(57)【要約】【課題】放熱効果の高い基板にＬＥＤチップが搭載されたＬＥＤランプを提供する。【解決手段】導電性且つ熱伝導性の材料から成る基板と、前記基板の表面に絶縁層を介して形成された配線層と、前記絶縁層および前記配線層に形成された開口部の底面から露出した前記基板の表面から成る露出部と、第１電極および第２電極が形成されたＬＥＤチップとを備えたＬＥＤランプであって、前記露出部に前記第１電極が接続されると共に、前記配線層に前記第２電極が接続されることにより、前記基板に前記ＬＥＤチップが搭載されたＬＥＤランプ。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性且つ熱伝導性の材料から成る基板と、
前記基板の表面に絶縁層を介して形成された配線層と、
前記絶縁層および前記配線層に形成された開口部の底面から露出した前記基板の表面から成る露出部と、
第１電極および第２電極が形成されたＬＥＤチップと
を備えたＬＥＤランプであって、
前記露出部に前記第１電極が接続されると共に、前記配線層に前記第２電極が接続されることにより、前記基板に前記ＬＥＤチップが搭載されたＬＥＤランプ。
【請求項２】
前記露出部に接続された前記第１電極は、前記基板の裏面側全体を介して外部と電気的且つ熱的に接続されている、請求項１に記載のＬＥＤランプ。
【請求項３】
前記ＬＥＤチップの底面にて、前記第１電極の周囲を前記第２電極が取り囲むように配置形成されている、請求項１または請求項２に記載のＬＥＤランプ。
【請求項４】
前記基板は、熱膨張係数および熱伝導率が異なる第１の材料から成る層と第２の材料から成る層とを交互に積層した構造のクラッド材である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のＬＥＤランプ。
【請求項５】
前記基板の表面側にて、前記配線層および前記ＬＥＤチップを封止して覆うガラス材料から成る封止材を備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載のＬＥＤランプ。
【請求項６】
前記基板の表面側にて、前記ＬＥＤチップの周囲を取り囲むように配置形成されたガラスセラミックス材料から成るリフレクタを備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載のＬＥＤランプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＬＥＤランプに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＥＤチップの高出力化に伴い、放熱性に優れたＬＥＤランプが求められている。
このようなＬＥＤランプとして、導電性且つ熱伝導性の材料を含むコア材の表面に絶縁層を介して配線層が形成された基板にＬＥＤチップが搭載されたものがある（特許文献１参照）。
また、熱膨張係数および熱伝導率が異なる材料から成る層を交互に積層した構造のクラッド材を半導体装置用放熱基板として用いる技術が開示されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００７−５０９５０５号
【特許文献２】特開２０１０−５６１４８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術では、基板に搭載されたＬＥＤチップを封止する封止材の熱膨張率に比べて、基板の熱膨張率の方が大きいため、封止材と基板が密着せずに剥がれたり、封止材に歪みや亀裂が生じるおそれがあり、高い信頼性が得られないという問題がある。
【０００５】
ところで、封止材として合成樹脂材料を用いた場合には、合成樹脂材料がＬＥＤチップの光により変色するおそれがあるため、ＬＥＤチップを高出力化することが困難である。
そこで、光により変色し難いガラス材料を封止材として用いることにより、ＬＥＤチップを高出力化することが可能になるが、ＬＥＤチップを高出力化すると発熱量も多くなることから、封止材と基板の熱膨張率の違いによる前記問題がより顕在化することになる。
【０００６】
そのため、ＬＥＤチップが搭載された基板の放熱効果を高めることが要求されている。
本発明は前記要求を満足するためになされたものであって、その目的は、放熱効果の高い基板にＬＥＤチップが搭載されたＬＥＤランプを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは前記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、下記のように本発明の各局面に想到した。
【０００８】
＜第１の局面＞
本発明の第１の局面は、
導電性且つ熱伝導性の材料から成る基板と、
前記基板の表面に絶縁層を介して形成された配線層と、
前記絶縁層および前記配線層に形成された開口部の底面から露出した前記基板の表面から成る露出部と、
第１電極および第２電極が形成されたＬＥＤチップと
を備えたＬＥＤランプであって、
前記露出部に前記第１電極が接続されると共に、前記配線層に前記第２電極が接続されることにより、前記基板に前記ＬＥＤチップが搭載されたＬＥＤランプである。
【０００９】
第１の局面によれば、導電性且つ熱伝導性の材料から成る基板をＬＥＤチップの第１側電極として用いることが可能になるため、基板の放熱効果を高めることができる。
その結果、基板の熱膨張を抑制可能になるため、封止材と基板の密着性が阻害されるのを防止すると共に、封止材に歪みや亀裂が生じるのを防止し、ＬＥＤランプの信頼性を向上できる。
【００１０】
＜第２の局面＞
本発明の第２の局面は、第１の局面において、
前記露出部に接続された前記第１電極は、前記基板の裏面側全体を介して外部と電気的且つ熱的に接続されているＬＥＤランプである。
【００１１】
第２の局面によれば、基板の裏面全体をＬＥＤチップの第１電極として用いることが可能になるため、ＬＥＤチップの第１電極における電気抵抗および熱抵抗を共に小さくできる。
その結果、高出力のＬＥＤチップに大電流を流した際に発生する熱を、基板の裏面全体から外部へ速やかに放熱することが可能にり、ＬＥＤランプの発熱量を抑制できるため、第１の局面の作用・効果が更に高められる。
【００１２】
＜第３の局面＞
本発明の第３の局面は、第１または第２の局面において、
前記ＬＥＤチップの底面にて、前記第１電極の周囲を前記第２電極が取り囲むように配置形成されているＬＥＤランプである。
【００１３】
第３の局面によれば、各電極からＬＥＤチップ内を通る電流経路における電流分布を均一化することが可能になるため、ＬＥＤチップに効率的に電流を流してＬＥＤランプの発光効率を更に高めることができる。
【００１４】
ところで、ＬＥＤチップの発光面積を大きくしてＬＥＤランプの発光効率を高めるには、ＬＥＤチップのカソード側電極パッド（Ｎ電極）の面積に比べて、アノード側電極パッド（Ｐ電極）の面積を大きくする必要がある。
そこで、第１電極をアノード側電極パッドにすれば、アノード側電極パッドが基板の露出部に接続されるため、ＬＥＤチップが発生する熱を大きな面積のアノード側電極パッドから基板へ速やかに伝達可能になるため、ＬＥＤチップの発熱を効果的に抑制できる。
【００１５】
＜第４の局面＞
本発明の第４の局面は、第１〜第３の局面において、
前記基板は、熱膨張係数および熱伝導率が異なる第１の材料から成る層と第２の材料から成る層とを交互に積層した構造のクラッド材であるＬＥＤランプである。
【００１６】
第４の局面では、基板の構造が特許文献２の技術と同じであるため、特許文献２と同様の作用・効果が得られ、基板の熱膨張率を小さくした上で熱伝導率を大きくできるため、第１の局面の作用・効果が更に高められる。
【００１７】
＜第５の局面＞
本発明の第５の局面は、第１〜第４の局面において、
前記基板の表面側にて、前記配線層および前記ＬＥＤチップを封止して覆うガラス材料から成る封止材を備えるＬＥＤランプである。
【００１８】
第５の局面によれば、封止材が光により変色し難いガラス材料から成るため、ＬＥＤチップを高出力化することが可能になる。
ところが、ＬＥＤチップを高出力化すると発熱量も多くなることから、封止材と基板の熱膨張率の違いにより、封止材と基板の密着性が阻害されたり、封止材に歪みや亀裂が生じるという問題が顕在化し易い。
しかし、第５の局面によれば、第１〜第４の局面のように基板の熱膨張を抑制可能であるため、前記問題が生じるのを確実に防止できる。
【００１９】
＜第６の局面＞
本発明の第６の局面は、第１〜第５の局面において、
前記基板の表面側にて、前記ＬＥＤチップの周囲を取り囲むように配置形成されたガラスセラミックス材料から成るリフレクタを備えるＬＥＤランプである。
【００２０】
第６の局面によれば、第１〜第４の局面のように基板の熱膨張が抑制されるため、リフレクタと基板の密着性が阻害されるのを防止すると共に、リフレクタの歪みや亀裂が生じるのを防止し、ＬＥＤランプの信頼性を向上できる。
また、第５の局面を用いる第６の局面によれば、ガラスセラミックス材料から成るリフレクタは、ガラス材料から成る封止材と熱膨張率が近いため、ＬＥＤチップの発熱によりリフレクタおよび封止材が熱膨張しても、リフレクタと封止材の密着性が阻害されるのを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明を具体化した第１実施形態のＬＥＤランプ１０の概略構成を示す要部縦断面図。
【図２】図２（Ａ）は、ＬＥＤランプ１０に搭載された第１実施形態のＬＥＤチップ３０の下面図。図２（Ｂ）〜（Ｄ）はそれぞれ、第１実施形態のＬＥＤチップ３０における電極パッド３１，３２の配置を変更した第１〜第３変更例を示すＬＥＤチップ３０の下面図。
【図３】本発明を具体化した第２実施形態のＬＥＤランプ１００の概略構成を示す要部縦断面図。
【図４】ＬＥＤランプ１００に搭載された第２実施形態のＬＥＤチップ３０の下面図。
【図５】本発明を具体化した第３実施形態のＬＥＤランプ２００の概略構成を示す要部縦断面図。
【図６】図６（Ａ）は、本発明を具体化した第４実施形態のＬＥＤチップ３０の下面図。図６（Ｂ）は、第４実施形態のＬＥＤチップ３０における電極パッド３１，３２の配置を変更した第１変更例を示すＬＥＤチップ３０の下面図。
【図７】図７（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ、第４実施形態のＬＥＤチップ３０における電極パッド３１，３２の配置を変更した第２，第３変更例を示すＬＥＤチップ３０の下面図。
【図８】第４実施形態のＬＥＤチップ３０における電極パッド３１，３２の配置を変更した第４変更例を示すＬＥＤチップ３０の下面図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した各実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、各実施形態において、同一の構成部材および構成要素については符号を等しくすると共に、同一内容の箇所については重複説明を省略してある。
【００２３】
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態のＬＥＤランプ１０の概略構成を示す要部縦断面図である。
ＬＥＤランプ１０は、実装基板１１、配線層１２、接続材１３、放熱基板１４、露出部１４ａ、絶縁層１５、開口部１５ａ、配線層１６、開口部１６ａ、バンプ１７，１８、封止材１９、ＬＥＤチップ３０、カソード側電極パッド３１、アノード側電極パッド３２などから構成されている。
【００２４】
絶縁材料（例えば、セラミックス材料など）から成る実装基板１１の表面には、金属（例えば、銅、アルミニウム、これらを含む合金など）から成る配線層１２が形成されている。
配線層１２の表面には、導電材料（例えば、ハンダ、金属含有ペースト材など）から成る接続材１３を介して、放熱基板１４の裏面全体が接続固定されている。
【００２５】
放熱基板１４は、導電性且つ熱伝導性の材料から成り、例えば、特許文献１に記載されている金属（銅、アルミニウム、これらを含む合金）やカーボンなどのコア材、特許文献２に記載されている熱膨張係数および熱伝導率が異なる第１の材料（銅、銀、これらを含む合金）から成る層と第２の材料（モリブデン、タングステン）から成る層とを交互に積層した構造のクラッド材である。
【００２６】
放熱基板１４の表面には、絶縁層１５を介して配線層１６が形成されている。
絶縁層１５には、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、無機フィラーおよび合成樹脂を含むコンポジット材、放熱基板１４の表面がアルミニウムから成る場合には酸化アルミニウムなどが用いられる。
配線層１６は、金属（例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、金、銀、銅、プラチナなど）の単層膜または多層膜から成る。
【００２７】
絶縁層１５および配線層１６には、積層された各層１５，１６を貫通する開口部１５ａ，１５ｂが形成されており、開口部１５ａ，１６ａの底面からは放熱基板１４の表面が露出し、その露出した放熱基板１４の表面から露出部１４ａが形成されている。
【００２８】
ＬＥＤチップ３０は、放熱基板１４および配線層１６の上にバンプ１７，１８を用いてフリップチップ実装されることにより、放熱基板１４に搭載されている。
すなわち、ＬＥＤチップ３０の下面側には、ＬＥＤチップ３０のＮ型半導体層（図示略）に接続されたカソード側電極パッド３１と、ＬＥＤチップ３０のＰ型半導体層（図示略）に接続されたアノード側電極パッド３２とが配置形成されている。
【００２９】
そして、ＬＥＤチップ３０のカソード側電極パッド３１と、各層１５，１６の開口部１５ａ，１６ａから露出した放熱基板１４の露出部１４ａとがバンプ１７によって電気的且つ熱的に接続されている。
また、ＬＥＤチップ３０のアノード側電極パッド３２と、配線層１６の表面とがバンプ１８によって電気的且つ熱的に接続されている。
尚、バンプ１７，１８は、例えば、金、ハンダなどによって形成されている。
【００３０】
ここで、ＬＥＤチップ３０のＰ型半導体層は、ＬＥＤチップ３０の発光層（図示略）の下面側全面に形成されている。
また、カソード側電極パッド３１はＮ型半導体層の下面側全面に形成され、アノード側電極パッド３２はＰ型半導体層の下面側全面に形成されている。
【００３１】
封止材１９は透明なガラス材料から成り、放熱基板１４の表面側に形成された各部材（配線層１６、ＬＥＤチップ３０、バンプ１７，１８）を封止して覆い、その上面は略球面状に形成されている。
【００３２】
図２（Ａ）は、ＬＥＤランプ１０に搭載された第１実施形態のＬＥＤチップ３０の下面図である。
ＬＥＤチップ３０の正方形状を成す底面において、円形のカソード側電極パッド（Ｎ電極）３１が前記底面の略中央部に配置形成され、アノード側電極パッド（Ｐ電極）３２が間隙を空けてカソード側電極パッド３１の周囲を取り囲んでＬＥＤチップ３０の外周縁部近傍まで配置形成されている。
【００３３】
［第１実施形態の作用・効果］
第１実施形態のＬＥＤランプ１０によれば、以下の作用・効果を得ることができる。
【００３４】
［１−１］ＬＥＤランプ１０において、放熱基板１４は導電性且つ熱伝導性の材料から成り、放熱基板１４の露出部１４ａにＬＥＤチップ３０のカソード側電極パッド３１（第１電極）がバンプ１７を介して接続されると共に、放熱基板１４の表面に絶縁層１５を介して形成された配線層１６にＬＥＤチップ３０のアノード側電極パッド３２（第２電極）がバンプ１８を介して接続されることにより、放熱基板１４にＬＥＤチップ３０が搭載されている。
【００３５】
これにより、導電性且つ熱伝導性の材料から成る放熱基板１４をＬＥＤチップ３０のカソード側電極として用いることが可能になるため、放熱基板１４の放熱効果を高めることができる。
その結果、放熱基板１４の熱膨張を抑制可能になるため、封止材１９と放熱基板１４の密着性が阻害されるのを防止すると共に、封止材１９に歪みや亀裂が生じるのを防止し、ＬＥＤランプ１０の信頼性を向上できる。
【００３６】
［１−２］放熱基板１４の露出部１４ａに接続されたＬＥＤチップ３０のカソード側電極パッド３１は、放熱基板１４の裏面全体から接続材１３を介して、外部である配線層１２に接続されている。
そして、放熱基板１４の裏面から実装基板１１上に延出された配線層１２は、ＬＥＤランプ１０の外部端子（カソード側端子）として用いられる。
【００３７】
これにより、放熱基板１４の裏面全体をＬＥＤチップ３０のカソード側電極として用いることが可能になるため、ＬＥＤチップ３０のカソード側電極における電気抵抗および熱抵抗を共に小さくできる。
その結果、高出力のＬＥＤチップ３０に大電流を流した際に発生する熱を、放熱基板１４の裏面全体から配線層１２を介して速やかに放熱することが可能にり、ＬＥＤランプ１０の発熱量を抑制できるため、前記［１−１］の作用・効果が更に高められる。
【００３８】
［１−３］ＬＥＤチップ３０の発光面積を大きくしてＬＥＤランプ１０の発光効率を高めるには、ＬＥＤチップ３０のアノード側電極パッド３２の面積を大きくする必要がある。
また、ＬＥＤチップ３０には、アノード側電極パッド３２→Ｐ型半導体層→発光層→Ｎ型半導体層→カソード側電極パッド３１の経路で電流が流れる。
そのため、ＬＥＤチップ３０に効率的に電流を流すには、アノード側電極パッド（Ｐ電極）３２からＬＥＤチップ３０内を通ってカソード側電極パッド（Ｎ電極）３１へ至る電流経路における電流分布を均一化する必要がある。
【００３９】
図２（Ａ）に示すように、ＬＥＤチップ３０の底面の中央に配置された円形のカソード側電極パッド３１（第１電極）の周囲を、アノード側電極パッド３２（第２電極）が取り囲んでいる。
そして、ＬＥＤチップ３０の底面にて、カソード側電極パッド３１を除く部分のほとんどにアノード側電極パッド３２が形成されている。
【００４０】
そのため、アノード側電極パッド３２の面積を大きくすることが可能になり、ＬＥＤチップ３０の発光面積を大きくしてＬＥＤランプ１０の発光効率を高めることができる。
また、アノード側電極パッド３２からＬＥＤチップ３０内を通ってカソード側電極パッド３１へ至る電流経路における電流分布を均一化することが可能になるため、ＬＥＤチップ３０に効率的に電流を流してＬＥＤランプ１０の発光効率を更に高めることもできる。
【００４１】
［１−４］放熱基板１４を、特許文献２の技術と同じく、熱膨張係数および熱伝導率が異なる第１の材料から成る層と第２の材料から成る層とを交互に積層した構造のクラッド材とした場合には、特許文献２と同様の作用・効果が得られ、放熱基板１４の熱膨張率を小さくした上で熱伝導率を大きくできるため、前記［１−１］の作用・効果が更に高められる。
【００４２】
［１−５］封止材１９は光により変色し難いガラス材料から成るため、ＬＥＤチップ３０を高出力化することが可能になる。
ところが、ＬＥＤチップ３０を高出力化すると発熱量も多くなることから、封止材１９と放熱基板１４の熱膨張率の違いにより、封止材１９と放熱基板１４の密着性が阻害されたり、封止材１９に歪みや亀裂が生じるという問題が顕在化し易い。
しかし、ＬＥＤランプ１０によれば、前記のように放熱基板１４の熱膨張を抑制可能であるため、前記問題が生じるのを確実に防止できる。
【００４３】
［１−６］図２（Ｂ）〜（Ｄ）はそれぞれ、第１実施形態のＬＥＤチップ３０における電極パッド３１，３２の配置を変更した第１〜第３変更例を示すＬＥＤチップ３０の下面図である。
第１〜第３変更例でも、図２（Ａ）に示す例と同じく、カソード側電極パッド（Ｎ電極）３１の周囲を、アノード側電極パッド（Ｐ電極）３２が取り囲んでいる。
【００４４】
そして、第１〜第３変更例によれば、図２（Ａ）に示す例に比べて、アノード側電極パッド３２からＬＥＤチップ３０内を通ってカソード側電極パッド３１へ至る電流経路における電流分布を更に均一化することが可能になるため、ＬＥＤチップ３０に効率的に電流を流してＬＥＤランプ１０の発光効率を更に高めることができる。
【００４５】
図２（Ｂ）に示す第１変更例では、カソード側電極パッド３１が、ＬＥＤチップ３０の底面の略中央部に配置形成された円形の第１部分と、第１部分からＬＥＤチップ３０の底面の四隅に向けて延出された一定幅の長尺矩形状を成す第２部分とから形成されている。
尚、カソード側電極パッド３１の第２部分は、図２（Ｂ）に示す４個に限らず、３個または５個以上の適宜な個数にして均等配置してもよい。
【００４６】
図２（Ｃ）に示す第２変更例では、長尺矩形状を成す２個のカソード側電極パッド（Ｎ電極）３１が平行且つ均等に配置形成されている。
そして、個々のカソード側電極パッド３１の両端部には、バンプ１７と接続するための略円形のパッド部が形成されている。
尚、カソード側電極パッド３１は、図２（Ｃ）に示す２個に限らず、３個以上の適宜な個数にして均等配置してもよい。
【００４７】
図２（Ｄ）に示す第３変更例では、１６個の円形のカソード側電極パッド３１が、ＬＥＤチップ３０の底面にて縦横方向に４個ずつ均等に配置形成されている。
尚、カソード側電極パッド３１は、図２（Ｄ）に示す１６個に限らず、４個以上の適宜な個数にして均等配置してもよい。
【００４８】
＜第２実施形態＞
図３は、第２実施形態のＬＥＤランプ１００の概略構成を示す要部縦断面図である。
ＬＥＤランプ１００は、実装基板１１、配線層１２、接続材１３、放熱基板１４、露出部１４ａ、絶縁層１５、開口部１５ａ、配線層１６、開口部１６ａ、バンプ１７，１８、封止材１９、ＬＥＤチップ３０、カソード側電極パッド３１、アノード側電極パッド３２などから構成されている。
【００４９】
ＬＥＤランプ１００において、第１実施形態のＬＥＤランプ１０と異なるのは、ＬＥＤチップ３０のカソード側電極パッド３１が配線層１６の表面とバンプ１８によって接続され、アノード側電極パッド３２が放熱基板１４の露出部１４ａとバンプ１７によって接続されている点だけである。
【００５０】
図４は、ＬＥＤランプ１００に搭載された第２実施形態のＬＥＤチップ３０の下面図である。
ＬＥＤチップ３０の正方形状を成す底面において、四隅がアール状に切り取られた形状のアノード側電極パッド（Ｐ電極）３２が前記底面の中央部に配置形成され、略正方形枠状のカソード側電極パッド（Ｎ電極）３１が間隙を空けてアノード側電極パッド（Ｐ電極）３２の周囲を取り囲むように配置形成されている。
尚、カソード側電極パッド３１の四隅部には、バンプ１７と接続するための略扇形のパッド部が形成されている。
【００５１】
［第２実施形態の作用・効果］
第２実施形態のＬＥＤランプ１００によれば、第１実施形態の前記［１−４］［１−５］の作用・効果に加えて、以下の作用・効果を得ることができる。
【００５２】
［２−１］ＬＥＤランプ１０において、放熱基板１４は導電性且つ熱伝導性の材料から成り、放熱基板１４の露出部１４ａにＬＥＤチップ３０のアノード側電極パッド３２（第１電極）がバンプ１８を介して接続されると共に、放熱基板１４の表面に絶縁層１５を介して形成された配線層１６にＬＥＤチップ３０のカソード側電極パッド３１（第２電極）がバンプ１７を介して接続されることにより、放熱基板１４にＬＥＤチップ３０が搭載されている。
【００５３】
これにより、導電性且つ熱伝導性の材料から成る放熱基板１４をＬＥＤチップ３０のアノード側電極として用いることが可能になるため、放熱基板１４の放熱効果が高められ、放熱基板１４の熱膨張を抑制してＬＥＤランプ１０の信頼性を向上できる。
【００５４】
［２−２］放熱基板１４の露出部１４ａに接続されたＬＥＤチップ３０のアノード側電極パッド３２は、放熱基板１４の裏面全体から接続材１３を介して、外部である配線層１２に接続されている。
そして、放熱基板１４の裏面から実装基板１１上に延出された配線層１２は、ＬＥＤランプ１０の外部端子（アノード側端子）として用いられる。
【００５５】
これにより、放熱基板１４の裏面全体をＬＥＤチップ３０のアノード側電極として用いることが可能になるため、ＬＥＤチップ３０のアノード側電極における電気抵抗および熱抵抗を共に小さくできることから、前記［２−１］の作用・効果が更に高められる。
【００５６】
［２−３］図４に示すように、ＬＥＤチップ３０の底面の中央に配置された四隅がアール状に切り取られた形状を成すアノード側電極パッド３２（第１電極）の周囲を、カソード側電極パッド３１（第２電極）が取り囲んでいる。
そして、ＬＥＤチップ３０の底面にて、カソード側電極パッド３１を除く部分のほとんどにアノード側電極パッド３２が形成されている。
従って、第２実施形態においても、第１実施形態の前記［１−３］と同様の作用・効果が得られる。
【００５７】
［２−４］ＬＥＤチップ３０の発光面積を大きくしてＬＥＤランプ１０の発光効率を高めるために、カソード側電極パッド（Ｎ電極）３１の面積に比べて、アノード側電極パッド（Ｐ電極）３２の面積が大きくされている。
【００５８】
第１実施形態では、カソード側電極パッド３１が放熱基板１４の露出部１４ａに接続されているため、ＬＥＤチップ３０が発生する熱を小さな面積のカソード側電極パッド３１から放熱基板１４へ伝達している。
それに対して、第２実施形態では、アノード側電極パッド３２が放熱基板１４の露出部１４ａに接続されているため、ＬＥＤチップ３０が発生する熱を大きな面積のアノード側電極パッド３２から放熱基板１４へ伝達している。
従って、第１実施形態に比べて、第２実施形態の方が、ＬＥＤチップ３０が発生する熱を放熱基板１４へ速やかに伝達可能であるため、ＬＥＤチップ３０の発熱を効果的に抑制できる。
【００５９】
＜第３実施形態＞
図５は、第３実施形態のＬＥＤランプ２００の概略構成を示す要部縦断面図である。
ＬＥＤランプ２００は、実装基板１１、配線層１２、接続材１３、放熱基板１４、露出部１４ａ、絶縁層１５、開口部１５ａ、配線層１６、開口部１６ａ、バンプ１７，１８、封止材１９、ＬＥＤチップ３０、カソード側電極パッド３１、アノード側電極パッド３２、リフレクタ２０１などから構成されている。
【００６０】
ＬＥＤランプ２００において、第１実施形態のＬＥＤランプ１０と異なるのは、リフレクタ２０１が設けられている点だけである。
リフレクタ２０１はガラスセラミックス材料から成り、放熱基板１４の表面側において各部材（ＬＥＤチップ３０、バンプ１７，１８）の周囲を取り囲むように載置固定されている。
リフレクタ２０１において、凹部２０１ａの内周面は、開口部２０１ｂへ向けて傾斜した傾斜面となっており、ＬＥＤチップ３０の光を反射して開口部２０１ｂから効率的に出射することができる。
封止材１９は、リフレクタ２０１の凹部２０１ａ内に充填されている。
【００６１】
ガラスセラミックス材料から成るリフレクタ２０１は、ガラス材料から成る封止材１９と熱膨張率が近いため、ＬＥＤチップ３０の発熱によりリフレクタ２０１および封止材１９が熱膨張しても、リフレクタ２０１と封止材１９の密着性が阻害されるのを防止できる。
また、前記のように放熱基板１４の熱膨張が抑制されるため、リフレクタ２０１と放熱基板１４の密着性が阻害されるのを防止すると共に、リフレクタ２０１に歪みや亀裂が生じるのを防止し、ＬＥＤランプ１０の信頼性を向上できる。
【００６２】
＜第４実施形態＞
図６（Ａ）は、第４実施形態のＬＥＤチップ３０の下面図である。
第４実施形態において、第１実施形態と異なるのは、ＬＥＤチップ３０の寸法形状と、ＬＥＤチップ３０における電極パッド３１，３２の配置だけである。
【００６３】
第４実施形態のＬＥＤチップ３０の底面は長尺矩形状を成し、長尺矩形状を成すカソード側電極パッド（Ｎ電極）３１が前記底面の長手方向に沿って前記底面の片端部に配置形成され、長尺矩形状を成すアノード側電極パッド（Ｐ電極）３２が前記底面にてカソード側電極パッド３１を除く部分のほとんどに配置形成されている。
【００６４】
これにより、第４実施形態においても、第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
第４実施形態のＬＥＤチップ３０は、サイドビュータイプのＬＥＤランプ（側面発光装置）に好適であり、液晶ディスプレイのバックライト等に用いられる薄型の発光装置に利用できる。
【００６５】
図６（Ｂ），図７（Ａ）（Ｂ），図８はそれぞれ、第４実施形態のＬＥＤチップ３０における電極パッド３１，３２の配置を変更した第１〜第４変更例を示すＬＥＤチップ３０の下面図である。
これら第１〜第４変更例においても、第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【００６６】
図６（Ｂ）に示す第１変更例では、長尺矩形状を成すカソード側電極パッド３１が前記底面の長手方向の両端部に配置形成され、長尺矩形状を成すアノード側電極パッド３２が前記底面にてカソード側電極パッド３１を除く部分のほとんどに配置形成されている。
【００６７】
図７（Ａ）に示す第２変更例では、第１変更例と同じく、長尺矩形状を成すカソード側電極パッド３１がＬＥＤチップ３０の底面の長手方向の両端部に配置形成され、長尺矩形状を成すアノード側電極パッド３２が前記底面にてカソード側電極パッド３１を除く部分のほとんどに配置形成されている。
そして、個々のカソード側電極パッド３１の略中央部には、バンプ１７と接続するための略半円形のパッド部が形成されている。
【００６８】
図７（Ｂ）に示す第３変更例では、長尺矩形状を成す３個のカソード側電極パッド３１がＬＥＤチップ３０の底面の長手方向の両端部および中央部に配置形成され、長尺矩形状を成す２個のアノード側電極パッド３２が前記底面にて個々のカソード側電極パッド３１の間に配置形成されている。
そして、ＬＥＤチップ３０の底面の両端部に配置されたカソード側電極パッド３１の略中央部には、バンプ１７と接続するための略半円形のパッド部が形成されている。
また、ＬＥＤチップ３０の底面の中央部に配置されたカソード側電極パッド３１の略中央部には、バンプ１７と接続するための略円形のパッド部が形成されている。
【００６９】
図８に示す第４変更例では、長尺矩形状を成す５個のカソード側電極パッド３１がＬＥＤチップ３０の底面の長手方向の両端部および前記長手方向を４分割した部分に配置形成され、長尺矩形状を成す４個のアノード側電極パッド３２が前記底面にて個々のカソード側電極パッド３１の間に配置形成されている。
【００７０】
第１〜第４変更例のように、ＬＥＤチップ３０の底面の長手方向に対して、複数個のカソード側電極パッド３１を配置すれば、ＬＥＤチップ３０の底面が長尺の場合でも、アノード側電極パッド３２からＬＥＤチップ３０内を通って個々のカソード側電極パッド３１へ至る電流経路における電流分布を均一化することが可能になるため、ＬＥＤチップ３０全体に効率的に電流を流してＬＥＤランプ１０の発光効率を高めることができる。
【００７１】
ところで、前記各実施形態は適宜組み合わせて実施してもよく、その場合には組み合わせた実施形態の作用・効果を合わせもたせたり、相乗効果を得ることができる。
本発明は、前記各局面および前記各実施形態の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様も本発明に含まれる。本明細書の中で明示した論文、公開特許公報、特許公報などの内容は、その全ての内容を援用によって引用することとする。
【符号の説明】
【００７２】
１０，１００，２００…ＬＥＤランプ
１１…実装基板
１２…配線層（外部）
１３…接続材
１４…放熱基板
１４ａ…露出部
１５…絶縁層
１５ａ…絶縁層１５の開口部
１６…配線層
１６ａ…配線層１６の開口部
１７，１８…バンプ
１９…封止材
３０…ＬＥＤチップ
３１…カソード側電極パッド（ＬＥＤランプ１０，２００では第１電極、ＬＥＤランプ１００では第２電極）
３２…アノード側電極パッド（ＬＥＤランプ１０，２００では第２電極、ＬＥＤランプ１００では第１電極）
２０１…リフレクタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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