(57)【要約】      （修正有）【課題】少なくとも表裏の一方の面に機能層を備えたマイクロエレクトロニクス又はオプトエレクトロニクス用基板の処理方法を提供する。【解決手段】機能層５２の露出表面５４に対する化学−機械的研磨工程を含み、この研磨工程の実行前に還元性雰囲気１００内での焼鈍工程２００を更に含む方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表裏の一方の面に機能層（５２）を備えたマイクロエレクトロニクス又はオプトエレクトロニクス用基板（５０）の処理に際して前記機能層（５２）の露出表面（５４）に対する化学−機械的研磨工程を含む基板処理方法において、前記研磨工程（２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ）の前に還元性雰囲気下での焼鈍工程（１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１０１Ｄ、１０２Ｄ）を更に含むことを特徴とする処理方法。
【請求項２】
還元性雰囲気下での焼鈍工程を、３分未満、特別には６０秒未満、更に特別には３０秒未満の処理時間で実行することを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項３】
還元性雰囲気下での焼鈍工程を、１１００℃〜１３００℃、特別には１２００℃〜１２３０℃の焼鈍温度で実行することを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項４】
研磨工程（２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ）の後に機能層（５２）の厚さの少なくとも一部を酸化する酸化工程（３１０Ａ、３１２Ｂ、３１２Ｃ）を更に含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項５】
研磨工程（２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ）の前に機能層（５２）の厚さの少なくとも一部を酸化する酸化工程（３１１Ｂ、３１１Ｃ）を更に含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項６】
少なくとも１回の脱酸工程（３３０Ａ、３３１Ｂ、３３２Ｂ、３３１Ｃ、３３２Ｃ）を更に含むことを特徴とする請求項４又は５に記載の処理方法。
【請求項７】
少なくとも１回の熱処理工程（３２０Ａ、３２１Ｂ、３２２Ｂ、３２１Ｃ、３２２Ｃ）を更に含み、該熱処理工程（３２０Ａ、３２１Ｂ、３２２Ｂ、３２１Ｃ、３２２Ｃ）が終了する前に機能層（５２）に対する酸化工程を実行して機能層（５２）の残りの部分を保護することを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項８】
研磨工程（２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ）の後に還元性雰囲気下での焼鈍工程（１０２Ｄ）を更に含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項９】
ウエハを支持基板上へ移載してから、後に還元性雰囲気下での焼鈍工程（１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１０１Ｄ、１０２Ｄ）と研磨工程（２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ）とに付されるべき機能層（５２）を構成する薄膜層を前記ウエハ上に形成するために、ウエハの一方の表面下の注入領域に原子を注入する工程と、この原子注入を受けた側のウエハ面を前記支持基板に密着結合する工程と、前記注入領域においてウエハを劈開させる工程とを更に含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項１０】
機能層（５２）が半導体からなることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項１１】
前記半導体がシリコンであることを特徴とする請求項１０に記載の処理方法。
【請求項１２】
前記還元性雰囲気が水素を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項１３】
前記還元性雰囲気がアルゴンを含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項１４】
少なくとも表裏の一方の面に機能層（５２）を備え、該機能層（５２）の露出表面（５４）に対する化学−機械的研磨工程（２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ）を経て製造されたマイクロエレクトロニクス又はオプトエレクトロニクス用基板において、前記研磨工程（２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ）の前に還元性雰囲気下での焼鈍工程（１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１０１Ｄ、１０２Ｄ）も経ていることを特徴とする基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロエレクトロニクス及び/又はオプトエレクトロニクス部品の製造を目的とする基板の処理方法に関する。
本発明はまた、上記処理方法により得られた基板にも関する。
より詳細には、本発明は、全体が半導体（例えばシリコン）若しくは全体が絶縁体である基板、あるいは半導体層若しくは絶縁体層の積層体からなる基板の処理方法に関する。そのような基板としては、表面上に単一層（例えばエピタキシャル層）を形成してなる基板、あるいは製造工程がかなり進んだ段階において素子若しくは素子の一部を含んでなる基板のような不均一構造を持つ基板も含まれる。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板の表裏の少なくとも一方の面には、表面に形成される素子の少なくとも一部を形成する材料層が表面から或る深さまで存在している。この層をここでは「機能層」と称する。
【０００３】
この機能層の品質は素子の品質を左右し、従って機能層の品質を向上させるために多くの試みが絶えずなされてきた。例えば、この機能層の表面粗さを小さくすると共に層厚内における欠陥の密度を減少させるための幾つかの試みがなされてきている。
【０００４】
化学−機械的研磨法を使用することにより機能層の表面粗さを小さくし得ることは公知である。
【０００５】
また、機能層における欠陥の密度が、機能層表面に向かって増加していくような密度勾配をもつ場合、化学−機械的研磨技術を用いて機能層における欠陥の密度を減少させ得ることも知られている。この場合、化学−機械的研磨による機能層の研磨は、機能層の初期表面よりも深い位置で許容し得る欠陥密度を持つ領域まで行われる。
【０００６】
しかしながら、化学−機械的研磨は、機能層における或る特性の劣化や、基板製造能力の低下を引き起こすことも知られている（フランス公開特許第２７６２１３６号及び同第２７６１５２６号公報）。
【０００７】
従って、特に機能層をシリコンで構成する場合、化学−機械的研磨を水素含有雰囲気下における焼鈍工程に置き換えることが提唱されている（フランス公開特許第２７６２１３６号及び同第２７６１５２６号公報）。水素含有雰囲気下でシリコンからなる機能層を有する基板を焼鈍すると、結晶欠陥の修復と同時に、特にシリコン表面の再構成によって表面粗さが小さくなる効果も得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】フランス公開特許第２７６２１３６号公報
【特許文献２】フランス公開特許第２７６１５２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の一つの目的は、機能層の品質を更に向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的は、本発明によれば、少なくとも表裏の一方の面に機能層を備えたマイクロエレクトロニクス又はオプトエレクトロニクス用基板の処理に際して機能層の露出表面に対する化学−機械的研磨工程を含む基板処理方法において、前記研磨工程の前に還元性雰囲気下での焼鈍工程を実行することにより達成される。
【００１１】
化学−機械的研磨が研磨表面の下部材料に或る欠陥を引き起こし、特に機能層において基板厚さに不均一を生じさせる傾向があることは良く知られている。
【００１２】
しかしながら、驚くべきことに、本願発明者らは、化学−機械的研磨工程に先立つ還元性雰囲気下での焼鈍工程により単純研磨又は単純焼鈍における場合よりも一層効果的に機能層の品質を向上させ得るのみならず、単純化学−機械的研磨における有害作用の殆ど全てを排除し得ることの知見を得たのである。これは、還元性雰囲気下での焼鈍工程により既に機能層表面の平滑化が開始されるためである。このため、所望の表面粗さを得るために要する研磨時間が短縮され、結果として本発明による方法は生産能力の向上を可能にするものである。加えて、研磨時間の短縮化によって上記のような研磨による悪影響や研磨が長時間続く際に屡々発生する虞れのある膜厚均一性の欠如も抑制される。
【００１３】
このように、本発明による方法を実施すると、機能層の品質は特に表面粗さに関して格段に優れたものとなる。
【００１４】
表面粗さの測定は、一般には原子間力顕微鏡を使用して行うことができる。この種の原子間力顕微鏡装置においては、原子間力顕微鏡チップによる走査領域、即ち１×１μｍ2から１０×１０μｍ2、稀に５０×５０μｍ2、時として１００×１００μｍ2に及ぶ範囲の領域における表面粗さが測定可能である。表面粗さは、特に二つの周波数成分要素によって特徴付けられる。即ち、周波数成分の一つは高周波粗さと呼ばれる１×１μｍ2程度の走査領域内における粗さであり、他の一つは低周波粗さと呼ばれる１０×１０μｍ2程度又はそれ以上の走査領域における粗さである。
【００１５】
化学−機械的研磨及び還元雰囲気下での焼鈍は、異なる周波数成分にそれらが与える影響において際立っている。例えば還元雰囲気下での焼鈍は高周波粗さの平滑化を促進するが、どちらかといえば低周波粗さに属する波状の緩やかな起伏の減少に関してはそれほど効果的ではない。一方、化学−機械的研磨は低周波粗さの改善に有効である。
【００１６】
本発明による方法では、還元性雰囲気下での焼鈍工程において高周波粗さの平滑化を可能とし、研磨工程において波状の起伏、即ち一種の低周波粗さの改善を可能としている。ここで、高周波粗さが小さいことは良好なシールド酸化物層を得るための基本条件であり、波状起伏（低周波粗さ）が小さいことは機能層の露出表面に他の基板を接合することが必要な場合に有利な条件である。
【００１７】
本発明による方法は、表面粗さに関する効果に加えて、機能層における構造欠陥の密度を減少させることをも可能にするものである。特に、還元性雰囲気下での焼鈍工程は機能層表面の再構成又は再構築を開始させ得るので、機能層の厚さ内における構造欠陥を修復することができる。この修復は部分的に可能なだけであるが、それにもかかわらず、化学−機械的研磨工程を充分長い時間に亘って継続することにより、機能層の厚さ部分における機能層露出表面近傍領域で欠陥の大部分を含む材料を除去することができる。従って、本発明方法は、機能層の露出表面に向かって増加する欠陥密度勾配が存在し、それゆえ露出表面近傍領域における欠陥密度が大きい場合に特に有効である。還元性雰囲気下での焼鈍工程による欠陥修復と、研磨工程による部分的な材料除去との複合効果により、機能層の露出表面領域における欠陥を効果的に排除することが可能である。
【００１８】
本発明の方法により、上述のようにマイクロエレクトロニクス又はオプトエレクトロニクス用の機能層としての使用に耐え得る充分な品質の機能層を有する基板を得ることができる。
【００１９】
本発明において、還元性雰囲気は好ましくは水素を主体とする組成の気体である。また、この還元性雰囲気はアルゴンを含んでいることが好ましい。
【００２０】
還元性雰囲気は１００％水素の組成とすることができる。但し、還元性雰囲気を水素とアルゴンとの混合気体とすることも有利である。この混合気体におけるＨ2／Ａｒ組成比は２０／８０又は２５／７５とすることが好ましい。このような組成比においては、水素が効果を奏するに充分な濃度となる一方でアルゴンの存在により混合気体が良好な熱伝導性をもつことになるからである。雰囲気の熱伝導性を向上させることにより基板側の熱的制約が軽減され、それによってスライディングバンド型の欠陥の発生を抑制することができる。またこの種の混合気体は低腐食性であるので、特定の種類の欠陥による選択的腐食を軽減することもできる。
【００２１】
本発明による方法の好ましい一形態では、意図的に犠牲となる酸化工程を更に含んでいる。この犠牲的な酸化工程は、機能層を少なくともその厚みの一部について酸化する工程と、この酸化部分から酸素を除去する工程とを含み、この意味でここでは酸化を犠牲的と呼んでいる。これらの酸化工程と酸素除去工程は、研磨工程の後及び／又は前に実行することができる。
【００２２】
犠牲的な酸化工程は、機能層を構成する材料が易酸化材料であっても難酸化材料であっても、機能層の品質を向上させるためには付加的に実行することが好ましい。本明細書、特に請求項に記載した範囲内において、この犠牲的酸化工程は機能層の材料が易酸化性であるか否かに関らず実行され得るものと理解すべきである。
【００２３】
研磨工程及び犠牲的酸化工程の各々は、過度の欠陥密度を有する機能層部分の除去に関与するものである。但し、研磨工程に続く犠牲的酸化工程は、研磨工程によって発生した表面欠陥の除去により特異的に関与する。
【００２４】
また犠牲的酸化工程は、研磨工程における他の有害作用を抑制するためにも有効である。特に、比較的厚い欠陥層が当初から存在する場合はそれを除去するために長時間の研磨が必要となるが、一般に長時間の研磨は膜厚均一性の欠如をもたらす。この欠点は、除去すべき材料層が厚くなればなるほど研磨工程の実行時間が長くなるので一層深刻になる。更に、長時間の研磨工程はプロセスの進行を長引かせ、生産能力を制限することになる。本発明による方法において、付加的に犠牲的酸化工程を導入することにより、比較的大きな欠陥密度を持つ機能層部分の除去にこの犠牲的酸化工程が大きく寄与するので、研磨工程による処理量を本質的に表面粗さの平滑化に要する程度に抑えることができ、上記欠点を解消することができる。更に研磨量を実質的に抑制することにより、研磨により発生する欠陥も比較的小規模に制限することができる。
【００２５】
本発明による方法の別の好ましい形態では、少なくとも１回の熱処理工程を更に含んでいる。この場合、個々の熱処理工程の終了前に機能層に対する酸化工程を実行し、それによって機能層の残りの部分を保護する。このような条件下における熱処理は、酸化工程中に発生した欠陥を少なくとも部分的に修復する作用を有するものでもある。
【００２６】
本発明による方法の更に別の好ましい形態では、還元性雰囲気下での焼鈍工程を研磨工程の後に更に含んでいる。
【００２７】
本発明による更に別の好適な形態では、ウエハを支持基板上に移載してから、後に水素雰囲気中での焼鈍工程と研磨工程とに付されるべき機能層を構成する薄膜層を前記支持基板上に形成するために、ウエハの一方の表面下の注入領域に原子を注入する工程と、この原子注入を受けた側のウエハ面を前記支持基板に密着結合する工程と、前記注入領域においてウエハを劈開させる工程とを更に含んでいる。
【００２８】
本発明による方法の適用対象は、好ましくは半導体材料からなる機能層を設けた基板であり、この半導体材料は例えばシリコンである。
【００２９】
特にシリコン製の機能層の場合、還元性雰囲気下での焼鈍工程をフランス公開特許第２７６１５２６号公報に記載されているような公知の方法に準じて実行することも好ましい。この場合、基板は約１０５０℃〜１３５０℃の温度範囲内で数十秒〜数十分間、水素含有雰囲気下で焼鈍される。
【００３０】
本発明における別の有利な形態においては、還元性雰囲気下での焼鈍工程が例えばヨーロッパ特許第９１７１８８号公報に記載されているような別の公知の方法により実行される。この場合、基板は水素含有雰囲気下で約１１００℃〜１３００℃の温度範囲内において３分未満、好ましくは６０秒未満、更に好ましくは３０秒未満に亘り焼鈍される。この焼鈍法は、ＲＴＡ（ＲＴＡはRapid Thermal Annealingの略語）として知られている急速昇温急速降温焼鈍に相当する。
【００３１】
焼鈍工程は一定温度又は変化する温度条件下で実行可能であり、焼鈍温度を変化させる場合は複数段の段階的温度変化を経て焼鈍するか、複数の段階的温度領域と連続的可変温度領域とを組み合わせて焼鈍する。
【００３２】
本発明の更に別の有利な形態においては、還元性雰囲気下での焼鈍工程が例えばフランス公開特許第２７６１５２６号公報に記載されているような更に別の公知の方法に準じて実行される。この焼鈍法によれば、基板は水素プラズマ発生チャンバー内で焼鈍される。この種の焼鈍法の利点は焼鈍温度が低いことにあり、一般にこの温度は室温から約６００℃までの範囲内である。
【００３３】
シリコン製の機能層に対する水素含有雰囲気下での焼鈍は、長時間焼鈍、水素プラズマ雰囲気中での焼鈍、或いはＲＴＡとして実施したとしても、いずれにせよ幾つかの有利な作用を有している。即ち、これらの有利な作用とは、
・機能層表面における自然酸化膜の分解と機能層の平均膜厚を減少させ得るシリコンエッチング作用（ＳｉＨ2及びＳｉＨ4は揮発性である）、
・酸素析出物と、結晶欠陥を安定化する役割を果たす可能性のあるその他の酸化物障壁の溶解による欠陥の修復作用、
・原子スケールにおけるテラスの出現を伴う機能層表面粗さの低減及び平滑化作用である。
【００３４】
特に、水素によるシリコン酸化物の分解はシリコン原子の再構成を著しく容易にする。
【００３５】
水素含有雰囲気下での焼鈍工程によって特に表面において活性化されたシリコン原子は、それら自身が安定性の大きなエネルギー状態となるまで表面で移動する。従って、露出表面の突出部に存在するシリコン原子は凹部側へ移動する傾向がある。このように、水素含有雰囲気下での焼鈍工程は表面粗さを低減する傾向がある。
【００３６】
欠陥の修復に関して、酸素析出物及びその他の酸化物障壁の溶解作用は、ＣＯＰ（Crystal Originated Particleの略語）として知られる欠陥の場合に特に有効である。ＣＯＰ欠陥は、大きさが数百から数千Å程度の欠陥の集まりであり、結晶面内に形成されるその配向壁は高々数十Å程度の厚さを持つ酸化物によって安定化されている。ＣＯＰ欠陥はＣＺシリコンにおいて顕著に発生する。
【００３７】
更に本発明は、少なくとも表裏の一方の面に機能層を備え、この機能層の露出表面に対する化学−機械的研磨工程を経て得られるマイクロエレクトロニクス又はオプロエレクトロニクス用基板も提供し、この基板は研磨工程の前に還元性雰囲気下での焼鈍工程を経ていることを特徴とするものである。
【００３８】
本発明の上述以外の特徴と目的及び利点は、添付図面を参照して以下に述べる実施形態の説明から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明による方法を実施する際に一例として水素含有雰囲気下での焼鈍工程を実行するためのチャンバの構成例を長手方向断面で示す模式図である。
【図２】本発明の方法の一実施形態による基板処理における主な工程段階の基板構造をその主面に対して直交する平面に沿った断面で示す模式図である。
【図３】本発明の方法の別の実施形態による基板処理における主な工程段階の基板構造をその主面に対して直交する平面に沿った断面で示す模式図である。
【図４】本発明の方法の更に別の実施形態による基板処理における主な工程段階の基板構造をその主面に対して直交する平面に沿った断面で示す模式図である。
【図５】本発明の方法の更に別の実施形態による基板処理における主な工程段階の基板構造をその主面に対して直交する平面に沿った断面で示す模式図である。
【図６】本発明の方法の更に別の実施形態による基板処理における主な工程段階の基板構造をその主面に対して直交する平面に沿った断面で示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
本発明による方法の５つの実施形態を具体例として以下に説明する。
尚、以下においてはこれら５つの実施形態をシリコン・オン・インシュレータ基板の製造に関して例示するが、これらの例示は何ら限定的な意図を持つものではない。シリコン・オン・インシュレータ基板はＳＯＩ基板とも称される。
【００４１】
これに関連して、本発明による方法はＳＭＡＲＴ−ＣＵＴ（登録商標）法として知られる特定方式の方法によるＳＯＩ基板の製造において特に有利な用途を見いだしている。
【００４２】
ＳＭＡＲＴ−ＣＵＴ法を実行する特定の方法の一つはフランス公開特許第２６８１４７２号公報に記載されている。
【００４３】
ＳＭＡＲＴ−ＣＵＴ法によるＳＯＩ基板の製造では、その表裏の一方の面にシリコン機能層５２を形成した基板が製造される。このシリコン層は、埋込み酸化物層５６として知られる絶縁層の上に載っている。
【００４４】
その態様の一つとしてＳＭＡＲＴ−ＣＵＴ法は、
半導体ウエハの一方の表面下の注入領域に原子を注入する工程と、
原子注入を受けたウエハを支持基板と密着接合する工程と、
注入領域においてウエハを劈開する工程とを備えており、これらの工程は、注入を受けた側の表面と注入領域との間に位置するウエハ部分を支持基板上に移載し、この支持基板上にシリコン薄膜層を形成することを目的としている。
【００４５】
「原子を注入する」という表現は、原子種又はイオン種を材料に添加しうるあらゆる衝突を意味するものとするが、材料中においてこれら化学種は極大密度をとり、この極大値は衝撃表面に対して所定の深さにあるものとする。原子種又はイオン種は、やはり極大値周囲に分布してなるエネルギーにより材料内に打ち込まれる。材料への原子種の注入は、イオンビーム注入装置、プラズマ浸漬注入装置等により実行可能である。
【００４６】
「劈開」という用語は、注入された化学種がこの材料中において極大密度となる位置又はその近傍における注入材料のあらゆる断裂を意味するものとする。この断裂は、必ずしも注入材料の結晶面に沿って発生する必要はない。
【００４７】
ＳＭＡＲＴ−ＣＵＴ法によりＳＯＩ基板を作製するには幾つかの方法が考えられる。
【００４８】
第１の方法では、シリコンウエハの注入面を絶縁酸化物層（例えばシリコンの酸化等）により被覆し、その移載先に使用する支持基板には一方の面がやはりシリコンで構成された支持基板を用いる。
【００４９】
第２の方法では、全体が半導体（例えばシリコン）で構成されている薄膜を、絶縁層で被覆された支持基板又は全体が絶縁体（例えば石英）で構成されている支持基板のいずれかに移載する。
【００５０】
第３の方法では、絶縁層で被覆された薄膜を、やはり絶縁体で被覆された支持基板又は全体が絶縁体で構成されている支持基板のいずれかに移載する。
【００５１】
いずれの場合においても劈開及び移載後、支持基板の一方の面上に薄膜層を移載したＳＯＩ基板５０が得られ、この薄膜層の露出表面は劈開表面に相当する。
劈開後、基板５０はマイクロエレクトロニクス分野における通常の方法に従って除塵、洗浄及びリンスされる。
【００５２】
ここにおいて、本発明による方法は、前記露出表面の表面粗さ及び移載される薄膜層の欠陥密度を減少させるために有効に利用される。
【００５３】
即ち、ＳＯＩ基板５０は本発明による方法に従って還元性雰囲気下での焼鈍工程１００と研磨工程２００とを経て処理される。
【００５４】
尚、以下に述べるいずれの実施形態に関しても、還元性雰囲気下での焼鈍工程は前述のＲＴＡ（急速昇温急速降温焼鈍法）に従って実行されるものとする。
【００５５】
ＲＴＡ法に従って還元性雰囲気下での焼鈍工程１００を実行するチャンバーの一例を図１に示す。
【００５６】
このチャンバー１は、外壁２、リアクター４、ウエハ基板支持ステージ６、上下二列のハロゲンランプヒーター８、１０及び二組のサイドランプヒーターを備えている。
【００５７】
特に外壁２は、図示しない前後側壁の他に底壁１２、天壁１４、及び外壁２の長手方向両端にそれぞれ位置する二つの端面壁１６、１８を備えており、端面壁１６、１８の一方にはドア２０が設けられている。
【００５８】
リアクター４は、二つの端面壁１６、１８間で長手方向に延在する石英管により構成されている。端面壁１６、１８には、ガス入口２１又はガス出口２２が連通している。ガス出口２２はドア２０を含む端面壁１８の脇に位置している。
【００５９】
ハロゲンランプヒーター８、１０の各列は、リアクター４と底壁１２との間、及びリアクター４と天壁１４との間の各空間内に配置され、それぞれリアクターの上下に位置している。ハロゲンランプヒーター８、１０の各列は、リアクター４の長手軸に対して直行する向きに水平配置された１７個のランプヒーター２６からなる。二組のサイドランプヒーター（図１には現れていない）は、ハロゲンランプヒーター８、１０の各ランプヒーター２６の長手方向両端部に対面する図面表裏方向で向かい合った前後側壁とリアクター４との間の空間に一本ずつ、このリアクターの長手軸に対して平行に延在配置されたランプヒーターによって構成される。
【００６０】
基板支持ステージ６はリアクター４内をスライド移動可能である。このステージは、水素含有雰囲気下での焼鈍工程１００に付すべき基板５０を支持し、またこの基板をチャンバ１内に搬入配置し、或いはチャンバ１から搬出することを可能にするものである。
【００６１】
この形式のチャンバ１は、例えばＳＴＥＡＧ（登録商標）という商品名で型番SHS AST 2800として市販されている。
【００６２】
以下に述べる本発明による方法の５つの実施形態は、それ自体が露出表面５４を有する機能層５２を備えたＳＯＩ基板５０の処理に関するものである。この露出表面５４は、前述のようにＳＭＡＲＴ−ＣＵＴ（登録商標）法によって得られた劈開表面である。基板５０には、機能層５２の下層に埋込み酸化物層５６が形成されており、この埋込み酸化物層５６の下層は支持基板５８である。
【００６３】
本発明による方法の５つの実施形態で採用しているパラメータは、以下に述べるように「ファインプロダクト」仕様に準拠するものである。ここで、「ファインプロダクト」とは、そのＳＯＩ層、即ち機能層５２の厚さが約２０００Åであり、埋込み絶縁層５６の厚さが約４０００ÅであるＳＯＩ基板である。更に厚い機能層５２及び／又は更に厚い埋込み酸化物層を有するＳＯＩ基板を作製するには、注入された原子種の層が衝撃表面よりも更に深くに位置するように、より高エネルギーで注入工程を実行する。この場合、原子種を深く注入すればするほど機能層５２における欠陥密度を許容範囲に戻すために劈開後に除去すべき材料が増加することを考慮する必要がある。これは、より深く原子種を注入するほど欠陥領域の幅が増加するためである。
【００６４】
図２に示す第１実施形態においては、基板５０はＳＭＡＲＴ−ＣＵＴプロセスにおける劈開工程と洗浄工程の後に還元性雰囲気下での焼鈍工程１００と、それに続く化学−機械的研磨工程２００とに付される。
【００６５】
これら二つの工程の前においては、機能層５２の露出表面領域５４における欠陥５９の密度並びに表面粗さは満足できる状態ではない。
【００６６】
還元性雰囲気下での焼鈍工程１００は前述ＲＴＡ法に従って実行される。すなわち、この還元性雰囲気下での焼鈍工程は、
基板５０を導入する際のチャンバーが未だ加温されていない状態でチャンバー１内に基板５０を導入配置する工程と、
大気圧に等しい圧力又は大気圧領域内にある圧力において、水素とアルゴンとの混合気体を水素２５％、アルゴン７５％の容積比率でチャンバー内に導入する工程と、
ハロゲンランプヒーター２６を点灯することにより昇温速度約５０℃／秒で処理温度までチャンバ１内の温度を上昇させる工程と、
１２００℃〜１２３０℃の温度範囲内で好適に選択された処理温度、好ましくは１２３０℃の処理温度で、２０秒間、基板５０をチャンバ１内に滞在させる工程と、
ハロゲンランプヒーター２６を消灯し、温度範囲に応じて変動する数十℃／秒の降温速度で冷却空気の循環により基板５０を冷却する工程、
とを備えている。
【００６７】
急速な加熱・冷却勾配と短い定温状態とを伴う上記条件下における還元性雰囲気下での焼鈍工程１００によれば、実質的に材料を除去することなく基板の表面粗さを低減させることができる。この場合、除去される材料の厚さは２０Åに満たない。表面粗さの低減は、本質的に表面の再構成と平滑化により達成されものであり、エッチングによるものではない。加えて、原子注入及び劈開工程において発生した機能層５２のシリコン結晶欠陥５９は、この還元性雰囲気下での焼鈍工程１００により少なくとも部分的に修復される。従って機能層５２における欠陥５９の密度が低下する。結果として、それを超えると欠陥５９の密度が過大となって許容し難いものとなる機能層５２の膜厚も減少する。更に、この焼鈍工程をＲＴＡ法に従って還元性雰囲気下で実行（１００）することにより、或る種の欠陥による腐食が埋込み酸化物層５６まで広がることも防止できる。
【００６８】
還元性雰囲気下での焼鈍工程１００は、他にも多くの利点を提供するものである。すなわち、この焼鈍工程は基板５０の高い生産性との両立が容易であり、使用法が容易であり、既存設備を用いて実施可能である。
【００６９】
一般に、表面粗さは、その粗さを測定すべき表面を走査して測定された最小高さと最大高さとの差により表されるか、ｒｍｓ値により表される。最小高さと最大高さとの差は、以下Ｐ−Ｖで表す（Peak - Valleyという語に基づく）。
【００７０】
還元性雰囲気下での焼鈍工程１００の後、１×１μｍ2の面積の表面領域を走査して測定した粗さは、ｒｍｓ値で５０から１〜１．５Åに（即ちＰ−Ｖ値で５００Åを超える値から約２０Åに）減少し、１０×１０μｍ2の面積領域を走査して測定した粗さは、ｒｍｓ値で５０から５〜１５Åに（即ちＰ−Ｖ値で５００Åを超える値から４０〜５０Åに）減少した。
【００７１】
研磨工程２００は、当業者に公知の従来の化学−機械的研磨法により実行される。還元性雰囲気下での焼鈍工程１００により既にかなり平滑化された表面を出発点とする研磨処理であるため、表面粗さ、特に低周波粗さを所望の目標値にするには研磨工程２００として僅か２００〜４００Åの研磨厚を対象とする研磨で充分である。典型的な例を挙げると、研磨後の表面粗さは測定面積１×１μｍ2の走査の場合にｒｍｓ値で約０．８〜１．５Åであり、測定面積１０×１０μｍ2の走査の場合にｒｍｓ値で約１〜２Åである。
【００７２】
また、この研磨工程２００により、露出表面５４の近傍で欠陥５９を含む膜厚部分を機能層５２から除去することも可能である。
【００７３】
本発明による方法の第２実施形態を図３に示す。既に述べたように、この第２実施形態は、例えばＳＭＡＲＴ−ＣＵＴ法における劈開工程と洗浄工程とを経て得られたＳＯＩ基板５０に対して実行される。
【００７４】
この第２実施形態においては、基板５０は還元性雰囲気下での焼鈍工程１００Ａに付され、その後に化学−機械的研磨工程２００Ａに付され、最後に熱処理３２０Ａを伴う犠牲的酸化工程３００Ａに付される。
【００７５】
ここで、第２実施形態における還元性雰囲気下での焼鈍工程１００Ａ及び化学−機械的研磨工程２００Ａは第１実施形態について述べたものと同一である。
【００７６】
犠牲的酸化工程３００Ａは、研磨工程２００Ａの後に残った露出表目付近の欠陥５９を除去することを目的としている。このような欠陥５９は、先行する原子注入又は劈開によって発生することもあれば、研磨工程２００Ａ中に発生することもある。
【００７７】
犠牲的酸化工程３００Ａは、酸化工程３１０Ａと酸素除去工程３３０Ａとを備えている。熱処理３２０Ａは、酸化工程３１０Ａと酸素除去工程３３０Ａとの間の時期に実行される。
【００７８】
酸化工程３１０Ａは、７００℃〜１１００℃の温度範囲内で実施することが好ましい。酸化工程３１０Ａはドライ方式又はウェット方式のいずれでも実施可能である。ドライ方式による場合、酸化工程３１０Ａは例えば酸素ガス中で基板５０を加熱することにより実施される。ウェット方式による場合は、酸化工程３１０Ａは例えば水蒸気で満たされた雰囲気中で基板５０を加熱することにより実施される。当業者に知られている従来法によるウェット方式又はドライ方式の酸化処理を利用する場合は、酸化性雰囲気として塩酸を用いることも可能である。
【００７９】
このような酸化工程３１０Ａにより露出表面に酸化物層６０が生成される。
【００８０】
熱処理工程３２０Ａは、機能層５２を構成する材料の品質を向上させるためのあらゆる熱的工程により実施可能である。この熱処理工程３２０Ａは、一定温度又は可変温度において実施可能である。後者の場合、熱処理工程３２０Ａは、例えば温度を二値間で連続的に漸次変化させるか、二値間で周期的に段階的に変動させるなどして行うことができる。
【００８１】
熱処理工程３２０Ａは、少なくとも部分的に１０００℃を超える温度、より好ましくは約１１００〜１２００℃の温度で実施することが好ましい。
【００８２】
熱処理工程３２０Ａは、非酸化性雰囲気下で実施することが好ましい。熱処理３２０Ａのための雰囲気は、アルゴン、窒素、水素、或いはこれらの代りに前述したような混合気体で構成することができる。また熱処理工程３２０Ａは真空下で行っても良い。
【００８３】
酸化工程３１０Ａは、熱処理工程３２０Ａの前に実施することが好ましい。この場合、熱処理工程３２０Ａの最中に酸化物層６０が機能層の残りの部分を保護し、ピット形成現象が防止される。ピット形成現象は当業者には良く知られている。この現象は、或る種の半導体が窒素やアルゴンなどの非酸化性雰囲気中または真空下で焼鈍された場合に、その表面に凹部が発生する現象を言う。特にシリコンの場合、シリコンが剥き出しの状態、即ち酸化物被膜が全く形成されていない状態ではピット形成現象が発生しやすい。
【００８４】
有利な一態様によれば、酸化工程３１０Ａは熱処理工程３２０Ａの温度上昇開始と同時に開始され、該熱処理工程の終了前に終了する。
【００８５】
熱処理工程３２０Ａは、基板５０の製造加工プロセスにおける先行工程で発生した欠陥を少なくとも部分的に修復することを可能にする。更に詳しくは、熱処理工程３２０Ａは、酸化工程３１０Ａで機能層５２に発生する積層欠陥、ＨＦ欠陥等のような結晶欠陥を熱処理で修復し得るような温度及び時間で実行可能である。ＨＦ欠陥とは、フッ化水素酸浴中で基板５０を処理した後に埋込み酸化物層５６中の装飾的ハローによってその存在が明らかとなる欠陥を意味する。
【００８６】
また熱処理工程３２０Ａは、例えばＳＭＡＲＴ−ＣＵＴ法において移載工程中に移載された層と支持基板５８との間の界面の接合強度の強化にも有利に作用する。
【００８７】
酸素除去工程３３０Ａは溶液中で行うことが好ましい。この溶液は、例えば１０％又は２０％フッ化水素酸溶液である。係る溶液中に基板５０を浸漬することにより、膜厚が一千乃至数千Åの酸化物層６０を除去するには数分の処理で充分である。
【００８８】
以上に述べた本発明による方法の第２実施形態では、
・還元性雰囲気下での焼鈍工程１００で機能層５２から少なくとも１５Åのシリコンと、
・研磨工程２００で機能層５２から３００Åのシリコンと、
・犠牲的酸化工程３００で機能層５２から６５０Åのシリコンとがそれぞれ除去される。
【００８９】
このように、本発明による方法により除去される機能層５２の膜厚部分は、第２実施形態においては全体で約９５０Å程度である。一般的には本発明による方法の第２実施形態では８００〜１１００Åを好適に除去可能である。
【００９０】
本発明による方法の第２実施形態における各工程後に測定した表面粗さを表１に比較表の形で示す。
【００９１】
【表１】
2012104839.tif 000003
【００９２】
本発明による方法の第３実施形態を、図４に示す。既に述べた実施形態の場合と同様に、本実施形態も一例としてＳＭＡＲＴ−ＣＵＴ法における劈開工程並びに洗浄工程を経て得られたＳＯＩ基板５０に対して実行される。
【００９３】
劈開工程及び洗浄工程の後、基板５０は、
・熱処理工程３２１Ｂを伴う第１の犠牲的酸化工程３０１Ｂと、
・還元性雰囲気下での焼鈍工程１００Ｂと、
・化学−機械的研磨工程２００Ｂと、
・熱処理工程３２２Ｂを伴う第２の犠牲的酸化工程３０２Ｂとに付される。
【００９４】
本実施形態における還元性雰囲気下での焼鈍工程１００Ｂ及び化学−機械的研磨工程２００Ｂは、前述第１実施形態に関して述べたものと同一である。
【００９５】
第１と第２の犠牲的酸化工程３０１Ｂ及び３０２Ｂは、前述の犠牲的酸化工程３００Ａと同様に、酸化工程３１１Ｂと３１２Ｂ、及び酸素除去工程３３１Ｂと３３２Ｂを備えている。これらの第１と第２の犠牲的酸化工程３０１Ｂ及び３０２Ｂ、並びに熱処理工程３２１Ｂ及び３２２Ｂも、それぞれ前述の第２実施形態に関して既に述べたものと同様である。
【００９６】
本発明による方法の第３実施形態においては、
・第１の犠牲的酸化工程３０１Ｂで機能層５２から６５０Åのシリコンと、
・還元性雰囲気下での焼鈍工程１００Ｂで機能層５２から１５Å未満のシリコンと、
・研磨工程２００Ｂで機能層５２から３００Åのシリコンと、
・第２の犠牲的酸化工程３０２Ｂで機能層５２から６５０Åのシリコンとがそれぞれ除去される。
【００９７】
従って本発明の方法によって機能層から除去される膜厚部分は、第３実施形態においては全体で約１６００Å程度である。
【００９８】
本発明による方法の第３実施形態における各工程後に測定した表面粗さを表２に比較表の形で示す。
【００９９】
【表２】
2012104839.tif 000004
【０１００】
本発明による方法の第４実施形態を図５に示す。既に述べた実施形態の場合と同様に、本実施形態も一例としてＳＭＡＲＴ−ＣＵＴ法における劈開工程を経て得られたＳＯＩ基板５０に対して実行される。
【０１０１】
劈開工程及び洗浄工程の後、基板５０は、
・還元性雰囲気下での焼鈍工程１００Ｃと、
・熱処理工程３２１Ｃを伴う第１の犠牲的酸化工程３０１Ｃと、
・化学−機械的研磨工程２００Ｃと、
・熱処理工程３２２Ｃを伴う第２の犠牲的酸化工程３０２Ｃとに付される。
【０１０２】
本実施形態における還元性雰囲気下での焼鈍工程１００Ｃ及び化学−機械的研磨工程２００Ｃは、前述第１実施形態に関して述べたものと同一である。
【０１０３】
第１と第２の犠牲的酸化工程３０１Ｃ及び３０２Ｃも、前述の犠牲的酸化工程３００Ａと同様に、酸化工程３１１Ｃと３１２Ｃ及び酸素除去工程３３１Ｃと３３２Ｃとを含んでいる。
【０１０４】
第１と第２の犠牲的酸化工程３０１Ｃ及び３０２Ｃ、並びに熱処理工程３２１Ｃ及び３２２Ｃは、本発明による方法の前述第２実施形態に関して既に説明したものと同様である。
【０１０５】
本発明のこの第４実施形態においては、
・還元性雰囲気下での焼鈍工程１００Ｃで機能層５２から１５Å未満のシリコンと、
・第１の犠牲的酸化工程３０１Ｃで機能層５２から６５０Åのシリコンと、
・研磨工程２００Ｃで機能層５２から３００Åのシリコンと、
・第２の犠牲的酸化工程３０２Ｃで機能層５２から６５０Åのシリコンとがそれぞれ除去される。
【０１０６】
従って本発明による方法で機能層５２から除去された膜厚部分は、第４実施形態においては全体で約１６００Å程度である。
【０１０７】
本発明による方法の第４実施形態における各工程後に測定した表面粗さを比較表の形で表３に示す。
【０１０８】
【表３】
2012104839.tif 000005
【０１０９】
本発明による方法の第５実施形態を図６に示す。既に述べた実施形態の場合と同様に、本実施形態も例えばＳＭＡＲＴ−ＣＵＴ法における劈開工程を経て得られたＳＯＩ基板５０に対して実行される。
【０１１０】
劈開工程及び洗浄工程の後、基板５０は、
・還元性雰囲気下での第１焼鈍工程１０１Ｄと、
・化学−機械的研磨工程２００Ｄと、
・還元性雰囲気下での第２焼鈍工程１０２Ｄとに供される。
【０１１１】
本実施形態における還元性雰囲気下での焼鈍工程１０１Ｄと１０２Ｄ及び化学−機械的研磨工程２００Ｄは、第１実施形態に関して述べたものと同様である。
【０１１２】
本発明によるこの第５実施形態においては、
・還元性雰囲気下での第１焼鈍工程１０１Ｄで機能層５２から１５Å未満のシリコンと、
・研磨工程２００Ｄで機能層５２から４００Åのシリコンと、
・還元性雰囲気下での第２焼鈍工程１０２Ｄで機能層５２から１５Å未満のシリコンとがそれぞれ除去される。
【０１１３】
従って、本発明による方法で機能層５２から除去された膜厚部分は、第５実施形態においては全体で約４００Å程度である。
【０１１４】
本発明による方法の第５実施形態における一つの変形例として、既に述べたような熱処理や、その代替としてやはり既に述べたような熱処理を伴う犠牲的酸化を上述の第５実施形態にも導入することは勿論可能である。
【０１１５】
表４に本発明による方法の第５実施形態における各工程後に測定した表面粗さを比較表の形で示す。
【０１１６】
【表４】
2012104839.tif 000006
【０１１７】
上述した本発明による方法の第５実施形態は、劈開後の表面粗さが小さい場合に特に有利である。これは特に、原子注入が数種のエネルギーにより実施される場合（フランス公開特許第２７７４５１０号公報参照）及び／又は数種の原子種で実施される場合、或いはまた劈開が機械的制約を伴う場合（フランス公開特許第２７４８８５１号公報参照）などが該当する。
【図１】
2012104839.tif 000007
【図２】
2012104839.tif 000008
【図３】
2012104839.tif 000009
【図４】
2012104839.tif 000010
【図５】
2012104839.tif 000011
【図６】
2012104839.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月12日(2011.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表裏の一方の面に素子形成用の機能層（５２）を備えたマイクロエレクトロニクス又はオプトエレクトロニクス用基板（５０）の処理方法であって、前記機能層（５２）の露出表面（５４）に対する化学−機械的研磨工程を含むと共に、前記研磨工程（２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ）の前に還元性雰囲気下での焼鈍工程（１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１０１Ｄ、１０２Ｄ）も含む処理方法。
【請求項２】
還元性雰囲気下での焼鈍工程を、３分未満、又は６０秒未満、又は３０秒未満の処理時間で実行する請求項１に記載の処理方法。
【請求項３】
還元性雰囲気下での焼鈍工程を、１１００℃〜１３００℃、又は１２００℃〜１２３０℃の焼鈍温度で実行する請求項１又は２のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項４】
研磨工程（２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ）の後に機能層（５２）の厚さの少なくとも一部を酸化する酸化工程（３１０Ａ、３１２Ｂ、３１２Ｃ）を更に含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項５】
研磨工程（２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ）の前に機能層（５２）の厚さの少なくとも一部を酸化する酸化工程（３１１Ｂ、３１１Ｃ）を更に含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項６】
少なくとも１回の酸素除去工程（３３０Ａ、３３１Ｂ、３３２Ｂ、３３１Ｃ、３３２Ｃ）を更に含む請求項４又は５に記載の処理方法。
【請求項７】
少なくとも１回の熱処理工程（３２０Ａ、３２１Ｂ、３２２Ｂ、３２１Ｃ、３２２Ｃ）を更に含み、該熱処理工程（３２０Ａ、３２１Ｂ、３２２Ｂ、３２１Ｃ、３２２Ｃ）が終了する前に機能層（５２）に対する酸化工程を実行して機能層（５２）の残りの部分を保護する請求項４〜６のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項８】
研磨工程（２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ）の後に還元性雰囲気下での焼鈍工程（１０２Ｄ）を更に含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項９】
ウエハを支持基板上へ移載してから、後に還元性雰囲気下での焼鈍工程（１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１０１Ｄ、１０２Ｄ）と研磨工程（２００、２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ、２００Ｄ）とに付されるべき機能層（５２）を構成する薄膜層を前記ウエハ上に形成するために、ウエハの一方の表面下の注入領域に原子を注入する工程と、この原子注入を受けた側のウエハ面を前記支持基板に密着結合する工程と、前記注入領域においてウエハを劈開させる工程とを更に含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項１０】
機能層（５２）が半導体からなる請求項１〜９のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項１１】
前記半導体がシリコンである請求項１０に記載の処理方法。
【請求項１２】
前記還元性雰囲気が水素を含む請求項１〜１１のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項１３】
前記還元性雰囲気がアルゴンを含む請求項１〜１２のいずれか１項に記載の処理方法。