(57)【要約】【課題】透過率を向上させる液晶表示装置を提供すること。【解決手段】画素電極Ｐｘと共通電極ＣＴとを絶縁層を介して積層し、該画素電極Ｐｘあるいは該共通電極ＣＴのいずれか一方にスリットＳＬを形成し、該画素電極Ｐｘおよび該共通電極ＣＴによって発生させた電界によって液晶分子を配向させる液晶表示装置１００において、前記絶縁層は、前記スリットＳＬの長手方向の端部１３ａ，１３ｂ近傍から該端部１３ａ，１３ｂに向かって厚みを増して形成されたものである。【選択図】図２
2012088582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と共通電極とを絶縁層を介して積層し、該画素電極あるいは該共通電極のいずれか一方にスリットを形成し、該画素電極および該共通電極によって発生させた電界によって液晶分子を配向させる液晶表示装置において、
前記絶縁層は、前記スリットの長手方向の端部近傍から該端部に向かって厚みを増して形成されたものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記スリットの長手方向の端部近傍から該端部に向かって増す厚みは、
漸次増すように形成されたものである
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記絶縁層は、
前記スリットの長手方向の端部近傍から該端部に向かって厚みを増すように予め傾斜加工されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記スリットの長手方向の端部近傍は、ドメインの発生領域であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
画素電極と共通電極とを絶縁層を介して積層し、該画素電極あるいは該共通電極のいずれか一方にスリットを形成し、該画素電極および該共通電極によって発生させた電界によって液晶分子を配向させる液晶表示装置において、
前記スリットは、屈曲して形成されたものであり、
前記絶縁層は、前記スリットの屈曲部分近傍から該屈曲部分に向かって厚みを増して形成されたものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
前記スリットの屈曲部分近傍から該屈曲部分に向かって増す厚みは、
漸次増すように形成されたものである
ことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記絶縁層は、
前記スリットの屈曲部分近傍から該屈曲部分に向かって厚みを増すように予め傾斜加工されたものであることを特徴とする請求項５または６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記屈曲部分近傍は、ドメインの発生領域であることを特徴とする請求項５〜７のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
画素電極と共通電極とを絶縁層を介して積層し、該画素電極あるいは該共通電極のいずれか一方にスリットを形成し、該画素電極および該共通電極によって発生させた電界によって液晶分子を配向させる液晶表示装置において、
前記スリットは、屈曲して形成されたものであり、
前記絶縁層は、前記スリットの長手方向の端部近傍から該端部に向かって厚みを増して形成され、且つ前記前記スリットの屈曲部分近傍から該屈曲部分に向かって厚みを増して形成されたものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
前記スリットの長手方向の端部近傍から該端部に向かって増す厚み、および前記前記スリットの屈曲部分近傍から該屈曲部分に向かって増す厚みは、
漸次増すように形成されたものである
ことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記絶縁層は、
前記スリットの長手方向の端部近傍から該端部に向かって厚みを増すように、且つ前記スリットの屈曲部分近傍から該屈曲部分に向かって厚みを増すように予め傾斜加工されたものであることを特徴とする請求項９または１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記長手方向の端部近傍および前記屈曲部分近傍は、ドメインの発生領域であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記スリットを形成された電極は、櫛歯状の電極であり、
前記スリットの長手方向の端部のうち一方は開き、他方は閉じていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記スリットの長手方向の端部は閉じていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層を介して積層した２つの電極によって発生させた電界によって液晶分子を配向させる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置は、縦電界方式あるいは横電界方式があり、横電界方式の液晶表示装置は縦電界方式のものに比べて広視野角特性が得られるようになっている。この横電界方式のうちでも、画素電極と共通電極とを絶縁層を介して積層し、一方の電極はスリットを形成し、他方の電極は隙間のない一様の平面形状にしたものは、高透過率を要求される場合に用いられる。これは、異なる層にある画素電極と共通電極とを結ぶようにアーチ状の電気力線が、スリットが形成された電極の中央近傍まで分布するためである。
【０００３】
ところで、スリットが形成された電極としては、スリットの両端部のうち一端が閉じ、他端が開いている櫛歯状の電極、あるいはスリットの両端部が閉じている電極がある。また、マルチドメイン方式の液晶表示装置にあっては、このような電極のスリットを屈曲させるようにしている。スリットを形成された電極と、隙間のない一様の平面形状の電極とによって電界を発生させた場合、スリットの長手方向の端部近傍あるいはスリットの屈曲部近傍の電界が液晶分子を配向制御するのに困難な分布となる。このため、スリットの長手方向の端部近傍あるいはスリットの屈曲部近傍で液晶分子を配向制御ができない領域（以下、ドメインという。）が発生してしまう。このドメインは、液晶表示装置における透過率を低下させる原因となっている。そこで、ドメインを低減させる液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２７６１７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された液晶表示装置は、スリットが複数個分の画素にわたって連続することによってスリットの端部の数を減らすように構成している。すなわち、この液晶表示装置は、ドメインの発生原因となるスリットの端部の数を減らすことによってドメインを低減している。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の液晶表示装置は、スリットの端部を完全に無くすものではないので、スリットの端部近傍で発生したドメインが透過率を低下させるという問題は解消されていなかった。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、透過率を向上させる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる液晶表示装置は、画素電極と共通電極とを絶縁層を介して積層し、該画素電極あるいは該共通電極のいずれか一方にスリットを形成し、該画素電極および該共通電極によって発生させた電界によって液晶分子を配向させる液晶表示装置において、前記絶縁層は、前記スリットの長手方向の端部近傍から該端部に向かって厚みを増して形成されたものであることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記スリットの長手方向の端部近傍から該端部に向かって増す厚みは、漸次増すように形成されたものであることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記絶縁層は、前記スリットの長手方向の端部近傍から該端部に向かって厚みを増すように予め傾斜加工されたものであることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記スリットの長手方向の端部近傍は、ドメインの発生領域であることを特徴とする。
【００１２】
また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる液晶表示装置は、画素電極と共通電極とを絶縁層を介して積層し、該画素電極あるいは該共通電極のいずれか一方にスリットを形成し、該画素電極および該共通電極によって発生させた電界によって液晶分子を配向させる液晶表示装置において、前記スリットは、屈曲して形成されたものであり、前記絶縁層は、前記スリットの屈曲部分近傍から該屈曲部分に向かって厚みを増して形成されたものであることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記スリットの屈曲部分近傍から該屈曲部分に向かって増す厚みは、漸次増すように形成されたものであることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記絶縁層は、前記スリットの屈曲部分近傍から該屈曲部分に向かって厚みを増すように予め傾斜加工されたものであることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記屈曲部分近傍は、ドメインの発生領域であることを特徴とする。
【００１６】
また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる液晶表示装置は、画素電極と共通電極とを絶縁層を介して積層し、該画素電極あるいは該共通電極のいずれか一方にスリットを形成し、該画素電極および該共通電極によって発生させた電界によって液晶分子を配向させる液晶表示装置において、前記スリットは、屈曲して形成されたものであり、前記絶縁層は、前記スリットの長手方向の端部近傍から該端部に向かって厚みを増して形成され、且つ前記前記スリットの屈曲部分近傍から該屈曲部分に向かって厚みを増して形成されたものであることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記スリットの長手方向の端部近傍から該端部に向かって増す厚み、および前記前記スリットの屈曲部分近傍から該屈曲部分に向かって増す厚みは、漸次増すように形成されたものであることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記絶縁層は、前記スリットの長手方向の端部近傍から該端部に向かって厚みを増すように、且つ前記スリットの屈曲部分近傍から該屈曲部分に向かって厚みを増すように予め傾斜加工されたものであることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記スリットの長手方向の端部近傍および前記屈曲部分近傍は、ドメインの発生領域であることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記スリットを形成された電極は、櫛歯状の電極であり、前記スリットの長手方向の端部のうち一方は開き、他方は閉じていることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、本発明にかかる液晶表示装置は、前記スリットの長手方向の端部は閉じていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明にかかる液晶表示装置は、画素電極と共通電極とを絶縁層を介して積層し、該画素電極あるいは該共通電極のいずれか一方にスリットを形成し、該画素電極および該共通電極によって発生させた電界によって液晶分子を配向させる液晶表示装置において、前記絶縁層は、前記スリットの長手方向の端部近傍から該端部に向かって厚みを増して形成されたものであるので、スリットの長手方向の端部近傍の電界強度が弱くなることによってスリットの長手方向の端部周辺で正常に配向される液晶分子がスリットの長手方向の端部近傍の電界によって発生したドメインの拡大を抑制する。このため、ドメインが縮小し、結果的に透過率を向上させることができる。
【００２３】
また、本発明にかかる液晶表示装置は、画素電極と共通電極とを絶縁層を介して積層し、該画素電極あるいは該共通電極のいずれか一方にスリットを形成し、該画素電極および該共通電極によって発生させた電界によって液晶分子を配向させる液晶表示装置において、前記スリットは、屈曲して形成されたものであり、前記絶縁層は、前記スリットの屈曲部分近傍から該屈曲部分に向かって厚みを増して形成されたものであるので、スリットの屈曲部分近傍の電界強度が弱くなることによってスリットの屈曲部分周辺で正常に配向される液晶分子がスリットの屈曲部分近傍の電界によって発生したドメインの拡大を抑制する。このため、ドメインが縮小し、結果的に透過率を向上させることができる。
【００２４】
また、本発明にかかる液晶表示装置は、画素電極と共通電極とを絶縁層を介して積層し、該画素電極あるいは該共通電極のいずれか一方にスリットを形成し、該画素電極および該共通電極によって発生させた電界によって液晶分子を配向させる液晶表示装置において、前記スリットは、屈曲して形成されたものであり、前記絶縁層は、前記スリットの長手方向の端部近傍から該端部に向かって厚みを増して形成され、且つ前記スリットの屈曲部分近傍から該屈曲部分に向かって厚みを増して形成されたものであるので、スリットの長手方向の端部近傍および屈曲部分近傍の電界強度が弱くなることによってスリットの長手方向の端部周辺および屈曲部分周辺で正常に配向される液晶分子がスリットの長手方向の端部近傍および屈曲部分近傍の電界によって発生したドメインの拡大を抑制する。このため、ドメインが縮小し、結果的に透過率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１にかかる液晶表示装置の構成を示した模式図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルの構成を詳細に説明するための図である。
【図３】図３は、図２に示した液晶表示パネルのＡ１−Ａ２線における断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態２にかかる液晶表示装置の液晶表示パネルの構成を詳細に説明するための図である。
【図５】図５は、図４に示した液晶表示パネルのＢ１−Ｂ２−Ｂ３線における断面図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態３にかかる液晶表示装置の液晶表示パネルの構成を詳細に説明するための図である。
【図７】図７は、図６に示した液晶表示パネルのＣ１−Ｃ２−Ｃ３線における断面図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態４にかかる液晶表示装置の液晶表示パネルの構成を詳細に説明するための図である。
【図９】図９は、図８に示した液晶表示パネルのＤ１−Ｄ２−Ｄ３線における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図面を参照して、本発明にかかる液晶表示装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００２７】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１にかかる液晶表示装置１００の構成を示した模式図である。図２は、図１に示した液晶表示パネル１０の構成を詳細に説明するための図である。図３は、図２に示した液晶表示パネル１０のＡ１−Ａ２線における断面図である。液晶表示装置１００は、横電界方式であり、液晶表示パネル１０と、データドライバ２と、走査ドライバ３と、バックライト４と、制御部５とを有する。
【００２８】
液晶表示パネル１０は、図１に示すように、Ｙ方向に延びる複数本の映像信号線ＤＬ（ＤＬ1，…，ＤＬｎ：ただしｎは自然数）と、Ｘ方向に延びる複数本の走査信号線ＧＬ（ＧＬ1，…，ＧＬｍ：ただしｍは自然数）とを有する。また、液晶表示パネル１０は、複数の走査信号線ＧＬが互いに平行に並んで形成され、複数の映像信号線ＤＬの各映像信号線ＤＬは、走査信号線ＧＬに交差して形成されている。これら映像信号線ＤＬと走査信号線ＧＬとによって囲まれる領域に画素Ｄが形成されている。
【００２９】
液晶表示パネル１０は、図３に示すように、ＴＦＴ基板２０と対向基板３０との間に液晶分子を含む液晶材料４０を封入している。ＴＦＴ基板２０は、ガラス基板などの絶縁基板の上に走査信号線ＧＬ、映像信号線ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ、共通電極ＣＴ、画素電極Ｐｘが設けられた基板である。より具体的には、ＴＦＴ基板２０は、ガラス基板等の絶縁基板ＳＵＢ１上に走査信号線ＧＬが設けられている。走査信号線ＧＬは、例えば、アルミなどの導体膜をエッチングして形成する。
【００３０】
走査信号線ＧＬの上には、第１の絶縁層ＰＡＳ１を介して、映像信号線ＤＬ（ソース電極ＳＤ１）、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ２が設けられている。
【００３１】
映像信号線ＤＬ等の上には、第２の絶縁層ＰＡＳ２を介して共通電極ＣＴが設けられている。共通電極ＣＴは、ＩＴＯなどの光透過率が高い導体膜をエッチングして形成し、平面視で画素電極Ｐｘと重なる領域に隙間のない一様の平面形状に形成されている。共通電極ＣＴの上には、第３の絶縁層ＰＡＳ３を介して画素電極Ｐｘが設けられている。
【００３２】
画素電極Ｐｘは、ＩＴＯなどの光透過率が高い導体膜をエッチングして形成する。画素電極Ｐｘは、スルーホールＴＨによってドレイン電極ＳＤ２に接続される。画素電極Ｐｘは、平面視で共通電極ＣＴと重なる領域で、映像信号線ＤＬの延在方向を長手とする複数のスリットＳＬが形成されている。画素電極Ｐｘは、櫛歯状の電極であり、スリットＳＬの端部のうち一方は開き、他方は閉じている。
【００３３】
画素電極Ｐｘは、図２に示すように帯状に形成された複数の帯状部１１と、複数の帯状部１１の一端を連結する連結部１２とを有する。連結部１２は、ドレイン電極ＳＤ２に接続される。画素電極Ｐｘは、帯状部１１と連結部１２とによって、スリットＳＬを形成している。
【００３４】
スリットＳＬは、閉塞端１３ａおよび開口端１３ｂを有する。閉塞端１３ａは、スリットＳＬの長手方向の端部のうち連結部１２によって閉じられた端部である。閉塞部１３ａ近傍では、帯状部１１だけでなく連結部１２の影響を受けた電界分布となっている。すなわち、閉塞部１３ａ近傍はドメインの発生領域となっている。開口端１３ｂは、スリットＳＬの長手方向の端部のうち開いた端部である。開口端１３ｂ近傍では、帯状部１１の先端部分の影響を受けた電界分布となっている。すなわち、開口端１３ｂ近傍ではドメインの発生領域となっている。
【００３５】
対向基板３０は、図３に示すようにガラス基板等の絶縁基板ＳＵＢ２の表面にブラックマトリクスと呼ばれる遮光膜ＢＭおよびカラーフィルタＣＦが設けられる。遮光膜ＢＭは、例えば、光透過率がほぼゼロの導体膜または絶縁膜をエッチングして、各画素Ｄを分離するような格子状のパターンを形成する。カラーフィルタＣＦは、例えば、絶縁膜をエッチングまたは露光、現像して形成し、遮光膜の開口領域に、Ｒ（赤色）の表示を担うフィルタ、Ｇ（緑色）の表示を担うフィルタ、Ｂ（青色）の表示を担うフィルタが周期配列するように形成する。また、遮光膜ＢＭおよびカラーフィルタＣＦの上には、例えば、オーバーコート層ＯＣを介して、配光膜ＯＲＩ２が設けられている。
【００３６】
データドライバ２は、複数本の映像信号線ＤＬのそれぞれに入力する映像信号（階調電圧）を生成するものである。
【００３７】
走査ドライバ３は、複数本の走査信号線ＧＬに走査信号を順次入力する。データドライバ２および走査ドライバ３は、液晶表示パネル１０の外周部に接続された図示しないフレキシブル基板等を介して、液晶表示パネル１０と電気的に接続されている。
【００３８】
バックライト４は、発光ダイオード等によって実現され、液晶表示パネル１０の背面側から光を照射するものである。
【００３９】
制御部５は、ＣＰＵ等によって実現され、データドライバ２、走査ドライバ３およびバックライト４を含む液晶表示装置１００の各部と電気的に接続され、液晶表示装置１００全体の動作を制御するものである。また、制御部５は、外部システムから入力された映像データを一時的に保持する図示しないメモリ等を有するものである。
【００４０】
ここで、第３の絶縁層ＰＡＳ３について具体的に説明する。第３の絶縁層ＰＡＳ３は、図３に示すように、第１傾斜層ＰＡＳ３１および第２傾斜層ＰＡＳ３２を有する。
【００４１】
第１傾斜層ＰＡＳ３１は、共通電極ＣＴの上に形成された絶縁層である。第１傾斜層ＰＡＳ３１は、傾斜加工部ＴＰを有する。傾斜加工部ＴＰは、第１傾斜層ＰＡＳ３１に傾斜面を形成するように加工を施した部分である。第１傾斜層ＰＡＳ３１は、傾斜加工部ＴＰの下端ＴＰｂで傾斜が始まり、上端ＴＰｔで傾斜が終了している。傾斜加工部ＴＰは、第２傾斜層ＰＡＳ３２を積層する前に予め加工される。
【００４２】
傾斜加工部ＴＰは、共通電極ＣＴの表面に対して一定の傾斜角度で傾斜させる。例えば、傾斜加工部ＴＰは、共通電極ＣＴの表面に対して傾斜角度１０度で傾斜させる。なお、傾斜加工部ＴＰの傾斜角度は、１０度に限定されない。すなわち、ドメインの発生領域に応じて適宜設定すればよい。第１傾斜層ＰＡＳ３１は、閉塞端１３ａ近傍から閉塞端１３ａに向かって漸次厚みを増して傾斜加工され、開口端１３ｂ近傍から開口端１３ｂに向かって漸次厚みを増して傾斜加工されている。
【００４３】
第２傾斜層ＰＡＳ３２は、第１傾斜層ＰＡＳ３１に上述した傾斜加工を施した後に第１傾斜層ＰＡＳ３１の上に形成された絶縁層である。
【００４４】
第３の絶縁層ＰＡＳ３は、傾斜加工を施された第１傾斜層ＰＡＳ３１および第１傾斜層ＰＡＳ３１の上に積層された第２傾斜層ＰＡＳ３２によって、閉塞端１３ａ近傍から閉塞端１３ａに向かって漸次厚みを増して形成され、開口端１３ｂ近傍から開口端１３ｂに向かって漸次厚みを増して形成されている。このため、閉塞端１３ａ近傍および開口端１３ｂ近傍、すなわちドメインの発生領域では、画素電極Ｐｘおよび共通電極ＣＴによって発生させた電界の電界強度が弱くなる。また、電界強度が、閉塞端１３ａ、開口端１３ｂのそれぞれに向かって除々に弱くなるように変化しているので、液晶分子の配向制御に悪影響を与えないようになっている。
【００４５】
なお、第３の絶縁層ＰＡＳ３は、漸次厚みを増すようにすることが好ましいが、液晶分子の配向制御に悪影響を与えないようにすることができればよい。例えば、閉塞端１３ａ、開口端１３ｂそれぞれの近傍からそれぞれに向かって厚みを増して形成されていればよい。
【００４６】
本発明の実施の形態１では、絶縁層ＰＡＳ３は、閉塞端１３ａ近傍から閉塞端１３ａに向かって漸次厚みを増して形成され、開口端１３ｂ近傍から開口端１３ｂに向かって漸次厚みを増して形成されているので、閉塞端１３ａ近傍および開口端１３ｂ近傍の電界強度が弱くなることによって閉塞端１３ａおよび開口端１３ｂ周辺で正常に配向される液晶分子が閉塞端１３ａ近傍および開口端１３ｂ近傍の電界によって発生したドメインの拡大を抑制する。このため、ドメインが縮小し、結果的に透過率を向上させることができる。
【００４７】
また、本発明の実施の形態１では、閉塞端１３ａおよび開口端１３ｂの電界強度が弱くなることによって閉塞端１３ａおよび開口端１３ｂ周辺で正常に配向される液晶分子が閉塞端１３ａ近傍および開口端１３ｂ近傍の電界によって発生したドメインの拡大を抑制するので、液晶表示パネル１０の画面を押した際にもドメインが拡大することを抑えることができるとともに、画面がもとの状態に戻る時間を短縮することができる。
【００４８】
（実施の形態２）
つぎに、本発明の実施の形態２について図４および図５を用いて説明する。図４は、本発明の実施の形態２にかかる液晶表示装置２００の液晶表示パネル６０の構成を詳細に説明するための図である。図５は、図４に示した液晶表示パネル６０のＢ１−Ｂ２−Ｂ３線における断面図である。本発明の実施の形態１では、スリットＳＬが直線形状であったが、この実施の形態２では、スリットＳＬが、屈曲部１３ｃを有する。第３の絶縁層ＰＡＳ３は、屈曲部１３ｃ近傍から屈曲部１３ｃに向かって漸次厚みを増して形成されている。その他の構成は実施の形態１と同じであり、同一構成部分には同一符号を付している。
【００４９】
画素電極Ｐｘは、図４に示すように、帯状に形成された複数の帯状部１１と、複数の帯状部１１の一端を連結する連結部１２とを有する。帯状部１１は、くの字状に屈曲して形成されている。画素電極Ｐｘは、帯状部１１と連結部１２とによって、くの字状に屈曲したスリットＳＬを形成している。
【００５０】
屈曲部１３ｃは、画素電極Ｐｘの屈曲形状に対応した部分である。このようなくの字状のスリットＳＬは、マルチドメイン方式の液晶表示装置に広く採用されている。屈曲部１３ｃ近傍では、屈曲形状の影響を受けた電界分布となる。すなわち、屈曲部１３ｃではドメインの発生領域となっている。画素電極Ｐｘの上には、図５に示すように、配向膜ＯＲＩ１が設けられている。なお、スリットＳＬは、マルチドメイン方式に対応した屈曲部分を有していればよく、くの字状に屈曲することに限定しない。
【００５１】
ここで、第３の絶縁層ＰＡＳ３について具体的に説明する。第３の絶縁層ＰＡＳ３は、図５に示すように、第１傾斜層ＰＡＳ３３および第２傾斜層ＰＡＳ３４を有する。
【００５２】
第１傾斜層ＰＡＳ３３は、共通電極ＣＴの上に形成された絶縁層である。第１傾斜層ＰＡＳ３３は、スリットＳＬの屈曲部１３ｃ近傍から屈曲部１３ｃに向かって漸次厚みを増して傾斜加工されている。
【００５３】
第２傾斜層ＰＡＳ３４は、第１傾斜層ＰＡＳ３１に上述した傾斜加工を施した後に第１傾斜層ＰＡＳ３３の上に形成された絶縁層である。
【００５４】
第３の絶縁層ＰＡＳ３は、傾斜加工を施された第１傾斜層ＰＡＳ３３および第１傾斜層ＰＡＳ３３の上に積層された第２傾斜層ＰＡＳ３４によって、スリットＳＬの屈曲部１３ｃ近傍から屈曲部１３ｃに向かって漸次厚みを増して形成されている。このため、屈曲部１３ｃ近傍、すなわちドメインの発生領域では、画素電極Ｐｘおよび共通電極ＣＴによって発生させた電界の電界強度が弱くなる。また、電界強度が、屈曲部１３ｃに向かって除々に弱くなるように変化しているので、液晶分子の配向制御に悪影響を与えないようになっている。
【００５５】
本発明の実施の形態２では、絶縁層ＰＡＳ３が屈曲部１３ｃ近傍から屈曲部１３ｃに向かって漸次厚みを増して形成されているので、屈曲部１３ｃ近傍の電界強度が弱くなることによって屈曲部１３ｃ周辺で正常に配向される液晶分子が屈曲部１３ｃ近傍の電界によって発生したドメインの拡大を抑制する。このため、ドメインが縮小し、結果的に透過率を向上させることができる。
【００５６】
また、本発明の実施の形態２では、画素電極Ｐｘが屈曲しているので、視野角の指向性を軽減することができる。
【００５７】
（実施の形態３）
つぎに、本発明の実施の形態３について図６および図７を用いて説明する。図６は、本発明の実施の形態３にかかる液晶表示装置３００の液晶表示パネル７０の構成を詳細に説明するための図である。図７は、図６に示した液晶表示パネル７０のＣ１−Ｃ２−Ｃ３線における断面図である。本発明の実施の形態２では、第３の絶縁層ＰＡＳ３は、屈曲部１３ｃ近傍から屈曲部１３ｃに向かって漸次厚みを増して形成されていたが、この実施の形態３では、さらに閉塞端１３ａ近傍から閉塞端１３ａに向かって漸次厚みを増して形成され、開口端１３ｂ近傍から開口端１３ｂに向かって漸次厚みを増して形成されるようにしている。その他の構成は実施の形態２と同じであり、同一構成部分には同一符号を付している。
【００５８】
ここで、第３の絶縁層ＰＡＳ３について具体的に説明する。第３の絶縁層ＰＡＳ３は、図７に示すように、第１傾斜層ＰＡＳ３５および第２傾斜層ＰＡＳ３６を有する。
【００５９】
第１傾斜層ＰＡＳ３５は、閉塞端１３ａ近傍から閉塞端１３ａに向かって漸次厚みを増して傾斜加工され、開口端１３ｂ近傍から開口端１３ｂに向かって漸次厚みを増して傾斜加工されている。また、第１傾斜層ＰＡＳ３５は、屈曲部１３ｃ近傍から屈曲部１３ｃに向かって漸次厚みを増して傾斜加工されている。
【００６０】
第２傾斜層ＰＡＳ３６は、第１傾斜層ＰＡＳ３５に上述した傾斜加工を施した後に第１傾斜層ＰＡＳ３５の上に形成された絶縁層である。
【００６１】
第３の絶縁層ＰＡＳ３は、傾斜加工を施された第１傾斜層ＰＡＳ３５および第１傾斜層ＰＡＳ３５の上に積層された第２傾斜層ＰＡＳ３６によって、閉塞端１３ａ近傍から閉塞端１３ａに向かって漸次厚みを増して形成され、開口端１３ｂ近傍から開口端１３ｂに向かって漸次厚みを増して形成されている。また、第３の絶縁層ＰＡＳ３は、屈曲部１３ｃ近傍から屈曲部１３ｃに向かって漸次厚みを増して形成されている。このため、閉塞端１３ａ近傍、開口端１３ｂ近傍、屈曲部１３ｃ近傍、すなわちドメインの発生領域では、画素電極Ｐｘおよび共通電極ＣＴによって発生させた電界の電界強度が弱くなる。また、電界強度が、閉塞端１３ａ、開口端１３ｂおよび屈曲部１３ｃに向かって除々に弱くなるように変化しているので、液晶分子の配向制御に悪影響を与えないようになっている。
【００６２】
本発明の実施の形態３では、絶縁層ＰＡＳ３は、屈曲部１３ｃ近傍から屈曲部１３ｃに向かって漸次厚みを増して形成されているので、実施の形態２と同様の効果を奏するとともに、閉塞端１３ａ近傍から閉塞端１３ａに向かって漸次厚みを増して形成され、開口端１３ｂ近傍から開口端１３ｂに向かって漸次厚みを増して形成されているので、閉塞端１３ａ近傍、開口端１３ｂ近傍の電界強度が弱くなることによって閉塞端１３ａおよび開口端１３ｂ周辺で正常に配向される液晶分子が閉塞端１３ａ近傍、開口端１３ｂ近傍の電界によって発生したドメインの拡大を抑制する。このため、ドメインが縮小し、結果的に透過率を向上させることができる。
【００６３】
（実施の形態４）
つぎに、本発明の実施の形態４について図８および図９を用いて説明する。図８は、本発明の実施の形態４にかかる液晶表示装置４００の液晶表示パネル８０の構成を詳細に説明するための図である。図９は、図８に示した液晶表示パネル８０のＤ１−Ｄ２−Ｄ３線における断面図である。実施の形態３では、液晶パネル７０の画素電極ＰｘがスリットＳＬの長手方向の両端部のうち一端が開放されている櫛歯状の電極であるが、この実施の形態４では、液晶パネル８０の画素電極Ｐｘは、スリットＳＬの長手方向の両端部が閉じた電極である。
【００６４】
画素電極Ｐｘは、図８に示すように、帯状に形成された複数の帯状部１４と、複数の帯状部１４の端部を片側端部ごとに連結する連結部１５とを有する。画素電極Ｐｘは、帯状部１４と連結部１５とによって、スリットＳＬを形成している。
【００６５】
スリットＳＬは、閉塞端７０ａ，７０ｂおよび屈曲部７０ｃを有する。閉塞端７０ａ，７０ｂは、連結部１５によって閉じられた端部である。閉塞部７０ａ，７０ｂ近傍では、帯状部１４だけでなく連結部１５の影響を受けた電界分布となっている。すなわち、閉塞部７０ａ，７０ｂ近傍ではドメインの発生領域となっている。屈曲部７０ｃは、画素電極Ｐｘの屈曲形状に対応した部分であり、屈曲形状の影響を受けた電界分布となっている。すなわち、屈曲部７０ｃ近傍ではドメインの発生領域となっている。また、第３の絶縁層ＰＡＳ３は、図９に示すように第１傾斜層ＰＡＳ３７および第２傾斜層ＰＡＳ３８を有する。その他の構成は実施の形態３と同じであり、同一構成部分には同一符号を付している。
【００６６】
第１傾斜層ＰＡＳ３７は、図９に示すように、閉塞端７０ａ近傍から閉塞端７０ａに向かって漸次厚みを増して傾斜加工され、閉塞端７０ｂ近傍から閉塞端７０ｂに向かって漸次厚みを増して傾斜加工されている。また、第３の絶縁層ＰＡＳ３は、屈曲部７０ｃ近傍から屈曲部７０ｃに向かって漸次厚みを増して傾斜加工されている。第２傾斜層ＰＡＳ３８は、第１傾斜層ＰＡＳ３７に上述した傾斜加工を施した後に第１傾斜層ＰＡＳ３７の上に形成された絶縁層である。
【００６７】
第３の絶縁層ＰＡＳ３は、傾斜加工を施された第１傾斜層ＰＡＳ３７および第１傾斜層ＰＡＳ３７の上に積層された第２傾斜層ＰＡＳ３８によって、閉塞端７０ａ近傍から閉塞端７０ａに向かって漸次厚みを増して形成され、閉塞端７０ｂ近傍から閉塞端７０ｂに向かって漸次厚みを増して形成されている。また、第３の絶縁層ＰＡＳ３は、屈曲部７０ｃ近傍から屈曲部７０ｃに向かって漸次厚みを増して形成されている。
【００６８】
本発明の実施の形態４では、絶縁層ＰＡＳ３は、閉塞端７０ａ近傍から閉塞端７０ａに向かって漸次厚みを増して形成され、閉塞端７０ｂ近傍から閉塞端７０ｂに向かって漸次厚みを増して形成され、さらに屈曲部７０ｃ近傍から屈曲部７０ｃに向かって漸次厚みを増して形成されているので、閉塞端７０ａ，７０ｂ近傍および屈曲部７０ｃ近傍の電界強度が弱くなることによって閉塞端７０ａ，７０ｂおよび屈曲部７０ｃ周辺で正常に配向される液晶分子が閉塞端７０ａ，７０ｂ近傍および屈曲部７０ｃ近傍の電界によって発生したドメインの拡大を抑制する。このため、画素電極Ｐｘが、スリットＳＬの両端部が閉じている画素電極Ｐｘであっても、透過率を向上させることができる。
【００６９】
なお、本発明の実施の形態１〜４では、スリットＳＬが映像信号線ＤＬの延在方向を長手とするものを例示したが、これに限らない。例えば、スリットＳＬが走査信号線ＧＬの延在方向を長手としてもよい。
【００７０】
また、本発明の実施の形態１〜４では、画素電極Ｐｘを共通電極ＣＴの上側に設けるものを例示したが、これに限らない。例えば、配置を上下逆にして画素電極Ｐｘを共通電極ＣＴの下側に設けるようにしてもよい。
【００７１】
また、本発明の実施の形態１〜４では、画素電極ＰｘがスリットＳＬを形成され、共通電極ＣＴが隙間のない一様の平面形状であるものを例示したが、これに限らない。例えば、画素電極Ｐｘを隙間のない一様の平面形状とし、共通電極ＣＴにスリットＳＬを形成するようにしてもよい。
【００７２】
また、本発明の実施の形態１〜４では、第１傾斜層ＰＡＳ３１，ＰＡＳ３３，ＰＡＳ３５，ＰＡＳ３７に予め傾斜加工を施すことによって、第３の絶縁層ＰＡＳ３が漸次厚みを増すようにしたものを例示したが、これに限らず、第３の絶縁層ＰＡＳ３がスリットＳＬの端部近傍からスリットＳＬの端部に向かって、あるいはスリットＳＬの屈曲部近傍から屈曲部に向かって漸次厚みを増すようにすることができればよい。例えば、第３の絶縁層ＰＡＳ３が単一層の層構成であり、この単一層の第３の絶縁層ＰＡＳ３に対して予め傾斜加工を施すようにしてもよい。
【００７３】
また、本発明の実施の形態１，２，４では、第３の絶縁層ＰＡＳ３がスリットＳＬの両端部に向かって漸次厚みを増すようにしているが、これに限らない。例えば、スリットＳＬの片側の端部のみに向かって漸次厚みを増すようにしてもよい。
【００７４】
また、本発明の実施の形態４では、スリットＳＬが屈曲するものを例示したが、これに限らず、直線状であってもよい。
【００７５】
なお、本発明の実施の形態１〜４によってこの発明が限定されるものではない。
【符号の説明】
【００７６】
１００，２００，３００，４００  液晶表示装置
２    データドライバ
３    走査ドライバ
４    バックライト
５    制御部
１０，６０，７０，８０  液晶表示パネル
１１，１４  帯状部
１２，１５  連結部
１３ａ，７０ａ，７０ｂ  閉塞端
１３ｂ  開口端
１３ｃ，７０ｃ  屈曲部
２０  ＴＦＴ基板
３０，  対向基板
４０  液晶材料
ＤＬ  映像信号線
ＧＬ  走査信号線
Ｄ    画素
Ｐｘ  画素電極
ＳＵＢ１，ＳＵＢ２  絶縁基板
ＰＡＳ１  第１の絶縁層
ＳＣ  半導体層
ＳＤ１  ドレイン電極
ＳＤ２  ソース電極
ＰＡＳ２  第２の絶縁層
ＰＡＳ３  第３の絶縁層
ＰＡＳ３１，ＰＡＳ３３，ＰＡＳ３５，ＰＡＳ３７  第１傾斜層
ＰＡＳ３２，ＰＡＳ３４，ＰＡＳ３６，ＰＡＳ３８  第２傾斜層
ＯＲＩ１，ＯＲＩ２  配向膜
ＯＣ  オーバーコート層
ＣＴ  対向電極
ＢＭ  遮光膜
ＣＦ  カラーフィルタ
ＴＦＴ  薄膜トランジスタ
ＴＰ  傾斜加工部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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