(57)【要約】【課題】投影画像の輝度ムラの発生を抑制できるプロジェクターを提供する。【解決手段】プロジェクター１は、入射した光束を変調して反射させる反射型液晶パネル３４２と、反射型液晶パネル３４２の背面側に設けられた複数のペルチェ素子５１と、複数のペルチェ素子５１のそれぞれを制御する制御装置６とを備える。制御装置６は、複数のペルチェ素子５１のそれぞれを独立に制御する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した光束を変調して反射させる反射型光変調装置と、
前記反射型光変調装置の背面側に設けられた複数の熱電変換素子と、
前記複数の熱電変換素子のそれぞれを制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、
前記複数の熱電変換素子のそれぞれを独立に制御する
ことを特徴とするプロジェクター。
【請求項２】
請求項１に記載のプロジェクターにおいて、
前記複数の熱電変換素子は、
前記反射型光変調装置における入射した光束を変調する変調領域全体を覆うように設けられている
ことを特徴とするプロジェクター。
【請求項３】
請求項１に記載のプロジェクターにおいて、
前記複数の熱電変換素子は、
前記反射型光変調装置における入射した光束を変調する矩形状の変調領域の中心位置と、四隅位置とに対応する各位置に少なくとも設けられている
ことを特徴とするプロジェクター。
【請求項４】
請求項３に記載のプロジェクターにおいて、
前記変調領域の中心位置に対応する位置に設けられた前記熱電変換素子は、
前記変調領域の四隅位置に対応する各位置にそれぞれ設けられた各前記熱電変換素子に対して、サイズが大きく設定されている
ことを特徴とするプロジェクター。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載のプロジェクターにおいて、
前記反射型光変調装置に入射する光束を調光する調光装置を備え、
前記制御装置は、
前記調光装置による調光量に応じて、前記複数の熱電変換素子のそれぞれを制御する
ことを特徴とするプロジェクター。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載のプロジェクターにおいて、
前記複数の熱電変換素子の各配設位置にそれぞれ設けられ、前記各配設位置の温度をそれぞれ検出する複数の温度検出装置を備え、
前記制御装置は、
前記複数の温度検出装置による検出結果に応じて、前記複数の熱電変換素子のそれぞれを制御する
ことを特徴とするプロジェクター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プロジェクターに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、入射した光束を変調する光変調装置として、ＬＣＯＳ(Liquid Crystal On Silicon)等の反射型光変調装置を採用した投射型表示装置（プロジェクター）が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載のプロジェクターでは、反射型光変調装置を冷却する冷却手段として、以下の構成を採用している。
すなわち、冷却手段は、反射型液晶パネルの背面側に設けられ、ペルチェ素子対を多数直列に接続したペルチェ素子対群（熱電変換素子）を備える。
そして、ペルチェ素子対群に電圧を印加することで、当該ペルチェ素子対群の吸熱側から放熱側へと熱移動が行われ、反射型液晶パネルの熱が背面側からペルチェ素子対群に吸熱される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１５０２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、反射型光変調装置の変調領域（入射した光束を変調する領域）に光束を照射する場合には、変調領域全体を均一に照射することができず、変調領域に照度分布が生じるものである。すなわち、変調領域には、高い照度の領域の温度が高く、低い照度の領域の温度が低くなり、照度分布に応じて温度分布が生じることとなる。
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、反射型光変調装置における変調領域全体を単体の熱電変換素子にて一括して冷却しているため、すなわち、変調領域における各位置からの吸熱量を同一としているため、変調領域全体を均一な温度とすることができない。
そして、変調領域の温度分布により、例えば反射型光変調装置（液晶層）に内部応力が発生し、変調した後の光束（画像）に輝度ムラが生じてしまう、という問題がある。
【０００５】
本発明の目的は、投影画像の輝度ムラの発生を抑制できるプロジェクターを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のプロジェクターは、入射した光束を変調して反射させる反射型光変調装置と、前記反射型光変調装置の背面側に設けられた複数の熱電変換素子と、前記複数の熱電変換素子のそれぞれを制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記複数の熱電変換素子のそれぞれを独立に制御することを特徴とする。
本発明では、プロジェクターは、反射型光変調装置を冷却する構成として、上述した複数の熱電変換素子及び制御装置を備える。
このことにより、制御装置による制御の下、複数の熱電変換素子による吸熱量を個別に調整できる。例えば、変調領域における比較的に高い温度の領域に対応する位置に設けられた熱電変換素子による吸熱量を他の熱電変換素子による吸熱量よりも高くなるように制御できる。
したがって、従来の構成に比較して、変調領域全体を略均一な温度とすることができ、反射型光変調装置にて変調された後の光束に輝度ムラが生じることを抑制できる。すなわち、投影画像の輝度ムラの発生を抑制できる。
また、上述したように反射型光変調装置を冷却することで、反射型光変調装置の長寿命化も図れる。
【０００７】
本発明のプロジェクターでは、前記複数の熱電変換素子は、前記反射型光変調装置における入射した光束を変調する変調領域全体を覆うように設けられていることが好ましい。
本発明では、複数の熱電変換素子が変調領域全体を覆うように設けられているので、各熱電変換素子による吸熱量を個別に調整することで、変調領域全体を略均一な温度とすることを容易に実現できる。
【０００８】
本発明のプロジェクターでは、前記複数の熱電変換素子は、前記反射型光変調装置における入射した光束を変調する矩形状の変調領域の中心位置と、四隅位置とに対応する各位置に少なくとも設けられていることが好ましい。
ところで、変調領域の照度分布としては、通常、中心位置の照度が高く、四隅位置の照度が低いものとなる。すなわち、変調領域の温度分布も照度分布に対応し、中心位置の温度が高く、四隅位置の温度が低いものとなる。
本発明では、複数の熱電変換素子が変調領域の中心位置と四隅位置とに対応する各位置に少なくとも設けられているので、各熱電変換素子による吸熱量を個別に調整することで、変調領域の温度分布の均一化を最低限の数の熱電変換素子にて実現できる。
【０００９】
本発明のプロジェクターでは、前記変調領域の中心位置に対応する位置に設けられた前記熱電変換素子は、前記変調領域の四隅位置に対応する各位置にそれぞれ設けられた各前記熱電変換素子に対して、サイズが大きく設定されていることが好ましい。
本発明では、各熱電変換素子のサイズが上述したように設定されているので、変調領域における温度の高い中心位置をサイズの大きい熱電変換素子にて効果的に冷却でき、最低限の数の熱電変換素子にて変調領域の温度分布の均一化を容易に実現できる。
【００１０】
本発明のプロジェクターでは、前記反射型光変調装置に入射する光束を変調する調光装置を備え、前記制御装置は、前記調光装置による調光量に応じて、前記複数の熱電変換素子のそれぞれを制御することが好ましい。
ところで、調光装置の調光量が異なると、変調領域の照度分布も異なるものとなる。すなわち、変調領域の温度分布も照度分布に対応し、調光装置の調光量に応じて異なるものとなる。
本発明では、制御装置が調光装置による調光量に応じて複数の熱電変換素子のそれぞれを制御するので、調光装置の調光量が変更された場合であっても、変調領域全体を略均一な温度とすることができる。
【００１１】
本発明のプロジェクターでは、前記複数の熱電変換素子の各配設位置にそれぞれ設けられ、前記各配設位置の温度をそれぞれ検出する複数の温度検出装置を備え、前記制御装置は、前記複数の温度検出装置による検出結果に応じて、前記複数の熱電変換素子のそれぞれを制御することが好ましい。
本発明では、上述した位置に設けられた複数の温度検出装置にて実際に検出された各温度に基づいて制御装置が複数の熱電変換素子のそれぞれを制御するので、変調領域全体をより均一な温度とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態におけるプロジェクターの概略構成を模式的に示す図。
【図２】第１実施形態における冷却装置の構成を説明するための図。
【図３】第１実施形態における制御装置による制御構造を示すブロック図。
【図４】第１実施形態における第１電圧値情報及び第２電圧値情報を説明するための図。
【図５】第１実施形態におけるプロジェクターの動作を説明するフローチャート。
【図６】第２実施形態における制御装置による制御構造を示すブロック図。
【図７】第２実施形態における制御方法を説明するフローチャート。
【図８】第３実施形態における冷却装置の構成を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
[第１実施形態]
以下、本発明の第１実施形態を図面に基づいて説明する。
〔プロジェクターの構成〕
図１は、プロジェクター１の概略構成を模式的に示す図である。
プロジェクター１は、画像を投射してスクリーン（図示略）上に投影画像を表示する。
そして、このプロジェクター１は、図１に示すように、外装筐体２内部に収納される光学ユニット３、調光装置４、冷却装置５、及び制御装置６（図３参照）と、入力装置７（図３参照）とを備える。
【００１４】
〔光学ユニットの構成〕
光学ユニット３は、図１に示すように、光源装置３１と、照明光学装置３２と、色分離光学装置３３と、光学装置３４と、投射光学装置としての投射レンズ３５と、これら各部材３１〜３４を内部に設定された照明光軸Ａｘ上の所定位置に収納するとともに投射レンズ３５を支持する光学部品用筐体３６とを備える。
光源装置３１は、図１に示すように、光源ランプ３１１及びリフレクター３１２等を備え、照明光軸Ａｘに沿って光束を出射する。
照明光学装置３２は、図１に示すように、第１レンズアレイ３２１、第２レンズアレイ３２２、偏光変換素子３２３、及び重畳レンズ３２４を備える。そして、照明光学装置３２は、光源装置３１から出射された光束を、光学装置３４を構成する後述する反射型液晶パネル３４２の変調領域に略均一に照明する。
【００１５】
色分離光学装置３３は、図１に示すように、青色光を反射させるＢ光反射ダイクロイックミラー３３１Ａ及び緑色光、赤色光を反射させるＧＲ光反射ダイクロイックミラー３３１ＢがＸ字状に配置されたクロスダイクロイックミラー３３１、緑色光を反射させるＧ光反射ダイクロイックミラー３３２、及び２枚の反射ミラー３３３，３３４を備える。
【００１６】
そして、光源装置３１から出射され照明光学装置３２を介した光束は、クロスダイクロイックミラー３３１に入射し、青色光成分と緑色光成分及び赤色光成分とに分離される。
クロスダイクロイックミラー３３１にて分離された青色光は、反射ミラー３３３にて反射され、光学装置３４を構成する後述するワイヤーグリッド３４１Ｂに入射する。
また、クロスダイクロイックミラー３３１にて分離された緑色光及び赤色光は、反射ミラー３３４にて反射された後、Ｇ光反射ダイクロイックミラー３３２に入射し、緑色光成分と赤色光成分とに分離される。そして、緑色光は、光学装置３４を構成する後述するワイヤーグリッド３４１Ｇに入射する。一方、赤色光は、光学装置３４を構成する後述するワイヤーグリッド３４１Ｒに入射する。
【００１７】
光学装置３４は、図１に示すように、反射型偏光板としての３つのワイヤーグリッド３４１と、反射型光変調装置としての３つの反射型液晶パネル３４２と、３つの偏光板３４３と、色合成光学装置としてのクロスダイクロイックプリズム３４４とを備える。
なお、図１では、説明の便宜上、赤色光側のワイヤーグリッドを３４１Ｒ、緑色光側のワイヤーグリッドを３４１Ｇ、青色光側のワイヤーグリッドを３４１Ｂとしている。
【００１８】
３つのワイヤーグリッド３４１は、格子構造に基づく回折により入射した光束を偏光分離する。各ワイヤーグリッド３４１は、図１に示すように、照明光軸Ａｘに対して略４５°傾斜した状態で配置される。
そして、各ワイヤーグリッド３４１は、入射した光束のうち、偏光変換素子３２３で揃えられた偏光光（第１の直線偏光光）を透過させ、第１の直線偏光光の偏光方向に直交する偏光方向を有する偏光光（第２の直線偏光光）を反射させ、入射した光束を偏光分離する。
【００１９】
３つの反射型液晶パネル３４２は、シリコン基板上に液晶が形成されたいわゆるＬＣＯＳで構成されている。各反射型液晶パネル３４２は、図１に示すように、各ワイヤーグリッド３４１を透過した光束の光軸に対して略直交した状態でそれぞれ配置される。
そして、各反射型液晶パネル３４２は、制御装置６による制御の下、前記液晶の配向状態が制御され、ワイヤーグリッド３４１を透過した偏光光の偏光方向を変調し、ワイヤーグリッド３４１に向けて反射させる。反射型液晶パネル３４２にて変調され、ワイヤーグリッド３４１に向けて反射された光束は、第２の直線偏光光と同一の偏光方向を有する偏光光のみがワイヤーグリッド３４１にて反射されてプリズム３４４に向う。
【００２０】
３つの偏光板３４３は、各反射型液晶パネル３４２にて変調され各ワイヤーグリッド３４１にて反射された第２の直線偏光光の偏光方向と略同一の偏光方向を有する偏光光を透過させる。すなわち、ワイヤーグリッド３４１及び偏光板３４３の双方を用いることで、ワイヤーグリッド３４１にて所望の直線偏光光以外の偏光成分が反射された場合であっても、偏光板３４３にて前記偏光成分を除去する構成を採用している。
そして、各偏光板３４３は、図１に示すように、プリズム３４４の各光入射面３４４Ａにそれぞれ対向するように配置される。
【００２１】
プリズム３４４は、図１に示すように、各偏光板３４３を透過した各色光がそれぞれ入射される３つの光入射面３４４Ａを有し、入射した各色光を合成する。
このプリズム３４４は、４つの直角プリズムを貼り合せた平面視略正方形状をなし、直角プリズム同士を貼り合せた界面には、２つの誘電体多層膜が形成されている。これら誘電体多層膜は、ワイヤーグリッド３４１Ｇにて反射されたＧ色光を透過し、各ワイヤーグリッド３４１Ｒ，３４１Ｂにて反射されたＲ，Ｂ色光をそれぞれ反射させる。このようにして、各色光が合成される。そして、プリズム３４４にて合成された光束（画像）は、投射レンズ３５にてスクリーンに向けて投射される。
【００２２】
〔調光装置の構成〕
調光装置４は、光源装置３１から反射型液晶パネル３４２に向う光束を調光する。
この調光装置４は、図１に示すように、遮光マスク４１と、スライド機構４２とを備える。
遮光マスク４１は、第２レンズアレイ３２２からの光束の断面形状を調整するための板状の遮光部材である。そして、遮光マスク４１は、照明光軸Ａｘ上に配置された状態で、第２レンズアレイ３２２からの光束を部分的に遮断して、各反射型液晶パネル３４２に照射される光束の入射角度範囲、すなわち開口角を調整する。
例えば、遮光マスク４１は、照明光軸Ａｘ上に配置されることで、当該遮光マスク４１に形成された開口部（図示略）によって第２レンズアレイ３２２からの光束の中心側（照明光軸Ａｘ側）の一部を通過させ、前記開口部の周囲によって残りの光束を遮蔽する。
【００２３】
スライド機構４２は、具体的な図示は省略したが、遮光マスク４１を支持し、制御装置６による制御の下、遮光マスク４１を光源装置３１から各反射型液晶パネル３４２に至る光路から退避した第１位置Ｐ１（図１に示す２点鎖線の位置）、または、前記光路上の第２位置Ｐ２（図１に示す実線の位置）にスライド移動させる。
【００２４】
そして、本実施形態のプロジェクター１は、制御装置６により遮光マスク４１を第１位置Ｐ１に位置付けることで、第２レンズアレイ３２２からの光束をそのまま通過させる明るさ優先の表示モードで投影画像を表示する。
一方、プロジェクター１は、制御装置６により遮光マスク４１を第２位置Ｐ２に位置付けることで、第２レンズアレイ３２２からの光束のうち比較的コントラスト特性の向上に寄与する中心光束のみを通過させる高コントラストの表示モードで投影画像を表示する。
【００２５】
〔冷却装置の構成〕
図２は、冷却装置５の構成を説明するための図である。具体的に、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、反射型液晶パネル３４２に取り付けられた冷却装置５を反射型液晶パネル３４２の前面、側面、及び背面からそれぞれ見た図である。
なお、図２（Ａ）では、反射型液晶パネル３４２において、入射した光束を変調する矩形状の変調領域Ａｒを一点鎖線で示している。また、図２（Ｃ）では、説明の便宜上、ヒートシンク５２の図示を省略している。
冷却装置５は、制御装置６による制御の下、反射型液晶パネル３４２を冷却する。
この冷却装置５は、図１または図２に示すように、熱電変換素子としての複数のペルチェ素子５１と、複数のヒートシンク５２とを備える。
【００２６】
本実施形態では、ペルチェ素子５１は、図２（Ｃ）に示すように、１２個設けられている。また、１２個のペルチェ素子５１は、同一のサイズで構成されており、同一の機能を有する。
このペルチェ素子５１は、具体的な図示は省略したが、ｐ型半導体とｎ型半導体とを金属片で接合して構成した接合対を複数有しており、これら複数の接合対は電気的に直列に接続されている。
このような構成を有するペルチェ素子５１において、電圧が印加されると、図２（Ｂ）に示すように、ペルチェ素子５１の一方の面が熱を吸収する吸熱面５１１となり、他方の端面が熱を放熱する放熱面５１２となる。
そして、各ペルチェ素子５１は、図２（Ｂ）または図２（Ｃ）に示すように、反射型液晶パネル３４２の背面に吸熱面５１１が熱伝達可能に接続し、反射型液晶パネル３４２の背面側から見て変調領域Ａｒを覆うように配設される。
【００２７】
本実施形態では、ヒートシンク５２は、具体的な図示は省略したが、ペルチェ素子５１と同様に、１２個設けられている。また、１２個のヒートシンク５２は、同一のサイズで構成されている。
このヒートシンク５２は、図２（Ｂ）に示すように、ペルチェ素子５１の放熱面５１２に熱伝達可能に接続し、反射型液晶パネル３４２から離間する方向に延びる複数のフィン５２１を有する。
そして、各ヒートシンク５２は、複数のフィン５２１を介して、ペルチェ素子５１の放熱面５１２の熱を外部に放熱する。
【００２８】
〔入力装置の構成〕
入力装置７は、図示しないリモートコントローラーや、外装筐体２に露出して設けられた操作パネルにより構成され、利用者による操作を認識して所定の操作信号を制御装置６に出力する。
例えば、利用者は、入力装置７を利用して、「明るさ優先の表示モードにする旨の情報（以下、第１電圧値情報）」、あるいは、「高コントラストの表示モードとする旨の情報（以下、第２電圧値情報）」を設定入力する。
【００２９】
〔制御装置の構成〕
図３は、制御装置６による制御構造を示すブロック図である。
なお、図３では、説明の便宜上、１２個のペルチェ素子５１を纏めた構成をペルチェ素子群５１ｇとして図示している。後述する１２個のペルチェ駆動部６５についても同様に、各ペルチェ駆動部６５を纏めた構成をペルチェ駆動部群６５ｇとして図示している。また、図３では、説明の便宜上、３つの反射型液晶パネル３４２及び後述する３つのパネル駆動部６３２については、１つのみを図示している。
制御装置６は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等を含んで構成される主制御部６１を備え、メモリー６２に記憶された制御プログラムにしたがって、プロジェクター１全体を制御する。
この制御装置６は、図３に示すように、主制御部６１及びメモリー６２の他、パネル制御部６３と、点灯駆動部６４と、複数のペルチェ駆動部６５と、調光駆動部６６等を備える。
【００３０】
パネル制御部６３は、主制御部６１からの制御指令に応じて反射型液晶パネル３４２の動作を制御する部分である。
このパネル制御部６３は、図３に示すように、画像処理部６３１と、３つのパネル駆動部６３２とを備える。
画像処理部６３１は、入力した画像信号に対して所定の画像処理を施す。
３つのパネル駆動部６３２は、画像処理部６３１にて画像処理が施された画像信号に基づく駆動信号を各反射型液晶パネル３４２にそれぞれ出力し、所定の画像を各反射型液晶パネル３４２に形成させる。
点灯駆動部６４は、主制御部６１からの制御指令に応じて、電源装置（図示略）から入力した電力を光源装置３１の動作に必要な電力に変換して光源装置３１に供給し、光源装置３１を点灯させる。
【００３１】
ペルチェ駆動部６５は、ペルチェ素子５１の数（本実施形態では１２個）だけ設けられている。そして、１２個のペルチェ駆動部６５は、主制御部６１からの制御指令に応じて、各ペルチェ素子５１にそれぞれ電圧を印加する（各ペルチェ素子５１を駆動させる）。
調光駆動部６６は、モーター等で構成され、主制御部６１からの制御指令に応じて、スライド機構４２を介して遮光マスク４１を第１位置Ｐ１または第２位置Ｐ２に移動させる。
【００３２】
主制御部６１は、メモリー６２に記憶された制御プログラムにしたがって、各構成要素６３〜６６に所定の制御信号を出力する。
この主制御部６１は、図３に示すように、調光制御部６１１と、ペルチェ制御部６１２等を備える。
調光制御部６１１は、入力装置７からの操作信号に応じて、利用者により入力された情報を認識する。そして、調光制御部６１１は、入力された情報が第１電圧値情報であった場合には、調光駆動部６６に制御指令を出力し、遮光マスク４１を第１位置Ｐ１に移動させる。
そして、調光制御部６１１は、メモリー６２に記憶され遮光マスク４１の位置を示す位置情報を、遮光マスク４１が第１位置Ｐ１に位置付けられている旨の第１位置情報に更新する。
【００３３】
一方、調光制御部６１１は、入力された情報が第２電圧値情報であった場合には、調光駆動部６６に制御指令を出力し、遮光マスク４１を第２位置Ｐ２に移動させる。
そして、調光制御部６１１は、メモリー６２に記憶された位置情報を、遮光マスク４１が第２位置Ｐ２に位置付けられている旨の第２位置情報に更新する。
【００３４】
ペルチェ制御部６１２は、光源装置３１の点灯状態、メモリー６２に記憶された第１電圧値情報、第２電圧値情報、及び位置情報に基づいて、各ペルチェ駆動部６５を介して、各ペルチェ素子５１をそれぞれ独立に制御する。
【００３５】
図４は、第１電圧値情報及び第２電圧値情報を説明するための図である。具体的に、図４は、変調領域Ａｒに照射される光束の照度分布を例示したものである。
なお、図４（Ａ）は、遮光マスク４１を第１位置Ｐ１に位置付けた状態（調光無しの状態）での照度分布を示している。
また、図４（Ｂ）〜図４（Ｄ）は、遮光マスク４１を第２位置Ｐ２に位置付けた状態（調光有りの状態）での照度分布を示しており、開口部の形状が異なる３種類の遮光マスク４１での照度分布をそれぞれ示している。
さらに、図４（Ａ）〜図４（Ｄ）では、説明の便宜上、変調領域Ａｒを、１２個のペルチェ素子５１の配設位置に対応させて１２個の領域Ａｒ１〜Ａｒ１２に分割している。
また、図４では、変調領域Ａｒにおいて、照度が略同一となる領域（以下、照度領域）を同一の模様（斜線、若しくは黒塗り）で示している。なお、各照度領域Ｉ１〜Ｉ４は、その順に照度が高くなるものとする。
【００３６】
メモリー６２は、制御プログラム、調光制御部６１１にて更新される位置情報、及びペルチェ制御部６１２にて用いられる第１電圧値情報及び第２電圧値情報を記憶する。
ここで、第１電圧値情報は、遮光マスク４１が第１位置Ｐ１に位置付けられている場合にペルチェ制御部６１２にて用いられる情報である。
ところで、変調領域Ａｒに照度分布が生じている場合、図４（Ａ）に示す例では、変調領域Ａｒにおいて、照度の高い照度領域Ｉ３の温度が高く、照度の低い照度領域Ｉ２の温度が低くなり、照度分布に応じて温度分布が生じることとなる。
すなわち、変調領域Ａｒの温度を均一にするためには、各領域Ａｒ１〜Ａｒ１２の各照度に応じた各電圧値で各ペルチェ素子５１をそれぞれ駆動する必要がある。
そして、第１電圧値情報は、図４（Ａ）に示す調光無しの状態での各領域Ａｒ１〜Ａｒ１２の各照度に応じた各電圧値が、各領域Ａｒ１〜Ａｒ１２に対応した位置に配設された各ペルチェ素子５１にそれぞれ関連付けられた情報として構成されている。
例えば、図４（Ａ）に示す例では、変調領域Ａｒにおいて、略中央部分に位置する領域Ａｒ７の照度が角隅部分に位置する領域Ａｒ１２の照度よりも高い。このため、第１電圧値情報では、領域Ａｒ７に対応した位置に配設されたペルチェ素子５１に関連付けられた電圧値は、領域Ａｒ１２に対応した位置に配設されたペルチェ素子５１に関連付けられた電圧値よりも高く（吸熱量が高く）設定されている。
【００３７】
また、第２電圧値情報は、遮光マスク４１が第２位置Ｐ２に位置付けられている場合にペルチェ制御部６１２にて用いられる情報である。
ところで、図４に示すように、調光無しの状態（図４（Ａ））と調光有りの状態（図４（Ｂ）〜図４（Ｄ））とでは、変調領域Ａｒの照度分布が異なるものとなる。また、図４（Ｂ）〜図４（Ｄ）に示すように、遮光マスク４１の形状（開口部の形状）によっても（遮光マスク４１による調光量（遮光量）によっても）変調領域Ａｒの照度分布が異なるものとなる。
そして、第２電圧値情報は、プロジェクター１に搭載された遮光マスク４１による調光有りの状態での各領域Ａｒ１〜Ａｒ１２の各照度に応じた各電圧値が、各領域Ａｒ１〜Ａｒ１２に対応した位置に配設された各ペルチェ素子５１にそれぞれ関連付けられた情報として構成されている。
例えば、図４（Ｂ）に示す照度分布となる遮光マスク４１をプロジェクター１に搭載した場合には、変調領域Ａｒにおいて、略中央部分に位置する領域Ａｒ６の照度が角隅部分に位置する領域Ａｒ１２の照度よりも高い。このため、第２電圧値情報では、領域Ａｒ６に対応した位置に配設されたペルチェ素子５１に関連付けられた電圧値は、領域Ａｒ１２に対応した位置に配設されたペルチェ素子５１に関連付けられた電圧値よりも高く（吸熱量が高く）設定されている。
【００３８】
〔プロジェクターの動作〕
図５は、プロジェクター１の動作を説明するフローチャートである。
次に、上述したプロジェクター１の動作を図５に基づいて説明する。
なお、以下では、プロジェクター１の動作として、制御装置６による各ペルチェ素子５１の動作を制御する方法について主に説明する。
先ず、主制御部６１は、点灯駆動部６４を介して光源装置３１を点灯させているか否かを判定する（ステップＳ１）。
ステップＳ１において、光源装置３１を点灯させていると判定した場合には、ペルチェ制御部６１２は、メモリー６２に記憶された位置情報に基づいて、遮光マスク４１の位置を認識する（ステップＳ２）。
ステップＳ２の後、ペルチェ制御部６１２は、認識した遮光マスク４１の位置に応じた電圧値情報に基づいて、各ペルチェ素子５１に印加すべき各電圧値を認識する（ステップＳ３）。
【００３９】
例えば、ペルチェ制御部６１２は、ステップＳ２，Ｓ３において、位置情報が第１位置情報である場合には遮光マスク４１の位置が第１位置Ｐ１（調光無しの状態）であることを認識し、第１電圧値情報に基づいて各ペルチェ素子５１に印加すべき各電圧値を認識する。
一方、ペルチェ制御部６１２は、位置情報が第２位置情報である場合には遮光マスク４１の位置が第２位置Ｐ２（調光有りの状態）であることを認識し、第２電圧値情報に基づいて各ペルチェ素子５１に印加すべき各電圧値を認識する。
ステップＳ３の後、ペルチェ制御部６１２は、各ペルチェ駆動部６５を介して、ステップＳ３にて認識した各電圧値で各ペルチェ素子５１をそれぞれ駆動させる（ステップＳ４）。
【００４０】
ステップＳ４の後、ペルチェ制御部６１２は、メモリー６２に記憶された位置情報を確認し、調光制御部６１１にて遮光マスク４１の位置が変更されたか否かを常時、判定する（ステップＳ５）。
ステップＳ５において、ペルチェ制御部６１２は、遮光マスク４１の位置が変更されていないと判定した場合には、ステップＳ４を継続する。
一方、ステップＳ５において、ペルチェ制御部６１２は、遮光マスク４１の位置が変更されたと判定した場合には、ステップＳ３に移行し、変更された位置に応じた電圧値情報に基づいて各ペルチェ素子５１に印加すべき各電圧値を認識し、当該各電圧値で各ペルチェ素子５１をそれぞれ駆動させる。
【００４１】
上述した第１実施形態によれば、以下の効果がある。
本実施形態では、プロジェクター１は、反射型液晶パネル３４２を冷却する構成として、１２個のペルチェ素子５１と、制御装置６とを備える。
このことにより、制御装置６による制御の下、１２個のペルチェ素子５１による吸熱量（電圧値）を個別に調整できる。
したがって、従来の構成に比較して、変調領域Ａｒ全体を略均一な温度とすることができ、反射型液晶パネル３４２にて変調された後の光束に輝度ムラが生じることを抑制できる。すなわち、投影画像の輝度ムラの発生を抑制できる。
また、上述したように反射型液晶パネル３４２を冷却することで、反射型液晶パネル３４２の長寿命化も図れる。
【００４２】
また、１２個のペルチェ素子５１が変調領域Ａｒ全体を覆うように設けられているので、各ペルチェ素子５１による吸熱量を個別に調整することで、変調領域Ａｒ全体を略均一な温度とすることを容易に実現できる。
さらに、制御装置６が遮光マスク４１による調光無しの状態、調光有りの状態によって１２個のペルチェ素子５１の動作（各電圧値）を変更するので、調光の状態が変更された場合であっても、変調領域Ａｒ全体を略均一な温度とすることができる。
【００４３】
[第２実施形態]
次に、本発明の第２実施形態を図面に基づいて説明する。
図６は、第２実施形態における制御装置６による制御構造を示すブロック図である。
なお、図６では、説明の便宜上、後述する１２個のサーミスタ８を纏めた構成をサーミスタ群８ｇとして図示している。
以下の説明では、前記第１実施形態と同様の構造及び同一部材には同一符号を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
本実施形態では、前記第１実施形態に対して、温度検出装置としての複数のサーミスタ８を設けた点、及びこれに伴いペルチェ制御部６１２の機能を変更した点が異なるのみである。その他の構成は、前記第１実施形態と同様である。
【００４４】
サーミスタ８は、ペルチェ素子５１の数（本実施形態では１２個）だけ設けられている。また、１２個のサーミスタ８は、具体的な図示は省略したが、各ペルチェ素子５１の各配設位置（反射型液晶パネル３４２の背面）にそれぞれ配設され、各配設位置（前記第１実施形態で説明した各領域Ａｒ１〜Ａｒ１２）の温度をそれぞれ検出する。
そして、各サーミスタ８は、検出した温度に応じた各信号を制御装置６にそれぞれ出力する。
【００４５】
第２実施形態におけるペルチェ制御部６１２は、光源装置３１の点灯状態、メモリー６２に記憶された第１電圧値情報、第２電圧値情報、及び位置情報の他、各サーミスタ８にて検出された各領域Ａｒ１〜Ａｒ１２の各温度に基づいて、各ペルチェ駆動部６５を介して、各ペルチェ素子５１をそれぞれ独立に制御する。
【００４６】
図７は、第２実施形態におけるプロジェクター１の動作を説明するフローチャートである。
次に、第２実施形態におけるプロジェクター１の動作を図７に基づいて説明する。
なお、以下では、前記第１実施形態で説明した図５に示すフローと異なる部分のみを説明する。
ペルチェ制御部６１２は、ステップＳ４の後、各サーミスタ８からの各信号に基づいて各領域Ａｒ１〜Ａｒ１２の各温度を認識し、各温度が所定範囲（例えば、第１温度以上、第２温度以下の範囲）内の温度であるか否かを判定する（ステップＳ６）。
ステップＳ６において、ペルチェ制御部６１２は、各温度が所定範囲内の温度であると判定した場合には、ステップＳ５に移行する。
一方、ステップＳ６において、ペルチェ制御部６１２は、各温度が所定範囲内の温度でないと判定した場合には、ステップＳ３にて認識した各電圧値を変更する（ステップＳ７）。また、ペルチェ制御部６１２は、ステップＳ４に移行し、ステップＳ７にて変更した各電圧値で各ペルチェ素子５１をそれぞれ駆動させる。
そして、ペルチェ制御部６１２は、ステップＳ６にて各温度が所定範囲内の温度であると判定するまで、ステップＳ７，Ｓ４を繰り返し実行する。
【００４７】
例えば、ペルチェ制御部６１２は、ステップＳ７において、領域Ａｒ１の温度が第１温度未満である場合には、ステップＳ３にて認識した電圧値（第１電圧値情報または第２電圧値情報において、領域Ａｒ１に対応する位置に配設されたペルチェ素子５１に関連付けられた電圧値）を低くするように変更する。
一方、ペルチェ制御部６１２は、ステップＳ７において、領域Ａｒ１の温度が第２温度を超えている場合には、ステップＳ３にて認識した電圧値を高くするように変更する。
【００４８】
上述した第２実施形態によれば、前記第１実施形態と同様の効果の他、以下の効果がある。
本実施形態では、１２個のサーミスタ８にて実際に検出された各温度に基づいて制御装置６が各ペルチェ素子５１の動作を制御するので、変調領域Ａｒ全体をより均一な温度とすることができる。
特に、制御装置６は、ステップＳ１〜Ｓ４によってある程度、変調領域Ａｒ全体の温度を均一化した後に、ステップＳ６，Ｓ７，Ｓ４を実行するので、変調領域Ａｒ全体をより確実に均一な温度とすることができる。
【００４９】
[第３実施形態]
次に、本発明の第３実施形態を図面に基づいて説明する。
図８は、第３実施形態における冷却装置５の構成を模式的に示す図である。具体的に、図８は、図２（Ｃ）に対応した図であり、図２（Ｃ）と同様に、ヒートシンク５２の図示を省略している。
前記第１実施形態では、ペルチェ素子５１は、反射型液晶パネル３４２の背面側から見て変調領域Ａｒを覆うように１２個設けられていた。
これに対して第２実施形態では、ペルチェ素子５１は、図８に示すように、反射型液晶パネル３４２の背面側から見て変調領域Ａｒの中心位置と四隅位置とにそれぞれ設けられ、計５個設けられている。その他の構成は、前記第１実施形態と同様である。
【００５０】
変調領域Ａｒの四隅位置にそれぞれ設けられた第１ペルチェ素子５１Ａは、前記第１実施形態で説明したペルチェ素子５１と同様のサイズで構成されており、領域Ａｒ１，Ａｒ４，Ａｒ９，Ａｒ１２（図４参照）に対応した各位置にそれぞれ配設されている。
一方、変調領域Ａｒの中心位置に設けられた第２ペルチェ素子５１Ｂは、第１ペルチェ素子５１Ａの２倍のサイズを有し、領域Ａｒ６，Ａｒ７（図４参照）に跨るように配設されている。
【００５１】
上述した第３実施形態によれば、前記第１実施形態と同様の効果の他、以下の効果がある。
本実施形態では、各ペルチェ素子５１Ａ，５１Ｂが変調領域Ａｒの領域Ａｒ１，Ａｒ４，Ａｒ６，Ａｒ７，Ａｒ９，Ａｒ１２に対応する各位置に設けられている。このため、各ペルチェ素子５１Ａ，５１Ｂによる吸熱量（電圧値）を個別に調整することで、変調領域Ａｒの温度分布の均一化を最低限の数のペルチェ素子５１Ａ，５１Ｂにて実現できる。
また、各ペルチェ素子５１Ａ，５１Ｂのサイズが上述したように設定されているので、変調領域Ａｒにおける温度の高い領域Ａｒ６，Ａｒ７をサイズの大きい第２ペルチェ素子５１Ｂにて効果的に冷却でき、最低限の数のペルチェ素子５１Ａ，５１Ｂにて変調領域Ａｒの温度分布の均一化を容易に実現できる。
【００５２】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
前記各実施形態では、ペルチェ素子５１は、反射型液晶パネル３４２の背面に取り付けられていたが、これに限らず、反射型液晶パネル３４２の背面側であれば、例えば、反射型液晶パネル３４２内部に搭載しても構わない。なお、サーミスタ８も同様である。
前記各実施形態では、ペルチェ素子５１，５１Ａ，５１Ｂは、１２個、あるいは、５個設けられていたが、その数は、特に限定されず、２個以上、反射型液晶パネル３４２の画素数以下であることが好ましい。
【００５３】
前記各実施形態では、調光装置４は、遮光マスク４１を第１位置Ｐ１または第２位置Ｐ２に位置付けることで調光していたが、これに限らない。
例えば、調光装置としては、スライド移動または回転移動する遮光板を備え、当該遮光板の移動位置に応じて遮光量を段階的に変化させる構成を採用しても構わない。すなわち、制御装置による制御の下、調光装置は、明るい画像であれば遮光板による遮光量を多くし、暗い画像であれば遮光板による遮光量を少なくする。
このような構成を採用した場合であっても、遮光板の遮光量（調光量）に応じて変調領域Ａｒの照度分布が異なるものとなる。このため、制御装置は、遮光板の遮光量に応じて（例えば、画像の明るさに応じて）、複数のペルチェ素子５１，５１Ａ，５１Ｂに印加する各電圧値を変更する。
【００５４】
前記各実施形態では、第１電圧値情報及び第２電圧値情報は、変調領域Ａｒの照度分布のみを考慮して各ペルチェ素子５１に印加する各電圧値が設定されていたが、これに限らない。例えば、第１電圧値情報及び第２電圧値情報は、照度分布のみならず、他の冷却手段（例えば冷却ファン）による反射型液晶パネル３４２の冷却構造をも考慮して各ペルチェ素子５１に印加する各電圧値を設定しても構わない。
例えば、図４（Ｂ）に示す例において、領域Ａｒ１０や領域Ａｒ１１の照度は、他の領域に比べて高いものとなっている。ここで、例えば、冷却ファンにより領域Ａｒ１０や領域Ａｒ１１が主に冷却される構造を採用する。このような構造を採用した場合には、第２電圧値情報として、領域Ａｒ１０や領域Ａｒ１１に対応した位置に配設されたペルチェ素子５１に関連付けられた電圧値を、他の領域に対応した位置に配設されたペルチェ素子５１に関連付けられた電圧値よりも高く設定しなくてもよい。
【００５５】
前記第２実施形態では、制御装置６は、ステップＳ２〜Ｓ４の後に、ステップＳ６，Ｓ７，Ｓ４を実行していたが、これに限らず、ステップＳ２，Ｓ３を省略し、ステップＳ４にて予め定められた電圧値で各ペルチェ素子５１を駆動させた後に、ステップＳ６，Ｓ７，Ｓ４を実行しても構わない。
【００５６】
前記各実施形態では、プロジェクター１は、反射型液晶パネル３４２を３つ備える三板式のプロジェクターで構成されていたが、これに限らず、反射型液晶パネル３４２を１つ、２つ、あるいは、４つ以上備えるプロジェクターとして構成しても構わない。
前記各実施形態では、スクリーンを観察する方向から投射を行うフロントタイプのプロジェクターの例のみを挙げたが、本発明は、スクリーンを観察する方向とは反対側から投射を行うリアタイプのプロジェクターにも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は、プレゼンテーションやホームシアターに用いられるプロジェクターとして利用できる。
【符号の説明】
【００５８】
１・・・プロジェクター、４・・・調光装置、６・・・制御装置、８・・・サーミスタ（温度検出装置）、５１，５１Ａ，５１Ｂ・・・ペルチェ素子（熱電変換素子）、３４２・・・反射型液晶パネル（反射型光変調装置）、Ａｒ・・・変調領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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