(57)【要約】      （修正有）【課題】接着剤に起因する異物の発生および異物の銅箔層への付着を抑制して、歩留まりを向上する、半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。【解決手段】絶縁フィルム２の銅箔層３が形成される面とは反対側の面に接着剤層４を介して絶縁フィルムに裏打ち層６を貼り合わせる工程と、絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリア１の製造方法において、接着剤層は、エッチング液に晒される露出した絶縁フィルムの側面から所定の距離を隔てた領域に接着剤層を形成しない非形成領域を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムの銅箔層が形成される面とは反対側の面に接着剤層を介して前記絶縁フィルムに裏打ち層を貼り合わせる工程と、前記絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、前記銅箔層をエッチングして配線パターンを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記接着剤層は、エッチング液に晒される露出した前記絶縁フィルムの側面から所定の距離を隔てた領域に前記接着剤層を形成しない非形成領域を有することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記非形成領域は、前記絶縁フィルムの端辺から幅方向に所定の距離を隔てた領域であることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記非形成領域は、前記搬送用ホールから前記絶縁フィルムの幅方向に所定の距離を隔てた領域であることを特徴する半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用テープキャリアの製造方法、特に裏打ち層を貼り合わせて半導体装置用テープキャリアを製造する半導体装置用テープキャリアの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置用テープキャリアは、ＩＣチップなどの半導体素子を実装するための複数の配線パターンが絶縁フィルム上の長手方向に繰り返し形成されたものである。半導体装置用テープキャリアは、絶縁フィルムの長手方向に形成された搬送用ホールにピンローラなどを差し込んでリールｔｏリール方法により搬送されて製造される。
【０００３】
近年、プリント配線基板の微細配線化が要求されるようになり、配線の細線化が可能なＣＯＦ（Chip On Film）が注目されている。ＣＯＦは、例えば、絶縁フィルム、銅箔層の２層構造からなり、デバイスホールを設けず、インナーリードが絶縁フィルムに対して密着した構造となっている。そして、ＣＯＦには、可撓性を向上するため、薄い絶縁フィルムが用いられる。
【０００４】
上述したように、半導体装置用テープキャリアはリールｔｏリール方法により絶縁フィルムを搬送して製造されるが、絶縁フィルムが薄く強度が低いＣＯＦなどにおいては、絶縁フィルムに接着剤を介して裏打ち層を貼り合わせて搬送する（例えば、特許文献１参照）。この裏打ち層により絶縁フィルムの強度が補強されて、搬送用ホールにおける亀裂やピンローラの外れなどを抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２９９３８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した裏打ち層を貼り合わせて半導体装置用テープキャリアを製造する製造方法は、例えば、図５および図６のようになる。まず、絶縁フィルム２の一方の面に銅箔層３を形成する（図５（ａ））。銅箔層３の形成された絶縁フィルム２のもう一方の面の全面に接着剤（粘着剤）を塗布して接着剤層（粘着剤層）４を形成する（図５（ｂ））。接着剤層４を介して補強用部材である裏打ち層６を絶縁フィルム２に貼り合わせる（図５（ｃ））。裏打ち層６の貼り合わされた絶縁フィルム２の長手方向に沿って搬送用ホール７を形成する（図５（ｄ））。そして、銅箔層３上に所定のレジストパターン（図示せず）を形成して、エッチング処理により配線パターン８を形成する（図５（ｅ）、図６）。
【０００７】
ところで、上述したエッチング処理においては、絶縁フィルム上の銅箔層に対してエッチング液をスプレーし、または銅箔層の形成された絶縁フィルムをエッチング液に浸漬して、ウェットエッチングにより配線パターンを形成する。このエッチング処理では、図７（ａ）、図７（ｂ）に示すように、スプレーまたは浸漬によってエッチング液は銅箔層３表面だけでなく、絶縁フィルム２の側面側や搬送用ホール７内にも流れ、絶縁フィルム２の側面側および搬送用ホール７の内壁面にそれぞれ露出した状態の接着剤層４の側面４ａおよび内側面４ｂに直ちに接触する。このエッチング液の接触により、接着剤層４の接着剤（アクリル樹脂など）は軟化あるいは溶解して溶け出したり、或いはエッチング液と接着剤との化学反応により生成された反応物が溶け出したりする。この溶け出した接着剤または反応物（以下、接着剤等という）は、絶縁フィルム２や銅箔層３の表面に広がり、ま
たエッチング液に溶け出してエッチング液中に混入する。一般的に、エッチング液はスプレー噴射する場合は回収されて再利用され、浸漬する場合は連続的に使用されるため、エッチング液中に溶け出した接着剤等は銅箔層３に付着する。また、接着剤層４が搬送用ホール７の内壁面に露出した状態で存在するので、搬送用ホール７の打ち抜き時に接着剤層の切りくずが発生して銅箔層３に付着する場合がある。これら接着剤等や接着剤層の切りくずなどの異物が銅箔層３に付着すると、配線パターンの形成を阻害し、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを低下させてしまう。
【０００８】
本発明は、接着剤に起因する異物の発生および異物の銅箔層への付着を抑制して、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様は、絶縁フィルムの銅箔層が形成される面とは反対側の面に接着剤層を介して前記絶縁フィルムに裏打ち層を貼り合わせる工程と、前記絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、前記銅箔層をエッチングして配線パターンを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記接着剤層は、エッチング液に晒される露出した前記絶縁フィルムの側面から所定の距離を隔てた領域に前記接着剤層を形成しない非形成領域を有する半導体装置用テープキャリアの製造方法である。
【００１０】
上記半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記非形成領域は、前記絶縁フィルムの端辺から幅方向に所定の距離を隔てた領域であることが好ましい。
【００１１】
上記半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記非形成領域は、前記搬送用ホールから前記絶縁フィルムの幅方向に所定の距離を隔てた領域であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、接着剤に起因する異物の発生および異物の銅箔層への付着を抑制して、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の工程を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の工程を示す概略図である。
【図３】図２（ｅ）の平面図である。
【図４】（ａ）は本実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの要部拡大図であり、（ｂ）は（ａ）における断面図である。
【図５】従来の半導体装置用テープキャリアの製造方法の工程を示す概略図である。
【図６】従来の半導体装置用テープキャリアの平面図である。
【図７】（ａ）は従来の半導体装置用テープキャリアの要部拡大図であり、（ｂ）は（ａ）における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法について図を用いて説明する。図１および図２は、本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の工程を示す概略図である。図３は、本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの平面図である。本実施形態においては、図１ａ及び図３に示すような幅広い絶縁フィルム２から３列のテープキャリア形成領域１ａ・１ｂ・１ｃを有する半導体装置用テープキャリアを製造する場合について説明する。
【００１５】
本実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法は、絶縁フィルム２の一方の面に銅箔層３を形成する工程と、絶縁フィルム２の銅箔層３とは反対側の面に接着剤層４を介して絶縁フィルム２に補強用の裏打ち層６を貼り合わせる工程と、絶縁フィルム２の長手方向に沿って搬送用ホール７を形成する工程と、銅箔層３をエッチングして配線パターン８を形成する工程と、絶縁フィルム２から接着剤層４とともに裏打ち層（裏打ち材）６を剥離する工程と、を含む。
【００１６】
まず、図１（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる厚さ４０μｍ以下（例えば３８μｍ程度または２５μｍ程度）の絶縁フィルム２の一方の面に、例えば、スパッタリングによりスパッタ層を形成した後に、電解メッキにより銅箔層３を形成する。銅箔層付きの絶縁フィルムは、絶縁フィルムと銅箔層との２層構造に限定されず、接着剤層を介して絶縁フィルムに銅箔層を貼り合わせた３層構造であってもよい。なお、図１中、鎖線により、搬送用ホール７としてのガイドホール７ａとスプロケットホール７ｂとが形成される箇所を示している。ガイドホール７ａは絶縁フィルム２の両端部に形成され、３つのテープキャリア形成領域１ａ・１ｂ・１ｃを有する幅広の絶縁フィルム２を搬送するために使用される。また、スプロケットホール７ｂは３つのテープキャリア形成領域１ａ・１ｂ・１ｃのそれぞれにおける両端部に形成され、個別に切り離されるテープキャリア形成領域１ａ・１ｂ・１ｃのそれぞれの搬送に使用される。
【００１７】
次に、銅箔層３の形成された絶縁フィルム２のもう一方の面に、ローラ塗布により接着剤（粘着剤）を塗布して、接着剤層（粘着剤層）４を形成する。接着剤層４は、図１（ｂ）に示すように、絶縁フィルム面の全域に形成されるのではなく、接着剤層４が部分的に形成されない非形成領域５ａおよび非形成領域５ｂを有している。一方の非形成領域５ａは絶縁フィルム２の両端部に位置しており、もう一方の非形成領域５ｂはガイドホール７ａが形成される領域に位置する。このように非形成領域５ａ，５ｂを有する接着剤層４を形成することによって、接着剤層４がエッチング液に晒され難くなり、上述した接着剤等（接着剤または反応物）の溶け出しやエッチング液への接着剤等の拡散・混入を抑制することができる。また、搬送用ホール７の打ち抜き時に、接着剤層４の切りくずが発生するのを抑制できる。更に、後述する裏打ち層６の貼り合わせにおいて、貼り合わせの圧力による絶縁フィルム２側面から外部への接着剤のはみ出しを抑制できる。
なお、接着剤層４に用いられる接着剤の種類は特に限定されないが、アクリル樹脂が好ましい。また、接着剤の形成方法は特に限定されないが、ローラ塗布が好ましい。ローラ塗布によれば、搬送される絶縁フィルム２に接するローラの幅を適宜変更することにより、接着剤層の非形成領域５ａ・５ｂのそれぞれを所定の幅として、接着剤層４を形成することができる。また、接着剤層を絶縁フィルムではなく、裏打ち層に塗布ローラにより塗布して形成するようにしてもよい。この場合も、上記絶縁フィルムへの接着剤層の形成と同様にして、接着剤層が形成されない非形成領域を形成する。
【００１８】
次に、図１（ｃ）に示すように、上述した接着剤層４を介して、絶縁フィルム２に補強用部材としての裏打ち層６を貼り合わせる。裏打ち層６を貼り合わせることにより、搬送時における薄い絶縁フィルム２の撓みなどを抑制することができる。裏打ち層６は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）からなる補強用シート部材であって、その厚さはテープキャリアの搬送時における撓みなどを抑制できる厚さを有していればよい。
【００１９】
次に、図２（ｄ）に示すように、打ち抜き加工により、絶縁フィルム２の幅方向の両端部に、銅箔層３、絶縁フィルム２および裏打ち層６を貫通させて搬送用ホールとして円形状のガイドホール７ａを形成する。ガイドホール７ａは上述した接着剤層４の非形成領域５ｂに位置している。
ここで、接着剤層４および接着剤層４の非形成領域５ａ、５ｂについて説明する。本実
施形態においては、図４（ａ）、図４（ｂ）に示すように、非形成領域５ａは、絶縁フィルム２の端辺に沿った帯状の領域であって、端辺（外側面１０）から幅方向内方に所定の距離（Ｄ１）を隔てた位置までの領域である。非形成領域５ｂは、絶縁フィルム２の長手方向に沿って複数配置されるガイドホール７ａを包含する帯状の領域であって、ガイドホール７ａ部分およびガイドホール７ａ（ホール内壁面１１）の絶縁フィルム２の幅方向外縁から幅方向両側にそれぞれ所定の距離（Ｄ２）を隔てた位置までの領域である。すなわち、エッチング液に晒される接着剤層の側面４ａおよび内側面４ｂは、図７（ａ）、図７（ｂ）に示すような従来のテープキャリアと比較して、露出した絶縁フィルム２の側面（外側面１０またはホール内壁面１１）から所定の距離（Ｄ１、Ｄ２）だけ奥に位置している。なお、Ｄ１、Ｄ２の大きさは、接着剤層４の非形成領域５ａ、５ｂがガイドホール７ａを含む絶縁フィルム２の端部領域に形成されるように適宜変更されることが好ましい。
【００２０】
続いて、絶縁フィルム２上の銅箔層３にロールコータなどによりレジストを塗布して、レジスト層を形成する。形成されたレジスト層に対して、所定の露光および現像を行うことにより、銅箔層３上に所定のレジストパターン（図示せず）を形成する。そして、レジストパターンの形成された銅箔層上にエッチング液をスプレー噴射してエッチング処理を行い、図２（ｅ）に示すような所定の配線パターン８を形成する。本実施形態においては、図３に示すように、３列のテープキャリア形成領域１ａ・１ｂ・１ｃを同時に製造するため、配線パターン８が絶縁フィルム２の長手方向に繰り返されたものが３列配列されている。
【００２１】
本実施形態においては、図４（ａ）、図４（ｂ）に示すように、接着剤層４が絶縁フィルム２の端辺から幅方向に所定の距離を隔てた領域およびガイドホール７ａから所定の距離を隔てた領域には形成されていない。すなわち、接着剤層４は非形成領域５ａおよび非形成領域５ｂを有し、接着剤層４の側面４ａは絶縁フィルム２の外側面１０から所定の距離を隔てた奥に位置し、接着剤層４の内側面４ｂもガイドホール７ａの内壁面１１から所定の距離を隔てた奥に位置している。このように、エッチング液に晒される接着剤層４の側面４ａ及び内側面４ｂが、絶縁フィルム２の側面（外側面１０、内壁面１１）から内側に退いた状態にあるため、上記のエッチング工程において、エッチング液は非形成領域５ａ、非形成領域５ｂに侵入して接着剤層の側面４ａおよび内側面４ｂに接触しにくくなり、接触にともなう接着剤等の溶け出しを抑制することができる。また、エッチング液が非形成領域５ａおよび非形成領域５ｂに侵入し接着剤層に接触して接着剤等が溶け出した場合であっても、接着剤等が非形成領域５ａおよび非形成領域５ｂ内に留まり外部へ流出しにくくなるため、接着剤等の銅箔層３表面への付着または接着剤等のエッチング液への拡散・混入を抑制できる。このように、接着剤のエッチング液への溶け出しなどを抑制し銅箔層３への接着剤等の異物の付着を抑制することで、テープキャリアの歩留まりを向上することができる。
【００２２】
次に、３つのテープキャリア形成領域１ａ・１ｂ・１ｃのそれぞれの両端部にスプロケットホール７ｂを打ち抜き加工で形成した後、裏打ち層６とともに接着剤層４を剥離し、最後に、幅広の絶縁フィルム２を長手方向に切断することにより、３つの半導体装置用テープキャリアを得る。なお、幅広の絶縁フィルム２を長手方向に切断した後、裏打ち層６とともに接着剤層４を剥離してもよい。
【００２３】
なお、上記実施形態では、エッチング工程前の打ち抜き加工において、ガイドホールのみを形成したが、ガイドホールおよびスプロケットホールを同時に形成しても良い。その場合においては、スプロケットホール内壁面に臨む接着剤層からの接着剤等の溶け出しなどを抑制するため、接着剤層の非形成領域は、ガイドホールと同様にして、スプロケットホールから所定の距離を隔てた領域には接着剤層を形成しないことが好ましい。
また、上記実施形態では、ガイドホール７ａと絶縁フィルム２の端辺との間に非形成領
域５ａ、５ｂに挟まれた帯状・ライン状の接着剤層４を設けたが、必要に応じて、この接着剤層４を省略し非形成領域５ａと非形成領域５ｂとが連続した状態としても良い。
また、幅広の絶縁フィルムから３列のテープキャリア形成領域を有する半導体装置用テープキャリアを製造する場合について説明したが、本発明においてはこれに限定されず、絶縁フィルムに１列または２列以上のテープキャリア形成領域を有する半導体装置用テープキャリアに適用することが可能である。
【符号の説明】
【００２４】
１    半導体装置用テープキャリア
１ａ、１ｂ、１ｃ  テープキャリア形成領域
２    絶縁フィルム
３    銅箔層
４    接着剤層
４ａ  接着剤層の側面
４ｂ  接着剤層の内側面
５ａ、５ｂ  接着剤層の非形成領域
６    裏打ち層
７    搬送用ホール
７ａ  ガイドホール
７ｂ  スプロケットホール
８    配線パターン
１０  外側面
１１  ホール内壁面
【図１】
2012156242.tif 000003
【図２】
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【図４】
2012156242.tif 000005
【図５】
2012156242.tif 000006
【図７】
2012156242.tif 000007
【図３】
2012156242.tif 000008
【図６】
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