(57)【要約】【課題】いかなる場合においても、目標とする給湯温度に安定して到達できることのできる給湯システム、ヒートポンプ装置の制御方法を提供することを目的とする。【解決手段】インジェクション電磁弁２８を開いてインジェクションを行いながら給湯運転を行っている間に、圧縮機２１の吐出温度が低下し、ガスクーラ２４で熱交換することで水を加熱しても、得られる湯の温度が目標とする給湯温度に到達しない状態に陥った場合、インジェクション電磁弁２８を閉じてインジェクションを行わずに給湯運転を行うようにした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷媒と外気との間で熱交換を行う第一の熱交換器と、
前記冷媒を圧縮する低段側圧縮機および高段側圧縮機からなる２段階構成の圧縮機と、
前記圧縮機で圧縮された前記冷媒と加熱対象の水との間で熱交換を行うことで前記水を加熱する第二の熱交換器と、
前記第二の熱交換器を経た前記冷媒を液冷媒とガス冷媒とに分離するレシーバと、
前記レシーバで分離された前記ガス冷媒を前記圧縮機の前記低段側圧縮機と前記高段側圧縮機との間にインジェクションするインジェクション回路と、
前記インジェクション回路を開閉するインジェクション電磁弁と、
前記インジェクション電磁弁の開閉を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする給湯システム。
【請求項２】
前記制御部は、前記インジェクション回路から前記ガス冷媒をインジェクションしたときに、前記第二の熱交換器で加熱された前記水が予め設定された目標温度に到達しないのを防ぐため、前記インジェクション電磁弁を閉じることを特徴とする請求項１に記載の給湯システム。
【請求項３】
前記制御部は、前記第二の熱交換器の入口または出口における前記水の温度と前記目標温度との差が規定値よりも大きいときに、前記インジェクション電磁弁を閉じることを特徴とする請求項２に記載の給湯システム。
【請求項４】
前記第二の熱交換器の入口または出口における前記水の温度と前記目標温度との差が規定値よりも大きいために前記インジェクション電磁弁を閉じたとき、前記第二の熱交換器の入口または出口における前記水の温度と前記目標温度との差の前記規定値を増大させることを特徴とする請求項３に記載の給湯システム。
【請求項５】
前記制御部は、外気温度が規定外気温度より低い場合、および前記第二の熱交換器の入口または出口における前記水の温度が規定水温より低い場合の少なくとも一方であるときに、前記インジェクション電磁弁を閉じることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の給湯システム。
【請求項６】
冷媒と外気との間で熱交換を行う第一の熱交換器と、
前記冷媒を圧縮する圧縮機と、
前記圧縮機で圧縮された前記冷媒と加熱対象物との間で熱交換を行う第二の熱交換器と、
前記第二の熱交換器を経た前記冷媒を液冷媒とガス冷媒とに分離するレシーバと、
前記レシーバで分離された前記ガス冷媒を前記圧縮機にインジェクションするインジェクション回路と、を備えたヒートポンプ装置の制御方法であって、
前記インジェクション回路から前記ガス冷媒をインジェクションするステップと、
前記第二の熱交換器の入口または出口における前記加熱対象物の温度と前記目標温度との差が規定値よりも大きいときに、前記インジェクション電磁弁を閉じるステップと、
を備えることを特徴とするヒートポンプ装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、給湯システム、ヒートポンプ装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、給湯システムに用いられるヒートポンプ装置は、エバポレータ、アキュムレータ、圧縮機、ガスクーラを備えた冷凍サイクル回路により構成されている。
このようなヒートポンプ装置を用いた給湯システムにおいて、低外気温時における給湯能力を向上させるため、冷凍サイクル回路中から得た冷媒ガスを圧縮機にインジェクションし、ガスクーラに流入する冷媒流量を増加させる手法がある（例えば特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１１２７０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記したような給湯システムでは、ガスクーラに入ってくる加熱対象の水の温度が高い場合や、流路へのスケール付着などによってガスクーラが性能低下し、ガスクーラ出口の冷媒温度が上昇してしまう場合には、その状態でインジェクションの量が、相対的に過大となってしまう。図７（ａ）および（ｂ）は、加熱対象の水が２０℃の場合と４０℃の場合におけるモリエール線図である。図７（ａ）に示した加熱対象の水が２０℃の場合に対し、図７（ｂ）に示した加熱対象の水が４０℃と温度が高い場合、圧縮機の吐出温度が低下し、ガスクーラで熱交換することで水を加熱しても、得られる湯の温度が、目標とする給湯温度に到達しないことがある。
本発明は、このような技術的課題に基づいてなされたもので、いかなる場合においても、目標とする給湯温度に安定して到達できることのできる給湯システム、ヒートポンプ装置の制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
かかる目的のもとになされた本発明の給湯システムは、冷媒と外気との間で熱交換を行う第一の熱交換器と、冷媒を圧縮する低段側圧縮機および高段側圧縮機からなる２段階構成の圧縮機と、圧縮機で圧縮された冷媒と加熱対象の水との間で熱交換を行うことで水を加熱する第二の熱交換器と、第二の熱交換器を経た冷媒を液冷媒とガス冷媒とに分離するレシーバと、レシーバで分離されたガス冷媒を圧縮機の低段側圧縮機と高段側圧縮機との間にインジェクションするインジェクション回路と、インジェクション回路を開閉するインジェクション電磁弁と、インジェクション電磁弁の開閉を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
そして、制御部は、インジェクション回路からガス冷媒をインジェクションしたときに、第二の熱交換器で加熱された水が予め設定された目標温度に到達しないのを防ぐため、インジェクション電磁弁を閉じる。
具体的には、制御部は、第二の熱交換器の入口または出口における水の温度と目標温度との差が規定値よりも大きいときに、インジェクション電磁弁を閉じる。さらに、第二の熱交換器の入口または出口における水の温度と目標温度との差が規定値よりも大きいためにインジェクション電磁弁を閉じたとき、第二の熱交換器の入口または出口における水の温度と目標温度との差の規定値を増大させるのが好ましい。
【０００６】
制御部は、外気温度が規定外気温度より低い場合、および第二の熱交換器の入口または出口における水の温度が規定水温より低い場合の少なくとも一方であるときに、インジェクション電磁弁を閉じることができる。
【０００７】
また、本発明は、冷媒と外気との間で熱交換を行う第一の熱交換器と、冷媒を圧縮する圧縮機と、圧縮機で圧縮された冷媒と加熱対象との間で熱交換を行う第二の熱交換器と、第二の熱交換器を経た冷媒を液冷媒とガス冷媒とに分離するレシーバと、レシーバで分離されたガス冷媒を圧縮機にインジェクションするインジェクション回路と、を備えたヒートポンプ装置の制御方法であって、インジェクション回路からガス冷媒をインジェクションするステップと、第二の熱交換器の入口または出口加熱対象物の温度と目標温度との差が規定値よりも大きいときに、インジェクション電磁弁を閉じるステップと、を備えることができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、インジェクション電磁弁を開いてインジェクションを行いながら給湯運転を行っている間に、圧縮機の吐出温度が低下し、ガスクーラで熱交換することで加熱対象を加熱しても目標とする温度に到達しない状態に陥った場合、インジェクション電磁弁を閉じてインジェクションを行わずに運転を行うようにした。これにより、いかなる場合においても、目標とする温度まで安定して加熱させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施の形態における給湯システムの構成を示す図である。
【図２】第一の実施形態におけるインジェクション電磁弁の開閉制御の処理の流れを示す図である。
【図３】図２に示した処理の流れの変形例を示す図である。
【図４】第二の実施形態において、外気温度とガスクーラの入口温度に応じてインジェクション電磁弁を開閉するときに用いるマップの一例を示す図である。
【図５】外気温度とガスクーラの入口温度に応じてインジェクション電磁弁を開閉するときに用いるマップの他の一例を示す図である。
【図６】外気温度とガスクーラの入口温度に応じてインジェクション電磁弁を開閉するときに用いるマップのさらに他の一例を示す図である。
【図７】ガスクーラに入る水の温度に応じて加熱後の水温の違いが生じることを示すモリエル線図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳細に説明する。
図１は、本実施の形態における給湯システム１の構成を説明するための図である。
図１に示すように、給湯システム１は、ヒートポンプユニット（ヒートポンプ装置）２と、貯湯ユニット３とから構成されている。
ヒートポンプユニット２は、ＣＯ２冷媒が循環する冷媒回路を構成するものであり、室外の空気である外気と、冷媒との間で熱交換を行うものである。
ヒートポンプユニット２には、図１および図２に示すように、圧縮機２１と、エバポレータ（第一の熱交換器）２２と、アキュムレータ２３と、ガスクーラ（第二の熱交換器）２４と、中間圧レシーバ２５と、制御部２９と、が設けられている。
【００１１】
圧縮機２１は、一体に構成された電動モータにより回転駆動されることにより、低圧の冷媒を吸入して圧縮し、高圧の冷媒を吐出するものである。本実施形態における圧縮機２１は、低段側圧縮機２１Ｌと高段側圧縮機２１Ｈとからなる２段構成を有している。このような、低段側圧縮機２１Ｌと高段側圧縮機２１Ｈとしてはスクロール型圧縮機や、ロータリ式圧縮機など公知の形式の圧縮機を用いることができ、特に限定するものではない。
【００１２】
エバポレータ２２は、外気と冷媒との間で熱交換を行うものである。エバポレータ２２としては、公知の熱交換器を用いることができ、特に限定するものではない。
【００１３】
アキュムレータ２３は、圧縮機２１に流入する冷媒に含まれる液相の冷媒を分離し、気相の冷媒のみを圧縮機２１に供給するものである。なお、アキュムレータ２３としては、公知のものを用いることができ、特に限定するものではない。
【００１４】
ガスクーラ２４は、貯湯ユニット３側の水と冷媒とで熱交換することによって水を加熱する。
【００１５】
中間圧レシーバ２５は、ガスクーラ２４を経た冷媒を飽和液状態の冷媒と飽和ガス状態の冷媒とに分離する。そして、中間圧レシーバ２５で分離された飽和液状態の冷媒はエバポレータ２２に供給され、飽和ガス状態の冷媒は、インジェクション回路５０を経て、圧縮機２１において低段側圧縮機２１Ｌと高段側圧縮機２１Ｈとの中間にインジェクションされる。
【００１６】
このようなヒートポンプユニット２の冷凍サイクル回路には、ガスクーラ２４の出口側と、エバポレータ２２の入口側とに、電子膨張弁２６、２７が設けられている。電子膨張弁２６、２７は、高圧の冷媒を断熱膨張させることにより減圧して、低圧の冷媒とするものであり、制御部２９により開度が制御される。
【００１７】
中間圧レシーバ２５の飽和ガス状態の冷媒の出口側には、インジェクション電磁弁２８が設けられている。そして、これらインジェクション電磁弁２８は、その開閉動作（開度）が制御部２９により給湯システム１の運転状態に応じて制御される。
【００１８】
貯湯ユニット３は、断熱材で覆われた貯湯タンク３０を備える。
ヒートポンプユニット２には、この貯湯タンク３０内の水をガスクーラ２４に送り込む水ポンプ３１が設けられている。
そして、水ポンプ３１の動作は、制御部２９により制御される。このような貯湯ユニット３は、貯湯タンク３０から水ポンプ３１によって送り込まれた加熱対象としての水が、ガスクーラ２４においてヒートポンプユニット２側の冷媒と熱交換することで加熱される。
【００１９】
このような給湯システム１においては、圧縮機２１により圧縮された高温高圧の超臨界状態の冷媒は、ガスクーラ２４に導かれる。当該冷媒は、ガスクーラ２４において貯湯ユニット３側の水との間で熱交換、つまり水に向かって放熱する。
すると高温高圧の超臨界状態の冷媒は、ガスクーラ２４の内部で冷却され、低温高圧の超臨界状態の冷媒となる。
その一方で、水は、ガスクーラ２４において冷媒の熱を吸収し、加熱された湯として貯湯タンク３０に供給される。
【００２０】
ガスクーラ２４から流出した冷媒は、電子膨張弁２６を経て、中間圧レシーバ２５において飽和ガスと飽和液とに分離され、飽和液状態の冷媒は、電子膨張弁２７を経て、エバポレータ２２に導かれ、エバポレータ２２において外気との間で熱交換、つまり、外気の熱を吸収する。そのため、低温低圧の液相の冷媒は、エバポレータ２２の内部で蒸発し、気相の冷媒となる。
エバポレータ２２を流出した冷媒は、アキュムレータ２３に流入する。冷媒はアキュムレータ２３において、気相の冷媒と液相の冷媒とに分離され、気相の冷媒は圧縮機２１に吸入される。吸入された冷媒は、圧縮機２１により圧縮された後、再びガスクーラ２４に向けて吐出され、上述の過程が繰り返される。
【００２１】
このような給湯システム１においては、中間圧レシーバ２５からの飽和ガス状態の冷媒を、圧縮機２１の低段側圧縮機２１Ｌと高段側圧縮機２１Ｈとの中間にインジェクションされる。これにより、インジェクションされる分の冷媒を圧縮するのは高段側圧縮機２１Ｈのみとなるため、圧縮仕事は低段側圧縮機２１Ｌが吸入する冷媒を圧縮する分の仕事量と高段側圧縮機２１Ｈが吸入する冷媒（低段側圧縮機２１Ｌが吸入する冷媒とインジェクションされる分の冷媒の合算）を圧縮する分の仕事量との合計となる。
一方、インジェクションを行わない場合の圧縮仕事は、低段側圧縮機２１Ｌが吸入する冷媒を圧縮する分の仕事量と高段側圧縮機２１Ｈが吸入する冷媒（低段側圧縮機２１Ｌが吸入する冷媒に等しい）を圧縮する分の仕事量の合計となる。
このため、インジェクションをする場合、インジェクションを行わない場合のいずれにおいても、同じ冷媒循環量が必要な場合、インジェクションすることにより、低段側圧縮機２１Ｌでインジェクションされる分の冷媒を圧縮する仕事量が不要になるため、圧縮機の仕事量がインジェクションしない場合に比べて小さくできる。
【００２２】
次に、制御部２９による中間圧レシーバ２５からの飽和ガス状態の冷媒を圧縮機２１にインジェクションするためのインジェクション回路５０に設けられたインジェクション電磁弁２８の開度制御について説明する。
本実施形態では、外気温度、ガスクーラ２４の入口側での水の温度、冷媒の温度、中間圧レシーバ２５の圧力（以下、これを中間圧力と称する）を、図示しないセンサでそれぞれ検出し、その検出データに基づき、インジェクション電磁弁２８の開度を制御する。
【００２３】
図２に示すように、その制御の流れの一例を示す図である。
まず、給湯システム１がＯＮとされ、制御部２９における制御が開始され、給湯運転開始指令が出力されたら、まず、インジェクション電磁弁２８を閉じる（ステップＳ１０１、１０２）。なおこのとき、給湯運転開始指令が出力されるときには、目標とする給湯温度が設定されているものとする。
【００２４】
そして、圧縮機２１を起動させ（ステップＳ１０３）、このとき、制御部２９が内部でもつカウンタ値ｎと、インジェクション電磁弁２８の開閉を制御するための温度補正値ΔＴ（ｎ）とを、０（ゼロ）に設定する（ステップＳ１０４、Ｓ１０５）。カウンタ値ｎは温度や圧力等を制御部２９が一定時間毎にセンシングする際に値を積算する。例えば１分毎に各部の温度や圧力のセンサ値を制御部２９が検知する際に、カウンタ値ｎを１ずつ累積する。
【００２５】
次いで、インジェクション電磁弁を開く条件を満足しているか否かを判定し、条件を満足している場合は、インジェクション電磁弁２８を開く（ステップＳ１０６、Ｓ１０７）。ここで、インジェクション電磁弁２８を開く条件としては、以下のようなものがある。
条件Ａ：圧縮機起動から１２０秒経過
条件Ｂ：外気温度≦５℃
条件Ｃ：中間圧圧力≦７．０ＭＰａ．Ｇ
条件Ｄ：ガスクーラ入口冷媒温度−目標給湯温度≧２０＋ΔＴ（ｎ）℃
条件Ｅ：ガスクーラ入口水温≦３０℃
これらの条件Ａ〜Ｅの全てが成立する場合に、インジェクション電磁弁２８を開く条件を満足しているものとする。
【００２６】
このようにしてインジェクションを行いつつ給湯運転を行う。そして、給湯運転を行っている間にインジェクション電磁弁２８を開き続けるための条件を満足し（ステップＳ１０８）、さらに給湯運転停止指令が入力されない限り（ステップＳ１１１）、給湯運転を継続する。
ここで、ステップＳ１０８において、インジェクション電磁弁２８を開き続けるための条件としては、例えば、
条件Ｆ：外気温度≦５℃
条件Ｇ：中間圧圧力≦７．２ＭＰａ．Ｇ
条件Ｈ：ガスクーラ入口冷媒温度−目標給湯温度≧０＋ΔＴ（ｎ）℃
条件Ｉ：ガスクーラ入口水温≦３５℃
があり、これらの条件Ｆ〜Ｉの全てが成立する場合に、インジェクション電磁弁２８を開き続けるための条件を満足するものとする。
また、ステップＳ１０８で条件を満足している場合、条件Ｄ、Ｈで用いる、ガスクーラ２４の入口における冷媒温度と目標給湯温度との温度補正値ΔＴ（ｎ）を、カウンタ値を１つ増やし（ｎ＝ｎ＋１）更新する（ステップＳ１０９、Ｓ１１０）。
そして給湯運転を行っている間に、外部から給湯運転を停止する操作がなされない限りはステップＳ１０８に戻って同様の処理を繰り返し、外部から給湯運転を停止する操作がなされた場合には、圧縮機２１を停止する（ステップＳ１１１、Ｓ１１２）。
【００２７】
一方、給湯運転を行っている間に、ステップＳ１０８において、インジェクション電磁弁２８を開き続けるための条件Ｆ〜Ｉの全てが成立しない場合、インジェクション電磁弁２８を閉じる（ステップＳ１１３）。ここで、外気温が高い場合（条件Ｆ）、ガスクーラ２４の入口における冷媒温度と目標給湯温度との差が小さい場合（条件Ｈ）、ガスクーラ２４の入口における水温が高い場合（条件Ｉ）は、いずれも、圧縮機２１の吐出温度の低下につながる要因である。圧縮機２１の吐出温度が低下した場合、ガスクーラ２４で熱交換することで水を加熱しても、得られる湯の温度が、目標とする給湯温度に到達しないことがある。
また、中間圧圧力が高い場合（条件Ｇ）については、中間圧圧力が高いと、液状態の冷媒が圧縮機２１に送られ、圧縮機２１が故障する可能性がある。
そこで、これらの場合、インジェクション電磁弁２８を閉じるのである。
インジェクション電磁弁２８を閉じた後には、条件Ｄ、Ｈで用いる、ガスクーラ２４の入口における冷媒温度と目標給湯温度との温度補正値ΔＴ（ｎ）を、５℃増やして更新する（ステップＳ１１４、Ｓ１１５）。
【００２８】
また、給湯運転を行っている間に、外部から給湯運転を停止する操作がなされない限りはステップＳ１０６に戻って同様の処理を繰り返し、外部から給湯運転を停止する操作がなされた場合には、圧縮機２１を停止する（ステップＳ１１６、Ｓ１１７）。
【００２９】
このようにして、ステップＳ１１０において、インジェクション電磁弁２８を開いてインジェクションを行いながら給湯運転を行っている間に、圧縮機２１の吐出温度が低下し、ガスクーラ２４で熱交換することで水を加熱しても、得られる湯の温度が、目標とする給湯温度に到達しない状態に陥った場合、インジェクション電磁弁２８を閉じてインジェクションを行わずに給湯運転を行うようにした。これにより、目標とする給湯温度に到達させることを優先した制御を実行し、確実に貯湯を行うことができる。
また、ガスクーラ２４で熱交換することで水を加熱しても、得られる湯の温度が目標とする給湯温度に到達しない状態に一度陥った場合、ステップＳ１１１において、ガスクーラ２４の入口における冷媒温度と目標給湯温度との温度補正値ΔＴ（ｎ）を増大させるようにした。これにより、給湯運転を行っている間に再びインジェクション電磁弁２８を閉じなければいけない状態になるのを回避することができ、いわゆる学習機能を備えたような動作を実現できる。
【００３０】
図３は、上記に説明した制御部２９によるインジェクション電磁弁２８の開度制御の応用例を示すものである。
この図３に示すように、ステップＳ１０１〜Ｓ１１３の全体な制御の流れは、図２に示したものと同様である。図２に示した制御の流れに対する差異は、ステップＳ１０７でインジェクション電磁弁２８を開いた後、温度補正値ΔＴ（ｎ）をリセットすべき条件が成立したか否かを判定し（ステップＳ１２０）、成立した場合は、ステップＳ１０８以降を続行し、成立しない場合には、温度補正値ΔＴ（ｎ）をリセットするという点である。
ここで、温度補正値ΔＴ（ｎ）をリセットすべき条件としては、例えば、
条件Ｋ：ΔＴ（ｎ）  ０℃、
条件Ｌ：外気温がインジェクション開時点から±５℃未満の変化、
条件Ｍ：ガスクーラ２４の入口水温がインジェクション開始時点から±５℃未満の変化、
であり、これら条件Ｋ〜Ｍのいずれか一つでも成立しない場合には、ステップＳ１２０に進み、温度補正値ΔＴ（ｎ）をリセットする（ステップＳ１２１）。
【００３１】
図２に示した制御の流れにおいては、ガスインジェクション可否の温度変更（温度補正値ΔＴ（ｎ））判定を、インジェクション電磁弁２８が開になって以降でインジェクション電磁弁２８に閉指令が来た時（ステップＳ１１３、Ｓ１１４）に実施する。そして、変更した温度補正値ΔＴ（ｎ）をリセットする条件は、ステップＳ１１２において給湯運転停止指令がきて圧縮機２１が停止した後で、ステップＳ１０３において再び圧縮機２１が起動したときとしていた。これに対し、図３に示した制御の流れにおいては、温度補正値ΔＴ（ｎ）をリセットする条件は、ステップＳ１１３において給湯運転停止指令がきて圧縮機２１が停止した後で、ステップＳ１０３において再び圧縮機２１が起動したときの他に、外気温がインジェクション電磁弁２８を開とした時点から５℃以上の変化をした場合、またはガスクーラ２４の入口水温がインジェクション電磁弁２８を開とした時点から５℃以上の変化をした場合とした。このように、外気温やガスクーラ２４の入口水温が大きく変化した場合には、インジェクションを行った場合に、給湯温度が目標温度に到達しなくなる条件が変わり得るので、そのような場合に温度補正値ΔＴ（ｎ）を一度リセットすることで、条件の変化に対応して適切な制御が行える。
【００３２】
［第２の実施形態］
次に、本発明にかかる給湯システム、ヒートポンプ装置の制御方法の第２の実施形態について説明する。
ここで、以下に説明する第２の実施形態は、上記第１の実施形態に対し、制御部２９における制御内容が異なるのみであり、システム構成は共通であり、そこで、制御内容の差異のみを説明する。
本実施形態においては、制御部２９において、外気温度と、ガスクーラ２４の入口側における水の温度とに基づき、インジェクション電磁弁２８の開閉を制御する。
すなわち、制御部２９においては、外気温度とガスクーラ２４の入口側における水の温度によってインジェクション流量が変わる。一般に、外気温度が高いほどインジェクション流量は減少し、ガスクーラ２４に入ってくる水の温度（入水温度）が高いほどインジェクション流量が増加する。特にガスクーラ２４に入ってくる水の温度が高温となる場合、インジェクション流量が過大となって圧縮機の吐出温度が低下し、目標とする給湯温度＜圧縮機吐出温度となる不具合が出る恐れがある。そこで、本実施形態では、外気温度が設定値以上に高い場合、ガスクーラ２４に入ってくる水の温度が設定値以上に高い場合、インジェクション電磁弁２８は常に閉にする。図４は、そのマップの例である。
【００３３】
ここで、上記の図４に示したマップにおいて、インジェクション電磁弁２８を開閉する閾値となる設定値を、目標とする給湯温度に応じて変更することができる。これは、給湯温度が最も高い条件のときに給湯するのに必要となる圧縮機の出口温度と、給湯温度が最も低い条件のときに貯湯するのに必要となる圧縮機の出口温度が異なるためである。一般に、給湯温度が低いほど、インジェクション電磁弁２８が開にできる領域は大きくなる。図５は、そのマップの例である。
【００３４】
また、図４、図５に示したマップの例において、外気温によるインジェクション電磁弁２８の開閉制御を省略し、ガスクーラ２４の入口側における水の温度のみによって制御を行うこともできる。図６は、そのマップの例である。
また、ガスクーラ２４の入口側における水の温度の代わりに、ガスクーラ２４の出口側の冷媒温度により、インジェクションの電磁弁２８の開閉制御を行うこともできる。
【００３５】
なお、このような第２の実施形態で示した制御は、上記第１の実施形態と組み合わせて用いることもできる。その場合、図２、図３に示した制御の流れにおいて、例えば、ステップＳ１０６の前に、上記したようなインジェクション電磁弁２８を開閉するための判定を行うようにすればよい。
【００３６】
なお、上記実施の形態では、給湯システム１の構成を示したが、その構成は、本発明の主旨を逸脱しない範囲であれば、適宜の変更を許容する。
また、上記実施の形態で挙げた制御において、具体的に挙げた設定値はあくまでも一例であり、適宜変更しても良い。また、インジェクション電磁弁２８を開いてインジェクションを行っている状態で、インジェクション電磁弁２８を閉じるための判定を行うための条件も、上記したものに限らず、適宜変更したり省略・追加を行うことが可能である。
これ以外にも、本発明の主旨を逸脱しない限り、上記実施の形態で挙げた構成を取捨選択したり、他の構成に適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【００３７】
１…給湯システム、２…ヒートポンプユニット（ヒートポンプ装置）、３…貯湯ユニット、２１…圧縮機、２１Ｈ…高段側圧縮機、２１Ｌ…低段側圧縮機、２２…エバポレータ（第一の熱交換器）、２３…アキュムレータ、２４…ガスクーラ（第二の熱交換器）、２５…中間圧レシーバ、２８…インジェクション電磁弁、２９…制御部、３０…貯湯タンク、３１…水ポンプ、５０…インジェクション回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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