(57)【要約】【課題】電磁波シールド性が向上し安定した動作品質が得られる電気光学装置および電子機器を提供すること。【解決手段】本適用例の電気光学装置は、素子基板１０上に設けられた、画素電極１５と、画素電極１５と電気的に接続されたＴＦＴ（薄膜トランジスター）３０と、ＴＦＴ３０と画素電極１５との間に設けられた少なくとも５層の導電層と、を備え、少なくとも５層の導電層が１層おきに固定電位とされている。具体的には、ゲート電極３０ｇと平面的に重なる第１導電層３１の配線３１ｂと、第３導電層３３と、第５導電層としての第２容量電極１６ａとに駆動電圧の最大電位と基準電位との間の中間電位が与えられている。【選択図】図５
2012181308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と、
データ線と、
前記画素電極に対応して設けられ前記データ線と電気的に接続されたトランジスターと、
前記トランジスター及び前記画素電極と電気的に接続された保持容量と、
前記トランジスターと前記画素電極との間に設けられ、前記データ線と前記保持容量とを含む少なくとも５層の導電層と、を備え、
前記少なくとも５層の導電層が１層おきに固定電位とされていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記トランジスターは、半導体層と、前記半導体層に絶縁膜を介して配置されたゲート電極とを有し、
前記少なくとも５層の導電層は、前記ゲート電極と前記画素電極との間に前記ゲート電極と平面的に重なるように配置された第１導電層と、前記第１導電層と前記画素電極との間に前記第１導電層と平面的に重なるように配置された前記データ線を含む第２導電層と、前記第２導電層と前記画素電極との間に前記第データ線と平面的に重なるように配置された第３導電層と、前記第３導電層と前記画素電極との間に前記第３導電層と平面的に重なるように配置された第４導電層としての第１容量電極と、前記第１容量電極と前記画素電極との間に前記第１容量電極と誘電体層を介して対向配置された第５導電層としての第２容量電極とを含み、
前記第１導電層と、前記第３導電層と、前記第２容量電極とが固定電位とされていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
誘電体層を介して前記データ線と前記第１導電層とが平面的に重なり合って、付加容量が構成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１導電層と前記第２容量電極との少なくとも一方に与えられる固定電位が駆動信号の最大電位と基準電位との間の中間電位であることを特徴とする請求項２または３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１導電層がアモルファスの金属シリサイド膜であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、基板上に、走査線と、データ線と、画素ごとに設けられた画素電極と、薄膜トランジスターと、該薄膜トランジスターの半導体層と画素電極との間に積層され、該半導体層のドレイン領域および画素電極間を中継する中継配線と、データ線と中継配線間に積層され、所定電位に保持される第１シールド層と、画素電極および中継配線間に積層され、所定電位に保持される第２シールド層とを備えた電気光学装置が知られている（特許文献１）。
【０００３】
上記特許文献１の電気光学装置によれば、画像信号に乗る電磁波ノイズを低減して高品位の画像表示が得られるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−３９２１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の電気光学装置では、薄膜トランジスターのゲート電極と、ソース領域に接続されたデータ線との間には、シールド層が存在していない。それゆえに、データ線の電位のゆらぎがゲート電極の電位に影響して、薄膜トランジスターからの適正な出力電位が得られず、例えばクロストークなどの表示不具合を招くおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例の電気光学装置は、画素電極と、データ線と、前記画素電極に対応して設けられ前記データ線と電気的に接続されたトランジスターと、前記トランジスター及び前記画素電極と電気的に接続された保持容量と、前記トランジスターと前記画素電極との間に設けられ、前記データ線と前記保持容量とを含む少なくとも５層の導電層と、を備え、前記少なくとも５層の導電層が１層おきに固定電位とされていることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、固定電位に接続され１層おきに配置された導電層をシールド層として機能させ、トランジスターと画素電極との間における配線間の電磁波シールド性が向上した電気光学装置を提供できる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例の電気光学装置において、前記トランジスターは、半導体層と、前記半導体層に絶縁膜を介して配置されたゲート電極とを有し、前記少なくとも５層の導電層は、前記ゲート電極と前記画素電極との間に前記ゲート電極と平面的に重なるように配置された第１導電層と、前記第１導電層と前記画素電極との間に前記第１導電層と平面的に重なるように配置された前記データ線を含む第２導電層と、前記第２導電層と前記画素電極との間に前記第データ線と平面的に重なるように配置された第３導電層と、前記第３導電層と前記画素電極との間に前記第３導電層と平面的に重なるように配置された第４導電層としての第１容量電極と、前記第１容量電極と前記画素電極との間に前記第１容量電極と誘電体層を介して対向配置された第５導電層としての第２容量電極とを含み、前記第１導電層と、前記第３導電層と、前記第２容量電極とが固定電位とされていることを特徴とする。
これによれば、第１導電層と、第３導電層と、第２容量電極とをシールド層として機能させ、トランジスターと画素電極との間においてゲート電極とデータ線との間を含む配線間の電磁波シールド性を向上させることができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例の電気光学装置において、誘電体層を介して前記データ線と前記第１導電層とが平面的に重なり合って、付加容量が構成されていることを特徴とする。
これによれば、第１導電層をシールド層として機能させるだけでなく、付加容量の一方の電極として機能させるので、安定した動作状態が得られる電気光学装置を提供できる。
【００１１】
［適用例４］上記適用例の電気光学装置において、前記第１導電層と前記第２容量電極との少なくとも一方に与えられる固定電位が駆動信号の最大電位と基準電位との間の中間電位であることが好ましい。
これによれば、固定電位を基準電位とする場合に比べて、保持容量あるいは付加容量として機能させる際の電気的な耐圧を低く設定することができる。言い換えれば、保持容量あるいは付加容量における耐圧を確保するために、例えば、一対の電極間に挟持される誘電体層を耐圧が高い構造としなくてもよい。
【００１２】
［適用例５］上記適用例の電気光学装置において、前記第１導電層がアモルファスの金属シリサイド膜であることを特徴とする。
これによれば、アモルファスの金属シリサイド膜は、成膜時に高温で熱処理を施す必要がなく、遮光性と低反射性とを兼ね備えているので、トランジスターの半導体層に入射する光を遮光し、リーク電流などの発生を防止できる。すなわち、より安定した動作状態が得られるトランジスターを備えた電気光学装置を提供できる。
【００１３】
［適用例６］本適用例の電子機器は、上記適用例の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
これによれば、安定した動作状態が得られる電気光学装置を備えた電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】第１実施形態の液晶装置における画素の配置を示す概略平面図。
【図４】（ａ）および（ｂ）は第１実施形態の液晶装置における画素の構成を示す概略平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ’線で切った画素の構造を示す概略断面図。
【図６】第１導電層の平面的な配置を示す概略平面。
【図７】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１６】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００１７】
（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えた電気光学装置としてのアクティブマトリクス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００１８】
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１および図２を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図、図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００１９】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０および対向基板２０は、透明な例えば石英などのガラス基板が用いられている。
【００２０】
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材４０を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。シール材４０は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２１】
額縁状に配置されたシール材４０の内側には、同じく額縁状に遮光膜２１が設けられている。遮光膜２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜２１の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００２２】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。
以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００２３】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極１５およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin  Film  Transistor）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。当該遮光構造については後述する。
【００２４】
対向基板２０の液晶層５０側の表面には、遮光膜２１と、これを覆うように成膜された層間膜層２２と、層間膜層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とが設けられている。
【００２５】
遮光膜２１は、図１（ａ）に示すように平面的にデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００２６】
層間膜層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜２１を覆うように設けられている。このような層間膜層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００２７】
共通電極２３は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなり、層間膜層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００２８】
画素電極１５を覆う配向膜１８および共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、液晶分子に対して略水平配向処理が施されたものや、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。
【００２９】
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、データ線６ａ沿って平行するように配置された容量線３ｂとを有する。
走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００３０】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、保持容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３１】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００３２】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が接続されている。保持容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。詳しくは、後述するが、保持容量１６は、遮光性の第１容量電極および第２容量電極との間に誘電体層を有するものであって、上記第２容量電極が上記容量線３ｂを構成している。容量線３ｂは、固定電位に接続されている。
また、図２では図示省略したが、データ線６ａを一方の電極とする付加容量３４（図５参照）が設けられている。保持容量１６および付加容量３４の詳しい構成については後述する。
【００３３】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００３４】
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００３５】
次に、画素Ｐの平面的な配置と構造について、図３〜図６を参照して説明する。図３は第１実施形態の液晶装置における画素の配置を示す概略平面図、図４（ａ）および（ｂ）は第１実施形態の液晶装置における画素の構成を示す概略平面図、図５は図４のＡ−Ａ’線で切った画素の構造を示す概略断面図、図６は第１導電層の平面的な配置を示す概略平面である。
【００３６】
図３に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面的に略四角形の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。
【００３７】
Ｘ方向に延在する非開口領域には、図２に示した走査線３ａが設けられている。走査線３ａは遮光性の導電部材が用いられており、走査線３ａによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００３８】
同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域には、図２に示したデータ線６ａと容量線３ｂが設けられている。データ線６ａおよび容量線３ｂも遮光性の導電部材が用いられており、これらによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００３９】
非開口領域は、素子基板１０側に設けられた上記信号線類によって構成されるだけでなく、対向基板２０側において格子状にパターニングされた遮光膜２１によっても構成することができる。
【００４０】
非開口領域の交差部付近には、図２に示したＴＦＴ３０や保持容量１６が設けられている。遮光性を有する非開口領域の交差部付近にＴＦＴ３０を設けることにより、ＴＦＴ３０の光誤動作を防止すると共に、開口領域における開口率を確保している。詳しい画素Ｐの構造については後述するが、交差部付近にＴＦＴ３０や保持容量１６を設ける関係上、交差部付近の非開口領域の幅は、他の部分に比べて広くなっている。
【００４１】
図４（ａ）に示すように、画素Ｐは、走査線３ａとデータ線６ａの交差部にＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、ソース領域３０ｓと、ドレイン領域３０ｄと、チャネル領域３０ｃと、ソース領域３０ｓとチャネル領域３０ｃとの間に設けられた接合領域３０ｅと、チャネル領域３０ｃとドレイン領域３０ｄとの間に設けられた接合領域３０ｆとを有するＬＤＤ（Lightly  Doped  Drain）構造の半導体層３０ａを有している。半導体層３０ａは上記交差部を通過して、走査線３ａと重なるように配置されている。
【００４２】
走査線３ａはデータ線６ａとの交差部において、Ｘ，Ｙ方向に拡張された平面視で四角形の拡張部を有している。当該拡張部に平面的に重なると共に接合領域３０ｆおよびドレイン領域３０ｄと重ならない開口部を有する折れ曲がった形状のゲート電極３０ｇが設けられている。
【００４３】
ゲート電極３０ｇは、Ｙ方向に延在した部分が平面的にチャネル領域３０ｃと重なっている。また、チャネル領域３０ｃと重なった部分から折り曲げられてＸ方向に延在し、互いに対向する部分がそれぞれ走査線３ａの拡張部との間に設けられたコンタクトホールＣＮＴ７，ＣＮＴ８によって、電気的に走査線３ａと接続している。
【００４４】
コンタクトホールＣＮＴ７，ＣＮＴ８は、平面視でＸ方向が長い矩形状（長方形）であって、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと接合領域３０ｆとに沿って接合領域３０ｆを挟むように両側に設けられている。
【００４５】
データ線６ａは、Ｙ方向に延在すると共に、走査線３ａと平面的に重なる同じく拡張部分を有し、当該拡張部分からＸ方向に突出した部分に設けられ、かつ重なり合って接合された２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ３によってソース領域３０ｓと電気的に接続している。コンタクトホールＣＮＴ１を含む部分がソース電極３１ａ（図５参照）となっている。一方、ドレイン領域３０ｄの端部にも重なり合って接合された２つのコンタクトホールＣＮＴ２，ＣＮＴ４が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ２を含む部分がドレイン電極３１ｃ（図５参照）となっている。コンタクトホールＣＮＴ２，ＣＮＴ４に隣り合うようにコンタクトホールＣＮＴ５が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ４とコンタクトホールＣＮＴ５とは島状に設けられた中継電極６ｂによって電気的に接続している。詳しいコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４，ＣＮＴ５の構造については、後述する。
【００４６】
画素電極１５は、走査線３ａやデータ線６ａと外縁部が重なるように設けられており、本実施形態では走査線３ａと重なる位置に設けられた２つのコンタクトホールＣＮＴ４，ＣＮＴ５を介してドレイン電極３１ｃに電気的に接続されている。
【００４７】
保持容量１６は、第１容量電極１６ｂと、第１容量電極１６ｂに対向するように配置された第２容量電極１６ａとを有している。第１容量電極１６ｂは、走査線３ａの拡張部と重なる部分と、該拡張部と重なった部分から走査線３ａの延在方向とデータ線６ａの延在方向とに延出された部分とを有しており、非開口領域（図３参照）に配置されている。
また、第１容量電極１６ｂは、図４（ｂ）に示すように、画素Ｐごとに独立して島状に設けられている。１つの画素Ｐを囲むようにして当該画素Ｐの第１容量電極１６ｂと隣り合う画素Ｐの第１容量電極１６ｂとが配置され、遮光性の非開口領域を構成している。
これに対して、第２容量電極１６ａは、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、第１容量電極１６ｂと平面的に重なると共に、Ｙ方向において複数の画素Ｐに跨って設けられた本線部１６ａｍと本線部１６ａｍからＸ方向に突出した突出部１６ａｐとを有している。本線部１６ａｍおよび突出部１６ａｐは第１容量電極１６ｂおよびデータ線６ａや走査線３ａとほぼ同等の幅で設けられている。第２容量電極１６ａは、画素電極１５が第１容量電極１６ｂと電気的に接続するコンタクトホールＣＮＴ６を含む領域を除いて、第１容量電極１６ｂと重なるように設けられている。
【００４８】
次に、図５および図６を参照して、画素Ｐの構造について、さらに詳しく説明する。本実施形態の液晶装置１００は、素子基板１０上においてＴＦＴ３０と画素電極１５との間に５つの導電層を有している。５つの導電層は、１層おきに固定電位とされている。
具体的には、図５に示すように、素子基板１０上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
【００４９】
走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる下地絶縁膜１１ａが形成され、下地絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、前述したソース領域３０ｓ、接合領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、接合領域３０ｆ、ドレイン領域３０ｄを有するＬＤＤ構造が形成されている。
【００５０】
半導体層３０ａを覆うように第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成される。さらに第１絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域３０ｃに対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。
【００５１】
ゲート電極３０ｇと第１絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第２絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置に第１絶縁膜１１ｂ、第２絶縁膜１１ｃを貫通する２つの孔が形成される。そして、２つの孔を埋めると共に第２絶縁膜１１ｃを覆うようにＡｌ（アルミニウム）などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、ソース領域３０ｓに繋がるコンタクトホールＣＮＴ１およびソース電極３１ａが形成される。同時にゲート電極３０ｇと平面的に重なる配線３１ｂと、コンタクトホールＣＮＴ２およびドレイン電極３１ｃが形成される。つまり、ソース電極３１ａ、配線３１ｂ、ドレイン電極３１ｃは、同一導電層においてパターニングされたものである。配線３１ｂを含むこれらの電極部分を総称して第１導電層３１と呼ぶ。
【００５２】
なお、あらゆる方向からＴＦＴ３０（半導体層３０ａ）に入射する光を遮光し、且つ反射させて迷光を生じさせない観点から、第１導電層３１の形成材料としては、アモルファスの金属シリサイド膜を用いることが好ましい。アモルファスの金属シリサイド膜としては、例えば、ａ−Ｗ−Ｓｉ（タングステンシリサイド）膜が挙げられ、結晶化した金属シリサイド膜に比べて、遮光性と低反射性とを両立させることができる。
【００５３】
第１導電層３１を覆うように第３絶縁膜１１ｄが形成され、ソース電極３１ａおよびドレイン電極３１ｃと重なる位置に第３絶縁膜１１ｄを貫通する２つの孔が形成される。その２つの孔を埋めると共に第３絶縁膜１１ｄを覆うようにＡｌ（アルミニウム）などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることによって、ソース電極３１ａに繋がるコンタクトホールＣＮＴ３およびデータ線６ａが形成される。また、ドレイン電極３１ｃに繋がるコンタクトホールＣＮＴ４および中継電極６ｂが形成される。同一導電層においてパターニングされるデータ線６ａおよび中継電極６ｂを総称して第２導電層３２と呼ぶ。
【００５４】
図６に示すように、第１導電層３１のうち、配線３１ｂはデータ線６ａと平面的に重なると共に、データ線６ａの延在方向（Ｙ方向）に沿って隣り合う画素Ｐに跨って連続的にパターニングされる。これによって、誘電体層としての第３絶縁膜１１ｄを挟んで対向配置されたデータ線６ａと配線３１ｂとを一対の電極とした付加容量３４が構成される。
また、配線３１ｂとはそれぞれ分離されて島状にソース電極３１ａ、ドレイン電極３１ｃがパターニングされる。ドレイン電極３１ｃは中継電極６ｂと平面的に重なるようにパターニングされる。
【００５５】
データ線６ａおよび中継電極６ｂと第３絶縁膜１１ｄとを覆うように層間絶縁膜１２が形成される。層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的研磨処理（Chamical  Mechanical  Polishing；ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００５６】
層間絶縁膜１２上には、走査線３ａやデータ線６ａと平面的に重なるようにパターニングされた第３導電層３３が形成されている。第３導電層３３は、例えばＡｌなどの遮光性の導電部材からなる。なお、図４（ａ）の平面図では、第３導電層３３は図示省略されているが、平面的には図３に示した非開口領域内に形成されている。
【００５７】
第３導電層３３と層間絶縁膜１２とを覆うように層間絶縁膜１３ａが形成されている。層間絶縁膜１３ａも例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、層間絶縁膜１２と同様に平坦化処理を施してもよい。
【００５８】
２つの層間絶縁膜１２，１３ａを貫通する孔が中継電極６ｂと重なる位置に形成され、この孔を埋めるようにして遮光性を有する導電膜が成膜される。この導電膜をパターニングして、中継電極６ｂと接続するコンタクトホールＣＮＴ５および第１容量電極１６ｂが形成される。第１容量電極１６ｂを含む導電層が第４導電層である。
第４導電層を構成する上記遮光性の導電膜としては、Ａｌ（アルミニウム）、ＴｉＮ（窒化チタン）などからなる単層膜あるいはこれらが積層された多層膜を用いることができる。
【００５９】
次に、第１容量電極１６ｂと層間絶縁膜１３ａとを覆うように例えばシリコンの酸化物からなる保護膜を成膜する。この保護膜のうち誘電体層１６ｃが形成される領域を除くように保護膜をパターニングする。保護膜を部分的に除去してパターニングする方法としては、例えば成膜された保護膜を部分的にドライエッチングする方法や、予め除去したい第１容量電極１６ｂの表面をレジストなどによってマスキングした状態で保護膜を成膜した後にレジストを除去するリフトオフ法が挙げられる。これにより、第１容量電極１６ｂの外縁部分を覆うと共に層間絶縁膜１３ａの表面を覆う保護層１３ｂが形成される。
【００６０】
次に、第１容量電極１６ｂと保護層１３ｂとを覆うように誘電体膜が成膜され、誘電体膜のうち画素電極１５と繋がるコンタクトホールＣＮＴ６と重なる部分を除くようにパターニングして誘電体層１６ｃが形成される。誘電体膜としては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。さらに、誘電体層１６ｃとほぼ重なるように第２容量電極１６ａをパターニング形成する。第２容量電極１６ａを含む導電層が第５導電層である。例えば、第１容量電極１６ｂ（第４導電層）と第２容量電極１６ａ（第５導電層）とが共に同じ材料で構成されていたとしても、第２容量電極１６ａをパターニングする際に、第１容量電極１６ｂは保護層１３ｂと誘電体層１６ｃとによって完全に覆われているので、第１容量電極１６ｂがエッチングされてしまうなどの不具合の発生が防止される。
【００６１】
保持容量１６は、上記のように形成された遮光性の第１容量電極１６ｂおよび第２容量電極１６ａと、これらの電極に挟まれた誘電体層１６ｃとから構成されている。
【００６２】
保持容量１６と保護層１３ｂとを覆うように層間絶縁膜１４が形成されている。層間絶縁膜１４も例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、層間絶縁膜１３ａと同様に平坦化処理を施してもよい。
【００６３】
層間絶縁膜１４を貫通する孔が第１容量電極１６ｂと重なる位置に形成され、この孔を埋めるようにしてＩＴＯなどの透明導電膜が成膜される。この透明導電膜をパターニングして画素電極１５と、第１容量電極１６ｂと画素電極１５とを電気的に接続させるコンタクトホールＣＮＴ６とが形成される。
【００６４】
保持容量１６において、上述したように第１容量電極１６ｂはコンタクトホールＣＮＴ５および中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０のドレイン電極３１ｃと電気的に接続すると共に、コンタクトホールＣＮＴ６を介して画素電極１５と電気的に接続している。第２容量電極１６ａの本線部１６ａｍは上述したようにデータ線６ａの延在方向（Ｙ方向）において複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図２参照）における容量線３ｂとしても機能している。これにより、ＴＦＴ３０のドレイン電極３１ｃを介して画素電極１５に与えられた電位を第１容量電極１６ｂと第２容量電極１６ａとの間において保持することができる。
【００６５】
このような素子基板１０の配線構造において、第１導電層３１の配線３１ｂ、第３導電層３３、第５導電層としての第２容量電極１６ａには、それぞれ固定電位が与えられる。固定電位として、液晶装置１００における駆動電圧Ｖｄｄと基準電位Ｖｓｓとの間の中間電位が与えられる。例えば、駆動電圧Ｖｄｄは最大電位が１５．５ｖ、基準電位Ｖｓｓは０ｖ、中間電位は７ｖである。
【００６６】
なお、第１導電層３１の配線３１ｂ、第３導電層３３、第２容量電極１６ａを上記固定電位に接続させる方法としては、例えば、それぞれの導電層を図１（ａ）に示した表示領域Ｅの外側の周辺領域まで引き出させて、上記固定電位を供給する配線に接続させる方法が挙げられる。
【００６７】
上記実施形態の効果は、以下の通りである。
（１）上記実施形態の素子基板１０の配線構造によれば、ＴＦＴ３０と画素電極１５との間において、１層おきに配置された、第１導電層３１の配線３１ｂ、第３導電層３３、第５導電層としての第２容量電極１６ａには、それぞれ固定電位が与えられているため、ゲート電極３０ｇとデータ線６ａとの間を含む配線間の電磁波シールド性が向上している。それゆえに、ＴＦＴ３０の安定した動作が実現され、不安定な動作に起因するクロストークなどの現象が低減される。すなわち、優れた表示品質を有する電気光学装置としての液晶装置１００を実現することができる。
（２）また、与えられる固定電位が中間電位であるため、固定電位を基準電位Ｖｓｓとする場合に比べて、保持容量１６や付加容量３４に加わる印加電圧を小さくすることができる。したがって、保持容量１６や付加容量３４における耐圧が小さくて済む。言い換えれば、印加電圧によって破壊され難い保持容量１６および付加容量３４とすることができる。
（３）さらに、互いに同一方向（Ｙ方向）に延在するデータ線６ａと第１導電層３１の配線３１ｂとを一対の電極とする比較的に大きな電気容量を確保可能な付加容量３４が構成されている。したがって、前述したようにデータ線６ａに供給される画像信号が電磁波の影響を受け難いと共に、データ線６ａの電位つまり画像信号の電位が安定する。
【００６８】
（第２実施形態）
＜電子機器＞
図７は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。図７に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００６９】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００７０】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００７１】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００７２】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００７３】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００７４】
このような投射型表示装置１０００によれば、安定した動作品質が得られる液晶装置１００を備え、光源としてのランプユニット１１０１から強い（明るい）光が各液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に照射されたとしても、高い表示品位が実現されている。
【００７５】
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００７６】
（変形例１）上記液晶装置１００における第１導電層３１の平面的な配置は、これに限定されない。例えば、図３に示した非開口領域と同じように、走査線３ａに沿ったＸ方向と、データ線６ａに沿ったＹ方向とに連続させ、所謂格子状に第１導電層３１を設けてもよい。これによれば、Ｘ方向またはＹ方向のいずれか一方に連続させる場合に比べて、第１導電層３１の電気抵抗が低下し、電磁波シールドの効果をより高めることができる。なお、第１導電層３１よりも下層に位置する半導体層３０ａと上層に位置する配線との接続を図るコンタクトホールと重なる部分は除いてパターニングする。
【００７７】
（変形例２）上記素子基板１０上の導電層において、１層おきの導電層に与えられる固定電位は、すべて同じ固定電位であることに限定されない。例えば、保持容量１６、付加容量３４に関連する第１導電層３１の配線３１ｂや第２容量電極１６ａには、前述したように固定電位として中間電位を与え、保持容量１６や付加容量３４に関わらない第３導電層３３には基準電位ＶｓｓやＧＮＤ電位を与えてもよい。
【００７８】
（変形例３）上記液晶装置１００における半導体層３０ａの配置は、これに限定されない。例えば、走査線３ａとデータ線６ａの交差部において、データ線６ａに沿った方向に半導体層３０ａを配置したとしても、本発明の配線構造を適用することができる。
【００７９】
（変形例４）上記液晶装置１００におけるＴＦＴ３０と画素電極１５との間の導電層の数は、５層に限定されない。６層以上の構造としてもよい。
【００８０】
（変形例５）上記液晶装置１００は透過型に限定されない。画素電極１５が光反射性を有する反射型の液晶装置であっても、本発明を適用することができる。
【００８１】
（変形例６）上記液晶装置１００が適用される電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【００８２】
（変形例７）上記素子基板１０の配線構造を適用可能な電気光学装置は、上記液晶装置１００に限定されない。例えば、トランジスターを備えたアティブ駆動型の電気光学装置であって、有機ＥＬ（Electro  Luminessence）装置、電気泳動装置などの表示装置に適用することができる。
【符号の説明】
【００８３】
３ａ…走査線、６ａ…データ線、１０…基板としての素子基板、１１ｂ…ゲート絶縁膜としての第１絶縁膜、１５…画素電極、１６ａ…第５導電層および第２容量電極、１６ｂ…第４導電層および第１容量電極、１６ｃ…誘電体層、３０…トランジスターとしてのＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｇ…ゲート電極、３１…第１導電層、３２…第２導電層、３３…第３導電層、３４…付加容量、１００…電気光学装置としての液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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