(57)【要約】【課題】優れた解像度を有するパターンを形成することが可能なレジスト組成物の樹脂用のモノマーを提供する。【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。［式（Ｉ）中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ１は、２価の連結基を表す。Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、水素原子又はヒドロキシ基を表すか、ベンゼン環上の結合位置において互いに隣接し合う２つの基が結合して非芳香環を形成する。ただし、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６からなる群から選ばれる少なくとも１つの基はヒドロキシ基を表し、且つ、少なくとも他の２つの基は、それらが結合する互いに隣接し合うベンゼン環上の炭素原子と共に、非芳香環を形成する。］2012041523.tif 000122【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）で表される化合物。
2012041523.tif 000121
［式（Ｉ）中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ１は、２価の連結基を表す。
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、水素原子又はヒドロキシ基を表すか、ベンゼン環上の結合位置において互いに隣接し合う２つの基が結合して非芳香環を形成する。ただし、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６からなる群から選ばれる少なくとも１つの基はヒドロキシ基を表し、且つ、少なくとも他の２つの基は、それらが結合する互いに隣接し合うベンゼン環上の炭素原子と共に、非芳香環を形成する。］
【請求項２】
請求項１記載の化合物に由来する構造単位を有する樹脂。
【請求項３】
請求項２記載の樹脂を含むレジスト組成物。
【請求項４】
さらに酸発生剤を含む請求項３記載のレジスト組成物。
【請求項５】
さらに溶剤を含む請求項３又は４記載のレジスト組成物。
【請求項６】
（１）請求項５記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、
（５）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な化合物と、該化合物に由来する構造単位を有する樹脂と、該樹脂を含有するレジスト組成物等に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル及びヒドロキシスチレンと、メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチルに由来する構造単位及びヒドロキシスチレンに由来する構造単位を有する樹脂と、該樹脂を含むレジスト組成物とが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２７４８７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の化合物では、該化合物に由来する構造単位を有する樹脂を含むレジスト組成物により形成されるレジストパターンの解像度が必ずしも満足できない場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下の発明を含む。
〔１〕  式（Ｉ）で表される化合物。
2012041523.tif 000002
［式（Ｉ）中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ１は、２価の連結基を表す。
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、水素原子又はヒドロキシ基を表すか、ベンゼン環上の結合位置において互いに隣接し合う２つの基が結合して非芳香環を形成する。ただし、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６からなる群から選ばれる少なくとも１つの基はヒドロキシ基を表し、且つ、少なくとも他の２つの基は、それらが結合する互いに隣接し合うベンゼン環上の炭素原子と共に、非芳香環を形成する。］
【０００６】
〔２〕  〔１〕記載の化合物に由来する構造単位を有する樹脂。
〔３〕  〔２〕記載の樹脂を含むレジスト組成物。
〔４〕  さらに酸発生剤を含む〔３〕記載のレジスト組成物。
〔５〕  さらに溶剤を含む〔３〕又は〔４〕記載のレジスト組成物。
〔６〕（１）〔５〕記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、
（５）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
【０００７】
さらに、本発明は、以下の発明を含む。
〔７〕  さらに塩基性化合物を含む〔３〕又は〔４〕記載のレジスト組成物。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の化合物によれば、該化合物に由来する構造単位を有する樹脂を含むレジスト組成物は、優れた解像度を有するレジストパターンを形成することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の化合物は、式（Ｉ）で表される化合物である。
2012041523.tif 000003
［式（Ｉ）中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ１は、２価の連結基を表す。
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、水素原子又はヒドロキシ基を表すか、ベンゼン環上の結合位置において互いに隣接し合う２つの基が結合して非芳香環を形成する。ただし、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６からなる群から選ばれる少なくとも１つの基はヒドロキシ基を表し、且つ、少なくとも他の２つの基は、それらが結合する互いに隣接し合うベンゼン環上の炭素原子と共に、非芳香環を形成する。］
【００１０】
Ａ１における２価の連結基としては、単結合又は＊−ＣＯ−Ｔ１−［−（ＣＨ２）ｍ−ＣＯ−Ｔ２−］ｎ（＊はＣＨ２＝Ｃ（Ｒ１）−との結合手を表し、Ｔ１及びＴ２はそれぞれ独立に−Ｏ−又は−ＮＨ−を表し、ｍは１〜４の整数を表し、ｎは０又は１の整数を表す。）が挙げられる。Ｔ１及びＴ２は−Ｏ−であることが好ましく、ｍは１であることが好ましく、ｎは０であることが好ましい。
【００１１】
ベンゼン環上の結合位置において互いに隣接し合う２つの基が互いに結合してベンゼン環上の炭素原子と共に形成する非芳香環の炭素数は、例えば５〜１１であり、５〜９であることが好ましく、６〜８であることがより好ましい。
また、非芳香環は、脂環式炭化水素環であることが好ましい。
【００１２】
式（Ｉ）で表される化合物としては、式（ＩＩ）で表される化合物が好ましい。
2012041523.tif 000004
［式（ＩＩ）中、Ｒ１及びＡ１は、上記と同じ意味を表す。
Ｒ２’、Ｒ３’及びＲ４’は、それぞれ独立に、水素原子又はヒドロキシ基を表す。ただし、Ｒ２’、Ｒ３’及びＲ４’からなる群から選ばれる少なくとも１つの基はヒドロキシ基を表す。
環Ｗ１は、炭素数５〜１１の非芳香環を表す。］
環Ｗ１の炭素数には、環Ｗ１を構成するベンゼン環上の炭素原子も含まれる。
【００１３】
式（Ｉ）で表される化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
2012041523.tif 000005
【００１４】
式（Ｉ）で表される化合物は、例えば、アクリル酸クロライドと該当するアリールジオールを塩基の存在下反応させることにより製造することができる。
反応は、−１０〜３０℃程度で行うことが好ましい。
反応は、溶媒中で行うことが好ましく、例えばテトラヒドロフランやジメチルホルムアミド中で行うことが好ましい。
【００１５】
本発明の樹脂は、式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位を有する。
また、本発明の樹脂は、式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位に加えて、式（Ｉ）で表される化合物とは異なるモノマーに由来する構造単位を有していてもよい。
【００１６】
式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位に加えて、式（Ｉ）で表される化合物とは異なるモノマーに由来する構造単位を有する樹脂における、式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位の含有量は、該樹脂の全構造単位に対して、通常１〜８０モル％であり、好ましくは１０〜８０モル％であり、より好ましくは１０〜７０モル％であり、さらに好ましくは１０〜６０モル％である。
式（Ｉ）で表される化合物とは異なるモノマーとしては、酸に不安定な基を有するモノマーや、酸に不安定な基を有さない酸安定モノマー等が挙げられる。
【００１７】
〈酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）〉
「酸に不安定な基」とは、脱離基を有し、酸と接触すると該脱離基が開裂して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、−Ｏ−が第三級炭素原子と結合した式（１）で表されるアルコキシカルボニル基が挙げられる。なお以下では、式（１）で表される基を「酸に不安定な基（１）」という場合がある。酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構造単位を含有している樹脂は、アルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸との作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である。
【００１８】
2012041523.tif 000006
式（１）中、Ｒa1〜Ｒa3は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜２０の飽和環状炭化水素基を表すか或いはＲa1及びＲa2は互いに結合して炭素数３〜２０の環を形成する。＊は結合手を表す（以下同じ）。
【００１９】
脂肪族炭化水素基としては、例えばアルキル基が挙げられ、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
飽和環状炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の飽和環状炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。
2012041523.tif 000007
式（１）における飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１６である。
【００２０】
Ｒa1及びＲa2が互いに結合して環を形成する場合、−Ｃ（Ｒa1）（Ｒa2）（Ｒa3）基としては、下記の基が挙げられる。環の炭素数は、好ましくは３〜１２である。
2012041523.tif 000008
【００２１】
酸に不安定な基（１）としては、例えば、１，１−ジアルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒa1〜Ｒa3がアルキル基である基、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基）、２−アルキルアダマンタン−２−イルオキシカルボニル基（式（１）中、Ｒa1、Ｒa2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ｒa3がアルキル基である基）及び１−（アダマンタン−１−イル）−１−アルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒa1及びＲa2がアルキル基であり、Ｒa3がアダマンチル基である基）などが挙げられる。
【００２２】
酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）は、好ましくは、酸に不安定な基（１）と炭素−炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基（１）を有する（メタ）アクリル系モノマーである。
本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、「ＣＨ2＝ＣＨ−ＣＯ−」又は「ＣＨ2＝Ｃ（ＣＨ3）−ＣＯ−」の構造を有する少なくとも１種を意味する。同様に「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも１種」並びに「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも１種」を意味する。
【００２３】
酸に不安定な基（１）を有する（メタ）アクリル系モノマーの中でも、炭素数５〜２０の飽和環状炭化水素基を有するものが好ましい。飽和環状炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマー（ａ１）を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。
【００２４】
酸に不安定な基（１）と飽和環状炭化水素基とを有する（メタ）アクリル系モノマーの中でも、式（ａ１−１）で表されるモノマー又は式（ａ１−２）で表されるモノマーが好ましい。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２５】
2012041523.tif 000009
［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌa1及びＬa2は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ2）k1−ＣＯ−Ｏ−を表す。
ｋ１は１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒa4及びＲa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒa6及びＲa7は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜１０の飽和環状炭化水素基を表す。
ｍ１は０〜１４の整数を表す。
ｎ１は０〜１０の整数を表す。
ｎ１’は０又は１の整数を表す。］
【００２６】
Ｌa1及びＬa2は、好ましくは、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ2）f1−ＣＯ−Ｏ−であり（前記ｆ１は、１〜４の整数を表す）、より好ましくは−Ｏ−である。ｋ１は、好ましくは１〜４の整数、より好ましくは１である。
Ｒa4及びＲa5は、好ましくはメチル基である。
Ｒa6及びＲa7の脂肪族炭化水素基としては、例えばアルキル基が挙げられ、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。Ｒa6及びＲa7の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数６以下である。飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数８以下、より好ましくは６以下である。
Ｒa6及びＲa7の飽和環状炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の飽和環状炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。
2012041523.tif 000010
ｍ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
【００２７】
式（ａ１−１）で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、２−メチルアダマンタン−２−イル（メタ）アクリレート、２−エチルアダマンタン−２−イル（メタ）アクリレート及び２−イソプロピルアダマンタン−２−イル（メタ）アクリレートが好ましく、２−メチルアダマンタン−２−イルメタクリレート、２−エチルアダマンタン−２−イルメタクリレート及び２−イソプロピルアダマンタン−２−イルメタクリレートがより好ましい。
【００２８】
2012041523.tif 000011
【００２９】
2012041523.tif 000012
【００３０】
2012041523.tif 000013
【００３１】
2012041523.tif 000014
【００３２】
2012041523.tif 000015
【００３３】
2012041523.tif 000016
【００３４】
2012041523.tif 000017
【００３５】
2012041523.tif 000018
【００３６】
2012041523.tif 000019
【００３７】
式（ａ１−２）で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、１−エチルシクロヘキサン−２−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロペンタン−２−イル（メタ）アクリレートが好ましく、１−エチルシクロヘキサン−２−イルメタクリレート、１−エチルシクロペンタン−２−イルメタクリレートがより好ましい。
【００３８】
2012041523.tif 000020
【００３９】
2012041523.tif 000021
【００４０】
本発明の樹脂が式（ａ１−１）で表されるモノマー又は式（ａ１−２）で表されるモノマーに由来する構造単位を有する場合、これらの含有量は、本発明の樹脂の全構造単位に対して、それぞれ通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％である。
【００４１】
酸に不安定な基を有さないモノマー（以下「酸安定モノマー」という場合がある）としては、ヒドロキシ基、ラクトン環、式（ａ５）で表される基又は式（ａ６）で表される基を有するものが好ましい。酸安定モノマーは、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（以下「ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）」という）又はラクトン環を含有する酸安定モノマー（以下「ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）」という）に由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。
【００４２】
〈ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）〉
レジスト組成物をＫｒＦエキシマレーザ露光（２４８ｎｍ）、電子線あるいはＥＵＶ光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）として、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２−０）を使用することが好ましい。短波長のＡｒＦエキシマレーザ露光（１９３ｎｍ）などを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）として、式（ａ２−１）で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用することが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００４３】
フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマー（ａ２−０）として、式（ａ２−０）で表されるｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーが挙げられる。
【００４４】
2012041523.tif 000022
［式（ａ２−０）中、
Ｒ８は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ９は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
ｍａは０〜４の整数を表す。ｍａが２以上の整数である場合、複数のＲ９は同一であっても異なってもよい。］
【００４５】
Ｒ８におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基が挙げられ、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、炭素数１又は２のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
また、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキトキシ基等が挙げられ、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、炭素数１又は２のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
ｍａは０〜２が好ましく、０又は１がより好ましく、０が特に好ましい。
【００４６】
このようなフェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーに由来する構造単位を有する共重合樹脂を得る場合は、該モノマーが有するフェノール性ヒドロキシ基を保護したモノマー及び共重合させるモノマーをラジカル重合した後、酸又は塩基によって脱保護することによって得ることができる。フェノール性ヒドロキシ基の保護基としては、アセチル基や１−エトキシエタン−１−イル基等が挙げられる。
フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。
【００４７】
2012041523.tif 000023
【００４８】
2012041523.tif 000024
【００４９】
以上のモノマーのうち、４−ヒドロキシスチレン又は４−ヒドロキシ−α−メチルスチレンが特に好ましい。
【００５０】
本発明の樹脂が式（ａ２−０）で表されるモノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有量は、本発明の樹脂の全構造単位に対して、通常５〜９０モル％であり、好ましくは１０〜８５モル％であり、より好ましくは１５〜８０モル％である。
【００５１】
ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式（ａ２−１）で表されるモノマーが挙げられる。
【００５２】
2012041523.tif 000025
式（ａ２−１）中、
Ｌa3は、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ2）k2−ＣＯ−Ｏ−を表し、
ｋ２は１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒa14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒa15及びＲa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０の整数を表す。
【００５３】
式（ａ２−１）では、Ｌa3は、好ましくは、−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ2）f1−ＣＯ−Ｏ−であり（前記ｆ１は、１〜４の整数である）、より好ましくは−Ｏ−である。
Ｒa14は、好ましくはメチル基である。
Ｒa15は、好ましくは水素原子である。
Ｒa16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
【００５４】
ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー（ａ２−１）としては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、３−ヒドロキシアダマンタン−１−イル（メタ）アクリレート、３，５−ジヒドロキシアダマンタン−１−イル（メタ）アクリレート及び（メタ）アクリル酸１−（３，５−ジヒドロキシアダマンタン−１−イルオキシカルボニル）メチルが好ましく、３−ヒドロキシアダマンタン−１−イル（メタ）アクリレート及び３，５−ジヒドロキシアダマンタン−１−イル（メタ）アクリレートがより好ましく、３−ヒドロキシアダマンタン−１−イルメタクリレート及び３，５−ジヒドロキシアダマンタン−１−イルメタクリレートがさらに好ましい。
【００５５】
2012041523.tif 000026
【００５６】
2012041523.tif 000027
【００５７】
2012041523.tif 000028
【００５８】
2012041523.tif 000029
【００５９】
本発明の樹脂が式（ａ２−１）で表されるモノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有量は、本発明の樹脂の全構造単位に対して、通常３〜４０モル％であり、好ましくは５〜３５モル％であり、より好ましくは５〜３０モル％である。
【００６０】
〈ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）〉
酸安定モノマー（ａ３）が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ−ブチロラクトン環及びγ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。
【００６１】
ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）の中でも、（メタ）アクリル酸テトラヒドロ−２−オキソ−３−フリル等のγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３−１）、（メタ）アクリル酸（５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０3,7］ノナン−２−イル、（メタ）アクリル酸２−（５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０3,7］ノナン−２−イルオキシ）−２−オキソエチル等のγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー（ａ３−２）が好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。
【００６２】
本発明の樹脂がラクトン環を有する酸安定モノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有量は、本発明の樹脂の全構造単位に対して、通常５〜５０モル％であり、好ましくは１０〜４５モル％であり、より好ましくは１５〜４０モル％である。
【００６３】
本発明の樹脂が、式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位及び酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構造単位を有する場合、該樹脂は、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であり、レジスト組成物用の樹脂として有用である。
【００６４】
本発明の樹脂は、好ましくは、式（Ｉ）で表される化合物と、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）と、酸安定モノマーとを重合させた共重合体であり、より好ましくは、少なくとも、式（Ｉ）で表される化合物、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）及び／又はラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）を重合させた共重合体である。
好ましい共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）は、より好ましくはモノマー（ａ１−１）及びモノマー（ａ１−２）の少なくとも１種（さらに好ましくはモノマー（ａ１−１））であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー（ａ２−１）であり、ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）は、より好ましくはγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３−１）及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー（ａ３−２）の少なくとも１種である。樹脂は、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造できる。
【００６５】
本発明の樹脂が、式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位と、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）に由来する構造単位とからなる樹脂である場合、これらの含有量は、本発明の樹脂を構成する全構造単位中、以下の範囲にあることが好ましい。
式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位：好ましくは１〜８０モル％、より好ましくは１０〜６０モル％
酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）に由来する構造単位：好ましくは２０〜９９モル％、より好ましくは４０〜９０モル％
【００６６】
本発明の樹脂が、式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位と、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）に由来する構造単位と、酸安定モノマーに由来する構造単位からなる樹脂である場合、これらの含有量は、本発明の樹脂を構成する全構造単位中、以下の範囲にあることが好ましい。
式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位：好ましくは１〜８０モル％、より好ましくは１０〜６０モル％
酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）に由来する構造単位：好ましくは２０〜９０モル％、より好ましくは３０〜８０モル％
酸安定モノマーに由来する構造単位：好ましくは３〜７０モル％、より好ましくは５〜６０モル
【００６７】
また、アダマンチル基を有するモノマー（特に酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１−１））に由来する構造単位を、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）１００モル％に対して１５モル％以上とすることが好ましい。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。
【００６８】
本発明の樹脂の重量平均分子量は、好ましくは、２，５００以上（より好ましくは３，０００以上）、５０，０００以下（より好ましくは３０，０００以下）である。樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーなどの分析手段で測定できる。
レジスト組成物は、樹脂と酸発生剤とを含むことが好ましく、さらに塩基性化合物及び後述の式（Ｖ）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましく、また、さらに溶剤を含むことが好ましい。
樹脂の含有量は、レジスト組成物の固形分中８０質量％以上９９質量％以下であることが好ましい。
なお本明細書において「組成物中の固形分」とは、後述する溶剤（Ｅ）を除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂の含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。
【００６９】
〈酸発生剤（以下「酸発生剤（Ｂ）」という場合がある）〉
酸発生剤（Ｂ）は、非イオン系とイオン系とに分類される。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類（例えば２−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、Ｎ−スルホニルオキシイミド、Ｎ−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン４−スルホネート）、スルホン類（例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン）等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩（例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩）が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等がある。
【００７０】
酸発生剤（Ｂ）としては、レジスト分野で使用される酸発生剤（特に光酸発生剤）だけでなく、光カチオン重合の光開始剤、色素類の光消色剤、又は光変色剤等の放射線（光）によって酸を発生する公知化合物及びそれらの混合物も、適宜、使用できる。例えば特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号や、米国特許第３，７７９，７７８号、米国特許第３，８４９，１３７号、独国特許第３９１４４０７号、欧州特許第１２６，７１２号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。
【００７１】
酸発生剤（Ｂ）は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式（Ｂ１）で表されるスルホン酸塩である。
【００７２】
2012041523.tif 000030
［式（Ｂ１）中、
Ｑ1及びＱ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌb1は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−ＳＯ２−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
Ｚ+は、有機カチオンを表す。］
【００７３】
ペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
式（Ｂ１）では、Ｑ1及びＱ2は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
【００７４】
２価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の飽和環状炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち２種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、ヘキサデカン−１，１６−ジイル基、ヘプタデカン−１，１７−ジイル基、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基（特に、炭素数１〜４のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等）の側鎖を有したもの、例えば、プロパン−２，２−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基； 
シクロブタン−１，３−ジイル基、１，３−シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の飽和環状炭化水素基；
ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、１，５−アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の多環式の飽和環状炭化水素基等が挙げられる。
【００７５】
Ｌb1の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基としては、例えば、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）が挙げられる。Ｌb1は、好ましくは式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−４）のいずれか、さらに好ましくは式（ｂ１−１）又は式（ｂ１−２）が挙げられる。なお、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）は、その左右を式（Ｂ１）に合わせて記載しており、左側でＣ（Ｑ1）（Ｑ2）−と結合し、右側で−Ｙと結合する。以下の式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）の具体例も同様である。
【００７６】
2012041523.tif 000031
式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）中、
Ｌb2は、単結合又は炭素数１〜１５の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌb3は、単結合又は炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌb4は、炭素数１〜１３の２価の飽和炭化水素基を表す。但しＬb3及びＬb4の合計炭素数上限は１３である。
Ｌb5は、炭素数１〜１５の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌb6及びＬb7は、それぞれ独立に、炭素数１〜１５の２価の飽和炭化水素基を表す。但しＬb6及びＬb7の合計炭素数上限は１６である。
Ｌb8は、炭素数１〜１４の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌb9及びＬb10は、それぞれ独立に、炭素数１〜１１の２価の飽和炭化水素基を表す。但しＬｂ９及びＬｂ１０の合計炭素数上限は１２である。
中でも、式（ｂ１−１）で表される２価の基が好ましく、Ｌb2が単結合又は−ＣＨ２−である式（ｂ１−１）で表される２価の基がより好ましい。
【００７７】
式（ｂ１−１）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000032
【００７８】
式（ｂ１−２）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000033
【００７９】
式（ｂ１−３）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000034
【００８０】
式（ｂ１−４）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000035
【００８１】
式（ｂ１−５）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000036
【００８２】
式（ｂ１−６）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000037
【００８３】
Ｌｂ１の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、炭素数７〜２１のアラルキル基、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基などが挙げられる。
アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
【００８４】
Ｙの脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜６のアルキル基が好ましい。
脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子（但しフッ素原子を除く）、ヒドロキシ基、オキソ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基含有炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１６の飽和環状炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、炭素数７〜２１のアラルキル基、炭素数２〜４のアシル基、グリシジルオキシ基又は−（ＣＨ2）j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒb1基（式中、Ｒb1は、炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１６の飽和環状炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。ｊ２は、０〜４の整数を表す。）などが挙げられる。Ｙの置換基である脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ここでの置換基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基等が挙げられる。
ヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
Ｙの脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基における−ＣＨ２−が−Ｏ−、−ＳＯ２−又は−ＣＯ−で置き換わった基としては、例えば、環状エーテル基（−ＣＨ２−が−Ｏ−で置き換わった基）、オキソ基を有する飽和環状炭化水素基（−ＣＨ２−が−ＣＯ−で置き換わった基）、スルトン環基（隣り合う２つの−ＣＨ２−が、それぞれ、−Ｏ−又は−ＳＯ２−で置き換わった基）又はラクトン環基（隣り合う２つの−ＣＨ２−が、それぞれ、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基）等が挙げられる。
【００８５】
特に、Ｙの飽和環状炭化水素基としては、式（Ｙ１）〜式（Ｙ２６）で表される基が挙げられる。
2012041523.tif 000038
【００８６】
なかでも、好ましくは式（Ｙ１）〜式（Ｙ１９）のいずれかで表される基であり、より好ましくは式（Ｙ１１）、式（Ｙ１４）、式（Ｙ１５）又は式（Ｙ１９）で表される基であり、さらに好ましくは式（Ｙ１１）又は式（Ｙ１４）で表される基である。
【００８７】
脂肪族炭化水素基で置換された飽和環状炭化水素基であるＹとしては、例えば以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000039
【００８８】
ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基で置換された飽和環状炭化水素基であるＹとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【００８９】
2012041523.tif 000040
【００９０】
芳香族炭化水素基で置換された飽和環状炭化水素基であるＹとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【００９１】
2012041523.tif 000041
【００９２】
−（ＣＨ2）j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒb1基で置換された飽和環状炭化水素基であるＹとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【００９３】
2012041523.tif 000042
【００９４】
Ｙは、好ましくは置換基（例えば、オキソ基等）を有していてもよいアダマンチル基であり、より好ましくはアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。
【００９５】
式（Ｂ１）で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、例えば、置換基Ｌｂ１が式（ｂ１−１）である以下の式（ｂ１−１−１）〜式（ｂ１−１−９）で表されるアニオンが好ましい。以下の式においては、Ｑ１、Ｑ２及びＬb２は上記と同じ意味を表し、Ｒｂ２及びＲｂ３は、それぞれ独立に炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基（好ましくは、メチル基）を表す。
【００９６】
2012041523.tif 000043
【００９７】
脂肪族炭化水素基又は無置換の飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−１）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−１）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000044
【００９８】
2012041523.tif 000045
【００９９】
2012041523.tif 000046
【０１００】
2012041523.tif 000047
【０１０１】
−（ＣＨ2）j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒb1基が置換された飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−１）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000048
【０１０２】
ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−１）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１０３】
2012041523.tif 000049
【０１０４】
2012041523.tif 000050
【０１０５】
2012041523.tif 000051
【０１０６】
2012041523.tif 000052
【０１０７】
芳香族炭化水素基又はアラルキル基が置換された飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−１）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１０８】
2012041523.tif 000053
【０１０９】
環状エーテルであるＹと式（ｂ１−１）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000054
【０１１０】
ラクトン環であるＹと式（ｂ１−１）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000055
【０１１１】
2012041523.tif 000056
【０１１２】
オキソ基を有する飽和環状炭化水素であるＹと式（ｂ１−１）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１１３】
2012041523.tif 000057
【０１１４】
スルトン環であるＹと式（ｂ１−１）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000058
【０１１５】
脂肪族炭化水素基又は無置換の飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−２）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−２）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000059
【０１１６】
2012041523.tif 000060
【０１１７】
2012041523.tif 000061
【０１１８】
2012041523.tif 000062
【０１１９】
2012041523.tif 000063
【０１２０】
2012041523.tif 000064
【０１２１】
−（ＣＨ2）j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒb1基が置換された飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−２）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１２２】
2012041523.tif 000065
【０１２３】
ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−２）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１２４】
2012041523.tif 000066
【０１２５】
2012041523.tif 000067
【０１２６】
芳香族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−２）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１２７】
2012041523.tif 000068
【０１２８】
環状エーテルであるＹと式（ｂ１−２）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１２９】
2012041523.tif 000069
【０１３０】
ラクトン環であるＹと式（ｂ１−２）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１３１】
2012041523.tif 000070
【０１３２】
オキソ基を有するＹと式（ｂ１−２）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１３３】
2012041523.tif 000071
【０１３４】
スルトン環であるＹと式（ｂ１−２）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１３５】
2012041523.tif 000072
【０１３６】
脂肪族炭化水素基又は無置換のＹと式（ｂ１−３）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−３）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１３７】
2012041523.tif 000073
【０１３８】
2012041523.tif 000074
【０１３９】
アルコキシ基が置換された飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−３）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１４０】
2012041523.tif 000075
【０１４１】
ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−３）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１４２】
2012041523.tif 000076
【０１４３】
オキソ基を有するＹと式（ｂ１−３）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１４４】
2012041523.tif 000077
【０１４５】
脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−４）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１４６】
2012041523.tif 000078
【０１４７】
アルコキシ基が置換された飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−４）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１４８】
2012041523.tif 000079
【０１４９】
ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−４）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１５０】
2012041523.tif 000080
【０１５１】
オキソ基を有する飽和環状炭化水素基であるＹと式（ｂ１−４）で表される２価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
【０１５２】
2012041523.tif 000081
【０１５３】
なかでも、式（ｂ１−１）で表される２価の基を有する以下のスルホン酸アニオンがより好ましい。
2012041523.tif 000082
【０１５４】
酸発生剤（Ｂ）に含まれるカチオンは、オニウムカチオン、例えば、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。
【０１５５】
式（Ｂ１）中のＺ+は、好ましくは式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）のいずれかで表されるカチオンである。
【０１５６】
2012041523.tif 000083
【０１５７】
これらの式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）において、
Ｒb4〜Ｒb6は、それぞれ独立に、炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の飽和環状炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の飽和環状炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換されていてもよい。
【０１５８】
Ｒb7及びＲb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｍ２及びｎ２は、それぞれ独立に０〜５の整数を表す。
【０１５９】
Ｒb9及びＲb10は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜１８の飽和環状炭化水素基を表す。
Ｒb11は、水素原子、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の飽和環状炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒb9〜Ｒb11の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜１２であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１８、より好ましくは炭素数４〜１２である。
Ｒb12は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の飽和環状炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。前記芳香族炭化水素基は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１８の飽和環状炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｒb9とＲb10と、及びＲb11とＲb12とは、それぞれ独立に、互いに結合して３員環〜１２員環（好ましくは３員環〜７員環）を形成していてもよく、これらの環の−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
【０１６０】
Ｒb13〜Ｒb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｌb11は、−Ｓ−又は−Ｏ−を表す。
ｏ２、ｐ２、ｓ２、及びｔ２は、それぞれ独立に、０〜５の整数を表す。
ｑ２及びｒ２は、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
ｕ２は０又は１を表す。
ｏ２が２以上である場合、複数のＲb13は互いに同一であっても異なってもよく、ｐ２が２以上である場合、複数のＲb14は互いに同一であっても異なってもよく、ｑ２が２以上である場合、複数のＲb15は互いに同一であっても異なってもよく、ｒ２が２以上である場合、複数のＲb16は互いに同一であっても異なってもよく、ｓ２が２以上である場合、複数のＲb17は互いに同一であっても異なってもよく、ｔ２が２以上である場合、複数のＲb18は互いに同一であっても異なってもよい。
【０１６１】
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
【０１６２】
好ましい脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基である。
好ましい飽和環状炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、２−アルキル−２−アダマンチル基、１−（１−アダマンチル）−１−アルキル基、及びイソボルニル基である。
好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−シクロへキシルフェニル基、４−メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。
置換基が芳香族炭化水素基である脂肪族炭化水素基（アラルキル基）としては、ベンジル基などが挙げられる。
Ｒb9及びＲb10が形成する環としては、例えば、チオラン−１−イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン−１−イウム環、１，４−オキサチアン−４−イウム環などが挙げられる。
Ｒb11及びＲb12が形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。
【０１６３】
カチオン（ｂ２−１）〜カチオン（ｂ２−４）の中でも、カチオン（ｂ２−１）が好ましく、式（ｂ２−１−１）で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝ｘ２＝０）がさらに好ましい。
【０１６４】
2012041523.tif 000084
式（ｂ２−１−１）中、
Ｒb19〜Ｒb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の飽和環状炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜１２であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数４〜１８である。
前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。
前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。
ｖ２、ｗ２及びｘ２は、それぞれ独立に０〜５の整数（好ましくは０又は１）を表す。ｖ２が２以上である場合、複数のＲb19は同一であっても異なってもよく、ｗ２が２以上である場合、複数のＲb20は同一であっても異なってもよく、ｘ２が２以上である場合、複数のＲb21は同一であっても異なってもよい。
なかでも、Ｒb19〜Ｒb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、又は炭素数１〜１２のアルコキシ基である。
【０１６５】
カチオン（ｂ２−１−１）の具体例としては、以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000085
【０１６６】
2012041523.tif 000086
【０１６７】
カチオン（ｂ２−２）の具体例としては、以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000087
【０１６８】
カチオン（ｂ２−３）の具体例としては、以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000088
【０１６９】
2012041523.tif 000089
【０１７０】
カチオン（ｂ２−４）の具体例としては、以下のものが挙げられる。
2012041523.tif 000090
【０１７１】
2012041523.tif 000091
【０１７２】
2012041523.tif 000092
【０１７３】
2012041523.tif 000093
【０１７４】
酸発生剤（Ｂ１）は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができるが、アニオン（ｂ１−１−１）〜アニオン（ｂ１−１−９）のいずれかとカチオン（ｂ２−１−１）との組合せ、並びにアニオン（ｂ１−１−３）〜（ｂ１−１−５）のいずれかとカチオン（ｂ２−３）との組合せが好ましい。
【０１７５】
好ましい酸発生剤（Ｂ１）は、式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−１７）で表されるものである。中でもトリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤（Ｂ１−１）、（Ｂ１−２）、（Ｂ１−６）、（Ｂ１−１１）、（Ｂ１−１２）、（Ｂ１−１３）及び（Ｂ１−１４）がより好ましい。
【０１７６】
2012041523.tif 000094
【０１７７】
2012041523.tif 000095
【０１７８】
2012041523.tif 000096
【０１７９】
2012041523.tif 000097
【０１８０】
2012041523.tif 000098
【０１８１】
酸発生剤（Ｂ）の含有量は、本発明の樹脂１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上（より好ましくは３質量部以上）、好ましくは３０質量部以下（より好ましくは２５質量部以下）である。
【０１８２】
<式（Ｖ）で表される化合物>
本発明のレジスト組成物は、式（Ｖ）で表される化合物を含んでいてもよい。
2012041523.tif 000099
［式（Ｖ）中、Ｒ３１、Ｒ４１、Ｒ５１及びＲ６１は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の飽和環状炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基を表す。
Ａ２１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜３６の炭化水素基を表し、該炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。］
【０１８３】
Ｒ３１、Ｒ４１、Ｒ５１及びＲ６１におけるアルキル基は、直鎖状又は分岐状のいずれであってもよい。
直鎖状のアルキル基は、炭素数が１〜１５であることが好ましく、１〜１０がより好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基は、炭素数が３〜２０であり、３〜１５であることが好ましく、３〜１０がより好ましい。具体的には、例えば、１−メチルエチル基、１−メチルプロピル基、２−メチルプロピル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基等が挙げられる。 
Ｒ３１、Ｒ４１、Ｒ５１及びＲ６１における飽和環状炭化水素基は、炭素数が５〜３０であることが好ましく、５〜２０がより好ましく、６〜１５がさらに好ましく、６〜１２が特に好ましい。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどから１個の水素原子を除いた基などが挙げられる。
Ｒ３１、Ｒ４１、Ｒ５１及びＲ６１におけるアルケニル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。好ましくは、直鎖状のアルケニル基であり、上に例示したアルキル基の末端に−ＣＨ＝ＣＨ２が導入されたものがより好ましい。アルケニル基の炭素数は、２〜５が好ましく、４が特に好ましい。
【０１８４】
Ｒ３１、Ｒ４１、Ｒ５１及びＲ６１における上記の基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、アルキル基、アルキルオキシ基、ヒドロキシアルキルオキシ基、アルキルオキシアルキルオキシ基、アルキルオキシカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールアルキル基等が挙げられる。 
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
ハロゲン化アルキル基としては、アルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられ、特にフッ素化アルキル基が好ましい。
アルキル基としては、Ｒ’１〜Ｒ’４におけるものと同じものが挙げられる。
アリール基としては、たとえば、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等の基が挙げられる。
ヘテロアリール基としては、これらのアリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換された基が挙げられる。
アリールアルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基、２−ナフチルエチル基等が挙げられる。
アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、１〜４であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。
これらのアリール基、ヘテロアリール基、アリールアルキル基は、炭素数１〜１０のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子等の置換基を有していてもよい。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が１〜８であることが好ましく、炭素数が１〜４であることがさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。該ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などが挙げられ、フッ素原子であることが好ましい。
【０１８５】
Ｒ３１、Ｒ４１、Ｒ５１及びＲ６１は、直鎖状のアルキル基もしくはアルケニル基、または飽和環状炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキル基がより好ましい。
また、Ｒ３１、Ｒ４１、Ｒ５１及びＲ６１のうちの１つが炭素数４以上、好ましくは５〜１０のアルキル基であることが好ましく、さらに、Ｒ３１、Ｒ４１、Ｒ５１及びＲ６１のうちの１つが炭素数３以下、好ましくは２以下のアルキル基であり、他の３つが、炭素数４以上のアルキル基であることが好ましい。
【０１８６】
Ａ２１における炭化水素基は、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基、アリールアルキル基が挙げられる。
飽和炭化水素基としては、Ｒ３１、Ｒ４１、Ｒ５１及びＲ６１における炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜２０の飽和環状炭化水素基と同様のものが挙げられる。
不飽和炭化水素基の炭素数は、２〜５が好ましく、２〜４が好ましく、３が特に好ましい。
不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基（アリル基）、ブチニル基、１−メチルプロペニル基、２−メチルプロペニル基などが挙げられ、特にプロペニル基が好ましい。
芳香族炭化水素基は、炭素数は、６〜３６であり、６〜３０であることが好ましく、６〜２０がより好ましく、６〜１５がさらに好ましく、６〜１２が特に好ましい。芳香族炭化水素基としては、アリール基が挙げられる。
アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等が挙げられる。
アリールアルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基、２−ナフチルエチル基等が挙げられる。アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、１〜４であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。
【０１８７】
Ａ２１における上記の基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基等などが挙げられ、特にハロゲン原子、水酸基が好ましい。また、Ａ’１はヘテロ原子を含んでいてもよく、ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子等が挙げられる。
アルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基であることが特に好ましい。
アリール基としては上記と同様のものが挙げられる。
アルコキシ基としては、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
ハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
【０１８８】
式（Ｖ）で表される化合物が式（ＩＶ）で表される化合物であることが好ましい。
2012041523.tif 000100
［式（ＩＶ）中、Ｒｄ３、Ｒｄ４、Ｒｄ５及びＲｄ６は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ａ２は、置換基を有していてもよい２価の炭素数３〜３６の飽和環状炭化水素基又は置換基を有していてもよい２価の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基を表し、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。］
【０１８９】
炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−エチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、ｎ−ヘプチル基が挙げられる。
【０１９０】
２価の炭素数３〜３６の飽和環状炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、２−メチルシクロヘキシル基、３−メチルシクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；
シクロブチルメチル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘプチルメチル基、シクロオクチルメチル基等の炭素数５〜１２のシクロアルキルメチル基；
１−アダマンチル基、１−アダマンチルメチル基等の炭素数５〜１２の他の飽和環状炭化水素基；
等の１価の基の水素原子を１つ結合手に置き換えた２価の基が挙げられる。
【０１９１】
２価の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基等の炭素数６〜１２の（アルキル置換）フェニル基；
１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチル−１−ナフチル基、３−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、５−メチル−１−ナフチル基、６−メチル−１−ナフチル基、７−メチル−１−ナフチル基、８−メチル−１−ナフチル基、１−メチル−２−ナフチル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−２−ナフチル基、５−メチル−２−ナフチル基、６−メチル−２−ナフチル基、７−メチル−２−ナフチル基、８−メチル−２−ナフチル基等の炭素数１０〜１２の（アルキル置換）ナフチル基；
等の１価の基の水素原子を１つ結合手に置き換えた２価の基が挙げられる。
【０１９２】
ヘテロ原子を含む２価の炭素数３〜３６の飽和環状炭化水素基としては、ピロリジン、ピラゾリジン、イミダゾリジン、イソオキサゾリジン、イソチアゾリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、チオモルホリン、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾール等の複素環化合物の水素原子を２つ結合手に置き換えた２価の基が挙げられる。
ヘテロ原子を含む２価の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基としては、ピリジル基、ジピリジル基等の１価の基の水素原子を１つ結合手に置き換えた２価の基が挙げられる。
該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アミノ基、チオール基、シロキサン基、さらに置換基を有していてもよい総炭素数３０以下の炭化水素基若しくはＯ、Ｎ、Ｓ等のヘテロ原子を含む複素環基、又は、２価の置換基としてオキシ基（＝Ｏ）等が挙げられる。
【０１９３】
式（Ｖ）で表される化合物に含まれるカチオンとしては、式（ＩＡ−１）〜式（ＩＡ−８）で表されるカチオンが挙げられる。
2012041523.tif 000101
【０１９４】
式（Ｖ）で表される化合物に含まれるアニオンとしては、式（ＩＢ−１）〜式（ＩＢ−１１）で表されるカチオンが挙げられる。
2012041523.tif 000102
【０１９５】
式（ＩＶ）で表される化合物としては、式（Ｖ−１）〜式（Ｖ−３２）で表される化合物が挙げられ、式（ＩＶ）で表される化合物に相当する式（Ｖ−１）〜式（Ｖ−２７）で表される化合物が好ましく、式（Ｖ−１）〜式（Ｖ−５）で表される化合物及び式（Ｖ−１２）〜式（Ｖ−２０）で表される化合物が好ましく、式（Ｖ−１２）〜式（Ｖ−１６）で表される化合物がより好ましい。
【０１９６】
【表１】
2012041523.tif 000103
【０１９７】
レジスト組成物が式（Ｖ）で表される化合物を含む場合、式（Ｖ）で表される化合物の含有量は、レジスト組成物の固形分を基準に、０．００１〜１０質量％が好ましく、より好ましくは０．０５〜８質量％、さらに好ましくは０．０１〜５質量％である。
また、レジスト組成物が式（ＩＶ）で表される化合物を含む場合、式（ＩＶ）で表される化合物の含有量は、レジスト組成物の固形分を基準に、０．００１〜１０質量％が好ましく、より好ましくは０．０５〜８質量％、さらに好ましくは０．０１〜５質量％である。
式（Ｖ）で表される化合物は公知の方法で製造することができる。例えば、テトラメチルアンモニウムハイドライドとヒドロキシアダマンタンカルボン酸との中和反応によって製造することができる。
【０１９８】
〈塩基性化合物（以下「塩基性化合物（Ｃ）」という場合がある）〉
本発明のレジスト組成物は、クエンチャーとして、塩基性化合物（Ｃ）を含んでいてもよい。
塩基性化合物（Ｃ）の含有量は、レジスト組成物の固形分を基準に、０．０１〜１質量％程度であることが好ましい。
【０１９９】
塩基性化合物（Ｃ）は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物（例えば、アミン）である。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでも、アンモニウム塩（ただし、式（Ｖ）で表される化合物及び式（ＩＶ）で表される化合物とは異なる。）でもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香族環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物（Ｃ）として、式（Ｃ２）で表される芳香族アミンや式（Ｃ２−２）であらわされるアンモニウム塩、特に式（Ｃ２−２）で表されるアンモニウム塩が挙げられる。
【０２００】
2012041523.tif 000104
ここで、Ａｒc1は、芳香族炭化水素基を表す。
Ｒc5及びＲc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基（好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基）、飽和環状炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。但し該脂肪族炭化水素基、該飽和環状炭化水素基又は該芳香族炭化水素基の水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基は、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。
前記脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜６程度であり、該飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数５〜１０程度であり、該芳香族炭化水素基は、好ましくは炭素数６〜１０程度である。
Ｒc7は、脂肪族炭化水素基（好ましくはアルキル基）、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基（好ましくはシクロアルキル基）又は芳香族炭化水素基を表す。但し脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の水素原子は、上記と同様の基で置換されていてもよい。
ｍ３は０〜３の整数を表す。ｍ３が２以上のとき、複数のＲc7は、互いに同一でも異なってもよい。
Ｒc7の脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の好ましい炭素数は、上記と同じであり、Ｒc7のアルコキシ基は、好ましくは炭素数１〜６程度である。
Ｒc８’、Ｒc９’、Ｒc１０’及びＲc１１’はそれぞれ独立に脂肪族炭化水素基（好ましくはアルキル基）、飽和環状炭化水素基（好ましくはシクロアルキル基）又は芳香族炭化水素基を表す。但し該脂肪族炭化水素基、該飽和環状炭化水素基又は該芳香族炭化水素基の水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基は、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。
前記脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜８程度であり、前記飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数５〜１０程度であり、前記芳香族炭化水素基は、好ましくは炭素数６〜１０程度である。
Ａｎ−は対イオンを表し、好ましくはＯＨ−である。
【０２０１】
芳香族アミン（Ｃ２）としては、例えば、１−ナフチルアミン及び２−ナフチルアミンなどが挙げられる。
アニリン（Ｃ２−１）としては、例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。
中でもジイソプロピルアニリン（特に２，６−ジイソプロピルアニリン）が好ましい。
アンモニウム塩（Ｃ２−２）としては、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドライド、テトラブチルアンモニウムハイドライドなどが挙げられる。
中でもテトラブチルアンモニウムサリチル酸塩が好ましい。
【０２０２】
塩基性化合物（Ｃ）としては、式（Ｃ３）〜式（Ｃ１１）で表される化合物が挙げられる。
2012041523.tif 000105
ここで、
Ｒc8は、上記Ｒc7で説明したいずれかの基を表す。
窒素原子と結合するＲc9、Ｒc10、Ｒc11〜Ｒc14、Ｒc16〜Ｒc19及びＲc22は、それぞれ独立に、Ｒc5及びＲc6で説明したいずれかの基を表す。
芳香族炭素と結合するＲc20、Ｒc21、Ｒc23〜Ｒc28は、それぞれ独立に、Ｒc7で説明したいずれかの基を表す。
ｏ３、ｐ３、ｑ３、ｒ３、ｓ３、ｔ３及びｕ３は、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏ３が２以上であるとき、Ｒc20は互いに同一でも異なってもよい。ｐ３、ｑ３、ｒ３、ｓ３、ｔ３及びｕ３も同様に、これらのいずれかが２以上であるとき、それぞれ、複数のＲc21〜Ｒc28のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。
Ｒc15は、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基又はアルカノイル基を表す。
ｎ３は０〜８の整数を表す。ｎ３が２以上のとき、複数のＲc15は、互いに同一でも異なってもよい。
Ｒc15の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜６程度であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜６程度であり、アルカノイル基は、好ましくは炭素数２〜６程度である。
Ｌc1及びＬc2は、それぞれ独立に、２価の脂肪族炭化水素基（好ましくはアルキレン基）、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｃ（＝ＮＲc3）−、−Ｓ−、−Ｓ−Ｓ−又はこれらの組合せを表す。該２価の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜６程度である。
Ｒc3は、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
【０２０３】
化合物（Ｃ３）としては、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられる。
【０２０４】
化合物（Ｃ４）としては、例えば、ピペラジンなどが挙げられる。
化合物（Ｃ５）としては、例えば、モルホリンなどが挙げられる。
化合物（Ｃ６）としては、例えば、ピペリジン及び特開平１１−５２５７５号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。
化合物（Ｃ７）としては、例えば、２，２’−メチレンビスアニリンなどが挙げられる。
化合物（Ｃ８）としては、例えば、イミダゾール、４−メチルイミダゾールなどが挙げられる。
化合物（Ｃ９）としては、例えば、ピリジン、４−メチルピリジンなどが挙げられる。
化合物（Ｃ１０）としては、例えば、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミンなどが挙げられる。
化合物（Ｃ１１）としては、例えば、ビピリジンなどが挙げられる。
アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。
【０２０５】
〈溶剤（以下「溶剤（Ｅ）」という場合がある〉
本発明のレジスト組成物は、溶剤（Ｅ）を、組成物中９０質量％以上の量で含有していてもよい。溶剤（Ｅ）を含有する本発明のレジスト組成物は、薄膜レジストを製造するために適している。溶剤（Ｅ）の含有量は、組成物中９０質量％以上（好ましくは９２質量％以上、より好ましくは９４質量％以上）、９９．９質量％以下（好ましくは９９質量％以下）である。
溶剤（Ｅ）の含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。
【０２０６】
溶剤（Ｅ）としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、ジアセトンアルコール、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類；γ−ブチロラクトンのような環状エステル類；などを挙げることができる。溶剤（Ｅ）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【０２０７】
〈その他の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある）〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分（Ｆ）を含有していてもよい。成分（Ｆ）に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料などを利用できる。
【０２０８】
〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）上述した本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、
（５）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。
【０２０９】
レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、通常、用いられる装置によって行うことができる。
【０２１０】
溶剤の除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること（いわゆるプリベーク）により行われるか、あるいは減圧装置を用いて行われ、溶剤が除去された組成物層が形成される。この場合の温度は、例えば、５０〜２００℃程度が好ましい。また、圧力は、１〜１．０×１０５Ｐａ程度が好ましい。
【０２１１】
得られた組成物層は、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ2エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、露光機は、電子線、超紫外光（ＥＵＶ）を照射するものであってもよい。本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。
【０２１２】
露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理（いわゆるポストエキスポジャーベーク）が行われる。加熱温度としては、通常５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜１５０℃程度である。
加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。
ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。
現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
【０２１３】
〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、化学増幅型レジスト組成物として有用であり、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）照射用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物として好適であり、特にＥＢ照射用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物として好適である。
【実施例】
【０２１４】
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。例中、含有量及び使用量を表す％及び部は、特記ないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、以下の条件でゲルパーミエーションクロマトグラフィー（東ソー株式会社製ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型）により求めた値である。
カラム：ＴＳＫｇｅｌ  Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ  ＨＸＬ−Ｍ  ×  ３本  ＋  ｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎ（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ検出器
カラム温度：４０℃
注入量：１００μｌ
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）
また、化合物の構造はＮＭＲ（ＥＣＡ−５００型；日本電子製）、質量分析（ＪＭＳ−７００；日本電子製）で確認した。
【０２１５】
実施例１：式（Ｉ−１）で表される化合物の合成
2012041523.tif 000106
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに３、６−ジヒドロキシベンゾノルボルナン５０部、 トリエチルアミン１４．７８部、テトラヒドロフラン４００部を仕込み、系内温度が０℃となるよう冷却した。この中にメタクリル酸クロライド１４．９８部を１５分かけて滴下した。滴下後、６時間反応を継続した。反応終了後、反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水１５０部を加え、続いて酢酸エチル１５０部を入れて抽出した。有機層を飽和食塩水２３９．８８部で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後有機溶媒を除去し、淡褐色の油状物を７９．５９部得た。n-ヘプタンと酢酸エチルを展開溶媒でカラムクロマトグラフィーを実施し、収率５０．３％で目的物を１７．０３部得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００．１６ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ３）：１．１０（ｍ，  ２Ｈ），  １．４１（ｄ，  １Ｈ），  １．５５（ｄ，  １Ｈ），  １．８０（ｍ，  ２Ｈ），  ２．００（ｓ，  ３Ｈ），  ３．１８（ｓ，  １Ｈ），  ３．５６（ｓ，  １Ｈ），  ５．８４（ｔ，  １Ｈ），  ６．２５（ｓ，  １Ｈ），  ６．５１（ｄ，  １Ｈ），  ６．６０（ｄ，  １Ｈ）．
ＦＤ−ＭＳ：  計算値  ２４４．１１、測定値  ２４４
【０２１６】
実施例及び比較例において使用した化合物を下記に示す。
2012041523.tif 000107
【０２１７】
実施例２：樹脂Ａ１の合成
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに１，４−ジオキサンを８．４３部仕込み、窒素置換後８７℃まで昇温した。そこへ式（Ａ）で表される化合物７．０部、式（Ｂ）で表される化合物５．６９部、式（Ｃ）で表される化合物１．３５部及びアゾビスイソブチロニトリル１．１３部を１，４−ジオキサン４．４７部に溶解した溶液を１時間かけて滴下した。その後８７℃を保ったまま６時間攪拌を継続した。冷却したメタノール１２８部及び水５５部の混合溶液に、得られた反応液を注ぎ樹脂を再沈させた。得られた樹脂を１，４−ジオキサンに溶解し、n-ヘプタン１８３部に注ぎ樹脂を析出させた。析出した樹脂をろ過後メタノール７３部及び水１８部の混合溶液でリパルプした。樹脂を濾取し減圧乾燥して、重量平均分子量約４．６５×１０３の共重合体を７．３７部得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ１とする。
2012041523.tif 000108
【０２１８】
実施例３：樹脂Ａ２の合成
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに１，４−ジオキサンを１４．００部仕込み、窒素置換後８７℃まで昇温した。そこへ式（Ａ）で表される化合物２．５４部、式（Ｂ）で表される化合物１０．３３部、式（Ｃ）で表される化合物２．４６部、式（Ｅ）で表される化合物８．００部及びアゾビスイソブチロニトリル１．５４部を１，４−ジオキサン１８．０３部に溶解した溶液を１時間かけて滴下した。その後８７℃を保ったまま６時間攪拌を継続した。冷却したメタノール２１２部及び水９１部の混合溶液に、得られた反応液を注ぎ樹脂を再沈させた。得られた樹脂をメチルイソブチルケトン７０．０部に溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸０．４７部及び水４６．６７部の水溶液を加え６時間攪拌を行った。水４７部で３回洗浄を実施し、その後有機層を濃縮した。この有機層をｎ−ヘプタン３０３部に注ぎ樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し減圧乾燥して、重量平均分子量約４．１６×１０３の共重合体を１４．５１部得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ２とする。
2012041523.tif 000109
【０２１９】
実施例４：樹脂Ａ３の合成
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに１，４−ジオキサンを１７．５３部仕込み、窒素置換後８７℃まで昇温した。そこへ式（Ａ）で表される化合物４．７７部、式（Ｂ）で表される化合物１２．９２部、式（Ｃ）で表される化合物１．５４部、式（Ｅ）で表される化合物１０．００部及びアゾビスイソブチロニトリル１．９２部を１，４−ジオキサン２５．７２部に溶解した溶液を１時間かけて滴下した。その後８７℃を保ったまま６時間攪拌を継続した。冷却したメタノール２６６部及び水１１４部の混合溶液に、得られた反応液を注ぎ樹脂を再沈させた。得られた樹脂をメチルイソブチルケトン８８．０部に溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸０．５８部及び水５８．４４部の水溶液を加え６時間攪拌を行った。有機層を分液後、水５８部で３回洗浄を実施し、その後有機層を濃縮した。この有機層をｎ−ヘプタン３８０部に注ぎ樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し減圧乾燥して、重量平均分子量約４．４８×１０３の共重合体を１９．６５部得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ３とする。
2012041523.tif 000110
【０２２０】
実施例５：樹脂Ａ４の合成
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに１，４−ジオキサンを１７．０９部仕込み、窒素置換後８７℃まで昇温した。そこへ式（Ａ）で表される化合物４．７７部、式（Ｄ）で表される化合物１２．１９部、式（Ｃ）で表される化合物１．５４部、式（Ｅ）で表される化合物１０．００部及びアゾビスイソブチロニトリル１．９２部を１，４−ジオキサン２５．０７部に溶解した溶液を１時間かけて滴下した。その後８７℃を保ったまま６時間攪拌を継続した。冷却したメタノール２５９部及び水１１１部の混合溶液に、得られた反応液を注ぎ樹脂を再沈させた。得られた樹脂をメチルイソブチルケトン８５．０部に溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸０．５７部及び水５６．９８部の水溶液を加え６時間攪拌を行った。有機層を分液後、水５７部で３回洗浄を実施し、その後有機層を濃縮した。この有機層をｎ−ヘプタン３７０部に注ぎ樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し減圧乾燥して、重量平均分子量約４．９０×１０３の共重合体を２３．０７部得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ４とする。
2012041523.tif 000111
【０２２１】
〔比較用樹脂Ｈ１の合成〕
フラスコに、式（Ｂ）で表される化合物５９．６部、ｐ−アセトキシスチレン９０．８部及びイソプロパノール２７９部を仕込んで窒素置換し、７５℃まで昇温した。その溶液に、ジメチル２，２’２−アゾビス（２−メチルプロピオネート）１１．０５部をイソプロパノール２２．１１部に溶かした溶液を滴下した。混合溶液を７５℃で約０．３時間、還流下で約１２時間熟成した後、アセトンで希釈し、得られた希釈溶液をメタノール中に注いで、樹脂の粗結晶を析出させ、濾過により樹脂の粗結晶を取り出した。得られた樹脂の粗結晶は２５０部であった。
フラスコに、樹脂の粗結晶２５０部と４−ジメチルアミノピリジン１０.８部とメタノール２３９部を仕込んで、還流下、２０時間熟成した。冷却後、氷酢酸８.０部（０．１３３モル）で中和し、得られた溶液を水に注いで、結晶を析出させ、濾過により結晶を取り出した。その後、結晶をアセトンに溶かし、得られた溶液を水に注いで、結晶を析出させ、濾過により結晶を取り出す操作を計３回繰り返した後、得られた結晶を乾燥して、重量平均分子量は約８.２×１０３の共重合体を１０２.８部得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ｈ１とする。
2012041523.tif 000112
【０２２２】
実施例６〜１２及び比較例１
〔レジスト組成物の調製〕
表２に示すように、以下の各成分を混合して溶解することにより得られた混合物を孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルタで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。表中、「−」は、含有量が０であることを意味する。
【０２２３】
【表２】
2012041523.tif 000113
【０２２４】
＜樹脂＞
Ａ１：樹脂Ａ１
Ｈ１：樹脂Ｈ１
＜酸発生剤＞
Ｂ１：
2012041523.tif 000114
【０２２５】
＜式（Ｖ）で表される化合物＞
Ｄ１：
2012041523.tif 000115
Ｄ２：
2012041523.tif 000116
Ｄ３：
2012041523.tif 000117
＜塩基性化合物＞
Ｃ１：ジイソプロピルアミン
＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート  ３７０部
プロピレングリコールモノメチルエーテル                  １５０部
γ−ブチロラクトン                                    ５部
【０２２６】
〔レジスト組成物の電子線露光評価〕
シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０℃で６０秒処理した上で、表２記載のレジスト組成物を乾燥（プリベーク）後の膜厚が０．０６μｍとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表２記載の温度で６０秒間プリベーク（ＰＢ）した。こうしてレジスト膜（組成物層）を形成したそれぞれのウェハーに、電子線描画機〔（株）日立製作所製の「ＨＬ−８００Ｄ  ５０ｋｅＶ」を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレート上にて表２記載の温度で６０秒間ポストエキスポジャーベーク（ＰＥＢ）を行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行うことにより、レジストパターンを得た。
【０２２７】
解像度評価：各レジスト組成物からのレジストパターン形成において、ラインアンドスペースパターンの線幅が１：１となる露光量を実効感度とした時、実効感度において形成されたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、５０ｎｍ以下の線幅を解像しているものを○、５０ｎｍを超え５５ｎｍ以下の線幅を解像しているものを△、５５ｎｍを超える線幅を解像していないもの×とした。
【０２２８】
【表３】
2012041523.tif 000118
【０２２９】
実施例１３及び１４
〔レジスト組成物の調製〕
表４に示すように、以下の各成分を混合して溶解することにより得られた混合物を孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルタで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。表中、「−」は、含有量が０であることを意味する。
【０２３０】
【表４】
2012041523.tif 000119
【０２３１】
〔レジスト組成物のＥＵＶ露光評価〕
シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０℃で６０秒処理した上で、表４記載のレジスト組成物を乾燥（プリベーク）後の膜厚が０．０４μｍとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表４記載の温度で６０秒間プリベーク（ＰＢ）した。こうしてレジスト膜（組成物層）を形成したそれぞれのウェハーに、ＥＵＶ露光装置を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレート上にて表４記載の温度で６０秒間ポストエキスポジャーベーク（ＰＥＢ）を行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行うことにより、レジストパターンを得た。
【０２３２】
解像度評価：各レジスト組成物からのレジストパターン形成において、ラインアンドスペースパターンの線幅が１：１となる露光量を実効感度とした時、実効感度において形成されたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、２６ｎｍ以下の線幅を解像しているものを○、２６ｎｍを超え３０ｎｍ以下の線幅を解像しているものを△、３０ｎｍを超える線幅を解像していないもの×とした。結果を表５に示す。
【０２３３】
【表５】
2012041523.tif 000120
【産業上の利用可能性】
【０２３４】
本発明の化合物によれば、該化合物に由来する構造単位を有する樹脂を含むレジスト組成物は、優れた解像度を有するレジストパターンを形成することができる。