(57)【要約】【課題】誘電体層に高誘電率絶縁膜を用い、高誘電率絶縁膜等のエッチングにドライエッチングを採用した場合でも、静電破壊の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造した電気光学装置を提供すること。【解決手段】液晶装置１００を製造するにあたって、高誘電率絶縁膜形成工程および高誘電率絶縁膜パターニング工程によって誘電体層４２ａを所定領域に形成した後、第２電極形成用導電膜形成工程および第２電極形成用導電膜パターニング工程によって容量線５ｂ（第２電極）を形成する。このため、高誘電率絶縁膜４２は、広い領域にわたって形成された状態でドライエッチング時のプラズマを受けるのは、高誘電率絶縁膜パターニング工程の間だけであり、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う時点では、すでにパターニングされている。【選択図】図３
2012123142.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学装置用基板の一方面側に第１電極、誘電体層および第２電極が積層された容量素子を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記第１電極の上層側にシリコン酸化膜より誘電率が高い高誘電率絶縁膜を形成する高誘電率絶縁膜形成工程と、
前記高誘電率絶縁膜をドライエッチングによりパターニングして前記誘電体層を形成する高誘電率絶縁膜パターニング工程と、
前記第２電極を形成するための第２電極形成用導電体膜を形成する第２電極形成用導電膜形成工程と、
前記第２電極形成用導電体膜をドライエッチングによりパターニングして前記第２電極を形成する第２電極形成用導電膜パターニング工程と、
を有していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記高誘電率絶縁膜パターニング工程を行う際に前記高誘電率絶縁膜の表面に形成するエッチングマスクと、前記第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う際に前記第２電極形成用導電体膜の表面に形成するエッチングマスクとを、同一の平面形状で同一の領域に形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記高誘電率絶縁膜は、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、およびジルコニウム酸化膜のうちの少なくとも１つの酸化膜を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記高誘電率絶縁膜形成工程を行う前に、
前記第１電極の上層側にエッチングストッパー用絶縁膜を形成するエッチングストッパー用絶縁膜形成工程と、
前記エッチングストッパー用絶縁膜をエッチングして前記第１電極を部分的に露出させるとともに、前記第２電極の端縁と重なる領域に当該エッチングストッパー用絶縁膜をエッチングストッパー層として残すエッチングストッパー用絶縁膜パターニング工程と、
を行うことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記高誘電率絶縁膜パターニング工程を行った後、前記第２電極形成用導電膜形成工程を行う前に、
前記誘電体層の上層側にエッチングストッパー用絶縁膜を形成するエッチングストッパー用絶縁膜形成工程と、
前記エッチングストッパー用絶縁膜をエッチングして前記誘電体層を部分的に露出させるとともに、前記第２電極の端縁と重なる領域に当該エッチングストッパー用絶縁膜をエッチングストッパー層として残すエッチングストッパー用絶縁膜パターニング工程と、
を行うことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記電気光学装置用基板を、液晶装置において液晶層を介して対向する一対の液晶装置用基板の一方として用いることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の方法により製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板の一方面側に容量素子を備えた電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造された電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置において素子基板（電気光学装置用基板）の一方面側には、第１電極、誘電体層および第２電極が積層された容量素子が構成されている（特許文献１、２）。
【０００３】
かかる容量素子を形成する際、特許文献１に記載の技術では、まず、第１電極を形成した後、誘電体膜を形成し、かかる誘電体膜をエッチングによりパターニングして誘電体層を形成している。次に、第２電極を形成するための第２電極形成用導電体膜を形成した後、かかる第２電極形成用導電体膜をエッチングによりパターニングして第２電極を形成している。ここで、誘電体膜と第２電極とは異なる平面形状をもってパターニングされている。
【０００４】
また、特許文献２に記載の技術では、誘電体膜および第２電極形成用導電体膜のエッチングにドライエッチングが採用されており、第１電極を形成するための第１電極形成用導電体膜、誘電体膜および第２電極形成用導電体膜をこの順に形成した後、かかる複数の層をドライエッチングにより一括してパターニングし、容量素子を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１２８２９９号公報
【特許文献２】特開２００５−１２８３０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に記載の発明のように、第１電極形成用導電体膜、誘電体膜および第２電極形成用導電体膜をドライエッチングにより一括してパターニングする方法を採用した場合、誘電体膜および第２電極形成用導電体膜は、広い範囲にわたって形成された状態でドライエッチングされることになる。このため、容量素子の単位面積当たりの静電容量を増大させる目的で、誘電体膜として、シリコン酸化膜より誘電率が高い高誘電率絶縁膜を用いると、ドライエッチングの際に発生させたプラズマが原因で高誘電率絶縁膜に大きな電荷が蓄積され、静電破壊が発生するという問題点がある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、誘電体層に高誘電率絶縁膜を用い、高誘電率絶縁膜等のエッチングにドライエッチングを採用した場合でも、静電破壊の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造した電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は、電気光学装置用基板の一方面側に第１電極、誘電体層および第２電極が積層された容量素子を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記第１電極の上層側にシリコン酸化膜より誘電率が高い高誘電率絶縁膜を形成する高誘電率絶縁膜形成工程と、前記高誘電率絶縁膜をドライエッチングによりパターニングして前記誘電体層を形成する高誘電率絶縁膜パターニング工程と、前記第２電極を形成するための第２電極形成用導電体膜を形成する第２電極形成用導電膜形成工程と、前記第２電極形成用導電体膜をドライエッチングによりパターニングして前記第２電極を形成する第２電極形成用導電膜パターニング工程と、を有していることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、高誘電率絶縁膜形成工程および高誘電率絶縁膜パターニング工程によって誘電体層を所定領域に形成した後、第２電極形成用導電膜形成工程および第２電極形成用導電膜パターニング工程によって第２電極を形成する。このため、高誘電率絶縁膜は、広い領域にわたって形成された状態でプラズマを受けるのは、高誘電率絶縁膜パターニング工程の間だけであり、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う時点では、すでにパターニングされている。このため、誘電体層に高誘電率絶縁膜を用いた場合でも、ドライエッチングの際のプラズマによって高誘電率絶縁膜（誘電体層）に溜まる電荷を少なく抑えることができるので、静電破壊の発生を防止することができる。
【００１０】
本発明において、前記高誘電率絶縁膜パターニング工程を行う際に前記高誘電率絶縁膜の表面に形成するエッチングマスクと、前記第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う際に前記第２電極形成用導電体膜の表面に形成するエッチングマスクとを、同一の平面形状で同一の領域に形成することが好ましい。かかる構成によれば、高誘電率絶縁膜パターニング工程で用いるエッチングマスクをフォトリソグラフィ技術により形成する際の露光マスクと、第２電極形成用導電膜パターニング工程で用いるエッチングマスクをフォトリソグラフィ技術により形成する際の露光マスクとを共通化することができる。それ故、高誘電率絶縁膜パターニング工程および第２電極形成用導電膜パターニング工程を別工程として行った場合でも、製造コストの増大を最小限に抑えることができる。
【００１１】
本発明において、前記高誘電率絶縁膜は、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、およびジルコニウム酸化膜のうちの少なくとも１つの酸化膜を含む構成を採用することができる。かかる高誘電率絶縁膜を用いれば、容量素子の単位面積当たりの静電容量を増大させることができる。
【００１２】
本発明において、前記高誘電率絶縁膜形成工程を行う前に、前記第１電極の上層側にエッチングストッパー用絶縁膜を形成するエッチングストッパー用絶縁膜形成工程と、前記エッチングストッパー用絶縁膜をエッチングして前記第１電極を部分的に露出させるとともに、前記第２電極の端縁と重なる領域に当該エッチングストッパー用絶縁膜をエッチングストッパー層として残すエッチングストッパー用絶縁膜パターニング工程と、を行うことが好ましい。かかる構成によれば、第２電極の端縁と重なる領域にエッチングストッパー層が形成されているので、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う際にオーバーエッチングにより第２電極の下層側がエッチングされても、第２電極と第１電極との短絡が発生しない。
【００１３】
または、前記高誘電率絶縁膜パターニング工程を行った後、前記第２電極形成用導電膜形成工程を行う前に、前記誘電体層の上層側にエッチングストッパー用絶縁膜を形成するエッチングストッパー用絶縁膜形成工程と、前記エッチングストッパー用絶縁膜をエッチングして前記誘電体層を部分的に露出させるとともに、前記第２電極の端縁と重なる領域に当該エッチングストッパー用絶縁膜をエッチングストッパー層として残すエッチングストッパー用絶縁膜パターニング工程と、を行うことが好ましい。かかる構成によれば、第２電極の端縁と重なる領域にエッチングストッパー層が形成されているので、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う際にオーバーエッチングにより第２電極の下層側がエッチングされても、第２電極と第１電極との短絡が発生しない。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、液晶装置の製造方法や有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法等、各種電気光学装置の製造方法に適用することができる。これらの電気光学装置のうち、液晶装置の製造方法に本発明を適用する場合、前記電気光学装置用基板を、液晶装置において液晶層を介して対向する一対の液晶装置用基板の少なくとも一方として用いる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の画素の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた第１基板の製造工程の要部を示す工程断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた第１基板の製造工程の要部を示す工程断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る液晶装置の画素の断面図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る液晶装置の画素の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る液晶装置に用いた第１基板の製造工程の要部を示す工程断面図である。
【図９】本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、各種の電気光学装置のうち、液晶装置およびその製造方法に本発明を適用した場合を中心に説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１７】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）の電気的構成を示すブロック図である。図１において、液晶装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ａ（画像表示領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する第１基板１０（図２等を参照）では、画素領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００１８】
第１基板１０において、画素領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００１９】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する第２基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５（容量素子）が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線５ｃに導通している。
【００２０】
（液晶パネル１００ｐの構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に第２基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２１】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板としての第１基板１０（電気光学装置用基板／液晶装置用基板）と、対向基板としての第２基板２０（液晶装置用基板）とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００２２】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画素領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画素領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。第１基板１０において、画素領域１０ａの外側では、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２３】
詳しくは後述するが、第１基板１０の一方側の基板面において、画素領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２４】
また、第１基板１０の一方面側において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂ（図２（ｂ）参照）が形成されている。ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、第１基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画素領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画素領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００２５】
第２基板２０において第１基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。また、第２基板２０において第１基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画素領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されており、見切りとして機能する。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、第２基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる領域等にも形成されることがある。
【００２６】
このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。かかる基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。
【００２７】
シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって第２基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、第２基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１０９を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００２８】
かかる構成の液晶装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１を透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａを反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１００が反射型である場合、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０の側の基板で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置１００が透過型である場合、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００２９】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３０】
本形態において、液晶装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３１】
（画素の具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の画素の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置１００に用いた第１基板１０において隣り合う画素の平面図、および図３（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、半導体層１ａは細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂ（保持容量５５の第２電極）は二点鎖線で示し、画素電極９ａは太くて長い破線で示してある。また、図３（ａ）では、下電極層４ａ（保持容量５５の第１電極）およびエッチングストッパー層４０ａの開口部４０ｂについては二重の細い実線で示してあり、かかる二重の細い実線のうち、外側の実線は下電極層４ａの形成領域に相当し、内側の実線はエッチングストッパー層４０ａの開口部４０ｂに相当する。また、二点鎖線で示す容量線５ｂと重なる領域には誘電体層４２ａが形成されている。
【００３２】
図３（ａ）に示すように、第１基板１０上には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、各画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に画素トランジスター３０が形成されている。第１基板１０上には、走査線３ａと重なるように容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３３】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の表面（一方面側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されており、第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（第１基板１０と対向する一方面側）に形成された共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３４】
第１基板１０において、複数の画素１００ａの各々には、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。半導体層１ａは、走査線３ａの一部からなるゲート電極３ｃに対して透光性のゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇと、ソース領域１ｂと、ドレイン領域１ｃとを備えており、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層１ａは、例えば、基板本体１０ｗ上に、シリコン酸化膜等からなる透光性の下地絶縁膜１２上に形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。また、ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化してなるシリコン酸化膜と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との２層構造を有する場合もある。走査線３ａには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。
【００３５】
走査線３ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の第１層間絶縁膜４１が形成されており、第１層間絶縁膜４１の上層には下電極層４ａ（第１電極）が形成されている。下電極層４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されている。下電極層４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなり、コンタクトホール７ｃを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。
【００３６】
下電極層４ａの上層側には誘電体層４２ａが形成されている。また、誘電体層４２ａの上層側には、誘電体層４２ａを介して下電極層４ａと対向するように容量線５ｂ（第２電極）が形成され、かかる容量線５ｂ、誘電体層４２ａおよび下電極層４ａによって、保持容量５５が形成されている。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。本形態において、容量線５ｂは、アルミニウム層とチタン窒化膜との２層構造や、銅含有アルミニウム層からなる。ここで、下電極層４ａ、誘電体層４２ａおよび容量線５ｂは、画素トランジスター３０の上層側に形成され、画素トランジスター３０に対して平面視で重なっている。このため、保持容量５５は、画素トランジスター３０の上層側に形成され、少なくとも画素トランジスター３０に対して平面視で重なっている。
【００３７】
本形態において、誘電体層４２ａは、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率絶縁膜を少なくとも１層含んでおり、本形態において、誘電体層４２ａは、上記の高誘電率絶縁膜の単層膜からなる。かかる高誘電率絶縁膜は、以下に誘電率（比誘電率）を示すように、シリコン酸化膜（誘電率＝３〜４）に比して誘電率が高い。
誘電体層４２ａ（高誘電率絶縁膜）の誘電率
アルミニウム酸化膜＝約８
チタン酸化膜＝約６６
タンタル酸化膜＝約２５
ニオブ酸化膜＝約４２
ハフニウム酸化膜＝約４１
ランタン酸化膜＝約２４
ジルコニウム酸化膜＝約３１
【００３８】
従って、誘電体層４２ａとして上記の高誘電率絶縁膜を用いれば、保持容量５５の単位面積当たりの静電容量を増大させることができる。なお、誘電体層４２ａは上記の高誘電率絶縁膜が複数層、積層された積層膜や、上記の金属酸化物が混在した多成分系の高誘電率絶縁膜が用いられることもある。
【００３９】
本形態において、誘電体層４２ａは、容量線５ｂと略同一形状をもって同一の領域に形成されている。また、誘電体層４２ａの端縁４２ｅおよび容量線５ｂの端縁５ｅは、下電極層４ａと重なる位置にある。
【００４０】
また、本形態では、下電極層４ａと誘電体層４２ａとの層間にはシリコン酸化膜等からなるエッチングストッパー層４０ａが形成されており、かかるエッチングストッパー層４０ａには、下電極層４ａの一部と重なる領域に開口部４０ｂが形成されている。このため、下電極層４ａと容量線５ｂとは、開口部４０ｂにおいて誘電体層４２ａを介して対向し、保持容量５５を構成している。また、エッチングストッパー層４０ａは、誘電体層４２ａの端縁４２ｅおよび容量線５ｂの端縁５ｅと重なる領域に形成されている。
【００４１】
容量線５ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第２層間絶縁膜４３が形成され、第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール７ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続している。ドレイン電極６ｂはコンタクトホール７ｂを介して下電極層４ａに電気的に接続し、下電極層４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。
【００４２】
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第３層間絶縁膜４４が形成されている。第３層間絶縁膜４４には、ドレイン電極６ｂへ通じるコンタクトホール７ｄが形成されている。第３層間絶縁膜４４の上層には、金属酸化物層としてのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール７ｄを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。本形態において、第３層間絶縁膜４４の表面は平坦面になっている。
【００４３】
ここで、第３層間絶縁膜４４の表面には、図２（ｂ）を参照して説明したダミー画素電極９ｂ（図３には図示せず）が形成されており、かかるダミー画素電極９ｂは、画素電極９ａと同時形成された透光性導電膜からなる。
【００４４】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜１６と画素電極９ａとの層間にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の透光性の保護膜１７が形成されている。保護膜１７は、表面が平坦面になっており、隣り合う画素電極９ａの間に形成された凹部を埋めている。従って、配向膜１６は、保護膜１７の平坦な表面に形成されている。
【００４５】
第２基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（第１基板１０に対向する側の面）に、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜２６と共通電極２１との層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の保護膜２７が形成されている。保護膜２７は、表面が平坦面になっており、かかる平坦面上に配向膜２６が形成されている。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００４６】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、Ｎチャネル型の駆動用トランジスターとＰチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、第１基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００４７】
（液晶装置１００の製造方法）
図４および図５は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００に用いた第１基板１０の製造工程の要部を示す工程断面図である。なお、以下に説明する製造工程は、単品サイズの第１基板１０を多数取りできる大型基板の状態で行われるが、以下の説明では、単品サイズおよび大型基板を区別せずに「第１基板１０」として説明する。
【００４８】
本形態の液晶装置１００を製造するにあたって、第１基板１０の製造方法では、図４（ａ）に示すように、画素トランジスター３０や第１層間絶縁膜４１等を形成した後、第１層間絶縁膜４１にコンタクトホール７ｃを形成する。
【００４９】
次に、図４（ｂ）、（ｃ）に示す第１電極形成工程において、下電極層４ａ（第１電極）を形成する。より具体的には、図４（ｂ）に示すように、まず、第１電極形成用導電体膜形成工程において、第１層間絶縁膜４１の上層側に、下電極層４ａを形成するための第１電極形成用導電膜４をスパッタ法や蒸着法等により基板全体に形成する。次に、第１電極形成用導電膜パターニング工程において、第１電極形成用導電膜４の上層にフォトリソグラフィ技術を利用してレジストマスク９１（エッチングマスク）を形成する。より具体的には、第１電極形成用導電膜４の上層に感光性樹脂層を塗布した後、露光マスクを介して露光し、その後、感光性樹脂層を現像してレジストマスク９１を形成する。また、第１電極形成用導電膜パターニング工程では、第１電極形成用導電膜４にウエットエッチングあるいはドライエッチングを行い、第１電極形成用導電膜４をパターニングした後、レジストマスク９１を除去する。その結果、図４（ｃ）に示すように、下電極層４ａ（第１電極）が形成される。本形態では、第１電極形成用導電膜４に対するエッチングとしてドライエッチングを行う。
【００５０】
次に、図４（ｄ）、（ｅ）に示すエッチングストッパー層形成工程において、エッチングストッパー層４０ａを形成する。より具体的には、まず、図４（ｄ）に示すように、エッチングストッパー用絶縁膜形成工程において、下電極層４ａの上層側に、シリコン酸化膜等のエッチングストッパー用絶縁膜４０をＣＶＤ法等により基板全体に形成する。次に、エッチングストッパー用絶縁膜パターニング工程において、エッチングストッパー用絶縁膜４０の上層にフォトリソグラフィ技術を利用してレジストマスク９２（エッチングマスク）を形成する。また、エッチングストッパー用絶縁膜パターニング工程では、エッチングストッパー用絶縁膜４０にウエットエッチングあるいはドライエッチングを行い、エッチングストッパー用絶縁膜４０をパターニングした後、レジストマスク９２を除去する。その結果、図４（ｅ）に示すように、エッチングストッパー層４０ａが形成され、かかるエッチングストッパー層４０ａには、下電極層４ａと重なる領域に開口部４０ｂが形成されており、下電極層４ａの一部が開口部４０ｂで露出した状態となる。また、エッチングストッパー用絶縁膜４０に対するパターニングの際、エッチングストッパー層４０ａは、後工程で形成する誘電体層４２ａの端縁４２ｅや容量線５ｂの端縁５ｅと重なる領域に残される。本形態では、エッチングストッパー用絶縁膜４０に対するエッチングとしてドライエッチングを行う。
【００５１】
次に、図５（ａ）、（ｂ）に示す誘電体層形成工程において、誘電体層４２ａを形成する。より具体的には、まず、図５（ａ）に示すように、高誘電率絶縁膜形成工程において、エッチングストッパー層４０ａの上層側に、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率絶縁膜４２をスパッタ法や蒸着法等により基板全体に形成する。次に、高誘電率絶縁膜パターニング工程において、高誘電率絶縁膜４２の上層にフォトリソグラフィ技術を利用してレジストマスク９３（エッチングマスク）を形成する。また、高誘電率絶縁膜パターニング工程では、高誘電率絶縁膜４２にドライエッチングを行い、高誘電率絶縁膜４２をパターニングした後、レジストマスク９３を除去する。その結果、図５（ｂ）に示すように、誘電体層４２ａが形成され、かかる誘電体層４２ａは、端縁４２ｅがエッチングストッパー層４０ａに重なっている。かかる高誘電率絶縁膜パターニング工程において、ドライエッチングは、装置チャンバー内でプラズマを発生させ、その内部で生成したイオンやラジカルを利用して高誘電率絶縁膜４２をエッチングする。このため、高誘電率絶縁膜４２（誘電体層４２ａ）は、プラズマの影響で電荷が蓄積されるが、高誘電率絶縁膜４２（誘電体層４２ａ）の上層側にはまだ導電膜が形成されていないので、静電破壊が発生しない。
【００５２】
図５（ｃ）、（ｄ）に示す第２電極形成工程において、容量線５ｂを形成する。より具体的には、まず、図５（ｃ）に示すように、第２電極形成用導電膜形成工程において、誘電体層４２ａの上層側に、容量線５ｂを形成するための第２電極形成用導電膜５をスパッタ法や蒸着法等により基板全体に形成する。次に、第２電極形成用導電膜パターニング工程において、第２電極形成用導電膜５の上層にフォトリソグラフィ技術を利用してレジストマスク９４（エッチングマスク）を形成する。また、第２電極形成用導電膜パターニング工程では、第２電極形成用導電膜５にドライエッチングを行い、第２電極形成用導電膜５をパターニングした後、レジストマスク９４を除去する。その結果、図５（ｄ）に示すように、容量線５ｂが形成される。かかる容量線５ｂは、開口部４０ｂにおいて誘電体層４２ａを介して下電極層４ａと対向しており、容量線５ｂ、誘電体層４２ａおよび下電極層４ａによって、保持容量５５が形成される。
【００５３】
ここで、レジストマスク９４を形成する際の露光マスクと、高誘電率絶縁膜パターニング工程で用いたレジストマスク９３を形成する際の露光マスクは共通である。従って、容量線５ｂと誘電体層４２ａとは同一の形状で同一の領域に形成される。このため、容量線５ｂの端縁５ｅと誘電体層４２ａの端縁４２ｅとは略重なっており、かかる端縁４２ｅ、５ｅの下層側にはエッチングストッパー層４０ａが位置する。かかる第２電極形成用導電膜パターニング工程において、ドライエッチングは、装置チャンバー内でプラズマを発生させ、その内部で生成したイオンやラジカルを利用して、第２電極形成用導電膜５をエッチングする。また、高誘電率絶縁膜４２（誘電体層４２ａ）の上層側には第２電極形成用導電膜５が積層されている。このため、誘電体層４２ａには、プラズマの影響で電荷が蓄積されるが、誘電体層４２ａは既にパターニングされている。従って、誘電体層４２ａの各々に蓄積される電荷は少ないので、静電破壊は発生しない。
【００５４】
しかる後には周知な方法で、図３（ｂ）等に示す第２層間絶縁膜４３、データ線６ａ、第３層間絶縁膜４４、画素電極９ａ、保護膜１７、配向膜１６等を形成すると、図３等を参照して説明した第１基板１０を得ることができる。
【００５５】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１００においては、高誘電率絶縁膜形成工程および高誘電率絶縁膜パターニング工程によって誘電体層４２ａを所定領域に形成した後、第２電極形成用導電膜形成工程および第２電極形成用導電膜パターニング工程によって容量線５ｂ（第２電極）を形成する。このため、高誘電率絶縁膜４２は、広い領域にわたって形成された状態でプラズマを受けるのは、高誘電率絶縁膜パターニング工程の間だけであり、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う時点では、すでにパターニングされている。このため、誘電体層４２ａに高誘電率絶縁膜４２を用いた場合でも、ドライエッチングの際のプラズマによって高誘電率絶縁膜４２（誘電体層４２ａ）に溜まる電荷を少なく抑えることができるので、静電破壊の発生を防止することができる。
【００５６】
また、高誘電率絶縁膜パターニング工程で用いたレジストマスク９３を形成する際の露光マスクと、第２電極形成用導電膜パターニング工程で用いたレジストマスク９４を形成する際の露光マスクとは、共通である。それ故、高誘電率絶縁膜パターニング工程および第２電極形成用導電膜パターニング工程を別工程として行った場合でも、製造コストの増大を最小限に抑えることができる。
【００５７】
また、本形態では、図５（ａ）に示す高誘電率絶縁膜形成工程を行う前に、下電極層４ａの上層側にエッチングストッパー用絶縁膜４０を形成するエッチングストッパー用絶縁膜形成工程と、エッチングストッパー用絶縁膜４０をエッチングしてエッチングストッパー層４０ａを残すエッチングストッパー用絶縁膜パターニング工程とを行う。このため、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う際にオーバーエッチングにより容量線５ｂの下層側がエッチングされても、容量線５ｂと下電極層４ａとの短絡が発生しない。
【００５８】
［実施の形態２］
図６は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００の画素の断面図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１と略同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５９】
上記実施の形態１では、エッチングストッパー層４０ａについては、誘電体層４２ａの端縁４２ｅや容量線５ｂの端縁５ｅと重なる領域に加えて、その他の広い範囲にわたって形成されていたが、図６に示すように、誘電体層４２ａの端縁４２ｅや容量線５ｂの端縁５ｅと重なる領域に沿ってエッチングストッパー層４０ａを限定的に形成してもよい。また、誘電体層４２ａや容量線５ｂが下電極層４ａの端縁から外側に部分的に張り出しているような場合、誘電体層４２ａの端縁４２ｅや容量線５ｂの端縁５ｅと重なる領域であっても、下層側に下電極層４ａがない領域については、エッチングストッパー層４０ａの形成を省いてもよい。
【００６０】
［実施の形態３］
図７は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置１００の画素の断面図である。図８は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置１００に用いた第１基板１０の製造工程の要部を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１と略同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００６１】
上記実施の形態１では、下電極層４ａと誘電体層４２ａとの層間にエッチングストッパー層４０ａを設けたが、図７に示すように、誘電体層４２ａと容量線５ｂとの層間にエッチングストッパー層４０ａを設けてもよい。
【００６２】
かかる構成の場合、図４（ｄ）、（ｅ）を参照して説明したエッチングストッパー層形成工程を、図５（ａ）、（ｂ）を参照して説明した誘電体層形成工程の後に行う。より具体的には、図８（ａ）に示すように、高誘電率絶縁膜パターニング工程を行い、誘電体層４２ａを形成した後、図８（ｂ）に示すように、エッチングストッパー用絶縁膜形成工程において、誘電体層４２ａの上層側にエッチングストッパー用絶縁膜４０をＣＶＤ法等により形成する。次に、エッチングストッパー用絶縁膜パターニング工程において、エッチングストッパー用絶縁膜４０の上層にフォトリソグラフィ技術を利用してレジストマスク９２（エッチングマスク）を形成する。また、エッチングストッパー用絶縁膜パターニング工程では、エッチングストッパー用絶縁膜４０にウエットエッチングあるいはドライエッチングを行い、エッチングストッパー用絶縁膜４０をパターニングした後、レジストマスク９２を除去する。その結果、図７に示すように、エッチングストッパー層４０ａが形成される。かかるエッチングストッパー層４０ａには、下電極層４ａと重なる領域に開口部４０ｂが形成されており、開口部４０ｂでは、誘電体層４２ａが部分的に露出している。
【００６３】
このようにしてエッチングストッパー層４０ａを形成した後、図５（ｃ）、（ｄ）を参照して説明した第２電極形成工程を行えば、図７に示すように、下電極層４ａと容量線５ｂとは、開口部４０ｂにおいて誘電体層４２ａを介して対向し、保持容量５５が形成される。また、容量線５ｂの端縁５ｅの下層側にはエッチングストッパー層４０ａが位置する。このため、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う際にオーバーエッチングにより容量線５ｂの下層側で誘電体層４２ａがエッチングされても、容量線５ｂと下電極層４ａとの短絡が発生しない。
【００６４】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、画素電極９ａを透光性導電膜により形成して、液晶装置１００を透過型として構成したが、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成して、液晶装置１００を反射型として構成してもよい。
【００６５】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用した電子機器について説明する。図９は、本発明を適用した液晶装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図９（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００６６】
（投射型表示装置の第１例）
図９（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００６７】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００６８】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００６９】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００７０】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。
【００７１】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００７２】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。
【００７３】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００７４】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００７５】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００７６】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて射出するように構成されている。
【００７７】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００７８】
（投射型表示装置の第２例）
図９（ｂ）に示す投射型表示装置１０００において、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って光源８１０、インテグレーターレンズ８２０および偏光変換素子８３０が配置された偏光照明装置８００を有している。また、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って、偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッター８４０と、偏光ビームスプリッター８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。
【００７９】
また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３つの反射型の液晶装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えており、光源部８９０は、３つの液晶装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）に所定の色光を供給する。
【００８０】
かかる投射型表示装置１０００においては、３つの液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッター８４０にて合成した後、この合成光を投射光学系８５０によってスクリーン８６０等の被投射部材に投射する。
【００８１】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００８２】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【００８３】
［他の電気装置］
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例示したが、透光性を有する基板（電気光学装置用基板）を備えていれば、液晶装置に限らず、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）等の電気光学装置の製造方法に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００８４】
４ａ・・下電極層（第１電極）、５ｂ・・容量線（第２電極）、９ａ・・画素電極、１０・・第１基板（電気光学装置用基板）、２０・・第２基板、５０・・液晶層、４０ａ・・エッチングストッパー層、４２ａ・・誘電体層、５５・・保持容量（容量素子）、１００・・液晶装置（電気光学装置）、１１０、１０００・・投射型表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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