(57)【要約】【課題】端縁に傾斜端面が形成されている電気光学装置用基板を用いた場合でも、電気光学装置用基板の所定領域にフォトリソグラフィ技術により感光性樹脂層を確実に形成することのできる電気光学装置の製造方法、および電気光学装置を提供すること。【解決手段】液晶装置において、透光膜８、反射防止膜９０および感光性樹脂層８０をこの順に形成した後、電気光学装置用基板１０ｓの一方面１０ｇの第１傾斜端面１０ｉを含む樹脂層除去予定領域に露光を行い、その後、現像して、透光膜８に対するレジストマスクを形成する。露光の際、露光光は、第１傾斜端面１０ｉを通って電気光学装置用基板１０ｓの内部に進入した後、第２傾斜端面１０ｊで反射して感光性樹脂層８０のうち、露光すべきでない部分に向かって進行しようとするが、かかる露光光については反射防止膜９０により吸収される。【選択図】図６
2012123143.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方面側の端縁に第１傾斜端面を備え、他方面側の端縁に第２傾斜端面が形成された透光性の電気光学装置用基板の前記一方面側に透光膜を形成する透光膜形成工程と、
前記透光膜の上層に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、
前記反射防止膜の上層側にポジタイプの感光性樹脂層を塗布する感光性樹脂層塗布工程と、
前記感光性樹脂層のうち、前記第１傾斜端面を含む樹脂層除去予定領域に形成されている感光性樹脂層を露光させる露光工程と、
前記感光性樹脂層を現像して当該感光性樹脂層の未露光部分を残す現像工程と、
前記現像工程によって残された前記感光性樹脂層をレジストマスクとして前記反射防止膜および前記透光膜をエッチングするエッチング工程と、
を有していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記露光工程では、前記感光性樹脂層のうち、前記第１傾斜端面に形成された感光性樹脂層を露光させる周辺露光と、パターニング用露光マスクによって前記感光性樹脂層を部分的に露光させるパターニング用露光と、を行うことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記反射防止膜形成工程、前記感光性樹脂層塗布工程、前記露光工程、前記現像工程および前記エッチング工程をこの順に、複数サイクル行うことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記電気光学装置用基板は、分割により単品サイズの電気光学装置用基板が複数、得られる大型基板であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記電気光学装置用基板を、液晶装置において液晶層を介して対向する一対の液晶装置用基板の少なくとも一方として用いることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の方法により製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透光性の電気光学装置用基板に塗布された感光性樹脂層を露光、現像する工程を有する電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造された電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置の製造工程において、ガラス基板や石英基板等の透光性の電気光学装置用基板上の所定領域にレジストマスクを形成するには、電気光学装置用基板に塗布された感光性樹脂層を露光、現像するフォトリソグラフィ技術が用いられる。
【０００３】
例えば、図９（ａ）に示す透光膜８をパターニングするためのレジストマスクを形成する場合には、まず、電気光学装置用基板１０ｓの一方面１０ｇ側にポジタイプの感光性樹脂層８０を塗布する。次に、図９（ｂ）、（ｃ）に示す露光工程において、感光性樹脂層８０のうち、電気光学装置用基板１０ｓの一方面１０ｇ側の傾斜端面に形成された感光性樹脂層８０ｅを含む樹脂層除去予定領域を露光させる露光工程を行い、しかる後に、図９（ｄ）に示す現像工程を行い、感光性樹脂層８０の露光部分を除去する一方、未露光部分を残してレジストマスク８１を形成する。ここで、電気光学装置用基板１０ｓは、面取り加工によって、一方面１０ｇ側の端縁および他方面１０ｈ側の端縁に第１傾斜端面１０ｉおよび第２傾斜端面１０ｊが形成されている場合があり、このような場合、第１傾斜端面１０ｉ上の感光性樹脂層８０ｅについては露光されにくい。このため、図９（ｂ）に示すように、遮光部材８７等を介して第１傾斜端面１０ｉ上に形成された感光性樹脂層８０を予め、露光する周辺露光を行い、その後、図９（ｃ）に示すように、パターニング用露光マスク８８を介して感光性樹脂層８０を露光するパターニング用露光を行うことが多い。
【０００４】
しかしながら、図９（ｂ）、（ｃ）に示す露光の際、第１傾斜端面１０ｉに向けて照射された光Ｌ１が第１傾斜端面１０ｉから電気光学装置用基板１０ｓの内部に入射して、矢印Ｌ３で示すように、第２傾斜端面１０ｊで反射すると、感光性樹脂層８０において露光する予定でない余計な部分８０ｓまでが露光してしまう。その結果、図９（ｄ）に示すように、現像後、レジストマスク８１に欠落部分８１ｔが発生してしまい、図９（ｅ）に示すように、パターニング後の透光膜８ａには、レジストマスク８１の欠落部分８１ｔと重なる位置に透光膜８ａの欠落部分８ｔが発生するという問題点がある。特に、電気光学装置の製造工程では、上記の工程を複数サイクル行うことが多い。このような場合、電気光学装置用基板１０ｓの同じ領域に欠落部分が発生する結果、かかる欠落部分に起因する凹部がミリメートルオーダーのサイズで発生してしまう。
【０００５】
そこで、第１傾斜端面１０ｉを光散乱面とし、第１傾斜端面１０ｉに向けて照射された光Ｌ１が第１傾斜端面１０ｉから電気光学装置用基板１０ｓの内部に入射する際、散乱させることが提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３８９８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の構成のように、第１傾斜端面１０ｉを光散乱面とした場合でも、第１傾斜端面１０ｉに向けて照射された光Ｌ１が第１傾斜端面１０ｉから電気光学装置用基板１０ｓに入射する以上、第２傾斜端面１０ｊでの反射が起こり、感光性樹脂層８０において余計な部分が露光されてしまい、電気光学装置用基板１０ｓの所定領域に感光性樹脂層８０を残すことができないという問題点がある。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、端縁に傾斜端面が形成されている電気光学装置用基板を用いた場合でも、電気光学装置用基板の所定領域にフォトリソグラフィ技術により感光性樹脂層を確実に形成することのできる電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造された電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、一方面側の端縁に第１傾斜端面を備え、他方面側の端縁に第２傾斜端面が形成された透光性の電気光学装置用基板の前記一方面側に透光膜を形成する透光膜形成工程と、前記透光膜の上層に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、前記反射防止膜の上層側にポジタイプの感光性樹脂層を塗布する感光性樹脂層塗布工程と、前記感光性樹脂層のうち、前記第１傾斜端面を含む樹脂層除去予定領域に形成されている感光性樹脂層を露光させる露光工程と、前記感光性樹脂層を現像して当該感光性樹脂層の未露光部分を残す現像工程と、前記現像工程によって残された前記感光性樹脂層をレジストマスクとして前記反射防止膜および前記透光膜をエッチングするエッチング工程と、を有していることを特徴とする。
【００１０】
本発明では、透光性の電気光学装置用基板に形成された透光膜をパターニングするためのレジストマスクを形成するにあたって、透光膜、反射防止膜およびポジタイプの感光性樹脂層をこの順に形成した後、露光工程および現像工程を行い、感光性樹脂層をパターニングするとともに、第１傾斜端面に形成された感光性樹脂層を除去する。その際、電気光学装置用基板の端部に入射した露光光は、第２傾斜端面で反射して感光性樹脂層のうち、露光すべきでない部分に向かって進行する。しかるに本発明では、感光性樹脂層の下層側に反射防止膜が形成されており、かかる反射防止膜は露光光を吸収する。このため、電気光学装置用基板の端部から入射しようとする露光光の光量を低減することができる。また、電気光学装置用基板に入射した露光光が第２傾斜端面で反射して、感光性樹脂層のうち、露光すべきでない部分に向かって進行しても、かかる反射光（露光光）は反射防止膜によって吸収される。従って、感光性樹脂層において余計な部分が露光されるのを防止することができるので、電気光学装置用基板の所定領域に感光性樹脂層を確実に形成することができる。また、反射防止膜については、感光性樹脂層と同様、電気光学装置用基板の一方面全体に形成すればよいので、電気光学装置用基板の一部を光散乱面とする構成等と違って生産性が大幅に低下することもない。また、反射防止膜は、感光性樹脂層を露光する際、感光性樹脂層の下地側での反射を防止するので、露光精度が向上するという利点もある。
【００１１】
本発明は特に、前記露光工程において、前記感光性樹脂層のうち、前記第１傾斜端面に形成された感光性樹脂層を露光させる周辺露光と、パターニング用露光マスクによって前記感光性樹脂層を部分的に露光させるパターニング用露光と、を行う場合に適用すると効果的である。かかる構成によれば、第１傾斜端面に形成された感光性樹脂層を露光しにくい場合でも、第１傾斜端面上の感光性樹脂層を確実に露光することができる。従って、現像の際、第１傾斜端面上から感光性樹脂層を確実に除去することができるので、その後の工程で周辺部分に残った感光性樹脂層が剥がれて塵芥となる等の問題が発生しない。ここで、周辺露光の際には、電気光学装置用基板の端部に集中して露光するため、その分、電気光学装置用基板の端部から入射しようとする光量が大である。しかるに本発明によれば、感光性樹脂層の下層側に反射防止膜が形成されているので、周辺露光を行っても、感光性樹脂層において余計な部分が露光されてしまうことを確実に防止することができる。
【００１２】
本発明は特に、前記反射防止膜形成工程、前記感光性樹脂層塗布工程、前記露光工程、前記現像工程および前記エッチング工程をこの順に、複数サイクル行う場合に適用すると効果的である。感光性樹脂層塗布工程、露光工程、現像工程およびエッチング工程を複数サイクル行うと、感光性樹脂層の同一箇所が余計に露光されてしまい、大きな凹部が発生することになるが、本発明では、各サイクル毎に反射防止膜形成工程を行うため、感光性樹脂層において余計な部分が露光されてしまうことを確実に防止することができ、余計な凹部の発生を防止することができる。
【００１３】
本発明は特に、前記電気光学装置用基板は、分割により単品サイズの電気光学装置用基板が複数、得られる大型基板である場合に適用すると効果的である。すなわち、本発明によれば、大型の電気光学装置用基板の端部近くであっても露光異常が発生しないので、端部近くまで単品サイズの電気光学装置用基板の切り出し領域として利用することができる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、液晶装置の製造方法や有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法等、各種電気光学装置の製造方法に適用することができる。これらの電気光学装置のうち、液晶装置の製造方法に本発明を適用する場合、前記電気光学装置用基板を、液晶装置において液晶層を介して対向する一対の液晶装置用基板の少なくとも一方として用いる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る液晶装置に用いた液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る液晶装置の画素の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る液晶装置の製造工程を示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る液晶装置の製造に用いられる電気光学装置用基板の説明図である。
【図６】本発明を適用した液晶装置の製造方法において、電気光学装置用基板上の所定領域に透光膜を形成する工程を示す説明図である。
【図７】本発明を適用した液晶装置の製造方法において、電気光学装置用基板上の所定領域に透光膜を形成する工程を示す説明図である。
【図８】本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【図９】従来の液晶装置の製造方法において、電気光学装置用基板上の所定領域に透光膜を形成する工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、各種の電気光学装置のうち、液晶装置およびその製造方法に本発明を適用した場合を中心に説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明で参照する図面においては、図９を参照して説明した構成との対応が分かりやすいように、対応する部分には同一の符号を付して説明する。
【００１７】
［電気光学装置およびその製造方法］
（電気光学装置の全体構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）の電気的構成を示すブロック図である。図１において、液晶装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ａ（画像表示領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画素領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００１８】
素子基板１０において、画素領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００１９】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５（容量素子）が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線５ｃに導通している。
【００２０】
（液晶パネル１００ｐの構成）
図２は、本発明の実施の形態に係る液晶装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２１】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０（電気光学装置用基板／液晶装置用基板）と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００２２】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画素領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画素領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。素子基板１０において、画素領域１０ａの外側では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２３】
詳しくは後述するが、素子基板１０の一方側の基板面において、画素領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２４】
また、素子基板１０の一方面側において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂ（図２（ｂ）参照）が形成されている。ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画素領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画素領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００２５】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。また、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画素領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されており、見切りとして機能する。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、対向基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる領域等にも形成されることがある。
【００２６】
このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる領域に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。かかる基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。
【００２７】
シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１０９を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００２８】
かかる構成の液晶装置１００において、本形態のように、画素電極９ａおよび共通電極２１を透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａを反射性電極として構成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１００が反射型である場合、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置１００が透過型である場合、素子基板１０および対向基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００２９】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３０】
本形態において、液晶装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３１】
（画素の具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態に係る液晶装置１００の画素の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置１００に用いた素子基板１０において隣り合う画素の平面図、および図３（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、半導体層１ａは細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂ（保持容量５５の第２電極）は二点鎖線で示し、画素電極９ａは太くて長い破線で示してある。また、図３（ａ）では、下電極層４ａ（保持容量５５の第１電極）およびエッチングストッパー層４０ａの開口部４０ｂについては二重の細い実線で示してあり、かかる二重の細い実線のうち、外側の実線は下電極層４ａの形成領域に相当し、内側の実線はエッチングストッパー層４０ａの開口部４０ｂに相当する。また、二点鎖線で示す容量線５ｂと重なる領域には誘電体層４２ａが形成されている。
【００３２】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０上には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、各画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に画素トランジスター３０が形成されている。素子基板１０上には、走査線３ａと重なるように容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３３】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の表面（一方面側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されており、対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面側）に形成された共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３４】
素子基板１０において、複数の画素１００ａの各々には、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。半導体層１ａは、走査線３ａの一部からなるゲート電極３ｃに対して透光性のゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇと、ソース領域１ｂと、ドレイン領域１ｃとを備えており、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層１ａは、例えば、基板本体１０ｗ上に、シリコン酸化膜等からなる透光性の下地絶縁膜１２上に形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。また、ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化してなるシリコン酸化膜と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との２層構造を有する場合もある。走査線３ａには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。
【００３５】
走査線３ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の第１層間絶縁膜４１が形成されており、第１層間絶縁膜４１の上層には下電極層４ａ（第１電極）が形成されている。下電極層４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されている。
【００３６】
本形態において、下電極層４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなり、コンタクトホール７ｃを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。
【００３７】
下電極層４ａの上層側には誘電体層４２ａが形成されている。また、誘電体層４２ａの上層側には、誘電体層４２ａを介して下電極層４ａと対向するように容量線５ｂ（第２電極）が形成され、かかる容量線５ｂ、誘電体層４２ａおよび下電極層４ａによって、保持容量５５が形成されている。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。本形態において、容量線５ｂは、アルミニウム層とチタン窒化膜との２層構造や、銅含有アルミニウム層からなる。ここで、下電極層４ａ、誘電体層４２ａおよび容量線５ｂは、画素トランジスター３０の上層側に形成され、画素トランジスター３０に対して平面視で重なっている。このため、保持容量５５は、画素トランジスター３０の上層側に形成され、少なくとも画素トランジスター３０に対して平面視で重なっている。
【００３８】
誘電体層４２ａは、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる。また、誘電体層４２ａをアルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率絶縁膜により形成すれば、保持容量５５の単位面積当たりの静電容量を増大させることができる。なお、誘電体層４２ａは上記の高誘電率絶縁膜が複数層、積層された積層膜や、上記の金属酸化物が混在した多成分系の高誘電率絶縁膜が用いられることもある。本形態において、誘電体層４２ａは、容量線５ｂと略同一形状をもって同一の領域に形成されている。また、誘電体層４２ａの端縁４２ｅおよび容量線５ｂの端縁５ｅは、下電極層４ａと重なる位置にある。
【００３９】
また、本形態では、下電極層４ａと誘電体層４２ａとの層間にはシリコン酸化膜等からなるエッチングストッパー層４０ａが形成されており、かかるエッチングストッパー層４０ａには、下電極層４ａの一部と重なる領域に開口部４０ｂが形成されている。このため、下電極層４ａと容量線５ｂとは、開口部４０ｂにおいて誘電体層４２ａを介して対向し、保持容量５５を構成している。また、エッチングストッパー層４０ａは、誘電体層４２ａの端縁４２ｅおよび容量線５ｂの端縁５ｅと重なる領域に形成されている。なお、本形態では、エッチングストッパー層４０ａについては、誘電体層４２ａの端縁４２ｅや容量線５ｂの端縁５ｅと重なる領域に加えて、その他の広い範囲にわたって形成されているが、誘電体層４２ａの端縁４２ｅや容量線５ｂの端縁５ｅと重なる領域に沿ってエッチングストッパー層４０ａを限定的に形成してもよい。また、誘電体層４２ａや容量線５ｂが下電極層４ａの端縁から外側に部分的に張り出しているような場合、誘電体層４２ａの端縁４２ｅや容量線５ｂの端縁５ｅと重なる領域であっても、下層側に下電極層４ａがない領域については、エッチングストッパー層４０ａの形成を省いてもよい。さらに、エッチングストッパー層４０ａについては、下電極層４ａと誘電体層４２ａとの層間に限らず、誘電体層４２ａと容量線５ｂとの層間に形成してもよい。
【００４０】
容量線５ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第２層間絶縁膜４３が形成され、第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール７ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続している。ドレイン電極６ｂはコンタクトホール７ｂを介して下電極層４ａに電気的に接続し、下電極層４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。
【００４１】
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第３層間絶縁膜４４が形成されている。第３層間絶縁膜４４には、ドレイン電極６ｂへ通じるコンタクトホール７ｄが形成されている。第３層間絶縁膜４４の上層には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜、その他の透光性の金属酸化膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、画素電極９ａとドレイン電極６ｂとの層間に位置する第３層間絶縁膜４４のコンタクトホール７ｄの底部でドレイン電極６ｂに接し、ドレイン電極６ｂに導通している。本形態において、第３層間絶縁膜４４の表面は平坦面になっている。本形態において、画素電極９ａはＩＴＯ膜からなる。
【００４２】
ここで、第３層間絶縁膜４４の表面には、図２（ｂ）を参照して説明したダミー画素電極９ｂ（図３には図示せず）が形成されており、かかるダミー画素電極９ｂは、画素電極９ａと同時形成された透光性導電膜からなる。
【００４３】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜１６と画素電極９ａとの層間にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の透光性の保護膜１７が形成されている。保護膜１７は、表面が平坦面になっており、隣り合う画素電極９ａの間に形成された凹部を埋めている。従って、配向膜１６は、保護膜１７の平坦な表面に形成されている。
【００４４】
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に、ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜、その他の透光性の金属酸化膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜２６と共通電極２１との層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の保護膜２７が形成されている。保護膜２７は、表面が平坦面になっており、かかる平坦面上に配向膜２６が形成されている。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００４５】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、Ｎチャネル型の駆動用トランジスターとＰチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００４６】
（液晶装置１００の製造方法）
図４は、本発明の実施の形態に係る液晶装置１００の製造工程を示す説明図である。図５は、本発明の実施の形態に係る液晶装置１００の製造に用いられる電気光学装置用基板の説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、単品サイズの電気光学装置用基板の説明図、半導体ウェーハ状の大型の電気光学装置用基板の説明図、および四角形の大型の電気光学装置用基板の説明図である。
【００４７】
本形態の液晶装置１００を製造するには、図２および図４に示すように、素子基板１０に対して画素電極９ａ等の形成工程Ｓ１を行った後、斜方蒸着法、印刷法、スピンコート法等により配向膜１６を形成する配向膜形成工程Ｓ２を行う。なお、配向膜１６がポリイミド膜からなる場合には、配向膜形成工程Ｓ２の後、配向膜１６に対するラビング工程Ｓ３を行う。次に、シール材１０７を塗布するシール印刷工程Ｓ４を行う。かかるシール材１０７の塗布は、ノズルからシール材を突出しながら、ノズルと素子基板１０とを相対移動させて、シール材１０７を矩形枠状に描画する。
【００４８】
一方、対向基板２０に対しては、共通電極２１等の形成工程Ｓ１１を行った後、斜方蒸着法、印刷法、スピンコート法等により配向膜２６を形成する配向膜形成工程Ｓ１２を行う。なお、配向膜２６がポリイミド膜からなる場合には、配向膜形成工程Ｓ１２の後、配向膜２６に対するラビング工程Ｓ１３を行う。
【００４９】
次に、重ね合わせ工程Ｓ２１においては、シール材１０７を間に挟んで素子基板１０と対向基板２０とを重ね合わせる。次に、シール硬化工程Ｓ２２においてシール材１０７を硬化させる。かかるシール硬化工程では、対向基板２０側からＵＶ光等を照射してシール材１０７を硬化させる。
【００５０】
次に、液晶封入工程Ｓ２３では、シール材１０７の途切れ部分からシール材１０７の内側に液晶を注入した後、途切れ部分を封止材１０５で封止する。なお、素子基板１０にシール材１０７を形成した後、シール材１０７の内側に液晶を滴下し、その後、シール材１０７を間に挟んで素子基板１０と対向基板２０とを重ね合わせた後、シール材１０７を硬化させることもある。かかる方法の場合、シール材１０７に対しては、途切れ部分や封止材１０５を設ける必要がない。
【００５１】
かかる方法により、液晶装置１００を製造する場合、図５（ａ）に示すように、素子基板１０および対向基板２０の一方あるいは双方として、単品サイズの電気光学装置用基板１０ｓ（液晶装置用基板）を用い、かかる単品サイズの電気光学装置用基板１０ｓの状態で上記の工程を行って液晶パネル１００ｐを形成する場合がある。また、図５（ｂ）、（ｃ）に示すように、素子基板１０および対向基板２０の一方あるいは双方として、それらを多数取りできる大型の電気光学装置用基板１０ｓの状態で上記の工程を行って大型のパネル構造体を形成した後、大型のパネル構造体から単品サイズの液晶パネル１００ｐを複数、切り出すこともある。この場合、大型の電気光学装置用基板１０ｓのうち、素子基板１０または対向基板２０が切り出される領域（図５（ｂ）、（ｃ）に一点鎖線で示す領域）が有効領域１０ｙであり、その周りの部分は、電気光学装置用基板１０ｓを切断する際に除去される除材領域１０ｚである。なお、図５（ｂ）に示す大型の電気光学装置用基板１０ｓは、半導体ウェーハと同様、円盤状の基板にオリエンテーションフラットが形成された形状を有し、図５（ｃ）に示す大型の電気光学装置用基板１０ｓは、四角形状を有している。
【００５２】
このように構成した電気光学装置用基板１０ｓの両面は、その全周にわたってＣ面取りが施されており、外周端部には、図６を参照して後述する第１傾斜端面１０ｉ、外周端面１０ｋおよび第２傾斜端面１０ｊが形成されている。以下の説明では、サイズや、得られる基板が素子基板１０であるか対向基板２０であるかにかかわらず、電気光学装置用基板１０ｓとして説明する。
【００５３】
（工程Ｓ１、Ｓ１１の説明）
図６および図７は、本発明を適用した液晶装置１００の製造方法において、電気光学装置用基板１０ｓ上の所定領域に透光膜を形成する工程を示す説明図である。なお、図６および図７には、透光膜より下層側について図示を省略してある。また、図６および図７において、未露光の感光性樹脂層について１本の斜線と１本の点線とによって示し、露光した感光性樹脂層について２本の斜線と１本の点線とによって示してある。
【００５４】
以下に説明する工程は、素子基板１０においてコンタクトホールを備えた透光性の層間絶縁膜（透光膜）を形成する工程、エッチングストッパー層４０ａや誘電体層４２ａ等の絶縁膜（透光膜）を形成する工程、素子基板１０において透光性の画素電極９ａ（透光膜）を島状に形成する工程等において、透光膜の表面に感光性樹脂層からなるレジストマスクを形成するのに利用される。また、対向基板２０において透光性の共通電極２１（透光膜）を部分的に形成する場合の工程において、透光膜の表面に感光性樹脂層からなるレジストマスクを形成するのに利用される。より具体的には、以下に説明する工程は、本形態の液晶装置１００を製造する際、図４に示す各工程のうち、画素電極９ａ等の形成工程Ｓ１や共通電極２１等の形成工程Ｓ１１において、電気光学装置用基板１０ｓ上の所定領域に感光性樹脂層を形成した後、かかる感光性樹脂層を露光、現像する工程として利用される。
【００５５】
ここで、電気光学装置用基板１０ｓは、図６（ａ）に示すように、端縁に面取り加工が施されており、一方面１０ｇ側の端縁に第１傾斜端面１０ｉを備え、他方面１０ｈ側の端縁に第２傾斜端面１０ｊを備えている。このため、電気光学装置用基板１０ｓの端部は、第１傾斜端面１０ｉと、第２傾斜端面１０ｊと、第１傾斜端面１０ｉと第２傾斜端面１０ｊとの間において一方面１０ｇおよび他方面１０ｈに直交する外周端面１０ｋとを備えている。
【００５６】
かかる構成の電気光学装置用基板１０ｓの所定領域に透光膜８ａを形成するにあたって、まず、図６（ａ）に示す透光膜形成工程では、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法、スピンコート法等により、電気光学装置用基板１０ｓの一方面１０ｇ側の全体に透光膜８を形成する。
【００５７】
次に、図６（ｂ）に示す反射防止膜形成工程では、透光膜８の上層に電気光学装置用基板１０ｓの一方面１０ｇ側の全体にわたって反射防止膜９０を形成する。反射防止膜９０は、光吸収性を有しており、露光光の一次反射を防止する。かかる反射防止膜９０としては、いわゆるＢＡＲＣ（Bottom Anti-Reflective Coating）と称せられている材料を用いることができる。より具体的には、反射防止膜９０としては、ＣＶＤ法により成膜されたアモルファスカーボン層や、スピンコート法により形成された有機系材料を挙げることができ、有機系材料としては、色素を含む樹脂系材料やシリコンを含む樹脂系材料を例示することができる。
【００５８】
次に、図６（ｃ）に示す感光性樹脂層塗布工程では、スピンコート法等により、反射防止膜９０の上層に電気光学装置用基板１０ｓの一方面１０ｇ側の全体にわたってポジタイプの感光性樹脂層８０を塗布する。
【００５９】
次に、図６（ｄ）、（ｅ）に示す露光工程では、感光性樹脂層８０のうち、第１傾斜端面１０ｉを含む樹脂層除去予定領域に形成されている感光性樹脂層８０を露光させる。かかる露光工程として、本形態では、まず、図６（ｄ）に示すように、遮光部材８７等を用いて第１傾斜端面１０ｉ上に形成された感光性樹脂層８０を予め、選択的に露光する周辺露光を行う。次に、図６（ｅ）に示すように、所定のマスクパターンを備えたパターニング用露光マスク８８を介して、感光性樹脂層８０のうち、除去したい部分に対して選択的に露光するパターニング用露光を行う。なお、周辺露光とパターニング用露光とについては、その順序を入れ換えて、パターニング用露光の後、周辺露光を行ってもよい。
【００６０】
次に、図７（ａ）に示す現像工程において、感光性樹脂層８０を現像すると、感光性樹脂層８０のうち、露光部分が除去されるので、残った感光性樹脂層８０によってレジストマスク８１が形成されることになる。
【００６１】
次に、図７（ｂ）、（ｃ）に示すエッチング工程において、レジストマスク８１から露出している部分にエッチングを行い、反射防止膜９０および透光膜８をエッチングする。かかるエッチング工程では、図７（ｂ）に示すように、反射防止膜９０においてレジストマスク８１から露出している部分をエッチングする反射防止膜エッチング工程と、図７（ｃ）に示すように、透光膜８においてレジストマスク８１から露出している部分をエッチングする透光膜エッチング工程とを各々、別の条件で行う。なお、反射防止膜９０および透光膜８を同一のエッチング条件で連続してエッチングしてもよく、この場合には、図７（ｂ）に示すように、反射防止膜９０がエッチングされた後、図７（ｃ）に示すように、透光膜８が連続的にエッチングされることになる。
【００６２】
しかる後には、図７（ｄ）に示すマスク除去工程で、レジストマスク８１を除去するとともに、レジストマスク８１と重なる反射防止膜９０を除去する。その結果、レジストマスク８１と重なっていた領域のみに透光膜８ａが残ることになる。
【００６３】
なお、上記の構成は、素子基板１０においてコンタクトホールを備えた透光性の層間絶縁膜（透光膜）を形成する工程、エッチングストッパー層４０ａや誘電体層４２ａ等の絶縁膜（透光膜）を形成する工程、素子基板１０において透光性の画素電極９ａ（透光膜）を島状に形成する工程等において、透光膜の表面に感光性樹脂層８０からなるレジストマスク８１を形成するのに利用される。従って、上記の反射防止膜形成工程、感光性樹脂層塗布工程、露光工程、現像工程およびエッチング工程はこの順に、複数サイクル行われることになる。
【００６４】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１００においては、透光膜８をパターニングするためのレジストマスク８１を形成するにあたって、透光膜８、反射防止膜９０およびポジタイプの感光性樹脂層８０をこの順に形成した後、露光工程および現像工程を行い、感光性樹脂層８０をパターニングするとともに、第１傾斜端面１０ｉに形成された感光性樹脂層８０を除去する。その際、電気光学装置用基板１０ｓの端部に向かう露光光は、矢印Ｌ１で示すように、第１傾斜端面１０ｉを通って電気光学装置用基板１０ｓの内部に進入した後、矢印Ｌ３で示すように、第２傾斜端面１０ｊで反射して感光性樹脂層８０のうち、露光すべきでない部分に向かって進行する。ここに本形態では、感光性樹脂層８０の下層側に反射防止膜９０が形成されており、かかる反射防止膜９０は露光光を吸収する。このため、露光光は、電気光学装置用基板１０ｓの端部から入射する際、反射防止膜９０によって一部が吸収されるので、電気光学装置用基板１０ｓの内部への露光光の入射量を低減することができる。また、電気光学装置用基板１０ｓに入射した露光光が第２傾斜端面１０ｊで反射して、感光性樹脂層８０のうち、露光すべきでない部分に向かって進行しても、かかる反射光（露光光）は反射防止膜９０によって吸収される。従って、感光性樹脂層８０において余計な部分が露光されるのを防止することができるので、電気光学装置用基板１０ｓの所定領域に感光性樹脂層８０を確実に形成することができる。
【００６５】
また、反射防止膜９０については、感光性樹脂層８０と同様、電気光学装置用基板１０ｓの一方面側全体に形成すればよいので、電気光学装置用基板１０ｓの一部を光散乱面とする構成等と違って生産性が大幅に低下することもない。
【００６６】
また、反射防止膜９０は、感光性樹脂層８０を露光する際、感光性樹脂層８０の下地側での反射を防止するので、露光精度が向上するという利点もある。
【００６７】
特に本形態では、露光工程において、感光性樹脂層８０のうち、第１傾斜端面１０ｉに形成された感光性樹脂層８０を露光させる周辺露光と、パターニング用露光マスク８８によって感光性樹脂層８０を部分的に露光させるパターニング用露光とを行う。かかる構成によれば、第１傾斜端面１０ｉに形成された感光性樹脂層８０を露光しにくい場合でも、第１傾斜端面１０ｉ上の感光性樹脂層８０を確実に露光することができる。従って、現像後、第１傾斜端面１０ｉ上から感光性樹脂層８０を確実に除去することができるので、その後の工程で周辺部分に残った感光性樹脂層８０が剥がれて塵芥となる等の問題が発生しない。また、配向膜１６としてポリイミドを利用した場合にはラビング工程を行うが、かかるラビング工程の際、電気光学装置用基板１０ｓの端部に余分な感光性樹脂層８０がないので、ラビングムラが発生しにくい。ここで、周辺露光の際には、電気光学装置用基板１０ｓの端部に集中して露光するため、その分、電気光学装置用基板１０ｓの端部から入射しようとする光量が大である。従って、電気光学装置用基板１０ｓの端部に入射して第２傾斜端面１０ｊでの反射が強く起こるが、本形態によれば、感光性樹脂層８０の下層側に反射防止膜９０が形成されているので、周辺露光を行っても、感光性樹脂層８０において余計な部分が露光されてしまうことを確実に防止することができる。
【００６８】
さらに、本形態において、電気光学装置用基板１０ｓは、図５を参照して説明したように、分割により単品サイズの電気光学装置用基板（素子基板１０）が複数、得られる大型基板であるため、本発明を適用した場合の効果が大である。すなわち、本形態によれば、大型の電気光学装置用基板１０ｓの端部近くであっても、第２傾斜端面１０ｊでの露光光の反射に起因する露光異常が発生しないので、端部近くまで単品サイズの電気光学装置用基板（素子基板１０）の切り出し領域（有効領域１０ｙ）として利用することができる。それ故、１枚の大型の電気光学装置用基板１０ｓから単品サイズの電気光学装置用基板（素子基板１０）を効率よく切り出すことができる。
【００６９】
［本発明の変形例］
本発明によれば、露光工程において、第１傾斜端面１０ｉから電気光学装置用基板１０ｓの内部に入射した光が第２傾斜端面１０ｊで反射して感光性樹脂層８０の余計な部分を露光するという問題点が発生しないため、パターニング用露光の際の露光量を増やしてもよい。それ故、上記実施の形態では、周辺露光とパターニング用露光とを行ったが、周辺露光を行わずにパターニング用露光の際に、第１傾斜端面１０ｉに形成された厚い感光性樹脂層８０を露光し、現像によって除去してもよい。
【００７０】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用した電子機器について説明する。図８は、本発明を適用した液晶装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図８（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００７１】
（投射型表示装置の第１例）
図８（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００７２】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００７３】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００７４】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００７５】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。
【００７６】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００７７】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。
【００７８】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００７９】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００８０】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００８１】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて射出するように構成されている。
【００８２】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００８３】
（投射型表示装置の第２例）
図８（ｂ）に示す投射型表示装置１０００において、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って光源８１０、インテグレーターレンズ８２０および偏光変換素子８３０が配置された偏光照明装置８００を有している。また、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って、偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッター８４０と、偏光ビームスプリッター８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。
【００８４】
また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３つの反射型の液晶装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えており、光源部８９０は、３つの液晶装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）に所定の色光を供給する。
【００８５】
かかる投射型表示装置１０００においては、３つの液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッター８４０にて合成した後、この合成光を投射光学系８５０によってスクリーン８６０等の被投射部材に投射する。
【００８６】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００８７】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【００８８】
［他の電気装置］
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例示したが、透光性を有する基板（電気光学装置用基板）を備えていれば、液晶装置に限らず、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）等の電気光学装置の製造方法に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００８９】
８・・透光膜、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１０ｉ・・第１傾斜端面、１０ｊ・・第２傾斜端面、１０ｓ・・電気光学装置用基板、２０・・対向基板、２１・・共通電極、５０・・液晶層、８０・・感光性樹脂層、８１・・レジストマスク、９０・・反射防止膜、８８・・露光マスク、１１０、１０００・・投射型表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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