(57)【要約】【課題】微細な転写用凹凸構造と、当該転写用凹凸構造の凹部の深さ（凸部の高さ）を正確に測定するための測定用凹凸構造とを備えているにもかかわらず、ステップ・アンド・リピート法により転写用凹凸構造のみを被加工物に転写することのできるナノインプリント用モールド及びその製造方法を提供する。【解決手段】基材の基部上及び凸構造部上にエッチング用マスク材料膜を形成し、基部上のマスク材料膜に測定用凹部形成用の第１開口パターンを形成し、凸構造部上のマスク材料膜に転写用凹部形成用の第２開口パターンを形成し、第１及び第２開口パターンが形成されたマスク材料膜をマスクとしてエッチングして、基部における凸構造部側の面への測定用凹部の形成及び凸構造部への転写用凹部の形成を行う。この測定用凹部の開口面の短手方向長さは、非破壊式測定装置を用いて測定用凹部の深さを測定可能な長さである。【選択図】図４
2012076237.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、当該基部の一方の面から突出してなる凸構造部とを備える基材における前記凸構造部に転写用凹部が形成され、前記凸構造部の周囲の前記基部における凸構造部側の面に少なくとも１つの測定用凹部が形成されてなり、前記転写用凹部の深さと前記測定用凹部の深さとが所定の相関性を有するナノインプリント用モールドを製造する方法であって、
前記基材の前記基部上及び前記凸構造部上にエッチング用マスク材料膜を形成するマスク材料膜形成工程と、
前記基部上のマスク材料膜に前記測定用凹部形成用の第１開口パターンを形成するパターン形成、及び前記凸構造部上のマスク材料膜に前記転写用凹部形成用の第２開口パターンを形成するパターン形成を行うパターン形成工程と、
前記第１及び第２開口パターンが形成されたマスク材料膜をマスクとしてエッチングして、前記基部における凸構造部側の面への測定用凹部の形成及び前記凸構造部への転写用凹部の形成を行うエッチング工程と
を含み、
前記測定用凹部の開口面の短手方向長さが、非破壊式測定装置を用いて前記測定用凹部の深さを測定可能な長さであることを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項２】
前記エッチング工程において、前記測定用凹部が形成される前記基部と前記転写用凹部が形成される前記凸構造部とを同時にエッチングすることを特徴とする請求項１に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項３】
前記パターン形成工程において、前記凸構造部上面周端部における当該凸構造部上面に対する垂線と前記基部における前記凸構造部側の面を含む平面との交点から前記交点の最近傍に位置する前記第１開口パターンまでの距離をｄ１とし、前記基部における前記凸構造部側の面を含む平面から前記凸構造部上面までの高さをｈ１としたとき、ｄ１≧ｈ１となる前記凸構造部側の面における位置に、前記第１開口パターンを形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項４】
前記パターン形成工程において、前記第１開口パターンを含む所定領域に面積率調整用凹部形成用の第３開口パターンを形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項５】
前記パターン形成工程において、前記凸構造部上面における前記第２開口パターンの開口面積率と、前記所定領域における前記第１及び第３開口パターンの合計開口面積率との比が１：０．９〜１：１．１になるように、前記第３開口パターンを形成することを特徴とする請求項４に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項６】
基部と、当該基部の一方の面から突出してなる凸構造部とを備える基材における前記凸構造部に転写用凸部が形成され、前記凸構造部の周囲の前記基部における凸構造部側の面に少なくとも１つの測定用凸部が形成されてなり、前記転写用凸部の高さと前記測定用凸部の高さとが所定の相関性を有するナノインプリント用モールドを製造する方法であって、
前記基材の前記基部上及び前記凸構造部上にエッチング用マスク材料膜を形成するマスク材料膜形成工程と、
前記基部上のマスク材料膜に前記測定用凸部形成用の第１被覆パターンを形成するパターン形成、及び前記凸構造部上のマスク材料膜に前記転写用凸部形成用の第２被覆パターンを形成するパターン形成を行うパターン形成工程と、
前記第１及び第２被覆パターンが形成されたマスク材料膜をマスクとしてエッチングして、前記基部における凸構造部側の面への測定用凸部の形成及び前記凸構造部への転写用凸部の形成を行うエッチング工程と
を含むことを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項７】
前記エッチング工程において、前記測定用凸部が形成される前記基部と前記転写用凸部が形成される前記凸構造部とを同時にエッチングすることを特徴とする請求項６に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項８】
前記パターン形成工程において、前記凸構造部上面周端部における当該凸構造部上面に対する垂線と前記基部における前記凸構造部側の面を含む平面との交点から前記交点の最近傍に位置する前記第１被覆パターンまでの距離をｄ２とし、前記基部における前記凸構造部側の面を含む平面から前記凸構造部上面までの高さをｈ２としたとき、ｄ２≧ｈ２となる前記凸構造部側の面における位置に、前記第１被覆パターンを形成することを特徴とする請求項６又は７に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項９】
前記パターン形成工程において、前記第１被覆パターンを含む所定領域に面積率調整用凸部形成用の第３被覆パターンを形成することを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項１０】
前記パターン形成工程において、前記凸構造部上面における前記第２被覆パターンの被覆面積率と、前記所定領域における前記第１及び第３被覆パターンの合計被覆面積率との比が１：０．９〜１：１．１になるように、前記第３被覆パターンを形成することを特徴とする請求項９に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項１１】
非破壊式測定装置を用いて前記測定用凸部の高さを測定可能なように、前記所定領域に前記第３被覆パターンを形成することを特徴とする請求項９又は１０に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項１２】
前記第１被覆パターンの最近傍に位置する前記第３被覆パターンと、当該第１被覆パターンとの距離が、非破壊式測定装置を用いて前記測定用凸部の高さを測定可能な距離であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項１３】
基部と、当該基部の一方の面から突出する凸構造部とを備えるナノインプリント用モールドであって、
前記基部における凸構造部側の面に少なくとも１つの測定用凹部を有し、前記凸構造部の上面に転写用凹部を有しており、
前記転写用凹部の深さと前記測定用凹部の深さとが、所定の相関性を有し、
前記測定用凹部の開口面の短手方向長さが、非破壊式測定装置を用いて前記測定用凹部の深さを測定可能な長さであることを特徴とするナノインプリント用モールド。
【請求項１４】
前記凸構造部の最上面を含む平面と当該凸構造部の側壁面との交線における当該凸構造部の最上面を含む平面に対する垂線と前記基部における前記凸構造部側の面を含む平面との交点から前記交点の最近傍に位置する前記測定用凹部までの距離をＤ１とし、前記基部における前記凸構造部側の面を含む平面から前記凸構造部の最上面を含む平面までの高さをＨ１としたとき、Ｄ１≧Ｈ１であることを特徴とする請求項１３に記載のナノインプリント用モールド。
【請求項１５】
前記測定用凹部を含む所定領域に面積率調整用凹部を有することを特徴とする請求項１３又は１４に記載のナノインプリント用モールド。
【請求項１６】
前記凸構造部上面における前記転写用凹部の開口面の面積率と、前記所定領域における前記測定用凹部及び前記面積率調整用凹部の開口面の合計面積率との比が、１：０．９〜１：１．１であることを特徴とする請求項１５に記載のナノインプリント用モールド。
【請求項１７】
基部と、当該基部の一方の面から突出する凸構造部とを備えるナノインプリント用モールドであって、
前記基部における凸構造部側の面に少なくとも１つの測定用凸部を有し、前記凸構造部の上面に転写用凸部を有しており、
前記転写用凸部の高さと前記測定用凸部の高さとが、所定の相関性を有することを特徴とするナノインプリント用モールド。
【請求項１８】
前記転写用凸部の上端面を含む平面と前記凸構造部の側壁面を含む平面との交線における当該転写用凸部の上端面を含む平面に対する垂線と前記測定用凸部の上端面を含む平面との交点から前記交点の最近傍に位置する前記測定用凸部までの距離をＤ２とし、前記測定用凸部の上端面を含む平面から前記転写用凸部の上端面を含む平面までの高さをＨ２としたとき、Ｄ２≧Ｈ２であることを特徴とする請求項１７に記載のナノインプリント用モールド。
【請求項１９】
前記測定用凸部を含む所定領域に面積率調整用凸部を有していることを特徴とする請求項１７又は１８に記載のナノインプリント用モールド。
【請求項２０】
前記凸構造部上面における前記転写用凸部の上端面の面積率と、前記所定領域における前記測定用凸部及び前記面積率調整用凸部の上端面の合計面積率との比が、１：０．９〜１：１．１であることを特徴とする請求項１９に記載のナノインプリント用モールド。
【請求項２１】
前記面積率調整用凸部が、非破壊式測定装置を用いて前記測定用凸部の高さを測定可能な箇所に位置していることを特徴とする請求項１９又は２０に記載のナノインプリント用モールド。
【請求項２２】
前記測定用凸部の最近傍に位置する前記面積率調整用凸部と、当該測定用凸部との距離が、非破壊式測定装置を用いて前記測定用凸部の高さを測定可能な距離であることを特徴とする請求項１９〜２１のいずれかに記載のナノインプリント用モールド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物に所望の線、模様等の図形を転写形成するナノインプリント用モールド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細加工技術として、近年ナノインプリント技術に注目が集まっている。ナノインプリント技術は、基材の表面に微細な凹凸構造を形成した型部材（モールド）を用い、凹凸構造を被加工物に転写することで微細凹凸構造を等倍転写するパターン形成技術である（特許文献１）。
このような微細凹凸構造を被加工物に等倍転写するために用いられるモールドは、その凹凸構造における凹部の深さ（凸部の高さ）が所望とする深さ（高さ）であることが要求されるため、作製されたモールドの深さ（高さ）を評価する必要がある。そして、当該凹部の深さ（凸部の高さ）を評価する方法として、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）又は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いる方法、位相差計測装置を用いる方法、スキャトロメトリ法などが知られている。
これらの方法のうち、ＡＦＭを用いる方法は、カンチレバーと称される、一端に探針が設けられたプローブでモールド表面を走査することにより凹部の深さ（凸部の高さ）を計測することのできる非破壊的な方法であるが、凹凸構造の微細化により、プローブの探針が凹部の底面（凸部と凸部との間の底面）に到達することができず、凹部の深さ（凸部の高さ）の正確な計測が困難であるという問題がある。
【０００３】
また、位相差計測装置を用いる方法は、モールド表面の凹凸構造に伴い、モールド表面に照射され、透過したレーザ光又は反射したレーザ光の位相差に基づいて凹部の深さ（凸部の高さ）を計測することのできる非破壊的な方法であるが、ＡＦＭを用いる方法と同様に、凹凸構造の微細化により、レーザ光の波長よりも凹部の短手方向長さ（凸部と凸部との間隙の長さ）が短くなると、レーザ光が凹部内に入射することができず、凹部の深さ（凸部の高さ）の正確な計測が困難であるという問題がある。上述のように、ナノインプリントモールドにおいては、その表面の微細な凹部（凸部）の深さ（高さ）を測定することが困難であるという問題がある。
このような問題を解決すべく、従来、モールドの表面に形成された微細な機能パターン（凹部）と同一平面上における当該機能パターンに隣接する位置に、当該微細な機能パターンと同一の深さを有し、ＡＦＭ等の非破壊式測定装置により測定可能な計測用パターンを形成し、当該計測用パターンの深さを計測することにより間接的に微細な機能パターンの深さを計測し得るナノインプリント用モールドが提案されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５，７７２，９０５号
【特許文献２】特開２００９−１４３０８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献２に記載のモールドは、微細な機能パターンと同一平面上における当該機能パターンに近接した位置に計測用パターンが形成されているため、このモールドを用いてステップ・アンド・リピート法により機能パターンを繋ぎ合わせるようにして被加工物に転写し、連続性を有する一の転写パターンを被加工物上に形成しようとすると、被加工物上に不要な計測用パターンまでもが転写されてしまう、あるいは、不要な計測用パターンの存在により機能パターンの繋ぎ合わせが不可能となる場合があるという問題がある。
また、ステップ・アンド・リピート法により一の被加工物上に複数の転写パターンを順次形成する場合、上記特許文献２に記載のモールドを用いると、被加工物上に機能パターンとともに不要な計測用パターンも転写されてしまうため、モールドの送りピッチが大きくなり、被加工物に無駄が生じてしまうという問題がある。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、微細な転写用凹凸構造と、当該転写用凹凸構造の凹部の深さ（凸部の高さ）を正確に測定するための測定用凹凸構造とを備えているにもかかわらず、ステップ・アンド・リピート法により転写用凹凸構造のみを被加工物に転写することのできるナノインプリント用モールド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、基部と、当該基部の一方の面から突出してなる凸構造部とを備える基材における前記凸構造部に転写用凹部が形成され、前記凸構造部の周囲の前記基部における凸構造部側の面に少なくとも１つの測定用凹部が形成されてなり、前記転写用凹部の深さと前記測定用凹部の深さとが所定の相関性を有するナノインプリント用モールドを製造する方法であって、前記基材の前記基部上及び前記凸構造部上にエッチング用マスク材料膜を形成するマスク材料膜形成工程と、前記基部上のマスク材料膜に前記測定用凹部形成用の第１開口パターンを形成するパターン形成、及び前記凸構造部上のマスク材料膜に前記転写用凹部形成用の第２開口パターンを形成するパターン形成を行うパターン形成工程と、前記第１及び第２開口パターンが形成されたマスク材料膜をマスクとしてエッチングして、前記基部における凸構造部側の面への測定用凹部の形成及び前記凸構造部への転写用凹部の形成を行うエッチング工程とを含み、前記測定用凹部の開口面の短手方向長さが、非破壊式測定装置を用いて前記測定用凹部の深さを測定可能な長さであることを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法を提供する（発明１）。
【０００７】
上記発明（発明１）においては、前記エッチング工程において、前記測定用凹部が形成される前記基部と前記転写用凹部が形成される前記凸構造部とを同時にエッチングすることが好ましい（発明２）。
上記発明（発明１，２）においては、前記パターン形成工程において、前記凸構造部上面周端部における当該凸構造部上面に対する垂線と前記基部における前記凸構造部側の面を含む平面との交点から前記交点の最近傍に位置する前記第１開口パターンまでの距離をｄ１とし、前記基部における前記凸構造部側の面を含む平面から前記凸構造部上面までの高さをｈ１としたとき、ｄ１≧ｈ１となる前記凸構造部側の面における位置に、前記第１開口パターンを形成することが好ましい（発明３）。
上記発明（発明１〜３）においては、前記パターン形成工程において、前記第１開口パターンを含む所定領域に面積率調整用凹部形成用の第３開口パターンを形成することが好ましい（発明４）。
上記発明（発明４）においては、前記パターン形成工程において、前記凸構造部上面における前記第２開口パターンの開口面積率と、前記所定領域における前記第１及び第３開口パターンの合計開口面積率との比が１：０．９〜１：１．１になるように、前記第３開口パターンを形成することが好ましい（発明５）。
【０００８】
また、本発明は、基部と、当該基部の一方の面から突出してなる凸構造部とを備える基材における前記凸構造部に転写用凸部が形成され、前記凸構造部の周囲の前記基部における凸構造部側の面に少なくとも１つの測定用凸部が形成されてなり、前記転写用凸部の高さと前記測定用凸部の高さとが所定の相関性を有するナノインプリント用モールドを製造する方法であって、前記基材の前記基部上及び前記凸構造部上にエッチング用マスク材料膜を形成するマスク材料膜形成工程と、前記基部上のマスク材料膜に前記測定用凸部形成用の第１被覆パターンを形成するパターン形成、及び前記凸構造部上のマスク材料膜に前記転写用凸部形成用の第２被覆パターンを形成するパターン形成を行うパターン形成工程と、前記第１及び第２被覆パターンが形成されたマスク材料膜をマスクとしてエッチングして、前記基部における凸構造部側の面への測定用凸部の形成及び前記凸構造部への転写用凸部の形成を行うエッチング工程とを含むことを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法を提供する（発明６）。
【０００９】
上記発明（発明６）においては、前記エッチング工程において、前記測定用凸部が形成される前記基部と前記転写用凸部が形成される前記凸構造部とを同時にエッチングすることが好ましい（発明７）。
上記発明（発明６，７）においては、前記パターン形成工程において、前記凸構造部上面周端部における当該凸構造部上面に対する垂線と前記基部における前記凸構造部側の面を含む平面との交点から前記交点の最近傍に位置する前記第１被覆パターンまでの距離をｄ２とし、前記基部における前記凸構造部側の面を含む平面から前記凸構造部上面までの高さをｈ２としたとき、ｄ２≧ｈ２となる前記凸構造部側の面における位置に、前記第１被覆パターンを形成することが好ましい（発明８）。
上記発明（発明６〜８）においては、前記パターン形成工程において、前記第１被覆パターンを含む所定領域に面積率調整用凸部形成用の第３被覆パターンを形成することが好ましい（発明９）。
【００１０】
上記発明（発明９）においては、前記パターン形成工程において、前記凸構造部上面における前記第２被覆パターンの被覆面積率と、前記所定領域における前記第１及び第３被覆パターンの合計被覆面積率との比が１：０．９〜１：１．１になるように、前記第３被覆パターンを形成することが好ましい（発明１０）。
上記発明（発明９，１０）においては、非破壊式測定装置を用いて前記測定用凸部の高さを測定可能なように、前記所定領域に前記第３被覆パターンを形成することが好ましい（発明１１）。
上記発明（発明９〜１１）においては、前記第１被覆パターンの最近傍に位置する前記第３被覆パターンと、当該第１被覆パターンとの距離が、非破壊式測定装置を用いて前記測定用凸部の高さを測定可能な距離であることが好ましい（発明１２）。
【００１１】
さらに、本発明は、基部と、当該基部の一方の面から突出する凸構造部とを備えるナノインプリント用モールドであって、前記基部における凸構造部側の面に少なくとも１つの測定用凹部を有し、前記凸構造部の上面に転写用凹部を有しており、前記転写用凹部の深さと前記測定用凹部の深さとが、所定の相関性を有し、前記測定用凹部の開口面の短手方向長さが、非破壊式測定装置を用いて前記測定用凹部の深さを測定可能な長さであることを特徴とするナノインプリント用モールドを提供する（発明１３）。
【００１２】
上記発明（発明１３）においては、前記凸構造部の最上面を含む平面と当該凸構造部の側壁面との交線における当該凸構造部の最上面を含む平面に対する垂線と前記基部における前記凸構造部側の面を含む平面との交点から前記交点の最近傍に位置する前記測定用凹部までの距離をＤ１とし、前記基部における前記凸構造部側の面を含む平面から前記凸構造部の最上面を含む平面までの高さをＨ１としたとき、Ｄ１≧Ｈ１であることが好ましい（発明１４）。
上記発明（発明１３，１４）においては、前記測定用凹部を含む所定領域に面積率調整用凹部を有することが好ましい（発明１５）。
上記発明（発明１５）においては、前記凸構造部上面における前記転写用凹部の開口面の面積率と、前記所定領域における前記測定用凹部及び前記面積率調整用凹部の開口面の合計面積率との比が、１：０．９〜１：１．１であることが好ましい（発明１６）。
【００１３】
さらにまた、本発明は、基部と、当該基部の一方の面から突出する凸構造部とを備えるナノインプリント用モールドであって、前記基部における凸構造部側の面に少なくとも１つの測定用凸部を有し、前記凸構造部の上面に転写用凸部を有しており、前記転写用凸部の高さと前記測定用凸部の高さとが、所定の相関性を有することを特徴とするナノインプリント用モールドを提供する（発明１７）。
【００１４】
上記発明（発明１７）においては、前記転写用凸部の上端面を含む平面と前記凸構造部の側壁面を含む平面との交線における当該転写用凸部の上端面を含む平面に対する垂線と前記測定用凸部の上端面を含む平面との交点から前記交点の最近傍に位置する前記測定用凸部までの距離をＤ２とし、前記測定用凸部の上端面を含む平面から前記転写用凸部の上端面を含む平面までの高さをＨ２としたとき、Ｄ２≧Ｈ２であることが好ましい（発明１８）。
上記発明（発明１７，１８）においては、前記測定用凸部を含む所定領域に面積率調整用凸部を有していることが好ましい（発明１９）。
上記発明（発明１９）においては、前記凸構造部上面における前記転写用凸部の上端面の面積率と、前記所定領域における前記測定用凸部及び前記面積率調整用凸部の上端面の合計面積率との比が、１：０．９〜１：１．１であることが好ましい（発明２０）。
上記発明（発明１９，２０）においては、前記面積率調整用凸部が、非破壊式測定装置を用いて前記測定用凸部の高さを測定可能な箇所に位置していることが好ましい（発明２１）。
上記発明（発明１９〜２１）においては、前記測定用凸部の最近傍に位置する前記面積率調整用凸部と、当該測定用凸部との距離が、非破壊式測定装置を用いて前記測定用凸部の高さを測定可能な距離であることが好ましい（発明２２）。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、微細な転写用凹凸構造と、当該転写用凹凸構造の凹部の深さ（凸部の高さ）を正確に測定するための測定用凹凸構造とを備えているにもかかわらず、ステップ・アンド・リピート法により転写用凹凸構造のみを被加工物に転写することのできるナノインプリント用モールド及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るナノインプリント用モールドを示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るナノインプリント用モールドを示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るナノインプリント用モールドを示す部分拡大断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るナノインプリント用モールドの製造工程（その１）を示す工程フロー図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係るナノインプリント用モールドの製造過程における基材の部分拡大断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係るナノインプリント用モールドの製造工程（その２）を示す工程フロー図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係るナノインプリント用モールドを示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係るナノインプリント用モールドを示す平面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係るナノインプリント用モールドを示す部分拡大断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係るナノインプリント用モールドの製造工程（その１）を示す工程フロー図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係るナノインプリント用モールドの製造過程における基材の部分拡大断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係るナノインプリント用モールドの製造工程（その２）を示す工程フロー図である。
【図１３】実施例１において作成した検量線を示すグラフである。
【図１４】実施例２において作成した検量線を示すグラフである。
【図１５】実施例３において作成した検量線を示すグラフである。
【図１６】実施例４において作成した検量線を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
〔第１の実施形態〕
［ナノインプリント用モールド］
第１の実施形態に係るナノインプリント用モールド１の断面図を図１に示す。図１に示すように、第１の実施形態に係るナノインプリント用モールド１は、基部２と、基部２の一方の面から突出してなる凸構造部３とを備える基材４からなる。
ナノインプリント用モールド１を構成する基材４の材料としては、例えば、シリコン等の半導体材料、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。また、基材４の厚みは、被加工物の材質、凸構造部３の高さ、基材４の強度、取り扱い適性等を考慮して設定されることができ、例えば、３００μｍ〜７ｍｍ程度の範囲で適宜設定されることができる。
【００１８】
基部２及び凸構造部３の形状としては、例えば、平面視略円形状、平面視略楕円形状、平面視略方形状（正方形、長方形等）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、両者の形状は、同一形状であってもよいし、異なる形状であってもよく、例えば、基部２及び凸構造部３の形状がともに平面視略円形状であってもよいし、基部２の形状が平面視略円形状であって凸構造部３の形状が平面視略方形状であってもよい。
凸構造部３の高さ（基部２の凸構造部側平坦面２１から凸構造部３の最上面３１までの高さ）は、凸構造部３の最上面３１に形成されている転写用凹部３２の微細凹凸構造を被加工物に転写する際に、基部２の凸構造部側平坦面２１が当該被加工物に接触しない程度に適宜設定されていればよく、一般に、凸構造部３の高さは、被加工物の樹脂層の膜厚よりも高く設定されていればよい。
【００１９】
また、凸構造部３の高さは、基部２の高さが０．５ｍｍ以上となるように設定されるのが好ましい。基部２の高さが０．５ｍｍ未満となると、被加工物への転写用凹部３２の微細凹凸構造の転写時に耐え得る十分な強度を確保するのが困難となるおそれがある。特に、凸構造部３の高さは２５μｍ以下であるのが好ましい。凸構造部３の高さが２５μｍ以下であれば、後述するナノインプリント用モールド１の製造工程において、測定用凹部２２及び転写用凹部３２のそれぞれを形成するための第１開口パターン５３及び第２開口パターン５４を電子線描画により形成する際に、基部２の凸構造部側平坦面２１及び凸構造部３の双方において焦点をあわせやすくなるという効果を併せ持つ。
【００２０】
このナノインプリント用モールド１において、凸構造部３の最上面３１には転写用凹部３２が形成されているとともに、凸構造部３の周囲の基部２における凸構造部側平坦面２１には測定用凹部２２が形成されている。転写用凹部３２が形成されている面（凸構造部３の最上面３１）よりも図１中における鉛直方向の高さの低い位置に測定用凹部２２が形成されていることで、ナノインプリント用モールド１を用いてステップ・アンド・リピート法により転写用凹部３２の凹凸構造を被加工物に連続して転写する際に、測定用凹部２２の凹凸構造がともに転写されることがないため、被加工物上に不要な凹凸構造までもが転写されることがなく、また、ナノインプリント用モールド１の送りピッチを小さくすることができ、被加工物に無駄が生じることがない。
凸構造部３の最上面３１に形成されている転写用凹部３２の形状としては、スペース状凹部、ホール状凹部等を例示することができるが、これらに限定されるものではなく、平面視略円形状、平面視略楕円形状、平面視略方形状（正方形、長方形等）等の形状を採用することができる。なお、スペース状凹部とは、凹部の開口面における長手方向長さが、短手方向長さの２倍以上の凹部を意味し、ホール状凹部とは、凹部の開口面における長手方向長さが、短手方向長さの２倍未満の凹部を意味するものとする。
【００２１】
また、転写用凹部３２の短手方向長さは、特に限定されるものではなく、ＡＦＭ、位相差計測装置等の非破壊式測定装置を用いて当該転写用凹部３２の深さを測定し得ない長さ（非破壊式測定装置の種類によって異なるが、例えば、１００ｎｍ未満、５０ｎｍ未満、３０ｎｍ未満、２０ｎｍ未満等）であってもよいし、当該転写用凹部３２の深さを測定し得る長さであってもよい。なお、本実施形態において、転写用凹部３２の形状が平面視円形状である場合の短手方向長さとは、当該円の直径を意味し、平面視略楕円形状である場合には当該略楕円の短径を意味する。
なお、転写用凹部３２の短手方向長さが、非破壊式測定装置を用いて当該転写用凹部３２の深さを測定し得る長さである場合、ナノインプリント用モールド１に測定用凹部２２を形成しなくても、転写用凹部３２の深さを直接測定すればよいとも考えられるが、ＡＦＭ等の非破壊式測定装置を用いて転写用凹部３２の深さを直接測定すると、転写用凹部３２表面に異物が付着したり、転写用凹部３２表面に傷が付いたりするおそれがある。そのため、このような場合であっても、測定用凹部２２の深さを測定するのが好ましい。
【００２２】
測定用凹部２２の形状としては、転写用凹部３２と同様に平面視略円形状、平面視略楕円形状、平面視略方形状（正方形、長方形等）等の形状を採用することができるが、凸構造部３上に形成されている転写用凹部３２と略相似形状であるのが好ましく、相似形状であるのが特に好ましい。転写用凹部３２と測定用凹部２２とが略相似形状又は相似形状であれば、転写用凹部３２の深さと測定用凹部２２の深さとの相関性が極めて高くなり、より高精度で転写用凹部３２の深さを測定することができる。
【００２３】
図２に示すように、測定用凹部２２の短手方向長さＷは、非破壊式測定装置を用いて当該測定用凹部２２の深さを測定し得る長さである限り特に限定されるものではないが、１００ｎｍ以上であるのが好ましい。また、測定用凹部２２は、基部２における凸構造部側平坦面２１に少なくとも１つ形成されていればよいが、複数の測定用凹部２２が形成されているのが好ましい。複数の測定用凹部２２が形成されていることで、測定用凹部２２の深さに基づく転写用凹部３２の深さの測定精度を向上させることができる。例えば、図２に示すように、測定用凹部２２は、凸構造部３を略均等に取り囲むようにして４箇所に位置させることができる。
【００２４】
測定用凹部２２は、基部２における凸構造部側平坦面２１に形成されていればよいが、図３に示すように、凸構造部３の最上面３１を含む平面３３と凸構造部３の側壁面３４との交線３５における上記平面３３に対する垂線Ｌ１と基部２における凸構造部側平坦面２１を含む平面２４との交点Ｐ１から当該交点Ｐ１の最近傍に位置する測定用凹部２２までの距離をＤ１とし、基部２における凸構造部側平坦面２１を含む平面２４から凸構造部３の最上面３１を含む平面３３までの高さをＨ１としたとき、Ｄ１≧Ｈ１となる位置に形成されているのが好ましい。
上記測定用凹部２２を含む所定領域には、面積率調整用凹部２３がさらに形成されているのが好ましい。具体的には、基部２における一の測定用凹部２２の開口面周縁部から外側に向かう方向であって、当該開口面周縁部の接線に対する垂直方向１０μｍ〜５ｍｍ以内、好ましくは１００μｍ〜１ｍｍ以内の所定領域Ｓ１に面積率調整用凹部２３が形成されているのが好ましい（図２参照）。
【００２５】
この面積率調整用凹部２３は、凸構造部３の上面全体の面積に対する全転写用凹部３２の開口面の面積率と上記所定領域Ｓ１の面積に対する測定用凹部２２及び面積率調整用凹部２３の開口面の合計面積率との比が、１：０．９〜１：１．１となるように、上記所定領域Ｓ１に形成されているのが好ましい。両者の面積率の比が上記範囲内であれば、転写用凹部３２の深さと測定用凹部２２の深さとの相関性を極めて高くすることができ、より高精度で転写用凹部３２の深さを測定することができる。なお、所定領域Ｓ１における面積率調整用凹部２３の数は特に限定されるものではない。
なお、基部２における凸構造部側平坦面２１に複数の測定用凹部２２が形成されている場合、一の測定用凹部２２の所定領域Ｓ１に他の測定用凹部２２が形成されない限り、一の測定用凹部２２の所定領域Ｓ１と他の測定用凹部２２の所定領域Ｓ１とが重なり合うように設定されていてもよい。
【００２６】
上記第１の実施形態に係るナノインプリント用モールド１によれば、転写用凹部３２が形成されている凸構造部３と異なる面（基部２）上に測定用凹部２２が形成されているため、当該モールド１を被加工物に押圧して転写用凹部３２の微細凹凸構造を転写する際に、測定用凹部２２の凹凸構造が転写されることがない。そのため、ステップ・アンド・リピート法により転写用凹部３２の微細凹凸構造を繋ぎ合わせるようにして被加工物に転写し、連続性を有する一の転写パターンを被加工物上に形成する際に、被加工物上に不要な測定用凹部２２の凹凸構造までもが転写されることがなく、また、ステップ・アンド・リピート法により一の被加工物上に複数の転写パターンを順次形成する場合、被加工物上に転写用凹部３２の微細凹凸構造のみが転写され、不要な測定用凹部２２の凹凸構造は転写されないため、ナノインプリント用モールド１の送りピッチを小さくすることができ、被加工物に無駄が生じることがない。
【００２７】
［ナノインプリント用モールドの製造方法（その１）］
次に、第１の実施形態に係るナノインプリント用モールド１の製造方法について説明する。図４は、第１の実施形態に係るナノインプリント用モールド１の製造方法（その１）を示す工程フロー図である。
まず、平板状の基材４を用意し、当該基材４の一方の面に感光性レジスト膜（ポジ型レジスト膜又はネガ型レジスト膜）５を形成する（図４（Ａ））。基材４への感光性レジスト膜５の形成方法は特に限定されるものではなく、例えば、スプレーコーター、スピンコーター等の塗工機を用いた従来公知の塗布（塗工）方法等が挙げられる。
このようにして基材４上に形成された感光性レジスト膜（図示例ではネガ型レジスト膜）５に対して所望のマスクを介して露光し（図４（Ｂ））、その後現像して凸構造部３に対応する部位にのみ感光性レジスト膜５が残存するレジスト層５１を形成する（図４（Ｃ））。
【００２８】
このようにして形成されたレジスト層５１をマスクとして異方性エッチングを行い（図４（Ｄ））、残存するレジスト層５１を剥離することにより、基部２の一方の面から突出する凸構造部３を備える基材４を得ることができる（図４（Ｅ））。レジスト層５１の剥離方法としては、レジスト剥離液を噴霧する方法、レジスト剥離液に浸漬する方法、酸素プラズマによりアッシングする方法等を用いることができ、レジスト剥離液としては、例えば、アセトン等の溶剤、硫酸過水、レジスト専用の剥離液等を使用することができる。なお、レジスト層５１を形成した後の工程において、レジスト層５１の硬化が進行した場合、レジスト剥離液を用いた剥離を行う前に、レジスト層５１に対して加熱処理、超音波処理を施すことが好ましい。
続いて、凸構造部３側の基材４上にポジ型電子線レジスト膜５２を形成し（図４（Ｆ））、電子線描画により測定用凹部２２、転写用凹部３２及び面積率調整用凹部２３のそれぞれを形成するための第１開口パターン５３、第２開口パターン５４及び第３開口パターン５５の潜像を形成し（図４（Ｇ））、現像してエッチングレジスト層５６を形成する（図４（Ｈ））。
【００２９】
第１開口パターン５３は、測定用凹部２２が形成される所望の位置に対応するようにして形成される。具体的には、図５に示すように、凸構造部３の上面周端部３５における凸構造部３の上面３１に対する垂線ｌ１と基部２における凸構造部側平坦面２１を含む平面２４との交点ｐ１から当該交点ｐ１の最近傍に位置する第１開口パターン５３までの距離をｄ１とし、基部２における凸構造部側平坦面２１を含む平面２４から凸構造部３の上面３１までの高さをｈ１としたとき、ｄ１≧ｈ１となる凸構造部側平坦面２１における位置に、第１開口パターン５３を形成するのが好ましい。当該位置よりも凸構造部３側に近づいた位置に第１開口パターン５３を形成すると、凸構造部３の存在が、測定用凹部２２を形成する際のエッチングに影響を与え、測定用凹部２２の深さと転写用凹部３２の深さとの相関性を低下させるおそれがある。
また、第３開口パターン５５は、第１開口パターン５３を含む所定領域に形成されているのが好ましく、凸構造部３上面全体の面積に対する第２開口パターン５４の開口面積率と、当該所定領域の面積に対する第１開口パターン５３及び第３開口パターン５５の合計開口面積率との比が１：０．９〜１：１．１になるように形成されているのがより好ましい。両者の開口面積率の比を上記範囲内とすれば、転写用凹部３２の深さと測定用凹部２２の深さとを極めて相関性の高いものとすることができる。なお、第１開口パターン５３及び第３開口パターン５５が形成される所定領域とは、測定用凹部２２及び面積率調整用凹部２３が形成される所定領域Ｓ１（図２参照）に対応するエッチングレジスト層５６における領域を意味する。
【００３０】
このようにして形成されたエッチングレジスト層５６をマスクとして基部２と凸構造部３とを同時にドライエッチングする（図４（Ｉ））。このドライエッチングは、反応性ガスエッチング、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等の公知のドライエッチングから、基材４の材質を考慮して、使用するエッチングガスとともに適宜選択することができ、例えば、基材４がシリコンやガラスの場合、フッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチングによりドライエッチングすることができる。かかるドライエッチング後、エッチングレジスト層５６を除去することにより、凸構造部３上に転写用凹部３２が形成され、基部２の所定領域Ｓ１に測定用凹部２２及び面積率調整用凹部２３が形成されてなるナノインプリント用モールド１を得ることができる（図４（Ｊ））。
【００３１】
上述したナノインプリント用モールド１の製造方法（その１）によれば、転写用凹部３２と測定用凹部２２とが同時にエッチングされることで形成されるため、転写用凹部３２の深さと測定用凹部２２の深さとの相関性を極めて高いものとすることができる。そのため、得られたナノインプリント用モールド１の測定用凹部２２の深さを、ＡＦＭ、位相差計測装置等の非破壊式測定装置を用いて実測することにより、高精度で転写用凹部３２の深さを測定することができる。
上述したナノインプリント用モールド１の製造方法（その１）においては（図４）、基部２の一方の面から突出してなる凸構造部３を備える基材４を作製した後（図４（Ｅ））、当該基材４の凸構造部側表面にハードマスクを成膜し、ハードマスク上にポジ型電子線レジスト膜を形成し、電子線描画により測定用凹部２２、転写用凹部３２及び面積率調整用凹部２３のそれぞれを形成するための第１開口パターン、第２開口パターン及び第３開口パターンの潜像を形成し、現像してエッチングレジスト層を形成し、形成されたエッチングレジスト層をマスクとしてハードマスクをドライエッチングし、エッチングされたハードマスクを介して基部２及び凸構造部３を同時にエッチングするようにしてもよい。
【００３２】
［ナノインプリント用モールドの製造方法（その２）］
第１の実施形態に係るナノインプリント用モールド１は、後述する方法により製造することもできる。図６は、第１の実施形態に係るナノインプリント用モールド１の製造方法（その２）を示す工程フロー図である。
まず、図４（Ａ）〜（Ｅ）に示すようにして基部２の一方の面から突出する凸構造部３を備える基材４を作製する。平板状の基材４を用意し、当該基材４の一方の面に感光性レジスト膜（ポジ型レジスト膜又はネガ型レジスト膜）５を形成する（図４（Ａ））。基材４への感光性レジスト膜５の形成は、上述したナノインプリント用モールド１の製造方法（その１）と同様にして行えばよい。
【００３３】
このようにして基材４上に形成された感光性レジスト膜（図示例ではネガ型レジスト膜）５に対して所望のマスクを介して露光し（図４（Ｂ））、その後現像して凸構造部３に対応する部位にのみ感光性レジスト膜５が残存するレジスト層５１を形成する（図４（Ｃ））。このようにして形成されるレジスト層５１の厚みは、上述したナノインプリント用モールド１の製造方法（その１）と同様にすればよい。
このようにして形成されたレジスト層５１をマスクとしてエッチングし（図４（Ｄ））、残存するレジスト層５１を剥離することにより、基部２の一方の面から突出する凸構造部３を備える基材４を得ることができる（図４（Ｅ））。レジスト層５１の剥離は、上述したナノインプリント用モールド１の製造方法（その１）と同様にして行えばよい。なお、レジスト層５１を形成した後の工程において、レジスト層５１の硬化が進行した場合、レジスト剥離液を用いた剥離を行う前に、レジスト層５１に対して加熱処理、超音波処理を施すことが好ましい。
【００３４】
続いて、図６に示すように、凸構造部３側の基材４上にポジ型電子線レジスト膜５２を形成し（図６（Ｆ））、電子線描画により測定用凹部２２及び面積率調整用凹部２３のそれぞれを形成するための第１開口パターン５３及び第３開口パターン５５の潜像を形成し（図６（Ｇ））、現像して第１のエッチングレジスト層５７を形成するとともに、凸構造部３を露出させる（図６（Ｈ））。
【００３５】
第１開口パターン５３は、測定用凹部２２が形成される所望の位置に対応するようにして形成される。具体的には、図５を参照して説明した上述の製造方法（その１）と同様であり、凸構造部３の上面周端部３５における凸構造部３の上面３１に対する垂線ｌ１と基部２における凸構造部側平坦面２１を含む平面２４との交点ｐ１から、当該交点ｐ１の最近傍に位置する第１開口パターン５３までの距離をｄ１とし、基部２における凸構造部側平坦面２１を含む平面２４から凸構造部３の上面３１までの高さをｈ１としたとき、ｄ１≧ｈ１となる凸構造部側平坦面２１における位置に、第１開口パターン５３を形成するのが好ましい。当該位置よりも凸構造部３側に近づいた位置に第１開口パターン５３を形成すると、後述するように基部２及び凸構造部３を同時にエッチングして測定用凹部２２及び転写用凹部３２を形成したとしても、凸構造部３の存在が、測定用凹部２２を形成する際のエッチングに影響を与え、測定用凹部２２の深さと転写用凹部３２の深さとの相関性を低下させるおそれがある。
【００３６】
また、第３開口パターン５５は、第１開口パターン５３を含む所定領域に形成されているのが好ましく、凸構造部３上面全体の面積に対する第２開口パターン５４の開口面積率と、当該所定領域の面積に対する第１開口パターン５３及び第３開口パターン５５の合計開口面積率との比が１：０．９〜１：１．１になるように形成されているのがより好ましい。両者の開口面積率の比を上記範囲内とすれば、転写用凹部３２の深さと測定用凹部２２の深さとを極めて相関性の高いものとすることができる。なお、第１開口パターン５３及び第３開口パターン５５が形成される所定領域とは、測定用凹部２２及び面積率調整用凹部２３が形成される所定領域Ｓ１（図２参照）に対応する第１のエッチングレジスト層５７における領域を意味する。
そして、基部２上の第１のエッチングレジスト層５７及び凸構造部３上を被覆するようにしてネガ型電子線レジスト膜５８を形成し（図６（Ｉ））、電子線描画により転写用凹部３２を形成するための第２開口パターン５４の潜像を形成し（図６（Ｊ））、現像して第２のエッチングレジスト層５９を形成する（図６（Ｋ））。
このようにして形成された第１及び第２のエッチングレジスト層５７，５９をマスクとして基部２及び凸構造部３を同時にドライエッチングする（図６（Ｌ））。このドライエッチングは、上述したナノインプリント用モールド１の製造方法（その１）と同様にして行えばよい。かかるドライエッチング後、第１及び第２のエッチングレジスト層５７，５９を除去することにより、凸構造部３上に転写用凹部３２が形成され、基部２の所定領域Ｓ１に測定用凹部２２及び面積率調整用凹部２３が形成されてなるナノインプリント用モールド１を得ることができる（図６（Ｍ））。
【００３７】
上述したナノインプリント用モールド１の製造方法（その２）によれば、転写用凹部３２と測定用凹部２２とが同時にエッチングされることで形成されるため、転写用凹部３２の深さと測定用凹部２２の深さとの相関性を極めて高いものとすることができる。そのため、得られたナノインプリント用モールド１の測定用凹部２２の深さを、ＡＦＭ、位相差計測装置等の非破壊式測定装置を用いて実測することにより、高精度で転写用凹部３２の深さを測定することができる。
上述したナノインプリント用モールド１の製造方法（その２）において、第１のエッチングレジスト層５７をポジ型電子線レジストにて形成し、第２のエッチングレジスト層５９をネガ型電子線レジストにて形成しているが、これに限定されるものではなく、第１のエッチングレジスト層５７をネガ型電子線レジストにて形成し、第２のエッチングレジスト層５９をポジ型電子線レジストにて形成してもよい。
また、上述したナノインプリント用モールド１の製造方法（その２）において、電子線描画により第１開口パターン５３及び第３開口パターン５５の潜像を形成し、第１のエッチングレジスト層５７を形成しているが（図６（Ｆ）〜（Ｈ））、ポジ型感光性レジスト又はネガ型感光性レジストを用い、所望のフォトマスクを介したプロキシミティ露光を行い、その後現像して第１のエッチングレジスト層５７を形成してもよい。
【００３８】
さらに、上述したナノインプリント用モールド１の製造方法（その２）において、電子線描画により転写用凹部３２を形成するための第２開口パターン５４の潜像を形成し、第２のエッチングレジスト層５９を設けているが、凸構造部３上面に自己組織化膜を形成することにより転写用凹部３２を形成するための第２開口パターン５４を形成し、第２のエッチングレジスト層５９を設けてもよい。具体的には、以下のようにして第２開口パターン５４を形成することができる。
基部２の凸構造部側平坦面２１上に形成された第１のエッチングレジスト層５７上に保護膜を形成した後、凸構造部３の上面３１にポリスチレン（ＰＳ）−ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のジブロックコポリマーを含む組成物膜を形成し、熱又は溶媒雰囲気等でアニール処理する。これにより、ＰＭＭＡがシリンダー状に相分離した自己組織化膜が凸構造部３上に形成される。その後、Ｏ2プラズマ処理等を施してＰＭＭＡ相をエッチングすることにより、転写用凹部３２を形成するための第２開口パターン５４を有する自己組織化マスクを第２のエッチングレジスト層５９として凸構造部３上面３１に形成することができる。
【００３９】
［ナノインプリント用モールドの転写用凹部の深さ測定］
上述のようにして製造されたナノインプリント用モールド１は、転写用凹部３２の深さと測定用凹部２２の深さとが極めて高い相関性を有するものとなっている。そのため、転写用凹部３２の深さと測定用凹部２２の深さとの関係を示す検量線を予め作成しておけば、転写用凹部３２の深さの測定対象たるナノインプリント用モールド１における測定用凹部２２の深さを非破壊式測定装置（ＡＦＭ、位相差計測装置等）にて実測することで、予め作成された検量線に基づいて転写用凹部３２の深さを正確に測定することができる。
具体的には、ドライエッチング条件（ドライエッチング時間等）を変更することにより転写用凹部３２（測定用凹部２２）の深さがそれぞれ異なる複数の検量線作成用モールドをすべて同一の方法（例えば、上述したいずれか１つの製造方法）により作製し、転写用凹部３２の深さと測定用凹部２２の深さとをＳＥＭ等にて測定し、得られた各測定値に基づいて予め検量線を作成する。そして、所望の深さの転写用凹部３２を設けるための所定のドライエッチング条件で作製したナノインプリント用モールド１について、当該モールド１の測定用凹部２２の深さをＡＦＭ、位相差計測装置等の非破壊式測定装置にて実測する。そして当該実測値と検量線とから、当該モールド１の転写用凹部３２の深さを算出する。このようにして、ナノインプリント用モールド１の転写用凹部３２の深さを高精度で測定することができ、したがって、高精度のモールドを作製することができるとともに、何らかの理由で転写用凹部３２の深さが設定値から外れた場合には、そのようなモールドを確実に検出することができる。
【００４０】
〔第２の実施形態〕
［ナノインプリント用モールド］
第２の実施形態に係るナノインプリント用モールド１０の断面図を図７に示す。なお、第１の実施形態に係るナノインプリント用モールド１と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第２の実施形態に係るナノインプリント用モールド１０において、凸構造部３の高さ（基部２における測定用凸部２２１の上端面を含む平面から凸構造部３における転写用凸部３２１の上端面を含む平面までの高さ）は、凸構造部３の上面３１１に形成されている転写用凸部３２１の微細凹凸構造を被加工物に転写する際に、基部２の凸構造部側平坦面２１１に形成されている測定用凸部２２１及び面積率調整用凸部２３１が当該被加工物に接触しない程度に適宜設定されていればよく、一般に、凸構造部３の高さは、被加工物の樹脂層の膜厚よりも高く設定されていればよい。
【００４１】
また、凸構造部３の高さは、基部２の高さが０．５ｍｍ以上となるように設定されるのが好ましい。基部２の高さが０．５ｍｍ未満となると、被加工物への転写用凸部３２１の微細凹凸構造の転写時に耐え得る十分な強度を確保するのが困難となるおそれがある。特に、凸構造部３の高さは２５μｍ以下であるのが好ましい。凸構造部３の高さが２５μｍ以下であれば、後述するナノインプリント用モールド１０の製造工程において、測定用凸部２２１及び転写用凸部３２１のそれぞれを形成するための第１被覆パターン５３１及び第２被覆パターン５４１を電子線描画により形成する際に、基部２の凸構造部側平坦面２１１及び凸構造部３の双方において焦点をあわせやすくなるという効果を併せ持つ。
図７に示すように、第２の実施形態に係るナノインプリント用モールド１０において、凸構造部３の上面３１１に転写用凸部３２１が形成されているとともに、凸構造部３の周囲の基部２における凸構造部側平坦面２１１に測定用凸部２２１が形成されている。転写用凸部３２１が形成されている面（凸構造部３の上面３１１）よりも図７中における鉛直方向の高さの低い位置に測定用凸部２２１が形成されていることで、ナノインプリント用モールド１０を用いてステップ・アンド・リピート法により転写用凸部３２１の凹凸構造を被加工物に連続して転写する際に、測定用凸部２２１の凹凸構造がともに転写されることがないため、被加工物上に不要な凹凸構造までもが転写されることがなく、また、ナノインプリント用モールド１の送りピッチを小さくすることができ、被加工物に無駄が生じることがない。
【００４２】
凸構造部３の上面３１１に形成されている転写用凸部３２１の形状としては、ライン状凸部、ピラー状凸部等を例示することができるが、これらに限定されるものではなく、平面視略円形状、平面視略楕円形状、平面視略方形状（正方形、長方形等）等の形状を採用することができる。なお、ライン状凸部とは、凸部の上端面における長手方向長さが、短手方向長さの２倍以上の凸部を意味し、ピラー状凸部とは、凸部の上端面における長手方向長さが、短手方向長さの２倍未満の凸部を意味するものとする。
凸構造部３の上面３１１に転写用凸部３２１が複数形成される場合、当該複数の転写用凸部３２１間の距離は特に限定されるものではなく、各転写用凸部３２１間の距離が、ＡＦＭ、位相差計測装置等の非破壊式測定装置を用いて当該転写用凸部３２１の高さを測定し得ない距離（すなわち、一の転写用凸部３２１の周囲の凸構造部３上の面３１１にＡＦＭの探針が接触し得ない程度に、又は一の転写用凸部３２１の周囲の凸構造部３上の面３１１にレーザ光が到達し得ない程度に他の転写用凸部３２１が近接している場合、非破壊式測定装置の種類によって異なるが、例えば、１００ｎｍ未満、５０ｎｍ未満、３０ｎｍ未満、２０ｎｍ未満等）であってもよいし、当該転写用凸部３２１の高さを測定し得る距離であってもよい。
【００４３】
なお、各転写用凸部３２１間の距離が、非破壊式測定装置を用いて当該転写用凸部３２１の高さを測定し得る距離である場合、ナノインプリント用モールド１０に測定用凸部２２１を形成しなくても、転写用凸部３２１の高さを直接測定すればよいとも考えられるが、ＡＦＭ等の非破壊式測定装置を用いて転写用凸部３２１の高さを直接測定すると、転写用凸部３２１表面に異物が付着したり、転写用凸部３２１表面に傷が付いたりするおそれがある。そのため、このような場合であっても、測定用凸部２２１にて高さを測定するのが好ましい。
測定用凸部２２１の形状としては、転写用凸部３２１と同様に平面視略円形状、平面視略楕円形状、平面視略方形状（正方形、長方形等）等の形状を採用することができるが、凸構造部３上に形成されている転写用凸部３２１と略相似形状であるのが好ましく、相似形状であるのが特に好ましい。転写用凸部３２１と測定用凸部２２１とが略相似形状又は相似形状であれば、転写用凸部３２１の高さと測定用凸部２２１の高さとの相関性が極めて高くなり、より高精度で転写用凸部３２１の高さを測定することができる。
【００４４】
また、測定用凸部２２１は、基部２における凸構造部側平坦面２１１に少なくとも１つ形成されていればよいが、複数の測定用凸部２２１が形成されているのが好ましい。複数の測定用凸部２２１が形成されていることで、測定用凸部２２１の高さに基づく転写用凸部３２１の高さの測定精度を向上させることができる。例えば、図８に示すように、測定用凸部２２１は、凸構造部３を略均等に取り囲むようにして４箇所に位置することができる。
測定用凸部２２１は、基部２における凸構造部側平坦面２１１に形成されていればよいが、図９に示すように、転写用凸部３２１の上端面を含む平面３３１と凸構造部３の側壁面３４を含む平面３４１との交線３５１における上記平面３３１に対する垂線Ｌ４と測定用凸部２２１の上端面を含む平面２４１との交点Ｐ２から当該交点Ｐ２の最近傍に位置する測定用凸部２２１までの距離をＤ２とし、測定用凸部２２１の上端面を含む平面２４１から転写用凸部３２１の上端面を含む平面３３１までの高さをＨ２としたとき、Ｄ２≧Ｈ２となる位置に形成されているのが好ましい。
【００４５】
上記測定用凸部２２１を含む所定領域には、面積率調整用凸部２３１がさらに形成されているのが好ましい。具体的には、基部２における一の測定用凸部２２１の上端面周縁部から外側に向かう方向であって、当該周縁部の接線に対する垂直方向１０μｍ〜５ｍｍ以内、好ましくは１００μｍ〜１ｍｍ以内の所定領域Ｓ２に面積率調整用凸部２３１が形成されているのが好ましい（図８参照）。
この面積率調整用凸部２３１は、凸構造部３の上面全体の面積に対する全転写用凸部３２１の上端面の面積率と上記所定領域Ｓ２の面積に対する測定用凸部２２１及び面積率調整用凸部２３１の上端面の合計面積率との比が、１：０．９〜１：１．１となるように、上記所定領域Ｓ２に形成されているのが好ましい。両者の面積率の比が上記範囲内であれば、転写用凸部３２１の高さと測定用凸部２２１の高さとの相関性を極めて高くすることができる。なお、所定領域Ｓ２における面積率調整用凸部２３１の数は特に限定されるものではない。
なお、基部２における凸構造部側平坦面２１１に複数の測定用凸部２２１が形成されている場合、一の測定用凸部２２１の所定領域Ｓ２に他の測定用凸部２２１が形成されない限り、一の測定用凸部２２１の所定領域Ｓ２と他の測定用凸部２２１の所定領域Ｓ２とが重なり合うように設定されていてもよい。
【００４６】
上記第２の実施形態に係るナノインプリント用モールド１０によれば、転写用凸部３２１が形成されている凸構造部３と異なる面（基部２）上に測定用凸部２２１が形成されているため、当該モールド１０を被加工物に押圧して転写用凸部３２１の微細凹凸構造を転写する際に、測定用凸部２２１の凹凸構造が転写されることがない。そのため、ステップ・アンド・リピート法により転写用凸部３２１の微細凹凸構造を繋ぎ合わせるようにして被加工物に転写し、連続性を有する一の転写パターンを被加工物上に形成する際に、被加工物上に不要な測定用凸部２２１の凹凸構造までもが転写されることがなく、また、ステップ・アンド・リピート法により一の被加工物上に複数の転写パターンを順次形成する場合、被加工物上に転写用凸部３２１の微細凹凸構造のみが転写され、不要な測定用凸部２２１の凹凸構造が転写されないため、ナノインプリント用モールド１０の送りピッチを小さくすることができ、被加工物に無駄が生じることがない。
【００４７】
［ナノインプリント用モールドの製造方法（その１）］
次に、第２の実施形態に係るナノインプリント用モールド１０の製造方法について説明する。図１０は、第２の実施形態に係るナノインプリント用モールド１０の製造方法（その１）を示す工程フロー図である。
まず、図４（Ａ）〜（Ｅ）に示すようにして基部２の一方の面から突出する凸構造部３を備える基材４を作製する。平板状の基材４を用意し、当該基材４の一方の面に感光性レジスト膜（ポジ型レジスト膜又はネガ型レジスト膜）５を形成する（図４（Ａ））。基材４への感光性レジスト膜５の形成方法は、特に限定されるものではなく、例えば、スプレーコーター、スピンコーター等の塗工機を用いた従来公知の塗布（塗工）方法等が挙げられる。
このようにして基材４上に形成された感光性レジスト膜（図示例ではネガ型レジスト膜）５に対して所望のマスクを介して露光し（図４（Ｂ））、その後現像して凸構造部３に対応する部位にのみ感光性レジスト膜５が残存するレジスト層５１を形成する（図４（Ｃ））。
【００４８】
このようにして形成されたレジスト層５１をマスクとして異方性エッチングを行い（図４（Ｄ））、残存するレジスト層５１を剥離することにより、基部２の一方の面から突出する凸構造部３を備える基材４を得ることができる（図４（Ｅ））。レジスト層５１の剥離方法としては、レジスト剥離液を噴霧する方法、レジスト剥離液に浸漬する方法、酸素プラズマによりアッシングする方法等を用いることができ、レジスト剥離液としては、例えば、アセトン等の溶剤、硫酸過水、レジスト専用の剥離液等を使用することができる。なお、レジスト層５１を形成した後の工程において、レジスト層５１の硬化が進行した場合、レジスト剥離液を用いた剥離を行う前に、レジスト層５１に対して加熱処理、超音波処理を施すことが好ましい。
【００４９】
続いて、図１０に示すように、凸構造部３側の基材４上にネガ型電子線レジスト膜５２１を形成し（図１０（Ｆ））、電子線描画により測定用凸部２２１、転写用凸部３２１及び面積率調整用凸部２３１のそれぞれを形成するための第１被覆パターン５３１、第２被覆パターン５４１及び第３被覆パターン５５１の潜像を形成し（図１０（Ｇ））、現像してエッチングレジスト層５６１を形成する（図１０（Ｈ））。
第１被覆パターン５３１は、測定用凸部２２１が形成される所望の位置に対応するようにして形成される。具体的には、図１１に示すように、凸構造部３の上面周端部３５における凸構造部３の上面３１に対する垂線ｌ２と基部２における凸構造部側平坦面２１を含む平面２４との交点ｐ２から、当該交点ｐ２の最近傍に位置する第１被覆パターン５３１までの距離をｄ２とし、基部２における凸構造部側平坦面２１を含む平面２４から凸構造部３の上面３１までの高さをｈ２としたとき、ｄ２≧ｈ２となる凸構造部側平坦面２１における位置に、第１被覆パターン５３１を形成するのが好ましい。当該位置よりも凸構造部３側に近づいた位置に第１被覆パターン５３１を形成すると、凸構造部３の存在が、測定用凸部２２１を形成する際のエッチングに影響を与え、測定用凸部２２１の高さと転写用凸部３２１の高さとの相関性を低下させるおそれがある。
【００５０】
また、第３被覆パターン５５１は、第１被覆パターン５３１を含む所定領域に形成されているのが好ましく、凸構造部３上面全体の面積に対する第２被覆パターン５４１の被覆面積率と、当該所定領域の面積に対する第１被覆パターン５３１及び第３被覆パターン５５１の合計被覆面積率との比が１：０．９〜１：１．１になるように形成されているのがより好ましい。両者の被覆面積率の比を上記範囲内とすれば、転写用凸部３２１の高さと測定用凸部２２１の高さとを極めて相関性の高いものとすることができる。なお、第１被覆パターン５３１及び第３被覆パターン５５１が形成される所定領域とは、測定用凸部２２１及び面積率調整用凸部２３１が形成される所定領域Ｓ２（図８参照）に対応するエッチングレジスト層５６１における領域を意味する。
【００５１】
このようにして形成されたエッチングレジスト層５６１をマスクとして基部２と凸構造部３とを同時にドライエッチングする（図１０（Ｉ））。このドライエッチングは、反応性ガスエッチング、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等の公知のドライエッチングから、基材４の材質を考慮して、使用するエッチングガスとともに適宜選択することができ、例えば、基材４がシリコンやガラスの場合、フッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチングによりドライエッチングすることができる。かかるドライエッチング後、エッチングレジスト層５６１を除去することにより、凸構造部３上に転写用凸部３２１が形成され、基部２の所定領域Ｓ２に測定用凸部２２１及び面積率調整用凸部２３１が形成されてなるナノインプリント用モールド１０を得ることができる（図１０（Ｊ））。
上述したナノインプリント用モールド１０の製造方法（その１）によれば、転写用凸部３２１と測定用凸部２２１とが同時エッチングにより形成されるため、転写用凸部３２１の高さと測定用凸部２２１の高さとが極めて高い相関性を有することになる。そのため、得られたナノインプリント用モールド１０の測定用凸部２２１の高さを、ＡＦＭ、位相差計測装置等の非破壊式測定装置を用いて実測することにより、高精度で転写用凸部３２１の高さを測定することができる。
【００５２】
上述したナノインプリント用モールド１０の製造方法（その１）においては（図１０）、基部２の一方の面から突出してなる凸構造部３を備える基材４を作製した後（図１０（Ｅ））、当該基材４の凸構造部側表面にハードマスクを成膜し、ハードマスク上にネガ型電子線レジスト膜を形成し、電子線描画により測定用凸部２２１、転写用凸部３２１及び面積率調整用凸部２３１のそれぞれを形成するための第１被覆パターン、第２被覆パターン及び第３被覆パターンの潜像を形成し、現像してエッチングレジスト層を形成し、形成されたエッチングレジスト層をマスクとしてハードマスクをドライエッチングし、エッチングされたハードマスクを介して基部２及び凸構造部３を同時にエッチングするようにしてもよい。
【００５３】
［ナノインプリント用モールドの製造方法（その２）］
第２の実施形態に係るナノインプリント用モールド１０は、後述する方法により製造することもできる。図１２は、第２の実施形態に係るナノインプリント用モールド１０の製造方法（その２）を示す工程フロー図である。
まず、図４（Ａ）〜（Ｅ）に示すようにして基部２の一方の面から突出する凸構造部３を備える基材４を作製する。平板状の基材４を用意し、当該基材４の一方の面に感光性レジスト膜（ポジ型レジスト膜又はネガ型レジスト膜）５を形成する（図４（Ａ））。基材４への感光性レジスト膜５の形成は、上述したナノインプリント用モールド１０の製造方法（その１）と同様にして行えばよい。
このようにして基材４上に形成された感光性レジスト膜（図示例ではネガ型レジスト膜）５に対して所望のマスクを介して露光し（図４（Ｂ））、その後現像して凸構造部３に対応する部位にのみ感光性レジスト膜５が残存するレジスト層５１を形成する（図４（Ｃ））。このようにして形成されるレジスト層５１の厚みは、上述したナノインプリント用モールド１０の製造方法（その１）と同様にすればよい。
【００５４】
このようにして形成されたレジスト層５１をマスクとしてエッチングし（図４（Ｄ））、残存するレジスト層５１を剥離することにより、基部２の一方の面から突出する凸構造部３を備える基材４を得ることができる（図４（Ｅ））。レジスト層５１の剥離は、上述したナノインプリント用モールド１０の製造方法（その１）と同様にして行えばよい。なお、レジスト層５１を形成した後の工程において、レジスト層５１の硬化が進行した場合、レジスト剥離液を用いた剥離を行う前に、レジスト層５１に対して加熱処理、超音波処理を施すことが好ましい。
続いて、図１２に示すように、凸構造部３側の基材４上にポジ型電子線レジスト膜５２１を形成し（図１２（Ｆ））、電子線描画により測定用凸部２２１及び面積率調整用凸部２３１のそれぞれを形成するための第１被覆パターン５３１及び第３被覆パターン５５１の潜像を形成し（図１２（Ｇ））、現像して第１のエッチングレジスト層５７１を形成するとともに、凸構造部３を露出させる（図１２（Ｈ））。
【００５５】
第１被覆パターン５３１は、測定用凸部２２１が形成される所望の位置に対応するようにして形成される。具体的には、図１１を参照して説明した上述の製造方法（その１）と同様であり、凸構造部３の上面周端部３５における凸構造部３の上面３１に対する垂線ｌ２と基部２における凸構造部側平坦面２１を含む平面２４との交点ｐ２から当該交点ｐ２の最近傍に位置する第１被覆パターン５３１までの距離をｄ２とし、基部２における凸構造部側平坦面２１を含む平面２４から凸構造部３の上面３１までの高さをｈ２としたとき、ｄ２≧ｈ２となる凸構造部側平坦面２１における位置に、第１被覆パターン５３１を形成するのが好ましい。当該位置よりも凸構造部３側に近づいた位置に第１被覆パターン５３１を形成すると、凸構造部３の存在が、測定用凸部２２１を形成する際のエッチングに影響を与え、測定用凸部２２１の高さと転写用凸部３２１の高さとの相関性を低下させるおそれがある。
また、第３被覆パターン５５１は、第１被覆パターン５３１を含む所定領域に形成されているのが好ましく、凸構造部３上面全体の面積に対する第２被覆パターン５４１の被覆面積率と、当該所定領域の面積に対する第１被覆パターン５３１及び第３被覆パターン５５１の合計被覆面積率との比が１：０．９〜１：１．１になるように形成されているのがより好ましい。両者の被覆面積率の比を上記範囲内とすれば、転写用凸部３２１の高さと測定用凸部２２１の高さとを極めて相関性の高いものとすることができる。なお、第１被覆パターン５３１及び第３被覆パターン５５１が形成される所定領域とは、測定用凸部２２１及び面積率調整用凸部２３１が形成される所定領域Ｓ２（図８参照）に対応する第１のエッチングレジスト層５７１における領域を意味する。
【００５６】
そして、基部２上の第１のエッチングレジスト層５７１及び凸構造部３上を被覆するようにしてネガ型電子線レジスト膜５８１を形成し（図１２（Ｉ））、電子線描画により転写用凸部３２１を形成するための第２被覆パターン５４１の潜像を形成し（図１２（Ｊ））、現像して第２のエッチングレジスト層５９１を形成する（図１２（Ｋ））。
このようにして形成された第１及び第２のエッチングレジスト層５７１，５９１をマスクとして基部２及び凸構造部３を同時にドライエッチングする（図１２（Ｌ））。このドライエッチングは、上述したナノインプリント用モールド１０の製造方法（その１）と同様にして行えばよい。かかるドライエッチング後、第１及び第２のエッチングレジスト層５７１，５９１を除去することにより、凸構造部３上に転写用凸部３２１が形成され、基部２の所定領域Ｓ２に測定用凸部２２１及び面積率調整用凸部２３１が形成されてなるナノインプリント用モールド１０を得ることができる（図１２（Ｍ））。
【００５７】
上述したナノインプリント用モールド１０の製造方法（その２）によれば、転写用凸部３２１と測定用凸部２２１とが同時にエッチングされることで形成されるため、転写用凸部３２１の高さと測定用凸部２２１の高さとが極めて高い相関性を有することになる。そのため、得られたナノインプリント用モールド１０の測定用凸部２２１の高さを、ＡＦＭ、位相差計測装置等の非破壊式測定装置を用いて実測することにより、高精度で転写用凸部３２１の高さを測定することができる。
上述したナノインプリント用モールド１０の製造方法（その２）において、第１のエッチングレジスト層５７１をポジ型電子線レジストにて形成し、第２のエッチングレジスト層５９１をネガ型電子線レジストにて形成しているが、これに限定されるものではなく、第１のエッチングレジスト層５７１をネガ型電子線レジストにて形成し、第２のエッチングレジスト層５９１をポジ型電子線レジストにて形成してもよい。
また、上述したナノインプリント用モールド１０の製造方法（その２）において、電子線描画により第１被覆パターン５３１及び第３被覆パターン５５１を形成し、第１のエッチングレジスト層５７１を形成しているが（図１２（Ｆ）〜（Ｈ））、ポジ型感光性レジスト又はネガ型感光性レジストを用い、所望のフォトマスクを介したプロキシミティ露光を行い、その後現像して第１のエッチングレジスト層５７１を形成してもよい。
【００５８】
さらに、上述したナノインプリント用モールド１の製造方法（その２）において、電子線描画により転写用凸部３２１に対応する第２被覆パターン５４１を形成して第２のエッチングレジスト層５９１を設けているが、凸構造部３上面に自己組織化膜を形成することにより転写用凸部３２１に対応する第２被覆パターン５４１を形成して第２のエッチングレジスト層５９１を設けてもよい。具体的には、以下のようにして転写用凸部３２１に対応する第２被覆パターン５４１を形成することができる。
基部２の凸構造部側平坦面２１上に形成された第１のエッチングレジスト層５７１上に保護膜を形成した後、凸構造部３の上面にポリスチレン（ＰＳ）−ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のジブロックコポリマーを含む組成物膜を形成し、熱又は溶媒雰囲気等でアニール処理する。これにより、ＰＭＭＡがシリンダー状に相分離した自己組織化膜が凸構造部３上に形成される。その後、Ｏ2プラズマ処理等を施してＰＭＭＡ相をエッチングすることにより、転写用凸部３２１に対応する第２被覆パターン５４１を有する自己組織化マスクを第２のエッチングレジスト層５９１として凸構造部３上面３１に形成することができる。
【００５９】
［ナノインプリント用モールドの転写用凸部の高さ測定］
上述のようにして製造されたナノインプリント用モールド１０は、転写用凸部３２１の高さと測定用凸部２２１の高さとが極めて高い相関性を有するものとなっている。そのため、転写用凸部３２１の高さと測定用凸部２２１の高さとの関係を示す検量線を予め作成しておけば、転写用凸部３２１の高さの測定対象たるナノインプリント用モールド１０における測定用凸部２２１の高さを非破壊式測定装置（ＡＦＭ、位相差計測装置等）にて実測することで、予め作成された検量線に基づいて転写用凸部３２１の高さを正確に測定することができる。
具体的には、ドライエッチング条件（ドライエッチング時間等）を変更することにより転写用凸部３２１（測定用凸部２２１）の高さがそれぞれ異なる複数の検量線作成用モールドをすべて同一の方法（例えば、上述したいずれか１つの製造方法）により作製し、転写用凸部３２１の高さと測定用凸部２２１の高さとをＳＥＭ等にて測定し、得られた各測定値に基づいて予め検量線を作成する。そして、所望の高さの転写用凸部３２１を設けるための所定のドライエッチング条件で作製したナノインプリント用モールド１０について、当該モールド１０の測定用凸部２２１の高さをＡＦＭ、位相差計測装置等の非破壊式測定装置にて実測する。そして当該実測値と検量線とから、当該モールド１０の転写用凸部３２１の高さを算出する。このようにして、ナノインプリント用モールド１０の転写用凸部３２１の高さを高精度で測定することができ、したがって、高精度のモールドを作製することができるとともに、何らかの理由で転写用凸部３２１の高さが設定値から外れた場合には、そのようなモールドを確実に検出することができる。
【００６０】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
例えば、第１の実施形態において、ナノインプリント用モールド１の基部２に測定用凹部２２とともに、面積率調整用凹部２３が形成されているが、面積率調整用凹部２３の短手方向の長さが非破壊式測定装置を用いて当該面積率調整用凹部２３の深さを測定し得る程度の長さであれば、面積率調整用凹部２３の深さの測定値に基づいて転写用凹部３２の深さを測定するようにしてもよい。また、第２の実施形態においても同様に、面積率調整用凸部２３１の高さを測定し、その測定値に基づいて転写用凸部３２１の高さを測定するようにしてもよい。この場合において、深さを測定する面積率調整用凹部２３は、転写用凹部３２と略相似形状又は相似形状のものであるのが好ましく、高さを測定する面積率調整用凸部２３１は、転写用凸部３２１と略相似形状又は相似形状のものであるのが好ましい。
【実施例】
【００６１】
次に、より具体的な実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
〔実施例１〕
（検量線作成用ナノインプリント用モールドの製造）
厚み０．７２５ｍｍのシリコン製基板（直径８インチ（２００ｍｍ））をナノインプリント用モールド用基材として準備し、基材の一方の面にレジスト（ＳＵ−８  ３０００，化薬マイクロケム社製）を塗布した。次に、所望のマスクを介して露光し現像して、凸構造部に対応する部分にレジスト層（４０ｍｍ角）を形成した。そして、このレジスト層をマスクとして基材をエッチングして、厚み０．７０５ｍｍの基部と、この基部から突出した高さ２０μｍの凸構造部を形成した後、レジスト層を除去した。形成した凸構造部の壁面は、凸構造部の上面に対して垂直となっていた。
【００６２】
このようにして得られた凸構造部及び基部を備える基材の凸構造部側表面にポジ型電子線レジスト（ＺＥＰ５２０Ａ，日本ゼオン社製）を塗布し、電子線描画装置（ＪＢＸ９３００，日本電子社製）内のステージ上に基材の裏面（凸構造部側と反対側の面）がステージと対向するように基材を配置し、レジストに電子線を照射して、第１開口パターン、第２開口パターン及び第３開口パターンの潜像を形成し、レジストを現像してレジスト層を形成した。すなわち、転写用凹部を形成するための第２開口パターンは、ライン／スペースが４０ｎｍのライン状の開口を有するものとした。また、測定用凹部を形成するための第１開口パターンは、４個の５０μｍ×１００μｍの平面視長方形からなり、各パターンは凸構造部の４方向に均等に位置し（図２参照）、各パターンの中心から凸構造部の壁面までの距離は５００μｍであり、凸構造部の最近傍に位置する第１開口パターンまでの距離は４５０μｍであった。さらに、面積率調整用凹部を形成するための第３開口パターンは、５μｍ×１０μｍの平面視長方形とした。そして、図２に示されるように、２５０μｍ×３００μｍの平面視長方形からなる所定領域を、第１開口パターンの短辺及び長辺のそれぞれから第１開口パターンの外側に向かう方向であって、当該第１開口パターンの短辺及び長辺のそれぞれに対して垂直方向に１００μｍ離間した位置に所定領域の短辺及び長辺のそれぞれが位置するように設定し、当該所定領域に３７５個の第３開口パターンを配した。これにより、凸構造部の上面全体の面積に対する第２開口パターンの開口面積率（５０％）と、上記の所定領域に対する第１開口パターン及び第３開口パターンの合計開口面積率（５０％）との比は、１：１であった。
【００６３】
次に、このレジスト層をマスクとして下記の条件でドライエッチングを行い、基材の凸構造部上面に転写用凹部が、基部の所定領域に測定用凹部及び面積率調整用凹部が形成された検量線作成用ナノインプリント用モールドを得た。
＜ドライエッチング条件＞
・ＣＦ4ガス流量：４０ｓｃｃｍ
・ＲＩＥパワー  ：４００Ｗ
・圧力          ：４Ｐａ
【００６４】
ドライエッチングの条件（エッチング時間）を変更して、形成される転写用凹部の深さがそれぞれ異なる５個の検量線作成用ナノインプリント用モールドを作製し、得られたナノインプリント用モールドの転写用凹部の深さと測定用凹部の深さとをＳＥＭ（ＵＬＴＲＡ５５，ＺＥＩＳＳ社製）にて測定し、転写用凹部及び測定用凹部の深さの関係を示す検量線を最小二乗法により予め作成した。当該検量線を図１３に示す。
【００６５】
（深さ測定用ナノインプリント用モールドの製造）
目標とする転写用凹部の深さが４０ｎｍとなるようにドライエッチングの時間を３０ｓに設定した以外は、上記検量線作成用ナノインプリント用モールドと同様にして、深さ測定用ナノインプリント用モールドを５個作製した。
【００６６】
（深さ測定用ナノインプリント用モールドの凹部深さの測定）
上述のようにして得られた５個の深さ測定用ナノインプリント用モールドにおける測定用凹部の深さをＡＦＭ（Ｌ−Ｔｒａｃｅ，エスアイアイ・ナノテクノロジー社製）にて実測し、当該実測値及び図１３に示す検量線に基づいて、転写用凹部の深さを測定した。その結果、転写用凹部の深さは、３９〜４１ｎｍと測定された。一方、この測定が完了した後、５個すべての深さ測定用ナノインプリント用モールドの転写用凹部の深さをＳＥＭ（ＵＬＴＲＡ５５，ＺＥＩＳＳ社製）にて測定したところ、検量線に基づいて測定した転写用凹部の深さとＳＥＭにより測定した転写用凹部の深さとの差（絶対値）は、１ｎｍ以下であった。この結果、本実施例のようにして製造したナノインプリント用モールドによれば、測定用凹部の深さを測定することで、転写用凹部の深さを高精度で測定可能であることが判明した。
【００６７】
〔実施例２〕
（検量線作成用ナノインプリント用モールドの製造）
厚み０．７２５ｍｍのシリコン製基板（直径８インチ（２００ｍｍ））をナノインプリント用モールド用基材として準備し、基材の一方の面にレジスト（ＳＵ−８  ３０００，化薬マイクロケム社製）を塗布した。次に、所望のマスクを介して露光し現像して、凸構造部に対応する部分にレジスト層（４０ｍｍ角）を形成した。そして、このレジスト層をマスクとして基材をエッチングして、厚み０．７０５ｍｍの基部と、この基部から突出した高さ２０μｍの凸構造部を形成した後、レジスト層を除去した。形成した凸構造部の壁面は、凸構造部の上面に対して垂直となっていた。
【００６８】
このようにして得られた凸構造部及び基部を備える基材の凸構造部側表面にネガ型電子線レジスト（ＨＳＱ）を塗布し、電子線描画装置（ＪＢＸ９３００，日本電子社製）内のステージ上に基材の裏面（凸構造部側と反対側の面）がステージと対向するように基材を配置し、レジストに電子線を照射して、第１被覆パターン、第２被覆パターン及び第３被覆パターンの潜像を形成し、レジストを現像してレジスト層を形成した。すなわち、転写用凸部を形成するための第２被覆パターンは、ライン／スペースが４０ｎｍのライン状のレジスト層を有するものとした。また、測定用凸部を形成するための第１被覆パターンは、４個の５０μｍ×１００μｍの平面視長方形からなり、各パターンは凸構造部の４方向に均等に位置し（図８参照）、各パターンの中心から凸構造部の壁面までの距離は５００μｍであり、凸構造部の最近傍に位置する第１被覆パターンまでの距離は４５０μｍであった。さらに、面積率調整用凸部を形成するための第３被覆パターンは、５μｍ×１０μｍの平面視長方形とした。そして、図８に示されるように、２５０μｍ×３００μｍの平面視長方形からなる所定領域を、第１被覆パターンの短辺及び長辺のそれぞれから第１被覆パターンの外側に向かう方向であって、当該第１被覆パターンの短辺及び長辺のそれぞれに対して垂直方向に１００μｍ離間した位置に所定領域の短辺及び長辺のそれぞれが位置するように設定し、当該所定領域に３７５個の第３被覆パターンを配した。これにより、凸構造部の上面全体の面積に対する第２被覆パターンの被覆面積率（５０％）と、上記の所定領域に対する第１被覆パターン及び第３被覆パターンの合計被覆面積率（５０％）との比は、１：１であった。
【００６９】
次に、このレジスト層をマスクとして下記の条件でドライエッチングを行い、基材の凸構造部上面に転写用凸部が、基部の所定領域に測定用凸部及び面積率調整用凸部が形成された検量線作成用ナノインプリント用モールドを得た。
＜ドライエッチング条件＞
・ＣＦ4ガス流量：４０ｓｃｃｍ
・ＲＩＥパワー  ：４００Ｗ
・圧力          ：４Ｐａ
【００７０】
ドライエッチングの条件（エッチング時間）を変更して、形成される転写用凸部の高さがそれぞれ異なる５個の検量線作成用ナノインプリント用モールドを作製し、得られたナノインプリント用モールドの転写用凸部の高さと測定用凸部の高さとをＳＥＭ（ＵＬＴＲＡ５５，ＺＥＩＳＳ社製）にて測定し、転写用凸部及び測定用凸部の高さの関係を示す検量線を最小二乗法により予め作成した。当該検量線を図１４に示す。
【００７１】
（高さ測定用ナノインプリント用モールドの製造）
目標とする転写用凸部の高さが４０ｎｍとなるようにドライエッチングの時間を３８ｓに設定した以外は、上記検量線作成用ナノインプリント用モールドと同様にして、高さ測定用ナノインプリント用モールドを５個作製した。
【００７２】
（高さ測定用ナノインプリント用モールドの凸部高さの測定）
上述のようにして得られた高さ測定用ナノインプリント用モールドにおける測定用凸部の高さをＡＦＭ（Ｌ−Ｔｒａｃｅ，エスアイアイ・ナノテクノロジー社製）にて測定し、当該測定値及び図１４に示す検量線に基づいて、転写用凸部の高さを測定した。その結果、転写用凸部の高さは、３９〜４１ｎｍと測定された。一方、この測定が完了した後、５個すべての高さ測定用ナノインプリント用モールドの転写用凸部の高さをＳＥＭ（ＵＬＴＲＡ５５，ＺＥＩＳＳ社製）にて測定したところ、検量線に基づいて測定した転写用凸部の高さとＳＥＭにより測定した転写用凸部の高さとの差（絶対値）は、１ｎｍ以下であった。この結果、本実施例のようにして製造したナノインプリント用モールドによれば、測定用凸部の高さを測定することで、転写用凸部の高さを高精度で測定可能であることが判明した。
【００７３】
〔実施例３〕
（検量線作成用ナノインプリント用モールドの製造）
厚み６．３５ｍｍの石英ガラス（６５ｍｍ角）を検量線作成用ナノインプリント用モールド用基材として準備し、基材の一方の面にレジスト（ＳＵ−８  ３０００，化薬マイクロケム社製）を塗布した。次に、所望のマスクを介して露光し現像して、凸構造部に対応する部分にレジスト層（２０ｍｍ角）を形成した。そして、このレジスト層をマスクとして基材をエッチングして、厚み６．３３ｍｍの基部と、この基部から突出した高さ２０μｍの凸構造部を形成した後、レジスト層を除去した。形成した凸構造部の壁面は、凸構造部の上面に対して垂直となっていた。
【００７４】
このようにして得られた凸構造部及び基部を備える基材の凸構造部側表面にポジ型電子線レジスト（ＺＥＰ５２０Ａ，日本ゼオン社製）を塗布し、電子線描画装置（ＪＢＸ９３００，日本電子社製）内のステージ上に基材の裏面（凸構造部側と反対側の面）がステージと対向するように基材を配置し、レジストに電子線を照射して、第１開口パターン、第２開口パターン及び第３開口パターンの潜像を形成し、レジストを現像してレジスト層を形成した。すなわち、転写用凹部を形成するための第２開口パターンは、ライン／スペースが４０ｎｍのライン状の開口を有するものとした。また、測定用凹部を形成するための第１開口パターンは、４個の５０μｍ×１００μｍの平面視長方形からなり、各パターンは凸構造部の４方向に均等に位置し（図２参照）、各パターンの中心から凸構造部の壁面までの距離は５００μｍであり、凸構造部の最近傍に位置する第１開口パターンまでの距離は４５０μｍであった。さらに、面積率調整用凹部を形成するための第３開口パターンは、５μｍ×１０μｍの平面視長方形とした。そして、図２に示されるように、２５０μｍ×３００μｍの平面視長方形からなる所定領域を、第１開口パターンの短辺及び長辺のそれぞれから第１開口パターンの外側に向かう方向であって、当該第１開口パターンの短辺及び長辺のそれぞれに対して垂直方向に１００μｍ離間した位置に所定領域の短辺及び長辺のそれぞれが位置するように設定し、当該所定領域に３７５個の第３開口パターンを配した。これにより、凸構造部の上面全体の面積に対する第２開口パターンの開口面積率（５０％）と、上記の所定領域に対する第１開口パターン及び第３開口パターンの合計開口面積率（５０％）との比は、１：１であった。
【００７５】
次に、このレジスト層をマスクとして下記の条件でドライエッチングを行い、基材の凸構造部上面に転写用凹部が、基部の所定領域に測定用凹部及び面積率調整用凹部が形成された検量線作成用ナノインプリント用モールドを得た。
＜ドライエッチング条件＞
・ＣＦ4ガス流量：４０ｓｃｃｍ
・ＲＩＥパワー  ：４００Ｗ
・圧力          ：４Ｐａ
【００７６】
ドライエッチングの条件（エッチング時間）を変更して、形成される転写用凹部の深さがそれぞれ異なる５個の検量線作成用ナノインプリント用モールドを作製し、得られたナノインプリント用モールドの転写用凹部の深さと測定用凹部の深さとをＳＥＭ（ＵＬＴＲＡ５５，ＺＥＩＳＳ社製）にて測定し、転写用凹部及び測定用凹部の深さの関係を示す検量線を最小二乗法により予め作成した。当該検量線を図１５に示す。
【００７７】
（深さ測定用ナノインプリント用モールドの製造）
目標とする転写用凹部の深さが４０ｎｍとなるようにドライエッチングの時間を８０ｓに設定した以外は、上記検量線作成用ナノインプリント用モールドと同様にして、深さ測定用ナノインプリント用モールドを５個作製した。
【００７８】
（深さ測定用ナノインプリント用モールドの凹部深さの測定）
上述のようにして得られた５個の深さ測定用ナノインプリント用モールドにおける測定用凹部の深さを位相差計測装置にて実測し、当該測定値及び図１５に示す検量線に基づいて、転写用凹部の深さを測定した。その結果、転写用凹部の深さは、３９〜４１ｎｍと測定された。一方、この測定が完了した後、５個すべての深さ測定用ナノインプリント用モールドの転写用凹部の深さをＳＥＭ（ＵＬＴＲＡ５５，ＺＥＩＳＳ社製）にて測定したところ、検量線に基づいて測定した転写用凹部の深さとＳＥＭにより測定した転写用凹部の深さとの差（絶対値）は、１ｎｍ以下であった。この結果、本実施例のようにして製造したナノインプリント用モールドによれば、測定用凹部の深さを測定することで、転写用凹部の深さを高精度で測定可能であることが判明した。
【００７９】
〔実施例４〕
（検量線作成用ナノインプリント用モールドの製造）
厚み６．３５ｍｍの石英ガラス（６５ｍｍ角）を検量線作成用ナノインプリント用モールド用基材として準備し、基材の一方の面にレジスト（ＳＵ−８  ３０００，化薬マイクロケム社製）を塗布した。次に、所望のマスクを介して露光し現像して、凸構造部に対応する部分にレジスト層（２０ｍｍ角）を形成した。そして、このレジスト層をマスクとして基材をハーフエッチングして、厚み６．３３ｍｍの基部と、この基部から突出した高さ２０μｍの凸構造部を形成した後、レジスト層を除去した。形成した凸構造部の壁面は、凸構造部の上面に対して垂直となっていた。
【００８０】
このようにして得られた凸構造部及び基部を備える基材の凸構造部側表面にネガ型電子線レジスト（ＨＳＱ）を塗布し、電子線描画装置（ＪＢＸ９３００，日本電子社製）内のステージ上に基材の裏面（凸構造部側と反対側の面）がステージと対向するように基材を配置し、レジストに電子線を照射して、第１被覆パターン、第２被覆パターン及び第３被覆パターンの潜像を形成し、レジストを現像してレジスト層を形成した。すなわち、転写用凸部を形成するための第２被覆パターンは、ライン／スペースが４０ｎｍのライン状のレジスト層を有するものとした。また、測定用凸部を形成するための第１被覆パターンは、４個の５０μｍ×１００μｍの平面視長方形からなり、各パターンは凸構造部の４方向に均等に位置し（図８参照）、各パターンの中心から凸構造部の壁面までの距離は５００μｍであり、凸構造部の最近傍に位置する第１被覆パターンまでの距離は４５０μｍであった。さらに、面積率調整用凸部を形成するための第３被覆パターンは、５μｍ×１０μｍの平面視長方形とした。そして、図８に示されるように、２５０μｍ×３００μｍの平面視長方形からなる所定領域を、第１被覆パターンの短辺及び長辺のそれぞれから第１被覆パターンの外側に向かう方向であって、当該第１被覆パターンの短辺及び長辺のそれぞれに対して垂直方向に１００μｍ離間した位置に所定領域の短辺及び長辺のそれぞれが位置するように設定し、当該所定領域に３７５個の第３被覆パターンを配した。これにより、凸構造部の上面全体の面積に対する第２被覆パターンの被覆面積率（５０％）と、上記の所定領域に対する第１被覆パターン及び第３被覆パターンの合計被覆面積率（５０％）との比は、１：１であった。
【００８１】
次に、このレジスト層をマスクとして下記の条件でドライエッチングを行い、基材の凸構造部上面に転写用凸部が、基部の所定領域に測定用凸部及び面積率調整用凸部が形成された検量線作成用ナノインプリント用モールドを得た。
＜ドライエッチング条件＞
・ＣＦ4ガス流量：４０ｓｃｃｍ
・ＲＩＥパワー  ：４００Ｗ
・圧力          ：４Ｐａ
【００８２】
ドライエッチングの条件（エッチング時間）を変更して、形成される転写用凸部の高さがそれぞれ異なる５個の検量線作成用ナノインプリント用モールドを作製し、得られたナノインプリント用モールドの転写用凸部の高さと測定用凸部の高さとをＳＥＭ（ＵＬＴＲＡ５５，ＺＥＩＳＳ社製）にて測定し、転写用凸部及び測定用凸部の高さの関係を示す検量線を最小二乗法により予め作成した。当該検量線を図１６に示す。
【００８３】
（高さ測定用ナノインプリント用モールドの製造）
目標とする転写用凸部の高さが４０ｎｍとなるようにドライエッチングの時間を１００ｓに設定した以外は、上記検量線作成用ナノインプリント用モールドと同様にして、高さ測定用ナノインプリント用モールドを５個作製した。
【００８４】
（高さ測定用ナノインプリント用モールドの凸部高さの測定）
上述のようにして得られた５個の高さ測定用ナノインプリント用モールドにおける測定用凸部の高さを位相差計測装置にて実測し、当該実測値及び図１６に示す検量線に基づいて、転写用凸部の高さを測定した。その結果、転写用凸部の高さは、３９〜４１ｎｍと測定された。一方、この測定が完了した後、５個すべての高さ測定用ナノインプリント用モールドの転写用凸部の高さをＳＥＭ（ＵＬＴＲＡ５５，ＺＥＩＳＳ社製）にて測定したところ、検量線に基づいて測定した転写用凸部の高さとＳＥＭにより測定した転写用凸部の高さとの差（絶対値）は、１ｎｍ以下であった。この結果、本実施例のようにして製造したナノインプリント用モールドによれば、測定用凸部の高さを測定することで、転写用凸部の高さを高精度で測定可能であることが判明した。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、ナノインプリント技術を用いた微細加工に利用可能である。
【符号の説明】
【００８６】
１，１０…ナノインプリント用モールド
２…基部
２１，２１１…凸構造部側平坦面
２２…測定用凹部
２２１…測定用凸部
２３…面積率調整用凹部
２３１…面積率調整用凸部
３…凸構造部
３２…転写用凹部
３２１…転写用凸部
４…基材
Ｓ１，Ｓ２…所定領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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