(57)【要約】【課題】液晶中のイオン性不純物の偏在が抑制され、優れた表示品質が得られる液晶装置、液晶装置の製造方法、この液晶装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置は、一対の基板間に挟持された負の誘電異方性の液晶層と、複数の画素を含む表示領域Ｅ１とを有し、表示領域Ｅ１における一対の基板の液晶層に面する側のそれぞれに設けられ、第１方位角方向θａに略垂直配向処理が施されてなる第１配向膜と、表示領域Ｅ１を囲む周辺領域Ｅ２の少なくとも一部における一対の基板の液晶層に面する側のそれぞれに設けられ、第１方位角方向θａと交差する第２方位角方向θｄに略垂直配向処理が施されてなる第２配向膜と、を備えた。【選択図】図７
2012123144.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に挟持された負の誘電異方性の液晶層と、複数の画素を含む表示領域とを有する液晶装置であって、
前記表示領域における前記一対の基板の前記液晶層に面する側のそれぞれに設けられ、第１方位角方向に略垂直配向処理が施されてなる第１配向膜と、
前記表示領域を囲む周辺領域の少なくとも一部における前記一対の基板の前記液晶層に面する側のそれぞれに設けられ、前記第１方位角方向と交差する第２方位角方向に略垂直配向処理が施されてなる第２配向膜と、
を備えることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第１配向膜は、前記第１方位角方向にカラムが傾斜した無機配向膜であり、
前記第２配向膜は、前記第２方位角方向にカラムが傾斜した無機配向膜であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記表示領域は平面視で四角形であり、
前記第１方位角方向は、前記表示領域の辺部に対して斜めに交差する方向であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１方位角方向は、前記表示領域の辺部に対して略４５度の角度で交差し、
前記第２方位角方向は、前記表示領域の辺部に対して平行とならない角度で前記第１方位角方向と交差していることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第２配向膜は、前記表示領域の前記第１方位角方向の角部に沿った前記周辺領域の部分に設けられており、
前記表示領域の他の角部に沿った前記周辺領域の部分には、前記第１配向膜が設けられていることを特徴とする請求項３または４に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記周辺領域には、駆動可能なダミー画素が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
一対の基板間に挟持された負の誘電異方性の液晶層と、複数の画素を含む表示領域とを有する液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板のそれぞれにおいて、
前記表示領域に略垂直配向処理を第１方位角方向に施した第１配向膜を形成する第１配向膜形成工程と、
前記表示領域を囲む周辺領域の少なくとも一部に前記略垂直配向処理を前記第１方位角方向と交差する第２方位角方向に施した第２配向膜を形成する第２配向膜形成工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１配向膜形成工程は、前記第１方位角方向にカラムが傾斜した無機の前記第１配向膜を形成し、
前記第２配向膜形成工程は、前記第２方位角方向にカラムが傾斜した無機の前記第２配向膜を形成することを特徴とする請求項７に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１配向膜形成工程は、前記第２配向膜形成工程の後に行われることを特徴とする請求項７または８に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一般的に配向処理が施された一対の基板間に液晶が注入封止された構造となっている。このような液晶装置の製造過程において、イオン性不純物が例えば液晶注入時に混入したり、液晶層を取り囲むシール材から溶出すると、表示領域に拡散・凝集して表示特性の劣化を招くことが知られている。
【０００３】
このようなイオン性不純物に起因する表示特性の劣化を抑制することを目的として、例えば特許文献１には、一対の基板のうち、一方の基板は画素領域に形成された画素電極と、画素領域の周辺領域に形成された周辺電極とを含み、他方の基板は、該画素領域に形成された画素電極部と、該周辺領域に形成された周辺電極とを含み、少なくとも一方の周辺電極は隣接する複数の電極により構成され、該周辺電極の隣り合う電極間で印加する駆動電圧の電圧値が異なる液晶表示装置が開示されている。
【０００４】
上記特許文献１の液晶表示装置によれば、上記周辺電極の隣接する電極間の電位を変化させることにより、該電極間に横方向の電界が生じ、液晶の微小な揺らぎによる流れに加えて、画素領域内のイオン性不純物を画素領域の外側に移動させることができ、イオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示不良を防止できるとしている。
【０００５】
また、特許文献２には、マトリクス状に配置された複数の表示画素からなる表示部に画像を表示させるために、液晶層に印加される最低電圧の大きさが１．２ｖ以上である液晶表示装置が開示されている。
特許文献２の液晶表示装置によれば、上記最低電圧を規定することにより、イオン性不純物の流れ（フロー）が存在する部分と存在しない部分との境界近傍において焼き付きが発生することを防止できるとしている。つまり、液晶中のイオン性不純物の滞留を防止できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−５８４９７号公報
【特許文献２】特開２０１０−１１３１４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献１あるいは特許文献２の液晶表示装置は、用いられる液晶の電気光学特性に応じた専用の駆動用ＩＣなどの電子部品が必要となったり、駆動電圧（駆動波形）の調整が必要となり、製造コストの上昇、生産性の低下を招くおそれがあるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例の液晶装置は、一対の基板間に挟持された負の誘電異方性の液晶層と、複数の画素を含む表示領域とを有する液晶装置であって、前記表示領域における前記一対の基板の前記液晶層に面する側のそれぞれに設けられ、第１方位角方向に略垂直配向処理が施されてなる第１配向膜と、前記表示領域を囲む周辺領域の少なくとも一部における前記一対の基板の前記液晶層に面する側のそれぞれに設けられ、前記第１方位角方向と交差する第２方位角方向に略垂直配向処理が施されてなる第２配向膜と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、液晶中に含まれたイオン性不純物は表示領域において第１方位角方向に沿って移動するも、周辺領域では第１方位角方向と交差する第２方位角方向に移動するので、イオン性不純物が第１方位角方向に偏在することを抑制できる。それゆえに、イオン性不純物の偏在に起因する焼き付きなどの表示不良が低減された液晶装置を提供できる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例の液晶装置において、前記第１配向膜は、前記第１方位角方向にカラムが傾斜した無機配向膜であり、前記第２配向膜は、前記第２方位角方向にカラムが傾斜した無機配向膜であることを特徴とする。
これによれば、無機配向膜は、有機配向膜に比べてイオン性不純物の偏在による表示不良が発生し易いので、無機配向膜を備えた液晶装置に対して適用することは特に有効である。
【００１２】
［適用例３］上記適用例の液晶装置において、前記表示領域は平面視で四角形であり、前記第１方位角方向は、前記表示領域の辺部に対して斜めに交差する方向であるとしてもよい。
これによれば、液晶中のイオン性不純物は表示領域における第１方位角方向の角部に向かって移動するが、その後は上記角部の周辺領域において第１方位角方向と交差する第２方位角方向に移動する。つまり、イオン性不純物が表示領域の第１方位角方向の角部に偏在することを低減できる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例の液晶装置において、前記第１方位角方向は、前記表示領域の辺部に対して略４５度の角度で交差し、前記第２方位角方向は、前記表示領域の辺部に対して平行とならない角度で前記第１方位角方向と交差していることが好ましい。
第２方位角方向が表示領域の辺部と平行していると、周辺領域に移動したイオン性不純物が周辺領域の角部に集中し易く、イオン性不純物の量が多いとその影響は表示領域の角部に及ぶおそれがある。これによれば、第２方位角方向は、表示領域の辺部に対して平行とならない角度で第１方位角方向と交差しているので、イオン性不純物が表示領域の第１方位角方向の角部に偏在することをより低減できる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例の液晶装置において、前記第２配向膜は、前記表示領域の前記第１方位角方向の角部に沿った前記周辺領域の部分に設けられており、前記表示領域の他の角部に沿った前記周辺領域の部分には、前記第１配向膜が設けられていることを特徴とする。
これによれば、表示領域の各角部におけるイオン性不純物の偏在をより低減できる。
【００１５】
［適用例６］上記適用例の液晶装置において、前記周辺領域には、駆動可能なダミー画素が設けられていることを特徴とする。
これによれば、画素の電気的な駆動に伴って液晶分子の配向が第１方位角方向において変化することで第１方位角方向の流れが生じ、液晶中のイオン性不純物は当該流れに沿って移動する。したがって、周辺領域にも駆動可能なダミー画素を設けておくことで、周辺領域に運ばれたイオン性不純物を第２方位角方向に積極的に移動させることができる。つまり、イオン性不純物の偏在をより効率的に抑制することができる。
【００１６】
［適用例７］本適用例の液晶装置の製造方法は、一対の基板間に挟持された負の誘電異方性の液晶層と、複数の画素を含む表示領域とを有する液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のそれぞれにおいて、前記表示領域に略垂直配向処理を第１方位角方向に施した第１配向膜を形成する第１配向膜形成工程と、前記表示領域を囲む周辺領域の少なくとも一部に前記略垂直配向処理を前記第１方位角方向と交差する第２方位角方向に施した第２配向膜を形成する第２配向膜形成工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１７】
この方法によれば、表示領域の第１配向膜と、周辺領域の第２配向膜とは共に略垂直配向処理が施されているものの、方位角方向が異なるので、液晶中に含まれたイオン性不純物が表示領域において第１方位角方向に沿って移動するも、周辺領域では第１方位角方向と交差する第２方位角方向に移動する。したがって、イオン性不純物が第１方位角方向に偏在することが抑制され、イオン性不純物の偏在に起因する焼き付きなどの表示不良が低減された液晶装置を製造することができる。
【００１８】
［適用例８］上記適用例の液晶装置の製造方法において、前記第１配向膜形成工程は、前記第１方位角方向にカラムが傾斜した無機の前記第１配向膜を形成し、前記第２配向膜形成工程は、前記第２方位角方向にカラムが傾斜した無機の前記第２配向膜を形成することを特徴とする。
この方法によれば、無機配向膜は、有機配向膜に比べてイオン性不純物の偏在による表示不良が発生し易いので、無機配向膜の形成工程を備えた液晶装置の製造方法に対して適用することは特に有効である。
【００１９】
［適用例９］上記適用例の液晶装置の製造方法において、前記第１配向膜形成工程は、前記第２配向膜形成工程の後に行われることが好ましい。
この方法によれば、表示領域に第１配向膜を形成した後に第２配向膜を形成する場合に比べて、表示領域に後から第２配向膜が回り込んで形成される不具合を防止して、表示領域における安定的な配向状態を確保できる。
【００２０】
［適用例１０］本適用例の電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、イオン性不純物の偏在による表示不良が低減され、優れた表示品質を有する電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】（ａ）は液晶装置における無機配向膜の形成状態と液晶分子の配向状態とを示す概略断面図、（ｂ）は液晶分子の挙動を示す概略図。
【図４】（ａ）は表示領域と周辺領域との関係を示す概略平面図、（ｂ）は周辺領域におけるダミー画素の配置の一例を示す要部拡大平面図。
【図５】略垂直配向処理における方位角方向と表示ムラとの関係を示す概略平面図。
【図６】液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図７】略垂直配向処理における方位角方向を示す概略平面図。
【図８】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図９】変形例の略垂直配向処理の方法を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２３】
なお、以下の形態において、「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２４】
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２５】
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について、図１および図２を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図、図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２６】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０および対向基板２０は、透明な例えば石英などのガラス基板が用いられている。
【００２７】
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材４０を介して接合され、その隙間に液晶が封入されて液晶層５０を構成している。シール材４０は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２８】
額縁状に配置されたシール材４０の内側には、同じく額縁状に遮光膜２１が設けられている。遮光膜２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜２１の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっている。なお、図１では図示省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００２９】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。
以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００３０】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極１５およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin  Film  Transistor）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射して光リーク電流が流れ、不適切なスイッチング動作となることを防ぐ遮光構造が採用されている。
【００３１】
対向基板２０の液晶層５０側の表面には、遮光膜２１と、これを覆うように成膜された層間膜層２２と、層間膜層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とが設けられている。
【００３２】
遮光膜２１は、図１（ａ）に示すように平面的にデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３３】
層間膜層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜２１を覆うように設けられている。このような層間膜層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３４】
共通電極２３は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなり、層間膜層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３５】
画素電極１５を覆う配向膜１８および共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。本実施形態では、負の誘電異方性を有する液晶分子が配向膜面に対してプレチルト角を有して略垂直配向するように施されたものであって、例えば、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を物理気相成長法を用いて成膜した無機配向膜が用いられている。物理気相成長法としては、無機材料を真空中で気化して被成膜物上に到達させ成膜する、真空蒸着法、真空スパッタ法などが挙げられる。無機配向膜の形成方法や液晶分子の詳しい配向状態については後述する。
【００３６】
また、本実施形態では、画素領域Ｅは実効的な表示がなされる表示領域と表示領域を囲む周辺領域とを含むものである。さらには、表示領域と周辺領域とにおける略垂直配向処理の方位角方向が異なっている。このような配向膜１８，２４の形成方法については後述する。
【００３７】
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、データ線６ａ沿って平行するように配置された容量線３ｂとを有する。
走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００３８】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、保持容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３９】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４０】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が接続されている。保持容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。容量線３ｂは、固定電位に接続されている。固定電位としては例えばＧＮＤや共通電極２３に与えられる共通電位（ＬＣＣＯＭ）である。
【００４１】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００４２】
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００４３】
次に、液晶装置１００における液晶分子の配向状態について、図３を参照して説明する。図３（ａ）は液晶装置における無機配向膜の形成状態と液晶分子の配向状態とを示す概略断面図、同図（ｂ）は液晶分子の挙動を示す概略図である。
図３（ａ）に示すように、液晶装置１００における画素電極１５および共通電極２３の表面には、酸化シリコンを物理気相成長法の一例である真空蒸着法により斜め蒸着して得られた配向膜１８および配向膜２４が形成されている。具体的には、液晶層５０に面した基板面に対する蒸着方向の角度θｂはおよそ４５°である。このような斜め蒸着により基板面には蒸着方向に向って酸化シリコンの結晶体が柱状に成長する。この柱状結晶体をカラム１８ａ，２４ａと呼ぶ。配向膜１８，２４はこのようなカラム１８ａ，２４ａの集合体である。また、基板面に対するカラム１８ａ，２４ａの成長方向の角度θｃは蒸着方向の角度θｂと必ずしも一致せず、この場合およそ７０°となっている。
【００４４】
このような配向膜１８，２４の表面において略垂直配向する液晶分子ＬＣのプレチルト角θｐはおよそ８５°である。また、基板面の法線方向から見た液晶分子ＬＣのプレチルトの方向すなわち方位角方向は、配向膜１８，２４における斜め蒸着の平面的な蒸着方向と同じである。略垂直配向処理の上記方位角方向は、液晶装置１００の光学設計条件に基づいて適宜設定される。
【００４５】
対向配置された素子基板１０および対向基板２０ならびにこれら一対の基板間に挟持された液晶層５０を含めたものを液晶パネル１１０と呼ぶ。液晶装置１００は、液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ配置された偏光素子４１，４２を有して用いられる。また、偏光素子４１，４２は、偏光素子４１，４２のうちの一方の透過軸または吸収軸がＸ方向またはＹ方向に対して平行となるように、且つ互いの透過軸または吸収軸が直交するように液晶パネル１１０に対してそれぞれ配置されている。
【００４６】
本実施形態では、表示領域において偏光素子４１，４２の透過軸または吸収軸に対して液晶分子ＬＣのプレチルトの方位角が４５°で交差するように略垂直配向処理が施されている。したがって、図３（ｂ）に示すように画素電極１５と共通電極２３との間に駆動電圧を印加して液晶層５０を駆動すると、液晶分子ＬＣがプレチルトの方位角方向に倒れることにより、高い透過率が得られる光学的な配置となっている。液晶層５０の駆動（ＯＮ／ＯＦＦ）を繰り返すと、液晶分子ＬＣはプレチルトの方位角方向に倒れたり、初期の配向状態に戻ったりする挙動を繰り返す。このような液晶分子ＬＣの挙動が起る略垂直配向処理を１軸の略垂直配向処理という。
【００４７】
なお、液晶パネル１１０に対する光の入射方向は、図３（ａ）に示すように素子基板１０側から入射することに限定されない。また、光の入射側または射出側に位相差板などの光学補償素子を備える構成としてもよい。
【００４８】
図４（ａ）は表示領域と周辺領域との関係を示す概略平面図、同図（ｂ）は周辺領域におけるダミー画素の配置の一例を示す要部拡大平面図である。
【００４９】
図４（ａ）に示すように、液晶装置１００における画素領域Ｅは、実効的な表示がなされる表示領域Ｅ１とこれを取り囲む周辺領域Ｅ２とにより構成されている。
【００５０】
図４（ｂ）に示すように、表示領域Ｅ１には画素Ｐ１がマトリクス状に配置されている。周辺領域Ｅ２には、表示領域Ｅ１を取り囲むようにＸ方向に複数のダミー画素Ｐ２からなる列が３列配置され、Ｙ方向に複数のダミー画素Ｐ２からなる行が３行配置されている。画素Ｐ１およびダミー画素Ｐ２は、共に前述した画素Ｐの電気的な構成を備えるものであって、それぞれに与えられた信号によって駆動することができる。なお、周辺領域Ｅ２におけるダミー画素Ｐ２の配置数は、これに限定されるものではない。
【００５１】
図５は略垂直配向処理における方位角方向と表示ムラとの関係を示す概略平面図である。図５に示すように、表示領域Ｅ１において１軸の略垂直配向処理の方位角方向をＹ方向となす方位角θａが４５°となるように設定する。具体的には、破線で示した矢印方向が素子基板１０に対する斜め蒸着の方向であり、右上から左下に向かう方向である。一方、実線で示した矢印方向が素子基板１０に対向配置される対向基板２０に対する斜め蒸着の方向であり、左下から右上に向かう方向である（図３参照）。このような表示領域Ｅ１における方位角方向を方位角θａをそのまま利用して第１方位角方向θａと呼ぶこともある。
【００５２】
このような第１方位角方向θａによれば、液晶層５０つまり前述した画素Ｐ１（図４（ｂ）参照）を駆動することにより、基板面に対して略垂直配向した液晶分子ＬＣが第１方位角方向θａに振られる挙動を示す。これにより、第１方位角方向θａに向かう液晶分子ＬＣの挙動すなわち流れ（フロー）が生じて、液晶中に含まれたイオン性不純物はこの流れ（フロー）に沿って液晶中を移動し、やがて第１方位角方向θａに位置する表示領域Ｅ１の角部に運ばれてイオン性不純物の偏在が生ずる。そうすると、図５に示すように表示領域Ｅ１の角部においてイオン性不純物の偏在に起因する例えば焼き付きや輝度ムラなどの表示ムラが発生する。
なお、第１方位角方向θａが４５°とは、図５に示すように右上がり４５°だけでなく、右下がり４５°でもよく、その場合には図５において表示領域Ｅ１の左上と右下の角部に表示ムラが発生する。
【００５３】
本実施形態では、表示領域Ｅ１と周辺領域Ｅ２とにおいて略垂直配向処理の方位角方向を異ならせることにより、表示領域Ｅ１の角部に運ばれるイオン性不純物を周辺領域Ｅ２において第１方位角方向θａとは異なる方向に移動させる。これにより、このような表示領域Ｅ１の角部におけるイオン性不純物の偏在を抑制し、表示ムラを低減している。より具体的な略垂直配向処理の方法については、以降の液晶装置の製造方法において説明する。
【００５４】
＜液晶装置の製造方法＞
次に、本実施形態の液晶装置１００の製造方法について、図６および図７を参照して説明する。図６は液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図７は略垂直配向処理における方位角方向を示す概略平面図である。
【００５５】
図６に示すように、本実施形態の液晶装置１００の製造方法は、素子基板１０側における製造工程を示す、画素形成工程（ステップＳ１）と、第２配向膜形成工程（ステップＳ２）と、第１配向膜形成工程（ステップＳ３）とを備えている。また、対向基板２０側における製造工程を示す、対向電極形成工程（ステップＳ４）と、第２配向膜形成工程（ステップＳ５）と、第１配向膜形成工程（ステップＳ６）とを備えている。そして、それぞれに配向膜が形成された素子基板１０と対向基板２０との間に液晶を注入・封止する液晶注入・封止工程（ステップＳ７）を備えている。
【００５６】
まず、ステップＳ１の画素形成工程では、素子基板１０に走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、保持容量１６とを形成する。このような画素回路を形成する方法としては、公知の方法を採用することができる。また、このような画素回路は、表示領域Ｅ１においては画素Ｐ１として機能し、周辺領域Ｅ２ではダミー画素Ｐ２として機能するように形成される。つまり、画素形成工程は、ダミー画素Ｐ２を形成する工程を含むものである。そして、ステップＳ２へ進む。
【００５７】
ステップＳ２の第２配向膜形成工程では、図７に示すように、素子基板１０の周辺領域Ｅ２に対して第２方位角方向θｄの略垂直配向処理を施す。具体的には、素子基板１０の表示領域Ｅ１を例えばマスクなどで遮蔽した状態で、周辺領域Ｅ２に第１方位角方向θａに対して交差する第２方位角方向θｄから酸化シリコンを斜め蒸着する。より具体的には、素子基板１０における略垂直配向処理面を上にしたときに、図面上で右下から左上に向かう４５°の方向または左上から右下に向かう４５°の方向から斜め蒸着する。つまり、第１方位角方向θａと第２方位角方向θｄとは直交することになる。これにより、素子基板１０の周辺領域Ｅ２には第２方位角方向θｄの略垂直配向処理が施された第２配向膜（無機配向膜）が形成される。そして、ステップＳ３へ進む。
【００５８】
ステップＳ３の第１配向膜形成工程では、同じく図７に示すように、素子基板１０の表示領域Ｅ１に対して第１方位角方向θａの略垂直配向処理を施す。具体的には、素子基板１０の周辺領域Ｅ２を例えばマスクなどで遮蔽した状態で、表示領域Ｅ１に第１方位角方向θａから酸化シリコンを斜め蒸着する。より具体的には、素子基板１０における略垂直配向処理面を上にしたときに、図面上で右上から左下に向かう４５°の方向から斜め蒸着する。これにより、素子基板１０の表示領域Ｅ１には第１方位角方向θａの略垂直配向処理が施された第１配向膜（無機配向膜）つまり配向膜１８（図３（ａ）参照）が形成される。そして、ステップＳ４へ進む。
【００５９】
ステップＳ４の対向電極形成工程では、対向基板２０の液晶層５０に面する側に共通電極２３を形成する。具体的には、ＩＴＯなどの透明導電膜を例えばスパッタ法により成膜してパターニングすることにより共通電極２３を形成する。なお、遮光膜２１と、これを覆う層間膜層２２の形成方法は公知の方法を用いることができる。そして、ステップＳ５へ進む。
【００６０】
ステップＳ５の第２配向膜形成工程では、素子基板１０と同様にして、図７に示すように、対向基板２０の周辺領域Ｅ２に対して第２方位角方向θｄの略垂直配向処理を施す。具体的には、対向基板２０の表示領域Ｅ１を例えばマスクなどで遮蔽した状態で、周辺領域Ｅ２に第１方位角方向θａに対して交差する第２方位角方向θｄから酸化シリコンを斜め蒸着する。より具体的には、対向基板２０における略垂直配向処理面を下にしたときに、図面上で右下から左上に向かう４５°の方向または左上から右下に向かう４５°の方向から斜め蒸着する。つまり、第１方位角方向θａと第２方位角方向θｄとは直交することになる。これにより、対向基板２０の周辺領域Ｅ２には第２方位角方向θｄの略垂直配向処理が施された第２配向膜（無機配向膜）が形成される。そして、ステップＳ６へ進む。
【００６１】
ステップＳ６の第１配向膜形成工程では、素子基板１０と同様にして、図７に示すように、対向基板２０の表示領域Ｅ１に対して第１方位角方向θａの略垂直配向処理を施す。具体的には、対向基板２０の周辺領域Ｅ２を例えばマスクなどで遮蔽した状態で、表示領域Ｅ１に第１方位角方向θａから酸化シリコンを斜め蒸着する。より具体的には、対向基板２０における略垂直配向処理面を下にしたときに、図面上で左下から右上に向かう４５°の方向から斜め蒸着する。これにより、対向基板２０の表示領域Ｅ１には第１方位角方向θａの略垂直配向処理が施された第１配向膜（無機配向膜）つまり配向膜２４（図３（ａ）参照）が形成される。そして、ステップＳ７へ進む。
【００６２】
ステップＳ７の液晶注入・封止工程では、略垂直配向処理がそれぞれ施された素子基板１０と対向基板２０のうちいずれか一方にシール材４０を例えば印刷法や吐出法を用いて所定の位置に配置する。素子基板１０と対向基板２０とを所定の間隔をおいて対向配置してシール材４０を硬化させる。そして、素子基板１０と対向基板２０との隙間に負の誘電異方性を有する液晶を注入する。液晶の注入方法としては、例えば素子基板１０と対向基板２０との隙間を減圧してシール材４０に設けられた注入口から液晶を該隙間に注入する真空注入法が挙げられる。シール材４０に設けられた注入口は液晶注入後に例えば紫外線硬化型の接着剤を用いて封止される。なお、液晶の注入・封止方法としてはこれに限定されず、シール材４０を額縁状に配置してこれを土手とし、シール材４０で囲まれた内側に減圧下で液晶を滴下した後に素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる、所謂ＯＤＦ（One  Drop  Fill）法を用いてもよい。
【００６３】
上記実施形態の液晶装置１００およびその製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）複数の画素Ｐ１が設けられた表示領域Ｅ１の略垂直配向処理が施された第１配向膜は、Ｙ方向に対する方位角θａが４５°となるように酸化シリコンを斜め蒸着することによって形成される。これに対して、複数のダミー画素Ｐ２が設けられた周辺領域Ｅ２の略垂直配向処理が施された第２配向膜は、第１方位角方向θａに対して直交する第２方位角方向θｄから同じく酸化シリコンを斜め蒸着することにより形成される。したがって、液晶中のイオン性不純物は、第１方位角方向θａに沿って移動し、表示領域Ｅ１の第１方位角方向θａの角部に向かって運ばれるも、周辺領域Ｅ２では第１方位角方向θａと交差する第２方位角方向θｄに移動する。ゆえに、表示領域Ｅ１の第１方位角方向θａの角部にイオン性不純物が偏在することが抑制され、イオン性不純物の偏在に起因する表示ムラが低減される。
【００６４】
（２）また、偏光素子４１，４２の透過軸または吸収軸に対して略垂直配向処理における第１方位角方向θａが４５°となるように設定され、第１方位角方向θａと第２方位角方向θｄとが直交しているので、表示領域Ｅ１と周辺領域Ｅ２とにおいて光学特性上での差が生じない。つまり、表示領域Ｅ１における第１方位角方向θａと周辺領域Ｅ２における第２方位角方向θｄとを異ならせても周辺領域Ｅ２から光漏れが発生しない。
【００６５】
（３）表示領域Ｅ１に第１方位角方向θａの略垂直配向処理が施された第１配向膜を形成する第１配向膜形成工程は、周辺領域Ｅ２に第２方位角方向θｄの略垂直配向処理が施された第２配向膜を形成する第２配向膜形成工程の後に行われる。したがって、表示領域Ｅ１における第１方位角方向θａの略垂直配向処理に対して第２方位角方向θｄの略垂直配向処理の影響が及ばないので、表示領域Ｅ１において安定した液晶分子ＬＣの配向状態が得られる。
【００６６】
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について図８を参照して説明する。図８は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００６７】
図８に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００６８】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００６９】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００７０】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００７１】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００７２】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００７３】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶中のイオン性不純物の偏在が抑制された液晶装置１００を備え、高い表示品位が実現されている。
【００７４】
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００７５】
（変形例１）液晶装置１００における周辺領域Ｅ２の略垂直配向処理の方法は、これに限定されない。図９は変形例の略垂直配向処理の方法を示す概略平面図である。例えば、図９に示すように、第１方位角方向θａにおける角部に沿った周辺領域Ｅ３，Ｅ４では、第１方位角方向θａに直交する第２方位角方向θｄの略垂直配向処理が施された第２配向膜を設ける。他の角部に沿った周辺領域Ｅ５，Ｅ６では、第１方位角方向θａに略垂直配向処理が施された第１配向膜を設ける。これによれば、表示領域Ｅ１のすべての角部にイオン性不純物が移動してきたとしてもそれぞれの角部に対応する周辺領域Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５，Ｅ６において該角部に偏在しないようにイオン性不純物を移動させることができる。つまり、周辺領域Ｅ２における略垂直配向処理は一様な方位角方向に施さなくてもよく、表示領域Ｅ１における１軸の略垂直配向処理の方位角方向を鑑みてイオン性不純物が偏在し難くなるように設定すればよい。
【００７６】
（変形例２）液晶装置１００における対向基板２０の遮光膜２１は、表示領域Ｅ１と周辺領域Ｅ２とを含む画素領域Ｅを取り囲むように配置されていたが、これに限定されない。例えば、平面的に周辺領域Ｅ２と重なり表示領域Ｅ１を取り囲むように設けてもよい。そうすると、周辺領域Ｅ２が遮光されるので、周辺領域Ｅ２において光漏れが生じても問題とならない。つまり、周辺領域Ｅ２における略垂直配向処理の第２方位角方向θｄは、第１方位角方向θａと直交する必要はない。それゆえに、第２方位角方向θｄはＹ方向に対する交差角度が４５°である必要はなく、角部へのイオン性不純物の偏在を抑制する観点では、表示領域Ｅ１の辺部に対して平行とならない角度で第１方位角方向θａと交差するように設定すればよい。言い換えれば、第２方位角方向θｄの設定における自由度が向上する。これにより、例えば斜め蒸着装置において、略垂直配向処理が施される基板の配置などの設計自由度が向上し、よりコンパクトな蒸着装置設計が可能となる。
【００７７】
（変形例３）液晶装置１００における表示領域Ｅ１は四角形に限定されない。例えば、角部を有する三角形や五角形などの多角形であっても、本発明を適用できる。
【００７８】
（変形例４）液晶装置１００における配向膜１８，２４は無機配向膜に限定されない。例えば、光反応性の有機膜に紫外線などの光を配向方向に基づいて照射して略垂直配向処理が施された有機配向膜を用いても、本発明を適用することができる。
【００７９】
（変形例５）液晶装置１００は透過型に限定されない。画素電極１５が光反射性を有する反射型の液晶装置１００であっても、本発明を適用することができる。
【００８０】
（変形例６）上記液晶装置１００が適用される電子機器は、投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００８１】
１０…素子基板、１８，２４…配向膜、２０…対向基板、５０…液晶層、１００…液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ１…表示領域、Ｅ２…周辺領域、Ｐ，Ｐ１…画素、Ｐ２…ダミー画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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