(57)【要約】【課題】照射光学系に含まれる光学部品の歪みによる露光量のばらつきを補正して、描画精度を向上させる。【解決手段】描画制御部７１は、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域が収縮又は拡張する様に描画データを補正して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する。第１のメモリ７６ａは光ビームが照射される領域を収縮する位置を指定するデータを記憶し、第２のメモリ７６ｂは光ビームが照射される領域を拡張する位置を指定するデータを記憶する。変換回路７７ａは第１のメモリに記憶されたデータに従って描画データを変換し、変換回路７７ｂは第２のメモリに記憶されたデータに従って描画データを変換する。選択回路７８は、変換回路７７ａにより変換された描画データ、変換回路７７ｂにより変換された描画データ、または変換前の描画データのいずれかを選択する。【選択図】図７
2012088464.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、
光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する光学部品を含む照射光学系を有する光ビーム照射装置と、
前記チャックと前記光ビーム照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、
前記移動手段により前記チャックと前記光ビーム照射装置とを相対的に移動し、前記光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置であって、
前記光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域が収縮又は拡張する様に描画データを補正して、前記光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画制御手段を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記描画制御手段は、
前記光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を収縮する位置を指定するデータを記憶する第１のメモリと、
前記光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を拡張する位置を指定するデータを記憶する第２のメモリと、
前記第１のメモリに記憶されたデータに従って描画データを変換する第１の変換回路と、
前記第２のメモリに記憶されたデータに従って描画データを変換する第２の変換回路と、
前記第１の変換回路により変換された描画データ、前記第２の変換回路により変換された描画データ、または変換前の描画データのいずれかを選択する選択回路とを有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１の変換回路は、前記第１のメモリに記憶されたデータで指定された位置の描画データを、前記光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品から照射される光ビームの周辺部側に隣接する位置の描画データを参照して書き換え、
前記第２の変換回路は、前記第２のメモリに記憶されたデータで指定された位置の描画データを、前記光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品から照射される光ビームの中央部側に隣接する位置の描画データを参照して書き換えることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
フォトレジストが塗布された基板をチャックで支持し、
チャックと、光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する光学部品を含む照射光学系を有する光ビーム照射装置とを、相対的に移動し、
光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光方法であって、
光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域が収縮又は拡張する様に描画データを補正して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給することを特徴とする露光方法。
【請求項５】
光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を収縮する位置を指定するデータを第１のメモリに記憶し、
光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を拡張する位置を指定するデータを第２のメモリに記憶し、
第１のメモリに記憶したデータに従って描画データを変換し、
第２のメモリに記憶したデータに従って描画データを変換し、
第１のメモリに記憶したデータに従って変換した描画データ、第２のメモリに記憶したデータに従って変換した描画データ、または変換前の描画データのいずれかを選択して、描画データを補正することを特徴とする請求項４に記載の露光方法。
【請求項６】
第１のメモリに記憶されたデータで指定された位置の描画データを、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品から照射される光ビームの周辺部側に隣接する位置の描画データを参照して書き換え、
第２のメモリに記憶されたデータで指定された位置の描画データを、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品から照射される光ビームの中央部側に隣接する位置の描画データを参照して書き換えることを特徴とする請求項５に記載の露光方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
【請求項８】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に係り、特に、空間的光変調器により変調した光ビームを、投影レンズ等の光学部品を含む照射光学系から基板へ照射する露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、従来、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙（プロキシミティギャップ）を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがあった。
【０００３】
近年、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置が開発されている。光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを直接描画するため、高価なマスクが不要となる。また、描画データ及び走査のプログラムを変更することにより、様々な種類の表示用パネル基板に対応することができる。
【０００４】
光ビームにより基板にパターンを描画する際、光ビームの変調には、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）等の空間的光変調器が用いられる。ＤＭＤは、光ビームを反射する複数の微小なミラーを直交する二方向に配列して構成され、駆動回路が描画データに基づいて各ミラーの角度を変更することにより、光源から供給された光ビームを変調する。空間的光変調器により変調された光ビームは、投影レンズ等の光学部品を含む光ビーム照射装置の照射光学系から基板へ照射される。
【０００５】
現在市販されているＤＭＤには、ＤＭＤ１個当たり数十万〜数百万個のミラーが設けられている。各ミラーの寸法は１０〜１５μｍ角程度であり、隣接するミラー間には１μｍ程度の隙間がある。ＤＭＤを光ビームによる基板の走査方向と平行に配置すると、各ミラーの配列方向（直交する二方向）が基板の走査方向と平行及び垂直になるので、隣接するミラー間の隙間と基板とが相対的に平行に移動し、この隙間に対応する箇所ではパターンの描画ができない。そのため、ＤＭＤは、特許文献１に記載の様に、光ビームによる基板の走査方向に対して傾けて使用される。そして、特許文献２に記載の様に、１つのミラーで反射された光が基板へ照射される領域と、他のミラーで反射された光が基板へ照射される領域が、光ビームによる基板の走査に伴って部分的に重なる多重露光を行うことにより、ＤＭＤのミラーのサイズより小さい分解能でパターンの描画を行うことができる。
【０００６】
光ビームによる基板の走査は、基板を支持するチャックと、ＤＭＤにより変調された光ビームを基板へ照射するヘッド部を有する光ビーム照射装置とを、相対的に移動して行われる。特許文献３には、光ビーム照射装置のヘッド部の位置ずれによる描画品質の低下を防止するため、ヘッド部の位置ずれを検出し、検出結果に基づき、ＤＭＤの駆動回路へ供給する描画データの座標を補正し、補正した座標の描画データを、ＤＭＤの駆動回路へ供給する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３５３９２７号公報
【特許文献２】特開２００４−１２８９９号公報
【特許文献３】特開２０１０−１０２０８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
光ビーム照射装置の照射光学系において、空間的光変調器により変調された光ビームを基板へ照射する投影レンズ等の光学部品に歪みがあると、光学部品を透過した光ビームにより基板へ投影される図形の形状には、例えば樽型や糸巻き型の歪みが発生する。空間的光変調器により変調された光ビームが基板へ照射される領域が、光ビームによる基板の走査に伴って部分的に重なる多重露光を行う場合、この図形の歪みにより、基板へ照射される光ビームの光量にばらつきが発生するため、パターンが均一に描画されないという問題がある。この光学部品の歪みにより発生する露光量のばらつきは、光ビームが透過する光学部品内の場所によって変わり、また光学部品毎に異なるため、予め描画データを作成する際に補正を行うことは困難である。
【０００９】
本発明の課題は、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みによる露光量のばらつきを補正して、描画精度を向上させることである。また、本発明の課題は、高品質な表示用パネル基板を製造することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の露光装置は、フォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する光学部品を含む照射光学系を有する光ビーム照射装置と、チャックと光ビーム照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、移動手段によりチャックと光ビーム照射装置とを相対的に移動し、光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置であって、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域が収縮又は拡張する様に描画データを補正して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画制御手段を備えたものである。
【００１１】
また、本発明の露光方法は、フォトレジストが塗布された基板をチャックで支持し、チャックと、光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する光学部品を含む照射光学系を有する光ビーム照射装置とを、相対的に移動し、光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光方法であって、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域が収縮又は拡張する様に描画データを補正して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給するものである。
【００１２】
光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる投影レンズ等の光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域が収縮又は拡張する様に描画データを補正して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給するので、光ビームが照射される領域の収縮又は拡張により基板へ照射される光ビームの光量が均一化され、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる投影レンズ等の光学部品の歪みによる露光量のばらつきが補正されて、描画精度が向上する。
【００１３】
さらに、本発明の露光装置は、描画制御手段が、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を収縮する位置を指定するデータを記憶する第１のメモリと、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を拡張する位置を指定するデータを記憶する第２のメモリと、第１のメモリに記憶されたデータに従って描画データを変換する第１の変換回路と、第２のメモリに記憶されたデータに従って描画データを変換する第２の変換回路と、第１の変換回路により変換された描画データ、第２の変換回路により変換された描画データ、または変換前の描画データのいずれかを選択する選択回路とを有するものである。
【００１４】
また、本発明の露光方法は、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を収縮する位置を指定するデータを第１のメモリに記憶し、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を拡張する位置を指定するデータを第２のメモリに記憶し、第１のメモリに記憶したデータに従って描画データを変換し、第２のメモリに記憶したデータに従って描画データを変換し、第１のメモリに記憶したデータに従って変換した描画データ、第２のメモリに記憶したデータに従って変換した描画データ、または変換前の描画データのいずれかを選択して、描画データを補正するものである。
【００１５】
光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる投影レンズ等の光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を収縮する位置を指定するデータを第１のメモリに記憶し、第１のメモリに記憶したデータに従って描画データを変換する。また、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる投影レンズ等の光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を拡張する位置を指定するデータを第２のメモリに記憶し、第２のメモリに記憶したデータに従って描画データを変換する。そして、第１のメモリに記憶したデータに従って変換した描画データ、第２のメモリに記憶したデータに従って変換した描画データ、または変換前の描画データのいずれかを選択して、描画データを補正するので、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる投影レンズ等の光学部品の歪みに応じて、描画データが容易に補正される。
【００１６】
さらに、本発明の露光装置は、第１の変換回路が、第１のメモリに記憶されたデータで指定された位置の描画データを、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品から照射される光ビームの周辺部側に隣接する位置の描画データを参照して書き換え、第２の変換回路が、第２のメモリに記憶されたデータで指定された位置の描画データを、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品から照射される光ビームの中央部側に隣接する位置の描画データを参照して書き換えるものである。
【００１７】
また、本発明の露光方法は、第１のメモリに記憶されたデータで指定された位置の描画データを、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品から照射される光ビームの周辺部側に隣接する位置の描画データを参照して書き換え、第２のメモリに記憶されたデータで指定された位置の描画データを、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品から照射される光ビームの中央部側に隣接する位置の描画データを参照して書き換えるものである。
【００１８】
第１のメモリに記憶されたデータで指定された位置の描画データを、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品から照射される光ビームの周辺部側に隣接する位置の描画データを参照して書き換えるので、光ビームの周辺部側に隣接する位置の描画データがパターンを描画しないものであるとき、指定された位置の描画データは、パターンを描画するものであっても、パターンを描画しないものに書き換えられ、これにより光ビームが照射される領域を収縮する描画データの補正が容易に行われる。また、第２のメモリに記憶されたデータで指定された位置の描画データを、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品から照射される光ビームの中央部側に隣接する位置の描画データを参照して書き換えるので、光ビームの中央部側に隣接する位置の描画データがパターンを描画するものであるとき、指定された位置の描画データは、パターンを描画しないものであっても、パターンを描画するものに書き換えられ、これにより光ビームが照射される領域を拡張する描画データの補正が容易に行われる。
【００１９】
本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかの露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うものである。上記の露光装置又は露光方法を用いることにより、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みによる露光量のばらつきが補正され、描画精度が向上するので、高品質な表示用パネル基板が製造される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の露光装置及び露光方法によれば、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域が収縮又は拡張する様に描画データを補正して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給することにより、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みによる露光量のばらつきを補正して、描画精度を向上させることができる。
【００２１】
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を収縮する位置を指定するデータを第１のメモリに記憶し、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を拡張する位置を指定するデータを第２のメモリに記憶し、第１のメモリに記憶したデータに従って描画データを変換し、第２のメモリに記憶したデータに従って描画データを変換し、第１のメモリに記憶したデータに従って変換した描画データ、第２のメモリに記憶したデータに従って変換した描画データ、または変換前の描画データのいずれかを選択して、描画データを補正することにより、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みに応じて、描画データを容易に補正することができる。
【００２２】
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、第１のメモリに記憶されたデータで指定された位置の描画データを、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品から照射される光ビームの周辺部側に隣接する位置の描画データを参照して書き換えることにより、光ビームが照射される領域を収縮する描画データの補正を容易に行うことができ、第２のメモリに記憶されたデータで指定された位置の描画データを、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品から照射される光ビームの中央部側に隣接する位置の描画データを参照して書き換えることにより、光ビームが照射される領域を拡張する描画データの補正を容易に行うことができる。
【００２３】
本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みによる露光量のばらつきを補正して、描画精度を向上させることができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態による露光装置の側面図である。
【図３】本発明の一実施の形態による露光装置の正面図である。
【図４】光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。
【図５】ＤＭＤのミラー部の一例を示す図である。
【図６】レーザー測長系の動作を説明する図である。
【図７】描画制御部の概略構成を示す図である。
【図８】図８（ａ）は光ビームの強度分布のばらつきの一例を示す図、図８（ｂ）は収縮指定メモリに記憶されたデータの一例を示す図である。
【図９】図９（ａ）は光ビームの強度分布のばらつきの他の例を示す図、図９（ｂ）は拡張指定メモリに記憶されたデータの一例を示す図である。
【図１０】変換回路７７ａの動作を説明する図である。
【図１１】変換回路７７ｂの動作を説明する図である。
【図１２】図１２（ａ）は本発明を用いない場合に描画されるパターンの一例を示す図、図１２（ｂ）は本発明を用いない場合の光ビームの光量を示す図、図１２（ｃ）は本発明により描画データを補正した場合の光ビームの光量を示す図である。
【図１３】光ビームによる基板の走査を説明する図である。
【図１４】光ビームによる基板の走査を説明する図である。
【図１５】光ビームによる基板の走査を説明する図である。
【図１６】光ビームによる基板の走査を説明する図である。
【図１７】液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図１８】液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
図１は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。また、図２は本発明の一実施の形態による露光装置の側面図、図３は本発明の一実施の形態による露光装置の正面図である。露光装置は、ベース３、Ｘガイド４、Ｘステージ５、Ｙガイド６、Ｙステージ７、θステージ８、チャック１０、ゲート１１、光ビーム照射装置２０、リニアスケール３１，３３、エンコーダ３２，３４、レーザー測長系、レーザー測長系制御装置４０、ステージ駆動回路６０、及び主制御装置７０を含んで構成されている。なお、図２及び図３では、レーザー測長系のレーザー光源４１、レーザー測長系制御装置４０、ステージ駆動回路６０、及び主制御装置７０が省略されている。露光装置は、これらの他に、基板１をチャック１０へ搬入し、また基板１をチャック１０から搬出する基板搬送ロボット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
【００２６】
なお、以下に説明する実施の形態におけるＸＹ方向は例示であって、Ｘ方向とＹ方向とを入れ替えてもよい。
【００２７】
図１及び図２において、チャック１０は、基板１の受け渡しを行う受け渡し位置にある。受け渡し位置において、図示しない基板搬送ロボットにより基板１がチャック１０へ搬入され、また図示しない基板搬送ロボットにより基板１がチャック１０から搬出される。チャック１０は、基板１の裏面を真空吸着して支持する。基板１の表面には、フォトレジストが塗布されている。
【００２８】
基板１の露光を行う露光位置の上空に、ベース３をまたいでゲート１１が設けられている。ゲート１１には、複数の光ビーム照射装置２０が搭載されている。なお、本実施の形態は、８つの光ビーム照射装置２０を用いた露光装置の例を示しているが、光ビーム照射装置の数はこれに限らず、本発明は１つ又は２つ以上の光ビーム照射装置を用いた露光装置に適用される。
【００２９】
図４は、光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。光ビーム照射装置２０は、光ファイバー２２、レンズ２３、ミラー２４、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）２５、投影レンズ２６、及びＤＭＤ駆動回路２７を含んで構成されている。光ファイバー２２は、レーザー光源ユニット２１から発生された紫外光の光ビームを、光ビーム照射装置２０内へ導入する。光ファイバー２２から射出された光ビームは、レンズ２３及びミラー２４を介して、ＤＭＤ２５へ照射される。ＤＭＤ２５は、光ビームを反射する複数の微小なミラーを直交する二方向に配列して構成された空間的光変調器であり、各ミラーの角度を変更して光ビームを変調する。ＤＭＤ２５により変調された光ビームは、投影レンズ２６を含む照射光学系のヘッド部２０ａから照射される。ＤＭＤ駆動回路２７は、主制御装置７０から供給された描画データに基づいて、ＤＭＤ２５の各ミラーの角度を変更する。
【００３０】
なお、本実施の形態では、投影レンズ２６を用いて、ＤＭＤ２５により変調された光ビームを照射しているが、本発明はこれに限らず、プリズムや凹面鏡等の他の光学部品を用いて、ＤＭＤ２５により変調された光ビームを照射してもよい。
【００３１】
図２及び図３において、チャック１０は、θステージ８に搭載されており、θステージ８の下にはＹステージ７及びＸステージ５が設けられている。Ｘステージ５は、ベース３に設けられたＸガイド４に搭載され、Ｘガイド４に沿ってＸ方向へ移動する。Ｙステージ７は、Ｘステージ５に設けられたＹガイド６に搭載され、Ｙガイド６に沿ってＹ方向へ移動する。θステージ８は、Ｙステージ７に搭載され、θ方向へ回転する。Ｘステージ５、Ｙステージ７、及びθステージ８には、ボールねじ及びモータや、リニアモータ等の図示しない駆動機構が設けられており、各駆動機構は、図１のステージ駆動回路６０により駆動される。
【００３２】
θステージ８のθ方向への回転により、チャック１０に搭載された基板１は、直交する二辺がＸ方向及びＹ方向へ向く様に回転される。Ｘステージ５のＸ方向への移動により、チャック１０は、受け渡し位置と露光位置との間を移動される。露光位置において、Ｘステージ５のＸ方向への移動により、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームが、基板１をＸ方向へ走査する。また、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームによる基板１の走査領域が、Ｙ方向へ移動される。図１において、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、θステージ８のθ方向へ回転、Ｘステージ５のＸ方向への移動、及びＹステージ７のＹ方向への移動を行う。
【００３３】
図５は、ＤＭＤのミラー部の一例を示す図である。光ビーム照射装置２０のＤＭＤ２５は、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査方向（Ｘ方向）に対して、所定の角度θだけ傾いて配置されている。ＤＭＤ２５を、走査方向に対して傾けて配置すると、直交する二方向に配列された複数のミラー２５ａのいずれかが、隣接するミラー２５ａ間の隙間に対応する箇所をカバーするので、パターンの描画を隙間無く行うことができる。
【００３４】
なお、本実施の形態では、Ｘステージ５によりチャック１０をＸ方向へ移動することによって、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査を行っているが、光ビーム照射装置２０を移動することにより、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査を行ってもよい。また、本実施の形態では、Ｙステージ７によりチャック１０をＹ方向へ移動することによって、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査領域を変更しているが、光ビーム照射装置２０を移動することにより、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査領域を変更してもよい。
【００３５】
図１及び図２において、ベース３には、Ｘ方向へ伸びるリニアスケール３１が設置されている。リニアスケール３１には、Ｘステージ５のＸ方向への移動量を検出するための目盛が付けられている。また、Ｘステージ５には、Ｙ方向へ伸びるリニアスケール３３が設置されている。リニアスケール３３には、Ｙステージ７のＹ方向への移動量を検出するための目盛が付けられている。
【００３６】
図１及び図３において、Ｘステージ５の一側面には、リニアスケール３１に対向して、エンコーダ３２が取り付けられている。エンコーダ３２は、リニアスケール３１の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置７０へ出力する。また、図１及び図２において、Ｙステージ７の一側面には、リニアスケール３３に対向して、エンコーダ３４が取り付けられている。エンコーダ３４は、リニアスケール３３の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置７０へ出力する。主制御装置７０は、エンコーダ３２のパルス信号をカウントして、Ｘステージ５のＸ方向への移動量を検出し、エンコーダ３４のパルス信号をカウントして、Ｙステージ７のＹ方向への移動量を検出する。
【００３７】
図６は、レーザー測長系の動作を説明する図である。なお、図６においては、図１に示したゲート１１、及び光ビーム照射装置２０が省略されている。レーザー測長系は、公知のレーザー干渉式の測長系であって、レーザー光源４１、レーザー干渉計４２，４４、及びバーミラー４３，４５を含んで構成されている。バーミラー４３は、チャック１０のＹ方向へ伸びる一側面に取り付けられている。また、バーミラー４５は、チャック１０のＸ方向へ伸びる一側面に取り付けられている。
【００３８】
レーザー干渉計４２は、レーザー光源４１からのレーザー光をバーミラー４３へ照射し、バーミラー４３により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源４１からのレーザー光とバーミラー４３により反射されたレーザー光との干渉を測定する。この測定は、Ｙ方向の２箇所で行う。レーザー測長系制御装置４０は、主制御装置７０の制御により、レーザー干渉計４２の測定結果から、チャック１０のＸ方向の位置及び回転を検出する。
【００３９】
一方、レーザー干渉計４４は、レーザー光源４１からのレーザー光をバーミラー４５へ照射し、バーミラー４５により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源４１からのレーザー光とバーミラー４５により反射されたレーザー光との干渉を測定する。レーザー測長系制御装置４０は、主制御装置７０の制御により、レーザー干渉計４４の測定結果から、チャック１０のＹ方向の位置を検出する。
【００４０】
図４において、主制御装置７０は、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ描画データを供給する描画制御部を有する。図７は、描画制御部の概略構成を示す図である。描画制御部７１は、メモリ７２、バンド幅設定部７３、中心点座標決定部７４、座標決定部７５、収縮指定メモリ７６ａ、拡張指定メモリ７６ｂ、変換回路７７ａ，７７ｂ、及び選択回路７８を含んで構成されている。メモリ７２は、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データを、そのＸＹ座標をアドレスとして記憶している。
【００４１】
バンド幅設定部７３は、メモリ７２から読み出す描画データのＹ座標の範囲を決定することにより、光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射される光ビームのＹ方向のバンド幅を設定する。
【００４２】
レーザー測長系制御装置４０は、露光位置における基板１の露光を開始する前のチャック１０のＸＹ方向の位置を検出する。中心点座標決定部７４は、レーザー測長系制御装置４０が検出したチャック１０のＸＹ方向の位置から、基板１の露光を開始する前のチャック１０の中心点のＸＹ座標を決定する。図１において、光ビーム照射装置２０からの光ビームにより基板１の走査を行う際、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、Ｘステージ５によりチャック１０をＸ方向へ移動させる。基板１の走査領域を移動する際、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、Ｙステージ７によりチャック１０をＹ方向へ移動させる。図７において、中心点座標決定部７４は、エンコーダ３２，３４からのパルス信号をカウントして、Ｘステージ５のＸ方向への移動量及びＹステージ７のＹ方向への移動量を検出し、チャック１０の中心点のＸＹ座標を決定する。
【００４３】
座標決定部７５は、中心点座標決定部７４が決定したチャック１０の中心点のＸＹ座標に基づき、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データのＸＹ座標を決定する。メモリ７２は、座標決定部７５が決定したＸＹ座標をアドレスとして入力し、入力したＸＹ座標のアドレスに記憶された描画データを出力する。
【００４４】
以下、本発明の一実施の形態による露光方法について説明する。図７において、収縮指定メモリ７６ａには、光ビーム照射装置２０の照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を収縮する位置を指定するデータが記憶されている。図８（ａ）は光ビームの強度分布のばらつきの一例を示す図、図８（ｂ）は収縮指定メモリに記憶されたデータの一例を示す図である。図８（ａ）は、照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品から基板１へ照射される光ビームの全照射領域２６ａ内における、投影レンズ２６等の光学部品の歪みによる光ビームの強度分布のばらつきを灰色の濃淡で示しており、灰色の濃い部分が光ビームの強度分布のばらつきが大きいことを表している。
【００４５】
図８（ｂ）は、収縮指定メモリ７６ａに記憶されたデータを、図８（ａ）に示した光ビームの全照射領域２６ａの座標に対応させて二次元的に配置したものであり、破線で囲まれた四角は、光ビームの全照射領域２６ａを複数の領域に分割した各領域を示している。そして、「０」のデータは、その位置で光ビームが照射される領域を収縮しないことを示し、「１」のデータは、その位置で光ビームが照射される領域を収縮することを示している。図８（ｂ）に示した例では、図８（ａ）に示した光ビームの全照射領域２６ａの内、投影レンズ２６等の光学部品の歪みによる光ビームの強度分布のばらつきが大きい周辺部付近に、「１」のデータが多く配置されている。
【００４６】
図７において、拡張指定メモリ７６ｂには、照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を拡張する位置を指定するデータが記憶されている。図９（ａ）は光ビームの強度分布のばらつきの他の例を示す図、図９（ｂ）は拡張指定メモリに記憶されたデータの一例を示す図である。図９（ａ）は、照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品から基板１へ照射される光ビームの全照射領域２６ａ内における、投影レンズ２６等の光学部品の歪みによる光ビームの強度分布のばらつきを灰色の濃淡で示しており、図８（ａ）とは逆に、灰色の濃い部分が光ビームの強度分布のばらつきが小さいことを表している。
【００４７】
図９（ｂ）は、拡張指定メモリ７６ｂに記憶されたデータを、図９（ａ）に示した光ビームの全照射領域２６ａの座標に対応させて二次元的に配置したものであり、破線で囲まれた四角は、光ビームの全照射領域２６ａを複数の領域に分割した各領域を示している。そして、「０」のデータは、その位置で光ビームが照射される領域を拡張しないことを示し、「１」のデータは、その位置で光ビームが照射される領域を拡張することを示している。図９（ｂ）に示した例では、図９（ａ）に示した光ビームの全照射領域２６ａの内、投影レンズ２６等の光学部品の歪みによる光ビームの強度分布のばらつきが小さい中央部付近に、「１」のデータが多く配置されている。
【００４８】
図７において、変換回路７７ａは、収縮指定メモリ７６ａに記憶されたデータに従って、メモリ７２から出力された描画データを変換する。図１０は、変換回路７７ａの動作を説明する図である。図１０において、メモリ７２内に示した「０」の数字は、図８（ｂ）の破線で囲まれた各領域について、描画データがその領域にパターンを描画しないものであることを示し、「１」の数字は、図８（ｂ）の破線で囲まれた各領域について、描画データがその領域にパターンを描画するものであることを示している。
【００４９】
変換回路７７ａは、図８（ｂ）の破線で囲まれた各領域について、収縮指定メモリ７６ａに記憶されたデータで指定された場合に、その領域の描画データと、光ビーム照射装置２０の照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品から照射される光ビームの周辺部側に隣接する領域の描画データとの積を取るＡＮＤ回路を備えている。各ＡＮＤ回路は、図８（ｂ）の破線で囲まれた各領域の内、収縮指定メモリ７６ａに記憶されたデータで指定されなかった位置（「０」のデータが配置された領域）では、メモリ７２から出力された描画データをそのまま選択回路７８へ供給し、収縮指定メモリ７６ａに記憶されたデータで指定された位置（「１」のデータが配置された領域）では、その領域の描画データと光ビームの周辺部側に隣接する領域の描画データとの積を取って選択回路７８へ供給する。
【００５０】
従って、変換回路７７ａは、収縮指定メモリ７６ａに記憶されたデータで指定された位置（「１」のデータが配置された領域）において、その領域の描画データと光ビームの周辺部側に隣接する領域の描画データが、共にその領域にパターンを描画するもの（「１」）である場合、及び共にパターンを描画しないもの（「０」）である場合に、メモリ７２から出力された描画データをそのままを選択回路７８へ供給し、光ビームの周辺部側に隣接する領域の描画データがパターンを描画しないもの（「０」）であるときは、指定された位置の描画データがパターンを描画するもの（「１」）であっても、光ビームの周辺部側に隣接する領域の描画データと同じパターンを描画しないもの（「０」）に書き換える。図１０に示した例では、変換回路７７ａの左から三番目に示したＡＮＤ回路が、この動作を行っている。
【００５１】
収縮指定メモリ７６ａに記憶されたデータで指定された位置の描画データを、光ビーム照射装置２０の照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品から照射される光ビームの周辺部側に隣接する位置の描画データを参照して書き換えるので、光ビームの周辺部側に隣接する位置の描画データがパターンを描画しないものであるとき、指定された位置の描画データは、パターンを描画するものであっても、パターンを描画しないものに書き換えられ、これにより光ビームが照射される領域を収縮する描画データの補正が容易に行われる。
【００５２】
図７において、変換回路７７ｂは、拡張指定メモリ７６ｂに記憶されたデータに従って、メモリ７２から出力された描画データを変換する。図１１は、変換回路７７ｂの動作を説明する図である。図１１において、メモリ７２内に示した「０」の数字は、図９（ｂ）の破線で囲まれた各領域について、描画データがその領域にパターンを描画しないものであることを示し、「１」の数字は、図９（ｂ）の破線で囲まれた各領域について、描画データがその領域にパターンを描画するものであることを示している。
【００５３】
変換回路７７ｂは、図９（ｂ）の破線で囲まれた各領域について、拡張指定メモリ７６ｂに記憶されたデータで指定された場合に、その領域の描画データと、光ビーム照射装置２０の照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品から照射される光ビームの中央部側に隣接する領域の描画データとの和を取るＯＲ回路を備えている。各ＯＲ回路は、図９（ｂ）の破線で囲まれた各領域の内、拡張指定メモリ７６ｂに記憶されたデータで指定されなかった位置（「０」のデータが配置された領域）では、メモリ７２から出力された描画データをそのまま選択回路７８へ供給し、拡張指定メモリ７６ｂに記憶されたデータで指定された位置（「１」のデータが配置された領域）では、その領域の描画データと光ビームの中央部側に隣接する領域の描画データとの和を取って選択回路７８へ供給する。
【００５４】
従って、変換回路７７ｂは、拡張指定メモリ７６ｂに記憶されたデータで指定された位置（「１」のデータが配置された領域）において、その領域の描画データが、その領域にパターンを描画するもの（「１」）である場合、及びその領域の描画データと光ビームの中央部側に隣接する領域の描画データが、共にその領域にパターンを描画しないもの（「０」）である場合に、メモリ７２から出力された描画データをそのままを選択回路７８へ供給し、光ビームの中央部側に隣接する領域の描画データがパターンを描画するもの（「１」）であるときは、指定された位置の描画データがパターンを描画しないもの（「０」）であっても、光ビームの中央部側に隣接する領域の描画データと同じパターンを描画するもの（「１」）に書き換える。図１１に示した例では、変換回路７７ｂの左から三番目に示したＯＲ回路が、この動作を行っている。
【００５５】
拡張指定メモリ７６ｂに記憶されたデータで指定された位置の描画データを、光ビーム照射装置２０の照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品から照射される光ビームの中央部側に隣接する位置の描画データを参照して書き換えるので、光ビームの中央部側に隣接する位置の描画データがパターンを描画するものであるとき、指定された位置の描画データは、パターンを描画しないものであっても、パターンを描画するものに書き換えられ、これにより光ビームが照射される領域を拡張する描画データの補正が容易に行われる。
【００５６】
図７において、選択回路７８は、収縮指定メモリ７６ａに記憶されたデータ及び拡張指定メモリ７６ｂに記憶されたデータに基づき、収縮指定メモリ７６ａに記憶されたデータで指定された位置では、変換回路７７ａにより変換された描画データを選択し、拡張指定メモリ７６ｂに記憶されたデータで指定された位置では、変換回路７７ｂにより変換された描画データを選択し、それら以外の位置では、メモリ７２から出力された変換前の描画データを選択して、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する。
【００５７】
光ビーム照射装置２０の照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を収縮する位置を指定するデータを収縮指定メモリ７６ａに記憶し、照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を拡張する位置を指定するデータを拡張指定メモリ７６ｂに記憶し、収縮指定メモリ７６ａに記憶したデータに従って描画データを変換し、拡張指定メモリ７６ｂに記憶したデータに従って描画データを変換し、収縮指定メモリ７６ａに記憶したデータに従って変換した描画データ、拡張指定メモリ７６ｂに記憶したデータに従って変換した描画データ、または変換前の描画データのいずれかを選択して、描画データを補正するので、照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品の歪みに応じて、描画データが容易に補正される。
【００５８】
図１２（ａ）は本発明を用いない場合に描画されるパターンの一例を示す図、図１２（ｂ）は本発明を用いない場合の光ビームの光量を示す図、図１２（ｃ）は本発明により描画データを補正した場合の光ビームの光量を示す図である。図１２（ａ）では、パターン２の輪郭が実線で示されている。本発明を用いない場合、パターン２は、本来、破線で示す四角形であるものが、光ビーム照射装置２０の照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品の歪みにより、光ビームに歪みが生じた結果、図１２（ａ）に示す変形した図形となっている。
【００５９】
図１２（ｂ）は、本発明を用いない場合に、図１２（ａ）の符号Ａ，Ｂ，Ｃを付した各点を描画するときの光ビームの光量を示している。図１２（ａ）のＡ点付近では、光ビームの歪みが比較的小さく、光ビームの光量は、図１２（ｂ）に示す様に、急峻で左右対称なものとなっている。一方、図１２（ａ）のＢ点及びＣ点付近では、光ビームの歪みが大きく、光ビームの光量は、図１２（ｂ）に示す様に、外側にずれて横に広がったものとなっている。
【００６０】
図１２（ｃ）は、本発明により描画データを補正した場合に、各点を描画するときの光ビームの光量を示している。本発明では、光ビーム照射装置２０の照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域が収縮又は拡張する様に描画データを補正することにより、図１２（ａ）のＡ点付近では、図１２（ｂ）に示す光ビームの光量が矢印で示す外側方向へ拡張され、図１２（ａ）のＢ点及びＣ点付近では、図１２（ｂ）に示す光ビームの光量が矢印で示す内側方向へ収縮される。その結果、図１２（ｃ）に示す様に、各点の光量がほぼ均一になる。
【００６１】
光ビーム照射装置２０の照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域が収縮又は拡張する様に描画データを補正して、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給するので、光ビームが照射される領域の収縮又は拡張により基板へ照射される光ビームの光量が均一化され、照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品の歪みによる露光量のばらつきが補正されて、描画精度が向上する。
【００６２】
図１３〜図１６は、光ビームによる基板の走査を説明する図である。図１３〜図１６は、８つの光ビーム照射装置２０からの８本の光ビームにより、基板１のＸ方向の走査を４回行って、基板１全体を走査する例を示している。図１３〜図１６においては、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａが破線で示されている。各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームは、Ｙ方向にバンド幅Ｗを有し、Ｘステージ５のＸ方向への移動によって、基板１を矢印で示す方向へ走査する。
【００６３】
図１３は、１回目の走査を示し、Ｘ方向への１回目の走査により、図１３に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。１回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１４は、２回目の走査を示し、Ｘ方向への２回目の走査により、図１４に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。２回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１５は、３回目の走査を示し、Ｘ方向への３回目の走査により、図１５に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。３回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１６は、４回目の走査を示し、Ｘ方向への４回目の走査により、図１６に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われ、基板１全体の走査が終了する。
【００６４】
複数の光ビーム照射装置２０からの複数の光ビームにより基板１の走査を並行して行うことにより、基板１全体の走査に掛かる時間を短くすることができ、タクトタイムを短縮することができる。
【００６５】
なお、図１３〜図１６では、基板１のＸ方向の走査を４回行って、基板１全体を走査する例を示したが、走査の回数はこれに限らず、基板１のＸ方向の走査を３回以下又は５回以上行って、基板１全体を走査してもよい。
【００６６】
以上説明した実施の形態によれば、光ビーム照射装置２０の照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域が収縮又は拡張する様に描画データを補正して、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給することにより、照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品の歪みによる露光量のばらつきを補正して、描画精度を向上させることができる。
【００６７】
さらに、光ビーム照射装置２０の照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を収縮する位置を指定するデータを収縮指定メモリ７６ａに記憶し、照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品の歪みに応じて、光ビームが照射される領域を拡張する位置を指定するデータを拡張指定メモリ７６ｂに記憶し、収縮指定メモリ７６ａに記憶したデータに従って描画データを変換し、拡張指定メモリ７６ｂに記憶したデータに従って描画データを変換し、収縮指定メモリ７６ａに記憶したデータに従って変換した描画データ、拡張指定メモリ７６ｂに記憶したデータに従って変換した描画データ、または変換前の描画データのいずれかを選択して、描画データを補正することにより、照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品の歪みに応じて、描画データを容易に補正することができる。
【００６８】
さらに、収縮指定メモリ７６ａに記憶されたデータで指定された位置の描画データを、光ビーム照射装置２０の照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品から照射される光ビームの周辺部側に隣接する位置の描画データを参照して書き換えることにより、光ビームが照射される領域を収縮する描画データの補正を容易に行うことができ、拡張指定メモリ７６ｂに記憶されたデータで指定された位置の描画データを、光ビーム照射装置２０の照射光学系に含まれる投影レンズ２６等の光学部品から照射される光ビームの中央部側に隣接する位置の描画データを参照して書き換えることにより、光ビームが照射される領域を拡張する描画データの補正を容易に行うことができる。
【００６９】
本発明の露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うことにより、光ビーム照射装置の照射光学系に含まれる光学部品の歪みによる露光量のばらつきを補正して、描画精度を向上させることができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。
【００７０】
例えば、図１７は、液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程（ステップ１０１）では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程（ステップ１０２）では、ロール塗布法等によりフォトレジストを塗布して、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程（ステップ１０３）では、露光装置を用いて、フォトレジスト膜にパターンを形成する。現像工程（ステップ１０４）では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程（ステップ１０５）では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程（ステップ１０６）では、エッチング工程（ステップ１０５）でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にＴＦＴアレイが形成される。
【００７１】
また、図１８は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程（ステップ２０２）では、染色法や顔料分散法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程（ステップ２０３）では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程（ステップ２０４）では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。
【００７２】
図１７に示したＴＦＴ基板の製造工程では、露光工程（ステップ１０３）において、図１８に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）及び着色パターン形成工程（ステップ２０２）の露光処理において、本発明の露光装置又は露光方法を適用することができる。
【符号の説明】
【００７３】
１  基板
３  ベース
４  Ｘガイド
５  Ｘステージ
６  Ｙガイド
７  Ｙステージ
８  θステージ
１０  チャック
１１  ゲート
２０  光ビーム照射装置
２０ａ  ヘッド部
２１  レーザー光源ユニット
２２  光ファイバー
２３  レンズ
２４  ミラー
２５  ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）
２６  投影レンズ
２７  ＤＭＤ駆動回路
３１，３３  リニアスケール
３２，３４  エンコーダ
４０  レーザー測長系制御装置
４１  レーザー光源
４２，４４  レーザー干渉計
４３，４５  バーミラー
６０  ステージ駆動回路
７０  主制御装置
７１  描画制御部
７２  メモリ
７３  バンド幅設定部
７４  中心点座標決定部
７５  座標決定部
７６ａ  収縮指定メモリ
７６ｂ  拡張指定メモリ
７７ａ，７７ｂ  変換回路
７８  選択回路
【図１】
2012088464.tif 000003
【図２】
2012088464.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2012088464.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2012088464.tif 000016
【図１５】
2012088464.tif 000017
【図１６】
2012088464.tif 000018
【図１７】
2012088464.tif 000019
【図１８】
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