(57)【要約】    【課題】  線間距離を狭めても信頼性が低下しない多層プリント配線板を提供することにある。    【解決手段】  第２導体回路５８と第２導体回路５８との間（絶縁間隔：スペース）において、第１樹脂絶縁層５０と上層樹脂絶縁層１５０との間に無機絶縁膜４８が介在しており、第１樹脂絶縁層５０と上層樹脂絶縁層１５０とが無機膜は表面がフラットなため給電層の除去が容易に可能となり、第２導体回路との間（絶縁間隔：スペース）において、第１樹脂絶縁材−第２樹脂絶縁材間でのエレクトロケミカルマイグレーションが発生することが無い。このため、第２導体回路の絶縁間隔を10μｍ以下に狭めても、信頼性が低下しない。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１樹脂絶縁材と、該第１樹脂絶縁材の表面上に形成されている第１導体回路と、前記第１樹脂絶縁材及び前記第１導体回路上に形成され、前記第１導体回路に達する開口部を有する第２樹脂絶縁材と、該第２樹脂絶縁材の表面上に形成されている絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されている第２導体回路と、前記開口部の内部に形成されて前記第１導体回路と前記第２導体回路とを接続するビア導体とを備える多層プリント配線板であって：
前記絶縁膜は、前記開口部の側壁を除く前記第２樹脂絶縁材の表面上の全面に亘って形成されている多層プリント配線板。
【請求項２】
前記ビア導体と前記第１導体回路とは同種の材料からなる請求項１の多層プリント配線板。
【請求項３】
前記第２導体回路相互の絶縁間隔は10μｍ以下である請求項１の多層プリント配線板。
【請求項４】
前記絶縁膜は、窒化珪素、二酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化炭化珪素、酸化フッ化珪素のすくなくとも１種類からなる無機材料の少なくとも１種類からなる請求項１の多層プリント配線板。
【請求項５】
前記第２導体回路は、前記第２樹脂絶縁材上に形成された第１導体膜と、該第１導体膜上に形成されている第２導体膜とからなる請求項１の多層プリント配線板。
【請求項６】
前記第１導体膜は無電解銅めっき膜であり、前記第２導体膜は電解銅めっき膜である請求項５の多層プリント配線板。  
【請求項７】
前記第１導体膜はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａの窒化物又は炭化物のうちの少なくとも１種を含む請求項５の多層プリント配線板。
【請求項８】
前記第２導体回路はセミアディティブ法により形成されている請求項４の多層プリント配線板。
【請求項９】
前記開口部の内壁の表面粗度は、前記第２樹脂絶縁材の上面側の表面粗度よりも大きい請求項１の多層プリント配線板。
【請求項１０】
前記第２樹脂絶縁材の表面側は粗化されていない請求項１の多層プリント配線板。
【請求項１１】
前記第２樹脂絶縁材の開口部の内部には、前記絶縁膜は形成されていない請求項１の多層プリント配線板。
【請求項１２】
前記第２樹脂絶縁材は、平均粒径１．０μｍ以下の無機粒子を含む請求項１の多層プリント配線板。
【請求項１３】
前記第２導体回路の側面を含む表面の少なくとも一部には、前記絶縁膜が形成されている請求項１の多層プリント配線板。
【請求項１４】
前記第２導体回路の側面を含む表面の少なくとも一部には、Ｓｎからなる層が形成されている請求項１の多層プリント配線板。
【請求項１５】
第１樹脂絶縁材上に第１導体回路を形成することと；
前記第１樹脂絶縁材及び前記第１導体回路上に第２樹脂絶縁材を形成することと；
前記第２樹脂絶縁材の表面上に絶縁膜を形成することと；
前記絶縁膜及び前記第２樹脂絶縁材を貫通し、前記第１導体回路に達する開口部を形成することと；
該絶縁膜上に第２導体回路を形成すると共に、前記開口部に前記第１導体回路と前記第２導体回路とを接続するビア導体を形成することと、
を備える多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１６】
前記第２導体回路は、セミアディティブ法により形成される請求項１５の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁膜をスプレー塗布により形成する請求項１５の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１８】
前記ビア導体を前記第１導体回路と同種の材料より形成する請求項１５の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１９】
前記第２導体回路の側面を含む表面上に、前記絶縁膜を設ける請求項１５の多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂絶縁層上に導体回路を形成し、更に、該導体回路上に樹脂絶縁層をビルドアップ積層し、樹脂絶縁層の上層の導体回路と下層の導体回路とをビア導体で接続する多層プリント配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の高密度化に対応するため、樹脂絶縁層と導体回路とを交互にビルドアップ積層するビルドアップ多層プリント配線板が用いられている。このビルドアップ多層プリント配線板では、一般的に導体回路の形成に、樹脂絶縁層上に無電解めっき膜を形成し、導体回路非形成部にめっきレジストを形成し、めっきレジスト非形成部に電解めっき膜を設け、めっきレジストを剥離し、めっきレジスト下の無電解めっき膜を除去することにより形成する特許文献１に示すセミアディティブ法が用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１７９３５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
導体回路を形成する導体配線間のスペースの微細化が急速に進みつつあり、配線信頼性の劣化メカニズムの解明と、その対策が求められている。
ここで、上述したセミアディティブ法で配線間スペースを10μｍ以下にすると、導体配線間の給電層の除去が困難となり、金属残渣が発生する。その結果、こうした金属残渣に起因してマイグレーションが生じ、導体配線間で短絡が発生して絶縁性を維持できないことが明らかになった。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、配線間距離を狭めても信頼性が低下しない多層プリント配線板及び該多層プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明は、第１樹脂絶縁材と、該第１樹脂絶縁材の表面上に形成されている第１導体回路と、前記第１樹脂絶縁材及び前記第１導体回路上に形成され、前記第１導体回路に達する開口部を有する第２樹脂絶縁材と、該第２樹脂絶縁材の表面上に形成されている絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されている第２導体回路と、前記開口部に形成されて前記第１導体回路と前記第２導体回路とを接続するビア導体とを備える多層プリント配線板であって、
前記絶縁膜は、前記開口部の側壁を除く前記第２樹脂絶縁材の表面上の全面に亘って形成されていることを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本願発明の多層プリント配線板では、第２樹脂絶縁材上に無機材料から成る絶縁膜が形成され、該絶縁膜上に第２導体回路が形成されている。即ち、第２導体回路と第２導体回路との間（絶縁間隔：スペース）において、第２樹脂材上の無機膜は表面がフラットなため給電層の除去が容易に可能となり、第２導体回路との間（絶縁間隔：スペース）において、第１樹脂絶縁材−第２樹脂絶縁材間でのエレクトロケミカルマイグレーションが発生することが無い。このため、第２導体回路の絶縁間隔を10μｍ以下に狭めても、信頼性が低下しない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施例に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図２】第１実施例のプリント配線板の製造工程図である。
【図３】第１実施例のプリント配線板の製造工程図である。
【図４】本発明の第２実施例に係るプリント配線板の断面図である。
【図５】本発明の第４実施例に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図６】第４実施例のプリント配線板の製造工程図である。
【図７】第４実施例のプリント配線板の製造工程図である。
【図８】本発明の第５実施例に係るプリント配線板の断面図である。
【図９】ＨＡＳＴ試験を行うサンプルの説明図である。
【図１０】ＨＡＳＴ試験の結果を示す図表である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施例]
図３（Ｃ）に本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の要部断面を示す。
第１実施例では、絶縁膜として無機材料を用いた多層プリント配線板を開示する。
多層プリント配線板は、ガラス繊維の芯材に含浸させた樹脂を硬化させて成り、スルーホール用貫通孔３２を備えるコア基板３０（第１樹脂絶縁材）を有する。コア基板３０の表裏には、スルーホールランド３６ａを有する第１導体回路３４が設けられている。また、スルーホール用貫通孔３２の内部にはめっきが充填されていて、スルーホール導体３６が形成されている。このスルーホール導体３６を介して第１導体回路３４同士が電気的に接続されている。
【００１０】
コア基板３０及び第１導体回路３４上には、樹脂絶縁層５０（第２樹脂絶縁材）が形成されている。樹脂絶縁層５０の内部には、第１導体回路３４に達するビア用開口５１が形成されている。樹脂絶縁層５０の表面、詳しくはビア用開口５１の側壁を除く表面の全体に亘って、無機材料から成る絶縁膜４８が形成されている。この絶縁膜４８としては、表面がフラットで透水性の低い材料であることが好ましく、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）、二酸化珪素（ＳｉＯ2）、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、酸化炭化珪素（ＳｉＯＣ）、酸化フッ化珪素（ＳｉＯＦ）からなる群より選択される少なくとも１種類である。
【００１１】
絶縁膜４８上には第２導体回路５８が形成されている。ビア用開口５１の内部には銅めっきが充填されていて、ビア導体６０が形成されている。このビア導体６０により、第２導体回路５８と第１導体回路３４とが電気的に接続されている。
第２導体回路５８は、絶縁膜４８上の無電解銅めっき膜５２と、無電解銅めっき膜５２上の電解銅めっき膜５６とからなる。この第２導体回路５８の側面及び上面には、上述した絶縁膜４８が形成されている。すなわち、第１実施例では、第２導体回路５８の側面を含む全表面と、樹脂絶縁層５０の表面とに、窒化珪素からなる絶縁膜４８が設けられている。第２導体回路５８間に位置する絶縁膜４８ａの厚みは、第２導体回路５８直下の絶縁膜４８ｂの厚みよりも厚い。そして、樹脂絶縁層５０及び第１導体回路３４上には、樹脂絶縁層１５０が形成されている。
【００１２】
第１実施例の多層プリント配線板では、樹脂絶縁層５０上に無機材料から成る絶縁膜４８が形成され、該絶縁膜４８上に第２導体回路５８が形成されている。即ち、第２導体回路５８と第２導体回路５８との間（樹脂絶縁層５０と樹脂絶縁層１５０との間）において、第２導体回路５８直下よりも相対的に厚い絶縁膜が形成されている。無機膜は表面がフラットなため給電層の除去が容易に可能となり、第２導体回路との間（絶縁間隔：スペース）において、第１樹脂絶縁材−第２樹脂絶縁材間でのエレクトロケミカルマイグレーションが発生することがほとんど無いものと推測される。このため、第２導体回路の絶縁間隔を10μｍ以下に狭めても、信頼性が低下しない。
【００１３】
上述したように、第１実施例では、樹脂絶縁層５０の表面の全体に亘って絶縁膜４８が形成されており、この絶縁膜４８は、隣接する第２導体回路５８間に存在する。さらに、導体回路５８の表面にも絶縁膜４８が設けられている。このため、信頼性環境下、電圧印加時に、第２導体回路５８表面の絶縁膜の欠陥(金属残渣)が少ないためマイグレーションが抑制され、導体回路間の良好な絶縁性が確保される。
【００１４】
引き続き、図３（Ｃ）を参照して上述した多層プリント配線板１０の製造方法について図１〜図３を参照して説明する。
（１）厚さ０．２〜０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板３０の両面に５〜２５０μｍの銅箔がラミネートされている銅張積層板を出発材料とする。この銅張積層板の両面からそれぞれレーザーを照射し、にスルーホール用貫通孔３２を形成する。その後、無電解めっき処理および電解めっき処理を施して貫通孔３２内にめっきを充填することでスルーホール導体３６を設ける。次いで、銅箔及び該めっき膜をエッチングによりパターニングしてスルーホールランド３６ａを含む第１導体回路３４を形成する（図１（Ａ））。
【００１５】
（２）コア基板３０の両面上に、層間樹脂絶縁層用の樹脂フィルムを昇温しながら真空圧着ラミネートし、第１樹脂絶縁層５０を設ける（図１（Ｂ）参照）。層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムは、粒径０．１μｍ以下の可溶性粒子と無機粒子とを含む。
【００１６】
（３）樹脂絶縁層５０上に、スプレー塗布により窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）からなる絶縁膜４８を形成する。絶縁膜４８の厚みは、１００ｎｍから１０μｍである（図１（Ｃ））。絶縁膜４８を形成する際、スプレー塗布を用いることで、半導体プロセスを用いる場合とは異なり、樹脂絶縁層５０及びコア基板３０が高熱に晒されることがない。また、スプレー塗布により絶縁膜を形成したが、この代わりにスパッタ法、真空蒸着法、又はＣＶＤ法を用いることも可能である。
【００１７】
（４）次に、ＣＯ2ガスレーザにて、絶縁膜４８及び樹脂絶縁層５０を貫通するビア用開口５１を設ける（図１（Ｄ）参照）。引き続き、クロム酸、過マンガン酸塩などの酸化剤等に浸漬させることによって、樹脂絶縁層５０のビア用開口５１表面に露出している可溶性粒子を溶解し粗化する。その際、樹脂絶縁層５０の表面は絶縁膜４８で保護されているため、粗化が抑制される。その結果、ビア用開口５１の内壁の表面粗度は、樹脂絶縁層５０の表面の表面粗度よりも大きくなる。
【００１８】
（５）予め樹脂絶縁層５０の表層にパラジウムなどの触媒を付与させて、無電解めっき液に５〜６０分間浸漬させることにより、０．１〜５μｍの範囲で無電解めっき膜５２を設ける（図２（Ａ））。
【００１９】
（６）基板３０に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して露光した後、炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ約１５μｍのめっきレジスト５４を設ける（図２（Ｂ））。
【００２０】
（７）電解めっきを施して電解めっき膜５６を形成する（図２（Ｃ））。
【００２１】
（８）モノエタノールアミンを含む溶液でめっきレジスト５４を剥離除去する（図２（Ｄ））。
【００２２】
（９）剥離しためっきレジスト下の無電解めっき膜５２をエッチングにて溶解除去し、無電解めっき膜５２と電解めっき膜５６からなる第２導体回路５８及びビア導体６０を形成する（図３（Ａ））。
【００２３】
（１０）その後、（３）と同様に、スプレー塗布により第２導体回路５８の側面及び上面に絶縁膜６８を形成する（図３（Ｂ））。
【００２４】
（１１）上記（２）と同様にして樹脂絶縁層１５０を設ける（図３（Ｃ））。
【００２５】
その後、（３）と同様に絶縁膜を形成し、（４）と同様にビア用開口を設け、（５）〜（１０）と同様にして導体回路、ビア導体を形成する。最表層にソルダーレジスト層を設け、ソルダーレジスト層の開口から露出する半田パッドに半田バンプを形成する。
【００２６】
第１実施例では、樹脂絶縁層５０の表面は粗化されない。粗化されない略平坦な樹脂絶縁層５０上にセミアディティブ法によって第２導体回路を形成するので、無電解めっき膜５２をエッチングする際は、粗化面（アンカー）にめっき膜が追従することがなく、短時間でエッチングすることが可能となる。ひいては、電解めっき膜５６の過剰なエッチングを抑制することが可能となる。
【００２７】
[第２実施例]
図４に本発明の第２実施例に係る多層プリント配線板の要部断面を示す。
第２実施例の多層プリント配線板では、第１実施例と比較して、第２導体回路５８の表面上の絶縁膜が省略されている。他の構成は第１実施例と同様である。
【００２８】
第２実施例の多層プリント配線板では、樹脂絶縁層５０の表面の全体に亘って絶縁膜４８が形成されている。すなわち、隣接する第２導体回路５８間に絶縁膜４８が設けられている。
この場合、信頼性環境下、電圧印加時に樹脂絶縁層５０中に存在する水に起因して、正電極として作用する導体回路ではＣｕイオンが生じる。通常、このようなＣｕイオンは、上下の樹脂絶縁層の界面に存在する欠陥（微細な隙間）を介して、正電極側から負電極側へ銅イオンが移動し、リーク電流が発生する。しかしながら、本実施例では、そうしたＣｕイオンの移動経路に、所定の無機材料からなる絶縁膜が存在し、欠陥（微細な隙間）がほとんど存在しない。その結果、Ｃｕイオンのマイグレーションが抑制されてリーク電流が低減し、線間絶縁性が向上するものと推測される。
【００２９】
[第３実施例]
第３実施例では、第１実施例に対し、絶縁膜４８を有機材料から形成する多層プリント配線板を開示する。この種の有機材料としては、透水性の低いものが好ましく、例えばポリ尿素が挙げられる。こうした有機材料からなる絶縁膜は真空蒸着法により形成される。本第３実施例においても、樹脂絶縁層５０中に存在する水に起因してＣｕイオンが生じる可能性が低く、第１実施例と同様の効果が得られる。
【００３０】
[第４実施例]
第４実施例に記載の多層プリント配線板１０は、第１実施例又は第２実施例と比較して導体回路の構造が異なる。すなわち、図７（Ｃ）に示すように、第４実施例の導体回路５８は、絶縁膜４８上に形成されているスパッタ膜４６と、スパッタ膜４６上の無電解めっき膜５２と、無電解めっき膜５２上の電解めっき膜５６とからなる。図５（Ａ）に示すように、スパッタ膜４６は、絶縁膜４８から順に、第１スパッタ膜４７、第２スパッタ膜（図示せず）及び第３スパッタ膜４９からなる。第１スパッタ膜４７は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａの窒化物又は炭化物のうちの少なくとも１種からなる。その中でも、Ｃｕイオンのバリア性に優れるＴｉＮが好ましい。第２スパッタ膜（図示せず）は、例えばＴｉからなる。第３スパッタ膜４９は、例えばＣｕからなる。この場合、ＴｉＮ膜とＣｕ膜との間にＴｉ膜を設けることで、ＴｉＮ膜とＣｕ膜との間の密着性を高めることができる。
なお、本実施例では、第１スパッタ膜４７（ＴｉＮ膜）は省略されてもよい。
【００３１】
第４実施例の多層プリント配線板１０の製造方法を以下に示す。
（１）図５（Ａ）に示すように、樹脂部５０と、樹脂部５０上の絶縁膜４８と、絶縁膜４８上のスパッタ膜４６とを有するフィルムＦを準備する。さらに、スルーホール導体３６及び第１導体回路を形成したコア基板３０を用意する。
【００３２】
（２）コア基板３０上にフィルムＦをラミネートし、樹脂絶縁層５０を設ける（図５（Ｂ）参照）。
【００３３】
（３）ＣＯ2ガスレーザにて、絶縁膜４８、スパッタ膜４６及び樹脂絶縁層５０を貫通するビア用開口５１を設ける（図５（Ｃ）参照）。引き続き、樹脂絶縁層５０のビア用開口５１表面に露出している可溶性粒子を溶解し粗化する。
【００３４】
（４）第１樹脂絶縁層５０の表層に無電解めっき膜５２を設ける（図６（Ａ））。
【００３５】
（５）コア基板３０に厚さ約１５μｍのめっきレジスト５４を設ける（図６（Ｂ））。
【００３６】
（６）電解めっきを施して電解めっき膜５６を形成する（図６（Ｃ））。
【００３７】
（７）モノエタノールアミンを含む溶液でめっきレジスト５４を剥離除去する（図７（Ａ））。
【００３８】
（８）剥離しためっきレジスト下の無電解めっき膜５２をエッチングにて溶解除去し、無電解めっき膜５２と電解めっき膜５６からなる第２導体回路５８及びビア導体６０を形成する（図７（Ｂ））。
【００３９】
（９）第１実施例の（２）と同様にして樹脂絶縁層１５０を設ける（図７（Ｃ））。
本実施例においては、上記第２実施例の効果に加えて、樹脂絶縁層５０に対する第２導体回路の密着性も高められる。
【００４０】
[第５実施例]
第５実施例に記載の多層プリント配線板１０は、導体回路の表面にＳｎを含む金属層６９を有する（図８参照）。この金属層６９は、導体回路上にＳｎをめっきすることで形成され、詳しくはＳｎ及びＣｕからなる合金層である。金属層６９上にはシランカップリング剤（図示せず）が塗布されている。そして、シランカップリング剤を介して導体回路と樹脂絶縁層との密着性が確保されている。このように、Ｓｎ及びＣｕからなる合金層を導体回路の表面に有する第５実施例においても、上述した第１実施例と同様、導体回路からのＣｕイオンの発生が抑制されるものと推測される。
【００４１】
第１実施例、第２実施例、比較例の多層プリント配線板の線間のリーク電流を比較した実験結果について説明する。
図９（Ａ）は比較例の構成を示す。基板３０上に、第１実施例と同様にセミアディティブ法で３μｍ幅の導体回路５８Ｐ、５８Ｍを３μｍの絶縁間隔を設けて配置した（Ｌ／Ｓ＝３／３μｍ）。なお、導体回路５８Ｐ、５８Ｍは銅から形成されている。そして、フェノール系樹脂からなる樹脂絶縁層５０を形成した。
【００４２】
図９（Ｂ）は、第２実施例に対応する構成を示す。基板３０上に、窒化珪素から成る絶縁膜４８を形成した後、セミアディティブ法で３μｍ幅の導体回路５８Ｐ、５８Ｍを３μｍの絶縁間隔を設けて配置した（Ｌ／Ｓ＝３／３μｍ）。そして、フェノール系樹脂からなる樹脂絶縁層５０を形成した。
【００４３】
図９（Ｃ）は、第１実施例に対応する構成を示す。基板３０上に、窒化珪素から成る絶縁膜４８を形成した後、セミアディティブ法で３μｍ幅の導体回路５８Ｐ、５８Ｍを３μｍの絶縁間隔を設けて配置した（Ｌ／Ｓ＝３／３μｍ）。そして、導体回路５８Ｐ、５８Ｍの側面を含む表面にも窒化珪素から絶縁膜６８を設ける。その後、フェノール系樹脂からなる樹脂絶縁層５０を形成した。
【００４４】
図９（Ａ）、図９（Ｂ）、図９（Ｃ）の試験体（サンプル）を作製し、正電位を印加した導体回路５８Ｐと、負電位を印加した導体回路５８Ｍとの間のリーク電流を比較した。より詳しくは、各試験体に対してＨＡＳＴ試験（Highly Accelerated Temperature & Humidity Stress Test;温度１３０℃、８５％加湿雰囲気、印加電圧５ｖ）を行った後、リーク電流を測定した。各試験体とも、試験開始後２５、５０、７５、１００、１５０、２００時間におけるリーク電流を測定し、その測定値を図１０中の図表に示す。
【００４５】
図１０（Ａ）は図９（Ａ）に示す比較例を、図１０（Ｂ）は図９（Ｂ）に示す第２実施例を、図１０（Ｃ）は図９（Ｃ）に示す第１実施例の結果を表している。図１０（Ａ）の比較例に示すように、窒化珪素から成る絶縁膜４８を形成せずに基板上に直接導体回路を形成した構成では、初期の状態から短時間の内に大きな配線間のリーク電流が流れ、また、バラツキも大きいことが分かる。一方、図９（Ｂ）の第２実施例に示すように絶縁膜４８上に導体回路を形成した構成や、図９（Ｃ）に示すように絶縁膜４８上に形成した導体回路の表面を更に絶縁膜で被覆した構成では、２００時間を経過した後もリーク電流は増加せず、バラツキも小さいことも判明した。
【符号の説明】
【００４６】
１０  多層プリント配線板
３０  基板
３２  貫通孔
３６  スルーホール
４８  絶縁膜
５０  樹脂絶縁層
５８  導体回路
６０  ビア導体
１５０  樹脂絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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