(57)【要約】【課題】ゲートＩＣに走査線が未接続の端子が存在する場合であってもフレームごとに間隔を空けずに放射線画像撮影前の各放射線検出素子のリセット処理や画像データの読み出し処理を行うことが可能な放射線画像撮影装置を提供する。【解決手段】放射線画像撮影装置１の走査駆動手段１５は、少なくとも放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理または各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理において、ゲートドライバ１５ｂから各走査線５にオン電圧を順次印加する際に、ゲートドライバ１５ｂの走査線５が接続されていない端子ｐにオン電圧を印加するタイミングで、同時に走査線５が接続されている端子にオン電圧を印加して、各タイミングでいずれかの走査線５にオン電圧が印加される状態でゲートドライバ１５ｂから各走査線５にオン電圧を順次印加する。【選択図】図９
2012023579.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、
前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記走査線を介してオン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記走査線を介して前記スイッチ手段に印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるゲートドライバと、前記ゲートドライバに前記オン電圧および前記オフ電圧を供給する電源回路とを備える走査駆動手段と、
前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段を制御して前記各放射線検出素子のリセット処理を行わせ、または、前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、
を備え、
前記走査駆動手段は、少なくとも放射線画像撮影前の前記各放射線検出素子のリセット処理または前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理において、前記ゲートドライバから前記各走査線にオン電圧を順次印加する際に、前記ゲートドライバの、前記走査線が接続されていない端子にオン電圧を印加するタイミングで、同時に前記走査線が接続されている端子にオン電圧を印加して、各タイミングでいずれかの前記走査線にオン電圧が印加される状態で前記ゲートドライバから前記各走査線にオン電圧を順次印加することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２】
前記走査駆動手段は、少なくとも放射線画像撮影前の前記各放射線検出素子のリセット処理または前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理では、前記走査線が接続されている端子側から前記走査線が接続されていない端子側に向けて、前記ゲートドライバから前記各走査線にオン電圧を順次印加することを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項３】
前記走査駆動手段は、少なくとも放射線画像撮影前の前記各放射線検出素子のリセット処理または前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理では、前記走査線が接続されていない端子側から前記走査線が接続されている端子側に向けて、前記ゲートドライバから前記各走査線にオン電圧を順次印加することを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項４】
前記走査駆動手段は、
前記ゲートドライバが複数のゲートＩＣで構成されており、
前記各端子に前記走査線がそれぞれ接続されている前記ゲートＩＣに前記オン電圧および前記オフ電圧を供給する前記電源回路とは別に、前記走査線が接続されていない端子を有する前記ゲートＩＣに少なくともオン電圧を供給する第２の電源回路を備え、
前記第２の電源回路は、前記走査線が接続されていない端子を有する前記ゲートＩＣの各端子のうち、前記走査線が接続されている端子にオン電圧を順次印加するタイミングでは当該ゲートＩＣにオン電圧を供給し、前記走査線が接続されていない端子にオン電圧を順次印加するタイミングでは当該ゲートＩＣにオン電圧を供給しないことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項５】
前記走査駆動手段の前記ゲートドライバは、複数のゲートＩＣで構成されており、
前記走査駆動手段の前記電源回路は、前記走査線が接続されていない端子を有する前記ゲートＩＣに対しては、当該ゲートＩＣの各端子のうち、前記走査線が接続されている端子にオン電圧を順次印加するタイミングではオン電圧を供給し、前記走査線が接続されていない端子にオン電圧を順次印加するタイミングではオン電圧を供給しないことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像撮影装置に係り、特に、放射線照射前に放射線検出素子のリセット処理や放射線検出素子からの画像データの読み出し処理を行う放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照射されたＸ線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギーに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。
【０００３】
このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られており、従来は支持台（或いはブッキー装置）と一体的に形成されていたが（例えば特許文献１参照）、近年、放射線検出素子等をハウジングに収納した可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献２、３参照）。
【０００４】
このような放射線画像撮影装置では、例えば後述する図３や図７に示すように、通常、放射線検出素子７が二次元状（マトリクス状）に配列され、各放射線検出素子７にそれぞれ薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下、ＴＦＴという。）８で形成されたスイッチ手段が設けられている。
【０００５】
そして、放射線画像撮影前、すなわち放射線画像撮影装置に対して放射線が照射される前に、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂ（図７参照）から走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに対して、オン電圧を印加する走査線５を１ラインずつシフトさせながらオン電圧を印加して、各ＴＦＴ８のオン／オフを適宜制御しながら、各放射線検出素子７内に残存する余分な電荷を放出されるリセット処理が行われるように構成される場合が多い。
【０００６】
そして、各放射線検出素子７のリセット処理が終了した後、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから各走査線５を介してＴＦＴ８にオフ電圧を印加して全ＴＦＴ８をオフ状態とした状態で、放射線が照射されて放射線画像撮影が行われると、放射線の線量に応じた電荷が各放射線検出素子７内で発生して、各放射線検出素子７内に蓄積される。
【０００７】
そして、放射線画像撮影後、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから、オン電圧を印加する走査線５を１ラインずつシフトさせながら走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加しながら、各放射線検出素子７から、その内部に蓄積された電荷を順次読み出して、読み出し回路１７で電荷電圧変換する等して画像データとして読み出すように構成される。
【０００８】
また、特許文献４、５に記載されているように、放射線画像撮影装置に対して放射線が照射される前から、上記のように各放射線検出素子７のリセット処理を行う代わりに、各放射線検出素子７から画像データを読み出す画像データの読み出し処理を繰り返して行うように構成される場合もある。
【０００９】
ところで、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂは、１つのゲートＩＣで構成することも可能であり、また、図１７に示すように複数のゲートＩＣ１５ｃを並設して構成することも可能である。そして、その場合、この１つまたは複数のゲートＩＣの各端子に走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘが接続されている。
【００１０】
そして、上記の各放射線検出素子７のリセット処理や各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理では、各ゲートＩＣの各端子のうち、アクティブな端子を順次シフトさせ、そのアクティブな端子にオン電圧を供給することで、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに対して、オン電圧を印加する走査線５を１ラインずつシフトさせながら、オン電圧を順次印加していくように構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平９−７３１４４号公報
【特許文献２】特開２００６−０５８１２４号公報
【特許文献３】特開平６−３４２０９９号公報
【特許文献４】特開平９−１４０６９１号公報
【特許文献５】特開平７−７２２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、図１７に示したように、ゲートＩＣ１５ｃの各端子の中に、走査線５が接続されていない未接続の端子ｐがある場合、これらの未接続の端子ｐがアクティブな状態とされてシフトされている間は、ゲートＩＣ１５ｃの各端子に接続されている走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにはオン電圧は印加されない。
【００１３】
そのため、この場合、未接続の端子ｐがアクティブな状態とされている間は、いずれの走査線５にもオン電圧が印加されないため、例えば放射線画像撮影前に各放射線検出素子７のリセット処理を行う場合、図１８に示すように、走査線５の最終ラインＬｘにオン電圧を印加してから走査線５の最初のラインＬ１にオン電圧を印加するまでの間、すなわち１フレーム分のリセット処理の間に時間が空いてしまう。
【００１４】
なお、後述する図１０〜図１４等においても同様であるが、図１８で、１フレームとは、上記のように、検出部Ｐ（図３や図７参照）上の全ての走査線５にオン電圧を順次印加して各放射線検出素子７のリセット処理を行う期間、或いは検出部Ｐ上の全ての走査線５にオン電圧を順次印加して各放射線検出素子７から画像データを読み出す期間をいう。
【００１５】
このように、放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理の際に、あるフレームのリセット処理から次のフレームのリセット処理までの間隔が空くと、各走査線５がオフ電圧が印加される時間が長くなる（すなわちスイッチ手段がオフ状態とされている時間が長くなる。）。そのため、放射線検出素子７自体の熱による熱励起等により発生するいわゆる暗電荷が各放射線検出素子７内により多く蓄積されるようになり、リセット効率が低下する等の問題が生じる。
【００１６】
また、特許文献４、５に記載されているように、放射線画像撮影前から、各放射線検出素子７からの画像データの読み出し処理を行うように構成する場合においても、上記のように、あるフレームの画像データの読み出し処理から次のフレームの読み出し処理までの間隔が空くと、同様に暗電荷が各放射線検出素子７内により多く蓄積されるようになり、読み出される画像データに、暗電荷に起因するオフセット分がより多く重畳されてしまう等の問題が生じる。
【００１７】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、ゲートＩＣに、走査線が未接続の端子が存在する場合であっても、フレームごとに間隔を空けずに放射線画像撮影前の各放射線検出素子のリセット処理や画像データの読み出し処理を行うことが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、
前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記走査線を介してオン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記走査線を介して前記スイッチ手段に印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるゲートドライバと、前記ゲートドライバに前記オン電圧および前記オフ電圧を供給する電源回路とを備える走査駆動手段と、
前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段を制御して前記各放射線検出素子のリセット処理を行わせ、または、前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、
を備え、
前記走査駆動手段は、少なくとも放射線画像撮影前の前記各放射線検出素子のリセット処理または前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理において、前記ゲートドライバから前記各走査線にオン電圧を順次印加する際に、前記ゲートドライバの、前記走査線が接続されていない端子にオン電圧を印加するタイミングで、同時に前記走査線が接続されている端子にオン電圧を印加して、各タイミングでいずれかの前記走査線にオン電圧が印加される状態で前記ゲートドライバから前記各走査線にオン電圧を順次印加することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、少なくとも放射線画像撮影前の各放射線検出素子のリセット処理や各放射線検出素子からの画像データの読み出し処理において、ゲートドライバから各走査線にオン電圧を順次印加する際に、未接続の端子にオン電圧を印加するタイミングで、同時に、走査線が接続されている端子にオン電圧を印加して、各タイミングでいずれかの走査線にオン電圧が印加される状態とする。そして、このような状態で、ゲートドライバから各走査線にオン電圧を順次印加する。
【００２０】
そのため、ゲートドライバを構成する各ゲートＩＣに、走査線が未接続の端子が存在する場合であっても、フレームごとに間隔を空けずに放射線画像撮影前の各放射線検出素子のリセット処理や画像データの読み出し処理を行うことが可能となる。
【００２１】
そして、先のフレームでの処理と次のフレームでの処理との間に時間を空けずに、各走査線にオン電圧を連続的に順次印加する状態を実現することが可能となるため、走査線に、先のフレームでオン電圧が印加されてから次のフレームでオン電圧が印加されるまでの時間、すなわち当該走査線にオフ電圧が印加されている時間が短くなり、その間に各放射線検出素子内に蓄積される暗電荷をより少なくすることが可能となる。
【００２２】
また、放射線画像撮影の前または後に、オフセットデータの取得処理を行う場合には、あるフレームでの処理と次のフレームでの処理との間に時間が空けなくてよくなるため、オフセットデータの取得処理に要する時間を短縮することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施形態に係る放射線画像撮影装置を示す斜視図である。
【図２】図１におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図３】放射線画像撮影装置の基板の構成を示す平面図である。
【図４】図３の基板上の小領域に形成された放射線検出素子とＴＦＴ等の構成を示す拡大図である。
【図５】図４におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図である。
【図６】ＣＯＦやＰＣＢ基板等が取り付けられた基板を説明する側面図である。
【図７】放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。
【図８】検出部を構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。
【図９】本実施形態に係る走査駆動手段の構成およびゲートドライバに対する配線等を表す図である。
【図１０】本実施形態では放射線画像撮影前のリセット処理で各フレーム間で時間を空けずに各走査線にオン電圧を連続的に順次印加できる状態を説明するタイミングチャートである。
【図１１】放射線画像撮影前のリセット処理で各フレーム間で時間を空けずに各走査線にオン電圧を連続的に順次印加できる別の例を説明するタイミングチャートである。
【図１２】従来の制御の仕方では１フレーム分の読み出し処理が終了してから次のフレームの読み出し処理が開始されるまでの間に時間が空くことを説明するタイミングチャートである。
【図１３】本実施形態では放射線画像撮影前の読み出し処理では各フレーム間で時間を空けずに各走査線にオン電圧を連続的に順次印加できる状態を説明するタイミングチャートである。
【図１４】放射線画像撮影前の読み出し処理で各フレーム間で時間を空けずに各走査線にオン電圧を連続的に順次印加できる別の例を説明するタイミングチャートである。
【図１５】放射線画像撮影前から行われる読み出し処理で読み出される画像データを時系列的にプロットしたグラフである。
【図１６】図９に示した走査駆動手段の変形例の構成等を表す図である。
【図１７】ゲートＩＣが並設されて構成されたゲートドライバおよび未接続の端子を説明する図である。
【図１８】従来の制御の仕方では１フレーム分のリセット処理が終了してから次のフレームのリセット処理が開始されるまでの間に時間が空くことを説明するタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明に係る放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムの実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２５】
なお、以下では、放射線画像撮影装置が、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することが可能である。また、放射線画像撮影装置が可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された放射線画像撮影装置に対しても適用される。
【００２６】
図１は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。本実施形態に係る放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体２内にシンチレータ３や基板４等が収納されて構成されている。
【００２７】
筐体２は、少なくとも放射線入射面Ｒが放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図１や図２では、筐体２がフレーム板２Ａとバック板２Ｂとで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体２を一体的に角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。
【００２８】
また、図１に示すように、筐体２の側面部分には、電源スイッチ３６や、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ３７、図示しないバッテリ４１（後述する図７参照）の交換等のために開閉可能とされた蓋部材３８等が配置されている。また、本実施形態では、蓋部材３８の側面部には、画像データＤ等を外部装置に無線で転送するためのアンテナ装置３９が埋め込まれている。
【００２９】
また、図２に示すように、筐体２の内部には、基板４の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置され、基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３や緩衝部材３４等が取り付けられている。なお、本実施形態では、基板４やシンチレータ３の放射線入射面Ｒには、それらを保護するためのガラス基板３５が配設されている。
【００３０】
シンチレータ３は、基板４の後述する検出部Ｐに貼り合わされるようになっている。シンチレータ３は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると３００〜８００ｎｍの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。
【００３１】
基板４は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図３に示すように、基板４のシンチレータ３に対向する側の面４ａ上には、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。基板４の面４ａ上の複数の走査線５と複数の信号線６により区画された各小領域ｒには、放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。
【００３２】
このように、走査線５と信号線６で区画された各小領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７が設けられた領域ｒ全体、すなわち図３に一点鎖線で示される領域が検出部Ｐとされている。
【００３３】
本実施形態では、放射線検出素子７としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各放射線検出素子７は、図３や図４の拡大図に示すように、スイッチ素子であるＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。また、ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは信号線６に接続されている。
【００３４】
そして、ＴＦＴ８は、後述する走査駆動手段１５により、接続された走査線５にオン電圧が印加され、ゲート電極８ｇにオン電圧が印加されるとオン状態となり、放射線検出素子７内で発生し蓄積されている電荷を信号線６に放出させるようになっている。また、ＴＦＴ８は、接続された走査線５にオフ電圧が印加され、ゲート電極８ｇにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を停止して、放射線検出素子７内で発生した電荷を放射線検出素子７内に保持して蓄積させるようになっている。
【００３５】
ここで、本実施形態における放射線検出素子７やＴＦＴ８の構造について、図５に示す断面図を用いて簡単に説明する。図５は、図４におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図である。
【００３６】
基板４の面４ａ上に、ＡｌやＣｒ等からなるＴＦＴ８のゲート電極８ｇが走査線５と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極８ｇ上および面４ａ上に積層された窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁層８１上のゲート電極８ｇの上方部分に、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなる半導体層８２を介して、放射線検出素子７の第１電極７４と接続されたソース電極８ｓと、信号線６と一体的に形成されるドレイン電極８ｄとが積層されて形成されている。
【００３７】
ソース電極８ｓとドレイン電極８ｄとは、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる第１パッシベーション層８３によって分割されており、さらに第１パッシベーション層８３は両電極８ｓ、８ｄを上側から被覆している。また、半導体層８２とソース電極８ｓやドレイン電極８ｄとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたオーミックコンタクト層８４ａ、８４ｂがそれぞれ積層されている。以上のようにしてＴＦＴ８が形成されている。
【００３８】
また、放射線検出素子７の部分では、基板４の面４ａ上に前記ゲート絶縁層８１と一体的に形成される絶縁層７１の上にＡｌやＣｒ等が積層されて補助電極７２が形成されており、補助電極７２上に前記第１パッシベーション層８３と一体的に形成される絶縁層７３を挟んでＡｌやＣｒ、Ｍｏ等からなる第１電極７４が積層されている。第１電極７４は、第１パッシベーション層８３に形成されたホールＨを介してＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。
【００３９】
第１電極７４の上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたｎ層７５、水素化アモルファスシリコンで形成された変換層であるｉ層７６、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてｐ型に形成されたｐ層７７が下方から順に積層されて形成されている。
【００４０】
放射線画像撮影装置１の筐体２の放射線入射面Ｒから放射線が入射し、シンチレータ３で可視光等の電磁波に変換され、変換された電磁波が図中上方から照射されると、電磁波は放射線検出素子７のｉ層７６に到達して、ｉ層７６内で電子正孔対が発生する。放射線検出素子７は、このようにして、シンチレータ３から照射された電磁波を電荷に変換するようになっている。
【００４１】
また、ｐ層７７の上には、ＩＴＯ等の透明電極とされた第２電極７８が積層されて形成されており、照射された電磁波がｉ層７６等に到達するように構成されている。本実施形態では、以上のようにして放射線検出素子７が形成されている。なお、ｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５の積層の順番は上下逆であってもよい。また、本実施形態では、放射線検出素子７として、上記のようにｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５の順に積層されて形成されたいわゆるｐｉｎ型の放射線検出素子を用いる場合が説明されているが、これに限定されない。
【００４２】
放射線検出素子７の第２電極７８の上面には、第２電極７８を介して放射線検出素子７にバイアス電圧を印加するバイアス線９が接続されている。なお、放射線検出素子７の第２電極７８やバイアス線９、ＴＦＴ８側に延出された第１電極７４、ＴＦＴ８の第１パッシベーション層８３等、すなわち放射線検出素子７とＴＦＴ８の上面部分は、その上方側から窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる第２パッシベーション層７９で被覆されている。
【００４３】
図３や図４に示すように、本実施形態では、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子７に１本のバイアス線９が接続されており、各バイアス線９はそれぞれ信号線６に平行に配設されている。また、各バイアス線９は、基板４の検出部Ｐの外側の位置で結線１０に結束されている。
【００４４】
本実施形態では、図３に示すように、各走査線５や各信号線６、バイアス線９の結線１０は、それぞれ基板４の端縁部付近に設けられた入出力端子（パッドともいう）１１に接続されている。各入出力端子１１には、図６に示すように、後述するゲートＩＣ１５ｃ等のチップがフィルム上に組み込まれたＣＯＦ（Chip On Film）１２が異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）等の異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。
【００４５】
また、ＣＯＦ１２は、基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側で前述したＰＣＢ基板３３に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置１の基板４部分が形成されている。なお、図６では、電子部品３２等の図示が省略されている。
【００４６】
ここで、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。図７は本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の等価回路を表すブロック図であり、図８は検出部Ｐを構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。
【００４７】
前述したように、基板４の検出部Ｐの各放射線検出素子７は、その第２電極７８にそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９は結線１０に結束されてバイアス電源１４に接続されている。バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７８にそれぞれバイアス電圧を印加するようになっている。また、バイアス電源１４は、後述する制御手段２２に接続されており、制御手段２２は、バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧を制御するようになっている。
【００４８】
図７や図８に示すように、本実施形態では、放射線検出素子７のｐ層７７側（図５参照）に第２電極７８を介してバイアス線９が接続されていることからも分かるように、バイアス電源１４からは、放射線検出素子７の第２電極７８にバイアス線９を介してバイアス電圧として放射線検出素子７の第１電極７４側にかかる電圧以下の電圧（すなわちいわゆる逆バイアス電圧）が印加されるようになっている。
【００４９】
各放射線検出素子７の第１電極７４はＴＦＴ８のソース電極８ｓ（図７、図８中ではＳと表記されている。）に接続されており、各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇ（図７、図８中ではＧと表記されている。）は、後述する走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから延びる走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにそれぞれ接続されている。また、各ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄ（図７、図８中ではＤと表記されている。）は各信号線６にそれぞれ接続されている。
【００５０】
走査駆動手段１５は、配線１５ｄを介してゲートドライバ１５ｂにオン電圧とオフ電圧を供給する電源回路１５ａと、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧の間で切り替えて各ＴＦＴ８のオン状態とオフ状態とを切り替えるゲートドライバ１５ｂとを備えている。本実施形態では、ゲートドライバ１５ｂは、複数の前述したゲートＩＣ１５ｃが並設されて構成されている。
【００５１】
なお、各放射線検出素子７のリセット処理や各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理の際の、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘへのオン電圧の印加等については、後で詳しく説明する。
【００５２】
図７や図８に示すように、各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。なお、本実施形態では、読み出しＩＣ１６に、１本の信号線６につき１個ずつ読み出し回路１７が設けられている。
【００５３】
読み出し回路１７は、増幅回路１８と相関二重サンプリング回路１９等で構成されている。読み出しＩＣ１６内には、さらに、アナログマルチプレクサ２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とが設けられている。なお、図７や図８中では、相関二重サンプリング回路１９はＣＤＳと表記されている。また、図８中では、アナログマルチプレクサ２１は省略されている。
【００５４】
本実施形態では、増幅回路１８はチャージアンプ回路で構成されており、オペアンプ１８ａと、オペアンプ１８ａにそれぞれ並列にコンデンサ１８ｂおよび電荷リセット用スイッチ１８ｃが接続されて構成されている。また、増幅回路１８には、増幅回路１８に電力を供給するための電源供給部１８ｄが接続されている。
【００５５】
また、増幅回路１８のオペアンプ１８ａの入力側の反転入力端子には信号線６が接続されており、増幅回路１８の入力側の非反転入力端子には基準電位Ｖ０が印加されるようになっている。なお、基準電位Ｖ０は適宜の値に設定され、本実施形態では、例えば０［Ｖ］が印加されるようになっている。
【００５６】
また、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃは、制御手段２２に接続されており、制御手段２２によりオン／オフが制御されるようになっている。各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理時に、電荷リセット用スイッチ１８ｃがオフの状態で放射線検出素子７のＴＦＴ８がオン状態とされると、各放射線検出素子７から放出された電荷が信号線６を介してコンデンサ１８ｂに流入して蓄積され、蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ１８ａの出力側から出力されるようになっている。
【００５７】
増幅回路１８は、このようにして、各放射線検出素子７から出力された電荷量に応じて電圧値を出力して電荷電圧変換するようになっている。また、電荷リセット用スイッチ１８ｃがオン状態とされると、増幅回路１８の入力側と出力側とが短絡されてコンデンサ１８ｂに蓄積された電荷が放電されて増幅回路１８がリセットされるようになっている。なお、増幅回路１８を、放射線検出素子７から出力された電荷に応じて電流を出力するように構成することも可能である。
【００５８】
増幅回路１８の出力側には、相関二重サンプリング回路（ＣＤＳ）１９が接続されている。相関二重サンプリング回路１９は、本実施形態では、サンプルホールド機能を有しており、この相関二重サンプリング回路１９におけるサンプルホールド機能は、制御手段２２から送信されるパルス信号によりそのオン／オフが制御されるようになっている。
【００５９】
そして、制御手段２２は、放射線画像撮影後の各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理においては、増幅回路１８や相関二重サンプリング回路１９を制御して、各放射線検出素子７に蓄積され、読み出し処理の際に各放射線検出素子７から放出された電荷を増幅回路１８で電荷電圧変換させ、電荷電圧変換された電圧値を相関二重サンプリング回路１９でサンプリングさせて画像データＤとして下流側に出力させるようになっている。
【００６０】
相関二重サンプリング回路１９から出力された各放射線検出素子７の画像データＤは、アナログマルチプレクサ２１（図７参照）に送信され、アナログマルチプレクサ２１から順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信される。そして、各放射線検出素子７の画像データＤは、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データＤに変換されて記憶手段４０に出力されて順次保存されるようになっている。
【００６１】
制御手段２２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。そして、制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各部材の動作等を制御するようになっている。また、図７等に示すように、制御手段２２には、ＤＲＡＭ（Dynamic ＲＡＭ）等で構成される記憶手段４０が接続されている。
【００６２】
また、本実施形態では、制御手段２２には、前述したアンテナ装置３９が接続されており、さらに、検出部Ｐや走査駆動手段１５、読み出し回路１７、記憶手段４０、バイアス電源１４等の各部材に電力を供給するためのバッテリ４１が接続されている。また、バッテリ４１には、図示しない充電装置からバッテリ４１に電力を供給してバッテリ４１を充電する際の接続端子４２が取り付けられている。
【００６３】
ここで、本実施形態における走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂの構成や駆動のさせ方について説明する。図９は、本実施形態に係る走査駆動手段１５の構成およびゲートドライバ１５ｂに対する配線等を表す図である。
【００６４】
前述したように、本実施形態では、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂは、複数の前述したゲートＩＣ１５ｃが並設されて構成されており、各ゲートＩＣ１５ｃには、電源回路１５ａからオン電圧を供給する配線Ｌonを介してオン電圧が供給されるようになっている。また、各ゲートＩＣ１５ｃには、電源回路１５ａから図示しない別の配線を介してオフ電圧が供給されるようになっており、この配線Ｌonとオフ電圧を供給する配線とで、前述した配線１５ｄ（図７参照）が構成されている。
【００６５】
また、図９に示すように、本実施形態では、各ゲートＩＣ１５ｃの両端部には、それぞれ配線Ｌse１と配線Ｌse２とが接続されており、各配線Ｌse１、Ｌse２はそれぞれ制御手段２２に接続されている。そして、各ゲートＩＣ１５ｃには、制御手段２２からの配線Ｌshがそれぞれ接続されている。
【００６６】
そして、各ゲートＩＣ１５ｃの配線Ｌse１からシード信号が入力されると、各ゲートＩＣ１５ｃの図中上端の端子がアクティブな状態となり、上記のように電源回路１５ａから配線Ｌonを介してオン電圧が供給されると、アクティブな状態になっている当該上端の端子に接続されている走査線５にオン電圧が印加される。
【００６７】
そして、配線Ｌshを介してシフト信号が入力されると、アクティブな状態となる端子が、この場合は図中の１つ下側の端子に移動し、その状態で電源回路１５ａから配線Ｌonを介してオン電圧が供給されると、アクティブな状態になっている当該端子に接続されている走査線５にオン電圧が印加されるようになる。
【００６８】
このようにして、各ゲートＩＣ１５ｃは、配線Ｌse１を介してゲートＩＣ１５ｃにシード信号を入力し、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力することで、アクティブな状態となる端子を１つずつ移動させることができるようになっている。また、各端子がアクティブな状態となるごとに配線Ｌonを介して電源回路１５ａからオン電圧を供給することで、各端子に接続されている各走査線５にオン電圧を順次印加することができるようになっている。
【００６９】
そして、本実施形態では、上記のように配線Ｌse１側から各ゲートＩＣ１５ｃにシード信号を入力すると、各ゲートＩＣ１５ｃの図中下端の端子がアクティブな状態とされた次のタイミングで配線Ｌse２からシード信号が出力されるようになっている。
【００７０】
そのため、例えば、図９中の最も上側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１からシード信号を入力し、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力してアクティブな状態とする端子をシフトさせて、各走査線５にオン電圧を順次印加した後、配線Ｌse２を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、２番目のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１を介してシード信号を入力する。
【００７１】
そして、配線Ｌshを介して２番目のゲートＩＣ１５ｃにシフト信号を次々と入力してアクティブな状態とする端子をシフトさせて、各走査線５にオン電圧を順次印加した後、配線Ｌse２を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、３番目のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１を介してシード信号を入力する。このような制御を繰り返すことで、各ゲートＩＣ１５ｃの各端子に接続されている走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加することができるようになっている。
【００７２】
また、本実施形態では、上記とは逆に、配線Ｌse２側から各ゲートＩＣ１５ｃにシード信号を入力して、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力すると、今度は、各ゲートＩＣ１５ｃの図中下側の端子から順にアクティブな状態とされる端子が上側にシフトしていくようになっている。
【００７３】
そのため、例えば、図９中の下側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse２からシード信号を入力し、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力してアクティブな状態とする端子を上側にシフトさせて、各走査線５にオン電圧を順次印加した後、配線Ｌse１を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、その図中上側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse２を介してシード信号を入力する。この制御を繰り返すことで、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに、ラインＬｘから順にラインＬ１に向けてオン電圧を順次印加するように構成することもできるようになっている。
【００７４】
なお、あるゲートＩＣ１５ｃの配線Ｌse２とそれに隣接するゲートＩＣ１５ｃの配線Ｌse１とを互いに接続しておき、１つのゲートＩＣ１５ｃの配線Ｌse２或いは配線Ｌse１から出力されたシード信号を、次のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１或いは配線Ｌse２を介して自動的に入力するように構成することも可能である。
【００７５】
次に、上記のような構成における本発明に特徴的な放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理や各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理について説明する。また、それとともに、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の作用について説明する。
【００７６】
以下、まず、放射線画像撮影前に、各放射線検出素子７のリセット処理を行う場合について説明する。
【００７７】
また、まず、走査線５の最初のラインＬ１から順に最終ラインＬｘに向けてオン電圧を順次印加していく場合について説明する。
【００７８】
この場合、上記のように、図９中の上側のゲートＩＣ１５ｃの上側の端子から順に下側の端子および下側のゲートＩＣ１５ｃに向けてアクティブな状態の端子が移動していくように制御される。
【００７９】
しかし、この場合も、図９に示すように、例えば図中最も下側のゲートＩＣ１５ｃには、走査線５が接続されていない未接続の端子ｐが存在する。そのため、単純にアクティブな状態の端子を下側に移動させるように制御すると、これらの未接続の端子ｐがアクティブな状態とされてシフトされている間は、ゲートＩＣ１５ｃの別の各端子に接続されている走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにはオン電圧は印加されず、図１８に示したように、１フレーム分のリセット処理の間に時間が空いてしまうという問題が生じる。
【００８０】
そこで、本実施形態では、このような問題が生じないようにするために、走査駆動手段１５は、少なくとも放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理において、ゲートドライバ１５ｂ（すなわち各ゲートＩＣ１５ｃ）から走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加する際に、ゲートドライバ１５ｂの未接続の端子ｐにオン電圧を印加するタイミングで、同時に、走査線５が接続されている端子にオン電圧を印加するようになっている。
【００８１】
そして、このように構成することで、各タイミングでいずれかの走査線５にオン電圧が印加される状態を形成して、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加するようになっている。
【００８２】
具体的には、走査駆動手段１５は、前述したように、例えば図９中の最も上側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１からシード信号を入力し、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力してアクティブな状態とする端子をシフトさせ、配線Ｌonを介して電源回路１５ａからオン電圧を供給することで、各走査線５にオン電圧を順次印加する。
【００８３】
そして、当該ゲートＩＣ１５ｃに接続されている走査線５の最後のラインＬにオン電圧を印加した後、配線Ｌse２を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、２番目のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１を介してシード信号を入力する。
【００８４】
そして、このような制御を繰り返して、図９中の最も下側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１を介してシード信号を入力する。そして、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力してアクティブな状態とする端子をシフトさせ、配線Ｌonを介して電源回路１５ａからオン電圧を供給することで、各走査線５にオン電圧を順次印加する。
【００８５】
そして、走査線５の最終ラインＬｘが接続されている端子をアクティブな状態とし、配線Ｌonを介して電源回路１５ａからオン電圧を供給して走査線５の最終ラインＬｘにオン電圧を印加した後、次のタイミングで、配線Ｌshを介してシフト信号を入力してアクティブな状態とする端子をシフトさせて、図９中の未接続の端子ｐ１をアクティブな状態とする。
【００８６】
また、それと同じタイミングで、図９中の最も上側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１からシード信号を入力して、走査線５の最初のラインＬ１が接続されている端子をアクティブな状態とする。すなわち、この時点では、図９中の未接続の端子ｐ１と、走査線５の最初のラインＬ１が接続されている端子との２つの端子が、同時にそれぞれアクティブな状態になる。
【００８７】
そして、配線Ｌonを介して電源回路１５ａからオン電圧を供給することで、未接続の端子ｐ１にもオン電圧が印加されるが、それと同時に、走査線５の最初のラインＬ１にもオン電圧が印加される。
【００８８】
続いて、各ゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌshを介してシフト信号を入力すると、アクティブな状態とされる端子がそれぞれシフトし、未接続の端子ｐ１の次の未接続の端子ｐ２と、走査線５の次のラインＬ２が接続されている端子との２つの端子が、同時にそれぞれアクティブな状態になる。そして、配線Ｌonを介してオン電圧を供給すると、未接続の端子ｐ２と、走査線５の次のラインＬ２に、同時にオン電圧が印加される。
【００８９】
以降、このような制御を繰り返すことで、アクティブな状態とされる端子がそれぞれシフトして、未接続の端子ｐの最後の端子がアクティブな状態になるまで、未接続の端子ｐと、走査線５が接続されている端子との２つの端子が同時にそれぞれアクティブな状態になり、未接続の端子ｐと走査線５のあるラインＬに同時にオン電圧が印加される状態が続く。
【００９０】
すなわち、簡単に言えば、この場合は、図９中の上側の端子から順次アクティブな状態とする端子をシフトさせるが、アクティブな状態とする端子が未接続の端子ｐにシフトする時点で、図９中の最も上側の端子からのシフトを再開させるように制御する。
【００９１】
そのため、本実施形態における放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理では、図１０に示すように、あるフレームのリセット処理と次のフレームのリセット処理との間に時間を空けずに走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を連続的に順次印加する状態を実現することが可能となり、各端子をアクティブな状態とする各タイミングで、いずれかの走査線５にオン電圧が印加される状態を形成することが可能となる。
【００９２】
次に、走査線５の最終ラインＬｘから順に最初のラインＬ１に向けてオン電圧を順次印加していく場合について説明する。
【００９３】
この場合は、上記のように、図９中の下側のゲートＩＣ１５ｃの下側の端子から順に上側の端子および上側のゲートＩＣ１５ｃに向けてアクティブな状態の端子が移動していくように制御される。
【００９４】
この場合、走査駆動手段１５は、例えば図９中の最も下側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse２からシード信号を入力し、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力してアクティブな状態とする端子をシフトさせる。その際、まず、未接続の各端子ｐが順次アクティブな状態とされるが、リセット処理を開始した最初の段階で、このように未接続の各端子ｐのみが順次アクティブな状態とされることは仕方がない。
【００９５】
そして、アクティブな状態とされる端子が図中上側にシフトしていき、走査線５の最終ラインＬｘが接続されている端子がアクティブな状態とされた段階で、配線Ｌonを介する電源回路１５ａからのオン電圧の供給を開始する。そして、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力してアクティブな状態とする端子を上側にシフトさせながら、走査線５の各ラインＬｘ、Ｌx-1、…にオン電圧を順次印加する。
【００９６】
そして、図中最も下側の当該ゲートＩＣ１５ｃに接続されている走査線５の最初（すなわち図中の最も上側）のラインＬにオン電圧を印加した後、配線Ｌse１を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、下から２番目のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse２を介してシード信号を入力する。
【００９７】
このような制御を繰り返して、図９中の最も上側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse２を介してシード信号を入力する。そして、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力してアクティブな状態とする端子を上側にシフトさせ、配線Ｌonを介して電源回路１５ａからオン電圧を供給することで、各走査線５にオン電圧を順次印加していく。
【００９８】
そして、図９中の最も下側のゲートＩＣ１５ｃにおける未接続の端子ｐがｎ個あるとすると、図９中の最も上側のゲートＩＣ１５ｃの下側の端子から順にアクティブな状態としていき、走査線５のラインＬn+1が接続されている端子をアクティブな状態として、配線Ｌonを介して電源回路１５ａからオン電圧を供給して走査線５のラインＬn+1にオン電圧を印加する。
【００９９】
そして、次のタイミングで、配線Ｌshを介してシフト信号を入力してアクティブな状態とする端子を、走査線５のラインＬｎが接続されている端子にシフトさせるタイミングと同じタイミングで、図９中の最も下側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse２からシード信号を入力して、未接続の端子ｐの最も下側の端子を同時にアクティブな状態とする。すなわち、この時点では、走査線５のラインＬｎが接続されている端子と、図９中の未接続の端子ｐの最も下側の端子との２つの端子が、同時にそれぞれアクティブな状態になる。
【０１００】
そして、配線Ｌonを介して電源回路１５ａからオン電圧を供給することで、走査線５のラインＬｎにもオン電圧が印加されるが、それと同時に、未接続の端子ｐにもオン電圧が印加される。
【０１０１】
続いて、各ゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌshを介してシフト信号を入力すると、アクティブな状態とされる端子がそれぞれ上側にシフトし、未接続の端子ｐの最も下側の端子の１つ上側の端子と、走査線５の１つ上側のラインＬn-1が接続されている端子との２つの端子が、同時にそれぞれアクティブな状態になる。そして、配線Ｌonを介してオン電圧を供給すると、未接続の当該端子と、走査線５のラインＬn-1に、同時にオン電圧が印加される。
【０１０２】
以降、このような制御を繰り返すことで、アクティブな状態とされる端子がそれぞれ上側にシフトして、未接続の端子ｐの最も上側の端子ｐ１と、走査線５の最初のラインＬ１が接続されている端子とが同時にアクティブな状態になるまで、未接続の端子ｐと、走査線５が接続されている端子との２つの端子が同時にそれぞれアクティブな状態になる。そして、未接続の端子ｐと走査線５のラインＬに同時にオン電圧が印加される状態が続く。
【０１０３】
そして、次のタイミングでは、図９中の最も上側のゲートＩＣ１５ｃから配線Ｌse１を介してシード信号が出力される。また、それと同時に、図９中の最も下側のゲートＩＣ１５ｃでは、アクティブな状態とされる端子が、走査線５の最終ラインＬｘが接続されている端子にシフトする。
【０１０４】
そのため、走査線の最初のラインＬ１にオン電圧が印加された次のタイミングで、走査線５の最終ラインＬｘにオン電圧が印加される状態になる。
【０１０５】
すなわち、簡単に言えば、この場合は、図９中の下側の端子から順次アクティブな状態とする端子をシフトさせるが、走査線５のラインＬｎが接続されている端子がアクティブな状態とされる時点で、図９中の最も下側のゲートＩＣ１５ｃにシード信号を入力して図９中の最も下側の未接続の端子ｐを同時にアクティブな状態とする。そして、アクティブな状態とする端子を上側と下側とで同時にシフトさせるように制御する。
【０１０６】
そのため、この場合の放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理においても、図１１に示すように、あるフレームのリセット処理と次のフレームのリセット処理との間に時間を空けずに走査線５の各ラインＬｘ〜Ｌ１にオン電圧を連続的に順次印加する状態を実現することが可能となり、各端子をアクティブな状態とする各タイミングで、いずれかの走査線５にオン電圧が印加される状態を形成することが可能となる。
【０１０７】
図１０や図１１に示したように、あるフレームのリセット処理と次のフレームのリセット処理との間に時間を空けずに走査線５の各ラインＬｘ〜Ｌ１にオン電圧を連続的に順次印加するように構成すると、例えば図１０と図１８とを比較して分かるように、走査線５のあるラインＬに注目した場合、先のフレームでオン電圧が印加された後、次のフレームでオン電圧が印加されるまでの時間、すなわち当該走査線５にオフ電圧が印加されている時間が短くなる。
【０１０８】
そのため、その時間の間に、各放射線検出素子７内に蓄積される暗電荷をより少なくすることが可能となり、リセット効率を向上させることが可能となる。
【０１０９】
また、通常、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されて放射線画像撮影が行われる前や後に、各放射線検出素子７から読み出される画像データＤに含まれる、暗電荷に起因するオフセット分を取得するためのオフセットデータの取得処理（ダーク読取処理ともいう。）が行われる。
【０１１０】
このオフセットデータの取得処理では、放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理から画像データＤの読み出し処理までの各処理が同じ処理シーケンスで繰り返されてオフセットデータＯが取得される。なお、このオフセットデータの取得処理では、放射線画像撮影装置１には放射線は照射されない。
【０１１１】
その際、放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理で、図１８に示したように、あるフレームのリセット処理と次のフレームのリセット処理との間に時間が空く場合には、オフセットデータの取得処理における各放射線検出素子７のリセット処理においても、フレーム間に同じ時間だけ時間を空けることが必要になるが、その分、オフセットデータの取得処理に要する時間が長くなる。
【０１１２】
それに対して、本実施形態のように（図１０、図１１参照）、放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理で、１フレーム分のリセット処理を終えた後、時間を空けずに次のフレームのリセット処理を行う場合には、オフセットデータの取得処理における各放射線検出素子７のリセット処理においても、各フレームのリセット処理の間に時間を空ける必要がなく、時間を空けずに連続的にリセット処理を行うことになる。
【０１１３】
そのため、各フレームごとに時間を空けずに各フレームごとのリセット処理を行うことが可能となるため、その分、オフセットデータの取得処理に要する時間を短縮することが可能となる。
【０１１４】
次に、放射線画像撮影前から、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理を行う場合について説明する。
【０１１５】
まず、走査線５の最初のラインＬ１から順に最終ラインＬｘに向けてオン電圧を順次印加していく場合について説明する。
【０１１６】
この場合、従来の制御の仕方では、例えば、走査線５が接続されている端子側から未接続の端子ｐ側に向けて（すなわち図９中の上側から下側に向けて）、アクティブな状態とする各ゲートＩＣ１５ｃの各端子をシフトさせる場合、前述したように、未接続の端子ｐがアクティブな状態とされてシフトされている間は、ゲートＩＣ１５ｃの各端子に接続されている走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにはオン電圧は印加されない。
【０１１７】
そのため、放射線画像撮影前から、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理を行う場合、図１２に示すように、１フレーム分の読み出し処理が終了した後、次のフレームの読み出し処理が開始されるまでの間に時間が空いてしまう。
【０１１８】
しかし、本実施形態では、上記の放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理の場合（図１０参照）と同様に、走査駆動手段１５は、少なくとも放射線画像撮影前から行われる各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理において、ゲートドライバ１５ｂの未接続の端子ｐにオン電圧を印加するタイミングで、同時に走査線５が接続されている端子にオン電圧を印加するように構成される。
【０１１９】
そして、各タイミングで、走査線５のいずれかのラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧が印加される状態で、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加するように構成される。
【０１２０】
そして、この場合は、図９中の上側の端子から順次アクティブな状態とする端子をシフトさせるが、アクティブな状態とする端子が未接続の端子ｐにシフトする時点で、図９中の最も上側の端子からのシフトを再開させるように制御する。
【０１２１】
そのため、本実施形態では、放射線画像撮影前から行われる各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理では、図１３に示すように、あるフレームの読み出し処理と次のフレームの読み出し処理との間に時間を空けずに走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を連続的に順次印加する状態を実現することが可能となり、各端子をアクティブな状態とする各タイミングで、いずれかの走査線５にオン電圧が印加される状態を形成することが可能となる。
【０１２２】
また、走査線５の最終ラインＬｘから順に最初のラインＬ１に向けてオン電圧を順次印加していく場合、すなわち図９中の下側の端子から順次アクティブな状態とする端子をシフトさせる場合も、同様に、図１４に示すように、あるフレームの読み出し処理と次のフレームの読み出し処理との間に時間を空けずに走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を連続的に順次印加する状態を実現することが可能となる。そのため、各端子をアクティブな状態とする各タイミングで、いずれかの走査線５にオン電圧が印加される状態を形成することが可能となる。
【０１２３】
そして、上記のように構成すると、放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理の場合（図１０、図１１参照）と同様に、図１３や図１４に示したように、あるフレームの読み出し処理と次のフレームの読み出し処理との間に時間を空けずに走査線５の各ラインＬｘ〜Ｌ１にオン電圧が連続的に順次印加される。
【０１２４】
そのため、例えば図１８と比較して分かるように、先のフレームでオン電圧が印加されてから次のフレームでオン電圧が印加されるまでの時間、すなわち走査線５にオフ電圧が印加されている時間が短くなるため、その時間の間に、各放射線検出素子７内に蓄積される暗電荷をより少なくすることが可能となるといった優れた効果を得ることが可能となる。そして、オフセットデータの取得処理に要する時間を短縮することが可能となるといった効果があることは前述した通りである。
【０１２５】
放射線画像撮影前から行われるフレームごとの読み出し処理で読み出される画像データＤは、例えば、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されて行われる放射線画像撮影後に読み出される本画像としての画像データＤを修正するために用いることができる。
【０１２６】
また、例えば、放射線画像撮影前の読み出し処理で読み出される画像データＤを監視することによって、図示しない放射線発生装置から放射線の照射を開始したことに関する情報を入手しなくても、放射線画像撮影装置１自体で、少なくとも放射線画像撮影装置１に対して放射線の照射が開始されたことを検出することができる。
【０１２７】
具体的には、放射線画像撮影前から行われる読み出し処理で読み出される画像データＤを時系列的にプロットすると、例えば図１５に示すように、放射線の照射が開始される時点（図中の時刻ｔ１参照）より前には、画像データＤとして、比較的値が小さい画像データＤが読み出される。
【０１２８】
なお、この時点で、放射線が照射される以前の画像データＤが０にならない理由は、前述したように、各フレームごとの読み出し処理の間に各放射線検出素子７内に暗電荷が蓄積され、蓄積された暗電荷に起因ずるデータが画像データＤとして読み出されるためである。
【０１２９】
そして、放射線発生装置から放射線画像撮影装置１に対して放射線の照射が開始されると（図中の時刻ｔ１参照）、放射線画像撮影装置１の各放射線検出素子７内で放射線の照射に起因する電荷が発生し、それが画像データＤとして読み出されるため、読み出される画像データＤの値が格段に大きくなる。
【０１３０】
そのため、図１５に示すように、例えば閾値Ｄthを適切な値に設定しておくことで、読み出された画像データＤが閾値Ｄthを越えた時点で、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されたことを検出することができる。
【０１３１】
しかし、その際、例えば図１２に示した従来の制御の仕方では、前のフレームで走査線５の最終ラインＬｘにオン電圧を印加してから、次のフレームで走査線５の最初のラインＬ１にオン電圧を印加するまでに時間が空いてしまう。
【０１３２】
そのため、その間に放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されても、次のフレームで走査線５の最初のラインＬ１にオン電圧が印加されて画像データＤが読み出されるまでは、放射線の照射の開始を検出することができない。そして、その分だけ、放射線の照射の開始を検出するタイミングが遅れてしまうことになる。
【０１３３】
それに対して、本実施形態では、放射線画像撮影前から行われる各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理で、ゲートドライバ１５ｂの未接続の端子ｐをアクティブな状態とするタイミングと同じタイミングで走査線５が接続されている端子をアクティブな状態にして、あるフレームの読み出し処理と次のフレームの読み出し処理との間に時間を空けずに走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を連続的に順次印加するように構成する。
【０１３４】
このように構成すれば、図１３や図１４に示したように、前のフレームで走査線５の最終ラインＬｘ（図１３の場合）或いは走査線５の最初のラインＬ１（図１４の場合）にオン電圧を印加してから、次のフレームで走査線５の最初のラインＬ１（図１３の場合）或いは走査線５の最終ラインＬｘ（図１４の場合）にオン電圧を印加するまでに時間が空かない。
【０１３５】
そのため、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されると、その直後の読み出し処理で読み出された画像データＤに基づいて放射線の照射の開始を検出することが可能となり、放射線の照射が開始された時点で的確に放射線の照射の開始を検出することが可能となるといった優れた効果を得ることができる。
【０１３６】
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、少なくとも放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理や各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理において、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加する際に、未接続の端子ｐにオン電圧を印加するタイミングで、同時に、走査線５が接続されている端子にオン電圧を印加して、各タイミングでいずれかの走査線５にオン電圧が印加される状態とする。そして、このような状態で、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加する。
【０１３７】
そのため、ゲートドライバ１５ｂを構成する各ゲートＩＣ１５ｃに、走査線５が未接続の端子ｐが存在する場合であっても、フレームごとに間隔を空けずに放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理（図１０、図１１参照）や画像データＤの読み出し処理（図１３、図１４参照）を行うことが可能となる。
【０１３８】
そして、先のフレームでの処理と次のフレームでの処理との間に時間を空けずに、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を連続的に順次印加する状態を実現することが可能となる。
【０１３９】
そのため、走査線５に、先のフレームでオン電圧が印加されてから次のフレームでオン電圧が印加されるまでの時間、すなわち当該走査線５にオフ電圧が印加されている時間が短くなり、その間に各放射線検出素子７内に蓄積される暗電荷をより少なくすることが可能となる。
【０１４０】
また、放射線画像撮影の前または後に、オフセットデータの取得処理を行う場合には、あるフレームでの処理と次のフレームでの処理との間に時間が空けなくてよくなるため、オフセットデータの取得処理に要する時間を短縮することが可能となる。
【０１４１】
なお、上記の実施形態の走査駆動手段１５では、図９に示したように、ある走査線５が接続されている端子と未接続の端子ｐとが同時にアクティブの状態とされる場合、当該走査線５が接続されている端子を有するゲートＩＣ１５ｃと、未接続の端子ｐを有するゲートＩＣ１５ｃとに、共通の配線Ｌonを介して電源回路１５ａから同時にオン電圧が供給される。
【０１４２】
そのため、本来、未接続の端子ｐにはオン電圧を印加すべき走査線５が接続されていないため、オン電圧を印加する必要がないにもかかわらず、未接続の端子ｐにもオン電圧が供給される状態となる。
【０１４３】
その際、未接続の端子ｐにオン電圧を供給しても、電力を消費せず、また、走査線５に印加されているオン電圧の印加状況に何ら影響を及ぼさない場合は、図９に示した本実施形態に係る構成を採用することが可能である。
【０１４４】
しかし、未接続の端子ｐにオン電圧を供給すると、電力を無駄に消費したり、或いは、走査線５に印加されているオン電圧の印加状況に影響を及ぼしてしまうような場合には、例えば以下のように構成することが可能である。
【０１４５】
例えば、図９に示した走査駆動手段１５の電源回路１５ａを、各ゲートＩＣ１５ｃに対してオン電圧を供給するか供給しないかを切り替えられるように構成し、未接続の端子ｐを有するゲートＩＣ１５ｃに対しては、当該ゲートＩＣ１５ｃの各端子のうち、走査線５が接続されている端子がアクティブの状態では電源回路１５ａからオン電圧を供給し、未接続の端子ｐがアクティブの状態の場合には電源回路１５ａからオン電圧を供給しないように構成することが可能である。
【０１４６】
このように構成すれば、未接続の端子ｐにオン電圧を供給して電力を無駄に消費したり、或いは、走査線５に印加されているオン電圧の印加状況に影響を及ぼしてしまうことを的確に防止することが可能となる。
【０１４７】
また、電源回路１５ａをこのように構成できない場合には、例えば、走査駆動手段１５の構成を変更して、例えば図１６に示す走査駆動手段１５＊のように、各端子に走査線５が接続されている各ゲートＩＣ１５ｃにオン電圧を供給する電源回路１５ａとは別に、未接続の端子ｐを有するゲートＩＣ１５ｃにオン電圧を供給する第２の電源回路１５ａ＊を備えるように構成することができる。
【０１４８】
そして、第２の電源回路は、未接続の端子ｐを有するゲートＩＣ１５ｃの各端子のうち、走査線５が接続されている端子がアクティブな状態では第２の電源回路１５ａ＊から当該ゲートＩＣ１５ｃにオン電圧を供給し、未接続の端子ｐがアクティブの状態の場合には第２の電源回路１５ａ＊から当該ゲートＩＣ１５ｃにはオン電圧を供給しないように構成する。
【０１４９】
このように構成することによっても、上記と同様に、未接続の端子ｐにオン電圧を供給して電力を無駄に消費したり、或いは、走査線５に印加されているオン電圧の印加状況に影響を及ぼしてしまうことを的確に防止することが可能となる。
【符号の説明】
【０１５０】
１  放射線画像撮影装置
５  走査線
６  信号線
７  放射線検出素子
８  ＴＦＴ（スイッチ手段）
１５、１５＊  走査駆動手段
１５ａ  電源回路
１５ａ＊  第２の電源回路
１５ｂ  ゲートドライバ
１５ｃ  ゲートＩＣ
１７  読み出し回路
２２  制御手段
Ｄ  画像データ
ｐ  未接続の端子（走査線が接続されていない端子）
ｒ  領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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