(57)【要約】      （修正有）【課題】光透過性の高い基板を使用する場合であっても、基板の配設状態を検知可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板を処理する反応室と、前記基板が載置された基板ホルダを保持すると共に基板処理中前記反応室内に配置される基板保持具１２と、前記基板が前記基板ホルダに載置された状態で該基板ホルダの搬送を行う基板移載機１１とを具備し、基板移載機１１は前記基板ホルダを保持するアーム１３と、光を投光する第１の投光部と該第１の投光部から投光された光を受光する第１の受光部を有する第１のファイバセンサとを有し、該第１のファイバセンサはアーム１３が正常に前記基板ホルダを保持している場合に、前記第１の投光部と前記第１の受光部との間に前記基板ホルダが位置する様に配置される。【選択図】図１
2012044060.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する反応室と、基板が載置された基板ホルダを保持すると共に基板処理中前記反応室内に配置される基板保持具と、基板が前記基板ホルダに載置された状態で該基板ホルダの搬送を行う基板移載機とを具備し、該基板移載機は前記基板ホルダを保持するアームと、光を投光する第１の投光部と該第１の投光部から投光された光を受光する第１の受光部を有する第１のファイバセンサとを有し、該第１のファイバセンサは前記アームが正常に前記基板ホルダを保持している場合に、前記第１の投光部と前記第１の受光部との間に前記基板ホルダが位置する様に配置されることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する工程を有する基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び基板製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
炭化ケイ素（以下ＳｉＣとする）は、シリコン（以下Ｓｉとする）に比べエネルギーバンドギャップが大きいことや、絶縁体性が高いことから、特にパワーデバイス用素子材料として注目されている。一方で、ＳｉＣはＳｉに比べて融点が高いこと、常圧下での液相を持たないこと、不純物拡散係数が小さいこと等から、結晶基板やデバイスの作製が難しいことが知られている。
【０００３】
従来のＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する基板処理装置は、図１３、図１４に示される様な「パンケーキ型」、「プラネタリ型」と称される形態の基板処理装置が主流であり、図１５に示される様に数枚〜十数枚程度のＳｉＣ基板（以下ウェーハとする）９１を板状サセプタ９２に平面的に配置して、或は該サセプタ９２によりＳｉＣウェーハ９１を保持して１５００℃〜１８００℃に加熱し、成膜に用いる原料ガスをガス供給口９３を介して一箇所から反応室９４内に供給して、ウェーハ９１上面（ウェーハ主面）にＳｉＣエピタキシャル膜を成長させている。
【０００４】
原料ガスはウェーハ９１を処理する前記反応室９４の中心部から供給され、周辺部より排気されるのが一般的であり、前記ガス供給口９３からガス排気口９５に掛けてガスの濃度分布は大きく変化する為、膜厚の不均一性を回避する様ウェーハ９１や前記サセプタ９２を成膜時に回転させることも一般的に行われている。
【０００５】
然し乍ら、従来の基板処理装置の場合、多数枚のウェーハ９１を処理する場合や、ウェーハ９１の径を大きくする場合には前記サセプタ９２の径を大きくする必要がある為、基板処理装置が大型化し、更に前記反応室９４の床面積が増大しコストが増大する。又、原料ガスのガス供給口９３から半径方向にウェーハ９１を２枚以上並べた場合、上記したガス濃度差の問題により処理ウェーハ９１間に膜厚差が発生する為、一度に処理できるウェーハ９１の枚数が制限されるという問題があった。
【０００６】
一方で、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する基板処理装置ではないものの、ウェーハ１枚相当のフットプリントにて一度に複数（例えば２５〜１００枚）のウェーハを一括処理可能な装置として縦型の基板処理装置がある。該縦型基板処理装置は、特許文献２に記載される様にウェーハを自動搬送可能な構造となっており、反応室内に装入される基板保持具（ボート）に未処理基板を移載し、ボートから処理済ウェーハを移載する基板移載機には、ウェーハの有無を検知できるファイバセンサが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１９６８０７号公報
【特許文献２】特開２０００−９１２５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ここで、ＳｉＣウェーハを基板移載機を用いて自動搬送をすることを考えると、特許文献２にも記載される様にＳｉＣウェーハの光の透過性が問題となる。即ち、ＳｉＣウェーハは、可視光や赤外光に対して透過性が高くセンサに応答しない可能性がある。尚、特許文献２では、ＳｉＣウェーハは、ダミーウエハとして使用されており、移載装置に設置されたフォトセンサの光源光に対して、低透過性のＳｉＣダミーウエハを使用することで、ウエハカセットからウエハボートへのダミーウエハの移載、及びウエハボートからウエハカセットへのダミーウエハの移載を行う際に、ダミーウエハの枚数・配設状態の検出・監視を行っている。
【０００９】
然し乍ら、ＳｉＣウェーハ自体を処理対象とした場合には、特許文献２に示される様に故意に光の透過性を小さくすると、品質を維持する為に採用することは難しい。従って、ファイバセンサのファイバ光がＳｉＣウェーハを透過し、上手く検知できない可能性があり、ファイバセンサによってＳｉＣウェーハを検知することが困難であるという問題がある。尚、ＳｉＣウェーハと同様に光の透過性が高いウェーハを用いる場合は、同様の問題が生じる。
【００１０】
本発明は斯かる実情に鑑み、光透過性の高い基板を使用する場合であっても、基板の配設状態を検知可能な基板処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、基板を処理する反応室と、基板が載置された基板ホルダを保持すると共に基板処理中前記反応室内に配置される基板保持具と、基板が前記基板ホルダに載置された状態で該基板ホルダの搬送を行う基板移載機とを具備し、該基板移載機は前記基板ホルダを保持するアームと、光を投光する第１の投光部と該第１の投光部から投光された光を受光する第１の受光部を有する第１のファイバセンサとを有し、該第１のファイバセンサは前記アームが正常に前記基板ホルダを保持している場合に、前記第１の投光部と前記第１の受光部との間に前記基板ホルダが位置する様に配置される基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基板処理装置の誤動作を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に於ける基板処理装置の斜視図である。
【図２】本発明に於ける処理炉を示す概略立断面図である。
【図３】本発明に於けるコントローラの構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の第１の実施例に於ける基板移載機を示す斜視図である。
【図５】本発明の第１の実施例に於けるウェーハホルダの構成を示す概略説明図である。
【図６】本発明の第１の実施例に於けるウェーハホルダの検知方法を示す概略説明図である。
【図７】本発明の第１の実施例の変形例を示す概略説明図である。
【図８】本発明の第２の実施例に於けるウェーハホルダの検知方法を示す概略説明図である。
【図９】本発明の第３の実施例に於けるウェーハホルダの形状を示し、（Ａ）は上ウェーハホルダの概略図であり、（Ｂ）は下ウェーハホルダの概略図である。
【図１０】本発明の第３の実施例に於けるウェーハホルダの検知方法を示す概略説明図である。
【図１１】本発明の第３の実施例の変形例に於けるウェーハホルダの形状を示し、（Ａ）は上ウェーハホルダの概略図であり、（Ｂ）は下ウェーハホルダの概略図である。
【図１２】本発明の第３の実施例の変形例に於けるウェーハホルダの検知方法を示す概略説明図である。
【図１３】従来のパンケーキ型の基板処理装置を示す概略立断面図である。
【図１４】従来のプラネタリ型の基板処理装置を示す概略立断面図である。
【図１５】従来の基板処理装置を示す概略平断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。
【００１５】
先ず、図１に於いて、本発明の第１の実施例に於けるＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する基板処理装置１の一例について説明する。
【００１６】
該基板処理装置１は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筐体２を有する。前記基板処理装置１には、例えばＳｉＣ等で構成された基板としてのウェーハ３（図２参照）を収納する密閉式の基板収容器として、フープ（以下、ポッドと称す）４がウェーハキャリアとして使用される。前記筐体２の正面側には、ポッドステージ５が配置されており、該ポッドステージ５にポッド４が搬送される。ポッド４には、例えば図示しないウェーハホルダに個別に保持された状態で２５枚のウェーハ３が収納され、蓋が閉じられた状態で前記ポッドステージ５にセットされる。
【００１７】
前記筐体２内の正面であって、前記ポッドステージ５に対向する位置には、ポッド搬送装置６が配置されている。又、該ポッド搬送装置６の近傍にはポッド収納棚７、ポッドオープナ８及び基板枚数検知器９が配置されている。前記ポッド収納棚７は前記ポッドオープナ８の上方に配置され、ポッド４を複数個載置した状態で保持する様に構成されている。前記基板枚数検知器９は、前記ポッドオープナ８に隣接して配置され、前記ポッド搬送装置６は前記ポッドステージ５と前記ポッド収納棚７と前記ポッドオープナ８との間でポッド４を搬送する。前記ポッドオープナ８はポッド４の蓋を開けるものであり、前記基板枚数検知器９は蓋を開けられたポッド４内のウェーハ３の枚数を検知する様になっている。
【００１８】
前記筐体２内には、基板移載機１１、及び基板保持具としてのボート１２が配置されている。前記基板移載機１１は、アーム（ツイーザ）１３及びウェーハ３の有無を検知可能なファイバセンサ（図示せず）を有し、図示しない駆動手段により進退可能且つ昇降可能且つ回転可能な構造となっている。前記アーム１３は、例えば５枚のウェーハ３をウェーハホルダごと取出すことができ、前記アーム１３の進退、昇降、回転の協働により、前記ポッドオープナ８の位置に置かれたポッド４及びボート１２間にてウェーハ３を搬送する。
【００１９】
前記ボート１２は、例えばカーボングラファイトやＳｉＣ等の耐熱性材料で構成されており、複数枚のウェーハ３を水平姿勢で、且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて縦方向に積上げ、保持する様に構成されている。尚、前記ボート１２の下部には、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料で構成された円筒形状の断熱部材としてボート断熱部１４（図２参照）が配置されており、後述する被加熱体であるサセプタ１５からの熱が処理炉１６の下方側に伝わり難くなる様に構成されている（図２参照）。
【００２０】
前記筐体２内の背面側上部には前記処理炉１６が配置されている。該処理炉１６内に複数枚のウェーハ３を装填した前記ボート１２が搬入され、成膜処理が行われる。
【００２１】
次に、図２に於いて、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する前記基板処理装置１の前記処理炉１６について説明する。尚、少なくともＳｉ（シリコン）原子含有ガスとＣｌ（塩素）原子含有ガスとキャリアガスとを供給する第１のガス供給口１７を有する第１のガス供給ノズル１８、少なくともＣ（炭素）原子含有ガスとキャリアガスとを供給する第２のガス供給口１９を有する第２のガス供給ノズル２１、及び第１のガス排気ノズル２２が代表例としてそれぞれ１つずつ図示されている。又、不活性ガスを供給する第３のガス供給ノズル２３、第２のガス排気管である排気ダクト２４が図示されている。
【００２２】
前記処理炉１６は、円筒形状の反応管２５を備えている。該反応管２５は、石英又はＳｉＣ等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。該反応管２５の内側の筒中空部には、反応室２６が画成されており、Ｓｉ又はＳｉＣ等で構成された基板としてのウェーハ３を前記ボート１２によって水平姿勢で、且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて縦方向に積上げ、保持した状態で収納可能に構成されている。
【００２３】
前記反応管２５の下方には、該反応管２５と同心円状にマニホールド２７が配設されている。該マニホールド２７は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。該マニホールド２７は、前記反応管２５を支持する様に設けられ、前記マニホールド２７と前記反応管２５との間には、シール部材としてのＯリング（図示せず）が設けられている。前記マニホールド２７が図示しない保持体に支持されることにより、前記反応管２５は垂直に据付けられた状態になっている。該反応管２５と前記マニホールド２７により、反応容器が形成されている。
【００２４】
前記処理炉１６は、加熱される前記サセプタ１５及び磁場発生部としての誘電コイル２８を具備している。前記サセプタ１５は前記反応室２６内に配設され、前記誘電コイル２８は前記反応管２５の外側に設けられた支持柱２９に支持されている。該支持柱２９はヒータベース３１に立設され、アルミナやセラミック等の絶縁物質で構成されている。前記サセプタ１５は前記誘電コイル２８により発生される磁場によって加熱される様になっており、前記サセプタ１５が発熱することにより、前記反応室２６内が加熱される様になっている。
【００２５】
前記サセプタ１５の近傍には、前記反応室２６内の温度を検出する温度検出体として図示しない温度センサが設けられている。前記誘電コイル２８及び温度センサは、温度制御部３２（図３参照）と電気的に接続されており、温度センサにより検出された温度情報に基づき、前記誘電コイル２８への通電具合が調節されることで、前記反応室２６内の温度が所望の温度分布となる様、所定のタイミングにて制御される様構成されている。
【００２６】
尚、前記反応室２６内に於いて前記第１及び第２のガス供給ノズル１８，２１と前記第１のガス排気ノズル２２との間であって、前記サセプタ１５と前記ボート１２との間に、前記サセプタ１５と前記ボート１２との間の空間を埋める様構造物（図示せず）を設けることで、前記第１及び第２のガス供給ノズル１８，２１から供給されるガスが、前記サセプタ１５の内壁に沿ってウェーハ３を迂回するのを防止することができる。構造物としては、好ましくは断熱材若しくはカーボンフェルト等で構成すると、耐熱及びパーティクルの発生を抑制することができる。
【００２７】
前記反応管２５と前記サセプタ１５との間には、例えば誘電されにくいカーボンフェルト等で構成された断熱材３３が設けられ、該断熱材３３を設けることにより、前記サセプタ１５の熱が前記反応管２５或は該反応管２５の外側へ伝達するのを抑制することができる。
【００２８】
又、該反応管２５と前記誘電コイル２８との間には、石英製で有天筒状のライナチューブ３４が設けられ、前記ヒータベース３１の下方には前記マニホールド２７の周囲を囲む様にスカベンジャ３５が設けられ、前記ライナチューブ３４と前記スカベンジャ３５によって、前記反応室２６から外部にＨ2 等のキャリアガスが漏洩し、爆発が発生するのを防止する様になっている。尚、前記反応管２５と前記ライナチューブ３４との間の空間と、前記スカベンジャ３５と前記マニホールド２７との間の空間は、前記ヒータベース３１を境として同一雰囲気化されている。
【００２９】
前記反応管２５と前記ライナチューブ３４との間の空間には、該ライナチューブ３４を貫通し、上方に延出する前記第３のガス供給ノズル２３が設けられている。又、前記ヒータベース３１に前記排気ダクト２４が接続され、前記反応管２５と前記ライナチューブ３４との間の空間及び前記スカベンジャ３５の内部は、前記ヒータベース３１に形成された図示しない穴を介して前記排気ダクト２４に連通し、該排気ダクト２４を介して排気できる様になっている。該排気ダクト２４にはガス検知器３６が設けられ、該ガス検知器３６がＯ2 やＨ2 の漏洩を検知することで、大気混合による爆発を未然に防止できる様になっている。
【００３０】
又、前記誘電コイル２８の外側には、前記反応室２６内の熱が外側に伝達するのを抑制する為の、例えば水冷構造である外側断熱壁３７が前記反応室２６を囲む様に設けられている。更に、前記外側断熱壁３７の外側には、前記誘電コイル２８により発生された磁場が外側に漏れるのを防止する磁気シール３８が設けられている。
【００３１】
図２に示す様に、前記サセプタ１５とウェーハ３との間には、少なくともＳｉ（シリコン）原子含有ガスと、Ｃｌ（塩素）原子含有ガス、及びＨ2 等のキャリアガスとを供給し、前記第１のガス供給ノズル１８に少なくとも１つ設けられる前記第１のガス供給口１７が設置され、又前記第１のガス供給ノズル１８とは異なる箇所には、Ｃ（炭素）原子含有ガスとＨ2 等のキャリアガスとを供給し前記第２のガス供給ノズル２１に少なくとも１つ設けられる前記第２のガス供給口１９及び第１のガス排気ノズル２２が配置され、又前記反応管２５と前記ライナチューブ３４との間に、前記第３のガス供給ノズル２３が配置されている。
【００３２】
前記第１のガス供給口１７は、例えばカーボングラファイトで構成され、前記反応室２６内に設けられ、又前記第１のガス供給ノズル１８は、前記マニホールド２７を貫通する様該マニホールド２７に取付けられている。前記第１のガス供給口１７は、少なくともＣｌ（塩素）原子含有ガスを含むＳｉ（シリコン）原子含有ガスとして、例えばテトラクロルシラン（以下ＳｉＣｌ4 とする）と、キャリアガスとして、例えば水素（以下Ｈ2 とする）ガスとを前記第１のガス供給ノズル１８に流通させて前記反応室２６内に供給する様になっている。尚、前記第１のガス供給ノズル１８は複数本設けてもよく、Ｓｉ（シリコン）原子含有ガスとＣｌ（塩素）原子含有ガスを、プロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）と塩化水素（ＨＣｌ）の様に別のガスとして供給してもよい。
【００３３】
該第１のガス供給ノズル１８は、第１のガスライン３９に接続されている。該第１のガスライン３９は、例えばガス配管４１ａ，４１ｂに接続され、該ガス配管４１ａ，４１ｂはそれぞれＨ2 ガス、ＳｉＣｌ4 ガスに対する流量制御器（流量制御手段）としてのマスフローコントローラ（以下ＭＦＣとする）４２ａ，４２ｂ及びバルブ４３ａ，４３ｂを介して、例えばＨ2 ガス供給源４４ａ、ＳｉＣｌ4 ガス供給源４４ｂに接続されている。
【００３４】
上記構成により、例えばＨ2 ガス、ＳｉＣｌ4 ガスのそれぞれの供給流量、濃度、分圧を前記反応室２６内に於いて制御することができる。前記バルブ４３ａ，４３ｂ、前記ＭＦＣ４２ａ，４２ｂは、ガス流量制御部４５（図３参照）に電気的に接続されており、それぞれ供給するガスの流量が所定流量となる様に、所定のタイミングにて制御される様になっている。尚、Ｈ2 ガス、ＳｉＣｌ4 ガスそれぞれの前記ガス供給源４４ａ，４４ｂ、前記バルブ４３ａ，４３ｂ、前記ＭＦＣ４２ａ，４２ｂ、前記ガス配管４１ａ，４１ｂ、前記第１のガスライン３９、前記第１のガス供給ノズル１８及び該第１のガス供給ノズル１８に少なくとも１つ設けられる前記第１のガス供給口１７により、ガス供給系として第１のガス供給系が構成される。
【００３５】
尚、Ｃｌ（塩素）原子含有ガスを含むＳｉ（シリコン）原子含有ガスとして、ＳｉＣｌ4 ガスを供給したが、例えばトリクロロシラン（以下ＳｉＨＣｌ3 とする）ガス、ジクロロシラン（以下ＳｉＨ2 Ｃｌ2 とする）ガスを供給してもよい。
【００３６】
前記第２のガス供給口１９は、例えばカーボングラファイトで構成され、前記反応室２６内に設けられ、前記第２のガス供給ノズル２１は前記マニホールド２７を貫通する様に、該マニホールド２７に取付けられている。前記第２のガス供給口１９は、少なくともキャリアガスとして、例えば水素（Ｈ原子単体、若しくはＨ2 分子。以下Ｈ2 とする）と、Ｃ（炭素）原子含有ガスとして、例えばプロパン（以下Ｃ3 Ｈ8 とする）ガスとを前記第２のガス供給ノズル２１に流通させて前記反応室２６内に供給する様になっている。尚、前記第２のガス供給ノズル２１は複数本設けてもよい。
【００３７】
該第２のガス供給ノズル２１は、第２のガスライン４６に接続されている。該第２のガスライン４６は、例えばガス配管４１ｃ，４１ｄと接続され、該ガス配管４１ｃ，４１ｄはそれぞれ、キャリアガスとして、例えばＨ2 ガスに対して流量制御手段としてのＭＦＣ４２ｃ及びバルブ４３ｃを介してＨ2 ガス供給源４４ｃに接続され、Ｃ（炭素）原子含有ガスとして、例えばＣ3 Ｈ8 ガスに対して流量制御手段としてのＭＦＣ４２ｄ及びバルブ４３ｄを介してＣ3 Ｈ8 ガス供給源４４ｄに接続されている。
【００３８】
上記構成により、例えばＨ2 ガス、Ｃ3 Ｈ8 ガスの供給流量、濃度、分圧を前記反応室２６内に於いて制御することができる。前記バルブ４３ｃ，４３ｄ、前記ＭＦＣ４２ｃ，４２ｄは前記ガス流量制御部４５（図３参照）に電気的に接続されており、供給するガス流量が所定の流量となる様、所定のタイミングにて制御される様になっている。尚、Ｈ2 ガス、Ｃ3 Ｈ8 ガスそれぞれの前記ガス供給源４４ｃ，４４ｄ、前記バルブ４３ｃ，４３ｄ、前記ＭＦＣ４２ｃ，４２ｄ、前記ガス配管４１ｃ，４１ｄ、前記第２のガスライン４６、前記第２のガス供給ノズル２１、前記第２のガス供給口１９により、ガス供給系として第２のガス供給系が構成される。
【００３９】
又、前記第１のガス排気ノズル２２が、前記第１のガス供給ノズル１８及び前記第２のガス供給ノズル２１の位置に対して対向する様に配置され、前記マニホールド２７には、前記第１のガス排気ノズル２２に接続されたガス排気管４７が貫通する様設けられている。該ガス排気管４７の下流側には、図示しない圧力検出器としての圧力センサ及び、圧力調整器としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ４８を介して真空ポンプ等の真空排気装置４９が接続されている。圧力センサ及び前記ＡＰＣバルブ４８には、圧力制御部５１（図３参照）が電気的に接続されており、該圧力制御部５１は圧力センサにより検出された圧力に基づいて前記ＡＰＣバルブ４８の開度を調整し、前記処理炉１６内の圧力が所定の圧力となる様、所定のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００４０】
前記処理炉１６の下方には、該処理炉１６の下端開口を気密に閉塞する為の炉口蓋体としてシールキャップ５２が設けられている。該シールキャップ５２は、例えばステンレス等の金属製であり、円盤状に形成されている。該シールキャップ５２の上面には、前記処理炉１６の下端と当接するシール材としてのＯリング（図示せず）が設けられている。前記シールキャップ５２には回転機構５３が設けられ、該回転機構５３の回転軸５４は前記シールキャップ５２を貫通して前記ボート１２に接続されており、該ボート１２を回転させることでウェーハ３を回転させる様に構成されている。
【００４１】
又、前記シールキャップ５２は前記処理炉１６の外側に設けられた昇降機構として、昇降モータ（図示せず）によって垂直方向に昇降される様に構成されており、該昇降モータにより前記ボート１２を前記処理炉１６に対して搬入搬出することが可能となっている。前記回転機構５３及び前記昇降モータには、駆動制御部５５（図３参照）が電気的に接続されており、所定の動作をする様、所定のタイミングにて制御する様構成されている。
【００４２】
尚、上述ではＣ（炭素）原子含有ガスとしてＣ3 Ｈ8 ガスを例示したが、エチレン（以下Ｃ2 Ｈ4 とする）ガス、アセチレン（以下Ｃ2 Ｈ2 とする）ガスを用いてもよい。
【００４３】
又、上述ではキャリアガスとしてＨ2 ガスを例示したが、これに限らずＨ（水素）原子含有ガス、Ａｒ（アルゴン）ガス、Ｈｅ（ヘリウム）ガス、Ｎｅ（ネオン）ガス、Ｋｒ（クリプトン）ガス、Ｘｅ（キセノン）ガス等の希ガスのうち少なくとも１つを用いてもよいし、上記したガスを組合わせた混合ガスを用いてもよい。
【００４４】
次に、図３に於いて、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する前記基板処理装置１を構成する各部の制御構成について説明する。
【００４５】
前記温度制御部３２、前記ガス流量制御部４５、前記圧力制御部５１、前記駆動制御部５５は、操作部及び入出力部を構成し、前記基板処理装置１全体を制御する主制御部５６に電気的に接続されている。又、前記温度制御部３２、前記ガス流量制御部４５、前記圧力制御部５１、前記駆動制御部５５は、コントローラ５７として構成されている。
【００４６】
次に、上述した前記基板処理装置１を用い、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＳｉＣ等で構成されるウェーハ３等の基板上に、例えばＳｉＣ膜を形成する方法について説明する。尚、以下の説明に於いて前記基板処理装置１を構成する各部の動作は、前記コントローラ５７により制御される。
【００４７】
先ず、前記ポッドステージ５に複数枚のウェーハ３を収納したポッド４がセットされると、前記ポッド搬送装置６により前記ポッド４を前記ポッドステージ５から前記ポッド収納棚７へ搬送し、ストックする。次に、前記ポッド搬送装置６により、前記ポッド収納棚７にストックされた前記ポッド４を前記ポッドオープナ８に搬送してセットし、該ポッドオープナ８により前記ポッド４の蓋を開き、前記基板枚数検知器９により前記ポッド４に収納されているウェーハ３の枚数を検知する。
【００４８】
次に、前記基板移載機１１により、前記ポッドオープナ８の位置にある前記ポッド４からウェーハホルダ（後述）に保持された状態でウェーハ３を取出し、前記ボート１２に移載する。この時、前記基板移載機１１に設けられたファイバセンサ（後述）により、前記アーム１３にウェーハ３が保持されているかどうかが確認される。尚、ウェーハ３は前記ウェーハホルダと一体に搬送処理されるが、該ウェーハホルダを含めて、以下ウェーハと称す。
【００４９】
複数枚のウェーハ３が前記ボート１２に装填されると、ウェーハ３を保持した前記ボート１２は、昇降モータ（図示せず）により前記反応室２６内に搬入（ボートローディング）される。この状態では、前記シールキャップ５２はＯリング（図示せず）を介して前記マニホールド２７の下端をシールした状態となる。
【００５０】
前記ボート１２搬入後、前記反応室２６内が所定の圧力（真空度）となる様に、前記真空排気装置４９によって真空排気される。この時、前記反応室２６内の圧力は、圧力センサ（図示せず）によって測定され、測定された圧力に基づき前記第１のガス排気ノズル２２に連通するＡＰＣバルブ４８がフィードバック制御される。又、ウェーハ３及び前記反応室２６内が所定の温度となる様、前記サセプタ１５が加熱される。この時、前記反応室２６内が所定の温度分布となる様、温度センサ（図示せず）が検出した温度情報に基づき前記誘電コイル２８への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記回転機構５３により、前記ボート１２が回転されることで、ウェーハ３が周方向に回転される。
【００５１】
続いて、ＳｉＣエピタキシャル成長反応に寄与するＳｉＣｌ4 ガスが、前記ＳｉＣｌ4 ガス供給源４４ｂから供給され、前記第１のガス供給口１７より前記反応室２６内に噴出される。又、Ｈ2 ガス及びＣ3 Ｈ8 ガスが、所定の流量となる様に対応する前記ＭＦＣ４２ｃ，４２ｄの開度が調整された後、前記バルブ４３ｃ，４３ｄが開かれ、それぞれのガスが前記第２のガスライン４６に流通し、前記第２のガス供給ノズル２１に流通して前記第２のガス供給口１９より前記反応室２６内に導入される。
【００５２】
前記第１のガス供給口１７及び前記第２のガス供給口１９より供給されたガスは、前記反応室２６内の前記サセプタ１５の内側を通り、前記第１のガス排気ノズル２２から前記ガス排気管４７を通って排気される。前記第１のガス供給口１７及び前記第２のガス供給口１９より供給されたガスは、前記反応室２６内を通過する際に、ＳｉＣ等で構成されるウェーハ３と接触し、ウェーハ３表面上にＳｉＣエピタキシャル膜成長がなされる。
【００５３】
予め設定された時間が経過すると、上述したガスの供給が停止され、図示しない不活性ガス供給源より不活性ガスが供給され、前記反応室２６内の前記サセプタ１５の内側の空間が不活性ガスで置換されると共に、前記反応室２６内の圧力が常圧に復帰される。
【００５４】
その後、昇降モータにより前記シールキャップ５２が下降され、前記マニホールド２７の下端が開口されると共に、処理済みのウェーハ３が前記ボート１２に保持された状態で前記マニホールド２７の下端から前記反応管２５の外部に搬出（ボートアンローディング）され、前記ボート１２に保持されたウェーハ３が冷える迄、前記ボート１２を所定位置にて待機させる。待機させた該ボート１２のウェーハ３が所定温度迄冷却されると、前記基板移載機１１により、前記ボート１２からウェーハ３を取出し、ファイバセンサによってウェーハの有無が確認された後、前記ポッドオープナ８にセットされている空のポッド４に搬送して収納する。その後、ポッド搬送装置６によりウェーハ３が収納された前記ポッド４を前記ポッド収納棚７、又は前記ポッドステージ５に搬送する。この様にして、前記基板処理装置１の一連の作動が完了する。
【００５５】
次に、図４〜図６に於いて、前記基板移載機１１によるウェーハ３移載時に於けるウェーハ３の検知について説明する。
【００５６】
前記基板移載機１１は複数（図示では５つ）の前記アーム１３を有し、該アーム１３は先端にウェーハ３を保持するウェーハホルダ５８を保持できる様になっており、ウェーハホルダ保持部の近傍（図４中では前記アーム１３の根本側）には第１のファイバセンサ５９が設けられている。
【００５７】
図５に示される様に、前記ウェーハホルダ５８は下ウェーハホルダ６１と上ウェーハホルダ６２とで構成され、少なくとも一方はカーボングラファイト等の耐熱性を有し、且つ不透明材質或は低光透過率の材質によって形成されている。前記下ウェーハホルダ６１はリング形状であり、中央にウェーハ３と略同径のウェーハ保持部６３が形成される様内周部が欠切されている。又、前記上ウェーハホルダ６２は前記下ウェーハホルダ６１と同径の円板形状の部材であり、中央に前記ウェーハ保持部６３と略同径で該ウェーハ保持部６３の深さよりも少なくともウェーハ３の板厚分低い高さの円板状の凸部６４が形成され、前記ウェーハ保持部６３にウェーハ３を載置し、前記凸部６４を前記ウェーハ保持部６３と嵌合させて前記上ウェーハホルダ６２を前記下ウェーハホルダ６１と合体させることで、ウェーハ３が前記ウェーハホルダ５８によって保持される。
【００５８】
尚、ウェーハ３は前記ウェーハホルダ５８によって保持された状態で成膜処理が行われるので、前記下ウェーハホルダ６１の下面より露出した部分が成膜面となり、該成膜面に所定の膜厚のＳｉＣエピタキシャル膜が成膜される様になっている。又、前記上ウェーハホルダ６２によって前記下ウェーハホルダ６１の上面開口を覆うので、ウェーハ３の成膜面の反対面に対してパーティクルが落下するのを防止できる様になっている。
【００５９】
前記第１のファイバセンサ５９は、第１の投光部６５と第１の受光部６６から構成され、前記アーム１３に前記ウェーハホルダ５８が保持された際に、前記第１の投光部６５と前記第１の受光部６６とで前記ウェーハホルダ５８を上下に挾込む位置に設けられ、前記第１の投光部６５から前記第１の受光部６６に対してファイバ光が投光される。従って、前記ウェーハホルダ５８は前記第１の投光部６５と前記第１の受光部６６の光路を遮断する様な配置となる。
【００６０】
前記基板移載機１１による前記ポッド４から前記ボート１２への未処理ウェーハ３の移載、及び前記ボート１２からポッド４への処理済ウェーハ３の移載時には、前記第１の投光部６５から投光されたファイバ光を前記第１の受光部６６が受光できるかどうかでウェーハ３の有無が判断される。
【００６１】
前記第１の受光部６６がファイバ光を受光できない、即ち前記第１の投光部６５から投光されたファイバ光が前記ウェーハホルダ５８によって遮られている場合には、ウェーハ３が前記アーム１３に正常に保持されていると判断され、処理が続行される。
【００６２】
又、前記第１の受光部６６がファイバ光を受光した、即ち前記第１の投光部６５から投光されたファイバ光が前記ウェーハホルダ５８によって遮られていない場合には、ウェーハ３が前記アーム１３に保持されていないと判断され、処理を中断し、前記基板処理装置１が停止される。
【００６３】
上述の様に、前記基板移載機１１がウェーハ３を移載する工程に於いて、前記第１のファイバセンサ５９によりウェーハ３ではなく、ウェーハ３を保持する不透明材質の前記ウェーハホルダ５８の有無を検知する様にしたので、ウェーハ３にＳｉＣ等の光透過率の高い材質を用いる場合であっても、ファイバ光が前記ウェーハホルダ５８を透過することがなく、ウェーハ３の有無を誤検知することがない。
【００６４】
従って、前記ウェーハホルダ５８が前記アーム１３に正常に保持されているにも拘らず、保持していないと誤検知され、誤動作により処理を中断して前記アーム１３のチェックを行うという様なスループットの低下を防止することができる。
【００６５】
尚、第１の実施例では前記ウェーハホルダ５８をカーボングラファイト製としているが、該ウェーハホルダ５８の材質はウェーハ３よりも光透過率の低いものであれば他の材質のものであっても同様の効果を得ることができる。
【００６６】
又、ＳｉＣウェーハ３に対するエピタキシャル膜の成膜をバッチ式の基板処理装置によって行う様にしたので、従来のパンケーキ型やプラネタリ型の基板処理装置よりも前記反応室２６の床面積を縮小することができる。
【００６７】
図７は第１の実施例の変形例を示しており、第１の実施例に於ける前記第１のファイバセンサ５９の、前記第１の投光部６５と前記第１の受光部６６の何れか一方（図７中では前記第１の投光部６５）を、前記ウェーハホルダ５８の側面側に配置している。
【００６８】
上記変形例では、各アーム１３間のピッチは、前記第１の投光部６５と前記第１の受光部６６の何れか一方を設けるだけのスペースがあればよいので、前記第１のファイバセンサ５９の占有スペースを縮小でき、前記アーム１３間のピッチを縮小することができる。
【００６９】
更に、上側のアーム１３の第１の受光部６６と下側のアーム１３の第１の投光部６５の距離を離すことができるので、前記第１のファイバセンサ５９同士の誤動作を防止することができる。尚、上記した第１の実施例では、前記下ウェーハホルダ６１と前記上ウェーハホルダ６２のうち、何れか一方が不透明であれば前記ウェーハホルダ５８の検知が可能であり、変形例では、少なくとも前記下ウェーハホルダ６１が不透明であれば前記ウェーハホルダ５８の検知が可能である。
【００７０】
次に、図８に於いて、本発明の第２の実施例について説明する。尚、図８中、図６中と同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。
【００７１】
第２の実施例では、第１の実施例に対して更に第２のファイバセンサ７３を設けたものである。又、ウェーハホルダ５８のウェーハ３を保持していない部分、即ち下ウェーハホルダ６１のウェーハ保持部６３（図５参照）よりも外側に、上下に貫通する第２の貫通孔である下貫通孔６７が穿設され、上ウェーハホルダ６２の凸部６４（図５参照）の外側で前記下貫通孔６７と合致する位置に、上下に貫通する第３の貫通孔である上貫通孔６８が穿設され、前記下貫通孔６７と前記上貫通孔６８とで前記ウェーハホルダ５８を上下に貫通する第１の貫通孔である貫通孔６９を構成している。
【００７２】
前記貫通孔６９の近傍には第２の投光部７１と第２の受光部７２からなる第２のファイバセンサ７３が設けられ、前記第２の投光部７１と前記第２の受光部７２とで前記貫通孔６９を上下に挾込み、該貫通孔６９を介して前記第２の投光部７１から投光されるファイバ光が前記第２の受光部７２によって受光される様になっている。
【００７３】
前記ウェーハホルダ５８は、前記下ウェーハホルダ６１と前記上ウェーハホルダ６２の２分割構成となっている為、基板移載機１１（図１参照）での移載時に前記上ウェーハホルダ６２がずれることがある。
【００７４】
該上ウェーハホルダ６２がずれると、前記下貫通孔６７と前記上貫通孔６８の位置がずれるので、前記第２の受光部７２によって受光されていたファイバ光が遮断され、前記ウェーハホルダ５８のずれを検知でき、正常に保持されていないウェーハ３に対して成膜を行うことによる不具合を防止することができる。
【００７５】
又、前記上ウェーハホルダ６２ではなく、前記ウェーハホルダ５８全体がずれた場合でも、前記第２の受光部７２によって受光されるファイバ光が遮断され、異常が検知される。
【００７６】
尚、前記下貫通孔６７と前記上貫通孔６８に、それぞれ石英等の光の透過性が高い部材を埋込んでもよい。その場合、前記下貫通孔６７と前記上貫通孔６８を塞ぐことができる為ガスの流れ具合や熱の伝導具合を、前記下ウェーハホルダ６１の前記下貫通孔６７が穿設されていない箇所と同様にすることができ、ウェーハ３の処理に於ける均一性、特にウェーハ３の面内膜厚均一性を向上させることができる。
【００７７】
又、前記第２のファイバセンサ７３は、前記ウェーハホルダ５８全体のずれを検知することができるので、前記下ウェーハホルダ６１と前記上ウェーハホルダ６２の２分割構造ではないウェーハホルダに対しても適用可能である。
【００７８】
尚、ウェーハ３の有無ではなく、前記上ウェーハホルダ６２のずれのみを検知したい場合には、第１のファイバセンサ５９を省略し、前記第２のファイバセンサ７３のみを設けてもよい。
【００７９】
次に、図９、図１０に於いて、本発明の第３の実施例について説明する。尚、図９、図１０中、図５、図６中と同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。
【００８０】
第３の実施例では、下ウェーハホルダ６１の周縁部に欠切部７４を形成し、上ウェーハホルダ６２の周縁部に前記欠切部７４と係合可能な突出し部７５を形成している。
【００８１】
ウェーハ３をウェーハホルダ５８に保持する際には、前記下ウェーハホルダ６１のウェーハ保持部６３にウェーハ３を載置し、前記上ウェーハホルダ６２の凸部６４が前記ウェーハ保持部６３と嵌合し、前記突出し部７５が前記欠切部７４に係合されることで前記上ウェーハホルダ６２が前記下ウェーハホルダ６１と合体する。
【００８２】
又、前記欠切部７４及び前記突出し部７５の近傍には、第３の投光部７６と第３の受光部７７からなる第３のファイバセンサ７８が設けられている。前記第３の投光部７６と前記第３の受光部７７の何れか一方（図１０中では前記第３の投光部７６）が前記ウェーハホルダ５８の側面側に配置され、前記第３の投光部７６から投光されたファイバ光が前記欠切部７４を通過して前記第３の受光部７７に受光される様になっており、前記上ウェーハホルダ６２が前記下ウェーハホルダ６１上に正常に載置されている場合には、前記第３の投光部７６から投光されるファイバ光が前記突出し部７５によって遮断される様になっている。
【００８３】
基板移載機１１（図１参照）によるウェーハ３の移載時に於いて、前記突出し部７５が前記下ウェーハホルダ６１上に乗上げる等の位置ずれが発生した場合には、前記第３の投光部７６から投光されるファイバ光が前記欠切部７４を通過して前記第３の受光部７７に受光されるので、前記上ウェーハホルダ６２の位置ずれが検知できる。
【００８４】
又、第３の実施例の前記第３のファイバセンサ７８は、正常時には前記第３の投光部７６から投光されるファイバ光が遮断され、異常時には前記第３の投光部７６から投光されるファイバ光が前記第３の受光部７７に受光される様構成したので、前記第３のファイバセンサ７８はウェーハ３の有無も検知でき、第１のファイバセンサ５９を省略することができる。
【００８５】
又、前記下ウェーハホルダ６１と前記上ウェーハホルダ６２は、前記欠切部７４と前記突出し部７５が係合するので、意図しない回転ずれを防止することができ、更に係合の際に前記上ウェーハホルダ６２が位置決めされることで、再現性の高い成膜処理が可能となる。
【００８６】
又、前記欠切部７４と前記突出し部７５を係合させた際に、該突出し部７５の下端と前記下ウェーハホルダ６１の下面とを同一平面上になる様にすることで、ガスの流れ具合や熱の伝導具合を、前記下ウェーハホルダ６１の前記欠切部７４が形成されていない箇所と同様とすることができ、ウェーハ３の処理均一性、特にウェーハ３の面内膜厚均一性を向上させることができる。
【００８７】
更に、第３の実施例では、前記第３の投光部７６と前記第３の受光部７７の何れか一方を前記ウェーハホルダ５８の側面に配置する様にしたので、前記第１のファイバセンサ５９を第１の実施例の変形例と同様、第１の投光部６５と第１の受光部６６の何れか一方を前記ウェーハホルダ５８の側面に配置することで、前記第１のファイバセンサ５９の占有スペースを縮小でき、アーム１３間（図４参照）のピッチを縮小することができる。
【００８８】
図１１、図１２は第３の実施例の変形例を示しており、該変形例では前記下ウェーハホルダ６１の周縁部に、前記欠切部７４に代えて該下ウェーハホルダ６１を上下に貫通する貫通孔７９を穿設し、上ウェーハホルダ６２の周縁部に、前記突出し部７５に代えて前記貫通孔７９に嵌入可能な棒状の突起部８１を形成すると共に、該突起部８１の周辺に欠切部８２を形成し、ウェーハ３保持時には前記突起部８１が前記貫通孔７９に嵌入される。
【００８９】
又、前記第３のファイバセンサ７８は、前記第３の投光部７６と前記第３の受光部７７が前記貫通孔７９を上下に挾む様に設けられ、前記第３の投光部７６から投光されるファイバ光が前記貫通孔７９を通って前記第３の受光部７７に受光される様になっている。前記上ウェーハホルダ６２が前記下ウェーハホルダ６１と正常に合体している場合には、前記第３の投光部７６から投光されるファイバ光が前記上ウェーハホルダ６２によって遮断され、前記上ウェーハホルダ６２が位置ずれを起した場合には、前記第３の投光部７６から投光されるファイバ光が前記欠切部８２を通って前記第３の受光部７７に受光される。
【００９０】
上記変形例も、第３の実施例と同様、前記第３の投光部７６から投光されるファイバ光を前記第３の受光部７７が受光することで、前記上ウェーハホルダ６２の位置ずれを検知するので、前記アーム１３に保持される前記ウェーハホルダ５８の有無も検知でき、前記第１のファイバセンサ５９を省略することができる。
【００９１】
又、前記突起部８１が前記貫通孔７９に嵌入されることで、前記下ウェーハホルダ６１と前記上ウェーハホルダ６２の合体位置が決ると共に、意図しない回転ずれが防止されるので、再現性の高い処理が可能となる。
【００９２】
更に、前記欠切部７４を前記貫通孔７９に代えたことで、前記下ウェーハホルダ６１の下面開口の面積を小さくできるので、ガスの流れ具合等をより均一にすることができる。
【００９３】
尚、第１の実施例〜第３の実施例では、前記ウェーハホルダ５８をカーボングラファイト製としているが、ウェーハ３よりも光の透過率が低い材質であれば他の材質であってもカーボングラファイト製の前記ウェーハホルダ５８と同様の効果を得ることができる。又、前記ウェーハホルダ５８を上下の二つの部材で構成しているが、上下のウェーハホルダを一体的に構成してあってもよい。
【００９４】
又、第１の実施例〜第３の実施例では、ＳｉＣ製のウェーハ３を用いた処理について説明しているが、ウェーハ３はＳｉ製等他の材質のものであってもよい。
【００９５】
更に、第１の実施例〜第３の実施例ではバッチ式の縦型基板処理装置について説明しているが、例えば枚葉式の基板処理装置等、ウェーハ３を自動的に移載する工程を有する基板処理装置であれば適用可能であるのは言う迄もない。
【００９６】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００９７】
（付記１）基板を処理する反応室と、基板が載置された基板ホルダを保持すると共に基板処理中前記反応室内に配置される基板保持具と、基板が前記基板ホルダに載置された状態で該基板ホルダの搬送を行う基板移載機とを具備し、該基板移載機は前記基板ホルダを保持するアームと、光を投光する第１の投光部と該第１の投光部から投光された光を受光する第１の受光部を有する第１のファイバセンサとを有し、該第１のファイバセンサは前記アームが正常に前記基板ホルダを保持している場合に、前記第１の投光部と前記第１の受光部との間に前記基板ホルダが位置する様に配置されることを特徴とする基板処理装置。
【００９８】
（付記２）前記基板ホルダは、前記第１の投光部から投光される光の透過率が基板よりも低い付記１の基板処理装置。
【００９９】
（付記３）前記基板移載機は、上下方向に並んだ複数のアームを有し、前記第１のファイバセンサは前記複数のアームのそれぞれに対応して複数設けられ、前記第１の投光部と前記第１の受光部の何れか一方は対応する前記基板ホルダの側面に位置する様に配置され、他方は前記基板ホルダの下方に位置する様に配置される付記２の基板処理装置。
【０１００】
（付記４）第２の投光部と該第２の投光部から投光された光を受光する第２の受光部とを有する第２のファイバセンサを更に具備し、該第２のファイバセンサは、前記アームが正常に前記基板ホルダを保持している場合に、前記第２の投光部と前記第２の受光部との間に前記基板ホルダに穿設された第１の貫通孔が位置する様に配置された付記１の基板処理装置。
【０１０１】
（付記５）前記基板ホルダは、基板を保持すると共に第２の貫通孔が穿設された下基板ホルダと、該下基板ホルダに支持され基板の裏面を覆うと共に第３の貫通孔を穿設された上基板ホルダとを有し、前記下基板ホルダと前記上基板ホルダが組合わされた際に、前記第２の貫通孔と前記第３の貫通孔により前記第１の貫通孔が構成される付記４の基板処理装置。
【０１０２】
（付記６）前記第１の貫通孔は、前記第２の投光部から投光される光の透過率が前記基板ホルダよりも高い部材で埋められている付記４又は付記５の基板処理装置。
【０１０３】
（付記７）第３の投光部と該第３の投光部から投光された光を受光する第３の受光部とを有する第３のファイバセンサを更に具備し、前記基板ホルダは基板を保持する下基板ホルダと、該下基板ホルダに支持され基板の裏面を覆う上基板ホルダとを有し、前記下基板ホルダに欠切部が形成され、前記第３のファイバセンサは、前記アームが正常に前記基板ホルダを保持している場合に、前記第３の投光部と前記第３の受光部との間に前記欠切部及び前記上基板ホルダが位置する様に配置される付記１の基板処理装置。
【０１０４】
（付記８）前記上基板ホルダは、前記欠切部と係合する突出し部が形成された付記７の基板処理装置。
【０１０５】
（付記９）前記欠切部は、前記下基板ホルダの周縁部に形成され、前記突出し部は前記上基板ホルダの周縁部に形成され、前記第３の投光部と前記第３の受光部の何れか一方は前記突出し部の側面に配置され、他方は前記下基板ホルダの下方に配置される付記８の基板処理装置。
【０１０６】
（付記１０）前記欠切部は、前記下基板ホルダに穿設された貫通孔であり、前記突出し部は前記貫通孔に嵌入可能な棒状の突起部である付記７の基板処理装置。
【０１０７】
（付記１１）処理される基板が保持された基板ホルダを搬送する為に該基板ホルダを保持するアームと、光を投光する第１の投光部及び該第１の投光部から投光された光を受光する第１の受光部とを有する第１のファイバセンサとを有し、該第１のファイバセンサは、前記アームが正常に前記基板ホルダを取出した場合に、前記第１の投光部と前記第１の受光部との間に前記基板ホルダが位置する様に配置されることを特徴とする基板移載機。
【０１０８】
（付記１２）処理される基板が保持された基板ホルダを基板移載機のアームで保持し、搬送する搬送工程と、前記基板ホルダに基板が保持された状態で基板を処理する処理工程と、前記搬送工程時に、前記基板ホルダが前記アームに正常に保持されているかを前記基板ホルダを通過する光を受光できるか否かによって判断する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１０９】
（付記１３）処理される基板が保持された基板ホルダを基板移載機のアームで保持し、搬送する搬送工程と、前記基板ホルダに基板が保持された状態で基板を処理する処理工程と、前記搬送工程時に、前記基板ホルダが前記アームに正常に保持されているかを前記基板ホルダを通過する光を受光できるか否かによって判断する工程とを有することを特徴とする基板製造方法。
【符号の説明】
【０１１０】
１              基板処理装置
３              ウェーハ
１１            基板移載機
１３            アーム
２６            反応室
５８            ウェーハホルダ
５９            第１のファイバセンサ
６１            下ウェーハホルダ
６２            上ウェーハホルダ
６５            第１の投光部
６６            第１の受光部
６７            下貫通孔
６８            上貫通孔
６９            貫通孔
７１            第２の投光部
７２            第２の受光部
７３            第２のファイバセンサ
７４            欠切部
７５            突出し部
７６            第３の投光部
７７            第３の受光部
７８            第３のファイバセンサ
７９            貫通孔
８１            突起部
【図１】
2012044060.tif 000003
【図２】
2012044060.tif 000004
【図３】
2012044060.tif 000005
【図４】
2012044060.tif 000006
【図５】
2012044060.tif 000007
【図６】
2012044060.tif 000008
【図７】
2012044060.tif 000009
【図８】
2012044060.tif 000010
【図９】
2012044060.tif 000011
【図１０】
2012044060.tif 000012
【図１１】
2012044060.tif 000013
【図１２】
2012044060.tif 000014
【図１３】
2012044060.tif 000015
【図１４】
2012044060.tif 000016
【図１５】
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