(57)【要約】      （修正有）【課題】隣接する装置の高さに拘らず装置間の隙間を充填可能とし、装置間の振動を緩和する振動緩和材を提供する。【解決手段】直方体形状の頭部と、該頭部の一面より突出する突出部とを有する振動緩和材１であって、隣接する装置２，間に形成される間隙３に前記突出部又は前記頭部の一縁部を挿入可能とした。【選択図】図１
2012215252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直方体形状の頭部と、該頭部の一面より突出する突出部とを有する振動緩和材であって、隣接する装置間に形成される間隙に前記突出部又は前記頭部の一縁部を挿入可能としたことを特徴とする振動緩和材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数並んで設けられた装置の振動を緩和する振動緩和材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種装置、特に縦型熱処理装置等の基板処理装置を客先にて設置する場合、複数の基板処理装置は連続的に並んだ状態で設置される。
【０００３】
然し乍ら、基板処理装置を連続して設置する場合、隙間が生じない様に並べた場合でも、隣接する基板処理装置の上端部間には約１０ｍｍ程度の隙間が存在してしまう。この状態で地震等により基板処理装置に振動が生じた場合、各基板処理装置が前後左右方向に揺動し、基板処理装置同士が接触し、或は基板保持具及び基板保持具に保持される基板が損傷する虞れがある。
【０００４】
耐震対策として、隣接する基板処理装置の上端部同士を連結金具にて連結し、基板処理装置に対する振動を抑制するものもあるが、隣接する基板処理装置の高さ等が異なる場合には、連結金具を取付けることができない等の問題があった。
【０００５】
尚、露光装置本体の下端に左横向きの突入部を有し、又突入部に対向して震動吸収材が設けられ、地震発生時に突入部が震動吸収材に突刺さり、震動吸収材により震動エネルギを減衰させる制震ダンパ及び制震ダンパを備えた露光装置として特許文献１に示されるものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２２７９２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は斯かる実情に鑑み、隣接する装置の高さに拘らず装置間の間隙を充填可能とし、装置間の振動を緩和する振動緩和材を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、直方体形状の頭部と、該頭部の一面より突出する突出部とを有する振動緩和材であって、隣接する装置間に形成される間隙に前記突出部又は前記頭部の一縁部を挿入可能とした振動緩和材に係るものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、直方体形状の頭部と、該頭部の一面より突出する突出部とを有する振動緩和材であって、隣接する装置間に形成される間隙に前記突出部又は前記頭部の一縁部を挿入可能としたので、隣接する前記装置の高さに拘らず間隙が充填され、間隙があることで地震等の振動により隣接する前記装置が相対的に振動するのを防止でき、該装置に生じる振動を大幅に緩和できると共に、該装置同士が接触し、破損するのを防止することができるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る基板処理装置と振動緩和材を示す斜視図である。
【図２】本発明に係る基板処理装置を示す斜視図である。
【図３】該基板処理装置に用いられる処理炉の立断面図である。
【図４】本発明に係る振動緩和材を示す斜視図である。
【図５】本発明の第１の実施例に係る振動緩和材の取付けを示す概略立面図である。
【図６】本発明の第２の実施例に係る振動緩和材の取付けを示す概略立面図である。
【図７】本発明の第３の実施例に係る振動緩和材の取付けを示す概略立面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。
【００１２】
先ず、図１に於いて、本発明の実施例に係る振動緩和材の適用例について説明する。
【００１３】
図１中、１は振動緩和材、２は該振動緩和材１が適用される装置の一例として、基板処理装置を示している。
【００１４】
納品先で該基板処理装置２を設置する際には、図１に示される様に、該基板処理装置２を所定数（図１中では３台）並べて設置する。この時、隣接する該基板処理装置２，２を隙間なく設置した場合であっても、該基板処理装置２，２の上端部間には間隙３が形成される。
【００１５】
本発明に係る実施例では、前記基板処理装置２，２の上端部間に形成された間隙３に前記振動緩和材１を挿入し、前記基板処理装置２，２間に前記振動緩和材１を介在させることで間隙３を充填し、間隙３があることで地震等により隣接する前記基板処理装置２，２が相対的に振動するのを防止している。
【００１６】
図２に於いて、前記振動緩和材１が適用される基板処理装置２の詳細について説明する。
【００１７】
本発明の実施例に係る前記基板処理装置２では、ウェーハ（基板）４は基板収納容器としてのカセット５に収納され、搬入出される。
【００１８】
前記基板処理装置２は、筐体６を備え、該筐体６の正面壁７の下方にはメンテナンスを行う為の正面メンテナンス口８が開設され、該正面メンテナンス口８は正面メンテナンス扉９により開閉される様になっている。該正面メンテナンス扉９には、前記筐体６の内外を連通するカセット搬入搬出口１１がフロントシャッタ１２によって開閉される様設けられ、前記筐体６の内部に前記カセット搬入搬出口１１に隣接してカセットステージ１３が設置されている。
【００１９】
カセット５は前記カセットステージ１３上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、又前記カセットステージ１３上から搬出される様になっている。該カセットステージ１３は、前記工程内搬送装置によって、カセット５内のウェーハ４が垂直姿勢となり、カセット５のウェーハ出入れ口が上方向を向く様に載置される。
【００２０】
前記筐体６内の前後方向の略中央には、カセット棚（基板収容器載置棚）１４が設置され、該カセット棚１４は複数段複数列にて複数個のカセット５を保管し、カセット５内のウェーハ４を出入れ可能となる様に配置されている。前記カセット棚１４はスライドステージ（水平移動機構）１５上に横行可能に設けられ、又前記カセット棚１４の上方にはバッファ棚（基板収容器保管棚）１６が設けられており、該バッファ棚１６によりカセット５を保管する様になっている。
【００２１】
前記カセットステージ１３と前記カセット棚１４との間には、カセット搬送装置（基板収容器搬送装置）１７が設置されている。該カセット搬送装置１７は、カセット５を保持した状態で昇降可能なカセットエレベータ（基板収容器昇降機構）１８とカセット搬送機構（基板収容器搬送機構）１９とで構成され、前記カセットエレベータ１８と前記カセット搬送機構１９の連続動作により、前記カセットステージ１３、前記カセット棚１４、前記バッファ棚１６との間でカセット５を搬送する。
【００２２】
前記カセット棚１４の後方には、ウェーハ移載機構（基板移載機構）２１が設けられ、該ウェーハ移載機構２１はウェーハ４を水平方向に回転及び直動可能なウェーハ移載装置（基板移載装置）２２及び該ウェーハ移載装置２２を昇降可能なウェーハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）２３とで構成されている。該ウェーハ移載装置エレベータ２３は、例えば前記筐体６の左端部に設けられており、前記ウェーハ移載装置２２及び前記ウェーハ移載装置エレベータ２３の連続動作により、前記ウェーハ移載装置２２のツイーザ（基板保持体）２４をウェーハ４の載置部として、ボート（基板保持具）２５に対してウェーハ４が装填及び脱装される。
【００２３】
前記バッファ棚１６の後方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給するクリーンユニット２６が設けられ、該クリーンユニット２６はクリーンエアを前記筐体６の内部に流通させる様になっており、前記クリーンユニット２６から吹出されたクリーンエアは前記ウェーハ移載装置２２を流通後、図示しない排気装置により前記筐体６の外部に排気される。
【００２４】
前記ウェーハ移載装置２２の後方には、大気圧未満の圧力（以下、負圧）を維持可能な気密性能を有する筐体（以下、耐圧筐体）２７が設けられており、該耐圧筐体２７により前記ボート２５を収容可能な待機室であるロードロック室２８が形成される。前記耐圧筐体２７の正面壁２９にはウェーハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）３１が開設され、該ウェーハ搬入搬出口３１はゲートバルブ（基板搬入搬出口開閉機口）３２によって開閉される様になっている。又、前記耐圧筐体２７の側壁には、前記ロードロック室２８に窒素ガス等の不活性ガスを供給する為のガス供給管３３と、前記ロードロック室２８が負圧となる様排気する為の排気管（図示せず）がそれぞれ接続されている。
【００２５】
前記ロードロック室２８の上方には処理炉３４が設けられ、該処理炉３４の下端開口部（炉口部）は、炉口ゲートバルブ（炉口開閉機口）３５により開閉される様に構成される。
【００２６】
又、前記ロードロック室２８には、前記ボート２５を昇降させる為のボートエレベータ（基板保持具昇降機構）３６が設置されている。該ボートエレベータ３６に連結されたアームには、蓋体としてのシールキャップ３７が水平に据付けられており、該シールキャップ３７は前記ボート２５を垂直に支持すると共に、前記処理炉３４の炉口部を閉塞できる様になっている。
【００２７】
更に、前記ボート２５は複数本の保持部材を有し、該保持部材により複数枚（例えば、５０〜１５０枚程度）のウェーハ４が中心を揃えられ、垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持される。
【００２８】
次に、図３に於いて、前記処理炉３４について説明する。
【００２９】
該処理炉３４は加熱機構としてのヒータ３８及び反応管３９を有する。前記ヒータ３８は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース４１に立設されている。
【００３０】
前記ヒータ３８の内側には、該ヒータ３８と同心に前記反応管３９が配設され、該反応管３９は内部反応管４２と、該内部反応管４２の外側に設けられた外部反応管４３とから構成されている。前記内部反応管４２は耐熱材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。該内部反応管４２は円筒状の処理室４４を画成し、該処理室４４には前記ボート２５が収納される。前記外部反応管４３は耐熱材料からなり、有天筒状をしており、前記内部反応管４２と同心に設けられている。
【００３１】
前記処理室４４の下方には、前記外部反応管４３と同心にマニホールド４５が配設され、該マニホールド４５は上端及び下端が開口した円筒形状となっている。該マニホールド４５は、前記内部反応管４２と前記外部反応管４３を支持する様に設けられ、前記マニホールド４５と前記外部反応管４３とはシール部材としてのＯリング４６を介して気密に接合している。前記反応管３９と前記マニホールド４５により反応容器が形成される。
【００３２】
前記シールキャップ３７にはガス導入部としてのノズル４７が前記処理室４４と連通する様に接続されており、前記ノズル４７にはガス供給管４８が接続されている。該ガス供給管４８の前記ノズル４７に対して上流側には、ガス流量制御器４９を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。前記ガス流量制御器４９にはガス流量制御部５１が電気的に接続されており、該ガス流量制御部５１は供給するガスの流量が所望の量となる様所望のタイミングにて前記ガス流量制御器４９を制御する様に構成されている。
【００３３】
前記マニホールド４５には、前記処理室４４の雰囲気を排気する排気管５２が設けられている。該排気管５２は、前記内部反応管４２と前記外部反応管４３との隙間によって形成される筒状空間５３の下端部に連通している。前記排気管５２には下流側に向って圧力センサ５４及び圧力調整装置５５を介して真空ポンプ等の真空排気装置５６が接続されている。
【００３４】
前記圧力調整装置５５及び前記圧力センサ５４には、圧力制御部５７が電気的に接続されており、該圧力制御部５７は前記圧力センサ５４により検出された圧力に基づいて、前記圧力調整装置５５により前記処理室４４の圧力が所望の圧力（真空度）となる様所望のタイミングにて前記真空排気装置５６を制御する様に構成されている。
【００３５】
前記マニホールド４５の下端開口は炉口部を構成し、該炉口部は前記シールキャップ３７により開閉される。該シールキャップ３７は円盤状に形成されると共に上面にシール部材としてのＯリング５８が設けられ、該Ｏリング５８を介して前記シールキャップ３７と前記マニホールド４５の下端に気密に接合可能となっている。前記シールキャップ３７の下側には、前記ボート２５を回転させる回転機構５９が設置されている。該回転機構５９の回転軸６１は、前記シールキャップ３７を気密に貫通して前記ボート２５に接続されており、前記回転機構５９により前記ボート２５を回転させることで、ウェーハ４を回転させる様に構成されている。
【００３６】
前記シールキャップ３７は、前述した様に前記ボートエレベータ３６に連結され、該ボートエレベータ３６によって垂直方向に昇降される様に構成されており、昇降により前記ボート２５を前記処理室４４に対して搬入搬出することが可能となっている。前記回転機構５９及び前記ボートエレベータ３６には駆動制御部６２が電気的に接続されており、該駆動制御部６２は所望の動作をする様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００３７】
前記ボート２５は耐熱材料からなり、下部には、耐熱材料からなる円板形状をした断熱材としての断熱板６３が水平姿勢で多段に配設されており、前記ヒータ３８からの熱が前記マニホールド４５側に伝わり難くなる様構成されている。
【００３８】
前記反応管３９内には温度センサ６４が設置されている。前記ヒータ３８と前記温度センサ６４には温度制御部６５が電気的に接続されており、前記温度センサ６４により検出された温度情報に基づき、前記ヒータ３８への通電具合を調整することにより、前記処理室４４の温度が所望の温度分布となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００３９】
前記ガス流量制御部５１、前記圧力制御部５７、前記駆動制御部６２、前記温度制御部６５は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置２全体を制御する主制御部６６に電気的に接続されている。これら、前記ガス流量制御部５１、前記圧力制御部５７、前記駆動制御部６２、前記温度制御部６５、前記主制御部６６はコントローラ６７として構成されている。
【００４０】
次に、前記基板処理装置２の動作について説明する。
【００４１】
先ず、前記カセット搬入搬出口１１が前記フロントシャッタ１２によって開放され、その後カセット５が前記カセット搬入搬出口１１から搬入され、前記カセットステージ１３上にウェーハ４が垂直姿勢でカセット５のウェーハ出入れ口が上方向を向く様に載置される。
【００４２】
前記カセットステージ１３上に載置されたカセット５は、前記カセット搬送装置１７によって掬上げられ、ウェーハ４が水平姿勢でカセット５のウェーハ出入れ口が前記筐体６後方を向く様に、該筐体６後方に向って右回りに縦方向９０°回転される。続いて、カセット５は前記カセット搬送装置１７によって、前記カセット棚１４又は前記バッファ棚１６の指定された棚位置へ自動的に搬送されて受渡される。前記バッファ棚１６に搬送されたカセット５は、前記バッファ棚１６に一時的に保管された後、前記カセット搬送装置１７によって前記カセット棚１４に移載される。
【００４３】
前記スライドステージ１５は、前記カセット棚１４を水平移動させ、移載の対象となるカセット５を前記ウェーハ移載装置２２に対峙する様に位置決めする。カセット５の位置決め後、予め内部が大気圧状態とされていた前記ロードロック室２８の前記ウェーハ搬入搬出口３１が、前記ゲートバルブ３２の動作により開放される。前記ツイーザ２４によりウェーハ４がカセット５のウェーハ出入れ口を通じてピックアップされ、前記ウェーハ搬入搬出口３１を通じて前記ロードロック室２８に搬入され、前記ボート２５へ移載され装填される。該ボート２５にウェーハ４を受渡した前記ウェーハ移載装置２２はカセット５に戻り、次のウェーハ４を前記ボート２５に装填する。
【００４４】
予め指定された枚数のウェーハ４が前記ボート２５に装填されると、前記ウェーハ搬入搬出口３１が前記ゲートバルブ３２によって閉じられ、前記ロードロック室２８は前記排気管（図示せず）から真空引きされることにより、減圧される。前記ロードロック室２８が前記処理炉３４内の圧力と同圧に減圧されると、該処理炉３４の炉口部が前記炉口ゲートバルブ３５によって開放される。続いて、前記シールキャップ３７が前記ボートエレベータ３６によって上昇され、前記ボート２５が前記処理炉３４内へ搬入（ローディング）されていく。
【００４５】
ローディング後は、前記処理炉３４にて以下の様にウェーハ４に所要の処理が実施される。
【００４６】
前記処理室４４が所望の圧力（真空度）となる様に前記真空排気装置５６によって真空排気される。この際、前記処理室４４の圧力は、前記圧力センサ５４で測定され、この測定された圧力に基づき、前記圧力調整装置５５がフィードバック制御される。又、前記処理室４４が所望の温度となる様に前記ヒータ３８によって加熱される。この際、前記処理室４４が所望の温度分布となる様に、前記温度センサ６４が検出した温度情報に基づき、前記ヒータ３８への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記回転機構５９により、前記ボート２５が回転されることでウェーハ４が回転される。処理中ウェーハ４が回転されることで、ウェーハ１の面内均一性が向上する。
【００４７】
次いで、処理ガス供給源から供給され、前記ガス流量制御器４９にて所望の流量となる様に制御されたガスは、前記ガス供給管４８を流通して前記ノズル４７から前記処理室４４に導入される。導入されたガスは前記処理室４４を上昇し、前記内部反応管４２の上端開口から前記筒状空間５３に流出して前記排気管５２から排気される。ガスは前記処理室４４を通過する際にウェーハ４の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウェーハ４の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。
【００４８】
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、前記処理室４４が不活性ガスに置換されると共に、前記処理室４４の圧力が常圧に復帰される。
【００４９】
その後、前記ボートエレベータ３６により前記シールキャップ３７が下降され、炉口部が開口されると共に、処理済みのウェーハ４が前記ボート２５に保持された状態で炉口部から前記反応管３９の外部に搬出（ボートアンローディング）され、処理済みウェーハ４が前記ボート２５より取出される（ウェーハディスチャージ）。
【００５０】
処理済みウェーハ４が前記ボート２５より取出された後は、上述と逆の手順でウェーハ４及びカセット５が前記筐体６の外部へと払出される。
【００５１】
尚、一例迄、本実施例の処理炉にてウェーハを処理する際の処理条件としては、例えばＳｉ3 Ｎ4 膜の成膜に於いては、処理温度５００℃〜７００℃、処理圧力３０Ｐａ〜４０Ｐａ、ガス種、ガス供給流量（ＮＨ3 、０ｓｃｃｍ〜５００ｓｃｃｍ）が例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウェーハに処理がなされる。
【００５２】
次に、図４に於いて、本発明に係る前記振動緩和材１の詳細について説明する。
【００５３】
該振動緩和材１は、断面Ｔ字状の１０面体のブロック体であり、テフロン（登録商標）、ポリエチレン、ポリプロピレン等の弾性を有し、且つ摩擦力の低い材質により成形される。前記振動緩和材１は直方体形状の頭部６８と、該頭部６８の下面中央より長手方向全長に亘って垂直に突出する直方体形状の突出部６９とで構成され、前記頭部６８の両縁部の高さ及び前記突出部６９の幅は同一となっている。
【００５４】
前記頭部６８には、該頭部６８を貫通する孔７１，７１が前記突出部６９と平行に２箇所穿設されると共に、該突出部６９を挾んで前記孔７１，７１と対称な位置には、前記頭部６８の上面より盲穴又は貫通穴であるネジ穴７２，７２が２箇所穿設されており、前記振動緩和材１，１の上面同士を接触させた際には、前記孔７１と前記ネジ孔７２の位置が一致する様になっている。
【００５５】
尚、前記振動緩和材１は、単独でも使用可能であり、又２つの該振動緩和材１，１を一体化して使用することもできる。
【００５６】
前記振動緩和材１，１を一体化する際には、該振動緩和材１，１の上面同士を接触させて前記孔７１と前記ネジ穴７２の位置を一致させた後に、ボルト７３を前記孔７１に挿通し、前記ネジ穴７２に螺入させることで前記振動緩和材１，１が一体化される。
【００５７】
図５は、本発明に係る該振動緩和材１の第１の実施例を示しており、基板処理装置２と、該基板処理装置２よりも高い基板処理装置２′が隣接している場合を示している。尚、第１の実施例では、前記振動緩和材１が単体で使用されるものとする。
【００５８】
第１の実施例では、前記頭部６８の一方の縁部が間隙３に挿入されている。挿入された状態では、前記振動緩和材１の突出部６９の側面が前記基板処理装置２の上面に当接し、前記頭部６８の下面が前記基板処理装置２の側面に当接すると共に、前記頭部６８の上面が前記基板処理装置２′の側面に当接する。
【００５９】
前記振動緩和材１の頭部６８の一方の縁が前記基板処理装置２，２′間に挿入されることで、該基板処理装置２，２′間に形成される間隙３が充填されるので、間隙３があることで地震等により隣接する前記基板処理装置２，２′が相対的に振動するのを防止でき、該基板処理装置２，２′に生じる振動を大幅に緩和できると共に、該基板処理装置２，２′同士が接触し、破損するのを防止することができる。
【００６０】
又、前記突出部６９の側面が前記基板処理装置２の上面に当接することで、前記振動緩和材１が間隙３内に落下することが防止される。
【００６１】
又、第１の実施例では、高さの低い前記基板処理装置２の上面と側面に前記振動緩和材１が当接し、高さの高い前記基板処理装置２′は側面のみが前記振動緩和材１と当接する様になっているので、高さの異なる基板処理装置２，２′が隣接している場合でも前記振動緩和材１を取付けることができる。
【００６２】
又、前記振動緩和材１をテフロン、ポリエチレン、ポリプロピレン等の弾性を有する、且つ摩擦力の低い材質にて成形したので、前記振動緩和材１の弾性により前記基板処理装置２の振動を更に緩和でき、更に隣接する基板処理装置２，２′が相対的に振動した際の前記振動緩和材１との接触により傷が生じるのを防止することができ、又一方の基板処理装置２の振動が他方の基板処理装置２の振動を誘発することも防止される。
【００６３】
更に、前記基板処理装置２に新たな機構を追加することなく、別部材である前記振動緩和材１を間隙３に挿入させるだけでよいので、安価且つ容易に前記基板処理装置２の振動の緩和を実現することができる。
【００６４】
図６は、本発明に係る振動緩和材１の第２の実施例を示しており、隣接する基板処理装置２，２の高さが等しい場合を示している。尚、第２の実施例に於いても、前記振動緩和材１が単体で使用されるものとする。
【００６５】
第２の実施例では、前記振動緩和材１の頭部６８の下面が隣接する前記基板処理装置２，２の上面に掛渡った状態で当接し、突出部６９が前記基板処理装置２，２間の間隙３に挿入され、前記突出部６９の両側面がそれぞれ前記基板処理装置２，２の側面に当接する。
【００６６】
第２の実施例では、前記頭部６８の下面が前記基板処理装置２，２の上面に掛渡った状態で当接しているので、振動により一時的に間隙３が広がった場合でも前記振動緩和材１が間隙３に落下することがない。
【００６７】
又、前記振動緩和材１が間隙３に対して隙間なく挿入されることで、振動により前記基板処理装置２，２同士が衝突し、相互に損傷し合うことが防止される。
【００６８】
図７は、本発明に係る振動緩和材１の第３の実施例を示しており、隣接する前記基板処理装置２，２の高さが等しく、間隙３の幅が広い場合を示している。
【００６９】
第１の実施例及び第２の実施例が１つの振動緩和材１を用いて前記基板処理装置２，２間の間隙３を充填していたのに対し、第３の実施例では２つの前記振動緩和材１，１を一体化したものを使用して間隙３を充填している。２つの前記振動緩和材１，１は、上面同士を当接して孔７１とネジ穴７２との位置合せを行い、前記孔７１を挿通して前記ネジ穴７２にボルト７３を螺入することで一体化される。
【００７０】
第３の実施例では、前記振動緩和材１，１の前記突出部６９，６９の側面が前記基板処理装置２の上面に掛渡った状態で当接し、前記頭部６８，６８の下面がそれぞれ前記基板処理装置２の側面に当接する様、重合された前記振動緩和材１，１の頭部６８，６８の一方の縁部が前記基板処理装置２，２間に挿入されているので、前記基板処理装置２，２間の間隙３が広く、１つの前記振動緩和材１では間隙３を埋めきれない場合であっても間隙３を充填可能であり、前記基板処理装置２に生じる振動を大幅に緩和することができる。
【００７１】
上述の様に、隣接する前記基板処理装置２，２間の間隙３の幅や、高さが異なる場合であっても、前記振動緩和材１の向きを変更する、或は２つの前記振動緩和材１，１を一体化することで前記基板処理装置２，２間の間隙３を充填することができるので、間隙３の幅や前記基板処理装置２の高さの違いに拘らず同一の前記振動緩和材１を用いることができ、コストの削減を図ることができる。
【００７２】
尚、第１〜第３の実施例では、前記頭部６８の両縁部の高さ、及び前記突出部６９の幅を同一としたが、前記頭部６８の一縁部の高さｔ1 、該頭部６８の他縁部の高さｔ2 、前記突出部６９の幅ｔ3 を、例えばｔ1 ＜ｔ2 ＜ｔ3 となる様に前記振動緩和材１を成形することで、前記振動緩和材１の向きを変えるだけで間隙３の幅の広さに対応でき、前記振動緩和材１の汎用性を更に向上させることができる。
【００７３】
又、第１〜第３の実施例では、前記頭部６８に２箇所の孔７１，７１と、２箇所のネジ穴７２，７２を穿設しているが、該ネジ穴７２，７２を前記頭部６８を貫通する孔とし、ボルトとナットを用いて前記振動緩和材１，１を一体化する様にしてもよい。
【００７４】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００７５】
（付記１）直方体形状の頭部と、該頭部の一面より突出する突出部とを有する振動緩和材であって、隣接する装置間に形成される間隙に前記突出部又は前記頭部の一縁部を挿入可能としたことを特徴とする振動緩和材。
【００７６】
（付記２）前記頭部を貫通する孔と、前記頭部の前記突出部の反対面に穿設されたネジ穴とを更に具備し、前記孔と前記ネジ穴を介して２つの前記振動緩和材を一体化可能とした付記１の振動緩和材。
【符号の説明】
【００７７】
１              振動緩和材
２              基板処理装置
３              間隙
６８            頭部
６９            突出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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