(57)【要約】【課題】  静電駆動式の光偏向装置において、可動部を支持する支持部材の剛性を低下させることが可能な技術を提供する。【解決手段】  本発明は基部に設けられた固定電極と可動部に設けられた可動電極の間に電圧を印加することで可動部を揺動させて、可動部に設けられたミラーを揺動させる光偏向装置として具現化される。可動部は第１支持部材と第２支持部材によって支持されている。第１支持部材は絶縁体のみから構成されている。第２支持部材は導体とその周囲を覆う絶縁体から構成されている。その光偏向装置は、第２支持部材が第１支持部材に比べて長く形成されていることを特徴とする。【選択図】  図１
2012047910.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部に設けられた固定電極と可動部に設けられた可動電極の間に電圧を印加することで可動部を揺動させて、可動部に設けられたミラーを揺動させる光偏向装置であって、
可動部は第１支持部材と第２支持部材によって支持されており、
第１支持部材は絶縁体のみから構成されており、
第２支持部材は導体とその周囲を覆う絶縁体から構成されており、
前記第２支持部材が前記第１支持部材に比べて長く形成されていることを特徴とする光偏向装置。
【請求項２】
前記第２支持部材が可動部の外側に配置されていることを特徴とする請求項１の光偏向装置。
【請求項３】
前記可動部が枠形状に形成されており、
前記第１支持部材が可動部の内側に配置されていることを特徴とする請求項１または２の光偏向装置。
【請求項４】
前記可動部に設けられたミラーが、可動部と、第１支持部材と、第２支持部材を覆う大きさの平板ミラーであることを特徴とする請求項１から３の何れか一項の光偏向装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基部に設けられた固定電極と可動部に設けられた可動電極の間に電圧を印加することで可動部を揺動させて、可動部に設けられたミラーを揺動させる光偏向装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基部と可動部を備えており、可動部が基部に対して揺動可能となっている光偏向装置が開発されている。可動部の上面にはミラーが設けられており、可動部を基部に対して揺動させることによって、ミラーを所定の角度に傾けることができる。静電駆動式の光偏向装置では、可動部に設けられた可動電極と、可動電極と対向する位置で基部に設けられた固定電極との間に駆動電圧を印加し、両電極間に作用する静電引力によって可動部の一部を基部側に向けて吸引することによって、可動部を揺動させる。
【０００３】
特許文献１には、可動部の両側をビームによって支持する構成の静電駆動式の光偏向装置が開示されている。この技術では、基部の固定電極と可動部の可動電極の間に駆動電圧を印加することで、可動部を揺動させるトルクが作用し、可動部を支持するビームがねじれ変形して、可動部が揺動する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１２５７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような光偏向装置では、可動部を支持する支持部材の剛性が低いほど、小さな駆動電圧で可動部を大きく揺動させることができる。支持部材の剛性を下げるためには、支持部材を長く形成するか、あるいは支持部材の断面形状を小さくする必要がある。支持部材を長く形成すると、可動部の基部に対する沈み込みが大きくなってしまい、可動部の揺動に悪影響を及ぼしてしまう。従って、支持部材はそれほど長くすることなく、支持部材の断面形状を小さくすることで、支持部材の剛性を下げることが好ましい。
【０００６】
従来の光偏向装置では、支持部材は可動部を機械的に支持する役割だけでなく、可動部の可動電極との導通を確保する電気的な配線としての役割も担っている。このため、多くの場合、支持部材は導体とその周囲を覆う絶縁体から構成されている。支持部材をこのような構成とすると、断面形状を小さくするにも限界があり、支持部材の剛性を低下させることが困難であった。
【０００７】
本願は上記課題を解決する。本願は、静電駆動式の光偏向装置において、可動部を支持する支持部材の剛性を低下させることが可能な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は基部に設けられた固定電極と可動部に設けられた可動電極の間に電圧を印加することで可動部を揺動させて、可動部に設けられたミラーを揺動させる光偏向装置として具現化される。可動部は第１支持部材と第２支持部材によって支持されている。第１支持部材は絶縁体のみから構成されている。第２支持部材は導体とその周囲を覆う絶縁体から構成されている。その光偏向装置は、第２支持部材が第１支持部材に比べて長く形成されていることを特徴とする。
【０００９】
この光偏向装置では、第１支持部材と第２支持部材の２種類の支持部材によって可動部が支持されている。この光偏向装置では、第２支持部材が第１支持部材よりも長く形成されており、可動部の揺動や沈み込みに対しては、第１支持部材の剛性の影響が支配的となり、第２支持部材の剛性はほとんど影響しない。また、可動部の可動電極との導通は第２支持部材の導体によって確保されているから、第１支持部材は絶縁体のみから構成することができ、第１支持部材の断面形状を従来よりも小さくすることが可能である。この光偏向装置によれば、第１支持部材を長く形成することなく、第１支持部材の断面形状を小さくすることで、第１支持部材の剛性を低下させることができる。可動部の揺動に対して支配的な影響を有する第１支持部材の剛性を低下させることで、小さな駆動電力で可動部を揺動させることができ、消費電力を抑制することができる。あるいは、同じ駆動電圧で、光偏向装置の応答性を高めることができる。
【００１０】
上記の光偏向装置では、前記第２支持部材が可動部の外側に配置されていることが好ましい。
【００１１】
この光偏向装置によれば、可動部の外側に存在するスペースを利用して、第１支持部材に比べて長い第２支持部材を容易に形成することができる。
【００１２】
上記の光偏向装置では、前記可動部が枠形状に形成されており、前記第１支持部材が可動部の内側に配置されていることが好ましい。
【００１３】
上記のように、第１支持部材と第２支持部材という２種類の支持部材を用いる場合、第１支持部材は短く形成される。従って、可動部が枠形状に形成されている場合には、可動部の内側の小さなスペースを利用して第１支持部材を配置することができる。このような配置を採用することによって、光偏向装置全体の大きさを小さくすることができる。
【００１４】
上記の光偏向装置では、前記可動部に設けられたミラーが、可動部と、第１支持部材と、第２支持部材を覆う大きさの平板ミラーであることが好ましい。
【００１５】
上記のような平板ミラーを可動部に設けておくことで、光偏向装置全体の面積に対する光の反射面積の割合を高めて、光の反射効率を高めることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、静電駆動式の光偏向装置において、可動部を支持する支持部材の剛性を低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施例１の光偏向装置１０の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図４】実施例１の光偏向装置１０の製造方法を説明する図である。
【図５】実施例１の光偏向装置１０の製造方法を説明する図である。
【図６】実施例１の光偏向装置１０の製造方法を説明する図である。
【図７】実施例１の光偏向装置１０の製造方法を説明する図である。
【図８】実施例１の光偏向装置１０の製造方法を説明する図である。
【図９】実施例１の光偏向装置１０の製造方法を説明する図である。
【図１０】実施例１の光偏向装置１０の製造方法を説明する図である。
【図１１】実施例１の光偏向装置１０の製造方法を説明する図である。
【図１２】実施例１の光偏向装置１０の製造方法を説明する図である。
【図１３】実施例１の光偏向装置１０の製造方法を説明する図である。
【図１４】実施例１の光偏向装置１０の製造方法を説明する図である。
【図１５】実施例１の光偏向装置１０の製造方法を説明する図である。
【図１６】実施例２の光偏向装置２０の平面図である。
【図１７】実施例３の光偏向装置３０の平面図である。
【図１８】実施例４の光偏向装置４０の平面図である。
【図１９】実施例５の光偏向装置５０の平面図である。
【図２０】実施例６の光偏向装置６０の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明に係る好ましい実施形態は、例えば、下記に列挙する特徴を備えた実施例によって具現化される。
（特徴１）第１支持部材は、基部から伸びる第１支持柱と可動部の間を接続している。
（特徴２）第２支持部材は、基部から伸びる第２支持柱と可動部の間を接続している。
【実施例１】
【００１９】
実施例１に係る光偏向装置について説明する。図１は、光偏向装置１０の平面図であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線断面図であり、図３は図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。図２および図３に示すように、光偏向装置１０は、半導体ウェハ１５０の上方に、基板下層１００と、基板上層２００と、ミラー層３００が順に積層された三層構造を有している。後述するように、光偏向装置１０は半導体製造プロセスを利用して製造される。なお、図１では図の明瞭化のために、ミラー層３００の図示を省略している。
【００２０】
基板上層２００には、可動部２０２が形成されている。図１に示すように、可動部２０２は矩形の枠形状に形成されている。可動部２０２の内側には、基板下層１００から上方に向けて伸びる第１支持柱１０２が設けられている。可動部２０２は一対の第１ビーム２０４、２０６を介して第１支持柱１０２に支持されている。また、可動部２０２の外側には、基板下層１００から上方に向けて伸びる第２支持柱１０４が設けられている。可動部２０２は第２ビーム２０８を介して第２支持柱１０４に支持されている。第１ビーム２０４、２０６および第２ビーム２０８によって、可動部２０２は基板下層１００から離反した高さで支持されている。
【００２１】
図１に示すように、第１ビーム２０４、２０６および第２ビーム２０８は、何れも細長い形状に形成されており、可動部２０２の揺動軸Ｃに沿って配置されている。可動部２０２に揺動軸Ｃ周りのトルクが作用すると、可動部２０２を支持する第１ビーム２０４、２０６および第２ビーム２０８がねじれ変形して、可動部２０２は揺動軸Ｃの周りを揺動する。
【００２２】
図２および図３に示すように、可動部２０２は、可動電極２１０と、可動電極２１０の周囲に形成された絶縁層２１２、２１４から構成されている。絶縁層２１２の上面に可動電極２１０が形成されており、可動電極２１０の上面および側面に絶縁層２１４が形成されている。第１ビーム２０４は絶縁層２１６のみから構成されており、第１ビーム２０６は絶縁層２１８のみから構成されている。絶縁層２１６、２１８は、それぞれ可動部２０２の絶縁層２１２および第１支持柱１０２の側面に形成された絶縁層１０６に連続している。第２ビーム２０８は、可動部２０２の可動電極２１０と導通する導電層２２０と、導電層２２０の周囲に形成された絶縁層２２２、２２４を備えている。絶縁層２２２の上面に導電層２２０が形成されており、導電層２２０の上面および側面に絶縁層２２４が形成されている。導電層２２０は、可動部２０２の可動電極２１０および第２支持柱１０４の内部に形成された導電層１０８に連続している。絶縁層２２２は、可動部２０２の絶縁層２１２および第２支持柱１０４の側面に形成された絶縁層１１０に連続している。絶縁層２２４は、可動部２０２の絶縁層２１４および第２支持柱１０４の上面に形成された絶縁層１１２に連続している。
【００２３】
図１および図３に示すように、基板下層１００には一対の固定電極１１４、１１６が形成されている。固定電極１１４、１１６は第１支持柱１０２を間に挟んで対称な位置に配置されている。固定電極１１４は、可動部２０２の一方の長辺枠部（図１の上方、図３の左方の長辺枠部）と対向するように配置されており、固定電極１１６は、可動部２０２の他方の長辺枠部（図１の下方、図３の右方の長辺枠部）と対向するように配置されている。固定電極１１４、１１６はその上面が絶縁層１１８によって覆われている。固定電極１１４は基板下層１００の表面に露出して形成された端子電極１２０と導通しており、固定電極１１６は基板下層１００の表面に露出して形成された端子電極１２２と導通している。端子電極１２０、１２２は、基板下層１００の表面に露出して形成されている。さらに、図１および図２に示すように、基板下層１００には導電層１２４が形成されている。導電層１２４は第２支持柱１０４の内部の導電層１０８と、基板下層１００の表面に露出して形成された端子電極１２６の間を導通している。導電層１２４はその上面が絶縁層１１８によって覆われている。固定電極１１４、１１６、導電層１２４は、互いに絶縁されている。
【００２４】
図２および図３に示すように、ミラー層３００にはミラー３０２が形成されている。ミラー３０２は第１支持柱１０２、第２支持柱１０４、可動部２０２、第１ビーム２０４、２０６、第２ビーム２０８等を覆い隠す大きさの平板上に形成されている。ミラー３０２は、可動部２０２から上方に向けて伸びる支持脚３０４、３０６によって支持されている。支持脚３０４は、第１ビーム２０４の可動部２０２への接続部の近傍に配置されており、支持脚３０６は、第１ビーム２０６の可動部２０２への接続部の近傍に配置されている。
【００２５】
光偏向装置１０は、静電駆動式であり、固定電極１１４に印加する駆動電圧と固定電極１１６に印加する駆動電圧とを制御することによって、可動部２０２を揺動軸Ｃの周りに揺動させて、ミラー３０２を揺動させる。端子電極１２０、１２２を駆動信号生成器等に接続することによって、固定電極１１４、１１６に印加する駆動電圧等を制御することができる。
【００２６】
例えば、可動電極２１０に導通する端子電極１２６を接地し、固定電極１１４、１１６に導通する端子電極１２０、１２２をそれぞれ駆動信号生成器（図示しない）に接続する。駆動信号生成器を用いて、端子電極１２０に駆動電圧を印加すると、接地されている可動電極２１０と固定電極１１４との間に静電引力が発生し、可動部２０２の固定電極１１４に対向する長辺枠部（図１の上方、図３の左方の長辺枠部）が基板下層１００側に吸引される。逆に、端子電極１２２に駆動電圧を印加すると、接地されている可動電極２１０と固定電極１１６との間に静電引力が発生し、可動部２０２の固定電極１１６に対向する長辺枠部（図１の下方、図３の右方の長辺枠部）が基板下層１００側に吸引される。これにより、可動部２０２を揺動軸Ｃ周りで揺動することができる。可動部２０２が揺動することで、支持脚３０４、３０６によって可動部２０２に支持されているミラー３０２も揺動する。
【００２７】
図１に示すように、可動部２０２を支持している第１ビーム２０４、２０６と第２ビーム２０８を比較すると、第２ビーム２０８は第１ビーム２０４、２０６に比べて非常に長く形成されている。従って、可動部２０２が揺動する際には、第１ビーム２０４、２０６の剛性が支配的な影響を及ぼし、第２ビーム２０８の剛性はほとんど影響を及ぼさない。従って、第１ビーム２０４、２０６の断面形状を小さくすることで、第１ビーム２０４、２０６の剛性を下げることができる。これによって、小さな駆動電力で可動部２０２を揺動させることが可能となり、消費電力を抑制することができる。あるいは、同じ駆動電圧で、光偏向装置１０の応答性を高めることができる。
【００２８】
光偏向装置１０では、可動部２０２の可動電極２１０と端子電極１２６を導通するための導電層２２０を有する第２ビーム２０８を別途設けているため、第１ビーム２０４、２０６に導電層を設ける必要がない。従って、第１ビーム２０４、２０６を絶縁層２１６、２１８のみから構成することができる。従来のように、導電層とその周囲を覆う絶縁層から構成されたビームのみを用いて可動部２０２を支持する構成に比べて、可動部２０２の揺動において支配的な役割を果たす第１ビーム２０４、２０６の断面形状を小さくすることができる。可動部２０２の揺動において支配的な役割を果たす第１ビーム２０４、２０６の剛性をより小さくして、小さな駆動電力で可動部２０２を揺動させることができる。
【００２９】
次に、光偏向装置１０の製造方法について、図４から図１５を用いて説明する。なお図４から図１５は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図、すなわち図３の断面図と対応している。
【００３０】
まず図４に示すように、材料ウェハ１３０を準備する。材料ウェハ１３０の材料には、例えば単結晶シリコンを用いることができる。次に、図５に示すように、熱酸化処理を行い、材料ウェハ１３０の上面に絶縁膜である酸化膜１３２を成膜する。そして、図６に示すように、ＬＰＣＶＤ（Low Pressure CVD）法により酸化膜１３２の上面にポリシリコンを積層して、イオン注入処理により導電性を付与して、フォトエッチング処理を行って、ポリシリコン層１３４を形成する。ここで形成されるポリシリコン層１３４は、固定電極１１４、１１６、導電層１２４に相当する。次に、図７に示すように、熱酸化処理を行い、ポリシリコン層１３４の上面および側面に絶縁膜である酸化膜１３６を成膜して、フォトエッチング処理を行う。ここで形成される酸化膜１３６が、絶縁層１１８に対応する。
【００３１】
次に、図８に示すように、ＬＰＣＶＤ法によりポリシリコンを積層し、イオン注入処理により導電性を付与して、その上面をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）によって平坦化して、第１犠牲層１３８を形成する。そして、図９に示すように、第１支持柱１０２および第２支持柱１０４の外形形状に対応して、フォトエッチング処理によって第１犠牲層１３８にトレンチを形成する。そして、図１０に示すように、熱酸化処理を行って、絶縁膜である酸化膜１４０を成膜した後、フォトエッチング処理を行う。ここで形成される酸化膜１４０が、第１支持柱１０２の側面の絶縁層１０６、第２支持柱１０２の側面の絶縁層１１０、第１ビーム２０４、２０６の絶縁層２１６、２１８、第２ビーム２０８の絶縁層２２２、可動部２０２の絶縁層２１２に相当する。
【００３２】
次に、図１１に示すように、ＬＰＣＶＤ法によりポリシリコンを積層し、イオン注入処理により導電性を付与して、その上面をＣＭＰによって平坦化して、フォトエッチング処理を行って、ポリシリコン層１４２を形成する。ここで形成されるポリシリコン層１４２が、可動部２０２の可動電極２１０、第２ビーム２０８の導電層２２０に相当する。そして、図１２に示すように、熱酸化処理を行い、ポリシリコン層１４２の上面と側面に絶縁膜である酸化膜１４４を成膜して、フォトエッチング処理を行う。ここで形成される酸化膜１４４が、第２支持柱１０４の上面の絶縁層１１２、可動部２０２の絶縁層２１４、第２ビームの絶縁層２２４に相当する。
【００３３】
次に、図１３に示すように、ＬＰＣＶＤ法によりポリシリコンを積層し、その上面をＣＭＰによって平坦化して、第２犠牲層１４６を形成する。そして、図１４に示すように、支持脚３０４、３０６の外形形状に対応して、フォトエッチング処理によって第２犠牲層１４６にトレンチを形成する。そして、図１５に示すように、スパッタリングによってＡｌを積層し、その上面をＣＭＰによって平坦化し、フォトエッチング処理を行うことで、Ａｌ層１４８を形成する。ここで形成されるＡｌ層１４８がミラー３０２に相当する。その後、ＸｅＦ２ガス等を用いた等方性エッチング処理によって第１犠牲層１３８および第２犠牲層１４６を除去し、端子電極１２０、１２２、１２６の形成処理を行うことで、図１から図３に示す光偏向装置１０が完成する。
【実施例２】
【００３４】
以下の実施例２から実施例６の説明においては、実施例１の光偏向装置１０と同様の構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略し、実施例１の光偏向装置１０と相違する構成についてのみ詳細に説明する。図１６は実施例２に係る光偏向装置２０の平面図である。図１に示す実施例１の光偏向装置１０では、第２ビーム２０８は可動部２０２と第２支持柱１０４の間を直線状に伸びる形状に形成されているが、図１６に示す本実施例の光偏向装置２０では、第２ビーム４０２は可動部２０２と第２支持柱１０４の間を蛇行しながら伸びる形状に形成されている。このような構成とすることによって、第２ビーム４０２の剛性をさらに低下させることができる。可動部２０２の揺動に対する第２ビーム４０２の剛性の影響を極めて小さくすることができる。
【実施例３】
【００３５】
図１７は実施例３に係る光偏向装置３０の平面図である。図１に示す実施例１の光偏向装置１０では、第２ビーム２０８と第２支持柱１０４はそれぞれ１つずつ形成されているが、図１７に示す本実施例の光偏向装置３０では、可動部２０２の外側に一対の第２支持柱１０４、４０４がそれぞれ形成されており、一対の第２ビーム２０８、４０６によって可動部２０２と第２支持柱１０４、４０４がそれぞれ接続されている。第２支持柱１０４と第２支持柱４０４は、可動部２０２を挟んで対称となるように形成されており、第２ビーム２０８と第２ビーム４０６は可動部２０２を挟んで対称となるように形成されている。
【００３６】
図１に示す実施例１の光偏向装置１０では、第２ビーム２０８は第１ビーム２０４、２０６に比べて非常に長く形成されているので、可動部２０２の揺動において第２ビーム２０８の剛性はほとんど影響を及ぼさない。しかしながら、第２ビーム２０８の剛性もわずかではあるが可動部２０２の揺動に影響を及ぼしており、可動部２０２が揺動する際の対称性がわずかに乱されている。これに対して、図１７に示す本実施例の光偏向装置３０では、第２ビーム２０８、４０６が可動部２０２に対して対称に形成されているので、可動部２０２の揺動する際の対称性が維持される。可動部２０２の動作をより安定なものにすることができる。
【００３７】
なお本実施例の光偏向装置１０では、可動部２０２の可動電極２１０と導通する導電層１２４および端子電極１２６は、図１７に示すように第２支持柱１０４側に設けても良いし、これとは反対に、第２支持柱４０４側に設けても良い。
【実施例４】
【００３８】
図１８は実施例４に係る光偏向装置４０の平面図である。本実施例の光偏向装置４０では、可動部２０２の外側に一対の第１支持柱４０８、４１０が配置されており、可動部２０２と第１支持柱４０８、４１０はそれぞれ第１ビーム４１４、４１６によって接続されている。また、可動部２０２の内側に第２支持柱４１２が配置されており、可動部２０２と第２支持柱４１２は、一対の第２ビーム４１８、４２０によって接続されている。本実施例の光偏向装置４０においても、可動部２０２の可動電極２１０に導通する導電層を有する第２ビーム４１８、４２０が、絶縁層のみから構成される第１ビーム４１４、４１６に比べて非常に長く形成されているから、可動部２０２が揺動する際には、第１ビーム４１８、４２０の剛性が支配的な影響を及ぼし、第２ビーム４１８、４２０の剛性はほとんど影響を及ぼさない。第１ビーム４１８、４２０の断面形状を小さくすることで、第１ビーム４１８、４２０の剛性を下げることができる。これによって、小さな駆動電力で可動部２０２を揺動させることができる。
【実施例５】
【００３９】
図１９は実施例５に係る光偏向装置５０の平面図である。図１に示す実施例１の光偏向装置１０では可動部２０２は矩形の枠形状に形成されているが、図１９に示す本実施例の光偏向装置５０では可動部４２２は中実の矩形形状に形成されている。可動部４２２の外側に一対の第１支持柱４２４、４２６が配置されており、さらにその外側に一対の第２支持柱４２８、４３０が配置されている。可動部４２２と第１支持柱４２４、４２６はそれぞれ第１ビーム４３２、４３４によって接続されている。可動部４２２と第２支持柱４２８、４３０はそれぞれ第２ビーム４３６、４３８によって接続されている。固定電極１１４は可動部４２２の一方の長辺部（図１９の上方の長辺部）に対向して配置され、固定電極１１６は可動部４２２の他方の長辺部（図１９の下方の長辺部）に対向して配置されている。本実施例の光偏向装置５０においても、可動部４２２の可動電極２１０に導通する導電層を有する第２ビーム４３６、４３８が、絶縁層のみから構成される第１ビーム４３２、４３４に比べて非常に長く形成されているから、可動部４２２が揺動する際には、第１ビーム４３２、４３４の剛性が支配的な影響を及ぼし、第２ビーム４３６、４３８の剛性はほとんど影響を及ぼさない。第１ビーム４３２、４３４の断面形状を小さくすることで、第１ビーム４３２、４３４の剛性を下げることができる。これによって、小さな駆動電力で可動部４２２を揺動させることができる。
【実施例６】
【００４０】
図２０は実施例６に係る光偏向装置６０の平面図である。本実施例の光偏向装置６０では、可動部２０２の内側に一対の第１支持柱４４０、４４２が配置されており、さらにその内側に第２支持柱４４４が配置されている。可動部２０２と第１支持柱４４０、４４２はそれぞれ第１ビーム４４６、４４８によって接続されている。可動部２０２と第２支持柱４４４は一対の第２ビーム４５０、４５２によって接続されている。本実施例の光偏向装置６０においても、可動部２０２の可動電極２１０に導通する導電層を有する第２ビーム４５０、４５２が、絶縁層のみから構成される第１ビーム４４６、４４８に比べて非常に長く形成されているから、可動部２０２が揺動する際には、第１ビーム４４６、４４８の剛性が支配的な影響を及ぼし、第２ビーム４５０、４５２の剛性はほとんど影響を及ぼさない。第１ビーム４４６、４４８の断面形状を小さくすることで、第１ビーム４４６、４４８の剛性を下げることができる。これによって、小さな駆動電力で可動部２０２を揺動させることができる。
【００４１】
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
【００４２】
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００４３】
１０、２０、３０、４０、５０、６０ 光偏向装置
１００ 基板下層
１０２、４０８、４１０、４２４、４２６、４４０、４４２  第１支持柱
１０４、４０４、４１２、４２８、４３０、４４４   第２支持柱
１０６、１１０、１１２、１１８、２１２、２１４、２１６、２１８、２２２、２２４      絶縁層
１０８、１２４、２２０ 導電層
１１４、１１６  固定電極
１２０、１２２、１２６   端子電極
１３０ 材料ウェハ
１３２、１３６、１４０、１４４ 酸化膜
１３４、１４２ ポリシリコン層
１３８ 第１犠牲層
１４６ 第２犠牲層
１４８ Ａｌ層
１５０ 半導体ウェハ
２００ 基板上層
２０２、４２２  可動部
２０４、２０６、４１４、４１６、４３２、４３４、４４６、４４８  第１ビーム
２０８、４０２、４０６、４１８、４２０、４３６、４３８、４５０、４５２  第２ビーム
２１０ 可動電極
３００ ミラー層
３０２ ミラー
３０４、３０６ 支持脚
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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