(57)【要約】【課題】消費電力を削減することができるバイアス回路を提供する。【解決手段】本発明のバイアス回路は、コレクタが第１の電源に、エミッタが第１の抵抗器Ｒ２を介して第２の電源にそれぞれ接続する第１のトランジスタＱ２と、第１のトランジスタＱ２にベース電圧を供給する電圧供給回路３と、電圧供給回路３と第３の電源との間に介在するスイッチ素子２と、を備え、前記第２の電源は、スイッチ素子２がオフされるとき、第１のトランジスタＱ２のベースにその接合部飽和電圧以上のレベルの電圧が印加されても、第１のトランジスタＱ２のベース−エミッタ間の電位差を第１のトランジスタＱ２の接合部飽和電圧を下回るレベルにする電位を第１のトランジスタＱ２のエミッタに供給する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コレクタが第１の電源に、エミッタが第１の抵抗器を介して第２の電源にそれぞれ接続しており、前記エミッタからバイアス電流を供給する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタにベース電圧を供給する電圧供給回路と、
前記電圧供給回路と第３の電源との間に介在するスイッチ素子と、
を備え、前記第２の電源は、前記スイッチ素子がオフされるとき、前記第１のトランジスタのベースにその接合部飽和電圧以上のレベルの電圧が印加されても、前記第１のトランジスタのベース−エミッタ間の電位差を前記第１のトランジスタの接合部飽和電圧を下回るレベルにする電位を前記第１のトランジスタのエミッタに供給する
ことを特徴とするバイアス回路。
【請求項２】
前記電圧供給回路は、
コレクタが前記第１の電源に、エミッタが第２の抵抗器を介して前記第２の電源に、ベースが第３の抵抗器および前記スイッチ素子を介して前記第３の電源にそれぞれ接続する第２のトランジスタと、
コレクタが前記第２のトランジスタのベースに、エミッタが接地電位に、ベースが前記第２のトランジスタのエミッタにそれぞれ接続する第３のトランジスタと、
を備え、前記第２のトランジスタのベースが前記第１のトランジスタのベースに接続していることを特徴とする請求項１記載のバイアス回路。
【請求項３】
前記スイッチ素子は、デプレッション型電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項１もしくは２のいずれかに記載のバイアス回路。
【請求項４】
前記第２の電源は、接地電位にダイオードの順方向電圧を加えた電位を供給することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のバイアス回路。
【請求項５】
複数のモードを有する無線通信機であって、請求項１ないし４のいずれかに記載のバイアス回路を前記モードごとに備えるとともに、前記各バイアス回路のスイッチ素子を制御するロジック回路を備え、前記ロジック回路が、前記各スイッチ素子を制御してモードの切り替えを実行することを特徴とする無線通信機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バイアス電流を供給するバイアス回路、およびそのバイアス回路を備えた無線通信機に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７（ａ）に、特許文献１に記載された従来のバイアス回路を示す。このバイアス回路は、３個のバイポーラトランジスタＱ１〜Ｑ３と、３個の抵抗器Ｒ１〜Ｒ３から構成されており、コレクタ接地回路（エミッタフォロワ）を構成するバイポーラトランジスタＱ２のエミッタからバイアス電流を供給する。以下、バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑ３をトランジスタＱ１〜Ｑ３と称す。
【０００３】
このバイアス回路によるバイアス電流の供給を停止させるときには、電源端子６から抵抗器Ｒ３を介してトランジスタＱ１、Ｑ２のベースに共通に印加されるリファレンス電圧Ｖｒｅｆを０Ｖにする。これにより、トランジスタＱ１、Ｑ２のベース電位が０Ｖとなり、トランジスタＱ１、Ｑ２のベース−エミッタ間に電位差が発生せず、電源端子４からトランジスタＱ１、Ｑ２のコレクタへ流れる電流Ｉｄｃが発生しない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１０１７３３号公報（図５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
以上のように、従来のバイアス回路では、バイアス電流の供給を停止させる場合、トランジスタＱ１、Ｑ２のベースに共通に印加されるリファレンス電圧Ｖｒｅｆを０Ｖにする。
【０００６】
しかしながら、図７（ｂ）に示すように、リファレンス電圧Ｖｒｅｆのオン／オフを制御する素子にデプレッション型電界効果トランジスタ（以下、Ｄ−ＦＥＴ）＿Ｔ１を用いた場合、ＤーＦＥＴ＿Ｔ１の閾値電圧によっては、Ｄ−ＦＥＴ＿Ｔ１をオフ状態にして、電源端子６から供給されるリファレンス電圧Ｖｒｅｆを遮断しても、そのＤ−ＦＥＴ＿Ｔ１をオフする電圧によって、トランジスタＱ１、Ｑ２の接合部飽和電圧以上の電圧がトランジスタＱ１、Ｑ２のベースに印加される。その結果、トランジスタＱ１、Ｑ２を完全にはオフできず、電源端子４からトランジスタＱ１、Ｑ２のコレクタへ電流Ｉｄｃが流れてしまい、バイアス電流の供給を停止させる期間の消費電力が増大してしまう。
【０００７】
本発明は、上記の問題に鑑み、バイアス回路によるバイアス電流の供給を停止させる期間に、バイアス電流をエミッタから供給するトランジスタのベースにその接合部飽和電圧以上の電圧が印加されたときでも、消費電力を削減することができるバイアス回路、およびそのバイアス回路を備えた無線通信機を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明に係るバイアス回路は、コレクタが第１の電源に、エミッタが第１の抵抗器を介して第２の電源にそれぞれ接続しており、前記エミッタからバイアス電流を供給する第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタにベース電圧を供給する電圧供給回路と、前記電圧供給回路と第３の電源との間に介在するスイッチ素子と、を備え、前記第２の電源は、前記スイッチ素子がオフされるとき、前記第１のトランジスタのベースにその接合部飽和電圧以上のレベルの電圧が印加されても、前記第１のトランジスタのベース−エミッタ間の電位差を前記第１のトランジスタの接合部飽和電圧を下回るレベルにする電位を前記第１のトランジスタのエミッタに供給することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係るバイアス回路において、前記電圧供給回路は、コレクタが前記第１の電源に、エミッタが第２の抵抗器を介して前記第２の電源に、ベースが第３の抵抗器および前記スイッチ素子を介して前記第３の電源にそれぞれ接続する第２のトランジスタと、コレクタが前記第２のトランジスタのベースに、エミッタが接地電位に、ベースが前記第２のトランジスタのエミッタにそれぞれ接続する第３のトランジスタと、を備え、前記第２のトランジスタのベースが前記第１のトランジスタのベースに接続する構成とすることができる。
【００１０】
また、本発明に係るバイアス回路において、前記スイッチ素子は、デプレッション型電界効果トランジスタとすることができる。
【００１１】
また、本発明に係るバイアス回路において、前記第２の電源は、接地電位にダイオードの順方向電圧（立ち上がり電圧）を加えた電位を供給する構成とすることができる。
【００１２】
また、本発明に係る無線通信機は、複数のモードを有する無線通信機であって、上記した本発明に係るバイアス回路をモードごとに備えるとともに、前記各バイアス回路のスイッチ素子を制御するロジック回路を備え、前記ロジック回路が、前記各スイッチ素子を制御してモードの切り替えを実行することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、バイアス回路によるバイアス電流の供給を停止させる期間に、バイアス電流をエミッタから供給するトランジスタのベースにその接合部飽和電圧以上の電圧が印加されたときでも、消費電力を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態に係るバイアス回路の一構成例を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るバイアス回路に流れる電流Ｉｄｃを説明するための図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る無線通信機の主要部分の一構成例を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る無線通信機の送受信系の一構成例を示すブロック図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る無線通信機の他例の主要部分の一構成例を示すブロック図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る無線通信機の他例の主要部分の一構成例を説明するためのブロック図である。
【図７】図７（ａ）は従来のバイアス回路の構成を示す図、図７（ｂ）は図７（ａ）に示すバイアス回路において、バイアス電流の供給を停止するための素子としてデプレッション型電界効果トランジスタを用いた構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係るバイアス回路とそのバイアス回路を備える無線通信機の実施の一形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の記述においては、バイポーラトランジスタをトランジスタと称す。
【００１６】
まず、この実施の形態に係るバイアス回路を説明する。図１は、この実施の形態に係るバイアス回路の一構成例を示す図である。図１に示すように、このバイアス回路は、図７（ｂ）に示すバイアス回路において、トランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタに接続する抵抗器Ｒ１、Ｒ２と接地電位との間にダイオードＤ１を挿入した構成となっている。以下、詳しく説明する。
【００１７】
図１に示すように、この実施の形態に係るバイアス回路は、バイアス電流供給部１とスイッチ素子２からなる。バイアス電流供給部１は、トランジスタ（第１のトランジスタ）Ｑ２と電圧供給回路３を備える。
【００１８】
トランジスタＱ２は、コレクタ接地回路（エミッタフォロワ）を構成している。即ち、トランジスタＱ２のコレクタは電源端子４に接続しており、電源端子４から電源電圧（第１の電源）がトランジスタＱ２のコレクタに供給される。トランジスタＱ２のエミッタは、抵抗器（第１の抵抗器）Ｒ２の一方端に接続している。その抵抗器Ｒ２の他方端は、ダイオードＤ１のアノードに接続しており、そのダイオードＤ１のカソードが接地電位に接続している。この実施の形態では、接地電位にダイオードＤ１の順方向電圧（立ち上がり電圧）Ｖｆを加えた電位（第２の電源）が、抵抗器Ｒ２を介してトランジスタＱ２のエミッタに供給される。また、トランジスタＱ２のベースには電圧供給回路３からベース電圧が供給される。このような構成により、トランジスタＱ２のエミッタに接続された出力端子５からバイアス電流を供給することができる。
【００１９】
トランジスタＱ２にベース電圧を供給する電圧供給回路３は、スイッチ素子２を介して電源端子６に接続している。この実施の形態では、スイッチ素子２としてデプレッション型電界効果トランジスタ（以下、Ｄ−ＦＥＴ）＿Ｔ１を用いる。トランジスタＱ２のエミッタからバイアス電流を供給するときには、Ｄ−ＦＥＴ＿Ｔ１をオン状態にする。これにより、Ｄ−ＦＥＴ＿Ｔ１を通して電源端子６から電圧供給回路３へリファレンス電圧（第３の電源）が供給され、電圧供給回路３からトランジスタＱ２にベース電圧が供給される。逆に、バイアス電流の供給を停止させるときには、Ｄ−ＦＥＴ＿Ｔ１をオフ状態にして、リファレンス電圧を遮断する。このように、Ｄ−ＦＥＴ＿Ｔ１はリファレンス電圧のオン／オフを制御する。
【００２０】
ここで、この実施の形態における電圧供給回路３の構成について説明する。この実施の形態では、トランジスタＱ２にベース電圧を供給する電圧供給回路３は、２個のトランジスタＱ１、Ｑ３と２個の抵抗器Ｒ１、Ｒ３により構成されている。即ち、トランジスタ（第２のトランジスタ）Ｑ１のコレクタは電源端子４に接続しており、電源端子４から電源電圧（第１の電源）がトランジスタＱ２のコレクタに供給される。トランジスタＱ１のエミッタは、抵抗器（第２の抵抗器）Ｒ１の一方端に接続している。その抵抗器Ｒ１の他方端は、ダイオードＤ１のアノードに接続している。したがって、接地電位にダイオードＤ１の順方向電圧Ｖｆを加えた電位が、抵抗器Ｒ１を介してトランジスタＱ１のエミッタに供給される。トランジスタＱ１のベースは抵抗器Ｒ３（第３の抵抗器）とＤ−ＦＥＴ＿Ｔ１を介して電源端子６に接続している。したがって、Ｄ−ＦＥＴ＿Ｔ１がオン状態のとき、トランジスタＱ１のベースには抵抗器Ｒ３を介してリファレンス電圧が供給される。また、トランジスタ（第３のトランジスタ）Ｑ３のコレクタは、トランジスタＱ１のベースに接続している。トランジスタＱ３のエミッタは接地電位に接続している。トランジスタＱ３のベースはトランジスタＱ１のエミッタに接続している。
【００２１】
また、トランジスタＱ１のベースおよびトランジスタＱ３のコレクタは、トランジスタＱ２のベースに接続している。したがって、Ｄ−ＦＥＴ＿Ｔ１がオン状態のとき、トランジスタＱ１のベースとトランジスタＱ２のベースに、抵抗器Ｒ３を介してリファレンス電圧が共通に供給される。リファレンス電圧は、トランジスタＱ１、Ｑ２のベース−エミッタ間電圧特性や、トランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタに供給される電位等に応じて決定する。なお、この実施の形態では、上述したように、接地電位にダイオードＤ１の順方向電圧Ｖｆを加えた電位が、抵抗器Ｒ１、Ｒ２を介してトランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタに供給される。
【００２２】
このようにして、電圧供給回路３が構成される。なお、以上説明した電圧供給回路は一例である。したがって、トランジスタＱ２にベース電圧を供給する電圧供給回路は、図１に示す構成に限定されるものではなく、他の回路構成であってもよい。
【００２３】
続いて、以上のように構成されたバイアス回路の動作を説明する。このバイアス回路によるバイアス電流の供給を停止させる場合、トランジスタＱ１、Ｑ２のベース−エミッタ間の電位差を、トランジスタＱ１、Ｑ２の接合部飽和電圧を下回るレベルにする必要がある。このバイアス回路では、リファレンス電圧のオン／オフを制御する素子であるＤ−ＦＥＴ＿Ｔ１をオフ状態にして、電源端子６から供給されるリファレンス電圧を遮断することで、バイアス電流の供給を停止させることができる。さらに、このバイアス回路によれば、バイアス電流の供給が停止している期間に、電源端子４からトランジスタＱ１、Ｑ２のコレクタへ流れる電流Ｉｄｃを低減させて、消費電力を削減することができる。
【００２４】
即ち、図７（ｂ）に示すように、トランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタが抵抗器Ｒ１、Ｒ２を介して接地電位に接続する構成では、ＤーＦＥＴ＿Ｔ１の閾値電圧によっては、トランジスタＱ１、Ｑ２の接合部飽和電圧以上の電圧がトランジスタＱ１、Ｑ２のベースに印加され、トランジスタＱ１、Ｑ２を完全にはオフすることができず、電源端子４からトランジスタＱ１、Ｑ２のコレクタへ電流Ｉｄｃが流れて、消費電力が増大してしまう。
【００２５】
これに対して、この実施の形態におけるバイアス回路では、抵抗器Ｒ１、Ｒ２と接地電位との間にダイオードＤ１が挿入されているので、その挿入されたダイオードＤ１の順方向電圧Ｖｆ分だけ、トランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタに供給される電位が持ち上がる。したがって、Ｄ−ＦＥＴ＿Ｔ１をオフする電圧によって、トランジスタＱ１、Ｑ２の接合部飽和電圧以上の電圧がトランジスタＱ１、Ｑ２のベースに印加されても、トランジスタＱ１、Ｑ２のベース−エミッタ間の電位差を、トランジスタＱ１、Ｑ２の接合部飽和電圧よりも小さくすることができる。その結果、電源端子４からトランジスタＱ１、Ｑ２のコレクタへ流れる電流Ｉｄｃを低減させて、消費電力を削減することができる。
【００２６】
図２は本発明の実施の形態に係るバイアス回路に流れる電流Ｉｄｃを説明するための図である。詳しくは、図２において、実線は、図７（ｂ）に示すバイアス回路におけるトランジスタＱ１、Ｑ２のベース電圧と電流Ｉｄｃとの関係を、破線は、この実施の形態に係るバイアス回路におけるトランジスタＱ１、Ｑ２のベース電圧と電流Ｉｄｃとの関係をそれぞれ示している。図２に示すように、ダイオードＤ１を挿入することにより、電流Ｉｄｃが流れ始めるベース電圧のレベルを増加させることができ、バイアス電流の供給を停止させる期間に、バイアス回路に流れる電流Ｉｄｃを低減させて、消費電力を削減することができる。好ましくは、バイアス電流の供給を停止させる期間にバイアス回路に電流Ｉｄｃが流れないようにすることができる。
【００２７】
以上の説明から明らかなように、Ｄ−ＦＥＴ＿Ｔ１がオフされるとき、トランジスタＱ１、Ｑ２のベースにその接合部飽和電圧以上のレベルの電圧が印加されても、トランジスタＱ１、Ｑ２のベース−エミッタ間の電位差をトランジスタＱ１、Ｑ２の接合部飽和電圧を下回るレベルにする電位を、トランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタに供給すれば、消費電力を大幅に削減することができる。
【００２８】
また、以上説明したバイアス回路は、Ｄ−ＦＥＴ＿Ｔ１をＰＨＥＭＴ（Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor：シュードモルフィック高電子移動度トランジスタ）で形成し、バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑ３をＨＢＴ（HeterojunctionBipolar Transistor：ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）で形成することにより、ＧａＡｓ線形増幅器と同一のＩＣ（集積回路）上に形成することができる。
【００２９】
続いて、以上説明したこの実施の形態に係るバイアス回路を備えた無線通信機の一例である携帯電話機について説明する。この実施の形態では、２つの電力モードを有する携帯電話機を例に説明を行う。図３は、この実施の形態に係る携帯電話機の主要な部分の一構成例を示すブロック図である。
【００３０】
図３に示すように、この実施の形態に係る携帯電話機は、ハイパワー・モード（通常モード）とローパワー・モード（低消費電力モード）を有している。そして、それらのモードごとにバイアス回路７ａ、７ｂが設けられている。これらのバイアス回路７ａ、７ｂに、上記したこの実施の形態に係るバイアス回路が採用されている。
【００３１】
また、この携帯電話機は、ロジック回路８とレギュレータ回路９を備えている。ロジック回路８は、バイアス回路７ａ、７ｂのスイッチ素子２ａ、２ｂを制御し、レギュレータ回路９は、バイアス回路７ａ、７ｂのバイアス電流供給部１ａ、１ｂに、スイッチ素子２ａ、２ｂを介してリファレンス電圧Ｖｒｅｆを共通に供給する。
【００３２】
この携帯電話機は、ロジック回路８によりバイアス回路７ａ、７ｂのスイッチ素子２ａ、２ｂを制御することで、モードの切り替えを実行する構成となっている。具体的には、携帯電話機をハイパワー・モードで動作させるときには、例えば、ロジック回路８への論理信号Ｖｍｏｄｅ０と論理信号Ｖｍｏｄｅ１の電位がそれぞれＨレベルとＬレベルとなる。その結果、ロジック回路８は、スイッチ素子２ａをオン状態にする電位をスイッチ素子２ａへ与え、スイッチ素子２ｂをオフ状態にする電位をスイッチ素子２ｂへ与える。これにより、バイアス回路７ａのバイアス電流供給部１ａからハイパワー・モード用のバイアス電流が供給されるようになる一方で、バイアス回路７ｂによるバイアス電流の供給が停止される。逆に、携帯電話機をローパワー・モードで動作させるときには、例えば、ロジック回路８への論理信号Ｖｍｏｄｅ０と論理信号Ｖｍｏｄｅ１の電位がそれぞれＬレベルとＨレベルとなる。その結果、ロジック回路８は、スイッチ素子２ａをオフ状態にする電位をスイッチ素子２ａへ与え、スイッチ素子２ｂをオン状態にする電位をスイッチ素子２ｂへ与える。これにより、バイアス回路７ａによるバイアス電流の供給が停止される一方で、バイアス回路７ｂのバイアス電流供給部１ｂからローパワー・モード用のバイアス電流が供給される。
【００３３】
以上説明した図３に示す構成は、図４に示す無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ：Radio Frequency Integrated Circuit）１４に組み込まれている。図４は、この実施の形態に係る携帯電話機の送受信系の一構成例を示すブロック図である。
【００３４】
図４に示すように、この携帯電話機は、アンテナ（ＡＮＴ）１０と、１本のアンテナ１０を受信系と送信系で共用するためのデュプレクサ（ＤＵＰ）１１を備える。デュプレクサ１１は、アンテナ１０で受信された受信信号を受信系へ送る。
【００３５】
受信系には、高周波増幅器の一種である低雑音増幅器（ＬＮＡ：Low Noise Amplifier）１２と、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１３が設けられている。低雑音増幅器１２は、デュプレクサ１１から送られてきた受信信号を増幅し、バンドパスフィルタ１３は、低雑音増幅器１２から送られてきた受信信号を選択する。バンドパスフィルタ１３を通過した受信信号は、無線周波数集積回路１４により処理される。
【００３６】
一方、送信信号は、無線周波数集積回路１４から送信系へ送られる。送信系には、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１５と電力増幅器（ＰＡ：Power amplifier）１６が設けられている。バンドパスフィルタ１５は、無線周波数集積回路１４から送られてきた送信信号を選択し、電力増幅器１６は、バンドパスフィルタ１５から送られてきた送信信号を増幅する。電力増幅器１６で増幅された送信信号は、デュプレクサ１１によりアンテナ１０へ送られる。
【００３７】
以上説明した携帯電話機の構成によれば、バイアス回路７ａ、７ｂに図１に示すバイアス回路が採用されているので、スイッチ素子２ａ、２ｂにＤ−ＦＥＴを用いた場合でも、スイッチ素子２ａ、２ｂをオフ状態にしたときにバイアス回路７ａ、７ｂに流れる電流Ｉｄｃを低減させて、消費電力を削減することができる。
【００３８】
即ち、バイアス回路７ａ、７ｂとして図７（ｂ）に示すバイアス回路を用いた場合、例えばハイパワー・モードをオフし、ローパワー・モードをオンしたときに、ハイパワー・モード用のバイアス回路７ａに電流Ｉｄｃが流れて、バイアス回路７ａでの消費電力が増大してしまう。
【００３９】
これに対して、この実施の形態では、バイアス回路７ａ、７ｂとして図１に示すバイアス回路が採用されているので、例えばハイパワー・モードをオフし、ローパワー・モードをオンしたときに、ハイパワー・モード用のバイアス回路７ａに流れる電流Ｉｄｃを低減させて、消費電力の大幅な削減を実現できる。
【００４０】
この実施の形態では、電力モードを切り替える場合について説明したが、周波数モードを切り替える場合も同様に実施できる。図５に、２つの周波数モードを有する携帯電話機の主要な部分の一構成例を示す。図５には、高周波数モード（High-Frequency mode）と低周波数モード（Low-Frequency mode）を切り替える構成を示している。なお、図５において、図３に示す部材と同一の部材には同一の符号を付している。図５に示すように２つの周波数モードを有する携帯電話機には、各周波数モード用の回路（図示せず）が形成されており、それらの周波数モード用の回路ごとにバイアス回路７ａ、７ｂが設けられる。このように周波数モードごとに設けられたバイアス回路７ａ、７ｂに上記したこの実施の形態に係るバイアス回路を用いれば、消費電力の大幅な削減を実現できる。
【００４１】
また、この実施の形態では、２つの電力モードを有する携帯電話機について説明したが、３つ以上の電力モードを有する携帯電話機においても同様に実施できる。例えば、３つの電力モードを有する携帯電話機は、図６（ａ）に示すように構成すればよい。つまり、図６（ａ）に示すように、携帯電話機がハイパワー・モードとミドルパワー・モードとローパワー・モードを有する場合には、それぞれのモードに対してバイアス回路７ａ、７ｂ、７ｃを設ければよい。なお、図６（ａ）には、ハイパワー・モードで２８ｄＢｍの電力が供給され、ミドルパワー・モードで１７ｄＢｍの電力が供給され、ローパワー・モードで７ｄＢｍの電力が供給される場合を例示している。
【００４２】
また、３つ以上の周波数モードを有する携帯電話機においても同様に実施できる。例えば、３つの周波数モードを有する携帯電話機は、図６（ｂ）に示すように構成すればよい。なお、図６（ｂ）には、周波数帯域１９２０ＭＨｚ〜１９８０ＭＨｚ（ＢＡＮＤ１）用の回路と、周波数帯域８２４ＭＨｚ〜８４９ＭＨｚ（ＢＡＮＤ５）用の回路と、周波数帯域１４２７．９ＭＨｚ〜１４４７．９ＭＨｚ（ＢＡＮＤ１１）用の回路ごとにバイアス回路７ａ、７ｂ、７ｃが設けられた構成を例示している。
【００４３】
また、この実施の形態では、無線通信機の一例として携帯電話機について説明したが、無論、無線通信が可能な機器であれば同様に実施することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明にかかるバイアス回路およびそのバイアス回路を備えた無線通信機は、消費電力を削減することができ、バイアス電流を供給する回路や、複数のモードを有する携帯電話機等の端末機器に有益である。
【符号の説明】
【００４５】
Ｑ１〜Ｑ３      バイポーラトランジスタ
Ｒ１〜Ｒ３      抵抗器
Ｄ１      ダイオード
Ｔ１      デプレッション型電界効果トランジスタ
１、１ａ、１ｂ      バイアス電流供給部
２、２ａ、２ｂ      スイッチ素子
３      電圧供給回路
４      電源端子
５      出力端子
６      電源端子
７ａ〜７ｃ      バイアス回路
８      ロジック回路
９      レギュレータ回路
１０      アンテナ
１１      デュプレクサ
１２      低雑音増幅器
１３、１５      バンドパスフィルタ
１４      無線周波数集積回路
１６      電力増幅器
【図１】
2012019500.tif 000003
【図２】
2012019500.tif 000004
【図３】
2012019500.tif 000005
【図４】
2012019500.tif 000006
【図５】
2012019500.tif 000007
【図６】
2012019500.tif 000008
【図７】
2012019500.tif 000009