(57)【要約】【課題】低コストにＦＧ−ＳＧ分離を図り、ＦＧ−ＳＧラインのインピーダンスを、高周波を含む広範囲の周波数のＲＦ信号の伝送の帰還路として適切なものとする。【解決手段】光伝送モジュール１は、レーザモジュール（ＴＯＳＡ）と、ＴＯＳＡに実装され、信号配線６３Ａを備えたフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）６と、ＦＰＣ６に接続された回路基板とを備え、レーザモジュールの筺体及びレセプタクルが電子機器の筺体グランド（ＦＧ）に電気的に接続されるものである。ＦＰＣ６は、電子機器の筺体グランド（ＦＧ）に電気的に接続されるＦＧ接続導電部６３Ｂと、回路基板７の信号グランド（ＳＧ）に電気的に接続されるＳＧ接続導電部６３Ｃとを備え、ＦＧ接続導電部６３ＢとＳＧ接続導電部６３Ｃとが、ＦＰＣ６上に搭載され、かつ信号配線６３Ａと電気的に接続されないチップコンデンサ６５を介して接続されている。【選択図】図４
2012253054.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、当該半導体レーザを収容する筺体とを備え、前記半導体レーザに導通されたリードが前記筺体の内部から外部に引き出されたレーザパッケージと、前記レーザパッケージに取り付けられ、前記レーザパッケージの接続側と反対側に、光ファイバが内蔵された光コネクタが嵌合されるレセプタクルとを備えたレーザモジュールと、
前記レーザモジュールに実装され、前記リードに接続された信号配線を備えたフレキシブル配線基板と、
前記フレキシブル配線基板に接続され、前記半導体レーザの駆動を制御する電気回路を備えた回路基板とを備え、
高周波信号を伝送する光伝送モジュールであって、
前記レーザモジュールの前記筺体及び前記レセプタクルが、前記光コネクタを介して電子機器の筺体グランド（ＦＧ）に電気的に接続されるものであり、
前記フレキシブル配線基板が、前記電子機器の前記筺体グランド（ＦＧ）に電気的に接続されるＦＧ接続導電部と、前記回路基板の信号グランド（ＳＧ）に電気的に接続されるＳＧ接続導電部とを備え、
前記ＦＧ接続導電部と前記ＳＧ接続導電部とが前記フレキシブル配線基板上に搭載されたチップコンデンサを介して接続された光伝送モジュール。
【請求項２】
前記レーザパッケージから引き出された２本の前記リードに、前記フレキシブル配線基板に形成された２本の前記信号配線が接続され、かつ、前記レーザパッケージ及び前記フレキシブル配線基板における信号伝送路が差動線路とされており、
前記フレキシブル配線基板に、２本の前記信号配線に対応して２個の前記チップコンデンサが搭載された請求項１に記載の光伝送モジュール。
【請求項３】
前記電子機器の筺体グランド（ＦＧ）と前記チップコンデンサと前記回路基板の信号グランド（ＳＧ）との接続構造によって、高周波信号の帰還路が形成された請求項１又は２に記載の光伝送モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光伝送モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光通信装置に装着される光トランシーバ等の電子機器では、
半導体レーザを内蔵したレーザパッケージと、レーザパッケージに取り付けられ、レーザパッケージの接続側と反対側に、光ファイバが内蔵された光コネクタが嵌合されるレセプタクルとを備えたレーザモジュールと、
半導体レーザの駆動を制御する電気回路を備えた回路基板とを備え、
レーザモジュールと電気回路とが高周波（ＲＦ）信号を伝送する信号伝送路を介して接続された光伝送モジュールが用いられている。
【０００３】
上記の光伝送モジュールにおいては、回路基板に信号グランド（Signal Ground : ＳＧ）が設けられ、レーザモジュールの筺体及びレセプタクルが光コネクタを介して光トランシーバ等の電子機器の筺体グランド（Frame ground : ＦＧ）に電気的に接続される。レーザモジュールと電気回路とを接続する信号伝送路は、伝送回路上、ＦＧ及びＳＧに接続される。
【０００４】
上記の光伝送モジュールにおいては、ＥＭＣ（Electromagnet compatibility、電磁両立性又は電磁適合性と呼ばれる）およびＥＭI（Electro magnet interference、電磁妨害放射規制と言われる。）対策の観点から、電子機器のＦＧと回路基板のＳＧとは、交流（Alternating Current : ＡＣ）的には電気的に接続され、直流（Direct Current : ＤＣ）的には絶縁される必要がある。
本明細書では、電子機器のＦＧと回路基板のＳＧとの直流的な絶縁を、「ＦＧ−ＳＧ分離」と称す。
上記の光伝送モジュールにおいては、光トランシーバ等として所望の特性を満たしつつ、かつ安価にＦＧ−ＳＧ分離を実現する構造が必要とされている。
【０００５】
特許文献１は、絶縁耐圧を比較的高く維持しつつＦＧに対する放射ノイズの影響を低減できる光通信モジュールを提供することを目的としている。
特許文献１には、導電性のパッケージ（８）と、パッケージ（８）に接続する導電性のリードピン（１２ａ）とを有するＴＯＳＡ（４ａ）と、リードピン（１２ａ）に接続する導電性の電極（２０ａ）と、電極（２０ａ）上に設けられた回路基板（５）と、回路基板（５）上に設けられており、回路基板（５）を挟んで電極（２０ａ）に重なるように配置された導電性の電極（２６）と、パッケージ（８）に接続しており、ＴＯＳＡ（４ａ）、電極（２０ａ）、回路基板（５）及び電極を収容する導電性のケース（６）とを備え、電極（２０ａ）、回路基板（５）、及び電極（２６）がコンデンサをなした光通信モジュール（２）が開示されている（要約書、図１、図３）。
この光通信モジュールでは、ＦＧとＳＧとの間に、電極（２０ａ）と回路基板（５）と電極（２６）からなるコンデンサを設けることで、ＦＧ−ＳＧ分離を実現している。
【０００６】
特許文献２は、コンデンサを用いることなく、フレームグランドに流れる高周波電流の低減と絶縁耐性の確保とが容易に実現可能な光トランシーバを提供することを目的としている。
特許文献２には、ＦＧに接続されたステム（２２）を有するＴＯＳＡ（２）と、ＴＯＳＡ（２）に収容されたＬＤを制御するための回路基板（６）とを実装し、回路基板（６）のＳＧに接続された導体パターン（３０ｅ）と、導体パターン（３０ｅ）上に設けられた絶縁性の基体（４ａ）と、ステム（２２）のケースピン（２４ｄ）に接続されており基体（４ａ）上に設けられた導体パターン（３０ｄ）とを有するＦＰＣ（４）を備えた光トランシーバ（１）が開示されている（要約書、図１、図３）。
この光トランシーバでは、ＦＧとＳＧとの間に、導体パターン（３０ｄ）と基体（４ａ）と導体パターン（３０ｅ）からなるコンデンサを設けることで、ＦＧ−ＳＧ分離を実現している。
【０００７】
特許文献３は、静電気放電（Electrostatic Discharge:ＥＳＤ）や電磁輻射（Electro  Magnetic  Interference：ＥＭI）の影響の低減または除去を、用いる材料に制約されることなく、簡易な構造で実現することができる光モジュールを提供することを目的としている。
特許文献３には、ステム部材（１２）と、ステム部材（１２）に装着したレンズキャップ（１３）で形成される空間のステム部材（１２）上に半導体光デバイス（１１）を搭載し、その光デバイス（１１）へ電気信号を供給する、もしくは、光デバイス（１１）からの電気信号を導出するリードを含む複数のリード（１４）をステム部材（１２）に備え、ステム部材（１２）は、光デバイス（１１）を搭載しかつリード（１４）を備える金属製の本体部（１２ａ）と、レンズキャップ（１３）を装着する金属製の装着部（１２ｂ）と、本体部（１２ａ）と装着部（１２ｂ）とを電気的に絶縁する絶縁部（１２ｃ）とを有する光モジュール（１０）が開示されている（請求項１、要約書、図１）。
この光モジュールでは、金属製の本体部（１２ａ）と絶縁部（１２ｃ）と金属製の装着部（１２ｂ）とからなるステム部材（１２）を用いることで、ＦＧ−ＳＧ分離を実現している。
【０００８】
特許文献４は、広い周波数帯域においてフレームグランドに対する放射ノイズの影響を効果的に低減することを目的としている。
特許文献４には、パッケージ（８ａ）とパッケージ（８ａ）に電気的に接続されたリードピン（１２ａ）を含む複数のリードピン（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ）とを有するＴＯＳＡ（４ａ）と、リードピン（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）をＴＯＳＡ駆動用の電子回路（２４）及びＳＧ電極に電気的に接続するための導電部（２０ａ，２０ｂ，２０ｃ）を有する主回路基板（５ａ）と、主面（Ｍ３）上に設けられた導電部（３０）と主面（Ｍ２）上に設けられた導電部（２８）との間に容量成分が形成されており、導電部（２８）と主回路基板（５ａ）の導電部（２０ａ）とが対面した状態で電気的に接続されるように主回路基板（５ａ）上に搭載された副回路基板（５ｂ）とを備え、リードピン（１２ａ）はＦＰＣ（３８）を介して導電部（３０）に対して電気的に接続されている光トランシーバモジュール（２）が開示されている（請求項１、要約書、図４）。
この光トランシーバモジュールでは、レーザパッケージにＦＰＣが実装され、このＦＰＣと主回路基板との間に副回路基板を設け、この副回路基板によってコンデンサを形成することで、ＦＧ−ＳＧ分離を実現している。
【０００９】
特許文献５は、フレキシブル基板とキャンパッケージとの接続に起因する高周波信号の反射により発生する高周波の干渉を抑制し、高周波信号の波形の歪みを少なくすることを目的としている。
特許文献５には、レーザダイオードのキャンパッケージ（１０）にフレキシブル基板（１２）を実装し、フレキシブル基板（１２）上に２本の伝送線路（１２ａ）を設け、これら２本の伝送線路（１２ａ）にそれぞれ、伝送線路（１２ａ）とキャンパッケージ（１０）のリード端子（１０ｃ）との接続点近傍に、伝送線路（１２ａ）のインピーダンスとリード端子（１０ｃ）のインピーダンスとを整合するための抵抗（１２ｃ）とコンデンサ（１２ｊ）とを直列接続し、コンデンサ（１２ｊ）の抵抗（１２ｃ）接続側と反対側をグランド接続した光半導体装置（３０）が開示されている（実施の形態３、図２０〜図２１）。段落００２４には、コンデンサ（１２ｊ）としてチップコンデンサ（チップキャパシタ）が例示されている。
この光半導体装置では、コンデンサ（１２ｊ）に接続されたグランドは、回路基板に設けられたＳＧではなく、ＦＧ−ＳＧ分離構造とはなっていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開2008-085183号公報
【特許文献２】特開2009-105157号公報
【特許文献３】特開2008-177310号公報
【特許文献４】特開2009-111170号公報
【特許文献５】特開2005-286305号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】ハワード・ジョンソン著、須藤俊夫監訳、「高速信号ボードの設計基礎編」、丸善株式会社、平成１９年７月発行
【非特許文献２】Maxim Integrated Products, Customer Applications, Application Note HFAN-2.0 (Rev. 0, 5/00), "Interfacing Maxim Laser Drivers with Laser Diodes", p. 1-12
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献１、４に記載の構造では、回路基板に容量を作りこむことでＦＧ−ＳＧ分離を図る構造であるため、回路基板に多層の特殊構造を形成する必要があり、コスト増となる。
特許文献３に記載の構造では、レーザパッケージの筺体でＦＧ−ＳＧ分離を図る構造であるため、レーザパッケージの設計が特殊となり、コスト増となる。
【００１３】
ところで、特に高周波のＲＦ信号の高速伝送において適切な伝送が行われるには、ＡＣ的に接続され、ＤＣ的に絶縁されたＦＧ−ＳＧラインのインピーダンスをなるべく小さくして、このＦＧ−ＳＧラインによって、ＲＦ信号がＦＧから帰還する帰還路（リターンパス）が形成される必要がある。インピーダンスが小さく、帰還路をなすＦＧ−ＳＧラインは、マイクロストリップラインと呼ばれる。
【００１４】
コンデンサを含むＦＧ−ＳＧラインのインピーダンスは、下記式で表される。
Ｚ＝１／ｊωＣ
（式中、Ｚはインピーダンス、ｊは虚数単位、ωは周波数、Ｃはコンデンサの容量である。）
【００１５】
上記式で示されるように、コンデンサを含むＦＧ−ＳＧラインのインピーダンスは、ＦＧ−ＳＧライン中のコンデンサの容量に反比例し、コンデンサの容量がある程度大きくないと、特に高周波のＲＦ信号の高速伝送においてインピーダンスがＲＦ信号の帰還路として適切なものとならない。通常、高周波のＲＦ信号を良好に伝送するには、ＦＧ−ＳＧラインのコンデンサの容量は１００ｎＦ程度以上が必要とされている。
【００１６】
ＲＦ信号伝送における帰還路については、非特許文献１のｐ．１２６−１２９、２．１３「信号のリターン経路の直列インピーダンス」、及び非特許文献２のｐ．７、左欄、第３パラグラフ等を参照されたい。
【００１７】
回路基板あるいはレーザパッケージの筺体に容量を作り込む特許文献１、３、４の構造では、ＦＧ−ＳＧラインのコンデンサの容量を大きくでき、容易にＲＦ信号の帰還路として適切なインピーダンスとすることができる。
一方、特許文献２では、文献中の図１に示されるように、フレキシブル回路基板（ＦＰＣ）をコンデンサとしてＦＧ−ＳＧ分離を図る構造である。ＦＰＣでは、その物性値および寸法制約から、得られる容量は数〜数十ｐＦ程度と小さい。この場合、ＦＧ−ＳＧラインのインピーダンスをＲＦ信号の帰還路として適切なレベルに充分に低下させることができない。
【００１８】
特許文献５には、ＦＰＣ上にチップコンデンサを搭載した構造が記載され、ＦＰＣ上で信号伝送線路とチップコンデンサとグランドとが直列接続された構造が記載されている。
上記のように、特許文献５に記載の構造では、コンデンサに接続されたグランドは、回路基板に設けられたＳＧではなく、ＦＧ−ＳＧ分離構造とはなっていない。また、信号伝送路とチップコンデンサとが直列接続されているため、ＲＦ帰還路が形成されない。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の光伝送モジュールは、
半導体レーザと、当該半導体レーザを収容する筺体とを備え、前記半導体レーザに導通されたリードが前記筺体の内部から外部に引き出されたレーザパッケージと、前記レーザパッケージに取り付けられ、前記レーザパッケージの接続側と反対側に、光ファイバが内蔵された光コネクタが嵌合されるレセプタクルとを備えたレーザモジュールと、
前記レーザモジュールに実装され、前記リードに接続された信号配線を備えたフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）と、
前記フレキシブル配線基板に接続され、前記半導体レーザの駆動を制御する電気回路を備えた回路基板とを備え、
高周波信号を伝送する光伝送モジュールであって、
前記レーザモジュールの前記筺体及び前記レセプタクルが、前記光コネクタを介して電子機器の筺体グランド（ＦＧ）に電気的に接続されるものであり、
前記フレキシブル配線基板が、前記電子機器の前記筺体グランド（ＦＧ）に電気的に接続されるＦＧ接続導電部と、前記回路基板の信号グランド（ＳＧ）に電気的に接続されるＳＧ接続導電部とを備え、
前記ＦＧ接続導電部と前記ＳＧ接続導電部とが、前記フレキシブル配線基板上に搭載され、かつ前記信号配線と電気的に接続されないチップコンデンサを介して接続されたものである。
【００２０】
本発明の光伝送モジュールにおいては、ＦＰＣにＦＧ接続導電部とＳＧ接続導電部とを設け、ＦＧ接続導電部とＳＧ接続導電部とをＦＰＣ上に搭載され、かつＦＰＣの信号配線と電気的に接続されないチップコンデンサを介して接続する構成を採用している。かかる構成では、安価なＦＰＣとチップコンデンサを用い、低コストにＦＧ−ＳＧ分離を図ることができる。また、ＦＧ−ＳＧラインのインピーダンスを、高周波を含む広範囲の周波数のＲＦ信号の伝送の帰還路として適切なものとすることが可能である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、低コストにＦＧ−ＳＧ分離を図ることができ、ＦＧ−ＳＧラインのインピーダンスを、高周波を含む広範囲の周波数のＲＦ信号の伝送の帰還路として適切なものとすることが可能な光伝送モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係る一実施形態の光伝送モジュールに備えられたレーザモジュール及びＦＰＣの横断面図である。
【図２】本発明に係る一実施形態の光伝送モジュールに備えられたレーザモジュール及びＦＰＣの縦断面図である。
【図３】本発明に係る一実施形態の光伝送モジュールに備えられたレーザモジュール及びＦＰＣをＦＰＣのコンデンサ実装面（信号線面）側から見た平面図である。
【図４】本発明に係る一実施形態の光伝送モジュールに備えられたＦＰＣとＰＣＢの断面図であり、図３のIV-IV'断面に対応した図である。
【図５】本発明に係る一実施形態の光伝送モジュールにおける回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
「一実施形態」
図面を参照して、本発明に係る一実施形態の光伝送モジュールの構成について説明する。
図１は、本実施形態の光伝送モジュールに備えられたレーザモジュール及びＦＰＣの横断面図である。図２は、本実施形態の光伝送モジュールに備えられたレーザモジュール及びＦＰＣの縦断面図である。図３は、本実施形態の光伝送モジュールに備えられたレーザモジュール及びＦＰＣをＦＰＣのコンデンサ実装面（信号線面）側から見た平面図である。図４は、本実施形態の光伝送モジュールに備えられたＦＰＣとＰＣＢの断面図であり、図３のIV-IV'断面に対応した図である。図５は、本実施形態の光伝送モジュールにおける光伝送回路図である。
図面上は視認しやすくするため、適宜実際のものとは異ならせて、簡略化してある。
【００２４】
本実施形態の光伝送モジュール１は、高周波（ＲＦ）信号を伝送するものである。
図１〜図５に示すように、
光伝送モジュール１は、
半導体レーザ１０が内蔵されたレーザモジュールであるＴＯＳＡ（Transmitter Optical Sub-Assembly）５と、
ＴＯＳＡ５に実装されたフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）６と、
ＦＰＣ６に接続され、半導体レーザ１０の駆動を制御する電気回路を備えた回路基板（ＰＣＢ）７とを備えている。
【００２５】
ＴＯＳＡ５は、レーザパッケージ２と、レーザパッケージ２に取り付けられ、レーザパッケージ２の接続側と反対側に、光ファイバ３１が内蔵された光コネクタ（図示せず）が嵌合されるレセプタクル３とから構成されている。
【００２６】
レーザパッケージ２は、半導体レーザ１０と、半導体レーザ１０を収容する筺体２０とを備えている。
本実施形態において、筺体２０は、ステム２１とキャップ（レンズホルダ）２２とから構成されている。ステム２１の内面に台座１１が突設され、この台座１１上にヒートシンク１２が設けられ、その上に半導体レーザ１０が形成されている。
複数のリード２４が、ステム２１を通って、レーザパッケージ２の筺体２０の内部から外部に引き出されている。複数のリード２４はそれぞれ、半導体レーザ１０とボンディングワイヤ１３を介して導通されている。複数のリード２４のステム２１から外部に引き出された部分は、リード端子２４Ｔとなっている。図１中、符号２５はグランドリード（グランド端子）である。
キャップ２２には、光路上に集光レンズ２３が嵌め込まれている。
【００２７】
レセプタクル３は、光ファイバ３１、フェルール３２、及びスリーブ３３からなる光ファイバモジュールが、光コネクタ接続側に開口部３４Ｈを有するシェル３４に収容され、シェル３４にレーザモジュール５との接続用のスライドホルダ３５が取り付けられたものである。
【００２８】
図５に示すように、本実施形態において、ＴＯＳＡ５をなすレーザパッケージ２の筺体２０及びレセプタクル３が、光コネクタ（図示せず）を介して電子機器８の筺体グランド（ＦＧ）に電気的に接続される。
【００２９】
図１及び図２に示すように、ＦＰＣ６は、基材である誘電体層６１と、誘電体層６１の裏面に形成されたグランド配線層６２と、誘電体層６１の表面に形成された信号配線層６３との積層構造を有している。ＦＰＣ６の最表面には、信号配線層６３を保護するカバーレイ（図示略）が貼着されている。
【００３０】
図３に示すように、ＦＰＣ６は平面視、一端部に形成され、ＴＯＳＡ５に接続されるＴＯＳＡ接続部６Ｔと、他端部に形成され、ＰＣＢ７に接続されるＰＣＢ接続部６Ｐとを有している。
ＦＰＣ６の表面側の信号配線層６３には、２本の信号配線６３Ａと１本のモニタ電流線６３Ｄとが形成されている。
【００３１】
ＦＰＣ６のＴＯＳＡ接続部６Ｔの裏面側に形成されたグランド配線層６２がレーザパッケージ２のグランドリード２５に接続され、２本の信号配線６３Ａとレーザパッケージ２の２個のリード端子２４Ｔとが接続され、モニタ電流線６３Ｄとレーザパッケージ２の他の１個のリード端子２４Ｔとが接続されている。
ＦＰＣ６のＴＯＳＡ接続部６Ｔの裏面側のグランド配線層６２は、ＴＯＳＡ５をなすレーザパッケージ２の筺体２０及びレセプタクル３、及び光コネクタ（図示せず）を介して電子機器８のＦＧに電気的に接続される。
【００３２】
２本の信号配線６３Ａと１本のモニタ電流線６３Ｄは、ＴＯＳＡ接続部６ＴからＰＣＢ接続部６Ｐまで延びて形成されている。これら２本の信号配線６３Ａは平面視、線対称に配置されている。これら２本の信号配線６３Ａによる信号伝送路は、正相と逆相のＲＦ信号が供給される差動線路とされている。
ＦＰＣ６上において２本の信号配線６３Ａを線対称に配置し、２本の信号配線６３Ａによる信号伝送路を差動線路とすることで、高品質な信号伝送を実施することができる。
【００３３】
図４に示すように、ＦＰＣ６のＰＣＢ接続部６Ｐの裏面側にＰＣＢ７が取り付けられる。ＰＣＢ７には、信号グランド（ＳＧ）が設けられる。
【００３４】
図４に示すように、ＦＰＣ６の表面側に形成された信号配線層６３には、スルーホール６４を介して裏面側のグランド配線層６２に導通され、グランド配線層６２、ＴＯＳＡ５をなすレーザパッケージ２の筺体２０及びレセプタクル３、及び光コネクタ（図示せず）を介して電子機器８のＦＧに電気的に接続されるＦＧ接続導電部６３Ｂが設けられている。
ＦＰＣ６の表面側に形成された信号配線層６３にはまた、スルーホール６６を介してＰＣＢ７のＳＧに電気的に接続されるＳＧ接続導電部６３Ｃが設けられている。
本実施形態において、ＦＧ接続導電部６３ＢとＳＧ接続導電部６３Ｃとが、ＦＰＣ６上に搭載され、かつ信号配線６３Ａと電気的に接続されないチップコンデンサ６５を介して接続されている。
【００３５】
チップコンデンサ６５は、ＦＰＣ６の搭載面に対して立設した一対の外部電極６５Ｘ、６５Ｙを有している。ＦＧ接続導電部６３Ｂとチップコンデンサ６５の一方の外部電極６５Ｘとが当接され、ＳＧ接続導電部６３Ｃとチップコンデンサ６５の他方の外部電極６５Ｙとが当接されている。
図３に示すように、本実施形態において、ＦＰＣ６には、２本の信号配線６３Ａに対応して２個のチップコンデンサ６５が搭載されている。
２個のチップコンデンサ６５についても、２本の信号配線６３Ａと同様、平面視、線対称に配置されている。
【００３６】
本実施形態の光伝送モジュール１においては、ＴＯＳＡ５とＰＣＢ７との間にＦＰＣ６を介在させ、ＦＰＣ６にＦＧ接続導電部６３ＢとＳＧ接続導電部６３Ｃとを設け、ＦＧ接続導電部６３ＢとＳＧ接続導電部６３Ｃとを、ＦＰＣ６上に搭載され、かつＦＰＣ６の信号配線６３Ａと電気的に接続されないチップコンデンサ６５を介して接続する構成を採用している。
本実施形態の構成では、電子機器８のＦＧとＰＣＢ７のＳＧとが、ＦＰＣ６上のチップコンデンサ６５を介して、交流（ＡＣ）的には接続され、直流（ＤＣ）的には絶縁され、ＦＧ−ＳＧ分離が実現されている。
【００３７】
図５に、本実施形態の光伝送モジュール１における回路図を示す。
図中、破線円で囲むループ記号ＰＴ及びそれに繋がる実線は、誘電体層６１と誘電体層６１を挟持する一対の配線層６２、６３とを備えたＦＰＣ６におけるＲＦ信号の光伝送路を模式的に示している。
図中、ＬＤは半導体レーザ、Ｓ１、Ｓ２は２本の信号配線６３Ａによる信号伝送路、Ｃはチップコンデンサ６５、ＥＣはＰＣＢ７の電気回路を示している。
【００３８】
図５においては簡略化のため、２個のコンデンサ６５を１個として図示している。図５では、２本の信号伝送路Ｓ１、Ｓ２は同一のコンデンサ６５を介して、ＦＧとＳＧに接続されているが、実際には、２本の信号伝送路Ｓ１、Ｓ２は異なるコンデンサ６５を介してＦＧとＳＧに接続されており、２本の光伝送路Ｓ１、Ｓ２に対応した２本のＦＧ−ＳＧラインが形成されている。
【００３９】
図５には、電子機器８のＦＧとＰＣＢ７のＳＧとが、ＦＰＣ６上のチップコンデンサ６５を介して、ＡＣ的には接続され、ＤＣ的には絶縁され、ＦＧ−ＳＧ分離が実現されている様子が示されている。
本実施形態の構成では、安価なＦＰＣ６とチップコンデンサ６５を用い、低コストにＦＧ−ＳＧ分離を図ることができる。
【００４０】
チップコンデンサ６５としては、１００ｎＦ程度、及びそれ以上の容量のものが市販されている。ＦＰＣそのものをコンデンサとして使用する場合、数〜数十ｐＦ程度の小さい容量しか得られない。本実施形態では、ＦＧ−ＳＧラインにチップコンデンサ６５を用いることで、ＦＰＣそのものをコンデンサとするよりもＦＧ−ＳＧラインの容量を大きく、１００ｎＦ程度、あるいはそれ以上とすることができる。
その結果、ＦＧ−ＳＧラインのインピーダンスを、高周波のＲＦ信号の高速伝送においても、ＲＦ信号の帰還路として適切なレベルに充分に低下させることができる。換言すれば、本実施形態では、電子機器８のＦＧとチップコンデンサ６５とＰＣＢ７のＳＧとの接続構造によって、ＲＦ信号の帰還路が良好に形成されている。
ＲＦ信号の帰還路が良好に形成なければ、ＲＦ信号が適切に伝送されない。本実施形態では、ＲＦ信号の帰還路が良好に形成されるので、高周波のＲＦ信号の高速伝送においても、ＲＦ信号が良好に伝送される。
【００４１】
本実施形態では、ＦＰＣ６上において、２本の信号配線６３Ａによる信号伝送路Ｓ１、Ｓ２と、これら２本の信号伝送路Ｓ１、Ｓ２に対応した２本のＦＧ−ＳＧラインを線対称に配置し、２本の信号伝送路Ｓ１、Ｓ２を差動線路としているので、高品質な信号伝送を実施することができる。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態によれば、低コストにＦＧ−ＳＧ分離を図ることができ、ＦＧ−ＳＧラインのインピーダンスを、高周波を含む広範囲の周波数のＲＦ信号の伝送の帰還路として適切なものとすることが可能な光伝送モジュール１を提供することができる。
【００４３】
「設計変更」
本発明は上記実施形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において適宜設計変更可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明の光伝送モジュールは、光通信装置に装着される光トランシーバ等に好ましく適用することができる。
【符号の説明】
【００４５】
１  光伝送モジュール
２  レーザパッケージ
３  レセプタクル
５  ＴＯＳＡ（レーザモジュール）
６  ＦＰＣ（フレキシブル配線基板）
６Ｐ  ＰＣＢ接続部
６Ｔ  ＴＯＳＡ接続部
７  ＰＣＢ（回路基板）
８  電子機器
１０  半導体レーザ
２０  筺体
２１  ステム
２２  キャップ
２３  集光レンズ
２４  リード
２４Ｔ  リード端子
３１  光ファイバ
６１  誘電体層
６２  グランド配線層
６３Ａ  信号配線
６３Ｂ  ＦＧ接続導電部
６３Ｃ  ＳＧ接続導電部
６３Ｄ  モニタ電流線
６４、６６  スルーホール
６５  チップコンデンサ
ＬＤ  半導体レーザ
Ｓ１、Ｓ２  信号伝送路
Ｃ  チップコンデンサ
ＥＣ  電気回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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