(57)【要約】【課題】Ｘ線等の放射線の一部遮蔽等無しに撮影期間中においてもラインアーチファクト情報を正確に取得可能なラインアーチファクト検出器を提供する。【解決手段】放射線センサ１１と、放射線センサ１１における複数本のゲートラインの１本毎に順次、駆動電圧を印加するゲート駆動回路１２と、駆動電圧が印加されたゲートラインと接続された複数の画素に接続される信号読み出しラインを介して画像信号情報を読み取る読取回路１４と、読取回路１４で読み取った画像信号情報のうち、光電変換作用を行う画素群からの画像信号情報を表示する有効画像表示領域１６と、光電変換作用を行わない画素群からの画像信号情報を表示する検査画像表示領域１７と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に二次元状に配列された複数の画素、行方向又は列方向の一方に延在する複数本のゲートライン、及び前記ゲートラインの延在方向と直交する方向に延在する複数本の信号読み出しラインを有し、前記複数の画素は、光電変換作用を行う画素群と光電変換作用を行わない画素群とに分割され、前記光電変換作用を行う画素群と前記光電変換作用を行わない画素群は、それぞれ、前記複数本のゲートラインのうちの１本及び前記複数本の信号読み出しラインのうちの１本に接続された画像検出部を備える放射線センサと、
前記複数本のゲートラインの１本毎に順次、駆動電圧を印加するゲート駆動回路と、
前記光電変換作用を行う画素群について、前記駆動電圧が印加されたゲートラインと接続された複数の画素に接続される前記信号読み出しラインを介して画像信号情報を読み取り、当該画像信号情報を有効画素表示領域として表示させるとともに、前記光電変換作用を行わない画素群について、前記駆動電圧が印加されたゲートラインと接続された複数の画素に接続される前記信号読み出しラインを介して画像信号情報を読み取り、当該画像信号情報を検査画像表示領域として少なくとも一時表示させる読取回路と、
を備えることを特徴とするラインアーチファクト検出器。
【請求項２】
前記ゲート駆動回路に対して列方向の走査のタイミングを決める駆動信号を生成する駆動制御回路と、前記読取回路に対して読み取りのタイミングを決める読取信号を生成する読取制御回路と、を更に備えることを特徴とする請求項１記載のラインアーチファクト検出器。
【請求項３】
前記光電変換作用を行う画素は、ＴＦＴスイッチ、フォトダイオードを有する一方、光電変換作用を行わない画素は、ＴＦＴスイッチを有し、前記画像検出部上に、入射した放射線を蛍光に変換する蛍光体層を備えることを特徴とする請求項１記載のラインアーチファクト検出器。
【請求項４】
基板上に光電変換作用を行う複数の画素が二次元状に配列されるとともに、行方向又は列方向の一方に延在する複数本のゲートラインと、前記ゲートラインの延在方向と直交する方向に延在する複数本の信号読み出しラインとを有し、前記複数の画素は、それぞれ、前記複数本のゲートラインのうちの１本及び前記複数本の信号読み出しラインのうちの１本に接続された放射線センサを備えたラインアーチファクト検出器におけるラインアーチファクトの検出方法であって、
前記複数本のゲートラインの１本毎に順次、駆動電圧を印加し、前記駆動電圧が印加されたゲートラインと接続された複数の画素に接続される前記信号読み出しラインを介して画像信号情報を読み取るとともに、前記画像信号情報の読み取りを行うタイミングの前後に、光電変換作用を行わない画素群を想定した読取期間を設け、当該読取期間における画像信号情報を読み取ることによりラインアーチファクトを検出することを特徴とするラインアーチファクト検出器の検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、ラインアーチファクトを検出できるラインアーチファクト検出器及びその検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
新世代のＸ線診断用検出器としてアクティブマトリックスを用いた放射線画像検出器が大きな注目を集めている。この放射線画像検出器にＸ線を照射することにより、Ｘ線撮影像又はリアルタイムのＸ線画像がデジタル信号とし出力される。また、平面状の固体検出器であることから、画質性能や安定性の面でも極めて期待が大きい。この為、多くの大学やメーカーが研究開発に取り組んでいる。
【０００３】
放射線画像検出器は、直接方式と間接方式の２方式に大別される。
【０００４】
直接方式は、Ｘ線をａ−Ｓｅ等の光導電膜により直接電荷信号に変換し、電荷蓄積用のキャパシタに導く方式である。
【０００５】
一方の間接方式は、蛍光体層によりＸ線を受けて一旦可視光に変換し、可視光をａ−Ｓｉフォトダイオードなどにより信号電荷に変換して電荷蓄積用キャパシタに導く方式である。
【０００６】
現在実用化されている放射線画像検出器の多くが間接方式を採用している。
【０００７】
従来の間接型放射線画像検出器においては、入射Ｘ線を蛍光に変換する蛍光変換膜と、この蛍光を電気信号による画像情報へと変換する画像検出部とを備えている。
【０００８】
図９に、従来の間接型放射線画像検出器における画像検出部の等価回路図を示す。
【０００９】
この画像検出部においては、ＴＦＴスイッチ３、フォトダイオード８、及びコンデンサ９から構成される各画素１に対して、縦方向配線の信号読み出しライン２と横方向配線のゲートライン４がＴＦＴスイッチ３を通じて接続され、更に信号読み出しライン２が積分アンプ５に接続されている。信号読み出しライン２は、ＴＦＴスイッチ３に接続されている縦列の画素群の信号を読み出し、ゲートライン４は、ＴＦＴスイッチ３のオン、オフを制御する。
【００１０】
この放射線画像検出器では、任意のゲートライン４を選択してＴＦＴスイッチ３をＯＮにすることで、画素１の電気信号を信号読み出しライン２を介して積分アンプ５へ読み出すことができる。
【００１１】
しかしながら、この放射線画像検出器では、特定の信号読み出しライン２においてラインアーチファクトが多く発生することがある。これは、ＴＦＴスイッチ３を用いた２次元型検出器特有の構造に起因する。
【００１２】
即ち、このような２次元型検出器においては、フォトダイオード８などにおいて電流リークが生じて画素１の容量に過剰に電荷が蓄積されることでＴＦＴスイッチ３から電荷がリークしたり、ＴＦＴスイッチ３自体の不良に起因するリークが生じたりする場合がある。この際、ＴＦＴスイッチ３から電荷が漏れ出していたりする欠陥が１画素でもあった場合、ラインアーチファクトとして画像に表れる。
【００１３】
このラインアーチファクトは、その程度により、正常箇所と判別しにくい場合がある。
【００１４】
例えば、被写体が検出器のエリアより小さい場合、被写透過後の線量は低いが、その周りのエリアでは非常に高い線量が照射される。この場合、高い線量エリアでは画素１に蓄積される電荷が大きいことからＴＦＴのリーク電流量も大きくなり、ＴＦＴスイッチ３の欠陥、特性ばらつきによりラインアーチファクトが現れやすくなる。
【００１５】
これに対して、一様な線量が照射された画像出力では、特定の部分のリークは正常画像と識別しにくくなる。
【００１６】
従来、このようなラインアーチファクトは、Ｘ線等の放射線を照射しない状態での画像信号や、任意の線量を照射し検出エリアの一部の照射を遮った画像信号等を用いて総合判断により検出されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開２００９−１２８０２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかしながら、従来のラインアーチファクトの検査方法では、画像検出器での撮影を開始する前や終了時に検査を行ったり、検査のために撮影を中断したりする必要があった。また、検査用に照射する線量の調整の必要や、検査漏れなどの問題、さらに、撮影中には検査ができないなどの課題があった。
【００１９】
一方、取得した有効画素画像からラインアーチファクト情報を画像処理により検出し、その情報を元にラインアーチファクト補正を行うことも行われているが、正確なラインアーチファクト信号を分離することはできず、完全な補正もできていないのが現状である。
【００２０】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、Ｘ線等の放射線の一部遮蔽等無しに撮影期間中においてもラインアーチファクト情報を正確に取得可能なラインアーチファクト検出器及びその検出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上述の目的を達成するため、本ラインアーチファクト検出器は、基板上に二次元状に配列された複数の画素、行方向又は列方向の一方に延在する複数本のゲートライン、及び前記ゲートラインの延在方向と直交する方向に延在する複数本の信号読み出しラインを有し、前記複数の画素は、光電変換作用を行う画素群と光電変換作用を行わない画素群とに分割され、前記光電変換作用を行う画素群と前記光電変換作用を行わない画素群は、それぞれ、前記複数本のゲートラインのうちの１本及び前記複数本の信号読み出しラインのうちの１本に接続された画像検出部を備える放射線センサと、前記複数本のゲートラインの１本毎に順次、駆動電圧を印加するゲート駆動回路と、前記光電変換作用を行う画素群について、前記駆動電圧が印加されたゲートラインと接続された複数の画素に接続される前記信号読み出しラインを介して画像信号情報を読み取り、当該画像信号情報を有効画素表示領域として表示させるとともに、前記光電変換作用を行わない画素群について、前記駆動電圧が印加されたゲートラインと接続された複数の画素に接続される前記信号読み出しラインを介して画像信号情報を読み取り、当該画像信号情報を検査画像表示領域として少なくとも一時表示させる読取回路と、を備えることを特徴とする。
【００２２】
また、上述の目的を達成するため、本ラインアーチファクト検出器の検出方法は、基板上に光電変換作用を行う複数の画素が二次元状に配列されるとともに、行方向又は列方向の一方に延在する複数本のゲートラインと、前記ゲートラインの延在方向と直交する方向に延在する複数本の信号読み出しラインとを有し、前記複数の画素は、それぞれ、前記複数本のゲートラインのうちの１本及び前記複数本の信号読み出しラインのうちの１本に接続された放射線センサを備えたラインアーチファクト検出器におけるラインアーチファクトの検出方法であって、前記複数本のゲートラインの１本毎に順次、駆動電圧を印加し、前記駆動電圧が印加されたゲートラインと接続された複数の画素に接続される前記信号読み出しラインを介して画像信号情報を読み取るとともに、前記画像信号情報の読み取りを行うタイミングの前後に、光電変換作用を行わない画素群を想定した読取期間を設け、当該読取期間における画像信号情報を読み取ることによりラインアーチファクトを検出することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の実施の形態に係るラインアーチファクト検出器の構成を示す模式図。
【図２】図１のラインアーチファクト検出器に用いた放射線センサの一例を示す斜視図。
【図３】図２の画像検出部表面の部分拡大図。
【図４】図２の画像検出部の等価回路図。
【図５】図１のゲート駆動回路及び読取回路の一例を示す平面図。
【図６】第１の実施の形態に係るラインアーチファクト検出器の駆動方法を示すタイミングチャート。
【図７】ラインアーチファクトを含む画像表示例であり、（ａ）は従来例による画像表示写真、（ｂ）は第１の実施の形態による画像表示写真。
【図８】第２の実施の形態に係るラインアーチファクト検出器の駆動方法を示すタイミングチャート。
【図９】従来の間接型放射線画像検出器における画像検出部の等価回路図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照して、本実施の形態について説明する。
【００２５】
［第１の実施の形態］
（ラインアーチファクト検出器の全体構成）
図１に、第１の実施の形態のラインアーチファクト検出器を示す。
【００２６】
このラインアーチファクト検出器１０は、入射したＸ線を光に変換する蛍光体層及び入射した光を電気信号に変換する画像検出部を有する放射線センサ１１と、画像検出部に２次元的に配置された画素につき走査ライン毎に順次駆動電圧を印加するゲート駆動回路１２と、ゲート駆動回路１２に対して列方向のスキャンタイミングを決める駆動信号を生成する駆動制御回路１３と、選択された一ラインの画素の電気信号を読み取る読取回路１４と、読取回路１４での読み取りタイミングを決める読取信号を生成する読取制御回路１５と、読取回路１４により得られた有効画素を表示する有効画素表示領域１６と、ラインアーチファクト信号を表示する検査画像表示領域１７とを備えている。
【００２７】
（放射線センサ１１）
図２は、放射線センサ１１の具体的な構成の一例を示すものである。
【００２８】
この放射線センサ１１は、入射Ｘ線２１を蛍光に変換する蛍光変換膜２３と、この蛍光を電気信号による画像情報へと変換する画像検出部２５とを備えている。
【００２９】
画像検出部２５は、主にガラス基板により構成されている保持基板２７上に、フォトダイオード及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴスイッチ３）を含む画素１が多数配列された回路層２９を設けて形成されている。
【００３０】
図３は、画像検出部２５表面の部分拡大図を示すものである。
【００３１】
画像検出部２５表面では、ＴＦＴスイッチ３及びフォトダイオード８を含む画素１が格子状に配置されている。また、各々の画素１は、行方向に沿って複数本配設されたゲートライン４のうちの１本と接続され、かつ列方向に沿って複数本配設された信号読み出しライン２のうちの１本と接続されている。更に、それぞれのフォトダイオード８は、列方向に沿って複数本配設されたバイアス線３９のうちの１本と接続されている。
【００３２】
このような画像検出部２５は、液晶表示装置の製造工程に類似しているＴＦＴパネル製造工程により製造される。即ち、保持基板２７上に信号配線（信号読み出しライン２及びゲートライン４）とＴＦＴスイッチ３を形成後、その上にフォトダイオード８を格子状に形成し、その出力を下部に配置されているＴＦＴスイッチ３に電気的に接続し、さらにバイアス線３９を形成することで製造される。
【００３３】
図４に画像検出部２５の等価回路を示す。
【００３４】
画素１は、ＴＦＴスイッチ３、フォトダイオード８及びコンデンサ９からなり、ＴＦＴスイッチ３のゲートにはゲートライン４が接続され、ＴＦＴスイッチ３のソースには信号読み出しライン２が接続され、ＴＦＴスイッチ３のドレインにはフォトダイオード８とコンデンサ９とが並列に接続されている。なお、コンデンサ９は、フォトダイオード８の電極間の容量である。
【００３５】
また、本実施の形態では、Ｘ線等の放射線を電気信号に変換して画像を読み出す撮影有効エリア６の外側に、Ｘ線等の放射線を電気信号に変換しないダミー画素７を複数行設けている。
【００３６】
ダミー画素７は、例えば、図４に示すように、フォトダイオード８を設けずにＴＦＴスイッチ３とコンデンサ９のみで構成することができる。また、フォトダイオード８を設けた場合は、ＴＦＴスイッチ３に電気的に接続しないものとしてもよい。
【００３７】
ダミー画素７は、信号電荷を検出するアンプＩＣのオフセット電圧の測定に使用される。この際に、オフセット電圧の測定精度を向上させるべく、数行から十数行のダミー画素７を設けることもできる。
【００３８】
また、信号読み出しライン２の下端は、図５に示す積分アンプ５に接続され、ゲートライン４の左端は、図５に示すゲートドライバ３１の特定の信号線に接続される。
【００３９】
（ゲート駆動回路１２、読取回路１４）
図５は、図１のゲート駆動回路１２及び読取回路１４の具体的な構成の一例を示すものである。
【００４０】
ゲート駆動回路１２は、ゲートドライバ３１及び行選択回路３３を備え、読取回路１４は積分アンプ５、Ａ／Ｄ（アナログ・デジタル）変換器３５及び駆動器３７を備えている。
【００４１】
ゲートドライバ３１は、外部からの信号を受信すると、放射線センサ１１に接続されている多数のゲートライン４の電圧を順番に変更していく機能を有している。また、このゲートドライバ３１には行選択回路３３が接続される。
【００４２】
行選択回路３３は、Ｘ線画像の走査方向に従って対応するゲートドライバ３１へと信号を送る機能を有しており、図１の駆動制御回路１３と接続されている。
【００４３】
また、積分アンプ５は、図４の信号読み出しライン２と一対一に接続され、この信号読み出しライン２を伝わる電荷信号を増幅する。積分アンプ５は、Ａ／Ｄ変換器３５を介して駆動器３７に接続される。
【００４４】
駆動器３７は、図１の読取制御回路１５と接続されており、読取制御回路１５からの読取信号により、Ａ／Ｄ変換器３５でデジタル化された信号の読み取りを行う。
【００４５】
（ラインアーチファクト検出器１０の駆動方法）
図６は、このラインアーチファクト検出器１０の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。
【００４６】
図６におけるゲート駆動信号の「ゲートライン１」は、図４の行列状に配置された複数の画素１における上端の行の画素群に接続されたゲートラインであり、「ゲートライン２」は上端から２番目の行の画素群に接続されたゲートラインである。同様に「ゲートライン３」は３行目、ゲートラインｎはｎ番目の行の画素群に接続されたゲートラインである。更に、「ダミーライン１」はゲートラインｎの次の行で１番上の行のダミー画素群に接続されたゲートラインであり、「ダミーラインｍ」はｍ番目の行のダミー画素群に接続されたゲートラインを意味している。
【００４７】
図１の駆動制御回路１３で生成された図６に示す各ゲートライン１〜ｎのゲート駆動信号に基づき、ゲート駆動回路１２は各ゲートライン１〜ｎに電圧を印加する。ここで、図６に示すように、ゲートライン１〜ｎには、接続されているＴＦＴスイッチ３を絶縁状態にする電圧（Ｌｏ状態）が大部分の期間において印加されているが、特定の期間のみＴＦＴスイッチ３を導通状態にする駆動電圧（Ｈｉ状態）が印加される。
【００４８】
また、ゲート駆動回路１２が各々のゲートライン１〜ｎに対してＴＦＴスイッチ３を導通状態にする電圧を印加する期間は全て異なっており、図６のように、ゲートライン１からゲートラインｎまで順に期間をずらした電圧印加を行う。このようにすることで、異なるゲートラインに属する画素１からの電荷信号はお互いに交じり合うことなく、信号読み出しライン２を通じて積分アンプ５に入力されることになる。
【００４９】
更に、図６に示す各ダミーライン１〜ｍについても、上記と同様に、図１の駆動制御回路１３で生成されたゲート駆動信号に基づき、ゲート駆動回路１２はダミーライン１からダミーラインｍまで順に期間をずらした電圧印加を行う。
【００５０】
次に、読取制御回路１５からの読取信号に基づき、一定期間にわたって所定のゲートラインに接続されている全ての画素１について積分アンプ５により電荷蓄積動作を行い、読取回路１４により信号読み出しライン２に流れる電荷を読み取る。
【００５１】
外部からＸ線が照射されている間、図６の各ゲートライン画素信号出力の「シグナル１」〜「シグナルｎ」に示す各タイミングで読取動作を行うことで、各々のゲートライン１〜ｎにおいてＴＦＴスイッチ３を導通して画素１の電荷信号が信号読み出しライン２を流れる期間のみ積分アンプ５を動作し、不要な期間において信号読み出しライン２を流れるノイズ信号を遮断する。これにより、デジタル信号から構成される画像情報として図１に示す有効画素表示領域１６に出力することが可能となる。
【００５２】
ここで、仮にＸ線等の放射線を照射しない場合は、画像情報として変換されるべき電気信号以外のリーク電荷などがコンデンサ９に蓄積される。
【００５３】
ダミー画素７は、上述のように、フォトダイオード８を設けずにＴＦＴスイッチ３とコンデンサ９のみで構成されているのでＸ線等の放射線を電気信号に変換しないことから、Ｘ線等の放射線を照射しない場合と同様に、画像情報として変換されるべき電気信号以外のリーク電荷などがダミー画素７のコンデンサ９に蓄積されることになる。
【００５４】
よって、図６に示す各ゲートライン画素信号出力の「シグナルダミー１」〜「シグナルダミーｍ」について、「シグナル１」〜「シグナルｎ」の各出力と同様の出力を行うことによって、ダミー画素７のＴＦＴスイッチ３を介して漏れ出るラインアーチファクト信号を読取回路１４により読み取ることができる。
【００５５】
このため、図１の検査画像表示領域１７として外部に出力することにより、Ｘ線等の放射線照射にて画像を取得中にもダミー画素７からの信号出力によってラインアーチファクトの影響、欠陥が判断できる。
【００５６】
図７に、実際に有効画素表示領域１６及び検査画像表示領域１７を表示した例を示す。なお、比較のために、従来の有効画素表示領域１６のみの例も併せて示した。
【００５７】
有効画素表示領域１６において、ラインアーチファクトは、被写体内のＸ線線量の小さな部分では顕著に現れているが、被写体周辺のＸ線線量の大きい部分では検出しにくいことが分かる。
【００５８】
従って、図７（ａ）のように、従来の有効画素表示領域１６のみの表示では、Ｘ線線量の大きい部分ではラインアーチファクトを確認しにくいのに対して、図７（ｂ）のように、有効画素表示領域１６及び検査画像表示領域１７を両方設けた場合には、検査画像表示領域１７を利用してラインアーチファクトを容易に確認することができる。
【００５９】
よって、本実施の形態によれば、撮影期間中においてもラインアーチファクトの検出が可能であり、放射線等の画像信号の強さなど状況により生じるアーチファクトを画像取得中に正確に検出することが可能になる。
【００６０】
なお、検査画像表示領域１７は、撮影中絶えず表示させておいても良いが、一旦表示させてラインアーチファクトの生じた部位を確認した後、表示を消して、有効画素表示領域１６のみの表示とすることもできる。
【００６１】
［第２の実施の形態］
ラインアーチファクトは、信号読み出しライン２に漏れ出してくる電荷による影響であるため、実際にダミー画素７を設けずに積分アンプ５をダミー画素７があると想定したタイミングで蓄積動作することによっても同等の出力を得ることが可能である。
【００６２】
このため、第２の実施の形態として、ダミー画素７を設けなかった以外は第１の実施の形態と同様に構成したラインアーチファクト検出器において、図８のようなゲート駆動信号で検出器を駆動した。
【００６３】
即ち、先ず、第１の実施の形態と同様に、図１の駆動制御回路１３で生成された図８に示す各ゲートライン１〜ｎのゲート駆動信号に基づき、ゲート駆動回路１２は各ゲートライン１〜ｎに電圧を印加する。ここで、図８に示すように、ゲートライン１〜ｎには、接続されているＴＦＴスイッチ３を絶縁状態にする電圧（Ｌｏ状態）が大部分の期間において印加されているが、特定の期間のみＴＦＴスイッチ３を導通状態にする電圧（Ｈｉ状態）が印加される。
【００６４】
また、ゲート駆動回路１２が各々のゲートライン１〜ｎに対してＴＦＴスイッチ３を導通状態にする電圧を印加する期間は全て異なっており、図８のように、ゲートライン１からゲートラインｎまで順に期間をずらした電圧印加を行う。
【００６５】
次に、図８の各ゲートライン画素信号出力の「シグナル１」〜「シグナルｎ」に示す各タイミングで読取動作を行うことで、各々のゲートライン１〜ｎにおいてＴＦＴスイッチ３を導通して画素１の電荷信号が信号読み出しライン２を流れる期間のみ積分アンプ５を動作する。
【００６６】
その後、さらに、図８の各ゲートライン画素信号出力の「シグナルダミー１」〜「シグナルダミーｍ」について、第１の実施の形態におけるダミー画素１〜ｎを想定したタイミングで、「シグナル１」〜「シグナルｎ」の各出力と同様の出力を行う。
【００６７】
このダミー画素を想定した読取期間において信号読み出しライン２を流れる電荷情報を得ることで、リーク電流の情報を得ることができる。
【００６８】
よって、この方法によっても、放射線画像検出装置に用いられるＴＦＴ特有の現象によるアーチファクトを検出することが可能となる。
【００６９】
［第３の実施の形態］
上記の第１又は第２の実施の形態において、検査画像表示領域１７における出力に任意の規定値を設け、その値を超えた場合にラインアーチファクトの補正を実施するなどの選択的な処理を行うこともできる。
【００７０】
ラインアーチファクトの判別は、例えば、以下の様な計算で判別することができる。
【００７１】
｜Ｖout(ｎ)−Ｖout_ave｜≧Ｖout_th  の時  n_chは欠陥ラインとする。
【００７２】
ここで、Ｖout(ｎ)・・・ｎ番目のラインの出力、Ｖout_ave・・・全ラインの平均値、Ｖout_th・・・欠陥判定基準値
ＴＦＴスイッチ３のリーク電流は、リーク箇所の画素の信号出力に依存し、被写体の状態、Ｘ線等放射線の線量、照射エリアでその影響は変化するが、シグナルダミー１〜ｍにおける画素信号出力を常に判定し、上記補正のデータとして用いることで、どのような被写体、Ｘ線等放射線の状態においてもラインアーチファクトの補正が可能となる。
【００７３】
更に、必要なコントラストを確保できる任意の信号出力以内であれば、アンプＩＣのオフセットを含むラインアーチファクトとしてデジタル信号変換後の画像処理にて補正することができ、その範囲を超えた場合は欠陥ラインとしてデジタル信号変換後の画像処理において欠陥補正を行うこともできる。
【００７４】
［その他の実施の形態］
上記の実施の形態においては、放射線センサ１１としてフォトダイオード８を設けた間接方式の例を示したが、ａ−Ｓｅ等の光導電膜によりＸ線を直接電荷信号に変換して電荷蓄積用のキャパシタに導く直接方式についても同様に適用することができる。
【００７５】
また、Ｘ線等の放射線がパルス照射され、その後画像を順次ゲートライン毎に読み出す際に、Ｘ線等放射線が照射された直後からアーチファクトの影響が減衰することがあるが、この場合は、画像読取りをダミー画素の行から開始することにより、アーチファクトの影響を検出することもできる。
【００７６】
更に、ゲートライン４のＴＦＴスイッチ３のＯＮ／ＯＦＦ電圧制御による信号読み出しライン２へのインジェクションをキャンセルする為にダミー画素等を設けた検出器においては、第１の実施の形態におけるダミー画素７のように実際の画素のＴＦＴスイッチ３をＯＮさせて信号を読み取ることはできないが、第２の実施の形態のようにダミー画素を想定した駆動にて信号を読み取ることで同等の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００７７】
１：画素
２：信号読み出しライン
３：ＴＦＴスイッチ
４：ゲートライン
５：積分アンプ
６：撮影有効エリア
７：ダミー画素
８：フォトダイオード
９：コンデンサ
１０：ラインアーチファクト検出器
１１：放射線センサ
１２：ゲート駆動回路
１３：駆動制御回路
１４：読取回路
１５：読取制御回路
１６：有効画素表示領域
１７：検査画像表示領域
２１：入射Ｘ線
２３：蛍光変換膜
２５：画像検出部
２７：保持基板
２９：回路層
３１：ゲートドライバ
３３：行選択回路
３５：Ａ／Ｄ変換器
３７：駆動器
３９：バイアス線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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