(57)【要約】【課題】本発明は、熱アシスト用素子の温度上昇を抑制できるサスペンション用基板を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、熱アシスト用素子に接続される端子部と、上記端子部と連続的に形成された放熱部とを有する放熱用配線層を備えることを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図４
2012104180.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層とを有するサスペンション用基板であって、
前記配線層は、熱アシスト用素子に接続される端子部と、前記端子部と連続的に形成された放熱部とを有する放熱用配線層を備えることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記放熱部の位置に、前記金属支持基板および前記絶縁層の開口部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
前記放熱用配線層がカバー層により覆われ、
前記放熱部の位置に、前記カバー層の開口部が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
前記放熱部上に、表面積を増加させる放熱用めっき部が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
前記放熱用配線層の前記端子部が、前記絶縁層側の表面で前記熱アシスト用素子と接続する端子部であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、
前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、
を有することを特徴とするサスペンション。
【請求項７】
前記サスペンション用基板の前記放熱部の位置に、前記金属支持基板および前記絶縁層の開口部が形成され、
前記金属支持基板および前記絶縁層の開口部の位置に、前記ロードビームの開口部が形成されていることを特徴とする請求項６に記載のサスペンション。
【請求項８】
前記ロードビームは、ディスクの回転により生じる風を、前記放熱部に導く導風部を有することを特徴とする請求項７に記載のサスペンション。
【請求項９】
請求項６から請求項８までのいずれかの請求項に記載のサスペンションと、
前記サスペンションに実装された記録再生用素子および熱アシスト用素子と、
を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項１０】
請求項９に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項１１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、
熱アシスト用素子に接続される端子部と、前記端子部と連続的に形成された放熱部とを有する放熱用配線層を備える前記配線層を形成する配線層形成工程を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記配線層形成工程において、ライト用配線層およびリード用配線層を同時に形成することを特徴とする請求項１１に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いられるサスペンション用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。
【０００３】
ＨＤＤの大容量化（高記録密度化）のためには、記録媒体における磁性体粒子のサイズを小さくすることが有効である。しかしながら、磁性体粒子のサイズが小さすぎると、個々の磁性体粒子の磁化は熱的に不安定になり、記録した情報を長時間保持することが困難となる。これは、磁性体粒子のサイズが小さくなると、その異方性磁気エネルギーＫｕＶ（Ｋｕは単位体積あたりの磁気異方性エネルギー、Ｖは磁性体粒子の体積）が小さくなり、磁化が熱揺らぎｋＴ（ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度）によってランダムに配向し、減磁が生じるためである。この限界を超常磁性限界という。
【０００４】
この超常磁性限界を伸ばすためには、保磁力の大きな磁性体粒子を用いることが有効である。しかしながら、保磁力の大きな磁性体粒子を用いると、磁化の極性を反転させるために必要な反転磁界強度が大きくなり、記録媒体に情報を記録することが困難になる。この問題を解決する手法として、熱アシスト記録が知られている（特許文献１〜７、非特許文献１）。熱アシスト記録では、記録の直前に記録媒体を加熱することによって、磁性体粒子の保磁力を一時的に下げて記録を行う。そのため、保磁力の大きな磁性体粒子を用いた場合であっても、記録媒体に情報を記録することが容易となるという利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−３０１５９７号公報
【特許文献２】特開２０１０−４０１１２号公報
【特許文献３】特開２００８−１５９１５９号公報
【特許文献４】特開２００８−５９６９５号公報
【特許文献５】特開２００８−１３０１６５号公報
【特許文献６】特開２００８−５９６４５号公報
【特許文献７】特開２０１０−１４６６５５号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】「ＨＤＤ容量を現行製品の５倍に高め、データセンターの消費電力低減にも貢献する熱アシスト方式の記録ヘッド基本技術を開発」、はいたっく、株式会社  日立製作所、２０１０年６月号、ｐ．１７−１８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
熱アシスト用素子（例えば半導体レーザーダイオード素子）は、その特性上、温度が上昇しやすく、温度上昇とともに性能低下が生じやすいという問題がある。そのため、熱アシスト用素子が安定した性能を発揮するためには、安定した冷却機構が必要になる。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、熱アシスト用素子の温度上昇を抑制できるサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、熱アシスト用素子に接続される端子部と、上記端子部と連続的に形成された放熱部とを有する放熱用配線層を備えることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【００１０】
本発明によれば、放熱用配線層を設けることにより、熱アシスト用素子の温度上昇を抑制したサスペンション用基板とすることができる。その結果、温度上昇に伴う熱アシスト用素子の性能低下を抑制できる。
【００１１】
上記発明においては、上記放熱部の位置に、上記金属支持基板および上記絶縁層の開口部が形成されていることが好ましい。
【００１２】
上記発明においては、上記放熱用配線層がカバー層により覆われ、上記放熱部の位置に、上記カバー層の開口部が形成されていることが好ましい。
【００１３】
上記発明においては、上記放熱部上に、表面積を増加させる放熱用めっき部が形成されていることが好ましい。より効果的に放熱を行うことができるからである。
【００１４】
上記発明においては、上記放熱用配線層の上記端子部が、上記絶縁層側の表面で上記熱アシスト用素子と接続する端子部であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。
【００１６】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、温度上昇に伴う熱アシスト用素子の性能低下を抑制したサスペンションとすることができる。
【００１７】
上記発明においては、上記サスペンション用基板の上記放熱部の位置に、上記金属支持基板および上記絶縁層の開口部が形成され、上記金属支持基板および上記絶縁層の開口部の位置に、上記ロードビームの開口部が形成されていることが好ましい。
【００１８】
上記発明においては、上記ロードビームは、ディスクの回転により生じる風を、上記放熱部に導く導風部を有することが好ましい。
【００１９】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された記録再生用素子および熱アシスト用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。
【００２０】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、温度上昇に伴う熱アシスト用素子の性能低下を抑制した素子付サスペンションとすることができる。
【００２１】
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００２２】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００２３】
また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、熱アシスト用素子に接続される端子部と、上記端子部と連続的に形成された放熱部とを有する放熱用配線層を備える上記配線層を形成する配線層形成工程を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００２４】
本発明によれば、放熱用配線層を備える配線層を形成する配線層形成工程を行うことにより、熱アシスト用素子の温度上昇を抑制したサスペンション用基板を得ることができる。
【００２５】
上記発明においては、上記配線層形成工程において、ライト用配線層およびリード用配線層を同時に形成することが好ましい。放熱用配線層、ライト用配線層およびリード用配線層を同時に形成することにより、工程数を増加させることなく、放熱用配線層を有するサスペンション用基板を得ることができるからである。
【発明の効果】
【００２６】
本発明のサスペンション用基板は、温度上昇に伴う熱アシスト用素子の性能低下を抑制できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図２】一般的な熱アシスト用素子および記録再生用素子の一例を示す概略断面図である。
【図３】本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図４】本発明のサスペンション用基板の記録再生用素子実装領域を配線層側から観察した概略平面図である。
【図５】本発明における放熱部を説明する概略断面図である。
【図６】本発明における放熱用めっき部を説明する模式図である。
【図７】本発明における放熱用めっき部を説明する概略断面図である。
【図８】本発明における放熱用配線層の端子部を説明する概略断面図である。
【図９】本発明における熱アシスト用配線層の端子部を説明する概略断面図である。
【図１０】本発明のサスペンション用基板の記録再生用素子実装領域を配線層側から観察した概略平面図である。
【図１１】本発明のサスペンションの一例を示す模式図である。
【図１２】本発明におけるロードビームを説明する概略平面図である。
【図１３】本発明における導風部を説明する模式図である。
【図１４】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【図１５】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１６】本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２９】
Ａ．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、熱アシスト用素子に接続される端子部と、上記端子部と連続的に形成された放熱部とを有する放熱用配線層を備えることを特徴とするものである。
【００３０】
図１は、一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図１（ａ）はサスペンション用基板の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、カバー層の記載は省略している。図１（ａ）に示されるサスペンション用基板１００は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域１０１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１０２と、記録再生用素子実装領域１０１および外部回路基板接続領域１０２を電気的に接続する複数の配線層１０３ａ〜１０３ｄとを有するものである。配線層１０３ａおよび配線層１０３ｂは一対の配線層であり、同様に、配線層１０３ｃおよび配線層１０３ｄも一対の配線層である。これらの２つの配線層は、一方がライト用配線層であり、他方がリード用配線層である。一方、図１（ｂ）に示すように、サスペンション用基板は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３と、配線層３を覆うカバー層４とを有するものである。
【００３１】
図２は、一般的な熱アシスト用素子および記録再生用素子の一例を示す概略断面図である。図２における熱アシスト用素子２１０は、半導体基板２０１と、第一クラッド層２０２と、活性層２０３と、第二クラッド層２０４と、反射ミラー２０５とを有する。一方、図２における記録再生用素子２２０は、スライダ２１１と、磁界発生素子２１２と、近接場光発生素子２１３と、光導波路２１４とを有する。また、熱アシスト用素子２１０および記録再生用素子２２０は、接着層２３０により接合されている。ここで、活性層２０３からの出力光は、反射ミラー２０５で反射し、光導波路２１４を通過し、近接場光発生素子２１３に至る。これにより、磁界発生素子２１２が記録を行う直前に記録媒体を加熱することができ、磁性体粒子の保磁力を一時的に下げることができる。
【００３２】
図３は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図３（ａ）はサスペンション用基板の記録再生用素子実装領域を配線層側から観察した概略平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に記録再生用素子２２０が実装された状態を示す概略平面図である。一方、図３（ｃ）は図３（ａ）を裏面側から観察した概略平面図であり、図３（ｄ）は図３（ｃ）に熱アシスト用素子２１０が実装された状態を示す概略平面図である。また、図３（ｅ）は図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図３（ａ）、（ｂ）では、便宜上、カバー層の記載は省略しており、図３（ａ）〜（ｄ）では、便宜上、配線めっき部の記載は省略している。
【００３３】
図３に示すように、本発明のサスペンション用基板は、ライト用配線層３ａ、３ｂと、リード用配線層３ｃ、３ｄと、熱アシスト用素子２１０に電力を供給する熱アシスト用配線層３ｅ、３ｆと、を有する。これらの配線層の端子部は、熱アシスト用素子２１０および記録再生用素子２２０と接続できるように、金属支持基板１の開口部近傍に配置される。さらに、本発明のサスペンション用基板は、熱アシスト用素子２１０に接続される端子部１１ａと、端子部１１ａと連続的に形成された放熱部１１ｂとを有する放熱用配線層１１を有することを大きな特徴とする。端子部１１ａも、熱アシスト用素子２１０と接続できるように、金属支持基板１の開口部近傍に配置される。一方、放熱部１１ｂは、金属支持基板１のタング部１ａに設けられている。
【００３４】
図３（ｅ）に示すように、放熱用配線層１１の端子部１１ａは、絶縁層２側の表面に配線めっき部（例えばＡｕめっき部）５を有し、導電性接続部（例えば半田）１２を介して、熱アシスト用素子２１０と接続されている。熱アシスト用素子２１０で発生した熱は、導電性接続部１２および配線めっき部５を介して端子部１１ａに伝わり、端子部１１ａと連続的に形成された放熱部１１ｂで、外に排出される。
【００３５】
ビアめっき部（例えばＮｉめっき部）１３は、絶縁層２を貫通し、金属支持基板１および放熱用配線層１１を電気的に接続するためのものであり、これにより、独立配線である放熱用配線層１１の表面に、電解めっき法により配線めっき部５を形成することができる。また、図３（ｅ）に示すように、ビアめっき部１３が、実装される記録再生用素子２２０の下に位置する場合、ビアめっき部１３の頂部の位置が、カバー層４の頂部の位置よりも低いことが好ましい。記録再生用素子２２０の平坦性を確保しやすいからである。また、本発明においては、カバー層４の開口部のサイズが、放熱用配線層１１の開口部のサイズよりも大きいことが好ましい。カバー層４から露出する放熱用配線層１１の頂部にもめっきを形成することで、ビアめっき部１３の頂部の位置を、カバー層４の頂部の位置よりも低くしやすいからである。
【００３６】
本発明によれば、放熱用配線層を設けることにより、熱アシスト用素子の温度上昇を抑制したサスペンション用基板とすることができる。その結果、温度上昇に伴う熱アシスト用素子の性能低下を抑制できる。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
【００３７】
１．サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層および配線層を有するものである。
【００３８】
本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはＳＵＳ等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内である。
【００３９】
本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００４０】
本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、９μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。また、配線層の一部の表面には、配線めっき部が形成されていることが好ましい。配線めっき部を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できるからである。中でも、本発明においては、素子や外部回路基板との接続を行う端子部、および、放熱部に配線めっき部が形成されていることが好ましい。配線めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Ａｕめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき等を挙げることができる。中でも、本発明においては、配線層の表面側から、ＮｉめっきおよびＡｕめっきが形成されていることが好ましい。配線めっき部の厚さは、例えば０．１μｍ〜４μｍの範囲内である。
【００４１】
本発明における配線層は、少なくとも放熱用配線層を有するものである。さらに、上記配線層は、熱アシスト用素子に電力を供給する熱アシスト用配線層を有することが好ましい。放熱用配線層および熱アシスト用配線層がともに絶縁層上に形成されていれば、熱アシスト用配線層と熱アシスト用素子との接続時に、同時に、放熱用配線層と熱アシスト用素子との接続を行いやすくなるからである。また、上記配線層は、ライト用配線層およびリード用配線層を有することが好ましい。また、上記配線層は、必要に応じて、ノイズシールド用配線層、クロストーク防止用配線層、電源用配線層、グランド用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層、アクチュエータ用配線層等を有していても良い。
【００４２】
また、本発明のサスペンション用基板は、配線層を覆うように形成されたカバー層を有していても良い。カバー層を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載した樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４３】
２．サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は、熱アシスト用素子に接続される端子部と、上記端子部と連続的に形成された放熱部とを有する放熱用配線層を備えることを大きな特徴とする。なお、放熱用配線層は、図３（ａ）に示すような独立配線であっても良く、給電が容易な配線であっても良い。
【００４４】
放熱用配線層の放熱部が配置される位置は、熱アシスト用素子の熱を放出できる位置であれば特に限定されるものではないが、放熱用配線層の端子部の近くであることが好ましい。端子部に伝わった熱を、ロス無く放出することができるからである。ここで、図４および図３（ｅ）に示すように、端子部１１ａの端部から放熱部１１ｂの端部までの距離をＬ１とする。Ｌ１の値は、例えば３０００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ〜２０００μｍの範囲内であることがより好ましく、２００μｍ〜８００μｍの範囲内であることがさらに好ましい。Ｌ１の値が大きすぎると、放熱のロスが大きくなりすぎる可能性があり、Ｌ１の値が小さすぎると、他の配線層の存在により、放熱部の面積を十分に大きくすることが困難になる可能性があるからである。
【００４５】
また、放熱用配線層の放熱部が配置される位置は、例えば、金属支持基板のタング部であることが好ましい。放熱用配線層の端子部の近くに、放熱部を設けることが容易だからである。さらに、放熱用配線層の放熱部が配置される位置は、図４に示すように、記録再生用素子実装領域の中心線Ｃに対して、対称となる位置であることが好ましい。記録再生用素子の姿勢を制御しやすいからである。なお、「記録用素子実装領域」とは、サスペンション用基板において、実装される記録再生用素子と、平面視上一致する領域をいう。
【００４６】
放熱用配線層の放熱部の平面視形状は、特に限定されるものではなく任意の形状を採用することができ、例えば、円、楕円、多角形等を挙げることができる。ここで、図４および図３（ｅ）に示すように、放熱部１１ｂのサイズをＬ２とする。Ｌ２の値は、例えば１５０μｍ〜１０００μｍの範囲内であることが好ましく、２００μｍ〜４００μｍの範囲内であることがより好ましい。なお、放熱部のサイズとは、放熱部の中で最も長い距離をいう。例えば放熱部の平面視形状が円である場合には、その直径が該当する。
【００４７】
また、放熱用配線層の放熱部は、絶縁層側で放熱を行うものであっても良く、絶縁層とは反対側で放熱を行うものであっても良く、両面で放熱を行うものであっても良い。絶縁層側で放熱を行う放熱部の一例としては、図５（ａ）に示すように、放熱部１１ｂの位置に、金属支持基板１および絶縁層２の開口部が形成されているものを挙げることができる。絶縁層側で放熱を行う場合、通常、記録再生用素子に接続される配線層が存在しないため、放熱部のサイズ（開口部のサイズ）を大きくすることが容易であるという利点を有する。
【００４８】
一方、絶縁層とは反対側で放熱を行う放熱部の一例としては、図５（ｂ）に示すように、放熱部１１ｂの位置に、カバー層４の開口部が形成されているものを挙げることができる。絶縁層とは反対側で放熱を行う場合、絶縁層側で放熱を行う場合に比べて、風の影響を受けやすいため、より効果的に放熱を行うことができるという利点を有する。ハードディスクドライブにおいて、ディスクの回転により生じた風の速度は、金属支持基板１側の表面よりも、カバー層４側の表面の方が大きくなる。そのため、カバー層４側に放熱部を形成した場合は、金属支持基板１側に放熱部を形成した場合よりも熱が逃げやすく、より効果的に放熱を行うことができる。
【００４９】
また、放熱部が絶縁層とは反対側で放熱を行う場合、図５（ｂ）に示すように、放熱部１１ｂが、実装される記録再生用素子２２０と平面視上重複しない位置に形成されることが好ましい。放熱部１１ｂおよび記録再生用素子２２０が平面視上重複していると、放熱部１１ｂから放出された熱が、記録再生用素子２２０との間に留まり、効果的に放熱を行うことができないからである。特に、図５（ｂ）のように、カバー層４と記録再生用素子２２０とが接触するように配置されている場合には、放熱部１１ｂが実装される記録再生用素子２２０と平面視上重複しない位置に形成されることが好ましい。これに対して、カバー層４および記録再生用素子２２０の間に所定の空間が存在する場合には、放熱部１１ｂが実装される記録再生用素子２２０と平面視上重複していても良いが、放熱効率の観点からは、放熱部１１ｂが、実装される記録再生用素子２２０と平面視上重複しない位置に形成されることが好ましい。
【００５０】
なお、絶縁層とは反対側で放熱を行う放熱部の他の例としては、絶縁層とは反対側の放熱部の表面全体に、配線めっき部を有するものを挙げることができる。この場合、カバー層の代わりに、放熱部の表面全体に配線めっき部を設けることで、放熱部の面積を大きくすることができる。
【００５１】
両面で放熱を行う放熱部の一例としては、図５（ｃ）に示すように、放熱部１１ｂの位置に、金属支持基板１および絶縁層２の開口部が形成され、さらにカバー層４の開口部も形成されているものを挙げることができる。両面で放熱を行う場合、図５（ａ）、（ｂ）に示した放熱部と比較して、放熱効率を約２倍にすることができる。これに対して、図５（ａ）、（ｂ）に示した放熱部は、図５（ｃ）に示した放熱部に比べて、放熱効率は低いものの、機械的強度が強いという利点を有する。
【００５２】
また、本発明においては、放熱部上に、表面積を増加させる放熱用めっき部が形成されていることが好ましい。より効果的に放熱を行うことができるからである。放熱用めっき部の材料は、特に限定されるものではないが、耐腐食性が良好な材料であることが好ましく、具体的には、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等を挙げることができる。
【００５３】
放熱用めっき部の一例としては、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、フィン状の放熱用めっき部６を挙げることができる。フィン状の放熱用めっき部６は、金属支持基板１よりも突出したものであっても良く（図６（ａ））、金属支持基板１よりも突出しないものであっても良い（図示せず）。前者は、放熱用めっき部６の先端部分が風に当たりやすいため、放熱効率の観点から好ましい。後者は、放熱用めっき部６の先端部分が、金属支持基板１等により保護され破損しにくいため、耐久性の観点から好ましい。フィン状の放熱用めっき部の高さは、特に限定されるものではないが、例えば４μｍ〜１５μｍの範囲内であることがより好ましい。また、放熱用めっき部の形成方法としては、例えば、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いて、放熱部上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する部分にめっきを成長させる方法等を挙げることができる。
【００５４】
放熱用めっき部の他の例としては、図７に示すように、金属支持基板１の底面を覆うように形成された放熱用めっき部６を挙げることができる。この放熱用めっき部６は、金属支持基板１の底面を覆うように形成されているため、放熱用めっき部６のサイズは、開口部における放熱部のサイズよりも大きくなる。この放熱用めっき部６は、デザイン上、開口部における放熱部のサイズを大きくできない場合に、特に有効である。
【００５５】
次に、放熱用配線層の端子部と、熱アシスト用素子との接続方法について説明する。放熱用配線層の端子部は、絶縁層側の表面で熱アシスト用素子と接続するものであっても良く、絶縁層とは反対側の表面で熱アシスト用素子と接続するものであっても良い。なお、前者を、バックサイドアクセスと称する場合がある。
【００５６】
絶縁層側の表面で熱アシスト用素子と接続する端子部としては、例えば図８（ａ）に示すように、絶縁層２側の表面で熱アシスト用素子と接続する端子部１１ａを挙げることができる。この端子部１１ａ上には、カバー層４が形成されていることが好ましい。
【００５７】
このような端子部は、以下のような利点を有する。すなわち、熱アシスト用素子を、端子部の絶縁層側の表面で接続することにより、空気の流れを利用したスライダ底面からの負圧による下向きの力を、柔軟性のあるフレキシャ（サスペンション用基板）に直に伝えることが可能となり、記録再生用素子の浮上姿勢をコントロールしやすくなるという利点がある。ここで、サスペンション用基板に対して、記録再生用素子に加えて、熱アシスト用素子を実装させる場合、記録再生用素子のみを実装させる場合に比べて、熱アシスト用素子の分だけ重量が増加する。そのため、記録コイルを位置決めするボイスコイルモータやデュアルステージアクチュエーター（マイクロもしくはミリアクチュエーター）の負担が大きくなり高速位置決めの妨げになることがことが考えられる。また、ＨＤＤに衝撃が加わった場合等、位置決めの際の外乱の増加につながり、激しい場合には微小な浮上量を維持できず記録再生用素子がディスクと接触してしまう問題（クラッシュ）が発生しやすくなる。そのため、サスペンションの浮上姿勢をよりコントロールすることが重要となる。
【００５８】
一方、絶縁層とは反対側の表面で熱アシスト用素子と接続する端子部の一例としては、図８（ｂ）に示すように、絶縁層側およびその反対側の両面が露出する端子部１１ｂを挙げることができる。この端子部１１ａは、折り曲げ加工されて、熱アシスト用素子と接続することが好ましい。
【００５９】
このような端子部は、以下のような利点を有する。すなわち、記録再生用素子に対して、熱アシスト用素子の配置可能な面積を大きく確保できるため、記録再生用素子と熱アシスト用素子との位置関係を制御することが容易になるという利点がある。ここで、記録再生用素子上に配置する熱アシスト用素子の位置は、磁極脇に形成した導波路（スライダ中の導波路）に対して正確に合わせないと、光源とスライダ間の導波路とスライダ中の導波路との光の結合効率、もしくは、光源とスライダ中の導波路との光の結合効率が低下してしまい、その結果、スライダ中の導波路に導入される光強度が低下し、ディスクの上昇温度が低下してしまうという問題が生じる。そのため、記録再生用素子と熱アシスト用素子との位置関係を制御することが重要となる。また、記録再生用素子に対して、熱アシスト用素子の配置可能な面積を大きく確保できるため、高出力化に伴って熱アシスト用素子のサイズが大きくなっても、容易に配置することができる。また、配線層を折り曲げることにより、折り曲げない場合に比べて、熱アシスト用素子を配置可能な面積が大きくなるので、熱アシスト用素子のサイズが大きくなっても、開口部のサイズを変更しなくて良いという利点もある。配線層を折り曲げない場合は、その接続構造を熱アシスト用素子の底面に作製しなければならず、熱アシスト用素子を配置可能な面積が小さくなってしまう。また、配線層を折り曲げることにより、側面に接続構造を配す熱アシスト用素子において、その素子にリード線を設けることなく、接続が可能となるという利点もある。
【００６０】
また、絶縁層とは反対側の表面で熱アシスト用素子と接続する端子部の他の例としては、図８（ｃ）に示すように、絶縁層２とは反対側の表面で熱アシスト用素子と接続する端子部１１ａを挙げることができる。この場合、サスペンション用基板に対して、熱アシスト用素子２１０および記録再生用素子２２０を、この順に積層することができる。
【００６１】
次に、本発明における熱アシスト用配線層について説明する。図９（ａ）はサスペンション用基板の記録再生用素子実装領域を配線層側から観察した概略平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図９（ａ）に示すように、熱アシスト用配線層３ｅ、３ｆは、放熱用配線層１１と同様に、絶縁層２上に形成されていることが好ましい。さらに、図９（ｂ）において、熱アシスト用配線層３ｅは、絶縁層２側の表面で熱アシスト用素子２１０と接続するものである。なお、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子との接続方法については、上述した放熱用配線層の端子部における接続方法と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、図９においては、ライト用配線層３ａ、３ｂおよびリード用配線層３ｃ、３ｄも、放熱用配線層１１と同様に、絶縁層２上に形成されている。ライト用配線層３ｂの端子部は、導電性接続部１２を介して、記録再生用素子２２０と接続される。
【００６２】
次に、本発明における熱アシスト用素子および記録再生用素子について説明する。本発明における熱アシスト用素子は、記録再生用素子の記録を熱によりアシストできるものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明における熱アシスト用素子は、光を利用した素子であることが好ましい。光ドミナント記録方式による熱アシスト記録を行うことができるからである。光を利用した熱アシスト用素子としては、例えば半導体レーザーダイオード素子を挙げることができる。半導体レーザーダイオード素子は、ｐｎ型の素子であっても良く、ｐｎｐ型またはｎｐｎ型の素子であっても良い。光を利用した熱アシスト用素子は、出力光をスライダ等に設けられた光導波路に導くために、必要に応じて、反射レンズ、集光レンズ等を有していても良い。また、半導体レーザーダイオード素子は、面発光レーザーであっても良く、端面発光レーザーであっても良い。
【００６３】
一方、本発明における記録再生用素子としては、熱アシスト用素子の作用により、記録特性が向上するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、スライダと磁気発生素子とを有するものであることが好ましく、上記図２に示したように、磁気発生素子と、スライダと、光導波路と、近接場光発生素子とを有するものがより好ましい。
【００６４】
次に、本発明における熱アシスト用配線層および記録再生用素子の配置について説明する。図３（ｃ）、（ｄ）に示すように、本発明における金属支持基板１は、熱アシスト用素子２１０を嵌め込むように配置するための開口部１ｂを有することが好ましい。放熱用配線層および熱アシスト用配線層の端子部がバックサイドアクセスを行いやすいからである。上記開口部は、熱アシスト用素子を嵌め込むように配置するためのものであれば、金属支持基板の外周面から完全に分離した開口部（例えば図３（ｃ）に示す開口部１ｂ）であっても良く、開口部の一部が金属支持基板の外周面に接続する切り欠き部を有する開口部であっても良い。
【００６５】
また、図３（ｅ）に示すように、本発明のサスペンション用基板は、その表面上に記録再生用素子２２０を実装するものであることが好ましい。さらに、開口部１ｂに熱アシスト用素子２１０を嵌め込むように配置することにより、開口部１ｂから露出する記録再生用素子２２０上に熱アシスト用素子２１０が実装されることが好ましい。なお、サスペンション用基板と記録再生用素子２２０との間、および、熱アシスト用素子２１０と記録再生用素子２２０との間には、それぞれ接着層が形成されていても良い。
【００６６】
また、図１０（ａ）は、本発明のサスペンション用基板の記録再生用素子実装領域を配線層側から観察した概略平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１０（ａ）では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された第一絶縁層２ｘと、第一絶縁層２ｘ上に形成された第一配線層３ｘと、第一配線層３ｘ上に形成された第二絶縁層２ｙと、第二絶縁層２ｙ上に形成された第二配線層３ｙとを有し、第一配線層３ｘが、端子部１１ａおよび放熱部１１ｂを有する放熱用配線層と、熱アシスト用配線層３ｅ、３ｆとを有し、第二配線層３ｙが、記録再生用素子に接続する信号伝送用配線層３ａ〜３ｄを有するものであることが好ましい。配線層を機能ごとに別の層とすることで、配線層のデザイン自由度が向上するからである。さらにこの場合、図１０（ａ）に示すように、熱アシスト用配線層３ｅ、３ｆは、信号伝送用配線層３ａ〜３ｄと平面視上重複するように形成されていることが好ましい。信号伝送用配線層３ａ〜３ｄの低インピーダンス化を図ることができるからである。
【００６７】
Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
【００６８】
図１１は、本発明のサスペンションの一例を示す模式図である。図１１（ａ）は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）をロードビーム側から観察した概略平面図であり、図１１（ｃ）は図１１（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板１００と、サスペンション用基板１００の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム３１０とを有するものである。ロードビーム３１０は、開口部３０１を有している。また、図１１（ｃ）に示すように、本発明においては、サスペンション用基板１００の表面上に、記録再生用素子２２０が実装され、サスペンション用基板１００およびロードビーム３１０の開口部に、熱アシスト用素子２１０が嵌め込まれるように配置されることが好ましい。
【００６９】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、温度上昇に伴う熱アシスト用素子の性能低下を抑制したサスペンションとすることができる。
【００７０】
本発明におけるサスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００７１】
本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ＳＵＳであることが好ましい。
【００７２】
本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の開口部に対応する位置に開口部を有することが好ましい。ロードビームが開口部を有することで、熱アシスト用素子から発生する熱を直接放熱できるからである。さらに、本発明においては、サスペンション用基板の放熱部の位置に、金属支持基板および絶縁層の開口部が形成され、その開口部の位置に、ロードビームの開口部が形成されていることが好ましい。具体的には、図１２に示すように、放熱部１１ｂの位置に、ロードビーム３１０の開口部３０１が形成されていることが好ましい。放熱部から効率良く熱を放出できるからである。
【００７３】
また、本発明におけるロードビームは、ディスクの回転による風を、放熱部に導く導風部を有することが好ましい。導風部の一例としては、図１３（ａ）に示す溝状の導風部３０２を挙げることができる。この導風部３０２は、ディスクの回転による風を導入しやすいように曲線状になっている。また、図１３（ｂ）、（ｃ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、導風部３０２は、ロードビーム３１０を貫通しないものであっても良く（図１３（ｂ））、ロードビーム３１０を貫通するものであっても良い（図１３（ｃ））。前者は、後者に比べて機械的強度が強いという利点を有し、後者は、前者に比べて導入する風量を増加させることができるという利点を有する。導風部の形成方法としては、例えば、ロードビームの表面上に、所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する部分をウェットエッチングする方法を挙げることができる。また、溝状の導風部３０２の他の例としては、図１３（ｄ）に示すように、直線状の導風部３０２を挙げることができる。
【００７４】
さらに、導風部の他の例としては、図１３（ｅ）に示すように、帯状の導風部３０２を挙げることができる。この導風部３０２は、ロードビーム３１０の開口部３０１の全体にわたって形成されている。また、図１３（ａ）、（ｄ）、（ｅ）に示した導風部は、いずれもロードビーム３１０の一方の端部から他方の端部までを結ぶように形成されているが、本発明における導風部は、一方の端部からロードビームの開口部までを結び、他方の端部までを結ばないように形成されていても良い。
【００７５】
Ｃ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された記録再生用素子および熱アシスト用素子とを有することを特徴とするものである。
【００７６】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、温度上昇に伴う熱アシスト用素子の性能低下を抑制した素子付サスペンションとすることができる。
【００７７】
本発明の素子付サスペンションの一例としては、例えば、上述した図１１（ｃ）に示す素子付サスペンションを挙げることができる。また、本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび素子を有するものである。サスペンションについては、上記「Ｂ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、記録再生用素子および熱アシスト用素子についても、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００７８】
Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
【００７９】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００８０】
図１４は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１４に示されるハードディスクドライブ５００は、上述した素子付サスペンション４００と、素子付サスペンション４００がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク４０１と、ディスク４０１を回転させるスピンドルモータ４０２と、素子付サスペンション４００の素子を移動させるアーム４０３およびボイスコイルモータ４０４と、上記の部材を密閉するケース４０５とを有するものである。
【００８１】
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｃ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００８２】
Ｅ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、熱アシスト用素子に接続される端子部と、上記端子部と連続的に形成された放熱部とを有する放熱用配線層を備える上記配線層を形成する配線層形成工程を有することを特徴とするものである。
【００８３】
図１５は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１５は図３（ｅ）と同様に、図３（ａ）のＡ−Ａ断面図に相当するものである。図１５においては、まず、金属支持部材１Ｘと、金属支持部材１Ｘ上に形成された絶縁部材２Ｘと、絶縁部材２Ｘ上に形成された導体部材３Ｘとを有する積層部材を準備する（図１５（ａ））。次に、導体部材３Ｘおよび金属支持部材１Ｘの表面に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を用いて、所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材３Ｘおよび金属支持部材１Ｘをウェットエッチングすることにより、放熱用配線層１１および金属支持基板１を形成する（図１５（ｂ））。この際、ビアめっき部を形成する位置の放熱用配線層１１に、開口部を形成する。また、図１５（ｂ）では、放熱用配線層１１を形成しているが、この放熱用配線層１１の形成と同時に、上述した他の配線層（例えば、ライト用配線層およびリード用配線層）を形成することが好ましい。また、図１５（ｂ）では、端子部１１ａおよび放熱部１１ｂを形成する位置の金属支持部材１Ｘも除去する。
【００８４】
その後、放熱用配線層１１を覆うようにカバー層４を形成する（図１５（ｃ））。この際、他の配線層（例えば、ライト用配線層およびリード用配線層）にも、同時にカバー層を形成することが好ましい。次に、絶縁部材２Ｘに対して所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材２Ｘをウェットエッチングすることにより、絶縁層２を形成する（図１５（ｄ））。次に、金属支持基板１を給電層として、電解めっき法により、ビアめっき部１３を形成する（図１５（ｅ））。これにより、独立配線である放熱用配線層１１が、金属支持基板１と導通する。最後に、電解めっき法により、端子部１１ａおよび放熱部１１ｂの表面に、配線めっき部５を形成し、最後に金属支持基板１の外形加工を行うことで、サスペンション用基板を得る（図１５（ｆ））。
【００８５】
図１６は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。図１６に示す製造方法は、基本的には、図１５に示す製造方法と同様であるが、図１６（ｃ）において、放熱部１１ｂを形成する位置のカバー層４に、開口部を形成する。これにより、カバー層４側で放熱を行う放熱部１１を得ることができる。
【００８６】
本発明によれば、放熱用配線層を備える配線層を形成する配線層形成工程を行うことにより、熱アシスト用素子の温度上昇を抑制したサスペンション用基板を得ることができる。
【００８７】
本発明のサスペンション用基板の製造方法は、上記配線層形成工程を有するものであれば特に限定されるものではない。この配線層形成工程は、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一工程であっても良く、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一工程であっても良い。
以下、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例について、工程ごとに説明する。
【００８８】
１．積層部材準備工程
本発明における積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。本発明における積層部材は、市販の積層部材を用いても良く、金属支持部材上に、絶縁部材および導体部材を形成することによって形成しても良い。
【００８９】
２．配線層形成工程
本発明における配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングすることにより、上記放熱用配線層を備える上記配線層を形成する工程である。
【００９０】
配線層の形成方法としては、例えば、積層部材の導体部材上に、レジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料が銅である場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【００９１】
３．金属支持基板形成工程
本発明における金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングすることにより、金属支持基板を形成する工程である。
【００９２】
金属支持基板の形成方法としては、例えば、積層部材の金属支持部材上に、レジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する金属支持部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がＳＵＳである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、本工程は、上述した配線層形成工程と同時に行うことが好ましい。
【００９３】
４．カバー層形成工程
本発明におけるカバー層形成工程は、上記配線層を覆うカバー層を形成する工程である。カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。
【００９４】
５．絶縁層形成工程
本発明における絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングすることにより、上記絶縁層を形成する工程である。
【００９５】
絶縁層の形成方法としては、例えばウェットエッチングを挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁層の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁層の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。
【００９６】
６．ビアめっき部形成工程
本発明におけるビアめっき部形成工程は、上記絶縁層を貫通し、上記金属支持基板および上記放熱用配線層を電気的に接続するビアめっき部を形成する工程である。
【００９７】
ビアめっき部を形成する方法としては、具体的には、電解めっき法を挙げることができる。また、図１５（ｅ）に示すように、ビアめっき部１３の頂部の位置が、カバー層４の頂部の位置よりも低くなるように、ビアめっき部を形成することが好ましい。記録再生用素子等の平坦性を確保しやすいからである。また、図示しないが、本発明においては、カバー層４の開口部のサイズが、放熱用配線層１１の開口部のサイズよりも大きいことが好ましい。カバー層４から露出する放熱用配線層１１の頂部にもめっきを形成することで、ビアめっき部１３の頂部の位置を、カバー層４の頂部の位置よりも低くしやすいからである。
【００９８】
７．配線めっき部形成工程
本発明における配線めっき部形成工程は、上記放熱用配線層の上記端子部および上記放熱部に、配線めっき部を形成する工程である。配線めっき部を形成する方法としては、具体的には、電解めっき法を挙げることができる。
【００９９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【０１００】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【０１０１】
［実施例］
まず、厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４（金属支持部材）、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂層（絶縁部材）、厚さ９μｍの電解銅層（導体部材）を有する積層部材を準備した（図１５（ａ））。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から放熱用配線層を形成し、金属支持部材から金属支持基板を形成した（図１５（ｂ））。
【０１０２】
その後、パターニングされた配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にポリイミド前駆体膜をエッチングし、その後、窒素雰囲気下、加熱することにより硬化（イミド化）させ、カバー層を形成した（図１５（ｃ））。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングで除去した（図１５（ｄ））。
【０１０３】
その後、金属支持基板を給電層として用いて、電解めっき法により、金属支持基板および放熱用配線層を電気的に接続するビアめっき部（Ｎｉめっき部）を形成した（図１５（ｅ））。次に、電解めっき法により、放熱用配線層の端子部および放熱部の表面に、配線めっき部（Ａｕめっき部）を形成した（図１５（ｆ））。最後に、不要な金属支持基板をウェットエッチングにより除去することで、サスペンション用基板を得た。
【符号の説明】
【０１０４】
１…金属支持基板、  １ａ…タング部、  ２…絶縁層、  ３…配線層、  ３ａ、３ｂ…ライト用配線層、  ３ｃ、３ｄ…リード用配線層、  ３ｅ、３ｆ…熱アシスト用配線層、  ４…カバー層、  ５…配線めっき部、  ６…放熱用めっき部、  １１…放熱用配線層、  １１ａ…端子部、  １１ｂ…放熱部、  １２…導電性接続部、  １３…ビアめっき部、  １００…サスペンション用基板、  １０１…記録再生用素子実装領域、  １０２…外部回路基板接続領域、  １０３…配線層、  ２１０…熱アシスト用素子、  ２２０…記録再生用素子、  ２３０…接着層、  ３０１…開口部、  ３０２…導風部、  ３１０…ロードビーム
【図１】
2012104180.tif 000003
【図２】
2012104180.tif 000004
【図３】
2012104180.tif 000005
【図４】
2012104180.tif 000006
【図５】
2012104180.tif 000007
【図６】
2012104180.tif 000008
【図７】
2012104180.tif 000009
【図８】
2012104180.tif 000010
【図９】
2012104180.tif 000011
【図１０】
2012104180.tif 000012
【図１１】
2012104180.tif 000013
【図１２】
2012104180.tif 000014
【図１３】
2012104180.tif 000015
【図１４】
2012104180.tif 000016
【図１５】
2012104180.tif 000017
【図１６】
2012104180.tif 000018