(57)【要約】    【課題】  電子部品を内蔵し薄型で接続信頼性の高いプリント配線板の製造方法を提供する。    【解決手段】  第２絶縁層６０、第３絶縁層７０と第２導体層６８、第３導体層７８とを有する途中基板９９にキャビティ７５が形成され、該キャビティ７５にＩＣチップ９０が内蔵される。その後、第４絶縁層８０と第４導体層８８と形成できるため、ＩＣチップをプリント配線板の中央部に内蔵でき、該プリント配線板の反り量を小さくすることができる。【選択図】  図５
2012191204.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持板を用意することと；
前記支持板上に第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する第１の樹脂絶縁層を該第１の樹脂絶縁層の第２面が前記支持板に向くように形成することと；
前記第１の樹脂絶縁層の第１面上に第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する第２の樹脂絶縁層を該第２の樹脂絶縁層の第２面が前記第１の樹脂絶縁層の第１面に向くように形成することと；
電極を有する電子部品を搭載するための開口を前記第２の樹脂絶縁層に形成することと；
前記電子部品の電極が前記第２の樹脂絶縁層の第１面に向くように前記電子部品を前記開口に収容することと；
前記第２の樹脂絶縁層の第１面と前記電子部品上に第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する層間樹脂絶縁層を該層間樹脂絶縁層の第２面が前記第２の樹脂絶縁層の第１面に向くように形成することと；
前記層間樹脂絶縁層に前記電子部品の電極に至るビア導体を形成することと；
前記支持板を前記第１の樹脂絶縁層から除去することと；を有するプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法において、さらに、前記第１の樹脂絶縁層の第１面を部分的に覆う剥離層を形成することを有し、前記開口を前記第２の樹脂絶縁層に形成することは前記剥離層を露出している。
【請求項３】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法において、
さらに、前記第２の樹脂絶縁層の第１面上に第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する第３の樹脂絶縁層を該第３の樹脂絶縁層の第２面が前記第２の樹脂絶縁層の第１面に向くように形成することと；
前記第２の樹脂絶縁層の開口に繋がる開口を前記第３の樹脂絶縁層に形成することとを有する。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板の製造方法において、さらに、前記支持板上に電極を形成することと；
前記第１の樹脂絶縁層に前記電極に至る第１ビア導体を形成することとを有する。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板の製造方法において、
前記支持板は、銅張積層板であって、さらに、金属箔を前記支持板に固定することを有する。
【請求項６】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法において、さらに、前記支持板と前記第１の樹脂絶縁層の間に樹脂層を形成することを有している。
【請求項７】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法において、さらに、前記第１の樹脂絶縁層の第１面上に前記第１の樹脂絶縁層の第１面を部分的に覆う搭載用導体層を形成することを有し、前記開口を前記第２の樹脂絶縁層に形成することは前記搭載用導体層を露出している。
【請求項８】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法において、さらに、前記第１の樹脂絶縁層の第１面を部分的に覆う搭載用導体層を形成することと前記搭載用導体層上に剥離層を形成することとを有し、前記開口を前記第２の樹脂絶縁層に形成することは前記搭載用導体層を露出している。
【請求項９】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法において、前記電子部品を搭載するための開口を前記第２の樹脂絶縁層に形成することは前記剥離層を介して前記第２の樹脂絶縁層を部分的に除去することを含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板を有さず、電子部品を内蔵するためのプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、薄型化のためコア基板を用いず、半導体素子を絶縁層に埋め込むことを開示している。該特許文献１は、支持板上に半導体素子を搭載することと、支持板及び半導体素子上にビルドアップ層を形成することと、支持板をビルドアップ層から分離することとを含む半導体装置の製造方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２２２１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、以降のプロセスを含む製造方法が開示されている（特許文献１の図１９、図２０参照）。絶縁層で半導体素子が覆われる。そして、その絶縁層は半導体素子の電極が露出するまで研磨され、その絶縁層に支持板上のパッドに至る開口が形成される。その後、その開口をめっきで充填することでビア導体が形成されている。この製造方法では、電子部品と同等の深さを有する開口をめっきで充填することでビア導体が形成される。そのため、絶縁層上の導体回路の厚みが厚くなると考えられる。そのため、絶縁層上に微細な導体回路の形成が困難であると考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、電子部品を内蔵し薄型で接続信頼性の高いプリント配線板を製造するための方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のプリント配線板の製造方法は：支持板を用意することと、前記支持板上に第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する第１の樹脂絶縁層を該第１の樹脂絶縁層の第２面が前記支持板に向くように形成することと、前記第１の樹脂絶縁層の第１面上に第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する第２の樹脂絶縁層を該第２の樹脂絶縁層の第２面が前記第１の樹脂絶縁層の第１面に向くように形成することと、電極を有する電子部品を搭載するための開口を前記第２の樹脂絶縁層に形成することと、前記電子部品の電極が前記第２の樹脂絶縁層の第１面に向くように前記電子部品を前記開口に収容することと、前記第２の樹脂絶縁層の第１面と前記電子部品上に第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する層間樹脂絶縁層を該層間樹脂絶縁層の第２面が前記第２の樹脂絶縁層の第１面に向くように形成することと、前記層間樹脂絶縁層に前記電子部品の電極に至るビア導体を形成することと、前記支持板を前記第１の樹脂絶縁層から除去することとを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図７】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図
【図８】図７のプリント配線板の応用例
【図９】切れ目の平面図
【図１０】第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図
【図１１】第２実施形態に係るプリント配線板の断面図
【図１２】第３実施形態に係るプリント配線板の断面図
【図１３】第４実施形態に係るプリント配線板の断面図
【図１４】第５実施形態に係るプリント配線板の製造工程図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態]
図７、８を参照して本発明の第１実施形態に係るプリント配線板が以下に説明されている。
図７は第１実施形態に係るプリント配線板１０の断面を示している。図８は、第１実施形態のプリント配線板の用途を示している。図８では、図７のプリント配線板がマザーボード２００に搭載され、さらに、別のＰＫＧ基板１００が第１実施形態のプリント配線板に搭載されている。
【０００９】
図７に示されるように、プリント配線板１０は、第１の樹脂絶縁層５０と、該第１の樹脂絶縁層上の第１導体層５８ｂと、該第１の樹脂絶縁層及び第１導体層上の第２の樹脂絶縁層６０と、第２の樹脂絶縁層上の第２導体層６８と、該第２の樹脂絶縁層及び第２導体層上の第３の樹脂絶縁層７０と、第３の樹脂絶縁層上の第３導体層７８と、該第３の樹脂絶縁層及び第３導体層上の層間樹脂絶縁層８０と、層間樹脂絶縁層上の導体層８８と、層間樹脂絶縁層及び導体層上のソルダーレジスト層９４とを備える。第１の樹脂絶縁層５０の第２面側に電極４２が埋まっている。電極の第２面は第１の樹脂絶縁層から露出していて、その電極４２の第２面上に半田バンプ９６Ｄが形成されている。第２の樹脂絶縁層６０及び第３の樹脂絶縁層７０の中央部には電子部品を収容するための開口７５が設けられ、開口７５内にＩＣチップ等の電子部品９０が収容されている。第２と第３の樹脂絶縁層の内壁とＩＣチップ９０との間には充填樹脂８００が充填されている。各導体層はそれぞれ複数の導体回路を有している。
【００１０】
電極４２と第１導体層５８ｂは、第１の樹脂絶縁層５０を貫通する第１ビア導体５９ｂを介して接続されている。第１の樹脂絶縁層上であってＩＣチップ９０の下側に、搭載用導体層５８ａが形成されている。搭載用導体層に第１の樹脂絶縁層５０を貫通している放熱ビア導体５９ａが接続されている。第１導体層５８ｂと第２導体層６８は、第２の樹脂絶縁層６０を貫通する第２ビア導体６９を介して接続されている。第２導体層６８と第３導体層７８とは、第３の樹脂絶縁層７０を貫通する第３ビア導体７９を介して接続されている。導体層８８と第３導体層７８とは、層間樹脂絶縁層８０を貫通するビア導体８９ｂを介して接続されている。ＩＣチップ９０の電極９２と、導体層８８は、接続ビア導体８９ａを介して接続されている。
【００１１】
搭載用導体層５８ａ上に銀ペーストからなる接着層（ダイアタッチ）５５が形成されている。ソルダーレジスト層は導体層やビア導体、接続ビア導体を露出する開口９４aを有していて、その開口９４ａに半田バンプ９６Ｕが形成されている。
【００１２】
図８では、図７のプリント配線板が反転されている。プリント配線板１０の半田バンプ９６Ｄを介してパッケージ基板１００のパッド１０２がプリント配線板１０に接続される。パッケージ基板１００上に、メモリー１０４が搭載されて、ワイヤー１０６によりパッケージ基板１００とメモリーが接続されている。一方、プリント配線板１０の半田バンプ９６Ｕを介して、マザーボード２００のパッド２０２がプリント配線板１０に接続されている。
【００１３】
図１〜図８を参照し、第１実施形態のプリント配線板の製造方法が以下に説明されている。
銅張積層板３０と、厚さ３〜２０μｍの銅箔４０が準備される（図１（Ａ））。
【００１４】
銅張積層板３０に銅箔４０が接着剤又は超音波接続により接合される（図１（Ｂ））。銅張積層板の外周と銅箔の外周が所定の幅で接合される。銅箔上に所定パターンのめっきレジストが形成され、めっきレジスト非形成部に電解銅めっきにより電極４２が形成される。電極の厚みは１０μｍ〜４０μｍである。めっきレジストが除去される（図１（Ｃ））。電極は第１面と第１面との反対側の第２面とを有する。電極の第２面は銅箔４０と対向する面である。
【００１５】
銅箔４０及び電極の第１面上に絶縁層が積層される。その後、加熱プレスすることで、銅箔４０及び電極上に第１の樹脂絶縁層５０が形成される（図２（Ａ））。第１の樹脂絶縁層は第１面とその第１面とは反対側の第２面とを有する。第２面は銅箔４０と対向する面である。電極の側壁と第１面は第１の樹脂絶縁層で覆われる。第１の樹脂絶縁層はエポキシなどの樹脂とガラスなどの無機粒子で形成されている。第１の樹脂絶縁層はさらにガラスクロスなどの補強材を有することが好ましい。支持板と第１の樹脂絶縁層間に１層または複数の樹脂層と配線層を交互に形成することができる。各配線層は複数の導体回路を含み各樹脂層を貫通するビア導体で接続される。レーザで、第１の樹脂絶縁層５０に、電極４２に至る開口５０ｂと、銅箔４０に至る開口５０ａが形成される。第１の樹脂絶縁層の第１面と開口５０ａ、５０ｂの内壁は粗化される（図２（Ｂ））。第１の樹脂絶縁層の第１面と開口５０ａ、５０ｂの内壁に形成されている粗面は図示されていない。開口５０ｂは電極の第１面を露出する。無電解めっき処理により第１の樹脂絶縁層５０の表面と開口５０a、５０ｂの内面に無電解めっき膜５１が形成される（図２（Ｃ））。
【００１６】
無電解めっき膜５１上に所定パターンのめっきレジスト５４が形成される（図２（Ｄ））。電解めっき処理により、開口５０ａ、開口５０ｂは電解めっき膜で充填される。同時に、第１の樹脂絶縁層の第１面上であってめっきレジスト非形成部に電解めっき膜５６が形成される（図３（Ａ））。めっきレジスト５４が除去される。そして、電解めっき膜間の無電解めっき膜５１が除去される。複数の導体回路を含む第１導体層５８ｂ、搭載用導体層５８ａ、第１ビア導体５９ｂ及び放熱ビア導体５９ａが完成する（図３（Ｂ））。搭載用導体層の外形は搭載される電子部品の外形より大きい。第１導体層や搭載用導体層や第１ビア導体の表面は粗化される。第１導体層や搭載用導体層や第１ビア導体の表面の粗面は図示されていない。第１ビア導体は第１導体層と電極を接続している。放熱ビア導体は搭載用導体層と銅箔を接続している。搭載用導体層５８ａ上に剥離層５７が形成される（図３（Ｃ））。第１導体層は基準マークを有していて、その基準マークを基準にして剥離層が搭載用導体層上に形成される。また、その基準マークと搭載用導体層は同時に形成されているので、基準マークと搭載用導体層は関連している。剥離層は搭載用導体層上に形成される樹脂絶縁層を搭載用導体層から除去するために形成される。剥離層は搭載用導体層と搭載用導体層上の樹脂絶縁層が接着することを防止している。剥離層は少なくとも搭載用導体層と接着しない。剥離層の例として、金属箔、接着力を有しない樹脂製フィルムや接着力の弱い樹脂製フィルムや紙などが挙げられる。
搭載用導体層と搭載用導体層上の樹脂絶縁層が接着しない場合、搭載用導体層上に剥離層を形成することは必要ない。例えば、搭載用導体層の表面が平坦な場合、樹脂絶縁層と搭載用導体層間の接着力は弱いので、搭載用導体層に樹脂絶縁層を直接積層することができる。第１導体層が粗化される時、搭載用導体層を保護フィルムで覆うことで搭載用導体層の表面は粗化されない。搭載用導体層の表面は平坦であって、第１導体層の表面は荒れている。
【００１７】
図２（Ａ）〜図３（Ｂ）を参照して説明されている方法と同様の方法で、第２の樹脂絶縁層６０及び第２導体層６８、第２ビア導体６９が形成される（図３（Ｄ））。同様の工程で、第３の樹脂絶縁層７０及び第３導体層７８、第３ビア導体７９が形成される（図４（Ａ））。第２導体層や第３導体層は第１導体層の基準マークと関連している。第３導体層は第３の基準マークを有していて、第１導体層の基準マークと第３の基準マークは関連している。第２の樹脂絶縁層と第３の樹脂絶縁層は第１面と第１面とは反対側の第２面とを有する。第２の樹脂絶縁層の第２面は第１の樹脂絶縁層の第１面と対向する面であり、第３の樹脂絶縁層の第２面は第２の樹脂絶縁層の第１面と対向する面である。第２導体層６８は第２の樹脂絶縁層の第１面に形成されている。第１導体層と第２導体層は第２の樹脂絶縁層に形成されている第２ビア導体６９で接続されている。第３導体層７８は第３の樹脂絶縁層の第１面に形成されている。第２導体層と第３導体層は第３の樹脂絶縁層に形成されている第３ビア導体７９で接続されている。
【００１８】
レーザで、搭載用導体層に至る切れ目（cut）７７が第３の樹脂絶縁層７０と第２の樹脂絶縁層６０に形成される（図４（Ｂ））。図９に切れ目７７の平面図が示されている。切れ目は所定の幅（Ｃｕｔ１）を有している。切れ目７７と剥離層５７の外周は重なることが好ましい。剥離層を残すことなく、剥離層上の樹脂絶縁層が除去される。切れ目が剥離層の外周より内側に形成されると、樹脂絶縁層と搭載用導体層間に剥離層が残りやすい。剥離層がプリント配線板内に残ると、樹脂絶縁層の剥離が発生すると考えられる。切れ目は第３の基準マークに基づいて形成されるので、切れ目の位置は剥離層の位置や搭載用導体層の位置に合っている。そのため、実施形態では、剥離層を残すことなく除去することができる。
【００１９】
剥離層に金属箔が用いられる場合、金属箔は第１面と第１面とは反対側の第２面とを有し、第１面が平滑な面であり、第２面が凹凸面であることが好ましい。この場合、第１面が搭載用導体層と対向し第２面が第２の樹脂絶縁層と対向することが好ましい。凹凸面を介して剥離層と第２の樹脂絶縁層が密着する。第２の樹脂絶縁層が除去される時、同時に剥離層も除去される。
【００２０】
剥離層５７と搭載用導体層は密着していないので、剥離層上の樹脂絶縁層は剥離層を介して搭載用導体層から除去される。樹脂絶縁層を貫通し、搭載用導体層を露出する開口が樹脂絶縁層に形成される。第１実施形態では第２と第３の樹脂絶縁層が部分的に除去され、第２と第３の樹脂絶縁層を貫通する開口７５が形成されている。中央部に開口（キャビティ）７５を備える途中基板９９が完成する（図４（Ｃ））。
【００２１】
搭載用導体層５８ａ上に銀ペーストにより接着層（ダイアタッチ）５５が形成される。ダイアタッチ５５上にＩＣチップなどの電子部品９０が搭載される（図５（Ａ））。
実施形態１では、途中基板に電子部品が搭載される。途中基板は開口を有するため、強度が低下する。また、途中基板は開口を部分的に有するため、反りが発生しやすい。しかしながら、実施形態の製造方法によれば、電子部品が途中基板に搭載される時、途中基板は支持板を有している。そのため、途中基板の強度は高い。途中基板の反りは小さくなる。開口により露出される面が平坦になりやすい。実施形態１では、開口により露出される搭載用導体層の表面が平坦になる。従って、実施形態では、途中基板に容易に電子部品を搭載することができる。また、電子部品が所定位置に搭載される。従って、電子部品の電極とその電極と接続するビア導体（接続ビア導体）間の位置精度が高くなる。電子部品の電極とその電極に直接繋がっているビア導体間の接続信頼性が高くなる。途中基板が平坦なので、電子部品と途中基板との接合強度が高くなる。そのため、搭載後の工程で電子部品が途中基板から剥れがたくなる。
【００２２】
Ｂステージの絶縁層が第３の樹脂絶縁層の第１面上に積層される。この絶縁層は電子部品９０を覆っている。その後、途中基板９９と絶縁層に加熱プレスが施される。絶縁層の樹脂が開口内に入り込み開口を充填する。絶縁層が硬化することで、第３の樹脂絶縁層の第１面と電子部品上に層間樹脂絶縁層８０が形成される。また、開口内を充填している樹脂が硬化し、開口内に充填樹脂８００が形成される（図５（Ｂ））。絶縁層が樹脂と無機粒子を含む場合、充填樹脂は樹脂と無機粒子を含む。各樹脂絶縁層や層間樹脂絶縁層はガラスなどの無機粒子と樹脂を含む。各樹脂絶縁層や層間樹脂絶縁層はさらにガラスクロスなどの心材を有してもよい。
【００２３】
層間樹脂絶縁層８０に、図２（Ｂ）〜図３（Ｂ）を参照して説明されている方法と同様の方法で、導体層８８、ビア導体８９ｂ及び接続ビア導体８９ａが形成される（図５（Ｃ））。
実施形態１の製造方法によれば、層間樹脂絶縁層に形成されている接続ビア導体用の開口を電子部品の電極上に確実に形成することができる。
【００２４】
層間樹脂絶縁層８０上に開口９４ａを備えるソルダーレジスト層９４が形成される（図６（Ａ））。積層基板１００００が完成する。積層基板は銅箔と銅張積層板の接合箇所より内側で切断される。両面銅張積層板３０が除去される。中間基板２００００が完成する（図６（Ｂ））。中間基板２００００から銅箔４０がエッチングにより除去される（図６（Ｃ））。電極の第２面、放熱ビア導体と第１の樹脂絶縁層の第２面が露出する。プリント配線板１０００が完成する。放熱ビア導体は第１の樹脂絶縁層の第２面にパッドを有していない。
【００２５】
プリント配線板の製造プロセスは加熱プロセスや加圧プロセスを含んでいる。実施形態１のプリント配線板の製造方法によれば、電子部品がプリント配線板の製造工程の途中から内蔵される。そのため、実施形態１の製造方法によれば、製造プロセスの初期工程から電子部品を内蔵するプロセスに比べ、内蔵される電子部品に施される加熱プロセスや加圧プロセスの回数が少なくなる。そのため、熱や圧力で電子部品が破壊する頻度が減少する。また、電子部品の電極とその電極に繋がっているビア導体間に掛かるストレスや電子部品と充填樹脂との界面に掛かるストレスが減少すると考えられる。そのため、電子部品とプリント配線板間の接続信頼性が向上する。電子部品と充填樹脂の界面の剥がれを起点とするプリント配線板のクラックが減少する。
【００２６】
ソルダーレジスト層９４の開口９４ａにより露出される導体層と電極４２の第２面に金属層が形成される。金属層はＳｎ膜やＮｉ／Ａｕ膜である。ソルダーレジスト層９４の開口９４ａにより露出される導体層に半田バンプ９６Ｕが形成される。電極４２の第２面に半田バンプ９６Ｄが形成される（図７）。プリント配線板に半田バンプ９６Ｄを介してパッケージ基板１００が搭載される。半田バンプ９６Ｕを介してマザーボード２００に多層プリント配線板１０が搭載される（図８）。
【００２７】
第１実施形態の製造方法によれば、内蔵する電子部品の厚みを考慮して、何層の樹脂絶縁層を除去するかを決定することができる。除去される樹脂絶縁層の層数は１層でも複数の層でも良い。そのため、第１実施形態では、図５（Ａ）中に示されているように、各樹脂絶縁層（第１の樹脂絶縁層５０、第２の樹脂絶縁層６０、第３の樹脂絶縁層７０）の厚み（ａ１）を全て略同一にすることができる。層間樹脂絶縁層の厚みは樹脂絶縁層の厚みと同じであることが望ましい。樹脂絶縁層のコストが低くなる。また、各樹脂絶縁層の厚みが同じであると、ビア導体の長さや樹脂絶縁層上の導体層の厚みが各層で略同じになる。そのため、各層の導体層やビア導体に略均一に応力が分散されるので、第１実施形態のプリント配線板は応力で破壊され難くなる。第１実施形態では２層の樹脂絶縁層が除去されている。第１実施形態では、キャビティ７５の深さ（Ｃａ１）は、第２の樹脂絶縁層６０と第３の樹脂絶縁層７０との厚みの合計（２ａ１）と搭載用導体層の厚み（Ｔ１）の差であり、電子部品９０の厚みｂ１より厚い。即ち、ＩＣチップ９０の上面は、第３の樹脂絶縁層７０の第１面からｘ１だけ凹んだ位置（低い位置）にあり、その凹み量（ｘ１）は、一枚の樹脂絶縁層の厚み（ａ１）の半分以下である。ここで、電子部品は接着層５５上に形成されているので、ｘ１は以下の式で表される。
ｘ１＝２ａ１−Ｔ１−Ａｄ１−ｂ１
（＊）Ａｄ１は接着層（ダイアタッチメント）の厚みである。
ｎ層の樹脂絶縁層にキャビティ７５が形成されると、ｘ１は以下の式で表される。
ｘ１＝ｎ×ａ１−Ｔ１−Ａｄ１−ｂ１
【００２８】
図５（Ｃ）が示すように、接続ビア導体８９ａの長さは、第４ビア導体８９ｂよりも長い。ＩＣチップ等の電子部品の膨張係数は実施形態１のプリント配線板に用いられているその他の材料に比べ小さいので、一般的にＩＣチップの電極と接続ビア導体８９ａ間に働く応力は、第３導体層７８と第４ビア導体８９ｂ間に働く応力より大きい。しかしながら、接続ビア導体８９ａは、第４ビア導体８９ｂよりも長いので、接続ビア導体８９ａはＩＣチップの電極と接続ビア導体８９ａ間に働く応力を緩和することができる。そのため、電子部品とプリント配線板との接続信頼性が高くなる。
【００２９】
実施形態１では、ＩＣチップなどの電子部品の電極へ至る接続ビア導体８９ａを形成するための開口の深さが深くなる。深さが深いと、開口を充填するため、導体層８８の厚みが厚くなる。層間樹脂絶縁層８０の上に微細な導体層を形成するため、凹み量（ｘ１）は、一枚の樹脂絶縁層の厚み（ａ１）の半分以下に設定される。また、ｘ１が大きくなると、電子部品の電極上の接続ビア導体８９ａ用の開口の径を大きくする必要がある。この観点からも凹み量（ｘ１）は、一枚の樹脂絶縁層の厚み（ａ１）の半分以下に設定される。
【００３０】
各樹脂絶縁層の厚みは電子部品の厚みより薄いことが好ましい。各樹脂絶縁層上に形成される各導体層は、ビア導体と同時に形成される。樹脂絶縁層が薄いと、各導体層の厚みが薄くなるので、各樹脂絶縁層上に微細な導体回路が形成される。
【００３１】
第１実施形態では、電子部品を内蔵するための開口を有しない樹脂絶縁層５０と電子部品を内蔵するための開口を有しない層間樹脂絶縁層８０が電子部品の上下に形成されている。電子部品の上下で樹脂絶縁層の層数が同じなのでプリント配線板の反りが小さくなる。
【００３２】
[第２実施形態]
図１１は、第２実施形態のプリント配線板を示している。
第２実施形態では、第２の樹脂絶縁層６０にキャビティ７５が形成され、ＩＣチップが収容されている。１層の樹脂絶縁層だけに電子部品を内蔵するための開口が形成されている。
【００３３】
図１０を参照して第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法が以下に説明されている。
図３（Ｄ）に示されている基板が形成される。製造方法は、図１〜図３（Ｄ）を参照して説明されている方法と同様の方法である。その後、第２の樹脂絶縁層に切れ目が形成される。切れ目の形成方法や形成箇所は第１実施形態と同じである（図１０（Ａ））。
【００３４】
切れ目に沿って、第２の樹脂絶縁層６０、剥離層５７が除去され、中央部にキャビティ７５を備える途中基板が完成する。搭載用導体層５８ａ上に接着層５５を介してＩＣチップ９０が搭載される（図１０（Ｂ））。ガラスなどの無機粒子とＢステージのエポキシ樹脂で形成されている絶縁層が第２の樹脂絶縁層の第１面上とＩＣチップ９０上に積層される。その後、加熱プレス処理が行われる。第２の樹脂絶縁層の第１面上とＩＣチップ９０上に層間樹脂絶縁層８０が形成される。層間樹脂絶縁層８０に図５（Ｃ）と同様の工程で、導体層８８が形成される。また、層間樹脂絶縁層８０にビア導体８９ｂ及び接続ビア導体８９ａが形成される（図１０（Ｃ））。以降の工程の説明は第１実施形態と同様であるため、省略される。
【００３５】
第２実施形態では、キャビティが１層の第２の樹脂絶縁層６０に形成されている。キャビティの深さ（Ｃａ２）は、ＩＣチップなどの電子部品９０の厚み（ｂ２）よりも浅い。ＩＣチップ９０の突出量（ｘ２）は、第２の樹脂絶縁層６０の厚み（ａ２）の半分以下である。
ｘ２は以下の式で表される。
ｘ２＝ｂ２＋Ｔ１＋Ａｄ１−ａ２
層間樹脂絶縁層上の導体層と電子部品の電極間の距離が樹脂絶縁層の１／２以上であると、マイグレーションによる層間樹脂絶縁層上の導体層と電子部品の電極間でのショートが防止される。また、ｘ２が樹脂絶縁層の厚さの１／２を越えると、接続ビア導体の長さが短いので、導体層と電極間の接続信頼性が低下する。
【００３６】
ＩＣチップの電極９２に至る接続ビア導体８９ａ用の開口は、ビア導体８９ｂ用の開口よりも浅い。そのため、ＩＣチップの電極９２上の開口と第２導体層上のビア導体８９ｂ用の開口は同じレーザ条件で形成することができる。接続ビア導体８９ａ用の開口の深さとビア導体８９ｂ用の開口の深さが大きく異なっていて、接続ビア導体８９ａ用の開口の深さが深いと、両者を同条件で形成することは難しい。なぜなら、電極上での接続ビア導体８９ａ用の開口の大きさが小さくなるからである。つまり、電極に至る接続ビア導体用開口と、第２導体層に至るビア導体用開口は層間樹脂絶縁層の第１面上で略同じ大きさの開口径を有するが、電極上の開口の大きさは、第２導体層上の開口の大きさよりも大きい。このため、接続ビア導体８９ａと電極９２間の接続面積が大きいので、接続信頼性が高い。また、ビア導体８９ｂ用の開口と接続ビア導体８９ａ用の開口とを同じ条件で形成することができるので、生産効率が高い。
【００３７】
[第３実施形態]
第３実施形態のプリント配線板が図１２に示されている。第３実施形態のプリント配線板は第１実施形態のプリント配線板と同様であるが、放熱ビア導体を有していない。
第３実施形態のプリント配線板は第１実施形態と同様な方法で製造される。第１実施形態において、放熱用ビア導体用の開口の形成を省略することで第３実施形態のプリント配線板は製造される。
【００３８】
[第４実施形態]
第４実施形態のプリント配線板が図１３に示されている。第４実施形態のプリント配線板は第１実施形態のプリント配線板と同様であるが搭載用導体層と放熱ビア導体を有していない。ダイアタッチメントが第１の樹脂絶縁層の第１面上に直接形成されている。
第４実施形態のプリント配線板は第１実施形態と同様な方法で製造できる。第１実施形態において、搭載用導体層と放熱ビア導体の形成を省略することで第４実施形態のプリント配線板は製造できる。キャビティにより露出される第１の樹脂絶縁層の第１面は粗面を有しない方が好ましい。
【００３９】
[第５実施形態]
第５実施形態の製造方法が以下に示される。図３（Ｂ）に示されている基板が第１実施形態と同様な方法で形成される。その後、搭載用導体層は保護膜３０００で覆われる（図１４（Ａ））。そして、第１導体層や第１ビア導体の表面は粗化される。第１導体層などに形成される粗面は図示されていない。搭載用導体層の表面は粗化されない。搭載用導体層上の保護膜が除去される（図１４（Ｂ））。第５実施形態では、搭載用導体層上に剥離層は積層されない。第１の樹脂絶縁層の第１面、第１導体層と搭載用導体層上に第２の樹脂絶縁層が形成される。第２の樹脂絶縁層は搭載用導体層上に直接形成されている。第１実施形態と同様に、第３の樹脂絶縁層や第３導体層が形成される（図１４（Ｃ））。搭載用導体層に至る切れ目が形成される（図４（Ｂ））。第２と第３の樹脂絶縁層の一部が除去される。搭載用導体層に至る開口（キャビティ）が形成される（図４（Ｃ））。図４（Ｃ）に示される基板に第１実施形態の図５から図７の工程が施される。
【００４０】
いずれの実施形態においても、所定の層数の樹脂絶縁層を有する途中基板に電子部品が内蔵される。電子部品内蔵後、開口が形成されていない樹脂絶縁層と同じ層数の樹脂絶縁層（層間樹脂絶縁層は含まれる）が途中基板上に形成される。そのため、電子部品は断面方向で中央に内蔵される。本発明の実施形態によれば、反りの少ないプリント配線板が提供される。
各実施形態に用いられる各樹脂絶縁層、樹脂層、層間樹脂絶縁層の厚みは２０μｍから１００μｍであり、内蔵される電子部品の厚みは３０μｍから１５０μｍである。
【００４１】
[実施例１]
０．８ｍｍの両面銅張積層板と５μｍの銅箔が準備される（図１（Ａ））。銅箔と両面銅張積層板は超音波により外周で接合される（図１（Ｂ））。銅箔の平滑面が銅張積層板と対向している。銅箔上に電極が形成される（図１（Ｃ））。銅箔と電極上に第１の樹脂絶縁層が形成される。第１の樹脂絶縁層の厚みは５０μｍである（図２（Ａ））。電極と銅箔に至る開口が形成される（図２（Ｂ））。周知のセミアディティブ法で第１導体層や第１ビア導体や搭載用導体層が形成される（図３（Ｂ））。第１導体層はアライメントマークを有する。搭載用導体層の外形は搭載されるＩＣの外形より大きい。第１導体層や第１ビア導体や搭載用導体層の表面は粗化される。第１のアライメントマークに基づいて搭載用導体層上に剥離層が形成される（図３（Ｃ））。剥離層は銅箔で形成されていて、その外形は搭載されるＩＣの外形より大きく、搭載用導体層の外形より小さい。
【００４２】
第１の樹脂絶縁層、第１導体層と剥離層上に第２の樹脂絶縁層が形成される。剥離層と第２の樹脂絶縁層は銅箔の凹凸面を介して密着する。第２の樹脂絶縁層に第２導体層が形成される。また、第２の樹脂絶縁層に第２ビア導体が形成される（図３（Ｄ））。第２導体層は第２のアライメントマークを有し、第１のアライメントマークと第２のアライメントマークは関連している。
【００４３】
第２の樹脂絶縁層と第２導体層上に第３の樹脂絶縁層が形成される。第３の樹脂絶縁層に第３導体層が形成される。また、第３の樹脂絶縁層に第３ビア導体が形成される（図４（Ａ））。第３導体層は第３のアライメントマークを有し、第１のアライメントマークと第３のアライメントマークは関連している（図４（Ａ））。第２と第３の樹脂絶縁層の厚みは５０μｍである。
【００４４】
第３のアライメントマークに基づいて、第２と第３の樹脂絶縁層に切れ目が形成される（図４（Ｂ））。切れ目（Ｃｕｔ１）の幅は５０μｍであり、切れ目により剥離層の外周は露出される（図９）。切れ目は剥離層の外周を含んでいる。剥離層と第２と第３の樹脂絶縁層の一部が搭載用導体層上から除去される。搭載用導体層上に銀ペーストからなるダイアッタチメントが塗布される。その後、ＩＣが搭載用導体層上に銀ペーストを介して搭載される（図５（Ａ））。この時、ＩＣは第３のアライメントマークに基づいて搭載される。搭載用導体層の厚みは１２μｍであり、ダイアタッチメントの厚み（搭載用導体層の上面から電子部品の底面までの厚み）は１５μｍであり、ＩＣの厚み（ｂ１）は５０μｍである。従って、ｘ１は２３μｍであり、ａ１／２は２５μｍである。続いて、ガラスクロスとガラス粒子とエポキシ樹脂を含むプリプレグが第３の樹脂絶縁層と電子部品上に積層される。そして、加熱プレスが行われる。ＩＣはガラス粒子とエポキシ樹脂を含む充填樹脂で途中基板に固定される。また、第３の樹脂絶縁層と充填樹脂上に層間樹脂絶縁層８０が形成される（図５（Ｂ））。層間樹脂絶縁層８０はガラスクロスとガラス粒子とエポキシ樹脂を含む。層間樹脂絶縁層８０の厚みは５０μｍである。その後、ＩＣの電極と第３導体層に至る開口が層間樹脂絶縁層８０に形成される。続いて、周知のセミアディティブ法で導体層８８、ビア導体８９ｂ及び接続ビア導体８９ａが形成される（図５（Ｃ））。層間樹脂絶縁層８０上にソルダーレジスト層が形成される。積層基板１００００が完成する（図６（Ａ））。積層基板１００００は銅張積層板と銅箔の接合部より内側で切断され、銅張積層板と銅箔が分離される。中間基板２００００が完成する（図６（Ｂ））。中間基板から銅箔がエッチングで除去される。電極と放熱ビアが露出する（図６（Ｃ））。多層プリント配線板１０００が完成する。
【００４５】
[実施例２]
実施例２のプリント配線板（図１１）は実施形態２と同様な方法で形成される。各樹脂絶縁層、層間樹脂絶縁層とＩＣの厚みは５０μｍであり、搭載用導体層の厚みは１２μｍであり、ダイアタッチメントの厚みは１０μｍである。従って、ｘ２は２２μｍであり、ａ２／２以下である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  プリント配線板
５０  第１絶縁層
５８  第１導体層
５９ｂ  第１ビア導体
６０  第１絶縁層
６８  第２導体層
６９  第２ビア導体
７０  第３絶縁層
７７  キャビティ
７８  第３導体層
７９  第３ビア導体
９０  ＩＣチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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