機トランジスタを、可撓性を有するシート上にアレイ状に配列した有機ＴＦＴアレイ・シートを用いてもよい。上記の有機ＣＭＯＳセンサは、例えば、特開２００９−２１２３７７号公報に開示されている。また、上記の有機ＴＦＴアレイ・シートは、例えば「日本経済新聞、“東京大学、「ウルトラフレキシブル」な有機トランジスタを開発”、[online]、[平成２３年５月８日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.nikkei.com/tech/trend/article/g=96958A9C93819499E2EAE2E0E48DE2EAE3E3E0E2E3E2E2E2E2E2E2E2;p=9694E0E7E2E6E0E2E3E2E2E0E2E0＞」に開示されている。
【０２１２】
放射線検出器２０のセンサ部１３としてＣＭＯＳセンサを用いる場合、高速に光電変換を行うことができる利点や、基板を薄くすることができる結果、表面読取方式（以下、ＩＳＳ（Irradiation Side Sampling）方式という。）を採用した場合に放射線の吸収を抑制することができると共に、マンモグラフィによる撮影にも好適に適用することができる利点がある。
【０２１３】
これに対し、放射線検出器２０のセンサ部１３としてＣＭＯＳセンサを用いる場合の欠点として、結晶シリコン基板を用いた場合において放射線に対する耐性が低いことが挙げられる。このため、従来は、センサ部とＴＦＴ基板との間にＦＯＰ（ファイバ光学プレート）を設ける等といった対策を行う技術もあった。
【０２１４】
この欠点を踏まえて、放射線に対する耐性の高い半導体基板として、ＳｉＣ（炭化ケイ素）基板を用いる技術が適用できる。ＳｉＣ基板を用いることにより、ＩＳＳ方式として用いることができる利点や、ＳｉＣはＳｉと比較して内部抵抗が小さく、発熱量が少ないため、動画撮影を行う際の発熱量の抑制、ＣｓＩの温度上昇に伴う感度低下を抑制することができる利点がある。
【０２１５】
このように、ＳｉＣ基板等の放射線に対する耐性が高い基板は一般にワイドキャップ（〜３ｅＶ程度）なので、一例として図２４に示すように、吸収端が青領域に対応する４４０ｎｍ程度である。よって、この場合は、緑領域で発光するＣｓＩ：Ｔｌや、ＧＯＳ等のシンチレータを用いることができない。
【０２１６】
これに対し、アモルファスシリコンの感度特性から、これらの緑領域で発光するシンチレータの研究が盛んに行われてきたため、当該シンチレータを用いることの要望が高い。このため、光電変換膜４を緑領域での発光を吸収する有機光電変換材料を含む材料で構成することにより、緑領域で発光するシンチレータを用いることができる。
【０２１７】
光電変換膜４を、有機光電変換材料を含む材料により構成し、薄膜トランジスタ１０を、ＳｉＣ基板を用いて構成した場合、光電変換膜４と薄膜トランジスタ１０との感度波長領域が異なるので、シンチレータによる発光が薄膜トランジスタ１０のノイズとならない。
【０２１８】
また、光電変換膜４として、ＳｉＣと有機光電変換材料を含む材料とを積層させれば、ＣｓＩ：Ｎａのような、主として青領域の発光を受光することに加えて、緑領域の発光も受光することができる結果、感度の向上に繋がる。また、有機光電変換材料は放射線の吸収が殆どないため、ＩＳＳ方式に好適に用いることができる。
【０２１９】
なお、ＳｉＣが放射線に対する耐性が高いのは、放射線が当たっても原子核が弾き飛ばされにくいためであり、この点は、例えば、「日本原子力研究所、“宇宙や原子力分野などの高放射線環境下で長く使える半導体素子を開発”、[online]、[平成２３年５月８日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.jaea.go.jp/jari/jpn/publish/01/ff/ff36/sic.html＞」に開示されている。
【０２２０】
また、ＳｉＣ以外の放射線に対する耐性が高い半導体材料として、Ｃ（ダイヤモンド）、ＢＮ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯ等が挙げられる。これらの軽元素半導体材料が耐放射線性が高いのは、主としてワイドギャップ半導体であるがために電離（電子−正孔対形成）に要するエネルギーが高く、反応断面積が小さいことや、原子間のボンディングが強く、原子変位生成が起こりにくいことに起因する。なお、この点については、例えば、「電子技術総合研究所、“原子力エレクトロニクスの新展開”、[online]、[平成２３年５月８日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.aist.go.jp/ETL/jp/results/bulletin/pdf/62-10to11/kobayashi150.pdf＞」に開示されている。また、ＧａＮの耐放射線性については、例えば、「東北大学、“窒化ガリウム素子の放射線耐性評価”、[online]、[平成２３年５月８日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://cycgw1.cyric.tohoku.ac.jp/~sakemi/ws2007/ws/pdf/narita.pdf＞」に開示されている。
【０２２１】
なお、ＧａＮは青色ＬＥＤ以外の用途として熱伝導性がよいことと、絶縁耐性が高いことから、パワー系の分野でＩＣ化が研究されている。また、ＺｎＯは、主に青〜紫外線領域で発光するＬＥＤが研究されている。
【０２２２】
ところで、ＳｉＣを用いる場合、バンドギャップＥｇがＳｉの約１．１ｅＶから約２．８ｅＶとなるため、光の吸収波長λが短波長側にシフトする。具体的には、波長λ＝１．２４／Ｅｇ×１０００であるので、４４０ｎｍ程度までの波長に感度が変化する。よって、ＳｉＣを用いる場合、一例として図２５に示すように、シンチレータも緑領域で発光するＣｓＩ：Ｔｌ（ピーク波長：約５６５ｎｍ）よりも青領域で発光するＣｓＩ：Ｎａ（ピーク波長：約４２０ｎｍ）の方が発光波長として適していることになる。蛍光体としては青発光がよいので、ＣｓＩ：Ｎａ（ピーク波長：約４２０ｎｍ）、ＢａＦＸ：Ｅｕ（ＸはＢｒ，Ｉ等のハロゲン、ピーク波長：約３８０ｎｍ）、ＣａＷＯ４（ピーク波長：約４２５ｎｍ）、ＺｎＳ：Ａｇ（ピーク波長：約４５０ｎｍ）、ＬａＯＢｒ：Ｔｂ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ等が適している。特に、ＣｓＩ：ＮａとＣＲカセッテ等で用いられているＢａＦＸ：Ｅｕ、スクリーンやフイルム等で用いられているＣａＷＯ４が好適に用いられる。
【０２２３】
一方、放射線に対する耐性が高いＣＭＯＳセンサとして、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）によりＳｉ基板／厚膜ＳｉＯ２／有機光電変換材料の構成を用いてＣＭＯＳセンサを構成してもよい。
【０２２４】
なお、この構成に適用可能な技術としては、例えば、「宇宙航空研究開発機構（ＪＡＸＡ）宇宙科学研究所、“民生用最先端ＳＯＩ技術と宇宙用耐放射線技術の融合により耐放射線性を持つ高機能論理集積回路の開発基盤を世界で初めて構築”、[online]、[平成２３年５月８日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.jaxa.jp/press/2010/11/20101122_soi_j.html＞」が挙げられる。
【０２２５】
なお、ＳＯＩにおいては膜厚ＳＯＩの放射線耐性が高いため、高放射線耐久性素子としては、完全分離型厚膜ＳＯＩ、部分分離型厚膜ＳＯＩ等が例示される。なお、これらのＳＯＩについては、例えば、「特許庁、“ＳＯＩ（Silicon On Insulator）技術に関する特許出願技術動向調査報告”、[online]、[平成２３年５月８日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.jpo.go.jp/shiryou/pdf/gidou-houkoku/soi.pdf＞」に開示されている。
【０２２６】
さらに、放射線検出器２０の薄膜トランジスタ１０等が光透過性を有しない構成（例えば、アモルファスシリコン等の光透過性を有しない材料で活性層１７を形成した構成）であっても、この薄膜トランジスタ１０等を、光透過性を有する基板１（例えば合成樹脂製の可撓性基板）上に配置し、基板１のうち薄膜トランジスタ１０等が形成されていない部分は光が透過するように構成することで、光透過性を有する放射線検出器２０を得ることは可能である。光透過性を有しない構成の薄膜トランジスタ１０等を、光透過性を有する基板１上に配置することは、第１の基板上に作製した微小デバイスブロックを第１の基板から切り離して第２の基板上に配置する技術、具体的には、例えばＦＳＡ（Fluidic Self-Assembly）を適用することで実現できる。上記のＦＳＡは、例えば「富山大学、“微少半導体ブロックの自己整合配置技術の研究”、[online]、[平成２３年５月８日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://www3.u-toyama.ac.jp/maezawa/Research/FSA.html＞」に開示されている。
【０２２７】
その他、上記実施の形態で説明したＲＩＳ１００の構成（図１参照。）、放射線撮影室の構成（図２参照。）、電子カセッテ４０の構成（図３〜図１１参照。）、撮影システム１０４の構成（図１２参照。）は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要な部分を削除したり、新たな部分を追加したり、接続状態等を変更したりすることができることは言うまでもない。
【０２２８】
また、上記実施の形態で説明した撮影情報の構成（図１３参照。）も一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要な情報を削除したり、新たな情報を追加したりすることができることは言うまでもない。
【０２２９】
また、上記実施の形態で説明した各種プログラムの処理の流れ（図１４，図１７〜図１９参照。）も一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ換えたりすることができることは言うまでもない。
【０２３０】
さらに、上記実施の形態で説明した各種画面の構成（図１５，図１６参照。）も一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要な情報を削除したり、新たな情報を追加したりすることができることは言うまでもない。
【符号の説明】
【０２３１】
１  基板
８  シンチレータ
１０  薄膜トランジスタ
１３  センサ部
２０  放射線検出器
３０  ＴＦＴ基板
４０  電子カセッテ
４１  筐体
４１Ａ  撮影領域
４１Ｂ  天板
４１Ｃ  背面部
４６  温度センサ（検出手段）
５８  カセッテ制御部
５８Ａ  ＣＰＵ
６０  無線通信部
８０  接着部材
８２  連通路
８４  角部
９０  連通路
９２  角部
１００  ＲＩＳ
１１０  コンソール
１１１  ディスプレイ
１１２  操作パネル
１１３  ＣＰＵ（特定手段、警告手段、提示手段）
１１６  ＨＤＤ（記憶手段）
１１９  無線通信部
１２０  放射線発生装置
１２１  放射線源
１２２  線源制御部
１２３  無線通信部
Ｘ  放射線
【図１】
2012071105.tif 000003
【図２】
2012071105.tif 000004
【図３】
2012071105.tif 000005
【図４】
2012071105.tif 000006
【図５】
2012071105.tif 000007
【図６】
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【図７】
2012071105.tif 000009
【図８】
2012071105.tif 000010
【図９】
2012071105.tif 000011
【図１０】
2012071105.tif 000012
【図１１】
2012071105.tif 000013
【図１２】
2012071105.tif 000014
【図１３】
2012071105.tif 000015
【図１４】
2012071105.tif 000016
【図１５】
2012071105.tif 000017
【図１６】
2012071105.tif 000018
【図１７】
2012071105.tif 000019
【図１８】
2012071105.tif 000020
【図１９】
2012071105.tif 000021
【図２０】
2012071105.tif 000022
【図２１】
2012071105.tif 000023
【図２２】
2012071105.tif 000024
【図２３】
2012071105.tif 000025
【図２４】
2012071105.tif 000026
【図２５】
2012071105.tif 000027