(57)【要約】【課題】隣接および遠隔トラック干渉をリフレッシュするためのシールド構造を有するライタを提供する。【解決手段】一実施形態において、データ保存システムが、主磁極とそのＡＢＳにおいて主磁極の回りに配置されるラップアラウンドシールドとを有する磁気ヘッドと、磁気媒体と、磁気媒体を磁気ヘッドの上部に通過させるための駆動機構と、磁気ヘッドの操作を制御するために磁気ヘッドに電気的に連結される制御機構であって、磁気媒体の記録トラックに印加される記録磁界が限界値を超えるとその記録トラックの情報の再書き込みを開始する制御機構とを含む。【選択図】図１
2012252776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主磁極と、
その空気ベアリング面（ａｉｒ  ｂｅａｒｉｎｇ  ｓｕｒｆａｃｅ：ＡＢＳ）の近傍において前記主磁極の回りに配置されるラップアラウンドシールド（ｗｒａｐ  ａｒｏｕｎｄ  ｓｈｉｅｌｄ：ＷＡＳ）であって、前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳのクロストラック方向の最大幅が、前記クロストラック方向に測定される所定のリスク範囲よりも狭いＷＡＳと、
磁気媒体の記録トラックに印加される記録磁界が限界値を超えると前記記録トラックの情報の再書き込みを開始する機構と、
を含むデータ保存システム。
【請求項２】
前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの前記クロストラック方向の幅が、ダウントラックの方向における前記主磁極のトレーリングエッジに合致する位置において最大になる、請求項１に記載のデータ保存システム。
【請求項３】
前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳが、前記ＷＡＳのリーディングエッジおよびトレーリングエッジの方位の前記クロストラック方向に平行な２長辺によって画定される六角形の形状を有する、請求項２に記載のデータ保存システム。
【請求項４】
前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの各リーディング角（かど）部が、前記クロストラック方向において、前記ＷＡＳの側部よりも、ＬＬ＊ｔａｎθに等しい量だけ前記主磁極に近い位置にあり、この場合、ＬＬは、前記主磁極の前記トレーリングエッジと前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳのリーディングエッジとの間の距離であり、θは、前記主磁極の前記トレーリングエッジの中心を前記ダウントラックの方向に通る線と、前記主磁極の前記トレーリングエッジの中心および前記主磁極のリーディングエッジの中心を通る線との間のスキュー角である、請求項２に記載のデータ保存システム。
【請求項５】
トレーリング側で前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの各トレーリング角部が、前記クロストラック方向において、前記ＷＡＳの側部よりも、ＬＴ＊ｔａｎθに等しい量だけ前記主磁極に近い位置にあり、この場合、ＬＴは、前記主磁極の前記トレーリングエッジと前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳのトレーリングエッジとの間の距離であり、θは、前記主磁極の前記トレーリングエッジの中心を前記ダウントラックの方向に通る線と、前記主磁極の前記トレーリングエッジの中心および前記主磁極のリーディングエッジの中心を通る線との間のスキュー角である、請求項２に記載のデータ保存システム。
【請求項６】
前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの各リーディング角部が、前記クロストラック方向において、前記ＷＡＳの側部よりも、ＬＬ＊ｔａｎθに等しい量だけ前記主磁極に近い位置にあり、この場合、ＬＬは、前記主磁極の前記トレーリングエッジと前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳのリーディングエッジとの間の距離であり、θは、前記主磁極の前記トレーリングエッジの中心を前記ダウントラックの方向に通る線と、前記主磁極の前記トレーリングエッジの中心および前記主磁極のリーディングエッジの中心を通る線との間のスキュー角である、請求項５に記載のデータ保存システム。
【請求項７】
前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの前記トレーリングエッジの幅（Ｗ２）と、前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの前記主磁極の前記トレーリングエッジにおける幅（Ｗ１）とが、Ｗ２＜Ｗ１−２（ＬＴ＊ｔａｎθ）の関係を満たす、請求項６に記載のデータ保存システム。
【請求項８】
前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの前記リーディングエッジの幅（Ｗ３）と、前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの前記主磁極の前記トレーリングエッジにおける幅（Ｗ１）とが、Ｗ３＜Ｗ１−２（ＬＬ＊ｔａｎθ）の関係を満たす、請求項６に記載のデータ保存システム。
【請求項９】
前記ＡＢＳにおいて露出される前記主磁極の面積（ＭＰｓ）と、前記主磁極の飽和磁束（ＭＰｂｓ）と、前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの面積（ＷＡＳｓ）と、前記ＷＡＳの飽和磁束（ＷＡＳｂｓ）とが、ＭＰｓ＊ＭＰｂｓ＜ＷＡＳｓ＊ＷＡＳｂｓの関係を満たす、請求項１に記載のデータ保存システム。
【請求項１０】
前記ＡＢＳにおいて露出されない前記ＷＡＳの後退部分が、前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの部分から徐々に離れるようにテーパ化されるか、あるいは、その部分から離れるようにステップ化される、請求項１に記載のデータ保存システム。
【請求項１１】
前記磁気媒体と、
前記磁気媒体を前記主磁極の上部に通過させるための駆動機構と、
をさらに含む、請求項１に記載のデータ保存システム。
【請求項１２】
主磁極、および、
その空気ベアリング面（ＡＢＳ）において前記主磁極の回りに配置されるラップアラウンドシールド（ＷＡＳ）であって、前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳのクロストラック方向の最大幅が、前記クロストラック方向に測定される所定のリスク範囲よりも狭いＷＡＳ、
を含む磁気ヘッドと、
磁気媒体と、
前記磁気媒体を前記磁気ヘッドの上部に通過させるための駆動機構と、
前記磁気ヘッドの操作を制御するために前記磁気ヘッドに電気的に連結される制御機構であって、前記磁気媒体の記録トラックに印加される記録磁界が限界値を超えると前記記録トラックの情報の再書き込みを開始する制御機構と、
を含むデータ保存システム。
【請求項１３】
前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの前記クロストラック方向の幅が、ダウントラックの方向における前記主磁極のトレーリングエッジに合致する位置において最大になる、請求項１２に記載のデータ保存システム。
【請求項１４】
前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳが、前記ＷＡＳのリーディングエッジおよびトレーリングエッジの方位の前記クロストラック方向に平行な２長辺によって画定される六角形の形状を有する、請求項１３に記載のデータ保存システム。
【請求項１５】
前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの各リーディング角部が、前記クロストラック方向において、前記ＷＡＳの側部よりも、ＬＬ＊ｔａｎθに等しい量だけ前記主磁極に近い位置にあり、この場合、ＬＬは、前記主磁極のトレーリングエッジと前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳのリーディングエッジとの間の距離であり、θは、前記主磁極のトレーリングエッジの中心を前記ダウントラックの方向に通る線と、前記主磁極の前記トレーリングエッジの中心および前記主磁極のリーディングエッジの中心を通る線との間のスキュー角である、請求項１３に記載のデータ保存システム。
【請求項１６】
トレーリング側で前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの各トレーリング角部が、前記クロストラック方向において、前記ＷＡＳの側部よりも、ＬＴ＊ｔａｎθに等しい量だけ前記主磁極に近い位置にあり、この場合、ＬＴは、前記主磁極の前記トレーリングエッジと前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳのトレーリングエッジとの間の距離であり、θは、前記主磁極の前記トレーリングエッジの中心を前記ダウントラックの方向に通る線と、前記主磁極の前記トレーリングエッジの中心および前記主磁極のリーディングエッジの中心を通る線との間のスキュー角である、請求項１３に記載のデータ保存システム。
【請求項１７】
前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの各リーディング角部が、前記クロストラック方向において、前記ＷＡＳの側部よりも、ＬＬ＊ｔａｎθに等しい量だけ前記主磁極に近い位置にあり、この場合、ＬＬは、前記主磁極の前記トレーリングエッジと前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳのリーディングエッジとの間の距離であり、θは、前記主磁極の前記トレーリングエッジの中心を前記ダウントラックの方向に通る線と、前記主磁極のトレーリングエッジの中心および前記主磁極のリーディングエッジの中心を通る線との間のスキュー角である、請求項１６に記載のデータ保存システム。
【請求項１８】
前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの前記トレーリングエッジの幅（Ｗ２）と、前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの前記主磁極の前記トレーリングエッジにおける幅（Ｗ１）とが、Ｗ２＜Ｗ１−２（ＬＴ＊ｔａｎθ）の関係を満たす、請求項１７に記載のデータ保存システム。
【請求項１９】
前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの前記リーディングエッジの幅（Ｗ３）と、前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの前記主磁極の前記トレーリングエッジにおける幅（Ｗ１）とが、Ｗ３＜Ｗ１−２（ＬＬ＊ｔａｎθ）の関係を満たす、請求項１７に記載のデータ保存システム。
【請求項２０】
前記ＡＢＳにおいて露出される前記主磁極の面積（ＭＰｓ）と、前記主磁極の飽和磁束（ＭＰｂｓ）と、前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの面積（ＷＡＳｓ）と、前記ＷＡＳの飽和磁束（ＷＡＳｂｓ）とが、ＭＰｓ＊ＭＰｂｓ＜ＷＡＳｓ＊ＷＡＳｂｓの関係を満たす、請求項１２に記載のデータ保存システム。
【請求項２１】
前記ＡＢＳにおいて露出されない前記ＷＡＳの後退部分が、前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳの部分から徐々に離れるようにテーパ化されるか、あるいは、その部分から離れるようにステップ化される、請求項１２に記載のデータ保存システム。
【請求項２２】
データを磁気媒体に保存する方法であって、
磁気ヘッドを用いてデータを磁気媒体の第１トラックに書き込むステップと、
データの劣化と整合する特性を、前記第１トラックに隣接するトラックおよび前記第１トラックから離れた遠隔トラックから制御機構を用いて決定するステップと、
隣接トラック干渉（ＡＴＩ）および／または遠隔トラック干渉（ＦＴＩ）のために劣化していると決定されたトラックにデータを再書き込みするステップと、
を含み、
その場合、前記磁気ヘッドは、
主磁極と、
その空気ベアリング面（ＡＢＳ）において前記主磁極の回りに配置されるラップアラウンドシールド（ＷＡＳ）と、
を含み、さらに、前記ＡＢＳにおいて露出される前記ＷＡＳのクロストラック方向の最大幅が、前記クロストラック方向に測定される所定のリスク範囲よりも狭く、
さらにまた、前記制御機構は、前記磁気ヘッドの操作を制御するために前記磁気ヘッドに電気的に連結され、前記磁気媒体の記録トラックに印加される記録磁界が限界値を超えると前記記録トラックの情報の再書き込みを開始する、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録ヘッドに関し、さらに具体的には、隣接および遠隔トラック干渉をリフレッシュし得るシールド構造を備えたライタを有する磁気記録ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（Ｈａｒｄ  ｄｉｓｋ  ｄｒｉｖｅ：ＨＤＤ）はデジタル情報保存の分野において突出した大量保存媒体になっている。主磁極の周囲環境に対する磁界勾配を増大するために、ラップアラウンドシールド（ｗｒａｐ  ａｒｏｕｎｄ  ｓｈｉｅｌｄ：ＷＡＳ）が垂直磁気記録において用いられる。軟磁性の下地層およびＷＡＳを備えた単一主磁極を有する垂直ライタは、磁気記録媒体の記録層の中に、高い磁気勾配を有する強力な記録磁界を発生させることができる。
【０００３】
しかし、書き込まれるトラックの隣接トラックが受ける記録磁界の強さは、高いトラック密度（ＴＰＩ）を有する磁気媒体の使用と共に増大する。その結果、書き込まれるトラックの隣接トラックは削除されるかあるいは劣化する。これは、隣接トラック干渉（ａｄｊａｃｅｎｔ  ｔｒａｃｋ  ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ：ＡＴＩ）と呼称される。現代の磁気記録システムにおいては、磁界の強さが増大し続けているので、ＡＴＩは非常に大きな問題になりつつある。
【０００４】
さらに、書き込まれたデータが削除されることがあり得る、しかもその削除が隣接トラックにおいて生起するのではなく、遠隔トラックにおいて生起するという別の問題が存在する。これは、遠隔トラック干渉（ｆａｒ  ｔｒａｃｋ  ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ：ＦＴＩ）と呼称される。
【０００５】
これらの問題は、ＷＡＳの軟磁性層から形成される磁区であって、それからの開放磁界に基づく磁区から生じる可能性がある。図９は、ＦＴＩによってもたらされる誤差率としての劣化の量を示す。水平軸はトラックの幅方向の位置を表し、垂直軸は、ＦＴＩによる誤差率としての劣化の量を示している。図９に示されるように、誤差率としての劣化の量はクロストラック方向の中心位置からの距離に対して増大している。
【０００６】
磁気ディスク装置における高密度を達成するために、通常、垂直磁気記録システムが用いられる。このシステムにおいては、主磁極回りの磁界勾配を増大するために、ＷＡＳが磁気記録ヘッドに用いられる。この構成は、データ書き込み用として磁気媒体の記録層に印加し得る急峻な勾配を備えた強力な記録磁界を生成するという特徴を有する。
【０００７】
しかし、記録密度を高めることによって高いトラック密度（ＴＰＩ）を達成することはできるが、これによって、隣接トラックに印加される記録磁界の強さが大きくなるという結果がもたらされ、ＡＴＩによる隣接トラックの消去の問題が悪化する。また、データの消去が隣接トラックにおいてのみ生起するのではなく、ＦＴＩによって、数トラック離れたトラックにおいても生起するという問題が生じる。これは、ＷＡＳの軟磁性膜によって形成される磁区から生成される磁界の漏洩によるものであると信じられている。図９は、典型的なＦＴＩによって作出される誤差率としての劣化の量を示す。水平軸はトラックの幅方向の位置を表し、垂直軸は、ＦＴＩによって作出される誤差率としての劣化の量を示している。書き込まれているトラックから数トラックはなれたトラックにおいても、かなりの量の誤差率としての劣化が存在することが分かる。
【０００８】
ＡＴＩおよびＦＴＩの影響に対する対策として、いくつかのシステム（本明細書においては「リフレッシュシステム（ｒｅｆｒｅｓｈｍｅｎｔ  ｓｙｓｔｅｍ）」と呼称する）が開発されたが、このシステムは、ＨＤＤ上の任意の所与のトラックに関して、ヘッドが通過した位置とヘッドが通過する回数とに関する情報を保存すると共に、この回数および位置を考慮して、ヘッドが少なくとも固定された回数通過する（記録する）ごとに対応するトラックにデータを再記録するためのものである。実際には、ヘッドが通過する（記録する）位置に関する情報の量は、メモリなどに関する制限のために制約される。この技術を適用し得る範囲は、トラックの個数およびトラックのピッチの点から決定される。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一実施形態において、データ保存システムが、主磁極と、その空気ベアリング面（ａｉｒ  ｂｅａｒｉｎｇ  ｓｕｒｆａｃｅ：ＡＢＳ）の近傍において主磁極の回りに配置されるラップアラウンドシールド（ＷＡＳ）であって、ＡＢＳにおいて露出されるＷＡＳのクロストラック方向の最大幅が、クロストラック方向に測定される所定のリスク範囲よりも狭いＷＡＳと、磁気媒体の記録トラックに印加される記録磁界が限界値を超えるとその記録トラックの情報の再書き込みを開始する機構とを含む。
【００１０】
別の実施形態において、データ保存システムが、主磁極とそのＡＢＳにおいて主磁極の回りに配置されるＷＡＳとを含む磁気ヘッドであって、ＡＢＳにおいて露出されるＷＡＳのクロストラック方向の最大幅が、クロストラック方向に測定される所定のリスク範囲よりも狭い磁気ヘッドと、磁気媒体と、磁気媒体を磁気ヘッドの上部に通過させるための駆動機構と、磁気ヘッドの操作を制御するために磁気ヘッドに電気的に連結される制御機構であって、磁気媒体の記録トラックに印加される記録磁界が限界値を超えるとその記録トラックの情報の再書き込みを開始する制御機構とを含む。
【００１１】
さらに別の実施形態において、データを磁気媒体に保存する方法が、磁気ヘッドを用いてデータを磁気媒体の第１トラックに書き込むステップと、データの劣化と整合する特性を、第１トラックに隣接するトラックおよび第１トラックから離れた遠隔トラックから制御機構を用いて決定するステップと、隣接トラック干渉（ＡＴＩ）および／または遠隔トラック干渉（ＦＴＩ）のために劣化していると決定されたトラックにデータを再書き込みするステップとを含み、その場合、磁気ヘッドは、主磁極とそのＡＢＳにおいて主磁極の回りに配置されるＷＡＳとを含み、さらに、ＡＢＳにおいて露出されるＷＡＳのクロストラック方向の最大幅が、クロストラック方向に測定される所定のリスク範囲よりも狭く、さらにまた、制御機構は、磁気ヘッドの操作を制御するために磁気ヘッドに電気的に連結され、磁気媒体の記録トラックに印加される記録磁界が限界値を超えると、その記録トラックの情報の再書き込みを開始する。
【００１２】
本発明の他の態様および利点は以下の詳細説明から明らかになるであろう。以下の説明は、図面に関連付けて行われる場合、本発明の原理を事例として表現するものである。
【００１３】
本発明の本質的特性および利点と好ましい使用モードとを完全に理解するために、添付の図面に関連付けて読まれる以下の詳細説明が参照されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】一実施形態による磁気記録ディスクドライブシステムの簡略図である。
【図２Ａ】面内記録フォーマットを用いる記録媒体の断面の模式図である。
【図２Ｂ】図２Ａのような面内記録用の従来型の磁気記録ヘッドおよび記録媒体の組合せの模式図である。
【図２Ｃ】垂直記録フォーマットを用いる磁気記録媒体を示す。
【図２Ｄ】片面における垂直記録用の記録ヘッドおよび記録媒体の組合せの模式図である。
【図２Ｅ】媒体の両面における別個の記録用として構成される記録装置の模式図である。
【図３Ａ】らせんコイルを含む垂直磁気ヘッドの特定の一実施形態の断面図である。
【図３Ｂ】らせんコイルを含むピギーバック式磁気ヘッドの特定の一実施形態の断面図である。
【図４Ａ】環状コイルを含む垂直磁気ヘッドの特定の一実施形態の断面図である。
【図４Ｂ】環状コイルを含むピギーバック式磁気ヘッドの特定の一実施形態の断面図である。
【図５Ａ】一実施形態による磁気ヘッドの空気ベアリング面（ＡＢＳ）の模式図を示す。
【図５Ｂ】一実施形態による磁気ヘッドのＡＢＳ側の模式図を示す。
【図５Ｃ】一実施形態による、スキュー角θに配向された磁気ヘッドのＡＢＳ側の模式図を示す。
【図５Ｄ】一実施形態による磁気ヘッドのＡＢＳ側の模式図を示す。
【図５Ｅ】一実施形態による、スキュー角θに配向された磁気ヘッドのＡＢＳ側の模式図を示す。
【図５Ｆ】一実施形態による、スキュー角θに配向された磁気ヘッドのＡＢＳ側の模式図を示す。
【図６Ａ】一実施形態によるテーパ化磁気ヘッドの断面模式図を示す。
【図６Ｂ】一実施形態によるステップ型磁気ヘッドの断面模式図を示す。
【図７】一実施形態による磁気ヘッドのＡＢＳの断面模式図を示す。
【図８】一実施形態による、磁気媒体へのデータの書き込み方法のフローチャートである。
【図９】先行技術による、磁気ヘッドのクロストラック方向の位置と誤差率との間の関係を表現するグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下の記述は、本発明の一般的原理を例示する目的でなされるものであり、本明細書において特許請求される発明概念の制限を意味するものではない。さらに、本明細書において記述される特定の特徴は、記述される他の特徴と、種々の可能な組合せおよび順列において組み合わせて用いることができる。
【００１６】
すべての用語は、本明細書において具体的に他の語義に規定されない限り、本明細書から示唆される意味、並びに当業者が理解する意味および／または辞書、論文などに規定される意味を含む、可能な最も広義の解釈が付与されるものとする。
【００１７】
また、本明細書および添付の特許請求の範囲において用いられる単数形の「ａ」、「ａｎ」および「ｔｈｅ」は、複数を含まない旨規定されない限り、複数の指示対象を含むことを注記しなければならない。
【００１８】
いくつかのリフレッシュシステムが開発されてきたが、その使用には問題があり、この問題に、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）上の任意の所与のトラックに関して、ヘッドが通過した位置とヘッドが通過する回数とに関する保存可能な情報の量が制限されることが含まれる。一実施形態において、記録ヘッド構造と、その磁気ヘッドを用いる磁気ディスク装置とが提供され、それによって、垂直磁気記録における隣接トラック干渉（ＡＴＩ）および／または遠隔トラック干渉（ＦＴＩ）のリスクが、リフレッシュシステムに用いられるメモリの量を増大することなく低減される。
【００１９】
好ましいいくつかの実施形態によれば、本明細書に記述される技術を用いて、次のようなＨＤＤを提供することができる。すなわち、情報記録の間にヘッドが通過した位置に応じてメモリ使用量を増大することなくリフレッシュシステムを実施し得るＨＤＤであり、さらに、同時に実現される低ＡＴＩ／ＦＴＩまたはゼロＡＴＩ／ＦＴＩによる高い信頼性を呈するＨＤＤである。
【００２０】
一般的な一実施形態において、データ保存システムが、主磁極と、その空気ベアリング面（ＡＢＳ）の近傍において主磁極の回りに配置されるラップアラウンドシールド（ＷＡＳ）であって、ＡＢＳにおいて露出されるＷＡＳのクロストラック方向の最大幅が、クロストラック方向に測定される所定のリスク範囲よりも狭いＷＡＳと、磁気媒体の記録トラックに印加される記録磁界が限界値を超えるとその記録トラックの情報の再書き込みを開始する機構とを含む。
【００２１】
別の一般的な実施形態において、データ保存システムが、主磁極とそのＡＢＳにおいて主磁極の回りに配置されるＷＡＳとを含む磁気ヘッドであって、ＡＢＳにおいて露出されるＷＡＳのクロストラック方向の最大幅が、クロストラック方向に測定される所定のリスク範囲よりも狭い磁気ヘッドと、磁気媒体と、磁気媒体を磁気ヘッドの上部に通過させるための駆動機構と、磁気ヘッドの操作を制御するために磁気ヘッドに電気的に連結される制御機構であって、磁気媒体の記録トラックに印加される記録磁界が限界値を超えるとその記録トラックの情報の再書き込みを開始する制御機構とを含む。
【００２２】
さらに別の一般的な実施形態において、データを磁気媒体に保存する方法が、磁気ヘッドを用いてデータを磁気媒体の第１トラックに書き込むステップと、データの劣化と整合する特性を、第１トラックに隣接するトラックおよび第１トラックから離れた遠隔トラックから制御機構を用いて決定するステップと、ＡＴＩおよび／またはＦＴＩのために劣化していると決定されたトラックにデータを再書き込みするステップとを含み、その場合、磁気ヘッドは、主磁極とそのＡＢＳにおいて主磁極の回りに配置されるＷＡＳとを含み、さらに、ＡＢＳにおいて露出されるＷＡＳのクロストラック方向の最大幅が、クロストラック方向に測定される所定のリスク範囲よりも狭く、さらにまた、制御機構は、磁気ヘッドの操作を制御するために磁気ヘッドに電気的に連結され、磁気媒体の記録トラックに印加される記録磁界が限界値を超えると、その記録トラックの情報の再書き込みを開始する。
【００２３】
ここで、図面を参照すると、図１において、本発明の一実施形態によるディスクドライブ１００が示されている。図１に示すように、少なくとも１つの回転可能な磁気ディスク１１２が、スピンドル１１４上に支持され、ディスク駆動モータ１１８によって回転される。各ディスク上における磁気記録は、通常、磁気ディスク１１２上の同心のデータトラック（図示せず）の環状のパターンの形態で行われる。
【００２４】
磁気ディスク１１２の近傍に少なくとも１つのスライダ１１３が配置され、各スライダ１１３は１つ以上の読み取り／書き込み可能な磁気ヘッド１２１を支持している。ディスクが回転すると、スライダ１１３がディスク表面１２２上を半径方向の内側および外側に動き、それによって、磁気ヘッド１２１が、所要のデータが記録されているおよび／または書き込まれるべきディスクの異なるトラックにアクセスすることができる。各スライダ１１３は、サスペンション１１５を介してアクチュエータアーム１１９に取り付けられる。サスペンション１１５は、スライダ１１３をディスク表面１２２に対して付勢する僅かなバネ力を提供する。各アクチュエータアーム１１９はアクチュエータ１２７に取り付けられ、アクチュエータ１２７は、図１に示すようにボイスコイルモータ（ｖｏｉｃｅ  ｃｏｉｌ  ｍｏｔｏｒ：ＶＣＭ）とすることができる。ＶＣＭは、固定磁界内部において可動なコイルを含み、そのコイルの動きの方向および速度は、制御ユニット１２９から供給されるモータ電流信号によって制御される。
【００２５】
ディスク保存システムの運転中、磁気ディスク１１２の回転によって、スライダ１１３とディスク表面１２２との間に空気ベアリングが生成され、これはスライダに上向きの力または揚力を及ぼす。すなわち、空気ベアリングはサスペンション１１５の僅かなバネ力につり合い、正常運転の間、スライダ１１３を、ディスクの表面上に、微小なほぼ一定の間隔だけ僅かに離して支持する。いくつかの実施形態においては、スライダ１１３はディスク表面１２２に沿って摺動することができることに留意されたい。
【００２６】
ディスク保存システムの種々の構成要素は、運転において、アクセス制御信号および内部クロック信号のような、制御ユニット１２９が発生する制御信号によって制御される。通常、制御ユニット１２９は、論理制御回路、保存装置（例えばメモリ）およびマイクロプロセッサを含む。制御ユニット１２９は、ライン１２３上の駆動モータ制御信号、およびライン１２８上のヘッド位置およびシーク制御信号のような、種々のシステム操作を制御するための制御信号を発生する。ライン１２８上の制御信号は、スライダ１１３を、磁気ディスク１１２上の所要のデータトラックに最適に動かしかつ位置決めする所要の電流プロフィルを提供する。読み取りおよび書き込み信号は、記録チャンネル１２５を介して読み取り／書き込み可能な磁気ヘッド１２１と連絡される。
【００２７】
典型的な磁気ディスク保存システムに関する上記の記述および添付の図１の表現は、説明目的用のみのものである。ディスク保存システムが多数のディスクおよびアクチュエータを含むことができ、各アクチュエータが相応数のスライダを支持し得ることが明らかになるべきである。
【００２８】
また、データを送受するために、かつ、ディスクドライブの操作を制御し、ディスクドライブの状態をホストに通信するために、ディスクドライブとホスト（統合型または外部型）との間の通信用としてインタフェースを設けることも可能であるが、これらはすべて当業者に理解されるところであろう。
【００２９】
典型的なヘッドにおいては、インダクティブ書き込みヘッドが、１つ以上の絶縁層（絶縁積層体）の中に埋入されたコイル層を含み、その絶縁積層体は第１および第２磁極片層の間に配置される。第１および第２磁極片層の間には、書き込みヘッドのＡＢＳにおける間隙層によって間隙が形成される。磁極片層は背面間隙において連結することができる。電流がコイル層を通して導かれ、この電流が磁極片内に磁界を生成する。磁界は、磁界情報のビットを、例えば回転磁気ディスク上の円形トラックのような動く媒体上のトラックに書き込む目的でＡＢＳにおける間隙と交差して縁取る。
【００３０】
第２磁極片層は、ＡＢＳからフレア点に延びる磁極先端部分と、フレア点から背面間隙に延びるヨーク部分とを有する。フレア点は、第２磁極片がヨークを形成するように拡幅（フレア）し始める位置である。フレア点の位置設定は、記録媒体に情報を書き込むために生成される磁界の大きさに直接影響を及ぼす。
【００３１】
図２Ａは、図１に示すような磁気ディスク記録システムにおいて用いられる従来型の記録媒体を模式的に示す。この媒体は、磁気インパルスを媒体そのものの平面内に、あるいはそれに平行に記録するために用いられる。記録媒体、この例では記録ディスクは、基本的に、ガラスのような適切な非磁性材料の支持基板２００であって、適切な従来型の磁気層の上層被膜２０２を含む支持基板２００を有する。
【００３２】
図２Ｂは、好ましくは薄膜ヘッドとすることができる従来型の記録／再生ヘッド２０４と、例えば図２Ａのような従来型の記録媒体との間の操作上の関係を示す。
【００３３】
図２Ｃは、図１に示すような磁気ディスク記録システムにおいて用いられる記録媒体の表面に実質的に垂直な磁気インパルスの方位を模式的に示す。このような垂直記録の場合は、媒体は、通常、高い透磁率を有する材料の下地層２１２を含む。この場合、この下地層２１２には、好ましくは下地層２１２に比べて高い飽和保磁力を有する磁性材料の上層被膜２１４が被覆される。
【００３４】
図２Ｄは、垂直ヘッド２１８および記録媒体の間の操作上の関係を表している。図２Ｄに表現される記録媒体は、高い透磁率の下地層２１２と、上記の図２Ｃに関して述べた磁性材料の上層被膜２１４との両者を含む。しかし、これらの下地層２１２および上層被膜２１４の両者は適切な基板２１６に被覆するように示されている。通常、下地層２１２および上層被膜２１４の間には、「交換ブレーク（ｅｘｃｈａｎｇｅ−ｂｒｅａｋ）層」または「中間層（ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ）」と呼称される付加層も存在する（図示せず）。
【００３５】
この構造においては、垂直ヘッド２１８の磁極間に延びる磁力線は、記録媒体の高透磁率の下地層２１２を含む記録媒体の上層被膜２１４の中に回り込みそれから出て閉ループを形成する。これによって、磁力線は、上層被膜２１４を、媒体の表面に概略的に垂直な方向に通過し、好ましくは下地層２１２に比べて高い飽和保磁力を有する磁性材料の上層被膜２１４の中に、情報を、媒体の表面に実質的に垂直な磁化軸を有する磁気インパルスの形態において記録する。磁束は、軟磁性の下地被膜２１２によってチャンネル化され、垂直ヘッド２１８の戻り層（Ｐ１）に戻される。
【００３６】
図２Ｅは同様の構造を示すが、この構造においては、基板２１６が、その両面のそれぞれに下地層２１２および上層被膜２１４を担持しており、適切な記録用の垂直ヘッド２１８が、媒体のそれぞれの側の磁気被膜（上層被膜２１４）の外面に隣接して配置され、これによって、媒体のそれぞれの側における記録が可能になる。
【００３７】
図３Ａは垂直磁気ヘッドの断面図である。図３Ａにおいては、ステッチ磁極３０８に磁束を生成するためにらせんコイル３１０および３１２が用いられ、続いて、ステッチ磁極３０８が、その磁束を主磁極３０６に送る。らせんコイル３１０は紙面から延出するコイルを示し、コイル３１２は紙面の中に延び込むコイルを示す。ステッチ磁極３０８はＡＢＳ３１８から後退して配置することができる。絶縁体３１６がコイルを囲繞しており、いくつかの要素を支持することができる。構造の右側に矢印で示す媒体の移動方向によって、媒体が、最初に下部戻り磁極３１４を通過し、続いて、ステッチ磁極３０８、主磁極３０６、ラップアラウンドシールド（図示せず）に接続することができるトレーリングシールド３０４を通過し、最後に上部戻り磁極３０２を通過するように動かされる。これらの構成要素のそれぞれは、ＡＢＳ３１８と接触する部分を有することができる。ＡＢＳ３１８は構造の右側を横断するように指示されている。
【００３８】
垂直書き込みは、磁束を、ステッチ磁極３０８を通って主磁極３０６の中に、続いてＡＢＳ３１８に向かって配置されるディスクの表面に導くことによって達成される。
【００３９】
図３Ｂは、図３Ａのヘッドに類似の特徴を有するピギーバック式の磁気ヘッドを示す。トレーリングシールド３０４及び下部戻り磁極３１４が、ステッチ磁極３０８および主磁極３０６の側面に位置している。センサーシールド３２２、３２４も示されている。センサー３２６は、通常、センサーシールド３２２、３２４の間に配置される。
【００４０】
図４Ａは、ステッチ磁極４０８に磁束を供給するために、時にパンケーキ構成と呼称される環状コイル４１０を使用する一実施形態の模式図である。ステッチ磁極は、続いてこの磁束を主磁極４０６に供給する。この方位においては、下部戻り磁極はオプションである。絶縁体４１６が環状コイル４１０を囲繞しており、ステッチ磁極４０８および主磁極４０６を支持することができる。ステッチ磁極はＡＢＳ４１８から後退して配置することができる。構造の右側に矢印で示す媒体の移動方向によって、媒体が、ステッチ磁極４０８、主磁極４０６、ラップアラウンドシールド（図示せず）に接続することができるトレーリングシールド４０４を通過し、最後に上部戻り磁極４０２を通過するように動かされる（これらの要素のすべては、ＡＢＳ４１８と接触する部分を有しても有しなくてもよい）。ＡＢＳ４１８は構造の右側を横断するように指示されている。いくつかの実施形態においては、トレーリングシールド４０４が主磁極４０６と接触することができる。
【００４１】
図４Ｂは、図４Ａのヘッドに類似の特徴を有する別のタイプのピギーバック式磁気ヘッドを示す。このヘッドは、巻き付いてパンケーキコイルを形成する環状コイル４１０を含む。センサーシールド４２２、４２４も示されている。センサー４２６は、通常、センサーシールド４２２、４２４の間に配置される。
【００４２】
図３Ｂおよび４Ｂにおいては、磁気ヘッドの非ＡＢＳ側の近傍にオプションのヒータが示されている。図３Ａおよび４Ａに示す磁気ヘッドもヒータ（Ｈｅａｔｅｒ）を含むことができる。このヒータの位置は、突き出ることが望ましい場所、周囲の層の熱膨張係数などのような設計パラメータに基づいて変化することがあり得る。
【００４３】
一実施形態に従って、ＷＡＳ５００を含む磁気ヘッドのＡＢＳ側からの模式的表現が図５Ａに示される。図示のように、磁気ヘッドは、間隙５０６によって囲繞される主磁極５０８と、ＷＡＳ５００とを含む。このＷＡＳ５００は、後退領域５０２およびＡＢＳ露出領域５０４を有することを特徴とするが、その後退領域５０２は、リスク範囲５１０の外側においてＡＢＳから後退しており、ＡＢＳ露出領域５０４は、露出領域５０４のクロストラック方向の最大エッジ幅Ｗ１に沿うリスク範囲５１０内部のＡＢＳにおいて露出される。図５Ａに示されるように、かつＷＡＳを用いる典型的な磁気ヘッドと同様に、ＷＡＳの幅は、そのＡＢＳ露出トレーリングエッジにおいて最大化される。
【００４４】
図５Ａに示す一実施形態において、ＷＡＳ５００および主磁極５０８がＡＢＳ表面において露出される幅Ｗ１はリスク範囲５１０よりも狭い。その場合、ヘッドの通過によって削除されまたは劣化した可能性があるトラックのリフレッシュ用として用いるために、ヘッドの通過がリフレッシュシステムによって考慮され、メモリに保存される。
【００４５】
図５Ｂに示す別の実施形態においては、ＷＡＳ５００の露出領域５０４が、それぞれ、クロストラック方向に平行に、かつＷＡＳ５００のリーディングエッジおよびトレーリングエッジの方位に向けられる２長辺によって画定される六角形の形状を有することができる。
【００４６】
さらに、図５Ｂに示されるように、ＷＡＳ５００の露出領域５０４は、リーディングエッジの幅Ｗ３およびトレーリングエッジの幅Ｗ２のそれぞれが最大のエッジ幅Ｗ１よりも小さいという特徴を有することができる。別の実施形態においては、リーディングエッジの幅Ｗ３およびトレーリングエッジの幅Ｗ２を実質的に等しくすることができる。さらに、ＷＡＳ５００の露出領域５０４は、媒体の移動方向に沿って、ＷＡＳ５００の露出領域５０４のトレーリングエッジから主磁極５０８のトレーリングエッジまでの距離として測定されるトレーリング長さＬＴと、ＷＡＳ５００の露出領域５０４のリーディングエッジから主磁極５０８のトレーリングエッジまでの距離として測定されるリーディング長さＬＬとを有することができる。好ましいいくつかの実施形態においては、ＷＡＳ５００の露出領域５０４の側部を、主磁極５０８のトレーリングエッジからＷＡＳ５００の露出領域５０４のトレーリングエッジまで内向きにテーパ化することができる。これによって、図５Ｂに示すように、幅がトレーリング方向に向かって減少する。
【００４７】
操作においては、また、図５Ｃ、５Ｅおよび５Ｆに示すいくつかの代替的な実施形態によれば、ＷＡＳ５００をスキュー角θに配置することができる。ここで、θは、主磁極５０８のトレーリングエッジの中心を（ヘッドがスキューされた場合）ダウントラックの方向に通る第１の線５１４と、主磁極５０８のトレーリングエッジの中心および主磁極５０８のリーディングエッジの中心を通る第２の線５１２との間の角度である。
【００４８】
ＷＡＳ５００のリーディング角（かど）部Ｐ３およびトレーリング角部Ｐ２は、ＡＢＳにおいて露出され、クロストラック方向において、図５Ａ〜５Ｃに示すように、ＷＡＳ５００の最大エッジ幅の角部Ｐ１よりも、ＬＬ＊ｔａｎθに等しい量だけ主磁極５０８に近付けることができる。いくつかの実施形態においては、トレーリングエッジ幅Ｗ２および／またはリーディング幅Ｗ３が最大エッジ幅Ｗ１よりも短い構成においても、トレーリングおよび／またはリーディングエッジＰ２および／またはＰ３を、それぞれ、図５Ｄおよび５Ｅに示すように、クロストラック方向において、最大幅の角部Ｐ１よりも主磁極５０８から遠ざけることができる。但しこれは好ましくはない。
【００４９】
図５Ｄ〜５Ｆに示すように、主磁極５０８と、トレーリングエッジの角部Ｐ２またはリーディングエッジの角部Ｐ３との間の距離が、主磁極５０８と最大幅の角部Ｐ１との間の距離を超えないようにすることができる一方、最大幅の角部Ｐ１に関連するリスク範囲幅Ｗ０は、トレーリングエッジの角部Ｐ２（図５ＦにおいてはＰ２''）に関連するリスク範囲幅Ｗ０’（図５ＦにおいてはＷ０''）を超えることができる。但し、これは、主磁極５０８と、トレーリングエッジの角部Ｐ２およびリーディングエッジの角部Ｐ３のそれぞれとの間の相対的距離が、図５Ｆに示すように、主磁極５０８と最大幅の角部Ｐ１との間の距離よりも小さい場合に限られる。これは、図５Ｄまたは図５Ｅに示す構成においては示されていない。
【００５０】
代替的な構成においては、トレーリング側でＡＢＳにおいて露出されるＷＡＳ５００の各トレーリング角部を、クロストラック方向において、ＷＡＳ５００の側部よりも、ＬＴ＊ｔａｎθに等しい量だけ主磁極５０８に近付けることができる。
【００５１】
さらに別の代替的な構成においては、ＡＢＳにおいて露出されるＷＡＳ５００の各リーディング角部を、クロストラック方向において、ＷＡＳ５００の側部よりも、ＬＬ＊ｔａｎθに等しい量だけ主磁極５０８に近付けることができ、トレーリング側でＡＢＳにおいて露出されるＷＡＳ５００の各トレーリング角部を、クロストラック方向において、ＷＡＳ５００の側部よりも、ＬＴ＊ｔａｎθに等しい量だけ主磁極５０８に近付けることができる。
【００５２】
さらに、いくつかの好ましい実施形態においては、ＷＡＳ５００の露出領域５０４の寸法は、次の式１および式２の関係を満たすことができる。
【００５３】
Ｗ２＜Ｗ１−２（ＬＴ＊ｔａｎθ）                            式１
Ｗ３＜Ｗ１−２（ＬＬ＊ｔａｎθ）                            式２
さらに、ＷＡＳ５００の露出領域の最大幅Ｗ１は、一実施形態によれば、主磁極５０８のトレーリングエッジに合致するクロストラック方向の位置に生じることができ、別の実施形態によれば、間隙５０６のトレーリング部分における任意の位置に合致するクロストラック方向の位置に生じることができる。
【００５４】
好ましいいくつかの実施形態においては、ＡＢＳ表面において露出されるＷＡＳ５００の形状は、図５Ｂおよび５Ｃに示すように、トレーリング方向およびリーディング方向に向かってその幅が狭くなることができる。図５Ｃのようにスキューを呈する構成においては、リスク範囲５１０を、通常のＷＡＳの台形の露出領域が操作においてカバーする距離に等しい幅Ｗ０だけ狭めることができる。
【００５５】
図５Ａ〜５Ｃに示す構成においては、ヘッドの位置および径路が、リフレッシュシステムの一部として考慮される。さらに、膜厚方向（すなわちエレメントの高さ方向）に沿う後退領域５０２の厚さの変化は、ヘッドの径路の位置的な範囲内にある。
【００５６】
前記のように、そしてまたいくつかの実施形態によれば、ＦＴＩのリスクは、ＷＡＳ５００の少なくとも一部分をＡＢＳから後退させることによって低減することができる。強力な磁区が形成されるリスクを後退領域５０２において低減しながら、なお磁区を生じさせることができる。このため、後退領域５０２に磁区が生じる場合でも、結果的に媒体が受ける磁界の強さは小さく、従って、関連するＦＴＩのリスクも小さい。すなわち、この方式によって、ＦＴＩのリスクは、ＷＡＳ５００の磁気体がＡＢＳにおいて露出された領域５０４に限定される。従って、露出領域５０４のみがリフレッシュシステムによる保守管理を必要とすることになり、メモリに保存される情報量を同時に低減しながら、その効用を利用することができる。
【００５７】
さらに、露出領域５０４の面積を低減すると、リフレッシュシステムのメモリ使用を低減することができる。しかし、露出領域５０４の減少と共に、その面積内部の磁界の強さが増大して、より頻繁な消去が惹起される。この消去を最小化するために、ヘッドが次の式３の関係に従う寸法を有することが望ましい。この式中、ＭＰｓは主磁極５０８の面積、ＭＰｂｓは主磁極５０８の材料の飽和磁束、ＷＡＳｓはＡＢＳにおいて露出されるＷＡＳ５００の面積、ＷＡＳｂｓはＷＡＳ５００の飽和磁束である。
【００５８】
ＭＰｓ＊ＭＰｂｓ＜ＷＡＳｓ＊ＷＡＳｂｓ                      式３
磁界の漏洩は、ＷＡＳ５００における膜厚変化の位置における磁区によって発生する可能性がある。このような漏洩およびその結果としてのいかなる誤差をも明らかにするために、これらの位置がリフレッシュシステムの範囲内に入れられるべきである。好ましい一実施形態においては、主磁極５０８に最も近いＷＡＳ５００における膜厚変化の位置はリスク範囲５１０の内部に生起し、従って、リフレッシュシステムの対象の範囲内にある。
【００５９】
図６Ａおよび６Ｂは、２つの実施形態による磁気ヘッドのＷＡＳ５００の部分の断面図を示す。図６Ａに示す実施形態においては、ＡＢＳにおいて露出されないＷＡＳ５００の部分（後退領域５０２）は、ＡＢＳにおいて露出される部分（露出領域５０４）から徐々に離れるようにテーパ化されている。図６Ｂに示す別の実施形態においては、ＡＢＳにおいて露出されないＷＡＳ５００の部分（後退領域５０２）は、ＡＢＳにおいて露出される部分（露出領域５０４）から離れるようにステップ化されている。例えば、ＷＡＳ５００の露出領域５０４から離れるステップ状の後退部であって、同時にＷＡＳ５００の露出領域５０４から離れるテーパ化の部分を伴う後退部が設けられる。当然のことながら、当業者がこの記述を読んで理解するように、他の後退様式を用いることも可能である。すなわち、図６Ａおよび６Ｂは、事例的な後退様式の実施形態としてのみ含まれており、本発明を制限する意味を有するものでは決してない。
【００６０】
図７は、一実施形態による、リフレッシュシステムを用いる磁気ヘッドのＡＢＳの図を示す。磁気ヘッドは、リーディングエッジからトレーリングエッジへの配置順序で、再生要素７４３と、再生要素７４３に後続する下部再生シールド７４４とを備えたコイル７４を含む。さらに、再生要素７４３と下部再生シールド７４４との間に再生ヘッド７４１を配置することができる。さらに付加的に、上部再生シールド７７がコイル７４に後続するように配置される。ＷＡＳ５００が、図７に示すように上部再生シールド７７に後続して配置される。ＷＡＳ５００は、リーディングシールド８０と、側部シールド７８と、トレーリングシールド７９とを含む。主磁極５０８は、側部シールド７８からＡＢＳに向かう方向に突き出ている。
【００６１】
好ましいいくつかの実施形態においては、ＷＡＳ５００のみでなく戻り磁極７２５も後退させる。例えば、図７に示すように、領域７０２によって取り囲まれる側部シールド７８とリーディングシールド８０とトレーリングシールド７９との一部分がＡＢＳ表面において露出され、これらの外側の部分は、好ましくはＡＢＳ表面から後退させる。
【００６２】
ここで図８を参照すると、一実施形態に従って、磁気媒体にデータを書き込む方法８００が示されている。この方法８００は、特に、図１〜７に示す環境を含む任意の所望の環境において実行することができる。
【００６３】
ステップ８０２においては、データが、磁気ヘッドを用いて磁気媒体の第１トラックに書き込まれる。当初のデータ書き込みには任意の方法を用いることができるが、これは、当業者が本明細書を読めばすぐ理解するところである。
【００６４】
ステップ８０４においては、データの劣化と整合する特性が、第１トラックに隣接するトラックおよび第１トラックから離れた遠隔トラックから制御機構を用いて決定される。これは、当業者が本明細書を読めばすぐ理解するところである。
【００６５】
劣化の特性のいくつかの例としては、磁気ヘッドが通過する位置、磁気ヘッドが通過する回数、トラックが受ける磁界勾配の強さ、などが含まれる。
【００６６】
ステップ８０６においては、隣接ＡＴＩおよび／またはＦＴＩによって劣化していると決定されたトラックにデータが再書き込みされる。
【００６７】
一実施形態によれば、磁気ヘッドが、主磁極と、そのＡＢＳにおいて主磁極の回りに配置されるＷＡＳとを含み、その場合、ＡＢＳにおいて露出されるＷＡＳのクロストラック方向の最大幅が、クロストラック方向に測定される所定のリスク範囲よりも狭く、かつ、制御機構が、磁気ヘッドの操作を制御するために磁気ヘッドに電気的に連結され、磁気媒体の記録トラックに印加される記録磁界が限界値を超えると、その記録トラックの情報の再書き込みを開始する。
【００６８】
以上種々の実施形態について記述したが、これらの実施形態は事例としてのみ提示されたものであって、制限を意図するものではないことが理解されるべきである。従って、本発明の実施形態の広がりおよび範囲は、以上に記述されたいかなる事例的な実施形態によっても制限されるべきではなく、以下の特許請求の範囲およびその等価物に従ってのみ規定されるべきである。
【符号の説明】
【００６９】
１００  ディスクドライブ
１１２  磁気ディスク
１１３  スライダ
１１４  スピンドル
１１５  サスペンション
１１８  ディスク駆動モータ
１１９  アクチュエータアーム
１２１  磁気ヘッド
１２２  ディスク表面
１２３  ライン
１２５  記録チャンネル
１２７  アクチュエータ
１２８  ライン
１２９  制御ユニット
２００  支持基板
２０２  上層被膜
２０４  従来型の記録／再生ヘッド
２１２  下地層
２１４  上層被膜
２１６  基板
２１８  垂直ヘッド
３０２、４０２  上部戻り磁極
３０４、４０４  トレーリングシールド
３０６、４０６  主磁極
３０８、４０８  ステッチ磁極
３１０、４１０  コイル
３１２          コイル
３１４          下部戻り磁極
３１６、４１６  絶縁体
３１８、４１８  ＡＢＳ
３２２、４２２  センサーシールド
３２４、４２４  センサーシールド
３２６、４２６  センサー
５００  ＷＡＳ
５０２  後退領域
５０４  露出領域
５０６  間隙
５０８  主磁極
５１０  リスク範囲
５１２  スキュー角の基準線（第２の線）
５１４  スキュー角の基準線（第１の線）
７０２  露出領域
７２５  戻り磁極
７４    コイル
７４１  再生ヘッド
７４３  再生要素
７４４  下部再生シールド
７７    上部再生シールド
７８    側部シールド
７９    トレーリングシールド
８０    リーディングシールド
８００  データの書き込み方法
８０２  ステップ
８０４  ステップ
８０６  ステップ
ＬＬ    リーディング長さ
ＬＴ    トレーリング長さ
Ｐ１    最大幅の角部
Ｐ２    トレーリング角部
Ｐ２''  トレーリング角部
Ｐ３    リーディング角部
Ｗ０    リスク範囲幅
Ｗ０’  リスク範囲幅
Ｗ０''  リスク範囲幅
Ｗ１    最大エッジ幅
Ｗ２    トレーリングエッジ幅
Ｗ２''  トレーリングエッジ幅
Ｗ３    リーディングエッジ幅
θ      スキュー角
【図１】
2012252776.tif 000003
【図２Ａ】
2012252776.tif 000004
【図２Ｂ】
2012252776.tif 000005
【図２Ｃ】
2012252776.tif 000006
【図２Ｄ】
2012252776.tif 000007
【図２Ｅ】
2012252776.tif 000008
【図３Ａ】
2012252776.tif 000009
【図３Ｂ】
2012252776.tif 000010
【図４Ａ】
2012252776.tif 000011
【図４Ｂ】
2012252776.tif 000012
【図５Ａ】
2012252776.tif 000013
【図５Ｂ】
2012252776.tif 000014
【図５Ｃ】
2012252776.tif 000015
【図５Ｄ】
2012252776.tif 000016
【図５Ｅ】
2012252776.tif 000017
【図５Ｆ】
2012252776.tif 000018
【図６Ａ】
2012252776.tif 000019
【図６Ｂ】
2012252776.tif 000020
【図７】
2012252776.tif 000021
【図８】
2012252776.tif 000022
【図９】
2012252776.tif 000023