(57)【要約】【課題】接着強度に関らず、温度変化による反りを抑制可能な放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供する。【解決手段】入射する放射線Ｘを光に変換するシンチレータ層３６と、面上にシンチレータ層３６が設けられ、シンチレータ層３６から放出された光を電荷に変換する光検出基板３０と、熱膨張率が互いに異なる二枚の金属板を接合して構成され、光検出基板３０側又はシンチレータ層３６側に設けられ、設けられた場所の熱膨張率と近い一方の金属板が内側に配置され、他方の金属板が外側に配置されて、光検出基板３０の反りを抑制するバイメタル６０と、を備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射する放射線を光に変換するシンチレータ層と、
面上に前記シンチレータ層が設けられ、前記シンチレータ層から放出された光を電荷に変換する光検出基板と、
熱膨張率が互いに異なる二枚の金属板を接合して構成され、前記光検出基板側又は前記シンチレータ層側に設けられ、設けられた場所の熱膨張率と近い一方の金属板が内側に配置され、他方の金属板が外側に配置されて、前記光検出基板の反りを抑制するバイメタルと、
を備える放射線検出器。
【請求項２】
前記シンチレータ層側には、前記シンチレータ層の支持体が設けられ、
前記バイメタルは、前記光検出基板又は前記支持体に設けられる、
請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記支持体は、前記光検出基板よりも熱膨張率が高い、
請求項２に記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記シンチレータ層は、複数の柱状結晶体を含んで構成される、
請求項２又は請求項３に記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記バイメタルは、前記光検出基板又は前記支持体のうち熱膨張率が高い側に設けられる、
請求項２〜請求項４の何れか１項に記載の放射線検出器。
【請求項６】
前記バイメタルは前記支持体に設けられ、前記光検出基板が放射線の照射面とされている、
請求項２〜請求項５の何れか１項に記載の放射線検出器。
【請求項７】
前記バイメタルは、前記光検出基板側又は前記シンチレータ層側において、熱膨張により反りが発生する部分に設けられている、
請求項１〜請求項６の何れか１項に記載の放射線検出器。
【請求項８】
前記バイメタルは、前記光検出基板側又は前記シンチレータ層側の中心部分に設けられている、
請求項７に記載の放射線検出器。
【請求項９】
前記バイメタルは、前記光検出基板側又は前記シンチレータ層側の破壊強度の低い部分に設けられている、
請求項７又は請求項８に記載の放射線検出器。
【請求項１０】
前記バイメタルは、前記設けられた場所と接着剤で貼り合わされている、
請求項１〜請求項９の何れか１項に記載の放射線検出器。
【請求項１１】
筐体と、
前記筐体に格納され、請求項１〜請求項９の何れか１項に記載の放射線検出器と、を備え、
前記放射線検出器の前記バイメタルは、前記筐体に取り付けられ、前記放射線検出器の他の構成と離間している、
放射線画像撮影装置。
【請求項１２】
請求項１〜請求項１０の何れか１項に記載の放射線検出器と、
前記光検出基板又は前記シンチレータ層の温度を検出する第１温度センサと、
前記バイメタルの温度を検出する第２温度センサと、
前記第１温度センサと前記第２温度センサとの検出温度に基づき、前記放射線検出器が反ると判断した場合に、警告を発する警告手段と、
を備える放射線画像撮影装置。
【請求項１３】
請求項１〜請求項１０の何れか１項に記載の放射線検出器と、
前記光検出基板又は前記シンチレータ層の温度を検出する第１温度センサと、
前記バイメタルの温度を検出する第２温度センサと、
前記第１温度センサと前記第２温度センサとの検出温度に差異があった場合に、前記光検出基板及び前記シンチレータ層の温度と前記バイメタルの温度とを同一とする温度調整機構と、
を備える放射線画像撮影装置。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１０の何れか１項に記載の放射線検出器と、
前記バイメタルに電流を流し、前記バイメタルの反り量を制御するバイメタル制御手段と、
を備える放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出器及び放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、放射線を直接デジタルデータに変換できるＦＰＤ（Flat Panel Detector）等の放射線検出器が実用化されている。この放射線検出器は、従来のイメージングプレートに比べて、即時に画像を確認でき、動画も確認できるといったメリットがある。なお、放射線検出器には、放射線を変換する方式として、放射線をシンチレータで光に変換した後にフォトダイオード等の半導体層で電荷に変換する間接変換方式や、放射線をアモルファスセレン等の半導体層で電荷に変換する直接変換方式等があり、各方式でも半導体層に使用可能な材料が種々存在する。
【０００３】
この放射線検出器を内蔵し、放射線検出器から出力される放射線画像データを記憶する放射線画像撮影装置（以下、電子カセッテともいう）も実用化されている。
【０００４】
この電子カセッテは、可搬性を有するため、ストレッチャーやベッドに載せたまま患者（患者）を撮影することもでき、電子カセッテの位置を変更することにより撮影箇所を調整することができるため、動けない患者に対しても柔軟に対処することができる。
【０００５】
ところで、電子カセッテに内蔵される放射線検出器は、当該放射線検出器を構成するアクティブマトリクス基板と放射線感応層の熱膨張率（係数）、或いはアクティブマトリクス基板と放射線感応層を蒸着するための基板の熱膨張率が互いに異なっていると、電子カセッテ内部の温度変化により熱膨張して面外方向へ反る場合がある。
【０００６】
そこで、特許文献１には、光変換層と、前記光変換層の熱膨張率と相違する熱膨張率を有する基板と、前記光変換層に設けられ、熱膨張による光変換層及び基板の変形を抑制する変形抑制層と、を備えた固体検出器が開示されている。具体的には、基板の熱膨張率が光変換層の熱膨張率より小さい場合には、変形抑制層の熱膨張率を光変換層の熱膨張率より小さくし、逆に基板の熱膨張率が光変換層の熱膨張率より大きい場合には、変形抑制層の熱膨張率を光変換層の熱膨張率より大きくして、熱膨張による光変換層及び基板の変形を抑制している。
【０００７】
また、特許文献２には、光導電層と、前記光導電層より熱膨張率が小さい熱膨張率を有する基板と、前記基板に接着剤により固定され、前記基板の熱膨張率より大きい熱膨張率を有する変形抑制層と、を備えた放射線検出器が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平２００３−２０９２３２号公報
【特許文献２】特開平２００８−２３５６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１の構成では、変形抑制層を光変換層に接着剤等で固定する必要があるが、変形抑制層と光変換層の熱膨張率は相違するので、温度変化があった場合に変形抑制層と光変換層の熱膨張量が相違して、これらを接着固定する接着剤の接着強度によっては接着剤が剥がれて、変形抑制層が機能しなくなる虞がある。
【００１０】
同様に、特許文献２の構成では、変形抑制層を基板に接着剤で固定しているが、変形抑制層と基板の熱膨張率は相違するので、温度変化があった場合に変形抑制層と基板の熱膨張量が相違して、これらを接着固定する接着剤の接着強度によっては接着剤が剥がれて、変形抑制層が機能しなくなる虞がある。
【００１１】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、接着強度に関らず、温度変化による反りを抑制可能な放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１態様に係る放射線検出器は、入射する放射線を光に変換するシンチレータ層と、面上に前記シンチレータ層が設けられ、前記シンチレータ層から放出された光を電荷に変換する光検出基板と、熱膨張率が互いに異なる二枚の金属板を接合して構成され、前記光検出基板側又は前記シンチレータ層側に設けられ、設けられた場所の熱膨張率と近い一方の金属板が内側に配置され、他方の金属板が外側に配置されて、前記光検出基板の反りを抑制するバイメタルと、を備える。
【００１３】
この構成によれば、バイメタルが設けられた場所、すなわち光検出基板又はシンチレータ層の熱膨張率と近い一方の金属板が内側（前記設けられた場所側）に配置されるので、互いに向かい合うこととなる、バイメタルが設けられた場所とバイメタルの一方の金属板との熱膨張量の差を小さくでき、仮にバイメタルが設けられた場所と一方の金属板が接着強度の低い接着剤で貼り合わされていても、温度変化があったときの熱膨張量の差により接着剤が剥がれるということを抑制できる。また、温度変化により発生する光検出基板の反りは、二枚の金属板で構成されたバイメタルにより抑制することができる。
従って、接着強度が低くても反りを抑制できることから、接着強度に関らず、温度変化による反りを抑制可能な放射線検出器を提供することができる。
【００１４】
本発明の第２態様に係る放射線検出器は、前記シンチレータ層側には、前記シンチレータ層の支持体が設けられ、前記バイメタルは、前記光検出基板又は前記支持体に設けられる。
【００１５】
このようにシンチレータ層側に当該シンチレータ層の支持体が設けられていても、バイメタルが光検出基板又は支持体に設けられているため、光検出基板の反りを抑制することが可能となる。
【００１６】
本発明の第３態様に係る放射線検出器は、前記支持体は、前記光検出基板よりも熱膨張率が高い。
【００１７】
この構成によれば、温度変化があったときに支持体の熱膨張量が光検出基板の熱膨張量よりも大きくなり、光検出基板及び支持体の反る可能性が高くなるが、このような場合であっても、バイメタルよって光検出基板及び支持体の反りを確実に抑制することができる。
【００１８】
本発明の第４態様に係る放射線検出器は、前記シンチレータ層は、複数の柱状結晶体を含んで構成される。
【００１９】
このように、シンチレータ層を複数の柱状結晶体を含んで構成することもできる。
【００２０】
本発明の第５態様に係る放射線検出器は、前記バイメタルは、前記光検出基板又は前記支持体のうち熱膨張率が高い側に設けられる。
【００２１】
この構成によれば、反りの原因となっている光検出基板又は支持体にバイメタルが設けられることになるので、確実に放射線検出器の反りを抑制できる。
【００２２】
本発明の第６態様に係る放射線検出器は、前記バイメタルは前記支持体に設けられ、前記光検出基板が放射線の照射面とされている。
【００２３】
この構成によれば、放射線は、光検出基板を透過した後、シンチレータ層に照射される。すなわち、バイメタルを介さずシンチレータ層に照射されることになるので、バイメタルが放射線の邪魔とならず、放射線から得られる画質が劣化することを防止できる。
【００２４】
本発明の第７態様に係る放射線検出器は、前記バイメタルは、前記光検出基板側又は前記シンチレータ層側において、熱膨張により反りが発生する部分に設けられている。
【００２５】
この構成によれば、光検出基板の熱膨張による反りを確実に抑制できる。
【００２６】
本発明の第８態様に係る放射線検出器は、前記バイメタルは、前記光検出基板側又は前記シンチレータ層側の中心部分に設けられている。
【００２７】
この構成によれば、温度変化による反り量が大きい中心部分の反りを確実に抑制できる。
【００２８】
本発明の第９態様に係る放射線検出器は、前記バイメタルは、前記光検出基板側又は前記シンチレータ層側の破壊強度の低い部分に設けられている。
【００２９】
この構成によれば、破壊され易い箇所の反りを確実に抑制して、当該破壊を防止することができる。
【００３０】
本発明の第１０態様に係る放射線検出器は、前記バイメタルは、前記設けられた場所と接着剤で貼り合わされている。
【００３１】
このように、バイメタルが、当該バイメタルの設けられた場所と接着剤で貼り合わせられていても、互いに向かい合うこととなる、バイメタルの設けられた場所とバイメタルの一方の金属板との熱膨張量の差を小さくできるため、熱膨張量の差により接着剤が剥がれる心配がない。
【００３２】
本発明の第１１態様に係る放射線検出器は、筐体と、前記筐体に格納され、上記何れか１つに記載の放射線検出器と、を備え、前記放射線検出器の前記バイメタルは、前記筐体に取り付けられ、前記放射線検出器の他の構成と離間している。
【００３３】
この構成によれば、バイメタルは、筐体に取り付けられているため、温度変化があったときには放射線検出器の他の構成方向に反ることになり、光検出基板、ひいては放射線検出器の反りを抑制できる。即ち、バイメタルが放射線検出器の他の構成と接着剤により貼り合わされていなくても（接着強度が０でも）、温度変化によりバイメタルが光検出基板の反りを抑制するように反ることが可能となる。
また、バイメタルが放射線検出器の他の構成と離間しているので、温度変化によりバイメタルが反って放射線検出器の他の構成に当接した後に、バイメタルの反り力を光検出基板に作用させて光検出基板の反りを抑制することになる。この結果、当該当接前までは光検出基板の反りを容認し、光検出基板にバイメタルの反り力を作用させる頻度を減らし、光検出基板又はシンチレータ層等にクラックが入ったりすることを抑制することができる。
【００３４】
本発明の第１２態様に係る放射線画像撮影装置は、上記何れか１つに記載の放射線検出器と、前記光検出基板又は前記シンチレータ層の温度を検出する第１温度センサと、前記バイメタルの温度を検出する第２温度センサと、前記第１温度センサと前記第２温度センサとの検出温度に基づき、前記放射線検出器が反ると判断した場合に、警告を発する警告手段と、を備える。
【００３５】
この構成によれば、例えば、第１温度センサと第２温度センサとの検出温度が大きく相違、即ち光検出基板又はシンチレータ層とバイメタルの温度が大きく相違していた場合、バイメタルの反り量が光検出基板及びシンチレータ層の反り量を抑制する量未満になったり超えたりして、バイメタルがあったとしても光検出基板及びシンチレータ層、すなわち放射線検出器が反る場合がある。このような場合でも、警告手段が第１温度センサと第２温度センサとの検出温度に基づき、放射線検出器が反ると判断して警告を発することができるので、放射線検出器に反りがあるときに撮影動作を開始させる等の誤動作を防止することができる。
【００３６】
本発明の第１３態様に係る放射線画像撮影装置は、上記何れか１つに記載の放射線検出器と、前記光検出基板又は前記シンチレータ層の温度を検出する第１温度センサと、前記バイメタルの温度を検出する第２温度センサと、前記第１温度センサと前記第２温度センサとの検出温度に差異があった場合に、前記光検出基板及び前記シンチレータ層の温度と前記バイメタルの温度とを同一とする温度調整機構と、を備える。
【００３７】
この構成によれば、光検出基板又はシンチレータ層の温度とバイメタルの温度に差異が生じても、温度調整機構により光検出基板及びシンチレータ層と、バイメタルの温度とが同一とされるので、放射線検出器の反りを確実に抑制することができる。
【００３８】
本発明の第１４態様に係る放射線画像撮影装置は、上記何れか１つに記載の放射線検出器と、前記バイメタルに電流を流し、前記バイメタルの反り量を制御するバイメタル制御手段と、を備える。
【００３９】
この構成によれば、例えば光検出基板の反りに応じて、当該反りが抑制できるように、バイメタルの反り量を適宜制御することができる。
【発明の効果】
【００４０】
本発明によれば、接着強度に関らず、温度変化による反りを抑制可能な放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】放射線画像撮影時における電子カセッテの配置を示す概略図である。
【図２】電子カセッテの内部構造を示す概略斜視図である。
【図３】電子カセッテの回路図を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る電子カセッテの断面構成を示した断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る放射線検出器の断面構成を示した断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る放射線検出器の変形例を示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る放射線検出器の断面構成を示した断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る放射線検出器の変形例を示す図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る放射線検出器の断面構成を示した断面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る放射線検出器の変形例を示す図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る放射線画像撮影装置の一例としての電子カセッテの断面構成を示した断面図であって、（Ａ）は温度変化前の状態を示す図であり、（Ｂ）は温度変化後の状態を示す図である。
【図１２】本発明の第５実施形態に係る放射線画像撮影システムの電気系の要部構成を示す図である。
【図１３】本発明の第５実施形態に係る電子カセッテの断面構成を示した断面図である。
【図１４】電子カセッテのカセッテ制御部におけるＣＰＵにより実行される警告プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。
【図１５】バイメタルの変形例を示す図であり、放射線検出器の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
（第１実施形態）
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る放射線検出器及び放射線画像撮影装置について具体的に説明する。なお、図中、同一又は対応する機能を有する部材（構成要素）には同じ符号を付して適宜説明を省略する。
【００４３】
−放射線画像撮影装置の全体構成−
まず、本発明の第１実施形態に係る放射線画像撮影装置の一例としての電子カセッテの構成を説明する。
【００４４】
本発明の第１実施形態に係る電子カセッテは、可搬性を有し、被写体を透過した放射線源からの放射線を検出し、その検出した放射線により表わされる放射線画像の画像情報を生成し、その生成した画像情報を記憶可能な放射線画像撮影装置であり、具体的には以下に示すように構成されている。なお、電子カセッテは、生成した画像情報を記憶しない構成であっても良い。
【００４５】
図１は、放射線画像撮影時における電子カセッテ１０の配置を示す概略図である。
【００４６】
電子カセッテ１０は、放射線画像の撮影時において、放射線Ｘを発生させる放射線源としての放射線発生部１２と間隔を空けて配置される。このときの放射線発生部１２と電子カセッテ１０との間は、被写体としての患者１４が位置するための撮影位置とされており、放射線画像の撮影が指示されると、放射線発生部１２は予め与えられた撮影条件等に応じた放射線量の放射線Ｘを射出する。放射線発生部１２から射出された放射線Ｘは、撮影位置に位置している患者１４を透過することで画像情報を担持した後に電子カセッテ１０に照射される。
【００４７】
図２は、電子カセッテ１０の内部構造を示す概略斜視図である。
【００４８】
電子カセッテ１０は、放射線Ｘを透過させる材料から成り、所定の厚みを有する平板状の筐体１６を備えている。そして、この筐体１６の内部に、放射線Ｘが照射される筐体１６の照射面１８側から、患者１４を透過した放射線Ｘを検出する放射線検出器２０、及び当該放射線検出器２０を制御する制御基板２２が順に設けられている。
【００４９】
図３は、電子カセッテ１０の回路図を示す図である。
【００５０】
放射線検出器２０は、上部電極と半導体層と下部電極を備え、光を受けて電荷を蓄積するセンサ部２４と、センサ部２４に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチ２６と、を含んで構成される画素２８が２次元状に多数設けられたＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス基板３０（以下、ＴＦＴ基板という）を備えている
【００５１】
また、ＴＦＴ基板３０には、前述したＴＦＴスイッチ２６をＯＮ／ＯＦＦするための複数の走査配線３２と、センサ部２４に蓄積された電荷を読み出すための複数の信号配線３４と、が互いに交差して設けられている。
【００５２】
本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０では、ＴＦＴ基板３０の表面にシンチレータ層３６が貼り付けられている。
【００５３】
シンチレータ層３６は、照射されたＸ線、γ線などの放射線Ｘを光に変換する。センサ部２４は、シンチレータ層３６から照射された光を受けて電荷を蓄積する。
【００５４】
そして、各信号配線３４には、信号配線３４に接続された何れかのＴＦＴスイッチ２６がＯＮされることによりセンサ部２４に蓄積された電荷量に応じて放射線画像を示す電気信号（画像信号）が流れるようになっている。
【００５５】
また、放射線検出器２０の信号配線３４方向の一端側には、結線用のコネクタ３８が複数個並んで設けられ、走査配線３２方向の一端側には、コネクタ４０が複数個並んで設けられている。そして、各信号配線３４はコネクタ３８に接続され、各走査配線３２はコネクタ４０に接続されている。
【００５６】
これらコネクタ３８には、フレキシブルケーブル４２の一端が電気的に接続されている。また、コネクタ４０には、フレキシブルケーブル４４の一端が電気的に接続されている。
そして、これらフレキシブルケーブル４２及びフレキシブルケーブル４４は、制御基板２２に結合されている。
【００５７】
この制御基板２２には、放射線検出器２０による撮影動作の制御、及び各信号配線３４に流れる電気信号に対する信号処理の制御を行う制御部４６が設けられ、制御部４６は、信号検出回路４８と、スキャン信号制御回路５０と、を備えている。
【００５８】
信号検出回路４８には、複数個のコネクタ５２が設けられており、これらのコネクタ５２に、上述したフレキシブルケーブル４２の他端が電気的に接続されている。信号検出回路４８は、信号配線３４毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路を内蔵している。この構成により、信号検出回路４８は、各信号配線３４より入力される電気信号を増幅回路により増幅して検出することで、画像を構成する各画素２８の情報として、各センサ部２４に蓄積された電荷量を検出する。
【００５９】
一方、スキャン信号制御回路５０には、複数個のコネクタ５４が設けられており、これらのコネクタ５４に、上述したフレキシブルケーブル４４の他端が電気的に接続されており、スキャン信号制御回路５０が各走査配線３２にＴＦＴスイッチ２６をＯＮ／ＯＦＦするための制御信号を出力可能とされている。
【００６０】
このような構成において放射線画像の撮影を行う場合、放射線検出器２０には患者１４を透過した放射線Ｘが照射される。照射された放射線Ｘはシンチレータ層３６で光に変換され、センサ部２４に照射される。センサ部２４は、シンチレータ層３６から照射された光を受けて電荷を蓄積する。
【００６１】
画像読出時には、スキャン信号制御回路５０から放射線検出器２０のＴＦＴスイッチ２６のゲート電極に走査配線３２を介して順次ＯＮ信号（＋１０〜２０Ｖ）が印加される。これにより、放射線検出器２０のＴＦＴスイッチ２６が順次ＯＮされることによりセンサ部２４に蓄積された電荷量に応じた電気信号が信号配線３４に流れ出す。信号検出回路４８は、放射線検出器２０の信号配線３４に流れ出した電気信号に基づいて各センサ部２４に蓄積された電荷量を、画像を構成する各画素２８の情報として検出する。これにより、放射線検出器２０に照射された放射線により示される画像を示す画像情報を得る。
【００６２】
−電子カセッテ１０の構成−
次に、本発明の第１実施形態に係る電子カセッテ１０の構成についてより具体的に説明する。図４は、本発明の第１実施形態に係る電子カセッテ１０の断面構成を示した断面図である。
【００６３】
同図に示すように、電子カセッテ１０は、その筐体１６内部に、放射線Ｘが照射される照射面１８の逆側から順に、上述の制御基板２２と、基台５６と、本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０と、を内蔵している。
【００６４】
基台５６は、筐体１６内部の底面上に、支持脚５８を介して載置されている。そして、この基台５６の下面に制御基板２２が固定されている。この制御基板２２には、上述のフレキシブルケーブル４２及びフレキシブルケーブル４４を介して、放射線検出器２０が連結されている。
なお、以下、実施形態で「上」とは、制御基板２２側から放射線検出器２０側の方向であり、「下」とは放射線検出器２０側から制御基板２２側の方向を指すものとする。
【００６５】
本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０は、矩形平板状とされ、上述のように患者１４を透過した放射線Ｘにより現される放射線画像を検出するものであり、ＴＦＴ基板３０と、シンチレータ層３６と、バイメタル６０と、から構成されている。
【００６６】
ＴＦＴ基板３０は、基台５６上に後述するバイメタル６０を介して載置されており、上述のＴＦＴスイッチ２６とセンサ部２４とが不図示の基板上に形成されて構成されたものである。
【００６７】
ＴＦＴ基板３０の基板材料は、本第１実施形態においては、シンチレータ層３６よりも熱膨張率が高いものであれば特に限定されない。この基板材料としては、基板として一般的に用いられるもの全てを用いることができるが、例えばＹＳＺ（ジルコニア安定化イットリウム）、ガラス等の無機材料の他、飽和ポリエステル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート(ＰＥＴ)系樹脂、ポリエチレンナフタレート(ＰＥＮ)系樹脂、ポリブチレンテレフタレート系樹脂、ポリスチレン、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、架橋フマル酸ジエステル系樹脂、ポリカーボネート(ＰＣ)系樹脂、ポリエーテルスルフォン(ＰＥＳ)樹脂、ポリスルフォン(ＰＳＦ，ＰＳＵ)樹脂、ポリアリレート(ＰＡＲ)樹脂、アリルジグリコールカーボネート、環状ポリオレフィン(ＣＯＰ，ＣＯＣ)樹脂、セルロース系樹脂、ポリイミド(ＰＩ)樹脂、ポリアミドイミド(ＰＡＩ)樹脂、マレイミド−オレフィン樹脂、ポリアミド(Ｐａ)樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂フィルム、ポリベンズアゾール系樹脂、エピスルフィド化合物、液晶ポリマー(ＬＣＰ)、シアネート系樹脂、芳香族エーテル系樹脂などの有機材料などが挙げられる。その他にも酸化ケイ素粒子との複合プラスチック材料、金属ナノ粒子・無機酸化物ナノ粒子・無機窒化物ナノ粒子などとの複合プラスチック材料、金属系・無機系のナノファイバー及び／又はマイクロファイバーとの複合プラスチック材料、カーボン繊維、カーボンナノチューブとの複合プラスチック材料、ガラスフェレーク・ガラスファイバー・ガラスビーズとの複合プラスチック材料、粘土鉱物や雲母派生結晶構造を有する粒子との複合プラスチック材料、薄いガラスと上記単独有機材料との間に少なくとも１回の接合界面を有する積層プラスチック材料や無機層（例えばＳｉＯ２, Ａｌ２Ｏ３, ＳｉＯｘＮｙ）と上述した材料からなる有機層を交互に積層することで、少なくとも１回以上の接合界面を有するバリア性能を有する複合材料、ステンレス、あるいはステンレスと異種金属を積層した金属積層材料、アルミニウム基板、あるいは表面に酸化処理（例えば、陽極酸化処理）を施すことで表面の絶縁性を向上してある酸化被膜付きのアルミニウム基板を使用することもできる。前記有機材料の場合、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、又は低吸湿性等に優れていることが好ましい。
【００６８】
また、ＴＦＴ基板３０の基板材料としては、バイオナノファイバも用いることができる。バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束（バクテリアセルロース）と透明樹脂とを複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅５０ｎｍと可視光波長に対して１／１０のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を６０−７０％も含有しながら、波長５００nmで約９０％の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（３−７ｐｐｍ）を有し、鋼鉄並の強度(４６０ＭＰa)、高弾性(３０ＧＰａ)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄くＴＦＴ基板３０を形成できる。
また、無色透明のアラミドフィルムを用いることもできる。このアラミドフィルムは、３１５℃までの耐熱性があり、ガラス基板と熱膨張率が近いために製造後の反りが少なく、かつ割れにくいという有利な特徴を持つ。
【００６９】
このＴＦＴ基板３０の上面には、上述のシンチレータ層３６が貼り付けられている。
シンチレータ層３６の材料は、本第１実施形態においては、ＴＦＴ基板３０よりも熱膨張率が低いものであれば、特に限定されない。このシンチレータ層３６の材料としては、シンチレータとして一般的に用いられるもの全てを用いることができるが、例えば、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等が挙げられる。
【００７０】
このシンチレータ層３６の上面側には、隙間を介して筐体１６の照射面１８が配置されており、この照射面１８から、放射線Ｘが表面照射される。すなわち、放射線検出器２０のシンチレータ層３６が堆積された表側から照射されることになり、放射線検出器２０単体でみると、シンチレータ層３６の上端面３６Ａが放射線Ｘの照射面となる。
【００７１】
ここで、ＴＦＴ基板３０とシンチレータ層３６の熱膨張率は相違しているため、温度変化によってＴＦＴ基板３０及びシンチレータ層３６が反る虞がある。
【００７２】
そこで、本発明の第１実施形態では、ＴＦＴ基板３０及びシンチレータ層３６の反りを抑制するバイメタル６０をＴＦＴ基板３０に設けている。以下、図５を用いて、具体的に説明する。
【００７３】
−放射線検出器２０の断面構成−
図５は、本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０の断面構成を示した断面図である。
同図に示すように、シンチレータ層３６が堆積されていない側のＴＦＴ基板３０には、接着剤６２を介してバイメタル６０が貼り合わされている。
【００７４】
バイメタル６０の大きさは、特に限定されないが、例えばバイメタル６０の面内方向の長さは、ＴＦＴ基板３０の面内方向の長さと同一である。
バイメタル６０は、熱膨張率が相違する二枚の金属板を接合して構成されている。そして、これら二枚の金属板のうち熱膨張率が高い一方の金属板が、放射線検出器２０の面外方向Ｚの内側に配置、即ちＴＦＴ基板３０側に配置され、ＴＦＴ基板３０と貼り合わされている。また、他方の金属板が、放射線検出器２０の面外方向Ｚの外側に配置されている。以下、バイメタル６０の二枚の金属板のうち、ＴＦＴ基板３０に貼り合わせる側の一方の金属板を、高熱膨張板６０Ａと称し、他方の金属板を低熱膨張板６０Ｂと称す場合がある。
【００７５】
このように、二枚の金属板６０Ａ,６０Ｂのうち高熱膨張板６０Ａを、シンチレータ層３６よりも高い熱膨張率を有するＴＦＴ基板３０に貼り合わせる、即ち、熱膨張率が高いもの同士を貼り合せることで、ＴＦＴ基板３０の熱膨張率と近い金属板６０Ａが、ＴＦＴ基板３０側に配置されるようにしている。
【００７６】
−作用−
以上、本発明の第１実施形態の放射線検出器２０によれば、バイメタル６０の二枚の金属板６０Ａ,６０Ｂのうち、シンチレータ層３６の熱膨張率と近い高熱膨張板６０Ａが、ＴＦＴ基板３０側に配置されているので、ＴＦＴ基板３０とＴＦＴ基板３０側に配置された高熱膨張板６０Ａとの熱膨張量の差を小さくでき、仮にＴＦＴ基板３０と高熱膨張板６０Ａが接着強度の低い接着剤６２で貼り合わされていても、温度変化があったときの熱膨張量の差により接着剤６２が剥がれるということを抑制できる。
【００７７】
ここで、シンチレータ層３６の熱膨張率よりもＴＦＴ基板３０の熱膨張率が高いため、温度変化があったときに、放射線検出器２０の面外方向Ｚの二方向のうち一方に、シンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０が反る虞がある。しかしながら、本発明の第１実施形態の放射線検出器２０によれば、バイメタル６０の二枚の金属板６０Ａ,６０Ｂのうち、高熱膨張板６０Ａを放射線検出器２０の面外方向Ｚの内側に配置し、低熱膨張板６０Ｂを放射線検出器２０の面外方向Ｚの外側に配置しているため、シンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０の反り方向とは逆方向に反り力が発生する。そして、この逆方向の反り力は、シンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０に作用し、シンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０の反り抑制することができる。
以上より、接着剤６２の接着強度が低くてもシンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０の反りを抑制できることから、接着強度に関らず、温度変化による反りを抑制可能な放射線検出器２０を提供することができる。
【００７８】
また、放射線検出器２０では、シンチレータ層３６の上端面３６Ａが放射線Ｘの照射面となることから、放射線検出器２０に放射線Ｘが照射されても、放射線Ｘはバイメタル６０を通過する前にシンチレータ層３６に当たることになる。従って、バイメタル６０が放射線Ｘの照射の邪魔とならず、放射線Ｘから得られる画質が劣化することを防止できる。
【００７９】
−変形例−
次に、本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０の変形例について説明する。
【００８０】
本第１実施形態の放射線検出器２０では、シンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０の反りを抑制するために、シンチレータ層３６とＴＦＴ基板３０のうち、ＴＦＴ基板３０側にバイメタル６０を設ける場合を説明したが、図６に示すように、変形例の放射線検出器２０Ａでは、シンチレータ層３６側にバイメタル７０を設けるようにしてもよい。なお、バイメタル７０は、上記バイメタル６０と同様の構成であり、高熱膨張板７０Ａと低熱膨張板７０Ｂの二枚の金属板を接合して構成されている。
ただし、この場合には、シンチレータ層３６がＴＦＴ基板３０よりも低い熱膨張率を有しているので、バイメタル７０の二枚の金属板７０Ａ,７０Ｂのうち、低熱膨張板７０Ｂをシンチレータ層３６に貼り合せる、即ち、熱膨張率が低いもの同士を貼り合せることで、シンチレータ層３６の熱膨張率と近い金属板７０Ｂが、シンチレータ層３６側に配置されるようにしている。
【００８１】
このような変形例によれば、第１実施形態と同様に、シンチレータ層３６の熱膨張率と近い低熱膨張板７０Ｂが、シンチレータ層３６側に配置されているので、シンチレータ層３６とシンチレータ層３６側に配置された低熱膨張板７０Ｂとの熱膨張量の差を小さくでき、仮にシンチレータ層３６と低熱膨張板７０Ｂが接着強度の低い接着剤６２で貼り合わされていても、温度変化があったときの熱膨張量の差により接着剤６２が剥がれるということを抑制できる。また、温度変化により発生するシンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０の反りは、二枚の金属板７０Ａ,７０Ｂで構成されたバイメタル７０により抑制することができる。
【００８２】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る放射線検出器について説明する。
【００８３】
−放射線検出器の構成−
図７は、本発明の第２実施形態に係る放射線検出器１００の断面構成を示した断面図である。
同図に示すように、本発明の第２実施形態に係る放射線検出器１００の構成は、第１実施形態で説明した図５に示す構成と同様であるが、各構成の熱膨張率の関係が異なる。
【００８４】
具体的には、第１実施形態では、ＴＦＴ基板３０が、シンチレータ層３６よりも高い熱膨張率を有しているのに対し、第２実施形態では、ＴＦＴ基板１０２が、シンチレータ層１０４よりも低い熱膨張率を有している。また、第１実施形態では、バイメタル６０の二枚の金属板６０Ａ,６０Ｂのうち、高熱膨張板６０ＡがＴＦＴ基板３０と貼り合わされているのに対し、第２実施形態では、バイメタル１０６の二枚の金属板１０６Ａ, １０６Ｂのうち、低熱膨張板１０６ＢがＴＦＴ基板１０２と貼り合わされている。
【００８５】
このように、バイメタル１０６の二枚の金属板１０６Ａ, １０６Ｂのうち低熱膨張板１０６Ｂを、シンチレータ層１０４よりも低い熱膨張率を有するＴＦＴ基板１０２に貼り合わせる、即ち、熱膨張率が低いもの同士を貼り合せることで、ＴＦＴ基板３０の熱膨張率と近い金属板１０６Ｂが、ＴＦＴ基板１０２側に配置されるようにしている。
【００８６】
−作用−
以上、本発明の第２実施形態に係る放射線検出器１００によれば、ＴＦＴ基板１０２にバイメタル１０６を設け、かつバイメタル１０６の二枚の金属板１０６Ａ,１０６Ｂのうち、ＴＦＴ基板１０２の熱膨張率と近い金属板１０６Ｂが、ＴＦＴ基板１０２側に配置されているため、第１実施形態と同様に、接着剤６２の接着強度に関らず、温度変化による反りを抑制可能となる。
【００８７】
−変形例−
次に、本発明の第２実施形態に係る放射線検出器１００の変形例について説明する。
【００８８】
本第２実施形態の放射線検出器１００では、シンチレータ層１０４及びＴＦＴ基板１０２の反りを抑制するために、シンチレータ層１０４とＴＦＴ基板１０２のうち、ＴＦＴ基板１０２側にバイメタル１０６を設ける場合を説明したが、図８に示すように、変形例の放射線検出器１００Ａでは、シンチレータ層１０４側にバイメタル１１０を設けるようにしてもよい。なお、バイメタル１１０は、上記バイメタル１０６と同様の構成であり、高熱膨張板１１０Ａと低熱膨張板１１０Ｂの二枚の金属板を接合して構成されている。
ただし、この場合には、シンチレータ層１０４がＴＦＴ基板３０よりも高い熱膨張率を有しているので、バイメタル１１０の二枚の金属板１１０Ａ, １１０Ｂのうち、高熱膨張板１１０Ａをシンチレータ層１０４に貼り合せる、即ち、熱膨張率が高いもの同士を貼り合せることで、シンチレータ層１０４の熱膨張率と近い金属板１１０Ａが、シンチレータ層１０４側に配置されるようにしている。
【００８９】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る放射線検出器について説明する。
【００９０】
−放射線検出器の構成−
図９は、本発明の第３実施形態に係る放射線検出器２００の断面構成を示した断面図である。
同図に示すように、本発明の第３実施形態に係る放射線検出器２００の構成は、第１実施形態で説明した図５に示す構成と同様の構成を備え、さらに蒸着用基板２０２が追加されている。
【００９１】
具体的には、第１実施形態の放射線検出器２０では、ＴＦＴ基板３０が、シンチレータ層３６よりも高い熱膨張率を有しているのに対し、第３実施形態の放射線検出器２００では、シンチレータ層２０４がＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウム賦活ヨウ化セシウム）、ＺｎＳ：Ｃｕ又はＣｓＢｒ等からなる柱状構造とされており、柱状結晶体同士の間に不図示の隙間が形成されている。そして、この隙間があることから、温度変化によるシンチレータ層２０４の熱膨張量が無視できる程度ものと仮定し、シンチレータ層２０４とＴＦＴ基板２０６の熱膨張率の関係は考慮しない（同一でも相違していてもよい）。その代わり、ＴＦＴ基板２０６と蒸着用基板２０２の熱膨張率が相違しており、蒸着用基板２０２がＴＦＴ基板２０６よりも高い熱膨張率を有している。
【００９２】
この蒸着用基板２０２は、シンチレータ層２０４を気相堆積法により蒸着して形成する際に用いる基板である。
この蒸着用基板２０２の材料は、ＴＦＴ基板２０６よりも高い熱膨張率を有するものであれば特に限定されず、上述したＴＦＴ基板２０６の基板材料と同様のものを用いることができる。好適には、高剛性、Ｘ線透過が高い、均質で材質ムラがない、耐熱性がある、熱膨張率がガラスに近い、耐薬品性がある、及び導電性があるという点でカーボンを用いることができる。また、カーボンよりも熱伝導性が高く、コストが安いという点でアルミニウムを用いることもできる。また、バイオナノファイバ、アラミドフィルムを用いることもできる。
蒸着用基板２０２の厚みは、気相堆積法による蒸着工程において、ハンドリング性の向上、シンチレータ層２０４の重みによる反り防止、及び輻射熱による変形防止等の観点から厚い方が好ましい。
【００９３】
また、第１実施形態では、バイメタル６０がＴＦＴ基板３０と貼り合わされているのに対し、第３実施形態では、バイメタル２０８が蒸着用基板２０２と貼り合わされている。具体的には、第１実施形態では、バイメタル６０の二枚の金属板６０Ａ,６０Ｂのうち、高熱膨張板６０ＡがＴＦＴ基板３０と貼り合わされているのに対し、第３実施形態では、バイメタル２０８の二枚の金属板２０８Ａ, ２０８Ｂのうち、高熱膨張板２０８Ａが蒸着用基板２０２と接着剤６２で貼り合わされている。
【００９４】
このように、バイメタル２０８の二枚の金属板２０８Ａ, ２０８Ｂのうち高熱膨張板２０８Ａを、ＴＦＴ基板２０６よりも高い熱膨張率を有する蒸着用基板２０２に貼り合わせる、即ち、熱膨張率が高いもの同士を貼り合せることで、蒸着用基板２０２の熱膨張率と近い金属板２０８Ａが、蒸着用基板２０２側に配置されるようにしている。
【００９５】
なお、このような場合、放射線Ｘが表面照射される構成、即ち、バイメタル２０８の一面（図９中上面）が照射面とされた場合、放射線Ｘの照射の邪魔となるので、放射線Ｘが裏面照射、即ちＴＦＴ基板２０６の一面（図９中下面）を照射面としている。
この構成によれば、放射線Ｘは、ＴＦＴ基板２０６を透過した後、シンチレータ層２０４に照射される。すなわち、バイメタル２０８を介さずシンチレータ層２０４に照射されることになるので、バイメタル２０８が放射線Ｘの邪魔とならず、放射線Ｘから得られる画質が劣化することを防止することができる。
【００９６】
−作用−
以上、本発明の第３実施形態に係る放射線検出器２００によれば、蒸着用基板２０２にバイメタル２０８を設け、かつバイメタル２０８の二枚の金属板２０８Ａ, ２０８Ｂのうち、蒸着用基板２０２の熱膨張率と近い金属板２０８Ａが、蒸着用基板２０２側に配置されているため、第１実施形態と同様に、接着剤６２の接着強度に関らず、温度変化による蒸着用基板２０２、シンチレータ層２０４及びＴＦＴ基板２０６の反りを抑制可能となる。
【００９７】
また、バイメタル２０８が、蒸着用基板２０２及びＴＦＴ基板２０６のうち熱膨張率が高い側、即ち、反りの原因となっている蒸着用基板２０２に設けられるため、確実に放射線検出器２００の反りを抑制できる。
【００９８】
また、ＴＦＴ基板２０６の一面（図９中下面）を照射面としているので、放射線Ｘは、ＴＦＴ基板２０６を透過した後、シンチレータ層２０４に照射される。すなわち、バイメタル２０８を介さずシンチレータ層２０４に照射されることになるので、バイメタル２０８が放射線Ｘの邪魔とならず、放射線Ｘから得られる画質が劣化することを防止することができる。
【００９９】
−変形例−
次に、本発明の第３実施形態に係る放射線検出器２００の変形例について説明する。
【０１００】
本第３実施形態の放射線検出器２００では、蒸着用基板２０２、シンチレータ層２０４及びＴＦＴ基板２０６の反りを抑制するために、蒸着用基板２０２とＴＦＴ基板２０６のうち、蒸着用基板２０２側にバイメタル２０８を設ける場合を説明したが、図１０に示すように、変形例の放射線検出器２００Ａでは、ＴＦＴ基板２０６側にバイメタル２１０を設けるようにしてもよい。なお、バイメタル２１０は、上記バイメタル２０８と同様の構成であり、高熱膨張板２１０Ａと低熱膨張板２１０Ｂの二枚の金属板を接合して構成されている。
【０１０１】
ただし、この場合には、ＴＦＴ基板２０６が蒸着用基板２０２よりも低い熱膨張率を有しているので、バイメタル２１０の二枚の金属板２１０Ａ, ２１０Ｂのうち、低熱膨張板２１０ＢをＴＦＴ基板２０６に貼り合せる、即ち、熱膨張率が低いもの同士を貼り合せることで、ＴＦＴ基板２０６の熱膨張率と近い金属板２１０Ｂが、ＴＦＴ基板２０６側に配置されるようにしている。
なお、このような場合、放射線Ｘが裏面照射、即ち、バイメタル２１０の一面（図１０中下面）が照射面とされた場合、放射線Ｘの照射の邪魔となるので、放射線Ｘが表面照射される構成、即ち蒸着用基板２０２の一面（図１０中上面）を照射面としている。
【０１０２】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態に係る放射線画像撮影装置について説明する。
【０１０３】
−放射線画像撮影装置の構成−
図１１は、本発明の第４実施形態に係る放射線画像撮影装置の一例としての電子カセッテ３００の断面構成を示した断面図であって、（Ａ）は温度変化前の状態を示す図であり、（Ｂ）は温度変化後の状態を示す図である。
【０１０４】
本発明の第４実施形態に係る電子カセッテ３００は、第１実施形態で説明した図４に示す電子カセッテ１０と同様の構成を有しているが、バイメタルの構成及び配置が異なる。
【０１０５】
具体的には、第１実施形態の放射線検出器２０の反りを抑制するバイメタル６０は、ＴＦＴ基板３０と貼り合わされているのに対し、第４実施形態の放射線検出器３０２の反りを抑制するバイメタル３０４は、図１１（Ａ）に示すように、ＴＦＴ基板３０やシンチレータ層３６と貼り合わされておらず、温度変化による反りが可能なように、電子カセッテ３００の筐体１６に取り付けられ、放射線検出器３０２のＴＦＴ基板３０及びシンチレータ層３６と離間している。
【０１０６】
また、シンチレータ層３６がＴＦＴ基板３０よりも低い熱膨張率を有していることから、バイメタル３０４の反りをシンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０の反りと上下対称にするため、バイメタル３０４の二枚の金属板３０４Ａ,３０４Ｂのうち、低熱膨張板３０４Ｂをシンチレータ層３６側に配置している。
【０１０７】
−作用−
本発明の第４実施形態に係る電子カセッテ３００によれば、バイメタル３０４は、筐体１６に取り付けられているため、図１１（Ｂ）に示すように温度変化があったときには、シンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０方向に反ることになり、シンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０の反りを抑制できる。即ち、シンチレータ層３６又はＴＦＴ基板３０にバイメタル３０４が接着剤６２により貼り合わされていなくても（接着強度が０でも）、温度変化によりバイメタル３０４がシンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０の反りを抑制するように反ることが可能となる。
【０１０８】
また、バイメタル３０４がシンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０と離間しているので、温度変化によりバイメタル３０４が反ってシンチレータ層３６に当接した後に、バイメタル３０４の反り力をシンチレータ層３６に作用させてシンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０の反りを抑制することになる。この結果、当該当接前まではシンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０の反りを容認し、シンチレータ層３６にバイメタルの反り力を作用させる頻度を減らし、シンチレータ層３６にクラックが入ったりすることを抑制することができる。
【０１０９】
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態に係る放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影システムについて図面に基づき説明する。
【０１１０】
−放射線画像撮影システムの構成−
図１２は、本発明の第５実施形態に係る放射線画像撮影システム４００の電気系の要部構成を示す図である。
同図に示すように、本発明の第５実施形態に係る放射線画像撮影システム４００は、電子カセッテ４１０と、コンソール４３０と、放射線発生装置４６０と、を含んで構成されている。
【０１１１】
電子カセッテ４１０は、例えば第１実施形態の放射線検出器２０を収納しており、当該放射線検出器２０のＴＦＴ基板３０の各信号配線３４に電気的に接続された信号検出回路４８を備えている。
信号検出回路４８は、個々の信号配線３４毎に設けられた増幅器およびサンプルホールド回路を備えており、個々の信号配線３４を伝送された電荷信号は増幅器で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、Ａ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電荷信号はマルチプレクサに順に（シリアルに）入力され、Ａ／Ｄ変換器によってデジタルの画像データへ変換される。
【０１１２】
信号検出回路４８には画像メモリ４１２が接続されており、信号検出回路４８のＡ／Ｄ変換器から出力された画像データは画像メモリ４１２に順に記憶される。画像メモリ４１２は複数フレーム分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ４１２に順次記憶される。
【０１１３】
画像メモリ４１２は、電子カセッテ４１０全体の動作を制御するカセッテ制御部４１４と接続されている。カセッテ制御部４１４はマイクロコンピュータを含んで構成されており、ＣＰＵ（中央処理装置）４１４Ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）およびＲＡＭ（Random Access Memory）を含むメモリ４１４Ｂ、ＨＤＤ（ハードディスク・ドライブ）やフラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部４１４Ｃを備えている。
【０１１４】
また、カセッテ制御部４１４にはブザー４１６や温度センサ４１８が接続されており、ブザー４１６の作動は、カセッテ制御部４１４に設けられたＣＰＵ４１４Ａによって制御される一方、ＣＰＵ４１４Ａは、温度センサ４１８によって検出された温度を把握することができる。
【０１１５】
また、カセッテ制御部４１４には、接続端子４１０Ａに接続され、通信ケーブル４２０を介してコンソール４３０に接続された状態でコンソール４３０との間で各種情報の送受信を行う通信インタフェース（Ｉ／Ｆ）部４２２が接続されている。
【０１１６】
また、電子カセッテ４１０には電源部４２４が設けられている。この電源部４２４は、電子カセッテ４１０の可搬性を損なわないように、不図示のバッテリ（二次電池）を内蔵しており、充電されたバッテリから予め定められた部位へ電力を供給する。なお、図１２では、電源部４２４と電力供給先の各部とを接続する配線の図示を省略している。
【０１１７】
本第５実施形態に係る放射線画像撮影システム４００では、電子カセッテ４１０とコンソール４３０との間を通信ケーブル４２０により接続して各種情報の送受信を行うが、通信ケーブル４２０には電力供給線も含まれており、電子カセッテ４１０の各部に対する駆動用の電力は通信ケーブル４２０を介してコンソール４３０から供給される。
【０１１８】
上記不図示のバッテリは、電子カセッテ４１０が通信ケーブル４２０によりコンソール４３０に接続されていない場合に、電子カセッテ４１０の必要最低限の部位に対して駆動用の電力を供給するものであり、本実施の形態に係る電子カセッテ４１０では、この場合にカセッテ制御部４１４に対して駆動用の電力を供給すると共に、必要に応じてブザー４１６及び温度センサ４１８に対して駆動用の電力を供給する。
【０１１９】
一方、コンソール４３０は、サーバ・コンピュータとして構成されており、操作メニューや撮影された放射線画像等を表示するディスプレイ４３２と、複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される操作パネル４３４と、を備えている。
【０１２０】
また、本実施の形態に係るコンソール４３０は、装置全体の動作を司るＣＰＵ４３６と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたＲＯＭ４３８と、各種データを一時的に記憶するＲＡＭ４４０と、各種データを記憶して保持するＨＤＤ４４２と、ディスプレイ４３２への各種情報の表示を制御するディスプレイドライバ４４４と、操作パネル４３４に対する操作状態を検出する操作入力検出部４４６と、を備えている。
【０１２１】
また、コンソール４３０は、接続端子４３０Ａに接続され、通信ケーブル４４８を介して放射線発生装置４６０に接続された状態で放射線発生装置４６０との間で各種情報の送受信を行う通信Ｉ／Ｆ部４５０と、接続端子４３０Ｂに接続され、通信ケーブル４２０を介して電子カセッテ４１０に接続された状態で電子カセッテ４１０との間で各種情報の送受信を行う通信Ｉ／Ｆ部４５２と、を備えている。
【０１２２】
ＣＰＵ４３６、ＲＯＭ４３８、ＲＡＭ４４０、ＨＤＤ４４２、ディスプレイドライバ４４４、操作入力検出部４４６、通信Ｉ／Ｆ部４５０、および通信Ｉ／Ｆ部４５２は、システムバスＢＵＳを介して相互に接続されている。従って、ＣＰＵ４３６は、ＲＯＭ４３８、ＲＡＭ４４０、ＨＤＤ４４２へのアクセスを行うことができると共に、ディスプレイドライバ４４４を介したディスプレイ４３２への各種情報の表示の制御、通信Ｉ／Ｆ部４５０および通信Ｉ／Ｆ部４５２を介した放射線発生装置４６０および電子カセッテ４１０との各種情報の送受信の制御を各々行うことができる。また、ＣＰＵ４３６は、操作入力検出部４４６を介して操作パネル４３４に対するユーザの操作状態を把握することができる。
【０１２３】
一方、放射線発生装置４６０は、放射線源４６２と、接続端子４６０Ａに接続され、通信ケーブル４４８を介してコンソール４３０に接続された状態でコンソール４３０との間で曝射条件等の各種情報の送受信を行う通信Ｉ／Ｆ部４６４と、受信した曝射条件に基づいて放射線源４６２を制御する線源制御部４６６と、を備えている。
【０１２４】
線源制御部４６６もマイクロコンピュータを含んで構成されており、受信した曝射条件等を記憶する。このコンソール４３０から受信する曝射条件には管電圧、管電流、曝射期間等の情報が含まれている。線源制御部４６６は、受信した曝射条件に基づいて放射線源４６２から放射線Ｘを照射させる。
【０１２５】
−電子カセッテの構成−
次に、図１２に示した電子カセッテ４１０の内部構成について、図１３を参照しながら具体的に説明する。図１３は、本第５実施形態に係る電子カセッテ４１０の断面構成を示した断面図である。
【０１２６】
本第５実施形態に係る電子カセッテ４１０は、上記の第１実施形態の電子カセッテ１０の構成において、さらに上述のブザー４１６と、温度センサ４１８とが追加されている。
【０１２７】
ブザー４１６は、警告手段の一種であり、温度変化により放射線検出器２０が反る時等に、音で警告を発するものである。ブザー４１６の配置は、特に限定されないが、例えば図１３に示すように、基台５６の下面に取り付けられている。
【０１２８】
温度センサ４１８は、シンチレータ層３６（及びＴＦＴ基板３０）の温度を検出する第１温度センサ４１８Ａと、バイメタル６０の温度を検出する第２温度センサ４１８Ｂと、の２つの温度センサで構成されている。
【０１２９】
第１温度センサ４１８Ａは、例えばシンチレータ層３６の上端面３６Ａに取り付けられている。また、第２温度センサ４１８Ｂは、例えばバイメタル６０の面内方向側面に取り付けられている。
【０１３０】
−作用−
次に、本発明の第５実施形態に係る電子カセッテ４１０の作用について説明する。
【０１３１】
図１４は、予め定められた期間（本実施の形態では、１０秒間）毎に電子カセッテ４１０のカセッテ制御部４１４におけるＣＰＵ４１４Ａにより実行される警告プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該警告プログラムはメモリ４１４ＢのＲＯＭの所定領域に予め記憶されている。以下、括弧内は図中のステップ識別符号である。
【０１３２】
（Ｓ１０００）第１温度センサ４１８Ａから検出温度Ｔ１を取得する。
（Ｓ１００２）第２温度センサ４１８Ｂから検出温度Ｔ２を取得する。
（Ｓ１００４）取得した検出温度Ｔ１と検出温度Ｔ２の差が大きく、例えば放射線検出器２０が反る温度差Ｃであるか否か判定する。そして、肯定判定した場合にはステップＳ１００６に進み、否定判定した場合には処理を終える。
（Ｓ１００６）ブザー４１６を制御して、例えば１０秒間警告音を発する。
【０１３３】
ここで、例えば、第１温度センサ４１８Ａと第２温度センサ４１８Ｂとの検出温度が大きく相違、即ちシンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０とバイメタル６０の温度が大きく相違していた場合、バイメタル６０の反り量がシンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０の反り量を抑制する量未満になったり超えたりして、バイメタル６０があったとしても放射線検出器２０が反る場合がある。しかし、本発明の第５実施形態の構成によれば、このような場合でも、カセッテ制御部４１４が第１温度センサ４１８Ａと第２温度センサ４１８Ｂとの検出温度に基づき、放射線検出器２０が反ると判断し、ブザー４１６を制御して警告音を発することができるので、放射線検出器２０に反りがあるときに撮影動作を開始させる等の誤動作を防止することができる。
【０１３４】
（変形例）
なお、本発明を特定の第１〜第５実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかであり、例えば上述の複数の実施形態は、適宜、組み合わされて実施可能である。また、以下の変形例を、適宜、組み合わせてもよい。
【０１３５】
例えば、第１実施形態では、筐体１６の内部には、放射線Ｘが照射される筐体１６の照射面１８側から、患者１４を透過した放射線Ｘを検出する放射線検出器２０、及び制御基板２２が順に設けられている場合を説明したが、放射線Ｘが照射される照射面１８側から順に、患者１４を透過することに伴って生ずる放射線Ｘの散乱線を除去するグリッド、放射線検出器２０、及び放射線Ｘのバック散乱線を吸収する鉛板が収容されていてもよい。
【０１３６】
また、第１実施形態では、筐体１６の形状が矩形平板状である場合を説明したが、特に限定されるものではなく、例えば正面視が正方形や円形になるようにしてもよい。
【０１３７】
また、第１実施形態では、制御基板２２を１つで形成した場合について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、制御基板２２が機能毎に複数に分かれていてもよい。さらに、制御基板２２を、放射線検出器２０と垂直方向（筐体１６の厚み方向）に並んで配置する場合を説明したが、放射線検出器２０と水平方向に並んで配置するようにしてもよい。
【０１３８】
また、バイメタル６０の面内方向の長さは、ＴＦＴ基板３０の面内方向の長さと同一である場合を説明したが、同一でなくてもよく、大きさも特に限定されない。従って、例えば、バイメタル６０は、ＴＦＴ基板３０又はシンチレータ層３６の、熱膨張により反りが発生する一部分に設けるようにしてもよい。具体的には、図１５に示すように、温度変化による反り量が大きいＴＦＴ基板３０又はシンチレータ層３６の少なくとも中心部分を含んだ一部分に設けたり、破壊防止の為に、ＴＦＴ基板３０又はシンチレータ層３６の破壊強度の低い部分（例えば配線等を含んだＴＣＰ(Tape-Carrier Package)部）に設けたりすることができる。
【０１３９】
また、第５実施形態のブザー４１６の代わりに、第１温度センサ４１８Ａと前記第２温度センサ４１８Ｂとの検出温度に差異があった場合に、シンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０の温度とバイメタル６０の温度を同一とするヒーター等の温度調整機構、を備えるようにしてもよい。このような構成によれば、シンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０の温度とバイメタル６０の温度に差異が生じても、温度調整機構によりシンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０の温度とバイメタル６０の温度が同一となるので、放射線検出器２０の反りを確実に抑制することができる。
【０１４０】
また、第５実施形態のブザー４１６の代わりに、バイメタル６０に電流を流し、バイメタル６０の反り量を制御するバイメタル制御手段を備えるようにしてもよい。このような構成によれば、例えばシンチレータ層３６及びＴＦＴ基板３０の反りに応じて、当該反りが抑制できるように、バイメタル６０の反り量を適宜制御することができる。
【０１４１】
また、第５実施形態のブザー４１６の代わりに、匂い、光、又は振動で警告を発するようにしてもよい。また、コンソール４３０のディスプレイ４３２の画面上に警告表示をするようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１４２】
１０   電子カセッテ（放射線画像撮影装置）
１６   筐体
２０   放射線検出器
２０Ａ 放射線検出器
３０   ＴＦＴ基板（光検出基板）
３６   シンチレータ層
６０   バイメタル
６２   接着剤
７０   バイメタル
１００ 放射線検出器
１００Ａ 放射線検出器
１０２ ＴＦＴ基板（光検出基板）
１０４ シンチレータ層
１０６ バイメタル
１１０ バイメタル
２００ 放射線検出器
２００Ａ 放射線検出器
２０２ 蒸着用基板（支持体）
２０４ シンチレータ層
２０６ ＴＦＴ基板（光検出基板）
２０８ バイメタル
２１０ バイメタル
３００ 電子カセッテ（放射線画像撮影装置）
３０２ 放射線検出器
３０４ バイメタル
４１０ 電子カセッテ（放射線画像撮影装置）
４１４ カセッテ制御部（警告手段、温度調整機構、バイメタル制御手段）
４１６ ブザー（警告手段）
４１８ 温度センサ（第１温度センサ、第２温度センサ）
４１８Ａ 第１温度センサ
４１８Ｂ 第２温度センサ
Ｔ１   検出温度
Ｔ２   検出温度
Ｘ     放射線
【図１】
2012021913.tif 000003
【図２】
2012021913.tif 000004
【図３】
2012021913.tif 000005
【図４】
2012021913.tif 000006
【図５】
2012021913.tif 000007
【図６】
2012021913.tif 000008
【図７】
2012021913.tif 000009
【図８】
2012021913.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2012021913.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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