(57)【要約】【課題】加工送り速度を向上させること。【解決手段】レーザービームＬＢを照射して第一の溝を形成する分割起点領域Ｒ１と、レーザービームＬＢを照射しない又は第一の溝よりも浅い第二の溝を形成する非分割起点領域Ｒ２とを分割予定ライン上に交互に設定し、移動手段によって保持手段を一定の速度で加工送りして集光器４１の下に非分割起点領域Ｒ２が位置付けられた際に、走査部４０によってレーザービームＬＢの照射位置を分割起点領域Ｒ１に位置付けてアブレーション加工を施す。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割予定ラインが設定されたサファイア基板を保持する保持手段と、
該保持手段に保持されたサファイア基板にレーザービームを照射してアブレーション加工を施す加工手段と、
該保持手段を該加工手段に対して水平方向に移動させる移動手段と、
該加工手段と該移動手段とを制御する制御手段と、
を含むレーザー加工装置であって、
該加工手段は、
該レーザービームを発振する発振器と、
該レーザービームをサファイア基板へ向けて集光する集光器と、
該集光器によって集光されたレーザービームの照射位置を加工送り方向に走査させる走査部と、
を有し、
該制御手段は、
該レーザービームを照射して第一の溝を形成する分割起点領域と、該レーザービームを照射しない又は該第一の溝よりも浅い第二の溝を形成する非分割起点領域と、を該分割予定ライン上に交互に設定し、
該移動手段によって該保持手段を一定の速度で加工送りして該集光器の下に該非分割起点領域が位置付けられた際に、該走査部によって該レーザービームの集光位置を該分割起点領域に位置付けてアブレーション加工を施す
ことを特徴とするレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サファイア基板の表面に設定された分割予定ラインにレーザービームを照射してアブレーション加工を施すレーザー加工装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程では、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、区画された各領域にＩＣ，ＬＳＩ等のデバイスが形成される。そして、分割予定ラインに沿って半導体ウエーハを切断することによって各領域を分割することにより、個々のデバイスが製造される。また、サファイア基板の表面に発光ダイオード等の発光素子が積層された光デバイスウエーハも同様に、分割予定ラインに沿って光デバイスウエーハを切断することによって、個々の光デバイスが製造される。
【０００３】
分割予定ラインに沿ったウエーハの切断工程は、ダイサーと称される切削装置によって行われる。切削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブル等の保持手段と、保持手段に保持されたウエーハを切削する切削手段と、保持手段と切削手段とを相対的に移動させる加工送り手段とを備える。切削手段は、回転スピンドルと回転スピンドルに装着された砥石ブレードとを備える切削工具、及び回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を備えるスピンドルユニットを有する。この切削装置では、切削工具を２００００〜４００００ｒｐｍ程度の回転速度で回転しつつ、切削工具と保持手段に保持されたウエーハとを相対的に加工送りする。ところが、切削装置による切断工程は、ウエーハの種類によっては加工送り速度を速くすることができず、生産性の面で必ずしも満足し得るものではない。
【０００４】
このような背景から、近年、サファイア基板の表面に窒化物半導体等の光素子が積層された光デバイスウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射することによってレーザー加工溝を形成し、レーザー加工溝に沿って光デバイスウエーハに外力を付与することにより、分割予定ラインに沿って光デバイスウエーハを破断する方法が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１記載のレーザー加工方法によれば、切削装置と比較して速い加工送り速度でレーザー加工溝を形成することができるので、生産性が向上する。
【０００５】
しかしながら、特許文献１記載のレーザー加工方法では、レーザー加工溝の壁面が溶融され荒れているために、個々に分割される光デバイスが発光ダイオードである場合、発光ダイオードの輝度が低下してしまう。そこで、分割予定ライン上にレーザー加工溝を破線状又は段形状に形成するレーザー加工方法が提案されている（特許文献２，３参照）。特許文献２，３記載のレーザー加工方法によれば、光デバイス側面の溶融層の面積を少なくできるので、発光ダイオードの輝度の低下を僅かに抑えることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特開２０１０−０８７４３３号公報
【特許文献３】特開２００７−１４９８２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、分割予定ライン上にレーザー加工溝を破線状又は段形状に形成するために、重量が１ｋｇを越えるような保持手段をレーザー加工溝が形成される分割起点領域と非分割起点領域との間で数１００ｍｍ／ｓｅｃ以上の加工送り速度で繰り返し加減速させる動作を数μｍの誤差精度で実施することは難しい。このため、特許文献２，３記載のレーザー加工方法では、分割起点領域を形成する際の加工条件に合わせた加工送り速度で保持手段を移動させなければならず、加工送り速度は特許文献１記載のレーザー加工方法を用いた場合の加工送り速度と同等となってしまう。これにより、より速い加工送り速度を実現可能なレーザー加工装置の提供が望まれていた。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、加工送り速度を向上可能なレーザー加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るレーザー加工装置は、分割予定ラインが設定されたサファイア基板を保持する保持手段と、該保持手段に保持されたサファイア基板にレーザービームを照射してアブレーション加工を施す加工手段と、該保持手段を該加工手段に対して水平方向に移動させる移動手段と、該加工手段と該移動手段とを制御する制御手段と、を含むレーザー加工装置であって、該加工手段は、該レーザービームを発振する発振器と、該レーザービームをサファイア基板へ向けて集光する集光器と、該集光器によって集光されたレーザービームの照射位置を加工送り方向に走査させる走査部と、を有し、該制御手段は、該レーザービームを照射して第一の溝を形成する分割起点領域と、該レーザービームを照射しない又は該第一の溝よりも浅い第二の溝を形成する非分割起点領域と、を該分割予定ライン上に交互に設定し、該移動手段によって該保持手段を一定の速度で加工送りして該集光器の下に該非分割起点領域が位置付けられた際に、該走査部によって該レーザービームの集光位置を該分割起点領域に位置付けてアブレーション加工を施す。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係るレーザー加工装置によれば、集光器の下に非分割起点領域が位置付けられている際にも分割起点領域にアブレーション加工を施すことができるので、加工送り速度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の一実施形態であるレーザー加工装置の主要部の構成を示す外観斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す加工手段の構成を示すブロック図である。
【図３】図３は、図１に示すレーザー加工装置の制御手段の構成を示すブロック図である。
【図４】図４は、光デバイスウエーハの構成を示す外観斜視図である。
【図５】図５は、保持手段に保持された状態における光デバイスウエーハと座標位置との関係を説明するための模式図である。
【図６】図６は、分割予定ライン検出工程を説明するための模式図である。
【図７】図７は、加工工程の開始時と終了時とを説明するための模式図である。
【図８】図８は、レーザー加工溝の形成工程を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態であるレーザー加工装置及びそのレーザー加工方法について説明する。
【００１３】
〔レーザー加工装置の構成〕
始めに、図１乃至図３を参照して、本発明の一実施形態であるレーザー加工装置の構成について説明する。図１は、本発明の一実施形態であるレーザー加工装置の主要部の構成を示す外観斜視図である。図２は、図１に示す加工手段の構成を示すブロック図である。図３は、図１に示すレーザー加工装置の制御手段の構成を示すブロック図である。
【００１４】
図１に示すように、本発明の一実施形態であるレーザー加工装置２０は、光デバイスウエーハ１を保持する保持手段２１と、保持手段２１上に保持された光デバイスウエーハ１にパルスレーザービームを照射してアブレーション加工を施す加工手段２２と、保持手段２１上に保持された光デバイスウエーハ１の画像を撮像する撮像手段２３とを備える。保持手段２１は、光デバイスウエーハ１を吸引保持すると共に、円筒部材２４内の図示しないモータに連結されて水平面内で回転可能に構成されている。
【００１５】
保持手段２１は、２段の滑動ブロック２５，２６上に搭載されている。保持手段２１は、ボールネジ２７、ナット（図示せず）、パルスモータ２８等により構成された加工送り手段２９によって滑動ブロック２５と共に水平方向となるＸ軸方向に移動可能に構成され、光デバイスウエーハ１を加工手段２２が照射するパルスレーザービームに対し相対的に加工送りさせる。保持手段２１は、ボールネジ３０、ナット（図示せず）、パルスモータ３１等により構成された割り出し送り手段３２によって滑動ブロック２６と共に水平方向となるＹ軸方向に移動可能に構成され、光デバイスウエーハ１を加工手段２２が照射するパルスレーザービームに対し相対的に割り出し送りさせる。
【００１６】
加工送り手段２９には、保持手段２１の加工送り量を検出するための加工送り量検出手段３３が付設されている。加工送り量検出手段３３は、Ｘ軸方向に沿って配設されたリニアスケール３３ａと、滑動ブロック２５に配設され滑動ブロック２５と共にリニアスケール３３ａに沿って移動する図示しない読み取りヘッドとを備える。加工送り量検出手段３３は、例えば読み取りヘッドによって検出された移動量が１μｍ毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に入力する。後述する制御手段は、入力されたパルス信号をカウントすることによって保持手段２１の加工送り量を検出する。
【００１７】
割り出し送り手段３２には、保持手段２１の割り出し送り量を検出するための割り出し送り量検出手段３４が付設されている。割り出し送り量検出手段３４は、Ｙ軸方向に沿って配設されたリニアスケール３４ａと、滑動ブロック２６に配設され滑動ブロック２６と共にリニアスケール３４ａに沿って移動する図示しない読み取りヘッドとを備える。割り出し送り量検出手段３４は、例えば読み取りヘッドによって検出された移動量が１μｍ毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に入力する。後述する制御手段は、入力されたパルス信号をカウントすることによって保持手段２１の割り出し送り量を検出する。
【００１８】
加工手段２２は、実質上水平に配置されたケーシング３５を含み、ケーシング３５を介して図示しないＺ軸移動手段によって支持ブロック３６に対しＺ軸方向に移動可能に構成されている。図２に示すように、加工手段２２は、図１に示すケーシング３５内に配設された、発振器３７、伝送光学系３８、ミラー素子３９、走査部４０、及び集光器４１を備える。発振器３７は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザービーム発振器３７ａと、これに付設された繰り返し周波数設定手段３７ｂとを備える。パルスレーザービーム発振器３７ａや繰り返し周波数設定手段３７ｂは、後述する制御手段によって制御される。
【００１９】
伝送光学系３８は、ビームスプリッタ等の光学要素を備え、発振器３７によって発振されたパルスレーザービームＬＢの偏光状態を制御するためのものである。ミラー素子３９は、伝送光学系３８を通過したバルスレーザービームＬＢを集光器４１側に向けて反射するものである。走査部４０は、図１に示すＹ軸方向を回転軸としてミラー素子５４の回転させることによって、光デバイスウエーハ１に対するレーザービームＬＢの照射位置を加工送り方向に走査せるためのものである。集光器４１は、ミラー素子３９によって反射されたパルスレーザービームＬＢを光デバイスウエーハ１へ向けて集光するためのものである。
【００２０】
図１に戻る。撮像手段２３は、ケーシング３５の先端部に装着されている。撮像手段２３は、保持手段２１上に保持された光デバイスウエーハ１の上面の画像を撮像し、パルスレーザービームによって加工すべき領域を検出するためのものである。撮像手段２３は、可視光線によって撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等によって構成され、撮像した画像信号を後述する制御手段に入力する。
【００２１】
図３に示すように、レーザー加工装置２０は、制御手段１０を備える。制御手段１０は、マイクロコンピュータによって構成され、制御プログラムに従って演算処理を実行する中央処理装置（ＣＰＵ）１０１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）１０２と、を備える。制御手段１０は、光デバイスウエーハ１にパルスレーザービームを照射するために各分割予定ラインの始点、終点、交点のＸ，Ｙ座標値等に基づき設定される後述の分割起点領域及び非分割起点領域に関する設定情報や演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３と、カウンタ１０４と、入力インタフェース１０５及び出力インタフェース１０６と、を備える。制御手段１０の入力インタフェース１０５には、加工送り量検出手段３３，割り出し送り量検出手段３４，及び撮像手段２３等からの検出信号が入力される。制御手段１０の出力インタフェース１０６は、パルスモータ２８，３１、加工手段２２等に制御信号を出力する。
【００２２】
〔レーザー加工方法〕
次に、図４乃至図８を参照して、レーザー加工装置２０を用いたレーザー加工方法について説明する。
【００２３】
図４は、光デバイスウエーハ１の構成を示す外観斜視図である。図４に示すように、光デバイスウエーハ１は、環状のフレーム２に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ３に表面１ａを上側にして貼着された状態で用意される。光デバイスウエーハ１の表面１ａには格子状に配列された複数の第１の分割予定ライン４と複数の第２の分割予定ライン５とによって区画された複数の矩形領域が形成され、この複数の矩形領域に発光ダイオード等の光デバイス６が形成されている。
【００２４】
環状のフレーム２に保護テープ３を介して支持された光デバイスウエーハ１は、図１に示す保持手段２１に保護テープ３側が対向するように図１に示す保持手段２１上に載置される。そして、図示しない吸引手段を作動することにより光デバイスウエーハ１は、保護テープ３を介して保持手段２１上に吸引保持される（保持工程）。環状のフレーム２は、図１に示すクランプ２１ａによって固定される。
【００２５】
光デバイスウエーハ１を吸引保持した保持手段２１は、加工送り手段２９によって撮像手段２３の直下に位置付けられる。保持手段２１が撮像手段２３の直下に位置付けられると、撮像手段２３及び制御手段１０によって光デバイスウエーハ１のレーザー加工すべき領域を検出するアライメント作業が実行される。すなわち、撮像手段２３及び制御手段１０は、第１の分割予定ライン４と加工手段２２の集光器４１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザービーム照射位置のアライメントを実行する。第２の分割予定ライン５に対しても同様に、レーザービーム照射位置のアライメント作業が実行される。
【００２６】
図５は、保持手段２１に保持された状態における光デバイスウエーハ１と座標位置との関係を説明するための模式図である。図６は、分割予定ライン検出工程を説明するための模式図である。図７は、加工工程の開始時と終了時とを説明するための模式図である。図８は、レーザー加工溝の形成工程を説明するための模式図である。
【００２７】
アライメント作業が完了すると、光デバイスウエーハ１は、図５（ａ）に示す座標位置に位置付けられた状態となる。図５（ｂ）は保持手段２１、すなわち光デバイスウエーハ１を図５（ａ）に示す状態から時計回りに９０度回転した状態を示す。アライメント作業が完了すると、制御手段１０は、保持手段２１を移動し、図５（ａ）の状態において第１の分割予定ライン４における最上位の第１の分割予定ライン４を撮像手段２３の直下に位置付ける。さらに、制御手段１０は、図６に示すように第１の分割予定ライン４の一端（図６において左端）を撮像手段２３の直下に位置付ける。この状態で撮像手段２３が第１の分割予定ライン４の一端（図６において左端）を検出すると、撮像手段２３は、その座標値（図５（ａ）において位置Ａ１）を加工送り開始位置座標値として制御手段１０に入力する。
【００２８】
次に、制御手段１０は、保持手段２１を図６において矢印Ｘ１で示す方向に移動し、第１の分割予定ライン４の他端（図６において右端）を撮像手段２３の直下に位置付ける。この間に撮像手段２３は、図５（ａ）に示すように第２の分割予定ライン５との交点の座標値（Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，・・・，Ｅｎ）及び他端（図５（ａ）において右端）の座標値（Ｂ１）を検出し、それぞれ交点座標値及び加工送り終了位置座標値として制御手段１０に入力する。制御手段１０は、入力された第１の分割予定ライン４の加工送り開始位置座標値（Ａ１）と交点の座標値（Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，・・・，Ｅｎ）及び加工送り終了位置座標値（Ｂ１）をＲＡＭ１０３中の記憶部１０３ａに一時格納する（分割予定ライン検出工程）。
【００２９】
このようにして図５（ａ）において最上位の第１の分割予定ライン４の加工送り開始位置座標値と交点座標値及び加工送り終了位置座標値を検出すると、制御手段１０は、保持手段２１を第１の分割予定ライン４の間隔だけ矢印Ｙで示す方向に割り出し送りして、図５（ａ）において最上位から２番目の第１の分割予定ライン４を撮像手段２３の直下に位置付ける。そして、制御手段１０及び撮像手段２３は、この最上位から２番目の第１の分割予定ライン４に対して上述した分割予定ライン検出工程を実施し、最上位から２番目の第１の分割予定ライン４の加工送り開始位置座標値（Ａ２）と交点の座標値（Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，・・・，Ｅｎ）及び加工送り終了位置座標値（Ｂ２）を検出し、これをＲＡＭ１０３の記憶部１０３ａに一時格納する。
【００３０】
以後、制御手段１０及び撮像手段２３は、上述した割り出し送りと分割予定ライン検出工程を図５（ａ）において最下位の第１の分割予定ライン４まで繰り返し実行し、第１の分割予定ライン４の加工送り開始位置座標値（Ａ３〜Ａｎ）と交点の座標値（Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，・・・，Ｅｎ）及び加工送り終了位置座標値（Ｂ３〜Ｂｎ）を検出し、これをＲＡＭ１０３の記憶部１０３ａに一時格納する。
【００３１】
上述したように第１の分割予定ライン４に対する分割予定ライン検出工程が完了すると、制御手段１０は、保持手段２１、すなわち光デバイスウエーハ１を９０度回動して、図５（ｂ）に示す状態に位置付ける。次に、制御手段１０及び撮像手段２３は、第２の分割予定ライン５に対して上述した分割予定ライン検出工程を実施し、各第２の分割予定ライン５の加工送り開始位置座標値（Ｃ１〜Ｃｎ）と交点の座標値（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆｎ）及び加工送り終了位置座標値（Ｄ１〜Ｄｎ）を検出して、これをＲＡＭ１０３の記憶部１０３ａに一時格納する。
【００３２】
光デバイスウエーハ１に形成された第１の分割予定ライン４に対する加工送り開始位置座標値（Ａ１〜Ａｎ）と交点の座標値（Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，・・・，Ｅｎ）及び加工送り終了位置座標値（Ｂ１〜Ｂｎ）、第２の分割予定ライン５に対する加工送り開始位置座標値（Ｃ１〜Ｃｎ）と交差の点座標値（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆｎ）及び加工送り終了位置座標値（Ｄ１〜Ｄｎ）は、光デバイスウエーハ１の設計値を予めＲＯＭ１０２又はＲＡＭ１０３に格納しておき、上述した分割予定ライン検出工程を省略してもよい。
【００３３】
次に、制御手段１０は、上述の分割予定ライン検出工程で得られ記憶部１０３ａに記憶された加工送り開始位置、交点、加工送り終了位置の各座標値を参照して、分割予定ライン４，５毎に、所定の加工条件の下における、第一の溝であるレーザー加工溝を形成する分割起点領域と、レーザー加工溝を形成しない又は第一の溝よりも浅い第二の溝であるレーザー加工溝を形成する非分割起点領域とのレーザービームの照射時間（又は送り長さ等）や各パルスレーザービームの出力の情報を設定してその設定情報をＲＡＭ１０３中の記憶部１０３ｂに記憶する（設定工程）。
【００３４】
このような設定工程の後に、記憶部１０３ｂに記憶された加工送り開始位置、分割起点領域や非分割起点領域の照射時間、パルスレーザービームの出力、加工送り終了位置等の設定情報に基づいて各分割予定ライン４，５の一端から他端に向けて加工手段２２によるレーザービームの照射点を走査させて分割起点領域と非分割起点領域とを連続的に形成する加工工程を実施する。
【００３５】
加工工程では、始めに、制御手段１０が、保持手段２１を移動して図５（ａ）において最上位の第１の分割予定ライン２１を加工手段５２の集光器５３の直下に位置付ける。そして、制御手段１０は、図７で示すように第１の分割予定ライン４の一端（図７において左端）である加工送り開始位置座標値（Ａ１）（図５（ａ）参照）を加工手段２２の集光器４１の直下に位置付ける。このとき、パルスレーザービームの照射点Ｐを光デバイスウエーハ１の表面１ａ（上面）付近に合わせる。そして、制御手段１０は、保持手段２１、すなわち光デバイスウエーハ１を図７において矢印Ｘ１で示す方向に加工送りしつつ、加工手段２２の集光器４１から光デバイスウエーハ１に対してパルスレーザービームを照射する。
【００３６】
この際、制御手段１０は、記憶部１０３ｂに記憶された分割起点領域と非分割起点領域とに対する照射時間、パルスレーザービームの出力の設定情報に基づき、パルスレーザービーム発振器３７ａが出力するレーザービームの出力を変化させながら照射点Ｐを連続して走査させる。また、図８に示すように、制御手段１０は、集光器４１の直下に非分割領域Ｒ２が位置付けられた際、走査部４０によって反射ミラー３９を角度範囲θの範囲内で回転させることにより、集光器４１によって集光されたパルスレーザービームの照射位置を分割起点領域Ｒ１に位置付ける。
【００３７】
パルスレーザービームの照射位置を走査しない場合には、分割起点領域Ｒ１の幅Ａの距離を移動する間に１つの分割起点領域Ｒ１にアブレーション加工を施す必要がある。しかしながら、上述のようにパルスレーザービームを走査した場合には、光デバイスウエーハ１が分割起点領域Ｒ１の先端部と次の分割起点領域Ｒ１の先端部との間の距離Ｂだけ移動するまでの間に分割起点領域Ｒ１にアブレーション加工を施せばよいので、光デバイスウエーハ１の加工送り速度を上げることができる。
【００３８】
この結果、図８に示すように第１の分割予定ライン４に沿って分割起点領域Ｒ１にはレーザー加工溝２１０が形成され、非分割起点領域Ｒ２にはレーザー加工溝が形成されない又はレーザー加工溝２１０よりも浅いレーザー加工溝が形成される。すなわち、第１の分割予定ライン４には、分割起点領域Ｒ１に形成されたレーザー加工溝２１０が所定間隔毎に形成される。
【００３９】
以上のようにして、光デバイスウエーハ１に形成された図５（ａ）において最上位の第１の分割予定ライン４に対し加工工程を実施した後、制御手段１０は、保持手段２１を図１において矢印Ｙで示す方向に第１の分割予定ライン４の間隔だけ割り出し送りし、次の分割予定ライン４に対して加工工程を実施する。このようにして全ての第１の分割予定ライン４についての加工工程が終了すると、制御手段１０は、保持手段２１、すなわち光デバイスウエーハ１を９０度回動させ、第２の分割予定ライン５に沿って上述の加工工程を同様に実行する。これにより、全ての第１，第２の分割予定ライン４，５に沿って分割起点領域Ｒ１にレーザー加工溝２１０が形成される。
【００４０】
以上のようにして、加工工程が実施された光デバイスウエーハ１は、次工程である分割工程に搬送される。分割工程においては、光デバイスウエーハ１に第１，第２の分割予定ライン４，５の分割起点領域に形成されたレーザー加工溝２１０からなる破断線に沿って外力が付与される。この結果、レーザー加工溝２１０が破断の起点となり、この破断が非分割起点領域に沿って伝播するため、光デバイスウエーハ１は第１，第２の分割予定ライン４，５に沿って破断される。
【００４１】
以上、本発明者らによってなされた発明を適用した実施の形態について説明したが、上記実施形態による本発明の開示の一部をなす記述及び図面により本発明は限定されることはない。すなわち、上記実施形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施形態、実施例、及び運用技術等は、全て本発明の範疇に含まれる。
【符号の説明】
【００４２】
１  光デバイスウエーハ
２  フレーム
３  保護テープ
４  第１の分割予定ライン
５  第２の分割予定ライン
６  光デバイス
１０  制御手段
２０  レーザー加工装置
２１  保持手段
２２  加工手段
２３  撮像手段
２４  円筒部材
２５，２６  滑動ブロック
２９  加工送り手段
３２  割り出し送り手段
３３  加工送り量検出手段
３４  割り出し送り量検出手段
３５  ケーシング
３６  支持ブロック
３７  発振器
３８  伝送光学系
３９  ミラー素子
４０  走査部
４１  集光器
２１０  レーザー加工溝
Ｒ１  分割起点領域
Ｒ２  非分割起点領域
【図１】
2012030272.tif 000003
【図２】
2012030272.tif 000004
【図３】
2012030272.tif 000005
【図４】
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【図５】
2012030272.tif 000007
【図６】
2012030272.tif 000008
【図７】
2012030272.tif 000009
【図８】
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