(57)【要約】【課題】  表面にナノメートルのオーダの幅（ピッチ）の凹凸構造が形成されている炭素系基板を用いる場合にも、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手などが微細凹凸構造に接触することなどを防止でき、これにより、微細凹凸構造の倒れを防止できて、高い放熱性能を維持する。【解決手段】  表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）の凹凸構造が形成されている炭素系部材（炭素系基板）１０を、筐体１１の内壁等に取り付ける。【選択図】      図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）の凹凸構造が形成されている炭素系部材が、筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等に取り付けられていることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）の凹凸構造が形成されている炭素系部材が、筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等に取り付けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項３】
表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）の凹凸構造が形成されている炭素系部材が、筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等に取り付けられていることを特徴とする携帯端末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照明装置、電子機器、携帯端末に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１には、ＬＥＤの半導体発光素子を有する光源を備えて、例えば天井等に埋め込み設置して使用されるダウンライト等の照明装置が示されている。特許文献１の照明装置では、装置全体はＬＥＤが発生する熱を外部に放出する放熱部材を兼ねるために金属製のものとなっている。また、その放熱器として、ＬＥＤが発生する熱を効率よく外部に放出するためにフィンなどが形成され、筐体の表面積を増大させた構造となっている。
【０００３】
しかしながら、特許文献１に示されている照明装置では、照明装置全体が金属製であるために、装置全体の重量が増大するという問題と、放熱量は上記放熱器の包絡体積に寄与するため、小型化が難しいという問題があった。
【０００４】
これに対し、例えば特許文献２には、放熱性に優れ小型軽量を意図した発光モジュールが示されている。図１は特許文献２に示されている発光モジュールの断面図である。特許文献２の発光モジュールは、配向性グラファイトシート１０３と、凹部を形成するように折り曲げた銅を主体とする複数のリードフレーム１０１ａ，１０１ｂと、前記配向性グラファイトシート１０３とリードフレーム１０１ａ，１０１ｂを接合するための無機フィラと熱硬化性樹脂からなる熱伝導性樹脂１０２と、前記リードフレーム１０１ａ，１０１ｂの上に複数個の発光素子１０８を実装した発光モジュールであって、少なくとも配向性グラファイトシート１０３と対向するリードフレーム１０１ａ，１０１ｂの一面を熱伝導性に優れた絶縁膜１０７にて被覆したものとなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２３０７０１号公報
【特許文献２】特開２００７−１８４５４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２の発光モジュールでは、在来の一般的なグラファイトシートを用いているため、放熱性能を著しく向上させることができないという問題があった。すなわち、在来の一般的なグラファイトシートは、熱拡散性には優れているが異方性を有するため、厚さ方向への熱伝導性能が低く、また、後述のように、表面の放射率が０．７程度と、さほど高くないため、放射による熱放散性能が低く、放熱性能を著しく向上させることができないという問題があった。
【０００７】
小型（薄型化）、軽量に適し、なおかつ、放熱性能を著しく向上させる部材（放熱材料）として、本願出願人は、本願の先願（特願２００９−１９５３５４）に記載のように、表面にナノメートルのオーダの幅（ピッチ）の凹凸構造が形成された炭素系基板（例えば、グラファイト基板）を開発した。
【０００８】
この先願によれば、表面にナノメートルのオーダの幅（ピッチ）の凹凸構造が形成された炭素系基板（例えば、グラファイト基板）とすることで、輻射による放熱性を高くでき、表面の放射率を０．９以上にすることができて、放熱性能を著しく向上させることが可能となる。
【０００９】
しかしながら、表面にナノメートルのオーダの幅（ピッチ）の微細凹凸構造が形成されている炭素系基板では、ナノメートルのオーダの幅（ピッチ）の微細凹凸構造の強度が物理的に弱く、例えば搬送、組付けなどの作業中に人の手の接触などによって微細凹凸構造が倒れやすく、それにより元来の高い放熱性能を発揮できなくなるなどの問題がある。
【００１０】
本発明は、表面にナノメートルのオーダ（本発明では、ナノメートルのオーダとは、ナノメートルオーダのみならずサブマイクロメートルオーダも含むものとする）の幅（ピッチ）の凹凸構造が形成されている炭素系基板を用いる場合にも、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手などが微細凹凸構造に接触することなどを防止でき、これにより、微細凹凸構造の倒れを防止できて、高い放熱性能を維持することが可能な照明装置、電子機器、携帯端末を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）の凹凸構造が形成されている炭素系部材が、筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等に取り付けられていることを特徴とする照明装置である。
【００１２】
また、請求項２記載の発明は、表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）の凹凸構造が形成されている炭素系部材が、筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等に取り付けられていることを特徴とする電子機器である。
【００１３】
また、請求項３記載の発明は、表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）の凹凸構造が形成されている炭素系部材が、筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等に取り付けられていることを特徴とする携帯端末である。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１、請求項２、請求項３記載の発明によれば、表面にナノメートルオーダまたはサブマイクロメートルオーダの幅（ピッチ）の凹凸構造が形成されている炭素系部材（炭素系基板）を、筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等に取り付けることにより、表面にナノメートルのオーダ（本発明では、ナノメートルのオーダとは、ナノメートルオーダのみならずサブマイクロメートルオーダも含むものとする）の幅（ピッチ）の凹凸構造が形成されている炭素系基板を用いる場合にも、例えば搬送、組付けなどの作業中等に人の手などが微細凹凸構造に接触することなどを防止でき、これにより、微細凹凸構造の倒れを防止できて、高い放熱性能を維持することが可能な照明装置、電子機器、携帯端末を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】特許文献２に示されている発光モジュールの断面図である。
【図２】本発明で用いられる炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））の概略拡大断面図である。
【図３】グラファイト基板材料の表面に形成された本発明のナノ凹凸構造を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図４】放熱材料に要求される理想的な反射特性を示すグラフである。
【図５】本発明に係る炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））のナノ凹凸構造の加工形成を説明するためのフローチャートである。
【図６】図５のプラズマエッチング前後のグラファイト基板の表面の波長０．３−２μｍの反射率を示すグラフである。
【図７】図５のプラズマエッチング前後のグラファイト基板の表面の波長２−１５μｍの反射率を示すグラフである。
【図８】表面にナノ凹凸構造が形成された炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））が筐体の内壁に取り付けられた照明装置の一例を示す図である。
【図９】従来のＬＥＤ照明装置と本発明のＬＥＤ照明装置との比較結果を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
【００１７】
本発明は、本願の先願（特願２００９−１９５３５４）に記載のような、表面にナノメートルのオーダ（本発明では、ナノメートルのオーダとは、ナノメートルオーダのみならずサブマイクロメートルオーダも含むものとする）の幅（ピッチ）の凹凸構造（以下、ナノ凹凸構造と称す）が形成されている炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））を用いた（取り付けた）照明装置、電子機器、あるいは、携帯端末に関するものである。
【００１８】
より詳細に、本発明で用いられる炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））は、図２に概略拡大断面図で示すように、炭素系基板材料（例えば、グラファイト基板材料）１の表面に、ナノメートルオーダー（約１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度の範囲）からサブマイクロメートルオーダ（約０．５μｍ〜１０μｍ程度の範囲）の幅（ピッチ）ＮＰと、サブマイクロメートルオーダ（約０．５μｍ〜１０μｍ程度の範囲）の深さＮＨとを持つ凹凸構造（ナノ凹凸構造）２が形成されたものとなっている。
【００１９】
図３は、グラファイト基板材料の表面に形成された本発明のナノ凹凸構造２を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【００２０】
本発明で用いられる炭素系部材は、炭素系基板材料（例えば、グラファイト基板材料）１の表面に、ナノメートルオーダー（約１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度の範囲）からサブマイクロメートルオーダ（約０．５μｍ〜１０μｍ程度の範囲）の幅（ピッチ）ＮＰと、サブマイクロメートルオーダ（約０．５μｍ〜１０μｍ程度の範囲）の深さＮＨとを持つ凹凸構造（ナノ凹凸構造）２が形成されたものとなっていることにより、表面積が著しく増大し、また、以下に説明するように、可視光を含む領域及び遠赤外領域の反射率を十分に低くして放射率を理論最大値１．０に極めて近い０．９９まで向上させることができ（輻射による放熱性を著しく高めることができ）、放熱性能を著しく向上させることが可能となる。従って、小型（薄型）、軽量で、放熱性能の著しく高い放熱材料（放熱部材）として用いることができる。
【００２１】
以下に、本発明に係る炭素系部材（表面にナノ凹凸構造２が形成された炭素系部材）を放熱材料として用いる場合の、動作原理を説明する。本発明に係る放熱材料の動作原理は完全黒体効果を利用した吸収エネルギーの遠赤外放射による放射冷却作用を利用する。すなわち、図４に示すように、光の平均反射率ＲがＲ＝Ｒ０（８０％）と高い時には、放熱材料が吸収したエネルギーは放熱材料が有する温度たとえば室温３００Ｋで図４のＩ０に示す遠赤外領域の黒体放射スペクトルの放射率Ｉ０で外部に放射散逸を起こすが、反射率が高いため放熱効率が低い。他方、光の平均反射率ＲがＲ＝Ｒ１（１％）と低い時には、放熱材料が吸収したエネルギーは室温３００Ｋで図４のＩ１に示す遠赤外領域の黒体放射スペクトルの放射率Ｉ１で外部に放射散逸を起こすことができるので、放熱効率が高い。つまり、反射率Ｒが低下すると、放射率Ｉが上昇し、逆に、反射率Ｒが上昇すると、放射率Ｉが低下するという関係が成立する。この場合、光放熱つまり光放射能力を示す指数として放射率を用いるが、光の透過率がほぼ０の場合、放射率Ｉ≒１−Ｒ（反射率）で表わされる。従って、理想的には、放熱材料としてたとえば波長０．３−５０μｍの反射率Ｒができるだけ０に近いものを用いると、放熱効率が大きくなることが分かる。
【００２２】
図５は本発明に係る炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））のナノ凹凸構造２の加工形成を説明するためのフローチャートである。なお、以下では、炭素系部材（炭素系基板）はグラファイト基板であるとして説明する。すなわち、以下の各例では、炭素系基板材料１としてグラファイト基板材料を用いている。
【００２３】
図５のステップＳ１では、グラファイト基板材料１の表面をＯ２ガスを用いたプラズマエッチング法によってエッチングして、図３に示したようにナノ凹凸構造２が表面に形成されたグラファイト基板を得る。ここで、プラズマエッチング条件は、例えば次のごとくである。
ＲＦパワー：５００Ｗ
圧力：５０ｍＴｏｒｒ
Ｏ２流量：２００ｓｃｃｍ
エッチング時間：５０分
【００２４】
なお、図５のステップＳ１でのプラズマエッチング法は、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）エッチング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法、大気圧プラズマエッチング法等のいずれでもよく、また、処理ガスはＯ２ガス以外のＡｒガス、Ｎ２ガス、Ｈ２ガス、ＣＦ４ガス、ＣＯ２ガス、ＳＦ６ガス等のいずれでもよく、これらの混合ガスでもよい。
【００２５】
このようにしてナノ凹凸構造２が表面に形成されたグラファイト基板を得ることができ、ナノ凹凸構造２が表面に形成されたことにより、表面積が著しく増大し、また、可視光を含む領域及び遠赤外領域の反射率を十分に低くして放射率を著しく高めることができるため（輻射による放熱性を著しく高めることができるため）、放熱効率を著しく高めることができる。すなわち、図６に示すように、可視光を含む領域の波長０．３−２μｍの平均反射率はプラズマエッチング前の２０−３０％からプラズマエッチング後の１．５％以下と低くなる。従って、可視光を含む領域の吸収は最高となる。しかも、図７に示すように、遠赤外領域のたとえば波長２−１５μｍの平均反射率もプラズマエッチング前の６０％からプラズマエッチング後の２％以下と低くなる。この結果、図４の理想的な反射特性Ｒ１に近づく。この結果、このプラズマエッチングされたグラファイト基板をそのまま放熱材料として用いることができる。
【００２６】
また、図５のステップＳ１でのプラズマエッチングの前に、グラファイト基板にサンドブラスト等の機械的表面研磨及び／またはＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等のハイパワーレーザ照射による表面研磨による前処理を行い、これにより、不規則的周期の例えばマイクロメートルオーダ（約１０μｍ〜５００μｍ程度の範囲）、サブマイクロメートルオーダ（約０．５μｍ〜１０μｍ程度の範囲）の凹凸構造をグラファイト基板に予め形成しておくこともでき、この場合には、グラファイト基板の表面積がより一層増大して、ナノ凹凸構造２だけが形成される場合よりも、さらにより一層放熱効率を高めることができる。なお、図５のステップＳ１でのプラズマエッチングの前に凹凸構造が形成される場合、この凹凸構造の幅（ピッチ）は、ステップＳ１でのプラズマエッチングで形成されるナノ凹凸構造２の幅（ピッチ）ＮＰよりも必ず大きいものである。
【００２７】
本願の発明者は、実際、ナノ凹凸構造２が表面に形成されたグラファイト基板の放射率を放射温度計（ＫＥＹＥＮＣＥ  ＦＴ−Ｈ２０）により測定した。この結果、ナノ凹凸構造２が表面に形成されたグラファイト基板の表面の温度が１５０℃のときの放射率は、理論最大値１．００に対して０．９９となった。
【００２８】
上記ナノ凹凸構造２が表面に形成されたグラファイト基板と同様なグラファイト素材を用いた放熱部材としては、グラファイトシートが挙げられる。以下に、上記ナノ凹凸構造２が表面に形成されたグラファイト基板と在来のグラファイトシートとの、熱拡散性能、放射率の比較結果を示す。
【００２９】
＜熱拡散性能＞
グラファイトは、炭素の六方晶系の構造から成り、面内は共有結合で強く結合され、層と層の間は分子間力で結合されている。従って、熱伝導性能に異方性を有する。例えば、面内方向は熱伝導率が非常に高く約１００〜２０００Ｗ／ｍＫ程度、厚さ方向（層間）は熱伝導率が低く約３〜２０Ｗ／ｍＫ程度である。グラファイトシートの厚さは約０．０１〜０．１ｍｍである。
一方、ナノ凹凸構造２が表面に形成されたグラファイト基板は、等方性の材料で、その熱伝導率は約１４０〜２００Ｗ／ｍＫ程度であり、基板厚さは約０．１〜１０ｍｍを取りうる。
等価熱伝導率と厚さを考慮すると、ナノ凹凸構造２が表面に形成されたグラファイト基板の方がグラファイトシートよりも熱拡散性能を高めることができる。
【００３０】
＜放射率＞
グラファイトシートの表面放射率は０．７程度である。一方、ナノ凹凸構造２が表面に形成されたグラファイト基板は、表面に施されたナノ凹凸構造２により、放射率を０．９９まで向上させることができる。
【００３１】
上記のように、グラファイトシートが熱拡散効果により放熱性能の向上をもたらす一方で、ナノ凹凸構造２が表面に形成されたグラファイト基板は、より高い熱拡散性能と理論最大値１．０に非常に近い放射率とによる双方の放熱性能向上効果が得られる。
【００３２】
ところで、前述したように、表面にナノ凹凸構造２が形成された炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））では、ナノ凹凸構造２の強度が物理的に弱く、接触などによってナノ凹凸構造２が倒れやすく、それにより元来の高い放熱性能を発揮できなくなるという問題がある。
【００３３】
従って、表面にナノ凹凸構造２が形成された炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））を、照明装置、電子機器あるいは携帯端末の放熱材料として用いる場合、表面にナノ凹凸構造２が形成された炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））を照明装置、電子機器あるいは携帯端末の筐体の例えば外壁などの人の手などが触れやすい位置に取り付けると、人の手などが触れることなどによってナノ凹凸構造２が倒れ、元来の高い放熱性能を発揮できなくなってしまう。
【００３４】
この問題を解決するため、本発明では、表面にナノ凹凸構造２が形成された炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））を照明装置、電子機器あるいは携帯端末の筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等に取り付けることを特徴としている。すなわち、照明装置、電子機器あるいは携帯端末の筐体の内壁、または、筐体内の部材、部品等は、外部からの接触などから護られており（保護されており）、これにより、人の手などの接触などによるナノ凹凸構造２の倒れを防止でき、高い放熱性能を維持することが可能となる。
【００３５】
図８（ａ），（ｂ）は、表面にナノ凹凸構造２が形成された炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））が筐体の内壁に取り付けられた照明装置（図８（ａ），（ｂ）の例では、ＬＥＤ照明装置）の一例を示す図である。なお、図８（ａ）は照明装置の概略的な外観を示す斜視図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。また、以下の例では、表面にナノ凹凸構造２が形成された炭素系部材（炭素系基板（例えば、グラファイト基板））１０として、表面にナノ凹凸構造２が形成されたグラファイト基板を用いており、これをナノ構造グラファイト基板と呼ぶことにする。
【００３６】
図８（ａ），（ｂ）を参照すると、この照明装置は、筐体１１と、筐体１１（の外壁）に取り付けられているＬＥＤ１２と、筐体１１内に内蔵されているＬＥＤ駆動回路１３とを備えており、さらに、この照明装置では、ＬＥＤ１２から発生する熱を外部へ放出するために、筐体１１の内壁に、ナノ構造グラファイト基板１０が放熱材料として取り付けられている。
【００３７】
従来、ＬＥＤから発生する熱を外部へ放出するためにＬＥＤ照明装置の筐体は放熱性の高い金属製が主流となっている。しかし、本発明では、放熱性能を低下することなく軽量化を実現する構造を提供することを意図しており、このため、筐体１１には、成形性の高いポリプロピレン樹脂（ＰＰ）やポリカーボネイト（ＰＣ）またはアクリル（ＰＭＭＣ）等の樹脂などを用いるのが好ましい。
【００３８】
また、筐体１１とナノ構造グラファイト基板１０との間に熱伝導性の高い部材（グリス、シート、接着剤など）を挿入することより、ナノ構造グラファイト基板１０は筐体１１の内壁にしっかりと確実に取り付けられ（固定され）、また、筐体１１とナノ構造グラファイト基板１０との間の接触熱抵抗が低減され、高い放熱性能が得られる。
【００３９】
本願の発明者は、従来のＬＥＤ照明装置と本発明のＬＥＤ照明装置との比較を行った。従来のＬＥＤ照明装置と本発明のＬＥＤ照明装置との条件は、それぞれ次のとおりである。
【００４０】
＜従来のＬＥＤ照明装置＞
サイズ：底面１７５ｍｍ角、高さ７０ｍｍ、厚さ２ｍｍ
筐体：ダイキャスト（ＡＤＣ１２）、熱伝導率９７Ｗ／ｍＫ、放射率０．８
ＬＥＤ発熱量：３Ｗ
ＬＥＤ熱抵抗：２．５℃／Ｗ
周囲温度：２５℃
【００４１】
＜本発明のＬＥＤ照明装置＞
サイズ：底面１７５ｍｍ角、高さ３５ｍｍ、厚さ２ｍｍ
筐体：ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、熱伝導率０．２３Ｗ／ｍＫ、放射率０．８
筐体内壁：ナノ構造グラファイト基板、熱伝導率２００Ｗ／ｍＫ、放射率０．９９
ＬＥＤ発熱量：３Ｗ
ＬＥＤ熱抵抗：２．５℃／Ｗ
周囲温度：２５℃
【００４２】
上記のような条件において、発熱源となるＬＥＤ温度と筐体重量を図９に示す。
【００４３】
図９から、従来の金属製（ダイキャスト）筐体に比べて、本発明の樹脂製筐体とナノ構造グラファイト基板の２層構造の方が放熱性能に優れていることがわかる。すなわち、本発明では、例えば筐体高さを従来の半分にしても、従来よりもＬＥＤ温度を低減することができる。これは、本発明では、前述したように、ナノ構造グラファイト基板を用いることにより（すなわち、ナノ凹凸構造２により）、表面積が著しく増大し、また、可視光を含む領域及び遠赤外領域の反射率を十分に低くして放射率を理論最大値１．０に極めて近い０．９９まで向上させることができ（輻射による放熱性を著しく高めることができ）、放熱性能を著しく向上させることが可能となることによる。
【００４４】
このように、本発明では、樹脂製筐体とナノ構造グラファイト基板の２層構造により、高い放熱性能と小型（薄型）・軽量とを両立可能な照明装置（ＬＥＤ照明装置）を提供することができる。
【００４５】
なお、上述の例では、照明装置として、ＬＥＤ照明装置を例に挙げたが、発光部（熱源）がＬＥＤ以外の照明装置にも、本発明を同様に適用できる。
【００４６】
また、照明装置に限らず、発熱源（例えば、半導体素子など）を有し、発熱源からの熱を放熱する必要のある装置、機器（例えばパソコンなどの電子機器や、携帯電話などの携帯端末など）にも、本発明を同様に適用できて、本発明を適用することで、高い放熱性能と小型（薄型）・軽量とを両立可能な装置、機器を提供することができる。
【００４７】
また、上述の各例では、表面にナノ凹凸構造２が形成された炭素系部材（炭素系基板）としてグラファイト基板を用いる場合を示したが、表面にナノ凹凸構造２が形成された炭素系部材（炭素系基板）は、グラファイト基板に金属を混ぜた稠密グラファイト基板でもよい。また、表面にナノ凹凸構造２が形成された炭素系部材（炭素系基板）は、グラファイト基板以外の炭素系基板、例えばダイヤモンド基板やガラス状炭素基板などでもよい。
【００４８】
また、上述の例では、筐体１１が樹脂などで構成されているとし、筐体１１が樹脂などで構成されている場合には軽量化に適しており好ましいが、必要に応じ、筐体１１を樹脂以外の材料（例えばアルミニウムなどの金属材料等）で構成することも可能であり、この場合も本発明の範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、ＬＥＤヘッドライト、ＬＥＤフォグライト、ＬＥＤデイタイムランニングランプ、プロジェクタなどの照明装置や、パソコンなどの電子機器や、携帯電話などの携帯端末などの、発熱源を有し、発熱源からの熱を放熱する必要のある装置、機器に利用可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１  炭素系基板材料（例えば、グラファイト基板材料）
２  凹凸構造（ナノ凹凸構造）
１０  ナノ構造グラファイト基板
１１  筐体
１２  ＬＥＤ
１３  ＬＥＤ駆動回路
【図１】
2012156395.tif 000003
【図２】
2012156395.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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