(57)【要約】      （修正有）【課題】高周波伝送路を配置する領域を広く確保することができる素子キャリアと、それを用いた受光モジュールとを提供する。【解決手段】第１の誘電体層１１は、実装面ＭＳを部分的になす第１の側面Ｓ１と、第１の側面Ｓ１につながりかつ実装面ＭＳに交差する交差方向ＤＲに延びる第１の主面Ｐ１とを有する。第１の配線パターン２１は、第１の主面Ｐ１の上に設けられ、第１の側面Ｓ１から延びている。第２の誘電体層１２は、実装面ＭＳを部分的になす第２の側面Ｓ２と、第２の側面Ｓ２につながりかつ交差方向ＤＲに延びる第２の主面Ｐ２とを有し、第１の配線パターン２１が設けられた第１の誘電体層１１の第１の主面Ｐ１の一部の上に設けられている。第２の配線パターン２２は、第２の誘電体層１２の第２の主面Ｐ２の上に設けられており、第２の側面Ｓ２から延びている。第１および第２の配線パターン２１、２２のいずれかが、高周波信号の伝送路である。【選択図】図５
2012129351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号を出力する少なくとも１つの素子が配置される実装面を有する素子キャリアであって、
前記実装面を部分的になす第１の側面と、前記第１の側面につながりかつ前記実装面に交差する交差方向に延びる第１の主面とを有する第１の誘電体層と、
前記第１の主面の上に設けられ、前記第１の側面から延びる第１の配線パターンと、
前記実装面を部分的になす第２の側面と、前記第２の側面につながりかつ前記交差方向に延びる第２の主面とを有し、前記第１の配線パターンが設けられた前記第１の誘電体層の前記第１の主面の一部の上に設けられた第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層の前記第２の主面の上に設けられ、前記第２の側面から延びる第２の配線パターンとを備え、
前記第１および第２の配線パターンのいずれかが前記素子から出力される前記高周波信号の伝送路である、素子キャリア。
【請求項２】
前記第１の配線パターンが前記高周波信号の伝送路である、請求項１に記載の素子キャリア。
【請求項３】
前記実装面を部分的になす第３の側面と、前記第３の側面につながりかつ前記交差方向に延びる第３の主面とを有し、前記第２の配線パターンが設けられた前記第２の誘電体層の前記第２の主面の一部の上に設けられた第３の誘電体層をさらに備える、請求項１または２に記載の素子キャリア。
【請求項４】
前記第３の誘電体層は前記第３の側面とは反対側に第１の端部を有し、前記第１の端部の前記第３の主面は前記実装面から離れるにつれて小さくなる幅を有する、請求項３に記載の素子キャリア。
【請求項５】
前記第２の配線パターンは、前記第１〜第３の誘電体層の積層方向から見て、前記第１の端部よりも幅方向の外側に配置された部分を含む、請求項４に記載の素子キャリア。
【請求項６】
前記第２の誘電体層は前記第２の側面とは反対側に第２の端部を有し、前記第２の端部の前記第２の主面は前記実装面から離れるにつれて小さくなる幅を有し、
前記第１の端部の前記第３の主面は、前記実装面から離れるにつれて、前記第２の端部の前記第２の主面の幅に比してより急に小さくなる、請求項４または５に記載の素子キャリア。
【請求項７】
前記第１の配線パターンと前記第２の誘電体層との間に設けられた第４の誘電体層と、
前記第２の誘電体層と前記第４の誘電体層との間に設けられ、かつ前記第４の誘電体層を介在して前記第１の配線パターンを覆い、かつ接地電位とされる第１の導電層とをさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の素子キャリア。
【請求項８】
前記第１の誘電体層を介在して前記第１の配線パターンを覆い、かつ接地電位とされる第２の導電層をさらに備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載の素子キャリア。
【請求項９】
前記第１の配線パターンは、前記交差方向に添う仮想の第１の直線に対して線対称となるように配置されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の素子キャリア。
【請求項１０】
前記実装面上に、前記少なくとも１つの素子を実装するための、導体から作られた実装部をさらに備える、請求項１〜９のいずれか１項に記載の素子キャリア。
【請求項１１】
前記実装部は、前記実装面上における前記第１〜第３の誘電体層の積層方向に沿う仮想の第２の直線に対して線対称となるように配置されている、請求項１０に記載の素子キャリア。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の素子キャリアと、
前記少なくとも１つの素子に含まれ、かつ前記素子キャリアの前記実装部に実装された受光素子と、
前記少なくとも１つの素子に含まれ、かつ前記素子キャリアの前記実装部に実装され、かつ前記受光素子からの信号を増幅することにより前記高周波信号を出力する少なくとも１つの増幅素子とを備える、受光モジュール。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの増幅素子は複数の増幅素子を含み、前記複数の増幅素子は、前記実装面上において前記第１〜第３の誘電体層の積層方向に沿いかつ前記受光素子を通る仮想の第３の直線に対して、線対称となるように配置されている、請求項１２に記載の受光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子キャリアおよびそれを用いた受光モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
受光モジュールは受光素子および増幅素子を有する。受光素子は、外部からの光強度信号を微弱な電気信号に変化する素子である。増幅素子は、この微弱な電気信号を増幅し、十分な強度を有する高周波信号として出力する素子である。近年、複数の受光回路を１個のパッケージに収納した、多チャンネル型の受光モジュールが求められている。特に位相変調方式、すなわち、干渉計から出力される複数の光強度信号をバランス受信する方式において、多チャンネル型の受光モジュールの使用によって、受光モジュールが占めるスペースを小さくすることができる。
【０００３】
特許文献１は受光モジュールとしての光受信装置を開示している。この光受信装置は、キャリアと、受光素子と、プリアンプと、第１および第２の高周波端子と、第１および第２の垂直差動線路と、第１および第２の垂直給電ビアと、第１および第２の差動線路とを有する。キャリアは、チップ実装面を有する。受光素子はチップ実装面に実装される。プリアンプは、受光素子に接続され、チップ実装面に実装される。第１の高周波端子は、プリアンプに接続され、チップ実装面に実装される。第２の高周波端子は、プリアンプに接続され、第１の高周波端子の下方においてチップ実装面に実装される。第１の垂直差動線路は、第１の高周波端子にその一端が接続されるとともに、キャリア内部を水平方向へ延在する。第２の垂直差動線路は、第１の高周波端子にその一端が接続されるとともに、キャリア内部を水平方向へ延在する。第１の垂直給電ビアは、第１の垂直差動線路の他端にその一端が接続され、キャリア内部を下方へ延在するとともに、第１の垂直差動線路と第２の垂直差動線路との間に想定される一の面へその他端が至る。第２の垂直給電ビアは、垂直差動線路の他端にその一端が接続され、キャリア内部を上方へ延在するとともに、上記一の面へその他端が至る。第１の差動線路は、第１の垂直給電ビアの他端にその一端が接続され、上記一の面を水平方向へ延在するとともに、チップ実装面の裏面にその他端が露出する。第２の差動線路は、第２の垂直給電ビアの他端にその一端が接続され、上記一の面を水平方向へ延在するとともに、チップ実装面の裏面にその他端が露出する。受光素子およびプリアンプを駆動するためのバイアス電源電圧は受光素子およびプリアンプへ、上記一の面上の電源線路を通って供給されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４００１７４４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１の技術においては、第１および第２差動線路（高周波伝送路）が、それ以外の電源線路などの他の配線と共に一の面上に配置される必要がある。このため高周波伝送路を配置することができる領域が狭くなってしまう。
【０００６】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、高周波伝送路を配置することができる領域を広く確保することができる素子キャリアと、それを用いた受光モジュールとを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の素子キャリアは、高周波信号を出力する少なくとも１つの素子が配置される実装面を有するものであって、第１および第２の誘電体層と、第１および第２の配線パターンとを有する。第１の誘電体層は、実装面を部分的になす第１の側面と、第１の側面につながりかつ実装面に交差する交差方向に延びる第１の主面とを有する。第１の配線パターンは、第１の主面の上に設けられ、第１の側面から延びている。第２の誘電体層は、実装面を部分的になす第２の側面と、第２の側面につながりかつ上記交差方向に延びる第２の主面とを有し、第１の配線パターンが設けられた第１の誘電体層の第１の主面の一部の上に設けられている。第２の配線パターンは、第２の誘電体層の第２の主面の上に設けられており、第２の側面から延びている。第１および第２の配線パターンのいずれかが、素子から出力される高周波信号の伝送路である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、第１および第２の配線パターンのそれぞれが互いに異なる第１および第２の主面に配置される。よって第１および第２の配線パターンの両方が同一の面に配置される場合に比して、第１および第２の配線パターンの各々が配置される領域を広く確保することができる。よって第１および第２の配線のいずれかである高周波伝送路が配置される領域を広く確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施の形態における受光モジュールを概略的に示す斜視図である。
【図２】図１の内部構造を示す概略図である。
【図３】図２の矢印ＩＩＩの視点で、受光モジュールの素子キャリアの部分を見た概略図である。
【図４】図３の矢印ＩＶの視点で、素子キャリアに設けられた高周波信号の伝送路と、素子キャリアに実装された受光素子および増幅素子とを示す概略図である。
【図５】本発明の一実施の形態における素子キャリアを概略的に示す斜視図である。
【図６】図５の矢印ＶＩの視点で、素子キャリアが有する誘電体積層構造を示す概略図である。
【図７】図６の視点と同様の視点で、誘電体積層構造のうち第１の誘電体層までの構造と、その上に配置された第１の配線パターンとを示す概略図である。
【図８】本発明の一実施の形態における受光モジュールの製造方法におけるワイヤボンディング工程を概略的に示す断面図である。
【図９】（Ａ）第１の比較例における、実装面に配置された増幅素子からの熱伝導経路、（Ｂ）第２の比較例における、実装面に配置された増幅素子からの熱伝導経路、および（Ｃ）本発明の一実施の形態における、実装面に配置された増幅素子からの熱伝導経路を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
図１を参照して、本実施の形態の受光モジュール３００は、端子板６１および６２と、出力端子７１と、配線端子７２と、受光部６３と、筐体８１と、蓋８２とを有する。蓋８２は、筐体８１の上面を塞いでいる。受光部６３および端子板６１のそれぞれは、筐体８１の長さ方向での一方端および他方端において、筐体８１の側壁を貫通している。端子板６２は筐体８１の側面から突出している。端子板６１および６２の高さは、筐体８１の上端の高さよりも低く、下端の高さよりも高い。出力端子７１および配線端子７２のそれぞれは、端子板６１および６２の上に形成されている。
【００１１】
受光部６３は、外部からの光信号ＦＢを受光素子５１へ集光するものである。光信号ＦＢは、たとえば、受光部６３に取り付けられた光ファイバーの端部から出射される、複数チャンネルの信号光である。
【００１２】
出力端子７１は、この光信号に対応した電気的な高周波信号を、受光モジュール３００の外部へ出力するためのものである。配線端子７２は、たとえば、受光モジュール３００に電源を供給するためのものである。
【００１３】
図２を参照して、受光モジュール３００はさらに筐体８１内に本体ユニット２００を有する。出力端子７１および配線端子７２の各々と本体ユニット２００とは、ボンディングワイヤ９０によって電気的に接続されている。
【００１４】
図３および図４を参照して、本体ユニット２００は、素子キャリア１００と、素子群５０と、ボンディングワイヤ９０とを有する。素子キャリア１００は実装面ＭＳを有する。
【００１５】
素子群５０は実装面ＭＳ上に実装されている。素子群５０の各々と素子キャリア１００とは、ボンディングワイヤ９０によって電気的に接続されている。素子群５０は、受光素子５１と、増幅素子５２ａおよび５２ｂ（５２と総称する）とを有し、高周波信号を出力するものである。受光素子５１は、多チャンネル型のものであり、本実施の形態においては２チャンネル型のものである。増幅素子５２ａおよび５２ｂのそれぞれは、受光素子５１の各チャンネルの信号を増幅することにより高周波信号を出力するものである。増幅素子５２ａおよび５２ｂは、実装面ＭＳ上において、誘電構造体（詳しくは後述する）の積層方向ＤＳ（図３）に沿いかつ受光素子５１を通る仮想の直線Ｌ３（第３の直線）に対して、線対称となるように配置されている。
【００１６】
図５および図６を参照して、素子キャリア１００は、誘電体積層構造１０と、高周波伝送路（第１の配線パターン）２１ａ，２１ｂと、配線パターン２２（第２の配線パターン）と、配線パターン２３と、上部シールド層２４（第１の導電層）と、下部シールド層２５（第２の導電層）と、実装部４０と、実装面配線３１ａおよび３１ｂと、電極パッド３２および３３を有する。誘電体積層構造１０は、誘電体層１１〜１８を有する。誘電体積層構造１０の幅ＷＤ（図６）は、たとえば５ｍｍ程度である。
【００１７】
誘電体層１１（第１の誘電体層）は、実装面ＭＳを部分的になす側面Ｓ１（第１の側面）と、側面Ｓ１につながりかつ実装面ＭＳに交差する交差方向ＤＲに延びる主面Ｐ１（第１の主面）とを有する。誘電体積層構造１０のうち誘電体層１１およびそれよりも上部に位置する誘電体層１４、１２、１３、１６、１７、および１８は、この順に階段状の構造を有している。
【００１８】
高周波伝送路２１ａおよび２１ｂは、主面Ｐ１の上に設けられており、誘電体層１１の側面Ｓ１から延びている。高周波伝送路２１ａおよび２１ｂの各々は、高周波信号の伝送路であり、平面視において互いに並走する１対の配線パターンから構成された差動線路である。よって高周波伝送路２１ａおよび２１ｂ（２１と総称する）によって、２チャンネルの高周波信号を伝送することができる。
【００１９】
誘電体層１２（第２の誘電体層）は、実装面ＭＳを部分的になす側面Ｓ２（第２の側面）と、側面Ｓ２につながりかつ交差方向ＤＲに延びる主面Ｐ２（第２の主面）とを有し、高周波伝送路２１が設けられた誘電体層１１の主面Ｐ１の一部の上に設けられている。誘電体層１２は側面Ｓ２とは反対側に、角度Ａ２で収斂する端部Ｅ２（第２の端部）を有する。よって端部Ｅ２の主面Ｐ２は実装面ＭＳから離れるにつれて小さくなる幅を有する。
【００２０】
配線パターン２２は、誘電体層１２の主面Ｐ２の上に設けられており、側面Ｓ２から延びている。配線パターン２２は、好ましくは高周波信号の伝送路ではなく、たとえば素子群５０へ電源を供給するためのパターンである。
【００２１】
誘電体層１３（第３の誘電体層）は、実装面ＭＳを部分的になす側面Ｓ３（第３の側面）と、側面Ｓ３につながりかつ交差方向ＤＲに延びる主面Ｐ３（第３の主面）とを有し、配線パターン２２が設けられた誘電体層１２の主面Ｐ２の一部の上に設けられている。誘電体層１３は側面Ｓ３とは反対側に、角度Ａ３で収斂する端部Ｅ３（第１の端部）を有する。よって誘電体層１３は側面Ｓ３とは反対側に端部Ｅ３（第１の端部）を有し、端部Ｅ３の主面Ｐ３は実装面ＭＳから離れるにつれて小さくなる幅を有する。角度Ａ３は角度Ａ２よりも大きく、よって端部Ｅ３の主面Ｐ３は、実装面ＭＳから離れるにつれて、端部Ｅ２の主面Ｐ２の幅に比してより急に小さくなる。これにより、主面Ｐ２は、誘電体積層構造１０の積層方向から見て（図中、上から見て）端部Ｅ３よりも幅方向に外側に位置する部分を有し、この部分に配線パターン２２の電極パッドが、図５に示すように配置されている。
【００２２】
誘電体層１４は、高周波伝送路２１と誘電体層１２との間に設けられている。誘電体層１４は、実装面ＭＳを部分的になす側面Ｓ４を有する。
【００２３】
誘電体層１５は、誘電体積層構造１０のベースとなる部分であり、実装面ＭＳを部分的になす側面Ｓ５を有する。誘電体層１６〜１８は、誘電体層１３上に順に設けられている。誘電体層１６〜１８のそれぞれは、実装面ＭＳを部分的になす側面Ｓ６〜Ｓ８を有する。
【００２４】
上部シールド層２４は、誘電体層１２と誘電体層１４との間に設けられ、かつ誘電体層１４を介在して高周波伝送路２１を覆っている。上部シールド層２４は、素子キャリア１００が実際に使用される際に、接地電位とされるものである。下部シールド層２５は、誘電体層１１を介在して第１の配線パターンを覆っている。下部シールド層２５は、素子キャリア１００が実際に使用される際に、接地電位とされるものである。
【００２５】
上部シールド層２４および下部シールド層２５の各々は、高周波伝送路２１とのインピーダンスマッチングが取られることによって、高周波伝送路２１と共にストリップラインが構成されることが好ましい。これにより高周波伝送路２１の損失を小さくすることができる。
【００２６】
実装部４０は、導体から作られており、実装面ＭＳ上に設けられている。実装部４０は、素子群５０を実装するために、実装領域４１、４２ａ、および４２ｂを有する。実装領域４１は受光素子５１（図３）が実装される領域であり、実装領域４２ａおよび４２ｂのそれぞれは増幅素子５２ａおよび５２ｂ（図３）が実装される領域である。実装部４０は、実装面ＭＳ上における誘電体積層構造１０の積層方向に沿う仮想の直線Ｌ２（第２の直線）に対して線対称となるように配置されている。これにより実装面ＭＳ上において、増幅素子５２ａからの高周波信号の伝送路と、増幅素子５２ｂからの高周波信号の伝送路との高周波特性を一致させることができる。特に、この両者の長さが同じとなるため、両者の間でのスキューのずれを抑制することができる。
【００２７】
電極パッド３２および３３のそれぞれは、たとえば、増幅素子５２ａおよび５２ｂ（図３）のそれぞれに、ボンディングワイヤ９０を介して電源を供給するための電極である。
【００２８】
実装面配線３１ａおよび３１ｂのそれぞれは高周波伝送路２１ａおよび２１ｂに繋がっている。実装面配線３１ａおよび３１ｂは、誘電体積層構造１０の積層方向に延びる部分を有する。これにより、実装面配線３１ａおよび３１ｂのそれぞれを、増幅素子５２ａおよび５２ｂ（図３）とボンディングワイヤ９０によって接続されるのに適した位置に設けることができる。
【００２９】
なお、仮にこの位置の最適化を誘電体積層構造１０中のスルーホールによって行なうとすると、スルーホール部分でのインピーダンスマッチングが一般に困難であり、モードの不連続点が形成されることから、高周波信号の伝送における損失が増大してしまう。この損失の増大は高周波信号の周波数が１０ＧＨｚ以上の場合、特に深刻となる。これに対して、本実施の形態のようにこの位置の最適化を実装面上に設けられた実装面配線３１ａおよび３１ｂによって行なう場合、インピーダンスマッチングを容易に行なうことができる。このインピーダンスマッチングを行なうために、たとえば実装面配線３１ａおよび３１ｂがコプレナラインとされてもよい。
【００３０】
図７を参照して、高周波伝送路２１は、交差方向ＤＲに添う仮想の直線Ｌ１（第１の直線）に対して線対称となるように配置されている。これにより高周波伝送路２１ａと２１ｂとが線対称となるので、両者の高周波特性を一致させることができる。特に、この両者の長さが同じとなるため、両者の間でのスキューのずれを抑制することができる。
【００３１】
図８を参照して、筐体８１に取り付けられた配線端子７２と、本体ユニット２００とのワイヤボンディング工程について説明する。ボンディングワイヤ９０を設けるために、キャピラリ８００が配線端子７２上へ挿入される。すなわちキャピラリ８００が、誘電体層１３の端部Ｅ３（図６）に幅方向に隣り合うように、また誘電体層１２の端部Ｅ２（図６）に幅方向に隣り合うように挿入される。端部Ｅ３の幅は実装面ＭＳの幅ＷＤ（図６）に比して小さくなっているので、誘電体層１３とキャピラリ８００との間のスペースが十分に確保される。また端部Ｅ２の幅は実装面ＭＳの幅ＷＤ（図６）に比して小さくなっているので、誘電体層１２とキャピラリ８００との間のスペースが十分に確保される。このスペースの寸法は、たとえば１〜２ｍｍ程度である。
【００３２】
次に、増幅素子５２は発生する熱の熱伝導経路と、誘電体積層構造の形状との関係について説明する。
【００３３】
図９（Ａ）を参照して、第１の比較例における誘電体積層構造１０Ｘは、本実施の形態の誘電体積層構造１０と異なり、長さＬＡの直方体形状を有する。この場合、増幅素子５２から発生する熱が誘電体積層構造１０Ｘの底部を通って筐体８１へと伝導する熱伝導経路の断面積は、矢印ＲＡで示すように広く確保される。
【００３４】
しかしながら本比較例においては主面Ｐ１上に高周波伝送路２１および配線パターン２２の両方を配置しなければならず、よって高周波伝送路２１が配置される領域を広く確保することができなくなる。また主面Ｐ１の位置が誘電体積層構造１０Ｘの上面の位置に制限される。筐体８１の大きさを最低限に留めようとすると、出力端子７１（図１および図２）が筐体８１の上端に配置されることになる。このような出力端子７１の配置は、受光モジュール３００の取付上、一般に好ましくない。この問題自体は、高さ方向に長く延びるボンディングワイヤを用いれば解決されるが、そのようなワイヤボンディングは誘電体積層構造１０Ｘと筐体８１との間の狭い空間にキャピラリを挿入する必要があることから困難である。また仮にワイヤボンディングが可能であったとしても、高周波信号の伝送路に長いボンディングワイヤが適用されることは好ましくない。以上から、誘電体積層構造１０Ｘを用いる場合、その上面と出力端子７１との高さ位置を合わせる必要があり、そのためには、より大きな筐体を用いる必要がある。この結果受光モジュールの大きさが大きくなってしまう。
【００３５】
図９（Ｂ）を参照して、第２の比較例における誘電体積層構造１０Ｙは、上述した誘電体積層構造１０Ｘの実装面ＭＳと反対側の上部を直方体形状で除いた形状を有する。この場合誘電体積層構造１０Ｙの上部の長さＬＢは長さＬＡよりも小さくなる。これにより、増幅素子５２から発生する熱が誘電体積層構造１０Ｙの底部を通って筐体８１へと伝導する熱伝導経路の断面積が、図９（Ａ）の場合（矢印ＲＡ）に比して、矢印ＲＢで示すように狭くなる。よって本比較例においては、増幅素子５２の熱が誘電体積層構造１０Ｙから放出されにくくなる。すなわち実装面ＭＳからの放熱性が悪化する。
【００３６】
誘電体積層構造１０Ｙにおける放熱性の悪化を検証するためにシミュレーションを行った。誘電体積層構造１０Ｘ（図９（Ａ））に関して、長さＬＡを６ｍｍ、増幅素子５２の消費電力を０．３Ｗ、誘電体積層構造１０Ｘの材料をアルミナとした場合、増幅素子５２の裏面の温度は８１℃となった。これに対して、誘電体積層構造１０Ｙ（図９（Ｂ））に関して、長さＬＢを２ｍｍとして同様のシミュレーションを行なったところ、増幅素子５２の裏面の温度は８７℃となった。この結果から、誘電体積層構造１０Ｘに比して誘電体積層構造１０Ｙは実装面ＭＳからの放熱性が低いことがわかった。
【００３７】
図９（Ｃ）は、本実施の形態の誘電体積層構造１０を簡略化して示している。誘電体積層構造１０は、誘電体積層構造１０の最大の長さＬＡ（図９（Ａ））よりは小さく誘電体積層構造１０の上部の長さＬＢよりは大きい長さを有する、誘電体層１４を有する。これにより熱伝導経路の断面積が、矢印ＲＣに示すように、第１の比較例（矢印ＲＡ）とほぼ同様に広く確保される。よって増幅素子からの熱が誘電体積層構造１０から放出されやすくなる。すなわち、実装面ＭＳからの放熱性が高くなる。
【００３８】
なおこの作用効果は、誘電体層１４が設けられない場合であっても、誘電体層１２によって得ることができる。
【００３９】
本実施の形態の素子キャリア１００によれば、高周波伝送路２１が主面Ｐ１上に配置され、他の配線パターン２２および２３が主面Ｐ１とはことなる面に配置される。よって高周波伝送路２１と配線パターン２２および２３とが共に主面Ｐ１上に配置される場合に比して、高周波伝送路２１が配置される領域を広く確保することができる。これにより、高周波伝送路２１ａと２１ｂと（図４）の間の間隔をより広く確保することができるので、両者の間でのクロストークノイズを、たとえば−２０ｄＢ以下に容易に抑制することができる。
【００４０】
なお上述した本実施の形態の変形例として、配線パターン２２（第２の配線パターン）が高周波信号の伝送路として用いられ、かつ高周波伝送路２１が高周波信号の伝送路以外の用途に用いられてもよい。また誘電体積層構造１０のうち、第１および第２の誘電体層１１、１２以外の層が省略されてもよい。また２チャンネル型の受光素子５１の代わりに、よりチャンネル数の多い受光素子、または単チャンネル型の受光素子が用いられてもよい。また１つの受光素子５１の代わりに複数の受光素子が用いられてもよい。また好ましい高周波伝送路としてストリップラインについて説明したが、代わりにコプレナラインが用いられてもよい。
【００４１】
また平面視において２つの直線が角度Ａ２で収斂する端部Ｅ２（図６）の代わりに、より多くの直線からなる外縁を有する端部や、曲線的な外縁を有する端部が用いられてもよい。端部Ｅ３についても同様である。
【００４２】
また実装面ＭＳ上には、受光素子５１および増幅素子５２に加えてさらに素子が実装されてもよく、たとえばコンデンサが実装されてもよい。実装面ＭＳ上における各素子の配置は適切な間隔を空けて配置される。
【００４３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００４４】
１０  誘電体積層構造、１１〜１３  （第１〜第３の）誘電体層、１４〜１８  誘電体層、２１ａ，２１ｂ  高周波伝送路（第１の配線パターン）、２２，２３  配線パターン、２４  上部シールド層（第１の導電層）、２５  下部シールド層（第２の導電層）、３１ａ，３１ｂ  実装面配線、３２，３３  電極パッド、４０  実装部、４１，４２ａ  実装領域、５０  素子群、５１  受光素子、５２ａ，５２ｂ  増幅素子、６１，６２  端子板、６３  受光部、７１  出力端子、７２  配線端子、８１  筐体、８２  蓋、９０  ボンディングワイヤ、１００  素子キャリア、２００  本体ユニット、３００  受光モジュール、８００  キャピラリ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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