(57)【要約】【課題】複数の半導体チップが実装された配線基板の各製品形成エリア間の中間枠部を切断したときに、中間枠部によって配線基板の外部端子を破損することを防ぐ。【解決手段】基板載置部２１は、第１の製品形成エリア７ａを保持する第１のステージ２７ａと、第２の製品形成エリア７ｂを保持する第２のステージ２７ｂと、第１及び第２のステージ２７ａ，２７ｂを移動する移動機構２８と、を有する。切断部２２は、配線基板５の中間枠部８を、第１の製品形成エリア７ａと第２の製品形成エリア７ｂとの間に沿って１つの切断線で切断すると共に、移動機構２８によって、切断線に沿って切断された第１の製品形成エリア７ａを有する配線基板５ａと第２の製品形成エリア７ｂを有する配線基板５ｂとが離された状態で、第１の製品形成エリア７ａ及び第２の製品形成エリア７ｂのそれぞれを切断して複数の製品形成部６を個々に分割する。【選択図】図３Ｃ
2012084589.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが実装された複数の製品形成部が配置された第１及び第２の製品形成エリアと、前記第１の製品形成エリアと前記第２の製品形成エリアとの間に亘って形成された中間枠部と、前記半導体チップが実装された面の反対側の面に設けられた外部端子と、を有する配線基板が載せられて保持される基板載置部と、
前記基板載置部に保持された前記配線基板を切断する切断部と、を備え、
前記基板載置部は、前記第１の製品形成エリアを保持する第１のステージと、前記第２の製品形成エリアを保持する第２のステージと、前記第１のステージ及び前記第２のステージを移動する移動機構と、を有し、
前記切断部は、前記配線基板の前記中間枠部を、前記第１の製品形成エリアと前記第２の製品形成エリアとの間に沿って１つの切断線で切断すると共に、前記基板載置部の前記移動機構によって、前記切断線に沿って切断された前記第１の製品形成エリアを有する配線基板と前記第２の製品形成エリアを有する配線基板とが離された状態で、前記第１の製品形成エリア及び前記第２の製品形成エリアをそれぞれ切断して前記複数の製品形成部を個々に分割する、半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記切断部は、前記配線基板を切断するブレードを有し、
前記前記第１及び前記第２のステージには、前記配線基板を切断して前記複数の製品形成部を個々に分割するときに前記ブレードが挿入される溝が格子状に形成されている、請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
前記第１のステージ及び前記第２のステージは、前記配線基板の前記複数の製品形成部をそれぞれ負圧で吸着して保持する複数の保持部を有している、請求項１または２に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】
半導体チップが実装された複数の製品形成部が配置された第１及び第２の製品形成エリアと、前記第１の製品形成エリアと前記第２の製品形成エリアとの間に亘って形成された中間枠部と、前記半導体チップが実装された面の反対側の面に設けられた外部端子と、を有する配線基板を、基板載置部に載せて保持する第１工程と、
前記配線基板の前記中間枠部を、前記第１の製品形成エリアと前記第２の製品形成エリアとの間に沿って１つの切断線で切断する第２工程と、
前記第１の製品形成エリアを有する配線基板と前記第２の製品形成エリアを有する配線基板とを離間させる第３工程と、
前記第１の製品形成エリアを有する配線基板と前記第２の製品形成エリアを有する配線基板とを離間させた状態で、前記第１の製品形成エリア及び前記第２の製品形成エリアをそれぞれ切断して前記複数の製品形成部を個々に分割する第４工程と、
を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第３工程では、前記第１の製品形成エリアを有する配線基板を移動させずに、前記第２の製品形成エリアを有する配線基板を前記第１の製品形成エリアを有する配線基板から離間させ、
前記第４工程は、
前記第１の製品形成エリアを切断して前記複数の製品形成部を個々に分割する工程と、
前記第１の製品形成エリアが切断して前記複数の製品形成部を個々に分割した切断位置から前記第１の製品形成エリアを有する配線基板を退避させると共に、前記第２の製品形成エリアを有する配線基板を前記切断位置に移動させる工程と、
前記第２の製品形成エリアを切断して前記複数の製品形成部を個々に分割する工程と、を有する、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の製品形成エリアを保持する第１のステージと、前記第２の製品形成エリアを保持する第２のステージとを用いる、請求項４または５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の製品形成エリアの前記複数の製品形成部をそれぞれ負圧で吸着して保持する複数の吸着孔を有する前記第１のステージと、前記第２の製品形成エリアの前記複数の製品形成部をそれぞれ負圧で吸着して保持する複数の吸着孔を有する前記第２のステージとを用いる、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップが実装された配線基板を切断して半導体装置を製造するための半導体装置の製造装置、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体装置は、複数の製品形成部を有する配線基板を準備し、各製品形成部のそれぞれに半導体チップを搭載し、配線基板上の複数の製品形成部を一体的に覆う封止体を形成し、配線基板を個々の製品形成部毎に分割するＭＡＰ（Mold Array Process）方式が用いられている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００３】
このようなＭＡＰ方式で用いられる配線基板は、例えば２つに分割して形成されており、複数の製品形成部によって構成される２つの製品形成エリアを備えている。そして、２つの製品形成エリアの間には、製品形成エリア毎に覆う封止部を形成する金型が当接する中間枠部が配置されている。配線基板は、封止部が形成された各製品形成エリアの製品形成部に、半田ボール等によって外部端子が形成された後、各製品形成エリアを切断して複数の製品形成部が個々に分割されている。
【０００４】
各製品形成エリアを切断して複数の製品形成部を個々に分割する際、配線基板の中間枠部を切断することで、配線基板が製品形成エリア毎に分割され、各製品形成エリアの製品形成部が個片化されている。このように配線基板の製品形成部を個々に分割する方法としては、配線基板をテープに接着した状態で切断を行う方法、及び吸着方式の治具によって配線基板を保持した状態で切断する方法が知られている。
【０００５】
そして、吸着方式の治具によって配線基板を保持した状態で切断する場合には、図６（ａ）に示すように、配線基板１０５は、切断装置が有する２つのダイシングブレード１２２によって、２つの製品形成エリア１０７ａ，１０７ｂと中間枠部１０８との境界に沿ってそれぞれ切断される。２つのダイシングブレード１２２によって切断された中間枠部１０８（端材）は、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示すように、２つの製品形成エリア１０７ａ，１０７ｂの間に流水を供給することで、２つの製品形成エリア１０７ａ，１０７ｂの間から流され、配線基板１０５から除去される。その後、２つに分割された製品形成エリア１０７ａ，１０７ｂは、切断されることで、複数の製品形成部１０６が個々に分割されることで、複数の半導体装置が完成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−０４４３２４号公報
【特許文献２】特開２００１−０４４２２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述したように吸着方式の治具によって配線基板を保持した状態で切断する場合、配線基板の中間枠部を切断するときに、それぞれの製品形成エリアが治具によって吸着されて保持されている。しかし、２つの製品形成エリア間の中間枠部が吸着されて保持されておらず、２つの製品形成エリアの間から流された中間枠部が、製品形成エリアに配列された複数の外部端子に接触する恐れがある。このように流された中間枠部が製品形成エリアの外部端子に接触することによって、外部端子の損傷や、配線基板から外部端子が脱落する等の破損が発生する問題がある。
【０００８】
なお、製品形成エリアの周囲にも同様に外周枠部が形成されており、複数の製品形成部を個々に分割する際に端材として除去される。ただし、２つの製品形成エリア間の中間枠部以外の他の外周枠部は、配線基板の切断時にダイシングブレードによって製品形成部と仕切られている。このため、配線基板から切断された外周枠部は、配線基板の外側に向かって脱落するので、外周枠部が製品形成エリアの製品形成部の外部端子に接触するおそれはない。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上述のような課題を解決するものである。
【００１０】
本発明に係る半導体装置の製造装置の一態様によれば、半導体チップが実装された複数の製品形成部が配置された第１及び第２の製品形成エリアと、第１の製品形成エリアと第２の製品形成エリアとの間に亘って形成された中間枠部と、半導体チップが実装された面の反対側の面に設けられた外部端子と、を有する配線基板が載せられて保持される基板載置部と、基板載置部に保持された配線基板を切断する切断部と、を備える。基板載置部は、第１の製品形成エリアを保持する第１のステージと、第２の製品形成エリアを保持する第２のステージと、第１のステージ及び第２のステージを移動する移動機構と、を有する。切断部は、配線基板の中間枠部を、第１の製品形成エリアと第２の製品形成エリアとの間に沿って１つの切断線で切断すると共に、基板載置部の移動機構によって、切断線に沿って切断された第１の製品形成エリアを有する配線基板と第２の製品形成エリアを有する配線基板とが離された状態で、第１の製品形成エリア及び第２の製品形成エリアをそれぞれ切断して複数の製品形成部を個々に分割する。
【００１１】
以上のように構成した本発明に係る半導体装置の製造装置では、第１の製品形成エリアと第２の製品形成エリアとの間に沿って１つの切断線で中間枠部が切断された後に、第１の製品形成エリアを有する一方の配線基板と、第２の製品形成エリアを有する他方の配線基板とが離間される。このため、第１及び第２の製品形成エリアを分割するために切断された中間枠部が、配線基板から脱落したときに、配線基板に設けられた外部端子に衝突することが避けられる。したがって、配線基板の第１及び第２の製品形成エリアを分割するために切断するときに、中間枠部によって、配線基板の外部端子が破損することを防げる。
【００１２】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法の一態様によれば、半導体チップが実装された複数の製品形成部が配置された第１及び第２の製品形成エリアと、第１の製品形成エリアと第２の製品形成エリアとの間に亘って形成された中間枠部と、半導体チップが実装された面の反対側の面に設けられた外部端子と、を有する配線基板を、基板載置部に載せて保持する第１工程を有する。また、この製造方法は、配線基板の中間枠部を、第１の製品形成エリアと第２の製品形成エリアとの間に沿って１つの切断線で切断する第２工程と、第１の製品形成エリアを有する配線基板と第２の製品形成エリアを有する配線基板とを離間させる第３工程と、第１の製品形成エリアを有する配線基板と第２の製品形成エリアを有する配線基板とを離間させた状態で、第１の製品形成エリア及び第２の製品形成エリアをそれぞれ切断して複数の製品形成部を個々に分割する第４工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、複数の半導体チップが実装された配線基板の第１及び第２の製品形成エリア間の中間枠部を切断したときに、中間枠部によって配線基板の外部端子が破損することを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態の半導体装置の製造装置で用いられる配線基板を示す平面図である。
【図２】本実施形態の半導体装置の製造装置における半導体装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図３Ａ】本実施形態の半導体装置の製造装置を示す平面図である。
【図３Ｂ】本実施形態の半導体装置の製造装置の動作を説明するための平面図である。
【図３Ｃ】本実施形態の半導体装置の製造装置の動作を説明するための平面図である。
【図３Ｄ】本実施形態の半導体装置の製造装置の動作を説明するための平面図である。
【図３Ｅ】本実施形態の半導体装置の製造装置の動作を説明するための平面図である。
【図４】本実施形態の半導体装置の製造装置によって、第１のステージに保持された配線基板を切断して複数の製品形成部が個々に分割される動作を説明するための断面図である。
【図５Ａ】本実施形態の半導体装置の製造装置によって、配線基板の中間枠部が切断された状態を示す平面図である。
【図５Ｂ】本実施形態の半導体装置の製造装置によって、配線基板の第１の製品形成エリアを切断して製品形成部が個々に分割された状態を示す平面図である。
【図５Ｃ】本実施形態の半導体装置の製造装置によって、配線基板の第２の製品形成エリアを切断して製品形成部が個々に分割された状態を示す平面図である。
【図６】本発明に関連する技術を説明するための平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１６】
まず、本実施形態の半導体装置の製造方法で用いられる配線基板について説明する。図１に、ＢＧＡ型の半導体装置を製造するために用いられる配線基板の平面図を示す。図２に、ＢＧＡ型の半導体装置の製造工程を説明するための断面図を示す。
【００１７】
図１に示すように、配線基板５としては、例えば厚さ０．１ｍｍのガラスエポキシ配線基板が用いられており、配線基板５の一面に、マトリックス状に配置された複数の製品形成部６が設けられている。配線基板５には、例えば４×５（縦×横）で配列された２０個の製品形成部６を有する第１の製品形成エリア７ａ及び第２の製品形成エリア７ｂが配置されている。
【００１８】
配線基板５には、第１の製品形成エリア７ａと第２の製品形成エリア７ｂとの間に亘って、中間枠部８が形成されている。また、第１及び第２の製品形成エリア７ａ，７ｂの周囲には、外周枠部９が形成されている。
【００１９】
配線基板５の各製品形成部６には、半導体チップに形成された電極パッド(不図示)と電気的に接続される接続パッド１０が、配線基板５の一面側に形成されている。また、各製品形成部６には、接続パッド１０と電気的に接続された所定の配線パターン（不図示）が形成されており、配線パターンと電気的に接続されたランド１１が、配線基板５の他面に形成されている。
【００２０】
本実施形態の半導体装置の製造装置で用いられる配線基板５としての中間構成体を製造する工程について説明する。
【００２１】
まず、図２（ａ）に示すように、配線基板５は、ダイボンディング工程に移され、各製品形成部６に半導体チップ４が載置される。半導体チップ４は、例えばＳｉ基板の一面に論理回路や記憶回路等が形成され、周辺近傍位置に複数の電極パッド（図示せず）が形成されている。また、電極パッドを除く半導体チップ４の一面には、回路形成面を保護するパッシベーション膜（図示せず）が形成されている。
【００２２】
そして、ダイボンディング工程では、図示しないダイボンディング装置を用いて、配線基板５の一面側の各製品形成部６の略中央部に、それぞれ半導体チップ４の他面（電極パッドが形成された面の反対の面）が、絶縁性を有する接着材、あるいはＤＡＦ（Die Attached Film）等を介して接着固定される。図２（ｂ）に示すように、全ての製品形成部６に半導体チップ４が載置された配線基板５は、ワイヤボンディング工程に移される。
【００２３】
ワイヤボンディング工程では、図２（ｃ）に示すように、半導体チップ４の一面に形成された電極パッドと、それに対応する製品形成部６の接続パッド１０とを、導電性を有するワイヤ１３によって結線する。ワイヤ１３は、例えばＡｕまたはＣｕ等によって形成されており、図示しないワイヤボンディング装置を用いて、溶融されて一端にボールが形成されたワイヤ１３が半導体チップ４の電極パッド上に超音波熱圧着することで接続される。その後、ワイヤ１３は、所定のループ形状を描くように延ばされ、ワイヤ１３の他端を、電極パッドに対応する接続パッド１０上に超音波熱圧着することで接続される。全ての製品形成部６へのワイヤ１３の接続が完了した配線基板５は、図２（ｃ）に示すように構成されてモールド工程に移される。
【００２４】
ワイヤボンディングの完了した配線基板５は、一対の成形金型（不図示）の凹部内に載置される。そして、配線基板５は、成形金型を型締することで、中間枠部８及び外周枠部９が一対の成形金型の間に挟まれて保持される。続いて、図２（ｄ）に示すように、成形金型内に封止樹脂材が供給されることで、封止樹脂材によって、配線基板５の第１及び第２の製品形成エリア７ａ，７ｂを覆う封止部１５が形成される。
【００２５】
その後、成形金型から、配線基板５を取り出し、所定の温度、例えば２４０℃でリフローを行うことで封止部１５が完全に硬化される。このようにして、図２（ｄ）に示すような、製品形成部６に実装された半導体チップ４を覆う封止部１５が形成された、半導体装置の中間構造体が形成される。
【００２６】
次に、配線基板５は、ボールマウント工程に移され、図２（ｅ）に示すように、配線基板５の他面に格子状に配置された複数のランド１１上に、導電性を有する半田ボールを設けることで、外部端子となるバンプ電極１７が形成される。
【００２７】
ボールマウント工程では、配線基板５上のランド１１の配置に合わせて複数の吸着孔が形成された図示しない吸着機構を用いて、例えば半田等からなる半田ボールを吸着孔で保持する。そして、吸着機構によって保持された半田ボールを、フラックスを介して配線基板５の全てのランド１１に一括して搭載する。全ての製品形成部６への半田ボールの搭載後、配線基板５をリフローすることでバンプ電極１７（外部端子）が形成される。
【００２８】
最後に、バンプ電極１７が形成された配線基板５は基板ダイシング工程に移される。図２（ｅ）及び図２（ｆ）に示すように、配線基板５をダイシングライン１８（図２（ｅ）参照）で切断し、製品形成部６毎に分離する。基板ダイシング工程では、配線基板５の封止部１５側が、後述する基板載置部２１の第１及び第２のステージ２７ａ，２７ｂ上に吸着されて保持される。
【００２９】
その後、本実施形態の半導体装置の製造装置を用いて、配線基板５を、後述するダイシングブレードによって縦横方向にダイシングライン１８に沿って切断して製品形成部６毎に切断分離する。切断分離後、基板載置部２１の第１及び第２のステージ２７ａ，２７ｂ上から製品形成部６を個々に取り上げることで、半導体装置が得られる。
【００３０】
次に、本実施形態の半導体装置の製造装置について図面を参照して説明する。
【００３１】
実施形態の半導体装置の製造装置では、図２（ｅ）に示したような、半導体チップ４が実装された複数の製品形成部６が配置された第１及び第２の製品形成エリア７ａ，７ｂと、第１の製品形成エリア７ａと第２の製品形成エリア７ｂとの間に亘って形成された中間枠部８と、半導体チップ４を覆う封止部１５と、半導体チップ４が実装された面の反対側の面に設けられたバンプ電極１７（外部端子）と、を有する配線基板５が用いられる。
【００３２】
図３Ａに、本実施形態の半導体装置の製造装置の平面図を示す。図３Ａに示すように、半導体装置の製造装置は、配線基板５が載せられて保持される基板載置部２１と、基板載置部２１に保持された配線基板５を切断するダイシングブレード２２ａを有する切断部２２と、基板載置部２１及び切断部２２を制御する制御部２３と、を備えている。
【００３３】
また、半導体装置の製造装置は、配線基板５を基板載置部２１に供給するローダ部２４と、切断部２２によって切断されて個片化された半導体装置を収容するアンローダ部２５と、を備えている。
【００３４】
基板載置部２１は、第１の製品形成エリア７ａを保持する第１のステージ２７ａと、第２の製品形成エリア７ｂを保持する第２のステージ２７ｂと、第１のステージ２７ａ及び第２のステージ２７ｂを移動する移動機構２８と、を有している。
【００３５】
第１及び第２のステージ２７ａ，２７ｂは、基板載置部２１と切断部２２との間を移動可能に構成されており、ローダ部２４から供給された配線基板５を、第１のステージ２７ａと第２のステージ２７ｂとに跨って吸着して保持し、基板載置部２１から切断部２２に搬送するように構成されている。このとき、配線基板５は、中間枠部８が第１のステージ２７ａと第２のステージ２７ｂとの境界に位置するように第１及び第２のステージ２７ａ，２７ｂに保持されている。また、各ステージ２７ａ，２７ｂは、移動機構２８によってそれぞれ独立してＸ、Ｙ方向に移動可能に構成されている。
【００３６】
なお、本実施形態における基板載置部２１は、例えば２つに分割された第１及び第２のステージ２７ａ、２７ｂを有しているが、配線基板５が有する複数の製品形成エリアの個数と同じ個数のステージを有するように構成されればよい。
【００３７】
図４に、本実施形態の半導体装置の製造装置によって、第１のステージに保持された配線基板を切断して複数の製品形成部が個々に分割される動作を説明するための断面図を示す。
【００３８】
各第１及び第２のステージ２７ａ，２７ｂには、例えば図４（ａ）に示すように、配線基板５のそれぞれの製品形成部６に対応する複数の保持部を有する基板吸着機構２９が設けられている。基板吸着機構２９が有する保持部には、複数の吸着孔２９ａが設けられている。
【００３９】
各第１及び第２のステージ２７ａ，２７ｂは、図示しない真空装置で吸着孔２９ａから真空吸引することで、第１及び第２の製品形成エリア７ａ，７ｂのそれぞれの製品形成部６を吸着して保持するように構成されている。それぞれの製品形成部６を吸着して保持することで、切断、分離後の各半導体装置が飛散しないように保持される。
【００４０】
また、第１及び第２のステージ２７ａ，２７ｂには、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、複数の製品形成部６を個々に分割するときにダイシングブレード２２ａが挿入される複数の逃げ溝３０が、配線基板５のダイシングライン１８に対応する格子状に形成されている。この逃げ溝３０によって、図４（ｂ）に示すように、第１及び第２のステージ２７ａ，２７ｂ上に吸着して保持された配線基板５を、基板厚に亘ってフルカットで切断する際に、ダイシングブレード２２ａが各ステージ２７ａ，２７ｂに接触することなく、配線基板５を良好に切断できるように構成されている。
【００４１】
なお、第１及び第２のステージ２７ａ，２７ｂにおいて、吸着孔２９ａや、切断部２２のダイシングブレード２２ａが通過する逃げ溝３０の個数や配置は、切断する配線基板５の製品形成部６の個数やサイズ等に応じて適宜設定される。
【００４２】
切断部２２は、ダイシングブレード２２ａと、ダイシングブレード２２ａを回転駆動する切断機構２２ｂと、ダイシングブレード２２ａによって切断される箇所に流水を供給する切断用水供給機構２２ｃと、を有している。切断機構２２ｂは、ダイシングブレード２２ａを高速回転させて、配線基板５を切断するように構成されている。また、切断機構２２ｂは、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向に移動可能に構成されている。切断用水供給機構２２ｃは、切断部がダイシングブレード２２ａによって配線基板５を切断するときに、ダイシングブレード２２ａの進行方向に沿って流水を供給することで、配線基板５の切断屑等を除去するように構成されている。
【００４３】
制御部２３は、切断部２２の切断機構２２ｂ、切断用水供給機構２２ｃ、基板載置部２１の移動機構２８、基板吸着機構２９をそれぞれ制御する制御回路を有している。
【００４４】
切断部２２は、配線基板５の中間枠部８を、第１の製品形成エリア７ａと第２の製品形成エリア７ｂとの間に沿って１つの切断線で切断すると共に、基板載置部２１の移動機構２８によって、切断線に沿って切断された第１の製品形成エリア７ａを有する配線基板５ａと第２の製品形成エリア７ｂを有する配線基板５ｂとが離された状態で、第１の製品形成エリア７ａ及び第２の製品形成エリア７ｂをそれぞれ切断して複数の製品形成部６を個々に分割するように制御部２３に制御される。
【００４５】
ローダ部２４は、被処理物であるボールマウント完了後の配線基板５が収容されており、順次、配線基板５を基板載置部２１に供給するように構成されている。
【００４６】
アンローダ部２５は、製造された半導体装置が収容される収容トレイ２５ａが配置されている。切断部２２によって切断が完了し、個片化された半導体装置は、例えば吸着コレット等の搬送機構（不図示）によって、各第１及び第２のステージ２７ａ，２７ｂから収容トレイ２５ａの収容部に搬送されて収容される。
【００４７】
以上のように構成された半導体装置の製造装置によって行われる、配線基板５の複数の製品形成部６を個々に分割するダイシング工程について説明する。図３Ｂ〜３Ｅに、本実施形態の半導体装置の製造装置の動作を説明するための平面図を示す。
【００４８】
まず、図３Ａに示すように、基板載置部２１では、ローダ部２４から供給された配線基板５が、第１及び第２のステージ２７ａ，２７ｂ上に載置され、第１のステージ２７ａと第２のステージ２７ｂが配線基板５の封止部１５側を真空吸着によって保持する。
【００４９】
続いて、第１のステージ２７ａと第２のステージ２７ｂは、図３Ｂに示すように、一緒に切断位置としての切断部２２に移動される。切断部２２に移動された後、切断部２２のダイシングブレード２２ａによって、配線基板５の２つの製品形成エリア７ａ，７ｂの間の中間枠部８の中心線に沿って切断し、配線基板５を２つの製品形成エリア７ａ，７ｂ毎に分割する。この中間枠部８を１つの切断線で切断することによって分割された第１の製品形成エリア７ａを有する配線基板５ａと、第２の製品形成エリア７ｂを有する配線基板５ｂを図５Ａに示す。
【００５０】
次に、第２のステージ２７ｂは、図３Ｃに示すように、第２の製品形成エリア７ｂを有する他方の配線基板５ｂを吸着して保持した状態で基板載置部２１に移動されると共に、切断部２２では、分割された一方の配線基板５ａが有する第１の製品形成エリア７ａの切断が開始される。第１の製品形成エリア７ａを切断して複数の製品形成部６を個々に分割するとき、例えば配線基板５ａの短辺方向に（図中の縦方向に）ダイシングライン１８に沿って切断し、短辺方向の切断が完了した後、長辺方向に（図中の横方向に）ダイシングライン１８に沿って切断する。このように切断することにより、第１の製品形成エリア７ａが分割された配線基板５を図５Ｂに示す。
【００５１】
このように切断することにより、分割された一方の配線基板５ａを保持する第１のステージ２７ａによって保持されていない中間枠部８は、第１の製品形成エリア７ａから脱落する。しかし、第２のステージ２７ｂに保持された他方の配線基板５ｂは、基板載置部２１に移動され、一方の配線基板５ａから離間されて配置されているので、一方の配線基板５ａから切断された中間枠部８が切断用水によって流されても、他方の配線基板５ｂに接触することが避けられる。そのため、切断された中間枠部８が配設基板５に接触することで、バンプ電極１７を構成する半田ボールの損傷や、半田ボールの脱落等の不良の発生を低減できる。
【００５２】
第１の製品形成エリア７ａの個片化が終了した後、図３Ｄに示すように、第１のステージ２７ａが基板載置部２１に戻されると共に、第２の製品形成エリア７ｂを有する他方の配線基板５ｂを保持する第２のステージ２７ｂが切断部２２に移動される。続いて、第２のステージ２７ｂに保持された他方の配線基板５ｂが有する第２の製品形成エリア７ｂも、上述した第１の製品形成エリア７ａの切断時と同様に、配線基板５ｂのダイシングライン１８に沿って切断されて、複数の製品形成部６が個々に分割される。このように切断することにより、第２の製品形成エリア７ｂが分割された配線基板５を図５Ｃに示す。
【００５３】
このように第２の製品形成エリアを切断するときも、他方の配線基板５ｂから一方の配線基板５ａが離されているので、他方の配線基板５ｂから切断された中間枠部８が、一方の配線基板５ａのバンプ電極１７に接触することが避けられる。
【００５４】
最後に、第２の製品形成エリア７ｂの個片化が終了した後、図３Ｅに示すように、第２のステージ２７ｂが基板載置部２１に戻される。そして、第１及び第２のステージ２７ａ，２７ｂによる各半導体装置の吸着状態が解除され、アンローダ部２５によって、各半導体装置が、第１及び第２のステージ２７ａ，２７ｂから収容トレイ２５ａの収容部に搬送されて収容される。
【００５５】
上述したように、実施形態の半導体装置の製造装置によれば、配線基板５の中間枠部８を１つの切断線で切断することによって、第１の製品形成エリア７ａと第２の製品形成エリア７ｂとが離された状態で、第１及び第２の製品形成エリア７ａ，７ｂの複数の製品形成部６を個々に分割する。これによって、複数の半導体チップ４が実装された配線基板５の各製品形成エリア７ａ，７ｂ間の中間枠部８を切断したときに、中間枠部８を構成していた端材が、配線基板５に接触することが避けられる。したがって、本実施形態によれば、中間枠部８を構成していた端材によって、配線基板５のバンプ電極１７（外部端子）を破損することを防ぐことができる。
【００５６】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５７】
本実施形態では、例えば、配線基板５が分割された第１の製品形成エリア７ａ及び第２の製品形成エリア７ｂの一方を切断するときに、他方を基板載置部２１に退避させるように構成されたが、互いの製品形成エリア７ａ，７ｂから切断された中間枠部８の端材（切断片）が干渉しない距離をもって互いに離間させる構成であれば、どのような構成であってもよい。
【００５８】
また、本実施形態では、２つの製品形成エリア７ａ，７ｂに分割された配線基板５について説明したが、３つ以上の製品形成エリアを有するに分割された配線基板に適用されてもよく、上述と同様の効果を得ることができる。
【００５９】
さらに本実施形態では、１つの製品形成部６に、１つの半導体チップ４が搭載された半導体装置に適用した場合について説明したが、１つの製品形成部に複数の半導体チップを並べて配置又は複数の半導体チップが積層されたＭＣＰ（Multi Chip Package）型の半導体装置に適用されてもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１  半導体装置の製造装置
４  半導体チップ
５  配線基板
６  製品形成部
７ａ  第１の製品形成エリア
７ｂ  第２の製品形成エリア
８  中間枠部
１５  封止部
１７  バンプ電極
２１  基板載置部
２２  切断部
２７ａ  第１のステージ
２７ｂ  第２のステージ
２８  移動機構
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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