(57)【要約】【課題】  特に、複数のセンサ素子における検出誤差を効果的に小さくでき、また装置の小型化を図ることができる磁気検出装置を提供することを目的としている。【解決手段】  磁気センサ１０と磁石１４とが高さ方向にて間隔を空けて対向配置された磁気検出装置において、前記磁気センサ１０は、基板１１に支持された第１センサ素子１２と第２センサ素子１３とを有し、前記第１センサ素子１２と前記第２センサ素子１３とは、夫々の内部に設けられた第１磁気検知部２０の中心と第２磁気検知部２１の中心とを前記高さ方向に一致させた状態で重ねられて前記基板１１に支持されていることを特徴とする。【選択図】  図１
2012088182.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気センサと磁石とが高さ方向にて間隔を空けて対向配置された磁気検出装置において、
前記磁気センサは、基板に支持された第１センサ素子と第２センサ素子とを有し、
前記第１センサ素子と前記第２センサ素子とは、夫々の内部に設けられた第１磁気検知部の中心と第２磁気検知部の中心とを前記高さ方向に一致させた状態で重ねられて前記基板に支持されていることを特徴とする磁気検出装置。
【請求項２】
前記基板には、前記磁石と対向する第１面から反対側の第２面方向に向って空間部が形成されており、前記第２のセンサ素子は前記空間部内に配置されており、前記第１のセンサ素子が前記第２センサ素子の前記磁石との対向面側に重ねられている請求項１記載の磁気検出装置。
【請求項３】
前記空間部は、前記第１面から前記第２面にかけて貫通する貫通孔であり、前記第１センサ素子の端子部が前記基板の前記第１面に設けられた電極に接続され、前記第２センサ素子の端子部が前記基板の前記第２面に設けられた電極に接続されている請求項２記載の磁気検出装置。
【請求項４】
前記第１センサ素子と前記第２センサ素子とに同一のセンサ素子が使用され、前記第１センサ素子と前記第２センサ素子とが同じ方向に向けられた状態で重ねられている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁気検出装置。
【請求項５】
前基板には、前記磁石と対向する第１面から反対側の第２面にかけて貫通する貫通孔が形成されており、前記第１センサ素子及び前記第２センサ素子が共に前記貫通孔内であって、前記第１センサ素子は、前記第２センサ素子の前記磁石との対向面側に重ねられており、記第１センサ素子の端子部が前記基板の前記第１面に設けられた電極に接続され、前記第２センサ素子の端子部が前記基板の前記第２面に設けられた電極に接続されている請求項１記載の磁気検出装置。
【請求項６】
前記第１センサ素子と前記第２センサ素子とに同一のセンサ素子が使用され、前記第１センサ素子と前記第２センサ素子との同じ面を向い合わせた状態で、前記第１センサ素子と前記第２センサ素子とが重ねられている請求項５記載の磁気検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気検出に際し、２出力が得られるように２個のセンサ素子を有する磁気検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば磁石の回転角度を磁気により検出する磁気検出装置では、磁気検知部を備える複数のセンサ素子を用いることで、一方のセンサ素子が故障等した場合でも、他方のセンサ素子から出力を得ることができ、フェイルセーフの制御が要求される用途に使用可能となる。
【０００３】
例えば、図６に示すように、第１センサ素子３と、第２センサ素子４とを並設させて磁石１と対向させる構成では、磁石１の中心１ａと、第１センサ素子３の内部に設置される第１磁気検知部５の中心５ａ及び第２センサ素子４の内部に設置される第２磁気検知部６の中心６ａとが、ずれてしまうため、第１センサ素子３と第２センサ素子４とで得られる各検出信号が異なり、検出精度の低下が問題となった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１８５８５４号公報
【特許文献２】特開２０１０−７１８５０号公報
【特許文献３】特開２００８−１８７２０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１〜３に記載された発明には、複数の素子を高さ方向に対向させた構成が開示されている。
【０００６】
しかしながら各特許文献に記載された発明は、内部に磁気検出部を備えるセンサ素子を用いた磁気検出装置に関するものではない。このため、これら特許文献では、第１センサ素子の内部に設置された第１磁気検知部と、第２センサ素子の内部に設置された第２磁気検知部とをどのように配置するのか、何ら開示がなされていない。
【０００７】
また、図７に示すように、基板２の第１面（磁石１との対向面）２ａと第２面（前記対向面と反対面）２ｂとに夫々、第１センサ素子３と第２センサ素子４とを配置した構成では、第１センサ素子４は第１センサ素子３に比べて磁石１から遠く離れてしまう。このため磁石１から第２センサ素子４の磁気検知部（図示せず）に流入する磁界強度は、第１センサ素子３の磁気検知部（図示せず）に流入する磁界強度に比べて大きく低下してしまい、検出精度の劣化に繋がる。よって、図７の構成では、磁石１の直径を大きくして第２センサ素子へ流入する磁界強度を強めることが必要になり、磁気検出装置の小型化を実現できない。
【０００８】
そこで本発明は上記従来の問題点を解決するためのものであり、特に、複数のセンサ素子における検出誤差を効果的に小さくでき、また装置の小型化を図ることができる磁気検出装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、磁気センサと磁石とが高さ方向にて間隔を空けて対向配置された磁気検出装置において、
前記磁気センサは、基板に支持された第１センサ素子と第２センサ素子とを有し、
前記第１センサ素子と前記第２センサ素子とは、夫々の内部に設けられた第１磁気検知部の中心と第２磁気検知部の中心とを前記高さ方向に一致させた状態で重ねられて前記基板に支持されていることを特徴とするものである。
【００１０】
これにより、第１磁気検知部と第２磁気検知部とを接近させることができ、しかも第１磁気検知部の中心と第２磁気検知部の中心とを高さ方向で一致させることで、磁石から各磁気検知部に流入する磁界の方向及び強度をほぼ同じにできる。よって、第１センサ素子から得られる出力と、第２センサ素子から得られる出力とを、ばらつきが小さく高精度に得ることができ、各センサ素子の検出誤差を効果的に小さくできる。また、磁石の小型化を図ることができ、磁気検出装置の小型化を促進できる。
【００１１】
本発明では、前記基板には、前記磁石と対向する第１面から反対側の第２面方向に向って空間部が形成されており、前記第２センサ素子は前記空間部内に配置されており、前記第１センサ素子が前記第２センサ素子の前記磁石との対向面側に重ねられていることが好ましい。これにより、磁気センサの薄型化を図ることができる。
【００１２】
また本発明では、前記空間部は、前記第１面から前記第２面にかけて貫通する貫通孔であり、前記第１センサ素子の端子部が前記基板の前記第１面に設けられた電極に接続され、前記第２センサ素子の端子部が前記基板の前記第２面に設けられた電極に接続されていることが好ましい。これにより、第１センサ素子及び第２センサ素子の双方の端子部を、適切且つ簡単に基板の電極に接続することができる。
【００１３】
また本発明では、前記第１センサ素子と前記第２センサ素子とに同一のセンサ素子が使用され、前記第１センサ素子と前記第２センサ素子とが同じ方向に向けられた状態で重ねられていることが好ましい。これにより、適切且つ簡単に、第１磁気検知部の中心と、第２磁気検知部の中心とを高さ方向に一致させることが出来る。
【００１４】
また本発明では、前記基板には、前記磁石と対向する第１面から反対側の第２面にかけて貫通する貫通孔が形成されており、前記第１センサ素子及び前記第２センサ素子が共に前記貫通孔内であって、前記第１センサ素子は、前記第２センサ素子の前記磁石との対向面側に重ねられており、記第１センサ素子の端子部が前記基板の前記第１面に設けられた電極に接続され、前記第２センサ素子の端子部が前記基板の前記第２面に設けられた電極に接続されている構成にすることもできる。このとき、前記第１センサ素子と前記第２センサ素子とに同一のセンサ素子が使用され、前記第１センサ素子と前記第２センサ素子との同じ面を向い合わせた状態で、前記第１センサ素子と前記第２センサ素子とが重ねられていることが好適である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の磁気検出装置によれば、小型で且つ、複数のセンサ素子の検出誤差を効果的に小さくできる
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態における磁気検出装置の斜視図、
【図２】第１実施形態における磁気検出装置の部分縦断面図、
【図３】センサ素子の平面図、
【図４】第２実施形態における磁気検出装置の部分縦断面図、
【図５】磁気検知部に配置される複数の磁気検知素子の一例（平面図）、
【図６】従来における磁気検出装置の平面図、
【図７】従来における磁気検出装置の部分縦断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は、第１実施形態における磁気検出装置の斜視図、図２は、第１実施形態における磁気検出装置の部分縦断面図、図３は、センサ素子の平面図、図４は、第２実施形態における磁気検出装置の部分縦断面図、図５は、磁気検知部に配置される複数の磁気検知素子の一例（平面図）、である。
【００１８】
図１，図２に示す磁気検出装置（回転検出装置）９は、基板１１と、第１センサ素子１２と、第２センサ素子１３と、磁石１４とを有して構成される。基板１１、第１センサ素子１２、及び第２センサ素子１３を有して磁気センサ１０が構成される。
【００１９】
図１、図２に示すように基板１１と磁石１４とは高さ方向（Ｚ）に間隔を空けて配置されている。
【００２０】
基板１１は、プリント配線基板であり、図２に示すように、プリント配線基板１１の磁石１４との対向面に位置する第１面１１ａに第１電極１５が形成され、第１面１１ａの反対側に位置する第２面１１ｂに第２電極１６が形成されている。図示していないが第１電極１５及び第２電極１６から連続して、基板１１の内部、あるいは第１面１１ａ、第２面１１ｂの表面に配線層が延出している。
【００２１】
図１，図２に示すように、基板１１には第１面１１ａから第２面１１ｂにかけて高さ方向（Ｚ）に平行に貫く貫通孔１７が形成されている。貫通孔１７は第２センサ素子１３を収納可能な大きさで形成される。
【００２２】
図１，図２に示すように、第２センサ素子１３は、基板１１の貫通孔１７内に配置されている。そして、第２センサ素子１３の下方に折り曲げられた端子部１８が、基板１１の第２面１１ｂに設けられた第２電極１６に電気的に接続される。端子部１８と第２電極１６間が半田付けや導電性接着剤等を用いて電気的に接続される。これにより第２センサ素子１３が基板１１に固定支持される。
【００２３】
図１，図２に示すように、第１センサ素子１２が第２センサ素子１３の上面１３ａ（磁石１４との対向面）側にて重ねられている。そして、図２に示すように第１センサ素子１２の下方に折り曲げられた端子部１９が、基板１１の第１面１１ａに設けられた第１電極１５に電気的に接続される。端子部１９と第１電極１５間が半田付けや導電性接着剤等を用いて電気的に接続される。これにより第１センサ素子１２が基板１１に固定支持される。
【００２４】
図３は第１センサ素子１２の平面図である。図３に示すように第１センサ素子１２の本体部１２ａの両側面から複数本の端子部１９が外方に延出している。また本体部１２ａの内部には第１磁気検知部２０が設けられている。第１磁気検知部２０の電気接続部分（図示しない）と各端子部１９は電気的に接続されている。なお図３では第１センサ素子１２として説明したが、本実施形態では、第１センサ素子１２と第２センサ素子１３とに同一のセンサ素子が使用される。よって、第２センサ素子１３は第１センサ素子１２と同形状であり、第２センサ素子１３の内部には、第１センサ素子１２の第１磁気検知部２０と同じ箇所に、第２磁気検知部２１が設けられる。
【００２５】
図５は、第１磁気検知部２０及び第２磁気検知部２１の構成を示す一例である。
図５に示すように、磁気検知部２０，２１は支持板２２上に、４つの基板２３が取り付けられており、それぞれの基板２３に磁気検知素子が２個ずつ設けられている。図５では、それぞれの磁気検知素子がＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８で示されている。図５に示すように、磁気検知素子はＳ１とＳ２が対を成して同じ基板２３に設けられ、Ｓ３とＳ４、Ｓ５とＳ６、Ｓ７とＳ８が、それぞれ対を成して同じ基板２３に設けられている。
【００２６】
磁気検知素子は全て同じ構造である。磁気検知素子は、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、ホール素子等である。例えば、磁気検知素子は、ＧＭＲ素子であり、反強磁性層／固定磁性層／非磁性層／フリー磁性層の基本積層構造を備える。一方向に固定される固定磁性層の固定磁化方向は、図５の符号ｐに示されている。ＧＭＲ素子では、フリー磁性層の磁化方向が、外部から与えられる磁界に反応し、フリー磁性層の磁化方向が磁界方向へ向けられる。フリー磁性層の磁化方向が固定磁性層の固定磁化方向と同じ向きとなったときに、電気抵抗値が最小となり、フリー磁性層の磁化方向が固定磁性層の固定磁化方向と逆向きの方向となったときに電気抵抗値が最大となる。
【００２７】
図１，図２に示すように、磁気センサ１０と磁石１４とが高さ方向（Ｚ）で間隔を空けて対向している。そして磁石１４が、中心Ｏ３から高さ方向と平行な方向を回転軸Ｒとして回転すると、第１センサ素子１２の内部に設けられた第１磁気検知部２０及び第２センサ素子１３の内部に設けられた第２磁気検知部２１には夫々、磁石１４から水平方向の磁界が流入する。ここで水平方向の磁界とは、高さ方向（Ｚ）に対して直交する方向からの磁界であり、具体的には、図５に示すＸ方向及びＹ方向にて形成される平面方向に作用する磁界である。以下、水平磁場という。
【００２８】
このように水平磁場が流入することで、図５に示す各磁気検知素子Ｓ１〜Ｓ８のフリー磁性層の磁化方向が変動し、各磁気検知素子Ｓ１〜Ｓ８の抵抗値が変動する。
【００２９】
各磁気検知素子Ｓ１〜Ｓ８によりブリッジ回路が構成され、図示しない出力回路部にて、第１センサ素子１２からは第１の出力、第２センサ素子１３から第２の出力を夫々得ることができる。このように得られた出力に基づいて磁石１４の回転角度を検出することができる。
【００３０】
図２に示すように本実施形態では、第１センサ素子１２と第２センサ素子１３とを重ね、このとき第１センサ素子１２の第１磁気検知部２０の中心Ｏ１と、第２センサ素子１３の第２磁気検知部２１の中心Ｏ２とを高さ方向（Ｚ）に一致させている。なお高さ方向（Ｚ）とは、基板１１の第１面１１ａ、第２面１１ｂに対する直交方向や、磁石１４の下面（磁気センサ１０との対向面）１４ａや上面１４ｂに対する直交方向、あるいは磁石１４の回転軸Ｒと同方向として定義される。
【００３１】
また、第１磁気検知部２０の中心Ｏ１及び第２磁気検知部２１の中心Ｏ２とは、図５に示す構成であれば、第１磁気検知部２０，２１の横方向（Ｘ）及び縦方向（Ｙ）における中心Ｏ１，Ｏ２を指す。また、第１磁気検知部２０を構成する各磁気検知素子Ｓ１〜Ｓ８と、第２磁気検知部２１を構成する各磁気検知素子Ｓ１〜Ｓ８とが夫々、高さ方向（Ｚ）で一致していれば、第１磁気検知部２０の中心Ｏ１と第２磁気検知部２１の中心Ｏ２とが高さ方向（Ｚ）で一致した状態として認められる。
【００３２】
本実施形態に示すように、第１センサ素子１２と第２センサ素子１３とを、間に基板１１等を挟むことなく重ねることで、第１磁気検知部２０と第２磁気検知部２１とを接近させることができ、しかも第１磁気検知部２０の中心Ｏ１と第２磁気検知部２１の中心Ｏ２とを高さ方向で一致させることで、磁石１４から各磁気検知部２０，２１に流入する水平磁場の方向及び強度をほぼ同じにできる。よって、第１センサ素子１２から得られる第１の出力と、第２センサ素子１３から得られる第２の出力とを、ばらつきが小さく高精度に得ることができ、各センサ素子１２，１３の検出誤差を効果的に小さくできる。
【００３３】
また本実施形態では、第１磁気検知部２０と第２磁気検知部２１とを接近させることができるので、第１磁気検知部２０と第２磁気検知部２１とに夫々流入する水平磁場の強度差を図７に示す構成に比べて小さくでき、したがって図７に示す構成に比べて磁石１４を小型化することが可能である。
【００３４】
加えて、図２に示す第１の実施形態では、第２センサ素子１３を基板１１に形成された貫通孔１７内に収納したため、第１センサ素子１２と第２センサ素子１３とを重ねた構成としても、磁気センサ１０の薄型化を実現できる。以上により、本実施形態では、磁気検出装置９の小型化、薄型化を実現することができる。
【００３５】
なお本実施形態における第１磁気検知部２０の中心Ｏ１と第２磁気検知部２１の中心Ｏ２とが高さ方向に一致した状態とは、製造誤差を含む概念である。
【００３６】
また第１センサ素子１２と第２センサ素子１３とを重ねるとは、第１センサ素子１２と第２センサ素子１３との間に多少の隙間がある形態も含まれる。第１センサ素子１２と第２センサ素子１３との間に、各センサ素子１２，１３の厚みの１／２以下程度（好ましくは１／５以下）の隙間が空いていても、それは、「第１センサ素子１２と第２センサ素子１３とを重ねる」の概念に含まれる。
【００３７】
図２に示すように、同一の第１センサ素子１２と第２センサ素子１３とが、同じ方向に向けられた状態で重ねられている。図２に示すように、第１センサ素子１２の内部に設けられた第１磁気検知部２０及び第２センサ素子１３の内部に設けられた第２磁気検知部２１は、各センサ素子１２，１３の厚さ方向（高さ方向）に平行に貫く中心線Ｏ４（縦方向及び縦方向の中心から高さ方向に引いた線）からずれている。
【００３８】
しかし、このように、第１磁気検知部２０及び第２磁気検出部２１が各センサ素子１２，１３の中心線Ｏ４からずれていても、同一の第１センサ素子１２と第２センサ素子１３とを使用し、図２のように、第１センサ素子１２と第２センサ素子１３とを、同じ方向に向けた状態で重ねれば、適切且つ容易に、第１磁気検知部２０の中心Ｏ１と、第２磁気検知部２１の中心Ｏ２とを高さ方向（Ｚ）に一致させることが可能である。
【００３９】
また図２に示すように、基板１１の貫通孔１７内に収納された第２センサ素子１３の端子部１８を、基板１１の第２面１１ｂに設けられた第２電極１６に電気的に接続し、第２センサ素子１３の上方（磁石１４に近い側）に重ねた第１センサ素子１２の端子部１９を、基板１１の第１面１１ａに設けられた第１電極１５に電気的に接続することで、各センサ素子１２，１３の双方の端子部１８，１９を、適切且つ簡単に基板１１の各電極１５，１６に接続することができる。
【００４０】
図２に示すように、第１磁気検知部２０の中心Ｏ１、第２磁気検知部２１の中心Ｏ２及び、磁石１４の中心Ｏ３を高さ方向（Ｚ）に一致させることが好ましい。すなわち図２の実施形態では、回転軸Ｒ上に、第１磁気検知部２０の中心Ｏ１、第２磁気検知部２１の中心Ｏ２及び、磁石１４の中心Ｏ３が位置する。これにより、各第１磁気検知部２０の中心Ｏ１、及び第２磁気検知部２１の中心Ｏ２に安定して磁石１４から水平磁場を作用させることが出来る。ただし、本実施形態は、第１磁気検知部２０の中心Ｏ１と第２磁気検知部２１の中心Ｏ２とが高さ方向（Ｚ）に一致することが前提としてあり、磁石１４の中心Ｏ３も一致させるかは任意に決定することができる。
【００４１】
図４に示す第２実施形態における磁気検出装置３０では、基板１１に形成された貫通孔１７内に第１センサ素子１２と第２センサ素子１３が共に配置されている。図４に示すように、第１センサ素子１２は、第２センサ素子１３の磁石１４との対向面１３ａ側に重ねられている。そして、第１センサ素子１２の端子部１９が基板１１の前記第１面１１ａに設けられた第１電極１５に電気的に接続され、第２センサ素子１３の端子部１８が基板１１の第２面１１ｂに設けられた第２電極１６に電気的に接続されている。
【００４２】
図４に示す構成においても、第１センサ素子１２と第２センサ素子１３とを重ねることで、第１磁気検知部２０と第２磁気検知部２１とを接近させることができ、しかも第１磁気検知部２０の中心Ｏ１と第２磁気検知部２１の中心Ｏ２とを高さ方向（Ｚ）で一致させることで、磁石１４から各磁気検知部２０，２１に流入する水平磁場の方向及び強度をほぼ同じにできる。よって、第１センサ素子１２から得られる第１の出力と、第２センサ素子１３から得られる第２の出力とを、ばらつきが小さく高精度に得ることができ、各センサ素子１２，１３の検出誤差を効果的に小さくできる。
【００４３】
また図４に示すように、各磁気検知部２０，２１が、各センサ素子１２，１３の中心Ｏ５（横方向、縦方向及び厚さ方向の中心）から水平方向にずれるのみならず厚さ方向（高さ方向）にもずれている場合、特に厚さ方向（高さ方向）へのずれ方向が各センサ素子１２，１３の表面１２ｂ，１３ｂに近づく方向、あるいは、端子部１８，１９の接続端１８ａ，１９ａから見て離れる方向であるとき、図４に示すように第１センサ素子１２の表面１２ｂと第２センサ素子１３の表面１３ｂとを向い合わせて、第１センサ素子１２の端子部１９を基板１１の第１面１１ａに設けられた第１電極１５に電気的に接続し、第２センサ素子１３の端子部１８を基板１１の第２面１１ｂに設けられた第２電極１６に電気的に接続することで、より効果的に、第１磁気検知部２０と第２磁気検知部２１とを接近させることができる。
図２、図４において貫通孔１７が樹脂等で埋められていてもよい。
【００４４】
本実施形態では、基板１１に有底の空間部を形成し、その空間部内に第２センサ素子１３を配置し、第２センサ素子１３の磁石１４との対向面側に第１センサ素子１２を重ねる構成や、基板１１の平坦面上に、第１センサ素子１２と第２センサ素子１３とを重ねる構成とすることも可能であるが、かかる場合、第１センサ素子１２の端子部１９に対する電気接続位置と、第２センサ素子１３の端子部１８に対する電気接続位置とを基板１１の同じ第１面１１ａとしなければならない。よって図２や図４に示すように基板１１に貫通孔１７を形成して、基板１１の第１面１１ａを第１センサ素子１２の電気接続位置とし、第２面１１ｂを第２センサ素子１３の電気接続位置とすることで、簡単且つ適切に各端子部１８，１９と各電極１５，１６とを電気的に接続できる。
【００４５】
また図２において、第２センサ素子１３は、ほぼ全てが貫通孔１７内に入っているが、第２センサ素子１３の一部が基板１１の第１面１１ａあるいは第２面１１ｂ、又は、第１面１１ａ及び第２面１１ｂの双方から外方に突出していてもよいし、あるいは、第１センサ素子１２の一部が貫通孔１７内に入り込んでいてもよい。
【００４６】
また図５に示す磁気検知部２０，２１の構成は一例であり、例えば、磁気検知部２０，２１に一個ずつ磁気検知素子が設けられる構成とすることもできる。かかる場合、磁気検知部２０の中心Ｏ１、磁気検知部２１の中心Ｏ２とは、各磁気検知素子の中心である。
【００４７】
また図１、図２、図４に示す磁気センサ１０に対する磁石１４の構成は、磁気センサ１０に使用される磁気検知素子がＧＭＲ素子等の水平磁場を検知するためのものであり、ホール素子のように垂直磁場を検知する場合には、垂直磁場がホール素子に作用するように磁石１４の構成やヨークを設けるなどの変更が必要である。
【００４８】
本実施形態の磁気検出装置によれば、複数のセンサ素子１２，１３を用いることで、一方のセンサ素子が故障等した場合でも、他方のセンサ素子から出力を得ることができ、フェイルセーフの制御が要求される用途に使用可能である。
【００４９】
そして本実施形態では、上記したように、第１センサ素子１２から得られる第１の出力と、第２センサ素子１３から得られる第２の出力とをほぼ同じにでき検出誤差を最小限に抑えることができる。よって、図１に示すような磁石の回転角度を検出する磁気検出装置において、どちらのセンサ素子の出力を用いても回転角度の検出誤差を小さくでき、優れたフェイルセーフを得ることができる。
【符号の説明】
【００５０】
９，３０  磁気検出装置
１０  磁気センサ
１１，２３  基板
１１ａ  第１面
１１ｂ  第２面
１２  第１センサ素子
１３  第２センサ素子
１４  磁石
１５  第１電極
１６  第２電極
１７  貫通孔
１８、１９  端子部
２０  第１磁気検知部
２１  第２磁気検知部
２２  支持板
２３  基板
【図１】
2012088182.tif 000003
【図２】
2012088182.tif 000004
【図３】
2012088182.tif 000005
【図４】
2012088182.tif 000006
【図５】
2012088182.tif 000007
【図６】
2012088182.tif 000008
【図７】
2012088182.tif 000009