(57)【要約】【課題】レーザダイオードの製造バラツキや経年劣化を伴う場合であっても、個々のレーザダイオードによらずにレーザダイオードの周辺温度に応じてバイアス電流の好適な上限値が設定できるレーザ制御装置を提供する。【解決手段】レーザダイオード３と、レーザダイオード３にバイアス電流を供給する電流回路５と、バイアス電流をモニタする電流モニタ部９と、レーザダイオード３の光信号を検出するフォトダイオード１１と、フォトダイオード１１を介して光信号の光強度をモニタする光信号モニタ部１３と、バイアス電流のＡＰＣ制御を行う制御部７とを備える。制御部７は、電流モニタ部９によってモニタされるバイアス電流の値に基づいて、ＡＰＣ制御に用いるバイアス電流の上限値を算出しバイアス電流が上限値を超えないようにＡＰＣ制御を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を生成するレーザダイオードと、
前記レーザダイオードに駆動電流を供給する電流回路と、
前記レーザダイオードに供給される駆動電流に含まれるバイアス電流をモニタする電流モニタ部と、
前記レーザダイオードによって生成される光信号を検出するフォトダイオードと、
前記レーザダイオードによって生成される光信号の光強度を、前記フォトダイオードを介してモニタする光信号モニタ部と、
前記光信号モニタ部からのモニタ信号に基づいてバイアス電流のＡＰＣ制御を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記電流モニタ部によってモニタされるバイアス電流の値に基づいて、ＡＰＣ制御に用いるバイアス電流の上限値を算出し、バイアス電流が前記上限値を超えないようにＡＰＣ制御を行う、ことを特徴とするレーザ制御装置。
【請求項２】
前記レーザダイオードの周辺温度をモニタする温度モニタ部を更に備え、
前記制御部は、
前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の変化が予め設定された期間において第１の範囲にあるか否かを判定する判定手段と、
前記変化が前記第１の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記上限値を算出する算出手段と、
を有する、ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ制御装置。
【請求項３】
前記制御部は、
前記変化が前記第１の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の値を記憶装置に格納する格納手段を更に有し、
前記判定手段は、前記上限値が前記算出手段によって算出された後に前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の値と前記記憶装置に格納されている前記レーザダイオードの周辺温度の値との差が第２の範囲を超えたか否かを判定し、前記第２の範囲を超えたと判定した場合に、前記変化が前記期間において前記第１の範囲にあるか否かを再び判定する、ことを特徴とする請求項２に記載のレーザ制御装置。
【請求項４】
前記格納手段は、前記変化が前記第１の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記電流モニタ部によってモニタされたバイアス電流の値を前記記憶装置に格納し、
前記算出手段は、前記記憶装置に格納されているバイアス電流の値に基づいて前記上限値を算出する、ことを特徴とする請求項３に記載のレーザ制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザダイオードを制御するレーザ制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、光出力が自動停止された場合に、周辺温度に応じて適切なタイミングで光出力を復旧させることが可能な光送信器が開示されている。特許文献１の光送信器は、ＬＤ（レーザダイオード）、ＬＤ駆動回路、モニタ用ＰＤ、ＬＤの駆動電流を制御するＡＰＣ回路、温度モニタ、及びコントローラを備える。コントローラは、駆動電流に含まれるバイアス電流をモニタし、バイアス電流のモニタ値がシャットダウン閾値を超えた場合に光信号を停止するようにＡＰＣ回路を制御し、光信号の停止直前におけるモニタ信号の値が故障判別閾値を超えていた場合は、周辺温度のモニタ値が復旧判定閾値よりも低くなったことを契機に光信号の生成を再開するようにＡＰＣ回路を制御する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１１１７３０号公報
【特許文献２】特開２００９−２９６２９２号公報
【特許文献３】特開２０００−０２２６３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＬＤの光強度をモニタするモニタ用のＰＤ、又は、光強度のモニタ回路、に不具合が生じた場合には、ＬＤの光強度が、ＬＤのバイアス電流を制御するＡＰＣ回路に対しモニタ回路からフィードバックされないので、好適なバイアス電流がＬＤに供給されない場合、特に、過大なバイアス電流がＬＤに供給される場合がある。このため、バイアス電流に対し上限値を設定することが考えられる。しかし、比較的低温でＬＤが動作している場合には、ＬＤの発光効率が比較的良好となっているので、この上限値でバイアス電流がＬＤに供給されると、ＬＤは、予め設定されている上限（特に規格で設定されている上限）を超える光強度で発光する場合がある。そこで、好適な上限値を温度に応じて設定することが考えられる。しかし、温度に応じて上限値を設定するには、ＬＤの製造バラツキ、及び、個々のＬＤの経年劣化、等が考慮されなければならず、従って、個々のＬＤによらずにＬＤの周辺温度に応じて好適なバイアス電流の上限値を設定するのは困難である。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、上記の事項を鑑みてなされたものであり、レーザダイオードの製造バラツキや経年劣化を伴う場合であっても、個々のレーザダイオードによらずにレーザダイオードの周辺温度に応じてバイアス電流の好適な上限値が設定できるレーザ制御装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る光送信装置は、光信号を生成するレーザダイオードと、前記レーザダイオードに駆動電流を供給する電流回路と、前記レーザダイオードに供給される駆動電流に含まれるバイアス電流をモニタする電流モニタ部と、前記レーザダイオードによって生成される光信号を検出するフォトダイオードと、前記レーザダイオードによって生成される光信号の光強度を、前記フォトダイオードを介してモニタする光信号モニタ部と、前記光信号モニタ部からのモニタ信号に基づいてバイアス電流のＡＰＣ制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記電流モニタ部によってモニタされるバイアス電流の値に基づいて、ＡＰＣ制御に用いるバイアス電流の上限値を算出し、バイアス電流が前記上限値を超えないようにＡＰＣ制御を行う、ことを特徴とする。本発明に係るレーザ制御装置によれば、レーザダイオードの周辺温度が変化するごとに、バイアス電流の上限値（電流Ｉｍａｘ）が算出される。従って、レーザダイオードの製造バラツキや経年劣化を伴う場合であっても、個々のレーザダイオードによらずにレーザダイオードの周辺温度に応じてバイアス電流の好適な最大値が設定できる。
【０００７】
本発明に係る光送信装置では、前記レーザダイオードの周辺温度をモニタする温度モニタ部を更に備え、前記制御部は、前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の変化が予め設定された期間において第１の範囲にあるか否かを判定する判定手段と、前記変化が前記第１の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記上限値を算出する算出手段とを有する。従って、バイアス電流の上限値は、レーザダイオードの周辺温度が安定している場合に算出される。
【０００８】
本発明に係る光送信装置では、前記制御部は、前記変化が前記第１の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の値を記憶装置に格納する格納手段を更に有し、前記判定手段は、前記上限値が前記算出手段によって算出された後に前記温度モニタ部によってモニタされた前記レーザダイオードの周辺温度の値と前記記憶装置に格納されている前記レーザダイオードの周辺温度の値との差が第２の範囲を超えたか否かを判定し、前記第２の範囲を超えたと判定した場合に、前記変化が前記期間において前記第１の範囲にあるか否かを再び判定する。従って、レーザダイオードの周辺温度の変化が予め設定された範囲を超えた場合、周辺温度が安定したか否かが再び判定されるので、周辺温度が変化した場合であっても、安定した変化後の周辺温度のもとでバイアス電流の上限値が算出可能となる。
【０００９】
本発明に係る光送信装置では、前記格納手段は、前記変化が前記第１の範囲にあると前記判定手段によって判定された場合に、前記電流モニタ部によってモニタされたバイアス電流の値を前記記憶装置に格納し、前記算出手段は、前記記憶装置に格納されているバイアス電流の値に基づいて前記上限値を算出する。従って、上限値は、安定した周辺温度のもとでレーザダイオードに供給されているバイアス電流の値に基づいて、算出される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、レーザダイオードの製造バラツキや経年劣化を伴う場合であっても、個々のレーザダイオードによらずにレーザダイオードの周辺温度に応じてバイアス電流の好適な上限値が設定できるレーザ制御装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施形態に係るレーザ制御装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、実施形態に係る制御部の物理的な構成を示す図である。
【図３】図３は、実施形態に係るレーザ制御装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【図４】図４は、バイアス電流及び光強度の相関と、当該相関が温度に応じて変化する様子とを示す図である。
【図５】図５は、レーザダイオードの周辺温度に応じて設定されるバイアス電流の上限値の一例を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図１は、実施形態に係るレーザ制御装置１の構成を示す図である。図２は、制御部７の物理的な構成を示す図である。レーザ制御装置１は、例えば、図示しない光送信装置に搭載される。レーザ制御装置１は、図１に示すように、レーザダイオード３、電流回路５、制御部７、電流モニタ部９、フォトダイオード１１、光信号モニタ部１３、及び、温度モニタ部１５を備える。
【００１３】
レーザダイオード３は、光信号を生成する。電流回路５は、レーザダイオード３に駆動電流を供給する。制御部７は、光信号モニタ部１３からのモニタ信号に基づいてバイアス電流のＡＰＣ制御を行う。制御部７は、電流モニタ部９によってモニタされるバイアス電流の値に基づいて、ＡＰＣ制御に用いるバイアス電流の上限値（以下、電流値Ｉｍａｘという）を算出し、バイアス電流が電流Ｉｍａｘを超えないようにＡＰＣ制御を行う。制御部７は、電流Ｉｍａｘを、後述の図３のフローチャートに示す方法で算出する。電流モニタ部９は、レーザダイオード３に供給される駆動電流に含まれるバイアス電流をモニタする。電流モニタ部９は、モニタ結果を示すモニタ信号を制御部７に出力する。フォトダイオード１１は、レーザダイオード３によって生成される光信号を検出する。光信号モニタ部１３は、レーザダイオード３によって生成される光信号の光強度を、フォトダイオード１１を介してモニタする。光信号モニタ部１３は、モニタ結果を示すモニタ信号を制御部７に出力する。温度モニタ部１５は、レーザダイオード３の周辺温度をモニタする。温度モニタ部１５は、モニタ結果を示すモニタ信号を制御部７に出力する。
【００１４】
制御部７は、物理的には、図２に示すＣＰＵ７１，ＲＯＭ７２，ＲＡＭ７３、及び、記憶装置７ｄ、等を含むコンピュータ装置を有する。ＣＰＵ７１、ＲＯＭ７２、ＲＡＭ７３及び記憶装置７ｄは、バス７４に接続されている。ＣＰＵ７１は、ＲＯＭ７２，記憶装置７ｄ等のメモリに格納されたコンピュータプログラム（例えば、図３に示すフローチャートの処理を実行するためのコンピュータプログラム）をＲＡＭ７３にロードして実行することによって、電流回路５に対する制御（特に、レーザダイオード３に供給されるバイアス電流に対するＡＰＣ制御、及び、図３のフローチャートに示す処理）を行う。記憶装置７ｄは、書き込み／読み出しが自在なメモリ（例えば、レーザ制御装置１の内蔵メモリ、又は、レーザ制御装置１に対し着脱自在な記録媒体）であって、各種コンピュータプログラムや、コンピュータプログラムの実行に必要な各種データを格納する。
【００１５】
制御部７は、複数の機能を有する。制御部７が有する複数の機能は、電流モニタ部９から入力されるモニタ信号、光信号モニタ部１３から入力されるモニタ信号、及び、温度モニタ部１５から入力されるモニタ信号に基づいて、ＣＰＵ７１が、ＲＯＭ７２，記憶装置７ｄ等のメモリに格納されたコンピュータプログラムを実行することによって実現される機能である。制御部７は、このような複数の機能として、特に、図１に示す判定部７ａ（判定手段）、算出部７ｂ（算出手段）、及び、格納部７ｃ（格納手段）を有する。
【００１６】
判定部７ａは、温度モニタ部１５によってモニタされたレーザダイオード３の周辺温度の変化が予め設定された期間（以下、期間Ｔ１という）において第１の範囲にあるか否か（レーザダイオード３の周辺温度が安定しているか否か）を判定する。
【００１７】
格納部７ｃは、温度モニタ部１５によってモニタされたレーザダイオード３の周辺温度の変化が第１の範囲にある（レーザダイオード３の周辺温度が安定している）と判定部７ａによって判定された場合に、温度モニタ部１５によってモニタされたレーザダイオード３の周辺温度の値を示すデータを、記憶装置７ｄに格納する。格納部７ｃは、温度モニタ部１５によってモニタされたレーザダイオード３の周辺温度の変化が第１の範囲にある（レーザダイオード３の周辺温度が安定している）と判定部７ａによって判定された場合に、電流モニタ部９によってモニタされたバイアス電流の値を示すデータを、記憶装置７ｄに格納する。
【００１８】
算出部７ｂは、温度モニタ部１５によってモニタされたレーザダイオード３の周辺温度の変化が第１の範囲にある（レーザダイオード３の周辺温度が安定している）と判定部７ａによって判定された場合に、電流Ｉｍａｘを算出する。算出部７ｂは、記憶装置７ｄに格納されているデータが示すバイアス電流の値に基づいて、電流Ｉｍａｘを算出する。
【００１９】
判定部７ａは、更に、電流Ｉｍａｘが算出部７ｂによって算出された後に温度モニタ部１５によってモニタされたレーザダイオード３の周辺温度の値と記憶装置７ｄに格納されているレーザダイオード３の周辺温度の値との差が第２の範囲を超えたか否か（レーザダイオード３の周辺温度が変化したか否か）を判定する。判定部７ａは、電流Ｉｍａｘが算出部７ｂによって算出された後に温度モニタ部１５によってモニタされたレーザダイオード３の周辺温度の値と記憶装置７ｄに格納されているレーザダイオード３の周辺温度の値との差が第２の範囲を超えた（レーザダイオード３の周辺温度が変化した）と判定した場合に、温度モニタ部１５によってモニタされたレーザダイオード３の周辺温度の変化が期間Ｔ１において第１の範囲にあるか否か（レーザダイオード３の変化後の周辺温度が安定しているか否か）を再び判定する。なお、電流Ｉｍａｘはレーザダイオード３の周辺温度に応じて算出部７ｂによって算出されるが、電流Ｉｍａｘに対しても許容される上限値が予め設定されている。
【００２０】
次に、図３を参照して、レーザ制御装置１の動作を説明する。図３は、実施形態に係るレーザ制御装置１の動作を説明するためのフローチャートである。図３のフローチャートは、電流Ｉｍａｘの算出方法の一つの具体例を表している。まず、制御部７は、ＡＰＣ制御が正常に動作していることを確認する（ステップＳ１）。すなわち、制御部７は、ステップＳ１において、光信号モニタ部１３からのモニタ信号に基づいて、レーザダイオード３に対して予め設定されている光強度が得られていることを確認する。制御部７は、ステップＳ１において、ＡＰＣ制御が正常に動作していることを確認した場合（ステップＳ１；Ｙｅｓ）、ステップＳ２に進む。制御部７は、ステップＳ１において、ＡＰＣ制御が正常に動作していることを確認できなかった場合（ステップＳ１；Ｎｏ）、レーザダイオード３に供給する駆動電流がゼロとなるように電流回路５を制御して終了する。
【００２１】
ステップＳ１の後、判定部７ａは、温度モニタ部１５からのモニタ信号に基づいて、レーザダイオード３の周辺温度が安定したか否かを判定する（ステップＳ２）。すなわち、ステップＳ２において、判定部７ａは、温度モニタ部１５によってモニタされたレーザダイオード３の周辺温度の変化が予め設定された期間Ｔ１、例えば、１ｍｓ以上９９ｍｓ以下、において第１の範囲、例えば、０．１度以下、にあるか否かを判定する。判定部７ａは、温度モニタ部１５によってモニタされたレーザダイオード３の周辺温度の変化が期間Ｔ１において第１の範囲にある場合に、レーザダイオード３の周辺温度が安定したと判断する。判定部７ａは、レーザダイオード３の周辺温度が安定したと判断するまで、温度モニタ部１５からのモニタ信号に基づいてレーザダイオード３の周辺温度の監視を続けるが、後段のステップＳ３には進まない。
【００２２】
ステップＳ２においてレーザダイオード３の周辺温度が安定したと判定部７ａによって判断された場合、格納部７ｃは、ステップＳ３において、現時点におけるレーザダイオード３の周辺温度を示すデータ（温度モニタ部１５からのモニタ信号）を、記憶装置７ｄに格納する（ステップＳ３）。また、ステップＳ２においてレーザダイオード３の周辺温度が安定したと判定部７ａによって判断された場合、格納部７ｃは、ステップＳ４において、現時点におけるバイアス電流の値を示すデータ（電流モニタ部９からのモニタ信号）を、記憶装置７ｄに格納する（ステップＳ４）。なお、ステップＳ３及びステップＳ４の順序は、図３に示す順序に限らない。すなわち、ステップＳ３の後にステップＳ４が実行されてもよいし、ステップＳ４の後にステップＳ３が実行されてもよい。
【００２３】
ステップＳ３及びステップＳ４の後、算出部７ｂは、電流Ｉｍａｘを算出する（ステップＳ５）。電流Ｉｍａｘは、現時点でのバイアス電流の値（ステップＳ４において格納部７ｃによって記憶装置７ｄに格納されたデータが示すバイアス電流の値）に対し、予め設定された算出方法によって、このバイアス電流の値よりも大きい値に算出される値である。例えば、電流Ｉｍａｘは、現時点でのバイアス電流の値（ステップＳ４において格納部７ｃによって記憶装置７ｄに格納されたデータが示すバイアス電流の値）の１．１倍程度の値である。ステップＳ５までの処理によって、バイアス電流の上限値は、レーザダイオード３の周辺温度が安定している場合に算出可能となる。更に、電流Ｉｍａｘは、安定した周辺温度のもとでレーザダイオード３に供給されているバイアス電流の値に基づいて算出可能となる。
【００２４】
判定部７ａは、ステップＳ６において、ステップＳ５の後に温度モニタ部１５によってモニタされたレーザダイオード３の周辺温度の値と、ステップＳ３において記憶装置７ｄに格納されたザダイオード３の周辺温度の値との差が、第２の範囲、例えば、マイナス２度以上プラス２度以下、を超えたか否かを判定し、ステップＳ５の後に温度モニタ部１５によってモニタされたレーザダイオード３の周辺温度の値と、ステップＳ３において記憶装置７ｄに格納されたレーザダイオード３の周辺温度の値との差が、第２の範囲を超えたと判定した場合に、レーザダイオード３の周辺温度が変化したと判断し、ステップＳ２に再び進む（ステップＳ６）。判定部７ａは、ここで、温度モニタ部１５によってモニタされたレーザダイオード３の周辺温度の変化が期間Ｔ１において第１の範囲にあるか否か（すなわち、レーザダイオード３の周辺温度が安定したか否か）を再び判定し、後段のステップＳ３〜ステップＳ６を再び実行する。
【００２５】
ステップＳ６の処理によって、レーザダイオード３の周辺温度が変化するごとに、バイアス電流の上限値（電流Ｉｍａｘ）が算出可能となる。レーザダイオード３の周辺温度の変化が予め設定された第２の範囲を超えた場合であっても、周辺温度が安定したか否かが再び判定されるので、周辺温度が変化した場合であっても、安定した変化後の周辺温度のもとでバイアス電流の上限値が算出可能となる。
【００２６】
次に、図４及び図５を参照して、実施形態に係るレーザ制御装置１の作用・効果を説明する。図４に、一般的なレーザダイオードの特性を示す。図４に示す特性は、バイアス電流及び光強度の相関、及び、当該相関が温度に応じて変化する様子、である。グラフＬ１，Ｌ２，Ｌ３は、何れも、バイアス電流及び光強度の相関を示すグラフであるが、レーザダイオードの周辺温度がそれぞれ異なっている。レーザダイオードの周辺温度が最も低い場合においてバイアス電流及び光強度の相関を示すグラフが、グラフＬ１である。レーザダイオードの周辺温度が次に低い場合においてバイアス電流及び光強度の相関を示すグラフが、グラフＬ２である。そして、レーザダイオードの周辺温度が最も高い場合においてバイアス電流及び光強度の相関を示すグラフが、グラフＬ３である。図４に示すように、レーザダイオードの周辺温度が低い程、レーザダイオードの発光効率が高く、周辺温度が上がるにつれて発光効率は劣化する。
【００２７】
一般に、バイアス電流は、ＡＰＣ制御によって、予め設定されている設定値ｅ１に光強度を維持するように調整される。また、バイアス電流の上限値は高温動作時に必要とされる電流値（電流値ｉ２）よりも一定量多い値（電流値ｉ３）に設定される。しかし、レーザダイオードが低温動作をしている場合（例えば、グラフＬ１に示す相関が実現される温度で動作している場合）には、図４に示すレーザダイオードの特性によって、光強度ｅ１を得るために必要とされる電流（電流値ｉ１）に比較して電流値ｉ３（バイアス電流の上限値）が過大となり、光強度が値ｅ２となる。値ｅ２は、ＡＰＣ制御によって維持される光強度の設定値ｅ１に比較して大きく、例えば光強度の規格上の許容値、を超えている場合がある。
【００２８】
そこで、バイアス電流の上限値をレーザダイオードの周辺温度に応じて変化させることが考えられるが、バイアス電流の上限値をレーザダイオードの周辺温度に応じて変化させる場合、レーザダイオードごとに製造バラツキがあるため、このような製造バラツキの存在を考慮した上で周辺温度に応じたバイアス電流の上限値を決定しなければならず、更に、予測が困難なレーザダイオードの経年劣化によるバイアス電流の増加も考慮しなければならない。
【００２９】
図５に、レーザダイオードの周辺温度に応じて設定されるバイアス電流の上限値の一例を模式的に示す。電流値ｉ３１は、レーザダイオードの周辺温度が最も低い場合のバイアス電流の上限値である。図中符号ｖ１に示す範囲は、この周辺温度におけるレーザダイオードの製造バラツキに伴うバイアス電流の上限値のバラツキを示す。また、電流値ｉ３２は、レーザダイオードの周辺温度が次に低い場合のバイアス電流の上限値である。図中符号ｖ２に示す範囲は、この周辺温度におけるレーザダイオードの製造バラツキに伴うバイアス電流の上限値のバラツキを示す。更に、電流値ｉ３３は、レーザダイオードの周辺温度が最も高い場合のバイアス電流の上限値である。図中符号ｖ３に示す範囲は、この周辺温度におけるレーザダイオードの製造バラツキに伴うバイアス電流の上限値のバラツキを示す。
【００３０】
図５に示すように、レーザダイオードの周辺温度に応じて、バイアス電流の上限値のバラツキも異なる。しかも、レーザダイオードの製造バラツキに伴うバイアス電流の上限値のバラツキを予測するのは容易ではない。更に、レーザダイオードの経年劣化によるバイアス電流の増加分を予測するのも容易ではない。従って、従来において、レーザダイオードの製造バラツキ、及び、個々のレーザダイオードの経年劣化、等を考慮した上で、個々のレーザダイオードによらずにレーザダイオードの周辺温度に応じて好適な最大電流値を設定するのは困難である。
【００３１】
これに対し、実施形態に係るレーザ制御装置１は、レーザダイオード３の周辺温度が変化するごとに、バイアス電流の上限値（電流Ｉｍａｘ）を算出する。従って、レーザダイオード３の製造バラツキや経年劣化を伴う場合であっても、個々のレーザダイオードの特性によらずにレーザダイオード３の周辺温度に応じてバイアス電流の好適な最大値が設定できる。更に、バイアス電流の上限値は、レーザダイオード３の周辺温度が安定している場合に算出可能である。更に、レーザダイオード３の周辺温度の変化が予め設定された範囲を超えた場合であっても、周辺温度が安定したか否かが再び判定されるので、周辺温度が変化した場合であっても、安定した変化後の周辺温度のもとでバイアス電流の上限値が算出可能である。
【００３２】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【符号の説明】
【００３３】
１…レーザ制御装置、１１…フォトダイオード、１３…光信号モニタ部、１５…温度モニタ部、３…レーザダイオード、５…電流回路、７…制御部、７１…ＣＰＵ、７２…ＲＯＭ、７３…ＲＡＭ、７４…バス、７ａ…判定部、７ｂ…算出部、７ｃ…格納部、７ｄ…記憶装置、９…電流モニタ部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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