(57)【要約】【課題】蒸着ヘッドから噴射された成膜材料が被処理基板と、処理室又は他の蒸着ヘッドとの間で反跳し、蒸着されるべき箇所とは異なる部位に成膜材料が付着したり、各成膜材料噴出部からの蒸気が混じりあい隣接する膜中に不純物として混入する。【解決手段】被処理基板Ｇを収容する処理室１１と、成膜材料の蒸気を該被処理基板へ向けて噴出する成膜材料噴出部１３とを備える成膜装置１に、成膜材料噴出部１３から噴出され、被処理基板Ｇで反跳した成膜材料を捕捉する捕捉部１６，１６…を処理室１１の内部に備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を収容する処理室と、成膜材料の蒸気を該被処理基板へ向けて噴出する成膜材料噴出部とを備える成膜装置において、
前記成膜材料噴出部から噴出され、前記被処理基板で反跳した成膜材料を捕捉する捕捉部を前記処理室の内部に備える
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記捕捉部は、
前記成膜材料噴出部から噴出され、前記被処理基板で反跳した成膜材料が進入する複数の間隙又は穴部を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記捕捉部は、
対向している複数の板部を備える
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記被処理基板を支持する支持台を備え、
前記板部は、
面方向が前記支持台に対して交差するように配されており、前記被処理基板側の部位が前記成膜材料噴出部側へ曲がっている
ことを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記成膜材料噴出部は、
複数の成膜材料の蒸気を前記被処理基板へ向けてそれぞれ噴出する複数の蒸着ヘッドを備え、
前記捕捉部は、
前記複数の前記蒸着ヘッドの間に配されている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一つに記載の成膜装置。
【請求項６】
前記成膜材料噴出部は、
複数の成膜材料の蒸気を前記被処理基板へ向けてそれぞれ噴出する複数の蒸着ヘッドを備え、
前記捕捉部は、
略矩形状をなし、対向している複数の板部を備え、該複数の板部は、一辺が前記複数の前記蒸着ヘッドよりも前記被処理基板側に位置するように、前記複数の前記蒸着ヘッドの間に配されている
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記複数の板部は、
前記被処理基板側の部位が直近の前記蒸着ヘッド側へ曲がっている
ことを特徴とする請求項６に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜材料の蒸気を被処理基板へ向けて噴出する成膜材料噴出部を備えた成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、蒸着法によって有機ＥＬ素子を製造する成膜装置が開示されている。成膜装置は、ガラス基板等の被処理基板を収容する処理室を備えており、成膜材料の蒸気を発生させる蒸気発生部が処理室の外部に配置されている。処理室の内部には、配管を通じて蒸気発生部に接続され、蒸気発生部で発生した成膜材料の蒸気をガラス基板へ向けて噴出する成膜材料噴出部が設けられている。成膜材料噴出部は、並設された複数の蒸着ヘッドを有し、各蒸着ヘッドは、それぞれ異なる成膜材料を噴出する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００８／０６６１０３号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本願発明者は、蒸着ヘッドから噴射された成膜材料が被処理基板と、処理室又は他の蒸着ヘッドとの間で反跳し、蒸着されるべき箇所とは異なる部位に成膜材料が付着したり、各成膜材料噴出部からの蒸気が混じりあい隣接する膜中に不純物として混入するという問題を発見した。なお、特許文献１に記載の成膜装置には、成膜材料の反跳の問題、及びその問題を解決する構成は開示されていない。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る成膜装置は、被処理基板を収容する処理室と、成膜材料の蒸気を該被処理基板へ向けて噴出する成膜材料噴出部とを備える成膜装置において、前記成膜材料噴出部から噴出され、前記被処理基板で反跳した成膜材料を捕捉する捕捉部を前記処理室の内部に備えることを特徴とする。
【０００６】
本発明にあっては、被処理基板で反跳した成膜材料は、捕捉部によって捕捉される。従って、蒸着ヘッドから噴射された成膜材料が被処理基板と、処理室又は他の蒸着ヘッドとの間で反跳することを防止することが可能である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、蒸着ヘッドから噴射された成膜材料が被処理基板と、処理室又は他の蒸着ヘッドとの間で反跳し、蒸着されるべき箇所とは異なる部位に成膜材料が付着したり、各成膜材料噴出部からの蒸気が混じりあい隣接する膜中に不純物として混入することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施の形態に係る成膜システムの一構成例を概念的に説明する説明図である。
【図２】成膜装置の一構成例を模式的に示す斜視図である。
【図３】成膜装置の一構成例を模式的に示す側断面図である。
【図４】図３のIV−IV線断面図である。
【図５】第１蒸着ヘッドの底面図である。
【図６】本実施の形態に係る捕捉部の一構成例を示した側断面図である。
【図７】捕捉部の作用を概念的に示した説明図である。
【図８】捕捉部の作用を説明するための実験装置を模式的に示した側面図である。
【図９】変形例１に係る捕捉部の一構成例を示した側断面図である。
【図１０】変形例２に係る捕捉部の一構成例を示した側断面図である。
【図１１】変形例３に係る成膜装置の一構成例を概念的に説明する説明図である。
【図１２】変形例３に係る捕捉部の一構成例を示した側断面図である。
【図１３】変形例４に係る捕捉部の一構成例を示した側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
図１は、本実施の形態に係る成膜システムの一構成例を概念的に説明する説明図である。本実施の形態に係る成膜システムは、被処理基板Ｇ（図３参照）の搬送方向に沿って直列順に並べたローダ９０、トランスファーチャンバ９１、成膜装置１、トランスファーチャンバ９２、エッチング装置９３、トランスファーチャンバ９４、スパッタリング装置９５、トランスファーチャンバ９６、ＣＶＤ装置９７、トランスファーチャンバ９８、及びアンローダ９９にて構成される。
【００１０】
ローダ９０は、被処理基板Ｇ、例えば予め表面にＩＴＯ層が形成されたガラス基板Ｇを成膜システム内に搬入するための装置である。トランスファーチャンバ９１，９２，９４，９６，９８は、各処理装置間で被処理基板Ｇを受け渡しするための装置である。
成膜装置１は、真空蒸着法にて、被処理基板Ｇ上にホール注入層、ホール輸送層、青発光層、赤発光層、緑発光層、並びに電子輸送層ないし電子注入層を形成するための装置である。詳細は後述する。
エッチング装置９３は、有機層の形状を所定形状に調整するための装置である。
スパッタリング装置９５は、パターンマスクを用いて、例えば銀Ａｇ、マグネシウムＭｇ／銀Ａｇ合金等をスパッタリングすることによって、電子輸送層上に陰極層を形成する装置である。
ＣＶＤ装置９７は、窒化膜等からなる封止層をＣＶＤ法等によって成膜し、ガラス基板Ｇ上に形成された各種膜を封止するための装置である。
アンローダ９９は、被処理基板Ｇを成膜システム外へ搬出するための装置である。
【００１１】
図２は、成膜装置１の一構成例を模式的に示す斜視図、図３は、成膜装置１の一構成例を模式的に示す側断面図、図４は、図３のIV−IV線断面図である。成膜装置１は、被処理基板Ｇを収容する処理室１１と、成膜材料の蒸気を被処理基板Ｇへ向けて噴出する成膜材料噴出部１３とを含む。処理室１１は、搬送方向を長手方向とする中空略直方体形状をなし、アルミニウム、ステンレス等で構成されている。処理室１１の長手方向一端側の面（図２中背面側の面）には、被処理基板Ｇを処理室１１内に搬入するための搬入口１１ａが形成され、長手方向他端側の面（図２中手前側の面）には、被処理基板Ｇを処理室１１外へ搬出するための搬出口１１ｂが形成されている。搬入口１１ａ及び搬出口１１ｂは、搬入方向に対して直交した長手方向を有するスリット状であり、搬入口１１ａ及び搬出口１１ｂの長手方向は略同一である。以下、搬入口１１ａ及び搬出口１１ｂの長手方向を横方向、該横方向及び搬送方向に直交する方向を上下方向という。また、収容室の適宜箇所には、排気孔１１ｃが形成されており、排気孔１１ｃには、処理室１１の外部に配された真空ポンプ１５が排気管１４を介して接続されている。真空ポンプ１５を駆動することにより、処理室１１の内部は所定の圧力、例えば１０-2Ｐａに減圧される。
【００１２】
処理室１１内部の底部には、被処理基板Ｇを搬入口１１ａ側から搬出口１１ｂ側へ搬送する搬送装置１２が設置されている。搬送装置１２は、処理室１１の底部に長手方向に沿って設けられた案内レール１２ａと、該案内レール１２ａに案内されて搬送方向、即ち前記長手方向へ移動可能に設けられた移動部材１２ｂと、移動部材１２ｂの上端部に設けられており、被処理基板Ｇを底部に対して略平行になるように支持する支持台１２ｃとを含む。支持台１２ｃの内部には、被処理基板Ｇを保持する静電チャック、被処理基板Ｇの温度を一定に保つためのヒータ、冷媒管等が設けられている。なお、支持台１２ｃは、リニアモータによって移動するように構成されている。
【００１３】
また、処理室１１の上部、搬送方向略中央部には、被処理基板Ｇに対して真空蒸着法にて成膜を行う成膜材料噴出部１３が設けられている。成膜材料噴出部１３は、複数の成膜材料の蒸気を前記被処理基板へ向けてそれぞれ噴出する複数の蒸着ヘッド、即ち、ホール注入層を蒸着させる第１蒸着ヘッド１３ａ、ホール輸送層を蒸着させる第２蒸着ヘッド１３ｂ、青発光層を蒸着させる第３蒸着ヘッド１３ｃ、赤発光層を蒸着させる第４蒸着ヘッド１３ｄ、緑発光層を蒸着させる第５蒸着ヘッド１３ｅ、及び電子輸送層を蒸着させる第６蒸着ヘッド１３ｆを、搬送方向に沿って順に配置して構成されている。成膜材料噴出部１３には、処理室１１の外部に配された蒸気発生部１７が配管１８ａを介して接続されている。図４では、第１蒸着ヘッド１３ａに配管１８ａが接続される構成を代表的に図示しているが、他の第２乃至第６蒸着ヘッド１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ，１３ｆも同様の構成である。以下では、主に第１蒸着ヘッド１３ａ及び蒸気発生部１７の構成について説明する。
【００１４】
蒸気発生部１７は、容器１７ａと、容器１７ａの内部に配された加熱機構１７ｂとを含む。加熱機構１７は、各層の材料である有機系の成膜材料１７ｃを、電源から供給された電力によって加熱するように構成されている。例えば、電気抵抗体にて加熱するように構成されている。こうして、容器１７ａに収納した成膜材料１７ｃを加熱して、有機系の成膜材料１７ｃの蒸気を発生させる。また、容器１７ａには、被処理基板Ｇに対して不活性ガス、例えばＡｒなどの希ガス等からなる輸送ガスを供給する輸送ガス供給管１８ｂが接続されている。配管１８ａ及び輸送ガス供給管１８ｂにはそれぞれ、輸送ガス及び蒸気量を調整するための調整弁１８ｃ，１８ｄが設けられている。なお、配管１８ａ、輸送ガス供給管１８ｂ及び第１蒸着ヘッド１３ａを加熱する、図示しないヒータが各部に設けられている。ヒータは、成膜材料１７ｃの蒸気が管内に付着することを防止するためのものである。輸送ガス供給管１８ｂから容器１７ａに供給され、蒸気温度に加熱された輸送ガスと共に、成膜材料１７ｃの蒸気を蒸気発生部１７から配管１８ａを介して第１蒸着ヘッド１３ａへ供給するように構成されている。
更に、第１蒸着ヘッド１３ａには、成膜処理一時停止時などに、第１蒸着ヘッド１３ａ内の蒸気を排気するための蒸気排出管１８ｅが接続されている。蒸気排出管１８ｅには、該蒸気排出管１８ｅを開閉する開閉弁１８ｆが設けられている。なお、蒸気排出管１８ｅにも、該蒸気排出管１８ｅを加熱するヒータを設けると良い。
【００１５】
図５は、第１蒸着ヘッド１３ａの底面図である。第１蒸着ヘッド１３ａの底面には、成膜材料の蒸気を基板Ｇへ噴射する複数の噴出孔１３ｇが設けられている。噴出孔１３ｇは、例えば、基板Ｇの搬送方向に対して直交する方向に直線的に並び配されている。なお、噴出孔１３ｇの配列方法は、成膜材料１７ｃの蒸気を略均一に噴射することができれば特にこれに限定されない。
【００１６】
更に、成膜装置１は、成膜材料噴出部１３から噴出され、被処理基板Ｇで反跳した成膜材料を捕捉する複数の捕捉部１６を処理室の内部に含む。複数の捕捉部１６は、第１乃至第６蒸着ヘッド１３ａ〜１３ｆ間と、第１蒸着ヘッド１３ａの搬送方向上流側と、第２蒸着ヘッド１３ｂの搬送方向下流側とに配されている。各捕捉部１６は、同様の構成であるため、以下では、主に第１蒸着ヘッド１３ａと、第２蒸着ヘッド１３ｂとの間に配された補捉部について説明する。
【００１７】
図６は、本実施の形態に係る捕捉部１６の一構成例を示した側断面図である。捕捉部１６は、成膜材料噴出部１３から噴出され、被処理基板Ｇで反跳した成膜材料が進入する複数の間隙１６ｃを有する。具体的には、捕捉部１６は、第１蒸着ヘッド１３ａと、第２蒸着ヘッド１３ｂとを隔てる隔離壁１６ａと、略矩形状をなし、面対向している複数の板部１６ｂとを有し、複数の板部１６ｂは、被処理基板Ｇ側の一辺が第１及び第２蒸着ヘッド１３ａ，１３ｂよりも被処理基板Ｇ側に位置するように、第１及び第２蒸着ヘッド１３ａ，１３ｂの間に配されている。間隙１６ｃは、対向する複数の板部１６ｂによって構成されている。
より具体的には、隔離壁１６ａは下端部、つまり隔離壁１６ａの被処理基板Ｇ側の部分が被処理基板Ｇ又は支持台１２ｃに対して略平行な下面を有する。複数の板部１６ｂは、第１乃至第６蒸着ヘッド１３ａ〜１３ｆの並列方向と略同一方向に並ぶように面対向し、前記下面から下方へ略垂直に突出している。
より詳細には、捕捉部１６は、第１及び第２蒸着ヘッド１３ａ，１３ｂの横方向略中央部に配されており、捕捉部１６の厚み、即ち板部１６ｂの法線方向における一端側の板部１６ｂと、他端側の板部１６ｂとの距離をＤとした場合、下記式を満たす。下記式を満たした場合、第１及び第２蒸着ヘッド１３ａ，１３ｂから噴射され、捕捉部１６の板部１６ｂに衝突せずに最も鋭い角度で被処理基板Ｇに入射した成膜材料も捕捉部１６によって捕捉することが可能になる。
Ｄ≧２×ｄ×Ｈ／Δｄ
但し、
ｄ：板部１６ｂの下辺、即ち被処理基板Ｇ側の一辺と、被処理基板Ｇとの距離
Ｈ：前記法線方向における第１蒸着ヘッドと、第１蒸着ヘッドに直近の板部１６ｂとの距離
Δｄ：被処理基板Ｇの法線方向における板部１６ｂの下辺、即ち被処理基板Ｇ側の一辺と、第１蒸着ヘッドの下端部との距離
【００１８】
図７は、捕捉部１６の作用を概念的に示した説明図である。第２蒸気ヘッド１３ｂから噴出された成膜材料は、被処理基板Ｇで反跳し、捕捉部１６を構成する複数の板部１６ｂ間に進入する。図７中、第２蒸着ヘッド１３ｂの下端部から伸びる直線は、第２蒸着ヘッド１３ｂから噴射された成膜材料の軌跡を示している。板部１６ｂ間に進入した成膜材料は、該板部１６ｂ間で反跳を繰り返した後、板部１６ｂに付着する。つまり、成膜材料は捕捉部１６に捕捉される。
【００１９】
図８は、捕捉部１６の作用を説明するための実験装置を模式的に示した側面図である。図８Ａに示すように、第１基板２と、第２基板３とが横方向に並べられ、図示しない蒸着ヘッドから噴射された成膜材料の蒸気が第２基板３に直接付着しないように、保護板４が配された実験装置を用意する。そして、成膜材料の蒸気を第１基板２へ噴射する。次いで、第１基板２と、第２基板３とにそれぞれ付着した成膜材料の付着量を測定し、付着量の比を計算する。実験の結果、付着量の比は０．４３であった。つまり、第１基板２に付着した成膜材料の付着量を１とした場合、第２基板３に付着した成膜材料の付着量は０．４３であった。この実験結果より、第１基板２へ噴射された成膜材料の一部は、第１基板２と、保護板４との間で反跳し、第２基板３に付着することが分かる。
他方、図８Ｂに示すように、図８Ａと同様の構成を有し、保護板５に、本実施の形態と同様の捕捉部５ａを設けた実験装置を用意する。そして、成膜材料の蒸気を第１基板２へ噴射する。次いで、第１基板２と、第２基板３とにそれぞれ付着した成膜材料の付着量を測定し、付着量の比を計算する。実験の結果、付着量の比は０．０３７であった。
この実験結果より、捕捉部５ａは、第１基板２で反跳した成膜材料を捕捉し、成膜材料の反跳を防止する機能を有することが確かめられた。
【００２０】
本実施の形態にあっては、蒸着ヘッドから噴射された成膜材料が被処理基板Ｇと、処理室１１又は第１乃至第６蒸着ヘッド１３ａ〜１３ｆとの間で反跳し、蒸着されるべき箇所とは異なる部位に成膜材料が付着したり、第１乃至第６蒸着ヘッド１３ａ〜１３ｆからの蒸気が混じりあい隣接する膜中に不純物として混入することを防止することができる。従って、一の成膜材料を蒸着させている際、他の成膜材料が混入して蒸着されることを防止することができる。
【００２１】
なお、本実施の形態では、隔離壁１６ａの下端部に複数の板部１６ｂを設けた捕捉部１６を説明したが、複数の板部１６ｂのみで捕捉部１６を構成しても良い。
【００２２】
また、捕捉部１６を第１乃至第６蒸着ヘッド１３ａ〜１３ｆの間と、搬送方向両側とに配置した例を説明したが、処理室内のその他の部位に捕捉部１６を設けても良い。例えば、処理室の上部に捕捉部１６を設けると良い。この場合、被処理基板Ｇと、処理室の上部との間で成膜材料が反跳することを防止することができる。また、処理室の内側壁及び底部に捕捉部１６を設けても良い。
【００２３】
更に、複数の板部１６ｂが等間隔に並んだ捕捉部１６を説明したが、各板部１６ｂの間隔が異なるように構成しても良い。各板部１６ｂの間隔が非周期的である場合、より効果的に成膜材料を捕捉することが可能になる。
更にまた、本実施の形態では、主に有機系の成膜材料を捕捉する捕捉部について説明したが、無機系の成膜材料を成膜する成膜装置に本実施の形態に係る捕捉部を適用しても良い。
【００２４】
（変形例１）
変形例１に係る成膜装置１は、捕捉部１１６の構成のみが実施の形態と異なるため、以下では主に上記相異点について説明する。
図９は、変形例１に係る捕捉部１１６の一構成例を示した側断面図である。変形例１に係る捕捉部１１６は、実施の形態と同様、隔離壁１１６ａと、複数の板部１１６ｂとを有し、複数の板部１１６ｂによって、間隙１１６ｃが構成されている。複数の板部１１６ｂは、被処理基板Ｇ側の部位が直近の第１蒸着ヘッド１３ａ又は第２蒸着ヘッド１３ｂ側へ曲がっている。例えば、第１蒸着ヘッド１３ａ側に位置する板部１１６ｂは、被処理基板Ｇ側の部位が第１蒸着ヘッド１３ａ側に曲がり、第２蒸着ヘッド１３ｂ側に位置する板部１１６ｂは、被処理基板Ｇ側の部位が第２蒸着ヘッド１３ｂ側に曲がっている。他の第２乃至第６蒸着ヘッド１３ｂ〜１３ｆ間に配された捕捉部１１６も同様の構成である。
【００２５】
変形例１にあっては、板部１１６ｂの被処理基板Ｇ側の部位が直近の第１乃至第６蒸着ヘッド１３ａ〜１３ｆ側へ曲がっているため、被処理基板Ｇで反跳した成膜材料をより効果的に捕捉することができる。
【００２６】
（変形例２）
変形例２に係る成膜装置１は、捕捉部２１６の構成のみが実施の形態と異なるため、以下では主に上記相異点について説明する。
図１０は、変形例２に係る捕捉部２１６の一構成例を示した側断面図である。具体的には、捕捉部２１６は、第１蒸着ヘッド１３ａと、第２蒸着ヘッド１３ｂとを隔てる隔離壁２１６ａと、隔離壁２１６ａの下部、即ち被処理基板Ｇ側の部位に形成されており、成膜材料噴出部１３から噴出され、被処理基板Ｇで反跳した成膜材料が進入する複数の穴部２１６ｂを有する。穴部２１６ｂは、長穴であり、長手方向が第１乃至第６蒸着ヘッド１３ａ〜１３ｆの並列方向に対して直交する方向である。他の第２乃至第６蒸着ヘッド１３ｂ〜１３ｆ間に配された捕捉部２１６も同様の構成である。
【００２７】
変形例２にあっては、実施の形態と同様の効果を奏する。つまり、第１乃至第６蒸着ヘッド１３ａ〜１３ｆから噴射された成膜材料が被処理基板Ｇと、処理室又は他の蒸着ヘッドとの間で反跳し、蒸着されるべき箇所とは異なる部位に成膜材料が付着することを防止することができる。
【００２８】
なお、変形例２では、長穴を有する捕捉部を説明したが、長穴は一例であり、複数の円形、その他の形状の穴部を有する捕捉部を備えるように構成しても良い。
【００２９】
（変形例３）
変形例３に係る成膜処理システムは、成膜装置３０１がフェースダウン式である点と、捕捉部３１６の配置のみが実施の形態と異なるため、以下では主に上記相異点について説明する。
図１１は、変形例３に係る成膜装置３０１の一構成例を概念的に説明する説明図である。変形例３に係る成膜装置３０１は、実施の形態と同様の処理室１１を備える。処理室１１の底部には、成膜材料噴出部３１３が設けられている。成膜材料噴出部３１３は、搬送方向に並んだ第１乃至第６蒸着ヘッド３１３ａ〜３１３ｆを有し、各第１乃至第６蒸着ヘッド３１３ａ〜３１３ｆ間には、捕捉部３１６が配されている。
【００３０】
また、処理室１１内部には、被処理基板Ｇを保持し、搬入口１１ａから搬出口１１ｂへ搬送する搬送装置３１２が設置されている。
【００３１】
図１２は、変形例３に係る捕捉部３１６の一構成例を示した側断面図である。実施の形態と同様、捕捉部３１６は、成膜材料噴出部３１３から噴出され、被処理基板Ｇで反跳した成膜材料が進入する複数の間隙３１６ｃを有する。具体的には、捕捉部３１６は、第１蒸着ヘッド３１３ａと、第２蒸着ヘッド３１３ｂとを隔てる隔離壁３１６ａと、略矩形状をなし、面対向している複数の板部３１６ｂとを有し、複数の板部３１６ｂは、被処理基板Ｇ側の一辺が第１乃至第６蒸着ヘッド１３ａ〜１３ｆよりも被処理基板Ｇ側に位置するように、第１乃至第６蒸着ヘッド１３ａ〜１３ｆの間に配されている。間隙３１６ｃは、対向する複数の板部３１６ｂによって構成されている。
より具体的には、隔離壁３１６ａの上端部、つまり隔離壁３１６ａの被処理基板Ｇ側の部分が被処理基板Ｇ又は搬送装置３１２に対して略平行な上面を有する。複数の板部３１６ｂは、第１乃至第６蒸着ヘッド１３ａ〜１３ｆの並列方向と略同一方向に並ぶように面対向し、前記上面から上方へ略垂直に突出している。
【００３２】
変形例３にあっては、実施の形態と同様の効果を奏する。つまり、第１乃至第６蒸着ヘッド３１３ａ〜３１３ｆから噴射された成膜材料が被処理基板Ｇと、処理室１１又は他の第１乃至第６蒸着ヘッド１３ａ〜１３ｆとの間で反跳し、蒸着されるべき箇所とは異なる部位に成膜材料が付着することを防止することができる。
【００３３】
変形例４に係る成膜処理システムは、捕捉部４１６の構造及び処理室４１１に対する取り付け構造のみが実施の形態と異なるため、以下では主に上記相異点について説明する。
図１３は、変形例４に係る捕捉部４１６の一構成例を示した側断面図である。
変形例４に係る捕捉部４１６は、実施の形態と同様、隔離壁４１６ａと、複数の板部４１６ｂとを有し、複数の板部４１６ｂによって、間隙４１６ｃが構成されている。隔離壁４１６ａの内部には、捕捉部４１６を加熱する加熱部４１６ｄが設けられている。加熱部４１６ｄは、例えばカートリッジヒータであり、加熱部４１６ｄの動作は、図示しない制御部によって制御される。制御部は、例えば、成膜処理停止時に加熱部４１６ｄを動作させる。なお、加熱部４１６ｄによる加熱を手動で入切することが可能なスイッチを備える構成にしても良い。
捕捉部４１６は、良好な熱伝導性を有する材料、例えば銅で形成されている。なお、捕捉部４１６の表面を良好な熱伝導性を有する材料によって被覆するようにしても良い。
【００３４】
成膜装置は、処理室４１１に捕捉部４１６を着脱自在に保持する保持部４１１ｄを有する。保持部４１１ｄは、例えば、第１乃至第６蒸着ヘッド１３ａ〜１３ｆ間と、第１蒸着ヘッド１３ａの搬送方向上流側と、第２蒸着ヘッド１３ｆの搬送方向下流側とに設けられた凹部である。
【００３５】
このように構成された成膜処理システムにあっては、所定のタイミングで加熱部４１６ｄを動作させることによって、捕捉部４１６を加熱し、捕捉部４１６に付着した成膜材料を蒸発させ、除去することができる。この場合、捕捉部４１６を処理室４１１から取り外さずに、捕捉部４１６を清掃することができる。
【００３６】
また、保持部４１１ｄから捕捉部４１６を取り外して、ウェットクリーニングを行うこともできる。使用者は、ウェットクリーニングされた捕捉部４１６を、再び保持部４１１ｄの凹部に差し込むことによって、処理室４１１の上部に取り付けることができる。
【００３７】
なお、フェイスアップ成膜の場合、加熱部４１６ｄ及び保持部４１１ｄの双方を備える構成が好ましい。フェイスダウン成膜の場合、加熱部４１６ｄは必ずしも必要が無い。
【００３８】
また、隔離壁４１６ａの内部に、捕捉部４１６を冷却する水流路を設けても良い。捕捉部４１６を冷却することによって、被処理基板Ｇで反跳した成膜材料を、より効率的に捕捉することができる。
【００３９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものでは無いと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味では無く、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００４０】
１  成膜装置
１１  処理室
１２ｃ  支持台
１３  成膜材料噴出部
１３ａ  第１蒸着ヘッド
１３ｂ  第２蒸着ヘッド
１３ｃ  第３蒸着ヘッド
１３ｄ  第４蒸着ヘッド
１３ｅ  第５蒸着ヘッド
１３ｆ  第６蒸着ヘッド
１６，１１６，２１６，３１６  捕捉部
１６ａ，１１６ａ，２１６ａ，３１６ａ  隔離壁
１６ｂ，１１６ｂ，３１６ｂ  板部
１６ｃ，１１６ｃ，３１６ｃ  間隙
２１６ｂ  穴部
Ｇ  被処理基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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