(57)【要約】【課題】基板に形成されたレジストを除去する際のレジストの残渣の発生を抑える一方で、基板を洗浄する際の洗浄能力の低下を図る。【解決手段】被噴射体噴射装置は、回転軸４１を有し、回転軸４１の回転によって基板を回転させるスピンナー４０と、基板に相対する位置であってスピンナー４０の回転軸４１からずれて配置され、被噴射体を噴射するノズル２４及びノズル２５と、を備え、スピンナー４０の回転軸４１の方向に見て、ノズル２４の噴射口２４Ａがスピンナー４０の回転軸４１が回転する向きと向き合っており、ノズル２５の噴射口２５Ａが第一ノズル２４の噴射口２４Ａの向きとは逆向きである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸を有し、該回転軸の回転によって基板を回転させるスピンナーと、
前記基板に相対する位置であって前記スピンナーの回転軸からずれて配置され、被噴射体を噴射する第一ノズル及び第二ノズルと、を備え、
前記スピンナーの前記回転軸の方向に見て、前記第一ノズルの噴射口が前記スピンナーの前記回転軸が回転する向きと向き合っており、前記第二ノズルの噴射口が前記第一ノズルの噴射口の向きとは逆向きであることを特徴とする被噴射体噴射装置。
【請求項２】
前記スピンナーの前記回転軸の方向に見て、前記第一ノズル及び前記第二ノズルが前記スピンナーの前記回転軸を中心とした同一円周上に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の被噴射体噴射装置。
【請求項３】
前記基板に相対する位置であって前記スピンナーの回転軸からずれて配置された第三ノズルをさらに備え、
前記第三ノズルは前記第一ノズルよりも前記スピンナーの前記回転軸に対してより近くに配置されるとともに前記ウエハからより離れて配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の被噴射体噴射装置。
【請求項４】
前記第一のノズルは前記第三ノズルよりも噴射圧力がより高く、且つ噴射流量がより多いことを特徴とする請求項３に記載の被噴射体噴射装置。
【請求項５】
前記第一ノズル、前記第二ノズル及び前記第三ノズルに前記被噴射体としての剥離液を供給する剥離液供給装置と、
前記第一ノズル、前記第二ノズル及び前記第三ノズルに前記被噴射体としてのリンス液を供給するリンス液供給装置と、
前記第一ノズル、前記第二ノズル及び前記第三ノズルに前記被噴射体としての不活性ガスを供給する不活性ガス供給源と、
前記不活性ガス供給源から前記第一ノズル、前記第二ノズル及び前記第三ノズルまでの流路に設けられ、前記不活性ガス供給源から前記第一ノズル、前記第二ノズル及び前記第三ノズルまでの流路を開閉する弁と、を更に備え、
前記スピンナーを作動させた状態で、前記剥離液供給装置を作動させた後に前記剥離液供給装置を停止し、次に前記リンス液供給装置を作動させた後に前記リンス液供給装置を停止し、次に前記弁を開くコントローラと、を備えることを特徴とする請求項３又は４に記載の被噴射体噴射装置。
【請求項６】
前記第一ノズル及び前記第二ノズルに前記被噴射体としての剥離液を供給する剥離液供給装置と、
前記第一ノズル及び前記第二ノズルに前記被噴射体としてのリンス液を供給するリンス液供給装置と、
前記第一ノズル及び前記第二ノズルに前記被噴射体としての不活性ガスを供給する不活性ガス供給源と、
前記不活性ガス供給源から前記第一ノズル及び前記第二ノズルまでの流路に設けられ、前記不活性ガス供給源から前記第一ノズル及び前記第二ノズルまでの流路を開閉する弁と、を更に備え、
前記スピンナーを作動させた状態で、前記剥離液供給装置を作動させた後に前記剥離液供給装置を停止し、次に前記リンス液供給装置を作動させた後に前記リンス液供給装置を停止し、次に前記弁を開くコントローラと、を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の被噴射体噴射装置。
【請求項７】
基板を回転させるスピンナーと、前記基板に相対する位置であって前記スピンナーの回転軸からずれて配置され、被噴射体を噴射する第一ノズル及び第二ノズルと、を備える被噴射体噴射装置を用いた被噴射体噴射方法であって、
前記基板を回転させながら、前記スピンナーの前記回転軸の方向に見て、前記第一ノズルからは前記スピンナーの前記回転軸の回転の向きに被噴射体を噴射させる一方で、前記第二ノズルからは前記スピンナーの前記回転軸の回転の逆向きに被噴射体を噴射させることを特徴とする被噴射体噴射方法。
【請求項８】
前記被噴射体噴射装置は、前記基板に相対する位置であって前記スピンナーの回転軸からずれて配置され、且つ前記第一ノズルよりも前記スピンナーの前記回転軸に対してより近くに配置されるとともに前記ウエハからより離れて配置された第三ノズルをさらに備え、
前記基板を回転させながら、前記第三ノズルから、前記第一ノズルよりも低い圧力で被噴射体を噴射させるとともに、該第一ノズルよりも少ない流量の被噴射体を噴射させることを特徴とする請求項７に記載の被噴射体噴射方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被噴射体噴射装置及び被噴射体噴射方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置又はプリント基板等の製造工程の中には、配線及び端子等の導体パターンを形成する工程がある。導体パターンの形成方法として、基板に形成されたレジストの露光・現像を行った後に、レジストに形成された開口や溝内に金属メッキを析出させる方法がある。その後、レジスト剥離装置を用いてレジストを剥離する。また、レジストを剥離後、基板洗浄装置を用いて、基板の洗浄を行う。
【０００３】
レジスト剥離装置や基板洗浄装置はスピンナー及びノズル等を備える。基板がスピンナーによって回転している時に、ノズルから噴射された剥離液が基板に付着したレジストに当たる。この際、レジストが剥離液によって膨潤して、更に剥離液の噴射力によって吹き飛ばされる。また、ノズルから噴射されたリンス液や純水を基板に当てることによって、レジスト剥離後の基板を洗浄する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−３１７８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上述の金属メッキのような構造物は、その厚みが比較的厚いので、噴射された剥離液が金属メッキによって遮断されて、金属メッキの下部の周囲にあるレジストに剥離液が当たらないことがある。そうすると、金属メッキの下部の周囲にはレジストが残留してしまう。特に、金属メッキが厚いと、レジストの残渣が多くなってしまう。また、このような厚い金属メッキを洗浄する際にも、噴射されたリンス液や純水が金属メッキによって遮断されて、基板を洗浄する能力が低下するおそれがある。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、厚みが比較的厚い構造物が形成された基板を取り扱うに当たり、該基板に形成されたレジストを除去する際のレジストの残渣の発生を抑える一方で、該基板を洗浄する際の洗浄能力の低下を抑制できる被噴射体噴射装置及び被噴射体噴射方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するための本発明に係る被噴射体噴射装置は、
回転軸を有し、該回転軸の回転によって基板を回転させるスピンナーと、
前記基板に相対する位置であって前記スピンナーの回転軸からずれて配置され、被噴射体を噴射する第一ノズル及び第二ノズルと、を備え、
前記スピンナーの前記回転軸の方向に見て、前記第一ノズルの噴射口が前記スピンナーの前記回転軸が回転する向きと向き合っており、前記第二ノズルの噴射口が前記第一ノズルの噴射口の向きとは逆向きである。
【０００７】
以上の課題を解決するための本発明に係る被噴射体噴射方法は、
基板を回転させるスピンナーと、前記基板に相対する位置であって前記スピンナーの回転軸からずれて配置され、被噴射体を噴射する第一ノズル及び第二ノズルと、を備える被噴射体噴射装置を用いた被噴射体噴射方法であって、
前記基板を回転させながら、前記スピンナーの前記回転軸の方向に見て、前記第一ノズルからは前記スピンナーの前記回転軸の回転の向きに被噴射体を噴射させる一方で、前記第二ノズルからは前記スピンナーの前記回転軸の回転の逆向きに被噴射体を噴射させる方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、厚みが比較的厚い構造物が形成された基板を取り扱うに当たり、該基板に形成されたレジストを除去する際のレジストの残渣の発生を抑える一方で、該基板を洗浄する際の洗浄能力の低下を抑制できる被噴射体噴射装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る被噴射体噴射装置の縦断面図。
【図２】被噴射体噴射装置の平面図。
【図３】複数のノズルの噴射流量及び噴射圧力の関係を示したグラフ。
【図４】ノズル及びそれに接続される流体機器を示したブロック図。
【図５】基板の一部を拡大して示した模式図。
【図６】半導体装置を製造するのに用いる半導体ウエハの一部の断面図。
【図７】図６に示された半導体ウエハを用いた半導体装置の製造方法の一工程における断面図。
【図８】図７の後の工程における断面図。
【図９】図８の後の工程における断面図。
【図１０】図９の後の工程における断面図。
【図１１】図１０の後の工程における断面図。
【図１２】図１１の後の工程における断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明を実施するための形態について、図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１１】
図１は、被噴射体噴射装置１を示した縦断面図である。図２は、被噴射体噴射装置１を一部破断した状態で示した平面図である。
【００１２】
この被噴射体噴射装置１は、レジスト剥離装置である。被噴射体噴射装置１は、筐体２、処理カップ５、整流板１５、廃液管１６、排気管１７、ノズル２１〜２７、スピンナー４０及びコントローラ５０等を備える。
筐体２は、内部空間３を有する。筐体２の側面には、開閉可能な搬送扉４が設けられている。
【００１３】
筐体２内には処理カップ５が配置されている。処理カップ５は、内部空間たる処理室６を有する。処理カップ５の径は上になるほど短くなり、処理対象物たる円盤状の基板９０を覆うようになっている。処理カップ５は、架台等によって筐体２内の底面の上方に支持されている。処理カップ５の側面には、開閉可能な開閉扉７が設けられている。開閉扉７と搬送扉４が相対向する。基板９０が、開いた搬送扉４及び開閉扉７を通って搬送される。搬送扉４及び開閉扉７が駆動源を有し、それらの駆動源がコントローラ５０によって制御される。
【００１４】
スピンナー４０は、露光・現像済みの感光性レジスト９１が形成された基板９０を回転させる。スピンナー４０は、回転軸４１、チャック４２及びスピンドルモータ４３を有する。回転軸４１、チャック４２及びスピンドルモータ４３をユニット化したものが、スピンナー４０である。
【００１５】
回転軸４１は、上下に延びて、処理カップ５の底に取り付けられている。具体的には、回転軸４１が処理カップ５の底を上下に貫通し、回転軸４１の上部が処理カップ５の底から処理カップ５内に突き出ており、回転軸４１の下部が処理カップ５の底から処理カップ５の下方に突き出ている。回転軸４１は、処理カップ５に対して相対的に回転可能に設けられている。回転軸４１は、水平面に対して直交することが好ましい。回転軸４１およびチャック４２は、スピンドルモータ４３の回転に従って、図１において一点鎖線Ａで示す軸を中心として、スピンナー４０の回転軸の方向に見て、時計回りまたは反時計回りに回転する。
【００１６】
チャック４２は、処理カップ５内に配置されている。チャック４２は、回転軸４１に取り付けられている。チャック４２は、基板９０を固定する。好ましくは、チャック４２は、基板９０を水平に固定する。チャック４２は、基板９０を爪等によって機械的に固定するものでもよいし、基板９０を例えば磁気又は真空によって吸引することでその基板９０を固定するものでもよい。
【００１７】
スピンドルモータ４３は、筐体２内であって処理カップ５の下方に配置されている。回転軸４１は、スピンドルモータ４３に連結されている。スピンドルモータ４３は、回転軸４１、チャック４２及び基板９０を回転させる。スピンドルモータ４３の回転速度がコントローラ５０によって制御されるとともに、スピンドルモータ４３の回転開始、回転停止及び回転速度変化のタイミングがコントローラ５０によって制御される。
【００１８】
筐体２の内部空間３の上側には、互いに平行な２本の支持梁１０が配置されている。支持梁１０は筐体２に固定されている。具体的には、支持梁１０の一端が、筐体２のうち搬送扉４側の内壁に固定され、支持梁１０の他端が、筐体２のうち搬送扉４の反対側の内壁に固定されている。支持梁１０は水平になっている。なお、支持梁１０の数は１でもよいし、３以上でもよい。
【００１９】
複数のアーム１２が支持梁１０に連結されている。アーム１２は、支持梁１０から支持梁１０に対して直交する方向に延び出ている。固定ブロック１１が支持梁１０とアーム１２の連結部に設けられ、アーム１２が固定ブロック１１によって支持梁１０ロックされている。固定ブロック１１のロックを緩めると、固定ブロック１１及びアーム１２が支持梁１０に沿って移動可能となり、固定ブロック１１及びアーム１２の位置が調整可能である。アーム１２が支持梁１０に固定された状態では、アーム１２が水平になっているとともに、アーム１２が支持梁１０に対して垂直である。なお、図２では、３本のアーム１２が一方の支持梁１０に連結され、２本のアーム１２が他方の支持梁１０に連結されているが、１本の支持梁１０に連結されるアーム１２の数は任意である。
【００２０】
吊り棒１４がアーム１２から垂下している。吊り棒１４とアーム１２の連結部に固定ブロック１３が設けられている。固定ブロック１３は、吊り棒１４をアーム１２にロックする。固定ブロック１３のロックを緩めると、固定ブロック１３及び吊り棒１４がアーム１２に沿って移動可能となり、固定ブロック１３及び吊り棒１４の位置が調整可能である。なお、図２では、中央に配置された１本のアーム１２に連結された吊り棒１４の数が３本であり、両側に配置された４本のアーム１２のそれぞれに連結された吊り棒１４の数が１本であるが、各アーム１２に連結される吊り棒１４の数は任意である。
【００２１】
ノズル２１〜２７が吊り棒１４にそれぞれ取り付けられており、これらノズル２１〜２７はそれぞれの吊り棒１４によって吊り下げられている。これらノズル２１〜２７は、基板９０に相対する位置に配置されている。具体的には、ノズル２１〜２７は処理カップ５内であってチャック９及び基板９０の上方に配置されている。
【００２２】
ノズル２１は剥離液、リンス液及び不活性ガス（例えば、Ｎ2）を基板９０に向けて噴射するが、何れか一つを選択して噴射する。ノズル２２〜２７も同様である。
ノズル２１から噴射される被噴射体は、比較的大きな粒径の液体であるか、又は連続的に噴射される液体である。ノズル２２〜２７についても同様である。
ノズル２１〜２７から被噴射体を噴射させる場合、必ずしも、全てのノズル２１〜２７から同時に被噴射体を噴射させる必要はなく、各ノズルから交互に被噴射体を噴射させるようにしてもよい。基板９０上に形成された感光性レジスト９１を除去する際には、全てのノズル２１〜２７から同時に被噴射体を噴射させることによって、感光性レジスト９１の除去能力をより高めることができる。
尚、剥離液と不活性ガスとを同時に噴射してもよい。また、リンス液と不活性ガスとを同時に噴射してもよい。不活性ガスを同時に吐出させることで、剥離液やリンス液の流量を抑えたまま、剥離液やリンス液をより強く吐出させることができるので、剥離するべき対象物をより剥離しやすくすることができる。
【００２３】
ノズル２１〜２７の位置について説明する。以下の説明で、ノズル２１〜２７の高さは、チャック９又は基板９０を基準とする。
ノズル２１〜２７は互いに離れていて、噴射した被噴射体を互いに干渉させないように配置されている。
ノズル２１が、回転軸４１上に配置されている。ノズル２１は、ノズル２１〜２７の中で最も高い位置に配置されている。
ノズル２２〜２７は、回転軸４１から径方向外側にずれて配置されている。
回転軸４１の方向に見て、ノズル２２とノズル２３の両方は回転軸４１を中心とした同一の円上に配置され、ノズル２２からノズル２１までの距離とノズル２３からノズル２１までの距離が等しい。回転軸４１の方向に見て、ノズル２１がノズル２２とノズル２３の間に配置されている。ノズル２２，２３は、等しい高さに配置されている。ノズル２２，２３は、ノズル２１よりも低い位置に配置されている。
回転軸４１の方向に見て、ノズル２４とノズル２５の両方は回転軸４１を中心とした同一の円上に配置され、ノズル２４からノズル２１までの距離とノズル２５からノズル２１までの距離が等しい。回転軸４１の方向に見て、ノズル２４からノズル２１までの距離は、ノズル２２からノズル２１までの距離よりも長い。回転軸４１の方向に見て、ノズル２１がノズル２４とノズル２５の間に配置されている。ノズル２４，２５は、等しい高さに配置されている。ノズル２４，２５は、ノズル２２，２３よりも低い位置に配置されている。
回転軸４１の方向に見て、ノズル２６とノズル２７の両方は回転軸４１を中心とした同一の円上に配置され、ノズル２６からノズル２１までの距離とノズル２７からノズル２１までの距離が等しい。回転軸４１の方向に見て、ノズル２６からノズル２１までの距離は、ノズル２４からノズル２１までの距離よりも長い。回転軸４１の方向に見て、ノズル２１がノズル２６とノズル２７の間に配置されている。ノズル２６，２７は、等しい高さに配置されている。ノズル２６，２７は、ノズル２４，２５よりも低い位置に配置されている。
従って、ノズル２１〜２７は、回転軸４１により近いほど基板９０からより離れて配置されている。
【００２４】
ノズル２１〜２７の噴射方向及び噴射範囲について説明する。
ノズル２１は噴射口２１Ａを有し、その噴射口２１Ａが真下に向けられている。つまり、ノズル２１の噴射方向は真下である。
ノズル２２〜２７はそれぞれ噴射口２２Ａ〜２７Ａを有し、これら噴射口２２Ａ〜２７Ａが斜め下に向けられている。具体的には、ノズル２２〜２７の噴射方向は、回転軸４１を中心とした円の接線方向斜め下向きである。回転軸４１の方向に見て、ノズル２２とノズル２３のどちらか一方の噴射方向が回転軸４１の回転の向きであり、他方の噴射方向が回転軸４１の回転の逆向きである。本実施形態では、スピンナー４０の回転軸の方向に見て、ノズル２２の噴射口２２Ａがスピンナー４０の回転軸４１が回転する向き（図２に示す回転の向きＲ）と向き合っており、ノズル２３の噴射口２３Ａがノズル２２の噴射口２２Ａの向きとは逆向きである。
回転軸４１の方向に見て、ノズル２４とノズル２５のどちらか一方の噴射方向が回転軸４１の回転の向きであり、他方の噴射方向が回転軸４１の回転の逆向きである。本実施形態では、スピンナー４０の回転軸の方向に見て、ノズル２４の噴射口２４Ａがスピンナー４０の回転軸４１が回転する向きと向き合っており、ノズル２５の噴射口２５Ａがノズル２４の噴射口２４Ａの向きとは逆向きである。
回転軸４１の方向に見て、ノズル２６とノズル２７のどちらか一方の噴射方向が回転軸４１の回転の向きであり、他方の噴射方向が回転軸４１の回転の逆向きである。本実施形態では、スピンナー４０の回転軸の方向に見て、ノズル２６の噴射口２６Ａがスピンナー４０の回転軸４１が回転する向きと向き合っており、ノズル２７の噴射口２７Ａがノズル２６の噴射口２６Ａの向きとは逆向きである。
【００２５】
回転軸４１に直交する径方向に沿ったノズル２１の噴射範囲は、回転軸４１に直交する径方向に沿ったノズル２２及びノズル２３の噴射範囲と一部重複している。回転軸４１に直交する径方向に沿ったノズル２２及びノズル２３の噴射範囲は、回転軸４１に直交する径方向に沿ったノズル２４及びノズル２５の噴射範囲と一部重複している。回転軸４１に直交する径方向に沿ったノズル２４及びノズル２５の噴射範囲は、回転軸４１に直交する径方向に沿ったノズル２６及びノズル２７の噴射範囲と一部重複している。ノズル２６，２７の噴射範囲は、基板９０の外周よりも２〜３ｍｍ程度外側に広がっている。
【００２６】
回転軸４１の方向に見て、ノズル２２〜２７の平面的な位置を適宜変更してもよい。但し、ノズル２２〜２７からノズル２１（又は回転軸４１）までの距離とノズル２２〜２７の噴射方向は、上述した通りである。
【００２７】
ノズル２１〜２７の噴射流量及び噴射圧力について説明する。図３のグラフに示すように、ノズル２１は、ノズル２１〜２７の中で最も噴射流量が少なく、且つ噴射圧力が低い。ノズル２２，２３は、ノズル２１〜２７の中で２番目に噴射流量及び噴射圧力が低い。ノズル２４，２５は、ノズル２１〜２７の中で３番目に噴射流量が少なく、且つ噴射圧力が低い。ノズル２６，２７は、ノズル２１〜２７の中で最も噴射流量が多く、且つ噴射圧力が高い。従って、ノズル２１〜２７は、回転軸４１からより遠いほど噴射流量が多く、且つ噴射圧力がより高い。
【００２８】
図１に示すように、処理カップ５の底であって外周寄り部分には、整流板１５が設けられている。整流板１５は、外側に向かって下りに傾斜している。整流板１５は、処理カップ５内の雰囲気の気流を制御する。
【００２９】
処理カップ５の底には、処理室６内の廃液を排出する複数の廃液管１６が連結されている。処理カップ５の底には、処理室６内のガスを排出する排気管１７が連結されている。これら廃液管１６及び排気管１７は、処理カップ５内の処理室６まで通じている。
【００３０】
処理カップ５の底であって回転軸４１の周囲には、複数の洗浄ノズル１８が配置されている。洗浄ノズル１８が上に向けられている。洗浄ノズル１８が洗浄液を上方に噴射し、基板９０の裏面が洗浄液によって洗浄される。
【００３１】
図４に示すように、剥離液供給装置３１がノズル２１に接続され、逆止弁３２が剥離液供給装置３１からノズル２１までの流路の中途部に設けられている。ノズル２２〜２７についても同様である。
リンス液供給装置３３がノズル２１に接続され、逆止弁３４がリンス液供給装置３３からノズル２１までの流路の中途部に設けられている。ノズル２２〜２７についても同様である。
不活性ガス供給源３５がノズル２１に接続され、流量調整弁３６が不活性ガス供給源３５からノズル２１までの流路３７に設けられている。ノズル２２〜２７についても同様である。
【００３２】
剥離液供給装置３１はタンク及びポンプ等を備え、剥離液をノズル２１〜２７に供給する。逆止弁３２は、剥離液供給装置３１からノズル２１〜２７に向かう剥離液の流れを許容し、ノズル２１〜２７から剥離液供給装置３１に向かう流体の流れを阻止する。剥離液供給装置３１はコントローラ５０によって制御される。剥離液供給装置３１によって供給されてノズル２１〜２７から噴射される剥離液は、有機溶剤、水酸化ナトリウム水溶液、アミン添加有機アルカリ（有機アルカリにアミンを添加したもの）又はテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド添加有機アルカリ（有機アルカリにテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）を添加したもの）である。レジスト９１がポジ型である場合には、剥離液が有機溶剤であることが好ましい。レジスト９１がネガ型である場合には、剥離液がアミン添加有機アルカリ又はテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド添加有機アルカリであることが好ましい。レジスト９１がドライフィルムレジストである場合には、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液が好ましい。
【００３３】
リンス液供給装置３３はタンク及びポンプ等を備え、リンス液をノズル２１〜２７に供給する。逆止弁３４は、リンス液供給装置３３からノズル２１〜２７に向かうリンス液の流れを許容し、ノズル２１〜２７からリンス液供給装置３３に向かう流体の流れを阻止する。リンス液供給装置３３はコントローラ５０によって制御される。
【００３４】
不活性ガス供給源３５は、不活性ガスを貯留したボンベである。流量調整弁３６は、不活性ガス供給源３５からノズル２１〜２７までの流路３７を開閉したり、不活性ガス供給源３５からノズル２１〜２７に流れる不活性ガスの流量を調整したりする。流量調整弁３６はコントローラ５０によって制御される。
【００３５】
被噴射体噴射装置１の動作について説明するとともに、被噴射体噴射装置１を用いた被噴射体噴射方法及びレジストの剥離方法について説明する。
搬送扉４及び開閉扉７がコントローラ５０の指令によって開いた後、レジスト９１付きの基板９０が搬送機によって搬送扉４及び開閉扉７を通って処理カップ５内のチャック４２まで搬送される。そして、基板９０がチャック４２に固定される。
【００３６】
次に、搬送扉４及び開閉扉７がコントローラ５０の指令によって閉じる。次に、コントローラ５０がスピンドルモータ４３を駆動し、スピンドルモータ４３が回転し始める。スピンドルモータ４３が作動すると、チャック４２及び基板９０が回転軸４１を中心にして回転する。図２に回転の向きＲを示す。回転の向きは、スピンナー４０の回転軸４１の方向に見て、逆向きであってもよい。
【００３７】
スピンドルモータ４３の回転中、洗浄ノズル１８が基板９０の裏側の面に向けて洗浄液を噴射し、基板９０の裏面が洗浄液によって洗浄される。
【００３８】
また、スピンドルモータ４３が回転したら、コントローラ５０が剥離液供給装置３１を作動させ、剥離液がノズル２１〜２７に供給される。ノズル２１〜２７に供給された剥離液がノズル２１〜２７からレジスト９１へ噴射される。レジスト９１が剥離液によって膨潤する。膨潤したレジストは、剥離液の噴射力等によって基板９０から吹き飛ばされる。図５の模式図に示すように、基板９０の表面に形成されたメッキ等のパターン９２が厚い場合には、レジスト９１がパターン９２の裏に隠れて、ノズル２２から噴射した剥離液がレジスト９１に当たらないことがある。しかし、回転軸４１の方向に見て、ノズル２２とノズル２３のどちらか一方の噴射方向が回転軸４１の回転の向きであり、他方の噴射方向が回転軸４１の回転の逆向きであるから、ノズル２３から噴射した剥離液がレジスト９１に当たる。そのため、レジスト９１の残渣が発生しにくい。ノズル２４とノズル２５について、ノズル２６とノズル２７についても同様である。
【００３９】
また、回転軸４１に直交する径方向に沿ったノズル２１〜２７の噴射範囲が少しずつ重なっているから、ノズル２１〜２７から噴射した剥離液が基板９０の表側の面全体にわたってレジスト９１に当たる。そのため、レジスト９１の残渣の発生を防止することができるとともに、基板９０の面内で均一にレジスト９１を除去することができる。
【００４０】
また、ノズル２１〜２７は、噴射した剥離液が互いに干渉しないように配置されている。そのため、ノズル２１〜２７から噴射した剥離液が勢いよくレジスト９１に当たる。よって、レジスト９１の残渣が発生しにくいうえ、基板９０の面内で均一にレジスト９１を除去することができる。
【００４１】
基板９０の中心に噴射された剥離液は、基板９０の回転によって外周へ流れる。そのため、基板９０の外周寄りでは、ノズル２６，２７で噴射された剥離液が、基板９０の表側の面を流れた剥離液と干渉する。そうすると、基板９０の外周寄りでは、噴射された剥離液の液滴の密度が低くなる傾向にある。しかし、本実施形態では、ノズル２１〜２７は回転軸４１からより遠いほど噴射流量が多く、且つ噴射圧力がより高いうえ、ノズル２１〜２７は回転軸４１により近いほどより高い位置に配置されている。そのため、噴射された剥離液の液滴密度が基板９０の面内で均一になる。基板９０の面内で均一にレジスト９１を除去することができる。
【００４２】
噴射された剥離液及び洗浄液が廃液管１６に流れ込んで、廃液管１６によって処理カップ５から排出される。
【００４３】
レジスト９１が全体的に剥離されたら、コントローラ５０が剥離液供給装置３１を停止させた後に、リンス液供給装置３３を作動させ、リンス液がノズル２１〜２７に供給される。ノズル２１〜２７に供給されたリンス液がノズル２１〜２７から基板９０へ噴射される。基板９０は、噴射したリンス液によって洗浄される。
【００４４】
その後、コントローラ５０がリンス液供給装置３３を停止させる。更に、洗浄ノズル１８からの洗浄液の噴射も停止する。次に、コントローラ５０が流量調整弁３６を開く。そうすると、不活性ガスがノズル２１〜２７に供給されて、ノズル２１〜２７から噴射される。ノズル２１〜２７内等に残存したリンス液も不活性ガスとともにノズル２１〜２７から排出されるので、その後、ノズル２１〜２７からリンス液が滴下しない。
【００４５】
流量調整弁３６が開いている時間は任意であるが、１秒であることが好ましい。ノズル２１〜２７から噴射した不活性ガスは排気管１７によって排出される。
【００４６】
リンス液の噴射停止後も、スピンドルモータ４３の回転が継続する。そのため、基板９０に付着したリンス液が振り払われ、基板９０が乾燥する。ノズル２１〜２７からリンス液が滴下しないので、基板９０が乾燥しやすい。
【００４７】
基板９０の乾燥後、コントローラ５０がスピンドルモータ４３を停止させる。次に、搬送扉４及び開閉扉７が開いた後、基板９０が搬送機によってチャック４２から外される。そして、基板９０が、搬送機によって処理カップ５及び筐体２から搬送扉４及び開閉扉７を通って搬出される。
【００４８】
この実施の形態によれば、以下のような効果が得られる。
(1)  基板９０の表面に形成されたメッキパターン等の間の部分にレジスト９１の残渣が発生しにくい。
(2)  基板９０の面内で均一にレジスト９１を除去することができる。
(3)  レジスト９１の剥離後に基板９０を速乾することができる。
(4)  アディティブ法によって金属メッキパターンを形成した場合、レジスト９１の残渣発生防止に有効である。アディティブ法は、メッキ工程を行う前にレジスト９１の露光・現像を行い、レジスト９１に形成された開口や溝内に金属メッキを析出させる方法である。その後、レジスト９１を剥離する際に、金属メッキの下部の周囲でレジスト９１が残留しやすい。しかし、本実施形態では、ノズル２１〜２７の噴射方向や位置が上述のように工夫されているので、金属メッキの下部の周囲全体に剥離液が当たり、金属メッキの下部の周囲でもレジスト９１が残留しにくい。勿論、金属メッキ膜を形成した後にその金属メッキ膜の上にレジスト９１を形成し、レジスト９１の露光・現像後に金属メッキ膜を部分的に除去する方法（サブトラクト法）でも、被噴射体噴射装置１によってレジスト９１を剥離することができる。
(5)  上述のような金属メッキパターンが形成された基板を取り扱うに当たって、金属メッキの下部の周囲全体にリンス液が当たるので、該基板をリンス液によって洗浄する際の洗浄能力の低下を抑制することができる。
【００４９】
〔応用例〕
半導体装置の製造方法について説明する。
半導体装置の製造方法は幾つかの工程からなり、これらの工程の中には１回又は複数回のレジスト剥離工程がある。そのようなレジスト剥離工程に上述の被噴射体噴射装置１を用いる。
【００５０】
図６に示された半導体ウエハ１００から半導体装置を製造する。半導体ウエハ１００は基板である。半導体ウエハ１００は、基層１０１、集積回路層１０４、パッシベーション膜１０５及び複数の端子１０９等を有する。集積回路層１０４が基層１０１の表面に形成されている。複数の端子１０９が集積回路層１０４の表面に形成されている。半導体ウエハ１００は、分割予定線としての格子状の境界線１０２によって複数のチップ領域１０３に区画されている。これらチップ領域１０３がマトリクス状に配列されている。集積回路層１０４には、チップ領域１０３ごとに集積回路が形成されている。端子１０９は、集積回路層１０４に形成された集積回路の配線の一部であったり、その集積回路の構成要素である各種電気素子（例えば、ダイオード、トランジスタ、抵抗、コンデンサ等）の電極であったりする。集積回路層１０４がパッシベーション膜１０５によって覆われている。パッシベーション膜１０５は、無機材料（例えば、酸化シリコン若しくは窒化シリコン又はこれらの両方）を含有する。パッシベーション膜１０５のうち端子１０９に重なる位置には、開口１０６が形成されている。
【００５１】
まず、絶縁膜１０７をパッシベーション膜１０５の上にパターニングすることで、絶縁膜１０７のうち端子１０９に重なる位置に開口１０８を形成する。具体的には、成膜工程、レジストの形成工程、露光現像工程、エッチング工程及び剥離工程をこれらの順に行う。成膜工程は、開口１０８の無い状態の絶縁膜１０７を成膜する工程である。次のレジストの形成工程は、絶縁膜１０７の上にレジストを形成する工程である。次の露光現像工程は、絶縁膜１０７上のレジストの露光及び現像を行う工程である。次のエッチング工程は、絶縁膜１０７を部分的にエッチングすることによって絶縁膜１０７に複数の開口１０８を形成する工程である。次の剥離工程は、上述の被噴射体噴射装置１を用いて絶縁膜１０７上のレジストを剥離する工程である。
【００５２】
絶縁膜１０７は、例えばポリイミド、エポキシ、フェノール、ビスマレイミド、アクリル、合成ゴム若しくはポリベンゾオキサイド又はこれらのうち２以上の組合せを主成分とした有機材料を含有する。なお、絶縁膜１０７が無くてもよいし、絶縁膜１０７が予め形成されていてもよい。
【００５３】
次に、図７に示すように、無電解メッキ法若しくは気相成長法（例えば、スパッタ法）又はこれらの組合せによって、絶縁膜１０７（絶縁膜１０７が無い場合には、パッシベーション膜１０５）の上全体や開口１０６，１０８内にシード層１１０を成長させる。
【００５４】
次に、図８に示すように、感光材であるレジスト１１１をシード層１１０の上全体に形成した後、レジスト１１１の露光・現像を行う。これにより、レジスト１１１に所定形状の溝１１２が形成される。
次に、シード層１１０を電極として電解メッキを行う。これにより、レジスト１１１の溝１１２内であってシード層１１０の上に所定形状の導体層（導体パターン）１１３を成長させる。導体層１１３は、シード層１１０よりも厚く成長させる。導体層１１３は、銅その他の金属からなる。
次に、図１に示された被噴射体噴射装置１を用いてレジスト１１１を剥離する。被噴射体噴射装置１を用いたので、レジスト１１１の残渣が発生しにくい。
【００５５】
次に、図９に示すように、シード層１１０及び導体層１１３の上全体にドライフィルムレジスト１１５を貼り付けた後、ドライフィルムレジスト１１５の露光・現像を行うことによってドライフィルムレジスト１１５に複数の開口１１６を形成する。ここで、上から平面視した場合、開口１１６は円形状又は多角形状であることが好ましい。開口１１６の形成位置は導体層１１３の一部１１４の上である。その部分１１４はランドである。
次に、シード層１１０及び導体層１１３を電極として電解メッキを行う。これにより、開口１１６内であって導体層１１３の上に柱状電極１１７を成長させる。柱状電極１１７の高さ（厚さ）は、導体層１１３の厚さよりも充分に高くする。柱状電極１１７は、銅その他の金属からなる。
次に、図１に示された被噴射体噴射装置１を用いてドライフィルムレジスト１１５を剥離する。被噴射体噴射装置１を用いたので、ドライフィルムレジスト１１５の残渣が発生しにくい。特に、柱状電極１１７が高くても（厚くても）、柱状電極１１７の根本部分の周囲にドライフィルムレジスト１１５が残留しない。
【００５６】
次に、シード層１１０のうち導体層１１３及び柱状電極１１７に重なっていない部分をエッチングにより除去することにより、シード層１１０を形状加工する。シード層１１０のうちエッチングされずに残留した部分が導体下地１１８（図１０参照）である。シード層１１０のエッチングの際には、導体層１１３及び柱状電極１１７の表面が一部エッチングされるが、導体層１１３及び柱状電極１１７がシード層１１０と比較して充分に厚いため、導体層１１３及び柱状電極１１７が残留する。
次に、図１０に示すように、印刷法、液滴吐出法（インクジェット法）、スピンコート法、滴下法その他の塗布法によって封止樹脂を絶縁膜１０７（絶縁膜１０７が無い場合には、パッシベーション膜１０５）上に塗布し、その封止樹脂によって導体層１１３、柱状電極１１７及び絶縁膜１０７を覆って、その封止樹脂を硬化させる。これにより、封止層１１９を形成する。封止層１１９は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の絶縁性樹脂を含有し、好ましくは、絶縁性樹脂（エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等）にフィラー（例えば、ガラスフィラー、シリカフィラー）又は繊維（例えば、ガラス繊維）を配合した強化樹脂からなる。なお、プリプレグを絶縁膜１０７に貼り付けて、そのプリプレグを硬化させて、そのプリプレグから封止層１１９を形成してもよい。
【００５７】
次に、図１１に示すように、封止層１１９の表面を研削し、柱状電極１１７の頭頂面を露出させる。柱状電極１１７の頭頂面も研削される。必要に応じて、半導体ウエハ１００の裏側も研削し、柱状電極１１７の頭頂面を軽くエッチングする。
【００５８】
次に、図１２に示すように、半田バンプ１２０を柱状電極１１７の頭頂面に形成した後、半導体ウエハ１００（基層１０１、集積回路層１０４及びパッシベーション膜１０５）、絶縁膜１０７及び封止層１１９の積層体を境界線１０２に沿って切断する。これにより、複数の半導体装置１３０が完成する。なお、個片化処理はＤＢＧ（Dicing Before Grinding）処理であってもよい。つまり、半導体ウエハ１００の裏側の研削を行う前に、封止層１１９の表面から半導体ウエハ１００の基層１０１の中途部まで境界線１０２に沿って切り込んで、その後半導体ウエハ１００の裏側を表側の切り込みの底まで研削する。
【００５９】
本発明の実施形態を説明したが、本発明の範囲は、上述の実施の形態に限定するものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲とその均等の範囲を含む。
以下に、この出願の願書に最初に添付した特許請求の範囲に記載した発明を付記する。付記に記載した請求項の項番は、この出願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の通りである。
【００６０】
〔付記〕
＜請求項１＞
回転軸を有し、該回転軸の回転によって基板を回転させるスピンナーと、
前記基板に相対する位置であって前記スピンナーの回転軸からずれて配置され、被噴射体を噴射する第一ノズル及び第二ノズルと、を備え、
前記スピンナーの前記回転軸の方向に見て、前記第一ノズルの噴射口が前記スピンナーの前記回転軸が回転する向きと向き合っており、前記第二ノズルの噴射口が前記第一ノズルの噴射口の向きとは逆向きであることを特徴とする被噴射体噴射装置。
＜請求項２＞
前記スピンナーの前記回転軸の方向に見て、前記第一ノズル及び前記第二ノズルが前記スピンナーの前記回転軸を中心とした同一円周上に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の被噴射体噴射装置。
＜請求項３＞
前記基板に相対する位置であって前記スピンナーの回転軸からずれて配置された第三ノズルをさらに備え、
前記第三ノズルは前記第一ノズルよりも前記スピンナーの前記回転軸に対してより近くに配置されるとともに前記ウエハからより離れて配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の被噴射体噴射装置。
＜請求項４＞
前記第一のノズルは前記第三ノズルよりも噴射圧力がより高く、且つ噴射流量がより多いことを特徴とする請求項３に記載の被噴射体噴射装置。
＜請求項５＞
前記第一ノズル、前記第二ノズル及び前記第三ノズルに前記被噴射体としての剥離液を供給する剥離液供給装置と、
前記第一ノズル、前記第二ノズル及び前記第三ノズルに前記被噴射体としてのリンス液を供給するリンス液供給装置と、
前記第一ノズル、前記第二ノズル及び前記第三ノズルに前記被噴射体としての不活性ガスを供給する不活性ガス供給源と、
前記不活性ガス供給源から前記第一ノズル、前記第二ノズル及び前記第三ノズルまでの流路に設けられ、前記不活性ガス供給源から前記第一ノズル、前記第二ノズル及び前記第三ノズルまでの流路を開閉する弁と、を更に備え、
前記スピンナーを作動させた状態で、前記剥離液供給装置を作動させた後に前記剥離液供給装置を停止し、次に前記リンス液供給装置を作動させた後に前記リンス液供給装置を停止し、次に前記弁を開くコントローラと、を備えることを特徴とする請求項３又は４に記載の被噴射体噴射装置。
＜請求項６＞
前記第一ノズル及び前記第二ノズルに前記被噴射体としての剥離液を供給する剥離液供給装置と、
前記第一ノズル及び前記第二ノズルに前記被噴射体としてのリンス液を供給するリンス液供給装置と、
前記第一ノズル及び前記第二ノズルに前記被噴射体としての不活性ガスを供給する不活性ガス供給源と、
前記不活性ガス供給源から前記第一ノズル及び前記第二ノズルまでの流路に設けられ、前記不活性ガス供給源から前記第一ノズル及び前記第二ノズルまでの流路を開閉する弁と、を更に備え、
前記スピンナーを作動させた状態で、前記剥離液供給装置を作動させた後に前記剥離液供給装置を停止し、次に前記リンス液供給装置を作動させた後に前記リンス液供給装置を停止し、次に前記弁を開くコントローラと、を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の被噴射体噴射装置。
＜請求項７＞
基板を回転させるスピンナーと、前記基板に相対する位置であって前記スピンナーの回転軸からずれて配置され、被噴射体を噴射する第一ノズル及び第二ノズルと、を備える被噴射体噴射装置を用いた被噴射体噴射方法であって、
前記基板を回転させながら、前記スピンナーの前記回転軸の方向に見て、前記第一ノズルからは前記スピンナーの前記回転軸の回転の向きに被噴射体を噴射させる一方で、前記第二ノズルからは前記スピンナーの前記回転軸の回転の逆向きに被噴射体を噴射させることを特徴とする被噴射体噴射方法。
＜請求項８＞
前記被噴射体噴射装置は、前記基板に相対する位置であって前記スピンナーの回転軸からずれて配置され、且つ前記第一ノズルよりも前記スピンナーの前記回転軸に対してより近くに配置されるとともに前記ウエハからより離れて配置された第三ノズルをさらに備え、
前記基板を回転させながら、前記第三ノズルから、前記第一ノズルよりも低い圧力で被噴射体を噴射させるとともに、該第一ノズルよりも少ない流量の被噴射体を噴射させることを特徴とする請求項７に記載の被噴射体噴射方法。
【符号の説明】
【００６１】
１  被噴射体噴射装置
２１〜２７  ノズル
２１Ａ〜２７Ａ  噴射口
３１  剥離液供給装置
３３  リンス液供給装置
３５  不活性ガス供給源
３６  流量調整弁
４０  スピンナー
４１  回転軸
５０  コントローラ
９０  基板
９１、１１１、１１５  レジスト
１００  半導体ウエハ
【図１】
2012169509.tif 000003
【図２】
2012169509.tif 000004
【図３】
2012169509.tif 000005
【図４】
2012169509.tif 000006
【図５】
2012169509.tif 000007
【図６】
2012169509.tif 000008
【図７】
2012169509.tif 000009
【図８】
2012169509.tif 000010
【図９】
2012169509.tif 000011
【図１０】
2012169509.tif 000012
【図１１】
2012169509.tif 000013
【図１２】
2012169509.tif 000014