(57)【要約】【課題】  比較的簡便で安価な手法により導体パターンの表面に凹部を形成する。【解決手段】  絶縁フィルム１上に形成した、導体パターン２ｐの表面に凹部２ｄを形成するプリント配線板の製造方法であって、エッチング阻害剤を含むエッチング液１３を導体パターン２ｐの表面の一部に接触させてエッチングすることで、導体パターン２ｐの表面に、略平坦なエッチング底面２ｔ及び略垂直なエッチング側壁２ｓを有する凹部２ｄを形成する。【選択図】図２
2012142506.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルム上に形成した導体パターンの表面に凹部を形成するプリント配線板の製造方法であって、
エッチング阻害剤を含むエッチング液を前記導体パターンの表面の一部に接触させてエッチングすることで、前記導体パターンの表面に、略平坦なエッチング底面及び略垂直なエッチング側壁を有する凹部を形成する
ことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記凹部を複数形成して前記導体パターンの表面を粗化させる
ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記導体パターンの配線に、バンプ電極形成領域の周囲をエッチングによる前記凹部で除去することで、前記配線の一部が突出したバンプ電極を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
絶縁フィルムと、
前記絶縁フィルム上に形成された導体パターンと、
エッチング阻害剤を含むエッチング液を前記導体パターンの表面の一部に接触させてエッチングすることで前記導体パターンの表面に形成された、略平坦なエッチング底面及び略垂直なエッチング側壁を有する凹部と、を備える
ことを特徴とするプリント配線板。
【請求項５】
前記導体パターンの表面には、前記凹部が複数形成され、
前記導体パターンの表面が粗化されている
ことを特徴とする請求項４に記載のプリント配線板。
【請求項６】
前記導体パターンの配線にバンプ電極形成領域の周囲が前記凹部で除去されて形成され、前記配線の一部が突出したバンプ電極を有する
ことを特徴とする請求項４に記載のプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板の製造方法及びプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板には、可撓性を有する絶縁フィルム上に銅箔等により導体パターンを形成した、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式やＣＯＦ（Chip On Film）方式等のプリント配線板がある。現在、プリント配線板は、例えば液晶表示デバイスやプリンタ等の用途で活用され、量産されている。
【０００３】
上述のプリント配線板の製造工程では、例えば絶縁フィルム上に形成した導体パターン上にソルダーレジストや封止樹脂を形成したり、導体パターンに含まれる電極に半導体チップが備える電極を接合したりする。近年、導体パターンに含まれる配線の微細化により、配線の表面積（接触面積、接合面積）が小さくなっている。このため、導体パターンとその上層との密着性を向上させることが好ましい。例えば特許文献１には、セラミックス基板上のメタライズ層にプラズマエッチングを施して、０．５ｎｍ〜１５０ｎｍの間隔で、 深さ０．５ｎｍ〜１００ｎｍのディンプルを形成し、メタライズ層に対する金属メッ
キ層の付着強度（密着性）を向上させる例が開示されている。密着性の向上を目的とする表面粗化の手法としては、この他、サンドブラストによる処理等が知られている。
【０００４】
また、上述のプリント配線板の製造工程では、例えば配線の一部に、配線よりも高く突出したバンプ電極を形成する。その際、例えばバンプ電極は、配線の一部に錫（Ｓｎ）や金（Ａｕ）等のメッキにより形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−０６５２９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、導体パターンとその上層との密着性を向上させるため、例えば上述のようなプラズマ処理による表面粗化をプリント配線板に適用すると、大掛かりなプラズマ装置が必要となり、コストがかかってしまう。また、サンドブラストによる表面粗化を適用すると、絶縁フィルムに傷が生じるなど、プリント配線板に物理的なダメージを与えてしまうおそれがある。
【０００７】
また、上述したように配線の一部にメッキによりバンプ電極を形成した場合、バンプ電極の加工精度が低く、また、バンプ電極を厚く形成するためメッキに長時間を要し、コストがかかっていた。
【０００８】
本発明の目的は、比較的簡便で安価な手法により導体パターンの表面に凹部を形成することが可能なプリント配線板の製造方法及びプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様によれば、絶縁フィルム上に形成した導体パターンの表面に凹部を形成するプリント配線板の製造方法であって、エッチング阻害剤を含むエッチング液を前記導体パターンの表面の一部に接触させてエッチングすることで、前記導体パターンの表面に、略平坦なエッチング底面及び略垂直なエッチング側壁を有する凹部を形成するプリ
ント配線板の製造方法が提供される。
【００１０】
本発明の第２の態様によれば、前記凹部を複数形成して前記導体パターンの表面を粗化させる第１の態様に記載のプリント配線板の製造方法が提供される。
【００１１】
本発明の第３の態様によれば、前記導体パターンの配線に、バンプ電極形成領域の周囲をエッチングによる前記凹部で除去することで、前記配線の一部が突出したバンプ電極を形成する第１の態様に記載のプリント配線板の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明の第４の態様によれば、絶縁フィルムと、前記絶縁フィルム上に形成された導体パターンと、エッチング阻害剤を含むエッチング液を前記導体パターンの表面の一部に接触させてエッチングすることで前記導体パターンの表面に形成された、略平坦なエッチング底面及び略垂直なエッチング側壁を有する凹部と、を備えるプリント配線板が提供される。
【００１３】
本発明の第５の態様によれば、前記導体パターンの表面には、前記凹部が複数形成され、前記導体パターンの表面が粗化されている第４の態様に記載のプリント配線板が提供される。
【００１４】
本発明の第６の態様によれば、前記導体パターンの配線にバンプ電極形成領域の周囲が前記凹部で除去されて形成され、前記配線の一部が突出したバンプ電極を有する第４の態様に記載のプリント配線板が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、比較的簡便で安価な手法により導体パターンの表面に凹部を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法の各工程を示す工程図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板に、半導体チップを実装する様子を示す模式図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法の各工程を示す工程図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板に、半導体チップを実装する様子を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜本発明の第１実施形態＞
以下に、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法及びプリント配線板について説明する。
【００１８】
（１）プリント配線板の製造方法
本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、例えば絶縁フィルム上に形成した導体パターンに凹部を複数形成して導体パターンの表面を粗化させたプリント配線板の製造に用いられる。本実施形態に係るプリント配線板の製造方法について、主に図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係るプリント配線板の製造方法の各工程を示す工程図である。
【００１９】
図１（ａ）に示すように、まずは、導体層２が形成された絶縁フィルム１を用意する。
絶縁フィルム１は、例えば長尺状に形成されたポリイミド（ＰＩ）等の可撓性を有する有機樹脂材からなる。導体層２が形成された絶縁フィルム１は、絶縁フィルム１上に、例えばニッケル（Ｎｉ）−クロム（Ｃｒ）スパッタリング膜を形成し、このスパッタリング膜上に電解メッキにより銅（Ｃｕ）層を形成することによって製作される。或いは、例えば圧延銅箔等を絶縁フィルム１に貼り合わせることにより、導体層２を形成してもよい。
【００２０】
次に、導体層２の表面を洗浄して脱脂及び化学研磨等の前処理を行った後、図１（ｂ）に示すように例えばフォトレジスト３を導体層２上に塗布し、図１（ｃ）に示すように、フォトマスク１１を用いて露光・現像し、図１（ｄ）に示すフォトレジストパターン３ｐを得る。なお、図中のフォトレジスト３は、例えば感光された部分がフォトレジストパターン３ｐとして残るネガ型レジストとして示されているが、ポジ型レジストや、ドライフィルム等を用いることも可能である。
【００２１】
続いて、フォトレジストパターン３ｐをマスクとして、例えば塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）溶液や塩化第二銅（ＣｕＣｌ２）溶液等のエッチング液を用い、導体層２をエッチングする。これにより、図１（ｅ）に示すように、導体パターン２ｐが形成される。導体パターン２ｐには、例えばインナーリードやアウターリード等からなる配線（リード）や、半導体チップが実装される電極等が含まれる。その後、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）等のアルカリ溶液を用いてフォトレジストパターン３ｐを除去する。フォトレジストパターン３ｐ除去後の様子を、図１（ｆ）に示す。
【００２２】
次に、得られた導体パターン２ｐに複数の凹凸部２ｃを形成して表面粗化させる。すなわち、エッチング阻害剤を含むエッチング液１３を導体パターン２ｐの表面の一部に接触させ、導体パターン２ｐの一部の領域を、エッチング液の打力を伴わない自発的なエッチングにより除去することで、前記導体パターン２ｐの表面に、略平坦なエッチング底面２ｔ及び略垂直なエッチング側壁２ｓを有する凹部２ｄと、エッチングされなかった部分が突出するように残った凸部２ｂと、を形成する。
【００２３】
具体的には、まず、図１（ｇ）に示すように、エッチング阻害剤を含むエッチング液１３を液槽１２に満たし、導体パターン２ｐが形成された側がエッチング液１３の液面に対向するよう、絶縁フィルム１を液槽１２の上方に配置する。この状態で、ローラ面に複数の突起１４ｂを有する塗布ローラ１４を回転させながら、互いに対向する絶縁フィルム１の導体パターン２ｐとエッチング液１３との間を移動させることで、エッチング液１３を直接塗布方式あるいはスタンプ方式で導体パターン２ｐの表面に付着させていく。つまり、塗布ローラ１４が有する突起１４ｂは、回転しながらエッチング液１３中を潜り抜け、それぞれの突起１４ｂにエッチング液１３の液滴１３ｄが付着する。液滴１３ｄの付着した突起１４ｂはさらに回転を続け、突起１４ｂの先端部分が導体パターン２ｐの表面と接触して、導体パターン２ｐの表面に液滴１３ｄが移動し、付着する。なお、塗布ローラ１４や突起１４ｂは、例えば塩化ビニル、アクリル等の樹脂材や、チタン（Ｔｉ）等、エッチング液１３によって浸食されない材料にて構成することができる。また、塗布ローラ１４は、図１（ｇ）に示すような繊維状や針状の突起を有するものに限らず、ローラ面にエッチング液を吸い込むスポンジ状（多孔質状）や繊維質状の微小な凹凸を有する塗布ローラなどでもよい。また、塗布ローラ１４が備える各突起１４ｂの間隔や配置パターンを種々変更することで、導体パターン２ｐの表面に所定の間隔・配置で所定量の液滴１３ｄを付着させることができる。
【００２４】
ここで、エッチング液１３は、例えば塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）溶液や塩化第二銅（ＣｕＣｌ２）溶液等であり、例えば導体パターン２ｐを構成する金属銅等を酸化して溶解させる。また、エッチング液１３に含まれるエッチング阻害剤は、例えばアミン類、エーテル類、グリコール類、アゾール類等の化合物を含む、いわゆるインヒビタであり、例えば
導体パターン２ｐの付着面にエッチングを阻害する保護膜を形成する。
【００２５】
上記エッチング阻害剤を含むエッチング液１３を、上記手法により導体パターン２ｐの表面の一部に接触させて、打力等の物理的な力を加えずに保持すると、導体パターン２ｐの表面において自発的・化学的なエッチングが進行する。これにより、エッチング液１３中の塩化第二鉄或いは塩化第二銅等による導体パターン２ｐのエッチングと、エッチング阻害剤による保護膜の形成とが同時に進行する。そして、保護膜が次第に厚く形成されていくと、最終的には、所定量の導体パターン２ｐが除去されたところでエッチングが停止する。つまり、上記のようにエッチング液１３の液滴１３ｄを導体パターン２ｐの表面に接触させた場合は、液滴１３ｄを中心として、導体パターン２ｐの膜厚方向及びこれと直行する方向それぞれについて、所定厚さの導体パターン２ｐが除去された後にエッチングが停止し、図１（ｈ）に示すように、略平坦なエッチング底面２ｔ及び略垂直なエッチング側壁２ｓを有する凹部２ｄが形成される。このとき、凹部２ｄの深さ、つまり、導体パターン２ｐの表面からエッチング底面２ｔまでの深さは、例えば１μｍ以上２μｍ以下となる。また、凹部２ｄの直径は例えば２μｍ以上４μｍ以下となる。一方、液滴１３ｄが接触したところを除く領域には、導体パターン２ｐが突出するように残ることで、凸部２ｂが形成される。
【００２６】
このように、上記塗布ローラ１４が備える各突起１４ｂの間隔や配置パターンに応じた液滴１３ｄの付着位置にしたがって、種々の間隔や配置パターンを有する凹凸部２ｃを形成することが可能である。凹凸部２ｃは、導体パターン２ｐの所定位置、例えば半導体チップが接合される電極の表面のみに形成してもよく、導体パターン２ｐの表面全体に形成してもよい。
【００２７】
その後、図１（ｉ）に示すように、半導体チップが実装される電極等の一部の領域を除き、導体パターン２ｐ上に例えばソルダーレジスト４が形成される。そして、ソルダーレジスト４に覆われていない、導体パターン２ｐの露出した表面には、例えば錫（Ｓｎ）や金（Ａｕ）等のメッキ５が施される。ソルダーレジスト４やメッキ５により、導体パターン２ｐが保護される。また、後述するように、メッキ５により導体パターン２ｐの接続信頼性を高めることができる。
【００２８】
以上により、絶縁フィルム１と、絶縁フィルム１上に形成された導体パターン２ｐと、エッチング阻害剤を含むエッチング液を前記導体パターンの表面の一部に接触させて、導体パターン２ｐの一部の領域を自発的なエッチングにより除去することで導体パターン２ｐの表面に形成された、略平坦なエッチング底面２ｔ及び略垂直なエッチング側壁２ｓを有する凹部２ｄと、エッチングされなかった導体パターン２ｐが突出するように残った凸部２ｂと、を備えたプリント配線板が製造される。本実施形態に係るプリント配線板においては、凹部２ｄが複数形成されることで、導体パターン２ｐが表面粗化された状態（ディンプル状表面、又は微細突起付き表面）となる。
【００２９】
上記のように製造されたプリント配線板には、その後、半導体チップが実装される。上述のプリント配線板に半導体チップを実装する様子を、図２（ａ）、（ｂ）に示す。図中のプリント配線板には、導体パターン２ｐの一部として形成され、表面に凹凸部２ｃを有する電極２ｅの断面が示されている。
【００３０】
半導体チップ２１の実装にあたっては、図２（ａ）に示すように、半導体チップ２１の備える金（Ａｕ）等からなる電極２２が絶縁フィルム１上の電極２ｅに対向するよう、半導体チップ２１を配置する。そして、絶縁フィルム１上の電極２ｅと半導体チップ２１の備える電極２２とを接触させた状態で両者に圧力及び超音波振動を加え、図２（ｂ）に示すように、電極２ｅと電極２２とを接合する。このとき、半導体チップ２１の備える電極
２２に絶縁フィルム１上の電極２ｅがめり込んだ状態となり、例えば電極２ｅの備えるメッキ５を構成する錫と、電極２２を構成する金とが共晶結合を形成する。これによって、導体パターン２ｐの接続信頼性を高めることができる。その後、絶縁フィルム１と半導体チップ２１との隙間に封止樹脂６等を充填し、プリント配線板への半導体チップ２１の実装が完了する。
【００３１】
（２）第１実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示すひとつ又は複数の効果が得られる。
【００３２】
（ａ）本実施形態によれば、エッチング阻害剤を含むエッチング液１３を導体パターン２ｐの表面の一部に接触させ、導体パターン２ｐの一部の領域を自発的なエッチングにより除去することで、導体パターン２ｐの表面に、略平坦なエッチング底面２ｔ及び略垂直なエッチング側壁２ｓを有する凹部２ｄと、エッチングされなかった導体パターン２ｐが突出するように残った凸部２ｂと、を形成する。これにより、比較的簡便で安価な手法により導体パターン２ｐの表面に凹部２ｄと凸部２ｂとを形成することが可能となる。
【００３３】
上述のように、導体層に表面粗化等の加工を施す場合、一般に用いられるプラズマ処理やサンドブラスト等には、大型装置によるコストの増大や、プリント配線板へのダメージ等の問題がある。
【００３４】
しかしながら、本実施形態では、エッチング阻害剤を含むエッチング液１３を用いて導体パターン２ｐに凹部２ｄを形成するので、比較的簡便で安価に導体パターン２ｐに凹凸部２ｃを形成することができるほか、プリント配線板へのダメージも低減することが可能である。
【００３５】
（ｂ）また、本実施形態によれば、凹部２ｄを複数形成して導体パターン２ｐの表面を粗化させる。これにより、導体パターン２ｐ上に形成されるソルダーレジスト４やメッキ５、封止樹脂６との密着性を向上させることができ、ソルダーレジスト４やメッキ５、封止樹脂６の膜剥がれを抑制することができる。
【００３６】
（ｃ）また、本実施形態によれば、導体パターン２ｐの表面を粗化させることで、導体パターン２ｐに実装される半導体チップ２１の電極２２との接合抵抗を低減し、また、接合強度を向上させることができる。
【００３７】
近年のプリント配線板の微細化に伴い、半導体チップと接合される導体パターンの接合面積が縮小している。このため、例えば従来において、導体パターンに表面粗化を施さずに半導体チップを実装した場合、半導体チップとの接合抵抗が増大し、また、接合強度が低下してしまうことにより、パッケージ基板としての信頼性や性能が低下する場合があった。
【００３８】
しかしながら、本実施形態においては、導体パターン２ｐの表面に凹凸部２ｃを形成して表面を粗化することにより、導体パターン２ｐの接合面積を増大させることができ、接合抵抗を低減することができる。また、いわゆるアンカー効果により接合強度を向上させ、より確実に半導体チップ２１の電極２２と導体パターン２ｐとを接合することができる。したがって、良好な電気的特性を得ることができ、パッケージ基板としての信頼性や性能の向上を図ることができる。
【００３９】
（ｄ）また、本実施形態によれば、導体パターン２ｐの表面に形成される凹部２ｄは、導体パターン２ｐの表面からエッチング底面２ｔまでの深さが１μｍ以上２μｍ以下、直径が２μｍ以上４μｍ以下となっている。このような凹凸部２ｃを設けることで、導体パタ
ーン２ｐの接合面積をより増大させることができ、半導体チップ２１等との接合をより強固にすることができる。
【００４０】
（ｅ）また、本実施形態によれば、パターンを種々変更した複数の突起１４ｂを有する塗布ローラ１４を用い、導体パターン２ｐの表面に形成される凹凸部２ｃのパターンを制御する。これにより、パターニングが施され、複雑な構造を有する導体パターン２ｐに対しても、所定位置に容易に凹凸部２ｃを形成することができる。
【００４１】
（ｆ）また、本実施形態によれば、導体パターン２ｐの表面には、略平坦なエッチング底面２ｔ及び略垂直なエッチング側壁２ｓを有する凹部２ｄと、エッチングされなかった導体パターン２ｐが突出するように残った凸部２ｂと、が形成される。これにより、アンカー効果による接合強度の向上を図ることができるばかりでなく、導体パターン２ｐの表面における伝送損失の抑制が容易となる。すなわち、導体パターン２ｐに高周波電流を流す場合、高周波電流は表皮効果により導体パターン２ｐの表面に集中して流れる。本実施形態で導体パターン２ｐの表面に形成された凹凸部２ｃは、深さ１μｍ以上２μｍ以下の規則的な矩形状の凹凸であるため、伝送損失を小さく抑えることができる。
【００４２】
一方、上述のような、プラズマ処理やサンドブラストによる手法では、導体パターンの表面はランダムで鋭角な形状の凹凸部を有することとなり、高周波電流に対する伝送損失が大きい。
【００４３】
＜本発明の第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法及びプリント配線板について説明する。
【００４４】
（１）プリント配線板の製造方法
本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、例えば絶縁フィルム上に形成した導体パターンの配線（リード）に、エッチングによりバンプ電極を形成する。本実施形態に係るプリント配線板の製造方法について、主に図３を用いて説明する。図３は、本実施形態に係るプリント配線板の製造方法の各工程を示す工程図である。
【００４５】
本実施形態に係るプリント配線板の製造方法では、上述の実施形態と同様の方法により導体パターン２ｐを形成する。すなわち、図１の（ａ）〜（ｆ）までの工程を実施し、導体パターン２ｐを得る。導体パターン２ｐの配線が形成された絶縁フィルム１を、図３（ａ）に示す。
【００４６】
本実施形態では、導体パターン２ｐの配線に、バンプ電極形成領域の周囲をエッチングによる凹部２ｄで除去することで、配線の一部が突出したバンプ電極を形成している。
【００４７】
まずは、図３（ｂ）に示すように、導体パターン２ｐの配線が形成された絶縁フィルム１上に、例えばフォトレジスト３を塗布し、図３（ｃ）に示すように、フォトマスク１１を用いて露光・現像し、図３（ｄ）に示すフォトレジストパターン３ｐを得る。フォトレジストパターン３ｐは、バンプ電極が形成される領域の周囲を除く、絶縁フィルム１の全面に形成されている。本実施形態においても、ネガ型・ポジ型のレジストや、ドライフィルム等を適宜、使用することができる。
【００４８】
次に、フォトレジストパターン３ｐをマスクとして、例えばエッチング阻害剤を含むエッチング液１３を用い、導体パターン２ｐをエッチングする。具体的には、フォトレジストパターン３ｐの形成された導体パターン２ｐを、エッチング阻害剤を含むエッチング液１３中に浸漬する。本実施形態においても、上述の実施形態と同様のエッチング阻害剤及
びエッチング液１３を用いることができる。
【００４９】
このように、浸漬によりエッチング液１３を導体パターン２ｐの表面に接触させ、導体パターン２ｐの表面において自発的なエッチングを進行させる。つまり、エッチング液１３によるエッチングと、エッチング阻害剤による保護膜の形成とが同時に進行することで、所定量の導体パターン２ｐが除去され、図３（ｅ）に示すように、凹部２ｄが形成され、エッチングされなかった配線が突出するように残った凸部２ｂが、バンプ電極として形成されたところで、保護膜のエッチング阻害効果によりエッチングが停止する。よって、凹部２ｄの有するエッチング底面２ｔは略平坦となる。すなわち、上面が略平坦な配線が得られる。また、凹部２ｄの有するエッチング側壁２ｓは、エッチング底面２ｔに対して略垂直となる。このエッチング側壁２ｓは、導体パターン２ｐが突出するように残った凸部２ｂ、すなわち、バンプ電極の側壁の一部をなす。バンプ電極は、例えば直径が数μｍ〜数百μｍに形成される。
【００５０】
なお、導体パターン２ｐのエッチングを促進させるため、絶縁フィルム１をエッチング液１３中で揺動したり、エッチング液１３を循環させて液流を発生させたりしてもよいが、このような物理的な力があまりにも強いと、自発的なエッチングの進行が阻害され、導体パターン２ｐにおいて上記所定の形状が得られない。
【００５１】
その後、水酸化ナトリウム等のアルカリ溶液を用いてフォトレジストパターン３ｐを除去し、図３（ｆ）に示すように、例えば凸部２ｂ等の一部の領域を除く導体パターン２ｐ上に、ソルダーレジスト４を形成する。さらに、図３（ｇ）に示すように、凸部２ｂ等、導体パターン２ｐの露出した表面に、例えば錫（Ｓｎ）や金（Ａｕ）等のメッキ５を施す。
【００５２】
以上により、導体パターン２ｐの配線に、一部突出した凸部２ｂがバンプ電極を構成してなる本実施形態に係るプリント配線板が製造される。
【００５３】
図４に示すように、上記プリント配線板には、その後、半導体チップ２１が実装される。すなわち、絶縁フィルム１上に形成されたバンプ電極である凸部２ｂと、半導体チップ２１が備える電極２２とが接合され、半導体チップ２１が実装される。
（２）第２実施形態に係る効果
本実施形態においても、上述の実施形態と同様の効果を奏する。
【００５４】
（ａ）また、本実施形態によれば、エッチング阻害剤を含むエッチング液１３を導体パターン２ｐの配線の表面に接触させ、配線の一部の領域を自発的なエッチングにより除去することで凸部２ｂであるバンプ電極を形成することができる。これにより、高い加工精度で、かつ、簡易に短時間で、バンプ電極付きのプリント配線板が得られる。
【００５５】
これに対し、上述の従来技術のように、配線の一部にメッキによりバンプ電極を形成すると、バンプ電極の形状制御が困難である等、高精度にバンプ電極を形成することが難しかった。また、バンプ電極を厚く形成しなければならず、メッキに時間を要していた。
【００５６】
（ｂ）また、例えばバンプ電極とバンプに接続される配線とを、従来のエッチング技術により形成するには、例えばフォトレジストパターンをマスクとし、従来のエッチング液を用いて導体パターンをハーフエッチングする方法が考えられる。この場合、ハーフエッチングで導体パターンの一部が除去された凹部が配線となる。ところが、エッチングの停止機能を持たない従来のエッチング液では、エッチングが等方的に進み、得られる凹部のエッチング底面やエッチング側壁が湾曲した曲面となるとともに、所定幅を有する配線が安定的に得られない。
【００５７】
しかしながら、本実施形態では、エッチング阻害剤を含むエッチング液１３を用い、自発的なエッチングにより導体パターン２ｐの一部を除去するので、略平坦なエッチング底面２ｔ及び略垂直なエッチング側壁２ｓが形成され、所定幅を有し、断面が矩形状の配線を安定的に得ることができる。
【００５８】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００５９】
例えば、上述の第１実施形態においては、導体パターン２ｐに凹凸部２ｃを形成するため、複数の突起１４ｂを有する塗布ローラ１４を用いてエッチング液１３の液滴１３ｄを導体パターン２ｐに付着させたが、これ以外の手法を用いて凹部を形成することも可能である。例えば、ディスペンサにより液滴１３ｄを所望のパターンに付着させてもよく、スクリーン印刷を用いたり印刷技術を応用したインクジェットを用いたりして、エッチング液を塗布するようにしてもよい。また、フォトリソグラフィ技術によりフォトレジストパターンをマスクとするウェットエッチング等により凹凸部を形成することも可能である。インクジェット方式やフォトリソグラフィ方式によれば、凹凸部のパターン精度をより向上させることができる。
【００６０】
また、上述の実施形態においては、塩化第二鉄溶液や塩化第二銅溶液等をエッチング液１３として用い、また、エッチング液１３中に含まれるエッチング阻害剤は、アミン類、エーテル類、グリコール類、アゾール類等の化合物を含むとしたが、エッチング液１３及びエッチング阻害剤は、これに限られない。また、例えば導体パターンに吸着したエッチング阻害剤自体や、エッチング阻害剤と導体パターンを構成する金属銅とが反応して形成される難溶解性化合物等が、保護膜となりうる。エッチングの阻害手法も保護膜によるものに限らず、エッチングの進行と阻害とが同時に起こるよう構成された溶剤等であれば、本発明に適用することができる。
【００６１】
また、上述の実施形態においては、絶縁フィルム１はポリイミド（ＰＩ）より構成されるとしたが、ＰＩ以外にも、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、アラミド、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂を成分とする材料を使用することができる。
【００６２】
また、上述の実施形態においては、塩化第二鉄溶液や塩化第二銅溶液等をエッチング液として、導体パターン２ｐを形成するものとしたが、エッチング阻害剤を含むエッチング液を用いて導体パターンを形成してもよい。その場合、導体層表面にスプレー等によりエッチング液を吹き付けることで、異方性エッチングを実現することができる。すなわち、スプレーによる打力が加わる導体層の膜厚方向へのエッチングは、阻害されることなく進行する。一方、エッチング側壁には物理的な力が加わらないため、エッチング阻害剤による保護膜が形成され、略垂直な形状を備える導体パターンを形成することができる。
【００６３】
また、上述の実施形態で示したような、導体パターン２ｐの表面粗化や、バンプ電極形成のみならず、導体層の種々の加工工程において、本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００６４】
１    絶縁フィルム
２ｐ  導体パターン
２ｂ  凸部
２ｃ  凹凸部
２ｄ  凹部
２ｓ  エッチング側壁
２ｔ  エッチング底面
１３    エッチング液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2012142506.tif 000006