(57)【要約】【課題】ワークの表面に付着した紫外線硬化糊からなる粘着層の切削屑を十分に除去することができるワークの加工方法を提供する。【解決手段】フレーム５に貼り付けられたダイシングテープ６の紫外線硬化糊からなる粘着層６ｂにワーク１の裏面１ｂを貼着してワーク１をフレーム５に支持し、この状態で、ワーク１の表面１ａからダイシングテープ６の途中まで切削ブレード１３を切り込んでワーク１を半導体チップに分割加工する。次いで、切削で生じた切削屑Ｓが付着しているワーク１の表面１ａに紫外線Ｕを照射して粘着層６ｂからなる切削屑Ｓの粘着力を低下させてから、ワーク１の表面１ａに洗浄水Ｗを噴出させて切削屑Ｓを洗浄除去する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線硬化糊を粘着層として有するダイシングテープにワークの裏面を貼着する貼着工程と、
該貼着工程の後に、ワークの表面から前記ダイシングテープの途中まで切削ブレードを切り込んでワークを分割加工する加工工程と、
該加工工程の後に、該加工工程においてワークの表面に付着した切削屑を洗浄除去する洗浄工程と、を含むワークの加工方法であって、
前記加工工程と前記洗浄工程との間に、ワークの表面に付着した前記切削屑に紫外線を照射して硬化させ粘着力を低下させる紫外線照射工程を含むこと
を特徴とするワークの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウェーハ等のワークに対して切削ブレードにより切削加工を施すワークの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、半導体からなる略円板状のウェーハの表面にＩＣやＬＳＩ等による多数の電子回路を形成し、次いで該ウェーハの裏面を研削して所定の厚さに加工してから、電子回路が形成されたデバイス領域を分割予定ラインに沿って切断するダイシングを行って、１枚のウェーハから多数の半導体チップを得ている。
【０００３】
ウェーハをダイシングする装置としては、切削ブレードをワークに切り込ませて切断する切削装置が知られている。この種の切削装置としては、ワークを負圧で吸着、保持して被加工面を露出させるチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたワークを切削加工する上記切削ブレードを有する切削機構と、切削後のワークを洗浄する洗浄手段とを具備しているものが知られている（特許文献１参照）。
【０００４】
上記特許文献１では、ワークは、環状のフレームに該フレームの開口部を覆って貼り付けられたダイシングテープ（文献では装着テープ）に貼着されており、フレームおよびダイシングテープを介して搬送されている。ダイシングテープとしては、ダイシング後の半導体チップの剥離を容易とするために、粘着層に紫外線硬化糊を用いたものが有用とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３５８０９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記ダイシングテープは、ワークの切削時に、ワークの貼着面側が厚さの途中までワークと同時に切削される。このため、切削時に生じるワークの切削屑の中には、ダイシングテープの粘着層が飛散した切削屑が存在する。このような切削屑はワークに粘着するため、洗浄手段で洗浄しても十分に除去されないという問題があった。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その主な技術的課題は、ワークの表面に付着した紫外線硬化糊を含む粘着層の切削屑を十分に除去することができるワークの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のワークの加工方法は、紫外線硬化糊を粘着層として有するダイシングテープにワークの裏面を貼着する貼着工程と、該貼着工程の後に、ワークの表面から前記ダイシングテープの途中まで切削ブレードを切り込んでワークを分割加工する加工工程と、該加工工程の後に、該加工工程においてワークの表面に付着した切削屑を洗浄除去する洗浄工程と、を含むワークの加工方法であって、前記加工工程と前記洗浄工程との間に、ワークの表面に付着した前記切削屑に紫外線を照射して硬化させ粘着力を低下させる紫外線照射工程を含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、紫外線照射工程で紫外線が照射されることにより、ダイシングテープの粘着層からなる切削屑が硬化してワークへの粘着力が低下し、その切削屑はワークから離脱しやすくなる。したがってこの後の洗浄工程で、切削屑を十分に除去することができる。
【００１０】
本発明で言うワークは特に限定はされないが、例えば、シリコンやガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）等からなる半導体ウェーハ、チップ実装用としてウェーハの裏面に設けられるＤＡＦ（Die Attach Film）等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）系の無機材料基板、液晶表示装置を制御駆動するＬＣＤドライバ等の各種電子部品、ミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料等が挙げられる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ワークの表面に付着した紫外線硬化糊を含む粘着層の切削屑を十分に除去することができるワークの加工方法が提供されるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態の加工方法が適用されるワークの斜視図である。
【図２】一実施形態の貼着工程でダイシングテープにワークを貼着した状態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。
【図３】一実施形態の加工工程を行っている状態を示す斜視図である。
【図４】一実施形態の加工工程を行っている状態を示す側面図である。
【図５】一実施形態の紫外線照射工程を行っている状態を示す側面図である。
【図６】一実施形態の洗浄工程を行っている状態を示す側面図である。
【図７】洗浄工程後のワークの状態を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
（１）ワーク
図１は、一実施形態の加工方法が適用されて分割される半導体ウェーハ等の円板状のワーク１を示している。ワーク１の表面１ａには、互いに直交する複数の分割予定ライン２が格子状に形成されているとともに、これら分割予定ライン２で区画された矩形状のデバイス領域３が形成されている。各デバイス領域３の表面には、ＩＣやＬＳＩ等からなる図示せぬ回路素子が形成されている。
【００１４】
（２）加工方法
次に、分割予定ライン２に沿って切削加工することによりワーク１を多数のデバイス領域３に分割して、個々のデバイス領域３を半導体チップとして得る一実施形態の加工方法を説明する。
【００１５】
はじめに、図２に示すように、ワーク１を、環状のフレーム５に貼着されたダイシングテープ６に、表面１ａを露出した状態でフレーム５の開口部５ａと同心状に位置付けて裏面１ｂを貼着する（貼着工程）。ダイシングテープ６は、図２（ｂ）に示すように、ポリエチレン等の合成樹脂からなる基材６ａの片面に粘着層６ｂが形成されたもので、粘着層６ｂに、フレーム５の片面とワーク１の裏面１ｂが貼着される。この場合のダイシングテープ６の粘着層６ｂは、紫外線の照射を受けることによって硬化する樹脂からなる紫外線硬化糊で構成されている。フレーム５は金属等の板材からなる剛性を有するものであり、ワーク１はフレーム５を支持することによって取り扱われる。
【００１６】
次いで、図３および図４に示すように、保持テーブル２０上に、表面１ａを露出させた状態にダイシングテープ６を介してワーク１を保持し、分割予定ライン２に沿ってワーク１の表面１ａからダイシングテープ６の厚さの途中まで切削手段１０の切削ブレード１３を切り込んで切削し、ワーク１を多数のデバイス領域３に分割加工する（加工工程）。
【００１７】
図３に示す切削手段１０は、円筒状のスピンドルハウジング１１と、スピンドルハウジング１１内に回転可能に支持されたスピンドルシャフト１２と、スピンドルシャフト１２の先端に固定された切削ブレード１３とを備えた構成である。この切削手段１０は、図示せぬ切削装置に装備されている。スピンドルハウジング１１内には、スピンドルシャフト１２を回転駆動して切削ブレード１３をＣ方向に回転させるモータ（不図示）が収容されている。切削手段１０は、スピンドルシャフト１２がＹ方向と平行に設置され、図示せぬ上下動手段により鉛直方向（Ｚ方向）に移動可能、かつ、割出し送り手段によりスピンドルシャフト１２の軸方向（Ｙ方向）に移動可能となっている。
【００１８】
保持テーブル２０は、下面の中心に固定された鉛直方向（Ｚ方向）に延びる回転軸２１が回転することにより回転し、これによってワーク１が自転するようになっている。また、保持テーブル２０は、図示せぬ加工送り手段によってＸ方向に移動可能となっている。なお、図３では図示を省略しているが、保持テーブル２０にはフレーム５を保持するクランプが配設されている。
【００１９】
切削手段１０によってワーク１の分割予定ライン２を切削するには、まず、保持テーブル２０上にダイシングテープ６を介してワーク１を保持し、上記クランプでフレーム５を保持する。そして、保持テーブル２０を回転させてワーク１を自転させ、切削対象の分割予定ライン２を保持テーブル２０の移動方向（図３でＸ方向）と平行にする。
【００２０】
次いで、図３および図４に示すように、保持テーブル２０をＸ２方向に移動させながら、矢印Ｃ方向に回転する切削ブレード１３の下端部分である刃先をワーク１のＸ２側の端部から切り込ませ、切削ブレード１３をＸ１方向に相対的に移動させる加工送りを行う。
【００２１】
図４に示すように、切削ブレード１３の切り込み量は、ワーク１の表面１ａ側からワーク１を貫通してダイシングテープ６の厚さの途中（図示例では粘着層６ｂを貫通して基材６ａの途中）までの深さであって、保持テーブル２０の上面には至らない程度に設定される。図４に示すように、ワーク１を切削すると切削屑Ｓが切削ブレード１３によって跳ね上げられ、切削屑Ｓの一部はワーク１の表面１ａに落下して堆積する。
【００２２】
切削ブレード１３をワーク１に切り込ませる切削加工を全ての分割予定ライン２に施すことにより、ワーク１は各デバイス領域３、すなわち多数の半導体チップに分割される。切削加工に際しては、切削ブレード１３の加工送り方向は切削ブレード１３の回転方向Ｃに応じて一定方向とされ、この場合は図３および図４においてＸ１方向とされる（すなわち保持テーブル２０をＸ２方向に移動させる時が切削加工）。また、切断する分割予定ライン２の選択は、上記割出し送り手段によって切削手段１０をＹ方向に移動させる割出し送りによってなされる。分割された半導体チップはダイシングテープ６に粘着しており、円板状のワーク１の形態は保たれている。
【００２３】
加工工程を終えたら、図５に示すように、ＵＶ照射手段３０によりワーク１の表面１ａに紫外線Ｕを照射する（紫外線照射工程）。ＵＶ照射手段３０は、ケーシング３１内に複数のＵＶランプ３２が並んで配設され、ケーシング３１の下面の開口３１ａからＵＶランプ３２で発する紫外線Ｕを下方に向けて照射するものである。上述のように、ワーク１の表面１ａには切削加工によって生じた切削屑Ｓが堆積しているが、切削屑Ｓの中には、ダイシングテープ６の粘着層６ｂが飛散したものもある。このような粘着層６ｂの切削屑Ｓは、その粘着力でワーク１の表面１ａに付着した状態となっているが、紫外線Ｕが照射されることにより硬化させられ、粘着力が低下したものとなる。
【００２４】
次いで、図６に示すようにワーク１の表面１ａに洗浄ノズル４０から洗浄水Ｗを噴出させて、ワーク１の表面１ａに付着した切削屑Ｓを洗浄除去する（洗浄工程）。図７は切削屑Ｓが洗浄除去された状態を示しており、ワーク１は、この後ピックアップ工程に移され、分割された個々の半導体チップがダイシングテープ６からピックアップされる。
【００２５】
以上が一実施形態の加工方法であり、この方法によると、紫外線照射工程でワーク１の表面１ａに紫外線Ｕが照射されることにより、該表面１ａに付着しているダイシングテープ６の粘着層６ｂからなる切削屑Ｓが硬化してワーク１への粘着力が低下し、その切削屑Ｓはワーク１の表面１ａから離脱しやすくなる。したがってこの後の洗浄工程で洗浄水Ｗをワーク１の表面１ａに噴出させることで、粘着層６ｂからなる切削屑Ｓを十分に洗浄除去することができる。
【００２６】
上記紫外線照射工程と洗浄工程は、切削加工で用いる保持テーブル２０上で加工工程の後に引き続き行ってもよいが、保持テーブル２０からワーク１を離脱させ、それぞれ別の場所で行うか、あるいは、紫外線照射工程と洗浄工程とを同じ場所で行うようにしてもよい。また、洗浄工程では、ワーク１を回転テーブル上に保持し、ワーク１を回転させながら洗浄水Ｗをワーク１の表面１ａに噴出する方法を採ってもよい。さらに洗浄工程では、切削屑Ｓの除去後に乾燥エアをワーク１の表面１ａに吹き付けて乾燥工程まで行うようにすることもできる。
【符号の説明】
【００２７】
１…ワーク
１ａ…ワークの表面
１ｂ…ワークの裏面
６…ダイシングテープ
６ａ…ダイシングテープの基材
６ｂ…ダイシングテープの粘着層
１０…切削手段
１３…切削ブレード
Ｓ…切削屑
Ｕ…紫外線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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