(57)【要約】【課題】割裂治具によりダイシングテープに引っ張り応力を加えた場合に、ダイボンディング層をＸ方向及びＹ方向に延びる割裂方向に沿って確実に割裂し得るダイシング−ダイボンディングテープを提供する。【解決手段】半導体ウェーハ５からダイボンディング層ごと半導体チップ５Ａを取り出すために用いられるダイシング−ダイボンディングテープ１であり、粘接着剤からなるダイボンディング層４と、ダイボンディング層４の一方面に積層されているダイシングテープ層２とを備え、ダイボンディング層４を平面視した場合、ダイボンディング層４の中心を通る第１の直線の延びる方向をＸ方向、ダイボンディング層４の中心を通り第２の直線の延びる方向をＹ方向としたときに、ダイボンディング層４のＸ方向寸法とＹ方向寸法とが異なっている、ダイシング−ダイボンディングテープ１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハから、ダイボンディング層ごと半導体チップを取り出すために用いられるダイシング−ダイボンディングテープであって、
粘接着剤からなるダイボンディング層と、
前記ダイボンディング層の一方の面側に積層されたダイシングテープ層とを備え、
前記ダイボンディング層を平面視した場合、前記ダイボンディング層の中心を通る第１の直線の方向をＸ方向、前記ダイボンディング層の中心を通り、前記第１の直線と直交する第２の直線の延びる方向をＹ方向としたときに、ダイボンディング層のＸ方向寸法と、Ｙ方向寸法とが異なっている、ダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項２】
前記ダイボンディング層と前記ダイシングテープ層との間に積層されている基材層をさらに備え、該基材層のダイボンディング層に接している部分が非粘着性材料からなる、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項３】
前記基材層が非粘着性材料からなる、請求項２に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項４】
前記基材層の平面形状が前記ダイボンディング層の平面形状と等しくされている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項５】
前記ダイボンディング層の平面形状が楕円であり、該楕円の長軸が前記Ｘ方向に延び、短軸が前記Ｙ方向に延びる、請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項６】
前記ダイボンディング層の前記Ｘ方向両端部分が、第１の曲率を有する円弧状であり、前記ダイボンディング層の前記Ｙ方向両端部分が前記第１の曲率よりも曲率が小さい第２の曲率を有する円弧状の形状を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項７】
前記ダイボンディング層の平面形状が、前記Ｙ方向両端において欠落部が設けられている略円形の形状であり、該欠落部において、ダイボンディング層の外縁が、前記Ｘ方向と平行に延ばされている、請求項１〜６のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハから個々の半導体チップをダイボンディング層ごとピックアップするのに用いられるダイシング−ダイボンディングテープに関し、より詳細には、ダイシングテープを拡張することによりダイシングテープに積層されたダイボンディング層を割裂することにより、ダイボンディング層を個片化するためのダイシング−ダイボンディングテープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハから半導体チップを切り出す方法として、先ダイシング法と称されているダイシング法が用いられている。例えば下記の特許文献１には、先ダイシング法の一例が開示されている。
【０００３】
特許文献１に記載の先ダイシング法では、まず、円形の半導体ウェーハの一方面から、切込みを形成する。この切込みは、半導体ウェーハの面内における任意の方向であるＸ方向と、Ｘ方向と直交する方向であるＹ方向に延びるように形成する。次に、切込みが形成されている半導体ウェーハ面に、保護シートを貼り付ける。しかる後、半導体ウェーハの保護シートが貼り付けられた面とは反対側の面から切込みが形成されている部分まで研削する。このようにして、半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する。それによって、薄い多数の半導体チップを形成することができる。
【０００４】
他方、下記の特許文献２に記載のように、半導体ウェーハのダイシングすべき領域内に焦点を合わせてパルスレーザーを照射する方法も知られている。この場合には、上記Ｘ方向及びＹ方向に延びる分割ラインに上記レーザー光を照射し、改質する。この改質された領域の強度が低下するため、面方向に外力を加えることにより、半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割することができる。
【０００５】
ところで、特許文献２に記載のように、先ダイシングされた半導体ウェーハや、上記レーザー光の照射により分割領域が改質された半導体ウェーハから、個々の半導体チップを基板上に実装するために、ダイボンディングフィルムと称されている接着フィルムが従来より用いられている。
【０００６】
すなわち、先ダイシングされた半導体ウェーハや上記変質領域が形成された半導体ウェーハの裏面にダイボンディングフィルムを積層し、さらに該ダイボンディングフィルムの反対側の面に拡張可能なダイシングテープを積層する。次にダイシングテープに円環状のダイシングリングを貼り付ける。そして、円筒状の割裂治具によりダイシングテープを突き上げて、ダイシングテープを拡張する。それによって、先ダイシングされた半導体ウェーハの半導体チップ間を広げたり、上記変質層が分割ラインに設けられた半導体ウェーハに外力を加えることにより該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する。この外力により、ダイボンディングフィルムもまた、半導体チップとともに分割される。それによって、ダイボンディングフィルムも個片化される。従って、半導体チップを、該半導体チップの下面の個片化されたダイボンディングフィルムごと取り出すことができ、基板上に実装することができる。
【０００７】
特許文献２では、上記外力によりダイボンディングフィルムの分割を容易とするために、ダイボンディングフィルムに赤外光などの電磁波を照射する方法が開示されている。
【０００８】
また、下記の特許文献３には、上記ダイボンディングフィルムの割裂を容易とするために、ダイボンディングフィルムを、該フィルムを構成している樹脂のガラス転移温度以下に冷却する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−２４５４６７号公報
【特許文献２】特開２００６−８０１４２号公報
【特許文献３】特開２００７−２７２５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のように、先ダイシングされた半導体ウェーハや上記変質層が形成された半導体ウェーハにダイボンディングフィルムが積層されている構造から半導体チップをダイボンディングフィルムごとピックアップするに際しては、ダイシングテープを拡張し、ダイボンディングフィルムを割裂する必要があった。この場合、円筒状の割裂治具をダイシングテープに圧接させ、ダイシングテープを径方向外側に引っ張る。それによって、上記Ｘ方向及びＹ方向に延びるダイシングラインや割裂ラインに沿ってダイボンディングフィルムを割裂させる。
【００１１】
この場合、図７に模式的平面図で示すように、ダイシングテープ１０１の下面にダイボンディング層１０２が積層されている構造において、ダイシングテープ１０１に径方向外側に広がる応力が加わることになる。この応力は、円筒状の割裂治具をダイシングテープ１０１を圧接させることにより与えられる。従って、図示の矢印で示すように、上記引っ張り応力は、円形のダイシングテープ１０１の中心から径方向外側に作用することとなる。
【００１２】
他方、ダイボンディング層１０２の割裂すべきラインは、前述したように、Ｘ方向及びＹ方向に延びている。従って、上記ダイシングテープに加わる引っ張り応力によって、ダイボンディング層が割裂すべきラインに沿って確実に割裂されないことがあった。すなわち、図７の矢印Ｘ方向及びＹ方向がダイボンディング層１０２の割裂すべきラインの方向とすると、Ｘ１で示す方向に加わる応力が作用する部分では、Ｙ方向に延びる割裂すべきラインの両側のダイボンディング層が確実に割裂される。これに対して、例えば矢印Ａで示すように、Ｘ方向やＹ方向と斜め方向に交差する方向に応力が加わる部分では、該引っ張り応力によって、Ｘ方向あるいはＹ方向に延びる切込みの両側のダイボンディング層が充分に割裂しないことがあった。そのため、半導体チップのピックアップ不良が生じることがあった。
【００１３】
本発明の目的は、割裂治具によりダイシングテープに引っ張り応力を加えた場合に、ダイボンディング層をＸ方向及びＹ方向に延びる割裂方向に沿って確実に割裂できるダイシング−ダイボンディングテープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、半導体ウェーハから、ダイボンディング層ごと半導体チップを取り出すために用いられるダイシング−ダイボンディングテープであって、粘接着剤からなるダイボンディング層と、前記ダイボンディング層の一方の面側に積層されたダイシングテープ層とを備え、前記ダイボンディング層を平面視した場合、前記ダイボンディング層の中心を通る第１の直線の延びる方向をＸ方向、前記ダイボンディング層の中心を通り、前記第１の直線と直交する第２の直線の延びる方向をＹ方向としたときに、ダイボンディング層のＸ方向寸法と、Ｙ方向寸法とが異なっている、ダイシング−ダイボンディングテープである。
【００１５】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記ダイボンディング層と前記ダイシングテープ層との間に積層されている基材層をさらに備え、該基材層のダイボンディング層に接している部分が非粘着性材料からなる。この場合には、ダイボンディング層の割裂後に、半導体チップをダイボンディング層ごと基材層から容易に剥離し、ピックアップすることができる。該基材層は、その全体が非粘着性材料により形成されていてもよい。
【００１６】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの他の特定の局面では、前記基材層の平面形状は前記ダイボンディング層と同一の形状とされている。従って、割裂に際し、ダイボンディング層とともに基材層を容易に伸長させることができる。
【００１７】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのさらに特定の局面では、前記ダイボンディング層の平面形状が楕円であり、該楕円の長軸が前記Ｘ方向に延び、短軸が前記Ｙ方向に延びる。
【００１８】
また、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのさらに別の特定の局面では、前記ダイボンディング層の前記Ｘ方向両端部分が、第１の曲率を有する円弧状であり、前記ダイボンディング層の前記Ｙ方向両端部分が前記第１の曲率よりも曲率が小さい第２の曲率を有する円弧状の形状を有する。
【００１９】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのさらに他の特定の局面では、前記ダイボンディング層の平面形状が、前記Ｙ方向両端において欠落部が設けられている略円形の形状であり、該欠落部において、ダイボンディング層の外縁が、前記Ｘ方向と平行に延ばされている。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープによれば、ダイボンディング層のＸ方向に沿う寸法が、Ｙ方向に沿う寸法よりも長くされているので、ダイボンディングテープに径方向外側への引っ張り応力を加えた場合、ダイボンディング層がＸ方向において伸長しやすい。従って、先ず、ダイボンディング層がＹ方向と平行な方向に沿って割裂する。次に、ダイボンディングテープに径方向外側への引っ張り応力をさらに加えることにより、Ｙ方向に沿っても伸長し、Ｘ方向と平行な方向にダイボンディング層を割裂することができる。よって、ダイシング−ダイボンディングテープにおけるＸ方向及びＹ方向を、半導体ウェーハを個片化するための前述したＸ方向及びＹ方向と一致させておくことにより、ダイボンディング層を個々の半導体チップ単位に確実に割裂することができる。よって、半導体チップのピックアップ不良を著しく少なくすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープに半導体ウェーハを積層させた状態を示す平面図であり、（ｂ）は、その正面断面図である。
【図２】先ダイシングされた半導体ウェーハを説明するための模式的平面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態のダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリング上に配置した状態を示すＸ方向に沿う断面図及びＹ方向に沿う断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態のダイシング−ダイボンディングテープを用いてダイボンディング層を割裂する工程を説明するための断面図であり、（ａ）は、第１の引っ張り応力付与工程後のＸ方向に沿う断面図であり、（ｂ）は、第１の引っ張り応力付与工程後のＹ方向に沿う断面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態のダイシング−ダイボンディングテープを用いてダイボンディング層を割裂する工程を説明するための断面図であり、（ａ）は、第２の引っ張り応力付与工程後のＸ方向に沿う断面図であり、（ｂ）は、第２の引っ張り応力付与工程後のＹ方向に沿う断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを示す平面図である。
【図７】従来のダイシング−ダイボンディングテープの問題点を説明するための模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２３】
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態のダイシング−ダイボンディングテープ上に先ダイシングされた半導体ウェーハが積層された状態を示す平面図及び正面断面図である。
【００２４】
ダイシング−ダイボンディングテープ１は、ダイシングテープ層２上に、基材層３及びダイボンディング層４を積層した構造を有する。ダイボンディング層４上に、先ダイシングされた半導体ウェーハ５が積層されている。
【００２５】
本実施形態では、ダイシングテープ層２は、円形の平面形状を有し、テープ本体層２ａと、テープ本体層２ａの上面に設けられた粘着剤層２ｂとを有する。
【００２６】
テープ本体層２ａは、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの適宜の合成樹脂からなる。もっとも、後述するダイシングに際してのエクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィンが好適である。
【００２７】
また、粘着剤層２ｂは、アクリル系粘着剤やゴム系粘着剤などの適宜の粘着剤により構成されている。この粘着剤層２ｂと、基材層３との間の粘着力は、基材層３とダイボンディング層４との粘着力よりも高くされている。それによって、ダイボンディング層４を割裂した後に、半導体ウェーハ５から個片化された半導体チップ５Ａを割裂により個片化されたダイボンディング層片と共に容易にピックアップすることができる。
【００２８】
基材層３は、例えば、活性エネルギー線硬化型又は熱硬化型の粘着性を有する組成物を用いて形成できる。基材層３が非粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線の照射量を多くすればよい。基材層３が粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線を照射しなかったり、活性エネルギー線の照射量を少なくすればよい。
【００２９】
基材層３は、アクリル系ポリマーを含む組成物により形成されていることが好ましい。基材層３は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されていることが好ましい。また、基材層３の極性、貯蔵弾性率又は破断伸度を容易に制御及び設計できる。
【００３０】
上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーとして、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが好適に用いられる。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーの使用により、基材層３の極性を充分に低くすることができ、基材層３の表面エネルギーを低くすることができ、かつダイボンディング層４の基材層３からの剥離性を高くすることができる。
【００３１】
上記組成物は、活性エネルギー線反応開始剤及び熱反応開始剤の内の少なくとも一方を含むことが好ましく、活性エネルギー線反応開始剤を含むことがより好ましい。活性エネルギー線反応開始剤は、光反応開始剤であることが好ましい。
【００３２】
上記活性エネルギー線には、紫外線、電子線、α線、β線、γ線、Ｘ線、赤外線及び可視光線が含まれる。これらの活性エネルギー線のなかでも、硬化性に優れ、かつ硬化物が劣化し難いため、紫外線又は電子線が好ましい。
【００３３】
上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を使用できる。上記熱反応開始剤としては、熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記組成物には、粘着力を制御するためにイソシアネート系架橋剤を添加してもよい。
【００３４】
ダイボンディング層４は、半導体ウェーハ５を貼り付ける部分である。本実施形態では、円形の半導体ウェーハ５がダイボンディング層４に貼り付けられる。また、後述するように、ダイボンディング層４は、割裂により個片化され、半導体チップ５Ａと共に、ピックアップされ、半導体チップ搭載基板や他の半導体チップに接合するために用いられる。
【００３５】
上記ダイボンディング層４は、適宜の粘接着剤からなる。このような粘接着剤としては、ポリイミド系接着剤やアクリル系粘着剤などを用いることができる。
【００３６】
なお、本実施形態では、基材層３が設けられているが、基材層３は省略されてもよい。もっとも、基材層３を設けることにより、個片化されたダイボンディング層４を、半導体チップ５Ａと共に基材層３から容易に剥離することができる。従って、基材層３が設けられていることが好ましい。
【００３７】
本実施形態のダイシング−ダイボンディングテープ１の特徴は、図１（ａ）に示すように、楕円形状を有することにある。また、基材層３も、ダイボンディング層４と同じ平面形状を有し、図１（ａ）に示すように、両者の外周縁が一致するように積層されている。
【００３８】
図１（ａ）において、上記楕円の長軸方向に延びる直線を第１の直線６とする。また、上記楕円の短軸方向に延びる直線を第２の直線７とする。第１の直線６と第２の直線７とは直交している。この第１の直線６の延びる方向をＸ方向、第２の直線７の延びる方向をＹ方向とする。なお、第１，第２の直線６，７は、楕円の長軸及び短軸方向であるため、楕円形状のダイボンディング層４の中心を通っている。
【００３９】
ダイボンディング層４のＸ方向寸法は、上記長軸方向の寸法であるため、Ｙ方向寸法である短軸方向の寸法よりも大きくされている。本実施形態のダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイボンディング層４及び基材層３が上記形状を有するため、後述する割裂方法から明らかなように、ダイボンディング層４を確実にＸ方向及びＹ方向において割裂することができる。これを、以下において具体的に説明する。
【００４０】
本実施形態のダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた半導体チップをピックアップするには、先ず、上記ダイシング−ダイボンディングテープ１を用意する。他方、図２に示す半導体ウェーハ５を別途用意する。図２に示すように、半導体ウェーハ５は、多数の半導体チップ５Ａがマトリックス状に集合された状態とされている。すなわち、半導体ウェーハ５を、図２のＸ１方向及びＹ１方向に沿ってダイシングすることにより、半導体ウェーハ５が先ダイシングされている。このような構造は、周知の先ダイシング方法により得ることができる。例えば、支持体上に半導体ウェーハ５を取り付け、半導体ウェーハ５の露出している面からＸ１方向及びＹ１方向にダイシングする。このダイシングはレーザダイシングやダイシングブレードを用いた様々な方法で行い得る。次に、半導体ウェーハ５の露出している面に転写用支持シート８を貼り付ける。しかる後、上記支持体を剥離し、剥離により露出した半導体ウェーハ部分を研磨し、半導体ウェーハの厚みを薄くする。このようにして、図２に示すように、転写用支持シート８に支持された、先ダイシング済みの半導体ウェーハ５を得ることができる。
【００４１】
なお、先ダイシング済みの半導体ウェーハに限らず、前述したような半導体チップ間に改質層を形成し、分割ラインを設けた半導体ウェーハを用いてもよい。この場合、分割ラインは、上記Ｘ１方向及びＹ１方向に延びることとなる。このような半導体ウェーハを用いた場合は、後述のダイボンディング層４の割裂に際し、半導体ウェーハ５もまた分割ラインに沿って確実に分割され、個片化されることとなる。
【００４２】
図２に示した半導体ウェーハ５を、ダイシング−ダイボンディングテープ１のダイボンディング層４上に貼り合わせ、しかる後、転写用支持シート８を剥離する。このようにして、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１のダイボンディング層４上に半導体ウェーハ５が積層された構造を得ることができる。この場合、半導体ウェーハ５の上記分割ラインであるＸ１方向が、上記Ｘ方向と平行となるように、また、分割ラインの延びるＹ１方向が図１（ａ）の第２の直線７の延びる方向すなわちＹ方向と平行となるように、半導体ウェーハ５をダイボンディング層４上に貼り付ける。また、半導体ウェーハ５の中心とダイボンディング層４の中心とを一致させるようにして、半導体ウェーハ５を貼り付ける。
【００４３】
次に、ダイシングテープ層２のダイボンディング層４よりも外側の領域において、円環状のダイシングリングを粘着剤層２ｂ上に貼り付ける。ダイシングリングの材料としては、金属などの剛性材料を用いることができる。
【００４４】
次に、ダイシングリングにより支持された積層体を、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、円筒状の割裂治具１２上に載置する。なお、図３（ａ），（ｂ）及び以下の図４（ａ），（ｂ）、図５（ａ），（ｂ）では粘着剤層２ｂの図示は省略する。図３（ａ）及び（ｂ）は、図１（ａ）のＸ方向及びＹ方向に沿う各断面図である。
【００４５】
割裂治具１２は、円筒状の形状を有し、図３（ａ）及び（ｂ）では、その下方部分は図示を省略してあることを指摘しておく。円筒状の割裂治具１２は、ステンレスなどの金属あるいは適宜の剛性材料からなる。該割裂治具１２の外径は、ダイシングリング１１の内径よりも小さくされている。
【００４６】
割裂に際しては、ダイシングリング１１の高さ位置を固定し、割裂治具１２を上方に突き上げるか、または割裂治具１２を固定し、ダイシングリング１１を下方へ押し下げる。それによって、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシングテープ層２が径方向外側へ伸長されることとなる。この場合、ダイシングテープ層２は、その中心から径方向外側に対して均一に引っ張られることになる。
【００４７】
しかしながら、基材層３及びダイボンディング層４のＸ方向寸法がＹ方向寸法よりも長い。従って、上記径方向外側への引っ張り応力は、Ｘ方向において相対的に大きく、Ｙ方向においては相対的に小さく作用する。よって、上記割裂治具１２を突き上げた場合、図４（ａ）に示すように、先ず、図４（ａ）の紙面−紙背方向であるＹ方向に沿う割裂ラインに沿って、ダイボンディング層４が割裂することとなる。この場合、図４（ｂ）に示すように、Ｘ方向においては、ダイボンディング層４及び基材層３の延びがダイシングテープ層２に対して相対的に小さいため、ダイボンディング層４が割裂し難い。
【００４８】
上記割裂治具１２をさらに上方に突き上げることにより、ダイシングテープ層２に径方向外側への引っ張り応力をより強く与える。その結果、図５（ａ）に示すように、Ｙ方向に延びる割裂ラインに沿って、ダイボンディング層４が割裂された状態が維持されるだけでなく、図５（ｂ）に示すように、図５（ａ）の紙面−紙背方向であるＸ方向に延びる割裂ラインに沿っても、ダイボンディング層４が割裂されることとなる。従って、ダイボンディング層４を、Ｘ方向に平行な方向及びＹ方向に平行な方向に確実に割裂させることができる。
【００４９】
前述したように、図７に示した従来のダイボンディングフィルムでは、ダイシングテープには径方向外側に引っ張られた場合、引っ張り応力がダイシングテープの中心から径方向外側に均一に引っ張り応力が加わっていた。そのため、Ｘ方向やＹ方向に斜め方向に交差する方向にも大きな引っ張り応力が加わっていた。従って、ダイボンディング層が割裂すべきラインに沿って確実に割裂されないことがあった。
【００５０】
これに対して、本実施形態によれば、ダイボンディング層４のＸ方向寸法がＹ方向寸法に比べて長いため、引っ張り応力を加え始めた段階で先ずＹ方向に延びる割裂ラインに沿った割裂が確実に行われる。ダイシングテープを径方向外側へさらに伸長させることにより、Ｘ方向に延びる割裂ラインに沿ってダイボンディング層４が割裂されることとなる。よって、ダイボンディング層４に、Ｘ方向及びＹ方向に斜め方向に交差する方向に大きな力が加わり難いため、ダイボンディング層４を確実にＸ方向及びＹ方向に割裂することができる。
【００５１】
なお、上記実施形態では、基材層３は、ダイボンディング層４と同じ平面形状を有していたが、基材層３は、ダイボンディング層４と同じ平面形状を有しておらずともよい。
【００５２】
また、上記実施形態では、ダイボンディング層４は、楕円形状を有しており、Ｘ方向寸法はＹ方向寸法よりも長くされていたが、逆に、Ｙ方向寸法がＸ方向寸法よりも長くされていてもよい。その場合には、引っ張り応力を加え始めたとき、先にＹ方向に延びる割裂ラインに沿って半導体ウェーハ５が割裂し、次に、Ｘ方向に延びる割裂ラインに沿って半導体ウェーハ５が割裂することになる。
【００５３】
また、本実施形態では、楕円形状のダイボンディング層４を示したが、本発明においては、ダイボンディング層４の平面形状は楕円形に限定されるものではない。例えば、ダイボンディング層の上記Ｘ方向両端部分が、第１の曲率を有する円弧状であり、ダイボンディング層のＹ方向両端部分が第１の曲率よりも曲率が小さい第２の曲率を有する円弧状の形状を有しておればよく、このような条件を満たす限り、楕円形状に限定されるものではない。
【００５４】
また、図６に示す変形例のように、Ｙ方向両端に欠落部が設けられている略円形の形状を有するダイボンディング層４Ａを用いてもよい。この欠落部においては、ダイボンディング層４Ａの外縁４ｂ，４ｃが上記Ｘ方向と平行に延ばされている。なお、破線Ｄは当接されるダイシングリングの内線の位置を示す。このようなダイボンディング層４Ａにおいても、Ｘ方向寸法が、Ｙ方向寸法に比べて長くされているので、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。この場合においても、欠落部は、Ｙ方向両端ではなく、Ｘ方向両端に設けられていてもよい。
【００５５】
すなわち、本発明においては、ダイボンディング層は、Ｘ方向寸法とＹ方向寸法とが異なる限り、様々な形状に変形することができる。
【符号の説明】
【００５６】
１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…ダイシングテープ層
２ａ…テープ本体層
２ｂ…粘着剤層
３…基材層
４…ダイボンディング層
４ｂ，４ｃ…外縁
５…半導体ウェーハ
５Ａ…半導体チップ
６…第１の直線
７…第２の直線
８…転写用支持シート
１１…ダイシングリング
１２…割裂治具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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