(57)【要約】      （修正有）【課題】シリコン基板とガラス基板との気泡のない高品質接合基板を提供する。【解決手段】第１の表面２ａを有する第１の基板１ａを、第２の表面２ｂを有する第２の基板１ｂに接合する方法において、第１の基板１ａを少なくとも２つの支持点Ｓ１、Ｓ２によって保持するステップと、第１の表面２ａと第２の表面２ｂが互いに向き合うように、第１の基板１ａ及び第２の基板１ｂを位置決めするステップと、少なくとも１つの加圧点Ｐ１と、２つの支持点Ｓ１、Ｓ２との間で、第２の基板１ｂに向かって歪みＦを加えることによって、第１の基板１ａを変形させるステップと、変形させた第１の表面２ａと、第２の表面２ｂとを接触させるステップと、歪みＦを徐々に緩和するステップとを含む。【選択図】図６
2012084850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面（２ａ）を有する第１の基板（１ａ）を、第２の表面（２ｂ）を有する第２の基板（１ｂ）に接合する方法において、
前記第１の基板（１ａ）を少なくとも２つの支持点（Ｓ１、Ｓ２）によって保持するステップと、
前記第１の表面（２ａ）と前記第２の表面（２ｂ）が互いに向き合うように、前記第１の基板（１ａ）及び前記第２の基板（１ｂ）を位置決めするステップと、
少なくとも１つの加圧点（Ｐ１）と、前記２つの支持点（Ｓ１、Ｓ２）との間で、前記第２の基板（１ｂ）に向かって歪み（Ｆ）を加えることによって、前記第１の基板（１ａ）を変形させるステップと、
変形させた前記第１の表面（２ａ）と、前記第２の表面（２ｂ）とを接触させるステップと、
前記歪み（Ｆ）を徐々に緩和するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
加圧点の集合が成す凸包の表面積がゼロであり、支持点及び加圧点の集合が成す凸包の表面積が非ゼロである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の基板（１ａ）が、前記支持点（Ｓ１、Ｓ２）に配置された吸引部（３）によって保持される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
各吸引部（６）が、伸縮アーム（４）に連結される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の基板（１ｂ）が、前記第２の基板（１ｂ）の両側部にそれぞれある少なくとも２つのスペーサ（１１）を備えた支持体（１０）上に配置され、前記スペーサが、前記第２の基板（１ｂ）の厚さよりも高い、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の基板（１ａ）が、前記スペーサ（１１）上に載置することによって保持され、前記支持点（Ｓ１、Ｓ２）が、前記スペーサ（１１）と前記第１の基板との接触点である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記支持体（１０）が、前記第２の基板（１ｂ）を保持する少なくとも１つの吸引部（１２）を備える、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記歪み（Ｆ）が、少なくとも１つのピストンロッド（５）によって加えられる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の基板（１ａ）がガラスシートであり、前記第２の基板（１ｂ）がシリコンタイルである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
第２の基板（１ｂ）ごとに歪み（Ｆ）を前記第１の基板（１ａ）に加えることによって、前記第１の基板（１ａ）が複数の第２の基板（１ｂ）に順次接合される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのピストンロッド（５）が、移動装置（６）に取り付けられ、各歪み（Ｆ）を前記第１の基板（１ａ）に順次加える、請求項８又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の基板（１ａ）が、前記第１の基板（１ａ）全体を変形させることによって、複数の第２の基板（１ｂ）に同時に接合される、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、シリコンオングラス（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）（ＳｉＯＧ）構造の分野である。
【０００２】
より正確には、本発明は、かかる構造を作成するための改善された方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）技術が、高性能薄膜トランジスタ、太陽電池等でますます重要になってきている。ＳＯＩウェハは、絶縁材料上の実質的に単結晶のシリコン薄層（一般に１ミクロン未満）からなる。
【０００４】
様々な構造及びかかるウェハを得る様々な方法が知られている。典型的には、使用されている構造は、別のシリコンウェハに酸化物絶縁体層を間に挟んで接合させたシリコン薄膜で形成される。
【０００５】
シリコン基板が特に他の部分に比べてかなり厚いため、かかる構造のコストの大部分が、上面がシリコン薄層で覆われた酸化物層を支持するシリコン基板のコストとなってきている。したがって、ＳＯＩ構造のコストを削減するために、シリコンほど高価でない材料、特にガラス又はガラスセラミックで作成された支持基板の使用が試みられている。
【０００６】
かかるガラスベースの基板を使用したＳＯＩ構造は、先に述べたように、ＳｉＯＧ構造と呼ばれる。ＳｉＯＧ構造を設ける工程が、例えば米国特許第７，１７６，５２８号明細書に記載されている。かかる工程を図１に示す。一般にシリコン製のソース基板１ｂに、水素のようなイオン種を注入する。こうした注入によって、埋込み弱化ゾーン７が生成されることになる。さらに、ソース基板１ｂを、ガラスベース支持基板１ａと接合し、次いで、ソース基板１ｂを、注入したイオン種が浸透した深さに対応する深さで分割することによって分離する。このようにして、元のガラスベース支持基板１ａとソース基板１ｂから得られた層８とを含むＳｉＯＧ構造と、元のソース基板１ｂの一部である剥離された残りの基板とが作製される。
【０００７】
しかし、従来のＳＯＩ支持基板をガラスベース支持基板に置き換えるのは、簡単なことではない。ＳｉＯＧに伴う潜在的な問題の１つは、ガラスベース支持基板１ａが、一般に金属（特にアルカリ）、及びソース基板１ｂから得られる層８のシリコン又は他の半導体材料にとって有害となり得る他の成分を含むことである。したがって、ガラスベース支持基板１ａと、ソース基板１ｂとの間には、一般にバリヤ層が必要となる。さらに、このバリヤ層は、シリコン層８の接合表面を親水性にすることによって、シリコン層８と、ガラスベース支持基板１ａとの接合を容易化することができる。この点に関して、ＳｉＯ２層をバリヤ層として用いて、ガラスベース支持基板１ａと、シリコン層８との間で親水性表面状態を得ることができる。
【０００８】
シリコンソース基板１ｂを接合前に雰囲気に露出させることによって、自然ＳｉＯ２層をシリコンソース基板１ｂ上に直接形成することができる。或いは、陽極接合を使用するとき、陽極接合工程によって、シリコンソース基板１ｂと、ガラスベース支持基板１ａとの間にＳｉＯ２層が「その場で（ｉｎ  ｓｉｔｕ）」作製される。その他に、ＳｉＯ２層を、接合前に、ソース基板１ｂ上に能動的に堆積又は成長させることもできる。
【０００９】
米国特許第７，１７６，５２８号明細書は、陽極接合工程によって設けることができる別のタイプのバリヤ層を開示しており、このバリヤ層は、ガラスベース支持基板１ａの上部ガラス層が低レベルのイオンで改変されたものである。開示の陽極接合は、アルカリ及びアルカリ土類ガラス組成分、並びにシリコンに有害である他の改質性陽イオンを、ガラスベース基板の厚さ約１００ｎｍの上部層から実質的に除去する。
【００１０】
その後、２つの基板表面を非常に接近させることによって、通常、分子接合が実施される。２つの表面をサブナノメートルスケールの距離で局所的に近付けるために、機械ピストンによって基板に圧力を加える。親水性接合の場合、こうした加圧によって、２つの親水性表面で吸着された水分子間で水素結合が確立されることになる。すでに接合された領域の縁部で水素結合が漸次確立されていくにつれて、接合領域は、次第に増大する。したがって、接合波が、少なくとも一方の基板の縁部に達するまで伝播する。接合波の伝播、又は基板縁部での接合波の終止が妨害されることがあればそれは、気泡９が閉じ込められる原因となり得る。かかる気泡９は、基板の接合を局所的に妨げ、その結果、図２に示すように、ソース基板１ｂから分離されガラスベース支持基板１ａに接合された層８に孔が生じることになる。
【００１１】
したがって、分子接合中の気泡の閉込めを回避する、２つの基板を接合する方法が求められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、シリコン基板とガラス基板との、気泡のない高品質接合基板を提供することである。さらに、本発明はまた、工業プロセスを高速化し、且つコストを節減するために、一連の基板の効率の良い接合を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的のために、本発明は、第１の表面を有する第１の基板を、第２の表面を有する第２の基板に接合する方法において、
第１の基板を少なくとも２つの支持点によって保持するステップと、
第１の表面と第２の表面が互いに向き合うように、第１の基板及び第２の基板を位置決めするステップと、
少なくとも１つの加圧点と、２つの支持点との間で、第２の基板に向かって歪みを加えることによって、第１の基板を変形させるステップと、
変形させた第１の表面と、第２の表面とを接触させるステップと、
歪みを徐々に緩和するステップと
を含むことを特徴とする方法を提供する。
【００１４】
本発明の好ましいが、限定するものではない特徴は、以下の通りである。
【００１５】
加圧点の集合が成す凸包の表面積はゼロであり（ｎｕｌｌ）、支持点及び加圧点の集合が成す凸包の表面積は非ゼロである（ｎｏｎ−ｎｕｌｌ）。
【００１６】
第１の基板は、支持点に配置された吸引部によって保持される。
【００１７】
各吸引部は、伸縮アームに連結される。
【００１８】
第２の基板は、第２の基板の両側部にそれぞれある少なくとも２つのスペーサを備えた支持体上に配置され、前記スペーサは、第２の基板の厚さよりも高い。
【００１９】
第１の基板は、スペーサ上に載置することによって保持され、支持点は、スペーサと第１の基板との接触点である。
【００２０】
支持体は、第２の基板を保持する少なくとも１つの吸引部を備える。
【００２１】
歪みは、少なくとも１つのピストンロッドによって加えられる。
【００２２】
第１の基板はガラスシートであり、第２の基板はシリコンタイルである。
【００２３】
第１の基板は、第２の基板ごとに、歪みを第１の基板に加えることによって、複数の第２の基板に順次接合される。
【００２４】
少なくとも１つのピストンロッドは、移動装置に取り付けられ、各歪みを第１の基板に順次加える。
【００２５】
第１の基板は、第１の基板全体を変形させることによって、複数の第２の基板に同時に接合される。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】ＳｉＯＧ構造を作成する既知の工程のステップを示す前述の図である。
【図２】ＳＯＩ構造内の気泡の存在による欠陥の詳細な前述の断面図である。
【図３】分子接合中の、接合伝播波を示す図である。
【図４】本発明による工程において、基板を保持するステップの実施形態を示す図である。
【図５】（ａ〜ｃ）及び（ｄ〜ｅ）は、本発明による工程において、基板を保持するステップの代替実施形態を示す図である。
【図６】本発明による工程の実施形態の連続したステップを示す図である。
【図７ａ】本発明による工程の実施形態における、支持体上の基板の実施可能な代替配置の上面図である。
【図７ｂ】本発明による工程の実施形態における、支持体上の基板の実施可能な代替配置の上面図である。
【図８ａ】本発明による工程の別の実施形態の連続したステップを示す図である。
【図８ｂ】本発明による工程の別の実施形態の連続したステップを示す図である。
【図８ｃ】本発明による工程の別の実施形態の連続したステップを示す図である。
【図８ｄ】本発明による工程の別の実施形態の連続したステップを示す図である。
【図８ｅ】本発明による工程の別の実施形態の連続したステップを示す図である。
【図８ｆ】本発明による工程の別の実施形態の連続したステップを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明の上記並びにその他の目的、特徴、及び利点は、以下の本発明の例示的な実施形態の詳細な説明を、添付の図面と併せ読めば明白となるであろう。
【００２８】
次に、図面を参照しながら、本発明の実施可能な実施形態による方法を説明する。
【００２９】
気泡の閉込めを回避するための唯一の解決策は、図３に示すように、接合波の伝播を慎重に制御することである。実際には、接合波面は、所与の時間で既に接合された（すなわち、接合波が既に通過した）領域の境界を画し、分子引力によって未接合領域の方に延びる曲線である。この曲線が異なる２点でつながると、気泡が閉じ込められ、それによって未接合領域が取り囲まれる。空気はかかる取り囲まれた未接合領域から抜け出ることができないので、接合波面は停止することになる。したがって、接合波面は、常に連続していなければならない。
【００３０】
例示のケースでは、接合は、点Ｐ１での接触によって開始する。次いで、接合波面は、放射状に延び、Ｌ（ｔ１）、Ｌ（ｔ２）、及びＬ（ｔ３）は、３つの瞬間ｔ１＜ｔ２＜ｔ３における接合波面の位置を表す。接合波面は、中央での接合開始から、空気を閉じ込めることなく、空気を押し出しながら、第２の基板１ｂの縁部まで延びる。
【００３１】
この例では、本発明は、第１の表面２ａを有する第１の基板１ａを、第２の表面２ｂを有する第２の基板１ｂに接合する方法であって、接合波の伝播を制御する方法を提案する。第１の表面２ａと第２の表面２ｂが互いに向き合うように、第１の基板１ａを少なくとも２つの支持点Ｓ１及びＳ２によって保持し、第２の基板１ｂに近接して（例えば１００〜１０００ミクロン）位置決めする。第１の基板を、２つの表面２ａと２ｂとの間で単一の接点を有するように変形させる。この変形は、２つの支持点Ｓ１及びＳ２とは異なる少なくとも１つの加圧点Ｐ１と、２つの支持点Ｓ１及びＳ２との間で、第２の基板１ｂに向かって歪みＦを加えることによって得られ、次いで、変形させた第１の表面２ａと、第２の表面２ｂとを接触させる。この変形は、変形させた第１の表面２ａと、第２の表面２ｂとが接触するまで実施することができ、或いは、第１の基板１ａを変形させ、次いで、変形の完了後、並進移動によって、第１の基板１ａの第１の表面１ａを第２の表面２ａと接触させてもよい。加圧点Ｐ１に位置するこの接触点から、接合波が開始する。第１の基板１ａの反りは、約数百マイクロメートルであり、この反りは、典型的に使用される基板の横方向寸法、すなわち数百ミリメートルに比べると非常に小さい。例えば、２０ｃｍ×２０ｃｍの表面を有し、縁部で支持されている厚さ７７５ミクロンのシリコン基板の中央で２００ミクロンの反りを得るには、約１．３Ｎの力が必要であり、２０ｃｍ×２０ｃｍの表面を有し、縁部で支持されている厚さ５００ミクロンのシリコン基板の中央で２００ミクロンの反りを得るには、約０．２Ｎの力が必要である。
【００３２】
第１の実施形態を、図４に示す。この有利な実施形態では、第１の基板１ａは、４つの支持点Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、及びＳ４で真空システムによって保持され、各支持点には吸引部３が配置されている。次いで、第１の基板１ａを、第２の基板の上方１０分の数ミリメートルの範囲内で位置決めする。
【００３３】
図５（ａ〜ｃ）及び（ｄ〜ｅ）は、様々な位置で接合波の伝播を開始することが可能な、支持点及び加圧点の代替幾何形状を示す。２つの支持点しか必要でない。本発明は、これらの幾何形状のいかなるものにも限定されるものではなく、当業者には、第１の基板１ａの形状及び材料に応じて、支持点及び加圧点をいかに配置するかが理解されよう。
【００３４】
支持点及び加圧点の幾何形状は、例えば以下の２つの条件を考慮することができる。
【００３５】
少なくとも２つの支持点Ｓ１及びＳ２は、少なくとも１つの加圧点Ｐ１からずらさなければならない。言い換えれば、支持点及び加圧点の集合が成す凸包（すなわち、少なくともこの集合のあらゆる点を含む最小多角形）は、非ゼロの表面積を有していなければならない。しかし、完全に点状の（ｐｕｎｃｔｕａｌ）物理的支持手段はなく、例えば、吸引部３は、数ｃｍ２に広がる。したがって、吸引部３が十分に大きい場合、１つの吸引部３が、十分に離れた複数の支持点として作用するので、図５（ｄ〜ｅ）に示す幾何形状でも、第１の条件に矛盾することなく、本発明による方法の実施形態で使用することができる。
【００３６】
少なくとも３つの加圧点がある場合、それら３つの加圧点は、三角形を成してはならない。言い換えれば、加圧点の集合が成す凸包は、ゼロの表面積を有していなければならない。三角形を成すと、表面２ａと２ｂとが接触する際に、接合波面が三角形の縁部でつながり、空気が閉じ込められる恐れがある。一方、全ての加圧点が線を成す場合、空気が閉じ込められ得るゾーンは生じない。
【００３７】
次いで、第１の基板１ａを、少なくとも１つの加圧点Ｐ１と、支持点との間で、例えば、加圧点Ｐ１で第１の基板１ａと接触しているピストンロッド５の移動により、歪みＦを加えることによって曲げる。さらに、上記で説明した第２の条件に従い、ピストンロッド５と、第１の基板１ａとの間の接触は、点状ではなく、線状でもよい。この場合、歪みＦを、支持点（Ｓ１、Ｓ２）と、加圧線Ｐとの間で加える。２つの表面２ａと２ｂとが接触すると、分子接合が開始する。
【００３８】
最後のステップは、歪みＦを緩和して、接合波を伝播させるステップである。
【００３９】
考えられ得る第１の可能性は、真空を１回のストロークで単に緩和し、接合波の高速伝播を引き起こすことである。しかし、本出願人は、この伝播は、基板の縁部で他の場所よりも高速になることに気付いた。したがって、接合波面の中央部分はまだ基板縁部に達していないのに、接合波面の外側部分が、つながってしまう恐れがある。そのため、気泡が閉じ込められる恐れがある。
【００４０】
こうした危険を防止するために、本発明が提案する解決策は、接合波の伝播を常に制御するように、支持点と加圧点（Ｓ１、Ｓ２、Ｐ１…）との間で加えた歪みＦを急激にではなく、徐々に緩和することである。この目的で、吸引部３を、例えば伸縮アーム４に取り付けることができる。
【００４１】
有利には、本発明による方法の変形形態では、第１の基板１ａを、複数の第２の基板１ｂに接合する。実際には、第１の基板１ａは、例えばガラスシートであり、第２の基板１ｂは、シリコンタイルである。ガラスの大判シートは、容易に製造することができ、したがって、基板は２０〜３０ｃｍの間の幅を一般に有するので、こうしたガラスの大判シートは、複数のシリコン基板を受けることができる。しかし、本発明は、ガラス基板とシリコン基板との接合に限られるものではない。
【００４２】
図６は、本発明の第２の有利な実施形態による、第１の基板１ａと、複数の第２の基板１ｂとの接合順序を概略的に示す。
【００４３】
最初に（図６（ａ））、第２の基板１ｂを、支持体１０の上に予め位置決めし、任意選択の真空システムである吸引部１２によって保持する。次いで、第１の基板１ａを位置決めし、第２の基板１ｂの両側部（すなわち２列の間）に位置するスペーサ１１上に載置する。これらのスペーサ１１は、第２の基板の厚さを超える高さ、好ましくは少なくとも２００μｍは超える高さを有する。例えば７７５μｍの厚さを有するシリコンタイルの場合、スペーサ１１の高さは、したがって少なくとも９７５μｍに達する。スペーサ１１は、第１の基板１ａの支持線である（但し、線ではなく点の連続でもよい）。
【００４４】
第２のステップの間（図６（ｂ））、ピストンロッド５によって、歪みＦを加える。既に説明したように、ピストンロッド５は、各タイルの中央で点状の接触、又は線状の接触を行うことができる（図７ａ及び７ｂ）。ピストンロッド５によって加えられた歪みによって、次いで、第１の基板１ａが線形スペーサ１１の間で曲がることになる。その後、スペーサ１１の間に位置する１つ又はいくつかの第２の基板（複数可）１ｂと、第１の基板１ａとの機械接触が得られる。図７ａに示す９枚のタイルは、例えば、（９つのピストンを使用して、若しくは３つの線状接触ロッドを使用して、図示せず）９枚全てを同時に接合すること、又は例えば（図７ａに示すように、３つのピストンを使用して）１列ずつ、又は例えば（１つのピストンを使用して、図示せず）１枚ずつ接合することができる。
【００４５】
次いで吸引部１２を緩和すると、第２の基板１ｂは、分子接合が行われた加圧点Ｐ１だけによって保持されることになる。したがって、ピストンロッド５を徐々に短くすると、第２の基板１ｂは、接合波面が延びるにつれて支持体１０から持ち上がってくる（図６（ｃ））。第１の基板１ａの縁部が、（各スペーサ１１の高さのため）加圧点Ｐ１に対して少なくとも２００μｍ変位するのに対応する第１の基板１ａの変形によって、接合界面の各点の接合波速度が、理想的には、非制御の接合中も、接合界面の中央領域で観察される最小の接合波速度を超えることがないように、接合波速度を制御することが可能となり、したがって、気泡の形成を防止することができる。本発明では、接合波速度を、接合界面の中央だけでなく、接合界面の外周でも低減させることが可能である。
【００４６】
接合は、ピストンロッド５が再びその始動位置に到達すると終了する。接合波は、第２の基板１ｂの全面にわたって伝播したことになる（図６（ｄ））。
【００４７】
次いで、本方法を、次の第２の基板１ｂ、又は第２の基板１ｂの列に適用することができる。有利には、ピストンロッド５を、移動装置６に取り付ける。この移動装置６は、例えば３軸ロボットである。この移動装置６は、基板１ｂの第１の列の１つから、別の列へと移動し、それらの列に歪みＦを順次加えることができる。
【００４８】
本発明の別の有利な実施形態によれば、第１の基板１ａ全体を変形させ、複数の第２の基板１ｂに同時に接合する。この場合、図８ａで分かるように、接合順序は、基板を予め位置決めステップから開始する。第１の基板１ａを、支持体１０上にある複数の第２の基板１ｂの上方で、伸縮アーム４の先端で吸引部３により真空下で保持する。第２の基板１ｂはそれぞれ、支持体１０に埋め込まれた少なくとも１つの吸引部１２によって保持することができる。基板１ａの第１の表面２ａの中央は、第２の基板１ｂの表面２ｂから少なくとも１００μｍ上方に保持する。
【００４９】
この基板１ａを変形させるために、中央要素、例えばピストンロッド５を、点Ｐ１で基板１ａと接触させる。吸引部３及び伸縮アーム４は、順番に移動可能であり、したがって、基板１ａは自由形状を取ることができ、基板（１ａ）と吸引部３との間の接触点Ｓ１及びＳ２、並びにピストンロッド５のヘッドと接触する点Ｐ１によってのみ、形状が強いられる。図８ｂに示すように、ピストンロッド５を長く伸ばすことによって歪みＦが加わり、点Ｐ１は、基板１ｂにより近接することになる。
【００５０】
１０Ｎ未満（例えば、２〜１０Ｎ）の接触力を加えると、分子接合が開始する（図８ｃ）。次いで、第１の基板１ａに課された曲げ力を徐々に緩和することによって、接合伝播波が開始する。この接合伝播のために、伸縮アームを長く伸ばす（図８ｄ）。２つの基板１ａと１ｂとの間で、接合波面が一様に伝播するように、この緩和の速度を制限する。
【００５１】
図８ｅに示すように、接合波面が他の第２の基板１ｂに達すると、有利には、構造１０に埋め込まれた補助ピストンロッド５’によって、他の第２の基板１ｂ上で接合波が開始する。接合順序は、第１の基板１ａ全体に加えた歪みが緩和されると終了する（図８ｆ）。
【００５２】
特に、第２の基板１ｂの列の数が、奇数又は偶数であるかに応じて、２つのケースを区別することが重要である。（図８ａ〜図８ｆに示すように）列の数が偶数である場合、第１の接触は、中央２つの列の各縁部で行う。列の数が奇数である場合、第１の接触は中央列の中央で行う。接合機構は、横の行でも同じである。
【００５３】
本発明による方法の本実施形態では、複数のシリコンタイルを一時に接合できるので、高速な工業プロセスが可能となる。さらに、ほんの少数の操作しか必要でないので、かかる方法によって、非常に正確な接合が保証され、したがって高品質の製品が得られる。
【符号の説明】
【００５４】
１ａ  第１の基板
１ｂ  第２の基板
２ａ  第１の表面
２ｂ  第２の表面
３  吸引部
４  伸縮アーム
５  ピストンロッド
５’  補助ピストンロッド
６  移動装置
７  埋込み弱化ゾーン
８  シリコン層
９  気泡
１０  支持体
１１  スペーサ
１２  吸引部
Ｐ１  加圧点
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４  支持点
Ｆ  歪み
Ｌ  接合波面位置
【図１】
2012084850.tif 000003
【図２】
2012084850.tif 000004
【図３】
2012084850.tif 000005
【図４】
2012084850.tif 000006
【図５】
2012084850.tif 000007
【図６】
2012084850.tif 000008
【図７ａ】
2012084850.tif 000009
【図７ｂ】
2012084850.tif 000010
【図８ａ】
2012084850.tif 000011
【図８ｂ】
2012084850.tif 000012
【図８ｃ】
2012084850.tif 000013
【図８ｄ】
2012084850.tif 000014
【図８ｅ】
2012084850.tif 000015
【図８ｆ】
2012084850.tif 000016
【外国語明細書】
2012084850000001.pdf