(57)【要約】【課題】アライメントマーク等のマークを有する裏面接合型の太陽電池において、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池１は、受光面１１ａと裏面１１ｂを有し、裏面１１ｂにｐ型表面１０ｐ及びｎ型表面１０ｎが露出している太陽電池基板１０と、ｐ型表面１０ｐに電気的に接続されたｐ側電極１３ｐと、ｎ型表面１０ｎに電気的に接続されたｎ側電極１３ｎとを有し、受光面１１ａの一部に設けられたマーク１５を備えている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光面と裏面を有し、前記裏面にｐ型表面及びｎ型表面が露出している太陽電池基板と、
前記ｐ型表面に電気的に接続されたｐ側電極と、
前記ｎ型表面に電気的に接続されたｎ側電極と、
前記受光面の一部に設けられたマークと、
を備える、
太陽電池。
【請求項２】
前記マークは、光学的に読取可能である、
請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記受光面の前記マークが設けられている部分を覆うパッシベーション膜を備える、請求項１または２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記パッシベーション膜が、アモルファスシリコン、窒化ケイ素または酸化ケイ素からなる、請求項３に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記マークは、平面視において、前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極と重ならない位置に設けられている、請求項１乃至４のいずれかに記載の太陽電池。
【請求項６】
前記ｎ側電極及び前記ｐ側電極のうち、多数キャリアを収集する電極は、線状の複数の第１の電極部と、前記複数の第１の電極部が電気的に接続された第２の電極部とを含み、
前記マークは、平面視において、前記第２の電極部と重なる位置に設けられている、請求項１乃至４のいずれかに記載の太陽電池。
【請求項７】
前記マークは、アライメントマーク及び製品情報マークの少なくとも一方を含む、請求項１乃至６のいずれかに記載の太陽電池。
【請求項８】
前記マークは、凹部により構成されている、請求項１乃至７のいずれかに記載の太陽電池。
【請求項９】
前記パッシベーション膜の厚みは、前記凹部の深さより大きい、請求項８に記載の太陽電池。
【請求項１０】
複数の太陽電池と、前記複数の太陽電池を電気的に接続している配線材とを備え、
前記太陽電池は、受光面と裏面を有し、前記裏面にｐ型表面及びｎ型表面が露出している太陽電池基板と、前記ｐ型表面に電気的に接続されたｐ側電極と、前記ｎ型表面に電気的に接続されたｎ側電極と、前記受光面の一部に設けられたマークとを備える、太陽電池モジュール。
【請求項１１】
前記受光面の前記マークが設けられている部分を覆うパッシベーション膜を備える、請求項１０に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１２】
前記配線材が、隣り合う前記太陽電池の一方の太陽電池の前記ｐ側電極と他方の太陽電池の前記ｎ側電極とを電気的に接続しているプリント配線基板である、請求項１０または１１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１３】
複数の太陽電池と、前記複数の太陽電池を電気的に接続している配線材とを備え、前記太陽電池が、受光面と裏面を有し、前記裏面にｐ型表面及びｎ型表面が露出している太陽電池基板と、前記ｐ型表面に電気的に接続されたｐ側電極と、前記ｎ型表面に電気的に接続されたｎ側電極と、前記受光面の一部に設けられたマークとを備える太陽電池モジュールの製造方法であって、
前記配線材の一方側を前記太陽電池の前記ｐ側電極に電気的に接続すると共に、他方側を他の前記太陽電池の前記ｎ側電極に電気的に接続することにより前記複数の太陽電池を前記配線材により電気的に接続する接続工程を備え、
前記接続工程において、前記マークを用いて前記太陽電池の前記配線材に対する相対的な位置決めを行う、太陽電池モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面接合型の太陽電池、それを備える太陽電池モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、環境に対する負荷が小さなエネルギー源として、太陽電池が大いに注目されている。このため、太陽電池に関する研究開発が活発に行われている。なかでも、太陽電池の光電変換効率を如何に高めるかが重要な課題となってきている。従って、向上した光電変換効率を有する太陽電池やその製造方法の研究開発が特に盛んに行われている。
【０００３】
光電変換効率が高い太陽電池としては、例えば下記の特許文献１などにおいて、裏面側にｐ型領域及びｎ型領域が形成されている所謂裏面接合型の太陽電池が提案されている。この裏面接合型の太陽電池では、キャリアを収集するための電極を受光面に設ける必要が必ずしもない。このため、裏面接合型の太陽電池では、光の受光効率を向上することができる。従って、より向上した光電変換効率を実現し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２７７０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
裏面接合型太陽電池は、裏面にｐ型領域及びｎ型領域が高精細に形成される。このため裏面接合型太陽電池の製造に際しては、半導体基板の位置を正確に検出した上でｐ型領域、ｎ型領域を形成する必要がある。
【０００６】
半導体基板の位置を検出する方向としては、例えば、半導体基板の端面の位置を検出することにより、半導体基板の位置を検出する方法や、半導体基板に形成したアライメントマークの位置を検出することにより、半導体基板の位置を検出する方法などが挙げられる。なかでも、半導体基板に形成したアライメントマークの位置を検出することにより、半導体基板の位置を検出する方法は、半導体基板の位置を高精度に検出することができる方法であるため、特に有用である。
【０００７】
ところで、裏面接合型の太陽電池においては、上記特許文献１に記載のように、アライメントマークは、一般的に、半導体基板の裏面に形成される。
【０００８】
しかしながら、アライメントマークが形成される位置にはｐ型領域やｎ型領域、あるいは電極を形成することができないため、光電変換効率の低下を生じさせてしまう。
【０００９】
本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、アライメントマーク等のマークを有する裏面接合型の太陽電池において、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る太陽電池は、太陽電池基板と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、マークとを備えている。太陽電池基板は、受光面と裏面を有する。裏面には、ｐ型表面及びｎ型表面が露出している。ｐ側電極は、ｐ型表面に電気的に接続されている。ｎ側電極は、ｎ型表面に電気的に接続されている。マークは、受光面の一部に設けられている。
【００１１】
本発明に係る太陽電池モジュールは、複数の太陽電池と、複数の太陽電池を電気的に接続している配線材とを備えている。太陽電池は、太陽電池基板と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、マークとを備えている。太陽電池基板は、受光面と裏面を有する。裏面には、ｐ型表面及びｎ型表面が露出している。ｐ側電極は、ｐ型表面に電気的に接続されている。ｎ側電極は、ｎ型表面に電気的に接続されている。マークは、受光面の一部に設けられている。
【００１２】
本発明に係る太陽電池モジュールの製造方法は、複数の太陽電池と、複数の太陽電池を電気的に接続している配線材とを備え、太陽電池が、受光面と裏面を有し、裏面にｐ型表面及びｎ型表面が露出している太陽電池基板と、ｐ型表面に電気的に接続されたｐ側電極と、ｎ型表面に電気的に接続されたｎ側電極と、受光面の一部に設けられたマークとを備える太陽電池モジュールの製造方法に関する。本発明に係る太陽電池モジュールの製造方法は、配線材の一方側を太陽電池のｐ側電極に電気的に接続すると共に、他方側を他の太陽電池のｎ側電極に電気的に接続することにより複数の太陽電池を配線材により電気的に接続する接続工程を備えている。接続工程において、マークを用いて太陽電池の配線材に対する相対的な位置決めを行う。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、アライメントマーク等のマークを有する裏面接合型の太陽電池において、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施形態に係る太陽電池モジュールの略図的断面図である。
【図２】第１の実施形態における太陽電池ストリングの一部分の略図的裏面図である。
【図３】図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける略図的断面図である。
【図４】第１の実施形態における太陽電池の略図的裏面図である。
【図５】第１の実施形態における太陽電池の略図的平面図である。
【図６】図５の線ＶＩ−ＶＩにおける略図的断面図である。
【図７】第２の実施形態における太陽電池の略図的平面図である。
【図８】第３の実施形態における太陽電池の略図的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を実施した好ましい形態の例について説明する。但し、下記の実施形態は単なる例示である。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。
【００１６】
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００１７】
《第１の実施形態》
（太陽電池モジュール２の概略構成）
図１は、第１の実施形態に係る太陽電池モジュールの略図的断面図である。図１に示すように、太陽電池モジュール２は、１または複数の太陽電池ストリング３を備えている。隣り合う太陽電池ストリング同士は、接続配線によって電気的に接続されている。太陽電池ストリング３の受光面側には、保護部材５が配されている。一方、太陽電池ストリング３の裏面側には、保護部材６が配されている。保護部材５と保護部材６との間には、充填剤層７が設けられている。この充填剤層７により、太陽電池ストリング３が封止されている。
【００１８】
なお、充填剤層７は、例えば、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）やポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等の透光性を有する樹脂により形成することができる。
【００１９】
保護部材５，６は、例えば、ガラス、樹脂などにより形成することができる。また、裏面側に配された保護部材６は、アルミニウム箔などの金属箔を介在させた樹脂フィルムにより構成されていてもよい。
【００２０】
保護部材５，６、充填剤層７及び１または複数の太陽電池ストリング３を有する積層体の外周には、Ａｌ等の金属製の枠体（図示しない）が取り付けられていてもよい。また、裏面側に配される保護部材６の表面上には、太陽電池１の出力を外部に取り出すための端子ボックス（図示しない）が設けられていてもよい。
【００２１】
（太陽電池ストリング３）
太陽電池ストリング３は、ｘ方向に沿って配列された複数の太陽電池１を備えている。複数の太陽電池１は、配線材４によって電気的に接続されている。なお、配線材４による複数の太陽電池１の電気的接続態様については、後に詳述する。
【００２２】
図４は、第１の実施形態における太陽電池の略図的裏面図である。図５は、第１の実施形態における太陽電池の略図的平面図である。図６は、図５の線ＶＩ−ＶＩにおける略図的断面図である。
【００２３】
太陽電池１は、所謂裏面接合型の太陽電池である。太陽電池１は、太陽電池基板１０を備えている。太陽電池基板１０は、受光面１０ａと、裏面１０ｂとを有する。太陽電池基板１０は、裏面１０ｂに露出するｐ型表面１０ｐ及びｎ型表面１０ｎとを有する。
【００２４】
具体的には、本実施形態では、太陽電池基板１０は、一の導電型を有する結晶性半導体基板１１を有する。結晶性半導体基板１１は、受光面１１ａと裏面１１ｂとを有する。この結晶性半導体基板１１の受光面１１ａが、太陽電池基板１０の受光面１０ａを構成している。なお、本実施形態では、結晶性半導体基板１１の導電型がｎ型である例について説明するが、結晶性半導体基板の導電型はｐ型であってもよい。
【００２５】
結晶性半導体基板１１は、例えば、単結晶シリコンまたは多結晶シリコン等の結晶性半導体により構成することができる。
【００２６】
結晶性半導体基板１１の裏面の上には、ｐ型非晶質半導体層１２ｐと、ｎ型非晶質半導体層１２ｎとが配されている。ｐ型非晶質半導体層１２ｐの表面により、ｐ型表面１０ｐが構成されている。ｎ型非晶質半導体層１２ｎの表面により、ｎ型表面１０ｎが構成されている。本実施形態では、これらｐ型非晶質半導体層１２ｐ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎの表面と、結晶性半導体基板１１の裏面１１ｂの露出部とにより、太陽電池基板１０の裏面１０ｂが構成されている。
【００２７】
ｐ型非晶質半導体層１２ｐは、所定の間隔を隔ててライン状に配されている。ｐ型非晶質半導体層１２ｐは、例えば、水素を含むｐ型アモルファスシリコンにより形成することができる。
【００２８】
ｎ型非晶質半導体層１２ｎは、所定の間隔を隔ててライン状に配されている。ｐ型非晶質半導体層１２ｐとｎ型非晶質半導体層１２ｎとは、所定の間隔を隔てて交互に配されている。ｎ型非晶質半導体層１２ｎは、例えば、水素を含むｎ型アモルファスシリコンにより形成することができる。
【００２９】
なお、ｐ型非晶質半導体層１２ｐ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎと、結晶性半導体基板１１との間に、実質的に発電に寄与しない程度のｉ型非晶質半導体層を配してもよい。ｉ型非晶質半導体層は、例えば、水素を含むｉ型アモルファスシリコンにより形成することができる。
【００３０】
ｐ型非晶質半導体層１２ｐの上には、ｐ側電極１３ｐが配されている。一方、ｎ型非晶質半導体層１２ｎの上には、ｎ側電極１３ｎが配されている。上述の通り、本実施形態では、結晶性半導体基板１１がｎ型であるため、ｎ側電極１３ｎが、多数キャリアである電子を収集する電極である。一方、ｐ側電極１３ｐが、少数キャリアである正孔を収集する電極である。
【００３１】
ｐ側電極１３ｐ及びｎ側電極１３ｎのそれぞれの材質は特に限定されない。ｐ側電極１３ｐ及びｎ側電極１３ｎのそれぞれは、例えば、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｐｄなどの金属やそれらの金属の一種以上を含む合金により形成することができる。また、ｐ側電極１３ｐ及びｎ側電極１３ｎのそれぞれは、上記金属や合金からなる複数の導電膜の積層体により構成されていてもよい。
【００３２】
ｐ側電極１３ｐ及びｎ側電極１３ｎのそれぞれの形成方法も特に限定されない。ｐ側電極１３ｐ及びｎ側電極１３ｎのそれぞれは、例えば、金属や合金などからなる導電性粒子を含む樹脂型の導電性ペーストを塗布することにより形成されていてもよいし、めっきにより形成されていてもよい。また、ｐ側電極１３ｐ及びｎ側電極１３ｎのそれぞれは、蒸着法やスパッタ法等によって形成されていてもよい。
【００３３】
結晶性半導体基板１１の受光面１１ａ（本実施形態においては、受光面１１ａ＝受光面１０ａ）には、マーク１５が形成されている。このマーク１５は、本実施形態においては、太陽電池基板１０の位置検出に用いられるアライメントマークである。もっとも、本発明においては、マークは、アライメントマーク以外のマークであってもよい。例えば、マークは、製品情報マークであってもよい。また、アライメントマークや製品情報マークなどの複数種類のマークが設けられていてもよい。
【００３４】
なお、本発明において、「製品情報マーク」とは、製造年月日、製造ライン、ロット番号、使用した半導体基板の種類、ロット番号などの太陽電池１に関する何らかの情報が識別可能なマークである。
【００３５】
本実施形態では、マーク１５は、光学的に読み取り可能なものである。具体的には、マーク１５は、凹部により構成されている。本実施形態では、詳細には、マーク１５は、レーザー光の照射により形成され、互いに交差する２本の溝により構成されている。但し、本発明において、マークは、この構成に限定されない。マークは、例えばドット状、三角形状、四辺形状、多角形状、円形状、楕円形状または長円形状の凹部により構成されていてもよいし、数字や文字により構成されていてもよい。また、マークは、マトリクス状に配置された複数の凹部により構成されたバーコード（登録商標）やＱＲコード（登録商標）であってもよい。
【００３６】
マーク１５の深さは、パッシベーション膜であるｉ型非晶質半導体層１６及びｎ型非晶質半導体層１７の厚みよりも小さいことが好ましい。
【００３７】
本実施形態において、マーク１５は、半導体基板１１の受光面１１ａの角部に配されている。マーク１５は、平面視において、ｐ側電極１３ｐ及びｎ側電極１３ｎのいずれとも重ならない位置に設けられている。尚、マーク１５を設ける位置は特に限定されるものではないが、概観上、半導体基板１１の受光面１１ａの外周領域が好ましい。
【００３８】
受光面１０ａの上には、実質的に発電に寄与しない程度の厚みのｉ型非晶質半導体層１６と、ｎ型非晶質半導体層１７と、反射抑制層１８との積層体が形成されている。上記マーク１５は、この積層体により覆われている。
【００３９】
ｉ型非晶質半導体層１６及びｎ型非晶質半導体層１７は、キャリアの再結合を抑制する、所謂パッシベーション層として機能する。ｉ型非晶質半導体層１６は、水素を含んでいることが好ましい。ｉ型非晶質半導体層１６は、例えば、水素を含むｉ型アモルファスシリコンにより形成することができる。ｎ型非晶質半導体層１７は、例えば、水素を含むｎ型アモルファスシリコンにより形成することができる。上記マーク１５は、少なくともパッシベーション機能を有する膜に覆われている。
【００４０】
反射抑制層１８は、受光面１０ａへと入射しようとする光の反射を抑制する機能を有する。反射抑制層１８は、例えば、窒化ケイ素により形成することができるが、これに限るものではない。
【００４１】
図２は、第１の実施形態における太陽電池ストリングの一部分の略図的裏面図である。図３は、図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける略図的断面図である。次に、図２及び図３を参照しながら、配線材４による複数の太陽電池１の電気的接続態様について詳細に説明する。
【００４２】
本実施形態において、配線材４は、絶縁性の配線材本体４ａと、配線材本体４ａに設けられた配線４ｂとを有するプリント配線基板である。この配線材４の配線４ｂの一方側端部は、ｘ方向に隣り合う太陽電池１の一方の太陽電池１のｐ側電極１３ｐと電気的に接続されている。一方、配線４ｂの他方側端部は、ｘ方向に隣り合う太陽電池１の他方の太陽電池１のｎ側電極１３ｎと電気的に接続されている。これにより、隣り合う太陽電池１のｐ側電極１３ｐとｎ側電極１３ｎとが電気的に接続されることによって、複数の太陽電池が直列に接続されている。
【００４３】
なお、配線材４と太陽電池基板１０とは、接着剤によって接着されている。接着剤としては、半田または樹脂接着剤を用いることができる。接着剤として樹脂接着剤を用いる場合には、樹脂接着剤は絶縁性を有するものであってもよいし、異方導電性を有するものであってもよい。尚、接着剤として異方導電性を有する樹脂接着剤を用いることにより、配線材４の接着工程を容易にすることができる。
【００４４】
（太陽電池モジュール２の製造方法）
次に、太陽電池モジュール２の製造方法の一例について説明する。
【００４５】
まず、結晶性半導体からなる半導体基板１１を用意する。次に、半導体基板１１の受光面１１ａにレーザー光線を照射することによりマーク１５を形成する。マーク１５は前述の通り、ドット状や線状の形状を有する窪みから構成される。
【００４６】
その後、受光面１１ａの上に、パッシベーション機能を有する層及び反射抑制機能を有する層を形成する。具体的に、パッシベーション機能を有する層としてｉ型非晶質半導体層１６及びｎ型非晶質半導体層１７を形成する。ｎ型非晶質半導体層１７の表面上に反射抑制機能を有する層として反射抑制層１８を形成する。また、裏面１０ｂの表面上に、ｐ型非晶質半導体層１２ｐ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎを所定のパターンで適宜形成することにより、太陽電池基板１０を作製する。なお、裏面１０ｂとｐ型非晶質半導体層１２ｐ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎの間のそれぞれに、実質的に発電に寄与しない程度の厚み、例えば数Å〜２５０Åの厚みを有する真性の非晶質半導体層を介挿してもよい。このようにすることで、半導体基板１１とｐ型非晶質半導体層１２ｐ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎとの間の接合特性を良好なものにすることができる。上記のｉ型非晶質半導体層１６、ｎ型非晶質半導体層１７、ｐ型非晶質半導体層１２ｐ及びｎ型非晶質半導体層１２ｎは、例えば、プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法などにより形成することができる。また、反射抑制層１８はＣＶＤ法の他スパッタ法などの方法によっても形成することができる。
【００４７】
次に、ｐ側電極１３ｐとｎ側電極１３ｎとを形成することにより太陽電池１を完成させる。ｐ側電極１３ｐとｎ側電極１３ｎは、例えば、導電性ペーストの塗布、めっき法、蒸着法、スパッタ法等により形成することができる。
【００４８】
次に、複数の太陽電池１を配線材４を用いて電気的に接続する接続工程を行う。具体的には、配線材４の配線４ｂの一方側が太陽電池１のｐ側電極１３ｐに電気的に接続されると共に、他方側が他の太陽電池１のｎ側電極１３ｎに電気的に接続されるように、太陽電池１と配線材４とを接着剤により接着する（接着工程）。この接着工程を繰り返し行うことにより、太陽電池ストリング３を作製する。
【００４９】
この接着工程においては、マーク１５を用いて太陽電池１の配線材４に対する相対的な位置決めを行う。具体的には、太陽電池１のマーク１５を、カメラなどの画像認識装置を用いて認識する。そして、認識されたマーク１５の位置に基づいて太陽電池１の現在の位置を検出する。そして、その位置情報に基づいて、太陽電池１と配線材４とを相対的に位置決めする。
【００５０】
最後に、保護部材５の上に、充填剤層７の受光面側の部分を構成するための第１の樹脂シート、太陽電池ストリング３、充填剤層７の裏面側の部分を構成するための第２の樹脂シート及び保護部材６を積層する。次に、得られた積層体をラミネートすることにより、太陽電池モジュール２を完成させることができる。
【００５１】
ところで、裏面接合型の太陽電池１では、受光面１１ａが損傷すると光電変換効率が大きく低下してしまう。このため、太陽電池モジュール２の製造工程においては、受光面１１ａが他の部材と非接触となるように、裏面１１ｂ側を下に向け、受光面１１ａを上に向けた状態に保持することが好ましい。よって、例えば、裏面にマークを設けた場合は、太陽電池モジュールの製造工程においてマークの検出が困難となる。
【００５２】
それに対して本実施形態では、マーク１５が受光面１１ａに設けられている。このため、裏面１１ｂが下を向くように配置した状態で太陽電池モジュール２の製造を行った場合であっても、太陽電池モジュール２の製造工程においてマーク１５を容易に検出することができる。
【００５３】
例えば、配線材４による太陽電池１の電気的接続の際にも受光面１１ａ側から容易に太陽電池１と配線４ｂとの相対的な位置や姿勢を検出することができる。また、例えば、マークが製品情報マークを含む場合には、太陽電池モジュール２の製造工程において、受光面１１ａ側から、容易に製品情報を検出することができる。
【００５４】
また、本実施形態では、マーク１５が光学的に読み取り可能であるため、カメラ等の撮像装置を用いてマーク１５を容易に検出することができる。
【００５５】
また、受光面１１ａがパッシベーション膜としての非晶質半導体層により覆われている。このため、受光面１１ａのマーク１５が設けられた部分に再結合中心が発生することを抑制できる。従って、改善された光電変換効率を得ることができる。特に、本実施形態のパッシベーション膜としてのｉ型非晶質半導体層１６は、水素を含むアモルファスシリコンからなるため、再結合中心の発生をより効果的に抑制で、より改善された光電変換効率が得られる。また、パッシベーション膜の厚みをマーク１５を構成する凹部（窪み）の深さより厚くすることで、凹部の全面をパッシベーション膜によって覆うことが容易になる。この結果、より改善された光電変換効率を得ることができる。
【００５６】
さらに、本実施形態では、マーク１５が平面視において、ｐ側電極１３ｐ及びｎ側電極１３ｎと重ならない位置に設けられている。このため、マーク１５により半導体基板１１に再結合中心が発生したとしても、その再結合中心がキャリアの収集に及ぼす影響が少ない。従って、さらに改善された光電変換効率を得ることができる。
【００５７】
なお、本実施形態では、パッシベーション膜がアモルファスシリコンからなるｉ型非晶質半導体層１６により構成されている例について説明した。但し、本発明においてパッシベーション膜は、アモルファスシリコンからなるものに限定されない。パッシベーション膜は、窒化ケイ素や酸化ケイ素からなるものであってもよい。その場合であっても同様に、改善された光電変換効率を得ることができる。
【００５８】
以下、本発明を実施した好ましい形態の他の例について説明する。なお、以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【００５９】
（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態における太陽電池の略図的平面図である。
【００６０】
上記第１の実施形態では、ｐ側電極１３ｐ及びｎ側電極１３ｎのそれぞれが、ｘ方向に延びる複数のフィンガー電極部のみにより構成された所謂バスバーレスの電極である例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。
【００６１】
例えば、図７に示すように、ｐ側電極１３ｐ及びｎ側電極１３ｎのそれぞれは、ｘ方向に沿って相互に平行に延びる複数のフィンガー電極部１３ｐ２，１３ｎ２と、複数のフィンガー電極部１３ｐ２，１３ｎ２が電気的に接続されており、ｙ方向に沿って延びるバスバー部１３ｐ１，１３ｎ１とを備えていてもよい。この場合において、上記第１の実施形態と同様に、平面視においてマーク１５をｐ側電極１３ｐ及びｎ側電極１３ｎと重ならないように配してもよいが、本実施形態では、ｎ側電極１３ｎのバスバー部１３ｎ１と重なるように配されている。バスバー部１３ｎ１は、本実施形態において多数キャリアを収集する電極部であるため、太陽電池基板１０のバスバー部１３ｎ１上の部分であれば、再結合中心が生じても光電変換効率が低下しにくい。従って、マーク１５による光電変換効率の低下を抑制することができる。
【００６２】
（第３の実施形態）
図８は、第３の実施形態における太陽電池の略図的断面図である。
【００６３】
上記第１の実施形態では、太陽電池基板１０が、半導体基板１１と、ｎ型非晶質半導体層１２ｎと、ｐ型非晶質半導体層１２ｐとにより構成されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、図８に示すように、ｐ型のドーパントが拡散しているｐ型ドーパント拡散領域１１ｐと、ｎ型のドーパントが拡散しているｎ型ドーパント拡散領域１１ｎとが表面に露出するように形成されている半導体基板１１により太陽電池基板１０を構成してもよい。この場合であっても、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【符号の説明】
【００６４】
１…太陽電池
２…太陽電池モジュール
３…太陽電池ストリング
４…配線材
４ａ…基板本体
４ｂ…配線
１０…太陽電池基板
１１ａ…太陽電池基板の受光面
１１ｂ…太陽電池基板の裏面
１０ｎ…ｎ型表面
１０ｐ…ｐ型表面
１１…半導体基板
１１ａ…半導体基板の受光面
１１ｂ…半導体基板の裏面
１１ｎ…ｎ型ドーパント拡散領域
１１ｐ…ｐ型ドーパント拡散領域
１２ｎ…ｎ型非晶質半導体層
１２ｐ…ｐ型非晶質半導体層
１３ｎ…ｎ側電極
１３ｐ…ｐ側電極
１３ｐ１、１３ｎ１…バスバー部
１３ｐ２、１３ｎ２…フィンガー電極部
１５…マーク
１６…ｉ型非晶質半導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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