(57)【要約】【課題】反射型液晶表示装置の紫外線による劣化を防止し、反射率の低下、フリッカーのない良好な表示品位を得る。【解決手段】絶縁性基板と透明電極との間に、波長３６５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３６５ｎｍ））と波長３１５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３１５ｎｍ））の比（Ｔ（３６５ｎｍ）／Ｔ（３１５ｎｍ））が６．３以上である紫外線吸収層を設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極を形成した基板間に、
高分子膜に液晶滴を分散させた構造または液晶層中に高分子ネットワークを形成した構造の液晶を挟持した液晶表示装置において、
少なくとも一方の基板と電極との間に、波長３６５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３６５ｎｍ））と波長３１５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３１５ｎｍ））の比（Ｔ（３６５ｎｍ）／Ｔ（３１５ｎｍ））が６．３以上である紫外線吸収層を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
複数個の能動素子からなるメモリー、層間絶縁膜、反射電極をこの順に形成した第１の絶縁性基板と、
透明電極を形成した第２の絶縁性基板とを、
反射電極と透明電極が対向するように貼り合わせ、
高分子膜に液晶滴を分散させた構造または液晶層中に高分子ネットワークを形成した構造の液晶を挟持した反射型液晶表示装置において、
第２の基板と透明電極との間に紫外線吸収層を有し、
前記紫外線吸収層の波長３６５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３６５ｎｍ））と波長３１５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３１５ｎｍ））の比（Ｔ（３６５ｎｍ）／Ｔ（３１５ｎｍ））が６．３以上であることを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項３】
前記反射型液晶表示装置がモノクロ表示であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置または請求項２に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項４】
前記紫外線吸収層の膜厚が１．０μｍから３．０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１ないし請求項３に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項５】
複数個の能動素子からなるメモリー、層間絶縁膜、反射電極をこの順に形成した第１の絶縁性基板を準備する工程と、
波長３６５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３６５ｎｍ））と波長３１５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３１５ｎｍ））の比（Ｔ（３６５ｎｍ）／Ｔ（３１５ｎｍ））が６．３以上である紫外線吸収層、透明電極をこの順に形成した第２の絶縁性基板を準備する工程と、
反射電極と透明電極が対向するように第１の基板と第２の基板を貼り合わせる工程と、
第１の基板と第２の基板との間に液晶、モノマー、光重合開始剤を注入する工程と、
第２の基板側から紫外線を照射して、モノマーを重合させ高分子化する工程を含む反射型液晶表示装置の製造方法であって、
前記紫外線の波長３６５ｎｍにおける液晶パネル面での照度が３０ｍＷ／ｃｍ２以上であることを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
さらに、紫外線の波長３６５ｎｍにおける強度（Ｉ（３６５ｎｍ））と波長３４０ｎｍにおける強度（Ｉ（３４０ｎｍ））の比（Ｉ（３６５ｎｍ）／Ｉ（３４０ｎｍ））が４１以上であることを特徴とする請求項５に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
紫外線の照射により、シール材の硬化も同時に行い、その後、熱処理を行うことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記熱処理の温度が１２０度から１８０度であることを特徴とする請求項７に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記熱処理の時間が１０分から１２０分であることを特徴とする請求項７に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、周囲環境の光を利用する反射型の表示装置はバックライトが不要であるため、低消費電力、薄型、軽量等の特徴を有し、特に携帯電話、電子ブック等の表示装置として注目されている。
【０００３】
反射型表示装置の中でも反射型液晶表示装置が広く利用されている。反射型液晶表示装置には、偏光板と通過光の偏光状態を制御する液晶層を用いることにより良好な黒表示を実現する方式、偏光板を利用せずに通過光の散乱状態を制御する液晶層を用いることにより良好な白表示を実現する方式がある。
【０００４】
偏光板を利用しない方式には、液晶分子の対流による散乱を利用するＤｙｎａｍｉｃ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｍｏｄｅ（ＤＳＭ）方式や高分子膜に液晶滴を分散させた構造により散乱状態を実現するＰｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ（ＰＤＬＣ）方式、液晶層中に高分子ネットワークを形成した構造により散乱状態を実現するＰｏｌｙｍｅｒ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ（ＰＮＬＣ）方式が知られている。
【０００５】
さらにモバイル用途においては消費電力の低減は大きな課題であり、各画素に能動素子を複数個設けることによりスタティックＲＡＭを組み込み、１Ｈｚ程度の低い周波数の交流電圧により液晶表示装置を駆動することによって超低消費電力を実現する試みがされている。
【０００６】
しかしながら、液晶材料は紫外線により分解を起こし、発生したイオン性の不純物により特性の劣化が生じることが知られている。特にＰＤＬＣ方式やＰＮＬＣ方式に使用される液晶は紫外光に弱いことは周知である。また１Ｈｚでの駆動では同一極性の電圧が印加される期間が、従来の６０Ｈｚ駆動と比較して長くなるため、イオン性の不純物の移動および液晶と配向膜との界面への蓄積が起こり易く、その結果、液晶層にかかる実効電圧が減少することによってフリッカーの発生が起こる。従って、スタティックＲＡＭを組み込んだＰＤＬＣ方式やＰＮＬＣ方式の場合は、特に紫外線による劣化を抑える必要がある。
【０００７】
特許文献１には、このような紫外線による液晶材料の劣化を抑えるための技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平０６−２９４９５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
一般に紫外線とは可視光より波長の短い３８０ｎｍ以下の領域の光を指すが、ＰＤＬＣやＰＮＬＣでは、重合を起こすためには十分な強度の波長３６５ｎｍの紫外線が必要であり、３４０ｎｍ以下の波長を持つ紫外線は劣化の原因となるため有効に遮蔽する必要がある。特に蛍光灯から放射される波長３１５ｎｍ，３３５ｎｍの紫外線は大きな劣化要因となるため、遮蔽の必要がある。しかしながら、特許文献１に開示されている技術は紫外線を一律に遮蔽するものであり、製造プロセスに必要不可欠な紫外線と液晶を劣化させる遮蔽すべき紫外線との区別はされていない。従って必要な紫外線の波長領域まで遮蔽した場合には、重合が不十分で良好な素子特性が得られないという問題が発生する。また遮蔽が不十分な場合には、プロセス中の紫外線露光や搬送中の蛍光灯からの照射により、液晶の劣化を招くという問題があった。
【００１０】
本発明の目的は、ＰＤＬＣ方式やＰＮＬＣ方式に最適な紫外線吸収層を用いた液晶表示装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の液晶表示装置は
一対の電極を形成した基板間に、
高分子膜に液晶滴を分散させた構造または液晶層中に高分子ネットワークを形成した構造の液晶を挟持した反射型液晶表示装置において、
少なくとも一方の基板と電極との間に、波長３６５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３６５ｎｍ））と波長３１５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３１５ｎｍ））の比（Ｔ（３６５ｎｍ）／Ｔ（３１５ｎｍ））が６．３以上である紫外線吸収層を有することを特徴とする。
【００１２】
本構造をとることにより、高分子の重合反応は十分に進み、液晶の紫外線による劣化は十分に抑えられるため、表示品位の高い液晶表示装置が得られる。
【００１３】
本発明の反射型液晶表示装置は、
複数個の能動素子からなるメモリー、層間絶縁膜、反射電極をこの順に形成した第１の絶縁性基板と、
透明電極を形成した第２の絶縁性基板とを、
反射電極と透明電極が対向するように貼り合わせ、
高分子膜に液晶滴を分散させた構造または液晶層中に高分子ネットワークを形成した構造の液晶を挟持した反射型液晶表示装置において、
第２の基板と透明電極との間に紫外線吸収層を有し、
前記紫外線吸収層の波長３６５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３６５ｎｍ））と波長３１５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３１５ｎｍ））の比（Ｔ（３６５ｎｍ）／Ｔ（３１５ｎｍ））が６．３以上であることを特徴とする。
【００１４】
また前記紫外線吸収層の膜厚が１．０μｍから３．０μｍの範囲にあることを特徴とする。
【００１５】
このような紫外線吸収層を用いた構造をとることにより、高分子の重合反応は十分に進み、液晶の紫外線による劣化は十分に抑えられるため、表示品位の高い反射型液晶表示装置が得られる。
【００１６】
また本発明による反射型液晶表示装置の製造方法は
複数個の能動素子からなるメモリー、層間絶縁膜、反射電極をこの順に形成した第１の絶縁性基板を準備する工程と、
波長３６５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３６５ｎｍ））と波長３１５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３１５ｎｍ））の比（Ｔ（３６５ｎｍ）／Ｔ（３１５ｎｍ））が６．３以上である紫外線吸収層、透明電極をこの順に形成した第２の絶縁性基板を準備する工程と、
反射電極と透明電極が対向するように第１の基板と第２の基板を貼り合わせる工程と、
第１の基板と第２の基板との間に液晶、モノマー、光重合開始剤を注入する工程と、
第２の基板側から紫外線を照射して、モノマーを重合させ高分子化する工程を含む反射型液晶表示装置の製造方法であって、
前記紫外線の波長３６５ｎｍにおける液晶パネル面での照度が３０ｍＷ／ｃｍ２以上であることを特徴とする。
【００１７】
さらに紫外線の波長３６５ｎｍにおける強度（Ｉ（３６５ｎｍ））と波長３４０ｎｍにおける強度（Ｉ（３４０ｎｍ））の比（Ｉ（３６５ｎｍ）／Ｉ（３４０ｎｍ））が４１以上であることが好ましい。
【００１８】
本製造方法によれば高分子の重合反応は十分に進み，液晶の紫外線による劣化は十分に抑えられるため、表示品位の高い反射型液晶表示装置の製造が可能となる。
【００１９】
また紫外線の照射により、シール材の硬化も同時に行い、その後１３０度の温度で１時間の熱処理を行っても構わない。
【００２０】
本製造方法によりプロセス数を抑えることが可能であり、高分子の重合反応は十分に進み，液晶の紫外線による劣化は十分に抑えられるため、表示品位の高い反射型液晶表示装置の製造が低コストで可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明による液晶表示装置は、一対の電極を形成した基板間に、高分子膜に液晶滴を分散させた構造または液晶層中に高分子ネットワークを形成した構造の液晶を挟持した反射型液晶表示装置において、少なくとも一方の基板と電極との間に、波長３６５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３６５ｎｍ））と波長３１５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３１５ｎｍ））の比（Ｔ（３６５ｎｍ）／Ｔ（３１５ｎｍ））が６．３以上である紫外線吸収層を有することを特徴とする。
【００２２】
本構造をとることにより、重合に必要な波長３６５ｎｍの紫外線は紫外線吸収層により吸収されることは少ないため、高分子の重合反応は十分に進む。液晶の紫外線による劣化は十分に抑えられるため、表示品位の高い液晶表示装置が得られる。
【００２３】
本発明による反射型液晶表示装置は、複数個の能動素子からなるメモリー、層間絶縁膜、反射電極をこの順に形成した第１の絶縁性基板と、透明電極を形成した第２の絶縁性基板とを、反射電極と透明電極が対向するように貼り合わせ、高分子膜に液晶滴を分散させた構造または液晶層中に高分子ネットワークを形成した構造の液晶を挟持した反射型液晶表示装置において、第２の基板と透明電極との間に紫外線吸収層を有し、前記紫外線吸収層の波長３６５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３６５ｎｍ））と波長３１５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３１５ｎｍ））の比（Ｔ（３６５ｎｍ）／Ｔ（３１５ｎｍ））が６．３以上であることを特徴とする。
【００２４】
本構成によれば、高分子の重合に必要な波長３６５ｎｍの紫外線は紫外線吸収層により吸収されることは少ないため、重合は十分に進む。また波長３１５ｎｍの紫外線は十分に遮蔽されるため、工程内の蛍光灯や露光器の紫外線カットフィルターにより除ききれなかった波長３１５ｎｍの紫外線による液晶材料の劣化を抑えることができる。従って、反射率の低下が抑えられるためコントラストが高く、またフリッカーも少ない、表示品位の高い表示が可能となる。
【００２５】
また本発明による反射型液晶表示装置の製造方法は、複数個の能動素子からなるメモリー、層間絶縁膜、反射電極をこの順に形成した第１の絶縁性基板を準備する工程と、波長３６５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３６５ｎｍ））と波長３１５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３１５ｎｍ））の比（Ｔ（３６５ｎｍ）／Ｔ（３１５ｎｍ））が６．３以上である紫外線吸収層、透明電極をこの順に形成した第２の絶縁性基板を準備する工程と、反射電極と透明電極が対向するように第１の基板と第２の基板を貼り合わせる工程と、第１の基板と第２の基板との間に液晶、モノマー、光重合開始剤を注入する工程と、第２の基板側から紫外線を照射して、モノマーを重合させ高分子化する工程を含む反射型液晶表示装置の製造方法であって、モノマーを重合させるための紫外線の波長３６５ｎｍにおける液晶パネル面での照度が３０ｍＷ／ｃｍ２以上であることを特徴とする。
【００２６】
本製造方法によれば、高分子の重合開始に必要な波長３６５ｎｍの紫外線は紫外線吸収層により吸収されることはなく、液晶パネル面での照度が３０ｍＷ／ｃｍ２以上であるため、重合は十分に進む。また波長３１５ｎｍの紫外線は十分に遮蔽されるため、工程内の蛍光灯や露光器の紫外線カットフィルターにより除ききれなかった波長３１５ｎｍの紫外線による液晶材料の劣化を抑えることができる。従って、反射率の低下が抑えられるためコントラストが高く、またフリッカーも少ない、表示品位の高い表示が可能となる。また表示素子作成後のガラスの分断、表示素子の厚みを薄くするためのガラスのエッチングや光学フィルムの貼り付け等を蛍光灯下で行うことが可能となるためプロセスの自由度が高くなる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の反射方液晶表示装置の構造を示す略断面図
【図２】波長３６５ｎｍの露光照度と反射率の関係を示す図
【図３】波長３６５ｎｍの露光照度と黒表示時のフリッカーの関係を示す図
【図４】フリッカーの測定方法を説明するための図
【図５】実施例に用いた回路構成を示す図
【図６】紫外線吸収層を有する場合と無い場合の反射率の変化を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の反射型液晶表示装置１００およびその製造方法について、以下、図面を用いて詳細に説明する。
【００２９】
図１に本発明の反射型液晶表示装置１００の断面図を示す。反射型液晶表示装置１００は、能動素子３、層間絶縁膜４および反射電極５が形成された第１の絶縁性基板１と紫外線吸収層６および透明電極７が形成された第２の絶縁性基板２の間に液晶層が挟持された構造を有する。液晶層は高分子膜９中に液晶滴１０が分散された構造をしている。また第１の絶縁性基板と第２の絶縁性基板はシール樹脂８により貼り合わされている。2枚の基板の間隔を保つため、シール樹脂中や液晶層中にスペーサを入れても構わない。
【００３０】
ＴＦＴ素子３は公知の方法で形成することが可能であり、例えばアモルファスシリコンやポリシコンにより形成が可能である。ＴＦＴ素子の形成に用いられるソース電極、ドレイン電極、配線も公知の材料を用いて形成可能であり、例えばチタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の材料を用いることができる。層間絶縁膜４は感光性を有する有機樹脂材料が好適に用いられ、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂等が用いられる。反射電極５は反射率の高い銀、アルミニウムを用いることが可能である。
【００３１】
紫外線吸収層６は後述するように、液晶層の重合に必要な波長３６５ｎｍの紫外線は透過し、液晶材料を劣化させる波長３４０ｎｍ以下の紫外線（特に蛍光灯から放射される波長３１５ｎｍの紫外線）を吸収する材料であれば使用できる。例えば、感光性を有するアクリル系の樹脂、エポキシ系の樹脂等が使用可能である。
【００３２】
透明電極７としてはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の公知の透明電極材料が使用可能である。
【００３３】
紫外線吸収層としてエポキシ系の樹脂を用い、膜厚を０．５μｍから６．０μｍまで変化させた場合の波長４００ｎｍ、３６５ｎｍ、３１５ｎｍにおける透過率、これらの紫外線吸収層を使用した反射型液晶表示装置の蛍光灯下放置試験の結果および目視による白色表示における色味についての評価結果を表１に示す。蛍光灯下放置試験は室内の蛍光灯下に反射型液晶表示装置を１００時間放置し、反射率が１０％以上低下した場合をＮＧとした。色味は作成直後、白色を表示させ、目視により白色からのずれを評価した。
【００３４】
【表１】
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【００３５】
表から明らかなように、膜厚が０．５μｍの場合は波長３１５ｎｍの紫外線を十分に吸収することができず、波長３６５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３６５ｎｍ））と波長３１５ｎｍにおける透過率（Ｔ（３１５ｎｍ））との比（Ｔ（３６５ｎｍ）／Ｔ（３１５ｎｍ））が小さく、３．３の値となっている。この条件では、蛍光灯下放置試験の結果、液晶材料の劣化が起きており反射率の低下が見られた。
【００３６】
これに対し、透過率の比が６．３以上すなわち膜厚が１．０μｍ以上の場合は波長３１５ｎｍの紫外線が有効に吸収され反射率の低下は見られなかった。
【００３７】
膜厚が６．０μｍになると表から明らかなように、波長４００ｎｍにおける透過率が減少し、青色成分の光が減少するため黄色味を帯びた白色となった。従って、蛍光灯下放置試験および色見をともに満足する膜厚は１．０μｍから３．０μｍの範囲である。
【００３８】
シール樹脂８についても公知の紫外線硬化材料や熱硬化材料およびこれらの混合材料が使用可能である。
【００３９】
液晶層は、低分子液晶組成物と、未重合プレポリマーの混合物とを相溶させて基板間に配置した後、プレポリマーを重合することにより作製される。例えば、紫外線硬化性プレポリマーと液晶組成物との混合物を紫外線等の活性光線の照射によって光硬化させることで得られる硬化物（紫外線硬化液晶）を用いることができる。高分子分散型液晶として紫外線硬化液晶を用いることにより、短時間で液晶を重合させることが可能である。液晶材料の注入は、真空注入、滴下注入により行うことが可能である。
【００４０】
液晶材料を注入後、紫外線照射によりプレポリマーを重合させる。この時、重合を十分に進めるためには、波長３６５ｎｍにおける紫外線の照度が重要である。
【００４１】
図２は高分子を重合させる際の紫外線照射時の波長３６５ｎｍにおける照度と完成した反射型液晶表示装置の反射率の関係を示したものである。紫外線の照射には光源としてハロゲンランプを用い、コールドフィルターを用いて波長３４０ｎｍ以下の紫外線をできるだけ除いた。照射面の照度は株式会社オーク製の紫外線照度計ＵＶ−Ｍ１０を使用し受光器としてはＵＶ−３５を用いた。反射率の測定にはミノルタ社製のＣＭ２００２を用いた。図から明らかなように、反射率を５０％以上とするためには、波長３６５ｎｍの紫外線の照射量が３０ｍＷ／ｃｍ２以上必要である。照度が低い場合には、重合に必要なラジカルの発生量が少なく高分子の重合が遅くなるため、液晶滴が大きく成長し、反射率の低下を招くからである。
【００４２】
図３は高分子を重合させる際の紫外線照射時の波長３６５ｎｍにおける照度と完成した反射型液晶表示装置の黒を表示した場合の、反射率の変動幅の関係を示したものである。反射率の変動幅は図４に示すように、反射方液晶表示装置１００の法線方向に対して３０度の角度に設置した光源３２から平行光線３０を照射し、法線方向に反射した反射光３１の強度を受光器３３で測定することにより行った。リファレンスとしては硫酸バリウムの標準白色板を用い、測定径は２ｍｍφとした。
【００４３】
フリッカーの有無は目視により評価したが、反射率の変動幅が０．４％を超えるとフリッカーの発生が確認できた。従ってフリッカーの発生を押さえるためにも、波長３６５ｎｍの紫外線の照射量が３０ｍＷ／ｃｍ２以上必要であることが確認できた。
【００４４】
【表２】
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【００４５】
表２は高分子を重合させる際に使用する紫外線の波長３６５ｎｍにおける照度と３４０ｎｍにおける照度の比と液晶材料の劣化の関係を示したものである。照度はウシオ電機製の分光放射照度計ＵＳＲ−４０を用いて測定した。この比が小さいと、高分子の重合中に波長３４０ｎｍ以下の紫外線も多く照射されるため液晶材料の劣化が起こる。表から明らかなように、照度比が４１以上の場合に液晶材料の劣化が押さえられている。
【実施例】
【００４６】
以下本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
【００４７】
第１の絶縁性基板としては、厚さ０．７ｍｍのガラス基板を用いた。
図５に本実施例に用いた画素回路の平面図を示す。縦方向と横方向に平行に形成されたＶＬＡ配線３１で囲まれた部分が１つのサブピクセルを構成する。各サブピクセルには１２個のＴＦＴ素子３により、２個のスタティックＲＡＭが形成されている。本実施例ではサブピクセルのほぼ全面にＴＦＴ素子３、配線が形成されている。Ｖｄｄ３３とＶｓｓ３４はスタティックＲＡＭ用の電源を供給するための配線である。ＧＬ３５、ＧＬＢ３６はグラウンド電位の配線である。ＳＬ３７は画像信号を供給するための配線であり、ＳＬ３７の信号に応じて、反射電極がＶＬＡ３１またはＶＬＢ３２と接続される。ＶＬＡ３１と接続された場合は反射電極の電位は０Ｖとなり、ＶＬＢ３２と接続された場合には５Ｖとなる。なお各配線、ＴＦＴ素子４の電極は必要に応じて接続用スルーホール３８で接続される。
【００４８】
ＴＦＴ素子を形成した後、アクリル系層間絶縁膜を膜厚２．５μｍの厚さで形成し、反射電極としてＡｌを１００ｎｍの膜厚で形成した。さらに反射型液晶表示装置を作成するためＡｌ電極の上に平行配向膜を塗布し、第１の絶縁性基板が完成する。
【００４９】
第２の絶縁性基板としては第１の絶縁性基板と同様に厚さ０．７ｍｍのガラス基板を用い、エポキシ系の樹脂をスリットコータにより塗布し、２００度以上の温度で焼成することにより紫外線吸収層を形成した。紫外線吸収層を形成した後、透明電極としてＩＴＯ電極を形成し、さらに第１の絶縁性基板と同様に平行配向膜を形成した。
【００５０】
第１の絶縁性基板のシール部に紫外線硬化樹脂である積水化学製のＵＶ硬化型液晶用シール材料をディスペンサーにより塗布した。シール材で囲まれた領域内にＰＮＬＣ材料としてＤＩＣ社製ＰＮＭ−１７０を滴下方式で注入し、第２の絶縁性基板を貼り合わせた。この時、液晶層の厚みが３μｍとなるように基板間にスペーサを配置した。
【００５１】
コールドフィルターにより波長３４０ｎｍ以下の紫外線を極力除いたＵＶ露光機により紫外線を照射し、ポリマーの重合とシール材の硬化を同時に行った。露光はフージョン社Ｄバルブの紫外線露光器を用い、露光条件は照度３０ｍＷ／ｃｍ２、露光時間は１００秒で行った。もちろんポリマーの重合とシール材の硬化を別々に行うことは可能である。その後、熱処理を行った。この熱処理により、シール材の硬化を完全なものにし、密着性、信頼性を高めることができる。熱処理温度は材料にもよるが、１２０度から１８０度が好ましく、熱処理時間も１０分から１２０分が好ましい。
【００５２】
以上により、本実施例の反射型液晶表示装置が完成する。
(比較例)
比較例として、紫外線吸収層がないだけで他は実施例と同一の反射型液晶表示装置を作製した。
(評価)
これらの反射型液晶表示装置を、蛍光灯を点灯させた室内に放置し反射率の変化を調べた。結果を図６に示す。曲線４１が紫外線吸収層を有する場合、曲線４２が無い場合を示す。紫外線吸収層を有する反射型液晶表示装置は１５０時間放置後でも反射率の変化は１０％以内であるのに対し、紫外線吸収層がない反射型液晶表示装置の場合には反射率が２５％以上減少した。これにより、蛍光灯から放射される波長３１５ｎｍおよび３３５ｎｍの紫外線が紫外線吸収層により効率的に吸収されるため、液晶材料の劣化が抑えられることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、反射型液晶表示装置およびその製造方法について有用である。
【符号の説明】
【００５４】
１００  反射型液晶表示装置
１  第１の絶縁性基板
２  第２の絶縁性基板
３  ＴＦＴ素子
４  層間絶縁膜
５  反射電極
６  紫外線吸収層
７  透明電極
８  シール樹脂
９  高分子膜
１０  液晶滴
２０  平行光
２１  反射光
２２  光源
２３  受光器
３１  ＶＬＡ
３２  ＶＬＢ
３３  Ｖｄｄ
３４  Ｖｓｓ
３５  ＧＬ
３６  ＧＬＢ
３７  ＳＬ
３８  接続用スルーホール
４１  紫外線吸収層を有する場合の反射率の変化を示す曲線
４２  紫外線吸収層を有さない場合の反射率の変化を示す曲線
【図１】
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【図２】
2012159520.tif 000006
【図３】
2012159520.tif 000007
【図４】
2012159520.tif 000008
【図５】
2012159520.tif 000009
【図６】
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