(57)【要約】【課題】複数の電子放出素子５が設けられた電子源基板２と、アノード電極８及び蛍光体９を有する蛍光体基板３とが対向配置された密閉容器１を有する画像表示装置の製造において、電子放出素子５の電子の放出で残留ガスをイオン化し、イオンコレクター電極でイオン電流を測定して密閉容器１内の圧力を検査するに際し、イオンコレクター電極で捕捉できるイオン量を増大させ、精度の高い真空度の測定ができるようにする。【解決手段】密閉容器１の内部空間を通る磁場を形成した状態で、一の走査線６ａに接続された電子放出素子５を駆動して電子を放出させ、この電子放出素子５に隣接する他の走査線６ｂをイオンコレクター電極としてイオンを捕捉する。【選択図】  図２
2012084456.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子放出素子が設けられた電子源基板と、アノード電極及び蛍光体を有する蛍光体基板とが、減圧された内部空間を挟んで対向配置された密閉容器を有する画像表示装置の製造方法において、
前記密閉容器の形成後、前記内部空間を通る磁場を形成した状態で前記電子放出素子から電子を放出させ、前記内部空間内に発生したイオンを、前記電子源基板側に位置するイオンコレクター電極で捕捉してイオン電流を測定することで前記内部空間の圧力を検出し検査する工程を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記磁場が、前記電子源基板と蛍光体基板の対向方向に直交する方向の成分を有する磁場であることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記内部空間の圧力検出時に電子を放出させる電子放出素子が、前記蛍光体を発光させて画像を形成するための画像形成用の電子放出素子の一部であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記電子源基板に、複数本の情報配線と、前記情報配線上の前記情報配線との交差方向に延びる複数本の走査配線とが設けられており、前記画像形成用の電子放出素子がそれぞれ一の情報配線と一の走査配線とに接続されていると共に、前記内部空間の圧力検出時に電子を放出させる一部の画像形成用の電子放出素子が一部の走査配線に接続されており、該一部の走査配線とは異なる走査配線をイオンコレクター電極として用いることを特徴とする請求項３に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記イオンコレクター電極として用いる走査配線が、前記一部の画像形成用の電子放出素子に隣接する走査配線であることを特徴とする請求項４に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記磁場が、前記イオンコレクター電極として用いる前記走査配線の長さ方向の成分を有する磁場であることを特徴とする請求項４又は５に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記内部空間の圧力検出時に電子を放出させる電子放出素子が、前記蛍光体を発光させて画像を形成するための画像形成用の電子放出素子とは別に前記電子源基板に設けられた測定用の電子放出素子であり、前記アノード電極とは別に測定用のアノード電極を前記蛍光体基板に設けておくことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項８】
ｄを前記内部空間の最小間隔、Ｂを前記磁場の形成のために印加する磁束密度、ｍを前記内部空間内のガス分子の質量、ｅを発生する前記イオンの電荷、Ｅを前記電子源基板と蛍光体基板との間の電場の強さとすると、前記磁束密度が下記式を満たすことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の画像表示装置の製造方法。
ｄ＞ｍＥ／ｅＢ2
【請求項９】
前記内部空間の圧力の検出を、前記イオン電流（Ｉｉ）と共にアノード電流（Ｉａ）を測定し、両者の比（Ｉｉ／Ｉａ）から行うことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１０】
検出した圧力が所定の規格値より大きくなった時に、プロセス条件を変更して、製造される前記密閉容器の内部空間の圧力を下げることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の電子放出素子が設けられた電子源基板と、アノード電極及び蛍光体を有する蛍光体基板とが、減圧された内部空間を挟んで対向配置された密閉容器を有する画像表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界放出型の電子放出素子、アノード電極、蛍光体等を減圧された内部空間に収納した密閉容器を備えた画像表示装置（ＦＥＤ）においては、密閉容器内を高真空にすることが寿命および信頼性の維持に必要である。したがって、密閉容器内の真空度の測定が製造工程管理および製品の品質管理において求められている。
【０００３】
従来、密閉容器内の真空度を測定する方法として、特許文献１に示されるような方法が知られている。この特許文献１では、例えば測定電界放出型の電子放出素子とアノード電極とを有する密閉容器において、アノード電極が設けられた蛍光体基板側にイオンコレクター電極を設けている。そして、電子放出素子から放出された電子によって内部の気体分子がイオン化されることで生じた正のイオンをイオンコレクター電極で捕捉し、イオンコレクター電極に流れる電流を検出することで、密閉容器内の真空度の測定ができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−６９３４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１の方法では、イオンコレクター電極で捕捉できるイオンが極めて少なく、精度の高い真空度の測定ができない問題がある。その第１の理由としては、電子放出素子から電子をアノード電極で加速して取り出すだけでは、発生するイオン量が少ないことが挙げられる。第２の理由としては、イオンコレクター電極を蛍光体基板側に設けたのでは、アノード電極に印加された正電位よって、捕捉すべき正のイオンが遠ざけられ、イオンコレクター電極に負の電位を印加しても捕捉しにくいことが挙げられる。このようなことから、特許文献１の方法では、これを画像表示装置の製造における工程管理および品質管理に用いても、これらの精度を十分に向上させることができない問題がある。
【０００６】
本発明は、イオンコレクター電極で捕捉できるイオン量を増大させ、精度の高い真空度の測定ができるようにし、もって密閉容器内の真空度の測定精度を高め、画像表示装置の製造における精度の高い工程管理および品質管理を行えるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的のために、本発明は、複数の電子放出素子が設けられた電子源基板と、アノード電極及び蛍光体を有する蛍光体基板とが、減圧された内部空間を挟んで対向配置された密閉容器を有する画像表示装置の製造方法において、
前記密閉容器の形成後、前記内部空間を通る磁場を形成した状態で前記電子放出素子から電子を放出させ、前記内部空間内に発生したイオンを、前記電子源基板側に位置するイオンコレクター電極で捕捉してイオン電流を測定することで前記内部空間の圧力を検出し検査する工程を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法を提供するものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、磁場を形成することによって電子の飛距離を長くし、発生するイオン量を増やすことができる。同時に、イオンコレクター電極が電子源基板側に位置しているので、アノード電極に印加される正電位によって電子源基板側へ移動される正のイオンをこのイオンコレクター電極で効率良く捕捉することができる。これらのことから、本発明によれば、イオンコレクター電極で捕捉できるイオン量が増大し、精度の高い真空度の測定を行うことができる。このため、画像表示装置の製造において、密閉容器内の真空度の測定に基づいて行う工程管理および品質管理の精度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】画像表示装置が備える密閉容器部分の一部を切り欠いた模式的斜視図である。
【図２】密閉容器の内部空間の圧力検出方法の説明図で、（ａ）は圧力検出時の密閉容器の模式的断面図、（ｂ）は圧力検出時の密閉容器の模式的平面図である。
【図３】磁場を形成した場合と磁場を形成しない場合とにおける、密閉容器内の圧力と、Ｉｉ／Ｉａとの関係を示すグラフである。
【図４】密閉容器の製造フローを示す図である。
【図５】（ａ）は密閉容器の構成部材の放出ガスレートと脱ガス温度との関係を示すグラフ、（ｂ）は密閉容器の構成部材の放出ガスレートと脱ガス時間との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明は、複数の電子放出素子が設けられた電子源基板と、アノード電極及び蛍光体を有する蛍光体基板とが、減圧された内部空間を挟んで対向配置された密閉容器を有する画像表示装置の製造に用いられる。特に、電界放出型電子放出素子を用いた画像表示装置は、密閉容器内の真空度が画像表示機能の品質に大きく影響することから、本発明を好ましく適用擦ることができる。以下、図面に基づいて本発明を更に説明する。なお、以下に説明する図面において、同じ符号は同様の構成要素を示す。
【００１１】
次に、内部空間の圧力を測定する対象である密閉容器について図１に基づいて説明する。図１に示されるように、画像表示装置が備える密閉容器１は、電子源基板（リアプレート）２と蛍光体基板（フェースプレート）３とが、両者の周囲に支持枠４を挟み込むことで形成された内部空間を挟んで対向配置された構造となっている。内部空間は減圧されており、電子源基板２及び蛍光体基板３と支持枠４との間はそれぞれ密封されている。
【００１２】
絶縁性の電子源基板２には、電子を放出するための複数の電子放出素子５が設けられている。電子放出素子５の型式は特に制限はなく、例えばスピント型、表面伝導型、ＭＩＭ型、ＣＮＴ型等、種々のものが適用できる。但し、前記のように、電界放出型電子放出素子である場合に本発明は適しており、特に密閉容器１内の真空度の影響を受けやすいスピント型、表面伝導型に効果が大きい。
【００１３】
電子源基板１には、電子放出素子５を駆動するためのマトリクス配線である走査配線（上配線）６と情報配線（下配線）７がそれぞれ複数本設けられている。走査配線６は上側に位置し、情報配線７は下側に位置している。走査配線６は、情報配線上に、情報配線７との間に層間絶縁層（図１では省略してある）を挟んで、情報配線７との交差方向に延びるものとなっている。電子源基板１に設けられている電子放出素子４、走査配線６、情報配線７は、図面上一部を省略してある。また、蛍光体基板３は、透明なガラス基板で構成されており、アノード電極（メタルバック）８と蛍光体９が設けられている。電子源基板２と蛍光体基板３の間には、耐大気圧性を高めるために細板状又は柱状等のスペーサー（図示されていない）を挟み込ませることもできる。
【００１４】
電子放出素子５は、それぞれ一の走査配線６と一の情報配線７に接続されており、走査配線６と情報配線７を介して電圧が供給されることによって電子を放出する。電子はアノード電極８に正のアノード電圧が印加された蛍光体基板３方向に電場により加速され、アノード電極８を通過して蛍光体９到達し、蛍光体９が電子励起によって発光することにより画像が表示される。
【００１５】
密閉容器１の内部空間の減圧雰囲気は、密閉容器１を構成する電子源基板２、蛍光体基板３、支持枠４及び他の部材を組み立てた後、内部空間に接続された排気管から内部のガスを排気することで形成することができる。また、真空封着炉中で密閉容器１の組立と封着を行うことでも形成することができる。
【００１６】
密閉容器１内の圧力が高い場合は放電を生じるため、電子放出素子５の破損等を生じる恐れがある。また、水、酸素等の圧力が電子放出素子５の寿命や安定性に影響を与えることが知られている。製造される画像表示装置の寿命及び信頼性を確保するためには、密閉容器１内部の圧力を下げる必要があることが知られている。例えば、放電を発生させないためには、パッシェン（Ｐａｓｃｈｅｎ）の法則から１０-2Ｐａ以下の圧力であれば良く、更に寿命及び信頼性を向上させるには１０-4Ｐａ以下の圧力であることが望ましい。
【００１７】
しかし、密閉容器１内の圧力を必要以上に低減することは、排気手段の強化や、部材の脱ガスを強化する必要性が出てくるため、生産性、コストの観点からは好ましくない。そこで密閉容器１内部の圧力を規格値ＰQA以下に納めることが有利となる。
【００１８】
上記密閉容器１の内部空間の圧力の測定を説明する。本発明における圧力の測定は、図１で説明した密閉容器１の形成後、電子放出素子５を駆動するためのドライバ回路等を取り付ける前に行うことが好ましい。ドライバ回路等の取り付け前であれば、図１及び２（ｂ）に示されるように、密閉容器１外へ引き出された走査配線６及び情報配線７の端部が露出しており、任意の電子放出素子５を駆動して電子を放出させることを容易に行うことができる。
【００１９】
まず、密閉容器１の内部空間を通る磁場を形成する。図２において、１０は磁場印加手段で、永久磁石又は電磁石が用いられるが、特に強磁場を容易に得ることができる希土類磁石が好ましい。磁場印加手段１０で内部空間に形成する磁場は、垂直成分を含んでいてもよいが、放出される電子の飛距離を伸ばすことができるよう、電子源基板２と蛍光体基板３の対向方向に直交する方向の成分ができるだけ強いことが好ましい。図２においては、蛍光体基板３側に磁場印加手段１０を当てて密閉容器１内に磁場を形成しているが、電子源基板２側に磁場印加手段１０を当てて磁場を形成してもよい。
【００２０】
密閉容器１の内部空間を通る磁場を形成した状態で、一部の電子放出素子５を駆動して電子を放出させる。この一部の電子放出素子５からの電子の放出は、例えば図２（ｂ）に示されるように、走査配線６の露出部分に走査配線プローバ１１を当て、情報配線７の露出部分に情報配線プローバ１２を当て、一部の電子放出素子５に駆動電源１３から選択的に駆動電圧を印加することで行うことができる。図２に示す例では、走査配線プローバ１１で一の走査配線６を選択し、情報配線プローバ１２で全情報配線７に駆動電圧を印加して、選択した一の走査配線６に接続されている各電子放出素子５から電子を放出させるものとなっている。説明の便宜上、以下の説明では、走査配線プローバ１１で選択された走査配線６を「走査配線６ａ」とする。放出された電子は、アノード電極８に印加されたアノード電圧により、蛍光体基板３方向に加速されると同時に、磁場によるローレンツ力に偏向されつつアノード電極８へ入射し、アノード電流Ｉａとして検出される。アノード電圧は数十Ｖ以上であって、残留ガスの電子衝撃イオン化断面積が大きくなる１００Ｖ以上であることが好ましい。
【００２１】
電子が密閉容器１内の残留ガスに衝突するとイオンが発生する。発生したイオンの内、正のイオンは、アノード電極８に印加されたアノード電圧による電場により電子源基板側へ加速される。しかもイオンは質量が電子より重いため、ローレンツ力による偏向は小さく、正のイオンは電子とは異なる経路を経て電子源基板２方向へ移動する。
【００２２】
密閉容器１内の残留ガスのイオン化により生じたイオン電流Ｉｉは、下記式（１）で示されるように、アノード電流Ｉａ、密閉容器１の内部空間の圧力（残留ガスの圧力）Ｐ及び電子が残留ガスをイオン化する効率ηにより決定される。なお、下記式（１）におけるｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である。
Ｉｉ＝（ηＰ／ｋＴ）・Ｉａ    ・・・（１）
【００２３】
また、イオン化効率ηは、下記式（２）で示されるように、電子衝撃イオン化断面積σを電子の飛行経路に沿って飛距離Ｌだけ積分した値により表される。
【００２４】
【数１】
2012084456.tif 000003
【００２５】
イオンの発生量は電子の個数および残留ガスの圧力Ｐに対して比例関係にあることから、上述のようにイオン電流Ｉｉを測定することで密閉容器１の内部空間の圧力Ｐを測定できる。
【００２６】
磁場印加手段１０により密閉容器１の内部空間に印加される磁束密度Ｂは、例えば数百ガウス程度以上であることが好ましい。特に下記式（３）に示されるように、電子源基板２と蛍光体基板３間の電場の強さＥと磁束密度Ｂにより決まる電子のドリフト半径Ｒが電子源基板２と蛍光体基板３との間の内部空間の最小間隔ｄより小さいことが好ましい。この条件を満たす時は、下記式（４）に示されるように、電子の飛距離Ｌはドリフト半径Ｒに比例する。従って、電子の飛距離Ｌがドリフト運動により増加するため、イオン化効率ηの増大が特に顕著になる。その結果、磁場を印加しない場合に比べてイオン電流Ｉｉが増加し、圧力測定の精度が飛躍的に向上する。なお、式（３）におけるｍは内部空間内の残留ガス分子の質量、ｅは発生するイオンの電荷である。
ｄ＞ｍＥ／ｅＢ2≒Ｒ    ・・・（３）
Ｌ∝４Ｒ    ・・・（４）
【００２７】
上記のように、磁場印加手段１０によって印加する磁場の磁束密度Ｂが、電子がドリフト運動を生じる値よりも大きいことが好ましい。しかし、磁束密度Ｂがこの値よりも小さくとも、磁場を印加しない場合よりも電子の飛距離Ｌは長くなるため、磁場を印加して行う本発明における圧力測定は精度が向上する。
【００２８】
電子の放出によって残留ガスがイオン化されることで生じるイオンは、イオンコレクター電極で捕捉する。図２に示される例では、走査配線プローバ１１で選択した走査配線６ａとは別の走査配線６の露出部分にイオン電流プローバ１４でイオン電流計測手段１５を接続することで、走査配線６をイオンコレクター電極として用いるものとなっている。説明の便宜上、以下の説明ではイオンコレクター電極として用いる走査配線６を「走査配線６ｂ」とする。残留ガスより生じたイオンが、イオン電流計測手段１５が接続された走査配線６ｂであるイオンコレクター電極に入射することにより、残留ガスより生じたイオンをイオン電流計測手段１５でイオン電流Ｉｉとして検出できる。
【００２９】
イオンコレクター電極として用いる走査配線６ｂは、密閉容器１の内部空間の圧力検出時に電子を放出させる電子放出素子５（図２の例では走査配線６ａに接続された電子放出素子５）に隣接していることが好ましい。加えて、イオンコレクター電極として用いる走査配線６ｂは、密閉容器１の内部空間の圧力検出時に電子を放出させる電子放出素子５が接続された走査配線６ａとは異なる走査配線６であることが好ましい。これらを満たすと、イオンコレクター電極でイオンを捕捉しやすくなり、しかも電子放出素子５の駆動のために印加される駆動電圧の影響を受けずにイオン電流計測手段１５でイオン電流Ｉｉを測定することができ、圧力の測定精度が向上する。
【００３０】
密閉容器１の内部空間の圧力は、イオン電流Ｉｉのみを測定することでも検知できるが、イオン電流Ｉｉとアノード電流Ｉａの比Ｉｉ／Ｉａの圧力依存性を利用することで、さらに精度良く圧力を測定できる。つまり、Ｉｉ／Ｉａの値から圧力を検知することで、より測定精度を挙げることができる。また、予め圧力の判っている密閉容器１に対して上記のイオン電流Ｉｉを測定し、上記の圧力測定の校正を行うことで、圧力の絶対値を求めることができる。なお、図２（ａ）において１６は走査配線６と情報配線７間を電気的に絶縁するための層間絶縁層、１７はアノード電極８へアノード電圧を印加するためのアノード電源である。
【００３１】
図３に、磁場を形成した場合と磁場を形成しない場合とにおいて、密閉容器１内の圧力と、測定したイオン電流Ｉｉとアノード電流Ｉａから求めたＩｉ／Ｉａとの関係を示す。図３から、磁場を形成した方が高感度な測定ができることが明らかである。なお、図３において、「●」のプロットが磁場がある場合を示し、「▲」のプロットが磁場がない場合を示す。
【００３２】
図２の例では、一の走査配線６ａに接続された電子放出素子５を、残留ガスのイオン化のために駆動しているが、走査配線プローバ１１で選択する走査配線６ａを複数とし、複数列の電子放出素子５を駆動してイオンを発生させることもできる。また、情報配線プローバ１２で全情報配線７に駆動電圧を印加しているが、一部の情報配線７のみに駆動電圧を印加するようにしてもよい。
【００３３】
図２の例では、蛍光体９を発光させて画像を形成するための画像形成用の電子放出素子５の一部を、イオンを発生させるために駆動するものとなっている。しかし、電子源基板２に、画像形成用の電子放出素子５とは別に、画像を形成するためには使用しない測定用の電子放出素子を設けておき、イオンの発生のためにはこの測定用の電子放出素子のみを駆動するようにすることもできる。この場合、画像形成用の電子放出素子５に対応して設けられたアノード電極８とは別に、測定用の電子放出素子から放出される電子を加速するためのアノード電極を蛍光体基板３に設けておくことができる。但し、密閉容器１のコンパクト化、コストの低減等の観点から、画像形成用の電子放出素子５の一部を駆動して残留ガスのイオン化を行うようにすることが好ましい。
【００３４】
図４に、本発明による密閉容器１の製造フローの一例を示す。
【００３５】
最初に、各工程のプロセス条件と、密閉容器１の圧力との相関関係を取得しておく。ここでプロセス条件とは、例えば封着温度、封着時間、部材の品質、焼成条件、部材脱ガス条件、封着炉内の真空度等のデータである。予め密閉容器１の圧力との相関関係を取得しておくプロセス条件としては、プロセス条件の変更が容易であることから、真空封着炉における部材脱ガスの温度又は時間が好ましい。密閉容器１の構成部材の放出ガスレートと、脱ガス温度との関係及び脱ガス時間との関係を図５（ａ），（ｂ）に示す。
【００３６】
密閉容器１の封着工程が完了した後、上記の方法により密閉容器１の内部空間の圧力Ｐが測定される。測定の時期は、例えば、封着完了時、実装工程後であって密閉容器１のエージング工程前又はエージング後画像表示装置としての出荷前、画像表示装置としての使用後であっても良い。しかし、測定操作が行いやすい点、製造工程に対して迅速にプロセス条件の修正を加え得る点で、封着完了時に測定することが好ましい。測定対象となる密閉容器１は、出荷される全数でも良いし、その一部の抜き取りであっても良い。本発明によれば、圧力測定によるダメージが密閉容器１にないため、圧力測定済みの密閉容器１を備えた画像表示装置も何ら問題なく出荷することができる。
【００３７】
ここで、測定した密閉容器１の内部空間の圧力Ｐが規格値ＰQA以下ならば、密閉容器１はそのまま画像形成装置に組み込まれて出荷され、上記のプロセス条件に変更は加えられない。
【００３８】
しかし、測定した圧力Ｐが規格値ＰQAを外れた時は、例えば、各プロセス条件が所望の条件を満たしているかを点検したり、構成部材自体の組成や使用量が所定の規格を満たすか確認して是正策を採る。また、予め取得したプロセス条件と密閉容器１の圧力との相関関係に従いプロセス条件を変更すること等により、密閉容器１内の圧力Ｐを規格値ＰQA以下に戻すことが行われる。特にプロセス条件の変更は、迅速に画像表示装置の品質を改善できるため好ましい。本発明における圧力の測定は、各構成部材の材質等を変更する際に、各プロセス条件に対する密閉容器１内圧力Ｐの依存性を調べ、プロセス条件を設定することに対しても利用することができる。
【実施例】
【００３９】
実施例１
（１）密閉容器
図１に示されるように、画像表示装置に用いられる密閉容器１を構成する電子源基板２は、表面伝導型電子放出素子である電子放出素子５が配設されたものとした。この電子放出素子５には、銅を導電材とする走査配線６及び情報配線７を接続した。
【００４０】
（２）密閉容器の製造方法
図４のフローに沿って製造した。密閉容器１を構成する電子源基板２、蛍光体基板３及び他の部材を、真空封着炉にて加熱された後、真空中で組み立てた。従って、密閉容器１の内部空間は封着時点から減圧状態（真空状態）にある。封着後の真空状態は、ゲッターで残留ガスを吸着することにより保たれるようにした。当該密閉容器１内の圧力について、本実施例では、画像表示装置に用いる密閉容器１としての品質、信頼性を確保するために規格値ＰQAを１０-4Ｐａに設定した。
【００４１】
（３）プロセスデータの取得
本実施例では、真空封着炉における各部材の加熱時間と、各部材からのガス放出との間に相関があることに着目した。そこで、蛍光体基板３の加熱時間と密閉容器１内の圧力との依存性を予め測定したところ、図５（ｂ）に示すように、加熱温度を上昇させると、脱ガスが減少することが判った。一方、密閉容器１内の圧力は各部材からのガス放出とゲッターの吸着性能の比により決まる。従って、各部材の加熱温度を変更することにより、密閉容器１内の圧力を制御できる。
【００４２】
（４）圧力検査工程
密閉容器１内の圧力が１０-4Ｐａ以下となっているかについて、密閉容器１の封着完了後に内部空間の圧力を測定することで判断した。
【００４３】
図２（ａ），（ｂ）に示されるように、圧力測定時に密閉容器１の外部に、磁場印加手段１０としてサマリウム−コバルト磁石を、蛍光体基板３に沿って設置した。磁場印加手段１０の配置は、電子源基板２と蛍光体基板３の対向方向に直交し、走査配線６と平行な成分を含む磁場が形成されるようにした。磁束密度は磁場印加手段１０近傍で２０００Ｇａｕｓｓ程度であった。
【００４４】
本実施例では、アノード電圧は１００Ｖとし、ドリフト半径が電子源基板２と蛍光体基板３との間の内部空間の最小間隔寄りも小さくなる条件で測定を行った。密閉容器１の走査配線６ａ及び情報配線７に走査配線プローバ１１及び情報配線プローバ１２を接続し、密閉容器１内の一部の電子放出素子５に電圧を供給した。本実施例では、密閉容器１の内部圧力を測定する際に、駆動中の電子放出素子５に隣接する走査配線６ｂに入射するイオンを検出するために、該走査配線６ｂにイオン電流プローバ１４を介してイオン電流測定手段１５を接続した。
【００４５】
選択した走査配線６ａと情報配線７との間に２０〜３０Ｖ、６０Ｈｚの矩形波の電圧を印加したところ、電子放出素子５から電子が放出された。電子は電場により蛍光体基板３方向へ加速されるとともに、ローレンツ力により偏向され、少なくとも一部の電子はドリフト運動を生じた。電子は最終的にアノード電極８へ到達し、アノード電流Ｉａとして検出された。また、電子が残留ガスに衝突した結果発生したイオンは、電子源基板２の方向へ電場により加速され、その一部は走査配線６ｂに入射した。その際に走査配線６ｂに流れる電流をイオン電流測定手段１５で測定し、イオンの量をイオン電流Ｉｉとして検出した。イオンの発生量は、前述のようにアノード電流Ｉａ及び残留ガスの圧力に対して比例関係にあることから、イオン電流値Ｉｉを測定することにより、密閉容器１内の圧力Ｐを測定できた。
【００４６】
（５）校正
本実施例では、感度係数を取得するために、排気管を接続した密閉容器を別途製作した。この排気管には電離真空計を接続しておき、排気管内部及び密閉容器内部の圧力を測定可能とした。密閉容器１内部に排気管を通じて窒素、Ａｒ等のガスを導入し、電離真空計により密閉容器１内部の圧力を測定した。また、ガス導入と同時に、本発明における圧力の測定方法により、当該密閉容器１内の圧力を測定することで感度校正を行った。その結果、図３に示すようなイオン電流値Ｉｉとアノード電流値Ｉａの比Ｉｉ／Ｉａの圧力依存性を示す感度係数を取得することができた。本実施例では、概ね１０-5Ｐａ以上の圧力であれば、本発明による圧力測定が可能であることが判った。
【００４７】
（６）プロセス変更
本実施例では、測定した密閉容器１内の圧力Ｐが１０-4Ｐａ以下である場合には、密閉容器１に電装品等を実装した後、エージング工程等を経て画像表示装置として完成させた。一方、密閉容器１内の圧力Ｐが１０-4Ｐａを上回った時は、真空封着炉の加熱温度に変更を加えた。例えば、密閉容器１内の圧力が２×１０-4Ｐａであったときは、図５（ａ）に示すように、通常３００℃の加熱を３５０℃まで上昇させることで、部材のガス放出を１／２まで低減させた。プロセス条件変更後に製造された密閉容器１に対して再度圧力測定を実施することにより圧力が１０-4Ｐａ以下になっていることを検証し、速やかに規格を外れた密閉容器１の発生を減少させることができた。
【００４８】
実施例２
本実施例は、プロセス変更の方法以外は実施例１と同様とした。本実施例では、密閉容器１内の圧力が１０-4Ｐａを上回った時、真空封着炉の加熱時間に変更を加えた。例えば、密閉容器１内の圧力Ｐが１．５×１０-4Ｐａであったときは、図５（ｂ）に示すように、通常４時間の加熱時間を１０時間に延長することにより、部材のガス放出を２／３にまで低減させた。プロセス条件変更後に、製造された密閉容器１内の圧力が１０-4Ｐａ以下になっていることを検証し、速やかに規格を外れた密閉容器１の発生を減少させることができた。本実施例は、加熱温度が部材や真空封着炉の制約から上昇させることが困難な場合に特に有効な方法である。
【符号の説明】
【００４９】
１：密閉容器、２：電子源基板、３：蛍光体基板、４：支持枠、５：電子放出素子、６：走査配線、６ａ：走査配線プローバで選択された走査配線、６ｂ：イオンコレクター電極として用いる走査配線、７：情報配線、８：アノード電極、９：蛍光体、１０：磁場印加手段、１１：走査配線プローバ、１２：情報配線プローバ、１３：駆動電源、１４：イオン電流プローバ、１５：イオン電流計測手段、１６：層間絶縁層、１７：アノード電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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