(57)【要約】【課題】コンデンサの低抵抗化、接続構造の堅牢化とともに、接続工程の簡略化を図ることにある。【解決手段】コンデンサ素子（４）の素子端面（５）に前記コンデンサ素子から導出された電極張出し部（陽極部６、陰極部８）と、電極張出し部に設置され、溶接始点（１８Ｓ）から溶接終点（１８Ｅ）に至る溶接ライン（１８）に連続照射されるビーム出力を段階的又は連続的に異ならせたビーム照射により電極張出し部（陽極部６、陰極部８）に接続された集電板（陽極集電板１２、陰極集電板１６）とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンデンサ素子の素子端面に前記コンデンサ素子から導出された電極張出し部と、
前記電極張出し部に設置され、溶接始点から溶接終点に至る溶接ラインに連続照射されるビーム出力を段階的又は連続的に異ならせたビーム照射により前記電極張出し部に接続された集電板と、
を備えることを特徴とするコンデンサ。
【請求項２】
前記集電板は、前記溶接ラインに照射される前記ビーム出力が前記溶接始点を前記溶接終点より高く設定されて前記電極張出し部に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】
前記コンデンサ素子から導出した電極張出し部を前記コンデンサ素子の素子端面に形成する工程と、
前記電極張出し部に集電板を設置し、該集電板に溶接始点から溶接終点に至る溶接ラインを設定し、この溶接ラインに連続照射されるビーム出力を段階的又は連続的に異ならせたビーム照射により前記電極張出し部に集電板を接続する工程と、
を含むコンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記集電板に照射する前記ビーム出力は、前記溶接ラインの前記溶接始点を前記溶接終点より高く設定したことを特徴とする請求項３に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記集電板に照射する前記ビーム出力は、前記溶接ラインの前記溶接始点を前記溶接終点より高く設定し、前記溶接始点から前記溶接終点に段階的又は連続的に減衰させることを特徴とする請求項３又は４に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記ビームは、ファイバーレーザビームであることを特徴とする、請求項１又は２に記載のコンデンサ、請求項３、４又は５に記載のコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサ素子と外部端子との接続に関し、例えば、コンデンサ素子と外部端子の接続に集電板を用いた電解コンデンサ、電気二重層コンデンサ等のコンデンサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気二重層コンデンサ又は電解コンデンサでは、素子と外部端子とを電気的に接続することが必要である。この電気的な接続により、素子側の内部抵抗の低減や、接続部分の接触抵抗を低減させる対策が施されている。
【０００３】
このような電気的接続に関し、素子の端面に集電端子を設けること（例えば、特許文献１）、巻回素子の一方の端面に陽極集電板、他方の端面に陰極集電板を設けること（例えば、特許文献２）、巻回素子の端面に露出した集電箔を覆って集電板を備え、集電板と集電箔とを溶接接続すること（例えば、特許文献３）、また、集電板を外装ケースと素子との接続や外部端子との接続に用いること（例えば、特許文献４）が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２１９８５７公報
【特許文献２】特開２００１−０６８３７９公報
【特許文献３】特開２００７−３３５１５６公報
【特許文献４】特開２０１０−０９３１７８公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、巻回型素子の各端面に集電体を備える構成では、巻回素子を外装する外装部材に陽極側及び陰極側の外部端子を隣接して設置した場合には、各外部端子と集電体との間に接続距離を確保する必要がある。また、巻回型素子では、内側部分と外側部分との間で内部抵抗の分布が異なるため、その対策が必要となり、素子と集電体との接続に注意を払う必要がある。また、集電体を用いた構造では素子の内部抵抗を低減できるが、外部端子と素子との間に介在する集電体に製造途上で加わる応力によっては接続の信頼性低下や接続抵抗が大きくなる場合がある。
【０００６】
また、このような集電体を用いる場合、コンデンサ素子から引き出された電極体の張り出し部が多いほど内部抵抗が下がるので、内部抵抗を低下させるにはその張出し部を多くすればよい。このような張出し部に集電体を溶接する場合、溶接条件によっては、厚みの薄い張り出し部には均一に熱が伝わりにくく、加熱にムラを生じると、均一な溶融状態が得られず、内部抵抗の低下が得られない、溶接部分の機械的強度が低下する等の課題があった。
【０００７】
斯かる要求や課題について、特許文献１〜４にはその開示や示唆はなく、それを解決する構成等についての開示や示唆はない。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、上記課題に鑑み、コンデンサの低抵抗化、接続構造の堅牢化とともに、接続工程の簡略化を図ることにある。斯かる目的を詳細に述べれば、電極張出し部と集電板との接続の安定化を図り、コンデンサ素子の低抵抗化とともに、接続強度を高めたコンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明のコンデンサは、コンデンサ素子の素子端面に前記コンデンサ素子から導出された電極張出し部と、前記電極張出し部に設置され、溶接始点から溶接終点に至る溶接ラインに連続照射されるビーム出力を段階的又は連続的に異ならせたビーム照射により前記電極張出し部に接続された集電板とを備えている。
【００１０】
上記目的を達成するためには、上記コンデンサにおいて、前記集電板は、前記溶接ラインに照射される前記ビーム出力が前記溶接始点を前記溶接終点より高く設定されて前記電極張出し部に接続されてもよい。
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明のコンデンサの製造方法は、前記コンデンサ素子から導出した電極張出し部を前記コンデンサ素子の素子端面に形成する工程と、前記電極張出し部に集電板を設置し、該集電板に溶接始点から溶接終点に至る溶接ラインを設定し、この溶接ラインに連続照射されるビーム出力を段階的に又は連続的に異ならせたビーム照射により前記電極張出し部に集電板を接続する工程とを含んでいる。
【００１２】
上記目的を達成するためには、上記コンデンサの製造方法において、前記集電板に照射する前記ビーム出力は、前記溶接ラインの前記溶接始点を前記溶接終点より高く設定するとよい。
【００１３】
上記目的を達成するためには、上記コンデンサの製造方法において、前記集電板に照射する前記ビーム出力は、前記溶接ラインの前記溶接始点を前記溶接終点より高く設定し、前記溶接始点から前記溶接終点に段階的又は連続的に減衰させるとよい。
【００１４】
上記目的を達成するためには、上記コンデンサの製造方法において、前記ビームは、ファイバーレーザビームであってもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のコンデンサ又はその製造方法によれば、次の何れかの効果が得られる。
【００１６】
(1) コンデンサ素子の素子端面に引き出された電極張出し部と、外部端子との間に集電板を備えて接続したので、コンデンサ素子の低抵抗化を図ることができる。
【００１７】
(2) コンデンサ素子の素子端面に引き出された電極張出し部と、外部端子との間に集電板を備えた接続構造であるから、コンデンサ素子の電極張出し部と外部端子との接続構造を堅牢化できる。
【００１８】
(3) 上記構造により、集電板を介在させて外部端子とコンデンサ素子の電極張出し部との接続が簡易化でき、接続工程の簡略化を図ることができる。
【００１９】
(4)   集電板やコンデンサ素子の電極張出し部の形状等に応じて、溶接ラインに対するビーム出力を段階的又は連続的に異ならせること、さらには前記溶接ラインの前記溶接始点を前記溶接終点より高く設定することで、集電板や電極張出し部との接続性を向上させることができ、安定した溶接接続を実現できる。
【００２０】
(5)   集電板とコンデンサ素子の電極張出し部とのビーム溶接の始点から終点に至る溶接ラインに対するビーム出力を段階的又は連続的に減衰させたので、集電板及び電極張出し部に加えられる溶接エネルギーを均一化でき、接続性を向上させることができ、安定した溶接接続を実現できる。
【００２１】
(6) ファイバーレーザビームを用いれば、ビーム出力を容易に調整でき、所望のビーム出力に連続的又は段階的に減衰させることができ、ビーム照射の連続化により、溶接ムラの発生を防止できる。
【００２２】
そして、本発明の他の目的、特徴及び利点は、添付図面及び各実施の形態を参照することにより、一層明確になるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の実施の形態に係る電気二重層コンデンサの一例を示す平面図である。
【図２】図１に示す電気二重層コンデンサのII−II線断面図である。
【図３】電気二重層コンデンサを示す分解斜視図である。
【図４】一部を分解したコンデンサ素子の一例を示す斜視図である。
【図５】コンデンサ素子の電極、セパレータの大小関係及び配置を示す図である。
【図６】第２の実施の形態に係る電気二重層コンデンサの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図７】電極部の成形前後を示す図である。
【図８】集電板の一例を示す図である。
【図９】コンデンサ素子の電極部と集電板の溶接を示す図である。
【図１０】溶接ライン、レーザ出力及び出力波形を示す図である。
【図１１】コンデンサ素子、集電板及び外部端子の接続状態を示す図である。
【図１２】第３の実施の形態に係るコンデンサ素子の電極部と集電板の溶接を示す図である。
【図１３】溶接ライン、レーザ出力及び出力波形を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
〔第１の実施の形態〕
【００２５】
第１の実施の形態は、コンデンサ素子の電極張出し部に集電板がレーザ溶接により接続されたコンデンサであって、レーザ照射（ビーム照射の一例）の始点から終点に至る溶接ライン上でレーザ出力（ビーム出力の一例）を段階的又は連続的に異ならせたレーザ溶接を用いている。
【００２６】
このコンデンサについて、図１、図２及び図３を参照する。図１は封口側から見た電気二重層コンデンサの一例、図２は図１のII−II線断面、図３は分解した電気二重層コンデンサの各部材の一例を示している。図１〜図３に示す構成は一例であって、斯かる構成に本発明は限定されない。
【００２７】
この電気二重層コンデンサ（以下、単に「コンデンサ」と称する。）２は、本発明のコンデンサの一例である。図１及び図２に示すコンデンサ２では、コンデンサ素子４の同一の素子端面５に陽極部６と陰極部８が形成されている。素子端面５は、コンデンサ素子４のセパレータ４０、４２（図４）で覆われている。陽極部６及び陰極部８は、コンデンサ素子４の電極体で構成された電極張出し部の一例である。
【００２８】
陽極部６には陽極端子１０が陽極集電板１２を介在させて接続され、また、陰極部８には陰極端子１４が陰極集電板１６を介在させて溶接接続部１５で接続されている。これらの接続にはビーム照射による溶接として例えば、レーザ溶接や電子ビーム溶接が用いられ、溶接ライン１８（図３）はレーザ照射接続部である。この実施の形態では、溶接ライン１８には始点１８Ｓと終点１８Ｅが設定され、溶接ライン１８に照射されたレーザ出力が始点１８Ｓから終点１８Ｅに向かって段階的又は連続的に異ならせてレーザ溶接が行われている。また、陽極端子１０及び陰極端子１４は外部端子の一例である。
【００２９】
コンデンサ素子４は円筒体であって、一方の素子端面５より、陽極体６０（図４）を引き出して陽極部６が形成され、陰極体８０（図４）を引き出して陰極部８が形成されている。陽極部６と陰極部８との間には素子端面５上に絶縁間隔１９が設定されて絶縁されているとともに、この絶縁間隔１９の位置で陽極集電板１２と陰極集電板１６の間にも絶縁間隔２１が設定されている。また、コンデンサ素子４の周囲には保持テープ２３が巻回され、陽極体６０や陰極体８０の巻き戻りが防止されている。
【００３０】
コンデンサ素子４の外装部材として外装ケース２０及び封口板２２が備えられ、外装ケース２０は例えばアルミニウム等の成形性のある金属材料からなる成形体である。封口板２２は外装ケース２０の開口部を閉止し、空間部２４の気密性を保持する手段であるとともに、陽極端子１０及び陰極端子１４を固定する固定部材であり、コンデンサ素子４の支持部材を構成する。この実施の形態では、封口板２２にベース部２６と、封止部２８とが備えられる。ベース部２６は絶縁材料である例えば、合成樹脂で形成され、陽極端子１０及び陰極端子１４が固定されるとともに、絶縁されている。封止部２８は密閉性の高い材料例えば、ゴム環で構成されている。
【００３１】
この封口板２２は、外装ケース２０の開口部３０（図３）に挿入されるとともに、開口部３０側の中途部に形成された加締め段部３２に位置決めされている。外装ケース２０の開口端部３４及びその近傍がカーリング処理により加締められ、封止部２８に食い込ませられている。これにより、外装ケース２０が強固に封止されている。そして、封口板２２のベース部２６には、図２及び図３に示すように、透孔３６が形成されるとともに、薄ゴムからなる圧力開放機構３８が形成されている。この実施形態では、陽極集電板１２と接続された陽極部６、及び陰極集電板１６と接続された陰極部の外周部には絶縁手段１７が設置されている。この絶縁手段１７によってコンデンサ素子２と外装ケース２０との絶縁が図られている。この絶縁手段１７には例えば、絶縁紙や絶縁テープ等の絶縁材料を用いればよい。
【００３２】
次に、コンデンサ素子４について、図４及び図５を参照する。図４は一部を分解して示したコンデンサ素子、図５はコンデンサ素子の電極、セパレータの大小関係及び配置を示している。
【００３３】
このコンデンサ素子４は、図４に示すように、陽極体６０と、陰極体８０と、セパレータ４０、４２とを備え、陽極体６０と陰極体８０との間には両者間を絶縁するセパレータ４０、４２のそれぞれが挟み込まれて巻回され、円筒状の巻回素子を構成している。陽極体６０及び陰極体８０にはベース材４４に例えば、アルミニウム箔が用いられ、このベース材４４の両面に活性炭等の活物質及び結着剤等を含む分極性電極４６とともに未塗工部４８が形成されている。未塗工部４８は分極性電極４６が形成されていない部分であって、陽極部６又は陰極部８に加工する部分である。
【００３４】
また、このコンデンサ素子４では、同一端面側に形成された陽極部６と陰極部８との間には一定幅で既述の絶縁間隔１９を形成するための絶縁間隔２５が設けられている。この絶縁間隔２５は、成形前の直立状態にある陽極部６及び陰極部８の対向間隔である。陽極部６は例えば、陽極体６０のベース材４４で形成され、同様に陰極部８も陰極体８０のベース材４４で形成されている。陽極体６０及び陰極体８０がアルミニウムで形成される場合、陽極部６及び陰極部８は、分極性電極４６を形成していないアルミニウム面を露出させたベース部４４の部分即ち、既述の未塗工部４８の一部で形成される。
【００３５】
陽極部６又は陰極部８が形成される幅は、絶縁手段であるセパレータ４０、４２の幅より縁部側に突出させて配置され、各陽極部６又は陰極部８の円弧長に対応する長さＬに形成されている。各陽極部６又は陰極部８は、陽極集電板１２又は陰極集電板１６との接続前に、図２（又は図７のＢ）に示すように、加工してコンデンサ素子４の素子端面に密着状態に形成される。
【００３６】
このコンデンサ素子４について、図５に示すように、陽極体６０及び陰極体８０の幅Ｗ1 、セパレータ４０、４２の幅をＷ2 、分極性電極４６の幅をＷ3 、既述の未塗工部４８の幅をＷ4 、セパレータ４０、４２から露出する陽極部６及び陰極部８の幅をＷ5 、幅Ｗ4 のセパレータ４０、４２が重なり部分の幅をＷ7 、素子端面５と反対側の素子端面の形成幅をＷ6 、陽極部６及び陰極部８の折り幅をＷ8 とすると、一例としてこれらの大小関係は、
Ｗ1 ＞Ｗ2 ＞Ｗ3 ＞Ｗ4 ＞Ｗ5 ＞Ｗ8 
であり、また、Ｗ6 ＝Ｗ7 に設定される。幅Ｗ5 には折り幅Ｗ8 から内側に屈曲させるための折り目線５０が形成されている。
【００３７】
これらの幅Ｗ1 、Ｗ2 、Ｗ3 、Ｗ4 、Ｗ5 、Ｗ6 、Ｗ7 、Ｗ8 を例示すれば、Ｗ1 ＝１００〔ｍｍ〕、Ｗ2 ＝９９〔ｍｍ〕、Ｗ3 ＝８９〔ｍｍ〕、Ｗ4 ＝１１〔ｍｍ〕、Ｗ5 ＝６〔ｍｍ〕、Ｗ6 ＝Ｗ7 ＝Ｗ8 ＝５〔ｍｍ〕である。
【００３８】
このような配置からコンデンサ素子４の素子端面５は、コンデンサ素子４から露出したセパレータ４０、４２の縁部によって形成される。そして、素子端面５から一定の幅を持って形成される折り目線までの寸法は０．５〔ｍｍ〕〜３〔ｍｍ〕が好ましく、また、素子端面５からの陽極部６及び陰極部８の張り出し長寸法（Ｗ5 ）は、３〔ｍｍ〕〜１０〔ｍｍ〕とすることが好ましい。
【００３９】
このコンデンサ２について、特徴事項や利点を以下に列挙する。
【００４０】
(1) コンデンサ素子４の素子端面５には電極張出し部である陽極部６と陰極部８とが形成され、陽極部６には陽極集電板１２、陰極部８には陰極集電板１６が重ねられて溶接により接続され、コンデンサ素子４及び電気二重層コンデンサ２の低抵抗化が図られている。
【００４１】
(2) コンデンサ素子４の素子端面５に陽極部６及び陰極部８が平坦化され、陽極集電板１２、陰極集電板１６を介して陽極端子１０及び陰極端子１４が接続されているので、これら接続等に用いられる空間部２４を狭小化でき、該空間部が電気二重層コンデンサ２に閉める割合を小さくでき、しかも接続の強化、接続の信頼性向上を図ることができる。
【００４２】
(3) コンデンサ素子４の陽極部６と陽極集電板１２、陰極部８と陰極集電板１６とを備えた接続構造であるから、接続の簡略化とともに、接続構造の堅牢化を図ることができる。
【００４３】
(4) 上記構造により、陽極集電板１２、陰極集電板１６を介在させて封口板２２にある陽極端子１０及び陰極端子１４の接続が容易化でき、接続工程を簡略化とともに、接続処理を短時間で行うことができ、製造コストの低減を図ることができる。
【００４４】
(5)   陽極集電板１２、陰極集電板１６やコンデンサ素子４の陽極部６、陰極部８の形状に応じて、溶接ラインに対するビーム出力を段階的又は連続的に異ならせることで、陽極集電板１２、陰極集電板１６や陽極部６、陰極部８との接続性を向上させることができ、安定した溶接接続を実現できる。
【００４５】
〔第２の実施の形態〕
【００４６】
第２の実施の形態は、コンデンサ素子４の素子端面５に陽極部６と陰極部８を形成し、陽極部６に陽極集電板１２を、陰極部８に陰極集電板１６をそれぞれ溶接して接続する工程を含む電気二重層コンデンサ２の製造方法を開示している。接続工程では、集電板に溶接始点から溶接終点に至る溶接ラインを設定し、この溶接ラインに照射されるビーム出力を段階的及び連続的に異ならせてビーム照射を行っている。
【００４７】
この製造工程について、図６、図７、図８、図９、図１０及び図１１を参照する。図６は電気二重層コンデンサの製造工程の一例、図７は電極部の成形前及び成形後の一例、図８は集電板の一例、図９は集電板の溶接の一例、図１０は溶接ライン、レーザ出力及びレーザ出力波形の一例、図１１は集電板と外部端子の接続処理の一例を示している。
【００４８】
このコンデンサ２の製造工程は、本発明のコンデンサの製造方法の一例であって、この製造工程には、図６に示すように、コンデンサ素子４の形成工程（ステップＳ１１）、電極部の形成工程（ステップＳ１２）、第１の接続工程（電極部と集電板の溶接工程）（ステップＳ１３）、第２の接続工程（集電板と外部端子の溶接工程）（ステップＳ１４）、電解液含浸及び封入工程（ステップＳ１５）が含まれる。
【００４９】
(1) コンデンサ素子４の形成工程（ステップＳ１１）
【００５０】
このコンデンサ素子４の形成工程には、電極体の形成工程及びコンデンサ素子４の巻回工程が含まれる。電極体の形成工程では、陽極側又は陰極側の電極体として陽極体６０、陰極体８０が形成される。これら陽極体６０及び陰極体８０には、ベース材４４に例えば、アルミニウム箔が用いられる。ベース材４４は同一幅の帯状体であって、このベース材４４の両面に活性炭等の活物質及び結着剤等を含む分極性電極４６を形成する。この分極性電極４６の形成の際、ベース材４４には、一方の縁部側に一定幅の未塗工部４８が形成され、この未塗工部４８は分極性電極４２の非形成部分である。この未塗工部４８が既述の電極張出し部であり、この未塗工部４８で陽極部６又は陰極部８が形成される。
【００５１】
陽極体６０には巻回方向に幅の異なる複数の陽極部６が形成され、図７に示すように、陰極体８０には幅の異なる複数の陰極部８が形成される。各陽極部６はコンデンサ素子４の素子端面５に半周毎に引き出されるように異なる間隔で形成する。また、各陰極部８もコンデンサ素子４の素子端面５に半周毎に引き出され、陽極部６と陰極部８との間には既述の絶縁間隔１９が設定される。
【００５２】
コンデンサ素子４の巻回工程では、図示しない巻軸が用いられ、図４に示すように、陽極体６０及び陰極体８０が、これらの間にセパレータ４０、４２を介在させて巻回され、巻回素子であるコンデンサ素子４が形成される。このコンデンサ素子４の一方の素子端面５には、既述の通り、半周毎に陽極部６と陰極部８とが形成されている。
【００５３】
陽極部６又は陰極部８の形成部は、絶縁手段であるセパレータ４０、４２の幅より大きく設定され、各陽極部６又は陰極部８の円弧長に対応する長さＬに形成されている。素子端面５は、コンデンサ素子４の端面に露出するセパレータ４０、４２の縁部によって形成される。
【００５４】
(2) 電極部の形成工程（ステップＳ１２）
【００５５】
この電極部の形成工程では、陽極集電板１２又は陰極集電板１６との接続前に、陽極部６又は陰極部８をコンデンサ素子４の素子端面５上に成形加工する。
【００５６】
既述の工程で巻回されたコンデンサ素子４の素子端面５には図７のＡに示すように、電極張出し部としての陽極部６と陰極部８が立設されている。これら陽極部６と陰極部８との間には所定幅の絶縁間隔２５が設定されている。この絶縁間隔２５の幅Ｗａは、折り曲げられた陽極部６と陰極部８との絶縁間隔１９の幅Ｗｂより広く（Ｗａ＞Ｗｂ）設定されている。また絶縁間隔２５の幅Ｗａと前述の陽極部６及び陰極部８の折り幅をＷ8 の大小関係は、Ｗａ＞Ｗ8 である。この絶縁間隔２５の中心にＹ軸、このＹ軸と直交方向にＸ軸を取り、Ｘ軸を中心に左右に角度θ1 、θ2 （＞θ1 ）を設定して区画する。角度θ1 でコンデンサ素子４の巻回中心部（巻芯部）５２を中心に放射状方向に複数の切込み５４を入れ、各切込み５４により陽極部６及び陰極部８をそれぞれ複数の例えば、３区分に区画された区画部６Ａ、６Ｂ、６Ｃが陽極部６側に形成されている。同様に、複数の陰極部８側にも複数の区画部８Ａ、８Ｂ、８Ｃが形成されている。角度θ1 を例えば、３３〔°〕に設定すれば、区画部６Ａ、８Ａは２θ1 ＝６６〔°〕となり、区画部６Ａを挟んで形成された区画部６Ｂ、６Ｃ又は区画部８Ａを挟んで形成された区画部８Ｂ、８Ｃの角度θ2 は、θ2 ＝５７〔°〕に設定されている。各区画部の区分角度は同一角度でもよいし、異なってもよい。
【００５７】
切込み５４の深さは例えば、張出し長を陽極部６と陰極部８の高さｈ1 に設定され、陽極部６の区画部６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、陰極部８の区画部８Ａ、８Ｂ、８Ｃを中途部で屈曲させ、コンデンサ素子４の巻芯方向に押し倒して圧縮成形することにより、図７のＢに示すように、各区画部６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、陰極部８の区画部８Ａ、８Ｂ、８Ｃに成形される。この実施の形態では、各区画部６Ｂ、６Ｃ及び区画部８Ｂ、８Ｃが溶接部分に設定されている。そこで、区画部６Ａ、８Ａの突出高さｈ2 が各区画部６Ｂ、６Ｃ、８Ｂ、８Ｃの高さｈ3 より高く設定され、区画部６Ａ、６Ｂ、６Ｃ及び陰極部８の区画部８Ａ、８Ｂ、８Ｃの高さを陽極集電板１２及び陰極集電板１６の屈曲形状に対応させている。なお、コンデンサ素子４の陽極部６及び陰極部８は、この様にコンデンサ素子４の中心方向に向かって陽極部６及び陰極部８全体を圧縮成形することで、高さ寸法を抑制している。この実施の形態では、陽極部６の区画部６Ｂ、６Ｃを圧縮形成して、安定した平坦状の接続面（即ち、溶接面）を形成し、その後非接続面である区画部６Ａを圧縮成形し、区画部６Ａ−６Ｂ間、区画部６Ａ−６Ｃ間の重なりによって生じる境界部の高さ寸法が抑制されている。
【００５８】
各陽極部６及び各陰極部８の成形工程において、コンデンサ素子４の巻回後、素子端面５に露出する陽極部６、陰極部８は、巻回中心部５２を中心にして対向方向に折り曲げられた状態で対向している。そこで、図７のＢに示すように、巻回中心部５２側に折り曲げ、既述の区画部６Ａ、８Ａを形成する。これら陽極部６及び陰極部８の折り曲げは既述の折り目線５０（図５）で行う。
【００５９】
この折り目５０はキズではなくケガキ線であって、陽極部６及び陰極部８の折り曲げ時の座屈を防止することができる。この折り目線５０は溝であり、断面形状は三角、四角又は湾曲（Ｒ）であってもよい。この折り目線５０の形成には例えば、プレス、レーザ、切削等の方法を用いればよい。折り目線５０は図５に示すように１本であってもよいが、未途工部４８の幅に応じて複数本としてもよい。折り目線５０の形成面部は、未塗工部４８の片面でもよいが、両面であってもよい。一例としての折り目線５０は、素子端面５の巻回中心部５２に対向する面が谷折りになるように形成されている。
【００６０】
(3) 第１の接続工程（ステップＳ１３）
【００６１】
この接続工程では、コンデンサ素子４の素子端面５に形成された陽極部６に陽極集電板１２、陰極部８に対して陰極集電板１６の各接続を行う。
【００６２】
陽極部６に接続される陽極集電板１２、陰極部８に接続される陰極集電板１６は、図８のＡに示すように、電極材料と同一の例えば、アルミニウム板で形成され、既述の陽極部６の区画部６Ａ、６Ｂ、６Ｃ（図７）を覆い、区画部６Ｂ、６Ｃとのレーザ溶接面積を持ち、且つ陽極端子１０とのレーザ溶接面積を持つ形状及び面積を備えている。この実施の形態では、コンデンサ素子４の素子端面５の２分の１の大きさであって、既述の絶縁間隔２１が確保される形状として、ほぼ半円形板である。
【００６３】
陽極集電板１２又は陰極集電板１６には、弦側中心部にコンデンサ素子４の巻回中心部５２に対応して円弧状切欠部５８が形成され、その弧側には、Ｘ軸を中心にＸ軸と直交方向に直線状に切り落とされた接続面部６１が形成されている。また、この陽極集電板１２又は陰極集電板１６には、円弧状切欠部５８を中心即ち、Ｘ軸を中心に左右に角度θ1 を持って直角に屈曲させた段部６２を以て円弧状の端子接続部１２Ａ（１６Ａ）及び素子接続部１２Ｂ、１２Ｃ（１６Ｂ、１６Ｃ）が形成されている。各端子接続部１２Ａ及び素子接続部１２Ｂ、１２Ｃは、それぞれ平坦面に形成され、段部６２を挟んで平行面を構成している。端子接続部１２Ａ（１６Ａ）の下面にはコンデンサ素子４の区画部６Ａ（８Ａ）が設置され、素子接続部１２Ｂ、１２Ｃ（１６Ｂ、１６Ｃ）の下面にはコンデンサ素子４の区画部６Ｂ、６Ｃ（８Ｂ、８Ｃ）が設置される。
【００６４】
この陽極集電板１２において、端子接続部１２Ａの高さをｈ4 、陽極集電板１２の厚さをｔ、端子接続部１２Ａの内側の高さをｈ5 とすると、
ｈ5 ＝ｈ4 −ｔ≧ｈ2 −ｈ3                 ・・・(1) 
に設定されている。従って、端子接続部１２Ａの内側の高さをｈ5 は、区画部６Ａ、８Ａの突出高さｈ2 と各区画部６Ｂ、６Ｃ、８Ｂ、８Ｃの高さｈ3 との差分Δｈ（≧ｈ2 −ｈ3 ）を吸収し、陽極集電板１２が各区画部６Ｂ、６Ｃに密着し、且つ区画部６Ａを収納して設置される。なお、陽極集電板１２の厚さｔは、陽極集電板１２の素子接続部１２Ｂ、１２Ｃと端子接続部１２Ａの部位で厚さを変更することもできる。例えば、端子接続部１２Ａの厚みを素子接続部１２Ｂ、１２Ｃに比べて厚く設定（１．２倍以上）することができ、これによると陽極部６とのレーザ溶接の際に素子接続部１２Ｂ、１２Ｃに生じる発熱が所定厚みを有する端子接続部１２Ａによって吸収され、レーザ溶接の接続精度が向上する。このような構成及び他の部材との関係については、陰極集電板１６についても同様である。
【００６５】
次に、陽極集電板１２及び陰極集電板１６は図９に示すように、コンデンサ素子４の一端面に巻回中心部５２を中心にし、且つ巻回中心部５２に円弧状切欠部５８を合わせて配置され、陽極部６と陰極部８との間の絶縁間隔１９に対応する絶縁間隔２１が設定されている。陽極集電板１２には、端子接続部１２Ａの下面側にコンデンサ素子４の陽極部６の区画部６Ａ、陽極集電板１２の素子接続部１２Ｂ、１２Ｃの下面側にコンデンサ素子４の陽極部６の区画部６Ｂ、６Ｃが位置決めされて密着させられる。そして、溶接ライン１８に示すように、コンデンサ素子４の周縁方向から巻芯方向に向かうレーザ照射により、区画部６Ｂ、６Ｃ及び素子接続部１２Ｂ、１２Ｃを部分的又は全面的に溶融させ、接続している。このような接続は陰極集電板１６側でも同様である。なお、陽極部６と陰極部８との間の絶縁間隔１９の幅をＷｂとし、陽極集電板１２と陰極集電板１６との間の絶縁間隔２１の幅をＷｃとし、少なくとも巻回中心部５２付近における大小関係をＷｂ＞Ｗｃとしている。このように、陽極集電板１２と陰極集電板１６との間の絶縁間隔２１の幅Ｗｃを小さくすることで、素子端面に圧縮成形された陽極部６及び陰極部８の各区画部（特に各区画部の巻回中心部５２付近）が各集電板によって覆われるため、レーザ照射により陽極部８及び陰極部８が各集電板と確実に溶接される。なお、陽極部６と陰極部８との間の絶縁間隔１９の幅Ｗｂは、３〔ｍｍ〕〜１５〔ｍｍ〕に設定している。
【００６６】
レーザ照射の部位は、この実施の形態では、陽極集電板１２及び陰極集電板１６の段部６２で隔てた素子接続部１２Ｂ、１２Ｃの各２箇所即ち、溶接ライン１８は、レーザ照射接続部である。この場合、レーザ照射部である溶接ライン１８に付した矢印〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕及び〔IV〕で示すように、レーザ照射を行う。このレーザ照射は、シールドガスにアルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガスを用いてコンデンサ素子４をシールドし、コンデンサ素子４に対するレーザ熱やスパッタの影響を回避する。各溶接ライン１８において、１８Ｓは溶接始点、１８Ｅは溶接終点である。溶接始点１８Ｓは、レーザビームの照射開始位置であり、溶接終点１８Ｅはレーザビームの照射終点位置である。
【００６７】
〔Ｉ〕このレーザ照射は、コンデンサ素子４の外周側より、溶接ライン１８に沿って素子中心方向に向かって直線状に一方の陽極集電板１２の素子接続部１２Ｂに照射する。
【００６８】
〔II〕次に、巻回中心部５２を隔てて対向する他方の陰極集電板１６の素子接続部１６Ｂに素子中心側より、素子外周方向に向かって直線上にレーザ照射することにより、一連の動作にて溶接される。
【００６９】
〔III 〕また、同じく、レーザ照射は、コンデンサ素子４の外周側より、素子中心方向に向かって直線状に一方の陽極集電板１２の素子接続部１２Ｃに照射する。
【００７０】
〔IV〕巻回中心部５２を隔てて対向する他方の陰極集電板１６の素子接続部１６Ｃにコンデンサ素子４の巻回中心部５２側より素子外周側に向かって直線上にレーザを照射する一連の動作にて溶接される。
【００７１】
このようなレーザ照射において、〔Ｉ〕及び〔II〕の一連の動作を２回繰り返し、又は、レーザ照射の〔Ｉ〕ないし〔IV〕の一連の動作を２回繰り返し、近傍に溶接部を配することで接続抵抗を更に低減することも可能である。レーザ照射の〔Ｉ〕及び〔II〕の一連の動作にて接続することも可能であるが、陽極集電板１２、陰極集電板１６の各素子接続部１２Ｂ、１２Ｃを、それぞれ素子中心部５２側より素子外周側に向かって直線上に照射する等、個別に接続することもできる。
【００７２】
このように、巻回中心部５２を隔てて直線状にレーザ照射する一連の動作にて、陽極部６と陽極集電板１２、陰極部８と陰極集電板１６とが接続される。つまり、陽極部６及び陰極部８と各集電板１２、１６とを巻回中心部５２を隔ててコンデンサ素子４の直径方向に向かう溶接ライン１８を設定して溶接するので、陽極部６及び陰極部８と各集電板１２、１６との接続のための溶接の時間短縮を図ることができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００７３】
このレーザ照射による溶接について、図１０を参照すると、図１０のＡは、陽極集電板１２又は陰極集電板１６上の溶接ライン１８である。この溶接ライン１８の溶接始点１８Ｓと溶接終点１８Ｅとの間を区間ａ、ｂ、ｃ及び溶接終点１８Ｅ外に区間ｄを設定している。
【００７４】
このレーザ溶接には、ビーム照射手段の一例としてファイバーレーザ照射装置６４が用いられ、溶接ライン１８はレーザ照射による溶接部である。この場合、アルゴンガス又はヘリウムガス等のシールドガスが使用され、溶接処理が行われる。
【００７５】
このレーザ照射装置６４のレーザ照射では、一定の照射速度で、溶接ライン１８にビーム出力を段階的及び連続的に異ならせている。この実施の形態では、図１０のＢに示すように、レーザ出力Ｐが区間ａではレーザ出力Ｐａ、区間ｂではレーザ出力Ｐｂ（＜Ｐａ）の一定値に設定され、区間ｃではレーザ出力Ｐｂからレーザ出力Ｐｃ（＜Ｐｂ）に減衰させている。区間ａのレーザ出力Ｐａは最も高い値に設定され、一例として５０Ｗ〜３０００〔Ｗ〕である。区間ｂのレーザ出力Ｐｂはレーザ出力Ｐａより小さく、レーザ出力Ｐａの９０％以下のレーザ出力としている。また、区間ｃのレーザ出力Ｐｃはレーザ出力Ｐｂより小さい値であって、レーザ出力Ｐａの８０％以下のレーザ出力としている。この場合、図１０のＢは横軸を距離〔ｍｍ〕で表している。
【００７６】
溶接始点１８Ｓで照射するレーザ出力Ｐａが最も高い値に設定され、その照射区間ａは区間ｂより短い時間に設定されている。区間ａの後、レーザ出力Ｐｂのレーザ照射の区間ｂは最も長く設定されている。また、区間ｃは区間ｂより短い時間に設定され、この区間ｃにおいて、レーザ出力Ｐｂをレーザ出力Ｐｃに直線的に減衰させている。このように溶接始点及び溶接終点近傍において、レーザ出力を減衰させるとよい。つまり少なくともレーザ出力の減衰が２区間以上あることが好ましい。
【００７７】
溶接ライン１８に対するレーザ走査の速度は、一定速度であって、例えば、３００〔ｍｍ／秒〕〜３０００〔ｍｍ／秒〕から選択される一定速度とすればよいが、区間に応じて走査速度を変更してもよい。
【００７８】
(4) 第２の接続工程（ステップＳ１４）
【００７９】
次に、陽極集電板１２及び陰極集電板１６が接続されたコンデンサ素子４には、図１１に示すように、封口板２２にある陽極端子１０、陰極端子１４が位置決めされる。陽極端子１０及び陰極端子１４には端子側接続面７０が形成され、この端子側接続面７０は、陽極集電板１２及び陰極集電板１６にある接続面部６１と同一面を形成する側壁面である。そこで、これら接続面部６１及び端子側接続面７０を合致させ、レーザー照射により、接続面部６１及び端子側接続面７０間を溶着させることができる。
【００８０】
ここで、コンデンサ素子４と封口板２２との間隔（距離）を長く取ると、その分抵抗が増えてしまうとともに、電気二重層コンデンサ２の高さ寸法が大きくなってしまうため、コンデンサ素子４と封口板２２との間隔（距離）を極力短くしている。このような小スペースにおいて、陽極端子１０及び陰極端子１４と、陽極集電板１２及び陰極集電板１６とを接続するために、既述の通り、接続面部６１及び端子側接続面７０を一致した共通の面部とし、この部位に局所的に溶接可能なレーザ照射７２にて溶接することで溶接の簡易化及び強化が図られている。ここで、陽極集電板１２及び陰極集電板１６、陽極端子１０及び陰極端子１４の厚み（接続面部６１及び端子側接続面７０の高さ寸法）は、それぞれ０．５〔ｍｍ〕〜５〔ｍｍ〕の範囲で設定されており、これによると、レーザ溶接が可能な寸法で且つ内部抵抗が増大され難く、また、電気二重層コンデンサ２の高さ寸法を短くすることができる。
【００８１】
また、接続面部６１及び端子側接続面７０は、レーザ照射の際に他の部材（陽極部６や陰極部８）への過剰なストレスを防ぐためにも、コンデンサ素子４の外周面近傍に設置されることが好ましく、具体的には、コンデンサ素子４の外周面より、例えば、１０〔ｍｍ〕以内とすることが好ましい。
【００８２】
また、陽極集電板１２、陰極集電板１６において、コンデンサ素子４の陽極部６及び陰極部８との接続領域と、陽極端子１０と陰極端子１４との接続領域とが異なる位置に設定されているので、各電極部と集電板、各外部端子と集電板との接続を安定化させることができ、コンデンサ素子の低抵抗化とともに接続の強化を図ることができる。
【００８３】
従って、コンデンサ素子４の陽極部６には陽極集電板１２を介して外部端子である陽極端子１０がレーザ照射７２を以て接続され、また、コンデンサ素子４の陰極部８には陰極集電板１６を介して外部端子である陰極端子１４がレーザ照射を以て接続され、コンデンサ素子４に外部端子が形成される。
【００８４】
このように、コンデンサ素子４の陽極部６及び陰極部８と陽極集電板１２及び陰極集電板１６との接続部位と、陽極端子１０と陰極端子１４と陽極集電板１２及び陰極集電板１６との接続部位が別途設定されているので、レーザ溶接時の接続の安定性が向上させることができる。
【００８５】
なお、コンデンサ素子４の最外周では、陽極部６及び陰極部８の圧縮成形時にずれ等が生じても、陽極部６及び陰極部８が外装ケース２０に接触しないように、陽極部６と陽極集電板１２及び陰極部８と陰極集電板１６の外周面に絶縁紙や絶縁テープ等の絶縁手段１７を設置すれば、該陽極部６及び陰極部８に加え、陽極端子１０、陰極端子１４、陽極集電板１２、陰極集電板１６を覆うように外周に沿って設置され外装ケース２０との絶縁をより強化することができる。
【００８６】
(7) 電解液含浸及び封入工程（ステップＳ１５）
【００８７】
コンデンサ素子４は、電解液を含浸した後、外装ケース２０に収容し、外装ケース２０の開口端部３４のカーリング処理により封止し、製品である電気二重層コンデンサ２（図１）が完成する。
【００８８】
このような製造工程によれば、既述のコンデンサ２を容易に製造でき、端子接続工程の簡略化を図ることができ、第１の実施の形態で述べた通りの効果を有するコンデンサを実現できる。
【００８９】
以上説明した第２の実施の形態のコンデンサ２の製造方法について、特徴事項や利点を以下に列挙する。
【００９０】
(1) コンデンサ素子４の一端面側に陽極体６０のベース材４４で陽極部６、陰極体８０のベース材４４で陰極部８が形成され、陽極部６と陽極端子１０とが陽極集電板１２を介して接続され、陰極部８と陰極端子１４とが陰極集電板１６を介して接続されるので、端子接続のシンプル化が図られている。しかも、接続を容易化することができる。
【００９１】
(2) 外装ケース２０の空間部２４内に接続部の占める空間専有率が極めて低い。
【００９２】
(3) 外装部材である封口板２２には、コンデンサ素子４が強固に支持されている。即ち、陽極端子１０及び陰極端子１４に陽極集電板１２、陰極集電板１６を介してコンデンサ素子４の陽極部６及び陰極部８のレーザ溶接により、強固に固定されるので、コンデンサ素子４の支持強度が高められている。この結果、機械的に堅牢な支持構造が構成され、製品の耐震性を高めることができる。
【００９３】
(4) 巻回素子であるコンデンサ素子４に巻回されている陽極体６０から複数の側縁部を集合させて陽極部６が形成され、この陽極部６を陽極集電板１２にレーザ溶接し、同様に、陰極体８０から複数の側縁部を集合させて陰極部８が形成され、この陰極部８を陰極集電板１６にレーザ溶接しているので、コンデンサ素子４及び電気二重層コンデンサ２の低抵抗化を図ることができ、等価直列抵抗の低い製品を提供できる。
【００９４】
(5) 陽極集電板１２及び陰極集電板１６を用いたので、コンデンサ素子４にタブを接続する必要がない。
【００９５】
(6) 陽極集電板１２又は陰極集電板１６と外部端子（陽極端子１０又は陰極端子１４）との側面の同一面化しているので、両者に対するレーザ照射を安定でき、接続の完全化及び信頼性を高めることができる。
【００９６】
(7) レーザ照射時にシールドガスを用いるので、レーザ熱や、飛翔するスパッタからコンデンサ素子４を防護でき、コンデンサ素子４及び製品であるコンデンサ２の特性劣化を防止でき、信頼性を向上させることができる。
【００９７】
(8) 電極箔からの張出し部が多いほど内部抵抗が下がるので、張出し部を多くすると巻回、積層した際に、張出し部が複数重なることになり、精度良く折り曲げるのは困難であるが、また、巻回素子においては、円周上に連続した張出し部を設けた場合は、折り曲げた際にシワが発生しやすく、集電板との接続が困難となるのに対し、既述のように、張り出し部を精度良く折り曲げることで、集電板との接続を安定させ、低抵抗のコンデンサを提供することができる。
【００９８】
(9) 折り目位置を素子端面から所定寸法離間させることで、集電板とのレーザ溶接の際に、素子側へのレーザ熱やスパッタが飛ぶことがなく、素子への影響が少なくてすむ。
【００９９】
(10)  コンデンサ素子を形成する前に予め張り出し部に折り目を形成することで、折り目の形成が容易となる。
【０１００】
(11)  電極箔（未塗工部）に折り目を付け、その後、電極箔の端部を切り出して、張り出し部とすることで、電極張出し部でずれることがないという効果も得られる。
【０１０１】
(12)  陽極集電板１２又は陰極集電板１６とコンデンサ素子４の陽極部６又は陰極部８とのレーザ溶接の始点１８Ｓから終点１８Ｅに至る溶接ライン１８に対するレーザ出力を段階的及び連続的に減衰させたので、集電板及び電極張出し部に加えられる溶接エネルギーを均一化でき、接続性を向上させることができる。
【０１０２】
レーザ照射の始点１８Ｓではレーザ出力を高く設定し、高いレーザ出力エネルギーでレーザ照射を行う。レーザ照射を受けた陽極集電板１２又は陰極集電板１６及び陽極部６又は陰極部８の溶接ライン１８及びその近傍部が加熱される。即ち、レーザ照射を溶接ライン１８に沿って行えば、レーザ照射の走査に応じて加熱がその走査とともに連鎖状態で移動するので、レーザ出力を同一に設定しなくても、連鎖的に溶融状態となる。このため、レーザ出力を段階的及び連続的（上記実施の形態）、段階的又は連続的に減衰させても、溶接部に加わるレーザ照射による熱エネルギーは均一化する。このため、陽極集電板１２又は陰極集電板１６と陽極部６又は陰極部８との接続性が向上する。
【０１０３】
仮に、レーザ出力を一定に維持した場合には、熱エネルギーが過度となる場所が生じ、電極張出し部を形成している電極が薄いことから、過度の熱エネルギーの集中で溶融ムラを生じ、集電板と電極張出し部との接続性が不安定化するが、斯かる不都合をレーザ出力の減衰によって回避できる。
【０１０４】
〔第３の実施の形態〕
【０１０５】
第３の実施の形態は、陽極部６に対する陽極集電板１２の各溶接箇所、陰極部８に対する陰極集電板１６の各溶接箇所の隣接箇所に複数の溶接ラインを設定し、溶接を多重化した電気二重層コンデンサ２の製造方法を開示している。この実施の形態においても、接続工程では、集電板に溶接始点から溶接終点に至る溶接ラインを設定し、この溶接ラインに照射されるビーム出力を段階的及び連続的に異ならせてビーム照射を行う。
【０１０６】
このコンデンサ２の製造工程について、図１２及び図１３を参照する。図１２及び図１３は集電板の溶接の一例を示している。
【０１０７】
第２の実施の形態のように、レーザ照射の〔Ｉ〕ないし〔IV〕の連続動作について、同一箇所を連続してレーザ照射するのではなく、レーザ溶接を〔Ｉ〕から〔IV〕で行い、その後、再び〔Ｉ’〕から〔IV’〕にレーザ照射すれば、同一箇所のレーザ照射に時間間隔を設けることができ、この結果、レーザ照射箇所の冷却化を図ることができ、レーザ溶接による接続の安定化が図られる。
【０１０８】
また、同一箇所に時間間隔を設けて複数回のレーザ照射を行うことも可能であるが、１回目のレーザ溶接を〔Ｉ〕から〔IV〕で行い、再びレーザ溶接を〔Ｉ〕から〔IV〕で行うので、冷却間隔を取りながら、レーザ照射を連続的に行うことができ、レーザ照射による溶接時間の短縮化を図ることができる。
【０１０９】
そして、この実施の形態では、図１３のＡに示すように、各溶接箇所に複数の溶接ライン１８１、１８２が設定されている。図１２に示して説明すると、溶接ライン１８は、レーザ溶接を〔Ｉ〕から〔IV〕で行い、冷却間隔を取って、〔IV’〕から〔Ｉ’〕にレーザ照射されている。溶接ライン１８１、１８２の間隔をＷ9 とすれば、間隔Ｗ9 は例えば、３〔ｍｍ〕以内に設定され、また溶接ライン１８１、１８２は一部重複してもよい。各溶接ライン１８１、１８２は、既述のファイバーレーザ照射装置６４により個別に溶接されることは既述の通りであり、それぞれ始点１８Ｓ、終点１８Ｅが設定され、溶接走査方向に応じて既述の区間ａ、ｂ、ｃ、ｄが設定されている。溶接ライン１８１と溶接ライン１８２とでは溶接走査方向が反対方向である。このような溶接ライン１８１、１８２について、各区間ａ、ｂ、ｃに対するレーザ出力は図１３のＢに設定されている。
【０１１０】
このような溶接処理によっても、上記実施の形態と同様の効果が得られる。
【０１１１】
〔他の実施の形態〕
【０１１２】
(1) 上記実施の形態では、コンデンサ素子として巻回素子を例示したが、巻回素子に限定されない。積層型素子や固体素子であってもよい。
【０１１３】
(2) 上記実施の形態では、コンデンサ素子の素子端面の一方（同一面）に陽極部６及び陰極部８を備えて外部端子に接続する構成を開示しているが、一方の素子端面に陽極部、他方の素子端面に陰極部を備える構成としてもよい。
【０１１４】
(3) 上記実施の形態では、電気二重層コンデンサ２を例示したが、本発明はこれに限定されない。同一の構造及び方法は、電解コンデンサにも同様に適用でき、同様の効果が得られる。
【０１１５】
(4) 上記実施の形態では、集電体として陽極集電板１２、陰極集電板１６を例示したが、本発明は上記実施の形態に限定されない。また、接続面部６１と端子側接続面７０とを同一面を形成する側壁面（フラット面）としたが、外部端子の形状に合致する形状として、曲面であってもよい。
【０１１６】
(5) 上記実施の形態では、陽極部と陰極部との間に絶縁間隔を設置しているが、この絶縁間隔に絶縁シート等の絶縁部材を設置してもよい。
【０１１７】
(6) 上記実施の形態では、レーザ照射によるレーザ溶接を例示したが、これに限定されない。電子ビーム溶接でも同様に、ビーム出力を区間において制御してもよい。
【０１１８】
(7) 上記実施の形態では、レーザ出力を段階的に減衰させた後、連続的に減衰させる形態を例示しているが、これに限定されない。レーザ出力を段階的に低減させてもよいし、レーザ出力を連続的に低下させてもよい。
【０１１９】
(8) 上記実施の形態では、陽極部６及び陰極部８を半円形状に形成したが、本発明はこれに限定されない。実施の形態で示した陽極部６の区画部６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、陰極部８の区画部８Ａ、８Ｂ、８Ｃのうち、陽極集電板１２と陰極集電板１６と接続する区画部６Ｂ、６Ｃ及び８Ｂ、８Ｃのみ張り出して形成し、陽極部の６Ａ及び陰極部の８Ａは張り出さなくてもよい。
【０１２０】
(9) 上記実施の形態では、陽極外部端子部材として陽極端子１０を用い、陰極外部端子部材として陰極端子１４を例示したが、本発明は上記実施の形態に限定されない。外部端子部材としては、別途薄板状のアルミニウム等からなる接続板が接続された外部端子であってもよい。この場合、陽極接続板は陽極端子１０にレーザ溶接により接続された後、コンデンサ素子４側の陽極集電板１２に接続される。同様に、陰極接続板は陰極端子１４にレーザ溶接により接続された後、コンデンサ素子４側の陰極集電板１６に接続される。このような陽極接続板及び陰極接続板を用いた構成では、外部端子である陽極端子１０、陰極端子１４とコンデンサ素子４側に接続された陽極集電板１２、陰極集電板１６との接続が広範囲に行われ、接続抵抗を低減でき、しかも接続強度を高めることができる。
【０１２１】
(10)上記実施の形態では、集電板の異なる位置として３分割された区分により、陽極部６及び陰極部１０との素子接続領域である区画部１２Ｂ、１２Ｃ又は１６Ｂと、１６Ｃ、端子接続領域である区画部１２Ａ又は１６Ａとが集電板の表裏面に設定され、水平方向に異なる位置に設定しているが、これに限定されない。集電板の一部に素子接続領域（レーザ照射接続部１８）を設定し、その他の部位に端子接続領域（溶接接続部１５）を設定してもよい。即ち、集電板の表裏面で溶接位置が異なれば、素子接続領域と端子接続領域が近接していてもよい。つまり、素子接続領域である区画部１２Ｂにおいてレーザ照射接続部１８と集電板の表裏面で溶接位置が重ならない部位に溶接接続部１５を設定してもよい。
【０１２２】
以上説明したように、本発明の最も好ましい実施の形態等について説明したが、本発明は、上記記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載され、又は発明を実施するための形態に開示された発明の要旨に基づき、当業者において様々な変形や変更が可能であることは勿論であり、斯かる変形や変更が、本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本発明のコンデンサ及びその製造方法は、端子接続構造や接続工程の簡略化とともに接続性の向上に寄与し、生産性や信頼性を高めることができ、有益である。
【符号の説明】
【０１２４】
２  電気二重層コンデンサ
４  コンデンサ素子
５  素子端面
６  陽極部
６Ａ、６Ｂ、６Ｃ  区画部
８  陰極部
８Ａ、８Ｂ、８Ｃ  区画部
１０  陽極端子
６０  陽極体
８０  陰極体
１２  陽極集電板
１２Ａ  端子接続部
１２Ｂ、１２Ｃ  素子接続部
１４  陰極端子
１６  陰極集電板
１６Ａ  端子接続部
１６Ｂ、１６Ｃ  素子接続部
１８、１８１、１８２  溶接ライン
１８Ｓ  溶接始点
１８Ｅ  溶接終点
１９、２１、２５  絶縁間隔
２０  外装ケース
２２  封口板
２３  保持テープ
２４  空間部
２６  ベース部
２８  封止部
３０  開口部
３２  加締め段部
３４  開口端部
３６  透孔
３８  圧力開放機構
４０、４２  セパレータ
４４  ベース材
４６  分極性電極
４８  未塗工部
６４  ファイバーレーザ照射装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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