(57)【要約】【課題】液体流路を高精度に形成することができると共にコストを低減することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】圧電アクチュエーター３００が一方面に形成された流路形成基板１０の他方面にクロムが含有されたマスク５２を形成すると共にパターニングする工程と、前記流路形成基板１０を他方面側から前記マスク５２を介して異方性エッチングすることにより、液体流路１２等を形成する工程と、を具備する。【選択図】図６
2012171121.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電アクチュエーターが一方面に形成された流路形成基板の他方面にクロムが含有され
たマスクを形成すると共にパターニングする工程と、
前記流路形成基板を他方面側から前記マスクを介して異方性エッチングすることにより
、液体流路を形成する工程と、を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記マスクを形成すると共にパターニングする工程では、前記流路形成基板側に酸化シ
リコンを含有する第１マスク層と、該第１マスク層の前記流路形成基板とは反対面側にク
ロムを含有する第２マスク層と、を形成することを特徴とする請求項１記載の液体噴射ヘ
ッドの製造方法。
【請求項３】
前記第２マスク層を形成する工程では、酸化クロムを含有する当該第２マスク層を形成
することを特徴とする請求項２記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記マスクは、前記第１マスク層と、前記第２マスク層と、該第２マスク層上に形成さ
れて酸化クロムを含有する第３マスク層と、で形成することを特徴とする請求項３記載の
液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記流路形成基板に前記マスクを形成する前に逆スパッタを行うことを特徴とする請求
項１〜４の何れか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノズル開口から液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法に関し、特に液体
としてインクを吐出するインクジェット式記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドの代表例としては、例えば、圧電アクチュエーターの変位による圧力を
利用してノズル開口からインク滴を吐出するインクジェット式記録ヘッドが知られている
。具体的には、ノズル開口に連通する圧力発生室が形成された流路形成基板の一方面側に
圧電アクチュエーターを設け、この圧電アクチュエーター変形させることで圧力発生室内
のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出するものが知られている。
【０００３】
そして、流路形成基板としては、例えば、結晶面方位が（１００）面等のシリコン単結
晶基板が用いられ、流路形成基板の圧力発生室等の液体流路は、開口部がパターニングさ
れたマスクを介して異方性エッチング（ウェットエッチング）することによって形成され
ていた（例えば、特許文献１及び２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−８８５０８号公報
【特許文献２】特開２００１−２３９５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１及び２のように、流路形成基板に窒化シリコンなど材料のマ
スクを形成するには、流路形成基板を繰り返し洗浄する洗浄工程が必要で作業工程が増え
ると共にコストが増大してしまうという問題がある。
【０００６】
特に、シリコンからなる流路形成基板上に窒化シリコンからなるマスクを形成した場合
、成膜前の洗浄工程に密着性が敏感に作用し、流路形成基板とマスクとの安定的な密着が
困難で、流路形成基板をウェットエッチングする際のアルカリ溶液によって密着が不安定
な部分から流路形成基板のエッチングが始まってしまうなどの不具合が発生しやすい。
【０００７】
また、流路形成基板に圧力発生室をウェットエッチング以外の方法、例えば、ドライエ
ッチングによって形成することもできるが、ドライエッチングはコストが増大してしまう
という問題がある。
【０００８】
さらには、圧力発生室の高密度化を図るために、圧力発生室等の液体流路を形成するエ
ッチングの精度を向上させたいという要望があった。
【０００９】
なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッドの製造方法だけでなく、インク
以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法においても同様に存在する。
【００１０】
本発明はこのような事情に鑑み、液体流路を高精度に形成することができると共にコス
トを低減することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決する本発明の態様は、圧電アクチュエーターが一方面に形成された流路
形成基板の他方面にクロムが含有されたマスクを形成すると共にパターニングする工程と
、前記流路形成基板を他方面側から前記マスクを介して異方性エッチングすることにより
、液体流路を形成する工程と、を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法に
ある。
かかる態様では、洗浄工程が不要で、密着性に優れたマスクを設けることができ、流路
形成基板を安価なウェットエッチングで高精度に行うことができる。
【００１２】
ここで、前記マスクを形成すると共にパターニングする工程では、前記流路形成基板側
に酸化シリコンを含有する第１マスク層と、該第１マスク層の前記流路形成基板とは反対
面側にクロムを含有する第２マスク層と、を形成することが好ましい。これによれば、第
１マスク層によってマスクと流路形成基板との密着性が向上される。
【００１３】
また、前記第２マスク層を形成する工程では、酸化クロムを含有する当該第２マスク層
を形成してもよい。
【００１４】
また、前記マスクは、前記第１マスク層と、前記第２マスク層と、該第２マスク層上に
形成されて酸化クロムを含有する第３マスク層と、で形成するのが好ましい。これによれ
ば、密着性に優れ、且つ耐アルカリ性に優れたマスクを形成することができる。
【００１５】
また、前記流路形成基板に前記マスクを形成する前に逆スパッタを行うことが好ましい
。これによれば、流路形成基板の表面が活性化されて、マスクとの密着性がさらに向上さ
れるため、流路形成基板のエッチングを安定的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録
ヘッドの分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及びそのＡ−Ａ′線断面図である。
【００１８】
図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単
結晶基板からなり、その一方の面には、振動板を構成する二酸化シリコンからなる厚さ０
．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。
【００１９】
流路形成基板１０には、他方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁１
１によって区画された圧力発生室１２がその幅方向（短手方向）に並設されている。また
、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向の一端部側には、インク供給路１４と連
通路１５とが隔壁１１によって区画されている。また、連通路１５の一端には、各圧力発
生室１２の共通のインク室（液体室）となるマニホールド１００の一部を構成する連通部
１３が形成されている。すなわち、流路形成基板１０には、圧力発生室１２、連通部１３
、インク供給路１４及び連通路１５からなる液体流路が設けられている。
【００２０】
インク供給路１４は、圧力発生室１２の長手方向一端部側に連通し且つ圧力発生室１２
より小さい断面積を有する。例えば、本実施形態では、インク供給路１４は、マニホール
ド１００と各圧力発生室１２との間の圧力発生室１２側の流路を幅方向に絞ることで、圧
力発生室１２の幅より小さい幅で形成されている。なお、このように、本実施形態では、
流路の幅を片側から絞ることでインク供給路１４を形成したが、流路の幅を両側から絞る
ことでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から
絞ることでインク供給路を形成してもよい。さらに、各連通路１５は、インク供給路１４
の圧力発生室１２とは反対側に連通し、インク供給路１４の幅方向（短手方向）より大き
い断面積を有する。本実施形態では、連通路１５を圧力発生室１２と同じ断面積で形成し
た。
【００２１】
すなわち、流路形成基板１０には、圧力発生室１２と、インク供給路１４と、連通路１
５とが複数の隔壁１１により区画されて設けられている。また、流路形成基板１０の圧力
発生室１２の一方面は、振動板を構成する弾性膜５０によって画成されている。
【００２２】
一方、流路形成基板１０の圧力発生室１２等の液体流路が開口する一方面側には、各圧
力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設
されたノズルプレート２０が、接着剤や熱用着フィルム等を介して接合されている。なお
、ノズルプレート２０は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレ
ス鋼等からなる。
【００２３】
一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜５
０が形成され、この弾性膜５０上には、例えば、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５
が形成されている。さらに、この絶縁体膜５５上には、第１電極６０と圧電体層７０と第
２電極８０とが、成膜及びリソグラフィー法によって順次積層されて圧電アクチュエータ
ー３００を構成している。ここで、圧電アクチュエーター３００は、第１電極６０、圧電
体層７０及び第２電極８０を含む部分をいう。一般的には、圧電アクチュエーター３００
の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎
にパターニングして構成する。本実施形態では、第１電極６０は圧電アクチュエーター３
００の共通電極とし、第２電極８０を圧電アクチュエーター３００の個別電極としている
が、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。なお、上述した例では、弾性
膜５０、絶縁体膜５５及び第１電極６０が振動板として作用するが、勿論これに限定され
るものではなく、例えば、弾性膜５０及び絶縁体膜５５を設けずに、第１電極６０のみが
振動板として作用するようにしてもよい。また、圧電アクチュエーター３００自体が実質
的に振動板を兼ねるようにしてもよい。
【００２４】
また、各圧電アクチュエーター３００の個別電極である第２電極８０には、例えば、金
（Ａｕ）等からなるリード電極９０がそれぞれ接続されている。
【００２５】
このような圧電アクチュエーター３００が形成された流路形成基板１０上、すなわち、
第１電極６０、弾性膜５０及びリード電極９０上には、マニホールド１００の少なくとも
一部を構成するマニホールド部３１を有する保護基板３０が接着剤３５を介して接合され
ている。このマニホールド部３１は、本実施形態では、保護基板３０を厚さ方向に貫通し
て圧力発生室１２の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板１０の連
通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるマニホールド１００を構
成している。
【００２６】
また、保護基板３０の圧電アクチュエーター３００に対向する領域には、圧電アクチュ
エーター３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電アクチュエーター保持部３２
が設けられている。圧電アクチュエーター保持部３２は、圧電アクチュエーター３００の
運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封さ
れていなくてもよい。
【００２７】
このような保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例え
ば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板
１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００２８】
また、保護基板３０には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられて
いる。そして、各圧電アクチュエーター３００から引き出されたリード電極９０の端部近
傍は、貫通孔３３内に露出するように設けられている。
【００２９】
また、保護基板３０上には、並設された圧電アクチュエーター３００を駆動するための
駆動回路１２０が固定されている。この駆動回路１２０としては、例えば、回路基板や半
導体集積回路（ＩＣ）等を用いることができる。そして、駆動回路１２０とリード電極９
０とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線１２１を介して電気
的に接続されている。
【００３０】
また、このような保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプラ
イアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する
材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からな
り、この封止膜４１によってマニホールド部３１の一方面が封止されている。また、固定
板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）
で形成される。この固定板４２のマニホールド１００に対向する領域は、厚さ方向に完全
に除去された開口部４３となっているため、マニホールド１００の一方面は可撓性を有す
る封止膜４１のみで封止されている。
【００３１】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給
手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド１００からノズル開口
２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路１２０からの記録信号に従い、圧力
発生室１２に対応するそれぞれの第１電極６０と第２電極８０との間に電圧を印加し、弾
性膜５０、絶縁体膜５５、第１電極６０、圧電体層７０及び第２電極８０をたわみ変形さ
せることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出
する。
【００３２】
ここで、本実施形態の液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの製造
方法について詳細に説明する。なお、図３〜図６は、本発明の実施形態１に係るインクジ
ェット式記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【００３３】
まず、図３（ａ）に示すように、流路形成基板１０が複数一体的に形成されるシリコン
ウェハーである流路形成基板用ウェハー１１０の表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリ
コン（ＳｉＯ２）からなる二酸化シリコン膜５１を形成する。次いで、図３（ｂ）に示す
ように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜
５５を形成する。
【００３４】
次いで、図３（ｃ）に示すように、白金及びイリジウムからなる第１電極６０を絶縁体
膜５５上に形成した後、所定形状にパターニングする。第１電極６０の形成方法は特に限
定されないが、例えば、スパッタリング法や化学蒸着法（ＣＶＤ法）などが挙げられる。
なお、本実施形態では、第１電極６０の材料として白金及びイリジウムを用いるようにし
たが、第１電極６０の材料は、特にこれに限定されず、白金又はイリジウムだけであって
もよく、またその他の金属材料を用いるようにしてもよい。
【００３５】
次に、図４（ａ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる
圧電体層７０と、例えば、イリジウムからなる第２電極８０とを流路形成基板用ウェハー
１１０の全面に形成する。なお、圧電体層７０の形成方法は、本実施形態では、金属有機
物を溶媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成する
ことで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層
７０を形成した。なお、圧電体層７０の形成方法は、特に限定されず、例えば、ＭＯＤ（
Metal-Organic Decomposition）法、スパッタリング法又はレーザーアブレーション法等
のＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法等を用いてもよい。
【００３６】
次に、図４（ｂ）に示すように、第２電極８０及び圧電体層７０を同時にエッチングす
ることにより各圧力発生室１２に対応する領域に圧電アクチュエーター３００を形成する
。ここで、第２電極８０及び圧電体層７０のエッチングは、例えば、反応性イオンエッチ
ングやイオンミリング等のドライエッチングが挙げられる。
【００３７】
次に、図４（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０の全面に亘って金（Ａ
ｕ）からなるリード電極９０を形成後、各圧電アクチュエーター３００毎にパターニング
する。
【００３８】
次に、図５（ａ）に示すように、保護基板用ウェハー１３０を、流路形成基板用ウェハ
ー１１０上に接着剤３５を介して接着する。ここで、この保護基板用ウェハー１３０は、
保護基板３０が複数一体的に形成されたものであり、保護基板用ウェハー１３０には、マ
ニホールド部３１及び圧電アクチュエーター保持部３２が予め形成されている。保護基板
用ウェハー１３０を接合することによって流路形成基板用ウェハー１１０の剛性は著しく
向上することになる。
【００３９】
次いで、図５（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０を所定の厚みに薄く
する。
【００４０】
次いで、図６（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０上にクロム（Ｃｒ）
を含有するマスク５２を新たに形成し、所定形状にパターニングする。具体的には、まず
、流路形成基板用ウェハー１１０の圧電アクチュエーター３００が形成された面とは反対
面を逆スパッタにより表面活性化を行う。流路形成基板用ウェハー１１０の逆スパッタは
、後にマスク５２を形成するスパッタ装置、例えば、ＤＣスパッタ装置によって行うこと
ができる。ここで、逆スパッタとは、通常のスパッタリング法におけるターゲット側の電
極と流路形成基板用ウェハー１１０側の電極とに印加する電圧の大きさを反転することに
より、高電圧印加でイオン化された不活性ガスをターゲットではなく、直接流路形成基板
用ウェハー１１０に衝突させることを言う。このように、流路形成基板用ウェハー１１０
を逆スパッタすることにより、表面の不純物を除去すると共に表面を活性化させて、後の
マスク層５２の密着性が向上される。そして、逆スパッタによって表面活性化を行った後
は、流路形成基板用ウェハー１１０の圧電アクチュエーター３００が形成された面とは反
対面にクロム（Ｃｒ）を含有するマスク５２を形成する。ここで、クロム（Ｃｒ）を含有
するマスク５２とは、クロム（Ｃｒ）、クロム化合物及びクロムを含む合金などを含み、
これら単体又は２以上を組み合わせたものを含むものである。クロム化合物としては、例
えば、酸化クロム（ＣｒＯＸ）や窒化クロム（ＣｒＮ）等が挙げられる。
【００４１】
本実施形態では、マスク５２として、流路形成基板用ウェハー１１０側に酸化シリコン
からなる第１マスク層５２１と、第１マスク層５２１の流路形成基板用ウェハー１１０と
は反対面側に酸化クロム（ＣｒＯ２）からなる第２マスク層５２２と、第２マスク層５２
２の第１マスク層５２１とは反対面側に設けられてクロム（Ｃｒ）からなる第３マスク層
５２３と、を順次積層して形成した。
【００４２】
第１マスク層５２１は、例えば、比較的低温（１００℃以下）で成膜するのが好ましい
。これは、比較的低温（１００℃以下）で酸化シリコンを成膜すると、アモルファス（非
晶質）な酸化シリコンが形成されるからである。このような非晶質な酸化シリコンからな
る第１マスク層５２１は、フッ酸等でエッチングによりパターニングしなくても、流路形
成基板用ウェハー１１０を異方性エッチングする際に用いるアルカリ溶液によってパター
ニングができる。このため、低温で成膜した第１マスク層５２１を選択的にエッチングす
るエッチング工程を削除することができ、製造工程を簡略化して製造コストを低減するこ
とができる。また、第１マスク層５２１を比較的低温で形成することで、流路形成基板用
ウェハー１１０や、流路形成基板用ウェハー１１０上に形成された弾性膜５０、絶縁体膜
５５、圧電アクチュエーター３００及びリード電極９０や、保護基板用ウェハー１３０等
への熱による影響を抑制することができる。
【００４３】
もちろん、第１マスク層５２１は、比較的高温で形成しても、流路形成基板用ウェハー
１１０を異方性エッチングする前に第１マスク層５２１を、例えばフッ酸を用いたエッチ
ングによりパターニングすれば、第１マスク層５２１をマスクとして流路形成基板用ウェ
ハー１１０を異方性エッチングすることができる。
【００４４】
このような第１マスク層５２１は、この上に形成するクロム（Ｃｒ）を含有する第２マ
スク層５２２や流路形成基板用ウェハー１１０との密着性が良好であるため、クロム（Ｃ
ｒ）を含有する第２マスク層５２２を直接流路形成基板用ウェハー１１０上に形成する場
合に比べて、密着力を向上することができる。このため、後の工程で、マスク５２を介し
て流路形成基板用ウェハー１１０を異方性エッチングする際に、マスク５２の剥離等を確
実に抑制することができ、安定したエッチングを行うことができる。
【００４５】
第２マスク層５２２は、第１マスク層５２１の流路形成基板用ウェハー１１０とは反対
面側に全面に亘って形成されたものである。本実施形態の第２マスク層５２２は、酸化ク
ロム（ＣｒＯ２）からなる。
【００４６】
第３マスク層５２３は、第２マスク層５２２の第１マスク層５２１とは反対面側に全面
に亘って形成されたものである。本実施形態の第３マスク層５２３は、クロム（Ｃｒ）か
らなる。
【００４７】
このような第２マスク層５２２及び第３マスク層５２３は、例えば、スパッタリング法
やＣＶＤ法等により形成することができる。
【００４８】
次いで、図６（ｂ）に示すように、第２マスク層５２２と第３マスク層５２３とをエッ
チングによりパターニングすることで、開口部５２４を形成する。開口部５２４は、圧力
発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５を形成するためのものであり
、これらの開口と同じ形状で形成する。
【００４９】
このような第２マスク層５２２及び第３マスク層５２３のエッチングでは、特に図示し
ていないが、第３マスク層５２３上に塗布したレジストを露光及び現像することで所定パ
ターンのレジスト膜を形成した後、このレジスト膜をマスクとして第２マスク層５２２及
び第３マスク層５２３をエッチングすることにより所定形状に加工する。また、第２マス
ク層５２２及び第３マスク層５２３のエッチングは、例えば、硝酸セリウム溶液を用いた
ウェットエッチングを用いることができる。
【００５０】
そして、図６（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０をマスク５２を介し
てＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）することに
より、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５を形成する。この
とき、上述のように、低温で成膜した第１マスク層５２１は、アルカリ溶液によってエッ
チングされるため、開口部５２４と同じ開口が形成され、これらマスク５２を介して流路
形成基板用ウェハー１１０がエッチングされる。
【００５１】
その後は、流路形成基板用ウェハー１１０表面のマスク５２を除去し、流路形成基板用
ウェハー１１０及び保護基板用ウェハー１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシ
ング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー１１０の
保護基板用ウェハー１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート
２０を接合すると共に、保護基板用ウェハー１３０にコンプライアンス基板４０を接合し
、流路形成基板用ウェハー１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基
板１０等に分割することで、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩが形成される。
なお、マスク５２は、ノズルプレート２０を接合する前に除去しなくてもよい。
【００５２】
このように、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩは、クロム（Ｃｒ）を含有す
るマスク５２によって圧力発生室１２等の液体流路が異方性エッチングされる。このため
、窒化シリコンなどのマスクを設けるのに比べて、流路形成基板用ウェハー１１０を繰り
返し洗浄する洗浄工程が不要となり、作業工程を減少させてコストを低減することができ
る。特に、マスクとして窒化シリコンを設けた場合には、洗浄工程にマスクの密着性が敏
感に作用し、流路形成基板用ウェハー１１０とマスクとの安定的な密着が困難で、流路形
成基板用ウェハー１１０をウェットエッチングする際のアルカリ溶液によって密着が不安
定な部分から流路形成基板用ウェハー１１０のエッチングが始まってしまうなどの不具合
が発生し易いが、本実施形態のように、クロム（Ｃｒ）を含有するマスク５２を用いるこ
とで、流路形成基板用ウェハー１１０のエッチング不良等が発生するのを抑制することが
できる。
【００５３】
さらに、本実施形態によれば、流路形成基板用ウェハー１１０をウェットエッチングす
ることにより圧力発生室１２等の液体流路を形成することができるため、複数枚の流路形
成基板用ウェハー１１０を安定的に一括で処理することが可能となる。このため、高密度
な圧力発生室１２等の液体流路を高精度に形成することができると共にドライエッチング
に比べて安価に製造することができる。
【００５４】
（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに
限定されるものではない。例えば、上述した実施形態１では、マスク５２として、酸化シ
リコンからなる第１マスク層５２１、酸化クロムからなる第２マスク層５２２及びクロム
からなる第３マスク層５２３を設けるようにしたが、特にこれに限定されない。マスク５
２は、上述のようにクロム（Ｃｒ）を含有していればよく、クロム（Ｃｒ）を含有してい
るとは、クロム（Ｃｒ）、クロム化合物及びクロムを含む合金などを含み、これら単体又
は２以上を組み合わせたものを含むものである。したがって、マスク５２として、例えば
、酸化シリコンからなる第１マスク層５２１を設けずに、酸化クロムからなる第２マスク
層５２２及びクロムからなる第３マスク層５２３のみを形成してもよい。
【００５５】
また、マスク５２は、酸化シリコンからなる第１マスク層５２１と酸化クロムからなる
第２マスク層５２２とだけで形成してもよく、酸化シリコンからなる第１マスク層５２１
とクロムからなる第３マスク層５２３とだけで形成してもよい。すなわち、言い換えると
、マスクは、酸化シリコンを含有する第１マスク層５２１と、クロムを含有する第２マス
ク層とで構成されていればよく、このクロムを含有する第２マスク層とは、クロム、クロ
ム化合物及びクロムを含む合金などを含み、これら単体又は２以上組み合わせたものを含
むものである。したがって、ここで言う第２マスク層とは、上述した実施形態１の酸化ク
ロムからなる第２マスク層５２２であっても、クロムからなる第３マスク層５２３であっ
てもよい。
【００５６】
もちろん、マスク５２は、酸化クロムからなる第２マスク層５２２だけで形成してもよ
く、またクロムからなる第３マスク層５２３のみで形成してもよい。
【００５７】
また、上述した実施形態１では、流路形成基板１０として、結晶面方位が（１１０）面
のシリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、結晶面方位が（１
００）面のシリコン単結晶基板を用いるようにしてもよく、また、ＳＯＩ基板、ガラス等
の材料を用いるようにしてもよい。
【００５８】
なお、上記実施の形態においては、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録
ヘッドを挙げて説明したが、本発明は、広く液体噴射ヘッドを対象としたものであり、イ
ンク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体
噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッ
ド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機Ｅ
Ｌディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材料噴
射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられ、かかる
液体噴射ヘッドを備えた液体噴射装置にも適用できる。
【符号の説明】
【００５９】
Ｉ  インクジェット式記録ヘッド（液体噴射ヘッド）、  １０  流路形成基板、  １２
圧力発生室、  １３  連通部、  １４  インク供給路、  １５  連通路、  ２０  ノズ
ルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  マニホールド形成基板、  ４０  コンプライ
アンス基板、  ５０  弾性膜、  ５２  マスク、  ５５  絶縁体膜、  ６０  第１電極、
７０  圧電体層、  ８０  第２電極、  ９０  リード電極、  １００  マニホールド、
１２０  駆動回路、  ３００  圧電アクチュエーター、  ５２１  第１マスク層、  ５
２２  第２マスク層、  ５２３  第３マスク層、  ５２４  開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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