(57)【要約】【課題】接着剤を用いることなく製造することができる静電吸着装置、露光装置、デバイスの製造方法及び静電吸着装置の製造方法を提供する。【解決手段】静電吸着装置２２は、レチクルＲを吸着する吸着面６０を有する第１面５９と、第１面５９の裏面に形成された第２面５６とを有する誘電部材５１と、誘電部材５１の第２面５６に対して接合される接合面５４を有する基台５０と、を備えている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被吸着物を静電吸着する静電吸着装置において、
前記被吸着物を吸着する吸着面を有する第１面と、前記第１面の裏面に形成された第２面とを有する誘電部材と、
前記誘電部材の第２面に対して接合される接合面を有する基台と、を備えることを特徴とする静電吸着装置。
【請求項２】
前記接合面は、前記誘電部材と前記基台との界面で原子間の化学結合が形成されるように、前記第２面に対して接合されていることを特徴とする請求項１に記載の静電吸着装置。
【請求項３】
前記接合面は、表面活性化接合、拡散接合及び共晶接合のいずれかの接合で前記第２面に接合されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の静電吸着装置。
【請求項４】
前記誘電部材の第２面及び前記基台の接合面の少なくとも一方には、膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載の静電吸着装置。
【請求項５】
前記誘電部材の第２面及び前記基台の接合面の少なくとも一方には、第１膜と該第１膜とは異なる第２膜とを含む多層の膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のうち何れか一項２に記載の静電吸着装置。
【請求項６】
前記膜は、導電性材料を含むことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の静電吸着装置。
【請求項７】
前記膜は、前記被吸着物を静電吸着する際に電圧が印加される第１電極であることを特徴とする請求項６に記載の静電吸着装置。
【請求項８】
前記誘電部材の第２面と前記基台の接合面との間に設けられ、前記被吸着物を静電吸着する際に電圧が印加される第１電極を更に備えることを特徴とする請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載の静電吸着装置。
【請求項９】
前記誘電部材の第１面に設けられる第２電極を有することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の静電吸着装置。
【請求項１０】
前記第２電極は、前記吸着面の周縁に沿った環状に形成されていることを特徴とする請求項９に記載の静電吸着装置。
【請求項１１】
前記第１電極と前記第２電極との間に電位差を発生させる電圧印加部をさらに備えることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の静電吸着装置。
【請求項１２】
前記被吸着物としてデバイス用のパターンが形成されたレチクルを静電吸着し、
前記第１電極は、前記レチクルにおいてデバイス用のパターンが形成されたパターン領域に対応する位置に対して静電吸着力を付与可能に設けられていることを特徴とする請求項７〜請求項１１のうち何れか一項に記載の静電吸着装置。
【請求項１３】
前記レチクルを、光源からの光を用いて照明することにより、前記デバイス用のパターンを基板に露光する露光装置において、
請求項１２に記載の静電吸着装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
デバイス用のパターンが形成されたレチクルを、光源からの光を用いて照明することにより、前記デバイス用のパターンを基板に露光する露光装置において、
前記レチクルと前記基板とのうち少なくとも一方を前記被吸着物として静電吸着する、請求項１〜請求項１１のうち何れか一項に記載の静電吸着装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１５】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項１３又は請求項１４に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１６】
被吸着物を静電吸着する静電吸着装置の製造方法において、
前記被吸着物を吸着する吸着面を有する第１面と、前記第１面の裏面に形成された第２面とを有する誘電部材を準備する工程と、
前記誘電部材の第２面に対して接合される接合面を有する基台を準備する工程と、
前記誘電部材の第２面に付着している付着物と前記基台の接合面に付着している付着物とを除去する工程と、
前記誘電部材の第２面と前記基台の接合面とを接合する工程と、を有することを特徴とする静電吸着装置の製造方法。
【請求項１７】
前記接合する工程では、前記誘電部材と前記基台とを加圧して接合することを特徴とする請求項１６に記載の静電吸着装置の製造方法。
【請求項１８】
前記接合する工程では、前記誘電部材及び前記基台を、それらの界面同士で原子間の化学結合が形成されるように接合することを特徴とする請求項１６又は請求項１７に記載の静電吸着装置の製造方法。
【請求項１９】
前記接合する工程では、表面活性化接合方法、拡散接合方法及び共晶接合方法のいずれかの方法で前記第２面と前記接合面とを接合することを特徴とする請求項１６に記載の静電吸着装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被吸着物を静電吸着する静電吸着装置及び該静電吸着装置の製造方法に関するものである。また、本発明は、静電吸着装置を備える露光装置及び該露光装置を用いるデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するための露光装置は、マスクや基板などの被吸着物を静電吸着する静電吸着装置を備えている。こうした静電吸着装置は、複数の絶縁層（誘電層ともいう。）を積層し、各絶縁層のうち第１絶縁層と第２絶縁層との間に電極として機能する導電層を設けた構成である。この導電層は、接着剤によって第１絶縁層に接合されると共に、接着剤によって第２絶縁層に接合されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２７７４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、露光動作中に静電吸着装置の温度が変化してしまうことや部品を交換する際に露光チャンバ内の圧力を変化させること等の環境の変化によって、静電吸着装置に用いられる接着剤が僅かに変形してしまう。このため、被吸着物を静電吸着する吸着面が変形してしまう。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、接着剤を用いることなく製造することができる静電吸着装置、露光装置、デバイスの製造方法及び静電吸着装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図２０に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の第１の態様は、被吸着物（Ｒ，Ｗ）を静電吸着する静電吸着装置（２２，２７）において、前記被吸着物（Ｒ，Ｗ）を吸着する吸着面（６０，１１８Ａ）を有する第１面（５９，１１８）と、前記第１面（５９，１１８）の裏面に形成された第２面（５６，１１６）とを有する誘電部材（５１，１１１）と、前記誘電部材（５１，１１１）の第２面（５６，１１６）に対して接合される接合面（５４，１１４）を有する基台（５０，５０Ａ，１１０）と、を備えることを要旨とする。
【０００７】
本発明の第２の態様は、被吸着物（Ｒ，Ｗ）を静電吸着する静電吸着装置（２２，２７）の製造方法において、前記被吸着物（Ｒ，Ｗ）を吸着する吸着面（６０，１１８Ａ）を有する第１面（５９．１１８）と、前記第１面（５９．１１８）の裏面に形成された第２面（５６，１１６）とを有する誘電部材（５１，１１１）を準備する工程（Ｓ１１）と、前記誘電部材（５１，１１１）の第２面（５６，１１６）に対して接合される接合面（５４，１１４）を有する基台（５０，５０Ａ，１１０）を準備する工程（Ｓ１２）と、前記誘電部材（５１，１１１）の第２面（５６，１１６）に付着している付着物（６２）と前記基台（５０，５０Ａ，１１０）の接合面（５４，１１４）に付着している付着物（６１）とを除去する工程（Ｓ１１，Ｓ１２）と、前記誘電部材（５１，１１１）の第２面（５６，１１６）と前記基台（５０，５０Ａ，１１０）の接合面（５４，１１４）とを接合する工程（Ｓ１３）と、を有することを要旨とする。
【０００８】
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、接着剤を用いることなく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態の静電吸着装置を備える露光装置を示す概略構成図。
【図２】（ａ）はレチクルを模式的に示す平面図、（ｂ）は図２（ａ）の２−２線矢視断面図。
【図３】第１の実施形態の第１静電吸着装置を模式的に示す側断面図。
【図４】第１静電吸着装置の製造手順を説明するフローチャート。
【図５】（ａ）は基台の導電膜にエッチングが施される様子を模式的に示す側断面図、（ｂ）は誘電部材の導電膜にエッチングが施される様子を模式的に示す側断面図。
【図６】基台に誘電部材を接合させる様子を模式的に示す側断面図。
【図７】第２の実施形態の第１静電吸着装置を模式的に示す側断面図。
【図８】基台に誘電部材を接合させる様子を模式的に示す側断面図。
【図９】第３の実施形態の第１静電吸着装置を模式的に示す側断面図。
【図１０】基台に誘電部材を接合させる様子を模式的に示す側断面図。
【図１１】第４の実施形態の第１静電吸着装置を模式的に示す側断面図。
【図１２】基台に誘電部材を接合させる様子を模式的に示す側断面図。
【図１３】（ａ）は第５の実施形態の第１静電吸着装置を模式的に示す側断面図、（ｂ）は基台の温度調整面を模式的に示す平面図。
【図１４】基台に支持部材を接合させる様子を模式的に示す側断面図。
【図１５】第６の実施形態の第１静電吸着装置を模式的に示す側断面図。
【図１６】（ａ）は第７の実施形態の第１静電吸着装置を模式的に示す側断面図、（ｂ）は基台の接合面を模式的に示す平面図。
【図１７】（ａ）は第８の実施形態において基台に誘電部材を接合させる様子を模式的に示す側断面図、（ｂ）第８の実施形態の第１静電吸着装置を模式的に示す側断面図。
【図１８】第９の実施形態の第２静電吸着装置を模式的に示す側断面図。
【図１９】デバイスの製造例のフローチャート。
【図２０】半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（第１の実施形態）
以下に、本発明を具体化した一実施形態について図１〜図６に基づき説明する。なお、本実施形態では、投影光学系の光軸に平行な方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な平面内で走査露光時のレチクル及びウエハの走査方向をＹ軸方向とし、その走査方向に直交する非走査方向をＸ軸方向として説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの回転方向をθｘ方向、θｙ方向、θｚ方向ともいう。
【００１２】
図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、光源装置１２から射出される、波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置である。こうした露光装置１１は、内部が大気よりも低圧の真空雰囲気に設定されるチャンバ１３（図１では二点鎖線で囲まれた部分）を備えている。このチャンバ１３には、連結部１４を介して光源装置１２が接続されている。また、チャンバ１３内には、光源装置１２からチャンバ１３内に射出された露光光ＥＬでデバイス用のパターンが形成された反射型のレチクルＲを照明する照明光学系１５と、パターンの形成されたパターン形成面Ｒａが−Ｚ方向側（図１では下側）に配置されるようにレチクルＲを保持するレチクル保持装置１６とが設けられている。また、チャンバ１３内には、レチクルＲのパターンの像をレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷに投影する投影光学系１７と、露光面（感光性材料が塗布されたウエハ表面）Ｗａが＋Ｚ方向側（図１では上側）に配置されるようにウエハＷを保持するウエハ保持装置１８とが設けられている。
【００１３】
光源装置１２は、波長が５〜２０ｎｍのＥＵＶ光を露光光ＥＬとして出力する装置であって、図示しないレーザ励起プラズマ光源及び集光光学系を備えている。レーザ励起プラズマ光源は、高出力レーザを用いて高密度のＥＵＶ光発生物質（ターゲット）をプラズマ化し、ＥＵＶ光を含む光を放射させる。高出力レーザとしては、例えば、ＣＯ２レーザ、半導体レーザ励起を利用したＹＡＧレーザ及びエキシマレーザなどが挙げられる。また、集光光学系は、少なくとも一つの反射光学部材で構成されている。反射光学部材の反射面には、露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ光に対して高反射率となるように反射膜が形成されている。この反射膜は、例えば、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対して高反射率となるように、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）とが繰り返し積層された多層膜である。そのため、反射光学部材は、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光を選択的に反射することができる。これによって、露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ光は、集光光学系で選択的に反射され、チャンバ１３内に向けて集光されて射出される。
【００１４】
照明光学系１５は、チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体２０を備えている。この筐体２０内には、光源装置１２から筐体２０内に入射された露光光ＥＬを反射可能な複数枚の図示しない反射ミラーが設けられている。そして、各反射ミラーによって順に反射された露光光ＥＬは、後述する鏡筒２５内に設置された折り返し用の反射ミラー２１に入射し、該反射ミラー２１で反射した露光光ＥＬがレチクル保持装置１６に保持されるレチクルＲに導かれる。
【００１５】
なお、折り返し用の反射ミラー２１は、平面状のミラー面を有すると共に、露光光ＥＬをレチクルＲのパターン形成面Ｒａに対して斜め方向から照明させるように配置されている。そして、折り返し用の反射ミラー２１によって反射された露光光ＥＬは、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに入射する入射角を極力小さくした状態でパターン形成面Ｒａを照明する。これにより、レチクルＲに形成されたパターンの掘り込みが影となって投影光学系１７に入射することが抑制される。一例として、入射角は１０度である。なお、折り返し用の反射ミラー２１は無くてもよい。例えば、光学系の配置や各反射ミラーの形状等を調整すれば、折り返し用の反射ミラー２１のない照明光学系を設計することができる。
【００１６】
レチクル保持装置１６は、投影光学系１７の物体面側に配置されている。こうしたレチクル保持装置１６は、レチクルＲを静電吸着するための第１静電吸着装置２２を備えている。この第１静電吸着装置２２の具体的な構成については、後述する。
【００１７】
レチクル保持装置１６は、レチクル駆動部２４の駆動によって、Ｙ軸方向に移動可能である。すなわち、レチクル駆動部２４は、第１静電吸着装置２２に保持されるレチクルＲをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、レチクル駆動部２４は、レチクルＲをＸ軸方向（図１において紙面と直交する方向）及びθｚ方向に微動させることが可能である。なお、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに露光光ＥＬが照明される場合、該パターン形成面Ｒａの一部には、Ｘ軸方向に延びる略円弧状の照明領域が形成される。
【００１８】
投影光学系１７は、露光光ＥＬでレチクルＲのパターン形成面Ｒａを照明することにより形成されたパターンの像を所定の縮小倍率（例えば１／４倍）に縮小させる光学系である。こうした投影光学系１７は、チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒２５を備えている。この鏡筒２５内には、複数枚（一例としては６枚であって、図１では１枚のみ図示）の反射型のミラー２６が収容されている。そして、物体面側であるレチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、各ミラー２６に順に反射され、ウエハ保持装置１８に保持されるウエハＷに導かれる。
【００１９】
照明光学系１５及び投影光学系１７が備える各ミラー２１，２６のミラー面には、露光光ＥＬを反射する反射層が形成されている。ミラー面に形成される反射層は、例えば、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対して高反射率となるように、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）とが繰り返し積層された多層膜である。
【００２０】
ウエハ保持装置１８は、ウエハＷを静電吸着するための第２静電吸着装置２７を備えている。この第２静電吸着装置２７は、誘電性材料から構成され且つ吸着面２８ａを有する基体２８と、該基体２８内に設けられる図示しない複数の電極部とから構成されている。そして、図示しない電圧印加部から電圧が各電極部にそれぞれ印加された場合、基体２８から発生されるクーロン力により、吸着面２８ａにウエハＷが静電吸着される。また、ウエハ保持装置１８には、第２静電吸着装置２７を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのＺ軸方向における位置及びＸ軸周り、Ｙ軸周りの傾斜角を調整する図示しないＺレベリング機構とが組み込まれている。
【００２１】
こうしたウエハ保持装置１８は、ウエハ駆動部２９によって、Ｙ軸方向に移動可能である。すなわち、ウエハ駆動部２９は、第２静電吸着装置２７に保持されるウエハＷをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、ウエハ駆動部２９は、第２静電吸着装置２７に保持されるウエハＷをＸ軸方向に所定ストローク移動させることが可能であると共に、Ｚ軸方向に微動させることが可能である。
【００２２】
そして、ウエハＷの一つのショット領域にレチクルＲのパターンを形成する場合、照明光学系１５によって照明領域をレチクルＲに形成した状態で、レチクル駆動部２４の駆動によって、レチクルＲをＹ軸方向（例えば、＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側）に所定ストローク毎に移動させる。また同時に、ウエハ駆動部２９の駆動によって、ウエハＷをレチクルＲのＹ軸方向に沿った移動に対して投影光学系１７の縮小倍率に応じた速度比でＹ軸方向（例えば、−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側）に同期して移動させる。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハＷの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。
【００２３】
次に、レチクルＲについて説明する。
図２（ａ）（ｂ）に示すように、レチクルＲは、矩形板状のレチクル本体４０を備えている。このレチクル本体４０は、低熱膨張部材（一例として、低熱膨張ガラス）で構成されている。レチクル本体４０の表面（図２（ｂ）では上面）には、パターン形成面Ｒａが形成されている。このパターン形成面Ｒａの中央は、デバイス用のパターンの形成されたパターン領域４１（図２（ａ）では一点鎖線で囲まれた領域）である。パターン形成面Ｒａにおいてパターン領域４１以外の領域４２（即ち、パターン領域４１の外周側の領域）には、計測用のパターンなどが形成されている。
【００２４】
レチクル本体４０の裏面（（図２（ｂ）では下面）の中央には、導電性材料で構成される導電層４３が設けられている。この導電層４３の厚さ（即ち、Ｚ軸方向における長さ）は、略１μｍである。また、導電層４３の面積（即ち、ＸＹ平面に平行な面の面積）は、パターン領域４１の面積よりも広い。なお、レチクル本体４０の裏面全体に、導電層４３を設けてもよい。
【００２５】
次に、第１静電吸着装置２２について説明する。
図３に示すように、第１静電吸着装置２２は、基台５０と、該基台５０の−Ｚ方向側（図３では上側）に設けられる誘電部材５１と、基台５０と誘電部材５１との間に設けられる第１電極５２と、該誘電部材５１の−Ｚ方向側に設けられる第２電極５３とを備えている。すなわち、本実施形態の第１静電吸着装置２２は、第１電極５２を基台５０と誘電部材５１とで挟んだ構造である。なお、こうした構造を、第１電極５２を基台５０と誘電部材５１とでサンドイッチした構造ともいう。
【００２６】
基台５０は、剛性が強く且つ第１静電吸着装置２２の使用環境での熱膨張率の低い材料で構成されている。本実施形態では、基台５０は、低熱膨張ガラスで構成されている。基台５０を構成する低熱膨張ガラスとしては、一例として、Ｚｅｒｏｄｕｒｅ（商品名）、ＵＬＥ（登録商標）、クリアセラム（登録商標）などが挙げられる。ＵＬＥ（登録商標）は、「Ｕｌｔｒａ  Ｌｏｗ  Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ」の略記である。
【００２７】
こうした基台５０の接合面５４（図３における上面であって、−Ｚ方向側の面）は、研磨などの加工によって、ＸＹ面とほぼ平行な平面となっている。接合面５４には、導電性材料で構成される導電膜５５が設けられている。導電膜５５を構成する導電性材料としては、一例として、金、プラチナ、銅、アルミニウム、クロム、モリブデンなどが挙げられる。また、導電膜５５の膜厚Ｈ１は、基台５０の厚さ（即ち、基台５０のＺ軸方向における長さ）よりも十分に薄く、例えば、略０．１〜１０μｍである。
【００２８】
誘電部材５１は、比誘電率の高く且つ第１静電吸着装置２２の使用環境での熱膨張率の低い材料で構成されている。本実施形態では、誘電部材５１は、低熱膨張ガラスで構成されている。基台５０を構成する低熱膨張ガラスとしては、一例として、Ｚｅｒｏｄｕｒｅ（商品名）、ＵＬＥ（登録商標）、クリアセラム（登録商標）などが挙げられる。なお、誘電部材５１の厚さを薄くするほど、第１静電吸着装置２２による吸着力が強くなる。しかし、機械的強度などの制約上の関係上、誘電部材５１の厚さを１０００〜１００ｎｍ程度とすることが実用的である。
【００２９】
こうした誘電部材５１の第２面５６（図３における下面であって、＋Ｚ方向側の面）は、研磨などの加工によって、ＸＹ面とほぼ平行な平面となっている。第２面５６には、導電性材料で構成される導電膜５７が設けられている。導電膜５７を構成する導電性材料としては、一例として、金、プラチナ、銅、アルミニウム、クロム、モリブデンなどが挙げられる。また、導電膜５７の膜厚Ｈ２は、誘電部材５１の厚さ（即ち、誘電部材５１のＺ軸方向における長さ）よりも十分に薄く、例えば、略０．１〜１０μｍである。なお、誘電部材５１に設けられる導電膜５７は、基台５０に設けられる導電膜５５と同一材料で構成されることが好ましい。
【００３０】
そして、誘電部材５１に設けられる導電膜５７と基台５０に設けられる導電膜５５とを接合させることにより、第１電極５２が構成される。この第１電極５２には、電圧印加部５８が電気的に接続されている。本実施形態でいう「接合」とは、導電膜５７と導電膜５５との界面で原子間の化学結合を形成させることを示している。そのため、導電膜５７と導電膜５５との接合には接着剤が使用されない。
【００３１】
また、誘電部材５１の第２面５６の裏面である第１面５９（図３における上面であって、−Ｚ方向側の面）は、研磨などの加工によって、ＸＹ面とほぼ平行な平面となっている。第１面５９の中央は、レチクルＲを静電吸着する吸着面６０である。この吸着面６０は、レチクルＲのパターン領域４１よりも広い。そして、第２面５６には、吸着面６０を包囲する四角環状の第２電極５３が形成されている。この第２電極５３は、グランドに接地されている。こうした第２電極５３の内縁は、レチクルＲに設けられた導電層４３の周縁よりも中央側に設けられると共に、第２電極５３の外縁は、レチクルＲに設けられた導電層４３の周縁よりも外側に設けられている。そのため、レチクルＲを吸着面６０に吸着させる場合、該レチクルＲの導電層４３は、第２電極５３に接触する。
【００３２】
そして、レチクルＲの導電層４３を吸着面６０に対向させた状態で、第１電極５２に電圧印加部５８から正の電荷（又は負の電荷）が供給されると、誘電部材５１は分極される。このとき、誘電部材５１は比誘電率の高い材料（即ち、絶縁材料）で構成されているため、誘電部材５１の内部で電荷の偏りが生じる。すわなち、第１電極５２が正に帯電する場合、誘電部材５１の第２面５６は負に帯電し、第１面５９は正に帯電する。一方、第１電極５２が負に帯電する場合、誘電部材５１の第２面５６は正に帯電し、第１面５９は負に帯電する。その結果、レチクルＲには、誘電部材５１からクーロン力が付与され、吸着面２８ａにレチクルＲが静電吸着される。
【００３３】
次に、第１静電吸着装置２２の製造方法について説明する。図４は、第１静電吸着装置２２を製造するための処理手順を示したフローチャートである。
図４に示すように、ステップＳ１１では、導電膜５５が設けられた基台５０を準備する第１準備工程が行われる。続いて、ステップＳ１２では、導電膜５７が設けられた誘電部材５１を準備する第２準備工程が行われる。なお、この段階では、誘電部材５１に第２電極５３は設けられていない。また、ステップＳ１１及びステップＳ１２を、同時に行ってもよいし、ステップＳ１２を、ステップＳ１１よりも先に行ってもよい。
【００３４】
基台５０及び誘電部材５１と、これらに設けられる導電膜５５，５７との間の接合強度は、第１静電吸着装置２２に静電吸着したレチクルＲの平坦度を矯正する程度のクーロン力を発生しても、導電膜５５，５７が基台５０及び誘電部材５１から分離しないように十分な強度とする必要がある。本実施形態では、基台５０及び誘電部材５１には、スパッター又は蒸着により導電膜５５，５７が成膜される。
【００３５】
次のステップＳ１３では、誘電部材５１に設けられる導電膜５７と基台５０に設けられる導電膜５５とを接合させる接合工程が行われる。本実施形態では、表面活性化接合方法という接合方法で、導電膜５７と導電膜５５とを接合する。続いて、ステップＳ１４では、誘電部材５１の第１面５９の平行平面度を向上させるべく、該第１面５９を研磨する研磨工程が行われる。次のステップＳ１５では、誘電部材５１の第１面５９に第２電極５３を設ける工程が行われ、第１静電吸着装置２２が完成する。
【００３６】
次に、第１準備工程（ステップＳ１１）及び第２準備工程（ステップＳ１２）について説明する。
第１準備工程では、導電膜５５が設けられた基台５０が、真空雰囲気に設定された処理用チャンバ（図示略）内に搬送される。同様に、第２準備工程では、導電膜５７が設けられた誘電部材５１が、上記処理用チャンバ内に搬送される。
【００３７】
また、図５（ａ）（ｂ）に示すように、基台５０に設けられた導電膜５５の表面、及び誘電部材５１に設けられた導電膜５７の表面には、酸化膜や異物（例えば、塵や埃）などの付着物６１，６２が付着している。そこで、第１準備工程及び第２準備工程では、導電膜５５，５７から付着物６１を除去するべくエッチングなどが行われる。
【００３８】
第１準備工程及び第２準備工程で行われるエッチングとしては、一例として、イオンビームやプラズマを用いるスパッタエッチングが挙げられる。イオンビームを用いたスパッタエッチングでは、導電膜５５，５７の表面に向けて、処理用チャンバ内に設けられた高速ビーム源６３，６４からイオンビームＢＭが出力される。イオンビームＢＭとしては、アルゴンなどの不活性ガスを用いることが好ましい。そして、第１準備工程及び第２準備工程が完了すると、付着物６１，６２が除去され、各導電膜５５，５７の表面では結合手を持った原子が露出している。すなわち、各導電膜５５，５７の表面が活性化した状態になる。
【００３９】
次に、接合工程（ステップＳ１３）について説明する。
接合工程は、第１準備工程及び第２準備工程を行った上記処理チャンバ内で行われる。そして、図６に示すように、活性化した各導電膜５５，５７の表面同士を対向させた状態で、基台５０に対して誘電部材５１が相対的に押し付けられる。このとき、処理チャンバ内の温度は、１０℃〜３０℃の間に設定される所定温度、即ち室温程度である。ただし、処理チャンバ内は真空引きされているため、該処理チャンバ内の温度は、常温よりも低い場合もある。
【００４０】
また、基台５０に対して誘電部材５１を相対的に押し付ける際の加圧力は、１００ｋＰａ以上であることが好ましい。すると、導電膜５５の表面の原子の接合手と導電膜５７の表面の原子の結合手とが直接接触し、各導電膜５５，５７が強固に接合される。すなわち、基台５０と誘電部材５１とが、各導電膜５５，５７を介して接合される。その結果、各導電膜５５，５７の間での接合強度は、常温近傍の温度雰囲気で、１０ＭＰａ前後という大きい接合強度となる。このような接合方法を、表面活性化接合方法という。また、本実施形態の接合方法は、常温又は常温近傍の温度雰囲気で接合が行われるため、常温接合方法ともいう。
【００４１】
ところで、接着剤を用いることなく基台５０と誘電部材５１とを接合させる方法としては、表面活性化接合方法以外に以下に示す２つの方法が考えられる。
第１の方法は、基台５０と誘電部材５１とを融着させる方法である。こうした第１の方法としては、拡散接合方法、共晶結合方法などが挙げられる。拡散接合方法とは、母材を密着させ、母材の融点以下の温度条件で、塑性変形ができるだけ生じない程度に加圧して、接合面間に生じる原子の拡散を利用して接合する方法である。例えば、接合させる２つの部材が共に金（Ａｕ）である場合、各部材の温度が２００℃〜３００℃の間の所定温度とされ、各部材を接合させる際の加圧力が６Ｅ５Ｎ／ｍ２とされ、加熱・加圧に要する時間が６０分程度とされる。
【００４２】
共晶結合方法とは、液化における共晶反応を利用した液相拡散接合方法のうち、液化に対して共晶反応を利用する接合方法である。この方法では、拡散接合方法とは異なり、２つの部材を接合させる際に、各部材に加圧力をほとんど付与しなくてもよい。
【００４３】
上述した第１の方法では、本実施形態の場合、即ち表面活性化接合方法と比較して、第１電極５２を狭くする必要がある。これは、基台５０の接合面５４の少なくとも一部を、第１電極５２を介在させることなく、誘電部材５１の第２面５６に直接対向させる必要があるためである。この場合、第１電極５２を大きくするほど、基台５０に対する誘電部材５１の接合力が小さくなる。
【００４４】
また、基台５０に誘電部材５１を接合させる際には、基台５０及び誘電部材５１を加熱する必要がある。そのため、基台５０や誘電部材５１にＵＬＥ（登録商標）を用いることができない。これは、１００℃以上の高温になると、ＵＬＥ（登録商標）の熱膨張特性が変化するためである。このように１００℃以上の高温にされたＵＬＥ（登録商標）の低熱膨張性は、その後に常温まで下がったとしても失われてしまう。つまり、第１の方法では、加熱によって特性が変わる材料で基台５０や誘電部材５１を構成することは好ましくない。
【００４５】
第２の方法は、基台５０と誘電部材５１とを陽極接合させる陽極接合方法である。陽極接合方法は、基台５０を陽極とすると共に誘電部材５１を陰極として、基台５０と誘電部材５１との間に電圧を印加させる方法である。この方法では、基台５０を、導電性を有する材料で構成する必要がある。すなわち、導電性を有さないＵＬＥ（登録商標）で基台５０を構成することができない。その一方で、本実施形態の表面活性化接合方法では、電圧を印加させる必要がないため、基台５０をＵＬＥ（登録商標）で構成することができる。つまり、第２の方法では、基台５０に使用する材料の選択肢が、本実施形態の表面活性化接合方法と比較して狭まってしまう。
【００４６】
この点、表面活性化接合方法では、基台５０及び誘電部材５１を加熱したり、基台５０に電圧を印加したりしない。そのため、上記２つの方法の場合と比較して、基台５０及び誘電部材５１を構成する材料の選択肢が広がる。すなわち、ＵＬＥ（登録商標）のような熱膨張率の低い材料で基台５０や誘電部材５１を構成することができる。もちろん、基台５０及び誘電部材５１の少なくとも一方をＵＬＥ（登録商標）以外の材料で構成してもよい。
【００４７】
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）基台５０及び誘電部材５１は、表面活性化接合方法によって接合される。すなわち、接着剤を用いることなく第１静電吸着装置２２を製造することができる。
【００４８】
（２）接着剤を用いて第１静電吸着装置を製造した場合、接着剤からはアウトガスが発生するおそれがある。真空雰囲気に設定されたチャンバ１３内で第１静電吸着装置を使用する場合、接着剤から発生するアウトガスが照明光学系１５や投影光学系１７を構成する光学部材の光学面に付着し、照明光学系１５や投影光学系１７の光学特性が変化するおそれがある。この点、本実施形態では、第１静電吸着装置２２に接着剤が用いられていないため、アウトガスに起因した照明光学系１５や投影光学系１７の光学特性の変化を抑制することができる。
【００４９】
（３）また、接着剤を用いて製造した第１静電吸着装置を温度や湿度が大きく変化する環境で用いた場合、環境の急激な変化によって接着剤が僅かに伸縮し、結果として、第１静電吸着装置において被吸着物を静電吸着する吸着面の面形状が僅かに変化するおそれがある。この点、本実施形態では、第１静電吸着装置２２に接着剤が用いられていないため、該第１静電吸着装置２２の使用環境（温度や湿度）が大きく変化したとしても、吸着面６０の面形状は変化しない。そのため、吸着面６０の面形状の変動に起因したレチクルＲのパターン形成面Ｒａの面形状の変化を抑制でき、ひいてはウエハＷに適切な形状のパターンを形成させることができる。
【００５０】
（４）表面活性化接合方法では、基台５０や誘電部材５１を加熱したり、基台５０や誘電部材５１に電圧を印加したりしない。そのため、上記第１の方法や第２の方法の場合と比較して、基台５０及び誘電部材５１に使用する材料の選択肢を広げることができる。
【００５１】
（５）さらに、本実施形態では、第１電極５２は、誘電部材５１の吸着面６０よりも広くなるように構成されている。この吸着面６０は、レチクルＲのパターン領域４１の裏面側にクーロン力を作用させる面である。そのため、レチクルＲのパターン領域４１の裏面全体に対して均一なクーロン力を付与することができる。したがって、第１静電吸着装置２２に静電吸着されるレチクルＲのパターン領域４１の平坦度の向上に貢献でき、ひいてはウエハＷに適切な形状のパターンを形成させることができる。
【００５２】
（６）第１電極５２を構成する導電膜５５，５７は、基台５０や誘電部材５１と比較して非常に薄い。そのため、導電膜５５，５７の線熱膨張計数と、基台５０及び誘電部材５１の線熱膨張計数との違いに起因したバイメタル効果による誘電部材５１の変形を無視することができる。すなわち、誘電部材５１の吸着面６０を高い平坦度で維持することができ、ひいてはウエハＷに適切な形状のパターンを形成させることができる。
【００５３】
（７）本実施形態では、基台５０及び誘電部材５１を接合させるために基台５０及び誘電部材５１に設けられる導電膜５５，５７は、導電性材料で構成されている。そして、第１電極５２は、各導電膜５５，５７によって構成されている。基台５０内に第１電極を設ける場合とは異なり、第１電極５２を吸着面６０に近い位置に配置することができる。すなわち、低電圧でより強力なクーロン力をレチクルＲに付与することができる。また、導電膜５５，５７以外に第１電極を別途設ける場合と比較して、第１静電吸着装置２２の構成を簡略化することができる。
【００５４】
（８）また、誘電部材５１の第２面５６には、第１電極５２として機能する導電膜５７が設けられている。そのため、もし仮に基台５０から誘電部材５１の一部が剥がれたとしても、誘電部材５１に設けられた導電膜５７に電荷が供給されることにより、吸着面６０からレチクルＲに対してクーロン力を付与することができる。したがって、第１静電吸着装置２２に故障が発生した場合に、吸着面６０からレチクルＲが離間してしまうことを抑制できる。
【００５５】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図７及び図８に基づき説明する。なお、第２の実施形態は、第１静電吸着装置２２の構成が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００５６】
図７に示すように、本実施形態の第１静電吸着装置２２は、基台５０と、誘電部材５１と、基台５０と誘電部材５１の間に設けられる第１電極５２Ａと、誘電部材５１の第１面５９に配置される第２電極５３とを備えている。
【００５７】
図８に示すように、基台５０の接合面５４には、導電性材料で構成される導電膜５５が設けられている。導電膜５５を構成する導電性材料としては、一例として、金、プラチナ、銅、アルミニウム、クロム、モリブデンなどが挙げられる。また、導電膜５５の膜厚Ｈ１は、基台５０の厚さ（即ち、基台５０のＺ軸方向における長さ）よりも十分に薄く、例えば、略０．１〜１０μｍである。一方、誘電部材５１の第２面５６には、上記第１の実施形態とは異なり、導電膜５７が設けられていない。
【００５８】
そして、基台５０に誘電部材５１を接合させる場合、誘電部材５１の第２面５６にイオンビームエッチングが施され、第２面５６が活性化される。同様に、基台５０に設けられた導電膜５５にイオンビームエッチングが施され、該導電膜５５の表面（図８では上面）が活性化される。この状態で、基台５０に設けられた導電膜５５と誘電部材５１とが表面活性化接合方法によって接合され、基台５０に誘電部材５１が接合される。
【００５９】
したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態の効果（１）〜（７）と同等の効果を得ることができる。
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態を図９及び図１０に基づき説明する。なお、第３の実施形態は、第１静電吸着装置２２の構成が第１及び第２の各実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１及び第２の各実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１及び第２の各実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００６０】
図９に示すように、本実施形態の第１静電吸着装置２２は、基台５０と、誘電部材５１と、基台５０と誘電部材５１の間に設けられる第１電極５２と、誘電部材５１の第１面５９に設けられる第２電極５３とを備えている。
【００６１】
図１０に示すように、基台５０の接合面５４には、複数（図１０では２つ）の膜７０，７１が積層されている。各膜７０，７１のうち最下層の第１膜７０は、蒸着などによってガラスに確実に製膜することができる材料で構成されている。なお、第１膜７０を構成する材料は、ガラスに対する密着性の高い材料（例えば、クロム、窒化クロム、モリブデン）であることが好ましい。また、第１膜７０上に設けられる第２膜７１は、接合に適した導電性材料で構成されている。第２膜７１を構成する導電性材料としては、一例として、金、プラチナ、銅、アルミニウム、クロム、モリブデンなどが挙げられる。ただし、第２膜７１を構成する導電性材料としては、第１膜７０を構成する材料とは異なる材料であってもよい。また、第１膜７０及び第２膜７１の膜厚は、基台５０の厚さ（即ち、基台５０のＺ軸方向における長さ）よりも十分に薄く、例えば、略０．０１〜１０μｍである。
【００６２】
誘電部材５１の第２面５６には、複数（図１０では２つ）の膜７２，７３が積層されている。各膜７２，７３のうち最下層の第１膜７２は、蒸着などによってガラスに確実に製膜することができる材料で構成されている。なお、第１膜７２を構成する材料は、ガラスに対する密着性の高い材料（例えば、クロム、窒化クロム、モリブデン）であることが好ましい。また、第１膜７２上に設けられる第２膜７３は、接合に適した導電性材料で構成されている。第２膜７３を構成する導電性材料としては、一例として、金、プラチナ、銅、アルミニウム、クロム、モリブデンなどが挙げられる。ただし、第２膜７３を構成する導電性材料としては、第１膜７２を構成する材料とは異なる材料であってもよい。また、第１膜７２及び第２膜７３の膜厚は、誘電部材５１の厚さ（即ち、誘電部材５１のＺ軸方向における長さ）よりも十分に薄く、例えば、略０．０１〜１０μｍである。
【００６３】
例えば、各第１膜７０，７２をクロムで構成すると共に、各第２膜７１，７３を金で構成するものとする。この場合、各膜７０〜７３を合わせた膜厚（クロム＋金＋金＋クロム）は、数百ｎｍ〜数十ｎｍ程度である。こうした膜を基台５０及び誘電部材５１に成膜することにより、膜の電気抵抗が小さくなり、誘電部材５１と被吸着物であるレチクルＲとを着脱する際の帯電が抑制される。その結果、誘電部材５１に対するレチクルＲの着脱が容易になる。また、接合用の金属として選択した金の厚さは、クロムを成膜した表面の平坦度を上回る厚さとされる。例えば、基台５０及び誘電部材５１などの基板の平坦度が数十ｎｍのオーダーである場合、金で構成される第２膜７１，７３の厚さは、１００ｎｍ程度とされる。なお、基台５０及び誘電部材５１への電極の密着性や静電吸着効率の観点などから総合すると、第１膜７０，７２をクロムで構成し、第２膜７１，７３を金で構成することが最も好ましい。
【００６４】
そして、基台５０に誘電部材５１を接合させる場合、基台５０に設けられた第２膜７１にイオンビームエッチングが施され、該第２膜７１の表面が活性化される。同様に、誘電部材５１に設けられた第２膜７３にイオンビームエッチングが施され、該第２膜７３の表面が活性化される。この状態で、基台５０に設けられた第２膜７１と誘電部材５１に設けられた第２膜７３とが表面活性化接合方法によって接合され、基台５０に誘電部材５１が接合される。
【００６５】
そのため、本実施形態では、各第２膜７１，７３によって、第１電極５２が構成される。もちろん、各第１膜７０，７２が導電性を有する材料で構成される場合、第１電極５２は、第１膜７０，７２及び第２膜７１，７３によって構成される。
【００６６】
その後、誘電部材５１の厚さは、最適な厚さに研磨されて調整される。
したがって、本実施形態では、上記各実施形態の効果（１）〜（８）と同等の効果を得ることができる。
【００６７】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態を図１１及び図１２に基づき説明する。なお、第４の実施形態は、第１静電吸着装置２２の構成が第３の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１〜第３の各実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１〜第３の各実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００６８】
図１１に示すように、本実施形態の第１静電吸着装置２２は、基台５０と、誘電部材５１と、基台５０と誘電部材５１の間に設けられる第１電極５２Ａと、誘電部材５１の第１面５９に設けられる第２電極５３とを備えている。
【００６９】
図１２に示すように、基台５０の接合面５４には、第１膜７０が積層されている。この第１膜７０は、蒸着などによってガラスに確実に製膜することができる材料で構成されている。なお、第１膜７０を構成する材料は、ガラスに対する密着性の高い材料（例えば、クロム、窒化クロム、モリブデン）であることが好ましい。
【００７０】
誘電部材５１の第２面５６には、複数（図１２では２つ）の膜７２，７３が積層されている。各膜７２，７３の構成は、第３の実施形態と同様であるため、説明を省略する。
そして、基台５０に誘電部材５１を接合させる場合、基台５０に設けられた第１膜７０にイオンビームエッチングが施され、該第１膜７０の表面が活性化される。同様に、誘電部材５１に設けられた第２膜７３にイオンビームエッチングが施され、該第２膜７３の表面が活性化される。この状態で、基台５０に設けられた第１膜７０と誘電部材５１に設けられた第２膜７３とが表面活性化接合方法によって接合され、基台５０に誘電部材５１が接合される。
【００７１】
そのため、本実施形態では、第２膜７３によって、第１電極５２Ａが構成される。もちろん、各第１膜７０，７２が導電性を有する材料で構成される場合、第１電極５２Ａは、各第１膜７０，７２及び第２膜７３によって構成される。
【００７２】
したがって、本実施形態では、上記各実施形態の効果（１）〜（８）と同等の効果を得ることができる。
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態を図１３及び図１４に基づき説明する。なお、第５の実施形態は、基台に温度調整用の流体が流通する流路を形成する点が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００７３】
図１３（ａ）に示すように、本実施形態の第１静電吸着装置２２は、基台５０と、誘電部材５１と、基台５０と誘電部材５１の間に設けられる第１電極５２と、誘電部材５１の第１面５９に設けられる第２電極５３と、基台５０を支持するために該基台５０の＋Ｚ方向側（図１３（ａ）では下側）に配置される支持部材８５とを備えている。
【００７４】
図１３（ａ）（ｂ）に示すように、基台５０の接合面５４の反対側に設けられる温度調整面８６（図１３（ａ）では下面）全体には、温度調整用の流体が流通する流体流通用溝部８７が形成されている。また、基台５０の温度調整面８６全体には、接合用膜８８が形成されている。この接合用膜８８は、表面活性化接合方法で利用可能な材料であれば任意の材料（例えば、金、プラチナ、銅、アルミニウム、クロム、モリブデン）で構成してもよい。
【００７５】
支持部材８５は、基台５０の温度調整面８６に対向する支持面８９を有している。この支持面８９は、温度調整面８６に平行な平面である。この支持面８９全体には、接合用膜９０が形成されている。この接合用膜９０は、表面活性化接合方法で利用可能な材料であれば任意の材料（例えば、金、プラチナ、銅、アルミニウム、クロム、モリブデン）で構成してもよい。また、支持部材８５に設けられた接合用膜９０は、基台５０に設けられた接合用膜８８と同一材料で構成することが好ましい。
【００７６】
そして、基台５０に支持部材８５を接合させる場合、基台５０に設けられた接合用膜８８にイオンビームエッチングが施され、該接合用膜８８の表面が活性化される。同様に、支持部材８５に設けられた接合用膜９０にイオンビームエッチングが施され、該接合用膜９０の表面が活性化される。この状態で、図１４に示すように、基台５０に設けられた接合用膜８８と支持部材８５に設けられた接合用膜９０とが表面活性化接合方法によって接合される。その結果、温度調整用の流体が流通する流路９１（図１３（ａ）参照）が形成される。なお、基台５０に誘電部材５１を接合させる方法は、上記第１の実施形態と同様であるため、ここではその説明を省略する。
【００７７】
本実施形態では、所定温度（例えば常温）に調整された流体を流路９１内で流動させることにより、第１静電吸着装置２２に静電吸着されるレチクルＲの温度を適切に調整することができる。
【００７８】
したがって、本実施形態では、上記各実施形態の効果（１）〜（８）と同等の効果を得ることができる。
（第６の実施形態）
次に、本発明の第６の実施形態を図１５に基づき説明する。なお、第６の実施形態は、第１静電吸着装置の構成が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００７９】
図１５に示すように、本実施形態の第１静電吸着装置２２は、基台５０Ａと、誘電部材５１と、大部分が基台５０Ａ内に埋設される第１電極５２Ｂと、誘電部材５１の第１面５９に設けられる第２電極５３とを備えている。この場合、基台５０Ａの接合面５４及び誘電部材５１の第２面５６には、膜が設けられていない。なお、第１電極５２Ｂを、該第１電極５２Ｂに電荷を供給するための構成が整っているのであれば、基台５０Ａ内に完全に埋設させてもよい。
【００８０】
そして、基台５０Ａに誘電部材５１を接合させる場合、基台５０Ａの接合面５４にイオンビームエッチングが施され、該接合面５４が活性化される。同様に、誘電部材５１の第２面５６にイオンビームエッチングが施され、該第２面５６が活性化される。この状態で、基台５０Ａと誘電部材５１とが表面活性化接合方法によって接合される。
【００８１】
したがって、本実施形態では、上記各実施形態の効果（１）〜（４）と同等の効果を得ることができる。
（第７の実施形態）
次に、本発明の第７の実施形態を図１６に基づき説明する。なお、第７の実施形態は、第１静電吸着装置２２の構成が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００８２】
図１６（ａ）に示すように、本実施形態の第１静電吸着装置２２は、基台５０と、誘電部材５１と、基台５０と誘電部材５１の間に設けられる第１電極５２Ｃ及び第２電極５３Ａとを備えている。
【００８３】
図１６（ｂ）に示すように、基台５０の接合面５４には、中央に配置される第１膜１００と、接合面５４の周縁に配置される第２膜１０１とが設けられている。第１膜１００と第２膜１０１との間には、所定間隔の隙間が介在している。この第１膜１００は、レチクルＲのパターン領域４１よりも広い面積を有する第１膜本体１０２と、該第１膜本体１０２から図１６（ｂ）における下方に延びる延接部１０３とを有している。第２膜１０１は、第１膜１００の第１膜本体１０２を包囲するように形成されている。第１膜１００及び第２膜１０１は、導電性材料でそれぞれ構成されている。各膜１００，１０１を構成する導電性材料としては、一例として、金、プラチナ、銅、アルミニウム、クロム、モリブデンなどが挙げられる。本実施形態では、第２膜１０１は、第１膜１００と同一材料で構成されている。
【００８４】
誘電部材５１の第２面５６には、中央に配置される第１膜１０４と、第２面５６の周縁に配置される第２膜１０５とが設けられている。誘電部材５１の第１膜１０４は、基台５０の第１膜１００と同一形状であると共に、誘電部材５１の第２膜１０５は、基台５０の第２膜１０１と同一形状である。こうした第１膜１０４及び第２膜１０５は、基台５０の第１膜１００及び第２膜１０１と同一材料（この場合、導電性材料）でそれぞれ構成されている。
【００８５】
そして、基台５０に誘電部材５１を接合させる場合、基台５０に設けられた第１膜１００及び第２膜１０１にイオンビームエッチングが施され、該第１膜１００及び第２膜１０１の表面が活性化される。同様に、誘電部材５１に設けられた第１膜１０４及び第２膜１０５にイオンビームエッチングが施され、該第１膜１０４及び第２膜１０５の表面が活性化される。この状態で、基台５０の第１膜１００と誘電部材５１の第１膜１０４とが表面活性化接合方法によって接合されると共に、基台５０の第２膜１０１と誘電部材５１の第２膜１０５とが表面活性化接合方法によって接合される。その結果、基台５０に誘電部材５１が接合される。
【００８６】
本実施形態では、各第１膜１００，１０４によって第１電極５２Ｃが構成されると共に、各第２膜１０１，１０５によって第２電極５３Ａが構成される。そして、第１電極５２Ｃに正（又は負）に帯電させると共に、第２電極５３Ａに負（又は正）に帯電させることにより、誘電部材５１の吸着面６０にレチクルＲが静電吸着される。すなわち、本実施形態の第１静電吸着装置２２は、双極型の静電吸着装置として機能する。この場合、誘電部材５１の第２面５６には、グランドに接地される電極を設けなくてもよい。
【００８７】
したがって、本実施形態では、上記各実施形態の効果（１）〜（８）と同等の効果を得ることができる。
（第８の実施形態）
次に、本発明の第８の実施形態を図１７に基づき説明する。なお、第８の実施形態は、第１静電吸着装置の構成が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００８８】
図１７（ａ）（ｂ）に示すように、本実施形態の第１静電吸着装置２２は、基台５０と、誘電部材５１と、基台５０と誘電部材５１の間に設けられる第１電極５２Ｄと、誘電部材５１の第１面５９に設けられる第２電極５３とを備えている。
【００８９】
図１７（ａ）に示すように、本実施形態の第１電極５２Ｄは、基台５０や誘電部材５１に設けられた膜ではない。この第１電極５２Ｄの＋Ｚ方向側の面及び−Ｚ方向側の面は、基台５０の接合面５４や誘電部材５１の第２面５６よりも狭い。そのため、基台５０と誘電部材５１との間に第１電極５２Ｄを介在させたとしても、基台５０の接合面５４の一部は、第１電極５２Ｄを介在させることなく誘電部材５１の第２面５６に対向している。
【００９０】
そして、基台５０に誘電部材５１を接合させる場合、基台５０の接合面５４にイオンビームエッチングが施され、該接合面５４が活性化される。同様に、誘電部材５１の第２面５６にイオンビームエッチングが施され、該第２面５６が活性化される。この状態で、基台５０と誘電部材５１とが表面活性化接合方法によって接合される。この場合、第１電極５２Ｄの−Ｚ方向側の面は、第２面５６において該−Ｚ方向側の面と対向する部分に密着する。その後、誘電部材５１の第１面５９が研磨され、該研磨後の第１面５９に第２電極５３が設けられる。
【００９１】
したがって、本実施形態では、上記各実施形態の効果（１）〜（４）と同等の効果を得ることができる。
（第９の実施形態）
次に、本発明の第９の実施形態を図１８に基づき説明する。なお、第９の実施形態では、本発明の静電吸着装置を、ウエハを静電吸着する第２静電吸着装置に具体化している。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００９２】
図１８に示すように、本実施形態の第２静電吸着装置２７は、基台１１０と、該基台１１０の＋Ｚ方向側（図１８では上側）に設けられる誘電部材１１１と、基台１１０と誘電部材１１１との間に設けられる第１電極１１２と、該誘電部材１１１の＋Ｚ方向側に設けられる第２電極１１３とを備えている。
【００９３】
基台１１０は、剛性が強く且つ第２静電吸着装置２７の使用環境での熱膨張率の低い材料で構成されている。本実施形態では、基台１１０は、低熱膨張ガラスで構成されている。基台１１０を構成する低熱膨張ガラスとしては、一例として、Ｚｅｒｏｄｕｒｅ（商品名）、ＵＬＥ（登録商標）、クリアセラム（登録商標）などが挙げられる。
【００９４】
こうした基台１１０の接合面１１４（図１８における上面であって、＋Ｚ方向側の面）は、研磨などの加工によって、ＸＹ面とほぼ平行な平面となっている。接合面１１４には、導電性材料で構成される導電膜１１５が設けられている。導電膜１１５を構成する導電性材料としては、一例として、金、プラチナ、銅、アルミニウ、クロム、モリブデンムなどが挙げられる。また、導電膜１１５の膜厚は、基台１１０の厚さ（即ち、基台１１０のＺ軸方向における長さ）よりも十分に薄く、例えば、略０．０１〜１０μｍである。
【００９５】
誘電部材１１１は、比誘電率の高く且つ第２静電吸着装置２７の使用環境での熱膨張率の低い材料で構成されている。本実施形態では、誘電部材１１１は、低熱膨張ガラスで構成されている。基台１１０を構成する低熱膨張ガラスとしては、一例として、Ｚｅｒｏｄｕｒｅ（商品名）、ＵＬＥ（登録商標）、クリアセラム（登録商標）などが挙げられる。
【００９６】
こうした誘電部材１１１の第２面１１６（図１８における下面であって、−Ｚ方向側の面）は、研磨などの加工によって、ＸＹ面とほぼ平行な平面となっている。第２面１１６には、導電性材料で構成される導電膜１１７が設けられている。導電膜１１７を構成する導電性材料としては、一例として、金、プラチナ、銅、アルミニウム、クロム、モリブデンなどが挙げられる。また、導電膜１１７の膜厚は、基台１１０の厚さ（即ち、基台１１０のＺ軸方向における長さ）よりも十分に薄く、例えば、略０．０１〜１０μｍである。なお、誘電部材１１１に設けられる導電膜１１７は、基台１１０に設けられる導電膜１１５と同一材料で構成されることが好ましい。
【００９７】
なお、誘電部材１１１の第１面１１８（図１８における上面であって、＋Ｚ方向側の面）には、複数の突起１１９（ピンともいう。）が設けられている。そして、第２静電吸着装置２７に静電吸着されるウエハＷは、各突起１１９によって支持される。
【００９８】
基台１１０に誘電部材１１１を接合させる場合、基台１１０に設けられた導電膜１１５にイオンビームエッチングが施され、該導電膜１１５が活性化される。同様に、誘電部材１１１に設けられた導電膜１１７にイオンビームエッチングが施され、該導電膜１１７が活性化される。この状態で、各導電膜１１５，１１７が表面活性化接合方法によって接合される。この場合、各導電膜１１５，１１７によって、電圧印加部１２０に電気的に接続される第１電極１１２が構成される。そして、第１電極１１２に電圧が印加されると、第１面１１８の吸着面１１８ＡにウエハＷが静電吸着される。
【００９９】
したがって、本実施形態では、上記各実施形態の効果（１）〜（８）と同等の効果を得ることができる。
なお、上記各実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
【０１００】
・ウエハＷを静電吸着する第２静電吸着装置２７を、第２〜第８の各実施形態の第１静電吸着装置２２と略同一構成としてもよい。
・各実施形態において、基台５０，５０Ａ，１１０を、誘電部材５１，１１１と同一材料で構成してもよい。また、基台５０，５０Ａ，１１０を、誘電部材５１，１１１を構成する材料とは異なる材料で構成してもよい。
【０１０１】
・第１〜第５、第７及び第８の各実施形態において、第２電極５３は、レチクルＲの導電層４３に接触可能な形状であれば、環状以外の任意の形状（例えば、Ｃ字状）であってもよい。また、吸着面６０を包囲するように複数（例えば４つ）の第２電極を設けてもよい。
【０１０２】
・第４の実施形態において、基台５０に設けられた第１膜７０を構成する導電性材料は、金、プラチナ、銅、アルミニウム、クロム、モリブデンなどであってもよい。
・第４の実施形態において、基台５０に第１膜７０を設けなくてもよい。この場合、基台５０と誘電部材５１の第２膜７３とが接合される。
【０１０３】
・第２の実施形態において、基台５０の接合面５４には膜を設けずに、誘電部材５１の第２面５６に導電性材料で構成された導電膜を設けてもよい。この場合、誘電部材５１の導電膜が基台５０に接合される。そして、誘電部材５１の導電膜が第１電極として機能する。
【０１０４】
・各実施形態において、基台５０及び誘電部材５１が、温度によって特性の変化する材料（例えば、ＵＬＥ（登録商標））以外の材料で構成される場合、基台５０及び誘電部材５１を、拡散接合方法、共晶結合方法を用いて接合してもよい。このように構成しても、接着剤を用いることなく静電吸着装置を構成することができる。
【０１０５】
・各実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
【０１０６】
・各実施形態において、光源装置１２で用いられるＥＵＶ光発生物質は、気体状の錫（Ｓｎ）でもよいし、液体状又は固体状の錫でもよい。また、ＥＵＶ光発生物質として、キセノン（Ｘｅ）を用いてもよい。
【０１０７】
・各実施形態において、光源装置１２は、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）等を射出可能な光源であってもよい。また、光源装置１２は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を射出可能な光源であってもよい。
【０１０８】
・各実施形態において、光源装置１２は、放電型プラズマ光源を有する装置でもよい。
・各実施形態において、露光装置１１を、ステップ・アンド・リピート方式の装置に具体化してもよい。
【０１０９】
・本発明の静電吸着装置を、露光装置以外の他の任意の装置に設けてもよい。例えば、本発明の静電吸着装置を、ウエハなどの被吸着物を搬送する装置などに設けてもよい。
次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１９は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【０１１０】
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
【０１１１】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【０１１２】
図２０は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）においては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【０１１３】
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
【符号の説明】
【０１１４】
１１…露光装置、１２…光源としての光源装置、２２，２７…静電吸着装置、４１…パターン領域、５０，５０Ａ，１１０…基台、５１，１１１…誘電部材、５２，５２Ａ〜５２Ｄ，１１２…第１電極、５３、１１３…第２電極、５４，１１４…接合面、５５，５７，７０〜７３，１００，１０１，１０４，１０５，１１５，１１７…膜、５６，１１６…第２面、５８，１２０…電圧印加部、５９，１１８…第１面、６０，１１８Ａ…吸着面、ＥＬ…露光光、Ｒ…被吸着物の一例としてのレチクル、Ｗ…被吸着物の一例としてのウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2012129310.tif 000017
【図１６】
2012129310.tif 000018
【図１７】
2012129310.tif 000019
【図１８】
2012129310.tif 000020
【図１９】
2012129310.tif 000021
【図２０】
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