(57)【要約】【課題】信頼性が高い所望のサーボ情報を磁気ディスク等の情報記録媒体の両面に記録できる磁気転写用スタンパを効率良く製造できる方法を提供する。【解決手段】原盤４０の初期凹凸パターンと凹凸関係が等しい基板１２を有する第１スタンパを作製する第１スタンパ作製工程と、原盤４０の初期凹凸パターンと凹凸関係が逆である基板２２を有する第２スタンパを作製する第２スタンパ作製工程と、を含み、少なくとも一方のスタンパ作製工程は、最終被転写物及び最終被転写物よりも偶数回前の転写で得られる中間被転写物のいずれかを凸部が平面視において縮小するように加工する凸部縮小工程、及び最終被転写物よりも奇数回前の転写で得られる中間被転写物５０、第２中間被転写物５４を凸部が平面視において拡大するように加工する凸部拡大工程のいずれかの凸部修正工程を含む。【選択図】図６
2012104209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の初期凹凸パターンの転写面を有する原盤を作製する原盤作製工程と、
前記原盤から偶数回の凹凸転写によって前記初期凹凸パターンと凹凸関係が等しい第１凹凸パターンの基板を有する第１スタンパを作製する第１スタンパ作製工程と、
前記原盤から奇数回の凹凸転写によって前記初期凹凸パターンと凹凸関係が逆である第２凹凸パターンの基板を有する第２スタンパを作製する第２スタンパ作製工程と、を含み、
前記第１スタンパ作製工程及び前記第２スタンパ作製工程の少なくとも一方は、前記原盤からの凹凸転写によって最終的に得られる最終被転写物及び前記最終被転写物よりも偶数回前の転写で得られる中間被転写物のいずれかをその転写面の凸部が平面視において縮小するように加工する凸部縮小工程、及び前記最終被転写物よりも奇数回前の転写で得られる中間被転写物をその転写面の凸部が平面視において拡大するように加工する凸部拡大工程のいずれかの凸部修正工程を含むことを特徴とする磁気転写用スタンパの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１スタンパ作製工程及び前記第２スタンパ作製工程の両方が前記凸部修正工程を含むことを特徴とする磁気転写用スタンパの製造方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記原盤作製工程において前記初期凹凸パターンが前記第１凹凸パターンと同じであるように前記原盤を作製し、
前記第２スタンパ作製工程のみが前記凸部修正工程を含むことを特徴とする磁気転写用スタンパの製造方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記原盤作製工程において前記初期凹凸パターンが前記第２凹凸パターンと凹凸が反転した関係であるように前記原盤を作製し、
前記第１スタンパ作製工程のみが前記凸部修正工程を含むことを特徴とする磁気転写用スタンパの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の磁気転写用スタンパの製造方法により作製された前記第１スタンパ及び前記第２スタンパを用いて情報記録媒体の両面にサーボ情報を磁気転写する工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体に所定の情報を磁気的に転写するために用いられる磁気転写用スタンパの製造方法及びこの方法により得られるスタンパを用いた情報記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスクドライブに備えられる磁気ディスクは両面にデータが記録されるようになっており、ハードディスクドライブには両面の記録／再生のために１枚の磁気ディスクに対して２つの記録／再生ヘッド及び先端近傍においてこれらの記録／再生ヘッドを支持する２つのサスペンションアームが備えられている。２つのサスペンションアームは共通の中心軸まわりに回転自在であり各記録／再生ヘッドは磁気ディスクのいずれか一方の側の表面に近接して磁気ディスクの径方向に沿って円弧軌道で移動するようになっている。このように２つの記録／再生ヘッドは共通の中心軸まわりに回転するので、２つの記録／再生ヘッドの円弧軌道は（各記録／再生ヘッドから磁気ディスクを見る平面視において）鏡面対称である。
【０００３】
又、磁気ディスクは両面においてサーボ領域とデータ領域とに区分けされ、サーボ領域には記録／再生ヘッドの位置決めのためのサーボ情報が記録され、サーボ情報に基づいて記録／再生ヘッドのトラッキング等が行われる。より詳細には、磁気ディスクの径方向に沿う複数のサーボ領域が周方向に適宜な間隔で放射状に設定される。これらサーボ領域の間の部分がデータ領域であり、データ領域には所定のトラックに沿ってデータが記録される。サーボ領域は通常、記録／再生ヘッドの円弧軌道と同じ又は記録／再生ヘッドの円弧軌道に近い円弧形状である。上記のように２つの記録／再生ヘッドの円弧軌道は鏡面対称であるので、磁気ディスクの両面のサーボ領域の円弧形状も通常、鏡面対称である。又、各サーボ領域は、クロックの同期のためのプリアンブル領域、サーボデータの開始を示すＳＡＭ（Servo Address Mark）領域、セクタ番号を示すセクタアドレス信号領域、トラック番号を示すトラックアドレス信号領域、磁気ヘッドのトラッキングのためのバースト信号領域等に更に区分けされ、各領域にはそれぞれの目的に応じたサーボ情報が記録される。磁気ディスクの回転に伴って記録／再生ヘッドが各サーボ領域のサーボ情報を再生する際、プリアンブル領域、バースト信号領域等のサーボ情報が各サーボ領域において同じ順序で再生されるように、各サーボ領域にプリアンブル領域、バースト信号領域等が記録／再生ヘッドの（相対的な）進行方向に同じ順序で並んでいることが好ましい。このように磁気ディスクの両面のサーボ領域の円弧形状が鏡面対称であり、且つ、磁気ディスクの両面の各サーボ領域にプリアンブル領域、バースト信号領域等が記録／再生ヘッドの（相対的な）進行方向に同じ順序で並ぶようにするために、サーボ情報は磁気ディスクの両面に鏡面対称のパターンで記録されることが好ましい。尚、磁気ディスクの一方の面のサーボ領域の位相（サーボ領域の周方向の位置）と他方の面のサーボ領域の位相とが必ずしも一致している必要はない。
【０００４】
サーボ情報は、具体的には記録層における１ビットの情報に相当する各領域を０又は１の情報に対応する方向に所定のサーボパターンで磁化することにより記録される。面内記録媒体では各領域を０又は１の情報に対応する周方向の一方の向き又はその逆の向きに所定のサーボパターンで磁化することによりサーボ情報が記録される。又、近年主流となりつつある垂直記録媒体では各領域を０又は１の情報に対応する表面に垂直な方向の一方の向き又はその逆の向きに所定のサーボパターンで磁化することによりサーボ情報が記録される。このようにサーボ情報は、０の情報に対応する方向に磁化された領域に対応する１ビットのサーボ情報要素と１の情報に対応する方向に磁化された領域に対応する１ビットのサーボ情報要素とが所定のサーボパターンで配置された構成である。記録／再生ヘッドのトラッキングのためのサーボ信号のＳ／Ｎ比を高めるためには（径方向の位置が等しい）各サーボ情報要素の周方向の長さが均一であることが好ましい。従って、０の情報に対応するサーボ情報要素の周方向の長さと１の情報に対応するサーボ情報要素の周方向の長さが等しいことが好ましい。例えば、プリアンブル領域には、０の情報に対応するサーボ情報要素と１の情報に対応するサーボ情報要素とが周方向に交互に並ぶように記録される。このようなサーボ情報は、サーボ記録装置によって各磁気記録媒体毎に記録層における各領域を０の情報及び１の情報に応じて順次磁化させていくものであるため、磁気ディスクの１面あたりのサーボ情報の記録に時間を要し生産性が低いという問題があった。特に近年、面記録密度の向上のため、サーボ情報についても高密度で、高精度な記録が要求されるようになっており、サーボ情報の記録の効率改善に対するニーズが高まっている。
【０００５】
そこで磁気転写用スタンパを用いて磁気ディスクにサーボ情報を磁気転写することが提案されている。具体的には、サーボパターンに対応する凹凸パターンの転写面を有する磁気転写用スタンパを用意し、磁気転写用スタンパの転写面を磁気ディスクの表面に接触させて適当な大きさの直流外部磁場を印加することにより磁気ディスクにおける磁気転写用スタンパの転写面の凸部に接触する部分が一方向に選択的に磁化されサーボ情報が記録される。磁気転写用スタンパを用いれば短時間で磁気ディスクにサーボ情報を磁気転写することができるので、サーボ情報の記録効率の大幅な向上が期待されている。
【０００６】
一方、磁気転写用スタンパを用いて磁気ディスクに転写されるサーボパターンは磁気転写用スタンパの凹凸パターンの平面視における形状と完全には一致しにくいという問題がある。具体的には、磁気転写用スタンパの転写面の凸部を磁気ディスクの表面に接触させて適当な大きさの直流外部磁場を印加すると、磁気ディスクにおける磁気転写用スタンパの凸部に接触する部分だけでなくその周辺部も磁気転写用スタンパの転写面の凸部に接触する部分と同じ方向に磁化されやすい。これは、磁気転写用スタンパの転写面の凸部を介して磁気ディスクに印加される直流外部磁場の磁路は磁気転写用スタンパの凸部と完全には一致せず直流外部磁場の一部は凸部の周辺部にも広がる（漏れる）ためであると考えられる。このため、凸部に対応する（一部の又は全部の）サーボ情報要素（例えば０の情報に対応するサーボ情報要素）の周方向の長さが凹部に対応する（一部の又は全部の）サーボ情報要素（例えば１の情報に対応するサーボ情報要素）の周方向の長さよりも長くなり、サーボ信号のＳ／Ｎ比が低下するという問題がある。
【０００７】
これに対し、磁気転写用スタンパの凸部によって磁化したい部分だけを所望の方向に磁化するために、その磁化対象部分よりも磁気転写用スタンパの対応する凸部を小さく形成する手法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
このような磁気転写用スタンパは通常、凹凸パターンの基板と基板の凹凸パターンに倣って形成された強磁性膜等とを有しており、原盤からの凹凸転写によって磁気転写用スタンパの基板を作製することが提案されている。原盤を作製するためにはサーボ情報のパターンに対応するパターンで電子線等によってレジストを描画（露光）する必要があり、この描画工程には（例えば数週間程度の）多大な時間を要するという問題がある。上記のようにサーボ情報を磁気ディスクの両面に鏡面対称のパターンで記録するためには鏡面対称の凹凸パターンの転写面を有する２つの磁気転写用スタンパを作製する必要があり、２つの磁気転写用スタンパを作製するために多大な時間を要する描画工程を２回行うことになるため生産効率が低いという問題がある。
【０００９】
これに対し、鏡面対称のサーボパターンに対応する２つの凹凸パターンのうちのいずれか一方に相当する原盤のみを作製し、この原盤からメッキ等の凹凸転写によってファザースタンパを作製し、ファザースタンパから凹凸転写によってマザースタンパを作製し、更にマザースタンパから凹凸転写によってサンスタンパを作製する手法が知られている（例えば、特許文献２参照）。マザースタンパの転写面の凹凸パターンとサンスタンパの転写面の凹凸パターンとは凹凸が反転した関係（鏡面対称で凹凸関係が逆）であるので磁気ディスクの一方の面にマザースタンパの転写面を接触させ、他方の面にサンスタンパの転写面を接触させて外部磁場を印加することにより磁気ディスクの両面に鏡面対称のパターンのサーボ情報を記録することができる。尚、磁気ディスクの一方の面におけるマザースタンパの転写面の凸部に接触する部分と、これに対応する磁気ディスクの他方の面におけるサンスタンパの転写面の凹部に対向する部分とは逆方向に磁化されるが、それぞれの面を再生するための記録／再生ヘッドからの視点では同じ方向に磁化されているように見えるので好都合である。この手法では原盤を１つだけ作製すればよいので生産効率の向上が期待される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−３１２８１９号公報
【特許文献２】米国特許第７，０３６，２０９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記のように磁気転写用スタンパの転写面の凸部を磁気ディスクの表面に接触させて適当な大きさの直流外部磁場を印加すると、磁気ディスクにおける磁気転写用スタンパの凸部に接触する部分だけでなくその周辺部も磁気転写用スタンパの転写面の凸部に接触する部分と同じ方向に磁化されやすい。従って、磁気ディスクの一方の面におけるマザースタンパの転写面の凸部（又は凹部）の大きさとこれに対応する磁気ディスクの他方の面におけるサンスタンパの転写面の凹部（又は凸部）の大きさとが同じであっても、磁気ディスクの一方の面におけるマザースタンパの転写面の凸部（又は凹部）に対応して磁化される部分の大きさと他方の面におけるサンスタンパの転写面の凹部（又は凸部）に対応して磁化される部分の大きさは一致しにくい。従って、マザースタンパとサンスタンパを用いて磁気ディスクの両面に記録されるサーボ情報は、マザースタンパの転写面の凸部（又は凹部）に対応するサーボ情報要素とサンスタンパの転写面の凹部（又は凸部）に対応するサーボ情報要素との配置は鏡面対称であっても対応する（一部又は全部の）サーボ情報要素同士の大きさが一致しにくく、サーボ情報要素の大きさも等しい鏡面対称のパターンのサーボ情報を磁気ディスクの両面に記録することは困難であった。
【００１２】
更に、マザースタンパやサンスタンパの基板の凹凸面の上に強磁性膜等が成膜される場合には、強磁性膜等の厚さの分だけ凸部の幅が広くなる一方、凹部の幅は狭くなる。従って、マザースタンパ及びサンスタンパの一方の転写面の凸部に対応する（一部又は全部の）サーボ情報要素と他方の転写面の（対応する）凹部に対応する（一部又は全部の）サーボ情報要素との大きさの差は更に大きくなる。強磁性膜等は通常数十ｎｍ程度であるが、面記録密度の向上に伴い周方向又は径方向の幅が数十ｎｍのサーボ情報要素を含むサーボ情報の記録も要求されるようになっており、数十ｎｍ程度の強磁性膜等であっても影響は無視できなくなっている。
【００１３】
尚、例えば、磁気ディスクにおけるマザースタンパで磁気転写される側の面においてマザースタンパの凸部によって磁化したい部分だけを所望の方向に磁化するために、その磁化対象部分よりもマザースタンパの対応する凸部を小さく形成した場合、逆にサンスタンパの凸部はサンスタンパの凸部によって磁化したい部分よりも大きく形成される。従って、磁気ディスクにおけるサンスタンパで磁気転写される側の面においては、サンスタンパの凸部に対応する（一部又は全部の）サーボ情報要素の周方向の長さがサンスタンパの凹部に対応する（一部又は全部の）サーボ情報要素の周方向の長さよりも長い傾向が一層顕著になる。これにより、サーボ信号のＳ／Ｎ比が低下するという問題がある。
【００１４】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、信頼性が高い所望のサーボ情報を磁気ディスク等の情報記録媒体の両面に記録できる磁気転写用スタンパを効率良く製造できる磁気転写用スタンパの製造方法及びこの方法により得られるスタンパを用いた情報記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、所定の初期凹凸パターンの転写面を有する原盤を作製する原盤作製工程と、原盤から偶数回の凹凸転写によって初期凹凸パターンと凹凸関係が等しい第１凹凸パターンの基板を有する第１スタンパを作製する第１スタンパ作製工程と、原盤から奇数回の凹凸転写によって初期凹凸パターンと凹凸関係が逆である第２凹凸パターンの基板を有する第２スタンパを作製する第２スタンパ作製工程と、を含み、第１スタンパ作製工程及び第２スタンパ作製工程の少なくとも一方は、原盤からの凹凸転写によって最終的に得られる最終被転写物及び最終被転写物よりも偶数回前の転写で得られる中間被転写物のいずれかをその転写面の凸部が平面視において縮小するように加工する凸部縮小工程、及び最終被転写物よりも奇数回前の転写で得られる中間被転写物をその転写面の凸部が平面視において拡大するように加工する凸部拡大工程のいずれかの凸部修正工程を含む磁気転写用スタンパの製造方法により上記目的を達成したものである。
【００１６】
この磁気転写用スタンパの製造方法によれば、平面視において第１凹凸パターン及び第２凹凸パターンの少なくとも一方の凸部の形状が、原盤からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状になるように、第１凹凸パターンの基板及び第２凹凸パターンの基板を作製できる。従って、第１凹凸パターンの基板及び第２凹凸パターンの基板の両方の各凸部を各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状に形成できる。
【００１７】
例えば、原盤作製工程において初期凹凸パターンが磁気転写対象の情報記録媒体に記録したい所望のサーボ情報のパターンと同じ又は所望のサーボ情報のパターンに近いパターンであるように原盤を作製し、第１スタンパ作製工程及び第２スタンパ作製工程の両方で凸部修正工程を実行することにより、第１凹凸パターンの基板及び第２凹凸パターンの基板の両方の各凸部を各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状に形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第１スタンパ及び第２スタンパを作製できる。このような第１スタンパ及び第２スタンパを用いて情報記録媒体に磁気転写を行うことにより情報記録媒体の両面に信頼性が高い所望のサーボ情報を記録できる。
【００１８】
又、原盤作製工程において初期凹凸パターンが第１凹凸パターンと同じであるように原盤を作製し、第２スタンパ作製工程のみで凸部修正工程を実行してもよい。この場合、第１スタンパ作製工程では凸部修正工程を省略できるのでスタンパの生産効率を更に向上しうる。尚、この場合、初期凹凸パターンの各凸部（即ち、第１凹凸パターンの各凸部）の形状は、第１スタンパの各凸部によって磁化したい部分に対し縮小した形状とすればよい。
【００１９】
又、原盤作製工程において初期凹凸パターンが第２凹凸パターンと凹凸が反転した関係であるように原盤を作製し、第１スタンパ作製工程のみで凸部修正工程を実行してもよい。この場合も、第２スタンパ作製工程で凸部修正工程を省略できるのでスタンパの生産効率を更に向上しうる。尚、この場合、初期凹凸パターンの各凹部（即ち、第２凹凸パターンの各凸部）の形状は、第２スタンパの凸部によって磁化したい部分に対し縮小した形状とすればよい。
【００２０】
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。
【００２１】
（１）所定の初期凹凸パターンの転写面を有する原盤を作製する原盤作製工程と、前記原盤から偶数回の凹凸転写によって前記初期凹凸パターンと凹凸関係が等しい第１凹凸パターンの基板を有する第１スタンパを作製する第１スタンパ作製工程と、前記原盤から奇数回の凹凸転写によって前記初期凹凸パターンと凹凸関係が逆である第２凹凸パターンの基板を有する第２スタンパを作製する第２スタンパ作製工程と、を含み、前記第１スタンパ作製工程及び前記第２スタンパ作製工程の少なくとも一方は、前記原盤からの凹凸転写によって最終的に得られる最終被転写物及び前記最終被転写物よりも偶数回前の転写で得られる中間被転写物のいずれかをその転写面の凸部が平面視において縮小するように加工する凸部縮小工程、及び前記最終被転写物よりも奇数回前の転写で得られる中間被転写物をその転写面の凸部が平面視において拡大するように加工する凸部拡大工程のいずれかの凸部修正工程を含むことを特徴とする磁気転写用スタンパの製造方法。
【００２２】
（２）  （１）において、前記第１スタンパ作製工程及び前記第２スタンパ作製工程の両方が前記凸部修正工程を含むことを特徴とする磁気転写用スタンパの製造方法。
【００２３】
（３）  （１）において、前記原盤作製工程において前記初期凹凸パターンが前記第１凹凸パターンと同じであるように前記原盤を作製し、前記第２スタンパ作製工程のみが前記凸部修正工程を含むことを特徴とする磁気転写用スタンパの製造方法。
【００２４】
（４）  （１）において、前記原盤作製工程において前記初期凹凸パターンが前記第２凹凸パターンと凹凸が反転した関係であるように前記原盤を作製し、前記第１スタンパ作製工程のみが前記凸部修正工程を含むことを特徴とする磁気転写用スタンパの製造方法。
【００２５】
（５）  （１）乃至（４）のいずれかに記載の磁気転写用スタンパの製造方法により作製された前記第１スタンパ及び前記第２スタンパを用いて情報記録媒体の両面にサーボ情報を磁気転写する工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【００２６】
尚、本出願において「情報記録媒体」という用語は、情報の記録のために磁気のみを用いる磁気記録媒体、情報の記録のために磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体、磁気とマイクロ波を併用するマイクロ波アシスト型の記録媒体、及び光磁気記録媒体を含む意義で用いることとする。
【００２７】
又、本出願において「凹凸関係が等しい」とは、対応する凸部同士の配置が等しく対応する凹部同士の配置も等しい関係という意味で用いる。尚、「凹凸関係が等しい」は、対応する凸部同士の大きさが等しく対応する凹部同士の大きさも等しい関係、及び対応する凸部同士の大きさが異なり対応する凹部同士の大きさも異なる関係の両方を含む。
【００２８】
又、本出願において「凹凸関係が逆」とは、対応する凸部と凹部の配置が逆である関係という意味で用いる。尚、「凹凸関係が逆」は、対応する凸部と凹部の大きさが等しい関係、及び対応する凸部と凹部の大きさが異なる関係の両方を含む。
【００２９】
又、本出願において「凹凸が反転した関係」とは原盤から１回（又は奇数回）の凹凸転写によって得られる被転写物の凹凸パターンと原盤の凹凸パターンとの関係という意味で用いる。「凹凸が反転した関係」では、平面視において対応する凸部と凹部の大きさは実質的に等しい。
【００３０】
又、本出願において「転写面の凸部が平面視において縮小する」とは、凸部の平面視における周縁部が減少するように転写面の凸部がスリム化されるという意味で用いる。例えば、平面視において矩形の凸部が縮小すると、より小さい矩形の凸部になる。又、平面視において矩形の複数の凹部を隔てる格子状の凸部が縮小すると、より細い格子状の凸部になる。尚、この場合、凸部で隔てられる凹部は拡大する。
【００３１】
又、本出願において「転写面の凸部が平面視において拡大する」とは、凸部の平面視における周縁部が増大するように転写面の凸部が肥大するという意味で用いる。例えば、平面視において矩形の凸部が拡大すると、より大きい矩形の凸部になる。又、平面視において矩形の複数の凹部を隔てる格子状の凸部が拡大すると、より太い格子状の凸部になる。尚、この場合、凸部で隔てられる凹部は縮小する。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、信頼性が高い所望のサーボ情報を情報記録媒体の両面に記録できる磁気転写用スタンパを効率良く製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１Ａ】本発明の第１実施形態に係る第１スタンパの構造を模式的に示す転写面側から見た平面図
【図１Ｂ】図１ＡのIB−IBに沿う断面図
【図１Ｃ】図１ＢのICから見た平面図
【図２Ａ】同第１実施形態に係る第２スタンパの構造を模式的に示す転写面側から見た平面図
【図２Ｂ】図２ＡのIIB−IIBに沿う断面図
【図２Ｃ】図２ＢのIICから見た平面図
【図３Ａ】同第１実施形態に係る情報記録媒体における前記第１スタンパによってサーボ情報が磁気転写された側の面を模式的に示す平面図
【図３Ｂ】同情報記録媒体における前記第２スタンパによってサーボ情報が磁気転写された側の面を模式的に示す平面図
【図３Ｃ】図３Ａ、３ＢのIIIC−IIICに沿う断面図
【図３Ｄ】図３ＣのIIIDから見た平面図
【図３Ｅ】図３ＣのIIIEから見た平面図
【図４】同第１実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示すフローチャート
【図５Ａ】前記第１スタンパ及び前記第２スタンパを製造するための原盤の構造を模式的に示す平面図
【図５Ｂ】図５ＡのVB−VBに沿う断面図
【図５Ｃ】図５ＢのVCから見た平面図
【図６】同第１実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示す説明図
【図７】同第１実施形態に係る第１スタンパ及び第２スタンパによる情報記録媒体への磁気転写工程を示す断面図
【図８】本発明の第２実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示すフローチャート
【図９】同第２実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示す説明図
【図１０】本発明の第３実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示すフローチャート
【図１１】同第３実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示す説明図
【図１２】本発明の第４実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示すフローチャート
【図１３】同第４実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示す説明図
【図１４】本発明の第５実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示すフローチャート
【図１５】同第５実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示す説明図
【図１６Ａ】本発明の第６実施形態に係る原盤の構造を模式的に示す平面図
【図１６Ｂ】図１６ＡのXVIB−XVIBに沿う断面図
【図１６Ｃ】図１６ＢのXVICから見た平面図
【図１７】同第６実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示すフローチャート
【図１８】同第６実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示す説明図
【図１９】本発明の第７実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示すフローチャート
【図２０】同第７実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示す説明図
【図２１】本発明の第８実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示すフローチャート
【図２２】同第８実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示す説明図
【図２３】本発明の第９実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示すフローチャート
【図２４】同第９実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示す説明図
【図２５】本発明の第１０実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示すフローチャート
【図２６】同第１０実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示す説明図
【図２７】本発明の第１１実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示すフローチャート
【図２８】同第１１実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示す説明図
【図２９】本発明の第１２実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示すフローチャート
【図３０】同第１２実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示す説明図
【図３１Ａ】本発明の第１３実施形態に係る原盤の構造を模式的に示す平面図
【図３１Ｂ】図３１ＡのXXXIB−XXXIBに沿う断面図
【図３１Ｃ】図３１ＢのXXXICから見た平面図
【図３２】同第１３実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示すフローチャート
【図３３】同第１３実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示す説明図
【図３４】本発明の第１４実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示すフローチャート
【図３５】同第１４実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示す説明図
【図３６】本発明の第１５実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示すフローチャート
【図３７】同第１５実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示す説明図
【図３８】本発明の第１６実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示すフローチャート
【図３９】同第１６実施形態に係る磁気転写用スタンパの製造方法の概要を示す説明図
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００３５】
本発明の第１実施形態は、図１Ａ、１Ｂ、１Ｃに示されるような第１スタンパ１０、及び図２Ａ、２Ｂ、２Ｃに示されるような第２スタンパ２０を製造する磁気転写用スタンパの製造方法に関する。これら第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０は、図３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ及び３Ｅに示されるような情報記録媒体３０の両面３０Ａ及び３０Ｂに所定のサーボ情報を磁気的に転写するために用いられる。本第１実施形態の理解のため、まず情報記録媒体３０の構造について簡単に説明する。
【００３６】
情報記録媒体３０は中心孔３０Ｃが形成された垂直記録型の磁気ディスクであり両面にデータが記録されるようになっている。具体的には、情報記録媒体３０は、基板３２、軟磁性層３４、配向層３６及び記録層３８を備え、これらの層が基板３２の両面３０Ａ及び３０Ｂに対称的に形成されている。尚、記録層３８の上に保護層や潤滑層が形成されていてもよい。又、基板３２と軟磁性層３４との間に反強磁性層や下地層が形成されていてもよい。情報記録媒体３０は両面３０Ａ及び３０Ｂにおいてサーボ領域ＳＡとデータ領域ＤＡとに区分けされ、サーボ領域ＳＡには記録／再生ヘッドの位置決めのためのサーボ情報が記録され、サーボ情報に基づいて記録／再生ヘッドのトラッキング等が行われる。より詳細には、情報記録媒体３０の径方向に沿う複数のサーボ領域ＳＡが円周方向に適宜な間隔で放射状に設定される。これらサーボ領域ＳＡの間の部分がデータ領域ＤＡであり、データ領域ＤＡには所定のトラックに沿ってデータが記録される。尚、情報記録媒体３０の内周部及び外周部はサーボ情報もデータも記録されない非記録領域である。サーボ領域ＳＡは、記録／再生ヘッド（図示省略）の円弧軌道と同じ又は記録／再生ヘッドの円弧軌道に近い円弧形状である。情報記録媒体３０の両面３０Ａ及び３０Ｂの記録／再生のために備えられる２つの記録／再生ヘッドは共通の中心軸まわりに回転するように設置されるので、図３Ａ及び３Ｂに示されるように、情報記録媒体３０のサーボ領域ＳＡの形状は円弧である。又、情報記録媒体３０の一方の面３０Ａのサーボ領域ＳＡの形状と他方の面３０Ｂのサーボ領域ＳＡの形状は鏡面対称である。又、各サーボ領域ＳＡは、クロックの同期のためのプリアンブル領域、サーボデータの開始を示すＳＡＭ領域、セクタ番号を示すセクタアドレス信号領域、トラック番号を示すトラックアドレス信号領域、磁気ヘッドのトラッキングのためのバースト信号領域等に更に区分けされ、各領域にはそれぞれの目的に応じたサーボ情報が記録される。磁気ディスクの回転に伴って記録／再生ヘッドが各サーボ領域ＳＡのサーボ情報を再生する際、各サーボ情報が各サーボ領域ＳＡにおいて同じ順序で再生されるように、各サーボ領域ＳＡにプリアンブル領域、バースト信号領域等が記録／再生ヘッドの（相対的な）進行方向に同じ順序で並んでいる。このように情報記録媒体３０の両面のサーボ領域ＳＡの円弧形状が鏡面対称であり、且つ、情報記録媒体３０の両面の各サーボ領域ＳＡにプリアンブル領域、バースト信号領域等が記録／再生ヘッドの（相対的な）進行方向に同じ順序で並ぶようにするために、図３Ｃ、３Ｄ及び３Ｅに示されるように、情報記録媒体３０の一方の面３０Ａのサーボ情報のパターン形状と他方の面３０Ｂのサーボ情報のパターン形状は鏡面対称である。図３Ｄ及び３Ｅにおける網掛け模様で示される部分は図３Ｃにおいて基板３２に向かう方向に磁化されている部分に相当し、図３Ｄ及び３Ｅにおける網掛け模様がない部分は図３Ｃにおいて基板３２から離れる方向に磁化されている部分に相当する。情報記録媒体３０の一方の面３０Ａのサーボ領域ＳＡの位相（周方向の位置）と他方の面３０Ｂのサーボ領域ＳＡの位相とは必ずしも一致している必要はない。
【００３７】
次に、第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０の構造について説明する。
【００３８】
第１スタンパ１０は、情報記録媒体３０の一方の面３０Ａにサーボ情報を磁気転写するために用いられ、転写面には磁気転写するサーボパターンに対応した凹凸パターンが形成されている。図１Ｂ及び１Ｃの二点鎖線は後述する原盤４０の初期凹凸パターンの形状である。尚、第１スタンパ１０の転写面の各凸部により磁気転写しようとする部分の形状は図１Ｃに二点鎖線で示される形状、又はこれに近い形状（図１Ｃに二点鎖線で示される矩形又は帯状の部分を若干拡大又は縮小した形状）である。平面視において第１スタンパ１０の転写面の各凸部の形状は各凸部により磁気転写しようとする部分に対し縮小した形状である。第１スタンパ１０は、第１凹凸パターンが形成された基板１２と、基板１２の凹凸面に倣って成膜された下地膜と、下地膜の凹凸面に倣って成膜された強磁性膜と、を有して構成されている。尚、便宜上、下地膜及び強磁性膜の図示を省略しており、第１スタンパ１０の凹凸パターンが基板１２の第１凹凸パターンと一致するように図１Ｂ及び１Ｃを描いている。基板１２の材料は樹脂、Ｎｉ等である。下地膜の材料はＰｔ等である。下地膜における凸部の側面に成膜される部分の厚さは、例えば５〜１５ｎｍである。又、強磁性膜の材料は、ＣｏＰｔ合金、ＦｅＰｔ合金等である。強磁性膜は、垂直方向（第１スタンパ１０の厚さ方向）に磁界の方向が揃うような異方性を有することが好ましい。下地膜によりこのような異方性を付与できる。強磁性膜における凸部の側面に成膜される部分の厚さは、例えば３〜１０ｎｍである。尚、強磁性膜における凸部の上面及び凹部の底面に成膜される部分の厚さは、例えば１０〜４０ｎｍである。
【００３９】
第２スタンパ２０は、情報記録媒体３０の他方の面３０Ｂにサーボ情報を磁気転写するために用いられ、第２スタンパ２０の転写面にも磁気転写するサーボパターンに対応した凹凸パターンが形成されている。図２Ｂ及び２Ｃの二点鎖線は後述する原盤４０の初期凹凸パターンと凹凸が反転した関係の凹凸パターンの形状である。第２スタンパ２０の転写面の各凸部により磁気転写しようとする部分の形状は図２Ｃに二点鎖線で示される矩形又は帯状の部分を隔てる部分の形状、又はこれに近い形状（図２Ｃに二点鎖線で示される矩形又は帯状の部分を隔てる部分を若干拡大又は縮小した形状）である。尚、図２Ｃにおける各矩形（の内側）や帯状の部分は凹部であり、隣り合う２つの矩形の間の部分や隣り合う矩形と帯状の部分の間の部分が凸部である。平面視において第２スタンパ２０の転写面の各凸部の形状も各凸部により磁気転写しようとする部分に対し縮小した形状である。第２スタンパ２０は、第２凹凸パターンが形成された基板２２と、基板２２の凹凸面に沿って成膜された下地膜と、下地膜の凹凸面に倣って成膜された強磁性膜と、を有して構成されている。尚、便宜上、下地膜及び強磁性膜の図示を省略しており、第２スタンパ２０の凹凸パターンが基板２２の第２凹凸パターンと一致するように図２Ｂ及び２Ｃを描いている。基板２２の材料、第２スタンパ２０の下地膜の材料、下地膜の厚さ、強磁性膜の材料、強磁性膜の厚さは、第１スタンパ１０のために例示したものと同じものを用いることができる。尚、第１スタンパ１０の基板１２の材料と第２スタンパ２０の基板２２の材料とは一致している必要はない。例えば一方の材料が樹脂で他方の材料がＮｉでもよい。
【００４０】
次に、図４のフローチャートに沿って第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０の製造方法について説明する。
【００４１】
まず、図５Ａ、５Ｂ及び５Ｃに示されるような初期凹凸パターンの原盤４０を作製する（Ｓ１０２：原盤作製工程）。具体的には、ガラス、Ｓｉ、グラッシーカーボン、ＳｉＣ等の基板の上に、スパッタリング等によりＮｉ、Ｃｒ、Ｔａ等のマスク層を４〜６ｎｍの厚さで成膜する。更に、マスク層の上にレジストを５０ｎｍ程度の厚さで塗布し、電子ビームにより情報記録媒体３０のサーボ情報のパターンに対応するパターンでレジストを描画（露光）／現像する。尚、レジストがポジ型の場合は、初期凹凸パターンの凹部に対応する部分に電子ビームを照射する。又、レジストがネガ型の場合は、初期凹凸パターンの凸部に対応する部分に電子ビームを照射する。これによりサーボ情報のパターンに対応するパターンのレジストが形成される。次に、このレジストに基いてＡｒ等の希ガスを用いたＩＢＥ等によりマスク層をエッチングする。更にマスク層に基づいて基板をエッチングする。基板の材料がガラス、Ｓｉ、ＳｉＣの場合、エッチング法としては、例えばＣＦ４やＳＦ６のようなフッ素系ガスを用いたＲＩＥを用いることができる。又、基板の材料がグラッシーカーボンの場合、エッチング法としては、例えばＯ２のような酸素系ガスを用いたＲＩＥを用いることができる。これによりサーボ情報のパターンに対応するパターンの基板が形成される。基板の凸部の上に残存するマスク層は例えばウェットエッチングにより除去する。マスク層の材料がＮｉの場合、エッチング液としては例えばスルファミン酸溶液を用いることができる。これによりサーボ情報のパターンに対応する初期凹凸パターンの原盤４０が得られる。尚、基板の上に直接レジストを形成し、レジストに基いて基板をエッチングして原盤４０を作製してもよい。
【００４２】
次に、原盤４０に基いて図６に示されるように第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０を作製する（Ｓ１０４：第１スタンパ作製工程、Ｓ１０６：第２スタンパ作製工程）。
【００４３】
まず第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）について説明する。初めに原盤４０からの凹凸転写により中間被転写物５０を作製する（Ｓ１０４Ａ：第１凹凸転写工程）。具体的には、化学めっき、スパッタリング等により原盤４０の転写面にＮｉ等の導電膜を成膜し、この導電膜を電極として電解めっき等により更にＮｉ等を成膜する。これらの膜を一体で原盤４０から剥離することにより中間被転写物５０が得られる。
【００４４】
次に、中間被転写物５０をその凸部が平面視において拡大するように加工する（Ｓ１０４Ｂ：凸部拡大工程）。具体的には、スパッタリング等により中間被転写物５０の転写面にＣｒ、Ｃ、Ｐｔ、Ｔａ等の追加膜５０Ａを成膜する。尚、電解めっきにより中間被転写物５０の転写面にＮｉ等の追加膜５０Ａを成膜してもよい。追加膜５０Ａの厚さは例えば１０〜５０ｎｍである。
【００４５】
次に、凸部が拡大した中間被転写物５０からの凹凸転写により基板１２（最終被転写物）を作製する（Ｓ１０４Ｃ：第２凹凸転写工程）。具体的には、凸部が拡大した中間被転写物５０を金型内に設置し、射出成形により基板１２を成形する。尚、電解めっき等により基板１２（最終被転写物）を作製してもよい。基板１２は原盤４０から２回（偶数回）の凹凸転写で作製されるので、基板１２の第１凹凸パターンは原盤４０の凹凸パターンと凹凸関係が等しい。一方、基板１２は、凸部が拡大した中間被転写物５０からの凹凸転写により作製されるので、平面視において基板１２の各凸部の形状は、原盤４０における対応する各凸部に対し縮小した形状である。尚、上記のように図１Ｂ、１Ｃにおける二点鎖線が原盤４０の初期凹凸パターンの形状を示す。
【００４６】
次に、基板１２の転写面の上に、スパッタリング等により下地膜及び強磁性膜（図示省略）を成膜する（Ｓ１０４Ｄ：下地膜及び強磁性膜成膜工程）。これにより第１スタンパ１０が完成する。尚、スパッタリング等の真空成膜法の場合、下地膜及び強磁性膜における凸部の側面に成膜される部分は、成膜条件によっては凸部の上面に成膜される部分よりも薄いことがある。下地膜における凸部の側面に成膜される部分の厚さは、例えば５〜１５ｎｍである。又、強磁性膜における凸部の側面に成膜される部分の厚さは、例えば３〜１０ｎｍである。凸部拡大工程（Ｓ１０４Ｂ）では、第１スタンパ１０の凸部の所望の大きさに対して下地層及び強磁性膜の凸部側面の厚さの分だけ基板１２の凸部が小さくなるように、下地層及び強磁性膜における凸部の側面に成膜される部分の厚さの合計値を考慮した厚さの追加膜５０Ａを成膜する。例えば、下地層及び強磁性膜における凸部の側面に成膜される部分の厚さの合計値が１５ｎｍの場合、合計値が１０ｎｍの場合よりも凸部の側面に成膜される追加膜５０Ａの厚さを５ｎｍ厚くする。第１スタンパ１０の各凸部の所望の大きさ（幅）は各凸部によって記録したい部分の大きさ（幅）よりも例えば５〜２０ｎｍ小さい。
【００４７】
次に、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）について説明する。初めに第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）の第１凹凸転写工程（Ｓ１０４Ａ）と同じ要領で原盤４０からの凹凸転写により第１中間被転写物５２を作製する（Ｓ１０６Ａ：第１凹凸転写工程）。
【００４８】
次に、第１中間被転写物５２からの凹凸転写により第２中間被転写物５４を作製する（Ｓ１０６Ｂ：第２凹凸転写工程）。具体的には、電解めっき等により第１中間被転写物５２の転写面にＮｉ等を成膜し、この膜を第１中間被転写物５２から剥離することにより第２中間被転写物５４が得られる。
【００４９】
次に、第２中間被転写物５４をその凸部が平面視において拡大するように加工する（Ｓ１０６Ｃ：凸部拡大工程）。具体的には、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）の凸部拡大工程（Ｓ１０４Ｃ）と同じ要領で第２中間被転写物５４の転写面にスパッタリング等によりＣｒ等の追加膜５４Ａを成膜する。尚、追加膜５４Ａの厚さは例えば１０〜５０ｎｍである。
【００５０】
次に、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）の第２凹凸転写工程（Ｓ１０４Ｃ）と同じ要領で凸部が拡大した第２中間被転写物５４からの凹凸転写（射出成形）により基板２２（最終被転写物）を作製する（Ｓ１０６Ｄ：第３凹凸転写工程）。尚、電解めっき等により基板２２（最終被転写物）を作製してもよい。基板２２は原盤４０から３回（奇数回）の凹凸転写で作製されるので、基板２２の第２凹凸パターンは原盤４０の凹凸パターンと凹凸関係が逆である。又、基板２２は、凸部が拡大した第２中間被転写物５４からの凹凸転写により作製されるので、平面視において基板２２の各凸部の形状は、原盤４０における対応する各凹部に対し縮小した形状である。尚、上記のように図２Ｂ、２Ｃにおける二点鎖線は原盤４０の初期凹凸パターンと凹凸が反転した関係の凹凸パターンの形状を示す。
【００５１】
次に、基板２２の転写面の上に、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）の下地膜及び強磁性膜成膜工程（Ｓ１０４Ｄ）と同じ要領でスパッタリング等により下地膜及び強磁性膜（図示省略）を成膜する（Ｓ１０６Ｅ：下地膜及び強磁性膜成膜工程）。これにより第２スタンパ２０が完成する。第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）と同様に、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）では、第２スタンパ２０の凸部の所望の大きさに対して下地層及び強磁性膜の凸部側面の厚さの分だけ基板２２の凸部が小さくなるように、下地層及び強磁性膜の厚さを考慮した厚さの追加膜５４Ａを成膜する。第２スタンパ２０の各凸部の所望の大きさ（幅）も各凸部によって記録したい部分の大きさ（幅）よりも例えば５〜２０ｎｍ小さい。
【００５２】
次に、第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０を用いて情報記録媒体３０にサーボ情報を磁気転写する方法について簡単に説明する。まず、情報記録媒体３０の初期化を行う。具体的には、情報記録媒体３０に充分に大きい垂直方向（情報記録媒体３０の厚さ方向）の直流外部磁場を印加する。次に、図７に示されるように、情報記録媒体３０の一方の面３０Ａに第１スタンパ１０の転写面を接触させ、他方の面３０Ｂに第２スタンパ２０の転写面を接触させ、情報記録媒体３０に上記初期化のための直流外部磁場の向きと逆の向きの垂直方向の直流外部磁場を印加する。情報記録媒体３０には第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０の凸部を介して直流外部磁場が印加され、情報記録媒体３０の両面の記録層３８における第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０の凸部に接する部分が直流外部磁場の方向に磁化される。これにより磁気ディスクの両面の記録層３８にサーボ情報が記録される。尚、直流外部磁場の大きさが過大であると、記録層３８の全部が直流外部磁場の方向に磁化されうるので、直流磁場の大きさは情報記録媒体３０に第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０の凹凸パターンに倣ったサーボ情報を磁化転写できる大きさに制限する。
【００５３】
この際、図７に示されるように第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０の転写面の凸部を介して情報記録媒体３０に印加される直流外部磁場の磁路は第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０の凸部と完全には一致せず直流外部磁場の一部は凸部の周囲の微小な範囲にも広がる（漏れる）。一方、第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０の各凸部は、平面視において（初期凹凸パターンの）原盤４０からの凹凸転写のみによって得られる各凸部に対し縮小した形状であるので、例えば原盤４０の初期凹凸パターンと一致するサーボパターンのサーボ情報を情報記録媒体３０に記録することができる。即ち、例えば、原盤作製工程（Ｓ１０２）において初期凹凸パターンが磁気転写対象の情報記録媒体３０に記録したい所望のサーボパターンと同じである（平面視において原盤４０の初期凹凸パターンの各凸部の形状、大きさが、各凸部に対応する所望のサーボパターンの各部分の形状、大きさと同じである）ように原盤４０を作製することにより、情報記録媒体３０に所望のサーボパターンのサーボ情報を記録することが可能である。
【００５４】
又、平面視において原盤４０の初期凹凸パターンの各凸部の大きさが、各凸部に対応する所望のサーボパターンの各部分の大きさと若干異なっていても、凸部側面の追加膜５０Ａ、５４Ａの厚さや、下地層及び強磁性膜の厚さを調整することにより、第１凹凸パターンの基板１２及び第２凹凸パターンの基板２２の両方の各凸部を所望の形状に形成し、情報記録媒体３０に所望のサーボパターンのサーボ情報を記録できる。尚、図７では情報記録媒体３０に対し第１スタンパ１０の凸部（又は凹部）と第２スタンパ２０の対応する凹部（又は凸部）とが鏡面対称に配置されているが、第１スタンパ１０と第２スタンパ２０は位相（周方向の位置）がずれて配置されていてもよい。
【００５５】
このように本第１実施形態によれば、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）及び第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）の両方で凸部拡大工程（凸部修正工程）（Ｓ１０４Ｂ、Ｓ１０６Ｃ）を実行することにより、平面視において第１凹凸パターン及び第２凹凸パターンの両方の凸部の形状が、原盤４０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状になるように、第１スタンパ１０の基板１２及び第２スタンパ２０の基板２２を形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０を作製できる。このような第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０を用いて情報記録媒体３０に磁気転写を行うことにより情報記録媒体３０の両面に信頼性が高い所望のサーボ情報を記録できる。
【００５６】
尚、本第１実施形態では、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）において中間被転写物５０を作製し、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において第１中間被転写物５２を作製しているが、第１中間被転写物５２からの凹凸転写により第２中間被転写物５４を作製（Ｓ１０６Ｂ）した後に、第１中間被転写物５２を中間被転写物５０の代わりに第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）の中間被転写物として利用してもよい。
【００５７】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。前記第１実施形態では、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）において、第１凹凸転写工程（Ｓ１０４Ａ）、凸部拡大工程（Ｓ１０４Ｂ）、第２凹凸転写工程（Ｓ１０４Ｃ）を実行し、第２凹凸転写工程（Ｓ１０４Ｃ）において凸部が拡大した中間被転写物５０からの凹凸転写により第１スタンパ１０の基板１２（最終被転写物）を作製しているが、本第２実施形態では、図８のフローチャート及び図９に示されるように、凸部拡大工程（Ｓ１０４Ｂ）を省略し、第２凹凸転写工程（Ｓ１０４Ｃ）において凸部が拡大していない中間被転写物５０からの凹凸転写により最終被転写物５６を作製する。更に、第２凹凸転写工程（Ｓ１０４Ｃ）の後に、最終被転写物５６をその転写面の凸部が平面視において縮小するように加工する凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）を実行する。又、凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）の後に、下地膜及び強磁性膜成膜工程（Ｓ１０４Ｄ）を実行する。その他については前記第１実施形態と同じ又は類似しているので説明を適宜省略する。
【００５８】
凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）では、ドライエッチングにより最終被転写物５６をその転写面の凸部の側面部分が除去されるように加工する。例えば、最終被転写物５６の材料が樹脂の場合、加工用ガスとしてＯ２ガスを用いたＩＢＥ（イオンビームエッチング）又はＲＩＥ（反応性イオンエッチング）や、加工用ガスとしてＦやＣｌ等を含むハロゲン系ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより最終被転写物５６の転写面を加工する。又、最終被転写物５６の材料がＮｉの場合、加工用ガスとしてＡｒガスやＮ２ガスを用いたＩＢＥにより最終被転写物５６の転写面を加工する。最終被転写物５６の転写面の凸部は、側面部分だけでなく上面部分も除去される。又、凹部の底面部分も除去される。図９中の凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）を示す図における二点鎖線は最終被転写物５６の転写面における除去される部分を示す。尚、ウェットプロセスにより最終被転写物５６をその転写面の凸部の側面部分が除去されるように加工してもよい。例えば、最終被転写物５６の材料が樹脂の場合、溶剤中に最終被転写物５６を浸漬して最終被転写物５６の転写面を加工してもよい。又、最終被転写物５６の材料がＮｉの場合、スルファミン酸溶液等の酸性の溶液中に最終被転写物５６を浸漬して最終被転写物５６の転写面を加工してもよい。凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）では、第１スタンパ１０の凸部の所望の大きさに対して下地層及び強磁性膜の厚さの分だけ基板１２の凸部が小さくなるように、下地層及び強磁性膜における凸部の側面に成膜される部分の厚さの合計値を考慮して最終被転写物５６の転写面を加工する。例えば、下地層及び強磁性膜における凸部の側面に成膜される部分の厚さの合計値が１５ｎｍの場合、合計値が１０ｎｍの場合よりも最終被転写物５６の転写面を５ｎｍ多く除去する。
【００５９】
このように本第２実施形態でも、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）において凸部縮小工程（凸部修正工程）（Ｓ１０４Ｅ）を実行することにより、前記第１実施形態と同様に第１凹凸パターンの基板１２及び第２凹凸パターンの基板２２の両方の各凸部を原盤４０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０を作製できる。
【００６０】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。前記第１及び第２実施形態では、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において、第１凹凸転写工程（Ｓ１０６Ａ）、第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）を実行し、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）において凸部が拡大した第２中間被転写物５４からの凹凸転写により第２スタンパ２０の基板２２（最終被転写物）を作製しているが、本第３実施形態では、図１０のフローチャート及び図１１に示されるように、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）を省略し、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）において凸部が拡大していない第２中間被転写物５４からの凹凸転写により最終被転写物５８を作製する。更に、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）の後に、最終被転写物５８をその転写面の凸部が平面視において縮小するように加工する凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）を実行する。又、凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）の後に、下地膜及び強磁性膜成膜工程（Ｓ１０６Ｅ）を実行する。その他については前記第１及び第２実施形態と同じ又は類似しているので説明を適宜省略する。
【００６１】
凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）では、前記第２実施形態の第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）の凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）と同じ要領で最終被転写物５８をその転写面の凸部の側面部分が除去されるように加工する。図１１中の凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）を示す図における二点鎖線は最終被転写物５８の転写面における除去される部分を示す。
【００６２】
このように本第３実施形態でも、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において凸部縮小工程（凸部修正工程）（Ｓ１０６Ｆ）を実行することにより、前記第１及び第２実施形態と同様に第１凹凸パターンの基板１２及び第２凹凸パターンの基板２２の両方の各凸部を原盤４０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０を作製できる。
【００６３】
次に、本発明の第４実施形態について説明する。前記第１及び第２実施形態では、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において、第１凹凸転写工程（Ｓ１０６Ａ）、第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）を実行し、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）において凸部が拡大した第２中間被転写物５４からの凹凸転写により第２スタンパ２０の基板２２（最終被転写物）を作製しているが、本第４実施形態では、図１２のフローチャート及び図１３に示されるように、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）を省略し、第１凹凸転写工程（Ｓ１０６Ａ）と第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）の間において、第１中間被転写物５２をその転写面の凸部が平面視において縮小するように加工する凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）を実行する。その他については前記第１及び第２実施形態と同じ又は類似しているので説明を適宜省略する。
【００６４】
凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）では、前記第２実施形態の第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）の凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）と同じ要領で第１中間被転写物５２をその転写面の凸部の側面部分が除去されるように加工する。図１３中の凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）を示す図における二点鎖線は第１中間被転写物５２の転写面における除去される部分を示す。
【００６５】
このように本第４実施形態でも、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において凸部縮小工程（凸部修正工程）（Ｓ１０６Ｇ）を実行することにより、前記第１〜第３実施形態と同様に第１凹凸パターンの基板１２及び第２凹凸パターンの基板２２の両方の各凸部を原盤４０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０を作製できる。
【００６６】
次に、本発明の第５実施形態について説明する。前記第４実施形態では、第１中間被転写物５２をその転写面の凸部の側面部分が除去されるように加工する凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）の後に更に、第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）を実行し、基板２２（最終被転写物）を作製しているが、本第５実施形態では、図１４のフローチャート及び図１５に示されるように、第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）を省略し、凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）において転写面の凸部の側面部分が除去されるように加工された被転写物（第４実施形態の第１中間被転写物５２と同じもの）を基板２２（最終被転写物）として利用する。その他については前記第４実施形態と同じ又は類似しているので説明を適宜省略する。
【００６７】
このように本第５実施形態でも、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において凸部縮小工程（凸部修正工程）（Ｓ１０６Ｇ）を実行することにより、前記第１〜第４実施形態と同様に第１凹凸パターンの基板１２及び第２凹凸パターンの基板２２の両方の各凸部を原盤４０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０を作製できる。
【００６８】
次に、本発明の第６実施形態について説明する。前記第１〜第５実施形態では、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）及び第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）の両方が凸部修正工程を含み、第１凹凸パターンの基板１２及び第２凹凸パターンの基板２２の両方の各凸部を原盤４０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成するのに対し、本第６実施形態では、原盤作製工程（Ｓ２０２）において図１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、図１７のフローチャート及び図１８に示されるように初期凹凸パターンが第１スタンパ１０の基板１２の第１凹凸パターンと同じであるように原盤６０を作製する。即ち、平面視において第１凹凸パターンの凸部の形状は、原盤６０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部の形状と同じである。一方、平面視において第２凹凸パターンの凸部の形状は、原盤６０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部の形状に対し縮小した形状である。従って、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）のみが凸部修正工程を含み、第１スタンパ作製工程（Ｓ２０４）は凸部修正工程を含まない。その他については前記第１実施形態と同じ又は類似しているので説明を適宜省略する。
【００６９】
原盤作製工程（Ｓ２０２）では第１スタンパ１０の基板１２の第１凹凸パターンに相当するパターンでレジストを描画（露光）／現像する。他は前記第１〜第５実施形態の原盤作製工程（Ｓ１０２）と同じである。尚、図１６Ｂ及び１６Ｃの二点鎖線は前記第１〜第５実施形態の原盤４０の初期凹凸パターンの形状を示す。本第６実施形態では、図１６Ｃに二点鎖線で示される形状、又はこれに近い形状（図１６Ｃの二点鎖線の矩形又は帯状の部分を若干拡大又は縮小した形状）が、第１スタンパ１０の転写面の各凸部により磁気転写しようとする部分の形状に相当する。従って、原盤６０の初期凹凸パターンの各凸部（及び基板１２の第１凹凸パターンの凸部）の形状は、対応する第１スタンパ１０の凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状である。
【００７０】
第１スタンパ作製工程（Ｓ２０４）では前記第１〜第５実施形態の第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）に対し、凸部修正工程は実行せず、第１凹凸転写工程（Ｓ１０４Ａ）、第２凹凸転写工程（Ｓ１０４Ｃ）、下地膜及び強磁性膜成膜工程（Ｓ１０４Ｄ）のみを実行する。これにより第１スタンパ１０が完成する。
【００７１】
第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）では前記第１実施形態の第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）と同様に、第１凹凸転写工程（Ｓ１０６Ａ）、第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）、下地膜及び強磁性膜成膜工程（Ｓ１０６Ｅ）を実行する。これにより第２スタンパ２０が完成する。尚、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）において成膜される追加膜５４Ａの厚さは前記第１実施形態よりも厚い。
【００７２】
このように本第６実施形態では、第１スタンパ作製工程（Ｓ２０４）において凸部修正工程を実行することなく各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第１スタンパ１０を作製できる。又、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において凸部拡大工程（凸部修正工程）（Ｓ１０６Ｃ）を実行することにより、第２凹凸パターンの基板２２の各凸部を原盤６０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第２スタンパ２０を作製できる。又、本第６実施形態では、第１スタンパ作製工程（Ｓ２０４）が凸部修正工程を含まないのでスタンパの生産効率を更に向上しうる。
【００７３】
次に、本発明の第７実施形態について説明する。前記第６実施形態では、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において、第１凹凸転写工程（Ｓ１０６Ａ）、第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）を実行し、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）において凸部が拡大した第２中間被転写物５４からの凹凸転写により第２スタンパ２０の基板２２（最終被転写物）を作製しているが、本第７実施形態では、図１９のフローチャート及び図２０に示されるように、前記第３実施形態と同様に、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）を省略し、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）において凸部が拡大していない第２中間被転写物５４からの凹凸転写により最終被転写物５８を作製する。更に、第３凹凸転写工程（１０６Ｄ）の後に、最終被転写物５８をその転写面の凸部が平面視において縮小するように加工する凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）を実行する。又、凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）の後に、下地膜及び強磁性膜成膜工程（Ｓ１０６Ｅ）を実行する。他の工程については前記第６実施形態と同じ又は類似しているので説明を適宜省略する。
【００７４】
凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）では、前記第３実施形態の凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）と同じ要領で最終被転写物５８をその転写面の凸部の側面部分が除去されるように加工する。図２０中の凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）を示す図における二点鎖線は最終被転写物５８の転写面における除去される部分を示す。尚、最終被転写物５８における凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）において除去される部分の厚さは前記第３実施形態よりも厚い。
【００７５】
このように本第７実施形態でも、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において凸部縮小工程（凸部修正工程）（Ｓ１０６Ｆ）を実行することにより、前記第６実施形態と同様に第２凹凸パターンの基板２２の各凸部を原盤６０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第２スタンパ２０を作製できる。
【００７６】
次に、本発明の第８実施形態について説明する。前記第６実施形態では、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において、第１凹凸転写工程（Ｓ１０６Ａ）、第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）を実行し、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）において凸部が拡大した第２中間被転写物５４からの凹凸転写により第２スタンパ２０の基板２２（最終被転写物）を作製しているが、本第８実施形態では、図２１のフローチャート及び図２２に示されるように、前記第４実施形態と同様に、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）を省略し、第１凹凸転写工程（Ｓ１０６Ａ）と第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）の間において、第１中間被転写物５２をその転写面の凸部が平面視において縮小するように加工する凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）を実行する。その他については前記第６実施形態と同じ又は類似しているので説明を適宜省略する。
【００７７】
凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）では、前記第４実施形態の凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）と同じ要領で第１中間被転写物５２をその転写面の凸部の側面部分が除去されるように加工する。図２２中の凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）を示す図における二点鎖線は第１中間被転写物５２の転写面における除去される部分を示す。尚、第１中間被転写物５２における凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）において除去される部分の厚さは前記第４実施形態よりも厚い。
【００７８】
このように本第８実施形態でも、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において凸部縮小工程（凸部修正工程）（Ｓ１０６Ｇ）を実行することにより、前記第６及び第７実施形態と同様に第２凹凸パターンの基板２２の各凸部を原盤６０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第２スタンパ２０を作製できる。
【００７９】
次に、本発明の第９実施形態について説明する。前記第８実施形態では、第１中間被転写物５２をその転写面の凸部の側面部分が除去されるように加工する凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）の後に更に、第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）を実行し、基板２２（最終被転写物）を作製しているが、本第９実施形態では、図２３のフローチャート及び図２４に示されるように、前記第５実施形態と同様に、第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）を省略し、凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）において転写面の凸部の側面部分が除去されるように加工された被転写物（第８実施形態の第１中間被転写物５２と同じもの）を基板２２（最終被転写物）として利用する。その他については前記第８実施形態と同じ又は類似しているので説明を適宜省略する。
【００８０】
このように本第９実施形態でも、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において凸部縮小工程（凸部修正工程）（Ｓ１０６Ｇ）を実行することにより、前記第６〜第８実施形態と同様に第２凹凸パターンの基板２２の各凸部を原盤６０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第２スタンパ２０を作製できる。
【００８１】
次に、本発明の第１０実施形態について説明する。前記第７及び第８実施形態では、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）、凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）のいずれか一方だけを実行しているが、本第１０実施形態では、図２５のフローチャート及び図２６に示されるように、凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）、凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）の両方を実行する。その他については前記第７及び第８実施形態と同じ又は類似しているので説明を適宜省略する。
【００８２】
尚、第１中間被転写物５２における凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）において除去される部分の厚さは前記第４実施形態と同じくらいであり、前記第８実施形態よりも薄い。又、最終被転写物５８における凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）において除去される部分の厚さは前記第３実施形態と同じくらいであり、前記第７実施形態よりも薄い。
【００８３】
このように本第１０実施形態でも、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において２つの凸部縮小工程（凸部修正工程）（Ｓ１０６Ｆ、Ｓ１０６Ｇ）を実行することにより、前記第６〜第９実施形態と同様に第２凹凸パターンの基板２２の各凸部を原盤６０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第２スタンパ２０を作製できる。又、２つの凸部縮小工程（凸部修正工程）（Ｓ１０６Ｆ、Ｓ１０６Ｇ）を実行することにより、第１中間被転写物５２における凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）において除去される部分の厚さ、及び最終被転写物５８における各凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）において除去される部分の厚さを抑制できるので加工精度の向上等に寄与する。
【００８４】
次に、本発明の第１１実施形態について説明する。前記第６及び第８実施形態では、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）及び凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）のいずれか一方だけを実行しているが、本第１１実施形態では、図２７のフローチャート及び図２８に示されるように、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）及び凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）の両方を実行する。その他については前記第６及び第８実施形態と同じ又は類似しているので説明を適宜省略する。
【００８５】
尚、第１中間被転写物５２における凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）において除去される部分の厚さは前記第４実施形態と同じくらいであり、前記第８実施形態よりも薄い。又、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）において成膜される追加膜５４Ａの厚さは前記第１実施形態と同じくらいであり、前記第６実施形態よりも薄い。
【００８６】
このように本第１１実施形態でも、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）及び凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）の２つの凸部修正工程を実行することにより、前記第６〜第１０実施形態と同様に第２凹凸パターンの基板２２の各凸部を原盤６０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第２スタンパ２０を作製できる。又、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）及び凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）の２つの凸部修正工程を実行することにより、第１中間被転写物５２における凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）において除去される部分の厚さ及び凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）において成膜される追加膜５４Ａの厚さを抑制できるので加工精度の向上等に寄与する。
【００８７】
次に、本発明の第１２実施形態について説明する。前記第６及び第７実施形態では、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）及び凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）のいずれか一方だけを実行しているが、本第１２実施形態では、図２９のフローチャート及び図３０に示されるように、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）及び凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）の両方を実行する。その他については前記第６及び第７実施形態と同じ又は類似しているので説明を適宜省略する。
【００８８】
尚、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）において成膜される追加膜５４Ａの厚さは前記第１実施形態と同じくらいであり、前記第６実施形態よりも薄い。又、最終被転写物５８における凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）において除去される部分の厚さは前記第３実施形態と同じくらいであり、前記第７実施形態よりも薄い。
【００８９】
このように本第１２実施形態でも、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）及び凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）の２つの凸部修正工程を実行することにより、前記第６〜第１１実施形態と同様に第２凹凸パターンの基板２２の各凸部を原盤６０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第２スタンパ２０を作製できる。又、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）及び凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）の２つの凸部修正工程を実行することにより、凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）において成膜される追加膜５４Ａの厚さ及び最終被転写物５８における凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）において除去される部分の厚さを抑制できるので加工精度の向上等に寄与する。
【００９０】
次に、本発明の第１３実施形態について説明する。前記第１〜第５実施形態では、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）及び第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）の両方が凸部修正工程を含み、第１凹凸パターンの基板１２及び第２凹凸パターンの基板２２の両方の各凸部を原盤４０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成するのに対し、本第１３実施形態では、図３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃ、図３２のフローチャート及び図３３に示されるように原盤作製工程（Ｓ３０２）において初期凹凸パターンが第２スタンパ２０の基板２２の第２凹凸パターンと凹凸が反転した関係であるように原盤７０を作製する。即ち、平面視において第２凹凸パターンの凸部の形状は、原盤７０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部の形状と同じである。一方、平面視において第１凹凸パターンの凸部の形状は、原盤７０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部の形状に対し縮小した形状である。従って、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）のみが凸部修正工程を含み、第２スタンパ作製工程（Ｓ３０６）は凸部修正工程を含まない。その他については前記第１実施形態と同じ又は類似しているので説明を適宜省略する。
【００９１】
原盤作製工程（Ｓ３０２）では第２スタンパ２０の基板２２の第２凹凸パターンと凹凸が反転した関係のパターンに相当するパターンでレジストを描画（露光）／現像する。他は前記第１〜第５実施形態の原盤作製工程（Ｓ１０２）と同じである。尚、図３１Ｂ及び３１Ｃの二点鎖線は前記第１〜第５実施形態の原盤４０の初期凹凸パターンの形状を示す。本第１３実施形態では、図３１Ｃの二点鎖線の矩形又は帯状の部分を隔てる部分の形状、又はこれに近い形状（図３１Ｃの二点鎖線の矩形又は帯状の部分を隔てる部分を若干拡大又は縮小した形状）が、第２スタンパ２０の転写面の各凸部により磁気転写しようとする部分の形状に相当する。従って、原盤７０の初期凹凸パターンの各凹部（及び基板２２の第２凹凸パターンの凸部）の平面視の形状は、対応する第２スタンパの各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状である。
【００９２】
第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）では前記第１実施形態の第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）と同様に、第１凹凸転写工程（Ｓ１０４Ａ）、凸部拡大工程（Ｓ１０４Ｂ）、第２凹凸転写工程（Ｓ１０４Ｃ）、下地膜及び強磁性膜成膜工程（Ｓ１０４Ｄ）を実行する。これにより第１スタンパ１０が完成する。尚、凸部拡大工程（Ｓ１０４Ｂ）において成膜される追加膜５０Ａの厚さは前記第１実施形態よりも厚い。
【００９３】
第２スタンパ作製工程（Ｓ３０６）では前記第１実施形態の第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）に対し、凸部修正工程は実行せず、第１凹凸転写工程（Ｓ１０６Ａ）、第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）、下地膜及び強磁性膜成膜工程（Ｓ１０６Ｅ）を実行する。これにより第２スタンパ２０が完成する。
【００９４】
このように本第１３実施形態では、第２スタンパ作製工程（Ｓ３０６）において凸部修正工程を実行することなく各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第２スタンパ２０を作製できる。又、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）において凸部拡大工程（凸部修正工程）（Ｓ１０４Ｂ）を実行することにより、第１凹凸パターンの基板１２の各凸部を原盤７０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第１スタンパ１０を作製できる。又、本第１３実施形態では、第２スタンパ作製工程（Ｓ３０６）が凸部修正工程を含まないのでスタンパの生産効率を更に向上しうる。
【００９５】
次に、本発明の第１４実施形態について説明する。前記第１３実施形態では、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）において、第１凹凸転写工程（Ｓ１０４Ａ）、凸部拡大工程（Ｓ１０４Ｂ）、第２凹凸転写工程（Ｓ１０４Ｃ）、下地膜及び強磁性膜成膜工程（Ｓ１０４Ｄ）を実行し、第２凹凸転写工程（Ｓ１０４Ｃ）において凸部が拡大した中間被転写物５０からの凹凸転写により第１スタンパ１０の基板１２（最終被転写物）を作製しているが、本第１４実施形態では、図３４のフローチャート及び図３５に示されるように、前記第２実施形態と同様に、凸部拡大工程（Ｓ１０４Ｂ）を省略し、第２凹凸転写工程（Ｓ１０４Ｃ）において凸部が拡大していない中間被転写物５０からの凹凸転写により最終被転写物５６を作製する。更に、第２凹凸転写工程（Ｓ１０４Ｃ）の後に、最終被転写物５６をその転写面の凸部が平面視において縮小するように加工する凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）を実行する。又、凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）の後に、下地膜及び強磁性膜成膜工程（Ｓ１０４Ｄ）を実行する。その他については前記第１３実施形態と同じ又は類似しているので説明を適宜省略する。
【００９６】
凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）では、前記第２実施形態の凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）と同じ要領で最終被転写物５６をその転写面の凸部の側面部分が除去されるように加工する。図３５中の凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）を示す図における二点鎖線は最終被転写物５６の転写面における除去される部分を示す。尚、最終被転写物５６における凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）において除去される部分の厚さは前記第２実施形態よりも厚い。
【００９７】
このように本第１４実施形態でも、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）において凸部縮小工程（凸部修正工程）（Ｓ１０４Ｅ）を実行することにより、前記第１３実施形態と同様に第１凹凸パターンの基板１２の各凸部を原盤７０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第１スタンパ１０を作製できる。
【００９８】
次に、本発明の第１５実施形態について説明する。前記第１３及び第１４実施形態では、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）において凸部拡大工程（Ｓ１０４Ｂ）及び凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）のいずれか一方だけを実行しているが、本第１５実施形態では、図３６のフローチャート及び図３７に示されるように、凸部拡大工程（Ｓ１０４Ｂ）及び凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）の両方を実行する。その他については前記第１３及び第１４実施形態と同じ又は類似しているので説明を適宜省略する。
【００９９】
尚、凸部拡大工程（Ｓ１０４Ｂ）において成膜される追加膜５０Ａの厚さは前記第１実施形態と同じくらいであり、前記第１３実施形態よりも薄い。又、最終被転写物５６における凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）において除去される部分の厚さは前記第２実施形態と同じくらいであり、前記第１４実施形態よりも薄い。
【０１００】
このように本第１５実施形態でも、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）において凸部拡大工程（Ｓ１０４Ｂ）及び凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）の２つの凸部修正工程を実行することにより、前記第１３及び第１４実施形態と同様に第１凹凸パターンの基板１２の各凸部を原盤７０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第１スタンパ１０を作製できる。又、凸部拡大工程（Ｓ１０４Ｂ）及び凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）の２つの凸部修正工程を実行することにより、凸部拡大工程（Ｓ１０４Ｂ）において成膜される追加膜５０Ａの厚さ及び最終被転写物５６における凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）において除去される部分の厚さを抑制できるので加工精度の向上等に寄与する。
【０１０１】
次に、本発明の第１６実施形態について説明する。前記第１３〜第１５実施形態では、第２スタンパ作製工程（Ｓ３０６）において第１凹凸転写工程（Ｓ１０６Ａ）、第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）を実行しているが、本第１６実施形態では、図３８のフローチャート及び図３９に示されるように、第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）を省略し、第１凹凸転写工程（Ｓ１０６Ａ）のみを実行して第１凹凸転写工程（Ｓ１０６Ａ）で得られる被転写物を第２スタンパ２０の基板２２として利用する。その他については前記第１３〜第１５実施形態と同じ又は類似しているので説明を適宜省略する。
【０１０２】
このように本第１６実施形態でも、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）において前記第１３〜第１５実施形態のような凸部修正工程を実行することにより、前記第１３〜第１５実施形態と同様に第１凹凸パターンの基板１２の各凸部を原盤７０からの凹凸転写のみによって得られる凹凸パターンにおける対応する凸部に対し縮小した形状に形成できる。これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第１スタンパ１０を作製できる。又、第２スタンパ作製工程（Ｓ３０６）において、第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）を省略し、第１凹凸転写工程（Ｓ１０６Ａ）で得られる被転写物を第２スタンパ２０の基板２２として利用するので生産効率の更なる向上に寄与する。
【０１０３】
尚、前記第１〜第１６実施形態では、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４、Ｓ２０４）において、原盤４０、６０、７０から２回の凹凸転写で最終被転写物を得ているが、原盤４０、６０、７０から４回以上の偶数回の凹凸転写により最終被転写物を得てもよい。
【０１０４】
又、前記第１〜第１６実施形態では、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６、Ｓ３０６）において、原盤４０、６０、７０から１回又は３回の凹凸転写で最終被転写物を得ているが、原盤４０、６０、７０から５回以上の奇数回の凹凸転写により最終被転写物を得てもよい。
【０１０５】
又、前記第１〜５、第６、第１１、第１２、第１３、第１５、第１６実施形態では、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４、Ｓ２０４）、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６、Ｓ３０６）において、最終転写物よりも１回前の転写で得られる中間被転写物に対して凸部拡大工程を行っているが、最終転写物よりも３回以上の奇数回前の転写で得られる中間被転写物に対して凸部拡大工程を行ってもよい。
【０１０６】
又、前記第４、第８、第１０、第１１実施形態では、第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４、Ｓ２０４）、第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）において、最終被転写物よりも２回前の転写で得られる中間被転写物に対して凸部縮小工程を行っているが、最終転写物よりも４回以上の偶数回前の転写で得られる中間被転写物に対して凸部縮小工程を行ってもよい。
【０１０７】
又、前記第１〜第１６実施形態では、情報記録媒体３０は垂直記録型の磁気ディスクであるが、面内記録型の磁気ディスクにサーボ情報を記録するための磁気転写用スタンパにも本発明は適用可能である。又、情報の記録のために磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体、磁気とマイクロ波を併用するマイクロ波アシスト型の記録媒体、及び光磁気記録媒体にも本発明は適用可能である。
【実施例１】
【０１０８】
前記第１実施形態のとおり第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０を作製した。尚、本実施例１では、情報記録媒体３０のサーボ領域ＳＡのうちプリアンブル領域に記録されるサーボ情報のパターンに対応する凹凸パターンを例として説明する。後述する実施例２−７でも同様である。プリアンブル領域に記録されるサーボ情報のパターンは、０の情報に対応する方向に磁化された径方向に長い部分と１の情報に対応する方向に磁化された径方向に長い部分とが周方向に交互に並ぶパターンである。従って、このサーボ情報のパターンに対応する凹凸パターンは、径方向に長い凸部と径方向に長い凹部とが周方向に交互に並ぶ凹凸パターンである。原盤作製工程（Ｓ１０２）では中心から半径が２８ｍｍの位置において以下のような寸法を有する凸部と凹部とが周方向に交互に並ぶ初期凹凸パターンの原盤４０を作製した。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凸部の周方向の幅：１２０ｎｍ
凹部の周方向の幅：１２０ｎｍ
【０１０９】
第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）の第１凹凸転写工程（Ｓ１０４Ａ）ではスパッタリング及び電解めっきにより中間被転写物５０を作製した。中間被転写物５０の転写面には半径が２８ｍｍの位置において以下のような寸法を有する凹凸パターンが形成されていた。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凸部の周方向の幅：１２０ｎｍ
凹部の周方向の幅：１２０ｎｍ
【０１１０】
凸部拡大工程（Ｓ１０４Ｂ）ではＮｉの中間被転写物５０の転写面にスパッタリングにより追加膜５０Ａを成膜した。成膜の条件は以下のとおりであった。
追加膜５０Ａの材料：Ｃｒ
チャンバー内圧力：０．１Ｐａ
成膜時間：６０ｓｅｃ
成膜パワー（ＤＣ）：５００Ｗ
ターゲットと中間被転写物５０との間隔：３００ｍｍ
Ｃｒ粒子の照射方向と中間被転写物５０の転写面の法線とがなす角度：２０ｄｅｇ
成膜された追加膜５０Ａの厚さ：２０ｎｍ
【０１１１】
尚、中間被転写物５０の転写面の中心を通る法線が回転中心になるように中間被転写物５０を回転させながら追加膜５０Ａを成膜した。追加膜５０Ａは中間被転写物５０の転写面の凸部の側面及び上面に２０ｎｍの厚さで一様に成膜された。中間被転写物５０の転写面には半径が２８ｍｍの位置において以下のような寸法を有する凹凸パターンが形成されていた。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凸部の周方向の幅：１６０ｎｍ
凹部の周方向の幅：８０ｎｍ
【０１１２】
第２凹凸転写工程（Ｓ１０４Ｃ）では凸部が拡大した中間被転写物５０を金型内に設置し、射出成形により基板１２を作製した。基板１２には半径が２８ｍｍの位置において以下のような寸法を有する第１凹凸パターンが形成されていた。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凹部の周方向の幅：１６０ｎｍ
凸部の周方向の幅：８０ｎｍ
【０１１３】
下地膜及び強磁性膜成膜工程（Ｓ１０４Ｄ）では基板１２の凹凸面にスパッタリングにより下地膜を成膜した。成膜の条件は以下のとおりであった。
下地膜の材料：Ｐｔ
チャンバー内圧力：０．１Ｐａ
成膜時間：３０ｓｅｃ
成膜パワー（ＤＣ）：５００Ｗ
ターゲットと基板１２との間隔：３００ｍｍ
Ｐｔ粒子の照射方向と基板１２の転写面の法線とがなす角度：１０ｄｅｇ
成膜された下地膜の厚さ：１０ｎｍ
【０１１４】
尚、基板１２の中心を通る法線が回転中心になるように基板１２を回転させながら下地膜を成膜した。下地膜は基板の凸部の側面、上面及び凹部の底面に１０ｎｍの厚さで一様に成膜された。更に、下地膜の上にスパッタリングにより強磁性膜を成膜した。成膜の条件は以下のとおりであった。
強磁性膜の材料：ＣｏＰｔ合金
チャンバー内圧力：０．１Ｐａ
成膜時間：１１０ｓｅｃ
成膜パワー（ＤＣ）：５００Ｗ
ターゲットと基板１２との間隔：３００ｍｍ
ＣｏＰｔ合金粒子の照射方向と基板１２の転写面の法線とがなす角度：０ｄｅｇ
成膜された強磁性膜の厚さ（凸部側面）：５ｎｍ
成膜された強磁性膜の厚さ（凸部上面、凹部底面）：２０ｎｍ
【０１１５】
尚、基板１２の中心を通る法線が回転中心になるように基板１２を回転させながら強磁性膜を成膜した。
【０１１６】
このようにして得られた第１スタンパ１０の転写面には半径が２８ｍｍの位置において以下のような寸法を有する凹凸パターンが形成されていた。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凹部の周方向の幅：１３０ｎｍ
凸部の周方向の幅：１１０ｎｍ
【０１１７】
第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）の第１凹凸転写工程（Ｓ１０６Ａ）ではスパッタリング及び電解めっきにより第１中間被転写物５２を作製した。又、第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）では電解めっきにより第２中間被転写物５４を作製した。中間被転写物５４の転写面には原盤４０の初期凹凸パターンと同じ凹凸パターンが形成されていた。
【０１１８】
凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）ではＮｉの第２中間被転写物５４の転写面にスパッタリングにより追加膜５４Ａを成膜した。追加膜５４Ａの材料等の成膜の条件は前記第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）の凸部拡大工程（Ｓ１０４Ｂ）と同じであった。追加膜５４Ａは第２中間被転写物５４の転写面の凸部の側面、上面及び凹部の底面に２０ｎｍの厚さで一様に成膜された。第２中間被転写物５４の転写面には半径が２８ｍｍの位置において以下のような寸法を有する凹凸パターンが形成されていた。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凸部の周方向の幅：１６０ｎｍ
凹部の周方向の幅：８０ｎｍ
【０１１９】
第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）では凸部が拡大した第２中間被転写物５４を金型内に設置し、射出成形により基板２２を作製した。基板２２には半径が２８ｍｍの位置において以下のような寸法を有する第２凹凸パターンが形成されていた。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凹部の周方向の幅：１６０ｎｍ
凸部の周方向の幅：８０ｎｍ
【０１２０】
下地膜及び強磁性膜成膜工程（Ｓ１０６Ｅ）では基板２２の転写面にスパッタリングにより下地膜及び強磁性膜を成膜した。成膜の条件は前記第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）の下地膜及び強磁性膜成膜工程（Ｓ１０４Ｄ）と同じであった。
【０１２１】
このようにして得られた第２スタンパ２０の転写面には半径が２８ｍｍの位置において以下のような寸法を有する凹凸パターンが形成されていた。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凹部の周方向の幅：１３０ｎｍ
凸部の周方向の幅：１１０ｎｍ
【実施例２】
【０１２２】
前記第２実施形態のとおり第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０を作製した。第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）の第２凹凸転写工程（Ｓ１０４Ｃ）では凸部が拡大していない中間被転写物５０を金型内に設置し、射出成形により最終被転写物５６を作製した。最終被転写物５６には半径が２８ｍｍの位置において以下のような寸法を有する凹凸パターンが形成されていた。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凹部の周方向の幅：１２０ｎｍ
凸部の周方向の幅：１２０ｎｍ
【０１２３】
凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）では、ＩＢＥにより最終被転写物５６の転写面を一様に加工し基板１２を作製した。ＩＢＥの条件は以下のとおりであった。
加工用ガス：Ｏ２
加工用ガスの流量：５０ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：０．０２Ｐａ
加工時間：１５ｓｅｃ
Ｏ２ガスの照射方向と最終被転写物５６の転写面の法線とがなす角度：１０ｄｅｇ
最終被転写物５６における除去された部分の厚さ：２０ｎｍ
【０１２４】
尚、最終被転写物５６の転写面の中心を通る法線が回転中心になるように最終被転写物５６を回転させながら最終被転写物５６をＩＢＥで加工した。最終被転写物５６の凸部の側面、上面及び凹部の底面における除去された部分の厚さはいずれも２０ｎｍの厚さで一様であった。基板１２には半径が２８ｍｍの位置において以下のような寸法を有する凹凸パターンが形成されていた。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凹部の周方向の幅：１６０ｎｍ
凸部の周方向の幅：８０ｎｍ
【０１２５】
その他の条件は前記実施例１と同じであった。実施例１と同じ凹凸形状の第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０が得られた。
【実施例３】
【０１２６】
前記第３実施形態のとおり第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０を作製した。第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）の第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）では凸部が拡大していない第２中間被転写物５４を金型内に設置し、射出成形により最終被転写物５８を作製した。最終被転写物５８には半径が２８ｍｍの位置において以下のような寸法を有する凹凸パターンが形成されていた。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凹部の周方向の幅：１２０ｎｍ
凸部の周方向の幅：１２０ｎｍ
【０１２７】
凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）では、ＩＢＥにより最終被転写物５８の転写面を一様に加工し基板２２を作製した。ＩＢＥの条件は前記実施例２の第１スタンパ作製工程（Ｓ１０４）の凸部縮小工程（Ｓ１０４Ｅ）と同じであった。
【０１２８】
最終被転写物５８の凸部の側面、上面及び凹部の底面における除去された部分の厚さはいずれも２０ｎｍの厚さで一様であった。基板２２には半径が２８ｍｍの位置において以下のような寸法を有する凹凸パターンが形成されていた。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凹部の周方向の幅：１６０ｎｍ
凸部の周方向の幅：８０ｎｍ
【０１２９】
その他の条件は前記実施例１と同じであった。実施例１と同じ凹凸形状の第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０が得られた。
【実施例４】
【０１３０】
前記第４実施形態のとおり第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０を作製した。第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）の凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）では、ＩＢＥによりＮｉの第１中間被転写物５２の転写面を一様に加工した。ＩＢＥの条件は以下のとおりであった。
加工用ガス：Ａｒ
加工用ガスの流量：１０ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：０．０２Ｐａ
加工時間：４０ｓｅｃ
Ａｒガスの照射方向と最終被転写物５６の転写面の法線とがなす角度：５ｄｅｇ
第１中間被転写物５２における除去された部分の厚さ：２０ｎｍ
【０１３１】
尚、第１中間被転写物５２の転写面の中心を通る法線が回転中心になるように第１中間被転写物５２を回転させながら第１中間被転写物５２をＩＢＥで加工した。第１中間被転写物５２の凸部の側面、上面及び凹部の底面における除去された部分の厚さはいずれも２０ｎｍの厚さで一様であった。第１中間被転写物５２における半径が２８ｍｍの位置には以下のような凹凸パターンが形成されていた。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凹部の周方向の幅：１６０ｎｍ
凸部の周方向の幅：８０ｎｍ
【０１３２】
この第１中間被転写物５２に基いて第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）を順次実行し、上記第１中間被転写物５２と同じ凹凸形状の第２凹凸パターンの基板２２が得られた。その他の条件は前記実施例１と同じであった。実施例１と同じ凹凸形状の第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０が得られた。
【実施例５】
【０１３３】
前記第６実施形態のとおり第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０を作製した。原盤作製工程（Ｓ１０２）では中心から半径が２８ｍｍの位置において以下のような寸法を有する凸部と凹部とが周方向に交互に並ぶ初期凹凸パターンの原盤６０を作製した。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凸部の周方向の幅：８０ｎｍ
凹部の周方向の幅：１６０ｎｍ
【０１３４】
第１スタンパ作製工程（Ｓ２０４）では凸部拡大工程も凸部縮小工程も行わなかった。
【０１３５】
第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）の凸部拡大工程（Ｓ１０６Ｃ）ではＮｉの第２中間被転写物５４の転写面にスパッタリングにより追加膜５４Ａを成膜した。成膜の条件は以下のとおりであった。
追加膜５４Ａの材料：Ｃｒ
チャンバー内圧力：０．１Ｐａ
成膜時間：１２０ｓｅｃ
成膜パワー：５００Ｗ（ＤＣ）
ターゲットと第２中間被転写物５４との間隔：３００ｍｍ
Ｃｒ粒子の照射方向と第２中間被転写物５４の転写面の法線とがなす角度：２０ｄｅｇ
成膜された追加膜５４Ａの厚さ：４０ｎｍ
【０１３６】
追加膜５４Ａは第２中間被転写物５４の転写面の凸部の側面、上面及び凹部の底面に４０ｎｍの厚さで一様に成膜された。第２中間被転写物５４の転写面には半径が２８ｍｍの位置において以下のような寸法を有する凹凸パターンが形成されていた。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凸部の周方向の幅：１６０ｎｍ
凹部の周方向の幅：８０ｎｍ
【０１３７】
その他の条件は前記実施例１と同じであった。実施例１と同じ凹凸形状の第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０が得られた。
【実施例６】
【０１３８】
前記第７実施形態のとおり第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０を作製した。原盤６０は前記実施例５と同じものを用いた。実施例５と同様に第１スタンパ作製工程（Ｓ２０４）では凸部拡大工程も凸部縮小工程も行わなかった。
【０１３９】
第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）の凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｆ）では、前記実施例３と同様にＩＢＥにより最終被転写物５８の転写面を一様に加工し基板２２を作製した。ＩＢＥの条件は以下のとおりであった。
加工用ガス：Ｏ２
加工用ガスの流量：５０ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：０．０２Ｐａ
加工時間：３０ｓｅｃ
Ｏ２ガスの照射方向と最終被転写物５６の転写面の法線とがなす角度：１０ｄｅｇ
最終被転写物５８における除去された部分の厚さ：４０ｎｍ
【０１４０】
尚、最終被転写物５８の転写面の中心を通る法線が回転中心になるように最終被転写物５８を回転させながら最終被転写物５８をＩＢＥで加工した。最終被転写物５８の凸部の側面、上面及び凹部の底面における除去された部分の厚さはいずれも４０ｎｍの厚さで一様であった。基板１２には半径が２８ｍｍの位置において以下のような寸法を有する凹凸パターンが形成されていた。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凹部の周方向の幅：１６０ｎｍ
凸部の周方向の幅：８０ｎｍ
【０１４１】
その他の条件は前記実施例１と同じであった。実施例１と同じ凹凸形状の第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０が得られた。
【実施例７】
【０１４２】
前記第８実施形態のとおり第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０を作製した。原盤６０は前記実施例５と同じものを用いた。実施例５と同様に第１スタンパ作製工程（Ｓ２０４）では凸部拡大工程も凸部縮小工程も行わなかった。
【０１４３】
第２スタンパ作製工程（Ｓ１０６）の凸部縮小工程（Ｓ１０６Ｇ）では、前記実施例４と同様にＩＢＥによりＮｉの第１中間被転写物５２の転写面を一様に加工した。ＩＢＥの条件は以下のとおりであった。
加工用ガス：Ａｒ
加工用ガスの流量：１０ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：０．０２Ｐａ
加工時間：８０ｓｅｃ
Ａｒガスの照射方向と最終被転写物５６の転写面の法線とがなす角度：５ｄｅｇ
第１中間被転写物５２における除去された部分の厚さ：４０ｎｍ
【０１４４】
尚、第１中間被転写物５２の転写面の中心を通る法線が回転中心になるように第１中間被転写物５２を回転させながら第１中間被転写物５２をＩＢＥで加工した。第１中間被転写物５２の凸部の側面、上面及び凹部の底面における除去された部分の厚さはいずれも４０ｎｍの厚さで一様であった。第１中間被転写物５２には半径が２８ｍｍの位置において以下のような寸法を有する凹凸パターンが形成されていた。
周方向の凹凸のピッチ：２４０ｎｍ
凹部の周方向の幅：１６０ｎｍ
凸部の周方向の幅：８０ｎｍ
【０１４５】
この第１中間被転写物５２に基いて第２凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｂ）、第３凹凸転写工程（Ｓ１０６Ｄ）を順次実行し、上記第１中間被転写物５２と同じ凹凸形状の第２凹凸パターンの基板２２が得られた。その他の条件は前記実施例１と同じであった。実施例１と同じ凹凸形状の第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０が得られた。
【０１４６】
実施例１〜７に示されるように、第１スタンパ作製工程及び／又は第２スタンパ作製工程において凸部拡大工程及び凸部縮小工程のいずれかの凸部修正工程を実行することにより、第１凹凸パターンの基板１２及び第２凹凸パターンの基板２２の両方の各凸部を各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状に形成できることが確認された。又、これにより各凸部が各凸部によって磁化したい部分の形状に対し縮小した形状の第１スタンパ１０及び第２スタンパ２０を作製できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１４７】
本発明は、例えば、ハードディスク等の情報記録媒体の製造に利用できる。
【符号の説明】
【０１４８】
１０…第１スタンパ
１２、２２…基板
２０…第２スタンパ
３０…情報記録媒体
３２…基板
３４…軟磁性層
３６…配向層
３８…記録層
４０、６０、７０…原盤
５０…中間被転写物
５０Ａ、５４Ａ…追加膜
５２…第１中間被転写物
５４…第２中間被転写物
５６、５８…最終被転写物
ＤＡ…データ領域
ＳＡ…サーボ領域
Ｓ１０２、Ｓ２０２、Ｓ３０２…原盤作製工程
Ｓ１０４、Ｓ２０４…第１スタンパ作製工程
Ｓ１０４Ａ…第１凹凸転写工程
Ｓ１０４Ｂ…凸部拡大工程（凸部修正工程）
Ｓ１０４Ｃ…第２凹凸転写工程
Ｓ１０４Ｄ…下地膜及び強磁性膜成膜工程
Ｓ１０４Ｅ…凸部縮小工程（凸部修正工程）
Ｓ１０６、Ｓ３０６…第２スタンパ作製工程
Ｓ１０６Ａ…第１凹凸転写工程
Ｓ１０６Ｂ…第２凹凸転写工程
Ｓ１０６Ｃ…凸部拡大工程（凸部修正工程）
Ｓ１０６Ｄ…第３凹凸転写工程
Ｓ１０６Ｅ…下地膜及び強磁性膜成膜工程
Ｓ１０６Ｆ、Ｓ１０６Ｇ…凸部縮小工程（凸部修正工程）
【図１Ａ】
2012104209.tif 000003
【図１Ｂ】
2012104209.tif 000004
【図１Ｃ】
2012104209.tif 000005
【図２Ａ】
2012104209.tif 000006
【図２Ｂ】
2012104209.tif 000007
【図２Ｃ】
2012104209.tif 000008
【図３Ａ】
2012104209.tif 000009
【図３Ｂ】
2012104209.tif 000010
【図３Ｃ】
2012104209.tif 000011
【図３Ｄ】
2012104209.tif 000012
【図３Ｅ】
2012104209.tif 000013
【図４】
2012104209.tif 000014
【図５Ａ】
2012104209.tif 000015
【図５Ｂ】
2012104209.tif 000016
【図５Ｃ】
2012104209.tif 000017
【図６】
2012104209.tif 000018
【図７】
2012104209.tif 000019
【図８】
2012104209.tif 000020
【図９】
2012104209.tif 000021
【図１０】
2012104209.tif 000022
【図１１】
2012104209.tif 000023
【図１２】
2012104209.tif 000024
【図１３】
2012104209.tif 000025
【図１４】
2012104209.tif 000026
【図１５】
2012104209.tif 000027
【図１６Ａ】
2012104209.tif 000028
【図１６Ｂ】
2012104209.tif 000029
【図１６Ｃ】
2012104209.tif 000030
【図１７】
2012104209.tif 000031
【図１８】
2012104209.tif 000032
【図１９】
2012104209.tif 000033
【図２０】
2012104209.tif 000034
【図２１】
2012104209.tif 000035
【図２２】
2012104209.tif 000036
【図２３】
2012104209.tif 000037
【図２４】
2012104209.tif 000038
【図２５】
2012104209.tif 000039
【図２６】
2012104209.tif 000040
【図２７】
2012104209.tif 000041
【図２８】
2012104209.tif 000042
【図２９】
2012104209.tif 000043
【図３０】
2012104209.tif 000044
【図３１Ａ】
2012104209.tif 000045
【図３１Ｂ】
2012104209.tif 000046
【図３１Ｃ】
2012104209.tif 000047
【図３２】
2012104209.tif 000048
【図３３】
2012104209.tif 000049
【図３４】
2012104209.tif 000050
【図３５】
2012104209.tif 000051
【図３６】
2012104209.tif 000052
【図３７】
2012104209.tif 000053
【図３８】
2012104209.tif 000054
【図３９】
2012104209.tif 000055