(57)【要約】      （修正有）【課題】ＦＣＢ領域における過度のデータ消去を不要として当該ＦＣＢ領域の破壊を防止し、不揮発性メモリの製品寿命を延ばす。【解決手段】フラッシュＲＯＭ１を制御するＣＰＵ２は、フラッシュＲＯＭを構成する複数のブロックＢ1〜Ｂ100のうち第１番目のブロックＢ1の第１のＦＣＢ領域１１が有する所定の番地にそれぞれ割り当てられるデータ領域１０が有する所定の番地の値、複数のブロックにそれぞれ割り当てられる第１番目のブロックの第２のＦＣＢ領域１２が有する所定の番地の値を、４ビットを１６進法により表記した１６種類「０〜Ｆ」の値のうち「８」、「Ｃ」、「Ｅ」、「Ｆ」の４つの値で表し、「Ｆ」→「Ｅ」→「Ｃ」→「８」の順番で書き換える。また、第１、２のＦＣＢ領域のうち少なくとも第１のＦＣＢ領域は、複数のブロック毎に分割して配置する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のデータ容量のブロックを複数有する不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリを制御するためのＣＰＵとを備える不揮発性メモリ管理用のファイルシステムにおいて、
前記ＣＰＵは、前記複数のブロックのうち第１番目のブロックの第１のＦＣＢ領域が有する所定の番地にそれぞれ割り当てられる前記データ領域が有する所定の番地の値、前記複数のブロックにそれぞれ割り当てられる前記第１番目のブロックの第２のＦＣＢ領域が有する所定の番地の値を、４ビットを１６進法により表記した１６種類「０〜Ｆ」の値のうち「８」、「Ｃ」、「Ｅ」、「Ｆ」の４つの値で表し、「Ｆ」→「Ｅ」→「Ｃ」→「８」の順番で書き換えることを特徴とする不揮発性メモリ管理用のファイルシステム。
【請求項２】
前記「８」、「Ｃ」、「Ｅ」、「Ｆ」それぞれの値を、「前記データ領域の所定の番地が使用不可である」、「前記データ領域の所定の番地が一杯である」、「前記データ領域の所定の番地に既にデータが書き込まれている」、「前記データ領域の所定の番地にデータが書き込まれていない」に割り当てることを特徴とする請求項１記載の不揮発性メモリ管理用のファイルシステム。
【請求項３】
所定のデータ容量のブロックを複数有する不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリを制御するためのＣＰＵとを備える不揮発性メモリ管理用のファイルシステムにおいて、
前記不揮発性メモリは、前記ブロック毎に所定の範囲の番地を有するデータ領域と、前記データ領域の書き込み状況を所定の範囲の番地に割り当てて管理するための第１のＦＣＢ領域と、前記ブロック毎の書き込み状況を所定の範囲の番地に割り当てて管理するための第２のＦＣＢ領域とを有し、
前記第１、２のＦＣＢ領域のうち少なくとも第１のＦＣＢ領域は、前記複数のブロック毎に分割して配置されることを特徴とする不揮発性メモリ管理用のファイルシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュＲＯＭ等の不揮発性メモリへのデータ書き込み情報の管理を行う管理用のファイルシステムに係り、特に、過度なデータ消去が防止された不揮発性メモリ管理用のファイルシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、玄関子機で呼出ボタンが操作されたときカメラからの玄関の映像を録画ユニットの外出ボタンの操作により録画ユニットの不揮発性メモリに録画し、録画ユニットの再生ボタンの操作により録画ユニットに録画されていた玄関の映像を親機のモニタで再生するテレビドアホン装置が開示されている（例えば、特許文献１を参照。）。この装置によれば、呼出ボタンの操作を行った来訪者の画像を確実に録画できるようにして、来訪者の識別を容易にできる。
【０００３】
このような不揮発性メモリを構成する例えば、フラッシュＲＯＭへのデータ書き込み又はデータ消去は、ＣＰＵのようなハードウェアの使用によるプログラム制御で可能であるものの、通常、データ消去の回数には制限があり、メーカー保証値としては、例えば、１０万回とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−９４９７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、フラッシュＲＯＭのデータ領域毎の書き込み状況については、特別なデータ領域であるＦＣＢ（File Control Block）領域を使用して管理する必要があり、このＦＣＢ領域は当該フラッシュＲＯＭ内の特定の場所に設けられるものであって、データ領域へのデータの書き込み毎にＦＣＢ領域のみの消去や書き込みが行われるため、前述のような消去回数の制限に伴いＦＣＢ領域が破壊される虞があり、ゆえに、フラッシュＲＯＭ全体が使用できなくなる難点があった。
【０００６】
本発明は、この難点を解消するためになされたもので、ＦＣＢ領域における過度のデータ消去を不要として当該ＦＣＢ領域の破壊を防止し、不揮発性メモリの製品寿命を延ばすことができる不揮発性メモリ管理用のファイルシステムを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述の目的を達成するため、本発明の第１の態様である不揮発性メモリ管理用のファイルシステムは、所定のデータ容量のブロックを複数有する不揮発性メモリと、不揮発性メモリを制御するためのＣＰＵとを備える不揮発性メモリ管理用のファイルシステムにおいて、ＣＰＵは、複数のブロックのうち第１番目のブロックの第１のＦＣＢ領域が有する所定の番地にそれぞれ割り当てられるデータ領域が有する所定の番地の値、複数のブロックにそれぞれ割り当てられる第１番目のブロックの第２のＦＣＢ領域が有する所定の番地の値を、４ビットを１６進法により表記した１６種類「０〜Ｆ」の値のうち「８」、「Ｃ」、「Ｅ」、「Ｆ」の４つの値で表し、「Ｆ」→「Ｅ」→「Ｃ」→「８」の順番で書き換えるものである。
【０００８】
また、本発明の第２の態様である不揮発性メモリ管理用のファイルシステムは、本発明の第１の態様において、「８」、「Ｃ」、「Ｅ」、「Ｆ」それぞれの値を、「データ領域の所定の番地が使用不可である」、「データ領域の所定の番地が一杯である」、「データ領域の所定の番地に既にデータが書き込まれている」、「データ領域の所定の番地にデータが書き込まれていない」に割り当てるものである。
【０００９】
また、本発明の第３の態様である不揮発性メモリ管理用のファイルシステムは、所定のデータ容量のブロックを複数有する不揮発性メモリと、不揮発性メモリを制御するためのＣＰＵとを備える不揮発性メモリ管理用のファイルシステムにおいて、不揮発性メモリは、ブロック毎に所定の範囲の番地を有するデータ領域と、データ領域の書き込み状況を所定の範囲の番地に割り当てて管理するための第１のＦＣＢ領域と、ブロック毎の書き込み状況を所定の範囲の番地に割り当てて管理するための第２のＦＣＢ領域とを有し、第１、２のＦＣＢ領域のうち少なくとも第１のＦＣＢ領域は、複数のブロック毎に分割して配置されるものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の不揮発性メモリ管理用のファイルシステムによれば、ＣＰＵの制御により不揮発性メモリを制御するにあたって、不揮発性メモリを構成する複数のブロック毎に、データ領域と第１、第２のＦＣＢ領域のうち少なくとも第１のＦＣＢ領域とが分割して配置されており、第１番目のブロックの第１のＦＣＢ領域が有する所定の番地にそれぞれ割り当てられるデータ領域が有する所定の番地の値、第１番目のブロックの第２のＦＣＢ領域が有する所定の番地の値を、４ビットを１６進法により表記した１６種類「０〜Ｆ」の値のうち「８：データ領域の所定の番地が使用不可である」、「Ｃ：データ領域の所定の番地が一杯である」、「Ｅ：データ領域の所定の番地に既にデータが書き込まれている」、「Ｆ：データ領域の所定の番地にデータが書き込まれていない」の４つの値で表し、「Ｆ（１１１１）」→「Ｅ（１１１０）」→「Ｃ（１１００）」→「８（１０００）」の順番で書き換えることができる。また、不揮発性メモリの特性としては、内部のそれぞれのビットを「０」→「１」に変更するときにはデータ消去となり前述の回数制限が懸念されるが、内部のそれぞれのビットを「１」→「０」に変更するときには前述の回数制限をう受けることはない。これにより、ＦＣＢ領域における過度のデータ消去が不要となるため、当該ＦＣＢ領域の破壊を防止でき、ゆえに、不揮発性メモリの製品寿命を延ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の実施例による不揮発性メモリ管理用のファイルシステムの構成を示すシステム説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の不揮発性メモリ管理用のファイルシステムを適用した実施の形態例について、図面を参照して説明する。
【００１３】
図１は、本発明の実施例による不揮発性メモリ管理用のファイルシステムの構成を示すシステム説明図である。このシステムは、所定のデータ容量のブロックを複数有する、ここでは、１ブロック５００００ｂｙｔｅの当該ブロックを１００個（以下、第１番目のブロックＢ1〜第１００番目のブロックＢ100という。）有する不揮発性メモリを構成するフラッシュＲＯＭ１と、フラッシュＲＯＭ１を制御、例えば、データ書き込みやデータ消去を行うためのＣＰＵ２とを備えている。
【００１４】
このフラッシュＲＯＭ１は、第１番目のブロックＢ1〜第１００番目のブロックＢ100の計１００個の複数のブロック毎に所定の範囲の番地、ここでは、「１０００〜５０９９９」の番地を有するデータ領域１０と、複数のブロック毎にデータ領域１０の書き込み状況を所定の範囲の番地、ここでは、「０〜４９９」の番地に割り当てて管理するための第１のＦＣＢ領域１１とを有し、また、第１番目のブロックＢ1には複数のブロックである第１番目のブロックＢ1〜第１００番目のブロックＢ100毎の書き込み状況を所定の範囲の番地、ここでは、「７００〜８００」の番地に割り当てて管理するための第２のＦＣＢ領域１２を有している。
【００１５】
このような構成の不揮発性メモリ管理用のファイルシステムにおいて、ＣＰＵ２は、フラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1〜第１００番目のブロックＢ100のうち、第１番目のブロックＢ1の第１のＦＣＢ領域１１が有する「０」番地と同ブロックＢ1のデータ領域１０が有する「１０００〜１０９９」番地とを対応させ、「０」番地の値について、４ビットを１６進法により表記した１６種類の「０〜Ｆ」の値のうち「８」、「Ｃ」、「Ｅ」、「Ｆ」の値のみを使用して、「Ｆ」→「Ｅ」→「Ｃ」→「８」の順番で記録する。
【００１６】
ここで、４ビットを１６進法により表記した１６種類の「０〜Ｆ」の値とは、前述のデータ書き込み、データ消去をそれぞれ示す２個の数字「１」、「０」のような２進法による表記を１６進法で表記したものであり、２進法による表記において「１０００」で表される「８」は「データ領域１０の所定の番地が使用不可である」ことを、同様な２進法による表記において「１１００」で表される「Ｃ」は「データ領域１０の所定の番地が一杯である」ことを、同様な２進法による表記において「１１１０」で表される「Ｅ」は「データ領域１０の所定の番地に既にデータが書き込まれている」ことを、同様な２進法による表記において「１１１１」で表される「Ｆ」は「データ領域１０の所定の番地にデータが書き込まれていない」ことが、それぞれ割り当てられるものとする。
【００１７】
したがって、ＣＰＵ２は、前述のようにフラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1の第１のＦＣＢ領域１１が有する「０」番地と同ブロックＢ1のデータ領域１０が有する「１０００〜１０９９」番地とを対応させるにあたり、この「０」番地の値が「Ｆ」であるならば「１０００〜１０９９」番地には「データが書き込まれていない」と判別することができ、「０」番地の値が「Ｅ」であるならば「１０００〜１０９９」番地には「データが既に書き込まれている」、「０」番地の値が「Ｃ」であるならば「１０００〜１０９９」番地は「空き容量がなく一杯である」、「０」番地の値が「８」であるならば「１０００〜１０９９」番地は「使用不可である」のように、「０」番地の値を検索することができる。
【００１８】
なお、前述のような検索動作を繰り返すことにより、ＣＰＵ２は、フラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1の第１のＦＣＢ領域１１が有する「１、２、３、・・・４９８、４９９」番地と同ブロックＢ1のデータ領域１０が有する「１１００〜１１９９、１２００〜１２９９、１３００〜１３９９、・・・５０８００〜５０８９９、５０９００〜５０９９９」番地とをそれぞれ対応させ、「１、２、３、・・・４９８、４９９」番地の値を検索することにより、同一ブロックＢ1内の「０〜４９９」の５００番地分の値を検索することができる。
【００１９】
また、ＣＰＵ２は、フラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1〜第１００番目のブロックＢ100のうち、第１番目のブロックＢ1の第２のＦＣＢ領域１２が有する「７００〜８００」番地の先頭の番地である「７００」番地を第１番目のブロックＢ1に、２番目の番地である「７０１」番地を第２番目のブロックＢ2に、３番目の番地である「７０２」番地を第３番目のブロックＢ3、・・・のように、ブロックＢ1〜Ｂ100の計１００個の当該ブロックに第２のＦＣＢ領域１２が有する「７００〜７９９」番地をそれぞれ対応させることができ、この「７００〜７９９」番地の値についても前述と同様な検索手段を用いて、それぞれの番地の値が「Ｆ」であるならば「データが書き込まれていない」、「Ｅ」であるならば「データが既に書き込まれている」、「Ｃ」であるならば「空き容量がなく一杯である」、「８」であるならば「使用不可である」のように、「Ｆ」→「Ｅ」→「Ｃ」→「８」の順番で記録することにより、第１番目のブロックＢ1〜第１００番目のブロックＢ100の計１００個の当該ブロックが使用可能な状態となる。
【００２０】
次に、第１番目のブロックＢ1〜第１００番目のブロックＢ100の計１００個の当該ブロックが使用可能な状態なフラッシュＲＯＭ１に対して、例えば、データ長が１００ｂｙｔｅで固定されたデータの書き込み又はその消去をＣＰＵ２の制御により行う場合の具体的な動作について説明する。
【００２１】
データ全てが消去されている例えば、初回起動時又はリセット起動時においてデータ書き込みを行うにあたり、１回目（初回）のデータ書き込み作業としてＣＰＵ２は、フラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1の第２のＦＣＢ領域１２が有する「７００〜７９９」番地の値について「Ｆ」又は「Ｅ」が記録されているものを先頭から順に検索する。ここでは、「７００」番地の値が、データ全てが消去されていることに起因して「Ｆ」と判別されるため、その値を「Ｅ」に書き換え、第１番目のブロックＢ1（を構成するデータ領域１０）をデータ書き込み中に設定する。
【００２２】
この後、ＣＰＵ２は、フラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1の第１のＦＣＢ領域１１が有する「０〜４９９」番地の値についても、「Ｆ」又は「Ｅ」が記録されているものを先頭から順に検索する。ここでは、「０」番地の値が、データ全てが消去されていることに起因して「Ｆ」と判別され、また、データ領域１０が有する「１０００〜１０９９」番地の領域の大きさが書き込もうとしているデータ長に一致するため、その値を「Ｃ」に書き換え、データ領域１０が有する「１０００〜１０９９」番地にそれぞれ、（データ長が１００ｂｙｔｅで固定された）データを書き込むことができる。
【００２３】
次に、２回目のデータ書き込み作業としてＣＰＵ２は、フラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1の第２のＦＣＢ領域１２が有する「７００〜７９９」番地の値について「Ｆ」又は「Ｅ」が記録されているものを先頭から順に検索する。ここでは、「７００」番地の値が前述の１回目の書き込み作業に起因して「Ｅ」と判別される。
【００２４】
また、ＣＰＵ２は、フラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1の第２のＦＣＢ領域１２が有する「０〜４９９」番地の値についても、「Ｆ」又は「Ｅ」が記録されているものを先頭から順に検索する。ここでは、「０」番地の値が、前述の１回目の書き込み作業に起因して「Ｃ」であり、「１」番地の値が、データ全てが消去されていることに起因して「Ｆ」と判別されるため、その値を「Ｃ」に書き換え、データ領域１０が有する「１１００〜１１９９」番地にそれぞれ、（データ長が１００ｂｙｔｅで固定された）データを書き込むことができる。
【００２５】
なお、ＣＰＵ２は、前述のようなデータ書き込み作業を、フラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1に対して繰り返して行うことができ、５００回目のデータ書き込み作業を行うにあたっては、第２のＦＣＢ領域１２が有する「７００〜７９９」番地の値について「Ｆ」又は「Ｅ」が記録されているものを先頭から順に検索する。ここでは、「７００」番地の値が４９９回目の書き込み作業に起因して「Ｅ」と判別される。
【００２６】
また、ＣＰＵ２は、フラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1の第２のＦＣＢ領域１２が有する「０〜４９９」番地の値についても、「Ｆ」又は「Ｅ」が記録されているものを先頭から順に検索する。ここでは、「４９８」番地の値が、４９９回目の書き込み作業に起因して「Ｃ」であり、「４９９」番地の値が、データ全てが消去されていることに起因して「Ｆ」と判別されるため、その値を「Ｃ」に書き換え、データ領域１０が有する「５０９００〜５０９９９」番地にそれぞれ、（データ長が１００ｂｙｔｅで固定された）データを書き込むことができる。
【００２７】
さらに、ＣＰＵ２は、前述のような１回目〜５００回目までのデータ書き込み作業を完了させた後、５００回目の書き込み作業に起因して第１番目のブロックＢ1に空き容量がなく一杯であるために追加書き込みができないことから、その旨の指示としてフラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1の第２のＦＣＢ領域１２が有する「７００」番地の値についてその値を「Ｃ」に書き換えるとともに、「７０１」番地の値を「Ｅ」とし、第２番目のブロックＢ2内のデータを全て消去し、「Ｆ」とする。
【００２８】
次に、５０１回目のデータ書き込み作業としてＣＰＵ２は、フラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1の第２のＦＣＢ領域１２が有する「７００〜７９９」番地の値について「Ｆ」又は「Ｅ」が記録されているものを先頭から順に検索する。ここでは、「７０１」番地の値が前述の５００回目の書き込み作業に起因して「Ｅ」と判別される。
【００２９】
この後、ＣＰＵ２は、フラッシュＲＯＭ１を構成する第２番目のブロックＢ2の第１のＦＣＢ領域１１が有する「０〜４９９」番地の値についても、「Ｆ」又は「Ｅ」が記録されているものを先頭から順に検索する。ここでは、「０」番地の値が、データ全てが消去されていることに起因して「Ｆ」と判別されるため、その値を「Ｃ」に書き換え、データ領域１０が有する「１０００〜１０９９」番地にそれぞれ、（データ長が１００ｂｙｔｅで固定された）データを書き込むことができる。
【００３０】
なお、ＣＰＵ２は、前述のようなデータ書き込み作業を、フラッシュＲＯＭ１を構成する第２番目のブロックＢ2に対しては５０１回目〜１０００回目の当該作業まで、第３番目のブロックＢ3に対しては１００１回目〜１５００回目の当該作業まで、・・・第１００番目のブロックＢ100に対しては４９５０１回目〜５００００回目の当該作業までのように、繰り返して行うことができる。
【００３１】
これにより、（データ長が１００ｂｙｔｅで固定された）５００００個のデータが、フラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1〜第１００番目のブロックＢ100のデータ領域１０にそれぞれデータが書き込まれると、全てのブロックＢ1〜Ｂ100が満杯となる。これを検出したＣＰＵ２は、ブロックＢ1の第２のＦＣＢ領域１２が有する「８００」番地に「０」を書き込むことにより、データの書き込み作業が、第１番目のブロックＢ1〜第１００番目のブロックＢ100まで一巡したことを示すことができる。
【００３２】
この後、５０００１回目のデータ書き込み作業としてＣＰＵ２は、フラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1の第２のＦＣＢ領域１２が有する「７００〜７９９」番地の値について「Ｆ」又は「Ｅ」が記録されているものを先頭から順に検索する。ここでは、「７００〜７９９」番地の値が全て「Ｃ」であるとため、「８００」番地の値を検索する。「８００」番地の値が「０」であると判別されると、過去のデータを上書きする必要があるため、第１番目のブロックＢ1内のデータを全て消去して「Ｆ」に書き換えた後、「７００」番地の値を「Ｅ」に書き換え、第１番目のブロックＢ1（を構成するデータ領域１０）をデータ書き込み中に設定する。
【００３３】
また、ＣＰＵ２は、フラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1の第１のＦＣＢ領域１１が有する「０〜４９９」番地の値についても、「Ｆ」又は「Ｅ」が記録されているものを先頭から順に検索する。ここでは、「０」番地の値が、データ全てが消去されていることに起因して「Ｆ」と判別されるため、その値を「Ｅ」に書き換え、データ領域１０が有する「１０００〜１０９９」番地にそれぞれ、（データ長が１００ｂｙｔｅで固定された）データを書き込むことができる。
【００３４】
なお、５０００２回目以降のデータ書き込み作業については、ＣＰＵ２の制御により前述の１回目〜４９９回目等と同様な工程で行われるものであるため、具体的な説明は省略するものとする。
【００３５】
また、データ書き込み作業を行った際に当該データに書き込みエラーが発生した場合、例えば、第１番目のブロックＢ1の２回目の書き込みである「１１００〜１１９９」番地でエラーが発生した場合には、「１１００〜１１９９」番地に対応する第１番目のブロックＢ1の第１のＦＣＢ領域１１が有する「１」番地の値を「８」に書き換え、当該番地のデータ異常を記録するとともに、「０〜４９９」番地の値についても、再び「Ｆ」又は「Ｅ」が記録されているものを先頭から順に検索し、新たにデータを書き込む番地を検索することができる。
【００３６】
前述までの説明から明らかなように、フラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1〜第１００番目のブロックＢ100のうち当該ブロックに係る消去動作は、５００００回のデータ書き込み作業のうち１回のみ行われるものであって、第１、第２のＦＣＢ領域１１、１２（のうち少なくとも第１のＦＣＢ領域１１）における過度のデータ消去が不要となるため、当該ＦＣＢ領域の破壊を防止でき、ゆえに、フラッシュＲＯＭ１の製品寿命を延ばすことができる。
【００３７】
本発明の不揮発性メモリ管理用のファイルシステムにおいては、特定の実施の形態をもって説明してきたが、この形態に限定されるものでなく、本発明の効果を奏する限り、これまで知られた如何なる構成の当該システム、例えば、フラッシュＲＯＭ１以外の不揮発性メモリを適用した当該システムであっても採用できるということはいうまでもないことである。
【００３８】
また、本願発明のフラッシュＲＯＭ１以外の不揮発性メモリを適用するにあたって、そのメモリを構成する所定のデータ容量のブロックの数や、ブロック毎のデータ領域１０、第１、第２のＦＣＢ領域１１、１２がそれぞれ有する所定の番地については、当該メモリの規格に対応させて適宜に変更可能なものであり、データの書き込みが可能な回数（作業回数）についても変動するものである。
【００３９】
さらに、本願発明においては、フラッシュＲＯＭ１を構成する第１番目のブロックＢ1〜第１００番目のブロックＢ100の配置構成として、第１、第２のＦＣＢ領域１１、１２のうち第１のＦＣＢ領域１１のみをブロック毎に分割して配置させたが、この態様に限定されるものではない。例えば、第１、第２のＦＣＢ領域１１、１２をそれぞれ、ブロック毎に分割して配置することもできる。
【符号の説明】
【００４０】
１……フラッシュＲＯＭ（不揮発性メモリ）
Ｂ1〜Ｂ100……第１番目のブロック〜第１００番目のブロック（複数のブロック）
１０……データ領域
１１……第１のＦＣＢ領域
１２……第２のＦＣＢ領域
２……ＣＰＵ
【図１】
2012181577.tif 000003