(57)【要約】【課題】面発光する発光体の薄型化、フレキシブル性の付与、輝度ムラの低減のうち、少なくとも１つを実現すること。【解決手段】発光体１は、基材面に所定間隔で配置される複数の貫通孔３Ｈを有し、貫通孔中３Ｈに、第１半導体層５Ａと第２半導体層５Ｂとが積層することで接合部５Ｃを形成した半導体領域５とで構成され、かつ、第１半導体層５Ａと第２半導体層５Ｂとの接合面５Ｃと対向する面が、それぞれ電極と接合していることを特徴とする。【選択図】図３
2012204822.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材面に所定間隔で配置される複数の貫通孔を有し、
前記貫通孔中に、第１半導体層と第２半導体層とが積層することで接合部を形成した半導体領域とを有し、かつ、前記第１半導体層と前記第２半導体層との接合面とは異なる面が、それぞれ電極と接合していることを特徴とする発光体。
【請求項２】
前記基材は、フィルム状樹脂が用いられる請求項１に記載の発光体。
【請求項３】
前記基材は、ガラスからなる請求項１に記載の発光体。
【請求項４】
前記第１半導体層と前記第２半導体層とは、それぞれ粒子の集合体である請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光体。
【請求項５】
前記貫通孔は、すり鉢状の形状に形成される請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光体。
【請求項６】
前記第１の半導体層は、Ｐ型半導体であり、かつ、前記第２の半導体層は、Ｎ型半導体である請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光体。
【請求項７】
前記第１の半導体層は、Ｎ型半導体であり、かつ、前記第２の半導体層は、Ｐ型半導体である請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光する発光体の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＥＤは、液晶ディスプレイのバックライトの光源として普及している。また、近年は、ＬＥＤを光源とした照明器具が製造され、普及し始めている。例えば、特許文献１には、ＬＥＤの応用製品として、基板上に複数のチップＬＥＤを配置したＬＥＤ表示ユニットが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２７８４８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されたＬＥＤ表示ユニットは、基板上に配置した複数のチップＬＥＤにより面発光するものである。しかし、このＬＥＤ表示ユニットは、別個独立の部品としてのチップＬＥＤが基板上に実装、配置されているので、ＬＥＤ表示ユニットが厚みを持ち、かつ、配置されたチップＬＥＤ間の距離が影響し、面発光体としての輝度ムラが大きくなるおそれがある。また、ＬＥＤを基板上に実装するため、面発光体はフレキシブル性を有し得ない。本発明は、面発光する発光体の輝度ムラの低減を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、基材面に所定間隔で配置される複数の貫通孔を有し、
前記貫通孔中に、第１半導体層と第２半導体層とが積層することで接合部を形成した半導体領域とを有し、かつ、前記第１半導体層と前記第２半導体層との接合面とは異なる面が、それぞれ電極と接合していることを特徴とする発光体である。
【０００６】
この発光体は、所定間隔で配置される複数の貫通孔を有する、フィルム状樹脂またはガラスを基材として用いることができる。また、その複数の貫通孔はすり鉢状の形状をしており、かつ、その貫通孔は、異なる組成の半導体層が積層することで接合部を形成した半導体領域により充填されている。さらに、前記半導体層はそれぞれ粒子の集合体であり、それらの接合部が発光部となる。このような構造により、この発光体は、極めて薄い構造を有し、また、別個独立して配置されている複数の半導体領域が有する発光部において、それぞれが発光することで擬似面発光することができるため、フレキシブルな面発光体として機能する。また、発光部で発生した光は半導体領域を透過する際に、半導体領域を構成する透明又は半透明半導体粒子により散乱する。また、半導体領域をすり鉢形状とすることで、発光面方向に向かって裾が広がって行き、発光部面積に対して光の出口面積が大きくなるので、より効果的に光が透過、散乱され、複数の独立した発光部とそれ以外の領域との明るさの差が少なくなる。さらに、複数の発光部で発生した光は発光面方向だけでなく、あらゆる方向へと放射され、発光体を構成する各層および基材で反射、散乱するため、輝度ムラを低減することができる。
【０００７】
本発明は、所定間隔で配置される複数の貫通孔を有するフィルム状樹脂またはガラスを基材として用い、かつ、その基材が有する複数に貫通孔は、発光部を有する半導体領域により充填されており、それぞれの発光部が発光することで擬似面発光をすることができる。このように、フィルム状樹脂またはガラスの基材の一部のみに、脆性を有する半導体領域を設けることにより、半導体領域は弾性のある基材に囲まれ、基材としての弾性が損なわれることなく、フレキシブルな面発光体として機能する。
【０００８】
本発明は、所定間隔で配置される複数の貫通孔を有するフィルム状樹脂を基材として用い、かつ、その複数の貫通孔は、第１半導体層と第２半導体層が積層することで、接合部を形成した半導体領域により充填され、それら接合部が発光部となる。さらに、前記第１半導体層及び前記第２半導体層は粒子の集合体により構成される。このような構造により、この発光体は、複数の独立した発光部を有し、また、それら発光部で発生した光は半導体領域を透過する際に、半導体領域を構成する透明又は半透明半導体粒子により散乱され、複数の独立した発光部とそれ以外の領域との明るさの差が少なくなる。
【０００９】
本発明において、所定間隔で配置される複数の貫通孔を有するフィルム状樹脂を基材として用い、かつ、その基材が有する複数の貫通孔は、発光部を有する半導体領域により充填されており、それぞれの発光部が発光することで擬似面発光をすることができる。さらに、前記貫通孔をすり鉢形状とすることで、前記発光体を屈曲させる際、半導体領域にかかる応力が分散される。また、上述したように、半導体領域をすり鉢形状とすることで、発光面方向に向かって裾が広がって行き、発光部面積に対して光の出口面積が大きくなるので、より効果的に光が透過、散乱され、複数の独立した発光部とそれ以外の領域との明るさの差が少なくなる。このため、貫通孔の形状はすり鉢状とすることが好ましい。
【００１０】
本発明は、所定間隔で配置される複数の貫通孔を有するフィルム状樹脂またはガラスを基材として用い、かつ、その複数の貫通孔はすり鉢状の形状をしており、かつ、第１半導体層と第２半導体層が積層することで、接合部を形成した半導体領域により充填されている。さらに、前記第１半導体層及び前記第２半導体層は粒子の集合体により構成されるとともに、それら半導体層は互いに異なる組成であり、それぞれＰ型あるいはＮ型どちらか一方の特性を示す。つまり、半導体領域が有する第１半導体層と第２半導体層の接合部に、ＰＮ又はＮＰ接合が形成され、ＬＥＤとなる。このような構造により、この発光体は、極めて薄い構造を有し、また、別個独立して配置されている複数の半導体領域が有する発光部（ＬＥＤ）において、それぞれが発光することで擬似面発光することができる。また、発光部で発生した光は半導体領域を透過する際に、半導体領域を構成する透明又は半透明半導体粒子により散乱する。また、半導体領域をすり鉢形状とすることで、発光面方向に向かって裾が広がって行き、発光部面積に対して光の出口面積が大きくなるので、より効果的に光が散乱され、複数の独立した発光部とそれ以外の領域との明るさの差が少なくなる。さらに、複数の発光部で発生した光は発光面方向だけでなく、あらゆる方向へと放射され、発光体を構成する各層および基材で反射、散乱するため、輝度ムラを低減することができる。また、弾性を有するフィルム状樹脂またはガラスの基材の一部のみに、脆性を有する半導体領域を設けることにより、半導体領域は弾性のある基材に囲まれ、基材としての弾性が損なわれることなく、フレキシブルな面発光体として機能させることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、面発光する発光体の輝度ムラの低減を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本実施形態に係る発光体の平面図である。
【図２−１】図２−１は、本実施形態に係る発光体の平面図である。
【図２−２】図２−２は、本実施形態に係る発光体の平面図である。
【図３】図３は、本実施形態に係る発光体の断面図である。
【図４】図４は、本実施形態における発光体の製造方法を示すフローチャートである。
【図５−１】図５−１は、本実施形態における発光体の製造方法を示す説明図である。
【図５−２】図５−２は、本実施形態における発光体の製造方法を示す説明図である。
【図５−３】図５−３は、本実施形態における発光体の製造方法を示す説明図である。
【図５−４】図５−４は、本実施形態における発光体の製造方法を示す説明図である。
【図５−５】図５−５は、本実施形態における発光体の製造方法を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態は、本発明を限定するものではない。また、下記の実施形態で開示された構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１４】
図１、図２−１、図２−２は、本実施形態に係る発光体の平面図である。発光体１、１’、１’’は、複数の発光部２を有するフィルム状の素子である。発光体１、１’、１’’は、複数の独立した発光部２を同一の面内で発光（点発光）させることにより、擬似的に面発光する発光素子である。それぞれの発光部２は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）である。すなわち、発光体１、１’、１’’は、複数のＬＥＤを同一（共通）のフィルム状樹脂の基材（基板）に作製したものである。この点で、発光体１、１’、１’’は、部品としてのＬＥＤを、例えば、一つの基板に複数実装し取り付けた発光体とは異なる。
【００１５】
図１に示す発光体１は、複数の発光部２が、Ｘ−Ｙの二次元座標系において、格子の交点に配列（格子状に配列）されている。複数の発光部２の配列間隔Ｐは、等間隔であることが好ましい。等間隔とすることにより、発光体面内での散乱光の強度のバラツキを抑制できるので、結果として、発光体１の輝度ムラを抑制できるので好ましい。この例では、Ｘ方向に隣接する発光部２の配列間隔ＸｐとＹ方向に隣接する発光部２の配列間隔Ｙｐとが等しい、すなわち、Ｘｐ＝Ｙｐ＝Ｐである。このようにすれば、それぞれの発光部２を発光させて擬似的に面発光させた場合、発光体１の輝度ムラを低減できるので好ましい。このように、発光体１は、２方向（この例ではＸ方向及びＹ方向）において、複数の発光部２の配列間隔が等しければ、発光体１の輝度ムラ低減の効果を得ることができる。配列間隔Ｐの範囲としては、発光部２の等価直径をＤｅ（Ｄｅ＝４×Ｓ／Ｃ、Ｓは柱状部分の断面積、Ｃは柱状部分の周長）とすると、Ｐ−Ｄｅ＝０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下が好ましい。この配列間隔Ｐが狭すぎると、発光面に対する発光部が多くなり、発光部からの発熱が増加するおそれがある。また、逆に配列間隔Ｐが広すぎると、発光面における発光部が少なくなるため、面発光体として機能させるためには、粒子による散乱に配慮しより散乱を強める材料の選定が必要となる。上述した配列間隔Ｐの範囲内において、配列間隔Ｐをより狭くした配列の方が輝度ムラ低減に関してはより効果的である。
【００１６】
図２−１に示す発光体１’は、複数の発光部２が、Ｘ−Ｙの二次元座標系において、千鳥状に配列されている。複数の発光部２が千鳥配列される場合でも、複数の発光部２の配列間隔Ｐは、等間隔であることが好ましい。等間隔とすることにより、発光体面内での散乱光の強度のバラツキを抑制できるので、結果として、発光体１’の輝度ムラを抑制できるので好ましい。発光体１’は、隣接する発光部２の配列間隔Ｐが等しくなっている。このようにすれば、それぞれの発光部２を発光させて擬似的に面発光させた場合、発光体１’の輝度ムラを低減できるので好ましい。
【００１７】
図２−２に示す発光体１’’は、隣接する発光部２同士の配列間隔がすべてＰとなるように複数の発光部２が配列されている。発光体１’’は、隣接する３個の発光部２で作られる三角形Ｓｑが正三角形となっている。すなわち、三角形Ｓｑのそれぞれの内角θは、すべて６０度である。このようにすれば、隣接する発光部２同士の配列間隔がすべて等しくなるため、それぞれの発光部２を発光させて擬似的に面発光させた場合、発光体１の輝度ムラをより低減できる。次に、発光体１、１’、１’’の内部構造を説明する。以下においては、発光部２の配列は格子状、すなわち、発光体１の発光部２の配列を例とするが、他の配列でも同様である。
【００１８】
図３は、本実施形態に係る発光体の断面図である。発光体１は、基材３と、半導体領域５と、下部電極４及び上部電極６と、保護層７Ａ、７Ｂと、複数の発光部２とを含む。基材３は、基材面に等間隔に配置される複数の貫通孔３Ｈを有しており、その貫通孔３Ｈの形状はすり鉢形状となっている。半導体領域５は、異なる組成の第１半導体層５Ａと第２半導体層５Ｂとが積層され接合部５Ｃを形成し、その接合界面に発光部２を形成し、基材３が有する複数の貫通孔３Ｈに充填されている。第１半導体層５Ａと第２半導体層５Ｂとは、それぞれの接合面とは異なる面がそれぞれ下部電極４と上部電極６と接合している。つまり、半導体領域５は基材３が有する複数の貫通孔３Ｈの形状と同様なすり鉢形状となる。また、第１半導体層５Ａ及び第２半導体層５Ｂは、それぞれ透明又は半透明粒子の集合体である。
【００１９】
発光体１においては、第１半導体層５ＡがＰ型半導体であり、第２半導体層５ＢがＮ型半導体である。なお、第１半導体層５ＡがＮ型半導体であり、第２半導体層５ＢがＰ型半導体であってもよい。なお、第１半導体層５Ａ及び第２半導体層５Ｂを構成するそれぞれの粒子のサイズは５ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。更に、光散乱の効率を考慮すると２０ｎｍ〜５０ｎｍがより好ましい。
【００２０】
上述したように、発光体１は、基材３が有する複数の貫通孔３Ｈが、発光部２を有する半導体領域５により充填されている。つまり、基材３の基材面に複数の半導体領域５が等間隔に配置された状態である。それら複数の半導体領域５は、基材３が有する複数の貫通孔３Ｈと同様なすり鉢形状となっている。半導体領域５は、電極の１つである上部電極６と接合する面の柱状部分の直径Ｄ（柱状部分の断面が円形でない場合には等価直径Ｄｅ）が１０μｍ以上１ｃｍ以下であることが好ましく、かつ、電極の１つである下部電極４と接合する面の柱状部分の直径Ｄ’（柱状部分の断面が円形でない場合には等価直径Ｄｅ）がＤ’＜Ｄであることが好ましい。また、半導体領域５の厚み（基材３の表面と直交する方向における寸法）は、５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であることが好ましい。半導体領域５の寸法がこのような範囲であれば、発光部２としての抵抗値を抑えられ、かつ電流分布もある程度一定となるため、発光体１の輝度ムラを抑制できるので好ましい。また、第１半導体層５Ａと第２半導体層５Ｂのそれぞれの厚みは、前記半導体領域５の厚みの範囲内であれば、特に限定されない。
【００２１】
半導体領域５は、第１半導体層５Ａ及び第２半導体層５Ｂが積層されることで形成される。また、第１半導体層５Ａは、下部電極４と接合するとともに、第２半導体層５Ｂとも接合し、第２半導体層５Ｂの表面には上部電極６が設けられる。そして、基材３が有する複数の貫通孔３Ｈ中に形成される第１半導体層５Ａと第２半導体層５Ｂとを含む半導体領域５は、下部電極４及び上部電極６を介して、電圧が印加される。複数の発光部２は、半導体領域５に形成される。より具体的には、発光部２は、第１半導体層５Ａと第２半導体層５Ｂとの接合部（界面）の近傍である。すなわち、第１半導体層５Ａと第２半導体層５ＢとでＬＥＤが構成される。本実施形態では、Ｐ型半導体である第１半導体層５Ａに正電圧を印加することにより、Ｎ型半導体である第２の半導体粒子の集合体５Ｂに向かって電流が流れ、両者の接合部（ＰＮ接合部）近傍（より具体的には禁制帯の近傍）で発光する。半導体領域５は、基材３が有するすり鉢形状をした複数の貫通孔３Ｈ中を充填しているため、貫通孔３Ｈと同様なすり鉢形状となる。このように、基材３と半導体領域５とをすり鉢形状とすることで、発光体１を屈曲させた際、半導体領域５にかかる応力を分散させることができる。また、発光体１は、半導体領域５がすり鉢形状であり、発光面に向かって裾が広がって行く形状であるため、発光部面積に対して光の出口面積が大きくなるので、より効果的に光が散乱される。さらに、半導体領域５が有するすり鉢形状において、発光面方向に広がる裾の先端部が湾曲している方が、散乱性及び半導体領域５と基材３との密着性が向上するのでより好ましい。その結果、発光体１は、半導体領域５をすり鉢形状とし、かつ、半導体領域５を半導体粒子により構成することにより輝度ムラが抑制できる。
【００２２】
このように、発光体１は、同一の基材３が有する複数の貫通孔３Ｈ中に発光部２を有しているので、擬似的に面発光する。また、発光体１は、各発光部２の間、より具体的には複数の半導体領域５の間に、基材３を有している。通常のＬＥＤは、半導体基板と半導体薄膜とにより構成されるため、フレキシブル性は持ち得ない。この点について、発光体１は、フィルム状樹脂の素材を基材３に用い、かつ、複数の半導体領域５に間に基材３を有する構造とすることで、基材３が有する弾性により、フレキシブルな面発光体とすることができる。また、本発明に使用される基材３の厚みは、１００μｍ以下の範囲であれば特に限定されない。
【００２３】
また、ＬＥＤは発光素子を大型化すると発熱及び電気特性が低下するという問題がある。この点について、発光体１は、大型化したＬＥＤと比較して、小さな独立したＬＥＤの発光部２を同一の基材３に形成して、擬似的に面発光させているので、面全体が発光部となっている面発光体と比べて発熱量は小さく、また発光面全体で発熱を放熱することができる。このため、発光体１は、全体の発熱を効率的に放熱することができる。また、発光体１は、下部電極４に、放熱性に優れた金属を用いることにより、発光部２で発生した熱は、発光体１の裏面へ伝わりやすくなる。その結果、発光体１は、発光に起因する昇温が抑制される。また、発光体１の昇温が抑制されることにより、発光体１は、電気特性の低下も抑制される。次に、本実施形態に係る発光体の製造方法を説明する。
【００２４】
（発光体の製造方法）
図４は、本実施形態における発光体の製造方法を示すフローチャートである。図５−１から図５−５は、本実施形態における発光体の製造方法を示す説明図である。本実施形態における発光体の製造方法は、図３に示す発光体１を製造する方法の一例である。ステップＳ１において、基材３を準備する（図５−１）。基材３は、基材面に等間隔に複数の貫通孔３Ｈが配置され、かつ、貫通孔３Ｈの形状がすり鉢形状となるよう加工を施す。基材の種類としては、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）、ＰＥＮ（Polyethylene Naphthalate）等の弾性を有したプラスチックフィルム又は、弾性を有した薄板ガラスなどの様々な種類のフィルムを用いることができる。もちろん、フィルム状とは薄い膜状フィルムから多少厚みのあるシートまで、弾性を有するものであれば特に厚みが限定されるものではない。貫通孔を形成する加工は、プラスチックフィルムではレーザー又はパンチプレスなどにより行い、薄板ガラスにおいてはレーザーにより行う。以下に記載の製造方法については、基材３はプラスチックフィルムを用いた場合であり、また、基材３が有する複数の貫通孔の開口部の広い面を表面（上面）と定義する。
【００２５】
次に、ステップＳ２に進み、基材３の裏面に、下部電極４を形成する（図５−２）。下部電極４は、両面発光体とする場合は、透過率が高い材料で形成されることが好ましい。例えば、具体的にはＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２等を下部電極４として用いることができる。また、両面発光体ではなく、片面のみの発光体とする場合においては、下部電極４は、発光部２から放射される光を効率よく表面方向へ反射させることを考慮して、金属により形成されることが好ましい。例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｒｈ等を下部電極４として用いることができる。これらの材料を真空成膜又は塗布することにより下部電極４を形成する。
【００２６】
次に、ステップＳ３に進み、半導体領域５を基材３が有する複数の貫通孔３Ｈ中に形成する（図５−３）。半導体領域５は、第１半導体層５Ａと第２半導体層５Ｂとが積層することで接合し形成され、それらは、塗布、印刷又はインクジェット印刷することにより形成する。印刷により第１半導体層５Ａと第２半導体層５Ｂとを形成する場合、先ず、第１半導体層５Ａを構成する透明又は半透明半導体粒子と、有機溶剤とを分散させた塗料と、所望のスクリーン版とを用いて、基材３が有する複数の貫通孔３Ｈの部分に上述した塗料を印刷する。このとき、基材３の裏面には下部電極４が既に形成されているため、貫通孔３Ｈへ印刷された前記塗料が抜けてしまうことはない。続いて、第２半導体層５Ｂを構成する透明又は半透明半導体粒子と有機溶剤とを分散させた塗料と、所望のスクリーン版とを用いて、印刷された第１半導体層５Ａの上へ印刷する。その後、乾燥させ圧縮加工を施す。このように、基材３が有する複数の貫通孔中に、第１半導体層５Ａと第２半導体層５Ｂが積層、かつ接合されることで、Ｐ／Ｎ（又はＮ／Ｐ）接合を有する半導体領域５が形成される。
【００２７】
半導体領域５は、すり鉢形状をした、透明又は半透明の半導体材料粒子の集合体である。このため、発光部２で発光した光は、半導体材料粒子を透過し散乱される。また、半導体領域５はすり鉢形状をしているため、発光面方向に向かって裾が広がって行く形状であり、発光部面積に対して光の出口面積が大きくなるので、より効果的に光が散乱されることにより、発光体１の輝度ムラが低減される。さらに、基材３と半導体領域５とをすり鉢形状とすることで、発光体１を屈曲させた際、半導体領域にかかる応力を分散させることができる。
【００２８】
次に、上部電極６を形成するステップＳ４に進む（図５−４）。上部電極６は、透明電極である。下部電極４及び上部電極６は、Ｐ／Ｎ（又はＮ／Ｐ）接合部分の取出し電極となる。上部電極６は、光の取り出し効率を考慮して、透過率が高い材料で形成されることが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２等を上部電極６として用いることができる。これらの材料を、例えば、基材３の表面に真空成膜又は塗布することによって上部電極６を形成する。
【００２９】
次に、ステップＳ５に進み、下部電極４の表面に保護層７Ａ、上部電極６の表面に保護層７Ｂを形成して、発光体１が完成する（図５−５）。保護層７Ｂも、上部電極６と同様に、光の取り出し効率を考慮して、透過率が高く、屈折率の低い材料で形成されることが好ましい。また、両面発光体とする場合、保護層７Ａは、保護層７Ｂと同様に、透過率が高く、屈折率の低い材料で形成されることが好ましい。保護層７Ａおよび保護層７Ｂは、材料を、例えば、第２電極５Ｂの表面に真空成膜又は塗布することによって形成する。このような工程により、発光体１を製造することができる。
【００３０】
以上、本実施形態に係る発光体は、基材として基材面に等間隔に配置される複数の貫通孔を有するフィルム状樹脂またはガラスを用い、かつ、その複数の貫通孔はすり鉢状の形状をしており、かつ、その複数の貫通孔は、異なる組成の半導体層が積層することで接合し形成される半導体領域により充填されている。このような構造により、この発光体は、極めて薄い構造を有し、かつ、フレキシブル性を有し、また、別個独立して配置されている複数の半導体領域において、それぞれが発光することで擬似面発光する。このように、それぞれの半導体領域は発光部となる。またこのとき、発光部で発生した光は半導体領域を透過する際に、半導体領域を構成する半導体粒子により散乱する。さらに、基材が有する貫通孔をすり鉢形状とすることで、その貫通孔を充填する半導体領域はすり鉢形状となり、発光面方向に向かって裾が広がって行く形状となるため、発光部面積に対して光の出口面積が大きくなるので、より効果的に光が散乱され、複数の独立した発光部とそれ以外の領域との明るさの差が少なくなる。また、複数の発光部で発生した光は発光面方向だけでなく、あらゆる方向へと放射され、発光体を構成する各層及び基材で反射、散乱するため、輝度ムラを低減することができる。また、前記複数の発光部が等間隔であるので、発光面内における部分的な散乱光の強弱の発生を抑制できるので、輝度ムラを抑制することができる。また、本実施形態に係る発光体は、大型化したＬＥＤによって面発光させる発光体と比較して、小さな発光部（ＬＥＤ）の集合体により擬似的に面発光させる。このため、面全体が発光する面発光体と比べ発熱量及び消費電力を低減することができ、また発光部からの発熱を面全体で放熱するため、放熱効率が高い。これらの作用により、発光体は耐久性の低下が抑制される。また、本実施形態に係る発光体は、ＬＥＤからの光を導光板に導いて面発光させる発光体と比較して、寸法を抑制できるとともに部品点数も低減できる。
【００３１】
また、本実施形態に係る発光体の製造方法は、半導体材料等と溶剤とを混合して得られた塗料を印刷又は塗布等することにより、半導体領域及び電極等を形成して発光体を製造する。このように、本実施形態に係る発光体の製造方法は、半導体領域及び電極の材料を含む塗料を用いるので、比較的簡易なプロセスで、比較的安価に発光体を製造することができる。また、本実施形態に係る発光体の製造方法は、半導体領域等を形成する対象（基板）の形状又は材質に対する自由度が大きく、プラスチックフィルムや薄板ガラスなどに半導体領域を形成したりすることができる。その結果、本実施形態に係る発光体の製造方法は、さまざまな形状又は仕様の、面発光する発光体を製造することができる。
【符号の説明】
【００３２】
１、１’、１’’、１ａ、１ｃ  発光体
２  発光部
３  基材
４  下部電極
５Ａ  第１の半導体粒子の集合体
５Ｂ  第２の半導体粒子の集合体
５  半導体領域
６  上部電極
７Ａ  保護層（下部面）
７Ｂ  保護層（上部面）
【図１】
2012204822.tif 000003
【図２−１】
2012204822.tif 000004
【図２−２】
2012204822.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５−１】
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【図５−２】
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【図５−３】
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【図５−４】
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【図５−５】
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