(57)【要約】【課題】搬送チャンバー内にシリコン基板を搬送したときに、シリコン基板が面内温度分布に起因して反ることがない真空処理装置の提供。【解決手段】真空雰囲気でシリコン基板２６に回路を形成する複数の処理を、それぞれ順次実行する為の複数のプロセスチャンバー２〜５と、複数のプロセスチャンバー２〜５に隣接し、シリコン基板２６をプロセスチャンバー２〜５内へ搬入しプロセスチャンバー２〜５内から搬出する搬送機構１９を有する搬送チャンバー１とを備える真空処理装置。ガスを吹き出す吹出口２２〜２５と、搬送チャンバー１内のガスを外部へ排気する排気口３１とを搬送チャンバー１内に備え、搬送機構１９がプロセスチャンバー２２〜２５から搬出し停止させたシリコン基板２６へ吹出口２２〜２５からガスを吹出させる構成である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空雰囲気でシリコン基板上に回路を形成する複数の処理を、それぞれ順次実行する為の複数のプロセスチャンバーと、該複数のプロセスチャンバーに隣接し、前記シリコン基板をプロセスチャンバー内へ搬入しプロセスチャンバー内から搬出する搬送機構を有する搬送チャンバーとを備える真空処理装置において、
ガスを吹き出す吹出口と、前記搬送チャンバー内のガスを外部へ排気する排気口とを前記搬送チャンバー内に備え、前記搬送機構がプロセスチャンバーから搬出し停止させたシリコン基板の中央部分へ前記吹出口からガスを吹出させるように構成してあることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記吹出口は、前記シリコン基板へガスを上方から吹出させるように設けてあり、前記排気口は、前記搬送チャンバーの下部に設けてある請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
シリコン基板を検出する検出器を更に備え、該検出器がシリコン基板を検出している場合に、前記吹出口からガスを吹出させるように構成してある請求項１又は２記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記吹出口を前記プロセスチャンバーのそれぞれに対応させて備える請求項１乃至３の何れか１項に記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記検出器を前記吹出口毎に備え、該検出器がシリコン基板を検出している場合に、該検出器を備える吹出口からガスを吹出させるように構成してある請求項３又は４記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記シリコン基板を搬出したプロセスチャンバーの処理内容に応じて、前記吹出口からガスを吹出させる流量及び／又は時間を調節するように構成してある請求項４又は５記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン基板上に回路を形成する複数の処理を実行する為の複数のプロセスチャンバーと、シリコン基板をプロセスチャンバー内へ搬入しプロセスチャンバー内から搬出する搬送機構を有する搬送チャンバーとを備える真空処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板上に半導体素子又は集積回路を形成する製造工程においては、成膜及びエッチング等の処理を施すプロセスチャンバー（真空処理容器）を複数備えたマルチチャンバー型の真空処理装置が使用されている。マルチチャンバー型の真空処理装置は、複数のプロセスチャンバーと、複数のプロセスチャンバーに隣接し、シリコン基板を搬送する搬送アームを内蔵する搬送チャンバーと、搬送チャンバーに隣接し、外部と連絡する為のロードロックチャンバー（真空予備容器）とを備えている。
プロセスチャンバーと搬送チャンバーとの間、及び搬送チャンバーとロードロックチャンバーとの間は、それぞれゲートバルブにより密閉可能になっている。
【０００３】
このような真空処理装置では、搬送アームが、ロードロックチャンバー内のカセットから未処理のシリコン基板を搬送し、プロセスに従って、１番目のプロセスチャンバー内に搬入する。１番目のプロセスチャンバー内での処理が終了すると、搬送アームが、シリコン基板を１番目のプロセスチャンバー内から搬出し、搬送チャンバー内で一時的に停止させた後、２番目のプロセスチャンバー内に搬入する。
【０００４】
２番目のプロセスチャンバー内での処理が終了すると、搬送アームがシリコン基板を搬出し、搬送チャンバー内で一時的に停止させた後、３番目のプロセスチャンバー内に搬入する。
以下、同様にして、真空処理装置内での処理が終了すると、搬送アームが、他のロードロックチャンバー内のカセットへ処理済みのシリコン基板を搬送する。上述した動作において、シリコン基板がチャンバー間を搬送されるときは、それぞれのゲートバルブが開閉される。
【０００５】
特許文献１には、被処理体を収容して熱処理を行う処理室と、処理室から搬出された熱処理後の被処理体を収容して所定の温度以下に冷却する冷却室とを備えた熱処理装置が開示されている。冷却室は被処理体を支持する支持部と、被処理体の下面に対向して被処理体を冷却する冷却板とを有し、冷却板の上面が被処理体に対向する周縁部から中央部に向かって漸次隆起して形成されている。
【０００６】
特許文献２には、半導体ウェーハを加熱する熱板を有する加熱室と、加熱室によって加熱されたウェーハを冷却する冷却プレートと、加熱室に対してウェーハを搬入・搬出する搬送手段とを備えた熱処理装置が開示されている。冷却プレートに、冷媒流路である冷却配管と、冷却プレート表面との間に隙間をおいてウェーハを載置する複数の突起と、各突起の近傍に設けられ、吸引手段に接続する吸引孔とを設けている。
【０００７】
特許文献３には、クーリングプレートの基板冷却面の中央部に、基板冷却面から突出した吸着部が設けられており、吸着部の周囲が間隙部とされた基板冷却装置が開示されている。間隙部には、基板冷却面と基板との間隙を一定に保持する為のプロキシミティボールが配設されており、これにより、基板の周縁部については、プロキシミティ方式での冷却が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−９３５４３号公報
【特許文献２】特開２００８−１４７３２０号公報
【特許文献３】特開平１１−３３０２１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
搬送チャンバー内では、プロセスチャンバー内での処理に使用される腐食ガスの拡散防止対策として、圧力制御は行っているが、処理後のシリコン基板が搬送チャンバーを通過するときに、熱で反り易いシリコン基板の変形等を抑制するような機能は実行していない。
シリコン基板温度（ヒータの制御温度）が高い状態でのプロセス処理を実施した後、搬送チャンバー内にシリコン基板を搬送した場合、シリコン基板はエッジ部から放熱する為、シリコン基板内の面内温度分布の差は大きくなる。つまり、シリコン基板の中心部の温度がエッジ側の温度より高くなる。この面内温度分布に伴う熱収縮によって、シリコン基板が反ってしまうという問題がある。
【００１０】
この場合、搬送チャンバー内でシリコン基板を放置し、徐々に冷却することで反りを解消することは可能であるが、冷却に時間がかかりスループットが大幅に低下してしまう。
本発明は、上述したような事情に鑑みてなされたものであり、搬送チャンバー内にシリコン基板を搬送したときに、シリコン基板が面内温度分布に起因して反ることがない真空処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
第１発明に係る真空処理装置は、真空雰囲気でシリコン基板上に回路を形成する複数の処理を、それぞれ順次実行する為の複数のプロセスチャンバーと、該複数のプロセスチャンバーに隣接し、前記シリコン基板をプロセスチャンバー内へ搬入しプロセスチャンバー内から搬出する搬送機構を有する搬送チャンバーとを備える真空処理装置において、ガスを吹き出す吹出口と、前記搬送チャンバー内のガスを外部へ排気する排気口とを前記搬送チャンバー内に備え、前記搬送機構がプロセスチャンバーから搬出し停止させたシリコン基板の中央部分へ前記吹出口からガスを吹出させるように構成してあることを特徴とする。
【００１２】
この真空処理装置では、複数のプロセスチャンバー内で、真空雰囲気でシリコン基板上に回路を形成する複数の処理を、それぞれ順次実行し、複数のプロセスチャンバーに隣接する搬送チャンバーに内蔵する搬送機構が、シリコン基板をプロセスチャンバー内へ搬入しプロセスチャンバー内から搬出する。搬送チャンバー内に吹出口と排気口とを備え、吹出口がガスを吹き出し、排気口が、搬送チャンバー内のガスを外部へ排気する。吹出口は、搬送機構がプロセスチャンバーから搬出し停止させたシリコン基板の中央部分へガスを吹出す。従って、シリコン基板の中央部分の温度が、エッジ側の温度より低くなり、シリコン基板の反りが抑えられる。
【００１３】
第２発明に係る真空処理装置は、前記吹出口は、前記シリコン基板へガスを上方から吹出させるように設けてあり、前記排気口は、前記搬送チャンバーの下部に設けてあることを特徴とする。
【００１４】
この真空処理装置では、吹出口は、シリコン基板へガスを上方から吹出させるように設けてあり、排気口は、搬送チャンバーの下部に設けてある。
【００１５】
第３発明に係る真空処理装置は、シリコン基板を検出する検出器を更に備え、該検出器がシリコン基板を検出している場合に、前記吹出口からガスを吹出させるように構成してあることを特徴とする。
【００１６】
この真空処理装置では、検出器がシリコン基板を検出している場合に、吹出口からガスを吹出させる。
【００１７】
第４発明に係る真空処理装置は、前記吹出口を前記プロセスチャンバーのそれぞれに対応させて備えることを特徴とする。
【００１８】
この真空処理装置では、プロセスチャンバーのそれぞれに対応する吹出口を備えている。
【００１９】
第５発明に係る真空処理装置は、前記検出器を前記吹出口毎に備え、該検出器がシリコン基板を検出している場合に、該検出器を備える吹出口からガスを吹出させるように構成してあることを特徴とする。
【００２０】
この真空処理装置では、検出器を吹出口毎に備え、検出器がシリコン基板を検出している場合に、その検出器を備える吹出口からガスを吹出させる。
【００２１】
第６発明に係る真空処理装置は、前記シリコン基板を搬出したプロセスチャンバーの処理内容に応じて、前記吹出口からガスを吹出させる流量及び／又は時間を調節するように構成してあることを特徴とする。
【００２２】
この真空処理装置では、シリコン基板を搬出したプロセスチャンバーでの処理内容に応じて、吹出口からガスを吹出させる流量及び／又は時間を調節する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る真空処理装置によれば、搬送チャンバー内にシリコン基板を搬送したときに、シリコン基板に接触しない簡単な構成により、シリコン基板が面内温度分布に起因して反ることがない真空処理装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る真空処理装置の実施の形態の概略構成を模式的に示す平面図である。
【図２】吹出口に関連する構成を模式的に示す縦断面図である。
【図３】本発明に係る真空処理装置の実施の形態の吹出口に関連する構成を模式的に示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に、本発明をその実施の形態を示す図面に基づき説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明に係る真空処理装置の実施の形態１の概略構成を模式的に示す平面図である。
この真空処理装置は、成膜及びエッチング等の熱処理を含むプロセス処理を施す４つのプロセスチャンバー（真空処理容器）２〜５を備えたマルチチャンバー型の真空処理装置である。この真空処理装置は、４つのプロセスチャンバー２〜５に隣接し、シリコン基板２６を搬送する２本の搬送アーム（搬送機構）１９，１９を内蔵する搬送チャンバー１と、搬送チャンバー１に隣接し、大気搬送部２８と連絡する為の３つのロードロックチャンバー（真空予備容器）６〜８とを備えている。尚、２本の搬送アーム１９，１９の動作及び構成は同じであるため、以下では１本の搬送アーム１９について説明を行い、他方の搬送アーム１９の説明を省略する。
【００２６】
プロセスチャンバー２〜５と搬送チャンバー１との隔壁、及び搬送チャンバー１とロードロックチャンバー６〜８との隔壁は、それぞれゲートバルブ９〜１２，１３〜１５により密閉可能に構成されている。また、ロードロックチャンバー６〜８と大気搬送部３６との隔壁は、それぞれゲートバルブ１６〜１８により密閉可能に構成されている。
【００２７】
大気搬送部３６内には、旋回及び伸縮可能な大気搬送アーム３９と、大気搬送アーム３９を水平方向に移動させる水平移動部３７及び上下移動部３８とを備えている。大気搬送部３６には、ロードポート（カセット）４０〜４２が隣接して設けられている。大気搬送アーム３９は、未処理のシリコン基板をロードポート４０〜４２からロードロックチャンバー６〜８内へ搬送し、処理済みのシリコン基板をロードロックチャンバー６〜８からロードポート４０〜４２へ搬送する。
大気搬送部３６には、また、オリエンタ４３が隣接して設けられており、オリエンタ４３内では、シリコン基板を回転させて、その偏心量を光学的に求めて位置合わせを行う。
【００２８】
搬送アーム１９は、水平方向に折り曲げ自在に連結された４つのアーム２０，２０，２０，２０を備え、搬送アーム１９を構成する先端側のアーム２０には、シリコン基板２６を載置するフォーク２１，２１が取付けられている。搬送アーム１９は、搬送するシリコン基板２６の位置に応じて、アーム２０，２０，２０，２０を鉛直方向に移動させることが可能である。
搬送チャンバー１内には、搬送アーム１９が、プロセスチャンバー２〜５から搬出したシリコン基板２６を一時停止させる位置に、窒素、ヘリウム又はアルゴン等の冷却ガスを吹出す吹出口２２〜２５が設けられている。
【００２９】
図２は、吹出口２２〜２５に関連する構成を模式的に示す縦断面図である。
図示しない冷却ガスボンベに接続された冷却ガス配管３４が、搬送チャンバー１の底を貫通して固定されている。冷却ガス配管３４の吹出口２２〜２５は、搬送アーム１９のフォーク２１，２１が載置して一時停止させたシリコン基板２６の中央部分に、下方から冷却ガスを吹出す位置に固定されている。つまり、図１に示すように、シリコン基板２６を保持した搬送アーム１９が折り畳まれ、プロセスチャンバー２〜５から搬送チャンバー１内へ搬送されたシリコン基板２６の略中央部に冷却ガスを吹き付けることが可能な位置に吹出口２２〜２５が設けられている。
【００３０】
シリコン基板２６内の面内温度分布差により、シリコン基板２６の反りは発生するが、シリコン基板２６の中央部分の温度がエッジ側の温度より高い場合にのみ反りは発生する。つまり、シリコン基板２６の中央部分の温度が、エッジ側の温度よりも低い場合には、シリコン基板２６の反りは発生しない。従って、本実施の形態では、シリコン基板２６の中央部分のみに冷却ガスを局所的に供給して、シリコン基板２６の面内温度分布差が発生しないように構成している。冷却ガスを吹付ける範囲としては、例えば、直径３００ｍｍのシリコン基板２６の場合には、基板中心から半径約５０ｍｍの範囲を超えないように冷却ガスを吹付ける。直径４５０ｍｍのシリコン基板２６の場合には、基板中心から半径約１００ｍｍの範囲を超えないように冷却ガスを吹付けるのが好ましい。
冷却ガス配管３４の吹出口２２〜２５に近い部分には、シリコン基板２６を検出する検出器２２ａ〜２５ａが付設され、フォーク２１，２１が載置して一時停止させたシリコン基板２６を、反射型フォトインタラプタ方式で検出する。
【００３１】
搬送チャンバー１の外部の冷却ガス配管３４の中途に、流量制御バルブ３０が設けられている。
冷却ガスを排気する為の排気口３１が、搬送チャンバー１の底を貫通して設けてあり、排気口３１には、搬送チャンバー１の外部の配管３５を介して真空ポンプ３２が接続されている。
以上の吹出口２２〜２５に関連する構成はそれぞれ同様であるが、排気口３１については、吹出口２２〜２５で共用する。
【００３２】
各吹出口２２〜２５に対応する各検出器２２ａ〜２５ａの検出信号は、マイクロコンピュータを備えた冷却制御部３３に与えられる。冷却制御部３３は、与えられた検出信号に基づき、シリコン基板を検出している検出器２２ａ〜２５ａに対応する流量制御バルブ３０を制御して、対応する吹出口２２〜２５から冷却ガスを吹出させる。つまり、シリコン基板２６が上方に位置する吹出口２２〜２５から冷却ガスが吹き出し、シリコン基板２６が上方に位置しない吹出口２２〜２５からは冷却ガスが吹き出されない。冷却制御部３３は、その際、搬送アーム１９がシリコン基板２６を搬出して来たプロセスチャンバー２〜５の処理内容に応じて、冷却ガスを吹出させる流量及び時間を調節する。例えば、処理内容が高温での処理であれば、冷却ガスの流量を増加させ、冷却ガスの吹出し時間を長くする。
【００３３】
また、各プロセスチャンバー２〜５におけるシリコン基板２６に対する処理内容を記憶する記憶手段を備え、冷却制御部３３は、シリコン基板２６を搬送チャンバー１へ搬送した場合、その前後におけるシリコン基板２６の処理内容を特定する手段と、特定された処理内容に応じて、前記シリコン基板２６へ吹き出す冷却ガスの流量及び時間を決定する手段とを備え、決定された流量及び時間に基づいて、流量制御バルブ３０の動作を制御するように構成しても良い。尚、言うまでも無く、冷却ガスの流量及び時間のいずれか一方のみを制御するように構成しても良い。
【００３４】
尚、搬送アーム１９の折曲がり状態（収縮状態）に基づきシリコン基板を検出する検出器を１つ備え、検出器がシリコン基板を検出した場合に、吹出口２２〜２５から冷却ガスを吹出させるように構成することも可能である。つまり、搬送アーム１９が収縮した状態にあることを検出する検出器を備え、搬送アーム１９が収縮したことを検出した場合、全ての吹出口２２〜２５から冷却ガスを吹出させるように構成しても良い。この場合、検出器は１つで良い。
一方、本実施の形態１のように、吹出口２２〜２５毎に検出器２２ａ〜２５ａを備えることにより、消費される冷却ガスは少量となる。
【００３５】
以下に、このような構成の真空処理装置の動作を説明する。
この真空処理装置では、搬送アーム１９が、ロードロックチャンバー８内から未処理のシリコン基板を搬送し、プロセスに従って、１番目のプロセスチャンバー２内に搬入する。１番目のプロセスチャンバー２内での処理が終了すると、搬送アーム１９が、シリコン基板をプロセスチャンバー２内から搬出し、搬送チャンバー１内で一時停止した後、２番目のプロセスチャンバー３内に搬入する。
【００３６】
冷却制御部３３は、搬送アーム１９が、シリコン基板を搬送チャンバー１内で一時停止させ、検出器２５ａがシリコン基板を検出している場合、流量制御バルブ３０を駆動制御して、吹出口２５から冷却ガスを吹出させる。冷却制御部３３は、その際、その直前のプロセスチャンバー２内での処理内容に応じて定められた冷却ガス流量及び吹出し時間に基づき、流量制御バルブ３０を駆動制御する。
これにより、シリコン基板の中央部分をその温度に応じて冷却することができ、シリコン基板内の面内温度分布が均一化され、シリコン基板は反ることがない。
冷却制御部３３は、また、搬送チャンバー１内を所定圧力に調整する為、真空ポンプ３２を駆動制御して排気させる。
【００３７】
２番目のプロセスチャンバー３内での処理が終了すると、搬送アーム１９がシリコン基板を搬出し、搬送チャンバー１内で一時停止した後、３番目のプロセスチャンバー４内に搬入する。
冷却制御部３３は、搬送アーム１９が、シリコン基板を搬送チャンバー１内で一時停止させ、検出器２４ａがシリコン基板を検出している場合、流量制御バルブ３０を駆動制御して、吹出口２４から冷却ガスを吹出させる。冷却制御部３３は、その際、その直前のプロセスチャンバー３内での処理内容に応じて定められた冷却ガス流量及び吹出し時間に基づき、流量制御バルブを駆動制御する。
【００３８】
以下、同様にして、真空処理装置内での処理が終了すると、搬送アーム１９が、ロードロックチャンバー８内へ処理済みのシリコン基板を搬送する。上述した動作において、シリコン基板がチャンバー１〜８間を搬送されるときは、それぞれのゲートバルブ９〜１０，１３〜１５，１６〜１８が開閉され、真空処理装置内の真空度が保持されるように構成されている。
【００３９】
このように構成された真空処理装置によれば、搬送チャンバー１を介してプロセスチャンバー２〜５間でシリコン基板２６を受け渡す際、該シリコン基板２６が面内温度分布に起因して反ることを防止することができる。
また、シリコン基板２６の位置を検出し、シリコン基板２６が位置する吹出口２２〜２５のいずれか一つから冷却ガスを吹き出すように構成してあるため、冷却ガスの消費量を抑えることができる。
【００４０】
尚、本実施の形態１では、検出器の例として吹出口の近傍に設けられた反射型フォトインタラプタ、搬送アームの収縮を検出する手段などを説明したが、特にこれらに限定されない。例えば、搬送アームの収縮を検出する収縮検出手段と、搬送アームの向きを検出する向き検出手段とを用いて検出器を構成し、該収縮検出手段及び向き検出手段によって、シリコン基板の位置を特定ないし推定し、シリコン基板の位置に対応する吹出口から冷却ガスを吹き出すように構成しても良い。
【００４１】
（実施の形態２）
図３は、本発明に係る真空処理装置の実施の形態の吹出口に関連する構成を模式的に示す縦断面図である。
冷却ガス配管３４ａは、搬送チャンバー１の天井を貫通して固定されている。冷却ガス配管３４ａの吹出口２２ｂ〜２５ｂは、搬送アーム１９のフォーク２１，２１が載置して一時停止させたシリコン基板２６の中央部分に、上方から冷却ガスを吹出す位置に固定されている。冷却ガス配管３４ａの吹出口２２ｂ〜２５ｂに近い部分には、シリコン基板２６を検出する検出器２２ｃ〜２５ｃが付設され、フォーク２１，２１が載置して一時停止させたシリコン基板２６を、反射型フォトインタラプタ方式で検出する。
【００４２】
搬送チャンバー１の外部の冷却ガス配管３４ａの中途に、流量制御バルブ３０が設けられている。
冷却ガスを排気する為の排気口３１ａが、搬送チャンバー１の底を貫通して設けてあり、排気口３１ａには、搬送チャンバー１の外部の配管３５ａを介して真空ポンプ３２が接続されている。
【００４３】
本実施の形態２では、シリコン基板２６に上方から冷却ガスを吹出し、搬送チャンバー１の底の排気口３１ａから排気するので、シリコン基板２６の下方に多く存在するパーティクルを散乱させず、搬送チャンバー１内をクリーンに維持できる。
また、シリコン基板２６に上方から冷却ガスを吹出すので、下方から吹出す場合のように、シリコン基板２６が吹上げられフォーク２１，２１から落下する虞がない。
更に、吹出口２２ｂ〜２５ｂを天井側に設置するので、搬送アーム１９の動作の邪魔にならず、吹出口２２ｂ〜２５ｂの設置位置を決める際の自由度も大きい。
以上の吹出口２２ｂ〜２５ｂに関連する構成はそれぞれ同様であるが、排気口３１ａについては、吹出口２２ｂ〜２５ｂで共用する。
【００４４】
更にまた、シリコン基板２６を上面側から冷却するように構成してあるため、シリコン基板２６の下面側に比べて上面側がより大きく熱収縮し、シリコン基板２６には、中央部分の反りを抑えるような応力が働く。フォーク２１によって下側から支持されているシリコン基板２６は、エッジ部分の下側から温度が低下する為、シリコン基板２６と、シリコン基板２６上に形成された膜の熱膨張率によっては、シリコン基板２６には、熱収縮により中央部が盛り上がる方向の応力が働く。他方、シリコン基板２６の中央部分を上面側から冷却した場合、シリコン基板２６の中央部分とエッジ部分との温度差が小さくなると共に、シリコン基板２６の上面及び下面の温度差によって、シリコン基板２６の中央部分の反りを打ち消す方向に応力が働く。従って、より速やか、かつ効果的にシリコン基板２６の反りを抑えることが可能である。
【００４５】
各吹出口２２ｂ〜２５ｂに対応する各検出器２２ｃ〜２５ｃの検出信号は、マイクロコンピュータを備えた冷却制御部３３に与えられる。冷却制御部３３は、与えられた検出信号に基づき、シリコン基板を検出している検出器２２ｃ〜２５ｃに対応する流量制御バルブ３０を制御して、吹出口２２ｂ〜２５ｂから冷却ガスを吹出させる。冷却制御部３３は、その際、搬送アーム１９がシリコン基板を搬出して来たプロセスチャンバー２〜５の処理内容に応じて、冷却ガスを吹出させる流量、時間を調節する。例えば、処理内容が高温での処理であれば、冷却ガスの流量を増加させ、冷却ガスの吹出し時間を長くする。
本実施の形態２のその他の構成及び動作は、上述した実施の形態１の動作及び構成と同様であるので、説明を省略する。
【００４６】
尚、上述した実施の形態１，２では、冷却ガスによりシリコン基板を冷却する構成であるが、吹出口から吹出させるガスは冷却ガスに限定されない。フォーク２１で搬送することで、シリコン基板の中心部と比較して、シリコン基板のエッジ側の温度が低下した場合には、エッジ側にのみホットガスを供給して、シリコン基板内の温度均一性を保つことができる。これにより、次工程プロセス（冷却も含む）開始時のシリコン基板の状態を安定させることが可能である。
【符号の説明】
【００４７】
１  搬送チャンバー
２〜５  プロセスチャンバー
６〜８  ロードロックチャンバー
９〜１８  ゲートバルブ
１９  搬送アーム（搬送機構）
２０  アーム
２１  フォーク
２２〜２５，２２ｂ〜２５ｂ  吹出口
２２ａ〜２５ａ，２２ｃ〜２５ｃ  検出器
２６  シリコン基板
３０  流量制御バルブ
３１，３１ａ  排気口
３２  真空ポンプ
３３  冷却制御部
３４，３４ａ  冷却ガス配管
【図１】
2012079835.tif 000003
【図２】
2012079835.tif 000004
【図３】
2012079835.tif 000005