(57)【要約】【課題】ワイヤボンディングにおいて、隣接する電極パッド間でショートさせることなく、電極パッドを狭ピッチ化した半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置１００は、複数の電極パッド（第一電極パッド４２０、第二電極パッド４４０）と、ボンディングワイヤ６００と、を備える。また、ボンディングワイヤ６００は、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０にボンディングされている。このとき、隣接する第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０は、上面の高さが交互に異なるように形成されている。また、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０との間の段差部のうち、側面の少なくとも表面は、絶縁膜（保護絶縁膜２６０または保護絶縁膜５００）で形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極パッドと、
前記電極パッドにボンディングされたボンディングワイヤと、
を備え、
隣接する前記電極パッドは、交互に高さが異なるように形成されており、
前記電極パッド間の段差部の側面の少なくとも表面は、絶縁膜で形成されている半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記ボンディングワイヤは、Ｃｕワイヤである半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
隣接する前記電極パッドは、互いに異なる配線層に形成されている半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記複数の電極パッドのうち、
第一の高さに形成された第一電極パッドは、平面視で千鳥状に形成され、
前記第一の高さよりも高い第二の高さに形成された第二電極パッドは、前記千鳥状に形成された前記第一電極パッドの間に形成されている半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置において、
隣接する前記電極パッド間の高さの差は、前記ボンディングワイヤのボールの高さ以上である半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置は、高密度化、高集積化が進んでいる。これにより、電極パッドの大きさは微細化し、また電極パッド間は狭ピッチ化してきている。このように、微細化、狭ピッチ化した電極パッドに対して、ワイヤボンディングすることが困難となってきている。
【０００３】
特許文献１（特開平１１−２６４９０号公報）には、第２の電極パッド群の各電極パッドの高さを、第１の電極パッド群の各電極パッドの高さより高く設定した半導体装置が記載されている。特許文献１によれば、このような構造により、ボンディングワイヤ相互の短絡を防止することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２６４９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、発明者は、ボンディングワイヤ材としてＣｕワイヤを用いた場合において、特許文献１のような構造を採用しても、下記のような新たな問題が生じることを見出した。一般に、Ｃｕワイヤの硬度は、Ａｕワイヤの硬度の１．２倍ほど高い。このため、特に、Ｃｕワイヤにより電極パッド上にボンディングする際に、電極パッドがＣｕボールの周辺に波打つような現象（スプラッシュアウト）が起きる可能性がある。これにより、隣接する電極パッド間がショートしてしまう。したがって、特許文献１のように、電極パッドの高さが異なるような構造であっても、隣接する電極パッド間のショートを解消することができなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
複数の電極パッドと、
前記電極パッドにボンディングされたボンディングワイヤと、
を備え、
隣接する前記電極パッドは、交互に高さが異なるように形成されており、
前記電極パッド間の段差部の側面の少なくとも表面は、絶縁膜で形成されている半導体装置、が提供される。
【０００７】
本発明によれば、隣接する電極パッドは、上面の高さが交互に異なるように形成されており、かつ、電極パッド間の段差部の側面の少なくとも表面は、絶縁膜で形成されている。これにより、電極パッド間に高低差があることで物理的に距離が離れているだけでなく、電極パッド間の段差部は絶縁膜によって保護されている。このため、ボンディングワイヤ材としてＣｕワイヤを用いた場合において、スプラッシュアウトが発生したとしても、隣接する電極パッド間がショートすることがない。以上のように、ワイヤボンディングにおいて、隣接する電極パッド間でショートさせることなく、電極パッドを狭ピッチ化した半導体装置を提供することができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ワイヤボンディングにおいて、隣接する電極パッド間でショートさせることなく、電極パッドを狭ピッチ化した半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第一の実施形態における半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】第一の実施形態における半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】第一の実施形態における半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】第二の実施形態における半導体装置の構成を示す鳥瞰図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
（第一の実施形態）
図１は、第一の実施形態における半導体装置の構成を示す断面図である。この半導体装置１００は、複数の電極パッド（第一電極パッド４２０、第二電極パッド４４０）と、ボンディングワイヤ６００と、を備えている。また、ボンディングワイヤ６００は、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０にボンディングされている。このとき、隣接する第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０は、上面の高さが交互に異なるように形成されている。また、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０との間の段差部のうち、側面の少なくとも表面は、絶縁膜（保護絶縁膜２６０または保護絶縁膜５００）で形成されている。以下、詳細を説明する。
【００１２】
図１は、半導体装置１００の配線基板（不図示）に搭載された半導体チップ（不図示）における表面付近の断面を示している。
【００１３】
本実施形態において、半導体装置１００における半導体チップの基板（不図示）は、たとえばシリコン基板である。基板には、たとえば、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（不図示）が形成されている。
【００１４】
また、基板には、層間絶縁膜２２０、層間絶縁膜２４０、及び配線層（不図示）等により多層配線（不図示）が形成されている。層間絶縁膜２２０及び層間絶縁膜２４０には、ビア３２０及びビア３４０が形成されており、第一電極パッド４２０及び第二電極パッド４４０は、それぞれ、上記したビア３２０及びビア３４０を介して、ＦＥＴに接続されている。ここで、層間絶縁膜２２０、及び層間絶縁膜２４０は、たとえば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、または、ＳｉＣＯＨなどにより形成されている。また、ビア３２０、及びビア３４０は、たとえばＣｕにより形成されている。
【００１５】
このとき、隣接する第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０は、上面の高さが交互に異なるように形成されている。具体的には、隣接する第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０は、多層配線中の互いに異なる配線層に形成されている。ここで、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０は、Ａｌで形成されている。
【００１６】
また、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０との高さの差は、たとえば、ボンディングワイヤ６００におけるボール６２０の高さ以上である。これにより、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０との間における高さ方向のマージンを確保することができ、スプラッシュアウト４６０が発生してもショートすることがない。
【００１７】
さらに、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０との間の段差部のうち、側面の少なくとも表面は、絶縁膜（保護絶縁膜２６０または保護絶縁膜５００）で形成されている。ここで、保護絶縁膜２６０は、無機系の絶縁膜であり、たとえば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、若しくは、ＳｉＯＮの少なくとも一つ、または、それらの積層膜などにより形成されている。
【００１８】
このとき、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０の周囲には、表面保護のため、保護絶縁膜５００が形成されている。この保護絶縁膜５００は、有機系の絶縁膜であり、たとえばポリイミドである。
【００１９】
また、保護絶縁膜５００の開口部、すなわち第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０の露出部の平面視での大きさは、たとえば、ボンディングワイヤ６００におけるボール６２０の直径以上である。また、ワイヤボンディングするためのキャピラリ（不図示）が保護絶縁膜５００等に接触することがないように、開口部は、上記大きさに加えてマージンを有する。
【００２０】
上記のような第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０上には、ボンディングワイヤ６００がボールボンディングされている。ここで、ボンディングワイヤ６００は、Ｃｕワイヤである。
【００２１】
このように、第一電極パッド４２０及び第二電極パッド４４０に、ボンディングワイヤ６００が接続された半導体チップは、配線基板（不図示）上に搭載されている。ここで、配線基板は、たとえば、リードフレーム（不図示）、またはインターポーザ（不図示）などである。
【００２２】
次に、図１〜図３を用いて、第一の実施形態における半導体装置の製造方法を説明する。図２、図３は、第一の実施形態における半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。以下、詳細を説明する。
【００２３】
ここで、半導体装置１００の半導体チップには、上述したＦＥＴ、及び多層配線が形成されている。
【００２４】
まず、図２（ａ）のように、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）により、層間絶縁膜２２０に、ビア３２０とビア３４０を形成するためのビアホール（不図示）を形成する。次いで、スパッタによりバリア層（不図示）を成膜した後、メッキ法により、Ｃｕのビア３２０とビア３４０を形成する。次いで、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｙｓｈｉｎｇ）により、層間絶縁膜２２０上の余剰Ｃｕを除去して平滑化する。
【００２５】
次いで、図２（ｂ）のように、スパッタにより、平滑化された層間絶縁膜２２０上に、第一電極パッド４２０をビア３２０と接続するように形成する。このとき、第一電極パッド４２０は、Ａｌである。次いで、フォトリソグラフィにより、第一電極パッド４２０を、所望の形状にパターニングする。
【００２６】
次いで、図２（ｃ）のように、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、第一電極パッド４２０、及び層間絶縁膜２２０上に、さらに層間絶縁膜２４０を形成する。次いで、ＲＩＥにより、層間絶縁膜２４０に、ビア３４０のみを形成するためのビアホール（不図示）を形成する。次いで、スパッタによりバリア層（不図示）を成膜した後、メッキ法によりＣｕのビア３４０を形成する。次いで、再度、ＣＭＰにより、層間絶縁膜２４０上の余剰Ｃｕを除去して平滑化する。
【００２７】
次いで、図３（ａ）のように、スパッタにより、層間絶縁膜２４０上に、第二電極パッド４４０を形成する。このとき、第二電極パッド４４０は、Ａｌである。次いで、フォトリソグラフィにより、第二電極パッド４４０を、所望の形状にパターニングする。次いで、ＣＶＤにより、第二電極パッド４４０及び層間絶縁膜２４０上に、さらに保護絶縁膜２６０を形成する。次いで、ＲＩＥにより、層間絶縁膜２４０及び保護絶縁膜２６０に、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０を露出する開口部を形成するためのビアホール（不図示）を形成する。
【００２８】
次いで、図３（ｂ）のように、第一電極パッド４２０、第二電極パッド４４０、及び保護絶縁膜２６０上に、保護絶縁膜５００を形成する。次いで、フォトリソグラフィにより、第一電極パッド４２０及び第二電極パッド４４０の開口部が所望の形状になるように、保護絶縁膜５００をパターニングする。
【００２９】
次いで、図１のように、ボンディング装置を用い、ボンディングワイヤ６００の先端にボール６２０を作り、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０に接触させる。次いで、第一電極パッド４２０及び第二電極パッド４４０と接触させたボール６２０を超音波により加熱して、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０にボール６２０を接続する。このとき、ボンディングワイヤ６００がＣｕワイヤであり、Ａｕワイヤと比較して硬度が高い。このため、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０に接続されたボール６２０の周辺には、スプラッシュアウト４６０が発生する可能性がある。このスプラッシュアウト４６０に対する本実施形態の効果については、後述する。
【００３０】
次いで、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０に接続されたボンディングワイヤ６００を、配線基板（不図示）と接続する。このようにして、本実施形態の半導体装置１００を製造することができる。
【００３１】
次に、第一の実施形態の効果について説明する。本発明によれば、隣接する第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０は、上面の高さが交互に異なるように形成されており、かつ、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０との間の段差部のうち、側面の少なくとも表面は、絶縁膜（保護絶縁膜２６０または保護絶縁膜５００）で形成されている。これにより、ボンディングワイヤ６００の材料としてＣｕワイヤを用いた場合において、スプラッシュアウト４６０が発生したとしても、下記のように隣接する第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０とのショートが抑制される。
【００３２】
低い位置に形成された第一電極パッド４２０にワイヤボンディングする際に、スプラッシュアウト４６０が発生した場合、高い位置に形成された第二電極パッド４４０の側面は、保護絶縁膜２６０及び保護絶縁膜５００によって保護されている。これにより、隣接する第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０がショートすることがない。
【００３３】
また、高い位置に形成された第二電極パッド４４０にワイヤボンディングする際に、スプラッシュアウト４６０が発生した場合、低い位置に形成された第一電極パッド４２０まで物理的に届かない。これにより、隣接する第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０がショートすることがない。
【００３４】
以上のように、ワイヤボンディングにおいて、隣接する電極パッド間でショートさせることなく、電極パッドを狭ピッチ化した半導体装置を提供することができる。
【００３５】
（第二の実施形態）
図４は、第二の実施形態における半導体装置の構成を示す鳥瞰図である。第二の実施形態は、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０の平面視での配置を除いて、第一の実施形態と同様である。なお、図４は、ワイヤボンディングする前の半導体装置１００の状態を示している。
【００３６】
図４のように、第二の実施形態では、複数の電極パッドのうち、第一の高さに形成された第一電極パッド４２０は、平面視で千鳥状に形成されている。また、第一の高さよりも高い第二の高さに形成された第二電極パッド４４０は、千鳥状に形成された第一電極パッド４２０の間に形成されている。
【００３７】
第二の実施形態によれば、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０とが平面視で千鳥状に配置されていることにより、狭い範囲内において第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０を高密度に配置することができる。このような配置においても、第一の実施形態と同様の作用効果により、ワイヤボンディングにおいて、隣接する第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０との間でショートさせることはない。
【００３８】
以上、二つの実施形態において、ポリイミドの保護絶縁膜５００を用いた場合を説明したが、電極パッド間の段差の側面の少なくとも表面が絶縁膜（たとえば保護絶縁膜２６０）で形成されていればよく、保護絶縁膜５００は無くてもよい。
【００３９】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００４０】
１００  半導体装置
２２０  層間絶縁膜
２４０  層間絶縁膜
２６０  保護絶縁膜
３２０  ビア
３４０  ビア
４２０  第一電極パッド
４４０  第二電極パッド
４６０  スプラッシュアウト
５００  保護絶縁膜
６００  ボンディングワイヤ
６２０  ボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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