(57)【要約】  【課題】累積膜厚値等の累積項目について閾値を超えた場合の運用形態を選択可能にすることにより、予めトラブル発生時の動作を指定することができる基板処理装置を提供する。  【解決手段】本願発明の基板処理装置は、少なくともパラメータ編集などを行うための操作画面を表示する表示部と、該表示部等を介して入力された指示データや各種レシピや各種パラメータをファイルとして格納する記憶部と、各種レシピ作成時における各種パラメータの設定値を入力する入力部とを少なくとも備え、更に、前記表示部は、所定の構成部品毎に、各部品が実行される回数又は時間と、これら回数又は時間に対応した閾値と、及び該閾値に到達した後に実行される所定の動作を設定する設定画面を表示する。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともパラメータ編集などを行うための操作画面を表示する表示部と、該表示部等を介して入力された指示データや各種レシピや各種パラメータをファイルとして格納する記憶部と、各種レシピ作成時における各種パラメータの設定値を入力する入力部とを少なくとも備え、前記表示部は、所定の構成部品毎に、各部品が実行される回数又は時間と、これら回数又は時間に対応した閾値と、及び該閾値に到達した後に実行される所定の動作を設定する設定画面を表示する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理の一種である半導体製造装置の累積膜厚等の累積値の管理に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の累積膜厚監視機能は、累積膜厚値が閾値を超えた場合にアラームを表示するだけだったため、オペレータがアラームに気づかない場合があった。このため、プロセスに影響がある累積項目の場合に生産(基板処理)を続けてしまうと、不良製品を作り歩留まりが低下する場合があった。
【０００３】
従来から装置を構成する部品毎に累積値を管理することは行われている。例えば、特許文献１参照。この特許文献１によれば、ボートや反応管の動作回数や動作時間と予め設定した回数及び時間とを比較した画面を表示して、部品の保守管理を行うことが記載されている。
【０００４】
従来から処理室に累積した膜厚を管理することは行われている。例えば、特許文献２参照。この特許文献１によれば、複数の処理室のうち１つの処理室でも累積膜厚が、閾値に到達した場合にクリーニングレシピを実行することにより、累積膜厚の管理を行うことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３３００８１６号公報
【特許文献２】特許第３８５４１５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板処理装置の一種である半導体製造装置で、アラーム又はインターロックなどのトラブルが発生した際に、アラーム又はインターロックなどを表示するだけでは、オペレータが気付かず又は装置故障ではないため、誤って継続して運用しまうことがあった。そして、基板処理装置での処理が終了し、基板処理の品質チェックの際に、不良製品となってしまうおそれがあった。
【０００７】
本発明では、累積膜厚値等の累積項目について閾値を超えた場合の運用形態を選択可能にすることにより、予めトラブル発生時の動作を指定することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の特徴は、少なくともパラメータ編集などを行うための操作画面を表示する表示部と、該表示部等を介して入力された指示データや各種レシピや各種パラメータをファイルとして格納する記憶部と、各種レシピ作成時における各種パラメータの設定値を入力する入力部とを少なくとも備え、前記表示部は、所定の構成部品毎に、各部品が実行される回数又は時間と、これら回数又は時間に対応した閾値と、及び該閾値に到達した後に実行される所定の動作を設定する設定画面を表示する基板処理装置にある。
【発明の効果】
【０００９】
プロセスに影響がある累積値が閾値を超えた際の運用形態を選択できるようになったことにより、基板処理装置の故障がないことで判断を誤らずに処理を継続することなく不良製品を作りこまないようになり、歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の横断図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の縦断図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる半導体製造装置におけるコントローラ構成を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる累積閾値設定画面を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、基板処理装置１０の概略横断図であり、図２は、基板処理装置１０の概略横断図である。
【００１２】
基板処理装置１０は、第一の搬送機構(大気搬送機構)としてのＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｆｒｏｎｔ  Ｅｎｄ  Ｍｏｄｕｌｅ）２０と、少なくとも圧力制御される予備室としてのロードロック室４２ａ、４２ｂを備えるロードロック機構２２と、第二の搬送機構(真空搬送機構)２４と、例えば、ウェハ１８などの基板をアッシング処理するプラズマ処理室６８ａ、６８ｂを備えるプロセス機構２６とを備えている。
【００１３】
ＥＦＥＭ２０は、ロードポート３２ａ、３２ｂ及び第一の搬送部である大気搬送ロボット３４を備える。ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）（以下、ポッドと称する）１９が載置される。
大気搬送ロボット３４は、それぞれのロードポート３２ａ、３２ｂに載置されたポッド１９から、ロードロックチャンバ２２へウェハ１８を搬送する。例えば、ポッド１９それぞれに２５枚のウェハ１８が搭載され、大気搬送ロボット３４のツィーザ３８がポッド１９内から５枚のウェハ１８を抜き出し、大気搬送ロボット３４は、Θ軸３６方向に回転してからロードロックチャンバ２２へこの５枚のウェハ１８を搬送するよう構成されている。
【００１４】
図１に示されているように、ロードロックチャンバ２２は、ロードロック室４２ａ、４２ｂと、ポッド１９から搬送されたウェハ１８をロードロック室４２ａ、４２ｂ内でそれぞれ保持するバッファ支持台４４ａ、４４ｂを備えている。バッファ支持台４４ａ、４４ｂは、その下部にインデックスアセンブリ４８ａ、４８ｂを備え、このインデックスアセンブリ４８ａ、４８ｂにより、Θ軸５０ａ、５０ｂ方向に回転し、Ｚ軸５２方向へ上下動する。よって、バッファ支持台４４ａ、４４ｂにＺ軸(縦)方向に一定間隔を隔てて収容された２５枚のウェハは、それぞれ第二の搬送機構２４へ搬送される。バッファ支持台４４ａ、４４ｂは、例えば、炭化珪素やアルミで構成しており、上部板と下部板とを接続する例えば３つの支柱を有する。支柱の長手方向内側には例えば２５個の載置部が平行に形成されている。
【００１５】
第二の搬送機構２４は、第二の搬送室(真空搬送室)として用いられるトランスファーチャンバ５４を備えており、このトランスファーチャンバ５４に、ゲートバルブ５６ａ、５６ｂを介して、ロードロック室４２ａ、４２ｂが取り付けられている。また、ゲートバルブ７４ａ、７４ｂを介して、プラズマ処理室６８ａ、６８ｂが取り付けられている。トランスファーチャンバ５４には第二の搬送部としての真空アームロボット５８が設けられている。真空アームロボット５８はフィンガー６０を備えている。真空アームロボット５８は、Θ軸６２方向に回転し、フィンガー６０をＹ軸６４方向に延伸するように構成されている。
【００１６】
したがって、トランスファーチャンバ５４に設置された真空アームロボット５８はロードロック室４２ａ、４２ｂにストックされた未処理ウェハをプラズマ処理室６８ａ、６８ｂへ移載することができるとともに、処理済ウェハをプラズマ処理室６８ａ、６８ｂからロードロック室４２ａ、４２ｂに移載することができる。
【００１７】
プロセス機構２６は、プラズマ処理室６８ａ、６８ｂを備える。プラズマ処理室６８ａ、６８ｂにはそれぞれウェハ１８を処理する処理室７０ａ、７０ｂと、この処理室７０ａ、７０ｂの上方に配置されプラズマを発生するプラズマ発生室７２ａ、７２ｂが設けられている。
【００１８】
処理室７０ａ、７０ｂにはウェハ１８を載置するサセプタ７６ａ、７６ｂを備え、このサセプタ７６ａ、７６ｂには、これらそれぞれを貫通するリフターピン７８ａ、７８ｂが設けられている。リフターピン７８ａ、７８ｂはそれぞれ、Ｚ軸８０方向に上下する。
【００１９】
プラズマ発生室７２ａ、７２ｂはそれぞれ、反応容器８２ａ、８２ｂを備え、反応容器８２ａ、８２ｂの外部には、高周波コイル８４ａ、８４ｂが設けられている。
【００２０】
このようにプラズマ処理室６８ａ、６８ｂは、高周波コイル８４ａ、８４ｂに高周波電力を印加して、ガス導入口８６ａ、８６ｂから導入されたアッシング処理用の反応ガスをプラズマ化し、そのプラズマを利用してサセプタ７６ａ、７６ｂに載置されたウェハ１８上をアッシング(プラズマ処理)する構成となっている。
【００２１】
図３は、本発明に於けるコントローラ構成を示す図である。本発明に於ける装置コントローラとしてのコントローラシステム７００は、操作部７０１と、メインコントローラとしての統括制御部７０２と、第二搬送装置としての大気ロボットコントローラ７０４と、第一搬送装置としての外側移載装置（真空ロボット）３０を制御する真空ロボットコントローラ７０５とを制御する搬送制御部としてのメカコントローラ７０６がそれぞれＬＡＮ等の通信回線を介して接続されている。
【００２２】
コントローラシステム７００の構成について詳述する。操作部７０１は、モニタ表示、ロギングデータやアラームなどの解析、及びパラメータ編集などを行うための操作画面を表示する図示しない表示部と、該表示部等を介して入力された指示データや各種レシピや各種パラメータをファイルとして格納する図示しない記憶部と、システム制御コマンドなどのコマンドや各種レシピ作成時における各種パラメータの設定値を入力する図示しない入力部とを少なくとも備えている。統括制御部７０２は、コントローラシステム７００全体の運用制御を行う。また、メカコントローラ７０６は、真空ロボットコントローラ７０５、大気ロボットコントローラ７０４等を制御し、真空排気系制御、搬送系制御をそれぞれ行う。サブコントローラ７０３は、各プロセスチャンバＰＣとしてのプロセス制御（温度、カ゛ス、圧力、ＲＦ等）を行う。また、サブコントローラ７０３は、統括制御部７０２の直下の通信回線であるセンサバスを介してウェハ検知センサからの信号を取り込みウェハ情報を確認しながら各ロボット（真空ロボットや大気ロボット）と連動して、搬送制御を実施する。サブコントローラ７０３は、前記統括制御部７０２の命令（指示）に対して、ＭＦＣやＡＰＣ（オートプレッシャーコントローラ）やＲＦ発信機や温調（温度調節器）などに数値データを出力したり、反対に、数値を受信し、前記統括制御コントローラ７０２に送信する。また、サブコントローラ７０３は、命令（指示）されたバルブパターンに対してバルブインターロックを実行し、また、前記バルブパターンに対してハードインターロックを検出し適切な処理を実施する。尚、上記表示部、記憶部、入力部は、操作部７０１と別体であってもよいし、また、メインコントローラ７０１に対して別体であってもよい。尚、図示しないＧＥＭコントローラと、該ＧＥＭコントローラを介して図示しないユーザ(顧客)側のＨｏｓｔコンピュータと接続され、工場内の自動化システムを実現するよう構成される。
【００２３】
コントローラシステム７００の動作について詳述する。操作部７０１は、図示しない前記入力部または図示しない前記ホストコンピュータからの指示により、基板を処理する旨の指示を受け付けると、操作部７０１は、基板を搬送するための搬送レシピや基板を処理するためのプロセスレシピを統括制御部７０２にダウンロードして、該統括制御部７０２は、これらのレシピに基づいてサブコントローラ７０３やメカコントローラ７０６に対して制御を行う。そして、サブコントローラ７０３は、前記プロセスレシピに基づいて基板に所定の処理を施し、真空ロボットコントローラ７０５、大気ロボットコントローラ７０４は、搬送レシピや上記ウェハ情報に基づいて真空ロボットや大気ロボットを動作させて基板の搬送を行う。
【００２４】
図４は、本願の実施の形態における設定画面が表示される操作画面の一例を示す図である。図４に示すように、本願の実施形態における設定画面(累積閾値設定画面)は、該当部位、累積項目、閾値、運用形態の設定項目を有する。また、No.１からNo.5まで表示されているが、設定される数については、特に表示されていないが５つに限定されないのは言うまでもない。設定項目についても同様に適宜設定項目数を増減できるように構成される。保存ボタンを押下すると確定され、図４で設定した内容が図示しない記憶部に格納されるように構成される。
【００２５】
ここで、該当部位は、例えば図１の装置構成の場合の選択肢は、装置全体、成膜室１、成膜室２、ロードロック室１、ロードロック室２、真空搬送ロボット、大気搬送ロボット、ゲートバルブ（GV）から選択される。また、ゲートバルブ（GV）は、更に、ゲートバルブ１（GV１）、ゲートバルブ２（GV２）・・・という設定が可能であることはいうまでもない。累積項目は、例えば、ウェハ処理枚数、ＲＦ印加時間、運転時間、ＧＶ開閉回数、搬送回数から選択される。閾値は、所定の数値が入力できるようになっている。運用形態は、例えば、アラーム表示、レシピ実行、ロット投入拒否、チャンバ切り離しから選択される。これらは、それぞれチェック欄が設けられ、チェックの有無により容易に設定が可能である。更に、選択方式として運用形態についても入力手段により入力するように構成することも本願発明の範囲に含まれるのはいうまでもない。つまり、運用形態が多数例えば１０以上になった場合など操作画面上に予め運用形態を表示しておくことが困難な場合でも本願発明は適用できる。尚、レシピ実行の場合は、閾値を超えた場合に実行するレシピを指定する欄(レシピ指定欄)が設けられている。保存ボタンが押下されると、図３の操作部に設定したデータが保存され、同様に図３の統括制御部に設定したデータが転送される。
【００２６】
更に、運用形態について詳述する。例えば、アラーム表示が選択されると、閾値を超えた場合にアラーム表示が装置画面に表示される。ロット投入拒否が選択された場合、閾値を超えた際に、新規ロットの投入が拒否される(不可能になる)。チャンバ切離しが選択された場合、閾値を超えたチャンバ(装置全体時をのぞく)が自動運転から切離され、ウェハ処理を行わないようになる。レシピ実行が選択された場合、閾値を超えた場合に指定されたレシピが実行される。
【００２７】
自動運転が開始されると、統括制御部は累積値を更新し、累積値が閾値を超えると、累積閾値設定画面で選択した運用形態を実行するよう構成されている。これにより、誤って基板を処理するレシピが実行された後になって、基板処理結果のチェック(品質チェック等)での異常の発生が抑えられる。
【実施例１】
【００２８】
例えば、図４において、該当部位として成膜室１、累積項目としてＲＦ印加時間、運用形態としてアラーム表示、チャンバ切離し、レシピ実行が選択され、レシピ指定欄には、成膜室をメンテナンス可能(ヒータ降温、大気開放等)な状態に移行させるレシピが指定される。このような設定された場合、累積値（本実施の場合はＲＦ印加時間）が閾値を越えた場合、アラームが操作部７０１の表示部に表示され、成膜室１が自動運転から切り離され、指定したレシピが実行され、成膜室１をメンテナンス可能な状態にする。従い、このように設定することにより、ＲＦ電源を一定時間使用した際にメンテナンスが必要な場合に、自動的にメンテナンスが実行され、不良製品を作りこむことがないので歩留まりを向上することができる。尚、成膜室２は、そのまま自動運転が実行される。
【実施例２】
【００２９】
例えば、図４において、該当部位として成膜室１、累積項目として処理枚数、運用形態としてレシピ実行が選択され、レシピ指定欄には、クリーニングレシピが指定される。このような設定された場合、累積値（本実施の場合は処理枚数）が閾値を越えた場合、成膜室１で指定したクリーニングレシピが実行され、実行後に生産（自動運転）が再開される。従い、このように設定することにより、指定した成膜室(成膜室１)にて一定枚数のウェハを処理した後に、クリーニングレシピが実行されるので、成膜室内に累積した累積膜厚に起因した不良製品を作りこむことがないので歩留まりを向上することができる。尚、成膜室１でクリーニングレシピが実行中でも成膜室２は、そのまま生産(自動運転)が実行される。
【実施例３】
【００３０】
例えば、図４において、該当部位として真空搬送ロボット、累積項目として搬送回数、運用形態としてアラーム表示、ロット投入拒否が選択される。このように設定された場合、累積値（本実施の場合は搬送回数）が閾値を越えた場合、アラームが操作部７０１の表示部に表示され、新規に投入されるロットの開始が拒否される。従い、このように設定することにより、真空搬送ロボットを一定搬送回数使用した際にメンテナンスを行うことができるので、ウェハを搬送する際に障害が発生することがないので装置稼働率を実質的に向上することができる。尚、処理中のロットは、そのまま処理が実行される。
【００３１】
上記では基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に限らず、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、クラスタ型の基板処理装置について示したがインライン型の基板処理装置にも適用できることは言うまでもない。
【００３２】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に本発明の好ましい態様について付記する。
【００３３】
本発明の第１の態様は、装置を構成する所定の部品毎に、所定の累積項目と、該累積項目に対応した閾値と、及び該閾値に到達した後に実行される所定の動作を設定する設定手段を設けることである。
【００３４】
本発明の第２の態様は、本発明の第１の態様において、前記所定の部品は、装置全体、成膜室１、成膜室２、ロードロック室１、ロードロック室２、真空搬送ロボット、大気搬送ロボット、ゲートバルブ（GV）等から選択されることにある。
【００３５】
本発明の第３の態様は、本発明の第１の態様において、前記所定の累積項目は、装置を構成する各部品が実行される回数又は時間である。
【００３６】
本発明の第４の態様は、本発明の第１の態様において、前記所定の累積項目又は閾値は、数値である。
【００３７】
本発明の第５の態様は、本発明の第１の態様において、前記所定の動作は、アラーム表示、レシピ実行、ロット投入拒否、チャンバ切り離しから選択される。
【符号の説明】
【００３８】
１０      
基板処理装置（アッシング装置）
７００    コントローラシステム(装置コントローラ)
７０２    上位コントローラ（メインコントローラ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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