(57)【要約】【課題】ＭＩＣ増幅回路における雑音と歪とを低減する。【課題を解決するための手段】基板実装型ＭＩＣコネクタを実装した第一の基板に、電源重畳回路と信号入力結合回路と入力音声増幅回路とを、表面実装部品の第一の演算増幅器とアナログスイッチＩＣと金属皮膜抵抗と容量として実装し、前記信号入力結合回路は、前記第一の演算増幅器の正入力と接地間の抵抗と正入力と低電圧電源間の抵抗とが設置され、前記第一の基板と接続された第二の基板に電源発生部と平衡出力音声増幅回路とを第二の演算増幅器とアナログスイッチＩＣと金属皮膜抵抗と容量として実装し、前記第二の演算増幅器の正入力と接地間の抵抗と正入力と低電圧電源間の抵抗とが設置され、前記平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路がタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続または低歪率セラミックコンデンサで容量結合されたことを特徴とする音声増幅回路。 【選択図】図１
2012129872.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板実装型ＭＩＣコネクタを実装した第一の基板にＭＩＣ電源重畳回路とＭＩＣ信号入力結合回路と入力音声増幅回路とを、半導体と、金属皮膜抵抗と、低歪率セラミックコンデンサと、タンタル電解コンデンサまたはニオブ酸電解コンデンサまたは導電高分子電解コンデンサの少なくとも一つと、の表面実装部品として実装し、前記第一の基板と接続された第二の基板に、ＭＩＣ電源発生部と平衡出力音声増幅回路とを実装し、平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路がタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続または低歪率セラミックコンデンサで容量結合されたことを特徴とする音声増幅回路。
【請求項２】
請求項１の音声増幅回路において、
上記ＭＩＣ信号入力結合回路は、低歪率セラミックコンデンサであり、入力音声増幅回路と平衡出力音声増幅回路との演算増幅器の入力バイアス電流を補正する抵抗が演算増幅器の正入力と低電圧電源間と演算増幅器の正入力と接地間とに設置され、入力音声増幅回路の出力と平衡出力音声増幅回路の入力とが容量結合されたものであることと、
上記ＭＩＣ信号入力結合回路は、低歪率セラミックコンデンサであり、入力音声増幅回路の演算増幅器の入力バイアス電流を補正する抵抗が演算増幅器の正入力と低電圧電源間と演算増幅器の正入力と接地間とに設置され、平衡出力音声増幅回路の演算増幅器の入力バイアス電流を補正する抵抗が演算増幅器の入力と低電圧電源間と電圧帰還演算増幅器の入力と接地間とに設置されたものであること、
上記ＭＩＣ信号入力結合回路は、タンタル電解コンデンサまたはニオブ酸電解コンデンサまたは導電高分子電解コンデンサの少なくとも一つと金属皮膜抵抗との並列接続の組を直列接続した並列接続直列接続の組でＭＩＣ電源重畳電圧電位と小絶対値電源電圧電位とを容量結合し、タンタル電解コンデンサで小絶対値電源電圧電位と接地電位に容量結合したものであること、
上記ＭＩＣ信号入力結合回路は、低歪率セラミックコンデンサであり、入力音声増幅回路の出力と平衡出力音声増幅回路の入力とがタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続または低歪率セラミックコンデンサで容量結合されるものであることと、
との少なくとも一方を特徴とする音声増幅回路。
【請求項３】
ＭＩＣ電源重畳回路とＭＩＣ信号入力結合回路と入力音声増幅回路とＭＩＣ電源発生部と平衡出力音声増幅回路とを、半導体と、金属皮膜抵抗と、低歪率セラミックコンデンサと、タンタル電解コンデンサまたはニオブ酸電解コンデンサまたは導電高分子電解コンデンサの少なくとも一つと、の表面実装部品として実装し、平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路がタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続または低歪率セラミックコンデンサで容量結合されたことを特徴とする音声増幅回路。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の音声増幅回路を具備することを特徴とする撮像装置または撮像装置の周辺機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像装置または撮像装置の周辺機器に用いる音声増幅回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、テレビジョンカメラシステムでは撮像部（カメラヘッド）と接続された制御部（Camera  Control  Unit：ＣＣＵ）との間で本線映像信号，送り返し映像信号，音声信号，コントロール用シリアルデータ信号，及び電源の送受信の時分割双方向伝送を３重同軸（トライアックス）ケーブル１本の伝送路で行う方法をデジタルトライアックスシステムと称する（特許文献１参照）。
有効走査線７２０本と有効走査線１０８０本のハイビジョンでは、本線映像信号，送り返し映像信号，音声信号，コントロール用シリアルデータ信号の送受信伝送と電源供給送を光ケーブルで用いる方が一般であるが、トライアックスケーブルを施設に敷設してある場合は、デジタルトライアックスシステムを用いる。
さらに、デジタル／アナログのハイブリッド２線−４線変換部では、アナログ入力ポートを持つＤＳＰを使用することにより、側音調整及びレベル調整をソフトウェアで行い、大幅に電気部品（抵抗、容量（コンデンサ）、演算増幅器（ＯＰアンプ）等）の削減が実現していた（特許文献２参照）。
【０００３】
放送用撮像装置では、４８ＶＭＩＣ電源電圧をＭＩＣ音声入力に重畳してＭＩＣ内部の増幅回路に供給する。４８ＶＭＩＣ電源電圧をＭＩＣ音声入力に重畳した信号から結合コンデンサまたは音声トランスで、ＭＩＣ音声入力信号をＭＩＣ増幅回路入力に接続する。ＭＩＣ増幅回路で増幅し、音声トランスで接地間雑音を除去して、伝送部（カメラアダプタまたはトライアックスアダプタまたは一体化ＦＰＵ（Field  Pickup  Unit）等）または映像記録部（一体化レコーダまたはドッカブルレコーダまたは外付けレコーダ）に出力する。音声増幅回路は、伝送部または映像記録部またはスタジオアダプタに実装する場合もある。伝送部または映像記録部またはスタジオアダプタは放送用撮像装置の周辺機器である。
音声トランスが大型で高価であるため、入出力の音声トランスは演算増幅器を複数用い平衡増幅回路と電解コンデンサの逆極性の直列接続の結合容量に切り替わってきた。増幅度切替のため、アナログ切替ＣＭＯＳＩＣと低雑音の金属皮膜抵抗も実装していた。＋４８Ｖと＋５Ｖと−5Ｖとの各電源のデカップリングコンデンサも実装していた。
図３に、従来の撮像部と伝送部と制御部とを含む撮像装置を示すブロック図、図４に従来の音声増幅回路を示す回路図を示す。
【０００４】
２ケ入り演算増幅器はSSOP8-P-0.65で３×４ｍｍ、１ケ入りアナログスイッチＣＭＯＳＩＣはSOT-765 で３×２ｍｍまたはＣＳＴ−８で１．３５×１．４５ｍｍと小型である（非特許文献６と非特許文献７参照）。入力バイアス電流の典型１．５μＡ最大３μＡ、入力バイアス電流のバランス最大０．３μＡと大きいが、１．９ｎＶ／√Ｈｚと低雑音で３．５×２．４ｍｍのデュアル・ファイン・ピッチ・リードレス・パッケージの演算増幅器ＬＴ６２３４もある（非特許文献９参照）。入力バイアス電流の典型が−４０℃では−１．８ｎＡで＋２５℃では−１．２ｎＡで＋８５℃では−０．４ｎＡで最大８ｎＡ、入力バイアス電流のバランス最大８ｎＡと小さく、２．２ｎＶ／√Ｈｚと低雑音で５×３ｍｍのスモール・アウトライン・パッケージの演算増幅器ＯＰＡ２２０９もある（非特許文献１２参照）。
タンタルコンデンサは１０Ｖ４．７μＦならｍｍ呼称で１００５外形で１０Ｖ２２μＦならｍｍ呼称で１６０８外形と小型（非特許文献２参照）３５Ｖ１．５μＦならｍｍ呼称で２１２５外形と小型（非特許文献３参照）だが、高電圧では７５Ｖ１０μＦで７．６ｍｍ×４．４ｍｍ×３．５ｍｍと大きい（非特許文献８参照）。容量低歪率で長寿命の有極性電解コンデンサの直列接続は大きく、フィルムコンデンサも大きい。
表面実装の金属皮膜抵抗はｍｍ呼称で言えば、５．１１ＭΩ以下は３５１４外形であり、１ＭΩ以下はｍｍ呼称で２１２５外形であり、３６０ｋΩ以下はｍｍ呼称で１６０８外形であり、１００ｋΩ以下はｍｍ呼称で１００５外形と非常に小型化されている（非特許文献４と非特許文献５参照）。また、表面実装の金属皮膜抵抗は１／４Ｗでｍｍ呼称で３２２５外形で１／８でｍｍ呼称で２１２５外形であったが、１／４Ｗでｍｍ呼称で２１２５外形も製品化されている（非特許文献４と非特許文献１３参照）。さらに、１／２Ｗの表面実装の圧膜抵抗はｍｍ呼称で３２２５外形以上で５０２５外形が一般であったが、長辺電極の表面実装圧膜抵抗であれば１／３Ｗのｍｍ呼称で２１２５外形も製品化されている（非特許文献１４と非特許文献１５参照）。
【０００５】
音声信号の低雑音と低歪率を求める放送用撮像装置では、ＭＩＣ音声の入力結合コンデンサに低歪率で長寿命の有極性電解コンデンサの直列接続または低歪率のフィルムコンデンサを用いていた。一般的な高容量のセラミックコンデンサは歪率が高い上に電圧を印加すると振動して雑音を発生する。入力結合に使えるほど低歪率のセラミックコンデンサは１０Ｖと耐圧が低ければｍｍ呼称で１６０８外形と小型でも０．０２２μＦで２１２５外形と小型でも０．１μＦと容量を確保できる。２回りの小型化品も開発中である。５０Ｖ耐圧でもｍｍ呼称で２０１２外形でも０．１μＦで３２１６外形でも０．２２μＦも開発中である。しかし、１００Ｖと耐圧が高いとｍｍ呼称で２０１２外形でも０．００４７μＦで３２２５外形でも０．０４７μＦと容量が少なくなる（非特許文献１０、非特許文献１１参照）。そのため、音声信号の低域限界の５０Ｈｚを確保する直流再生抵抗が高くなり、入力バイアス電流の大きい低雑音演算増幅器が使用できなくなる。低雑音ＦＥＴの差動増幅回路を外付けすれば、ＭＩＣ音声の入力結合コンデンサの容量を少なくできるが、増幅度切替も考慮すると平衡増幅回路にも低雑音ＦＥＴの差動増幅回路が必要となり、低雑音ＦＥＴの差動増幅回路ごとに最低５点の部品追加が必要で、最低２０点の部品追加が必要となる。
【０００６】
そのため、出力ＭＩＣコネクタの周囲の基板実装は低く狭いため、基板実装型のＭＩＣコネクタを用いても、ＭＩＣ増幅回路はＭＩＣコネクタと別の基板に実装していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平７−２０３３９９号公報
【特許文献２】特開２０００−８２９７９号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】導電性高分子ハイブリッドアルミ電解コンデンサ「HVTシリーズ」電波プロダクトニュースhttp://209.68.22.195/contents/kobetu/091120/1120_01.htm
【非特許文献２】ローム  チップタンタルコンデンサ(下面電極構造タイプ)TCTシリーズ Uケース2125外形35V1.5uFロームTCTP1V155M8R  http://www.rohm.co.jp/products/passive/ta_capacitor/chip/tctp1v155m8r/
【非特許文献３】ローム  チップタンタルコンデンサ(下面電極構造タイプ)TCTシリーズ Pケース1005外形10V4.7uFロームTCTU1A475M8R  http://www.rohm.co.jp/products/passive/ta_capacitor/chip/tctu1a475m8r/
【非特許文献４】コーア表面実装金属皮膜抵抗  http://www.koaproducts.com/catalogue/rn73.php
【非特許文献５】コーア表面実装金属皮膜抵抗http://www.koaproducts.com/catalogue/rn41.php
【非特許文献６】東芝オペアンプ  http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/linear/selection/opamp/list/op_cmos.html
【非特許文献７】東芝ワンゲートロジック  http://www.semicon.toshiba.co.jp/list/index.php?f[]=2|TC7W&p=&h=&sort=0%2Casc&code=logic-onegate&lang=ja
【非特許文献８】ＶＩＳＨＡＹ  ５９７Ｄ  Solid Tantalum ChipCapacitors  http://www.vishay.com/docs/40047/597d.pdf
【非特許文献９】リニアテクノロジー演算増幅器ＬＴ６２３４  http://cds.linear.com/docs/Japanese%20Datasheet/j623345fb.pdf
【非特許文献１０】太陽誘電超低歪積層セラミックコンデンサhttp://www.yuden.co.jp/jp/product/pdf/mlcc05_j.pdf
【非特許文献１１】ＴＤＫ積層セラミックコンデンサhttp://www.tdk.co.jp/tjfx01/j412_c.pdf
【非特許文献１２】テキサス・インスツルメンツ演算増幅器ＯＰＡ２２０９  http://focus.tij.co.jp/jp/lit/ds/symlink/opa209.pdf
【非特許文献１３】進工業表面実装高電力金属被膜抵抗http://www.susumu.co.jp/pdf/products-j01-03.pdf
【非特許文献１４】ロ−ム表面実装圧膜抵抗http://www.rohm.co.jp/products/passive/resistor/thick_film/
【非特許文献１５】パナソニック表面実装長辺電極抵抗http://industrial.panasonic.com/www-data/pdf/AOA0000/AOA0000CJ23.pdf
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＭＩＣ増幅回路における雑音と歪とを低減することが本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するため、基板実装型ＭＩＣコネクタを実装した第一の基板にＭＩＣ電源重畳回路とＭＩＣ信号入力結合回路と入力音声増幅回路とを、半導体と、金属皮膜抵抗と、低歪率セラミックコンデンサと、タンタル電解コンデンサまたはニオブ酸電解コンデンサまたは導電高分子電解コンデンサの少なくとも一つと、の表面実装部品として実装し、前記第一の基板と接続された第二の基板に、ＭＩＣ電源発生部と平衡出力音声増幅回路とを実装し、平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路がタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続または低歪率セラミックコンデンサで容量結合されたことを特徴とする音声増幅回路である。
また、上記の音声増幅回路において、上記半導体は演算増幅器とアナログスイッチＣＭＯＳＩＣであることを特徴とする音声増幅回路である。
【００１１】
さらに、上記の音声増幅回路において、上記ＭＩＣ信号入力結合回路は、低歪率セラミックコンデンサであり、入力音声増幅回路と平衡出力音声増幅回路との演算増幅器の入力バイアス電流を補正する抵抗が演算増幅器の正入力と低電圧電源間と演算増幅器の正入力と接地間とに設置され、入力音声増幅回路の出力と平衡出力音声増幅回路の入力とが容量結合されるものであることと、上記ＭＩＣ信号入力結合回路は、低歪率セラミックコンデンサであり、入力音声増幅回路の演算増幅器の入力バイアス電流を補正する抵抗が演算増幅器の正入力と低電圧電源間と演算増幅器の正入力と接地間とに設置され、平衡出力音声増幅回路の演算増幅器の入力バイアス電流を補正する抵抗が演算増幅器の入力と低電圧電源間と電圧帰還演算増幅器の入力と接地間とに設置され、平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路が容量結合された（、平衡出力音声増幅回路の直流増幅度は１である）ものであることと、上記ＭＩＣ信号入力結合回路は、タンタル電解コンデンサまたはニオブ酸電解コンデンサまたは導電高分子電解コンデンサの少なくとも一つと金属皮膜抵抗との並列接続の組を直列接続した並列接続直列接続の組でＭＩＣ電源重畳電圧（＋約４８Ｖ）電位と小絶対値電源電圧（＋５Ｖまたは−５Ｖ等）電位とを容量結合し、タンタル電解コンデンサで小絶対値電源電圧電位と接地電位に容量結合し（増幅回路の保護ダイオードと入力初段のＦＥＴとを不要にし）たものであること、上記ＭＩＣ信号入力結合回路は、低歪率セラミックコンデンサであり、入力音声増幅回路の出力と平衡出力音声増幅回路の入力とがタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続または低歪率セラミックコンデンサの少なくとも一つで容量結合されるものであることと、との少なくとも一方を特徴とする音声増幅回路である。
【００１２】
また、ＭＩＣ電源重畳回路とＭＩＣ信号入力結合回路と入力音声増幅回路とＭＩＣ電源発生部と平衡出力音声増幅回路とを、半導体と、金属皮膜抵抗と、低歪率セラミックコンデンサと、タンタル電解コンデンサまたはニオブ酸電解コンデンサまたは導電高分子電解コンデンサの少なくとも一つと、の表面実装部品として実装し、平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路がタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続または低歪率セラミックコンデンサで容量結合されたことを特徴とする音声増幅回路である。
【００１３】
さらに、上記の音声増幅回路を具備することを特徴とする撮像装置または撮像装置の周辺機器である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ＭＩＣ増幅回路における雑音と歪とを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施例の撮像装置を示すブロック図（（ａ）撮像部と伝送部と制御部とを含む撮像装置、（ｂ）撮像部と映像記録部を含む撮像装置）
【図２Ａ】本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図（増幅度切替無）
【図２Ｂ】本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図（増幅度切替有）
【図２Ｃ】本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図（増幅度切替無）
【図２Ｄ】本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図（増幅度切替有）
【図２Ｅ】本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図（増幅度切替無）
【図２Ｆ】本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図（増幅度切替有）
【図２Ｇ】本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図（増幅度切替無）
【図２Ｈ】本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図（増幅度切替有）
【図２Ｉ】本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図（増幅度切替無）
【図２Ｊ】本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図（増幅度切替有）
【図３】従来の撮像部と伝送部と制御部とを含む撮像装置を示すブロック図
【図４】従来の音声増幅回路を示す回路図
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００１６】
本発明による撮像装置の一実施例の概要を本発明の一実施例の撮像部と伝送部と制御部とを含む撮像装置を示すブロック図の図１と、本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図の図２Ａ（増幅度切替無）と図２Ｂ（増幅度切替有）とを用いて説明する。
【００１７】
本発明の一実施例の撮像部と伝送部と制御部とを含む撮像装置を示すブロック図の図１において、１はレンズ，２は撮像部、３は伝送部、４はトライアックケーブルまたは光ケーブル等の伝送路、５は制御部である。また、２６は映像記録部である。
また、撮像部２の中で、６は色分解光学系、7は撮像素子と信号処理部、８は多重分離双方向伝送部であり、１０と１１はＭＩＣ、１２と１３は入力音声増幅回路（ＭＩＣ−ＩｎＡｍｐ）基板、１４と１５は平衡出力音声増幅回路（ＭＩＣ−ＯｕｔＡｍｐ）基板、１６と１７はＡ／Ｄであり、１８と１９はＭＩＣケーブルコネクタプラグ、２０と２１はＭＩＣコネクタソケットである。
制御部５の中で、９は多重分離双方向伝送部である。
映像記録部２６の中で、２７は映像圧縮部、２８は汎用記憶カード等の記憶部である。
入力音声増幅回路基板と平衡出力音声増幅回路基板とは、図示しないスタジオアダプタ等の放送用撮像装置の周辺機器に実装されることもある。
【００１８】
従来の音声増幅回路を示す回路図の図４では、２２と２３のＭＩＣコネクタ基板と２４と２５のＭＩＣＡｍｐ基板と分離している。
本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図の増幅度切替無の図２Ａと図２Ｃと増幅度切替有の図２Ｂと図２Ｄとでは、は入力音声増幅回路基板の１２と１３に２０と２１はＭＩＣコネクタソケットが実装され、ＭＩＣ−ＯｕｔＡｍｐ基板の１４と１５と分離している。
また、図２Ａから図２Ｄの入力音声増幅回路（ＭＩＣ−ＩｎＡｍｐ）基板の１２には、ＭＩＣコネクタソケットと接続クネクタ以外には大きい部品はなく、非特許文献１から非特許文献１５のように、小型の表面実装部品だけである。
そのため、筺体が小さい放送カメラまたは伝送部または記録部に実装する場合でも、基板実装型ＭＩＣコネクタを実装した第一の基板にＭＩＣ電源重畳回路とＭＩＣ信号入力結合回路と入力音声増幅回路とを実装可能となる。
【００１９】
小型の表面実装部品の中で、２ケ入り演算増幅器は３×４ｍｍ、３５Ｖ耐圧タンタル電解コンデンサは２×１．２５ｍｍ、１０Ｖ耐圧タンタル電解コンデンサは１×０．５ｍｍ、１ケ入りアナログスイッチＣＭＯＳＩＣ（SPDT  Analog  Multiplexer）はSOT-765 で３×２ｍｍと小型である。２ケ入り演算増幅器と１ケ入りSPDT  Analog  MultiplexerとはＣＳＴ−８で１．３５ｍｍ×１．４５ｍｍも可能である。入力バイアス電流の典型１．５μＡ最大３μＡ、入力バイアス電流のバランスずれが最大０．３μＡと大きいが、１．９ｎＶ／√Ｈｚと低雑音の演算増幅器ＬＴ６２３４もある。ＬＴ６２３４の実施例を説明する。
表面実装の金属皮膜抵抗はｍｍ外形で言えば、５．１ＭΩ以下はｍｍ呼称で３５１４外形であり、１ＭΩ以下はｍｍ呼称で２１２５外形であり、３６０ｋΩ以下はｍｍ呼称で１６０８外形であり、１００ｋΩ以下はｍｍ呼称で１００５外形と非常に小型化されている。また、表面実装の金属皮膜抵抗は１／４Ｗでもｍｍ呼称で２１２５外形がある。さらに、長辺電極の表面実装圧膜抵抗であれば１／３Ｗのｍｍ呼称で２１２５外形も発表されている。
導電高分子アルミ電解コンデンンサは直径５ｍｍ高さ５ｍｍ、７５Ｖ耐圧圧タンタル電解コンデンサとニオブ酸電解コンデンサは７．５×３．８×３．８ｍｍと比較的大きい。
また、図２Ａ（増幅度切替無）と図２Ｂ（増幅度切替有）とにおいて、ＩＣ１とＩＣ２は２ケ入りの低雑音演算増幅器、ＩＣ３〜ＩＣ７はアナログスイッチＣＭＯＳＩＣである。また、Ｃ２１とＣ２２はｍｍ呼称で３２２５外形以下の１００Ｖ耐圧０．０４７μｆ程度の低歪率セラミックコンデンサであり、Ｃ２３とＣ２４はｍｍ呼称で２０１２外形以下の１０Ｖ耐圧０．１μｆ程度の低歪率セラミックコンデンサであり、Ｃ１は７５Ｖ耐圧のタンタル電解コンデンサまたは６３Ｖ耐圧の導電高分子アルミ電解コンデンサであり、Ｃ２〜Ｃ４とＣ７とＣ８とＣ１５〜Ｃ１８はタンタル電解コンデンサであり、Ｒ１とＲ２は長辺電極の表面実装圧膜抵抗で１／３Ｗのｍｍ呼称で２１２５外形であり、Ｒ３〜Ｒ１８は金属皮膜抵抗である。
【００２０】
入力音声増幅回路の演算増幅器の入力電圧のオフセットをViofsetとし、演算増幅器の入力バイアス電流の典型値をIBtypで最大値をIBmaxとし、入力接地抵抗のＲ５＝Ｒ６と帰還抵抗のＲ７＝Ｒ９と帰還接地抵抗のＲ８＝Ｒ１０から、入力音声増幅回路の出力電圧のオフセットVmoは、
Vmo＝{Viofset×（Ｒ８＋Ｒ７）}／Ｒ７＝{（IBmax−IBtyp）×Ｒ５x（Ｒ８＋Ｒ７）}／Ｒ７≒１．５μ×１００ｋ×１０≒１．５
となり、初段の出力電圧のオフセットVmoは１．５Ｖとなる。
Ｃ２７＝Ｃ２８＝Ｃ２９＝Ｃ３０で容量結合して平衡出力音声増幅回路に接続しているので、演算増幅器の正入力の接地抵抗を高くしても問題ない。
入力音声増幅回路の低歪率セラミックコンデンサの入力結合容量の低域カット周波数をfc１とすれば、Ｃ２１＝Ｃ２２＝０．０４７μＦとＲ５＝Ｒ６＝Ｒ２７＝Ｒ２８＝１００ｋΩ＝０．１ＭΩから
fc１＝１／（２×π×Ｃ２１×Ｒ５）≒１／（２×３．１４×０．０４７μ×０．１Ｍ）≒３４
となり、fc１≒３４Ｈｚで問題ない。
その結果、入力音声増幅回路の実装部品は、低歪率セラミックコンデンサがｍｍ呼称で３２２５外形以下が２けで、タンタル電解コンデンサがｍｍ呼称で１００５外形が２けで、抵抗はｍｍ呼称で３５１４外形と２１２５外形から１００５外形で、演算増幅器は３．５ｘ２．４ｍｍが１ヶであり、Micコネクタ基板に実装可能である。
【００２１】
Ｃ２５とＣ２６とにより平衡出力音声増幅回路の直流増幅度は１となっているので、平衡出力音声増幅回路の演算増幅器の入力電圧のオフセットをVmioとし、演算増幅器の入力バイアス電流の典型値をIBtypで最大値をIBmaxとし、入力接地抵抗のＲ２７＝Ｒ２８＝１００ｋΩから、
Vofset＝Vmio＝（IBmax−IBtyp）×Ｒ２７≒１．５μ×４７ｋ≒０．０７
となり、平衡出力音声増幅回路の出力電圧のオフセットVofsetは０．０７Ｖとなる。
図２Ａの平衡出力音声増幅回路の入力結合容量の低域カット周波数をfc2とすれば、Ｃ２３＝Ｃ２４＝０．１μＦとＲ２７＝Ｒ２８＝４７ｋΩから、
fc２＝１／（２π×Ｃ２３×Ｒ２５）≒１／（２×３．１４×０．１μ×４７ｋ）≒３４
となり、fc2≒３４Ｈｚで問題ない。
図２Ｃでは、平衡出力音声増幅回路の演算増幅器の正入力の接地抵抗は比較的低いので問題ない。
図２Ａの平衡出力音声増幅回路の帰還回路のタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続で構成された結合容量の低域カット周波数をfc4とすれば、Ｃ２５＝Ｃ２６＝６．８μＦとＲ１３＝２７００Ωから、
fc4≒１／（π×Ｃ２５×Ｒ１４）≒１／（３．１４×６．８μ×２７００）≒１７
となり、fc4≒１７Ｈｚで問題ない。
【００２２】
図２Ｂでは、演算増幅器の入力バイアス電流のバランスずれの最大をIBBmaxとし、帰還接地抵抗のＲ２９＝Ｒ３０から、
Vofset＝{Vmiofset×（Ｒ１１＋Ｒ２９）}／Ｒ２９＝{IBBmax×Ｒ２５x（Ｒ１１＋Ｒ２９）}／Ｒ２９＝０．３μ×１００ｋ×１．２２≒０．０３７
となり、平衡出力音声増幅回路の出力電圧のオフセットVofsetは０．０３７Ｖとなる。
図２Ｂの平衡出力音声増幅回路の低歪率セラミックコンデンサの入力結合容量の低域カット周波数をfc3とすれば、Ｃ２３＝Ｃ２４＝０．１μＦとＲ２７＝Ｒ２８＝１００ｋΩ＝０．１ＭΩから、
fc3＝１／（２×π×Ｃ２３×Ｒ２７）≒１／（２×３．１４×０．１μ×＝０．１Ｍ）≒１６
となり、fc3≒１６Ｈｚで問題ない。
図２Ｂの平衡出力音声増幅回路の帰還回路のタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続で構成された結合容量の低域カット周波数をfc4とすれば、Ｃ２５＝Ｃ２６＝６．８μＦとＲ１４＝１.２ｋΩから、
fc4≒１／（π×Ｃ２５×Ｒ１４）≒１／（３．１４×６．８μ×＝１．２ｋ）≒３９
となり、fc4≒３９Ｈｚで問題ない。
図２Ｂでは、正入力の接地抵抗Ｒ２７＝Ｒ２８と帰還接地抵抗のＲ２９＝Ｒ３０とを等しくすることにより、演算増幅器の入力バイアス電流をバランスさせている。さらに、平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路が容量結合され、平衡出力音声増幅回路の直流増幅度は１である。そのため、平衡出力音声増幅回路の演算増幅器の正入力の接地抵抗を高くしても問題ない。
つまり、ＭＩＣ信号入力結合回路は、３２２５外形以下の０．０４７ｕｆ程度の低歪率セラミックコンデンサであり、電圧帰還演算増幅器の入力バイアス電流を補正する抵抗が電圧帰還演算増幅器の入力と低電圧電源間と電圧帰還演算増幅器の入力と接地間とに設置され、平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路が容量結合され、平衡出力音声増幅回路の直流増幅度は１である。その結果、従来の音声増幅回路を示す回路図の図４の出力の結合容量のタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続Ｃ１９，Ｃ２０，Ｃ２８，Ｃ２９が不要の直流結合出力となっている。そのため、前記第一の基板と接続された第二の基板の実装面積も小型化されている。
【００２３】
ＦＰＧＡ用の１．２Ｖ電源電圧があれば、低電圧電源間と電圧帰還演算増幅器の入力間に設置される入力バイアス電流を補正する抵抗の値は８２０ｋΩ程度となり、ｍｍ呼称で２１２５外形となる。
【００２４】
その結果、入力音声増幅回路の実装部品は、低歪率セラミックコンデンサがｍｍ呼称で３２２５外形以下が２けで、タンタル電解コンデンサがｍｍ呼称で１００５外形が２けで、抵抗はｍｍ呼称で３５１４外形と２１２５外形から１００５外形で、演算増幅器は３．５×２．４ｍｍが１ヶで、アナログスイッチＣＭＯＳＩＣは３×２ｍｍが２ヶであり、Micコネクタ基板に実装し、雑音と歪とを低減可能である。
【実施例２】
【００２５】
本発明による撮像装置の一実施例の概要を本発明の一実施例の撮像部と伝送部と制御部とを含む撮像装置を示すブロック図の図１と、本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図の図２Ｃ（増幅度切替無）と図２Ｄ（増幅度切替有）とを用いて説明する。
【００２６】
本発明の実施例１と同様の構成と動作の部分の説明は省略する。
【００２７】
導電高分子アルミ電解コンデンンサは直径５ｍｍ高さ５ｍｍ、７５Ｖ耐圧圧タンタル電解コンデンサとニオブ酸電解コンデンサは７．５×３．８×３．８ｍｍと比較的大きい。ＭＩＣ−ＩｎＡｍｐ基板の面積が大きくと実装高さ制限が緩ければ実装可能である。
【００２８】
また、図２Ｃ（増幅度切替無）と図２Ｄ（増幅度切替有）とにおいて、ＩＣ１とＩＣ２は２ケ入りの低雑音演算増幅器、ＩＣ３〜ＩＣ７はアナログスイッチＣＭＯＳＩＣである。また、Ｃ１とＣ５とＣ６は７５Ｖ耐圧のタンタル電解コンデンサまたは６３Ｖ耐圧の導電高分子アルミ電解コンデンサであり、Ｃ２〜Ｃ４とＣ７とＣ８とＣ１５〜Ｃ１８はタンタル電解コンデンサであり、Ｒ１〜Ｒ１８は金属皮膜抵抗である。
さらに、Ｃ２５とＣ２６とにより平衡出力音声増幅回路の直流増幅度は１となっているので、入力音声増幅回路の演算増幅器の入力電圧のオフセットは大きくても許容できる。そのため、Ｒ５とＲ６との抵抗値は大きく、Ｃ２〜Ｃ４の容量を小さくできる。逆にいえば、Ｃ２〜Ｃ４の容量を大きくすれば、Ｒ５とＲ６との抵抗値は小さくなり、オフセット電圧は低くなり、Ｃ２５とＣ２６は短絡できる。
【００２９】
つまり、ｍｍ呼称で２１２５外形と小型の３５Ｖのタンタルコンデンサとｍｍ呼称で３５１４外形の高抵抗並列の組の直列で、＋４８Ｖ電位から絶対値の小さい電源電圧（＋５Ｖまたは−５Ｖ等の）電位に容量結合して、絶対値の小さい電源電圧から接地電位にもれ電流が少なく１００５外形と小型のタンタル電解コンデンサで容量結合する。その結果、タンタル電解コンデンサがｍｍ呼称で２１２５外形が４ヶに１００５外形が４けで、抵抗はｍｍ呼称で３５１４外形と２１２５外形から０６０３外形で、演算増幅器は３×２ｍｍであり、Micコネクタ基板に実装し、雑音と歪とを低減可能である。
【００３０】
また、絶対値の小さい電圧電位から接地電位にもれ電流が少なくタンタル電解コンデンサで容量結合しているので、接地電位の入力に増幅回路の入力保護ダイオードを外付けすることは不要である。
【実施例３】
【００３１】
本発明による撮像装置の一実施例の概要を本発明の一実施例の撮像部と伝送部と制御部とを含む撮像装置を示すブロック図の図１と、本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図の図２Ｅ（増幅度切替無）と図２Ｆ（増幅度切替有）とを用いて説明する。
【００３２】
本発明の実施例１や実施例２と同様の構成と動作の部分の説明は省略する。
【００３３】
小型の表面実装部品の中で、前記非特許文献１２のように、入力バイアス電流の典型が−４０℃では−１．８ｎＡで＋２５℃では−１．２ｎＡで＋８５℃では−０．４ｎＡで最大８ｎＡ、入力バイアス電流のバランス最大８ｎＡと小さく、２．２ｎＶ／√Ｈｚと低雑音で５×３ｍｍのスモール・アウトライン・パッケージの演算増幅器ＯＰＡ２２０９もあり、ＩＣ１とＩＣ２に用いる。そのため、実施例１や実施例２の回路図の図２Ａから図２ＤのＲ２１からＲ２６の入力バイアス電流の補正抵抗が不要になり、入力接地抵抗Ｒ５とＲ６とＲ２７とＲ２８の抵抗値を１ＭΩと高くできる。その結果、Ｃ２１とＣ２２に前記非特許文献１２のような、ｍｍ呼称で２１２５外形以下の１００Ｖ耐圧０．００４７μｆ程度の低歪率セラミックコンデンサを用いることができる。
【００３４】
入力音声増幅回路の演算増幅器の入力電圧のオフセットをViofsetとし、演算増幅器の入力バイアス電流の最大値をIBmaxとし、入力接地抵抗のＲ５＝Ｒ６＝Ｒ２７＝Ｒ２８と帰還抵抗のＲ７＝Ｒ９と帰還接地抵抗のＲ８＝Ｒ１０から、入力音声増幅回路の出力電圧のオフセットVmoの最大は、
Vmo＝{Viofset×（Ｒ８＋Ｒ７）}／Ｒ７＝{IBmax×Ｒ５x（Ｒ８＋Ｒ７）}／Ｒ７≒８ｎＡ×１Ｍ×１０≒０．０８
となり、初段の出力電圧のオフセットVmoの最大は０．０８Ｖとなる。
Ｃ２７＝Ｃ２８＝Ｃ２９＝Ｃ３０で容量結合して平衡出力音声増幅回路に接続しているので、演算増幅器の正入力の接地抵抗を高くしても問題ない。
【００３５】
入力音声増幅回路の低歪率セラミックコンデンサの入力結合容量の低域カット周波数をfc１とすれば、Ｃ２１＝Ｃ２２＝０．００４７μＦとＲ５＝Ｒ６＝Ｒ２７＝Ｒ２８＝１ＭΩから
fc１＝１／（２×π×Ｃ２１×Ｒ５）≒１／（２×３．１４×０．００４７μ×１Ｍ）≒３４
となり、fc１≒３４Ｈｚで問題ない。
その結果、入力音声増幅回路の実装部品は、低歪率セラミックコンデンサがｍｍ呼称で２０１２外形以下が２けで、タンタル電解コンデンサがｍｍ呼称で１００５外形が２けで、抵抗はｍｍ呼称で３５１４外形と２１２５外形から１００５外形で、演算増幅器は５×３ｍｍが１ヶであり、Micコネクタ基板に実装し、雑音と歪とを低減可能である。
【００３６】
平衡出力音声増幅回路の演算増幅器の入力電圧のオフセットをVmiとし、演算増幅器の入力バイアス電流の最大値をIBmaxとし、入力接地抵抗のＲ２７＝Ｒ２８＝４７０ｋΩと帰還抵抗のＲ１１＝Ｒ１２とＲ１３と平衡出力音声増幅回路の出力電圧のオフセットVofsetの最大は、図２Ｅでは
Vofset＝{Vmi×（２Ｒ１１＋Ｒ１３）}／Ｒ１３＝{IBmax×Ｒ２７x（２Ｒ１１＋Ｒ１３）}／Ｒ１３≒８ｎＡ×４７０ｋ×２０≒０．０８
となり、平衡出力音声増幅回路の出力電圧のオフセットVofsetの最大は０．０８Ｖとなる。
図２Ｅの平衡出力音声増幅回路の低歪率セラミックコンデンサの入力結合容量の低域カット周波数をfc2とすれば、Ｃ２３＝Ｃ２４＝０．０２２μＦとＲ２７＝Ｒ２８＝４７０ｋΩから、
fc２＝１／（２π×Ｃ２３×Ｒ２５）≒１／（２×３．１４×０．０２２μ×４７０ｋ）≒１５
となり、fc2≒１５Ｈｚで問題ない。
図２Ｅの平衡出力音声増幅回路の帰還回路のタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続で構成された結合容量の低域カット周波数をfc5とすれば、Ｃ２５＝Ｃ２６＝６．８μＦとＲ１３＝２．７ｋΩから、
fc4≒１／（π×Ｃ２５×Ｒ１４）≒１／（３．１４×６．８μ×＝２．７ｋ）≒１７
となり、fc4≒１７Ｈｚで問題ない。
図２Ｅでは、平衡出力音声増幅回路の演算増幅器の正入力の接地抵抗は比較的低いので問題ない。
【００３７】
図２Ｆでは、Ｃ２５とＣ２６があるので、直流的には、平衡出力音声増幅回路の増幅度は1なので、演算増幅器の入力バイアス電流の最大をIBmaxと、入力接地抵抗のＲ２７＝Ｒ２８＝１ＭΩから、
Vofset＝Vmi＝IBmax×Ｒ２７＝８ｎＡ×１Ｍ≒０．００８
となり、平衡出力音声増幅回路の出力電圧のオフセットVofsetの最大は０．００８Ｖとなる。
図２ＦでＩＣ２のIBmax＝８ｎＡとしてＣ２５とＣ２６を短絡すると、
Vofset≒{Vmiofset×（２Ｒ１１＋Ｒ１４）}／Ｒ１４＝{IBmax×Ｒ２５x（２Ｒ１１＋Ｒ１４）}／Ｒ１４＝８ｎＡ×１Ｍ×２０≒０．１６
となり、平衡出力音声増幅回路の出力電圧のオフセットVofsetの最大は０．１６Ｖとなる。
入力バイアス電流の最大値IBmax＝８ｎＡではなく、入力バイアス電流IBの典型が−４０℃では−１．８ｎＡで＋２５℃では−１．２ｎＡで＋２５℃では−０．４ｎＡから、IB＝−２ｎＡとすれば
Vofset≒{Vmiofset×（２Ｒ１１＋Ｒ１４）}／Ｒ１４＝{IB×Ｒ２５x（２Ｒ１１＋Ｒ１４）}／Ｒ１４＝−２ｎＡ×１Ｍ×２０≒０．０４
となり、平衡出力音声増幅回路の出力電圧のオフセットVofsetの典型は０．０４Ｖとなる。
つまり、ＩＣ２の入力バイアス電流の最大IBmaxが２ｎＡ程度になれば、ｍｍ呼称で１００５外形のＣ２５とＣ２６を短絡し、さらに部品点数を低減することが可能になる。
【００３８】
また、図２Ｅと図２Ｆにおいて、IB＝−２ｎＡとすれば、
Vmofset＝{Viofset×（Ｒ８＋Ｒ７）}／Ｒ７＝{IB×Ｒ５x（Ｒ８＋Ｒ７）}／Ｒ７≒２ｎＡ×１Ｍ×１０≒０．０２
となり、初段の出力電圧のオフセットVmofsetの典型は０．０２Ｖとなる。そのため、ＩＣ２の入力バイアス電流の最大IBmaxが２ｎＡ程度になれば、ｍｍ呼称で２１２５外形のＣ２３とＣ２４を短絡しｍｍ呼称で１６０８外形のＲ２７とＲ２８を開放し、ｍｍ呼称で１００５外形のＣ２５とＣ２６を復活させ、平衡出力音声増幅回路の直流増幅度を１として、さらに部品点数を低減し部品面積も低減することが可能になる。その結果、図２Ｅと図２Ｆは、本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図（増幅度切替無）の図２Ｇと本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図（増幅度切替有）の図２Ｈとになる。Ｃ２３とＣ２４を短絡しＲ２７とＲ２８を開放し対外は、図２Ｅと図２Ｆと同一である。
つまり、ＭＩＣ信号入力結合回路は、低歪率セラミックコンデンサであり、平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路がタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続で容量結合され、平衡出力音声増幅回路の直流増幅度は１であることが、最も部品点数を低減し部品面積も低減し、雑音と歪とを低減することが可能になる。
【００３９】
図２Ｆの平衡出力音声増幅回路の低歪率セラミックコンデンサの入力結合容量の低域カット周波数をfc3とすれば、Ｃ２３＝Ｃ２４＝０．１μＦとＲ２７＝Ｒ２８＝１ＭΩから、
fc3＝１／（２×π×Ｃ２３×Ｒ２５）≒１／（２×３．１４×０．０２２μ×＝１Ｍ）≒７．２
となり、fc3≒７．２Ｈｚで問題ない。
図２Ｆの平衡出力音声増幅回路の帰還回路のタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続で構成された結合容量の低域カット周波数をfc4とすれば、Ｃ２５＝Ｃ２６＝６．８μＦとＲ１４＝１．８ｋΩから、
fc4≒１／（π×Ｃ２５×Ｒ１４）≒１／（３．１４×６．８μ×＝１．８ｋ）≒２６
となり、fc4≒２６Ｈｚで問題ない。
【００４０】
図２Ｆでは、平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路がタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続で容量結合され、平衡出力音声増幅回路の直流増幅度は１である。そのため、平衡出力音声増幅回路の演算増幅器の正入力の接地抵抗を高くしても問題ない。
つまり、ＭＩＣ信号入力結合回路は、低歪率セラミックコンデンサであり、平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路がタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続で容量結合され、平衡出力音声増幅回路の直流増幅度は１である。
【００４１】
その結果、入力音声増幅回路の実装部品は、低歪率セラミックコンデンサがｍｍ呼称で２０１２外形以下が２けで、タンタル電解コンデンサがｍｍ呼称で１００５外形が２けで、抵抗はｍｍ呼称で２１２５外形から１００５外形で、演算増幅器は５×３ｍｍが１ヶで、アナログスイッチＣＭＯＳＩＣは３×２ｍｍが２ヶであり、ＭＩＣコネクタ基板に実装し、雑音と歪とを低減可能である。
【実施例４】
【００４２】
本発明による撮像装置の一実施例の概要を本発明の一実施例の撮像部と伝送部と制御部とを含む撮像装置を示すブロック図の図１と、本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図の図２Ｇ（増幅度切替無）と図２Ｈ（増幅度切替有）とを用いて説明する。
図２Ｇおよび図２Ｈと、本発明の実施例３の音声増幅回路を示す回路図の図２Ｅ（増幅度切替無）と図２Ｆ（増幅度切替有）と同様の構成と動作の部分の説明は省略する。図２Ｇおよび図２Ｈと、図２Ｅおよび図２Ｆとの相違点を説明する。
【００４３】
図２Ｇおよび図２Ｈは、平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路がタンタル電解コンデンサＣ２５とＣ２６の逆極性の直列接続で容量結合され、平衡出力音声増幅回路の直流増幅度は１である。図２Ｇおよび図２Ｈは、直流増幅度は１であることを利用し、図２Ｅおよび図２Ｆから結合容量Ｃ２３およびＣ２４を短絡し、入力接地抵抗Ｒ２７およびＲ２８を開放した簡易方式の平衡出力音声増幅回路である。
【実施例５】
【００４４】
本発明による撮像装置の一実施例の概要を本発明の一実施例の撮像部と伝送部と制御部とを含む撮像装置を示すブロック図の図１と、本発明の一実施例の音声増幅回路を示す回路図の図２Ｉ（増幅度切替無）と図２Ｊ（増幅度切替有）とを用いて説明する。
図２Ｉおよび図２Ｊと、本発明の実施例３の音声増幅回路を示す回路図の図２Ｇ（増幅度切替無）と図２Ｈ（増幅度切替有）と同様の構成と動作の部分の説明は省略する。図２Ｉおよび図２Ｊと、図２Ｇおよび図２Ｈとの相違点を説明する。
【００４５】
図２Ｉおよび図２Ｊは、ＭＩＣ信号入力結合回路はタンタル電解コンデンサＣ５とＣ６である。そのため、Ｃ５とＣ６の部品外形は大きいが、入力接地抵抗Ｒ５およびＲ６は従来例と同様に１００ｋΩと抑えることができ、入力バイアス電流の大きい演算増幅器をＩＣ１とＩＣ２とに使用することができる。
平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路が低歪率セラミックコンデンサＣ３１で容量結合され、平衡出力音声増幅回路の増幅度は可聴下限５０Ｈｚ以下の低周波数から直流では１である。図２Ｇおよび図２Ｈは、可聴下限５０Ｈｚ以下の低周波数から直流の増幅度は１であることを利用し、入力低域雑音と入力オフセット電圧の大きい演算増幅器をＩＣ１とＩＣ２とに使用することができる。
【００４６】
さらに、Ｒ１１とＲ１２とに並列に容量Ｃ３２とＣ３３とを接続し、可聴帯域上限２０ｋＨｚ以上の信号は増幅度を下げれば、ＩＣ１とＩＣ２の２０ｋＨｚ以上の入力雑音（以下単に入力雑音）が多くても、問題なくなる。
つまり、入力バイアス電流と入力オフセット電圧と入力低域雑音と入力雑音との大きい、低価格な演算増幅器をＩＣ１とＩＣ２とに使用し、雑音と歪とを低減することができる。
【００４７】
また、Ｒ１１とＲ１２とに並列に容量Ｃ３２とＣ３３とを接続すれば、Ｒ１１とＲ１２とは浮遊容量の影響も、飛び込み雑音の影響も受けなくなるので、抵抗値を高くすることが容易になる。その結果、Ｒ１３とＲ１４との抵抗値を高くすることが容易になり、結合容量Ｃ３１の容量と外形とを小さくすることが容易になる。
さらに、背景技術のように、５０Ｖ耐圧でもｍｍ呼称で２０１２外形でも０．１μＦで３２１６外形でも０．２２μＦも開発中である。つまり、１０Ｖ耐圧ならｍｍ呼称で２０１２外形でも０．４７μＦも可能である。
また、図２Ｉおよび図２ＪのＭＩＣ信号入力結合回路Ｃ５とＣ６は、従来の音声増幅回路を示す回路図の図４のアルミ電界コンデンサのＣ５とＣ６とＣ１１とＣ１２とダイオードのＤ１〜Ｄ４に置き換えても、部品外形は大きいが低価格なアルミ電界コンデンサと低価格な演算増幅器とで構成し、雑音と歪とを低減できる。
【００４８】
実施例１から実施例５の音声増幅回路を示す回路図の図２Ａから図２Ｊの抵抗値とコンデンサの容量と耐圧は説明用の値である。演算増幅器のＩＣ１とＩＣ２との入力バイアス電流と入力オフセット電圧と入力低域雑音と入力雑音とが変更になったり、抵抗とコンデンサの小型化が進んだりすれば、異なる抵抗値とコンデンサの容量と耐圧とになる。そのため、本発明は、図２Ａから図２Ｊの抵抗値とコンデンサの容量と耐圧とには限定されない。
また、実施例１から実施例５の音声増幅回路を示す回路図の図２Ａから図２Ｊの入力音声増幅回路と平衡出力音声増幅回路の組み合わせは、入れ替え可能であり、図２Ａから図２Ｊの組み合わせには限定されない。
さらに、音声増幅回路を図示しない筺体が大きいスタジオカメラに実装する場合や、図示しないスタジオアダプタと称されるＭＩＣコネクタ周辺余裕のある放送用撮像装置の周辺機器に実装する場合は、入力音声増幅回路と平衡出力音声増幅回路とを２つの基板に分離する必要はなくなり、１つの基板に実装可能となる。また、筺体が小さい放送カメラまたは伝送部または記録部に実装する場合でも、実装部品が更に小型化された場合は、入力音声増幅回路と平衡出力音声増幅回路とを２つの基板に分離する必要はなくなり、１つの基板に実装可能となる。１つの基板に実装しても、回路構成とＭＩＣ増幅回路における雑音と歪とを低減する効果は共通である。
【００４９】
言い替えれば、本発明は、ＭＩＣ増幅回路における雑音と歪とを低減する課題を解決するため、基板実装型ＭＩＣコネクタを実装した第一の基板にＭＩＣ電源重畳回路とＭＩＣ信号入力結合回路と入力音声増幅回路とを、半導体と、金属皮膜抵抗と、低歪率セラミックコンデンサと、タンタル電解コンデンサまたはニオブ酸電解コンデンサまたは導電高分子電解コンデンサの少なくとも一つと、の表面実装部品として実装し、前記第一の基板と接続された第二の基板に、ＭＩＣ電源発生部と平衡出力音声増幅回路とを実装し、平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路がタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続または低歪率セラミックコンデンサで容量結合されたことを特徴とする音声増幅回路である。そのため、基板実装型ＭＩＣコネクタを実装した第一の基板にＭＩＣ電源重畳回路とＭＩＣ信号入力結合回路と入力音声増幅回路とを実装可能となる。さらに、平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路が容量結合され、平衡出力音声増幅回路の直流増幅度は１である。その結果、従来の音声増幅回路を示す回路図の図４の出力の結合容量のタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続Ｃ１９，Ｃ２０，Ｃ２８，Ｃ２９が不要の直流結合出力となっている。そのため、前記第一の基板と接続された第二の基板の実装面積も小型化されている。
また、上記の音声増幅回路において、上記半導体は演算増幅器とアナログスイッチＣＭＯＳＩＣであることを特徴とする音声増幅回路である。
【００５０】
さらに、上記の音声増幅回路において、上記ＭＩＣ信号入力結合回路は、低歪率セラミックコンデンサであり、入力音声増幅回路と平衡出力音声増幅回路との演算増幅器の入力バイアス電流を補正する抵抗が演算増幅器の正入力と低電圧電源間と演算増幅器の正入力と接地間とに設置され、入力音声増幅回路の出力と平衡出力音声増幅回路の入力とが容量結合されたものであることと、上記ＭＩＣ信号入力結合回路は、低歪率セラミックコンデンサであり、入力音声増幅回路の演算増幅器の入力バイアス電流を補正する抵抗が演算増幅器の正入力と低電圧電源間と演算増幅器の正入力と接地間とに設置され、平衡出力音声増幅回路の演算増幅器の入力バイアス電流を補正する抵抗が演算増幅器の入力と低電圧電源間と電圧帰還演算増幅器の入力と接地間とに設置されたものであること、上記ＭＩＣ信号入力結合回路は、タンタル電解コンデンサまたはニオブ酸電解コンデンサまたは導電高分子電解コンデンサの少なくとも一つと金属皮膜抵抗との並列接続の組を直列接続した並列接続直列接続の組でＭＩＣ電源重畳電圧電位と小絶対値電源電圧電位とを容量結合し、タンタル電解コンデンサで小絶対値電源電圧電位と接地電位に容量結合したものであること、上記ＭＩＣ信号入力結合回路は、低歪率セラミックコンデンサであり、入力音声増幅回路の出力と平衡出力音声増幅回路の入力とがタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続または低歪率セラミックコンデンサで容量結合されるものであることと、との少なくとも一方を特徴とする音声増幅回路である。
【００５１】
また、ＭＩＣ電源重畳回路とＭＩＣ信号入力結合回路と入力音声増幅回路とＭＩＣ電源発生部と平衡出力音声増幅回路とを、半導体と、金属皮膜抵抗と、低歪率セラミックコンデンサと、タンタル電解コンデンサまたはニオブ酸電解コンデンサまたは導電高分子電解コンデンサの少なくとも一つと、の表面実装部品として実装し、平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路がタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続または低歪率セラミックコンデンサで容量結合されたことを特徴とする音声増幅回路である。
【００５２】
また、上記の音声増幅回路を具備することを特徴とする撮像装置または撮像装置の周辺機器である。
【符号の説明】
【００５３】
１：レンズ，２：撮像部、３：伝送部、
４：トライアックケーブルまたは光ケーブル等の伝送路、
５：制御部、６：色分解光学系、７：撮像素子と信号処理部、
８，９：多重分離双方向伝送部、
１０，１１：ＭＩＣ、
１２，１３：入力音声増幅回路（ＭＩＣ−ＩｎＡｍｐ）基板、
１４，１５：平衡出力音声増幅回路（ＭＩＣ−ＯｕｔＡｍｐ）基板、
１６，１７：Ａ／Ｄ、
１８，１９：ＭＩＣケーブルコネクタプラグ、
２０，２１：ＭＩＣコネクタソケット、
２２，２３：ＭＩＣコネクタ基板、２４，２５：ＭＩＣＡｍｐ基板、
２６：映像記録部、２７：映像圧縮部、２８：記憶部、
ＩＣ１，ＩＣ２：２ケ入り演算増幅器、
ＩＣ３〜ＩＣ７：アナログスイッチＣＭＯＳＩＣ、
Ｃ１，Ｃ５，Ｃ６：タンタル電解コンデンサまたはアルミ電解コンデンサ、
Ｃ２〜Ｃ４，Ｃ７，Ｃ８，Ｃ１２，Ｃ１５〜Ｃ２０，Ｃ２５〜Ｃ２９：タンタル電解コンデンサ、
Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３３：低歪セラミックコンデンサ、
Ｒ１〜Ｒ１８：金属皮膜抵抗、 
【図１】
2012129872.tif 000003
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2012129872.tif 000005
【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
2012129872.tif 000008
【図２Ｆ】
2012129872.tif 000009
【図２Ｇ】
2012129872.tif 000010
【図２Ｈ】
2012129872.tif 000011
【図２Ｉ】
2012129872.tif 000012
【図２Ｊ】
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【図３】
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【図４】
2012129872.tif 000015