(57)【要約】【課題】プラズマ耐性の高い酸化イットリウムを含む材料で保護膜を形成した場合でも、酸化イットリウム粒子の脱粒やクラックなどによる劣化を抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、プラズマ処理装置１０はチャンバ１１内に処理対象保持手段と、チャンバ１１内に導入されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、を備える。チャンバ１１の内壁とチャンバ１１内の構成部材のプラズマ処理室６１の表面には、酸化イットリウム被膜からなる保護膜５０が形成される。また、保護膜５０は、酸化イットリウム粒子を有し、膜厚が１０μｍ以上２００μｍ以下であり、膜密度が９０％以上であり、単位面積２０μｍ×２０μｍ中に存在する粒界が確認できる酸化イットリウム粒子が面積率で０〜８０％であり、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子が面積率２０〜１００％である。【選択図】図１
2012191200.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内に処理対象を保持する処理対象保持手段と、前記チャンバ内に導入されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、を備え、生成されたプラズマを用いて前記処理対象を処理するプラズマ処理装置において、
前記チャンバの内壁と前記チャンバ内の構成部材の前記プラズマ生成手段で生成されるプラズマの生成領域側の表面には、酸化イットリウム被膜が形成され、
前記酸化イットリウム被膜は、酸化イットリウム粒子を有し、膜厚が１０μｍ以上２００μｍ以下であり、膜密度が９０％以上であり、単位面積２０μｍ×２０μｍ中に存在する粒界が確認できる酸化イットリウム粒子が面積率で０〜８０％であり、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子が面積率２０〜１００％であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記プラズマ生成手段は、前記処理対象保持手段に対向して配置され、前記ガスを前記処理対象保持手段側にガス吐出口を介して供給するとともに、前記ガスをプラズマ化する電極として機能する板状のガス供給部材であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記ガス供給部材は、
第１の径を有する第１の孔部と、
前記第１の孔部の一方の端部に接続され、前記端部から前記第１の径よりも大きい第２の径となるように開口径が増大し、前記ガス供給部材の一の主面側に設けられる第２の孔部と、
を有するガス吐出口を備え、
前記酸化イットリウム被膜は、前記第２の孔部を形成する面上と、前記ガス供給部材の前記一の主面上とに設けられることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記プラズマの生成領域に曝される前記チャンバの内壁に嵌め込まれるように設けられる筒状の内壁保護部材をさらに備え、
前記内壁保護部材の前記プラズマの生成領域側の表面に前記酸化イットリウム被膜が形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記内壁保護部材は、前記チャンバの内部と外部との間で前記処理対象を出し入れするように設けられた開口部を開閉可能に覆うシャッタを有し、
前記シャッタの前記プラズマ生成領域側の表面にも前記酸化イットリウム被膜が形成されることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記処理対象保持手段は、
前記処理対象を保持するとともに、前記ガスをプラズマ化する電極として機能する支持部材と、
前記支持部材の側面を被覆するように設けられる絶縁材料からなるインシュレータリングと、
を有し、
前記酸化イットリウム被膜は、前記インシュレータリングの前記プラズマの生成領域側になる上面および外周部に設けられることを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記処理対象保持手段は、前記支持部材に載置される前記処理対象の周囲に配置される導電性材料からなるフォーカスリングをさらに有し、
前記酸化イットリウム被膜は、前記フォーカスリングの前記プラズマの生成領域側の表面に設けられることを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記処理対象保持手段の外周と前記チャンバの側壁との間を接続し、前記プラズマの生成領域側のガスを排出するガス排出孔を有するバッフルプレートをさらに備え、
前記酸化イットリウム被膜は、前記バッフルプレートの前記プラズマの生成領域側の表面に設けられることを特徴とする請求項１から７のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記酸化イットリウム粒子は、純度が９９．９９％以上の酸化イットリウム粒子であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記酸化イットリウム被膜の膜厚は１０〜２００μｍであり、膜密度は９９％以上１００％以下であることを特徴とする請求項１から９のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記粒界が確認できる酸化イットリウム粒子は平均粒径２μｍ以下であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記酸化イットリウム粒子の平均粒径が５μｍ以下であることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記酸化イットリウム被膜をＸＲＤ分析したとき、立方晶の最強ピークをＩｃとし、単斜晶の最強ピークをＩｍとしたきの両者の比Ｉｍ／Ｉｃが０．２〜０．６であることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記酸化イットリウム被膜は、表面粗さＲａが３μｍ以下であることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、プラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置や液晶表示装置などの製造における微細加工プロセスでは、ＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）装置が用いられる。ＲＩＥ装置では、チャンバ内を低圧状態にし、フッ素系ガスや塩素系ガスをチャンバ内に導入してプラズマ化し、エッチングを行っている。このようなＲＩＥ装置の内壁や内部構成部材は、プラズマに曝されることで腐食され易い問題があるため、保護膜として酸化イットリウム（イットリア）、酸化アルミニウム（アルミナ）などのプラズマ耐性の高い材料がコーティングされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００８／０４４５５５号
【特許文献２】特許第４０８４６８９号公報
【特許文献３】特開２００６−１０８１７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ＲＩＥ装置の内壁や内部構成部材に酸化イットリウムなどの保護膜をコーティングした場合でも、粒子の脱粒やクラックなどによって、保護膜が劣化してしまうという問題点があった。
【０００５】
本発明の一つの実施形態は、プラズマ耐性の高い酸化イットリウムを含む材料で保護膜を形成した場合でも、酸化イットリウム粒子の脱粒やクラックなどによる劣化を抑えることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの実施形態によれば、チャンバ内に処理対象を保持する処理対象保持手段と、前記チャンバ内に導入されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、を備え、生成されたプラズマを用いて前記処理対象を処理するプラズマ処理装置が提供される。前記チャンバの内壁と前記チャンバ内の構成部材の前記プラズマ生成手段で生成されるプラズマの生成領域側の表面には、酸化イットリウム被膜が形成される。また、前記酸化イットリウム被膜は、酸化イットリウム粒子を有し、膜厚が１０μｍ以上２００μｍ以下であり、膜密度が９０％以上であり、単位面積２０μｍ×２０μｍ中に存在する粒界が確認できる酸化イットリウム粒子が面積率で０〜８０％であり、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子が面積率２０〜１００％である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態のプラズマ処理装置に搭載される部品の一例を示す図である。
【図２】図２は、第１の実施形態による酸化イットリウム被膜の一例を示す図（拡大写真）である。
【図３】図３は、図２の一部をさらに拡大した図である。
【図４】図４は、第２の実施形態によるプラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、第２の実施形態による保護膜でコーティングされたシャワーヘッド及びシャッタの構成の一例を示す図である。
【図６】図６は、第２の実施形態による保護膜でコーティングされたデポシールドの構成の一例を示す斜視図である。
【図７】図７は、第２の実施形態による保護膜でコーティングされたインシュレータリングの構成の一例を示す図である。
【図８】図８は、第２の実施形態による保護膜の脱粒率の度合いを示す図である。
【図９】図９は、第２の実施形態による保護膜のエッチングレートの度合いを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるプラズマ処理装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００９】
（第１の実施形態）
第１の実施形態のプラズマ処理装置は、衝撃焼結法により形成された酸化イットリウム被膜を有するプラズマ処理装置用部品を搭載した装置である。ここで、酸化イットリウム被膜は、少なくとも粒子の表面が溶融状態で隣接する粒子同士が結合し、固化した酸化イットリウム粒子を含み、一部の粒界が見えなくなった酸化イットリウム被膜（以下、半溶融状態の酸化イットリウム被膜という）である。この半溶融状態の酸化イットリウム被膜は、酸化イットリウム粒子を有し、膜厚が１０μｍ以上であり、膜密度が９０％以上であり、単位面積２０μｍ×２０μｍ中に存在する粒界が確認できる酸化イットリウム粒子を面積率で０〜８０％含み、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子を面積率で２０〜１００％含むものである。
【００１０】
図１は、第１の実施形態のプラズマ処理装置に搭載される部品の一例を示す図である。図中、１はプラズマ処理装置用部品であり、２は酸化イットリウム被膜であり、３は基材である。酸化イットリウムであればプラズマアタックやラジカルアタック（例えば、活性なＦラジカル）に強いので問題ないが、特に、フッ素系プラズマに強い酸化イットリウムが好ましい。
【００１１】
また、酸化イットリウム粒子の純度は９９．９％以上であることが好ましい。酸化イットリウム粒子中に不純物が多いと半導体の製造工程において不純物混入の原因となる。このため、純度９９．９９％以上の酸化イットリウム粒子を用いることがより好ましい。
【００１２】
酸化イットリウム被膜は、酸化イットリウム粒子を有している。例えば、一般的な溶射法で成膜すると酸化イットリウム粒子は溶融した状態で成膜される。そのため、酸化イットリウム粒子は偏平状になっている。これに対し、第１の実施形態では、酸化イットリウム粒子は溶融されないので扁平状を有さず、単位面積２０μｍ×２０μｍ中に存在する粒界が確認できる酸化イットリウム粒子を面積率で０〜８０％含み、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子を面積率で２０〜１００％を含む。
【００１３】
粒界が確認できる酸化イットリウム粒子は拡大写真により確認できる。例えば、電子顕微鏡写真により５０００倍の拡大写真を撮ることによって確認できる。図２は、第１の実施形態による酸化イットリウム被膜の一例を示す図（拡大写真）であり、図３は、図２の一部をさらに拡大した図である。図中、４は粒界が確認できない酸化イットリウム粒子、５は粒界が確認できる酸化イットリウム粒子である。
【００１４】
ここで、「粒界が確認できる酸化イットリウム粒子」は、拡大写真によって個々の粒子の粒界がコントラストの差で確認できる粒子である。一方、「粒界が確認できない酸化イットリウム粒子」は、拡大写真によって隣り合う粒子同士が結合して個々の粒子の粒界が確認できない粒子である。また、単位面積を２０μｍ×２０μｍとし、試料中から選択した任意の所定の数（たとえば３ヵ所）の単位面積での「粒界が確認できる酸化イットリウム粒子」と「粒界が確認できない酸化イットリウム粒子」の面積を測定し、その平均値を「粒界が確認できる酸化イットリウム粒子」および「粒界が確認できない酸化イットリウム粒子」の面積率とする。図２および図３では「粒界が確認できる酸化イットリウム粒子５」の粒子群と「粒界が確認できない酸化イットリウム粒子４」の粒子群が混在している状態である。
【００１５】
衝撃焼結法は、燃焼フレーム炎により粒子を噴射して成膜する被膜形成方法であり、粒子と高速度（たとえば音速以上）で基材に衝突させ、その衝突による粒子の破砕熱で焼結結合させて被膜を形成する方法である。そのため、原料粉末の粒形状よりも破砕形状となった酸化イットリウム粒子を含む酸化イットリウム被膜が形成され易くなる傾向がある。第１の実施形態では、このような衝撃焼結法において、酸化イットリウム粒子を溶融させないあるいは表層だけ溶融した状態で酸化イットリウム粒子の噴射速度を加速し、粒子が堆積し始める臨界速度以上の高速となるように制御して成膜する。表層が溶融した酸化イットリウム粒子が、基材に衝突する際の破砕熱で隣接する酸化イットリウム粒子と結合することによって、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子を含む酸化イットリウム被膜は形成される。このとき、酸化イットリウム粒子の基材への衝突時の破砕熱で、酸化イットリウム粒子が表層だけでなくさらに粒子全体が溶融されてもよい。この場合にも、同様の酸化イットリウム被膜が形成される。また、表層を溶融させない酸化イットリウム粒子は、基材に衝突する際の破砕熱で少なくとも表層が溶融する場合もあり、これによっても隣接する酸化イットリウム粒子間の粒界が確認できない酸化イットリウム粒子を含む酸化イットリウム被膜が形成される。このように高速噴射を使うことにより、溶射のように原料粉末を溶かして噴射しないため原料粉末としての酸化イットリウム粒子の粉末形状をほぼ維持した状態で堆積できる。そのため、膜内部の応力が発生せず、緻密（膜密度の高い）で結合力の強い酸化イットリウム被膜を形成することができる。
【００１６】
このように衝撃焼結法は、高速噴射が可能であるため、「粒界が確認できる酸化イットリウム粒子」と「粒界が確認できない酸化イットリウム粒子」が混在した組織を得やすい。「粒界が確認できる酸化イットリウム粒子」と「粒界が確認できない酸化イットリウム粒子」の面積率の合計を１００％としたとき、「粒界が確認できる酸化イットリウム粒子」が面積率で０〜８０％であり、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子が面積率で２０〜１００％である。
【００１７】
「粒界が確認できる酸化イットリウム粒子」が面積率で８０％を超えると、衝撃による破壊熱が不十分であるため、堆積において急激な冷却状態となり膜の低密度化や結合力が低下し、場合によってはクラックが発生する。「粒界が確認できる酸化イットリウム粒子」の面積率は０〜５０％が好ましい。このことは、「粒界が確認できない酸化イットリウム粒子」の面積率が５０〜１００％の範囲が好ましいことと同意である。
【００１８】
また、酸化イットリウム被膜の膜厚は１０μｍ以上であることが望ましい。１０μｍ未満では酸化イットリウム被膜を設ける効果が十分得られず、却って膜はがれの原因となる虞がある。酸化イットリウム被膜の厚さの上限は特に限定されるものではないが、あまり厚いとそれ以上の効果が得られず、また内部応力の蓄積によりクラックが発生し易くなりコストアップの要因ともなる。そのため、酸化イットリウム被膜の厚さは１０〜２００μｍであり、より好ましくは５０〜１５０μｍである。
【００１９】
また、膜密度は９０％以上が必要である。膜密度とは気孔率の反対の用語であり、膜密度９０％以上とは、気孔率１０％以下と同じ意味である。膜密度の測定方法は、酸化物被膜を膜厚方向に切断し、その断面組織の光学顕微鏡による拡大写真（たとえば５００倍）を撮り、そこに写る気孔の面積率を算出する。そして、「膜密度（％）＝１００−気孔の面積率」により膜密度を算出する。膜密度の算出には、単位面積２００μｍ×２００μｍの面積を分析するものとする。なお、膜厚が薄いときは、合計した断面積が単位面積の２００μｍ×２００μｍとなるまで複数個所測定するものとする。
【００２０】
膜密度は９０％以上、より好ましくは９５％以上、さらには９９％以上１００％以下であることが好ましい。酸化イットリウム被膜中に気孔（ボイド）が多く存在すると、その気孔からプラズマアタックなどの浸食が進行して酸化物被膜の寿命を低下させる。特に酸化イットリウム被膜表面に気孔が少ないことが望ましい。
【００２１】
また、酸化イットリウム被膜の表面粗さＲａは３μｍ以下であることが好ましい。酸化イットリウム被膜の表面凹凸が大きいとプラズマアタックなどが集中し易く膜の寿命を低下させる虞がある。表面粗さＲａの測定はＪＩＳ−Ｂ−０６０１−１９９４に準ずるものとする。好ましくは表面粗さＲａ２μｍ以下である。
【００２２】
また、粒界を確認できる酸化イットリウム粒子の平均粒径は２μｍ以下、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子を含めた全体の酸化イットリウム粒子の平均粒径は５μｍ以下であることが好ましい。
【００２３】
後述するように衝撃焼結法を用いる原料粉末としての酸化イットリウム粉末は平均粒径１〜５μｍの範囲であることが好ましい。原料粉末としての酸化イットリウム粒子の平均粒径が５μｍを超えると、粒子が衝突した際に破砕されずに飛び散って被膜が形成され難くなり、さらに粒子自体のブラスト作用により被膜にダメージを与えてクラックが発生する虞がある。一方、酸化イットリウム粒子が５μｍ以下になると、微粒子が衝突した際に破砕が適度に進行して破砕による発熱で粒子結合が助長されて被膜が形成され易くなる。その形成された被膜は、粒子間の結合力が大きく、プラズマアタック及びラジカルアタックによる損耗が低減してパーティクル発生量が少なくなり、耐プラズマ性が向上する。粒子の粒径のより好ましい値は、１μｍ以上３μｍ以下であるが、１μｍ未満となると、粒子の破砕が進行し難くなり、被膜として形成されるものの、低密度の被膜となって耐プラズマ性及び耐食性が低下する。そのため、微粒子粒径の適用範囲は１〜５μｍであることが好ましい。ただし、１μｍ未満の微粒子が酸化イットリウム粒子全体の５％未満であれば、被膜形成を悪化させないため、１μｍ未満の微粒子を含有した粉末を使用してもよい。
【００２４】
平均粒径の求め方は、図２のような拡大写真を使って行うものとする。粒界が確認できる酸化イットリウム粒子は、写真に写る個々の粒子においてもっとも長い対角線を粒径とする。粒界が確認できない酸化イットリウム粒子は、個々の粒子の仮設円を使ってその直径を粒径とする。この作業をそれぞれ所定の数（たとえば５０粒、合計１００粒）行いその平均値を平均粒径とする。
【００２５】
また、酸化イットリウム被膜をＸ線回折分析（X‐ray  diffraction  Technique：以下、ＸＲＤ分析という）を行い、その結果得られる立方晶（cubic）の最強ピークをＩｃとし、単斜晶（monoclinic）の最強ピークをＩｍとすると、その比Ｉｍ／Ｉｃが０．２〜０．６であることが好ましい。ＸＲＤ分析は、２θ法、Ｃｕターゲット、管電圧４０ｋＶ、管電流４０ｍＡで行うものとする。
【００２６】
立方晶の最強ピークは、２８〜３０°の間に検出される。また、単斜晶の最強ピークは３０〜３３°の間に検出される。通常、市販されている酸化イットリウム粒子は立方晶である。衝撃焼結法の破壊熱により一部が晶変化することがあるが、あまり晶変化が多いと内部応力が生じ膜特性を低下させる。そのため、Ｉｍ／Ｉｃは０．２〜０．６の範囲であることが好ましい。
【００２７】
次に、第１の実施形態のドライエッチング装置用部品の製造方法について説明する。第１の実施形態の衝撃焼結法により酸化イットリウム被膜を形成したプラズマ処理装置用部品の製造方法は、燃焼フレーム炎に酸化イットリウム粒子を含むスラリーを供給する工程と、酸化イットリウム粒子を噴射速度４００〜１０００ｍ／ｓｅｃで基材上に噴射させる工程と、を含むものである。ここで、酸化イットリウム粒子の平均粒径は１〜５μｍであることが好ましい。また、酸化イットリウム粒子を含むスラリーを燃焼フレーム炎の中心に供給することが好ましい。このときの燃焼フレーム炎の温度は３，０００℃以下であることが望ましい。
【００２８】
衝撃焼結法は、燃焼フレーム炎中に、酸化イットリウム粒子を含むスラリーを供給して酸化イットリウム粒子を高速噴射させる成膜方法である。衝撃焼結法を行う成膜装置は、燃焼源を供給する燃焼源供給口とそこにつながった燃焼室を具備している。燃焼室で燃焼源を燃焼させることにより、燃焼フレーム口に燃焼フレーム炎を発生させる。燃焼フレーム炎の近傍にはスラリー供給口があり、スラリー供給口から供給された酸化イットリウム粒子スラリーは燃焼フレーム炎からノズルを介して基材に噴射され成膜されていく。燃焼源は、酸素、アセチレン、灯油などであり必要に応じ２種用いてもよい。
【００２９】
衝撃焼結法により酸化イットリウム被膜を形成する場合、酸化イットリウム粒子の噴射速度が４００ｍ／ｓｅｃ以上１０００ｍ／ｓｅｃ以下の範囲であることが好ましい。噴射速度が遅いと粒子の衝突した際の粉砕が不十分となり膜密度の高い膜が得られない虞がある。また、１０００ｍ／ｓｅｃを超えると衝突が強すぎて、酸化イットリウム粒子によるブラスト効果が生じて目的とする膜が得られ難い。
【００３０】
また、酸化イットリウム粒子スラリーをスラリー供給口に投入する場合、スラリーが燃焼フレーム炎の中心に来るように供給することが好ましい。燃焼フレーム炎の外側に酸化イットリウム粒子スラリーを供給すると、一部の酸化イットリウム粒子は燃焼フレーム炎の外側で噴射され一部は中心まで到達してから噴射されるため、噴射速度が安定しない。また、同じ燃焼フレーム炎でも外側と内側では温度が若干異なるため、膜質が不均一になる。これに対して、燃焼フレーム炎の中心に酸化イットリウム粒子スラリーを供給すると、同じ温度、同じ噴射速度で成膜されるため膜質が均一になり、粒界が確認できる粒子・粒界が確認できない粒子の組織の制御も可能となる。
【００３１】
また、衝撃焼結法は、燃焼フレーム炎により粒子を噴射して成膜する被膜形成方法であり、粒子が高速度で衝突し、その衝突による粒子の破砕熱で焼結結合させて被膜を形成する方法である。そのため、原料粉末の粒形状よりも破砕形状となった酸化イットリウム粒子を含む酸化イットリウム被膜が形成され易くなる傾向がある。また、酸化イットリウム粒子を溶融させないあるいは表層だけ溶融した状態で、酸化イットリウム粒子の噴射速度を加速し、粒子が堆積し始める臨界速度以上の速度となるように制御することにより、膜密度の高い酸化イットリウム被膜を得ることができる。衝撃焼結法は、高速噴射が可能であるため「粒界が確認できない粒子」を得やすい。そのため、第１の実施形態のように粒界が確認できる酸化イットリウム粒子を面積率で０〜８０％含み、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子を面積率で２０〜１００％含む酸化イットリウム被膜を効率的に得ることができる。
【００３２】
また、「粒界が確認できる粒子」・「粒界が確認できない粒子」の制御には、ノズルから基材までの噴射距離Ｌを調整することも効果的である。前述のように衝撃焼結法は、燃焼フレーム炎を使って酸化イットリウム粒子を高速噴射し、衝突時の粒子の破壊熱を利用して焼結結合させて堆積させる方法である。一旦、燃焼フレーム炎で温められた酸化イットリウム粒子を溶融した偏平形状とさせずに成膜するには、噴射距離Ｌを１００〜４００ｍｍにすることが好ましい。１００ｍｍ未満では距離が近すぎて酸化物粒子が破砕されずに焼結結合した被膜が得られ難くなる。一方、４００ｍｍを超えると離れすぎているため衝撃力が弱くなり目的とする酸化物被膜が得られ難い。前述の噴射速度や原料粉末としての酸化物粒子サイズを制御することにより、溶融・未溶融の組織が制御できる。好ましい噴射距離Ｌは１００〜２００ｍｍである。
【００３３】
また、酸化イットリウム粒子スラリーは、原料粉末として平均粒径１〜５μｍの酸化イットリウム粒子を含有するスラリーであることが好ましい。スラリー化する溶媒は、メチルアルコールやエチルアルコールなどの比較的揮発し易い溶媒であることが好ましい。酸化イットリウム粒子は、十分、粉砕して粗大粒子がない状態にしてから溶媒と混合することが好ましい。例えば、２０μｍ以上の粗大粒子があると均一な膜を得にくくなる。また、スラリー中の酸化イットリウム粒子は３０〜８０ｖｏｌ％であることが好ましい。適度な流動性を有するスラリーである方が供給口への供給がスムーズとなり、供給量が安定するため均一な膜が得られる。
【００３４】
このような衝撃焼結法を用いれば、原料粉末（酸化イットリウム粒子スラリー）の結晶構造のまま酸化イットリウム被膜を構成することができる。例えば、酸化イットリウムは常温では立方晶である。溶射法での燃焼フレーム炎のような高温に晒されると結晶構造が変化するが、衝撃焼結法は高温に晒されないので安定な立方晶のまま酸化イットリウム被膜を構成する酸化イットリウム粒子とすることができる。
【００３５】
以上のようなプラズマ処理装置用部品は、様々なプラズマ処理装置に適用可能である。例えば、Ｓｉウェハや基板上に成膜された絶縁膜、電極膜及び配線膜等の各種薄膜の微細加工は、電極間に印加した高周波電圧、あるいはマイクロ波電界と磁界との相互作用によりハロゲンガスをプラズマ化し、生成するイオンやラジカルを利用して加工するＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）装置を使用して行うことができる。第１の実施形態のプラズマ処理装置用部品は、プラズマに晒される箇所であればどこにでも適用することができる。このため、ウェハ配置部材に限らず、内壁部などのプラズマに晒される部品であればすべて適用できる。また、酸化イットリウム被膜が形成される基材については石英に限定されるものではなく、金属部材やセラミックス部材上に設けてもよい。特に、プラズマ処理装置で使用される部品のうち、プラズマに晒されるデポシールド、インシュレータリング、上部電極、バッフルプレート、フォーカスリング、シールドリング、ベローズカバーなどに適用できる技術であるが、半導体製造装置の分野に限られるものではなく、液晶デバイスなどのプラズマ処理装置の部品でも適用が可能である。
【００３６】
また、プラズマ処理装置用部品における耐プラズマ性が著しく向上し、パーティクル低減及び部品使用の長寿命化を可能とする。このため、このようなプラズマ処理装置用部品を用いたプラズマ処理装置であれば、プラズマ処理中のパーティクルの低減および部品交換回数の低減を可能とする。
【００３７】
また、高密度プラズマを利用したＲＩＥ装置では、プラズマ生成のために印加する高周波電圧との絶縁性を保つため、絶縁性部材が用いられる場合がある。上部電極のようにプラズマに晒される絶縁性部材の保護膜では、絶縁性の高い酸化アルミニウム被膜（アルマイト）を堆積した後、その上に酸化イットリウム被膜を形成した二層コーティングが有効となる。絶縁性に対しては、酸化アルミニウム被膜の厚さ調整と高密度被膜の形成が重要となり、特にα構造の酸化アルミニウム被膜を緻密に形成した場合、さらなる効果が発揮されるため、酸化イットリウム被膜の形成と同等の条件に設定することが好ましい。
【００３８】
なお、下層は酸化アルミニウム被膜としたが、他の酸化物あるいはそれらの混合物でもよく、必要特性に応じて材料を選定することが好ましい。酸化アルミニウム被膜との２層構造とする場合は、その上限は５００μｍ以下であることが好ましい。
【００３９】
また、衝撃焼結法により粒子を高速で吹付け、その衝突エネルギーで粒子を堆積しているため、構成部品に被膜を堆積する場合にはブラスト処理が不要となる。その結果、ブラスト材の残留や表面欠陥の発生が無く、被膜の密着性が向上する。これは、粒子の高速衝突で構成部品の表面酸化被膜が破壊され、活性面が露出することにより、部品表面に直接被膜が形成され、その後の粒子衝突での粒子破壊による発熱で粒子間において接合が起こり、被膜が形成されるからである。
【００４０】
したがって、装置用部品上に堆積する付着物の剥離によるパーティクルの発生を抑えることができると共に、装置クリーニングや部品交換の回数を大幅に減少させることができる。パーティクル発生量の低減は、半導体製造におけるエッチング加工時の欠陥及び各種薄膜成膜時の膜中欠陥、さらにはそれを用いた素子や部品の歩留り向上に大きく寄与する。また、装置クリーニングや部品交換回数の低減、部品の使用寿命の延長は、生産性の向上ならびにランニングコストの削減に大きく寄与する。
【００４１】
以下、第１の実施形態について実施例を参照して詳細に説明する。
【００４２】
表１は、衝撃焼結法（実施例１〜７）及び従来の溶射法（比較例１）により成膜した酸化イットリウム被膜の成膜条件を示す図である。燃焼フレーム型噴射装置を用いて衝撃焼結法により、アルミ製基材上（１００ｍｍ×２００ｍｍ）に表１に示す条件で酸化イットリウム被膜を形成してプラズマ処理装置用部品とした。酸化イットリウム粒子スラリーの溶媒はいずれもエチルアルコールとした。また、用いる原料粉末はいずれも純度９９．９９％以上の高純度酸化物粒子を用いた。さらに、原料粉末としての酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）粒子は立方晶であり、十分な粉砕および篩分けにより２０μｍを超える粗大粒子がないものを用いた。また、比較例１はプラズマ溶射法により酸化イットリウム被膜を成膜した。
【００４３】
【表１】
2012191200.tif 000003
【００４４】
表２は、表１に示した各条件で成膜した酸化イットリウム被膜の評価結果を示す図である。表１に示した各実施例および比較例に関する酸化イットリウム被膜に対して、膜密度、粒界が確認できる粒子・粒界が確認できない粒子の面積比、酸化イットリウム被膜中の粒界が確認できる粒子の平均粒径を測定し、結晶構造をＸＲＤ法で分析した。
【００４５】
膜密度は、膜断面の合計の単位面積が２００μｍ×２００μｍとなるように拡大写真（５００倍）を撮り、そこに写る気孔の割合から求めた。また、粒界が確認できる粒子・粒界が確認できない粒子の面積比は、膜表面における単位面積２０μｍ×２０μｍの拡大写真（５０００倍）を撮り、酸化イットリウム粒子１個の粒界の分かるものを「粒界が確認できる粒子」、粒界が結合して分からないものを「粒界が確認できない粒子」として面積比を求めた。この作業を任意の３ヵ所について行い、その平均値を「粒界が確認できる粒子」・「粒界が確認できない粒子」の面積比（％）とした。また、同じ拡大写真を使って「粒界が確認できる粒子」の平均粒径を求めた。さらに、ＸＲＤ分析（Ｃｕターゲット、管電圧４０ｋＶ、管電流４０ｍＡ）にて検出される立方晶の最強ピークＩｃと単斜晶の最強ピークＩｍの比Ｉｍ／Ｉｃにより結晶構造を調べた。
【００４６】
【表２】
2012191200.tif 000004
【００４７】
表２から分かる通り、本実施例にかかる酸化イットリウム被膜は膜密度が高く、「粒界が確認できる酸化イットリウム粒子」の割合（面積比）が０〜８０％の範囲内である。また、衝撃焼結法を用いることにより、「粒界が確認できる酸化イットリウム粒子」の平均粒径が原料粉末のサイズ（約５μｍ）よりやや小さくなっている。さらに、必要以上に溶融されていないので結晶構造も原料粉末（Ｉｍ／Ｉｃ＝０．２〜０．６）と同じ部分が存在している。
【００４８】
また、表２には示していないが、実施例１〜６にかかるものは表面粗さＲａが３μｍ以下である。実施例７にかかる酸化イットリウム被膜の表面粗さＲａは６．２μｍと大きいが、これは「粒界が確認できない粒子」が少ないため表面凹凸が大きくなったものと考えられる。さらに、比較例１では酸化イットリウム被膜の表面粗さＲａは３．４μｍである。
【００４９】
次に、表３は、プラズマ耐性の評価結果を示す図である。表１に示した各実施例および比較例に関する酸化イットリウム被膜をプラズマ処理装置内に配置し、ＣＦ4（８０ｓｃｃｍ）＋Ｏ2（２０ｓｃｃｍ）＋Ａｒ（１００ｓｃｃｍ）の混合ガスで生成したプラズマに晒した。ＲＩＥチャンバ内の圧力を２０ｍＴｏｒｒとし、ＲＦ出力（１３．５６ＭＨｚ）を１００Ｗとし、１２時間（「３０分放電→１０分冷却」×２４回）連続稼働させた後に、酸化イットリウム被膜の粒子の脱粒量をスコッチテープ法によるピーリング評価で調べた。具体的には、酸化イットリウム被膜にスコッチテープを貼り付けた後にテープを剥がし、テープをＳＥＭ（Scanning  Electron  Microscope）観察して、８０μｍ×６０μｍ視野に存在する脱粒した粒子が付着した面積を測定した。また、前記試験を行う前後での酸化イットリウム被膜が形成された部材の重量を精密秤で測定し、重量減少量を求めた。
【００５０】
【表３】
2012191200.tif 000005
【００５１】
表３から、衝撃焼結法（実施例１〜７）では従来の溶射法（比較例１）よりも重量減少量が小さく、酸化イットリウム被膜からの脱粒量も少ない。この結果から、本実施例にかかる衝撃焼結法により保護膜を形成したＲＩＥ装置用部品は、プラズマアタックおよびラジカルアタックに強いことが分かる。プラズマアタックおよびラジカルアタックに強いということはＲＩＥ装置に用いたときにパーティクルの発生を効果的に抑制できることを意味する。
【００５２】
なお、上記各実施例では各部品の表面に衝撃焼結法による酸化イットリウム被膜を直接形成する例を示しているが、部品表面と酸化イットリウム被膜との間に酸化アルミニウムのような絶縁膜を少なくとも１層形成し、その最表面に衝撃焼結法による酸化イットリウム被膜を形成することにより、部品として絶縁性をも高められる効果が発揮される。
【００５３】
以上説明したように、第１の実施形態に係るＲＩＥ装置用部品によれば、腐食性ガスのラジカルに対する被膜の腐食が抑制され、各部品や被膜自体の安定性を高めることが可能となるため、部品や被膜からのパーティクル発生を抑制できる。さらに、使用部品が長寿命化し、腐食により発生する生成物も低減するため、部品の交換回数やクリーニング回数を削減することができる。
【００５４】
（第２の実施形態）
第２の実施形態では、第１の実施形態で説明した酸化イットリウム被膜をプラズマ処理装置の構成部材に適用する具体的な例を説明する。
【００５５】
図４は、第２の実施形態によるプラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。ここでは、プラズマ処理装置１０として、ＲＩＥ装置を例示している。プラズマ処理装置１０は、気密に構成されたたとえばアルミニウム製のチャンバ１１を有している。このチャンバ１１は接地されている。
【００５６】
チャンバ１１内には、処理対象としてのウェハ１００を水平に支持するとともに、下部電極として機能する支持テーブル２１が設けられている。支持テーブル２１の表面上には、図示しないがウェハ１００を静電吸着する静電チャック機構などの保持機構が設けられている。支持テーブル２１の側面および底面の周縁部を覆うようにインシュレータリング２２が配置され、インシュレータリング２２で覆われた支持テーブル２１の上方の外周には、フォーカスリング２３が設けられている。このフォーカスリング２３は、ウェハ１００のエッチング時に、電界がウェハ１００の周縁部で鉛直方向（ウェハ面に垂直な方向）に対して偏向しないように電界を調整する部材である。
【００５７】
また、支持テーブル２１は、チャンバ１１内の中央付近に位置するように、チャンバ１１の中央付近の底壁から鉛直上方に筒状に突出する支持部１２上に、インシュレータリング２２を介して支持されている。インシュレータリング２２とチャンバ１１の側壁との間には、バッフルプレート２４が設けられている。バッフルプレート２４は、板の厚さ方向を貫通する複数のガス排出孔２５を有する。また、支持テーブル２１には、高周波電力を供給する給電線３１が接続されており、この給電線３１にブロッキングコンデンサ３２、整合器３３および高周波電源３４が接続されている。高周波電源３４からは所定の周波数の高周波電力が支持テーブル２１に供給される。
【００５８】
下部電極として機能する支持テーブル２１に対向するように、支持テーブル２１の上部に上部電極として機能するシャワーヘッド４１が設けられている。シャワーヘッド４１は支持テーブル２１と平行に対向するように、支持テーブル２１から所定の距離を隔てたチャンバ１１の上部付近の側壁に固定される。このような構造によって、シャワーヘッド４１と支持テーブル２１とは、一対の平行平板電極を構成している。また、シャワーヘッド４１には、板の厚さ方向を貫通する複数のガス吐出口４２が設けられている。
【００５９】
チャンバ１１の上部付近には、プラズマ処理時に使用される処理ガスが供給されるガス供給口１３が設けられており、ガス供給口１３には配管を通じて図示しないガス供給装置が接続されている。
【００６０】
支持テーブル２１とバッフルプレート２４よりも下部のチャンバ１１にはガス排気口１４が設けられており、ガス排気口１４には配管を通じて図示しない排気手段である真空ポンプが接続されている。
【００６１】
また、バッフルプレート２４とシャワーヘッド４１との間で区切られる領域のチャンバ１１の側壁には、プラズマ処理時に発生する堆積物のチャンバ１１の側壁への付着を防止するデポシールド４５が設けられている。また、チャンバ１１の所定の位置の側壁部には、ウェハ１００を出し入れする開口部１５が形成され、この開口部１５に対応するデポシールド４５の部分には、シャッタ４６が設けられている。シャッタ４６は、チャンバ１１の外部と内部との間を仕切る役割を有し、ウェハ１００を出し入れする際に、開口部１５とチャンバ１１内とを接続するように開かれる。
【００６２】
チャンバ１１内の支持テーブル２１およびバッフルプレート２４と、シャワーヘッド４１とで仕切られた領域は、プラズマ処理室６１となり、シャワーヘッド４１で仕切られたチャンバ１１内の上部の領域は、ガス供給室６２となり、支持テーブル２１およびバッフルプレート２４で仕切られたチャンバ１１内の下部の領域はガス排気室６３となる。
【００６３】
このように構成されたプラズマ処理装置１０での処理の概要について説明する。まず、支持テーブル２１上に処理対象であるウェハ１００が載置され、たとえば静電チャック機構によって固定される。ついで、ガス排気口１４に接続される図示しない真空ポンプでチャンバ１１内が真空引きされる。このとき、ガス排気室６３とプラズマ処理室６１との間は、バッフルプレート２４に設けられたガス排出孔２５によって接続されているので、ガス排気口１４に繋がる真空ポンプによってチャンバ１１内全体が真空引きされる。
【００６４】
その後、チャンバ１１内が所定の圧力に達すると、プラズマ処理室６１とガス供給室６２との間は、シャワーヘッド４１のガス吐出口４２によって接続されているので、図示しないガス供給装置からガス供給室６２に処理ガスが供給され、シャワーヘッド４１のガス吐出口４２を介してプラズマ処理室６１に供給される。プラズマ処理室６１内の圧力が所定の圧力に達すると、シャワーヘッド４１（上部電極）を接地した状態で、支持テーブル２１（下部電極）に高周波電圧を印加して、プラズマ処理室６１内にプラズマを生成させる。ここで、下部電極には高周波電圧が印加されているので、プラズマとウェハとの間に電位勾配が生じ、プラズマガス中のイオンが支持テーブル２１へと加速されることになり、エッチング処理が行われる。
【００６５】
上記したように、プラズマ生成領域に接する側の構成部材の面、すなわちプラズマ処理室６１の構成部材の表面は、プラズマに曝されて劣化しやすいので保護膜５０が形成される。具体的には、支持テーブル２１のウェハ１００を載置する側の表面、インシュレータリング２２の表面、フォーカスリング２３の表面、バッフルプレート２４のプラズマ処理室６１側の表面、シャワーヘッド４１のプラズマ処理室６１側の表面、デポシールド４５のプラズマ処理室６１側の表面、およびシャッタ４６のプラズマ処理室６１側の表面に、第１の実施形態で説明した半溶融状態の酸化イットリウム被膜を有する保護膜５０が形成される。
【００６６】
図５は、第２の実施形態による保護膜でコーティングされたシャワーヘッドの構成の一例を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）はガス吐出口形成領域付近の断面模式図である。この例では、ガス供給部材であるシャワーヘッド４１は円板形状を有しており、中心から所定の範囲に、板状部材を厚さ方向に貫通するガス吐出口４２が設けられている。そして、シャワーヘッド４１の一方の主面の全面、すなわちプラズマ処理装置１０でプラズマ処理中にプラズマに曝される側の面が、保護膜５０でコーティングされる。
【００６７】
ガス吐出口４２は、一般的に数百μｍ〜数ｍｍ程度の径を有し、処理ガスがチャンバ１１内で均一かつ安定して供給できるように孔の長手方向の断面形状は複雑な形状を有している。このため、ガス吐出口４２付近に保護膜５０を形成すると、曲率が大きい箇所で応力が集中するためにクラックが発生しやすい。また、シャワーヘッド４１は上部電極でもあり、このように電極にガス吐出口４２が設けられている場合では、曲率が大きい箇所に電界が集中するため、特に高いプラズマ耐性が要求される。
【００６８】
そこで、第１の実施形態で示した衝撃焼結法で形成した酸化イットリウム被膜からなる保護膜５０で、ガス吐出口４２を含むシャワーヘッド４１の表面をコーティングすることで、プラズマ耐性が向上し、かつ剥離しにくい保護膜５０がシャワーヘッド４１の表面に得られる。また、第１の実施形態で示したように、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子の面積率を２０〜１００％とし、粒界が確認できる酸化イットリウム粒子の面積率を８０〜０％とすることで、隣接する粒子同士が結合し、緻密で脱粒し難い保護膜５０が得られる。
【００６９】
シャワーヘッド４１の表面への保護膜５０の形成方法は、第１の実施形態で説明した衝撃焼結法による保護膜５０の形成方法と同様であり、加工対象であるシャワーヘッド４１上に１０〜２００μｍの厚さで形成する。なお、ガス吐出口４２は、板状のシャワーヘッド４１をその厚さ方向に所定の径で貫く第１の孔部４２１と、第１の孔部４２１からプラズマ処理室６１側に向かって徐々に開口径が大きくなる第２の孔部４２２と、から構成され、シャワーヘッド４１のプラズマ処理室６１に対向する側の表面（主面）と第２の孔部４２２の内壁にかけて保護膜５０が形成される。しかし、第１の孔部４２１は、シャワーヘッド４１のガス吐出口４２の形成面に対して略垂直となっているので、第１の孔部４２１の内壁に保護膜５０はほとんど形成されない。また、第２の孔部４２２の表面に形成される保護膜５０の厚さは、第１の孔部４２１との境界付近から、開口径が大きくなる方向に徐々に膜厚が増加していき、ガス吐出口４２が形成されない領域では略均一の厚さとなっている。
【００７０】
図６は、第２の実施形態による保護膜でコーティングされたデポシールドの構成の一例を示す斜視図である。図６（ａ）に示されるように、内壁保護部材であるデポシールド４５は、チャンバ１１のプラズマ処理室６１部分の内壁に嵌まり込むように円筒形状を有している。円筒形状部材の高さ方向の一方の端部にはチャンバ１１の側壁に固定可能な支持部材４５１が設けられる。また、チャンバ１１の開口部１５の形成位置に合わせて、デポシールド４５にも開口部４５２が設けられている。図６（ｂ）に示されるように、開口部４５２には、シャッタ４６が嵌め込まれるように設けられる。ここでは、円筒形状部材の高さ方向にスライド可能な構成となっている。そして、シャッタ４６を含むデポシールド４５の内側側面に保護膜５０が設けられている。
【００７１】
このように、デポシールド４５に保護膜５０を形成することで、デポシールド４５のエッチング耐性が向上し、デポシールド４５の交換頻度を低くすることができる。
【００７２】
図７は、第２の実施形態による保護膜でコーティングされたインシュレータリングの構成の一例を示す図であり、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は断面図である。図７に示されるように、インシュレータリング２２は、円形のリング形状を有するたとえば石英（ＳｉＯ2）で構成される。インシュレータリング２２は、支持テーブル２１の外周を覆うとともに、支持テーブル２１の外周に設けられた段差部で固定されるように下面側に設けられる下部切り欠き部２２１と、フォーカスリング２３を固定するように上面側に設けられる上部切り欠き部２２２と、を有する。保護膜５０は、上部切り欠き部２２２を除く上面部２２３から側面部２２４にわたって形成される。たとえば保護膜５０は、上面部２２３から側面部２２４にわたって均一の厚さで設けることができる。
【００７３】
図５〜図７では、シャワーヘッド４１やデポシールド４５、インシュレータリング２２を例に挙げて説明したが、このほかにも、プラズマ処理装置の構成部材のうちプラズマ処理中にプラズマに曝される箇所に、衝撃焼結法による保護膜５０を同様に形成することができる。
【００７４】
図８は、第２の実施形態による保護膜の脱粒率の度合いを示す図である。ここでは、保護膜５０にスコッチテープを貼り付けた後にテープを剥がし、テープをＳＥＭ観察して８０μｍ×６０μｍ視野に存在する保護膜５０を構成する酸化イットリウム粒子の面積を測定し、剥離した側に残った単位面積当たりのパーティクル面積を脱粒率として求める。ここでは、第１の実施形態の方法で形成した酸化イットリウム被膜Ａ、および溶射法で形成した酸化イットリウム被膜Ｂについて測定を行った。その結果、一般的な酸化イットリウム被膜の形成方法である溶射法で形成した酸化イットリウム被膜Ｂの脱粒率は１．６６４％であるのに対し、酸化イットリウム被膜Ａは０．０３３％と一桁以上少ない。つまり、本実施形態による酸化イットリウム被膜Ａを用いた保護膜５０は、被膜形成対象に対する密着性が溶射膜に比べて効果的に改善されている。
【００７５】
図９は、第２の実施形態による保護膜のエッチングレートの度合いを示す図である。酸化イットリウム被膜Ａ，Ｂを形成した構成部材をＲＩＥ装置に配置し、所定の時間エッチングを行い、その後にエッチング度合い（たとえば、重量減少量）を測定することによって保護膜５０のエッチングレートが求められる。ここでは、酸化イットリウム被膜Ｂを基準にしたエッチングレートが示されている。この図に示されるように、本実施形態による酸化イットリウム被膜Ａを用いた保護膜５０は、従来の溶射法を用いた酸化イットリウム被膜Ｂに比してエッチングレートが低く、エッチング耐性が向上していることがわかる。
【００７６】
以上のように、第２の実施形態によれば、衝撃焼結法で形成した酸化イットリウム粒子を有する保護膜５０をプラズマ処理装置の構成部材に適用することで、密着性とエッチング耐性とを従来の溶射法による保護膜に比して改善することができる。その結果、プラズマ処理装置の構成部材の寿命を延ばすことができ、プラズマ処理装置で製造される半導体装置の製造コストを下げることができるという効果を有する。
【００７７】
また、上記ではプラズマ処理装置としてＲＩＥ装置を例示したが、これに限定されるものではなく、プラズマＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）装置などのプラズマやラジカルを発生させて処理を行う装置全般に対して、上記実施形態の保護膜５０を適用することができる。
【００７８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７９】
１…プラズマ処理装置用部品、２…酸化イットリウム被膜、３…基材、４…粒界が確認できない酸化イットリウム粒子、５…粒界が確認できる酸化イットリウム粒子、１０…プラズマ処理装置、１１…チャンバ、１２…支持部、１３…ガス供給口、１４…ガス排気口、１５…開口部、２１…支持テーブル、２２…インシュレータリング、２３…フォーカスリング、２４…バッフルプレート、２５…ガス排出孔、３１…給電線、３２…ブロッキングコンデンサ、３３…整合器、３４…高周波電源、４１…シャワーヘッド、４２…ガス吐出口、４５…デポシールド、４６…シャッタ、５０…保護膜、６１…プラズマ処理室、６２…ガス供給室、６３…ガス排気室、１００…ウェハ、２２１…下部切り欠き部、２２２…上部切り欠き部、２２３…上面部、２２４…側面部、４２１…第１の孔部、４２２…第２の孔部、４５１…支持部材、４５２…開口部。
【図１】
2012191200.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図２】
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【図３】
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