(57)【要約】【課題】両面に電極を有する半導体デバイスをウエハの状態で試験する。【解決手段】ウエハに形成されウエハの上面側に上側電極下面側に下側電極を有する複数のデバイスを試験する試験装置であって、ウエハが載置されるステージ部と、ステージ部における複数のデバイスの下側電極に対向して設けられた複数の開口内に設けられ下側電極と接触する伸縮可能な複数の下側端子と、複数のデバイスが有する上側電極と接触する複数の上側端子と、上側端子および下側端子を介して複数のデバイスに電圧を印加して、複数のデバイスを試験する試験部とを備え、下側端子はウエハがステージ部に押し当てられるのに伴って収縮する試験装置を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハに形成され、前記ウエハの上面側の上側電極および前記ウエハの下面側の下側電極をそれぞれ有する複数のデバイスを試験する試験装置であって、
前記ウエハが載置されるステージ部と、
前記ステージ部における前記複数のデバイスのそれぞれの前記下側電極に対向して設けられた複数の開口内に設けられ、前記複数のデバイスが有する複数の前記下側電極と接触する伸縮可能な複数の下側端子と、
前記複数のデバイスが有する複数の前記上側電極と接触する複数の上側端子と、
前記複数の上側端子および前記複数の下側端子を介して前記複数のデバイスのそれぞれに電圧を印加して、前記複数のデバイスのそれぞれを試験する試験部と、
を備える
試験装置。
【請求項２】
前記ステージ部における前記ウエハとの接触面を介して前記ウエハの温度を制御する温度制御部を更に備える請求項１に記載の試験装置。
【請求項３】
前記温度制御部は、温度の異なる複数の流体の混合比を制御して目標温度の流体とし、前記ステージ部に混合した流体を流して前記ウエハの温度を制御する請求項２に記載の試験装置。
【請求項４】
前記温度制御部は、
第１温度の第１流体を供給する第１流体供給部と、
前記第１温度より高い第２温度の第２流体を供給する第２流体供給部と、
前記第１流体の流入量を制御することにより前記第１流体および前記第２流体の混合比を制御する混合比制御部と、
を有する請求項３に記載の試験装置。
【請求項５】
前記複数の下側端子のそれぞれは、前記ウエハが前記ステージ部に押し当てられるのに伴って収縮する請求項１から４のいずれか１項に記載の試験装置。
【請求項６】
前記複数の下側端子のそれぞれは、
前記ステージ部に固定される固定部と、
前記固定部に対して下側端子の伸縮方向に移動可能に係合される可動部と、
前記可動部を前記ウエハ側へと付勢する付勢部と、
を有する請求項５に記載の試験装置。
【請求項７】
前記付勢部は、係合された前記固定部および前記可動部の間に設けられた空洞内に設けられ、一端が前記空洞内において前記固定部に接し、他端が前記空洞内において前記可動部に接するバネを含む請求項６に記載の試験装置。
【請求項８】
ウエハに形成され、前記ウエハの上面側の上側電極および前記ウエハの下面側の下側電極をそれぞれ有する複数のデバイスを載置するステージ装置であって、
前記ウエハが載置されるステージ部と、
前記ステージ部における前記複数のデバイスのそれぞれの前記下側電極に対向して設けられた複数の開口内に設けられ、前記複数のデバイスが有する複数の前記下側電極と接触する伸縮可能な複数の下側端子と、
前記複数のデバイスが有する複数の前記上側電極と接触する複数の上側端子と、
を備える
ステージ装置。
【請求項９】
ウエハに形成され、前記ウエハの上面側の上側電極および前記ウエハの下面側の下側電極をそれぞれ有する複数のデバイスを試験する試験方法であって、
前記ウエハをステージ部に載置し、
前記ステージ部における前記複数のデバイスのそれぞれの前記下側電極に対向して設けられた複数の開口内に設けられ、前記複数のデバイスが有する複数の前記下側電極と接触する複数の下側端子と前記下側電極とを接触させ、
複数の上側端子を前記複数のデバイスが有する複数の前記上側電極と接触させ、
前記複数の上側端子および前記複数の下側端子を介して前記複数のデバイスのそれぞれに電圧を印加して、前記複数のデバイスのそれぞれを試験する試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試験装置、ステージ装置、および試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板の主表面と裏面の双方に電極を有する半導体デバイスが知られている。このような半導体デバイスの一例として、高電圧・大電流をスイッチングするパワー半導体素子として用いられる絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（以下、ＩＧＢＴと称す）、ＳｉＣ（シリコンカーバイト）バイポーラトランジスタ等がある。（例えば、特許文献１および２参照）。
特許文献１  特開２０１０−４００３号公報
特許文献２  特開２００８−１７７２７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体デバイスは半導体製造プロセスによりウエハ上に多数個が一括して形成され、ウエハから切り出され、例えば複数個をモジュールとしてパッケージングされて製品として出荷される。半導体デバイスは、出荷までに製造不良品をスクリーニングするための試験を経る。費用、労力、資源の利用効率といった観点から、切り出し前のウエハの状態で、多数の半導体デバイスを一括して試験することが重要である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、ウエハに形成され、ウエハの上面側の上側電極およびウエハの下面側の下側電極をそれぞれ有する複数のデバイスを試験する試験装置であって、ウエハが載置されるステージ部と、ステージ部における複数のデバイスのそれぞれの下側電極に対向して設けられた複数の開口内に設けられ、複数のデバイスが有する複数の下側電極と接触する伸縮可能な複数の下側端子と、複数のデバイスが有する複数の上側電極と接触する複数の上側端子と、上側端子および下側端子を介して複数のデバイスのそれぞれに電圧を印加して、複数のデバイスのそれぞれを試験する試験部と、を備える試験装置を提供する。
【０００５】
本発明の第２の態様においては、ウエハに形成され、ウエハの上面側の上側電極およびウエハの下面側の下側電極をそれぞれ有する複数のデバイスを載置するステージ装置であって、ウエハが載置されるステージ部と、ステージ部における複数のデバイスのそれぞれの下側電極に対向して設けられた複数の開口内に設けられ、複数のデバイスが有する複数の下側電極と接触する伸縮可能な複数の下側端子と、複数のデバイスが有する複数の上側電極と接触する複数の上側端子と、を備え、複数の下側端子のそれぞれは、ウエハがステージ部に押し当てられるのに伴って収縮するステージ装置を提供する。
【０００６】
本発明の第３の態様においては、ウエハに形成され、ウエハの上面側の上側電極およびウエハの下面側の下側電極をそれぞれ有する複数のデバイスを試験する試験方法であって、ウエハをステージ部に載置し、ウエハをステージ部に押し当てることにより、ステージ部における複数のデバイスのそれぞれの下側電極に対向して設けられた複数の開口内に設けられ、複数のデバイスが有する複数の下側電極と接触する伸縮可能な複数の下側端子と下側電極とを接触させ、複数の上側端子を複数のデバイスが有する複数の上側電極と接触させ、複数の上側端子および複数の下側端子を介して複数のデバイスのそれぞれに電圧を印加して、複数のデバイスのそれぞれを試験する試験方法を提供する。
【０００７】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態における試験装置１０００を、当該試験装置１０００を用いて試験される被試験デバイスが形成されたウエハ１０とともに示す。
【図２】本実施形態の試験装置１０００において、ステージ部１６０に載置されたウエハ１０の上側電極１４および下側電極１２に対し、それぞれ上側端子１７５および下側端子１６５によって接触する構造を、ステージ部１６０および上側接続部１７０とともに示す。
【図３Ａ】下側端子１６５の側面図である。
【図３Ｂ】図３ＡにおけるＡ−Ａ'で示した切断面における断面図である。
【図４】下側端子１６５の構造の他の例を、ステージ部１６０に設けられた開口とともに示す。
【図５】下側端子１６５の構造の更に他の例を、ステージ部１６０に設けられた開口とともに示す。
【図６】本実施形態における温度制御部１８０によりウエハ１０の温度を制御するフローチャートを示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１０】
図１は、本実施形態における試験装置１０００を、当該試験装置１０００を用いて試験される被試験デバイスが形成されたウエハ１０とともに示す。試験装置１０００は、メインフレーム１００、テストヘッド１３０、マザーボード１５０、上側接続部１７０、および温度制御部１８０を有する。
【００１１】
ウエハ１０には複数の被試験デバイスが形成され、それぞれの被試験デバイスは、その上面側に上側電極を有し、下面側に下側電極を有する。ウエハ１０は、マザーボード１５０が備えるステージ部１６０に載置される。ウエハ１０は、下面がステージ部に面するようにステージ部１６０に載置される。ウエハ１０に形成される被試験デバイスは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、ＳｉＣ（シリコンカーバイト）バイポーラトランジスタ等であってよい。
【００１２】
メインフレーム１００は、試験装置１０００の各部に制御信号を供給し被試験デバイスの試験を制御する制御部、試験装置１０００の各部に動作電源電圧を供給する電源部、テストプログラムを実行しテスト結果の表示／記憶を行う操作端末を構成するワークステーション等を備える。メインフレーム１０は、ケーブルによりテストヘッド１３０に接続され、生成した制御信号をテストヘッド１３０に供給するとともに、試験結果をテストヘッドから受け取る。
【００１３】
テストヘッド１３０は、１又は複数の試験部１３５、テストヘッド側基板１３８、コネクタ１４０、およびコネクタ１４２を備える。テストヘッド１３０がメインフレーム１００から受け取った制御信号は、それぞれの試験部１３５に分配される。試験部１３５は、制御信号に基づき試験信号を発生し、テストヘッド側基板１３８、コネクタ１４０、コネクタ１４２、及びマザーボード１５０を介して、ウエハ１０に形成された被試験デバイスに供給する。また、それぞれの試験部１３５は、供給した試験信号に応じて被試験デバイスが出力する出力信号を、テストヘッド側基板１３８、コネクタ１４０、コネクタ１４２、及びマザーボード１５０を介して受け取る。また、それぞれの試験部１３５は、ケーブルを介して試験結果をメインフレーム１０に送信する。
【００１４】
テストヘッド側基板１３８は、テストヘッド１３０の内部に面して１又は複数のコネクタ１４０を備え、マザーボード１５０に面して１又は複数のコネクタ１４２を備える。コネクタ１４０は、試験部１３５に対応付けて設けられ、それぞれのコネクタ１４０は対応する試験部１３５と接続される。コネクタ１４２は、テストヘッド側基板１３８のマザーボードと対面する面に、マザーボード１５０が備えるコネクタと対応する位置に配置される。テストヘッド側基板１３８は、試験部１３５が発生する試験信号および被試験デバイスの出力信号を、試験部１３５とマザーボード１５０との間で伝達すべく、コネクタ１４０とコネクタ１４２とを相互に接続する配線を備える。
【００１５】
マザーボード１５０は、マザーボード下面基板１５２、同軸ケーブル１５４、ステージ部１６０、および下側端子１６５を備える。マザーボード下面基板１５２は、テストヘッド側基板１３８が備えるコネクタ１４２と嵌合するコネクタ（不図示）を備え、試験部１３５が発生する試験信号を受け取るとともに、ウエハ１０に形成された複数の被試験デバイスの出力信号を試験部１３５に供給する。同軸ケーブル１５４は、マザーボード下面基板１５２は、試験信号および被試験デバイスの出力信号を伝達すべく、マザーボード下面基板１５２とステージ部１６０とを接続する。なお、本実施形態ではマザーボード１５０が、テストヘッド１３０の上に位置する例を用いて説明したが、マザーボード１５０の配置は任意であり、テストヘッド１３０の上でなくてもよい。
【００１６】
ステージ部１６０は、マザーボード１５０の上面に設けられ、被試験デバイスが形成されたウエハ１０を載置する。ステージ部１６０は、複数の被試験デバイスのそれぞれの下側電極１２に対向して設けられた複数の開口を有する。開口は貫通口であっても非貫通口であってもよい。それぞれの開口内に、対向する被試験デバイスが有する下側電極１２と接触する下側端子１６５が設けられる。下側端子１６５は伸縮可能であってよい。下側端子１６５が伸縮可能であると、ウエハ１０におけるステージ部１６０に対向する面が平坦でない場合であっても、下側電極１２との電気的接触を確保することができる。また、ウエハ１０をステージ部１６０と密着させることができるので、ウエハ１０を効率的に冷却できる。ステージ部１６０は、下側端子１６５を介して、試験信号および被試験デバイスの少なくとも一部を被試験デバイスとの間で授受する。
【００１７】
ステージ部１６０は、試験信号および被試験デバイスの出力信号の少なくとも一部を、上側接続部１７０との間で授受する。ステージ部１６０が下側端子１６５を介して被試験デバイスと授受する信号と、ステージ部１６０が上側接続部１７０との間で授受する信号とは、排他的であってもよいし、一部または全てが重複してもよい。
【００１８】
上側接続部１７０は、ステージ部１６０の上に、ウエハ１０を覆うように載置される。上側接続部１７０は、被試験複数のデバイスが有する複数の上側電極１４と接触する複数の上側端子１７５を備え、各上側端子を介して上側電極に試験信号を供給し、または上側電極から被試験デバイスの出力信号を受け取る。上側端子１７５のそれぞれは、上側接続部１７０の本体からウエハ１０に向けて延伸するプローブであってよい。上側端子１７５として用いられるプローブは弾性を有してよく、複数の上側電極１４の間の高低差をプローブの弾性によって吸収し、上側電極１４と上側端子１７５との接触を確実なものとしてよい。プローブは、ステージ部１６０および同軸ケーブル１５４を介して試験部１３５に接続されてもよく、ケーブル及びテストヘッド側基板を介して試験部１３５に接続されてもよい。
【００１９】
上側端子１７５のそれぞれは、プローブに代えて、異方性導電体の基板であってよく、当該異方性導電体の基板をウエハ１０に密着させることにより電気的接続を取ってよい。
【００２０】
以上のような構成により、試験部１３５は、上側端子１７５および下側端子１６５を介して複数の被試験デバイスのそれぞれに電圧を印加して、複数の被試験デバイスのそれぞれを試験する。このように、本実施形態の試験装置によれば、両面に電極を有する半導体デバイスをウエハの状態で試験することができる。
【００２１】
温度制御部１８０は、ウエハ１０に形成された被試験デバイスの温度が目標温度となるよう、ウエハの温度を制御する。温度制御部１８０は、流体供給部１８２、および混合比制御部１８８を備える。流体供給部１８２は、２種類の温度の流体を混合比制御部１８８に供給する。混合比制御部１８８は、供給される流体の混合比を制御して目標温度の流体とし、ステージ部１６０に流してウエハ１０の温度を制御する。温度制御部１８０は、ステージ部１６０とウエハ１０との接触面を介してウエハ１０の温度を制御する。
【００２２】
混合比制御部１８８は、ステージ部１６０の近傍に設けられてよく、ステージ部１６０に内蔵されてもよい。混合比制御部１８８がステージ部１６０内に設けることにより、混合後の配管でステージ部１６０内を循環させる流体の温度が目標温度からずれることを防ぐことができる。他の例として、混合比制御部１８８は、流体供給部１８２内に設けられてもよい。このような構成によれば、流体供給部１８２とテストヘッドを接続する配管の数を減らすことができる。
【００２３】
温度制御部１８０の詳細な実施形態については、特許文献特表２０１０−５３５４１７号公報を参照されたい。温度制御部１８０は、他の例として、ペルチェ素子、ヒートシンク、ヒータ又はこれらの組み合わせであってよい。
【００２４】
流体供給部１８２は、第１流体供給部１８４と第２流体供給部１８６を備える。第１流体供給部１８４は、目標温度よりも低温である第１温度の第１流体を、供給配管を通じて混合比制御部１８８に供給し、帰還配管を経由して混合比制御部１８８から流体を回収する。第１流体供給部１８４は、回収した流体の温度を第１温度に加熱又は冷却し、再び混合比制御部１８８に供給する。
【００２５】
第２流体供給部１８６は、目標温度と同温度または目標温度よりも高温である第２温度の第２流体を、供給配管を通じて混合比制御部１８８に供給し、帰還配管を経由して混合比制御部１８８から流体を回収する。第２流体供給部１８６は、回収した流体の温度を第２温度に加熱又は冷却し、再び混合比制御部１８８に供給する。
【００２６】
温度制御部１８０の変形例として、混合比制御部１８８から回収した流体を第３の温度に再加熱した第３流体を蓄え、混合比制御部１８８の制御に応じて、第３流体を供給・循環させてもよい。
【００２７】
混合比制御部１８８は、第１流体及び第２流体のそれぞれの流量を調節するバルブと、ステージ部１６０におけるウエハ１０と接触する部位の温度を測定する温度形とを備え、測定温度とメインフレーム１００からの命令とに基づき第１流体及び第２流体のそれぞれの流量を調節する。例えば、混合比制御部１８８は、第１流体の流入量を制御することにより第１流体および第２流体の混合比を制御してよい。混合比制御部１８８は、第１流体と第２流体とを混合させて目標温度とした流体をステージ部１６０内に循環させて、ウエハ１０の温度が目標温度となるように制御する。
【００２８】
混合比制御部１８８には、第１流体供給部１８４から供給される流体を流す供給配管、第１流体供給部１８４へ流体を戻すための帰還配管、第２流体供給部１８６から供給される流体を流す供給配管、および第２流体供給部１８６へ流体を戻すための帰還配管が接続される。また、混合比制御部１８８は、混合した流体をステージ部１６０内に張り巡らせた配管に循環させ、ステージ部１６０全体をウエハ１０に対するヒートシンクとして作用させてウエハ１０の温度を制御する。このような構成により、両面に電極が設けられたウエハ１０を試験する場合であっても、ウエハ１０の温度を目標温度に保つことができる。
【００２９】
ステージ部１６０の上面における開口以外の部分には、載置されるウエハ１０との間の熱抵抗を低減させる部材が配置されてもよい。載置されるウエハ１０との間の熱抵抗を低減させる部材は、例えば非導電性かつ高熱伝導率のペースト、シート等であってよい。
【００３０】
図２は、本実施形態の試験装置１０００において、ステージ部１６０に載置されたウエハ１０の上側電極１４および下側電極１２に対し、それぞれ上側端子１７５および下側端子１６５によって接触する構造を、ステージ部１６０および上側接続部１７０とともに示す。ステージ部１６０は、ウエハ１０に形成された被試験デバイスの下側電極１２に対向して設けられた複数の開口を有する。複数の開口のそれぞれは、下側端子１６５を収容する。下側端子１６５は収縮可能に構成され、非収縮状態において、下側端子１６５の先端がステージ部１６０の上面より突出し、最も収縮状態において、下側端子１６５の先端がステージ部１６０の上面と同一平面或いは上面より退行した位置となるように配置される。下側端子１６５のそれぞれは、ウエハ１０がステージ部１６０に押し当てられるのに伴って収縮する。
【００３１】
図３Ａおよび図３Ｂは、本実施形態における下側端子１６５の構造の一例を示す。図３Ａは、下側端子１６５の側面図であり、図３Ｂは、図３ＡにおけるＡ−Ａ'で示した切断面における断面図である。複数の下側端子１６５のそれぞれは、固定部１６６、可動部１６７、および付勢部１６８を有する。固定部１６６は、ステージ部１６０に固定される。可動部１６７は、固定部１６６に対して下側端子１６５の伸縮方向に移動可能に係合される。付勢部１６８は、可動部１６７をウエハ１０側へと付勢する。付勢部１６８は、係合された固定部１６６および可動部１６７の間に設けられた空洞内に設けられたバネ（コイルスプリング）により構成される。当該バネは、一端が空洞内において固定部１６６に接し、他端が空洞内において可動部１６７に接するように配置される。このような下側端子１６５の構成により、下側端子１６５を収縮可能とすることができ、ウエハ１０におけるステージ部１６０に対向する面が平坦出ない場合であても、下側電極１２との電気的接触を確保することができる。他の例として、付勢部１６８は、空気圧または流体圧により可動部１６７を付勢してよい。
【００３２】
図４は、下側端子１６５の構造の他の例を、ステージ部１６０に設けられた開口とともに示す。本例の下側端子１６５は、開口内にカンチレバーとして設けられる。下側端子１６５の先端は、ウエハ１０がステージ部１６０に載置されない状態においては、ステージ部１６０の上面より突出している。そして、ウエハ１０がステージ部１６０に押し当てられるのに伴って変位または変形しつつ被試験デバイスの下側電極１２と接触する。下側端子１６５をカンチレバーとして設けると、コイルスプリングを用いる方式より一端子あたりの電流容量を大きくすることができる。
【００３３】
図５は、下側端子１６５の構造の更に他の例を、ステージ部１６０に設けられた開口とともに示す。本例の下側端子１６５は、開口内に針として設けられる。下側端子１６５の先端は、ステージ部１６０の上面よりわずかに突出して設けられる。そして、ウエハ１０がステージ部１６０に押し当てられるのに伴って被試験デバイスの下側電極１２と接触する。下側端子１６５は、ウエハ１０がステージ部１６０に押し当てられるのに伴って変位または変形してよい。下側端子１６５の突出量は、接触により被試験デバイスを損傷させないように調整される。下側端子１６５を針として設けると、コイルスプリングを用いる方式より一端子あたりの電流容量を大きくすることができる。
【００３４】
図６は、本実施形態における温度制御部１８０によりウエハ１０の温度を制御するフローチャートを示す。ステップＳ４０２において、目標温度が設定される。目標温度は、被試験デバイスが形成されたウエハ１０の設定温度または温度範囲であってよい。他の例として、目標温度は、ステージ部１６０におけるウエハ１０と接触する部位の温度であってよい。
【００３５】
次に、ウエハ１０及び／又はステージ部１６０の温度を測定し（ステップＳ４０４）、測定温度度と目標温度とを比較する（ステップＳ４０６）。測定温度と目標温度とが一致する場合、混合比制御部１８８は現在の流量を維持してステップＳ４０４に戻り、後進された温度データを取得する。
【００３６】
ステップＳ４０６において、測定温度が目標温度より低いときは、ステップＳ４１２に進み、第１流体の流量を減少させ、及び／又は第２流体の流量を増加させる。これにより、ヒートシンクとして作用するステージ部１６０の温度を上昇させる。一方、測定温度が目標温度より高いときは、ステップＳ４１０に進み、第１流体の流量を増加させ、及び／又は第２流体の流量を減少させる。これにより、ヒートシンクとして作用するステージ部１６０の温度を下降させる。いずれの場合も、流量調節後にステップＳ４０４に戻り、更新された温度データを取得し、必要に応じて以上のステップを繰り返す。
【００３７】
以上のような制御により、温度制御部１８０は、ウエハ１０の温度を目標温度に維持することができる。
【００３８】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００３９】
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【００４０】
１０  ウエハ
１２  下側電極
１４  上側電極
１００  メインフレーム
１３０  テストヘッド
１３５  試験部
１３８  テストヘッド側基板
１４０  コネクタ
１４２  コネクタ
１５０  マザーボード
１５２  マザーボード下面基板
１５４  同軸ケーブル
１６０  ステージ部
１６５  下側端子
１７０  上側接続部
１７５  上側端子
１８０  温度制御部
１８２  流体供給部
１８４  第１流体供給部
１８６  第２流体供給部
１８８  混合比制御部
【図１】
2012142387.tif 000003
【図２】
2012142387.tif 000004
【図３Ａ】
2012142387.tif 000005
【図３Ｂ】
2012142387.tif 000006
【図４】
2012142387.tif 000007
【図５】
2012142387.tif 000008
【図６】
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