(57)【要約】【課題】半田バンプとパッドの接続の信頼性が高いプリント配線板を提供する。【解決手段】層間樹脂絶縁層と、上記層間樹脂絶縁層上に形成されて、電子部品を搭載するためのパッドと、上記層間樹脂絶縁層と上記パッドとの上に形成され、上記パッド上に開口部を有するソルダーレジスト層と、上記開口部から露出するパッド上に形成されている被覆層とを備えるプリント配線板であって、上記ソルダーレジスト層は、上記開口部の底部において該開口部の内方に向けて突き出た形状の突出部を有しており、上記突出部は、先端部分に平坦面を有していることを特徴とするプリント配線板。【選択図】図２Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
層間樹脂絶縁層と、
前記層間樹脂絶縁層上に形成されて、電子部品を搭載するためのパッドと、
前記層間樹脂絶縁層と前記パッドとの上に形成され、前記パッド上に開口部を有するソルダーレジスト層と、
前記開口部から露出するパッド上に形成されている被覆層とを備えるプリント配線板であって、
前記ソルダーレジスト層は、前記開口部の底部において該開口部の内方に向けて突き出た形状の突出部を有しており、前記突出部は、先端部分に平坦面を有していることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
前記平坦面の少なくとも一部が前記被覆層で覆われている請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】
前記平坦面の少なくとも一部が前記被覆層にもぐり込んでいる請求項１又は２に記載のプリント配線板。
【請求項４】
前記ソルダーレジスト層は、無機フィラーを５〜２５ｗｔ％含有している請求項１〜３のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項５】
前記ソルダーレジスト層は、平均粒径１μｍ以下の無機フィラーを含有している請求項１〜４のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項６】
前記ソルダーレジスト層は、有機フィラーを含有していない請求項１〜５のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項７】
前記ソルダーレジスト層の厚さは、１０〜２０μｍである請求項１〜６のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項８】
前記ソルダーレジスト層に設けられる前記開口部の直径は４５〜６０μｍである請求項１〜７のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項９】
前記パッドの表面の表面粗さがＲａ０．３μｍ以下である請求項１〜８のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項１０】
前記パッドと前記ソルダーレジスト層の間に密着層が設けられている請求項１〜９のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項１１】
前記密着層は、Ｓｎを含む第１層と、前記第１層上に形成され、カップリング剤からなる第２層とを有する請求項１０に記載のプリント配線板。
【請求項１２】
前記第１層はＳｎ及びＣｕを含む請求項１１に記載のプリント配線板。
【請求項１３】
前記パッドは、前記層間樹脂絶縁層上の無電解めっき膜と、前記無電解めっき膜上に形成されている電解めっき膜とを有する請求項１〜１２のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項１４】
前記被覆層は、その周縁部よりも中央部が窪んだ表面を有する請求項１〜１３のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項１５】
層間樹脂絶縁層を準備することと、
電子部品を搭載するためのパッドを前記層間樹脂絶縁層上に形成することと、
前記層間樹脂絶縁層と、前記パッドとの上に、ソルダーレジスト層を形成することと、
前記ソルダーレジスト層の内部に前記パッドの少なくとも一部を露出させる開口部を形成することと、
前記開口部から露出するパッド上に被覆層を形成することと
を含むプリント配線板の製造方法であって、
前記開口部を形成する際、前記開口部の底部で開口部の内方に向けて突き出るとともに、先端部分に平坦面を有する突出部を形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項１６】
前記突出部の前記平坦面の少なくとも一部を前記被覆層で覆う請求項１５に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１７】
前記パッド上に密着層を形成し、
前記パッド及び前記密着層を覆うように前記ソルダーレジスト層を形成する請求項１５又は１６に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１８】
前記ソルダーレジスト層に設けられた前記開口部から露出した前記密着層を除去する請求項１７に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１９】
前記ソルダーレジスト層は、無機フィラーを５〜２５ｗｔ％含有し、かつ、有機フィラーを含有しない請求項１５〜１８のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２０】
前記ソルダーレジスト層は、平均粒径１μｍ以下の無機フィラーを含有する請求項１５〜１９のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板、及び、プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板としては、層間樹脂絶縁層上に電子部品を搭載するためのパッドが形成されるとともに、最外層にソルダーレジスト層が形成されたプリント配線板が提案されている。
ソルダーレジスト層には、パッドを露出させる開口部が形成される。そして、開口部の内部に半田バンプが形成される。（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ＷＯ２００６／０８２７８４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、半導体素子の配線及びパッドの構造が微細化されており、半導体素子が実装されるプリント配線板のバンプのピッチも極小化されている。その結果、ソルダーレジスト層に形成される開口部の径も微細化されている。具体的には、開口部の直径が極めて小さくなっている。
そのような直径の小さい開口部にバンプを形成する場合、開口部の内部にボイドが残留し易くなり、半田バンプとパッドの接続の信頼性が低下する可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは鋭意検討を行った結果、ソルダーレジストの開口部の形状を改善することで、バンプを形成する際に開口部の内部にボイドが残留することを抑制することができることを見出し、本発明のプリント配線板及びその製造方法を完成した。
【０００６】
即ち、請求項１に記載のプリント配線板は、層間樹脂絶縁層と、上記層間樹脂絶縁層上に形成されて、電子部品を搭載するためのパッドと、上記層間樹脂絶縁層と上記パッドとの上に形成され、上記パッド上に開口部を有するソルダーレジスト層と、上記開口部から露出するパッド上に形成されている被覆層とを備えるプリント配線板であって、上記ソルダーレジスト層は、上記開口部の底部において該開口部の内方に向けて突き出た形状の突出部を有しており、上記突出部は、先端部分に平坦面を有していることを特徴とする。
【０００７】
請求項１に記載のプリント配線板では、ソルダーレジスト層が、開口部の底部で開口部の内方に向けて突き出た形状の突出部を有しており、突出部がその先端部分に平坦面を有している。そのため、突出部と被覆層によって凹みが形成されることが極力抑制される。そして、開口部にバンプを形成した場合にボイドが残ることがなくなるため、バンプの密着性が向上し、信頼性を高めることができると考えられる。
【０００８】
請求項２に記載のプリント配線板では、上記平坦面の少なくとも一部が上記被覆層で覆われている。
また、請求項３に記載のプリント配線板では、上記平坦面の少なくとも一部が上記被覆層にもぐり込んでいる。
このような形態では、ソルダーレジスト層の突出部の先端部分が、被覆層とパッドとに上下で挟まれた形となる。このため、パッドに対するソルダーレジスト層（突出部）の密着性が向上すると考えられる。
【０００９】
請求項４に記載のプリント配線板において、上記ソルダーレジスト層は、無機フィラーを５〜２５ｗｔ％含有している。
請求項５に記載のプリント配線板において、上記ソルダーレジスト層は、平均粒径１μｍ以下の無機フィラーを含有している。
請求項６に記載のプリント配線板において、上記ソルダーレジスト層は、有機フィラーを含有していない。
フィラーの径が細かく、フィラーの量が少ない組成のソルダーレジスト層を用いると、露光の際の障害が少なく、パッドによる反射光の影響を受けやすくなると考えられる。そして、そのようなソルダーレジスト層に露光、現像処理によって開口部を形成すると、突出部の先端部分に平坦面が形成されやすいため好ましい。
【００１０】
請求項７に記載のプリント配線板において、上記ソルダーレジスト層の厚さは、１０〜２０μｍである。
【００１１】
請求項８に記載のプリント配線板において、上記ソルダーレジスト層に設けられる上記開口部の直径は４５〜６０μｍである。
開口部の直径がこのような小さい範囲であると、開口部の底部に凹みがある場合にバンプの底部にボイドが発生しやすい。そのため、平坦面を設けることが特に有効となる。
【００１２】
請求項９に記載のプリント配線板では、上記パッドの表面の表面粗さがＲａ０．３μｍ以下である。
表面粗さがこのように低い範囲であると、ソルダーレジスト層を形成する際に突出部の先端部分に平坦面が形成されやすい。また、１ＧＨｚを超える高周波信号を伝送した場合に、表皮効果により伝送損失が大きくなることも防止される。
【００１３】
請求項１０に記載のプリント配線板では、上記パッドと上記ソルダーレジスト層の間に密着層が設けられている。
請求項１１に記載のプリント配線板では、上記密着層は、Ｓｎを含む第１層と、上記第１層上に形成され、カップリング剤からなる第２層とを有する。
請求項１２に記載のプリント配線板では、上記第１層はＳｎ及びＣｕを含む。
これらの形態で規定される密着層を有すると、パッドとソルダーレジスト層の密着性が向上するため好ましい。
【００１４】
請求項１３に記載のプリント配線板では、上記パッドは、上記層間樹脂絶縁層上の無電解めっき膜と、上記無電解めっき膜上に形成されている電解めっき膜とを有する。
【００１５】
請求項１４に記載のプリント配線板では、上記パッドは、上記被覆層は、その周縁部よりも中央部が窪んだ表面を有する。
被覆層の中央部が窪んでいると、バンプを形成する際に、開口部内に半田ボールを搭載したときには、被覆層の中央部にボールが位置決めされやすくなる。
【００１６】
また、請求項１５に記載のプリント配線板の製造方法は、層間樹脂絶縁層を準備することと、
電子部品を搭載するためのパッドを上記層間樹脂絶縁層上に形成することと、上記層間樹脂絶縁層と、上記パッドとの上に、ソルダーレジスト層を形成することと、上記ソルダーレジスト層の内部に上記パッドの少なくとも一部を露出させる開口部を形成することと、上記開口部から露出するパッド上に被覆層を形成することとを含むプリント配線板の製造方法であって、上記開口部を形成する際、上記開口部の底部で開口部の内方に向けて突き出るとともに、先端部分に平坦面を有する突出部を形成することを特徴とする。
【００１７】
請求項１５に記載のプリント配線板の製造方法では、請求項１に記載されたプリント配線板を好適に製造することができる。
【００１８】
請求項１６に記載のプリント配線板の製造方法では、上記突出部の上記平坦面の少なくとも一部を上記被覆層で覆う。
【００１９】
請求項１７に記載のプリント配線板の製造方法では、上記パッド上に密着層を形成し、上記パッド及び上記密着層を覆うように上記ソルダーレジスト層を形成する。
密着層を形成することによって、パッドとソルダーレジスト層の密着性の高いプリント配線板を製造することができる。
【００２０】
請求項１８に記載のプリント配線板の製造方法では、上記ソルダーレジスト層に設けられた上記開口部から露出した上記密着層を除去する。
密着層を除去することにより、その後に形成される被覆層がパッド上に直接形成されることとなり、被覆層とパッドの間の電気抵抗の小さいプリント配線板を製造することができる。
【００２１】
請求項１９に記載のプリント配線板の製造方法では、上記ソルダーレジスト層は、無機フィラーを５〜２５ｗｔ％含有し、かつ、有機フィラーを含有しない。
また、請求項２０に記載のプリント配線板の製造方法では、上記ソルダーレジスト層は、平均粒径１μｍ以下の無機フィラーを含有する。
ソルダーレジスト層に含まれるフィラーの径が細かく、フィラーの量が少ないと、露光の際の障害が少なく、パッドによる反射光の影響を受けやすくなると考えられる。そのようなソルダーレジスト層に露光、現像処理により開口を形成すると、突出部の先端部分に平坦面が形成されやすいため、好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、第一実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、図１に示したプリント配線板の領域ａを模式的に示す部分拡大断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、突出部及び平坦面を模式的に示す断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本発明のプリント配線板における突出部近傍を示す断面観察写真である。
【図３Ａ】図３Ａは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図３Ｇ】図３Ｇは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、粗化面を設けたパッド上にソルダーレジスト層を設けた場合の開口部近傍を模式的に示す断面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、粗化面を設けたパッド上にソルダーレジスト層を設けた場合の突出部近傍を示す断面観察写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態を説明する。
（第一実施形態）
ここでは、第一実施形態のプリント配線板及びその製造方法を説明する。
【００２４】
図１は、第一実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図である。
図１に示す第一実施形態のプリント配線板１０では、絶縁性基板１１の両面に導体回路１４と層間樹脂絶縁層１２とが交互に形成され、絶縁性基板１１の表面に形成された導体回路１４は、スルーホール導体１９により電気的に接続されている。
また、層間樹脂絶縁層１２を挟んだ導体回路１４間は、ビア導体１７を介して電気的に接続されている。また、最外層の層間樹脂絶縁層上には、導体回路１４とともに、電子部品を搭載するためのパッドとして、半田パッド３４が形成されている。なお、半田パッド３４と最外層の導体回路１４ａとは同一の構成である。
また、スルーホール導体１９の内部には樹脂充填材層２０が形成されている。そして、樹脂充填材層２０を覆う導体回路３０が形成されている。
プリント配線板の最外層には、ソルダーレジスト層２４が形成されており、ソルダーレジスト層２４に形成された開口部の底部に位置する部分の半田パッド３４上には、被覆層３３を介して半田バンプ２７が形成されている。
被覆層３３は、例えば、半田パッド３４上に形成されたＮｉ層と、Ｎｉ層上に形成されたＡｕ層とからなる。
【００２５】
図２Ａは、図１に示したプリント配線板の領域ａを模式的に示す部分拡大断面図である。
図２Ａには、半田バンプ及び被覆層としてのＡｕ層を省略して示しており、被覆層としてはＮｉ層３１のみを示している。
以下、図２Ａに示す構成のうち、ソルダーレジスト層２４、開口部２８、突出部２６及び平坦面２５について説明する。
【００２６】
図２Ａにおいて、ソルダーレジスト層２４には、半田パッド３４上に開口部２８が設けられている。開口部２８から露出する部分に相当する半田パッド３４上には被覆層（図２ＡではＮｉ層３１）が設けられている。
ソルダーレジスト層２４は、開口部２８の底部で開口部２８の内方に向けて突き出た形状の突出部２６を有しており、突出部２６はその先端部分に平坦面２５を有している。
【００２７】
図２Ｂは、突出部及び平坦面を模式的に示す断面図である。
図２Ｂでは、図２Ａに示したＮｉ層３１は省略して示している。
突出部２６は、開口部２８の表面から略鉛直方向にソルダーレジスト層２４が落ちていく方向２４ａの延長線２４ｂと、ソルダーレジスト層２４の下層に位置する層（密着層１５）との交点２４ｃよりも開口部２８の内方に突き出た部分として定められる。
【００２８】
平坦面２５は、突出部２６の先端部分に設けられた、平坦な面である。
ここで、平坦な面とは、平坦面２５上の任意の点から開口部２８の内方に延長線（接線）２５ａを引き、半田パッド３４との交点２５ｂを頂点とした角度θが３０°以下となる面として定められる。
このとき、本願発明の効果が得られるものと考えられる。そして、角度θが１５°以下の場合、本願発明の効果がさらに得られやすくなると考えられる。
なお、平坦面２５と半田パッド３４の表面がほぼ平行な面となるような場合は、θが定められないが、このような場合も、「平坦な面」といえる。
また、突出部２６の先端部分が根元部分よりも高くなっている場合は、延長線２５ａを反対方向に、すなわち、開口部２８の外方に向けて引いて、同様に角度を定め、その角度が３０°以下であれば「平坦な面」と定められる。
【００２９】
図２Ｃは、本発明のプリント配線板における突出部近傍を示す断面観察写真である。
図２Ｃには、ソルダーレジスト層２４の突出部２６の先端部分において平坦面２５の一部がＮｉ層３１で覆われている様子を示している。言い換えれば、平坦面２５の一部がＮｉ層３１にもぐり込んでいる様子を示している。
図２Ｃからは、突出部の先端部分と被覆層によって凹みがほとんど形成されていないことがわかる。すなわち、このような開口部にパンプを形成したとしてもバンプの底部にボイドが残ることが防止されると考えられる。
【００３０】
本実施形態においては、ソルダーレジスト層の材料として、平均粒径１μｍ以下の無機フィラーを５〜２５ｗｔ％含有しており、有機フィラーを含有していないものが用いられる。
ソルダーレジスト層には３μｍを超える粒径の無機フィラーが存在しないことが好ましい。
また、ソルダーレジスト層の厚さは１０〜２０μｍである。
また、開口部の直径（最大直径）は４５〜６０μｍである。
【００３１】
以下、図２Ａに示す構成のうち、その他の構成について説明する。
半田パッド３４の側面と上面のうちの一部には、密着層１５が形成されている。
密着層１５は、Ｓｎを含む金属層である第１層１５ａと、第１層上に形成され、シランカップリング剤からなる第２層１５ｂからなる被膜である。
即ち、半田パッド３４とソルダーレジスト層２４とは、密着層１５を介して接着されている。
【００３２】
半田パッド３４と同一の構成を備える最外層の導体回路１４ａの側面及び上面にも密着層１５は形成されている。
半田パッドを構成しない最外層の導体回路（半田バンプが形成されない導体回路）では、層間樹脂絶縁層と接する面（下面）を除く全表面（上面及び側面）に、密着層１５が形成されている。
【００３３】
また、図２Ａに示すように、半田パッド３４は、無電解銅めっき膜２２と無電解銅めっき膜２２上の電解銅めっき膜２３とからなる。さらに、半田パッド３４とソルダーレジスト層２４との間には密着層１５が設けられている。すなわち、半田パッド３４のうち、開口部２８により露出され得る箇所（Ｎｉ膜３１が形成される箇所）には、密着層１５が設けられていない。
なお、本明細書において、半田パッド３４の上面、及び、最外層の導体回路１４ａの上面とは、ソルダーレジスト層を形成する側の面をいう。
【００３４】
このように、半田パッド３４の上面及び側面のうちの所定の部分にＳｎを含む金属層である第１層が形成され、さらに、第１層上にシランカップリング剤からなる第２層が形成されていると、半田パッド３４とソルダーレジスト層２４とが、第１層及び第２層（密着層１５）を介して、強固に密着されることとなる。
これについて、もう少し詳しく説明する。
【００３５】
図１及び図２Ａに示したプリント配線板１０において、半田パッド３４の表面に形成された、Ｓｎを含む金属層である第１層は、ＳｎとＣｕとが混在する金属層である。詳細には、この金属層は、Ｃｕ６Ｓｎ５及びＣｕ３Ｓｎを含んでいる。そして、金属層を形成した際には、その表面に水酸基が付着していると推測される。特に、Ｓｎを含有する場合、水酸基が付着しやすくなる。このように、金属層の表面に水酸基が付着していると、脱水反応により、シランカップリング剤と容易に反応し、Ｓｎを含む金属層である第１層とシランカップリング剤からなる第２層とが強固に結合することとなる。
さらに、上記シランカップリング剤が、ソルダーレジスト層２４中の樹脂成分と反応することにより両者が化学的に結合し、第２層とソルダーレジスト層２４とが強固に結合することとなる。
その結果、半田パッド３４とソルダーレジスト層２４とが、第１層及び第２層を介して、強固に密着されることとなる。
【００３６】
このように、半田パッド３４とソルダーレジスト層２４が強固に密着されるので、半田パッド３４の表面に粗化面を設ける必要がなく、プリント配線板１０においては、半田パッド３４の表面の表面粗さはＲａ０．３μｍ以下となっている。
半田パッド３４の表面の表面粗さは、Ｒａ０．１５μｍ以下であることがより好ましい。
なお、Ｒａ値の測定は、公知の方法を用いることができ、例えば、非接触型表面粗さ計（例えば、ビーコインスツルメンツ社製ＷＹＫＯ ＮＴ３３００等）などの装置を用いて測定することができる。
【００３７】
また、プリント配線板１０では、半田パッド３４の上面と被覆層３３全体とが直接接続されている。
すなわち、半田パッド３４と被覆層３３との間には、Ｓｎを含む金属層は存在しない。このため、半田パッド３４とバンプとの間において電気抵抗が増大するおそれがなく、信号特性の低下や、半導体素子に供給される電圧の損失が抑制されると考えられる。
また、被覆層３３は、その周縁部よりも中央部が窪んだ表面Ｓ（図２Ａ参照）を有する。このため、バンプを形成する際に、開口部内に半田ボールを搭載したときには、被覆層３３によりボールが位置決めされやすくなる。
図２Ａには被覆層としてＮｉ層３１のみを示しているが、被覆層の形状はＮｉ層３１の上にＡｕ層を形成した被覆層３３でも同様である。
【００３８】
次に、第一実施形態のプリント配線板の製造方法を工程順に説明する。
（１）絶縁性基板を出発材料とし、まず、該絶縁性基板上に導体回路を形成する。
上記絶縁性基板としては特に限定されず、例えば、ガラスエポキシ基板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）樹脂基板、銅張積層板、ＲＣＣ基板等の樹脂基板、窒化アルミニウム基板等のセラミック基板、シリコン基板等が挙げられる。
上記導体回路は、例えば、上記絶縁性基板の表面に無電解銅めっき処理を施し、続いて電解銅めっき処理を施す等により銅からなるベタの導体層を形成した後、エッチング処理を施すことにより形成することができる。
この工程では、上記絶縁性基板を挟んだ導体回路間を接続するためのスルーホール導体を形成してもよい。また、導体回路を形成した後には、必要に応じて、導体回路の表面をエッチング処理等により粗化面としてもよい。
【００３９】
（２）次に、導体回路を形成した絶縁性基板上に、層間樹脂絶縁層を形成し、この層間樹脂絶縁層に、上記導体回路上に到達する開口部を形成する。
上記層間樹脂絶縁層は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂や、これらと熱可塑性樹脂とを含む樹脂複合体等を用いて形成すればよい。
具体的には、まず、未硬化の樹脂をロールコータ、カーテンコータ等により塗布したり、樹脂フィルムを熱圧着したりすることにより樹脂層を形成する。その後、必要に応じて、硬化処理を施すとともに、レーザ処理や露光現像処理により上記開口部を形成する。
また、上記熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成すればよい。
【００４０】
（３）次に、上記層間樹脂絶縁層の表面（上記開口部の壁面を含む）に無電解銅めっき膜を形成する。
ここで、上記無電解銅めっき膜の厚さは、０．１〜０．３μｍが望ましい。
【００４１】
（４）次に、上記無電解銅めっき膜上にめっきレジストを形成する。
上記めっきレジストは、導体回路及びビア導体を形成しない部分に形成する。
上記めっきレジストを形成する方法は特に限定されず、例えば、感光性ドライフィルムを張り付けた後、露光現像処理を施すことにより形成することができる。
【００４２】
（５）次に、上記無電解銅めっき膜上のめっきレジスト非形成部に電解銅めっき膜を形成する。
ここで、上記電解銅めっき層の厚さは５〜２０μｍが望ましい。
【００４３】
（６）その後、上記層間樹脂絶縁層上のめっきレジストを剥離する。
上記めっきレジストの剥離は、例えば、アルカリ水溶液等を用いて行えばよい。
【００４４】
（７）次に、上記めっきレジストを剥離することにより露出した無電解銅めっき膜を除去する。
ここで、上記無電解銅めっき膜の除去は、例えば、エッチング液を用いて行えばよい。不要な無電解銅めっき膜（電解めっき膜間に存在する無電解銅めっき膜）を確実に除去することができる。
【００４５】
このような（２）〜（７）の工程を行うことにより、層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成するとともに、同時にこの導体回路と絶縁性基板上の導体回路とを接続するビア導体を形成することができる。そのため、導体回路とビア導体とを効率よく形成できる。
また、上記導体回路を形成した後、必要に応じて、層間樹脂絶縁層上の触媒を酸や酸化剤を用いて除去してもよい。電気特性の低下を防止することができるからである。
【００４６】
（８）さらに、必要に応じて、上記（２）〜（７）の工程を繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層と導体回路とをさらに形成するとともに、同時にビア導体を形成してもよい。
【００４７】
また、このような工程を経て形成した導体回路のうち、最外層の導体回路の一部又は全部は、半田パッドとなる。従って、最外層の導体回路を形成することにより、同時に半田パッドを形成することとなる。
【００４８】
（９）次に、半田パッドの露出している面全体（側面及び上面）に、Ｓｎを含む金属層である第１層を形成する。
Ｓｎを含む金属層である第１層を形成する方法としては、例えば、置換スズめっき法、無電解スズめっき法、電解スズめっき法、溶融スズ浸漬法等が挙げられる。それらの中でも、めっき膜の厚さの制御が容易といった観点から、置換スズめっき法が好ましい。この置換スズめっき法に用いられるめっき液としては、例えば、ホウフッ化スズとチオ尿素の混合液等が挙げられる。そして、銅からなる半田パッドに置換スズめっき法を行った場合、半田パッドの表面には、表層側から順に、Ｓｎからなる層（以下、Ｓｎ層ともいう）、及びＳｎとＣｕとが混在する層（以下、ＳｎＣｕ層ともいう）が形成される。
また、このような方法で第１層を形成した後には、必要に応じて、ＳｎＣｕ層が露出するように、Ｓｎ層をエッチングにより除去してもよい。これにより得られるＳｎＣｕ層が第１層を構成する。なお、Ｓｎ層を除去する工程は任意である。
【００４９】
また、上述した方法で形成した第１層の表面には水酸基が付与される。なお、Ｓｎを含む金属層である第１層に水酸基が付与されやすい理由は上述したとおりである。また、上記水酸基は、特別な処理を施さなくても、第１層表面に水分子が吸着することで付与されることとなるが、積極的に第１層の表面に水酸基を付与する処理を施してもよい。
第１層の表面に水酸基を付与する方法としては、例えば、第１の方法として、金属アルコキシドで半田パッドの表面を処理する方法が挙げられる。上記金属アルコキシドとしてはナトリウムメトキシド（ＣＨ３ＯＮａ）、ナトリウムエトキシド（Ｃ２Ｈ５ＯＮａ）、リチウムエトキシド（Ｃ２Ｈ５ＯＬｉ）等が挙げられる。これら金属アルコキシドの溶液にプリント配線板を浸漬したり、半田パッドの表面にこの溶液をスプレーしたりすることにより水酸基を付与することができる。
また、例えば、第２の方法として、アルカリによって導体回路の表面を処理する方法が挙げられる。
上記アルカリとしては、例えば、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム、ナトリウムメトキサイド等が挙げられる。これらのアルカリの溶液にプリント配線板を浸漬したり、半田パッドの表面にアルカリ溶液をスプレーしたりすることにより水酸基を付与することができる。
さらに、例えば、第３の方法として、半田パッドに対して加湿処理、又は、水蒸気処理する方法等が挙げられる。
なお、この工程では、半田パッドを含む最外層の導体回路の全部に上記第１層を形成すればよい。
【００５０】
（１０）次に、上記第１層の上にシランカップリング剤からなる第２層を形成する。
ここで、第２層の形成は、例えば、シランカップリング剤を含む溶液をスプレー塗布し、その後、乾燥処理を行えばよい。なお、後述するソルダーレジスト層と、シランカップリング剤との組み合わせは、加熱によりソルダーレジスト層中の官能基とシランカップリング剤の官能基とが化学反応するように選択することが好ましい。 例えば、ソルダーレジスト層中にエポキシ基が含まれる場合には、シランカップリング剤としてアミノ官能性シランを選択すると、双方の密着性がより顕著に得られる。
これは、ソルダーレジスト層を形成する際の加熱により、エポキシ基とアミノ基とが容易に強固な化学結合を形成し、この結合が熱や水分に対して極めて安定であることに起因するものと考えられる。
【００５１】
（１１）次に、最外層の層間樹脂絶縁層及び半田パッド上に、ソルダーレジスト層を形成するとともに、このソルダーレジスト層に半田バンプを形成するための開口部を形成する。
具体的には、最上層の導体回路を含む層間樹脂絶縁層上に、ロールコータ法等によりソルダーレジスト組成物を塗布し、レーザ処理、露光、現像処理等による開口処理を行い、硬化処理等を行うことにより、所定の位置に開口部を備えたソルダーレジスト層を形成する。
ソルダーレジスト組成物としては、平均粒径１μｍ以下の無機フィラーを５〜２５ｗｔ％含有しており、有機フィラーを含有していないものが用いられる。
さらに、半田パッド３４の表面の表面粗さはＲａ０．３μｍ以下である。このため、露光現像処理により開口部を形成する場合、照射光がパッド表面に反射した後は互いに打ち消し合わず、そのほとんどがソルダーレジスト組成物の硬化に寄与する。その結果、上述したような形状の突出部２６が形成されるものと推測される。
【００５２】
（１２）次に、上記（１１）の工程で形成したソルダーレジスト層の開口部の底部に半田パッドを露出させる。
上記（１１）の工程終了時には、通常、開口部の底部に第１層が露出しており、この第１層を、硝酸水溶液と過酸化水素水とからなるエッチング溶液で除去するか、又は、ウェットブラスト法を用いて除去する。
さらに、これらの方法を用いて、ソルダーレジスト層の開口部の底部に半田パッドを露出させる場合、上記第２層及び第１層の除去と同時に、ソルダーレジスト層に形成した開口部に残る樹脂残査を除去するデスミア処理も同時に行うことができる。
【００５３】
また、レーザ処理や露光現像処理等によりソルダーレジスト層に開口部を形成する際、及び／又は、エッチング液を用いる方法やウェットブラスト法等により第１層を除去する際に、第１層上の第２層も除去されることとなる。
【００５４】
上記工程を経て形成されたソルダーレジスト層の開口部の底部には、開口部の内方に突き出るとともに、先端部分に平坦面を有する突出部が形成されている。
【００５５】
（１３）次に、ソルダーレジスト層の開口部の底部に露出した半田パッド上に被覆層を形成する。
具体的には、まず、無電解ニッケルめっきにより、半田パッド上にＮｉ層を形成し、その後、無電解金めっきにより、Ｎｉ層上にＡｕ層を形成することにより、Ｎｉ層とＡｕ層とからなる被覆層を形成する。
被覆層は、平坦面の少なくとも一部を覆うように、また、平坦面の少なくとも一部が被覆層にもぐり込むように形成される。
【００５６】
（１４）最後に、半田バンプの形成を行い、プリント配線板を完成する。
具体的には、ソルダーレジスト層の開口部分に半田ボールを搭載し、所定温度でリフローすることにより半田バンプを形成する。
【００５７】
以下、第一実施形態のプリント配線板及びプリント配線板の製造方法の作用効果について列挙する。
（１）第一実施形態のプリント配線板では、ソルダーレジスト層が、開口部の底部で開口部の内方に向けて突き出た形状の突出部を有しており、突出部がその先端部分に平坦面を有している。そのため、突出部と被覆層によって凹みが形成されることが抑制される。そして、開口部にバンプを形成した場合にボイドが残ることがなくなるため、バンプの密着性及び信頼性を高くすることができる。
【００５８】
（２）第一実施形態のプリント配線板では、平坦面の少なくとも一部が上記被覆層で覆われており、平坦面の少なくとも一部が上記被覆層にもぐり込んでいる。そのため、ソルダーレジスト層の突出部の先端部分が、被覆層とパッドとに上下で挟まれた形となる。このため、パッドに対するソルダーレジスト層（突出部）の密着性が向上すると考えられる。
【００５９】
（３）第一実施形態のプリント配線板では、開口部の直径は４５〜６０μｍとなっている。
開口部の直径がこのような小さい範囲であると、開口部の底部に凹みがある場合にバンプの底部にボイドが発生しやすい。そのため、平坦面を設けることが特に有効となる。
【００６０】
（４）第一実施形態のプリント配線板では、半田パッドの表面の表面粗さがＲａ０．３μｍ以下である。
表面粗さがこのように低い範囲であると、ソルダーレジスト層を形成する際に突出部の先端部分に平坦面が形成されやすい。また、１ＧＨｚを超える高周波信号を伝送した場合に、表皮効果により伝送損失が大きくなることも防止される。
【００６１】
（５）第一実施形態のプリント配線板では、半田パッドとソルダーレジスト層の間に、Ｓｎ及びＣｕを含む第１層と、シランカップリング剤からなる第２層とからなる密着層を有するため、パッドとソルダーレジスト層の密着性が向上する。
【００６２】
（６）第一実施形態のプリント配線板では、半田パッドが無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜とからなり、被覆層が上記半田パッドを構成する電解銅めっき膜の表面上に直接形成されている。
このような構成であると、被覆層と半田パッドとの密着性が確保されるとともに、半田パッドと半田バンプとの間で電気抵抗が増大するおそれもない。
【００６３】
（７）第一実施形態のプリント配線板の製造方法では、第一実施形態のプリント配線板を好適に製造することができる。
特に、ソルダーレジスト層の材料として、平均粒径１μｍ以下の無機フィラーを５〜２５ｗｔ％含有しており、有機フィラーを含有していないものが用いられる。
また、ソルダーレジスト層の材料には３μｍを超える粒径の無機フィラーが存在しないことが好ましい。
フィラーの径が細かく、フィラーの量が少ないと、露光の際の障害が少なく、パッドによる反射光の影響を受けやすくなると考えられる。そして、そのようなソルダーレジスト層に露光、現像処理によって開口部を形成すると、突出部の先端部分に平坦面が形成される。
【００６４】
以下に実施例を掲げて、第一実施形態について、さらに詳しく説明するが、本発明の実施形態はこれら実施例のみに限定されるものではない。
（実施例）
（Ａ）樹脂充填材の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒子径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ２球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【００６５】
（Ｂ）プリント配線板の製造
（１）図３Ａに示すような、厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂からなる絶縁性基板１１の両面に１８μｍの銅箔１８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした。
次に、図３Ｂに示すように、この銅張積層板をドリル削孔し、スルーホール導体用の貫通孔２９を形成した。
【００６６】
次に、図３Ｃに示すように、銅箔１８上と貫通孔２９の内壁表面とに無電解銅めっき処理と電解銅めっき処理とを施し、無電解銅めっき膜と無電解銅めっき膜上の電解銅めっき膜とからなるスルーホール導体１９を含む導体層を形成した。
【００６７】
（２）次に、スルーホール導体１９を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ２（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ３ＰＯ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール導体１９の表面を粗化面（図示せず）とした。
【００６８】
（３）次に、図３Ｄに示すように、スルーホール導体１９の内部に、上記（Ａ）に記載した樹脂充填材を下記の方法で充填した。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール導体１９内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。続いて、基板の片面を、♯６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、電解銅めっき膜上に樹脂充填材が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填材層２０を形成した。
【００６９】
（４）次に、図３Ｅに示すように、電解銅めっき膜上と樹脂充填材層２０上とに無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜とからなる導体層２１を形成した。続いて、図３Ｆに示すように、サブトラクティブ法で絶縁性基板１１上に導体回路１４を形成した。この時、同時に樹脂充填材層２０を覆う導体回路３０も形成した。
【００７０】
（５）次に、図３Ｇに示すように、絶縁性基板１１と導体回路１４との上に、層間樹脂絶縁層形成用フィルム（味の素社製、ＡＢＦ）を用いて層間樹脂絶縁層１２を形成した。
即ち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、時間６０秒の条件で積層し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
【００７１】
（６）次に、層間樹脂絶縁層１２にＣＯ２ガスレーザにて、直径６０μｍの開口部１６を形成した（図４Ａ参照）。
【００７２】
（７）次に、層間樹脂絶縁層１２の表面（開口部１６の内壁面含む）に、パラジウム触媒（図示せず）を付与した。その後、次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解銅めっき水溶液（ＭＦ−３９０、日本マクダーミッド社製）中に、上記パラジウム触媒を付着させた基板を浸漬し、層間樹脂絶縁層１２の表面（開口部１６の内壁面を含む）に厚さ０．１〜０．３μｍの無電解銅めっき膜２２を形成した（図４Ｂ参照）。
なお、無電解銅めっき条件は、７５℃の液温度で４分間とした。
【００７３】
（８）次に、無電解銅めっき膜２２上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、露光・現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっきレジスト１３を設けた（図４Ｃ参照）。
【００７４】
（９）次に、めっきレジスト１３を形成した基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、電解めっきを施し、めっきレジスト１３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜２３を形成した（図４Ｄ参照）。
【００７５】
（１０）次に、めっきレジスト１３を剥離除去した。続いて、隣接する電解銅めっき膜の間の無電解銅めっき膜２２を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去した。これにより、無電解銅めっき膜２２と無電解銅めっき膜上の電解銅めっき膜２３とからなる厚さ１８μｍの導体回路１４と、ビア導体１７とを形成した（図５Ａ参照）。
【００７６】
（１１）次に、上記（５）〜（１０）の工程と同様の方法を用いて、層間樹脂絶縁層１２と導体回路１４（ビア導体１７を含む）を形成した（図５Ｂ〜図６Ａ参照）。なお、ここで形成した導体回路の一部は、後工程において、半田パッド３４となる。
【００７７】
（１２）次に、最外層の導体回路１４ａ（半田パッド３４を含む）を形成した基板を１０％硫酸水溶液に１０秒間浸漬した後、水洗いし、さらに、エアカットで乾燥させた。
【００７８】
（１３）次に、ホウフッ化スズ０．１ｍｏｌ／Ｌ及びチオ尿素１ｍｏｌ／Ｌを含有し、ホウフッ酸でｐＨが約１．２になるように調整した置換スズめっき液に、基板を３０℃、３０秒の条件で浸漬した後、３０秒間水洗いした。ついで、エアカットで乾燥させた。
このめっき処理により、最外層の導体回路１４ａ（半田パッド３４を含む）の表面にＳｎＣｕ層とＳｎ層とが順次形成された。
そして、ＳｎＣｕ層の厚さが約５〜１０ｎｍであり、Ｓｎ層の厚さが約５０ｎｍであった。
【００７９】
（１４）次に、基板を１％硝酸水溶液に１０秒間浸漬した後、２０秒間水洗いした。この処理により、Ｓｎ層が除去され、ＳｎＣｕ層が露出した。
【００８０】
（１５）次に、濃度が１重量％となるように調整したγ−アミノプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＥ−９０３）の水溶液を最外層の導体回路１４ａ上（ＳｎＣｕ層上）にスプレー塗布した。
続いて、基板を９０〜１２０℃で３０〜１５０秒間乾燥させた後、水洗して余分なシランカップリング剤を除去した。
このような、（１２）〜（１５）の工程を行うことにより、最外層の導体回路１４ａ（半田パッド３４を含む）上にＳｎを含む金属層とシランカップリング剤とからなる密着層１５が形成された（図６Ｂ参照）。
【００８１】
（１６）次に、図６Ｃに示すように、最外層に、平均粒径１μｍ以下の無機フィラー（シリカ、硫酸バリウムなど）を１０〜１５ｗｔ％含有しており、有機フィラーを含有していないソルダーレジスト組成物を３０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行い、ソルダーレジスト組成物の層２４′を形成した。
【００８２】
（１７）次に、図７Ａに示すように、開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト組成物の層２４′に密着させて１００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口部２８を形成した。
さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層２４′を硬化させ、開口部２８を有するソルダーレジスト層２４（２０μｍ厚）を形成した。
【００８３】
（１８）次に、開口部２８内に、１５〜２０重量％の硝酸水溶液と、１〜２重量％の過酸化水素水とを含むエッチング溶液をスプレー塗布した。
これにより、開口部２８内の樹脂残査ともに、シランカップリング剤からなる第２層及びＳｎＣｕ層（第１層）が除去された。その結果、開口部２８内の底部には、半田パッド３４を形成する電解銅めっき膜２３の一部（露出面３４ａ）が露出した。
【００８４】
また、工程（１８）が終了した後、開口部の底面をＳＥＭで観察し、露出面の構成元素を分析したところ、Ｓｎのピークは検出されなかった。従って、上記エッチング溶液を用いた処理により、ＳｎＣｕ層が完全に除去されていると考えられる。
【００８５】
（１９）次に、ソルダーレジスト層２４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部２８に厚さ５μｍのニッケルめっき層３１を形成した。
【００８６】
（２０）工程（１９）が終了した後、開口部２８及び半田パッド３４を含む部分を分離し、ＳＥＭを用いて断面観察写真を撮影した。
上記断面写真では、図２Ｃに示すように、ソルダーレジスト層２４は、開口部２８の底部で開口部２８の内方に向けて突き出た形状の突出部２６を有しており、突出部２６はその先端部分に平坦面２５を有していた。
【００８７】
（２１）次に、基板をシアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層を形成し、両者を併せて被覆層３３とした。
【００８８】
（２２）次に、ソルダーレジスト層２４に形成した開口部２８に半田ペーストを印刷し、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ２７を形成し、プリント配線板１０を完成した（図７Ｂ参照）。
【００８９】
（比較例）
以下の点以外は実施例と同様にしてプリント配線板を作製した。
工程（１１）まで終了し、半田パッド３４が形成された基板に対し、半田パッド３４の表面に対してサンドブラスト処理を行い、半田パッド３４上に粗化面を形成した。
工程（１２）〜（１５）及び（１８）（密着層を形成する工程及び密着層のエッチング工程）は行わなかった。
工程（１６）において使用するソルダーレジスト組成物として、市販のソルダーレジスト組成物（日立化成社製、ＳＲ７２００）を用いた。
このソルダーレジスト組成物は、実施例で用いているソルダーレジスト組成物と比較して、無機フィラーの含有量が約３０ｗｔ％と多く、その平均粒径も大きい。さらに、比較例で用いているソルダーレジスト組成物は有機フィラーを含有している。
実施例と同様にして、工程（１９）が終了した後、開口部及び半田パッドを含む部分を分離し、ＳＥＭを用いて断面観察写真を撮影した。
この場合の模式図を図８Ａに、写真を図８Ｂに示す。
図８Ａは、粗化面を設けたパッド上にソルダーレジスト層を設けた場合の開口部近傍を模式的に示す断面図である。
図８Ｂは、粗化面を設けたパッド上にソルダーレジスト層を設けた場合の突出部近傍を示す断面観察写真である。
【００９０】
図８Ａにおいては、層間樹脂絶縁層１２の上に、半田パッド３４が設けられている。半田パッド３４は、無電解銅めっき膜２２と無電解銅めっき膜２２上の電解銅めっき膜２３とからなる。
半田パッド３４上には粗化面３４ａが設けられており、粗化面３４ａの上にソルダーレジスト層２４が形成されている。
ソルダーレジスト層２４には開口部２８が設けられており、開口部２８の底部にはＮｉ等の金属からなる被覆層３１が形成されている。
ソルダーレジスト層２４は、開口部２８の底部で開口部２８の内方に向けて突き出た形状の突出部２６を有している。
図８Ｂに示す写真では、突出部２６の先端が被覆層３１で覆われた形となっており、突出部２６と被覆層３１によって凹み１００（丸で囲んだ領域）が形成されていた。
【００９１】
実施例及び比較例のプリント配線板の評価
比較例のプリント配線板の場合、相対的に急な勾配を有する突出部の一部が被覆層で覆われることで凹みが形成される。半田バンプを形成する際は、この凹部にボイドが残りやすく、結果として半田バンプの密着性及び信頼性が低下する可能性がある。
一方、実施例のプリント配線板においては、ほぼ平坦な突出部の一部が被覆層で覆われているため、相対的に凹みが浅くなり、半田バンプを形成する際にボイドが残りにくくなると考えられる。その結果、実施例においては、半田バンプの密着性及び信頼性が確保されやすい。
【００９２】
（その他の実施形態）
上述した実施形態では、半田パッドの側面及び上面のうちの一部に形成される金属層（第一層）として、Ｓｎを含む金属層が採用されている。
しかしながら、本発明の実施形態のプリント配線板において、金属層の材質は、Ｓｎを含む金属層に限定されず、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ及びＡｕのうちの少なくとも１種の金属を含む金属層であればよい。
これらの金属は、Ｃｕよりも、カップリング剤との密着性に優れるからである。
ただし、これらのなかでは、Ｓｎを含む金属層が望ましい。
この理由は、既に説明したように、表面に水酸基を付着させやすく、カップリング剤との密着性に特に優れるからである。
【００９３】
また、上述した実施形態では、第２層を構成するカップリング剤として、シランカップリング剤が採用されている。
しかしながら、本発明の実施形態のプリント配線板において、カップリング剤は、シランカップリング剤に限定されず、例えば、アルミネート系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤等であってもよい。
【００９４】
さらに、上記シランカップリング剤は、ソルダーレジスト層の材質を考慮して選択すればよいが、例えば、上記ソルダーレジスト組成物として、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物を用いる場合には、有機官能基として、アミノ基を有するシランカップリング剤を選択することが望ましい。この組合せでは、ソルダーレジスト層とシランカップリング剤とが強固に結合しやすいからである。
【００９５】
また、密着層として、Ｓｎを含む金属層である第１層及びシランカップリング剤からなる第２層からなる被膜に代えて、チオールシランからなる被膜を用いてもよい。
この場合、半田パッドの側面及び上面にチオールシランを塗布し、ソルダーレジスト層を形成し、開口部を設けた後、１７２ｎｍのＵＶ照射によって開口部の底部に露出したチオールシランを除去することによって、密着層を形成することができる。
【００９６】
ソルダーレジスト組成物としては、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなるソルダーレジスト組成物が挙げられる。
また、上記以外のソルダーレジスト組成物としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げられる。
また、ソルダーレジスト組成物の層を形成する際には、上記ソルダーレジスト組成物からなるフィルムを圧着してソルダーレジスト組成物の層を形成してもよい。
【００９７】
上述した実施形態では、密着層を除去して、ソルダーレジスト層に形成した開口部の底部に半田パッドを露出させるためのエッチング溶液として、硝酸水溶液と過酸化水素水とからなるエッチング溶液を使用しているが、これ以外のエッチング溶液として、例えば、過マンガン酸水溶液等を用いてもよい。
【００９８】
上述した実施形態では、被覆層として、Ｎｉ層とＡｕ層の２層からなる被覆層が形成されているが、上記被覆層の総数は、２層に限定されず、１層であってもよいし、３層以上であってもよい。
また、上記被覆層は、Ｎｉ、Ｐｄ及びＡｕを順次めっきすることで形成されてもよい。
【００９９】
また、上記ソルダーレジスト層の開口部をレーザ処理により形成する場合、上記レーザ処理に使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ等が挙げられる。
また、上述した実施形態では、樹脂充填材層を含むスルーホール導体を採用したが、これをめっきのみから形成してもよい。
【符号の説明】
【０１００】
１０  プリント配線板
１２  層間樹脂絶縁層
１４、１４ａ  導体回路
１５  密着層
１５ａ  Ｓｎを含む第１層
１５ｂ  カップリング剤からなる第２層
２２  無電解銅めっき膜
２３  電解銅めっき膜
２４  ソルダーレジスト層
２５  平坦面
２６  突出部
２７  半田バンプ
２８  開口部
３３  被覆層
３４  半田パッド
【図１】
2012129526.tif 000003
【図２Ａ】
2012129526.tif 000004
【図２Ｂ】
2012129526.tif 000005
【図３Ａ】
2012129526.tif 000006
【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図２Ｃ】
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【図８Ｂ】
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