(57)【要約】【課題】十分な容量の保持容量を確保することができなくても、フィールドスルーやオフリークの影響を受けにくいようにする。【解決手段】画素回路１１０は、走査線１１２ａとデータ線１１４との各交差に対応して設けられている。反転走査線１１２ｂには、走査線１１２ａに供給された走査信号と論理反転の関係にある反転走査信号が供給される。画素回路１１０は、走査線１１２ａに供給された信号にしたがって導通状態または非導通状態に制御されるトランジスター１３０ａと、一端がトランジスター１３０ａのソース電極に接続された保持容量１３５と、保持容量１３５の一端と反転走査線１１２ｂとの間に電気的に介挿された容量素子１３１と、保持容量１３５による保持電位に応じた輝度で発光する発光素子１５０と、を有する。【選択図】図２
2012181396.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と複数のデータ線との各交差に対応して設けられた複数の画素回路と、
前記複数の走査線に供給された各信号とはそれぞれ論理反転の関係にある信号が供給される複数の反転走査線と、
を有し、
一の前記画素回路は、
前記走査線または前記反転走査線のいずれか一方に供給された信号にしたがって導通状態または非導通状態に制御される第１トランジスターと、
一端が前記第１トランジスターに電気的に接続され、当該第１トランジスターが導通状態に制御されたときに前記データ線の電位を保持する第１容量と、
前記第１容量の一端と、前記走査線または前記反転走査線のいずれか他方と、の間に電気的に介挿された第２容量と、
前記第１容量による保持電位に応じて制御される電気光学素子と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１トランジスターは、
Ｎチャネル型またはＰチャネル型のいずれかであり、
ゲート電極が前記走査線または前記反転走査線の一方に電気的に接続され、
ドレイン電極が前記データ線に電気的に接続され、
ソース電極が前記容量素子の一端に電気的に接続された
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１容量の一端と、前記走査線または前記反転走査線のいずれか一方と、の間に電気的に介挿された第３容量を有する
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２容量の容量値は、前記第１トランジスターにおけるゲート・ソース間の寄生容量値と前記第３容量の容量値との和に応じて定められている
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２容量の容量値は、前記第１トランジスターにおけるゲート・ソース間の寄生容量値に応じて定められている
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１容量による保持電位に応じた電流を前記電気光学素子に流す第２トランジスターを有する
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の電気光学装置を有する
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示サイズの小型化に際して有効な電気光学装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶素子や有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、以下「ＯＬＥＤ」という）などの電気光学素子を用いた電気光学装置が各種提案されている。いずれの電気光学装置も、画素回路にスイッチング素子と保持容量とを含み、スイッチング素子がオン（導通）状態のときに、データ線の電位を保持容量で保持するとともに、電気光学素子が当該保持電位に応じた階調表示を行うための状態となる構成で共通している。
スイッチング素子として、一般にはトランジスターが用いられるが、フィールドスルー（突き抜け、Ｎチャネル型であればプッシュダウン、Ｐチャネル型であればプッシュアップなどと呼ばれることもある）が発生して、保持容量に保持される電圧を変化させてしまう。このため、画素回路内のスイッチング素子として、相補型のトランスミッションゲートを用いる技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１９８９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで近年では、表示サイズの小型化とともに高精細化が進行して、画素回路のサイズが狭小化し、十分な容量の保持容量を確保することが困難になりつつある。上記トランスミッションゲートでは、フィールドスルーを相殺することはできるが、反面、オフリークが大きい。このため、トランスミッションゲートのオンによって保持容量がデータ線の電位に応じた電圧を保持しても、オフリークによって当該保持電圧が著しく減少して、表示品質に悪影響を及ぼしてしまう、という問題が指摘された。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、保持容量で保持される電圧がフィールドスルー及びオフリークの少なくとも一方に起因して変動するのを抑えることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置にあっては、複数の走査線と複数のデータ線との各交差に対応して設けられた複数の画素回路と、前記複数の走査線に供給された各信号とはそれぞれ論理反転の関係にある信号が供給される複数の反転走査線と、を有し、一の前記画素回路は、前記走査線または前記反転走査線のいずれか一方に供給された信号にしたがって導通状態または非導通状態に制御される第１トランジスターと、一端が前記第１トランジスターに電気的に接続され、当該第１トランジスターが導通状態に制御されたときに前記データ線の電位を保持する第１容量と、前記第１容量の一端と、前記走査線または前記反転走査線のいずれか他方と、の間に電気的に接続された第２容量と、前記第１容量による保持電位に応じて制御される電気光学素子と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、例えば走査線または反転走査線に供給された信号レベルが一方から他方に変化して、第１トランジスターが導通状態から非導通状態になったとき、信号レベルの他方から一方への逆方向の変化が第２容量を介して伝播するので、フィールドスルーは相殺される。なお、第１トランジスターを非相補型とした場合は、オフリークの影響も小さくなる。このため、フィールドスルーやオフリークに起因する保持容量の電圧変動を抑えることが可能になる。
【０００６】
本発明の好ましい態様では、前記第１トランジスターは、Ｎチャネル型またはＰチャネル型のいずれかであり、ゲート電極が前記走査線または前記反転走査線の一方に電気的に接続され、ドレイン電極が前記データ線に電気的に接続され、ソース電極が前記容量素子の一端に電気的に接続されている。
本発明の好ましい態様では、前記第１容量の一端と、前記走査線または前記反転走査線のいずれか一方との間に電気的に介挿された第３容量を有する。この態様によれば、前記第２容量の容量値を、前記第１トランジスターにおけるゲート・ソース間の寄生容量の値と前記第３容量の容量値との和に応じて定めれば良く、望ましくは同程度に調整すれば良いので、微小な容量を第２容量に持たせなくて済む。
一方、第３容量を持たない構成とするのであれば、前記第２容量の容量値を、前記第１トランジスターにおけるゲート・ソース間の寄生容量の値に応じて定めれば良く、好ましくは同程度に調整すれば良い。この構成では第３容量を持たなくて良いので、画素回路の縮小化が容易となる。
【０００７】
また、本発明の好ましい態様としては、前記第１容量による保持電位に応じた電流を前記電気光学素子に流す第２トランジスターを有する。第２トランジスターを有する場合、電気光学素子としては、有機ＥＬ素子が好適である。また、電気光学素子としては、他にも保持電圧に応じた透過率（または反射率）となる液晶素子でも良い。液晶素子は電圧駆動型であるので、電流を流すための第２トランジスターが不要になる。
なお、本発明に係る電気光学装置は、各種の電子機器に適用可能である。典型的には、表示装置であり、電子機器としてはパーソナルコンピューターや携帯電話機が挙げられる。特に本願発明は、保持容量が十分に確保できないときでも、フィールドスルーやオフリークに起因する電圧変動を抑えることができるので、例えばヘッドマウントディスプレイ用やプロジェクターのように縮小画像を形成する表示装置に好適である。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途は、表示装置に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置（光ヘッド）にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図２】電気光学装置の画素の等価回路を示す図である。
【図３】電気光学装置の表示動作を示す図である。
【図４】第２実施形態に係る電気光学装置の画素の等価回路を示す図である。
【図５】応用例・変形例に係る電気光学装置の画素の等価回路を示す図である。
【図６】電気光学装置を適用した電子機器（その１）を示す斜視図である。
【図７】電気光学装置を適用した電子機器（その２）を示す斜視図である。
【図８】電気光学装置を適用した電子機器（その３）を示す斜視図である。
【図９】比較例（その１）に係る画素の等価回路を示す図である。
【図１０】比較例（その１）の表示動作を示す図である。
【図１１】比較例（その２）に係る画素の等価回路を示す図である。
【図１２】比較例（その２）の表示動作を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置１の構成を示すブロック図である。この電気光学装置１は、複数の画素回路１１０によって画像を表示するものである。
この図に示されるように、電気光学装置１は、素子部１００、走査線駆動回路２１０およびデータ線駆動回路２２０を含んだ構成となっている。
このうち、素子部１００には、ｍ行の走査線１１２ａが図において行（Ｘ）方向に沿って設けられる一方、ｎ列のデータ線１１４が、列（Ｙ）方向に沿って、かつ、各走査線１１２ａと互いに電気的に絶縁を保つように設けられている。画素回路１１０は、ｍ行の走査線１１２ａとｎ列のデータ線１１４との各交差に対応して、それぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素回路１１０が縦ｍ行×横ｎ列でマトリクス状に配列することになる。なお、ｍ、ｎは、いずれも自然数である。
また、ｍ行の走査線１１２ａの各々に対してそれぞれ対をなすように反転走査線１１２ｂがそれぞれＸ方向に沿って、データ線１１４と互いに電気的に絶縁を保つように設けられている。
【００１０】
各画素回路１１０には、給電線１１６、１１８がそれぞれ共通接続されている。給電線１１６は、素子電源の高位側の電位Ｖelを給電し、給電線１１８は、素子電源の低位側の電位Ｖctを給電する。電位Ｖel、Ｖctは、図示省略した電源回路によって生成される。
なお、走査線１１２ａ、反転走査線１１２ｂおよび画素回路１１０の行を便宜的に区別するために、図１において上から順に１行、２行、３行、…、（ｍ−１）、ｍ行と呼ぶ場合がある。同様にデータ線１１４および画素回路１１０の列を便宜的に区別するために、図１において左から順に１列、２列、３列、…、（ｎ−１）、ｎ列と呼ぶ場合がある。
【００１１】
電気光学装置１では、マトリクス状に画素回路１１０が配列する領域の周辺に走査線駆動回路２１０、データ線駆動回路２２０、インバーター１１３が配置している。走査線駆動回路２１０およびデータ線駆動回路２２０は、図示省略したコントローラーによって動作が制御される。また、データ線駆動回路２２０には、各画素回路１１０の階調（輝度）を指定する階調データが上記コントローラーから供給される。
走査線駆動回路２１０は、各フレームにわたって１〜ｍ行目を順次排他的に選択するものである。詳細には、走査線駆動回路２１０は、１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の走査線１１２ａにそれぞれ走査信号Ｇwr(1)、Ｇwr(2)、Ｇwr(3)、…、Ｇwr(m-1)、Ｇwr(m)を供給するものであり、各走査信号を順次排他的にＨレベルとする。なお、本説明において、フレームとは、１カット（コマ）分の画像を電気光学装置１に表示させるのに要する期間をいい、垂直走査周波数が６０Ｈｚであれば、その１周期分の１６．６７ミリ秒の期間をいう。
【００１２】
インバーター１１３は、各行の走査線１１２ａにそれぞれ設けられる。ある行のインバーター１１３は、対応する行の走査線１１２ａに供給された走査信号を論理反転して、反転走査信号として反転走査線１１２ｂに供給する。すなわち、走査信号がハイレベルの電位のときには反転走査信号はそれよりも電位が低いローレベルの電位になり、走査信号がローレベルのときには、反転走査信号はそれよりも電位が高いハイレベルの電位となる。便宜的に、１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の反転走査線１１２ｂにそれぞれ供給される反転走査信号を、／Ｇwr(1)、／Ｇwr(2)、／Ｇwr(3)、…、／Ｇwr(m-1)、／Ｇwr(m)と表記している。
【００１３】
データ線駆動回路２２０は、走査線駆動回路２１０によって選択された行に位置する画素回路１１０に対し、当該画素回路１１０に指定された階調データに応じた電位のデータ信号を、データ線１１４を介して供給するものである。便宜的に、１、２、３、…、（ｎ−１）、ｎ列目のデータ線１１４にそれぞれ供給されるデータ信号を、Ｖd(1)、Ｖd(2)、Ｖd(3)、…、Ｖd(n-1)、Ｖd(n)と表記している。
【００１４】
次に、図２を参照して、画素回路１１０の等価回路について説明する。なお、図２には、ｉ行目及び当該ｉ行目に対し下側で隣り合う（ｉ＋１）行目の走査線１１２ａと、ｊ列目及び当該ｊ列目に対し右側で隣り合う（ｊ＋１）列目のデータ線１１４との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。ここで、ｉ、（ｉ＋１）は、画素回路１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上ｍ以下の整数である。同様に、ｊ、（ｊ＋１）は、画素回路１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上ｎ以下の整数である。
【００１５】
図２に示されるように、各画素回路１１０は、Ｎチャネル型のトランジスター１３０ａ、１４０と、容量素子１３１と、保持容量１３５と、発光素子１５０とを有する。各画素回路１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明する。ｉ行ｊ列の画素回路１１０において、トランジスター（第１トランジスター）１３０ａのゲート電極はｉ行目の走査線１１２ａに接続される一方、そのドレイン電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのソース電極は容量素子１３１の一端と、保持容量１３５の一端と、トランジスター１４０のゲート電極とにそれぞれ接続されている。
便宜的に、ｉ行ｊ列の画素回路１１０において、トランジスター１３０ａのソース電極、トランジスター１４０のゲート電極、容量素子１３１の一端および保持容量の一端の接続点をノードＮ(i,j)と呼ぶことにする。
容量素子（第１容量素子）１３１の他端はｉ行目の反転走査線１１２ｂに接続されている。このため、容量素子１３１は、ノードＮ（i,j)と反転走査線１１２ｂとの間に電気的に介挿された構成となっている。
また、保持容量１３５の他端はトランジスター１４０のソース電極および発光素子１５０の陽極にそれぞれ接続されている。トランジスター（第２トランジスター）１４０のドレイン電極は給電線１１６に接続されている。
一方、発光素子１５０の陰極は給電線１１８に接続されている。発光素子１５０は、互いに対向する陽極と陰極とで有機ＥＬ材料からなる発光層を挟持したＯＬＥＤであり、陽極と陰極との間を流れる電流に応じた輝度にて発光する。
【００１６】
図２において、Ｇwr(i)、Ｇwr(i+1)は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２ａに供給される走査信号を示し、／Ｇwr(i)、／Ｇwr(i+1)は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の反転走査線１１２ｂに供給される反転走査信号を示している。Ｖd(j)、Ｖd(j+1)は、それぞれｊ、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号を示している。また、容量素子１３１の容量をＣ1と表記し、トランジスター１３０ａのゲート・ドレイン間の寄生容量をＣgと表記している。
【００１７】
素子部１００におけるトランジスター１３０ａ、１４０は、典型的には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスター）であり、ガラス等の基板表面に共通のシリコンプロセスによって形成される。このため、走査線１１２ａ（反転走査線１１２ｂ）、データ線１１４などの各種配線についても、シリコンプロセスを用いて形成される。例えば走査線１１２ａおよび反転走査線１１２ｂは、ＴＦＴのゲート電極となる導電層をパターニングして形成される。
また例えば容量素子１３１は、異なる導電層をパターニングした電極同士で絶縁膜を挟持して形成される。この電極のうち、一方については、トランジスター１４０のゲート電極を用いても良い。容量素子１３１の容量Ｃ1は、トランジスター１３０ａにおける寄生容量Ｃgと同程度となるように形成されている。
なお、素子部１００のみならず、走査線駆動回路２１０や、データ線駆動回路２２０、インバーター１１３についても、共通のシリコンプロセスによって形成しても良い。
このようなプロセスによって各種回路が形成されたとき、ある電極から別の電極へは、コンタクトホールを介して接続されたり、配線経路の途中に抵抗その他の素子を介して接続されたりする場合がある。この場合、物理的にみれば直接的な接続ではないが、電気的にみれば接続状態であるといえる。
【００１８】
また、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）の技術を適用し、サファイヤや、石英、ガラスなどの絶縁性基板にシリコン単結晶膜を形成して、ここに各種素子を作り込んだ構成としても良いし、シリコン基板に各種の素子を形成しても良い。シリコン基板を用いると、スイッチング素子として、高速な電界効果型トランジスターを用いることができるので、ＴＦＴよりも高速動作が容易になる。
【００１９】
次に、電気光学装置１の表示動作について図３を参照して説明する。図３は、走査信号およびデータ信号の波形の一例を示す図である。
この図に示されるように、走査信号Ｇwr(1)、Ｇwr(2)、Ｇwr(3)、…、Ｇwr(m-1)、Ｇwr(m)は、走査線駆動回路２１０によって１フレームにわたって水平走査期間（Ｈ）毎に順次排他的にＨレベルとなる。これらの走査信号は、インバーター１１３によってそれぞれ論理反転されて反転走査信号となる。このため、同図に示されるように、反転走査信号／Ｇwr(1)、／Ｇwr(2)、／Ｇwr(3)、…、／Ｇwr(m-1)、／Ｇwr(m)は、水平走査期間（Ｈ）毎に順次排他的にＬレベルとなる。
ここで、ｉ行目の走査線１１２ａが選択されて走査信号Ｇwr(i)がＨレベルになったとき、ｊ列目のデータ線１１４には、ｉ行ｊ列の画素回路１１０の階調データに応じた電位のデータ信号Ｖd(j)がデータ線駆動回路２２０によって供給される。
【００２０】
走査信号Ｇwr(i)がＨレベルになると、ｉ行ｊ列の画素回路１１０においてトランジスター１３０ａがオンするので、ノードＮ(i,j)がデータ線１１４に電気的に接続された状態になる。このため、ノードＮ(i,j)の電位は、図３において上矢印で示されるように、データ信号Ｖd(j)の電位になる。このとき、トランジスター１４０は、ノードＮ(i,j)の電位に応じた電流を発光素子１５０に流すとともに、保持容量１３５が、このときのトランジスター１４０におけるゲート・ソース間の電圧を保持する。
ｉ行目の走査線１１２ａの選択が終了して走査信号Ｇwr(i)がＬレベルになったとき、トランジスター１３０ａがオフする。このとき、ノードＮ(i,j)では、走査信号Ｇwr(i)がＨレベルからＬレベルになったときの変化が寄生容量Ｃgを介して伝播することによってフィールドスルーが発生し、それまで保持していたデータ信号Ｖd(j)の電位を低下する方向に作用させる。しかしながら、ノードＮ(i,j)では、反転走査信号／Ｇwr(i)がＬレベルからＨレベルになったときの逆方向の変化が容量素子１３１を介して伝播するので、トランジスター１３０ａによるフィールドスルーが相殺される。
このため、ノードＮ(i,j)の電位は、走査信号Ｇwr(i)がＨレベルからＬレベルに変化しても、結果的に、ほとんど変動しない。
【００２１】
トランジスター１３０ａがオンからオフに切り替わっても、当該オンしていたときのトランジスター１４０のゲート・ソース間の電圧が保持容量１３５によって保持されている。このため、トランジスター１３０ａがオフしても、トランジスター１４０は、保持容量１３５による保持電圧に応じた電流を、次回ｉ行目の走査線１１２ａが再び選択されるまで、発光素子１５０に流し続ける。このため、ｉ行ｊ列の画素回路１１０における発光素子１５０は、ｉ行目が選択されたときのデータ信号Ｖd（j)の電位に応じた輝度で、すなわちｉ行ｊ列の階調データに応じた輝度で、１フレームに相当する期間にわたって発光することになる。
実際には、ノードＮ(i,j)の電位は、同図に示されるように、トランジスター１３０ａのオフリークによって時間経過とともに減少することになるが、オフリークの影響は、本実施形態では無視できる。
【００２２】
なお、ｉ行目においては、ｊ列以外の画素回路１１０でも、対応するデータ線１１４に供給されたデータ信号の電位に応じた輝度で発光する。ここではｉ行目の走査線１１２ａに対応する画素回路１１０で説明しているが、走査線１１２ａは、１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目という順番で選択される結果、画素回路１１０の各々は、それぞれ階調データに応じた輝度で発光することになる。このような動作は、各フレームで繰り返される。また、図３においては、走査信号（反転走査信号）の電位スケールよりも、データ信号、ノードＮ(i,j)の電位スケールを便宜的に拡大している（図１０、図１２においても同様である）。
【００２３】
ここで、本実施形態の優位性について、２つの比較例を挙げて説明する。図９は、比較例（その１）に係る画素回路の等価回路を示す図であり、図１０は、同比較例の表示動作を示す図である。
図９に示されるように、比較例（その１）では、容量素子１３１を有しない構成である。このため、図１０に示されるように、ノードＮ(i,j)では、走査信号Ｇwr(i)のＬレベルへの変化が寄生容量Ｃgを介して伝播するので、フィールドスルーが発生する。したがって、比較例（その１）では、発光素子１５０が選択時におけるデータ信号Ｖd(j)の電位に応じた輝度で発光することができないのである。
【００２４】
図１１は、比較例（その２）に係る画素回路の等価回路を示す図であり、図１２は、同比較例の表示動作を示す図である。
図１１に示されるように、比較例（その２）では、容量素子１３１を有しないが、スイッチング素子として、Ｎチャネル型のトランジスター１３０ａとＰチャネル型のトランジスター１３０ｂとを相補的に組合わせたトランスミッションゲートが用いられた構成である。
図１２に示されるように、この比較例（その２）では、走査信号Ｇwr(i)がＨレベルからＬレベルになって、反転走査信号／Ｇwr(i)がＬレベルからＨレベルになったときに、トランジスター１３０ａによるプッシュダウンとトランジスター１３０ｂによるプッシュアップとが互いに相殺し合う。このため、ノードＮ(i,j)の電位は、トランジスター１３０ａ、１３０ｂがオフした瞬間についてみたとき、ほとんど変動しない。
しかしながら、Ｐチャネル型のトランジスター１３０ｂにおけるオフリークは、一般に、Ｎチャネル型のトランジスター１３０ａにおけるオフリークよりも大きく、しかも、２つのトランジスター１３０ａ、１３０ｂを並列接続した状態にある。このため、比較例（その２）では、トランスミッションゲートがオフしている期間において、ノードＮ(i,j)の電位は、本実施形態と比較して著しく低下してしまう。したがって、比較例（その２）では、発光素子１５０が選択時におけるデータ信号Ｖd(j)の電位に応じた輝度で安定して発光し続けることができないのである。
【００２５】
比較例（その１）および比較例（その２）に対して、本実施形態によれば、トランジスター１３０ａがオフした瞬間においてフィールドスルーを相殺することができるとともに、オフリークも小さいことから、発光素子１５０が選択時におけるデータ信号Ｖd(j)の電位に応じた輝度で安定して発光し続けることが可能となるのである。
【００２６】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図４は、第２実施形態に係る電気光学装置の画素回路における等価回路を示す図である。
図４に示した画素回路では、図２に示した第１実施形態と比較して、容量素子（第２容量素子）１３２が、ノードＮ(i,j)と走査線１１２ａとの間に電気的に介挿された構成となっている。第２実施形態において、容量素子１３２の容量をＣ2と表記したとき、容量素子１３１の容量Ｃ1は、容量素子１３２の容量Ｃ2とトランジスター１３０ａの寄生容量Ｃgとの和となるように調整される。
【００２７】
容量Ｃgは、トランジスター１３０ａの寄生容量であるから、実際には微小である。このため、第１実施形態のように、微小の容量Ｃgと同程度となるような容量素子１３１を精度良く形成するのは困難となる場合も考えられる。
第２実施形態では、容量Ｃgが微小であっても、容量Ｃ1については、容量Ｃ2よりも若干大きくなるように形成すれば、容量Ｃ1が、容量Ｃ2と寄生容量Ｃgとの和とほぼ等しくすることができる。
換言すれば、
Ｃg＜＜Ｃ1、Ｃ2  となるような場合でも、
Ｃ1≒Ｃ2（Ｃ2＜Ｃ1）
となるように容量素子１３１、１３２を形成すれば、
Ｃ1＝Ｃ2＋Ｃg  とすることができる。
例えば、
Ｃgに対して、容量素子１３１、１３２を大きな容量で形成する場合でも、
Ｃ1＝１０・Ｃg、Ｃ2＝９・Ｃg
とすれば、
Ｃ1＝Ｃ2＋Ｃg  とすることができる。
この第２実施形態によれば、寄生容量ど同程度の微小容量を単独で形成することができない場合であっても、フィールドスルーを相殺することが容易になる。
【００２８】
ただし、第２実施形態においては、容量素子１３１のみならず容量素子１３２も形成する必要があるので、第１実施形態と比較して、画素回路１１０の規模の縮小化という面でやや不利になる。換言すれば、第１実施形態では、画素回路１１０の規模の縮小化という面で、第２実施形態と比較してやや有利である、といえる。
【００２９】
＜応用例・変形例＞
本発明は、上述した実施形態に限られず、次のような応用・変形が可能である。
例えば、第１実施形態や第２実施形態では、スイッチング素子としてＮチャネル型のトランジスター１３０ａを用いたが、図５に示されるように、Ｐチャネル型のトランジスター１３０ｂを用いても良い。
このとき、Ｐチャネル型のトランジスター１３０ｂのゲート電極は、反転走査線１１２ｂに接続されるので、容量素子１３１は、ノードＮ(i,j)と走査線１１２ａとの間に電気的に介挿された構成となる。
なお、スイッチング素子として、Ｐチャネル型のトランジスター１３０ｂを用いると、Ｎチャネル型のトランジスター１３０ａと比較してオフリークが大きくなるが、並列接続のトランスミッションゲートと比較すれば、オフリークは小さい。
また、特に図示しないが、スイッチング素子としてＰチャネル型のトランジスター１３０ｂを用いた構成において、容量素子１３２を、ノードＮ(i,j)と反転走査線１１２ｂとの間に電気的に介挿して、第２実施形態のように、容量Ｃ1を容量Ｃ2と寄生容量Ｃgとの和とほぼ等しくなるようにしても良い。
【００３０】
電気光学素子としては、発光素子に限られず、電極同士で液晶層を挟持した液晶素子でも良い。液晶素子を用いる場合、画素回路１１０では、ノードＮ(i,j)に接続された画素電極とコモン電極とで液晶層を挟持した構成となる。このため、トランジスター１４０や素子電源の給電線１１６、１１８が不要となる。また、液晶素子は、ノードＮ(i,j)の電位に応じた透過率または反射率となる。なお、この構成では、液晶素子それ自体が保持容量となるか、または、この液晶素子と別途付加した補助容量との並列接続が保持容量となる。
【００３１】
＜電子機器＞
次に、本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器のいくつかについて説明する。
図６は、上述した実施形態に係る電気光学装置１を表示装置として採用したパーソナルコンピューターの外観を示す図である。パーソナルコンピューター２０００は、表示装置としての電気光学装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
電気光学装置１において、発光素子１５０にＯＬＥＤを使用した場合、視野角が広く見易い画面表示が可能になる。
【００３２】
図７は、実施形態に係る電気光学装置１を表示装置として採用した携帯電話機の外観を示す図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１や方向キー３００２などのほか、受話口３００３、送話口３００４とともに上述した電気光学装置１を備える。方向キー３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールされる。
【００３３】
図８は、実施形態に係る電気光学装置１を表示装置として採用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の外観を示す図である。携帯情報端末４０００は、複数の操作ボタン４００１や方向キー４００２などのほか、上述した電気光学装置１を備える。携帯情報端末４０００では、所定の操作によって住所録やスケジュール帳などの各種の情報が電気光学装置１に表示されるとともに、表示された情報が方向キー４００２の操作に応じてスクロールされる。
【００３４】
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図６から図８までに示した例のほか、デジタルスチルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【符号の説明】
【００３５】
１…電気光学装置、１００…素子部、１１０…画素回路、１１２ａ…走査線、１１２ｂ…反転走査線、１１３…インバーター、１１４…データ線駆動回路、１１６、１１８…給電線、１３０ａ…トランジスター（第１トランジスター）、１３１…容量素子（第１容量素子）、１３２…容量素子（第２容量素子）、１４０…トランジスター（駆動トランジスター）、１５０…発光素子、２０００…パーソナルコンピューター、３０００…携帯電話機、４０００…携帯情報端末。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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