(57)【要約】【課題】本発明は、非平坦欠陥が存在する炭化珪素ウエハに対して塗布ムラなくレジストをコーティングすることが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置の製造装置の提供を目的とする。【解決手段】本発明に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、（ａ）表面に非平坦欠陥３ａを有する炭化珪素ウエハ３を準備する工程と、（ｂ）炭化珪素ウエハ３の中心上方から周縁上方まで滴下ノズル１を移動させながら、滴下ノズル１から炭化珪素ウエハ３にレジストを滴下する工程とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）表面に非平坦欠陥を有する炭化珪素ウエハを準備する工程と、
（ｂ）前記炭化珪素ウエハの中心上方から周縁上方まで滴下ノズルを移動させながら、前記滴下ノズルから前記炭化珪素ウエハにレジストを滴下する工程とを備える、
炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）炭化珪素ウエハの表面に非平坦欠陥があるか否かを検出する工程と、
（ｂ）前記炭化珪素ウエハの表面に非平坦欠陥があれば、前記炭化珪素ウエハの中心上方から周縁上方まで滴下ノズルを移動させながら、前記滴下ノズルから前記炭化珪素ウエハにレジストを滴下し、前記炭化珪素ウエハの表面に非平坦欠陥がなければ、前記炭化珪素ウエハの中心上方に固定した滴下ノズルから前記炭化珪素ウエハにレジストを滴下する工程とを備える、
炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）は、前記炭化珪素ウエハに滴下された前記レジストが流動可能な遠心力を生ずる回転速度で回転させた前記炭化珪素ウエハに前記レジストを滴下する工程である、請求項１又は２に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｂ）は、前記レジストの滴下直径をＤ，前記炭化珪素ウエハが１回転する時間をＴとした場合に、Ｖ≦Ｄ／（３×Ｔ）を満たす速度Ｖで前記炭化珪素ウエハの中心上方から周縁上方まで径方向に沿って前記滴下ノズルを移動させる工程を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｂ）は、前記炭化珪素ウエハの中心上方から周縁上方まで径方向に沿って前記滴下ノズルを移動させ、前記炭化珪素ウエハの非平坦欠陥のある半径位置では、それ以外の半径位置における移動速度よりも遅い速度で前記滴下ノズルを移動させる工程である、請求項１〜４のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項６】
非平坦欠陥を有する炭化珪素ウエハにレジストを塗布する炭化珪素半導体装置の製造装置であって、
前記レジストを前記炭化珪素ウエハに滴下する滴下ノズルと、
前記レジストの滴下と同時に、前記滴下ノズルを前記炭化珪素ウエハの中心上方から周縁上方まで移動させるノズル位置制御手段とを備える、
炭化珪素半導体装置の製造装置。
【請求項７】
炭化珪素ウエハにレジストを塗布する炭化珪素半導体装置の製造装置であって、
前記炭化珪素ウエハの表面に非平坦欠陥があるか否かを検出する欠陥検出手段と、
前記レジストを前記炭化珪素ウエハに滴下する滴下ノズルと、
前記炭化珪素ウエハに非平坦欠陥がある場合には、前記レジストの滴下と同時に、前記滴下ノズルを前記炭化珪素ウエハの中心上方から周縁上方まで移動させ、前記炭化珪素ウエハに非平坦欠陥がない場合には、前記滴下ノズルを前記炭化珪素ウエハの中心上方に固定するノズル位置制御手段とを備える、
炭化珪素半導体装置の製造装置。
【請求項８】
前記炭化珪素ウエハに滴下された前記レジストが流動可能な遠心力を生ずる回転速度で前記炭化珪素ウエハを回転させるウエハ回転手段をさらに備える、請求項６又は７に記載の炭化珪素半導体装置の製造装置。
【請求項９】
前記ノズル位置制御手段は、前記レジストの滴下直径をＤ、前記炭化珪素ウエハが１回転する時間をＴとした場合に、Ｖ≦Ｄ／（３×Ｔ）を満たす速度Ｖで、前記炭化珪素ウエハの中心上方から周縁上方まで径方向に沿って前記滴下ノズルを移動させる、
請求項６〜８のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
前記ノズル位置制御手段は、前記炭化珪素ウエハの中心上方から周縁上方まで径方向に沿って前記滴下ノズルを移動させ、前記炭化珪素ウエハの非平坦欠陥のある半径位置ではそれ以外の半径位置における移動速度よりも遅い速度で前記滴下ノズルを移動させる、
請求項６〜９のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、炭化珪素ウエハにレジストを塗布する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素ウエハを用いた半導体装置の製造工程では、選択的処理を行うためのマスクを形成するためにフォトレジストを塗布する。従来から、ウエハを静止又は回転させた状態で、ウエハの中心にレジストを滴下し、ウエハの周辺に向けてレジストを流動させることによりレジスト膜を形成する技術がある。例えば特許文献１には、ウエハを高速回転させることにより、ウエハの中心に滴下したレジストを薄く均一に引き伸ばし、コーティングが完了してコーターカップの天板を開放する際にもウエハを回転させることにより、塗布ムラを防ぐ技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−４９３３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
炭化珪素ウエハは、理想的に清浄で平坦な表面を持つシリコン基板に比べて品質が劣っており、その表面には異物や凹凸状欠陥（以下、これらを「非平坦欠陥」と称する）が存在する。非平坦欠陥の大きさや個数はウエハによって大きく異なる。
【０００５】
ウエハの表面に非平坦欠陥が存在すると、特許文献１のようにウエハの中心にレジストを滴下しても、非平坦欠陥によってレジストの流動が妨げられるため、非平坦欠陥を起点としたその下流側に塗布ムラが発生してしまう。レジスト膜に塗布ムラがあると、後の写真製版や加工の工程において所望の形状が得られず、チップの不動作や特性の劣化が生じ、歩留りが低下するという問題がある。
【０００６】
本発明は上述の問題点に鑑み、非平坦欠陥が存在する炭化珪素ウエハに塗布ムラなくレジストをコーティングすることが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置の製造装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る第１の炭化珪素半導体装置の製造方法は、（ａ）表面に非平坦欠陥を有する炭化珪素ウエハを準備する工程と、（ｂ）前記炭化珪素ウエハの中心上方から周縁上方まで滴下ノズルを移動させながら、前記滴下ノズルから前記炭化珪素ウエハにレジストを滴下する工程とを備える。
【０００８】
また、本発明に係る第２の炭化珪素半導体装置の製造方法は、（ａ）炭化珪素ウエハの表面に非平坦欠陥があるか否かを検出する工程と、（ｂ）前記炭化珪素ウエハの表面に非平坦欠陥があれば、前記炭化珪素ウエハの中心上方から周縁上方まで滴下ノズルを移動させながら、前記滴下ノズルから前記炭化珪素ウエハにレジストを滴下し、前記炭化珪素ウエハの表面に非平坦欠陥がなければ、前記炭化珪素ウエハの中心上方に固定した滴下ノズルから前記炭化珪素ウエハにレジストを滴下する工程とを備える。
【０００９】
本発明に係る第１の炭化珪素半導体装置の製造装置は、非平坦欠陥を有する炭化珪素ウエハにレジストを塗布する炭化珪素半導体装置の製造装置であって、前記レジストを前記炭化珪素ウエハに滴下する滴下ノズルと、前記レジストの滴下と同時に、前記滴下ノズルを前記炭化珪素ウエハの中心上方から周縁上方まで移動させるノズル位置制御手段とを備える。
【００１０】
また、本発明に係る第２の炭化珪素半導体装置の製造装置は、炭化珪素ウエハにレジストを塗布する炭化珪素半導体装置の製造装置であって、前記炭化珪素ウエハの表面に非平坦欠陥があるか否かを検出する欠陥検出手段と、前記レジストを前記炭化珪素ウエハに滴下する滴下ノズルと、前記炭化珪素ウエハに非平坦欠陥がある場合には、前記レジストの滴下と同時に、前記滴下ノズルを前記炭化珪素ウエハの中心上方から周縁上方まで移動させ、前記炭化珪素ウエハに非平坦欠陥がない場合には、前記滴下ノズルを前記炭化珪素ウエハの中心上方に固定するノズル位置制御手段とを備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る第１の炭化珪素半導体装置の製造方法は、（ａ）表面に非平坦欠陥を有する炭化珪素ウエハを準備する工程と、（ｂ）前記炭化珪素ウエハの中心上方から周縁上方まで滴下ノズルを移動させながら、前記滴下ノズルから前記炭化珪素ウエハにレジストを滴下する工程とを備えるので、非平坦欠陥に起因する塗布ムラを抑制することができる。
【００１２】
また、本発明に係る第２の炭化珪素半導体装置の製造方法は、（ａ）炭化珪素ウエハの表面に非平坦欠陥があるか否かを検出する工程と、（ｂ）前記炭化珪素ウエハの表面に非平坦欠陥があれば、前記炭化珪素ウエハの中心上方から周縁上方まで滴下ノズルを移動させながら、前記滴下ノズルから前記炭化珪素ウエハにレジストを滴下し、前記炭化珪素ウエハの表面に非平坦欠陥がなければ、前記炭化珪素ウエハの中心上方に固定した滴下ノズルから前記炭化珪素ウエハにレジストを滴下する工程とを備えるので、非平坦欠陥に起因する塗布ムラを抑制するとともに、全てのＳｉＣウエハに対して滴下ノズルを移動させながらレジストを滴下する場合に比べて塗布時間を削減でき、スループットが改善する。
【００１３】
本発明に係る第１の炭化珪素半導体装置の製造装置は、非平坦欠陥を有する炭化珪素ウエハにレジストを塗布する炭化珪素半導体装置の製造装置であって、前記レジストを前記炭化珪素ウエハに滴下する滴下ノズルと、前記レジストの滴下と同時に、前記滴下ノズルを前記炭化珪素ウエハの中心上方から周縁上方まで移動させるノズル位置制御手段とを備えるので、非平坦欠陥に起因する塗布ムラを抑制することができる。
【００１４】
また、本発明に係る第２の炭化珪素半導体装置の製造装置は、炭化珪素ウエハにレジストを塗布する炭化珪素半導体装置の製造装置であって、前記炭化珪素ウエハの表面に非平坦欠陥があるか否かを検出する欠陥検出手段と、前記レジストを前記炭化珪素ウエハに滴下する滴下ノズルと、前記炭化珪素ウエハに非平坦欠陥がある場合には、前記レジストの滴下と同時に、前記滴下ノズルを前記炭化珪素ウエハの中心上方から周縁上方まで移動させ、前記炭化珪素ウエハに非平坦欠陥がない場合には、前記滴下ノズルを前記炭化珪素ウエハの中心上方に固定するノズル位置制御手段とを備えるので、非平坦欠陥に起因する塗布ムラを抑制するとともに、全てのＳｉＣウエハに対して滴下ノズルを移動させながらレジストを滴下する場合に比べて塗布時間を削減でき、スループットが改善する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１に係るレジスト塗布装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明に係るレジスト塗布方法を説明する図である。
【図３】実施の形態２に係るレジスト塗布装置の構成を示すブロック図である。
【図４】前提技術に係るレジスト塗布方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
＜前提技術＞
図４に、本発明の前提技術に係るレジスト塗布方法を示す。ＳｉＣウエハ３の中心上方に固定した滴下ノズル１からレジストを滴下する。ＳｉＣウエハ３の中心に滴下されたレジストはＳｉＣウエハ３上を周縁に向かって流動する。ＳｉＣウエハ３は静止又は回転した状態にあり、回転している場合は遠心力によりレジストは径方向の力を受け、ＳｉＣウエハ３の中心から周縁に向けて流動する。
【００１７】
ＳｉＣウエハ３は、理想的に清浄で平坦な表面を持つＳｉウエハとは異なり、その表面に非平坦欠陥３ａが存在する。非平坦欠陥３ａによってレジストの流動が妨げられるため、領域４ａではレジスト膜が厚く形成され、非平坦欠陥３ａの外側の領域４ｂではレジスト膜が薄く形成される。このようなレジスト膜の塗布ムラが歩留まりの低下の原因となる。
【００１８】
そこで、本発明では以下に示す工夫を施すことにより、表面に非平坦欠陥が存在するＳｉＣウエハに対してムラなくレジストを塗布することを可能にした。
【００１９】
（実施の形態１）
＜構成＞
図１は、実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造装置であるレジスト塗布装置の構成を示すブロック図である。レジスト塗布装置１０は、滴下ノズル１と、滴下ノズル１の位置を制御するノズル位置制御手段２とを備えている。滴下ノズル１はレジストを塗布する手段であり、ノズル位置制御手段２は、滴下ノズル１をＳｉＣウエハ上の任意の位置に移動する手段である。
【００２０】
図２を用いて、レジスト塗布装置１０を用いた本実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法であるレジスト塗布方法を説明する。図２（ａ）はＳｉＣウエハ３にレジスト膜４を形成する様子を示す断面図であり、図２（ｂ）はレジスト膜４が形成されたＳｉＣウエハ３の上面図である。ノズル位置制御手段２は非平坦欠陥３ａを有するＳｉＣウエハ３の中心上方に滴下ノズル１をセットした後、ＳｉＣウエハ３の中心上方から周縁上方まで滴下ノズル１を移動する。この移動と同時に滴下ノズル１からはレジストが滴下され、ＳｉＣウエハ３に塗布される。
【００２１】
このように滴下ノズル１を移動しながらレジストを滴下することにより、ＳｉＣウエハ３の表面に非平坦欠陥３ａがある場合であっても、非平坦欠陥３ａの外側部分にまでレジストが滴下されるため、非平坦欠陥３ａによる塗布ムラが発生しない。
【００２２】
レジストの塗布にあたって、ＳｉＣウエハ３は静止していても良いし、レジスト塗布装置に備えたウエハ回転手段によりＳｉＣウエハ３を低速または高速で回転させても良い。ＳｉＣウエハ３が静止した状態でレジストを滴下する場合は、例えば滴下ノズル１をＳｉＣウエハ３の中心上方から周縁上方まで螺旋状に移動しながらレジストを滴下することにより、ＳｉＣウエハ３上に塗布ムラなくレジスト膜を形成することができる。また、ＳｉＣウエハ３を遠心力によりレジストが外側に向けて流動しない低速の回転数で回転させる場合は、滴下ノズル１をＳｉＣウエハ３の中心方向から周縁方向へ径方向に移動させることにより、ＳｉＣウエハ３上に塗布ムラなくレジスト膜を形成することができる。
【００２３】
ＳｉＣウエハ３が低速または高速で回転した状態でレジストを滴下する場合は、滴下ノズル１をＳｉＣウエハ３の中心上方から周縁上方への径方向に移動しながらレジストを滴下することにより、ＳｉＣウエハ３上に塗布ムラなくレジスト膜を形成することができる。ここで、径方向の滴下ノズル１の移動速度をＶ，レジストの滴下直径をＤ，ＳｉＣウエハ３が１回転する時間をＴとしたときに、Ｖ≦Ｄ／（３×Ｔ）を満たすことが望ましい。これにより、ウエハ面内のいずれの場所においても３重にレジストが滴下されるので、非平坦欠陥３ａを起点として生じる塗布ムラを確実に抑制することができる。
【００２４】
ウエハ回転手段がＳｉＣウエハ３を高速で回転させた状態でレジストを滴下する場合、ＳｉＣウエハ３に滴下されたレジストは遠心力によりＳｉＣウエハ３の周縁に向けて流動する。この遠心力の効果により理想的にはレジストがＳｉＣウエハ３上に均一に塗布されるが、滴下ノズル１をＳｉＣウエハ３の中心上方に固定しておくとウエハ表面に存在する非平坦欠陥３ａによってレジストの流動が妨げられ、非平坦欠陥３ａを起点とした塗布ムラが発生する。しかし、本実施の形態のように滴下ノズル１をＳｉＣウエハ３の中心上方から周縁上方まで移動しながらレジストを滴下することによって、非平坦欠陥３ａの外側にも直接レジストを供給するので、非平坦欠陥３ａを起点とする塗布ムラを発生させることなくＳｉＣウエハ３上に均等にレジスト膜４を形成できる。
【００２５】
＜効果＞
本実施の形態の炭化珪素半導体装置の製造方法は、（ａ）表面に非平坦欠陥３ａを有するＳｉＣウエハ３を準備する工程と、（ｂ）ＳｉＣウエハ３の中心上方から周縁上方まで滴下ノズル１を移動させながら、滴下ノズル１からＳｉＣウエハ３にレジストを滴下する工程とを備えるので、非平坦欠陥３ａに起因する塗布ムラを抑制することができる。
【００２６】
また、本実施の形態の炭化珪素半導体装置の製造方法において、ＳｉＣウエハ３に滴下されたレジストが流動可能な遠心力を生ずる回転速度で回転させた場合、ＳｉＣウエハ３の中心上に滴下ノズル１を固定してレジストを滴下すると、非平坦欠陥３ａによりレジストの流動が妨げられて塗布ムラが発生してしまうが、滴下ノズル１をＳｉＣウエハ１の中心上方から周縁上方まで移動させながらレジストを滴下することにより、塗布ムラを抑制することができる。
【００２７】
また、本実施の形態の炭化珪素半導体装置の製造方法において、非平坦欠陥３ａを有するＳｉＣウエハ３に対しては、レジストの滴下直径をＤ，ＳｉＣウエハ３が１回転する時間をＴとした場合に、Ｖ≦Ｄ／（３×Ｔ）を満たす速度ＶでＳｉＣウエハ３の中心上方から周縁上方まで径方向に沿って滴下ノズル１を移動させることにより、ＳｉＣウエハ３面内のいずれの場所においても３重にレジストが滴下されるので、非平坦欠陥３ａを起点として生じる塗布ムラを確実に抑制することができる。
【００２８】
本実施の形態の炭化珪素半導体装置の製造装置は、非平坦欠陥３ａを有するＳｉＣウエハ３にレジストを塗布する炭化珪素半導体装置の製造装置であって、前記レジストをＳｉＣウエハ３に滴下する滴下ノズル１と、前記レジストの滴下と同時に、滴下ノズル１をＳｉＣウエハの中心上方から周縁上方まで移動させるノズル位置制御手段とを備えるので、非平坦欠陥３ａに起因する塗布ムラを抑制することができる。
【００２９】
また、本実施の形態の炭化珪素半導体装置の製造装置は、ＳｉＣウエハ３に滴下された前記レジストが流動可能な遠心力を生ずる回転速度でＳｉＣウエハ３を回転させるウエハ回転手段を備える。このような回転速度で回転するＳｉＣウエハ３の中心上に滴下ノズル１を固定してレジストを滴下すると、非平坦欠陥３ａによりレジストの流動が妨げられて塗布ムラが発生してしまうが、滴下ノズル１をＳｉＣウエハ１の中心上方から周縁上方まで移動させながらレジストを滴下することにより、塗布ムラを抑制することができる。
【００３０】
また、本実施の形態の炭化珪素半導体装置の製造装置において、ノズル位置制御手段２は、レジストの滴下直径をＤ、ＳｉＣウエハ３が１回転する時間をＴとした場合に、Ｖ≦Ｄ／（３×Ｔ）を満たす速度Ｖで、ＳｉＣウエハ３の中心上方から周縁上方まで径方向に沿って滴下ノズル１を移動させるので、ウエハ面内のいずれの場所においても３重にレジストが滴下され、非平坦欠陥３ａを起点として生じる塗布ムラを確実に抑制することができる。
【００３１】
（実施の形態２）
図３は、実施の形態２に係る炭化珪素半導体装置の製造装置であるレジスト塗布装置の構成を示すブロック図である。図３において、図１に示した実施の形態１と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。実施の形態２のレジスト塗布装置２０は、実施の形態１のレジスト塗布装置１０の構成に加えて、ＳｉＣウエハ３表面における非平坦欠陥３ａの有無や発生位置を検出する欠陥検出手段５を備えたものであり、以下実施の形態１と相違する点についてのみ説明する。
【００３２】
実施の形態２では、欠陥検出手段５によって非平坦欠陥３ａが表面に存在すると検出されたＳｉＣウエハ３に対してのみ滴下ノズル１の移動動作を行うことにより、非平坦欠陥３ａの有無に関わらず滴下ノズル１を移動させる場合に比べてスループットを改善する。
【００３３】
欠陥検出手段５は、例えばウエハ表面に斜めにレーザ光を照射し、その反射光によりウエハ表面の凹凸、すなわち非平坦欠陥３ａを検出する構成が考えられる。このような欠陥検出手段５によって予め、ＳｉＣウエハ３表面の非平坦欠陥３ａの有無を検出しておき、非平坦欠陥３ａがある場合には、ノズル位置制御手段２が滴下ノズル１をＳｉＣウエハ３の中心上方から周縁上方まで移動させ、この移動と同時に滴下ノズル１からはレジストが滴下され、ＳｉＣウエハ３に塗布される。非平坦欠陥３ａが無い場合には、滴下ノズル１をＳｉＣウエハ３の中心上方に固定してレジストを滴下する。これにより、常に滴下ノズル１を移動させる場合に比べて工程時間を短縮することができ、スループットが改善される。
【００３４】
また、非平坦欠陥３ａが存在するＳｉＣウエハ３にレジストを塗布する場合に、欠陥検出手段５が予め非平坦欠陥３ａの位置を検出しておき、ノズル位置制御手段２は当該情報に基づいて非平坦欠陥３ａの周辺で滴下ノズル１の移動速度を遅くする代わりに、それ以外の領域で滴下ノズル１の移動速度を速くしても良い。
【００３５】
すなわち、ＳｉＣウエハ３を回転させた状態でレジストを滴下する場合に、ノズル位置制御手段２はＳｉＣウエハ３の中心上方から周縁上方まで径方向に沿って滴下ノズル１を移動させ、ＳｉＣウエハ３の非平坦欠陥３ａが存在する半径位置ではそれ以外の半径位置における移動速度よりも遅い速度で滴下ノズル１を移動させる。これにより、非平坦欠陥３ａに起因する塗布ムラを確実に抑制しながら、塗布時間の短縮やレジストの消費量の削減が可能である。
【００３６】
＜効果＞
本実施の形態の炭化珪素半導体装置の製造方法は、（ａ）ＳｉＣウエハ３の表面に非平坦欠陥３ａがあるか否かを検出する工程と、（ｂ）ＳｉＣウエハ３の表面に非平坦欠陥３ａがあれば、ＳｉＣウエハ３の中心上方から周縁上方まで滴下ノズル１を移動させながら、滴下ノズル１からＳｉＣウエハ３にレジストを滴下し、ＳｉＣウエハ３の表面に非平坦欠陥３ａがなければ、ＳｉＣウエハ３の中心上方に固定した滴下ノズル１からＳｉＣウエハ３にレジストを滴下する工程とを備えるので、非平坦欠陥３ａに起因する塗布ムラを抑制するとともに、常に滴下ノズル１を移動させながらレジストを滴下する場合に比べて塗布時間を削減でき、スループットが改善する。
【００３７】
また、ＳｉＣウエハ３の表面に非平坦欠陥３がある場合に、ＳｉＣウエハ３の中心上方から周縁上方まで径方向に沿って滴下ノズル１を移動させ、ＳｉＣウエハ３の非平坦欠陥のある半径位置では、それ以外の半径位置における移動速度よりも遅い速度で滴下ノズル１を移動させることにより、レジストの塗布時間を短縮し、レジストの消費量を削減することが出来る。
【００３８】
本実施の形態の炭化珪素半導体装置の製造装置は、ＳｉＣウエハ３にレジストを塗布する炭化珪素半導体装置の製造装置であって、ＳｉＣウエハ３の表面に非平坦欠陥３ａがあるか否かを検出する欠陥検出手段５と、前記レジストをＳｉＣウエハ３に滴下する滴下ノズル１と、ＳｉＣウエハ３に非平坦欠陥３ａがある場合には、前記レジストの滴下と同時に、滴下ノズル１をＳｉＣウエハ３の中心上方から周縁上方まで移動させ、ＳｉＣウエハ３に非平坦欠陥がない場合には、滴下ノズル１をＳｉＣウエハ３の中心上方に固定するノズル位置制御手段２とを備えるので、非平坦欠陥３ａに起因する塗布ムラを抑制するとともに、常に滴下ノズル１を移動させながらレジストを滴下する場合に比べて塗布時間を削減でき、スループットが改善する。
【００３９】
また、本実施の形態の炭化珪素半導体装置の製造装置において、ノズル位置制御手段２は、ＳｉＣウエハ３の中心上方から周縁上方まで径方向に沿って滴下ノズル１を移動させ、ＳｉＣウエハ３の非平坦欠陥３ａのある半径位置ではそれ以外の半径位置における移動速度よりも遅い速度で滴下ノズル１を移動させることにより、レジストの塗布時間を短縮し、レジストの消費量を削減することが出来る。
【符号の説明】
【００４０】
１  滴下ノズル、２  ノズル位置制御手段、３  ＳｉＣウエハ、３ａ  非平坦欠陥、４  レジスト膜、５  欠陥検出手段、１０，２０  レジスト塗布装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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