(57)【要約】【課題】ワーク搭載用のトレイに載置された基板に処理を行う際、昇降装置により支承されたトレイの平面度を向上する。【解決手段】基板カートＫの複数のトレイＴは、基板搬送装置７０の搬送用ローラＲにより、一対の側縁の下面を支承されている。基板カートＫの下方には、複数の昇降装置５０が配列されており、各昇降装置５０の先端側の保持部５２は、受け板５３を介して、トレイＴの下面を支承している。各昇降装置５０の保持部５２によるトレイＴの下面の支承面と、複数の搬送用ローラＲによるトレイＴの下面の支承面とを、トレイＴの下面を面一にする高さ位置に設定した状態で、トレイＴに搭載された基板Ｗに薄膜が成膜される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワーク搭載用のトレイを、相対向する一対の側縁の下面において支承する複数の搬送用ローラと、
前記ローラとは異なる位置で、前記トレイの下面を支承する保持部を有する少なくとも１つの昇降装置と、
前記昇降装置の前記保持部による前記トレイの下面の支承面と、前記複数の搬送用ローラによる前記トレイの下面の支承面とを、前記トレイの下面を面一にする高さ位置に設定した状態で、前記トレイに搭載されたワークに処理を施す制御手段とを備えることを特徴とするトレイの支持構造。
【請求項２】
請求項１に記載のトレイの支持構造において、前記昇降装置を複数個備え、前記各昇降装置の前記保持部による前記トレイの下面の支承面と、前記複数の搬送用ローラによる前記トレイの下面の支承面とを、前記トレイの下面を面一にする高さ位置に設定することを特徴とするトレイの支持構造。
【請求項３】
請求項２に記載のトレイの支持構造において、前記昇降装置が、前記搬送用ローラによる前記トレイの搬送方向および前記搬送方向と直交する方向にそれぞれ複数個配列されていることを特徴とするトレイの支持構造。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のトレイの支持構造において、前記トレイは、複数個が連結されて１つの基板カートを構成することを特徴とするトレイの支持構造。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のトレイの支持構造において、前記トレイは、カーボンにより形成されていることを特徴とするトレイの支持構造。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のトレイの支持構造において、さらに、前記昇降装置の昇降部の先端面と前記トレイとの間に介装された前記トレイの下面を支持する受け板を備えることを特徴とするトレイの支持構造。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のトレイの支持構造において、前記受け板は、複数の前記昇降装置に跨って延出されていることを特徴とするトレイの支持構造。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか1項に記載のトレイの支持構造を備えていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか1項に記載のトレイの支持構造を備えていることを特徴とする太陽電池製造用真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば、真空処理装置内において、処理がなされる基板が搭載されるトレイの支持構造、プラズマＣＶＤ装置および太陽電池製造用真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＶＤ装置、スパッタ装置または蒸着装置により基板（ワーク）に薄膜を形成する際、ワークが搭載されるトレイ上に基板を搭載し、真空、高温の真空処理室内に搬送して成膜する。
例えば、プラズマＣＶＤ装置では、ワークが搭載されたトレイは、搬送装置によって、外部ステーションからプラズマＣＶＤ装置の予備加熱室内に搬入される。そして、予備加熱室において、予備加熱をしたうえで、別の搬送装置により予備加熱室から真空処理室に搬送され、真空処理室において成膜等の処理が行われる。
この場合、イオンビームスパッタリング成膜等において、水平搬送装置によりロードロック室から成膜室に搬送されたトレイを上昇装置により上昇させ、その状態で、ワークに成膜する成膜装置が知られている（例えば、特許文献１の図５参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−３１６８１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載された如く、上昇装置によりワークを突き上げた状態で成膜すると、トレイの自重または成膜時の膜応力により、トレイが変形し、平面度が粗くなる。このため、トレイ上のワークに形成される薄膜の膜厚のばらつきが大きくなり、ワークの特性が低下する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この発明のトレイの支持構造は、ワーク搭載用のトレイを、相対向する一対の側縁の下面において支承する複数の搬送用ローラと、ローラとは異なる位置で、トレイの下面を支承する保持部を有する少なくとも１つの昇降装置と、昇降装置の保持部によるトレイの下面の支承面と、複数の搬送用ローラによるトレイの下面の支承面とを、トレイの下面を面一にする高さ位置に設定した状態で、トレイに搭載されたワークに処理を施す制御手段とを備えることを特徴とする。
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、上記支持構造を備えていることを特徴とする。
本発明の太陽電池製造用真空処理装置は、上記支持構造を備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
この発明によれば、トレイの下面を昇降装置と搬送用ローラにより支持し、支持されるトレイの下面の高さ位置を同一としたので、トレイの平面度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明のトレイの支持構造を有する一実施形態としてのプラズマＣＶＤ装置の断面図。
【図２】図１に図示された本発明のトレイの支持構造の斜視図。
【図３】図２に図示された基板カートの拡大平面図。
【図４】成膜状態における図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図。
【図５】成膜状態における図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図。
【図６】試験結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
（全体構成）
以下、本発明のトレイの支持構造、図面を参照して説明する。
図１は、本発明のトレイの支持構造を有する、一実施形態としてのプラズマＣＶＤ装置の構成を模式的に示す全体構成図である。
この実施形態におけるプラズマＣＶＤ装置１００は、ロード／アンロード室を兼ねる真空予備加熱室１０と真空処理室２０を有する。外部ステーション３０は、プラズマＣＶＤ装置１００とは別体のものとして配置されている。真空予備加熱室１０内には、基板搬送装置１１、１３が上下２段に配置されるとともに、基板搬送装置１１、１３の上方にランプヒータ１５が設置されている。ランプヒータ１５は、図示しないヒータ駆動部により駆動される。
【０００９】
真空予備加熱室１０には、排気系１０ａとガス導入系１０ｂが配管接続され、大気開放と真空密閉とを切り換え可能に構成されており、シリコン基板等の基板（ワーク）Ｗの加熱処理を行う。基板搬送装置１１、１３は、それぞれ、フレームに複数のローラＲが回転可能に軸支された構造を有し、ローラＲを回転させて基板Ｗが搭載された基板カートＫを搬送する。基板搬送装置１１、１３は、それぞれ、時計方向回りおよび反時計方向回りに揺動可能に構成されている。
【００１０】
真空処理室２０内には、基板搬送装置７０とＲＦ電極２２と、シーズヒータ２３が設置されている。ＲＦ電極２２は、図示しないプラズマ放電制御部に接続されている。真空処理室２０には、排気系２０ａとガス導入系２０ｂが配管接続されており、所定のガス圧力下での処理、例えば、成膜、エッチング等の真空処理を行う。基板搬送装置７０は、フレームに複数のローラＲが回転可能に軸支された搬送機構が、幅方向における左右に一対、配置された構造を有し、ローラＲを回転させて基板Ｗが搭載された基板カートＫを搬送する。また、基板搬送装置７０は、時計方向回りおよび反時計方向回りに揺動可能に構成されている。シーズヒータ２３は、一対の搬送機構の幅方向における内側に配置されている。
【００１１】
真空処理室２０の外部には、複数の昇降装置５０が配設されている。各昇降装置５０は、真空処理室２０の壁部に設けられた開口から、真空処理室内に伸張されたロッド５１を備えている。図示はしないが、各ロッド５１と真空処理室２０の壁部の開口には、内部を密封するシール材が設けられている。詳細は後述するが、各ロッド５１の先端は基板カートＫを構成する複数のトレイＴの下面に当接し、各ロッド５１を上下に移動して基板カートＫを上昇または下降させる。各昇降装置５０は、図示しない昇降装置駆動部により、上昇および下降の動作を制御される。
【００１２】
真空予備加熱室１０には、外部ステーション３０側に面してゲートＧ１が設けられ、真空予備加熱室１０と真空処理室２０の境界には、ゲートＧ２が設けられている。ゲートＧ１は、基板Ｗを搬送トレイと共にプラズマＣＶＤ装置１００の外部に搬出入する際に開放され、搬出入以外のときには閉じて真空予備加熱室１０を密閉している。ゲートＧ２は、基板Ｗを搬送トレイと共に真空予備加熱室１０と真空処理室２０との間で般出入する際に開放され、それ以外の時は閉じている。
【００１３】
外部ステーション３０内には、基板搬送装置１８が備えられており、処理前の基板Ｗを保持してプラズマＣＶＤ装置１００へ供給し、また、処理済の基板ＷをプラズマＣＶＤ装置１００から受け取って図示しないストッカに収納する。基板搬送装置１８は、実線で記載された上部位置と、点線で記載された下部位置に移動可能に構成されている。
【００１４】
プラズマＣＶＤ装置１００は、マイクロコンピュータを有する制御部を有しており、マイクロコンピュータに組み込まれたプログラムにより、ヒータ駆動部、プラズマ放電部、基板搬送装置駆動部および昇降装置駆動部の駆動を制御する。また、真空予備加熱室１０に接続された排気系１０ａ、ガス導入系１０ｂ、真空処理室２０に接続された排気系２０ａ、ガス導入系２０ｂの各導入系に設けられた流量調整弁の開閉を制御して、チャンバへのガスの流出入量を調整する。さらに、ランプヒータ１５およびシーズヒータ２３の温度を制御して基板Ｗの成膜温度を監視する。
【００１５】
（基板搬送）
基板Ｗの搬送について説明する。
先ず、基板搬送装置１８が、基板カートＫが載置された状態で、外部ステーション３０の上段側に配置される。
この状態において、真空吸着搬送機等の図示しない搬送機により、処理前の基板Ｗが基板カートＫ上に搭載される。
【００１６】
基板カートＫは、カーボンにより形成されており、基板Ｗに対し遥かに大きい面積を有する。ゲートＧ１を開放し、基板搬送装置１８のローラＲ、および真空予備加熱室１０内の基板搬送装置１１のローラＲを回転させることにより、基板カートＫは基板Ｗと共に矢印Ｘ1方向に移動して真空予備加熱室１０内の基板搬送装置１１上に搬送される。真空予備加熱室１０内において基板Ｗの予備加熱がなされ、予備加熱が完了すると、ゲートＧ２を開放し、基板搬送装置１１および真空処理室２０内の基板搬送装置７０をＸ2方向と平行に傾斜させる。基板搬送装置１１のローラＲおよび真空処理室２０内の基板搬送装置７０のローラＲを回転させることにより、基板カートＫは基板Ｗ共に矢印Ｘ2方向に移動して真空処理室２０内の基板搬送装置７０上に搬送される。
【００１７】
基板搬送装置７０を水平にし、この状態で基板Ｗに処理を行う。このとき、後述する如く、各昇降装置５０のロッド５１が伸張され、ロッド５１により、基板カートＫを構成する複数のトレイＴの下面を支持する。ロッド５１が支持するトレイＴの下面の高さ位置は、基板搬送装置７０の各ローラＲの上面が支持する各トレイの下面の高さ位置と同一である。この状態で、基板カートＫ上に搭載された基板ＷにプラズマＣＶＤによる薄膜成膜等の処理を行う。所定の処理が完了したら、ゲートＧ２を開放し、基板搬送装置７０および真空予備加熱室１０内の基板搬送装置１３をＸ3方向と平行に傾斜させる。基板搬送装置７０のローラＲおよび真空予備加熱室１０内の基板搬送装置１３のローラＲを回転させることにより、基板カートＫを処理済の基板Ｗ共に矢印Ｘ3方向に移動して真空予備加熱室１０内の基板搬送装置１３上に搬送する。
【００１８】
外部ステーション３０内では、基板搬送装置１８は、基板カートＫを処理前の基板Ｗと共に基板搬送装置１１に搬送した後、点線で示す如く、下段側に移動される。
基板搬送装置１３を水平にし、ゲートＧ１を開放する。基板搬送装置１３のローラＲおよび基板搬送装置１８のローラＲを回転させることにより、基板カートＫは処理済の基板Ｗ共に矢印Ｘ4方向に移動して基板搬送装置１８上に搬送される。
【００１９】
そして、基板搬送装置１８を上部側に移動して、基板カートＫ上の処理済の基板Ｗを真空吸着搬送機等の図示しない搬送機により、図示しないストッカに収納する。この後、処理前の基板Ｗを基板搬送装置１８上の基板カートＫ上に搭載し、以下、同様な搬送を繰り返す。
【００２０】
上記において、上述した基板カートＫおよび基板Ｗの搬送は、処理済の基板Ｗを外部ステーション３０から搬出後に、処理前の基板Ｗを外部ステーション３０に搬入する、というシリアルな制御ではない。真空処理室２０内において、基板Ｗに処理を行っている間に、処理済の基板Ｗを搬出し、次の基板Ｗを搬入して、真空予備加熱室１０内に搬入しておく、というパラレルな制御が行われる。
【００２１】
（基板搬送装置）
次に、基板カートＫを支持して、基板Ｗに薄膜を形成する方法について詳述する。
図２は、真空処理室２０内に装着された基板搬送装置と昇降装置の一実施の形態を示す斜視図である。但し、図２においては、基板搬送装置は一段のみを示し、また、基板搬送装置を傾斜する揺動機構は省略されている。
基板搬送装置７０は、真空処理室２０内における相対向する壁面に沿って、それぞれ、中心面に対して線対称に装着された一対の搬送機構７０Ａとして装着されている。
各搬送機構７０Ａは、同一の構造を有しているので、一方についてのみ説明する。ローラＲは、図２では４個が図示されているが、これは一例であって、適宜の数にすることができる。各ローラＲはその回転軸７７が、図示を省略されたフレームに回転可能に支持されている。フレームの外側にはモータ６２が配置されており、モータ６２の回転軸６３には、傘歯車６４が取り付けられている。傘歯車６４は、軸心において駆動軸７１に固定された傘歯車７２に噛合している。傘歯車６４と傘歯車７２との軸角は９０度である。
【００２２】
駆動軸７１には、４個の傘歯車７３が設けられている。各傘歯車７３は、ローラＲの回転軸７７に対応する領域に配置されており、各傘歯車７３に噛合う傘歯車７４が各ローラＲの回転軸７７に設けられている。傘歯車７３と傘歯車７４の軸角は９０度である。
【００２３】
各搬送機構７０Ａは、このように構成されており、図２に示すように、モータ６２の回転軸６３が→印に示すように時計方向に回転すると、傘歯車６４−傘歯車７２−駆動軸７１−傘歯車７３−傘歯車７４を介してローラＲの回転軸７７を反時計方向に回転し、ローラＲ上に載置された基板カートＫを左側方向に搬送する。また、モータ６２の回転軸６３を反時計方向に回転すると、同じ伝達経路を経て、ローラＲの回転軸７７を時計方向に回転し、ローラＲ上に搭載された基板カートＫを右側方向に搬送する。
【００２４】
（昇降装置）
昇降装置５０は、一対の搬送機構７０Ａの間に、基板搬送装置７０の搬送方向に３列、搬送方向と直交する方向に３行、すなわち、３個×３個のマトリクス状に配列されている。
各昇降装置５０は、油圧、モータまたは空圧により伸縮するシリンダである。本実施例では、シリンダのストロークはシリンダに備えられたストロークセンサ（図示せず）で検出しているが、シリンダをモータによって伸縮する場合には、モータの回転信号からストロークを検出することが可能であり、この場合、ストロークセンサは不要である。昇降装置５０のロッド５１の先端には、基板カートＫを支持するための、ロッド５１よりも径大の保持部５２が設けられている。本実施形態の場合、昇降装置５０は、基板搬送装置７０の搬送方向に配列された３個毎に、それぞれ、受け板５３により連結されている。すなわち、受け板５３は、基板搬送装置７０の搬送方向と直交する方向に、搬送方向と平行に３個配列され、各受け板５３は、３個の昇降装置５０の保持部５２上に配置されており、各保持部５２は、受け板５３に固定されている。なお、ここで、受け板５３は、図示の都合上、点線で示している。なお、本実施形態では各保持部５２は受け板５３に固定されているが、受け板５３に固定されていなくても良い。
【００２５】
（基板カート）
図３は、基板カートＫを拡大した平面図である。
基板カートＫは、複数のトレイＴと、これらのトレイＴを連結する連結板３１を備えている。また、基板カートＫは、締結部材３２およびセラミックからなるピン３３を備えている。トレイＴは、図３では、４個図示されているが、これよりも多くてもよいし少なくてもよい。トレイＴは１個でもよく、その場合には、連結板３１は不要となる。
各トレイＴは、カーボンにより形成されており、長尺形状を有し、隣接するトレイＴと長手側の側面を密着させた状態で、長手側と直交する側の相対向する一対の側縁において、連結板３１により固定され一体化されている。
【００２６】
連結板３１は、例えば、ステンレス等の強度の大きい薄い板状を有し、各トレイＴの隣接するもの同士を、長手方向の側面を密着した状態で、４個のトレイＴを連結している。連結板３１の長さは、４個のトレイＴの幅（長手方向に直交する方向の長さ）の合計の寸法とほぼ同一である。
４個のトレイＴには、連結板３１との共締め用の貫通穴が形成されており、締結部材３２により連結板３１にトレイＴを共締めすることにより一体化されている。これにより、基板カートＫは、連結板３１がトレイＴの下面から突き出した構造（図２参照）となっている。
【００２７】
各トレイＴには、多数の基板Ｗが搭載される基板（ワーク）搭載部４１が形成されている。
ピン３３は、基板Ｗの位置決め用としての機能を有する。基板搭載部４１に搭載された基板Ｗが、例えば、点線で示すように回転しても、ピン３３により回転が規制され、位置決めがなされる。
【００２８】
図４は、成膜状態における図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図であり、図５は、成膜状態における図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
図４および図５に示されるように、成膜状態では、基板搬送装置７０の各ローラＲの上面は、基板カートＫの連結板３１の下面に接触している。すなわち、各ローラＲの上面が、基板カートＫを構成する各トレイＴの相対向する一対の側縁の下面を支承する支障面となっている。
一方、受け板５３の上面は、基板カートＫを構成する各トレイＴの下面に接触しており、各昇降装置５０のロッド５１の先端に設けられた保持部５２は、受け板５３の下面に接触して基板カートＫを支持している。すなわち、各昇降装置５０の保持部５２の上面が、基板カートＫを構成する各トレイＴの下面を支障する支障面となっている。
【００２９】
各昇降装置５０は、制御手段により、ロッド５１の先端に設けられた保持部５２に支持される各トレイＴの下面の高さ位置が、ローラＲにより支持される各トレイＴの下面の高さ位置と同一の高さ位置となるように制御される。この場合、各昇降装置５０の上昇は、図示はしないが、各昇降装置５０が備えるストロークセンサにより、上昇位置を検出しながら制御される。これにより、基板カートＫを構成する４個のトレイＴの下面は、８個のローラＲおよび９個の昇降装置５０の保持部５２によって面一となる位置で支承される。
そして、このように、昇降装置５０の保持部５２によるトレイＴの下面の支承面と、複数の搬送用ローラＲによるトレイＴの下面の支承面とが、トレイＴの下面が面一となる高さ位置に設定された状態で、制御手段の制御により、トレイＴに搭載された基板Ｗに薄膜を成膜する処理が施される。
したがって、基板カートＫを構成するトレイＴを昇降装置５０の保持部５２のみで支持する場合に比し、複数のローラＲにより各トレイＴの下面の側縁を支承される分だけトレイＴの平面度が高くなる。これにより、基板カートＫに載置された基板Ｗに薄膜を成膜した場合に、薄膜の膜厚のばらつきを小さくすることができ、基板Ｗの特性を良好にすることができる。
【００３０】
（効果の確認）
１．５ｍ×２．０ｍの基板カートＫの相対向する一対の側縁の下面を、６個のローラＲを有する搬送機構７０Ａを用い、合計１２個のローラＲにより支承した。同時に、基板カートＫの搬送方向に３列、基板カートＫの搬送方向と直交する方向に３行、合計９個の昇降装置５０をマトリクス状に配列し、基板カートＫを構成する５個のカーボン製のトレイＴの中央部の下面を、各昇降装置５０の保持部５２により受け板５３を介して支承した。
この状態（実施の形態１）で、基板カートＫの平面度を測定した。また、この状態で、基板カートＫ上に載置された基板ＷにプラズマＣＶＤによりシリコン絶縁膜（薄膜）を成膜し、成膜後に膜厚のばらつきを測定した。
比較例として、マトリクス状に配列された合計９個の昇降装置５０の保持部５２のみにより、基板カートＫを構成する５個のトレイＴを支承し、この状態における基板カートＫの平面度と、基板Ｗに成膜後の薄膜の膜厚のばらつきを測定した。
試験結果を、図６に示す。
【００３１】
図６に示される如く、本実施の形態１の場合、基板カートＫの平面度（最大高低差）は１．８１ｍｍであり、基板Ｗに成膜された薄膜の膜厚のばらつきは８．０％であった。
これに対し、比較例では、基板カートＫの平面度（最大高低差）は３．００ｍｍであり、基板Ｗ成膜された薄膜の膜厚のばらつきは１０．７％であった。
これにより、本実施の形態１における基板Ｗに成膜された薄膜の膜厚のばらつきは、ローラＲにより支持しない場合よりも小さくすることを確認することができた。
【００３２】
なお、本実施の形態１に対する上記試験は、トレイＴの下面がローラＲの上面より上方に位置するように、昇降装置５０によりトレイＴを持ち上げる方法として調整された比較例のプラズマＣＶＤ装置を用いて行った。この場合のプラズマＣＶＤ装置の電極間距離は３７ｍｍである。
しかし、本実施の形態１では、ローラＲの上面がトレイＴの下面に接触する高さ位置に、昇降装置５０の保持部５２を下げた状態で行った。このため、本実施の形態１の場合、電極間距離は４５ｍｍであった。
比較例の場合には、電極間距離がほぼ最適であることが確認されているが、本実施の形態１の場合、電極間距離が最適か否か未確認である。図６に示された試験結果は、このようなに状態のものであるが、それでも、本実施の形態１の場合には、電極間距離が最適であることが確認されている比較例の場合よりも、良好な結果が得られた。
【００３３】
以上の通り、本実施形態では、ワーク搭載用のトレイの下面を昇降装置と搬送用ローラにより支承し、支承されるトレイの下面の高さ位置を同一とすることにより、トレイの平面度を向上し、以って、トレイに載置されるワークの特性を良好にすることができる、という効果を奏する。
【００３４】
なお、上記実施の形態１では、基板カートＫを支承するローラＲの数を１２個（片側６個）、昇降装置５０の数を９個の場合で説明した。しかし、ローラＲおよび昇降装置５０の数は、基板カートＫのサイズまたは厚さにより適切な数とすればよく、特に、昇降装置５０は、１個とすることもできる。
【００３５】
上記実施の形態では基板カートＫを構成する複数個のトレイＴの下面を支承する場合で説明した。しかし、本発明は、１個のトレイＴに対しても適用することが可能である。
【００３６】
上記実施の形態では、昇降装置５０の保持部５２とトレイＴとの間に受け板５３を介装して、基板カートＫを支承する場合で説明した。しかし、受け板５３を用いず、直接、昇降装置５０の保持部５２をトレイＴの下面に当接して支承するようにしてもよい。
【００３７】
上記実施の形態では、プラズマＣＶＤ装置の場合で説明した。特に、プラズマＣＶＤ装置の中でも太陽電池基板にプラズマＣＶＤで反射防止膜を成膜する太陽電池製造用真空処理装置に適用することは非常に有用である。最近では、多数の太陽電池基板を一般住居や集合住宅の屋根や外壁等に配置して使用されることも多く、変換効率等の物理的特性と並び、外観的な特性、より具体的には太陽電池基板の色合いの均一性が要求されている。そして、太陽電池基板の色合いは表面に成膜される反射防止膜の膜厚によって変化するため、上記実施例のプラズマＣＶＤ装置を太陽電池製造用真空処理装置に適用することによって、反射防止膜の膜厚のばらつきが小さい、つまり色合いが均一な太陽電池基板を製造することが可能となる。
なお、上記実施の形態では、プラズマＣＶＤ装置の場合で説明したが、本発明は、スパッタ装置または他のＣＶＤ装置に対しても適用することが可能である。また、薄膜を成膜する場合に限らず、エッチング等、他の真空処理を行う場合に適用することができる。
【００３８】
その他、本発明のトレイの支持構造は、発明の趣旨の範囲において、種々、変形することが可能であり、要は、この発明のトレイの支持構造は、ワーク搭載用のトレイを、相対向する一対の側縁の下面において支承する複数の搬送用ローラと、ローラとは異なる位置で、トレイの下面を支承する保持部を有する少なくとも１つの昇降装置と、昇降装置の保持部によるトレイの下面の支承面と、複数の搬送用ローラによるトレイの下面の支承面とを、トレイの下面を面一にする高さ位置に設定した状態で、トレイに搭載されたワークに処理を施す制御手段と、を備えるものであればよい。
【符号の説明】
【００３９】
１０  真空予備加熱室
１１、１３、１８、７０  基板搬送装置
２０  真空処理室
５０  昇降装置
５２  保持部
５３  受け板  
１００  プラズマＣＶＤ装置
Ｋ  基板カート
Ｒ  ローラ
Ｔ  トレイ
Ｗ  基板（ワーク）
【図１】
2012219280.tif 000003
【図２】
2012219280.tif 000004
【図３】
2012219280.tif 000005
【図４】
2012219280.tif 000006
【図５】
2012219280.tif 000007
【図６】
2012219280.tif 000008