(57)【要約】【課題】従来の絶縁被膜と同等以上の耐摩耗性を確保しながら従来よりも高い可撓性を有する絶縁被膜を形成できる絶縁塗料およびそれを用いた絶縁電線を提供する。【解決手段】本発明に係る絶縁塗料は、絶縁被膜を形成するためのポリアミドイミド系絶縁塗料であって、ビフェニル構造を有する芳香族ジイソシアネート(成分A)とジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)とを含むイソシアネート成分と、酸成分とを有し、前記イソシアネート成分100モル％中で、前記ビフェニル構造を有する芳香族ジイソシアネート(成分A)の含有率が5〜50モル％であり、前記ジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)の含有率が5〜50モル％であることを特徴とする。【選択図】図１
2012097216.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁被膜を形成するためのポリアミドイミド系絶縁塗料であって、
ビフェニル構造を有する芳香族ジイソシアネート(成分A)とジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)とを含むイソシアネート成分と、酸成分とを有し、
前記イソシアネート成分100モル％中で、前記ビフェニル構造を有する芳香族ジイソシアネート(成分A)の含有率が5〜50モル％であり、前記ジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)の含有率が5〜50モル％であることを特徴とする絶縁塗料。
【請求項２】
請求項１に記載の絶縁塗料において、
前記ジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)の含有率が、前記ビフェニル構造を有する芳香族ジイソシアネート(成分A)の含有率の0.1〜10倍であることを特徴とする絶縁塗料。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の絶縁塗料において、
前記イソシアネート成分は、他のジイソシアネート(成分C)を更に含み、
前記他のジイソシアネート(成分C)の含有率が、前記ジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)の含有率よりも高いことを特徴とする絶縁塗料。
【請求項４】
請求項３に記載の絶縁塗料において、
前記他のジイソシアネート(成分C)は、前記ジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)の異性体であることを特徴とする絶縁塗料。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の絶縁塗料による前記絶縁被膜が導体上に形成されていることを特徴とする絶縁電線。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体上に絶縁塗料を塗布・焼付して絶縁被膜を形成した絶縁電線に関し、特に回転電機や変圧器などの電気機器のコイルに好適に対応できる絶縁塗料およびそれを用いた絶縁電線に関する。
【背景技術】
【０００２】
回転電機や変圧器などの電気機器のコイルに用いられている絶縁電線（いわゆるエナメル線）は、一般的に、コイルの用途・形状に合致した断面形状（例えば、丸形状や矩形状）に成形された導体の外層に絶縁被膜が形成された構造をしている。なお、該絶縁被覆を形成する方法には、樹脂を有機溶剤に溶解させた絶縁塗料を導体上に塗布・焼付けする方法と、予め調合した樹脂組成物を導体上に押出被覆する方法がある。
【０００３】
近年、電気機器への小型化の要求により、コイル巻線工程は、絶縁電線を高い張力下で小径のコアに高密度（高占積率）で巻くようになってきており、絶縁電線にとって極めて過酷な加工条件で行われている。すなわち、絶縁電線（特に絶縁被膜）に対して、高い張力・高占積率に対応できる機械的強度や耐摩耗性に加えて、小径の巻線に対応できる高い可撓性が求められている。
【０００４】
また、電気機器への高効率化・高出力化の要求からインバータ制御や高電圧化が進展している。その結果、コイルの運転温度が以前よりも上昇傾向にあり、絶縁被膜には高い耐熱性も求められている。そして、これらの要求を満たすため、高い機械的強度、耐熱性、化学的安定性を有するポリアミドイミド樹脂が絶縁被膜材料として広く利用されている。
【０００５】
例えば、特許文献１（特開平5-225830号公報）には、少なくともジイソシアネート成分と酸成分とを原料とするポリアミドイミド系塗料の塗布、焼付けにより形成された絶縁被膜を有する絶縁電線において、原料としてのジイソシアネート成分が、ビフェニル構造を有し所定の一般式で表される芳香族ジイソシアネート化合物を10〜80モル％の範囲内で含有する絶縁電線が開示されている。特許文献１によると、ポリアミドイミドの構造中にビフェニル部分を導入することで、絶縁被膜の弾性率を向上させ、また屈曲構造の酸成分を用いることで、可撓性にすぐれ損傷し難い絶縁被膜を形成することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平５−２２５８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、最近では電気機器への小型化・高効率化の要求レベルがますます高度になっており、従来技術の絶縁被膜ではその要求レベル（特に可撓性）への対応が困難になる問題が生じている。すなわち、従来の利点を維持しつつ従来よりも更に高い可撓性が絶縁被膜および絶縁電線に要求されている。
【０００８】
従って、本発明の目的は、該要求に対応すべく、従来の絶縁被膜と同等以上の耐摩耗性を確保しながら従来よりも高い可撓性を有する絶縁被膜を形成できる絶縁塗料およびそれを用いた絶縁電線を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１つの態様は、上記目的を達成するため、次のような特徴を有する。
本発明に係る絶縁塗料は、絶縁被膜を形成するためのポリアミドイミド系絶縁塗料であって、ビフェニル構造を有する芳香族ジイソシアネート(成分A)とジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)とを含むイソシアネート成分と、酸成分とを有し、前記イソシアネート成分100モル％中で、前記ビフェニル構造を有する芳香族ジイソシアネート(成分A)の含有率が5〜50モル％であり、前記ジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)の含有率が5〜50モル％であることを特徴とする。なお、「5〜50モル％」とは、「5モル％以上、50モル％以下」を意味するものとする。
【００１０】
さらに、本発明は、上記目的を達成するため、上記の本発明に係る絶縁塗料において、以下のような改良や変更を加えることができる。
（１）前記ジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)の含有率が、前記ビフェニル構造を有する芳香族ジイソシアネート(成分A)の含有率の0.1倍以上10倍以下である。
（２）前記イソシアネート成分は、他のジイソシアネート(成分C)を更に含み、前記他のジイソシアネート(成分C)の含有率が、前記ジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(B)の含有率よりも高い。
（３）前記他のジイソシアネート(成分C)は、前記ジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)の異性体である。
（４）上記の絶縁塗料による前記絶縁被膜が導体上に形成されている絶縁電線である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、従来の絶縁被膜と同等以上の耐摩耗性を確保しながら従来よりも高い可撓性を有する絶縁被膜を形成できる絶縁塗料およびそれを用いた絶縁電線を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係る絶縁電線の１例を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（本発明の基本思想）
ポリアミドイミドは、分子骨格中にアミド基とイミド基とが交互に規則正しく配列した構造を有し結晶性が高いポリマである。一般的に、ポリアミドイミドは、アミド基同士が水素結合を形成するため優れた強靱性や耐衝撃性を示し、イミド結合による剛直で強固な分子構造を有するため優れた熱的・機械的特性を有する。一方、それらの利点の裏返しとして、可撓性に劣るという弱点もある。
【００１４】
従来技術では、ポリアミドイミド樹脂のイソシアネート成分にビフェニル構造を含有させ、酸成分に屈曲構造を有する酸を含有させることで、絶縁被膜の柔軟性を高めていた。しかしながら、単純に複合しただけでは、ポリアミドイミド分子骨格中のアミド基とイミド基の配列も乱されてしまうため、ポリアミドイミド樹脂が本来もつ耐摩耗性が低下してしまうことがあった。
【００１５】
そこで、本発明者等は、ポリアミドイミド系絶縁被膜において機械的特性（特に耐摩耗性）を犠牲にすることなく可撓性を向上させることを目的として、ポリアミドイミド樹脂のイソシアネート成分に着目し、絶縁塗料の組成（成分および混合比率）を鋭意検討した。その結果、ビフェニル構造および屈曲構造の両方をイソシアネート成分に含有させることにより、ポリアミドイミド樹脂の結晶性の低下を抑えることを見出した。具体的には、ポリアミドイミド樹脂のイソシアネート成分として、ビフェニル骨格を有する芳香族ジイソシアネート(成分A)とジフェニルメタン-2,4’-ジイソシアネート(成分B)とを適切な比率範囲で混合させることにより、ポリアミドイミド樹脂が本来持つ耐摩耗性の低下を押さえることができるとともに、高い可撓性とを有する絶縁被膜を形成できることを見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。
【００１６】
以下、本発明に係る実施形態を説明する。ただし、本発明はここで取り上げた実施の形態に限定されることはなく、要旨を変更しない範囲で適宜組み合わせや改良が可能である。
【００１７】
前述したように、本発明に係る絶縁電線は、絶縁被膜を形成するためのポリアミドイミド系絶縁塗料であって、ビフェニル構造を有する芳香族ジイソシアネート(成分A)とジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)とを含むイソシアネート成分と、酸成分とを有し、前記イソシアネート成分100モル％中で、前記成分Aの含有率が5〜50モル％であり、前記成分Bの含有率が5〜50モル％であることを特徴とする。イソシアネート成分のうち上記成分Aと成分Bとの混合比率（含有率）を適切にバランスさせることにより、ポリアミドイミド分子同士の結合を阻害することなく（すなわち、耐摩耗性を低下させずに）分子構造中へ屈曲性に寄与する構造を導入できたと考えられる。また、イソシアネート成分は、成分A、Bと異なる他のジイソシアネート（成分C）を更に含有していてもよい。
【００１８】
本発明に用いるビフェニル構造を有する芳香族ジイソシアネート(成分A)としては、例えば、ビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート、ビフェニル‐3,3’‐ジイソシアネート、ビフェニル‐3,4’‐ジイソシアネート、3,3’‐ジクロロビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート、2,2’‐ジクロロビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート、3,3’‐ジブロモビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート、2,2’‐ジブロモビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート、3,3’‐ジメチルビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート、2,2’‐ジメチルビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート、2,3’‐ジメチルビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート、3,3’‐ジエチルビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート、2,2’‐ジエチルビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート、3,3’‐ジメトキシビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート、2,2’‐ジメトキシビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート、2,3’‐ジメトキシビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート、3,3’‐ジエトキシビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート、2,2’‐ジエトキシビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート、2,3’‐ジエトキシビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート等が挙げられる。
【００１９】
上記ビフェニル構造を有する芳香族ジイソシアネート(成分A)の含有率は、イソシアネート成分100モル％中で、5〜50モル％が望ましく、10〜50モル％がより望ましい。成分Aの含有率が5モル％未満では従来の絶縁被膜と同等以上の耐摩耗性を確保することが困難になり、50モル％超では可撓性向上の効果を阻害してしまう。
【００２０】
上記成分Aと混合するイソシアネート成分としては、ジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)を単独で、または該成分Bと他のジイソシアネート(成分C)とを混合して用いる。成分Bの混合比率は、イソシアネート成分100モル％中で、5〜50モル％が望ましく、10〜50モル％がより望ましい。ジイソシアネートBの混合比率が5モル％未満では可撓性の向上が不十分となり、50モル％超では耐摩耗性を低下させる要因となる。
【００２１】
また、上記成分Bの含有率は、成分Aの含有率の0.1倍から10倍であることが望ましい。上記成分Bの含有率が成分Aの含有率の0.1倍より少ないと可撓性向上の効果が得られにくく、10倍より多いと従来の絶縁被膜と同等以上の耐摩耗性を確保し難くなる。
【００２２】
上記他のジイソシアネート(成分C)としては、ビフェニル骨格を有する芳香族ジイソシアネート(成分A)、およびジフェニルメタン-2,4’-ジイソシアネート(成分B)と異なるジイソシアネートからなり、ジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)の異性体であるジフェニルメタン‐4,4’‐ジイソシアネート、ジフェニルメタン‐3,3’‐ジイソシアネート、ジフェニルメタン‐3,4’‐ジイソシアネート、ジフェニルメタン‐2,2’‐ジイソシアネートが最も好ましく用いられる。また、それら成分Bの異性体に更に併用するかたちで、芳香族ジイソシアネート類やビフェニル構造を有するジイソシアネート類（例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルエーテルジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ジフェニルスルホンジイソシアネート、ジアニシジジイソシアネート等）およびそれらの異性体、脂肪族ジイソシアネート類（例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、水添キシリレンジイソシアネート等）、多官能イソシアネート（例えば、トリフェニルメタントリイソシアネート等）、多量体（例えば、ポリメリックイソシアネート、トリレンジイソシアネート等）を適量添加してもよい。
【００２３】
さらに、成分Cの配合比率は特に限定されるものではなく、イソシアネート成分中における成分A，Bの比率が保たれるように成分Cを配合すれば良い（すなわち、成分Cの含有率は0〜90モル％となる）。なお、成分Cを成分Bよりも多く混合した場合（成分Cの含有率を成分Bのそれよりも高くした場合）、絶縁被膜の表面等でクレージングの発生を防止することができる。具体的には、成分Cが45〜90モル％（より好ましくは60〜90モル％）の範囲で混合されることが好ましい。一方、成分Cを成分Bよりも少なく混合した場合、絶縁被膜の可撓性向上の効果をより高めることができる。ポリアミドイミド樹脂本来の結晶性を崩すことなく、耐摩耗性と可撓性との両方の効果を確保し、かつ上記効果を実現し易くするためには、成分Cは成分Ｂの異性体であることが好ましい。
【００２４】
本発明に用いる酸成分としては、無水トリメリット酸（TMA）や無水トリメリット酸クロライド（TAC）等が好ましい。また、それらトリメリット酸類に更に併用するかたちで、芳香族テトラカルボン酸二無水物類（例えば、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物など）およびそれらの異性体、脂環式テトラカルボン酸二無水物類（例えば、ブタンテトラカルボン酸二無水物、5‐(2,5‐ジオキソテトラヒドロ‐3‐フラニル)‐3‐メチル‐3‐シクロヘキセン‐1,2‐ジカルボン酸無水物など）、トリカルボン酸類（例えば、トリメシン酸、トリス(2‐カルボキシエチル)イソシアヌレート（CIC酸）など）およびそれらの異性体を適量添加してもよい。
【００２５】
ポリアミドイミド樹脂の合成にあたって、反応触媒としてアミン類やイミダゾール類などを用いてもよい。ただし、絶縁塗料の安定性を阻害しないものを選択すべきである。
【００２６】
図１は、本発明に係る絶縁電線の１例を示す断面模式図である。図１に示したように、本発明に係る絶縁電線10は、導体1上に本発明に係る絶縁塗料を塗布・焼付して形成された絶縁被膜2が被覆されている。なお、導体1に特段の限定はなく、通常のエナメル線で用いられる銅線、アルミニウム線の他に、金線、銀線や超電導線などを利用することができる。さらに、絶縁被膜2が被覆される導体形状にも特段の限定はなく、丸形状や矩形状の他に、プリント配線であってもよい。
【実施例】
【００２７】
以下、本発明を実施例に基づいて更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例１〜７および比較例１〜７の絶縁塗料の組成を後述する表１および表２にそれぞれ示した。
【００２８】
（絶縁塗料の作製の基本手順）
絶縁塗料は、次のような手順で作製した。撹拌機、還流冷却管、窒素ガス流入管、および温度計を備えたフラスコ中に絶縁塗料の原料を投入した。窒素雰囲気中で撹拌しながら約1時間で130℃まで加熱し、その温度で2時間反応させて、還元粘度が0.5 dl/gのポリアミドイミド樹脂溶液を得た。その後、ポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂分100質量部に対して、溶媒成分としてN‐メチルピロリドン（NMP）200質量部を加え、更にN,N‐ジメチルホルムアミド（DMF）溶媒100質量部を加えて希釈し、ポリアミドイミド系絶縁塗料を作製した。
【００２９】
（絶縁電線の作製手順）
供試材となる絶縁電線は、次のような手順で作製した。導体径0.8 mmの銅線上に、ポリアミドイミド系絶縁塗料を従前の方法により塗布・焼付して、図１に示したような絶縁電線を作製した。形成された絶縁被膜の厚さは0.031 mmであった。
【００３０】
（試験・評価方法）
（１）絶縁塗料外観検査（相溶性評価）
作製したポリアミドイミド系絶縁塗料の透明性（濁りの有無）を目視により検査した。濁りが観察されない場合を「合格」とし、濁りが観察された場合を「不合格」とした。
【００３１】
（２）一方向摩耗試験（耐摩耗性評価）
JIS C3003に準拠して、一方向摩耗試験を行った。供試材である絶縁電線を120 mmの長さで切り出し、片側末端の絶縁被覆をアビソフィックス装置にて剥離した。テーバー型の摩耗試験機（東洋精機株式会社製）に取り付けた後、端末部に電極を取り付け、絶縁被膜の表面に垂直方向から荷重を掛けながら斜面を滑らせた際に、電気が導通した時の荷重を測定した。電気が導通した時の荷重が20 N以上を「合格」とし、荷重が20 N未満を「不合格」とした。
【００３２】
（３）巻付試験（可撓性評価）
JIS C3003に準拠して、無伸長の供試材および20％伸長の供試材に対して巻付試験を行った。導体径と同じ径を有する丸棒（巻付棒）に絶縁電線を巻き付け、光学顕微鏡を用いて絶縁被膜での亀裂の有無を調査した（自己径巻付）。本明細書では、絶縁電線を５巻き/コイルとして５コイル分巻き付け、50倍の光学顕微鏡を用いて観察した。また、絶縁被膜に亀裂が観察された場合、導体径の２倍の径を有する巻付棒を用いた試験（２倍径巻付）、導体径の３倍の径を有する巻付棒を用いた試験（３倍径巻付）を同様の手順で行った。無伸長の供試材に対しては自己径巻付で亀裂が観察されないものを「合格」とし、20％伸長の供試材に対しては２倍径以下の巻付で亀裂が観察されないものを「合格」とし、それら以外を「不合格」とした。
【００３３】
（４）総合判定
総合判定としては、上記（１）〜（３）が全て合格レベルである場合に「合格」とし、上記（１）〜（３）のいずれかが不合格レベルである場合に「不合格」と判定した。
【００３４】
（実施例１の作製）
イソシアネート成分として0.20モルのビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート(成分A)と、0.20モルのジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)と0.60モルのジフェニルメタン‐4,4’‐ジイソシアネート(成分C)とを用い、酸成分として1.0モルの無水トリメリット酸を用いた。該イソシアネート成分と該酸成分とで得られるポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂分100質量部に対して、200質量部のN‐メチルピロリドン（NMP）溶媒を加え、100質量部のN,N‐ジメチルホルムアミド（DMF）溶媒で更に希釈して、濁りのないポリアミドイミド系絶縁塗料（樹脂分濃度25重量％）を得た。次に、該絶縁塗料を導体径0.8 mmの銅線上に塗布・焼付して、絶縁被膜の厚さ0.031 mmのエナメル絶縁電線（実施例１）を作製した。
【００３５】
（実施例２の作製）
イソシアネート成分として0.20モルのビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート(成分A)と0.20モルのジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)と0.60モルのジフェニルメタン‐3,3’‐ジイソシアネート(成分C)とを用い、酸成分として1.0モルの無水トリメリット酸を用いた。該イソシアネート成分と該酸成分とで得られるポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂分100質量部に対して、200質量部のNMP溶媒を加え、100質量部のDMF溶媒で更に希釈して、濁りのないポリアミドイミド系絶縁塗料（樹脂分濃度25重量％）を得た。次に、該絶縁塗料を導体径0.8 mmの銅線上に塗布・焼付して、絶縁被膜の厚さ0.031 mmのエナメル絶縁電線（実施例２）を作製した。
【００３６】
（実施例３の作製）
イソシアネート成分として0.20モルの3,3’‐ジメチルビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート(成分A)と0.20モルのジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)と0.60モルのジフェニルメタン‐4,4’‐ジイソシアネート(成分C)とを用い、酸成分として1.0モルの無水トリメリット酸を用いた。該イソシアネート成分と該酸成分とで得られるポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂分100質量部に対して、200質量部のNMP溶媒を加え、100質量部のDMF溶媒で更に希釈して、濁りのないポリアミドイミド系絶縁塗料（樹脂分濃度25重量％）を得た。次に、該絶縁塗料を導体径0.8 mmの銅線上に塗布・焼付して、絶縁被膜の厚さ0.031 mmのエナメル絶縁電線（実施例３）を作製した。
【００３７】
（実施例４の作製）
イソシアネート成分として0.05モルのビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート(成分A)と0.05モルのジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)と0.90モルのジフェニルメタン‐4,4’‐ジイソシアネート(成分C)とを用い、酸成分として1.0モルの無水トリメリット酸を用いた。該イソシアネート成分と該酸成分とで得られるポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂分100質量部に対して、200質量部のNMP溶媒を加え、100質量部のDMF溶媒で更に希釈して、濁りのないポリアミドイミド系絶縁塗料（樹脂分濃度25重量％）を得た。次に、該絶縁塗料を導体径0.8 mmの銅線上に塗布・焼付して、絶縁被膜の厚さ0.031 mmのエナメル絶縁電線（実施例４）を作製した。
【００３８】
（実施例５の作製）
イソシアネート成分として0.50モルのビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート(成分A)と0.05モルのジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)と0.45モルのジフェニルメタン‐4,4’‐ジイソシアネート(成分C)とを用い、酸成分として1.0モルの無水トリメリット酸を用いた。該イソシアネート成分と該酸成分とで得られるポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂分100質量部に対して、200質量部のNMP溶媒を加え、100質量部のDMF溶媒で更に希釈して、濁りのないポリアミドイミド系絶縁塗料（樹脂分濃度25重量％）を得た。次に、該絶縁塗料を導体径0.8 mmの銅線上に塗布・焼付して、絶縁被膜の厚さ0.031 mmのエナメル絶縁電線（実施例５）を作製した。
【００３９】
（実施例６の作製）
イソシアネート成分として0.05モルのビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート(成分A)と0.50モルのジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)と0.45モルのジフェニルメタン‐4,4’‐ジイソシアネート(成分C)とを用い、酸成分として1.0モルの無水トリメリット酸を用いた。該イソシアネート成分と該酸成分とで得られるポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂分100質量部に対して、200質量部のNMP溶媒を加え、100質量部のDMF溶媒で更に希釈して、濁りのないポリアミドイミド系絶縁塗料（樹脂分濃度25重量％）を得た。次に、該絶縁塗料を導体径0.8 mmの銅線上に塗布・焼付して、絶縁被膜の厚さ0.031 mmのエナメル絶縁電線（実施例６）を作製した。
【００４０】
（実施例７の作製）
イソシアネート成分として0.50モルのビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート(成分A)と0.50モルのジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)とを用い、酸成分として1.0モルの無水トリメリット酸を用いた。該イソシアネート成分と該酸成分とで得られるポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂分100質量部に対して、200質量部のNMP溶媒を加え、100質量部のDMF溶媒で更に希釈して、濁りのないポリアミドイミド系絶縁塗料（樹脂分濃度25重量％）を得た。次に、該絶縁塗料を導体径0.8 mmの銅線上に塗布・焼付して、絶縁被膜の厚さ0.031 mmのエナメル絶縁電線（実施例７）を作製した。
【００４１】
（比較例１の作製）
イソシアネート成分として1.0モルのジフェニルメタン‐4,4’‐ジイソシアネート(成分C)を用い、酸成分として1.0モルの無水トリメリット酸を用いた。該イソシアネート成分と該酸成分とで得られるポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂分100質量部に対して、200質量部のNMP溶媒を加え、100質量部のDMF溶媒で更に希釈して、濁りのないポリアミドイミド系絶縁塗料（樹脂分濃度25重量％）を得た。次に、該絶縁塗料を導体径0.8 mmの銅線上に塗布・焼付して、絶縁被膜の厚さ0.031 mmのエナメル絶縁電線（比較例１）を作製した。
【００４２】
（比較例２の作製）
イソシアネート成分として0.05モルのビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート(成分A)と0.02モルのジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)と0.93モルのジフェニルメタン‐4,4’‐ジイソシアネート(成分C)とを用い、酸成分として1.0モルの無水トリメリット酸を用いた。該イソシアネート成分と該酸成分とで得られるポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂100質量部に対して、200質量部のNMP溶媒を加え、100質量部のDMF溶媒で更に希釈して、濁りのないポリアミドイミド系絶縁塗料（樹脂分濃度25重量％）を得た。次に、該絶縁塗料を導体径0.8 mmの銅線上に塗布・焼付して、絶縁被膜の厚さ0.031 mmのエナメル絶縁電線（比較例２）を作製した。
【００４３】
（比較例３の作製）
イソシアネート成分として0.02モルのビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート(成分A)と0.05モルのジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)と0.93モルのジフェニルメタン‐4,4’‐ジイソシアネート(成分C)とを用い、酸成分として1.0モルの無水トリメリット酸を用いた。該イソシアネート成分と該酸成分とで得られるポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂100質量部に対して、200質量部のNMP溶媒を加え、100質量部のDMF溶媒で更に希釈して、濁りのないポリアミドイミド系絶縁塗料（樹脂分濃度25重量％）を得た。次に、該絶縁塗料を導体径0.8 mmの銅線上に塗布・焼付して、絶縁被膜の厚さ0.031 mmのエナメル絶縁電線（比較例３）を作製した。
【００４４】
（比較例４の作製）
イソシアネート成分として0.05モルのビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート(成分A)と0.60モルのジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)と0.35モルのジフェニルメタン‐4,4’‐ジイソシアネート(成分C)とを用い、酸成分として1.0モルの無水トリメリット酸を用いた。該イソシアネート成分と該酸成分とで得られるポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂100質量部に対して、200質量部のNMP溶媒を加え、100質量部のDMF溶媒で更に希釈して、濁りのないポリアミドイミド系絶縁塗料（樹脂分濃度25重量％）を得た。次に、該絶縁塗料を導体径0.8 mmの銅線上に塗布・焼付して、絶縁被膜の厚さ0.031 mmのエナメル絶縁電線（比較例４）を作製した。
【００４５】
（比較例５の作製）
イソシアネート成分として0.60モルのビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート(成分A)と0.05モルのジフェニルメタン‐2,4’‐ジイソシアネート(成分B)と0.35モルのジフェニルメタン‐4,4’‐ジイソシアネート(成分C)とを用い、酸成分として1.0モルの無水トリメリット酸を用いた。該イソシアネート成分と該酸成分とで得られるポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂100質量部に対して、200質量部のNMP溶媒を加え、100質量部のDMF溶媒で更に希釈して、濁りのないポリアミドイミド系絶縁塗料（樹脂分濃度25重量％）を得た。次に、該絶縁塗料を導体径0.8 mmの銅線上に塗布・焼付して、絶縁被膜の厚さ0.031 mmのエナメル絶縁電線（比較例５）を作製した。
【００４６】
（比較例６の作製）
イソシアネート成分として0.05モルのビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート(成分A)と0.95モルのジフェニルメタン‐4,4’‐ジイソシアネート(成分C)とを用い、酸成分として1.0モルの無水トリメリット酸を用いた。該イソシアネート成分と該酸成分とで得られるポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂100質量部に対して、200質量部のNMP溶媒を加え、100質量部のDMF溶媒で更に希釈して、ポリアミドイミド系絶縁塗料（樹脂分濃度25重量％）を得た。ただし、この絶縁塗料には濁りが見られた。次に、該絶縁塗料を導体径0.8 mmの銅線上に塗布・焼付して、絶縁被膜の厚さ0.031 mmのエナメル絶縁電線（比較例６）を作製した。
【００４７】
（比較例７の作製）
イソシアネート成分として0.40モルのビフェニル‐4,4’‐ジイソシアネート(成分A)と0.60モルのジフェニルメタン‐4,4’‐ジイソシアネート(成分C)とを用い、酸成分として1.0モルの無水トリメリット酸を用いた。該イソシアネート成分と該酸成分とで得られるポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂100質量部に対して、200質量部のNMP溶媒を加え、100質量部のDMF溶媒で更に希釈して、ポリアミドイミド系絶縁塗料（樹脂分濃度25重量％）を得た。ただし、この絶縁塗料には濁りが見られた。次に、該絶縁塗料を導体径0.8 mmの銅線上に塗布・焼付して、絶縁被膜の厚さ0.031 mmのエナメル絶縁電線（比較例７）を作製した。
【００４８】
実施例１〜７の評価結果を表１に併記し、比較例１〜７の評価結果を表２に併記した。
【００４９】
【表１】
2012097216.tif 000003
【００５０】
【表２】
2012097216.tif 000004
【００５１】
表１に示したように、実施例１〜７は、いずれも絶縁塗料に濁りが見られず、十分な耐摩耗性を有し、かつ良好な可撓性を示した。すなわち、全ての試験・評価が合格レベルであり、総合判定として「合格」であった。
【００５２】
これらに対し、表２に示したように、成分Aが本発明の規定よりも少ない比較例１および比較例３では耐摩耗性の劣化が著しく、該規定よりも多い比較例５では可撓性の向上が不十分であった。また、成分Bが本発明の規定よりも少ない比較例２では可撓性の向上が不十分であり、該規定よりも多い比較例４では耐摩耗性の劣化が著しかった。さらに、成分Bを含まない比較例６および比較例７では、可撓性の向上が不十分であることに加えて、絶縁塗料に濁りが観察され、相溶性に問題を生じていた。すなわち、比較例１〜７は、いずれかの試験・評価が不合格レベルであり、総合判定として「不合格」であった。
【００５３】
以上説明したように、本発明に係る実施例１〜７の絶縁電線は、従来の絶縁被膜と同等以上の耐摩耗性を確保しながら従来よりも高い可撓性を有する絶縁被膜を具備していることが実証された。すなわち、本発明に係る絶縁塗料によって、そのような絶縁被膜を形成できることが実証された。
【符号の説明】
【００５４】
1…導体、2…絶縁被膜、10…絶縁電線。
【図１】
2012097216.tif 000005