(57)【要約】【課題】電力消費を抑えつつ、高画質の放射線画像を取得する。【解決手段】放射線撮像装置（２０）は、放射線を放射線画像に変換可能な放射線変換パネル（５２）と、前記放射線変換パネル（５２）から画像信号を読み出す信号読出部（８２）と、前記放射線変換パネル（５２）及び前記信号読出部（８２）に電力を供給する電源部（６４）と、前記電源部（６４）の状態に基づいて前記信号読出部（８２）での前記画像信号の読み出しを制御する読出制御部（９８、１０８）とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を放射線画像に変換可能な放射線変換パネルと、
前記放射線変換パネルから画像信号を読み出す信号読出部と、
前記放射線変換パネル及び前記信号読出部に電力を供給する電源部と、
前記電源部の状態に基づいて、前記信号読出部での前記画像信号の読み出しを制御する読出制御部と、
を備えることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置において、
前記画像信号は、前記放射線変換パネルに対する前記放射線の照射前に前記放射線変換パネルから前記信号読出部に読み出されたオフセット画像に応じたオフセット画像信号、又は、前記放射線変換パネルに対する前記放射線の照射後に前記放射線変換パネルから前記信号読出部に読み出された前記放射線画像に応じた放射線画像信号であることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項３】
請求項２記載の装置において、
前記信号読出部は、前記画像信号をＡＤ変換するＡＤ変換器を有し、
前記読出制御部は、前記電源部の状態に基づいて、前記ＡＤ変換器におけるＡＤ変換のサンプリング回数を制御することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項４】
請求項３記載の装置において、
前記電源部は、外部から蓄電可能な蓄電部を有し、
前記読出制御部は、前記蓄電部の状態に基づいて、前記サンプリング回数を制御することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項５】
請求項４記載の装置において、
外部から前記蓄電部への給電の有無を検出する給電状態検出部をさらに備え、
前記読出制御部は、前記給電状態検出部の検出結果に基づいて、前記サンプリング回数を制御することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項６】
請求項５記載の装置において、
前記読出制御部は、外部から前記蓄電部への給電を前記給電状態検出部が検出した場合に、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を行うように前記ＡＤ変換器を制御し、一方で、前記蓄電部が外部から給電を受けていないことを前記給電状態検出部が検出した場合に、前記オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を解除することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれか１項に記載の装置において、
前記蓄電部に蓄電された電気エネルギの残量を検出する残量検出部をさらに備え、
前記読出制御部は、前記残量検出部の検出結果に基づいて、前記サンプリング回数を制御することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項８】
請求項７記載の装置において、
前記読出制御部は、所定の閾値以上の残量を前記残量検出部が検出した場合に、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を行うように前記ＡＤ変換器を制御し、一方で、前記閾値未満の残量を前記残量検出部が検出した場合に、前記オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を解除することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項９】
請求項２記載の装置において、
前記読出制御部は、前記電源部の状態に基づいて、前記信号読出部が前記放射線変換パネルから前記オフセット画像信号を連続して読み出すか否かを判断することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１０】
請求項９記載の装置において、
前記電源部は、外部から蓄電可能な蓄電部を有し、
前記読出制御部は、前記蓄電部の状態に基づいて、前記オフセット画像信号を連続して読み出すか否かを判断することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の装置において、
外部から前記蓄電部への給電の有無を検出する給電状態検出部をさらに備え、
前記読出制御部は、前記給電状態検出部の検出結果に基づいて、前記オフセット画像信号を連続して読み出すか否かを判断することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の装置において、
前記読出制御部は、外部から前記蓄電部への給電を前記給電状態検出部が検出した場合に、前記オフセット画像信号を連続して読み出すように前記信号読出部を制御し、一方で、前記蓄電部が外部から給電を受けていないことを前記給電状態検出部が検出した場合に、前記オフセット画像信号の連続した読み出しを禁止することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１３】
請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の装置において、
前記蓄電部に蓄電された電気エネルギの残量を検出する残量検出部をさらに備え、
前記読出制御部は、前記残量検出部の検出結果に基づいて、前記オフセット画像信号を連続して読み出すか否かを判断することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の装置において、
前記読出制御部は、所定の閾値以上の残量を前記残量検出部が検出した場合に、前記オフセット画像信号を連続して読み出すように前記信号読出部を制御し、一方で、前記閾値未満の残量を前記残量検出部が検出した場合に、前記オフセット画像信号の連続した読み出しを禁止することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１５】
請求項９〜１４のいずれか１項に記載の装置において、
前記信号読出部が前記放射線変換パネルから読み出した１回分のオフセット画像信号に応じたオフセット画像を前記放射線画像に対するオフセット補正用画像とするか、又は、前記信号読出部が前記放射線変換パネルから連続して読み出した各オフセット画像信号を平均化し、平均化したオフセット画像信号に応じたオフセット画像を前記放射線画像信号に対するオフセット補正用画像とする補正用画像生成部と、
前記オフセット補正用画像を用いて前記放射線画像に対するオフセット補正処理を行うオフセット補正処理部と、
をさらに備えることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の装置において、
前記補正用画像生成部は、前記放射線変換パネルに前記放射線が照射される直前に前記信号読出部が読み出した最後のオフセット画像信号と、該最後のオフセット画像信号以前に前記信号読出部が読み出した他のオフセット画像信号との信号レベル差の絶対値が所定の閾値を超える場合に、当該他のオフセット画像信号を前記各オフセット画像信号の平均化処理の対象から除外することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１７】
請求項１５又は１６記載の装置において、
前記オフセット画像、前記オフセット補正用画像及び前記放射線画像を記憶する画像メモリをさらに備え、
前記放射線撮像装置が複数回の放射線画像の撮像を行う場合に、前記読出制御部は、前記オフセット補正処理部でのオフセット補正処理後に前記画像メモリに記憶された前記オフセット画像及び前記オフセット補正用画像を消去して、前記放射線変換パネルから前記信号読出部への前記オフセット画像信号の読み出しを再開させることを特徴とする放射線撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線を放射線画像に変換する放射線変換パネルを備えた放射線撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、医療分野において、被写体を透過した放射線を検出することにより該被写体の放射線画像を撮像する放射線撮像装置（以下、電子カセッテともいう。）が用いられている。電子カセッテでは、可搬性を向上させるために、バッテリ等の蓄電手段を含む電源部を内蔵している。
【０００３】
ところで、可搬型の電子カセッテにおいても、例えば、特許文献１の技術を適用し、放射線画像に対してオーバサンプリング方式によるＡＤ変換を行ってランダムノイズを低減し、あるいは、特許文献２の技術を適用し、放射線の照射前に取得した複数枚のオフセット画像を用いて放射線画像に対するオフセット補正処理を行うことにより、高画質の放射線画像を取得してもよい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−２７５２３５号公報
【特許文献２】特開２０１０−１０４３９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換では、サンプリング時間が長くなって電力消費が早くなる。一方、放射線の照射前に何回もオフセット画像を取得すると、取得回数分だけ電力が消費されるので、放射線画像の撮像に必要な電力量を確保することができない場合がある。従って、可搬型の電子カセッテでは、放射線画像の高画質化と電力消費との間にはトレードオフの関係がある。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解消するためになされたものであり、電力消費を抑えつつ、高画質の放射線画像を取得することが可能となる放射線撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明に係る放射線撮像装置は、放射線を放射線画像に変換可能な放射線変換パネルと、前記放射線変換パネルから画像信号を読み出す信号読出部と、前記放射線変換パネル及び前記信号読出部に電力を供給する電源部と、前記電源部の状態に基づいて前記信号読出部での前記画像信号の読み出しを制御する読出制御部とを備えることを特徴としている。
【０００８】
本発明によれば、前記電源部の状態に基づいて前記信号読出部での前記画像信号の読み出しを制御するので、電力消費を抑えつつ、高画質の放射線画像を取得することが可能となる。
【０００９】
ここで、前記画像信号は、前記放射線変換パネルに対する前記放射線の照射前に前記放射線変換パネルから前記信号読出部に読み出されたオフセット画像に応じたオフセット画像信号、又は、前記放射線変換パネルに対する前記放射線の照射後に前記放射線変換パネルから前記信号読出部に読み出された前記放射線画像に応じた放射線画像信号である。
【００１０】
従って、本発明では、前記オフセット画像及び前記放射線画像のいずれの画像を取得する場合であっても、前記電源部の状態に従って各画像信号の読み出しを制御することにより、電力消費の抑制と高画質の放射線画像の取得とを共に実現することができる。
【００１１】
次に、電力消費の抑制と高画質の放射線画像の取得とを共に実現するための本発明の具体的な構成について説明する。
【００１２】
先ず、前記画像信号（前記オフセット画像信号及び前記放射線画像信号）に対するＡＤ変換に関して、電力消費の抑制と高画質の放射線画像の取得とを共に実現するための具体的構成（１）〜（４）について説明する。
【００１３】
（１）前記信号読出部は、前記画像信号をＡＤ変換するＡＤ変換器を有し、前記読出制御部は、前記電源部の状態に基づいて前記ＡＤ変換器におけるＡＤ変換のサンプリング回数を制御する。これにより、電力消費を抑制しつつ、前記オフセット画像及び前記放射線画像を取得することが可能となり、この結果、高画質の放射線画像を取得することができる。
【００１４】
（２）前記電源部は、外部から蓄電可能な蓄電部を有し、前記読出制御部は、前記蓄電部の状態に基づいて、前記サンプリング回数を制御する。前記蓄電部の状態を考慮して前記サンプリング回数が制御されるので、電力消費を確実に抑制することが可能となる。
【００１５】
（３）前記放射線撮像装置は、外部から前記蓄電部への給電の有無を検出する給電状態検出部をさらに備え、前記読出制御部は、前記給電状態検出部の検出結果に基づいて前記サンプリング回数を制御してもよい。
【００１６】
具体的に、前記読出制御部は、外部から前記蓄電部への給電を前記給電状態検出部が検出した場合に、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を行うように前記ＡＤ変換器を制御し、一方で、前記蓄電部が外部から給電を受けていないことを前記給電状態検出部が検出した場合に、前記オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を解除すればよい。
【００１７】
これにより、前記蓄電部に対する給電の有無に応じて電力消費量を調整することができる。従って、前記蓄電部に対する給電がなければ、サンプリング時間を短くして前記蓄電部の持ち時間を長くすることが可能となる。
【００１８】
（４）前記放射線撮像装置は、前記蓄電部に蓄電された電気エネルギの残量を検出する残量検出部をさらに備え、前記読出制御部は、前記残量検出部の検出結果に基づいて前記サンプリング回数を制御してもよい。
【００１９】
具体的に、前記読出制御部は、所定の閾値以上の残量を前記残量検出部が検出した場合に、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を行うように前記ＡＤ変換器を制御し、一方で、前記閾値未満の残量を前記残量検出部が検出した場合に、前記オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を解除すればよい。
【００２０】
この場合でも、前記残量に応じて電力消費量を調整することができ、従って、前記残量が前記閾値未満であれば、サンプリング時間を短くして前記蓄電部の持ち時間を長くすることが可能となる。
【００２１】
次に、前記オフセット画像信号の取得に関して、電力消費の抑制と高画質の放射線画像の取得とを共に実現するための具体的構成（５）〜（１０）について説明する。
【００２２】
（５）前記読出制御部は、前記電源部の状態に基づいて前記信号読出部が前記放射線変換パネルから前記オフセット画像信号を連続して読み出すか否かを判断する。これにより、電力消費を抑制しつつ前記オフセット画像を取得することが可能となる。
【００２３】
（６）前記電源部は、外部から蓄電可能な蓄電部を有し、前記読出制御部は、前記蓄電部の状態に基づいて前記オフセット画像信号を連続して読み出すか否かを判断すればよい。前記蓄電部の状態を考慮して前記オフセット画像信号を連続して読み出しすべきか否かが決定されるので、前記蓄電部の持ち時間を長くすることも可能となる。
【００２４】
（７）前記放射線撮像装置は、外部から前記蓄電部への給電の有無を検出する給電状態検出部をさらに備え、前記読出制御部は、前記給電状態検出部の検出結果に基づいて前記オフセット画像信号を連続して読み出すか否かを判断してもよい。
【００２５】
具体的に、前記読出制御部は、外部から前記蓄電部への給電を前記給電状態検出部が検出した場合に、前記オフセット画像信号を連続して読み出すように前記信号読出部を制御し、一方で、前記蓄電部が外部から給電を受けていないことを前記給電状態検出部が検出した場合に、前記オフセット画像信号の連続した読み出しを禁止する。
【００２６】
これにより、前記蓄電部に対する給電の有無に応じて電力消費量を調整することができる。従って、前記蓄電部に対する給電がなければ、前記オフセット画像信号の連続読み出しを禁止して前記蓄電部の持ち時間を長くすることが可能となる。
【００２７】
（８）前記放射線撮像装置は、前記蓄電部に蓄電された電気エネルギの残量を検出する残量検出部をさらに備え、前記読出制御部は、前記残量検出部の検出結果に基づいて前記オフセット画像信号を連続して読み出すか否かを判断してもよい。
【００２８】
具体的に、前記読出制御部は、所定の閾値以上の残量を前記残量検出部が検出した場合に、前記オフセット画像信号を連続して読み出すように前記信号読出部を制御し、一方で、前記閾値未満の残量を前記残量検出部が検出した場合に、前記オフセット画像信号の連続した読み出しを禁止する。
【００２９】
このように、前記残量に応じて前記オフセット画像信号を連続して読み出せばよいか否かが決定されるので、前記オフセット画像信号の連続読み出しに起因した早い電力消費を確実に抑えることができる。従って、前記残量が前記閾値未満であれば、前記オフセット画像信号の連続読み出しを禁止して前記蓄電部の持ち時間を長くすることが可能となる。
【００３０】
（９）前記放射線撮像装置は、前記放射線画像信号に対するオフセット補正用画像を生成する補正用画像生成部と、前記オフセット補正用画像を用いて前記放射線画像に対するオフセット補正処理を行うオフセット補正処理部とをさらに備えてもよい。
【００３１】
この場合、前記補正用画像生成部は、前記信号読出部が前記放射線変換パネルから読み出した１回分のオフセット画像信号に応じたオフセット画像を前記オフセット補正用画像とするか、又は、前記信号読出部が前記放射線変換パネルから連続して読み出した各オフセット画像信号を平均化し、平均化したオフセット画像信号に応じたオフセット画像を前記オフセット補正用画像とする。
【００３２】
上記のように、前記電源部の状態が許す限り、前記信号読出部は、前記放射線変換パネルから前記オフセット画像信号を連続して読み出すことが可能であるため、前記補正用画像生成部が前記各オフセット画像を平均化して前記オフセット補正用画像を生成すれば、前記オフセット画像に重畳したノイズ成分が除去されたオフセット補正用画像を確実に得ることができる。従って、前記ノイズ成分が除去された前記オフセット補正用画像を用いて前記放射線画像信号に対するオフセット補正処理を行うことにより、ノイズ成分の重畳量が少ない所望の放射線画像を取得することができる。
【００３３】
なお、前記電源部の状態によって１回分のオフセット画像しか取得できない場合であっても、該オフセット画像を前記オフセット補正用画像とすることで、オフセット補正処理を確実に行うことが可能である。この場合、１回分のオフセット画像は、前記放射線の照射直前の時点で取得されるオフセット画像であることが望ましい。
【００３４】
また、前記補正用画像生成部は、前記放射線変換パネルに前記放射線が照射される直前に前記信号読出部が読み出した最後のオフセット画像信号と、該最後のオフセット画像信号以前に前記信号読出部が読み出した他のオフセット画像信号との信号レベル差の絶対値が所定の閾値を超える場合に、当該他のオフセット画像信号を前記各オフセット画像信号の平均化処理の対象から除外してもよい。
【００３５】
このように、できる限り前記放射線の照射直前のオフセット画像信号を用いて平均化処理を行うことで、オフセット補正処理に最適なオフセット補正用画像を生成することが可能となる。
【００３６】
（１０）前記放射線撮像装置は、前記オフセット画像、前記オフセット補正用画像及び前記放射線画像を記憶する画像メモリをさらに備え、前記放射線撮像装置が複数回の放射線画像の撮像を行う場合に、前記読出制御部は、前記オフセット補正処理部でのオフセット補正処理後に前記画像メモリに記憶された前記オフセット画像及び前記オフセット補正用画像を消去して、前記放射線変換パネルから前記信号読出部への前記オフセット画像信号の読み出しを再開させてもよい。
【００３７】
次回の撮像前に前記画像メモリ内のオフセット画像及びオフセット補正用画像を消去することで、次回の撮像で得られた放射線画像に対して前記オフセット画像及び前記オフセット補正用画像が誤って用いられることを回避することができる。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、電源部の状態に基づいて信号読出部での画像信号の読み出しを制御するので、電力消費を抑えつつ、高画質の放射線画像を取得することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本実施形態に係る電子カセッテが適用される放射線撮像システムの構成図である。
【図２】図１の電子カセッテの斜視図である。
【図３】図１の電子カセッテのブロック図である。
【図４】図１の電子カセッテを用いた被写体の撮像を説明するためのフローチャートである。
【図５】図４のステップＳ１の処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図６】図４のステップＳ１の処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図７】オフセット画像の取得から放射線画像の読み取りまでの流れを説明するためのタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
本発明に係る放射線撮像装置の好適な実施形態について、図１〜図７を参照しながら以下詳細に説明する。
【００４１】
［放射線撮像装置の構成の説明］
図１は、本実施形態に係る放射線撮像装置としての電子カセッテ２０が適用される放射線撮像システム１０の構成図である。
【００４２】
放射線撮像システム１０は、ベッド等の撮影台１２に横臥した被写体１４である患者に対して、放射線１６を照射する放射線装置１８と、被写体１４を透過した放射線１６を検出して放射線画像に変換する電子カセッテ２０と、画像処理装置として機能すると共に放射線撮像システム１０全体を制御するシステムコントローラ２４と、ユーザの入力操作を受け付けるコンソール２６と、撮像した放射線画像等を表示する表示装置２８とを備える。
【００４３】
システムコントローラ２４と、電子カセッテ２０と、表示装置２８との間には、例えば、ＵＷＢ（Ｕｌｔｒａ  Ｗｉｄｅ  Ｂａｎｄ）、ＩＥＥＥ８０２．６０．ａ／ｂ／ｇ／ｎ等の無線ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）、又は、ミリ波等を用いた無線通信により信号の送受信が行われる。なお、ケーブルを用いた有線通信により信号の送受信を行ってもよい。
【００４４】
システムコントローラ２４には、病院内の放射線科において取り扱われる放射線画像やその他の情報を統括的に管理する放射線科情報システム（ＲＩＳ）３０が接続され、ＲＩＳ３０には、病院内の医事情報を統括的に管理する医事情報システム（ＨＩＳ）３２が接続されている。
【００４５】
放射線装置１８は、放射線１６を照射する放射線源３４と、放射線源３４を制御する放射線制御装置３６と、放射線スイッチ３８とを備える。放射線源３４は、電子カセッテ２０に対して放射線１６を照射する。放射線源３４が照射する放射線１６は、Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線等であってもよい。放射線スイッチ３８は、２段階のストロークを持つように構成され、放射線制御装置３６は、放射線スイッチ３８がユーザによって半押されると放射線１６の照射準備を行い、全押されると放射線源３４から放射線１６を照射させる。放射線制御装置３６は、図示しない入力装置を有し、ユーザは、前記入力装置を操作することで、放射線１６の照射時間、管電圧、管電流等の値を設定することができる。放射線制御装置３６は、設定された照射時間等に基づいて、放射線源３４から放射線１６を照射させる。なお、放射線装置１８は、システムコントローラ２４及び電子カセッテ２０との間で、無線通信により信号の送受信を行ってもよい。
【００４６】
図２は、図１に示す電子カセッテ２０の斜視図である。
【００４７】
電子カセッテ２０は、撮影台１２と被写体１４との間に配置されるパネル部４０と、該パネル部４０上に配置された制御部４２とを備える可搬型の電子カセッテである。なお、パネル部４０の厚みは、制御部４２の厚みよりも薄く設定されている。
【００４８】
パネル部４０は、放射線１６を透過可能な材料からなる略矩形状の筐体４４を有し、被写体１４が横臥する筐体４４の上面は、放射線１６が照射される照射面４６とされている。照射面４６には、被写体１４の撮像領域及び撮像位置を示すガイド線４８が形成され、ガイド線４８の外枠は、放射線１６の最大照射範囲（照射野）を示す撮像可能領域５０とされている。また、ガイド線４８の中心位置（十字状に交差する２本のガイド線４８の交点）は、該撮像可能領域５０の中心位置である。
【００４９】
筐体４４内には、被写体１４を透過して筐体４４内に入射した放射線１６を放射線画像に変換する放射線変換パネル５２が収容されている。放射線変換パネル５２は、放射線１６を可視光等の他の波長の電磁波に変換するシンチレータ５４と、該シンチレータ５４により変換された電磁波を電気信号に変換する光電変換層５６とから構成された、いわゆる間接変換型の放射線検出器である。
【００５０】
なお、図２では、放射線１６の照射方向に沿って光電変換層５６とシンチレータ５４との順に配置された表面読取方式としてのＩＳＳ（Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｓｉｄｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式の放射線検出器を図示しているが、放射線１６の照射方向に沿ってシンチレータ５４と光電変換層５６との順に配置された、裏面読取方式であるＰＳＳ（Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ  Ｓｉｄｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式の放射線検出器であってもよい。また、シンチレータ５４としては、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）又はガドリニウム・オキサイド・サルファ（ＧＯＳ）から構成されるシンチレータを用いればよい。さらに、本実施形態では、上述した間接変換型の放射線検出器に代えて、シンチレータ５４を用いずに放射線１６を電気信号に直接変換する、いわゆる直接変換型の放射線検出器を使用することも可能である。以下の説明では、図２のＩＳＳ方式の放射線変換パネル５２を用いた場合について説明する。
【００５１】
一方、制御部４２は、放射線１６を透過しない材料からなる略矩形状の筐体５８を有し、筐体４４における撮像可能領域５０以外の箇所に配置されている。なお、筐体５８は、放射線１６が照射されることのない箇所に配置できればよいので、撮像可能領域５０内であっても、放射線１６が照射されず且つ被写体１４にとり邪魔にならない箇所に配置してもよい。また、筐体４４の一部を突出させて、その突出部分を制御部４２として構成してもよい。
【００５２】
図３は、電子カセッテ２０のブロック構成図である。
【００５３】
前述の制御部４２は、電子カセッテ２０全体を制御するカセッテ制御部６０と、システムコントローラ２４及び放射線装置１８との間で無線通信により信号の送受信を行う通信部６２と、電子カセッテ２０全体の電源である電源部６４と、光電変換層５６を駆動させるためのバイアス電源６６とを有する。
【００５４】
光電変換層５６は、放射線１６を電荷に変換して蓄積可能なｐｉｎ型のフォトダイオードやフォトトランジスタ等の光電変換素子６８と、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｔｏｒ；ＴＦＴ）７０とを有する。なお、図３では、光電変換素子６８がｐｉｎ型のフォトダイオードである場合を図示している。
【００５５】
この場合、光電変換層５６では、ガラス又は樹脂からなる基板の一面に複数の信号線７２とゲート線７４とを互いに交差させるように配設し、各ゲート線７４と各信号線７２とにより区画された小領域に光電変換素子６８とＴＦＴ７０とをそれぞれ設けることで、前記基板に複数の光電変換素子６８及び複数のＴＦＴ７０を二次元マトリクス状に配列させている。また、１つの光電変換素子６８には１本のバイアス線７６が接続され、各バイアス線７６は、バイアス電源６６と接続された１本の結線７８に接続されている。
【００５６】
ここで、光電変換素子６８のアノード電極は、バイアス線７６に接続され、カソード電極は、ＴＦＴ７０のソース電極Ｓに接続されている。一方、ＴＦＴ７０のゲート電極Ｇは、ゲート線７４を介してゲート駆動回路８０に接続され、ドレイン電極Ｄは、信号線７２を介して信号読出回路（信号読出部）８２に接続されている。
【００５７】
バイアス電源６６は、結線７８及び各バイアス線７６を介して各光電変換素子６８に逆方向にバイアス電圧（逆バイアス電圧）を印加する。なお、図３では、ｐｉｎ型の光電変換素子６８のｐ層側にアノード電極を介してバイアス線７６が接続されているので、バイアス電源６６からは、光電変換素子６８のアノード電極に結線７８及びバイアス線７６を介して逆バイアス電圧として負の電圧（カソード電極よりも所定電圧以上低い電圧であればよい。）が印加されるようになっている。なお、光電変換素子６８のｐｉｎ型の積層順を逆に形成して（光電変換素子６８の極性が逆となるように形成して）カソード電極にバイアス線７６を接続する場合には、バイアス電源６６からはカソード電極に逆バイアス電圧として正の電圧（アノード電極よりも所定電圧以上高い電圧であればよい。）が印加される。その場合には、図３における光電変換素子６８のバイアス電源６６に対する接続の向きが逆向きになる。
【００５８】
ゲート駆動回路８０からゲート線７４を介してＴＦＴ７０のゲート電極Ｇに信号読み出し用の電圧が印加されると、ＴＦＴ７０のゲートが開き、光電変換素子６８に蓄積された電荷、すなわち、電気信号（放射線画像信号）が、ＴＦＴ７０のソース電極Ｓを介してドレイン電極Ｄから信号線７２に読み出される。
【００５９】
信号読出回路８２では、各信号線７２に対して、増幅器８４、サンプルホールド回路８６、マルチプレクサ８８及びＡＤ変換器９０が順に接続されている。従って、各信号線７２を介して読み出された電気信号は、チャージアンプからなる増幅器８４によって増幅され、サンプルホールド回路８６によってサンプリングされた後、マルチプレクサ８８を介してＡＤ変換器９０に順次供給され、デジタル信号（デジタル値）に変換される。ＡＤ変換器９０は、デジタル値に変換された各光電変換素子６８の電気信号をカセッテ制御部６０に順次出力する。
【００６０】
電源部６４は、電源回路９２と電源（蓄電部）９４とを有する。電源９４は、外部からの給電により充電可能なバッテリ又はキャパシタ等の蓄電手段である。この場合、電源部６４に対する給電の方式は、無線による給電、又は、有線による給電、いずれの方式であっても構わない。また、電源回路９２は、電源９４の電圧を所望の電圧に変換して電子カセッテ２０内の各部に供給可能なＤＣ／ＤＣコンバータ等の電力変換回路である。
【００６１】
カセッテ制御部６０は、マイクロコンピュータを含む計算機であり、図示しないＣＰＵがＲＯＭに記録されているプログラムを読み出し実行することで各種機能を実現する。
【００６２】
具体的に、カセッテ制御部６０は、オフセット画像取得部（読出制御部）９８、画像メモリ１００、補正用画像生成部１０２、給電状態検出部１０４、残量検出部１０６、オーバサンプリング動作制御部（読出制御部）１０８、記憶部１１０及びオフセット補正処理部１１２を有する。
【００６３】
給電状態検出部１０４は、外部から電源９４に対する給電が行なわれているか否かを判定（検出）する。残量検出部１０６は、電源９４の現在の残量を検出する。記憶部１１０は、電子カセッテ２０を特定するためのカセッテＩＤ情報を記憶する。
【００６４】
オフセット画像取得部９８は、被写体１４に対する放射線１６の照射（撮像）が行われる前、すなわち、放射線変換パネル５２に放射線１６が入射される前の時間帯において、各光電変換素子６８の暗電流を含むオフセット画像信号を、各信号線７２を介して読み出すように、ゲート駆動回路８０及び信号読出回路８２を制御する。また、オフセット画像取得部９８は、給電状態検出部１０４での判定結果や、残量検出部１０６で検出された電源９４の現在の残量に基づいて、オフセット画像信号を連続して読み出すか否かを判定し、その判定結果に従って、ゲート駆動回路８０及び信号読出回路８２を制御することも可能である。
【００６５】
オーバサンプリング動作制御部１０８は、給電状態検出部１０４での判定結果や、残量検出部１０６で検出された電源９４の現在の残量に基づいて、ＡＤ変換器９０でのＡＤ変換のサンプリング回数を決定し、決定したサンプリング回数でＡＤ変換を行うようにＡＤ変換器９０を制御する。すなわち、オーバサンプリング動作制御部１０８は、給電状態検出部１０４での判定結果や電源９４の現在の残量に基づいて、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を行うか、又は、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を解除するかの判定処理を行い、その判定結果に応じたサンプリング回数を決定する。従って、オーバサンプリング動作制御部１０８は、放射線画像に応じた電気信号（放射線画像信号）に対するＡＤ変換に限らず、オフセット画像に応じたオフセット画像信号に対するＡＤ変換についても、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換の実施の要否及びサンプリング回数を決定する。
【００６６】
画像メモリ１００は、放射線変換パネル５２から取得した１枚以上のオフセット画像、及び、放射線変換パネル５２から取得した放射線画像を記憶する。
【００６７】
補正用画像生成部１０２は、画像メモリ１００に複数枚のオフセット画像が記憶されていれば、これらのオフセット画像を用いて平均化処理を行い、平均化処理後のオフセット画像を、オフセット補正処理部１１２でのオフセット補正処理に用いるオフセット補正用画像として画像メモリ１００に記憶する。また、補正用画像生成部１０２は、画像メモリ１００に１枚のオフセット画像しか記憶されていない場合には、当該オフセット画像をオフセット補正用画像として決定する。
【００６８】
オフセット補正処理部１１２は、補正用画像生成部１０２で生成（決定）されたオフセット補正用画像を用いて放射線画像に対するオフセット補正処理を行い、オフセット補正処理後の放射線画像を画像メモリ１００に記憶する。なお、オフセット補正処理後、画像メモリ１００では、オフセット画像及びオフセット補正用画像が消去される。
【００６９】
［本実施形態に係る放射線撮像装置の動作］
次に、本実施形態に係る電子カセッテ２０を含む放射線撮像システム１０の動作について、図４〜図６のフローチャートと、図７のタイムチャートとに従って説明する。なお、この動作説明では、必要に応じて、図１〜図３も参照しながら説明する。
【００７０】
先ず、ユーザは、放射線源３４と放射線変換パネル５２との間の距離をＳＩＤ（線源受像画間距離）に調整すると共に、照射面４６に被写体１４を配置させて、該被写体１４の撮像部位が撮像可能領域５０に入り、且つ、該撮像部位の中心位置が撮像可能領域５０の中心位置と略一致するように、該被写体１４のポジショニングを行う。
【００７１】
次に、ユーザは、コンソール２６を操作して被写体１４の撮像部位を選択する。システムコントローラ２４は、ユーザにより選択された撮像部位に応じた撮像条件を設定する。なお、システムコントローラ２４が撮像部位の画像を表示装置２８に予め表示させることにより、ユーザが前記画像を見ながら被写体１４の撮像部位を選択することも可能である。また、ユーザが撮像部位を選択した場合、システムコントローラ２４は、選択された撮像部位と撮像条件とを表示装置２８に表示させて、前記撮像条件の内容をユーザに視認させてもよい。
【００７２】
次に、システムコントローラ２４は、図示しない自身の通信部を介して電子カセッテ２０の通信部６２に起動信号を送信する。この場合、電子カセッテ２０の電源部６４は、カセッテ制御部６０及び通信部６２に対しては常時電力供給を行っており、通信部６２が前記起動信号を受信すると、カセッテ制御部６０は、バイアス電源６６にも電力供給を行うように電源部６４を制御する。これにより、バイアス電源６６は、逆バイアス電圧を各光電変換素子６８に印加し、該各光電変換素子６８は、電荷蓄積が可能な状態に至る。なお、被写体１４に対して複数枚の撮像を行う場合には、起動信号と共に、複数枚の撮像を指示するための指示信号を通信部６２に送信してもよい。
【００７３】
また、ユーザは、設定した撮像条件で放射線源３４から放射線１６が照射されるようにするために、放射線制御装置３６に設けられた図示しない入力装置を操作して、システムコントローラ２４側で設定した撮像条件と同一の撮像条件を放射線制御装置３６にも設定させる。なお、システムコントローラ２４と放射線装置１８との間において、無線通信による信号の送受信が可能であれば、システムコントローラ２４が設定した撮影条件を放射線装置１８に送信してもよい。
【００７４】
次に、図４のステップＳ１（図７の時刻ｔ１から時刻ｔ３の時間帯、又は、時刻ｔ２）において、カセッテ制御部６０のオフセット画像取得部９８は、放射線装置１８からの放射線１６の照射に先立って、ゲート駆動回路８０及び信号読出回路８２を制御して、全ての光電変換素子６８から暗電流を含むオフセット画像信号を読み出し、オフセット画像信号に応じたオフセット画像を取得する。オフセット画像は、画像メモリ１００に一旦記憶される。次に、補正用画像生成部１０２は、画像メモリ１００に記憶されたオフセット画像を用いてオフセット補正用画像を生成し、生成したオフセット補正用画像を画像メモリ１００に記憶する。なお、オフセット画像の取得処理及びオフセット補正用画像の生成処理の詳細については、後述する。
【００７５】
オフセット画像取得後の時刻ｔ３において、カセッテ制御部６０は、全てのＴＦＴ７０をオフ状態とする。
【００７６】
この状態で、ユーザにより放射線スイッチ３８が押されると、放射線源３４は、撮像条件に従った所定の線量からなる放射線１６を所定の曝射時間だけ被写体１４に照射する（図４のステップＳ２、及び、図７の時刻ｔ４から時刻ｔ５までの時間帯）。これにより、放射線１６は、被写体１４を透過して筐体４４内の放射線変換パネル５２に至り、シンチレータ５４は、放射線１６の強度に応じた強度の可視光を発光し、光電変換層５６を構成する各光電変換素子６８は、可視光を電気信号に変換し、電荷として蓄積する（ステップＳ３）。
【００７７】
なお、放射線装置１８と電子カセッテ２０との間において、無線通信による信号の送受信が可能であれば、ユーザが放射線スイッチ３８を半押した時点で、放射線制御装置３６から通信部６２に放射線１６の照射準備を示す信号を送信し、カセッテ制御部６０は、通信部６２を介した前記信号の受信に基づいて、ゲート駆動回路８０を制御して、全ＴＦＴ７０をオフ状態にしてもよい（図７の時刻ｔ３）。
【００７８】
次に、放射線１６の照射後（図７の時刻ｔ５から時刻ｔ６までの時間帯）、給電状態検出部１０４は、電源９４が外部から給電を受けているか否かを判定し、その判定結果をオーバサンプリング動作制御部１０８に出力する。一方、残量検出部１０６も電源９４の現在の残量を検出し、検出した残量をオーバサンプリング動作制御部１０８に出力する。
【００７９】
ステップＳ４（図７の時刻ｔ６）において、オーバサンプリング動作制御部１０８は、各光電変換素子６８から電荷（電気信号）を読み出して該電気信号に応じた放射線画像を取得する際に、電気信号に対するオーバサンプリング方式によるＡＤ変換をＡＤ変換器９０に実行させるべきか否かを、給電状態検出部１０４での判定結果や残量検出部１０６で検出された電源９４の現在の残量に基づき判定する。
【００８０】
具体的に、外部から電源９４への給電が現在行なわれている場合には、外部から電力供給を受けているため、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を行っても、電源９４の残量低下は発生しない。また、電源９４が外部から給電を受けていない場合でも、電源９４の現在の残量が、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換に必要な電力量と電子カセッテ２０の動作に必要な電力量とを考慮した所定の閾値以上であれば、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を実施可能である。
【００８１】
そこで、オーバサンプリング動作制御部１０８は、外部から電源９４への給電が現在行なわれていることを示す判定結果である場合や、電源９４の現在の残量が前記閾値以上である場合には（ステップＳ４：ＹＥＳ）、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換の実施を決定し、次に、そのサンプリング回数も決定する（ステップＳ５）。
【００８２】
一方、外部から電源９４への給電が行なわれていない場合には、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を行えば、電源９４の電力消費が早く進む可能性がある。また、電源９４の現在の残量が前記閾値未満であれば、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を実施すれば、電子カセッテ２０を動作させるだけの電力量を確保できなくなる可能性がある。
【００８３】
そこで、オーバサンプリング動作制御部１０８は、外部から電源９４への給電が現在行なわれていないことを示す判定結果である場合や、電源９４の現在の残量が前記閾値未満である場合には（ステップＳ４：ＮＯ）、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を解除（オーバサンプリング方式によるＡＤ変換の実施を中止）し、次に、オーバサンプリング方式でのサンプリング回数未満のサンプリング回数でＡＤ変換を実施することを決定する（ステップＳ６）。
【００８４】
そして、ステップＳ７において、カセッテ制御部６０（のオーバサンプリング動作制御部１０８）は、ゲート駆動回路８０を制御して、ゲート駆動回路８０から１本のゲート線７４に信号読み出し用の電圧を印加させる。これにより、該ゲート線７４にゲート電極Ｇが接続されている全てのＴＦＴ７０のゲートが開き、これらのＴＦＴ７０が接続されている各光電変換素子６８に蓄積された電荷（図３のｐｉｎ型の光電変換素子６８では電子）が、電気信号として各信号線７２にそれぞれ読み出される。各増幅器８４は、読み出された電気信号を増幅し、各サンプルホールド回路８６は、増幅後の電気信号をサンプリングし、マルチプレクサ８８を介してＡＤ変換器９０に順次供給する。
【００８５】
この場合、ＡＤ変換器９０では、オーバサンプリング動作制御部１０８によって決定されたサンプリング回数に従って、順次供給された電気信号に対するＡＤ変換を行い、デジタル信号に変換する（ステップＳ８）。デジタル信号に変換された電気信号に応じた放射線画像は、カセッテ制御部６０の画像メモリ１００に一旦記憶される（ステップＳ９）。
【００８６】
このようにして、１本のゲート線７４に接続された各光電変換素子６８に対する電気信号（に応じた放射線画像）の読み出しの完了後、カセッテ制御部６０は、ゲート駆動回路８０を制御して、信号読み出し用の電圧を印加するゲート線７４を順次切り替え、切り替えたゲート線７４に接続された各光電変換素子６８に対する電気信号の読み出しを順次行う。従って、電子カセッテ２０では、全てのゲート線７４に接続された各光電変換素子６８からの放射線画像の読み出しが完了するまで（ステップＳ１０：ＹＥＳ）、ステップＳ７〜Ｓ１０の処理を繰り返し行う（図７の時刻ｔ７後の時刻ｔ８から時刻ｔ９までの時間帯）。
【００８７】
このようにして、全ての光電変換素子６８からの放射線画像の読み出しが完了し、被写体１４の放射線画像が画像メモリ１００に記憶された後のステップＳ１１において、オフセット補正処理部１１２は、画像メモリ１００に記憶されたオフセット補正用画像を用いて放射線画像に対するオフセット補正処理を行い、オフセット補正処理後の放射線画像を画像メモリ１００に記憶する。
【００８８】
次に、カセッテ制御部６０は、画像メモリ１００に記憶されたオフセット補正処理後の放射線画像と、記憶部１１０に記憶されたカセッテＩＤ情報とを共に通信部６２を介して無線通信によりシステムコントローラ２４に送信する。システムコントローラ２４は、受信した放射線画像に対して所定の画像処理を行い、画像処理後の放射線画像を無線通信により表示装置２８に送信する。表示装置２８は、受信した放射線画像を表示する（ステップＳ１２）。
【００８９】
そして、ステップＳ１３において、被写体１４に対する撮像が完了した場合（ステップＳ１３：ＹＥＳ）、被写体１４を解放して撮像を終了させる。一方、被写体１４に対して複数枚の撮像を行う場合であって、全ての撮像が完了していない場合には（ステップＳ１３：ＮＯ）、カセッテ制御部６０は、画像メモリ１００に記憶された全てのオフセット画像及びオフセット補正用画像を消去して（ステップＳ１４、図７の時刻ｔ９以降）、ステップＳ１の処理に戻る。なお、被写体１４に対する全ての撮像が完了した場合（ステップＳ１３：ＹＥＳ）に、ステップＳ１４の消去処理を行ってもよいことは勿論である。
【００９０】
次に、ステップＳ１でのオフセット画像の取得処理及びオフセット補正用画像の生成処理について、図５及び図６を参照しながら説明する。
【００９１】
図５は、図７のタイムチャートに示すように、１枚のオフセット画像のみを取得する場合（図７の時刻ｔ２）を示したものである。また、図６は、図７のタイムチャートに示すように、複数枚のオフセット画像を所定の時間間隔で連続して取得する場合（図７の時刻ｔ１から時刻ｔ３の時間帯）を示したものである。
【００９２】
先ず、図５のフローチャートによる１枚のオフセット画像の取得処理について説明する。
【００９３】
ステップＳ２１において、光電変換層５６に対するリセット処理を行う。
【００９４】
すなわち、カセッテ制御部６０は、放射線１６の照射に先立って、全ての増幅器８４の図示しない電荷リセット用のスイッチをオン状態にすると共に、ゲート駆動回路８０を制御して、各ゲート線７４を介して全てのＴＦＴ７０のゲート電極Ｇに信号読み出し用の電圧を印加してオン状態とする。これにより、全ての光電変換素子６８の内部や各信号線７２及び増幅器８４等に蓄積されている不要な電荷が放電され、電子カセッテ２０が初期状態となる。その後、カセッテ制御部６０は、ゲート駆動回路８０を制御して、全てのＴＦＴ７０のゲート電極Ｇに対する信号読み出し用の電圧の印加を停止し、各ＴＦＴ７０をオフ状態とする。
【００９５】
そして、オフセット画像取得部９８によりオフセット画像を取得すべきと判定されるまで、すなわち、上記の不要な電荷が十分に放電されるようなリセット処理回数に到達するまで、ステップＳ２１のリセット処理が所定時間間隔で繰り返し行われる。
【００９６】
ステップＳ２２において、オフセット画像を取得可能な状態になったとオフセット画像取得部９８が判定した場合（ステップＳ２２：ＹＥＳ）、給電状態検出部１０４は、電源９４が外部から給電を受けているか否かを判定し、その判定結果をオーバサンプリング動作制御部１０８に出力する。また、残量検出部１０６も電源９４の現在の残量を検出し、検出した残量をオーバサンプリング動作制御部１０８に出力する。
【００９７】
次に、オーバサンプリング動作制御部１０８は、給電状態検出部１０４での判定結果や、残量検出部１０６で検出された電源９４の現在の残量に基づいて、各光電変換素子６８から暗電流を含むオフセット画像信号を読み出して該オフセット画像信号に応じたオフセット画像を取得する場合に、オフセット画像信号に対するオーバサンプリング方式によるＡＤ変換をＡＤ変換器９０に実行させるべきか否かを判定する（ステップＳ２３）。
【００９８】
具体的には、図４のステップＳ４と同様の判定処理を行えばよい。すなわち、オーバサンプリング動作制御部１０８は、外部から電源９４への給電が現在行なわれていることを示す判定結果である場合や、電源９４の現在の残量が前記閾値以上である場合には（ステップＳ２３：ＹＥＳ）、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換の実施を決定し、そのサンプリング回数も決定する（ステップＳ２４）。
【００９９】
また、オーバサンプリング動作制御部１０８は、外部から電源９４への給電が現在行なわれていないことを示す判定結果である場合や、電源９４の現在の残量が前記閾値未満である場合には（ステップＳ２３：ＮＯ）、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を解除し、次に、オーバサンプリング方式でのサンプリング回数未満のサンプリング回数でＡＤ変換を実施することを決定する（ステップＳ２５）。
【０１００】
そして、ステップＳ２６において、電子カセッテ２０は、図４のステップＳ７〜Ｓ１０と同様の動作を行うことにより、各光電変換素子６８からオフセット画像信号に応じた１枚のオフセット画像を取得する。この結果、画像メモリ１００には、１枚のオフセット画像が記憶される。従って、補正用画像生成部１０２は、画像メモリ１００に記憶された１枚のオフセット画像をオフセット補正用画像として決定する。
【０１０１】
なお、上述したステップＳ７〜Ｓ１０の説明において、電荷、電気信号又は放射線画像の読み出しに関わる文言を、オフセット画像信号と置き換えることにより、ステップＳ２６でのオフセット画像の取得処理の説明となるので、ここでは、その詳細な説明は省略する。
【０１０２】
次に、カセッテ制御部６０は、ステップＳ２７において、ステップＳ２１と同様のリセット処理を再開させ、放射線１６の照射直前（ステップＳ２８：ＹＥＳ、図７の時刻ｔ３）までリセット処理を繰り返し行わせる。
【０１０３】
このようにして、１枚のオフセット画像が画像メモリ１００に記憶された場合、図４のステップＳ１１において、オフセット補正処理部１１２は、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換で取得された１枚のオフセット画像（オフセット補正用画像）を用いて、画像メモリ１００に記憶された放射線画像に対するオフセット補正処理を行う。
【０１０４】
図５のフローチャートによる処理の場合、各光電変換素子６８間でオフセット画像信号のバラツキがあっても、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換によって１枚のオフセット画像を取得することで、前記バラツキの影響が低減されたオフセット補正用画像を生成することができ、この結果、該オフセット補正用画像を用いて放射線画像に対するオフセット補正処理を行えば、高画質の放射線画像を得ることができる。
【０１０５】
次に、図６のフローチャートによる複数枚のオフセット画像の取得処理について説明する。
【０１０６】
先ず、ステップＳ３１において、ステップＳ２６と同様のオフセット画像の取得処理を行う。なお、ステップＳ３１において、ＡＤ変換器９０は、オーバサンプリング方式によるサンプリング回数よりも少ないサンプリング回数にて各オフセット画像信号に対するＡＤ変換を行う。
【０１０７】
次のステップＳ３２において、オフセット画像取得部９８は、オフセット画像の取得処理を終了させるべきか否かを判定する。この場合、オフセット画像取得部９８は、放射線１６の照射直前（図７の時刻ｔ３）であればオフセット画像の取得処理を完了させ（ステップＳ３２：ＹＥＳ）、一方で、時刻ｔ３に到達していない場合には（ステップＳ３２：ＮＯ）、ステップＳ３１を繰り返し実行する。
【０１０８】
時刻ｔ３後のステップＳ３３において、２枚以上のオフセット画像が取得されて画像メモリ１００に記憶されている場合（ステップＳ３３：ＹＥＳ）、補正用画像生成部１０２は、次のステップＳ３４において、各オフセット画像の平均化処理を行うにあたり、平均化処理の対象となるオフセット画像を選択する。この場合、放射線１６の照射直前に取得した最後のオフセット画像と、該最後のオフセット画像以前に取得した他のオフセット画像とについて、それぞれのオフセット画像信号のレベル差の絶対値が所定の閾値を超える場合には、当該他のオフセット画像信号を平均化処理の対象から除外する。
【０１０９】
すなわち、補正用画像生成部１０２は、所定の閾値をＳｔｈとしたときに、図７の時刻ｔ１から時刻ｔ３までの間に連続して取得し続けたオフセット画像信号の信号レベルＳｉ（ｉ＝１、２、３、…）と、放射線１６の照射直前の最後のオフセット画像信号の信号レベルＳｔとについて、｜Ｓｉ−Ｓｔ｜＞Ｓｔｈとなるようなオフセット画像信号については、平均化処理の対象から除外する。
【０１１０】
例えば、電子カセッテ２０の温度、外部からの振動、地磁気、浮遊容量等に起因したランダムノイズがオフセット画像信号に重畳することにより、信号レベルＳｉが他のオフセット画像信号の信号レベルと比較して極端に大きくなる場合には、｜Ｓｉ−Ｓｔ｜＞Ｓｔｈの判定処理を行うことにより、極端に大きな信号レベルＳｉのオフセット画像信号を除外することができる。
【０１１１】
また、電子カセッテ２０の起動時に近い時刻ｔ１では、装置全体が安定していないため、その信号レベルＳ１は変動しやすく、信号レベルＳｔと比較して極端に大きくなる場合がある。従って、この場合でも、｜Ｓ１−Ｓｔ｜＞Ｓｔｈの判定処理を行うことにより、極端に大きな信号レベルＳ１のオフセット画像信号を除外することができる。
【０１１２】
次に、ステップＳ３５において、補正用画像生成部１０２は、選択したオフセット画像（に応じたオフセット画像信号）を用いて平均化処理を行い、平均化処理後のオフセット画像をオフセット補正用画像として画像メモリ１００に記憶する。
【０１１３】
一方、ステップＳ３３において、１枚のオフセット画像のみ（例えば、放射線１６の照射直前のオフセット画像のみ）しか取得できなかった場合には（ステップＳ３３：ＮＯ）、補正用画像生成部１０２は、取得した１枚のオフセット画像をオフセット補正用画像とする。
【０１１４】
このようにして、１枚のオフセット補正用画像が画像メモリ１００に記憶された場合、図４のステップＳ１１において、オフセット補正処理部１１２は、該１枚のオフセット補正用画像を用いて画像メモリ１００に記憶された放射線画像に対するオフセット補正処理を行う。
【０１１５】
図６の場合には、極端に大きな信号レベルのオフセット画像がたまたま得られたとしても、そのオフセット画像を除外した後に、各オフセット画像に対する平均化処理を行うので、オフセット画像に重畳したノイズ成分（ランダムノイズ）を除去してオフセット補正用画像を生成することができ、この結果、該オフセット補正用画像を用いて放射線画像に対するオフセット補正処理を行えば、高画質の放射線画像を得ることができる。
【０１１６】
なお、前述したように、複数枚の撮像であって、全ての撮像が完了していない場合（ステップＳ１３：ＮＯ）、画像メモリ１００に記憶された全てのオフセット画像及びオフセット補正用画像を消去して（ステップＳ１４、図７の時刻ｔ９以降）、ステップＳ１の処理に戻るが、その際、図５の場合にはリセット処理が再開され（ステップＳ２１）、一方で、図６の場合にはオフセット画像の取得処理が再開される（ステップＳ３１）。
【０１１７】
［本実施形態に係る放射線撮像装置の効果］
以上説明したように、本実施形態に係る電子カセッテ２０によれば、電源部６４の電源９４の状態に基づいて、信号読出回路８２での電気信号（放射線画像信号）又はオフセット画像信号の読み出しを制御するので、電力消費を抑えつつ、高画質の放射線画像を取得することが可能となる。つまり、本実施形態では、オフセット画像及び放射線画像のいずれの画像を取得する場合であっても、電源９４の状態に従って各画像信号の読み出しを制御することにより、電力消費の抑制と高画質の放射線画像の取得とを共に実現することができる。
【０１１８】
この場合、オーバサンプリング動作制御部１０８は、電源９４の状態を考慮して、ＡＤ変換器９０におけるＡＤ変換のサンプリング回数を制御するので、電力消費を抑制しつつ、オフセット画像及び放射線画像を取得することが可能となり、この結果、高画質の放射線画像を取得することができる。
【０１１９】
すなわち、オーバサンプリング動作制御部１０８は、外部から電源９４への給電を給電状態検出部１０４が検出した場合に、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を行うようにＡＤ変換器９０を制御し、一方で、電源９４が外部から給電を受けていないことを給電状態検出部１０４が検出した場合に、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を解除する。これにより、電源９４に対する給電の有無に応じて電力消費量を調整することができる。従って、電源９４に対する給電がなければ、サンプリング時間を短くして電源９４の持ち時間を長くすることが可能となる。
【０１２０】
また、オーバサンプリング動作制御部１０８は、残量検出部１０６が検出した電源９４の現在の残量に基づいてサンプリング回数を制御する。すなわち、オーバサンプリング動作制御部１０８は、所定の閾値以上の残量を残量検出部１０６が検出した場合に、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を行うようにＡＤ変換器９０を制御し、一方で、閾値未満の残量を残量検出部１０６が検出した場合に、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を解除する。この場合でも、残量に応じて電力消費量を調整することができ、従って、残量が閾値未満であれば、サンプリング時間を短くして電源９４の持ち時間を長くすることが可能となる。
【０１２１】
また、オフセット画像取得部９８は、電源９４の状態を考慮して、信号読出回路８２が放射線変換パネル５２（の各光電変換素子６８）からオフセット画像信号を連続して読み出すか否かを判断するので、電力消費を抑制しつつオフセット画像を取得することが可能となり、この結果、高画質の放射線画像を取得することができる。
【０１２２】
この場合、オフセット画像取得部９８は、給電状態検出部１０４の検出結果に基づいてオフセット画像信号を連続して読み出すか否かを判断する。すなわち、オフセット画像取得部９８は、外部から電源９４への給電を給電状態検出部１０４が検出した場合に、オフセット画像信号を連続して読み出すように信号読出回路８２を制御し、一方で、電源９４が外部から給電を受けていないことを給電状態検出部１０４が検出した場合に、オフセット画像信号の連続した読み出しを禁止する。
【０１２３】
これにより、電源９４に対する給電の有無に応じて電力消費量を調整することができる。従って、電源９４に対する給電がなければ、オフセット画像信号の連続読み出しを禁止して電源９４の持ち時間を長くすることが可能となる。
【０１２４】
また、オフセット画像取得部９８は、残量検出部１０６が検出した残量を考慮してオフセット画像信号を連続して読み出すか否かを判断する。すなわち、オフセット画像取得部９８は、所定の閾値以上の残量を残量検出部１０６が検出した場合に、オフセット画像信号を連続して読み出すように信号読出回路８２を制御し、一方で、閾値未満の残量を残量検出部１０６が検出した場合に、オフセット画像信号の連続した読み出しを禁止する。
【０１２５】
このように、電源９４の残量に応じてオフセット画像信号を連続して読み出せばよいか否かが決定されるので、オフセット画像信号の連続読み出しに起因した早い電力消費を確実に抑えることができる。従って、残量が閾値未満であれば、オフセット画像信号の連続読み出しを禁止して電源９４の持ち時間を長くすることが可能となる。
【０１２６】
この場合、補正用画像生成部１０２は、信号読出回路８２が各光電変換素子６８から読み出した１回分のオフセット画像信号に応じたオフセット画像をオフセット補正用画像とするか、又は、信号読出回路８２が各光電変換素子６８から連続して読み出した各オフセット画像信号を平均化し、平均化したオフセット画像信号に応じたオフセット画像をオフセット補正用画像とする。
【０１２７】
電源９４の状態が許す限り、信号読出回路８２は、各光電変換素子６８からオフセット画像信号を連続して読み出すことが可能であるため、補正用画像生成部１０２が各オフセット画像を平均化してオフセット補正用画像を生成すれば、オフセット画像に重畳したノイズ成分が除去されたオフセット補正用画像を確実に得ることができる。従って、ノイズ成分が除去されたオフセット補正用画像を用いて放射線画像信号に対するオフセット補正処理を行うことにより、ノイズ成分の重畳量の少ない所望の放射線画像を取得することが可能となる。
【０１２８】
なお、電源９４の状態によって１枚分のオフセット画像しか取得できない場合であっても、該オフセット画像をオフセット補正用画像とすることで、オフセット補正処理を確実に行うことが可能である。この場合、１枚分のオフセット画像は、放射線１６の照射直前の時点で取得されるオフセット画像であることが望ましい。
【０１２９】
また、補正用画像生成部１０２は、放射線変換パネル５２に放射線１６が照射される直前に信号読出回路８２が読み出した最後のオフセット画像信号と、該最後のオフセット画像信号以前に信号読出回路８２が読み出した他のオフセット画像信号との信号レベル差の絶対値が所定の閾値を超える場合に、当該他のオフセット画像信号を各オフセット画像信号の平均化処理の対象から除外する。
【０１３０】
このように、できる限り放射線１６の照射直前のオフセット画像信号を用いて平均化処理を行うことで、オフセット補正処理に最適なオフセット補正用画像を生成することが可能となる。
【０１３１】
また、オフセット補正処理部１１２でのオフセット補正処理後に画像メモリ１００に記憶されたオフセット画像及びオフセット補正用画像を消去して、放射線変換パネル５２から信号読出回路８２へのオフセット画像信号の読み出しを再開させると、次回の撮像で得られた放射線画像に対して前記オフセット画像及び前記オフセット補正用画像が誤って用いられることを回避することができる。
【０１３２】
なお、本実施形態において、シンチレータ５４がＣｓＩであれば、放射線１６を低線量にしても被写体１４に対する撮像が可能となる。この場合、放射線１６の曝射線量に応じて電気信号の信号レベルが低くなるため、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を行うことにより、ＣｓＩのシンチレータ５４を用いた場合でも、高画質の放射線画像を確実に取得することができる。
【０１３３】
また、本実施形態では、外部からの電源９４の給電の有無や、電源９４の残量に応じて、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を実施するか否かを判定するため、静止画撮影、動画撮影、又は、エネルギサブトラクション撮影のように、撮影の種類毎に電力消費量が異なる場合や、移動回診車のように、回診中は外部からの給電が難しい場合でも、これらの状況も考慮しつつ、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換を実施するか否かを判定し、あるいは、オフセット画像信号を連続して取得するか否かを判定すればよい。すなわち、静止画撮影の場合には、電力消費量が比較的少ないので、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換や、オフセット画像信号の連続取得を実施してもよい。一方、動画撮影又はエネルギサブトラクション撮影では電力消費量が比較的大きく、移動回診車で使用する場合には外部からの給電が難しいため、これらの場合には、オーバサンプリング方式によるＡＤ変換やオフセット画像信号の連続取得を禁止すればよい。
【０１３４】
なお、本発明は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることは勿論である。
【符号の説明】
【０１３５】
１０…放射線撮像システム
１６…放射線
２０…電子カセッテ
５２…放射線変換パネル
５６…光電変換層
６０…カセッテ制御部
６４…電源部
６８…光電変換素子
７０…ＴＦＴ
７２…信号線
８２…信号読出回路
９０…ＡＤ変換器
９２…電源回路
９４…電源
９８…オフセット画像取得部
１００…画像メモリ
１０２…補正用画像生成部
１０４…給電状態検出部
１０６…残量検出部
１０８…オーバサンプリング動作制御部
１１２…オフセット補正処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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