(57)【要約】【課題】無機配向膜が水分や不純物を吸着することを抑制しながら、無機配向膜を選択的に形成することのできる液晶装置の製造方法を提供すること。【解決手段】液晶装置１００において、素子基板１０に配向膜１６を形成するにあたっては、犠牲膜形成工程において、素子基板１０における配向膜１６の非形成領域１０ｈに犠牲膜１８ａ、１８ｂを形成した後、無機配向膜形成工程において、犠牲膜１８ａ、１８ｂの表面側に、シリコン酸化膜等からなる配向膜１６を斜め蒸着する。次に、リフトオフ工程では、犠牲膜１８ａ、１８ｂを選択的にエッチングする反応性ガスによって犠牲膜１８ａ、１８ｂを除去する。ここで、犠牲膜１８ａ、１８ｂはシリコン膜であり、反応性ガスは二フッ化キセノンガスである。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板および対向基板のうちの少なくとも一方の基板に対して無機配向膜を形成するにあたって、
前記基板における前記無機配向膜の非形成領域に犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、
前記犠牲膜の表面側に前記無機配向膜を形成する無機配向膜形成工程と、
前記犠牲膜を選択的にエッチングする反応性ガスによって当該犠牲膜を除去することにより、前記無機配向膜のうち、前記犠牲膜表面に形成されていた無機配向膜を除去するリフトオフ工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記犠牲膜はシリコン膜であり、
前記反応性ガスは、二フッ化キセノンガスであることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記犠牲膜形成工程において前記犠牲膜を形成する際、当該犠牲膜の側面を前記基板側に向く斜面を有する逆テーパー形状とすることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板は素子基板であり、
前記無機配向膜の非形成領域は、端子および基板間導通用電極部が形成されている領域であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記基板は対向基板であり、
前記無機配向膜の非形成領域は、基板間導通用電極部が形成されている領域であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記素子基板を形成する工程および前記対向基板を形成する工程のいずれにおいても、前記犠牲膜形成工程、前記無機配向膜形成工程、および前記リフトオフ工程を行うことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に無機配向膜が形成された液晶装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一方面側に画素電極および配向膜が形成された素子基板と、共通電極および配向膜が形成された対向基板とがシール材によって貼り合わされ、素子基板と対向基板との間においてシール材で囲まれた領域内には液晶層が保持されている。かかる液晶装置において、素子基板あるいは対向基板の所定領域のみに配向膜を形成する方法として、配向膜がポリイミド膜からなる場合、基板の全面に形成した配向膜にプラズマ照射を行って配向膜を部分的に除去する方法が提案されている。しかしながら、液晶装置における表示品位の向上や信頼性の向上を目的に、配向膜として無機配向膜を用いた場合、プラズマ照射では除去することができない。
【０００３】
そこで、無機配向膜の非形成領域に水溶性レジストを形成した後、無機配向膜を全面に形成し、水によって水溶性レジストを除去する際、無機配向膜のうち、水溶性レジストの表面に形成されていた無機配向膜を除去する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−８８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、無機配向膜は水分や不純物に対する吸着性が強いので、特許文献１に記載の技術のように、水溶性レジストを用いたリフトオフ法では、無機配向膜が水分や不純物を吸着してしまい、無機配向膜を用いたことの効果を十分発揮させることができないという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、無機配向膜が水分や不純物を吸着することを抑制しながら、無機配向膜を選択的に形成することのできる液晶装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置の製造方法は、素子基板および対向基板のうちの少なくとも一方の基板に対して無機配向膜を形成するにあたって、前記基板における前記無機配向膜の非形成領域に犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、前記犠牲膜の表面側に前記無機配向膜を形成する無機配向膜形成工程と、前記犠牲膜を選択的にエッチングする反応性ガスによって当該犠牲膜を除去することにより、前記無機配向膜のうち、前記犠牲膜表面に形成されていた無機配向膜を除去するリフトオフ工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明では、リフトオフ法を採用して無機配向膜を所定領域に選択的に形成するにあたって、反応性ガスを利用したドライプロセスを利用する。このため、無機配向膜が水分や不純物を吸着しやすいという性質を有している場合でも、無機配向膜が水分や不純物を吸着することを防止することができるので、無機配向膜を用いたことの利点を最大限活かすことができる。
【０００９】
本発明において、前記犠牲膜はシリコン膜であり、前記反応性ガスは、二フッ化キセノンガスであることが好ましい。二フッ化キセノンは、シリコン膜に対するエッチング速度と、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜に対するエッチング速度の比（エッチング選択比）が１０００：１以下という関係にあり、エッチング選択比が極めて高い。それ故、無機配向膜等がエッチングされることを防止することができる。
【００１０】
本発明では、前記犠牲膜形成工程において前記犠牲膜を形成する際、当該犠牲膜の側面を前記基板側に向く斜面を有する逆テーパー形状とすることが好ましい。かかる構成によれば、リフトオフ工程において犠牲膜を確実に除去することができる。
【００１１】
本発明において、前記基板は素子基板であり、前記無機配向膜の非形成領域は、端子および基板間導通用電極部が形成されている領域である構成を採用することができる。かかる構成によれば、端子および基板間導通用電極部での電気的な接続を確実に行うことができる。
【００１２】
本発明において、前記基板は対向基板であり、前記無機配向膜の非形成領域は、基板間導通用電極部が形成されている領域である構成を採用することができる。かかる構成によれば、基板間導通用電極部での電気的な接続を確実に行うことができる。
【００１３】
本発明では、前記素子基板を形成する工程および前記対向基板を形成する工程のいずれにおいても、前記犠牲膜形成工程、前記無機配向膜形成工程、および前記リフトオフ工程を行うことが好ましい。かかる構成によれば、素子基板側の無機配向膜、および対向基板側の無機配向膜のいずれにおいても、水分や不純物を吸着することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明を適用した液晶装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明を適用した液晶装置に用いた液晶パネルの電極等の構成を示す説明図である。
【図４】本発明を適用した液晶装置の画素の説明図である。
【図５】本発明を適用した液晶装置を、基板間導通用電極部を通る位置で切断したときの断面図である。
【図６】本発明を適用した液晶装置の製造工程のうち、素子基板に配向膜を選択的に形成する方法を示す説明図である。
【図７】本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１６】
［液晶装置の構成等］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、液晶装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａ（画像信号線）および複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００１７】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００１８】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｔに導通している。
【００１９】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２は、本発明を適用した液晶装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図３は、本発明を適用した液晶装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの電極等の構成を示す説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、電極等の全体的なレイアウトを示す説明図、および液晶パネル１００ｐの角部分の一つを拡大して示す説明図である。なお、図３において画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの数等については少なく示してある。
【００２０】
図２および図３に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。
【００２１】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２２】
ここで、シール材１０７には途切れ部分１０７ｃが設けられており、かかる途切れ部分１０７ｃは、液晶材料を減圧注入する際の注入口等として利用され、液晶材料の注入後、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる封止材１０５によって封止されている。本形態では、封止材１０５として、アクリル系あるいはエポキシ系の光硬化樹脂が用いられている。
【００２３】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２４】
詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。また、画素電極９ａの表面側には配向膜２６（無機配向膜）が積層されている。
【００２５】
また、素子基板１０の一方面１０ｓ側において、シール材１０７より外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部９ｆ（図３（ｂ）参照）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００２６】
図２（ｂ）に示すように、対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓ側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は対向基板２０の全面に形成されている。
【００２７】
また、対向基板２０の一方面２０ｓ側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６（無機配向膜）が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａと、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとからなる。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００２８】
図２（ａ）、および図３（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓ側の４つの角部分に基板間導通用電極部２５ｔが形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓ側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極部２５ｔ）と対向する位置に基板間導通用電極部８ｔが形成されている。基板間導通用電極部８ｔは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｔに導通しており、定電位配線６ｔは、端子１０２のうち、共通電位印加用の端子１０２ａに導通している。ここで、基板間導通用電極部８ｔと基板間導通用電極部２５ｔとの間には、後述する導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極部８ｔ、基板間導通材１０９および基板間導通用電極部２５ｔを介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。
【００２９】
シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極部８ｔ、２５ｔを避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３０】
かかる構成の液晶装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１を、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、例えば、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１００が反射型である場合、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置１００が透過型である場合、素子基板１０および対向基板２０のうち、例えば、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３１】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３２】
本形態において、液晶装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３３】
（画素の具体的構成）
図４は、本発明を適用した液晶装置１００の画素の説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は各々、液晶装置１００に用いた素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、およびＦ−Ｆ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図４（ａ）では、半導体層１ａは細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂは二点鎖線で示し、画素電極９ａは長い破線で示し、ドレイン電極４ａは細い実線で示してある。なお、素子基板１０では、誘電体層４２ａが形成されているが、誘電体層４２ａは容量線５ｂと重なる領域に形成されているため、図４（ａ）には図示を省略してある。また、ドレイン電極４ａの外周縁に沿ってエッチングストッパー層４０ａの開口縁が存在するが、図４（ａ）では、かかる開口縁の図示は省略してある。
【００３４】
図４（ａ）に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａおよびデータ線６ａは画素間領域１０ｆと重なるように直線的に形成されている。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されている。素子基板１０には、走査線３ａと重なるように容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３５】
図４（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ側）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３６】
素子基板１０において、複数の画素１００ａの各々には、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。半導体層１ａは、走査線３ａの一部からなるゲート電極３ｃに対して透光性のゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇと、ソース領域１ｂと、ドレイン領域１ｃとを備えており、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層１ａは、例えば、基板本体１０ｗ上に、シリコン酸化膜等からなる透光性の下地絶縁膜１２上に形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。また、ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化してなるシリコン酸化膜と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との２層構造を有する場合もある。走査線３ａには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。なお、基板本体１０ｗと下地絶縁膜１２の層間、あるいは２層にした下地絶縁膜１２の層間に、走査線３ａと重なる遮光層を形成する場合や、かかる遮光層を走査線３ａとし、遮光層とゲート電極３ｃとを導通させた構造を採用することもある。
【００３７】
走査線３ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の第１層間絶縁膜４１が形成されており、第１層間絶縁膜４１の上層にはドレイン電極４ａが形成されている。ドレイン電極４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されている。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなり、コンタクトホール７ｃを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。
【００３８】
ドレイン電極４ａの上層側には、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率絶縁膜からなる誘電体層４２ａが形成されている。誘電体層４２ａの上層側には、誘電体層４２ａを介してドレイン電極４ａと対向するように容量線５ｂが形成され、かかる容量線５ｂ、誘電体層４２ａおよびドレイン電極４ａによって、保持容量５５が形成されている。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。ここで、ドレイン電極４ａ、誘電体層４２ａおよび容量線５ｂは、画素トランジスター３０の上層側に形成され、保持容量５５は、画素トランジスター３０の上層側のうち、少なくとも画素トランジスター３０に対して平面視で重なる領域に形成されている。
【００３９】
本形態において、誘電体層４２ａは、容量線５ｂと略同一形状をもって同一の領域に形成されている。また、誘電体層４２ａの端縁４２ｅおよび容量線５ｂの端縁５ｅは、ドレイン電極４ａと重なる位置にある。ドレイン電極４ａと誘電体層４２ａとの層間にはシリコン酸化膜等からなるエッチングストッパー層４０ａが形成されており、かかるエッチングストッパー層４０ａには、ドレイン電極４ａに対して部分的に重なる領域に開口部４０ｂが形成されている。このため、ドレイン電極４ａと容量線５ｂとは、開口部４０ｂにおいて誘電体層４２ａを介して対向し、保持容量５５を構成している。また、エッチングストッパー層４０ａは、少なくとも誘電体層４２ａの端縁４２ｅおよび容量線５ｂの端縁５ｅと重なる領域に形成されている。
【００４０】
容量線５ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第２層間絶縁膜４３が形成され、第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよび中継電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール７ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続している。中継電極６ｂはコンタクトホール７ｂを介してドレイン電極４ａに電気的に接続し、ドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。データ線６ａおよび中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。
【００４１】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第３層間絶縁膜４４が形成されている。第３層間絶縁膜４４には、中継電極６ｂへ通じるコンタクトホール７ｄが形成されている。第３層間絶縁膜４４の上層には、金属酸化物層としてのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール７ｄを介して中継電極６ｂに電気的に接続されている。本形態において、第３層間絶縁膜４４の表面は平坦面になっている。第３層間絶縁膜４４の表面には、図２（ｂ）等を参照して説明したダミー画素電極９ｂ（図４（ａ）には図示せず）が形成されており、かかるダミー画素電極９ｂは、画素電極９ａと同時形成された透光性導電膜からなる。
【００４２】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜であり、配向膜１６と画素電極９ａとの層間にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の透光性の表面絶縁膜１７が形成されている。本形態において、配向膜１６は、シリコン酸化膜の斜方蒸着膜からなる。表面絶縁膜１７は、表面が平坦面になっており、隣り合う画素電極９ａの間に形成された凹部を埋めている。従って、配向膜１６は、表面絶縁膜１７の平坦な表面に形成されている。
【００４３】
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に、アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、クロムやそれらの化合物等からなる遮光層２９が形成されており、かかる遮光層２９のうち、画像表示領域１０ａに形成されているブラックマトリクス部２９ｂは、画素間領域１０ｆ（図３等を参照）と重なる位置で縦横に延在している。
【００４４】
遮光層２９の上層側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。遮光層２９の上層側には配向膜２６が形成されており、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜である。本形態において、配向膜２６は、シリコン酸化膜の斜方蒸着膜からなる。
【００４５】
このように構成した液晶装置１００において、液晶材料として誘電異方性が負のネマチック液晶化合物が用いられており、配向膜１６、２６は、液晶材料を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作させる。
【００４６】
なお、図１等を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図４（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００４７】
（基板間導通用電極部８ｔ、２５ｔ等の構成）
図５は、本発明を適用した液晶装置１００を、基板間導通用電極部８ｔ、２５ｔを通る位置で切断したときの断面図である。本形態では、図５に示すように、素子基板１０において、図２等を参照して説明した端子１０２は、第３層間絶縁膜４４の表面に形成されたアルミニウム合金膜等からなり、端子１０２のうち、共通電位供給用の端子１０２ａは、第２層間絶縁膜４３の表面等で延在する定電位配線６ｔに対して、第３層間絶縁膜４４に形成されたコンタクトホール７ｔを介して導通している。また、定電位配線６ｔの一部は、第３層間絶縁膜４４に形成された開口部７ｓで開口しており、かかる定電位配線６ｔのうち、開口部７ｓで露出している部分によって、基板間導通用電極部８ｔが形成されている。
【００４８】
かかる素子基板１０の最表面には配向膜１６が形成されており、画像表示領域１０ａや周辺領域１０ｂは配向膜１６の形成領域１０ｇになっている。これに対して、端子１０２や基板間導通用電極部８ｔが形成されている領域は、配向膜１６が形成されていない非形成領域１０ｈになっており、端子１０２や基板間導通用電極部８ｔは、配向膜１６から露出した状態にある。
【００４９】
対向基板２０において、角部分では、共通電極２１の一部が基板間導通用電極部２５ｔとして形成されている。かかる対向基板２０の最表面には配向膜２６が形成されており、画像表示領域１０ａや周辺領域１０ｂは配向膜２６の形成領域２０ｇになっている。これに対して、基板間導通用電極部２５ｔが形成されている領域は、配向膜２６が形成されていない非形成領域２０ｈになっており、基板間導通用電極部２５ｔは、配向膜２６から露出した状態にある。
【００５０】
このように構成した液晶装置１００において、素子基板１０と対向基板２０との間に基板間導通材１０９を配置した状態で素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、基板間導通材１０９を介して基板間導通用電極部８ｔと基板間導通用電極部２５ｔとを導通させる。ここで、基板間導通材１０９は、グラスファイバーやガラスビーズ等の粒子の表面に金等の金属膜が被覆された導電粒子１０９ｂと、導電ペースト１０９ｄとからなり、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせた際、導電粒子１０９ｂが１つ、基板間導通用電極部８ｔ、２５ｔに接する状態となる。よって、端子１０２ａから供給された共通電位Ｖcomは、定電位配線６ｔ、基板間導通用電極部８ｔ、基板間導通材１０９、および基板間導通用電極部８ｔを介して共通電極２１に印加される。
【００５１】
（液晶装置１００の製造方法）
図６は、本発明を適用した液晶装置１００の製造工程のうち、素子基板１０に配向膜１６を選択的に形成する方法を示す説明図である。なお、液晶装置１００を製造するにあたっては、素子基板１０および対向基板２０を多数取りできる大型基板の状態で途中の工程までを行い、その後、単品サイズに切断する。但し、以下の説明では、素子基板１０の形成に用いられる大型基板も素子基板１０として説明し、対向基板２０の形成に用いられる大型基板も対向基板２０として説明する。なお、液晶装置１００の製造工程のうち、配向膜１６、２６を形成する工程以外の工程は周知の方法を採用することができるので、以下の説明では、配向膜１６、２６を形成する方法のみを説明する。
【００５２】
まず、図６を参照して、素子基板１０の一方面１０ｓのうち、端子１０２や基板間導通用電極部８ｔが形成されている領域（配向膜１６の非形成領域１０ｈ）を除く領域（配向膜１６の形成領域１０ｇ）に配向膜１６を形成する方法を説明する。
【００５３】
まず、図６（ａ）に模式的に示すように、端子１０２および基板間導通用電極部８ｔ等を形成し終えた後、図６（ｂ）〜（ｆ）に示す配向膜形成工程を行う。
【００５４】
かかる配向膜形成工程において、本形態では、まず、図６（ｂ）〜（ｄ）に示す犠牲膜形成工程において、素子基板１０における配向膜１６の非形成領域１０ｈに犠牲膜１８ａ、１８ｂを形成する。より具体的には、図６（ｂ）に示すように、素子基板１０の全面に犠牲膜１８を形成した後、図６（ｃ）に示すように、非形成領域１０ｈにレジストマスク１８０を形成する。次に、犠牲膜１８をエッチングし、その後、レジストマスク１８０を除去する。その結果、配向膜１６の非形成領域１０ｈに犠牲膜１８ａ、１８ｂが形成される。その際のエッチングとしては、ドライエッチングおよびウエットエッチングのいずれの方法を採用してもよい。また、犠牲膜１８ａ、１８ｂをエッチングするにあたって、例えば、ドライエッチングを行い、かつ、エッチング方向を基板本体１０ｗに対する法線方向から斜め両側に順次、傾ければ、犠牲膜１８ａ、１８ｂの側面１８ｃは、基板本体１０ｗが位置する側に向いた斜面を有する逆テーパー形状となる。本形態では、犠牲膜１８（犠牲膜１８ａ、１８ｂ）としてスパッタ法、蒸着法あるいはＣＶＤ法により形成したアモルファスのシリコン膜を形成する。
【００５５】
次に、図６（ｅ）に示す無機配向膜形成工程において、犠牲膜１８ａ、１８ｂの表面側に、シリコン酸化膜等からなる配向膜１６を斜め蒸着する。その際、犠牲膜１８ａ、１８ｂの影になる部分には配向膜１６が形成されず、犠牲膜１８ａ、１８ｂの側面１８ｃは配向膜１６から露出した状態となる。
【００５６】
次に、図６（ｆ）に示すリフトオフ工程では、犠牲膜１８ａ、１８ｂを選択的にエッチングする反応性ガスによって犠牲膜１８ａ、１８ｂを除去する。その結果、配向膜１６のうち、犠牲膜１８表面に形成されていた配向膜１６が除去される。それ故、配向膜１６は、画像表示領域１０ａや周辺領域１０ｂの形成領域１０ｇのみに残り、非形成領域１０ｈから除去された状態となる。かかるリフトオフ工程において、本形態では、犠牲膜１８ａ、１８ｂとしてシリコン膜が用いられていることから、反応性ガスとして、二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）ガスを用いる。かかる二フッ化キセノンは、プラズマを発生させなくてもＦラジカルを発生させることができ、シリコンと反応してＳｉＦ4として蒸発していく。かかる反応は常温でも起こる。従って、二フッ化キセノンを用いれば、シリコン膜からなる犠牲膜１８ａ、１８ｂを除去することができる。また、二フッ化キセノンは、シリコン膜に対するエッチング速度と、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜に対するエッチング速度の比（エッチング選択比）が１０００：１以下という関係にあり、エッチング選択比が極めて高い。それ故、配向膜１６等がエッチングされることを防止することができる。なお、二フッ化キセノン以外でシリコン膜に対するエッチングガスとして用いることができる反応性ガスとしては、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3等を挙げることができる。
【００５７】
このようにして、配向膜１６を選択的に形成した後は、イソプロピルアルコール等の非水系の洗浄液で洗浄して、配向膜１６に付着した残滓等を除去した後、乾燥工程を行う。
【００５８】
また、図５等に示す対向基板２０の一方面２０ｓのうち、基板間導通用電極部２５ｔが形成されている領域（配向膜２６の非形成領域２０ｈ）を除く領域に配向膜２６を形成する場合も、上記の犠牲膜形成工程、無機配向膜形成工程、およびリフトオフ工程を行えばよいので、説明を省略する。
【００５９】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態においては、リフトオフ法を採用して配向膜１６、２６（無機配向膜）を所定領域に選択的に形成するにあたって、反応性ガスを利用したドライプロセスを利用する。このため、無機配向膜が水分や不純物を吸着しやすいという性質を有している場合でも、配向膜１６、２６が水分や不純物を吸着することを防止することができるので、配向膜１６、２６として無機配向膜を用いたことの利点を最大限活かすことができる。
【００６０】
また、本形態において、犠牲膜１８はシリコン膜であり、リフトオフ工程で用いる反応性ガスは、二フッ化キセノンガスである。このため、配向膜１６、２８等がエッチングされることを防止することができる。
【００６１】
また、本形態では、犠牲膜形成工程において犠牲膜１８ａ、１８ｂを形成する際、犠牲膜１８ａ、１８ｂの側面１８ｃを基板本体１０ｗ、２０ｗ側に向く斜面を有する逆テーパー形状としたため、リフトオフ工程において犠牲膜１８、１８ｂを確実に除去することができる。
【００６２】
また、本形態において、配向膜１６、２６の非形成領域１０ｈ、２０ｈは、端子１０２および基板間導通用電極部８ｔ、２５ｔが形成されている領域であるため、電気的な接続を確実に行うことができる。
【００６３】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、素子基板１０に配向膜１６を形成する工程、および対向基板２０に配向膜１６を形成する工程の双方に本発明を適用したが、一方の工程のみに本発明を適用してもよい。
【００６４】
また、上記実施の形態では、透過型の液晶装置１００を例示したが、反射型の液晶装置１００に本発明を適用してもよい。
【００６５】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用した電子機器について説明する。図７は、本発明を適用した液晶装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図７（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００６６】
（投射型表示装置の第１例）
図７（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００６７】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００６８】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００６９】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００７０】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００７１】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００７２】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００７３】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００７４】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００７５】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００７６】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００７７】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００７８】
（投射型表示装置の第２例）
図７（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤、緑、青の３色に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射するための投射光学系である投射光学系１０２９とを備えている。
【００７９】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の液晶装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００８０】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色（Ｒ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、赤色（Ｒ）用の液晶装置１００に入射する。
【００８１】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色（Ｇ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、緑色（Ｇ）用の液晶装置１００に入射する。
【００８２】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色（Ｂ）の光は、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方でｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、青色（Ｂ）用の液晶装置１００に入射する。
【００８３】
なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、液晶装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００８４】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各液晶装置１００において変調される。その際、液晶装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａはＲ光を反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂはＢ光を反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）投射する。
【００８５】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００８６】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００８７】
９ａ・・画素電極、８ｔ・・基板間導通用電極部、１０・・素子基板、１０ａ・・画像表示領域、１０ｇ、２０ｇ・・配向膜の形成領域、１０ｈ、２０ｈ・・配向膜の非形成領域、１６・・配向膜（無機配向膜）、１８、１８ａ、１８ｂ・・犠牲膜、２０・・対向基板、２１・・共通電極、２５ｔ・・基板間導通用電極部、２６・・配向膜（無機配向膜）、２７・・保護膜、５０・・液晶層、１０９・・基板間導通材
【図１】
2012225970.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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