(57)【要約】【課題】垂直転送の際に信号電荷が残留し難い固体撮像装置を提供する。【解決手段】行列状に配置された複数の光電変換部２と、隣接する光電変換部２の列の間に形成された電荷転送領域３と、列方向に隣接する光電変換部２の間に形成された素子分離領域６とを有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上の、電荷転送領域３に相当する領域に、光電変換部２と１対１に対応する形態で形成された転送電極４と、行方向に隣接する転送電極４の間に形成され、行方向に隣接する転送電極４を接続する配線５とを備え、電荷転送領域３には、転送電極４における転送方向上流側の端部に相当する領域のポテンシャルが低くなるよう不純物が注入されており、配線５の隣接する転送電極４を接続する部位は、転送電極４における転送方向上流側の端部から下流側にずれており、素子分離領域６は配線５と対応する半導体基板内の領域に存在している。【選択図】図１
2012023205.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列状に配置された複数の光電変換部と、隣接する光電変換部の列の間に形成された電荷転送領域と、列方向に隣接する光電変換部の間に形成された素子分離領域とを有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上の、前記電荷転送領域に相当する領域に、光電変換部と１対１に対応する形態で形成され、対応する光電変換部から信号電荷を読み出し列方向に転送する転送電極と、
行方向に隣接する転送電極の間に形成され、行方向に隣接する転送電極を接続する配線とを備え、
前記電荷転送領域には、前記転送電極における転送方向上流側の端部に相当する領域のポテンシャルが低くなるよう不純物が注入されており、
前記配線の隣接する転送電極を接続する部位は、転送電極における転送方向上流側の端部から下流側にずれており、
前記素子分離領域は前記配線と対応する半導体基板内の領域に存在している
固体撮像装置。
【請求項２】
前記転送電極における転送方向上流側の端部から下流側にずれた位置は、前記転送電極における転送方向上流側の端部とそれより下流側で前記転送電極における列方向の中央部位との間である
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記素子分離領域の列方向の幅は、当該素子分離領域に相当する前記絶縁膜上の領域に形成された配線の列方向の幅よりも広い
請求項１または２記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像装置に関し、特に１画素１電極タイプのＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  ｃｏｕｐｌｅＣ−Ｃｅｖｉｃｅ）型の固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の固体撮像装置は、デジタルカメラや携帯電話機等をはじめとする装置に用いられている（例えば特許文献１）。従来のＣＣＤ型の固体撮像装置の構成について説明する。図７は、従来の固体撮像装置の構成要素の配置関係を模式的に示す図である。
【０００３】
図７に示すように、従来の固体撮像装置では、半導体基板内のＸ−Ｙ面方向に、複数のフォトダイオード１０２がマトリクス状に配置されている。Ｙ軸（列）方向に配置されたフォトダイオード１０２からなるフォトダイオード列の片側には、当該フォトダイオード１列分の信号電荷を転送するための垂直ＣＣＤ１０３が形成されている。
【０００４】
また、垂直ＣＣＤ１０３に相当する半導体基板上の領域（すなわちＸ軸方向に隣接するフォトダイオード１０２同士の間）には絶縁膜を介して、フォトダイオード１０２と１対１に対応する形態で、対応するフォトダイオード１０２から信号電荷を読み出し、図７に示す転送方向に転送する転送電極１０４が形成されている。Ｘ軸方向に隣接する転送電極１０４同士は、接続部１０５により接続されており、Ｙ軸方向に隣接するフォトダイオード１０２を分離するために、接続部１０５に対応する半導体基板内の領域には素子分離領域１０６が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平３−９７３８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで近年、小型のデジタルカメラに対する市場のニーズが強い。市場のニーズに応えるべく固体撮像装置の小型化を実現する必要があるが、その一方で、小型化による感度の低下を防がねばならない。そこで、近年の固体撮像装置では、フォトダイオード１０２の面積をある程度確保しつつ垂直ＣＣＤ１０３の幅を狭くすることで、小型化と感度低下の抑制とを両立させている。ただし、同装置では、垂直ＣＣＤ１０３の幅を狭くした影響で、素子分離領域１０６における不純物（例えばボロン）が垂直ＣＣＤ１０３側に熱拡散することで垂直ＣＣＤ１０３にポテンシャルバリアが形成される、所謂ナローチャネル効果が生じる。
【０００７】
また、垂直ＣＣＤ１０３には、ポテンシャル勾配を形成するための不純物が注入されている。
図８は、従来の固体撮像装置における垂直ＣＣＤのポテンシャル勾配を転送電極の位置に対応させて示す図である。図８のポテンシャル勾配Ｄは、不純物注入前のポテンシャル勾配（すなわち素子分離領域１０６のみにより形成されるポテンシャル勾配）を示しており、ポテンシャル勾配Ｅは、不純物注入後のポテンシャル勾配（すなわち注入された不純物と素子分離領域１０６とにより形成されるポテンシャル勾配）を示している。
【０００８】
図８のポテンシャル勾配Ｄで示されるように、従来の固体撮像装置では、ナローチャネル効果によるポテンシャルバリアｂ３は、転送電極１０４における転送方向上流側の端部に相当する垂直ＣＣＤ１０３の領域に形成されている。
【０００９】
また、不純物は、垂直ＣＣＤ１０３において、転送電極１０４における上流側端部に相当する領域のポテンシャルが低くなるよう注入される。そのため、ポテンシャル勾配Ｅで示されるように、注入された不純物によるポテンシャルバリアｂ４が、転送電極１０４における転送方向上流側の端部に相当する垂直ＣＣＤ１０３の領域に形成されている。
【００１０】
以上のように、注入された不純物によるポテンシャルバリアｂ４とナローチャネル効果によるポテンシャルバリアｂ３はともに、転送電極１０４における上流側端部に相当する垂直ＣＣＤ１０３の領域に形成されている。
【００１１】
しかしながら、垂直ＣＣＤ１０３の、転送電極１０４のＹ軸方向の中央付近に相当する領域での勾配（図８のｃ２部分）が緩やかであるために、垂直転送の際、転送時間内に全ての信号電荷が転送されずに一部が残留してしまい、転送不良を引き起こすという問題がある。転送電極１０４のＹ軸方向の中央付近に相当する領域に勾配をつけるため別途不純物を注入することも考えられるが、注入した不純物は拡散するため、また、かなりの精度で注入領域を規定する必要があるため、一定の勾配を形成することは現実的には非常に困難である。
【００１２】
本発明は、上記課題を解決するもので、垂直転送の際に信号電荷が残留し難い固体撮像装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の一態様である固体撮像装置は、行列状に配置された複数の光電変換部と、隣接する光電変換部の列の間に形成された電荷転送領域と、列方向に隣接する光電変換部の間に形成された素子分離領域とを有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上の、前記電荷転送領域に相当する領域に、光電変換部と１対１に対応する形態で形成され、対応する光電変換部から信号電荷を読み出し列方向に転送する転送電極と、行方向に隣接する転送電極の間に形成され、行方向に隣接する転送電極を接続する配線とを備え、前記電荷転送領域には、前記転送電極における転送方向上流側の端部に相当する領域のポテンシャルが低くなるよう不純物が注入されており、前記配線の隣接する転送電極を接続する部位は、転送電極における転送方向上流側の端部から下流側にずれており、前記素子分離領域は前記配線と対応する半導体基板内の領域に存在しているとした。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様に係る固体撮像装置では、前記電荷転送領域には、前記転送電極における上流側端部に相当する領域のポテンシャルが低くなるよう不純物が注入されている。ただし、前記配線の隣接する転送電極を接続する部位は、転送電極における上流側端部から下流側にずれており、前記素子分離領域は前記配線に対応する前記半導体基板の領域に存在している。そのため、前記電荷転送領域においては、前記転送電極の上流側端部に相当する領域ではなく、当該上流側端部に相当する領域から下流側にずれた位置に、ナローチャネル効果によるポテンシャルバリアが形成されることになる。これにより、転送電極の列方向の中央部位により近い位置に相当する領域での電位勾配が強化されるので、垂直転送の際に信号電荷が残留し難くなり、転送効率を向上させることができる。
【００１５】
ここで、本発明の別の態様として、前記転送電極における転送方向上流側の端部から下流側にずれた位置は、前記転送電極における転送方向上流側の端部とそれより下流側で前記転送電極における列方向の中央部位との間であるとしてもよい。
【００１６】
ここで、本発明の別の態様として、前記素子分離領域の列方向の幅は、当該素子分離領域に相当する前記絶縁膜上の領域に形成された配線の列方向の幅よりも広いとしてもよい。
【００１７】
本態様の固体撮像装置では、前記素子分離領域の列方向の幅が、当該素子分離領域に相当する前記絶縁膜上の領域に形成された配線の列方向の幅よりも広いので、前記配線による電界が、前記光電変換部に及ぼす影響を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施の形態１の固体撮像装置１００の構成要素の配置関係を模式的に示す図である。
【図２】図１に示す固体撮像装置１００の領域ａを拡大した拡大図である。
【図３】電荷転送領域３のポテンシャル勾配を転送電極４の位置に対応させて示す図である。
【図４】（ａ）実施の形態１の固体撮像装置１００の構成を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）である。（ｂ）実施の形態１の固体撮像装置１００の構成を示す断面図（図１のＢ−Ｂ’断面）である。
【図５】実施の形態１の固体撮像装置１００の構成を示す断面図（図１のＣ−Ｃ’断面）である。
【図６】実施の形態１の固体撮像装置１００の製造工程の一例を示す図である。
【図７】従来の固体撮像装置の構成要素の配置関係を模式的に示す図である。
【図８】垂直ＣＣＤのポテンシャル勾配を転送電極の位置に対応させて示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（実施の形態１）
１．固体撮像装置１００の構成要素の配置関係
図１は、実施の形態１の固体撮像装置１００の構成要素の配置関係を模式的に示す図である。本図において半導体基板内に形成された構成要素については破線で、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成された構成要素については実線で示す。図１に示すように、半導体基板内のＸ−Ｙ面方向に、外部からの入射光を光電変換し光量に応じた信号電荷を発生させる複数の光電変換部２がマトリクス状に配置されている。Ｙ軸（列）方向に配置された光電変換部２からなる光電変換部列の片側には、当該光電変換部１列分の信号電荷を転送するための電荷転送領域（転送チャネル）３が形成されている。
【００２０】
また、Ｘ軸方向に隣接する光電変換部２同士の間には、光電変換部２と１対１に対応する形態で、対応する光電変換部２から信号電荷を読み出し、図１に示す転送方向に転送する転送電極４が形成されている。Ｙ軸方向に隣接する転送電極４の間の幅ｇａｐ１は、隣接する転送電極４の間でポテンシャルディップが発生しないように、例えば０．１μｍ程度とするのが好ましい。Ｘ軸方向に隣接する転送電極４は、転送電極４と一体的に形成された配線５により接続されている。配線５に対応する半導体基板内の領域には、Ｙ軸方向に隣接する光電変換部２を分離するために、素子分離領域６が形成されている。素子分離領域６のＹ軸方向の幅は、配線５のＹ軸方向の幅より広くなっている。素子分離領域６のＹ軸方向の幅が、配線５のＹ軸方向の幅よりも広いので、配線５による電界が、光電変換部２に及ぼす影響を低減することができる。
【００２１】
ここで、Ｘ軸方向に隣接する転送電極４及び当該転送電極４を接続する配線５に着目すると、配線５の隣接する転送電極４を接続する部位が、転送電極４における転送方向上流側の端部から下流（転送電極４のＹ軸方向の中央）側にずれ幅ｌｅｎ１だけずれている。そのため、配線５に対応する半導体基板内の領域に形成されている素子分離領域６についても同様に、転送電極４との配置関係においては、転送電極４の上流側端部に相当する領域ではなく、当該上流側端部から下流側にずれた位置に存在している。このことによる効果については後述する。なお、ずれ幅ｌｅｎ１は、０．１〜０．３μｍの範囲内であるのが好ましい。より好ましくは、ずれ幅ｌｅｎ１は、例えばセルサイズの1／4程度である。これにより、光電変換部２の信号電荷を読みだす際の読み出し電圧特性を損なうことなく、転送電極４中央付近の電界の向上を図ることができる。
２．電荷転送領域３における不純物注入領域
続いて図２は、図１の固体撮像装置１００の領域ａを拡大した拡大図である。図２に示すように、電荷転送領域３における、転送電極４に相当する領域には、ホウ素が注入されたホウ素注入領域７、それぞれヒ素が注入された第１のヒ素注入領域８及び第２のヒ素注入領域９（以下、ホウ素注入領域７、第１のヒ素注入領域８、及び第２のヒ素注入領域９を纏めて「不純物注入領域」という）が存在する。
【００２２】
なお、図２では、一つの転送電極４に相当する領域のみについて示しているが、不純物注入領域は、電荷転送領域３における、転送電極４に相当する領域毎に存在する。また、図２において転送電極４は、当該転送電極４の右側に隣接する光電変換部２から信号電荷を読み出すものとする。
【００２３】
ホウ素注入領域７は、転送電極４の上流側に相当する領域に存在する。注入されたホウ素の不純物濃度は、例えば２．０〜４．０Ｅ１６ｃｍ−３である。また、ホウ素注入領域７は、転送電極４による信号電荷の読み出し対象となる光電変換部２の反対側に偏っているのが好ましい。当該転送電極４による信号電荷の読み出し対象でない光電変換部２からの信号電荷の流入を防止するためである。
【００２４】
第１のヒ素注入領域８及び第２のヒ素注入領域９は、転送電極４の転送方向下流側に相当する領域に存在する。第１のヒ素注入領域８に注入されたヒ素の不純物濃度は、例えば２．０〜４．０Ｅ１６ｃｍ−３である。第２のヒ素注入領域９に注入されたヒ素の不純物濃度は、例えば２．０〜４．０Ｅ１６ｃｍ−３である。第１のヒ素注入領域８及び第２のヒ素注入領域９は、転送電極４による信号電荷の読み出し対象となる光電変換部２側に偏っているのが好ましい。読み出し対象となる光電変換部２から信号電荷の読み出しをより確実に行うためである。
３．電荷転送領域３におけるポテンシャル勾配
続いて、電荷転送領域３における不純物注入領域、及び素子分離領域６により、電荷転送領域３にどのようなポテンシャル勾配が形成されるのかについて説明する。図３は、電荷転送領域３のポテンシャル勾配を転送電極４の位置に対応させて示す図である。図３のポテンシャル勾配Ａは、不純物注入領域形成前のポテンシャル勾配（すなわち素子分離領域６のみにより形成されるポテンシャル勾配）を示している。ポテンシャル勾配Ｂは、不純物注入領域形成後のポテンシャル勾配（すなわち不純物注入領域及び素子分離領域６により形成されるポテンシャル勾配）を示している。また、ポテンシャル勾配Ｃは、図８のポテンシャル勾配Ｅと同様であり、従来の固体撮像装置におけるポテンシャル勾配を示している。
【００２５】
ポテンシャル勾配Ａで示されるように、電荷転送領域３には、素子分離領域６によるナローチャネル効果によりポテンシャルバリアｂ１が形成されている。ただし、本実施の形態では、素子分離領域６が、対応する転送電極４の上流側端部から下流側にずれた位置に形成されているため、ポテンシャルバリアｂ１も同様に、転送電極４の上流側端部から下流側にずれた位置に形成されている。
【００２６】
また、ポテンシャル勾配Ｂで示されるように、ホウ素注入領域７の影響により転送電極４の上流側端部に相当する領域にポテンシャルバリアｂ２が形成される。それとともに、ポテンシャル勾配Ｂでは、転送電極４の上流側端部から下流側にずれた位置に形成された素子分離領域６によるナローチャネル効果により、転送電極４のＹ軸方向の中央付近に相当する領域での勾配（図３のｃ１部分）が、従来のポテンシャル勾配Ｃと比べて強化されている。これにより、転送電極４のＹ軸方向の中央付近に相当する領域での信号電荷の転送漏れを低減できるので、転送効率を向上させることができる。
【００２７】
なお、素子分離領域６が、対応する転送電極４の上流側端部から下流側にずれた位置に形成されているため、上流側端部に相当する領域に従来と同様のポテンシャルバリアを形成するためには、ホウ素注入領域７に注入するホウ素の注入量を調整する必要がある。
【００２８】
また、第１のヒ素注入領域８及び第２のヒ素注入領域９の影響により、転送電極４のＹ軸方向の中央付近から下流側端部にかけてポテンシャルが緩やかに上昇する勾配が形成されている。
４．固体撮像装置の構成
続いて、固体撮像装置１００の構成について説明する。図４（ａ）は、実施の形態１の固体撮像装置１００の構成を示す断面図（図１のＡ−Ａ’断面）であり、図４（ｂ）は、実施の形態１の固体撮像装置１００の構成を示す断面図（図１のＢ−Ｂ’断面）である。図５は、実施の形態１の固体撮像装置１００の構成に示す断面図（図１のＣ−Ｃ’の断面）である。
【００２９】
図４（ａ）、及び図４（ｂ）に示すように、実施の形態１の固体撮像装置１００では、半導体基板１ａにおけるＺ軸方向の主面上にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１７が形成され、ゲート絶縁膜１７上にポリシリコンからなる転送電極４及び配線５が選択的に形成されている。転送電極４及び配線５上には当該転送電極４及び当該配線５を覆うように層間絶縁膜１８及び遮光膜１９が積層されている。さらに、転送電極４及び配線５が形成された領域と形成されていない領域との段差を平坦化するためのＢＰＳＧ膜（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）２０が形成され、ＢＰＳＧ膜２０上にカラーフィルタ２１が形成されている。カラーフィルタ２１上にはトップレンズ２２が形成されている。
【００３０】
図４（ａ）、図４（ｂ）、及び図５に示すように、半導体基板１ａはｎ型のシリコン基板であり、半導体基板１aの主面側にはｐ型の不純物からなるｐ型のウェル領域１ｂが形成されている。このｐ型のウェル領域１ｂについて、図４（ａ）及び図５を用いて詳細に説明する。
【００３１】
ｐ型のウェル領域１ｂは、図４（ａ）に示すように、第１のｎ型半導体ウェル領域１１と、第１のｎ型半導体ウェル領域１１上に形成された高濃度の第１のｐ型半導体ウェル領域１２と、第１のｎ型半導体ウェル領域１１と第１のｐ型半導体ウェル領域１２との界面付近に形成された高濃度の第１のｐ型素子分離領域３１とを有する。
【００３２】
ｐ型のウェル領域１ｂはさらに、図５に示すように、第１のｎ型半導体ウェル領域１１と第１のｐ型半導体ウェル領域１２との界面付近に形成された高濃度の第２のｐ型素子分離領域１５と、第１のｎ型半導体ウェル領域１１及び第１のｐ型半導体ウェル領域１２から離れた領域に形成された第２のｐ型半導体ウェル領域１３と、第２のｐ型半導体ウェル領域１３上に形成された第２のｎ型半導体ウェル領域１４と、第２のｐ型半導体ウェル領域１３と第２のｎ型半導体ウェル領域１４との界面付近に形成された第３のｐ型素子分離領域１６とを有する。
【００３３】
第２のｎ型半導体ウェル領域１４が電荷転送領域３を構成しており、第２のｎ型半導体ウェル領域１４のＸ軸方向の幅は、例えば０．１５〜０．３５μｍの範囲であり、深さは０．０５〜０．１μｍである。第２のｎ型半導体ウェル領域１４は、ヒ素を注入することで形成され、注入されるヒ素の不純物濃度は、例えば４．０〜６．０Ｅ１７ｃｍ−３である。図４（ｂ）及び図５に示すように、第２のｎ型半導体ウェル領域１４に相当するゲート絶縁膜１７上の領域に転送電極４が存在している。
【００３４】
また、第1のｐ型素子分離領域３１が素子分離領域６を構成しており、第1のｐ型素子分離領域３１のＹ軸方向の幅は、配線５のＹ軸方向の幅と同等、又はそれ以上の範囲であるのが好ましい。例えば０．１〜０．４μｍの範囲である。図４（ａ）に示すように、配線５に対応する半導体基板１ａにおけるウェル領域１ｂ内に第1のｐ型素子分離領域３１が存在している。
【００３５】
第１のｐ型素子分離領域３１と第２のｎ型半導体ウェル領域１４との間のＸ軸方向の幅は、ナローチャネル効果を生じさせるため、例えば０．０２５〜０．１μｍ程度の範囲とするのが好ましい。
【００３６】
なお、図４（ａ）、（ｂ）からも、配線５が、転送電極４の上流側端部ではなく、上流側端部から下流側にずれ幅ｌｅｎ１だけずれた位置にあり、第1のｐ型素子分離領域３１についても同様にずれた位置にあることがわかる。
５．固体撮像装置の製造方法
続いて、固体撮像装置１００の製造方法について説明する。図６（ａ）−（ｃ）は、製造方法における各工程での固体撮像装置１００の構成を示す断面図である。
【００３７】
まず、半導体基板１ａ上にゲート絶縁膜１７を形成する。その後、半導体基板１ａの表面側にｐ型の不純物からなるｐ型のウェル領域１ｂを形成し、このｐ型のウェル領域１ｂ内に第１のｎ型半導体ウェル領域１１及び第１のｐ型半導体ウェル領域１２を形成する。ウェル領域の形成は、例えばイオン注入等により行われる。
【００３８】
次に、ｐ型のウェル領域１ｂ内の、第１のｎ型半導体ウェル領域１１及び第１のｐ型半導体ウェル領域１２から離れた領域に、第２のｐ型半導体ウェル領域１３及び第２のｎ型半導体ウェル領域１４をイオン注入等により形成する。さらに、第１のｐ型素子分離領域３１（不図示）、第２のｐ型素子分離領域１５、第３のｐ型素子分離領域１６をイオン注入（例えば、不純物をボロン）等により形成する。以上で、図６（ａ）に示す状態となる。ただし、第１のｐ型素子分離領域３１のボロン濃度は、１ｅ１３〜２ｅ１３／ｃｍ２の範囲とする。これは、光電変換部２の電荷を読み出す際に読み出し電圧が配線５に印加されるため、配線５に対応するウェル領域１ｂ内の第１のｐ型素子分離領域３１の分離能力の低下を防止する必要があるためである。また、第２のｎ型半導体ウェル領域１４へのナローチャネル効果を活用するためでもある。
【００３９】
次に、転送電極層として例えば多結晶Ｓｉ膜をゲート絶縁膜１７上に堆積させ、当該多結晶Ｓｉ膜上に酸化膜を堆積させる。なお、転送電極層をメタルゲートとしても同様の効果を得ることができる。
【００４０】
続いて、酸化膜上にレジスト膜を堆積させ、例えば転送電極間ギャップのみを開口した水平方向のストライプパターン形状をレジスト膜に転写させた後、ドライエッチングにて酸化膜のみをエッチングする。ただし、転送電極間ギャップは、上述したように、例えば０．１μｍ程度とする。その後、レジスト膜を剥離した後、再びレジスト膜を堆積させ、光電変換部２のみを開口した形状をレジスト膜にパターニングし、酸化膜のみをドライエッチングにて除去し、レジスト膜を剥離する。次に、残った酸化膜をハードマスクとして、ドライエッチングにて多結晶Ｓｉ膜を除去する。これにより、転送電極４と配線５とを同時に形成できるので、製造プロセスを簡略化することができる。
【００４１】
さらに、転送電極４及び配線５上に層間絶縁膜１８を形成した後、例えばタングステンなどの遮光膜１９を形成する。以上で、図６（ｂ）に示す状態となる。
次に、ＢＰＳＧ膜２０を形成することで、転送電極４及び配線５が形成された領域とそうでない領域とを平坦化した後、ＢＰＳＧ膜２０上にカラーフィルタ２１、トップレンズ２２を形成する。以上で、図６（ｃ）に示す状態となる。
【００４２】
以上のように本実施の形態によれば、電荷転送領域３には、転送電極４における上流側端部に相当する領域のポテンシャルが低くなるよう不純物が注入されているのに対し、配線５の隣接する転送電極４を接続する部位は、転送電極４における上流側端部から下流側にずれた位置にあり、素子分離領域６が配線５に対応する半導体基板１ａ内の領域に存在している。そのため、電荷転送領域３においては、転送電極４の上流側端部に相当する領域ではなく、当該上流側端部に相当する領域から下流側にずれた位置に、ナローチャネル効果によるポテンシャルバリアが形成されることになる。これにより、転送電極５のＹ軸方向の中央部位により近い位置に相当する領域での電位勾配が強化されるので、垂直転送の際に信号電荷が残留し難くなり、転送効率を向上させることができる。
＜補足＞
以上、本発明に係る固体撮像装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記実施の形態に限られないことは勿論である。
（１）転送電極４及び配線５の材料としてポリシリコンを用いこれらを同一工程にて形成したが、配線５をタングステン等の金属を用いて形成するとともに転送電極４よりも上方に配置するとしてもよい。これにより、配線５の抵抗を下げることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、固体撮像装置に広く適用可能であり、特に、光電変換部と転送電極とが１対１に対応する形態で形成された固体撮像装置において有用である。
【符号の説明】
【００４４】
１ａ    半導体基板
１ｂ    ｐ型のウェル領域
２      光電変換部
３      電荷転送領域
４      転送電極
５      配線
６      第１のｐ型素子分離領域
１１    第１のｎ型半導体ウェル領域
１２    第１のｐ型半導体ウェル領域
１３    第２のｐ型半導体ウェル領域
１４    第２のｎ型半導体ウェル領域
３１    第１のｐ型素子分離領域
１５    第２のｐ型素子分離領域
１６    第３のｐ型素子分離領域
１７    ゲート絶縁膜
１８    層間絶縁膜
１９    遮光膜
２０    ＢＰＳＧ膜
２１    カラーフィルタ
２２    トップレンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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