(57)【要約】【課題】半導体基板上に形成するインダクタのインダクタンスを大きくすること。【解決手段】半導体基板上に形成された少なくとも１層からなるコイル配線のコイル中央孔に別基板に形成されたコアを挿入する。コアをコイル中央孔に固定した後、別基板は分離する。コアは別基板に接合材を介してコア材（磁性体）の薄板を付着させて、パターニングする。半導体基板上に形成されたコイル中央孔は流動性接着剤が入っていて、コアを挿入した後に流動性接着剤が硬化してコアが固定される。コアが固定された後に接合剤の接着力を低下させて別基板を分離する。コア材はバルクと同じ高透磁率を有するので、非常に大きなインダクタンスを持つインダクタを形成できる。【選択図】図１
2012129269.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に形成されたコイル配線の内側の中央孔に第２の基板上に形成されたコアを挿入することによって形成されたコア付きインダクタ。
【請求項２】
第１の基板は半導体基板であることを特徴とする、請求項１に記載のコア付きインダクタ。
【請求項３】
コイル配線の端子は、半導体基板に形成された半導体デバイスに接続していることを特徴とする、請求項２に記載のコア付きインダクタ。
【請求項４】
第２の基板上に形成されたコイル配線の内側の中央孔に、第３の基板上に形成されたコアを挿入することによって形成されたコア付きインダクタを搭載した第２の基板から、第１の基板である半導体基板にコア付きインダクタを付着させて形成したインダクタを搭載した半導体装置。
【請求項５】
半導体基板、絶縁性基板、または導電性基板である第１の基板上に少なくとも１層のコイル配線を形成する工程と、第２の基板上に形成されたコアを前記コイル配線の内側に配置する工程と、第２の基板からコアを分離する工程とを含むコア付きインダクタの製造方法。
【請求項６】
コイル配線を形成する工程の後で、流動性接着剤を塗布する工程か、コイル配線の内側の底部に接着層を形成する工程か、または第２の基板上に形成されたコアに接着層を形成する工程のいずれかの工程、或いはこれらを組み合わせた工程をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載のコア付きインダクタの製造方法。
【請求項７】
半導体基板、絶縁性基板、または導電性基板である第１の基板上に少なくとも１層のコイル配線を形成する工程と、コイル配線の内側に中央孔を形成する工程と、第２の基板上に形成されたコアを前記中央孔に挿入する工程と、第２の基板からコアを分離する工程とを含むコア付きインダクタの製造方法。
【請求項８】
コイル配線の内側に中央孔を形成する工程の後で、流動性接着剤を塗布する工程か、中央孔の底部に接着層を形成する工程か、または第２の基板上に形成されたコアに接着層を形成する工程のいずれかの工程、或いはこれらを組み合わせた工程をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のコア付きインダクタの製造方法。
【請求項９】
コアは第２の基板上に接合剤を介して接着していることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかの項に記載のコア付きインダクタ。
【請求項１０】
コアは第２の基板上に接合剤を介して接着していることを特徴とする、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項１１】
第１の配線を有する第１の基板上に、第２の基板に付着したコアを付着して、第２の基板に第２の配線を形成し、第１の配線と第２の配線を、コアを内側にしてスパイラル状に接続したコア付きインダクタ。
【請求項１２】
コアを内側にしてコイル配線をスパイラル状に巻くコア付きインダクタの製造方法であって、半導体基板、絶縁基板、または導電性基板である第１の基板上に第１のコイル配線を形成する工程と、第１の絶縁膜を形成する工程と、第２の基板に付着したコアを第１の基板に付着させる工程と、コアから第２の基板を分離する工程と、第２の絶縁膜を積層する工程と、第１の配線と第２の配線をスパイラル状に接続するための接続孔を形成する工程と、第２のコイル配線を形成する工程とを含む、コア付きインダクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に搭載する高性能のインダクタおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣのインダクタ素子やオンチップコイルは、Ｓｉ基板上の層間絶縁膜の間に、配線パターンを螺旋状に形成し、コイル内部を空洞、または絶縁膜で被って構成されている。インダクタンスの大きなコイルを形成するためには、コイルの巻き数を増やしたり、寸法を大きくする必要があり、占有面積が大きくなるという問題がある。これを解決するために、コイル中央部を開口し、開口部に軟磁性体粒子を接着性材料で塗布・固化して形成する方法が提案されている。しかし、この方法による透磁率は１０程度であり、大きな効果を見込めない。（特許文献１）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許4200631
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＩＣのインダクタ素子やオンチップコイルにおいて、コイル内部にコアのないインダクタは、インダクタンスを大きくするには、コイルの巻き数を増やしたり、寸法を大きくしたりする必要があり、占有面積が大きくなるという問題がある。一方、コイル内部にコアを設ける従来型は、コアとして軟磁性体粒子を接着性材料で塗布・固化して形成するために、透磁率が１０程度であるため、大きな効果を見込めない上、プロセスも複雑である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、半導体素子が形成された基板或いはインダクタ配線が形成された基板に対して、別基板に付着させた透磁率が高いコアを、付着させることにより、高性能のインダクタ素子を形成するものである。
半導体素子が形成された半導体基板にインダクタ素子を形成する場合には、半導体素子が形成された半導体基板にインダクタ配線を形成し、その中心部に別基板に付着させた透磁率の高いコアを付着させる。別基板はその後に除去するか取り除く。或いは、別基板（第２基板）に形成されたコア付のインダクタを半導体素子が形成された半導体基板（一般的に第１基板と呼んでも良い）に付着させる。第２基板はその後除去するか取り除く。さらに、この時も、別基板（第１基板と区別する意味で、一般的に第２基板と呼んでも良い）に形成されたインダクタ配線の中心部にさらに別の基板（第１基板、第２基板と区別する意味で、一般的に第３基板と呼んでも良い）に付着させた透磁率の高いコアを付着させる。第３基板はその後除去するか取り除く。
単独のインダクタ素子を形成する場合には、基板に形成されたインダクタ配線の中心部に別の基板に付着させた透磁率の高いコアを付着させる。別基板はその後除去するか取り除く。
【発明の効果】
【０００６】
本発明のインダクタ素子は、その中心部に透磁率の高いコアを搭載しているため、非常に高性能である。すなわち、従来のインダクタ素子に比較すると、インダクタンスをかなり大きくすることができ、Ｑ値も格段に向上することできる。所望の特性を持つインダクタンスを有するインダクタのサイズを大幅に小さくできる。しかも製造方法が非常に簡単であるため製造コストを大幅に下げることもできる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態を示す図である。
【図２】図２は、本発明のコア３３をコイル中央孔１７内に固定する方法について説明する図である。
【図３】図３は、インダクタを記号で示した図である。
【図４−１】図４は、本発明の第１の実施形態を応用した別の実施形態を示す。
【図４−２】図４は、本発明の第１の実施形態を応用した別の実施形態を示す。
【図４−３】図４は、本発明の第１の実施形態を応用した別の実施形態を示す。
【図４−４】図４は、本発明の第１の実施形態を応用した別の実施形態を示す。
【図５】図５は、本発明におけるコイル配線パターンの平面図の１例である。
【図６−１】図６は、本発明の第１の実施形態におけるさらに別の例である。
【図６−２】図６は、本発明の第１の実施形態におけるさらに別の例である。
【図６−３】図６は、本発明の第１の実施形態におけるさらに別の例である。
【図６−４】図６は、本発明の第１の実施形態におけるさらに別の例である。
【図７−１】図７は、図６に示す製造方法の変形を示す図である。
【図７−２】図７は、図６に示す製造方法の変形を示す図である。
【図７−３】図７は、図６に示す製造方法の変形を示す図である。
【図７−４】図７は、図６に示す製造方法の変形を示す図である。
【図８】図８は、サポート基板に磁性体を付着させパターニングする方法について説明する図である。
【図９−１】図９は、磁気シールド材を有する場合のサポート基板を作製する方法を説明する図である。
【図９−２】図９は、磁気シールド材を有する場合のサポート基板を作製する方法を説明する図である。
【図１０−１】図１０は、磁気シールド材を有する場合のサポート基板を作製する他の方法を説明する図である。
【図１０−２】図１０は、磁気シールド材を有する場合のサポート基板を作製する他の方法を説明する図である。
【図１１】図１１は、本発明のインダクタを搭載した半導体装置の構造を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の磁性体が付着された別のサポート基板の例を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明の第４の実施形態を示す図である。
【図１４】図１４は、第３の実施形態の変形例を占めす図である。
【図１５】図１５は、本発明の横型インダクタの基本的な構造を示す図である。
【図１６】図１６は、横型インダクタの製造方法について説明する図である。
【図１７】図１７は、横型インダクタの別の製造方法を説明する図である。
【図１８】図１８は、本発明の横型インダクタにおける製造方法の１実施形態を説明する図である。
【図１９】図１９は、感光性膜を下層のコイル配線となる第１の導電体膜上に用いたプロセスを説明する図である。
【図２０】図２０は、本発明の横型インダクタにおける１実施形態のプロセスを説明する図である。
【図２１】図２１は、本発明の横型インダクタにおける１つのプロセスを示す図である。
【図２２】図２２は、図１７に示す横型インダクタの製造方法のバリエーションである。
【図２３−１】図２３は、本発明の縦型インダクタの１つの実施形態の製造方法を示す図である。
【図２３−２】図２３は、本発明の縦型インダクタの１つの実施形態の製造方法を示す図である。
【図２４】図２４は、図２３のバリエーションを示す図である。
【図２５】図２５は、本発明の横型インダクタを用いて作製したトロイダルコイルを示す図である。
【図２６】図２６は、本発明の縦型インダクタを用いて作製したパッケージの構造を示す図である。
【図２７】図２７は、基板上に多数形成した本発明のインダクタ素子パッケージを他の基板に実装する方法について説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明における第1の実施形態の概要を図１に基づき説明する。その概要を説明すれば、半導体基板上に形成された少なくとも１層からなるコイル配線のコイル中央孔に別基板に形成されたコアを挿入する。コアをコイル中央孔に固定した後、別基板は分離する。コアは別基板に接合材を介してコア材（磁性体）の薄板を付着させて、パターニングする。半導体基板上に形成されたコイル中央孔は流動性接着剤が入っていて、コアを挿入した後に流動性接着剤が硬化してコアが固定される。コアが固定された後に接合剤の接着力を低下させて別基板を分離する。コア材はバルクと同じ高透磁率を有するので、非常に大きなインダクタンスを持つインダクタを形成できる。さらに説明すると、本発明のインダクタは、半導体基板、絶縁性基板、または導電性基板である第１の基板上に少なくとも１層のコイル配線を形成する工程と、第２の基板上に形成されたコアを前記コイル配線の内側に配置する工程と、第２の基板からコアを分離する工程とを含むコア付きインダクタの製造方法によって製造される。この場合、コイル配線を形成する工程の後で、流動性接着剤を塗布する工程か、コイル配線の内側の底部に接着層を形成する工程か、または第２の基板上に形成されたコアに接着層を形成する工程のいずれかの工程、或いはこれらを組み合わせた工程をさらに含む製造方法によって製造される。或いは、本発明のインダクタは、半導体基板、絶縁性基板、または導電性基板である第１の基板上に少なくとも１層のコイル配線を形成する工程と、コイル配線の内側に中央孔を形成する工程と、第２の基板上に形成されたコアを前記中央孔に挿入する工程と、第２の基板からコアを分離する工程とを含むコア付きインダクタの製造方法によって製造される。さらに、この場合、コイル配線の内側に中央孔を形成する工程の後で、流動性接着剤を塗布する工程か、中央孔の底部に接着層を形成する工程か、または第２の基板上に形成されたコアに接着層を形成する工程のいずれかの工程、或いはこれらを組み合わせた工程をさらに含む製造方法によって製造される。
【０００９】
図１（ａ）に示すように、シリコン基板１１上の絶縁膜（SiO膜、SiN膜、SiON膜など）１２上にコイル配線となる導電体配線１３を形成する。図１（ａ）においては、２層の導電体配線１３、１５で示しているが、１層配線でも良いし、３層以上の配線でも良い。導電体膜として、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属やこれらの合金、或いは、多結晶シリコン（PolySi）、アモルファスシリコン、或いは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、モリブデンシリサイド、チタンシリサイド等のシリサイド、導電性プラスチック、或いは、これらの複合材料を用いることができる。１層目と２層目の配線は連結しても良く、このときはスパイラル状、或いは螺旋状に連結する。すなわち、1層目の配線１３の開始点は所望の電極に接続しているが、1層目の配線１３の終点は２層目の配線１５の開始点に接続する。1層目の配線１３と２層目の配線１５は層間絶縁膜１４により隔絶しているが、1層目の配線１３の終点は２層目の配線１５の開始点が層間絶縁膜に形成されたコンタクト孔に形成された導電体膜により電気的に接続している。２層目の配線１５の終端は所望の電極に接続している。尚、3層目以上の多層配線になったときもこの繰り返しで接続できる。これらの電極間に電圧を印加すれば、電流が1層目から２層目以降へ（または。この逆に）流れていく。また、各配線を接続せず、各配線ごとに電流を流してコイルを制御することもできる。また、縦に配線をスパイラル状に積層せずに、横、すなわち平面的に二重、三重にスパイラル状に巻いても良い。インダクタ（コイル）のインダクタンスは巻き数をｎとすれば、ほぼｎ２に比例して大きくなる。
【００１０】
このようにスパイラ状或いは円形状或いは矩形形状の環状に形成した配線の中央部１７を除去しコイル中央孔１７を形成する。２層目の配線１５（多層配線の場合は、その最上層）を形成した後、通常はその上に絶縁膜１６を形成し、さらにコイルの中央部をフォトリソ法を用いて開口する。その開口部下にある絶縁膜をドライエッチングによりエッチングする。開口部下にある絶縁膜は、通常はシリコン基板１１上の絶縁膜１２、その上の絶縁膜１４、その上の絶縁膜１６の積層膜であるが、下地電極上のコンタクト孔や配線間の接続孔を形成するときにコイル中央孔１７に存在する絶縁膜も除去することが可能であるから、その１部がないこともある。コイル配線１３や１５の内側ギリギリまでコイル中央孔１７をあけても良い。この場合は、コイル中央孔１７に入り込むコアと配線との距離をかなり接近させることができ、所望のインダクタンスを得る場合において、サイズを小さくできる。さらに、コイル配線１３、１５の内側部分も１部エッチング除去することもできる。この場合、コイル中央孔１７にコイル配線１３、１５が露出し、コイル中央孔１７に入り込むコアと接触しないように、コイル中央孔１７を形成した後に、絶縁膜１８を形成する。このような問題がない場合には、この絶縁膜１８を形成しなくても良い。
【００１１】
尚、コイル中央孔１７を形成するために、絶縁膜をエッチングしなくても形成される場合もある。たとえば、１層目のコイル配線を垂直形状にエッチングして形成し、その後ＣＶＤ法でコンフォーマブルな絶縁膜を積層するとコイル配線の内側には中央孔が形成される。コイル配線の厚みが厚ければそれに対応した深い中央孔が形成される。２層以上のコイル配線を形成するときは、上下のコイル配線の間には絶縁膜が形成され、上下のコイル配線を接続する接続孔を形成するときに、もエッチングしておけば、特別に中央孔だけをあける工程を付加する必要はない。また、絶縁膜として感光性樹脂を使用したり、他の絶縁膜と感光性樹脂を併用したりするときにも、コイル配線同士の接続孔をフォトリソ法により形成するときにコイル配線の内側の中央孔に相当する部分も同様にフォトリソ法により開口すれば良い。
【００１２】
次に、流動性接着剤１９を塗布する。コイル中央孔１７は窪んでいるので、他の部分よりも流動性接着剤１９は厚く塗布されている。次にサポート基板３１に形成されたコア３３をコイル中央孔１７に挿入する。コア３３はコイル中央孔１７に挿入できるようにコイル中央孔１７のサイズ（横方向に関して）より小さく形成されている。縦方向に関しては、コア３３は柱状に形成されていて、コア３３を完全にコイル中央孔１７内部に入り込ませても良いし、高さを大きく作りコイル中央孔１７から頭を出すようにしても良い。コア３３はサポート基板３１に接合剤により付着している。コア３３を完全にコイル中央孔１７内部に入り込ませる場合において、コイル中央孔１７内部に入り込ませるためには、サポート基板３１にコア３３を付着させている接合剤の厚みを調節する必要がある。また、コイル中央孔１７の底を1層目のコイル配線より低くして、挿入した磁性体３３の底が1層目のコイル配線より低くすれば、コイル配線１３がコア３３を巻いている状態となり、インダクタンスやＱ値も向上する。
【００１３】
サポート基板３１上のコア３３をシリコン基板１１上のコイル中央孔１７に正確に挿入するには、サポート基板３１をシリコン基板１１に正確に合わせこむ必要がある。シリコン基板１１とサポート基板３１にアライメントマークをそれぞれ形成したり、或いは、既に形成されたパターンに直接合わせ込んだりすることができる。また、合わせこんだ後、もしくは合わせこみながら、シリコン基板１１を搭載した装置（或いは、基台）に対して、サポート基板３１を搭載した装置を、平行を保持しながら、垂直に近づけていき、サポート基板３１上のコア３３をシリコン基板１１上のコイル中央孔１７に正確に挿入できる。現状でも、この合わせ誤差は６σで0.5μｍ程度であるが、将来はｎｍ（ナノメートル）オーダーで合わせこむことができると言われている。従って、その時代の合わせ込み精度に応じてサポート基板３１上のコア３３のサイズとシリコン基板１１上のコイル中央孔１７の孔サイズを決める必要がある。サポート基板３１上のコア３３をシリコン基板１１上のコイル中央孔１７に挿入すると、コイル中央孔１７内には流動性接着剤１９が入っているので、コア３３は流動性接着剤１９の中に浸入する。コイル中央孔１７内の流動性接着剤１９は、コア３３が入った分だけ外側に押出されてくる。
【００１４】
図１（ｂ）に示すように、コア３３がコイル中央孔１７内の所定位置まで入り込んだときに、サポート基板３１の接近を停止する。この後、サポート基板３１からコア３３を外す。サポート基板３１からコア３３を外す方法として、加熱して接合剤３２の接合力を小さくしたり、解消したりすれば良い。たとえば、流動性接着剤１９の硬化温度が８０℃以上であり、接合剤３２の軟化温度を９０℃以上となるような材料を選定する場合には、まず、約８０℃〜９０℃で熱処理を行い、流動性接着剤１９を硬化させてコアを固定する。次に９０℃以上で熱処理を行えば、接合剤３２の接合力は低下して、コア３３をサポート基板３１から分離できる。このような材料として、たとえば、流動性接着剤１９として多数のエポキシ系接着剤がある。（田岡化学工業製のテクノダインＡＨは、８０〜１００℃で硬化する。）接合剤３２としてアクリル系接着剤がある。（グルーラボ有限会社のＧＬ−３００５シリーズは、９０〜１００℃の熱水または加熱により容易に剥離する。）
【００１５】
或いは、接合剤３２として金属系材料を用いても良い。たとえば、１５０℃〜３００℃に融点を持つ半田合金を用いる。融点以下で硬化する流動性接着剤１９を用いて、融点以下の熱処理で流動性接着剤１９を硬化させて、コア３３を固定し、次に融点以下の熱処理で接合剤３２を融かしてコア３３をサポート基板３１から外す。
或いは、接合剤として紫外線照射により剥離する接着剤を用いても良い。流動性接着剤１９を所定の条件で硬化させてコア３３を固定した後、紫外線を照射して接合剤３２の接着性を小さくして、コア３３をサポート基板３１から外す。
【００１６】
流動性接着剤１９として、シラノール系等の無機系ＳＯＧ（Spin  On  Glass）や水素化シルセシキオキサン（ＨＳＱ）タイプの無機系塗布膜を用いることもできる。またポリイミド等の有機系ポリマー塗布膜やメチルシルセスキシオキサン（ＭＳＱ）等の有機系ＳＯＧ膜を用いることもできる。流動性接着剤を用いるときには、信頼性を向上させるために、ＣＶＤ法やＰＶＤ法で積層した絶縁膜と併用しても良い。たとえば、ＣＶＤ法やＰＶＤ法で絶縁膜を積層してから流動性接着剤を塗布するという方法もある。
以上のように、接合剤３２や流動性接着剤１９を上手に選定することにより、コア３３をコイル中央孔１７内に固定して、サポート基板３１と分離できる。
【００１７】
或いは、サポート基板３１を電磁石として、接合剤３２を用いずにコア３３を直接サポート基板に付着させておく。コア３３は磁性体であるからサポート基板に付着する。コア３３の挿入が完了してから、サポート基板３２の電磁石を解除すれば、コア３３は簡単にサポート基板３１から分離する。この方法を用いれば、接合剤３２の特性を考慮する必要がないので、種々の流動性接着剤１９を用いることができる。
尚、流動性接着剤という用語を用いたが、ここでいう接着剤とは、コア３３を固定しシリコン基板１１上の絶縁膜に付着するという意味における接着性であり、通常の接着剤とは異なる意味も持つ。
【００１８】
図１（ｃ）は、サポート基板３１からコア３３が分離した状態を示す。コア３３はコイル中央孔１７内に固定されている。硬化した流動性接着剤１９の表面とコア３３の上面は必ずしも同じレベルにはならず、表面が平坦とはならない。コア３３は露出しているので、この後、保護膜としての絶縁膜を積層してコア３３をカバーしても良い。この絶縁膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などであるが、ＣＶＤ法やＰＶＤ法により積層することができる。或いは、ＳＯＧやポリイミドなどの塗布膜をコートして熱処理を行い固化しても良い。耐湿性を向上させるには、シリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜を積層するのが良い。或いは、これらの絶縁膜を併用しても良い。
表面を平坦化したいときは、図１（ｃ）に示す状態の後に、ＳＯＧやポリイミドなどの有機系塗布膜を塗布して平坦にしたり、さらにＣＭＰ（Chemical−Mechanical  Polishing）等により表面研磨したりして平坦化しても良い。
【００１９】
コア３３の電位を安定化するために、コア３３の下面および／または上面を他の電極へ接続しても良い。或いは、コイル配線を取り巻くようにコア３３と下面電極および上面電極と接続しても良い。或いは、電気的に接続しなくともコイル配線を取り巻くように作っても良い。
【００２０】
図２は、図１とは異なる方法でコア３３をコイル中央孔１７内に固定する方法について説明する図である。図２に示す方法においては、流動性接着剤１９を使用しない。その代わりに、サポート基板３１に付着したコア３３の底面に接着層３４を付着させる。接着層３４をコア３３に付着させる方法も種々ある。たとえば、コア３３がサポート基板３１上にパターニングされた後で、接着液のある場所にサポート基板３１を運び、コア３３の底面を浸漬すれば良い。柱状のコア３３の周り全体に接着液を付着させても良いし、図２（ａ）に示すようにコア３３の底面のみに付着させても良い。この工程は、サポート基板の移動の一連の工程で行うことができるので、工程負荷が少ない。
【００２１】
次に、図２（ｂ）に示すように、サポート基板３１をシリコン基板１１に接近させて、コイル中央孔１７内の底面にコア３３を接着層３４を介して付着させる。接着層３４は低融点金属や低融点合金であっても良い。シリコン基板１１を融点以上の温度に加熱して低融点金属等を融かしてその後融点以下へシリコン基板１１の温度を下げてシリコン基板１１側へコア３３を付着し固定させる。その後サポート基板３１からコア３３を分離する。この場合は、接合剤３２の接着力が弱くなる温度が低融点金属などの融点より高いものを使用すれば良い。紫外線照射などにより接着力を弱くする材料を接合剤３２に用いても良い。或いは、逆にサポート基板３１からコア３３を分離してコア３３をコイル中央孔１７内に置いてから、シリコン基板１１を加熱してコア３３をシリコン基板に付着させても良い。たとえば、接着層３４が接着硬化する温度よりも低い温度で接着力が低下する材料を接合材３２に用いると良い。コイル中央孔１７内の底面にコア３３を置いた後で、接合材の接着力が低下する温度以上にサポート基板を加熱してコア３３をサポート基板３１から分離する。その後接着層が接着硬化する温度よりも高い温度でシリコン基板を加熱してコア３３をコイル中央孔１７の底面に付着させる。
【００２２】
図２（ｃ）は、コア３３がコイル中央孔１７内付着した状態を示す。この状態では、柱状のコア３３の側壁部とコイル中央孔１７の側壁部の間にはわずかに隙間が生じる。この隙間はサポート基板とシリコン基板の合わせ誤差を考慮する必要があるため必然的に生じる。このままの状態で使用すると水分がたまったりして不具合が生じる場合には、図２（ｄ）に示すように絶縁膜２０を積層してコア３３や隙間をカバーする。この絶縁膜２０は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などであるが、ＣＶＤ法やＰＶＤ法により積層することができる。或いは、ＳＯＧやポリイミドなどの塗布膜をコートして熱処理を行い固化しても良い。或いは、これらの絶縁膜を併用することもできる。
【００２３】
図３は、インダクタを記号で示したものである。インダクタはコイルとも呼ばれるが、コイルは、ＪＩＳＣ５６０２「電子機器用受動部品用語」では、「コイル：一般的には、絶縁体の表面上に導体を巻いて作った自己インダクタンスを持つ部品」と定義されている。これに対して、インダクタは「誘導素子」を意味するが、「巻き線１個のコイル」をインダクタと呼ぶ場合もあり、インダクタとコイルの違いが明確ではない。本明細書および請求の範囲においては、コイルとインダクタの区別はせずに、「絶縁体の表面上に導体を巻いて作った自己インダクタンスを持つ部品（素子）」と考える。すなわち、巻き線１個の場合もコイルまたはインダクタと呼び、巻き線２個以上のものもコイルまたはインダクタと呼ぶ。
【００２４】
図３に示すインダクタ４０の両端の端子ＡおよびＢには交流または直流電圧がかかる。インダクタの中心には核（コア、芯）４１が入っていて、このコア４１を導体４２が取り巻いている。このコア４１を取り巻いている導体４２をコイル配線４２と呼ぶ。尚、コイル配線４２は、両端の端子Ａ〜Ｂを含めて用いる場合もある。このインダクタ４０の自己インダクタンスＬはだいたい、Ｌ＝ｋ＊ｕ＊ｎ２Ｓ／ｌと表され、巻き数ｎの二乗、巻き線の内部の断面積Ｓ、コアの透磁率ｕに比例し、コイルの長さｌに反比例する。従って、コアの材質によってＬの値が変化する。ｋは長岡係数である。ｕ＝（真空透磁率）＊比透磁率で、比透磁率は空芯（空気）の場合は１．０、鉄芯では、約18000、Mn-Zn系フェライトでは1000〜20000、パーマロイでは約20000以上である。また、インダクタの品質を表すＱ値は、Ｑ＝ωＬ／ｒで示され、各周波数ωとＬに比例し、実効抵抗値ｒに反比例する。このことから、Ｌを大きくすることがインダクタの品質を向上させることが分かる。従って、コアに高透磁率μを持つ物質を使用できれば、高性能でしかもサイズの小さなインダクタを作製できる。
【００２５】
図４は、本発明の第１の実施形態を応用した別の実施形態を示す。図４（ａ）に示すように、シリコン基板５１上の絶縁膜５２上に電極・配線５３が形成されている。シリコン基板５１にはトランジスタ等の能動素子や抵抗等の受動素子が形成されているが、図４においては、インダクタに直接関係する部分のみを示す。すなわち、電極・配線５３（５３−１）および５３（５３−２）はインダクタの両端子（図３に示す、Ａ，Ｂ、Ａが５３−１にＢが５３−２に対応すると仮定する）に接続する電極・配線である。５３（５３−３）はインダクタには接続していないが、インダクタの電磁界が外側に漏れるのを遮断する電極・配線である。この５３（５３−３）はフローティング（浮遊）状態でも良いが、電位を安定させたり制御したりするためにシリコン基板５１や他の電極配線や半導体素子へ接続しても良い。本発明のインダクタは半導体装置が完成した後に組み込むこともできるので、電極・配線は、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）や金（Ａｕ）その他の金属或いはこれらの合金で形成される。或いは、本発明のインダクタは半導体装置が完成する前にも組み込むことができるので、その場合は、上記の材料に加えて、多結晶シリコン（Poly−Ｓｉ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）やチタンシリサイド（ＴｉＳｉ）やモリブデンシリサイド（ＭｏＳi）等の金属シリサイド、クロウム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）やチタニウム（Ｔｉ）やモリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属、導電性炭素、或いは高導電性ポリマー、これらの複合物であっても良い。また、電極・配線５３（５３−１〜５３−３）は絶縁膜５４で被われていて、インダクタ端子に接続する部分５５（５５−１、５５−２）は開口している。絶縁膜５４は、ＣＶＤやＰＶＤ法により積層したシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、ＳＯＧやポリイミド膜等の絶縁膜を塗布して熱処理して硬化した絶縁膜やこれらの複合膜などである。開口部５５を形成するときは、フォトリソ法とエッチング法により開口できる。或いは、感光性ポリミミド等の感光性絶縁膜を用いれば、フォトレジスト膜やエッチング法を用いなくても、感光性ポリイミド膜を塗布しプリベーク後開口部を露光法により形成でき、本熱処理により所望特性を有する絶縁膜５４を形成できる。
【００２６】
５３−３は電磁界を遮断する電極・配線であるが、他の電極・配線５３−１、５３−２と同時に同じ材料で形成しても良いし、或いは、シールド性を向上させるために別の材料（たとえば、磁性体）で形成しても良い。
【００２７】
次に、第１層目のコイル配線となる材料を積層し、フォトリソ法により所望のコイル配線を作る。この状態を図４（ｂ）に示す。図４（ａ）の状態から、第１層目のコイル配線５６となる材料を積層する。この材料は、Ａｌ，Ｃｕ、シリサイド、高融点金属、導電性炭素、高導電性ポリマー、或いはこれらの複合物である。Ｑ値を高くするには、抵抗が低い方が良いので、好適にはＡｌ、Ｃｕ、金（Ａｕ）、またはこれらの合金或いは複合物である。この材料５６は、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、メッキ法、或いは塗布法により形成する。コイル配線５６は電極・配線５３と開口部５５−１や５５−２で接続している。この接続性を高めるために、開口部５５（５５−１、５５−２）において電極・配線５３（５３−１、５３−２）上に存在する不純物や残存絶縁膜を除去しても良い。たとえば、第１層目のコイル配線５６の積層前に、ウエットエッチングやドライエッチングなどの前処理を行うことができる。或いは、スパッター法で積層する前には同じスパッター装置を用いて逆スパッター（スパッタエッチング）を行うこともできる。さらに、接続性や密着性を向上させるために電極・配線５３（５３−１、５３−２）と５６の間にバリアメタルを介在させても良い。このバイアメタルとして、チタンタングステン（ＴｉＷ）やチタンナイトライド（ＴｉＮ）やチタンタングステン（ＴｉＷ）やチタニウム（Ｔｉ）、或いはこれらの複合物がある。もちろん、接続性や密着性を向上できる他の材料でも良い。
【００２８】
次に、所望のパターンのコイル配線５６を形成形成するために、フォトレジストを塗布し光露光法によりコイル配線以外の除去したい部分を開口し、パターニングされたフォトレジストをベークして固める。この後、露出したコイル配線材料５６をエッチングして所望のコイル配線５６を得る。コイル配線上のレジストはウエット法またはドライ法（アッシング法）により取り除かれ、図４（ｂ）に示すパターンが得られる。図４は、シリコン基板の断面を示しているので、図４（ｂ）においては、コイル配線５６−１と５６−３は分離されて示されているが、実際にはコイル配線５６はスパイラル状になっていて、コイル配線５６−１と５６−３は連続してつながっている。ただし、一方の電極・配線５３−２は、コイル配線が多層構造になっている場合は、この１層目のスパイラル配線（５６−１および５６−３）とは接続しない。この段階で１層目のコイル配線層５６−２を電極・配線５３−２上に形成する目的は、深い接続孔を形成しないようにするためである。深い接続孔を形成する場合、接続孔を形成するときに、エッチング時間が長くなりエッチング装置に負荷がかかったり、深い接続孔において導電性膜の被覆性や接続性が困難となったりする可能性がある。そこで、電極・配線５３−２を開口し（開口部５５−２）第１層目のコイル配線５６形成時にこの部分にコイル配線５６−２をパターニングして残しておく。
【００２９】
図５はコイル配線パターンの平面図の１例である。図５（ａ）は、図４（ｂ）の状態に対応する平面図の１例である。破線で示す７３は電極・配線パターンであり、図４における５３に対応する。７３−１で示すパターンが電極・配線５３−１に、７３−２に示すパターンが電極・配線５３−２に対応する。７３−３は電極・配線５３−３に対応する。７５は図４における絶縁膜５４に開けられた開口部であり、７５−１が電極・配線７３−１の上の開口部で、７５−２が電極・配線７３−２の上の開口部である。７６は第１層目のコイル配線であり、四角形状にコイル配線が巻かれている。四角形状は円形状でも良いし、多角形状でも良いし、或いは楕円形状でも良い。第１層目のコイル配線７６は、開口部７５−１において電極・配線７３−１とコンタクトしていて、この部分をコイル配線の端子部７６−１と称する。第１層目のコイル配線７６は、端子部７６−１から始まって四角形状に１周分巻かれて、第１層目コイル配線７６と第２層目のコイル配線７９のコンタクト部分まで巻かれている。この部分を第１層目のコイル配線のコンタクト部分７６−４と称する。この部分には、第２層目のコイル配線７９とのコンタクト孔７８が形成されている。
【００３０】
図３におけるインダクタの一方の端子Ａは７６−１に対応するが、他方の端子Ｂと接続する電極・配線である７３−２には前述したように、接続配線を信頼性良く形成するために、開口部７５−２が開けられ、第１層目のコイル配線がその開口部７５−２を覆うように形成されている。このコイル配線を７６−２と称する。図５（ａ）から分かるように、７６−２は環状の第１のコイル配線７６とは接続していない。図４（ｂ）における５６−３は、図５（ａ）における７６−３に対応している。尚、コイル配線が１層だけの時には、図５（ａ）に示す１巻きでコイル配線は終了する。従って、７６−２と７６−４は一致する。コイル配線はできるだけ１周させた方が自己インダクタンスＬが大きくなるので、一方の電極・配線７３−１の近くに他方の電極・配線７３−２を持ってくるのが良い。図５（ａ）においては、７６−４の位置に７３−２を持ってくると良い。本発明は、透磁率が１００００以上のコアを用いることができるので、１巻きでも（すなわち、１層でも）所定のインダクタンスを得ることも可能である。１巻きの場合には、第２層目のコイル配線とのコンタクト孔７８は不要なので、非常に簡単な工程で済む。
【００３１】
電極・配線７３−３は電磁界をシールドすることが目的なので、できるだけコイル配線７６全体を取り囲むようにパターニングする。すなわち、電極・配線７３−１や７３−２と接触しない程度に広い部分に敷き詰めるようにすると良い。ただし、余り広いとその上の絶縁膜の特性が劣化する場合（たとえば、絶縁膜にクラックを生ずる場合など）には、電極・配線７３―３にスリットを入れたりすることが効果的である。尚、７３−３を設ける必要がなければ不要であることは言うまでもない。
【００３２】
図４に戻って、次に図４（ｃ）に示すように、絶縁膜（第２絶縁膜と称する）５７を１層目のコイル配線５６上に積層する。第２絶縁膜は、１層目のコイル配線５６と２層目のコイル配線６１が接続孔以外で接触しないようにするために積層される。第２絶縁膜として、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化幕、ＳＯＧ塗布膜、ポリイミド膜や或いはこれらの複合膜を使用できる。平坦にする必要がある場合には、ＳＯＧ膜やポリイミド膜などの塗布膜、バイアススパッターまたはバイアスＣＶＤによる平坦化絶縁膜、或いはエッチバック法やＣＭＰによる研磨法などを用いることができる。
【００３３】
次に図４（ｃ）に示すように、フォトレジスト５８を塗布し、露光法により、１層目のコイル配線５６と２層目のコイル配線とのコンタクト孔を開けるべき部分のフォトレジスト５８を開口する。５９がこの開口部である。このフォトレジスト５８をマスクとして、開口部５９から下地の絶縁膜５７をエッチングし、コンタクト孔６０（図４（ｄ）に示す）を開口する。このエッチングは、ウエットエッチングでもドライエッチングでも良い。コンタクト孔６０のサイズを大きくしたくないときは、ドライエッチング特に異方性ドライエッチングを行う。コンタクト孔６０を形成した後に、フォトレジストをウエットまたはドライ（アッシング）で除去する。尚、絶縁膜５７を感光性ポリイミド膜などの感光性絶縁膜で形成すると、フォトレジスト５８を用いなくても、直接絶縁膜５７を露光法により、コンタクト孔６０を形成できる。感光性ポリイミド膜は、フォトレジスト膜と同様な方法、すなわち塗布法によりシリコン基板５１上にコートし、プリベークした後でマスクまたはレチクルを用いて露光する。露光後現像液などに浸漬しコンタクト孔６０を開口する。その後熱処理し、ポリイミド膜を絶縁膜として要求される特性を得る。感光性絶縁膜を用いれば、ＣＶＤやＰＶＤ法による絶縁膜形成工程や、コンタクト孔エッチング工程を省略することができる。
【００３４】
尚、コイル配線が一層で良いときには、上記のコンタクト孔はパッド開口部として使用することもできる。この場合には、インダクタの端子自体をパッド開口部として使用し、半導体素子の外部から電圧（交流電圧や直流電圧）を印加することもできる。或いは、インダクタ素子のコイル配線は、電極・配線５３に接続し、他の電極・配線の領域にパッド電極を設けることもできる。
【００３５】
次に図４（ｅ）に示すように、２層目のコイル配線材料６１を積層する。コンタクト孔６０の内部にもコイル配線材料６１が積層する。コイル配線材料６１は１層目のコイル配線材料と同じ材料である方が、コンタクト抵抗を増大させないので好ましいが、余りコンタクト抵抗が増大させない場合は異なる導電体材料でも良い。異なる材料でも接触抵抗を下げる導電体材料を間に介在すれば良い。また、絶縁膜５７に対して密着性が良くない場合には、密着性を向上させる導電体材料を積層すれば良い。たとえば、コイル配線材料がクロウム（Ｃｒ）やＣｕの場合には、Ｔｉを薄く積層してからこれらの導電体膜を積層しても良い。コンタクト孔６０へのコイル配線材料６１の被覆性（ステップカバレッジ）が悪く、断線等の問題が発生するおそれがある場合には、コンタクト孔６０を順テーパーにして被覆性を向上することができる。或いは、バイアススパッターやバイアスＣＶＤで導電体膜を積層しても良い。或いは、メッキ法でコイル配線材料６１を成長させても良い。メッキ法の場合には、シード層を形成してからメッキを行う方法がある。たとえば、コイル配線材料６１がＣｕである場合、Ｃｕは絶縁膜との密着性も良くなく、また、無電解メッキでは十分に成長できない場合があるので、最初にＴｉをＰＶＤ法で積層し、絶縁膜５７との密着性を確保し、次にＣｕをＰＶＤ法で積層する。所望の厚みを積層した後、Ｃｕメッキを行う。Ｃｕの電解メッキは硫酸銅溶液等のメッキ液にシリコン基板５１を浸漬して行う。
【００３６】
２層目のコイル配線６１を積層した後に、フォトレジスト６２を塗布してコイル配線として残したい部分以外のフォトレジスト６２を露光法により除去して所望のフォトレジストパターン６２を得る。このフォトレジストをマスクにして２層目のコイル配線６１をエッチングし不要なコイル配線材料を除去する。エッチング終了後フォトレジスト６２をウエットまたはドライ法によりリムーブする。この状態を図４（ｆ）に示す。図４（ｆ）に示すように、２層目のコイル配線は、１層目のコイル配線５６の終端部（図５（ａ）における７６−４）でコンタクト孔６０−１を介して１層目のコイル配線５６と接続している。この接続部が６１−１である。この接続部６１−１から６１−３を通って環状に巻かれている。また、インダクタの他方の端子と接続する電極・配線５３−２（ここには、既に開口部５５−２を介して１層目のコイル配線材料５６−２が形成されている）とコンタクト孔６０−２を介して２層目の配線６１−２が形成される。コイル配線が２層で終わるときは、この６１−２と実質的なコイル配線６１（６１−１から６１−３へ巻かれている配線）と連続的につながる。３層以上のコイル配線の場合には、この繰り返しがなされる。
【００３７】
図５（ｂ）は、図４（ｆ）における状態を平面的に見たものである。１層目のコイル配線７６を破線で示している。環状に巻かれた１層目のコイル配線７６の終端部７６−４でコンタクト孔７８−１（図４の６０−１に対応）を介して２層目のコイル配線８１（図４の６１に対応）に接続する。この部分が８１−１で、図４の６１−１に対応する。２層目のコイル配線８１も２層目のコイル配線８１−３（図４の６１−３に対応）を通って矩形形状に環状に巻かれる。矩形形状は、１層目のコイル配線と同様に、三角形形状、四角形形状、多角形形状、円形形状、楕円形形状等でも良い。コイル配線８１は１周した後さらに巻かれて、他方の電極・配線７３−２に１層目のコイル配線材料７６−２およびコンタクト孔７８−２を介して接続する。３層以上コイル配線があるときは、以上の繰り返しとなる。また、図４や図５においては、１層目のコイル配線は１周分、２層目のコイル配線は１周分（正確には図５においては、もう少し余分に）巻かれているが、インダクタンスＬは巻き数の二乗に比例するので、もっと巻き数を増やしても良い。巻き数を増やす方法としては図５に示すように平面的に巻いていく方法と縦方向に積み重ねていく方法がある。
【００３８】
図４に戻る。次に図４（ｇ）に示すように２層目のコイル配線６１上に絶縁膜６３を積層する。この絶縁膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、ＳＯＧやポリイミド膜などの塗布膜、或いはこれらの複合膜である。
次に、図４（ｈ）に示すように、コイル配線の内側部分の絶縁膜を除去する（すなわち、コイル配線中央孔を形成する）ために、フォトレジスト６４を塗布し、露光法によりコイル配線の内側部分６５を窓明けする。この窓明け部分６５のサイズは、絶縁膜を除去して、コア（芯９）を挿入して埋め込んだときにこのコアがコイル配線に接触しない程度であって、電気特性も信頼性も問題ないレベルのサイズにする必要があるとともに、インダクタ性能を向上させるために可能な限りコアがコイル配線に接近できる程度のサイズにする。
【００３９】
フォトレジスト６４の窓明け部分６５の下には、絶縁膜６３、絶縁膜５７、絶縁膜５４、その下にさらに電極・配線５３−３が存在する。ただし、これまで説明をしていないが、開口部５５、接続孔６０を形成するときに、同時に絶縁膜５４、絶縁膜５７を除去することができるので、その場合は、電極・配線５３−３の上には絶縁膜６３が存在するだけである。この窓明けされた部分６５に存在する絶縁膜を除去して、図４（ｉ）に示すように、コイル配線中央孔６６を形成する。絶縁膜の除去は、ウエットエッチングまたはドライエッチングで行う。たとえば、絶縁膜がシリコン酸化膜（ＳｉＯ）系である場合には、ウエットエッチングではフッ酸系エッチング液を用いたり、ドライエッチングではＣＦ４ガス等のＣＦ系ガスやＣＨＦ系ガス、ＳＦ系ガスなどを用いたりできる。電極・配線５３−３は、絶縁膜のエッチングストッパーとなるが、電極・配線５３−３上に少し絶縁膜を残すようにエッチングしても良い。
【００４０】
次にフォトレジスト６４をリムーブした後に、流動性接着材６７を塗布する。図４（ｊ）に示すように、流動性接着材６７はコイル中央孔６６に厚くたまる。流動性接着剤６７として、前述した材料以外に、ポリイミドやフォトレジストやＳＯＧ等の絶縁膜系塗布膜でも良い。この流動性接着剤がコイル中央孔６６にたまっていて流動性がある状態で、コア７１を付着させたサポート基板６８を用意して、シリコン基板５１に対してサポート基板６８をパターン合わせしながら接近させていく。コア７１は、高透磁率を持つ磁性体であり、コイル中央孔６６に挿入できるようにあらかじめパターニングされている。シリコン基板５１上には多数の半導体デバイスが形成されていて多数のコイル中央孔が存在する。これらの多数のコイル中央孔にコアを挿入するので、サポート基板６８にも多数のコアが正確な位置に形成されている必要がある。図４（ｊ）に示すサポート基板には、柱状のコア７１の上端に磁気シールド材７０が結合している。磁気シールド材７０は、磁性体材料や導電体材料であるが、電磁気シールド効果を向上させるに高透磁率を持つ磁性体が良い。従って、コア７１と同じ材料であっても良い。コア７１と磁気シール材７０は接着により付着していても良いし、一体物になっていても良い。同一材料である場合には、一体物として容易に作成できる。たとえば、サポート基板６８に接合剤６９を介してコアおよび磁気シールド材料となる高透磁率を持つ磁性体の薄板を張り付ける。磁性体薄板上にフォトレジストを塗布し露光法によりコアとなるべき部分にフォトレジストを残す。このフォトレジストをマスクにして薄板をウエット法またはドライ法によりエッチングする。コアが所望の厚さになった所でエッチングをやめる。次にこのフォトレジストをリムーブした後に、再度フォトレジストを塗布し、コアより大きいサイズで磁気シールドのサイズにフォトレジストをパターニングする。このフォトレジストをマスクにして磁性体を完全にエッチングする。エッチングが終了した後で、フォトレジストをリムーブして図４（ｊ）に示すコア７１および磁気シールド７０のパターンを有するサポート基板６８を得ることができる。コア７１のサイズはコイル中央孔６６に入る程度の大きさであるが、磁気シールドの大きさは、コイル配線をできるだけ広くカバーするようにすれば、電磁気シールドの効果が高まる。
【００４１】
次に図４（ｋ）にしめすように、サポート基板６８を下げていき、コア７１をコイル中央孔６６の中に挿入する。コイル中央孔６６の中には流動性接着剤６７が存在するので、コア７１は流動性接着剤６７の中に浸漬する。コア７１の浸漬した分だけ流動性接着剤６７はコイル中央孔６６の外側に押し出される。所定の深さまで達したら、サポート基板６８とシリコン基板５１の接近を停止させる。図４（ｌ）に停止状態における寸法を記載する。磁気シールド７０の底面が流動性接着剤６７に接触し少し浸漬した状態を停止位置とするのが良い。接触する前に停止すると磁気シールド７０と流動性接着剤６７との間に隙間ができて信頼性上問題を生じる場合がある。また、磁気シールド７０の底面がシリコン基板５１に接近しすぎるとシリコン基板５１が損傷を受けたり割れたりする可能性がある。さらに、コア７１の側面がコイル中央孔６６の側壁に接触しないようにするとともに、コア底面が半導体基板５１（すなわち、電極・配線５３−３）に接触しないようにする。
【００４２】
コア７１の厚みをａ、コア７１の底面と電極・配線５３−３との距離をｂ、コア７１の横幅をｃ、コア７１とコイル中央孔６６の一方の側面との距離をｄ、コア７１とコイル中央孔６６の一方の側面との距離をｅ、磁気シールド７０の底面と絶縁膜６３との距離（すなわち、その部分における流動性接着剤６７の厚み）をｆ、磁気シールド７０の底面と接触していない流動性接着剤６７の厚みをｇ、磁気シールド７０の厚みをｈとする。ｆ＋ｉ＝ａ＋ｂであるように、条件を定める。たとえば、ａ＝２０μｍでｂ＝０．３μｍなら、ｉ＝２０μｍ、ｆ＝０．３μｍとする。中央孔６６の横幅＝ｃ＋ｄ＋ｅとなるが、ｄ＝ｅ＝１μｍとして、中央孔６６の横幅が１０２μｍであれば、ｃ＝１００μｍとなる。磁気シールドの効果は、１μｍ程度あれば効果が出てくるので、ｈは１μｍ以上とする。尚、ｇ＞ｆとなるようにする。また、磁気シールドを用いないときは、コア７１が直接接合材に付着しているので、コア７１が完全に流動性接着剤６７に浸漬しないようにするのが良い。従って、ａ＋ｂ＞ｉ＋ｆとし、この場合は、ｆ＝ｇである。何故なら、この後熱処理して流動性接着剤６７を固化するので、接合剤６９やサポート基板６８が流動性接着剤６７に付着しないようにするのが良い。ただし、流動性接着剤６７を固化する前に、接合剤６９から磁気シールド７０やコア７１を外すこともできる場合には、この限りではない。ａ＝２μｍでｂ＝０．３μｍなら、たとえば、ｉ＝２μｍ、ｆ＝０．３μｍとする。
【００４３】
磁気シールドがない場合には、コア７１を流動性接着剤６７中に完全に埋めても良いが、このときは、接合剤６９を厚くつけて、コア７１と接合していない接合剤６９は除去しておくと良い。たとえば、ｉ＝３μｍで、ａ＝２．５μｍであるときは、接合剤の厚みを０．５μｍ以上にしておく。このようにすれば、サポート基板６８が半導体基板５１上のパターンと接触することはない。また、コア７１を流動性接着剤６７の外側まで出しても良い。たとえば、ｉ＝１．５μｍでｂ＝０．３μｍ、ａが３．０μｍ、ｆ＝０．５μｍであるときは、コアが１．３μｍ外側へ出てくる。コア７１が飛び出していても特に問題なければ、そのままでも良いが、耐湿性などの信頼性上問題があれば、ＳｉＮｘ膜やＳｉＮｘＯｙ膜をＣＶＤ法で積層してコア７１をカバーすれば良い。或いは、平坦化を行ったり、研磨してコアを削っても良い。
【００４４】
図４（ｋ）または（ｌ）の状態で、熱処理を行い流動性接着剤６７を固化させコア７１および磁気シールド７０を固定させる。その後、接合剤６９から磁気シールドを外し、サポート基板６８も取り外す。たとえば、流動性接着剤６７としてポリイミドを用いて、約１５０℃の温度である程度固化させる。１５０℃〜２５０℃で接着性が小さくなる材料を接合剤６９として用いて、その後、１５０〜２５０℃で加熱して、サポート基板６８からコア７１、磁気シールド材７０を分離させる。その後、約３００℃で本熱処理を行い、ポリイミドを完全に固化させて安定化させる。たとえば、温度が上がると接着性が低下するものとして熱可塑性接着剤がある。
【００４５】
図４（ｍ）は、サポート基板６８を分離した後のシリコン基板５１の状態を示す。コア７１がコイル中央孔６６に入り込んで固定されている。また、磁気シールド材７０は、固化した流動性接着剤７０の上に付着して固定されている。
次に、図４（ｎ）に示すように、絶縁膜７２を積層し、コア７１、磁気シールド７０をカバーする。コア７１、磁気シールド７０は磁性体であるから、外気に接触すると湿気により劣化する可能性がある。また、流動性接着剤６７も吸湿する可能性もあるので、絶縁膜７２でカバーする必要がある。絶縁膜としては、ＣＶＤ法で形成したシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜が望ましい。尚、この後にパッド電極を開口するプロセスを行っても良い。この開口されたパッド電極を用いてインダクタを搭載した半導体装置の電気特性を測定することができる。
【００４６】
図６は、本発明の第１の実施形態におけるさらに別の例である。図６（ａ）は、半導体基板９１に形成された半導体装置を示す。半導体基板９１は、シリコン、ゲルマニウム等の単一元素半導体、ガリウムヒ素やインジウムリン等の二元系化合物半導体、三元系半導体等の基板、或いはＳＯＩ（Silicon  On  Insulator）等の貼り合わせ基板、炭素基板なども含む。また、基板とはウエハも含む。半導体基板上には多数の半導体チップが形成され、個々の半導体チップは半導体装置或いは半導体デバイスとして、通信用、プロセッサー用、メモリ用、画像処理用、電源用などの広範な用途のＩＣまたは個別半導体装置として使用される。図６（ａ）に示す半導体装置は、本発明のインダクタを使用するすべての半導体装置を対象とする。図６（ａ）には、本発明のインダクタおよびその製造方法を説明するために必要な部分のみを示すが、他の半導体素子、たとえばトランジスタ等の能動素子、抵抗やコンデンサなどの受動素子、これらを含む回路や配線なども形成されている。
【００４７】
図６（ａ）において、半導体基板９１上に絶縁膜９２が存在し、その上に電極・配線９３（９３−１〜９３−５）が形成されている。電極・配線９３−１は、本発明のインダクタの１つの端子に接続する電極・配線であり、その上面が開口されている。電極・配線９３−２は、本発明のインダクタの他方の端子に接続する電極・配線であり、その上面が開口されている。開口部を９５と番号付けしているが、開口部９５−１は電極・配線９３−１の開口部であり、開口部９５−２は電極・配線９３−２の開口部である。電極・配線９３−３は、コイルで発生する電磁界を遮断するために、コイル中央孔となる部分の下に設けている。
【００４８】
電極・配線９３−４や９３−５は、コイルで発生する電磁界を遮断するために、コイル配線の周辺となる部分の下に設けている。電極・配線９３−３〜５は、電極。配線上の絶縁膜９４をエッチングするときのエッチングストッパーとしても機能する。電極・配線９３−３〜５の材料は、９３−１および９３−２と同じである場合は、９３−１および０３−２を形成するときに同時に形成できるので、工程増にはならずコストアップにはならない。しかし、磁界シールドの効果を高めるには、高透磁率の材料が良いので、５３−１および５３−２と異なる材料を用いても良い。尚、電磁界をシールドする必要がないとき、余り効果がないときには、９３−３〜５を備えなくても良い。電磁界をシールドするためには、できるだけコイル配線をカバーした方が良いので、他の電極・配線とショートしたり、或いは絶縁膜にクラックが入ったりして、電気特性や信頼性に影響を与えないようにして、可能な限り広い面積をカバーした方が良い。
【００４９】
次に、図６（ｂ）に示すように、シード層９６を積層する。シード層９６は導電体、特に金属膜であるが、メッキの起点になるので、メッキ金属と同じ材料とするのが望ましい。たとえば、銅メッキを行う場合には、銅または銅合金とするのが良い。シード層９６の材料が絶縁膜９６および電極・配線９３に対して密着性が良くない場合やその後の熱処理などにより反応して特性が劣化する場合などは、バリアメタルを積層してからシード層９６を積層する。このバリアメタルは電極・配線９３との接合の改善にもなる。たとえば、電極・配線９３がアルミニウムまたはアルミニウム合金でシード層９６が銅または銅合金である場合には、バリアメタルとして、チタン（Ｔｉ）、ＴｉＮ、ＴｉＷ、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、タンタルタングステン（ＴａＷ）などを積層する。電極・配線９３の膜厚は0.3μｍ〜２μｍ、バリアメタルの厚みは0.01〜0.5μｍ、シード層の厚みは0.1〜2μｍである。シード層および／またはバリアメタルはスパッター法や蒸着法、或いはＣＶＤ法により積層される。
【００５０】
次に、図６（ｃ）に示すように、シード層９６上にフォトレジスト９７を形成する。フォトレジストは塗布により形成しても良いし、感光性フィルムを半導体基板９１上に添付しても良い。次に、図６（ｄ）に示すように、露光法によりコイル配線を形成する部分９８を窓明けする。たとえば、窓明け部９８−１はコイル配線が半導体装置側の電極・配線９３−１と接続する部分のコイル配線形成部分であり、窓明け部９８−２はコイル配線形成部分であり、窓明け部９８−３はコイル配線が半導体装置側の他方の電極・配線９３−３と接続する部分のコイル配線形成部分である。窓明け部９８の深さは、コイル配線の厚みと同程度か、それより小さくする。たとえば、厚さ１０μｍのコイル配線を形成するときは、レジスト９７の厚みを約１０μｍ以上とする。コイル配線の厚みはコイルのインダクタンスの値を決めるので、窓明け部９８の深さ、すなわちフォトレジストまたはドライフィルム９７の厚みを決定できる。フォトレジストやドライフィルム９７は感光性ポリイミドその他の感光性ポリマーや感光性樹脂や感光性フィルムや感光性ソルダーレジストでも良い。
【００５１】
次に図６（ｅ）に示すように、窓明け部分で露出したシード層９６をもとにしてメッキ金属９９を成長させる。メッキ金属が銅である場合には、たとえば、半導体基板を硫酸銅溶液に浸漬し、半導体基板を一方の電極にして他方の電極との間に電界を印加する。所定厚みのメッキ層９９を成長させるが、窓明け部９８の深さ（レジストの厚さ）以上に成長させるとメッキ天井部できのこ状に成長するので好ましくはない。メッキはウエットが一般的であるが、ドライメッキすなわち、選択ＣＶＤ法を用いて金属膜９９を成長させることもできる。
【００５２】
次に図６（ｆ）に示すように、フォトレジスト９７をウエット法またはドライ法（アッシング）により除去すると、メッキ層９９のないシード層９６が露出する。次に、図６（ｇ）に示すように、シード層９６をエッチングする。このエッチングは、半導体基板９１の全面エッチングである。エッチング方法としては、ドライエッチングとウエットエッチングがある。ウエットエッチングにおいて、シード層が銅の場合には、硫酸―過酸化水素水系や塩化鉄系などのエッチング液に半導体基板９１を浸漬するか、エッチング液をスプレー状に半導体基板９１上にシャワーしたりして、エッチングする。バリアメタルが積層している場合には、バリアメタルはシード層より薄いので、シード層と同じエッチング液でエッチングできることが多い。たとえば、シード層が銅の場合にバリアメタルとしてチタンを使用したとき、上記のウエットエッチング液でチタンもエッチングできる。図６（ｆ）の状態でエッチングを行うため、シード層９６をエッチングしているときに、当然メッキ層９９もエッチングされる。シード層９６と同じ材料の場合は、シード層９６とメッキ層９９の形成方法が異なっていてもその両者のエッチング速度は余り異ならないが、大きく異なるとメッキ層９９が極端にエッチングされたり、或いはシード層が極端にエッチングされてキノコ状の形状になったりするので、エッチング液の選定や条件出しが重要である。また、バリアメタルが存在する場合、バリアメタルのエッチング速度がシード層のエッチング速度より小さい場合には、メッキ層９９やシード層９６のエッチングされすぎないように注意する必要がある。或いは、バリアメタルのエッチング速度が速い場合には廂ができないように注意する執拗がある。上記のようにシード層９６のエッチング時にメッキ層もエッチングされるので、そのエッチング量を考えてメッキ層の厚みを決定する。たとえば、バリアメタルも含めたシード層厚みを１μｍとして、バリアメタルも含めたシード層のエッチング量をオーバーエッチングも含めて１．２μｍ行うとしたとき、コイル配線の全体の厚みを１０μｍにしたいとすれば、メッキ層の厚みを約１０．２μｍとすれば良い。以上のようにしてコイル配線が形成される。
【００５３】
次に、図６（ｈ）に示すように、感光性ポリイミド膜１００を塗布する。塗布後プリベークした後、図６（ｉ）に示すように、露光法により、コイル中央孔１０１を開口する。また、露光法により、同時にコイル周辺部も開口する。このポリイミド開口部分１０２（１０２−１、１０２−２）にも磁性体が挿入されて、電磁シ−ルドの役割を果たす。ポリイミド開口部１０１および１０２を開口した後、熱処理を行いポリイミドを硬化させて安定化する。このように感光性ポリイミド膜を用いることにより、絶縁膜とフォトレジストの兼用ができるため、材料費が節約できるだけでなく、工程が簡略化できる。露光前のプリベークは８０℃〜１２０℃で行われることが多い。ポリイミド膜の最終熱処理条件は、信頼性レベルにより異なるが、約２５０〜５００℃で行われる。この工程後の熱処理温度も考慮して決定する。
【００５４】
次に、図６（ｊ）に示すように、ポリイミド膜１００の開口部１０１および１０２において電極・配線９３上の絶縁膜９４をエッチングする。エッチング方法には、ウエットエッチング法とドライエッチング法がある。絶縁膜９４がシリコン酸化膜であるときは、ウエットエッチングの場合はたとえば、フッ酸系溶液でエッチングでき、ドライエッチングの場合はたとえば、ＣＦ４やＣ４Ｆ８等のフッ素系ガス、ＣＨＦ３等のＣＨＦ系ガス、ＳＦ６等のＳＦ系ガスなどがある。電極・配線９３がエッチングストッパーとなるため、多少のオーバーエッチングを行っても電極・配線９３を余りエッチングさせずにできる。また、半導体シリコン基板９１の全面エッチングであるから、ポリイミド膜１００もエッチングされるため、コイル配線９９上のポリイミド膜１００の厚みが薄くなるので、それを考慮してポリイミド膜１００の厚みを決定する必要がある。また、熱処理によりポリイミド膜１００の厚みは縮小するので、この縮小分も考慮してポリイミド膜１００の厚みを決定する。
【００５５】
次に、図６（ｋ）に示すように、流動性接着剤１０１を塗布する。流動性接着剤１０１は、使用状態で液体状である。流動性接着剤１０１を半導体基板９１上にたとえば滴下して半導体基板９１をスピンさせて半導体基板９１上に均一に塗布する。窪みには厚く塗られ凸部分には薄く塗られる。たとえば、図６（ｋ）に示すように、ポリイミド開口部１０１、１０２には厚くなり、コイル配線部９９上には薄くなる。流動性絶縁膜１０１が電極・配線９３上やポリイミド膜１００上に直接形成すると特性が良くない場合には、流動性接着剤１０１を塗布する前に、ＣＶＤ法やＰＶＤ法を用いて薄く（たとえば、０．１μｍ〜２μｍ）絶縁膜（ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ膜等）を積層しても良い。一方、サポート基板１０７には、接合層１０６を介して、磁性体薄板１０５と柱状の磁性体１０４がパターニングされて付着している。磁性体１０４−３はコイル配線のコアとなる。また磁性体１０４−１および１０４−２は、コイル配線９９の外側を取り囲む。また、磁性体薄板１０５はコア配線９９の上部を覆う。磁性体１０４−１、１０４−２は半導体基板９１のポリイミド開口部１０２−１、１０２−２に挿入できるようにパターニングされている。コア１０４−３はコイル中央孔１０１に挿入できるようにパターニングされている。
【００５６】
半導体基板９１のアライメントマークまたは実パターンに対して、サポート基板１０７のアライメントマークまたは実パターンを正確に合わせて両基板を接近させて、コア１０４−３をコイル中央孔１０１へ、磁性体１０４−１、１０４−２をそれぞれポリイミド開口部１０２−１、１０２−２へ挿入する。
次に図６（ｌ）に示すように、挿入が完了した後、流動性接着剤１０４を固化して、磁性体１０４−１〜１０４−３、および磁性体薄板１０５を固定する。さらに接合層１０６を軟化し接着力を低下させて磁性体薄板１０５を分離する。この状態を図６（ｌ）に示す。この後、図６（ｎ）に示すように、図５（ｎ）に示す場合と同様に、絶縁膜１０６を積層して、磁性体１０４−１〜３を保護することができる。図６（ｎ）に示すように、本実施形態におけるコイルは、縦方向に一巻きで横方向（平面方向）にも一巻き（正確には、図５（ｂ）に示す場合から分かるように、約１巻き半）のコイルであり、コイル中心に磁性体コアが入っている。従って、コアがない場合（空芯コイル）に比較して透磁率の分だけインダクタンスが増大する。本発明は、たとえば、非常に大きな透磁率を持つ強磁性体であるＦｅ、Ｃｏ，Ｎｉやこれらの合金をコイル配線のコアに使うことができるので、高性能のコイルを作成できる。たとえば、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）の薄板をコアとして使用すれば、透磁率が約２００００以上であるから、同じサイズならば空芯コイルの約２００００倍以上のインダクタンスを得ることができ、同じインダクタンスであるならば、サイズを１／２００００以下とすることができる。また、Ｑ値も非常に向上できる。さらに、本実施形態においては、コイル配線が磁性体で取り囲まれているので、電磁界をシールドできるので、高品質のコイルとなる。また、プロセスが非常に簡単なため、作製が容易であり、プロセス安定度も非常に高い。しかも通常の半導体装置に簡単にコイル（インダクタ）を接続し組み込みできるので、非常に小型のインダクタ付き半導体装置となる。また、磁性体としてフェライトなどの絶縁性を持つものを使うこともできる。その場合、絶縁体であるから、コイル配線にかなり接近させることができるし、或いはコイル配線と接触してもコイル配線から電気が流れることはないというメリットもある。
【００５７】
図７は、図６に示す製造方法の変形である。図７（ａ）〜図７（ｊ）までは、図６（ａ）〜図６（ｊ）と同じであるので、説明を省略する。図７（ｊ）に示すように、コイル中央孔１０１、ポリイミド開口部１０２（１０２−１、１０２−２）、これらの開口部における電極・配線９３上の絶縁膜９４も除去されている。
【００５８】
次に、図７（ｋ）に示すように、パターニングされた磁性体１１２（１１２−１〜１１２−３）が付着したサポート基板１１０を半導体基板９１にパターン合わせを行いながら接近させる。サポート基板１１０が透明なガラス基板であるならば、ガラス基板１１０を通して光を透過させ半導体基板９１とパターン合わせができる。サポート基板１１０が光に対して不透明な基板、たとえばシリコン基板やセラミック基板、或るいは金属製基板であるならば、反射光を用いたパターン合わせができる。或いは、サポート基板を通す電磁波、赤外線や紫外線やＸ線などを用いてアライメントできるし、或いは、半導体基板９１の合わせマークに合わせたサポート基板１１０に貫通孔をあけてその孔を通してアライメント合わせが可能となる。いずれにしても非常に高精度にサポート基板１１０と半導体基板９１を合わせることが可能である。半導体基板９１に対して、サポート基板１１０を垂直方向に接近させることも高精度にできるので、パターニングされた磁性体をポリイミド開口部へ高精度に挿入することができる。また、垂直方向への移動距離のコントロールは現状でも０．１μｍの制御が可能であるから、問題なく半導体基板９１に磁性体を付着できる。
【００５９】
図７（ｋ）から分かるように、図７における実施形態では、流動性接着剤を用いずに、磁性体１１２（１１２−１〜１１２−３）の底面に接着剤１１３（１１３−１〜１１３−３）を付着させる。この付着方法は種々考えられる。たとえば、接着剤液にサポート基板に付着した磁性体１１２の底面を浸漬して付着させる方法がある。接着剤１１３は、たとえば熱硬化性の接着剤である。たとえば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂がある。或いは、導電性接着剤も用いることができる。
【００６０】
また、図７においては、磁性体１１２を連結した電磁シールド用の磁性体を用いていない。この理由は、この電磁シールド用磁性体を用いると開口部１０１、１０２と磁性体１１２（１１２−１〜１１２−３）との間に生じる隙間（空間）１１４を埋めることができないからである。接着剤１１３を介して磁性体１１２が電極・配線９３に接触したときにサポート基板９１へのサポート基板１１０の接近を停止する。この状態が図７（ｌ）に示されている。この図からも分かるように、サポート基板１１０は半導体基板９１の最上部であるポリイミド１００に接触しないようにする。この理由は、接触するとポリイミド１００や、しいては半導体装置へ損傷を与えることを防止するためである。このために、磁性体１１２の厚みを調整し、半導体基板９１の最上部であるポリイミド膜１００の上面より少し上に来るようにする。
【００６１】
この後、熱処理を行い、接着剤１１３を硬化させて磁性体１１２を電極・配線９３に固定する。その後接合剤１１１の接着力を弱めて、サポート基板１１０から磁性体１１２を分離する。たとえば、接着剤１１３を硬化させる温度よりも高い温度で軟化して接着力が低下する材料を接合剤１１１に使用すれば良い。たとえば、熱硬化性樹脂がある。この状態を示したものが図７（ｍ）である。すなわち、磁性体１１２−３は、コイル中央孔１０１に入り込み、電極配線９３−３の上に固定されている。磁性体１１２−１、１１２−２は、コイル周辺部を囲むようにして電極・配線９３−１、９３−２の上に固定される。導電性接着剤を用いれば、磁性体１１２と電極・配線９３と電気的に接続するので、電磁界シールドの性能が向上する。電極・配線上の絶縁膜９４を除去する目的は、この他に、磁性体１１２の底面の位置をできるだけ下げて、コイル配線を高さ方向にカバーできるようにすることもある。本発明のコイルは極めて性能が良いので、そこまでする必要がなければ、絶縁膜９４をエッチング除去しなくても良い。このエッチング工程がなければプロセスがさらに簡略化される。
【００６２】
次に、図７（ｎ）に示すように、絶縁膜１１５を形成し、隙間（空間）１１４を埋めるとともに、磁性体１１２を絶縁体でカバーして保護する。ポリイミドやＳＯＧなどの流動性絶縁膜は、狭い隙間（空間）１１４を埋めることが比較的むずかしいので、その場合は、ＣＶＤ法によって絶縁膜を形成することが良い。耐湿性を向上させるならば、ＳｉＮｘ膜やＳｉＮｘＯｙ膜等の窒素含有膜が望ましい。
【００６３】
以上のように図７に示す方法によっても、コアをコイル中央孔およびコイル配線の周辺に配置することができる。この場合天井部には磁性体がないので、電磁シールドの効果は図６に示す場合に比較して少し弱い。
【００６４】
図８は、サポート基板に磁性体を付着させパターニングする方法について説明する図である。サポート基板の材料として、ガラス、セラミック、シリコン、金属板等を用いることができる。半導体基板側のサイズに対して、同程度の大きさであるが、大きくても良いし、小さくても良い。半導体基板の形状と必ずしも同じでなくても良い。通常半導体基板は円板（平面的には円形）状であるから、アライメントを考えると同一形状が良いが、矩形や楕円形でも良い。要は、多数のコイルを形成する必要がある半導体基板に対して、１回の操作でサポート基板からコイル中央孔および／またはコイル周辺の開口部へコア等の磁性体を挿入できるようにすることが必要である。ただし、サポート基板を小さくしてステップアンドリピート方式（ステッパーと同じ）で磁性体を搭載する方法を排除しない。
【００６５】
図８（ａ）に示すように、サポート基板１２１上に接合剤１２２を形成し、磁性体の薄板を貼り付ける。磁性体としては、所望の透磁率を持つ材料を選択する。すなわち、この材料は、インダクタの持つインダクタンスやインダクタのサイズ、コイルの巻き数、コイル配線の抵抗などによって決まる。たとえば、高透磁率の材料として、パーマロイ、強磁性体のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉなど種々のものがある。磁性体の厚みは、これまでの説明からも分かるように、コイル中央孔の深さと同程度の厚みとなる。最近は、１０μｍ以下の非常に薄い薄板も形成できるので、本発明においてもサポート基板に貼り付けた状態で使用できるが、もっと薄くしたい場合とか、厚い磁性体を薄くしたときには、サポート基板１２１上に接合剤１２２を介して貼り付けた後で、全面エッチングを行って薄くしても良いし、グラインダーで研磨して薄くすることもできる。ＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）法を用いることにより、精度の良い厚さの磁性体を得ることができる。
【００６６】
磁性体の薄板を貼り付ける方法でなくとも、スパッターや蒸着等のＰＶＤ（物理気相成長）やＣＶＤ（化学気相成長）を用いてサポート基板上に形成しても良い。このときも接合剤１２２上に積層する。スパッターの場合、ターゲットとして磁性体を用いて、タッゲートにＡｒ等の不活性ガスでスパッターしてサポート基板上に積層する。ナノメートルレベルで厚みをコントロールできるので、正確な厚みの磁性体をサポート基板上に形成できる。
接合剤１２２として、熱処理、紫外線照射により接合力がなくなったり弱まったりする材料を用いる。たとえば、熱可塑性樹脂や、半田等の金属である。これまで説明したように磁性体を半導体基板側に接着するまでは、磁性体はサポート基板１２１に強固に付着している必要がある。磁性体１２４を半導体基板に硬く接着してから、サポート基板１２１から磁性体を分離させる方法として、磁性体を半導体基板側に接着する接着剤の硬化温度より接合剤１２２の軟化温度や融点が高いものを使用すれば良い。このような組合せの樹脂や金属はたくさんあるので、その中からより良いものを選択すれば良い。たとえば、２５０℃以下で固化する熱硬化性樹脂を半導体基板側と接着する接着剤に選定し、３００℃以上で軟化する熱可塑性樹脂を接合剤１２２として用いれば良い。
【００６７】
次に、図８（ｂ）に示すように、フォトレジストを塗布（あるいは感光性ドライフィルムを貼付して、磁性体を残すべき部分上にフォトレジスト等を露光法（プリベーク、現像、ポストベーク等を含む）により残すようにパターニングする。次に図８（ｃ）に示すように、フォトレジストをマスクにして、磁性体をエッチングする。磁性体のエッチングにはウエットエッチングやドライエッチングがある。たとえば、鉄の場合、塩素ガスなどを用いたドライエッチングを行う。また、ＣＯガスとＮＨ３ガスを混合してドライエッチングすることもできる。ウエットエッチングの場合は、希硫酸系や希塩酸系や塩化第二鉄系のエッチング液を用いれば良い。尚、ウエットエッチングの場合や等方性ドライエッチングの場合、フォトレジストのマスクに対してサイドエッチングとなりエッチング側面がテーパー状になる（すなわち、フォトレジスト側が幅が小さくなる）ので、このテーパー形状を考慮したコイル中央孔などを作製することもできる。たとえば、磁性体のこのテーパー形状がスムーズに挿入できるように、コイル中央孔などもテーパー形状（開口部上部（挿入側）は広く、開口部底部が狭くなるようなテーパー形状）とする。もちろん、コイル中央孔が垂直形状に近い孔でも、テーパー形状の磁性体パターンはスムーズに入る。異方性ドライエッチングの場合は、フォトレジスト１２４の形状に近いパターンが得られるので、サイズのコントロールが容易である。尚、Ｆｅ以外の強磁性体やパーマロイなども同様にエッチング可能である。
【００６８】
次にフォトレジストを除去して、図８（ｄ）に示すように、磁性体パターン１２３（１２３−１〜１２３−３）が得られる。このようにして、サポート基板上に磁性体パターン１２３を形成できる。尚、磁性体のない部分の接合剤１２２は残しておいても良いが除去しても良い。接合剤の厚みは約０．１μｍ〜１０μｍで良いので、特に接合剤の厚みが薄い場合は、エッチング時（特にドライエッチング時）に接合剤が削れてなくなってしまう可能性もあるが特に問題はない。
【００６９】
図９は、磁気シールド材を有する場合のサポート基板を作製する方法を説明する図である。図９（ａ）に示すように、サポート基板１３１上に接合剤１３２を付着させる。接合剤１３２は、塗布用または貼付法により付着させる。その上に、磁気シールド材１３３となる材料を積層または付着する。磁気シールドは、高透磁率を持つ材料ほどその効果が大きいので、磁気シールド材１３３は高透磁率の材料が良い。従って、この後で積層または付着する磁性体の材料と同じ材料でも良い。もちろん、高透磁率の材料で異なる材料でも良い。次に磁性体の薄板１３４を積層または付着させる。磁気シールド材１３３や磁性体１３４はＰＶＤ法やＣＶＤ法で積層しても良い。
【００７０】
次に図９（ｂ）に示すように、フォトリソ法により、フォトレジストのパターン１３５を形成する。次に図９（ｃ）に示すように、フォトレジスト１３５をマスクとして磁性体１３４をエッチングし、磁性体１３４（１３４−１〜１３４−３）をパターニングする。磁気シールド材１３３と磁性体１３４が異なる材料のときは、エッチング速度がある程度異なるので、このエッチング速度差を利用して磁気シールド材１３３を余りエッチングしないようにする。同一材料のときでも、磁性体１３４と磁気シールド材１３３との境界においてエッチングが不連続となるので、磁気シールド材を余りエッチングしないようにすることができる。
【００７１】
次に磁性体１３４のエッチングが完了した後、フォトレジスト１３５を除去すると、図９（ｄ）に示すようにな磁性体１３４（１３４−１〜１３４−３）のパターンを得る。次に、図９（ｅ）に示すように、磁気シールド材１３３をパターニングするために、フォトレジスト１３６を所望のパターンにして、図９（ｆ）に示すように、このフォトレジスト１３６をマスクにして磁気シールド材１３３をエッチングする。この後フォトレジスト１３６を除去して、図９（ｇ）に示すように、磁気シールド１３３を所望のパターンに形成できる。このようにして、磁性体１３４（１３４−１〜１３４−３）のパターンと磁気シールド１３３のパターンを作製できる。
【００７２】
図１０は、磁気シールド材を有する場合のサポート基板を作製する他の方法を説明する図である。図１０（ａ）に示すように、磁気シールド材と磁性体を同一材料とする磁性体１４３を接合剤１４２を介してサポート基板１４１上に付着または積層する。次に、図１０（ｂ）に示すように、フォトレジストまたは感光性ドライフィルムでパターニング（１４４）する。このパターニング１４４をマスクにして磁性体１４３を所望の量だけエッチングする。磁性体１４３は磁気シールドとなる分（１４５で示す）だけ残す。このようにして、図１０（ｃ）に示すように、磁性体のパターン１４３（１４３−１〜１４３−３）を形成する。その後フォトレジスト１４４を除去した図が図１０（ｄ）である。次に図１０（ｅ）に示すように、磁気シールド材となる部分を形成するためにフォトレジスト１４６をパターニングする。次に図１０（ｆ）に示すように、このフォトレジスト１４６をマスクにして、磁気シールド材１４５をエッチングし、所望の形状のパターン１４５−１を得る。この後フォトレジスト１４６を除去して、図１０（ｇ）に示すように、磁気シールド１４５−１を所望のパターンに形成できる。このようにして、同じ磁性体材料を用いて、磁性体１４３（１４３−１〜１４３−３）のパターンと磁気シールド１４５（１４５−１）のパターンを作製できる。
【００７３】
図１１は、本発明の第３の実施形態を示す図である。図１１に示す図は、本発明のインダクタを搭載した半導体装置の構造を示している。図１１に基いて、この第３の実施形態に示されるインダクタの製造方法を説明する。半導体基板５０１上に形成された絶縁膜５０２の上に電極・配線５０３が形成されている。５０３（５０３−１、５０３−２）は、インダクタの端子が接続される電極・配線である。
【００７４】
電極・配線５０３の上に絶縁膜５０４を形成し、電極・配線５０３の一部を開口する。電極・配線５０３は、この開口部５０５（５０５−１、５０５−２）を通してインダクタ（コイル）配線に接続する。次にコイル配線５０６を積層する。コイルの品質を向上するには、Ｑ値を高くすると良い。Ｑ値を高くするにはコイル配線の抵抗を下げると良い。コイル配線の材料が同じであれば、コイル配線の断面積を大きくすれば良い。横方向へサイズを大きくし、厚みを厚くすれば良い。厚みを厚くするためには、ＰＶＤやＣＶＤ法で導電体膜を厚く成長させる方法があるが、５μｍ以上の厚みは時間がかかり生産性が悪くなる。メッキ法も同様であり、２０μｍ以上のメッキは時間がかかる。そこで、この第３の実施形態では、コイル配線もサポート基板にあらかじめ作成しておき、サポート基板に付着したコイル配線を半導体基板に付着させる。サポート基板に付着したコイル配線を厚いコイル配線５０８と称し、前述した半導体基板５０１上に積層したコイル配線５０６と区別する。
【００７５】
積層したコイル配線５０６をパターニングし、電極・配線５０３（５０３−１、５０３−２）と接続し、将来コアを配置する場所を巻くように、環状に形成する。次にサポート基板に付着した厚いコイル配線５０８をこのパターニングされたコイル配線５０６に付着させる。サポート基板に付着した厚いコイル配線５０８の底部に接着剤５０７を付着させ、この接着剤５０７を介して厚いコイル配線５０８をコイル配線５０６に付着させる。厚いコイル配線５０８とコイル配線５０６は電気的に接続する必要があるので、この接着剤５０７は導電性接着剤である。或いは、融点の低い金属や合金でも良い。サポート基板に厚いコイル配線５０８を形成する方法は、前述した磁性体を付着させた方法と同じ方法を使用できる。たとえば、所定の厚みを持つ導電体薄板をサポート基板に貼り付ける。この時の接合剤は熱可塑性（熱軟化性）接着剤などである。貼り付けた導電体膜を半導体基板５０１に搭載できるように、多数のコイル配線にパターニングする。このパターニングされたコイル配線が厚いコイル配線５０８である。尚、コイル配線５０６の材質と厚いコイル配線５０８の材質は同じでも良いし、異なっていても良い。また、コイル配線５０６は途中で切れていても良い。その後の導電は厚いコイル配線５０８に電気が流れるので問題はない。厚いコイル配線５０８を接着剤５０７を介してコイル配線５０６に付着し、この接着剤の硬化温度以上で熱処理して厚いコイル配線５０８をコイル配線５０６に固定する。その後でサポート基板に厚いコイル配線５０８を接合している接合剤の軟化温度まで上げて接合剤の接着力をなくすか弱めて、厚いコイル配線５０８とサポート基板を分離する。
【００７６】
次に、絶縁膜５０９を積層しコイル配線５０６および厚いコイル配線５０８をカバーする。次に、サポート基板に付着したパターニングされた磁性体５１１をコイルの内部空間（コイル中央孔）に挿入し、磁性体５１１底部に付着させた接着剤５１０を介して、コイルの内部空間（コイル中央孔）の底に付着する。サポート基板から磁性体５１１を分離する方法は前述したものと同様である。次に保護膜としての絶縁膜５１２を積層し、磁性体５１１をカバーする。第３の実施形態においても前述した流動性接着剤や感光性絶縁膜を使用することもできる。本発明においては、ＣＶＤ法やＰＶＤ法により絶縁膜を積層すると厚いコイル配線５０８およびコイル配線５０６の形状にコンフォーマルに近いカバレッジで積層するので、厚いコイル配線５０８およびコイル配線５０６の内側には、これらのコイル配線の形状に近いコイル中央孔が形成されるので、容易に磁性体５１１を挿入できる。
【００７７】
次に、磁性体が付着された別のサポート基板の例を示す。半導体基板の上部はいろいろな凹凸があり、磁性体を半導体基板に磁性体を挿入し付着し分離するという一連の工程中に、半導体基板のこのような凹凸の最上部にサポート基板が接触しないようにしなければならない。特に、磁性体の厚みが薄く中央孔の深さより小さい厚みのときでも使用できるサポート基板について説明する。図１２（ａ）に示すように、サポート基板１５１上に、接合剤１５２を付着する。この接合剤１５２の厚みは、挿入する磁性体の厚みと挿入されるコイル配線中央孔（ポリイミド開口部なども含む）の深さを考慮して、サポート基板１５１が半導体基板上のパターンに接触しないように決定する。たとえば、磁性体の厚みが２μｍ、コイル配線中央孔の深さが２．１μｍ、磁性体の底に付着する接着剤の厚みが０．１μｍ、全体のばらつきの最大値が０．３μｍ、サポート基板と半導体基板の上下方向の余裕度を０．２μｍとすると、サポート基板１４１が半導体基板上のパターンに接触しないようにするためには、磁性体底部からサポート基板の平坦部（磁性体のない所）までの距離は、２．５μｍ以上なければならない。この場合は、接合剤１５２の厚みを０．５μｍ以上とする。
【００７８】
接合剤１５２は熱可塑性ポリマーのようにある温度以上で接着力が低下するものが良い。従って、プロセス可能な範囲内に融点を持つ金属や合金でも良い。或いは、無機物でも良い。塗布法で付着しても良いし、シート状のものを付着しても良い。次に磁性体１５３を接合剤１５２の上に付着させる。次に図１２（ｂ）に示すように、フォトリソ法により、フォトレジスト１５４を所望のパターンに形成する。
【００７９】
次に、このフォトレジスト１５４をマスクにして磁性体１５３をエッチングし、さらに接合剤１５２もエッチングする。この接合剤は完全にエッチングしても良いし、或いは所定の深さが得られたならば途中でエッチングを終了しても良い。また、接合剤１５２をエッチングしてもまだ深さが不足しているようでアレバ、サポート基板１５１もエッチングしても良い。磁性体１５３のパターンは余りサイドエッチングすると形状が変化し特性が変化する可能性もあるので、できるだけサイドエッチングを抑えた方が良い（尚、前述したように積極的にサイドエッチングを行う場合もある。）が、接合剤やサポート基板は、最終的には不要なので、しっかりと磁性体１５３がサポート基板に固定されていれば、多少のサイドエッチングは問題ない。
【００８０】
図１２（ｄ）は、フォトレジスト１５４を除去した後のサポート基板上に形成されたパターンを示す図である。磁性体１５３も接合剤１５２もパターニングされており、磁性体の底（ここでは上になっているが）からサポート基板までの距離が磁性体１５３の厚みよりも接合剤１５２の厚み分大きくなっている。この距離がもっと必要ならば、接合剤１５２の厚みを大きくしたり、さらにサポート基板１５１をエッチングすれば良い。この結果、サポート基板を半導体基板のパターンに接触させることがなく、コイル配線中央孔やポリイミド開口部へ磁性体１５３を挿入し付着し固定し、さらにサポート基板１５１から磁性体を分離できる。尚、接合剤１５２を半導体基板側に残し、軟化溶融させて、磁性体との間の隙間や空間へ流し込んで隙間や空間を埋めることもできる。
【００８１】
図１３は、本発明の第４の実施形態を示す図である。この実施形態においては、サポート基板にコイル配線とコアをあらかじめ作製しておく。すなわち、コア付きのインダクタがサポート基板に形成されていて、このコア付きのインダクタを半導体基板に作製されている半導体装置（デバイス）に付着させるものである。図１３においては、コイル配線が半導体基板に形成されるまでは、図１１の場合と同様であるから、図１１と同じ番号を用いる。すなわち、半導体基板５０１上にコイル配線５０６が積層され所望の形状にパターニングされている。
【００８２】
一方、サポート基板５２１上に接合剤５２２を介在してコイル配線５２３が形成される。このコイル配線５２３は、別基板で形成したコイル配線を本発明と同様の方法で付着させても良いし、このサポート基板５２１の上に接合剤５２２を形成した後に積層するかコイル配線の薄板を貼り付けるかして、その後でコイル配線となるようにパターニングしても良い。前者の場合は、サポート基板５２１上に磁性体５２４のパターンを形成しておく。この形成方法は、前述の方法を用いれば良い。次に、別の基板に形成されたパターニングされたコイル配線５２３（５２３−１、５２３−２）を付着させる。この時に用いる接着剤（接着剤Ａとする）は熱硬化性樹脂である。別基板とコイル配線が接合している接合剤を接合剤Ｂとする。接合剤Ｂは熱可塑性樹脂である。接着剤Ａの硬化温度をＴＡ、接合剤Ｂの軟化温度をＴＢとする。ＴＡ＜ＴＢとなるような樹脂を選択する。コイル配線５２３をサポート基板に付着させ固定するときに、ＴＡとＴＢの中間の温度で熱処理をする。次にＴＢ以上で熱処理しコイル配線を別基板から分離する。このとき、サポート基板５２１上の接合剤５２２が軟化してしまうと良くないので、接合剤５２２の軟化温度ＴＣはＴＢより高い材料を用いる。
【００８３】
後者の場合は、サポート基板５２１上にコイル配線パターンを形成する。次に、別の基板に形成されたパターニングされた磁性体５２４を付着させる。この時に用いる接着剤（接着剤Ｄとする）は熱硬化性樹脂である。別基板と磁性体５２４が接合している接合剤を接合剤Ｅとする。接合剤Ｅは熱可塑性樹脂である。接着剤Ｄの硬化温度をＴＤ、接合剤Ｅの軟化温度をＴＥとする。ＴＤ＜ＴＥとなるような樹脂を選択する。磁性体５２４をサポート基板に付着させ固定するときに、ＴＤとＴＥの中間の温度で熱処理をする。次にＴＥ以上で熱処理しコイル配線を別基板から分離する。このとき、サポート基板５２１上の接合剤５２２が軟化してしまうと良くないので、接合剤５２２の軟化温度ＴＣはＴＥより高い材料を用いる。
【００８４】
以上のようにしてサポート基板５２１上にコイル配線５２３と磁性体５２４を配置した後で、（磁性体５２４はコアであり、コイル配線の内側に入り込んでいる。）感光性樹脂（たとえば、感光性ポリイミド）を塗布し、コイル配線５２３の外側まで覆われるようにパターニングする。この後感光性樹脂の硬化温度以上で熱処理して感光性樹脂を硬化させる。コイル配線は複数サポート基板上に搭載されているが、この段階でコイル配線同士の間には感光性樹脂はなく、図１３に示すように接合剤５２２が露出されている。次に、サポート基板５２１のコイル配線５２３および磁性体がある側（サポート基板５２１の表側）を研磨してコイル配線５２３の表面を露出させる。或いは全面エッチバックしてコイル配線５２３の表面上にある樹脂を取り除く。磁性体５２４の表面も露出する可能性があるが、露出したくないときは、磁性体の高さをコイル配線より低くすれば良い。この段階で単体のコイルまたはインダクタとして完成している。このコイルはコア５２４を有する。
【００８５】
次に露出したコイル配線５２３の表面に導電性接着剤を付着させる。この状態が図１３に示されている。図１３において、磁性体コア５２４がコイル配線５２３（５２３−１、５２３−２）の内側に挿入されている。コイル配線５２３と磁性体５２４の間には感光性樹脂が硬化して埋まっている。また、コイル配線５２３の外側も硬化した感光性樹脂５２６で被われている。尚、コイル配線５２３や磁性体５２４と感光性樹脂５２６を直接接触させたくないときは感光性樹脂５２６を形成する（塗布する）前に保護膜５２５、たとえばＳｉＯｘやＳｉＮｘやＳＩＯｘＮｙ膜をＣＶＤ法で積層しても良い。コイル配線５２３の表面には導電性接着剤５２７が付着している。導電性接着剤５２７は半田等の金属または合金でも良い。フォトリソ法を用いてコイル配線５２３の表面付近以外を取り除く。図１３においては、導電性接着剤５２７はコイル配線５２３の表面より少し大きめに記載しているが、確実に下地のコイル配線５０６と接続する必要がある。ただし、ショートして特性が得られなかったり、信頼性が悪くなるほど大きめにしてはならない。或いは異方性導電性接着剤を全面に塗布またはシート状のものを貼付しても良い。
【００８６】
図１３に示すように、この後サポート基板５２１をさらに下げて、コイル配線５０６とコイル配線５２３を接着する。異方性導電性接着剤の場合は、縦方向に電流が流れるのでコイル配線５０６とコイル配線５２３の間は問題なく電気が伝導し、横方向は電気が流れるのでショートすることもない。さらに、磁性体コア５２４が露出したときには樹脂でカバーされるので保護膜としての機能も果たす。導電性接着剤の硬化温度ＴＦは、接合剤のＴＣより低くする。このようにすることによりＴＦ以上ＴＣ以下で熱処理をすることにより、まず、コイル配線５２３を半導体基板５０１に固定し、その後ＴＣ以上に熱処理してサポート基板５２１からコイル配線５２３および磁性体５２４を分離する。このときに接合剤５２２が半導体基板５０１側へ一部が残るが、この接合剤５２２はコイル配線５２３や磁性体をカバーするので保護膜としての役割もある。ただし除去したい場合には、全面ドライエッチングすることにより除去できる。尚、さらに磁性体５２４やコイル配線５２３、５０６を保護したいときには、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法で絶縁膜を積層すれば良い。耐湿性を向上させるにはシリコン窒化膜が最も良い。
【００８７】
図１４は、第３の実施形態の変形例である。この実施例においては半導体基板５０１側の電極にはバンプ電極５３４が形成され、サポート基板５２１側のコイル配線の端子はバンプ電極５３７が形成されている。これらのバンプ電極５３４と５３７を接合させる。図１３では５０６はコイル配線であったが、本実施形態では再配線層である。図１３における５０６と少し目的が異なるので別の番号５３０を付けて区別する。この再配線層５３０は電極・配線５０３に接続している。再配線層５３０の上に絶縁膜５３１を積層し、再配線層５３０の外部への接続パッド５３２を開口する。この開口部５３２にシード金属５３３を積層する。セミアディティブ法、アディテイブ法、またはサブトラクト法によりシード層５３３やバンプ金属５３４を形成する。バンプ金属５３４はメッキ法により形成するが、印刷法などで形成することもできる。半導体基板５０１上に再配線５３０を形成しているが、本発明においてはインダクタを接続するだけなので、再配線層５３０および絶縁膜５３１を使用せず、直接電極・配線５０３上に形成することもできる。その場合は、プロセスが簡単になる。また、メッキを使わない場合は、たとえば、印刷法によりバンプを形成する場合には、シード層５３３が必要ない場合もある。
【００８８】
次に、サポート基板側であるが、コイル配線５２３および磁性体コア５２４を形成するところまでは図１３に示す場合と同じ方法を使用できる。その後で、図１３と同様に５２５で保護膜を形成してコイル配線５２３や磁性体コア５２４をカバーしても良い。その次に、感光性樹脂５２６を塗布し、コイル配線５２３同士、コイル配線５２３と磁性体コア５２４との間に存在する隙間を埋めるとともに表面をある程度平坦化する。これも図１３と同様の工程であるが、この後、プリベークし、さらにコイル同士の間やコイル配線の表面部分５３５を露光法により開口する。開口後ポストベーク、本ベークを行い感光性樹脂を硬化させる。次に、シード層５３６を積層し、コイル配線５２３の開口部にバンプ金属を形成する。これでインダクタ単体としての素子ができる。サポート基板５２１には複数の（多数のと言っても良い）インダクタが搭載されている。それぞれに磁性体コアが挿入されている。
【００８９】
次に、サポート基板５２１を半導体基板５０１にアライメントしながら接近させて、半導体基板５０１側のバンプ５３４とサポート基板側のバンプ５３７を接触させる。バンプ５３４や５３７が半田金属の場合は、フラックスを介在させて半田金属の融点に近い温度で熱処理することにより簡単に接合する。銅バンプや金バンプの場合は、圧力を少しかけながら加熱すれば接合するが、超音波をかけて行うのも効果的である。上記の方法でも接合が困難であるときは、導電性接着剤をバンプ間に介在させれば良い。この場合に導電性接着剤は両方のバンプの頭につけても良いがどちらか一方でも良い。また、導電性接着剤シートをバンプの間に挟んで熱圧着しても良い。導電性接着剤は、樹脂に限らず半田金属などでも良い。すなわち、バンプの頭に溶融金属をつけて、他方のバンプへ熱圧着すれば接合できる。これらの作業を不活性ガスの雰囲気中や真空中で行えば、金属の酸化などを防止することもできる。
【００９０】
次に、接合剤５２２を軟化させてインダクタをサポート基板から分離する。接合剤５２２が紫外線などの電磁波で接着能力をなくすか弱くなるものを用いれば、紫外線などの電磁波を照射して分離する。この場合は、サポート基板が、その電磁波を透過するものを選択する。接合剤が熱可塑性樹脂や金属の場合は、その軟化温度や融点がバンプを接合する温度に近いものを選択して、バンプ同士を接合すると同時にサポート基板を分離する。或いは、サポート基板として熱伝導性の良いものを選択して短時間に接合剤５２２の接着力を弱めるという方法もある。熱硬化性の導電性接着剤の場合は、導電性接着剤の硬化温度よりも高い温度で軟化する接合剤を選択すれば良い。
【００９１】
図１４に示す実施形態においては、インダクタ側にも半導体デバイス側にもバンプを形成したが、片方だけで接着できるときはどちらか一方だけでも良い。たとえば、相手側の開口部に露出した電極金属または電極導電体と簡単に接合できるときは相手側だけに凸状のバンプを形成できる。さらに、サポート基板は他の実施例と同様に、半導体基板、絶縁基板、或いは金属基板でも良い。相手側基板とアライメントがしやすく、また精度良くアライメントできる基板が良い。アライメントが精度良くできるにはできるだけ反りがないようにしなければならない。
【００９２】
本発明においては高い透磁率のコアを挿入できるので、非常に大きなインダクタンスを得ることができるが、コイル配線をスパイラル状に形成すれば、コイル配線の巻き数も簡単に増やすことが可能であるから、さらに大きなインダクタンスを得ることが可能となる。また、コイル配線の抵抗も材質を変えたりサイズを変えたりすることにより、容易に抵抗を下げることができるので、インダクタの品質（Ｑ値）を飛躍的に向上することができる。言い方を変えれば、同じインダクタンスやＱ値を持つインダクタはサイズが非常に小さくなるということである。
【００９３】
これまでに説明してきたインダクタは、コアが半導体基板表面に対して垂直にたっていてそのまわりをコイル配線が巻いているというもので、コイル配線が半導体基板表面に対してスパイラル状に（すなわち、渦巻き状に）平行に回っている（あるいは、スパイラル状に（すなわち螺旋的に）高さ方向にコアを巻いている）場合のものである。これをコアが半導体表面に対して縦（垂直）に立っているという意味で、縦型インダクタと呼ぶ。これに対して、コアが半導体基板表面に対して横に寝ている場合について説明する。これを横型インダクタと呼ぶ。
【００９４】
図１５は、本発明の横型インダクタの基本的な構造を示す図である。図１５（ａ）は本発明の横型インダクタを平面的に見たもので、図１５（ｂ）はその断面図である。（ただし、断面図図１５（ｂ）には関係する部分をすべて記載しているので、手前にあるものも、奥側にあるものも記載されている。）図１５においては、インダクタに関係する部分のみを示している。本発明の横型インダクタは半導体基板に容易に組み込むことができるので、縦型インダクタと同じく半導体デバイスと同時並行的に半導体基板内に形成できる。たとえば、２層Ａｌ配線を有するＬＳＩにおいて、下になるコイル配線６０３は１層目のＡｌ配線で兼用でき、上になるコイル配線６０６は２層目のＡｌ配線で兼用できる。ただし、コア６０４が厚いときは、１層目と２層目のコイル配線間の絶縁膜を厚くしなければならないので、微細なＡｌ配線間ビアを形成できない場合がある（ビアのアスペクト比が大きくなる）。その時には上になるコイル配線６０６は別の配線として形成する。また、そのときにはコイル配線６０６をＬＳＩの２層目のＡｌ配線に接続するには新たな工程を付加しなければならないので、下になるコイル配線６０３とＬＳＩの１層目のＡｌ配線を接続すれば良い（コイル配線６０３も１層目のＡｌ配線となっている。あるいは、コイル配線６０３をＬＳＩの拡散層や配線（PolySiなど）へコンタクトしたり、２層目のＡｌ配線へビアを経由して接続しても良い）
【００９５】
図１５（ｂ）から分かるように、半導体基板６０１上の絶縁膜６０２内にコイル配線６０３（６０３−１）があり、その上に磁性体コア６０４がある。コイル配線６０３はコンタクト孔６０５を通してコア６０４の上にあるコイル配線６０６へ接続する。コンタクト孔には導電体膜が積層されている。コイル配線６０６はコア６０４を横切って（またいで）、次のコンタクト孔６０７へ接続する。コンタクト孔６０５および６０７には導電体膜が存在する。この導電体膜は上層のコイル配線６０７と兼用することができる場合があるが、コンタクト孔のアスペクト比が大きくなり上層のコイル配線６０７がコンタクト孔に充分に入り込まない時は、上層のコイル配線６０７とは別に形成する。（たとえば、導電体膜を埋め込む。）このコンタクト孔６０７はコイル配線６０３−１の隣のコイル配線６０３−２へ接続する。これを繰り返していき、コア６０４を下層のコイル配線６０３とコンタクト孔６０５と上層のコイル配線６０６とコンタクト孔６０７で巻きながらスイラル状にコイル配線が形成されている。この状態は、図１５（ａ）で平面的にみると理解しやすい。太い実線で記載している紙面に平行な配線が下層の配線６０３（手前から、６０３−１〜６０３−４）である。その上に破線で示されたコア６０４がある。斜めの薄い線で記載している配線は上層のコイル配線６０６（手前から、６０６−１〜６０６−５）である。右側のコンタクト孔６０５（手前から６０５−１〜６０５−４）や左のコンタクト孔６０７（手前から、６０７−１〜６０７−４）は下層のコイル配線６０３と上層のコイル配線６０６とつながっている。コア６０４は絶縁膜２で被われていて、コイル配線６０３や６０６、コンタクト孔６０５や６０７とは接触しない。本発明においては、サポート基板に付着したコアが半導体基板にアライメントしながら挿入されて配置される。上層のコイル配線６０６上には絶縁膜が形成され、さらにその上に外部への接続電極・配線６１０（６１０−１、２）が形成される。外部への接続電極・配線６１０（６１０−１、２）はコンタクト孔（６０８、６０９）を通じて上層のコイル配線６０６に接続する。この結果、外部への接続電極・配線６１０（６１０−１）はコンタクト孔６０８に存在する導電体膜（通常は、接続電極・配線６１０と同じ）を通り、上層のコイル配線６０６（６０６−１）からコンタクト孔６０５（６０５−１）に入り下層のコイル配線６０３（６０３−１）を通り、コンタクト孔６０７（６０７−１）から上層のコイル配線６０６（６０６−２）に入り、コンタクト孔６０５（６０５−２）から下層のコイル配線６０３（６０３−２）を通り、コンタクト孔６０７（６０７−２）から上層のコイル配線６０６（６０６−３）に入り、コンタクト孔６０５（６０５−３）から下層のコイル配線６０３（６０３−３）を通り、コンタクト孔６０７（６０７−３）から上層のコイル配線６０６（６０６−４）を通り、コンタクト孔６０５（６０５−４）から下層のコイル配線６０３（６０３−４）を通り、コンタクト孔６０７（６０７−４）から上層のコイル配線６０６（６０６−５）を通り、コンタクト孔６０９から外部への接続電極・配線６１０（６１０−２）へつながる。巻き数を増やすときはこの繰り返しでつないでいけば良い。
【００９６】
図１５に示すこの基本形から分かるように、横型インダクタの場合には、コイル配線が二層となり、その間にコアが挟まれている。また下のコイル配線と上のコイル配線はコンタクト孔でつながっていく。従って、コイルの巻き数を簡単に増やすことができ、インダクタンスは巻き数の２乗に比例するので非常に大きくなっていく。かつ本発明の高透磁率のコアが挿入されているので、簡単なプロセスで非常に大きなインダクタンスを持つインダクタ（コイル）を作製できる。横型インダクタの製造方法の概要は、コアを内側にしてコイル配線をスパイラル状に巻くコア付きインダクタの製造方法であって、半導体基板、絶縁基板、または導電性基板である第１の基板上に第１のコイル配線を形成する工程と、第１の絶縁膜を形成する工程と、第２の基板に付着したコアを第１の基板に付着させる工程と、コアから第２の基板を分離する工程と、第２の絶縁膜を積層する工程と、第１の配線と第２の配線をスパイラル状に接続するための接続孔を形成する工程と、第２のコイル配線を形成する工程とを含む。第２の基板も半導体基板、絶縁性基板、または金属や導電性物質などの導電性基板で良い。また、第１の半導体基板には半導体デバイスやＩＣ等の電子回路が形成されていて、それらに本発明のインダクタが接続しても良い。
【００９７】
図１６は、横型インダクタの製造方法について説明する図である。
第１の基板である半導体基板上７１１に絶縁膜７１２（第1の絶縁膜）を形成する。絶縁膜は、シリコン酸化膜（SiOｘ）やシリコン窒化膜（SiNｘ）やシリコン酸窒化膜（SiOｘNｙ）等であり、CVD法、PVD法などで生成される。或いは、塗布法による無機絶縁膜または有機絶縁膜でも良い。塗布絶縁膜の場合は、適当な熱処理を行う。この絶縁膜７１２上に導電体膜７１３を積層する。導電体膜は、導電性PolySi（P、B、AsなどをドープしたPolySi）、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗなどの金属膜、金属シリサイド膜、またはこれらの合金、或いはこれらの導電体膜の複合膜である。この導電体膜を第１の導電体膜とする。
この第１の導電体膜７１３をフォトリソ法により所望のパターンに形成する。たとえば、図１５（ａ）に示すような長方形状（直方体形状）を並べたパターンにする。この第１の導電体膜７１３がコイルの下部配線（図１５の６０３）である。
【００９８】
次に第２の絶縁膜７１４を積層する。絶縁膜は、シリコン酸化膜（SiOｘ）やシリコン窒化膜（SiNｘ）やシリコン酸窒化膜（SiOｘNｙ）等であり、CVD法、PVD法などで生成される。または、塗布法による無機絶縁膜または有機絶縁膜でも良い。塗布絶縁膜の場合は、適当な熱処理を行う。或いは、これらの絶縁膜の複合膜でも良い。平坦化が必要な場合は、塗布絶縁膜で平坦化したり、ＣＭＰなどで研磨して平坦化する。或いは、エッチバック法を用いる。導電体膜７１３上の絶縁膜の厚みを所望の厚みとする。たとえば、この上に形成される磁性体膜７１６が電気的に導通しない厚みとする。
【００９９】
次に接着層７１５を積層し、所望の部分以外を除去する。この接着層７１５上に、サポート基板７１８上に付着したパターニングされた磁性体膜７１６をアライメントし付着させる。接着層７１５は、磁性体層７１６上（この場合は、底面上）にあらかじめ接着させておき、そのまま絶縁膜７１４の所定の場所に接着しても良い。熱処理等により、磁性体層７１６と絶縁膜７１４を直接接着できる時には、接着層７１５は不要である。
たとえば、絶縁膜７１４として、有機系塗布膜（たとえば、ポリイミド膜や有機系SOG膜）や無機系塗布膜（たとえば、SOG膜）を用いても良い。塗布膜の場合には、塗布した状態で磁性体層７１６を載せて、塗布膜の中に磁性体層７１６を少し埋め込んでその後塗布膜を固化させ磁性体層７１６を固定する。あるいは、完全に固化する温度よりも低い温度で熱処理をして塗布膜が軟化している状態で磁性体層７１６を載せて少し押しつけて、塗布膜に磁性体層７１６を少し入れ込んで接着させた後、熱処理を行い塗布膜を固化させて磁性体層７１６を固定する。尚、導電体膜７１３に直接塗布膜を接着させて信頼性等の問題が懸念される場合には、CVD法等による絶縁膜を薄く積層した後に塗布膜を塗布しても良い。接着層７１５として、たとえば有機系塗布膜または無機系塗布膜を塗布し、（このような塗布する接着剤を流動性接着剤と呼ぶ。）熱処理（プリベーク）した後磁性体膜７１６を接着し、さらに熱処理（本ベーク）して固定しても良い。あるいはプリベークせずに塗布膜に直接磁性体膜７１６を接着した後に熱処理して固定しても良い。このように、接着層７１５が絶縁膜のときは、他の導電体と導通しないので、接着層７１５をパターニングしなくても良い。また、流動性接着剤の場合には表面の凹凸も埋めるので、絶縁膜７１４を平坦化しなくても良い。（もちろん、平坦化しても良い。）
【０１００】
磁性体膜７１６上にあらかじめ接着層７１５を形成する方法として、接着剤液へパターニングされた磁性体膜７１６の上部（図においては底部）を浸して、接着剤を磁性体膜７１６上に付着させた後、プリベークした後絶縁膜７１４に接着しても良い。プリベークが不要ならしなくても良い。接着後本ベークして磁性体７１６を、接着層７１５を介して絶縁膜７１４に固定する。
【０１０１】
縦型インダクタの所でも説明したように、サポート基板７１８に磁性体膜７１６を接着層７１７で付着するときには、たとえば、接着層は熱可塑性（熱軟化性）樹脂または金属（半田等の合金を含む）の接着層とする。その軟化温度（または溶融温度）または融点をＴ５とする。また、接着層７１５が熱硬化性樹脂の接着層である場合には、その硬化温度をＴ６とする。サポート基板７１８に接着層７１７を介して付着した磁性体膜７１６を接着層７１５に付着して温度Ｔ６以上でＴ５より低い温度で熱処理を行い、磁性体膜７１６を接着層７１５にしっかりと固定させる。固定した後で、Ｔ５以上の温度で熱処理を行い、サポート基板から磁性体膜７１５を分離させることができる。接着層７１７を使用せず、真空吸着や電磁石で磁性体膜７１６をサポート基板７１８に付着するときには、温度の制約はない。
【０１０２】
次に第３の絶縁膜７１９を積層する。（絶縁膜７１２が第1の絶縁膜、絶縁膜７１４が第２の絶縁膜である。）絶縁膜は、シリコン酸化膜（SiOｘ）やシリコン窒化膜（SiNｘ）やシリコン酸窒化膜（SiOｘNｙ）等であり、CVD法、PVD法などで生成される。または、塗布法による無機絶縁膜または有機絶縁膜でも良い。塗布絶縁膜の場合は、適当な熱処理を行う。或いは、これらの絶縁膜の複合膜でも良い。平坦化が必要な場合は、塗布絶縁膜で平坦化したり、ＣＭＰなどで研磨して平坦化する。或いは、エッチバック法を用いる。
【０１０３】
次にフォトリソ法により、所定部分にビアホール（コンタクト孔）７２０を形成する。このビアホール７２０は下部配線７１３と上部配線（図１５の６０６、あるいは図１６（ｃ）の７２２）とをスパイラルに接続するコンタクト孔である。コンタクト孔７２０をＣＶＤ法、ＰＶＤ法、或いはめっき法により金属膜を積層する。或いは塗布法により導電体膜を形成しても良い（たとえば、導電体ペーストを塗布する）。金属膜として、アルミニウム、Ｃｕ、Ｔｉ，Ｃｒ、半田、Ｗ、Ｍｏ等、或いはこれらの合金、或いは金属シリサイド膜、或いはこれらの複合膜が挙げられる。ビアホール７２０を完全に充填しても良いが、問題なければ充填しなくても良い。この７２１をプラグ配線と呼ぶ。
【０１０４】
ここで、ビアホール（コンタクト孔）７２０のサイズとアスペクト比を見積もる。図１９（ｃ）に示す記号を用いる。下部配線７１３上の絶縁膜の厚みをｐ３（これはコンタクト孔の深さに等しい）、磁性体膜７１６と下部配線７１３の間の絶縁膜の厚さをｑ３、磁性体膜７１６の厚さをｒ、磁性体膜７１６上の絶縁膜の厚さをｕ３とすると、ｐ３＝ｑ３＋ｒ＋ｕ３となる。ｑ３およびｕ３は０．５μｍ以上なら充分であるから、それぞれ１μｍとする。ｐ３＝４＋ｒ（μｍ）となる。磁性体膜の厚みを１μｍとするとｐ３＝５μｍとなる。下部配線７１３および上部配線７２２の配線幅を５．５μｍとするとコンタクト孔サイズは５μｍ｛５μｍ＊５μｍ（配線の長手方向にはもっと大きく取ることはできる）｝は取ることができる。そうするとコンタクト孔のアスペクト比は約１．０となり、ＰＶＤ法（たとえば、スパッター法）やＣＶＤ法で充分コンタクト孔にカバレッジ良好に積層できる。（従って、コンタクト孔内導電体膜と上層の第２の導電体膜と兼用も可能である。）
【０１０５】
絶縁膜７１９は、感光性樹脂（たとえば、感光性ポリイミド膜）でも良い。感光性樹脂の場合には、塗布法で半導体基板７１１上に塗布する。或いは、感光性フィルムを用いても良い。感光性樹脂を塗布後プリベークし、露光法によりコンタクト孔７２０を開口する。その後、本ベークして感光性樹脂を硬化させて絶縁膜７１９を得る。感光性樹脂を用いた場合には、フォトリソ工程が不要となるし、感光性樹脂をそのまま絶縁膜７１９として使用できる。開口したコンタクト孔７２０の底には絶縁膜７１４が存在するので、ドライエッチングまたはウエットエッチングでコンタクト孔７２０底にある絶縁膜７１４を除去する。絶縁膜７１４のサイドエッチングを防止するためには、ドライエッチング特に異方性エッチングが良い。尚、絶縁膜７１４も感光性樹脂で形成することができ、この段階で露光法（現像等も含む露光を利用した一連の窓開け法）によりコンタクト孔７２０をあけておけば、この部分における絶縁膜７１４はなくなっているので、エッチングが不要になるか、短時間のエッチングで済む。（その後の処理で、コンタクト孔７２０におけるコイル配線７１３上に異物が形成されたり、接着剤７１５が入り込む可能性もあるので、これらの除去が必要となる場合もある。）感光性樹脂を用いる場合、コイル配線７１３や磁性体７１６に感光性樹脂を直接接触したくない場合には、感光性樹脂を形成する前にＣＶＤ法やＰＶＤ法により絶縁膜を所望の厚み積層しても良い。この場合は、コンタクト孔７２０を露光法により開口した後で、この絶縁膜の除去が必要となる。
【０１０６】
磁性体膜７１６の下部に絶縁膜を付着しておけば、直接下部導電体膜（第１の導電体膜）７１６に直接磁性体膜７１６を付着させることができる。たとえば、図２１に示す方法のようにより簡単なプロセスで実現できる。図２１は本発明の横型インダクタにおける１つのプロセスを示す図であるが、図２１（ａ）に示すように、磁性体膜７１６の下部に接着性絶縁膜７８７を付着させる。この接着性絶縁膜７８７を磁性体７１６に付着する方法として、たとえば、サポート基板７１８に磁性体膜７１６が付着した状態で、接着性絶縁膜の液状体へ磁性体膜７１６を浸漬（特に、磁性体膜の底部）して、磁性体膜７１６の底部に接着性絶縁膜７８７を付着させる。磁性体膜７１６の底部に付着した接着性絶縁膜の接着性を上げるために軽く熱処理や光照射等を行っても良い。
【０１０７】
次に、サポート基板７１８と基板７１１を接近させて、磁性体膜７１３に接着性絶縁膜７８７を介して磁性体膜７１６を付着させる。サポート基板として特定波長（幅）の光を透過する基板（たとえば、透明ガラス基板や石英基板、透明プラスチック等）を用いれば、当該特定波長（幅）の光を透明ガラス基板の上部から照射して基板７１１との距離を光学的に正確に（ｎｍオーダーかそれ以下の精度で）測定できるので、接着性絶縁膜７８７を確実に第１の導電体膜７１３に付着できる。また、接着性絶縁膜７８７はこの段階では柔らかいので、サポート基板７１８と基板７１１との距離を正確にコントロールして、接着性絶縁膜７８７の厚みも正確に制御できる。次に熱処理を行い接着性絶縁膜７８７を硬化させて磁性体膜７１６を基板７１１側に固定した後、接着層７１７の軟化点よりも高い温度にしてサポート基板７１８から磁性体層７１６を分離する。この状態が図２１（ｂ）である。
【０１０８】
次に、図２１（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法やＰＶＤ法や塗布法により絶縁膜７８８を積層する。その後で、感光性絶縁膜７８９を塗布しプリベークするか、シート状の感光性絶縁膜を貼りつけて軟化処理を行い、平坦化する。この後のプロセスは前述あるいは後述の通りである。尚、感光性絶縁膜７８９を第１の導電体膜７１３や磁性多摩区７１６上に直接積層しても信頼性や特性上問題なければ、絶縁膜７８８は必要がない。以上のように、磁性体膜７１６に接着性絶縁膜を付着させることにより、プロセスがより簡単になる。
【０１０９】
有機系塗布膜（たとえば、ポリイミド膜）を絶縁膜として使用するとプロセスをさらに簡単にすることができる。図１８は、本発明の横型インダクタにおける製造方法の１実施形態を説明する図である。図１８（ａ）において、第１の導電体膜７１３の形成までは図１７で説明したプロセスと同じである。導電体膜７１３の上に有機系塗布膜７６０を厚く塗布する。この塗布された液状の有機系塗布膜７６０内に基板７１８に付着した磁性体膜７１６を挿入し、所定位置まで入れて基板７１８と基板７１１の距離を保持して停止させる。この状態で図１８（ｄ）に示すように、熱処理を行い有機系塗布膜を硬化させて磁性体膜７１６を固定させる。この後この熱処理温度よりも高い温度にして接着層７１７の接着力を弱めて基板７１８を磁性体７１６から離す。この他にも種々の方法があることは前述の通りである。ここで、基板７１８は固化した絶縁膜７６０と接触させないようにすることが重要である。基板７１８が絶縁膜７６０接触すると基板７１８と絶縁膜７６０も付着してしまうからである。すなわち、磁性体膜７１６の底面と導電体膜７１３の距離をｑ（磁性体膜７１６の下にある絶縁膜７６０の厚みと同じである）、磁性体膜７１６の厚みをｒ、接着層７１７の厚みをｓ、導電体膜７１３上の固化後の絶縁膜７６０の厚みをｐとしたとき、ｐ＜ｑ＋ｒ＋ｓとなるように、有機系塗布膜７６０を導電体膜７１３の上に厚く塗布する。たとえば、ｑ＝１．０μm（ｑは０．１μｍの厚みがあれば充分である）、ｒ＝５μm、ｓ＝２μmとすれば、ｐ＜８μｍとなる。
【０１１０】
図１８（ｃ）は基板７１８を分離した後の図を示している。接着層７１７を残しているが、接着層７１７が基板７１８と一緒に分離する場合もある。接着層７１７が残る場合も考えて、接着層７１７がデバイス特性や信頼性に影響を与えないような材料を選ぶ必要がある。多数の材料があるが、たとえば、前述した材料が挙げられる。また、接着層７１７は軟化あるいは溶融するので、絶縁膜７６０の表面は平坦になるが、凹凸が残る場合は、塗布絶縁膜で平坦化したり、エッチバック法やCMP法により平坦化しても良い。次に図１８（ｄ）に示すように絶縁膜７６２を形成する。この後のプロセスは図１６と同様である。
【０１１１】
感光性絶縁膜（たとえば、ポリイミド膜）を絶縁膜として用いるとさらにプロセスが簡便になる。図１９は感光性膜７７０を下層のコイル配線となる第１の導電体膜７１３上に用いたプロセスを説明する図である。図１９（ａ）に示すように、第１の導電体膜７１３を形成した後に、感光性膜７７０を塗布する（塗布後の感光性膜７７０の厚みをｐ０）この状態（すなわち、感光性膜は液状）で、パターニングされた磁性体膜７１６を付着した基板７１８を基板７１１に接近させる。図１９（ｂ）に示すように、磁性体膜７１６を感光性膜７７０の中にすべて浸入させる。基板７１８も感光性膜７７０と接触する。第１の導電体膜７１３と磁性体膜７１６の距離がｑ１になった所で基板７１８の移動を停止させる。（および／または基板７１１の基板７１８側への移動も停止する。）
【０１１２】
この状態で磁性体膜７１６を基板７１８から分離させる。磁性体膜７１６を基板７１８内に搭載した電磁石で基板７１８に吸着しておけば電磁石の機能を停止すれば磁性体膜７１６は基板７１８から離れる。あるいは、磁性体膜７１６を基板７１８で真空吸着しておき、真空を解除すれば磁性体膜７１６は基板７１８から離れる。磁性体膜７１６のパターンだけを真空引きするには、磁性体膜７１６を吸着するマスクを基板７１８にあらかじめ付着させておくか、基板７１８に磁性体膜７１６を吸着する真空引き孔等を形成しておけば良い。あるいは、磁性体膜７１６を紫外線等の特殊な光や電磁波で付着力をなくすか弱めるタイプの接着層を用いて基板７１８に付着させておき、停止位置ｑ１の所で当該紫外線等の特殊な光や電磁波を照射して磁性体膜７１６を基板７１８から離せば良い。この場合には、基板７１８は当該紫外線等の特殊な光や電磁波を透過するタイプの材料で構成され、感光性膜７６０は当該紫外線等の特殊な光や電磁波によって影響されない材料を使用する。
【０１１３】
基板７１８および基板７１１が停止した状態を示す図１９（ｂ）において、第１の導電体膜７１３上の感光性膜７７０の厚みをｐ１とすると、ｐ１＝ｑ１＋ｒとなる。基板７１８と磁性体膜７１６との間に接着層がなければ、ｐ１は基板７１８と第１の導電体膜７１３との距離でもある。基板７１８を距離測定用の光が透過する材料で形成しておけば、基板７１８の上部からこの測定光をあて基板７１８と基板７１１との距離ｓを光学的に測定できる。この距離ｓは極めて正確に測定できる（オングストロームのレベル）ので、基板７１８と基板７１１の停止時における距離をｓ１とすれば、ｓ＝ｓ１のときに基板７１８と基板７１１を極めて正確に停止することができる。（この様子を、図１９（ｂ）において光学的測定器７７２および測定光７７３を記載）ここでは、測定光によって感光性膜７７０が影響されないように感光性膜の材料および測定光の波長や強度を選定する必要がある。（尚、この方法は、他の実施例や実施形態においても応用できることは言うまでもない。）
【０１１４】
液状の感光性膜７７０内で基板７１８から分離した磁性体膜７１６はその自重で沈み第１の導電体膜７１３の上で停止するが、図１９（ｃ）に示すように、磁性体膜７１６と第１の導電体膜７１３の間に薄い感光性膜７７０が残る（厚みｑ２）。この状態における第１の導電体膜７１３上の感光性膜の厚みをｐ２、磁性体膜７１６上の感光性膜７７０の厚みをｕ２とすると、ｐ２＝ｑ２＋ｒ＋ｕ２となり、ｐ２はｐ１とほぼ等しい。図１９（ｄ）に示すように、次にプリベークを行い、マスクを用いて露光法（露光＋現像）により感光性膜７７０の所定部分にコンタクト孔７７５の窓開けを行う。この後熱処理（硬化熱処理）を行い、感光性膜７７０を硬化させる。感光性膜７７０がたとえば、感光性ポリイミド膜（これも種々の種類がある）であるとき、１００℃前後の温度でプリベークを行い、熱処理（硬化熱処理）温度は、たとえば。１５０℃〜２００℃で１段目の熱処理を行い、次に３００℃〜４００℃の温度で２段目の熱処理を行う。この硬化熱処理後において、第１の導電体膜７１３上における感光性膜７７０の厚みをｐ３、第１の導電体膜７１３と磁性体膜７１６の間における感光性膜７７０の厚みをｑ３、磁性体膜７１６上の感光性膜７７０の厚みをｕ３とすれば、ｐ３＝ｑ３＋ｒ＋ｕ３となる。プリベークや熱処理により感光性膜７７０は収縮するので、ｐ３＜ｐ２、ｕ３＜ｕ２、ｑ３＜ｑ２となる。収縮度が大きいときや、ｕ２が薄すぎてしまい、ｕ３が薄くなる可能性があるとき（ｕ３がなくなり、磁性体膜７１６が露出してしまうとき）には、再度感光性膜を塗布してプリベークを行い、再度露光法によりコンタクト孔を窓開けし、さらに硬化熱処理を行い、所定の厚みのｕ３を得ることができる。あるいは、１度の感光性膜７７０で所定の厚みｕ３を確保するために、所定の厚みとなるｕ２を確保するように感光性膜７７０の厚みをコントロールする方法もある。ｕ３の厚みは０．１μｍ以上であれば特性上の問題は発生しないが、プロセス安定性も考慮すれば約０．５μｍ以上確保するようにすることが望ましい。
【０１１５】
ｑ３の厚みも０．１μｍあれば特性上の問題は発生しないが、プロセス安定性も考慮すれば約０．５μｍ以上確保するようにすることが望ましい。しかし、磁性体膜７１６は自重で感光性膜７７０の中に沈んでいる状態なので、所望の厚みを確保できない場合には、第２の導電体膜７１３を形成した後、薄く（たとえば、約０．１μｍ〜１．０μｍ）絶縁膜（SiOx、SiNxやSiOxNy等）をCVD法やPVD法で積層した後で、感光性膜７７０を塗布する方法もある。この場合には、コンタクト孔７７５の形成は感光性膜７７０の窓開けを行った後の硬化熱処理後において、コンタクト孔７７５には第１の導電体膜上にこの絶縁膜が存在するので、この絶縁膜をエッチングする。エッチングはウエットエッチングとドライエッチングがある。たとえば、絶縁膜がSiOx膜のときには、ウエットエッチングの場合には、HF系のエッチング液を用いて行なうが、感光性膜７７０はこのエッチング液ではエッチングされないので、絶縁膜SiO2のサイドエッチングが発生するので注意が必要である。ドライエッチングの場合は、絶縁膜のサイドエッチングが起こらないように異方性エッチングが望ましい。ドライエッチング法では、マスクを用いずに全面エッチングを行う場合には、磁性体膜７１６上の感光性膜７７０もエッチングされる（選択性の高いエッチングを行えば、エッチング量を少なくすることができる）ので、その分も考慮して感光性膜の厚みｕ３を決定する必要がある。（前述のように、第２の導電体膜と磁性体膜７１６との間の厚みは、約０．１μｍあれば特性上の問題は発生しないが、プロセス安定性も考慮すれば約０．５μｍ以上確保するようにすることが望ましい。）
【０１１６】
所望の厚みｑ３を確保できない場合の他の方法として、基板７１８に付着した磁性体膜７１６の下部に絶縁膜をあらかしめ積層させておく方法もある。図２０は本発明の横型インダクタにおける１実施形態のプロセスを説明する図である。図２０（ａ）に示すように、所定厚み（ｖ１）を有する絶縁膜７８０を積層した磁性体膜７１６を付着した基板７１８を感光性膜７１８に入れ込んで、第１の導電体膜７１３と絶縁膜７８０の距離ｑ１が所定の値になったときに基板７１８および基板７１１の移動を停止して、磁性体膜７１６を基板７１８から分離させる。その後、図２０（ｃ）に示すように、自重で第１の導電体膜７１３に接近して第１の導電体膜７１３と絶縁膜７８０の距離ｑ２で停止する。その後、図２０（ｄ）に示すように、コンタクト孔７７５を露光法により形成して、硬化熱処理を行う。この実施形態では、図２０（ｂ）において、ｐ１＝ｑ１＋ｖ１＋ｒ、図２０（ｃ）において、ｐ２＝ｑ２＋ｖ１＋ｒ＋ｕ２、図２０（ｄ）において、ｐ３＝ｑ３＋ｖ１＋ｒ＋ｕ３となる。従って、第１の導電体膜７１３と磁性体膜７１６の間には必ず絶縁膜７８０が存在するので、第１の導電体膜７１３と磁性体膜７１６との電気的接続を懸念する必要がない。たとえ、ｑ２やｑ３が０となっても問題はない。しかも、上述した第１の導電体膜７１３上に絶縁膜を形成してから感光性膜７７０を塗布せず、第１の導電体膜７１３上に直接感光性膜７７０を塗布するウロセスを採用できる。従って、コンタクト７７５を形成した後で、絶縁膜をエッチングするプロセスを取る必要もない。
【０１１７】
磁性体膜７１６上に絶縁膜７８０を形成する方法も種々存在する。たとえば、磁性体膜７１６が基板７１８に付着している状態で、磁性体膜７１６の先端部（図２０（ａ）では磁性体膜７１６の下部）を液状絶縁膜に浸漬して、磁性体膜７１６の先端部に付着させた後、熱処理を行い硬化させて、磁性体膜７１６上に絶縁膜７８０を形成することができる。また、たとえば、磁性体の薄板を基板７１８に付着させた後、磁性体膜上に絶縁膜を積層（ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、塗布法）させて、所定形状に絶縁膜および磁性体膜をパターニングして、図２０（ａ）に示すように磁性体膜７１６上に絶縁膜７８０を形成することができる。この熱処理で溶剤などがコンタクト孔において露出した第１の導電体膜７１３上に付着したり異物が形成される（これを残しておくと接続性が悪くなる）場合があるので、これを除去するためにコンタクト孔内に導電体膜を形成する前にライトエッチヌグをすることもある。このライトエッチングは逆スパッタやドライエッチングあるいは酸系や有機系溶液の処理などである。
【０１１８】
次に、図１６（ｃ）に示すように、この上に導電体膜７２２を積層し所望の形状にパターニングする。（この導電体膜７２２は図１５の６０６で上部配線である。）この導電体膜７２２も下層配線７１３と同様の材料で形成できる。同じ材料でも良いし、異なる材料でも良い。インダクタ（コイル）の特性に合わせて適宜選択すれば良い。導電体膜７２２はプラグ配線７２１と兼用することもできる。すなわち、プラグ配線７２１と導電体膜７２２を一緒に形成する。（ただし、コンタクト孔７２０において導電体膜７２２のステップカバレッジ（被覆性）が良くなければ、プラグ配線７２１を形成してから導電体膜７２２を形成した方が良い。）このようにして、下部配線からプラグおよび上部配線、その上部配線からプラグおよび下部配線にスパイラル状に接続でき、コイル配線が形成できる。このインダクタの中央部（内側部分）には磁性体７１６が存在するので、大きなインダクタンスと高いＱ値を持つインダクタを作成できる。しかもＬＳＩ法により製造しているので、非常に高精度に微細なインダクタを形成できる。
【０１１９】
次に、図１６（ｄ）に示すように、絶縁膜７２３を形成する。この絶縁膜７２３はコイル配線の保護膜となる。コイル全体を保護したければ、コイルの外側にある絶縁膜７１９、７１４、７１２を除去してから絶縁膜７２３を形成する。絶縁膜としてはＣＶＤ法、ＰＶＤ法によって形成されるＳｉＯｘ、ＳｉＮｙ、ＳｉＯxＮｙなど、或いはポリイミドなどの有機樹脂膜、ＳＯＧなどの無機塗布膜、或いはこれらの複合膜である。耐湿性などの信頼性を高めるためには、ＣＶＤ法やＰＶＤ法による絶縁膜が良く特にＣＶＤ法によるＳｉＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ膜が良い。たとえば、パターニングされたコイル配線７２２上にＣＶＤ法によりＳｉＯｘＮｙ膜を０．１μｍ〜１．０μｍ積層し、その上に感光性ポリイミドを形成して、フォトリソ法により開口し、その開口部をマスクにしてＳｉＯｘＮｙ膜をエッチングし、開口部７２４（７２４−１、７２４−２）を形成することができる。もちろん感光性ポリイミドだけならば、エッチングは不要となる。（ただし、開口部７２４において露出した導電体膜７２２上に異物（たとえば、ポリイミド膜の熱処理時によるアウトガス成分が付着したり、開口時や熱処理時に導電体膜７２２が変質した場合）が存在して、接触が悪くなったときには、ライトエッチ（ウエットまたはドライエッチング、あるいは逆スパッター（Ａｒ等によるスパッターエッチング）など）を行っても良い。）感光性樹脂を用いなければ、やはりフォトリソ法を用いて、絶縁膜７２３に開口部７２４を形成する。この開口部７２４はパッドとなり、プロバーなどでインダクタの特性を測定できる。
【０１２０】
図１６（ｄ）においては、開口部７２４−１と７２４−２は同一のコイル配線７２２上に存在するように記載されているが、コイル配線７２２はスパイラル状に形成されているので、図１５からも分かるように、異なるコイル配線にそれぞれ形成されている。すなわち、開口部７２４−１と７２４−２は図３で示すコイルの両端子Ａ、Ｂに対応する。本発明を用いることにより、半導体装置や半導体デバイスが形成された半導体基板上に高性能のインダクタ素子を搭載できるし、或いは半導体装置や半導体デバイスを形成するプロセスに合わせて一緒に半導体基板上に高性能のインダクタ素子を形成できる。また、この後スクリーン印刷などで、パッド部７２４を導電体（たとえば、半田ペースト）で埋めて少し凸状（たとえば、バンプ）にすることもでき、チップ化した後で配線基板に搭載することもできる。この後、半導体装置としてチップ化（個片に）するためにダイシングして、インダクタを搭載した半導体チップができる。あるいは、パッド部７２４にシード層等を形成してメッキ法によりバンプを形成することもできる。
同じ基板上に形成された他の素子（たとえば、抵抗、インダクタ、コンデンサ、トランジスタ、ＩＣ等）と接続する場合は、下層（第１の）導電体膜７１３あるいは上層（第２の）導電体膜７２２と接続すれば良く、この場合には、開口部７２４の形成は不要となる。あるいは、同じチップ状の他の素子に接続するパッド部とこの開口部（パッド部）７２４とワイヤボンディングしてワイヤ接続することもできるし、この開口部７２４を形成後に再配線して接続しても良い。
【０１２１】
本発明の横型インダクタ素子（縦型も同様）は、上記の構造で単独でもインダクタ素子パッケージとして使用できる。たとえば、図１６（ｄ）に示すような形状でダイシングして、プリント配線基板やＩＣチップ上に実装して、インダクタンス素子として使用できる。この場合、開口部（パッド部）７２４は外部接続用電極となる。また、インダクタ素子のまわりは保護膜７２３で保護されているので、外部環境にも強い信頼性の良好なインダクタ素子となる。たとえば、ダイシングラインに沿ってインダクタ素子の周辺について、コンタクト孔７２０の形成時に同時に絶縁膜（７１４や７１２等、このときに基板７１１も一部エッチング除去される）を除去したり、各種導電体膜のエッチングの時に当該導電体膜を除去しておけば、工程の付加も（負荷も）なくインダクタ素子全体（基板７１１側を除く）を保護膜７２３で被覆することができる。
【０１２２】
本発明の横型インダクタを用いた場合のインダクタンスを見積もってみる。コイル配線の太さを１μｍ（0.001ｍｍ）、コイルの幅１ｍｍ、コイルの高さを５μｍ（0.005ｍｍ）、基板厚み０．３ｍｍとし、巻き数を５００回（配線ピッチ２μｍ、コイルの長さが１ｍｍに相当）とすれば、コアを入れない場合には、１０８．５μＨ、比透磁率１００００の材料（厚さ約３μｍ）を入れると、１０８５０００μＨ（1.085Ｈ）となる。コイルのサイズが１ｍｍ＊１ｍｍ＊0.005ｍｍ（パッケージサイズは１ｍｍ＊１ｍｍ＊０．３ｍｍ）と非常に小さいにもかかわらず、非常に大きなインダクタンスを持つことが分かる。本発明は、コイルサイズや巻き数やコアの材料を自由に選定できるので、広い範囲のインダクタンスを持つインダクタを半導体デバイスに容易に搭載できる。さらに、外部とコンタクト（たとえば、ワイアボンドで接続）することもできる。
【０１２３】
本発明は、上述した製造方法からも分かるように、上述したようにインダクタ単体としても形成できる。しかもウエハレベルパッケージとしても使用できる。すなわち、図１６（ｄ）に示す構造のものを多数半導体基板（ウエハ）上に並べていけば良い。インダクタ単体にするときは、シリコン基板等の半導体基板に限らず、セラミックやガラスや石英などの絶縁基板、或いはアルミや銅や磁性体等の金属基板でも良い。絶縁基板の場合には絶縁膜７１２を省くこともできる。これを個片化すれば、チップインダクタができる。基板の厚さを０．３ｍｍとすれば、（インダクタ自体の厚み自由に調節できるが、仮に３μｍとすれば、基板の厚さに比べれば無視できる。）１ｍｍ＊１ｍｍ＊０．３ｍｍのサイズで１Ｈの大きなインダクタンスを持つ非常に小さくて薄いチップインダクタとなる。このインダクタは周囲が基板と絶縁膜（保護膜）で囲まれていて、非常に強固なパッケージとなる。
【０１２４】
図１７は、横型インダクタの別の製造方法を説明する図である。
図１７（ａ）に示すように、７３１は半導体基板、７３２は絶縁膜、下部配線７３３を形成する方法は、図１６で説明した製造方法と同じである。次に絶縁膜７３４を厚く形成する。平坦化を行っても良い。フォトリソ法により、下部配線７３３の領域の上にある中央部（あるいは、コイル内側部）７４９を窓明けして（コイル配線中央孔７４９、と呼ぶ）、下部配線７３３の領域の上にある中央部の絶縁膜７３４をエッチングする。下部配線７３３上に所定の厚みを残してエッチングをストップする。或いは、全部エッチングした後で、下部配線７３３上に所定の厚みとなるように絶縁膜７３５を積層しても良い。このとき、下部配線７３３がエッチングストッパ材となるが、下部配線７３３のない領域（配線７３３と隣の配線７３３の間）には絶縁膜が存在するので、完全にエッチングした場合には、中央部（コイル配線中央孔７４９の底部）は凹凸が存在する可能性がある。そこで、絶縁膜をＣＶＤ法等で積層した後で、塗布法やエッチバック法などで平坦化しても良い。
或いは、７３４として感光性樹脂（感光性ポリイミドなど）を塗布し、プリベークした後露光法により下部配線７３３の中央部７４９を窓明けし、本ベークして感光性樹脂を硬化しても良い。この場合、下部配線７３３は露出しているので、下部配線７３３上に所定の厚みとなるように絶縁膜７３５を積層しても良い。
【０１２５】
次に接着層７３６を絶縁膜７３５上に付着させる。接着層７３６が流動性を有していればこの段階で、コイル配線中央孔７４９の底における絶縁膜７３５の凹凸も埋まる。
次にこの中央部の凹み部分（コイル配線中央孔７４９）に磁性体膜７３７を位置合わせを行い、サポート基板７３９に付着した磁性体膜７３７をコイル配線中央孔に挿入し、接着層７３６に付着させる。磁性体膜７３７は、サポート基板７３９に接合剤７３８を介して付着している。磁性体膜７３７を接着層７３６に固定した後、磁性体膜７３７をサポート基板７３９から分離させる。
【０１２６】
次に、図１７（ｂ）に示すように、絶縁膜７４０を所定厚み磁性体膜７３７上に積層する。形成前に絶縁膜７３４のくぼみ部の周囲（磁性体膜７３７と絶縁膜７３４の窪み部７４９の側面との間）に少し隙間ができているが、ＣＶＤ法等で積層後は埋め込みが行われ、隙間がなくなる。ただし、ステップカバレッジが悪い場合は、内部にボイド（空洞）が形成される可能性がある。信頼性や特性が問題なければ、空洞が存在したままにしておいても良いが、空洞を塗布法を用いて埋めても良い。
また絶縁膜７４０の上面に凹凸が存在して問題となる場合には、塗布法、エッチバック法、研磨法等を用いて、絶縁膜７４０の表面を平たん化しても良い。
【０１２７】
あるいは、コイル配線中央孔７４９を形成後に、流動性絶縁膜を塗布してコイル配線中央孔７４９を埋めて、流動性がある状態でコイル配線中央孔７４９の中に、サポート基板７３９に付着した磁性体膜７３７を挿入して、磁性体膜７３７を絶縁膜７３５に載せるか、流動性絶縁膜中に置き、流動性絶縁膜を固化させて磁性体膜７３７を固定し、その後で、接着層７３６の接着性を弱めて基板７３９を磁性体膜７３７から分離するという、前述したプロセスと同様のプロセスを採用することもできる。このプロセスによれば、接着層７３６は不要となるし、コイル配線中央孔７４９の側面と磁性体層７３７の間に生じる隙間もなくなる。さらに、磁性体膜７３７を自重で沈めた場合に流動性絶縁膜の粘度や比重との関係で磁性体膜７３７と下部配線７３３の間に流動性絶縁膜が残るので、あるいは磁性体膜７３７の下部（底部）に絶縁膜を付着させたものを流動性絶縁膜中に挿入し自重で沈めた場合にも、磁性体膜７３７と下部配線７３３の間に流動性絶縁膜と合わせて充分な厚みの絶縁膜が残るので、下部配線７３３と磁性体膜７３７の間の絶縁膜７３５も不要となり、プロセスが簡単となる。
【０１２８】
これ以降のプロセスは、図１６に示した製造方法と同じで、コンタクト孔７４１が形成され、コンタクト孔７４１にはプラグ配線７４２が形成される。さらに、図１７（ｃ）に示すように、上部配線金属７４３を形成する。また、上部配線金属を保護したり、絶縁したければ、この後、絶縁膜７４４を形成しても良い。
【０１２９】
図２２は図１７に示す横型インダクタの製造方法のバリエーションである。図２２（ａ）に示すように、絶縁膜７３２を形成し、第１の導電層７３３をパターニングし形成した後、絶縁膜７３４を積層し、コイル（インダクタ）のコアとなる磁性体膜を形成すべき領域および第１の導電層７３３と上部のコイル配線（第２の導電層）とのコンタクト孔を形成すべき領域を含む領域７５０の窓開けを行う。図１７においては、少なくとも磁性体膜を形成すべき部分（コイル配線中央孔７４９）を形成したが、この実施形態では、この領域に加えてコンタクト孔を形成すべき領域も含むより大きな領域の窓開けを行う。この領域をコンタクト・磁性体膜形成領域７５０と呼ぶ。絶縁膜７３４はＣＶＤ法やＰＶＤ法あるいは塗布法による絶縁膜でも良いし、これらを複合した絶縁膜でも良い。次にフォトリソ法を用いて、感光性膜をパターニングし、これをマスクにして絶縁膜７３４をエッチングしてコンタクト・磁性体膜形成領域７５０を形成する。第１の導電層７３３に感光性の液状塗布膜を形成しても問題なければ、感光性絶縁膜（たとえば、感光性ポリイミド膜）を塗布して絶縁膜７３４としても良い。この場合には露光法（露光＋現像）だけによりコンタクト・磁性体膜形成領域７５０を形成できる。たとえば、感光性ポリイミド膜を塗布し、１００℃〜１３０℃でプリベークした後、露光法によりコンタクト・磁性体膜形成領域７５０を窓開けし、１５０℃〜２００℃でキュアし、３００℃〜３５０℃で硬化させ、図２２（ａ）に示す絶縁膜パターン７３４を得る。
【０１３０】
次に、感光性絶縁膜（たとえば、感光性ポリイミド膜）７５１を塗布すると、窓開けされたコンタクト・磁性体膜形成領域７５０に厚くたまる。このコンタクト・磁性体膜形成領域７５０における磁性体膜形成領域に、接着層７３８を介してサポート基板７３９に付着した磁性体膜７３７を挿入する。図２２（ｂ）に示すように、磁性体膜７３７の一部が浸漬した所で磁性体膜７３７の挿入を停止する。特に液状の感光性絶縁膜７５１が接着層７３８に接触しないようにして停止することが重要である。（正確には、液状の感光性絶縁膜７５１はプリベークにより少し収縮するので、プリベーク後に感光性絶縁膜７５１が接着層７３８に接触しない状態であれば良い。）
【０１３１】
この状態で、感光性絶縁膜７５１をプリベークする。この温度をＴ１３とする。このプリベークにより液状感光性絶縁膜７５１は少し固まるので、磁性体膜７３７も半固定される。プリベーク温度はある程度許容幅がある（低い方の温度をＴ１１、高い方の温度をＴ１２とする）ので、Ｔ１３はＴ１１に近い温度とする（Ｔ１１＝＜Ｔ１３＜Ｔ１２）。次にＴ１３より高くＴ１２に近い温度Ｔ１４でプリベークする（Ｔ１１＜Ｔ１３＜Ｔ１４＝＜Ｔ１２）。接着層７３８の軟化温度をＴ１５としたとき、Ｔ１１＜Ｔ１５＜Ｔ１４となるようなＴ１５を有する接着剤を接着層７３８として用いる。Ｔ１３でプリベークしたときには、接着層７３８は軟化しないので、磁性体膜７３７が動くことなく感光性絶縁膜７５１に半固定され、Ｔ１４で２回目のプリベークすることにより接着層７３８が軟化するので、磁性体膜７３７をサポート基板７３９から分離することができる。図２２（ｃ）はこの分離した状態を示す図である。磁性体膜７３７の上部は感光性絶縁膜７５１より上方へ出ていて、磁性体膜７３７の下部は感光性絶縁膜７５１の中に埋まっている。
【０１３２】
磁性体膜７３７がサポート基板７３９から分離しても磁性体膜７３７は感光性絶縁膜７５１に半固定されているので、大きな衝撃が加わらない限り動くことはない。次に、図２２（ｄ）に示すように、プリベークした感光性絶縁膜７５１の上にさらに感光性絶縁膜７５２（２層目の感光性絶縁膜７５２）を塗布し、磁性体膜７３７全体を被覆する。次に、この感光性絶縁膜７５２をプリベーク（温度Ｔ１５）する。感光性絶縁膜７５２と感光性絶縁膜７５１は同じ材料であるとプリベーク温度を管理しやすいが、異なる材料である場合は、プリベーク温度Ｔ１５はＴ１５＜Ｔ１２であるような材料を用いる。
【０１３３】
次に、露光法により感光性絶縁膜７５２および７５１にコンタクト孔７５３を形成する。尚下側の感光性絶縁膜７５１は３回のプリベークを行っているので、露光による感度が低下している可能性がある。その場合には、露光量を増加させるなど、通常の条件とは異なる露光条件（現像条件の含む）を選定する必要がある。コンタクト孔７５３を形成した後、硬化熱処理を行い（必要なら、キュア処理などの熱処理も行なう）、感光性絶縁膜を硬化させる。このときの熱処理で、コンタクト孔７５３で露出した第１の導電体膜７５３が変質したり異物が付着したときには、コンタクト孔に導電体膜７５４を形成する前に、前述したようにライトエッチングなどを行って異物等を除去してから、コンタクト孔に導電体膜７５４を形成する。その後、図１６や図１７等で説明したように、第２導電体膜を形成する。
【０１３４】
図２２（ｃ）に示す状態（プリベークした感光性絶縁膜７５１に磁性体膜７３７の一部が埋まっている状態）の後で、露光法により1回目のコンタクト孔を窓開けすることもできる。この窓開けをした後、硬化熱処理を行って（キュア処理も必要なら行なう）、感光性絶縁膜７５１を完全に固化して磁性体膜を感光性絶縁膜７５１に固定した後、２層目の感光性膜を塗布する。塗布により窓開けした1回目コンタクト孔も２層目の感光性絶縁膜が入り込むが、プリベーク後に露光法により、１回目のコンタクト孔と同じ場所に２回目のコンタクト孔を開ける。この方法により、エッチング等を使わずに、露光法だけによりコンタクト孔を形成することができる。この場合２回露光を行うので、合わせずれの問題が生じるが、２回目のコンタクト孔形成のときに１回目のコンタクト孔を含むように少し大きめにコンタクト孔を形成できるようにすれば、１回目にあけたコンタクト孔に入り込んだ感光性絶縁膜はすべてなくすことができ、しかも２回目のコンタクト孔（上層側）サイズが１回目のコンタクト孔（下層側）サイズより大きくなっているので、コンタクト孔への導電体膜７５４の形成は用意となる。
【０１３５】
尚、図２２（ｄ）に示すように、磁性体膜７３７と第１の導電体膜の厚みをｑ５、第１の導電体膜上の厚みをｕ５としたとき、所定の厚みｑ５やｕ５が得られるように、サポート基板７３９に付着した磁性体膜７３７を挿入してプリベークして、適切なｑ４を確保し｛図２２（ａ）または図２２（ｂ）｝、磁性体７３７上に適切な厚みの感光性絶縁膜７５２を塗布する｛図２２（ｃ）｝必要がある。
【０１３６】
図２３は縦型インダクタの１つの実施形態の製造方法を示す図である。
図２３(a)に示すように、シリコンウエハ等の基板１０１上に絶縁膜１０２を形成して、さらに導電体膜１０２を形成して、所望の形状のパターン１０３（１０３−１）を形成する。（この配線はインダクタの一番下側の配線となるので、第１配線１０３とも呼ぶ。）基板１０１はガラス基板、石英基板、セラミック基板などでも良い。熱処理温度が余り高くなければプラスチック基板でも良い。ガラス基板や石英基板、あるいは透明プラスチック基板であれば、基板裏面からも観察できるし、後に形成する貫通ビア（孔）を形成するときは、パターン合わせが容易である。或いはポリイミド基板、ガラスエポキシ基板等のＣＯＢに用いられる材料基板でも良い。基板が絶縁基板である場合には、絶縁膜１０２を形成しなくても良い場合もある。導電体パターン１０３（１０３−１、１０３−２）と基板が導通しないようにすることが必要である。この導電体パターン１０３（１０３−２）はインダクタの一方の電極となる。絶縁膜１０２は、シリコン酸化膜(SiOx)、シリコン窒化膜(SiNx)やシリコン酸窒化膜(SiNxOy)等であり、熱酸化法、熱窒化法や、CVD法やPVD法などにより形成する。或いは、SOG膜などを塗布し熱処理で固化しても良い。或いは、ポリイミド膜やレジスト膜等の有機絶縁膜を形成して熱処理で固化しても良い。あるいはこれらの絶縁膜を組み合わせて積層しても良い。導電体膜１０３はアルミニウム(Al)、銅(Cu)、チタン(Ti)、タングステン(W)、金(Au)、クロウム(Cr)、ニッケル(Ni)、各種シリサイド膜(TiSix、CrSix、Wsix、NiSix等)、あるいはこれらの複合膜などであり、PVD法やCVD法などで形成される。導電体膜１０３のパターンは、環状にコアを囲んだ配線パターン１０３（１０３−１、１０３−２）となっていて、その端部が電極・配線１０３−２となっている。ここには後に基板裏面から貫通孔（ビア）が形成される。当然配線パターン１０３（１０３−１、１０３−２）はつながっている。配線パターン１０３の端部の電極・配線１０３−２は外側へ延びて外部電極へつながる電極・配線１０３−３となっている。
【０１３７】
次に図２３(a)に示すように、絶縁膜１０４を積層し、上下のインダクタ（コイル）配線１０３および１０７がコンタクト孔１０５以外では導通しないようにする。絶縁膜１０４は、シリコン酸化膜(SiOx)、シリコン窒化膜(SiNx)やシリコン酸窒化膜(SiNxOy)等であり、CVD法やPVD法などにより形成する。或いは、SOG膜などを塗布し熱処理で固化しても良い。或いは、ポリイミド膜やレジスト膜等の有機絶縁膜を形成して熱処理で固化しても良い。あるいはこれらの絶縁膜を組み合わせて積層しても良い。既に導電体膜１０３を形成しているので、この導電体膜１０３が絶縁膜１０４の形成時やその後の熱処理プロセスにおいて変質しないように、絶縁膜１０４の種類や特にプロセス温度に注意が必要である。たとえば、導電体膜がアルミニウム(Al)の場合には、ヒロックやボイドの発生を軽減したり、ストレスマイグレーションを発生しないようにする必要がある。
【０１３８】
下地の配線パターン１０３により絶縁膜１０４の凹凸が大きくなり、絶縁膜１０４上に形成する導電体膜１０７のパターニングが困難になる場合には、絶縁膜１０４を平坦化する必要がある。たとえば、絶縁膜１０４としてＳＯＧ（Spin  On  Glass）膜や有機系絶縁膜を塗布し固化することによって平坦化したり、絶縁膜をある程度厚く積んでCMP（化学的機械的研磨）法で絶縁膜を研磨して平坦化したり、あるいは、CVDやPVD法で絶縁膜を形成した後SOGや有機系絶縁膜を塗布して平坦化したり、あるいはさらにこれをCMP法やエッチバック法で平坦化したり、これらを組み合わせたりして平坦化することができる。
【０１３９】
次にこの絶縁膜１０４にコンタクト孔１０５（１０５−１、１０５−２）を形成する。このコンタクト孔１０５は第２の配線１０７と第１の配線１０３との導通を取るためのコンタクト孔である。感光性膜を形成し所定箇所に露光法で窓開けをして、その窓を用いて露出している絶縁膜１０４をエッチング除去してコンタクト孔１０５を形成する。絶縁膜１０４のエッチングはドライエッチングやウエットエッチングで行なう。絶縁膜１０４がシリコン酸化膜（SiOx）であるときは、ドライエッチングの場合にはＣＦ系（CF4等）やＣＨＦ（CHF3等）系等のエッチングガスを用いてエッチングできる。絶縁膜が感光性絶縁膜（たとえば感光性ポリイミド膜）である場合には、露光法（現像も含む）だけによりコンタクト孔１０５を形成することができ、プロセスも簡便になる。ただし、この場合、コンタクト孔形成後の熱処理により露出した導電体膜１０３の表面に薄い有機系膜が形成される場合があるので、導電体膜１０６や１０７を形成する前に軽いエッチングを行う必要がある。コンタクト孔１０５−１はインダクタ（コイル）配線１０５（１０５−１）およびその上のインダクタ（コイル）配線１０７（１０７−１）を接続するためのものであるが、コンタクト孔１０５−２は外部電極への接続を行うためのものである。
【０１４０】
次に、コンタクト孔１０５へ導電体膜１０６（１０６−１、１０６−２）を形成する。この導電体膜１０６を介して第１の配線（電極）１０３と第２の配線（電極）１０７と接続する。従って、導電体膜１０６と１０７は兼用が可能であるが、コンタクト孔で導電体膜１０６を平坦化する場合には、別々に形成する。たとえば、選択CVD法でコンタクト孔部分だけに金属膜等を形成する場合や、メッキ法でコンタクト孔だけに金属メッキする場合である。導電体膜１０６や１０７は第１の配線・電極１０３と同様な導電体膜で適宜最適な導電体膜を選択すれば良い。第１の配線１０３も第２の配線１０７もインダクタ（コイル）配線であるから円形状や多角形状や楕円形状や曲線形状の環状でコアを囲んでいて、コンタクト孔１０５−１は配線１０３−２および１０７−２の近くに存在している。
【０１４１】
次に図２３(b)に示すように、第２の配線１０７の上に絶縁膜１０８を形成する。この絶縁膜１０８も絶縁膜１０４と同様の絶縁膜である。ただし、同じ絶縁膜である必要はなく、異なる絶縁膜でも良く適宜最適なものを選択すれば良い。次にコンタクト孔１０９（１０９−１、１０９−２）を形成し、導電体膜１１０（１１０−１、１１０−２）を形成し、さらに第３の｛インダクタ（コイル）｝配線１１１（１１１−１〜３）をパターニングし形成する。この内容も前述したコンタクト孔１０５、導電体膜１０６および第２の配線１０７の場合と同じである。第２の配線１０７は１０７−２の所でコンタクト孔１０９−１における導電体膜１１０−１を介して第３の配線１１１−２に接続し第３の配線１１１はコアの周りを環状に取り囲むように接続して１１１（１１１−１）へつながっている。また、外部電極へつながる電極・配線１０７−３はコンタクト孔１０９−２に形成された導電体膜１１０−２を介してパターニングされた導電体膜１１１−３へ接続する。
【０１４２】
次に図２３(c)に示すように、第３の配線１１１の上に絶縁膜１１２を形成する。この絶縁膜１１２も絶縁膜１０８と同様の絶縁膜である。ただし、同じ絶縁膜である必要はなく、異なる絶縁膜でも良く適宜最適なものを選択すれば良い。次にコンタクト孔１１３（１１３−１、１１３−２）を形成し、導電体膜１１４（１１４−１、１１４−２）を形成し、さらに第４の｛インダクタ（コイル）｝配線１１５（１１５−１〜３）をパターニングし形成する。この内容も前述したコンタクト孔１０９、導電体膜１１０および第３の配線１１１の場合と同じである。第３の配線１１１は１１１−１の所でコンタクト孔１１３−１における導電体膜１１４−１を介して第４の配線１１５−１に接続し第４の配線１１５はコアの周りを環状に取り囲むように接続して１１５（１１５−２）へつながっている。また、外部電極へつながる電極・配線１１１−３はコンタクト孔１１３−２に形成された導電体膜１１４−２を介してパターニングされた導電体膜１１５−３へ接続する。
【０１４３】
次に図２３(d)に示すように、第４の配線１１５の上に絶縁膜１１６を形成する。この絶縁膜１１６も絶縁膜１０８と同様の絶縁膜である。ただし、同じ絶縁膜である必要はなく、異なる絶縁膜でも良く適宜最適なものを選択すれば良い。次に、環状に形成されたインダクタ（コイル）配線１０３、１０７、１１１および１１５に囲まれた領域にコアを挿入するための穴を形成するために、感光性膜１１７を形成し、その穴になるべき領域の窓１１８を形成する。
【０１４４】
次に図２３(e)に示すように、この窓１１８の下に存在する絶縁膜１１６、１１２、１０８、１０４を順次エッチングして。コア挿入穴１１９を形成する。一番下の絶縁膜１０２の途中までエッチングする。尚、絶縁膜１０２を完全にエッチングして基板１０２まで達しても良い。コアが完全にインダクタ（コイル）配線の中央に入り込みコアを取り囲ませるためには、一番下のインダクタ（コイル）配線、すなわち第１の配線１０３のレベルよりも下方までコア挿入穴１１９を形成した方が良い。コアが第１配線１０３よりも下になればインダクタンス値も増加する。後述するように流動性の液状タイプの絶縁膜を塗布してコアを挿入すると、コアを押し込んでもコアの底に液状タイプの絶縁膜が残る可能性があるときには、基板１０１に達するまで絶縁膜１０２もエッチングしても良い。場合によっては、基板もエッチングした方が良い。ただし、その部分を別の目的で利用する場合（たとえば、トランジスタや抵抗などを形成している）には基板をエッチングすることはできないことは当然である。このようにすれば挿入するコアの底部を確実に第１配線のレベルより下に配置させることができる。液状タイプの絶縁膜を直接基板に接触させたくなければ、CVD法やPVD法で絶縁膜（SiOx、SiNx等）を形成後に液状タイプの絶縁膜を塗布すれば良い。
【０１４５】
次に、図２３(f)に示すように、液状タイプの絶縁膜１２０を塗布すると、液状タイプの絶縁膜１２０はコア挿入穴１１９の中にたまる。液状タイプの絶縁膜は、たとえばＳＯＧ膜などの無機系塗布絶縁膜（たとえば、シラノール系｛Si(OH)4｝）や有機系塗布絶縁膜（たとえば、ポリイミド、有機SOG膜）がある。この状態で、別基板１３０に接着層１３２を介して接着しているコア１３４をコア挿入穴１１９へ入れていく。基板１３０としてガラスや石英や透明プラスチックなどの透明基板を用いれば、基板１３０の上方から基板１０１上のパターンが見えるので、コア１３４とコア挿入穴（孔）１１９の位置合わせを非常に正確に行なうことができ、コア挿入穴１１９の中にコア１３４を挿入することができる。コア挿入穴１１９に溜まっていた液状タイプの絶縁膜１２０は挿入されたコア１３４に押し出されて、挿入穴１１９の外側へ押し出される。尚、接着層１３２は熱可塑性の接着層である。
【０１４６】
図２３(g)はコア挿入孔１１９へコア１３４が挿入した状態を示す。コア挿入孔１１９の底面および側面の隙間には液状タイプの絶縁膜１２０が残り、液状タイプの絶縁膜１２０の中にコアが埋められたような状態になる。コア挿入孔１１９の底面部に存在する液状タイプの絶縁膜１２０は圧縮された状態で存在するが、液状タイプの絶縁膜１２０はコア１３４とインダクタ本体（基板１０１側）との緩衝材的な（クッション材としての）役目も果たし、コア１３４からインダクタ本体（基板１０１側）への挿入によるダメッジを除去している。の深さｄ１（図２３(e)に記載するように、絶縁膜１１６の上面からコア挿入孔１１９の底面までの距離）がコアの高さｈより大きいときは、接着層１３２が液状タイプの絶縁膜１２０に接触した状態か、接触する前にコア１３４の挿入を停止し、インダクタ本体（基板１０１側）へのダメッジを与えないようにする。コア１３４の挿入は基板１３０の基板１０１に対する移動の精度により支配（および／または基板１３０に対する基板１０１の移動精度）されるが、機械的な制御や電子的な制御を組み合わせることにより非常に精度良く制御できる。（たとえば、約０．１μｍの制御も可能である。）ｈがｄ１より大きなときには、コア１３４の底部がコア挿入孔１１９の底面に達する前に停止させる。コア挿入孔１１９が基板１０１側に入り込んだ場合においても同様であり、この場合には、コアはインダクタ（コイル）の第１配線１０３よりも低い所に入るので、より大きなインダクタンスを得ることができる。
【０１４７】
次に熱処理を行い液状タイプの絶縁膜１２０を固化させて、コア１３４をコア挿入孔１１９内に固定する。液状タイプの絶縁膜１２０の固化温度をＴ１とし、実際のプロセスの固化する熱処理温度をＴ２とし、接着層１３２の軟化温度をＴ３とする。Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３とすることが重要である。すなわち、接着層が硬化している状態で液状タイプの絶縁膜１２０を固化させて、コア１３４をコア挿入孔１１９内に固定する。コア１３４がコア挿入孔１９９に固定された後に、プロセス温度Ｔ４をＴ３より高い温度に保持し、基板１０１に対して基板１３０を上方へ移動させれば、コア１３４は基板１３０から分離される。この状態を図２３(ｈ)に示す。液状タイプの絶縁膜１２０と接着層１３２についてＴ１＜Ｔ２＜Ｔ３を満足する材料は多数存在するので、適宜選択すれば良い。たとえば、液状タイプの絶縁膜１２０として使用する無機系塗布絶縁膜（シラノール系｛Si(OH)4｝）は約３５０℃〜約４００℃の温度で固化し、接着層１３２として使用する熱可塑性接着際STAYSTIC（商品名、CSPM社製）は約４００℃以上で軟化する。従って、上記条件を満足している。あるいは、たとえば、液状タイプの絶縁膜１２０として有機系絶縁膜ポリイミド膜（３５０℃以上で硬化）を使用することもできる。
【０１４８】
コア１３４がコア挿入孔１１９から食みだし、固化後の絶縁膜１２０の最上面１２０−１より出ている場合には、さらに液状タイプの絶縁膜を塗布して平坦化するか、或いは、その後エッチング法または研磨法により平坦化しても良い。プロセス上はみ出ていても問題なければそのままでも良い。コア１３４全部がコア挿入孔１１９内に入り込んでいる場合（接着層１３２の表面が平坦なときにはコア１３４全部がコア挿入孔１１９内に入り込むことは少ないが、コア１３４の部分だけ接着層を厚くするプロセスを行えばコア１３２全体をコア挿入孔１１９内に入れ込むことができる。）は、その部分が窪みになっているが、プロセス上問題がなければ、そのままでも良い。しかし窪みになっている状態がプロセス上問題あれば、上述の平坦化を行えば良い。
【０１４９】
図２３(e)で、コア挿入孔１１９を形成した後で、液状タイプの絶縁膜１２０をコア挿入孔１１９には余り多くためないようにして、（すなわち、薄く塗布する）コア１３４を挿入しても良い。この場合にはコア１３４とコア挿入孔１１９の間には液状タイプの絶縁膜１２０が入り込むようなるが、コア１３４の上部は液状タイプの絶縁膜１２０で覆われない恐れもある。その場合には、液状タイプの絶縁膜１２０を固化してコア１３４を固定させ、コア１３４を基板１３０から分離した後で、再度液状タイプの絶縁膜を塗布してコア１３４をカバーする。必要なら、CVD法やPVD法による絶縁膜と組み合わせても良い。また、この後平坦化しても良い。
【０１５０】
図２３（ｈ）においては、厚さｈのコア１３４がコア挿入孔１１９に入り、表面が平坦化され、コア１３４の表面が露出している。この後、図２３（ｉ）に示すように、絶縁膜１２３を積層する。この絶縁膜は、SiOx、SiNx、SiOxNy等の絶縁膜であり、CVD法やPVD法、塗布法、あるいはこれらの組みわせなどで形成される。その後、第４の｛インダクタ（コイル）｝配線１１５（１１５−１、３）（さらにコイル配線を重ねるときは、最上層のコイル配線）上に、コンタクト孔１２４（１２４−１、２）を形成し、コンタクト孔１２４に導電体膜１２５（１２５−１、２）を形成し、さらに外部への取り出し電極・配線となる導電体膜１２６を積層し、電極・配線１２６（１２６−１、１６２−２）をパターニングし形成する。これによって、電極１２６−１は最下層の第１のコイル配線１０３から、コア１３４を周りながら下から上へスパイラル状につながり、最上層のコイル配線１１５におけるコンタクト孔１２４−２の導電体膜１２５−２を介して他方の電極・配線１２６−２へつながり、コイル（インダクタ）が完成する。尚、コンタクト孔１２４内の導電体膜１２５と電極・配線１２６は兼用することができる。また、コンタクト孔内の導電体膜１２５および電極・配線１２６は形成せず、コンタクト孔１２４を最上層のコイル配線のパッド開口部とすることもできる。また、電極・配線１２６上に、またはこれと兼用してバンプ電極を形成することもできる。
【０１５１】
図２３に示す実施例では、最下層のコイル配線１０３に接続する電極・配線１２６−１が無理なく最上層に接続している。コンタクト孔も順次形成されていくので、余分な工程を付加することもないし、コンタクト孔のアスペクト比も高くないので、配線の信頼性も問題ない。コイル（インダクタ）配線の巻き数を多くするには、さらに上の方（縦）に配線を重ねても良いし、横方向（平面的）に配線を２重、３重あるいはｎ重（ｎ＝４、５、・・・）に増やしても良い。巻き数を増やすことにより、さらにインダクタンスやQ値を増大できる。
【０１５２】
図２４は図２３のバリエーションを示す図である。図２４に示すように、コイル配線の内側は配線のパターニングをしないで板状に重ねていく。図２４（ａ）は、図２３（ｄ）と類似の図であるが、コイル配線１０３、１０７、１１１、１１５の内側はその都度パターニングしていないので、板状になっていて配線になっていない。この状態で、コア挿入穴１１９を形成するための感光性膜１１７をパターニングし、その穴になるべき領域の窓１１８を形成する。図２４（ｂ）に示すように、次にこれをマスクとしてコア挿入穴１１９を形成する。このとき、最初に絶縁膜１１６をエッチングし、次にコイル配線１１５をエッチングし、次に絶縁膜１１２をエッチングし、次にコイル配線１１１をエッチングし、次に絶縁膜１０８をエッチングし、次にコイル配線１０７をエッチングし、次に絶縁膜１０４をエッチングし、次にコイル配線１０３をエッチングし、最後に絶縁膜１０２をエッチングする。（コア１３４を最下層の配線１０３のレベルよりも下に入れ込むために基板１０１をエッチングする場合もある。）このエッチングはドライエッチングで行ない絶縁膜と導電体膜を順次エッチングしていくので、かなり選択比の高いエッチングが可能であり、各エッチングにおいてエッチング残りの非常に少ない条件で行なうことができる。しかもサイドエッチングの少ない垂直に近いパターン通りのエッチングが可能である。このようにして、コア挿入穴１１９が形成される。
【０１５３】
次に、挿入穴１１９に露出した配線を被覆するために、絶縁膜１２１（たとえば、SiOx、SiNy、SiOxNy等）をＣＶＤ法やＰＶＤ法で積層する。コア挿入穴の深さは、約２μｍ〜約２００μｍ（あるいは、〜約５００μｍ）でしかも垂直壁であるが、コア挿入穴の直径は約５０μｍ〜約２００μｍ（あるいは、約２００μｍ以上）と広く取ることができるので、アスペクト比もそれほど大きくないので、コア挿入穴の側面にコンフォーマルに近い状態で積層することができる。この側壁の絶縁膜の厚みは、この後で液状の絶縁膜も形成されるので、約０．１μｍ以上あれば良い。次に液状絶縁膜１２０をコア挿入穴１１９に塗布法で形成し、これまで説明したことと同様に、サポート基板１９０に付着したコア１３４を挿入する。この後のプロセスはこれまでに説明したことと同様である。図２４に示すバリエーションは、コア挿入穴１１９がコイル配線と重なり、コア１３４を接近させることができ、よりインダクタンス値を高めることができる。しかも、垂直なコア挿入穴をパターン通りに形成できる。絶縁膜と導電体膜の繰り返しエッチングもガス条件やその他のエッチング条件を適宜変えていけば良いので、同一の装置で短時間に実現できるので、工程付加は少ないか殆どない。
【０１５４】
図２５は、本発明の横型インダクタを用いて作製したトロイダルコイルを示す。図２５（ａ）は円板ドーナツ状のトロイダルコイル、図２５（ｂ）は矩形板ドーナツ状のコイルである。図２５（ａ）に示すように、外部につながる下層のコイル配線１００１（点線で示す）から上層のコイル配線１００２に入り、次に点線で示す下層のコイル配線１００３に入り、円板ドーナツ状のコア１００５のまわりをまいて、上層のコイル配線１００４から外部へ出ていく。（コイル配線１００１は上層でも良い。コイル配線１００４は下層でも良い。）本発明を使えば、このようなパターンも簡単にできる。まず基板上に絶縁膜を形成しその上にコイル配線１００１、１００３を形成し、次に絶縁膜を積層して、円板ドーナツ状のコア１００５を付着し、次に絶縁膜を形成して、コンタクト孔を形成し導電体膜でコンタクト孔を埋めて、次に上層のコイル配線１００２、１００４を形成する。
【０１５５】
また、図２５（ｂ）に示すように、外部につながる下層のコイル配線１００６（点線で示す）から上層のコイル配線１００７に入り、次に点線で示す下層のコイル配線１００８に入り、矩形板ドーナツ状のコア１０１０のまわりをまいて、上層のコイル配線１００９から外部へ出ていく。（コイル配線１００６は上層でも良い。コイル配線１００９は下層でも良い。）本発明を使えば、このようなパターンも簡単にできる。まず基板上に絶縁膜を形成しその上にコイル配線１００６、１００８を形成し、次に絶縁膜を積層して、矩形板ドーナツ状のコア１０１０を付着し、次に絶縁膜を形成して、コンタクト孔を形成し導電体膜でコンタクト孔を埋めて、次に上層のコイル配線１００７、１００９を形成する。この結果、図２５に示すようなトロイダルコイルを簡単に作製できる。
【０１５６】
図２６は、本発明の縦型インダクタを用いて作製したパッケージの構造を示す図である。絶縁基板１２上に第１の導電体配線１４を形成し、その上に絶縁膜１５を形成する。絶縁膜１５にコンタク孔１６を形成し、そのコンタクト孔１６に導電体膜を形成し、さらに第２の導電体配線１７を形成し、その上に絶縁膜１８を形成する。絶縁膜１８にコンタク孔１９を形成し、そのコンタクト孔１９に導電体膜を形成し、さらに第３の導電体配線２０を形成し、その上に絶縁膜２１を形成する。次に絶縁膜２１にコンタク孔２２を形成し、そのコンタクト孔２２に導電体膜を形成し、さらに第４の導電体配線２３を形成し、その上に絶縁膜２４を形成する。もっと導電体配線層を重ねるときにはこのプロセスを繰り返す。次にこれらの導電体配線はスパイラル状（環状）にまわっていて、これらの導電体配線の内側にコア挿入孔を形成して、コア２５を挿入する、その後絶縁膜２６を形成してコア２５を被覆する。次にコンタクト孔２７を形成し、そのコンタクト孔２７に導電体膜を形成し、さらに電極・配線２８を形成する。この電極・配線２８は外部の素子等への接続電極になる。一方、絶縁基板１２の裏側から導電体配線１４に対してコンタクト孔１３を形成し、このコンタクト孔１３に導電体膜を形成して、絶縁基板１２の裏側に電極・配線１１を形成する。この電極・配線１１は外部の素子等への接続電極になる。尚、コンタクト孔１３を絶縁基板１２に形成してから、コンタクト孔に導電体膜を形成して導電体配線１４を形成しても良い。絶縁基板はガラスや石英や透明プラスチチック等の透明絶縁基板でも良いし、セラミック基板やエポキシ基板等の絶縁基板でも良い。このようなプロセスで、本発明のインダクタ素子パッケージを形成できる。両側の電極１１および２８に電圧をかけ導電体配線に電流を流せば、インダクタとして動作させることができる。
【０１５７】
図２７は、基板上に多数形成した本発明のインダクタ（横型、縦型）素子パッケージを他の基板（たとえば、実装基板やＩＣ基板上など）に実装する方法について説明する図である。図２７（ａ）に示すように、インダクタ素子パッケージを多数形成した基板８００１を接着層８００３を介してサポート基板８００５へ付着し、基板８００１をダイシング等しインダクタ素子パッケージを個々に分離する。この段階では個々のインダクタ素子パッケージは接着層８００３に付着しているのでバラバラになることはない。次に、パターニングした接着層８００９を付着した基板８００７を準備する。この接着層８００９はインダクタ素子パッケージと接着できるような大きさにパターニングされている。また、インダクタ素子を実装する実装基板のピッチに合わせて接着層８００９が形成されている。次に、２７（ｂ）に示すように、基板８００７の接着層８００９のパターンを接着すべきインダクタ素子パッケージ（図２７では、８００１−２や８００２−５）にアライメントしながら接着層８００９を接着すべきインダクタ素子パッケージ８００１に付着させる。次に基板８００７を持ちあげて（サポート基板８００５を下げても良い）、紫外線をあてたり熱をかけるなどして接着層８００３との接着力を弱めたインダクタ素子パッケージ８００１（８００１−２、８００１−５）を接着層から分離する。次に図２７（ｃ）に示すように、実装基板８０１３上に形成されインダクタ素子パッケージを実装すべき電極・配線層８０１７（実装基板側の個々の実装単位８０１５（８０１５−１、２）に形成されている）のパターンに、基板８００７に付着したインダクタ素子パッケージの電極・配線８０１１をアライメントしながら接近させて、図２７（ｄ）に示すようにインダクタ素子パッケージ８００１（８００１−２や８００２−５）の電極・配線８０１１を実装基板８０１３の電極・配線８０１７に付着させる。次に、基板８００７を持ちあげて（実装基板８０１３を下げても良い）、紫外線をあてたり熱をかけるなどして接着層８００９の接着力を弱めたインダクタ素子パッケージを基板８００７から分離する。この結果図２７（ｅ）に示すように個々のインダクタ素子パッケージ８００１（８００１−２、８００１−５）が実装基板８０１３に一括で搭載される。次に、図２７（ｆ）に示すように、隣のインダクタ素子パッケージ８００１（８００１−３、８００１−６）を基板８００７に接着層８００９に付着させて、実装基板８０１３に搭載していく。実装基板８０１３において実装単位８０１５をインダクタ素子パッケージのサイズの整数倍で設計しておけば、このように多数のインダクタ素子パッケージ８００１を自動で一括で実装基板へ搭載することができる。尚、基板８００７をガラス等の透明基板にすれば、インダクタ素子パッケージに合わせたり（図２７（ａ）、図２７（ｂ））、実装基板の電極・配線８０１７に合わせたり（図２７（ｃ）、図２７（ｄ））するときにアライメントが容易となる。さらに、接着層８００９はマスクを用いて真空吸着としたり、インダクタ素子パッケージは磁性体層を有するので、電磁石パターンや永久磁石パターンを用いたり、磁場カット層のマスクを用いることもできる。また接着層８００３も真空吸着パターンや電磁石パターンを用いることもできる。さらに、図２７では電極・配線同士を付着したが、パッケージを単純に搭載することもできることも言うまでもない。
【０１５８】
本発明の重要な点は、サポート基板に付着した高透磁率の磁性体を所望の形状にして半導体基板に付着させ、これをコイル配線のコアとして使用することである。横型インダクタの場合においても、コアがないものに比べてコイルのインダクタンスは比透磁率の分だけ大きくなる。本発明はコア材料としてバルク材と同じものを使用できるので、比透磁率が１００倍以上、１０００倍以上、１００００倍以上の材料を用いて、非常に大きなインダクタンスを持つコイル（インダクタ）を作製でき、しかもＬＳＩ等の半導体プロセスと同じプロセスを使用できるので、ウエハレベルでインダクタ付き半導体デバイスを作製できる。
【０１５９】
尚、本発明は縦型インダクタも横型インダクタも半導体基板に限らず、他の基板でも良いことも自明である。たとえば、プリント配線基板を用いることもできる。本発明の磁性体コア付きサポート基板を使用して、プリント配線基板に磁性体コアを挿入し取り付けても良い。さらに、単体のインダクタ（コイル）形成にも適用できることも自明である。本発明は、基板上に多数のコア付きインダクタ（コイル）を非常に簡便な方法で形成できるという効果もある。
尚、本発明を応用すると種々の物質を半導体基板に付着することができる。たとえば、非常に精度の良い抵抗体の薄い板を半導体基板に付着することができ、高精度の抵抗配線を半導体デバイスに組み込むことができる。
また、これまでいろいろな説明をしてきたが、実施例や実施形態の説明において、具体的に述べていないことでもお互いに矛盾しない限り他の所で説明した内容も適用できることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１６０】
本発明は、インダクタまたはコイルを使用する半導体装置に適用できる。
【符号の説明】
【０１６１】
１１・・・半導体基板、１２・・・絶縁膜、１３・・・コイル配線、１４・・・絶縁膜、
１５・・・コイル配線、１６・・・絶縁膜、１７・・・コイル（配線）中央孔、
１８・・・絶縁膜、１９・・・流動性接着剤、３１・・・サポート基板、
３２・・・接合剤、３３・・・コア（芯）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図４−３】
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【図４−４】
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【図５】
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【図６−１】
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【図６−２】
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【図６−３】
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【図６−４】
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【図７−１】
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【図７−２】
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【図７−３】
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【図７−４】
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【図８】
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【図９−１】
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【図９−２】
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【図１０−１】
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【図１０−２】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３−１】
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【図２３−２】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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