(57)【要約】【課題】応力を抑制することが可能な弾性波デバイス、及び弾性波デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、圧電体により弾性波を励振する振動部１１が露出するように、振動部１１が形成された圧電基板１０を封止する第１封止部１３を設ける工程と、振動部１１が空隙１７に露出するように振動部１１を覆い、かつ圧電基板１０を個片化するためのダイシングライン１８に対応した位置に切欠部１９を形成した第２封止部１４を、第１封止部１３上に設ける工程と、第２封止部１４を設ける工程の後に、第２封止部１４を加熱する工程と、ダイシングライン１８に沿って、第２封止部１４及び圧電基板１０を、その積層方向に切断分離して、弾性波デバイスチップに分割する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体により弾性波を励振する振動部が露出するように、前記振動部が形成された基板を封止する第１封止部を設ける工程と、
前記振動部が空隙に露出するように前記振動部を覆い、かつ前記基板を個片化するためのダイシングラインに対応した位置に切欠部を形成した第２封止部を、前記第１封止部上に設ける工程と、
前記第２封止部を設ける工程の後に、前記第２封止部を加熱する工程と、
前記ダイシングラインに沿って、前記第２封止部及び前記基板を、その積層方向に切断分離して、弾性波デバイスチップに分割する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第１封止部を設ける工程は、前記ダイシングラインが露出するように、前記第１封止部を設けることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第１封止部及び前記第２封止部を貫通する電極を設ける工程を有し、
前記第２封止部を設ける工程は、複数の前記電極間に前記切欠部が形成されるように、前記第２封止部を設ける工程であることを特徴とする請求項１又は２記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第２封止部を設ける工程は、前記ダイシングラインに沿って前記基板が個片化された後に前記基板の辺となる複数の領域の各々の上に前記切欠部を有する第２封止部を設ける工程であることを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第２封止部を設ける工程は、形状が異なる複数の前記切欠部が形成されるように前記第２封止部を設ける工程であることを特徴とする請求項１から４いずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項６】
基板と、
前記基板に設けられ、圧電体により弾性波を励振する振動部と、
前記振動部が空隙に露出するように、前記基板上に設けられた第１封止部と、
前記振動部が前記空隙に露出し、かつ前記基板の外周の一部に切欠部を有するように、前記第１封止部上に設けられた第２封止部と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は弾性波デバイス、及び弾性波デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
移動体通信機器等にフィルタ又はデュプレクサとして用いられる弾性波デバイスチップには、小型化が要求されている。弾性波デバイスチップに用いる弾性波素子としては、圧電基板上にＩＤＴ（Inter Digital Transducer）を形成した弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子、及び圧電膜を電極で挟んだ圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）がある。例えば、特許文献１には、圧電基板のＩＤＴ等が形成された面の全体が封止部により覆われたＳＡＷデバイスが記載されている。特許文献２には、圧電基板のダイシングラインへの異物の落下を抑制するため、封止部によりダイシングラインを覆うＳＡＷデバイスが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２６１５８２号公報
【特許文献２】特開２００８−１３５９９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１記載の発明では、封止部を加熱した際に、圧電基板に大きな応力が加わる恐れがある。また、特許文献２記載の発明では、異物の落下を抑制することはできるが、封止部がダイシングラインを覆うため、特許文献１と同様に圧電基板に大きな応力が加わる恐れがある。なお、ＦＢＡＲの場合でも、圧電膜を設けた基板に大きな応力が加わることがある。
【０００５】
このように基板に大きな応力が加わることにより、不良品の増加、及び弾性波デバイスの破損が生じる可能性が高まる。本発明は上記課題に鑑み、応力を抑制することが可能な弾性波デバイス、及び弾性波デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、圧電体により弾性波を励振する振動部が露出するように、前記振動部が形成された基板を封止する第１封止部を設ける工程と、前記振動部が空隙に露出するように前記振動部を覆い、かつ前記基板を個片化するためのダイシングラインに対応した位置に切欠部を形成した第２封止部を、前記第１封止部上に設ける工程と、前記第２封止部を設ける工程の後に、前記第２封止部を加熱する工程と、前記ダイシングラインに沿って、前記第２封止部及び前記基板を、その積層方向に切断分離して、弾性波デバイスチップに分割する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、応力を抑制することができる。
【０００７】
上記構成において、前記第１封止部を設ける工程は、前記ダイシングラインが露出するように、前記第１封止部を設ける構成とすることができる。この構成によれば、より効果的に応力を抑制することができる。
【０００８】
上記構成において、前記第１封止部及び前記第２封止部を貫通する電極を設ける工程を有し、前記第２封止部を設ける工程は、複数の前記電極間に前記切欠部が形成されるように、前記第２封止部を設ける工程である構成とすることができる。この構成によれば、気密性を高めることができる。また、電極の形成を良好に行うことができる。
【０００９】
上記構成において、前記第２封止部を設ける工程は、前記ダイシングラインに沿って前記基板が個片化された後に前記基板の辺となる複数の領域の各々の上に前記切欠部を有する第２封止部を設ける工程とすることができる。この構成によれば、より効果的に応力を抑制することができる。
【００１０】
上記構成において、前記第２封止部を設ける工程は、形状が異なる複数の前記切欠部が形成されるように前記第２封止部を設ける工程とすることができる。
【００１１】
本発明は、基板と、前記基板に設けられ、圧電体により弾性波を励振する振動部と、前記振動部が空隙に露出するように、前記基板上に設けられた第１封止部と、前記振動部が前記空隙に露出し、かつ前記基板の外周の一部に切欠部を有するように、前記第１封止部上に設けられた第２封止部と、を具備する弾性波デバイスである。本発明によれば、応力を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、応力を抑制することが可能な弾性波デバイス、及び弾性波デバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１（ａ）は、比較例１に係る個片化前の弾性波デバイスを例示する平面図であり、図１（ｂ）は比較例１に係る個片化前の弾性波デバイスを例示する断面図である。
【図２】図２（ａ）は、比較例２に係る個片化前の弾性波デバイスを例示する断面図であり、図２（ｂ）は、比較例３に係る個片化前の弾性波デバイスを例示する断面図である。
【図３】図３（ａ）は、実施例１に係る個片化前の弾性波デバイスを例示する平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）の拡大図である。図３（ｃ）は、実施例１に係る個片化前の弾性波デバイスを例示する断面図である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｅ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を例示する断面図である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を例示する断面図である。
【図６】図６は、実施例２に係る弾性波デバイスを例示する平面図である。
【図７】図７は、実施例３に係る弾性波デバイスを例示する平面図である。
【図８】図８は、実施例４に係る弾性波デバイスを例示する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
実施例の説明の前に、比較例としてＳＡＷデバイスの例について説明する。まず比較例１について説明する。図１（ａ）は、比較例１に係る弾性波デバイスを例示する平面図であり、図１（ｂ）は比較例１に係る弾性波デバイスを例示する断面図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）では、個片化前の弾性波デバイスを図示している。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ及びＢ−Ｂに沿った断面図であり、左側はＡ−Ａ断面、右側はＢ−Ｂ断面を示す。図１（ａ）では、ウェハ状の圧電基板に４個の弾性波デバイス１００Ｒ−１が形成された状態を示している。なお、ウェハ状態のものを弾性波デバイスとし、ウェハ状態のものが個片化され弾性波デバイスチップが形成される。
【００１５】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、比較例１に係る弾性波デバイス１００Ｒ−１では、圧電体からなる圧電基板１１０上に振動部１１１、配線１１２、及び第１封止部１１３が設けられる。第１封止部１１３上には第２封止部１１４が設けられる。また、第１封止部１１３及び第２封止部１１４を貫通し、配線１１２と電気的に接続された貫通電極１１５が設けられている。貫通電極１１５の表面には、電極１１６が設けられている。振動部１１１は、ＩＤＴ及び反射器を含み弾性波を励振する。振動部１１１は、振動部１１１上に形成された空隙１１７に露出する。振動部１１１と電極１１６との間は、配線１１２及び貫通電極１１５を介して電気的に接続される。第１封止部１１３及び第２封止部１１４は、振動部１１１を封止し、振動部１１１への水分及び異物の浸入等を抑制する。これにより、振動部１１１が保護され、弾性波デバイス１００Ｒ−１の特性は良好に確保される。ウェハとして形成された圧電基板１１０は、ダイシングライン１１８において個片化される。これにより、１枚のウェハから複数の弾性波デバイスチップが取得される。
【００１６】
第１封止部１１３及び第２封止部１１４は、例えば感光性エポキシ樹脂等の樹脂からなり、露光及び現像により成形される。また第１封止部１１３及び第２封止部１１４は、熱硬化性を有し、加熱されることにより硬化する。それぞれの加熱・硬化工程において、圧電基板１１０を炉に投入して加熱を行う際、圧電基板１１０と、第１封止部１１３及び第２封止部１１４との熱膨張係数の差により、圧電基板１１０に応力がかかることがある。特に、比較例１においては、第１封止部１１３及び第２封止部１１４が圧電基板１１０の全体を覆うように設けられている。従って、圧電基板１１０には大きな応力が加わる恐れがある。応力により、圧電基板１１０に反りが生じることがある。圧電基板１１０に反りが生じると、例えば吸着ツールにより圧電基板１１０が十分に吸着されず、弾性波デバイスの移動・搬送中に落下が生じて圧電基板１１０が割れるなど、不良品の発生が増大することがある。
【００１７】
次に比較例２及び３について説明する。図２（ａ）は、比較例２に係る個片化前の弾性波デバイスを例示する断面図であり、図２（ｂ）は、比較例３に係る個片化前の弾性波デバイスを例示する断面図である。
【００１８】
図２（ａ）に示すように、比較例２に係る弾性波デバイス１００Ｒ−２では、第１封止部１１３及び第２封止部１１４が、ダイシングライン１１８上には設けられていない。従って、圧電基板１１０に加わる応力は抑制される。しかしながら、例えば、貫通電極１１５の材料となる金属、及び電極１１６の材料となる半田等の異物が、圧電基板１１０のダイシングライン１１８に落ち込むことがある。これにより、ダイシング工程が困難となる恐れがある。
【００１９】
図２（ｂ）に示すように、比較例３に係る弾性波デバイス１００Ｒ−３では、第１封止部１３はダイシングライン１１８上には設けられず、第２封止部１１４はダイシングライン１１８を覆うように設けられる。第２封止部１１４はダイシングライン１１８を保護する蓋として機能し、異物の落ち込みを抑制することができる。しかしながら、第２封止部１１４は圧電基板１１０の全体を覆うように設けられているため、比較例１と同様に圧電基板１１０に大きな応力が加わる恐れがある。以上のように、封止部（第１封止部１１３及び第２封止部１１４）には、振動部１１１の保護だけでなく、応力の抑制、及びダイシングラインの保護も要求される。
【００２０】
次に、図面を用いて、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２１】
図３（ａ）は、実施例１に係る個片化前の弾性波デバイスを例示する平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）中央部の破線に囲まれた領域Ｓの拡大図である。図３（ｃ）は、実施例１に係る個片化前の弾性波デバイスを例示する断面図であり、図３（ａ）における切断線Ａ−Ａに沿った断面をＱ１に示し、図３（ａ）における切断線Ｂ−Ｂに沿った断面をＱ２に示している。
【００２２】
図３（ａ）及び図３（ｃ）に示すように、実施例１に係る弾性波デバイス１００は、圧電体からなる圧電基板１０、振動部１１、配線１２、第１封止部１３、第２封止部１４、電極１６、及び貫通電極１５を備える。振動部１１、配線１２、及び第１封止部１３は圧電基板１０上に設けられている。ＳＡＷデバイスの場合、振動部１１は圧電体である圧電基板１０の表面に形成される。圧電基板１０は、圧電作用により振動部１１に含まれるＩＤＴにおいて電気エネルギーを弾性表面波の振動に変換（又はその逆の変換）すると共に、素子全体を支持する基板としての役割を持つ。第２封止部１４は、振動部１１を覆うように、第１封止部１３上に設けられている。つまり、第１封止部１３及び第２封止部１４は、圧電基板１０を封止する。振動部１１は、第１封止部１３及び第２封止部１４に囲まれた空隙１７に露出する。このため、振動部１１による弾性波の励振は妨げられない。貫通電極１５は、第１封止部１３を貫通し、第２封止部１４内に延在している。貫通電極１５の下端部は配線１２と電気的に接続され、また貫通電極１５の上面には、第２封止部１４から露出するように電極１６が設けられている。すなわち、振動部１１と電極１６との間は、配線１２及び貫通電極１５を介して電気的に接続されている。電極１６は、弾性波デバイス１００と外部とを接続する外部接続端子として機能する。
【００２３】
図３（ａ）及び図３（ｂ）中の点線Ｃは、第１封止部１３の外周端部を示す。破線Ｄは、圧電基板１０の個片化後に、第２封止部１４の外周端部となる部分を示す。第２封止部１４は、複数のダイシングライン１８の各々に沿って平行する切欠部１９ａ、１９ｂ、及び１９ｓ（以下、これらを総称して切欠部１９と称する場合がある。このことは、切欠部６１９、７１９及び８１９の各々についても同様である。）を有する。なお、ダイシングライン１８は、平面図では便宜的に実線で、断面図では破線で示してある。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、第２封止部１４は、個片化後の圧電基板１０の辺となる複数の領域の各々の上に切欠部１９を有する。複数の切欠部１９の各々は、各ダイシングライン１８上であって、隣り合う電極１６の間に形成されている。切欠部１９の内端（振動部１１側の端面）は、第１封止部１３の外周端部とほぼ一致している。従って、切欠部１９にあっては、第１封止部１３及び第２封止部１４を積層方向に連通した空間が形成されている。積層方向とは、圧電基板１０の厚さ方向である。図３（ｂ）に破線の円で囲んだように、切欠部１９の角２０ａは９０°の角度を有する。つまり切欠部１９の平面形状は長方形である。切欠部１９のうち、図３（ａ）中における弾性波デバイスの左辺及び右辺に設けられている切欠部を切欠部１９ａとする。切欠部１９のうち、上辺及び下辺に設けられている切欠部を切欠部１９ｂとする。前述の如く、第２封止部１４は、切欠部１９の内端において第１封止部１３の外周端とほぼ一致し、かつ切欠部１９以外の部位においては第１封止部１３よりも外側にせり出し、圧電基板１０の外形とほぼ一致した形状を有する。弾性波デバイス１００の長さＬ１は例えば１ｍｍ、幅Ｗ１は例えば０．９ｍｍである。切欠部１９ａの長さＬ２は例えば０．１ｍｍ、幅Ｗ２は例えば０．０５ｍｍである。切欠部１９ｂの長さＬ３は例えば０．０５ｍｍ、幅Ｗ３は例えば０．３ｍｍである。なお、長さ方向は図３（ａ）の積層方向、幅方向は図３（ａ）の左右方向とした。
【００２４】
圧電基板１０は、例えばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）又はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）等の圧電体からなる。振動部１１及び配線１２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）合金等の金属からなる。アルミニウム合金とは、アルミニウムを含む合金であり、例えばアルミニウムを主成分として、銅（Ｃｕ）を添加した合金等である。第１封止部１３及び第２封止部１４は、例えば熱硬化性を有する感光性エポキシ樹脂等の樹脂からなる。貫通電極１５は、例えば配線１２に近い方からチタン（Ｔｉ）及び金（Ａｕ）を積層した下地層の上に、ニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）を設けて形成される。電極１６は、例えば錫銀（ＳｎＡｇ）等の半田からなる。
【００２５】
次に、実施例１に係る弾性波デバイス１００の製造方法について説明する。図４（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を例示する断面図である。
【００２６】
図４（ａ）に示すように、例えばスパッタリング法を用いて、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属層を圧電基板１０上面の全体に形成後、一般的なリソグラフィーにより金属層をパターニングし、エッチングにより金属層の不要部分を除去して、圧電基板１０上に振動部１１及び配線１２を設ける。このように、振動部１１及び配線１２は、同じ金属材料層からなる。図４（ｂ）に示すように、例えば液状の感光性樹脂１３ａを、圧電基板１０、振動部１１及び配線１２上に塗布する。図４（ｃ）に示すように、マスク２１ａを介してＵＶ（Ultra Violet；紫外線）を照射し、感光性樹脂１３ａの露光処理を行う。ＵＶは、マスク２１ａの斜線部分では遮断され、空白部分は透過する。
【００２７】
現像工程を経て、図４（ｄ）に示すように、感光性樹脂１３ａのうち、ＵＶの照射された部分は残存し、ＵＶの照射されなかった部分は除去される。残された感光性樹脂１３ａパターンは、所定温度でかつ所定時間加熱処理され、硬化する。これにより、圧電基板１０上に、選択的に第１封止部１３が成形される。すなわち、ダイシングライン１８を含む圧電基板１０の外周部、振動部１１、配線１２の一部が選択的に表出された状態をもって第１封止部１３が成形される。これにより、振動部１１は開口１１Ｗにより、また配線１２の一部は開口１２Ｗ１において表出される。一方、かかる第１封止部１３は、その外周端部がダイシングライン１８から離間して、すなわち個々の弾性波デバイスチップごとに分離して配設される。
【００２８】
次いで、保護フィルム２２に貼り付けられた感光性樹脂１４ａを、図４（ｅ）に示すように、例えば、ラミネータ２３を用いて第１封止部１３上に粘着・積層する。このとき、感光性樹脂１４ａは、第１封止部１３上を覆って被着されるため、少なくともダイシングライン１８、振動部１１及び配線１２は、感光性樹脂１４ａにより覆われる。
【００２９】
そして、図５（ａ）に示すように、マスク２１ｂを介して感光性樹脂１４ａに対してＵＶを選択的に照射し、露光処理を行う。保護フィルム２２を除去した後、現像工程を経て、図５（ｂ）に示すように、感光性樹脂１４ａからなる第２封止部１４を形成する。感光性樹脂１４ａのうち、ＵＶの照射された部分が残存し、ＵＶの照射されなかった部分は除去される。残された感光性樹脂１４ａパターンは、所定温度で且つ所定時間加熱処理され、硬化する。これにより、圧電基板１０上に選択的に第２封止部１４が成形される。形成された第２封止部１４には、前記第１封止部１３に設けられた電極配設用開口１２Ｗ１に連通する開口１２Ｗ２と共に、圧電基板１０のダイシングラインに対応した位置に平面形状が矩形状の開口１９ｓが選択的に配設されている。かかる矩形状の開口１９ｓは、個片化される圧電基板１０の外形に対応し、且つその一辺に少なくとも一つ配設されている。
【００３０】
かかる第２封止部１４の配置により、前記図３（ａ）に於ける切断線Ａ−Ａに沿った断面に於いては、振動部１１上には、第１封止部１３と第２封止部１４とによって囲まれた空隙１７が形成される。また、第２封止部１４に設けられた矩形状の開口１９ｓに於いて、ダイシングライン１８に沿って、当該圧電基板１０が表出される。一方、前記図３（ａ）に於ける切断線Ｂ−Ｂに沿った断面に於いては、矩形状の開口１９ｓが位置しないことにより、第２封止部１４が第１封止部１３を越えてダイシングライン１８上に延在している。
【００３１】
次いで、図５（ｃ）に示すように、例えばメッキ法等により、前記開口１２Ｗ１に連通する開口１２Ｗ２内に貫通電極１５を形成する。貫通電極１５形成後に、半田ペーストを貫通電極１５上に設け、半田リフロー処理を行い、電極１６を形成する。
【００３２】
しかる後、図５（ｄ）に示すように、ダイシング法により、ダイシングライン１８に沿って、圧電基板１０及び第２封止部１４を切断する。これにより個片化された複数の弾性波デバイスチップ１００ａが形成される。かかるダイシング処理により、前記開口１９ｓは分割され、それぞれの弾性波デバイスチップの第２封止部１４における切欠部１９ａ又は切欠部１９ｂを形成する。
【００３３】
このような実施例１によれば、第１封止部１３上に感光性樹脂１４ａを被着し、パターニング後に加熱処理して硬化させ第２封止部１４を形成するが、パターニングされた感光性樹脂層には矩形状の開口１９ｓが配設されていることにより、加熱に伴う感光性樹脂層の変形が防止・抑制される。従って、圧電基板１０にもたらされる応力が減少・緩和されて、圧電基板１０自体或いは圧電素子領域に於ける破損が防止・抑制される。なお、前記開口１９ｓを除き、ダイシングライン上には感光性樹脂１４ａが存在することから、ダイシング処理の際、ダイシングライン上に異物が落ち込むことが抑制される。また、電極１６を形成する際の半田リフロー処理は、加熱処理時間が短く、圧電基板１０に応力をもたらすことは生じない。
【００３４】
一方、前記第１封止部１３は、前述の如く、その端部がダイシングライン１８から離間して即ち個々の弾性波デバイスチップ１００ａ毎に分離して配設されており、ダイシング工程の際には、ダイシング処理の対象部位とはならない。従って、かかるダイシング処理を効率的に実施することができる。かかる第１封止部１３は、相互に分離して設けられているため、上記感光性樹脂１４ａの加熱・硬化処理の際にも、応力の増加に寄与しない。
【００３５】
図３（ａ）に示すように、切欠部１９は、隣り合う電極１６の間に配置されている。従って、切欠部１９と電極１６との間の距離は大きく、気密性を高く保つことができる。また、このように、切欠部１９と電極１６との間の距離が大きいことから、第２封止部１４の上面（表面）に於いて、電極１６の周囲、即ち、第２封止部１４の開口１２Ｗ２の周囲には比較的広い平坦面が生じる。前述の如く、電極１６を半田リフロー処理により形成する際には、十分な半田量を得る為に、電極材料である半田ペーストを、貫通電極１５の上面から開口１２Ｗ２の周囲の比較的広い範囲に配置する必要がある。これに対し、上記比較的広い平坦面の存在は、所望量の半田ペーストの被着を容易とする。
【００３６】
更に、前記第１の実施例にあっては、切欠部１９は図３（ａ）に示すように、個片化後の圧電基板１０の各辺に対応してそれぞれ設けられている。従って、より効果的に応力を抑制することができる。勿論、かかる切欠部１９は、圧電基板１０の複数の辺のうち、一部の辺、例えば対向する２辺に沿って配設される構成とすることもできる。但し、応力の抑制・緩和のためには、切欠部１９は圧電基板１０の各辺に対応して設けられることが好ましい。
【実施例２】
【００３７】
実施例２は、図３（ａ）に示される切欠部１９の形状を変更した例である。図６は、実施例２に係る弾性波デバイス１００Ｋを例示する平面図であり、個片化された後の弾性表面波デバイスチップを示している。
【００３８】
実施例２に係る弾性波デバイス１００Ｋにあっては、図６において破線の円２０ｂで囲んだように、第２封止部１４の切欠部６１９における隅部は、点線で示した第１封止部１３の外周端部に対して９０°以上の角度（鈍角）を有している。かかる鈍角部を含む切欠部６１９を形成する際には、前記開口１９ｓの平面形状は６角形とされる（図示せず）。このように、切欠部６１９ａ又は６１９ｂの形状を変更した場合でも、応力を抑制することが可能である。
【実施例３】
【００３９】
実施例３は、図３（ａ）に示される切欠部１９の形状を変更した別の例である。図７は、実施例３に係る弾性波デバイス１００Ｌを例示する平面図であり、個片化された後の弾性表面波デバイスチップを示している。
【００４０】
実施例３に係る弾性波デバイス１００Ｌにあっては、図７において破線の円２０ｃで囲んだように、第２封止部１４の切欠部７１９の隅部は、点線で示した第１封止部１３の外周端部に対して円弧状を有している。かかる、円弧状部を含む切欠部７１９を形成する際には、前記開口１９ｓの平面形状は、両端に半円部を有する矩形とされる（図示せず）。このように、切欠部７１９ａ又は７１９ｂの形状を変更した場合でも、応力を抑制することが可能である。
【実施例４】
【００４１】
実施例４は、図３に示される切欠部１９が、更に異なるパターンを有する例である。図８は、実施例４に係る弾性波デバイス１００Ｍを例示する平面図であり、個片化された後の弾性表面波デバイスチップを示している。
【００４２】
実施例４に係る弾性波デバイス１００Ｍにあっては、図８において破線の楕円２０ｄで囲んだように、第２封止部１４における複数の切欠部８１９のうち、弾性波デバイスチップの上辺に設けられた切欠部８１９ｂ内に、１つの凸部２４を配設している。ちなみに、下辺にある切欠部８１９ｂには凸部２４を配設していない。かかる凸部２４を含む切欠部８１９を形成する際には、例えば両端に半円部を有する矩形状開口を、ダイシングラインに沿って相互に離間して配置する（図示せず）。
【００４３】
選択された辺の切欠部８１９内に凸部２４を配設することにより、他の辺に在る切欠部との平面パターンの相違が生じ、もって弾性波デバイスチップに於ける方向（端子位置）を示すことができ、個々の弾性波デバイスチップの試験及び／或いは支持基板への実装工程の効率化を図ることができる。かかる凸部２４の形状、占有面積、個数等は、特に制限されるものではないが、切欠部８１９を設けることの本来の目的を満たす範囲内、即ち熱処理時の応力の減少・緩和が実行される範囲で選択される必要がある。また、凸部２４の配設箇所も、方位（端子位置）を示す他、必要とされる目的に沿って選択されることは可能である。
【００４４】
実施例１〜４において、弾性波デバイスチップ１００ａはＳＡＷデバイスチップであるとしたが、弾性波デバイスを、例えば弾性境界波デバイス、ラブ波デバイスチップ、及びＦＢＡＲデバイスチップ等、他の弾性波デバイスチップとしてもよい。ＦＢＡＲを用いる場合、圧電基板１０の代わりに、例えばシリコン（Ｓｉ）からなる基板を用いる。また、振動部１１は、圧電体からなる圧電薄膜を挟む上部電極及び下部電極とが重なる領域である。
【００４５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４６】
圧電基板                １０
振動部                  １１
配線                    １２
第１封止部              １３
第２封止部              １４
電極                    １６
空隙                    １７
ダイシングライン        １８
切欠部                  １９、１９ａ、１９ｂ、１９ｄ、６１９ａ、６１９ｂ、７１９ａ、７１９ｂ、８１９ａ、８１９ｂ
開口                    １９ｓ
凸部                    ２４
弾性波デバイス          １００、１００Ｋ、１００Ｌ、１００Ｍ
弾性波デバイスチップ    １００ａ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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