(57)【要約】【課題】半導体製造装置のチャンバの側壁への被膜などの付着物を従来に比して短時間で除去することができる半導体製造装置を提供する。【解決手段】シャワープレート１３は、基板の載置位置を含み、基板面と略平行な平板状の主面部１３１と、筒状を有し、一端が主面部１３１の外周部に接続され、他端がチャンバ１１に接続される側面部１３２と、を有する。主面部１３１には、基板保持部１２側にガスを吹き出す複数のガス供給孔１３１ａが設けられる。側面部１３２には、チャンバ１１の側壁に向かってガスを吹き出す複数のガス供給孔１３２ａが設けられる。また、シャワープレート１３は、ガス供給孔１３１ａを介して基板保持部１２側にガスを流す主ガス供給空間１３５と、ガス供給孔１３２ａを介してチャンバ１１の側壁側にガスを流す副ガス供給空間１３６と、を仕切る仕切り壁１３４を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、
前記チャンバ内にガスを供給するガス供給手段と、
前記チャンバ内で基板を保持する基板保持手段と、
前記チャンバ内で前記基板保持手段に対向して設けられ、前記ガス供給手段からのガスを前記基板保持手段側に分散させるシャワープレートと、
前記シャワープレートと前記基板保持手段との間の前記ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、
を備える半導体製造装置において、
前記シャワープレートは、
前記基板の載置位置を含む領域に設けられ、基板面と略平行な平板状の主面部と、
筒状を有し、一端が前記主面部の外周部に接続され、他端が前記チャンバに接続される側面部と、
を有し、
前記主面部には、前記基板保持手段側に前記ガスを吹き出すように複数の第１のガス供給孔が設けられ、
前記側面部には、前記チャンバの側壁に向かって前記ガスを吹き出すように複数の第２のガス供給孔が設けられ、
前記シャワープレートは、前記第１のガス供給孔を介して前記基板保持手段側にガスを流す第１の空間部と、前記第２のガス供給孔を介して前記チャンバの側壁側にガスを流す第２の空間部と、を仕切る仕切り壁を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記ガス供給手段は、前記基板に対して処理を行う際に使用する処理用ガスを供給する処理用ガス供給手段と、前記チャンバ内をクリーニングする際に使用するクリーニングガス供給手段と、を有し、
前記処理用ガス供給手段と前記チャンバの前記第１の空間部との間を接続する第１配管と、
前記クリーニングガス供給手段と前記チャンバの前記第１および第２の空間部との間をそれぞれ接続する第２および第３配管と、
前記処理用ガスと前記クリーニングガスの前記チャンバへの供給の切り替えを制御する制御手段と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記第２配管と前記第３配管のそれぞれに、前記クリーニングガスの流量を制御する流量制御手段を備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記ガス供給手段は、不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段をさらに有し、
前記不活性ガス供給手段と前記チャンバの前記第２の空間部との間を接続する第４配管をさらに備え、
前記制御手段は、前記処理用ガスを前記第１の空間部へと供給すると同時に、前記不活性ガスを前記第２の空間部へと供給するように、前記処理用ガス供給手段と前記不活性ガス供給手段とを制御することを特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
チャンバ内の基板保持手段に載置された基板上にシャワー状に処理用ガスを吹き出しながらプラズマ化して前記基板の処理を行う基板処理工程と、
前記基板を前記チャンバから搬出する基板搬出工程と、
クリーニングガスを、前記基板保持手段上にシャワー状に吹き出させると同時に、前記チャンバ内の側壁に向けてシャワー状に吹き出させながらプラズマ化して前記チャンバ内のクリーニングを行うクリーニング工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記クリーニング工程では、前記基板保持手段上へ流す前記クリーニングガスの流量と、前記チャンバ内の側壁に向けて流す前記クリーニングガスの流量とが所定の比となるように制御することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記基板処理工程では、前記処理用ガスを前記基板上にシャワー状に流すと同時に、前記チャンバ内の側壁に向けてシャワー状に吹き出させることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）装置では、チャンバ内に供給される成膜ガスをシャワープレートでシャワー状にウェハ上に供給し、ウェハを所定の温度にして、ウェハ上に所望の膜を形成していた。また、膜を形成したウェハをＣＶＤ装置の外に搬出した後、チャンバ内にクリーニングガスを導入し、チャンバ内に付着した膜や反応副生成物を除去していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−７６０２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来技術では、たとえばチャンバ内にシャワープレートを介してクリーニングガスを導入してクリーニングを行うだけであるので、チャンバの側壁に形成された被膜などの除去に時間がかかってしまうという問題がある。
【０００５】
本発明の一つの実施形態は、半導体製造装置のチャンバの側壁への被膜などの付着物を従来に比して短時間で除去することができる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの実施形態によれば、チャンバと、ガス供給手段と、基板保持手段と、シャワープレートと、プラズマ生成手段と、を備える半導体製造装置が提供される。前記ガス供給手段は、前記チャンバ内にガスを供給し、前記基板保持手段は、前記チャンバ内で基板を保持する。前記プラズマ生成手段は、前記シャワープレートと前記基板保持手段との間の前記ガスをプラズマ化する。前記シャワープレートは、前記チャンバ内で前記基板保持手段に対向して設けられ、前記ガス供給手段からのガスを前記基板保持手段側に分散させる機能を有する。また、前記シャワープレートは、前記基板の載置位置を含む領域に設けられ、基板面と略平行な平板状の主面部と、筒状を有し、一端が前記主面部の外周部に接続され、他端が前記チャンバに接続される側面部と、を有する。前記主面部には、前記基板保持手段側に前記ガスを吹き出す複数の第１のガス供給孔が設けられる。前記側面部には、前記チャンバの側壁に向かって前記ガスを吹き出す複数の第２のガス供給孔が設けられる。そして、前記シャワープレートは、前記第１のガス供給孔を介して前記基板保持手段側にガスを流す第１の空間部と、前記第２のガス供給孔を介して前記チャンバの側壁側にガスを流す第２の空間部と、を仕切る仕切り壁を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、実施形態による半導体製造装置の構造の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、シャワープレートの他の例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００９】
図１は、実施形態による半導体製造装置の構造の一例を模式的に示す断面図である。ここでは、半導体製造装置として、プラズマＣＶＤ装置１０を例に挙げて説明する。プラズマＣＶＤ装置１０は、気密に構成されたチャンバ１１を有している。
【００１０】
チャンバ１１内には、処理対象としてのウェハ（基板）１００を水平に支持するとともに、下部電極として機能する基板保持部１２が設けられている。基板保持部１２の表面上には、図示しないがウェハ１００を静電吸着する静電チャック機構など保持機構が設けられている。また、基板保持部１２は接地されている。
【００１１】
下部電極として機能する基板保持部１２に対向するように、基板保持部１２の上部に上部電極として機能するシャワープレート１３が設けられている。このシャワープレート１３には、図示しないが高周波電力を供給する給電線が接続さており、この給電線にブロッキングコンデンサ、整合器および高周波電源が接続されている。シャワープレート１３は基板保持部１２と平行に対向するように、基板保持部１２から所定の距離を隔てたチャンバ１１の上部付近に固定される。このような構造によって、シャワープレート１３と基板保持部１２とは、一対の平行平板電極を構成している。
【００１２】
シャワープレート１３は、チャンバ１１の上部付近の空間を囲むように設けられ、基板保持部１２と対向する領域に設けられる基板保持部１２の基板保持面と略平行な主面部１３１と、主面部１３１を支持するように設けられる筒状の側面部１３２と、シャワープレート１３をチャンバ１１の上面付近の部材と固定部材で固定する固定部１３３と、を有する。シャワープレート１３は、たとえば下面から上部に行くに従って開口部の面積が大きくなる円形の容器状の構造を有する。
【００１３】
シャワープレート１３の主面部１３１には、板の厚さ方向に貫通する複数のガス供給孔１３１ａが設けられるが、本実施形態では、側面部１３２にも孔の方向がチャンバ１１内の側面に向かうガス供給孔１３２ａが設けられる。ここでは、側面部１３２に板の厚さ方向に貫通する複数のガス供給孔１３２ａが設けられている。また、主面部１３１のガス供給孔１３１ａから供給されるガスと、側面部１３２のガス供給孔１３２ａから供給されるガスとを区切る仕切り壁１３４がシャワープレート１３とチャンバ１１の上面とで構成される空間に設けられている。以下では、仕切り壁１３４とシャワープレート１３の主面部１３１とチャンバ１１とで形成される空間を主ガス供給空間１３５とし、仕切り壁１３４とシャワープレート１３の側面部１３２とチャンバ１１とで形成される空間を副ガス供給空間１３６とする。
【００１４】
チャンバ１１の上部付近には、成膜時やクリーニング時に使用される処理ガスが供給されるガス供給口１４，１５が設けられている。ここでは、主ガス供給空間１３５に接続されるように、チャンバ１１の上面の中央付近にメインのガス供給口１４が設けられ、副ガス供給空間１３６に接続されるように、シャワープレート１３の形成位置の周縁部付近にもガス供給口１５が設けられている。
【００１５】
プラズマＣＶＤ装置１０には、チャンバ１１内に、ＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）／Ｈｅガスやシランなどの成膜に用いられる処理ガスとしての成膜ガスを供給する成膜ガス供給部２１と、ＨｅやＡｒなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給部２２と、ＮＦ3ガスなどのクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部２３と、が設けられている。
【００１６】
成膜ガス供給部２１は、配管３１，３４を介してガス供給口１４に接続されている。不活性ガス供給部２２は、配管３２，３４を介してガス供給口１４に接続され、また配管３２，３５を介してガス供給口１５に接続されている。クリーニングガス供給部２３は、配管３３，３４を介してガス供給口１４に接続され、また配管３３，３５を介してガス供給口１５に接続されている。
【００１７】
ここでは、配管３５は、配管３２，３３から分岐する構造となっているが、不活性ガス供給部２２からガス供給口１４に接続される配管と、不活性ガス供給部２２からガス供給口１５に接続される配管とを独立に設けるようにしてもよい。クリーニングガス供給部２３についても同様に、クリーニングガス供給部２３からガス供給口１４に接続される配管と、クリーニングガス供給部２３からガス供給口１５に接続される配管とを独立に設けるようにしてもよい。
【００１８】
配管３１〜３３には、それぞれの配管３１〜３３を流れるガス流のオン／オフを切り替えることができるガスバルブ４１〜４３が設けられている。つまり、ガスバルブ４１〜４３を開状態とすると、その配管３１〜３３にはガスが流れ、逆に閉状態とすると、その配管３１〜３３にはガスが流れない。たとえば成膜時には、ガスバルブ４１，４２を開とし、ガスバルブ４３を閉とすることで、成膜ガス供給部２１からガス供給口１４へ成膜ガスを流すとともに、不活性ガス供給部２２からガス供給口１４，１５へ不活性ガスを流し、クリーニングガスはチャンバ１１内には流さないようにしている。一方、クリーニング時には、ガスバルブ４１，４２を閉とし、ガスバルブ４３を開とすることで、成膜ガスと不活性ガスをチャンバ１１内には流さず、クリーニングガス供給部２３からガス供給口１４，１５へクリーニングガスを流すようにしている。
【００１９】
また、配管３１，３２，３３，３５には、それぞれの配管３１，３２，３３，３５を流れるガスの流量を制御するガス流量制御部５１，５２，５３，５４，５５が設けられている。ガス流量制御部５１は成膜ガスの流量を制御し、ガス流量制御部５２はガス供給口１４に供給される不活性ガスの流量を制御し、ガス流量制御部５３はガス供給口１４に供給されるクリーニングガスの流量を制御している。また、ガス流量制御部５４は、ガス供給口１５に供給される不活性ガスの流量を制御し、ガス流量制御部５５はガス供給口１５に供給されるクリーニングガスの流量を制御している。
【００２０】
シャワープレート１３の主面部１３１と仕切り壁１３４との間で囲まれる主ガス供給空間１３５には、ガス供給口１４から供給されるガスを整流して分散させる分散板１６が設けられている。分散板１６は、シャワープレート１３の主面部１３１と略平行に配置される主面部１６１と、主面部１６１をチャンバ１１の上面から支持する側面部１６２と、を有し、主面部１６１に板の厚さ方向に貫通するガス供給孔１６１ａが複数設けられている。
【００２１】
また、チャンバ１１にはガス排気口６１が設けられており、ガス排気口６１には配管６２を介して排気手段である真空ポンプ６３が接続されている。これによって、チャンバ１１内のガスが排気される。また、ガス排気口６１には、図示しないがゲートバルブが設けられており、ゲートバルブの開度によって排気量を調節することができる構成となっている。
【００２２】
なお、ガスバルブ４１〜４３、ガス流量制御部５１〜５５、高周波電源およびゲートバルブには、予め作成されたプログラムにしたがって、ガスバルブ４１〜４３やゲートバルブの開閉制御、ガス流量制御部５１〜５５のガス流量制御、および高周波電源の制御を行う図示しない制御装置が接続されている。
【００２３】
つぎに、このように構成されたプラズマＣＶＤ装置１０での処理の概要について説明する。このプラズマＣＶＤ装置１０では、ウェハ１００をチャンバ１１内に搬送し、基板保持部１２に載置して成膜処理を行った後、ウェハ１００をチャンバ１１内から搬出し、チャンバ１１内に堆積した被膜や副生成物を除去するクリーニング処理を行う。そして、再び成膜処理を行う。クリーニング処理は、ウェハ１００に被膜を成膜するごとに、すなわち１回の成膜処理ごとに行われる場合もあるし、複数のウェハ１００に被膜を形成した後に、すなわち複数回の成膜処理の後に行われる場合もある。以下では、プラズマＣＶＤ装置１０における成膜処理とクリーニング処理について説明する。
【００２４】
＜成膜処理＞
まず、ウェハ１００を基板保持部１２上に載置し、たとえば図示しない静電チャック機構などで基板保持部１２上にウェハ１００を固定する。ついで、真空ポンプ６３によってチャンバ１１内を所定の真空度にした後、ガスバルブ４１，４２を開とし、ガスバルブ４３を閉とする。これによって、成膜ガス供給部２１からはたとえばＴＥＯＳガスなどの成膜ガスがガス供給口１４からチャンバ１１内に供給され、不活性ガス供給部２２からはたとえばＨｅなどの不活性ガスがガス供給口１４，１５からチャンバ１１内に供給される。このとき、成膜ガスはガス流量制御部５１によって所定の流量となるように制御されて、主ガス供給空間１３５に供給され、不活性ガスは、ガス流量制御部５２によって所定の流量となるように制御されて主ガス供給空間１３５に供給され、ガス流量制御部５４によって所定の流量となるように制御されて副ガス供給空間１３６に供給される。その結果、主ガス供給空間１３５には成膜ガスと不活性ガスの混合ガスが供給され、副ガス供給空間１３６には不活性ガスが供給される。
【００２５】
混合ガスは、分散板１６のガス供給孔１６１ａを通ることによって、主ガス供給空間１３５内で分散され、さらにシャワープレート１３に設けられたガス供給孔１３１ａから基板保持部１２側の空間へと略均一に供給される。このとき、混合ガスは、仕切り壁１３４が存在するために副ガス供給空間１３６には移動することがない。
【００２６】
混合ガスのチャンバ１１内への供給と同時に、副ガス供給空間１３６に供給された不活性ガスは、ガス供給孔１３２ａからチャンバ１１内へと供給される。このとき、ガス供給孔１３２ａはチャンバ１１の側壁に向けられているので、チャンバ１１の側壁には不活性ガスが吹き付けられている状態となる。
【００２７】
その後、基板保持部１２を接地した状態でシャワープレート１３に高周波電圧を印加して、シャワープレート１３と基板保持部１２との間の空間にプラズマを生成させる。これによって、混合ガスがプラズマ化し、ウェハ１００上に被膜が形成される。このとき、シャワープレート１３のガス供給孔１３２ａからはチャンバ１１の側壁に向かって不活性ガスが供給されており、ウェハ１００上に比べてチャンバ１１の側壁には被膜が形成されにくい状態となっている。
【００２８】
所定の時間、成膜処理を行った後、ガスバルブ４１，４２を閉にして、チャンバ１１内を真空引きした後、ガスバルブ４２を開にする。そして、ウェハ１００をチャンバ１１の外部へと搬出する。以上によって、成膜処理が終了する。
【００２９】
＜クリーニング処理＞
ウェハ１００を搬出したチャンバ１１内を真空ポンプ６３によって所定の真空度にした後、ガスバルブ４１，４２を閉とし、ガスバルブ４３を開とする。これによって、クリーニングガス供給部２３からはたとえばＮＦ3ガスなどのクリーニングガスがガス供給口１４，１５からチャンバ１１内へと供給される。このとき、クリーニングガスは、ガス流量制御部５３によって所定の流量となるように制御されて主ガス供給空間１３５に供給され、ガス流量制御部５５によって所定の流量となるように制御されて副ガス供給空間１３６に供給される。その結果、主ガス供給空間１３５と副ガス供給空間１３６にはクリーニングガスがそれぞれ所定の流量で供給される。
【００３０】
主ガス供給空間１３５内では、クリーニングガスは分散板１６のガス供給孔１６１ａを通ることによって分散され、さらにシャワープレート１３に設けられたガス供給孔１３１ａから基板保持部１２側の空間へと略均一に供給される。また、同時に副ガス供給空間１３６に供給されたクリーニングガスは、ガス供給孔１３２ａからチャンバ１１内へと供給される。このとき、ガス供給孔１３２ａはチャンバ１１の側壁に向けられているので、チャンバ１１の側壁にはクリーニングガスが吹き付けられている状態となる。
【００３１】
その後、基板保持部１２を接地した状態でシャワープレート１３に高周波電圧を印加して、シャワープレート１３と基板保持部１２との間の空間にプラズマを生成させる。これによって、クリーニングガスがプラズマ化し、チャンバ１１内に形成された被膜や反応副生成物のクリーニングが行われる。シャワープレート１３の主面部１３１から吹き出されるクリーニングガスによって、主にシャワープレート１３のガス供給孔１３１ａや基板保持部１２上とその周囲に形成された被膜や反応副生成物のクリーニングが行われる。また、シャワープレート１３の側面部１３２のガス供給孔１３２ａからは、チャンバ１１の側壁に向かってクリーニングガスが直接に吹き付けられ、被膜や副生成物の除去が効果的に行われる。
【００３２】
なお、シャワープレート１３の主面部１３１と側面部１３２から吹き出されるクリーニングガスの流量は、それぞれのガス流量制御部５３，５５によって任意に変えることができる。たとえば、チャンバ１１の内壁に多量の被膜や反応副生成物が付着しているような状況では、シャワープレート１３の側面部１３２からのクリーニングガスの流量が相対的に大きくなるようにガス流量を制御すればよい。
【００３３】
所定の時間、クリーニング処理を行った後、ガスバルブ４３を閉にして、真空ポンプ６３によってしばらくチャンバ１１内のガスを排気して、クリーニング処理が終了する。その後は、上記した成膜処理が行われる。
【００３４】
なお、図１では、シャワープレート１３の形状は、平板状の主面部１３１と、主面部１３１の外周部で９０度よりも大きい角度で接続される側面部１３２と、を有し、主面部１３１と側面部１３２には、板の厚さ方向を貫通する複数のガス供給孔１３１ａ，１３２ａが設けられた構造を有していたが、副ガス供給空間１３６からチャンバ１１内の側壁に向かってガスを吹き出させることが可能なガス供給孔１３２ａを有するものであれば、他の形状を有するものであってもよい。図２は、シャワープレートの他の例を模式的に示す断面図である。図２のシャワープレート１３の形状は、平板状の主面部１３１と、主面部１３１の外周部で９０度の角度で接続される筒状の側面部１３２と、を有し、側面部１３２には、チャンバ１１内の側壁に向かってガスを吹き出すことができるように設けられた複数のガス供給孔１３２ａが設けられている。なお、図１と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００３５】
このシャワープレート１３では、主面部１３１のガス供給孔１３１ａは、板の厚さ方向に貫通する形状のものであるが、側面部１３２では板の厚さ方向から傾いた角度でガス供給孔１３２ａが設けられている。この側面部１３２におけるガス供給孔１３２ａは、シャワープレート１３をチャンバ１１内に取り付けたときに、チャンバ１１内の側壁にガスが当たる角度で形成される。
【００３６】
また、副ガス供給空間１３６を構成するシャワープレート１３の部材にヒータを設けるようにしてもよい。このようにすることで、クリーニング時に、副ガス供給空間１３６に供給されるガスの温度が高くなり、クリーニング効果を高めることができる。
【００３７】
本実施形態では、シャワープレート１３に、処理対象に対してガスを供給するガス供給孔１３１ａを有する主ガス供給空間１３５と、チャンバ１１内の側壁に直接にガスが当たるように設けられたガス供給孔１３２ａを有する副ガス供給空間１３６と、を仕切る仕切り壁１３４を備えるように構成した。そして、チャンバ１１内のクリーニング中に、主ガス供給空間１３５と副ガス供給空間１３６の両方にクリーニングガスを流すようにして、基板保持部１２とその周辺に形成された被膜や反応副生成物の除去だけでなく、チャンバ１１内の側壁に形成された被膜や反応副生成物を効率よく除去することができるという効果を有する。特に、チャンバ１１の側壁に向けてクリーニングガスを吹き出す構造によって、チャンバ１１の側壁に直接クリーニングガスが接触するので、チャンバ１１の側壁に向けてクリーニングガスを吹き出す構造のシャワープレート１３を有さない一般的なプラズマＣＶＤ装置と比較して、クリーニング時間を短縮することができるという効果を有する。
【００３８】
また、成膜時には副ガス供給空間１３６に不活性ガスを流すことによって、チャンバ１１内の側壁付近に不活性ガスの壁ができることになる。その結果、成膜中にチャンバ１１内の側壁への被膜や反応副生成物の付着速度を、基板保持部１２周辺に比して小さくすることができる。つまり、成膜中のチャンバ１１内の側壁への被膜や反応副生成物の付着量を低減し、クリーニング処理時のクリーニング時間をさらに短縮することができるという効果を有する。
【００３９】
なお、上述した説明では、プラズマＣＶＤ装置１０を例に挙げて説明したが、ドライエッチング装置などの半導体製造装置に対しても同様の効果を得ることができる。
【００４０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４１】
１０…プラズマＣＶＤ装置、１１…チャンバ、１２…基板保持部、１３…シャワープレート、１４，１５…ガス供給口、１６…分散板、２１…成膜ガス供給部、２２…不活性ガス供給部、２３…クリーニングガス供給部、３１〜３５，６２…配管、４１〜４３…ガスバルブ、５１〜５５…ガス流量制御部、６１…ガス排気口、６３…真空ポンプ、１００…ウェハ、１３１，１６１…主面部、１３１ａ，１３２ａ，１６１ａ…ガス供給孔、１３２，１６２…側面部、１３３…固定部、１３４…仕切り壁、１３５…主ガス供給空間、１３６…副ガス供給空間。
【図１】
2012169409.tif 000003
【図２】
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