(57)【要約】【課題】電解めっきにて成膜した銅膜４をエッチングして銅パターン４’を形成するに際し、生産性を大きく低下させることなく、順テーパ形状の断面形状を有する銅パターン４’を容易に形成できるようにする。【解決手段】それぞれめっき液を収容した第一のめっき浴と第二のめっき浴を用い、銅膜４を第一の銅膜４ａと第二の銅膜４ｂに分けて成膜すると共に、以下のＡ、Ｂ、Ｃのいずれか一又は二以上の調整を行う。  Ａ：第一の銅膜４ａの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の光沢剤濃度を、第二の銅膜４ｂの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の光沢剤濃度より高くする。  Ｂ：第一の銅膜４ａの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の平滑剤濃度を、第二の銅膜４ｂの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の平滑剤濃度より低くする。  Ｃ：第一の銅膜４ａの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の温度を、第二の銅膜４ｂの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の温度より高くする。【選択図】図１
2012021184.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に導電性シード層を形成し、該導電性シード層の上に電解めっきにて銅膜を成膜し、該銅膜の表面にレジストパターンを形成し、エッチング液にて不要箇所を除去してパターンを形成する銅パターンの形成方法において、
前記電解めっきによる銅膜の成膜を、それぞれめっき液を収容した複数のめっき浴を用いて複数回に分けて行うと共に、以下のＡ、Ｂ、Ｃのいずれか一又は二以上の調整を行うことを特徴とする銅パターンの形成方法。
Ａ：先の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の光沢剤濃度を、次の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の光沢剤濃度より高くする。
Ｂ：先の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の平滑剤濃度を、次の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の平滑剤濃度より低くする。
Ｃ：先の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の温度を、次の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の温度より高くする。
【請求項２】
請求項１における前記Ａの調整において、前記先の回の成膜に用いる前記めっき浴中の前記めっき液の光沢剤濃度を、前記次の回の成膜に用いる前記めっき浴中の前記めっき液の光沢剤濃度の２倍以上とすることを特徴とする銅パターンの形成方法。
【請求項３】
請求項１における前記Ｂの調整において、前記先の回の成膜に用いる前記めっき液中の平滑剤の濃度を、前記次の回の成膜に用いる前記めっき液中の平滑剤の濃度の１／２以下とすることを特徴とする銅パターンの形成方法。
【請求項４】
請求項１における前記Ｃの調整において、前記先の回の成膜に用いる前記めっき液の温度を、前記次の回の成膜に用いる前記めっき液の温度より１０℃以上高くすることを特徴とする銅パターンの形成方法。
【請求項５】
基板の上に導電性シード層を形成し、該導電性シード層の上に電解めっきにて銅膜を成膜し、該銅膜の表面にレジストパターンを形成し、エッチング液にて不要箇所を除去してパターンを形成する銅パターンの形成方法において、
前記電解めっきによる銅膜の成膜を、めっき液を収容した単一のめっき浴を用いて行うと共に、以下のＤ、Ｅ、Ｆのいずれか一又は二以上の調整を行うことを特徴とする銅パターンの形成方法。
Ｄ：前記めっき液の光沢剤濃度を、前記成膜中に段階的又は連続的に下げる。
Ｅ：前記めっき液の平滑剤濃度を、前記成膜中に段階的又は連続的に上げる。
Ｆ：前記めっき液の温度を、前記成膜中に段階的又は連続的に下げる。
【請求項６】
請求項５における前記Ｄの調整において、成膜開始時の前記めっき液の光沢剤濃度を、成膜完了時の前記めっき液の光沢剤濃度の２倍以上とすることを特徴とする銅パターンの形成方法。
【請求項７】
請求項５における前記Ｅの調整において、成膜開始時の前記めっき液の平滑剤濃度を、成膜完了時の前記めっき液の平滑剤濃度の１／２以下とすることを特徴とする銅パターンの形成方法。
【請求項８】
請求項５における前記Ｆの調整において、成膜開始時の前記めっき液の温度を、成膜完了時の前記めっき液の温度より１０℃以上高くすることを特徴とする銅パターンの形成方法。
【請求項９】
銅パターンとして形成された配線を備えた画像表示装置の製造方法において、前記配線とする銅パターンを請求項１乃至８のいずれか一項に記載の銅パターンの形成方法で形成することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば画像表示装置の配線等として用いられる銅パターンの形成方法、及びそれを用いた画像表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の画像表示装置は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（以下、ＦＰＤと記す）、さらに表示面積の大型化、高精細化が進んでいる。この大型化、高精細化に伴い、配線長が長くなり、配線抵抗及び寄生容量が増大し、駆動する素子に印加される電圧が、素子が接続されている配線の位置で異なってしまうことが危惧されている。その対策としては厚い銅配線を用い、配線抵抗を下げることが有効である。特に電子放出素子、有機ＥＬ等の電流注入素子を用いたＦＰＤでは、配線を低抵抗とするために、液晶ディスプレイより厚い銅配線が必要である。また、厚い銅配線については、銅配線上を覆って形成する酸化防止層や絶縁層等のカバー層のカバレッジを良くするために、断面形状を側面の傾斜がなだらかな等脚台形状（順テーパ形状）とすることが好ましい。
【０００３】
特許文献１には、液晶ディスプレイにおいて、アルミニウム配線より低抵抗の銅配線を適用する際の、エッチングによる順テーパ形状のパターニング技術の必要性が開示されている。しかし、この特許文献１は、順テーパ形状とするための手法については開示していない。
【０００４】
特許文献２には、順テーパ形状を得るためのものではないが、銅配線の断面形状を制御するために、パターニング前の電解めっき膜形成時に電流密度を下げる方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２１７０８７号公報
【特許文献２】特開２００５−１６６９１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、現状では、基板上に導電性シード層を形成し、この導電性シード上に電解めっきにて銅膜を成膜し、この銅膜をエッチングして銅配線を得ている。しかし、銅残渣を十分除去するために必要なオーバーエッチングにより、断面形状が、側面の傾斜が急峻な矩形に近い形状（高テーパ形状）になってしまいやすい。このため、その後形成するカバー層や絶縁層のカバレッジが不十分となり、例えば画像表示装置の製造においては、歩留まりを低下させてしまう問題があった。
【０００７】
特許文献１は、前記のように、カバレッジをよくするために順テーパ形状とすることが好ましいことを開示してはいるが、その手法については開示がない。
【０００８】
一方、電解めっきにより得られる膜厚は、（電流密度）×（時間）で定まることから、特許文献２の方法のように、電解めっき時の電流密度を下げると、成膜時間が長くなり、生産性を低下させる問題を生じる。
【０００９】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、画像表示装置の配線等として用いられる銅パターンを形成する際に、生産性を大きく低下させることなく、順テーパ形状の断面形状を有する銅パターンを容易に形成できるようにすることを第１の目的とする。また、本発明は、大画面、高精細な画像表示装置を歩留まりよく容易に製造することができるようにすることを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１は、上記第１の目的のために、基板の上に導電性シード層を形成し、該導電性シード層の上に電解めっきにて銅膜を成膜し、該銅膜の表面にレジストパターンを形成し、エッチング液にて不要箇所を除去してパターンを形成する銅パターンの形成方法において、
前記電解めっきによる銅膜の成膜を、それぞれめっき液を収容した複数のめっき浴を用いて複数回に分けて行うと共に、以下のＡ、Ｂ、Ｃのいずれか一又は二以上の調整を行うことを特徴とする銅パターンの形成方法を提供するものである。
【００１１】
Ａ：先の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の光沢剤濃度を、次の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の光沢剤濃度より高くする。
【００１２】
Ｂ：先の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の平滑剤濃度を、次の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の平滑剤濃度より低くする。
【００１３】
Ｃ：先の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の温度を、次の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の温度より高くする。
【００１４】
本発明の第２は、やはり上記第１の目的のために、基板の上に導電性シード層を形成し、該導電性シード層の上に電解めっきにて銅膜を成膜し、該銅膜の表面にレジストパターンを形成し、エッチング液にて不要箇所を除去してパターンを形成する銅パターンの形成方法において、
前記電解めっきによる銅膜の成膜を、めっき液を収容した単一のめっき浴を用いて行うと共に、以下のＤ、Ｅ、Ｆのいずれか一又は二以上の調整を行うことを特徴とする銅パターンの形成方法を提供するものである。
【００１５】
Ｄ：前記めっき液の光沢剤濃度を、前記成膜中に段階的又は連続的に下げる。
【００１６】
Ｅ：前記めっき液の平滑剤濃度を、前記成膜中に段階的又は連続的に上げる。
【００１７】
Ｆ：前記るめっき液の温度を、前記成膜中に段階的又は連続的に下げる。
【００１８】
本発明の第３は、上記第２の目的のために、銅パターンとして形成された配線を備えた画像表示装置の製造方法において、前記配線とする銅パターンを上記本発明の第１に係る銅パターンの形成方法で形成することを特徴とする画像表示装置の製造方法を提供するものである。
【００１９】
なお、本発明において、銅膜とは、銅又は銅を主成分とする膜をいう。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の第１は、前記Ａ〜Ｃのいずれか一又は二以上の調整を行うことにより、いずれの場合も、銅膜の先に形成される部分（下層部分）を、銅膜の後から形成される部分（上層部分）に比してエッチングされにくくすることができる。つまり、基板側ではエッチング速度が遅く、表面側では速度が速い銅膜を形成することができる。従って、その後のエッチングにより、断面が順テーパ形状の銅パターンを確実に得ることができる。また、Ａ〜Ｃの条件の調整は、いずれも、電解めっき時の電流密度を下げた場合ほど銅膜の形成速度を大きく低下させるものではないことから、生産性を大きく損なうことがない。
【００２１】
ところで、光沢剤を増加しためっき液又は平滑剤を減少しためっき液にて形成した銅膜のエッチング速度が遅くなる理由は不明である。しかし、いずれの場合も形成した銅膜の応力が小さくなっていることから、銅膜の結晶粒径が大きいためにエッチング速度が遅くなっていると推測される。また、めっき液の温度を上げることで得られる銅膜のエッチング速度が遅くなる理由も、同様に結晶粒径が大きくなるためであると推測される。
【００２２】
本発明の第２は、前記Ｄ〜Ｆのいずれか一又は二以上の調整を行うことにより、上記本発明の第１と同様の効果を得ることができる。
【００２３】
本発明の第３は、本発明の第１又は第２を用いていることにより、カバレッジのよい断面形状の銅パターンを配線とすることができるので、歩留まりよく画像表示装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る銅パターンの形成方法の一例を示す工程説明図である。
【図２】本発明に係る銅パターンの形成方法の他の例を示す工程説明図である。
【図３】本発明に係る銅パターンの形成方法を用いて製造することができる画像表示装置の一例を模式的に示す一部切欠斜視図である。
【図４】図３の画像表示装置における配線の状態を模式的に示す拡大図で、（ａ）はリアプレートの平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
【図５】実施例２におけるめっき液の温度プロファイルを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
図１に基づいて本発明に係る銅パターンの形成方法の一例を説明する。
【００２６】
まず、図１（ａ）に示されるように、基板１上に導電性シード層２を形成する。導電性シード層２はスパッタ法、蒸着法等のドライ成膜手法によるＣｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ等の導電性金属の膜として形成することができる。また、導電性の合金膜や導電性金属の積層膜として形成することもできる。更には、導電ペースト、導電インク等を塗布して焼成することで得られる導電性の膜として形成することもできる。厚さは０．５〜２μｍ程度である。
【００２７】
導電性シード層２の形成に際しては、基板１と導電性シード層２の良好な密着性を得るために、基板１に密着層３を形成してからその上に導電性シード層２を形成することができる。密着層３としては、例えばスパッタ法、蒸着法等のドライ成膜手法で付設したＴａＮやＴｉＮ等の膜を用いることができる。
【００２８】
基板１としては、プリント基板として用いる場合には、ガラスエポキシ（例えば、パナソニック電工製の「ＦＲ−４」）、紙フェノール等の材質を使用することができる。また、ＦＰＤ用基板として用いる場合には、青板ガラスやフロートガラスとして知られるアルカリ含有ガラス（例えば、日本板硝子製の商品名「Ｕ．Ｆ．Ｆ  Ｇｌａｓｓ」）を使用できる。また、ホウケイ酸ガラスとして知られる無アルカリガラス（例えば、コーニング製の商品名「＃７０５９」）等も使用することができる。
【００２９】
次に、導電性シード層２上に通電接点を接触させ、硫酸銅のめっき液中に浸漬し、通電して、図１（ｂ）に示されるように第一の銅膜４ａを成膜する。また、第一の銅膜４ａの成膜後、図１（ｃ）に示されるように、やはり電解めっきにより、第一の銅膜上４ａに第二の銅膜４ｂを成膜し、第一の銅膜４ａと第二の銅膜４ｂとからなる銅膜４を成膜する。この第一の銅膜４ａと第二の銅膜４ｂとからなる銅膜４の成膜は、それぞれ異なる調整状態のめっき液を収容した複数のめっき浴を用いて、複数回に分けて行われる。
【００３０】
第一の銅膜４ａと第二の銅膜４ｂの成膜に用いるめっき液としては、光沢剤及び平滑剤を含んだ硫酸銅のめっき液を用いることができる。このめっき液は、硫酸銅（例えば、日鉱金属製の商品名「ユピノーグ」）、硫酸、塩素、光沢剤、平滑剤を混合して作成することができる。光沢剤とは、一般的には析出を促進する機能で使用されるもので、一般的には硫黄系有機化合物が使用されている。具体的には、例えば、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド、その２ナトリウム塩、３−メルカプトプロピルスルホン酸、そのナトリウム塩、Ｎ，Ｎ−ジメチルジチオカルバミン酸（３−スルホプロピル）エステル、そのナトリウム塩等が使用できる。平滑剤とは、一般的には析出を抑制する機能で使用されるもので、一般的にはポリエーテル化合物等が使用されている。具体的には、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレンオキシド、ポリオキシアルキレングリコール等が使用できる。電解めっきにおいては、凹部の埋込み等のために、光沢剤と平滑剤が併用されるのが通常である。
【００３１】
本例においては、銅膜４を第一の銅膜４ａの成膜（先の回の成膜）と第二の銅膜４ｂの成膜（次の回の成膜）に分けて行うに際し、以下のＡ、Ｂ、Ｃのいずれか一又は二以上の調整を行う。つまり、先の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液と、次の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液として、以下に示すＡ、Ｂ、Ｃのように、光沢剤濃度、平滑剤濃度又は温度が異なるものを用いる。
【００３２】
Ａ：先の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の光沢剤濃度を、次の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の光沢剤濃度より高くする。つまり、第一の銅膜４ａの成膜時のめっき液の光沢剤濃度を、第二の銅膜４ｂの成膜時のめっき液の光沢剤濃度より高くする。
【００３３】
Ｂ：先の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の平滑剤濃度を、次の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の平滑剤濃度より低くする。つまり、第一の銅膜４ａの成膜時のめっき液の平滑剤濃度を、第二の銅膜４ｂの成膜時のめっき液の平滑剤濃度より低くする。
【００３４】
Ｃ：先の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の温度を、次の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の温度より高くする。つまり、第一の銅膜４ａの成膜時のめっき液の温度を、第二の銅膜４ｂの成膜時の電解めっきに用いるめっき液の温度より高くする。
【００３５】
上記Ａ〜Ｃのいずれか一又は二以上の調整を行うことで、後述するエッチング速度が厚さ方向に異なる銅膜４とすることができる。具体的には、先の回に成膜される基板１側の第一の銅膜４ａはエッチング速度が遅く、次の回に成膜される表面側の第二の銅膜４ｂはエッチング速度が速くなる。そして、よりなだらかな側面の順テーパ形状の銅パターン４’［図１（ｅ）参照］を得やすくする上では、次のようにすることが好ましい。即ち、上記Ａの調整においては、先の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の光沢剤濃度を、次の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の光沢剤濃度の２倍以上とすることが好ましい。上記Ｂの調整においては、先の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の平滑剤濃度を、次の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の平滑剤濃度の１／２以下とすることが好ましい。上記Ｃの調整においては、先の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の温度を、次の回の成膜に用いるめっき浴中のめっき液の温度より１０℃以上高くすることが好ましい。また、本例では、銅膜４の成膜を２回に分けているが、３回以上に分けて行うこともできる。
【００３６】
更に、銅膜４の表面にレジストを塗布し、露光現像して、図１（ｄ）に示されるように、所望のレジストパターン５を形成する。レジストは、後に使用するエッチング液に耐性があれば良いが、通常のフォトレジスト（例えば、東京応化製の商品名「ＰＭＥＲ−Ｐ−ＬＡ」）、又はドライフィルム（例えば、旭化成製の商品名「ＳＵＮＦＯＲＴ  ＡＱ−５０３８」）が使用できる。
【００３７】
その後、エッチング液内に浸漬して、図１（ｅ）に示されるように、レジストパターン５に沿った領域以外の銅膜４の不要箇所をエッチング除去し、所望の銅パターン４’を形成する。この時、前記のように、相対的に、第一の銅膜４ａはエッチング速度が遅く第二の銅膜４ｂはエッチング速度が速いので、得られる銅パターン４’の断面形状は順テーパ形状となる。エッチング液としては、塩化銅エッチング液、ＰＡＮ系（リン酸−酢酸−硝酸系）エッチング液（例えば、関東化学製の商品名「ＳＥＡ−１」）、硫酸過酸化水素エッチング液（例えば、日本パーオキサイド製の商品名「ハイエッチャント」）等が使用できる。また、これと同時又は別途行うドライエッチング等により、レジストパターン５に沿った領域以外の領域である不要箇所の導電性シード層２及び密着層３も除去する。
【００３８】
次いで、フォトレジストのレジストパターン５の場合は指定の剥離液（例えば、東京応化製の商品名「剥離液１０４」）、ドライフィルムのレジストパターン５の場合は水酸化ナトリウム溶液にて除去する。そして、図１（ｆ）に示されるように、得られた銅パターン４’上を覆ってカバー層６を設けた場合、銅パターン４’の断面形状が順テーパ形状であることから、カバー層６の良好なカバレッジ性が得られる。この良好なカバレッジ性を得る上で、得られる銅パターン４’の断面における側面と基板表面との交差角（テーパ角）は、７５度以下であることが好ましい。このテーパ角の測定は、銅パターン４’の断面から走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で測定することができる。本発明で形成する銅パターン４’は、配線の他、例えば電極、その他の構成部材として形成することができる。
【００３９】
次に、図２に基づいて本発明に係る銅パターン４’の形成方法の他の例を説明する。なお、図１と同じ符号は同じ構成要素を示し、以下には図１で説明した例との相違点を主に説明する。
【００４０】
図２（ａ）に示される導電性シード層２の付設は図１（ａ）での説明と同様である。
【００４１】
本例では、図２（ｂ）に銅膜４が連続した一つの層として示されているように、銅膜４の成膜を、図１（ｂ），（ｃ）で説明したように複数のめっき浴を用いて複数回に分けて行うのではなく、単一のめっき浴を用いて１回で行う。そして、この成膜に際して、以下のＤ、Ｅ、Ｆのいずれか一又は二以上の調整を行う。
【００４２】
Ｄ：めっき液の光沢剤濃度を、成膜中に段階的又は連続的に下げる。
【００４３】
Ｅ：めっき液の平滑剤濃度を、成膜中に段階的又は連続的に上げる。
【００４４】
Ｆ：めっき液の温度を、成膜中に段階的又は連続的に下げる。
【００４５】
上記Ｄ〜Ｆのいずれか一又は二以上の調整を行うことで、エッチング速度が厚さ方向に段階的又は連続的に変化する銅膜を成膜することができる。Ｄ〜Ｆの一又は二以上を二段階で行うと、エッチング速度の相違する状態が図１の例に近い状態の銅膜４が得られるが、連続的に行うと、エッチング速度が基板１側から表面側へと連続して速くなる銅膜４が得られる。Ｄの調整は、光沢剤濃度が薄いか光沢剤の入っていないめっき液をめっき浴中のめっき液に供給することで行うことができる。Ｅの調整は、平滑剤又は平滑剤濃度の高いめっき液をめっき浴中のめっき液に供給することで行うことができる。Ｆの調整は、めっき浴に温度調節手段（加熱手段及び冷却手段）を設けておくことで行うことができる。Ｄ〜Ｆの調整は、段階的に行っても連続して行ってもよいが、なだらかな側面の順テーパ形状の銅パターン４’［図２（ｄ）参照］が得やすいので、連続的に行うことが好ましい。やはりなだらかな側面の順テーパ形状の銅パターン４’を得やすくする上で、次のようにすることが好ましい。即ち、上記Ｄの調整においては、成膜開始時のめっき液の光沢剤濃度を、成膜完了時のめっき液の光沢剤濃度の２倍以上とすることが好ましい。上記Ｅの調整においては、成膜開始時のめっき液の平滑剤濃度を、成膜完了時のめっき液の平滑剤濃度の１／２以下とすることが好ましい。上記Ｆの調整においては、成膜開始時のめっき液の温度を、成膜完了時のめっき液の温度より１０℃以上高くすることがこのましい。また、Ｄ〜Ｆの調整の中でも、めっき液の繰り返し使用が容易であるので、Ｆの調整が好ましい。
【００４６】
図２（ｃ）に示される図（ｄ）に示されるレジストパターン５の形成、エッチングによる不要箇所の除去による銅パターン４’の形成、図２（ｅ）に示されるカバー層６の形成は、図１（ｄ）〜（ｆ）での説明と同様である。
【００４７】
上記のようにして銅パターン４’を配線として形成した配線基板は、プリント基板、ＦＰＤ用基板、特に液晶表示パネル、フィールドエミッションデイスプレイ、有機ＥＬパネル等に使用することができる。本発明の製造方法で作成した配線基板を、複数の画像形成素子を備える画像表示装置に用いることにより、良好な表示性能を有する画像表示装置を製造することができる。ここで、画像形成素子とは、液晶表示パネルの場合は、液晶表示素子である。フィールドエミッションデイスプレイの場合は、電子放出素子と蛍光体を有するフィールドエミッション表示素子である。有機ＥＬパネルの場合は、有機ＥＬ表示素子である。
【００４８】
図３にフィールドエミッションデイスプレイの一例を模式的に示す。図３において、３１はリアプレート、３２はフェースプレート、３３は枠体である。リアプレート３１の表面には、電解放出形の電位放出素子３４が設けられた基板１が保持されている。また、基板１の表面には、この複数の電子放出素子３４を駆動するために、下配線３５と、この下配線３５と交差方向に設けられた上配線３６とが設けられている。下配線３５と上配線３６はそれぞれ電子放出素子３４に接続された銅配線であり、下配線３５は絶縁層であるカバー層６で覆われていることで、上配線３６と電気的に絶縁されている。フェースプレート３２は、透光性のガラス基板３７と、ガラス基板３７上に設けられた複数の発光部材（蛍光体）３８と、発光部材３８上に積層されたアノード３９とを有している。発光部材３８は、電子放出素子３４から放出された電子の照射を受けて発光するものである。上記リアプレレート３１とフェースプレート３２は、電子放出素子３４等の設置面と、アノード３９等の設置面とを向き合わせ、両者間の周囲に枠体３３を挟み込んで、間隔を開けて対向配置されている。そして、リアプレレート３１、フェースプレート３２及び枠体３３で囲まれて封止された空間内は真空に排気されて、画像表示装置を構成している。また、画像表示装置の大型化に伴って、耐大気圧支持構造であるスペーサ（図示されていない）を、リアプレート３１とフェースプレート３２との間に介在させることもできる。画像表示装置を駆動させる際には、通常、下配線３５に情報信号、上配線３６に走査信号を入力する。これと共に、アノード３９に高電圧を印加して、電子放出素子３４から放出された電子をアノード３９に向けて加速させ、発光部材３８に加速された電子を照射する。これによって所望の発光部材３８を選択的に発光させることで画像を表示する。
【００４９】
図４に示されるように、基板１上に設けられた下配線３５はカバー層６で覆われており、このカバー層６上に上配線３６が設けられている。下配線３５及び上配線３６は、厚い銅配線４となっている一方、下配線３５のカバー層６によるカバレッジ性をよくするために、下配線３５は本発明に係る銅パターン４’の形成方法を用いて形成されている。つまり、少なくとも下配線３５を、前記図１で説明した方法又は図２で説明した方法で形成すると、その後のカバー層６の形成時の良好なカバレッジ性が得られる。従って、下配線３５と上配線３６間の絶縁不良を生じにくく、画像表示装置の製造における歩留まりが向上する。
【実施例】
【００５０】
実施例１
図１で説明した方法で、光沢剤［ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド２ナトリウム塩］濃度を変化させて、銅パターン４’を形成した。まず、縦３００ｍｍ、横３５０ｍｍ、厚さ２．８ｍｍの長方形の青板ガラスの基板１上に、スパッタ装置にて、密着層３としてのＴａＮを１０ｎｍ、導電性シード層２としてのＣｕを１μｍ成膜した［図１（ａ）］。
【００５１】
次に、導電性シード層２上に第一のめっき浴にて電解銅めっきを実施し、５μｍの第一の銅膜４ａを成膜した［図１（ｂ）］。その後、第二のめっき浴にて５μｍの第二の銅膜４ｂを成膜し、第一の銅膜４ａと第二の銅膜４ｂとからなる銅膜４を成膜した［図１（ｃ）］。以下に電解めっき条件を示す。
【００５２】
（１）電解めっき条件
ａ  第一のめっき浴
イ  めっき液の組成（いずれもめっき液１リットル中の含有量）
・硫酸銅：１８０ｇ
・硫酸：９０ｇ
・塩素：５０ｍｇ
・ポリエチレングリコール：０．４ｍｌ
・ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド２ナトリウム塩：１０μｌ
ロ  めっき液の温度：２５℃
ハ  電流密度：２．５Ａ／ｄｍ2
ニ  めっき時間：５５０ｓｅｃ
ｂ）第二のめっき浴
イ  めっき液の組成（いずれもめっき液１リットル中の含有量）
・硫酸銅：１８０ｇ
・硫酸：９０ｇ
・塩素：５０ｍｇ
・ポリエチレングリコール：０．４ｍｌ
・ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド２ナトリウム塩：２μｌ
ロ  めっき液の温度：２５℃
ハ  電流密度：２．５Ａ／ｄｍ2
ニ  めっき時間：５５０ｓｅｃ
【００５３】
以上により、導電性シード層２から成長した厚さ５μｍの第一の銅膜４ａは第二の銅膜４ｂに比してエッチング速度が遅い膜として成膜された。また、この第一の銅膜４ａ上の厚さ５μｍの第二の銅膜４ｂは第一の銅膜４ａに比してエッチング速度が速い膜として成膜された。
【００５４】
その後、上記第一の銅膜４ａと第二の銅膜４ｂからなる銅膜４上にレジストパターン５を形成した［図１（ｄ）］。この際使用したレジストは東京応化製の厚膜ポジレジスト「ＰＭＥＲ  Ｐ−ＬＡ１００」あり、膜厚は５μｍ狙いで以下の条件で塗布、露光、現像を行なった。
【００５５】
（２）レジストパターン形成条件
イ  塗布条件：  スピンコート（１２００ｒｐｍ、４０ｓｅｃ）、５μｍ
ロ  プリベーク：１１０℃、２ｍｉｎ
ハ  露光条件：６００ｍＪ／ｃｍ2
ニ  現像条件
・現像液：ロームアンドハース製「ＭＩＣＲＯＰＯＳＩＴ  ＭＦ−ＣＤ２６  ＤＥＶＥＬＯＰＥＲ
・温度：２３℃
・時間：９５ｓｅｃ
【００５６】
レジストパターン５の形成後のエッチングでは、エッチング液として前述の関東化学製「ＳＥＡ−１」を使用した。エッチング液内に基板を浸漬して８００ｓｅｃのエッチングを行ない、銅パターン４’を得た［図１（ｅ）］。
【００５７】
以上の結果、得られた銅パターン４’の断面におけるテーパー角は約６８度であり、側面の傾斜が緩やかな銅パターン４’が形成できた。
【００５８】
密着層３としてのＴａＮをドライエッチングにて除去した後、さらにレジストパターン５を以下の条件で剥離した。
【００５９】
（３）レジストパターン剥離条件
イ  剥離液：東京応化製「剥離液１０４」
ロ  剥離液温度：５０℃
ハ  処理時間：２５分
【００６０】
その後、カバー層として、銅パターン４’上にスパッタにてＴａＮを２００ｎｍ成膜した。この際に、カバー層６による良好なカバレッジ性が得られた［図１（ｆ）］。
【００６１】
実施例２
図２で説明した方法で、めっき液の温度を連続的に変化させて、図４に示される構造のマトリクス回路として用いられる下配線を銅パターン４’として形成した。
【００６２】
まず、実施例１と同様の基板１上に、実施例１と同様にして、密着層３としてのＴａＮを１０ｎｍ、導電性シード層２としてのＣｕを１μｍ成膜した［図２（ａ）］。
【００６３】
その後、解銅めっきを実施する際に、単一のめっき浴にて、めっき液温度を３５℃から２０℃へと連続的に変化させて、２０μｍの銅膜４を形成した（図２（ｂ））。電解めっき条件は以下の通りである。なお、めっき液の温度プロファイルを図５に示す。
【００６４】
イ  めっき液の組成（いずれもめっき液１リットル中の含有量）
・硫酸銅：８０ｇ
・硫酸：１８０ｇ
・塩素：５０ｍｇ
・ポリエチレングリコール：０．４ｍｌ
・ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド２ナトリウム塩：１．５μｌ
ロ  めっき液の温度：３５℃から２０℃へ連続的に降温（図５参照）
ハ  電流密度：３．０Ａ／ｄｍ2
ニ  めっき時間：１８２０ｓｅｃ
【００６５】
その後、実施例１と同様にしてエッチングを行い、図４に示される下配線３５である銅パターン４’を形成した［図２（ｄ）］。得られた下配線３５（銅パターン４’）のデーパ角は約７４度と緩やかであった。
【００６６】
実施例３
実施例１と同様に、図１で説明した方法で、平滑剤（ポリエチレングリコール）濃度を変化させて、銅パターン４’を形成した。実施例１と同様の基板１を用い、実施例１と同様に密着層３と導電性シード層２を設けた。その後、第一のめっき浴と第二のめっき浴を用い、厚さ１０μｍの第一の銅膜４ａを成膜した後に厚さ１０μｍの第二の銅膜４ｂを成膜し、第一の銅膜４ａと第二の銅膜４ｂとからなる銅膜４を得た。
【００６７】
（１）めっき条件
ａ  第一のめっき浴
イ  めっき液の組成（いずれもめっき液１リットル中の含有量）
・硫酸銅：１８０ｇ
・硫酸：９０ｇ
・塩素：５０ｍｇ
・ポリエチレングリコール：０．１５ｍｌ
・ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド２ナトリウム塩：１μｌ
ロ  めっき液温度：２０℃
ハ  電流密度：３．０Ａ／ｄｍ2
ニ  めっき時間：９１０ｓｅｃ
ｂ）第二のめっき浴
イ  めっき液の組成（いずれもめっき液１リットル中の含有量）
・硫酸銅：１８０ｇ
・硫酸：９０ｇ
・塩素：５０ｍｇ
・ポリエチレングリコール：０．６ｍｌ
・ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド２ナトリウム塩：１μｌ
ロ  めっき液温度：２０℃
ハ  電流密度：３．０Ａ／ｄｍ2
ニ  めっき時間：９１０ｓｅｃ
【００６８】
その後のレジストパターン５の形成及びエッチングは実施例１と同様に行い、銅パターン４’を得た。そのテーパー角は約７３度と緩やかであった。
【００６９】
実施例４
本実施例では、図１で説明した方法を用い、実施例１と同様に第一のめっき浴と第二のめっき浴を使用し平滑剤濃度を変化させ、更に第三のめっき浴も使用して光沢剤濃度も変化させた。第一のめっき浴では厚さ１３μｍの第一の銅膜４ａを形成し、第二のめっき浴では厚さ１３μｍの第二の銅膜４ｂを形成し、更に第三のめっき浴では厚さ１４μｍの第三の銅膜（図示されていない）を形成した。
【００７０】
（１）めっき条件
ａ  第一のめっき浴
イ  めっき液の組成（いずれもめっき液１リットル中の含有量）
・硫酸銅：１８０ｇ
・硫酸：９０ｇ
・塩素：５０ｍｇ
・ポリエチレングリコール：０．１５ｍｌ
・ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド２ナトリウム塩：４μｌ
ロ  めっき液温度：２０℃
ハ  電流密度：３．０Ａ／ｄｍ2
ニ  めっき時間：１１８３ｓｅｃ
ｂ）第二のめっき浴
イ  めっき液の組成（いずれもめっき液１リットル中の含有量）
・硫酸銅：１８０ｇ
・硫酸：９０ｇ
・塩素：５０ｍｇ
・ポリエチレングリコール：０．４ｍｌ
・ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド２ナトリウム塩：４μｌ
ロ  めっき液温度：２０℃
ハ  電流密度：３．０Ａ／ｄｍ2
ニ  めっき時間：１１８３ｓｅｃ
ｃ）第三のめっき浴
イ  めっき液の組成（いずれもめっき液１リットル中の含有量）
・硫酸銅：１８０ｇ
・硫酸：９０ｇ
・塩素：５０ｍｇ
・ポリエチレングリコール：０．４ｍｌ
・ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド２ナトリウム塩：１μｌ
ロ  めっき液温度：２０℃
ハ  電流密度：３．０Ａ／ｄｍ2
ニ  めっき時間：１１８３ｓｅｃ
【００７１】
その後のレジストパターン５の形成及びエッチングは実施例１と同様に行い、銅パターン４’を得た。そのテーパー角は約６５度と緩やかであった。
【００７２】
実施例５
本実施例は、図２で説明した方法の変形例で、実施例２と同様に単一のめっき浴を用い、めっき液の温度を変化させると共に、印加電流密度も変化させで銅パターン４’を形成した。めっき液の温度は、３５℃から２０℃まで連続的に降下させ、厚さ２０μｍの銅膜４を成膜した。また、この温度変化と共に、厚さ１０μｍになるまで（前半）は電流密度２．０Ａ／ｄｍ2にて成膜し、厚さ１０μｍに達してから２０μｍになるまで（後半）は電流密度３．０Ａ／ｄｍ2にて成膜した。
【００７３】
イ  めっき液の組成（いずれもめっき液１リットル中の含有量）
・硫酸銅：８０ｇ
・硫酸：１８０ｇ
・塩素：５０ｍｇ
・ポリエチレングリコール：０．４ｍｌ
・ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド２ナトリウム塩：１．５μｌ
ロ  めっき液の温度：３５℃から２０℃へ連続的に降温（図５参照）
ハ  電流密度
・前半：２．０Ａ／ｄｍ2
・後半：３．０Ａ／ｄｍ2
ニ  めっき時間
・前半：１３６４ｓｅｃ
・後半：９１０ｓｅｃ
【００７４】
その後のレジストパターン５の形成及びエッチングは実施例１と同様に行い、銅パターン４’を得た。そのテーパー角は約６８度と緩やかであった。
【００７５】
比較例
以下のめっき条件の単一のめっき浴を用いた以外は実施例１と同様にして２０μｍの銅膜を成膜した。
【００７６】
イ  めっき液の組成（いずれもめっき液１リットル中の含有量）
・硫酸銅：８０ｇ
・硫酸：１８０ｇ
・塩素：５０ｍｇ
・ポリエチレングリコール：０．４ｍｌ
・ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド２ナトリウム塩：２μｌ
ロ  めっき液の温度：２５℃
ハ  電流密度：３．０Ａ／ｄｍ2
ニ  めっき時間：１８２０ｓｅｃ
【００７７】
その後のレジストパターンの形成及びエッチングは実施例１と同様に行い、銅パターンを得た。そのテーパー角は約８２度と急峻であり、良好なカバレッジが得にくいものであった。
【符号の説明】
【００７８】
１：基板、２：導電性シード層、３：密着層、４ａ：第一の銅膜、４ｂ：第二の銅膜、４：銅膜、５：レジストパターン、６：カバー層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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