(57)【要約】【課題】高い放熱特性と高い信頼性とを有する電子デバイスを提供する。【解決手段】本発明に係る電子デバイスは、セラミック製の基体２と、該基体２の表面に搭載された電子素子１と、該電子素子１から発生した熱を基体２の背面へ導く熱伝導部４とを具えている。該熱伝導部４は、基体２に開設されて該基体２の表面から背面へ貫通するビア40と、該ビア40に充填された熱伝導材41とから構成され、該熱伝導材41が基体２の表面に露出して熱伝導部４の露出面42が形成されており、該露出面42上に電子素子１が設置されている。ここで、熱伝導部４の露出面42が電子素子１の設置領域Ｒ１の外側まで拡がることにより、該電子素子１の設置領域Ｒ１が、熱伝導部４の露出面42の周縁領域によって包囲されており、熱伝導部４の露出面42の内、電子素子１の設置領域Ｒ１とは異なる領域がセラミック層５により被覆されている。【選択図】図１
2012253048.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック製の基体と、該基体の表面に搭載された電子素子と、該電子素子から発生した熱を基体の背面へ導く熱伝導部とを具え、該熱伝導部は、前記基体に開設されて該基体の表面から背面へ貫通するビアと、該ビアに充填された熱伝導材とから構成され、該熱伝導材が前記基体の表面に露出して前記熱伝導部の露出面が形成されており、該露出面上に前記電子素子が設置されている電子デバイスにおいて、
前記熱伝導部の露出面が前記電子素子の設置領域の外側まで拡がることにより、該電子素子の設置領域が、熱伝導部の露出面の周縁領域によって包囲されており、前記熱伝導部の露出面の内、前記電子素子の設置領域とは異なる領域がセラミック層により被覆されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記基体の表面に接合されて、前記電子素子を収容するためのキャビティを形成するセラミック製の枠体を更に具え、前記熱伝導部の露出面が前記枠体の下方位置まで拡がって、該露出面の周縁領域が前記枠体により覆われている請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記電子素子は発光素子であって、前記セラミック層にはガラスが含有され、該ガラスの一部がセラミック層の表面に析出している請求項１又は請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記セラミック層の表面に析出したガラスの結晶化度は３％より大きい請求項３に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記基体は、前記熱伝導部を構成する熱伝導材との同時焼成が可能な低温同時焼成セラミックから形成されている請求項１乃至請求項４の何れかに記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子や集積回路などの電子素子を具えた電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光デバイスは、図１１に示す様に、ＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）等の発光素子(101)と、該発光素子(101)を搭載するためのパッケージ(100)とを具えている（例えば、特許文献１参照）。該パッケージ(100)は、セラミック製の基体(102)と、セラミック製の枠体(103)とから構成され、枠体(103)が基体(102)の上面(102a)に接合一体化されることにより、発光素子(101)を収容するためのキャビティ(103a)が形成されている。発光素子(101)は、パッケージ(100)のキャビティ(103a)に収容されて、基体(102)の上面(102a)の内、キャビティ(103a)の底面となる領域に設置されている。
【０００３】
又、基体(102)には、発光素子(101)から発生した熱を基体(102)の下面(102b)へ導く熱伝導部(104)が設けられている。ここで、熱伝導部(104)は、基体(102)に開設されて該基体(102)の上面(102a)から下面(102b)へ貫通するビア(105)と、該ビア(105)に充填された熱伝導材(106)とから構成されている。そして、熱伝導材(106)が基体(102)の上面(102a)に露出して熱伝導部(104)の露出面(104a)が形成されており、該露出面(104a)上に発光素子(101)が設置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２０１１５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記発光デバイスにおいて、基体(102)を構成しているセラミック材と熱伝導材(106)との間には、熱膨張率の差が存在している。従って、上記発光デバイスの製造過程において、図１２に示す様に、熱伝導部(104)の露出面(104a)の周縁領域が隆起して、該露出面(104a)に隆起部が形成される虞がある。
【０００６】
ところが、従来の発光デバイスにおいては、図１１に示す様に熱伝導部(104)の露出面(104a)の全域が発光素子(101)により覆われ、或いは、図示していないが該露出面(104a)の周縁領域の一部が発光素子(101)により覆われていた。このため、発光素子(101)の下面が、図１２に示す様に隆起部とのみ接触し、発光素子(101)と熱伝導部(104)の露出面(104a)との接触面積が小さくなる虞があった。該接触面積が小さいと、発光素子(101)から熱伝導部(104)へ熱が移動し難く、従って、発光素子(101)から発生した熱は基体(102)の下面(102b)へ移動し難くなる。よって、基体(102)の下面(102b)から発散される熱量が小さくなって、発光デバイスの放熱特性が低下することになる。
【０００７】
そこで本発明の目的は、高い放熱特性と高い信頼性とを有する電子デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電子デバイスは、セラミック製の基体と、該基体の表面に搭載された電子素子と、該電子素子から発生した熱を基体の背面へ導く熱伝導部とを具えている。該熱伝導部は、前記基体に開設されて該基体の表面から背面へ貫通するビアと、該ビアに充填された熱伝導材とから構成され、該熱伝導材が前記基体の表面に露出して前記熱伝導部の露出面が形成されており、該露出面上に前記電子素子が設置されている。ここで、前記熱伝導部の露出面が前記電子素子の設置領域の外側まで拡がることにより、該電子素子の設置領域が、熱伝導部の露出面の周縁領域によって包囲されており、前記熱伝導部の露出面の内、前記電子素子の設置領域とは異なる領域がセラミック層により被覆されている。
【０００９】
上記電子デバイスにおいて、基体を構成しているセラミック材と熱伝導材との間には、熱膨張率の差が存在している。従って、上記電子デバイスの製造過程において、熱伝導部の露出面の周縁領域が隆起して、該露出面に隆起部が形成される虞がある。一方、熱伝導部の露出面の内、周縁領域の内側の領域（周縁領域に包囲された領域）は、周縁領域が隆起した場合でも平坦のままとなり易い。
【００１０】
上記電子デバイスにおいては、熱伝導部の露出面の周縁領域が電子素子によって覆われることがなく、従って、熱伝導部の隆起部と電子素子とが重なることがない。即ち、電子素子は、熱伝導部の露出面の平坦領域に設置されることになる。よって、電子素子の下面と熱伝導部の露出面との接触面積は大きく、このため、電子素子から発生した熱は、熱伝導部へ移動し易い。その結果、基体の背面から発散される熱量が大きくなって、電子デバイスは、高い放熱特性を有することになる。
【００１１】
又、上記電子デバイスにおいては、熱伝導部の露出面の内、電子素子の設置領域とは異なる領域がセラミック層により被覆されている。よって、熱伝導部の露出面には酸化等の化学反応が生じ難く、従って熱伝導部が劣化することが防止され、その結果、電子デバイスの信頼性が向上することになる。
【００１２】
上記電子デバイスの具体的構成において、該電子デバイスは、前記基体の表面に接合されて、前記電子素子を収容するためのキャビティを形成するセラミック製の枠体を更に具え、前記熱伝導部の露出面が前記枠体の下方位置まで拡がって、該露出面の周縁領域が前記枠体により覆われている。
【００１３】
該具体的構成によれば、キャビティの底面に隆起部が出現することが防止され、従ってキャビティの底面の高い平滑性が維持されることになる。
【００１４】
上記電子デバイスの他の具体的構成において、前記電子素子は発光素子であって、前記セラミック層にはガラスが含有され、該ガラスの一部がセラミック層の表面に析出している。
【００１５】
該具体的構成によれば、セラミック層の表面にガラス層が形成され、該ガラス層の表面によって光反射面が形成されることになる。よって、発光素子から斜め下方に向かって出射された光は、ガラス層の表面にて反射されて上方へ進行することになり、その結果、電子デバイスにおいて高い発光強度が得られることになる。
【００１６】
又、析出したガラスによって形成されたガラス層には、経時変化の原因となる酸化等の化学反応が発生しにくく、従って経時変化による光反射率の低下が発生しにくい。
【００１７】
より具体的には、前記セラミック層の表面に析出したガラスの結晶化度は３％より大きい。ガラスの結晶化度が３％より大きいガラス層は、ガラスの結晶化度が３％以下であるガラス層と比較して表面粗さが小さくなる。従って、ガラスの結晶化度が３％より大きいガラス層は、光反射率の高い光反射面を有することになる。よって、電子デバイスにおいて、より高い発光強度が得られることになる。
【００１８】
上記電子デバイスの更なる他の具体的に構成において、前記基体は、前記熱伝導部を構成する熱伝導材との同時焼成が可能な低温同時焼成セラミックから形成されている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る電子デバイスは、高い放熱特性と高い信頼性とを有している。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る発光デバイスを示す斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示されるＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図２】図２は、上記発光デバイスの製造方法のセラミック体形成工程の説明に用いられる断面図である。
【図３】図３は、該製造方法の焼成工程の実行により作製されるパッケージを示す断面図である。
【図４】図４は、該製造方法のメッキ工程の説明に用いられる断面図である。
【図５】図５は、該製造方法の素子搭載工程の説明に用いられる断面図である。
【図６】図６は、焼成温度とガラスの結晶化度との関係を示した図である。
【図７】図７は、セラミック層の表面に入射する光の波長と、その光の反射率との関係を示した図である。
【図８】図８は、上記発光デバイスの第１変形例を示した断面図である。
【図９】図９は、上記発光デバイスの第２変形例を示した断面図である。
【図１０】図１０は、上記発光デバイスの第３変形例を示した断面図である。
【図１１】図１１は、従来の発光デバイスを示した断面図である。
【図１２】図１２は、該従来の発光デバイスが有する熱伝導部の露出面の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を発光デバイスに実施した形態につき、図面に沿って具体的に説明する。
図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る発光デバイスを示す斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示されるＡ−Ａ線に沿う断面図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）に示す様に、本実施形態の発光デバイスは、ＬＥＤ(１)と、該ＬＥＤ(１)を搭載するためのパッケージ(10)とを具えている。
【００２２】
パッケージ(10)は、セラミック製の基体(２)と、セラミック製の枠体(３)とから構成され、枠体(３)が基体(２)の上面(21)に接合一体化されている。これにより、枠体(３)の内周面(31)と基体(２)の上面(21)とから、ＬＥＤ(１)を収容するためのキャビティ(30)が形成されている。ＬＥＤ(１)は、パッケージ(10)のキャビティ(30)に収容されて、基体(２)の上面(21)の内、キャビティ(30)の底面となる領域上に設置されている。又、キャビティ(30)内には、蛍光体を含む樹脂材(32)が充填されている。
【００２３】
図１（ｂ）に示す様に、基体(２)には、ＬＥＤ(１)から発生した熱を基体(２)の下面(22)へ導く熱伝導部(４)が設けられている。ここで、熱伝導部(４)は、基体(２)に開設されて該基体(２)の上面(21)から下面(22)へ貫通するビア(40)と、該ビア(40)に充填された熱伝導材(41)とから構成されている。そして、熱伝導材(41)が基体(２)の上面(21)に露出して熱伝導部(４)の露出面(42)が形成されており、該露出面(42)上にＬＥＤ(１)が設置されている。尚、熱伝導材(41)には、銀（Ａｇ）や、銀（Ａｇ）と白金（Ｐｔ）の合金等、熱伝導率の高い金属材料が用いられている。
【００２４】
上記パッケージ(10)において、基体(２)及び枠体(３)を構成するセラミック材には、熱伝導部(４)を構成する熱伝導材(41)との同時焼成が可能な低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）が用いられている。本実施形態においては、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）として、アルミナとガラスが所定の割合で含まれたものが用いられている。
【００２５】
図１（ｂ）に示す様に、熱伝導部(４)の露出面(42)は、ＬＥＤ(１)の設置領域Ｒ１の外側まで拡がっており、これにより、該ＬＥＤ(１)の設置領域Ｒ１が、熱伝導部(４)の露出面(42)の周縁領域によって包囲されている。
【００２６】
又、熱伝導部(４)の露出面(42)の内、ＬＥＤ(１)の設置領域Ｒ１とは異なる領域がセラミック層(５)により被覆されている。ここで、図示していないが、セラミック層(５)にはガラスが含有され、該ガラスの一部がセラミック層(５)の表面に析出している。そして、本実施形態の発光デバイスにおいては、セラミック層(５)の表面に析出したガラスは、３％より大きい結晶化度を有している。
【００２７】
更に、熱伝導部(４)の露出面(42)の内、ＬＥＤ(１)の設置領域Ｒ１には金メッキ層(６)が形成されており、該金メッキ層(６)の表面にＬＥＤ(１)が設置されている。
【００２８】
次に、上記発光デバイスの製造方法につき、図面に沿って具体的に説明する。ここで、該製造方法は、セラミック体形成工程、焼成工程、メッキ工程、素子搭載工程、及び樹脂充填工程を有しており、これらの工程がこの順に実行される。
【００２９】
図２は、セラミック体形成工程の説明に用いられる断面図である。図２に示す様に、セラミック体形成工程では、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）から作製された複数のセラミックシート(23)を積層して積層体(70)を形成する。ここで、各セラミックシート(23)には、その表面から背面へ貫通する貫通孔(231)が所定領域に形成され、該貫通孔(231)には熱伝導材(41)が充填されている。
尚、本実施形態においては、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）として、アルミナとガラスが所定の割合で含まれたものが用いられている。又、熱伝導材(41)には、銀（Ａｇ）や、銀（Ａｇ）と白金（Ｐｔ）の合金等、熱伝導率の高い金属材料が用いられている。
【００３０】
積層体(70)の形成後、積層体(70)の上面(701)に、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）から作製されて焼成後に枠体(３)となる枠形成体(31)を設置する。このとき、枠形成体(31)は、その内側の空間(311)に熱伝導材(41)の最上面(411)を露出させて、積層体(70)の上面(701)に設置される。ここで、枠形成体(31)は、低温同時焼成セラミック粉を所定形状に押し固めて形成されてもよいし、積層体(70)と同様に複数のセラミックシートを積層して形成されてもよい。
【００３１】
セラミック体形成工程では更に、積層体(70)の上面(701)に、セラミック層(５)となる形成層(51)が形成される。具体的には、積層体(70)の上面(701)に露出した熱伝導材(41)の最上面(411)の内、ＬＥＤ(１)の設置領域Ｒ１となる領域Ｒ２を残して、他の領域を形成層(51)によって被覆する。ここで、形成層(51)は、上記他の領域をセラミックシートによって被覆することにより形成されてもよいし、上記他の領域上にセラミック塗料を塗布することにより形成されてもよい。斯くして、積層体(70)と、形成層(51)と、枠形成体(31)とから構成されたセラミック体(71)が形成されることになる。
【００３２】
次に焼成工程において、セラミック体形成工程で作製したセラミック体(71)を８４０℃以上９５０℃未満の温度で焼成する。ここで、セラミック体(71)には、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）が用いられている。従って、焼成温度が８４０℃以上９５０℃未満の低温であっても、セラミック体(71)を焼結させることが出来る。又、８４０℃以上９５０℃未満の焼成温度であれば、熱伝導材(41)として用いられる銀（Ａｇ）等の金属材料は、異常収縮を生じずに焼結することになる。
【００３３】
図３は、焼成工程の実行により作製されるパッケージを示す断面図である。焼成工程の実行により、図３に示す様に、積層体(70)と枠形成体(31)がそれぞれ焼結して基体(２)と枠体(３)が形成されると共に、基体(２)と枠体(３)とが互いに接合して一体化される。これにより、枠体(３)の内周面(31)と基体(２)の上面(21)とから、ＬＥＤ(１)を収容するためのキャビティ(30)が形成される。
【００３４】
積層体(70)の焼結によって、複数のセラミックシート(23)に形成されている貫通孔(231)どうしが互いに連結し、基体(２)をその上面(21)から下面(22)へ貫通するビア(40)が形成される。又、積層体(70)の焼結に伴って、貫通孔(231)に充填されている熱伝導材(41)も焼結し、熱伝導材(41)どうしが互いに結合して一体化される。これにより、熱伝導部(４)が形成され、焼成前の熱伝導材(41)の最上面(411)が、焼成後において熱伝導部(４)の露出面(42)となる。
【００３５】
又、焼成工程の実行により、形成層(51)が焼結してセラミック層(５)が形成される。そして、熱伝導部(４)の露出面(42)の内、焼成前において形成層(51)によって被覆されずに露出したままであった領域Ｒ２が、焼成後においてＬＥＤ(１)の設置領域Ｒ１となる。斯くして、ＬＥＤ(１)を搭載するためのパッケージ(10)が形成されることになる。
【００３６】
図４は、メッキ工程の説明に用いられる断面図である。図４に示す様に、メッキ工程では、基体(２)の上面(21)の内、ＬＥＤ(１)の設置領域Ｒ１に金メッキを施すことにより、該設置領域Ｒ１に金メッキ層(６)を形成する。
【００３７】
図５は、素子搭載工程の説明に用いられる断面図である。図５に示す様に、パッケージ(10)にＬＥＤ(１)を搭載する。具体的には、パッケージ(10)のキャビティ(30)にＬＥＤ(１)を収容する。このとき、金メッキ層(６)の表面にＬＥＤ(１)を設置する。
【００３８】
次に樹脂充填工程において、パッケージ(10)のキャビティ(30)の内部に、蛍光体を含む樹脂材(32)を充填する。これにより、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示す様に、本実施形態に係る発光デバイスが完成する。
【００３９】
上記発光デバイスにおいて、基体(２)を構成しているセラミック材と熱伝導材(41)との間には、熱膨張率の差が存在している。従って、上記発光デバイスの製造過程において、熱伝導部(４)の露出面(42)の周縁領域が隆起して、該露出面(42)に隆起部が形成される虞がある（図１２参照）。一方、熱伝導部(４)の露出面(42)の内、周縁領域の内側の領域（周縁領域に包囲された領域）は、周縁領域が隆起した場合でも平坦のままとなり易い。
【００４０】
上記発光デバイスにおいては、熱伝導部(４)の露出面(42)の周縁領域がＬＥＤ(１)によって覆われることがなく、従って、熱伝導部(４)の隆起部とＬＥＤ(１)とが重なることがない。即ち、ＬＥＤ(１)は、熱伝導部(４)の露出面(42)の平坦領域に設置されることになる。よって、ＬＥＤ(１)の下面と熱伝導部(４)の露出面(42)（本実施形態では金メッキ層(６)の表面である。金メッキ層(６)は、下地である熱伝導部(４)の露出面(42)の凹凸に沿って形成される。）との接触面積は大きく、このため、ＬＥＤ(１)から発生した熱は、熱伝導部(４)へ移動し易い。その結果、基体(２)の下面(22)から発散される熱量が大きくなって、発光デバイスは、高い放熱特性を有することになる。
【００４１】
又、熱伝導部(４)の露出面(42)を設置領域Ｒ１の外側まで拡げると共に、図１（ｂ）に示す様に熱伝導部(４)全体を太くすることにより、熱伝導部(４)の基体(２)の上面(21)から下面(22)へ移動する熱量が大きくなり、その結果、発光デバイスは、より高い放熱特性を有することになる。
【００４２】
更に、上記発光デバイスにおいては、熱伝導部(４)の露出面(42)の内、ＬＥＤ(１)の設置領域Ｒ１とは異なる領域がセラミック層(５)により被覆されている。又、熱伝導部(４)の露出面(42)の内、ＬＥＤ(１)の設置領域Ｒ１が金メッキ層(６)により被覆されている。このため、熱伝導部(４)の露出面(42)には樹脂材(32)が接触することがない。よって、熱伝導部(４)の露出面(42)には、樹脂材(32)に含まれている蛍光体との化学反応（酸化等）が生じ難く、従って熱伝導部(４)が劣化することが防止され、その結果、発光デバイスの信頼性が向上することになる。
【００４３】
上記発光デバイスにおいては、セラミック層(５)にガラスが含有され、該ガラスの一部がセラミック層(５)の表面に析出している。従って、析出したガラスによってセラミック層(５)の表面にガラス層が形成され、該ガラス層の表面によって光反射面が形成されることになる。よって、ＬＥＤ(１)から斜め下方に向かって出射された光は、ガラス層の表面にて反射されて上方へ進行することになり、その結果、発光デバイスにおいて高い発光強度が得られることになる。
【００４４】
又、析出したガラスによって形成されたガラス層には、経時変化の原因となる酸化等の化学反応が発生しにくく、従って経時変化による光反射率の低下が発生しにくい。
【００４５】
上記発光デバイスにおいてより高い発光強度を得るためには、セラミック層(５)から析出したガラスの結晶化度が３％より大きいことが好ましい。ガラスの結晶化度が３％より大きいガラス層は、ガラスの結晶化度が３％以下であるガラス層と比較して表面粗さが小さくなる。従って、ガラスの結晶化度が３％より大きいガラス層は、光反射率の高い光反射面を有することになる。よって、発光デバイスにおいて、より高い発光強度が得られることになる。
【００４６】
本願発明者は、セラミック層(５)から析出したガラスの結晶化度が３％より大きい場合、析出したガラスによって形成されるガラス層の表面での光反射率が高くなることを、実験により確かめた。
【００４７】
図６は、セラミック体(71)の焼成温度と析出したガラスの結晶化度との関係を示した図である。ここで、ガラスの結晶化度は、Ｘ線回折法を用いて測定された。具体的には、セラミック体(71)を焼成することによって作製されたパッケージについて、該パッケージを構成する低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）のアルミナとガラスのＸ線回折強度のピーク値Ｉ(Al2O3)，Ｉ(glass)をそれぞれ測定し、アルミナのピーク値Ｉ(Al2O3)に対するガラスのピーク値Ｉ(glass)の割合を求めることにより、結晶化度を取得した。
【００４８】
図６に示す様に、セラミック体(71)の焼成温度が高い程、析出するガラスの結晶化度は大きくなる。具体的には、焼成温度が８４０℃以上である場合、析出するガラスの結晶化度は３％より大きくなる。そして、焼成温度が９００℃程度である場合、析出するガラスの結晶化度は４０％程度となり、焼成温度が９５０℃程度である場合（図示せず）、析出するガラスの結晶化度は６０％程度となる。一方、焼成温度が８４０℃未満の温度である場合、析出するガラスの結晶化度は３％以下となる。
【００４９】
従って、本実施形態の発光デバイスの如く、セラミック体(71)を８４０℃以上の温度で焼成するにより、セラミック層(５)の表面には、３％より大きい結晶化度を有するガラスが析出することになる。
【００５０】
図７は、８４７℃、９００℃、及び９５０℃の焼成温度で作製されたパッケージ(10)のそれぞれについて、セラミック層(５)の表面に入射する光の波長と、その光の反射率との関係をグラフＡ１〜Ａ３により示した図である。図７に示すグラフから、８４７℃の焼成温度で作製されたパッケージ(10)において、８５％以上の高い光反射率が得られることがわかる。しかも、８４７℃よりも高い焼成温度（９００℃及び９５０℃）で作製されたパッケージ(10)においては、特に３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ及び６００ｎｍ〜７８０ｎｍの波長領域において光反射率が更に大きくなることがわかる。
【００５１】
表１及び表２はそれぞれ、図７に示されるグラフに関して、入射光の波長が４０５ｎｍと６５０ｎｍのときの光反射率をそれぞれ数値で表したものである。表１に示す様に、入射光の波長が４０５ｎｍの場合、光反射率は、８４７℃の焼成温度で９７％となり、９００℃の焼成温度で１０１．２％となる。又、表２に示す様に、入射光の波長が６５０ｎｍの場合、光反射率は、８４７℃の焼成温度で８９．８％となり、９００℃の焼成温度で９１．８％となる。
【００５２】
【表１】
2012253048.tif 000003
【００５３】
【表２】
2012253048.tif 000004
【００５４】
図６及び図７に示されるグラフ、並びに表１と表２に示されるデータから、セラミック層(５)から析出したガラスの結晶化度が３％より大きい場合、析出したガラスによって形成されるガラス層の表面での光反射率が高くなることがわかる。
【００５５】
図８は、上記発光デバイスの第１変形例を示す断面図である。図８に示す様に、上記発光デバイスにおいて、熱伝導部(４)の露出面(42)が枠体(３)の下方位置まで拡がって、該露出面(42)の周縁領域が枠体(３)によって覆われていてもよい。
【００５６】
第１変形例に係る発光デバイスによれば、キャビティ(30)の底面に隆起部が出現することが防止され、従ってキャビティ(30)の底面の高い平滑性が維持されることになる。
【００５７】
図９は、上記発光デバイスの第２変形例を示す断面図である。図９に示す様に、上記発光デバイスは、枠体(３)のない構成を有していてもよい。
【００５８】
図１０は、上記発光デバイスの第３変形例を示す断面図である。図１０に示す様に、上記発光デバイスにおいて、基体(２)の複数箇所に熱伝導部(４)を設け、各熱伝導部(４)の中央部を細くする一方、各熱伝導部(４)の上部及び下部を拡げて熱伝導部(４)〜(４)の上部どうし及び下部どうしを連結させてもよい。本変形例に係る構成によれば、各熱伝導部(４)は、中央部が細くて且つ上部及び下部が拡がった形状を有することになる。よって、上記セラミック体形成工程において、各熱伝導部(４)を構成するビア(40)への熱伝導材(41)の充填が容易となる。
【００５９】
尚、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。例えば、上記発光デバイスに採用したセラミック材、熱伝導材(41)等には、上記実施形態で説明した材料に限らず、種々の材料を用いることが出来る。
【００６０】
上記発光デバイスに採用した各種構成は、ＬＥＤ以外の発光素子を具えた発光デバイスにも適用することが可能である。又、上記発光デバイスに採用した各種構成は、発光素子を具えた発光デバイスに限らず、集積回路等、発熱する種々の電子素子を具えた電子デバイスにも適用することが可能である。
【符号の説明】
【００６１】
(１)  ＬＥＤ（電子素子）
(10)  パッケージ
(２)  基体
(21)  上面（表面）
(22)  下面（背面）
(３)  枠体
(30)  キャビティ
(32)  樹脂材
(４)  熱伝導部
(40)  ビア
(41)  熱伝導材
(42)  露出面
(５)  セラミック層
(６)  金メッキ層
Ｒ１  設置領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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