(57)【要約】【課題】ハンプの低減が図られる半導体装置の製造方法と、ハンプが低減された半導体装置と、レジスト塗布装置を提供する。【解決手段】半導体基板１を回転させながら、ハンプ処理用流体吐出ノズル５５から、純水等の不活性な液体６４ａを所定の圧力をもって吐出させ、ハンプ３ａが発生している領域へ噴き付ける。高圧の不活性な液体６４ａをハンプ３ａに噴き付けることによって、ハンプ３ａが押し潰されて、下層レジスト材料膜３の膜厚が半導体基板１の全面においてほぼ均一になる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主表面上に、所定の加工が施される被加工膜を形成する工程と、
前記被加工膜を覆うように、前記被加工膜に加工を施す際にマスク材となる第１レジスト膜を形成する工程と、
前記第１レジスト膜を覆うように、前記第１レジスト膜を前記マスク材としてパターニングするための第２レジスト膜を形成する工程と、
前記第２レジスト膜に所定の写真製版処理および現像処理を施すことにより、所定のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記第１レジスト膜にエッチングを施すことにより前記マスク材を形成する工程と、
前記マスク材をマスクとして前記被加工膜に所定の加工を施す工程と
を有し、
前記第１レジスト膜を形成する工程は、
前記被加工膜の加工に対してエッチング耐性を有する所定のレジスト材料を前記被加工膜の表面上に塗布してレジスト材料膜を形成する工程と、
前記半導体基板を回転させながら、前記半導体基板の外周部に有機溶剤を噴き付けることにより、前記外周部に位置する前記レジスト材料膜の部分を除去する工程と、
前記外周部に位置する前記レジスト材料の部分が除去された前記半導体基板を乾燥させる工程と、
前記半導体基板を回転させながら、前記半導体基板に残された前記レジスト材料膜の外周部に、前記レジスト材料膜を押し潰すための所定の液体および気体の少なくともいずれかの流体を噴き付ける工程と、
前記レジスト材料膜に熱処理を施す工程と
を備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記流体は不活性な液体である、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記流体は不活性な気体である、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記流体は、相対的に溶解性の高い溶剤と低い溶剤との混合溶剤である、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記流体は、オゾンを含む気体またはオゾン水である、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記流体は不活性な固体微粒子を含む、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記流体を噴き付ける工程では、前記流体は所定の温度に加熱されて噴き付けられる、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記流体を噴き付ける工程では、前記流体は、前記半導体基板を加熱して前記第１レジスト膜を軟化させた状態で噴き付けられる、請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１レジスト膜を形成する工程は、複数層のレジスト膜を形成する工程を含み、
前記第２レジスト膜を形成する工程は、感光性材料を含むレジスト材料膜を前記第１レジスト膜の表面上に形成する工程を含む、請求項１〜８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法によって製造された、半導体装置。
【請求項１１】
半導体基板を回転可能に保持するスピンチャックと、
前記半導体基板の表面に形成されるレジスト材料膜を押し潰すための所定の流体の供給源となる流体供給部と、
前記流体供給部に接続され、前記半導体基板を前記スピンチャックに保持させた状態で、前記半導体基板の表面に形成された前記レジスト材料膜において、前記半導体基板の外周部に位置する部分に向けて前記所定の流体を吐出して噴き付ける流体吐出ノズルと
を備えた、レジスト塗布装置。
【請求項１２】
前記スピンチャックに保持される前記半導体基板を加熱する第１加熱部を備えた、請求項１１記載のレジスト塗布装置。
【請求項１３】
前記流体吐出ノズルから噴き付ける前記流体を加熱する第２加熱部を備えた、請求項１１または１２に記載のレジスト塗布装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置ならびにレジスト塗布装置に関し、特に、多層レジストプロセスを適用した半導体装置の製造方法と、その製造方法によって製造される半導体装置と、その製造方法に適用されるレジスト塗布装置とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路を備えた半導体装置の製造を行う場合には、半導体基板等における所定の領域へのイオン注入処理や、半導体基板の表面に形成された被加工膜へのエッチング処理等のように、選択的な処理（加工）が施される。このような処理では、被加工膜等を選択的に保護する目的で、紫外線、Ｘ線、電子線等の活性光線に感光する組成物、いわゆる感光性フォトレジスト被膜（フォトレジスト膜）のパターンを被加工膜上に形成するリソグラフィが行われる。このリソグラフィでは、とりわけ、紫外線を利用したフォトレジスト膜によるパターン形成が最も広く用いられている。
【０００３】
半導体集積回路の高集積化および高性能化が進むにしたがい、回路パターンの微細化と高度な寸法制御が求められるようになっている。露光装置では、水銀ランプのｇ線（波長＝４３６ｎｍ）から、ｉ線（波長＝３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長＝２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長＝１９３ｎｍ）へと、露光光源の短波長化が進められてきている。また、最近では、露光装置の縮小投影レンズと半導体基板上に塗布されたフォトレジスト膜との間に水（純水）を満たすことにより、解像力を向上させることができる液浸露光技術も登場し、光リソグラフィの延命化が図られている。
【０００４】
一方、フォトレジスト膜では、パターンの解像性を確保するために、フォトレジスト膜の膜厚の薄膜化が進み、最近では１００ｎｍ前後の膜厚のフォトレジスト膜が適用されるようになっている。しかしながら、パターンの微細化とフォトレジスト膜の薄膜化とにより、有機ＢＡＲＣ（Bottom Anti Reflection Coating）膜のような反射防止膜とフォトレジスト膜を適用したリソグラフィでは、被加工膜に対するエッチング耐性を確保することが難しくなってきている。なお、被加工膜には、たとえば、シリコン酸化膜あるいはポリシリコン膜等の様々な膜種がある。
【０００５】
このようなエッチング耐性を確保するために、最近では多層レジストプロセスの導入が進められている。多層レジストプロセスの代表的なものとしては、三層レジストプロセスがある。三層レジストプロセスでは、上層レジスト膜、中間層レジスト膜および下層レジスト膜が形成される。上層レジスト膜は、露光と現像によってパターンが形成されるレジスト膜であり、感光性のレジスト膜である。下層レジスト膜は、被加工膜に対してドライエッチングのマスクとなるレジスト膜である。中間層レジスト膜は、上層レジスト膜のパターンを下層レジスト膜に転写する役割をもつレジスト膜である。
【０００６】
下層レジスト膜をドライエッチングのマスクとするため、下層レジスト膜の材料として、高いエッチング耐性を有するとともに、下地の段差を平坦化させたり反射防止の機能を有する材料が用いられる。また、中間層レジスト膜を、上層レジストおよび下層レジストに対してエッチング選択性をもたせるために、中間層レジスト膜の材料として、高濃度のシリコン（Ｓｉ）原子を含有する材料が用いられる。このような多層レジストプロセスを採用することによって、高いエッチング耐性（エッチング選択比）が確保されて、微細なパターンを精度よく形成することが可能になる。なお、多層レジストプロセスを開示した文献の一例として、特許文献１がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特公平０４−３０７４０号公報
【特許文献２】特開２０１０−９３０４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、多層レジストプロセスでは、下層レジスト膜あるいは中間層レジスト膜に、次のような問題点があった。下層レジスト膜あるいは中間層レジスト膜を形成する工程では、まず、それぞれ所定の下層（中間層）レジスト材料がウェハ（半導体基板）の表面上に塗布される。次に、ウェハを所定の回転数にて回転させることにより、ウェハ上に均一な膜厚の下層（中間層）レジスト材料膜が形成される。次に、ウェハを回転させながら、ウェハのエッジに位置する下層（中間層）レジスト材料膜の部分に、下層（中間層）レジスト材料を溶解する所定の有機溶剤を噴きつけることによって、エッジリンスが行われる。その後、所定の温度にてベーク処理を行ない下層（中間層）レジスト材料を架橋させることによって、下層（中間層）レジスト膜が形成される。
【０００９】
この一連の下層（中間層）レジスト膜を形成する工程のうち、エッジリンスを行う工程では、ウェハの外周部に位置する下層（中間層）レジスト材料が溶解する。溶解した下層（中間層）レジスト材料は、回転するウェハから外方へ飛ばされることになる。一方、飛ばされずにウェハに残る溶解した下層（中間層）レジスト材料の分は、下層（中間層）レジスト材料を乾燥させる際に膨れて盛り上がることがある。このため、最外周に位置する下層（中間層）レジスト材料膜の部分の膜厚が、その内側に位置する下層（中間層）レジスト材料膜の部分の膜厚よりも厚くなってしまう。この下層（中間層）レジスト材料膜が膨れて盛り上がった部分は、「ハンプ」と称されている。
【００１０】
下層（中間層）レジスト膜にハンプが生じた状態で、被加工膜にエッチング等の加工を施すと、下層レジスト膜あるいは中間層レジスト膜のレジスト残渣が発生することがある。また、被加工膜の残渣（被加工膜残渣）が発生することがある。これらの残渣は異物の発生の要因となる。なお、ハンプが発生する現象や、ハンプの発生に伴って生じる課題を開示した文献の一例として、特許文献２がある。
【００１１】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、一つの目的は、ハンプの低減が図られる半導体装置の製造方法を提供することであり、他の目的は、そのような半導体装置の製造方法によって製造される、ハンプが低減された半導体装置を提供することであり、さらに他の目的は、そのような半導体装置の製造方法に使用されるレジスト塗布装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一実施例における半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。半導体基板の主表面上に、所定の加工が施される被加工膜を形成する。被加工膜を覆うように、被加工膜に加工を施す際にマスク材となる第１レジスト膜を形成する。第１レジスト膜を覆うように、第１レジスト膜をマスク材としてパターニングするための第２レジスト膜を形成する。第２レジスト膜に所定の写真製版処理および現像処理を施すことにより、所定のレジストパターンを形成する。レジストパターンをマスクとして、第１レジスト膜にエッチングを施すことによりマスク材を形成する。マスク材をマスクとして被加工膜に所定の加工を施す。特に、第１レジスト膜を形成する工程は、以下の工程を備えている。被加工膜の加工に対してエッチング耐性を有する所定のレジスト材料を被加工膜の表面上に塗布してレジスト材料膜を形成する。半導体基板を回転させながら、半導体基板の外周部に有機溶剤を噴き付けることにより、外周部に位置するレジスト材料膜の部分を除去する。外周部に位置するレジスト材料の部分が除去された半導体基板を乾燥させる。半導体基板を回転させながら、半導体基板に残されたレジスト材料膜の外周部に、レジスト材料膜を押し潰すための所定の液体および気体の少なくともいずれかの流体を噴き付ける。レジスト材料膜に熱処理を施す。
【００１３】
本発明の他の実施例における半導体装置は、上記半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置である。
【００１４】
本発明のさらに他の実施例におけるレジスト塗布装置は、スピンチャックと流体供給部と流体吐出ノズルとを備えている。スピンチャックは半導体基板を回転可能に保持する。流体供給部は、半導体基板の表面に形成されるレジスト材料膜を押し潰すための所定の流体の供給源となる。流体吐出ノズルは、流体供給部に接続され、半導体基板をスピンチャックに保持させた状態で、半導体基板の表面に形成されたレジスト材料膜において、半導体基板の外周部に位置する部分に向けて所定の流体を吐出して噴き付ける。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の一実施例における半導体装置の製造方法によれば、レジスト残渣あるいは被加工膜残渣が低減される。その結果、異物の発生による半導体装置の歩留まりの低下を抑制することができる。また、膜剥がれによる半導体装置の信頼性劣化も抑制することができる。
【００１６】
本発明の他の実施例における半導体装置によれば、歩留まりの低下、あるいは、信頼性の劣化が抑制される。
【００１７】
本発明のさらに他の実施例におけるレジスト塗布装置によれば、レジスト残渣あるいは被加工膜残渣を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図２】同実施の形態において、図１に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図３】同実施の形態において、図２に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図４】同実施の形態において、図３に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図５】同実施の形態において、図４に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図６】同実施の形態において、図５に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図７】同実施の形態において、図６に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図８】同実施の形態において、図７に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図９】同実施の形態において、図８に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図１０】同実施の形態において、図９に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図１１】同実施の形態において、図１０に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図１２】同実施の形態において、図１１に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図１３】同実施の形態において、図１２に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図１４】同実施の形態において、図１３に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図１５】同実施の形態において、図１４に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図１６】同実施の形態において、図１５に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図１７】同実施の形態において、図１６に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図１８】同実施の形態において、図１７に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図１９】同実施の形態において、図１８に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図２０】同実施の形態において、図１９に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図２１】同実施の形態において、図２０に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図２２】同実施の形態において、図２１に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図２３】同実施の形態において、図２２に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図２４】同実施の形態において、図２３に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図２５】同実施の形態において、図２４に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図２６】比較例に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図２７】図２６に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図２８】図２７に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図２９】図２８に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図３０】図２９に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図３１】図３０に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図３２】図３１に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図３３】図３２に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図３４】図３３に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図３５】図３４に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図３６】図３５に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図３７】同実施の形態において、第１変形例に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図３８】同実施の形態において、第２変形例に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図３９】同実施の形態において、第３変形例に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図４０】同実施の形態において、第４変形例に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図４１】同実施の形態において、第５変形例に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図４２】本発明の実施の形態２に係るレジスト塗布装置の概念を示すブロック図である。
【図４３】本発明の実施の形態３に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図４４】同実施の形態において、図４３に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図４５】同実施の形態において、図４４に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図４６】同実施の形態において、図４５に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図４７】同実施の形態において、図４６に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図４８】同実施の形態において、図４７に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図４９】同実施の形態において、図４８に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図５０】同実施の形態において、図４９に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図５１】同実施の形態において、図５０に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図５２】同実施の形態において、図５１に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
実施の形態１
ここでは、多層レジストプロセスを適用した半導体装置の製造方法の主要部分について説明する。多層レジストプロセスとして、下層レジスト膜、中間層レジスト膜および上層レジスト膜の三層レジストプロセスを例に挙げる。
【００２０】
まず、被加工膜の表面上に下層レジスト膜が形成される。図１に示すように、所定の加工が施される被加工膜２が形成された半導体基板１が、レジスト塗布装置のスピンチャック５１に保持される。被加工膜２として、たとえば、シリコン酸化膜あるいはポリシリコン膜等が形成されている。その半導体基板１の表面（被加工膜２の表面）に、レジスト吐出ノズル５３から、所定量の下層レジスト液６１が滴下される。次に、図２に示すように、半導体基板１を保持した状態でスピンチャック５１を所定の回転数をもって回転させることにより、余分な下層レジスト液が半導体基板１から飛ばされて、半導体基板１の表面に均一な膜厚の下層レジスト材料膜３が形成される。
【００２１】
次に、図３に示すように、半導体基板１を回転させながら、溶剤吐出ノズル５４から、下層レジスト材料膜３を溶解させる溶剤６５を吐出させて下層レジスト材料膜３に噴き付けることによりエッジリンスが行われる。エッジリンスは、通常、半導体基板の周辺から１ｍｍ〜３ｍｍの範囲の領域に対して行われる。溶解した下層レジスト材料膜の成分は、回転する半導体基板から外方へ飛ばされる。
【００２２】
一方、飛ばされずに半導体基板１に残る溶解した下層レジスト材料膜の成分は、下層レジスト材料膜３を乾燥させる際に膨れて盛り上がり、図４に示すように、下層レジスト材料膜３の外周部においてハンプ３ａが発生することがある。
【００２３】
次に、図５に示すように、半導体基板１を回転させながら、ハンプ処理用流体吐出ノズル５５から、たとえば、純水等の不活性な液体６４ａを所定の圧力をもって吐出させ、ハンプ３ａが発生している領域へ噴き付ける。高圧の不活性な液体６４ａをハンプ３ａに噴き付けることによって、図６に示すように、ハンプ３ａが押し潰されて、下層レジスト材料膜３の膜厚が半導体基板１の全面においてほぼ均一になる。
【００２４】
このとき、不活性な液体６４ａの温度を、たとえば約１００℃程度の温度に設定しておくことで、不活性な液体６４ａが噴き付けられる下層レジスト材料膜３が軟化して、ハンプ３ａを効果的に押し潰すことができる。このように、本手法では、ハンプを除去するのではなく、ハンプを押し潰して平坦化することに特徴がある。
【００２５】
次に、図７に示すように、所定の温度のもとで半導体基板１にベーク処理６６を施すことにより、下層レジスト材料膜３が架橋し、図８に示すように、被加工膜２をパターニングする際のマスク材となる下層レジスト膜３ｂが形成される。
【００２６】
次に、中間層レジスト膜が形成される。図９に示すように、半導体基板１の表面に、レジスト吐出ノズル５３から、所定量の中間層レジスト液６２が滴下される。次に、図１０に示すように、半導体基板１を保持した状態でスピンチャック５１を所定の回転数をもって回転させることにより、余分な中間層レジスト液が半導体基板１から飛ばされて、半導体基板１の表面に均一な膜厚の中間層レジスト材料膜４が形成される。
【００２７】
次に、図１１に示すように、半導体基板１を回転させながら、溶剤吐出ノズル５４から、中間層レジスト材料膜４を溶解させる溶剤６５を吐出させて中間層レジスト材料膜４に噴き付けることによりエッジリンスが行われる。溶解した中間層レジスト材料膜の成分は、回転する半導体基板から外方へ飛ばされる。なお、中間層レジスト材料膜４を溶解させる溶剤６５としては、下層レジスト材料膜３を溶解させる溶剤とは種類が異なる溶剤であってもよい。
【００２８】
一方、飛ばされずに半導体基板１に残る溶解した中間層レジスト材料膜の成分は、中間層レジスト材料膜４を乾燥させる際に膨れて盛り上がり、図１２に示すように、中間層レジスト材料膜４の外周部においてハンプ４ａが発生することがある。
【００２９】
次に、図１３に示すように、半導体基板１を回転させながら、ハンプ処理用流体吐出ノズル５５から、たとえば、純水等の不活性な液体６４ａを所定の圧力をもって吐出させ、ハンプ４ａが発生している領域へ噴き付ける。高圧の不活性な液体６４ａをハンプ４ａに噴き付けることによって、図１４に示すように、ハンプ４ａが押し潰されて、中間層レジスト材料膜４の膜厚が半導体基板１の全面においてほぼ均一になる。
【００３０】
このとき、不活性な液体６４ａの温度を、たとえば約１００℃程度の温度に設定しておくことで、不活性な液体６４ａが噴き付けられる中間層レジスト材料膜４が軟化して、ハンプ４ａを効果的に押し潰すことができる。
【００３１】
次に、図１５に示すように、所定の温度のもとで半導体基板１にベーク処理６６を施すことにより、中間層レジスト材料膜４が架橋し、図１６に示すように、被加工膜２をパターニングする際のマスク材となる中間層レジスト膜４ｂが形成される。
【００３２】
次に、上層レジスト膜が形成される。図１７に示すように、半導体基板１の表面に、レジスト吐出ノズル５３から、所定量の上層レジスト液６３が滴下される。上層レジスト液は、感光性を有する材料を含んでいる。次に、図１８に示すように、半導体基板１を保持した状態でスピンチャック５１を所定の回転数をもって回転させることにより、余分な上層レジスト液が半導体基板１から飛ばされて、半導体基板１の表面に均一な膜厚の上層レジスト材料膜５が形成される。
【００３３】
次に、上層レジスト材料膜５に所定の写真製版処理（プリベークおよび露光）を施すことにより、チップが形成される領域に位置する上層レジスト膜には、所定のパターン（図示せず）が写真製版される。次に、図１９に示すように、半導体基板１の外周部に周辺露光処理が施される。
【００３４】
次に、写真製版処理等が施された上層レジスト膜５ｂにベーク処理を施した後、図２０に示すように、現像処理を施すことにより、チップ形成領域ＣＲでは、上層レジスト膜５ｂに所定のパターンが形成される。一方、半導体基板の外周部ＰＲでは、上層レジスト膜５ｂの部分が除去されて、それぞれハンプが押し潰されて平坦になった下層レジスト膜３ｂの外周部の表面と、中間層レジスト膜４ｂの外周部の表面とが露出する。こうして、図２１に示すように、被加工膜２をパターニングするための、下層レジスト膜３ｂ、中間層レジスト膜４ｂおよび上層レジスト膜５ｂが形成される。
【００３５】
次に、下層レジスト膜３ｂ、中間層レジスト膜４ｂおよび上層レジスト膜５ｂによって被加工膜２がパターニングされる。まず、図２２に示すように、上層レジスト膜５ｂをマスクとして中間層レジスト膜４ｂにエッチング処理を施すことにより、上層レジスト膜５ｂのパターンが中間層レジスト膜４ｂに転写される。この場合、中間層レジスト材料としてシリコン（Ｓｉ）元素を含む材料を適用し、たとえば、ＣＦ4のようなフッ素系ガスを用いてエッチングを施すことで、上層レジスト膜５ｂに対して高いエッチング選択比を得ることができる。
【００３６】
次に、図２３に示すように、中間層レジスト膜４ｂをマスクとして、下層レジスト膜３ｂにエッチングを施すことにより、中間層レジスト膜４ｂを介して上層レジスト膜５ｂのパターンが下層レジスト膜３ｂに転写される。この場合、たとえば、酸素（Ｏ2）あるいは窒素（Ｎ2）／水素（Ｈ2）のようなガスを用いてエッチングを施すことで、中間層レジスト膜４ｂに対して高いエッチング選択比を得ることができる。
【００３７】
次に、図２４に示すように、下層レジスト膜３ｂをマスクとして、被加工膜２にエッチングを施すことにより、被加工膜２がパターニングされる。その後、図２５に示すように、酸素プラズマアッシング処理を施すことにより、半導体基板１に残る下層レジスト膜３ｂ等が除去されて、被加工膜２のパターニングが完了する。
【００３８】
上述した半導体装置の製造方法では、下層レジスト材料膜３あるいは中間層レジスト材料膜４に発生したハンプ３ａ，４ａを、高圧の液体により押し潰して平坦化することで、レジスト残渣あるいは被加工膜残渣を低減することができる。このことについて、比較例を交えて説明する。
【００３９】
比較例に係る半導体装置の製造方法では、まず、図２６に示すように、被加工膜１０２が形成されて、スピンチャック１５１に保持された半導体基板１０１の表面に、レジスト吐出ノズル１５３から、下層レジスト材料１６１が滴下される。次に、図２７に示すように、半導体基板１０１を回転させることにより、半導体基板１の表面に均一な膜厚の下層レジスト材料膜１０３が形成される。
【００４０】
次に、図２８に示すように、溶剤吐出ノズル１５４から、溶剤１６５を吐出させて下層レジスト材料膜１０３に噴き付けることによりエッジリンスが行われる。次に、下層レジスト材料膜１０３を乾燥させる。このとき、図２９に示すように、溶解して半導体基板１０１に残された下層レジスト材料膜の成分が膨れて盛り上がり、ハンプ１０３ａが発生することがある。次に、図３０に示すように、所定の温度のもとで半導体基板１０１にベーク処理１６６を施すことにより、下層レジスト材料膜１０３が架橋し、図３１に示すように、下層レジスト膜１０３ｂが形成される。
【００４１】
次に、半導体基板１０１の表面に中間層レジスト液を滴下し、下層レジスト膜を形成する工程と同様の工程を経て、中間層レジスト膜１０４ｂが形成される。中間層レジスト膜１０４ｂには、中間層レジスト材料層を乾燥させる際に、ハンプ１０４ａが発生することがある（図３２参照）。次に、半導体基板１０１の表面に上層レジスト液を滴下し、上述した実施の形態における上層レジスト膜を形成する工程（図１７等）と同様の工程を経て、上層レジスト膜１０５が形成される。こうして、図３２に示すように、被加工膜１０２をパターニングするための、下層レジスト膜１０３ｂ、中間層レジスト膜１０４ｂおよび上層レジスト膜１０５が形成される。半導体基板１０１の外周部に露出する下層レジスト膜１０３ｂあるいは中間層レジスト膜１０４ｂには、ハンプ１０３ａ，１０４ａが認められる。
【００４２】
次に、下層レジスト膜１０３ｂ、中間層レジスト膜１０４ｂおよび上層レジスト膜１０５によって被加工膜１０２がパターニングされる。まず、図３３に示すように、上層レジスト膜１０５ｂをマスクとして中間層レジスト膜１０４ｂにエッチング処理を施すことにより、上層レジスト膜１０５ｂのパターンが中間層レジスト膜１０４ｂに転写される。このとき、中間層レジスト膜１０４ｂは、上層レジスト膜５ｂに対して高いエッチング選択比を有するため、ハンプ１０４ａが発生している箇所の中間層レジスト膜１０４ｂの部分は、レジスト残渣１０４ｃとなることが多い。また、下層レジスト膜１０３ｂのハンプ１０３ａもエッチングされずに残ることが多い。
【００４３】
次に、図３４に示すように、中間層レジスト膜１０４ｂをマスクとして、下層レジスト膜１０３ｂにエッチングを施すことにより、中間層レジスト膜１０４ｂを介して上層レジスト膜１０５ｂのパターンが下層レジスト膜１０３ｂに転写される。このとき、下層レジスト膜１０３ｂは中間層レジスト膜１０４ｂに対して高いエッチング選択比を有するため、本来であれば、下層レジスト膜１０３ｂまで除去されるべき半導体基板１０１の外周部では、ハンプ１０３ａが発生している箇所の下層レジスト膜１０３ｂの部分は、レジスト残渣１０３ｃとなることが多い。また、レジスト残渣１０４ｃが位置している箇所では、レジスト残渣１０４ｃがマスクとなって、その直下に位置する下層レジスト膜１０３ｂの部分がレジスト残渣１０３ｄとなることがある。
【００４４】
このように、比較例に係る半導体装置の製造方法では、被加工膜１０２をパターニングするためのレジストマスク（下層レジスト膜１０３ｂ等）が形成された時点で、半導体基板１０１の外周部には、レジスト残渣１０３ｃ、１０３ｄ、１０４ｃが存在することが多い。
【００４５】
次に、図３５に示すように、下層レジスト膜１０３ｂ等をマスクとして、被加工膜１０２にエッチングを施すことにより、被加工膜１０２がパターニングされる。このとき、レジスト残渣１０４ｃ、１０３ｄが位置している箇所では、レジスト残渣がマスクとなって、被加工膜１０２の部分は被加工膜残渣１０２ｂとなる。また、レジスト残渣１０３ｃが位置していた箇所でも、被加工膜１０２の部分が被加工膜残渣１０２ａとなる。
【００４６】
その後、図３６に示すように、酸素プラズマアッシング処理を施すことにより、下層レジスト膜３ｂ等が除去される。このとき、レジスト残渣１０３ｄが完全に除去されないことがある。また、被加工膜残渣１０２ａ，１０２ｂも除去されずに、半導体基板１０１の外周部に残されることになる。
【００４７】
比較例に係る半導体装置の製造方法では、半導体基板の外周部に被加工膜残渣１０２ａ，１０２ｂ等が存在する状態で製造工程を進めると、被加工膜残渣１０２ａ，１０２ｂ等が異物となって、半導体装置の歩留まりを低下させてしまうおそれがある。また、膜剥がれの要因となって、半導体装置の信頼性を下げてしまうおそれがある。
【００４８】
また、上層レジスト膜をパターニングした後に、寸法や重ね合わせ精度等の不具合によって再生処理（リワーク処理）を行う必要が生じた場合には、中間層レジスト膜はフッ素系ガスを用いてエッチバックされ、下層レジスト膜は酸素ガスを用いてアッシングされることになる。このため、ハンプが発生している箇所では、中間層レジスト膜あるいは下層レジスト膜の部分を除去しきれない場合が多く、異物の発生要因となる。
【００４９】
一方、半導体基板１０１の外周部に残された被加工膜残渣１０２ａ，１０２ｂ等を除去する手法があり、一般に、ベベルエッチングあるいはベベルＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）が知られている。所定のエッチング処理や再生処理を行った後に、このベベルエッチング等を行うことで、被加工膜残渣１０２ａ，１０２ｂ等が除去される。ところが、これらの処理を行なう場合には、下地の半導体基板１０１にダメージを与えることになり、半導体装置の歩留まりや信頼性に影響を与えるおそれがあり、また、その再生処理を行なう回数を制限する必要もある。
【００５０】
これに対して、上述した半導体装置の製造方法では、半導体基板の外周部において、下層レジスト膜３ｂあるいは中間層レジスト膜４ｂに発生したハンプ３ａ，４ａが、高圧の液体を噴き付けることによって押し潰されて平坦化される。これにより、被加工膜２をパターニングした後の半導体基板１の外周部では、レジスト残渣あるいは被加工膜残渣が低減される。その結果、異物の発生による半導体装置の歩留まりの低下を抑制することができる。また、膜剥がれによる半導体装置の信頼性劣化も抑制することができる。
【００５１】
また、上層レジスト膜をパターニングした後に、寸法や重ね合わせ精度等の不具合によって再生処理を行う必要が生じた場合であっても、下地（膜、半導体基板等）にダメージを与えることなくすべてのレジスト膜を完全に除去することができ、その後、再度レジストパターンを形成することが可能となる。また、再生処理による下地の半導体基板へのダメージがないため、再生処理を行う回数に制限をかける必要もない。
【００５２】
上述した半導体装置の製造方法では、ハンプを押し潰すのに、所定の温度に設定された不活性の液体（純水）を噴き付ける場合を例に挙げて説明した。ここでは、ハンプを押し潰す流体等のバリエーションについて説明する。
【００５３】
変形例１
ハンプに噴き付ける不活性の液体を所定の温度に設定する替わりに、半導体基板を所定の温度に加熱してもよい。この場合、図３７に示すように、半導体基板１を保持するスピンチャック５１に加熱部５２を設けるようにしてもよい。この場合においても、半導体基板１の温度を、下層レジスト材料膜あるいは中間層レジスト材料膜が架橋しない程度の温度に設定することで下層レジスト材料膜３等が軟化し、高圧の液体を噴き付けることにより、ハンプ３ａを容易に押し潰すことができる。
【００５４】
また、加熱部５２としては半導体基板１の全面を加熱するようにしてもよいし、外周部に対応する部分だけを局所的に加熱するようにしてもよい。さらに、不活性の液体を所定の温度に加熱する機構と半導体基板を加熱する機構とを併用させてもよい。
【００５５】
変形例２
ハンプに噴き付ける流体として、不活性の液体（たとえば純水等）の替わりに、たとえば、窒素ガス（Ｎ2）あるいはヘリウム（Ｈｅ）等の不活性な気体（ガス）でもよい。この場合、図３８に示すように、レジスト材料を架橋させない所定の温度に設定（加温）された不活性なガスをハンプ３ａ等に噴き付けることにより、ハンプ３ａを容易に押し潰すことができる。また、スピンチャック５１に加熱部５２を設けて、半導体基板１を所定の温度に設定して、不活性なガスをハンプへ噴き付けるようにしてもよい。
【００５６】
変形例３
ハンプに噴き付ける流体として、レジスト材料に対して適度な溶解性を有する溶剤でもよい。この場合、図３９に示すように、たとえば、エチルアルコールあるいはイソプロピルアルコール等の下層レジスト材料膜等に対して溶解性を示さない貧溶媒に、たとえば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートあるいはシクロヘキサノン等の下層レジスト材料膜に対して溶解性を示す良溶媒を少量添加した混合溶媒６４ｃをハンプ３ａ等に噴き付けることにより、混合溶媒６４ｃの圧力によって物理的にハンプを押し潰す作用に、下層レジスト材料膜を低速度で化学的に溶解する作用も加わるため、さらに効率的にハンプを平坦化することができる。
【００５７】
混合溶媒として、レジスト材料に対する溶解性は高くない方が好ましく、混合溶媒中の良溶媒の割合は、約５％〜２０％程度が好ましい。また、混合溶媒を常温（室温）にてハンプに噴き付けるようにしてもよいが、所定の温度に設定（加温）した混合溶媒をハンプに噴き付けることで、さらに効果的にハンプを平坦化することができる。さらに、スピンチャック５１に加熱部５２を設けて、半導体基板１を所定の温度に設定して、混合溶媒をハンプへ噴き付けるようにしてもよい。
【００５８】
変形例４
ハンプに噴き付ける流体として、オゾン（Ｏ3）を含む気体あるいはオゾン水でもよい。この場合、図４０に示すように、下層レジスト材料膜を構成する有機物を分解させることができるオゾンを含む気体あるいはオゾン水６４ｄをハンプ３ａ等に噴き付けることにより、気体あるいは液体の圧力によって物理的にハンプを押し潰す作用に、下層レジスト材料膜の一部を分解する作用が加わるため、さらに効率的にハンプを平坦化することができる。
【００５９】
また、オゾンは、下層レジスト材料膜を構成する有機物を分解させる性質を有するため、常温（室温）のオゾンを含む気体等を噴き付けることによっても所望の効果が得られるが、所定の温度に設定（加温）したオゾンを含む気体あるいはオゾン水を噴き付けることでハンプをより効率的に平坦化することができる。さらに、スピンチャック５１に加熱部５２を設けて、半導体基板１を所定の温度に設定して、オゾンを含む気体等をハンプへ噴き付けるようにしてもよい。
【００６０】
変形例５
ハンプに噴き付ける流体として、不活性な気体に不活性な固体微粒子を含有させてもよい。固体微粒子として、たとえば、アイススクラバーに適用されている氷（Ｈ2Ｏ）の微粒子が好ましい。氷の微粒子は、純水をスプレーによって霧状に噴霧し、霧状になった純水の微粒子を冷却することにより形成される。氷のサイズは、スプレーの特性により決まるが、標準的には約５０μｍ程度であり、５μｍ程度が限界とされる。一方、ハンプの高さは、塗布されるレジスト材料膜の膜厚の数倍程度（数百ｎｍ〜１μｍ程度）であり、また、ハンプが発生する領域の幅（半導体基板の径方向の長さ）は、約５μｍ〜１０μｍ程度である。
【００６１】
そうすると、この場合、図４１に示すように、氷の微粒子として約５μｍ程度のサイズの氷の微粒子６４ｅを不活性ガスとともにハンプ３ａに向けて噴き付けることにより、ハンプへ物理的な衝撃を効果的に加えることができ、効率的にハンプを押し潰して平坦化することができる。また、スピンチャック５１に加熱部５２を設けて、半導体基板１を所定の温度に設定し、下層レジスト材料膜等を軟化させた状態で、氷の微粒子をハンプへ噴き付けるようにしてもよい。不活性な微粒子としては、氷の微粒子の他に、たとえば、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ2）あるいはドライアイス（ＣＯ2）等の固体微粒子を適用してもよい。
【００６２】
実施の形態２
ここでは、多層レジストプロセスに適用されるレジスト塗布装置の一例について説明する。図４２に示すように、本レジスト塗布装置は、半導体基板１が載置されるスピンチャック５１に加えて、ハンプへ向けて高圧の流体を噴き付けるためのハンプ処理用流体吐出ノズル５５、流体の供給源となる流体供給部５６および制御バルブ５７を備えている。また、下層（中間層）レジスト材料膜を軟化させた状態で高圧の流体を噴き付けるために、スピンチャック５１に加熱部５２を内蔵させてもよいし、また、吐出させる流体そのものを所定の温度に加温する流体加熱部５８を設けてもよい。なお、レジスト塗布装置では、通常、レジスト液を吐出するレジスト液吐出管と、リンス液を吐出するリンス液吐出管と備えているが、図４２では、簡略化のためにこれらの吐出管は省略されている。
【００６３】
流体供給部５６は、すでに説明したように、純水等の不活性な液体、窒素またはヘリウム等の不活性なガス、貧溶媒に良溶媒を添加した混合溶剤、オゾンを含む気体、オゾン水、あるいは、氷の微粒子を含む不活性なガス等の供給源となる。流体供給部５６から供給される不活性な液体等の流体は、制御バルブ５７の開閉動作によってハンプ処理用流体吐出ノズル５５から吐出してハンプ３ａ等へ噴き付けられる。ハンプ３ａへ噴き付けられる不活性な液体等による衝撃力によって、ハンプ３ａが押し潰されて平坦化されることになる。
【００６４】
実施の形態３
ここでは、多層レジストプロセスを適用したより具体的な半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図４３に示すように、半導体基板１の表面に熱酸化処理を施すことにより、絶縁膜１９が形成される。その絶縁膜１９上に、たとえば、ポリシリコン膜およびその金属シリサイド膜等を含む導電膜２０が形成される。
【００６５】
次に、ゲート電極をパターニングするための写真製版処理として、三層レジストプロセスが適用される。すなわち、図１〜図２０に示す一連の三層レジストプロセスと同様のプロセスが適用されて、図４４に示すように、下層レジスト膜２１、中間層レジスト膜２２および上層レジスト膜２３が形成される。半導体基板１におけるチップ形成領域ＣＲでは、ゲート電極をパターニングするための上層レジスト膜２３のレジストパターン２３ａが形成される。一方、半導体基板１における外周部ＰＲでは、高圧の流体を噴き付けることによりハンプが押し潰されて平坦化された中間層レジスト膜２２と下層レジスト膜２１が露出している。
【００６６】
次に、上層レジスト膜２３のレジストパターン２３ａをマスクとして、中間層レジスト膜２２にエッチングを施すことにより、レジストパターン２３ａが中間層レジスト膜２２にレジストパターン２２ａとして転写され、さらに、中間層レジスト膜２２のレジストパターン２２ａをマスクとして下層レジスト膜２１にエッチングを施すことにより、レジストパターン２３ａが下層レジスト膜２１にレジストパターン２１ａとして転写される。
【００６７】
こうして、図４５に示すように、ゲート電極をパターニングするための下層レジスト膜、中間層レジスト膜および上層レジスト膜によるレジストパターン２３ａ，２２ａ，２１ａが形成される。なお、図４５では、上層レジスト膜２３のレジストパターン２３ａまで残された状態が示されているが、少なくとも、下層レジスト膜２１のレジストパターン２１ａが残されていればよい。
【００６８】
次に、レジストパターン２３ａ，２２ａ，２１ａをマスクとして、導電膜２０にエッチングを施すことにより、図４６に示すように、ゲート電極２０ａが形成される。次に、そのゲート電極２０ａをマスクとして、半導体基板１に、たとえばｎ型の不純物を低いドーズ量にて注入することにより、ｎ型低濃度不純物領域２４ａが形成される（図４７参照）。次に、ゲート電極２０ａを覆うように、絶縁膜（図示せず）が形成される。その絶縁膜に異方性エッチングを施すことにより、ゲート電極２０ａの側壁にサイドウォール絶縁膜２５が形成される（図４７参照）。
【００６９】
次に、ゲート電極２０ａおよびサイドウォール絶縁膜２５をマスクとして、ｎ型の不純物を高いドーズ量にて注入することにより、ｎ型高濃度不純物領域２４ｂが形成される。こうして、図４７に示すように、半導体基板１の表面上にゲート絶縁膜１９ａを介在させて形成されたゲート電極２０ａ、ｎ型低濃度不純物領域２４ａおよびｎ型高濃度不純物領域２４ｂを含むＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタが形成される。次に、ゲート電極２０ａ等を覆うように半導体基板１上に、たとえば、シリコン酸化膜等の層間絶縁膜２６が形成される（図４８参照）。
【００７０】
次に、その層間絶縁膜２６にコンタクトホールを形成するための写真製版処理として、三層レジストプロセスが適用される。すなわち、図１〜図２０に示す一連の三層レジストプロセスと同様のプロセスが適用されて、図４８に示すように、下層レジスト膜２７、中間層レジスト膜２８および上層レジスト膜２９が形成される。半導体基板１におけるチップ形成領域ＣＲでは、コンタクトホールを形成するための上層レジスト膜２９のレジストパターン２９ａが形成される。一方、半導体基板１における外周部ＰＲでは、高圧の流体を噴き付けることによりハンプが押し潰されて平坦化された中間層レジスト膜２８と下層レジスト膜２７が露出している。
【００７１】
次に、上層レジスト膜２９のレジストパターン２９ａを、中間層レジスト膜２８および下層レジスト膜２７に転写し、コンタクトホールを形成するためのレジストパターン（図示せず）が形成される。そのレジストパターンをマスクとして、層間絶縁膜２６に異方性エッチングを施すことにより、図４９に示すように、ｎ型高濃度不純物領域２４ｂの表面を露出するコンタクトホール３０が形成される。その後、レジストパターンが除去される。次に、図５０に示すように、コンタクトホール内を充填するように、層間絶縁膜２６上にバリアメタル等を含む所定の導電膜３１が形成される。
【００７２】
次に、その導電膜３１をパターニングするための写真製版処理として、三層レジストプロセスが適用される。すなわち、図１〜図２０に示す一連の三層レジストプロセスと同様のプロセスが適用されて、図５１に示すように、下層レジスト膜３２、中間層レジスト膜３３および上層レジスト膜３４が形成される。半導体基板１におけるチップ形成領域ＣＲでは、導電膜３１をパターニングするための上層レジスト膜３４のレジストパターン３４ａが形成される。一方、半導体基板１における外周部ＰＲでは、高圧の流体を噴き付けることによりハンプが押し潰されて平坦化された中間層レジスト膜３３と下層レジスト膜３２が露出している。
【００７３】
上層レジスト膜３４のレジストパターン３４ａを、中間層レジスト膜３３および下層レジスト膜３２に転写し、導電膜をパターニングするためのレジストパターン（図示せず）が形成される。そのレジストパターンをマスクとして、導電膜３１に異方性エッチングを施すことにより、図５２に示すように、ｎ型高濃度不純物領域２４ｂに電気的に接続される配線３１ａが形成される。その後、下層レジスト膜３２等が除去される。こうして、トランジスタを備えた半導体装置の主要部分が形成される。
【００７４】
上述した、写真製版処理として三層レジストプロセスを適用した半導体装置の製造方法では、半導体基板１の外周部において、下層レジスト膜あるいは中間層レジスト膜に発生したハンプが、高圧の液体を噴き付けることによって押し潰されて平坦化される。これにより、導電膜２０、層間絶縁膜２６、導電膜３１等の被加工膜をパターニングした後の半導体基板１の外周部では、レジスト残渣あるいは被加工膜残渣が低減される。その結果、異物の発生による半導体装置の歩留まりの低下を抑制することができるとともに、膜剥がれによる半導体装置の信頼性劣化も抑制することができる。
【００７５】
なお、上述した三層レジストプロセスは、実施の形態１あるいは実施の形態３において説明した工程に限られず、写真製版処理が行われる工程に広く適用することが可能である。また、写真製版処理としては、三層レジストプロセスに限られず、感光性レジストに転写されたレジストパターンを、被加工膜のエッチングとの関係でエッチング耐性を有するレジスト膜に転写するプロセスであれば、二層レジストプロセスあるいは四層以上のレジストプロセスにも適用が可能である。
【００７６】
今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は、多層レジストプロセスを適用した半導体装置の製造方法等に有効に利用される。
【符号の説明】
【００７８】
１  半導体基板、２  被加工膜、６１  下層レジスト液、３  下層レジスト材料膜、３ａ  ハンプ、３ｂ  下層レジスト膜、６５  エッジリンス液、６２  中間層レジスト液、４  中間層レジスト材料膜、４ｂ  中間層レジスト膜、４ａ  ハンプ、６３  上層レジスト液、５  上層レジスト材料膜、５ｂ  上層レジスト膜、１９  絶縁膜、１９ａ  ゲート絶縁膜、２０  導電膜、２０ａ  ゲート電極、２１  下層レジスト膜、２１ａ  レジストパターン、２２  中間層レジスト膜、２２ａ  レジストパターン、２３  上層レジスト膜、２３ａ  レジストパターン、２４ａ  ｎ型低濃度不純物領域、２４ｂ  ｎ型高濃度不純物領域、２５  サイドウォール絶縁膜、２６  層間絶縁膜、２７  下層レジスト膜、２８  中間層レジスト膜、２９  上層レジスト膜、２９ａ  レジストパターン、３０  コンタクトホール、３１  導電膜、３１ａ  導電膜、３２  下層レジスト膜、３３  中間層レジスト膜、３４  上層レジスト膜、３４ａ  レジストパターン、５１  スピンチャック、５２  加熱部、５３  レジスト吐出ノズル、５４  エッジリンス液吐出ノズル、５５  ハンプ処理用流体吐出ノズル、５６  流体供給源、５７  制御バルブ、５８  流体加熱部、６１  下層レジスト液、６２  中間層レジスト液、６３  上層レジスト液、６４  ハンプ処理用流体、６４ａ  液体、６４ｂ  気体、６４ｃ  溶剤、６４ｄ  オゾンを含むガスまたはオゾン水、６４ｅ  固体微粒子を含む流体、６５  エッジリンス液、６６  熱。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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