(57)【要約】【課題】電極間に温度差が生じる場合であっても、プラズマ放電中の電極間の距離を測長治具を用いて首尾良く測定するための技術を提供すること。【解決手段】メス部品２２０、およびメス部品２２０に嵌挿されているオス部品２１０を備えている測長治具２００をプラズマ放電のための第１の電極１１および第２の電極１２の間に配置して、プラズマ放電中の第１の電極１１および第２の電極１２の間の距離を測定する測長方法であって、プラズマ放電中、第２の電極１２は、第１の電極１１よりも高温となり、測長治具２００は、オス部品２１０が第２の電極１２に接するように配置される、測長方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の部品、および第１の部品に嵌挿されている第２の部品を備えている測長治具をプラズマ放電のための第１の電極および第２の電極の間に配置して、プラズマ放電中の第１の電極および第２の電極の間の距離を測定する測長方法であって、
該プラズマ放電中、第２の電極は、第１の電極よりも高温となり、
該測長治具は、第２の部品が第２の電極に接するように配置されることを特徴とする測長方法。
【請求項２】
第２の電極は、第１の電極の鉛直下方に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の測長方法。
【請求項３】
第２の部品は、第２の部品が第１の部品の鉛直下方にある状態で上記測長治具を支持するための脚部を備えていることを特徴とする請求項２に記載の測長方法。
【請求項４】
上記、第２の電極はヒーターによって加熱されることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の測長方法。
【請求項５】
上記測長治具は、露出面が絶縁材料によって形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の測長方法。
【請求項６】
第１の電極および第２の電極は、プラズマＣＶＤ装置の対向電極を構成していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の測長方法。
【請求項７】
第１の部品、および第１の部品に嵌挿されている第２の部品を備え、プラズマ放電のための第１の電極および第２の電極の間に配置して、プラズマ放電中の第１の電極および第２の電極の間の距離を測定するための測長治具であって、
第２の部品が、第１の部品の鉛直下方に第２の部品がある状態で該測長治具を支持するための脚部を備えていることを特徴とする測長治具。
【請求項８】
露出面が絶縁材料によって形成されていることを特徴とする請求項７に記載の測長治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ放電中の電極間の距離を測定する測長方法およびプラズマ放電中の電極間の距離を測定するための測長治具に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、成膜処理やエッチング処理において、例えばマイクロ波や高周波を用いたプラズマＣＶＤ装置（プラズマ処理装置）が使用されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、基板に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置が開示されている。一般的に、プラズマＣＶＤ装置は、高周波電源に接続されたカソ−ド電極と、カソ−ド電極に対向するように基板を支持するサセプタ（アノ−ド電極）とをチャンバ内に備えている。上記カソ−ド電極は、ガス導入系とも接続されており、処理ガス供給部材としても働く。プラズマＣＶＤ装置では、ガス導入系からカソ−ド電極を介して処理室内に処理ガスを供給し、両電極に高周波電圧を印加すると、カソ−ド電極とアノ−ド電極との間に発生したプラズマが処理ガスを活性化させ、この活性化された処理ガスがアノ−ド電極上の基板に到達して薄膜を形成する。
【０００４】
このとき、基板上に形成される薄膜の膜厚及び膜質はプラズマ放電領域の距離、すなわちカソ−ド電極とアノ−ド電極との間の距離（以下、「ギャップ長」とも称する。）によって大きく左右される。ギャップ長を適切に調整するためには、ギャップ長を測定するための技術が必要となる。特許文献１〜４は、ギャップ長を測定する技術について開示している。
【０００５】
特許文献１には、距離センサユニットを電極間に配置してギャップ長を測定する技術が記載されている。特許文献２には、高周波電力の電圧と電流との位相差によって電極間距離を検知する技術が記載されている。位相差は電極間の容量に依存し、電極間の容量は電極間距離に依存するものであるため、位相差を用いて電気的に電極間距離を知ることができる。特許文献３には、レ−ザ−を用いた距離計測計を使用することによってギャップ長を測定することが記載されている。
【０００６】
但し、特許文献１に記載の技術は、接近センサからリ−ド線の引き出しが必要なため、放電安定性を損うおそれがあり、また、高周波電圧の印加中は電気信号にノイズが発生するため、プラズマ放電中の測定が困難である。また、特許文献２に記載の技術は、実測式ではないため計測精度に問題が生じ易く、また、電極間の特定部位におけるギャップ長を測定することができない。そのため、電極が傾いている場合などに対応できない。また、特許文献３に記載の技術は、複雑なレ−ザ−計測装置を使用する必要がある。
【０００７】
一方、図４に示すような測長治具４００を電極間に配置してギャップ長を測定することも行われている（特許文献４参照）。この方式によれば、簡易に、プラズマ放電中のギャップ長の測定が可能であり、また、電極間の特定部位におけるギャップ長を測定することもできる。
【０００８】
図４（ａ）は測長治具４００の斜視図であり、図４（ｂ）は測長治具４００の断面図である。図４に示すように、測長治具４００は、中央に凹部４０を有するメス部品４２と、メス部品４２の凹部４０に嵌挿されているオス部品４１とを備えている。外力４３が加わった場合、オス部品４１はメス部品４２の凹部４０に入り込むように移動し、移動した状態でその時の位置関係を保持する。
【０００９】
図５は、測長治具４００を使用してプラズマＣＶＤ装置５００の第１の電極５１および第２の電極５２の間の距離を測定する様子を示した断面図である。第１の電極５１は高周波発生器５３に接続され、第２の電極５２はグランド５６に接続され、空間５４にプラズマを発生させる。測長治具４００は、オス部品４１の上面４４が第１の電極５１に対向し、メス部品４２の下面４５が第２の電極５２に接するように配置される。空間５４にプラズマが発生すると、第１の電極５１および第２の電極５２はプラズマの熱によって変形し、測長治具４００に外力５５が加わる。測長治具４００は、オス部品４１がメス部品４２の凹部４０に入り込むように移動し、移動した状態でその時の位置関係を保持する。そして、測長治具４００の高さ（最上面４４と最下面４５との間の距離Ｌ３）を測定することにより、プラズマ放電中のギャップ長を知ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平３−１２７８２２号公報（１９９１年５月３０日公開）
【特許文献２】特開２００１−２４４２０６号公報（２００１年９月７日公開）
【特許文献３】特開２００７−２２７５２２号公報（２００７年９月６日公開）
【特許文献４】特開２０００−２８３０４号公報（２０００年１月２８日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述したようなプラズマＣＶＤ装置を用いてプラズマ放電を行う際、下部の電極（図５の第２の電極５２）が、上部の電極（図５の第１の電極５１）よりも高温になる場合がある。例えば、基板の温度を調節するために、基板を載置するための下部の電極に、ヒーターが設けられ、当該下部の電極が当該ヒーターによって加熱され、上部の電極よりも高温になる場合がある。
【００１２】
このとき、図４に示すような測長治具４００を用いてギャップ長を測定する際、より高温な第２の電極５２に接するメス部品４２の方が、第１の電極５１に接するオス部品４１よりも熱膨張量が大きくなる。そのため、凹部４０がオス部品４１よりも広がり、オス部品４１とメス部品４２との嵌合状態が解かれ、オス部品４１が、メス部品４２中に脱落してしまう。それゆえ、測長治具４００を使用してプラズマ放電中における電極間のギャップ長を測定することができない。
【００１３】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、電極間に温度差が生じる場合であっても、プラズマ放電中の電極間の距離を測長治具を用いて首尾良く測定するための技術を提供することを主たる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る測長方法は、上記課題を解決するために、第１の部品、および第１の部品に嵌挿されている第２の部品を備えている測長治具をプラズマ放電のための第１の電極および第２の電極の間に配置して、プラズマ放電中の第１の電極および第２の電極の間の距離を測定する測長方法であって、該プラズマ放電中、第２の電極は、第１の電極よりも高温となり、該測長治具は、第２の部品が第２の電極に接するように配置されることを特徴としている。
【００１５】
上記の方法によれば、プラズマ放電中において、より高温な第２の電極に接する第２の部品の方が、第１の電極に接する第１の部品よりも熱膨張量が大きくなる。そのため、第１の部品の第２の部品が嵌挿されている部分が、第２の部品よりも広がることがなく、第１の部品と第２の部品との間の嵌合状態は維持される。そのため、電極間に温度差が或る場合でも、第２の部品が、第１の部品中に脱落するようなことがなく、プラズマ放電中における電極間のギャップ長を首尾良く測定することができる。
【００１６】
上記測長方法では、第２の電極は、第１の電極の鉛直下方に配置されていてもよい。
【００１７】
プラズマ放電のための電極の内、下方にある電極は、例えば、電極上に載置される基板等の被処理物の温度を調節するために加熱される場合がある。そのような場合であっても、上記の方法によれば、下方にある第２の電極に第２の部品が接しているので、第２の部品の方が、第１の部品よりも熱膨張量が大きくなる。よって、第１の部品と第２の部品との間の嵌合状態が維持され、プラズマ放電中における電極間のギャップ長を首尾良く測定することができる。
【００１８】
上記測長方法では、第２の部品は、第２の部品が第１の部品の鉛直下方にある状態で上記測長治具を支持するための脚部を備えていることが好ましい。
【００１９】
上記の方法によれば、第２の部品が脚部を備えていることにより、第２の電極が第１の電極の鉛直下方に配置されている場合であっても、首尾良く、第２の部品と第２の電極とが接するように上記測長治具を第２の電極上に載置することができる。
【００２０】
上記測長方法では、上記測長治具は、露出面が絶縁材料によって形成されていることが好ましい。
【００２１】
上記の方法によれば、プラズマ放電中に異常放電などを起こす恐れがなく、より安全に測定することができる。
【００２２】
なお、上記プラズマ放電中、第２の電極はヒーターによって加熱されていてもよい。また、第１の電極および第２の電極は、プラズマＣＶＤ装置の対向電極を構成していてもよい。
【００２３】
本発明に係る測長治具は、第１の部品、および第１の部品に嵌挿されている第２の部品を備え、プラズマ放電のための第１の電極および第２の電極の間に配置して、プラズマ放電中の第１の電極および第２の電極の間の距離を測定するための測長治具であって、第２の部品が、第２の部品が第１の部品の鉛直下方にある状態で該測長治具を支持するための脚部を備えていることを特徴としている。
【００２４】
上記測長治具は、第２の部品が上記脚部を備えているため、本発明に係る測長方法に好適に使用することができる。
【００２５】
上記測長治具は、露出面が絶縁材料によって形成されていることが好ましい。
【００２６】
上記の構成によれば、プラズマ放電中に異常放電などを起こす恐れがなく、より安全に測定することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る測長方法は、第１の部品、および第１の部品に嵌挿されている第２の部品を備えている測長治具をプラズマ放電のための第１の電極および第２の電極の間に配置して、プラズマ放電中の第１の電極および第２の電極の間の距離を測定する測長方法であって、該プラズマ放電中、第２の電極は、第１の電極よりも高温となり、該測長治具は、第２の部品が第２の電極に接するように配置されるため、電極間に温度差が或る場合でも、第２の部品が、第１の部品中に脱落するようなことがなく、プラズマ放電中における電極間のギャップ長を首尾良く測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態に係る測長方法を実施中のプラズマＣＶＤ装置の様子を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る測長治具の構造を示す図であり、（ａ）は本発明の一実施形態に係る測長治具の斜視図を示し、（ｂ）は本発明の一実施形態に係る測長治具の断面図を示す。
【図３】本発明の一実施形態に係る測長方法の各段階の様子を示す断面図であり、（ａ）はプラズマ放電前の様子を示し、（ｂ）はプラズマ放電中の様子を示し、（ｃ）はプラズマ放電後の様子を示す。
【図４】従来技術に係る測長治具の構造を示す図であり、（ａ）は従来技術に係る測長治具の斜視図を示し、（ｂ）は従来技術に係る測長治具の断面図を示す。
【図５】従来技術に係る測長治具を使用してプラズマＣＶＤ測定装置におけるギャップ長を測定する様子を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明の一実施形態について、図１〜図３を使用して説明すると以下の通りである。
【００３０】
（プラズマＣＶＤ装置１００の構成）
まず、本実施形態においてギャップ長を測定する対象であるプラズマＣＶＤ装置１００の概略的な構成について図１を参照して説明する。図１に示すように、プラズマＣＶＤ装置１００は、被処理物である基板を収容する密封可能な処理容器（処理室）１３と、処理容器１３内に配置され、第１の電極１１（カソード電極）と第２の電極１２（アノード電極）とから構成されるカソード−アノード電極対を備えている。
【００３１】
処理容器１３は、例えばステンレス鋼からなり、内部を真空状態にできる構成を有している。処理容器１３の内壁面には、例えばアルミナなどの保護膜が被覆されており、処理容器１３は接地線１４により電気的に接地されている。
【００３２】
処理容器１３の底部には排気管（図示しない）が設けられており、排気管の先には真空ポンプなどの排気装置が連結されている。排気装置は処理容器１３内の雰囲気を適宜減圧でき、例えば、１０Ｐａ以上、６０００Ｐａ以下に設定することができる。
【００３３】
カソード−アノード電極対では、第１の電極１１および第２の電極１２の各電極は板状であって、互いに対向するように配置されている。第１の電極１１と第２の電極１２との間には基板が配置される。基板は、プラズマＣＶＤ装置１００が処理を行う対象であれば特に限られず、例えばガラス基板が挙げられる。
【００３４】
第２の電極１２は、基板を上に載置するための載置台となり、対をなす第１の電極１１の下側に配置される。第２の電極１２は、例えばステンレス鋼、アルミニウム合金、カーボンなどの、導電性および耐熱性を備えた材料で作成される。第２の電極１２の寸法は、基板の寸法に合わせて適当な値に設計されればよい。
【００３５】
また、第２の電極１２はヒーターや冷却設備等の温度安定化手段を内蔵しており、この温度安定化手段によってその温度を室温（例えば、２５℃）〜３００℃に温度制御される。このため、第２の電極１２上の基板では、発生したプラズマの熱による温度の上昇が制御され、均一な温度で膜形成が行われる。
【００３６】
一方、第１の電極１１は、対をなす第２の電極１２の上側に配置され、ステンレス鋼やアルミニウム合金などの材料から作成される。第１の電極１１の寸法は、第２の電極１２と同様に、基板の寸法に合わせて適当な値に設計されればよい。
【００３７】
第１の電極１１は、外部のプラズマ励起電源１５に接続されている。プラズマ励起電源１５は、例えばＲＦ１ＭＨｚ〜６０ＭＨｚで基板の寸法に合わせて電力密度が５０Ｗ／ｍ２〜５０００Ｗ／ｍ２となる出力のものを使用する。
【００３８】
また、第１の電極１１は、処理ガスを供給するガス供給系（図示しない）に接続されている。処理ガスとしては、例えば、モノシラン（ＳｉＨ４）ガス等を使用することができる。ガス供給系から第１の電極１１に導入された処理ガスは、第１の電極１１の底面から第２の電極１２上の基板に向かって処理容器１３内に供給される。
【００３９】
第１の電極１１および第２の電極１２の各々は、その両端を電極保持部１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄによって支えられている。よって、第１の電極１１および第２の電極１２は、互いに対向する面およびその反対側の面が、処理容器１３内の気相に露出する構造をとっている。
【００４０】
以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装置１００の稼働の際には、例えば以下のような動作が行われる。
【００４１】
まず基板が処理容器１３内に搬入され、第２の電極１２上に載置される。次いで、排気装置が作動し、排気管から排気が行われて処理容器１３内が減圧される。また、ヒーターが作動し、第２の電極１２を通して基板を所望の温度に保持する。
【００４２】
次いで、ガス供給系から供給された成膜用の処理ガスが、第１の電極１１を介して、第１の電極１１と第２の電極１２との間隙であるプラズマ放電領域１６に充填される。また、プラズマ励起電源１５の作動により、第１の電極１１と第２の電極１２との間に高周波電力が印加されることによって、プラズマ放電領域１６に電界が発生し、処理ガスがプラズマ化される。処理ガスがプラズマ化の際に発生した活性種によって基板上に成膜処理がなされる。
【００４３】
所定時間の成膜処理が行われた後、処理容器１３内への処理ガスの供給が停止し、またプラズマ励起電源１５が停止し、基板が処理容器１３内から搬出される。
【００４４】
以上の一連の工程によって、プラズマＣＶＤ装置１００による基板の成膜処理が終了する。
【００４５】
なお、図１は、処理容器１３内に１つのカソード−アノード電極対を備えるプラズマＣＶＤ装置１００を示しているが、本発明はこれに限られず、複数のカソード−アノード電極対を備えるマルチ電極構造のプラズマＣＶＤ装置であっても構わない。
【００４６】
次に、本実施形態に係る測長方法について説明する。プラズマＣＶＤ装置１００において、所定の位置を基準として、第１の電極１１の位置は電極保持部１７ａおよび１７ｂ、第２の電極１２の位置は電極保持部１７ｃおよび１７ｄによって調整することができる。しかし、プラズマ放電中において、第１の電極１１および第２の電極１２に対して、プラズマ放電領域１６（プラズマ）側から、熱が伝達するため、第１の電極１１および第２の電極１２の放電面（プラズマ放電領域１６側の面）側の熱膨張率が大きくなる。そのため、第１の電極１１および第２の電極１２は、プラズマ放電領域１６（プラズマ）側に変形し、第１の電極１１と、第２の電極１２との間の距離（ギャップ長）が狭くなる。それゆえ、プラズマＣＶＤ装置１００を適切なギャップ長において稼働するためには、プラズマ放電中にギャップ長を首尾良く測定することができる測長方法が必要となる。本実施形態に係る測長方法では、上述したようなプラズマＣＶＤ装置１００におけるプラズマ放電中のギャップ長を測定するため、図１に示すように、第１の電極１１と、第２の電極１２との間に、測長治具２００を配置することを行う。まず、測長治具２００の構成について詳細に説明する。
【００４７】
（測長治具２００の構成）
図２を用いて、測長治具２００の構成について説明する。図２は、本発明の一実施形態に係る測長治具２００の構造を示す図である。図２（ａ）は測長治具２００の斜視図であり、図２（ｂ）は測長治具２００の断面図である。図２に示すように、測長治具２００は、オス部品２１０（第２の部品）、およびメス部品２２０（第１の部品）を備えている。
【００４８】
オス部品２１０は、メス部品に嵌挿される凸部２１と、オス部品２１０を下にして直立姿勢を保つための脚部２２とを備えている。脚部２２は、オス部品２１０がメス部品２２０の鉛直下方にある状態で測長治具２００を支持し得るようになっていればどのような形状を有していてもよいが、例えば、図２に示すように、底面の面積が、凸部２１の水平方向における断面積よりも広いことが好ましい。
【００４９】
メス部品２２０は、凸部２１が嵌挿される凹部２０を備えており、凸部２１が、凹部２０に嵌合し、挿入されていることによって、メス部品２２０とオス部品２１０とが外力によって相対移動され得る程度に締結されている。
【００５０】
言い換えれば、メス部品２２０と、オス部品２１０とは、凹部２０と凸部２１とを嵌合させた状態において、外力のない時は相互の位置関係を保持でき、外力が加わることにより凸部２１は凹部２０に入り込むように移動し、移動した状態でその時の位置関係を保持できるように構成されている。
【００５１】
測長治具２００は、プラズマ放電中に変形しない材料で形成されていればよく、電極の温度に応じた耐熱性を有する材料を適宜選択すればよい。耐熱性を有する材料としては、これらに限定されるものではないが、例えば、電極温度が１５０℃以下の場合は、ＰＥＥＫ樹脂等を用い得、電極温度が２００℃前後の場合は、テフロン（登録商標、ＰＴＦＥ）等を用い得、電極温度が３００℃前後の場合は、ＰＢＩ樹脂、セラゾール（登録商標）、べスペル（登録商標）等のエンジニアリングプラスチック等を用い得、電極温度が４００℃以上の高温となる場合には、アルミナ、マセライト（登録商標）、ホトベール（登録商標）等を用い得る。
【００５２】
特に、測長治具２００の表面に露出している部分（露出面）は、上述したような絶縁材料で形成されていることが好ましい。例えば、メス部品２２０と、オス部品２１０とが絶縁材料によって形成されていてもよいし、上記露出面が、絶縁材料の膜によって被覆されていてもよい。このように、測長治具２００の露出面が絶縁材料によって形成されていることにより、プラズマ放電中に、測長治具２００が原因の異常放電を抑制することができ、より安全に測長することができる。
【００５３】
次に、図３を用いて、本実施形態に係る測長方法の各段階について説明する。図３は、本実施形態に係る測長方法の各段階の様子を示した断面図である。図３（ａ）はプラズマ放電前の様子を示し、図３（ｂ）はプラズマ放電中の様子を示し、図３（ｃ）はプラズマ放電後の様子を示す。
【００５４】
まず、プラズマ放電前に、図３（ａ）に示すように、第１の電極１１と第２の電極１２との間に測長治具２００を配置する。測長治具２００の配置は、第２の電極１２上に測長治具２００を載置したのちに、その上に第１の電極１１を配置してもよいし、予め互いに対向するように配置された第１の電極１１と第２の電極１２との間に測長治具２００を挿入してもよい。このとき、オス部品２１０が第２の電極１２に接するように測長治具２００を配置する。上述したように、オス部品２１０は、脚部２２を備えているため、容易に、オス部品２１０がメス部品２２０の鉛直下方にある状態で測長治具２００を第２の電極１２上に配置することができる。
【００５５】
なおこのとき、メス部品２２０は、第１の電極１１に対向していればよいが、図３（ａ）に示すように、第１の電極１１に接していてもよい。測長治具２００の高さは、このときＬ１となる。
【００５６】
次に、プラズマ励起電源１５によって第１の電極１１と第２の電極１２との間に電圧を印加して、プラズマ放電領域１６にプラズマ放電させる。図３（ｂ）は、プラズマ放電中の様子を示した図である。このとき、ヒーターによって第２の電極１２を所定の温度に加熱してもよい。
【００５７】
図３（ｂ）に示すように、プラズマの熱およびヒーターの熱を受けて、第１の電極１１および第２の電極１２は変形し、ギャップ長がＬ２’になる。このとき、外力１０が第１の電極１１および第２の電極１２から測長治具２００に加わり、オス部品の凸部２１はメス部品の凹部２０に入り込むように移動する。このとき、上述したように、第２の電極１２の方が、第１の電極１１よりも高温になっていたとしても、第２の電極１２に接するオス部品２１０の方が、第１の電極１１に接するメス部品２２０よりも熱膨張量が大きくなる。そのため、凹部２０が、凸部２１よりも広がることがなく、メス部品２２０とオス部品２１０との間の嵌合状態は維持される。その結果、測長治具２００の最上面から最下面までの高さは、Ｌ２’と実質的に同じ長さのＬ２に維持される。
【００５８】
所定時間のプラズマ放電が終了し、第２の電極１２の温度が常温に戻ると、図３（ｃ）に示すように、第１の電極１１と第２の電極１２は、元の形状に復元する。しかし、図３（ｃ）に示すように、測長治具２００の高さはＬ２に維持される。それゆえ、測長治具２００の高さを測定することにより、プラズマ放電中の第１の電極１１と第２の電極１２との間の距離（ギャップ長）を首尾良く測定することができる。なお、測長治具２００の高さを測定する代わりに、オス部品２１０のメス部品２２０に対する挿入深さを測定して、その結果に基づいてギャップ長を算出してもよい。
【００５９】
測長治具２００の高さまたは上記挿入深さの測定は、例えば、プラズマ放電およびヒーターによる加熱を停止したのちに、プラズマＣＶＤ装置１００から測長治具２００を取り出した後に測定してもよいが、特に限定されず、測長治具２００の高さまたは上記挿入深さを首尾良く測定し得る方法を用いればよい。
【００６０】
なお、一つの局面において、測長治具２００を第２の電極１２上に配置する際、測長治具２００を３つ以上、同じ直線上に位置しないように配置してもよい。これにより、プラズマ放電中における第１の電極１１と第２の電極１２との間の平行度を知ることができる。平行でない場合は、得られた結果に応じて、第１の電極１１および第２の電極１２の位置を調整することによって、平行に近づけることができる。
【００６１】
（実施例）
図１に示すようなプラズマＣＶＤ装置１００におけるプラズマ放電中のギャップ長の最低値（ミニマムギャップ）を測定した。なお、第２の電極１２としては、ヒーターが設置されている電極を用いた。
【００６２】
まず、第１の電極１１と、第２の電極１２との間のギャップ長を測定したい箇所に、測長治具２００を配置した。測長治具２００は、オス部品２１０が第２の電極１２に接するように配置した。
【００６３】
続いて、第２の電極１２に埋め込まれたヒーターを２００℃に設定した。その後、実際のプロセスを実施する際に必要なプラズマを生成し、所望の時間プラズマ放電を継続した。このとき、第１の電極１１および第２の電極１２は、プラズマからの入熱により、ギャップ長が狭くなる方向に変形した。
【００６４】
プラズマ放電を止め、ヒーターを停止した状態において、プラズマＣＶＤ装置１００内に配置した測長治具２００を取り出し、測長治具２００の高さを計測した。測長治具２００は、電極によりつぶされた後の高さ（状態）を保持しているので、以上により、ミニマムギャップを確認できた。
【００６５】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種種の変更が可能である。すなわち、開示されたそれぞれの技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても、本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、例えば薄膜形成を行うプラズマＣＶＤ装置において好適に利用できる。
【符号の説明】
【００６７】
１０      外力
１１      第１の電極
１２      第２の電極
１３      処理容器
１４      接地線
１５      プラズマ励起電源
１６      プラズマ放電領域
１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ    電極保持部
２０      凹部
２１      凸部
２２      脚部
１００    プラズマＣＶＤ装置
２００    測長治具
２１０    オス部品（第２の部品）
２２０    メス部品（第１の部品）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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