(57)【要約】【課題】均一な厚さおよび所望の特性を有する堆積膜を基板上に成膜することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置１は、原料ガスが供給される真空容器２と、真空容器２内を減圧する真空ポンプ３と、真空容器２内に設置されたカソード電極４と、真空容器２内に設置されカソード電極４に対して基板８を略平行に支持する載置面５Ａを有するアノード電極５と、アノード電極５に設けられた基板加熱機構１０と、カソード電極４とアノード電極５との間にプラズマ９を発生させる高周波電源７とを備える。基板加熱機構１０は、相互に独立して駆動される第１加熱機構１１および第２加熱機構１２を有し、第１加熱機構１１は載置面５Ａ内の略全面を加熱し、第２加熱機構１２は載置面５Ａ内を部分的に加熱する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料ガスが供給される真空容器と、
前記真空容器内を減圧する真空ポンプと、
前記真空容器内に設置された第１電極と、
前記真空容器内に設置され、前記第１電極に対して被処理物を略平行に支持する載置面を有する第２電極と、
前記第２電極に設けられた被処理物加熱機構と、
前記第１電極と前記第２電極との間にプラズマを発生させる高周波電源と、を備え、
前記被処理物加熱機構は、相互に独立して駆動される第１加熱機構および第２加熱機構を有し、
前記第１加熱機構は、前記載置面内の略全面を加熱し、
前記第２加熱機構は、前記載置面内を部分的に加熱する、
プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記第２電極には、被処理物冷却機構が設けられている、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記第１加熱機構および前記第２加熱機構は、前記載置面と前記載置面とは反対側の前記第２電極の裏面との間に配設され、
前記載置面と前記裏面とを結ぶ方向において、前記第１加熱機構の配置位置と前記第２加熱機構の配置位置とはずれている、
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第１加熱機構および前記第２加熱機構の一方は、前記載置面と前記載置面とは反対側の前記第２電極の裏面との間に配設され、
前記第１加熱機構および前記第２加熱機構の他方は、前記裏面上に配設される、
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記被処理物の温度を測定する温度センサをさらに備え、
前記温度センサの測定値に基づいて前記第１加熱機構の発熱量が制御される、
請求項１から４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記第１電極および前記第２電極は、前記真空容器内に複数設けられている、
請求項１から５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理によって堆積膜を基板上に成膜するプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体、フラットパネルディスプレイ、電子写真感光体、または太陽電池などのさまざまな電子デバイスを製造するために、プラズマ処理装置が使用される。下記の特許文献１，２は、プラズマ処理装置に関する技術を開示している。
【０００３】
特開平８−３１６１５０号公報（特許文献１）は、プラズマ処理装置における堆積膜形成装置に関する技術を開示している。当該堆積膜形成装置においては、基板を所望の温度に設定する基板加熱手段の発熱量が、基板の長さ方向のいずれか一方の端部側または両方の端部側で多く、中央部で少なくなるように設定されている。同公報は、当該堆積膜形成装置によれば、電子写真感光体の特性のばらつきを抑制し、膜剥がれ等に対する耐久性を向上できると述べている。
【０００４】
特開平７−１８４４７号公報（特許文献２）は、プラズマ処理装置における熱処理装置に関する技術を開示している。当該熱処理装置においては、同じ長さの線材からなる発熱抵抗体が、加熱ゾーン毎で縦方向に延ばされて上下で交互にＵ字状に折り返されている。折返し部は加熱ゾーン間での境界位置を越えており、隣接する加熱ゾーン間での折返し部同士は噛み合っている。同公報は、当該熱処理装置によれば、組立手順および加工手順を共通化してコストを低減できると述べている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−３１６１５０号公報
【特許文献２】特開平７−１８４４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、均一な厚さおよび所望の特性を有する堆積膜を基板上に成膜することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の局面に基づくプラズマ処理装置は、原料ガスが供給される真空容器と、上記真空容器内を減圧する真空ポンプと、上記真空容器内に設置された第１電極と、上記真空容器内に設置され、上記第１電極に対して被処理物を略平行に支持する載置面を有する第２電極と、上記第２電極に設けられた被処理物加熱機構と、上記第１電極と上記第２電極との間にプラズマを発生させる高周波電源と、を備え、上記被処理物加熱機構は、相互に独立して駆動される第１加熱機構および第２加熱機構を有し、上記第１加熱機構は、上記載置面内の略全面を加熱し、上記第２加熱機構は、上記載置面内を部分的に加熱する。
【０００８】
本発明の第２の局面に基づくプラズマ処理装置は、上記第１の局面に基づくプラズマ処理装置において、上記第２電極には、被処理物冷却機構が設けられている。
【０００９】
本発明の第３の局面に基づくプラズマ処理装置は、上記第１または上記第２の局面に基づくプラズマ処理装置において、上記第１加熱機構および上記第２加熱機構は、上記載置面と上記載置面とは反対側の上記第２電極の裏面との間に配設され、上記載置面と上記裏面とを結ぶ方向において、上記第１加熱機構の配置位置と上記第２加熱機構の配置位置とはずれている。
【００１０】
本発明の第４の局面に基づくプラズマ処理装置は、上記第１または上記第２の局面に基づくプラズマ処理装置において、上記第１加熱機構および上記第２加熱機構の一方は、上記載置面と上記載置面とは反対側の上記第２電極の裏面との間に配設され、上記第１加熱機構および上記第２加熱機構の他方は、上記裏面上に配設される。
【００１１】
本発明の第５の局面に基づくプラズマ処理装置は、上記第１から上記第４のいずれかの局面に基づくプラズマ処理装置において、上記被処理物の温度を測定する温度センサをさらに備え、上記温度センサの測定値に基づいて上記第１加熱機構の発熱量が制御される。
【００１２】
本発明の第６の局面に基づくプラズマ処理装置は、上記第１から上記第５のいずれかの局面に基づくプラズマ処理装置において、上記第１電極および上記第２電極は、上記真空容器内に複数設けられている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、均一な厚さおよび所望の特性を有する堆積膜を基板上に成膜することができるプラズマ処理装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施の形態１におけるプラズマ処理装置を示す断面図である。
【図２】実施の形態１におけるプラズマ処理装置のアノード電極を透過的に示す底面図である。
【図３】図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線に関する矢視断面を透過的に示す図である。
【図４】実施の形態２におけるプラズマ処理装置のアノード電極を透過的に示す底面図である。
【図５】実施の形態３におけるプラズマ処理装置のアノード電極を透過的に示す底面図である。
【図６】実施の形態４におけるプラズマ処理装置のアノード電極を透過的に示す底面図である。
【図７】図６におけるＶＩＩ−ＶＩＩ線に関する矢視断面図である。
【図８】実施の形態５におけるプラズマ処理装置のアノード電極を示す断面図である。
【図９】実施の形態６におけるプラズマ処理装置のアノード電極を示す断面図である。
【図１０】実施の形態７におけるプラズマ処理装置を示す断面図である。
【図１１】実施の形態８におけるプラズマ処理装置を示す断面図である。
【図１２】実施の形態９におけるプラズマ処理装置を示す断面図である。
【図１３】実施例１に基づく実験結果を示す図である。
【図１４】比較例１に基づく実験結果を示す図である。
【図１５】実施例２に基づく実験結果を示す図である。
【図１６】比較例２に基づく実験結果を示す図である。
【図１７】実施例３に基づく実験結果を示す図である。
【図１８】比較例３に基づく実験結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明に基づいた各実施の形態におけるプラズマ処理装置について、以下、図面を参照しながら説明する。各実施の形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。各実施の形態の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。
【００１６】
［実施の形態１］
図１〜図３を参照して、本実施の形態におけるプラズマ処理装置１について説明する。図１は、プラズマ処理装置１を示す断面図である。図２は、プラズマ処理装置１におけるアノード電極５を示す底面図である。図２では、アノード電極５の下部体５Ｌ（図１参照）が透過的に示されている（換言すると、図２には下部体５Ｌが図示されていない）。図２では、下部体５Ｌが透過的に示されることによって、アノード電極５の内部に配置された第１加熱機構１１および第２加熱機構１２が図示（透視）されている。
【００１７】
図３は、図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線に関する矢視断面図である。図３では、図２と同様に、アノード電極５の下部体５Ｌ（図１参照）が透過的に示されている（換言すると、図３には下部体５Ｌが図示されていない）。図３では、下部体５Ｌが透過的に示されることによって、アノード電極５の内部に配置された第１加熱機構１１および第２加熱機構１２が図示（透視）されている。
【００１８】
図１を参照して、プラズマ処理装置１は、いわゆる枚葉処理方式（シングルチャンバ式ともいう）である。プラズマ処理装置１は、チャンバー２（真空容器）、真空ポンプ３、カソード電極４（第１電極）、アノード電極５（第２電極）、ガス供給部６、高周波電源７、および基板加熱機構１０（被処理物加熱機構）を備えている。
【００１９】
チャンバー２は密閉可能な筐体から構成される。本実施の形態においては、チャンバー２の内壁は断面視正方形状である（図３参照）。真空ポンプ３は、圧力調整用バルブ（図示せず）および排気バルブ（図示せず）等から構成される。真空ポンプ３は、チャンバー２の外部に設置され、チャンバー２の内部に連通している。真空ポンプ３は、チャンバー２内を高真空に減圧したり、チャンバー２内のガス圧力を所定の値に設定したりする。
【００２０】
ガス供給部６は、一端がチャンバー２の内部に位置し、他端がチャンバー２の外部に位置している。ガス供給部６の他端は、チャンバー２の外部に設置された複数のボンベ（図示せず）に接続されている。ボンベから排出された原料ガスは、ガス供給部６の内部を通過して、ガス供給部６の一端からチャンバー２の内部に供給される。
【００２１】
平行平板型の電極構造を呈するカソード電極４およびアノード電極５は、チャンバー２の内部に設置される。カソード電極４およびアノード電極５は、チャンバー２内の気相中に露出している。カソード電極４は、チャンバー２の外部に設置された高周波電源７に接続されている。アノード電極５は電気的に接地されている。本実施の形態においては、アノード電極５が、カソード電極４よりも重力方向（図１紙面上下方向）の下方に位置している。
【００２２】
高周波電源７は、整合器（図示せず）等を含んでいる。高周波電源７は、パルス変調（オンオフ制御）された交流電力（ＲＦ電力）をカソード電極４に供給する。高周波電源７は、ＣＷ（連続波形）交流出力をカソード電極４に供給してもよい。整合器は、カソード電極４とアノード電極５との間のインピーダンスを整合する。
【００２３】
アノード電極５の載置面５Ａ上に、基板８（被処理物）が載置される。本実施の形態における基板８は、平面視長方形状である（図３参照）。載置面５Ａは、カソード電極４と基板８とが略平行になるように基板８を支持する。基板８は、カソード電極４上に載置されてもよいが、プラズマ発生に伴うイオンダメージによって堆積膜の特性が低下することを抑制するため、アノード電極５上に載置されるとよい。基板８がカソード電極４上に載置される場合には、カソード電極４が、アノード電極５よりも重力方向（図１紙面上下方向）の下方位置に配置される。
【００２４】
本実施の形態におけるアノード電極５は、上部体５Ｈと下部体５Ｌとから構成されている。上部体５Ｈは載置面５Ａを含んでいる。下部体５Ｌは、載置面５Ａとは反対側の裏面５Ｂを含んでいる。上部体５Ｈと下部体５Ｌとは相互に接合される。上部体５Ｈと下部体５Ｌとが相互に接合された状態で、上部体５Ｈと下部体５Ｌとの接合面には、基板加熱機構１０の形状に対応した空間が形成されている。基板加熱機構１０は、当該空間内に配設される。
【００２５】
図２を参照して、本実施の形態における基板加熱機構１０は、１つの第１加熱機構１１と、２つの第２加熱機構１２とから構成されている。１つの第１加熱機構１１と、２つの第２加熱機構１２とは相互に独立して駆動される。
【００２６】
本実施の形態における第１加熱機構１１は、外形が長方形の平板状に形成された金属板と、この金属板の内部に配置された複数本のシースヒータ（たとえば定格容量８００Ｗ）とから構成されている。本実施の形態における第１加熱機構１１はいわゆるプレート型ヒータである。
【００２７】
金属板の内部に配置される各シースヒータは、管状に形成された金属性シースの中に伝熱線としての発熱体（ニクロム線等）が挿入され、金属性シースと発熱体との間に熱伝導性を有する高純度の無機絶縁物（ＭｇＯ等）の粉末が充填されることによって構成されている。シースヒータは、金属板の内部において等間隔に平行に配置されていてもよく、金属板の内部において格子状に配置されていてもよい。
【００２８】
第１加熱機構１１においては、金属板およびシースヒータが載置面５Ａ（図１参照）に対して略平行になるように配置される。第１加熱機構１１（金属板）の大きさは基板８の大きさよりも若干大きく形成される。平面視で見た場合（図２参照）、基板８は第１加熱機構１１に含まれるように載置面５Ａ上に載置される。
【００２９】
第１加熱機構１１の発熱によって生じた熱エネルギーは、載置面５Ａおよび載置面５Ａ上に載置された基板８に伝達する。第１加熱機構１１は、載置面５Ａ内の略全面を加熱する。載置面５Ａ内において、第１加熱機構１１の面方向の発熱量の分布は均一となっているとよい。換言すると、第１加熱機構１１の単位面積当たりの発熱量は、載置面５Ａ内の任意の部分において同一であり、第１加熱機構１１は載置面５Ａの全体を一様に加熱するように構成されているとよい。
【００３０】
２つの第２加熱機構１２の各々も、外側が長方形の平板状に形成された金属板と、この金属板の内部に配置された複数本のシースヒータとから構成されている。本実施の形態における各第２加熱機構１２もいわゆるプレート型ヒータである。
【００３１】
各第２加熱機構１２は、第１加熱機構１１の裏面側に配置されている（図１参照）。各第２加熱機構１２の長手方向（図２紙面上下方向）の長さは、第１加熱機構１１の短手方向（図２紙面上下方向）の長さに等しい。各第２加熱機構１２は、第１加熱機構１１の長手方向（図２紙面左右方向）の両端に沿うように配置されている。
【００３２】
第２加熱機構１２の発熱によって生じた熱エネルギーは、載置面５Ａおよび載置面５Ａ上に載置された基板８に伝達する。第２加熱機構１２は、載置面５Ａ内を部分的に加熱する。載置面５Ａ内において、第２加熱機構１２の面方向の発熱量の分布は不均一となっている。換言すると、第２加熱機構１２は、載置面５Ａの全体を一様には加熱せず、載置面５Ａを部分的に（図２紙面左右方向における両端側のみを）加熱するように構成されている。なお、単位面積当たりで見た場合、第１加熱機構１１の単位面積当たりの発熱量と、第２加熱機構１２の単位面積当たりの発熱量とは、同一であっても異なっていてもよい。
【００３３】
プラズマ処理装置１は、温度センサ１３および制御装置１４を有していてもよい。温度センサ１３は、基板８がプラズマ処理を施されている際に、基板８の温度を測定する。温度センサ１３の測定値（プラズマ処理中の基板８の温度）は、第１加熱機構１１に接続された制御装置１４に入力される。温度センサ１３および制御装置１４の動作の詳細については後述する。
【００３４】
（プラズマ処理装置１の動作）
プラズマ処理装置１においては、まず、基板８がチャンバー２内に搬入される。基板８は、平面視において、チャンバー２の内壁との上下左右の間隔が対称となるようにチャンバー２の内部に配置される（図３参照）。
【００３５】
基板８の搬入によって、外部からチャンバー２内に不純物が混入する場合がある。プラズマ処理によって基板８上に形成される堆積膜内にこの不純物が取り込まれると、当該堆積膜の特性が低下する。このため、プラズマ処理装置１は、チャンバー２内の不純物の濃度を低減するために、チャンバー２内の雰囲気を置換ガスによって置換するとよい。
【００３６】
ガス置換においては、水素ガスなどの置換ガスがガス供給部６を通してチャンバー２内に供給される。チャンバー２内の圧力が所定の値（たとえば１００Ｐａから１０００Ｐａ）に到達した後、水素ガスの供給が停止される。所定の時間が経過した後、チャンバー２内の圧力が所定の値（たとえば１Ｐａから１０Ｐａ）に到達するまでチャンバー２内が真空ポンプ３によって排気される。水素ガスの供給と真空ポンプ３による排気とは複数回繰り返されてもよい。
【００３７】
チャンバー２内がガス置換された後、基板８を覆うように、導電性膜（ｐ型若しくはｎ型）または半導体膜（ｉ型）等の堆積膜が成膜される。具体的には、これらの堆積膜を成膜するために、不純物（ドーパント）やシランガス等を含む原料ガスが、ガス供給部６を通してチャンバー２内に供給される。真空ポンプ３によって、チャンバー２内のガス圧力は予め定められた値（たとえば１００Ｐａ〜３０００Ｐａ）に設定される。
【００３８】
原料ガスがチャンバー２内に供給される際、基板加熱機構１０は、アノード電極５を加熱することによって間接的に基板８を加熱する。基板加熱機構１０は、基板８の温度が面方向で均一になるように加熱する。
【００３９】
具体的には、第１加熱機構１１は基板８の略全面を加熱する。第２加熱機構１２は第１加熱機構１１の加熱によって間接的に加熱された基板８の温度が面方向で均一になるように、基板８を（アノード電極５を加熱することによって）部分的に加熱する。第２加熱機構１２は、第１加熱機構１１の加熱によって生じた基板８の面方向の温度のバラツキに対して、当該バラツキを無くすために、基板８の面方向における温度が相対的に低い部分を追加的に加熱する。
【００４０】
図３を参照して、本実施の形態においては、基板８は断面視（平面視）長方形状であり、チャンバー２の内壁は断面視（平面視）正方形状となっている。基板８の長辺部８ａと、長辺部８ａに対向するチャンバー２の内壁２ａとの間には間隔Ｌａが空けられている。基板８の短辺部８ｂと、短辺部８ｂに対向するチャンバー２の内壁２ｂとの間には間隔Ｌｂが空けられている。
【００４１】
間隔Ｌａは間隔Ｌｂよりも大きい（間隔Ｌａ＞間隔Ｌｂ）。基板８が基板加熱機構１０によって加熱される際、チャンバー２による基板８の脱熱量は、長辺部８ａ側よりも短辺部８ｂ側の方が大きくなる。換言すると、基板８は、長辺部８ａ側に比べて短辺部８ｂ側の方が、チャンバー２によって多くの熱が奪われる。本実施の形態においては、第２加熱機構１２が短辺部８ｂ側を追加的に加熱することによって、上記の脱熱量の差が相殺され、基板８の温度が面方向で略均一になるように加熱される。
【００４２】
この状態で、高周波電源７はカソード電極４に交流電力（たとえば１ＭＨｚ〜１ＧＨｚ、１００Ｗ／ｍ２〜８０００Ｗ／ｍ２）を投入する。カソード電極４とアノード電極５との間にプラズマが発生し、チャンバー２内に供給された原料ガスが分解され、基板８に対してプラズマ処理が施される。当該処理によって、基板８に導電膜等の堆積膜が成膜される。
【００４３】
ここで、基板８は、プラズマ処理におけるプラズマの発生によっても加熱される（プラズマ入熱）。プラズマ処理装置１が温度センサ１３および制御装置１４を備えている場合、温度センサ１３はプラズマ処理中における基板８の温度を測定する。温度センサ１３の測定値（プラズマ処理中における基板８の温度）は制御装置１４に入力される。当該測定値に基づいて、制御装置１４は第１加熱機構１１の発熱量が少なくなるように第１加熱機構１１を制御する。当該制御によってプラズマの発生（プラズマ入熱）による基板８の温度上昇が相殺され、基板８の温度は一定に維持される。
【００４４】
基板８の表面内において、プラズマの発生による面方向の加熱量の分布は略均一（一様）である。換言すると、プラズマの発生による基板８に対する単位面積当たりの加熱量は、基板８の表面内の任意の部分において略同一である。第１加熱機構１１は、載置面５Ａ内の略全体を加熱するよう構成されているため、プラズマの発生（プラズマ入熱）による基板８の温度上昇を相殺するためには、第１加熱機構１１のみを制御すればよい。
【００４５】
（作用・効果）
プラズマ処理装置１によれば、第１加熱機構１１と第２加熱機構１２とが相互に独立して駆動される。チャンバー２による基板８の脱熱（温度低下）が第２加熱機構１２の追加的な加熱によって相殺されるため、プラズマ処理時において、基板８の温度は面方向で略均一になる。その結果、均一な厚さおよび所望の特性を有する堆積膜を基板８上に成膜することが可能となる。
【００４６】
プラズマ処理装置１が温度センサ１３および制御装置１４を備えている場合、基板８の温度が、プラズマ処理中と待機中とで予め決められた温度に維持されることが可能となる。その結果、より精度高く、均一な厚さおよび所望の特性を有する堆積膜を基板８上に成膜することが可能となる。なお、温度センサ１３および制御装置１４は、必要に応じて設けられるとよい。
【００４７】
上部体５Ｈと下部体５Ｌとから構成されるアノード電極５は、カソード電極４とともに平行平板型の電極構造を呈している。第１加熱機構１１および第２加熱機構１２は、シースヒータを含んで構成されることによって、平行平板型のアノード電極５に容易に内蔵されることが可能となっている。第１加熱機構１１および第２加熱機構１２がアノード電極５の内部に配置されていることによって、第１加熱機構１１および第２加熱機構１２がアノード電極５の外部に配置されている場合に比べて、基板加熱機構１０としての省スペース化が図られている。
【００４８】
第１加熱機構１１は、１枚の金属板と複数本のシースヒータとから構成される場合に限られず、載置面５Ａ上に載置された基板８の略全体を加熱可能なものであれば、２枚以上の金属板と、複数本のシースヒータとから構成されていてもよい。第１加熱機構１１は、基板８の略全体を加熱するランプヒータから構成されていてもよい。第１加熱機構１１は、使用されるヒータ種や基板の大きさに応じて、昇温速度等が考慮された上で最適なものが選択されるとよい。
【００４９】
第２加熱機構１２も、チャンバー２による基板８の脱熱（温度低下）を相殺可能であれば、２以上の金属板と複数本のシースヒータとから構成されていてもよく、基板８を部分的に加熱するランプヒータから構成されていてもよい。第２加熱機構１２も、使用されるヒータ種や基板の大きさに応じて、昇温速度等が考慮された上で最適なものが選択されるとよい。
【００５０】
第２加熱機構１２は、チャンバー２の内壁の形状および基板８の形状等に基づいて、チャンバー２による基板８の脱熱（温度低下）を相殺可能であれば、任意の位置に配置されることができる。たとえば、チャンバー２の内壁の断面視（平面視）形状および基板８の断面視（平面視）形状の双方が正方形状である場合、基板８は、外周側の脱熱量が多くなり、中央側の脱熱量が少なくなる。この場合、基板８の面方向の温度を均一にするために、アノード電極５および第１加熱機構１１を平面視正方形状に構成するとともに、第２加熱機構１２は、第１加熱機構１１の４辺に沿って設けられているとよい。
【００５１】
チャンバー２内に供給される原料ガスは、成膜する堆積膜に応じて決定されるとよく、たとえばシランガス（ＳｉＨ４ガス）と水素ガス（Ｈ２ガス）との混合ガスであってもよく、アルゴンガス（Ａｒガス）と三フッ化窒素ガス（ＮＦ３）との混合ガスであってもよい。
【００５２】
［実施の形態２］
図４を参照して、本実施の形態におけるプラズマ処理装置ついて説明する。ここでは、上述の実施の形態１との相違点について説明する。図４は、本実施の形態におけるプラズマ処理装置のアノード電極５を示す底面図である。図４では、アノード電極５の下部体５Ｌが透過的に示されている（換言すると、図４では下部体５Ｌが図示されていない）。図４では、下部体５Ｌが透過的に示されることによって、アノード電極５の内部に配置された第１加熱機構１１および第２加熱機構１２が図示（透視）されている。
【００５３】
図４に示すように、第１加熱機構１１および第２加熱機構１２は、シースヒータが金属板に内蔵されずに構成されてもよい。本実施の形態における第１加熱機構１１および第２加熱機構１２は、シースヒータがアノード電極５（上部体５Ｈおよび下部体５Ｌ）に対して露出している。
【００５４】
具体的には、アノード電極５の上部体５Ｈおよびアノード電極５の下部体５Ｌには、それぞれ断面視半円形状の長溝が設けられている。当該長溝によって、上部体５Ｈと下部体５Ｌとが相互に接合された状態では、上部体５Ｈと下部体５Ｌとの接合面に、第１加熱機構１１および第２加熱機構１２を構成するシースヒータの形状に対応した空間が形成されている。第１加熱機構１１および第２加熱機構１２を構成するシースヒータは、当該空間内に配設され、上部体５Ｈと下部体５Ｌとに直接挟み込まれるように構成されている。
【００５５】
第１加熱機構１１としては、同一の発熱量を有する複数本（ここでは、例示として７本）のシースヒータが、基板８の長手方向と平行な方向に延在するとともに、基板８の短手方向に等間隔を空けて配置されている。第１加熱機構１１は、載置面５Ａ内の略全面を加熱する。載置面５Ａ内において、第１加熱機構１１の面方向の発熱量の分布は均一となっているとよい。載置面５Ａ内において、第１加熱機構１１の面方向の発熱量の分布が均一となるように、シースヒータが設けられる数は多い方がよく、各シースヒータ同士の間隔もできるだけ狭いとよい。
【００５６】
第２加熱機構１２としては、同一の発熱量を有する２本のシースヒータが、アノード電極５の長手方向の両端に沿って１本ずつ配置されている。第２加熱機構１２は、載置面５Ａ内を部分的に加熱する。載置面５Ａ内において、第２加熱機構１２の面方向の発熱量の分布は不均一となっている。第２加熱機構１２を構成するシースヒータは、図４に示すように、第１加熱機構１１よりも載置面５Ａ（図１参照）の遠くに（換言すると、第１加熱機構１１を挟んで載置面５Ａの反対側に）配置されているとよい。第２加熱機構１２を構成するシースヒータは、第１加熱機構１１を構成するシースヒータよりも載置面５Ａ（図１参照）の近くに配置されていてもよい。
【００５７】
当該構成によっても、上述の実施の形態１と同様の作用および効果を得ることができる。チャンバー２（図３参照）による基板８の脱熱（温度低下）は第２加熱機構１２の加熱によって相殺され、プラズマ処理時において、基板８の温度は面方向で均一になる。その結果、均一な厚さおよび所望の特性を有する堆積膜を基板８上に成膜することが可能となる。
【００５８】
［実施の形態３］
図５を参照して、実施の形態３におけるプラズマ処理装置ついて説明する。ここでは、上述の実施の形態２との相違点について説明する。図５は、本実施の形態におけるプラズマ処理装置のアノード電極５を示す底面図である。図５では、アノード電極５の下部体５Ｌが透過的に示されている（換言すると、図５では下部体５Ｌが図示されていない）。図５では、下部体５Ｌが透過的に示されることによって、アノード電極５の内部に配置された第１加熱機構１１および第２加熱機構１２が図示（透視）されている。
【００５９】
図５に示すように、第１加熱機構１１としてのシースヒータは、平面視Ｕ字形状に配置されていてもよい。第１加熱機構１１としては、基板８の長手方向に沿って、同一の発熱量を有する平面視Ｕ字形状の複数本（ここでは、例示として７本）のシースヒータが平行かつ等間隔に配置されている。第１加熱機構１１は、載置面５Ａ内の略全面を加熱する。載置面５Ａ内において、第１加熱機構１１の面方向の発熱量の分布は均一となっているとよい。載置面５Ａ内において、第１加熱機構１１の面方向の発熱量の分布が均一となるように、シースヒータが設けられる数は多い方がよく、各シースヒータ同士の間隔はできるだけ狭いとよい。
【００６０】
第２加熱機構１２としては、上述の実施の形態２と同様に、同一の発熱量を有する２本のシースヒータが、基板８の長手方向の両端に沿って１本ずつ配置されている。第２加熱機構１２は、載置面５Ａ内を部分的に加熱する。載置面５Ａ内において、第２加熱機構１２の面方向の発熱量の分布は不均一となっている。第２加熱機構１２を構成するシースヒータも、第１加熱機構１１を構成するシースヒータと同様に、平面視Ｕ字形状に構成されていてもよい。当該構成によっても、上述の実施の形態２と同様の作用および効果を得ることができる。
【００６１】
［実施の形態４］
図６および図７を参照して、実施の形態４におけるプラズマ処理装置について説明する。ここでは、上述の実施の形態３におけるプラズマ処理装置との相違点について説明する。図６は、本実施の形態におけるプラズマ処理装置のアノード電極５を示す底面図である。図６では、アノード電極５の下部体５Ｌが透過的に示されている（換言すると、図６では下部体５Ｌが図示されていない）。図６では、下部体５Ｌが透過的に示されることによって、アノード電極５の内部に配置された第１加熱機構１１、第２加熱機構１２、および冷却機構２０（被処理物冷却機構）が図示（透視）されている。図７は、図６におけるＶＩＩ−ＶＩＩ線に関する矢視断面図である。
【００６２】
図６および図７に示すように、本実施の形態におけるプラズマ処理装置においては、第１加熱機構１１は、載置面５Ａ内の略全面を加熱する。載置面５Ａ内において、第１加熱機構１１の面方向の発熱量の分布は均一となっているとよい。第２加熱機構１２は、載置面５Ａ内を部分的に加熱する。載置面５Ａ内において、第２加熱機構１２の面方向の発熱量の分布は不均一となっている。
【００６３】
載置面５Ａと裏面５Ｂとを結ぶ方向（図７紙面上下方向）において、第１加熱機構１１の配置位置と第２加熱機構１２の配置位置とはずれており、第１加熱機構１１は第２加熱機構１２よりも載置面５Ａの近くに配置されている。第１加熱機構１１は上部体５Ｈと下部体５Ｌとの間に配置され、第２加熱機構１２は下部体５Ｌに内蔵されている。
【００６４】
そして、アノード電極５の内部に冷却機構２０が設けられている。冷却機構２０は、平面視Ｕ字形状に形成された複数本（ここでは、例示として７本）の伝熱管２２から構成される。各伝熱管２２は、第１加熱機構１１を構成する各シースヒータと同一平面上に位置し、上部体５Ｈおよび下部体５Ｌに挟み込まれている。
【００６５】
各伝熱管２２は、各シースヒータの外側を取り囲むように、各シースヒータと並行に配置されている。各伝熱管２２の内部には、ＣＤＡ（Clean Dry Air）、窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）、またはヘリウム（Ｈｅ）等の冷媒が所定の流量（たとえば５００〜１５００ｓｌｍ）で供給される。各伝熱管２２は、上記のように配置されることによってアノード電極５の載置面５Ａの略全面を冷却することができる。
【００６６】
ＣＤＡ（Clean Dry Air）および窒素（Ｎ２）は安価に準備されることができる。水素（Ｈ２）およびヘリウム（Ｈｅ）は高い熱伝達性を有している。プラズマ処理装置としての使用条件に応じて、最適な冷媒が選択されるとよい。
【００６７】
本実施の形態におけるプラズマ処理装置は、上述のとおりいわゆる枚葉処理方式（シングルチャンバ式）である。チャンバー２内に基板８が搬入され、アノード電極５の載置面５Ａ上に基板８が載置された後、基板８にプラズマ処理が施される。基板８がチャンバー２内へ搬入された後プラズマ処理が完了するまでの間に、冷却機構２０はアノード電極５の温度を低下させることによって、基板８を間接的に冷却することができる。
【００６８】
当該冷却によって、基板８の温度が所望の値より高い場合に、基板８は迅速に冷却されることが可能となる。冷却機構２０としての各伝熱管２２がアノード電極５の内部に配置されていることによって、各伝熱管２２がアノード電極５の外部に配置されている場合に比べ、冷却機構２０としての省スペース化も図られている。
【００６９】
冷却機構２０は、アノード電極５の載置面５Ａの略全面を一様に（均一に）冷却するように構成されているとよい。冷却機構２０としての各伝熱管２２は、平面視直線状に配置されていてもよく、平面視格子状に配置されていてもよい。冷却機構２０は、必要に応じて第２加熱機構１２に沿って配置されていてもよいし、第１加熱機構１１および第２加熱機構１２の双方に沿って配置されていてもよい。
【００７０】
［実施の形態５］
図８を参照して、本実施の形態におけるプラズマ処理装置ついて説明する。ここでは、上述の実施の形態４との相違点について説明する。図８は、本実施の形態におけるプラズマ処理装置のアノード電極５を示す断面図である。
【００７１】
上述の実施の形態４では、載置面５Ａと裏面５Ｂとを結ぶ方向（図７紙面上下方向）において、第１加熱機構１１および各伝熱管２２の配置位置と、第２加熱機構１２の配置位置とはずれている。第１加熱機構１１および各伝熱管２２は、第２加熱機構１２よりも載置面５Ａの近くに配置されている。第１加熱機構１１および各伝熱管２２は上部体５Ｈと下部体５Ｌとの間に配置され、第２加熱機構１２は下部体５Ｌに内蔵されている。
【００７２】
本実施の形態におけるプラズマ処理装置においては、第２加熱機構１２が、第１加熱機構１１および各伝熱管２２よりも載置面５Ａの近くに配置されている。第１加熱機構１１および各伝熱管２２は上部体５Ｈと下部体５Ｌとの間に配置され、第２加熱機構１２は上部体５Ｈに内蔵されている。当該構成によっても、上述の実施の形態４と同様の作用および効果を得ることができ、冷却機構２０としての省スペース化と、基板加熱機構１０としての省スペース化とが図られている。
【００７３】
［実施の形態６］
図９を参照して、本実施の形態におけるプラズマ処理装置ついて説明する。ここでは、上述の実施の形態４との相違点について説明する。図９は、本実施の形態におけるプラズマ処理装置のアノード電極５を示す断面図である。
【００７４】
上述の実施の形態４（または実施の形態５）においては、第１加熱機構１１および各伝熱管２２は上部体５Ｈと下部体５Ｌとの間に配置されている。第２加熱機構１２は下部体５Ｌ（または上部体５Ｈ）に内蔵されている。
【００７５】
本実施の形態におけるプラズマ処理装置においては、第２加熱機構１２が、アノード電極５の裏面５Ｂ上に設けられた平板状の金属板５Ｔに内蔵されている。第２加熱機構１２の発熱によって生じた熱エネルギーは、金属板５Ｔおよびアノード電極５を通して、載置面５Ａ上に載置された基板８に伝達する。当該構成によっても、冷却機構２０としての省スペース化が図られている。また、基板加熱機構１０（特に第１加熱機構１１）としての省スペース化も図られている。
【００７６】
［実施の形態７］
上述の実施の形態１〜６においては、カソード電極４およびアノード電極５が、いわゆる横型の平行平板構造を呈している（図１参照）。カソード電極４およびアノード電極５は水平方向（重力方向に対して直交する方向）に沿って配置されている。
【００７７】
図１０に示すように、カソード電極４およびアノード電極５は、いわゆる縦型の平行平板構造を呈していてもよい。この場合、カソード電極４およびアノード電極５は鉛直方向（重力方向）に沿って配置される。当該構成によっても、上述の実施の形態１〜６と同様の作用および効果を得ることが可能である。
【００７８】
［実施の形態８］
上述の実施の形態１〜７においては、１つのチャンバー２の内部に１対のカソード電極４およびアノード電極５が配置されている。
【００７９】
図１１に示すように、１つのチャンバー２の内部には、カソード電極４およびアノード電極５からなる電極対が複数（ここでは例示として３つ）配置されていてもよい。当該構成によれば、上述の実施の形態１〜７と同様の作用および効果が得られることに加えて、複数の基板８に対して同時にプラズマ処理を施すことができる。当該構成によれば、タクトタイムを短くでき、生産コストを抑制することが可能となる。
【００８０】
［実施の形態９］
上述の実施の形態８においては、１つのチャンバー２内に複数配置されたカソード電極４およびアノード電極５が、いわゆる横型の平行平板構造を呈している（図１１参照）。図１２に示すように、１つのチャンバー２の内部に複数配置されたカソード電極４およびアノード電極５は、いわゆる縦型の平行平板構造を呈していてもよい。当該構成によっても、上述の実施の形態８と同様の作用および効果を得ることができる。
【００８１】
［実施例１と比較例１との対比］
（実施例１）
図１３を参照して、上述の実施の形態３（図５参照）に基づく実施例１について説明する。図１３は、本実施例に基づき行なわれた実験の実験結果Ａ１を示している。
【００８２】
本実施例においては、基板８の大きさは、（図５紙面左右方向の）横幅が１４００ｍｍ、（図５紙面上下方向の）縦幅が１０００ｍｍである。アノード電極５の横幅および縦幅については、基板８を載置可能なように、基板８の大きさに合わせて設計されている。基板加熱機構１０として、第１加熱機構１１および第２加熱機構１２がアノード電極５の内部に配置されている。
【００８３】
第１加熱機構１１としては、平面視Ｕ字状のシースヒータが等間隔に７本配置されている。各シースヒータの定格容量は８００Ｗである。第１加熱機構１１の全体としての定格容量は、８００Ｗ×７本＝５．６ｋＷである。設計上では、第１加熱機構１１によって、基板８は約１９０℃を維持するように加熱される。
【００８４】
第２加熱機構１２としては、直線状のシースヒータが、アノード電極５の長手方向両端側に１本ずつそれぞれ配置されている。各シースヒータの定格容量は８００Ｗである。第２加熱機構１２の全体としての定格容量は、８００Ｗ×２本＝１．６ｋＷである。
【００８５】
チャンバー２内に供給される原料ガスは水素ガス（Ｈ２ガス）である。真空ポンプ３によって、チャンバー２内のガス圧力は６００Ｐａに設定される。高周波電源７によって、カソード電極４には１３．５６ＭＨｚ、１００Ｗ／ｍ２の交流電力が供給される。
【００８６】
上記の設定条件に基づき基板８にプラズマ処理が施された。この際、基板８上における５つの直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５上の温度を測定したところ、図１３に示す実験結果Ａ１が得られた。
【００８７】
図１３に示す実験結果Ａ１では、基板８上の５つの直線（若しくは線分）として、Ｙ１：（Ｘ＝０ｍｍ〜１４００ｍｍ，Ｙ＝５６５ｍｍ）、Ｙ２：（Ｘ＝７００ｍｍ〜１４００ｍｍ，Ｙ＝６９５ｍｍ）、Ｙ３：（Ｘ＝３００ｍｍ〜１０００ｍｍ，Ｙ＝８２５ｍｍ）、Ｙ４：（Ｘ＝７００ｍｍ〜１０００ｍｍ，Ｙ＝９５５ｍｍ）、およびＹ５：（Ｘ＝０ｍｍ〜１４００ｍｍ，Ｙ＝９９０ｍｍ）上における温度分布が示されている。座標Ｘは基板８の横幅方向（図５紙面左右方向）に対応している。座標Ｙは基板８の縦幅方向（図５紙面上下方向）に対応している。
【００８８】
直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５上で測定された基板８の温度は、いずれも約１８２℃〜約１９０℃の範囲内である。したがって、直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５上における基板８の温度分布のばらつきは約８℃である。
【００８９】
（比較例１）
図１４を参照して、比較例１について説明する。図１４は、本比較例に基づき行なわれた実験の実験結果Ｃ１を示している。本比較例の設定条件は、アノード電極５に第２加熱機構１２が設けられていない点を除いて実施例１と同様である。
【００９０】
上記の設定条件に基づき基板８にプラズマ処理が施された。この際、基板８上における５つの直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５上の温度を測定したところ、図１４に示す実験結果Ｃ１が得られた。本比較例における基板８上における５つの直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５の位置は、上述の実施例１におけるそれらと略同様である。
【００９１】
直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５上で測定された基板８の温度は、いずれも約１７５℃〜約１９０℃の範囲内である。したがって、直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５上における基板８の温度分布のばらつきは約１５℃である。基板８の長手方向の両端（Ｘ＝０ｍｍ、Ｘ＝１４００ｍｍ）付近の温度は、基板８の長手方向の中央（Ｘ＝７００ｍｍ）付近の温度に比べて低下している。チャンバー２によって基板８の長手方向の両端は脱熱（冷却）されていることがわかる。
【００９２】
実施例１と比較例１との対比から、第２加熱機構１２が第１加熱機構１１の長手方向の両端に沿うように配置され、第２加熱機構１２が基板８を部分的に加熱することによって、基板８の温度分布が略均一となる（若しくは基板８の面方向における温度分布の差が低減される）ことがわかる。
【００９３】
［実施例２と比較例２との対比］
（実施例２）
図１５を参照して、上述の実施の形態４（図６参照）に基づく実施例２について説明する。図１５は、本実施例に基づき行なわれた実験の実験結果Ａ２を示している。本実施例の設定条件は、次の点において上述の実施例１と相違している。
【００９４】
本実施例の設定条件においては、真空ポンプ３によって、チャンバー２内のガス圧力は１４００Ｐａに設定される。高周波電源７によって、カソード電極４には１３．５６ＭＨｚ、２０００Ｗ／ｍ２の交流電力が供給される。冷却機構２０として、平面視Ｕ字形状の７本の伝熱管２２がアノード電極５に内蔵される。各伝熱管２２の内部には、流量約７５０ｓｌｍのＣＤＡ（Clean Dry Air）が供給される。設計上では、第１加熱機構１１によって、基板８は約１６０℃を維持するように加熱される。
【００９５】
上記の設定条件に基づき基板８にプラズマ処理が施された。この際、基板８上における５つの直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５上の温度を測定したところ、図１５に示す実験結果Ａ２が得られた。本実施例における基板８上における５つの直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５の位置は、上述の実施例１におけるそれらと略同様である。
【００９６】
直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５上で測定された基板８の温度は、いずれも約１５０℃〜約１６５℃の範囲内である。したがって、直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５上における基板８の温度分布のばらつきは約１５℃である。
【００９７】
（比較例２）
図１６を参照して、比較例２について説明する。図１６は、本比較例に基づき行なわれた実験の実験結果Ｃ２を示している。本比較例の設定条件は、アノード電極５に第２加熱機構１２および冷却機構２０が設けられていない点を除いて実施例２と同様である。
【００９８】
上記の設定条件に基づき基板８にプラズマ処理が施された。この際、基板８上における５つの直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５上の温度を測定したところ、図１６に示す実験結果Ｃ２が得られた。本比較例における基板８上における５つの直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５の位置は、上述の実施例２におけるそれらと略同様である。
【００９９】
直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５上で測定された基板８の温度は、いずれも約１５３℃〜約１８３℃の範囲内である。したがって、直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５上における基板８の温度分布のばらつきは約３０℃である。基板８の長手方向の一端から中央（Ｘ＝０ｍｍ〜７００ｍｍ）付近の温度は、基板８の長手方向の中央から他端（Ｘ＝７００ｍｍ〜１４００ｍｍ）付近の温度に比べて高い。基板８の長手方向の他端（Ｘ＝１４００ｍｍ）付近の温度は、基板８の長手方向の一端から中央（Ｘ＝０ｍｍ〜７００ｍｍ）付近の温度に比べて低下している。チャンバー２によって基板８の長手方向の他端（Ｘ＝１４００ｍｍ）は脱熱（冷却）されていることがわかる。
【０１００】
実施例２と比較例２との対比から、第２加熱機構１２が第１加熱機構１１の長手方向の両端に沿うように配置されることによって、基板８の温度分布が略均一となる（若しくは基板８の面方向における温度分布の差が低減される）ことがわかる。また、アノード電極５に冷却機構２０が設けられていることによっても、基板８の温度分布が略均一となる（若しくは基板８の面方向における温度分布の差が低減される）ことがわかる。
【０１０１】
［実施例３と比較例３との対比］
（実施例３）
図１７を参照して、上述の実施の形態１に基づく実施例３について説明する。図１７は、本実施例に基づき行なわれた実験の実験結果Ａ３を示している。本実施例の設定条件は、プラズマ処理装置１が温度センサ１３（図３参照）および制御装置１４（図３参照）を備えている点において上述の実施例１と相違している。
【０１０２】
温度センサ１３はプラズマ処理中における基板８の温度を測定する。温度センサ１３の測定値（プラズマ処理中における基板８の温度）は制御装置１４に入力される。当該測定値に基づいて、制御装置１４は第１加熱機構１１の発熱量が少なくなるように第１加熱機構１１を制御する。当該制御によってプラズマの発生（プラズマ入熱）による基板８の温度上昇が相殺され、基板８の温度は一定に維持される。
【０１０３】
上記の設定条件に基づき基板８にプラズマ処理が施された。この際、基板８上における２つの直線（若しくは点）Ｙ１，Ｙ２上の温度を測定したところ、図１７に示す実験結果Ａ３が得られた。図１７に示す実験結果Ａ３では、基板８上の２つの直線（若しくは点）として、Ｙ１：（Ｘ＝０ｍｍ〜１４００ｍｍ，Ｙ＝５００ｍｍ）、およびＹ２：（Ｘ＝１４００ｍｍ，Ｙ＝９９０ｍｍ）上における温度分布が示されている。
【０１０４】
直線（若しくは点）Ｙ１，Ｙ２上で測定された基板８の温度は、いずれも約１６９℃〜約１７７℃の範囲内である。したがって、直線（若しくは点）Ｙ１，Ｙ２上における基板８の温度分布のばらつきは約８℃である。
【０１０５】
（比較例３）
図１８を参照して、比較例３について説明する。図１８は、本比較例に基づき行なわれた実験の実験結果Ｃ３を示している。本比較例の設定条件は、アノード電極５に第２加熱機構１２が設けられていない点を除いて実施例３と同様である。
【０１０６】
上記の設定条件に基づき基板８にプラズマ処理が施された。この際、基板８上における５つの直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５上の温度を測定したところ、図１８に示す実験結果Ｃ３が得られた。本比較例における基板８上における５つの直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５の位置は、上述の実施例１におけるそれらと略同様である。
【０１０７】
直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５上で測定された基板８の温度は、いずれも約１４８℃〜約１６５℃の範囲内である。したがって、直線（若しくは線分）Ｙ１〜Ｙ５上における基板８の温度分布のばらつきは約１５℃である。基板８の長手方向の両端（Ｘ＝０ｍｍ、Ｘ＝１４００ｍｍ）付近の温度は、基板８の長手方向の中央（Ｘ＝７００ｍｍ）付近の温度に比べて低下している。チャンバー２によって基板８の長手方向の両端は脱熱（冷却）されていることがわかる。
【０１０８】
実施例３と比較例３との対比から、プラズマ処理装置１が温度センサ１３および制御装置１４を備えている場合であっても、第２加熱機構１２が第１加熱機構１１の長手方向の両端に沿うように配置されることによって、基板８の温度分布が略均一となる（若しくは基板８の面方向における温度分布の差が低減される）ことがわかる。
【０１０９】
以上、本発明に基づいた各実施の形態におけるプラズマ処理装置について説明したが、今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１１０】
１  プラズマ処理装置、２  チャンバー、２ａ，２ｂ  内壁、３  真空ポンプ、４  カソード電極、５  アノード電極、５Ａ  載置面、５Ｂ  裏面、５Ｈ  上部体、５Ｌ  下部体、５Ｔ  金属板、６  ガス供給部、７  高周波電源、８  基板、８ａ  長辺部、８ｂ  短辺部、１０  基板加熱機構、１１  第１加熱機構、１２  第２加熱機構、１３  温度センサ、１４  制御装置、２０  冷却機構、２２  伝熱管。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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