(57)【要約】【課題】偏光状態に分布を有する光に対して所定の偏光状態の光に変換する偏光補償素子および光ディスクの安定した記録・再生ができる光ヘッド装置を提供する。【解決手段】入射する光に対して１／４波長板となる位相差を発生する、第１の位相差素子３１と第２の位相差素子３２について、第１の位相差素子３１の光学軸３１Ａと、第２の位相差素子３２の光学軸３２Ａとがなす角度θが３５°〜５５°で重なって構成される偏光補償素子３０において、偏光状態に分布を有する光が偏光補償素子３０を往復すると、光の往復の前後で偏光状態が直交する分布となる。偏光補償素子３０を備えた光ヘッド装置において、偏光補償素子３０を往復する光のうち、半導体レーザに戻る光の光量が低減し、光ディスクの安定した記録・再生ができる。【選択図】図３
2012113772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光軸における偏光方向と前記光軸から外れた周辺における偏光方向と、が異なる分布を有する光が入射し、前記光に対して、２π・（０．２＋ｍ１／２）≦φ１≦２π・（０．３＋ｍ１／２）となる位相差φ１を発生する第１の位相差素子と、２π・（０．２＋ｍ２／２）≦φ２≦２π・（０．３＋ｍ２／２）となる位相差φ２を発生する第２の位相差素子と、を有するとともに（ｍ１、ｍ２≧０）、前記第１の位相差素子の光学軸と前記第２の位相差素子の光学軸と、がなす角度θが３５°≦θ≦５５°で重なるように配置され、
入射する前記光は、前記第１の位相差素子の光学軸または前記第２の位相差素子の光学軸に平行な偏光方向を含み、前記第１の位相差素子および前記第２の位相差素子を往復する光の偏光方向が略直交する偏光補償素子。
【請求項２】
前記光軸における偏光方向が、前記第１の位相差素子の光学軸または前記第２の位相差素子の光学軸に平行である請求項１に記載の偏光補償素子。
【請求項３】
前記光軸に対して直交する面において、前記光軸を含む直線で折り返したときの前記光の偏光方向の分布が重なる請求項１または請求項２に記載の偏光補償素子。
【請求項４】
前記第１の位相差素子と前記第２の位相差素子とが一体化されてなる請求項１〜３いずれか１項に記載の偏光補償素子。
【請求項５】
光源と、
前記光源から発射する光の光路を分離するビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタで反射する光を光ディスクに集光する対物レンズと、
前記光ディスクを反射した光を検出する光検出器と、を有し、
前記ビームスプリッタに入射する光は、発散光または収束光であり、
前記ビームスプリッタと前記対物レンズとの間の光路中に、請求項１〜４いずれかの偏光補償素子が配置される光ヘッド装置。
【請求項６】
前記ビームスプリッタは、互いに直交するＳ偏光の光とＰ偏光の光に対して、反射率が異なる偏光ビームスプリッタである請求項５に記載の光ヘッド装置。
【請求項７】
前記偏光ビームスプリッタは、Ｓ偏光の光に対する反射率が９０％以上であるとともに、Ｐ偏光の光に対する透過率が９０％以上であり、
前記偏光ビームスプリッタの反射膜の面と、入射する前記光の光軸と、がなす角度が４０°〜６５°である請求項６に記載の光ヘッド装置。
【請求項８】
前記光源から発射する光は、波長が４０５ｎｍの光を含む請求項５〜７いずれか１項に記載の光ヘッド装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ストレージを扱う光学系として、ＣＤ、ＤＶＤ、「Ｂｌｕ−ｒａｙ」（登録商標：以下、「ＢＤ」という）のような光記録媒体に情報の記録および／または再生を行う光ヘッド装置などに用いられる偏光補償素子、および光ヘッド装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤあるいは、光磁気ディスクなどのような光記録媒体（以下、「光ディスク」という）に情報の記録および／または再生（以下、「記録・再生」という）を行う光ヘッド装置の開発、実用化が進んでいる。また、光ヘッド装置は、光源から発射するレーザ光の波長が短波長であるほど、対象とする光ディスクの記録密度を向上できるため、光源の短波長化が進められている。
【０００３】
図９は、従来の光ヘッド装置の一例を示す、概念的な模式図である。光ヘッド装置１５０は、光源となる半導体レーザ１０１から出射した発散光が、光路分離素子であるビームスプリッタ１０２において、光が入射する表面に備えられた反射膜１０２Ａで反射され、光ディスク１０５側へ進行し、対物レンズ１０４によって光ディスク１０５の情報記録面に集光する。光ディスク１０５で反射された光は、再び、対物レンズ１０４を透過し、その一部の光がビームスプリッタ１０２を透過し、光検出器１０６の受光面に集光する。一方、光ディスク１０５で反射された光のうち、ビームスプリッタ１０２で反射した一部の光は、半導体レーザ１０１の発光点に集光される。なお、光検出器１０６の受光面に集光した光は、電気信号に変換され、この受光する光量に応じた電気信号が、図示しない増幅器で増幅され、さらに、自動ゲイン補正回路で適宜、ゲインが補正されて信号レベルが一定範囲になるように調整され、出力される。
【０００４】
なお、半導体レーザ１０１とビームスプリッタ１０２との間の光路中に、波面を変えるための１／２波長板を備えたり、１つのメインビームと２つのサブブームとの３ビームを発生する回折格子を備えたりする場合がある。さらに、ビームスプリッタ１０２と対物レンズ１０４との間の光路中に、発散光を平行光化するためのコリメートレンズ１０３を備えたり、ビームスプリッタ１０２と光検出器１０６との間の光路中に、図示しないシリンドリカルレンズや凹レンズを備えたりする場合がある。また、１種の波長帯域の光に対応した光ヘッド装置に限らず、例えば、ＣＤ用の７８５ｎｍ波長帯の光、ＤＶＤ用の６６０ｎｍ波長帯の光、さらに、ＢＤ用の４０５ｎｍ波長帯の光のうち複数の波長帯の光を取り扱う構成の光ヘッド装置などがある。
【０００５】
このような光ヘッド装置において、半導体レーザ１０１の発光点に光ディスク１０５で反射された光である、戻り光が入射すると、半導体レーザ１０１から出射する光の強度が安定せず、その結果、正確な情報の記録・再生ができなくなる、という問題が生じる。この問題を解決する方法の１つとして、半導体レーザからの出射光を安定させる高周波重畳法が知られている。これは、半導体レーザ用の電源の駆動電流に数百ＭＨｚの高周波電流を重畳するための回路を備え、半導体レーザの発振モードをシングルモードからマルチモードに変えることにより、半導体レーザから発射する光と、半導体レーザの発光点に入射する戻り光と、の干渉を低減させ、これにより、半導体レーザから発射する光の強度を安定させるものである。
【０００６】
また、高周波重畳法に限らず、図９の光ヘッド装置１５０のように、ビームスプリッタ１０２と対物レンズ１０４との間の光路中に、１／４波長板１５１を配置する構成も知られている。１／４波長板１５１は、半導体レーザ１０１から発射する光の波長に対して、π／２の奇数倍の位相差を与える波長板であって、１／４波長板１５１の光学軸の方向と、１／４波長板１５１に入射する直線偏光の光の振動方向と、がなす角度を概ね４５°に配置することで、１／４波長板１５１を往復した光の偏光状態を変える機能を与えている。この場合、１／４波長板１５１を往復した光のうちの一部が、ビームスプリッタ１０２で反射されて半導体レーザ１０１の発光点に戻っても、半導体レーザ１０１から発射する光の偏光状態と、半導体レーザ１０１の発光点に入射する戻り光の偏光状態と、を異ならせることができ、これらの光の干渉を低減させ、半導体レーザ１０１から発射する光の強度を安定させることができる。
【０００７】
ところが、例えば、ＢＤを記録する場合、ＢＤの情報記録面に高速で情報を記録するために半導体レーザ１０１からの出射する光の強度を大きくしなければならない。そのため、ＢＤで反射する光が半導体レーザ１０１の発光点に入射する戻り光の強度も増大するので、上記のような構成でも、干渉によって、半導体レーザ１０１から出射する光の強度が安定せず、その結果、正確な情報の記録ができなくなる、という問題が生じる。
【０００８】
これに対し、ビームスプリッタ１０２として、光の偏光状態によって透過率、反射率が異なる、偏光ビームスプリッタを用いることで、光ディスク１０５を反射する光が、さらに、ビームスプリッタ１０２を反射して半導体レーザ１０１の発光点に入射する戻り光の強度を低減させることも知られている。ここで、図９の光ヘッド装置１５０において、ビームスプリッタ１０２を偏光ビームスプリッタとし、この偏光ビームスプリッタが、紙面に垂直な方向（Ｙ方向）に偏光したＳ偏光の光に対して、透過率よりも反射率の方が高く、一方、Ｓ偏光の方向と直交する方向に偏光したＰ偏光の光に対しては、反射率よりも透過率の方が高い特性を有するものとする。なお、ここでいうＰ偏光の方向は、光軸において、半導体レーザ１０１からビームスプリッタ１０２に向かう光路中ではＺ方向に相当し、ビームスプリッタ１０２から光ディスク１０５に向かう光路中ではＸ方向に相当する。
【０００９】
光ヘッド装置１５０において、ビームスプリッタ１０２として上記の特性を有する偏光ビームスプリッタを用い、半導体レーザ１０１からＳ偏光の光が発射されるものとすると、Ｓ偏光の光は、ビームスプリッタ１０２により高い反射率で、光ディスク１０５側へ反射される。そして、光ディスク１０５で反射された光は、１／４波長板１５１を往復することで、Ｐ偏光の光に変換されて、再びビームスプリッタ１０２に入射するが、Ｐ偏光の光は高い透過率で透過し、光検出器１０６の受光面に集光する。また、ビームスプリッタ１０２は、Ｐ偏光の光に対する反射率は小さいので、光ディスク１０５で反射された光のうち、半導体レーザ１０１の発光点に入射する戻り光の光量を十分に小さくすることができる。
【００１０】
また、光ヘッド装置１５０のように、半導体レーザ１０１から発射する光は発散光であり、発散光をビームスプリッタ１０２に入射する構成とすれば、半導体レーザ１０１とビームスプリッタ１０２との間の光路中に、発散光から平行光に変換するコリメータレンズなどの光学素子を配置しないこともできる。このように、偏光ビームスプリッタに発散光または収束光を入射する光ヘッド装置として、特許文献１では、とくに、４０５ｎｍ波長帯の光を用いる光ピックアップ装置の構成について報告されている。また、特許文献１の光ピックアップ装置は、光源と偏光ビームスプリッタとの間の光路中に、偏光ビームスプリッタに入射する発散光の光強度分布を調整するビーム整形素子を配置し、偏光ビームスプリッタの位置によって異なる光の入射角度が取り得る範囲を狭めることで、偏光ビームスプリッタの透過率および反射率の入射角依存性を抑制することも記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００５−１２９１８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ここで、特許文献１の光ピックアップ装置のように、光源から光ディスクに向かう光路中において、偏光ビームスプリッタに発散光が入射するとともに、光ディスクから光検出器に向かう光路中において、偏光ビームスプリッタに収束光が入射する光学系について考える。このとき、偏光ビームスプリッタに入射する光のうち、光軸上の光と、光軸から外れた周辺の光とでは、偏光ビームスプリッタの膜面への入射角度が異なるので、膜面の各位置を反射した各光線のＳ偏光の方向が異なる場合が含まれる。つまり、偏光ビームスプリッタに発散光、収束光が入射する場合、偏光ビームスプリッタの膜面（反射面）の各位置への入射光線と反射光線と、を含む入射面が異なるので、この入射面と直交する光の成分であるＳ偏光の方向も、膜面の各位置を反射した位置によって異なるものである。
【００１３】
図１は、偏光ビームスプリッタに発散光が入射したときの反射光の様子を表した例を示す光学系の模式図である。ここで、発光点１１から発射した発散光は、その光軸１３Ａと、偏光ビームスプリッタ１２の膜面との入射角度が４５°となるように配置した場合であって、光軸１３Ａは、図１においてＸ方向に相当する。そして、偏光ビームスプリッタ１２で反射した光の光軸１３Ｂは、図１においてＺ方向に相当する。ここで、光軸１３Ａと光軸１３Ｂを含む面（入射面）に対して垂直方向となるＳ偏光の方向は、反射光の光軸１３Ｂと直交するＸ−Ｙ平面である、平面１４においてＹ方向に相当する。
【００１４】
ここで、図１において、平面１４の各位置を、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃとし、これら各位置における光の偏光状態を考える。図２は、平面１４の各位置におけるＳ偏光の方向を模式的に示した図であって、偏光ビームスプリッタ１２で、Ｓ偏光の光のみ反射する場合、平面１４における光の偏光状態の分布は図２のようになる。つまり、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃの位置におけるＳ偏光の方向は、Ｙ方向に相当するが、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃの位置および２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃの位置におけるＳ偏光の方向は、Ｙ方向と異なる方向で分布する。
【００１５】
そして、特許文献１の光ピックアップ装置は、光源から偏光ビームスプリッタに発散光を入射する構成であって、かつ、該偏光ビームスプリッタはＳ偏光の光をほぼ１００％反射するので、偏光ビームスプリッタを反射した主たる光は、図２のような（Ｓ偏光の光の）偏光状態で分布する。さらに、特許文献１の光ピックアップ装置は、この偏光状態の分布を有する光の光路中に１／４波長板を配置して、直線偏光（Ｓ偏光）の光を円偏光の光にすることが記載されているが、この場合、図２のような偏光状態の分布を有する光に対して、１／４波長板を透過した光は部分的に完全な円偏光の光とはならない。つまり、１／４波長板は光学軸と、入射する直線偏光方向とがなす角度を４５°に設定することで、円偏光の光に変換できるが、この角度が４５°からずれると、楕円偏光の光となるからである。
【００１６】
つまり、図２のような光の偏光状態の分布に対して、１／４波長板の光学軸の方向を、例えば、Ｘ方向に対して４５°方向に設定した場合、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃの位置を透過する光は円偏光の光となるが、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃの位置および２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃの位置を透過する光は楕円偏光となる。そのため、光ディスクで反射されて再び、１／４波長板を透過した光は、Ｓ偏光と直交するＰ偏光の光のみの偏光状態の分布とならない。図１０は、このような１／４波長板、例えば、図９における１／４波長板１５１を往復する前後の、各位置の光の偏光状態を示す模式図である。なお、図１０の各位置は、図２の平面１４の各位置に相当するものであって、ここでは各位置の付番を省略したが、図２と同じ位置の付番として考える。
【００１７】
ここで、図１０の各位置における破線の矢印は、偏光ビームスプリッタで反射されて１／４波長板１５１へ向かう（Ｓ偏光の）光の偏光状態の分布であって、図２の分布（矢印の方向）と同じである。なお、図１０において、Ｚ方向は、偏光ビームスプリッタから１／４波長板１５１へ向かう方向に相当する。一方、図１０の各位置における実線の矢印は、光ディスク１０５で反射されて、１／４波長板１５１を往復した各位置の光の偏光状態の分布を示すものである。ここで、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃの位置では、往復する前後での光の偏光状態は、ほぼ直交する関係にあるが、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃの位置および２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃの位置では、往復する前後での光の偏光状態は、直交する関係にない。つまり、これらの各位置を往復する光は、Ｐ偏光の光だけでなく、Ｓ偏光の光の成分も含まれる偏光状態となる。
【００１８】
このとき、このような偏光状態で、再び、偏光ビームスプリッタに入射すると、特許文献１の光ピックアップ装置の偏光ビームスプリッタのように、Ｓ偏光の光をほぼ１００％反射する特性を有する場合、光軸から外れた周辺の光に含まれるＳ偏光の光の成分が反射されて、光源の方向に戻ることになる。そうすると、この戻り光によって、光源となる半導体レーザから出射する光の強度が安定せず、その結果、正確な情報の記録・再生ができなくなる。とくに、記録可能な光ディスクを再生する場合、出射する光のピークパワーを大きくしすぎることによって発生するデータの消去を防ぐため、前述の高周波重畳法を利用する高周波電流の振幅に上限があり、戻り光の光量が小さい場合でも、半導体レーザから出射する光の強度が不安定となる問題があった。
【００１９】
本発明は、従来技術のかかる問題を解決するためになされたものであり、偏光状態の分布を有する光を所定の偏光状態の光に変換する偏光補償素子を実現することを目的とする。さらに、この偏光補償素子を用いることで、光ディスクの安定した記録・再生ができる光ヘッド装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は、以上の点を鑑みてなされたものであって、光軸における偏光方向と前記光軸から外れた周辺における偏光方向と、が異なる分布を有する光が入射し、前記光に対して、２π・（０．２＋ｍ１／２）≦φ１≦２π・（０．３＋ｍ１／２）となる位相差φ１を発生する第１の位相差素子と、２π・（０．２＋ｍ２／２）≦φ２≦２π・（０．３＋ｍ２／２）となる位相差φ２を発生する第２の位相差素子と、を有するとともに（ｍ１、ｍ２≧０）、前記第１の位相差素子の光学軸と前記第２の位相差素子の光学軸と、がなす角度θが３５°≦θ≦５５°で重なるように配置され、入射する前記光は、前記第１の位相差素子の光学軸または前記第２の位相差素子の光学軸に平行な偏光方向を含み、前記第１の位相差素子および前記第２の位相差素子を往復する光の偏光方向が略直交する偏光補償素子を提供する。
【００２１】
また、前記光軸における偏光方向が、前記第１の位相差素子の光学軸または前記第２の位相差素子の光学軸に平行である上記の偏光補償素子を提供する。
【００２２】
また、前記光軸に対して直交する面において、前記光軸を含む直線で折り返したときの前記光の偏光方向の分布が重なる上記の偏光補償素子を提供する。
【００２３】
また、前記第１の位相差素子と前記第２の位相差素子とが一体化されてなる上記の偏光補償素子を提供する。
【００２４】
また、光源と、前記光源から発射する光の光路を分離するビームスプリッタと、前記ビームスプリッタで反射する光を光ディスクに集光する対物レンズと、前記光ディスクを反射した光を検出する光検出器と、を有し、前記ビームスプリッタに入射する光は、発散光または収束光であり、前記ビームスプリッタと前記対物レンズとの間の光路中に、上記の偏光補償素子が配置される光ヘッド装置を提供する。
【００２５】
また、前記ビームスプリッタは、互いに直交するＳ偏光の光とＰ偏光の光に対して、反射率が異なる偏光ビームスプリッタである上記の光ヘッド装置を提供する。
【００２６】
前記偏光ビームスプリッタは、Ｓ偏光の光に対する反射率が９０％以上であるとともに、Ｐ偏光の光に対する透過率が９０％以上であり、前記偏光ビームスプリッタの反射膜の面と、入射する前記光の光軸と、がなす角度が４０°〜６５°である上記の光ヘッド装置を提供する。
【００２７】
さらに、前記光源から発射する光は、波長が４０５ｎｍの光を含む上記の光ヘッド装置を提供する。
【発明の効果】
【００２８】
本発明は、光学軸の方向が異なる２つ以上の位相差素子を積層した偏光補償素子の構成により、偏光状態の分布を有して入射する光に対して、所定の偏光状態の光に変換する効果を与えることができる。また、偏光補償素子を用いた本発明の光ヘッド装置においても、光ディスクの安定した記録・再生ができる効果を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】偏光ビームスプリッタに発散光を入射する光学系の模式図。
【図２】偏光ビームスプリッタで反射した発散光の各位置のＳ偏光の方向を示す模式図。
【図３】（ａ）偏光補償素子の断面模式図。（ｂ）偏光補償素子の光学軸の関係を示す平面模式図。
【図４】（ａ）第１の位相差素子を透過した光の偏光状態の分布を示す模式図。（ｂ）第２の位相差素子を透過した光の偏光状態の分布を示す模式図。
【図５】（ａ）第２の位相差素子を透過した光の偏光状態の分布を示す模式図。（ｂ）第１の位相差素子を透過した光の偏光状態の分布を示す模式図。
【図６】偏光補償素子を往復する光の各位置の偏光状態を示す模式図。
【図７】本発明に係る光ヘッド装置の模式図（１）。
【図８】本発明に係る光ヘッド装置の模式図（２）。
【図９】従来の光ヘッド装置の模式図。
【図１０】従来の１／４波長板を往復する光の各位置の偏光状態を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
（偏光補償素子の実施形態）
図３（ａ）、図３（ｂ）は、本実施形態に係る偏光補償素子３０の模式図を示すものである。とくに、図３（ａ）は、偏光補償素子３０の断面模式図であり、例えば、透明基板３３ａ上に第１の位相差素子３１を有し、透明基板３３ｂの上に第２の位相差素子３２を有する。そして、偏光補償素子３０は、第１の位相差素子３１と第２の位相差素子３２と、を接着する透明材料層３４を介して一体化された構造を有する。第１の位相差素子３１および第２の位相差素子３２は、複屈折性材料からなる複屈折性材料層を有し、それぞれの複屈折性材料層の光学軸は、各位相差素子の面に平行でかつ、厚さ方向に揃っているものとする。なお、ここでいう位相差素子の面とは、図３（ａ）のＸ−Ｙ平面に相当する。
【００３１】
第１の位相差素子３１、第２の位相差素子３２の材料としては、水晶、ＬｉＮｂＯ３などの無機材料や、樹脂からなる延伸フィルム、液晶、高分子液晶などの有機材料、または、微小な構造を有することで位相差を発生させる構造複屈折などを含んで構成される。なお、第１の位相差素子３１および第２の位相差素子３２は、複屈折性材料層が１層から構成される場合に限らず、２層以上が重なっていて、各々の複屈折性材料層で発生する位相差の合成により、所定の位相差を発生させるものであってもよいが、以下、とくに説明がない限り、第１の位相差素子３１および第２の位相差素子３２は、それぞれ、複屈折性材料層が１層からなる場合について考える。
【００３２】
また、図３（ａ）の偏光補償素子３０は、その構成の一例を示したものであり、第１の位相差素子３１と第２の位相差素子３２と、が重ねられて配置されればよい。つまり、透明基板３３ａ、３３ｂが含まれる場合に限らない。また、第１の位相差素子３１と第２の位相差素子３２と、が一体化された構成であると、後述する、これらの位相差素子の光学軸同士がなす角度θを精度よく調整することができる。また、第１の位相差素子３１と第２の位相差素子３２と、を接着する透明材料層３４を介さず、第１の位相差素子３１と第２の位相差素子３２のいずれかに接着力がある場合には２つの位相差素子を直接接着してもよい。なお、第１の位相差素子３１と第２の位相差素子３２と、が一体化された構成に限らず、これらが分離されて配置されていてもよい。このように分離された場合であっても、第１の位相差素子３１と、第２の位相差素子３２と、を合わせた構成を偏光補償素子３０とする。
【００３３】
また、透明基板３３ａ、３３ｂは、入射する光に対して透明であれば、樹脂板、樹脂フィルムなど種々の材料を用いることができるが、ガラスや石英ガラスなどの光学的等方性材料を用いると、透過光に複屈折性の影響を与えないため好ましい。そして、透明基板３３ａ、３３ｂなどは、例えば、空気との界面に、多層膜による反射防止膜を備えると、フレネル反射による光反射損失を低減できる。
【００３４】
次に、第１の位相差素子３１、第２の位相差素子３２が発生する位相差について説明する。まず、偏光補償素子３０に入射する光の波長をλとし、偏光補償素子３０の面に略垂直に入射する場合について考える。なお、ここでいう偏光補償素子３０の面に略垂直とは、図３（ａ）でいうＺ方向に略等しいことを意味する。そして、第１の位相差素子３１で発生する位相差φ１［ｒａｄ］、第２の位相差素子３２で発生する位相差φ２［ｒａｄ］は、ｍ１、ｍ２を正の整数としたとき、波長λに対し、φ１が２π・（０．２５＋ｍ１／２）に略等しく、φ２が２π・（０．２５＋ｍ２／２）に略等しいことが好ましい。なお、ここでいう略等しいとは、具体的に、２π・（０．２＋ｍ１／２）≦φ１≦２π・（０．３＋ｍ１／２）、２π・（０．２＋ｍ２／２）≦φ２≦２π・（０．３＋ｍ２／２）であればよく、２π・（０．２３５＋ｍ１／２）≦φ１≦２π・（０．２６５＋ｍ１／２）、２π・（０．２３５＋ｍ２／２）≦φ２≦２π・（０．２６５＋ｍ２／２）であれば好ましい。また、発生する位相差の波長依存性の安定の観点から、ｍ１、ｍ２は、０〜２の間の整数が好ましく、０であるとより好ましい。
【００３５】
次に、第１の位相差素子３１と第２の位相差素子３２と、の配置関係について説明する。図３（ｂ）は、偏光補償素子３０の光学軸の方向を示す平面模式図であり、第１の位相差素子３１の光学軸３１Ａ、第２の位相差素子３２の光学軸３２Ａを示したものである。そして、光学軸３１Ａと光学軸３２Ａと、がなす角度がθとなるように配置されたものである。なお、光学軸とは、進相軸または遅相軸を意味するものであり、この角度θは、進相軸同士または遅相軸同士によってできる角度に相当する。そして、この角度θは３５°≦θ≦５５°であればよく、４０°≦θ≦５０°であると好ましく、θ＝４５°であればより好ましい。
【００３６】
ここで、波長λの光が、第１の位相差素子３１、第２の位相差素子３２の順に入射し、波長λの光に対する、第１の位相差素子３１の位相差をφ１（λ）［ｒａｄ］、第２の位相差素子３２の位相差をφ２（λ）［ｒａｄ］とし、φ１（λ）およびφ２（λ）をいずれもπ／２とする。また、第１の位相差素子３１の光学軸３１Ａを遅相軸とするとともに、この遅相軸の方向をＹ方向とする。さらに、第２の位相差素子３２の光学軸３２Ａも遅相軸とするとともに、この遅相軸の方向をＹ方向から４５°回転させた関係、つまり、角度θ＝４５°となる配置とし、図３（ｂ）において、波長λでＺ方向に進行する、Ｓ偏光の光、つまり、図２に示す偏光状態の分布を有する光、が入射する場合について考える。なお、図２の偏光状態は、光軸２１Ａを含む直線で折り返すと、その直線に対して線対称となって重なる偏光方向の分布となる。つまり、図２において、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃを含む直線で折り返すと、重なる位置の偏光方向が一致する関係の分布となる。
【００３７】
なお、図２において、光軸（２１Ａ）におけるＳ偏光の方向を基準としたときに、光軸から外れた周辺でのＳ偏光の方向の角度の最大値をΦとすると、光軸に対する傾きが大きい光として周辺に入射する場合、つまり、開口数ＮＡが大きい光ほど、この角度Φは大きくなる。この角度ΦとＮＡとの関係は、Φ＝Ｓｉｎ−１（ＮＡ）［°］で与えられ、例えば、ＮＡ＝０．１の光の場合、Φ＝５．７°となり、ＮＡ＝０．２の光の場合、Φ＝１１．５°となる。そのため、光の発散または収束の度合によって、Ｓ偏光の光の面内分布が異なり、ＮＡが大きいほど、面内のＳ偏光の方向の変化が大きいことになる。
【００３８】
図４（ａ）は、第１の位相差素子３１を透過した光の偏光状態の分布を示す平面模式図であり、図４（ｂ）は、さらに、第２の位相差素子３２を透過した光の偏光状態の分布を示す平面模式図である。なお、図４（ａ）には、第１の位相差素子３１の光学軸（遅相軸）３１Ａの方向、そして、図４（ｂ）には、第２の位相差素子３２の光学軸（遅相軸）３２Ａの方向も併せて示す。また、図４（ａ）、図４（ｂ）の黒丸で示した各位置は、図２の平面１４の各位置に相当するものであって、ここでは各位置の付番を省略したが、図２と同じ位置関係に相当する付番として考える。また、Ｚ方向は、第１の位相差素子３１から第２の位相差素子３２に向かう光の、光軸に沿った方向に相当する。
【００３９】
ここで、第１の位相差素子３１に入射する光のうち、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃの位置に入射する光は、光学軸（遅相軸）３１Ａの方向に相当する直線偏光（Ｓ偏光）の光であるので、図４（ａ）において、これらの位置を透過した光の偏光状態は透過前の偏光状態から変わらず、Ｙ方向の直線偏光の光のままである。一方、第１の位相差素子３１のうち、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ、の位置に入射する光は、光学軸（遅相軸）３１Ａの方向とは異なる方向の直線偏光（Ｓ偏光）の光であるので、それぞれ、位相差が与えられて、楕円偏光の光となる。また、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃの位置における楕円偏光の光の偏光状態と、２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃの位置における楕円偏光の光の偏光状態とは異なり、例えば、前者の偏光状態が右回りの楕円偏光の光であれば、後者の偏光状態左回りの楕円偏光の光となる。なお、右回り、左回りは、光の進行方向に対して反対方向から見たときの、偏光状態の回転方向を意味する。
【００４０】
次に、図４（ｂ）に基づいて、第２の位相差素子３２を透過する光の偏光状態の分布について説明する。なお、図４（ｂ）の光の偏光状態の分布は、偏光補償素子３０を透過する光の偏光状態の分布に相当する。第２の位相差素子３２には、図４（ａ）に示すような偏光状態の分布を有する光が入射するが、まず、第２の位相差素子３２の２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃの位置に入射する光は、光学軸（遅相軸）３２Ａの方向に対して４５°の角度をなす方向の直線偏光の光であるので、π／２の位相差が与えられ、円偏光の光となって透過する。なお、図４（ｂ）では、右回りの円偏光の光として示している。一方、第２の位相差素子３２のうち、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ、の位置に入射する光は、楕円偏光の光であるので、それぞれ、入射する楕円偏光の光とは異なる楕円偏光の光となる。なお、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃの位置における楕円偏光の光の偏光状態と、２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃの位置における楕円偏光の光の偏光状態とは異なり、例えば、前者の偏光状態が左回りの楕円偏光の光であれば、後者の偏光状態は右回りの楕円偏光の光となる。
【００４１】
次に、偏光補償素子３０を透過した光が、（光ディスクなどで）反射されて、再び偏光補償素子３０に入射する場合の偏光状態の分布について考える。図５（ａ）は、偏光補償素子３０を透過した光の偏光状態の分布のまま（光ディスクなどで）反射され、第２の位相差素子３２を透過したときの光の偏光状態の分布を示す平面模式図である。つまり、第２の位相差素子３２に再び入射する光の偏光状態は、図４（ｂ）のような分布を有する。また、図５（ａ）、図５（ｂ）の黒丸で示した各位置は、図２の平面１４の各位置に相当するものであって、ここでは各位置の付番を省略したが、図２と同じ位置関係に相当する付番として考える。
【００４２】
ここで、第２の位相差素子３２に再び入射する光のうち、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃの位置に入射する光は、（左回りの）円偏光の光であるので、π／２の位相差が与えられ、直線偏光の光となって透過するが、いずれもＸ方向の直線偏光の光となる。一方、第２の位相差素子３２のうち、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ、の位置に入射する光は、楕円偏光の光であるので、それぞれ、入射する楕円偏光の光とは異なる楕円偏光の光となる。なお、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃの位置における楕円偏光の光の偏光状態と、２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃの位置における楕円偏光の光の偏光状態とは異なり、例えば、前者の偏光状態が左回りの楕円偏光の光であれば、後者の偏光状態は右回りの楕円偏光の光となる。
【００４３】
次に、図５（ｂ）に基づいて、第１の位相差素子３１を再び透過する光の偏光状態の分布について説明する。第１の位相差素子３１には、図５（ａ）に示すような偏光状態の分布を有する光が入射するが、まず、第１の位相差素子３１の２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃの位置に入射する光は、光学軸（遅相軸）３１Ａの方向に対して９０°の角度をなす方向の直線偏光の光であるので、偏光状態を変えずにそのままＸ方向の直線偏光の光で透過する。一方、第１の位相差素子３１のうち、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ、の位置に入射する光は、楕円偏光の光であり、透過する光は、それぞれ、直線偏光の光となる。なお、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃの位置における直線偏光の光の偏光方向と、２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃの位置における直線偏光の光の偏光方向とは異なり、例えば、前者の偏光方向がＸ方向に対して＋α°の角度をなす直線偏光の光であれば、後者の偏光方向はＸ方向に対して−α°の角度をなす直線偏光の光となる（α≠０）。
【００４４】
図６は、偏光補償素子３０に入射する前の光の偏光状態の分布と、偏光補償素子３０を往復した光の偏光状態の分布を重ねて示した平面模式図である。また、図６の黒丸で示した各位置は、図２の平面１４の各位置に相当するものであって、ここでは各位置の付番を省略したが、図２と同じ位置関係に相当する付番として考える。また、図６における破線の矢印は、偏光補償素子３０に入射する前の光の偏光状態の分布を示すもので、図２に示す光の偏光状態の分布と同じである。そして、図６における実線の矢印は、偏光補償素子３０を往復した光の偏光状態の分布を示すもので、図５（ｂ）に示す光の偏光状態の分布と同じである。そして、図６に示されるように、偏光補償素子３０を往復する前後の光について、各位置の光の偏光状態は、略直交する関係にある。
【００４５】
このように、往復する光の偏光状態の分布について、各位置の偏光状態を略直交させる偏光補償素子３０について説明したが、このような効果を得るための構成はこれに限らない。例えば、逆に、第２の位相差素子３２の光学軸３２Ａを、光軸上のＳ偏光の方向と一致させ、第１の位相差素子３１の光学軸３１Ａと第２の位相差素子３２の光学軸３２Ａとがなす角度θが、３５°≦θ≦５５°となるように配置してもよい。また、光軸上のＳ偏光の方向と、一致させる方の光学軸３１Ａまたは光学軸３２Ａと、がなす角度は、０°または９０°であるものとしたが、偏光補償素子３０を往復する光の偏光状態として、Ｐ偏光の光の成分を大きくするためには、この角度を−１５°〜１５°または７０°〜１０５°で設定することができる。また、この角度は、−１０°〜１０°または８０°〜１００°であれば好ましく、−２°〜２°または８８°〜９２°であればより好ましい。
【００４６】
また、ここでは、Ｓ偏光の光が入射して、Ｓ偏光の光が偏光補償素子３０に入射することを前提に説明したが、Ｐ偏光の光が入射して、Ｐ偏光の光が偏光補償素子３０に入射する場合であってよい。偏光状態の分布については図示しないが、この場合であっても、偏光補償素子３０を往復する前後の光について、同様に各位置の光の偏光状態が、略直交する関係となる。なお、本実施形態に係る偏光補償素子３０を透過する光の偏光状態については、既知のジョーンズマトリックスやストークスパラメータなどを用いた計算により求めることができる。
【００４７】
（光ヘッド装置の実施形態）
図７は、本実施形態に係る偏光補償素子３０を用いた光ヘッド装置１００Ａの概念的模式図である。光ヘッド装置１００Ａは、光源となる半導体レーザ１０１から出射した発散光が、光路分離素子であるビームスプリッタ１０２において、光が入射する表面に備えられた反射膜１０２Ａで反射され、コリメータレンズ１０３で平行光となり、偏光補償素子３０で偏光状態が変えられ、対物レンズ１０４によって光ディスク１０５の情報記録面に集光する。光ディスク１０５で反射された光は、再び、対物レンズ１０４を透過し、偏光補償素子３０で偏光状態が変えられ、コリメータレンズ１０３およびビームスプリッタ１０２を透過し、光検出器１０６の受光面に集光する。また、図７の光ヘッド装置１００Ａにおいて示した一点鎖線は光軸を表し、ビームスプリッタの反射膜１０２Ａの面と光軸との角度は４５°に設定されているものとする。
【００４８】
ここで、光ヘッド装置１００Ａにおけるビームスプリッタ１０２を偏光ビームスプリッタとし、説明を簡単にするため、この偏光ビームスプリッタは、Ｓ偏光の光を１００％反射し、Ｐ偏光の光を１００％透過するものとする。言い換えると、この偏光ビームスプリッタは、Ｓ偏光の光に対する透過率および反射率がそれぞれ０％、１００％であり、Ｐ偏光の光に対する透過率および反射率がそれぞれ１００％、０％の特性を有するものとする。そして、半導体レーザ１０１から、波長λのＳ偏光の発散光が発射されるものとする。
【００４９】
この場合、光ヘッド装置１００Ａにおいて、ビームスプリッタ１０２を反射する光の光学系を、図１に示した光学系として考えることができる。つまり、半導体レーザ１０１の発光点が図１の発光点１１、ビームスプリッタ１０２が図１の偏光ビームスプリッタ１２、そして、偏光補償素子３０に入射する光の光軸と直交する平面が図１の平面１４、として考えることができる。そうすると、図７の光ヘッド装置１００ＡにおけるＳ偏光の光は、一点鎖線で示した光軸においては、ビームスプリッタ１０２での反射前後で変わらずＹ方向であるが、偏光補償素子の実施形態において説明したように、光軸から外れた周辺の光に対して、ビームスプリッタ１０２で反射するＳ偏光の光の方向が異なる場合が含まれる。つまり、ビームスプリッタ１０２で反射されて、偏光補償素子３０に入射する光の光軸と直交する平面における光の偏光状態の分布は、図２のようになる。
【００５０】
また、偏光補償素子３０は、波長λの光に対して、π／２の位相差を発生させる第１の位相差素子３１と第２の位相差素子３２を有し、それぞれの遅相軸が４５°の角度をなす。そして、第１の位相差素子３１の遅相軸がＹ方向と一致するように配置されるものとする。このとき、偏光補償素子３０を透過して対物レンズ１０４側に向かう光の偏光状態の分布は、図４（ｂ）のようになり、一方、光ディスク１０５で反射され、再び偏光補償素子３０を透過する光の偏光状態の分布は、図５（ｂ）のようになる。なお、図４（ｂ）および図５（ｂ）の偏光状態の分布は、光ヘッド装置１００Ａにおいて、いずれも、光ディスク１０５から偏光補償素子３０の方向を見たときの分布に相当する。
【００５１】
そして、偏光補償素子３０を往復した光の偏光状態の分布は、図６のようになり、ビームスプリッタ１０２から偏光補償素子３０に向かう光と、偏光補償素子３０からビームスプリッタ１０２に向かう光とは、各位置においてその偏光状態が直交する関係となる。つまり、ビームスプリッタ１０２となる偏光ビームスプリッタには、図６の実線の矢印のような偏光状態の分布を有する光が入射するが、いずれも、偏光ビームスプリッタの各位置におけるＰ偏光の方向と一致する。そうすると、偏光補償素子３０を往復して、再び偏光ビームスプリッタに入射する光は、光軸付近だけでなく周辺の光も透過して光検出器１０６に集光する。したがって、偏光補償素子３０を往復して、再び偏光ビームスプリッタに入射する光のうち、半導体レーザ１０１側に反射する光の光量が大きく低減できるので、半導体レーザ１０１から発射する光の強度を安定させることができる。
【００５２】
また、偏光補償素子３０を用いた光ヘッド装置は、図７の光ヘッド装置１００Ａに限らない。図８は、本実施形態に係る偏光補償素子３０を用いた他の構成の光ヘッド装置１００Ｂの概念的模式図であり、光ヘッド装置１００Ａを構成する部位と同じものには同じ付番を与えて、各部位の説明の重複を避けるが、偏光補償素子３０を、ビームスプリッタ１０２とコリメータレンズ１０３との間の光路中に配置してもよい。この場合、偏光補償素子３０を、発散光中または収束光中に配置することで、偏光補償素子３０に入射する光の径を小さくすることができるので、素子のサイズを小さくすることができる。また、光ヘッド装置１００Ａ、１００Ｂは、コリメータレンズ１０３を含まず、偏光補償素子３０に発散光、収束光が入射する構成であってもよい。
【００５３】
また、偏光補償素子３０は、光ヘッド装置１００Ａ、１００Ｂのように第１の位相差素子３１、第２の位相差素子が並ぶように配置される様子を示したが、これに限らない。例えば、第１の位相差素子３１が、ビームスプリッタ１０２とコリメータレンズ１０３との間の光路中に配置され、第２の位相差素子３２が、コリメータレンズ１０３と対物レンズ１０４との間の光路中に配置されていてもよく、この場合でも、第１の位相差素子３１と第２の位相差素子３２とを併せて偏光補償素子３０とすることができる。
【００５４】
また、ビームスプリッタ１０２は、平板形状を有する偏光ビームスプリッタとして説明したが、これに限らず、二等辺直角三角形のプリズムを２つ組み合わせたプリズム型であってもよい。さらに、ビームスプリッタ１０２の、透過率、反射率の特性としては、各偏光の光に対して、１００％または０％としたが、これに限らず、Ｓ偏光の光とＰ偏光の光に対して、それぞれ異なるものであれば、半導体レーザ１０１の発光点への戻り光を低減するように設定できる。とくに、偏光ビームスプリッタとしては、Ｓ偏光の光に対する反射率がＳ偏光の光に対する透過率より高く、Ｐ偏光の光に対する透過率がＰ偏光の光に対する反射率より高い特性のものが、反射膜１０２Ａを構成する光学多層膜の設計が容易であるので好ましい。とくに、Ｓ偏光の光に対する反射率が９０％以上、Ｐ偏光の光に対する透過率が９０％以上であると、光ヘッド装置１００Ａ、１００Ｂにおいて光の利用効率を高くすることができ、半導体レーザ１０１への戻り光の光量を、より低減できるので好ましい。さらに、半導体レーザ１０１から発射する光の光軸と、ビームスプリッタ１０２の反射膜１０２Ａの面と、がなす入射角度を４５°として例に挙げたが、これに限らず、４０°〜６５°で設定することができる。
【実施例】
【００５５】
本実施例では、偏光補償素子３０の具体的な設計例について、図３（ａ）、図３（ｂ）を参照しながら説明する。透明基板３３ａ、３３ｂとして白板ガラスを用いて、これらを洗浄、乾燥し、一方の面に真空蒸着法を用いて反射防止膜を形成する。次に、白板ガラスの、反射防止膜を形成した面とは反対側の面に配向処理をする。そして、配向処理された面に複屈折性を有する液晶モノマーを均一に塗布し、ＵＶ光を照射することによって、液晶分子の長軸方向が均一で厚さ方向に揃った高分子液晶からなる厚さ２μｍの第１の位相差素子３１および第２の位相差素子３２を形成する。このとき、第１の位相差素子３１および第２の位相差素子３２で発生するそれぞれの位相差φ１（λ）、φ２（λ）は、波長λ＝４０５ｎｍの光に対してπ／２となる。なお、この液晶分子の長軸方向が遅相軸方向に相当する。
【００５６】
次に、第１の位相差素子３１と第２の位相差素子３２と、を遅相軸同士がなす角度が４５°の状態で、透明材料層３４として透明な接着剤で接着し、偏光補償素子３０を得る。次に、偏光補償素子３０を、光ヘッド装置１００Ａに示す位置または、光ヘッド装置１００Ｂに示す位置に配置する。このとき、光ディスク１０５に向かう光が、第１の位相差素子３１、第２の位相差素子３２の順に入射するとともに、第１の位相差素子３１の高分子液晶の長軸方向と、偏光補償素子３０に入射する光の光軸におけるＳ偏光の方向とを一致させるように配置する。そして、ビームスプリッタ１０２として、波長４０５ｎｍの光について、Ｓ偏光の光を１００％反射し、Ｐ偏光の光を１００％透過する偏光ビームスプリッタを用い、半導体レーザ１０１として、波長４０５ｎｍでＳ偏光の発散光を発射する半導体レーザを用いる。また、半導体レーザ１０１から出射した光のうち、取り込みＮＡ＝０．１の光が、コリメータレンズ１０３および対物レンズ１０４を透過し光ディスク１０５に到達するように設定する。
【００５７】
このとき、光ディスク１０５である４０５ｎｍの光に対応するＢＤ、で反射されて偏光補償素子３０を往復する光は、光軸においても周辺においてもＰ偏光の光となり、ビームスプリッタ１０２に再び入射する光は、ほぼ透過して光検出器１０６に集光される。また、ビームスプリッタ１０２に再び入射する光のうち、半導体レーザ１０１の発光点に戻る、戻り光の光量は大きく低減し、光ディスク（ＢＤ）の安定した記録・再生ができる。また、波長４０５ｎｍで、取り込みＮＡ＝０．２となる、Ｓ偏光の発散光を発射する半導体レーザを用いる場合も、同様に、半導体レーザ１０１の発光点に戻る、戻り光の光量は大きく低減し、光ディスク（ＢＤ）の安定した記録・再生ができる。
【００５８】
（比較例）
比較例として、図９の光ヘッド装置１５０に用いる１／４波長板１５１として、実施例における第１の位相差素子３１と同じ構成の素子を作製する。具体的には、白色ガラスからなる透明基板上に、液晶分子の長軸方向が均一で厚さ方向に揃った高分子液晶からなる厚さ２μｍの層を形成する。そして、この１／４波長板１５１について、高分子液晶の長軸方向と、１／４波長板１５１に入射する光の光軸におけるＳ偏光の方向とがなす角度を４５°となるように配置する。そして、ビームスプリッタ１０２として、波長４０５ｎｍの光について、Ｓ偏光の光を１００％反射し、Ｐ偏光の光を１００％透過する偏光ビームスプリッタを用い、半導体レーザ１０１として、波長４０５ｎｍで、取り込みＮＡ＝０．１となる、Ｓ偏光の発散光を発射する半導体レーザを用いる。
【００５９】
このとき、光ディスク１０５である４０５ｎｍの光に対応するＢＤ、で反射されて１／４波長板１５１を往復する光のうち、光軸に沿った光はＰ偏光の光となるが、光軸から外れた周辺の光はＰ偏光とは異なる偏光方向の光、つまり、Ｓ偏光の光と直交しない偏光状態の光が含まれる。ここで、図１０に示すように、１／４波長板１５１を往復する前後の光の偏光方向がなす角度をωとすると、ωが９０°よりも小さくなる。例えば、半導体レーザ１０１として、波長４０５ｎｍで、取り込みＮＡ＝０．１となる、Ｓ偏光の発散光を発射する半導体レーザを用いると、ωの最小値は７８．６°となる。このとき、１／４波長板１５１を往復する光のうちＳ偏光の光の成分は０とはならず、例えば、ω＝７８．６°の位置における、Ｓ偏光の光の成分は３．９％となる。
【００６０】
このとき、ビームスプリッタ１０２に再び入射する光のうち、半導体レーザ１０１の発光点に戻る、Ｓ偏光の戻り光を有し、半導体レーザ１０１から発射する光との干渉が発生するため、光ディスク（ＢＤ）の安定した記録・再生ができない。また、波長４０５ｎｍで、取り込みＮＡ＝０．２となる、Ｓ偏光の発散光を発射する半導体レーザを用いる場合は、このωの最小値は６７°となり、ω＝６７°の位置における、Ｓ偏光の光の成分は１５．４％となり、半導体レーザ１０１の発光点に戻る、Ｓ偏光の戻り光の光量が、取り込みＮＡ＝０．１の場合に比べてさらに大きくなり、半導体レーザ１０１から発射する光との干渉が大きくなるので、光ディスク（ＢＤ）の安定した記録・再生ができない。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
以上のように、本発明は、偏光状態に分布を有する光に対して所定の偏光状態の光に変換する偏光補償素子を実現できる。さらに、この偏光補償素子を用いることで、光ディスクの安定した記録・再生ができる光ヘッド装置を提供できる。
【符号の説明】
【００６２】
１１  発光点
１２  偏光ビームスプリッタ
１３Ａ、１３Ｂ  光軸
１４  光軸に垂直な平面
２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ  光軸に垂直な平面上の点（位置）
３０  偏光補償素子
３１  第１の位相差素子
３２  第２の位相差素子
３３ａ、３３ｂ  透明基板
３４  透明材料層
１００Ａ、１００Ｂ、１５０  光ヘッド装置
１０１  光源
１０２  （偏光）ビームスプリッタ
１０２Ａ  反射膜
１０３  コリメータレンズ
１０４  対物レンズ
１０５  光ディスク
１０６  光検出器
１５１  １／４波長板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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