(57)【要約】【課題】前縁シールド（ＬＥＳ）およびテーパ付き前縁（ＬＥＴ）を有するテーパ付き磁極の作製方法を提供する。【解決手段】前縁シールドは、ＣＭＰ停止層を利用することによって形成されてもよい。ＣＭＰ停止層は、磁性材料の過剰研磨を防止するのに役立つ可能性がある。テーパ付き前縁を有するテーパ付き磁極の場合、磁性材料が、平坦化層上に堆積され、パターニングされるレジスト材料が形成され、露光された磁性材料がエッチングされて、磁性材料の少なくとも１つのテーパ付き表面が形成される。【選択図】図３
2012113806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前縁シールドを作製する方法であって、
基板を覆って化学機械研磨停止層を堆積させること、
前記化学機械研磨停止層を覆ってフォトレジストマスクを形成すること、
特徴的画定部を形成するために、前記化学機械研磨停止層の少なくとも一部分および前記基板の少なくとも一部分をエッチングすること、
前記化学機械研磨停止層を露出させるために前記フォトレジストマスクを除去すること、
前縁シールド材料を、前記特徴的画定部内にかつ前記露出した化学機械研磨停止層を覆って堆積させること、
前記化学機械研磨停止層を露出させるために前記前縁シールド材料を化学機械研磨すること、および、
前記化学機械研磨停止層を除去することを含む方法。
【請求項２】
前記前縁シールド材料は磁性材料を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記磁性材料は、コバルト鉄、コバルト鉄ニッケル、およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記化学機械研磨停止層は、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、タンタル、およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記化学機械研磨停止層は、１００オングストロームと５００オングストロームとの間の厚さを有する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記前縁シールド材料は、スパッタリングまたは電気めっきによって堆積される請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記基板はＡｌ２Ｏ３を含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記化学機械研磨停止層は、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、タンタル、およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記化学機械研磨停止層は、１００オングストロームと５００オングストロームとの間の厚さを有する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記前縁シールド材料は、スパッタリングまたは電気めっきによって堆積される請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前縁シールドを作製する方法であって、
基板を覆ってフォトレジストマスクを形成すること、
特徴的画定部を形成するために、前記基板の少なくとも一部分をエッチングすること、
前記基板を露出させるために前記フォトレジストマスクを除去すること、
前記基板を覆ってかつ前記特徴的画定部内に化学機械研磨停止層を堆積させること、
前記化学機械研磨停止層を覆って前縁シールド材料を堆積させること、
前記化学機械研磨停止層の少なくとも一部分を露出させるために、前記前縁シールド材料を化学機械研磨すること、および、
前記化学機械研磨停止層の前記露出した部分を除去することを含む方法。
【請求項１２】
前記前縁シールド材料は磁性材料を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記磁性材料は、コバルト鉄、コバルト鉄ニッケル、およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記化学機械研磨停止層は、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、タンタル、およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記化学機械研磨停止層は、１００オングストロームと５００オングストロームとの間の厚さを有する請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記前縁シールド材料は、スパッタリングまたは電気めっきによって堆積される請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板はＡｌ２Ｏ３を含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記化学機械研磨停止層は、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、タンタル、およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記化学機械研磨停止層は、１００オングストロームと５００オングストロームとの間の厚さを有する請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
前記前縁シールド材料は、スパッタリングまたは電気めっきによって堆積される請求項１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、一般に、前縁シールドおよびデータ記録用の磁気ヘッドに関し、より詳細には、前縁シールドおよびテーパ付き書込み極を有する垂直磁気書込みヘッドを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの長期メモリの心臓部は、磁気ディスクドライブと呼ばれる組立体である。磁気ディスクドライブは、回転磁気ディスク、回転磁気ディスクの表面に隣接してサスペンションアームによって懸垂保持される書込みおよび読取りヘッド、ならびに、読取りおよび書込みヘッドを、回転ディスク上の選択された環状トラックにわたって配置するためにサスペンションアームを揺動させるアクチュエータを含む。読取りおよび書込みヘッドは、エアベアリング面（ａｉｒ  ｂｅａｒｉｎｇ  ｓｕｒｆａｃｅ）（ＡＢＳ）を有するスライダ上に直接位置付けられる。サスペンションアームは、ディスクの表面に向かってスライダをバイアスさせ、ディスクが回転すると、ディスクに隣接するエアが、ディスクの表面と共に移動する。スライダは、この移動エアのクッション上でディスクの表面にわたって飛翔する。スライダがエアベアリング上に載ると、書込みおよび読取りヘッドは、回転ディスクに磁気転移を書込み、また、回転ディスクから磁気転移を読出すために使用される。読取りおよび書込みヘッドは、書込みおよび読取り機能を実装するコンピュータプログラムに従って動作する処理回路に接続される。
【０００３】
書込みヘッドは、慣例的に、第１、第２、および第３の絶縁層（絶縁積重体）に埋め込まれるコイル層を含んでおり、絶縁積重体は、第１の磁極片層と第２の磁極片層との間に挟まれる。書込みヘッドのエアベアリング面（ＡＢＳ）のギャップ層によって、第１の磁極片層と第２の磁極片層との間にギャップが形成され、磁極片層は後方ギャップにおいて接続される。コイル層に伝導される電流は、磁極片内に磁束を誘起し、その磁束は、上述した回転ディスク上の環状トラックなどの移動媒体上のトラックに上述した磁気転移を書込むために、磁場を、ＡＢＳの書込みギャップにおいて外にフリンジさせる。
【０００４】
最近の読取りヘッド設計では、回転磁気ディスクからの磁場を検知するために、ＧＭＲまたはＴＭＲセンサが使用されている。センサは、被ピン止め層（ｐｉｎｎｅｄ  ｌａｙｅｒ）および自由層と呼ばれる、第１の強磁性層と第２の強磁性層との間に挟まれた非磁性導電性層またはバリア層を含む。第１および第２のリード線がセンサに接続されて、リード線を通してセンス電流を伝導する。被ピン止め層の磁化は、エアベアリング面（ＡＢＳ）に垂直にピン止めされ、自由層の磁気モーメントはＡＢＳに平行に位置付けられるが、外部磁場に応答して自由に回転できる。
【０００５】
改善されたデータレートおよびデータ容量についての益々増加する要求を満たすために、研究者等は、最近、垂直記録システムの開発にその努力を集中してきた。上述した書込みヘッドを組込むシステムなどの従来の長手方向記録システムは、磁気ディスクの表面の平面内のトラックに沿って長手方向に配向した磁気ビットとしてデータを記憶する。この長手方向データビットは、書込みギャップによって分離された一対の磁極間に形成するフリンジング磁場（ｆｒｉｎｇｉｎｇ  ｆｉｅｌｄ）によって記録される。
【０００６】
垂直記録システムは、対照的に、磁気ディスクの平面に垂直に配向した磁化としてデータを記録する。磁気ディスクは、薄い磁気的に硬質の上部層によって覆われた磁気的に軟質の下地層を有する。垂直書込みヘッドは、非常に小さな断面を有する書込み極およびかなり大きな断面を有する戻り極を有する。強力で非常に集中した磁場が、書込み極から磁気ディスク表面に垂直な方向に放出し、磁気的に硬質の上部層を磁化する。結果として得られる磁束は、その後、軟質の下地層を通って進み、戻り極に戻る。磁束は、十分に拡散しかつ弱いため、戻り極に戻る途中で磁気的に硬質の上部層を通過するときに、書込み極によって記録された信号を消去しないことになる。
【０００７】
垂直磁気記録システムでは、書込み磁場強度を最大にし、また、磁場勾配も最大にすることが望ましい。強力な書込み磁場は、磁気ビットが、磁気媒体の磁気的に硬質の上部層内に記録されうることを保証する。高い磁場勾配は、書込み極からの磁場の高速磁気スイッチングを可能にし、それにより、磁気転移が記録されうる速度が増す。
【０００８】
垂直記録に関して遭遇する問題のいくつかは、ディスク上の隣接トラックに対する側面書き込みおよび側面消去である。これらの問題は、磁気書込みヘッドからの磁束の漏洩およびフリンジングから起こる。こうした作用を最小にするために、一手法は、磁気書込みヘッド上に後縁またはラップアラウンドシールド（ｗｒａｐ−ａｒｏｕｎｄ  ｓｈｉｅｌｄ）を設けることである。ラップアラウンドシールドヘッドは、エアベアリング表面視図から３つのシールドによって３つの側面上で囲まれた主極を有する。これらのシールドは、上述した問題をもたらしうる漏洩およびフリンジングを回避しながら、有効磁束がディスクに対する書込みのために提供されることを可能にする。別の解決策は、ライタの後縁側で傾斜極を使用することである。しかし、現在のまた将来の製品のために、より高い面記録密度が求められるため、両方の解決策は制限を呈する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−１３３６１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の実施形態は、一般に、前縁シールドおよび磁気書込みヘッドに関し、より具体的には、前縁シールドおよび磁気ヘッド内のテーパ付き構造の作製に関する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一実施形態は、磁気ヘッドを作製する方法を提供する。方法は、一般に、第１の非磁性材料がその上に配設された基板を提供することであって、第１の非磁性材料内に特徴的画定部が形成され、特徴的画定部内に第１の磁性材料が配設され、特徴的画定部は台形断面形状を有し、第１の磁性材料は特徴的画定部内で平坦表面を形成する基板を提供すること、平坦表面上に第２の磁性材料を堆積すること、第２の磁性材料の一部が露出するように第２の磁性材料上にパターニングされたレジスト材料を形成すること、第２の磁性材料の少なくとも１つのテーパ付き表面が形成されるように第２の磁性材料をエッチングすること、パターニングされるレジスト材料を除去すること、少なくとも１つのテーパ付き表面を有する第２の磁性材料上に第２の非磁性材料を堆積させること、第２の非磁性材料上に第３の非磁性材料を堆積させること、および、第２の非磁性材料および第２の非磁性材料の表面に対して第３の非磁性材料を平坦化することを含む。
【００１２】
本発明の別の実施形態は、磁気ヘッドを作製する方法を提供する。方法は、一般に、平坦表面から基板表面の下地部分までテーパが付く平坦表面を有する磁気前縁シールドを基板表面に形成すること、前縁シールド材料上に磁気前縁材料を堆積させること、磁気前縁材料上のレジスト材料をパターニングすることであって、パターニングされるレジスト材料が磁気前縁材料の一部分を露出させるようにパターニングすること、パターニングされるレジスト材料をマスクとして使用して、磁気前縁材料の露出部分をエッチングすることであって、磁気前縁材料の露出部分を除去して、１つまたは複数のテーパ付き表面が形成されるようにエッチングすること、１つまたは複数のテーパ付き表面を有する磁気前縁材料を覆ってエッチング停止層を堆積させること、エッチング停止層を覆ってバルク充填材料を堆積させること、および、エッチング停止層に対してバルク充填材料を平坦化することを含む。
【００１３】
本発明の別の実施形態は、磁気ヘッドの一実施形態を提供する。磁気ヘッドは、一般的に、非磁性電気絶縁材料と、非磁性電気絶縁材料上に形成された前縁シールドと、前縁シールド上に形成された前縁テーパであって、磁気ヘッドのエアベアリング面（ＡＢＳ）端部から離れるようにテーパが付く、前縁テーパと、前縁テーパおよび前縁シールド上に形成され、かつ、テーパ付き後縁部分を有するテーパ付き領域および非テーパ付き領域を有する書込み極であって、書込み極のテーパ付き領域の厚さは、磁気ヘッドのエアベアリング面（ＡＢＳ）端部から離れる方向に増加する、書込み極と、磁極の非テーパ付き領域上に形成された第１の非磁性層と、テーパ付き領域上に形成された非磁性バンプ層であって、第１の非磁性層の側壁部分に隣接する、非磁性バンプ層と、バンプ層によって覆われない書込み極のテーパ付き領域の一部分上に形成された第２の非磁性層と、テーパ付き領域上に形成された後縁シールドであって、少なくとも第２の非磁性層およびバンプ層だけ書込み極から分離される、後縁シールドとを備える。
【００１４】
別の実施形態では、前縁シールドを作製する方法が開示される。方法は、基板を覆って化学機械研磨停止層を堆積させること、化学機械研磨停止層を覆ってフォトレジストマスクを形成すること、および、特徴的画定部を形成するために、化学機械研磨停止層の少なくとも一部分および基板の少なくとも一部分をエッチングすることを含む。方法はまた、化学機械研磨停止層を露出させるためにフォトレジストマスクを除去すること、前縁シールド材料を、特徴的画定部内にかつ露出した化学機械研磨停止層を覆って堆積させること、化学機械研磨停止層を露出させるために前縁シールド材料を化学機械研磨すること、および、化学機械研磨停止層を除去することを含む。
【００１５】
別の実施形態では、前縁シールドを作製する方法が開示される。方法は、基板を覆ってフォトレジストマスクを形成すること、特徴的画定部を形成するために、基板の少なくとも一部分をエッチングすること、および、基板を露出させるためにフォトレジストマスクを除去することを含む。方法はまた、基板を覆ってかつ特徴的画定部内に化学機械研磨停止層を堆積させること、化学機械研磨停止層を覆って前縁シールド材料を堆積させること、化学機械研磨停止層の少なくとも一部分を露出させるために、前縁シールド材料を化学機械研磨すること、および、化学機械研磨停止層の露出部分を除去することを含む。
【００１６】
本発明の先に引用した特徴が詳細に理解されうるように、手短に先に要約された本発明のより詳細な説明が、その一部が添付図面に示される実施形態を参照して行われてもよい。しかし、添付図面は、本発明の典型的な実施形態だけを示し、したがって、その範囲について制限的であると考えられず、本発明について、他の同様に有効な実施形態を容認してもよいことが留意される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明が具現化されてもよいディスクドライブシステムの略図である。
【図２】図１のライン２−２から切取ったスライダのエアベアリング面（ＡＢＳ）視図であり、スライダ上の磁気ヘッドの場所を示す。
【図３】本発明の実施形態による磁気書込みヘッドの断面図である。
【図４Ａ】本発明の代替の実施形態による書込みヘッドの極先端領域の断面図である。
【図４Ｂ】図４ＡのラインＢ−Ｂから見た、図４Ａの書込みヘッドのエアベアリング面（ＡＢＳ）視図である。
【図５Ａ】本発明の実施形態による、フレア書込み極のために前縁シールドおよび前縁テーパを形成する例示的な方法を示す図である。
【図５Ｂ】本発明の実施形態による、フレア書込み極のために前縁シールドおよび前縁テーパを形成する例示的な方法を示す図である。
【図５Ｃ】本発明の実施形態による、フレア書込み極のために前縁シールドおよび前縁テーパを形成する例示的な方法を示す図である。
【図５Ｄ】本発明の実施形態による、フレア書込み極のために前縁シールドおよび前縁テーパを形成する例示的な方法を示す図である。
【図５Ｅ】本発明の実施形態による、フレア書込み極のために前縁シールドおよび前縁テーパを形成する例示的な方法を示す図である。
【図５Ｆ】本発明の実施形態による、フレア書込み極のために前縁シールドおよび前縁テーパを形成する例示的な方法を示す図である。
【図５Ｇ】本発明の実施形態による、フレア書込み極のために前縁シールドおよび前縁テーパを形成する例示的な方法を示す図である。
【図６Ａ】本発明の実施形態による前縁シールドを形成する方法の一実施形態を示す図である。
【図６Ｂ】本発明の実施形態による前縁シールドを形成する方法の一実施形態を示す図である。
【図６Ｃ】本発明の実施形態による前縁シールドを形成する方法の一実施形態を示す図である。
【図６Ｄ】本発明の実施形態による前縁シールドを形成する方法の一実施形態を示す図である。
【図６Ｅ】本発明の実施形態による前縁シールドを形成する方法の一実施形態を示す図である。
【図７Ａ】本発明の実施形態による前縁シールドを形成する方法の別の実施形態を示す図である。
【図７Ｂ】本発明の実施形態による前縁シールドを形成する方法の別の実施形態を示す図である。
【図７Ｃ】本発明の実施形態による前縁シールドを形成する方法の別の実施形態を示す図である。
【図７Ｄ】本発明の実施形態による前縁シールドを形成する方法の別の実施形態を示す図である。
【図７Ｅ】本発明の実施形態による前縁シールドを形成する方法の別の実施形態を示す図である。
【図８Ａ】本発明の実施形態による書込み極に加えて主極を形成する方法の一実施形態を示す図である。
【図８Ｂ】本発明の実施形態による書込み極に加えて主極を形成する方法の一実施形態を示す図である。
【図８Ｃ】本発明の実施形態による書込み極に加えて主極を形成する方法の一実施形態を示す図である。
【図８Ｄ】本発明の実施形態による書込み極に加えて主極を形成する方法の一実施形態を示す図である。
【図８Ｅ】本発明の実施形態による書込み極に加えて主極を形成する方法の一実施形態を示す図である。
【図８Ｆ】本発明の実施形態による書込み極に加えて主極を形成する方法の一実施形態を示す図である。
【００１８】
理解を容易にするために、図に共通である同一要素を指定するために、可能である場合、同一参照数字が使用された。一実施形態で開示される要素は、特に列挙することなく他の実施形態上で有益に利用されてもよいことが想定される。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下では、本発明の実施形態が参照される。しかし、本発明は、述べた特定の実施形態に限定されないことが理解されるべきである。代わりに、以下の特徴および要素の任意の組合せが、異なる実施形態に関連してもしなくても、本発明を実装し実施することが想定される。さらに、本発明の実施形態が、考えられる他の解決策に比べてかつ／または先行技術に比べて利点を達成する可能性があるが、特定の利点が所与の実施形態によって達成されるか否かは、本発明について制限的ではない。そのため、以下の態様、特徴、実施形態、および利点は、例証に過ぎず、特許請求項（複数可）で明示的に引用される場合を除いて、添付特許請求の範囲の要素または制限であると考えられない。同様に、「本発明（ｔｈｅ  ｉｎｖｅｎｔｉｏｎ）」に対する言及は、本明細書で開示される本発明の任意の主題の一般化と見なされないものとし、特許請求項（複数可）で明示的に引用される場合を除いて、添付特許請求の範囲の要素または制限であると考えられないものとする。
【００２０】
本発明の実施形態は、一般に、前縁シールドおよび磁気書込みヘッドに関し、より具体的には、前縁シールドおよびテーパ付き磁極の作製方法に関する。磁極は、エアベアリング面（ＡＢＳ）にまたはその近くに複数のテーパ付き表面を有してもよく、書込み極の厚さは、ＡＢＳから離れる方向に増加する。
【００２１】
ここで図１を参照して、本発明を具現化するディスクドライブ１００が示される。図１に示すように、少なくとも１つの回転可能磁気ディスク１１２は、スピンドル１１４上で支持され、ディスクドライブモータ１１８によって回転する。各ディスク上での磁気記録は、磁気ディスク１１２上の同心データトラックの環状パターン（図示せず）の形態である。
【００２２】
少なくとも１つのスライダ１１３は、磁気ディスク１１２の近くに位置決めされ、各スライダ１１３は、１つまたは複数の磁気ヘッド組立体１２１を支持する。磁気ディスクが回転するにつれて、スライダ１１３は、磁気ヘッド組立体１２１が、所望のデータが書込まれる磁気ディスクの異なるトラックにアクセスするように、ディスク表面１２２にわたって半径方向に内側にまた外側に移動する。各スライダ１１３は、サスペンション１１５によってアクチュエータアーム１１９に取付けられる。サスペンション１１５は、スライダ１１３をディスク表面１２２に対してバイアスさせるわずかなばね力を提供する。各アクチュエータアーム１１９は、アクチュエータ手段１２７に取付けられる。図１に示すアクチュエータ手段１２７は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）であってよい。ＶＣＭは、一定磁場内で可動のコイルを備え、コイル移動の方向および速度は、コントローラ１２９によって供給されるモータ電流信号によって制御される。
【００２３】
ディスク記憶システムの動作中に、磁気ディスク１１２の回転は、スライダ１１３とディスク表面１２２との間にエアベアリングを生成し、スライダ１１３に上向き力または揚力を及ぼす。そのため、エアベアリングは、通常動作中に、サスペンション１１５のわずかなばね力と釣り合い、小さな実質的に一定の間隔だけ、ディスク表面から離れかつディスク表面のわずか上のところでスライダ１１３を支持する。
【００２４】
ディスク記憶システムの種々の構成要素は、アクセス制御信号および内部クロック信号などの、制御ユニット１２９によって生成される制御信号によって動作が制御される。通常、制御ユニット１２９は、ロジック制御回路、記憶手段、およびマイクロプロセッサを備える。制御ユニット１２９は、種々のシステム動作を制御するために、ライン１２３上のドライブ駆動制御信号およびライン１２８上のヘッド位置およびシーク制御信号などの制御信号を生成する。ライン１２８上の制御信号は、スライダ１１３を、ディスク１１２上の所望のデータトラックに最適に移動させ位置決めするために、所望の電流プロファイルを提供する。書込みおよび読取り信号は、記録チャネル１２５によって書込みおよび読取りヘッド１２１に／から伝達される。
【００２５】
図２を参照して、スライダ１１３内の磁気ヘッド１２１の配向がより詳細に見られることができる。図２は、スライダ１１３のＡＢＳ視図であり、見てわかるように、誘導書込みヘッドおよび読取りセンサを含む磁気ヘッドは、スライダの後縁に位置付けられる。典型的な磁気ディスク記憶システムおよび図１の添付図の上記説明は、示すだけのためのものである。ディスク記憶システムが、多数のディスクおよびアクチュエータを含んでもよく、また、各アクチュエータがいくつかのスライダを支持してもよいことが明らかであるべきである。
【００２６】
ここで図３を参照して、本発明は、テーパ付き書込み極およびテーパ付き前縁を有する磁気ヘッド３０２で具現化されうる。磁気書込みヘッド３０２は、磁気書込み極３０４および磁気戻り極３０６を含む。磁気後方ギャップ層３０８および磁気整形層３１０は、エアベアリング表面ＡＢＳから除去された場所で戻り極３０６を書込み極３０４に磁気的に接続する。磁気書込み極はさらに、前縁シールド３０７および前縁テーパ３０５によって画定される。
【００２７】
導電性で非磁性の書込みコイル３１８は、書込み極３０４と戻り極３０６との間を通過し、また同様に、書込み極３０４の上を通過してもよい。書込みコイル３１８は、非磁性で電気絶縁性の材料３２２の上部に載ることができ、アルミナおよび／またはハードベークされたフォトレジストなどの非磁性で電気絶縁性の材料３２０内に埋め込まれる。
【００２８】
動作中、コイル３１８を流れる電流は磁場を誘起し、書込み極３０４を流れる磁束をもたらす。これによって、磁場が、図１に示す磁気媒体１２２などの磁気媒体に向かって書込み極３０４から放出される。この書込み磁場は、媒体を流れて、書込み極３０４によって書込まれた磁気ビットを消去しないほどに十分に大きな断面を有する戻り極３０６に戻る。
【００２９】
書込み磁場勾配を増加させるために（それにより、スイッチング速度を増加させるために）、書込みヘッド３０２はまた、前縁テーパ３０５を有する磁気前縁シールド３０７を含む。さらに、書込み磁場勾配を増加させるために（それにより、スイッチング速度を増加させるために）、書込みヘッド３０２はまた、磁気後縁シールド３１２を含む。この後縁シールド３１２は、後縁ギャップ層３３２によって書込み極３０４から分離される。書込み極３０４はまた、後縁戻り極３１６に接続されてもよく、後縁戻り極３１６は、後縁シールド３１２を、整形層３１０の後方部分などの書込みヘッド３０２の後方部分に接続する。
【００３０】
一部の実施形態では、書込みヘッドの第１の幅は、２０ｎｍと１５０ｎｍとの間であり、エアベアリング面（ＡＢＳ）に平行な平面に対して角度αで、ＡＢＳから離れるようにテーパが付きうる。一実施形態では、αは、約３０℃と約６０℃との間である。
【００３１】
ここで図４Ａおよび４Ｂを参照して、本発明の一実施形態による書込みヘッドの極先端部分が示される。図４Ａに示すように、書込みヘッド４０２は、（先に述べた実施形態と同様の）テーパ付き後縁部分４０６を有するが、テーパ付き前縁部分４０８も有する書込み極４０４を含む。テーパ付き後縁とテーパ付き前縁の両方を有することは、書込み極４０４の磁気飽和を回避しながら、書込み極４０４の先端に磁束を収束させることによって書込みヘッド４０２の性能をさらに最適化する。
【００３２】
書込みヘッド４０２は、前縁シールド４１０、前縁テーパ４１１を有する磁気前縁シールド、ならびに、後縁シールド４１２、および後縁磁気シールドを有する。前縁シールド４１０は、書込み極４０４から前縁ギャップ距離４１４だけ分離され、後縁シールド４１２は、書込み極４０４の後縁から後縁ギャップ距離４１６だけ分離され、前縁ギャップ距離４１４は、動作中に磁気書込み磁場が前縁シールド４１０に向けて引き寄せられることを防止するために、後縁ギャップ距離４１６より著しく大きい。前縁ギャップ距離４１４は、好ましくは後縁ギャップ距離の少なくとも２倍であり、より好ましくは、後縁ギャップ距離４１６の約４倍である。一例では、前縁ギャップ距離４１４は約１００μｍであり、一方、後縁ギャップ距離４１６は約２５μｍでありうる。
【００３３】
前縁シールド４１０は、第１および第２の非磁性層４１８、４２０によって書込み極４０４から分離される。第１の層４１８は、クロム（Ｃｒ）またはニッケルクロム（ＮｉＣｒ）の合金などの材料から構成されうる。第２の層４２０は、ルテニウム（Ｒｕ）などの材料から構成されうる。
【００３４】
書込みヘッドはまた、非磁性スペーサ層４２２を含み、非磁性スペーサ層４２２は、ＮｉＣｒなどの材料から構成され、５０〜２００μｍの厚さを有しうる。非磁性スペーサ層４２２は、エアベアリング面ＡＢＳから所望の距離に位置するフロントエッジ４２４を有する。アルミナＡｌ２Ｏ３などの材料から構成された非磁性バンプ４２６は、非磁性スペーサ層４２２のフロントエッジ４２４に形成され、書込み極４０４のテーパ付き後縁４０６の一部分を覆って延在する。非磁性スペーサ層４２２および非磁性バンプ４２６は、後縁シールド４１２と書込み極４０４との間のさらなる間隔を提供し、同様にこのさらなる間隔へのスムーズな移行を提供することによってこの間隔のプロファイルを最適化する。
【００３５】
書込みヘッドはまた、非磁性後縁ギャップ層４２８を含み、非磁性後縁ギャップ層４２８は、後縁シールド４１２を書込み極４０４から分離し、非磁性バンプ４２６および非磁性スペーサ層４２２を覆って延在してもよい。非磁性後縁ギャップ層は、ルテニウムなどの材料から構成されうる。さらに、非磁性で電気絶縁性の充填層４３０は、シールド４１０、４１２の背後に設けられるが、構造は、同様にこれらの領域に含まれうる。同様に、コバルト鉄（ＣｏＦｅ）などの高磁気モーメントシード層４３２が、後縁シールドの性能を改善するために、後縁シールド４１２の底部に含まれてもよい。
【００３６】
図４Ｂは、エアベアリング面から見た書込みヘッド４０２を示す。図４Ｂを見てわかるように、後縁シールド４１２は、側面シールド部分４５２、４５４を形成するために、書込み極の側面を超えて下方に延在する。こうした理由で、後縁シールド４１２は、「ラップアラウンド（ｗｒａｐ−ａｒｏｕｎｄ）」シールドとも呼ばれうる。書込みヘッドはまた、ＳｉＯ２またはアルミナなどの反応性イオンエッチング可能な（ＲＩＥ可能）材料から好ましくは構成される非磁性絶縁側面充填層４５６、４５８を含む。非磁性絶縁側面充填層が実質的に垂直な外側側面を有すること、および、図４Ａを参照して先に論じた層４２０が、同様に書込みヘッドの側面を上方に延在することも見てわかる（同様に、以下で明らかになる理由でわかる）。層４２０、４５６、４２８、４３２の厚さは、側面ギャップ距離４６０を画定する。
【００３７】
シールド４１２、４１０が互いに接触しないように層４１８および４２８が、後縁シールド４１２と前縁シールド４１０との間に延在することが図４Ｂを見てわかる。本発明の別の実施形態では、層４１８および４２８は、後縁シールド４１２および前縁シールド４１０が、層４１８、４２８を超えた領域で磁気接触するように、書込み極４０４から離れたある地点で終了する。この実施形態は、後縁シールド４１２からの磁束の流れを改善することによって後縁シールド４１２の性能を改善しうる。
【００３８】
図５Ａ〜５Ｇは、図３および図４Ａ〜４Ｂを参照して上述した種々の実施形態に従って磁気書込みヘッドを製造する方法の実施形態を述べる。
【００３９】
図５Ａ〜５Ｇは、本発明の実施形態に従って書込み極の前縁テーパの作製中に実施される例示的なステップを示す。
【００４０】
図５Ａに示すように、一実施形態では、構造の作製は、基板材料５００を設けることによって始まってもよい。基板材料５００は、「アルミナ（ａｌｕｍｉｎａ）」としても知られる酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの非磁性材料からなってもよい。図には示さないが、基板材料５００は、磁気ヘッドの１つまたは複数の他の構成要素、たとえば、本明細書で既に形成された、読取りヘッドおよび書込みヘッドの１つまたは複数の構成要素を含んでもよい。さらに、示さないが、基板材料５００は、任意の特徴的画定部の底部を形成するために、基板材料５００内に配設された反応性イオンエッチング可能な停止層（上記３１０）を含んでもよい。基板材料５００は、図３の絶縁材料３２０に対応してもよい。代替の実施形態では、基板材料５００は、本明細書に述べる磁性材料であってよい。
【００４１】
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）に耐性がある材料層５１０、ＲＩＥ停止層は、基板を覆って堆積される。ＲＩＥ停止層５１０は、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケルとクロムの合金（ＮｉＣＲ）、ルテニウム（Ｒｕ）、およびそれらの組合せなどの非磁性材料またはこれらの材料の積重層でありうる。
【００４２】
充填層５２０は、材料層５１０を覆って堆積される。充填層５２０は、反応性イオンエッチング可能な（ＲＩＥ可能）材料、たとえば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素であってよく、以下で明らかになるように、少なくとも所望の書込み極の厚さの所望の厚さと同程度に堆積される。
【００４３】
特徴的画定部５３５は、イオンビームエッチング（ＩＢＥ）などの反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセスによって、充填層５２０の反応性イオンエッチング可能（ＲＩＥ可能）材料内に形成されてもよい。反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセスは、好ましくは、特徴的画定部５３５がテーパ付き側壁５３７を有する状態で充填層５２０を形成するために、垂直に対して１つまたは複数の角度で実施される。１つまたは複数の角度は、垂直に対して１０°〜６０°であり、特徴的画定部の底部から特徴的画定部の上部へ外側に角度付けられる。こうした構造は、表面から材料５２０内へのテーパ付き構造を実現し、台形形状を形成しうる。
【００４４】
図６Ａ〜６Ｅに述べる研磨停止材料であってよい非磁性材料５３０は、原子層堆積などの共形的堆積プロセスによって堆積されてもよい。この非磁性材料５３０は、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケルとクロムの合金（ＮｉＣｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、およびそれらの組合せを含む非磁性材料、または、これらの材料の積重層であってよく、形成される書込み極のトラック幅を収縮させるために、トレンチの幅を有利には減少させるのに十分な厚さまで堆積されてもよい。
【００４５】
その後、コバルト鉄（ＣｏＦｅ）またはコバルトニッケル鉄（ＣｏＮｉＦｅ）などの磁性材料５４０が、電気めっきなどによって、充填層５２０内に形成された特徴的画定部５３５内に堆積されてもよい。磁性材料５４０は、後の主極構造のための構造の前縁シールド材料を形成する。化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスが実施されて、磁性層５４０が平坦化され、書込み極材料５４０が特徴的画定部５３５内にある図５Ａに示す構造を残してもよい。その後、イオンミリングが、実施されて、充填層５２０を超えて延在する可能性がある非磁性層５３５の部分が除去されてもよい。
【００４６】
図５Ｂを参照して、その後、前縁テーパ材料になる磁性材料５５０が、スパッタリングプロセスなどによって、充填材料５２０、非磁性材料５３０、および磁性材料５４０の平坦化表面上に共形的に堆積される。磁性材料５５０は、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）、コバルト鉄（ＣｏＦｅ）、コバルトニッケル鉄（ＣｏＮｉＦｅ）、およびそれらの組合せの群から選択される金属合金である。磁性材料５５０は、磁性層５４０と同じ材料であっても、異なる材料であってよい。磁性材料５５０は、スパッタリングプロセスによって堆積されてもよく、また、約５００Å〜約１５００Å、たとえば約１１００Åの厚さに堆積されてもよい。その後、フォトレジスト／レジスト材料５６０が、堆積され、磁性材料５５０上でパターニングされる。
【００４７】
図５Ｃを参照して、イオンミリングプロセスまたはイオンビームエッチング（ＩＢＥ）プロセスなどの反応性イオンエッチングプロセスが、パターニングされたフォトレジスト／レジスト材料５６０によって露出した磁性材料５５０の部分を除去するために実施されてもよい。イオンミリングが実施されて、磁性材料層５５０の一部分が好ましい角度で除去され、それにより、磁性材料層５５０上へのテーパ付き表面５５５の形成が可能になる。さらに、磁性層は、イオンミリングされて、図５Ｃに示すように、下地磁性材料５４０の水平表面境界（ｂｏｕｎｄ）内にテーパ部分の端部を有するテーパ付き材料が実現されてもよい。一実施形態では、磁性材料層５５０は、基板表面上の下地磁性材料５４０にだけ結合したテーパ付き部分を有する。
【００４８】
イオンミリングは、垂直に対して１つまたは複数の角度で実施され、それにより、パターニングされたフォトレジスト／レジスト層５６０による影生成は、堆積直後の状態の（ａｓ  ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ）層の表面に平行な平面に対して２０〜４０°、たとえば約３０°などの１０〜６０°の角度を形成するようテーパ付き表面にさせる。テーパ付き構造は、前縁テーパ構造を形成する。図に示すように、前縁テーパは、２つ以上のテーパ付き側面を有してもよく、また、各側面は、同じ角度または実質的に同じ角度を有してもよい。任意の非磁性材料５５０が、層（図示せず）の表面上に堆積された場合、非磁性材料５３０は、イオンミリングプロセスによって除去されてもよい。
【００４９】
図５Ｄを参照して、パターニングされたフォトレジスト／レジスト材料５６０は、その後、磁性層５５０から除去される。パターニングされたフォトレジスト／レジスト材料５６０は、リフトオフまたはアッシングプロセスによって除去されてもよい。
【００５０】
図５Ｅを参照して、非磁性層５７０は、磁性材料層５５０ならびに充填層５２０、非磁性材料５３０、および磁性材料５４０の露出表面を覆って共形的に堆積される。非磁性層５７０は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）停止層であってよく、また、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケルとクロムの合金（ＮｉＣｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、およびそれらの組合せを含む非磁性材料またはこれらの材料の積重層であってよい。非磁性層５７０は、４０〜６０μｍまたは約５０μｍの厚さまで堆積されてもよい。
【００５１】
図５Ｆを参照して、アルミナなどの非磁性材料のバルク層５８０が、共形的非磁性ＲＩＥ停止層５７０を覆って堆積されてもよい。
【００５２】
バルク層５８０（および任意選択で、非磁性ＲＩＥ停止層５７０）は、その後平坦化されてもよい。基板材料５００およびバルク層５８０は、同じ材料であってよい、また、数ある誘電材料の中で、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ケイ素、窒化ケイ素、それらの組合せの群から選択された材料を含んでもよい。形成された構造は、その後、主極処理を実現してもよい。
【００５３】
図５Ｇは、エアベアリング面プロセス後の層構造を示し、図３に示す前縁テーパ付き表面を有する書込み極の形成を可能にするＡＢＳを含む前縁シールド部分３０７および前縁テーパ部分３０５を示す。
【００５４】
図５Ａで形成される構造は、いくつかの異なるプロセスによって形成されてもよく、そのプロセスのうちの２つの実施形態が、図６Ａ〜６Ｅおよび図７Ａ〜７Ｅを参照してそれぞれ次の通りに述べられうる。
【００５５】
前縁シールドを形成する一方法は、基板を覆ってシード層を堆積させることを含む。シード層は、電気めっきまたはスパッタリングなどの従来の堆積技法によって堆積されてもよい。その後、シード層の選択エリアを露出したままにするフォトレジストマスクが形成される。その後、磁性材料が、シード層の露出エリア上に堆積される。その後、マスクならびにマスクの下にある露出したシード層が、除去されてもよい。除去は、下地基板を露出させるために、イオンビームミリングを利用して行われてもよい。その後、Ａｌ２Ｏ３層が、基板および磁性材料の部分を含む露出表面を覆って形成されてもよい。その後、Ａｌ２Ｏ３が、同様に少なくとも部分的に研磨される磁性材料を露出させるために、ＣＭＰプロセスを使用して平坦化されてもよい。プロセスフローは、単純であるが、前縁シールドの好ましい０．１〜０．３ミクロン厚について所望の均一性を達成できず、したがって、製造性がない。対照的に、図６Ａ〜６Ｅに関して以下で論じるプロセスフローは、前縁シールド厚のよりよい平均および均一制御を提供するために、ＣＭＰ停止層の堆積、光パターニング、エッチング、再充填、ＣＭＰ、および光ミリングを含む。図７Ａ〜７Ｅに関して以下で論じるプロセスフローは、エッチング、停止層および前縁シールド材料を用いた再充填、その後、ＣＭＰおよび軽イオンビームエッチングを含む。図６Ａ〜６Ｅについてのプロセスフローは、ＣＭＰ停止層のプロセスシグネチャを残さず、一方、図７Ａ〜７Ｅについてのプロセスフローは、ＣＭＰ停止層のプロセスシグネチャを有することになる。図６Ａ〜６Ｅと図７Ａ〜７Ｅの両方についての前縁シールドは、リーダが完成した後に作製される。前縁シールドは、約０．２ミクロン〜約０．３ミクロンの範囲のスロートハイト長（ｔｈｒｏａｔ  ｈｅｉｇｈｔ  ｌｅｎｇｔｈ）を持って作製される。前縁シールドの厚さは、約０．１ミクロンと約０．３ミクロンとの間である。前縁シールド用の磁性材料は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、およびＣｏＦｅなどの軟質磁性材料を含んでもよい。
【００５６】
図６Ａ〜６Ｅを参照して、図５Ａの構造は、最初に基板材料６００を設けることによって形成されてもよい。基板材料６００は、「アルミナ」としても知られている酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの非磁性材料からなってもよい。図には示さないが、基板材料６００は、磁気ヘッドの１つまたは複数の他の構成要素、たとえば、本明細書で既に形成された、読取りヘッドおよび書込みヘッドの１つまたは複数の構成要素を含んでもよい。さらに、示さないが、基板材料６００は、任意の特徴的画定部の底部を形成するために、基板材料６００内に配設された反応性イオンエッチング可能な停止層（上記３１０）を含んでもよい。基板材料６００は、図３の絶縁材料３２０に対応してもよい。代替の実施形態では、基板材料６００は、本明細書に述べる磁性材料であってよい。
【００５７】
化学機械研磨（ＣＭＰ）に耐性がある材料層６１０、ＣＭＰ耐性材料（またはＣＭＰ停止層）は、基板を覆って堆積される。ＣＭＰ耐性材料６１０は、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、タンタル（Ｔａ）、およびそれらの組合せからなる群から選択される材料であってよく、また、好ましくは非磁性材料である。ＣＭＰ耐性材料６１０は、１００Å〜５００Åの厚さに堆積されてもよい。フォトレジスト材料６２０は、その後、ＣＭＰ耐性材料６１０上に堆積され、パターニングされる。
【００５８】
図６Ｂを参照して、特徴的画定部６２５は、露出したＣＭＰ耐性材料６１０および下地基板材料６００を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）することまたはイオンビームエッチング（ＩＢＥ）することによって基板材料６００内に形成されてもよい。反応性イオンエッチングプロセスは、好ましくは、テーパ付き側壁６２７を有する特徴的画定部６２５を形成するために垂直に対して１つまたは複数の角度で実施される。１つまたは複数の角度は、垂直に対して１０°〜６０°であり、特徴的画定部の底部から特徴的画定部の上部へ外側に角度付けられる。フォトレジスト／レジスト材料６２０はまた、リフトオフまたはアッシングプロセスなどによってエッチングプロセス後に除去される。０．１μｍ〜０．３μｍの深さ（または厚さ）を有する特徴的画定部が形成される。
【００５９】
コバルト鉄（ＣｏＦｅ）またはコバルトニッケル鉄（ＣｏＮｉＦｅ）などの磁性材料６３０は、図６Ｃに示すように、ＣＭＰ停止層６１０上でかつ基板材料６００内に形成された特徴的画定部６２５内に堆積される。磁性材料６３０は、電気めっきまたは物理気相堆積（スパッタリング）プロセスなどのめっきプロセスによって堆積されてもよい。
【００６０】
化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスなどによる平坦化プロセスが実施されて、ＣＭＰ停止層６１０を覆って堆積された磁性層６３０が除去され、ＣＭＰ耐性材料に対して磁性層６３０が平坦化され、本質的に特徴的画定部６２５内に形成された前縁シールドである図６Ｄに示す構造が残ってもよい。
【００６１】
その後、軽イオンビームエッチング（ＩＢＥ）プロセスまたはスパッタエッチングプロセスなどによるイオンミリングも実施されて、図６Ｅに示すように、平坦化プロセス後に依然として残るＣＭＰ耐性材料６１０の部分が除去されてもよい。ＬＥＴプロセスが、さらに最後まで使用される場合、イオンミリングは省略されうる。イオンミリングは、約１００Åと約５００Åとの間で除去されてもよい。
【００６２】
図７Ａ〜７Ｅを参照して、構造は、最初に基板材料７００を設けることによって形成されてもよい。基板材料７００は、「アルミナ」としても知られている酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの非磁性材料からなってもよい。図には示さないが、基板材料７００は、磁気ヘッドの１つまたは複数の他の構成要素、たとえば、本明細書で既に形成された、読取りヘッドおよび書込みヘッドの１つまたは複数の構成要素を含んでもよい。その後、フォトレジスト／レジスト材料７２０は、基板材料７００上に堆積されパターニングされる。さらに、示さないが、基板材料７００は、任意の特徴的画定部の底部を形成するために、基板材料７００内に配設された反応性イオンエッチング可能な停止層（上記３１０）を含んでもよい。基板材料７００は、図３の絶縁材料３２０に対応してもよい。代替の実施形態では、基板材料７００は、本明細書に述べる磁性材料であってよい。
【００６３】
図７Ｂを参照して、特徴的画定部７２５は、露出した基板材料７００を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）することまたはイオンビームエッチング（ＩＢＥ）することによって基板材料７００内に形成されてもよい。反応性イオンエッチングプロセスは、好ましくは、テーパ付き側壁７２７を有する特徴的画定部７２５を形成するために垂直に対して１つまたは複数の角度で実施される。１つまたは複数の角度は、垂直に対して１０°〜６０°であり、特徴的画定部７２５の底部から特徴的画定部７２５の上部へ外側に角度付けられる。０．１μｍ〜０．３μｍの深さ（または厚さ）を有する特徴的画定部が形成される。フォトレジスト／レジスト材料７２０はまた、リフトオフまたはアッシングプロセスなどによってエッチングプロセス後に除去される。
【００６４】
図７Ｃを参照して、化学機械研磨（ＣＭＰ）に耐性がある材料層、ＣＭＰ耐性材料７１０（またはＣＭＰ停止層）は、基板を覆ってかつ特徴的画定部内に共形的に堆積される。ＣＭＰ耐性材料７１０は、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、タンタル（Ｔａ）、およびそれらの組合せからなる群から選択される材料であってよく、また、好ましくは非磁性材料である。ＣＭＰ耐性材料７１０は、１００Å〜５００Åの厚さにスパッタ堆積されてもよい。
【００６５】
コバルト鉄（ＣｏＦｅ）またはコバルトニッケル鉄（ＣｏＮｉＦｅ）などの磁性材料７３０は、図７Ｃに示すように、ＣＭＰ耐性材料７１０上でかつ基板材料７００内に形成された特徴的画定部７２５内に堆積されてもよい。磁性材料７３０は、電気めっきまたは物理気相堆積（スパッタリング）プロセスなどのめっきプロセスによって堆積されてもよい。
【００６６】
化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスなどによる平坦化プロセスが実施されて、ＣＭＰ耐性材料７１０に対して磁性層７３０が除去され平坦化され、本質的に特徴的画定部７２５内に形成された前縁シールドである図７Ｄに示す構造が残ってもよい。
【００６７】
その後、軽イオンビームエッチング（ＩＢＥ）プロセスなどによるイオンミリングも実施されて、図７Ｅに示すように、平坦化プロセス後に依然として残るＣＭＰ耐性材料７１０の部分が除去されてもよい。
【００６８】
図６Ａ〜６Ｅおよび図７Ａ〜７Ｅに示すプロセスフローは同等である。図６Ａ〜６Ｅに示すプロセスフローは、ＣＭＰ停止層のプロセスシグネチャを残さず、一方、図７Ａ〜７Ｅのプロセスフローは、ＣＭＰ停止層のプロセスシグネチャを有することになる。Ｃｒ／ＮｉＣｒ  ＲＩＥ停止層は、前縁シールドが完成した後に前縁シールド上に堆積されて、前縁テーパはないが、４つの側面ラップアラウンドシールドを有する垂直書込みヘッドが作られてもよい。前縁シールドが行われた後、垂直書込みヘッドが前縁シールドと前縁テーパの両方を有するように、前縁テーパもまた、前縁シールド上に構築されうる。
【００６９】
図８Ａ〜８Ｆを参照して、書込み材料上に主極を形成する一実施形態は次の通りである。
【００７０】
図５Ｆに示す非磁性充填材料５８０が除去される。好ましくはＮｉＣｒから構成されるオプションの非磁性ステップ層が、非磁性層５７０（非磁性反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）停止層）および前縁テーパ材料５５５を覆って堆積されてもよい。その後、極材料８１０が堆積され平坦化される。極材料８１０は、本明細書で述べる磁性材料を含んでもよい。
【００７１】
好ましくはＮｉＣｒから構成される非磁性ステップ層８２０は、極材料８１０を覆って堆積される。マスク層および／またはフォトレジスト／レジスト層（図示せず）が、非磁性ステップ層８２０および極材料８１０を覆って堆積されパターニングされる。その後、非磁性ステップ層８２０および極材料８１０は、イオンミリングプロセスによってエッチングされパターニングされて、上側テーパ付き表面８２５が形成される。その後、任意のマスクまたはフォトレジスト／レジスト材料が除去されて、図８Ｂに示す構造が提供される。
【００７２】
アルミナなどの非磁性材料層８３０が、図８Ｃに示すように、原子層堆積または化学気相堆積などの共形的堆積プロセスによって堆積される。
【００７３】
その後、イオンミリングが実施されて、アルミナ層の水平に配設された部分が優先的に除去され、非磁性ステップ層８２０のフロントエッジにアルミナバンプ８３５が残る。非磁性材料層８４０は、図８Ｄに示すように、所望の後縁ギャップ厚を画定する厚さに堆積される。後縁ギャップ層８４０は、ルテニウムおよび他の非磁性材料から構成されうる。その後、アルミナ８６０などの非磁性で電気絶縁性の材料８６０は、後縁ギャップ層８４０上に堆積されてもよい。
【００７４】
図８Ｅを参照して、その後、非磁性で電気絶縁性の材料８６０がエッチングされて、エアベアリング面から後縁ギャップ層８４０の実質的に水平な部分に沿う部分まで形成される後縁ギャップ層８４０の部分が露出されてもよい。オプションの高磁気モーメントシード層８５０が、露出した後縁ギャップ層８４０上に堆積されパターニングされてもよい。後縁シールド８７０は、高磁気モーメントシード層８５０上に堆積されてもよい。高磁気モーメントシード層８５０は、後縁シールドの性能を最大にするために、後縁シールド８７０（３１２）の前縁に設けられてもよい。
【００７５】
後縁戻り極などのさらなる構造、さらなる非磁性で電気絶縁性の材料、およびコイルが、ヘッド構造を形成するために構造上に形成されてもよい。その後、構造は、図３に示す構造を形成するため、図８Ｆの構造を通して形成されるラインＡＢＳによって示すエアベアリング面を形成するために処理されてもよい。
【００７６】
上記は、本発明の実施形態を対象とするが、本発明の他のまたさらなる実施形態が、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく考案されてもよく、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によって決定される。
【符号の説明】
【００７７】
３０２  磁気ヘッド
３０４、４０４  書込み極
３０５、４１１、５５５  前縁テーパ
３０６  戻り極
３０７、４１０  前縁シールド
３０８  磁気後方ギャップ層
３１０  整形層
３１２、８７０  後縁シールド
３１６  後縁戻り極
３１８  書込みコイル
３２０  絶縁材料
４０２  書込みヘッド
４０６  テーパ付き後縁
４０８  テーパ付き前縁
４１２  後縁シールド
４１４  前縁ギャップ距離
４１６  後縁ギャップ距離
４１８、４２０  非磁性層
４２２  非磁性スペーサ層
４２４  フロントエッジ
４２６  非磁性バンプ
４２８、８４０  非磁性後縁ギャップ層
４３０、５２０  充填層
４３２、８５０  高磁気モーメントシード層
４５４  側面シールド部分
４５６、４５８  非磁性絶縁側面充填層
４６０  側面ギャップ距離
５００、６００、７００  基板材料
５１０、５７０  ＲＩＥ停止層
５３５、６２５、７２５  特徴的画定部
５３７、７２７  テーパ付き側壁
５３０、８３０、８４０  非磁性材料
５４０、５５０、６３０、７３０  磁性材料
５５５  テーパ付き表面
５６０、６２０、７２０  フォトレジスト／レジスト材料
５８０  バルク層
６１０、７１０  ＣＭＰ耐性材料
５８０  非磁性充填材料
８１０  極材料
８２０  非磁性ステップ層
８２５  上側テーパ付き表面
８３５  アルミナバンプ
８６０  電気絶縁材料
【図１】
2012113806.tif 000003
【図２】
2012113806.tif 000004
【図３】
2012113806.tif 000005
【図４Ａ】
2012113806.tif 000006
【図４Ｂ】
2012113806.tif 000007
【図５Ａ】
2012113806.tif 000008
【図５Ｂ】
2012113806.tif 000009
【図５Ｃ】
2012113806.tif 000010
【図５Ｄ】
2012113806.tif 000011
【図５Ｅ】
2012113806.tif 000012
【図５Ｆ】
2012113806.tif 000013
【図５Ｇ】
2012113806.tif 000014
【図６Ａ】
2012113806.tif 000015
【図６Ｂ】
2012113806.tif 000016
【図６Ｃ】
2012113806.tif 000017
【図６Ｄ】
2012113806.tif 000018
【図６Ｅ】
2012113806.tif 000019
【図７Ａ】
2012113806.tif 000020
【図７Ｂ】
2012113806.tif 000021
【図７Ｃ】
2012113806.tif 000022
【図７Ｄ】
2012113806.tif 000023
【図７Ｅ】
2012113806.tif 000024
【図８Ａ】
2012113806.tif 000025
【図８Ｂ】
2012113806.tif 000026
【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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