(57)【要約】【課題】被露光部材の焦点方向の位置情報を高精度に検出できる露光装置を提供する。【解決手段】パターンを形成するパターン形成部を照明光で照明する照明部と、パターンが転写される被露光部材Ｐを載置面で載置させる載置部２１と、載置部に載置された被露光部材に、照明光で照明されたパターンの像を投影する投影部３と、投影部を介して照明光とは異なる波長の第２照明光ＳＬで載置部に載置された被露光部材を照明して、被露光部材の位置情報を計測する計測装置４と、載置部に設けられ、被露光部材を透過した第２照明光の計測装置への反射を規制する反射規制部と、を備える。【選択図】図１
2012129321.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを形成するパターン形成部を照明光で照明する照明部と、
前記パターンが転写される被露光部材を載置面で載置させる載置部と、
前記載置部に載置された被露光部材に、前記照明光で照明された前記パターンの像を投影する投影部と、
前記投影部を介して前記照明光とは異なる波長の第２照明光で前記載置部に載置された前記被露光部材を照明して、該被露光部材の位置情報を計測する計測装置と、
前記載置部に設けられ、前記被露光部材を透過した前記第２照明光の前記計測装置への反射を規制する反射規制部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
請求項１記載の露光装置において、
前記反射規制部は、前記載置面を含む前記載置部の少なくとも一部を構成し、前記第２照明光に対して透明な材料で形成された透明部材を有することを特徴とする露光装置。
【請求項３】
請求項１記載の露光装置において、
前記反射規制部は、前記載置面を含む前記載置部の少なくとも一部を構成し、前記第２照明光を吸収する材料で形成された吸収部材を有することを特徴とする露光装置。
【請求項４】
請求項１記載の露光装置において、
前記反射規制部は、前記載置面に形成された反射防止層を有することを特徴とする露光装置。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記反射規制部における前記載置面と逆側の面に反射防止層が形成されていることを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記載置部の前記投影部に臨む面には、凹部と、該凹部に対して突出し前記載置面を形成する凸部とが設けられることを特徴とする露光装置。
【請求項７】
請求項６記載の露光装置において、
前記凹部には、第２反射防止層が形成されていることを特徴とする露光装置。
【請求項８】
請求項７記載の露光装置において、
前記第２反射防止層は、前記凸部よりも低い高さで形成されていることを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板に露光することと、
露光された前記基板を現像することとを含む、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
露光装置では、レチクルやＤＭＤ(Digital Micromirror Device) で設定されたパターンを感光剤が塗布された基板（ウエハ）に露光する際に、投影レンズを介してパターンの像を基板上に投影することが多く行われている。この種の露光装置では、基板（感光剤）の物体面を投影レンズの焦点位置に位置決めするためにオートフォーカス装置（以下、ＡＦ装置）が用いられるが、投影レンズと基板との間の距離が狭い場合や、基板における投影レンズの直下の位置を測定して検出精度を向上させること等を目的として、投影レンズを介して露光光とは異なる波長の照明光（ＡＦ光）で基板を照明し、その反射光を受光することで物体面の位置情報を検出するものが用いられている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−００８６３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
例えば、ガラスのように透明な基板については反射率が小さいため反射光が少なく、物体面の位置情報を高精度に検出することが困難である。また、透明の基板を透過したＡＦ光が、基板を保持するホルダの保持面で反射し、ホルダからの戻り光がノイズとなることで、Ｓ／Ｎ比を悪化させるという問題も生じている。Ｓ／Ｎ比が悪化すると、本来受光すべき信号を検出することが困難になり、ＡＦ動作が行われる範囲が狭くなったり、検出不能のエラーを起こす虞もある。
【０００５】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、被露光部材の焦点方向の位置情報を高精度に検出できる露光装置及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、パターンを形成するパターン形成部を照明光で照明する照明部と、パターンが転写される被露光部材を載置面で載置させる載置部と、載置部に載置された被露光部材に、照明光で照明されたパターンの像を投影する投影部と、投影部を介して照明光とは異なる波長の第２照明光で載置部に載置された被露光部材を照明して、被露光部材の位置情報を計測する計測装置と、載置部に設けられ、被露光部材を透過した第２照明光の計測装置への反射を規制する反射規制部と、を備える露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、本発明の第１の態様の露光装置を用いて基板に露光することと、露光された前記基板を現像することとを含む、デバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明では、被露光部材の焦点方向の位置情報を高精度に検出することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】投影光学系３及び基板ステージ１の部分拡大図である。
【図３】第２実施形態の投影光学系３及び基板ステージ１の部分拡大図である。
【図４】第３実施形態の投影光学系３及び基板ステージ１の部分拡大図である。
【図５】第４実施形態に係る基板ホルダ２１の平面図である。
【図６】第４実施形態に係る基板ホルダ２１の正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の露光装置及びデバイス製造方法の実施の形態を、図１ないし図６を参照して説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
図１は、露光装置の一例を示す概略構成図である。本例の露光装置ＥＸは、基板ステージ１、露光ヘッド２、投影光学系（投影部）３、合焦装置（計測装置）４、及び制御部（不図示）を備えている。露光ヘッド２及び合焦装置４は、ベース部材１１上に設置されたアーム部材１２上に設けられている。
【００１２】
本実施形態の合焦装置４は、ＴＴＬ型位相差方式のオートフォーカス（以下、ＡＦと略記する）によって、投影光学系３の焦点位置を露光面に合わせることが可能である。制御部は、露光装置ＥＸの各部の動作を制御し、合焦装置４の制御部を含んでいる。なお、合焦装置４の制御部が、制御部と別に設けられており制御部と通信可能に接続されている構成でも構わない。
【００１３】
以下の説明では、図１に示すＸＹＺ直交座標系に基づいて、各種構成要素の位置関係等を説明する。このＸＹＺ直交座標系において、Ｚ軸方向は投影光学系３の光射出側の光軸に平行な方向であり、Ｘ軸方向及びＹ軸方向は投影光学系３の光射出側の光軸に直交する面内で互いに直交する方向である。例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向が水平方向に設定され、Ｚ軸方向が鉛直方向に設定される。
【００１４】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクレス方式の露光装置である。露光装置ＥＸは、例えばＭＥＭＳ等のデバイスの製造に使用される。本実施形態の基板（被露光部材）Ｐは、デバイス製造用の基板である。基板Ｐは、合焦装置４から射出された検出光（第２照明光）ＳＬの少なくとも一部が透過する材質である。基板Ｐは、例えば石英基板やガラス基板、シリコン含有の半導体基板、あるいは材質が異なる２種以上の基板を接合した基板等である。ここでは、説明の便宜上、基板Ｐの片面を表面Ｐａと称し、もう片面を裏面Ｐｂと称する。
【００１５】
基板Ｐは、膜パターンや凹部、凸部等の構造物を含むことがある。上記の構造物は、例えばデバイスの一部を構成する構成要素である。膜パターンの具体例として、電極や配線となる導電膜パターン、スイッチング素子の一部を構成する半導体膜パターン、パッシベーション膜等となる絶縁膜パターン等が挙げられる。基板Ｐは、表面Ｐａに塗布された感光膜（フォトレジスト膜）を含む場合がある。基板Ｐは、デバイスの製造過程で又は製造後で機能する膜として、例えば露光光ＥＬ等の反射を防止する反射防止膜や、上記の感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）等を含む場合がある。
【００１６】
露光装置ＥＸは、概略すると以下のように動作する。基板ステージ１は、露光対象の基板Ｐを保持して移動可能である。合焦装置４は、投影光学系３と基板ＰとのＺ軸方向の相対位置を検出する。制御部は、合焦装置４の検出結果に基づいて、投影光学系３の焦点位置を管理する。すなわち、制御部は、実質的に、投影光学系３の焦点位置と基板Ｐの表面Ｐａの位置との相対位置を管理する。露光ヘッド２は、制御部に制御されて、パターンの像を生成する。投影光学系３は、露光ヘッド２によって生成されたパターンの像を基板Ｐに投影する。
【００１７】
以下、露光装置ＥＸの構成要素について詳しく説明する。
露光ヘッド２は、露光用光源、複数の光学レンズ、像形成部等（いずれも不図示）を含んでいる。像形成部は、露光用光源から射出された露光光（照明光）ＥＬを用いてパターンの像を形成する。像形成部から射出された露光光ＥＬは、パターンの像を示す光となって合焦装置４に入射する。
【００１８】
露光光ＥＬは、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。露光用光源の構成は、露光光ＥＬの波長等に応じて、適宜選択される。制御部は、露光用光源の点灯消灯等の動作を制御する。
【００１９】
像形成部は、投影するパターンの像を例えば画像として形成可能である。本実施形態の像形成部は、デジタルミラーデバイス（ＤＭＤ）を含んでいる。ＤＭＤは、二次元的に配列された複数の画素を有している。ＤＭＤの各画素は、マイクロミラーを含んでおり、各画素に入射した露光光ＥＬの分割光束を反射させる。マイクロミラーの反射面は、入射する露光光ＥＬの進行方向に対する角度を可変に制御可能である。このように、像形成部は、各画素で反射した分割光束の進行方向を画素ごとに制御可能であり、パターンの像を形成可能である。制御部は、像形成部によって形成するパターン像を示すデータを像形成部に供給し、像形成部の動作を制御する。
【００２０】
なお、像形成部としては、自発光型のパネルを用いてもよい。この自発光型のパネルは、二次元的に配列された複数の発光素子を含んでいる。各発光素子は、レーザーダイオードイや発光ダイオード等によって構成される。各発光素子は、発光素子ごとに点灯消灯が制御可能される。自発光型のパネルは、各発光素子から各画素を示す光を射出し、パターンの像を形成可能である。
【００２１】
合焦装置４においては、露光ヘッド２から射出された露光光ＥＬが入射する位置に、波長選択ミラー４０が配置されている。波長選択ミラー４０は、例えばダイクロイックミラー等によって構成される。本実施形態の波長選択ミラー４０は、露光光ＥＬが透過し、後述する検出光ＳＬが反射する特性を有している。
【００２２】
露光ヘッド２から射出されて波長選択ミラー４０を透過した露光光ＥＬは、投影光学系３に入射する。投影光学系３は、レンズ等の光学部品を１以上含んでいる。これらの光学部品は、露光光ＥＬ及び検出光ＳＬの双方について、所定の結像特性（光学条件）を満たすように設計されており、露光光ＥＬが示すパターンの像を基板Ｐ上の投影領域に投影する。この投影領域は、投影光学系３によってパターンの像を投影可能な領域を含む。また、投影光学系３は、上下動機構１３に支持されている。上下動機構１３は、アーム部材１２の下面に設けられており、投影光学系３をＺ方向に移動させる構成となっている。
【００２３】
本実施形態の合焦装置４は、スリット投影方式であり、ＡＦ用光源４１、スリット４２、レンズ４３、ハーフマスク４４、ハーフミラー４５、波長選択ミラー４０、レンズ４６、反射ミラー４７、分割プリズム４８、ＣＣＤ等で構成される撮像部４９、及び制御部を備えている。上述のように、本実施形態の合焦装置４の制御部は、露光装置ＥＸの制御部に含まれている。ＡＦ用光源４１は、例えば露光光ＥＬと異なる波長の光を検出光ＳＬとして射出する。本実施形態のＡＦ用光源４１は、検出光ＳＬとしてＩＲ光（例えば、波長７８０ｎｍ）を射出するＬＥＤ等の発光素子を含んでいる。
【００２４】
ＡＦ用光源４１から射出された検出光ＳＬは、スリット４２に入射する。スリット４２は、視野絞りとして機能し、スリット４２を通過した検出光ＳＬのスポット形状を調整する。スリット４２を通過した検出光ＳＬは、レンズ４３を通った後に、ハーフマスク４４に入射して、半分がカット（遮光）される。ハーフマスク４４を透過した検出光ＳＬは、ハーフミラー４５を透過した後に、波長選択ミラー４０で反射して投影光学系３を介して基板Ｐに入射する。基板Ｐに入射した検出光ＳＬの少なくとも一部は、基板Ｐで反射して折り返され、投影光学系を介して波長選択ミラー４０で反射する。
【００２５】
波長選択ミラー４０で反射した検出光ＳＬは、ハーフミラー４５で＋Ｚ側に偏向され、レンズ４６を透過した後に反射ミラー４７により＋Ｘ側に偏向される。反射ミラー４７で反射した検出光ＳＬは、分割プリズム４８を介して撮像部４９に入射する。
【００２６】
撮像部４９で検出されるスリット４２の像の位置は、投影光学系３の焦点位置と基板Ｐの位置との関係によって変化する。例えば、基板Ｐの表面Ｐａを合焦対象面とし、投影光学系３の焦点が合焦対象面に合っている状態（合焦状態）での像間隔を基準値とする。投影光学系３の焦点が合焦対象面よりも＋Ｚ側に位置する状態（以下、前ピンという）では、像間隔が基準値よりも狭くなる。投影光学系３の焦点が合焦対象面よりも−Ｚ側に位置する状態（以下、後ピンという）では、像間隔が基準値よりも広くなる。
【００２７】
このように、撮像部４９の検出結果に基づいて、合焦状態であるか否かを判定することや、合焦状態から前ピン側又は後ピン側のいずれに焦点がずれているかを知ることが可能である。このように、上記の像間隔は、合焦の対象物である基板Ｐを経由した光（検出光）の強度に基づく値であり、合焦状態の判定に用いる判定パラメータ値として利用可能である。撮像部４９の検出結果は、合焦装置４の制御部に出力される。制御部は、撮像部４９の検出結果に基づいて、合焦状態になるように上下動機構１３により投影光学系３の基板のＺ方向の位置を制御する。
【００２８】
基板ステージ１は、ベース部材１１上にＸ方向及びＹ方向に移動可能に設置されており、投影光学系３と対向する位置に基板Ｐが載置される基板ホルダ（載置部）２１を有している。基板ホルダ２１は、例えば負圧吸着や静電吸着等によって、表面（載置面）２１ａで基板Ｐを着脱可能に保持するものであり、本実施形態では、反射規制部として、検出光ＳＬに対して透明なガラスにより形成されている。
【００２９】
上記の構成の露光装置ＥＸにおいて、基板Ｐが透明のガラス基板である場合の合焦動作について説明する。
合焦装置４から出射して基板Ｐに入射した検出光ＳＬは、ガラスの表面Ｐａの反射率が約４％程度であるため、この４％の量の反射光ＳＬ１（図２参照）が投影光学系３を介して合焦装置４に再入射し、撮像部４９でスリット像が検出されることで表面Ｐａの位置が検出される。また、検出光ＳＬの中、９６％が表面Ｐａを透過して裏面Ｐｂに達する。裏面Ｐｂにおいても検出光ＳＬの約４％は反射光ＳＬ２として反射するため、投影光学系３から照射された検出光ＳＬの約９２％が裏面Ｐｂを透過して基板ホルダ２１の表面２１ａに到達する。
【００３０】
ここで、基板ホルダ２１は検出光ＳＬに対して透明なガラスにより形成されているため、基板ホルダ２１に入射した検出光ＳＬは、上記と同様に、反射が規制され約４％程度のみが反射光ＳＬ３として表面２１ａで反射し、残りが表面２１ａを透過する。このとき、基板ホルダ２１がアルミニウムやステンレス等の大きな反射率を有する材料で形成されている場合と比較すると、大幅に反射率が低減されているため、ノイズ光として合焦装置４に再入射して撮像部４９に検出される反射光を低減することができる。
【００３１】
基板ホルダ２１の表面２１ａを透過した検出光ＳＬは、裏面２１ｂで反射光ＳＬ４として反射するが、基板ホルダ２１の厚さを大きくすることで、透過した検出光ＳＬ及び反射光ＳＬ４を拡散させ損失を大きくすることで、反射光ＳＬ４がノイズ光として合焦装置４に再入射した場合でも、検出精度に及ぼす悪影響を小さくできる。
【００３２】
このように、本実施形態では、基板ホルダ２１が検出光ＳＬに対して透明な材料で形成されているため、基板Ｐを透過した検出光ＳＬの反射を規制することができ、合焦装置４に再入射するノイズ光を低減することができる。そのため、本実施形態では、基板Ｐがガラス等の透明材料で形成され、表面Ｐａでの反射光が少ない場合で、また、投影光学系３と基板Ｐとの間の距離が狭く、さらに検出精度を向上させるために投影光学系３を介して基板Ｐに検出光ＳＬを照射する場合でも、基板Ｐの焦点方向の位置情報を高精度に検出することが可能になる。
【００３３】
（第２実施形態）
続いて、露光装置ＥＸの第２実施形態について、図３を参照して説明する。
この図において、図１及び図２に示す第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
図３に示すように、本実施形態における基板ホルダ２１の裏面２１ｂには、反射防止層（ＡＲコート）２１ｃが設けられている。
【００３４】
反射防止層２１ｃとしては、裏面２１ｂに形成された光吸収膜や、裏面２１ｂに施された黒色塗装とすることができ、例えば、金属酸化物等を用いることができる。
他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００３５】
上記構成の露光装置ＥＸでは、基板Ｐ及び基板ホルダ２１を透過した検出光ＳＬは、反射防止層２１ｃに達し、当該反射防止層２１ｃで吸収されるため、基板ホルダ２１からの戻り光（ノイズ光）として合焦装置４に再入射することを防止できるため、基板Ｐの焦点方向の位置情報を一層高精度に検出することが可能になる。
【００３６】
（第３実施形態）
続いて、露光装置ＥＸの第３実施形態について、図４を参照して説明する。
この図において、図１及び図２に示す第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
図４に示すように、本実施形態における基板ホルダ２１の表面２１ａには、反射規制部として反射防止層２１ｄが形成されている。反射防止層２１ｄとしては、例えば、上述した反射防止層２１ｃと同様の構成を採ることができ、例えば反射率が約１％程度に抑えられる。
【００３７】
上記構成の露光装置ＥＸでは、基板Ｐを透過した検出光ＳＬは、基板ホルダ２１の反射防止層２１ｄで吸収されたり、回折・散乱して反射が抑制されるため、基板ホルダ２１からの戻り光（ノイズ光）として合焦装置４に再入射することを防止でき、基板Ｐの焦点方向の位置情報を一層高精度に検出することが可能になる。
【００３８】
（第４実施形態）
続いて、露光装置ＥＸの第４実施形態について、図５乃至図６を参照して説明する。
これらの図において、図４に示す第３実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３９】
図５は基板ホルダ２１の平面図であり、図６は正面断面図である。
基板ホルダ２１は、円盤状に形成されており、表面２１ａには同心円状に複数の凹部２１ｅが設けられている。そして、基板ホルダ２１の外縁部を含む凹部２１ｅの周囲には相対的に複数の凸部２１ｆが同心円状に、且つ表面を面一として形成される。本実施形態では、これら突部２１ｆによって、基板Ｐが載置される載置面を形成している。
【００４０】
図６に示すように、凸部２１ｆの表面には上述した反射防止層２１ｄが形成されており、同様に、凹部２１ｅの表面にも反射防止層２１ｄと同一材料の反射防止層（第２反射防止層）２１ｇが形成されている。
他の構成は、上記第３実施形態と同様である。
【００４１】
上記構成の露光装置ＥＸでは、基板Ｐを透過した検出光ＳＬは、基板ホルダ２１の反射防止層２１ｄ、２１ｇで吸収されたり、回折・散乱して反射が抑制されるため、基板ホルダ２１からの戻り光（ノイズ光）として合焦装置４に再入射することが防止される。また、検出光ＳＬが凹部２１ｅに入射して反射光ＳＬ５（図６参照）が生じた場合でも、基板Ｐの裏面Ｐｂと凹部２１ｅとの間の隙間を往復して、この間に拡散して損失が大きくなった後に基板Ｐを再透過して合焦装置４に再入射することになるため、ノイズ光としては大幅に微弱なものになる。
【００４２】
そのため、本実施形態では、上述した第３実施形態よりも基板Ｐの焦点方向の位置情報を一層高精度に検出することが可能になる。また、本実施形態では、凸部２１ｆの面積を小さくすることにより、上記凹部２１ｅに入射する検出光ＳＬの割合を大きくすることができ、戻り光の量をさらに小さくすることができる。
加えて、本実施形態では、基板Ｐに対して凹部２１ｅが非接触であり、繰り返しの使用で摩耗や欠落が生じないことから、図４に示したように、全面的に基板Ｐを保持する場合と比較してオ大幅に耐久性を向上させることができる。
【００４３】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００４４】
例えば、上記実施形態では、基板ホルダ２１における反射規制部として、検出光ＳＬに対して透明なガラスにより形成される構成、基板ホルダ２１の表面２１ａに反射防止層２１ｄを設ける構成を例示したが、これに限定されるものではなく、例えば、基板ホルダ２１が色ガラスのように光吸収部材で形成される構成であってもよい。
これにより、基板ホルダ２１の表面２１ａを透過した検出光ＳＬのうち、裏面２１ｄに達する検出光ＳＬを減光することができる。
【００４５】
また、上記実施形態では、基板ホルダ２１の全体が検出光ＳＬに対して透明なガラスにより形成される構成としたが、これに限られるものではなく、検出光ＳＬが入射する可能性がある領域、例えば基板Ｐが載置される領域のみをガラスで形成する構成としてもよい。この場合、基板ホルダ２１のハンドリングが向上するとともに、基板ホルダ２１のコストを低減することができる。同様に、反射防止層２１ｃ、反射防止層２１ｄ、反射防止層２１ｇについても、必ずしも全面的に設ける必要はなく、検出光ＳＬが入射する可能性がある領域のみに設ける構成としてもよい。
【００４６】
また、上記実施形態では、ガラスで形成された基板Ｐと基板ホルダ２１との間には微小厚さの空気層が形成され、この空気層とガラスとの屈折率との差により、戻り光となる検出光ＳＬの反射が生じていることから、基板ホルダ２１を基板Ｐと同一の屈折率を有する材料で形成するとともに、基板Ｐと基板ホルダ２１との間に基板Ｐと同一の屈折率を有する油等の液体を反射規制部として介在させることにより、基板Ｐを透過した検出光ＳＬを反射させない構成としてもよい。
【００４７】
なお、本発明は、マスクレス方式の露光装置の他に、マスクと基板とを同期移動してマスクのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）、マスクと基板とを静止した状態でマスクのパターンを一括露光し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板とをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板上に転写した後、第２パターンと基板とをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板を順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００４８】
本発明は、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのパターンの像を投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などに適用することができる。また、本発明は、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも適用することができる。
【００４９】
本発明は、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
【００５０】
本発明は、基板に半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００５１】
本発明において、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測し、その計測結果を基板の位置の管理等に用いることもできる。また、レーザ干渉計を含む干渉計システムの他に、例えば基板ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。
【００５２】
本発明は、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板上に形成することによって、基板上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）に、適用することができる。
【００５３】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。
各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００５４】
露光装置ＥＸを用いて製造されるデバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップまたはＤＭＤ等によりパターンを設定するステップ、デバイスの基材である基板を製造する、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりパターンを基板に露光する基板処理ステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。
【００５５】
上述の各実施形態、各変形例の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【００５６】
３…投影光学系（投影部）、  ４…合焦装置（計測装置）、  ２１…基板ホルダ（載置部、反射規制部）、  ２１ａ…表面（載置面）、  ２１ｃ…反射防止層（ＡＲコート、反射規制部）、  ２１ｄ…反射防止層（反射規制部）、  ２１ｅ…凹部、  ２１ｆ…凸部、  ２１ｇ…反射防止層（第２反射防止層）、  ＥＬ…露光光（照明光）、  ＥＸ…露光装置、  Ｐ…基板（被露光部材）、  ＳＬ…検出光（第２照明光）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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