(57)【要約】    【課題】  小型軽量のチップコンデンサを確実に実装できる多層プリント配線板を提供する。    【解決手段】  チップコンデンサを搭載するためのパッド５８ｕｐ、５８ｕｍは、レーザにより形成される開口１５１ｕにより露出される。即ち、形状性に優れるレーザにより開口を形成することでパッドの形状が略同一になる。従って、チップコンデンサのプラス端子に接続するパッド５８ｕｐと、チップコンデンサのマイナス端子に接続するパッド５８ｕｍとで、半田量及び半田濡れ性が略同等になる。このため、マンハッタン現象が生じ難い。【選択図】  図７
2012129501.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成されていてビア導体用のパッドとチップコンデンサを実装するためのパッドとを含む導体層と、
前記絶縁層と前記導体層上に形成されていて、前記ビア導体用のパッドに至るバイアホールと前記チップコンデンサ用のパッドを露出する開口を有する最外樹脂絶縁層と、
前記バイアホールに形成されているビア導体と該ビア導体から延びていて前記最外樹脂絶縁層上に形成されているランドとで形成されている電極と、
前記電極上に形成されていてＩＣを搭載するための半田バンプと、
前記チップコンデンサを実装するためのパッド上に形成されている半田とを有するプリント配線板。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記最外樹脂絶縁層に形成されている前記バイアホールと前記開口はレーザにより形成されている。
【請求項３】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記最外樹脂絶縁層に形成されている前記バイアホールと前記開口は露光・現像処理により形成されている。
【請求項４】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記開口の大きさは前記バイアホールの大きさより大きい。
【請求項５】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記最外樹脂絶縁層上に前記ランド以外導体回路が形成されていない。
【請求項６】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記最外樹脂絶縁層上にソルダーレジスト層が形成されていない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップとチップコンデンサを実装するためのプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１はソルダーレジスト層を有しないビルドアップ多層配線板を開示している。特許文献１では最外層のビルドアップ樹脂絶縁層がソルダーレジスト層として機能し、その最外層のビルドアップ樹脂絶縁層に外部接続端子としてのパッドが形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−６３９０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
高集積化に対応させるため、表面に実装するチップコンデンサは小型化、軽量化している。しかしながら、特許文献１に開示されている導電パッドに軽いチップコンデンサを実装させると、プラス端子、アース端子のいずれか一方のみ導電パッドに接続し、他方が離れてしまいチップコンデンサが傾くという、所謂マンハッタン現象が生じ易くなると考えられる。ここで、マンハッタン現象が発生すると、パッケージ基板用のキャップが填められなくなり、実装が不可能になる。
【０００５】
[目的]
本発明の目的は、小型軽量のチップコンデンサを確実に実装できるプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点に係るプリント配線板は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成されていてビア導体用のパッドとチップコンデンサを実装するためのパッドとを含む導体層と、前記絶縁層と前記導体層上に形成されていて、前記ビア導体用のパッドに至るバイアホールと前記チップコンデンサ用のパッドを露出する開口を有する最外樹脂絶縁層と、前記バイアホールに形成されているビア導体と該ビア導体から延びていて前記最外樹脂絶縁層上に形成されているランドとで形成されている電極と、前記電極上に形成されていてＩＣを搭載するための半田バンプと、前記チップコンデンサを実装するためのパッド上に形成されている半田とを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係るプリント配線板を製造するための工程図。
【図２】本発明の実施形態に係るプリント配線板を製造するための工程図。
【図３】本発明の実施形態に係るプリント配線板を製造するための工程図。
【図４】本発明の実施形態に係るプリント配線板を製造するための工程図。
【図５】本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図６】本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図７】本発明の実施形態のプリント配線板にチップコンデンサが実装されている状態を示す図。
【図８】本発明の実施形態のプリント配線板にＩＣチップが搭載されている状態を示す図。
【図９】図９（Ａ）はチップコンデンサの平面図であり、図９（Ｂ）は側面図である。図９（Ｃ）、図９（Ｄ）は、最外層の層間樹脂絶縁層の平面図である。
【図１０】別の実施形態に係るプリント配線板を製造するための工程図。
【図１１】別の実施形態に係るプリント配線板を製造するための工程図。
【図１２】別の実施形態に係るプリント配線板を製造するための工程図。
【図１３】従来技術に係る多層プリント配線板の断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
高集積化のため、プリント配線板の表面に実装されるチップコンデンサは小型化、軽量化している。特許文献１に開示されているパッドに軽いチップコンデンサが半田で実装されると、チップコンデンサのプラス端子、アース端子（マイナス端子）のいずれか一方はパッドに半田で接続されるが、他方はパッドに接続されないケースが発生すると考えられる。所謂、マンハッタン現象が発生すると考えられる。
【０００９】
マンハッタン現象が生じる理由は次のように考えられる。
パッドは、セミアディティブ法又はサブトラクティブ法で、エッチング処理を経て形成される。エッチング処理でパッドが形成される場合、各パッドでエッチング量を均一にすることは困難なので、チップコンデンサのプラス端子と接続するためのパッド（プラスパッド）と、マイナス端子と接続するためのパッド（マイナスパッド）とを同形状に形成することは難しい。チップコンデンサの実装は、先ず、パッド上に半田が形成される。続いて、プラスパッドに形成されている半田上にチップコンデンサのプラス端子が載せられ、マイナスパッドに形成されている半田上にチップコンデンサのマイナス端子が載せられる。その後、リフローを行うことで、パッド上に半田を介してチップコンデンサが実装される。プラスパッドとマイナスパッドの大さが異なると、それぞれのパッドで半田量、半田の濡れ性が異なると考えられる。その違いにより、チップコンデンサのプラス端子、マイナス端子のいずれか一方のみがパッドに接続し、他方がパッドに接続しない現象が発生すると考えられる。
【００１０】
最外樹脂絶縁層から露出しているパッドにチップコンデンサが半田を介してリフローにより実装される時、半田はパッドの上面と同時に側面へ濡れ広がると考えられる。パッドの上面と側面が露出しているとパッドの高さや形状がそれぞれのパッドで異なり易いと考えられる。そのため、各パッドで半田が濡れ拡がる速度は異なると考えられる。これも、マンハッタン現象の原因と考えられる。
【００１１】
[実施形態]
次に、本発明の実施形態に係るプリント配線板１０の構成について、図１〜図８を参照して説明する。図６は該プリント配線板１０の断面図を示す。図７は、図６に示されているプリント配線板１０にチップコンデンサ９４が実装されている状態を示している。図８は、プリント配線板１０にＩＣチップ９０とチップコンデンサ９４が実装されている状態を示している。図６に示すように、プリント配線板１０は、コア基板３０とコア基板の表面と裏面に形成されている導体回路３４とスルーホール導体３６を有する。スルーホール導体３６は、コア基板３０の表面の導体回路と裏面の導体回路とを接続している。コア基板３０の表面（第１面）に第１の下層樹脂絶縁層５０Ａが形成されていて、コア基板の裏面（第２面）に第２の下層樹脂絶縁層５０Ｂが形成されている。コア基板の裏面はコア基板の表面と反対側の面である。第１の下層樹脂絶縁層５０Ａ上に複数の第１の上層の導体回路５８Ａと複数のビア導体用のパッド５８Ｖと複数のチップコンデンサを実装するためのパッド（チップコンデンサ用パッド）５８Ｕ（５８ｕｐ、５８ｕｍ）とを含む第１の上層の導体層５８が形成されている。第１の下層樹脂絶縁層５０Ａに第１の下層ビア導体６０Ａが形成されていて、コア基板の表面上の導体回路と第１の上層の導体層は第１の下層ビア導体６０Ａにより接続されている。第２の下層樹脂絶縁層５０Ｂ上に複数の第２の上層の導体回路５８０Ｂを含む第２の上層の導体層５８０が形成されている。第２の下層樹脂絶縁層５０Ｂに第２の下層ビア導体６０Ｂが形成されていて、コア基板の裏面上の導体回路と第２の上層の導体回路は第２の下層ビア導体６０Ｂにより接続されている。
【００１２】
第１の下層樹脂絶縁層５０Ａと第１の上層の導体層上に上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａが形成されている。上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａはビア導体用のパッド５８Ｖを部分的に露出するバイアホール１５１ｃＡとチップコンデンサ用パッド５８Ｕを露出する開口１５１ｕを有している。ビア導体用のパッド５８Ｖの形状としては円が好ましく、その直径は４０μｍから１００μｍである。チップコンデンサ用パッド５８Ｕの形状としては矩形が好ましく、一方の長さは０．２１ｍｍから０．４ｍｍであり、もう一方の長さは０．３２５ｍｍから１．３０５ｍｍである。
【００１３】
第２の下層樹脂絶縁層５０Ｂと第２の上層の導体層５８０上に下層の最外樹脂絶縁層１５０Ｂが形成されている。下層の最外樹脂絶縁層１５０Ｂは第２の上層の導体回路５８０Ｂに至るバイアホール１５１ｄを有している。バイアホール１５１ｄにより露出する第２の上層の導体回路５８０Ｂはマザーボードと接続するための半田バンプやピンを搭載するための外部電極として機能する。外部電極に半田バンプ７６Ｄやピンが搭載される。
【００１４】
上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａ上にランド（上層の最外樹脂絶縁層上のランド）１５８Ｌが形成されている。ランド１５８Ｌとビア導体用のパッド５８Ｖはバイアホール１５１ｃＡに形成されているビア導体で接続される。ビア導体はバイアホール１５１ｃを導体で充填しているフィルドビアとバイアホール１５１ｃの内壁を導体で覆っているコンフォーマルビアを含む。図６ではランド１５８Ｌとパッド５８Ｖはビア導体（フィルドビア）１６０Ａで接続されている。ランドはビア導体の回りに形成されランドとビア導体は直接接続している（ランドはビア導体から延びている）。図６では、ランド１５８Ｌはフィルドビア１６０Ａの周りに形成され、ランド１５８Ｌとフィルドビア１６０Ａは直接接続している。ランド１５８Ｌはフィルドビア１６０Ａから延びている。ビア導体１６０Ａの上面とランド１５８Ｌの上面またはビア導体１６０Ａの上面とランド１５８Ｌの上面とランド１５８Ｌの側面がＩＣなどの電子部品を搭載するための電極１５８として機能する。電極に半田バンプ７６Ｕが形成されている。チップコンデンサ用パッド５８Ｕに半田７６Ｃが形成されている。
電極上に形成される半田はＰｂフリーバンプが望ましい。実施形態では、半田バンプがソルダーレジスト層などの樹脂層と接していない。そのため、クラックが入り易いＰｂフリーバンプでＩＣチップを実装することができる。
チップコンデンサ用パッドの上面や電極の露出面や外部電極の上面にＯＳＰやＳｎ膜などの保護膜を形成することができる。
ビア導体がフィルドビアの時、フィルドビアの上面とランドの上面は略同一平面に位置する。
【００１５】
図７に示すようにチップコンデンサ用パッド５８Ｕ上の半田７６Ｃを介してチップコンデンサ９４が実装される。図９（Ａ）は該チップコンデンサの平面図を、図９（Ｂ）は側面図を示す。図７に示されているチップコンデンサの図は、図９（Ａ）のチップコンデンサをＣの方向から観察することで得られる断面図である。チップコンデンサは、プラス端子９６Ｐとマイナス端子９６Ｍとを備え、サイズが長さＬ：０．６０mmから２．００mm、幅Ｗ：０．３０mmから１．２５mm、高さＨ：０．３mmから０．５mmと小型化されており、重量が軽いためリフローによる実装が難しくなっている。図９（Ｄ）は、上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａに形成されている開口（チップコンデンサ用パッドを露出するための開口）１５１ｕとチップコンデンサ用パッド５８Ｕを拡大して示す平面図である。この図ではチップコンデンサ用パッドや導体パターン５８Ｐが矩形の例である。この例は矩形であるが、図９（Ｃ）に示すようにチップコンデンサ用パッドと導体パターンの形状として円形であることも可能である。チップコンデンサ用パッドはその周りを導体で取り囲まれている。チップコンデンサ用パッドとその周りを囲んでいる導体で所定形状の導体パターン５８Ｐが形成され、導体パターンの外周は上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａで覆われている。チップコンデンサ用パッドの周りの導体は上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａで覆われている。つまり、チップコンデンサ用パッドは導体パターンの内、開口１５１ｕにより外部に露出している部分である。コンデンサ用パッドを含む導体パターンは第１の上層の導体層に含まれる。開口１５１ｕはレーザまたは露光・現状処理により形成される。レーザなどの光を用いて開口１５１ｕを形成するため、開口の大きさを所望の大きさに制御することが可能になる。そのため、開口１５１ｕにより露出される導体パターン５８Ｐの部分の大きさは所定の大きさとすることができる。各チップコンデンサ用パッド５８Ｕの大きさが所定の大きさになる。エッチング液で導体をエッチングすることでチップコンデンサ用パッドが形成される場合、各チップコンデンサ用パッドでエッチング量を同じにすることは困難である。即ち、エッチング処理でチップコンデンサ用パッドが形成される場合、各チップコンデンサ用パッドの大きさが異なり易い。エッチング処理よりチップコンデンサ用パッドを形成する方法に比べ実施形態の方法はチップコンデンサ用パッドの大きさを制御する点で優れる。即ち、実施形態では各チップコンデンサ用パッドで半田の濡れ性の差が特開２００４−６３９０４号公報に比べ小さいと考えられる。そのため、実施形態のプリント配線板は小さなチップコンデンサや軽いチップコンデンサを実装するためのプリント配線板に適している。実施形態のプリント配線板ではマンハッタン現象が起こりにくい。開口１５１ｕはレーザにより形成されることが好ましい。なぜなら、レーザは露光・現像より多くの材料に開口１５１ｕを形成することができるからである。チップコンデンサ用パッド５８Ｕはチップコンデンサのプラス端子接続用のプラス端子用パッド５８ｕｐと、マイナス端子用パッド５８ｕｍとを有する。半田７６Ｃを介してプラス端子用パッド５８ｕｐにチップコンデンサのプラス端子９６Ｐが接続され、マイナス端子用パッド５８ｕｍに半田７６Ｃを介してチップコンデンサのマイナス端子９６Ｍが接続される。
【００１６】
図８に示すように、上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａから露出している電極１５８に形成されている半田バンプ７６Ｕを介してＩＣチップ９０の端子９２が接続されている。電極１５８の上面は上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａから突出している。
【００１７】
実施形態のプリント配線板１０では、電極１５８を部分的に露出すると共に電極の外周を覆うソルダーレジスト層が設けられていない。上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａから露出している電極１５８に半田バンプ７６Ｕが形成されている。
【００１８】
図１３に上層の最外樹脂絶縁層５０００と上層の最外樹脂絶縁層５０００上に形成されている電極５８００と電極を部分的に露出している開口２０２ａを有するソルダーレジスト層２０２とソルダーレジスト層の開口２０２ａにより露出している電極上に形成されている半田バンプ７６００とを有するプリント配線板が示されている。図１３に示されているソルダーレジスト２０２は電極５８００の全外周を覆っている。この例では、ソルダーレジストの側壁と電極５８００上の半田バンプ７６００が接触している。プリント配線板が収縮することでソルダーレジスト層の開口の上端に集中する応力が電極上の半田バンプにストレスを与えると考えられる。そのため、図１３に示されているようなソルダーレジスト層を有するプリント配線板では、半田バンプ７６００にクラック２０４が発生しやすいと考えられる。クラックの例が図１３の半田バンプ内に示されている。しかしながら、実施形態は、図１３に示すようなソルダーレジスト層を有していないので、半田バンプ７６Ｕにクラックが発生し難い。
【００１９】
実施形態では、チップコンデンサのプラス端子に接続するチップコンデンサ用パッド５８ｕｐと、チップコンデンサのマイナス端子に接続するチップコンデンサ用パッド５８ｕｍとで、半田量及び半田の濡れ性が略等しくなる。このため、従来技術（特許文献１）のパッド（導電パッド）にチップコンデンサが搭載される場合に比べ、マンハッタン現象が生じ難い。なお、チップコンデンサ用パッド５８ｕｐ、５８ｕｍは、ＩＣチップを実装するための電極１５８と比べて上面の面積が大きい。即ち、チップコンデンサ用パッド５８ｕｐ、５８ｕｍ上に形成される半田の量は、電極１５８上に形成される半田の量より多い。また、チップコンデンサ用パッドは大きいため、半田が最外の樹脂絶縁層の上端に接する可能性が低い。そのため、チップコンデンサパッドが最外の樹脂絶縁層から露出していなくても、チップコンデンサ用パッド５８ｕｐ、５８ｕｍ上の半田７６Ｃ内には、クラックが入り難い。
【００２０】
引き続き、図６のプリント配線板１０の製造方法について図１〜図６を参照して説明する。
（１）エポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂とガラスクロス等の芯材で形成されている絶縁性基板３０が準備される。絶縁性基板３０がプリント配線板のコアに相当する。この絶縁性基板３０の両面に３〜１２μｍの銅箔３２がラミネートされる（図１（Ａ））。図１Ａに示されている基板は銅張積層板３０Ａである。まず、レーザを照射しスルーホール導体用貫通孔２８が形成される（図１（Ｂ））。スルーホール導体用の貫通孔はストレート形状であっても砂時計形状であってもよい（図１０（Ｂ））。スルーホール導体用の貫通孔がストレート形状の場合、ドリルにより貫通孔を形成することができる。砂時計形状の場合、絶縁性基板の第１面側からレーザが照射され、続いて絶縁性基板の第２面側からレーザが照射されることで形成することができる。
【００２１】
（２）スルーホール導体用貫通孔を有する銅張積層板３０Ａに無電解銅めっきを施すことにより、銅張積層板３０Ａの表面及びスルーホール導体用貫通孔２８の側壁に厚さ０．６μｍの無電解銅めっき膜２６が形成される（図１（Ｃ）：図１０（Ｃ））。
【００２２】
（３）電解めっきにより、スルーホール導体用貫通孔２８内、及び、銅張積層板３０Ａの表面に電解銅めっき膜２４が形成される（図１（Ｄ））。スルーホール導体用貫通孔を銅などの電解めっき膜で充填することができる。スルーホール導体用貫通孔が砂時計形状であって、スルーホール導体用貫通孔は電解めっき膜で充填されていることが好ましい。
【００２３】
（４）電解銅めっき膜２４上に所定パターンのエッチングレジスト３３が形成される（図１（Ｅ））。
【００２４】
（５）エッチングレジスト３３から露出している導体がエッチング液にて除去される。その後、エッチングレジスト３３が除去される。スルーホールランド３６ｃを含む導体回路３４が形成される（図２（Ａ））。
【００２５】
（６）基板３０の表面（第１面）及び裏面（第２面）に、樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）が積層され、硬化されることで下層樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂが形成される（図２（Ｂ））。
【００２６】
（７）下層樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂにバイアホール５１が形成される（図２（Ｃ））。
【００２７】
（８）下層樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂの表面に触媒が付与される。
【００２８】
（９）次に、上村工業社製の無電解銅めっき水溶液（スルカップＰＥＡ）中に、基板が浸漬される。バイアホール５１の内壁を含む下層樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂの表面に無電解銅めっき膜５２が形成される（図２（Ｄ））。
【００２９】
（１０）無電解銅めっき膜５２上に厚さ２５μｍのめっきレジスト５４が形成される（図３（Ａ））。
【００３０】
（１１）電解めっきによりめっきレジスト５４から露出している無電解めっき膜５２上に厚さ１５μｍの電解銅めっき膜５６が形成される（図３（Ｂ））。
【００３１】
（１２）さらに、めっきレジスト５４を除去することで露出する無電解めっき膜（電解めっき膜間の無電解めっき膜）がエッチング処理で除去される。導体層５８、５８０及びビア導体６０（６０Ａ、６０Ｂ）が形成される（図３（Ｃ））。第１の上層の導体層５８は複数の導体パターン５８Ｐと複数のビア導体用のパッド５８Ｖを有している。各導体パターンはチップコンデンサ用パッド５８Ｕとチップコンデンサ用パッドを囲む導体を含んでいる。チップコンデンサ用パッドとチップコンデンサ用パッドを囲む導体は同じ材質で形成されている。
【００３２】
（１３）次に、上記（６）と同様に下層樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂ上に、樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）が積層され硬化されることで最外樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｂが形成される（図１１（Ａ））。
【００３３】
（１４）レーザにて、上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａにバイアホール１５１ｃＡとチップコンデンサ用パッドを露出するための開口１５１ｕが形成される。バイアホール１５１ｃＡは上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａを貫通しビア導体用のパッド５８Ｖに至っている。開口１５１ｕは上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａを貫通し導体パターン５８Ｐに至っている。チップコンデンサ用パッド５８Ｕが開口１５１ｕにより露出される。下層の最外樹脂絶縁層１５０Ｂに第２の上層の導体回路５８０Ｂに至るバイアホール１５１ｄが形成される。バイアホール１５１ｄにより露出される第２の上層の導体回路５８０Ｂの部分が外部電極として機能する（図１１（Ｂ））。
【００３４】
（１５）開口１５１ｕとバイアホール１５１ｄ上にフィルム１５４が被覆されることで、開口１５１ｕとバイアホール１５１ｄはフィルム１５４で覆われる（図１１（Ｃ））。
【００３５】
（１６）上述の（８）〜（１２）と同様な処理により、上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａ上にランド１５８Ｌが形成され、上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａのバイアホール１５１ｃＡ内にビア導体１６０Ａが形成される。ランドはビア導体を囲んでいて、ビア導体とランドは直接接続している。ビア導体とランドで形成されている電極１５８が形成される（図１２（Ａ））。電極を構成しているビア導体がフィルドビアの場合、フィルドビアの上面はバイアホールから突出していて、フィルドビア１６０Ａの上面とランド１５８Ｌの上面は略同一平面に位置している。上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａの上面はランド以外露出している。上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａの上面に形成されている導体回路はランド１５８Ｌのみである。
【００３６】
（１７）フィルム１５４が除去され開口１５１ｕを介してチップコンデンサ用パッドが露出される。また、バイアホール１５１ｄを介して外部電極が露出される（図１２（Ｂ））。電極の上面とチップコンデンサ用パッドの上面と外部電極の上面に保護膜が形成される。電極に関しては、上面と側面に保護膜が形成されてもよい。保護膜は、ＯＳＰ（有機保護膜）、Ｓｎ膜、Ｎｉ／Ａｕ膜、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ膜などから選択される。これらの中で、最外樹脂絶縁層から突出している電極と凹んでいるチップコンデンサ用パッドに同時に均一に保護膜を形成できる点からＯＳＰやＳｎ膜が好ましい。
【００３７】
（１８）外部電極上に半田ボールが搭載され、リフローを行うことで、外部電極上にマザーボードと接続するための半田バンプ７６Ｄが形成される（図５（Ｃ））。
【００３８】
（１９）電極上に半田ペーストが印刷され、リフローを行うことで、電極上にＩＣを搭載するための半田バンプ７６Ｕが形成される（図５（Ｄ））。
【００３９】
（２０）チップコンデンサ用パッド上に半田ペーストが印刷され、リフローを行うことでチップコンデンサ用パッド上にチップコンデンサを搭載するための半田７６Ｃが形成される（図６）。
【００４０】
（２１）半田７６Ｃ上にチップコンデンサ９４のプラス端子９６Ｐ、マイナス端子９６Ｍを接触させリフローを行うことで、半田７６Ｃを介してプラス端子用パッド５８ｕｐにチップコンデンサのプラス端子９６Ｐが接続され、マイナス端子用パッド５８ｕｍにチップコンデンサのマイナス端子９６Ｍが接続される（図７）。
【００４１】
（２２）電極１５８上の半田バンプ７６ＵにＩＣチップ９０の端子９２が搭載され、リフローを行うことで、ＩＣチップ９０が実装される（図８）。
【００４２】
[実施形態の改変例]
実施形態の改変例のプリント配線板は実施形態のプリント配線板と略同様である。実施形態の改変例の製造方法によれば、実施形態の（１３）までの工程によりコア基板上に最外樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｂが形成される（図３（Ｄ））。その後、上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａを貫通しビア導体用のパッド５８Ｖに至るバイアホール１５１ｃＡが上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａに形成される。この時、上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａを貫通しチップコンデンサ用パッドに至る開口は上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａに形成されない。また、下層の最外樹脂絶縁層１５０Ｂを貫通し第２の上層の導体回路５８Ｂに至るバイアホールも下層の最外樹脂絶縁層１５０Ｂに形成されない。
【００４３】
続いて、実施形態の（８）〜（１２）と同様な処理により、電極が形成される（図４（Ａ）〜図４（Ｄ））。このとき、下層の最外樹脂絶縁層１５０Ｂ上の無電解銅めっき膜１５２Ｂは、電解めっき膜が形成される時、めっきレジスト１５５Ｄで覆われている（図４（Ｂ）、図４（Ｃ））。下層の層間樹脂絶縁層上の無電解銅めっき膜１５２Ｂは電極間の無電解銅めっき膜１５２Ａと同時に除去される。
【００４４】
その後、上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａを貫通しチップコンデンサ用パッドに至る開口１５１ｕが上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａに形成される。また、下層の最外樹脂絶縁層１５０Ｂを貫通し第２の上層の導体回路５８Ｂに至るバイアホール１５１ｄが下層の最外樹脂絶縁層１５０Ｂに形成される（図５（Ａ））。
【００４５】
続いて、電極の上面とチップコンデンサ用パッドの上面と外部電極の上面に保護膜が形成される。電極に関しては、上面と側面に保護膜７２が形成されてもよい。保護膜としては実施形態と同様な材料を用いることができる（図５（Ｂ））。
【００４６】
その後、実施形態の（１８）から（２２）と同様な処理（図５（Ｃ）、図５（Ｄ）、図６、図７）により半田バンプや半田を介して実施形態の改変例のプリント配線板にＩＣチップやチップコンデンサが実装される（図８）。
【００４７】
[実施形態の改変例２]
実施形態の改変例２のプリント配線板は実施形態のプリント配線板と略同様である。
実施形態の改変例２の製造方法によれば、実施形態の（１３）までの工程によりコア基板上に最外樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｂが形成される（図１１（Ａ））。
その後、マスクを用い、露光・現像により、上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａを貫通しビア導体用のパッド５８Ｖに至るバイアホールとチップコンデンサ用パッドに至る開口が上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａに形成される。同様に、露光・現像により、下層の最外樹脂絶縁層１５０Ｂを貫通し第２の上層の導体回路５８０Ｂに至るバイアホール１５１ｄが下層の最外樹脂絶縁層１５０Ｂに形成される。
【００４８】
その後、実施形態の（１５）〜（１６）の処理により、半田バンプや半田を介して実施形態の改変例２のプリント配線板にＩＣチップやチップコンデンサが実装される（図８）。
【００４９】
スルーホール導体用貫通孔がストレート形状であっても上述の実施形態または実施形態の改変例または実施形態の改変例２の方法により図６と同様なプリント配線板を製造することができる。
【００５０】
[実施例]
（１）０．６ｍｍ厚みのガラスエポキシ樹脂と５μｍ厚みの銅箔で形成されている銅張積層板が出発材料として準備される（図１（Ａ））。コア基板の表面からと裏面からレーザが照射される。砂時計形状のスルーホール導体用貫通孔２８が形成される（図１（Ｂ））。この貫通孔はコア基板の表面から裏面に向かって徐々に細くなる第１開口とコア基板の裏面から表面に向かって徐々に細くなる第２開口で形成されている。第１開口と第２開口はコア基板の内部で繋がっている。実施形態、実施形態の改変例、実施形態の改変例２に示されている貫通孔も実施例と同様な方法で形成される。
【００５１】
（２）スルーホール導体用貫通孔を有する銅張積層板３０Ａに無電解銅めっきを施すことにより、銅張積層板３０Ａの表面及びスルーホール導体用貫通孔２８の側壁に厚さ０．６μｍの無電解銅めっき膜２６が形成される（図１（Ｃ））。
【００５２】
（３）電解めっきにより、スルーホール導体用貫通孔２８内、及び、銅張積層板３０Ａの表面に電解銅めっき膜２４が形成される（図１（Ｄ））。この時、スルーホール導体用貫通孔は電解銅めっきで充填される。
【００５３】
（４）電解銅めっき膜２４上に所定パターンのエッチングレジスト３３が形成される（図１（Ｅ））。
【００５４】
（５）エッチングレジスト３３から露出している導体がエッチング液にて除去される。その後、エッチングレジスト３３が除去される。スルーホールランド３６ｃを含む導体回路３４が形成される（図２（Ａ））。
【００５５】
（６）基板３０の表面（第１面）及び裏面（第２面）に、樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）が積層され、硬化されることで下層樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂが形成される（図２（Ｂ））。
【００５６】
（７）ＣＯ２ ガスレーザにて、下層樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂにバイアホール５１が形成される（図２（Ｃ））。
【００５７】
（８）下層樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂの表面に触媒が付与される。
【００５８】
（９）次に、上村工業社製の無電解銅めっき水溶液（スルカップＰＥＡ）中に、基板が浸漬される。バイアホール５１の内壁を含む下層樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂの表面に無電解銅めっき膜５２が形成される（図２（Ｄ））。
【００５９】
（１０）無電解銅めっき膜５２上に厚さ２５μｍのめっきレジスト５４が形成される（図３（Ａ））。
【００６０】
（１１）電解めっきによりめっきレジスト５４から露出している無電解銅めっき膜５２上に厚さ１５μｍの電解銅めっき膜５６が形成される（図３（Ｂ））。
【００６１】
（１２）さらに、めっきレジスト５４を除去することで露出する無電解めっき膜（電解めっき膜間の無電解めっき膜）がエッチング処理で除去される。導体層５８、５８０及びビア導体６０が形成される（図３（Ｃ））。導体層５８は複数の導体パターン５８Ｐと複数のビア導体用のパッド５８Ｖを有している。各導体パターンはチップコンデンサ用パッドとチップコンデンサ用パッドを囲む導体を含んでいる。チップコンデンサ用パッドとチップコンデンサ用パッドを囲む導体は銅で形成されている。
【００６２】
（１３）次に、上記（６）と同様に下層樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂ上に、樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）が積層され硬化されることで最外樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｂが形成される（図３（Ｄ））。
【００６３】
（１４）ＣＯ２レーザにて、上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａにビア導体用のパッドに至るバイアホール１５１ｃＡが形成される（図３（Ｅ））。
【００６４】
（１５）最外樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｂの表面に触媒が付与される。
【００６５】
（９）次に、上村工業社製の無電解銅めっき水溶液（スルカップＰＥＡ）中に、基板が浸漬される。バイアホール１５１ｃＡの内壁を含む上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａと下層の最外樹脂絶縁層１５０Ｂの表面に無電解銅めっき膜１５２Ａ、１５２Ｂが形成される（図４（Ａ））。
【００６６】
（１０）無電解銅めっき膜１５２上に厚さ２５μｍのめっきレジスト１５５（１５５Ｕ、１５５Ｄ）が形成される。上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａ上のめっきレジスト１５５Ｕは無電解銅めっき膜１５２を部分的に露出するための所定のパターンを有する。下層の最外樹脂絶縁層１５０Ｂ上のめっきレジスト１５５Ｄは下層の最外樹脂絶縁層１５０Ｂ上の無電解銅めっき膜１５２Ｂを覆っている（図４（Ｂ））。
【００６７】
（１１）電解めっきによりめっきレジスト１５４Ｕから露出している無電解銅めっき膜１５２Ａ上に厚さ１５μｍの電解銅めっき膜１５６が形成される（図４（Ｃ））。
【００６８】
（１２）さらに、めっきレジスト１５５を除去することで露出する無電解めっき膜１５２（１５２Ａ、１５２Ｂ）がエッチング処理で除去される。電極１５８が形成される（図４（Ｄ））。
【００６９】
（１３）ＣＯ２レーザにより、上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａを貫通し導体パターンに至る開口１５１ｕが上層の最外樹脂絶縁層１５０Ａに形成される（図５（Ａ））。チップコンデンサ用パッドの形状は矩形でそのサイズは０．２１×０．４ｍｍである。
【００７０】
（１４）ＣＯ２レーザにより、下層の最外樹脂絶縁層１５０Ｂを貫通し第２の上層の導体回路５８０Ｂに至るバイアホール１５１ｄが下層の最外樹脂絶縁層１５０Ｂに形成される（図５（Ａ））。
【００７１】
（１５）電極の上面と側面、チップコンデンサ用パッドの上面と外部電極の上面にＯＳＰ７２が形成される（図５（Ｂ））。
【００７２】
（１６）Ｓｎ−Ｂｉ系の半田ボールが外部電極上に搭載される。リフローにより外部電極上にＳｎ−Ｂｉ系の半田バンプ７６Ｄが形成される（図５（Ｃ））。Ｓｎ−Ａｇ系の半田ペーストがチップコンデンサ用パッドに印刷される。リフローによりチップコンデンサ用パッド５８ｕｍ、５８ｕｐ上にＳｎ−Ａｇ系の半田７６Ｃが形成される。Ｓｎ−Ｐｂ系の半田ペーストが電極上に印刷される。リフローにより電極１５８上にＳｎ−Ｐｂ系の半田７６Ｕが形成される（図６）。
【００７３】
（１７）チップコンデンサ用パッド５８ｕｐ、５８ｕｍ上にチップコンデンサ７４が載せられる。リフローによりチップコンデンサ（長さ：０．６ｍｍ、幅：０．３ｍｍ、高さ：０．３ｍｍ）がチップコンデンサ用パッド５８ｕｐ、５８ｕｍに半田７６Ｃを介して実装される（図７）。電極１５８Ｌ上にＩＣ９０が載せられる。リフローによりＩＣ９０が電極１５８Ｌに半田７６Ｕを介して実装される（図８）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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