(57)【要約】【課題】半導体チップの縁に沿って分断した接着フィルムの縁にばり（burr）が形成されないようにする。【解決手段】一方の面１０１ａに集積回路を有する半導体ウエハ１０１の他方の面１０１ｂに接着フィルム１２２を貼り付け、ダイシングブレード１２６を半導体ウエハ１０１の一方の面１０１ａから接着フィルム１２２まで切り込んで、半導体ウエハ１０１と共に接着フィルム１２２を切断する。【選択図】図１５
2012169411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に集積回路を有する半導体ウエハの他方の面に接着フィルムを貼り付け、
ダイシングブレードを前記半導体ウエハの前記一方の面から前記接着フィルムまで切り込んで、前記半導体ウエハと共に前記接着フィルムを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体ウエハと共に前記接着フィルムを切断する工程は、チップ領域毎に区分けされた前記半導体ウエハの前記一方の面に形成された境界線に沿って行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記接着フィルムを冷却して前記接着フィルムの切断を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記接着フィルムを貼り付ける前に、前記半導体ウエハの前記一方の面に配線をパターニングすると共に、前記配線のランド上に外部接続用電極を形成し、
前記配線を封止層で覆うようにして前記封止層を前記半導体ウエハの前記一方の面上に形成して、前記封止層の表面で前記外部接続用電極を露出させ、
前記封止層の表面を保護フィルムで覆った状態で前記半導体ウエハの前記他方の面を研削し、
研削した前記半導体ウエハの前記他方の面に前記接着剤を貼り付けて、前記保護フィルムを剥離した後に前記封止層を前記境界線に沿って切断することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイアタッチメントフィルム（ＤＡＦ）と呼ばれる接着フィルムが個片化された半導体チップの裏面に予め貼り付けられており、その接着フィルムによって半導体チップを基材にダイボンディングする。この接着フィルムは、加熱せずに常温の状態であれば接着性は上がらないので、何処かにくっついて剥がれなくなってしまうという問題はない。接着フィルムの貼り付けは、個片化工程の前に行われる。つまり、半導体チップに分断される前の半導体ウエハの裏面全体に接着フィルムを貼り付けた後に、半導体ウエハの分断工程と接着フィルムの分断工程を行う。
【０００３】
例えば、特許文献１には、半導体ウエハの分断と接着フィルムの分断について記載されている。具体的には、まず、半導体ウエハの裏面に接着フィルムを貼り付けるとともに、その接着フィルムを半導体ウエハとダイシングテープの間に挟むようにしてその半導体ウエハをダイシングテープの上に接着する。その後、格子状のレーザー痕を半導体ウエハに形成してから、ダイシングテープを放射状に引き伸ばすことによって、半導体ウエハを複数の半導体チップに分断する。次に、接着フィルムを冷却して、ダイシングテープを放射状に引き伸ばすことによって接着フィルムを半導体チップごとに分断する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２５３０７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の技術では、接着フィルムが引張により破断するから、破断部が細かい刻み目となってしまう。そのような、刻み目が半導体チップの縁からはみ出てしまい、ばり（burr）が発生する。半導体チップは接着フィルムが貼り付けられた状態で使用するため、ばり（burr）が残った状態だと問題になる。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、半導体チップの縁に沿って分断した接着フィルムの縁にばり（burr）が形成されないようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するための本発明に係る半導体装置の製造方法は、一方の面に集積回路を有する半導体ウエハの他方の面に接着フィルムを貼り付け、ダイシングブレードを前記半導体ウエハの前記一方の面から前記接着フィルムまで切り込んで、前記半導体ウエハと共に前記接着フィルムを切断する方法である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、接着フィルムの縁のばり（burr）の発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】半導体装置を製造するのに用いる半導体ウエハの断面図。
【図２】図１に示された半導体ウエハを用いた半導体装置の製造方法の一工程における断面図。
【図３】図２の後の工程における断面図。
【図４】図３の後の工程における断面図。
【図５】図４の後の工程における断面図。
【図６】図５の後の工程における断面図。
【図７】図６の後の工程における断面図。
【図８】図７の後の工程における断面図。
【図９】図８の後の工程における断面図。
【図１０】図９の後の工程における断面図。
【図１１】図１０の後の工程における断面図（第１実施形態）。
【図１２】図１０の後の工程における斜視図。
【図１３】図１２の後の工程における断面図。
【図１４】図１３の後の工程における断面図。
【図１５】図１４の後の工程における断面図。
【図１６】図１０の後の工程における断面図（第２実施形態）。
【図１７】図１６の後の工程における断面図。
【図１８】図１７の後の工程における断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明を実施するための形態について、図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１０】
〔第１実施形態〕
図１に示された半導体ウエハ１０１から半導体装置を製造する。半導体ウエハ１０１の表側の面１０１ａは、分割予定線としての格子状の境界線（ダイシングストリート）１０２によって複数のチップ領域１０３に区分けされている。これらチップ領域１０３がマトリクス状に配列されている。半導体ウエハ１０１の表側の面１０１ａには、集積回路層１０４が形成されている。集積回路層１０４には、チップ領域１０３ごとに集積回路が形成されている。集積回路層１０４上には、複数の接続パッド１０９が形成されている。接続パッド１０９は、集積回路層１０４に含まれる集積回路の配線の一部であったり、その集積回路の構成要素である各種電気素子（例えば、ダイオード、トランジスタ、抵抗、コンデンサ等）の電極であったりする。集積回路層１０４の上にパッシベーション膜１０５が成膜され、パッシベーション膜１０５の上に絶縁膜１０７が成膜されている。パッシベーション膜１０５及び絶縁膜１０７には、境界線１０２に沿った格子状の溝が形成され、パッシベーション膜１０５及び絶縁膜１０７がチップ領域１０３ごとに区分けされている。パッシベーション膜１０５のうち接続パッド１０９に重なる位置には、開口１０６が形成されている。絶縁膜１０７のうち接続パッド１０９に重なる位置には、開口１０８が形成されている。先に述べた格子状の境界線１０２は、文字通り線が引かれている訳ではなく、パッシベーション膜１０５及び絶縁膜１０７が形成されていないため、層が少ないので、格子状のラインのように見える。パッシベーション膜１０５は、無機材料（例えば、酸化シリコン若しくは窒化シリコン又はこれらの両方）を含有する。絶縁膜１０７は、例えばポリイミド、エポキシ、フェノール、ビスマレイミド、アクリル、合成ゴム若しくはポリベンゾオキサイド又はこれらのうち２以上の組合せを主成分とした有機材料を含有する。なお、絶縁膜１０７は、無くてもよいし、チップ領域１０３ごとに分割されるように格子状にパターニングされていてもよい。
【００１１】
図２に示すように、無電解メッキ法若しくは気相成長法（例えば、スパッタ法）又はこれらの組合せによって、絶縁膜１０７（絶縁膜１０７が無い場合には、パッシベーション膜１０５）の上全体や開口１０６，１０８内にシード層１１０を成長させる。シード層１１０は、銅その他の金属からなる。また、シード層１１０は単層（例えば、銅からなる）であってもよいし、積層体（例えば、チタン層の上に銅層を積層したもの）であってもよい。
【００１２】
次に、図３に示すように、感光材であるレジスト１１１をシード層１１０の上全体に成膜した後、そのレジスト１１１を露光することによってレジスト１１１に潜像を形成する。そして、その露光済みレジスト１１１を現像することによって、潜像に従った開口１１２をレジスト１１１に形成する。現像後、半導体ウエハ１０１をリンス液で洗浄し、半導体ウエハ１０１を乾燥させる。
【００１３】
次に、シード層１１０を電極として電解メッキを行う。これにより、開口１１２内であってシード層１１０の上に所定形状の導体パターン（導体層）１１３を成長させる。導体パターン１１３は、シード層１１０よりも厚く成長させる。導体パターン１１３は、銅その他の金属からなる。導体パターン１１３の形成後、レジスト１１１を剥離する。
【００１４】
次に、図４に示すように、シード層１１０及び導体パターン１１３の上全体にドライフィルムレジスト１１５を貼り付けた後、ドライフィルムレジスト１１５の露光によってドライフィルムレジスト１１５に潜像を形成する。その後、ドライフィルムレジスト１１５を現像することによって、円形又は多角形の開口１１６をドライフィルムレジスト１１５に形成する。開口１１６が形成される位置は導体パターン１１３の一部１１４の上である。その部分１１４はランドである。ドライフィルムレジスト１１５は、導体パターン１１３よりも厚い。なお、ドライフィルムレジスト１１５の代わりに、厚膜のレジストを形成してもよい。
【００１５】
次に、シード層１１０及び導体パターン１１３を電極として電解メッキを行う。これにより、開口１１６内であって導体パターン１１３の上に外部接続用電極１１７を成長させる。外部接続用電極１１７の厚さ（高さ）は、導体パターン１１３の厚さよりも充分に厚くする。外部接続用電極１１７は、銅その他の金属からなる。外部接続用電極１１７の形成後、ドライフィルムレジスト１１５を剥離する。その後、シード層１１０を形状加工することによって、シード層１１０から下地パターン１１８（図５参照）を形成する。具体的には、シード層１１０のうち導体パターン１１３及び外部接続用電極１１７に重なっていない部分をエッチングにより除去することにより、シード層１１０から下地パターン１１８を加工する。このとき、導体パターン１１３及び外部接続用電極１１７の表面が一部エッチングされるが、導体パターン１１３及び外部接続用電極１１７がシード層１１０と比較して充分に厚いため、導体パターン１１３及び外部接続用電極１１７は残留する。残留した下地パターン１１８の形状は、導体パターン１１３の形状とほぼ同じである。シード層１１０と導体パターン１１３の積層体が配線である。
【００１６】
次に、図５に示すように、印刷法、液滴吐出法（インクジェット法）、スピンコート法、滴下法その他の塗布法によって封止樹脂を絶縁膜１０７（絶縁膜１０７が無い場合には、パッシベーション膜１０５）上に塗布し、その封止樹脂によって導体パターン１１３、外部接続用電極１１７及び絶縁膜１０７を覆って、その封止樹脂を硬化させる。これにより、絶縁膜１０７（絶縁膜１０７が無い場合には、パッシベーション膜１０５）上に封止層１１９を形成する。封止層１１９の形成に際しては、封止層１１９の厚さを外部接続用電極１１７の厚さ（高さ）よりも厚くして、外部接続用電極１１７全体を封止層１１９に埋め込む。封止層１１９は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の絶縁性樹脂を含有し、好ましくは、絶縁性樹脂（例えば、エポキシ系樹脂又はポリイミド系樹脂）にフィラー（例えば、ガラスフィラー又はシリカフィラー）又は繊維（例えば、ガラス繊維又は炭素繊維）を配合した強化樹脂からなる。なお、プリプレグを絶縁膜１０７（絶縁膜１０７が無い場合には、パッシベーション膜１０５）に貼り付けて、そのプリプレグを硬化させて、そのプリプレグから封止層１１９を形成してもよい。
【００１７】
次に、図６に示すように、封止層１１９を研削し、封止層１１９の表面１１９ａにおいて外部接続用電極１１７の頭頂面を露出させる。この際、外部接続用電極１１７の頭頂面も研削される。必要に応じて、露出した外部接続用電極１１７の頭頂面を軽くエッチングする。
【００１８】
次に、図７に示すように、半田バンプ１２０を外部接続用電極１１７の頭頂面に形成する。なお、半田バンプ１２０を形成しなくてもよい。
【００１９】
次に、図８に示すように、バックグラインドテープ等の保護フィルム１２１を半田バンプ１２０の上から被せて、保護フィルム１２１を封止層１１９に貼着する。半田バンプ１２０を形成しなかった場合には、外部接続用電極１１７の頭頂面が保護フィルム１２１によって覆われる。
【００２０】
次に、図９に示すように、半導体ウエハ１０１の裏側の面を研削する。このような研削工程を省略してもよい。研削工程を省略する場合には、保護フィルム１２１を封止層１１９に貼着しなくてもよい。
次に、図１０に示すように、保護フィルム１２１が紫外線剥離型である場合には、保護フィルム１２１に紫外線を照射して、保護フィルム１２１の粘着性を低下させる。なお、保護フィルム１２１が紫外線剥離型でない場合には、紫外線照射工程を省略する。
【００２１】
次に、ダイアタッチメントフィルム等の接着フィルム１２２（図１１、図１２参照）が貼り付けられたダイシングテープ１２３を準備する。接着フィルム１２２のサイズは半導体ウエハ１０１のサイズよりも大きい。また、接着フィルム１２２はダイシングテープ１２３よりも薄く、接着フィルム１２２の厚さが２０〜２５μｍである。そして、図１１、図１２に示すように、接着フィルム１２２の予加熱（例えば、８０℃の加熱）によって接着フィルム１２２の粘着力を向上させた後、半導体ウエハ１０１の裏側の面を接着フィルム１２２に貼着する。接着フィルム１２２の貼り付け前に、半導体ウエハ１０１の裏面の研削を行ったので、接着フィルム１２２が半導体ウエハ１０１の裏面に貼り付きやすい。
その後、枠状のダイシングフレーム１２４をダイシングテープ１２３の周縁部に貼り付けて、ダイシングフレーム１２４の内側に半導体ウエハ１０１を配置する。
その後、図１３に示すように、保護フィルム１２１を剥離する。なお、ダイシングテープ１２３及びダイシングフレーム１２４をセッティングする前に保護フィルム１２１に紫外線を照射したが（図１０参照）、ダイシングテープ１２３及びダイシングフレーム１２４をセッティングした後に保護フィルム１２１に紫外線を照射して、保護フィルム１２１を剥離してもよい。
【００２２】
次に、図１４に示すように、樹脂切断用のダイシングブレード１２５によって封止層１１９の表面から封止層１１９に切り込みを入れて、境界線１０２に沿って封止層１１９をダイシングブレード１２５によって切断する。これにより、格子状の切り込み（溝）が封止層１１９に形成される。この時、封止層１１９と一緒に絶縁膜１０７を切断してもよい（特に、絶縁膜１０７が格子状に区分けされていない場合）。更に、封止層１１９及び絶縁膜１０７と一緒にパッシベーション膜１０５を切断してもよい（特に、絶縁膜１０７及びパッシベーション膜１０５の両方が格子状に区分けされていない場合）。
【００２３】
次に、図１５に示すように、ダイシングブレード１２５よりも薄いシリコン切断用のダイシングブレード１２６を封止層１１９の切り込みに入れて、境界線１０２に沿って半導体ウエハ１０１をダイシングブレード１２６によって切断する。この時、ダイシングブレード１２６を半導体ウエハ１０１の表面１０１ａからダイシングテープ１２３に到達させて、半導体ウエハ１０１と一緒に接着フィルム１２２も切断する。ダイシングブレード１２６をダイシングテープ１２３の裏面までは到達させず、ダイシングテープ１２３の切断は行わない。なお、図１４に示す工程までの間で絶縁膜１０７とパッシベーション膜１０５の両方が格子状に切断されていない場合には、半導体ウエハ１０１と一緒に絶縁膜１０７及びパッシベーション膜１０５もダイシングブレード１２６によって切断する。図１４に示す工程までの間でパッシベーション膜１０５が格子状に切断されていない場合には、半導体ウエハ１０１と一緒にパッシベーション膜１０５もダイシングブレード１２６によって切断する。
以上の工程により複数の半導体装置（半導体パッケージ）１００が完成する。
半導体装置１００の完成後、半田バンプ１２０を真空吸着して各半導体装置１００を一つずつピックアップすることにより、半導体装置１００を接着フィルム１２２ごとダイシングテープ１２３から引き離し、半導体装置１００を接着フィルム１２２によって基材にダイボンディングする。
【００２４】
第１の実施の形態によれば、以下のような効果が得られる。
【００２５】
(1)  製造された半導体装置１００のサイズは、半導体ウエハ１０１を分割して得られるチップのサイズにほぼ等しい。つまり、切断された封止層１１９が、半導体ウエハ１０１を分割して得られるチップの縁からはみ出ていない。そのため、半導体装置１００の小型化を図ることができる。
【００２６】
(2)  半導体ウエハ１０１を切断する前に封止層１１９を形成したから、チップごとに封止層を形成する手間がない。そのため、製造コストや製造工程の削減を図ることができる。
【００２７】
(3)  ダイシングブレード１２６によって接着フィルム１２２を切断したから、分割された接着フィルム１２２の周囲にばり（burr）が発生することを抑えることができる。また、半導体ウエハ１０１を分割して得られるチップと、分割された接着フィルム１２２の縁を揃えることができる。よって、半導体装置１００が綺麗に仕上がる。
【００２８】
(4)  切断前の半導体ウエハ１０１に接着フィルム１２２を貼り付けて、ダイシングブレード１２６によって接着フィルム１２２を切断したから、チップごとに接着フィルムを貼り付ける手間がない。そのため、製造コストや製造工程の削減を図ることができる。
【００２９】
(5)  半導体ウエハ１０１と一緒に接着フィルム１２２を切断したので、製造工程や手間の削減を図ることができる。仮に接着フィルム１２２の切断をせずに半導体ウエハ１０１の切断をしたら、ダイシングテープ１２３及び接着フィルム１２２が少し変形しただけで、チップの位置がずれてしまって、その後に接着フィルム１２２を切断する際に、各チップの位置のアライメントを取る必要があるので、手間・時間がかかってしまう。しかし、本実施形態では、半導体ウエハ１０１と一緒に接着フィルム１２２を切断したので、そのような手間・時間がかからない。
【００３０】
(6)  ダイシングブレード１２６によって接着フィルム１２２を切断したから、封止層１１９から剥離した保護フィルム１２１の粘着剤の残渣が封止層１１９の表面に残留していたものとしても、残渣によって接着フィルム１２２の切断不良が生じることがない。仮に接着フィルム１２２をレーザー光によって切断するものとしたら、レーザー光が残渣によって遮られて、接着フィルム１２２の切断不良が生じる虞がある。そのため、ダイシングブレード１２６による接着フィルム１２２の切断が有効である。
【００３１】
(7)  新規の設備を開発することなく、既存の設備（ダイサー等）を用いて半導体装置１００の製造プロセスが完結するので、開発期間が短い。また、既存のダイサーを用いて接着フィルム１２２を切断し、それ以外の副資材等を必要としないので、コスト削減を図ることができる。
【００３２】
〔第２実施形態〕
シード層１１０の形成工程から紫外線照射工程までは、上記第１実施形態と同様である（図１〜図１０参照）。
その後、図１６に示すように、半導体ウエハ１０１のサイズとほぼ同じサイズの接着フィルム１２２を半導体ウエハ１０１の裏側の面に貼着する。そして、図１７に示すように、接着フィルム１２２をヒータ（加熱板）１２８によって８０℃に予加熱することで、接着フィルム１２２の粘着力を向上させる。
【００３３】
次に、図１８に示すように、ダイシングテープ１２３を接着フィルム１２２に貼り付ける。そして、枠状のダイシングフレーム（図示略）をダイシングテープ１２３の周縁部に貼り付けて、ダイシングフレーム１２４の内側に半導体ウエハ１０１を配置する。その後、保護フィルム１２１を剥離する。
【００３４】
そして、第１実施形態の場合と同様に、ダイシングブレード１２５とダイシングブレード１２６を順次使って、２回のダイシング工程によって個片化処理をする（図１４、図１５参照）。
【００３５】
第２実施形態によれば、第１実施形態によって得られた効果と同様の効果が得られる。
【００３６】
〔変形例〕
本発明を適用可能な実施形態は、上述した実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。以下、幾つかの変形例を挙げる。以下に挙げる変形例は、可能な限り組み合わせてもよい。
【００３７】
〔変形例１〕
半導体ウエハ１０１と一緒に接着フィルム１２２をダイシングする前に、接着フィルム１２２を冷却してもよい。冷却温度は約０℃とするが、それ以下でもよい。接着フィルム１２２の冷却後すぐに、又は、接着フィルム１２２を冷却した状態で、接着フィルム１２２を半導体ウエハ１０１と一緒に切断することが好ましい。
接着フィルム１２２を冷却すると、接着フィルム１２２が脆化するので、接着フィルム１２２の切断がより容易になる。また、接着フィルム１２２の切削片がダイシングブレード等に目詰まりすることも防止することができる。
【００３８】
〔変形例２〕
上記各実施形態では、二種類のダイシングブレード１２５，１２６を用いて、２段階で個片化した。それに対して、一種類のダイシングブレードを用いて、封止層１１９、半導体ウエハ１０１及び接着フィルム１２２（必要に応じて、絶縁膜１０７及びパッシベーション膜１０５も）をまとめて切断してもよい。
【００３９】
〔変形例３〕
上記各実施形態では、ダイシングブレード１２５を用いて封止層１１９を境界線１０２に沿って切断していた。それに対して、封止層１１９の表面にレーザー光を照射して、レーザー光の照射位置を境界線１０２に沿って移動させることによって、封止層１１９を境界線１０２に沿って切断してもよい。その後、上記各実施形態のように、ダイシングブレード１２６を用いて半導体ウエハ１０１及び接着フィルム１２２をまとめて切断する。
【００４０】
〔変形例４〕
配線（下地パターン１１８と導体パターン１１３の積層体）のパターニング法はアディティブ法（例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法）、サブトラクト法その他のパターニング法でもよい。また、配線が単層であってもよいし、積層体であってもよい。
【００４１】
〔変形例５〕
配線、外部接続用電極１１７、封止層１１９及び半田バンプ１２０の形成を省略し、保護フィルム１２１を絶縁膜１０７（絶縁膜１０７が無い場合には、パッシベーション膜１０５）上に貼り付けて、その後の工程（図９〜図１３、図１５、図１６〜図１８参照）を行ってもよい。封止層１１９の形成をしていないので、封止層１１９の切断工程（図１４参照）も行わない。この場合、製造された半導体装置は、いわゆるベアチップである。
【００４２】
〔変形例６〕
外部接続用電極１１７の形成（図４参照）を行なわなくてもよい。外部接続用電極１１７を形成しない場合、封止層１１９の形成・研削を行った後、封止層１１９にレーザー光を照射することによって封止層１１９にビアを形成して、配線のランド１１４をビア内で露出させる。その後、そのランド１１４上に半田バンプ１２０を形成する。この場合、封止層１１９の厚さは上記各実施形態の場合よりも薄くする。
【００４３】
本発明のいくつかの実施形態及び変形例を説明したが、本発明の範囲は、上述の実施の形態及び変形例に限定するものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲とその均等の範囲を含む。
以下に、この出願の願書に最初に添付した特許請求の範囲に記載した発明を付記する。付記に記載した請求項の項番は、この出願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の通りである。
【００４４】
〔付記〕
＜請求項１＞
一方の面に集積回路を有する半導体ウエハの他方の面に接着フィルムを貼り付け、
ダイシングブレードを前記半導体ウエハの前記一方の面から前記接着フィルムまで切り込んで、前記半導体ウエハと共に前記接着フィルムを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜請求項２＞
前記半導体ウエハと共に前記接着フィルムを切断する工程は、チップ領域毎に区分けされた前記半導体ウエハの前記一方の面に形成された境界線に沿って行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
＜請求項３＞
前記接着フィルムを冷却して前記接着フィルムの切断を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
＜請求項４＞
前記接着フィルムを貼り付ける前に、前記半導体ウエハの前記一方の面に配線をパターニングすると共に、前記配線のランド上に外部接続用電極を形成し、
前記配線を封止層で覆うようにして前記封止層を前記半導体ウエハの前記一方の面上に形成して、前記封止層の表面で前記外部接続用電極を露出させ、
前記封止層の表面を保護フィルムで覆った状態で前記半導体ウエハの前記他方の面を研削し、
研削した前記半導体ウエハの前記他方の面に前記接着剤を貼り付けて、前記保護フィルムを剥離した後に前記封止層を前記境界線に沿って切断することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００４５】
１０１  半導体ウエハ
１０１ａ  表側の面（一方の面）
１０１ｂ  裏側の面（他方の面）
１０３  チップ領域
１０４  集積回路層
１１３  導体パターン
１１８  下地パターン
１１７  外部接続用電極
１１９  封止層
１２１  保護フィルム
１２２  接着フィルム
１２６  ダイシングブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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