(57)【要約】【課題】デュアルポート圧力センサを提供する。【解決手段】デュアルポート圧力センサは、フラグと、リードと、フィンガとを有するリードフレームを備える。第１、第２の開口部はフラグを通じて延びている。フラグと、リードと、フィンガとの一部分の周りには封止材がある。センサは、封止材の底側においてフラグの底面を露出する底部キャビティと、封止材の上側における第１、第２の上部キャビティとを備える。第１の上部キャビティ内の第１の開口部は、フラグの第１の開口部に整合されており、フラグにおける第１の開口部より大きい。第２の上部キャビティ内の第２の開口部は、フラグの第２の開口部に整合されており、フラグにおける第２の開口部より大きい。デュアルポート圧力センサの上側におけるデュアルポートは、第１のキャビティおよび第２のキャビティに取り付けられている。【選択図】図７
2012252002.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デュアルポート圧力センサにおいて、
フラグと、リードと、フィンガとを備えるリードフレームであって、
第１の開口部はフラグを通じて延びており、第２の開口部はフラグを通じて延びており、
リードはデュアルポート圧力センサの底側に外部との接続部を提供する、リードフレームと、
フラグと、リードと、フィンガとの一部分の周りの封止材であって、
封止材の底側においてフラグの底面とフィンガの底部とを露出する底部キャビティと、
封止材の上側における第１の上部キャビティと、
フラグの第１の開口部に整合されておりフラグにおける第１の開口部より大きい第１の上部キャビティ内の第１の開口部と、
封止材の上側における第２の上部キャビティと、
フラグの第２の開口部に整合されておりフラグにおける第２の開口部より大きい第２の上部キャビティ内の第２の開口部と、を有する封止材と、
第１のキャビティおよび第２のキャビティに取り付けられているデュアルポート圧力センサの上側におけるデュアルポートと、
フラグの底部に取り付けられており、フラグの第１の開口部を覆っている圧力センサトランスデューサと、
フラグの底部に取り付けられており、フラグの第２の開口部から離間しており、フィンガおよび圧力センサトランスデューサに電気的に接続されている集積回路と、
デュアルポート圧力センサの底側における底部キャビティを封止するキャップと、を備える、デュアルポート圧力センサ。
【請求項２】
リードは、封止材から外側に横方向に延びるとともに、封止材の底部に向けて下方に延びている、請求項１に記載のデュアルポート圧力センサ。
【請求項３】
集積回路は特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）である、請求項１に記載のデュアルポート圧力センサ。
【請求項４】
デュアルポートは単一の本体を備える、請求項１に記載のデュアルポート圧力センサ。
【請求項５】
デュアルポートは、第１の上部キャビティの上方において封止材に接続される第１のポートと、第２の上部キャビティの上方において封止材に接続される第２のポートとを備える、請求項１に記載のデュアルポート圧力センサ。
【請求項６】
集積回路は第１の複数のワイヤボンドによって圧力センサトランスデューサに接続されている、請求項１に記載のデュアルポート圧力センサ。
【請求項７】
集積回路は第２の複数のワイヤボンドによってリードに接続されている、請求項６に記載のデュアルポート圧力センサ。
【請求項８】
リードはデュアルインライン型である、請求項１に記載のデュアルポート圧力センサ。
【請求項９】
圧力センサトランスデューサは抵抗ブリッジ型である、請求項１に記載のデュアルポート圧力センサ。
【請求項１０】
圧力センサトランスデューサは、第１の上部キャビティ内の第１の開口部を覆うには十分大きくない、請求項１に記載のデュアルポート圧力センサ。
【請求項１１】
デュアルポート圧力センサにおいて、
リードフレームの一部を覆う封止材であって、該リードフレームはリード、フィンガおよびフラグを備え、
フラグはフラグを通じる第１の開口部とフラグを通じる第２の開口部とを有し、
リードはフィンガに接続されており、
リードは封止材の底面の表面に接続するべく、封止材から外に延びており、
封止材は、フラグの第１の開口部に整合した第１の開口部を有する第１のキャビティを有し、
封止材は、フラグの第２の開口部に整合した第２の開口部を有する第２のキャビティを有し、
第１および第２のキャビティはフラグの上部の上方にある、封止材と、
フラグの底部に付けられており、フラグの第１の開口部を覆っている圧力センサトランスデューサと、
フラグの底部に付けられており、フラグの第２の開口部から離間しており、圧力センサトランスデューサおよびフィンガに電気的に接続されている集積回路と、を備える、デュアルポート圧力センサ。
【請求項１２】
フラグおよびリードは第３のキャビティにあり、第３のキャビティは、封止材の底部にあり、前記デュアルポート圧力センサは、第３のキャビティを覆っている蓋部をさらに備える、請求項１１に記載のデュアルポート圧力センサ。
【請求項１３】
第１のキャビティの第１の開口部はフラグの第１の開口部より大きく、圧力センサトランスデューサは、第１のキャビティの第１の開口部を覆うのに十分なほどには大きくない、請求項１２に記載のデュアルポート圧力センサ。
【請求項１４】
封止材の上部に付けられているデュアルポートをさらに備え、デュアルポートは第１のキャビティに封止されている第１のポートと第２のキャビティに封止されている第２のポートとを有し、第１のキャビティと第２のキャビティとの間の圧力差が維持される、請求項１３に記載のデュアルポートセンサ。
【請求項１５】
第１のポートと第２のポートとの間の圧力における差は圧力センサトランスデューサに接続されており、ここで第１の圧力は、第１のキャビティを通じて、第１のキャビティの第１の開口部を通じて、またフラグの第１の開口部を通じて、圧力センサトランスデューサの上面まで接続されており、第２の圧力は、第２のキャビティを通じて、第２のキャビティの第２の開口部を通じて、フラグの第２の開口部を通じて、また第３のキャビティを通じて、圧力センサトランスデューサの底面まで接続されている、請求項１４に記載のデュアルポート圧力センサ。
【請求項１６】
デュアルポート圧力センサであって、
第１の開口部と第２の開口部とを有するフラグを有するリードフレームと、
リードフレームを保持する封止材であって、封止材はフラグの上部の上方にあり、フラグの底部は封止材によって覆われておらず、封止材の第１の開口部はフラグの第１の開口部に整合しているとともにフラグの第１の開口部より大きく、封止材の第２の開口部はフラグの第２の開口部に整合している、封止材と、
フラグの底部に付けられ、フラグの第１の開口部を覆っており、上面に受ける第１の圧力と下面に受ける第２の圧力とに基づく圧力差に対する電気的に検出可能な相関を備える圧力センサトランスデューサと、
フラグの底部に取り付けられており、圧力センサに電気的に接続されている集積回路と、
フラグの底部とエンクロージャを形成する蓋部と、を備え、
圧力センサトランスデューサは、封止材の第１の開口部とフラグの第１の開口部とを通じる第１の圧力と、封止材の第２の開口部とフラグの第２の開口部とエンクロージャとを通じる第２の圧力とを受ける、デュアルポート圧力センサ。
【請求項１７】
封止材は、封止材の第１の開口部周りの第１のキャビティと、封止材の第２の開口部周りの第２のキャビティとを有する、請求項１６に記載のデュアルポート圧力センサ。
【請求項１８】
封止材の第１の開口部の上方の第１の開口部と、封止材の第２の開口部の上方の第２の開口部とを有するデュアルポートをさらに備える、請求項１６に記載のデュアルポート圧力センサ。
【請求項１９】
フラグは底部キャビティ内にあり、蓋部はエンクロージャを形成するべく底部キャビティを覆っている、請求項１８に記載のデュアルポート圧力センサ。
【請求項２０】
第１の開口部は第１の上部キャビティ内に形成され、第２の開口部は第２の上部キャビティ内に形成され、第１および第２のキャビティは、第１および第２の圧力を分離させて保持するバリアとして機能する共通の壁を共有する、請求項１９に記載のデュアルポート圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は圧力センサに関し、より詳細には、デュアルポート圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
圧力センサは、数々の用途、特に自動車用途において、重要となっている。圧力センサは、典型的には、圧力に応答するトランスデューサと、その応答を解釈し、その圧力に関係した電気信号（アナログまたはデジタル）を与える集積回路（ＩＣ）との組み合わせである。
【０００３】
特許文献１には、複数の圧力センサを有するトランスデューサについて開示されている。デュアルポートの場合、トランスデューサへの入口は２つあり、トランスデューサは、この２つの入口の差圧に応答する。実際のトランスデューサおよびＩＣの組み合わせをどのように一緒に配置するかや、２つの入口に対する取付けの関係など、様々な要素が存在する。また、得られる組み合わせは、しばしばプリント回路基板に取り付けられ、どのようにして取り付けられているかが重要なことがある。例えば、プリント回路基板に注封材料が適用されることが重要な場合がある。そうした場合、入口が注封材料によって覆われないことも重要である。このため、両入口が組み合わせの上側に位置し、トランスデューサがどのようにして２つの入口から差圧を受けるかに関する問題が生じる。また、コストを減少するべく、ＩＣおよびトランスデューサの両方は可能な限り小さいことが望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５，６７２，８０８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、上述のうちの１つ以上の問題を改良する圧力センサの必要が存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一態様では、圧力センサはフラグおよびリードを有する。フラグは一対のキャビティを有し、リードは取付けのために圧力センサの底部まで延びている。第１のキャビティは、フラグの上面にある第１の入口に露出されており、この第１の入口は圧力センサの上面にある。圧力センサトランスデューサはフラグの底部に取り付けられており、第１のキャビティを覆っている。第２の入口は、フラグの上面から第２のキャビティまで延びている圧力センサの上面にある。第２のキャビティはフラグの底部に開いている、したがって圧力センサトランスデューサに開いているので、トランスデューサは第１の入口および第２の入口に露出されている。集積回路がフラグの底部に取り付けられており、圧力センサトランスデューサに接続されている。このことは図面および以下の記載を参照することによって一層理解される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施形態による処理の一段階における上部および２つの側面を示す圧力センサ構造の等角図。
【図２】図１の圧力センサ構造の底部の図。
【図３】処理の続く一段階における図１および２の圧力センサ構造の底部の図。
【図４】処理の続く一段階における図３の圧力センサ構造の底部の図。
【図５】図１および２の圧力センサ構造の上部の図。
【図６】完成した圧力センサとしての圧力センサ構造の上面および２つの側面を示す等角図。
【図７】図６の圧力センサ構造の断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１には、圧力センサ構造１０の上部および２つの側面を示す。圧力センサ構造１０は、リードフレーム１２と、封止材１４と、上部にあるキャビティ１６と、上部にあるキャビティ１８と、キャビティ１６と１８との間の壁１９と、キャビティ１６の開口２０と、キャビティ１８の開口２２とを有する。リードフレーム１２は複数のリードを備える。リード２４を代表的なリードとして示す。また、リードフレーム１２は、キャビティ２８，３２，３６の底部にそれぞれあるフィンガ２６，３０，３４を備える。キャビティ２８，３２，３６がキャビティ１８内に形成されている。封止材１４は集積回路パッケージに一般的に使用される成型樹脂であってよい。
【０００９】
図２には、図１の圧力センサ構造１０の底部を示す。図２には、封止材におけるキャビティ３８と、リード２４の底面と、フィンガ２６，３０，３４と、リードフレーム１２の一部であるフラグ４０と、フラグ４０における開口４２，４４とを示す。リードフレーム１２は、リードフレーム１２周りの型にしたがって封止されて、図１および２に示す圧力センサ構造１０を生じる。封止材１４は、フラグ４０の一部とフィンガ（フィンガ２６，３０，３４によって代表される）の一部を露出するように成形される。リードフレーム１２は封止材１４によって部分的に覆われており、型にしたがって封止される典型的なリードフレームである。少なくともリードフレーム１２が複数のリードフレームの構造の一部となる前、また封止時には、リード２４が一例である複数のリードと、フィンガ２６，３０，３４と、フラグ４０とは、物理的に一体に接続される。封止後、図１および２に示したように、この接続部は切断されてもよい。リードフレームは金属構造として考えられ、少なくとも封止前には、物理的に一体に接続されており金属である、リード、フィンガおよびフラグを有する。少なくとも一部のリードは、封止材の外に電気的接続を形成するためのものである。フラグは、１つ以上の集積回路および場合によっては他のデバイスに取付を行うためのものである。フィンガは、フラグに取り付けられた１つ以上のデバイスに接続するためのものである。フィンガは、リードとフラグ上の１つ以上のデバイスとに接続されるためのものである。フィンガはリードの連続部分であってもよいが、しかしながら、その形状はフラグ上の１つ以上のデバイスに接続する目的で決定される。この例では、フィンガはワイヤ接続されるためのものである。図１に示した封止材１４におけるキャビティ２８，３２，３６は、封止時に、型がリードフレーム１２を所定の位置に保持することによって得られる。リード（例えば、リード２４）は、圧力センサデバイス１０の底部に向けて下方に曲がっている。リードは、必ずしも示したようにデュアルインライン型でなくてもよいが、しかしながら、リードは圧力センサ構造１０の底部が面するに取り付けるためのものである。よって、リードは圧力センサ構造１０の底部にある。
【００１０】
開口４２，４４は開口２０，２２より小さく形成されており、これは開口４２，４４を金属構造により作成することによって可能となる。この場合の「金属」とは、構造の主な部分、すなわち少なくとも２５％が、金属であることを意味する。銅は、リードフレーム１２などのリードフレームの金属として特に有効である。金属含量は、１００％が銅であってもよい。開口２０は開口４２に整合されている。開口２２は開口４４に整合されている。一方法では、開口４２，４４は、リードフレームの形成時に形成されてもよく、リードフレームの形成後に形成されることが好適な場合には、封止前に形成されてもよい。開口２０，２２は、型によって形成される封止工程の一部として形成されてもよい。一方、カプセル化が開口の形成前に行われてもよい。この場合、開口２０，２２を形成するべく、封止材１４には、形成後に穿孔またはエッチングが行われる。これに代えて、封止後に開口４２，４４が穿孔によって形成されてもよい。開口２０，２２が型によって形成されない場合であっても、開口４２，４４は封止工程前に形成されてよい。このような場合、封止材が開口４２，４４から除去されることが必要となるか、あるいは、封止に先立って、開口４２，４４に除去可能なプラグを配置してもよい。少なくとも、費用効果に優れた方法でない場合、封止材では金属材料の場合程は穴の直径は小さくならない。この例では、「１つの開口が別の開口より大きい」という記載は、円筒状の開口同士を比較する場合には、大きい方の開口がより広いことを意味し、大きい方の開口がより大きな直径を有することを意味する。このように、圧力センサ構造１０は、フラグ（フラグ４０）が開口を有するリードフレームの封止によって得られ、この開口は、封止前（フラグの場合）、封止時（封止材の場合）、又は封止後（フラグ又は封止材の場合）に形成されてよい。トランスデューサが取り付けられるフラグの開口は、トランスデューサによって覆われるように十分に小さい必要があるが、しかしながら、この要件は、トランスデューサによって覆われる開口よりも大きなフラグの他の開口に対しては必ずしも適用されない。
【００１１】
図３には、開口４２の上方においてフラグ４０に圧力センサトランスデューサ４６が取り付けられ、集積回路４８がフラグ４０に取り付けられた後における圧力センサ構造１０を示す。圧力センサトランスデューサ４６は、開口２０を覆うほどに十分大きくなくてもよい。圧力センサトランスデューサ４６の面積は開口２０の断面の面積と同程度であるが、開口２０の断面と異なる形状を有するので、開口２０を覆うほどに十分大きくない場合もある。圧力センサトランスデューサ４６は、自身の底部および上部に圧力を受け、上部と底部との間の圧力差に基づく抵抗を与える。このように、圧力センサトランスデューサ４６は、上面と呼ばれる１つの側面を有する。「上面」の「上」は、圧力センサ構造１０に対して用いられる「上」または「下」と一致する。上面は、開口４２に面している。したがって、トランスデューサ４６の上部は開口４２を通じて圧力を受ける。トランスデューサ４６の底部は、開口４４を通じてキャビティ３８のより広い面積に別の圧力を受ける。キャビティ３８は後の工程において封止される。集積回路４８は、ワイヤ接続によって、フィンガ（フィンガ２６，３０、３４など）と、トランスデューサ４６とに接続される。これは電気接続を備えるための特に費用効果に優れた方法である。代表的なワイヤボンドはワイヤボンド５０，５２，５４であり、それぞれフィンガ３４，３０，２６に接続されるである。フィンガがリードに電気的に接続されると、集積回路４８がリードに電気的に接続される。トランスデューサ４６を集積回路４８に電気的に接続するため、また集積回路４８をリードに電気的に接続するための他の技術が使用されてもよい。集積回路４８は、トランスデューサ４６からの抵抗情報を処理して、圧力情報を、電気的な形式で、リードに与える。抵抗情報を有効に使用する一手法は、ブリッジ回路の使用である。ブリッジの一部はトランスデューサ４６上にあってもよい。圧力を感知するために有効な別のトランスデューサは、圧力差に関連した静電容量を与えるトランスデューサである。
【００１２】
図４には、圧力センサ構造１０の底部に蓋部５６が配置された後の圧力センサ構造１０を示す。蓋部５６は封止されているので、キャビティ３８の圧力は開口４４を通じて決定される。蓋部５６によって、２つの圧力のうちの１つがトランスデューサ４６に与えられるエンクロージャが完成する。キャビティ内のトランスデューサ４６の場合、単に平坦な蓋部をキャビティの上に適用することによって、簡便にエンクロージャを形成することができる。可能な一代替では、トランスデューサ４６および集積回路４８がキャビティ内になく、蓋部５６の形状は、トランスデューサ４６と、集積回路４８と、開口４２との周りにおいてエンクロージャを封止するように決定される。キャビティ３８の使用は、現在使用されており、やはりフラグ、リードおよびフィンガを適所に保持する封止材を用いて簡便に形成されるという利点を有する。
【００１３】
図５には、フラグ４０の開口４２，４４と同様、開口２０，２２を通じてフラグ４０の一部が可視であるように直接上面から詳細を視認可能であることを除き、図２に示されたのと同様の圧力センサ構造１０の上面図を示す。より多くのフィンガも視認可能である。ここでは、トランスデューサ４６の取付前を示している。
【００１４】
図６には、図５に示した圧力センサ構造１０にデュアルポート５１を取り付けた後の圧力センサ構造１０を示す。これは、トランスデューサ４６および集積回路４８が取り付けられる前後のいずれに行われてもよく、蓋部５６が取り付けられる前後のいずれに行われてもよい。デュアルポート５１が、キャビティ１８まで延びている開口５７を有するポート５３と、キャビティ１６まで延びている開口５８を有するポート５５とを有する。デュアルポート５１は、開口５７および開口５８を分離したままとするべくバリア１９を用いて封止されており、デュアルポート５１を通じてキャビティ１６までの連絡は、開口５８の上部を通じた連絡のみである。キャビティによってデュアルポート５１の封止は簡便となるが、しかしながら、一代替では、キャビティ１６，１８は形成されず、単に封止材の上面の平坦な表面にデュアルポート５１を封止することで、開口５７，５８に与えられる圧力差が消失することが妨げられる。
【００１５】
図７には、完成したデュアルポート圧力センサとしての圧力センサ構造１０の断面を示す。この図では、キャビティ１６，１８を形成するバリア１９を備える、側壁の上部に封止されているデュアルポート５１を示す。また、開口５７からキャビティ１８まで、開口２２まで、開口４４まで、キャビティ３８まで、したがってトランスデューサ４６の底面までの圧力の経路を示す。同様に、開口５８からキャビティ１６まで、開口２０まで、開口４２まで、したがってトランスデューサ４６の上部までの圧力の経路を示す。デュアルポート５１は単一の構造として示されているが、複数の構造を用いて得られてもよい。例えば、各ポートについて異なる部材が用いられ、キャビティ１６，１８を接続するために異なる構造が用いられてよく、そうした場合であってもデュアルポート機能を達成する複数の構造の群は依然としてデュアルポートと呼ばれる。いずれの場合であっても、１つのポートは１つのキャビティに封止され、別のポートは別のキャビティに封止されて、２つのキャビティの間の圧力差が保持されることが可能である。
【００１６】
以上の結果、フラグの開口を用いてデュアルポート圧力センサを得ることを含む、パッケージング技術が効率的に使用される。両ポートはデュアルポート圧力センサの上面にある。
【００１７】
以上、デュアルポートセンサが提供されることが認められる。このデュアルポートセンサは、フラグと、リードと、フィンガとを備えるリードフレームを備える。リードフレームにおいて、第１の開口部はフラグを通じて延びており、第２の開口部はフラグを通じて延びており、リードはデュアルポートセンサの底側に外部との接続部を提供する。デュアルポートセンサは、フラグと、リードと、フィンガとの一部分の周りの封止材を備える。この封止材は、封止材の底側においてフラグの底面とフィンガの底部とを露出する底部キャビティと、封止材の上側における第１の上部キャビティと、フラグの第１の開口部に整合されておりフラグにおける第１の開口部より大きい第１の上部キャビティ内の第１の開口部と、封止材の上側における第２の上部キャビティと、フラグの第２の開口部に整合されておりフラグにおける第２の開口部より大きい第２の上部キャビティ内の第２の開口部と、を有する。デュアルポートセンサは、第１のキャビティおよび第２のキャビティに取り付けられているデュアルポートセンサの上側におけるデュアルポートをさらに備える。デュアルポートセンサは、フラグの底部に取り付けられており、フラグの第１の開口部を覆っている圧力センサトランスデューサをさらに備える。デュアルポートセンサは、フラグの底部に取り付けられており、フラグの第２の開口部から離間しており、フィンガおよび圧力センサトランスデューサに電気的に接続されている集積回路をさらに備える。デュアルポートセンサは、デュアルポートセンサの底側における底部キャビティを封止するキャップと、をさらに備える。デュアルポートセンサは、以下によってさらに特徴付けられてもよい。デュアルポートセンサは、リードが、封止材から外側に横方向に延びるとともに、封止材の底部に向けて下方に延びていることによってさらに特徴付けられてもよい。デュアルポートセンサは、集積回路が特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）であるによってさらに特徴付けられてもよい。デュアルポートセンサは、単一の本体を備えることによってさらに特徴付けられてもよい。デュアルポートセンサは、第１の上部キャビティの上方において封止材に接続される第１のポートと、第２の上部キャビティの上方において封止材に接続される第２のポートとを備えることによってさらに特徴付けられてもよい。デュアルポートセンサは、集積回路が第１の複数のワイヤボンドによって圧力センサトランスデューサに接続されていることによってさらに特徴付けられてもよい。デュアルポートセンサは、集積回路が第２の複数のワイヤボンドによってリードに接続されていることによってさらに特徴付けられてもよい。デュアルポートセンサは、リードがデュアルインライン型であるによってさらに特徴付けられてもよい。デュアルポートセンサは、圧力センサトランスデューサが抵抗ブリッジ型であることによってさらに特徴付けられてもよい。デュアルポートセンサは、圧力センサトランスデューサが、第１の上部キャビティ内の第１の開口部を覆うには十分大きくないことによってさらに特徴付けられてもよい。
【００１８】
また、リードフレームの一部を覆う封止材であって、該リードフレームはリード、フィンガおよびフラグを備える封止材を備えるデュアルポートセンサについても記載する。ここで、フラグはフラグを通じる第１の開口部とフラグを通じる第２の開口部とを有する。リードはフィンガに接続されている。リードは封止材の底面の表面に接続するべく、封止材から外に延びている。封止材は、フラグの第１の開口部に整合した第１の開口部を有する第１のキャビティを有する。封止材は、フラグの第２の開口部に整合した第２の開口部を有する第２のキャビティを有する。第１および第２のキャビティはフラグの上部の上方にある。圧力センサトランスデューサは、フラグの底部に付けられており、フラグの第１の開口部を覆っている。集積回路は、フラグの底部に付けられており、フラグの第２の開口部から離間しており、圧力センサトランスデューサおよびフィンガに電気的に接続されている。デュアルポート圧力センサは、フラグおよびリードが第３のキャビティにあり、第３のキャビティが、封止材の底部にあり、前記デュアルポートセンサが、第３のキャビティを覆っている蓋部をさらに備えることによってさらに特徴付けられてもよい。デュアルポート圧力センサは、第１のキャビティの第１の開口部がフラグの第１の開口部より大きく、圧力センサトランスデューサが、第１のキャビティの第１の開口部を覆うのに十分なほどには大きくないことによってさらに特徴付けられてもよい。デュアルポート圧力センサは、封止材の上部に付けられているデュアルポートをさらに備え、デュアルポートは第１のキャビティに封止されている第１のポートと第２のキャビティに封止されている第２のポートとを有し、第１のキャビティと第２のキャビティとの間の圧力差が維持されることによってさらに特徴付けられてもよい。デュアルポート圧力センサは、第１のポートと第２のポートとの間の圧力における差が圧力センサトランスデューサに接続されており、ここで第１の圧力は、第１のキャビティを通じて、第１のキャビティの第１の開口部を通じて、またフラグの第１の開口部を通じて、圧力センサトランスデューサの上面まで接続されており、第２の圧力は、第２のキャビティを通じて、第２のキャビティの第２の開口部を通じて、フラグの第２の開口部を通じて、また第３のキャビティを通じて、圧力センサトランスデューサの底面まで接続されている。
【００１９】
また、第１の開口部と第２の開口部とを有するフラグを有するリードフレームを備えるデュアルポート圧力センサについても記載する。デュアルポート圧力センサは、リードフレームを保持する封止材であって、封止材はフラグの上部の上方にあり、フラグの底部は封止材によって覆われておらず、封止材の第１の開口部はフラグの第１の開口部に整合しているとともにフラグの第１の開口部より大きく、封止材の第２の開口部はフラグの第２の開口部に整合している、封止材を更に備える。デュアルポート圧力センサは、フラグの底部に付けられ、フラグの第１の開口部を覆っており、上面に受ける第１の圧力と下面に受ける第２の圧力とに基づく圧力差に対する電気的に検出可能な相関を備える圧力センサトランスデューサをさらに備える。デュアルポート圧力センサは、フラグの底部に取り付けられており、圧力センサに電気的に接続されている集積回路をさらに備える。デュアルポート圧力センサは、フラグの底部とエンクロージャを形成する蓋部を備える。圧力センサトランスデューサは、封止材の第１の開口部とフラグの第１の開口部とを通じる第１の圧力と、封止材の第２の開口部とフラグの第２の開口部とエンクロージャとを通じる第２の圧力とを受ける。デュアルポート圧力センサは、封止材が、封止材の第１の開口部周りの第１のキャビティと、封止材の第２の開口部周りの第２のキャビティとを有することによってさらに特徴付けられてもよい。デュアルポート圧力センサは、封止材の第１の開口部の上方の第１の開口部と、封止材の第２の開口部の上方の第２の開口部とを有するデュアルポートをさらに備えることによってさらに特徴付けられてもよい。デュアルポート圧力センサは、フラグが底部キャビティ内にあり、蓋部はエンクロージャを形成するべく底部キャビティを覆っていることによってさらに特徴付けられてもよい。デュアルポート圧力センサは、第１の開口部が第１の上部キャビティ内に形成され、第２の開口部が第２の上部キャビティ内に形成され、第１および第２のキャビティが、第１および第２の圧力を分離させて保持するバリアとして機能する共通の壁を共有することによってさらに特徴付けられてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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