(57)【要約】      （修正有）【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工したのち支持基材から基材を脱離させる際に、基材の支持基材側に形成されている銅を含有する導電部の導電率の低下を抑制し得る基材の加工方法を提供する。【解決手段】ポリカーボネート系樹脂を主材料とする樹脂成分を含む仮固定剤２を、銅を含有する導電部を有する機能面を備える基材３と、支持基材１とのうちの少なくとも一方に供給したのち乾燥させて薄膜を形成する第１の工程と、薄膜を介して、基材と支持基材とを、機能面を支持基材側にして貼り合わせる第２の工程と、基材の機能面と反対側の面を加工する第３の工程と、薄膜を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、基材を支持基材から脱離させる第４の工程とを有し、前記第４の工程において、基材を支持基材から０．１ｐｐｍ以上、３０ｐｐｍ以下の酸素濃度の非酸化性雰囲気下で脱離させた後、基材を冷却する基材の加工方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカーボネート系樹脂を主材料とし、加熱により熱分解することで溶融または気化する樹脂成分を含む樹脂組成物で構成される仮固定剤を、銅を含有する導電部を有する機能面を備える基材と、該基材を支持するための支持基材とのうちの少なくとも一方に供給したのち乾燥させて薄膜を形成する第１の工程と、
前記薄膜を介して、前記基材と前記支持基材とを、前記機能面を前記支持基材側にして貼り合わせる第２の工程と、
前記基材の前記機能面と反対側の面を加工する第３の工程と、
前記薄膜を加熱して前記樹脂成分を熱分解させることで、前記基材を前記支持基材から脱離させる第４の工程とを有し、
前記第４の工程において、前記基材を前記支持基材から０．１ｐｐｍ以上、３０ｐｐｍ以下の酸素濃度の非酸化性雰囲気下で脱離させた後、前記基材を冷却することを特徴とする基材の加工方法。
【請求項２】
前記第４の工程において、前記薄膜を２００℃以上に加熱して前記基材を前記支持基材から脱離させる請求項１に記載の基材の加工方法。
【請求項３】
前記第４の工程において、前記基材の前記支持基材からの脱離の後、前記基材を２００℃未満に冷却する請求項１または２に記載の基材の加工方法。
【請求項４】
前記第４の工程における前記非酸化性雰囲気は、不活性ガス雰囲気である請求項１ないし３のいずれかに記載の基材の加工方法。
【請求項５】
前記第１の工程において、前記基材および前記支持基材のうちの前記支持基材に対して選択的に前記仮固定剤を供給して前記薄膜を形成する請求項１ないし４のいずれかに記載の基材の加工方法。
【請求項６】
前記第１の工程において、前記薄膜を、その平均厚さが１０〜１００μｍの厚さとなるように形成する請求項１ないし５のいずれかに記載の基材の加工方法。
【請求項７】
前記樹脂成分は、前記仮固定剤への活性エネルギー線の照射により、前記熱分解する温度が低下するものであり、前記第４の工程に先立って、前記活性エネルギー線を前記薄膜に照射する請求項１ないし６のいずれかに記載の基材の加工方法。
【請求項８】
前記樹脂成分は、酸または塩基の存在下において前記熱分解する温度が低下するものであり、前記樹脂組成物は、さらに前記活性エネルギー線の照射により酸または塩基を発生する活性剤を含有する請求項７に記載の基材の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材の加工方法、特に、仮固定剤を用いて基材を支持基材に仮固定して基材を加工する基材の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハに研磨やエッチング等の加工を行うためには、半導体ウエハを支持するための基材上に半導体ウエハを一時的に仮固定する必要があり、そのための様々な方法が提案されている。例えば、現在では基材としてのＰＥＴフィルムに接着層を設けた固定用のフィルム上に半導体ウエハを固定する方法が多く用いられている。
【０００３】
この方法では、研削に用いられる一般的なバックグラインドマシンの研削精度（約１μｍ）と、半導体ウエハを固定するための一般的なバックグラインド（ＢＧ）テープの厚み精度（約５μｍ）とを合わせると、要求される厚み精度を超えてしまい、研削されたウエハの厚みにバラツキが生じると言う問題がある。
【０００４】
また、スルー・シリコン・ビア（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）に用いる半導体ウエハを加工する場合、ＢＧテープが付いた状態でビアホールや膜の形成を行うが、そのときの温度は低くとも１８０℃程度に達し、ＢＧテープの粘着力を上げてしまう。また、膜形成のためのメッキの薬液によってＢＧテープの接着層が侵され、剥がれが生じたりする。
【０００５】
また、化合物半導体に代表される脆弱な半導体ウエハは、機械的研削によってダメージを受ける場合があるので、エッチングによって薄化を行う。このエッチングにおいては、ストレス除去を目的とする程度のエッチング量であれば特に問題はないが、数μｍエッチングする場合には、エッチングの薬液によってＢＧテープが変質してしまうことがある。
【０００６】
一方で、近年、表面が平滑な支持基材に固定材料を介して半導体ウエハを固定する方法が採用されるようになっている。
【０００７】
例えば、ストレス除去の目的でエッチングを行うには、高い温度まで加熱する必要があるが、ＰＥＴフィルムではこのような高温に耐えることができないため、このような場合には支持基材を用いた方法が好ましく適用される。
【０００８】
基材の支持基材への固定材料には、高温で軟化して半導体ウエハの脱離が容易になるような固定材料（例えば、特許文献１参照。）が提案されている。
【０００９】
ところが、このような固定材料を用いて、支持基材上に半導体ウエハを、かかる半導体ウエハの機能面を支持基材側にして固定した状態で、半導体ウエハに研磨等の加工を行った後、高温に加熱して支持基材から半導体ウエハを脱離させる際に、前記機能面に銅を含有する配線等の導電部が形成されていると、半導体ウエハが加熱された状態で雰囲気中の酸素と接触することとなる。その結果、銅が酸化され、これに起因して導電部の導電率が低下してしまうという問題がある。
【００１０】
なお、かかる問題は、機能面に銅を含有する導電部を備える半導体ウエハの加工に限らず、固定部材を接合する面にかかる導電部を備える各種基材についても同様に生じている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特表２０１０−５３１３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、支持基材上に基材を仮固定して基材を加工したのち支持基材から基材を脱離させる際に、基材の支持基材側に形成されている銅を含有する導電部の導電率の低下を抑制し得る基材の加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このような目的は、下記（１）〜（８）に記載の本発明により達成される。
（１）  ポリカーボネート系樹脂を主材料とし、加熱により熱分解することで溶融または気化する樹脂成分を含む樹脂組成物で構成される仮固定剤を、銅を含有する導電部を有する機能面を備える基材と、該基材を支持するための支持基材とのうちの少なくとも一方に供給したのち乾燥させて薄膜を形成する第１の工程と、
前記薄膜を介して、前記基材と前記支持基材とを、前記機能面を前記支持基材側にして貼り合わせる第２の工程と、
前記基材の前記機能面と反対側の面を加工する第３の工程と、
前記薄膜を加熱して前記樹脂成分を熱分解させることで、前記基材を前記支持基材から脱離させる第４の工程とを有し、
前記第４の工程において、前記基材を前記支持基材から０．１ｐｐｍ以上、３０ｐｐｍ以下の酸素濃度の非酸化性雰囲気下で脱離させた後、前記基材を冷却することを特徴とする基材の加工方法。
【００１４】
（２）  前記第４の工程において、前記薄膜を２００℃以上に加熱して前記基材を前記支持基材から脱離させる上記（１）に記載の基材の加工方法。
【００１５】
（３）  前記第４の工程において、前記基材の前記支持基材からの脱離の後、前記基材を２００℃未満に冷却する上記（１）または（２）に記載の基材の加工方法。
【００１６】
（４）  前記第４の工程における前記非酸化性雰囲気は、不活性ガス雰囲気である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の基材の加工方法。
【００１７】
（５）  前記第１の工程において、前記基材および前記支持基材のうちの前記支持基材に対して選択的に前記仮固定剤を供給して前記薄膜を形成する上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の基材の加工方法。
【００１８】
（６）  前記第１の工程において、前記薄膜を、その平均厚さが１０〜１００μｍの厚さとなるように形成する上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の基材の加工方法。
【００１９】
（７）  前記樹脂成分は、前記仮固定剤への活性エネルギー線の照射により、前記熱分解する温度が低下するものであり、前記第４の工程に先立って、前記活性エネルギー線を前記薄膜に照射する上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の基材の加工方法。
【００２０】
（８）  前記樹脂成分は、酸または塩基の存在下において前記熱分解する温度が低下するものであり、前記樹脂組成物は、さらに前記活性エネルギー線の照射により酸または塩基を発生する活性剤を含有する上記（７）に記載の基材の加工方法。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の基材の加工方法によれば、仮固定剤を用いて形成された薄膜を介して支持基材上に基材を仮固定した状態で基材を加工し、その後、支持基材から基材を脱離させる際に、基材の支持基材側に形成されている、銅を含有する導電部における銅の酸化を的確に防止または抑制することができる。その結果、導電部における導電率の低下を抑制しつつ、基材に対して精度の高い加工が可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の基材の加工方法が適用された、半導体ウエハを加工する加工工程を説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の基材の加工方法を、添付図面に示す好適実施形態に基いて詳細に説明する。
【００２４】
まず、本発明の基材の加工方法を説明するのに先立って、本発明に用いられる仮固定剤について説明する。
【００２５】
＜仮固定剤＞
仮固定剤は、基材を加工するために該基材を支持基材に仮固定し、前記基材の加工後に、加熱することで前記基材を前記支持基材から脱離させるために用いられ、ポリカーボネート系樹脂を主材料とし、前記加熱により熱分解する樹脂成分を含有する樹脂組成物からなるものである。
【００２６】
このような仮固定剤を用いることにより、仮固定剤を用いて形成された薄膜により基材を支持基材に仮固定した状態で基材を加工することができ、さらに、加工後における加熱により薄膜を溶融または気化させることで基材を支持基材から脱離させることができる。
【００２７】
以下、この樹脂成分を含有する樹脂組成物を構成する各成分について、順次、説明する。
【００２８】
樹脂成分は、仮固定時（基材の加工時）には、基材を支持基材に固定する機能を有し、さらに、仮固定剤の前記加熱により、熱分解して低分子化することで溶融または気化することに起因して、その接合強度が低下することから、支持基材からの基材の脱離を許容する機能を有するものである。
【００２９】
この樹脂成分としては、本発明では、ポリカーボネート系樹脂を主材料として構成されるものが用いられる。
【００３０】
このようなポリカーボネート系樹脂を用いることで、後述するような酸素濃度の非酸化性雰囲気下で、基材の加工の後に支持基材から基材を脱離させる際に、基材の支持基材側に形成されている導電部の導電率の低下を抑制しつつ、支持基材から基材を容易に脱離させることができるようになる。
【００３１】
ポリカーボネート系樹脂としては、特に制限されないが、ポリプロピレンカーボネート樹脂、ポリエチレンカーボネート樹脂、１，２−ポリブチレンカーボネート樹脂、１，３−ポリブチレンカーボネート樹脂、１，４−ポリブチレンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート樹脂、α，β−ポリイソブチレンカーボネート樹脂、α，γ−ポリイソブチレンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ポリヘキセンカーボネート樹脂、ポリシクロプロペンカーボネート樹脂、ポリシクロヘキセンカーボネート樹脂、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート樹脂、ポリ（メチルシクロヘキセンカーボネート）樹脂、ポリ（ビニルシクロヘキセンカーボネート）樹脂、ポリジヒドロナフタレンカーボネート樹脂、ポリヘキサヒドロスチレンカーボネート樹脂、ポリシクロヘキサンプロピレンカーボネート樹脂、ポリスチレンカーボネート樹脂、ポリ（３−フェニルプロピレンカーボネート）樹脂、ポリ（３−トリメチルシリロキシプロピレンカーボネート）樹脂、ポリ（３−メタクリロイロキシプロピレンカーボネート）樹脂、ポリパーフルオロプロピレンカーボネート樹脂、ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ポリノルボルナンカーボネート樹脂、ｅｘｏ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ｅｎｄｏ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３２】
また、ポリカーボネート系樹脂としては、例えば、ポリプロピレンカーボネート／ポリシクロヘキセンカーボネート共重合体、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，１，４，４−テトラメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−５−ノルボルネン−２−ｅｎｄｏ−３−ｅｎｄｏ−ジメタン）］樹脂、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，４−ジメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−５−ノルボルネン−２−ｅｎｄｏ−３−ｅｎｄｏ−ジメタン）］樹脂、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，１，４，４−テトラメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−ｐ−キシレン）］樹脂、およびポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，４−ジメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−ｐ−キシレン）］樹脂、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート樹脂／ｅｘｏ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート樹脂／ｅｎｄｏ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂等の共重合体を用いることもできる。
【００３３】
さらに、ポリカーボネート系樹脂としては、上記の他、カーボネート構成単位において、少なくとも２つの環状体を有するポリカーボネート樹脂を用いることもできる。
【００３４】
環状体の数は、カーボネート構成単位において、２つ以上であればよいが、２〜５であるのが好ましく、２または３であるのがより好ましく、２であるのがさらに好ましい。カーボネート構成単位としてこのような数の環状体が含まれることにより、支持基材と基材との密着性が優れたものとなる。また、仮固定剤の加熱により、かかるポリカーボネート樹脂が熱分解して低分子化することにより、溶融するものとなる。
【００３５】
また、複数の環状体は、それぞれの頂点同士が互いに連結している連結多環系構造をなしていてもよいが、それぞれが有する一辺同士が互いに連結している縮合多環系構造をなしているのが好ましい。これにより、仮固定剤としての耐熱性と、このものが溶融する際の熱分解時間を短縮することを両立することができる。
【００３６】
さらに、複数の環状体は、それぞれ、５員環または６員環であるあるのが好ましい。これにより、カーボネート構成単位の平面性が保たれることから、溶剤に対する溶解性をより安定させることができる。
【００３７】
このような複数の環状体は、脂環式化合物であるのが好ましい。各環状体が脂環式化合物である場合に、前述したような効果がより顕著に発揮されることになる。
【００３８】
これらのことを考慮すると、ポリカーボネート系樹脂において、カーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（１Ｘ）で表わされるものが特に好ましい構造である。
【００３９】
【化１】
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【００４０】
なお、上記化学式（１Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位を有するポリカーボネート系樹脂は、デカリンジオールと、炭酸ジフェニルのような炭酸ジエステルとの重縮合反応により得ることができる。
【００４１】
また、上記化学式（１Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位において、デカリンジオールが有する水酸基に連結する炭素原子に由来するものは、それぞれ、デカリン（すなわち、縮合多環系構造を形成する２つの環状体）を構成する炭素原子に結合し、かつ、これら水酸基に連結する炭素原子の間に３つ以上の原子が介在しているのが好ましい。これにより、ポリカーボネート系樹脂の分解性を制御でき、その結果、仮固定剤としての耐熱性と、このものが溶融する際の熱分解時間を短縮することを両立することができる。さらに、溶剤に対する溶解性をより安定させることができる。
【００４２】
このようなカーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（１Ａ）、（１Ｂ）で表わされるものが挙げられる。
【００４３】
【化２】
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【００４４】
さらに、複数の環状体は、脂環式化合物である他、複素脂環式化合物であってもよい。各環状体が複素脂環式化合物である場合であっても、前述したような効果がより顕著に発揮されることになる。
【００４５】
この場合、ポリカーボネート系樹脂において、カーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（２Ｘ）で表わされるものが特に好ましい構造である。
【００４６】
【化３】
2012129325.tif 000005
【００４７】
なお、上記化学式（２Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位を有するポリカーボネート系樹脂は、下記化学式（２ａ）で表わされるエーテルジオールと、炭酸ジフェニルのような炭酸ジエステルとの重縮合反応により得ることができる。
【００４８】
【化４】
2012129325.tif 000006
【００４９】
また、上記化学式（２Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位において、上記化学式（２ａ）で表わされる環状エーテルジオールが有する水酸基由来の炭素原子は、それぞれ、上記環状エーテル（すなわち、縮合多環系構造を形成する２つの環状体）を構成する炭素原子に結合し、かつ、これら炭素原子の間に３つ以上の原子が介在しているのが好ましい。これにより、仮固定剤としての耐熱性と、このものが溶融する際の熱分解時間を短縮することを両立することができる。さらに、溶剤に対する溶解性をより安定させることができる。
【００５０】
このようなカーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（２Ａ）で表わされる１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−ソルビトール（イソソルビド）型のものや、下記化学式（２Ｂ）で表わされる１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−マンニトール（イソマンニド）型ものが挙げられる。
【００５１】
【化５】
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【００５２】
ポリカーボネート系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００〜１，０００，０００であることが好ましく、５，０００〜８００，０００であることがさらに好ましい。重量平均分子量を上記下限以上とすることにより、支持基材に対する濡れ性が向上すること、さらに、成膜性を向上するという効果を得ることができる。また、上記上限値以下とすることで、各種溶剤に対する溶解性、さらには、仮固定剤の加熱による溶融および気化がより顕著に認められるという効果を得ることができる。
【００５３】
なお、ポリカーボネート系樹脂の重合方法は、特に限定されるわけではないが、例えば、ホスゲン法（溶剤法）または、エステル交換法（溶融法）等の公知の重合方法を用いることができる。
【００５４】
また、樹脂成分は、樹脂組成物を構成する全量（溶剤を含む場合には、溶剤を除いた全量）の１０重量％〜１００重量％の割合で配合することが好ましい。さらに好ましくは、５０重量％以上、特には、８０重量％〜１００重量％の割合で配合することが好ましい。１０重量％以上、特に８０重量％以上とすることで、仮固定剤を熱分解した後の残渣を低減できるという効果がある。また、樹脂組成物中の樹脂成分を多くすることで短時間で仮固定剤を熱分解できるという効果がある。
【００５５】
ところで、このようなポリカーボネート系樹脂を主材料として構成される樹脂成分は、酸または塩基の存在下において、熱分解する温度が低下するものである。さらに、ポリカーボネート系樹脂の中でも、特に、ポリプロピレンカーボネート、１，４−ポリブチレンカーボネート、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体が、かかる熱分解する温度の低下がより顕著に認められるものである。
【００５６】
そこで、ポリカーボネート系樹脂を主材料として構成される樹脂成分の他に、樹脂組成物中に、仮固定剤への活性エネルギー線の照射により酸または塩基を発生する活性剤が含まれる構成とすることで、樹脂成分（ポリカーボネート系樹脂）を、仮固定剤への活性エネルギー線の照射により熱分解する温度が低下するものとし得る。
【００５７】
したがって、仮固定剤（樹脂組成物）を、ポリカーボネート系樹脂を主材料として構成される樹脂成分と、仮固定剤への活性エネルギー線の照射により酸または塩基を発生する活性剤とを含有するものとすることで、活性エネルギー線照射により樹脂成分の熱分解する温度が低下するため、活性エネルギー線照射の後の仮固定剤の加熱により、基材の支持基材からの脱離をより容易に行え得るという効果が得られる。
【００５８】
（活性剤）
活性剤は、上述したように、活性エネルギー線の照射によってエネルギーを加えられることにより、酸または塩基のような活性種を発生させるものであり、この活性種の作用により、前記樹脂成分の熱分解する温度を低下させる機能を有するものである。
【００５９】
この活性剤としては、特に限定されないが、例えば、活性エネルギー線の照射により酸を発生する光酸発生剤や、活性エネルギー線の照射により塩基を発生する光塩基発生剤等が挙げられる。
【００６０】
光酸発生剤としては、特に限定されないが、例えば、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート−４−メチルフェニル［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ−ＴＰＦＰＢ）、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムテトラキス−（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ＴＴＢＰＳ−ＴＰＦＰＢ）、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェート（ＴＴＢＰＳ−ＨＦＰ）、トリフェニルスルホニウムトリフレート（ＴＰＳ−Ｔｆ）、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフレート（ＤＴＢＰＩ−Ｔｆ）、トリアジン（ＴＡＺ−１０１）、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート（ＴＰＳ−１０３）、トリフェニルスルホニウムビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＴＰＳ−Ｎ１）、ジ−（ｐ−ｔ−ブチル）フェニルヨードニウム、ビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＤＴＢＰＩ−Ｎ１）、トリフェニルスルホニウム、トリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＴＰＳ−Ｃ１）、ジ−（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＤＴＢＰＩ−Ｃ１）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組合せて用いることができる。これらの中でも、特に、樹脂成分の溶融粘度を効率的に下げることができるという観点から、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート−４−メチルフェニル［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ−ＴＰＦＰＢ）が好ましい。
【００６１】
また、光塩基発生剤としては、特に限定されないが、例えば、５−ベンジル−１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノナン、１−（２−ニトロベンゾイルカルバモイル）イミダゾール等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組合せて用いることができる。これらの中でも、特に、樹脂成分の溶融粘度を効率的に下げることができるという観点から、５−ベンジル−１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノナンおよびこの誘導体が好ましい。
【００６２】
前記活性剤は、樹脂組成物（仮固定剤）の全量の０．０１〜５０重量％程度であるのが好ましく、０．１〜３０重量％程度であるのがより好ましい。かかる範囲内とすることにより、樹脂成分の溶融粘度を安定的に目的とする範囲内に下げることが可能となる。
【００６３】
このような活性剤の添加により、活性エネルギー線を照射することで、酸または塩基のような活性種が発生し、この活性種の作用によって、樹脂成分の主鎖にその熱分解温度が低下する構造が形成され、その結果、樹脂成分の熱分解する温度が低下すると推察される。
【００６４】
ここで、樹脂成分としてポリカーボネート系樹脂であるポリプロピレンカーボネート樹脂を使用し、活性剤として光酸発生剤を使用した場合の熱分解温度が低下するメカニズムについて説明する。下記式（１Ｚ）で示すように、先ず、前記光酸発生剤由来のＨ＋が、ポリプロピレンカーボネート樹脂のカルボニル酸素をプロトン化し、さらに極性遷移状態を転移させ不安定な互変異性中間体［Ａ］および［Ｂ］を生じる。次に、中間体［Ａ］は、アセトンおよびＣＯ２として断片化する熱切断が起こるため、熱分解温度が低下する。また、中間体［Ｂ］は炭酸プロピレンを生成し、炭酸プロピレンはＣＯ２およびプロピレンオキシドとして断片化する熱閉環構造を形成するため、熱分解温度が低下する。
【００６５】
【化６】
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【００６６】
（増感剤）
また、仮固定剤は、活性剤を含む場合、この活性剤とともに、特定の波長の活性エネルギー線に対する活性剤の反応性を発現あるいは増大させる機能を有する成分である増感剤を含んでいても良い。
【００６７】
増感剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンツピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン−９−オン、２‐イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４‐プロポキシチオキサントン、およびこれらの混合物等が挙げられる。
【００６８】
このような増感剤の含有量は、前述した光酸発生剤等の活性剤および光ラジカル開始剤の総量１００重量部に対して、１００重量部以下であるのが好ましく、２０重量部以下であるのがより好ましい。
【００６９】
以上のような樹脂組成物には、さらに、以下に示すような他の成分が含まれていてもよい。
【００７０】
（酸化防止剤）
すなわち、樹脂組成物（仮固定剤）は、酸化防止剤を含んでいてもよい。
【００７１】
この酸化防止剤は、樹脂組成物（仮固定剤）中における酸の発生や、自然酸化を防止する機能を有している。
【００７２】
酸化防止剤としては、特に限定されないが、例えば、Ｃｉｂａ  Ｆｉｎｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、「Ｃｉｂａ  ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）  １０７６」および「Ｃｉｂａ  ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標）  １６８」が好適に用いられる。
【００７３】
また、他の酸化防止剤としては、例えば、「Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １２９」、「Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １３３０」、「Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １０１０」、「Ｃｉｂａ  Ｃｙａｎｏｘ（登録商標）  １７９０」、「Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  ３１１４、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  ３１２５」等を用いることもできる。
【００７４】
酸化防止剤の含有量は、上述した樹脂成分１００重量部に対して、０．１〜１０重量部であるのが好ましく、０．５〜５重量部であるのがより好ましい。
【００７５】
（添加剤）
また、樹脂組成物（仮固定剤）は、必要により酸捕捉剤、アクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、シランカップリング剤、希釈剤等の添加剤等を含んでも良い。
【００７６】
シランカップリング剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、これらのうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７７】
樹脂組成物（仮固定剤）がシランカップリング剤を含むことにより、基材と支持基材との密着性の向上を図ることができる。
【００７８】
また、希釈剤としては、特に限定されないが、例えば、シクロヘキセンオキサイドやα−ピネンオキサイド等のシクロエーテル化合物、［メチレンビス（４，１−フェニレンオキシメチレン）］ビスオキシランなどの芳香族シクロエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルなどのシクロアリファティックビニルエーテル化合物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７９】
樹脂組成物（仮固定剤）が希釈剤を含むことにより、仮固定剤の流動性を向上させることができ、後述する犠牲層形成工程において、仮固定剤の支持基材に対する濡れ性を向上させることが可能となる。
【００８０】
（溶剤）
また、樹脂組成物（仮固定剤）は、溶媒を含有していても良い。
【００８１】
樹脂組成物を、溶媒を含む構成とすることで、樹脂組成物の粘度等の調整が容易に行え得る。
【００８２】
溶剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、メシチレン、デカリン、ミネラルスピリット類等の炭化水素類、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド／ラクタム類が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これにより、仮固定剤の粘度を調整することが容易となり、支持基材に仮固定剤で構成される犠牲層（薄膜）の形成が容易となる。
【００８３】
前記溶剤の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物（仮固定剤）の全量の５〜９８重量％であることが好ましく、１０〜９５重量％であることがより好ましい。
【００８４】
＜半導体装置の製造方法＞
上述したような仮固定剤が、例えば、半導体装置の製造方法に適用される。
【００８５】
すなわち、半導体装置の製造方法における、半導体ウエハの加工に、仮固定剤を用いた本発明の基材の加工方法が適用される。
【００８６】
以下、この本発明の基材の加工方法の実施形態の一例について説明する。
この半導体ウエハ（基材）の加工には、上述した仮固定剤を、銅を含有する導電部を有する機能面を備える半導体ウエハと、この半導体ウエハを支持するための支持基材とのうちの少なくとも一方に供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）を形成する第１の工程と、犠牲層を介して、支持基材と半導体ウエハとを、機能面を支持基材側にして貼り合わせる第２の工程と、半導体ウエハの機能面と反対側の面を加工する第３の工程と、犠牲層を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、半導体ウエハを支持基材から脱離させる第４の工程とを有する。かかる構成の半導体ウエハの加工方法の第４の工程において、本発明では、半導体ウエハを支持基材から１ｐｐｍ以上、３０ｐｐｍ以下の酸素濃度の非酸化性雰囲気下で脱離させた後、半導体ウエハを冷却することとする。
【００８７】
図１は、本発明の基材の加工方法が適用された、半導体ウエハを加工する加工工程を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中、上側を「上」、下側を「下」とする。
【００８８】
以下、これら各工程について順次説明する。なお、以下では、半導体ウエハおよび支持基材のうちの支持基材に対して犠牲層を選択的に形成する場合を一例に説明する。
【００８９】
（犠牲層形成工程）
まず、支持基材１を用意し、図１（ａ）に示すように、この支持基材（基材）１上に、上述した仮固定剤を用いて犠牲層２を形成する（第１の工程）。
【００９０】
この犠牲層２は、仮固定剤を支持基材１上に供給した後加熱して乾燥させることで容易に形成することができる。
【００９１】
ここで、成膜される犠牲層２のＴＭＡ（Ｔｈｅｒｍａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）軟化点は、特に限定されないが、２００℃未満であるのが好ましく、５０〜１８０℃程度であるのがより好ましい。これにより、次工程（貼り合わせ工程）において、犠牲層２を後述するような条件で加熱した際に、樹脂成分が熱分解したり、半導体ウエハ３が変質・劣化したりするのを的確に抑制または防止することができる。
【００９２】
なお、ＴＭＡ軟化点とは、熱機械測定装置（ＴＭＡ）により測定されるものであり、測定対象物（犠牲層２）を一定の昇温速度で、一定の荷重を掛けながら昇温し、測定対象物の位相を観測することにより求められる。本明細書では、犠牲層２の位相が変化し始める温度をもってＴＭＡ軟化点と定義することとし、具体的には、ＴＭＡ軟化点は、例えば、熱機械測定装置（ティー・エイ・インスツルメント社製、「Ｑ４００ＥＭ」）を用いて、測定温度範囲を２５〜２００℃とし、昇温速度を５℃／ｍｉｎとした際に、１０ｇの荷重を１ｍｍφの石英ガラスピン（針）にかけた時に位相が変化し始める温度を測定することで求めることができる。
【００９３】
また、仮固定剤を支持基材１上に供給する方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレー法、印刷法、フィルム転写法、スリットコート法、スキャン塗布法等の各種塗布法を用いることができる。これらの中でも、特に、スピンコート法が好ましく用いられる。スピンコート法によれば、より均一で平坦な犠牲層２を容易に形成することができる。
【００９４】
スピンコート法を用いる場合、仮固定剤として、その粘度（２５℃）が５００〜１００，０００ｍＰａ・ｓ程度のものを用いるのが好ましく、１，０００〜５０，０００ｍＰａ・ｓ程度のものを用いるのがより好ましい。
【００９５】
なお、粘度（２５℃）は、Ｅ型粘度計（東機産業製、粘度計ＴＶＥ−２２型）で、コーン温度２５℃、３分後の値を測定値とすることができる。
【００９６】
さらに、かかる仮固定剤を供給する支持基材１の回転数を３００〜４，０００ｒｐｍ程度に設定するのが好ましく、５００〜３，５００ｒｐｍ程度に設定するのがより好ましい。
【００９７】
スピンコート法を用いる際に、これらを満足する条件で犠牲層２を成膜することにより、得られる犠牲層２の平均厚さを５０〜１００μｍ程度の厚さのものとすることができる。さらに、このような厚さの犠牲層２をほぼ均一な厚さで成膜することが可能となる。
【００９８】
さらに、仮固定剤の粘度（２５℃）をＡ［ｍＰａ・ｓ］とし、支持基材１の回転数をＢ［ｒｐｍ］としたとき、Ａ／Ｂは、０．１３〜３３０であるのが好ましく、０．５〜１００であるのがより好ましい。これにより、平均厚さ５０〜１００μｍの犠牲層２を特に均一で平坦な厚さで成膜することができる。
【００９９】
なお、支持基材１としては、半導体ウエハ３を支持し得る程度の強度を有するものであれば、特に限定されないが、光透過性を有するものであるのが好ましい。これにより、仮固定剤を、活性エネルギー線の照射により、熱分解する温度が低下するものとした場合に、支持基材１側から活性エネルギー線を透過させて、犠牲層２に活性エネルギー線を確実に照射することができるようになる。
【０１００】
光透過性を有する支持基材１としては、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリカーボネートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板が挙げられる。
【０１０１】
（貼り合わせ工程）
次に、図１（ｂ）に示すように、支持基材１上の犠牲層２が設けられた面上に、半導体ウエハ（基材）３をその機能面３１が犠牲層２側になるように載置し、この状態で、熱圧着することにより、支持基材１に犠牲層２を介して半導体ウエハ３を貼り合わせる（第２の工程）。
【０１０２】
すなわち、犠牲層２を介して、半導体ウエハ３と支持基材１とを、機能面３１を支持基材１側にして貼り合わせる。
【０１０３】
この熱圧着による貼り合わせは、例えば、真空プレス機、ウエハボンダー等の装置を用いて容易に行うことができる。
【０１０４】
ここで、本発明では、この半導体ウエハ３には、機能面３１に、銅を含有する導電体で構成される配線や端子およびバンプのような導電部が設けられている。このような機能面３１を犠牲層２で覆い支持基材１と接合することで、これらが機能面３１を保護する保護層としての機能を発揮する。そのため、次工程（加工工程）において、半導体ウエハ３の機能面３１と反対側の面を加工する際に、機能面３１が損傷したり、導電部に含まれる銅が酸化したりするのを的確に抑制または防止することができる。
【０１０５】
また、半導体ウエハ３と支持基材１とを貼り合わせる際の温度は、ＴＭＡ軟化点より５０〜２００℃程度高い範囲内であるのが好ましく、ＴＭＡ軟化点より６０〜１８０℃程度高い範囲内であるのがより好ましい。かかる条件で犠牲層２を加熱して犠牲層２を機能面３１に熱圧着することにより、犠牲層２が溶融した状態で、機能面３１に接触することとなる。ここで、半導体ウエハ３の機能面３１には、上述のように導電部が形成されていることから、機能面３１は凹凸面で構成される。このように機能面３１が凹凸面で構成されるが、犠牲層２を溶融した状態とすることにより、犠牲層２が機能面３１に接触した際には、その凹凸形状に追従して犠牲層２が機能面３１に埋入することとなる。その結果、犠牲層２と機能面３１との間における空隙の形成が的確に抑制されることから、半導体ウエハ３と支持基材１とが一定の間隔を維持した状態で、犠牲層２を介して半導体ウエハ３と支持基材１とが優れた密着性をもって接合される。
【０１０６】
さらに、犠牲層２が必要以上に軟化してしまうのが的確に防止されるため、半導体ウエハ３と支持基材１とが互いに近づく方向に加圧する際に、半導体ウエハ３と支持基材１との間から犠牲層２の一部が押し出されてしまい、これに起因して、半導体ウエハ３と支持基材１との間隔を一定に維持できなくなるのを的確に抑制または防止することができる。
【０１０７】
また、かかる範囲の温度で犠牲層２を加熱する時間は、特に限定されないが、例えば、０．１〜１０分程度であるのが好ましく、０．５〜５分程度であるのがより好ましい。これにより、犠牲層２を前記範囲内の温度に加熱することができ、犠牲層２を確実に溶融状態とすることができる。
【０１０８】
また、上述したような温度範囲で犠牲層２を加熱した際に、半導体ウエハ３と支持基材１とが互いに近づく方向に加圧する際の圧力は、特に限定されないが、０．０１〜３．０ＭＰａ程度であるのが好ましく、０．０５〜２．０ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、溶融状態とした犠牲層２を機能面３１に埋入させることができるとともに、半導体ウエハ３と支持基材１との間から犠牲層２の一部が押し出されてしまうのを確実に防止することができる。
【０１０９】
なお、機能面３１における凹凸は、バンプのように嵩高いものが形成されていたとしても、通常、５０μｍ未満の高低差のものとなっている。したがって、犠牲層２の平均膜厚は、前記犠牲層形成工程において、スピンコート法を用いて犠牲層２を形成する場合のように、５０〜１００μｍ程度の厚さに成膜されるのが好ましく、６０〜８０μｍ程度に成膜されるのがより好ましい。かかる範囲内の平均膜厚を有する犠牲層２とすることで、上記のような凹凸面で構成される機能面３１であっても、犠牲層２を機能面３１に埋入させることができるため、犠牲層２を介して半導体ウエハ３と支持基材１とを一定の離間距離に保つことが可能となる。また、機能面３１の全体を均一な膜厚の犠牲層２で覆うことができ、次工程（加工工程）において、機能面３１を犠牲層２により確実に保護することができる。
【０１１０】
（加工工程）
次に、犠牲層２を介して支持基材１上に固定された半導体ウエハ３の機能面３１と反対側の面（裏面）を加工する（第３の工程）。
【０１１１】
この半導体ウエハ３の加工は、特に限定されず、例えば、図１（ｃ）に示すような半導体ウエハ３の裏面の研削・研磨の他、半導体ウエハ３へのビアホールの形成、ストレスリリースのための半導体ウエハ３の裏面のエッチング、リソグラフィー、さらには半導体ウエハ３の裏面への薄膜のコート、蒸着等が挙げられる。
【０１１２】
ここで、本工程において、半導体ウエハ３は、このものの加工に伴う熱履歴を経ることとなる。したがって、機能面３１が有する導電部が露出していると、雰囲気中に存在する酸素と接触することに起因して、導電部に含まれる銅が酸化し、その結果、導電部の導電率が低下してしまうという問題がある。しかしながら、本発明では、前記工程（貼り合わせ工程）において説明したように、機能面３１が犠牲層２により覆われており、この犠牲層２が保護層としての機能を発揮するため、かかる問題点は解消される。
【０１１３】
さらに、本実施形態では、凹凸面で構成される機能面３１に対してその凹凸形状に追従するようにして犠牲層２が接合される。これにより、半導体ウエハ３と支持基材１とが優れた密着性をもって犠牲層２により接合されるとともに、これらが一定の間隔を維持した状態で、犠牲層２を介して半導体ウエハ３が支持基材１に接合される。そのため、仮に、半導体ウエハ３と支持基材１とが優れた密着性をもって接合されず、半導体ウエハ３と支持基材１との離間距離が一定の距離を保たれない状態で、機能面３１と反対側の面の研削・研磨を行うと、半導体ウエハ３の厚さにバラツキが生じるという問題があるが、本実施形態では、半導体ウエハ３と支持基材１とを優れた密着性をもって接合して、半導体ウエハ３と支持基材１との間の離間距離を一定の間隔に維持し得ることから、かかる問題点が解消される。
【０１１４】
すなわち、半導体ウエハ３の裏面の研削・研磨を、その厚さにバラツキを生じることなく優れた精度で行うことが可能となる。
【０１１５】
（脱離工程）
次いで、図１（ｄ）に示すように、犠牲層２を加熱して樹脂成分を熱分解させて低分子化させることにより、犠牲層２を溶融または気化させた後、半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させる（第４の工程）。
【０１１６】
さて、本発明では、この脱離工程を、半導体ウエハ３を支持基材１から０．１ｐｐｍ以上、３０ｐｐｍ以下の酸素濃度の非酸化性雰囲気下で脱離させた後、半導体ウエハ３の冷却を行うこととする。
【０１１７】
ここで、本発明者の検討により、ポリカーボネート系樹脂を主材料とする樹脂成分は、その加熱による熱分解が比較的高濃度の酸素濃度下で円滑に進行することが判っている。これに反して、半導体ウエハ３が高温に加熱された状態で、高濃度の酸素濃度下において半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させると、保護層として機能していた犠牲層２から機能面３１が露出し、その結果、導電部に含まれる銅が酸化される。
【０１１８】
本発明者は、かかる問題点に鑑み鋭意検討を重ねた結果、犠牲層２を加熱して半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させ、さらに半導体ウエハ３を冷却するまでの雰囲気の酸素濃度を、上述したような適切な範囲内に設定することにより、樹脂成分の加熱による熱分解が円滑に行われるともに、導電部に含まれる銅の酸化が的確に抑制されることから、前記問題点を解消し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０１１９】
なお、非酸化性雰囲気における酸素濃度は、０．１ｐｐｍ以上、３０ｐｐｍ以下であれば良いが、好ましくは０．５ｐｐｍ以上、２５ｐｐｍ以下、より好ましくは１ｐｐｍ以上、２０ｐｐｍ以下に設定される。上記下限を下回ると樹脂成分の加熱による熱分解が円滑に行われないおそれがある。また、上記上限を超えると、導電部に含まれる銅が酸化して導電部の導電率が低下してしまうおそれがある。
【０１２０】
また、銅の酸化は、２００℃以上の温度に導電部が加熱された際に顕著に認められる。そのため、本発明は、犠牲層２が好ましくは２００℃以上、より好ましくは２００〜３５０℃程度、さらに好ましくは２２０〜３２０℃程度に加熱される際に適用される。かかる温度範囲に犠牲層２が加熱される際に本発明を適用することで、導電部に含まれる銅の酸化がより的確に抑制または防止される。
【０１２１】
さらに、これとは逆に、半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させた後の半導体ウエハ３の冷却を、好ましくは２００℃未満、より好ましくは１００〜１９０℃程度、さらに好ましくは１２０〜１８０℃程度となるように行う。これにより、冷却の後に半導体ウエハ３を酸化性雰囲気下に配置したとしても、導電部に含まれる銅の酸化をより的確に抑制または防止することができる。
【０１２２】
非酸化性雰囲気としては、例えば、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、水素、一酸化炭素のような還元性ガス雰囲気、１０-1〜１０-6Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気等が挙げられ、これらの中でも、不活性ガス雰囲気であるのが好ましい。これにより、チャンバー内に不活性ガスを流入させるという簡単な操作で雰囲気中の酸素濃度を前記範囲内に設定することができる。
【０１２３】
なお、犠牲層２を加熱する温度は、具体的には、ポリカーボネート系樹脂を主材料とする樹脂成分が熱分解する温度で、かつ、半導体ウエハ３の変質・劣化が防止される温度に設定されるため、好ましくは２００〜３５０℃程度、より好ましくは２２０〜３２０℃程度に設定される。
【０１２４】
ここで、本明細書中において、脱離とは、半導体ウエハ３を支持基材１から剥離する操作を意味し、犠牲層２が溶融状態となる場合や気化する場合に関わらず、例えば、この操作は、支持基材１の表面に対して垂直方向に半導体ウエハ３を脱離させる方法や、支持基材１の表面に対して水平方向にスライドさせて半導体ウエハ３を脱離させる方法や、図１（ｅ）に示すように、半導体ウエハ３の一端側から半導体ウエハ３を支持基材１から浮かせることで脱離させる方法等が挙げられる。
【０１２５】
なお、前記加熱工程を経ることで、犠牲層２が気化している場合には、半導体ウエハ３と支持基材１との間から犠牲層２が除去されているため、支持基材１からの半導体ウエハ３の脱離をより容易に行うことができる。
【０１２６】
以上のように、本工程における雰囲気の酸素濃度を、上述したような適切な範囲内に設定することにより、銅を含有する導電部における銅の酸化を的確に防止または抑制することができる。その結果、導電部における導電率の低下を抑制することができる。
【０１２７】
（洗浄工程）
次に、前記脱離工程において、犠牲層２を加熱することで犠牲層２が溶融状態となる場合や、気化した犠牲層２の一部が残存している場合には、必要に応じて、半導体ウエハ３の機能面３１に残存する犠牲層２を洗浄する。
【０１２８】
すなわち、機能面３１に残留した犠牲層２の残留物を除去する。
この残留物の除去方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、プラズマ処理、薬液浸漬処理、研磨処理、加熱処理等が挙げられる。
【０１２９】
なお、本実施形態では、犠牲層形成工程において、犠牲層２を支持基材１に形成する構成としたが、かかる場合に限定されず、支持基材１および半導体ウエハ３の双方に犠牲層２を形成する構成としてもよいし、支持基材１への犠牲層２の形成を省略して半導体ウエハ３に選択的に犠牲層２を形成する構成としてもよい。
【０１３０】
以上のようにして、半導体ウエハ３の裏面が加工される。
なお、犠牲層（樹脂組成物）２に活性剤が含まれ、これにより樹脂成分が、活性エネルギー線の照射により、熱分解する温度が低下するものとなる場合には、前記脱離工程における犠牲層２の加熱に先立って、下記の活性エネルギー線照射工程を施すようにしてもよい。
【０１３１】
（活性エネルギー線照射工程）
本工程では、犠牲層２に活性エネルギー線を照射する。
【０１３２】
ここで、犠牲層（樹脂組成物）２に、熱分解する温度が低下する樹脂成分と、仮固定剤への活性エネルギー線の照射により酸または塩基を発生する活性剤とが含まれる場合、仮固定剤（樹脂組成物）中に含まれる活性剤にエネルギーが付与されると、活性剤から酸または塩基のような活性種が発生するため、この活性種の作用により、樹脂成分の熱分解する温度が低下する。
【０１３３】
したがって、犠牲層２の加熱に先立って、犠牲層２に活性エネルギー線を照射する構成とすることで、犠牲層２を加熱する際の加熱温度や加熱時間等を低くしたり短くすることができるため、この加熱をより緩和な条件で行うことができる。その結果、半導体ウエハ３が加熱されることによる変質・劣化をより的確に抑制または防止することができる。
【０１３４】
また、活性エネルギー線としては、特に限定されないが、例えば、波長２００〜８００ｎｍ程度の光線であるのが好ましく、波長３００〜５００ｎｍ程度の光線であるのがより好ましい。
【０１３５】
さらに、活性エネルギー線の照射量は、特に限定されないが、１０ｍＪ／ｃｍ２〜２００００ｍＪ／ｃｍ２であるのが好ましく、２０ｍＪ／ｃｍ２〜１００００ｍＪ／ｃｍ２であるのがより好ましい。
【０１３６】
なお、本実施形態では、支持基材１に犠牲層２を選択的に形成することとしたが、かかる場合に限定されず、半導体ウエハ３に選択的に形成するようにしてもよいし、支持基材１および半導体ウエハ３の双方に形成するようにしてもよい。ただし、本実施形態のように、支持基材１に選択的に形成する構成とすることで、犠牲層２の形成のための時間と手間の簡略化が図られ、さらに、支持基材１の犠牲層２を形成する面を平坦面で構成し得ることから、犠牲層２を確実に均一な膜厚を有するものとし得るという効果も得られる。
【０１３７】
また、本実施形態では、基材として半導体ウエハ３を用いた場合を一例に説明したが、かかる場合に限らず、例えば、配線基板および回路基板等を用いることもできる。
【０１３８】
以上、本発明の基材の加工方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１３９】
たとえば、仮固定剤に含まれる各構成材料は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することができる。
また、本発明の基材の加工方法には、必要に応じて任意の工程が追加されてもよい。
【実施例】
【０１４０】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．仮固定剤の調製
まず、以下に示すようなサンプルＮｏ．１〜２の仮固定剤を調整した。
【０１４１】
［サンプルＮｏ．１］
＜１，４−ポリブチレンカーボネートの合成＞
攪拌機、原料仕込み口、および窒素ガス導入口を備えた三口フラスコに１，４−ブタンジオール（１６８ｇ、１．８６４モル）と炭酸ジエチル（２６４．２ｇ、２．２３６モル）を加え、窒素雰囲気下で９０〜１００℃で加熱し、混合物を溶解した。
【０１４２】
次いで、２０％ナトリウムエトキシドエタノール溶液（８０ｍｌ、０．１８６モル）を加えた後、窒素雰囲気下、９０〜１００℃で１時間攪拌した。その後、反応容器内を３０ｋＰａ程度減圧し、９０〜１００℃で１時間、１２０℃で１時間した。その後、更に、０．１ｋＰａの真空下、１５０℃で１時間、１８０℃で２時間攪拌した。
【０１４３】
上記で得られた反応物をテトラヒドロフラン（２Ｌ）に溶解させ、ろ過を行い、触媒残渣を除去した。その後、その濾液を蒸留水／メタノール＝１／９の溶液（２０Ｌ）に投入、沈殿物を回収し、さらに、蒸留水／メタノール＝１／９の溶液（１０Ｌ）で充分に洗浄し、１２５ｇの１，４−ポリブチレンカーボネート（収率４８％）を得た。
【０１４４】
合成した１，４−ポリブチレンカーボネートをＧＰＣにより重量平均分子量を測定したところ、３５，０００であった。
【０１４５】
＜仮固定剤の作製＞
得られた１，４−ポリブチレンカーボネート１００ｇ、活性剤としてＲｈｏｄｏｒｓｉｌ  Ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４（ＦＡＢＡ）（ローディアジャパン（株）社製  Ｒｈｏｄｏｒｓｉｌ  Ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４）５ｇ、増感剤として１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン（英Ｌａｍｂｓｏｎ社製  ＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＣＰＴＸ（商品名））１．５ｇをアニソール（溶剤）３９３．５ｇに溶解し、樹脂濃度２０％のサンプルＮｏ．１の仮固定剤を作製した。
【０１４６】
なお、このサンプルＮｏ．１の仮固定剤の粘度（２５℃）は３，０００ｍＰａ・ｓであった。
【０１４７】
［サンプルＮｏ．２］
＜イソソルビド型ポリカーボネートの合成＞
イソソルビド１０２．０１ｇ（０．６９８モル）、炭酸ジフェニル１４９．５３ｇ（０．６９８モル）、炭酸セシウム０．００２３ｇ（６．９８×１０−６モル）をそれぞれ秤量し、その後、これらを反応容器に入れた。反応の第１工程として、窒素雰囲気下で、１２０℃に加熱した加熱槽に反応容器を浸し、攪拌し、原料を溶解させ、２時間攪拌を続けた。次に、反応の第２工程として、反応容器内を１０ｋＰａに減圧し、１２０℃で１時間攪拌を続けた。次に、反応の第３工程として、反応容器内を０．５ｋＰａ以下に減圧し、１２０℃で１．５時間攪拌を続けた。次に、反応の第４工程として、反応容器内を０．５ｋＰａ以下に減圧したまま、約３０分かけて加熱槽の温度を１８０℃に昇温した後、１８０℃で１．５時間攪拌を続けた。なお、前記反応の第２〜４工程で生じたフェノールは反応容器外へ留去した。
【０１４８】
反応容器内の圧力を常圧に戻した後、上記で得られた反応物をγ−ブチロラクトン１．２Ｌを加え、生成物を溶解させた。次に、イソプロパノール／水＝９／１（ｖ／ｖ）の混合溶液１２Ｌを攪拌させた状態で、生成物を溶解した溶液を滴下した。次に、析出した沈殿を吸引濾過で回収し、回収した沈殿をイソプロパノール／水＝９／１（ｖ／ｖ）の混合溶液４Ｌで洗浄した後、吸引濾過で回収した。回収した沈殿を真空乾燥機で８０℃／１８時間乾燥することにより、上記化学式（２Ａ）で表わされるイソソルビド型ポリカーボネートの粉末１２３．１５ｇ（収率１００％）を得た。
【０１４９】
合成したイソソルビド型ポリカーボネートをＧＰＣにより重量平均分子量を測定したところ、４５，０００であった。
【０１５０】
＜仮固定剤の調製＞
イソソルビド型ポリカーボネート１００．０ｇ、活性剤（光酸発生剤）としてＧＳＩＤ２６−１（チバジャパン社製）２．０ｇをγ−ブチロラクトン１９８．０ｇに溶解し、樹脂成分濃度３３重量％の仮固定剤を調製した。
【０１５１】
なお、このサンプルＮｏ．２の仮固定剤の粘度（２５℃）は２２，０００ｍＰａ・ｓであった。
【０１５２】
【表１】
2012129325.tif 000009
【０１５３】
２．半導体ウエハの裏面加工
次に、以下に示すようにして、各サンプルＮｏ．１〜２の仮固定剤を用いて、半導体ウエハの裏面に加工を施した。
【０１５４】
［実施例１］
＜１＞  まず、スピンコータを用いて、サンプルＮｏ．１の仮固定剤を８インチの透明ガラスに塗布し（回転数：５００ｒｐｍ、時間：３０秒）、次いで、ホットプレート上で、１２０℃、５分の条件でプリベーク（乾燥）を行い、厚さ５０μｍの仮固定剤からなる薄膜（犠牲層）を形成した。
【０１５５】
なお、この薄膜のＴＭＡ軟化点を、熱機械測定装置（ティー・エイ・インスツルメント社製、「Ｑ４００ＥＭ」）を用いて測定したところ、５０℃であった。
【０１５６】
＜２＞  次に、サブストレート・ボンダー（型番ＳＢ−８ｅ、ズース・マイクロテック社製）を用い、８インチシリコンウエハを仮固定剤からなる薄膜を介して８インチ透明ガラスに仮固定した（雰囲気：１０−２ｍｂａｒ、温度：１２０℃、荷重：１０ｋＮ、時間：５分）。
【０１５７】
なお、この８インチシリコンウエハとしては、厚さ７２５μｍ、薄膜を接触させる側の面に、ピッチ５０μｍ、幅５０μｍ、高さ１０μｍの銅で構成される配線が一定方向に複数設けられているものを使用した。
【０１５８】
＜３＞  次に、透明ガラスに仮固定されたシリコンウエハについて、研削装置（ＤＩＳＣＯ社製、「ＤＦＧ８５４０」）を用いて、半導体ウエハの下面（裏面）を研削して、半導体ウエハの厚さが１４５μｍとなるように加工した。
【０１５９】
＜４＞  次に、８インチ透明ガラスに８インチシリコンウエハを仮固定したサンプルをチャンバー内に配置し、所定の酸素濃度、温度、時間による、窒素雰囲気下における加熱処理を行い、仮固定剤の熱分解を行った。
【０１６０】
なお、仮固定剤は、酸素濃度１０ｐｐｍの窒素雰囲気下における２００℃、３０分の加熱処理により熱分解を行った。
【０１６１】
＜５＞  次に、熱分解を行ったサンプルを、チャンバー内において、非酸化性雰囲気としたまま、８インチ透明ガラスと８インチシリコンウエハの隙間にピンセットを入れ、８インチシリコンウエハの脱離を行ったのちに１８０℃に冷却し、その後、チャンバーから取り出した。
【０１６２】
［実施例２、比較例１、２］
前記工程＜１＞における、用いる仮固定剤の種類、成膜の条件、前記工程＜４＞における、犠牲層を加熱する条件、前記工程＜５＞における、８インチシリコンウエハを冷却する条件をそれぞれ表２に示すように変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、シリコンウエハの裏面加工を行った。
【０１６３】
３．銅配線の変色による評価
前記工程＜５＞において得られた８インチシリコンウエハの銅配線の変色を目視により観察し、以下の判定基準により判定した。
【０１６４】
○：未処理の銅配線と同じ色に観察される。
×：未処理の銅配線に対して黒ずんで観察される。
以下に、実施例１、２および比較例１、２の評価結果を表２に示す。
【０１６５】
【表２】
2012129325.tif 000010
【０１６６】
表２に示したように、各実施例では、シリコンウエハ脱離時の酸素濃度が適切な範囲内に設定されていることに起因して、シリコンウエハに形成した銅配線の酸化を的確に抑制することができた。
【０１６７】
これに対して、各比較例では、シリコンウエハ脱離時の酸素濃度が適切な範囲内に設定されていないために、銅配線の酸化が顕著に認められる結果となった。
【符号の説明】
【０１６８】
１                支持基材
２                犠牲層
３                半導体ウエハ
３１              機能面
【図１】
2012129325.tif 000011