(57)【要約】【課題】  本発明は、ＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスや反射層形成前の基板を、方向確認のために裏返すという作業を行うことなく、異物付着の恐れを低減して、より的確に基板の方向や表裏を判別できる反射型マスクブランクス、反射型マスク、および反射型マスクブランクスの製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】  反射層形成前の反射型マスクブランクス用基板主面に、アライメントマークやネームマーク等からなる視認可能なマークを平面非対称な位置に形成することで、上記課題を解決する。【選択図】      図１
2012023252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスであって、
前記基板の主面には、視認可能なマークが、平面非対称な位置に形成されていることを特徴とする反射型マスクブランクス。
【請求項２】
前記視認可能なマークが、前記基板を凹状に加工した段差構造のアライメントマークであることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランクス。
【請求項３】
前記アライメントマークの段差が、前記反射層と前記吸収層とを合わせた厚みの大きさよりも大きな段差であることを特徴とする請求項２に記載の反射型マスクブランクス。
【請求項４】
前記視認可能なマークが、文字、数字、または記号のいずれか一種を認識させるネームマークであることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランクス。
【請求項５】
前記ネームマークが、スリット状または格子状の凹凸構造からなることを特徴とする請求項４に記載の反射型マスクブランクス。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の反射型マスクブランクスの吸収層をパターン状に加工してマスクパターンを形成したことを特徴とする反射型マスク。
【請求項７】
基板と、前記基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスの製造方法であって、
前記基板の主面に、視認可能なマークを、平面非対称な位置に形成する工程と、
前記視認可能なマークを形成した前記基板の主面の上に、前記反射層を形成する工程と、
前記反射層の上に、前記吸収層を形成する工程と、を有することを特徴とする反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項８】
前記視認可能なマークを形成する工程が、
前記基板の主面の上に、金属および／または金属酸化物を含む薄膜を形成する工程と、
前記薄膜をパターン状に加工する工程と、
前記薄膜パターンをエッチングマスクに用いて前記基板をエッチングする工程と、
前記薄膜パターンを除去する工程と、を有することを特徴とする請求項７に記載の反射型マスクブランクスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：以後、ＥＵＶと記す）を用いてマスクパターンをウェハ上に転写するためのＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクス、反射型マスク、および反射型マスクブランクスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体産業において、半導体デバイスの微細化に伴い、ＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。
【０００３】
なお、ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。このＥＵＶリソグラフィにおいて用いられるマスクとしては、例えば特許文献１に記載された反射型マスクが提案されている。
【０００４】
このような反射型マスクは、少なくとも、基板の主面上にＥＵＶ光を反射する多層膜からなる反射層を有し、前記反射層の上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収層を、部分的に除去することにより吸収体パターンが形成されたものである。
【０００５】
ＥＵＶ露光機に搭載された反射型マスクに入射したＥＵＶ光は、吸収体のある部分では吸収され、吸収体のない部分では反射層により反射され、光像が反射光学系を通して被転写体上に転写される。
【０００６】
上述の反射型マスクの基板には、パターン位置精度を高精度に保持するために、低熱膨張係数を有し、さらに、高反射率や転写精度を得るために、平滑性、平坦度が高く、マスク製造工程の洗浄などに用いる洗浄液への耐性に優れた基板が求められ、例えば、石英ガラス、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系の低熱膨張ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスなどのガラス基板などが用いられている。
【０００７】
マスクブランクスの平坦度としては、例えば、パターン領域において５０ｎｍ以下が求められている。
【０００８】
なお、上記に例示した基板はいずれも透明基板である。また、基板の外形は、主面が略正方形の形態をしている。
【０００９】
そして、上述のような基板の主面に、上記の反射層や吸収層などを形成したものを反射型マスクブランクスと呼ぶ。
【００１０】
反射型マスクは、この反射型マスクブランクスの吸収層を、部分的に除去してマスクパターンとなる吸収体パターンを形成したものである。
【００１１】
吸収体パターンを形成するには、例えば、反射型マスクブランクスの表面側（吸収層を形成した面）にレジストを形成し、このレジストを電子線描画によりマスクパターン状に形成し、このレジストパターンをマスクに吸収層をエッチングして、所望の吸収体パターンを得る。
【００１２】
ここで、反射型マスクブランクスの表面側は、通常、平坦面であるため、反射型マスクブランクスの方向を判別するために、例えば、図８（ａ）に示すように、反射型マスクブランクス１０１の裏面側の基板１０２の角に、切欠き（ノッチマークと呼ぶ）が設けられている。このノッチマーク１０３は半導体用フォトマスクに用いられているものと同様な構成をしており、図８（ｂ）に示すように、基板１０２の角を、平坦な底面から斜めに削るようにして形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開昭６３−２０１６５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、上述のように、ノッチマークは反射型マスクブランクスの裏面側に設けられているため、例えば、電子線描画装置に装填する際に、反射型マスクブランクスの方向を確認するためには、反射型マスクブランクスを裏返して裏面の角を確認しなければならず、その作業による異物の付着が問題になっていた。
【００１５】
また、上述のように、ノッチマークは基板の角を、平坦な底面から斜めに削るようにして形成されているが、この傾斜は緩やかな角度の傾斜であるため、視認性は必ずしも明瞭ではなく、またそのサイズは小さくなる傾向にあり、装填方向の取り違えが問題となっていた。
【００１６】
また、例えば、基板と反射層の間に異物が混入することにより生じる反射型マスクの位相欠陥を評価するための位相設計欠陥マスクを作成する際には、反射層を形成する前の基板主面に、所定の設計欠陥を形成する必要があるが、上述のように基板は、透明で平面略正方形の対称な外観をしているため、方向や表裏を間違えやすく、より的確に基板の方向や表裏を判別できる方法が求められていた。
【００１７】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、反射型マスクブランクスや反射層形成前の基板を、方向確認のために裏返すという作業を行うことなく、より的確に基板の方向や表裏を判別できる反射型マスクブランクス、反射型マスク、および反射型マスクブランクスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明者は、種々研究した結果、反射層形成前の反射型マスクブランクス用基板主面に、視認可能なマークを平面非対称な位置に形成することで、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
【００１９】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、基板と、前記基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスであって、前記基板の主面には、視認可能なマークが、平面非対称な位置に形成されていることを特徴とする反射型マスクブランクスである。
【００２０】
また、本発明の請求項２に係る発明は、前記視認可能なマークが、前記基板を凹状に加工した段差構造のアライメントマークであることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランクスである。
【００２１】
また、本発明の請求項３に係る発明は、前記アライメントマークの段差が、前記反射層と前記吸収層とを合わせた厚みの大きさよりも大きな段差であることを特徴とする請求項２に記載の反射型マスクブランクスである。
【００２２】
また、本発明の請求項４に係る発明は、前記視認可能なマークが、文字、数字、または記号のいずれか一種を認識させるネームマークであることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランクスである。
【００２３】
また、本発明の請求項５に係る発明は、前記ネームマークが、スリット状または格子状の凹凸構造からなることを特徴とする請求項４に記載の反射型マスクブランクスである。
【００２４】
また、本発明の請求項６に係る発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の反射型マスクブランクスの吸収層をパターン状に加工してマスクパターンを形成したことを特徴とする反射型マスクである。
【００２５】
また、本発明の請求項７に係る発明は、基板と、前記基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスの製造方法であって、前記基板の主面に、視認可能なマークを、平面非対称な位置に形成する工程と、前記視認可能なマークを形成した前記基板の主面の上に、前記反射層を形成する工程と、前記反射層の上に、前記吸収層を形成する工程と、を有することを特徴とする反射型マスクブランクスの製造方法である。
【００２６】
また、本発明の請求項８に係る発明は、前記視認可能なマークを形成する工程が、前記基板の主面の上に、金属および／または金属酸化物を含む薄膜を形成する工程と、前記薄膜をパターン状に加工する工程と、前記薄膜パターンをエッチングマスクに用いて前記基板をエッチングする工程と、前記薄膜パターンを除去する工程と、を有することを特徴とする請求項７に記載の反射型マスクブランクスの製造方法である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、視認可能なマークが、基板の表面側の平面非対称な位置に形成されているため、より的確に基板の方向や表裏を判別できる。また、反射型マスクブランクスや反射層形成前の基板を、方向確認のために裏返す作業は必要なくなり、異物付着を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明に係るマーク付き基板の一例を示す概略平面図である。
【図２】本発明に係るマーク付き基板の一例についての説明図であり、（ａ）は基板が１８０度回転した状態、（ｂ）は左右反転した状態を示す。
【図３】本発明に係るマーク付き基板の他の例を示す概略平面図である。
【図４】本発明に係るネームマークの例を示す説明図であり、（ａ）はマークの平面形状、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面を示す。
【図５】本発明に係るマーク付き基板の他の例についての説明図であり、（ａ）は基板が１８０度回転した状態、（ｂ）は左右反転した状態を示す。
【図６】本発明に係る反射型マスクの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図７】図６に続く本発明に係る反射型マスクの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図８】従来の反射型マスク用基板の例を示す説明図であり、（ａ）は概略底面図であり、（ｂ）は基板の角部の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
まず、本発明に係る反射型マスクブランクス、および反射型マスクについて説明する。
（第1の実施形態）
図１は、本発明に係るマーク付き基板の一例を示す概略平面図である。この基板の主面上に、少なくとも反射層、および吸収層を形成したものが本発明に係る反射型マスクブランクスであり、さらに吸収層をマスクパターンに加工したものが本発明に係る反射型マスクになる。
【００３０】
図１に示すように、本実施形態におけるマーク付き基板１においては、透明な基板２の主面（表面側）にアライメントマーク３Ａ、３Ｂが形成されており、アライメントマーク３Ｂが平面対称な位置に形成されているのに対し、アライメントマーク３Ａは、平面非対称な位置に形成されている。なお、基板中心線４は、マーク付き基板１の中心を通り、基板の各辺と平行な架空の線を示している。
【００３１】
アライメントマーク３Ａ、３Ｂは、基板２を凹状に加工した段差構造を有しており、その平面形状は、アライメントマークとして用いることができるものであれば、特に限定されないが、一般には、略十字型である。
【００３２】
その大きさは、視認可能な大きさであればよく、例えば、十字型の全長が１ｍｍ〜２ｍｍである。一方、十字型の線幅は、電子線描画装置で検出可能な大きさであることから、例えば、１μｍ〜２μｍである。
【００３３】
また、その深さは、少なくとも、基板主面に何も成膜しない透明な状態で視認可能な深さが必要であり、好ましくは、反射層や吸収層、およびレジストを形成した状態で、電子線描画装置においてレジスト上から検出可能な深さであることが好ましい。それゆえ、アライメントマーク３の深さは、例えば、１００ｎｍ〜７００ｎｍである。
【００３４】
上述のような構成とすることで、本実施形態のマーク付き基板１は、基板を裏返す必要なく、表面側から的確に基板の方向や表裏を判別できる。
【００３５】
上記効果について、図２を用いて具体的に説明する。ここで、図２（ａ）は、本実施形態において、基板が、図１に示す状態から１８０度回転した状態を示す図であり、図２（ｂ）は、左右反転（表裏反転）した状態を示す図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、マーク付き基板１が回転、若しくは反転している場合、アライメントマーク３Ａの位置は、図１に示す位置と相違する。これにより、作業者は、的確に基板の方向や表裏を判別できる。
【００３６】
なお、上述においては、同じ形状、同じ大きさのアライメントマークが５個形成されている例を示したが、本発明においては、基板の方向や表裏を判別するための視認可能なアライメントマークが平面非対称な位置に形成されていればよく、基板の方向や表裏を判別することに影響しない、その他のアライメントマークについては、その大きさや数、配設位置は、特に限定されない。
（第２の実施形態）
図３は、本発明に係るマーク付き基板の他の例を示す概略平面図である。図３に示すように、本実施形態におけるマーク付き基板１においては、透明な基板２の主面（表面側）の平面非対称な位置に、ネームマーク５が形成されている。なお、基板中心線４は、マーク付き基板１の中心を通り、基板の各辺と平行な架空の線を示している。
【００３７】
ネームマーク５の平面形状は、文字、数字、または記号のいずれか一種を認識させるものであり、例えば、基板の型番や種類を表す英数字を認識させるものである。
【００３８】
その大きさは、視認可能な大きさであればよく、例えば、一文字の大きさが３ｍｍ〜１０ｍｍである。
【００３９】
ネームマーク５は、第１の実施形態のアライメントマーク３Ａ、３Ｂと同様に基板２を凹状に加工した段差構造であってもよいが、スリット状または格子状の凹凸構造を有していることが、視認性向上の点から好ましい。
【００４０】
図４は、本実施形態におけるネームマークの例を示す説明図であり、図４（ａ）は、その平面形状を、図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるＡ−Ａ断面を示す。
【００４１】
図４に示すように、ネームマーク５は、図４（ａ）におけるＡ−Ａ断面と垂直な方向にスリット状に加工された凹凸構造を有しており、この複数の凹凸のエッジで光が反射するために視認性が向上する。この凹凸構造は、例えば、凹部の幅と凸部の幅が、１μｍ〜１０μｍであり、深さは、例えば、１００ｎｍ〜７００ｎｍである。
【００４２】
上述のような構成とすることで、本実施形態のマーク付き基板１は、基板を裏返す必要なく、表面側から的確に基板の方向や表裏を判別できる。
【００４３】
上記効果について、図５を用いて具体的に説明する。ここで、図５（ａ）は、本実施形態において、基板が、図３に示す状態から１８０度回転した状態を示す図であり、図５（ｂ）は、左右反転（表裏反転）した状態を示す図である。図５（ａ）、（ｂ）に示すように、マーク付き基板１が回転、若しくは反転している場合、ネームマーク５の位置は、図３に示す位置と相違する。これにより、作業者は、的確に基板の方向や表裏を判別できる。
【００４４】
なお、ネームマーク５は、アライメントマークと同時に形成することが好ましい。同一工程で形成可能だからである。この場合、アライメントマークの位置や大きさは、特に限定されず、平面対称な位置に形成されていてもよく、また、視認困難な小さなサイズであってもよい。ネームマーク５のみで、的確に基板の方向や表裏を判別できるからである。
（反射型マスクブランクスおよび反射型マスクの製造方法）
次に、本発明に係る反射型マスクブランクスおよび反射型マスクの製造方法について説明する。
【００４５】
図６および図７は、本発明に係る反射型マスクの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【００４６】
まず、図６（ａ）に示すように、表面研磨された透明基板２を用意し、その主面の上にＣｒ（クロム）等の金属薄膜１１を形成し（図６（ｂ））、レジスト製版等のリソグラフィ技術により、金属薄膜１１をマークパターン状に加工し（図６（ｃ））、この金属薄膜パターン１１Ａをエッチングマスクに用いて基板２をエッチングし（図６（ｄ））、その後、金属薄膜パターン１１Ａを除去することにより、本発明に係るマーク付き基板１を得る（図７（ｅ））。
【００４７】
次に、このマーク付き基板１の主面の上にＥＵＶ光を反射する多層膜からなる反射層１２を形成し（図７（ｆ））、反射層１２の上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１３を形成して、本発明に係る反射型マスクブランクス２０を得る（図７（ｇ））。
【００４８】
なお、図７においては省略しているが、反射層１２と吸収層１３の間には、キャッピング層やバッファ層を形成してもよい。
【００４９】
また、上述の位相設計欠陥マスクを作成する場合には、反射層１２を形成する前の基板主面に所定の設計欠陥を形成する。
【００５０】
上述のように、基板１の主面の上に反射層１２を形成する際や、設計欠陥を形成する際、本発明に係るマーク付き基板１には、視認可能なマークが、基板の表面側の平面非対称な位置に形成されているため、より的確に基板の方向や表裏を判別できる。また、基板を、方向確認のために裏返す作業は必要なく、異物付着を低減させることができる。
【００５１】
本発明に係る反射型マスク３０は、反射型マスクブランクス２０の吸収層１３を所望のマスクパターン（吸収体パターン１３Ａ）となるように加工することで得ることができる（図７（ｈ））。
【００５２】
吸収体パターン１３Ａを形成するには、例えば、反射型マスクブランクス２０の表面側（吸収層１３を形成した面）にレジストを形成し、このレジストを電子線描画によりマスクパターン状に形成し、このレジストパターンをエッチングマスクに用いて吸収層１３をエッチングして、所望の吸収体パターン１３Ａを得ればよい。
【００５３】
この際、本発明に係る反射型マスクブランクス２０の基板には、視認可能なマークが、表面側の平面非対称な位置に形成されているため、より的確に反射型マスクブランクス２０の方向を判別できる。また、反射型マスクブランクス２０を、方向確認のために裏返す作業は必要なく、異物付着を低減させることができる。
【００５４】
また、上述のように、マーク付き基板１の製造工程において金属薄膜パターン１１Ａをエッチングマスクに用いることで、アライメントマークを深掘りすることができ、反射層１２や吸収層１３、およびレジストを形成した状態であっても、電子線描画装置においてレジスト上から、アライメントマークを容易に検出することができる。
【００５５】
次に、本発明に係る反射型マスクブランクスおよび反射型マスクを構成するその他の要素について説明する。
（反射層）
反射層１２は、ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を高い反射率で反射する材料が用いられ、Ｍｏ（モリブデン）層とＳｉ（シリコン）層からなる多層膜が多用されており、例えば、２．８ｎｍ厚のＭｏ層と４．２ｎｍ厚のＳｉ層を各４０層積層した多層膜よりなる反射層が挙げられる。それ以外には、特定の波長域で高い反射率が得られる材料として、Ｒｕ／Ｓｉ、Ｍｏ／Ｂｅ、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜およびＳｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜なども用いることができる。ただし、材料によって最適な膜厚は異なる。Ｍｏ層とＳｉ層からなる多層膜の場合、イオンビームスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いてＳｉ層を成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いてＭｏ層を成膜し、これを１周期として、３０〜６０周期、好ましくは４０周期積層されて、多層膜の反射層が得られる。上記のように、ＥＵＶ光を高い反射率で反射させるために、１３．５ｎｍのＥＵＶ光を入射角６．０度で入射したときの反射層１２の反射率は、通常、６０％以上を示すように設定されている。
（キャッピング層）
反射層１２の反射率を高めるには屈折率の大きいＭｏ層を最上層とするのが好ましいが、Ｍｏは大気で酸化され易く、反射率が低下するので、酸化防止やマスク洗浄時における保護のための保護層として、スパッタリング法などによりＳｉやＲｕ（ルテニウム）を成膜し、キャッピング層を設けることが行われている。例えば、キャッピング層としてＳｉを用いる場合は、反射層１２の最上層に１１ｎｍの厚さで設けられる。
（バッファ層）
ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を吸収する吸収層１３をドライエッチングなどの方法でパターンエッチングするときに、下層の反射層１２に損傷を与えるのを防止するために、通常、反射層１２と吸収層１３との間にバッファ層が設けられる。バッファ層の材料としてはＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ、ＣｒＮなどが用いられる。ＣｒＮを用いる場合は、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＣｒターゲットを用いてＮ2ガス雰囲気下で、上記の反射層の上にＣｒＮ膜を５ｎｍ〜１５ｎｍ程度の膜厚で成膜するのが好ましい。
（吸収層）
マスクパターンを形成し、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１３の材料としては、Ｔａ、ＴａＢ、ＴａＢＮなどのＴａを主成分とする材料、Ｃｒ、Ｃｒを主成分としＮ、Ｏ、Ｃから選ばれる少なくとも１つの成分を含有する材料などが、膜厚２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の範囲で用いられる。
（ハードマスク層）
吸収層１３の上には、吸収層のエッチングマスクとしてハードマスク層を設けても良い。ハードマスク層の材料としては、吸収層１３のエッチングに耐性をもつものであって、反射型マスクの転写パターンに応じた微細加工に適したものを用いる必要がある。例えば、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニュウム（Ｈｆ）およびその窒化物、酸化物などである。
【００５６】
また、ハードマスク層の材料は、バッファ層と同一の材料であることが好ましい。この場合、吸収層１３のエッチングの後に、ハードマスク層の除去とバッファ層の除去とを同一工程で除去できる。
【００５７】
ハードマスク層の厚さは、その材料のエッチング耐性や転写パターンのサイズに応じた加工精度にもよるが、例えば５ｎｍ〜１５ｎｍである。
【００５８】
ハードマスク層は、例えば、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、Ｃｒをスパッタ成膜することで、ＣｒＮからなるハードマスク層を設けることができる。
（導電層）
基板２の主面上に設けられたマスクパターンと相対する他方の面（裏面側）の上には、導電層が形成されていてもよい。この導電層は、反射型マスクの裏面を静電吸着するために、設けられるものである。この導電層は、導電性を示す金属や金属窒化物などの薄膜であって、例えば、クロム（Ｃｒ）や窒化クロム（ＣｒＮ）などを厚さ２０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度に成膜して用いられる。
【００５９】
以上、本発明に係る反射型マスクブランクス、反射型マスク、および反射型マスクブランクスの製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００６０】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
基板として、光学研磨された大きさ６インチ角（厚さ０．２５インチ）の合成石英基板を用い、その主面の上に、Ｃｒを１０ｎｍの厚さにスパッタ成膜して金属薄膜を形成し、次いで、この金属薄膜をマークパターン状に加工し、次いで、この金属薄膜パターンをマスクにして基板をフッ酸でウエットエッチングし、その後、金属薄膜パターンを除去することにより、前記基板を凹状に加工した段差構造のアライメントマークを形成した。
【００６１】
アライメントマークの平面形状は十字型であり、全長は２ｍｍ、線幅は２μｍ、深さは５００ｎｍに形成した。
【００６２】
アライメントマークの配設位置は、基板中心をＸＹ座標（０，０）として、（６００００，６００００）、（６００００，−６００００）、（−６００００，−６００００）、（−６００００，５００００）、（−６００００，６００００）の５箇所とした。なお、各座標の単位はμｍである。
【００６３】
次に、上記のアライメントマークを形成した基板主面の上に、イオンビームスパッタ法により、Ｓｉターゲットを用いてＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、続いてＭｏターゲットを用いてＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層してＭｏとＳｉの多層膜よりなる反射層を形成した後、最表面のＭｏ膜の上にＳｉ膜を１１ｎｍ成膜してキャッピング層を形成した。
【００６４】
次に、上記のＳｉ膜の上に、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＣｒターゲットを用いてＮ2雰囲気下で、ＣｒＮ膜をバッファ層として１０ｎｍの厚さに成膜し、続いて、上記のＣｒＮ膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｔａターゲットを用いて、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、ＴａＮ膜を７０ｎｍの厚さで形成し、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成し、本発明に係る反射型マスクブランクスを得た。
【００６５】
次に、この反射型マスクブランクスを用い、レジストを塗布し、電子線描画装置でアライメント描画して、レジストパターンを形成した。次いで、ＴａＮの吸収層をＣｌ2ガスでドライエッチングし、さらにＣｒＮのバッファ層をＣｌ2と酸素との混合ガスでドライエッチングしてキャッピング層を露出させ、レジストパターンを剥膜して、本発明に係る反射型マスクを得た。
【００６６】
本実施例においては、視認可能なアライメントマークが基板の表面側の平面非対称な位置に形成されているため、上述の各工程において、的確に基板の方向や表裏を判別できた。
（実施例２）
基板として、光学研磨された大きさ６インチ角（厚さ０．２５インチ）の合成石英基板を用い、実施例１と同様にして、その主面の上に、前記基板を凹状に加工した段差構造のアライメントマークと、前記基板をスリット状に加工した凹凸構造のネームマークを形成した。
【００６７】
アライメントマークの平面形状は十字型であり、全長は２ｍｍ、線幅は２μｍ、深さは５００ｎｍに形成した。
【００６８】
アライメントマークの配設位置は、基板中心をＸＹ座標（０，０）として、アライメントマークの十字の中心座標が、（６００００，６００００）、（６００００，−６００００）、（−６００００，−６００００）、（−６００００，６００００）となる４箇所とした。すなわち、本実施例のアライメントマークは、基板主面上、平面対称な位置に形成されている。なお、各座標の単位はμｍである。
【００６９】
ネームマークの平面形状は、基板の型番を表す英数字であり、一文字の大きさは５ｍｍ×５ｍｍ以内とし、凹凸構造の深さは５００ｎｍに形成した。
【００７０】
ネームマークの配設位置は、基板中心をＸＹ座標（０，０）として、ネームマークの中心座標が、（２００００，−６００００）となる１箇所とした。なお、座標の単位はμｍである。
【００７１】
次に、上記のネームマークを形成した基板主面の上に、イオンビームスパッタ法により、Ｓｉターゲットを用いてＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、続いてＭｏターゲットを用いてＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層してＭｏとＳｉの多層膜よりなる反射層を形成した後、最表面のＭｏ膜の上にＳｉ膜を１１ｎｍ成膜してキャッピング層を形成した。
【００７２】
次に、上記のＳｉ膜の上に、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＣｒターゲットを用いてＮ2雰囲気下で、ＣｒＮ膜をバッファ層として１０ｎｍの厚さに成膜し、続いて、上記のＣｒＮ膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｔａターゲットを用いて、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、ＴａＮ膜を７０ｎｍの厚さで形成し、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成し、本発明に係る反射型マスクブランクスを得た。
【００７３】
次に、この反射型マスクブランクスを用い、レジストを塗布し、電子線描画装置でアライメント描画して、レジストパターンを形成した。次いで、ＴａＮの吸収層をＣｌ2ガスでドライエッチングし、さらにＣｒＮのバッファ層をＣｌ2と酸素との混合ガスでドライエッチングしてキャッピング層を露出させ、レジストパターンを剥膜して、本発明に係る反射型マスクを得た。
【００７４】
本実施例においては、視認可能なネームマークが基板の表面側の平面非対称な位置に形成されているため、上述の各工程において、的確に基板の方向や表裏を判別できた。
【符号の説明】
【００７５】
１  マーク付き基板
２  基板
３、３Ａ、３Ｂ  アライメントマーク
４  基板中心線
５  ネームマーク
６  凹凸構造
１１  金属薄膜
１１Ａ  金属薄膜パターン
１２  反射層
１３  吸収層
１３Ａ  吸収体パターン
２０  反射型マスクブランクス
３０  反射型マスク
１０１  反射型マスクブランクス
１０２  基板
１０３  ノッチマーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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