(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子の劣化あるいは発光ムラを抑制した有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、および電子機器を提供すること。【解決手段】本適用例の有機ＥＬ装置１の製造方法は、基体２００上に画素電極２０を形成する画素電極形成工程Ｓ２と、画素電極２０に対応した開口部２５が設けられるように隔壁層３０を形成する隔壁層形成工程Ｓ３と、開口部２５および隔壁層３０を覆うように発光層４０を形成する発光層形成工程Ｓ４と、隔壁層３０と発光層４０とが平面的に重なる第１の領域において、発光層４０ａ上に導電層５０を形成する導電層形成工程Ｓ５と、発光層４０および導電層５０を覆うように共通電極６０を形成する共通電極形成工程Ｓ７と、を備え、導電層形成工程Ｓ５と共通電極形成工程Ｓ７との間には、第１の領域に形成された発光層４０ａの少なくとも一部を加熱する発光層加熱工程Ｓ６を有している。【選択図】図３
2012084371.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
前記第１の電極に対応した開口部が設けられるように隔壁を形成する隔壁形成工程と、
前記開口部および前記隔壁を覆うように発光層を形成する発光層形成工程と、
前記隔壁と前記発光層とが平面的に重なる第１の領域において、前記発光層上に導電層を形成する導電層形成工程と、
前記発光層および前記導電層を覆うように第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を備え、
前記導電層形成工程と前記第２の電極形成工程との間には、前記第１の領域における前記発光層の少なくとも一部を加熱する発光層加熱工程を有している、
ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の領域は、前記導電層が形成される第２の領域と、前記導電層が形成されていない第３の領域と、を含み、
前記発光層加熱工程において、前記第３の領域における前記発光層の少なくとも一部を加熱することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記発光層加熱工程は、エネルギー線を照射し加熱することを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記エネルギー線は、レーザー光であることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記発光層加熱工程は、前記第１の領域における前記発光層の少なくとも一部が剥離した第１の剥離部を検出する工程を含み、
前記発光層加熱工程は、前記第１の剥離部を加熱することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
基体上に第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
前記第１の電極に対応した開口部が設けられるように隔壁を形成する隔壁形成工程と、
前記第１の電極および前記隔壁を覆うように発光層を形成する発光層形成工程と、
前記発光層を覆うように第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、
前記隔壁と前記第２の電極とが平面的に重なる第４の領域において、前記第２の電極上に導電層を形成する導電層形成工程と、
前記第２の電極および前記導電層を覆うように封止層を形成する封止層形成工程と、を備え、
前記導電層形成工程と前記封止層形成工程との間には、前記第４の領域における前記第２の電極の少なくとも一部を加熱する電極加熱工程を有していることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
前記第４の領域における前記第２の電極は、前記導電層が形成される第５の領域と、前記導電層が形成されていない第６の領域と、を含み、
前記電極加熱工程において、前記第６の領域における前記第２の電極の少なくとも一部を加熱することを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
前記電極加熱工程は、エネルギー線を照射し加熱することを特徴とする請求項６または７に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
前記エネルギーは、レーザー光であることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電極加熱工程は、前記第４の領域における前記第２電極の少なくとも一部が剥離した第２の剥離部を検出する工程を含み、
前記電極加熱工程は、前記第２の剥離部を加熱することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法によって製造された有機ＥＬ装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の有機ＥＬ装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年提案されている、有機エレクトロルミネッセンス（以下「有機ＥＬ」）素子を備えた有機ＥＬ装置には、有機ＥＬ素子が放つ光を該素子が形成された基板側とは反対側（陰極側）から取り出すいわゆるトップエミッション方式の発光方式がある。トップエミッション方式の有機ＥＬ装置では、有機ＥＬ素子の発光効率をより高めるという観点から、光を取り出す側に設けられる電極は光透過性を有するように形成するのが望ましい。具体的には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：インジウム錫酸化物）等の透明導電材料を用いる、もしくは、銀やアルミニウム等の金属材料を用いた場合には光透過性を有するほどの薄膜とする、といった方法で光透過性を有する電極を形成する。
【０００３】
しかしながら、光透過性を有するように形成される電極は、形成材料自体の物性や、膜厚が薄いことにより、電極全体として抵抗値が高くなる。そのため、電極内で電圧降下が生じ、表示画面に発光ムラや輝度ムラ等の表示ムラが発生する課題があった。
【０００４】
このような問題を解決する方法として、例えば、特許文献１には、光を取り出す側の陰極上に補助電極を隔壁部の上面と平面的に重なるように設けることにより、陰極全体としての電気抵抗を低減させる有機ＥＬ装置の製造方法が提案されている。隔壁上に補助配線を形成する際には、通常マスク蒸着法を用いることが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４１４４６８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述の有機ＥＬ装置の製造方法では、陰極とマスクとが接触してしまい、接触した陰極の一部がマスクに付着し、そのままマスクを陰極から離すと、マスクに付着した陰極の一部が剥離してしまう虞があった。陰極の一部が剥離した状態のまま、陰極上に封止層を成膜すると、陰極の剥離した部分においては封止層の成膜性が悪くなってしまい、酸素や水分の浸入が容易になり、有機ＥＬ素子が劣化してしまう問題が生じる。さらに、陰極の一部が剥離してしまうので、有機ＥＬ素子に均一に電流を供給できず、発光ムラが生じてしまうといった問題が生じる虞があった。
【０００７】
また、隔壁を覆うように複数の有機ＥＬ素子に連続して発光層を設け、該発光層上に補助電極を設けた場合にも、発光層と補助電極形成用のマスクとが接触してしまい、接触部した発光層の一部がマスクに付着し、そのままマスクを発光層から離すと、発光層の一部が剥離してしまう虞があった。発光層の一部が剥離した状態のまま、発光層上に陰極を成膜すると、発光層の剥離した部分部分においては陰極の成膜性が悪くなり、有機ＥＬ素子に均一に電流を供給できず、発光ムラが生じる虞があった。さらに、陰極上に封止層を形成した場合、発光層の剥離した部分を覆う封止層の成膜性も悪くなるので、酸素や水分の浸入が容易になり、有機ＥＬ素子が劣化してしまう問題が生じる虞があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、少なくとも上述の課題の一つを解決するように、下記の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
〔適用例１〕本適用例による有機ＥＬ装置の製造方法は、基体上に第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、前記第１の電極に対応した開口部が設けられるように隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記開口部および前記隔壁を覆うように発光層を形成する発光層形成工程と、前記隔壁と前記発光層とが平面的に重なる第１の領域において、前記発光層上に導電層を形成する導電層形成工程と、前記発光層および前記導電層を覆うように第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を備え、前記導電層形成工程と前記第２の電極形成工程との間には、前記第１の領域における前記発光層の少なくとも一部を加熱する発光層加熱工程を有していることを特徴とする。
【００１０】
上述の適用例によれば、導電層形成工程と第２の電極形成工程との間に発光層加熱工程を有することによって、導電層形成工程において隔壁層を覆う発光層に、例えば部分的な発光層の剥離などによって凹凸が生じた場合でも、隔壁層を覆う発光層の表面の少なくとも一部を加熱して溶融させる発光層加熱工程を行うことで、発光層の表面に発生した凹凸を略平坦にすることができる。したがって、隔壁層を覆う発光層の表面が略平坦になっているので、該発光層を覆うように設けられる第２の電極の成膜性の低下を抑制することができる。
【００１１】
〔適用例２〕上述の適用例において、前記第１の領域は、前記導電層が形成される第２の領域と、前記導電層が形成されていない第３の領域と、を含み、前記発光層加熱工程において、前記第３の領域における前記発光層の少なくとも一部を加熱することを特徴とする。
【００１２】
上述の適用例によれば、導電層形成工程においては、導電層形成時に使用する蒸着マスクと第３の領域における発光層とが接触し、第３の領域における発光層の少なくとも一部が剥離した場合、発光層加熱工程において、第３の領域における発光層の少なくも一部を選択的に加熱するので、第３の領域以外の部分に加熱による悪影響を与えることがなく、効果的に発光層の表面の凹凸を略平坦にすることができる。
【００１３】
〔適用例３〕上述の適用例において、前記発光層加熱工程は、エネルギー線を照射することにより前記発光層を加熱することを特徴とする。
【００１４】
上述の適用例によれば、エネルギー線を用いて発光層を加熱するので、発光層を局所的に加熱することができる。すなわち、照射した部分のみの発光層の温度を瞬間的に上昇させて、溶融、蒸発、あるいは昇華させるので、他の領域の発光層、あるいは有機ＥＬ装置全体に損傷を与えることがなく、発光層の剥離部のみを確実に、かつ容易に加熱して、剥離部における発光層の表面の凹凸を略平坦にすることが可能となる。
【００１５】
〔適用例４〕上述の適用例において、前記エネルギーは、レーザー光であることを特徴とする。
【００１６】
上述の適用例によれば、レーザー光を用いて発光層を加熱するので、容易かつ局所的に発光層を加熱することができる。また、レーザーを用いれば、複雑な装置を必要とせずに安定的にエネルギー線を出力できるので、従来の有機ＥＬ装置の製造装置を複雑化させることなく、隔壁を覆う発光層の表面をより均一に平坦化することができる。
【００１７】
〔適用例５〕上述の適用例において、前記発光層加熱工程は、前記第１の領域における前記発光層の少なくとも一部が剥離した第１の剥離部を検出する工程を含み、前記発光層加熱工程は、前記第１の剥離部を加熱することを特徴とする。
【００１８】
上述の適用例によれば、隔壁層を覆う発光層の剥離部分のみにエネルギー線を商社させることができ、発光層の剥離部のみを確実に、かつ容易に加熱して、剥離部における発光層の表面の凹凸を略平坦にすることが可能となる。
【００１９】
〔適用例６〕本適用例による有機ＥＬ装置の製造方法は、基体上に第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、前記第１の電極に対応した開口部が設けられるように隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記第１の電極および前記隔壁を覆うように発光層を形成する発光層形成工程と、前記発光層を覆うように第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、前記隔壁と前記第２の電極とが平面的に重なる第４の領域において、前記第２の電極上に導電層を形成する導電層形成工程と、前記第２の電極および前記導電層を覆うように封止層を形成する封止層形成工程と、を備え、前記導電層形成工程と前記封止層形成工程との間には、前記第４の領域における前記第２の電極の少なくとも一部を加熱する電極加熱工程を有していることを特徴とする。
【００２０】
上述の適用例によれば、導電層形成工程と封止層形成工程との間に電極加熱工程を有することによって、導電層形成工程において隔壁層を覆う第２の電極に、例えば部分的な第２電極の剥離などによって凹凸が生じた場合でも、隔壁層を覆う第２の電極の表面の少なくとも一部を加熱して溶融させる電極加熱工程を行うことで、第２の電極の表面に発生した凹凸を略平坦にすることができる。したがって、隔壁層を覆う第２の電極の表面が略平坦になっているので、該第２の電極を覆うように設けられる封止層の成膜性の低下を抑制することができる。
【００２１】
〔適用例７〕上述の適用例において、前記第４の領域における前記第２の電極は、前記導電層が形成される第５の領域と、前記導電層が形成されていない第６の領域と、を含み、前記電極加熱工程において、前記第６の領域における前記第２の電極の少なくとも一部を加熱することを特徴とする。
【００２２】
上述の適用例によれば、導電層形成工程においては、導電層形成時に使用する蒸着マスクと第５の領域における第２の電極とが接触し、第５の領域における第２の電極の少なくとも一部が剥離した場合、電極加熱工程において、第５の領域における第２の電極の少なくも一部を選択的に加熱するので、第５の領域以外の部分に加熱による悪影響を与えることがなく、効果的に第２の電極の表面の凹凸を略平坦にすることができる。
【００２３】
〔適用例８〕上述の適用例において、前記電極加熱工程は、エネルギー線を照射することにより前記第２の電極を加熱することを特徴とする。
【００２４】
上述の適用例によれば、エネルギー線を用いて第２の電極を加熱するので、第２の電極を局所的に加熱することができる。すなわち、照射した部分のみの第２の電極の温度を瞬間的に上昇させて、溶融、蒸発、あるいは昇華させるので、他の領域の第２の電極、あるいは有機ＥＬ装置全体に損傷を与えることがなく、第２の電極の剥離部のみを確実に、かつ容易に加熱して、剥離部における第２の電極の表面の凹凸を略平坦にすることが可能となる。
【００２５】
〔適用例９〕上述の適用例において、前記エネルギーは、レーザー光であることを特徴とする。
【００２６】
上述の適用例によれば、レーザー光を用いて第２の電極を加熱するので、容易かつ局所的に第２の電極を加熱することができる。また、レーザーを用いれば、複雑な装置を必要とせずに安定的にエネルギー線を出力できるので、従来の有機ＥＬ装置の製造装置を複雑化させることなく、隔壁を覆う第２の電極の表面をより均一に平坦化することができる。
【００２７】
〔適用例１０〕上述の適用例において、前記電極加熱工程は、前記第４の領域における前記第２電極の少なくとも一部が剥離した第２の剥離部を検出する工程を含み、前記電極加熱工程は、前記第２の剥離部を加熱することを特徴とする。
【００２８】
上述の適用例によれば、隔壁層を覆う第２の電極の剥離部分のみにエネルギー線を照射させることができ、第２の電極の剥離部のみを確実に、かつ容易に加熱して、剥離部における第２の電極の表面の凹凸を略平坦にすることが可能となる。
【００２９】
〔適用例１１〕本適用例にかかる有機ＥＬ装置は、上述の有機ＥＬ装置の製造方法によって製造される。
【００３０】
上述の適用例によれば、有機ＥＬ素子の劣化あるいは発光ムラを抑制した有機ＥＬ装置が得られる。
【００３１】
〔適用例１２〕本適用例にかかる電子機器は、上述の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする。
【００３２】
上述の適用例によれば、有機ＥＬ素子の劣化あるいは発光ムラを抑制した有機ＥＬ装置を備えた電子機器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の第１実施形態の有機ＥＬ装置の回路構成を模式的に示す概略図。
【図２】本発明の第１実施形態にかかる有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示す概略平面図。
【図３】図２のＡ−Ａ’断面における有機ＥＬ装置１の構成を示す概略断面図。
【図４】（ａ），（ｂ）は図３の有機ＥＬ装置１の要部を拡大した概略平面図。
【図５】図４（ｂ）のＢ−Ｂ’断面における有機ＥＬ装置１の構成を示す概略断面図。
【図６】有機ＥＬ装置１の製造方法を示すフローチャート。
【図７】有機ＥＬ装置１の製造方法を示す概略断面図。
【図８】有機ＥＬ装置１の製造方法を示す概略断面図。
【図９】有機ＥＬ装置１の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】本発明の第２実施形態にかかる、図２のＡ−Ａ’断面における有機ＥＬ装置２の構成を示す概略断面図。
【図１１】有機ＥＬ装置２の製造方法を示すフローチャート。
【図１２】有機ＥＬ装置２の製造方法を示す概略断面図。
【図１３】有機ＥＬ装置２の製造方法を示す概略断面図。
【図１４】電子機器の実施形態を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の構成および製造方法等について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせてある。
【００３５】
（第１実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置１の回路構成を示す模式図である。有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ装置であり、Ｘ方向に延在する複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差するようにＹ方向に延在する複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とからなる配線構成を有し、走査線１０１と信号線１０２との各交点付近に画素５を形成したものである。
【００３６】
画素５の各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１４と、駆動用ＴＦＴ１１４を介して電源線１０３に電気的に接続したときに電源線１０３から駆動電流が流れ込む有機ＥＬ素子１００と、を備えている。有機ＥＬ素子１００は、第１電極としての画素電極（陽極）２０と、画素電極２０と対向するように設けられた共通電極（陰極）６０と、画素電極２０と共通電極６０との間に設けられる後述する図示しない発光層と、を備えている。
【００３７】
有機ＥＬ装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１１４のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１４を介して、電源線１０３から画素電極２０に電流が流れ、さらに発光層を介して共通電極６０に電流が流れる。発光層は、これを流れる電流量に応じて発光して、画素信号に基づいた表示が行われる。
【００３８】
図２は、有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示す平面図である。図２に示す通り、有機ＥＬ装置１は、基板１０と、基板１０上の画素領域３００（図２中の一点鎖線枠内）と、を備えている。画素領域３００は、複数の画素５がマトリクス状に配置された発光領域３１０（図２中の二点鎖線枠内）と、発光領域３１０の周囲に配置されたダミー領域３２０（一点鎖線枠と二点鎖線枠との間の領域）と、に区画されている。ダミー領域３２０は、画素５の構成のうち少なくとも一部を備える領域であって、実際の発光には寄与しない。
【００３９】
発光領域３１０に設けられた各々の画素５は、発光することで赤色（以下、Ｒと称す）、緑色（以下、Ｇ）または青色（以下、Ｂ）のいずれかの光を取り出すことが可能となっている。発光領域３１０においては、画素５が本実施形態ではマトリクス状に配置されており、このように、発光領域３１０で、Ｒ、Ｇ、Ｂの光を射出するマトリクス状に配置された画素５を用いてフルカラー表示を行うことが可能となっている。なお、例えば、画素５はＸ方向に同一色の画素５がいわゆるストライプ状に配置されていてもよいし、ストライプ配置に限定されず、デルタ配置や千鳥配置のように画素５を配置してもよい。
【００４０】
画素領域３００の周辺には、走査線駆動回路１０４、及び信号線駆動回路１０５が設けられている。走査線駆動回路１０４は、図１に示す走査線１０１に、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じた走査信号を供給し、信号線駆動回路１０５は、図１に示す信号線１０２に画像信号を供給する。さらに、走査線駆動回路１０４および信号線駆動回路１０５の周辺には、電源線１０３および共通電極用配線１０７が設けられている。電源線１０３には図示しない外部回路から駆動電流が供給される。共通電極用配線１０７は、共通電極６０と電気的に接続されている。走査線駆動回路１０４および信号線駆動回路１０５は、画素領域３００の周辺に限定されず、ダミー領域３２０に設けられていてもよい。
【００４１】
さらに、画素領域３００の周辺には図示しない検査回路が配置されている。検査回路は、有機ＥＬ装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時における有機ＥＬ装置１の品質検査を行うことができるように構成されている。なお、検査回路はダミー領域３２０に設けられていてもよい。
【００４２】
図３は、図２に示す有機ＥＬ装置１のＡ−Ａ’断面の模式断面図である。
図３に示すように、有機ＥＬ装置１は、基体２００上に、画素電極２０と発光層４０と共通電極６０とを備えた有機ＥＬ素子１００を複数設けて、さらに有機ＥＬ素子１００を覆って、封止層７０が形成されている構成である。
【００４３】
基板１０は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の場合、基板１０の対向側である封止層７０側から発光光を取り出す構成となるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。透明基板としては、例えばガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラスが好適に用いられる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、封止層７０側から発光光を取り出すトップエミッション型としており、上述の透明基板もしくは不透明基板の内、例えばガラス基板が用いられている。
【００４４】
基板１０上には、画素電極２０と電気的に接続された駆動用ＴＦＴ１１４などを含む配線層１２０が形成され、基体２００が構成される。なお、本明細書中においては、基板１０と、基板１０上に形成される図１に示した、スイッチング用ＴＦＴ１１２、駆動用ＴＦＴ１１４などのＴＦＴや保持容量１１３、走査線駆動回路１０４、信号線駆動回路１０５などの各種回路、層間絶縁膜１２４、及び平坦化絶縁膜１２５などが設けられた配線層１２０と、を含めて基体２００と称している。
また、本明細書中では、駆動用ＴＦＴ１１４など配線層１２０の構成は従来公知の構成であるので、詳細な説明は省略する。
【００４５】
さらに、配線層１２０上には、画素電極２０およびダミー画素電極２０’が設けられている。画素電極２０は、仕事関数が５ｅＶ以上の正孔注入性の高い材料が望ましく、ＩＴＯなどの金属酸化物が用いられる。なお、本実施形態ではトップエミッション型であることから透明である必要はなく、発光層４０から基板１０側へ発せられる光を基板１０と反対側の共通電極６０側に射出させるために、光反射性を有する、例えば金属材料を用いてもよい。
【００４６】
また、光透過性を有する画素電極２０を用いた場合には、画素電極２０と配線層１２０との間に反射層（図示しない）を設けることが望ましい。反射層としては、例えば光反射性を有する金属材料が用いられる。さらに、画素電極２０と反射層との間には、無機絶縁層（図示しない）を介在させるような多層構造としてもよい。例えば、反射層はアルミニウム合金などが用いられ、珪素窒化物などの無機絶縁層を介して、ＩＴＯなどの金属酸化物導電膜が透明電極に用いられる。なお、ダミー画素電極２０’は、画素電極２０と同様の材料により形成することが望ましいが、形成しなくてもよい。
【００４７】
配線層１２０（基体２００）および画素電極２０上には、隔壁層３０が設けられている。具体的には、画素電極２０あるいはダミー画素電極２０’の形成位置に対応する開口部２５が設けられるように、格子状に隔壁層（画素隔壁）３０が形成されている。隔壁層３０は、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のある有機材料から形成されている。なお隔壁層３０は、画素電極２０あるいはダミー画素電極２０’の端部と隔壁層３０の一部が重なるように形成されており、言い換えれば、隔壁層３０の一部が画素電極２０あるいはダミー画素電極２０’の端部に乗り上げるように形成されている。また、隔壁層３０により、単一の有機ＥＬ素子１００を区画している。
【００４８】
さらに、開口部２５および隔壁層３０上には、開口部２５および隔壁層３０を覆うように発光層４０が設けられている。すなわち複数の有機ＥＬ素子１００に跨るように共通して発光層４０が設けられている。なお、本実施形態では、発光層４０から発せられる光は白色光としており、射出された白色光は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する所定の波長範囲の光を透過させ他の波長範囲の光を遮光するカラーフィルター８０を介して各色の光に変換させて、有機ＥＬ装置１のフルカラー表示を行う。
【００４９】
発光層４０は、スチリルアミン系発光材料，アントラセン系ドーパミント、或いはスチリルアミン系発光材料，ルプレン系ドーパミントを用い、白色発光させる。
【００５０】
発光層４０としては、発光層４０の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などのキャリア注入層またはキャリア輸送層を備えるもの、さらには、正孔阻止層（ホールブロッキング層）、電子阻止層（エレクトロン阻止層）の少なくともいずれかを一つを備えていてもよい。なお、本明細書中において、発光層４０の他に上記のいずれかの層を備えた場合についても、発光層４０と称す。いずれの層もそれぞれ公知の材料を用いることができ、例えば、発光層４０の下層或いは上層に、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体正孔注入層、ＴＤＰ（トリフェニルジアミン）系正孔輸送層、アルミニウムキノリノール（Ａｌｑ３）層（電子輸送層）、ＬｉＦ（電子注入バッファー層）を成膜する。
【００５１】
また、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いて、単色発光をさせてもよい。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。なお、上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。
【００５２】
また、発光層４０は、赤色発光層と青色発光層と緑色発光層とを積層して、白色発光させてもよい。具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、赤色発光層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層、電子注入層をこの順に積層させて、白色発光させる。なお、赤色発光層と青色発光層、青色発光層と緑色発光層、との間にそれぞれ電子および正孔の移動を制限する中間層を設けてもよい。いずれの発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、中間層も上述の従来公知の発光材料を用いることができる。
【００５３】
隔壁層３０と発光層４０とが平面視において重なる領域に形成されている発光層４０ａ上には、導電層５０が形成されている。導電層５０は、後述のように共通電極６０と直接接触させて電気的に接続し、共通電極６０の補助配線として機能させる。なお、導電層５０の具体的な構成については、後述する。
【００５４】
導電層５０の形成材料としては、共通電極６０で用いられる材料よりも電気抵抗の小さい金属材料、例えば金、銀、銅、アルミニウム、クロムなどを用いることが好ましい。導電層５０は、スパッタリングや蒸着法等の既知の方法を用いてパターニングされる。
【００５５】
発光層４０、導電層５０、開口部２５および隔壁層３０を覆い、複数の有機ＥＬ素子１００に跨るように共通して、共通電極６０が形成されている。さらにいえば、発光領域３１０およびダミー領域３２０の総面積より広い面積を備えて、発光層４０と隔壁層３０の上面、さらには隔壁層３０の外側部を形成する壁面を覆った状態で基体２００上に形成される。共通電極６０は、導電層５０に直接接触するように覆うので、導電層５０は、共通電極６０の補助配線として機能する。
【００５６】
さらに共通電極６０は、隔壁層３０の外側で基体２００の外周部に形成された共通電極用配線１０７に接続される。この共通電極用配線１０７は、基体２００の外周部に接合されたフレキシブル基板２１０上に設けられた図示しない配線と電気的に接続されており、これによって共通電極６０は、共通電極用配線１０７を介してフレキシブル基板２１０（図２参照）上の図示しない配線を介して図示しない外部回路に接続される。
【００５７】
本実施形態はトップエミッション型であり、共通電極６０側から光を取り出す構成であることから、共通電極６０を形成するための材料としては、光透過性を有する必要がある。例えば、透明導電材料が用いられ、ＩＴＯが好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ（登録商標）／アイ・ゼット・オー）等を用いることができる。また、共通電極６０として、電子注入効果の大きい（仕事関数が４ｅＶ以下）材料が好適に用いられる。例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム、又はこれらの化合物が用いられ、化合物としては、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体が該当する。また、ＩＴＯや酸化錫などの透明な金属酸化物導電層との積層体と組み合わせて用いてもよい。なお、本実施形態では、フッ化リチウムとマグネシウム−銀合金を、透明性が得られる膜厚に調整して用いている。
【００５８】
共通電極６０の上には、隔壁層３０が形成されている領域よりも広い範囲で、かつ共通電極６０の全面を覆うように封止層７０が形成される。封止層７０は、酸素や水分が浸入するのを防止するための保護膜であって、これにより酸素や水分による共通電極６０や発光層４０の劣化を抑えることができる。封止層７０は、共通電極６０の外縁部より外側まで形成され、基体２００と接触していることが望ましい。また、封止層７０は、本実施形態はトップエミッション型であるので透明性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、例えば珪素化合物など光透過性を有する無機化合物、好ましくは窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素の窒化物や珪素の酸窒化物が望ましい。また、エポキシ系樹脂の光透過性を有する有機材料を用いてもよい。
【００５９】
さらに、封止層７０は、無機材料と有機材料との積層体であってもよい。例えば、無機化合物層／樹脂層／無機化合物層の積層体で構成してもよい。珪素化合物などの無機化合物層は、樹脂層よりもガスバリア性および耐水性に優れているが、隔壁等により発生する段差部において、剥離やクラックが発生しやすい。無機化合物層の積層間に樹脂層を積層することにより、隔壁等による段差部を略平坦にして、かつ下層の無機化合物層に発生したクラックを埋めることができるので、より封止性の高い封止層が得られる。
【００６０】
封止層７０の上には、接着層７５を介して、保護基板９０が配置されることが好ましい。接着層７５は、封止層７０上に保護基板９０を固定させ、かつ外部からの機械的衝撃に対する緩衝機能を有しており、発光層４０や封止層７０の保護をする。接着層７５は、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂で、保護基板９０より柔軟である接着剤によって形成されたものである。また、透明樹脂材料が好ましい。なお、このような接着層７５には、シランカップリング剤を添加しておくのが好ましく、このようにすれば、接着層７５と封止層７０との接着性、すなわち密着性がより良好になり、機械的衝撃に対する緩衝機能が高くなる。特に封止層７０が珪素化合物で形成されている場合などでは、シランカップリング剤によってこの封止層７０との密着性を向上させることができ、したがって封止層７０のガスバリア性をより高めることができる。
【００６１】
保護基板９０は、耐圧性や耐摩耗性、ガスバリア性を有している材料が好ましく、ガラス、透明プラスチック、透明プラスチックフィルムが採用される。ここで、プラスチック材料としては、例えば、ＰＥＴ、アクリル、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が採用される。また、保護基板９０には、紫外線遮断／吸収層や光反射防止層、放熱層、レンズ等が設けられていてもよい。なお、有機ＥＬ装置１はトップエミッション型であるため、保護基板９０、接着層７５を共に光透過性を有するものとしている。
【００６２】
さらに、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、白色に発光する発光層４０を複数の有機ＥＬ素子１００に共通で設けるため、保護基板９０上には、カラーフィルター８０を形成して、カラー表示を行う。カラーフィルター８０は、赤色着色層８０Ｒ、緑色着色層８０Ｇ、青色着色層８０Ｂ、およびブラックマトリックスＢＭを備えている。そして、赤色着色層８０Ｒ、緑色着色層８０Ｇ、青色着色層８０Ｂ、およびブラックマトリクスＢＭの形成面が接着層７５を介して基体２００に向けて対向配置されている。つまり、着色層８０Ｒ、８０Ｇ、８０Ｂの各々は画素電極２０上の発光層４０に対向して配置されている。これにより、発光層４０の発光光が、着色層８０Ｒ、８０Ｇ、８０Ｂの各々を透過し、赤色光、緑色光、青色光の各色光として観察者側に出射するようになっている。
【００６３】
＜導電層の構成＞
次に、導電層５０の具体的な構成を、図４および５を参照して説明する。図４は、図３に示す有機ＥＬ装置１における複数の有機ＥＬ素子１００の平面的な態様を示した模式平面図である。図４（ａ）は、発光領域３１０における複数の有機ＥＬ素子１００の平面的な態様を示している。図４（ｂ）は、発光領域３１０とダミー領域３２０との境界部における複数の有機ＥＬ素子１００の平面的な態様を示している。図５は、図４に示す複数の有機ＥＬ素子１００のＢ−Ｂ’断面の模式断面図である。
【００６４】
図４（ａ）のように、発光領域３１０においては、導電層５０は、隔壁層３０と同様に格子状に形成され、平面視において、隔壁層３０よりも狭い幅で形成されている。好ましくは、導電層５０は、隔壁層３０と同一パターンで形成されることが好適である。すなわち、隔壁層３０と同一パターンで形成すれば、開口部２５における発光層４０からの光の射出を妨げることがなく、かつ導電層５０の面積を十分に確保することができるので、共通電極６０の補助配線としての機能を十分に発揮することができる。
【００６５】
さらに、図４（ｂ）および図５のように、平面視における隔壁層３０上、すなわち発光層４０ａ上において、導電層５０は、発光領域３１０には形成され、ダミー領域３２０においては形成されていない。
【００６６】
後述するように、有機ＥＬ素子１００は、図１に示す画素領域３００の外側に配置される共通電極用配線１０７から共通陰極６０に電流が供給される。すなわち、平面視において、共通電極用配線１０７から離れている発光領域３１０内の中心部に位置する有機ＥＬ素子１００ほど、共通電極６０に電圧降下が大きくなりやすい。よって、導電層５０は、少なくとも共通電極用配線１０７から離れた発光領域３１０の中央部に形成されていればよい。本実施形態においては、発光領域３１０におけるすべての発光層４０ａ上に格子状に導電層５０は形成されている。
【００６７】
なお、導電層５０は、上述の構成に限定されず、図２のＸ方向に沿ってストライプ状に配置してもよいし、ドット状に配置してもよい。いずれの場合においても、平面視において隔壁層３０上、すなわち発光層４０ａ上の少なくとも一部に導電層５０を設けない構成、言い換えれば、隔壁層３０と同一パターンで形成しない構成において、導電層５０は、少なくとも共通電極６０の電圧降下が大きくなりやすい発光領域３１０の中央部に形成されていればよい。
【００６８】
また、図５に示すように、本明細書では、上述の発光層４０ａのうち、導電層が形成され得る領域に形成されている発光層を発光層４０ｂ、導電層５０が形成されない領域に形成されている発光層を発光層４０ｃと定義している。
【００６９】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１の製造方法について、図６、図７（ａ）〜（ｄ）および図８（ｅ）〜（ｇ）、図９（ｈ）〜（ｊ）を参照して説明する。図６は有機ＥＬ装置１の製造方法を示すフローチャート、図７（ａ）〜（ｄ）、図８（ｅ）〜（ｇ）および図９（ｈ）〜（ｊ）は有機ＥＬ装置１の製造方法を示す概略断面図である。なお、図７（ａ）〜（ｄ）、図８（ｅ）〜（ｇ）および図９（ｈ）〜（ｊ）に示す各断面図は、図５に対応した断面図である。
【００７０】
図６に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法は、配線層形成工程（ステップＳ１）と、画素電極形成工程（ステップＳ２）と、隔壁層形成工程（ステップＳ３）と、発光層形成工程（ステップＳ４）と、導電層形成工程（ステップＳ５）と、発光層加熱工程（ステップＳ６）と、共通電極形成工程（ステップＳ７）と、封止層形成工程（ステップＳ８）と、保護基板接着工程（ステップＳ９）と、を含む。
【００７１】
ステップＳ１の配線層形成工程では、図７（ａ）に示すように、基板１０上に、配線層１２０を形成して、基体２００を形成する。配線層１２０は、従来公知の方法を用いて形成することができる。なお、配線層１２０の主たる構成がわかるように表示し、詳細な構成は図示を省略している。
【００７２】
例えば、配線層１２０には、共通電極用配線１０７などの配線、駆動用ＴＦＴ１１４などの回路、および平坦化絶縁膜１２５などを含む絶縁膜が含まれ、各々の配線やＴＦＴなどは、フォトリソグラフィやエッチング等を用いて各々パターニングし、絶縁膜は、有機材料もしくは無機材料を用い、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタ法などの成膜法により形成する。なお、配線層１２０のうち、画素電極２０が形成され得る面、すなわち、基板１０上に設けられた配線層１２０の最も上層には、上面を略平坦にした平坦化絶縁膜１２５が形成されており、例えばアクリル系の高分子有機絶縁材料をスピンコート法などにより塗布して乾燥させることにより形成する。平坦化絶縁膜１２５は、配線層１２０内に設けられる配線などによる凹凸をなくすことができるので、上層に設ける有機ＥＬ素子１００を形成するのに適した平坦な面を実現することが可能となる。
【００７３】
また、後に形成される画素電極２０と配線層１２０に含まれる駆動用ＴＦＴ１１４とを電気的に接続するためのコンタクトホールＨは、平坦化絶縁膜１２５をエッチングすることにより形成する。また、コンタクトホールＨは、平坦化絶縁膜１２５として感光性樹脂材料を用い、塗布された感光性樹脂膜を露光・現像することによって形成してもよい。なお、駆動用ＴＦＴ１１４に対応する位置にコンタクトホールＨを設ける構成に限定されず、駆動用ＴＦＴ１１４と電気的に接続された配線に対応する位置にコンタクトホールＨを形成してもよい。すなわち、駆動用ＴＦＴ１１４と画素電極とが電気的に接続されている構成であればよい。さらに、後に形成される共通電極６０と共通電極用配線１０７とを電気的に接続するためのコンタクトホールＨ’もコンタクトホールＨの形成時に同時に設ける。そして、画素電極形成工程（ステップＳ２）へ進む。
【００７４】
ステップＳ２の画素電極形成工程では、図７（ｂ）に示すように、基体２００のうち最も上層にある、コンタクトホールＨを含む平坦化絶縁膜１２５上に、ＩＴＯからなる薄膜を形成し、当該薄膜をパターニングすることにより、コンタクトホールＨを介して駆動用ＴＦＴ１１４と電気的に導通する画素電極２０と、駆動用ＴＦＴ１１４とは電気的に接続しないダミー画素電極２０’を形成する。なお、ダミー画素電極２０’は形成しなくてもよい。また、上述のコンタクトホールＨ’を設けた場合には、後に行われる共通電極形成工程（ステップＳ７）まで共通電極用配線１０７が露出することになるので、コンタクトホールＨ’内を含む共通電極用配線１０７上にＩＴＯからなる薄膜を形成することが望ましい。そして、隔壁層形成工程（ステップＳ３）へ進む。
【００７５】
ステップＳ３の隔壁層形成工程では、図７（ｃ）に示すように、平坦化絶縁膜１２５、画素電極２０及びダミー画素電極２０’上に隔壁層３０を形成する。具体的には、平坦化絶縁膜１２５、画素電極２０およびダミー画素電極２０’を覆うように、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に溶解した有機質溶液を、スピンコート法、ディップコート法などの塗布方法により塗布し、有機質層をフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いてパターニングし、有機質層に開口部２５を形成して、開口部２５に壁面を有した隔壁層３０を形成する。なお、有機質溶液の構成材料は、後の発光層形成工程において用いられる溶媒に溶解せず、パターニングしやすく絶縁性を有するものであれば何でもよい。なお、開口部２５は、画素電極２０およびダミー画素電極２０’の端部に有機質層が乗り上げるようにパターニングして、隔壁層３０を形成する。そして、発光層形成工程（ステップＳ４）へ進む。
【００７６】
ステップＳ４の発光層形成工程では、図７（ｄ）に示すように、開口部２５における画素電極２０およびダミー画素電極２０’上、および隔壁層３０を覆うように発光層４０を形成する。具体的には、スピンコート法や蒸着法などの方法を用いて、例えばスチリルアミン系発光材料、アントラセン系ドーパミント、或いはスチリルアミン系発光材料、ルプレン系ドーパミントを、およそ１００〜３００ｎｍの膜厚となるように発光層４０を形成する。なお、発光層４０の下層あるいは上層に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層を順に積層してもよい。この場合も、各々の層は、発光層４０と同様な方法により形成する。そして、導電層形成工程（ステップＳ５）へ進む。
【００７７】
ステップＳ５の導電層形成工程では、図８（ｅ）に示すように、導電層形成領域に対応する開口部を備えた蒸着マスクＭ１を用いて、隔壁層３０を覆う領域における発光層４０ａ上に導電層５０を真空蒸着法により形成する。この際、発光層４０からの光の射出を妨げないように、すなわち導電層５０が開口部２５と平面的に重ならないように導電層５０を高精度で成膜するため、蒸着マスクＭ１と発光層４０ａとを密着させて、導電層５０の形成材料として、例えばアルミニウムを蒸着する。
【００７８】
導電層５０を形成した後、図８（ｆ）に示すように、蒸着マスクＭ１を発光層４０ａから離す。その際、発光層４０ａの少なくとも一部が蒸着マスクＭ１に付着してしまい、発光層４０ａの少なくとも一部が剥離して表面に凹凸ができる、いわゆる欠陥部４０ｄが生じる場合がある。具体的には、発光層４０ａのうち、導電層５０が形成されない発光層４０ｃの表面と蒸着マスクＭ１の端部Ｍ１’を含む蒸着マスクＭ１とが固着して、マスクＭ１の除去により、欠陥部４０ｄが発生する。
【００７９】
さらに、蒸着マスクＭ１を発光層４０ａから離した後、欠陥部４０ｄを、顕微鏡による目視検査や異物検査装置等を用いて、検出する。そして、発光層過熱工程（ステップＳ６）へ進む。
【００８０】
ステップＳ６の発光層加熱工程では、図８（ｇ）に示すように、上述の検査によって検出された欠陥部４０ｄにレーザーＬを照射して、欠陥部４０ｄを加熱する。加熱とは、発光層の少なくとも一部が変形、溶融、蒸発、あるいは昇華させることであり、レーザー照射により、欠陥部４０ｄが有る発光層４０ｃの少なくとも一部を変形、溶融、蒸発、あるいは昇華させる。すなわち、発光層４０ａの表面の凹凸が平坦になり、欠陥部４０ｄが解消する。具体的には、発光層４０の形成材料の有するガラス転移温度以上となるように欠陥部４０ｄを加熱すればよい。
【００８１】
レーザーＬは、ＹＡＧレーザー等のレーザービームを用い、例えば波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザーを用いることが好ましい。さらに、照射時間は１〜１００ｍｓｅｃ、照射面積は１μｍ２〜１００００μｍ２とし、欠陥部４０ｄの面積よりも大きい面積を照射することが好ましい。ＹＡＧレーザーは、出力安定性がよく、高出力を得ることができるため、発光層４０ａの表面をより平坦にして欠陥部４０ｄを解消することができる。レーザーＬは、上述の条件のほか、出力、スポット径、走査速度等も、発光層４０ａの少なくとも一部が変形、溶融、蒸発、あるいは昇華し、かつ発光素子に何らかの悪影響を及ぼさないような条件に最適化すればよい。そして、共通電極形成工程（ステップＳ７）へ進む。
【００８２】
ステップＳ７の共通電極形成工程では、図９（ｈ）に示すように、隔壁層３０、発光層４０および導電層５０上に、隔壁層３０、発光層４０および導電層５０の全面を覆うように、共通電極６０を真空蒸着法により形成する。具体的には、画素領域３００よりも外周側に配置された共通電極用配線１０７の形成領域よりも広い範囲を覆うような開口部を有するマスクを用いて、マグネシウムおよび銀を共蒸着することにより共通電極６０を形成し、共通電極用配線１０７と電気的に導通させる。導電層５０は、共通電極６０が直接積層されることにより、導電層５０と共通電極６０は電気的に接続され、導電層５０は共通電極６０の補助配線として機能する。そして、封止層形成工程（ステップＳ８）へ進む。
【００８３】
ステップＳ８の封止層形成工程では、図９（ｉ）に示すように、共通電極６０上に、隔壁層３０よりも広い範囲で、かつ共通電極６０の全面を覆うように封止層７０を形成する。具体的には、スパッタリング法やイオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法などにより、窒化珪素または酸窒化珪素を形成する。封止層７０は、単層であっても複数層であってもよい。複数層形成する場合にも、上述の方法により形成する。そして、保護基板接着工程（ステップＳ９）へ進む。
【００８４】
ステップＳ９の保護基板接着工程では、図９（ｊ）に示すように、封止層７０上に、接着層７５として、エポキシ樹脂をスクリーン印刷法やスリットコート法などを用いて、封止層７０上に略均一に塗布し、ガラスからなる保護基板９０を貼り合わせる。
以上のようにして、有機ＥＬ装置１が形成される。
【００８５】
以上に述べたような製造方法により製造された有機ＥＬ装置１によれば、発光層４０ａとマスクＭ１とが接触し、発光層４０ａの少なくとも一部が剥離して欠陥部４０ｄが発生した場合でも、レーザーＬを照射して欠陥部４０ｄを加熱することにより欠陥部４０ｄを解消することができる。すなわち、発光層４０ａの表面を略平坦にすることができるので、発光層４０を覆うように設けられる共通電極６０の成膜性の低下を抑制することができる。よって、有機ＥＬ素子１００に均一に電流を供給することができ、発光ムラが抑制された有機ＥＬ装置１を提供することができる。さらに、共通電極６０を覆うように設けられる封止層７０の成膜性の低下も抑制することができる。よって、封止性能に優れた有機ＥＬ装置１を提供することができる。
【００８６】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置２について説明する。
本実施形態に係る有機ＥＬ装置２の構成および製造方法について、図１０、図１１、図１２（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。図１０は、図２に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ’断面を表す、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置２の断面構造を示す図である。図１１は有機ＥＬ装置２の製造方法を示すフローチャート、図１２（ａ）〜（ｄ）は有機ＥＬ装置２の発光領域３１０とダミー領域３２０との境界部における製造方法を示す概略断面図である。
【００８７】
なお、図１０に示すように、有機ＥＬ装置２は、導電層５２を共通電極６２上に形成する構成および製造方法が、図３に示す第１実施形態の有機ＥＬ装置１と相違しており、回路構成および平面的な構成は略同一である。そこで、上述の図１、２、４および５に相当する図面は省略して、模式断面図のみを図示する。また、第１実施形態の有機ＥＬ装置１の構成と共通する構成については同一符号を付し、説明を省略する。
【００８８】
図１１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置２の製造方法は、有機ＥＬ素子形成工程（ステップＳ２１）と、導電層形成工程（ステップＳ２２）と、電極加熱工程（ステップＳ２３）と、封止層形成工程（ステップＳ２４）と、を備えている。
【００８９】
図１２（ａ）に示すように、ステップＳ２１の有機ＥＬ素子形成工程では、まず、第１実施形態と同様に、基体２００上に、画素電極２０、ダミー画素電極２０’、隔壁層３０および発光層４０を形成する。次に、共通電極６２を発光層４０および隔壁層３０を覆うように形成する。なお、本実施形態において、発光層４０は、有機ＥＬ素子１００に共通して形成せずに、開口部２５において露出する画素電極２０およびダミー画素電極２０’上にのみ発光層４０を蒸着法やインクジェット法により形成する構成としてもよい。開口部２５において露出する画素電極２０およびダミー画素電極２０’上にのみ発光層４０を形成する場合には、それぞれ所望の発光（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を有する発光材料を有機ＥＬ素子１００ごとに塗り分けて図示しない発光層４０Ｒ、４０Ｇ、４０Ｂを形成する。なお、この場合にはカラーフィルター８０は設けなくてもよい。
【００９０】
共通電極６２は、隔壁層３０および発光層４０の全面を覆うように、基体２００、隔壁層３０および発光層４０上に、共通電極６２を真空蒸着法により形成する。共通電極６２は、第１実施形態と同様な材料を用いて形成する。具体的には、画素領域３００よりも外周側に配置された共通電極用配線１０７の形成領域よりも広い範囲を覆うような開口部を有するマスク（図示しない）を用いて、マグネシウムおよび銀を共蒸着することにより共通電極６２を形成し、共通電極用配線１０７と電気的に導通させる。そして、導電層形成工程（ステップＳ２２）へ進む。
【００９１】
ステップＳ２２の導電層形成工程では、図１２（ｂ）に示すように、蒸着マスクＭ２を用いて隔壁層３０を覆う領域における共通電極６２ａ上に導電層５２を真空蒸着法により形成する。なお、導電層５２は、共通電極６２上に形成すること以外は、第１実施形態の導電層５０と同じであり、第１実施形態と同様の方法により形成する。そして本明細書中において、共通電極６２ａのうち、導電層５２が形成され得る領域に形成されている共通電極を共通電極６２ｂ、導電層５２が形成されない領域に形成されている共通電極を共通電極６２ｃと定義しており、本実施形態においては、共通電極６２ｃはダミー領域３２０（図１０参照）に位置する。第１実施形態と同様に、導電層５２は、共通電極６２が直接積層されることにより、導電層５２と共通電極６２は電気的に接続され、導電層５２は共通電極６２の補助配線として機能する。
【００９２】
具体的には、図１２（ｂ）に示すように、導電層形成領域に対応する開口部を備えた蒸着マスクＭ２を用いて隔壁層３０を覆う領域における共通電極６２ａ上に導電層５２を真空蒸着法により形成する。この際、発光層４０からの光の射出を妨げないように、すなわち導電層５２が開口部２５と平面的に重ならないように導電層５２を高精度で成膜するため、蒸着マスクＭ２と共通電極６２ａとを密着させて、導電層５２の形成材料として、例えばアルミニウムを蒸着する。
【００９３】
導電層５２を形成した後、図１２（ｃ）に示すように、蒸着マスクＭ２を共通電極６２ａから離す。その際、共通電極６２ａの少なくとも一部が蒸着マスクＭ２に付着してしまい、共通電極６２ａの少なくとも一部が剥離して表面に凹凸ができ、いわゆる欠陥部６２ｄが生じる場合がある。具体的には、共通電極６２ａのうち、導電層５２が形成され得ない共通電極６２ｃの表面と蒸着マスクＭ２の端部Ｍ２’を含む蒸着マスクＭ２とが接触して欠陥部６２ｄが発生する。
【００９４】
さらに、蒸着マスクＭ２を共通電極６２ａから離した後、欠陥部６２ｄを、顕微鏡による目視検査や異物検査装置等により、検出する。そして、電極加熱工程（ステップＳ２３）へ進む。
【００９５】
ステップＳ２３の電極加熱工程では、図１３（ｄ）に示すように、欠陥部６２ｄにレーザーＬ２を照射して、欠陥部６２ｄを加熱する。加熱とは、共通電極の少なくとも一部が変形、溶融、蒸発、あるいは昇華させることであり、レーザー照射により、欠陥部６２ｄがある共通電極６２ｃの少なくとも一部を変形、溶融、蒸発、あるいは昇華させる。すなわち、共通電極６２ａの表面の凹凸が平坦になり、欠陥部６２ｄが解消する。具体的には、共通電極６２の形成材料の有するガラス転移温度以上となるように欠陥部６２ｄを加熱すればよい。
【００９６】
レーザーＬ２は、第１実施例と同様なレーザーを用いて、出力、スポット径、走査速度等も、共通電極６２ａの少なくとも一部が変形、溶融、蒸発、あるいは昇華し、かつ発光素子に何らかの悪影響を及ぼさないような条件に最適化すればよい。例えば、レーザーＬ２は、ＹＡＧレーザー等のレーザービームを用い、例えば波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザーを用いることが好ましい。さらに、照射時間は１〜１００ｍｓｅｃ、照射面積は１μｍ２〜１００００μｍ２とし、欠陥部６２ｄの面積よりも大きい面積を照射することが好ましい。そして、封止層形成工程（ステップＳ２４）へ進む。
【００９７】
ステップＳ２４の封止層形成工程では、レーザーＬ２を照射した後、図１３（ｅ）に示すように、共通電極６２および導電層５２の全面を覆うように、封止層７０、接着層７５および保護基板９０を第１実施形態と同様な材料および方法により形成する。
以上のようにして、有機ＥＬ装置２が形成される。
【００９８】
以上に述べたような製造方法により製造された有機ＥＬ装置２によれば、共通電極６２ａとマスクＭ２とが接触し、共通電極６２ａの少なくとも一部が剥離して欠陥部６２ｄが発生した場合でも、レーザーＬ２により欠陥部６２ｄを加熱することにより欠陥部６２ｄを解消することができる。すなわち、共通電極６２ａの表面を略平坦にすることができるので、共通電極６２を覆うように設けられる封止層７０の成膜性の低下を抑制することができる。よって、封止層７０の成膜性の低下を抑制することができるので、封止性能に優れた有機ＥＬ装置２を提供することができる。
【００９９】
（電子機器）
次に、本発明の電子機器について説明する。
電子機器は、上述した有機ＥＬ装置１もしくは２を表示部として用いたものであり、具体的には図６に示すものが挙げられる。
図１４（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１４（ａ）において、携帯電話１０００は、上述した有機ＥＬ装置１もしくは２を用いた表示部１００１を備える。
図１４（ｂ）は、ヘッドマウントディスプレイの一例を示した斜視図である。図１４（ｂ）において、ヘッドマウントディスプレイ２０００は、上述した有機ＥＬ装置１もしくは２を用いた表示部２００１を備える。
なお、携帯電話およびヘッドマウントディスプレイのほかに、パソコンなどの情報処理装置やテレビなどの電子機器の表示部に、上述の有機ＥＬ装置１もしくは２を用いてもよい。
【０１００】
図１４（ａ）および（ｂ）に示すそれぞれの電子機器は、上述したＥＬ表示装置１もしくは２を有した表示部１００１、２００１を備えているので、表示部の発光ムラが抑制されかつ封止性能の優れた電子機器となる。
【０１０１】
また、有機ＥＬ装置１もしくは２を表示部として備える場合に限らず、発光部として備える電子機器であってもよい。例えば、有機ＥＬ装置１もしくは２を露光ヘッド（ラインヘッド）として備えるページプリンター（画像形成装置）や、有機ＥＬ装置１もしくは２を発光部として備える照明装置であってもよい。
【０１０２】
上述の実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１０３】
（変形例１）
上記第１および第２実施形態の有機ＥＬ装置１および２における封止層７０、接着層７５、保護基板９０の構成は、これに限定されない。例えば、封止層７０上には接着層７５を介さずに、有機ＥＬ素子１００が形成されている領域に掘り込み部を設けた保護基板９０を基体２００に接合して中空構造とする、いわゆる缶封止構造としてもよい。
【符号の説明】
【０１０４】
１，２…有機ＥＬ装置、５…画素、１０…基板、２０…画素電極、２０’…ダミー画素電極、２５…開口部、３０…隔壁層、４０…発光層、５０，５２…導電層、６０，６２…共通電極、７０…封止層、７５…接着層、８０…カラーフィルター、９０…保護基板、１００…有機ＥＬ素子、１０７…共通電極用配線、１１４…駆動用ＴＦＴ、１２０…配線層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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