(57)【要約】【課題】塗布環境の変化を抑制すること。【解決手段】易酸化性の金属及び溶媒を含む液状体を基板に塗布する塗布部と、前記塗布部によって前記液状体の塗布を行う塗布空間及び前記液状体の塗布された前記基板の塗布後移動空間を囲むチャンバーと、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度が閾値を超えたときに前記液状体を前記チャンバー内の雰囲気から隔離させる隔離部とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
易酸化性の金属及び溶媒を含む液状体を基板に塗布する塗布部と、
前記塗布部によって前記液状体の塗布を行う塗布空間及び前記液状体の塗布された前記基板の塗布後移動空間を囲むチャンバーと、
前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度が第一閾値を超えたときに前記液状体を前記チャンバー内の雰囲気から隔離させる隔離部と
を備える塗布装置。
【請求項２】
前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度を検出する検出部を更に備える
請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記隔離部は、隔離された前記液状体を回収させる回収部を有する
請求項１又は請求項２に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記回収部は、隔離された前記液状体を前記チャンバー内に戻す循環経路を有する
請求項３に記載の塗布装置。
【請求項５】
前記隔離部は、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒を排出する排出部を有する
請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項６】
前記隔離部は、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度が前記第一閾値を超えた時点で前記塗布部において前記液状体が塗布されている前記基板への処理を完了させるまで、前記液状体の隔離を待機させる制御装置を有する
請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項７】
前記制御装置は、前記液状体の塗布完了以降の基板について、前記塗布部への搬送を停止させる
請求項６に記載の塗布装置。
【請求項８】
前記制御装置は、前記基板への処理を完了させてから、前記塗布部をメンテナンス位置に移動させるまで、前記液状体の隔離を待機させる
請求項６又は請求項７に記載の塗布装置。
【請求項９】
前記制御装置は、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度が前記第一閾値よりも大きい値である第二閾値を超えたときに少なくとも前記液状体の塗布に関する全処理を停止させる
請求項６から請求項８のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１０】
前記塗布部は、前記液状体を吐出するスリットノズルを有する
請求項１から請求項９のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１１】
易酸化性の金属及び溶媒を含む液状体を基板に塗布する塗布ステップと、
前記塗布ステップによって前記液状体の塗布を行う塗布空間及び前記液状体の塗布された前記基板の塗布後移動空間を囲むチャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度が第一閾値を超えたときに前記チャンバー内の雰囲気から前記液状体を隔離する隔離ステップと
を備える塗布方法。
【請求項１２】
前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度を検出する検出ステップを更に有する
請求項１１に記載の塗布方法。
【請求項１３】
前記隔離ステップは、隔離された前記液状体を回収する回収ステップを有する
請求項１１又は請求項１２に記載の塗布方法。
【請求項１４】
前記回収ステップは、隔離した前記液状体を前記チャンバー内に戻す循環ステップを有する
請求項１３に記載の塗布方法。
【請求項１５】
前記隔離ステップは、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒を排出する排出ステップを有する
請求項１１から請求項１４のうちいずれか一項に記載の塗布方法。
【請求項１６】
前記隔離ステップは、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度が前記第一閾値を超えた時点で前記塗布部において前記液状体が塗布されている前記基板への処理を完了させるまで、前記液状体の隔離を待機させる
請求項１１から請求項１５のうちいずれか一項に記載の塗布方法。
【請求項１７】
前記隔離ステップは、前記液状体が塗布完了以降の基板について、前記塗布部への搬送を停止する
請求項１６に記載の塗布方法。
【請求項１８】
前記隔離ステップは、前記基板への前記処理を完了させてから、前記塗布部をメンテナンス位置に移動させるまで、前記液状体の隔離を待機する
請求項１６又は請求項１７に記載の塗布方法。
【請求項１９】
前記隔離ステップは、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度が前記第一閾値よりも大きい値である第二閾値を超えたときに少なくとも前記液状体の塗布に関する全処理を停止させる
請求項１１から請求項１８のうちいずれか一項に記載の塗布方法。
【請求項２０】
前記塗布ステップは、スリットノズルを用いて前記液状体を吐出する
請求項１１から請求項１９のうちいずれか一項に記載の塗布方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布装置及び塗布方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｃｕ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎおよびこれらの組合せなどの金属と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、およびこれらの組合せなどの元素カルコゲンとを含む半導体材料を用いたＣＩＧＳ型太陽電池やＣＺＴＳ型太陽電池は、高い変換効率を有する太陽電池として注目されている（例えば特許文献１〜特許文献３参照）。ＣＩＧＳ型太陽電池は、光吸収層（光電変換層）として例えば上記、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の半導体材料からなる膜を用いる構成になっている。また、ＣＺＴＳ型太陽電池は、光吸収層（光電変換層）として、例えばＣｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｅの４種類の半導体材料からなる膜を用いる構成になっている。このような太陽電池の構成として、例えばガラスなどからなる基板上にモリブデンなどからなる裏面電極が設けられ、当該裏面電極の上に上記光吸収層が配置される構成が知られている。
【０００３】
ＣＩＧＳ型太陽電池やＣＺＴＳ型太陽電池は、従来型の太陽電池に比べて光吸収層の厚さを薄くすることができるため、曲面への設置や運搬が容易となる。このため、高性能でフレキシブルな太陽電池として、広い分野への応用が期待されている。光吸収層を形成する手法として、従来、例えば蒸着法やスパッタリング法などを用いて形成する手法が知られていた（例えば、特許文献２〜特許文献５参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−３４０４８２号公報
【特許文献２】特開２００５−５１２２４号公報
【特許文献３】特表２００９−５３７９９７号公報
【特許文献４】特開平１−２３１３１３号公報
【特許文献５】特開平１１−２７３７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
これに対して、本発明者は、光吸収層を形成する手法として、上記半導体材料を液状体で基板上に塗布する手法を提案する。光吸収層を液状体の塗布によって形成する場合、以下の課題が挙げられる。
【０００６】
液状体を塗布する場合、塗布環境における雰囲気中の溶媒濃度が高くなると、周囲の機器類や周囲の環境などに影響を及ぼす虞がある。この問題点は、ＣＩＧＳ型太陽電池の半導体膜を塗布形成する場合に限られず、一般に易酸化性の金属を含む液状体を塗布する場合において想定されうる。
【０００７】
上記のような事情に鑑み、本発明は、塗布環境の変化を抑制することができる塗布装置及び塗布方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第一の態様に係る塗布装置は、易酸化性の金属及び溶媒を含む液状体を基板に塗布する塗布部と、前記塗布部によって前記液状体の塗布を行う塗布空間及び前記液状体の塗布された前記基板の塗布後移動空間を囲むチャンバーと、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度が第一閾値を超えたときに前記液状体を前記チャンバー内の雰囲気から隔離させる隔離部とを備える。
【０００９】
この場合、チャンバー内の雰囲気中における液状体の溶媒の濃度が第一閾値を超えたときに当該液状体をチャンバー内の雰囲気から隔離させる隔離部を備えることとしたので、雰囲気中の溶媒濃度の増加を抑えることができる。これにより、塗布環境の変化を抑制することができる。
【００１０】
上記の塗布装置は、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度を検出する検出部を更に備える。  
この場合、チャンバー内の雰囲気中における溶媒の濃度を検出する検出部を備えるので、検出部の検出結果を用いて閾値との比較を行うことができる。
【００１１】
上記の塗布装置において、前記隔離部は、隔離された前記液状体を回収させる回収部を有する。  
この場合、隔離された液状体が回収部によって回収されるため、当該隔離された液状体の無駄を防ぐことができる。
【００１２】
上記の塗布装置において、前記回収部は、隔離された前記液状体を前記チャンバー内に戻す循環経路を有する。  
この場合、隔離された液状体が回収部の循環経路を経てチャンバー内に戻されるため、回収した液状体を再利用することができる。
【００１３】
上記の塗布装置において、前記隔離部は、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒を排出する排出部を有する。
【００１４】
この場合、排出部によってチャンバー内の雰囲気中における溶媒を排出することができるため、チャンバー内の雰囲気中における溶媒の濃度を低減させることができる。
【００１５】
上記の塗布装置において、前記隔離部は、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度が前記第一閾値を超えた時点で前記塗布部において前記液状体が塗布されている前記基板への処理を完了させるまで、前記液状体の隔離を待機させる制御装置を有する。  
この場合、基板への処理が途中の状態で処理停止されるのを回避することができる。これにより、基板の無駄を回避することができる。
【００１６】
上記の塗布装置において、前記制御装置は、前記液状体の塗布完了以降の基板について、前記塗布部への搬送を停止させる。  
この場合、液状体の塗布完了以降の基板について、塗布部への搬送が停止されるため、塗布環境の変化による影響が基板に及ぶのを防ぐことができる。これにより、歩留まりの低下を回避することができる。更に、チャンバー内の雰囲気中における溶媒の濃度を低減させることができる。
【００１７】
上記の塗布装置において、前記制御装置は、前記基板への処理を完了させてから、前記塗布部をメンテナンス位置に移動させるまで、前記液状体の隔離を待機させる。  
この場合、基板への処理を完了させた塗布部がメンテナンス位置に移動してから液状体の隔離が行われるため、例えば処理後の塗布部から液状体が垂れた場合であっても、基板の処理位置に当該液状体が付着するのを防ぐことができ、確実に液状体を回収することができる。
【００１８】
上記の塗布装置において、前記制御装置は、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度が前記第一閾値よりも大きい値である第二閾値を超えたときに少なくとも前記液状体の塗布に関する全処理を停止させる。  
チャンバー内の雰囲気中における溶媒の濃度が第一閾値よりも大きい値である第二閾値を超えたときには、液状体の隔離よりも装置自体を緊急停止させることを優先的に行った方が良い場合がある。上記構成では、このような場合において、チャンバー内の雰囲気中における溶媒の濃度が第一閾値よりも大きい値である第二閾値を超えたときには、液状体の隔離を行う前に装置が停止されることになる。
【００１９】
上記の塗布装置において、前記塗布部は、前記液状体を吐出するスリットノズルを有する。  
この場合、スリットノズルの周囲の塗布環境の変化を抑制することができる。これにより、スリットノズルの吐出状態の変化を抑制することができ、安定的な吐出を行うことができる。
【００２０】
本発明の第二の態様に係る塗布方法は、易酸化性の金属及び溶媒を含む液状体を基板に塗布する塗布ステップと、前記塗布ステップによって前記液状体の塗布を行う塗布空間及び前記液状体の塗布された前記基板の塗布後移動空間を囲むチャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度が第一閾値を超えたときに前記チャンバー内の雰囲気から前記液状体を隔離する隔離ステップとを備える。
【００２１】
この場合、液状体の塗布が行われるチャンバー内の雰囲気中における液状体の溶媒の濃度が第一閾値を超えたときに当該液状体をチャンバー内の雰囲気から隔離させることとしたので、雰囲気中の溶媒濃度の増加を抑えることができる。これにより、塗布環境の変化を抑制することができる。
【００２２】
上記の塗布方法は、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度を検出する検出ステップを更に有する。  
この場合、チャンバー内の雰囲気中における溶媒の濃度を検出することにより、検出結果を用いて第一閾値との比較を行うことができる。
【００２３】
上記の塗布方法において、前記隔離ステップは、隔離された前記液状体を回収する回収ステップを有する。  
この場合、隔離された液状体を回収されるため、当該隔離された液状体の無駄を防ぐことができる。
【００２４】
上記の塗布方法において、前記回収ステップは、隔離した前記液状体を前記チャンバー内に戻す循環ステップを有する。  
この場合、隔離した液状体がチャンバー内に戻されるので、回収した液状体を再利用することができる。
【００２５】
上記の塗布方法において、前記隔離ステップは、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒を排出する排出ステップを有する。  
この場合、チャンバー内の雰囲気中における溶媒が排出されるため、チャンバー内の雰囲気中における溶媒の濃度を低減させることができる。
【００２６】
上記の塗布方法において、前記隔離ステップは、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度が前記第一閾値を超えた時点で前記塗布部において前記液状体が塗布されている前記基板への処理を完了させるまで、前記液状体の隔離を待機させる。  
この場合、基板への処理が途中の状態で処理停止されるのを回避することができる。これにより、基板の無駄を回避することができる。
【００２７】
上記の塗布方法において、前記隔離ステップは、前記液状体が塗布完了以降の基板について、前記塗布部への搬送を停止する。  
この場合、液状体が塗布完了以降の基板について、塗布部への搬送が停止されるため、塗布環境の変化による影響が基板に及ぶのを防ぐことができる。これにより、歩留まりの低下を回避することができる。更に、チャンバー内の雰囲気中における溶媒の濃度を低減させることができる。
【００２８】
上記の塗布方法において、前記隔離ステップは、前記基板への前記処理を完了させてから、前記塗布部をメンテナンス位置に移動させるまで、前記液状体の隔離を待機する。  
この場合、基板への処理を完了させた塗布部がメンテナンス位置に移動してから隔離ステップが行われるため、例えば処理後の塗布部から液状体が漏れ出した場合であっても、基板の処理位置に当該液状体が付着するのを防ぐことができ、確実に液状体を回収することができる。
【００２９】
上記の塗布方法において、前記隔離ステップは、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度が前記第一閾値よりも大きい値である第二閾値を超えたときに少なくとも前記液状体の塗布に関する全処理を停止させる。  
チャンバー内の雰囲気中における溶媒の濃度が第一閾値よりも大きい値である第二閾値を超えたときには、液状体の隔離よりも装置自体を緊急停止させることを優先的に行った方が良い場合がある。上記構成では、このような場合において、チャンバー内の雰囲気中における溶媒の濃度が第一閾値よりも大きい値である第二閾値を超えたときには、液状体の隔離を行う前に装置が停止されることになる。
【００３０】
上記の塗布方法において、前記塗布ステップは、スリットノズルを用いて前記液状体を吐出する。  
この場合、スリットノズルの周囲の塗布環境の変化を抑制することができる。これにより、スリットノズルの吐出状態の変化を抑制することができ、安定的な吐出を行うことができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、本発明の態様によれば、塗布環境の変化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施の形態に係る塗布装置の全体構成を示す図。
【図２】本実施形態に係る塗布装置の全体構成を示す図。
【図３】本実施形態に係るノズルの構成を示す図。
【図４】本実施形態に係るノズルの構成を示す図。
【図５】本実施形態に係る塗布部の一部の構成を示す図。
【図６】本実施形態に係る減圧乾燥部の構成を示す図。
【図７】本実施形態に係る焼成部の一部の構成を示す図。
【図８】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。
【図９】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。
【図１０】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。
【図１１】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。
【図１２】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。
【図１３】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。
【図１４】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。
【図１５】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。
【図１６】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。
【図１７】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。
【図１８】本実施形態に係る塗布装置の隔離処理の過程を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。  
図１は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲの構成を示す概略図である。  
図１に示すように、塗布装置ＣＴＲは、基板Ｓに液状体を塗布する装置である。塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ、焼成部ＢＫ及び制御部ＣＯＮＴを有している。塗布装置ＣＴＲは、例えば工場などの床面ＦＬに載置されて用いられる。塗布装置ＣＴＲは、一つの部屋に収容される構成であっても構わないし、複数の部屋に分割して収容される構成であっても構わない。塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫがこの順で一方向に並んで配置されている。なお、装置構成については塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫがこの順で一方向に並んで配置されることに限られることは無い。例えば、基板供給回収部ＬＵが不図示の基板供給部と不図示の基板回収部に分割されても構わないし、減圧乾燥部ＶＤが省略されても構わない。勿論、一方向に並んで配置されていなくてもよく、不図示のロボットを中心とした上下に積層する配置や、左右に配置する構成でもよい。
【００３４】
以下の各図において、本実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。当該ＸＹＺ座標系においては、床面に平行な平面をＸＹ平面とする。このＸＹ平面において塗布装置ＣＴＲの各構成要素（基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫ）が並べられた方向をＸ方向と表記し、ＸＹ平面上でＸ方向に直交する方向をＹ方向と表記する。ＸＹ平面に垂直な方向はＺ方向と表記する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。
【００３５】
本実施形態では、基板Ｓとして、例えばガラスや樹脂などからなる板状部材を用いている。本実施形態では更に、基板Ｓ上に裏面電極としてスパッタにてモリブデンを形成している。勿論、裏面電極として、他の導電性物質を用いる構成としても構わない。基板Ｓとして、Ｚ方向視における寸法が３３０ｍｍ×３３０ｍｍの基板を例に挙げて説明する。なお、基板Ｓの寸法については、上記のような３３０ｍｍ×３３０ｍｍの基板に限られることは無い。例えば、基板Ｓとして、寸法が１２５ｍｍ×１２５ｍｍの基板を用いても構わないし、寸法が１ｍ×１ｍの基板を用いても構わない。勿論、上記寸法よりも大きい寸法の基板や小さい寸法の基板を適宜用いることができる。
【００３６】
本実施形態では、基板Ｓに塗布する液状体として、例えばヒドラジンなどの溶媒に、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セレン（Ｓｅ）または銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｎ）、セレン（Ｓｅ）といった易酸化性の金属材料を含有する液状組成物を用いている。この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ型太陽電池の光吸収層（光電変換層）を構成する金属材料を含んでいる。ヒドラジンは、空気よりも比重が大きいため、気化して雰囲気中に存在する場合、鉛直方向の下側へ移動しやすい性質を有する。
【００３７】
本実施形態では、他の液状体として、ヒドラジンなどの溶媒にナトリウム（Ｎａ）を分散させた液状組成物を用いている。この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ太陽電池の光吸収層のグレインサイズを確保するための物質を含んでいる。勿論、液状体として、他の易酸化性の金属を分散させた液状体を用いる構成としても構わない。
【００３８】
（基板供給回収部）  
基板供給回収部ＬＵは、塗布部ＣＴに対して未処理の基板Ｓを供給すると共に、塗布部ＣＴからの処理済の基板Ｓを回収する。基板供給回収部ＬＵは、チャンバー１０を有している。チャンバー１０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバー１０の内部には、基板Ｓを収容可能な収容室１０ａが形成されている。チャンバー１０は、第一開口部１１、第二開口部１２及び蓋部１４を有している。第一開口部１１及び第二開口部１２は、収容室１０ａとチャンバー１０の外部とを連通する。
【００３９】
第一開口部１１は、チャンバー１０の＋Ｚ側の面に形成されている。第一開口部１１は、Ｚ方向視で基板Ｓの寸法よりも大きく形成されている。チャンバー１０の外部に取り出される基板Ｓや、収容室１０ａへ収容される基板Ｓは、第一開口部１１を介して基板供給回収部ＬＵに出し入れされる。
【００４０】
第二開口部１２は、チャンバー１０の＋Ｘ側の面に形成されている。第二開口部１２は、Ｘ方向視で基板Ｓの寸法よりも大きく形成されている。塗布部ＣＴへ供給される基板Ｓや塗布部ＣＴから戻される基板Ｓは、第二開口部１２を介して基板供給回収部ＬＵに出し入れされる。
【００４１】
蓋部１４は、第一開口部１１を開放又は閉塞させる。蓋部１４は、矩形の板状に形成されている。蓋部１４は、不図示のヒンジ部を介して第一開口部１１の＋Ｘ側の辺に取り付けられている。このため、蓋部１４は、第一開口部１１の＋Ｘ側の辺を中心としてＹ軸周りに回動する。第一開口部１１は、蓋部１４をＹ軸周りに回動させることで開閉可能となっている。
【００４２】
収容室１０ａには、基板搬送部１５が設けられている。基板搬送部１５は、複数のローラー１７を有している。ローラー１７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー１７がＸ方向に複数並んでいる。
【００４３】
各ローラー１７は、Ｙ軸方向を中心軸方向としてＹ軸周りに回転可能に設けられている。複数のローラー１７は、それぞれ等しい径となるように形成されており、複数のローラー１７の＋Ｚ側の端部はＸＹ平面に平行な同一平面上に配置されている。このため、複数のローラー１７は、基板ＳがＸＹ平面に平行な姿勢になるように当該基板Ｓを支持可能である。
【００４４】
各ローラー１７は、例えば不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送部１５は、複数のローラー１７が基板Ｓを支持した状態で各ローラー１７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、基板ＳをＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送する。基板搬送部１５としては、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００４５】
（塗布部）  
塗布部ＣＴは、基板Ｓに対して液状体の塗布処理を行う。塗布部ＣＴは、チャンバー２０及び基台ＢＣを有している。塗布部ＣＴは、床面ＦＬに載置された基台ＢＣ上にチャンバー２０が配置された構成である。
【００４６】
チャンバー２０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバー２０の内部には、処理室２０ａが形成されている。チャンバー２０は、第一開口部２１及び第二開口部２２を有している。第一開口部２１及び第二開口部２２は、処理室２０ａとチャンバー２０の外部とを連通する。
【００４７】
第一開口部２１は、チャンバー２０の−Ｘ側の面に形成されている。第二開口部２２は、チャンバー２０の＋Ｘ側の面に形成されている。第一開口部２１及び第二開口部２２は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、第一開口部２１及び第二開口部２２を介してチャンバー２０に出し入れされる。
【００４８】
処理室２０ａには、吐出部３１、メンテナンス部３２、液状体供給部３３、洗浄液供給部３４、廃液回収部３５、気体供給排出部３７及び基板搬送部２５が設けられている。
【００４９】
吐出部３１は、ノズルＮＺ、処理ステージ２８及びノズル駆動部ＮＡを有している。  
図３は、ノズルＮＺの構成を示す図である。  
図３に示すように、ノズルＮＺは、長尺状に形成されており、長手方向がＸ方向に平行になるように配置されている。ノズルＮＺは、本体部ＮＺａ及び突出部ＮＺｂを有している。本体部ＮＺａは、内部に液状体を収容可能な筐体である。本体部ＮＺａは、例えばチタン又はチタン合金を含んだ材料を用いて形成されている。突出部ＮＺｂは、本体部ＮＺａに対して＋Ｘ側及び−Ｘ側にそれぞれ突出して形成されている。突出部ＮＺｂは、ノズル駆動部ＮＡの一部に保持される。
【００５０】
図４は、−Ｚ側からノズルＮＺを見たときの構成を示している。  
図４に示すように、ノズルＮＺは、本体部ＮＺａの−Ｚ側の端部（先端ＴＰ）に吐出口ＯＰを有している。吐出口ＯＰは、液状体が吐出される開口部である。吐出口ＯＰは、Ｘ方向に長手となるようにスリット状に形成されている。吐出口ＯＰは、例えば長手方向が基板ＳのＸ方向の寸法とほぼ同一となるように形成されている。
【００５１】
ノズルＮＺは、例えば上記のＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の金属が所定の組成比で混合された液状体を吐出する。ノズルＮＺは、接続配管（不図示）などを介して、それぞれ液状体供給部３３に接続されている。ノズルＮＺは、内部に液状体を保持する保持部を有している。なお、上記保持部に保持された液状体の温度を調整する温調部が配置されていても構わない。
【００５２】
図１及び図２に戻って、処理ステージ２８は、塗布処理の対象となる基板Ｓを載置する。処理ステージ２８の＋Ｚ側の面は、基板Ｓを載置する基板載置面となっている。当該基板載置面は、ＸＹ平面に平行に形成されている。処理ステージ２８は、例えばステンレスなどを用いて形成されている。
【００５３】
ノズル駆動部ＮＡは、ノズルＮＺをＸ方向に移動させる。ノズル駆動部ＮＡは、リニアモータ機構を構成する固定子４０及び可動子４１を有している。固定子４０は、Ｙ方向に延在されている。固定子４０は、支持フレーム３８に支持されている。支持フレーム３８は、第一フレーム３８ａ及び第二フレーム３８ｂを有している。第一フレーム３８ａは、処理室２０ａの−Ｙ側端部に配置されている。第二フレーム３８ｂは、処理室２０ａのうち第一フレーム３８ａとの間で処理ステージ２８を挟む位置に配置されている。
【００５４】
可動子４１は、固定子４０の延在方向（Ｙ方向）に沿って移動可能である。可動子４１は、ノズル支持部材４２及び昇降部４３を有する。ノズル支持部材４２は、門型に形成されており、ノズルＮＺの突出部ＮＺｂを保持する保持部４２ａを有している。ノズル支持部材４２は、昇降部４３と共に固定子４０に沿って第一フレーム３８ａと第二フレーム３８ｂとの間をＹ方向に一体的に移動する。このため、ノズル支持部材４２に保持されるノズルＮＺは、処理ステージ２８をＹ方向に跨いで移動する。ノズル支持部材４２は、昇降部４３の昇降ガイド４３ａに沿ってＺ方向に移動する。可動子４１は、ノズル支持部材４２をＹ方向及びＺ方向に移動させる不図示の駆動源を有している。
【００５５】
メンテナンス部３２は、予備吐出部４４、ノズル先端洗浄部４５及びノズル待機部４６を有している。メンテナンス部３２は、ノズルＮＺのメンテナンスを行う部分である。  
予備吐出部４４は、ノズルＮＺの吐出口ＯＰから予備的に吐出される液状体を受ける部分である。予備吐出部４４は、第一予備吐出部４４ａ及び第二予備吐出部４４ｂを有している。第一予備吐出部４４ａ及び第二予備吐出部４４ｂは、ノズルＮＺの移動経路に沿ってＹ方向に並んでおり、それぞれ吐出口ＯＰに対向する位置に配置されている。
【００５６】
第一予備吐出部４４ａ及び第二予備吐出部４４ｂには、例えば異なる種類の液状体が吐出されるようになっている。第一予備吐出部４４ａ及び第二予備吐出部４４ｂは、吐出口ＯＰから吐出された液状体を受けることができるように、例えばトレイ状に形成されている。なお、本実施形態では、予備吐出部４４が第一予備吐出部４４ａ及び第二予備吐出部４４ｂの２つの予備吐出部を有する構成として説明するが、当該予備吐出部が１つだけ設けられた構成としても構わない。また、３つ以上予備吐出部が設けられた構成であっても構わない。
【００５７】
ノズル先端洗浄部４５は、ノズルＮＺの先端ＴＰ及びその近傍を洗浄する。ノズル先端洗浄部４５は、払拭部４５ａ及びガイドレール４５ｂを有している。  
図５は、ノズルＮＺ及びノズル先端洗浄部４５の断面形状を示す図である。図５に示すように、払拭部４５ａは、断面視においてノズルＮＺの先端ＴＰ及び先端ＴＰ側の斜面の一部を覆う形状に形成されている。
【００５８】
ガイドレール４５ｂは、ノズルＮＺの吐出口ＯＰをカバーするようにＸ方向に延びている。払拭部４５ａは、不図示の駆動源などにより、ガイドレール４５ｂに沿ってＸ方向に移動可能に設けられている。払拭部４５ａがノズルＮＺの先端ＴＰに接触した状態でＸ方向に移動することで、先端ＴＰが払拭されることになる。
【００５９】
ノズル待機部４６は、図１に示すように、第一フレーム３８ａと予備吐出部４４との間に設けられている。図１では、ノズルＮＺがノズル待機部４６に配置されている状態が示されている。ノズル待機部４６は、待機状態にあるノズルＮＺに対してメンテナンスを行う部分である。
【００６０】
液状体供給部３３は、第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂを有している。第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂには、基板Ｓに塗布する液状体が収容される。また、第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂは、それぞれ異なる種類の液状体を収容可能である。
【００６１】
洗浄液供給部３４は、ノズルＮＺの内部を洗浄する洗浄液が収容されている。洗浄液供給部３４は、不図示の配管やポンプなどを介してノズルＮＺの内部に接続されている。廃液回収部３５は、ノズルＮＺから吐出された液状体を回収する。廃液回収部３５は、不図示の配管系やポンプなどを介して予備吐出部４４の第一予備吐出部４４ａ及び第二予備吐出部４４ｂに接続されている。なお、廃液回収部３５がノズルＮＺの内部に接続される構成であっても構わない。
【００６２】
気体供給排出部３７は、気体供給部３７ａ及び排気部３７ｂを有している。気体供給部３７ａは、処理室２０ａに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。排気部３７ｂは、処理室２０ａを吸引し、処理室２０ａの気体をチャンバー２０の外部に排出する。
【００６３】
基板搬送部２５は、処理室２０ａにおいて基板Ｓを搬送する。基板搬送部２５は、複数のローラー２７を有している。ローラー２７は、処理室２０ａのＹ方向の中央部をＸ方向に横切るように二列に配置されている。各列に配置されるローラー２７は、それぞれ基板Ｓの＋Ｙ側端辺及び−Ｙ側端辺を支持する。
【００６４】
基板Ｓを支持した状態で各ローラー２７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー２７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００６５】
本実施形態では、溶媒濃度センサＳＲ１、ＳＲ２及び隔離部１００が設けられている。溶媒濃度センサＳＲ１は、周囲の雰囲気中における液状体の溶媒（本実施形態ではヒドラジン）の濃度を検出し、検出結果を制御部ＣＯＮＴに送信する。溶媒濃度センサＳＲ１及びＲ２は、一例として、雰囲気中の気体を吸引する吸引ポンプと、吸引された気体のうち溶媒の成分を捕集する乾式試薬テープと、乾式試薬テープの色の変化を光学的に検出する検出部とを有している。乾式試薬テープは、ヒドラジンに曝露されることにより、当該ヒドラジンの濃度に比例して色が変化するようになっている。検出部を用いて当該色の変化を光学的に読み取り、光量の変化に基づいてヒドラジンの濃度を算出する構成となっている。
【００６６】
溶媒濃度センサＳＲ１は、処理室２０ａのうちチャンバー２０の底部（−Ｚ側の面）に配置されている。溶媒濃度センサＳＲ２はチャンバー２０の外部に配置されている。本実施形態では、空気よりも比重が大きいヒドラジンの濃度を検出するため、溶媒濃度センサＳＲ１及びＳＲ２は、それぞれノズルＮＺや第一予備吐出部４４ａ及び第二予備吐出部４４ｂよりも鉛直方向の下側に配置されている。また、チャンバー２０の外部にも溶媒濃度センサＳＲ２を配置することにより、チャンバー２０からのヒドラジンの漏出があった場合にも検出可能である。隔離部１００は、基板Ｓに塗布される液状体を処理室２０ａの雰囲気から隔離させる。隔離部１００は、接続部１０１、回収部１０２及び循環部１０３を有している。
【００６７】
接続部１０１は、第一予備吐出部４４ａ及び第二予備吐出部４４ｂと、回収部１０２とを接続する配管である。接続部１０１には、例えば吸引ポンプなど不図示のポンプ部やバルブなどが設けられており、当該バルブを開状態としてポンプ部を駆動させることで第一予備吐出部４４ａ及び第二予備吐出部４４ｂの底部を吸引できるようになっている。
【００６８】
回収部１０２は、接続部１０１を介して第一予備吐出部４４ａ及び第二予備吐出部４４ｂに接続されている。回収部１０２には、接続部１０１を経由して第一予備吐出部４４ａ及び第二予備吐出部４４ｂの底部から吸引された物質が供給されるようになっている。回収部１０２は、例えば液状体を外部とは隔離可能に収容するボトルやタンクなどの液状体収容部を有している。回収部１０２としては、上記に挙げたボトルやタンクに限られず、液状体を隔離可能となるように形成されている容器であれば他の種類の容器を用いても構わない。当該液状体貯留部により、接続部１０１から排出される液状体を一時的に貯留する。回収された液状体（液状体貯留部内の液状体）は、循環部１０３に供給されるようになっている。
【００６９】
循環部１０３は、一端が回収部１０２に接続され、他端がノズルＮＺに接続された配管である。循環部１０３は、回収部１０２によって回収された液状体をノズルＮＺへ流通させる。循環部１０３の経路上には、例えば吸引ポンプなどの不図示のポンプ部やバルブなどが設けられており、当該バルブを開状態としてポンプ部を駆動することにより、回収部１０２からの液状体が循環部１０３を経由してノズルＮＺに供給される。
【００７０】
また、回収部１０２には不図示の吸光光度計や粘度計を設置して、液の劣化具合を測定してもよい。これらの吸光光度計や粘度計を用いて回収部１０２に回収された液状体の劣化具合を測定する場合の態様として、例えば上記第一閾値を超えた液状体については、再調合を行い再生してから循環部１０３を経由してノズルＮＺに供給し、第二閾値を超えた液状体については廃棄することが挙げられる。
【００７１】
（減圧乾燥部）
減圧乾燥部ＶＤは、基板Ｓ上に塗布された液状体を乾燥させる。減圧乾燥部ＶＤは、チャンバー５０、基台ＢＶ及びゲートバルブＶ２及びＶ３を有している。減圧乾燥部ＶＤは、床面ＦＬに載置された基台ＢＶ上にチャンバー５０が配置された構成である。
【００７２】
チャンバー５０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバー５０の内部には、処理室５０ａが形成されている。チャンバー５０は、第一開口部５１及び第二開口部５２を有している。第一開口部５１及び第二開口部５２は、処理室５０ａとチャンバー５０の外部とを連通する。
【００７３】
第一開口部５１は、チャンバー５０の−Ｘ側の面に形成されている。第二開口部５２は、チャンバー５０の＋Ｘ側の面に形成されている。第一開口部５１及び第二開口部５２は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、第一開口部５１及び第二開口部５２を介してチャンバー５０に出し入れされる。
【００７４】
処理室５０ａには、基板搬送部５５及び気体供給部５８、排気部５９及び加熱部５３が設けられている（図６参照）。  
基板搬送部５５は、複数のローラー５７を有している。ローラー５７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー５７がＸ方向に複数並んでいる。複数のローラー５７は、第一開口部２２を介して処理室５０ａに配置された基板Ｓを支持する。
【００７５】
基板Ｓを支持した状態で各ローラー５７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー５７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００７６】
図６は、減圧乾燥部ＶＤの構成を示す模式図である。  
図６に示すように、気体供給部５８は、処理室５０ａに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。気体供給部５８は、第一供給部５８ａ及び第二供給部５８ｂを有している。第一供給部５８ａ及び第二供給部５８ｂは、ガスボンベやガス管などのガス供給源５８ｃに接続されている。処理室５０ａへのガスの供給は主として第一供給部５８ａを用いて行われる。第二供給部５８ｂは、第一供給部５８ａによる気体の供給量を微調整する。
【００７７】
排気部５９は、処理室５０ａを吸引し当該処理室５０ａの気体をチャンバー５０の外部に排出して、処理室５０ａを減圧させる。処理室５０ａを減圧させることにより、基板Ｓの液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、液状体を乾燥させる。排気部５９は、第一吸引部５９ａ及び第二吸引部５９ｂを有している。第一吸引部５９ａ及び第二吸引部５９ｂは、ポンプなどの吸引源５９ｃ及び５９ｄに接続されている。処理室５０ａからの吸引は主として第一吸引部５９ａを用いて行われる。第二吸引部５９ｂは、第一吸引部５９ａによる吸引量を微調整する。
【００７８】
加熱部５３は、処理室５０ａに配置された基板Ｓ上の液状体を加熱する。加熱部５３としては、例えば赤外線装置やホットプレートなどが用いられる。加熱部５３の温度は、例えば室温〜１００℃程度に調整可能である。加熱部５３を用いることにより、基板Ｓ上の液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、減圧下での乾燥処理をサポートする。
【００７９】
（焼成部）  
焼成部ＢＫは、基板Ｓ上に塗布された塗布膜を焼成する。焼成部ＢＫは、チャンバー６０及び基台ＢＢを有している。焼成部ＢＫは、床面ＦＬに載置された基台ＢＢ上にチャンバー６０が配置された構成である。
【００８０】
チャンバー６０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバー６０の内部には、処理室６０ａが形成されている。チャンバー６０は、開口部６１を有している。開口部６１は、処理室６０ａとチャンバー６０の外部とを連通する。開口部６１は、チャンバー６０の−Ｘ側の面に形成されている。開口部６１は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、開口部６１を介してチャンバー６０に出し入れされる。
【００８１】
処理室６０ａには、基板搬送部６５及び加熱部７０が設けられている。基板搬送部６５は、複数のローラー６７と、アーム部７１とを有している。ローラー６７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー６７がＸ方向に複数並んでいる。複数のローラー６７は、開口部６１を介して処理室６０ａに配置された基板Ｓを支持する。
【００８２】
基板Ｓを支持した状態で各ローラー６７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー６７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００８３】
アーム部７１は、架台７４上に配置されており、複数のローラー６７と加熱部７０との間で基板Ｓの受け渡しを行う。アーム部７１は、搬送アーム７２及びアーム駆動部７３を有している。搬送アーム７２は、基板支持部７２ａ及び移動部７２ｂを有している。基板支持部７２ａは、基板Ｓの＋Ｙ側及び−Ｙ側の辺を支持する。移動部７２ｂは、基板支持部７２ａに連結されており、Ｘ方向に移動可能であり、かつθＺ方向に回動可能である。
【００８４】
アーム駆動部７３は、移動部７２ｂをＸ方向又はθＺ方向に駆動する。アーム駆動部７３によって移動部７２ｂを＋Ｘ方向に移動させた場合には、基板支持部７２ａが加熱部７０内に挿入されると共に、基板Ｓが加熱部７０のＺ方向視中央部に配置されるようになっている。
【００８５】
図７は、加熱部７０の構成を示す断面図である。  
図７に示すように、加熱部７０は、架台７４上に配置されており、第一収容部８１、第二収容部８２、第一加熱板８３、第二加熱板８４、リフト部８５、封止部８６、気体供給部８７及び排気部８８を有している。  
第一収容部８１は、Ｚ方向視において矩形の枡状に形成されており、開口部が＋Ｚ側を向くようにチャンバー６０の底部に載置されている。第二収容部８２は、Ｚ方向視において矩形の枡状に形成されており、開口部が第一収容部８１に対向するように配置されている。第二収容部８２は、不図示の昇降機構を用いてＺ方向に移動可能である。第二収容部８２の縁部８２ａを第一収容部８１の縁部８１ａに重ねることにより、当該第一収容部８１及び第二収容部８２の内部が密閉される。
【００８６】
第一加熱板８３は、第一収容部８１に収容されている。第一加熱板８３は、基板Ｓを載置させた状態で当該基板Ｓを加熱する。第一加熱板８３は、例えば石英などを用いて形成されており、内部には赤外線装置やホットプレートなどの加熱装置が設けられている。第一加熱板８３の温度は、例えば２００℃〜８００℃程度に調整可能である。第一加熱板８３には複数の貫通孔８３ａが形成されている。貫通孔８３ａは、リフト部８５の一部を貫通させる。
【００８７】
第二加熱板８４は、第二収容部８２に収容されている。第二加熱板８４は、例えば金属材料を用いて形成されており、内部には赤外線装置やホットプレートなどの加熱装置が設けられている。第二加熱板８４の温度は、例えば２００℃〜８００℃程度に調整可能である。第二加熱板８４は、不図示の昇降機構によって第二収容部８２とは別個にＺ方向への移動が可能に設けられている。第二加熱板８４をＺ方向へ移動させることにより、第二加熱板８４と基板Ｓとの間隔を調整できるようになっている。
【００８８】
リフト部８５は、アーム部７１と第一加熱板８３との間で基板Ｓを移動させる。リフト部８５は、複数の支持ピン８５ａと、当該支持ピン８５ａを保持してＺ方向に移動可能な移動部８５ｂとを有している。図示を判別しやすくするため、図７では支持ピン８５ａが２つ設けられた構成が示されているが、実際には例えば１６個（図７参照）配置させることができる。第一加熱板８３に設けられる複数の貫通孔８３ａは、Ｚ方向視で複数の支持ピン８５ａに対応する位置に配置されている。
【００８９】
封止部８６は、第一収容部８１の縁部８１ａに形成されている。封止部８６としては、例えば樹脂材料などを用いて形成されたＯリングを用いることができる。封止部８６は、第二収容部８２の縁部８２ａが第一収容部８１の縁部８１ａに重ねられた状態で、当該第一収容部８１と第二収容部８２との間を封止する。このため、第一収容部８１及び第二収容部８２の内部を密閉することができる。
【００９０】
気体供給部８７は、処理室６０ａに窒素ガスなどを供給する。気体供給部８７は、チャンバー６０の＋Ｚ側の面に接続されている。気体供給部８７は、ガスボンベやガス管などの気体供給源８７ａと、当該気体供給源８７ａとチャンバー６０とを接続する接続管８７ｂとを有している。
【００９１】
排気部８８は、処理室６０ａを吸引し、処理室６０ａの気体をチャンバー６０の外部に排出する。排気部８８は、チャンバー６０の−Ｚ側の面に接続されている。排気部８８は、ポンプなどの吸引源８８ａと、当該吸引源８８ａとチャンバー６０とを接続する接続管８８ｂとを有している。
【００９２】
また、本実施形態では、溶媒濃度センサＳＲ３及びＳＲ４が設けられている。溶媒濃度センサＳＲ３及びＳＲ４は、上記の溶媒濃度センサＳＲ１及びＳＲ２と同様に、周囲の雰囲気中における液状体の溶媒（本実施形態ではヒドラジン）の濃度を検出し、検出結果を制御部ＣＯＮＴに送信する。溶媒濃度センサＳＲ３は、処理室６０ａのうち架台７４上の加熱部７０の＋Ｙ側に配置されている。溶媒濃度センサＳＲ３は、加熱部７０から外れた位置に配置されている。溶媒濃度センサＳＲ４はチャンバー６０の外部に配置されている。本実施形態では、空気よりも比重が大きいヒドラジンの濃度を検出するため、溶媒濃度センサＳＲ３及びＳＲ４は、上記溶媒濃度センサＳＲ１及びＳＲ２と同様に、それぞれ基板Ｓの搬送経路よりも鉛直方向の下側に配置されている。また、チャンバー６０の外部にも溶媒濃度センサＳＲ４を配置することにより、チャンバー６０からのヒドラジンの漏出があった場合にも検出可能である。
【００９３】
（基板搬送経路）  
基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２、塗布部ＣＴの第一開口部２１並びに第二開口部２２、減圧乾燥部ＶＤの第一開口部５１並びに第二開口部５２、焼成部ＢＫの開口部６１は、Ｘ方向に平行な直線上に並んで設けられている。このため、基板Ｓは、Ｘ方向に直線上に移動する。また、基板供給回収部ＬＵから焼成部ＢＫの加熱部７０に収容されるまでの経路においては、Ｚ方向の位置が保持されている。このため、基板Ｓによる周囲の気体の攪拌が抑制される。
【００９４】
（アンチチャンバー）
図１に示すように、チャンバー２０には、アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３が接続されている。  
アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３は、チャンバー２０の内外を連通して設けられている。アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３は、それぞれ処理室２０ａの構成要素をチャンバー２０の外部へ取り出したり、チャンバー２０の外部から処理室２０ａに当該構成要素を入れ込んだりするための経路である。
【００９５】
アンチチャンバーＡＬ１は、吐出部３１に接続されている。吐出部３１に設けられるノズルＮＺは、アンチチャンバーＡＬ１を介して処理室２０ａへの出し入れが可能となっている。アンチチャンバーＡＬ２は、液状体供給部３３に接続されている。液状体供給部３３は、アンチチャンバーＡＬ２を介して処理室２０ａへの出し入れが可能となっている。
【００９６】
アンチチャンバーＡＬ３は、不図示の液状体調合部に接続されている。液状体調合部では、アンチチャンバーＡＬ３を介して液体を処理室２０ａに出し入れ可能となっている。また、アンチチャンバーＡＬ３は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えば塗布部ＣＴにおいて液状体の試し塗りを行う場合、アンチチャンバーＡＬ３から未処理の基板Ｓを処理室２０ａに供給することが可能である。また、試し塗りを行った後の基板ＳをアンチチャンバーＡＬ３から取り出すことが可能である。また、緊急時などにアンチチャンバーＡＬ３から臨時に基板Ｓを取り出すことも可能である。
【００９７】
また、チャンバー６０には、アンチチャンバーＡＬ４が接続されている。  
アンチチャンバーＡＬ４は、加熱部７０に接続されている。アンチチャンバーＡＬ４は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えば加熱部７０において基板Ｓの加熱を行う場合、アンチチャンバーＡＬ４から基板Ｓを処理室６０ａに供給することが可能である。また、加熱処理を行った後の基板ＳをアンチチャンバーＡＬ４から取り出すことが可能である。
【００９８】
（グローブ部）  
図１に示すように、チャンバー２０には、グローブ部ＧＸ１が接続されている。また、チャンバー６０には、グローブ部ＧＸ２が接続されている。  
グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、作業者がチャンバー２０及び６０内にアクセスするための部分である。作業者がグローブ部ＧＸ１及びＧＸ２内に手を挿入することにより、チャンバー２０及び６０内のメンテナンス動作などを行うことができるようになっている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、袋状に形成されている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、それぞれチャンバー２０及び６０の複数個所に配置されている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２内に作業者が手を入れたか否かを検出するセンサなどがチャンバー２０及び６０内に配置されていても構わない。
【００９９】
（ゲートバルブ）  
基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２と塗布部ＣＴの第一開口部２１との間には、ゲートバルブＶ１が設けられている。ゲートバルブＶ１は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ１をＺ方向に移動させることで、基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２と塗布部ＣＴの第一開口部２１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部１２及び第一開口部２１が同時に開放されると、これら第二開口部１２と第一開口部２１との間で基板Ｓの移動が可能となる。
【０１００】
塗布部ＣＴの第二開口部２２と減圧乾燥部ＶＤの第一開口部５１との間には、ゲートバルブＶ２が設けられている。ゲートバルブＶ２は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ２をＺ方向に移動させることで、塗布部ＣＴの第二開口部２２と減圧乾燥部ＶＤの第一開口部５１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部２２及び第一開口部５１が同時に開放されると、これら第二開口部２２と第一開口部５１との間で基板Ｓの移動が可能となる。
【０１０１】
減圧乾燥部ＶＤの第二開口部５２と焼成部ＢＫの開口部６１との間には、ゲートバルブＶ３が設けられている。ゲートバルブＶ３は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ３をＺ方向に移動させることで、減圧乾燥部ＶＤの第二開口部５２と焼成部ＢＫの開口部６１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部５２及び開口部６１が同時に開放されると、これら第二開口部５２と開口部６１との間で基板Ｓの移動が可能となる。
【０１０２】
（制御装置）  
制御部ＣＯＮＴは、塗布装置ＣＴＲを統括的に制御する部分である。具体的には、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ、焼成部ＢＫにおける動作、隔離部１００の動作、ゲートバルブＶ１〜Ｖ３の動作などを制御する。調整動作の一例として、制御部ＣＯＮＴは、溶媒濃度センサＳＲ１〜ＳＲ４による検出結果に基づいて、気体供給部３７ａの供給量を調整したり、回収部１０２において回収動作を行わせたりする。制御部ＣＯＮＴは、処理時間の計測等に用いる不図示のタイマーなどを有している。
【０１０３】
（塗布方法）  
次に、本実施形態に係る塗布方法を説明する。本実施形態では、上記のように構成された塗布装置ＣＴＲを用いて基板Ｓ上に塗布膜を形成する。塗布装置ＣＴＲの各部で行われる動作は、制御部ＣＯＮＴによって制御される。
【０１０４】
制御部ＣＯＮＴは、まず、外部から基板供給回収部ＬＵに基板Ｓを搬入させる。この場合、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞された状態として、蓋部１４を開けて基板Ｓをチャンバー１０の収容室１０ａに収容させる。基板Ｓが収容室１０ａに収容された後、制御部ＣＯＮＴは、蓋部１４を閉じさせる。
【０１０５】
蓋部１４が閉じられた後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を開放させ、チャンバー１０の収容室１０ａと塗布部ＣＴのチャンバー２０の処理室２０ａとを連通させる。ゲートバルブＶ１を開放させた後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部１５を用いて基板ＳをＸ方向へ搬送する。
【０１０６】
塗布部ＣＴの処理室２０ａに基板Ｓの一部が挿入された後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部２５を用いて基板Ｓを処理室２０ａに完全に搬入させる。基板Ｓが搬入された後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させる。制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させた後、基板Ｓを処理ステージ２８へと搬送する。
【０１０７】
図８は、塗布部ＣＴの構成を簡略化し一部の構成を省略して示す図である。以下、図９〜図１２においても同様である。図８に示すように、基板Ｓが処理ステージ２８上に載置されると、塗布部ＣＴにおいて塗布処理が行われる。当該塗布処理に先立って、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１及びＶ２が閉塞された状態とし、気体供給部３７ａ及び排気部３７ｂを用いて不活性ガスの供給及び吸引を行わる。この動作により、処理室２０ａの雰囲気及び圧力が調整される。処理室２０ａの雰囲気及び圧力の調整後、制御部ＣＯＮＴは、ノズル駆動部ＮＡ（図８では不図示）を用いてノズルＮＺをノズル待機部４６から＋Ｙ方向へ移動させる。制御部ＣＯＮＴは、以後塗布処理の間、処理室２０ａの雰囲気及び圧力の調整動作を継続して行わせる。
【０１０８】
制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺが予備吐出部４４に到達した後、図９に示すように、第一予備吐出部４４ａ及び第二予備吐出部４４ｂのうち少なくとも一方において、予備吐出動作を行わせる。ここでは、例えば第二予備吐出部４４ｂにおいて予備吐出動作を行わせた場合を例に挙げて説明する。予備吐出動作では、吐出口ＯＰを第二予備吐出部４４ｂに対向させた状態で、当該吐出口ＯＰから液状体Ｑ（図１０参照）を吐出させる。第二予備吐出部４４ｂでは、吐出された液状体が収容される。
【０１０９】
予備吐出動作の後、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺをノズル先端洗浄部４５へと移動させる。ノズルＮＺがノズル先端洗浄部４５に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図１０に示すように、払拭部４５ａをガイドレール４５ｂに沿ってＸ方向に移動させ、ノズルＮＺの先端ＴＰ及びその近傍の傾斜部を払拭させる。
【０１１０】
ノズルＮＺの先端ＴＰを払拭させた後、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺを処理ステージ２８へ移動させる。ノズルＮＺの吐出口ＯＰが基板Ｓの−Ｙ側端部に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図１１に示すように、ノズルＮＺを＋Ｙ方向に所定速度で移動させつつ、吐出口ＯＰから基板Ｓへ向けて液状体Ｑを吐出させる。この動作により、基板Ｓ上には液状体Ｑの塗布膜が形成される。
【０１１１】
基板Ｓの所定領域に液状体Ｑの塗布膜を形成した後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部２５を用いて基板Ｓを処理ステージ２８から＋Ｘ方向に移動させる。また、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺを−Ｙ方向へ移動させ、ノズル待機部４６へと戻す。
【０１１２】
基板Ｓがチャンバー２０の第二開口部２２に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ２を開放させ、基板Ｓを塗布部ＣＴから減圧乾燥部ＶＤへと搬送させる。基板Ｓが減圧乾燥部ＶＤに設けられるチャンバー５０の処理室５０ａに収容された後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ２を閉塞させ、処理室５０ａにおいて基板Ｓの減圧乾燥処理を行わせる。減圧乾燥処理において、制御部ＣＯＮＴは、気体供給部５８を用いて処理室５０ａの雰囲気を調整させると共に、排気部５９を用いて処理室５０ａを減圧させる。この動作により処理室５０ａが減圧すると、基板Ｓに形成された液状体Ｑの塗布膜に含まれる溶媒の蒸発が促進され、塗布膜が乾燥する。なお、制御部ＣＯＮＴは、加熱部５３を用いることにより、基板Ｓ上の液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、減圧下での乾燥処理をサポートさせても構わない。この処理により、基板Ｓ上に塗布膜Ｆ（図１３参照）が形成される。
【０１１３】
減圧乾燥処理が行われた後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ３を開放させ、基板Ｓを減圧乾燥部ＶＤから焼成部ＢＫへと搬送させる。基板Ｓが焼成部ＢＫに設けられるチャンバー６０の処理室６０ａに収容された後、制御部ＣＯＮＴはゲートバルブＶ３を閉塞させる。
【０１１４】
基板支持部７２ａの移動により基板Ｓが第一加熱板８３上の中央部に配置された後、制御部ＣＯＮＴは、リフト部８５を＋Ｚ方向に移動させる。この動作により、基板Ｓは搬送アーム７２の基板支持部７２ａから離れ、リフト部８５の複数の支持ピン８５ａに支持される。このようにして基板Ｓが基板支持部７２ａからリフト部８５へと渡される。基板Ｓがリフト部８５の支持ピン８５ａによって支持された後、制御部ＣＯＮＴは、基板支持部７２ａを加熱部７０の外部へ−Ｘ方向に退避させる。
【０１１５】
基板支持部７２ａを退避させた後、制御部ＣＯＮＴは、図１５に示すように、リフト部８５を−Ｚ方向に移動させると共に、第二収容部８２を−Ｚ方向に移動させる。この動作により、第二収容部８２の縁部８２ａが第一収容部８１の縁部８１ａに重なり、縁部８２ａと縁部８１ａとの間で封止部８６が挟まれた状態となる。このため、第一収容部８１、第二収容部８２及び封止部８６によって密閉された焼成室８０が形成される。
【０１１６】
焼成室８０を形成した後、制御部ＣＯＮＴは、図１６に示すように、リフト部８５を−Ｚ方向へ移動させて基板Ｓを第一加熱板８３上に載置させる。基板Ｓが第一加熱板８３上に載置された後、制御部ＣＯＮＴは、第二加熱板８４を−Ｚ方向に移動させ、第二加熱板８４と基板Ｓとを近づける。制御部ＣＯＮＴは、適宜第二加熱板８４のＺ方向の位置を調整させる。
【０１１７】
第二加熱板８４のＺ方向の位置を調整させた後、図１７に示すように、気体供給部８７を用いて焼成室８０に硫化水素ガスを供給すると共に、排気部８８を用いて焼成室８０を吸引させる。この動作により、焼成室８０の雰囲気及び圧力が調整されると共に、第二収容部８２から第一収容部８１にかけて硫化水素ガスの気流が形成される。硫化水素ガスの気流が形成された状態で、制御部ＣＯＮＴは、第一加熱板８３及び第二加熱板８４を作動させ、基板Ｓの焼成動作を行わせる。この動作により、基板Ｓの塗布膜Ｆから蒸発する溶媒成分などが気流によって押し流され、排気部８８から吸引される。
【０１１８】
焼成動作が完了した後、制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓを−Ｘ方向へ搬送させる。具体的には、加熱部７０からアーム部７１、基板搬送部６５を経て焼成部ＢＫから搬出され、減圧乾燥部ＶＤ、塗布部ＣＴを経て基板供給回収部ＬＵへ戻される。基板Ｓが基板供給回収部ＬＵへ戻された後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させた状態で蓋部１４を開放させる。その後、作業者は、チャンバー１０内の基板Ｓを回収し、新たな基板Ｓをチャンバー１０の収容室１０ａに収容させる。
【０１１９】
なお、基板Ｓが基板供給回収部ＬＵへ戻された後、基板Ｓに形成された塗布膜Ｆ上に更に別の塗布膜を重ねて形成する場合、制御部ＣＯＮＴは、再度基板Ｓを塗布部ＣＴへ搬送させ、塗布処理、減圧乾燥処理及び焼成処理を繰り返して行わせる。このようにして基板Ｓ上に塗布膜Ｆが形成される。
【０１２０】
このような一連の動作において、塗布環境における雰囲気中の溶媒（ヒドラジン）の濃度が高くなると、周囲の機器類や周囲の環境などに影響を及ぼす虞がある。そこで、本実施形態においては、第一の態様として、制御部ＣＯＮＴは、気体供給排出部３７を用いてチャンバー２０内の雰囲気中のヒドラジンの濃度を調整させるようにしている。具体的には、制御部ＣＯＮＴは、気体供給部３７ａを用いることにより、チャンバー２０内に不活性ガスを供給する（不活性ガス供給ステップ）。
【０１２１】
不活性ガス供給ステップでは、制御部ＣＯＮＴは、まず溶媒濃度センサＳＲ１〜ＳＲ４によって塗布装置ＣＴＲの各部における雰囲気中のヒドラジン濃度を検出させる（検出ステップ）。制御部ＣＯＮＴは、検出ステップでの検出結果に基づき、気体供給部３７ａから供給される不活性ガスの供給量を調整させつつ、チャンバー２０内に不活性ガスを供給させる。例えば、検出されたヒドラジン濃度が予め設定された閾値を超えた場合にチャンバー２０内に不活性ガスを供給させることができる。当該閾値については、予め実験やシミュレーションなどによって求めておき、制御部ＣＯＮＴに記憶させておくことができる。また、例えば、塗布動作、減圧乾燥動作及び焼成動作の間、常時一定量の不活性ガスをチャンバー２０内に供給させた状態にしておき、溶媒濃度センサＳＲ１〜ＳＲ４の検出結果に基づいて、供給量を多くしたり少なくしたりさせることもできる。
【０１２２】
また、チャンバー２０の外部に配置された溶媒濃度センサＳＲ２や、チャンバー６０の外部に配置された溶媒濃度センサＳＲ４による検出結果が予め設定された閾値を超えた場合には、ヒドラジンがチャンバー２０の外部又はチャンバー６０の外部に漏出していることになる。したがって、このような場合には、漏出したヒドラジンによって周囲の環境が変化している旨を音や光などで警告する動作を行わせることができる。これにより、例えば周辺の作業員等に速やかに環境の変化を知らせることが可能となる。
【０１２３】
また、本実施形態における第二の態様として、制御部ＣＯＮＴは、塗布装置ＣＴＲのうち塗布部ＣＴ及び焼成部ＢＫにおける雰囲気中のヒドラジン濃度が所定の閾値を超える場合に、隔離部１００を用いてチャンバー２０内の液状体を周囲の雰囲気から隔離するようにしている（隔離ステップ）。隔離ステップでは、所定の閾値として、第１閾値及び第２閾値の二段階の閾値を設けておく。第１閾値は塗布部ＣＴ及び焼成部ＢＫでの雰囲気中のヒドラジン濃度の軽度の超過であり、第２閾値は上記雰囲気中のヒドラジン濃度の重度の超過である。
【０１２４】
制御部ＣＯＮＴは、まず溶媒濃度センサＳＲ１〜ＳＲ４によって塗布部ＣＴ及び焼成部ＢＫの雰囲気中のヒドラジン濃度を検出させる。制御部ＣＯＮＴは、ヒドラジン濃度が第１閾値を超えた場合（第１閾値＜ヒドラジン濃度＜第２閾値の場合）、基板Ｓをチャンバー２０の外部に搬送し、チャンバー２０内に基板Ｓが配置されていない状態とする。
【０１２５】
上記雰囲気中のヒドラジン濃度が第１閾値を超えたときにノズルＮＺによって基板Ｓに塗布動作が行われている場合には、その基板Ｓの塗布動作を終えた後にチャンバー２０の外部に搬送する。この場合、チャンバー２０の外部としては、例えば基板供給回収部ＬＵや減圧乾燥部ＶＤなどが挙げられる。また、アンチチャンバーＡＬ３を介して塗布装置ＣＴＲの外部に基板Ｓを搬送させる態様であっても構わない。この動作により、基板Ｓに対する塗布動作が途中のまま基板Ｓがチャンバー２０の外部に搬送されるのが回避されることになり、基板Ｓの無駄の無い処理が可能となる。当該基板Ｓをチャンバー２０の外部に搬送した後、新たな基板Ｓを搬入しないようにする。
【０１２６】
チャンバー２０内に基板Ｓが配置されていない状態となったら、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺ内の液状体を予備吐出部４４に排出させる。この動作において、まず制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺを第一予備吐出部４４ａ及び第二予備吐出部４４ｂの一方（本実施形態では、第二予備吐出部４４ｂを例に挙げて説明する）に移動させる。ノズルＮＺを移動させた後、制御部ＣＯＮＴは、図１８に示すように、ノズルＮＺから第二予備吐出部４４ｂ液状体Ｑを吐出させる。この場合、制御部ＣＯＮＴは、例えばノズルＮＺに新たな液状体が供給されないように供給経路を閉状態とし、ノズルＮＺ内に不活性ガスを供給して、ノズルＮＺ内の液状体Ｑを全て吐出させる。
【０１２７】
ノズルＮＺから液状体を吐出させる際、制御部ＣＯＮＴは、隔離部１００を用いて液状体を排出させる。具体的には、制御部ＣＯＮＴは、接続部１０１に設けられるバルブ（不図示）を開状態としてポンプ機構（不図示）を駆動させ、第二予備吐出部４４ｂに収容された液状体を接続部１０１へ排出する。なお、第二予備吐出部４４ｂに気泡センサを設けておき、当該気泡センサや制御部ＣＯＮＴ内のタイマーを用いて当該第二予備吐出部４４ｂの液状体Ｑが全て排出されたか否かを確認するようにしても構わない。これらの動作により、チャンバー２０内に配置される液状体Ｑが隔離されることになる。第二予備吐出部４４ｂの全ての液状体Ｑが隔離された後、制御部ＣＯＮＴは接続部１０１におけるポンプ機構の駆動を停止させ、不図示のバルブを閉状態とする。
【０１２８】
この隔離ステップにおいて、制御部ＣＯＮＴは、所定の閾値を超える検出結果が得られた溶媒濃度センサＳＲ１〜ＳＲ４に応じて、上記雰囲気中のヒドラジンを排出する動作を行わせる（排出ステップ）。例えば、溶媒濃度センサＳＲ１及びＳＲ２のうち少なくとも一方において所定の閾値を超える検出結果が得られた場合、チャンバー２０内のヒドラジンを排出させる。また、溶媒濃度センサＳＲ３及びＳＲ４のうち少なくとも一方において所定の閾値を超える検出結果が得られた場合、チャンバー６０内のヒドラジンを排出させる。排出ステップでは、制御部ＣＯＮＴは、上記の不活性ガス供給ステップと同様の動作によってチャンバー２０又はチャンバー６０内のヒドラジンを排出させる。制御部ＣＯＮＴは、排出ステップを隔離ステップと同時に行わせるようにしても構わないし、隔離ステップの後に行わせるようにしても構わない。
【０１２９】
本実施形態では接続部１０１に回収部１０２が接続されているため、隔離ステップにおいて隔離された液状体は、回収部１０２によって回収される（回収ステップ）。制御部ＣＯＮＴは、例えば排出ステップにおいてチャンバー２０内のヒドラジンを排出させた後、溶媒濃度センサＳＲ１〜ＳＲ４の検出結果が第１閾値を下回った場合（雰囲気中のヒドラジン濃度＜第１閾値となった場合）、循環部１０３に設けられた不図示のポンプ機構を駆動させることで回収部１０２内の液状体を循環部１０３に供給させる。具体的には、制御部ＣＯＮＴは、循環部１０３を介してノズルＮＺ内に再度液状体を戻す動作を行わせる（循環ステップ）。この動作により、隔離された液状体がノズルＮＺ内に戻るため、新たな液状体を用いずに済むことになる。このため、液状体の使用量が抑えられることになる。
【０１３０】
一方、制御部ＣＯＮＴは、例えばチャンバー２０内の雰囲気中のヒドラジン濃度が第２閾値を超えた場合（第２閾値＜雰囲気中のヒドラジン濃度の場合）、塗布装置ＣＴＲの全動作を停止させる。雰囲気中のヒドラジン濃度が大きくなった場合においては、液状体の隔離よりも塗布装置ＣＴＲ自体を緊急停止させることを優先的に行った方が良い場合がある。この場合、例えば基板Ｓに塗布動作が行われている途中であっても、また、例えば基板Ｓが搬送されている途中であっても、当該動作が停止される。
【０１３１】
以上のように、本実施形態によれば、チャンバー２０内の雰囲気中における液状体Ｑの溶媒（ヒドラジン）の濃度が所定の閾値を超えたときに当該液状体Ｑをチャンバー２０内の雰囲気から隔離させる隔離部１００を備えることとしたので、雰囲気中のヒドラジン濃度の増加を抑えることができる。これにより、塗布環境の変化を抑制することができる。
【０１３２】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態では、溶媒濃度センサＳＲ１〜ＳＲ４の値が第２閾値を超えた場合には、制御部ＣＯＮＴが塗布装置ＣＴＲの全動作を停止させる構成としたが、これに限られることは無い。例えば制御部ＣＯＮＴが全動作を停止させた後、上記の不活性ガス供給ステップのみを行わせるようにし、チャンバー２０内のヒドラジンを排出させる構成としても構わない。ヒドラジンの排出によってチャンバー２０内の酸素濃度が第２閾値を下回った場合、例えば制御部ＣＯＮＴは、上記実施形態と同様の隔離ステップを行わせるようにしても構わない。
【０１３３】
上記実施形態においては、塗布部ＣＴの構成として、スリット型のノズルＮＺを用いた構成としたが、これに限られることは無く、例えば中央滴下型の塗布部を用いても構わないし、インクジェット型の塗布部を用いても構わない。また、例えば基板Ｓ上に配置される液状体をスキージなどを用いて拡散させて塗布する構成であっても構わない。
【０１３４】
また、上記実施形態において、塗布装置ＣＴＲが一つの部屋に収容される構成である場合、当該部屋の雰囲気を調整する気体供給排出部が設けられた構成であっても構わない。この場合、当該気体供給排出部を用いて部屋の雰囲気中のヒドラジンを排出することができるため、より確実に塗布環境の変化を抑制することができる。
【０１３５】
また、溶媒濃度センサの配置について、上記実施形態に記載の溶媒濃度センサＳＲ１〜ＳＲ４に限られず、例えば、図１及び図２に破線で示した位置に溶媒濃度センサ（ＳＲ５〜ＳＲ１２）を配置させても構わない。
【０１３６】
具体的には、溶媒濃度センサＳＲ５及び溶媒濃度センサＳＲ６は、処理室２０ａに配置されている。溶媒濃度センサＳＲ５は、液状体供給部３３と廃液回収部３５との間に配置されている。溶媒濃度センサＳＲ６は、ノズル待機位置４６及び予備吐出部４４の＋Ｘ側に配置されている。
【０１３７】
溶媒濃度センサＳＲ７及び溶媒濃度センサＳＲ８は、処理室２０ａの外側に配置されている。溶媒濃度センサＳＲ７は、基台ＢＣの−Ｘ側の面のうち＋Ｙ側の角部に配置されている。溶媒濃度センサＳＲ８は、基台ＢＣの−Ｙ側の面のうち＋Ｘ側の角部に配置されている。
【０１３８】
また、溶媒濃度センサＳＲ９及び溶媒濃度センサＳＲ１０は、処理室６０ａに配置されている。溶媒濃度センサＳＲ９は、架台７４上のうち−Ｘ側及び−Ｙ側の角部に配置されている。溶媒濃度センサＳＲ１０は、架台７４上のうち＋Ｘ側及び＋Ｙ側の角部に配置されている。
【０１３９】
溶媒濃度センサＳＲ１１及び溶媒濃度センサＳＲ１２は、処理室６０ａの外側であって例えば床面ＦＬ上に配置されている。溶媒濃度センサＳＲ１１は、基台ＢＢの＋Ｙ側の壁部のうちＸ方向の中央部に配置されている。溶媒濃度センサＳＲ１２は、基台ＢＢの−Ｙ側の壁部のうちＸ方向の中央部に配置されている。なお、溶媒濃度センサＳＲ５〜ＳＲ１２についても一例であり、他の位置に溶媒濃度センサを配置させても構わない。
【０１４０】
また、上記実施形態においては、基板Ｓを搬送する手段としてローラーが設けられた構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、ロボットを用いて搬送するロボット搬送部が設けられた構成であっても構わない。当該ロボット搬送部は、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫの各部に適宜配置させることができる。
【０１４１】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれら実施例に限定されることはない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。本発明は前述した説明によって限定されることはなく、添付のクレームの範囲によってのみ限定される。
【符号の説明】
【０１４２】
ＣＴＲ…塗布装置  Ｓ、Ｓ２…基板  ＣＴ…塗布部  ＣＯＮＴ…制御部  ＮＺ…ノズル  ＴＰ…先端  ＳＲ１〜ＳＲ４…溶媒濃度センサ  Ｑ…液状体  ２０…チャンバー  ２０ａ…処理室  ２８…処理ステージ  ３１…吐出部  ３２…メンテナンス部  ３３…液状体供給部  ３７…気体供給排出部  ３７ａ…気体供給部  ３７ｂ…排気部  ４４…予備吐出部  ４４ａ…第一予備吐出部  ４４ｂ…第二予備吐出部  ４５…ノズル先端洗浄部  ６０…チャンバー  １００…隔離部  １０１…接続部  １０２…回収部  １０３…循環部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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