(57)【要約】【課題】塩分を含む湿気に晒されて腐食することを防止するとともに、はんだ濡れ性を良好なままに保つことができる金属の腐食防止剤を提供することを目的とする。【解決手段】金属表面を有機化合物薄膜で被覆する金属の腐食防止剤であって、被覆された金属表面の水に対する接触角を９０度以上とし、かつ該薄膜が０．１〜１０ｎｍの厚さで形成され、はんだ濡れ性を実質的に低下させないことを特徴とする金属の腐食防止剤。前記有機化合物薄膜は、特定の含フッ素有機化合物又はリン酸エステルを含有する薄膜であることが好ましい。  【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属表面を有機化合物薄膜で被覆する金属の腐食防止剤であって、被覆された金属表面の水に対する接触角を９０度以上とし、かつ該薄膜が０．１〜１０ｎｍの厚さで形成され、はんだ濡れ性を実質的に低下させないことを特徴とする金属の腐食防止剤。
【請求項２】
前記有機化合物薄膜が、フルオロ炭化水素基ＣxＨyＦz−（ｘ＝３〜２４、ｙ＝０〜４８、ｚ＝１〜４９、ｙ＋ｚ≦２ｘ＋１）と、水酸基、メルカプト基、アミノ基、リン酸エステル基、カルボキシル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基及びテトラゾリル基またはその誘導体からなる群から選ばれた極性基Ｒ−を有する含フッ素有機化合物を含有する薄膜であることを特徴とする請求項１記載の金属の腐食防止剤。
【請求項３】
前記有機化合物薄膜が、下記の一般式（１）で表されるリン酸エステルを含有する薄膜であることを特徴とする請求項１記載の金属の腐食防止剤。
【化１】
2012132040.tif 000018
（式中、Ｒ1は炭素数４〜３０の飽和もしくは不飽和の炭化水素基を表し、Ｒ2は低級アルキレン基を表し、ｎは０〜１０の整数、ｍは１〜３の整数を表す。）
【請求項４】
上記金属が、外気に晒される電子部品の金属部であって、箔、パッケージ端子、バネ、接点、コネクタの形態をとり、銅又は銅合金から成ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載金属の腐食防止剤。
【請求項５】
上記金属が、外気に晒される銅箔又は銅合金箔から成ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載金属の腐食防止剤。
【請求項６】
上記銅合金がチタン、スズ、ニッケル、コバルト、銀、鉛、亜鉛、アルミニウム、ベリリウム、マンガン、鉄、ジルコニウム、クロム、リン、ケイ酸、マグネシウム、ヒ素、テルルの中から選ばれる少なくとも一つ以上の元素と銅とを含有することを特徴とする請求項４又は５に記載の金属の腐食防止剤。
【請求項７】
請求項１〜４、６のいずれかに記載の腐食防止剤により腐食防止され、かつはんだ濡れ性が実質的に低下していないことを特徴とする電子部品の金属部。
【請求項８】
請求項１〜３、５、６のいずれかに記載の腐食防止剤により腐食防止され、かつはんだ濡れ性が実質的に低下していないことを特徴とする銅箔又は銅合金箔。
【請求項９】
金属表面を有機化合物薄膜で被覆する金属の腐食防止方法であって、被覆された金属表面の水に対する接触角を９０度以上とし、かつ該薄膜が０．１〜１０ｎｍの厚さで形成され、はんだ濡れ性を実質的に低下させないことを特徴とする金属の腐食防止方法。
【請求項１０】
前記有機化合物薄膜が、フルオロ炭化水素基ＣxＨyＦz−（ｘ＝３〜２４、ｙ＝０〜４８、ｚ＝１〜４９、ｙ＋ｚ≦２ｘ＋１）と、水酸基、メルカプト基、アミノ基、リン酸エステル基、カルボキシル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基及びテトラゾリル基またはその誘導体からなる群から選ばれた極性基Ｒ−を有する含フッ素有機化合物を含有する薄膜であることを特徴とする請求項９記載の金属の腐食防止方法。
【請求項１１】
前記有機化合物薄膜が、下記の一般式（１）のリン酸エステルを含有する薄膜であることを特徴とする請求項９記載の金属の腐食防止方法。
【化１】
2012132040.tif 000019
（式中、Ｒ1は炭素数４〜３０の飽和もしくは不飽和の炭化水素基を表し、Ｒ2は低級アルキレン基を表し、ｎは０〜１０の整数、ｍは１〜３の整数を表す。）
【請求項１２】
上記金属が、外気に晒される電子部品の金属部であって、箔、パッケージ端子、バネ、接点、コネクタの形態をとり、銅又は銅合金から成ることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載金属の腐食防止方法。
【請求項１３】
上記金属が、銅箔又は銅合金箔から成ることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載金属の腐食防止方法。
【請求項１４】
上記銅合金がチタン、スズ、ニッケル、コバルト、銀鉛、亜鉛、アルミニウム、ベリリウム、鉄、ジルコニウム、クロム、リン、ケイ酸、マグネシウム、ヒ素、テルルの中から選ばれる少なくとも一つ以上の元素と銅とを含有することを特徴とする請求項１２又は１３に記載の金属の腐食防止方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は耐塩水腐食性に優れるとともに、はんだ濡れ性も良好な金属の腐食防止剤、該腐食防止剤で処理された電子部品の金属部、銅箔又は銅合金箔、及び金属の腐食防止方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気機器或いは電子機器には金属の部材、例えば、電気配線材、コネクタ、ばねなどが使用され、ケースに入れられている場合も含め、外気に金属部が晒された状態で使用される。屋外に設置されたり、使用されたりする電子機器については、例えば、携帯電話・デジタルカメラ・ポータブルナビゲーションなどがあり、それらは、昨今の電子機器の軽薄短小化により、従来のものと比較すると、加速度的にダウンサイジングが進んでいる。
その際に、従来に増して重要な特性として挙げられるのが、外気の、特に腐食性成分、例えば塩分を含む水などに対する耐食性である。このような耐食性を検証する試験としては複数あるが、中でも塩水噴霧試験が代表例といえる。特に、軽薄短小化する電子機器を構成する部品を構成する金属材料として銅または銅合金に求められる耐食性も日々シビアなものとなってきている。銅または銅合金のように塩水に対して耐腐食性を有しない金属材料の場合、たとえ合金などに代えて耐腐食性能を改善しようとしても、満足の得られるような結果が得られなかった。
【０００３】
このような問題を解決するために、塩水に対して耐腐食性を有しない金属材料、例えば銅または銅合金の腐食を抑制・阻害するために、有機材料または無機材料により金属表面を被覆して守る処理が検討されている。例えば、ベンゾトリアゾールやエポキシシランを用いた表面処理剤がよく用いられている。しかし、従来の表面処理では、金属表面を処理し皮膜を形成することによって、表面の金属としての特性の劣化、その一つの指標として、はんだ濡れ性が劣化する傾向が見られた。
【０００４】
また、特定のフルオロ炭化水素基と極性基を有する含フッ素化合物を含有するエポキシブリードアウト防止剤が知られている（特許文献１）。リードフレームやプリント配線基板等の半導体基材を該エポキシブリードアウト防止剤で処理することにより、ダイボンディング強度やアセンブリ特性に悪影響を与えず、変色防止処理や封孔処理効果を損なうことなく、ダイボンディング工程におけるエポキシブリードアウトを防止することができるとしている。しかし、この処理はエポキシレジンを使用する回路プロセス前に行なうものであり、また、金属の耐塩水腐食性に関する記載はない。
【０００５】
また、特定のリン酸エステルを含有するレジンブリードアウト防止剤も知られている（特許文献２）。リードフレームやプリント配線基板等の半導体基材を該レジンブリードアウト防止剤で処理することにより、ダイボンディング強度やアセンブリ特性に悪影響を与えず、変色防止処理や封孔処理効果を損なうことなく、ダイボンディング工程におけるレジンブリーアウトを防止することができるとしている。しかし、この処理もレジンを使用する回路プロセス前に行なうものであり、また、金属の耐塩水腐食性に関する記載はない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００７／０８３５３８号パンフレット
【特許文献２】国際公開第２００８／１４２９６０号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、塩分を含む湿気に晒されて腐食することを防止するとともに、はんだ濡れ性を良好なままに保つことができる金属の腐食防止剤、該腐食防止剤で処理された電子部品の金属部、銅箔又は銅合金箔、及び金属の腐食防止方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
これらの問題を解決するために、本発明者らは鋭意検討を行なった結果、耐塩水腐食性向上表面処理剤にて表面処理を行うことにより、はんだ濡れ性を損なうことなく、耐塩水腐食性を向上させることができることを見出し、もって本発明を完成させるに至った。
【０００９】
即ち、本発明は以下の通りである。
（１）金属表面を有機化合物薄膜で被覆する金属の腐食防止剤であって、被覆された金属表面の水に対する接触角を９０度以上とし、かつ該薄膜が０．１〜１０ｎｍの厚さで形成され、はんだ濡れ性を実質的に低下させないことを特徴とする金属の腐食防止剤。
（２）前記有機化合物薄膜が、フルオロ炭化水素基ＣxＨyＦz−（ｘ＝３〜２４、ｙ＝０〜４８、ｚ＝１〜４９、ｙ＋ｚ≦２ｘ＋１）と、水酸基、メルカプト基、アミノ基、リン酸エステル基、カルボキシル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基及びテトラゾリル基またはその誘導体からなる群から選ばれた極性基Ｒ−を有する含フッ素有機化合物を含有する薄膜であることを特徴とする前記（１）記載の金属の腐食防止剤。
（３）前記有機化合物薄膜が、下記の一般式（１）で表されるリン酸エステルを含有する薄膜であることを特徴とする前記（１）記載の金属の腐食防止剤。
【化１】
2012132040.tif 000002
（式中、Ｒ1は炭素数４〜３０の飽和もしくは不飽和の炭化水素基を表し、Ｒ2は低級アルキレン基を表し、ｎは０〜１０の整数、ｍは１〜３の整数を表す。）
（４）上記金属が、外気に晒される電子部品の金属部であって、箔、パッケージ端子、バネ、接点、コネクタの形態をとり、銅又は銅合金から成ることを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれかに記載金属の腐食防止剤。
（５）上記金属が、外気に晒される銅箔又は銅合金箔から成ることを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれかに記載金属の腐食防止剤。
（６）上記銅合金がチタン、スズ、ニッケル、コバルト、銀、鉛、亜鉛、アルミニウム、ベリリウム、マンガン、鉄、ジルコニウム、クロム、リン、ケイ酸、マグネシウム、ヒ素、テルルの中から選ばれる少なくとも一つ以上の元素と銅とを含有することを特徴とする前記（４）又は（５）に記載の金属の腐食防止剤。
（７）前記（１）〜（４）、（６）のいずれかに記載の腐食防止剤により腐食防止され、かつはんだ濡れ性が実質的に低下していないことを特徴とする電子部品の金属部。
（８）前記（１）〜（３）、（５）、（６）のいずれかに記載の腐食防止剤により腐食防止され、かつはんだ濡れ性が実質的に低下していないことを特徴とする銅箔又は銅合金箔。
【００１０】
（９）金属表面を有機化合物薄膜で被覆する金属の腐食防止方法であって、被覆された金属表面の水に対する接触角を９０度以上とし、かつ該薄膜が０．１〜１０ｎｍの厚さで形成され、はんだ濡れ性を実質的に低下させないことを特徴とする金属の腐食防止方法。
（１０）前記有機化合物薄膜が、フルオロ炭化水素基ＣxＨyＦz−（ｘ＝３〜２４、ｙ＝０〜４８、ｚ＝１〜４９、ｙ＋ｚ≦２ｘ＋１）と、水酸基、メルカプト基、アミノ基、リン酸エステル基、カルボキシル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基及びテトラゾリル基またはその誘導体からなる群から選ばれた極性基Ｒ−を有する含フッ素有機化合物を含有する薄膜であることを特徴とする前記（９）記載の金属の腐食防止方法。
（１１）前記有機化合物薄膜が、下記の一般式（１）のリン酸エステルを含有する薄膜であることを特徴とする前記（９）記載の金属の腐食防止方法。
【化１】
2012132040.tif 000003
（式中、Ｒ1は炭素数４〜３０の飽和もしくは不飽和の炭化水素基を表し、Ｒ2は低級アルキレン基を表し、ｎは０〜１０の整数、ｍは１〜３の整数を表す。）
（１２）上記金属が、外気に晒される電子部品の金属部であって、箔、パッケージ端子、バネ、接点、コネクタの形態をとり、銅又は銅合金から成ることを特徴とする前記（９）〜（１１）のいずれかに記載金属の腐食防止方法。
（１３）上記金属が、銅箔又は銅合金箔から成ることを特徴とする前記（９）〜（１１）のいずれかに記載金属の腐食防止方法。
（１４）上記銅合金がチタン、スズ、ニッケル、コバルト、銀鉛、亜鉛、アルミニウム、ベリリウム、鉄、ジルコニウム、クロム、リン、ケイ酸、マグネシウム、ヒ素、テルルの中から選ばれる少なくとも一つ以上の元素と銅とを含有することを特徴とする前記（１２）又は（１３）に記載の金属の腐食防止方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、塩分を含む湿気に晒されて腐食することを防止できるとともに、はんだ濡れ性を良好なままに保つことができる金属の腐食防止剤、該腐食防止剤で処理された電子部品の金属部、銅箔又は銅合金箔、及び金属の腐食防止方法を実現することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の金属の腐食防止剤は、金属表面を有機化合物薄膜で被覆する金属の腐食防止剤であって、被覆された金属表面の水に対する接触角を９０度以上とし、かつ該薄膜が０．１〜１０ｎｍの厚さで形成され、はんだ濡れ性を実質的に低下させない。
被覆された金属表面の水に対する接触角を９０度以上とし、撥水性を高くすることにより、耐塩水腐食効果が高くなる。接触角が９０度未満であると撥水性が悪くなり、耐塩水腐食効果が悪くなる。また、接触角が高すぎてもフラックス等をはじいてしまいはんだ濡れ性が悪くなることがある。接触角は９０〜１２０度が好ましい。
接触角の測定は、従来公知の種々の手段によって測定することができる。本発明においては接触角計を用いて測定した。具体的には、協和界面化学（株）製接触角計ＣＡ−ＤＴを用いて、温度２５℃、液量約１．５μｌで測定した。
また、前記薄膜の厚さを０．１〜１０ｎｍとすることにより、はんだ濡れ性を実質的に低下させず腐食防止効果を実現することができる。薄膜の厚さが０．１ｎｍ未満であると腐食防止について十分な効果が得られず、１０ｎｍを超えるとはんだ濡れ性が劣化する。
【００１３】
本発明の金属の腐食防止剤の一態様は、主成分としてフルオロ炭化水素基ＣxＨyＦz−（ｘ＝３〜２４、ｙ＝０〜４８、ｚ＝１〜４９、ｙ＋ｚ≦２ｘ＋１）と、水酸基、メルカプト基、アミノ基、リン酸エステル基、カルボキシル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基及びテトラゾリル基またはその誘導体からなる群から選ばれた極性基Ｒ−を有する含フッ素有機化合物を含有する。
【００１４】
前記フルオロ炭化水素基としては、フルオロアルキル基、２重結合を含むフルオロアルケニル基、３重結合を含むフルオロアルキニル基等が挙げられ、フルオロアルキル基が好ましい。また、これらのフルオロ炭化水素基は、フルオロ炭化水素基全体の炭素原子が３個から２４個であれば、直鎖状のものであっても良いし、側鎖を有していても良い。フルオロ炭化水素基の炭素数ｘは、３〜２４であり、５〜１２のものが特に好ましい。炭素数が少なすぎると腐食防止について十分な効果が得られず、炭素数が多すぎると、はんだ濡れ性が劣化する恐れがある。また、フッ素数ｚは、少ないと腐食防止について十分な効果が得られず、炭素数が多く分子が長い場合には、フッ素数が多すぎるとはんだ濡れ性が劣化するので、フッ素数ｚは１１〜２５が好ましい。
【００１５】
前記フルオロ炭化水素基としては、Ｆ(ＣＦ2)6−、Ｆ(ＣＦ2)8−、Ｆ(ＣＦ2)10−、Ｆ(ＣＦ2)6(ＣＨ2)2−、Ｆ(ＣＦ2)8(ＣＨ2)2−、Ｆ(ＣＦ2)10(ＣＨ2)2−、等を好ましく用いることができる。
【００１６】
また、前記極性基Ｒ−は、水酸基、メルカプト基、アミノ基、リン酸エステル基、カルボキシル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、及びテトラゾリル基、またはその誘導体からなる群から選ばれる。前記極性基がリン酸エステル基の場合は、モノエステル（−ＯＰ(Ｏ)(ＯＨ)2）、ジエステル（(−Ｏ)2Ｐ(Ｏ)(ＯＨ)）、トリエステル（(−Ｏ)3Ｐ(Ｏ)）を用いることができる。
【００１７】
イミダゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基の含窒素環状化合物については、異性体が存在するが、本発明においては、異性体のどれをも用いることができ、また、混合物でも構わない。合成の都合上、含窒素環状化合物の窒素が直接フルオロ炭化水素基と結合しているものが得られやすく、好ましく用いることができる。また、イミダゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基の誘導体としては、置換基としてアルキル基やフェニル基を有するもの等が挙げられる。
【００１８】
したがって、好ましい含フッ素有機化合物としては、前記フルオロ炭化水素基ＣxＨyＦz−をＡ−として示すと、例えば、Ａ−ＯＨ、Ａ−ＳＨ、Ａ−ＮＨ2、Ａ−ＯＰ(Ｏ)(ＯＨ)2、(Ａ−Ｏ)2Ｐ(Ｏ)(ＯＨ)、(Ａ−Ｏ)3Ｐ(Ｏ)、Ａ−ＣＯＯＨ、Ａ−Ｎ2Ｃ3Ｈ3（１−イミダゾリル）、Ａ−Ｎ3Ｃ2Ｈ2（１，２，３−トリアゾル−１−イル）、Ａ−Ｎ4ＣＨ（１−テトラゾリル）等を挙げることができる。
【００１９】
本発明の腐食防止剤のもう一つの態様としては、主成分として下記式で表されるリン酸エステルを含有する。
【化１】
2012132040.tif 000004
（式中、Ｒ1は炭素数４〜３０の飽和もしくは不飽和の炭化水素基を表し、Ｒ2は低級アルキレン基を表し、ｎは０〜１０の整数、ｍは１〜３の整数を表す。）
【００２０】
Ｒ1は炭素数４〜３０の飽和もしくは不飽和の炭化水素基を表す。中でも炭素数８〜２０の飽和もしくは不飽和の炭化水素基が好ましい。炭素数が少なすぎると腐食防止について十分な効果が得られず、炭素数が多すぎるとはんだ濡れ性が劣化する。
不飽和の炭化水素基としては、二重結合、三重結合を１つまたは２つ以上有していても良く、また、直鎖状であっても、側鎖を有していても良い。
更に、Ｒ1としては環状炭化水素基や芳香族炭化水素基が主鎖に連結していてもよいが、直鎖状のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基が好ましく、直鎖状のアルキル基が特に好ましい。アルケニル基、アルキニル基においては、二重結合、三重結合の位置は特に制限はない。
Ｒ2は炭素数１〜４の低級アルキレン基を示し、メチレン基、エチレン基、プロピレン基が好ましく、エチレン基が特に好ましい。
【００２１】
ｎは０〜１０の整数を表し、１〜６の整数が好ましい。
ｍは１〜３の整数を表す。上記リン酸エステルは、モノエステル、ジエステル、トリエステルのいずれも有用であり、混合物として得られる場合は単離するする必要はなく、混合物として用いることができる。また、ｍが複数の場合、Ｒ1、Ｒ2、およびｎは異なっていても良い。
【００２２】
本発明の腐食防止剤は、前記含フッ素有機化合物またはリン酸エステルを主成分として水に溶解させて得られる。
処理される金属としては、外気に晒される電子部品の金属部であって、箔、パッケージ端子、バネ、接点、コネクタの形態をとり、銅又は銅合金から成るもの、又は銅箔又は銅合金箔が挙げられ、一般的な公知の製造方法で得られるものでよい。銅合金としてはチタン、スズ、ニッケル、コバルト、銀、鉛、亜鉛、アルミニウム、ベリリウム、マンガン、鉄、ジルコニウム、クロム、リン、ケイ素、マグネシウム、ヒ素、テルルの中から選ばれる少なくとも一つ以上の元素と銅とを含有する合金が挙げられる。銅合金は銅の含有量が５０重量％を超えるのものが好ましい。
【００２３】
前記処理液中の上記含フッ素有機化合物、リン酸エステルの濃度は１０ｍｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌが好ましい。上記濃度が１０ｍｇ／Ｌ未満では耐塩水腐食性効果が弱く、１０ｇ／Ｌを超えても効果が飽和し、それ以上の効果を期待できないため好ましくない。
【００２４】
上記含フッ素有機化合物、リン酸エステルが水に溶けにくい場合には、必要に応じてアルコール、ケトンなどの有機溶剤を添加することができる。添加する量は、上記含フッ素有機化合物、リン酸エステルが水に溶けるのに必要な濃度でよいが、通常０．１ｇ／Ｌ〜２００ｇ／Ｌが好ましく、１ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌがより好ましい。０．１ｇ／Ｌ未満では上記化合物の溶解性を改善する効果が低く、また２００ｇ／Ｌを超えても上記化合物を溶解する効果が飽和しそれ以上の効果を期待できないため好ましくない。
【００２５】
さらに、上記含フッ素有機化合物、リン酸エステルが水に溶けにくい場合には、必要に応じて、アニオン系、カチオン系、ノニオン系の界面活性剤のいずれか、またはこれらの混合物を１μｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌ、好ましくは１０μｇ／Ｌ〜１ｇ／Ｌ添加してもよい。１μｇ／Ｌ未満では上記化合物の溶解性を改善する効果が低く、また１０ｇ／Ｌを超えても上記化合物を溶解する効果が飽和しそれ以上の効果を期待できないため好ましくない。
【００２６】
また、処理液は、液のｐＨ緩衝性を向上させたい場合は、必要に応じて、リン酸系、ホウ酸系、有機酸系のｐＨ緩衝剤を０．１ｇ／Ｌ〜２００ｇ／Ｌ、好ましくは１〜５０ｇ／Ｌ添加してもよい。０．１ｇ／Ｌ未満では緩衝性を向上させる効果が低く、２００ｇ／Ｌを超えても効果が飽和し、それ以上の効果を期待できないため好ましくない。
【００２７】
また、処理液中に金属の溶出がある場合は必要に応じて、金属隠蔽剤を使用することができる。この金属隠蔽剤としては、基本的には公知のものが使用できるが、特にアミン系、アミノカルボン酸系、カルボン酸系の錯化剤が好ましく、０．１ｇ／Ｌ〜２００ｇ／Ｌ、好ましくは１ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ添加してもよい。０．１ｇ／Ｌ未満であると金属の錯化力が低く、２００ｇ／Ｌを超えても効果が飽和し、それ以上の効果を期待できないため好ましくない。
【００２８】
腐食防止剤のｐＨは特に限定する必要はないが、通常はｐＨ１〜１４の間であり、ｐＨ２〜１２で処理することが好ましい。この範囲を逸脱すると、耐塩水腐食効果を有する薄膜形成が困難であり、かつ素材のダメージが大きい。
また、腐食防止剤による処理温度は、水溶液で行いうる温度範囲で可能であるが、通常５〜９０℃、好ましくは１０〜６０℃とする。９０℃を超えても作業性が悪くなるだけで、温度を高くするメリットがない。
【００２９】
さらに、腐食防止剤での処理時間は、０．１秒〜３００秒で効果を見て適宜調整すればよく、作業の再現性と効率を考慮すると１秒〜６０秒が好ましい。０．１秒未満であると、耐塩水腐食防止効果を有する薄膜形成が困難であり、３００秒を超えても効果が飽和し、かつ作業効率が低くなる。
【００３０】
また、本発明の腐食防止剤を用いた腐食防止方法としては、電子部品の金属部、銅箔または銅合金箔等の金属を腐食防止剤に浸漬するか、または腐食防止剤をシャワー、スプレーなどにより電子部品の金属部、銅箔または銅合金箔に散布するか、スピンコーターなどにより塗布するなどして接触させた後、水洗、乾燥すればよい。
【００３１】
上記のような処理を行うことによって、電子部品の金属部、銅箔または銅合金箔の片面または両面には上記腐食防止剤が吸着し、０．１〜１０ｎｍの厚さの薄膜が形成される。薄膜が形成された表面の水に対する接触角は９０度以上であり、そのため、電子部品の金属部、銅又は銅合金部分の耐塩水腐食性が改善され、且つ薄膜が非常に薄いためはんだ濡れ性を損なわない。
【００３２】
尚、はんだ濡れ性に関しては、一般的にゼロクロスタイムで３秒以下であればはんだ濡れ性が良好であるということができる。本発明において、はんだ濡れ性が実質的に低下しないとは、腐食防止剤で処理した後のはんだ濡れ性が、ゼロクロスタイムで３秒よりも短く、はんだ濡れ性が良好であることを言う。好ましくはゼロクロスタイムで２秒以下であり、より好ましくは１秒以下、さらに好ましくは０．３秒以下である。
【００３３】
本発明の腐食防止剤で処理された電子部品の金属部、銅箔又は銅合金箔は、それぞれ一般的な用途に使用できるが、特に外気に晒され耐腐食性が要求される用途に好適である。例えば、携帯電話、デジタルカメラ、携帯音楽プレーヤー、携帯ゲーム機、ネットブック・ポータブル、ＧＰＳ中の基板、コネクタ、接点などの各種部品に好適に用いることができる。前記各種部品はケース内に入れられている場合であっても、潮風等の腐食性の外気に晒される場合があり、耐腐食性が要求されている。
【実施例】
【００３４】
以下、実施例に基づいて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３５】
実施例１〜２４、比較例１〜１３
表１に記載した銅または銅合金薄膜に、表１に記載の成分を水に溶解させた腐食防止剤を用い、表１に記載の処理条件により浸漬処理を行った。
尚、実施例８、９、１０で用いた含フッ素有機化合物の極性基−Ｎ2Ｃ3Ｈ3、−Ｎ3Ｃ2Ｈ2、−Ｎ4ＣＨは、それぞれ１−イミダゾリル基、１，２，３−トリアゾル−１−イル基、１−テトラゾリル基である。
尚、表１中、主成分Ｒ1、Ｒ2、ｎは、上記一般式で表されるリン酸エステルにおけるＲ1、Ｒ2、ｎを示し、リン酸エステルは、モノエステルとジエステルの１：１混合物を用いた。用いたリン酸エステルのＲ1のアルキル基、アルケニル基はすべて直鎖状であり、実施例１７、１８におけるアルケニル基は、中央に二重結合を有する１０−エイコセニル基、１１−ドコセニル基である。
また、表１中、浴組成における「−」は添加しないことを示す。
【００３６】
得られた銅箔または銅合金箔について、耐塩水腐食性とはんだ濡れ性を下記のように評価した。
耐塩水腐食性
ＪＩＳＺ２３７１に基づく塩水噴霧試験を７２時間行った後に、かさのある腐食物を柔らかい紙でふき取り除去した後の単位面積あたりの重量減少量（腐食減肉量）を求めた。
はんだ濡れ性
ＪＩＳＣ００５３に基づいたはんだ槽平衡法による濡れ時間（ゼロクロスタイム）を求めた。はんだはＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕの鉛フリーはんだを使用し、フラックスとしてはタムラ化研ＮＡ−２００を用いた。
結果を表１に示す。
【００３７】
【表１−１】
2012132040.tif 000005
【００３８】
【表１−２】
2012132040.tif 000006
【００３９】
【表１−３】
2012132040.tif 000007
【００４０】
【表１−４】
2012132040.tif 000008
【００４１】
【表１−５】
2012132040.tif 000009
【００４２】
【表１−６】
2012132040.tif 000010
【００４３】
【表１−７】
2012132040.tif 000011
【００４４】
【表１−８】
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【００４５】
【表１−９】
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【００４６】
【表１−１０】
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【００４７】
【表１−１１】
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【００４８】
【表１−１２】
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【００４９】
【表１−１３】
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