(57)【要約】【課題】供給したはんだを外部から容易に観察することができる電極の接続構造を提供する。【解決手段】パワーモジュールＭｐと上部電極２０とはんだ３０，３１とを備え、上部電極２０は、パワーモジュールＭｐの半導体素子１１の上面の上方に間隔（距離ｄ１）を空けて配置されている。また、上部電極２０は、切り欠き部２１，２２を有し、上方から切り欠き部２１，２２を通してパワーモジュールＭｐの半導体素子１１を可視可能な位置に配置され、パワーモジュールＭｐの半導体素子１１と上部電極２０とは、切り欠き部２１，２２に供給したはんだ３０，３１により接合される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被接合部材と、
前記被接合部材の上方に少なくとも一部が前記被接合部材と間隔を空けて配置される電極と、
前記被接合部材と前記電極とを接合するはんだと、
を備え、
前記電極は、切り欠き部を有し、上方から前記切り欠き部を通して前記被接合部材を可視可能な位置に配置され、
前記被接合部材と前記電極とは、前記切り欠き部に供給したはんだにより接合されることを特徴とする電極の接続構造。
【請求項２】
前記はんだは、前記電極の上方から滴下されることを特徴とする請求項１に記載の電極の接続構造。
【請求項３】
前記電極は長尺状をなし、当該電極の長手方向に延びる側面に前記切り欠き部が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電極の接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極の接続構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１において電極の接続構造が開示されている。詳しくは、半導体素子の上に導体ブロックが接合されるとともに導体ブロックの上に放熱板電極が配置されている。放熱板電極には、はんだ注入孔（貫通孔）が設けられ、はんだ注入孔から注入されたはんだで導体ブロックと放熱板電極とが接合されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３０３８６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電極に設けたはんだ注入孔からはんだを供給して電極とその下に配置した被接合部材とをはんだ付けする場合において、供給したはんだを外部から観察することが困難であった。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、供給したはんだを外部から容易に観察することができる電極の接続構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明では、被接合部材と、前記被接合部材の上方に少なくとも一部が前記被接合部材と間隔を空けて配置される電極と、前記被接合部材と前記電極とを接合するはんだと、を備え、前記電極は、切り欠き部を有し、上方から前記切り欠き部を通して前記被接合部材を可視可能な位置に配置され、前記被接合部材と前記電極とは、前記切り欠き部に供給したはんだにより接合されることを要旨とする。
【０００７】
請求項１に記載の発明によれば、電極は、上方から切り欠き部を通して被接合部材を可視可能な位置に配置されている。被接合部材と電極とは切り欠き部に供給したはんだにより接合される。よって、電極の切り欠き部に供給したはんだは外部から容易に観察することができる。
【０００８】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の電極の接続構造において、前記はんだは、前記電極の上方から滴下されることを要旨とする。
請求項２に記載の発明によれば、はんだを電極の上方から滴下する際に、上方から、供給したはんだを観察することができる。
【０００９】
請求項３に記載の発明では、請求項１または２に記載の電極の接続構造において、前記電極は長尺状をなし、当該電極の長手方向に延びる側面に前記切り欠き部が形成されていることを要旨とする。
【００１０】
請求項３に記載の発明によれば、長尺状をなす電極の長手方向に延びる側面に切り欠き部が形成されているので、電極の長手方向に延びる側面から突出するはんだの距離を減らすことができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、供給したはんだを外部から容易に観察することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は第１の実施形態における半導体装置の平面図、（ｂ）は半導体装置の正面図、（ｃ）は半導体装置の側面図。
【図２】（ａ）ははんだ付け前の半導体装置の平面図、（ｂ）は半導体装置の正面図、（ｃ）は半導体装置の側面図。
【図３】（ａ）は第２の実施形態における半導体装置の平面図、（ｂ）は半導体装置の正面図、（ｃ）は半導体装置の側面図。
【図４】（ａ）ははんだ付け前の半導体装置の平面図、（ｂ）は半導体装置の正面図、（ｃ）は半導体装置の側面図。
【図５】（ａ）は第３の実施形態における半導体装置の平面図、（ｂ）は半導体装置の正面図、（ｃ）は半導体装置の側面図。
【図６】（ａ）ははんだ付け前の半導体装置の平面図、（ｂ）は半導体装置の正面図、（ｃ）は半導体装置の側面図。
【図７】（ａ）は第４の実施形態における半導体装置の平面図、（ｂ）は半導体装置の正面図、（ｃ）は半導体装置の側面図。
【図８】（ａ）ははんだ付け前の半導体装置の平面図、（ｂ）は半導体装置の正面図、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図９】（ａ）は比較のための半導体装置の平面図、（ｂ）は半導体装置の正面図、（ｃ）は半導体装置の側面図。
【図１０】（ａ）は比較のためのはんだ付け前の半導体装置の平面図、（ｂ）は半導体装置の正面図、（ｃ）は半導体装置の側面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（第１の実施形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施形態を図面に従って説明する。
図１には本実施形態における半導体装置１０を示す。半導体装置１０は、被接合部材としてのパワーモジュールＭｐと、上部電極２０と、はんだ３０，３１とを備えている。はんだ３０，３１により、パワーモジュールＭｐの半導体素子１１と上部電極２０とが接合されている。即ち、パワーモジュールＭｐの半導体素子１１と、リードとしての上部電極２０とをボンディングワイヤーを介さずに直接接続するダイレクトボンディング方式が採られている。
【００１４】
半導体素子（チップ）１１の下面にはヒートスプレッダ１２が接合材１３により接合されている。接合された半導体素子１１とヒートスプレッダ１２により、パワーモジュールＭｐが構成されている。
【００１５】
そして、パワーモジュールＭｐにおける半導体素子１１の通電により半導体素子１１で発生する熱がヒートスプレッダ１２を通して逃がされるようになっている。
半導体素子１１の上方に上部電極２０が配置され、上部電極２０は半導体素子１１の上面とはんだ付けされている。上部電極２０は金属の帯板よりなり、水平に配置されている。帯板よりなる上部電極２０の短手方向の長さはＷ１となっている。上部電極２０の一端（先端）が半導体素子１１の上方に位置し、上部電極２０の一端部（先端部）において半導体素子１１の上面とはんだ付けされている。
【００１６】
図２に、はんだ付け前の半導体装置１０を示す。
被接合部材としてのパワーモジュールＭｐの半導体素子１１の上面に対し上部電極２０が距離ｄ１だけ離間して配置されている。これにより、上部電極２０はパワーモジュールＭｐの半導体素子１１の上面と間隔を空けて配置されている。
【００１７】
パワーモジュールＭｐの半導体素子１１の上面は、はんだ接合面であり、水平に配置され、はんだは滴下される。上部電極２０は、はんだの供給方向としての下向き方向に沿う面として、図２（ａ）に示すように側面２０ａ，２０ｂを有している。即ち、側面２０ａ，２０ｂは、長尺状の上部電極２０における長手方向に延びている。
【００１８】
上部電極２０の一方の側面２０ａにおいて、上部電極２０の先端での角部には切り欠き部２１が形成されている。切り欠き部２１は四角形状をなしている。また、上部電極２０の他方の側面２０ｂにおいて、上部電極２０の先端での角部には切り欠き部２２が形成されている。切り欠き部２２は四角形状をなしている。切り欠き部２１と切り欠き部２２とは同一形状・同一寸法である。
【００１９】
切り欠き部２１の中心Ｐ１に向かって、溶融したはんだが上部電極２０の上方から滴下により供給される。また、切り欠き部２２の中心Ｐ２に向かって、溶融したはんだが上部電極２０の上方から滴下により供給される。この切り欠き部２１，２２に供給したはんだ３０，３１（図１参照）によりパワーモジュールＭｐの半導体素子１１と上部電極２０とが接合されている。
【００２０】
ここで、半導体素子１１の上面におけるはんだ３０，３１の広がりについて、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂからはんだ３０，３１が距離Ｌ１だけ突出している。溶融したはんだが切り欠き部２１，２２の中心Ｐ１，Ｐ２への滴下により供給されるので、はんだ３０，３１は上部電極２０の短手方向の中心に接近しており、これによりはんだ３０，３１の上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂからの突出量である距離Ｌ１は小さな値となっている。
【００２１】
次に、半導体装置１０の製造方法について説明する。
まず、半導体素子１１の下面にヒートスプレッダ１２を接合したパワーモジュールＭｐを用意する。また、帯板よりなる上部電極２０を用意する。この上部電極２０においては、両側の側面２０ａ，２０ｂにおける先端の角部には切り欠き部２１，２２が形成されている。
【００２２】
そして、図２に示すように、パワーモジュールＭｐの半導体素子１１の上に上部電極２０を配置する。このとき、パワーモジュールＭｐの半導体素子１１の上面は水平に配置され、上部電極２０は水平に、かつ、半導体素子１１の上面に対し距離ｄ１だけ離間して配置される。
【００２３】
なお、はんだ付け対象部品の上部電極２０とパワーモジュールＭｐ（半導体素子１１）ははんだ濡れ性をよくするために加熱しておく。
そして、はんだ滴下装置４０の滴下口４０ａから上部電極２０における切り欠き部２１，２２の中心Ｐ１，Ｐ２に向かって、溶融したはんだを滴下する。
【００２４】
はんだ滴下装置４０の滴下口４０ａから滴下した溶融はんだ（３０，３１）は上部電極２０の切り欠き部２１，２２に供給され、半導体素子１１の上面において半球状となるとともに、半導体素子１１の上面と共に上部電極２０に接触して半導体素子１１の上面と上部電極２０とがはんだ付けされる。
【００２５】
このとき、上部電極２０の切り欠き部２１，２２に供給したはんだ３０，３１は外部から容易に観察することができる。具体的には、図１（ａ）に示すようにはんだ３０，３１を上から観察することができる。これにより、外観検査によりはんだ３０，３１の供給の良否を目視で確認することができる。
【００２６】
なお、観察は、カメラ等の機械を用いて行っても、人の目により行ってもよい。
また、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂには切り欠き部２１，２２が形成されているので、はんだの供給位置、即ち、はんだの濡れ位置を決めることができる。
【００２７】
さらに、上部電極２０の切り欠き部２１，２２にはんだ３０，３１が供給されるので、切り欠き部２１，２２がない場合に比べ、はんだ３０，３１が上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂから突出する量（距離）を減らすことができる。
【００２８】
これを、図９，１０を用いて説明する。
図９には、比較のための半導体装置１００を示す。図１０には、比較のためのはんだ付け前の半導体装置１００を示す。
【００２９】
図９，１０に示す比較例においては、帯板よりなる上部電極２０に対し切り欠き部を設けていない。
図１０において、半導体素子１１上面における上部電極２０の先端の角部の直下付近に溶融したはんだを滴下する。すると、図９に示すように、上部電極２０の先端における角部付近を中心にしてはんだ１０１，１０２が広がる。この場合、帯板よりなる上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂから、はんだ１０１，１０２が、はんだ１０１，１０２の半径ｒだけ突出する。
【００３０】
これに対し、図１，２に示す本実施形態においては、図１（ａ）に示すように、半導体素子１１上面における上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂよりも内方に位置する部分にはんだを滴下できるため、はんだ３０，３１が上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂから突出する距離を減らすことができる。本実施形態では、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂから距離Ｌ１内方する位置にはんだが滴下されるため、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂから距離ｒ−Ｌ１だけはんだが突出することになる。よって、切り欠き部がない場合と比べ、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂから突出するはんだを距離２Ｌ１分、減らすことができる。
【００３１】
このように、切り欠き部がない場合、即ち、図９，１０の場合には、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂの近くにはんだ１０１，１０２を供給することになるが、図１，２に示す本実施形態では、切り欠き部２１，２２の存在により、はんだ３０，３１の供給領域を上部電極２０の短手方向の中心に近づけることができる。
【００３２】
以上のごとく本実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）電極の接続構造として、パワーモジュールＭｐと上部電極２０とはんだ３０，３１とを備え、上部電極２０は、パワーモジュールＭｐの半導体素子１１の上面の上方に間隔（距離ｄ１）を空けて配置されている。また、上部電極２０は、切り欠き部２１，２２を有し、上方から切り欠き部２１，２２を通してパワーモジュールＭｐの半導体素子１１を可視可能な位置に配置され、パワーモジュールＭｐの半導体素子１１と上部電極２０とは、切り欠き部２１，２２に供給したはんだ３０，３１により接合される。
【００３３】
これにより、上部電極２０の切り欠き部２１，２２に供給したはんだ３０，３１を外部から容易に観察することができ、外観検査が容易である。また、切り欠き部２１，２２に供給したはんだ３０，３１によりパワーモジュールＭｐの半導体素子１１と上部電極２０とが接合されるので、切り欠き部２１，２２がない場合に比べ、はんだ３０，３１の供給領域を上部電極２０の短手方向の中心に近づけることができる。
【００３４】
（２）はんだは、上部電極２０の上方から滴下される。よって、溶融したはんだを上部電極２０の上方から滴下する際に、上方から、供給したはんだ３０，３１を観察することができる。
【００３５】
（３）上部電極２０は長尺状をなし、上部電極２０の長手方向に延びる側面２０ａ，２０ｂに切り欠き部２１，２２が形成されているので、上部電極２０の長手方向に延びる側面２０ａ，２０ｂから突出するはんだ３０，３１の距離を減らすことができる。
【００３６】
（４）上部電極２０におけるはんだの供給方向において相対向する側面２０ａ，２０ｂにそれぞれ切り欠き部２１，２２を形成し、各切り欠き部２１，２２に供給したはんだ３０，３１によりパワーモジュールＭｐの半導体素子１１と上部電極２０とを接合した。よって、より強固に接合することができる。
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態を、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００３７】
図３には、本実施形態における半導体装置５０を示す。図４には、はんだ付け前の半導体装置５０を示す。
第１の実施形態においては、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂにおける先端での角部に切り欠き部２１，２２を形成した。これに対し本実施形態では、図４に示すように、上部電極２０の一方の側面２０ａにおいて、上部電極２０の先端よりも基端側において切り欠き部２３が形成されている。切り欠き部２３は半円弧状をなしている。また、上部電極２０の他方の側面２０ｂにおいて、上部電極２０の先端よりも基端側において切り欠き部２４が形成されている。切り欠き部２４は半円弧状をなしている。切り欠き部２３と切り欠き部２４とは、同一形状・同一寸法であるとともに、最も接近した位置に形成されている。
【００３８】
図４において、はんだ滴下装置４０の滴下口４０ａから切り欠き部２３の中心Ｐ３に向かって、溶融したはんだが滴下される。また、はんだ滴下装置４０の滴下口４０ａから切り欠き部２４の中心Ｐ４に向かって、溶融したはんだが滴下される。この切り欠き部２３，２４に供給したはんだ３２，３３（図３参照）によりパワーモジュールＭｐの半導体素子１１と上部電極２０とが接合されている。
【００３９】
図３（ａ）に示すように、上部電極２０の切り欠き部２３，２４に供給したはんだ３２，３３を上から（外部から）容易に観察することができ、外観検査によりはんだ３２，３３の供給の良否を目視で確認することができる。
【００４０】
また、半導体素子１１上面における上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂよりも内方に位置する部分にはんだを滴下できるため、はんだ３２，３３が上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂから突出する距離を減らすことができる。本実施形態では、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂから距離Ｌ２内方する位置にはんだが滴下されるため、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂから距離ｒ−Ｌ２だけはんだが突出することになる。よって、図９，１０に示した切り欠き部がない場合と比べ、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂから突出するはんだを距離２Ｌ２分、減らすことができる。
【００４１】
このように、切り欠き部がない場合（図９，１０の場合）には、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂの近くにはんだ１０１，１０２を供給することになるが、図３，４に示す本実施形態では、切り欠き部２３，２４の存在により、はんだ３２，３３の供給領域を上部電極２０の短手方向の中心に近づけることができる。
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態を、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００４２】
図５には、本実施形態における半導体装置６０を示す。図６には、はんだ付け前の半導体装置６０を示す。
第１の実施形態においては、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂにおける先端での角部に四角形状の切り欠き部２１，２２を形成した。これに対し本実施形態では、図６に示すように、上部電極２０の一方の側面２０ａにおける先端での角部に、切り欠き部２５が形成されている。切り欠き部２５は三角形状をなしている。また、上部電極２０の他方の側面２０ｂにおける先端での角部に、切り欠き部２６が形成されている。切り欠き部２６は三角形状をなしている。切り欠き部２５と切り欠き部２６とは同一形状・同一寸法である。
【００４３】
図６において、はんだ滴下装置４０の滴下口４０ａから切り欠き部２５の中心Ｐ５に向かって、溶融したはんだが滴下される。また、はんだ滴下装置４０の滴下口４０ａから切り欠き部２６の中心Ｐ６に向かって、溶融したはんだが滴下される。この切り欠き部２５，２６に供給したはんだ３４，３５（図５参照）によりパワーモジュールＭｐの半導体素子１１と上部電極２０とが接合されている。
【００４４】
図５（ａ）に示すように、上部電極２０の切り欠き部２５，２６に供給したはんだ３４，３５を上から（外部から）容易に観察することができ、外観検査によりはんだ３４，３５の供給の良否を目視で確認することができる。
【００４５】
また、半導体素子１１上面における上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂよりも内方に位置する部分にはんだを滴下できるため、はんだ３４，３５が上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂから突出する距離を減らすことができる。本実施形態では、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂから距離Ｌ３内方する位置にはんだが滴下されるため、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂから距離ｒ−Ｌ３だけはんだが突出することになる。よって、図９，１０に示した切り欠き部がない場合と比べ、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂから突出するはんだを距離２Ｌ３分、減らすことができる。
【００４６】
このように、切り欠き部がない場合（図９，１０の場合）には、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂの近くにはんだ１０１，１０２を供給することになるが、図５，６に示す本実施形態では、切り欠き部２５，２６の存在により、はんだ３４，３５の供給領域を上部電極２０の短手方向の中心に近づけることができる。
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態を、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００４７】
図７には、本実施形態における半導体装置７０を示す。図８には、はんだ付け前の半導体装置７０を示す。
第１の実施形態においては、帯板よりなる上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂにおける先端での角部に切り欠き部２１，２２を形成した。これに対し本実施形態では、図８に示すように、上部電極８０は断面形状が円形の丸棒である。
【００４８】
図８（ａ）に示すように、上部電極８０は、はんだの供給方向である下向きの方向に沿う側面８０ａ，８０ｂを有している。
図８（ａ）において、丸棒よりなる上部電極８０の一方の側面８０ａには、上部電極８０の先端よりも基端側において切り欠き部８１が形成されている。切り欠き部８１は平面視（図８（ａ））において半円弧形状をなしている。同様に、図８（ａ）において、丸棒よりなる上部電極８０の他方の側面８０ｂには、上部電極８０の先端よりも基端側において切り欠き部８２が形成されている。切り欠き部８２は平面視（図８（ａ））において半円弧形状をなしている。切り欠き部８１と切り欠き部８２とは、同一形状・同一寸法であるとともに、最も接近した位置に形成されている。
【００４９】
図８において、はんだ滴下装置４０の滴下口４０ａから切り欠き部８１の中心Ｐ７に向かって、溶融したはんだが滴下されるとともに切り欠き部８２の中心Ｐ８に向かって、溶融したはんだが滴下され、供給したはんだは図７に示すように一つのはんだ３６となる。このはんだ３６によりパワーモジュールＭｐの半導体素子１１と上部電極８０とが接合されている。
【００５０】
図７（ａ）に示すように、上部電極８０の切り欠き部８１，８２に供給したはんだ３６を上から（外部から）容易に観察することができ、外観検査によりはんだ３６の供給の良否を目視で確認することができる。
【００５１】
また、丸棒よりなる上部電極８０の幅（径）はＷ１０となっている。半導体素子１１の上面におけるはんだ３６の広がりについて、はんだ３６が上部電極８０の側面８０ａ，８０ｂから、距離Ｌ４だけ突出している。そして、はんだの滴下位置を図９，１０に示したように切り欠き部がない場合に比べて上部電極８０の短手方向の中心に近づけて、はんだ３６の広がり幅Ｗ１１は、
Ｗ１１＝Ｗ１０＋２・Ｌ４
となる。
【００５２】
ここで、切り欠き部８１，８２は半円弧形状の曲面となっているので、溶融はんだがまわり込みやすい。
切り欠き部がない場合（図９，１０の場合）には、上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂの近くにはんだ１０１，１０２を供給することになるが、図７，８に示す本実施形態では、切り欠き部８１，８２の存在により、はんだ３６の供給領域を上部電極８０の短手方向の中心に近づけることができる。
【００５３】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
・電極は一部が被接合部材と接する構成でもよい。つまり、電極は被接合部材の上方に少なくとも一部が被接合部材と間隔を空けて配置されていればよい。
【００５４】
・第２の実施形態では上部電極２０の側面２０ａ，２０ｂにおいて上部電極２０の先端よりも基端側に半円弧状の切り欠き部２３，２４を形成したが、他の形状の切り欠き部、例えば四角形状の切り欠き部を形成してもよい。
【００５５】
・第４の実施形態では上部電極８０として丸棒を用いて半円弧状の切り欠き部８１，８２を形成したが、丸棒よりなる上部電極８０に各種の切り欠き部を形成してもよい。例えば、第１の実施形態で説明したように上部電極の側面における先端での角部に四角形状の切り欠き部を形成したり、第３の実施形態で説明したように上部電極の側面における先端での角部に三角形状の切り欠き部を形成してもよい。他にも、例えば、上部電極として丸棒を用いて上部電極の先端よりも基端側に、他の形状の切り欠き部、例えば四角形状の切り欠き部を形成してもよい。
【００５６】
・上部電極２０，８０は、その両方の側面２０ａ，２０ｂ，８０ａ，８０ｂに切り欠き部２１〜２６，８１，８２を形成したが、一方の側面にのみ切り欠き部を形成してもよい。
【００５７】
・上部電極２０として帯板、即ち、縦断面が長方形状をなすものを用いたり、上部電極８０として丸棒、即ち、縦断面が円形をなすものを用いたが、これに限るものではない。例えば、断面形状が楕円形の棒材を電極として用いてもよい。
【符号の説明】
【００５８】
２０…上部電極、２０ａ…側面、２０ｂ…側面、２１…切り欠き部、２２…切り欠き部、２３…切り欠き部、２４…切り欠き部、２５…切り欠き部、２６…切り欠き部、３０…はんだ、３１…はんだ、３２…はんだ、３３…はんだ、３４…はんだ、３５…はんだ、３６…はんだ、８０…上部電極、８０ａ…側面、８０ｂ…側面、８１…切り欠き部、８２…切り欠き部、Ｍｐ…パワーモジュール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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