(57)【要約】【課題】ヒータの低背化と昇温及び冷却の短時間化を図ることができる基板ヒータを提供する。【解決手段】基板ヒータ１は、ウエハＷを載置するヒータプレート２と、ヒータプレート２の下面に設けられたヒータ電極３と、ヒータプレート２と等しい熱伝導率を有する緩衝プレート４と、冷却プレート５と、複数のピストン６とを備える。緩衝プレート４とヒータプレート２とは、その間に間隔ｄ１の第１の空間Ｓ１を画成している。また、冷却プレート５は、緩衝プレート４を支持する複数のシャフト４２に、昇降自在に組み付けられている。ピストンロッド６１は、冷却プレート５を緩衝プレート４の下方に位置させて、間隔ｄ２の第２の空間Ｓ２を緩衝プレート４と冷却プレート５との間に形成する。また、ピストン６は、冷却プレート５を上昇させて、緩衝プレート４に接触させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置するためのヒータプレートと、
上記ヒータプレートに設けられたヒータ電極と、
上記ヒータプレートとほぼ等しい熱伝導率を有し、且つ上記ヒータプレートの下方に所定間隔をおいて対向配置されて、ヒータプレートとの間に断熱用の第１の空間を形成する緩衝プレートと、
上記緩衝プレートの下方に昇降自在に対向配置され、内部に冷媒が流れる冷却プレートと、
上記冷却プレートを上昇させて、上記緩衝プレートに接触させることができ、又は、当該冷却プレートを下降させて、冷却プレートと緩衝プレートとの間に断熱用の第２の空間を形成することができる昇降機構と
を備えることを特徴とする基板ヒータ。
【請求項２】
請求項１に記載の基板ヒータにおいて、
上記ヒータプレートと緩衝プレートとを、窒化アルミニュウムで形成した、
ことを特徴とする基板ヒータ。
【請求項３】
基板を載置するためのヒータプレートと、
上記ヒータプレートに設けられたヒータ電極と、
上記ヒータプレートよりも小さな熱伝導率を有し、且つ上記ヒータプレートの下方に所定間隔をおいて対向配置されて、ヒータプレートとの間に断熱用の空間を形成する断熱プレートと、
を備えることを特徴とする基板ヒータ。
【請求項４】
請求項３に記載の基板ヒータにおいて、
上記ヒータプレートを、窒化アルミニュウムで形成し、
上記断熱プレートを、ベスペルで形成した、
ことを特徴とする基板ヒータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体製造装置等で加工される基板の温度を調節するための基板ヒータに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板ヒータとしては、例えば、半導体製造用の熱ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置等に実装して、ウエハの温度を調節するヒータがある（例えば、特許文献１参照）。
図１０に示すように、このヒータ１００は、シャフト１１０上にウエハ載置盤１２０を取り付け、ヒータ電極１３０をウエハ載置盤１２０内に収納した構成になっており、シャフト１１０を装置の床２１０等に起立固定させることで、装置に実装される。
かかる状態で、ウエハＷをウエハ載置盤１２０上に載置し、ヒータ電極１３０の電圧をオン又はオフすることで、ウエハを昇温又は冷却することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】登録実用新案第３１５６０３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記した従来の技術では、次のような問題がある。
ヒータ電極１３０を収納したウエハ載置盤１２０をシャフト１１０に直接接続した構成になっているので、ヒータ電極１３０によるウエハ載置盤１２０の熱が、シャフト１１０を通じて装置の床２１０に伝搬して、装置を高温に加熱するおそれがある。
そこで、従来のヒータ１００では、シャフト１１０を長くして装置２００側の加熱を抑えるように工夫をしている。
しかしながら、このように、ヒータ１００のシャフト１１０を長くすると、ヒータ１００が高くなるので、装置自体も高くなり、大型化してしまう。また、ヒータ電極１３０の電圧をオン又はオフするだけで、ウエハを昇温又は冷却するようにしているので、ウエハＷを所望温度まで昇温又は冷却する時間が長くかかり、スループットが非常に悪い。
【０００５】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、ヒータの低背化と昇温及び冷却の短時間化を図ることができる基板ヒータを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１の発明に係る基板ヒータは、基板を載置するためのヒータプレートと、ヒータプレートに設けられたヒータ電極と、ヒータプレートとほぼ等しい熱伝導率を有し、且つヒータプレートの下方に所定間隔をおいて対向配置されて、ヒータプレートとの間に断熱用の第１の空間を形成する緩衝プレートと、緩衝プレートの下方に昇降自在に対向配置され、内部に冷媒が流れる冷却プレートと、冷却プレートを上昇させて、緩衝プレートに接触させることができ、又は、当該冷却プレートを下降させて、冷却プレートと緩衝プレートとの間に断熱用の第２の空間を形成することができる昇降機構とを備える構成とした。
かかる構成により、基板ヒータを半導体製造装置内に実装し、基板をヒータプレートに載置させると共に、冷却プレートを、昇降機構によって下降させ、冷却プレートと緩衝プレートとの間に断熱用の第２の空間を形成することができる。
かかる状態で、ヒータ電極の電圧をオンにすると、ヒータプレートが加熱し、基板がヒータプレートを通じて所定温度まで昇温される。
このとき、ヒータプレート内の熱は、基板が載置された上面側に向かうと共に、緩衝プレート側を向く下面側にも向かう。この下面側に向かう熱は、緩衝プレートを通じて半導体製造装置に至り、装置を加熱するおそれがある。
しかし、この発明の基板ヒータでは、ヒータプレートと緩衝プレートとが所定間隔で対向配置され、断熱用の第１の空間が、ヒータプレートと緩衝プレートとの間に形成されているので、ヒータプレートの下面側に向かった熱の大部分は、この第１の空間によって阻止される。
そして、この第１の空間によって阻止されずに緩衝プレートに至った熱は、冷却プレートを通じて装置側に向かおうとする。
しかしながら、この発明では、冷却プレートと緩衝プレートとの間に断熱用の第２の空間が形成されているので、緩衝プレートに至った熱は、この第２の空間によって阻止される。
そして、万が一、この第２の空間によって阻止されずに、装置側に向かう熱が存在する場合には、冷却プレート内部に冷媒を流しておくことで、第２の空間を伝わってきた熱をこの冷却プレートによって冷却することができる。
このように、この発明の基板ヒータによれば、基板の加熱時に、装置側に向かう熱を、第１及び第２の空間という二重の断熱構造によって、阻止することができる。さらに、冷却プレートを用いることで、第１及び第２の空間と冷却プレートという三重の断熱構造によって、ほぼ完全に阻止することができる。
【０００７】
そして、基板への加熱を中止又は終了する場合には、ヒータ電極をオフにすると共に、冷却プレートを、昇降機構によって上昇させ、冷却プレートを緩衝プレートに完全に接触させる。
かかる状態で、冷却プレート内部に冷媒を流しておくことで、緩衝プレート、第１の空間、ヒータプレートが、冷却プレートによって順次冷却されていく。
このとき、緩衝プレートの熱伝導率が、ヒータプレートの熱伝導率とほぼ等しいので、ヒータプレートの冷却を速やかに行われる。
ところで、冷却プレートを、ヒータプレートに直接接触させて冷却させることも考えられるが、冷却プレートを高温のヒータプレートに直接接触させて、急激に冷却すると、ヒータプレートが破損するおそれがある。このため、この発明では、ヒータプレートを直接冷却せず、緩衝プレート、第１の空間、ヒータプレートの順で下方から漸次冷却するので、急冷によるヒータプレートの破損を防止することができる。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板ヒータにおいて、ヒータプレートと緩衝プレートとを、窒化アルミニュウムで形成した構成とする。
【０００９】
請求項３の発明に係る基板ヒータは、基板を載置するためのヒータプレートと、ヒータプレートに設けられたヒータ電極と、ヒータプレートよりも小さな熱伝導率を有し、且つヒータプレートの下方に所定間隔をおいて対向配置されて、ヒータプレートとの間に断熱用の空間を形成する断熱プレートとを備える構成とした。
かかる構成により、基板ヒータを半導体製造装置内に実装し、基板をヒータプレートに載置させた後、ヒータ電極の電圧をオンにすると、ヒータプレートが加熱し、基板がヒータプレートを通じて所定温度まで昇温される。
このとき、ヒータプレート内の熱は、基板が載置された上面側に向かうと共に、断熱プレート側を向く下面側にも向かう。この下面側に向かう熱は、断熱プレートを通じて半導体製造装置に至り、装置を加熱するおそれがある。
しかし、この発明の基板ヒータでは、ヒータプレートと断熱プレートとが所定間隔で対向配置され、断熱用の空間が形成されているので、ヒータプレートの下面側に向かった熱の大部分は、この空間によって阻止される。また、断熱プレートがヒータプレートよりも小さな熱伝導率を有しているので、断熱プレートに至った熱は、この断熱プレートによって阻止される。
このように、この発明の基板ヒータによれば、基板の加熱時に、装置側に向かう熱を、断熱用の空間と断熱プレートという二重の断熱構造によって、阻止することができる。
そして、基板への加熱を中止又は終了する場合には、ヒータ電極をオフにすることで、基板とヒータプレートとを、自然冷却することができる。
【００１０】
請求項４の発明は、請求項３に記載の基板ヒータにおいて、ヒータプレートを、窒化アルミニュウムで形成し、断熱プレートを、ベスペルで形成した構成とする。
【発明の効果】
【００１１】
以上詳しく説明したように、請求項１の発明に係る基板ヒータによれば、基板の加熱時に、装置側に向かう熱を、第１及び第２の空間という二重の断熱構造によって、阻止することができ、さらに、冷却プレートを用いることで、三重の断熱構造によって、ほぼ完全に阻止することができるので、ヒータプレートと装置との距離を大きくするために、基板ヒータの高さを高くする必要がなく、しかも、基板ヒータを、薄い板状のプレートと空間とで構成することができるので、基板ヒータ全体の低背化を図ることができる。この結果、基板ヒータを実装する半導体製造装置等の装置の小型化が可能となる。さらに、従来の技術と異なり、冷却プレートによってヒータプレートや基板を積極的に冷却することができる構成であるので、基板昇温の短時間化だけでなく、冷却の短時間化をも図ることができるという優れた効果を有する。
また、請求項３の発明に係る基板ヒータによれば、基板の加熱時に、装置側に向かう熱を、断熱用の空間と断熱プレートという二重の断熱構造によって、阻止することができるので、ヒータプレートと装置との距離を大きくするために、基板ヒータの高さを高くする必要がなく、しかも、基板ヒータを、薄い板状の２枚のプレートと１つの空間とで構成することができるので、基板ヒータ全体をさらに低背化することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】発明の第１実施例に係る基板ヒータを示す断面図である。
【図２】ヒータ電極を示すヒータプレートの裏面図である。
【図３】流通路を示す冷却プレートの断面図である。
【図４】冷却プレートを緩衝プレートに接触させた状態を示す断面図である。
【図５】基板ヒータを半導体製造装置内に実装した状態を示す概略図である。
【図６】昇温時の作用を説明するための概略図である。
【図７】降温又は冷却時の作用を説明するための概略図である。
【図８】発明の第２実施例に係る基板ヒータを示す断面図である。
【図９】実施例の一変形例を示す概略図である。
【図１０】従来の基板ヒータを示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【００１４】
（実施例１）
図１は、この発明の第１実施例に係る基板ヒータを示す断面図である。
図１に示すように、この実施例の基板ヒータ１は、ヒータプレート２と、ヒータ電極３と、緩衝プレート４と、冷却プレート５と、昇降機構としての複数のピストン６とを備えている。
【００１５】
ヒータプレート２は、窒化アルミニウムを主成分とする円盤状の部材であり、その上面２ａを、基板であるウエハＷの載置面としている。そして、このヒータプレート２の大きさは、特に限定されるものではないが、この実施例では、直径３００〜３４０ｍｍ、厚さ７〜１５ｍｍに設定されている。
【００１６】
ヒータ電極３は、ヒータプレート２を通じて、ウエハＷを昇温させるための電極である。  図２は、ヒータ電極３を示すヒータプレート２の裏面図である。
図２に示すように、ヒータ電極３は、タングステン製の薄膜パターンであり、ヒータプレート２の下面２ｂの全面に亘って形成されている。
具体的には、ヒータ電極３の一方端部３１が、ヒータプレート２の略中央に位置し、ヒータ電極３は、この一方端部３１から端を発し、いわゆる一筆書きの要領でヒータプレート２のほぼ全面にわたって形成された後、その他方端部３２が、一方端部３１の隣に配置されている。そして、このヒータ電極３の一方端部３１と他方端部３２とが、電圧電源３０の両極にそれぞれ接続されている。
したがって、電圧電源３０のスイッチ３４をオン、オフすることにより、ヒータプレート２を昇温、降温させることができるようになっている。
このようなヒータ電極３は、ガラス等の絶縁材３５によってコーティングされている。
【００１７】
図１に示す緩衝プレート４は、第１の空間Ｓ１を形成する部材であり、また、後述する冷却プレート５を接触させるための部材でもある。
具体的には、この緩衝プレート４も、ヒータプレート２と同様に、窒化アルミニウムを主成分とする円盤状の部材であり、ヒータプレート２と等しい熱伝導率を有する。そして、その大きさも、ヒータプレート２と同様に、直径３００〜３４０ｍｍ、厚さ７〜１５ｍｍに設定されている。
【００１８】
このような緩衝プレート４は、ヒータプレート２の下方に間隔ｄ１をおいて対向配置され、複数のボルト４１によって、ヒータプレート２に固定されると共に、装置の床２１０等に立設可能な複数のシャフト４２の上端に固定されている。ここで、ボルト４１は、ヒータプレート２からの熱を可能な限り緩衝プレート４に伝えないようにするため、熱伝導率が小さな４２アロイで形成されている。
また、間隔ｄ１は、特に限定されるものではないが、期待する断熱効果を考慮して設定される。この実施例では、間隔ｄ１を０．１ｍｍ〜５．０ｍｍに設定した。これにより、間隔ｄ１の第１の空間Ｓ１が、ヒータプレート２と緩衝プレート４との間に画成された状態になっている。つまり、ヒータ電極３の真下に、間隔ｄ１の第１の空間Ｓ１が配設され、ヒータ電極３から下方に放射される熱が、この第１の空間Ｓ１によって断熱されるようになっている。さらに、シャフト４２は、熱伝導率の悪いチタン製の部材で形成されており、これにより、熱がシャフト４２を通じて床２１０側に伝わることを防止している。
【００１９】
冷却プレート５は、緩衝プレート４の下方に対向は位置され、緩衝プレート４を下方から支持する複数のシャフト４２に、昇降自在に組み付けられている。
具体的には、冷却プレート５は、アルミニュウムなどで形成されており、その大きさは、直径３００〜３４０ｍｍ、厚さ１０〜２０ｍｍに設定されている。 そして、冷却プレート５を上下に貫通する複数の孔５２が、冷却プレート５に穿設され、各孔５２が各シャフト４２に嵌め込まれて、冷却プレート５が自在に昇降することができるようになっている。
かかる冷却プレート５は、ヒータプレート２を冷却するためのプレートであり、そのため、冷媒を流す流通路５１が内部に形成されている。
【００２０】
図３は、流通路５１を示す冷却プレート５の断面図である。
図３に示すように、流通路５１の一方端開口５１ａが、冷却プレート５の外縁部側に位置し、流通路５１がこの一方端開口５１ａから端を発し、いわゆる一筆書きの要領で冷却プレート５のほぼ全ての内部にわたって形成された後、その他方端開口５１ｂが、冷却プレート５の中央部から一方端開口５１ａの隣まで引き出されている。そして、この流通路５１の一方端開口５１ａと他方端開口５１ｂとが、ポンプ５０にそれぞれ接続され、冷媒が、ポンプ５０の駆動力によって流通路５１内を循環するようになっている。
【００２１】
図１に示す昇降機構としての複数のピストン６は、装置の床２１０等に固定されて、冷却プレート５を下側から支持することができるようになっている。
具体的には、ピストン６のピストンロッド６１がフランジ６３を介して冷却プレート５の下面に接続され、ピストン６のシリンダ６２が床２１０等に固定されるようになっている。
【００２２】
常時は、ピストンロッド６１は、シリンダ６２内に引っ込んだ状態になっており、かかる状態では、冷却プレート５が、緩衝プレート４の下方に間隔ｄ２をおいて対向する。  この間隔ｄ２は、特に限定されるものではないが、期待する断熱効果を考慮して設定される。この実施例では、間隔ｄ２を０．１ｍｍ〜１０ｍｍに設定した。これにより、間隔ｄ２の第１の空間Ｓ２が、緩衝プレート４と冷却プレート５との間に画成された状態になっている。つまり、緩衝プレート４の真下に、間隔ｄ２の第２の空間Ｓ２が配され、緩衝プレート４から下方に伝わる熱が、この第２の空間Ｓ２によって断熱されるようになっている。
【００２３】
また、ピストン６は、冷却プレート５を上昇させて、緩衝プレート４に接触させる機能を有している。
図４は、冷却プレート５を緩衝プレート４に接触させた状態を示す断面図である。
図４に示すように、ピストン６のピストンロッド６１をシリンダ６２に対して上方に延出させていくと、冷却プレート５が  緩衝プレート４側に向かって上昇した後、冷却プレート５の上面５ａ全体が緩衝プレート４の下面４ｂ全体に接触する。
かかる状態では、先ず、緩衝プレート４が、冷媒が冷却プレート５の流通路５１に流れている冷却プレート５によって冷却され、次に、ヒータプレート２が、第１の空間Ｓ１やボルト４１を通じて、この緩衝プレート４によって冷却される。
つまり、冷却プレート５をヒータプレート２に直接接触させて、冷却プレート５を急激に冷却するのではなく、冷却プレート５の冷気を、緩衝プレート４によって一度緩衝させた後、ヒータプレート２に伝える。
【００２４】
次に、この実施例の基板ヒータ１が示す作用及び効果について説明する。
図５は、基板ヒータ１を半導体製造装置内に実装した状態を示す概略図である。
図５において、半導体製造装置２００は、例えば、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマＣＶＤ装置であり、このような装置においては、基板ヒータ１は、装置２００内の床２１０に実装される。
具体的には、基板ヒータ１を、磁石２０１の真下に配し、ヒータプレート２を上側にして、複数のシャフト４２と複数のピストン６とを装置２００の床２１０に固定する。
そして、ウエハＷをヒータプレート２に載置させると共に、冷却プレート５を、ピストン６によって下降させ、断熱用の第２の空間Ｓ２（図１参照）を冷却プレート５と緩衝プレート４との間に形成する。
かかる状態で、装置２００を駆動することで、ウエハＷ上へのポリシリコン成膜などの作業を行うことができる。
ポリシリコン成膜の作業では、ポリシリコンの成長温度を考慮して、ウエハＷの温度を所定の温度迄昇温する必要がある。
かかる場合には、図１に示すヒータ電極３の電圧電源３０をスイッチ３４を用いてオンにする。すると、ヒータプレート２がヒータ電極３によって加熱され、ウエハＷがヒータプレート２を通じて所定温度まで昇温される。
【００２５】
図６は、昇温時の作用を説明するための概略図である。
図６に示すように、ヒータ電極３を加熱すると、矢印で示すように、上方に放射された熱Ｔ１が、ヒータプレート２を通じてウエハＷを加熱する。また、ヒータ電極３から下方に放射された熱Ｔ２は、ヒータプレート２と緩衝プレート４との間に設けられた第１の空間Ｓ１によって、断熱される。
そして、この第１の空間Ｓ１によって阻止されずに緩衝プレート４に至った熱Ｔ２やヒータプレート２からボルト４１を通じて緩衝プレート４に至った熱Ｔ１は、冷却プレート５と緩衝プレート４との間に設けられた第２の空間Ｓ２によって断熱される。
また、万が一、この第２の空間Ｓ２によって阻止されずに、床２１０側に向かう熱が存在した場合においても、この熱は、冷媒が流通路５１を循環する冷却プレート５によって冷却される。
このように、この実施例の基板ヒータ１によれば、ウエハＷの加熱時に、装置２００の床２１０側に向かう熱を、第１及び第２の空間Ｓ１，Ｓ２という二重の断熱構造によって、断熱することができる。さらに、冷却プレート５を用いることで、第１及び第２の空間Ｓ１，Ｓ２と冷却プレート５という三重の断熱構造によって、ほぼ完全に断熱することができる。
【００２６】
そして、ウエハＷの熱を降温又は冷却する場合には、ヒータ電極３の電圧電源３０をスイッチ３４（図１参照）を用いてオフにする。
図７は、降温又は冷却時の作用を説明するための概略図である。
上記のようにヒータ電極３をオフにすると共に、図７に示すように、冷却プレート５を、ピストン６によって上昇させ、冷却プレート５を緩衝プレート４に完全に接触させる。
かかる状態で、冷却プレート５内部の流通路５１に冷媒を循環させておくことで、冷却プレート５の冷気Ｃは、緩衝プレート４に直接伝わった後、第１の空間Ｓ１、ヒータプレート２に順次伝わっていく。
すなわち、冷却プレート５をヒータプレート２に直接接触させて急激に冷却するのでなく、ピストン６からの冷気Ｃを、緩衝プレート４、第１の空間Ｓ１、ヒータプレート２の順で下方から漸次伝えるので、ヒータプレート２やウエハＷが破損することはない。
【００２７】
以上のように、この実施例の基板ヒータ１によれば、ウエハＷの加熱時に、装置２００側に向かう熱を、第１及び第２の空間Ｓ１や冷却プレート５によってほぼ完全に断熱することができる構成としたので、図５に示すように、基板ヒータ１の高さを高くする必要がない。これに対して、従来のヒータ１００では、二点鎖線で示すように、床２１０への熱の伝搬を抑えるために、シャフト１１０を長くしなければならないため、このヒータ１００を実装する装置２００の高さを、実施例の基板ヒータ１を実装する装置２００の高さよりもＨも高くしなければならない。このように、この実施例の基板ヒータ１によれば、基板ヒータ１の低背化による半導体製造装置２００の小型化を図ることができる。
【００２８】
（実施例２）
次に、この発明の第２実施例について説明する。
図８は、この発明の第２実施例に係る基板ヒータを示す断面図である。
図８に示すように、この実施例の基板ヒータ１′は、冷却プレート５とピストン６とを備えず、基板ヒータの更なる低背化が図られている点が、第１実施例と異なる。
具体的には、基板ヒータ１′は、ヒータプレート２と、絶縁材３５でコーティングされらヒータ電極３と、断熱プレート４′とを備えている。
【００２９】
ヒータプレート２とヒータ電極３との構造は、上記第１実施例で説明したとおりであるが、断熱プレート４′は、上記第１実施例で用いた緩衝プレート４と異なる。
断熱プレート４′は、緩衝プレート４と同様に、ヒータプレート２との間に断熱用の空間Ｓを形成する部材であるが、ベスペルを主成分とした円盤状の部材であり、ヒータプレート２よりも小さな熱伝導率を有する。その大きさは、直径３００〜３４０ｍｍ、厚さ１０〜２０ｍｍに設定されている。
【００３０】
この断熱プレート４′も、ヒータプレート２の下方に間隔ｄ１をおいて対向配置され、複数のボルト４１によって、ヒータプレート２に固定されると共に、装置の床２１０等に立設可能な複数のシャフト４２の上端に固定されている。
【００３１】
この実施例の基板ヒータ１′も、ヒータ電極３の電圧電源３０をスイッチ３４を用いてオンにすることで、ウエハＷをヒータプレート２を通じて所定温度まで昇温させることができる。
そして、ヒータ電極３から下方に放射された熱は、ヒータプレート２と断熱プレート４′との間の空間Ｓによって、断熱される。
さらに、この空間Ｓによって阻止されずに断熱プレート４′に向かう熱やボルト４１を通じて断熱プレート４′に向かう熱は、小さな熱伝導率のベスペルで形成された断熱プレート４′によって断熱される。
このように、この実施例の基板ヒータ１′によれば、ウエハＷの加熱時に、装置側に向かう熱を、断熱用の空間Ｓと断熱プレート４′という二重の断熱構造によって、阻止することができる。
また、この実施例のように、断熱プレート４′がシャフト４２によって装置の床２１０の上方に配されている場合には、断熱プレート４′と床２１０との間に空間Ｓ′が形成される。熱が断熱プレート４′から床２１０に向かう場合には、この熱が空間Ｓ′によって断熱されることとなる。
そして、基板への加熱を中止又は終了する場合には、ヒータ電極３のスイッチ３４をオフにすることで、ウエハＷとヒータプレート２とを、自然冷却することができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【００３２】
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記実施例では、ヒータ電極３をヒータプレート２の下面に設けたが、図９に示すように、ヒータ電極３をヒータプレート２の内部に設けた基板ヒータもこの発明の範囲に含まれる。
また、吸着電極を基板ヒータ１や基板ヒータ１′のヒータプレート２内に設けることにより、静電チャックとしてして使用する装置も、この発明の基板ヒータに該当することは勿論である。
【符号の説明】
【００３３】
１，１′…基板ヒータ、  ２…ヒータプレート、  ２ａ，５ａ…上面、  ２ｂ，４ｂ…下面、  ３…ヒータ電極、  ４…緩衝プレート、  ４′…断熱プレート、  ５…冷却プレート、  ６…ピストン、  ３０…電圧電源、  ３４…スイッチ、  ３５…絶縁材、  ４１…ボルト、  ４２…シャフト、  ５０…ポンプ、  ５１…流通路、  ５２…孔、  ６１…ピストンロッド、  ６２…シリンダ、  ６３…フランジ、  ２００…装置、  ２１０…床、  Ｓ…空間、  Ｓ１…第１の空間、  Ｓ２…第２の空間、  Ｗ…ウエハ、  ｄ１，ｄ２…間隔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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