(57)【要約】【課題】有機材料よりなる有機膜を上下の電極で挟んでなる発光画素を有し、この発光画素における上部電極を隔壁で分断する有機ＥＬ素子において、隔壁によって上部電極を複数領域に分割することで上部電極がもたらす応力を緩和するとともに、隔壁部分における中見え現象を適切に防止する。【解決手段】発光画素５０の領域において、有機膜３０および上部電極４０を分断して複数領域５１、５２に区画する隔壁８０が下部電極２０上に設けられ、隔壁８０と下部電極２０との間には、遮光部であって下部電極２０の補助電極である金属補助電極９０が設けられ、隔壁８０の両側に位置する上部電極４０と有機膜３０との積層部まで拡がる金属補助電極９０の端部が、有機膜３０と下部電極２０との間に入り込むことで、有機膜３０を介して上部電極４０と重なっている重なり領域Ｓ１が存在する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板（１０）の一面（１１）上に、透明材料よりなる下部電極（２０）、有機材料からなる有機膜（３０）、光を通さない材料よりなる上部電極（４０）が順次積層された積層体よりなるものであって、前記下部電極（２０）と前記上部電極（４０）との間に電圧印加することにより前記有機膜（３０）を発光させる発光画素（５０）を備え、
前記有機膜（３０）の発光による光を、前記透明基板（１０）を通して前記透明基板（１０）の他面（１２）側に取り出すものである有機ＥＬ素子において、
前記発光画素（５０）の領域において、前記下部電極（２０）上に延びて前記有機膜（３０）および前記上部電極（４０）を分断して複数領域（５１、５２）に区画する電気絶縁性の隔壁（８０）が前記下部電極（２０）上に設けられており、
前記隔壁（８０）を挟んで位置する前記複数領域（５１、５２）が同時発光するようになっており、
前記隔壁（８０）とその下の前記下部電極（２０）との間には、光を遮る遮光部であって前記下部電極（２０）の補助電極として構成される金属補助電極（９０）が設けられており、
前記金属補助電極（９０）は、前記隔壁（８０）から前記隔壁（８０）を挟んで前記隔壁（８０）の両側に位置する前記上部電極（４０）と前記有機膜（３０）との積層部まで拡がっており、
当該積層部に位置する前記金属補助電極（９０）の端部が、前記有機膜（３０）と前記下部電極（２０）との間に入り込むことで、前記有機膜（３０）を介して前記上部電極（４０）と重なっている重なり領域（Ｓ１）が存在することを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記上部電極（４０）と前記金属補助電極（９０）とが同一材料よりなることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記透明基板（１０）の一面（１１）上にて、前記発光画素（５０）の外側には、前記発光画素（５０）を構成する前記積層体が連続して拡がった領域であって、前記下部電極（２０）と前記有機膜（３０）との間に、電気絶縁性の絶縁膜（６０）が介在することによって前記電圧印加による前記有機膜（３０）の発光が起こらない非発光領域（５０ａ）が存在しており、
前記発光画素（５０）は、前記絶縁膜（６０）の開口部内の領域として当該開口部の内郭として区画されたものであり、
前記非発光領域（５０ａ）では、前記下部電極（２０）と前記絶縁膜（６０）との間に、前記下部電極（２０）よりも低抵抗材料よりなり前記下部電極（２０）を低抵抗化するための低抵抗補助電極（１００）が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機材料よりなる有機膜を上下の電極で挟んでなる有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子に関し、特に、輝度ムラによる表示不良を抑制した発光安定性に優れた有機ＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、自己発光のため、視認性に優れ、かつ数Ｖから数十Ｖの低電圧駆動が可能なため駆動回路を含めた軽量化が可能である。そこで薄膜型ディスプレイ、照明、バックライトとしての活用が期待できる。
【０００３】
一般に、有機ＥＬ素子は、透明基板の一面上に、透明材料よりなる下部電極、有機材料からなる有機膜、光を通さない材料よりなる上部電極が順次積層された積層体よりなるものであって、下部電極と上部電極との間に電圧印加することにより有機膜を発光させる発光画素を備え、有機膜の発光による光を、透明基板を通して透明基板の他面側に取り出すものである。
【０００４】
一方で、発光画素を隔壁によって複数の領域に分割している例として特許文献１に記載の有機ＥＬ素子が提案されている。このものは、隔壁によって発光画素を複数の小画素に分割し、さらに小画素形成用隔壁の一部を切り欠くことで、小画素内で短絡が生じた場合に、切り欠いた部分において電極を溶断し、画素全体へ影響が広がることを防止するようにしたものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３１９７７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者は、従来の一般的な有機ＥＬ素子に基づいて、試作検討を行った。図９は、本発明者の第１の試作品としての有機ＥＬ素子の概略平面図であり、図１０は、図９中の個々の構成要素の平面形状を示す概略平面図であり、（ａ）は下部電極２０、（ｂ）は絶縁膜６０、（ｃ）は有機膜３０、（ｄ）は上部電極４０を示す。
【０００７】
ここで、識別のために便宜上、図９では、絶縁膜６０に点ハッチングを施し、図１０（ｂ）では絶縁膜６０に、図１０（ｃ）では有機膜３０に、図１０（ｄ）では上部電極４０にそれぞれ斜線ハッチングを施してある。また、図１０（ｃ）では上部電極４０の端部を一点鎖線、絶縁膜６０の端部を破線で示し、図１０（ｄ）では、有機膜３０の端部を一点鎖線、絶縁膜６０の端部を破線で示してある。
【０００８】
これら図９、図１０に示されるように、ガラスなどの透明基板１０の一面１１上に、ＩＴＯなどの透明材料よりなる下部電極２０、有機材料からなる有機膜３０、金属などの光を通さない材料よりなる上部電極４０が順次積層された積層体よりなる発光画素５０が設けられている。
【０００９】
また、透明基板１０の一面１１上にて、発光画素５０の外側には、発光画素５０を構成する積層体が連続して拡がった領域であって、下部電極２０と有機膜３０との間に電気絶縁性の絶縁膜６０が介在する非発光領域５０ａが存在している。そして、発光画素５０は、絶縁膜６０の開口部内の領域として当該開口部の内郭として区画されたものである。つまり絶縁膜６０の開口部の内郭が発光画素５０の外郭に相当する。
【００１０】
図９、図１０では、下部電極２０の平面形状は矢印形状をなしており、絶縁膜６０の開口部は、下部電極２０に対応した矢印形状であって下部電極２０よりも一回り小さい矢印形状をなしている。そして、絶縁膜６０の開口部の内郭端部は、下部電極２０の外郭端部を被覆し、この絶縁膜６０による下部電極２０の被覆領域が非発光領域５０ａとされている。これにより、発光画素５０は矢印形状をなしている。
【００１１】
また、図９、図１０（ａ）に示されるように、透明基板１０の一面１１のうちの周辺部は、外部回路等との接続が行われる引き出し領域Ｒとされており、この引き出し領域Ｒには、下部電極２０と同一の透明材料により形成された引き出し電極２１、２２が設けられている。
【００１２】
この引き出し電極２１、２２は、下部電極２０と同時にパターニング形成されるものであり、下部電極用の引き出し電極２１は、下部電極２０と一体に形成されたものであり、上部電極用の引き出し電極２２は、その上側の上部電極４０と直接接触して導通するものである。
【００１３】
また、図１０（ｃ）、図１０（ｄ）に示されるように、下部電極２０上の有機膜３０、その上の上部電極４０は、透明基板１０の一面１１のうち引き出し領域Ｒを除く略全面に形成されている。
【００１４】
ここで、引き出し領域Ｒにおいては、絶縁膜６０の端部が最も拡がっており、この絶縁膜６０の端部の内側に上部電極４０の端部、さらにその上部電極４０の端部の内側に有機膜３０の端部が位置している。
【００１５】
つまり、有機膜３０の端部は上部電極４０で被覆され、上部電極３０の端部は絶縁膜６０の端部で被覆されている。これにより、上部電極４０の引き出し電極２２との接続、および、絶縁膜６０による絶縁および保護が適切になされるようになっている。
【００１６】
このような発光画素５０においては、各引き出し電極２１、２２に接続された外部回路を介して、下部電極２０と上部電極４０との間に電圧印加することにより有機膜３０を発光させる。一方、非発光領域５０ａでは、下部電極２０と有機膜３０との間に絶縁膜６０が介在することによって、上記電圧印加による有機膜３０の発光が起こらないようになっている。
【００１７】
そして、この有機膜３０の発光による光を、透明基板１０を通して透明基板１０の一面１１とは反対の他面側に取り出し、透明基板１０の他面側に位置するユーザーが、その光を視認するのである。
【００１８】
このような第１の試作品について検討を行ったところ、この第１の試作品のように、発光画素５０の上部電極４０と発光画素５０以外の領域の上部電極４０とが連続して形成されている場合、発光画素５０の発熱が上部電極４０を伝わって上部電極４０全体で熱を持つようになる。
【００１９】
本発明者の検討によれば、セグメントパネルなどにおいて、発光画素５０が大面積になってくると、上部電極４０全体の熱応力の影響が大きくなり、上部電極４０と有機膜３０との間で膜の剥離が起こり、発光画素５０に輝度ムラが生じることがわかった。
【００２０】
そこで、本発明者は、第２の試作品として、図１１に示されるように、隔壁８０によって上部電極４０を複数領域に分割し、上部電極４０がもたらす応力を緩和することで、輝度ムラを抑制することを試みた。図１１は、この第２の試作品としての有機ＥＬ素子の構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ａ−Ａに沿った概略断面図である。
【００２１】
図１１に示される第２の試作品は、上記図９に示される第１の試作品に対して、さらに隔壁８０を付加したところが相違するものである。なお、図１１においては、絶縁膜６０のうち隔壁８０と重なる部位には点ハッチングを施していない。
【００２２】
この図１１に示されるように、隔壁８０は、発光画素５０を横断するように設けられて発光画素５０を複数領域（ここでは２個の領域）５１、５２に完全に分割するものである。
【００２３】
具体的には、隔壁８０は、電気絶縁性の光硬化性樹脂などよりなるものであり、発光画素５０の領域において、下部電極２０上に延びて有機膜３０および上部電極４０を分断して複数領域５１、５２に区画するものである。ここで、隔壁８０を挟んで位置する複数領域５１、５２の上部電極４０は、ともに上部電極用の引き出し電極２２に接続されており、同時発光するようになっている。
【００２４】
なお、隔壁８０は、非発光領域５０ａまで延びているが、この非発光領域５０ａでは、下部電極２０上の絶縁膜６０の上に形成されている。さらに、非発光領域５０ａの外側の下部電極２０が存在しない領域では、透明基板１０の一面１１に絶縁膜６０が直接接して形成されているが、この絶縁膜６０上に隔壁８０が形成されている。
【００２５】
また、この第２の試作品の下部電極２０、絶縁膜６０および各引き出し電極２１、２２の平面形状は、上記図１０に示される第１の試作品と同様であるが、有機膜３０および上部電極４０は、上記図１０の形状において更に隔壁８０により分断された形状とされている。
【００２６】
上部電極４０が大面積化するほど上記熱応力が大きくなるが、この第２の試作品のように、隔壁８０で発光画素５０の上部電極４０を分断してやれば、当該熱応力を低減し、上部電極４０と有機膜３０間の膜の剥離を抑制し、発光画素５０の輝度ムラを低減することができる。
【００２７】
なお、上記特許文献１のものは、隔壁によって発光画素を複数の小画素に分割しているものの、隔壁の一部を切り欠くことで、小画素内で短絡が生じた場合に、切り欠いた部分において電極を溶断するものであり、この第２の試作品の隔壁８０とは目的が異なっている。また、切り欠き部において上部電極がつながっているため、切り欠き部において応力が集中してしまい、上部電極と有機膜間で膜の剥離が生じてしまうため、輝度ムラを抑制することが困難である。
【００２８】
さらに、本発明者は、この第２の試作品について検討を進めた結果、隔壁８０およびその近傍部にて中見え現象が発生することを見出した。次に、この中見え現象について説明する。
【００２９】
図１１（ｂ）に示されるように、有機ＥＬ素子の非発光時に、透明基板１０の他面１２側からの外部光が、隔壁８０または隔壁８０と上部電極４０との隙間に対して入射した場合、その入射角度によっては上部電極４０による外部光の反射ができず、外部光が透過してしまう。
【００３０】
すると、有機ＥＬ素子の背後に位置するケースなどの背面物質１１０が見えてしまうことが起こり得る。これが中見え現象である。この中見え現象が発生すると、ユーザーの誤認などが引き起こされ、好ましくない。
【００３１】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、隔壁によって上部電極を複数領域に分割することで上部電極がもたらす応力を緩和するとともに、上記した中見え現象を適切に防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、透明基板（１０）の一面（１１）上に、透明材料よりなる下部電極（２０）、有機材料からなる有機膜（３０）、光を通さない材料よりなる上部電極（４０）が順次積層された積層体よりなるものであって、下部電極（２０）と上部電極（４０）との間に電圧印加することにより有機膜（３０）を発光させる発光画素（５０）を備え、有機膜（３０）の発光による光を、透明基板（１０）を通して透明基板（１０）の他面（１２）側に取り出すものである有機ＥＬ素子において、以下のような特徴を有する。
【００３３】
すなわち、請求項１に記載の発明では、発光画素（５０）の領域において、下部電極（２０）上に延びて有機膜（３０）および上部電極（４０）を分断して複数領域（５１、５２）に区画する電気絶縁性の隔壁（８０）が下部電極（２０）上に設けられており、
隔壁（８０）を挟んで位置する複数領域（５１、５２）が同時発光するようになっており、
隔壁（８０）とその下の下部電極（２０）との間には、光を遮る遮光部であって下部電極（２０）の補助電極として構成される金属補助電極（９０）が設けられており、
金属補助電極（９０）は、隔壁（８０）から隔壁（８０）を挟んで隔壁（８０）の両側に位置する上部電極（４０）と有機膜（３０）との積層部まで拡がっており、
当該積層部に位置する金属補助電極（９０）の端部が、有機膜（３０）と下部電極（２０）との間に入り込むことで、有機膜（３０）を介して上部電極（４０）と重なっている重なり領域（Ｓ１）が存在することを特徴とする。
【００３４】
それによれば、ユーザー等が光取り出し側である透明基板（１０）の他面（１２）側から有機ＥＬ素子を見たとき、発光画素（５０）の分断された領域間に位置する部位、すなわち隔壁（８０）および隔壁（８０）と有機膜（３０）および上部電極（４０）との隙間が、金属補助電極（９０）により遮光された状態となるから、背後物質（１１０）が見えることは無くなる。
【００３５】
よって、隔壁（８０）によって上部電極（４０）を複数領域（５１、５２）に分割することで上部電極（４０）がもたらす応力を緩和するとともに、上記した中見え現象を適切に防止することができる。また、本発明によれば、金属補助電極（９０）は下部電極（２０）の補助電極として機能するから、見かけ上、下部電極（２０）の配線抵抗を低減することができる。
【００３６】
また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の有機ＥＬ素子において、上部電極（４０）と金属補助電極（９０）とが同一材料よりなることを特徴とする。
【００３７】
それによれば、上部電極（４０）と金属補助電極（９０）とで反射率を実質同一にすることができるから、光取り出し側である透明基板（１０）の他面（１２）側からの外部光の反射光を、上部電極（４０）と金属補助電極（９０）とで実質同一のレベルにでき、見栄えがよくなる。
【００３８】
また、請求項３に記載の発明では、請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子において、透明基板（１０）の一面（１１）上にて、発光画素（５０）の外側には、発光画素（５０）を構成する積層体が連続して拡がった領域であって、下部電極（２０）と有機膜（３０）との間に、電気絶縁性の絶縁膜（６０）が介在することによって前記電圧印加による有機膜（３０）の発光が起こらない非発光領域（５０ａ）が存在しており、
発光画素（５０）は、絶縁膜（６０）の開口部内の領域として当該開口部の内郭として区画されたものであり、
非発光領域（５０ａ）では、下部電極（２０）と絶縁膜（６０）との間に、下部電極（２０）よりも低抵抗材料よりなり下部電極（２０）を低抵抗化するための低抵抗補助電極（１００）が設けられていることを特徴とする。
【００３９】
それによれば、見かけ上、下部電極（２０）の配線抵抗をさらに低減することができ、好ましい。
【００４０】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の車載メータへの取り付け状態を示す概略斜視図である。
【図２】第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ概略断面図である。
【図３】図２（ａ）中のＣ−Ｃ概略断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＤ−Ｄ概略断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ素子の概略平面図である。
【図６】図５中のＥ−Ｅ概略断面図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ素子の概略平面図である。
【図８】図７中のＦ−Ｆ概略断面図である。
【図９】本発明者の第１の試作品としての有機ＥＬ素子の概略平面図である。
【図１０】図９中の個々の構成要素を示す概略平面図であり、（ａ）は下部電極、（ｂ）は絶縁膜、（ｃ）は有機膜、（ｄ）は上部電極を示す
【図１１】（ａ）は本発明者の第２の試作品としての有機ＥＬ素子の概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００４３】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子１の車載メータへの取り付け状態を示す概略斜視図である。また、図２は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ｂ−Ｂに沿った概略断面図である。また、図３は、図２（ａ）中の一点鎖線Ｃ−Ｃに沿った概略断面図である。
【００４４】
なお、識別のために便宜上、図１では、絶縁膜６０に点ハッチングを施してある。後述するように、この絶縁膜６０は、隔壁８０の直下にも存在するものであるが、図１では、絶縁膜６０のうち隔壁８０と重なる部位には点ハッチングを施していない。
【００４５】
この図１〜図３に示される有機ＥＬ素子１は、実質的に上記図１１に示した第２の試作品に対して、金属補助電極９０（図２（ａ）では破線にて示す）を追加した構成をなすものであり、多少重複するところもあるが、主として補足事項、第２の試作品との相違点を中心に述べることとする。
【００４６】
図１に示されるように、本実施形態の有機ＥＬ素子１は、車載メータのディスプレイなどとして、メータの文字盤１１０の前面に取り付けられる。文字盤１１０の前面側は、運転手などのユーザー側、いわゆる視認者が位置する側である。よって、この文字盤１１０は、有機ＥＬ素子１の背後に位置する背面物質１１０とされている。
【００４７】
図２に示されるように、本実施形態の有機ＥＬ素子１も、透明基板１０の一面１１上に、透明材料よりなる下部電極２０、有機材料からなる有機膜３０、光を通さない材料よりなる上部電極４０が順次積層された積層体よりなるものであって、下部電極２０と上部電極４０との間に電圧印加することにより有機膜３０を発光させる発光画素５０が設けられている。
【００４８】
また、本実施形態においても、透明基板１０の一面１１上にて、発光画素５０の外側には、発光画素５０を構成する積層体が連続して拡がった領域であって、下部電極２０と有機膜３０との間に、電気絶縁性の絶縁膜６０が介在することによって電圧印加による有機膜３０の発光が起こらない非発光領域５０ａが存在している。
【００４９】
そして、発光画素５０は、絶縁膜６０の開口部内の領域として当該開口部の内郭として区画されたものであり、絶縁膜６０の開口部の内郭が発光画素５０の外郭に相当するものとなっている。
【００５０】
さらに、本実施形態においても、発光画素５０の領域において、下部電極２０上に延びて有機膜３０および上部電極４０を分断して複数領域５１、５２に区画する電気絶縁性の隔壁８０が下部電極２０上に設けられており、隔壁８０を挟んで位置する複数領域５１、５２が同時発光するようになっている。
【００５１】
ここで、これら透明基板１０の一面１１上の下部電極２０、引き出し電極２１、２２、絶縁膜６０、有機膜３０、上部電極４０、隔壁８０、発光画素５０の各平面形状は、上記第２の試作品のものと同様である。
【００５２】
各部について、より詳細に述べると、透明基板１０は透明なガラスや樹脂などよりなる電気絶縁性の板状のものである。下部電極２０、およびこれと一体に形成された下部電極用の引き出し電極２１、別体の上部電極用の引き出し電極２２は、同一の透明電極材料、たとえばＩＴＯ（インジウムチンオキサイド）や、インジウム亜鉛の酸化物膜等の透明導電膜などよりなる。
【００５３】
下部電極２０および各引き出し電極２１、２２は、蒸着やスパッタなどにより成膜されるもので、上記第２の試作品と同様、下部電極２０の平面形状が矢印形状となるようにパターニングされている。その膜厚は、たとえば、１００ｎｍから１μｍ程度であり、好ましくは１５０ｎｍ程度である。
【００５４】
また、有機膜３０は、真空蒸着法にて成膜されたもので、下部電極２０側から順に、たとえば、正孔注入性有機材料からなる正孔注入層、正孔輸送性有機材料からなる正孔輸送層、正孔輸送性有機材料や電子輸送性有機材料に蛍光色素をドープした有機ＥＬ材料からなる発光層、電子輸送性有機材料からなる電子輸送層が積層されてなる。
【００５５】
なお、有機膜３０は、有機材料からなり、下部電極２０と上部電極４０との間に順方向バイアス電圧を印加したときに、発光する構造であればよく、上記の積層例に限定されるものではない。この有機膜３０は、上記第２の試作品と同様、隔壁８０で分断されつつ、引き出し領域Ｒ以外の略全面に成膜されている。
【００５６】
上部電極４０は、通常の有機ＥＬ素子に採用可能な陰極材料を採用できる。たとえば、上部電極４０は、厚さ１００ｎｍ程度のアルミニウム膜などよりなり、スパッタや蒸着などにより成膜される。
【００５７】
この上部電極４０も、上記第２の試作品と同様、隔壁８０で分断されつつ、引き出し領域Ｒ以外の略全面に成膜されている。また、上記同様、引き出し領域Ｒ側では、上部電極４０の端部は有機膜３０の端部より拡がり、有機膜３０の端部を被覆している。
【００５８】
また、絶縁膜６０は、下部電極２０が存在する非発光領域５０ａでは下部電極２０の上に成膜され、非発光領域５０ａのさらに外側の下部電極２０が存在しない領域では透明基板１０の一面１１に直接成膜されている。そして、非発光領域５０ａでは、下部電極２０と有機膜３０との間に絶縁膜６０が介在し、両膜２０、３０は絶縁膜６０で電気的に絶縁されている。
【００５９】
このような絶縁膜６０は、一般に感光性レジストやポリイミドなどの高分子やシリコン酸化膜などの無機物などから形成されている。そして、絶縁膜６０は、フォトリソグラフやエッチングなどの技術を用いて、パターニング形成される。
【００６０】
また、本実施形態においても、隔壁８０は、発光画素５０を横断するように設けられて発光画素５０を複数領域（ここでは２個の領域）５１、５２に完全に分割するものである。なお、ここでも、隔壁８０は、発光領域５０ａでは下部電極２０上に形成されるが、非発光領域５０ａおよび非発光領域５０ａのさらに外側領域では絶縁膜６０上に形成されて、有機膜３０および上部電極４０を分断している。
【００６１】
ここでは、図２（ｂ）に示されるように、隔壁８０は、透明基板１０の一面１１側から離れる方向（図２（ｂ）中の上方）に向かって広がる逆テーパ形状をなしている。この隔壁８０はたとえばネガ型の感光性樹脂レジスト材料などからなる。
【００６２】
隔壁８０においてこのような逆テーパの断面形状とすることは、図２（ｂ）に示すように、有機膜３０および上部電極４０の成膜工程においてこれら有機膜３０および上部電極４０を適切に画定するためである。
【００６３】
こうして、発光領域５０ａすなわち絶縁膜６０の開口部内においては、有機膜３０および上部電極４０は、隔壁８０によって、つながることなく完全に２領域５１、５２に分断されている。
【００６４】
ここで、隔壁８０を挟んで位置する複数領域５１、５２は、ともに上部電極用の引き出し電極２２に接続されており、同時発光するようになっているが、その詳細な接続構成について図３を参照して述べる。
【００６５】
なお、ここでは、上部電極用の引き出し電極２２は、２個の領域５１、５２に対応して上部電極４０側の部位が２本に枝分かれしているが、各枝分かれ部分の接続構成は、ともに図３に示すとおりである。
【００６６】
図３に示されるように、透明基板１０の一面１１上にて、上部電極用の引き出し電極２２の上には、絶縁膜６０が形成されているが、このうち上部電極４０との接続部位では、絶縁膜６０が除去されて、上部電極４０と引き出し電極２２とが直接接触することで導通が図られている。
【００６７】
なお、この両者２２、４０の接触部に対して、図３中の矢印Ｌに示されるように、レーザＬによる溶接を行い、当該両者２２、４０を溶け合わせるようにしてもよく、その場合には、両者２２、４０の接合性の向上が期待できる。
【００６８】
かかる本実施形態の有機ＥＬ素子１においては、さらに、図２に示されるように、隔壁８０とその下の下部電極２０との間には、光を遮る遮光部であって下部電極２０の補助電極として構成される金属補助電極９０が設けられている。
【００６９】
ここでは、金属補助電極９０は下部電極２０上に積層され、下部電極２０と直接接触して導通することで、補助電極として機能するようになっている。この金属補助電極９０は、上部電極４０と同様の材料、たとえばアルミニウムなどよりなるが、それ以外にも、アルミニウム合金やクロムなどの遮光性を有する導電性材料であればよい。
【００７０】
また、図２に示されるように、この金属補助電極９０は、隔壁８０から隔壁８０を挟んで隔壁８０の両側に位置する上部電極４０と有機膜３０との積層部まで拡がっている。つまり、金属補助電極９０は、隔壁８０の下部だけでなく、下部電極２０の表面上をこのように拡がるものであり、隔壁８０の幅よりも幅が広くされたものである。
【００７１】
具体的には、金属補助電極９０の配線を、隔壁８０の上端幅よりも広く形成する。たとえば、隔壁８０の上端幅は１０μｍであり、金属補助電極９０の配線幅は、２０μｍとする。
【００７２】
発光画素５０からの光は透明基板１０の他面１２側から取り出すが、金属補助電極９０が形成された箇所では光を取り出すことができず、非発光部となる。金属補助電極９０による非発光部が肉眼で確認できないようにするためには、金属補助電極９０の配線幅は、２０μｍ以下であることが好ましい。
【００７３】
さらに、本実施形態では、図２に示されるように、隔壁８０の両側に位置する上部電極４０と有機膜３０との積層部に位置する金属電極９０の端部を、有機膜３０と下部電極２０との間に入り込ませており、そうすることで、有機膜３０を介して上部電極４０と重なっている領域である重なり領域Ｓ１が存在している。
【００７４】
かかる本実施形態の有機ＥＬ素子１は次のようにして製造される。透明基板１０の一面１１上に、スパッタ、蒸着、ＣＶＤ、フォトリソグラフ、エッチングなどの一般的な手法を用いて成膜およびパターニングを行い、下部電極２０および各引き出し電極２１、２２を形成する。
【００７５】
その上に、一般的な手法による成膜およびパターニングを行って、金属補助電極９０を形成する。次に、その上に、絶縁膜６０をフォトリソグラフおよびパターニングにより形成する。続いて、その上に隔壁８０をフォトリソグラフおよびパターニングにより形成する。
【００７６】
その後は、有機膜３０、上部電極４０を成膜すれば、隔壁８０によって分断された状態で有機膜３０および上部電極４０が形成される。こうして、本実施形態の有機ＥＬ素子ができあがる。
【００７７】
そして、本実施形態の発光画素５０においても、各引き出し電極２１、２２を介して、下部電極２０と上部電極４０との間に電圧印加することにより有機膜３０を発光させる。具体的には、下部電極２０に正電圧、上部電極４０に負電圧を印加する。一方、非発光領域５０ａでは、下部電極２０と有機膜３０との間に絶縁膜６０が介在することによって、上記電圧印加による有機膜３０の発光が起こらないようになっている。
【００７８】
そして、この有機膜３０の発光による光を、透明基板１０を通して透明基板１０の一面１１とは反対の他面１２側に取り出し、透明基板１０の他面１２側に位置するユーザーが、その光を視認するようになっている。図示例では、表示画素５０の形状に合わせて矢印形状が視認される。
【００７９】
ところで、本実施形態によれば、ユーザー等が光取り出し側である透明基板１０の他面１２側から有機ＥＬ素子を見たとき、発光画素５０の分断された領域間に位置する部位、すなわち隔壁８０および隔壁８０と有機膜３０および上部電極４０との隙間が、金属補助電極９０により完全に遮光された状態となる。
【００８０】
具体的には、隔壁８０の下部だけでなく上部電極４０との重なり領域Ｓ１を形成するように金属補助電極９０を設けることで、図２（ｂ）中の矢印のように、非発光時に外部光が隔壁８０の下端部に入射した場合、金属補助電極９０によって外部光の透過を抑制することができ、背面物質１１０が見える中見え現象を無くすことができる。
【００８１】
また、隔壁８０によって上部電極４０を複数領域５１、５２に分割することで上部電極４０がもたらす応力を緩和することができる。本実施形態では、上部電極４０を完全に２領域に分断しているため、上部電極４０による応力を約５０％ずつに低減することができる。
【００８２】
たとえば発光画素５０の面積は約４０ｍｍ２であるが、本実施形態では、上部電極４０の応力を約５０％に低減することで、輝度ムラを約５０％から９８％と問題無いレベルにすることができる。
【００８３】
このように、本実施形態によれば、隔壁８０によって上部電極４０を複数領域５１、５２に分割することで上部電極４０がもたらす応力を緩和するとともに、上記した中見え現象を適切に防止することができる。
【００８４】
また、本実施形態では隔壁８０によって上部電極４０を完全に２領域５１、５２に分断しているが、完全に分断する領域数を増やす（たとえば、３領域、４領域以上）ことで、上部電極４０による応力をより緩和することができる。つまり、分断される領域数は限定されないものであり、画素サイズが大きいほど領域数は多くした方がよく、画素サイズによって適時選択すればよい。
【００８５】
また、本実施形態によれば、金属補助電極９０は下部電極２０の補助電極として機能するから、見かけ上、下部電極２０の配線抵抗を低減することができ、発光画素５０内の各領域５１、５２への電力供給を均一化することができる。
【００８６】
また、本実施形態においては、上部電極４０と金属補助電極９０とが同一材料よりなることが望ましい。それによれば、上部電極４０と金属補助電極９０とで反射率を実質同一にすることができるから、光取り出し側である透明基板１０の他面１２側からの外部光の反射光を、上部電極４０と金属補助電極９０とで実質同一のレベルにでき、見栄えがよくなる。
【００８７】
具体的に言えば、図２（ｂ）の矢印に示されるように、隔壁８０上以外の上部電極４０が形成された領域にて上部電極４０によって外部光が反射される場合と、金属補助電極９０によって外部光が反射される場合とがあり、それぞれの場合、反射膜４０、９０までの外部光の通過経路が異なる。
【００８８】
つまり、隔壁８０上でない上部電極４０が形成された領域では、外部光が有機膜３０を通過する点が異なる。しかしながら、有機膜３０は一般的に膜厚が約２００ｎｍと薄く、透過率が全波長域で９５％以上であるため、反射光に関して有機膜３０の影響は少ない。つまり、上記した反射膜までの外部光の２つの通過経路においては、上部電極４０と金属補助電極９０の反射率の相違が、反射光の相違の主原因となる。
【００８９】
上部電極４０と金属補助電極９０とで反射率が大きく異なる場合、光取り出し側である透明基板１０の他面１２側からの外部光の反射光が、上部電極４０と金属補助電極９０とで異なり、この相違がユーザーに認識されやすくなるが、本実施形態によれば、そのような相違が認識されなくなり、見栄えがよくなる。
【００９０】
（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ｄ−Ｄに沿った概略断面図である。
【００９１】
本実施形態は、上記第１実施形態の有機ＥＬ素子１（上記図２等参照）に対して、さらに低抵抗補助電極１００を追加した構成としたところが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。なお、図４（ａ）では低抵抗補助電極１００の外形を一点鎖線にて示している。
【００９２】
図４に示されるように、本実施形態においても、透明基板１０の一面１１上にて、発光画素５０の外側には、上記同様の非発光領域５０ａが存在する。上記第１実施形態では図示しなかったが、この非発光領域５０ａの断面構成は、本実施形態における図４（ｂ）に示される。
【００９３】
図４（ｂ）に示されるように、発光画素５０の積層体を構成する下部電極２０、有機膜３０、上部電極４０がそれぞれ、発光領域５０ａから非発光領域５０ａまで連続して拡がっており、さらに、非発光領域５０ａでは、当該積層体において、下部電極２０と有機膜３０との間に絶縁膜６０が介在する積層構成とされている。
【００９４】
それにより、発光画素５０は、絶縁膜６０の開口部内の領域として当該開口部の内郭として区画されたものとされ、非発光領域５０ａでは、上下電極２０、４０への電圧印加による有機膜３０の発光が起こらないものとされている。
【００９５】
ここにおいて、本実施形態では、図４に示されるように、非発光領域５０ａでは、下部電極２０と絶縁膜６０との間に、下部電極２０よりも低抵抗材料よりなり下部電極２０を低抵抗化するための低抵抗補助電極１００が設けられている。
【００９６】
この低抵抗補助電極１００は、たとえばＣｒなどのＩＴＯよりも低抵抗な膜よりなり、一般的な成膜、パターニング手法により形成される。また、金属補助電極９０と同一材料でもよい。具体的には、上記第１実施形態に述べた有機ＥＬ素子１の製造方法において、下部電極２０の形成と絶縁膜６０の形成との間に、低抵抗補助電極１００を形成すればよい。
【００９７】
それによれば、見かけ上、下部電極２０の配線抵抗をさらに低減することができる。具体的に、この発光画素５０の外側の非発光領域５０ａに位置する下部電極２０は、外部と接続される引き出し電極２１につながる部分であるが、当該部分に低抵抗補助電極１００を設けることで、当該部分の配線抵抗を小さくすることができる。そして、引き出し電極２１から発光画素５０までの抵抗による電圧降下を小さくできる。
【００９８】
（第３実施形態）
図５は、本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ素子の概略平面図である。また、図６は、図５中の一点鎖線Ｅ−Ｅに沿った概略断面図である。
【００９９】
上記第１実施形態では、セグメントパターンの有機ＥＬ素子について述べたが、本実施形態は、上記第１実施形態をパッシブのドットマトリックスパターンに適用したところが相違するものである。
【０１００】
なお、図５において、識別のために便宜上、絶縁膜６０に点ハッチングを施し、金属補助電極９０は破線にて示している。また、図５においても、絶縁膜６０は、隔壁８０の直下にも存在するものであるが、図５では、絶縁膜６０のうち隔壁８０と重なる部位には点ハッチングを施していない。
【０１０１】
このドットマトリクスパターンは、複数本のストライプ状に配置された下部電極２０と有機膜３０および上部電極４０との重なり部分において、絶縁膜６０の開口部を設けることにより、発光画素５０が格子状に配置されるものである。
【０１０２】
図５に示される例では、図中の上下方向に延びる２本の下部電極２０が示されており、発光画素区画用の隔壁７０により区画された４個の発光画素５０が示されている。ここでは、各発光画素５０は矩形をなしている。また、図５に示されるように、本実施形態においても、透明基板１０の一面１１上にて、発光画素５０の外側には、上記同様の非発光領域５０ａが存在している。
【０１０３】
そして、図５、図６に示されるように、各発光画素５０は、さらに、上記第１実施形態と同様の隔壁８０により、２領域５１、５２に分割されている。ここで、発光画素区画用の隔壁７０は、隔壁８０と同一材料で一体にパターニング形成されたものである。
【０１０４】
そして、引き出し電極２１、２２を介して、所望の発光画素５０を選択的に発光または非発光とすることにより、ドットマトリクスパターン特有の多様な情報表示が可能とされている。
【０１０５】
ここにおいて、本実施形態においても、図５、図６に示されるように、金属補助電極９０が、発光画素５０ごとに設けられている。この金属補助電極９０の構成や配置については上記第１実施形態と同様である。
【０１０６】
それにより、本実施形態においても、ユーザー等が光取り出し側である透明基板１０の他面１２側から有機ＥＬ素子を見たとき、隔壁８０および隔壁８０と有機膜３０および上部電極４０との隙間が、金属補助電極９０により遮光された状態となるから、背後物質１１０が見えることは無くなる。
【０１０７】
よって、本実施形態によれば、隔壁８０によって上部電極４０を複数領域５１、５２に分割することで上部電極４０がもたらす応力を緩和するとともに、上記した中見え現象を適切に防止することができる。また、本実施形態においても、金属補助電極９０は下部電極２０の補助電極として機能するから、見かけ上、下部電極２０の配線抵抗を低減することができる。
【０１０８】
（第４実施形態）
図７は、本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ素子の概略平面図である。また、図８は、図７中の一点鎖線Ｆ−Ｆに沿った概略断面図である。
【０１０９】
本実施形態は、上記第３実施形態の図５に示されるドットマトリクスパターンの有機ＥＬ素子に対して、さらに低抵抗補助電極１００を追加した構成としたところが相違するものである。つまり、図７は、上記図５に対して低抵抗補助電極１００を追加したものであり、図７では低抵抗補助電極１００の外形を一点鎖線にて示している。
【０１１０】
図７、図８に示されるように、本実施形態では、非発光領域５０ａにおいて、下部電極２０と絶縁膜６０との間に、下部電極２０よりも低抵抗材料よりなり下部電極２０を低抵抗化するための低抵抗補助電極１００が設けられている。
【０１１１】
この低抵抗補助電極１００は、上記第２実施形態のものと同様であり、たとえばＣｒなどのＩＴＯよりも低抵抗な膜よりなり、一般的な成膜、パターニング手法により形成される。また、金属補助電極９０と同一材料でもよい。こうして、本実施形態によれば、上記第２実施形態と同様、見かけ上、下部電極２０の配線抵抗をさらに低減できるという効果が期待される。
【０１１２】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態において、引き出し電極２１、２２は、下部電極２０と同一材料のものでなくてもよく、別材料にて別途形成したものであってもよい。
【符号の説明】
【０１１３】
１          有機ＥＬ素子
１０        透明基板
１１        透明基板の一面
１２        透明基板の他面
２０        下部電極
３０        有機膜
４０        上部電極
５０        発光画素
５０ａ      非発光領域
５１、５２  隔壁で分割された発光画素の領域
８０        隔壁
９０        金属補助電極
１００      低抵抗補助電極
Ｓ１        重なり領域
【図１】
2012204250.tif 000003
【図２】
2012204250.tif 000004
【図３】
2012204250.tif 000005
【図４】
2012204250.tif 000006
【図５】
2012204250.tif 000007
【図６】
2012204250.tif 000008
【図７】
2012204250.tif 000009
【図８】
2012204250.tif 000010
【図９】
2012204250.tif 000011
【図１０】
2012204250.tif 000012
【図１１】
2012204250.tif 000013