(57)【要約】【課題】低抵抗および高透過を確保しながら、屈曲に対して導電性を保持できる導電性光学素子ならびに情報表示装置および表示装置を提供する。【解決手段】導電性光学素子は、可撓性を有し、表面に可視光の波長以下の微細ピッチで凸部または凹部からなる構造体が多数配置された基体と、構造体上に形成された透明導電層とを備える。構造体のアスペクト比は０．１以上１．８以下であり、透明導電層は構造体に倣った表面を有する。導電性光学素子は、屈曲試験に対して導電性が保持される。【選択図】図１
2012123086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する基体と、
上記基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された凸部または凹部からなる構造体と、
上記構造体上に形成された透明導電層と
を備え、
上記構造体のアスペクト比は０．１以上１．８以下であり、
上記透明導電層は上記構造体に倣った表面を有し、
屈曲試験に対して導電性が保持される導電性光学素子。
【請求項２】
上記透明導電層の表面抵抗は、５０Ω／□以上５００Ω／□未満の範囲である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項３】
上記構造体の頂部における上記透明導電層の膜厚は、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項４】
上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置され、
上記トラックが、直線状、または円弧状を有する請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項５】
上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置され、
上記トラックが、蛇行している請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項６】
上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置されているとともに、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成する請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項７】
上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置され、
上記構造体は、上記トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円錐または楕円錐台形状である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項８】
上記構造体は、頂部に曲面を有する楕円錐形状である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項９】
上記基体は、上記表面とは反対側の他の表面を有し、
上記基体の他の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、凸部または凹部からなる構造体をさらに備える請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１０】
上記基体の表面に対する上記構造体の充填率が、６５％以上である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１１】
上記基体の表面に対する上記構造体の充填率が、７３％以上である請求項１０記載の導電性光学素子。
【請求項１２】
上記構造体の配置ピッチＰ１に対する上記構造体の径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、８５％以上である請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１３】
上記配置ピッチＰ１に対する上記径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、９０％以上である請求項１２記載の導電性光学素子。
【請求項１４】
上記透明導電層は、透明電極パターンである請求項１記載の導電性光学素子。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の導電性光学素子を備える情報入力装置。
【請求項１６】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の導電性光学素子を備える表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、導電性光学素子ならびに情報入力装置および表示装置に関する。詳しくは、透明導電層が一主面に形成された導電性光学素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル機器や携帯電話機器等が備える表示装置上に、情報を入力するためのタッチパネルが配置されるようになっている。
【０００３】
例えば、抵抗膜式のタッチパネルでは、２つの透明導電性フィルムがアクリル樹脂等の絶縁材料からなるスペーサを介して対向配置された構造を有し、透明導電性フィルムがタッチパネルの電極として機能する。透明導電性フィルムは、高分子フィルム等の透明性を有する基材と、この基材上に形成された透明導電層とを備える。
【０００４】
透明導電性フィルムを構成する透明導電層としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の高屈折率の材料（例えば１．９〜２．１程度）を用いた無機導電性化合物の薄膜が広く使用されている。しかしながら、無機導電性化合物の薄膜は可撓性に乏しく、したがって透明導電性フィルムは屈曲性が悪いものであった。
【０００５】
透明導電性フィルムの屈曲性を向上させようとして透明導電層を薄くすると、例えば５０Ω／□〜５００Ω／□程度の、透明導電性フィルムに求められる表面抵抗値が得られなくなってしまう。一方、所望の表面抵抗値を実現するために、透明導電層を厚くすると、透明導電性フィルムの屈曲性および透過率が低下してしまう。このように、透明導電性フィルムの屈曲性、低抵抗および高透過を同時に実現することは困難であった。
【０００６】
この問題を解決するために、例えば特許文献１では、導電性酸化物微粒子とバインダーマトリックスを含む塗布液を、ガスバリア機能が付与されたプラスチックフィルムに塗布して透明導電層を形成したフレキシブル透明導電フィルムが提案されている。また例えば特許文献２では、透明な有機高分子フィルム上にまず有機高分子導電性化合物からなる層を形成し、この上に、無機導電性化合物からなる層を形成した透明導電性フィルムが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−３０２０２９号公報
【０００８】
【特許文献２】特開２０１０−２２５３７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１や特許文献２に記載の透明導電性フィルムによっても、低抵抗化しようとすると透明導電層の膜厚が大きくなり、十分な屈曲性が得られなかった。
【００１０】
したがって、この発明の目的は、低抵抗および高透過を確保しながら、屈曲に対して導電性を保持できる導電性光学素子ならびに情報入力装置および表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の課題を解決するために、この発明は、
可撓性を有する基体と、
基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された凸部または凹部からなる構造体と、
構造体上に形成された透明導電層と
を備え、
構造体のアスペクト比は０．１以上１．８以下であり、
透明導電層は構造体に倣った表面を有し、
屈曲試験に対して導電性が保持される導電性光学素子である。
【００１２】
この発明では、構造体および透明導電層を備える基体が、可撓性を有することが好ましい。このような構成を採用する場合、構造体のアスペクト比が０．１以上１．８以下とされ、透明導電層は構造体に倣った表面を有していることが好ましい。屈曲試験に対して導電性が保持されるようにできるからである。屈曲試験に対して導電性が保持されるとは、具体的には、φ４の金属棒への巻きつけの後における端子間抵抗の測定値と、巻きつけ前（屈曲なし）の端子間抵抗の抵抗値の変化が５０％以下の範囲であることと定義する。導電性光学素子を透明導電性フィルムとして用いる場合に、屈曲性、低抵抗および高透過を同時に実現する観点から、透明導電層の表面抵抗が、５０Ω／□以上５００Ω／□未満の範囲とされることが好ましい。
【００１３】
構造体の頂部における透明導電層の膜厚が、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。
【００１４】
この発明では、構造体が、基体表面において複数列のトラックをなすように配置されることが好ましい。複数列のトラックは、例えば、直線状、円弧状を有することが好ましく、または、蛇行していることが好ましい。
【００１５】
この発明において、構造体を六方格子状または準六方格子状に周期的に配置することが好ましい。ここで、六方格子とは、正六角形状の格子のことをいう。準六方格子とは、正六角形状の格子とは異なり、歪んだ正六角形状の格子のことをいう。
例えば、構造体が直線上に配置されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた六方格子のことをいう。構造体が蛇行して配列されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を構造体の蛇行配列により歪ませた六方格子をいう。または、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体の蛇行配列により歪ませた六方格子のことをいう。
【００１６】
または、構造体を四方格子状または準四方格子状に周期的に配置することが好ましい。ここで、四方格子とは、正四角形状の格子のことをいう。準四方格子とは、正四角形状の格子とは異なり、歪んだ正四角形状の格子のことをいう。
例えば、構造体が直線上に配置されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた四方格子のことをいう。構造体が蛇行して配列されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を構造体の蛇行配列により歪ませた四方格子をいう。または、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体の蛇行配列により歪ませた四方格子のことをいう。
【００１７】
この発明では、構造体が、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円錐または楕円錐台形状であることが好ましい。この発明において、楕円には、数学的に定義される完全な楕円のみならず、多少の歪みが付与された楕円も含まれる。円形には、数学的に定義される完全な円（真円）のみならず、多少の歪みが付与された円形も含まれる。
【００１８】
この発明では、微細ピッチで基体表面に多数配設けられた構造体が、複数列のトラックをなしていると共に、隣接する３列のトラック間において、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている。したがって、表面における構造体の充填密度を高くすることができ、これにより可視光等の反射防止効率を高め、反射防止特性に優れた透過率の極めて高い導電性光学素子を得ることができる。
【００１９】
なお、構造体の微細配列を一主面のみではなく、該一主面とは反対側の主面にも設けた場合、例えば光入射面および光出射面の両方に設けた場合には、透過特性をより一層向上させることができるため好ましい。例えば、導電性光学素子をタッチパネルとして使用する場合、タッチ側となる面または表示装置に被着される側の面に複数の構造体を形成するようにしてもよい。このようにすることで、タッチパネルの反射防止特性および透過特性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、この発明によれば、低抵抗および高透過を確保しながら、屈曲に対して導電性を保持できる導電性光学素子を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１Ａは、この発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子のＡ−Ａ断面図である。図１Ｃは、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。
【図２】図２Ａは、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図２Ｂは、構造体が四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなすように配置された例を示す平面図である。図２Ｃは、構造体が蛇行するように配置された例を示す平面図である。
【図３】図３Ａ〜図３Ｃは、構造体の配置の他の構成例を示す平面図である。
【図４】図４は、ロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。
【図５】図５Ａ〜図５Ｄは、この発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【図６】図６Ａ〜図６Ｄは、この発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【図７】図７Ａは、この発明の第２の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図７Ｂは、この発明の第２の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。
【図８】図８Ａは、第２の実施形態の第１の変形例に係るタッチパネルの第１の変形例を示す斜視図である。図８Ｂは、第１の導電性光学素子の一構成例を示す分解斜視図である。図８Ｃは、図８ＢのＡ−Ａ模式的断面図である。
【図９】図９Ａは、第２の実施形態の第２の変形例に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図９Ｂは、第２の実施形態の第２の変形例に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。
【図１０】図１０Ａは、第２の実施形態の第３の変形例に係るタッチパネルの構成例を示す斜視図である。図１０Ｂは、図１０ＡのＡ−Ａ模式的断面図である。
【図１１】図１１は、この発明の第３の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す模式的断面図である。
【図１２】図１２Ａは、この発明の第４の実施形態に係る電気化学素子の構成の一例を模式的に示す斜視図である。図１２Ｂは、図１２ＡのＡ−Ａ模式的断面図である。
【図１３】図１３は、サンプル１−１〜サンプル１−３、サンプル２−１およびサンプル３−１の導電性光学素子の抵抗変化率を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
この発明の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態
２．第２の実施形態（情報入力装置（タッチパネル）に対する適用例）
３．第３の実施形態（表示装置（電子ペーパー）に対する適用例）
４．第４の実施形態（電気化学素子（色素増感太陽電池）に対する適用例）
【００２３】
＜１．第１の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図１Ａは、この発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子のＡ−Ａ断面図である。図１Ｃは、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。図２Ａは、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図２Ｂは、構造体が四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなすように配置された例を示す平面図である。図２Ｃは、構造体が蛇行するように配置された例を示す平面図である。以下では、導電性光学素子の面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向およびＹ軸方向とし、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に垂直な方向をＺ軸方向と称する。
【００２４】
導電性光学素子は、可撓性を有する基体と、反射の低減を目的とする光の波長以下の微細ピッチで一主面に配置された、凸部または凹部からなる複数の構造体と、これらの構造体上に形成された透明導電層とを備える。この導電性光学素子は、図１の−Ｚ方向に透過する光について、構造体とその周囲の空気との界面における反射を防止する機能を有している。
【００２５】
図１に示すように、第１の実施形態に係る導電性光学素子１は、構造体３が多数配置された表面を有する基体２と、構造体３上に形成された透明導電層４とを備える。構造体３のアスペクト比は０．１以上１．８以下とされ、透明導電層４は、構造体３に倣った表面を有している。アスペクト比が０．１以上１．８以下の構造体３上に透明導電層４が形成されるので、導電性光学素子１は、屈曲試験に対して導電性が保持される。
以下、導電性光学素子１に備えられる基体２、構造体３および透明導電層４について順次説明する。
【００２６】
（基体）
基体２は、例えば、透明性を有する透明基体である。基体２の材料としては、例えば、透明性を有するプラスチック材料、ガラス等を主成分とするものが挙げられるが、これらの材料に特に限定されるものではない。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散等の光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性等の諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレン等といったビニルモノマーとの共重合体等の（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）等のポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体等といった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）等が好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。基体２の主成分をガラスとする場合は、基体２が可撓性を有する程度の厚さであることが好ましく、例えば５０μｍ〜１００μｍ程度の厚さであることが好ましい。
【００２７】
基体２がプラスチックフィルムである場合には、基体２は、例えば、上述の樹脂を押出成型、伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するキャスト成型等の方法で得ることができる。また、基体２の厚さは、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。
【００２８】
基体２としてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性等をより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタン等が挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２の表面に対してコロナ放電、ＵＶ（Ultraviolet）照射処理を行うようにしてもよい。
【００２９】
基体２の形状としては、例えば、シート状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。基体２の形状は、カメラ等の光学機器等において、所定の反射防止機能が必要とされる部分の形状等に合わせて適宜選択することが好ましい。
【００３０】
（構造体）
基体２の表面には、凸部である構造体３が多数配列されている。この構造体３は、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の短い配置ピッチ、例えば可視光の波長と同程度の配置ピッチで周期的に２次元配置されている。ここで、配置ピッチとは、図２に示す配置ピッチＰ１および配置ピッチＰ２を意味する。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ〜１ｍｍの波長帯域をいう。具体的には、配置ピッチは、好ましくは１８０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、１９０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であることがより好ましい。配置ピッチが１８０ｎｍ未満であると、構造体３の作製が困難となる傾向がある。一方、配置ピッチが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。
【００３１】
図２Ａ〜図２Ｃに示すように、構造体３は、例えば、複数列のトラックＴ１、Ｔ２、Ｔ３、・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する。図２Ａに示すように、Ｐ１は、同一トラック（例えばＴ１）内における構造体３の配置ピッチ（ａ１〜ａ２間距離）を表す。Ｐ２は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における構造体３の配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における構造体３の配置ピッチ（例えばａ１〜ａ７、ａ２〜ａ７間距離）を表す。この発明において、トラックとは、構造体３が列をなして直線状または曲線状に連なった部分のことをいう。また、列方向とは、構造体３の集合が形成される基体２の表面において、トラックの延在方向（例えばＸ軸方向）に直交する方向のことをいう。
【００３２】
図２Ａに示す例では、構造体３は、隣接する２つのトラックＴ間において、例えば半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された構造体３の中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の構造体３が配置されている。その結果、図２Ａに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体３の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている。一実施の形態において、六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンのことをいう。また、準六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンとは異なり、トラックの延在方向（例えばＸ軸方向）に引き伸ばされ歪んだ六方格子パターンのことをいう。
【００３３】
構造体３が準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図２Ａに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における構造体３の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における構造体３の配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における構造体３の配置ピッチＰ２よりも長くなっていることが好ましい。このように構造体３を配置することで、構造体３の充填密度の更なる向上を図れるようになる。
【００３４】
図２Ｂに示す例では、構造体３が、隣接する３列のトラック間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている。ここで、準四方格子パターンとは、正四方格子パターンと異なり、トラックの延在方向（Ｘ方向）に引き伸ばされ歪んだ四方格子パターンを意味する。
【００３５】
図２Ｃに示す例では、構造体３が、蛇行するトラック（以下ウォブルトラックと称する。）上に配列されている。基体２上における各トラックのウォブルは、同期していることが好ましい。すなわち、ウォブルは、シンクロナイズドウォブルであることが好ましい。このようにウォブルを同期させることで、六方格子または準六方格子の単位格子形状を保持することができる。ウォブルトラックの波形としては、例えば、サイン波、三角波等を挙げることができる。ウォブルトラックの波形は、周期的な波形に限定されるものではなく、非周期的な波形としてもよい。ウォブルトラックのウォブル振幅は、例えば±１０μｍ程度に選択される。
【００３６】
なお、構造体が蛇行して配列されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を構造体の蛇行配列により歪ませた六方格子をいう。または、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体の蛇行配列により歪ませた六方格子のことをいう。準四方格子とは、正四角形状の格子を構造体の蛇行配列により歪ませた四方格子をいう。または、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体の蛇行配列により歪ませた四方格子のことをいう。
【００３７】
図３Ａ〜図３Ｃは、構造体の配置の他の構成例を示す平面図である。図３Ａに示すように、基体２の表面に形成される構造体３の大きさが、ランダムとされていてもよく、図３Ｂに示すように、基体２の表面に形成される構造体３の配置が、ランダムとされていてもよい。または、図３Ｃに示すように、基体２の表面に形成される構造体３の大きさおよび配置が、ランダムとされていてもよい。
【００３８】
構造体３の具体的な形状としては、例えば、錐体状、柱状、針状、半球状、半楕円球状、多角形状等が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。または、これらの頂部を切り落とした形状としてもよく、構造体３の表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。
【００３９】
構造体３が、成形の容易さの観点から、錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。構造体３が、軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。隣接する構造体３に接合されている場合には、構造体３が、隣接する構造体３に接合されている下部を除いて軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。錐体形状としては、例えば、円錐形状、円錐台形状、楕円錐形状、楕円錐台形状等を挙げることができる。ここで、錐体形状とは、上述のように、円錐形状および円錐台形状以外にも、楕円錐形状、楕円錐台形状を含む概念である。また、円錐台形状とは、円錐形状の頂部を切り落とした形状をいい、楕円錐台形状とは、楕円錐の頂部を切り落とした形状のことをいう。
【００４０】
構造体３は、トラックの延在方向の幅がこの延在方向とは直交する列方向の幅よりも大きい底面を有する錐体形状であることが好ましい。具体的には、構造体３は、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が曲面である楕円錐形状であることが好ましい。このような形状にすると、列方向の充填率を向上させることができるからである。
【００４１】
なお、図１Ｃに示す例では、構造体３は、それぞれ同一の大きさおよび／または形状を有しているが、構造体３の形状はこれに限定されるものではなく、２種以上の大きさおよび／または形状の構造体３が混在するように形成されていてもよい。後述するロール原盤露光装置を用いてロール原盤を作製する場合には、構造体３の形状として、頂部に凸状の曲面を有する楕円錐形状、または頂部が平坦な楕円錐台形状を採用し、それらの底面を形成する楕円形の長軸方向をトラックの延在方向と一致させることが好ましい。
【００４２】
反射特性の向上の観点からすると、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状（図１Ｃ参照）が好ましい。また、反射特性および透過特性の向上の観点からすると、中央部の傾きが底部および頂部より急峻な錐形形状、または、頂部が平坦な錐体形状であることが好ましい。構造体３が楕円錐形状または楕円錐台形状を有する場合、その底面の長軸方向が、トラックの延在方向と平行となることが好ましい。
【００４３】
また、図１Ｃに示すように、構造体３の周囲の一部または全部に突出部６を設けることが好ましい。このようにすると、構造体３の充填率が低い場合でも、反射率を低く抑えることができるからである。具体的には例えば、突出部６は、図１Ｃに示すように、隣り合う構造体３の間に設けられる。また、細長い突出部６が、構造体３の周囲の全体またはその一部に設けられるようにしてもよい。この細長い突出部６は、例えば、構造体３の頂部から下部の方向に向かって延びている。突出部６の形状としては、断面三角形状および断面四角形状等を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではなく、成形の容易さ等を考慮して選択することができる。また、構造体３の周囲の一部または全部の表面を荒らし、微細の凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には例えば、隣り合う構造体３の間の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。
【００４４】
導電性光学素子１の製造工程において構造体３を金型等から剥離する観点からすると、構造体３の周縁部に裾部を設けることが好ましい。ここで、裾部とは、構造体３の底部の周縁部に設けられた突出部を意味する。この裾部は、上記剥離特性の観点からすると、構造体３の頂部から下部の方向に向かって、なだらかに高さが低下する曲面を有することが好ましい。なお、裾部は、構造体３の周縁部の一部にのみ設けてもよいが、上記剥離特性の向上の観点からすると、構造体３の周縁部の全部に設けることが好ましい。また、構造体３は図示する凸部形状のものに限らず、基体２の表面に形成した凹部で構成されていてもよい。構造体３が凹部である場合には、裾部は、構造体３である凹部の開口周縁に設けられた曲面となる。
【００４５】
トラックの延在方向における構造体３の高さＨ１は、列方向における構造体３の高さＨ２よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体３の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＜Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。Ｈ１≧Ｈ２の関係を満たすように構造体３を配列すると、トラックの延在方向の配置ピッチＰ１を長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体３の充填率が低下するためである。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。
【００４６】
構造体３のアスペクト比（平均高さ／平均配置ピッチ）は、０．１以上１．８以下の範囲に設定されることが好ましい。導電性光学素子１を、屈曲試験に対して導電性が保持されるようにできるからである。なお、アスペクト比が１．８を超えると、導電性光学素子１の作製時において構造体３の剥離特性が低下し、レプリカの複製が綺麗に取れなくなる傾向がある。
【００４７】
平均配置ピッチおよび平均高さは、以下のようにして求められる。導電性光学素子１を、構造体３の頂部を含むように切断する。その断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope（ＴＥＭ））にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体３の配置ピッチ（図２に示す配置ピッチＰ１またはＰ２）および構造体３の高さ（断面の凹凸形状における頂部と谷部の高さの差）を求める。この測定を導電性光学素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値ｐ１、ｐ２・・・ｐ１０および測定値ｈ１、ｈ２・・・ｈ１０をそれぞれ単純に平均（算術平均）して、平均配置ピッチおよび平均高さを求める。すなわち、平均配置ピッチおよび平均高さは、以下の式（１）および式（２）でそれぞれ示される関係により定義される。
（平均配置ピッチ）＝（ｐ１＋ｐ２＋・・・＋ｐ１０）／１０  ・・・（１）
（平均高さ）＝（ｈ１＋ｈ２＋・・・＋ｈ１０）／１０  ・・・（２）
但し、Ｐ１：トラックの延在方向の配置ピッチ、Ｈ１：トラックの延在方向の構造体高さ、Ｐ２：トラックの延在方向に対して±ξ方向（但し、θ＝６０°−δ、ここで、δは、好ましくは０°＜δ≦１１°、より好ましくは３°≦δ≦６°）の配置ピッチ、Ｈ２：トラックの延在方向に対して±θ方向の構造体高さである。構造体３が凹部である場合、上記式（２）における構造体高さは、構造体の深さとする。
【００４８】
なお、構造体３のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、０．１以上１．８以下の範囲内で、各構造体３が一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。高さ分布を有する構造体３を設けることで、反射特性の波長依存性を低減することができる。したがって、優れた反射防止特性を有する導電性光学素子１を実現することができる。
【００４９】
ここで、高さ分布とは、２種以上の高さ（深さ）を有する構造体３が基体２の表面に設けられていることを意味する。すなわち、基準となる高さを有する構造体３と、この構造体３とは異なる高さを有する構造体３とが基体２の表面に設けられていることを意味する。基準とは異なる高さを有する構造体３は、例えば基体２の表面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられている。その周期性の方向としては、例えばトラックの延在方向、列方向等が挙げられる。
【００５０】
同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１/Ｐ２が、１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。
【００５１】
基体表面における構造体３の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。充填率を向上させるためには、隣接する構造体３の下部同士を接合する、または、構造体底面の楕円率を調整等して構造体３に歪みを付与することが好ましい。ここで、楕円率は、構造体底面のトラック方向（Ｘ方向）の径をａ、それとは直交する列方向（Ｙ方向）の径をｂとしたときに、（ａ／ｂ）×１００で定義される。なお、構造体３の径ａ、ｂは以下のようにして求めた値である。導電性光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ  Ｖｉｅｗで撮影し、撮影したＳＥＭ写真から無作為に構造体３を１０個抽出する。次に、抽出した構造体３それぞれの底面の径ａ、ｂを測定する。そして、測定値ａ、ｂそれぞれを単純に平均（算術平均）して径ａ、ｂの平均値を求め、これを構造体３の径ａ、ｂとする。
【００５２】
ここで、構造体３の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
まず、導電性光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ  Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図１Ａ参照）。また、その単位格子Ｕｃの中央に位置する構造体３の底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式（３）より充填率を求める。
充填率＝（Ｓ（hex.）／Ｓ（unit））×１００  ・・・（３）
単位格子面積：Ｓ（unit）＝Ｐ１×２Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（hex.）＝２Ｓ
【００５３】
上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体３の充填率とする。
【００５４】
構造体３が重なっているときや、構造体３の間に突出部６等の副構造体があるときの充填率は、構造体３の高さに対して５％の高さに対応する部分を閾値として面積比を判定する方法で充填率を求めることができる。
【００５５】
配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、８５％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上である。このような範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が大きくなり、構造体３の重なりが大きくなりすぎると反射防止特性が低減する傾向にある。したがって、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で構造体同士が接合されるように、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）の上限値を設定することが好ましい。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体３のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。
【００５６】
（透明導電層）
透明導電層４は、透明酸化物半導体を主成分としていることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ2、ＩｎＯ2、ＺｎＯおよびＣｄＯ等の二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明導電層４を構成する材料としては、例えばＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2：インジウム錫酸化物）、ＡＺＯ（Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ：アルミドープ酸化亜鉛）、ＳＺＯ、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）、ＳｎＯ2（酸化錫）、ＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）、ＩＺＯ（Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ：酸化インジウム亜鉛）等が挙げられるが、信頼性の高さ、および抵抗率の低さ等の観点から、ＩＴＯが好ましい。透明導電層４を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。透明導電層４は、構造体３の表面形状に倣って形成され、構造体３と透明導電層４との表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。透明導電層４の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性および／または透過特性を維持できるからである。
【００５７】
構造体の頂部における透明導電層４の膜厚は、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。このとき、構造体３のアスペクト比を０．１以上１．８以下の範囲に設定することで、構造体の頂部における透明導電層４の膜厚を５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲としたときに、導電性光学素子１を、屈曲試験に対して導電性が保持されるようにできる。すなわち、アスペクト比、および構造体の頂部における透明導電層４の膜厚が上記数値範囲を満たすことで、例えば、５０Ω／□以上５００Ω／□未満の範囲の表面抵抗を得ることができ、透明導電性フィルムの屈曲性、低抵抗および高透過を同時に実現できる。
【００５８】
透明導電層４の表面抵抗は、５０Ω／□以上５００Ω／□未満であることが好ましい。このような範囲の表面抵抗にすることで、種々の方式のタッチパネルの上部電極、または下部電極として透明導電性光学素子１を用いることができるからである。ここで、透明導電層４の表面抵抗は、４端子測定（ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４）により求めたものである。
【００５９】
［導電性光学素子の製造方法］
次に、図４〜図６を参照しながら、以上のように構成される導電性光学素子１の製造方法の一例について説明する。
【００６０】
［ロール原盤露光装置の構成］
まず、図４を参照して、ロール原盤を作製するためのロール原盤露光装置の構成について説明する。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。
【００６１】
ロール原盤１０１は、例えば、円筒状の形状を有する原盤であり、その表面に形成された転写面Ｓｐを有する。転写面Ｓｐには、例えば、凹状または凸状の複数の構造体１０３が形成され、これらの構造体１０３の形状を基材１０２上に塗布されたエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８に対して転写することにより、導電性光学素子１の構造体３を有する形状層３０が形成される。すなわち、転写面Ｓｐには、導電性光学素子１の構造体３の凹凸形状を反転したパターンが形成されている。
【００６２】
ロール原盤１０１の材料は、例えば金属、ガラス、石英、透明樹脂、有機無機ハイブリッド材料等を用いることができるが、特に限定されるものではない。透明樹脂としては、例えば、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等が挙げられる。有機無機ハイブリッド材料としては、例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）等が挙げられる。
【００６３】
図４は、ロール原盤を作製するためのロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。
【００６４】
レーザー光源２１は、記録媒体としてのロール原盤１０１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光１０４を発振するものである。レーザー光源２１から出射されたレーザー光１０４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザー光１０４は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。
【００６５】
ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２を制御してレーザー光１０４の位相変調を行う。
【００６６】
変調光学系２５において、レーザー光１０４は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ2）等からなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acoust-Optic Modulator）２７に集光される。レーザー光１０４は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザー光１０４は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。
【００６７】
移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１０４は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、ロール原盤１０１上のレジスト層へ照射される。ロール原盤１０１は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、ロール原盤１０１を回転させるとともに、レーザー光１０４をロール原盤１０１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光１０４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１０４の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。
【００６８】
露光装置は、例えば、図２Ａに示した六方格子または準六方格子等の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォーマッタ２９とドライバ３９とを備える。フォーマッタ２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１０４の照射タイミングを制御する。ドライバ３９は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。
【００６９】
このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子または準六方格子パターンを記録することができる。例えば、円周方向の周期を３１５ｎｍ、円周方向に対して約６０度方向（約−６０度方向）の周期を３００ｎｍにするには、送りピッチを２５１ｎｍにすればよい（ピタゴラスの法則）。極性反転フォーマッタ信号の周波数はロールの回転数（例えば１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍ）により変化させる。例えば、ロールの回転数１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍそれぞれに対向する極性反転フォーマッタ信号の周波数は、３７．７０ＭＨｚ、１８．８５ＭＨｚ、９．３４ＭＨｚ、４、７１ＭＨｚとなる。所望の記録領域に空間周波数（円周３１５ｎｍ周期、円周方向約６０度方向（約−６０度方向）３００ｎｍ周期）が一様な準六方格子パターンは、遠紫外線レーザー光を移動光学テーブル３２上のビームエキスパンダ（ＢＥＸ）３３により５倍のビーム径に拡大し、開口数（ＮＡ）０．９の対物レンズ３４を介してロール原盤１０１上のレジスト層に照射し、微細な潜像を形成することにより得られる。
【００７０】
［導電性光学素子の製造方法］
図５Ａ〜図６Ｄは、この発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【００７１】
（レジスト成膜工程）
まず、図５Ａに示すように、円筒状のロール原盤１０１を準備する。次に、図５Ｂに示すように、ロール原盤１０１の表面にレジスト層１３３を形成する。レジスト層１３３の材料としては、例えば、有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えば、ノボラック系レジスト、化学増幅型レジスト等を用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上の遷移金属からなる金属化合物を用いることができる。
【００７２】
（露光工程）
次に、図５Ｃに示すように、ロール原盤１０１の表面に形成されたレジスト層１３３に、レーザー光（露光ビーム）１０４を照射する。具体的には、図４に示したロール原盤露光装置のターンテーブル３６上に載置し、ロール原盤１０１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１０４をレジスト層１３３に照射する。このとき、レーザー光１０４をロール原盤１０１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤１０１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１０４を間欠的に照射することで、レジスト層１３３を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光１０４の軌跡に応じた潜像１０５が、可視光波長と同程度のピッチでレジスト層１３３の全面にわたって形成される。
【００７３】
潜像１０５は、例えば、原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。潜像１０５は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。
【００７４】
（現像工程）
次に、ロール原盤１０１を回転させながら、レジスト層１３３上に現像液を滴下して、図５Ｄに示すように、レジスト層１３３を現像処理する。図示するように、レジスト層１３３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１０４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）１０５に応じたパターンがレジスト層１３３に形成される。
【００７５】
（エッチング工程）
次に、ロール原盤１０１の上に形成されたレジスト層１３３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤１０１の表面をエッチング処理する。これにより、図６Ａに示すように、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状の凹部、すなわち構造体１０３を得ることができる。エッチングとしては、例えばドライエッチングやウエットエッチングを用いることができる。
【００７６】
（転写工程）
次に、必要に応じて、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８が塗布される基材１０２の表面に対して、コロナ処理、プラズマ処理、火炎処理、ＵＶ処理、オゾン処理、ブラスト処理等の表面処理を施す。次に、図６Ｃに示すように、長尺の基材１０２またはロール原盤１０１上にエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８を塗布または印刷する。塗布方法は特に限定されるものではないが、例えば、基体上または原盤上へのポッティング、スピンコート法、グラビアコート法、ダイコート法、バーコート法等を用いることができる。印刷方法としては、例えば、凸版印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、凹版印刷法、ゴム版印刷法、スクリーン印刷法等を用いることができる。次に、必要に応じて、溶剤除去やプリベーク等の加熱処理を行う。
【００７７】
エネルギー線硬化性樹脂組成物とは、エネルギー線を照射することによって硬化させることができる樹脂組成物を意味する。エネルギー線とは、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線等）、マイクロ波、高周波等のラジカル、カチオン、アニオン等の重合反応の引き金と成りうるエネルギー線を示す。エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８は、必要に応じて、他の樹脂と混合して用いるようにしてもよく、例えば熱硬化性樹脂等の他の硬化性樹脂と混合して用いてもよい。また、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８は、有機無機ハイブリッド材料であってもよい。また、２種以上のエネルギー線硬化性樹脂組成物を混合して用いるようにしてもよい。エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８としては、紫外線により硬化する紫外線硬化樹脂を用いることが好ましい。
【００７８】
紫外線硬化樹脂は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマー、開始剤等からなり、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル  アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル  アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル  アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル  アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレート等を挙げることができる。
【００７９】
二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン  ジアリルエーテル、ウレタンアクリレート等を挙げることができる。
【００８０】
多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート等を挙げることができる。
【００８１】
開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン等を挙げることができる。
【００８２】
また、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８が、必要に応じてフィラー、機能性添加剤、溶剤、無機材料、顔料、帯電防止剤、増感色素等を含んでいてもよい。フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の金属酸化物微粒子を挙げることができる。機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、吸収剤、消泡剤等を挙げることができる。
【００８３】
次に、ロール原盤１０１を回転させながら、その転写面Ｓｐをエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８に密着させるとともに、例えば、基材１０２またはロール原盤１０１を介してエネルギー線硬化性樹脂組成物１１８に対してエネルギー線を照射する。これにより、エネルギー線硬化性樹脂組成物１１８が硬化し、形状層３０が形成される。基底層３ｂの有無、または基底層３ｂの厚さは、例えば、基材１０２の表面に対するロール原盤１０１の圧力を調整することにより選択可能である。
【００８４】
基材１０２を介してエネルギー線を照射する場合には、基材１０２が、照射するエネルギー線に対して透過性を有していることが好ましい。基材１０２の材料は特に限定はされるものではなく、用途によって適宜選択可能であり、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー等のプラスチック、ガラス、磁性体、半導体を用いることができる。
【００８５】
次に、基材１０２上に形成された形状層３０をロール原盤１０１の転写面Ｓｐから剥離する。これにより、図６Ｄに示すように、基材１０２の表面に形状層３０が形成された積層体が得られる。この転写工程では、帯状を有する基材１０２の長手方向をロール原盤１０１の回転進行方向として凹凸形状を転写することができる。
【００８６】
（透明導電層の成膜工程）
次に、構造体３の凹凸面上に、透明導電層４を成膜する。透明導電層４の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ等のＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。
【００８７】
上述した例では、構造体３を有する形状層３０と基材１０２との積層体に対して透明導電層４を成膜することにより、導電性光学素子１を得る構成としたが、もちろん、構造体３は、基体２に一体的に形成されたものでも構わない。
【００８８】
＜２．第２の実施形態＞
図７Ａは、この発明の第２の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図７Ｂは、この発明の第２の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。このタッチパネルは、いわゆる抵抗膜方式タッチパネルである。抵抗膜方式タッチパネルとしては、アナログ抵抗膜方式タッチパネル、およびデジタル抵抗膜方式タッチパネルのいずれであってもよい。
【００８９】
図７Ａに示すように、情報入力装置であるタッチパネル２０１は、情報を入力するタッチ面（入力面）を有する第１の導電性光学素子２１１と、第１の導電性光学素子２１１と対向する第２の導電性光学素子２２１とを備える。第１の導電性光学素子２１１と、第２の導電性光学素子２２１は、それらの周縁部間に配置された貼合層２１５を介して互いに貼り合わされている。貼合層２１５としては、例えば、粘着ペースト、粘着テープ等が用いられる。このタッチパネル２０１は、例えば表示装置２５０に対して貼合層２４０を介して貼り合わされる。貼合層２４０の材料としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系等の粘着剤を用いることができ、透明性の観点からすると、アクリル系粘着剤が好ましい。
【００９０】
表示装置としては、例えば、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）等の各種表示装置を用いることができる。
【００９１】
第１の導電性光学素子２１１、および第２の導電性光学素子２２１の少なくとも一方として、第１の実施形態に係る導電性光学素子１が用いられる。
【００９２】
第１の導電性光学素子２１１、および第２の導電性光学素子２２１の互いに対向する２つの面のうち、少なくとも一方に構造体２１３が形成されており、構造体２１３のアスペクト比は０．１以上１．８以下とされている。タッチパネルの透明導電性フィルムの屈曲性、低抵抗および高透過を同時に実現する観点からすると、両方に構造体２１３が形成されていることが好ましい。構造体２１３上には、透明導電層２１４が形成され、透明導電層２１４は、構造体２１３に倣った表面を有している。
【００９３】
第２の実施形態では、アスペクト比が０．１以上１．８以下の構造体２１３上に透明導電層２１４が形成されるので、構造体２１３および透明導電層２１４の形成される導電性光学素子は、屈曲試験に対して導電性が保持される。したがって、タッチパネルを構成する導電性光学素子を、タッチパネルの透明導電性フィルムに求められる透過率および表面抵抗値を確保しながら、屈曲性に優れたものとすることができる。また、第２の実施形態に係るタッチパネルを、フレキシブルな表示装置、例えばフレキシブルな有機ＥＬディスプレイ等と組み合わせた場合には、情報入力装置を屈曲性に優れたものとすることができる。
【００９４】
第１の導電性光学素子２１１のタッチ側となる面に、単層または多層の反射防止層を形成するようにしてもよい。反射率を低減し、視認性を向上することができるからである。または、タッチパネル２０１の内部に加えて、タッチ面に可視光の波長以下の微細ピッチで構造体を多数配置するようにしてもよい。表示装置２５０に貼り合わされる側の裏面に、多数の構造体をさらに配置するようにしてもよい。
【００９５】
第１の導電性光学素子２１１のタッチ側となる面が、ハードコート層、または防汚性ハードコート層をさらに備えるようにしてもよい。タッチパネル２０１のタッチ面の耐擦傷性を向上することができるからである。必要に応じて、タッチパネル２０１上にフロントパネルをさらに備えるようにしてもよい。
【００９６】
第１の基体２１２または第２の基体２２２において、構造体が形成される領域の周縁部に配線層等の周縁部材を形成する場合には、該周縁部にも多数の構造体を形成するようにしてもよい。配線層等の周縁部材と基体との密着性を向上することができるからである。
【００９７】
［第２の実施形態の第１の変形例］
図８Ａは、第２の実施形態の第１の変形例に係るタッチパネルの第１の変形例を示す斜視図である。このタッチパネル２０１Ａは、マトリックス抵抗膜方式のタッチパネルであり、ドットスペーサ（図示省略）を介して所定間隔を離して対向配置された第１の導電性光学素子２３１と第２の導電性光学素子２４１とを備える。
【００９８】
図８Ｂは、第１の導電性光学素子の一構成例を示す分解斜視図である。図８Ｃは、図８ＢのＡ−Ａ模式的断面図である。なお、第２の導電性光学素子２４１は第１の導電性光学素子２３１とほぼ同様の構成を有するので、分解斜視図の記載を省略する。
【００９９】
第１の導電性光学素子２３１の両主面のうち、第２の導電性光学素子２４１に対向する一主面には、矩形状の第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が交互に繰り返し設定されている。第１の導電性光学素子２３１の表面には、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体２３３が多数形成される点で、上述の実施形態の導電性素子における基体の表面構造と同様である。第２の実施形態の第１の変形例では、例えば、第１の領域Ｒ１における第１の導電性光学素子の表面にのみ、透明導電層が連続的に形成されている点が、上述の実施形態の導電性素子における基体の表面構造と異なっている。したがって、第１の導電性光学素子２３１の両主面のうち、第２の導電性光学素子２４１に対向する一主面には、連続的に形成された透明導電層からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）２３４がストライプ状に形成されている。
【０１００】
第２の導電性光学素子２４１の両主面のうち、第１の導電性光学素子２３１に対向する一主面には、矩形状の第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が交互に繰り返し設定されている。第２の導電性光学素子２４１の表面が、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成される点で、上述の実施形態の導電性素子の表面構造と同様である。第２の実施形態の第１の変形例では、例えば、第１の領域Ｒ１における第１の導電性光学素子の表面にのみ、透明導電層が連続的に形成されている点が、上述の実施形態の導電性素子における基体の表面構造と異なっている。したがって、第２の導電性光学素子２４１の両主面のうち、第１の導電性光学素子２３１に対向する一主面には、連続的に形成された透明導電層からなる縦（Ｙ）電極（第２の電極）２４４がストライプ状に多数形成されている。
【０１０１】
第１の導電性光学素子２３１および第２の導電性光学素子２４１の第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２は、互いに直交する関係にある。すなわち、第１の導電性光学素子２３１の横電極２３４と第２の導電性光学素子２４１の縦電極２４４とは互いに直交する関係にある。
【０１０２】
第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２のそれぞれにアスペクト比等の異なる構造体を形成するようにしてもよい。これにより、タッチパネル２０１Ａの反射防止特性および／または透過特性をさらに向上することができる。
【０１０３】
［第２の実施形態の第２の変形例］
図９Ａは、第２の実施形態の第２の変形例に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図９Ｂは、第２の実施形態の第２の変形例に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。このタッチパネル２０１Ｂは、いわゆる静電容量方式タッチパネルであり、その内部に多数の構造体２５３が形成されている。このタッチパネル２０１Ｂは、例えば表示装置２５０に対して貼合層２４０を介して貼り合わされる。
【０１０４】
図９Ａおよび図９Ｂに示すように、第２の実施形態の第２の変形例に係るタッチパネル２０１Ｂは、基体２５２と、この基体２５２上に形成された透明導電層２５４と、保護層２５９とを備える。基体２５２および保護層２５９の少なくとも一方には、可視光の波長以下の微細ピッチで構造体２５３が多数配置されている。
【０１０５】
保護層２５９は、例えばＳｉＯ2等の誘電体を主成分とする誘電体層である。透明導電層２５４は、タッチパネル２０１Ｂの方式により異なる構成を有している。例えば、タッチパネル２０１Ｂが表面型静電容量方式タッチパネルである場合には、透明導電層２５４は、ほぼ一様な膜厚を有する薄膜である。タッチパネル２０１Ｂが投影型静電容量方式タッチパネルである場合には、透明導電層２５４は、所定ピッチで配置された格子形状等の透明電極パターンである。透明導電層２５４の材料としては、上述の第１の実施形態と同様のものを用いることができる。
【０１０６】
［第２の実施形態の第３の変形例］
図１０Ａは、第２の実施形態の第３の変形例に係るタッチパネルの構成例を示す斜視図である。図１０Ｂは、図１０ＡのＡ−Ａ模式的断面図である。このタッチパネル２０１Ｃは、ＩＴＯ  Ｇｒｉｄ方式の投射型静電容量方式タッチパネルであり、重ね合わされた第１の導電性光学素子２７１と第２の導電性光学素子２８１とを備える。
【０１０７】
図１０Ａおよび図１０Ｂに示す例では、第１の導電性光学素子２７１の両主面のうち、第２の導電性光学素子２８１に対向する一主面には、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が交互に繰り返し設定され、隣り合う第１の領域Ｒ１の間は第２の領域Ｒ２により隔てられている。第２の導電性光学素子２８１の両主面のうち、第１の基体２７２に対向する側とは反対側の一主面には、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２が交互に繰り返し設定され、隣り合う第１の領域Ｒ１の間は第２の領域Ｒ２により隔てられている。第１の導電性光学素子２７１および第２の導電性光学素子２８１の表面構造は、第１の領域Ｒ１における表面にのみ、透明導電層が連続的に形成されている点で、上述の第１の変形例の導電性素子における表面構造と同様である。
【０１０８】
第１の導電性光学素子２７１の第１の領域Ｒ１は、所定形状の単位領域Ｃ１をＸ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ２は、所定形状の単位領域Ｃ２をＸ軸方向に繰り返し連結してなる。第２の導電性光学素子２８１の第１の領域Ｒ１は、所定形状の単位領域Ｃ１をＹ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ２は、所定形状の単位領域Ｃ２をＹ軸方向に繰り返し連結してなる。単位領域Ｃ１および単位領域Ｃ２の形状としては、例えばダイヤモンド形状（菱形形状）、三角形状、四角形状等が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。
【０１０９】
第１の領域Ｒ１における第１の基体２７２の表面は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体２７３が多数形成されて波面とされ、構造体２７３上には、透明導電層が形成されている。同様に、第１の領域Ｒ１における第２の基体２８２の表面は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体２８３が多数形成されて波面とされ、構造体２８３上には、透明導電層が形成されている。したがって、第１の基体２７２の両主面のうち、第２の基体２８２に対向する一主面には、透明導電層からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）２７４が配列されている。また、第２の基体２８２の両主面のうち、第１の基体２７２に対向する側とは反対側の一主面には、透明導電層からなる複数の縦（Ｙ）電極（第２の電極）２８４が配列されている。
【０１１０】
第１の基体２７２の横電極２７４と第２の基体２８２の縦電極２８４とは互いに直交する関係にある。第１の導電性光学素子２７１と第２の導電性光学素子２８１とを重ね合わせた状態において、第１の基体２７２の第１の領域Ｒ１と、第２の基体２８２の第２の領域Ｒ２とが重ね合わされ、第１の基体２７２の第２の領域Ｒ２と、第２の基体２８２の第１の領域Ｒ１とが重ね合わされる。
【０１１１】
図１０Ｂに示すように、第１の導電性光学素子２７１の表示装置に被着される側の面に複数の構造体を形成するようにしてもよい。このようにすることで、タッチパネルの透過特性を向上させることができる。
【０１１２】
＜３．第３の実施形態＞
図１１は、この発明の第３の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す模式的断面図である。この表示装置３０１は、いわゆるマイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーであり、第１の導電性光学素子３１１と、第１の導電性光学素子３１１と対向配置された第２の導電性光学素子３２１と、これらの両素子間に設けられたマイクロカプセル層（媒質層）３７０とを備える。ここでは、マイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーに対してこの発明を適用した例について説明するが、電子ペーパーはこの例に限定されるものではなく、対向配置されたパターン基体間に媒質層が設けられた構成であればこの発明は適用可能である。ここで、媒質には液体および固体以外に、空気等の気体も含まれる。また、媒質には、カプセル、顔料および粒子等の部材が含まれていてもよい。マイクロカプセル電気泳動方式以外にこの発明を適用可能な電子ペーパーとしては、例えばツイストボール方式、サーマルリライタブル方式、トナーディスプレイ方式、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ型電気泳動方式、電子粉粒方式の電子パーパー等が挙げられる。
【０１１３】
マイクロカプセル層３７０は、多数のマイクロカプセル３８０を含んでいる。マイクロカプセル内には、例えば、黒色粒子および白色粒子が分散された透明な液体（分散媒）が封入されている。
【０１１４】
第１の導電性光学素子３１１、および第２の導電性光学素子３２１の少なくとも一方として、第１の実施形態に係る導電性光学素子１が用いられる。図１１に示す例では、第１の導電性光学素子３１１は、第１の基体３１２および透明導電層３１４からなり、第１の基体３１２は、第２の導電性光学素子３２１に対向する側の表面に、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数形成された構造体３１３を備える。構造体３１３上には、透明導電層３１４が形成されている。一方、第２の導電性光学素子３２１は、第２の基体３２２および透明導電層３２４からなり、第２の基体３２２は、第１の導電性光学素子３１１に対向する側の表面に、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数形成された構造体３２３を備える。構造体３２３上には、透明導電層３２４が形成されている。必要に応じて、粘着剤等の貼合層３４０を介して、第１の導電性光学素子３１１をガラス等の支持体３６０に貼り合わせるようにしてもよい。
【０１１５】
透明導電層３１４および透明導電層３２４は、電子ペーパー３０１の駆動方式に応じて所定の電極パターン状に形成されている。駆動方式としては、例えば単純マトリックス駆動方式、アクティブマトリックス駆動方式、セグメント駆動方式等が挙げられる。
【０１１６】
第３の実施形態では、アスペクト比が０．１以上１．８以下の構造体上に透明導電層が形成されるので、表示装置を構成する透明導電性フィルムを、透過率および表面抵抗値を確保しながら、屈曲性に優れたものとすることができる。
【０１１７】
＜４．第４の実施形態＞
図１２Ａは、この発明の第４の実施形態に係る電気化学素子の構成の一例を模式的に示す斜視図である。図１２Ｂは、図１２ＡのＡ−Ａ模式的断面図である。電気化学素子４０１は、いわゆる色素増感太陽電池であり、第１の導電性光学素子４１１と、第２の導電性光学素子４２１と、これらの間に封止された電解質４８８および色素４８６が担持された半導体微粒子４８７とを備える。色素４８６は、入射する光Ｌに対して増感作用を示す。なお、図１２Ａでは、第１の導電性光学素子４１１および第２の導電性光学素子４２１が、ガラス等の支持体４６１および支持体４６２にそれぞれ貼り合わされている例を示しているが、支持体４６１および支持体４６２は、必要に応じて設けられる。図１２Ｂでは、支持体４６１および支持体４６２を除いて図示している。また、色素４８６および半導体微粒子４８７は説明のために大きく表したものであり、実際の大きさを示すものではない。
【０１１８】
第１の導電性光学素子４１１および第２の導電性光学素子４２１の少なくとも一方として、第１の実施形態に係る導電性光学素子と同様の導電性光学素子が用いられる。
【０１１９】
図１２Ａおよび図１２Ｂに示す例では、第１の基体４１２および第２の基体４２２の互いに対向する２つの面に、構造体４１３および構造体４２３がそれぞれ形成されている。構造体４１３上には、透明導電層４１４が形成され、透明導電層４１４は、構造体４１３に倣った表面を有している。また、構造体４２３上には、透明導電層４２４が形成され、透明導電層４２４は、構造体４２３に倣った表面を有している。なお、図１２Ａに示す例では、第１の導電性光学素子４１１の外側（図１２Ａにおいて支持体４６１が被着されている側）から光Ｌを色素４８６が担持された半導体微粒子４８７に入射させるようにしているが、第２の導電性光学素子４２１の外側から入射させる構成としてもよい。または、第１の導電性光学素子４１１の外側および第２の導電性光学素子４２１の外側から光を入射させる構成としてもよい。
【０１２０】
第１の導電性光学素子４１１の一主面のうち、第２の導電性光学素子４２１に対向する側の面には、入射する光Ｌに対して増感作用を示す色素４８６が担持された半導体微粒子４８７の層が形成されている。すなわち、透明導電層４１４と、色素４８６が担持された半導体微粒子４８７の層とから、色素増感太陽電池の光電極が構成される。一方、構造体４２３上に形成された透明導電層４２４は、色素増感太陽電池の対極として機能する。
【０１２１】
第１の導電性光学素子４１１の外側から電気化学素子４０１に入射した光Ｌは、この第１の導電性光学素子４１１を透過して光電極に入射する。入射する光Ｌに対して増感作用を示す色素４８６が担持された半導体微粒子４８７の層に入射した光Ｌは、色素４８６を励起して電子を発生する。この電子は、速やかに色素４８６から半導体微粒子４８７に渡される。一方、電子を失った色素４８６は、電解質４８８のイオンから電子を受け取り、電子を渡した分子は、再び対極の表面で電子を受け取る。この一連の反応により、色素４８６が担持された半導体微粒子４８７の層と電気的に接続された第１の導電性光学素子４１１と第２の導電性光学素子４２１との間に起電力が発生する。こうして光電変換が行われる。
【０１２２】
第４の実施形態では、色素増感太陽電池の電極を構成する部材として、第１の導電性光学素子４１１および第２の導電性光学素子４２１を用いている。したがって、色素増感太陽電池の電極に要求される低抵抗および高透過を同時に実現しながら、色素増感太陽電池を屈曲性に優れたものとすることができる。
【実施例】
【０１２３】
以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【０１２４】
以下に説明する実施例では、導電性光学素子の表面に形成される構造体のアスペクト比を変化させて屈曲試験を行い、屈曲試験の前後における導電性光学素子の端子間抵抗を比較することにより、導電性光学素子の屈曲性を調べた。
【０１２５】
（サンプル１−１）
まず、外径１２６ｍｍのガラスロール原盤を準備し、このガラス原盤の表面にレジスト層を着膜した。次に、記録媒体としてのガラスロール原盤を、図４に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光することにより、隣接する３列のトラック間において六方格子パターンをなす潜像がレジスト層にパターニングした。
【０１２６】
次に、ガラスロール原盤上のレジスト層に現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。これにより、レジスト層が六方格子パターンに開口しているレジストガラス原盤が得られた。
【０１２７】
次に、ＣＨＦ3ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行い、ガラスロール原盤の表面において、楕円錐形状の凹部を得た。このときのパターンでのエッチング量（深さ）はエッチング時間によって変化させた。最後に、Ｏ2アッシングにより完全にレジスト層を除去し、ロール原盤を得た。
【０１２８】
次に、上記ロール原盤と、紫外線硬化樹脂を塗布したアクリルシートとを密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離した。これにより、複数の構造体が一主面に配列された光学シートが得られた。次に、スパッタリング法により、膜厚１１０ｎｍのＩＴＯ膜を構造体上に成膜した。
【０１２９】
次に、ＩＴＯ膜が成膜された光学シートを５ｍｍ×２５ｍｍの矩形状に切り出し、サンプル１−１の導電性光学素子を得た。
【０１３０】
上述のようにして作製したサンプル１−１の構造体のピッチおよび高さを測定したところ、それぞれ２５０ｎｍ、１５５ｎｍとの値を得た。すなわち、サンプル１−１の構造体のアスペクト比は、０．６２であった。
【０１３１】
（サンプル１−２）
構造体のピッチおよび高さが、それぞれ２５０ｎｍ、１２０ｎｍとなるようにし、アスペクト比を０．４８としたこと以外は、サンプル１−１の導電性光学素子と同様にして、サンプル１−２の導電性光学素子を得た。
【０１３２】
（サンプル１−３）
構造体のピッチおよび高さが、それぞれ２５０ｎｍ、９０ｎｍとなるようにし、アスペクト比を０．３６としたこと以外は、サンプル１−１の導電性光学素子と同様にして、サンプル１−３の導電性光学素子を得た。
【０１３３】
（サンプル２−１）
構造体のピッチおよび高さが、それぞれ２５０ｎｍ、１０ｎｍとなるようにし、アスペクト比を０．０４としたこと以外は、サンプル１−１の導電性光学素子と同様にして、サンプル２−１の導電性光学素子を得た。
【０１３４】
（サンプル３−１）
構造体を転写せず、アクリルシートに膜厚１１０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜し、サンプル３−１の導電性光学素子を得た。
【０１３５】
サンプル１−１〜サンプル１−３、サンプル２−１およびサンプル３−１のそれぞれについて、表面抵抗を４端子法にて測定した。サンプル１−１〜サンプル１−３、サンプル２−１およびサンプル３−１のそれぞれについて、アスペクト比と表面抵抗の測定値との関係を表１に示す。
【０１３６】
【表１】
2012123086.tif 000003
【０１３７】
（屈曲試験）
まず、サンプル１−１〜サンプル１−３、サンプル２−１およびサンプル３−１のそれぞれについて、端子間抵抗を４端子法にて測定した。
【０１３８】
次に、構造体が形成された面が内側となるようにするとともに、矩形状の長手方向が円周方向に沿うようにして、φ４の金属棒に各サンプルを巻きつけた後、もとの状態に戻した。ここで、φ４とは、金属棒の直径が４ｍｍであることを表し、以下の説明においても同様とする。
【０１３９】
次に、φ４の金属棒への巻きつけの後の各サンプルについて、端子間抵抗を４端子法にて測定した。φ４の金属棒への巻きつけの後における端子間抵抗の測定値と、巻きつけ前（屈曲なし）の端子間抵抗の測定値との比を抵抗変化率△Ｒ（φ４）として、各サンプルについての△Ｒ（φ４）を求めた。すなわち、抵抗変化率△Ｒ（φ４）は、以下の式（４）で示される関係により定義される。
△Ｒ（φ４）＝端子間抵抗（φ４）Ω／端子間抵抗（屈曲なし）Ω  ・・・（４）
【０１４０】
サンプル１−１〜サンプル１−３、サンプル２−１およびサンプル３−１のそれぞれについて、得られた△Ｒ（φ４）を表２に示す。
なお、表２中の抵抗変化欄における「○」印および「×」印は、以下の評価内容を示す。
○：端子間抵抗の測定値の変化が５０％以下の範囲にある。
×：端子間抵抗の測定値の変化が５０％を超える。
【０１４１】
【表２】
2012123086.tif 000004
【０１４２】
なお、同様の測定を、φ２、φ８、φ１６の金属棒への巻きつけについても行った。サンプル１−１〜サンプル１−３、サンプル２−１およびサンプル３−１のそれぞれについて、得られた端子間抵抗の測定値を表２に示す。サンプル１−１〜サンプル１−３、サンプル２−１およびサンプル３−１のそれぞれについて、得られた△Ｒを図１３に示す。
【０１４３】
表２および図１３から以下のことがわかる。
一般的に、ＩＴＯ膜の成膜の条件により、得られた導電性光学素子の表面抵抗の値が変化する傾向はあるが、構造体のアスペクト比を０．１以上１．８以下とした場合には、屈曲試験に対して導電性を保持できることがわかった。例えば、サンプル１−１〜サンプル１−３の抵抗変化と、サンプル２−１の抵抗変化の間には、明確な差が確認された。なお、φ４の金属棒への巻きつけの後のサンプル２−１およびサンプル３−１を目視にて観察したところ、白く曇ったような状態であった。これは、屈曲により、ＩＴＯ膜として形成された透明導電層に多数のクラックが入ったためと推測される。すなわち、抵抗変化の評価において、「×」印を付したサンプルは、十分な屈曲性が得られていないことがわかった。
【０１４４】
以上の屈曲試験の結果から、導電性光学素子の表面に、可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された構造体を形成し、透明導電層を構造体上に形成する場合において、構造体のアスペクト比を０．１以上１．８以下とし、透明導電層を構造体に倣った表面を有するようにすることで、屈曲試験に対して導電性光学素子の導電性を保持することができる。したがって、低抵抗および高透過を確保しながら、屈曲試験に対して導電性を保持できる導電性光学素子を実現することができる。
【０１４５】
以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【０１４６】
例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
【０１４７】
上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、この発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【０１４８】
上述の実施形態では、ロール原盤に形成された構造体を転写する例を説明したが、この発明はこの例に限定されるものではなく、矩形状原盤やディスク状原盤等を使用してもよい。
【０１４９】
また、上述の実施形態では、構造体の例として凸形状を例示したが、例えば、図１Ｃに示す凸形状を反転して凹形状とした構造体を用いてもよい。
【符号の説明】
【０１５０】
１                  導電性光学素子
２                  基体
３                  構造体
４                  透明導電層
３０                形状層
１０１              ロール原盤
１０２              基材
１０３              構造体
１１８              エネルギー線硬化性樹脂組成物
２０１              情報入力装置
２０１Ａ〜２０１Ｃ  タッチパネル
３０１              表示装置
４０１              電気化学素子
【図１】
2012123086.tif 000005
【図２】
2012123086.tif 000006
【図３】
2012123086.tif 000007
【図４】
2012123086.tif 000008
【図５】
2012123086.tif 000009
【図６】
2012123086.tif 000010
【図７】
2012123086.tif 000011
【図８】
2012123086.tif 000012
【図９】
2012123086.tif 000013
【図１０】
2012123086.tif 000014
【図１１】
2012123086.tif 000015
【図１２】
2012123086.tif 000016
【図１３】
2012123086.tif 000017