(57)【要約】【課題】  金属膜が薄くなっても、金属膜が受けるダメージの増大を抑制し、樹脂層を加工することが可能なレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供する。【解決手段】  第１の金属膜の上に樹脂層が形成された加工対象物の、第１の金属膜の上の樹脂層に、炭酸ガスレーザ発振器から出射された第１の原初レーザパルスから切り出された第１の分割レーザパルスを入射させて、樹脂層に、第１の凹部を形成する。炭酸ガスレーザ発振器から出射された第２の原初レーザパルスから、時間軸上で離散的に分布する複数の第２の分割レーザパルスを切り出し、複数の第２の分割レーザパルスを、第１の凹部に入射させて、第１の凹部の側面及び底面の樹脂層を除去することにより、第１の金属膜を露出させる。第２の分割レーザパルスの各々のパルスエネルギは、第１の金属膜を溶融させない大きさである。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属膜の上に樹脂層が形成された加工対象物の、前記第１の金属膜の上の前記樹脂層に、炭酸ガスレーザ発振器から出射された第１の原初レーザパルスから切り出された第１の分割レーザパルスを入射させて、前記樹脂層に、第１の凹部を形成する工程と、
前記炭酸ガスレーザ発振器から出射された第２の原初レーザパルスから、時間軸上で離散的に分布する複数の第２の分割レーザパルスを切り出し、複数の前記第２の分割レーザパルスを、前記第１の凹部に入射させて、前記第１の凹部の側面及び底面の前記樹脂層を除去することにより、前記第１の金属膜を露出させる工程と
を有し、
前記第２の分割レーザパルスの各々のパルスエネルギは、前記第１の金属膜を溶融させない大きさであるレーザ加工方法。
【請求項２】
前記第１のレーザパルスを入射させる工程で形成される前記第１の凹部の底面に、前記第１の金属膜が露出し、
前記第２の分割レーザパルスを前記第１の凹部に入射させる工程において、前記第１の凹部の底面の前記樹脂層を除去することにより、前記第１の金属膜が露出している領域を広げる請求項１に記載のレーザ加工方法。
【請求項３】
複数の前記第２の分割レーザパルスのパルスエネルギ及びパルス間隔は、前記第１の金属膜を露出させる工程で該第１の金属膜が溶融しないように設定されている請求項１または２に記載のレーザ加工方法。
【請求項４】
前記加工対象物は、前記樹脂層の上に形成され、平面視において前記第１の金属膜と重なる第２の金属膜を含み、
前記第１の分割レーザパルスの入射によって、前記第２の金属膜に、前記第２の金属膜の底面まで達する開口が形成され、前記第１の凹部は、前記開口の下に形成される請求項１乃至３のいずれか１項に記載のレーザ加工方法。
【請求項５】
前記第１の分割レーザパルスを入射させる前に、前記第１の原初レーザパルスから、時間軸上に並ぶ前記第１の分割レーザパルスと、他の第３の分割レーザパルスとを切り出し、
前記第２の原初レーザパルスから前記第２の分割レーザパルスを切り出す工程において、時間軸上で前記第２の分割レーザパルスと、他の第４の分割レーザパルスとが交互に配列するように、前記第２の原初レーザパルスから前記第２の分割レーザパルスと前記第４の分割レーザパルスとを切り出し、
さらに、
前記第３の分割レーザパルスを、前記第１の凹部とは異なる位置に入射させることにより第２の凹部を形成する工程と、
前記第２の凹部に前記第４の分割レーザパルスを入射させて、前記第２の凹部の側面及び底面の前記樹脂層を除去する工程と
を有する請求項１乃至４のいずれか１項に記載のレーザ加工方法。
【請求項６】
パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたパルスレーザビームの光路に配置され、外部からの制御を受けて前記パルスレーザビームを偏向して第１の経路へ伝搬させる振分け装置と、
前記レーザ光源の出射タイミング、及び前記振分け装置を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、前記振分け装置を制御することにより、前記レーザ光源から出射された１つの原初レーザパルスのパルス幅内で、レーザビームを前記第１の経路へ断続的に振分けることにより、前記第１の経路を伝搬し、前記原初レーザパルスのパルス幅内で時間の経過と共にパルス幅が短くなる複数の第２の分割レーザパルスを生成するレーザ加工装置。
【請求項７】
前記振分け装置は、前記パルスレーザビームを、前記第１の経路とは異なる第２の経路へも振り分けることができるように構成されており、
前記制御装置は、前記振分け装置を制御することにより、前記原初レーザパルスのパルス幅内で、レーザビームを前記第１の経路と前記第２の経路とに交互に振分け、前記第２の経路を伝搬し、前記原初レーザパルスのパルス幅内で時間の経過と共にパルス幅が長くなる複数の第４の分割レーザパルスを生成する請求項６に記載のレーザ加工装置。
【請求項８】
パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたパルスレーザビームの光路に配置され、外部からの制御を受けて前記パルスレーザビームを偏向して第１の経路へ伝搬させる振分け装置と、
前記振分け装置で振り分けられた前記パルスレーザビームが入射する位置に、第１の金属膜上に樹脂層が形成された加工対象物を保持するステージと、
前記レーザ光源の出射タイミング、及び前記振分け装置を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、前記振分け装置を制御することにより、前記レーザ光源から出射された１つの原初レーザパルスのパルス幅内で、レーザビームを前記第１の経路へ断続的に振分けることにより、前記第１の経路を伝搬する複数の第２の分割レーザパルスを生成し、前記第２の分割レーザパルスのパルス間隔を、前記第１の金属が溶融しない条件に設定するレーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加工対象物にパルスレーザビームを入射させてレーザ加工を行うレーザ加工方法及びレーザ加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
１台のレーザ発振器から出力されたレーザパルスを、音響光学素子により２方向に分岐させることにより、２軸でレーザ加工を行うことができる（特許文献１、２）。銅等の金属膜の上に樹脂層が形成されたプリント基板の樹脂層に、穴開け加工を行う場合に、レーザ加工が適用される。
【０００３】
レーザ発振器として、例えば赤外域の炭酸ガスレーザが適用される。樹脂層に穴が形成されて、金属膜が露出したとしても、赤外域における金属膜の吸収係数が低く、かつ金属膜の熱伝導率が高いため、通常は、金属膜がダメージを受けるほど温度が上昇することはない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３４８５９号公報
【特許文献２】特開２０００−１０７８７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
プリント基板に形成される配線の微細化が進み、金属膜が薄くなると、金属膜で吸収された熱エネルギが周囲に拡散し難くなる。このため、レーザビームが照射された領域の金属膜の温度が上昇し、ダメージを受け易くなる。
【０００６】
本発明の目的は、金属膜が薄くなっても、金属膜が受けるダメージの増大を抑制し、樹脂層を加工することが可能なレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によると、
第１の金属膜の上に樹脂層が形成された加工対象物の、前記第１の金属膜の上の前記樹脂層に、炭酸ガスレーザ発振器から出射された第１の原初レーザパルスから切り出された第１の分割レーザパルスを入射させて、前記樹脂層に、第１の凹部を形成する工程と、
前記炭酸ガスレーザ発振器から出射された第２の原初レーザパルスから、時間軸上で離散的に分布する複数の第２の分割レーザパルスを切り出し、複数の前記第２の分割レーザパルスを、前記第１の凹部に入射させて、前記第１の凹部の側面及び底面の前記樹脂層を除去することにより、前記第１の金属膜を露出させる工程と
を有し、
前記第２の分割レーザパルスの各々のパルスエネルギは、前記第１の金属膜を溶融させない大きさであるレーザ加工方法が提供される。
【０００８】
本発明の他の観点によると、
パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたパルスレーザビームの光路に配置され、外部からの制御を受けて前記パルスレーザビームを偏向して第１の経路へ伝搬させる振分け装置と、
前記レーザ光源の出射タイミング、及び前記振分け装置を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、前記振分け装置を制御することにより、前記レーザ光源から出射された１つの原初レーザパルスのパルス幅内で、レーザビームを前記第１の経路へ断続的に振分けることにより、前記第１の経路を伝搬し、前記原初レーザパルスのパルス幅内で時間の経過と共にパルス幅が短くなる複数の第２の分割レーザパルスを生成するレーザ加工装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
第２の原初レーザパルスから複数の第２の分割レーザパルスを生成して、第１の凹部に入射させるため、第１の凹部の底面に露出した第１の金属膜が受けるダメージを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施例１によるレーザ加工装置の概略図である。
【図２】実施例１によるレーザ加工方法で適用される制御信号のタイミングチャート及びレーザパルスの光強度を示すグラフである。
【図３】実施例１によるレーザ加工方法で加工される加工対象物の加工途中段階における断面図である。
【図４】実施例１の変形例によるレーザ加工方法で加工される加工対象物の加工途中段階における断面図である。
【図５】（５Ａ）は、第１の経路を伝搬するレーザビームの光強度の時間変化を示すグラフであり、（５Ｂ）は、樹脂層の温度変化を示すグラフであり、（５Ｃ）は、第１の金属膜のレーザビーム入射位置の温度変化を示すグラフであり、（５Ｄ）は、第１の金属膜のレーザビーム入射位置の温度変化の他の例を示すグラフである。
【図６】（６Ａ）及び（６Ｂ）は、それぞれ実施例２によるレーザ加工方法において、第１の経路及び第２の経路を伝搬するレーザビームの光強度の時間変化を示すグラフである。
【図７】（７Ａ）〜（７Ｃ）は、それぞれ実施例３のレーザ加工方法において、第１の経路、第２の経路、及び直進経路を伝搬するレーザビームの光強度の時間変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１に、実施例１によるレーザ加工装置の概略図を示す。レーザ光源１が、経路ＯＰ０に赤外域のパルスレーザビームを出射する。レーザ光源１には、例えば炭酸ガスレーザが用いられる。制御装置８がレーザ光源１に制御信号ｓｉｇ１を送出することにより、レーザ光源１から出射されるレーザパルスの出射タイミング、及びレーザパルスのパルス幅を制御する。
【００１２】
レーザ光源１から出射されたレーザビームが、振分け装置２に入射する。振分け装置２は、音響光学素子（ＡＯＤ）、及びＡＯＤに高周波信号を印加するための高周波信号発生器を含む。ＡＯＤは、入射したレーザビームを回折させることにより、レーザビームの進行方向を変化させる。ＡＯＤに印加する高周波信号の周波数を変えることにより、レーザビームの偏向角を変化させることができる。また、高周波信号の振幅を変化させることにより、回折強度を変化させることができる。
【００１３】
ＡＯＤに高周波信号が印加されていないときは、振分け装置２に入射したレーザビームは、そのまま直進して直進経路ＯＰ３に沿って伝搬する。直進したレーザビームはビームダンパ１３に入射する。
【００１４】
制御装置８が、制御信号ｓｉｇ２を振分け装置２に送出することにより、レーザビームを偏向させて第１の経路ＯＰ１と第２の経路ＯＰ２とに振り分ける。第１の経路ＯＰ１に振り分けられたレーザビームは、折り返しミラー３ａを経由して、ガルバノスキャナ４ａに入射する。第２の経路ＯＰ２に振り分けられたレーザビームは、折り返しミラー３ｂを経由して、他のガルバノスキャナ４ｂに入射する。ガルバノスキャナ４ａ、４ｂは、入射したレーザビームを２次元方向に走査する。
【００１５】
ＸＹステージ７に加工対象物６が保持されている。ガルバノスキャナ４ａ、４ｂで走査されたレーザビームは、それぞれｆθレンズ５ａ、５ｂを経由して加工対象物６に入射する。ｆθレンズ５ａ、５ｂは、レーザビームを加工対象物６の表面に集光する。
【００１６】
図２に、制御信号ｓｉｇ１、ｓｉｇ２のタイミングチャート、経路ＯＰ０、第１の経路ＯＰ１、第２の経路ＯＰ２を伝搬するレーザビームの波形を示す。時刻ｔ１からｔ４までの期間、及び時刻ｔ１０からｔ１３までの期間に、制御装置８がレーザ光源１に制御信号ｓｉｇ１を送出する。時刻ｔ１及びｔ１０で制御信号ｓｉｇ１の送出が開始されると、レーザ光源１から経路ＯＰ０に第１の原初レーザパルスＬｏ１及び第２の原初レーザパルスＬｏ２が出射される。第１の原初レーザビームＬｏ１及び第２の原初レーザパルスＬｏ２の光強度は、時間の経過と共に徐々に大きくなる。時刻ｔ４及びｔ１３で制御信号ｓｉｇ１の送出が停止されると、第１の原初レーザパルスＬｏ１及び第２の原初レーザパルスＬｏ２の光強度が低下し始め、一定の時間経過後、光強度が０になる。
【００１７】
時刻ｔ２からｔ３までの期間、レーザビームを第１の経路ＯＰ１に振り分ける制御信号ｓｉｇ２が送出され、時刻ｔ３からｔ５までの期間、レーザビームを第２の経路ＯＰ２に振り分ける制御信号ｓｉｇ２が送出される。図２では、時刻ｔ５が、時刻ｔ４の直後になるように制御される場合を示しているが、時刻ｔ５を時刻ｔ４の直前にしてもよいし、時刻ｔ５と時刻ｔ４とを一致させてもよい。
【００１８】
時刻ｔ２からｔ３までの期間は、第１の経路ＯＰ１に第１の分割レーザパルスＬｐ１が現れ、時刻ｔ３からｔ５までの期間は、第２の経路ＯＰ２に第３の分割レーザパルスＬｐ３が現れる。第１の分割レーザパルスＬｐ１及び第３の分割レーザパルスＬｐ３のパルス幅じゃ、たとえば１０〜１５μｓである。時刻ｔ２からｔ３までの期間の回折効率は、振分け装置２に用いられている素子の定格最大効率になるように制御され、時刻ｔ３からｔ５までの期間は、回折効率が、それよりも低くなるように制御されている。このため、第１のレーザパルスＬｐ１の光強度は、第１の原初レーザパルスＬｏ１の光強度とほぼ等しいが、第３の分割レーザパルスＬｐ３の光強度は第１の原初レーザパルスＬｏ１の光強度よりやや低くなる。このように回折強度を調整することにより、第１の分割レーザパルスＬｐ１のパルスエネルギと、第３の分割レーザパルスＬｐ３のパルスエネルギとを等しくすることができる。
【００１９】
時刻ｔ１１からｔ１２までの期間は、第２の原初レーザパルスＬｏ２を第１の経路ＯＰ１に振り分ける期間と、第２の経路ＯＰ２に振り分ける期間とが交互に配列するように、制御信号ｓｉｇ２が送出される。これにより、第１の経路ＯＰ１及び第２の経路ＯＰ２には、それぞれ時間軸上に離散的に配列した複数の第２の分割レーザパルスＬｐ２及び第４の分割レーザパルスＬｐ４が現れる。第２の分割レーザパルスＬｐ２及び第４の分割レーザパルスＬｐ４の各々のパルス幅は、例えば１〜２μｓである。
【００２０】
図３Ａ〜図３Ｃを参照して、加工対象物の加工部分の形状の変化について説明する。図３Ａに、加工前の加工対象物の断面図を示す。加工対象物は、例えばビルドアップ基板である。下側の樹脂層２０の上に、第１の金属膜２１が形成されている。第１の金属膜２１及び下側の樹脂層２０の上に、上側の樹脂層２２が形成されている。樹脂層２２の上に、第２の金属膜２３が形成されている。樹脂層２０、２２には、例えばガラス繊維を含んだポリイミドが用いられる、第１の金属膜２１及び第２の金属膜２３には、例えば銅が用いられる。なお、銅以外の金属を用いてもよい。
【００２１】
図３Ｂに示すように、第１の金属膜２１の上の樹脂層２２及び第２の金属膜２３に、第１の分割レーザパルスＬｐ１（図２）を入射させることにより、第２の金属膜２３に開口２３Ａを形成し、樹脂層２２に凹部２２Ａを形成する。凹部２２Ａの側面は、深くなるに従って平断面が小さくなるように傾斜している。図３Ｂでは、凹部２２Ａが第１の金属膜２１まで達していない例を示しているが、図４に示すように、凹部２２Ａの底面に第１の金属膜２１の一部が露出するようにしてもよい。この場合も、凹部２２Ａの側面が傾斜している。このため、第１の金属膜２１が露出した部分の面積は、開口２３Ａの面積よりも小さい。凹部２２Ａの深さは、第１の分割レーザパルスＬｐ１のパルスエネルギ密度に依存する。
【００２２】
図３Ｃに示すように、凹部２２Ａに、複数の第２の分割レーザパルスＬｐ２（図２）を入射させる。これにより、凹部２２Ａの側面及び底面の樹脂層２２が除去され、凹部２２Ａの底面に第１の金属膜２１が露出する。図４に示したように、凹部２２Ａの底面に第１の金属膜２１が露出していた場合には、第２の分割レーザパルスＬｐ２の入射によって、第１の金属膜２１が露出する領域が大きくなる。
【００２３】
第３の分割レーザパルスＬｐ３及び第４の分割レーザパルスＬｐ４（図２）を、加工対象物６の他の位置に入射させることにより、図３Ｃに示した開口２３Ａ及び凹部２２Ａと同じ形状の開口及び凹部を形成することができる。
【００２４】
図５Ａ〜図５Ｃを参照して、加工対象物の温度変化について説明する。図５Ａに、加工対象物６に入射する第２の分割レーザパルスＬｐ２の波形を示す。時刻ｔ１１で最初の第２の分割レーザパルスＬｐ２が入射し、一定の間隔で、２番目〜６番目の第２の分割レーザパルスＬｐ２が入射する。
【００２５】
図５Ｂに、第２の分割レーザパルスＬｐ２が断続的に入射している期間の、樹脂層２２（図３Ａ）の温度変化の一例を示す。第２の分割レーザパルスＬｐ２が入射している期間には、樹脂層２２の温度が徐々に上昇する。第２の分割レーザパルスＬｐ２が入射していない期間には、樹脂層２２の温度が低下するが、樹脂の熱伝導係数が低いため、実質的には樹脂層２２の温度はほぼ一定になる。このため、１番目の第２の分割レーザパルスＬｐ２が入射して、６番目の第２の分割レーザパルスＬｐ２の入射が終了するまで、樹脂層２２の温度が徐々に上昇する。
【００２６】
樹脂層２２の温度が融点Ｔｒを超えると、樹脂層２２が溶融して凹部２２（図３Ｃ）の側面及び底面の樹脂が除去される。
【００２７】
図５Ｃに、第２の分割レーザパルスＬｐ２が第１の金属膜２１に入射したときの、入射位置の温度変化の一例を示す。第２の分割レーザパルスＬｐ２が入射している期間は、第１の金属膜２１の温度が上昇する。第２の分割レーザパルスＬｐ２の各々のパルスエネルギは、第１の金属膜２１を溶融させない大きさである。第１の金属膜２１の熱伝導係数は樹脂層２２の熱伝導係数より高いため、第２の分割レーザパルスＬｐ２が入射していない期間には、熱が拡散し、入射位置の第１の金属膜２１の温度が低下する。１番目の第２の分割レーザパルスＬｐ２の入射から、最後の第２の分割レーザパルスＬｐ２の入射終了までの間、第１の金属膜２１の温度は、上昇と下降とを繰り返す。
【００２８】
１番目から６番目までの第２の分割レーザパルスＬｐ２を連続して第１の金属膜２１に入射させると、温度が低下する期間がなくなり、図５Ｃに破線で示すように、温度が単調に上昇する。このため、入射位置の温度が、第１の金属膜２１の融点Ｔｍを超え易くなる。実施例１のように、複数の第２の分割レーザパルスＬｐ２を断続的に入射させることにより、第１の金属膜２１の過度の温度上昇を防止し、第１の金属膜２１に与えるダメージを軽減することができる。このように、複数の第２の分割レーザパルスＬｐ２のパルスエネルギ、及びパルス間隔は、図３Ｃに示した工程で第１の金属膜２１が溶融しないように設定されている。
【００２９】
また、図２に示したように、複数の第２の分割レーザパルスＬｐ２は、１つの第２の原初レーザパルスＬｏ２から切り出される。このため、図３Ｃに示した工程で１つの原初レーザパルスを照射する場合に比べて、加工時間が長くなることはない。
【００３０】
第１の金属膜２１の厚さ及び用途によっては、その極表層部分の溶融が許容される場合もある。この場合には、図５Ｄに示したように、第１の金属膜２１の温度が瞬間的に融点Ｔｍを超えてもよい。ただし、第２の分割レーザパルスＬｐ２が照射されない期間に、第１の金属膜２１の温度が融点Ｔｍよりも低い温度まで低下するように、第２の分割レーザパルスＬｐ２のパルス間隔を設定しておくことにより、第２の金属膜２１が溶融する部分を、極表層部に留めることができる。この場合、樹脂層２２の温度が、より高くなるため、加工のスループットを高めることができる。
【００３１】
実施例１では、樹脂層２２に凹部２２Ａを形成する際に、その上に配置された第２の金属膜２３にも、同時に開口２３を形成したが、第２の金属膜２３に、予め、化学的エッチング等により開口が形成されている場合もある。この場合には、第１の分割レーザパルスＬｐ１を、第２の金属膜２３に形成されている開口に入射させることにより、凹部２２Ａを形成すればよい。第２の金属膜２３にレーザエネルギで開口を形成する必要がないため、実施例１に比べて、第１の分割レーザパルスＬｐ１のパルスエネルギは小さくてもよい。
【００３２】
また、実施例１では、第１の経路ＯＰ１と第２の経路ＯＰ２とにレーザビームを振り分けて、２軸で加工を行う場合を示したが、第１の経路ＯＰ１のみを用いて１軸で加工を行ってもよい。実施例１では、図２に示した第２の分割レーザパルスＬｐ２のパルス間隔が、第４の分割レーザパルスＬｐ４のパルス幅と等しくなるように設定される。１軸で加工を行う場合には、第２の分割レーザパルスＬｐ２のパルス間隔を、自由に設定することができる。
【００３３】
図６Ａ及び図６Ｂを参照して、実施例２によるレーザ加工方法について説明する。以下の説明では、実施例１との相違点に着目し、同一の構成については説明を省略する。
【００３４】
図６Ａ及び図６Ｂに、それぞれ第１の経路ＯＰ１に振り分けられた第２の分割レーザパルスＬｐ２、及び第２の経路ＯＰ２に振り分けられた第４の分割レーザパルスＬｐ４の波形を示す。実施例１では、１つの第２の原初レーザパルスＬｏ２（図２）のパルス幅内で、複数の第２の分割レーザパルスＬｐ２のパルス幅、及び複数の第４の分割レーザパルスＬｐ４のパルス幅が同一であった。
【００３５】
実施例２では、１つの第２の原初レーザパルスＬｏ２のパルス幅内で、第２の分割レーザパルスＬｐ２のパルス幅が、時間の経過と共に短くなる。同様に、第４の分割レーザパルスＬｐ４のパルス幅も、時間の経過と共に短くなる。
【００３６】
通常、レーザ光源から出射された原初レーザパルスの光強度は、出射開始時点から時間の経過に伴って徐々に大きくなる。実施例２のように、第２の分割レーザパルスＬｐ２のパルス幅を、時間の経過と共に短くすることにより、第２の分割レーザパルスＬｐ２のパルスエネルギを平準化することができる。同様に、第４の分割レーザパルスＬｐ４のパルスエネルギを平準化することができる。
【００３７】
レーザ光源１から出射される第２の原初レーザパルスＬｏ２の波形は、予め測定しておくことが可能である。第２の分割レーザパルスＬｐ２及び第４の分割レーザパルスＬｐ４のパルス幅は、予め測定された第２の原初レーザパルスＬｏ２のパルス波形に基づいて決定しておけばよい。
【００３８】
図７Ａ〜図７Ｃを参照して、実施例３によるレーザ加工方法について説明する。以下の説明では、実施例１との相違点に着目し、同一の構成については説明を省略する。
【００３９】
図７Ａ及び図７Ｂは、それぞれ第１の経路ＯＰ１に振り分けられた第２の分割レーザパルスＬｐ２、及び第２の経路ＯＰ２に振り分けられた第４の分割レーザパルスＬｐ４の波形を示す。実施例１では、図２に示したように、第２のレーザパルスＬｐ２のパルス波形と第４のレーザパルスＬｐ４のパルス波形とを合成した波形は、時間軸上でほぼ隙間無く配列している。実施例３では、１つの第２の分割レーザパルスＬｐ２と、時間軸上でそれに隣り合う第４の分割レーザパルスＬｐ４との間に、隙間が確保されている。この隙間の時間帯には、図７Ｃに示すように、直進経路ＯＰ３（図１）にレーザパルスが現れる。
【００４０】
実施例３では、実施例１に比べて、第２の分割レーザパルスＬｐ２のパルス間隔、及び第４の分割レーザパルスＬｐ４のパルス間隔が長くなる。これにより、図５Ｃに示した第１の金属膜２１の降温時間が長くなり、第１の金属膜２１の温度上昇を、さらに抑制することが可能になる。
【００４１】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【符号の説明】
【００４２】
１  レーザ光源
２  振分け装置
３ａ、３ｂ  折り返しミラー
４ａ、４ｂ  ガルバノスキャナ
５ａ、５ｂ  ｆθレンズ
６  加工対象物
７  ＸＹステージ
８  制御装置
１３  ビームダンパ
２０  下側の樹脂層
２１  第１の金属膜
２２  上側の樹脂層
２２Ａ  凹部
２３  第２の金属膜
２３Ａ  開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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