(57)【要約】【課題】ヘキ開の際に金属パッドへの異物の付着を低減することができる光デバイスを提供する。【解決手段】  １つの基板上に形成された３２個の発光部と、該３２個の発光部におけるｐ側電極と電気的に接続されている３２個の電極パッドとを備えている。そして、ヘキ開工程で、シリコーン付着現象を生じるおそれがある電極パッド１５０は、平面視において、ヘキ開された部分に近い辺の長さが、該ヘキ開された部分に平行な方向の寸法ｄよりも長くなるように設定されている。この場合は、チップ形成基板の厚さが従来よりも厚い場合であっても、保護シートの密着力を低下させることができ、ヘキ開の際に各電極パッドにシリコーンが付着するのを防止することができる。その結果、製造歩留まりを向上させることができる。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１枚の半導体基板上に複数個が形成され、ヘキ開によって個々に分離された光デバイスであって、
少なくとも１つの発光部と、
前記少なくとも１つの発光部における一の電極と電気的に接続されている少なくとも１つの金属パッドと、を備え、
前記少なくとも１つの金属パッドは、平面視において、前記ヘキ開された部分に近い辺の長さが、該ヘキ開された部分に平行な方向の寸法よりも長いことを特徴とする光デバイス。
【請求項２】
前記ヘキ開された部分に近い辺は、平面視において、非直線形状の辺であることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
【請求項３】
前記ヘキ開された部分に近い辺は、平面視において、凹凸形状の辺であることを特徴とする請求項２に記載の光デバイス。
【請求項４】
前記ヘキ開された部分に近い辺は、平面視において、のこぎり刃形状の辺であることを特徴とする請求項２に記載の光デバイス。
【請求項５】
１枚の半導体基板上に複数個が形成され、ヘキ開によって個々に分離された光デバイスであって、
少なくとも１つの発光部と、
前記少なくとも１つの発光部における一の電極と電気的に接続されている少なくとも１つの金属パッドと、
前記少なくとも１つの金属パッドと、前記ヘキ開された部分との間に配置された少なくとも１つのパターンと、を備える光デバイス。
【請求項６】
前記少なくとも１つのパターンの表面は、前記半導体基板の面に直交する方向に関して、前記半導体基板からの距離が前記少なくとも１つの金属パッドの表面と同じかあるいはそれ以上であることを特徴とする請求項５に記載の光デバイス。
【請求項７】
平面視において、前記ヘキ開された部分に平行な方向に関して、前記少なくとも１つのパターンの長さは、前記少なくとも１つの金属パッドの長さよりも短いことを特徴とする請求項５又は６に記載の光デバイス。
【請求項８】
前記少なくとも１つのパターンは、複数のパターンであり、該複数のパターンは、前記ヘキ開された部分に平行な方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項７に記載の光デバイス。
【請求項９】
平面視において、前記ヘキ開された部分に平行な方向に関して、前記少なくとも１つのパターンの長さは、前記少なくとも１つの金属パッドの長さよりも長いことを特徴とする請求項５又は６に記載の光デバイス。
【請求項１０】
前記ヘキ開された部分を複数有し、
前記少なくとも１つのパターンは、前記ヘキ開された複数の部分に個別に対応する複数のパターンであることを特徴とする請求項９に記載の光デバイス。
【請求項１１】
前記複数のパターンは、平面視において、辺縁を取り囲んでいることを特徴とする請求項１０に記載の光デバイス。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの発光部は、垂直共振器型の面発光レーザであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の光デバイス。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの発光部は、複数の発光部であり、
前記少なくとも１つの金属パッドは、前記複数の発光部に個別に対応する複数の金属パッドであることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の光デバイス。
【請求項１４】
光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の光デバイスを有する光源と、
前記光源からの光を偏向する光偏向器と、
前記光偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置。
【請求項１５】
少なくとも１つの像担持体と、
前記少なくとも１つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する請求項１４に記載の光走査装置と、を備える画像形成装置。
【請求項１６】
前記画像情報は、多色のカラー画像情報であることを特徴とする請求項１５に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイス、光走査装置及び画像形成装置に係り、更に詳しくは、ヘキ開によって分離された光デバイス、該光デバイスを有する光走査装置、及び該光走査装置を備える画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ等の光デバイスは、１枚のウエハ上に同時に複数個が形成され、ヘキ開工程において個別に分離されている。このヘキ開工程の概略を説明する。
【０００３】
（１）複数の光デバイスが形成されたウエハの裏面にダイシングフィルムを貼り付ける。
（２）該ダイシングフィルムを金属性のリングに貼り付ける。
（３）ウエハの表面にダイヤモンドペンを用いて互いに直交する２方向にスクライブラインを形成する。
（４）ウエハの表面に保護シートを貼り付ける。この保護シートには、帯電防止剤、及び離型剤としてシリコーンが塗布されている。
（５）スクライブラインの間隔（分離ピッチ）の２倍より狭い間隔で配置された受け刃上に、保護シート側を下にしてウエハを載置する。このとき、スクライブラインが受け刃間隔の中央に位置するようにする。
（６）スクライブラインの真後ろから、セラミック製のカッタの刃を押し当て、所定量（以下、「カット深さ」という）押し込んでウエハをヘキ開する。
（７）他のスクライブラインについても同様にしてヘキ開し、ウエハを短冊状の複数のピースに分割する。これは、「一次ヘキ開」と呼ばれている。
（８）複数のピースをそれぞれスクライブラインでヘキ開し、個々の光デバイスに分割する。これは、「二次ヘキ開」と呼ばれている。
（９）保護シートをはがす。
（１０）５０℃程度に暖めた拡張器を用いてダイシングフィルムを３６０度全ての方向に均等に引き伸ばし、複数の光デバイスを互いに分離する。
【０００４】
例えば、特許文献１には、表面に半導体層を含む基板と、基板上に形成されたポスト構造と、基板上に離間して形成された複数の突出部とを含み、複数の突出部が、ポスト構造と同程度の高さを有する面発光型半導体レーザが開示されている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
発明者等は、複数の発光部を有する面発光レーザアレイを含む光デバイスを、ヘキ開によって歩留まり良く、そして効率良く分離する方法の開発を進めている。そして、開発を進める中で、１ｍｍ角程度の光デバイスのヘキ開において、保護シート表面のシリコーンが、光デバイスにおける厚さ１μｍ程度の金属パッド（電極パッド）端に付着する現象を見出した。金属パッド端に付着したシリコーンは、その後の工程において、金属パッドの表面や光の射出面に移動し、製造歩留まりを低下させていた。
【０００６】
図４１に、金属パッドに付着したシリコーンの顕微鏡写真（平面視）が示されている。この図４１から、シリコーンは、金属パッドの端部で掻き取られたように付着していることがわかる。
【０００７】
また、金属パッドへのシリコーンの付着は、一次ヘキ開及び二次ヘキ開ともに、ヘキ開対象のスクライブラインから離れたほうの端部に発生する傾向があることも確認した。
【０００８】
ところで、チップ上に保護シートからシリコーンからなる異物が付着するのは次の２つの点で不都合がある。１つは、異物がチップ表面を移動して光開口部を覆うと、光出力が低下する点である。もう１つは、シリコーンが金属パッドに付着すると、ワイヤーボンディングが不良となる点である。異物はチップ上を移動する可能性があり、また、ワイヤーボンディングの際には密着不良の原因となるので、金属パッドのみならず、チップ表面にあるのは好ましくない。
【０００９】
本発明は、上述した発明者等の得た新規知見に基づいてなされたもので、第１の観点からすると、１枚の半導体基板上に複数個が形成され、ヘキ開によって個々に分離された光デバイスであって、少なくとも１つの発光部と、前記少なくとも１つの発光部における一の電極と電気的に接続されている少なくとも１つの金属パッドと、を備え、前記少なくとも１つの金属パッドは、平面視において、前記ヘキ開された部分に近い辺の長さが、該ヘキ開された部分に平行な方向の寸法よりも長いことを特徴とする光デバイスである。
【００１０】
これによれば、ヘキ開の際に金属パッドへの異物の付着を低減することができる。
【００１１】
本発明は、第２の観点からすると、１枚の半導体基板上に複数個が形成され、ヘキ開によって個々に分離された光デバイスであって、少なくとも１つの発光部と、前記少なくとも１つの発光部における一の電極と電気的に接続されている少なくとも１つの金属パッドと、前記少なくとも１つの金属パッドと、前記ヘキ開された部分との間に配置された少なくとも１つのパターンと、を備える光デバイスである。
【００１２】
これによれば、ヘキ開の際に金属パッドへの異物の付着を低減することができる。
【００１３】
本発明は、第３の観点からすると、光によって被走査面を走査する光走査装置であって、本発明の光デバイスを有する光源と、前記光源からの光を偏向する光偏向器と、前記光偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置である。
【００１４】
これによれば、光走査の精度を低下させることなく、低コスト化を図ることができる。
【００１５】
本発明は、第４の観点からすると、少なくとも１つの像担持体と、前記少なくとも１つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する本発明の光走査装置と、を備える画像形成装置である。
【００１６】
これによれば、画像品質を低下させることなく、低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係るレーザプリンタの概略構成を説明するための図である。
【図２】図１における光走査装置を示す概略図である。
【図３】レーザチップを説明するための図である。
【図４】レーザチップにおける複数の発光部の配列を説明するための図である。
【図５】発光部の構成を説明するための図である。
【図６】レーザチップの製造方法を説明するための図（その１）である。
【図７】レーザチップの製造方法を説明するための図（その２）である。
【図８】レーザチップの製造方法を説明するための図（その３）である。
【図９】レーザチップの製造方法を説明するための図（その４）である。
【図１０】レーザチップの製造方法を説明するための図（その５）である。
【図１１】レーザチップの製造方法を説明するための図（その６）である。
【図１２】レーザチップにおける電極パッドを説明するための図（その１）である。
【図１３】レーザチップにおける電極パッドを説明するための図（その２）である。
【図１４】面発光レーザ素子の製造方法を説明するための図（その７）である。
【図１５】ダイシングフィルム及び金属リングを説明するための図である。
【図１６】スクライブラインを説明するための図である。
【図１７】保護シートを説明するための図である。
【図１８】受け刃を説明するための図である。
【図１９】ヘキ開工程を説明するための図（その１）である。
【図２０】ヘキ開工程を説明するための図（その２）である。
【図２１】シリコーンの付着メカニズムを説明するための図（その１）である。
【図２２】シリコーンの付着メカニズムを説明するための図（その２）である。
【図２３】シリコーンの付着メカニズムを説明するための図（その３）である。
【図２４】シリコーンの付着メカニズムを説明するための図（その４）である。
【図２５】チップＡでシリコーンが付着しない理由を説明するための図である。
【図２６】図２５の一部を拡大した図である。
【図２７】保護シートの移動量Δｌを説明するための図である。
【図２８】カット深さと保護シートの移動量Δｌ及び保護シートの密着力との関係を説明するための図である。
【図２９】受け刃における間隔Ｌと保護シートの移動量Δｌ及び保護シートの密着力との関係を説明するための図である。
【図３０】電極パッド近傍の空隙を説明するための図である。
【図３１】電極パッドの変形例１を説明するための図である。
【図３２】電極パッドの変形例２を説明するための図である。
【図３３】電極パッド近傍に設けられたパターンの一例を説明するための図である。
【図３４】図３４（Ａ）及び図３４（Ｂ）は、それぞれ図３３のパターンの高さを説明するための図である。
【図３５】電極パッドがエッチング底面に形成される場合を説明するための図（その１）である。
【図３６】電極パッドがエッチング底面に形成される場合を説明するための図（その２）である。
【図３７】電極パッド近傍に設けられたパターンの変形例１を説明するための図である。
【図３８】電極パッド近傍に設けられたパターンの変形例２を説明するための図である。
【図３９】電極パッド近傍に設けられたパターンの変形例３を説明するための図である。
【図４０】カラープリンタの概略構成を説明するための図である。
【図４１】シリコーンの付着を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図３０に基づいて説明する。図１には、一実施形態に係る画像形成装置としてのレーザプリンタ１０００の概略構成が示されている。
【００１９】
このレーザプリンタ１０００は、光走査装置１０１０、感光体ドラム１０３０、帯電装置１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４、クリーニングユニット１０３５、トナーカートリッジ１０３６、給紙コロ１０３７、給紙トレイ１０３８、レジストローラ対１０３９、定着ローラ１０４１、排紙ローラ１０４２、排紙トレイ１０４３、通信制御装置１０５０、及び上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置１０６０などを備えている。なお、これらは、プリンタ筐体１０４４の中の所定位置に収容されている。
【００２０】
通信制御装置１０５０は、ネットワークなどを介した上位装置（例えばパソコン）との双方向の通信を制御する。
【００２１】
プリンタ制御装置１０６０は、ＣＰＵ、該ＣＰＵにて解読可能なコードで記述されたプログラム及び該プログラムを実行する際に用いられる各種データが格納されているＲＯＭ、作業用のメモリであるＲＡＭ、アナログデータをデジタルデータに変換するＡＤ変換回路などを有している。そして、プリンタ制御装置１０６０は、上位装置からの要求に応じて各部を制御するとともに、上位装置からの画像情報を光走査装置１０１０に送る。
【００２２】
感光体ドラム１０３０は、円柱状の部材であり、その表面には感光層が形成されている。すなわち、感光体ドラム１０３０の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム１０３０は、図１における矢印方向に回転するようになっている。
【００２３】
帯電装置１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４及びクリーニングユニット１０３５は、それぞれ感光体ドラム１０３０の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム１０３０の回転方向に沿って、帯電装置１０３１→現像ローラ１０３２→転写チャージャ１０３３→除電ユニット１０３４→クリーニングユニット１０３５の順に配置されている。
【００２４】
帯電装置１０３１は、感光体ドラム１０３０の表面を均一に帯電させる。
【００２５】
光走査装置１０１０は、帯電装置１０３１で帯電された感光体ドラム１０３０の表面を、上位装置からの画像情報に基づいて変調された光束により走査し、感光体ドラム１０３０の表面に画像情報に対応した潜像を形成する。ここで形成された潜像は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って現像ローラ１０３２の方向に移動する。なお、この光走査装置１０１０の構成については後述する。
【００２６】
トナーカートリッジ１０３６にはトナーが格納されており、該トナーは現像ローラ１０３２に供給される。
【００２７】
現像ローラ１０３２は、感光体ドラム１０３０の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ１０３６から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した像（以下では、便宜上「トナー像」ともいう）は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って転写チャージャ１０３３の方向に移動する。
【００２８】
給紙トレイ１０３８には記録紙１０４０が格納されている。この給紙トレイ１０３８の近傍には給紙コロ１０３７が配置されており、該給紙コロ１０３７は、記録紙１０４０を給紙トレイ１０３８から１枚ずつ取り出し、レジストローラ対１０３９に搬送する。該レジストローラ対１０３９は、給紙コロ１０３７によって取り出された記録紙１０４０を一旦保持するとともに、該記録紙１０４０を感光体ドラム１０３０の回転に合わせて感光体ドラム１０３０と転写チャージャ１０３３との間隙に向けて送り出す。
【００２９】
転写チャージャ１０３３には、感光体ドラム１０３０の表面のトナーを電気的に記録紙１０４０に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム１０３０の表面のトナー像が記録紙１０４０に転写される。ここで転写された記録紙１０４０は、定着ローラ１０４１に送られる。
【００３０】
定着ローラ１０４１では、熱と圧力とが記録紙１０４０に加えられ、これによってトナーが記録紙１０４０上に定着される。ここで定着された記録紙１０４０は、排紙ローラ１０４２を介して排紙トレイ１０４３に送られ、排紙トレイ１０４３上に順次、積み重ねられる。
【００３１】
除電ユニット１０３４は、感光体ドラム１０３０の表面を除電する。
【００３２】
クリーニングユニット１０３５は、感光体ドラム１０３０の表面に残ったトナー（残留トナー）を除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム１０３０の表面は、再度帯電装置１０３１に対向する位置に戻る。
【００３３】
次に、前記光走査装置１０１０の構成について説明する。
【００３４】
この光走査装置１０１０は、一例として図２に示されるように、光源１４、カップリングレンズ１５、開口板１６、シリンドリカルレンズ１７、反射ミラー１８、ポリゴンミラー１３、第１走査レンズ１１ａ、第２走査レンズ１１ｂ、及び走査制御装置（図示省略）などを備えている。そして、これらは、光学ハウジング３０の所定位置に組み付けられている。
【００３５】
なお、以下では、便宜上、主走査方向に対応する方向を「主走査対応方向」と略述し、副走査方向に対応する方向を「副走査対応方向」と略述する。
【００３６】
カップリングレンズ１５は、光源１４から射出された光束を略平行光とする。
【００３７】
開口板１６は、開口部を有し、カップリングレンズ１５を介した光束のビーム径を規定する。
【００３８】
シリンドリカルレンズ１７は、開口板１６の開口部を通過した光束を、反射ミラー１８を介してポリゴンミラー１３の偏向反射面近傍に副走査対応方向に関して結像する。
【００３９】
光源１４とポリゴンミラー１３との間の光路上に配置される光学系は、偏向器前光学系とも呼ばれている。本実施形態では、偏向器前光学系は、カップリングレンズ１５と開口板１６とシリンドリカルレンズ１７と反射ミラー１８とから構成されている。
【００４０】
ポリゴンミラー１３は、高さの低い正六角柱状部材からなり、側面に６面の偏向反射面が形成されている。このポリゴンミラー１３は、副走査対応方向に平行な軸のまわりを等速回転しながら、反射ミラー１８からの光束を偏向する。
【００４１】
第１走査レンズ１１ａは、ポリゴンミラー１３で偏向された光束の光路上に配置されている。
【００４２】
第２走査レンズ１１ｂは、第１走査レンズ１１ａを介した光束の光路上に配置されている。そして、この第２走査レンズ１１ｂを介した光束が、感光体ドラム１０３０の表面に照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、ポリゴンミラー１３の回転に伴って感光体ドラム１０３０の長手方向に移動する。すなわち、感光体ドラム１０３０上を走査する。このときの光スポットの移動方向が「主走査方向」である。また、感光体ドラム１０３０の回転方向が「副走査方向」である。
【００４３】
ポリゴンミラー１３と感光体ドラム１０３０との間の光路上に配置される光学系は、走査光学系とも呼ばれている。本実施形態では、走査光学系は、第１走査レンズ１１ａと第２走査レンズ１１ｂとから構成されている。なお、第１走査レンズ１１ａと第２走査レンズ１１ｂの間の光路上、及び第２走査レンズ１１ｂと感光体ドラム１０３０の間の光路上の少なくとも一方に、少なくとも１つの折り返しミラーが配置されても良い。
【００４４】
光源１４は、一例として図３に示されるように、２次元的に配列されている３２個の発光部１４０、及び該３２個の発光部１４０の周囲に設けられ、各発光部に対応した３２個の電極パッド１５０を有するレーザチップ１００を有している。また、各電極パッドは、対応する発光部と配線部材によって電気的に接続されている。
【００４５】
なお、本明細書では、各発光部からの光の射出方向をＺ軸方向、このＺ軸方向に垂直な平面内で互いに直交する２つの方向をＸ軸方向及びＹ軸方向として説明する。
【００４６】
３２個の発光部１４０は、図４に示されるように、全ての発光部をＸ軸方向に延びる仮想線上に正射影したときに、発光部間隔が等しく（図４では「ｄ１」）なるように配置されている。なお、本明細書では、「発光部間隔」とは２つの発光部の中心間距離をいう。
【００４７】
ここでは、各発光部は、発振波長が７８０ｎｍ帯の垂直共振器型の面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ：ＶＣＳＥＬ）である。すなわち、レーザチップ１００は、いわゆる面発光レーザアレイチップである。
【００４８】
各発光部は、一例として図５に示されるように、基板１０１、バッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９、ｐ側電極１１３、及びｎ側電極１１４などを有している。なお、図５は、１つの発光部をＸＺ面に平行に切断したときの切断面を示す図である。
【００４９】
基板１０１は、ｎ−ＧａＡｓ単結晶基板である。
【００５０】
バッファ層１０２は、基板１０１の＋Ｚ側の面上に積層され、ｎ−ＧａＡｓからなる層である。
【００５１】
下部半導体ＤＢＲ１０３は、バッファ層１０２の＋Ｚ側に積層され、ｎ−ＡｌＡｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを４０．５ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ２０ｎｍの組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、発振波長をλとするとλ／４の光学的厚さとなるように設定されている。なお、光学的厚さがλ／４のとき、その層の実際の厚さＤは、Ｄ＝λ／４ｎ（但し、ｎはその層の媒質の屈折率）である。
【００５２】
下部スペーサ層１０４は、下部半導体ＤＢＲ１０３の＋Ｚ側に積層され、ノンドープの（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる層である。
【００５３】
活性層１０５は、下部スペーサ層１０４の＋Ｚ側に積層され、３層の量子井戸層と４層の障壁層とを有する３重量子井戸構造の活性層である。各量子井戸層は、０．７％の圧縮歪みを誘起する組成であるＧａＩｎＡｓＰからなり、バンドギャップ波長が約７８０ｎｍである。また、各障壁層は、０．６％の引張歪みを誘起する組成であるＧａＩｎＰからなる。
【００５４】
上部スペーサ層１０６は、活性層１０５の＋Ｚ側に積層され、ノンドープの（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる層である。
【００５５】
下部スペーサ層１０４と活性層１０５と上部スペーサ層１０６とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、その厚さが１波長の光学的厚さとなるように設定されている。なお、活性層１０５は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。また、共振器反射率は９９％以上となるように設計されている。
【００５６】
上部半導体ＤＢＲ１０７は、上部スペーサ層１０６の＋Ｚ側に積層され、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層とｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを２５ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。
【００５７】
上部半導体ＤＢＲ１０７における低屈折率層の１つには、ｐ−ＡｌＡｓからなる被選択酸化層１０８が厚さ３３ｎｍで挿入されている。
【００５８】
この被選択酸化層１０８の挿入位置は、電界の定在波分布において、活性層１０５から３番目となる節に対応する位置である。
【００５９】
コンタクト層１０９は、上部半導体ＤＢＲ１０７の＋Ｚ側に積層され、ｐ−ＧａＡｓからなる層である。
【００６０】
次に、レーザチップ１００の製造方法について簡単に説明する。なお、上記のように、基板１０１上に複数の半導体層が積層されたものを、以下では、便宜上「積層体」ともいう。
【００６１】
（１）上記積層体を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）あるいは分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）による結晶成長によって作成する（図６参照）。
【００６２】
ここでは、ＭＯＣＶＤ法の場合には、ＩＩＩ族の原料には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用い、Ｖ族の原料には、フォスフィン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ３）を用いている。また、ｐ型ドーパントの原料には四臭化炭素（ＣＢｒ４）を用い、ｎ型ドーパントの原料にはセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を用いている。
【００６３】
（２）積層体の表面の発光部となる複数の部分を、それぞれ一辺が２５μｍの正方形状のレジストパターンでマスクする。また、各レーザチップにおける周囲領域も、エッチングされないようにレジストパターンでマスクする。
【００６４】
（３）Ｃｌ２ガスを用いるＥＣＲエッチング法で、上記レジストパターンをフォトマスクとしてメサ構造体（以下では、便宜上「メサ」と略述する）を形成する。ここでは、エッチングの底面は下部スペーサ層１０４中に位置するようにした。
【００６５】
（４）フォトマスクを除去する（図７参照）。
【００６６】
（５）積層体を水蒸気中で熱処理する。これにより、被選択酸化層１０８中のＡｌ（アルミニウム）がメサの外周部から選択的に酸化され、メサの中央部に、Ａｌの酸化物１０８ａによって囲まれた酸化されていない領域１０８ｂが残留する（図８参照）。すなわち、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する、いわゆる酸化狭窄構造体が形成される。上記酸化されていない領域１０８ｂが電流通過領域（電流注入領域）である。このようにして、例えば幅４μｍ程度の略正方形状の電流通過領域が形成される。
【００６７】
（６）気相化学堆積法（ＣＶＤ法）を用いて、ＳｉＮからなる保護層１１１を形成する（図９参照）。
【００６８】
（７）レーザ光の射出面となるメサ上部にｐ側電極コンタクトの窓開けを行うためのエッチングマスクを作成する。
【００６９】
（８）ＢＨＦにて保護層１１１をエッチングし、ｐ側電極コンタクトの窓開けを行う。
【００７０】
（９）マスクを除去する（図１０参照）。
【００７１】
（１０）メサ上部の光射出部となる領域（射出領域）に一辺１０μｍの正方形状のレジストパターンを形成し、ｐ側の電極材料の蒸着を行う。ｐ側の電極材料としてはＣｒ／ＡｕＺｎ／Ａｕからなる多層膜、もしくはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる多層膜が用いられる。このとき、同時に電極パッド及び配線部材となる部分にもｐ側の電極材料が蒸着される。
【００７２】
（１１）光射出部となる領域に蒸着された電極材料をリフトオフし、ｐ側電極１１３を形成する（図１１参照）。このｐ側電極１１３で囲まれた領域が射出領域である。このとき、同時に電極パッド１５０及び配線部材も形成される（図１２参照）。
【００７３】
電極パッド１５０は、一例として図１３に示されるように、平面視によると、＋Ｘ側の辺が凹凸形状となっている。そこで、電極パッド１５０の＋Ｘ側の辺の長さは、電極パッド１５０のＹ軸方向の寸法ｄよりも長くなる。また、電極パッド１５０の厚さは、約１μｍである。
【００７４】
（１２）基板１０１の裏側を所定の厚さ（例えば、２００μｍ程度）まで研磨した後、ｎ側電極１１４を形成する（図１４参照）。ここでは、ｎ側電極１１４はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる多層膜である。
【００７５】
（１３）アニールによって、ｐ側電極１１３とｎ側電極１１４のオーミック導通をとる。これにより、メサは発光部となり、基板１０１上に複数のレーザチップが形成されたこととなる。なお、以下では、基板１０１上に複数のレーザチップが形成されたものを、便宜上「チップ形成基板２００」という。そして、チップ形成基板２００では、ｐ側電極１１３側（＋Ｚ側）の面を表面、ｎ側電極１１４側（−Ｚ側）の面を裏面という。
【００７６】
（１４）チップ形成基板２００の裏面にダイシングフィルム２１０に貼り付ける。このダイシングフィルム２１０は、厚さが７５μｍの塩化ビニルフィルムであり、その片面にアクリル系粘着剤が１０μｍの厚さで均一に塗布されている。
【００７７】
（１５）ダイシングフィルム２１０を外径が６インチの金属リング２１２に貼り付ける（図１５参照）。
【００７８】
（１６）チップ形成基板２００の表面に、隣接するレーザチップの間隙にダイヤモンドペンを用い、Ｘ軸方向及びＹ軸方向にスクライブラインを形成する（図１６参照）。ここでは、スクライブラインは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向ともに等間隔で形成され、該間隔を分離ピッチｗという。
【００７９】
（１７）チップ形成基板２００の表面に、保護シート２１４を貼り付ける（図１７参照）。この保護シート２１４は、厚さが２５μｍのＰＥＴフィルムである。この保護シート２１４のチップ形成基板２００側の面には、帯電防止剤が塗布され、さらにその上に離型剤としてシリコーンが塗布されている。帯電防止剤が塗布されていないと、２００Ｖ以上の静電気が発生し、レーザチップが静電破壊されるおそれがある。なお、保護シート２１４には粘着性がないため、ダイシングフィルム２１０の粘着面に貼り付けて固定される。
【００８０】
（１８）チップ形成基板２００を、分離ピッチｗの２倍より狭い溝を有する受け刃２２０に、ヘキ開対象のスクライブラインが受け刃２２０の溝の中央に位置するように載置する（図１８参照）。
【００８１】
（１９）ヘキ開対象のスクライブラインの真後ろから、セラミック製のカッタの刃２３０を押し当てる（図１９参照）。ヘキ開対象のスクライブラインの−Ｘ側にあるレーザチップをチップＡとし、ヘキ開対象のスクライブラインの＋Ｘ側にあるレーザチップをチップＢとする。
【００８２】
（２０）カッタの刃２３０を所定量押し込んでチップ形成基板２００をヘキ開する。なお、以下では、カッタの刃２３０の押し込み量を「カット深さ」という。
【００８３】
（２１）同様にして、すべてのスクライブラインに対して、一次ヘキ開及び二次ヘキ開を行う。
【００８４】
（２２）保護シート２１４をはがす。
【００８５】
（２３）５０℃程度に暖めた拡張器を用いて、ダイシングフィルム２１０を３６０度全ての方向に均等に引き伸ばす。これにより、複数のレーザチップは、互いに分離されることとなる。
【００８６】
（２４）複数のレーザチップを、個々にダイシングフィルム２１０からはがす。
【００８７】
そして、いくつかの後工程を経て、レーザチップ１００となる。
【００８８】
ところで、前述したように、発明者らは、１ｍｍ角程度の光デバイスのヘキ開において、保護シート表面のシリコーンが、光デバイスにおける厚さ１μｍ程度の電極パッド端に付着する現象（以下、「シリコーン付着現象」と略述する）を見出した。
【００８９】
そして、発明者らは、シリコーン付着現象の発生メカニズムを、以下のように推測した。
【００９０】
チップ形成基板２００は、カッタの刃２３０が裏面から押し込まれると、その押し込み荷重によって変形する。このとき、チップ形成基板２００の裏面に圧縮応力が発生し、チップ形成基板２００の表面に引張り応力が発生する。その引張り応力はヘキ開対象のスクライブラインの底部に集中する。
【００９１】
さらにカッタの刃２３０が押し込まれ、上記底部における引張り応力が、基板１０１の引張り強さ以上になると、該底部に亀裂が発生する。この亀裂は、チップ形成基板２００の裏面まで直ちに進行する。
【００９２】
一例として図２０に示されるように、ヘキ開対象のスクライブラインの裏側から荷重Ｐがかけられると、保護シート２１４における受け刃直上の部分は、それぞれＰ／２の力でチップ形成基板２００に押し付けられることとなる。すなわち、保護シート２１４における受け刃直上の部分は、他のどの部分よりもチップ形成基板２００に強く押し付けられ、密着している。
【００９３】
この状態で、さらにカッタの刃２３０が押し込まれると、一例として図２１に示されるように、保護シート２１４も押し下げられ、保護シート２１４の移動が起こる。
【００９４】
その結果、チップＢでは、一例として図２２及び図２３に示されるように、ヘキ開対象のスクライブラインから遠いほうにある電極パッドの端部（以下では、便宜上、「外側端部」ともいう）が保護シート２１４の移動量に対応するシリコーンを掻き取ると考えられる。
【００９５】
その後、保護シート２１４を取り除くと、一例として図２４に示されるように、シリコーンの一部がレーザチップに残ってしまう。
【００９６】
一方、チップＡは、一例として図２５及び図２６に示されるように、ヘキ開直後、保護シート２１４に対して自由になり、保護シート２１４の密着力が小さくなるため、チップＡでは、電極パッドの端部にシリコーンの付着が起こらないと考えられる。
【００９７】
次に、保護シート２１４とチップ形成基板２００との密着力について、詳しく検討し、該密着力を試算する。
【００９８】
ヘキ開プロセスは、材料力学でいうところの両端単純支持梁における中央集中荷重問題と考えられる。荷重Ｐが加わる物体の断面形状を長方形と仮定すると、その破壊荷重Ｐｍａｘは次の（１）式で求められる。
【００９９】
Ｐｍａｘ＝（２ｂｈ２／３Ｌ）σ  ……（１）
【０１００】
ここで、ｂはヘキ開面の幅であり、一次ヘキ開の場合には最大で基板１０１の直径、二次ヘキ開の場合にはレーザチップの辺の長さである。ｈはヘキ開面の高さ、Ｌは受け刃２２０における溝の間隔、σは該物体の引張り強さである。
【０１０１】
また、二次ヘキ開の場合は、Ｌ＝２ｂとおけるので、上記（１）式は次の（２）式のように表せる。
【０１０２】
Ｐｍａｘ＝（ｈ２／３）σ  ……（２）
【０１０３】
ヘキ開時には上記（１）式あるいは（２）式で求まる破断荷重Ｐｍａｘがチップ形成基板２００に加わり、受け刃２２０上の保護シートには−Ｚ方向にＰｍａｘ／２の力が作用することになる。
【０１０４】
一例として、３インチのＧａＡｓウエハ（ｈ＝２４０μｍ）上に、１．２ｍｍ角のレーザチップが複数形成されている場合について、ヘキ開時のチップ形成基板と保護シートとの密着力を試算する。なお、ＧａＡｓの引張り強さσとして、１３８Ｍｐａを用いる。また、受け刃２２０における間隔Ｌを２ｍｍとする。
【０１０５】
一次ヘキ開での最大の破断荷重（ｂ＝ウエハ半径の場合）は２００Ｎ（２０．４Ｋｇ）、二次ヘキ開での破断荷重は２．６５Ｎ（２７０ｇ）と見積もられる。つまり、一次ヘキ開時及び２次ヘキ開時には、１個のレーザチップあたり１３５ｇ程度の荷重が加わり、保護シート２１４とチップ形成基板２００とが密着していることになる。
【０１０６】
次に、保護シート２１４の移動量を見積もるために、まず、カッタの刃２３０の押し込み量、つまりカット深さＤを検討する。
【０１０７】
上記両端単純支持梁に中央荷重Ｐを加えた場合の撓み量ｄは、次の（３）式で求められる。ここで、Ｅはヤング率である。ＧａＡｓのヤング率Ｅとして８３ＧＰａを用いる。
【０１０８】
ｄ＝ＰＬ３／４Ｅｂｈ３    ……（３）
【０１０９】
上記（３）式を変形すると、次の（４）式が得られる。
【０１１０】
Ｐ＝４ｄｂｈ３Ｅ／Ｌ３    ……（４）
【０１１１】
一次ヘキ開及び二次ヘキ開での破断加重Ｐｍａｘから、各ヘキ開での撓み量ｄを求めると、一次ヘキ開（ｂ＝７６．２ｍｍ）ではｄ＝４．５μｍ、二次ヘキ開（ｂ＝１．２ｍｍ）ではｄ＝３．８μｍとなる。
【０１１２】
３インチのウエハでも、５μｍ程度撓めば、ヘキ開することが予測される。しかし、実際にはスクライブラインに応力集中が起こるため、試算された撓み量よりも小さな撓み量でヘキ開すると思われる。
【０１１３】
実際のカット深さＤを設定するには、カッタの刃２３０とチップ形成基板２００の平行度の差、チップ形成基板２００を貼り付けているダイシングフィルム２１０における厚さのばらつき、ウエハにおける厚さの面内でのばらつき、保護シート２１４における厚さの面内でのばらつきなどを考慮する必要がある。
【０１１４】
カッタの刃２３０とチップ形成基板２００の平行度を２０μｍ、ダイシングフィルム２１０の厚さを８５μｍ（うち１０μｍ粘着層）、そのばらつきを±１０μｍ、保護シート２１４の厚さを２５μｍ、そのばらつきを±１０％とすると、確実にヘキ開するには、約５０μｍ以上のカット深さが必要となる。さらに、ヘキ開装置の機械精度なども考慮して、カット深さＤとしては８０μｍ程度が選ばれる。
【０１１５】
すなわち、安定してヘキ開するためには、ヘキ開に必要な撓み量より２０倍以上のオーバードライブが必要になる。その結果、チップ形成基板２００及び保護シート２１４は、ヘキ開後もカッタの刃２３０で押し下げられ、保護シート２１４の移動量Δｌ（図２７参照）が増加する。
【０１１６】
ここで、保護シート２１４の移動量Δｌは、次の（５）式を用いて算出した。
【０１１７】
Δｌ＝２Ｄｈ／Ｌ    ……（５）
【０１１８】
上記（５）式から、保護シート２１４の移動量を少なくするには、カット深さＤを浅くすること、及びチップ形成基板２００の厚さｈを薄くすることが効果的なことがわかる（図２８参照）。
【０１１９】
チップ形成基板２００の厚さｈが２４０μｍ、カット深さＤが８０μｍ、受け刃における間隔Ｌが２ｍｍの場合、保護シート２１４の移動量Δｌは約１９μｍと予測される。
【０１２０】
図２９には、カット深さＤを８０μｍ、チップ形成基板２００の厚さｈを２４０μｍとし、受け刃における間隔Ｌを変化させた場合の保護シート２１４の密着力Ｆとその移動量Δｌを計算した結果が示されている。
【０１２１】
以上の考察から、シリコーン付着現象のメカニズムをまとめると、（１）ヘキ開の際に、カット深さＤが大きくなるとともに、保護シート２１４のチップ形成基板２００への密着力Ｆが増加し、保護シート２１４の移動が起こる。そして、（２）ヘキ開直後において、カッタの刃２３０のオーバードライブにより、密着力及び保護シート２１４の移動量ｌが更に増加し、電極パッド１５０の外側端部にシリコーンが掻き取られる。
【０１２２】
そして、電極パッドの外側端部へのシリコーンの付着を低減するには、（Ａ）カッタの刃２３０のオーバードライブ量を小さくする、（Ｂ）ヘキ開時の保護シート２１４の密着力Ｆを小さくする、ことが考えられる。
【０１２３】
上記（Ａ）のオーバードライブ量を小さくするため、及び保護シート２１４の移動量を減少させるためには、チップ形成基板２００の厚さｈを薄くすることが効果的だが、ハンドリング時にわれが発生する割合が増えるという不都合がある。
【０１２４】
そこで、本実施形態では、上記（Ｂ）の密着力Ｆを小さくするため、電極パッド１５０の外側端部の形状を、平面視において、凹凸形状としている。このように、電極パッド１５０の外側端部近傍に、保護シート２１４が密着しない空隙領域を意図的に形成することで、ヘキ開時の密着力を低減することが可能になり、シリコーンの付着を低減することができる。
【０１２５】
本実施形態における電極パッド１５０がヘキ開時の保護シート２１４の密着力を低減できる理由を説明する。
【０１２６】
保護シート２１４に受け刃２２０からの力が加わると、電極パッド１５０の表面での密着力が最も高く、その周囲は段差があるため空隙が形成される。本実施形態では、平面視において、電極パッド１５０の外側端部の形状を凹凸形状としているため、一例として図３０に示されるように、凹部に積極的に空隙領域を形成することが可能となり、保護シート２１４の密着力を低下させることができる。そこで、ヘキ開時に、電極パッド１５０の外側端部が保護シート２１４のシリコーンを掻き取ることを抑制することができる。
【０１２７】
なお、平面視において、電極パッド１５０の外側端部の形状は、凹凸形状に限定されるものではなく、一例として図３１に示されるように、のこぎり刃形状であっても良いし、一例として図３２に示されるように、欠落部を有する形状であっても良い。要するに、電極パッドの外側端部の形状が、平面視において非直線形状であれば良い。
【０１２８】
また、一例として図３３に示されるように、電極パッド１５０の外側端部とヘキ開された部分との間に複数のパターン２４０が離散的に配置されても良い。この場合、Ｚ軸方向に関する位置として、該複数のパターン２４０の表面は、電極パッド１５０の表面と同じかあるいはそれよりも＋Ｚ側である（図３４（Ａ）及び図３４（Ｂ）参照）。具体的には、電極パッド１５０を形成する際に、５μｍ離れた場所に、幅１０μｍ、長さ２０μｍのパターン２４０を２個同時に形成する。該２個のパターン２４０同士は、１０μｍ離して配置されている。
【０１２９】
以上説明したように、本実施形態に係るレーザチップ１００によると、１つの基板上に形成された３２個の発光部１４０と、該３２個の発光部１４０におけるｐ側電極１１３と電気的に接続されている３２個の電極パッド１５０とを備えている。
【０１３０】
そして、ヘキ開工程で、シリコーン付着現象を生じるおそれがある電極パッド１５０は、平面視において、ヘキ開された部分に近い辺の長さが、該ヘキ開された部分に平行な方向の寸法ｄよりも長くなるように設定されている。
【０１３１】
この場合は、チップ形成基板２００の厚さｈが従来よりも厚い場合であっても、保護シート２１４の密着力を低下させることができ、ヘキ開工程で、各電極パッドにシリコーンが付着するのを低減することができる。その結果、製造歩留まりを向上させることができる。すなわち、レーザチップ１００の単価を下げることができる。
【０１３２】
そして、光走査装置１０１０は、光源１４がレーザチップ１００を有しているため、光走査の精度を低下させることなく、低コスト化を図ることができる。
【０１３３】
また、レーザプリンタ１０００は、光走査装置１０１０を備えているため、その結果として、画像品質を低下させることなく、低コスト化を図ることができる。
【０１３４】
なお、上記実施形態では、レーザチップ１００が３２個の発光部を有する場合について説明しているが、これに限定されるものではない。例えば、レーザチップ１００が４０個の発光部を有していても良い。
【０１３５】
また、上記実施形態において、一例として図３５及び図３６に示されるように、電極パッド１５０がエッチング底面に形成されても良い。この場合、ヘキ開工程において、保護シート２１４の密着力を低減させることができる。
【０１３６】
また、上記実施形態において、一例として図３７に示されるように、電極パッド１５０の外側端部とヘキ開された部分との間に、Ｙ軸方向における長さが電極パッド１５０よりも長いパターン２４２が配置されても良い。この場合、Ｚ軸方向に関する位置として、該パターン２４２の表面は、電極パッド１５０の表面と同じかあるいはそれよりも＋Ｚ側である。また、一例として図３８に示されるように、パターン２４２が、平面視において、電極パッド１５０の＋Ｙ側及び−Ｙ側の少なくとも一方に、更に配置されても良い。また、一例として図３９に示されるように、４つのパターン２４２が、平面視において、辺縁を取り囲んでいても良い。
【０１３７】
また、上記実施形態では、発光部の発振波長が７８０ｎｍ帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体の特性に応じて、発光部の発振波長を変更しても良い。
【０１３８】
また、上記レーザチップ１００は、画像形成装置以外の用途にも用いることができる。その場合には、発振波長は、その用途に応じて、６５０ｎｍ帯、８５０ｎｍ帯、９８０ｎｍ帯、１．３μｍ帯、１．５μｍ帯等の波長帯であっても良い。この場合に、活性層を構成する半導体材料は、発振波長に応じた混晶半導体材料を用いることができる。例えば、６５０ｎｍ帯ではＡｌＧａＩｎＰ系混晶半導体材料、９８０ｎｍ帯ではＩｎＧａＡｓ系混晶半導体材料、１．３μｍ帯及び１．５μｍ帯ではＧａＩｎＮＡｓ（Ｓｂ）系混晶半導体材料を用いることができる。
【０１３９】
また、上記実施形態では、画像形成装置としてレーザプリンタ１０００の場合について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１４０】
例えば、レーザ光によって発色する媒体（例えば、用紙）に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。
【０１４１】
例えば、媒体が、ＣＴＰ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  ｔｏ  Ｐｌａｔｅ）として知られている印刷版であっても良い。つまり、光走査装置１０１０は、印刷版材料にレーザアブレーションによって直接画像形成を行い、印刷版を形成する画像形成装置にも好適である。
【０１４２】
また、例えば、媒体が、いわゆるリライタブルペーパーであっても良い。これは、例えば紙や樹脂フィルム等の支持体上に、以下に説明するような材料が記録層として塗布されている。そして、レーザ光による熱エネルギー制御によって発色に可逆性を与え、表示／消去を可逆的に行うものである。
【０１４３】
透明白濁型リライタブルマーキング法とロイコ染料を用いた発消色型リライタブルマーキング法があり、いずれも適用できる。
【０１４４】
透明白濁型は、高分子薄膜の中に脂肪酸の微粒子を分散したもので、１１０℃以上に加熱すると脂肪酸の溶融により樹脂が膨張する。その後、冷却すると脂肪酸は過冷却状態になり液体のまま存在し、膨張した樹脂が固化する。その後、脂肪酸が固化収縮して多結晶の微粒子となり樹脂と微粒子間に空隙が生まれる。この空隙により光が散乱されて白色に見える。次に、８０℃から１１０℃の消去温度範囲に加熱すると、脂肪酸は一部溶融し、樹脂は熱膨張して空隙を埋める。この状態で冷却すると透明状態となり画像の消去が行われる。
【０１４５】
ロイコ染料を用いたリライタブルマーキング法は、無色のロイコ型染料と長鎖アルキル基を有する顕消色剤との可逆的な発色及び消色反応を利用している。レーザ光により加熱されるとロイコ染料と顕消色剤が反応して発色し、そのまま急冷すると発色状態が保持される。そして、加熱後、ゆっくり冷却すると顕消色剤の長鎖アルキル基の自己凝集作用により相分離が起こり、ロイコ染料と顕消色剤が物理的に分離されて消色する。
【０１４６】
また、媒体が、紫外光を当てるとＣ（シアン）に発色し、可視光のＲ（レッド）の光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとＭ（マゼンタ）に発色し、可視光のＧ（グリーン）の光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとＹ（イエロー）に発色し、可視光のＢ（ブルー）の光で消色するフォトクロミック化合物が、紙や樹脂フィルム等の支持体上に設けられた、いわゆるカラーリライタブルペーパーであっても良い。
【０１４７】
これは、一旦紫外光を当てて真っ黒にし、Ｒ・Ｇ・Ｂの光を当てる時間や強さで、Ｙ・Ｍ・Ｃに発色する３種類の材料の発色濃度を制御してフルカラーを表現し、仮に、Ｒ・Ｇ・Ｂの強力な光を当て続ければ３種類とも消色して真っ白にすることもできる。
【０１４８】
このような、光エネルギー制御によって発色に可逆性を与えるものも上記実施形態と同様な光走査装置を備える画像形成装置として実現できる。
【０１４９】
また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、ＣＴスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。
【０１５０】
また、一例として図４０に示されるように、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ２０００であっても良い。
【０１５１】
このカラープリンタ２０００は、４色（ブラック、シアン、マゼンタ、イエロー）を重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、ブラック用のステーション（感光体ドラムＫ１、帯電装置Ｋ２、現像装置Ｋ４、クリーニングユニットＫ５、及び転写装置Ｋ６）と、シアン用のステーション（感光体ドラムＣ１、帯電装置Ｃ２、現像装置Ｃ４、クリーニングユニットＣ５、及び転写装置Ｃ６）と、マゼンタ用のステーション（感光体ドラムＭ１、帯電装置Ｍ２、現像装置Ｍ４、クリーニングユニットＭ５、及び転写装置Ｍ６）と、イエロー用のステーション（感光体ドラムＹ１、帯電装置Ｙ２、現像装置Ｙ４、クリーニングユニットＹ５、及び転写装置Ｙ６）と、光走査装置２０１０と、転写ベルト２０８０と、定着ユニット２０３０などを備えている。
【０１５２】
各感光体ドラムは、図４０中の矢印の方向に回転し、各感光体ドラムの周囲には、回転方向に沿って、それぞれ帯電装置、現像装置、転写装置、クリーニングユニットが配置されている。各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。帯電装置によって帯電された各感光体ドラム表面に光走査装置２０１０により光が照射され、各感光体ドラムに潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像装置により各感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写装置により、転写ベルト２０８０上の記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着ユニット２０３０により記録紙に画像が定着される。
【０１５３】
光走査装置２０１０は、前記レーザチップ１００と同様にして製造されたレーザチップを含む光源を、色毎に有している。そこで、上記光走査装置１０１０と同様の効果を得ることができる。また、カラープリンタ２０００は、この光走査装置２０１０を備えているため、上記レーザプリンタ１０００と同様の効果を得ることができる。
【０１５４】
ところで、カラープリンタ２０００では、各部品の製造誤差や位置誤差等によって色ずれが発生する場合がある。このような場合であっても、点灯させる発光部を選択することで色ずれを低減することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１５５】
以上説明したように、本発明の光デバイスによれば、ヘキ開の際に金属パッドへの異物の付着を低減するのに適している。また、本発明の光走査装置によれば、光走査の精度を低下させることなく、低コスト化を図るのに適している。また、本発明の画像形成装置によれば、画像品質を低下させることなく、低コスト化を図るのに適している。
【符号の説明】
【０１５６】
１１ａ…第１走査レンズ（走査光学系の一部）、１１ｂ…第２走査レンズ（走査光学系の一部）、１３…ポリゴンミラー（光偏向器）、１４…光源、１００…レーザチップ（光デバイス）、１０１…基板、１０３…下部半導体ＤＢＲ、１０４…下部スペーサ層、１０５…活性層、１０６…上部スペーサ層、１０７…上部半導体ＤＢＲ、１４０…発光部、１５０…電極パッド（金属パッド）、２００…チップ形成基板、２１０…ダイシングフィルム、２１２…金属リング、２１４…保護シート、２２０…受け刃、２３０…カッタの刃、２４０…パターン、２４２…パターン、１０００…レーザプリンタ、１０１０…光走査装置、１０３０…感光体ドラム（像担持体）、２０００…カラープリンタ（画像形成装置）、２０１０…光走査装置、Ｋ１，Ｃ１，Ｍ１，Ｙ１…感光体ドラム（像担持体）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１５７】
【特許文献１】特開２００４−３１９５５３号公報
【図１】
2012156170.tif 000003
【図２】
2012156170.tif 000004
【図３】
2012156170.tif 000005
【図４】
2012156170.tif 000006
【図５】
2012156170.tif 000007
【図６】
2012156170.tif 000008
【図７】
2012156170.tif 000009
【図８】
2012156170.tif 000010
【図９】
2012156170.tif 000011
【図１０】
2012156170.tif 000012
【図１１】
2012156170.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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