(57)【要約】【課題】マイクロ光学素子のキャビティを形成する方法を提供する。【解決手段】ａ）支持基板（１０）の平面上に犠牲材料層（１２）を形成する段階と、ｂ）キャビティ（４）の底部が前記犠牲材料層によって形成された、前記キャビティの壁（６）を形成する段階と、ｃ）吸収層（３０）を、前記壁の頂上（６０）、前記壁の側面（６１，６２）及び前記キャビティの前記底部（４’）に等角的に堆積する段階と、ｄ）前記犠牲層（１２）をエッチングし、この層の前記材料及び前記キャビティ（４）の前記底部に存在する前記吸収材料の層（３０）の前記材料を除去する段階と、を含むマイクロ光学素子のキャビティ（４）を形成する方法を開示する。【選択図】図２Ｆ
2012024917.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）支持基板（１０）表面に犠牲材料層（１２）を形成する段階と、
ｂ）キャビティ（４）の底部が前記犠牲材料層によって形成された、前記キャビティの壁（６）を形成する段階と、
ｃ）所定の光学特性を有し、多孔質材料である、いわゆる光学材料の層（３０）を、前記壁の頂上（６０）、前記壁の側面（６１，６２）及び前記キャビティの前記底部（４’）に等角的に堆積する段階と、
ｄ）前記犠牲層（１２）をエッチングし、この層の前記材料及び前記キャビティ（４）の前記底部に存在する前記光学材料の層（３０）の一部の前記材料を除去する段階と、
を含むマイクロ光学素子のキャビティ（４）を形成する方法。
【請求項２】
前記光学材料の層（３０）が吸収層又は反射層である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記光学材料が吸収性（３０）であり、黒色クロム、黒色モリブデン又はアモルファスカーボンを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記犠牲層（１２）の材料が酸化ケイ素ＳｉＯ２、窒化ケイ素ＳｉＮ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、アモルファスカーボン、黒色モリブデン又は黒色クロムを含む、請求項１から３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記犠牲層（１２）のエッチングを多孔質の前記光学材料（３０）を通過したウェットエッチング液を用いて実施する、請求項１から４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
段階ｂ）で形成された前記壁が１０から２０の間のアスペクト比（ｈ/ｗ）を有する、請求項１から５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
段階ｃの間までキャビティ間で連続的である前記犠牲層（１２）の前記表面に前記壁を形成し、段階ｄの後、前記壁が前記犠牲材料の一部（１２’）の上に位置する、請求項１から６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記壁を少なくとも前記犠牲層（１２）のエッチング領域に形成する、請求項１から６の何れか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記壁を前記犠牲層（１２）及び前記基板（１０）のエッチング領域に形成する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
−請求項１から９の何れか１項に記載の方法の実施を含む、この素子のキャビティ（４）を形成する段階と、
−前記素子の前記キャビティ（４）の中に１以上の流体を導入する段階と、
−前記キャビティの前記壁の上に閉鎖層（９）を形成する段階と、
を含むマイクロ光学素子を形成する方法。
【請求項１１】
壁（６）によって囲まれたキャビティ（４）を含み、多孔質の光学材料の層（３０）が前記壁の頂上（６０）及び前記壁の側面（６１，６２）に形成され、前記キャビティ（４）の前記底部には光学材料が存在しない、マイクロ光学素子。
【請求項１２】
前記各壁（６）の底部が前記犠牲材料の一部（１２’）の上に位置し、前記光学材料の層（３０）が前記犠牲材料のこの部分の側面（１２’１，１２’２）の上にない、請求項１１に記載の素子。
【請求項１３】
前記各壁（６）の底部が前記基板の上又は前記基板の中に位置し、前記光学材料の層（３０）が前記基板（１０）の前記表面付近に位置する前記壁の側面（６１，６２）の一部の上にない、請求項１１に記載の素子。
【請求項１４】
各キャビティが少なくとも部分的に流体（２４）で満たされる、請求項１１から１３の何れか１項に記載の素子。
【請求項１５】
前記光学材料の層（３０）が吸収層又は反射層である、請求項１１から１４の何れか１項に記載の素子。
【請求項１６】
前記光学材料が吸収性（３０）であり、黒色クロム、黒色モリブデン又はアモルファスカーボンを含む、請求項１５に記載の素子。
【請求項１７】
前記壁（６）が１μｍから１００μｍの間の高さを有する、請求項１１から１６の何れか１項に記載の素子。
【請求項１８】
前記壁が０．５μｍから１０μｍの間の幅を有する、請求項１１から１７の何れか１項に記載の素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁によって囲まれたマイクロ寸法を伴い、その間に例えば液晶などの作動流体が導入される、密閉状態で封じられたキャビティを含む素子の製造に関連する。
【背景技術】
【０００２】
それは例えば、配向された液晶が封じられたキャビティ内で使用される分野に、あるいは光学素子、光学レンズ又は光学ガラスを製造するために応用され得る。
【０００３】
もう１つの特定の応用は、作動流体が所定の光学的指標を有する液体である、平面回折レンズのような透明な“光学”部品に関連する。
【０００４】
このような光学素子の一例を図１に示す。それは１００ｍｍ又はそれ以上になり得る幅Ｗを有する。
【０００５】
それは壁６によって分離された、多くの独立したマイクログルーブ又はマイクロキャビティ２を含む。これらのマイクロキャビティは、曲げやすく平坦な基板上に構築される。壁６及びマイクロキャビティは、集合的なマイクロ技術タイプの方法、又はその構造特性のために選定された樹脂の異方性エッチングによって得ることが出来る。
【０００６】
そしてキャビティは、目的とする光学効果に適した液体４によって満たされ得る。
【０００７】
その後キャビティは、通常壁６の頂上に接着される、曲げやすい材料で作られた閉鎖層９によって閉じられる。
【０００８】
全体は、図示された例において、石英のような材料で作られた基板１及びポリマー材料で作られた層８を含む支持体によって形成される。
【０００９】
このような光学素子は、１０万から１０００万の間であり得る、多数のマイクログルーブを含み得る。
【００１０】
それは壁６を可能な限り見えにくくすることを意味している。このために、２０μｍから１００μｍの範囲の樹脂の高さｈに対しては、通常２μｍから５μｍの間の小さい幅ｗを伴う（図１参照）、高いアスペクト比（又は形状係数）を有する壁を製造することを意味している。
【００１１】
しかしこれらの壁の存在は依然として、特に光学素子の透明性に欠陥を起こし、より一般的には、光学素子を通過して形成された画像の品質低下及び/又はその性能低下を起こす。確かに画素を規定する壁は、光を回折することで光と相互作用し、特に透明性低下を引き起こし得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
１つの解決策は、光の一部又は全部を吸収する吸収壁６を製造することであり、それ故に光学素子の透明性欠陥をもたらす回折現象を制限する。
【００１３】
壁は吸収性の感光性材料のダイレクトフォトリソグラフィーによって製造できることが公知であるが、高さｈが十分高く、通常２０μｍを超え、幅ｗが十分小さい、通常５μｍ未満である吸収壁を得ることが出来る、商業的に利用可能な材料は見つかっていない。現在、感光性吸収材料及び、それと共に関連したフォトリソグラフィー技術では、得られる壁の高さの最大値は５μｍ程度であり、それは、依然として期待値を大きく下回っている。
【００１４】
もう１つの解決策は、吸収材料及び/又は吸収粒子をその中に含むことで、既に形成された壁６に吸収性を付与することである。この結果は、ドーピング、拡散又はディッピング技術により得ることが出来る。しかし使用される金属粒子又は顔料が上記で規定した壁の寸法ｗ及びｈに対して大きすぎるサイズを有するため、この技術はまだ完全に要求に適合していない。顔料に関しては、エージング問題及びエージングをもたらす吸収性低下が早いという問題もある。
【００１５】
従って、キャビティの底部を通常透明に保ち、特に壁が吸収性になるようにできる新規方法が必要である。このような方法は、好ましくは、光学攪乱を制限又は除去できるように、高いアスペクト比を有するキャビティの製造に適合する。
【００１６】
もう１つの問題は、反射壁６の製造方法である。これは特に、ＴＦＴ−ＬＣＤ移動スクリーンへの応用を考慮する場合である：コントラストを改善するため、スクリーンの内部構造のほんの一部（４−５％）が反射マイクロ構造によって覆われる。このように、たとえスクリーンが直接太陽光に晒された時でも、ユーザーは画像を完璧に識別できる。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
ａ）支持基板表面に犠牲材料層を形成する段階と、
ｂ）キャビティの底部が前記犠牲材料層によって形成された、前記キャビティの壁を形成する段階と、
ｃ）所定の光学特性を有するいわゆる光学材料の層を、前記壁の頂上、前記壁の側面及び前記キャビティの前記底部に等角的（コンフォーマル）に堆積する段階と、
ｄ）前記犠牲層をエッチングし、この層の前記材料及び前記キャビティの前記底部に存在する前記光学材料の層の前記一部の前記材料を除去する段階と、
を含むマイクロ光学素子のキャビティを形成する方法を開示する。
【００１８】
光学材料の層は、吸収層又は反射層である。光学材料が吸収性である場合、それは黒色クロム、黒色モリブデン又はアモルファスカーボンを含み得る。
【００１９】
犠牲層の材料は、例えば酸化ケイ素ＳｉＯ２、窒化ケイ素ＳｉＮ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、アモルファスカーボン、黒色モリブデン又は黒色クロムを含み得る。
【００２０】
犠牲層は、特定のスペクトル領域に対して有利に透明である。
【００２１】
段階ｃで堆積される光学材料の層は、有利に多孔質である。ある実施形態によると、犠牲層をエッチング液が通過するために吸収層の気孔率が十分である場合、犠牲層のエッチングはウェットエッチング液を用いて実施され得る。
【００２２】
有利には、段階ｂ）で形成される壁は、１０から２０の間のアスペクト比（ｈ/ｗ）を有するが、ｈは支持基板の自由表面より上の壁の高さを示す。
【００２３】
壁は犠牲層の表面に形成され得るが、これは段階ｃの間まではキャビティ間で連続的であり、段階ｄの後に、壁は犠牲材料の一部の上に位置する。
【００２４】
代わりに、壁の底部は、支持基板自体の上又は中に位置する。
【００２５】
−上記の方法の実施を含むこの素子のキャビティを形成する段階と、
−前記素子の前記キャビティの中に１以上の流体を導入する段階と、
−前記キャビティの前記壁の上に閉鎖層を形成する段階と、
を含むマイクロ光学素子を形成する方法を開示する。
【００２６】
壁によって規定されたキャビティを含み、光学材料の層（意味は既に上記で規定済）が壁の頂上及び壁の側面に形成され、キャビティの底部は透明である、マイクロ光学素子を開示する。
【００２７】
ある実施形態によると、各壁の底部は犠牲材料の一部の上に位置し、光学材料の層は犠牲材料のこの部分の側面上にない。
【００２８】
代わりに、各壁（６）の底部は基板上又は基板中に位置し、光学材料の層は基板の表面付近に位置する壁の側面の一部の上にない。
【００２９】
各キャビティは少なくとも部分的に流体で満たされ、全てのキャビティは閉鎖層によって閉じられ得る。
【００３０】
光学材料は既に上記に示したように、１以上の特性（吸収性又は反射性、多孔性など）を有し得る。
【００３１】
壁は、数μｍから数十μｍ程度、例えば１μｍから１００μｍの間の高さを有し得る。
【００３２】
それらは、数μｍ又はサブミクロン程度、例えば０．５μｍから５μｍの間の幅を有し得る。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】周知のキャビティ構造を示す図である。
【図２Ａ】本願において開示された方法を実施する段階を示す図である。
【図２Ｂ】本願において開示された方法を実施する段階を示す図である。
【図２Ｃ】本願において開示された方法を実施する段階を示す図である。
【図２Ｄ】本願において開示された方法を実施する段階を示す図である。
【図２Ｅ】本願において開示された方法を実施する段階を示す図である。
【図２Ｆ】本願において開示された方法を実施する段階を示す図である。
【図３Ａ】本願において開示された方法でウェットエッチングを実施する段階を示す図である。
【図３Ｂ】本願において開示された方法でウェットエッチングを実施する段階を示す図である。
【図３Ｃ】本願において開示された方法でウェットエッチングを実施する段階を示す図である。
【図３Ｄ】本願において開示された方法でウェットエッチングを実施する段階を示す図である。
【図４Ａ】キャビティ壁を形成する代替案を示す図である。
【図４Ｂ】キャビティ壁を形成する代替案を示す図である。
【図４Ｃ】キャビティ壁を形成する代替案を示す図である。
【図４Ｄ】キャビティ壁を形成する代替案を示す図である。
【図４Ｅ】キャビティ壁を形成する代替案を示す図である。
【図４Ｆ】キャビティ壁を形成する代替案を示す図である。
【図４Ｇ】キャビティ壁を形成する代替案を示す図である。
【図５Ａ】キャビティを液体で満たし、そしてこれらのキャビティをフィルムによって閉じる段階を示す図である。
【図５Ｂ】キャビティを液体で満たし、そしてこれらのキャビティをフィルムによって閉じる段階を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
第１の実施形態を図２Ａから２Ｉに関連して示す。
【００３５】
第一に、例えばＰＥＴのようなポリマー材料の、ガラス又はシリコンなどの単独の基板１０から成り得る支持体が準備される（図２Ａ）。代わりにこれは、固定した支持体上に仮接着によって留められた、例えばポリエチレンテレフタレート“ＰＥＴ”などの曲げやすい層でもよい（後者は図に示していない）。
【００３６】
このような基板１０の平面１０’上には、例えば５０ｎｍから２００ｎｍの間の厚さを有する、いわゆる犠牲材料の平坦層又は平坦膜１２が形成される（図２Ｂ）。
【００３７】
この犠牲材料は、マイクロキャビティの壁の下で、最終的なマイクロ素子に依然として存在するため、所望の用途（可視イメージング又は赤外線検出）に応じて可視光線（３５０-７００ｎｍ）及び近/中赤外線（０．７-１０μｍ）に対し、有利に透明である。このようにこの層１２は透明材料であり、例えば酸化ケイ素ＳｉＯ２（可視光線に効果的）、窒化ケイ素ＳｉＮ（１．３から１．５５μｍの間を除いた近赤外線に効果的）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）又はアモルファスカーボン（中赤外線に効果的）などがある。
【００３８】
これらの異なる材料は、例えば蒸発、ＰＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＣＶＤ又はＡＬＤなどの方法を用いて堆積され得る。
【００３９】
透明であろうと吸収性であろうと、犠牲材料１２は、好ましくは後にウェット液でエッチングされ得るように選定される。
【００４０】
次いで、マイクロキャビティ４の壁６の構造化が実施される。
【００４１】
予定された応用及び所望の性能に応じて、作動流体の厚さは変化し得る：
−厚さが薄く、マイクロメートル付近である場合は、液晶ディスプレータイプの応用に望ましく、
−厚さが厚く、数十ミクロン程度である場合は、平面回折レンズの場合に望ましい。
【００４２】
このように、もしキャビティに導入されるのに理想的な作動流体の性質が分かっている場合は、壁を製造する際に、基板の自由表面より上に位置する壁の一部の高さｈを適合することができる。ある場合は、高さｈがマイクロメートル程度、例えば１μｍから５μｍ又は１０μｍの間の壁を製造することが目的となり、他の場合は、高さが十μｍ又は数十μｍ程度、例えば１０μｍから１００μｍの間の壁を製造することが目的となる。
【００４３】
その高さが１μｍ程度の厚さ（通常１μｍから１０μｍの間）の壁の場合は、例えばマイクロ鋳造、スクリーンプリンティング、フォトリソグラフィー、プラズマエッチングなどのような幾つかの技術が実施され得る。
【００４４】
より高い高さの場合（通常１０μｍから１００μｍの間）、例えば特に厚い樹脂のフォトリソグラフィーによって、１ミクロン程度及び通常５μｍより低い、例えば１μｍから５μｍの間などの十分低い壁の幅ｗが得られる。つまりこの場合、フォトリソグラフィー技術がプラズマエッチング技術に比べて、有利に好ましい。このようにこのフォトリソグラフィー技術は、比較的高い高さ、例えば１０から２０の間などの大きいアスペクト比を有する壁を得ることが出来る。
【００４５】
後者の技術の典型的な実施の一例を図２Ｃ及び２Ｄに示す：厚い感光性樹脂１８が犠牲層１２に堆積される。そしてこの樹脂は適切なマスクで覆われ（図２Ｄ）、その後ミクロ電子工学において一般に使用される技術に応じて現像される。
【００４６】
キャビティ４の壁６はこうして得られる。それらは基板上の平坦面１０’及び犠牲層１２に対して概して垂直である。後者はこの壁形成操作によって、ほとんど又は全く影響を受けない。
【００４７】
これは結果として、連続的かつ平坦であり、壁６の下まで延長された層１２を含む構造となる（図２Ｄ）。後者は、例えば１０から２０の間の高いアスペクト比ｈ/ｗを有し得る。幅ｗが２μｍから５μｍの間である場合、得られる壁の高さｈは２０μｍから１００μｍの間であり得る。しかし既に上記で示したように、異なる幾何学的特性を有する壁及び特に低い高さの壁、例えば１０μｍより低い壁なども、本願で開示した方法によって得ることが出来る。
【００４８】
そして素子全体に（図２Ｅ）、厚さが通常５０ｎｍから５００ｎｍの間であり、なお所望の応用に応じて可視光線及び/又は近赤外線及び/又は中赤外線を吸収する材料である、等角層３０が堆積される。この層は光の一部又は全部を吸収でき、光学素子の透明性低下をもたらす回折現象を制限できる。好ましくは、可視スペクトル領域に対してはアモルファスカーボン又は黒色クロム/モルブデンが選定され、あるいは近赤外線及び/又は中赤外線に対してはナノ結晶ダイヤモンドが選定される。
【００４９】
この層は適用され、壁６の頂上６０、壁の側面６１，６２及びキャビティの底部４’１を連続的に覆う。
【００５０】
例えば、ナノ結晶ダイヤモンド層はプラズマアシスト化学蒸着（ＰＡＣＶＤ）、黒色モリブデン層は化学蒸着（ＣＶＤ）、黒色クロム層は物理蒸着（ＰＶＤ）又は電子ビーム蒸発を用いて、好ましくは堆積される。
【００５１】
好ましくは、この吸収層３０は、ウェットエッチング液が吸収層を通過して犠牲層１２をエッチングできるように十分な気孔率を有する。そして、気孔率が１０％より低い範囲では無孔層と判断せれ、１０％から５０％の範囲では多孔層と判断される。この気孔率はまた、堆積パラメータによって調整され得る。例えば、冷たい基板上に“電子ビーム蒸発”によって堆積された黒色クロム層は４０％程度の気孔率を有するが、堆積中に基板が熱せられると（３００℃）、この気孔率は１６％まで低下する。
【００５２】
こうして犠牲層１２のウェットエッチングは、例えば酸又は塩基のエッチングなどによって、その次に実施される（図２Ｆ）。好ましくは、キャビティの底部４’１に存在する吸収層３０の気孔率は、犠牲層１２をエッチングし、キャビティの底部にある吸収層３０をいわゆる“リフトオフ”効果によって引き抜けるように調整される。
【００５３】
この段階を図３Ａから３Ｄにおいて、より詳細に示す。キャビティの底部にある吸収層３０の一部が上昇するようにエッチングが十分進むまで（図３Ｄ）、エッチング液は犠牲層１２をエッチングするために、その気孔３１を通って吸収層３０の下を進む（図３Ｂと３Ｃ）。このように上昇されてエッチング液１７と混合された相当量の吸収材料は、こうして後者を引き抜く間に除去される（図３Ｄ）。これらの図から分かるように、液１７は気孔３１を通って層１２の材料を徐々にエッチングし、そのエッチング領域は図３Ａ-３Ｃにおいて参照１２０，１２１，１２２によって指定されているが、その大きさは、その工程が進むにつれて増大する。
【００５４】
最終的に（図２Ｆ）、壁６の頂上６０及び壁６の側面６１，６２は依然として、吸収材料３０によって覆われる。壁６の下には、壁６と同じ幅を有する犠牲層の残存部分１２’があり、層３０は、この層１２’の厚さと実質的に同一又は近い高さにおいて、この部分１２’の側面１２’１，１２’２を覆わない。こうして形成されたキャビティ４の底部４’は、材料１２から取り除かれる。
【００５５】
エッチング液１７は、ちょうど堆積された吸収層及び壁６をエッチングしないように、吸収層３０を構成する材料及び壁６を構成する材料にも選択的であるように選ばれる。従って、例えば二酸化ケイ素ＳｉＯ２の犠牲層１２、黒色クロムの吸収層３０、及びゾルゲル有機ケイ素材料の壁６である場合、エッチング液は、フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）で緩衝化され、部分的に希釈されたフッ化水素酸（ＨＦ）となる。
【００５６】
ウェットエッチングはまた、壁６の下をオーバーエッチングすることで“リフトオフ”効果を壁にまで広げないように制御される。もしエッチングが高すぎると、層１２のエッチング領域はやはり壁６の下に形成され、それは安定性を失う。このために、ウェット液によるエッチング時間は制御される。犠牲層１２は、例えば１００ｎｍから２５０ｎｍ程度の幅を有し、壁は２μｍから５μｍであり得る厚さを有する。これに関して、壁は層１２の厚さの１０から５０倍大きい幅を有し得る。たとえサイドエッチング（壁の下）が垂直エッチング（吸収層の下）と同等程度の速度で起こると仮定しても、サイドエッチングは、吸収層が既にエッチングされたという時に、十分早く停止され得る。
【００５７】
もう１つの壁形成方法を伴った、代替案の実施形態を、図４Ａから４Ｇに関連して以下に示す。
【００５８】
基板１０及びその犠牲層を伴う図２Ｂの形態から開始して、ハードマスク層１６（例えば、５０ｎｍ厚のクロム層）が堆積され、続いて樹脂のマスク１７（図４Ａ）が堆積される。それは後に形成される壁の位置及びその幅を規定し、犠牲層と同時に場合によっては基板１０の一部もエッチングすることを可能にする。そしてこれらの層１６，１７のエッチング領域に壁が形成される。基板１０の材料のエッチングが持続される場合、後に形成される壁６（図４Ｂ）の機械抵抗が高められる。
【００５９】
そして樹脂１８（図４Ｃ）が塗られる。それは、場合によっては基板１０内部も含めたエッチング領域に浸透する。前記の実施形態とは異なり、犠牲層は全基板１０の上で不連続になる。
【００６０】
そしてマイクロキャビティの壁６は、例えば既に上記したうちの何れか１つの方法を用いて、この樹脂１８（図４Ｄ）の中に形成される。その後、その層１２に選択的で、出来る限り層１２に影響を与えない、好ましくはソフトな方法によって、マスク層１７及びハードマスク層１６は除去される（図４Ｅ）。この方法は、例えば界面活性剤ＢＥ３０：１を伴ったＨＦエッチングであり、それによって良好な結果が得られる。
【００６１】
そして全体の素子上に等角層３０が堆積されるが（図４Ｆ）、その性質、気孔率、並びに光学及び厚み特性は、特に図２Ｅに関連して、既に前記に記載した。再びこの層は適用され、犠牲層１２と同時に壁６の頂上６０及び壁の側面６１，６２も連続的に覆う。
【００６２】
そして、犠牲層１２のウェットエッチングは、例えば酸又は塩基のエッチングによって実施される（図４Ｇ）。図２Ｆの場合と同様に、キャビティの底部４’１に存在する吸収層３０の気孔率は、好ましくは犠牲層１２をエッチングし、キャビティの底部にある吸収層３０をいわゆる“リフトオフ”効果によって引き抜けるように調整される。再び、層３０の気孔３１を通るエッチング機構及びエッチング液の選択に関しては、上記の説明が参照され得る（図３Ａ-３Ｃ）。
【００６３】
最終的に（図４Ｇ）、壁６の頂上６０及び側面６１，６２は依然として、吸収材料３０によって覆われる。今回、壁６の下に犠牲層の残存部分はないが、層３０は、基板１０の自由表面と層３０の底部の間に位置する、壁の側面６１，６２のより低い部分を覆っておらず、その高さＨは実質的に前記層１２の厚さと同等、又は前記層１２と層３０の厚さの合計と同程度である。
【００６４】
上記の製造方法は、吸収特性を有する層３０を伴って記載されている。しかし代わりに、この層は反射特性を有することもあり、コントラストを改善するためにスクリーンの内部構造のほんの一部（４-５％）が反射マイクロ構造によって覆われるので、それはＴＦＴ−ＬＣＤ移動スクリーンを製造する際に興味深くなり得る：このように、たとえスクリーンが直接太陽光に晒された時でも、ユーザーは画像を完璧に識別できる。反射壁を有するキャビティの製造方法は、吸収壁に対する方法と類似している。
【００６５】
いずれにしても、吸収性又は反射性という特定の光学特性を有する材料の層３０で覆われた壁６によって規定されたキャビティ４を含む構造が得られる。図２Ｆでは、壁６の下に材料の残存部分１２’が見られる。壁６は基板１０の自由表面より上の部分である高さｈを有し、それは数μｍから数十μｍ程度、例えば１０μｍより高く、更に例えば５μｍから５０μｍの間であり得る。それらの幅ｗは、数μｍ又はサブミクロン程度、例えば５μｍより低く、あるいは５μｍから０．５μｍの間であり得る。これらの幾何学パラメータに対する他の値の範囲は、既に上記において記載してある。
【００６６】
そして１以上のキャビティの充填は、キャビティ４内部に対して装置Ｅ（図５Ａ）を用い、数ピコリットル程度であり得る体積を有する噴流又は液滴２６として液体２４を発射することで行われ得る。液体は数十から数百ピコリットルである低容量配置の使用に適した技術を用いて送られ得る。用いられる装置Ｅは、インクジェットディスペンシングの何れか１つに類似した液体分配技術を実施できる。
【００６７】
液体材料２４は、部分的又は完全にキャビティ４を満たせる。キャビティの完全充填は、壁６の頂上６２に到達するように行われ得る。
【００６８】
結果物は、支持体１０の材料と同一であろうとなかろうと、プラスチックフィルムのような保護フィルム９を設ける（最も簡単にはラミネートする）ことで完了される（図５Ｂ）。このフィルムは場合によっては、最終的な機能（防眩、ハード層、防汚など）のために考案された機能層によって覆われる。
【００６９】
図５Ａ及び５Ｂは、図２Ｆの構造で作られる部品の場合に関連するが、もう１つの部品もまた上記で説明したように、キャビティを満たし保護フィルム９を設けることによって、図４Ｇの構造から得ることが出来る。
【００７０】
最終結果物のカスタマイズは、例えばガラスレンズとして最終的な表面の上にそれを設ける前に行われ得る。このカスタマイズは、要求されなくても、スタックを製造するのに使用される固定した支持体に、有利に実施され得る。支持体を製造する際にカスタマイズする場合は、レーザーや超音波、又は切削工具を用いて製造され得る。物体表面のプレシールを保証し、最適なシーリングのための薄片の良好な表面条件、及び工業化に適した高速遂行を保証するような品質を有する技術が好ましい。このカスタマイズは、ガス厚及び耐水性、結果物の寿命を通じた機械抵抗、消費財（必要ならば、例としてガラスがある）に適した見栄えを保証する表面シーリングを伴う。
【符号の説明】
【００７１】
４  キャビティ
４’１  底部
６  壁
１０  基板
１０’  平面
１２  犠牲材料層
１２’  残存部分
１２’１，１２’２  側面
１６  ハードマスク層
１７  マスク
１８  感光性樹脂
２４  液体
２６  液滴
３０  光学材料の層
３１  気孔
６０  頂上
６１，６２  側面
１２０，１２１，１２２  エッチング領域
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【外国語明細書】
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