(57)【要約】【課題】必要な磁場強度を確保しつつ薄型で、シムコイルを簡便に位置精度の高く傾斜磁場発生装置へ積層することが可能で、段落し部での誤差磁場を低減できるシムコイルを提供する。【解決手段】静磁場発生源と傾斜磁場印加部とから発生する磁場空間に被検体を配置し、照射パルスが印加された該被検体から放出されるＭＲＩ信号に基づいて、該被検体の対象部位の画像を生成する磁気共鳴イメージング装置の鞍型シムコイルにおいて、単一のシート上に複数のコイルパターンとそれらを接続する配線が形成され、該配線の接続部において誤差磁場を低減する配線構造を有することを特徴とする。【選択図】図５
2012170719.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静磁場発生源と傾斜磁場印加部とから発生する磁場空間に被検体を配置し、照射パルスが印加された該被検体から放出されるＭＲＩ信号に基づいて、該被検体の対象部位の画像を生成する磁気共鳴イメージング装置において、
前記傾斜磁場印加部は、前記静磁場発生源から発生する静磁場および前記傾斜磁場印加部から発生する傾斜磁場のうちの少なくとも一方の磁場を補正する磁場補正手段を備え、
前記磁場補正手段は、基板の一主面に配置され電流を流して磁場を発生させる第１導体部と、該基板を介して対向する他主面に配置され電流を流して磁場を発生させる第２導体部とを有し、
前記第１および第２導体部の一部に前記第１導体部から発生する磁場の向きと前記第２導体部から発生する磁場の向きとが逆方向である領域を含むことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
請求項１記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記第１及び第２導体部のそれぞれは、前記基板上を渦巻き状に周回する複数の周回部と、前記周回部の一つと該一つの周回部に隣接する周回部との間を接続する接続部とを有し、
前記接続部は、前記基板を介して対向するように前記基板の両主面に配置され、両主面の前記接続部を流れる電流が互いに逆方向に流れるように配置されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
請求項２記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記基板の一主面に設けられた接続部と、該基板を介して対向する他主面に設けられた接続部とが、互いに平行をなすように配置されていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
請求項２記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記基板の一主面上に敷設された複数の第１導体部と、該一主面に該基板を介して対向する他主面に敷設された第２導体部と有し、
前記複数の第１導体部の一つを構成する第１周回部が、外側から順々に内側に周回する第１の配線パターンを有し、前記複数の第１導体部の他の一つを構成する第２周回部が、内側から順々に外側に周回する第２の配線パターンを有する場合に、
前記第１周回部と対向する位置に配置され前記第２導体部の一つを構成する第３周回部は、前記第２の配線パターンを有し、
前記第２周回部と対向する位置に配置され前記第２導体部の他の一つを構成する第４周回部は、前記第１の配線パターンを有することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
請求項１記載のイメージング装置において、
前記第１及び第２導体部は、前記基板を貫通して設けられた貫通孔に配置された接続部により電気的に接続されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
請求項１記載のイメージング装置において、
前記基板は、単一シートで構成され少なくとも一種類の補正磁場を発生させることが可能であることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
請求項１記載のイメージング装置において、
前記基板は、屈曲性を有するフレキシブル材料で構成されていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項８】
請求項１記載のイメージング装置において、
前記磁場補正手段は、その表面に絶縁性シートが貼付けされていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項９】
磁気共鳴イメージング装置における静磁場発生源および傾斜磁場印加部から発生する磁場のうちの少なくとも一方を補正する磁場補正用コイルの製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板の両主面に導体シートを貼り付ける工程と、
両主面に貼り付けられた前記導体シートのそれぞれの表面に感光性有機物質を塗布し定着させる工程と、
前記磁場補正用コイルの形状を有するマスクを両主面上の前記感光性有機物質の表面に貼り付ける工程と、
前記マスク上から光を照射して前記感光性有機物質を感光し現像する工程と、
現像された前記形状を有する前記感光性有機物質をエッチング用マスクとして用いて、前記導体シートをエッチングし前記形状を有する磁場補正用コイルを前記基板の両面上に形成する工程とを有し、
該磁場補正用コイルが形成された後に、前記基板の所定の位置に貫通孔を設け、両面上のそれぞれの磁場補正用コイルを電気的に接続する接続部を設けることを特徴とする磁場補正用コイルの製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の磁場補正用コイルの製造方法において、
前記基板は、屈曲性を有するフレキシブル材料で構成されていることを特徴とする磁場補正用コイルの製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の磁場補正用コイルの製造方法において、
前記接続部を設けた後に、前記磁場補正用コイルを覆うように絶縁性シートを貼付する工程を、さらに有することを特徴とする磁場補正用コイルの製造方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の磁場補正用コイルの製造方法において、
前記基板の複数を積層する場合に、各基板を積層する際に使用する位置調整用のアライメントマークを前記磁場補正用コイルと同じ導体シートを加工して形成することを特徴とする磁場補正用コイルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気共鳴イメージング装置に係わり、特に、薄型でかつ実装作業が簡便な鞍型シムコイルを備えた磁気共鳴イメージング装置及び磁場補正用コイルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シムコイルの製造方法としては、例えば、特許文献１に記載されているような線材をコイル状に配置する方法や、板状の導体から切削加工やエッチングによりコイルパターンを切り出す手法がある。前者に示すような線材の配置方法よりも後者に示す切削加工やエッチングによる方法の方が精度の高いパターン形成が可能である。
【０００３】
板状の導体を切削加工やエッチングで渦巻き型のコイル状に加工する場合、加工後にコイル形状を保持する手段が必要である。
【０００４】
エッチング後のコイルの形状を保持するために、樹脂基材上に銅などの導体を貼り付けた積層板をエッチングの対象として用いる方法がある。例えば、特許文献２では樹脂シートの両面にその方法を適用し傾斜コイルを得ている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３０７０３４号公報
【特許文献２】特開２００６−１１６３０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＭＲＩ装置のワイドボア化に伴い、傾斜磁場コイルを薄型化する傾向にある。しかし、その傾斜磁場コイルの内容物である磁場補正用のシムコイルは、一方でＭＲＩ装置の高機能化に伴い、搭載するシムコイル数が増える傾向にある。そのため、シムコイルの薄型化が課題であった。
【０００７】
また、通常ひとつの鞍型シムコイルユニットは複数のコイルを接続して形成されるが、搭載されるシムコイルの数が増えると配線作業がより煩雑になる。そのため、傾斜磁場コイルへの搭載作業の簡略化も課題であった。
【０００８】
特許文献２に記述された内容は、傾斜コイルに関して絶縁性シートの両面に導体シートを配置するものであるが、本発明で対象にするシムコイルとは異なる上、コイルの周回パターン間を接続する所謂、段落し部の位置が裏表で異なるため、誤差磁場が大きくなる構造となっている。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、必要な磁場強度を確保しつつ薄型で、シムコイルを簡便に位置精度の高く傾斜磁場発生装置へ積層することが可能で、段落し部での誤差磁場を低減できるシムコイルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明による磁気共鳴イメージング装置の主なものは、以下のように構成される。すなわち、静磁場発生源と傾斜磁場印加部とから発生する磁場空間に被検体を配置し、照射パルスが印加された該被検体から放出されるＭＲＩ信号に基づいて、該被検体の対象部位の画像を生成する磁気共鳴イメージング装置において、傾斜磁場印加部は、静磁場発生源から発生する静磁場および傾斜磁場印加部から発生する傾斜磁場のうちの少なくとも一方の磁場を補正する磁場補正手段を備え、磁場補正手段は、基板の一主面に配置され電流を流して磁場を発生させる第１導体部と、該基板を介して対向する他主面に配置され電流を流して磁場を発生させる第２導体部とを有し、第１および第２導体部の一部に第１導体部から発生する磁場の向きと第２導体部から発生する磁場の向きとが逆方向である領域を含むことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明による磁場補正用コイルの製造方法の主なものは、以下のように構成される。すなわち、磁気共鳴イメージング装置における静磁場発生源および傾斜磁場印加部から発生する磁場のうちの少なくとも一方を補正する磁場補正用コイルの製造方法であって、基板を準備する工程と、基板の両主面に導体シートを貼り付ける工程と、両主面に貼り付けられた導体シートのそれぞれの表面に感光性有機物質を塗布し定着させる工程と、磁場補正用コイルの形状を有するマスクを両主面上の感光性有機物質の表面に貼り付ける工程と、マスク上から光を照射して感光性有機物質を感光し現像する工程と、現像された形状を有する感光性有機物質をエッチング用マスクとして用いて、導体シートをエッチングし形状を有する磁場補正用コイルを基板の両面上に形成する工程とを有し、該磁場補正用コイルが形成された後に、基板の所定の位置に貫通孔を設け、両面上のそれぞれの磁場補正用コイルを電気的に接続する接続部を設けることを特徴とする。
【００１２】
即ち、本発明は、磁場補正手段、例えば、鞍型シムコイルにおいて、単一のシート上に複数のコイルパターンとそれらを接続する配線が形成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
以上、本発明のシムコイルは樹脂基材の両面に導体パターンを形成することにより、必要な磁場強度を確保しつつ薄型にすることが可能である。そのため、従来と同等な性能を維持しつつ傾斜磁場発生装置の開口部を、従来より大きくすること、または従来と同じ大きさの開口部を維持しつつ、より多数のシムコイルユニットを搭載することが可能になる。  
【００１４】
本発明のシムコイルはシート状に形成されるため、従来の線材を固定する方法に比べて位置精度の高いシムコイルを簡便に傾斜磁場発生装置へ積層することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の磁気共鳴イメージング装置の側断面図。
【図２】各種コイルの構成の一例を示す断面図。
【図３Ａ】鞍型シムコイルの例を示す俯瞰図。
【図３Ｂ】螺旋状シムコイルの例を示す俯瞰図。
【図４Ａ】本発明のシムコイル製作のフォトリソグラフィ工程（断面図）を示す図。
【図４Ｂ】本発明のシムコイル製作の二次加工工程（断面図）を示す図。
【図５】本発明の鞍型シムコイルのパターン例を示す平面図。
【図６】本発明の単一の渦巻きコイルにおける両面パターンの電流経路模式図。
【図７】裏パターンと表パターンの接続状態を示す模式図。
【図８】本発明の８つの渦巻状コイルをもつシムコイルユニットの表側から見た表パターンの電流経路の展開図。
【図９】本発明の８つの渦巻状コイルをもつシムコイルユニットの表側から透視して見た裏パターンの電流経路の展開図。
【図１０】周回パターンがない場合の裏パターンの平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明について、発明の実施の形態（実施例）とともに図面を参照して詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例１】
【００１７】
図１に、磁気共鳴イメージング装置（以下、ＭＲＩ装置と称する）の側方から見た断面図を示す。ＭＲＩ装置の構成部品として、静磁場コイル１と、傾斜磁場コイル２と、高周波磁場コイル３、ベッド４がある。静磁場コイル１は、均一磁場領域５を形成する。図示せぬ被検者は、均一磁場領域５に配置され、ベッド４上に横たわっている。傾斜磁場コイル２は、静磁場コイル１と均一磁場領域５との間に固定される。高周波磁場コイル３は、均一磁場領域５と傾斜磁場コイル２の間に固定される。
【００１８】
本発明で対象とする鞍型シムコイルは通常、傾斜磁場コイル２内に搭載され、傾斜磁場および静磁場を補正する磁場のうちの少なくとも一方を発生する。
【００１９】
図２に、傾斜磁場コイル２内に搭載されたシムコイルを含む各種のコイル構成の一例を示す。本図は、図１の視線方向（矢印）１０で示す方向から傾斜磁場コイル２を見た場合のコイル構成を示している。すなわち、傾斜磁場を発生するメインコイル２２の外径方向に絶縁層（１）２３を介してシムコイル２１が積層され、さらにシムコイル２１の外径方向には絶縁層（２）２４を介して漏れ磁場を低減するために設けられたシールドコイル２０が積層された構成となっている。
【００２０】
また、メインコイル２２およびシールドコイル２０は、それぞれ直交する３軸に対応する傾斜磁場を発生させるコイルを含んでいる。
なお、上記の各種コイル構成は、一例であって、必ずしもこの構成である必要はない。
【００２１】
傾斜磁場コイル２は、３軸方向に直交する傾斜磁場を発生させるコイルや発熱を抑える冷却管などの構造物を樹脂でモールドして得られる。静磁場が水平方向のＭＲＩ装置において傾斜磁場コイルは円筒または楕円筒型の形状をもち、静磁場を発生させる磁石（通常筒型の超伝導コイル）の内側に搭載される。
【００２２】
シムコイルは通常抵抗性のコイルであり、コイルに流す電流を制御することで装置、被検体ごとに静磁場の補正が可能である。  
【００２３】
通常シムコイルはルジャンドル多項式または球面調和関数成分に対応する空間分布を有する磁場を生成し静磁場を補正する。ＭＲＩ装置には補正が必要な成分の数だけシムコイルユニットが搭載される。ＭＲＩの高機能化に伴い、より高次の成分の磁場補正が必要になればより多くのシムコイルが必要となる。  
【００２４】
シムコイルの形状は、その磁場の成分によって図３Ａのような渦巻状のコイルを傾斜磁場コイルの円筒面３１に沿って積層する鞍型シムコイル３０と図３Ｂのような円筒面３１に螺旋状に巻層する螺旋状シムコイル３２の大きく２種類に分けられる。本発明では図３Ａに示す鞍型シムコイルを主な対象とする。
【００２５】
鞍型シムコイルのコイルパターンを薄く、正確に作製するには樹脂基材の両面に銅シートが貼られた構造を持つ所謂、銅張積層板をエッチングしてパターンを形成するのが好ましい。
【００２６】
＜コイルパターンの形成例＞
以下に、本発明になる鞍型シムコイルのコイルパターンの作成手順を示す。
【００２７】
図４Ａに、エッチングによるコイルパターン作成工程の例としてフォトリソグラフィ工程（４ａ〜４ｆ）を示す。まず、工程４ａで樹脂製シート基材４３の両面に導体シート４２が貼付けされた素材の表面および裏面に対し、感光性有機物質（レジスト）４１を塗布し定着させる。
次に、工程４ｂでコイルパターンの形状を描いたマスク４４をレジスト４１の上から貼り付ける。なお、マスク４４は、導体シート４２の両面上に定着されている感光性有機物質４１のそれぞれの表面に、マスクに描かれたコイルパターンが互いに対向する位置に精度良くアライメントされる。
次に、工程４ｃでマスク４４の上から光４５を照射しレジスト４４を反応させる。
ここで、本実施例では、光が照射された領域が現像液により溶解するタイプ、即ち、ポジ型レジストを例に述べるが、ネガ型タイプのレジストを用いることも当然に可能である。
なお、その際に、マスクに形成されるパターンは、本実施例で用いるものと、光の透過部、非透過部（所謂、白黒領域）が逆のパターンとなる。
次に、工程４ｄでマスク４４を外し、感光したレジスト４６を溶解する溶剤に浸し、コイルパターンとなる部分にレジストを残す。
次に、工程４ｅで導体シート４２を溶解する液に浸し、レジスト除去された部分の導体シート４２を除去する。
最後に、工程４ｆでレジスト４１を剥離し、パターニングされた導体シート４２を得る。
【００２８】
フォトリソグラフィ工程（４ａ〜４ｆ）の後は、図４Ｂで示す二次加工工程へ進む。  
【００２９】
図４Ｂの二次工程に関して、以下に説明する。
【００３０】
図４Ａで形成されたコイルパターン４２を有するシート基材４３の所定の位置に貫通孔４７を開け、シート基材４３の裏および表に形成されたコイルパターン４２を電気的に接続する裏表接続導体４８を設ける。次に、コイルパターン４２を覆うようにシート基材４３の裏全体および表全体に絶縁シート４９を貼付ける。
【００３１】
二次加工工程が完了すると、シート状に形成されたコイルは傾斜磁場コイルのスペーサなどを介して構造物の間の適切な位置に巻きつけて形成される。
【００３２】
シート基材４３上に形成されるコイルパターンは、図５のようにシート基材４３上を周回し、磁場発生の役割を担うコイルパターン周回部５１とそれをつなぐコイルパターン段落し部５２とで構成される。
【００３３】
なお、シート基材が複数あって、それらを順次積層する際には、図５で示すように、各層を積層する際に使用する位置調整用の目印となるアライメントマーク５３を用いる。このアライメントマーク５３は、コイルパターンと同じ導体でエッチングパターンとして形成することで積層作業を簡便にすることが可能である。
【００３４】
図６に、図５で示すコイルパターン段落し部が隣接する領域５００を拡大した図を示す。コイルパターン段落し部５２は、不必要な誤差磁場の発生を抑えるため、裏表のパターンが重なり、さらに電流経路６０が逆向きになるように配置されている。すなわち、（ａ）に示すように、表側から見た場合に、表パターン（実線で表示）を電流６０が図の右方からコイルパターン周回部５１ａを流れて、コイルパターン段落し部５２ａを上方へ流れる。また、表パターンを電流６０が図の下方からコイルパターン段落し部５２ｂを流れて、コイルパターン周回部５１ｂを左方へ流れる。
【００３５】
一方、（ｂ）に示すように、表側から透過して裏パターン（点線で表示）を見た場合には、表パターンを電流６０が図の右方からコイルパターン周回部５１ｃを流れて、コイルパターン段落し部５２ｃを下方へ流れる。
また、表パターンを電流６０が上方からコイルパターン段落し部５２ｄを流れて、コイルパターン周回部５１ｄを左方へ流れる。
【００３６】
ここで、電流の流れる向きを考察すると、コイルパターン周回部５１ａとコイルパターン周回部５１ｃ、あるいは、コイルパターン周回部５１ｂとコイルパターン周回部５１ｄに流れる電流の向きは、同方向である。
一方、コイルパターン段落し部５２ａとコイルパターン段落し部５２ｄ、あるいは、コイルパターン段落し部５２ｂとコイルパターン段落し部５２ｃに流れる電流の向きは、逆方向である。
【００３７】
電流に誘起されて発生する磁場は、電流の向きが同じの場合は、重畳されて倍化するが、電流の向きが逆の場合には、磁場は相殺される。したがって、コイルパターン周回部において、磁場はほぼ倍化し、一方、コイルパターン段落し部においては、磁場は相殺される方向となる。
【００３８】
図７に、単一の渦巻きコイルにおける両面パターンの電流経路模式図を示す。該パターンでは周回する磁場発生用パターンの最内周で絶縁シート４３に貫通孔を開けて裏表接続導体で裏面のパターン７１へ接続される（図４の工程４ｇに対応）。裏パターンでは表パターンと同じ向きに周回しながら外周へ向かう。このような構造により、片面のみにコイルを形成する場合の倍の磁場が得られる。
【００３９】
次に、複数のコイルを繋いだ場合のコイル間を接続する接続線に流れる電流について以下に説明する。  
【００４０】
鞍型シムコイルは通常ひとつの磁場補正成分につき複数のコイルが接続されたユニットで構成される。図８、図９にひとつのシムコイルユニットに８つの渦巻状コイルが必要な場合の電流経路の展開図を例示する。
【００４１】
図８は表側から見た表パターン（実線で表示）であり、図９は表側から見た裏パターン（点線で表示）である。図中のアルファベット（ｂ、ｂ’やｃ、ｃ’など）で示された点はすべて表裏のパターンが電気的に接続される箇所であり、図８と図９を重ねるとｂ点とｂ’点は同じ位置に、ｃ点とｃ’点は同じ位置になる。同様に、各アルファベットは同じ位置で対応する。
【００４２】
図８に示す表パターンにおいて、上段に複数回の周回がなされた渦巻き状のコイルパターンが順に並置され、同様に下段に複数回の周回がなされた渦巻き状のコイルパターンが順に並置されている。それぞれのコイルパターンは、コイルパターン周回部７０と、コイルパターン段落とし部９０とで構成され、コイルパターン段落とし部９０は、一周（一巻き）した一つのコイルパターン周回部７０と、次段で一周（一巻き）したコイルパターン周回部７０とを電気的に接続する接続部である。
【００４３】
まず、図中の上段において、入口側の初段のコイルパターンは、外側から順に内側に周回し、図中のｂ点で、後述する図９で示すコイルパターンのｂ’点と電気的に接続される。次に、入口側の次段のコイルパターンは、図９で示すｃ’点と図中のｃ点で電気的に接続され、ｃ点（内側）から順に外側に周回し、最外周のコイル配線に至る。さらに、入口側の第３段目のコイルパターンは、初段に示すコイルパターンと同様に、外側から順に内側に周回し、図中のｄ点で、図９で示すコイルパターンのｄ’点と電気的に接続される。
【００４４】
なお、次段を周回して最外周のコイル配線は、第３段目のコイルパターンの最外周のコイル配線にコイル間接続線８０によって接続されている。
【００４５】
入口側の第４段目は、次段と同様なコイルパターン形状を有し、最外周のコイル配線は、ｆ点とｆ’点と電気的に接続され、図９に示す裏パターンに接続される。
【００４６】
次に、図９の裏パターンについて説明する。
【００４７】
裏パターンも表パターンと同様に、外側から内側へ掛けて周回するコイルパターンと、内側から外側へ掛けて周回するコイルパターンが交互に組み合わせれている。例えば、表パターンのｆ点で接続された図９の下段で出口側から第４番目のコイルパターンは、コイルパターン周回部７１とコイルパターン段落とし部９１を有し、外側から内側へ掛けて周回し、ｇ’点で表パターンのｇ点に接続される。コイルパターン間の接続は、図８の表パターンと同様にコイル接続線８１にて接続される。
【００４８】
電流は、入口からｂ→ｂ’→ｃ’→ｃ→ｄ→ｄ’→ｅ’→ｅ→ｆ→ｆ’→ｇ’→ｇ→ｈ→ｈ’→ｉ’→ｉ→ｊ→ｊ’の順で流れ出口に達する。
【００４９】
本発明になるシムコイルユニットは、図８に示す表パターンと図９に示す裏パターンとを図示するままの向きで重ね合わせて形成される。即ち、表パターンの初段のコイルパターンと裏パターンにおける出口側の初段パターンは、基板を介して同じ位置に重畳される。
【００５０】
この時、図中の矢印で示すように、表パターンと裏パターンにおいて対向するコイルパターン同士のコイルパターン周回部７０における電流の向きは、表パターンと裏パターンとで同じである。従って、電流により誘起される磁場は重畳されて倍化する効果がある。
【００５１】
一方、図８および図９に示すコイルパターン段落とし部（接続部）９０、９１において、コイルパターン段落とし部（接続部）９０、９１では、上記のコイルパターン周回部と異なり、表パターンと裏パターンにおいて対向するコイルパターン同士のコイルパターン段落とし部（接続部）９０、９１における電流の向きは、互いに逆方向となるように配置されている。従って、電流により誘起される磁場は相殺される効果がある。
【００５２】
なお、表パターンと裏パターンのコイルパターン段落とし部（接続部）９０、９１は、互いに平行になるように配置されている。
【００５３】
図８および図９に示すコイルパターンの形成方法に関しては、それぞれのコイル間を繋ぐ配線も裏表同時にエッチングで形成することができるため、ひとつのシムコイルユニットを単一のシート上へ形成することが可能である。
【００５４】
図６では、パターン段落し部における、電流の向きが逆になるようにパターンが配置されていることを述べたが、図８、図９でも磁場補正に寄与しないコイル間を接続するコイル間接続線８０、８１を流れる電流経路は表裏で逆向きの電流が流れるよう配置され誤差磁場を抑える構造としている。
【００５５】
次に、シムコイルを搭載する基板に関して説明する。
【００５６】
本発明のシムコイルは、筒型の傾斜磁場コイルへ巻層するため、十分な屈曲性が必要で、例えば、基材の絶縁シートにガラスエポキシ積層板を用いた場合、厚さが０．３ｍｍ以下であることが好ましい。また、エッチングされる銅は厚すぎるとシート面方向にもエッチングされパターン形状の正確性が損なわれる恐れがあるため、銅の厚さは０．２ｍｍ以下であることが好ましい。  
【００５７】
異なる磁場成分をもつ複数のシムコイルユニットが積層される際、互いの導体が接触しないよう、ユニット間を絶縁する。そのため、図４の工程４ｈのように絶縁層の形成方法のひとつとしてＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）のようなフィルムを基材とした粘着シートをコイルパターン形成後に貼り付けるという手法がある。  
【００５８】
シムコイルは傾斜磁場コイル内に搭載されその他の構造物と同じく樹脂でモールドされるため、樹脂の流路となる貫通孔をコイルパターンの形成されていない絶縁シートに多数設ける。  
【００５９】
モールド樹脂の流路を確保する貫通孔は絶縁層にも設ける。前述のように絶縁層としてコイルに粘着シートを貼り付けた場合は貼付け後にコイルの基材である絶縁シートごと穴加工を施す。  
【００６０】
以上の構成にすることにより薄型でかつ、傾斜磁場コイルへの積層作業性の良いシムコイルを得ることができる。
【実施例２】
【００６１】
第２の実施例では、図８で示した表パターンを実施例１と同様に用いるが、裏パターンは図８の場合と異なるパターンを用いる。すなわち、図１０に示すような片面（裏面）に設けられたコイルパターンを用いる。図１０の裏パターンにはコイルパターン周回部がなく、各貫通穴の接続線１００のみのパターンがシート基材４３上に形成されている。
【００６２】
実施例１で述べたような、表パターンのコイルパターン周回部と裏パターンのコイルパターン周回部に流れる電流がなく、表パターンにのみコイルパターン周回部があるので、電流に誘起されて発生する磁場が、重畳されて倍化することはない。従って、表パターンに流れる電流のみで磁場が確保できる場合に適用する実施例である。
【００６３】
なお、前記接続線１００は実施例１と同様に、渦巻状パターンの段落し部およびコイル間接続線と電流が逆向きになるよう配置される。このような配置により、誤差磁場を抑える構造としている。
【符号の説明】
【００６４】
１…静磁場発生装置、
２…傾斜磁場コイル、
３…高周波磁場コイル、
４…ベッド、
５…均一磁場領域、
１０…視線方向、
２０…シールドコイル（直交する３軸に対応する傾斜磁場を発生させるコイルを含む）、
２１…シムコイル、
２２…傾斜磁場コイル（直交する３軸に対応する傾斜磁場を発生させるコイルを含む）、
２３…絶縁層（１）、
２４…絶縁層（２）、
３０…鞍型シムコイル、
３１…傾斜磁場コイルの中のシムコイルが積層される表面、
３２…螺旋状シムコイル、
４１…レジスト、
４２…導体シート、
４３…樹脂製シート基材、
４４…マスク、
４５…光、
４６…感光したレジスト、
４７…貫通穴、
４８…裏表接続導体、
４９…絶縁シート、
５１…コイルパターン周回部、
５２…コイルパターン段落し部、
５３…アライメントメーク、
６０…電流経路、
７０…表面パターンの周回部、
７１…裏面パターンの周回部、
８０…表面パターンのコイル間接続線、
８１…裏面パターンのコイル間接続線、
９０…表面パターンのコイルパターン段落し部、
９１…裏面パターンのコイルパターン段落し部、
１００…貫通穴接続線パターン、
５００…隣接するコイルパターン段落し部の近傍領域、
ｂ〜ｆ,ｂ’〜ｆ’…貫通穴。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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