(57)【要約】【課題】本発明は、積層セラミック電子部品に関する。【解決手段】本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層を含む積層本体と、上記積層本体の内部に形成され上記積層本体の少なくとも一つ以上の一面に末端が露出される複数の内部電極層と、を含み、上記複数の内部電極層が重なって形成された容量形成部の厚さをＴ１とし、上記内部電極の末端が露出された積層本体の一面において最外郭に配置された内部電極の末端間の距離をＴ２とすると、Ｔ１に対するＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が０．７０〜０．９５であり、上記容量形成部が形成された積層本体の厚さが上記内部電極の末端が露出された積層本体の一面の厚さより大きいことができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層を含む積層本体と、
前記積層本体の内部に形成され、前記積層本体の少なくとも一つ以上の一面に末端が露出される複数の内部電極と、
を含み、
前記複数の内部電極が重なって形成された容量形成部の厚さをＴ１とし、前記内部電極の末端が露出された前記積層本体の一面において最外郭に配置された内部電極の末端間の距離をＴ２とすると、Ｔ１に対するＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が０．７０〜０．９５であり、前記容量形成部が形成された前記積層本体の厚さが前記内部電極の末端が露出された前記積層本体の一面の厚さより大きい、積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記容量形成部が形成された前記積層本体の厚さは、前記積層本体の最大厚さを形成する、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記容量形成部の厚さＴ１は、前記積層本体の中央部において最外郭に配置される内部電極間の距離である、請求項１または２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記容量形成部の厚さＴ１は、前記積層本体の中央部において垂直な二つの断面の交差線上において最上層に配置される内部電極と最下層に配置される内部電極との距離で測定される、請求項１から３のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記容量形成部の厚さＴ１、及び前記内部電極の末端が露出された前記積層本体の一面において最外郭に配置された内部電極間の距離Ｔ２は、前記積層本体の同一断面で形成される、請求項１から４のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記内部電極の末端が露出された前記積層本体の一面において最外郭に配置された内部電極間の距離Ｔ２は、前記積層本体の一面の中央部で形成される、請求項１から５のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記容量形成部が形成された前記積層本体の厚さに対する前記内部電極の末端が露出された前記積層本体の一面の厚さの比は、０．７５〜０．９７である、請求項１から６のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記容量形成部が形成された前記積層本体の厚さは、３１０〜３２０μｍである、請求項１から７のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記容量形成部が形成された前記積層本体の厚さは、前記内部電極の末端が露出されない前記積層本体の一面の厚さより大きい、請求項１から８のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記容量形成部の厚さＴ１は、２７０〜２８０μｍである、請求項１から９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１１】
前記内部電極の末端が露出される前記積層本体の一面の最大厚さに対する前記積層本体の一面の最小厚さの比は、０．７８〜０．９５である、請求項１から１０のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１２】
前記積層本体の一面の最小厚さは、前記内部電極が形成されないマージン部で形成される、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１３】
前記内部電極間に配置される誘電体層の厚さは、０．６５μｍ未満である、請求項１から１２のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１４】
前記一内部電極の厚さは、０．７μｍ以下である、請求項１から１３のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１５】
第１及び第２の側面を有する積層本体と、
前記積層本体の内部に形成され、前記第１及び第２の側面に末端がそれぞれ露出される複数の第１及び第２の内部電極と、
を含み、
前記複数の第１及び第２の内部電極が重なって形成された容量形成部の厚さをＴ１とし、前記積層本体の第１の側面又は第２の側面において最外郭に配置された第１の内部電極の末端間の距離又は第２の内部電極の末端間の距離をＴ２とすると、Ｔ１に対するＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が０．７０〜０．９５であり、前記容量形成部において隣接する第１及び第２の内部電極間の距離が０．６５μｍ未満であり、前記容量形成部が形成された前記積層本体の厚さが前記積層本体の第１の側面又は第２の側面の厚さより大きい、積層セラミックキャパシタ。
【請求項１６】
前記容量形成部の厚さＴ１は、前記積層本体の中央部において最外郭に配置される内部電極間の距離で形成される、請求項１５に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項１７】
前記容量形成部の厚さＴ１、及び前記積層本体の第１の側面において最外郭に配置された第１の内部電極の末端間の距離又は第２の側面において最外郭に配置された第２の内部電極の末端間の距離Ｔ２は、前記積層本体の同一長さ方向断面で形成される、請求項１５または１６に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項１８】
前記積層本体の幅方向において、前記積層本体の中央部の厚さは、前記積層本体の端部の厚さより大きい、請求項１５から１７のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項１９】
対向する３対の面を有する積層本体と、
前記積層本体の内部に形成され、前記積層本体の少なくとも一つ以上の一面に末端がそれぞれ露出される複数の第１及び第２の内部電極と、
前記第１及び第２の内部電極間に配置され、厚さが０．６５μｍ未満である複数の誘電体層と、
を含み、
前記複数の第１及び第２の内部電極が重なって形成された容量形成部の厚さをＴ１とし、前記内部電極の末端が露出された前記積層本体の一面において最外郭に配置された第１の内部電極の末端間の距離又は第２の内部電極の末端間の距離をＴ２とすると、Ｔ１に対するＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が０．７０〜０．９５であり、前記容量形成部が形成された前記積層本体の厚さをＤ１とし、前記第１及び第２の内部電極の末端が露出される前記積層本体の一面の厚さをＤ２とすると、Ｄ１に対するＤ２の比（Ｄ２／Ｄ１）が０．７５〜０．９７である、積層セラミックキャパシタ。
【請求項２０】
前記容量形成部が形成された前記積層本体の厚さは、前記内部電極の末端が露出されない前記積層本体の一面の厚さより大きい、請求項１９に記載の積層セラミックキャパシタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品に関し、より詳細には、信頼性に優れた積層セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、キャパシタ、インダクタ、圧電体素子、バリスタ又はサーミスター等のセラミック材料を用いる電子部品は、セラミック材料からなるセラミック本体と、上記本体の内部に形成された内部電極と、上記内部電極と接続されるようにセラミック本体の表面に設けられた外部電極と、を備える。
【０００３】
セラミック電子部品のうち積層セラミックキャパシタは、積層された複数の誘電体層と、一誘電体層を介して対向配置される内部電極と、上記内部電極に電気的に接続された外部電極と、を含む。
【０００４】
積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという長所から、コンピュータ、ＰＤＡ、携帯電話等の移動通信装置の部品として広く用いられている。
【０００５】
近年では、電子製品の小型化及び多機能化に伴い、チップ部品も小型化及び高機能化の傾向にあるため、積層セラミックキャパシタにおいても小型及び高容量の製品が求められている。
【０００６】
積層セラミックキャパシタの容量を増加させるためには、誘電体層及び内部電極の厚さをより薄くし積層数を増加させなければならない。しかしながら、誘電体層及び内部電極の薄層化及び積層数の増加に伴い、絶縁破壊（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）の発生可能性が高くなり、層間剥離及びクラック（ｃｒａｃｋ）の発生によって積層セラミックキャパシタの信頼性が低下することがある。これにより、積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化に限界がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、信頼性に優れた積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態は、誘電体層を含む積層本体と、上記積層本体の内部に形成され上記積層本体の少なくとも一つ以上の一面に末端が露出される複数の内部電極と、を含み、上記複数の内部電極が重なって形成された容量形成部の厚さをＴ１とし、上記内部電極の末端が露出された積層本体の一面において最外郭に配置された内部電極の末端間の距離をＴ２とすると、Ｔ１に対するＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が０．７０〜０．９５であり、上記容量形成部が形成された積層本体の厚さが上記内部電極の末端が露出された積層本体の一面の厚さより大きい積層セラミック電子部品を提供する。
【０００９】
上記容量形成部が形成された積層本体の厚さは、上記積層本体の最大厚さを形成することができる。
【００１０】
上記容量形成部の厚さＴ１は、上記積層本体の中央部において最外郭に配置される内部電極間の距離であることができる。
【００１１】
上記容量形成部の厚さＴ１は、上記積層本体の中央部において垂直な二つの断面の交差線上において最上層に配置される内部電極と最下層に配置される内部電極との距離で測定されることができる。
【００１２】
上記容量形成部の厚さＴ１、及び上記内部電極の末端が露出された積層本体の一面において最外郭に配置された内部電極間の距離Ｔ２は、上記積層本体の同一断面で形成されることができる。
【００１３】
上記内部電極の末端が露出された積層本体の一面において最外郭に配置された内部電極間の距離Ｔ２は、上記積層本体の一面の中央部で形成されることができる。
【００１４】
上記容量形成部が形成された積層本体の厚さに対する上記内部電極の末端が露出された積層本体の一面の厚さの比は、０．７５〜０．９７であることができる。
【００１５】
上記容量形成部が形成された積層本体の厚さは、３１０〜３２０μｍであることができる。
【００１６】
上記容量形成部が形成された積層本体の厚さは、上記内部電極の末端が露出されない積層本体の一面の厚さより大きいことができる。
【００１７】
上記容量形成部の厚さＴ１は、２７０〜２８０μｍであることができる。
【００１８】
上記内部電極の末端が露出される積層本体の一面の最大厚さに対する上記積層本体の一面の最小厚さの比は、０．７８〜０．９５であることができる。
【００１９】
上記積層本体の一面の最小厚さは、上記内部電極が形成されないマージン部で形成されることができる。
【００２０】
上記内部電極間に配置される誘電体層の厚さは、０．６５μｍ未満であることができる。
【００２１】
上記一内部電極の厚さは、０．７μｍ以下であることができる。
【００２２】
本発明の他の実施形態は、第１及び第２の側面を有する積層本体と、上記積層本体の内部に形成され上記第１及び第２の側面に末端がそれぞれ露出される複数の第１及び第２の内部電極と、を含み、上記複数の第１及び第２の内部電極が重なって形成された容量形成部の厚さをＴ１とし、上記積層本体の第１の側面又は第２の側面において最外郭に配置された第１の内部電極の末端間の距離又は第２の内部電極の末端間の距離をＴ２とすると、Ｔ１に対するＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が０．７０〜０．９５であり、上記容量形成部において隣接する第１及び第２の内部電極間の距離が０．６５μｍ未満であり、上記容量形成部が形成された積層本体の厚さが上記積層本体の第１の側面又は第２の側面の厚さより大きい積層セラミックキャパシタを提供する。
【００２３】
上記容量形成部の厚さＴ１は、上記積層本体の中央部において最外郭に配置される内部電極間の距離で形成されることができる。
【００２４】
上記容量形成部の厚さＴ１、及び上記積層本体の第１の側面において最外郭に配置された第１の内部電極の末端間の距離又は第２の側面において最外郭に配置された第２の内部電極の末端間の距離Ｔ２は、上記積層本体の同一長さ方向断面で形成されることができる。
【００２５】
上記積層本体の幅方向において、積層本体の中央部の厚さは、積層本体の端部の厚さより大きいことができる。
【００２６】
本発明のさらに他の実施形態は、対向する３対の面を有する積層本体と、上記積層本体の内部に形成され上記積層本体の少なくとも一つ以上の面に末端がそれぞれ露出される複数の第１及び第２の内部電極と、上記第１及び第２の内部電極間に配置され厚さが０．６５μｍ未満である複数の誘電体層と、を含み、
上記複数の第１及び第２の内部電極が重なって形成された容量形成部の厚さをＴ１とし、上記内部電極の末端が露出された積層本体の一面において最外郭に配置された第１の内部電極の末端間の距離又は第２の内部電極の末端間の距離をＴ２とすると、Ｔ１に対するＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が０．７０〜０．９５であり、上記容量形成部が形成された積層本体の厚さをＤ１とし、上記第１及び第２の内部電極の末端が露出される積層本体の一面の厚さをＤ２とすると、Ｄ１に対するＤ２の比（Ｄ２／Ｄ１）が０．７５〜０．９７である積層セラミックキャパシタを提供する。
【００２７】
上記容量形成部が形成された積層本体の厚さは、上記内部電極の末端が露出されない積層本体の一面の厚さより大きいことができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の一実施形態によると、誘電体層及び内部電極が薄層化されても、容量形成部と電極引出部との圧着比を調節することにより、特定領域への電界の集中を防止することができ、層間剥離及びクラックの発生可能性を低くすることができる。
【００２９】
また、本発明の一実施形態によると、容量形成部の厚さと積層本体の側面に引き出される内部電極間の厚さとの比を調節することにより、特定領域への電界の集中を防止することができ、層間剥離及びクラックの発生可能性を低くすることができる。
【００３０】
また、本発明の一実施形態によると、容量形成部が形成される積層本体の厚さと積層本体の側面の厚さとの比を調節することにより、特定領域への電界の集中を防止することができ、層間剥離及びクラックの発生可能性を低くすることができる。
【００３１】
また、本発明の一実施形態によると、積層本体の幅方向において積層本体の中央部の厚さと端部の厚さとの比を調節することにより、特定領域への電界の集中を防止することができ、層間剥離及びクラックの発生可能性を低くすることができる。
【００３２】
さらに、本発明の一実施形態によると、絶縁破壊の可能性が低くなるため、絶縁破壊電圧特性に優れ、高温条件及び耐湿条件での特性に優れている。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す概略斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態による積層本体を示す概略斜視図である。
【図３】積層本体の一側面を示す概略側面図である。
【図４】図１のＡ−Ａ'線に沿う断面図である。
【図５】図１のＢ−Ｂ'線に沿う断面図である。
【図６】積層本体を示す概略分解断面図である。
【図７ａ】内部電極が形成された誘電体層を示す上部平面図である。
【図７ｂ】内部電極が形成された誘電体層を示す上部平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。但し、本発明の実施形態は、多様な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が後述する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、当業界における通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張されることがある。なお、図面上において同一の符号で表示される要素は、同一の要素である。
【００３５】
図１は、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す概略斜視図である。図２は、本発明の一実施形態による積層本体を示す概略斜視図であり、図３は、積層本体の一側面を示す概略側面図である。図４は、図１のＡ−Ａ'線に沿う断面図であり、図５は、図１のＢ−Ｂ'線に沿う断面図である。図６は、積層本体を示す概略分解断面図であり、図７ａ及び図７ｂは、内部電極が形成された誘電体層を示す上部平面図である。
【００３６】
積層セラミック電子部品としては、キャパシタ、インダクター、圧電体素子、バリスタ又はサーミスター等があり、これらは、セラミック材料からなるセラミック本体と、上記セラミック本体の内部に形成された内部電極と、上記内部電極と接続されるようにセラミック本体の表面に設けられた外部電極と、を含むことができる。以下、図１から図６を参照して、積層セラミック電子部品のうち積層セラミックキャパシタを例に挙げて説明する。
【００３７】
図１から図６を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、積層本体１１０と、上記積層本体１１０の両側面に形成される外部電極１３１、１３２と、を含むことができる。
【００３８】
図１を参照すると、本実施形態による積層セラミックキャパシタにおいて、長さ方向はＬ方向、幅方向はＷ方向、厚さ方向はＴ方向と定義される。上記厚さ方向は、誘電体層を積み重ねる方向、即ち、積層方向である。
【００３９】
図２は、図１に示される積層セラミックキャパシタのうち、外部電極１３１、１３２を除いた積層本体１１０を示す概略斜視図であり、図３は、積層本体の一側面を示す概略側面図であり、図６は、積層本体を示す概略分解断面図である。
【００４０】
図示されているように、本発明の一実施形態による積層本体１１０は、複数の誘電体層１１１が厚さ方向に積層されて形成されることができる。上記積層本体１１０を構成する複数の誘電体層は、焼結された状態で、隣接する上記誘電体層間の境界を視認できない程度に一体化されることができる。
【００４１】
上記誘電体層は、高誘電率を有するセラミック粉末で形成されることができる。上記セラミック粉末としては、チタン酸バリウム（ＢａｔｉＯ３）系粉末又はチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）系粉末等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
【００４２】
上記一誘電体層１１１の厚さは、０．６５μｍ未満であるか又は０．５５μｍ以下であることができるが、これに限定されるものではない。また、上記一誘電体層１１１の厚さは、０．４μｍ以上〜０．６５μｍ未満であるか又は０．４５〜０．５５μｍであることができるが、これに限定されるものではない。
【００４３】
本発明の一実施形態において、上記一誘電体層の厚さは、内部電極１２１、１２２間に配置される一誘電体層の平均厚さであることができる。上記一誘電体層の平均厚さは、図４に示されるように、積層本体１１０の長さ方向断面を一万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンすることで測定することができる。より詳細には、スキャンされたイメージから、一誘電体層における長さ方向に等間隔の３０箇所の厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０箇所は、容量形成部Ｅで指定されることができる。図４に示されるように、上記容量形成部Ｅは、第１及び第２の内部電極が重なる領域を意味する。なお、このような平均値の測定を１０個の誘電体層に拡張して行うと、誘電体層の平均厚さをより一般化することができる。
【００４４】
また、上記誘電体層の厚さは、容量形成部Ｅにおいて隣接する内部電極１２１、１２２間の平均距離であることもできる。例えば、上記スキャンされたイメージから、一誘電体層における長さ方向に等間隔の３０箇所を中心に隣接する内部電極間の距離を測定し、その平均値を求めることができる。また、このような平均値の測定を容量形成部Ｅに配置された１０対の内部電極に拡張して行うと、上記隣接する内部電極間の平均距離をより一般化することができる。上記容量形成部Ｅにおいて、上記隣接する第１の内部電極１２１と第２の内部電極１２２との距離は、０．６５μｍ未満であるか又は０．５５μｍ以下であることができるが、これに限定されるものではない。また、上記容量形成部Ｅにおいて、上記隣接する第１の内部電極１２１と第２の内部電極１２２との距離は、０．４μｍ以上〜０．６５μｍ未満であるか又は０．４５〜０．５５μｍであることができるが、これに限定されるものではない。
【００４５】
本発明の一実施形態による積層本体１１０は、六面体の形状を有し、対向する３対の側面を有することができる。より詳細には、積層本体の長さ方向端部の厚さより積層本体の中央部の厚さが大きく、積層本体の中央部は凸状であることができる。
【００４６】
上記積層本体１１０の内部には、複数の内部電極１２１、１２２が形成されることができる。上記内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１上に形成され、焼結によって一誘電体層を介して上記誘電体層の積層方向に沿って対向配置されることができる。上記内部電極は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ等の導電性金属で形成され、その厚さが０．７μｍ以下であることができるが、これに限定されるものではない。
【００４７】
また、本発明の一実施形態によると、内部電極が形成された誘電体層は、２００層以上積層されることができる。
【００４８】
上記複数の内部電極１２１、１２２は、相違する極性を有する第１の内部電極１２１及び第２の内部電極１２２を一対とすることができる。また、図７ａ及び図７ｂに示されるように、本発明の一実施形態による第１及び第２の内部電極１２１、１２２は、方形又は長方形であることができる。
【００４９】
図７ａ及び図７ｂを参照すると、一誘電体層１１１の長さ方向Ｌに第１の内部電極１２１又は第２の内部電極１２２が形成されない長さ方向マージン部Ｌ１が形成され、一誘電体層１１１の幅方向Ｗに第１の内部電極１２１又は第２の内部電極１２２が形成されない幅方向マージン部Ｗ１、Ｗ２が形成されることができる。
【００５０】
図４を参照すると、上記長さ方向マージン部Ｌ１によって、上記第１及び第２の内部電極１２１、１２２の一端は、それぞれ積層本体の一側面から所定の間隔をおいて形成され、第１及び第２の内部電極１２１、１２２の他端は、それぞれ積層本体の一側面に露出されることができる。
【００５１】
図２は、積層本体１１０を示す概略斜視図であり、図３は、積層本体の第１の側面Ｓ１を示す概略側面図である。本発明では、上記第１の内部電極１２１の他端が露出される積層本体の一側面を第１の側面Ｓ１とし、上記第２の内部電極１２２の他端が露出される積層本体の一側面を第２の側面Ｓ２とする。
【００５２】
本発明の一実施形態によると、上記内部電極の末端は、積層本体の少なくとも一つ以上の一面に露出されることができるが、これに限定されるものではない。
【００５３】
図示されてはいないが、上記第１又は第２の内部電極が積層本体の同一面に露出されることもできるし、上記第１又は第２の内部電極の末端が積層本体の二つ以上の面に露出されることもできる。
【００５４】
上記積層本体１１０の第１及び第２の側面Ｓ１、Ｓ２にそれぞれ露出された第１及び第２の内部電極１２１、１２２の他端は、上記積層本体１１０の両側面にそれぞれ形成される第１及び第２の外部電極１３１、１３２と電気的に連結されることができる。
【００５５】
図４は、図１のＡ−Ａ'線に沿う断面図で、積層セラミックキャパシタを長さ方向（又はＬ方向）に切断した断面図である。図５は、図１のＢ−Ｂ'線に沿う断面図で、積層セラミックキャパシタを幅方向（Ｗ方向）に切断した断面図である。
【００５６】
上記積層本体１１０のうち上記第１及び第２の内部電極１２１、１２２が重なる領域では、電界の印加時に静電容量が形成されることができる。本発明では、第１及び第２の内部電極１２１、１２２が重なる領域を容量形成部Ｅとする。また、上記積層本体１１０のうち上記第１及び第２の内部電極が重なることなく上記第１の内部電極のみが形成されたか又は第２の内部電極のみが形成された領域を電極引出部とする。上記電極引出部は、長さ方向マージン部Ｌ１で形成されることができる。
【００５７】
本発明の一実施形態によると、上記複数の内部電極１２１、１２２が重なる容量形成部Ｅの厚さをＴ１とする。上記容量形成部Ｅの厚さＴ１は、上記積層本体の中央部で形成され、上記積層本体のうち最外郭に配置される内部電極間の距離であることができる。より詳細には、上記容量形成部Ｅの厚さＴ１は、第１及び第２の内部電極が重なる領域において最外郭、例えば、最上層及び最下層に配置される内部電極間の距離であることができる。上記容量形成部Ｅの厚さＴ１は、上記積層本体の中央部において垂直な二つの断面の交差線上で定義されることができる。例えば、図４のＡ−Ａ'線に沿う断面は、積層本体の中央部の断面であり、図５のＢ−Ｂ'線に沿う断面は、積層本体の中央部の断面であり、Ａ−Ａ'線に沿う断面とＢ−Ｂ'線に沿う断面との交差線上において最上層及び最下層に配置される内部電極間の距離が容量形成部Ｅの厚さＴ１であることができる。
【００５８】
また、本発明の一実施形態によると、上記積層本体の一側面において最外郭に配置された内部電極の末端間の距離をＴ２とする。より詳細には、上記Ｔ２は、第１の内部電極又は第２の内部電極の末端が露出された積層本体の一側面において最外郭、例えば、最上層に配置される内部電極と最下層に配置される内部電極との距離であることができる。
【００５９】
図３を参照すると、上記積層本体の第１の側面Ｓ１に第１の内部電極１２１の末端が露出されることができ、第１の側面において最上層に配置される第１の内部電極１２１と最下層に配置される第１の内部電極１２１との距離をＴ２とする。
【００６０】
また、上記内部電極の末端が露出された積層本体の一面において最外郭に配置された内部電極間の距離Ｔ２は、上記積層本体の一面の中央部で形成されることができる。上記Ｔ２は、上記第１の側面において最上層に配置される第１の内部電極１２１の中央部と最下層に配置される第１の内部電極１２１の中央部との距離であることができる。
【００６１】
また、図４に示されるように、上記容量形成部の厚さＴ１、及び上記内部電極の末端が露出された積層本体の一面において最外郭に配置された内部電極間の距離Ｔ２は、上記積層本体の同一断面で形成されることができる。上記同一断面は、内部電極の末端が露出される面を含む断面であり、本実施形態では、積層セラミックキャパシタの長さ方向断面であることができる。
【００６２】
上記Ｔ１に対するＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）は、０．７０〜０．９５であることができる。上記容量形成部の厚さＴ１は、２７０〜２８０μｍであることができるが、これに限定されるものではない。
【００６３】
上記積層本体のうち第１及び第２の内部電極が重なる容量形成部と第１の内部電極又は第２の内部電極のみが形成される電極引出部との間には、密度差が生じる。上記容量形成部と上記電極引出部との密度差が大きくなると、上記電極引出部に層間剥離（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）やクラック（ｃｒａｃｋ）が生じ、この層間剥離やクラックの発生部位へのメッキ液の浸透が生じ、これにより、積層セラミックキャパシタの信頼性が低下することがある。
【００６４】
本発明の一実施形態によると、容量形成部の厚さと電極引出部の厚さとに差をつけて圧着することにより密度差を小さくすることができる。また、容量形成部の厚さと電極引出部の厚さとの比を調節することにより、積層セラミックキャパシタの層間剥離又はクラックの発生率を低くし、絶縁破壊電圧を高めることができる。
【００６５】
上記Ｔ１に対するＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が０．７０未満であると、電極引出部の層間剥離やクラックの発生可能性は低くなるが、電極引出部が圧縮されすぎ、内部電極の端部が過度に曲がる可能性がある。これにより、隣接する内部電極間の距離が短くなり、その間に位置する誘電体層が薄くなり、この領域に電界が集中される可能性がある。この場合、絶縁破壊電圧特性が低下し、高温条件及び耐湿条件での特性が低下することがある。
【００６６】
また、上記Ｔ１に対するＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が０．９５を超えると、電極引出部の圧縮度が小さくなるため、層間剥離やクラックの発生可能性が高くなり、高温条件及び耐湿条件での特性が低下することがある。
【００６７】
上述したように、積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化のためには、誘電体層及び内部電極の厚さをより薄くし、積層数を増加させなければならない。しかしながら、誘電体層及び内部電極の薄層化及び積層数の増加に伴い、内部電極が重なる容量形成部と電極引出部との密度差はさらに大きくなり、これにより、電極引出部に剥離（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）やクラック（ｃｒａｃｋ）が生じる。
【００６８】
また、電極引出部の密度を増加させるために、上記電極引出部を過度に圧縮すると、内部電極の末端が過度に曲がって上下に隣接する内部電極間の距離が狭くなり、この領域に電界が集中されるため、低電圧下でも絶縁破壊の発生可能性が大きくなる。
【００６９】
しかしながら、本発明の一実施形態によると、一誘電体層１１１の厚さは、０．６５μｍ未満であることができる。また、本発明の一実施形態によると、一内部電極の厚さは、０．７μｍ以下であることができる。また、内部電極が形成された誘電体層は、２００層以上積層されることができる。
【００７０】
上述したように、本発明の一実施形態によると、誘電体層及び内部電極が薄層化されても、容量形成部と電極引出部とのＴ１に対するＴ２の比を調節することにより、特定領域への電界の集中を防止することができ、層間剥離及びクラックの発生可能性を低くすることができる。
【００７１】
図４及び図５に示されるように、本発明の一実施形態によると、容量形成部Ｅが形成された積層本体の厚さＤ１は、積層本体の側面の厚さＤ２より大きいことができる。上記積層本体の側面は、長さ方向側面であり、上述した第１の内部電極１２１又は第２の内部電極１２２の末端が露出される第１の側面Ｓ１又は第２の側面Ｓ２であることができる。
【００７２】
上記容量形成部Ｅが形成された積層本体の厚さＤ１は、積層本体の最大厚さを形成することができる。また、上記積層本体の側面の厚さＤ２は、第１の内部電極又は第２の内部電極が存在する領域で測定されることができる。図３に示されるように、上記積層本体の側面には、第１の内部電極１２１が形成されない幅方向マージン部Ｗ１、Ｗ２が存在し、上記積層本体の側面の厚さＤ２は、幅方向マージン部Ｗ１、Ｗ２ではなく、第１の内部電極１２１が存在する領域の積層本体の側面の厚さＤ２であることができる。
【００７３】
上記容量形成部Ｅが形成された積層本体の厚さＤ１は、３１０〜３２０μｍであることができるが、これに限定されるものではない。
【００７４】
上記容量形成部が形成された積層本体の厚さに対する積層本体の側面の厚さの比（Ｄ２／Ｄ１）は、０．７５〜０．９７であることができる。
【００７５】
上記容量形成部が形成された積層本体の厚さに対する積層本体の側面の厚さの比（Ｄ２／Ｄ１）が０．７５未満であると、電極引出部の層間剥離やクラックの発生可能性は低くなるが、特定領域に電界が集中されて絶縁破壊電圧が低くなり、高温条件及び耐湿条件での特性が低下することがある。
【００７６】
また、上記容量形成部が形成された積層本体の厚さに対する積層本体の側面の厚さの比（Ｄ２／Ｄ１）が０．９７を超えると、層間剥離やクラックの発生可能性が高くなり、高温条件及び耐湿条件での特性が低下することがある。
【００７７】
また、本発明の一実施形態によると、図３及び図５に示されるように、上記積層本体の幅方向において上記積層本体の中央部の厚さは、上記積層本体の端部の厚さより大きいことができる。上記積層本体の中央部の厚さは、内部電極が存在する領域で測定され、上記積層本体の端部の厚さは、内部電極が形成されない幅方向マージン部で測定されることができる。
【００７８】
本発明の一実施形態によると、上記積層本体の端部は、内部電極の末端が露出されない積層本体の一面であることができる。
【００７９】
本発明の一実施形態によると、図３に示されるように、第１の内部電極１２１の末端が露出される積層本体の第１の側面Ｓ１の最大厚さＤ３に対する第１の内部電極１２１の末端が露出される積層本体の第１の側面の最小厚さＤ４の比（Ｄ４／Ｄ３）は、０．７８〜０．９５であることができる。
【００８０】
上記積層本体の側面の最大厚さＤ３は、第１の内部電極１２１が存在する領域で形成され、上記積層本体の側面の最小厚さＤ４は、第１の内部電極１２１が形成されない幅方向マージン部Ｗ１、Ｗ２で形成されることができる。
【００８１】
上記第１の内部電極１２１の末端が露出される側面の最大厚さＤ３は、２００〜３００μｍであることができるが、これに限定されるものではない。
【００８２】
なお、図示されてはいないが、第２の内部電極の末端が露出される積層本体の第２の側面の最大厚さに対する第２の内部電極の末端が露出される側面の最小厚さの比は、０．７８〜０．９５であることができる。
【００８３】
上記Ｄ３に対するＤ４の比が０．７８未満であると、内部電極の幅方向（Ｗ方向）末端が過度に曲がって上下に隣接する内部電極間の間隔が小さくなる可能性がある。これにより、内部電極の幅方向末端に電界が集中されて絶縁破壊電圧が低くなり、高温条件及び耐湿条件での特性が低下することがある。
【００８４】
また、上記Ｄ３に対するＤ４の比が０．９５を超えると、層間剥離やクラックの発生可能性が高くなり、高温条件及び耐湿条件での特性が低下することがある。
【００８５】
以下、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を説明する。
【００８６】
まず、複数のセラミックグリーンシートに内部電極パターンを形成する。上記セラミックグリーンシートは、セラミック粉末と有機溶剤と有機バインダーとを含むセラミックペーストで形成されることができる。
【００８７】
上記セラミック粉末は、高誘電率を有する物質である。上記セラミック粉末としては、チタン酸バリウム（ＢａｔｉＯ３）系材料又はチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）系材料等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。上記セラミックグリーンシートを焼成すると、積層本体を構成する誘電体層１１１となることができる。
【００８８】
上記内部電極パターンは、導電性金属を含む内部電極ペーストで形成されることができる。上記導電性金属は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ又はこれらの合金であることができるが、これらに限定されるものではない。
【００８９】
上記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する方法は、 例えば、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法等があるが、これらに限定されるものではない。
【００９０】
その後、上記セラミックグリーンシートに形成された内部電極パターンが後の切断工程によって相違する側面に露出されるように積層されてセラミックグリーンシート積層体を形成することができる。そして、上記セラミックグリーンシート積層体を圧着することで積層本体の厚さに対する積層本体の側面の厚さの比（Ｄ２／Ｄ１）を調節することができる。上述したように、本発明の一実施形態によると、電極引出部は、容量形成部より強く圧縮され、積層本体の側面及び端部は、中央部より強く圧縮されることができる。
【００９１】
上記圧着は、所定の圧力で行われ、例えば、等圧圧縮成形（ｉｓｏｓｔａｔｉｃ  ｐｒｅｓｓｉｎｇ）で行われることができるが、これに限定されるものではない。上記圧縮は、５００〜１５００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力条件で行われることができる。上記等圧圧縮成形の際に積層本体の容量形成部の厚さと電極引出部の厚さとに差をつけて圧着するために、圧着時にセラミックグリーンシート積層体の上下面に副資材を用いることができる。上記副資材としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ビニル（ｖｉｎｙｌ）フィルム又はゴム（ｒｕｂｂｅｒ）等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
【００９２】
図６は、セラミックグリーンシートに形成された内部電極パターンが切断された状態で、上記圧縮工程を概略的に示すものである。上記セラミックグリーンシート積層体の上部及び下部に副資材Ｐを配置して圧着することができる。また、上記セラミックグリーンシート積層体の上部又は下部のみに上記副資材Ｐを配置して圧着することができるが、これに限定されるものではない。
【００９３】
上記圧着は、所定の温度で行われ、例えば、５０〜１００℃で行われることができるが、これに限定されるものではない。
【００９４】
次に、上記内部電極の長さ方向末端が側面から露出されるように、セラミックグリーンシート積層体を切断してセラミックグリーンチップを形成することができる。そして、上記セラミックグリーンチップをか焼及び焼成して積層本体を形成することができる。
【００９５】
上記か焼工程は、脱バインダーのために行われ、大気雰囲気下で行われることができるが、これに限定されるものではない。
【００９６】
上記焼成工程は、内部電極が酸化されないように、還元雰囲気下で行われることができる。また、上記焼成工程は、９００〜１３００℃の温度範囲で行われることができる。
【００９７】
次いで、積層本体の側面に露出された内部電極の末端と電気的に連結されるように外部電極を形成することができる。以後、外部電極の表面に、ニッケル、スズ等でメッキ処理を行うことができる。
【００９８】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明する。しかしながら、上記実施例は、発明の具体的な理解のためのもので、本発明の範囲がこれに限定されるものではない。
【実施例】
【００９９】
焼成前の厚さがそれぞれ１．２７μｍ、１．２０μｍ、１．００μｍ、０．９０μｍ及び０．８０μｍのセラミックグリーンシート上に内部電極ペーストを印刷した後、２２０〜２７０層に積層してセラミック積層体を製造した。そして、上記セラミック積層体を８５℃で１０００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力条件で等圧圧縮成形（ｉｓｏｓｔａｔｉｃ  ｐｒｅｓｓｉｎｇ）した。この際、電極引出部の圧縮を強化するために上記セラミック積層体の上下面にＰＥＴフィルム、ビニルフィルム及びゴム等の副資材の厚さに差をつけて適用し、容量形成部が形成された積層本体の厚さは積層本体の側面の厚さより大きく形成した。
【０１００】
圧着が完了された上記セラミック積層体を個別チップの形態に切断し、切断されたチップを大気雰囲気下で２３０℃、６０時間維持して脱バインダーを行った。以後、１２００℃で内部電極が酸化されないようにＮｉ／ＮｉＯの平衡酸素分圧より低い１０−１１〜１０−１０ａｔｍの酸素分圧の還元雰囲気下で焼成を行った。焼成後の誘電体層の平均厚さは、０．４５〜０．７０μｍであり、内部電極の平均厚さは、０．６５μｍであった。焼成チップのサイズは、０．６±０．０９ｍｍ×０．３±０．０９ｍｍ×０．３±０．０９ｍｍ（Ｌ×Ｗ×Ｔ）を満足した。
【０１０１】
上記焼成チップの特性を評価してこの結果を下記表１及び表２に示した。
【０１０２】
焼成後の一誘電体層の厚さは、内部電極間に配置される一誘電体層の平均厚さで測定された。上記一誘電体層の平均厚さの測定は、図４に示されるように、積層本体の長さ方向断面を一万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンし、 スキャンされたイメージから、一誘電体層における長さ方向に等間隔の３０箇所の厚さを測定し平均値を測定して行われた。上記等間隔の３０箇所は、容量形成部Ｅで指定された。
【０１０３】
焼成チップの剥離又はクラックの発生率は、１００個の焼成チップに対して断面検査を行って百分率で示した。
【０１０４】
絶縁破壊電圧（ＢＤＶ：Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ）特性は、１０Ｖ／ｓｅｃの速度でＤＣ電圧を印加しながら測定することで評価し、高温加速特性は、高温加速試験によるＮＧ率で評価し、２００個の焼成チップに対して１３５℃の温度で９．４５ＶのＤＣ電圧を印加し、４８時間以内に絶縁抵抗が１０４Ω以下に落ちた焼成チップの数を百分率で示した。
【０１０５】
耐湿負荷特性は、耐湿負荷試験によるＮＧ率で評価し、２００個の焼成チップに対して４０℃の温度、９５％の相対湿度で６．３ＶのＤＣ電圧を印加し、１００時間以内に絶縁抵抗が１０４Ω以下に落ちた焼成チップの数を百分率で示した。
【０１０６】
【表１】
2012253338.tif 000003
2012253338.tif 000004
【０１０７】
【表２】
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2012253338.tif 000006
【０１０８】
表１中、Ｔ１は、容量形成部の厚さ、Ｔ２は、内部電極の末端が露出された積層本体の一面において内部電極間の距離、Ｄ１は、容量形成部が形成された積層本体の厚さ、Ｄ２は、内部電極の末端が露出された積層本体の一面の厚さ、Ｄ３は、内部電極の末端が露出されない積層本体の一面の最大厚さ、Ｄ４は、内部電極の末端が露出されない積層本体の一面の最小厚さである。
【０１０９】
上記Ｔ１、Ｔ２、Ｄ１及びＤ２は、図４に示すように、内部電極の末端が露出された積層本体の中央部の長さ方向の断面図で測定し、Ｄ３及びＤ４は、内部電極の末端が露出された積層本体の一面で測定した。
【０１１０】
上記表１及び表２を参照すると、焼成後の誘電体層の厚さが０．６５μｍ以上の比較例１〜８では、Ｔ１とＴ２との比に関わらず剥離及びクラックが生じておらず、ＢＤＶが高く、高温加速試験及び耐湿負荷試験によるＮＧ率が生じていない。
【０１１１】
これに対し、焼成後の誘電体層の厚さが０．６５μｍ以下の比較例９、１２及び１５では、電極引出部の圧縮率が小さいことから、剥離又はクラックの発生率が高く、高温加速特性及び耐湿負荷特性が低下した。また、比較例１０、１１、１３、１４、１６及び１７では、電極引出部の圧縮率が大きいことから、剥離やクラックは生じていないが、過度の圧縮によってＢＤＶ特性が低下し、これにより、高温加速試験及び耐湿負荷試験によるＮＧ率が高い。これは、内部電極の長さ方向末端が曲がって誘電体層が薄くなり、これにより、電界集中が生じているものと考えられる。
【０１１２】
実施例１〜１０では、容量形成部と電極引出部との圧縮比が調節されることにより、剥離やクラックが生じておらず、幅方向マージン部又は長さ方向マージン部に行くほど内部電極の末端の曲がり現象がなく誘電体層の厚さが薄くならないものと考えられる。これにより、ＢＤＶ特性が低下し、高温加速特性及び耐湿負荷特性に優れ、メッキ液の浸透による信頼性の低下がなかった。
【０１１３】
本発明は、上述した実施形態及び添付図面によって限定されることなく添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載の本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者による多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた本発明の範囲内に属する。
【符号の説明】
【０１１４】
１１０  積層本体
１１１  誘電体層
１２１、１２２  第１及び第２の内部電極
１３１、１３２  第１及び第２の外部電極
Ｅ  容量形成部
Ｗ１、Ｗ２  幅方向マージン部
Ｌ１  長さ方向マージン部
【図１】
2012253338.tif 000007
【図２】
2012253338.tif 000008
【図３】
2012253338.tif 000009
【図４】
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【図５】
2012253338.tif 000011
【図６】
2012253338.tif 000012
【図７ａ】
2012253338.tif 000013
【図７ｂ】
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