(57)【要約】【課題】強電界によるソフトブレイクダウンで生じる電子が、転送レジスタへノイズ信号として混入することを抑制することのできる固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法を提供する。【解決手段】受光センサ部１１の上方に開口部５１が形成された第１の遮光膜３１により被覆された有効画素領域１０と、この有効画素領域１０に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るための画素領域が設けられるとともに、第２の遮光膜３２により被覆されたオプティカルブラック画素領域２０と、を有する画素領域と、受光センサ部１１から垂直転送レジスタ部１２へ信号電荷を読み出す際に、転送電極13へ印加する読み出しパルスと同期して、第２の遮光膜32に正電圧のパルスを印加する電圧印加部と、を備える構成の固体撮像装置とした。【選択図】図４
2012142509.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射された光に応じた撮像信号を得るための受光センサ部と、前記受光センサ部から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部と、前記受光センサ部に蓄積された信号電荷を前記垂直転送レジスタ部に読み出す際に所定電圧の読み出しパルスが印加される転送電極と、が設けられ、前記受光センサ部の上方に開口部が形成された第１の遮光膜により被覆された有効画素領域と、
この有効画素領域に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るための画素領域が設けられるとともに、第２の遮光膜により被覆されたオプティカルブラック画素領域と、
を有する画素領域と、
前記受光センサ部から前記垂直転送レジスタ部へ信号電荷を読み出す際に、前記転送電極へ印加する読み出しパルスと同期して、前記第２の遮光膜に正電圧のパルスを印加する電圧印加部と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１の遮光膜と第２の遮光膜とは、分離領域を介して電気的に分離されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記分離領域からの光の入射を遮る遮光手段を備えることを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記遮光手段は、前記分離領域の上方に形成された第３の遮光膜であることを特徴とする請求項３記載の固体撮像装置。
【請求項５】
入射された光に応じた撮像信号を得るための受光センサ部と、
前記受光センサ部から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部と、
前記受光センサ部に蓄積された信号電荷を前記垂直転送レジスタ部に読み出す際に所定電圧の読み出しパルスが印加される転送電極と、
が設けられ、前記受光センサ部の上方に開口部が形成された第１の遮光膜により被覆された有効画素領域と、
この有効画素領域に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るための画素領域が設けられるとともに、第２の遮光膜により被覆されたオプティカルブラック画素領域と、
を備え、
前記受光センサ部から前記垂直転送レジスタ部へ信号電荷を読み出す際に、前記転送電極へ印加する読み出しパルスと同期して、前記第２の遮光膜に正電圧のパルスを印加することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、暗電流補正用の画素部を有するオプティカルブラック画素領域と、画像の取り込みに有効な画素部を有する有効画素領域とを備える固体撮像素子が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００３】
かかる固体撮像素子の一例であるCCD（Charge Coupled Device）の画素領域を図１４〜図１６に示す。図１４に示すように、画素領域には有効画素領域１００とオプティカルブラック画素領域（以下、「ＯＢ画素領域」ともいう）２００とが形成されている。
【０００４】
有効画素領域１００は、被写体からの入射光に応じた信号電荷を生成して撮像信号を得る受光センサ部１１０がマトリクス状に配置されており、ＯＢ画素領域２００は光学的黒レベルの基準信号を得るためのもので、有効画素領域１００に隣接して設けられている。
【０００５】
なお、ＣＣＤには、受光センサ部１１０で光電変換された信号電荷を出力する出力部３００に転送する水平転送レジスタ部４００が設けられている。
【０００６】
また、図１５に示すように、ＣＣＤの有効画素領域１００及びＯＢ画素領域２００には、信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部１２０が設けられている。有効画素領域１００に設けられた垂直転送レジスタ部１２０は、受光センサ部１１０から読み出された信号電荷を垂直転送する。
【０００７】
垂直転送レジスタ部１２０は、受光センサ部１１０に蓄積された信号電荷を前記垂直転送レジスタ部１２０に読み出す転送電極１３０を備えている。そして、転送電極１３０には、信号電荷を垂直転送レジスタ部１２０に読み出す際に所定電圧の読み出しパルスが印加されたり、垂直転送レジスタ部１２０の信号電荷を転送する際に転送パルスが印加されたりする。
【０００８】
かかるＣＣＤでは、OB画素領域２００の出力信号をクランプして暗時レベルの基準としているため、OB画素領域２００の画素構造は、有効画素領域１００の画素構造（図１５（ａ）参照）とは異なり、図１５（ｂ）に示すように、光電変換を行うためのN+層を形成しておらず、そのため、受光センサ部のP+濃度が非常に高くなっている。
【０００９】
また、図１５に示すように、画素領域は遮光膜５００により覆われている。かかる遮光膜５００は、一般に、有効画素領域１００には受光センサ部１１０の上方に位置するように開口部５１０が形成される一方、OB画素領域２００には開口部はなく、完全遮光になっている。なお、図１５中、符号６００はシリコン半導体基板を示している。
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−３１２４９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述した従来の固体撮像素子（例えばＣＣＤ）は、受光センサ部１１０から垂直転送レジスタ部１２０へ信号電荷の読み出しを行う際に、通常、転送電極１３０ａには13V程度の正電圧パルスを印加している（図４（ａ）参照）。このとき、受光センサ部１１０のP+濃度が高いOB画素領域２００の画素構造特有の問題として、図１６（ｂ）に示すように、読み出しパルス印加時に、受光センサ部１１０と垂直転送レジスタ部１２０間に、有効画素よりも強い電界が発生してしまう（有効画素電位差＜ＯＢ画素電位差）。
【００１２】
さらに、遮光膜５００は、通常GND電位であるのが一般的であるため、開口部５１０（図１５参照）がないOB領域においては、受光センサ部１１０が基板表面側よりGND電位に固定されている（図１６（ａ）参照）。そのため、読み出しパルス印加時には、垂直転送レジスタ部１２０と受光センサ部１１０との電位差が大きくなり、電界の強化が助長されてしまうことになる。そうなると、OB画素領域２００のみで生じるかかる強電界によってソフトブレイクダウンが起きてしまう虞が生じる。
【００１３】
ソフトブレイクダウンが発生すると、図１６（ｂ）に示すように、微小な電子が発生して垂直転送レジスタ部１２０へ混入してしまう。発生した電子は、OB画素領域２００の出力信号のノイズ成分となってしまい、これによって、クランプレベルがずれ、出力画像が黒く沈む、あるいは色付く等といった問題が発生してしまう。なお、最近のCCDでは、モニタリングモード等で信号加算動作を行うことが一般的であるが、この場合、前述のOB画素領域２００のノイズ成分も同時に加算されてしまうため、クランプレベルのずれがさらに強調される可能性もある。
【００１４】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、強電界によるソフトブレイクダウンで生じる電子が、転送レジスタへノイズ信号として混入することを抑制することのできる固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
そこで、上記目的を達成するために、請求項１に係る発明は、入射された光に応じた撮像信号を得るための受光センサ部と、前記受光センサ部から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部と、前記受光センサ部に蓄積された信号電荷を前記垂直転送レジスタ部に読み出す際に所定電圧の読み出しパルスが印加される転送電極と、が設けられ、前記受光センサ部の上方に開口部が形成された第１の遮光膜により被覆された有効画素領域と、この有効画素領域に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るための画素領域が設けられるとともに、第２の遮光膜により被覆されたオプティカルブラック画素領域と、を有する画素領域と、前記受光センサ部から前記垂直転送レジスタ部へ信号電荷を読み出す際に、前記転送電極へ印加する読み出しパルスと同期して、前記第２の遮光膜に正電圧のパルスを印加する電圧印加部と、を備える固体撮像装置とした。
【００１６】
また、請求項２に係る本発明では、請求項１記載の固体撮像装置において、前記第１の遮光膜と第２の遮光膜とは、分離領域を介して電気的に分離されていることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項３に係る本発明では、請求項２記載の固体撮像装置において、前記分離領域からの光の入射を遮る遮光手段を備えることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項４に係る本発明では、請求項３記載の固体撮像装置において、前記遮光手段は、前記分離領域の上方に形成された第３の遮光膜であることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項５に係る本発明は、入射された光に応じた撮像信号を得るための受光センサ部と、前記受光センサ部から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部と、前記受光センサ部に蓄積された信号電荷を前記垂直転送レジスタ部に読み出す際に所定電圧の読み出しパルスが印加される転送電極と、が設けられ、前記受光センサ部の上方に開口部が形成された第１の遮光膜により被覆された有効画素領域と、この有効画素領域に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るための画素領域が設けられるとともに、第２の遮光膜により被覆されたオプティカルブラック画素領域と、を備え、前記受光センサ部から前記垂直転送レジスタ部へ信号電荷を読み出す際に、前記転送電極へ印加する読み出しパルスと同期して、前記第２の遮光膜に正電圧のパルスを印加する固体撮像装置の駆動方法とした。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、読み出しクロック印加時において、ＯＢ領域に発生する強電界を緩和することができるため、オプティカルブラック部のソフトブレイクダウンが生じ難くなり、ソフトブレイクダウン発生時に転送レジスタへ電子が混入することを防ぐことができる。したがって、クランプレベルのずれが軽減され、出力画像が黒く沈む、あるいは色付くといった問題の発生を抑止することが可能となり、複合映像信号や輝度信号などの信号処理を、より正確に行ない易くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施形態に係る固体撮像素子の一例であるCCDの画素領域を示す模式的説明図である。
【図２】CCDの画素領域を構成する有効画素領域とＯＢ画素領域とを示す模式的説明図である。
【図３】固体撮像装置の一例を示す模式的説明図である。
【図４】OB画素領域を被覆する第２遮光膜への正電圧のパルスを印加するタイミングを示す説明図である。
【図５】本実施形態に係るＣＣＤにおける正電圧の読み出しパルス印加時に、受光センサ部と垂直転送レジスタとの間に生じる電位差の説明図である。
【図６】本実施形態に係るＣＣＤの有効画素領域とＯＢ画素領域の断面構造を示す模式的説明図である。
【図７】第１遮光膜と第２遮光膜とを電気的に分離する構造の第１の変形例を示す説明図である。
【図８】第１遮光膜と第２遮光膜とを電気的に分離する構造の一例を示す説明図である。
【図９】第１遮光膜と第２遮光膜とを電気的に分離する構造の第２の変形例を示す説明図である。
【図１０】第１遮光膜と第２遮光膜とを電気的に分離する構造の一例を示す説明図である。
【図１１】有効画素領域における転送電極へのパルスを印加するタイミングを示す説明図である。
【図１２】ＯＢ画素領域における転送電極へのパルスを印加するタイミングを示す説明図である。
【図１３】ＯＢ画素領域における転送電極へのパルスを印加するタイミングの変形例を示す説明図である。
【図１４】従来のCCDの画素領域を示す模式的説明図である。
【図１５】従来のＣＣＤの有効画素領域とＯＢ画素領域の断面構造を示す模式的説明図である。
【図１６】従来のＣＣＤにおける正電圧の読み出しパルス印加時に、受光センサ部と垂直転送レジスタとの間に生じる電位差の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明に係る固体撮像装置の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の説明では、固体撮像素子であるＣＣＤ（Charge Coupled Device）を備えた例で説明するが、これに限定されるものではなく、受光センサ部から読み出した信号電荷を垂直−水平転送（パラレル−シリアル転送）する構造の固体撮像装置全般に適用可能である。
【００２３】
図１は、固体撮像素子の一例であるCCD（Charge Coupled Device）の画素領域を示し、図２はCCDの画素領域を構成する有効画素領域とＯＢ画素領域とを示している。図１に示すように、本実施形態におけるCCDの画素領域には、背景技術で説明したCCD同様に、有効画素領域１０とオプティカルブラック画素領域（以下、「ＯＢ画素領域」ともいう）２０とが形成されている。
【００２４】
図１において、符号１１は被写体からの入射光に応じた信号電荷を生成して撮像信号を得る受光センサ部を示しており、マトリクス状に配置されている。また、符号４０は、受光センサ部１１で光電変換された信号電荷を出力する出力部３０に転送する水平転送レジスタを示している。
【００２５】
また、図２に示すように、有効画素領域１０及びOB画素領域２０には、信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部１２が設けられている。有効画素領域１０の垂直転送レジスタ部１２は、図示するように、受光センサ部１１に蓄積された信号電荷を前記垂直転送レジスタ部１２に読み出す転送電極１３ａ，１３ｂを備えている。転送パルスよりも高電圧の読み出しパルスが受光センサ部１１に隣接する転送電極１３ａのみに印加され、転送パルスは転送電極１３ａと転送電極１３ｂの両方に印加され、読み出された信号電荷は１走査線（１ライン）に相当する部分ずつ順に垂直方向に転送される。
【００２６】
なお、ＯＢ画素領域２０は、光学的黒レベルの基準信号を得る領域であって受光センサ部１１は設けられておらず、単に基準信号となる電荷を転送する電荷転送用の垂直転送レジスタ部１２のみが形成されている。
【００２７】
また、本実施形態に係るＣＣＤでは、有効画素領域１０とＯＢ画素領域２０とは、画素領域を遮光している金属膜からなる第１の遮光膜３１と第２の遮光膜３２とが電気的に分離する構造となっている。これは、有効画素領域１０を被覆する有効領域遮光膜としての第１の遮光膜３１とＯＢ画素領域２０を被覆するOB領域遮光膜としての第２の遮光膜３２とを、別々の電位にすることを目的としている。図２中、符号５１は第１の遮光膜３１に形成された開口部を示し、受光センサ部１１の上方に位置している。
【００２８】
また、図３は、本実施形態に係る固体撮像装置の一例を示す模式的説明図であり、図示するように、ＣＣＤの受光センサ部１１から垂直転送レジスタ部１２へ信号電荷を読み出す際に、転送電極１３へ印加する読み出しパルスと同期して、第２の遮光膜３２に正電圧のパルスを印加する電圧印加部を備えている。
【００２９】
本実施形態に係る電圧印加部は、CCDの外部に設けたタイミングジェネレータTGと、転送電極１３に接続されて、タイミングジェネレータTGによるタイミングに応じて読み出しパルスや転送パルスが印加される端子V1〜V4と、これら端子V1〜V4と独立して第２の遮光膜３２に正電圧のパルスが印加されるＯＢ遮光膜用外部端子VOBを備えている。ＯＢ遮光膜用外部端子VOBは第２の遮光膜３２に接続しており、タイミングジェネレータによって、読み出しパルスと同期したタイミングで同程度の正電圧のパルスが独立して入力されるようになっている。
【００３０】
すなわち、通常のCCDにおいては、図４（ａ）に示すように、転送電極に読み出し時には正電圧の読み出しパルスが印加され、転送時には負の転送パルスが印加される。
【００３１】
一方、本実施形態に係るＣＣＤでは、図４（ｂ）に示すように、有効画素領域１０の第１の遮光膜３１（有効領域遮光膜）はGND電位にしているため、従来と同様の特性が得られるようになっている。しかも、図４（ｃ）に示すように、OB画素領域２０の第２の遮光膜３２（OB領域遮光膜）には、読み出しパルスと同期した正電圧のパルスを印加するようにしている。
【００３２】
これによって、従来構造のOB画素領域では、読み出しパルス印加時には遮光膜下のセンサ領域がGND電位に固定されていたのに対し、本実施形態のように、正電圧パルスを印加すれば、図５（ａ）〜図５（ｃ）に示すように、受光センサ部１１と垂直転送レジスタ部１２との電位差の差がつきにくくなる。この結果として、読み出し電圧印加時の強電界を緩和させることができる。
【００３３】
OB画素領域２０の第２の遮光膜３２に正電圧パルスを印加する方法として、本実施形態では、上述したように、CCDの外部に設けたタイミングジェネレータTGと、読み出しパルスや転送パルスが印加される端子V1〜V4と別に、独立したＯＢ遮光膜用外部端子VOBを備える電圧印加部を具備させた簡単な手段を採用した。しかし、第２の遮光膜３２に読み出しパルスと同期した正電圧のパルスを印加することができるのであれば、電圧印加部の構成は何ら限定されるものではない
【００３４】
ところで、本実施形態では、有効画素領域１０の第１の遮光膜３１とOB画素領域２０の第２の遮光膜３２とを電気的に分離する構造を、図６に示すような構成としている。これは、同一層の遮光膜をスリット３３を介して分離した単純な構成である。この場合、層間絶縁膜１４を介して、後に第１、第２の遮光膜３１，３２となる金属を化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：CVD）等で堆積させ、その後、ドライエッチング等でスリット３３を空けることによって互いに絶縁させる方法を採用することができる。
【００３５】
図６において、符号５１は、受光センサ部１１の上方に位置するように第１の遮光膜３１に形成された開口部を示している。また、受光センサ部１１は、ｐ型不純物層１１ａと、ｐ型不純物層１１ａの下に形成されたｎ型不純物層１１ｂとから構成されている。ｐ型不純物層１１ａは、受光センサ部１１の表面電位を固定して暗電流を防ぐ機能を有している。そして、受光センサ部１１で発生した信号電荷は、ｎ型不純物層１１ｂに蓄積される。
【００３６】
また、第１の遮光膜３１と第２の遮光膜３２とを電気的に分離する構造の変形例として、例えば、図７に示す構成とすることもできる。これは、第１の遮光膜３１と第２の遮光膜３２とを別の層で形成したものである。この場合、例えば、有効画素領域１０の第１の遮光膜３１のみを前述同様にCVDなどの方法で堆積させた後、透過性の高い絶縁膜３４を生成し、その後、OB画素領域２０の第２の遮光膜３２を別の層として生成することができる。
【００３７】
図６及び図７のいずれの構成であっても、有効画素領域１０の第１の遮光膜３１とOB画素領域２０の第２の遮光膜３２との間には物理的な隙間が形成されるため、光の混入が懸念される。そこで、光混入の対策として、第１の遮光膜３１と第２の遮光膜３２との間の間隙部分は、OB画素領域２０において、光電変換が行われる可能性の無い箇所である非光電変換領域に設けるとよい。例えば、図６に示した構成であれば、図８に示すように、スリット３３は非光電変換領域を設けるのである。
【００３８】
あるいは、図９に示すように、隙間の上層に、更に別層の第３の遮光膜３５を形成することもできる。図９においては、例えば、図６に示す構成となるように、遮光膜をドライエッチング等でスリットを形成した後、このスリット及び第１の遮光膜３１の開口部５１を埋めるように透過性の高い絶縁膜３４を生成し、その後、スリット上方位置に別途、第３の遮光膜３５を形成するのである。
【００３９】
また、図７で示したように、第１の遮光膜３１と第２の遮光膜３２とを別の層として生成する場合、図１０に2つの遮光膜３１，３２が重なる長さである重合部長さＬを増やすことでも、光の混入を抑制することもできる。このように、遮光手段としては、第１の遮光膜３１と第２の遮光膜３２との間の間隙の位置であったり、あるいは別途形成された遮光膜であったり、種々の手段が考えられる。
【００４０】
図１１〜図１３は、転送電極１３へのパルスを印加するタイミングの説明図である。OB画素領域２０の第２の遮光膜３２に入力するパルスは正電圧である必要があり、電圧が高いほど、読み出しパルス印加時に発生する強電界を緩和する効果がある。ただし、電圧が高すぎる場合、第２の遮光膜３２と、当該第２の遮光膜３２を介して隣接している垂直転送レジスタ部１２上の転送電極１３との耐圧が問題となる。
【００４１】
例えば、図１１に示すように、従来の技術を使用したデバイスで使用している電圧値が、遮光膜は０Ｖ（GND）、読み出しパルスは１３V、転送パルスが−6．5Vであるとすれば、遮光膜と、読み出しパルスを印加する転送電極Ａとの最大電位差は１３Vとなる。
【００４２】
本実施形態のＣＣＤにおいて、このような電圧印加を前提とした場合、図１２に示すように、読み出しパルス、及び転送電極１３の印加バイアスは変更せず、OB画素領域２０の第２の遮光膜３２にＯＢ遮光膜用外部端子ＶＯＢを介して印加するパルス電圧を6．5Vにすれば、電極間耐圧特性が、従来技術のデバイスと同程度のままであっても、静電破壊等の問題は生じないものと考えられる。
【００４３】
なお、本実施形態では、読み出しパルスと、OB画素領域２０の第２の遮光膜３２に印加する正電圧パルスを完全に同期させた場合として説明した（図４、図１２を参照）。しかし、読み出しパルスと、OB画素領域２０の第２の遮光膜３２に印加する正電圧パルスは、図１３に示すように、完全に同期していない場合であってもソフトブレイクダウンの抑制は可能である。
【００４４】
なぜなら、ソフトブレイクダウン起因で発生するノイズ信号は、受光センサ部１１と垂直転送レジスタ部１２との間発生する強電界の時間に比例するため、図示するように、読み出し用の電圧パルスと、第２の遮光膜３２を印加する正電圧パルスとが時間的にある程度重なっていれば、ノイズ信号の発生は抑制可能である。
【００４５】
上述してきた実施形態より、以下の固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法が実現される。
【００４６】
（１）入射された光に応じた撮像信号を得るための受光センサ部１１と、受光センサ部１１から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部１２と、受光センサ部１１に蓄積された信号電荷を垂直転送レジスタ部１２に読み出す際に所定電圧の読み出しパルスが印加される転送電極１３と、が設けられ、受光センサ部１１の上方に開口部５１が形成された第１の遮光膜３１により被覆された有効画素領域１０と、この有効画素領域１０に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るための画素領域が設けられるとともに、第２の遮光膜３２により被覆されたオプティカルブラック画素領域２０と、を有する画素領域と、受光センサ部１１から垂直転送レジスタ部１２へ信号電荷を読み出す際に、転送電極13へ印加する読み出しパルスと同期して、第２の遮光膜32に正電圧のパルスを印加する電圧印加部と、を備える固体撮像装置（例えば、ＣＣＤ）。
【００４７】
（２）上記（１）において、第１の遮光膜３１と第２の遮光膜３２とは、分離領域（例えば、スリット３３）を介して電気的に分離されている固体撮像装置（例えば、ＣＣＤ）。
【００４８】
（３）上記（２）において、分離領域（例えば、スリット３３）からの光の入射を遮る遮光手段を備える固体撮像装置（例えば、ＣＣＤ）。
【００４９】
（４）上記固体撮像装置において、前記遮光手段は、前記分離領域の上方に形成された第３の遮光膜３５である固体撮像装置（例えば、ＣＣＤ）。
【００５０】
（５）入射された光に応じた撮像信号を得るための受光センサ部１１と、受光センサ部１１から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部１２と、受光センサ部１１に蓄積された信号電荷を垂直転送レジスタ部１２に読み出す際に所定電圧の読み出しパルスが印加される転送電極１３と、が設けられ、受光センサ部１１の上方に開口部５１が形成された第１の遮光膜３１により被覆された有効画素領域１０と、この有効画素領域１０に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るための画素領域が設けられるとともに、第２の遮光膜３２により被覆されたオプティカルブラック画素領域２０と、を備え、受光センサ部１１から垂直転送レジスタ部１２へ信号電荷を読み出す際に、転送電極１３へ印加する読み出しパルスと同期して、第２の遮光膜３２に正電圧のパルスを印加する固体撮像装置の駆動方法。
【符号の説明】
【００５１】
１０    有効画素領域
１１    受光センサ部
１２    垂直転送レジスタ部
１３    転送電極
２０    オプティカルブラック（ＯＢ）画素領域
３１    第１の遮光膜
３２    第２の遮光膜
３３    スリット
５１    開口部
ＴＧ    タイミングジェネレータ
ＶＯＢ    ＯＢ遮光膜用外部端子
【図１】
2012142509.tif 000003
【図２】
2012142509.tif 000004
【図３】
2012142509.tif 000005
【図４】
2012142509.tif 000006
【図５】
2012142509.tif 000007
【図６】
2012142509.tif 000008
【図７】
2012142509.tif 000009
【図８】
2012142509.tif 000010
【図９】
2012142509.tif 000011
【図１０】
2012142509.tif 000012
【図１１】
2012142509.tif 000013
【図１２】
2012142509.tif 000014
【図１３】
2012142509.tif 000015
【図１４】
2012142509.tif 000016
【図１５】
2012142509.tif 000017
【図１６】
2012142509.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月22日(2011.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2012142509.tif 000019
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2012142509.tif 000020