(57)【要約】【課題】シール接着剤幅を太くすることなく液晶表示パネルの特性や歩留まり等を良好に保ちながら高温高湿環境下での表示品質を向上する。【解決手段】周辺画素領域２３及びシール領域２４の各一部の上方の表示領域２１及びダミー画素領域２２を囲むように形成されている無機酸化膜パターン４１上に、スペーサ粒子を含まないシール接着剤４３をディスペンスや印刷などで形成する。シール接着剤４３で囲まれた領域に液晶８をディスペンサなどで滴下する。滴下される上記の液晶８は、電圧がかかった場合に分子の向きを変え、光の透過率を増減させる。ガラス基板２上の対向電極３が半導体基板１上の画素電極２５と対向するように、ガラス基板２と半導体基板１とをシール接着剤４３により接合して液晶表示パネル４０が製造される。シール接着剤４３の厚みは接着強度と耐湿性とを両立するために０.５μｍから１.２μｍ厚とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の中央部に複数の画素がマトリクッス状に形成された表示領域が配置され、その外側に前記表示領域を囲む周辺画素領域と、前記周辺画素領域を囲むシール領域とが順次に配置されると共に、前記表示領域の表面に画素電極が形成された第１の基板と、
表面に透明の対向電極が形成された透明の第２の基板と、
前記シール領域から前記周辺画素領域の一部までの前記半導体基板の上方の範囲内に形成された無機酸化膜パターンと、
前記無機酸化膜パターンの表面に形成され、前記第１の基板の前記画素電極と前記第２の基板の前記対向電極とを対向させて所定の厚みで接合する、スペーサ粒子を含まないシール接着剤と、
前記無機酸化膜パターンと前記第１及び第２の基板との間の間隙に充填された液晶と
を有することを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
前記シール接着剤は、０.５μｍから１.２μｍまでの範囲内の厚みを有することを特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記無機酸化膜パターンは、その厚みと前記シール接着剤の厚みとの和が１.５μｍ以下となるように調整されていることを特徴とする請求項２記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
第１の基板上の中央部に複数の画素がマトリクッス状に形成された表示領域と、前記表示領域を囲む周辺画素領域と、前記周辺画素領域を囲むシール領域とを配置形成すると共に、前記表示領域の表面に画素電極を形成する第１の工程と、
前記シール領域から前記周辺画素領域の一部までの前記半導体基板の上方の範囲内に無機酸化膜パターンを形成する第２の工程と、
前記無機酸化膜パターンの表面に、スペーサ粒子を含まないシール接着剤を形成する第３の工程と、
表面に透明の対向電極が形成された透明の第２の基板と、前記第３の工程により前記無機酸化膜パターンが形成された前記半導体基板とを、前記画素電極と前記対向電極とを対向させて、前記シール接着剤により所定の厚みで接合する第４の工程と、
前記無機酸化膜パターンと前記第１及び第２の基板との間の間隙に液晶を充填する第５の工程と
を含むことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記第４の工程は、前記シール接着剤の厚みを０.５μｍから１.２μｍまでの範囲内として、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合することを特徴とする請求項４記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記第３の工程は、前記無機酸化膜パターンの厚みと前記シール接着剤の厚みとの和が１.５μｍ以下となるように前記無機酸化膜パターンの厚みを調整して形成することを特徴とする請求項５記載の液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示パネル及びその製造方法に関し、特に反射型液晶表示素子の液晶表示パネルとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
野外公衆場や車載用などのディスプレイとして映像を表示するための投射型液晶表示ディスプレイの要望がある。使用環境が室内より苛酷な状況が予想されるため要求される信頼性が重要な課題になっている。投射型液晶表示ディスプレイには大別すると透過型方式と反射型方式がある（例えば特許文献１、２参照）。
【０００３】
反射型方式の液晶表示パネルの組立てにおいて、反射型画素電極で構成された半導体基板と透明電極を成膜したガラス基板とを、シール接着剤を用いて互いに対向させて接合する。シール接着剤は表示領域を囲うようにディスペンサーや印刷等の手法を用いて塗布される。
【０００４】
図５は、従来の液晶表示パネルの一例の平面図を示す。液晶表示パネル２０は、画素電極２５が二次元マトリクス状に配置された表示領域２１と、ダミー画素領域２２と、周辺画素領域２３と、シール領域２４とを備えている。また、液晶表示パネル２０は、外部との入出力の実装端子（電極パッド群）２６や加工上表面高さを揃えるためのダミーパターン２７も備えている。実装端子２６は、反射型液晶表示パネルに映像を表示するための電気信号が入力される端子である。
【０００５】
次に、この従来の液晶表示パネルの製造方法について図６の各工程の素子断面図と共に説明する。図６の各素子断面図は、図５のＡ−Ａ’線に沿う断面図を示している。図６（ａ）は、半導体基板１とガラス基板２とを組み合わせる前の状態を示している。半導体基板１には、前述した表示領域２１、ダミー画素領域２２、周辺画素領域２３、シール領域２４が形成されており、表示領域２１の表面には複数の画素電極２５が形成されている。また、半導体基板１にはトランジスタや容量が形成されており、金属で配線されている。一方、ガラス基板２は各画素共通になされた対向電極３が配置される。
【０００６】
次に、図６（ｂ）に示すように画素電極２５及びダミーパターン２７の表面と、対向電極３の表面に、液晶に所定の配向を付与する配向膜４、５が形成される。続いて、図６（ｃ）に示すように半導体基板１のシール領域２４の上にシール接着剤７を形成する。続いて、図６（ｄ）に示すように、シール接着剤７で囲まれた領域に液晶８を滴下する。次に、半導体基板１上の配向膜４とガラス基板２上の配向膜５とが向かい合うようにガラス基板２と半導体基板１とを貼り合わせて、シール接着剤７に入ったスペーサ粒子６によりガラス基板２との間に所定の空隙を保つように接着する。
【０００７】
これにより、図７に示す断面の液晶表示パネルが製造される。図７のシール接着剤７は図５に示すように表示領域２１と周辺画素領域２２とを囲むシール領域２４を形成する。シール接着剤はエポキシ樹脂やアクリル樹脂を主とした材料が使用され、紫外線照射や加熱により硬化するのが一般的である。
【０００８】
なお、図５のシール領域２４の一部分２９を開口して、ガラス基板を対向配置させて所定の間隔を有して貼り合せてから、真空下で上記のシール開口部から液晶を注入し、大気に戻してから開口部を封止剤で封止する製造方法もある。
【０００９】
上記の液晶表示パネル２０を製造するに際して、画素電極２５には平坦な表面性が求められる。画素電極２５を直接研磨することは技術的に困難を伴うことから、画素電極２５の下地に当たる絶縁層を研磨して、予め平坦にした下地層の上に画素電極２５を形成する。画素領域２１、ダミー画素領域２２、周辺画素領域２３及びシール領域２４との間で高さの差が生じると、液晶部ギャップ均一性が悪化する場合があるので、これを防ぐ目的で周辺画素領域２３およびシール領域２４に電気的に接続されていないダミーパターン２７を図５に示すように形成している。
【００１０】
液晶ギャップの制御には、表示領域２１にはシール接着剤７を配置しておらず、図７に示すようにシール領域２４及び周辺画素領域２３に塗布したスペーサ粒子６入りシール接着剤７で液晶ギャップを確保している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００８−６４９００号公報
【特許文献２】特開２００８−１９１６３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来の液晶表示パネルにおいて、上記の構造と液晶ギャップをシール接着剤７に混合したスペーサ粒子６の粒子径で制御する製造方法にした場合には、図８に３０で示すように、基板を貼り合せる際にスペーサ粒子６に圧力が集中して周辺画素領域２３の下地回路を破壊してしまうことがあり、その結果として液晶表示パネルの製造歩留りを著しく低下させるという問題がある。
【００１３】
この問題を回避する方法として、半導体基板１のシール領域２４の幅を予め大きく設計してシール接着剤７を周辺画素領域２３に形成しないようにすることが考えられる。しかし、シール領域２４の寸法を大きくすると、半導体基板１が大型化してウェハ当たりから取れるパネルの枚数が少なくなり、液晶表示装置のコストアップになるという課題がある。
【００１４】
また、シール接着剤７の幅を狭くして周辺画素領域２３にはみ出さないようにすることも考えられるが、シール幅を狭くするに伴い高温高湿信頼性が低下して、液晶表示パネルの表示品質を確保できなくなる。
【００１５】
液晶表示パネルでは、コストダウン及び生産性向上の観点から電極の更なる小型化が要求され、表示領域の縮小やシール接着剤の幅を細くすることが求められている。しかし、シール接着剤の幅とセルギャップを一定にして表示部液晶容積（表示領域）を縮小した場合、高温高湿環境下では図９に示すように、表示部液晶容積（表示領域）が小さくなるに従って浸入水蒸気の影響度が大きくなり、表示品質は悪化する。また、図１０に示すように、シール接着剤の幅を細くするほどシール接着剤からの透過水蒸気量が増加するため、シール接着剤の幅が細くなるほど高温高湿信頼性は悪化することになる。
【００１６】
次に、表示領域とシール接着剤の幅を一定に保ち、シール接着剤の厚み（セルギャップ）を変えた場合は、図１１に示すようにセルギャップが１.５μｍより大きな範囲内ではセルギャップが小さくなる（シール接着剤の厚みが薄くなる）にしたがって表示領域の液晶層容積が減少し、浸入水蒸気による配向膜や液晶層への品質劣化が顕著となり、高温高湿環境での表示品質が劣化する。
【００１７】
図１２は、液晶表示パネルへの水蒸気の浸入経路の一例を示す。同図中、図７と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する。なお、図１２は図示の便宜上、図７の横方向の寸法を圧縮して図示してある。図１２に示すように、水蒸気はシール接着剤７自体を透過して侵入する経路３０ｂと、シール接着剤７とガラス基板２との接着界面を通して侵入する経路３０ａと、シール接着剤７と半導体基板１との接着界面を通して侵入する経路３０ｃとがある。上記のように、シール接着剤７の厚み（セルギャップ）が１.５μｍより大きな範囲ではセルギャップが小さいほど表示品質が劣化する。
【００１８】
このように、表示領域の縮小で浸入水蒸気の影響が顕著となる課題を解決するにはシール接着剤幅を太くすることが有効な方法であるが、シール接着剤幅を太くすると液晶表示パネルサイズが大きくなり、コストダウンの面から逆行することになる。また、シール接着剤の厚み（セルギャップ）を薄くして水蒸気の浸入を抑制することは効果があるが、耐湿性のためだけにセルギャップを薄くすることは液晶表示パネル仕様の面から問題となる。
【００１９】
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、シール接着剤幅を太くすることなく液晶表示パネルの特性や歩留まり等を良好に保ちながら高温高湿環境下での表示品質を向上できる液晶表示パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルは、基板上の中央部に複数の画素がマトリクッス状に形成された表示領域が配置され、その外側に表示領域を囲む周辺画素領域と、周辺画素領域を囲むシール領域とが順次に配置されると共に、表示領域の表面に画素電極が形成された第１の基板と、表面に透明の対向電極が形成された透明の第２の基板と、シール領域から周辺画素領域の一部までの半導体基板の上方の範囲内に形成された無機酸化膜パターンと、無機酸化膜パターンの表面に形成され、第１の基板の画素電極と第２の基板の対向電極とを対向させて所定の厚みで接合する、スペーサ粒子を含まないシール接着剤と、無機酸化膜パターンと第１及び第２の基板との間の間隙に充填された液晶とを有することを特徴とする。
【００２１】
また、上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルは、シール接着剤が、０.５μｍから１.２μｍまでの範囲内の厚みを有することを特徴とする。
【００２２】
また、上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルは、無機酸化膜パターンは、その厚みとシール接着剤の厚みとの和が１.５μｍ以下となるように調整されていることを特徴とする。
【００２３】
また、上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、第１の基板上の中央部に複数の画素がマトリクッス状に形成された表示領域と、表示領域を囲む周辺画素領域と、周辺画素領域を囲むシール領域とを配置形成すると共に、表示領域の表面に画素電極を形成する第１の工程と、シール領域から周辺画素領域の一部までの半導体基板の上方の範囲内に無機酸化膜パターンを形成する第２の工程と、無機酸化膜パターンの表面に、スペーサ粒子を含まないシール接着剤を形成する第３の工程と、表面に透明の対向電極が形成された透明の第２の基板と、第３の工程により無機酸化膜パターンが形成された半導体基板とを、画素電極と対向電極とを対向させて、シール接着剤により所定の厚みで接合する第４の工程と、無機酸化膜パターンと第１及び第２の基板との間の間隙に液晶を充填する第５の工程とを含むことを特徴とする。
【００２４】
また、上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、第４の工程が、シール接着剤の厚みを０.５μｍから１.２μｍまでの範囲内として、第１の基板と第２の基板とを接合することを特徴とする。
【００２５】
また、上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、第３の工程が、無機酸化膜パターンの厚みとシール接着剤の厚みとの和が１.５μｍ以下となるように無機酸化膜パターンの厚みを調整して形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、シール接着剤幅を太くすることなく液晶表示パネルの特性や歩留まり等を良好に保ちながら高温高湿環境下での表示品質を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の液晶表示パネルの一実施の形態の平面図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ’線に沿う本発明の液晶表示パネルの一実施の形態の断面図である。
【図３】本発明の液晶表示パネルの製造方法の一実施の形態の各工程の素子断面図である。
【図４】本発明の液晶表示パネルの一実施の形態における水蒸気の侵入経路を示す断面図である。
【図５】従来の液晶表示パネルの一例の平面図である。
【図６】従来の液晶表示パネルの製造方法の一例の各工程の素子断面図である。
【図７】図５のＡ−Ａ’線に沿う従来の液晶表示パネルの一例の断面図である。
【図８】従来の液晶表示パネルでスペーサ粒子による回路破壊の説明図である。
【図９】液晶表示パネルにおける表示部液晶容積と表示品質劣化量の関係の一例を示すグラフである。
【図１０】液晶表示パネルにおいてセルギャップ一定のとき、シール接着剤幅と水蒸気透過量の関係を示すグラフである。
【図１１】液晶表示パネルにおいて表示領域の面積とシール幅を一定にしたときの、セルギャップと表示品質劣化量の関係を示すグラフである。
【図１２】従来の液晶表示パネルの水蒸気の浸入経路を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２９】
図１は、本発明になる液晶表示パネルの一実施の形態の平面図、図２は、本発明になる液晶表示パネルの一実施の形態の図１のＢ−Ｂ’線に沿う断面図を示す。両図中、同一構成部分には同一符号を付してある。
【００３０】
本実施の形態の液晶表示パネル４０は反射型液晶表示パネルで、図２に示すように、半導体基板１とガラス基板２との間に液晶８を挟み、シール接着剤４３で貼り合わせて形成されている。図１及び図２に示すように、本実施の形態の液晶表示パネル４０は、中央部に表示領域２１を有し、その周囲にダミー画素領域２２が配置され、また、ダミー画素領域２２の周囲に周辺画素領域２３が配置されている。更に、周辺画素領域２３を囲むようにシール領域２４’が形成されている。
【００３１】
表示領域２１は、反射型の矩形状の画素電極２５を含んで構成された表示画素が二次元マトリクス状に配列されている。なお、表示画素は、周知の構成であり、また本発明の要旨とは直接の関係がないので図示しないが、直交する複数の行走査線と複数の列信号線との各交差部にそれぞれ形成され、行走査線からの選択信号により１行の画素単位で選択される選択用トランジスタと、保持容量と、画素選択時に列信号線からの映像信号をサンプリングして保持容量に書き込むスイッチングトランジスタと、保持容量の保持電圧を画素電極２５に印加するトランジスタなどから構成されている。図２のＰｘは一画素の幅を示している。
【００３２】
また、表示領域２１と周辺画素領域２３との間に配置されているダミー画素領域２２は表示領域２１と同等の下地半導体構造（半導体積層構造）を形成している。これにより、平坦化工程で表示領域２１と周辺画素領域２３との間の下地配線密度の差を吸収し、周辺画素領域２３の近接する表示領域２１の平坦化均一性を向上している。また、半導体基板１の表面のダミー画素領域２２より外側である周辺画素領域２３及びシール領域２４’上にセルギャップ相当の膜厚で無機酸化膜パターン４１が形成されている。
【００３３】
本実施の形態の液晶表示パネル４０は、以下の３つの特徴がある。
【００３４】
第１の特徴は、液晶表示パネルの歩留りを改善するため、シール接着材にスペーサ粒子を入れずに、セルギャップ相当の厚みを有する無機酸化膜パターン４１を形成してセルギャップを制御することでスペーサ粒子による回路破壊を抑制したことである。
【００３５】
第２の特徴は、セルギャップ相当の厚みを有する無機酸化膜パターン１１を周辺画素領域２３上に形成することで、周辺画素領域２３上に縮小されたシール領域を形成して表示パネルサイズを縮小したことである。
【００３６】
第３の特徴は、液晶表示パネルの耐湿性を改善するため、水蒸気の浸入経路であるシール接着剤４３の厚みを薄くすることが有効であることに鑑み、表示領域２１を囲むようにセルギャップ相当の厚みを有する無機酸化膜パターン１１上にシール接着剤４３を０.５μｍから１.２μｍの厚みで形成したことである。
【００３７】
次に、本実施の形態の液晶表示パネル４０の製造方法について、図３の各工程の素子断面図と共に説明する。
【００３８】
まず、図３（ａ）に示すように、所定の構造とされた半導体基板１と、表面に透明の対向電極３が形成されているガラス基板２とを用意する。図３（ａ）に示すように、半導体基板１には、表示領域２１、ダミー画素領域２２、周辺画素領域２３が形成されており、更にその半導体基板１の表示領域２１及びダミー画素領域２２の上に画素電極２５が形成され、また、周辺画素領域２３及びシール領域２４’の上にダミーパターン２７が形成されている。実装端子２６は反射型液晶表示パネルに映像を表示するための電気信号が入力される端子である。更に、ダミー画素領域２２より外側である周辺画素領域２３及びシール領域２４’の各々一部の領域の上方に、表示領域２１及びダミー画素領域２２を囲むようにセルギャップ相当の膜厚で無機酸化膜パターン４１が形成されている。
【００３９】
この無機酸化膜パターン４１はＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法やスパッタ法等によりウェハ表面全面に成膜して、フォトエッチングによりパターニングすることによって形成される。一般には、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン；Si(OC2H5)4）を主材料としＣＶＤ法で形成されている。このとき無機酸化膜パターン４１の幅は、例えば０.２〜１.０mmとする。
【００４０】
次に、図３（ｂ）に示すように、半導体基板１の表面の表示領域２１からシール領域２４’の一部までのうち、表示領域２１から周辺画素領域２３の一部までの無機酸化膜パターン４１が形成されていない画素電極２５及びダミーパターン２７の表面に配向膜４を形成し、かつ、無機酸化膜パターン４１上に配向膜４２を形成する。これら配向膜４及び４２は、液晶分子を一定方向に配列させるための膜であり、両者の厚み（図中、縦方向の長さ）は同じである。ここで、配向膜４と配向膜４２との隣接する端部間には無機酸化膜パターン４１の厚み分の段差が生じる。
【００４１】
一方、図３（ｂ）に示すように、ガラス基板２上の対向電極３の表面にも配向膜５が形成される。ただし、この配向膜５は、半導体基板１の表示領域２１からシール領域２４’の一部までに対応した幅で形成される。これらの配向膜４、４２、５は、蒸着法により無機酸化膜を斜め方向に疎な柱状酸化膜を成膜したり、塗布したポリイミド膜をラビングするなどの公知の方法により形成される。
【００４２】
次に、図３（ｃ）に示すように、周辺画素領域２３及びシール領域２４’の各一部の上方の表示領域２１及びダミー画素領域２２を囲むように形成されている無機酸化膜パターン４１上に、スペーサ粒子を含まないシール接着剤４３をディスペンスや印刷などで形成する。シール接着剤４３には、熱硬化型エポキシ樹脂、紫外線硬化型エポキシ樹脂を用いることができる。
【００４３】
次に、図３（ｄ）に示すように、シール接着剤４３で囲まれた領域に液晶８をディスペンサなどで滴下する。滴下される上記の液晶８は、電圧がかかった場合に分子の向きを変え、光の透過率を増減させる。
【００４４】
そして、図２の断面図に示すように、ガラス基板２上の対向電極３が半導体基板１上の画素電極２５と対向するように、図３（ｂ）に示した構造のガラス基板２と図３（ｄ）に示した構造の半導体基板１とをシール接着剤４３により接合して本実施の形態の液晶表示パネル４０が製造される。なお、半導体基板１とガラス基板２とを接合するときにシール接着剤４３は無機酸化膜パターン４１の内側にははみ出さないようにするが、外側は基板端までであればはみ出して形成されてもよい。
【００４５】
ただし、シール接着剤４３の厚み（図２の縦方向の長さ）は接着強度と耐湿性とを両立するために０.５μｍから１.２μｍ厚とする。すなわち、本実施の形態では、図１１に示したように、セルギャップが１.５μｍ以下の場合には、表示品質が向上することに鑑み、シール接着剤４３の厚みと無機酸化膜パターン４１との厚みとの和が、１.５μｍ以下のセルギャップと同等の厚みとなるようにする。
【００４６】
このようにして製造された本実施の形態の液晶表示パネル４０によれば、半導体基板１に無機酸化膜パターン４１の壁が形成されているため、水蒸気の浸入経路は、図４に示すように、３１ａ、３１ｂ、３１ｃで示す経路となる。なお、図４は、図示の便宜上、図２の断面図に比べて横方向の長さを圧縮して図示している。
【００４７】
図４に示すように、本実施の形態の液晶表示パネル４０によれば、半導体基板１と無機酸化膜パターン４１との密着性が良く、半導体基板１と無機酸化膜パターン４１との界面及び無機酸化膜パターン４１内を水蒸気が通過することはできない。また、シール接着剤４３の厚みが従来より薄くできたことにより、シール接着剤４３の内部を通る水蒸気の侵入経路３１ｂは水蒸気の浸入は減少し、また、シール接着剤４３とガラス基板２との界面の侵入経路３１ａ、及びシール接着剤４３と無機酸化膜パターン４１との界面の侵入経路３１ｃで侵入する水蒸気も減少する。
【００４８】
以下に、シール接着剤４３を無機酸化膜パターン４１上に０.５μｍから１.２μｍの厚みに薄く形成することによる本実施の形態の効果を列挙する。
【００４９】
（１）シール接着剤４３の厚みが１.２μｍより０．５μｍに向かって薄くなるに従って、セルギャップが１.５μｍ以下に減少し、それに伴い水蒸気の浸入が減少するため、図１１に示したように表紙品質が向上し、液晶の信頼性を確保するうえで有効となる。
【００５０】
（２）半導体基板１とガラス基板２とを貼り合せた後の隙間であるセルギャップは無機酸化膜パターン４１の厚み（高さ）により調整することができるため、セルギャップのばらつきを小さく制御できる。
【００５１】
（３）シール接着剤４３と液晶８は無機酸化膜パターン４１で隔てられているため、シール接着剤４３と液晶８のコンタミ発生が小さいので材料選定において自由度が広がる。
【００５２】
このようにして、本実施の形態の液晶表示パネル４０によれば、高温高湿環境下における液晶８、表示領域２１の画素電極２５、対向電極３の劣化を改善できるので、液晶画像品質の劣化を抑えることができる。また、本実施形態の液晶表示パネル４０によれば、シール接着剤４３はスペーサ粒子を含まないのでスペーサ粒子で回路を破壊することなく半導体基板の歩留まりを良好に維持できる。また、周辺回路領域上にシール領域を形成できるため、半導体基板更には表示パネルのサイズを縮小でき、ウェハから取れる数が増えてコストダウンできる。
【００５３】
なお、上記の実施の形態では反射型液晶表示パネルについて説明したが、本発明は透過型液晶表示パネルにも適用可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１  半導体基板
２  ガラス基板
３  対向電極（透明電極）
４、５、４２  配向膜
８  液晶
２１  表示領域
２２  ダミー画素領域
２３  周辺画素領域
２４、２４’  シール領域
２５  画素電極
２６  実装端子
２７  ダミーパターン
３１ａ、３１ｂ、３１ｃ  水蒸気の侵入経路
４０  液晶表示パネル
４１  無機酸化膜パターン
４３  シール接着剤
【図９】
2012181405.tif 000003
【図１０】
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【図１１】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１２】
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