(57)【要約】【課題】逆方向のＥＳＤに対する耐性を十分に向上させる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子１は、基準軸Ａに沿って延在する活性領域１３と主面Ｐ１とを有する半導体積層１０と、基準軸Ａに交差する第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２と、主面Ｐ１に設けられた第１の溝２４及び第２の溝２５とを備える。第１の溝２４及び第２の溝２５は、基準軸Ａに沿って延在している。活性領域１３は、基準軸Ａの方向から見て第１の溝２４と第２の溝２５との間に設けられている。第１の溝２４の一の端面Ｅ３と他の端面Ｅ４とは第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２の間にある。第２の溝２５の一の端面Ｅ５と他の端面Ｅ６とは第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２の間にある。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子であって、
基準軸に沿って延在する活性領域と主面とを有する半導体積層と、
前記基準軸に交差する第１及び第２の端面と、
前記主面に設けられた第１及び第２の溝と、
を備え、
前記第１の溝及び前記第２の溝は、前記基準軸に沿って延在し、
前記活性領域は、前記基準軸の方向から見て前記第１の溝と前記第２の溝との間に設けられ、
前記第１の溝における基準軸方向の二つの端面は前記第１の端面及び前記第２の端面の間にあり、
前記第２の溝における基準軸方向の二つの端面は前記第１の端面及び前記第２の端面の間にあることを特徴とする、半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記第１の溝における前記第１の端面側にある一の端面から前記第１の端面までの距離は、前記第１の端面と前記第２の端面との間の距離の１／３０以上１／２０以下の範囲内にあり、
前記第１の溝における前記第２の端面側にある他の端面から前記第２の端面までの距離は、前記範囲内にあり、
前記第２の溝における前記第１の端面側にある一の端面から前記第１の端面までの距離は、前記範囲内にあり、
前記第２の溝における前記第２の端面側にある他の端面から前記第２の端面までの距離は、前記範囲内であることを特徴とする請求項１に記載された半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、逆方向ＥＳＤ（ESD：Electrostatic  Discharge）に対する耐性を向上できる構造の半導体光素子が記載されている。この半導体光素子の活性領域の量子井戸構造部は第１の光閉じ込め層と第２の光閉じ込め層との間に設けられている。ｎ型光閉じ込め層、第１の光閉じ込め層、量子井戸構造部、第２の光閉じ込め層およびｐ型光閉じ込め層は、半導体領域の一端面および他端面の少なくともいずれか一方に現れている。活性領域は、光閉じ込め層並びに量子井戸構造部に総厚２７０ｎｍ以上の１×１０１６ｃｍ−３以下の不純物濃度の領域を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２９４６４０号公報
【特許文献２】特開平９−３０７１８１号公報
【特許文献３】特表平６−５１０３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、埋め込み型半導体光素子には、活性領域を挟むようにトレンチ溝が設けられている。この溝は、埋め込み領域において発生する静電容量の抑制のために設けられている。さらに、この溝は、埋め込み領域において発生する漏れ電流の抑制のために設けられている。
【０００５】
しかし、エッチング等により溝を形成したとき、エッチングにより溝の壁面がダメージを受ける場合がある。この場合、溝に接する埋め込み領域には非発光再結合準位が生成される。また、半導体光素子をチップ化したとき、半導体素子の端面が大気に晒されて酸化する場合がある。この場合、半導体光素子の端面には非発光再結合準位が生成される。非発光再結合準位が生成された半導体光素子に逆ＥＳＤが印加されると、非発光再結合準位を介して電流が集中的に流れるので、埋め込み領域が劣化する場合がある。
【０００６】
本発明は、上記の事情を鑑みてなされたものであり、逆方向ＥＳＤに対する耐性を十分に向上させる半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体レーザ素子は、主面と基準軸に沿って延在する活性領域とを有する半導体積層と、基準軸に交差する第１及び第２の端面と、主面に設けられた第１及び第２の溝と、を備え、第１の溝及び第２の溝は、基準軸に沿って延在し、活性領域は、基準軸の方向から見て第１の溝と第２の溝との間に設けられ、第１の溝の端面は第１の端面及び第２の端面の間にあり、第２の溝の端面は第１の端面及び第２の端面の間にある。
【０００８】
このように、半導体レーザ素子の第１の溝が有する端面は第１の端面及び第２の端面の間にある。すなわち、第１の溝が有する端面は、第１の端面及び第２の端面から離間している。同様に、半導体レーザ素子の第２の溝が有する端面は第１の端面及び第２の端面の間にある。すなわち、第２の溝が有する端面は、第１の端面及び第２の端面から離間している。半導体レーザ素子の端面に溝の端部が含まれると、逆ＥＳＤに応じて、溝の側面のうち端面側の領域に形成された非発光再結合準位を介して電流が集中的に流れる。よって、この領域の格子欠陥が増大する場合がある。これに対し、本発明の半導体レーザ素子によれば、活性領域（基準軸）に沿って延びている溝の二つの端面は、基準軸の方向にある半導体レーザ素子の二つの端面から離間しているので、半導体レーザ素子の端面は溝の端部を含まず、よって、逆ＥＳＤに対する耐性が向上される。
【０００９】
本発明の半導体レーザ素子において、第１の溝における第１の端面側にある一の端面から第１の端面までの距離は、第１の端面と第２の端面との間の距離の１／３０以上１／２０以下の範囲内にあり、第１の溝における第２の端面側にある他の端面から第２の端面までの距離は、上述した範囲内にあり、第２の溝における第１の端面側にある一の端面から第１の端面までの距離は、上述した範囲内にあり、第２の溝における第２の端面側にある他の端面から第２の端面までの距離は、上述した範囲内であってもよい。このような構成を有する半導体レーザ素子は、十分な長さの溝を有するので埋め込み領域において発生する静電容量を抑制すると共に、埋め込み領域において発生する漏れ電流を抑制することができる。従って、本発明の半導体レーザ素子は、第１及び第２の溝を第１の端面から第２の端面まで形成した従来の半導体光素子が有するレーザ特性と同等のレーザ特性を実現できる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体レーザ素子は、逆方向ＥＳＤに対する耐性を十分に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態に係る半導体レーザ素子を示す図面である。
【図２】本実施形態に係る半導体レーザ素子を示す図面である。
【図３】図１に示された半導体レーザ素子のI−I断面を示す図面である。
【図４】（ａ）部は図２に係る半導体レーザ素子のII−II断面を示す図面であり、（ｂ）部は図２に係る半導体レーザ素子の一端面を示す図面である。
【図５】第１及び第２の溝を形成する一工程を説明するための図面である。
【図６】第１及び第２の溝を形成する一工程を説明するための図面である。
【図７】第１及び第２の溝を形成する一工程を説明するための図面である。
【図８】本実施形態に係る半導体レーザ素子の変形例を示す図面である。
【図９】図８に係る半導体レーザ素子のIX−IX断面を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照しながら本発明による半導体レーザ素子の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１３】
図１は本実施形態の半導体レーザ素子１を示す斜視図である。半導体レーザ素子１は、基準軸Ａの方向に沿って延在している。半導体レーザ素子１は、第１の端面Ｅ１と第２の端面Ｅ２とを有している。第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２は、それぞれ基準軸Ａと交差している。また、半導体レーザ素子１は、第１の端面Ｅ１から第２の端面Ｅ２まで延在する側面Ｓ１を有し、側面Ｓ１の反対側にある側面Ｓ２を有している。半導体レーザ素子１は、基板１１と、半導体積層１０と、絶縁層２１と、第１の電極２２と、第２の電極２３とを含んでいる。基板１１は、例えばシリコンをドープしたｎ型ＩｎＰ基板等のIII−V族化合物半導体からなり、例えば１×１０１８ｃｍ−３以上２×１０１８ｃｍ−３以下の不純物濃度を有する。半導体レーザ素子１の基準軸Ａに沿った長さＤ１は、例えば３００μｍである。長さＤ１は、第１の端面Ｅ１から第２の端面Ｅ２までの長さにより規定される。半導体レーザ素子１の幅Ｄ２は、例えば２５０μｍである。幅Ｄ２は側面Ｓ１から側面Ｓ２までの長さにより規定される。半導体レーザ素子１の厚さＤ３は、例えば１００μｍである。厚さＤ３は第１の電極２２から第２の電極２３までの長さにより規定される。
【００１４】
半導体積層１０は、基板１１の上に形成された複数のエピタキシャル半導体層を含んでいる。エピタキシャル半導体層には、第１クラッド層１２と、活性領域１３と、第２クラッド層１４とを含む半導体メサ１５がある。半導体メサ１５は、基板１１の上に第１クラッド層１２が形成され、第１クラッド層１２の上に活性領域１３が形成され、活性領域１３の上に第２クラッド層１４が形成されて成る。第１クラッド層１２はシリコンをドープしたｎ型ＩｎＰ等のIII−V族化合物半導体からなる。活性領域１３は、基準軸Ａが指し示す方向に沿って延在する。側面Ｓ１から側面Ｓ２に沿った活性領域１３の幅は、例えば１μｍである。活性領域１３は多重量子井戸構造を含み、例えばＧａＩｎＡｓＰ等のIII−V族化合物半導体からなる。第２クラッド層１４は例えば亜鉛（Ｚｎ）をドープしたｐ型ＩｎＰ等のIII−V族化合物半導体からなる。
【００１５】
半導体積層１０に含まれるエピタキシャル半導体層には、埋め込み領域１８がある。埋め込み領域１８は、半導体メサ１５を挟むように形成されている。埋め込み領域１８と半導体メサ１５の側面１５ｓとは互いに接している。半導体メサ１５の側面１５ｓは、埋め込み領域１８に覆われている。埋め込み領域１８は、基板１１と接している。埋め込み領域１８は、第１ブロック層１６と第２ブロック層１７とを含んでいる。第１ブロック層１６は、半導体メサ１５の側面１５ｓを覆うように形成されると共に、基板１１の上に形成されている。第２ブロック層１７は、第１ブロック層１６の上に形成されている。第１ブロック層１６は、例えば亜鉛（Ｚｎ）をドープしたｐ型ＩｎＰ基板等のIII−V族化合物半導体からなり、例えば５×１０１７ｃｍ−３以上１×１０１８ｃｍ−３以下の不純物濃度を有する。第２ブロック層１７は、例えばシリコンをドープしたｎ型ＩｎＰ基板等のIII−V族化合物半導体からなり、例えば５×１０１７ｃｍ−３以上１０×１０１７ｃｍ−３以下の不純物濃度を有する。
【００１６】
半導体積層１０に含まれるエピタキシャル半導体層には、第２クラッド層１９がある。第２クラッド層１９は、埋め込み領域１８の上に形成されると共に、半導体メサ１５の上に形成されている。第２クラッド層１９は、例えば亜鉛（Ｚｎ）をドープしたｐ型ＩｎＰ等のIII−V族化合物半導体からなり、例えば５×１０１７ｃｍ−３以上１０×１０１７ｃｍ−３以下の不純物濃度を有する。コンタクト層２０は、第２クラッド層１９の上に形成されている。半導体積層１０の主面Ｐ１は、絶縁層２１と互いに接するコンタクト層２０の面である。コンタクト層２０は、例えばｐ型ＩｎＧａＡｓ等のIII−V族化合物半導体からなり、例えば１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０１９ｃｍ−３以下の不純物濃度を有する。絶縁層２１は、コンタクト層２０の上に形成されている。絶縁層２１は開口Ｈ１を有している。絶縁層２１は例えば窒化シリコンまたは酸化シリコン等の誘電体からなる。
【００１７】
半導体レーザ素子１には、第１の溝２４と第２の溝２５とが形成されている。第１の溝２４と第２の溝２５とは、基準軸Ａに沿って延在している。第１電極２２は絶縁層２１の上に形成され、さらに第１電極２２は開口Ｈ１により露出されたコンタクト層２０の上に形成されている。第１電極２２は絶縁層２１の開口Ｈ１を介してコンタクト層２０と電気的に接続されている。第１電極２２は、ｐ側のオーミック電極であり、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる積層の構成を有している。基板１１の裏面の上に第２電極２３が形成されている。
【００１８】
第１の溝２４と第２の溝２５とについて詳細に説明する。図２は本実施形態の半導体レーザ素子１を示す平面図である。図２を参照すると、半導体レーザ素子１は、基準軸Ａに沿って延在する第１の溝２４と第２の溝２５とを有している。第１の溝２４と第２の溝２５とはＺ方向から見て第１電極２２の一部を挟んで形成されている。第１の溝２４と第２の溝２５との間の距離Ｄ４は、例えば６μｍ以上１２μｍ以下である。
【００１９】
第１の溝２４は基準軸方向の二つの端面である、一の端面Ｅ３及び他の端面Ｅ４を有している。他の端面Ｅ４は、一の端面Ｅ３の反対側にある。一の端面Ｅ３及び他の端面Ｅ４は、第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２の間にある。第１の溝２４の一の端面Ｅ３は第１の端面Ｅ１から離間しており、一の端面Ｅ３と第１の端面Ｅ１との間の距離は距離Ｄ５である。第１の溝２４の他の端面Ｅ４は第２の端面Ｅ２から離間しており、一端Ｅ４と第２の端面Ｅ２との間の距離は距離Ｄ６である。
【００２０】
第２の溝２５は基準軸方向の二つの端面である、一の端面Ｅ５及び他の端面Ｅ６の二つの端面を有している。他の端面Ｅ６は一の端面Ｅ５の反対側にある。一の端面Ｅ５と他の端面Ｅ６とは、第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２の間にある。第２の溝２５の一の端面Ｅ５は第１の端面Ｅ１から離間しており、一の端面Ｅ５と第１の端面Ｅ１との間の距離は距離Ｄ７である。第２の溝２５の他の端面Ｅ６は第２の端面Ｅ２から離間しており、他の端面Ｅ６と第２の端面Ｅ２との間の距離は距離Ｄ８である。
【００２１】
距離Ｄ５〜Ｄ８は、半導体レーザ素子１の長さＤ１の１／３０以上１／２０以下の範囲内にあることが好ましい。半導体レーザ素子１は、長さＤ１が３００μｍであるので、距離Ｄ５〜Ｄ８は１０μｍである。また、第１の溝２４の幅Ｄ９及び第２の溝２５の幅Ｄ１０は、例えば１０μｍ以上１４μｍ以下である。
【００２２】
図３は、図１に示された半導体レーザ素子１のI−I断面を示す図面である。図３を参照すると、第２の溝２５は、コンタクト層２０と、第２クラッド層１９と、埋め込み領域１８とを貫通している。第２の溝２５の深さＤ１１は、例えば４μｍ以上６μｍ以下である。深さＤ１１は半導体レーザ素子１の主面Ｐ２から第２の溝２５の底面Ｐ３までの長さで規定される。底面Ｐ３及び壁面Ｐ４の上には、絶縁層２１が形成されている。
【００２３】
図４の（ａ）部は図２に示された半導体レーザ素子１のII−II断面を示す図面であり、図４の（ｂ）部は図２に示された半導体レーザ素子１の第２の端面Ｅ２を示す図面である。図４の（ａ）部は、第１の溝２４及び第２の溝２５に挟まれた領域の断面を示す。半導体積層１０に含まれた活性領域１３は、基準軸Ａの方向から見て第１の溝２４と第２の溝２５との間に設けられている。図４の（ｂ）部は、第２の端面Ｅ２の構成を示す。半導体レーザ素子１の第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２には、図４の（ｂ）部に示されるように第１の溝２４及び第２の溝２５は形成されていない。
【００２４】
次に、図５〜図７を参照して、第１の溝２４及び第２の溝２５を形成する工程Ｓ１〜Ｓ３について説明する。工程Ｓ２は工程Ｓ１の後に行われ、工程Ｓ３は工程Ｓ２の後に行われる。まず図５を参照して、工程Ｓ１を説明する。図５の（ａ）部は基板生産物１Ｈの側面を示す図面であり、図５の（ｂ）部は図５の（ａ）部のIII−III断面を示す図面であり、図５の（ｃ）部は図５の（ａ）部のIV−IV断面を示す図面である。工程Ｓ１では、基板１１ｂの上に、第１クラッド層と、活性領域と、第２クラッド層とをこの順に形成する。次に、第２クラッド層の上にマスクを形成する。第２クラッド層の上に形成されたマスクを用いたエッチングにより、半導体メサ１５ｂを形成する。半導体メサ１５ｂは、エッチングされた第１クラッド層１２ｂと、エッチングされた活性領域１３ｂと、エッチングされた第２クラッド層１４ｂとを含む。続いて、基板１１ｂの上に第１ブロック層１６ｂを形成する。第１ブロック層１６ｂは半導体メサ１５ｂの側面１５ｓを覆うように形成される。第１ブロック層１６ｂの上に第２ブロック層１７ｂを形成する。そして、第２ブロック層１６ｂの上に、第２クラッド層１９ｂ及びコンタクト層２０ｂをこの順に形成して、基板生産物１Ｈを得る。
【００２５】
図６を参照して、工程Ｓ２を説明する。図６の（ａ）部は基板生産物１Ｋの側面を示す図面であり、図６の（ｂ）部は図６の（ａ）部のV−V断面を示す図面であり、図６の（ｃ）部は図６の（ａ）部のVI−VI断面を示す図面である。工程Ｓ２では、コンタクト層２０ｂの上にマスク３１ｂを形成する。図６の（ｂ）部を参照すると、マスク３１ｂには、第１の溝及び第２の溝に対応する位置に開口３２ｂ，３３ｂが形成されている。開口３２ｂからエッチングされる領域が図１に示された第１の溝２４に対応し、開口３３ｂからエッチングされる領域が図１に示された第２の溝２５に対応する。マスク３１ｂは、絶縁層及びレジスト層のいずれか一方により形成される。絶縁層として、例えば酸化シリコンなどの酸化物を用いることができる。図６の（ｃ）を参照すると、マスク３１ｂの端面Ｅ１ｂを含む領域には、開口３２ｂ，３３ｂが形成されていない。
【００２６】
図７を参照して、工程Ｓ３を説明する。図７の（ａ）部は基板生産物１Ｌの側面を示す図面であり、図７の（ｂ）部は図７の（ａ）部のVII−VII断面を示す図面であり、図７の（ｃ）部は図７の（ａ）部のVIII−VIII断面を示す図面である。工程Ｓ３では、工程Ｓ２において形成されたマスク３１ｂを用いたエッチングにより、第１の溝２４ｂ及び第２の溝２５ｂを形成する。図７の（ｂ）部を参照すると、開口３２ｂ，３３ｂから露出された半導体積層１０の一部がエッチングされて第１の溝２４ｂ及び第２の溝２５ｂが形成される。工程Ｓ３では、基板１１ｂの一部がエッチングされるまでエッチングが継続される。第１の溝２４ｂ及び第２の溝２５ｂの深さＤ１２，Ｄ１３は、例えば６μｍである。第１の溝２４ｂ及び第２の溝２５ｂの壁面には、基板１１ｂ、第１ブロック層１６ｂ、第２ブロック層１７ｂ及び第２クラッド層１９ｂが露出している。基板１１ｂはｎ型半導体からなり、第１ブロック層１６ｂはｐ型半導体からなる。さらに第２ブロック層１７ｂはｎ型半導体からなり、第２クラッド層１９ｂはｐ型半導体からなる。従って、第１の溝２４ｂ及び第２の溝２５ｂの壁面にはｎ−ｐ−ｎ−ｐ接合が形成されている。第１の溝２４ｂと第２の溝２５ｂとは、半導体メサ１５ｂを挟むように形成される。第１の溝２４ｂと第２の溝２５ｂとの間の距離Ｄ１４は、例えば６μｍである。図７の（ｃ）部を参照すると、端面Ｅ１ｂを含む領域には第１の溝２４ｂ及び第２の溝２５ｂは形成されていない。
【００２７】
工程Ｓ３において実施されるエッチングには、ドライエッチング及びウエットエッチングの何れか一方を用いることができる。例えば、Ｂｒメタノール液をエッチング液として用いたウエットエッチングを用いてもよいし、Ｈ２及びＣＨ４の混合ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）であるドライエッチングを用いてもよい。
【００２８】
工程Ｓ３を実施した後、マスク３１ｂを除去する。次にコンタクト層２０ｂの上に絶縁層を形成し、第１の溝２４ｂ及び第２の溝２５ｂの壁面に絶縁層を形成する。この絶縁層は図１の絶縁層２１に対応する。絶縁層は半導体メサ１５ｂの上に形成された開口を有する。この開口によりコンタクト層２０ｂが露出される。そして、絶縁層の上に第１電極が形成され、さらに開口から露出されたコンタクト層２０ｂの上に第１電極が形成される。基板１１の裏面には第２電極が形成される。最後にチップ化されることにより、図１に示される半導体レーザ素子１を得る。
【００２９】
本実施形態の半導体レーザ素子１の効果について説明する。逆方向ＥＳＤにより半導体レーザ素子の埋め込み領域が劣化する形態では、埋め込み領域の溝に接した領域において埋め込み領域の劣化が生じる。この劣化が生じる領域は、活性領域の端面を含む半導体レーザ素子の端面付近の領域である。即ち、半導体レーザ素子の端面と溝の壁面とが接する領域にある埋め込み領域において劣化が生じる場合がある。
【００３０】
半導体レーザ素子の端面と溝の壁面とが接する領域において埋め込み領域が劣化する要因の一つとして、以下のような要因が考えられる。埋め込み領域の溝に接した領域には、非発光再結合準位が存在する。この非発光再結合準位は例えば溝を形成するときに実施されるエッチングにより生成される。また、エッチングにより形成された溝の壁面が大気に晒されて酸化されることにより、非発光再結合準位が生成される。さらに、半導体レーザ素子をチップ化したときに、半導体レーザ素子の端面が大気に晒されて酸化されることにより、非発光再結合準位が生成される。半導体レーザ素子に逆方向ＥＳＤが印加されると、非発光再結合準位を形成する格子欠陥にキャリアが吸収され、格子欠陥が増大する。半導体レーザ素子の端面と溝の壁面とが接する領域にある埋め込み領域では、非発光再結合準位が多く形成されているので非発光再結合準位を介して集中的に電流が流れる可能性が高い。さらに、半導体レーザ素子の端面と溝の壁面とが接する領域にある埋め込み領域では、増大した非発光再結合準位が拡散する領域が制限される。従って、非発光再結合準位の密度が高まり、非発光再結合準位を介して電流が集中的に流れるので、埋め込み領域が劣化する。特に、埋め込み領域と埋め込み領域の上に形成されている第２クラッド層との境界に形成されているｐｎ接合部の近傍において劣化が生じやすい。
【００３１】
本実施形態の半導体レーザ素子１によれば、半導体レーザ素子１の第１の溝２４が有する端面Ｅ３，Ｅ４は第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２の間にある。すなわち、第１の溝２４が有する端面Ｅ３，Ｅ４は、第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２から離間している。同様に、半導体レーザ素子１の第２の溝２５が有する端面Ｅ５，Ｅ６は第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２の間にある。すなわち、第２の溝２５が有する端面Ｅ５，Ｅ６は、第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２から離間している。半導体レーザ素子の端面に溝の端部が含まれると、逆ＥＳＤに応じて、溝の側面のうち端面側の領域に形成された非発光再結合準位を介して電流が集中的に流れる。よって、この領域の格子欠陥が増大する場合がある。これに対し、半導体レーザ素子１によれば、活性領域１３（基準軸Ａ）に沿って延びている第１の溝２４の二つの端面Ｅ３，Ｅ４及び第２の溝２５の二つの端面Ｅ５，Ｅ６は、基準軸Ａの方向にある半導体レーザ素子１の二つの端面Ｅ１，Ｅ２から離間しているので、半導体レーザ素子１の端面Ｅ１，Ｅ２は第１の溝２４の端面Ｅ３，Ｅ４及び第２の溝２５の端面Ｅ５，Ｅ６を含まない。よって、半導体レーザ素子１は逆ＥＳＤに対する耐性が向上される。
【００３２】
より詳細には、本実施形態の半導体レーザ素子１では、第１の端面Ｅ１と第１の溝２４の壁面とが接する領域が形成されず、第１の端面Ｅ１と第２の溝２５の壁面とが接する領域が形成されない。また、第２の端面Ｅ２と第１の溝２４の壁面とが接する領域が形成されず、第２の端面Ｅ２と第２の溝２５の壁面とが接する領域が形成されない。これ故、半導体レーザ素子１には、非発光再結合準位の密度の高い領域が存在せず、且つ非発光再結合準位が増大したときでも非発光再結合準位が拡散する領域を確保できる。これにより、非発光再結合準位を介して電流が集中的に流れることを抑制できるので、半導体レーザ素子１は逆ＥＳＤに対する耐性が向上される。
【００３３】
また、本実施形態の半導体レーザ素子１によれば、第１の溝２４の一の端面Ｅ３から第１の端面Ｅ１までの距離Ｄ５及び第１の溝２４の他の端面Ｅ４から第２の端面Ｅ２までの距離Ｄ６は、第１の端面Ｅ１と第２の端面Ｅ２との間の距離の１／３０以上１／２０以下の範囲内にある。また、第２の溝２５の一の端面Ｅ５から第１の端面Ｅ１までの距離Ｄ７及び第２の溝２５の他の端面Ｅ６から第２の端面Ｅ２までの距離Ｄ８は、第１の端面Ｅ１と第２の端面Ｅ２との間の距離の１／３０以上１／２０以下の範囲内にある。このような構成を有する半導体レーザ素子１は、十分な長さを有する第１の溝２４と、第２の溝２５とを有するので埋め込み領域１８において発生する静電容量を抑制すると共に、埋め込み領域１８において発生する漏れ電流を抑制することができる。従って、半導体レーザ素子１は、第１の溝及び第２の溝を第１の端面から第２の端面まで形成した従来の半導体光素子が有するレーザ特性と同等のレーザ特性を実現できる。
【００３４】
なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、他に様々な変形が可能である。図８及び図９を参照して、半導体レーザ素子１の変形例を説明する。図８は、半導体レーザ素子１の変形例である半導体レーザ素子５０を示す図面である。図８を参照すると、半導体レーザ素子５０の第１の溝６４は段部６６を有していてもよく、第２の溝６５は段部６７を有していてもよい。半導体レーザ素子５０のその他の構成は、半導体レーザ素子１と同様である。
【００３５】
図９は、図８に示された半導体レーザ素子のIX−IX断面を示す図面である。図９を参照すると、段部６７では第２クラッド層５９の上に絶縁層６１が形成されている。即ち、第２の溝６５を形成するエッチングにおいて、第２の溝６５のコンタクト層がサイドエッチングされていてもよい。
【符号の説明】
【００３６】
１，５０…半導体レーザ素子、１Ｈ，１Ｋ，１Ｌ…基板生産物、１０，１０ｂ…半導体積層、１１，１１ｂ…基板、１２，１２ｂ…第１クラッド層、１３，１３ｂ…活性領域、１４，１４ｂ，１９，１９ｂ，５９…第２クラッド層、１５，１５ｂ…半導体メサ、１５ｓ…側面、１６，１６ｂ…第１ブロック層、１７，１７ｂ…第２ブロック層、１８…埋め込み領域、２０，２０ｂ…コンタクト層、２１，６１…絶縁層、２２…第１電極、２３…第２電極、２４，２４ｂ，６４…第１の溝、２５，２５ｂ，６５…第２の溝、３１ｂ…マスク、３２ｂ，３３ｂ…開口、６６，６７…段部、Ｄ１…長さ、Ｄ２，Ｄ９，Ｄ１０…幅、Ｄ４〜Ｄ８，Ｄ１４、Ｅ１，Ｅ２…端面、Ｅ３，Ｅ５…一端、Ｅ４，Ｅ６…他端、Ｐ１，Ｐ２…主面、Ｐ３…底面、Ｐ４…壁面、Ｓ１，Ｓ２…側面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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