(57)【要約】【課題】  ダイシングラインに吸収材が流出せず、生産が容易な表面弾性波デバイスを提供する。【解決手段】  基板１１上に設けられ、入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂを有する表面弾性波デバイスであって、入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂとダイシングラインＤとの間の少なくとも一部に流止溝１３ａ、１３ｂが形成され、入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂと流止溝１３ａ、１３ｂとの間に入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂを通過して伝播した表面弾性波を吸収するアブソーバ材１４ａ、１４ｂが塗布されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に設けられ、高周波信号を表面弾性波に変換する入力ＩＤＴと、表面弾性波を検出し高周波信号に変換する出力ＩＤＴとを有する表面弾性波デバイスであって、
前記入力ＩＤＴとダイシングラインとの間と、前記出力ＩＤＴとダイシングラインとの間とに流止溝が形成され、前記入力ＩＤＴと前記流止溝との間と、前記出力ＩＤＴと前記流止溝との間とに前記入力ＩＤＴ、前記出力ＩＤＴを通過して伝播した表面弾性波を吸収するアブソーバ材が塗布されていることを特徴とする表面弾性波デバイス。
【請求項２】
前記流止溝は、前記ダイシングラインの内側に沿って延びていることを特徴とする請求項１に記載の表面弾性波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表面弾性波の反射を抑えるためのアブソーバ材を有する表面弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などの無線機器には、妨害電波を抑制し、信号波のみを通す高周波フィルタが用いられている。この高周波フィルタは、特定の周波数域の電波を有効に使用するために、ノイズカットに優れ損失の少ない特性が要求されており、この要求を満たすものとしてＳＡＷ（表面弾性波）フィルタが知られている。
【０００３】
表面弾性波（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ：ＳＡＷ）とは、弾性体（固体）の表面に沿って伝播する波のことであり、表面弾性波の発生、検出には、例えば圧電体基板上に入出力用の櫛形電極（ＩＤＴ：Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）を配置したＳＡＷフィルタ（表面弾性波デバイス）が使用される。その原理は、圧電体基板上にＩＤＴを形成し、入力ＩＤＴに高周波信号を入力して圧電体基板表面に表面弾性波を発生させ、出力ＩＤＴにより表面弾性波を再び高周波信号に変換するものである。このとき、表面弾性波伝播方向とは正反対の方向（出力用ＩＤＴと逆側）に表面弾性波が伝播し、端部にて表面弾性波が反射してしまう。そこで、表面弾性波デバイスは、端部からの表面弾性波の反射を防止するために、端面側に吸収材（アブソーバ材）が塗付されている。
【０００４】
従来から、圧電性基板端面での不要反射波を、デバイスサイズや製造工程を増大することなく抑圧する弾性表面波デバイスに関する技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
図６は、表面弾性波デバイスの製造方法の一例を示している。図６（ａ）のように、１枚のウエハ４上で複数の表面弾性波デバイス（チップ）３を形成し、ダイシングされて１つずつの表面弾性波デバイス３が製造される。そして、生産性を高めるために、ウエハ状態で一括してアブソーバ材３２ａ、３２ｂを塗布（スクリーン印刷）している。そして、アブソーバ材３２ａ、３２ｂの塗布後、図６（ｂ）のように、ダイシングブレードＢを用いてウエハ４をダイシングラインに沿って切断している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−３４１０８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、図６に示す表面弾性波デバイス３の製造方法では、ウエハ４のダイシング時に、アブソーバ材３２ａ、３２ｂがダイシングライン上へ流出している場合には、図６（ｂ）のように、ダイシング時にウエハ４とともにアブソーバ材３２ａがダイシングブレードＢに接触し、剥離してしまうことがある。アブソーバ材３２ａが剥離してしまうと、表面弾性波の吸収が十分にできなくなり、表面弾性波デバイス３の性能、信頼性が低下してしまうという問題が生じる。
【０００８】
さらに、アブソーバ材３２ａがダイシングブレードＢに接触すると、ダイシングブレードＢが目詰まりを引き起こすおそれがあった。アブソーバ材３２ａ、３２ｂがダイシング時に切断されない（ダイシングブレードＢに接触しない）ようにするためには、アブソーバ材３２ａ、３２ｂとダイシングラインとの間隔を十分設けることが必要となるが、この場合には、デバイスサイズが大となり、ウエハ４からのデバイス取り数が減少する問題がある。
【０００９】
また、特許文献１の弾性表面波デバイスでは、角度やアブソーバ材の塗布幅の調整が困難であり、品質が不安定になるという欠点を有する。
【００１０】
そこで、この発明の目的は、前記の課題を解決し、簡易な構成でウエハのダイシングライン上にアブソーバ材が流出することを確実に防止することができ、しかも安定した品質を維持することが可能な表面弾性波デバイスおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の課題を解決するために、請求項１の発明は、圧電基板上に設けられ、高周波信号を表面弾性波に励振する入力ＩＤＴと、表面弾性波を検出し高周波信号に変換する出力ＩＤＴとを有する表面弾性波デバイスであって、入力ＩＤＴとダイシングラインとの間と、出力ＩＤＴとダイシングラインとの間とに流止溝が形成され、入力ＩＤＴと流止溝との間と、出力ＩＤＴと流止溝との間とに入力ＩＤＴ、出力ＩＤＴを通過して伝播した表面弾性波を吸収するアブソーバ材が塗布されていることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、流止溝によって、アブソーバ材は基板の端面側のダイシングライン上に流出しない。
【００１３】
請求項２の発明は、請求項１に記載の発明において、流止溝は、ダイシングラインの内側に沿って延びていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１の発明によれば、流止溝によりアブソーバ材が流止溝より外側に流出しない。このため、ダイシング時に一緒にアブソーバ材が切断され、剥離することを防止できる。つまり、表面弾性波デバイスの品質・信頼性を高度に維持できる。さらに、流止溝によって、アブソーバ材が基板の端面側のダイシングライン上に流出し、ダイシングブレードに接触することを防止できるので、ダイシングブレードの損傷を防止し寿命を長くできる。つまり、製造効率を向上することができる。
【００１５】
請求項２の発明によれば、流止溝は、ダイシングラインの内側に形成されているので、アブソーバ材の流出を防止するためのクリアランスを削減して、表面弾性波デバイスを小型化し、かつ、１枚のウエハから切り出す表面弾性波デバイスの数を多くすることができるので製造効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施の形態１による表面弾性波デバイスを示す構成図である。
【図２】図１の表面弾性波デバイスの製造過程で、流出溝を形成した状態における構成図であり、（ａ）はウエハの平面図であり、（ｂ）はウエハの断面図である。
【図３】図１の表面弾性波デバイスの製造過程で、アブソーバ材を塗布した状態における構成図であり、（ａ）はウエハの平面図であり、（ｂ）はウエハの断面図である。
【図４】図１の表面弾性波デバイスの製造過程で、ダイシングした状態における構成図であり、（ａ）はウエハの平面図であり、（ｂ）はウエハの断面図である。
【図５】流止溝を基板の表面弾性波伝播方向とその直交方向に形成した表面弾性波デバイスを示し、ウエハの平面図である。
【図６】従来の弾性表面波デバイスの一例を示す構成図であり、（ａ）はウエハの平面図であり、（ｂ）はウエハの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
つぎに、この発明の実施の形態について図面を用いて詳しく説明する。
【００１８】
図１ないし図５は、この発明の実施の形態を示している。
【００１９】
表面弾性波デバイス１は、圧電体の基板１１上に入力ＩＤＴ１２ａを形成し、その入力ＩＤＴ１２ａに高周波信号を入力して基板１１表面に表面弾性波を励振させ、出力ＩＤＴ１２ｂにより表面弾性波を再び高周波信号に変換するものである。この表面弾性波デバイス１は、図１に示すように、主として、基板１１と、入力電極１２ａと、出力電極１２ｂと、流止溝１３ａ、１３ｂと、アブソーバ材１４ａ、１４ｂとを備えている。
【００２０】
基板１１は、圧電体で、例えば、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどのリチウム化合物などから構成されている。この基板１１の端面１１ａ、１１ｂは表面弾性波伝播方向と直交方向となっている。
【００２１】
ＩＤＴは、高周波信号を表面弾性波Ｗに変換する入力ＩＤＴ１２ａと、表面弾性波Ｗを検出し高周波信号に変換する出力ＩＤＴ１２ｂとから構成され、基板１１上に導電性の高いアルミニウムなどの金属を成膜させて形成されている。これらの入力ＩＤＴ１２ａと出力ＩＤＴ１２ｂとは、基板１１の表面弾性波伝播方向に所定間隔Ｌ１で対向する様に配置されている。
【００２２】
流止溝１３ａ、１３ｂは、基板１１の端面１１ａ、１１ｂから所定距離Ｌ２内側に、基板の表面弾性波伝播方向と直交方向に、基板１１の全長にわたって形成された溝部である。また、この流止溝１３ａ、１３ｂの深さ、幅は、後述するアブソーバ材１４ａ、１４ｂの流出を防止し、かつ、基板１１の強度を損なわない程度に設定され、例えば、略数１０μｍに設定されている。
【００２３】
アブソーバ材１４ａ、１４ｂは、入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂを通過して伝播した表面弾性波を吸収するものであり、流止溝１３ａ、１３ｂから所定距離Ｌ３だけ内側で、入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂから所定距離Ｌ４だけ外側に配置されている。このアブソーバ材１４ａ、１４ｂは、入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂと同程度の長さに、つまり、入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂを通過した表面弾性波の伝播経路上に形成されている。また、アブソーバ材１４ａ、１４ｂは、基板１１上にスクリーン印刷などで塗布することによって形成されている。
【００２４】
このような構成の表面弾性波デバイス１によれば、入力ＩＤＴ１２ａに高周波信号が加えられると、表面弾性波に変換されて半分程度は出力ＩＤＴ１２ｂに向かって伝播する。そして、出力ＩＤＴ１２ｂが伝播してきた表面弾性波を高周波信号に変換し出力する。一方、入力ＩＤＴ１２ａで変換された表面弾性波の残りの半分程度は、出力ＩＤＴ１２ｂとは反対方向（端面１１ａ方向）に伝播し、アブソーバ材１４ａによって吸収される。
【００２５】
次に、この実施の形態による表面弾性波デバイス１の製造方法について説明する。ここでは、表面弾性波デバイス１は、図２（ａ）に示すように、１枚のウエハ２から基板１１のダイシングラインＤ１ｎ、ダイシングラインＤ２ｎをダイシングすることによって複数が切り出されるものである。
【００２６】
まず、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、１枚の円盤状のウエハ２上に、複数対の入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂを一括してパターンを形成する（ウエハプロセス工程）。そして、ウエハ２上の表面弾性波デバイス１の入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂと、基板１１のダイシングラインＤ１１、Ｄ１２（基板１１の端面１１ａ、１１ｂ）との間に、流止溝１３ａ、１３ｂをダイシングブレードＢでハーフカットすることによって形成する（流止溝形成工程）。そして、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、ウエハ２上の入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂと流止溝１３ａ、１３ｂまでの間に、アブソーバ材１４ａ、１４ｂを一括してスクリーン印刷で形成する（塗布工程）。このとき、塗布されたアブソーバ材１４ａ、１４ｂは、流止溝１３ａ、１３ｂによって、端面１１ａ、１１ｂ方向への流出が止められる。つまり、塗布されたアブソーバ材１４ａ、１４ｂが端面１１ａ、１１ｂ方向に流出した場合には、流止溝１３ａ、１３ｂに流れ込み、流止溝１３ａ、１３ｂより端面側（外側）へは流出しないようになっている。その後、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、ウエハ２を基板１１のダイシングラインＤ１１〜Ｄ１ｎ、基板１１のダイシングラインＤ２１〜Ｄ２ｍに沿ってダイシングし、複数の表面弾性波デバイス１を切り出す（切断工程）。
【００２７】
以上のように、この表面弾性波デバイス１によれば、流止溝１３ａ、１３ｂによってアブソーバ材１４ａ、１４ｂが流止溝１３ａ、１３ｂより外側に流出しない。このため、ダイシング時に基板１１とともにアブソーバ材１４ａ、１４ｂが切断され、剥離することを防止できる。つまり、表面弾性波デバイス１の品質・信頼性を高度に維持できる。さらに、流止溝１３ａ、１３ｂによって、アブソーバ材１４ａ、１４ｂが基板１１の端面１１ａ、１１ｂ側に流出し、ダイシングブレードＢに接触することを防止できるので、ダイシングブレードＢの損傷を防止し、目詰まり、損傷を防止できる。つまり、製造効率を向上することができる。また、流止溝１３ａ、１３ｂは、表面弾性波デバイス１の切断工程で使用するダイシング装置でハーフカットすることによって、形成することができるので専用装置などが不要である。
【００２８】
さらに、流止溝１３ａ、１３ｂは、ダイシングラインＤの内側に形成されているので、アブソーバ材１４ａ、１４ｂの流出を防止するためのクリアランスを削減して、表面弾性波デバイス１を小型化し、かつ、１枚のウエハから切り出す表面弾性波デバイス１の数を多くすることができるので製造効率が向上する。
【００２９】
以上、この発明の実施の形態について説明したが、具体的な構成は、上記の実施の形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても、この発明に含まれる。例えば、上記の実施の形態では、ウエハプロセス工程によってウエハ２に入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂを形成した後に、流止溝形成工程によって流止溝１３ａ、１３ｂを形成するようにしたが、流止溝形成工程によってウエハ２に流止溝１３ａ、１３ｂを形成した後に、ウエハプロセス工程によって入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂを形成してもよい。また、流止溝１３ａ、１３ｂの形成は、ダイシングブレードでハーフカットすることによって形成したが、エッチングなどの手段によって形成してもよい。さらに、流止溝１３ａ、１３ｂは、基板１１の全長にわたるものではなく、アブソーバ材１４ａ、１４ｂの流出を止める程度の大きさ、例えば、アブソーバ材１４ａ、１４ｂと同程度の幅にのみ形成するようにしてもよい。
【００３０】
また、流止溝１３ａ、１３ｂに加えて、図５に示すように、流止溝１３ｃ、１３ｄを基板１１の表面弾性波伝播方向に形成してもよい。この場合、流止溝１３ｃ、１３ｄの深さ、幅は、アブソーバ材１４ａ、１４ｂの流出を防止し、かつ、基板１１の強度を損なわない程度に設定され、例えば、略数１０μｍに設定される。また、流止溝１３ｃ、１３ｄは、基板１１の全長にわたって形成しても、アブソーバ材１４ａ、１４ｂの塗布部分にのみ形成するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００３１】
１        弾性表面波デバイス
２        ウエハ
１１      基板（圧電基板）
１２      ＩＤＴ（表面弾性波電極）
１３      流止溝
１４      アブソーバ材
Ｄ        ダイシングライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2012034081.tif 000006
【図５】
2012034081.tif 000007
【図６】
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