(57)【要約】  【課題】優れた導電性と成膜時に異常放電を抑制した透明導電膜の成膜を可能にするチタン（低原子価）ドープ酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を提供する。  【解決手段】低原子価酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉、またはチタン酸亜鉛化合物粉を含み、チタンの原子数の全金属原子数に対する割合が２％超１０％以下である原料粉末を用いて、真空中または不活性雰囲気中にて７００℃以上１２００℃以下の焼結温度で放電プラズマ焼結を行う。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
低原子価酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉、またはチタン酸亜鉛化合物粉を含み、チタンの原子数の全金属原子数に対する割合が２％超１０％以下である原料粉末を型に入れ、真空中または不活性雰囲気中にて７００℃以上１２００℃以下の焼結温度で放電プラズマ焼結を行うことを特徴とする、酸化物焼結体である酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法。
【請求項２】
前記型が、黒鉛ダイスおよび黒鉛パンチからなる請求項１に記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法。
【請求項３】
前記放電プラズマ焼結の際、前記焼結温度までの昇温速度が１０℃／分〜２００℃／分であり、かつ前記焼結温度での焼結時間が１０秒〜１０分である請求項１または２に記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の方法で得られる酸化物焼結体である酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。
【請求項５】
実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる前記酸化物焼結体であって、前記チタンが原子数比でＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０２超０．１以下となるように含有されている請求項４に記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。
【請求項６】
前記酸化物焼結体の相対密度が９３％以上である請求項４または５に記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。
【請求項７】
スパッタリング法による成膜に用いられるターゲットであって、請求項４〜６のいずれかに記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を加工してなることを特徴とするターゲット。
【請求項８】
請求項７に記載のターゲットを用いて、スパッタリング法により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する、ことを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法。
【請求項９】
透明基材上に、請求項８に記載の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法により成膜された酸化亜鉛系透明導電膜を備える、ことを特徴とする透明導電性基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザー堆積法（ＰＬＤ法）またはエレクトロンビーム蒸着法（ＥＢ蒸着法）により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する際に用いられるターゲット等として有用な酸化物焼結体である酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法、および該透明導電膜形成材料を用いたターゲット、およびそのターゲットから製膜した透明導電性基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性と光透過性とを兼ね備えた透明導電膜は、これまでから、太陽電池、液晶表示素子、その他各種受光素子における電極などとして利用されているほか、自動車窓や建築用の熱線反射膜、帯電防止膜、冷凍ショーケース等における防曇用透明発熱体など、幅広い用途に利用されている。特に、低抵抗で導電性に優れた透明導電膜は、太陽電池や、液晶、有機エレクトロルミネッセンス、無機エレクトロルミネッセンスなどの液晶表示素子や、タッチパネルなどに好適であることが知られている。
【０００３】
従来、透明導電膜としては、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ２）系の薄膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）系の薄膜、そして酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）系の薄膜が知られている。
具体的には、酸化スズ系の透明導電膜としては、アンチモンをドーパントとしたアンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）膜や、フッ素をドーパントとしたフッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）膜が知られている。
酸化亜鉛系の透明導電膜としては、アルミニウムをドーパントとしたアルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）膜や、ガリウムをドーパントとしたガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）膜が知られている。
酸化インジウム系の透明導電膜としては、スズをドーパントとしたスズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜が知られている。中でも、最も工業的に利用されているのは酸化インジウム系の透明導電膜であり、とりわけＩＴＯ膜は、低抵抗で導電性に優れることから、幅広く実用化されている。
【０００４】
このような透明導電膜を形成する際には、従来から、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＰＬＤ法、ＥＢ蒸着法などが工業的に汎用されている。これらの成膜方法において膜原料として用いられるターゲットは、成膜しようとする膜を構成する金属元素を含む固体からなり、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物などの焼結体や、場合によっては単結晶で形成される。工業的に用いるターゲットとしては、酸化物ターゲット（すなわち酸化物焼結体）が汎用されてきた。
【０００５】
ところで、ＩＴＯ膜の如き酸化インジウム系の透明導電膜は、その必須原料であるＩｎ（インジウム）が、希少金属であるため高価で且つ資源枯渇のおそれがあり、しかも毒性を有し環境や人体に対して悪影響を及ぼす可能性がある。そのため、近年、ＩＴＯ膜に代替し得る工業的に汎用可能な透明導電膜が要望されている。そのような中、スパッタリング法による工業的製造も可能である酸化亜鉛系透明導電膜が注目されており、その導電性能を高めるべく研究が進められている。
【０００６】
非特許文献１には、導電性を高めるべくＺｎＯに種々のドーパントをドープさせる試みがなされており、種々のドーパントごとに最適ドープ量と最低抵抗率が報告されている。この報告の中には、Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３をドープさせた酸化亜鉛系透明導電膜は、ＩＴＯ膜と遜色がない低抵抗を示すことが知られている。しかし、Ａｌ２Ｏ３ドープしたＡＺＯ膜、Ｇａ２Ｏ３をドープしたＧＺＯ膜は、低抵抗であるが、化学的耐久性に劣り、近赤外領域の透過性に劣る。
また、この報告によれば、例えば、化学的耐久性に優れるＴｉＯ２をドープさせた酸化亜鉛系透明導電膜は、ドープ量は２重量％が最適であり、その時の最低抵抗率は５．６×１０−４Ω・ｃｍであることが示されているが、安定に低抵抗な物性を得ることができておらず、抵抗がＡＺＯ膜，ＧＺＯ膜に劣る。
また、低原子価ＴｉＯ(II)、Ｔｉ２Ｏ３（III）を原料として利用した酸化亜鉛系透明導電膜は、ＴｉＯ２（IV）をドープさせた酸化亜鉛系透明導電膜よりも、さらに低抵抗化することができることを本発明者は既に見出している。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】月刊ディスプレイ、１９９９年９月号、ｐ１０〜「ＺｎＯ系透明導電膜の動向」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、Ｔｉ２Ｏ３（III）またはＴｉＯ（II）をドーパントとして酸化物焼結体を作製する際に、酸化物焼結体の結晶構造はチタンが一部固溶した酸化亜鉛と共に、酸化チタンと酸化亜鉛との固相反応によりＺｎ２ＴｉＯ４（複合酸化物）が生成する。Ｚｎ２ＴｉＯ４は絶縁層であるため、焼結体の中で絶縁層となり、チタンが固溶した酸化亜鉛は導電層となる。
本発明者は、スパッタリングによって、基板上に成膜した透明導電膜の低抵抗化を図るうえで、酸化物焼結体中においてもできるだけチタンが酸化亜鉛に固溶し、複合酸化物相の生成を抑制することがスパッタ成膜した際の低抵抗化に有利であることを見出した。
また、焼結体の大多数である酸化亜鉛の導電層の中に、絶縁層があると、スパッタ時に異常放電が多発する原因となる。異常放電が多発すると、安定に放電しないため、生産性が低下する要因となる。
すなわち、異常放電は、ターゲットが不均一で局所的に比抵抗の異なる部分が存在し、ターゲットを含む放電系のインピーダンスがスパッタリング中に変動することに起因して発生する。この局所的に比抵抗の異なる部分が複合酸化物相（Ｚｎ２ＴｉＯ４）である。このような絶縁層の複合酸化物相は、均一なチタンが一部固溶した酸化亜鉛中に所々に分布している。従って、これらの複合酸化物相の生成割合を少しでも小さくすることが異常放電の抑制には効果的である。
【０００９】
従って、本発明の課題は、優れた導電性を有する透明導電膜の製造を可能にするチタン（低原子価）ドープ酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法、該透明導電膜形成材料を用いたターゲット、酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法、およびそれを用いた透明導電性基板を提供することにある。
本発明の他の課題は、成膜時に発生する異常放電を抑制した透明導電膜の製造を可能にするチタン（低原子価）ドープ酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法、該透明導電膜形成材料を用いたターゲット、酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法、およびそれを用いた透明導電性基板とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、透明導電膜の低抵抗化を図るうえで、複合酸化物相の生成割合を少なくすることが重要であり、そのためには放電プラズマ焼結（以下、単にＳＰＳという場合がある）を用いれば、複合酸化物相（Ｚｎ２ＴｉＯ４）の生成を抑制できることを見出した。
これによって得られる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を用いてスパッタ法により製造された透明導電膜は低抵抗を示し、温度や湿度に対して十分な耐候性をもち、さらに適度なエッチングレートを有し、化学的耐久性に優れ、近赤外領域の高透過性を有することを見出し、本発明を完成するに至った。
また、複合酸化物相の生成が少なくなるのでスパッタ成膜時の異常放電を抑制でき、生産性を大幅に改善することができる。
【００１１】
すなわち、本発明は、以下の構成からなる。
（１）低原子価酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉、またはチタン酸亜鉛化合物粉を含み、チタンの原子数の全金属原子数に対する割合が２％超１０％以下である原料粉末を型に入れ、真空中または不活性雰囲気中にて７００℃以上１２００℃以下の焼結温度で放電プラズマ焼結を行うことを特徴とする、酸化物焼結体である酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法。
（２）前記型が、黒鉛ダイスおよび黒鉛パンチからなる前記（１）に記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法。
（３）前記放電プラズマ焼結の際、前記焼結温度までの昇温速度が１０℃／分〜２００℃／分であり、かつ前記焼結温度での焼結時間が１０秒〜１０分である前記（１）または（２）に記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法
（４）前記（１）〜（３）のいずれかに記載の方法で得られる酸化物焼結体である酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。
（５）実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる前記酸化物焼結体であって、前記チタンが原子数比でＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０２超０．１以下となるように含有されている前記（４）に記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。
（６）前記酸化物焼結体の相対密度が９３％以上である前記（４）または（５）に記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。
（７）スパッタリング法による成膜に用いられるターゲットであって、前記（４）〜（６）のいずれかに記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を加工してなることを特徴とするターゲット。
（８）前記（７）に記載のターゲットを用いて、スパッタリング法により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する、ことを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法。
（９）透明基材上に、前記（８）に記載の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法により成膜された酸化亜鉛系透明導電膜を備える、ことを特徴とする透明導電性基板。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、低原子価酸化チタンをドープすることで、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する酸化亜鉛系透明導電膜を成膜するためのターゲットを得ることができる。また、形成された酸化亜鉛系透明導電膜は、優れた導電性と化学的耐久性［耐熱性、耐湿性、耐薬品性（耐アルカリ性、耐酸性）など］および近赤外領域の高透過性とを備える。しかも、このようにして形成された酸化亜鉛系透明導電膜は、希少金属であり毒性を有するインジウムを必須としないという利点も有するので、工業的に極めて有用である。また、スパッタリング時に、異常放電の発生を抑制することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）は、実施例１で得られた酸化物焼結体のＸ線回折の測定結果であり、（ｂ）は、比較例１で得られた酸化物焼結体のＸ線回折の測定結果である。
【図２】実施例１で得られた酸化物焼結体の表面を拡大したＦＥ−ＳＥＭ（走査電子顕微鏡、以下同じ）写真（倍率；２万倍）である。
【図３】比較例１で得られた酸化物焼結体の表面を拡大したＦＥ−ＳＥＭ写真（倍率；２万倍）である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１５】
（酸化物焼結体の製造方法）
本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料である酸化物焼結体の製造方法は、低原子価酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉を含み、チタンを所定割合で含有する原料粉末を型に入れ、所定条件のもと、放電プラズマ焼結することにより、酸化物焼結体である酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を得るものである。
【００１６】
前記原料粉末としては、低原子価酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉か、またはチタン酸亜鉛化合物粉を含むものであればよく、上記酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉とチタン酸亜鉛化合物粉との混合粉であってもよい。好ましくは、低原子価酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉を含むものがよい。これに対して、例えば、チタン金属と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉とを組み合わせたものや、酸化チタンと亜鉛金属とを組み合わせたものを原料粉末としても、酸化物焼結体は得られるが、その場合、酸化物焼結体中にチタンや亜鉛の金属粒が存在しやすくなり、これをターゲットとして成膜すると、成膜中にターゲット表面の金属粒が溶融してしまいターゲットから放出されず、得られる膜の組成とターゲットの組成とが大きく異なる傾向がある。
【００１７】
前記低原子価酸化チタンとは、ＴｉＯ(II)、Ｔｉ２Ｏ３（III）のように、原子価が２価または３価の整数であるチタン元素の酸化物だけでなく、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ６Ｏ１１、Ｔｉ５Ｏ９、Ｔｉ８Ｏ１５等をも含む一般式：ＴｉＯ２−Ｘ（Ｘ＝０．１〜１）で表される新規な低原子価酸化チタンをいう。この低原子価酸化チタンの粉末は、前記一般式で表される酸化チタンの１種を単独で用いてもよく、あるいは２種以上の混合物を用いてもよい。なかでも、特にＴｉ２Ｏ３（III）の粉末を用いるのが好ましい。これは、Ｔｉ２Ｏ３のイオン半径が０．６７Åであり、亜鉛のイオン半径が０．７４Åであるため、亜鉛のイオン半径と極めて近く固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。
なお、前記低原子価酸化チタンの構造は、Ｘ線回折装置（Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ、  ＸＲＤ）、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、  ＸＰＳ）などの機器分析によって確認することができる。
【００１８】
Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ６Ｏ１１、Ｔｉ５Ｏ９、Ｔｉ８Ｏ１５等をも含む一般式：ＴｉＯ２−Ｘ（Ｘ＝０．１〜１）は単成分を作製するのは難しく、混合物として得られる。通常、酸化チタン（ＴｉＯ２）を水素雰囲気等の還元雰囲気にて、還元剤としてカーボン等を用いて、加熱することにより作製することができる。水素濃度、還元剤としてカーボン量、加熱温度を調製することにより、低原子価酸化チタンの混合物の割合を制御することができる。
【００１９】
前記酸化亜鉛粉としては、通常、ウルツ鉱構造のＺｎＯ等の粉末が用いられ、さらにこのＺｎＯを予め還元雰囲気で焼成して酸素欠損を含有させたものを用いてもよい。
前記水酸化亜鉛粉としては、アモルファスもしくは結晶構造のいずれであってもよい。
前記チタン酸亜鉛化合物粉としては、ＺｎＴｉＯ３、Ｚｎ２ＴｉＯ４等の粉末を用いることができ、特に、Ｚｎ２ＴｉＯ４の粉末を用いるのが好ましい。
原料粉末として各々用いる化合物（粉）の平均粒径は、それぞれ１μｍ以下であることが好ましい。
【００２０】
本発明における原料粉末においては、チタンの原子数の全金属原子数に対して２％超１０％以下の割合で含有されることが重要であり、好ましくは、チタンの原子数が全金属原子数に対して３％以上９％以下となる割合、より好ましくは３％以上６％以下となる割合で含有される。このチタンの原子数の割合が２％以下となると、得られる酸化物焼結体をターゲットとして形成された膜の耐薬品性など化学的耐久性が不充分となる。一方、チタンの原子数の割合が１０％を超えると、酸化チタンが亜鉛サイトに十分置換固溶できなくなり、この酸化物焼結体をターゲットとして形成された膜の導電性や透明性が不充分となる。
ここで、全金属原子数とは、酸化物焼結体を作製するために用いる原料粉末に含まれる全金属原子数であり、全金属原子数の約９０〜９８％を亜鉛が占める。そのため、酸化亜鉛系透明導電膜形成材料において、酸化亜鉛が主成分となる。
【００２１】
本発明における原料粉末は、ガリウム、アルミニウム、錫、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウム、ハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素（以下、これらを「添加元素」と称することもある）をも含有することが好ましい。このような添加元素を含有することによって、得られる酸化物焼結体をターゲットとして形成される膜の比抵抗に加え、酸化物焼結体自体の比抵抗も低下させることができる。例えば、直流スパッタリング時の成膜速度は、スパッタリングターゲットとする酸化物焼結体の比抵抗に依存し、酸化物焼結体自体の比抵抗を下げることにより、成膜時の生産性を向上させることができる。添加元素を含有する場合、その全含有量は、原子比で、酸化物焼結体を構成する全金属元素の総量に対して０．０５％以下であることが好ましい。添加元素の含有量が前記範囲よりも多いと、酸化物焼結体をターゲットとして形成される膜の比抵抗が増大するおそれがある。
前記添加元素は、酸化物の形態で酸化物焼結体中に存在していてもよいし、後述する酸化亜鉛相の亜鉛サイトに置換した（固溶した）形態で存在していてもよいし、後述するチタン酸亜鉛化合物相のチタンサイトおよび／または亜鉛サイトに置換した（固溶した）形態で存在していてもよい。
【００２２】
また、本発明における原料粉末は、必須元素である亜鉛およびチタンや前記添加元素のほかに、例えば、インジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウムなどの他の元素を、不純物として含有していてもよい。不純物として含有される元素の合計含有量は、原子比で、原料粉末を構成する全金属元素の総量に対して０．５％以下であるのが好ましく、また、原子比で、得られる酸化物焼結体を構成する全金属元素の総量に対して０．１％以下となるようにすることが好ましい。
【００２３】
前記原料粉末は、粉砕処理が施されてもよい。粉砕処理が施されることで、原料粉末は幅の狭い粒度分布に整えられ、後述する焼結において、均一に固相焼結させることができ、密度の高い酸化物焼結体を得ることができる。
粉砕処理する方法としては、特に限定されず、例えば、メディアを使用する場合、ビーズミル、ボールミル、遊星ミル、サンドグラインダー、振動ミルまたはアトライター等の装置を備えた粉砕機による方法、メディアを使用しないジェットミル、ナノマイザー、スターバースト等の湿式超高圧微粒化装置による方法などが挙げられる。
【００２４】
前記原料粉末を用いて放電プラズマ焼結（ＳＰＳ）を行う際には、例えば、得られた原料粉末をダイスに所定量入れてパンチで挟む方法、原料粉末と水系溶媒とを混合し、得られたスラリーを充分に湿式混合により混合した後、固液分離・乾燥・造粒し、得られた造粒物を成形する。
【００２５】
水系溶媒は、水を主成分とし、水単独であってもよいし、水とメタノール、エタノール等のアルコールなどとの混合物であってもよい。
湿式混合は、例えば、硬質ＺｒＯ２ボール等を用いた湿式ボールミルや振動ミルにより行なえばよく、湿式ボールミルや振動ミルを用いた場合の混合時間は、１２〜７８時間程度が好ましい。なお、原料粉末をそのまま乾式混合してもよいが、湿式混合の方がより好ましい。
【００２６】
固液分離・乾燥・造粒については、それぞれ公知の方法を採用すればよい。
【００２７】
得られた原料粉末をカーボンダイスに所定量入れて、カーボンパンチで挟み放電プラズマ焼結（ＳＰＳ）装置にセットし、真空またはＡｒ等の不活性ガス雰囲気中にて、放電プラズマ焼結を行う。このように、放電プラズマ焼結（ＳＰＳ）は成形と焼結を同時に行うのが特徴である。
ＳＰＳ装置は、縦１軸の加圧機構を有する焼結機本体と水冷却部内蔵の特殊通電機構、水冷真空チャンバー、雰囲気制御機構、真空排気装置、特殊ＤＣパルス電源、集中操作制御盤などによって構成されている。被加工粉体を充填したダイ・パンチ型をチャンバー内の焼結ステージ上にセットして電極で挟み、加圧しながらパルス通電を行うと、カーボンダイスとカーボンパンチのサイズにより数分〜数十分以内で室温より一気に１０００〜２５００℃へ急速昇温、焼結は数分〜数十分の短時間で高密度の焼結体を得ることが可能である。
加圧の量は１０ＭＰａ〜１００ＭＰａが好ましい。
本材料の場合、このように加工粉体（原料粉末）にトータルでかかる熱履歴時間が少ないため、複合酸化物相が生成し、その結晶相が成長する時間的な余裕がなく、複合酸化物相の成長は抑制される。一方、チタンが一部固溶した酸化亜鉛相の成長を抑制することはない。
また、焼結時間が短時間にすることができるので、結晶粒成長を抑制できるとともに、空孔の粗大化、ひいては最大空孔径の増大化を抑制できため、さらには結晶粒の成長は抑えるが、焼結は加工粉体にも導電性があるため、電流が流れ、結集粒同士での表面拡散、粒界拡散が急激に起こり、焼結は進行するため、高い焼結密度を得ることができる。
まとめると、放電プラズマ焼結法は、通常の常圧焼結法、ホットプレス法等に較べて、同じ焼結密度でも複合酸化物の生成が抑制できる。
【００２８】
放電プラズマ焼結は、真空雰囲気または不活性雰囲気の雰囲気中、焼結温度を７００℃以上１２００℃以下として行なう。
放電プラズマ焼結を、真空雰囲気または不活性雰囲気中で行なうことで、酸素が存在しないため、酸化チタンの酸化の抑制や生成した酸化物焼結体を高い密度にすることができる。これは酸素が存在しない方が、より焼結が進行するためと考えられる。
真空雰囲気とは、酸素濃度が１ｐｐｍ以下である雰囲気をいう。不活性雰囲気とは、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、水素等の不活性ガスからなる雰囲気である。
【００２９】
焼結温度は、７００〜１２００℃、好ましくは７５０〜９００℃である。焼結温度が７００℃未満であると焼結密度が低くなるおそれがあり、焼結温度が１２００℃を超えると亜鉛が大幅に揮散してしまうおそれがある。
焼結温度までの昇温速度１０℃／分〜２００℃／分であり、好ましくは５０℃／分〜２００℃／分である。昇温速度が１０℃／分よりも低いと複合酸化物の成長を抑制できないおそれがあり、昇温速度が２００℃／分より高いと焼結体全体に均一に加熱できず、温度分布にムラが生じるおそれがある。
前記焼結温度での焼結時間は、１０秒〜１０分、好ましくは３０秒〜８分、より好ましくは１分〜５分である。焼結時間が１０秒未満であると、十分に焼結が進行せず、機械的強度が低くなるおそれがあり、焼結時間が１０分より長いと、亜鉛が揮散して、焼結密度が低下するおそれがある。
型（ダイス、パンチ）の材質は、導電性であるものであれば構わないが、黒鉛などのカーボン材が好ましい。
【００３０】
前記原料粉末として酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉を用いる場合もしくは酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉とチタン酸亜鉛化合物粉との混合粉を用いる場合の各粉の混合割合は、各々用いる化合物（粉）の種類に応じて、最終的に得られる酸化物焼結体において原子数比でＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）の値が上述した範囲となるように適宜設定すればよい。その際、亜鉛はチタンに比べて蒸気圧が高く焼結した際に揮散しやすいことを考慮して、所望する酸化物焼結体の目的組成（ＺｎとＴｉとの原子数比）よりも、予め亜鉛の量が多くなるように混合割合を設定しておくことが好ましい。本発明で特定しているのは、真空または不活性雰囲気中でＳＰＳ焼結したものである。
具体的には、亜鉛の揮散のしやすさは、焼結する際の雰囲気によって異なり、例えば、酸化亜鉛粉を用いた場合、不活性雰囲気、還元雰囲気で焼結すると、酸化亜鉛が還元されて、酸化亜鉛よりもさらに揮散しやすい金属亜鉛となるので、亜鉛の消失量が増すことになる。したがって、目的組成に対してどの程度亜鉛の量を増やしておくかについては、不活性雰囲気、還元雰囲気で焼結する場合には所望する原子数比となる量の１．１〜１．３倍程度とすればよい。なお、原料粉末として各々用いる化合物（粉）は、それぞれ１種のみであってもよいし、２種以上であってもよい。
【００３１】
（酸化亜鉛系透明導電膜形成材料）
本発明の製造方法によって得られた酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、酸化亜鉛を主成分とし、酸化チタンを含む酸化物焼結体であり、実質的に亜鉛と、チタンと、酸素とからなる。
ここで、「実質的」とは、酸化物焼結体を構成する全原子の９９％以上が亜鉛、チタンまたは酸素からなることを意味する。
【００３２】
本発明における酸化物焼結体は、できるだけ酸化亜鉛相のみから形成されることが好ましい。酸化チタン（II、III）と酸化亜鉛と固相反応により生成する複合酸化物相（Ｚｎ２ＴｉＯ４）などの生成量をできるだけ抑制する。チタン酸亜鉛化合物相の生成量をできるだけ抑制することで、スパッタ時に異常放電の発生をできるだけ抑制できるので、安定に成膜することができ、生産性を向上させることができる。
なお、チタン酸亜鉛化合物相とは、具体的には、ＺｎＴｉＯ３、Ｚｎ２ＴｉＯ４のほか、これらの亜鉛サイトにチタン元素が固溶されたものや、酸素欠損が導入されているものや、Ｚｎ／Ｔｉ比がこれらの化合物から僅かにずれた非化学量論組成のものも含むものとする。
また、酸化亜鉛相とは、具体的には、ＺｎＯのほか、これにチタン元素が固溶されたものや、酸素欠損が導入されているものや、亜鉛欠損により非化学量論組成となったものも含むものとする。なお、酸化亜鉛相は、通常、ウルツ鉱型構造をとる。
【００３３】
本発明における酸化物焼結体は、原子数比でＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）の値が０．０２超０．１以下である、すなわち実質的に酸化チタンの結晶相を含有しないことが好ましい。すなわち、原子数比でＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）の値が０．０２未満である酸化物焼結体では、通常、チタンが酸化亜鉛に完全に反応するため、酸化物焼結体中に酸化チタン結晶相は生成されないが、チタンのドープ量が少ないため、得られる膜が十分な低抵抗を示さない。Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）の値が０．１以上を超えると、一般に、チタンが酸化亜鉛へ反応しきれないため、酸化物焼結体中に酸化チタンが生じやすくなる。しかし、酸化物焼結体に酸化チタンの結晶相が含まれていると、得られる膜が、比抵抗のなどの物性にムラがあり均一性に欠けるものとなるおそれがあるため、本発明における酸化物焼結体では、Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）の値を上記範囲内とし、実質的に酸化チタンの結晶相を含有しないことが好ましいのである。
また、酸化チタンの結晶相とは、具体的には、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯのほか、これらの結晶にＺｎなど他の元素が固溶された物質も含むものとする。
【００３４】
本発明における酸化物焼結体の比抵抗は、５ｋΩ・ｃｍ以下であることが好ましい。例えば、直流スパッタリング時の成膜速度は、スパッタリングターゲットとする酸化物焼結体の比抵抗に依存するので、酸化物焼結体の比抵抗が５ｋΩ・ｃｍを超えると、直流スパッタで安定的な成膜を行えないおそれがある。成膜時の生産性を考慮すると、本発明における酸化物焼結体の比抵抗は低いほど好ましく、具体的には１００Ω・ｃｍ以下であるのがよい。
【００３５】
以上のような本発明における酸化物焼結体は、前述した本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法によって好ましく得られるが、該製造方法により得られたものに限定されるわけではない。例えば、チタン金属と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉とを組み合わせたものや、酸化チタンと亜鉛金属とを組み合わせたものを原料粉末として得られたものであってもよい。通常、酸化物焼結体を還元雰囲気にて焼結した場合は、酸素欠損の導入により、酸化物焼結体の比抵抗は低くなり、酸化雰囲気にて焼結した場合は、比抵抗は高くなる。
【００３６】
本発明における酸化物焼結体は、相対密度が９３％以上、好ましくは９５〜１００％であるのがよい。ここで、相対密度とは、酸化物焼結体の密度を理論密度で除し、１００を掛けたものと定義する。相対密度が９３％未満であると、焼結体の特徴である、成膜速度が速い、安定な成膜が可能という特徴を損なわれるおそれがある。
【００３７】
（ターゲット）
本発明のターゲットは、スパッタリング法による成膜に用いられるターゲットである。なお、このような成膜の際に用いる固形材料のことを「タブレット」と称する場合もあるが、本発明においてはこれらを含め「ターゲット」と称することとする。
【００３８】
本発明のターゲットは、上述した本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を加工してなる。
加工方法は、特に制限されず、適宜公知の方法を採用すればよい。例えば、酸化亜鉛系透明導電膜形成材料に平面研削等を施した後、所定の寸法に切断してから、支持台に貼着することにより、本発明のターゲットを得ることができる。また、必要に応じて、複数枚の酸化物焼結体を分割形状にならべて、大面積のターゲット（複合ターゲット）としてもよい。
【００３９】
本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、スパッタリング法により成膜を行うものであるが、その際の具体的手法や条件などについては、上述したターゲットを用いること以外、特に制限はなく、公知のスパッタリング法の手法や条件を適宜採用すればよい。
【００４０】
本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料またはターゲットを用いて形成された酸化亜鉛系透明導電膜は、優れた導電性と化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐薬品性（耐アルカリ性、耐酸性）など）および近赤外領域高透過性とを兼ね備えたものである。そのため、例えば、液晶ディスプレイ・プラズマディスプレイ・無機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）ディスプレイ・有機ＥＬディスプレイ・電子ペーパーなどの透明電極、太陽電池の光電変換素子の窓電極、透明タッチパネル等の入力装置の電極、電磁シールドの電磁遮蔽膜等の用途に好適に用いられる。さらに、本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料またはターゲットを用いて形成された酸化亜鉛系透明導電膜は、透明電波吸収体、紫外線吸収体、さらには透明半導体デバイスとして、他の金属膜や金属酸化膜と組み合わせて活用することもできる。
【００４１】
本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の膜厚は、用途に応じて適宜設定すればよく、特に制限されないが、好ましくは５０〜６００ｎｍ、より好ましくは１００〜５００ｎｍである。５０ｎｍ未満であると、充分な比抵抗が確保できないおそれがあり、一方、６００ｎｍを超えると膜に着色が生じてしまうおそれがある。
【００４２】
（透明導電性基板）
本発明の透明導電性基板は、透明基材上に、上述した酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法により成膜された酸化亜鉛系透明導電膜を備えるものである。
前記透明基材は、スパッタリング法による成膜条件において形状を維持しうるものであれば、特に限定されない。例えば、各種ガラス等の無機材料、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、ポリイミドなどのプラスチック類）等の樹脂などで形成された板状物、シート状物、フィルム状物等を用いることができるが、特に、ガラス板、樹脂フィルム又は樹脂シートのいずれかであるのが好ましい。透明基材の可視光透過率は、通常、９０％以上、好ましくは９５％以上であるのがよい。
【００４３】
なお、前記透明基材として樹脂フィルムや樹脂シートを用いる場合、スパッタリング法による成膜で受けるダメージを分散均一化するために、工業的に行われているロールツーロールの成膜方法で、巻き出し速度と巻取り速度をコントロールしながら引張応力をかけた状態で成膜することが好ましい。さらに、あらかじめ樹脂フィルムまたは樹脂シートを加熱した状態で成膜してもよいし、成膜最中に樹脂フィルムまたは樹脂シートを冷却するようにしてもよい。また、スパッタリング法による成膜でダメージを受ける時間を短縮するため、樹脂フィルムまたは樹脂シートの搬送速度の高速化（例えば１．０ｍ／分以上で）を図ることも効果的であり、この場合は、例えば成膜する樹脂フィルムまたは樹脂シートとターゲットとの距離が短くても成膜が可能となり、工業的プロセスとしては有利である。
【００４４】
前記透明基材には、必要に応じて、単層または多層からなる絶縁層、半導体層、ガスバリア層または保護層のいずれかが形成されていてもよい。絶縁層としては、酸化珪素膜や窒化酸化珪素膜などが挙げられる。半導体層としては、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）などが挙げられ、主にガラス基板に形成される。ガスバリア層としては、酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜、アルミニウム酸マグネシウム膜などが挙げられ、水蒸気バリア膜などとして樹脂板もしくは樹脂フィルムに形成される。保護層は、基材の表面を傷や衝撃から守るためのものであり、Ｓｉ系、Ｔｉ系、アクリル樹脂系など各種コーティング層が挙げられる。
【００４５】
本発明の酸化亜鉛系透明導電性基板の比抵抗は、通常２×１０−３Ω・ｃｍ以下、好ましくは８×１０−４Ω・ｃｍ以下である。また、その表面抵抗（シート抵抗）は、用途によって異なるが、通常５〜１００００Ω／□、好ましくは１０〜３００Ω／□であるのが好ましい。なお、比抵抗および表面抵抗は、例えば実施例で後述する方法によって測定することができる。
本発明の酸化亜鉛系透明導電性基板の透過率は、可視光領域で、通常８５％以上、好ましくは９０％以上である。また、その全光線透過率は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上であり、そのヘイズ値は、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下であるのがよい。なお、透過率は、例えば実施例で後述する方法によって測定することができる。
【００４６】
本発明の透明導電性基板における酸化亜鉛系透明導電膜の膜厚は、５０〜６００ｎｍであることが好ましい。この膜厚の範囲では、用途によって異なるが、可撓性が保たれた連続的な膜を得る事ができる。さらに、本発明の透明導電膜の膜厚は用途に応じて１００〜５００ｎｍとすることが望ましい。
本発明の透明導電性基板には、必要に応じて、最外層として、保護膜、反射防止膜、フィルター等の役割や、液晶の視野角の調整、曇り止め等の機能を発揮する任意の樹脂または無機化合物の層を、１層または２層以上積層することができる。
【００４７】
本発明の透明導電性基板は、上述したように、良好な透明性を有し、かつ、上述したように優れた導電性と化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐薬品性（耐アルカリ性、耐酸性）など）を兼ね備えたものである。そのため、例えば、液晶ディスプレイ・プラズマディスプレイ・無機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）ディスプレイ・有機ＥＬディスプレイ・電子ペーパーなどの透明電極、太陽電池の光電変換素子の窓電極、透明タッチパネル等の入力装置の電極、電磁シールドの電磁遮蔽膜、透明電波吸収体、紫外線吸収体、さらには透明半導体デバイスとして他の金属膜／金属酸化膜と組み合わせて活用することができる。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明を実施例で更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
なお、得られた透明導電性基板の評価は以下の方法で行なった。
【００４９】
＜比抵抗＞
比抵抗は、抵抗率計（三菱化学（株）製「ＬＯＲＥＳＴＡ−ＧＰ、ＭＣＰ−Ｔ６１０」)を用いて、四端子四探針法により測定した。詳しくは、サンプルに４本の針状の電極を直線上に置き、外側の二探針間に一定の電流を流し、内側の二探針間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定し、抵抗を求めた。
【００５０】
＜表面抵抗＞
表面抵抗（Ω／□）は、比抵抗（Ω・ｃｍ）を膜厚（ｃｍ）で除することにより算出した。
＜透過率＞  透過率は、紫外可視近赤外分光光度計（日本分光（株）製「Ｖ−６７０」）を用いて測定した。
【００５１】
＜耐湿性＞
透明導電性基板を、温度６０℃、相対湿度９０％の雰囲気中に１０００時間保持する耐湿試験に付した後、表面抵抗を測定した。耐湿試験後の表面抵抗が、耐湿試験前の表面抵抗の２倍以下であると、耐湿性に優れると言える。
【００５２】
＜耐熱性＞
透明導電性基板を、温度２００℃の大気中に５時間保持する耐熱試験に付した後、表面抵抗を測定した。耐熱試験後の表面抵抗が、耐熱試験前の表面抵抗の１．５倍以下であると、耐熱性に優れると言える。
【００５３】
＜耐アルカリ性＞
透明導電性基板を、３％のＮａＯＨ水溶液（４０℃）中に１０分間浸漬し、浸漬前後の基板上の膜質の変化の有無を目視にて確認した。
【００５４】
＜耐酸性＞
透明導電性基板を、３％のＨＣｌ水溶液（４０℃）中に１０分間浸漬し、浸漬前後の基板上の膜質の変化の有無を目視にて確認した。
【００５５】
[実施例１]
酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化チタン（ＴｉＯ、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とチタン元素とが原子数比 Ｚｎ：Ｔｉ＝９７．０：３．０となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に２ｍｍφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、原料粉末を得た。
【００５６】
混合操作後、２ｍｍφジルコニア製ボールとエタノールを除去して得られた原料粉末を黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力でＡｒ雰囲気下、加圧した。その後、約５分間で室温から焼結温度（８５０℃）まで昇温し、８５０℃にて３分間ＳＰＳ（放電プラズマ焼結）処理を行い、円盤型の焼結体を得た。
この焼結体のＸ線回折（ＸＲＤ）測定を行い、その結果を図１に示した。図１から、実施例１の焼結体におけるＺｎ２ＴｉＯ４のピークは、後述する比較例１の焼結体におけるＺｎ２ＴｉＯ４のピークに較べて低減していることがわかる。また、表面のＦＥ−ＳＥＭ像を図２に示した。該ＳＥＭ像を観察したところ、後述する比較例１の焼結体に比べ、結晶粒の成長が抑制されていることがわかる。この焼結体の相対密度を焼結体のサイズ及び重量から算出したところ９６．２％であった。また、焼結体の表面の結晶粒を観察した。なお、相対密度は、酸化亜鉛、酸化チタンの単体密度に混合の重量比をかけ、和をとった理論密度を１００％として求めている（下式を参照、以下の実施例においても同様にして求めた）。得られた焼結体に研削、表面研磨を施し、５０．８ｍｍφ、厚さ３ｍｍの焼結体を得た。
相対密度＝１００×[（焼結体の密度）／（理論密度）]
理論密度＝（酸化亜鉛の単体密度×混合重量比＋酸化チタンの単体密度×混合重量比）
【００５７】
得られた焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウム半田を用いてボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。
得られたスパッタリングターゲットを用い、スパッタリングにより成膜を行った。
異常放電はほとんど発生しなかった。スパッタ条件は以下のとおりであり、厚さ約５００ｎｍの薄膜を得た。
ターゲット寸法      ：５０．８ｍｍφ×３ｍｍ厚
スパッタリング装置  ：キャノンアネルバ（株）製「Ｅ-２００Ｓ」
スパッタ方式        ：ＤＣマグネトロンスパッタリング
到達真空度          ：２．０×１０−４Ｐａ
Ａｒ圧力            ：０．５Ｐａ
基板温度            ：２５０℃
スパッタ電力        ：３０Ｗ
使用基板            ：石英ガラス（５０．８ｍｍ×５０．８ｍｍ×０．７ｍｍ）
【００５８】
得られた薄膜を２倍希釈した塩酸に溶解させ、ＩＣＰ−ＡＥＳ（サーモサイエンティフィック社製「Ｔｈｅｒｍｏ−６５００」）により薄膜組成を測定したところ、ターゲット組成とほぼ等しい組成の薄膜が得られていた。
また、この透明導電膜について、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製「ＲＩＮＴ２０００」）を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したＸ線回折を行うとともに、エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザー（ＴＥＭ−ＥＤＸ）を用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
【００５９】
得られた薄膜のシート抵抗を四探針法（三菱化学（株）製「ロレスタ」）で、膜厚をケーエルエー・テンコール（株）製「Ａｌｐｈａ−Ｓｔｅｐ ＩＱ」を用いて測定し、抵抗率を算出したところ、４．０×１０−４Ω・ｃｍであった。表面抵抗は８．０Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ〜１５００ｎｍ）で平均８９％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ〜１５００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
【００６０】
以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。また、耐アルカリ性、耐酸性に優れていることから、パターニングの際には適当なエッチングレートを有することが推測される。
【００６１】
[比較例１]
酸化亜鉛（ＺｎＯ、キシダ化学（株）製）、酸化チタン（ＴｉＯ、（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とチタン元素とが原子数比 Ｚｎ：Ｔｉ＝９７．０：３．０となるように秤量し、実施例１と同様にして得られた原料粉末を、黒鉛からなる金型（ダイス）に入れ、黒鉛からなるパンチにて４０ＭＰａの圧力で真空加圧し、１０００℃で４時間、加熱処理を行い円盤型の焼結体を得た。この焼結体のＸＲＤ測定を行い、その結果を図１に示した。ホットプレス焼結による複合酸化物（Ｚｎ２ＴｉＯ４）の生成はＳＰＳ焼結よる複合酸化物の生成より多いことがわかる。また、表面のＦＥ−ＳＥＭ像を図３に示した。このＦＥ−ＳＥＭ観察からも結晶粒サイズが大きく、粗大粒も存在していることが認められるため、相対密度が低いことがわかる。この焼結体の相対密度を焼結体のサイズから算出したところ９５．６％であった。
【００６２】
得られた焼結体を、実施例１と同様にしてスパッタリングにより成膜を行った。異常放電が成膜途中にて、一部発生した。
薄膜組成を測定したところ、ターゲット組成とほぼ等しい組成の薄膜が得られていた。
また、この透明導電膜について、実施例１と同様にして亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに結晶構造を調べたところ、Ｃ軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。
得られた薄膜のシート抵抗を実施例１と同様にして測定し、抵抗率を算出したところ、４．２×１０−４Ω・ｃｍであった。表面抵抗は８．４Ω／□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。
得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）で平均８９％、赤外領域（７８０ｎｍ〜１５００ｎｍ）で平均８９％であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）における透過率は平均９４％であり、赤外領域（７８０ｎｍ〜１５００ｎｍ）における透過率は平均９４％であった。
得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の１．２倍であり、耐熱性に優れることがわかった。
得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。
【００６３】
以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性（耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性）をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。また、耐アルカリ性、耐酸性に優れていることから、パターニングの際には適当なエッチングレートを有することが推測される。
【００６４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、種々の改良や変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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