(57)【要約】【課題】外部に保護素子を設けることなく静電気や過電圧から保護することができる半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置、信号灯器及び道路情報装置を提供する。【解決手段】基板１上に発光素子用のｎ型半導体層２、活性層及びｐ型半導体層３を積層した半導体層を形成してある。発光素子１００の表面には、適長離隔させた第１のボンディング電極８１、第２のボンディング電極８２を設けてある。第１のボンディング電極８１の下方には、発光素子用のｎ型半導体層２から分離して保護素子用のｎ型半導体層１２を形成してある。保護素子用のｎ型半導体層１２には、活性層及びｐ型半導体層１３を積層してある。ｎ型半導体層１２、活性層及びｐ型半導体層１３により保護素子用の半導体層が形成される。【選択図】図２
2012023280.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に発光素子用のｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を積層した半導体層が形成された半導体発光素子において、
前記基板上に前記ｎ型半導体層から分離して形成された保護素子用のｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を積層した半導体層を備え、
該保護素子用の半導体層を前記発光素子用のｎ型半導体層又はｐ型半導体層に接続されたボンディング電極の下側に形成してあることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記発光素子用のｐ型半導体層に接続された第１のボンディング電極と、
前記発光素子用のｎ型半導体層に接続された第２のボンディング電極と
を備え、
前記保護素子用のｎ型半導体層を前記第１のボンディング電極に接続してあり、
前記保護素子用のｐ型半導体層を前記発光素子用のｎ型半導体層に接続してあり、
前記保護素子用の半導体層を前記第１のボンディング電極の下側に形成してあることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記発光素子用のｐ型半導体層に接続された第１のボンディング電極と、
前記発光素子用のｎ型半導体層に接続された第２のボンディング電極と
を備え、
前記保護素子用のｐ型半導体層を前記第２のボンディング電極に接続してあり、
前記保護素子用のｎ型半導体層を前記発光素子用のｐ型半導体層に接続してあり、
前記保護素子用の半導体層を前記第２のボンディング電極の下側に形成してあることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記基板上に前記ｎ型半導体層から分離して形成された第１及び第２の保護素子用のｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を積層した２つの分離した半導体層と、
前記発光素子用のｐ型半導体層に接続された第１のボンディング電極と、
前記発光素子用のｎ型半導体層に接続された第２のボンディング電極と
を備え、
前記第１の保護素子用のｎ型半導体層を前記第１のボンディング電極に接続してあり、
前記第１の保護素子用のｐ型半導体層を前記第２の保護素子用のｎ型半導体層に接続してあり、
前記第２の保護素子用のｐ型半導体層を前記第２のボンディング電極に接続してあり、
前記第１の保護素子用の半導体層を前記第１のボンディング電極の下側に形成してあり、
前記第２の保護素子用の半導体層を前記第２のボンディング電極の下側に形成してあることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体発光素子と、該半導体発光素子を収容する収容部とを備えることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発光装置を備えることを特徴とする照明装置。
【請求項７】
請求項５に記載の発光装置を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項５に記載の発光装置を備えることを特徴とする信号灯器。
【請求項９】
請求項５に記載の発光装置を備えることを特徴とする道路情報装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上にｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を積層した半導体層が形成された半導体発光素子、該半導体発光素子を備える発光装置、該発光装置を備える照明装置、表示装置、信号灯器及び道路情報装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光源として用いられてきた蛍光灯又は白熱灯などに比べて、省電力かつ長寿命であるという理由で、発光ダイオードが光源として注目を浴びており、照明用の光源だけでなく、照明スイッチ、バックライト光源、イルミネーション光源、アミューズメント機器の装飾など、広い分野で使用されるようになった。
【０００３】
このような発光ダイオードは、用途に合わせて、青色、青緑色、緑色、赤色など所要の単色を発光することができるもの、あるいは１つのパッケージで赤色、緑色、青色のマルチカラーを発光するものもある。また、蛍光体との組み合わせにより白色を発光することができる発光ダイオードも製品化されている。
【０００４】
例えば、ＬＥＤチップ（半導体発光素子）を包囲する包囲部を備え、所定の波長光で励起されて発光する蛍光体を含み、良好な発光効率及び発光光度を有する白色の発光ダイオード（発光装置）が開示されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１６１７８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の発光ダイオード(発光装置)を静電気又は過電圧から保護するためには、発光ダイオードの外部に保護素子を接続する必要があり、部品点数の増加とコストアップの要因となっていた。特に、多数の発光ダイオードを使用する装置などでは、発光ダイオードの数に応じた保護素子を接続する必要があり、保護素子の数も増加するので、部品点数の低減、省スペース化、あるいはコスト低減という観点で問題となっていた。
【０００７】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、外部に保護素子を設けることなく静電気や過電圧から保護することができる半導体発光素子、該半導体発光素子を備える発光装置、該発光装置を備える照明装置、表示装置、信号灯器及び道路情報装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１発明に係る半導体発光素子は、基板上に発光素子用のｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を積層した半導体層が形成された半導体発光素子において、前記基板上に前記ｎ型半導体層から分離して形成された保護素子用のｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を積層した半導体層を備え、該保護素子用の半導体層を前記発光素子用のｎ型半導体層又はｐ型半導体層に接続されたボンディング電極の下側に形成してあることを特徴とする。
【０００９】
第２発明に係る半導体発光素子は、第１発明において、前記発光素子用のｐ型半導体層に接続された第１のボンディング電極と、前記発光素子用のｎ型半導体層に接続された第２のボンディング電極とを備え、前記保護素子用のｎ型半導体層を前記第１のボンディング電極に接続してあり、前記保護素子用のｐ型半導体層を前記発光素子用のｎ型半導体層に接続してあり、前記保護素子用の半導体層を前記第１のボンディング電極の下側に形成してあることを特徴とする。
【００１０】
第３発明に係る半導体発光素子は、第１発明において、前記発光素子用のｐ型半導体層に接続された第１のボンディング電極と、前記発光素子用のｎ型半導体層に接続された第２のボンディング電極とを備え、前記保護素子用のｐ型半導体層を前記第２のボンディング電極に接続してあり、前記保護素子用のｎ型半導体層を前記発光素子用のｐ型半導体層に接続してあり、前記保護素子用の半導体層を前記第２のボンディング電極の下側に形成してあることを特徴とする。
【００１１】
第４発明に係る半導体発光素子は、第１発明において、前記基板上に前記ｎ型半導体層から分離して形成された第１及び第２の保護素子用のｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を積層した２つの分離した半導体層と、前記発光素子用のｐ型半導体層に接続された第１のボンディング電極と、前記発光素子用のｎ型半導体層に接続された第２のボンディング電極とを備え、前記第１の保護素子用のｎ型半導体層を前記第１のボンディング電極に接続してあり、前記第１の保護素子用のｐ型半導体層を前記第２の保護素子用のｎ型半導体層に接続してあり、前記第２の保護素子用のｐ型半導体層を前記第２のボンディング電極に接続してあり、前記第１の保護素子用の半導体層を前記第１のボンディング電極の下側に形成してあり、前記第２の保護素子用の半導体層を前記第２のボンディング電極の下側に形成してあることを特徴とする。
【００１２】
第５発明に係る発光装置は、第１発明乃至第４発明のいずれか１つに係る半導体発光素子と、該半導体発光素子を収容する収容部とを備えることを特徴とする。
【００１３】
第６発明に係る照明装置は、第５発明に係る発光装置を備えることを特徴とする。
【００１４】
第７発明に係る表示装置は、第５発明に係る発光装置を備えることを特徴とする。
【００１５】
第８発明に係る信号灯器は、第５発明に係る発光装置を備えることを特徴とする。
【００１６】
第９発明に係る道路情報装置は、第５発明に係る発光装置を備えることを特徴とする。
【００１７】
第１発明にあっては、基板上に発光素子用のｎ型半導体層から分離して形成された保護素子用のｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を積層した半導体層を備え、保護素子用の半導体層を発光素子用のｎ型半導体層又はｐ型半導体層に接続されたボンディング電極の下側に形成してある。１つの半導体発光素子内に保護素子用の半導体層を含むので、半導体発光素子の外部に保護素子を接続する必要がなく、静電気又は過電圧に対して高い信頼性を有する半導体発光素子を実現することができる。また、半導体発光素子の外部に保護素子を接続する必要がないので、部品点数の低減、省スペース化、あるいはコスト低減を実現することもできる。さらに、保護素子用の半導体層をボンディング電極下に設けることにより、半導体発光素子の発光面積に影響を与えないため、半導体発光素子の発光効率に与える影響がなく発光効率を維持することができる。
【００１８】
第２発明にあっては、発光素子用のｐ型半導体層に接続された第１のボンディング電極と、発光素子用のｎ型半導体層に接続された第２のボンディング電極とを備える。そして、保護素子用のｎ型半導体層を第１のボンディング電極に接続してあり、保護素子用のｐ型半導体層を発光素子用のｎ型半導体層に接続してあり、保護素子用の半導体層を第１のボンディング電極の下側に形成してある。第１のボンディング電極には、発光素子用のｐ型半導体層及び保護素子用のｎ型半導体層が接続され、第２のボンディング電極には、発光素子用のｎ型半導体層が接続され、発光素子用のｎ型半導体層には、保護素子用のｐ型半導体層が接続されている。
【００１９】
すなわち、発光素子用の半導体層（ＬＥＤ構造）と逆並列に接続した保護素子用の半導体層（ＬＥＤ構造）を１つの半導体発光素子に内蔵し、かつ保護素子用の半導体層を第１のボンディング電極下に設ける。１つの半導体発光素子内に発光素子と保護素子とを有するため、静電気等に対し高い信頼性を持ち、また第１のボンディング電極下に保護素子を配置することにより、半導体発光素子の発光面積に影響を与えないため、半導体発光素子の発光効率に与える影響がなく発光効率を維持することができる。
【００２０】
第３発明にあっては、発光素子用のｐ型半導体層に接続された第１のボンディング電極と、発光素子用のｎ型半導体層に接続された第２のボンディング電極とを備える。そして、保護素子用のｐ型半導体層を第２のボンディング電極に接続してあり、保護素子用のｎ型半導体層を発光素子用のｐ型半導体層に接続してあり、保護素子用の半導体層を第２のボンディング電極の下側に形成してある。第１のボンディング電極には、発光素子用のｐ型半導体層が接続され、発光素子用のｐ型半導体層には保護素子用のｎ型半導体層が接続され、第２のボンディング電極には、発光素子用のｎ型半導体層及び保護素子用のｐ型半導体層が接続されている。
【００２１】
すなわち、発光素子用の半導体層（ＬＥＤ構造）と逆並列に接続した保護素子用の半導体層（ＬＥＤ構造）を１つの半導体発光素子に内蔵し、かつ保護素子用の半導体層を第２のボンディング電極下に設ける。１つの半導体発光素子内に発光素子と保護素子とを有するため、静電気等に対し高い信頼性を持ち、また第２のボンディング電極下に保護素子を配置することにより、半導体発光素子の発光面積に影響を与えないため、半導体発光素子の発光効率に与える影響がなく発光効率を維持することができる。
【００２２】
第４発明にあっては、基板上に発光素子用のｎ型半導体層から分離して形成された第１及び第２の保護素子用のｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を積層した２つの分離した半導体層と、発光素子用のｐ型半導体層に接続された第１のボンディング電極と、発光素子用のｎ型半導体層に接続された第２のボンディング電極とを備える。そして、第１の保護素子用のｎ型半導体層を第１のボンディング電極に接続してあり、第１の保護素子用のｐ型半導体層を第２の保護素子用のｎ型半導体層に接続してあり、第２の保護素子用のｐ型半導体層を第２のボンディング電極に接続してあり、第１の保護素子用の半導体層を第１のボンディング電極の下側に形成してあり、第２の保護素子用の半導体層を第２のボンディング電極の下側に形成してある。
【００２３】
すなわち、発光素子用の半導体層（ＬＥＤ構造）と逆並列に接続した直列の２つの保護素子用の半導体層（ＬＥＤ構造）を１つの半導体発光素子に内蔵し、かつ保護素子用の半導体層をそれぞれ第１のボンディング電極及び第２のボンディング電極下に設ける。これにより、１つの半導体発光素子内に発光素子と２つの直列接続した保護素子とを有するため、静電気等に対し高い信頼性を持つとともに、逆方向の耐圧電圧を大きくすることができる。また２つのボンディング電極下にそれぞれ保護素子を配置することにより、半導体発光素子の発光面積に影響を与えないため、半導体発光素子の発光効率に与える影響がなく発光効率を維持することができる。
【００２４】
第５発明にあっては、発光装置は、上述の半導体発光素子を収容してある。これにより、静電気や過電圧から保護することができ、また、部品点数の低減、省スペース化又はコストの低減を図ることができる発光装置を提供することができる。
【００２５】
第６発明、第７発明、第８発明及び第９発明にあっては、上述の発光装置を備えることにより、静電気や過電圧から保護することができ、また、部品点数の低減、省スペース化又はコストの低減を図ることができる照明装置、表示装置、信号灯器又は道路情報装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、１つの半導体発光素子内に保護素子用の半導体層を含むので、半導体発光素子の外部に保護素子を接続する必要がなく、静電気又は過電圧に対して高い信頼性を有する半導体発光素子を実現することができる。また、半導体発光素子の外部に保護素子を接続する必要がないので、部品点数の低減、省スペース化、あるいはコスト低減を実現することもできる。さらに、保護素子用の半導体層をボンディング電極下に設けることにより、半導体発光素子の発光面積に影響を与えないため、半導体発光素子の発光効率に与える影響がなく発光効率を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施の形態１の半導体発光素子の平面構造の一例を示す模式図である。
【図２】実施の形態１の半導体発光素子の断面構造の一例を示す断面図である。
【図３】実施の形態１の半導体発光素子の回路図である。
【図４】実施の形態１の半導体発光素子の製造工程を示す説明図である。
【図５】実施の形態１の半導体発光素子の製造工程を示す説明図である。
【図６】実施の形態２の半導体発光素子の平面構造の一例を示す模式図である。
【図７】実施の形態２の半導体発光素子の断面構造の一例を示す断面図である。
【図８】実施の形態２の半導体発光素子の製造工程を示す説明図である。
【図９】実施の形態２の半導体発光素子の製造工程を示す説明図である。
【図１０】実施の形態３の半導体発光素子の平面構造の一例を示す模式図である。
【図１１】実施の形態３の半導体発光素子の断面構造の一例を示す断面図である。
【図１２】実施の形態３の半導体発光素子の回路図である。
【図１３】実施の形態３の半導体発光素子の製造工程を示す説明図である。
【図１４】実施の形態３の半導体発光素子の製造工程を示す説明図である。
【図１５】本実施の形態の発光装置の構成の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
（実施の形態１）
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて説明する。図１は実施の形態１の半導体発光素子１００の平面構造の一例を示す模式図であり、図２は実施の形態１の半導体発光素子１００の断面構造の一例を示す断面図であり、図３は実施の形態１の半導体発光素子１００の回路図である。
【００２９】
本実施の形態の半導体発光素子１００（以下、「発光素子」ともいう。）は、複数の発光素子が形成されたウェハを所定の寸法で直方体状に切断して各発光素子を分離したものであり、例えば、ＬＥＤチップである。図２において、１はサファイア基板である。サファイア基板１（以下、「基板」という。）は平面視が矩形状であって、縦横寸法は、例えば、０．３５ｍｍ程度であるが、寸法はこれに限定されるものではない。
【００３０】
図１及び図２に示すように、発光素子１００は、矩形状の基板１上に発光素子用のｎ型半導体層２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体層（ＬＥＤ構造）を形成してある。発光素子１００の表面には、適長離隔させた第１のボンディング電極８１、第２のボンディング電極８２を設けてある。ボンディング電極８１、８２は、発光素子１００と外部回路（外部電極あるいはリード線など）とを接続するためのワイヤをボンディングするための電極である。
【００３１】
第１のボンディング電極８１の下方には、発光素子用のｎ型半導体層２から分離して保護素子用のｎ型半導体層１２を形成してある。保護素子用のｎ型半導体層１２には、活性層（不図示）及びｐ型半導体層１３を積層してある。ｎ型半導体層１２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層１３により保護素子用の半導体層（ＬＥＤ構造）が形成される。なお、本実施の形態でいう「発光素子用」とは、半導体発光素子全体をいうのではなく、発光部を示すものとして使用する。
【００３２】
図１に示すように、発光素子用のｐ型半導体層３が、発光素子１００の発光面となる。すなわち、ボンディング電極８１、８２を除く大部分の面積が発光面積となる。なお、ボンディング電極８１、８２の形状は一例であって、図１の例に限定されるものではない。
【００３３】
図２に示すように、基板１上に、ＡｌＮバッファ層（不図示）、約２μｍの厚みのアンドープＧａＮ層（不図示）、ｎ型半導体層２、活性層（不図示）、ｐ型半導体層３がこの順に積層してある。ｎ型半導体層２は、例えば、約２μｍ程度のｎ−ＧａＮ（窒化ガリウム）層、ｎ−ＡｌＧａＩｎＮクラッド層などから成る。また、活性層は、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ−ＭＱＷ（Multi-quantum Well、多重量子井戸層）型活性層などから成る。また、ｐ型半導体層３は、ｐ−ＡｌＧａＩｎＮ層、約０．３μｍ程度のｐ−ＧａＮ層、コンタクト層としてのｐ−ＩｎＧａＮ層などから成る。これにより、化合物半導体層を形成して、発光素子用の半導体層としてのＬＥＤ構造をなしている。なお、アンドープＧａＮ層を形成しない構成であってもよい。
【００３４】
ｐ型半導体層３の上面には、電流拡散層４を形成してある。電流拡散層４は、例えば、導電性の透明膜であるＩＴＯ膜（インジウム錫酸化膜）である。ｐ型半導体層３は、電流拡散層４を介して第１のボンディング電極８１に接続してある。
【００３５】
発光素子用の半導体層の一部のｐ型半導体層３及び活性層をエッチングなどにより除去して露出したｎ型半導体層２の表面にｎオーミック電極６を形成してある。ｎオーミック電極６は、第２のボンディング電極８２に電気的に接続されている。これにより、発光素子用のｎ型半導体層２は、第２のボンディング電極８２に接続される。
【００３６】
ｎオーミック電極６は、例えば、真空蒸着によりＶ／Ａｕ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕを成膜し、リフトオフ法でパターニングを行い、窒素及び酸素の混合雰囲気中で約５００℃に加熱して形成することができる。ｎオーミック電極６は、ｎ型半導体層２との電気的接合を行う部分である。
【００３７】
ボンディング電極８１、８２は、例えば、真空蒸着でＴｉ／Ａｕを成膜することにより形成することができる。ボンディング電極８１、８２の材質として、Ｔｉ／Ａｕを用いるので、機械的強度に優れボンディングがし易くなり、かつ剥がれにくくなる。なお、ボンディング電極８１、８２の材質として、Ｎｉ／Ａｕなどの金属を用いることもできる。
【００３８】
また、保護素子用の半導体層も発光素子用の半導体層と同様に形成することができる。すなわち、基板１上に、ｎ型半導体層２から分離させて、ＡｌＮバッファ層（不図示）、約２μｍの厚みのアンドープＧａＮ層（不図示）、ｎ型半導体層１２、活性層（不図示）、ｐ型半導体層１３をこの順に積層して保護素子用の半導体層（ＬＥＤ構造）を形成してある。ｎ型半導体層１２は、例えば、約２μｍ程度のｎ−ＧａＮ（窒化ガリウム）層、ｎ−ＡｌＧａＩｎＮクラッド層などから成る。また、活性層は、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ−ＭＱＷ（Multi-quantum Well、多重量子井戸層）型活性層などから成る。また、ｐ型半導体層１３は、ｐ−ＡｌＧａＩｎＮ層、約０．３μｍ程度のｐ−ＧａＮ層、コンタクト層としてのｐ−ＩｎＧａＮ層などから成る。これにより、化合物半導体層を形成して、保護素子用の半導体層としてのＬＥＤ構造をなしている。
【００３９】
ｐ型半導体層１３の上面には、電流拡散層４を形成してある。ｐ型半導体層１３は、電流拡散層４を介してｎオーミック電極６によりｎ型半導体層２に接続してある。
【００４０】
保護素子用の半導体層の一部のｐ型半導体層１３及び活性層をエッチングなどにより除去して露出したｎ型半導体層１２の表面にｎオーミック電極６を形成してある。ｎオーミック電極６は、第１のボンディング電極８１に電気的に接続されている。これにより、保護素子用のｎ型半導体層１２は、第１のボンディング電極８１に接続される。
【００４１】
また、発光素子用の半導体層と保護素子用の半導体層とは、ＳｉＯ2 膜５、７により電気的に絶縁されている。また、ｎ型半導体層２、ｐ型半導体層３及び電流拡散層４などの側面及び上面であって、電気的に接続されていない部分は、保護膜として、例えば、ＳｉＯ2 膜７を成膜してある。
【００４２】
上述のとおり、基板１上に発光素子用のｎ型半導体層２から分離して形成された保護素子用のｎ型半導体層１２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層１３を積層した半導体層を備え、保護素子用の半導体層を発光素子用のｐ型半導体層３に電気的に接続されたボンディング電極８１の下側に形成してある。１つの発光素子１００内に保護素子用の半導体層を含むので、発光素子１００の外部に保護素子を接続する必要がなく、静電気又は過電圧に対して高い信頼性を有する発光素子（ＬＥＤチップ）を実現することができる。また、発光素子１００の外部に保護素子を接続する必要がないので、部品点数の低減、省スペース化、あるいはコスト低減を実現することもできる。さらに、保護素子用の半導体層をボンディング電極下に設けることにより、発光素子１００の発光面積に影響を与えないため、発光素子１００の発光効率に与える影響がなく発光効率を維持することができる。
【００４３】
また、発光素子１００は、発光素子用のｐ型半導体層３に電気的に接続された第１のボンディング電極８１と、発光素子用のｎ型半導体層２に電気的に接続された第２のボンディング電極８２とを備える。そして、保護素子用のｎ型半導体層１２を第１のボンディング電極８１に電気的に接続してあり、保護素子用のｐ型半導体層１３を発光素子用のｎ型半導体層２に電気的に接続してあり、保護素子用の半導体層を第１のボンディング電極８１の下側に形成してある。
【００４４】
第１のボンディング電極８１には、発光素子用のｐ型半導体層３及び保護素子用のｎ型半導体層１２が電気的に接続され、第２のボンディング電極８２には、発光素子用のｎ型半導体層２が電気的に接続され、発光素子用のｎ型半導体層２には、保護素子用のｐ型半導体層１３が電気的に接続されている。
【００４５】
すなわち、発光素子１００は、図３に示すように、発光素子用のＬＥＤ構造（ＬＥＤ１）と逆並列に接続した保護素子用のＬＥＤ構造（ＬＥＤ２）を１つの発光素子１００に内蔵し、かつ保護素子用の半導体層を第１のボンディング電極８１下に設けてある。１つの発光素子１００内に発光素子と保護素子とを有するため、静電気等に対し高い信頼性を持ち、また第１のボンディング電極８１下に保護素子を配置することにより、発光素子１００の発光面積に影響を与えないため、発光素子１００の発光効率に与える影響がなく発光効率を維持することができる。
【００４６】
次に実施の形態１の半導体発光素子１００の製造方法について説明する。図４及び図５は実施の形態１の半導体発光素子１００の製造工程を示す説明図である。図４Ａに示すように、有機金属化学気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ法）により、基板（サファイア基板）１上に、最初に約４００℃でＡｌＮバッファ層(不図示)を成長させる。その後、約２μｍのアンドープＧａＮ層、約２μｍのｎ−ＧａＮ層及びｎ−ＡｌＧａＩｎＮクラッド層などからなるｎ型半導体層２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ−ＭＱＷ型の活性層（不図示）、さらに、ｐ−ＡｌＧａＩｎＮ層、約０．３μｍ程度のｐ−ＧａＮ層及びコンタクト層としてのｐ−ＩｎＧａＮ層などからなるｐ型半導体層３をこの順に形成したＬＥＤ構造を生成する。ＭＯ−ＣＶＤ装置から取り出した基板１に紫外線を照射しながら、約４００℃に加熱し、ｐ型半導体層３の活性化を行う。
【００４７】
図４Ｂに示すように、フォトリソグラフィとドライエッチングにより、フォトレジストをマスクとして、ｐ型半導体層３を除去してｎ型半導体層２を露出させる。このとき、ｎ型半導体層２と第２のボンディング電極８２とを電気的に接続するための箇所を露出させる。また、第１のボンディング電極８１の下方であって、保護素子用の半導体層を形成する箇所のｎ型半導体層２を露出させる。これにより、保護素子用のｐ型半導体層１３を形成する。なお、エッチングの深さは、例えば、４００ｎｍである。
【００４８】
図４Ｃに示すように、真空蒸着あるいはスパッタリング等の成膜法によりＩＴＯ膜（インジウム錫酸化膜）の透明の電流拡散層４を約４００ｎｍ成膜し、リフトオフ法によりパターニングする。これにより、発光素子１００の発光面、及び保護素子の電流拡散層４が形成される。
【００４９】
図４Ｄに示すように、発光素子１００の発光素子用の半導体層と保護素子用の半導体層との電気的な切り離しを行うため、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、発光素子用の半導体層と保護素子用の半導体層の間の半導体層を基板１が露出するまでエッチングを行う。これにより、発光素子用の半導体層から分離した保護素子用のｎ型半導体層１２を形成する。
【００５０】
図５Ｅに示すように、プラズマＣＶＤにより、ＳｉＯ2 膜５を全面に成膜し、希釈フッ酸により発光素子１００の第１のボンディング電極８１以外の部分、保護素子用の半導体層と発光素子用の半導体層との接続部、及び保護素子用の半導体層と第１のボンディング電極８１との接続部のＳｉＯ2 膜５を除去する。これにより、保護素子用の半導体層の上面及び側面のうち電気的に接続される部分を除いた部分にＳｉＯ2 膜５が形成される。
【００５１】
図５Ｆに示すように、真空蒸着によりＶ／Ａｕ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕを成膜し、リフトオフ法でパターニングを行ってｎオーミック電極６を形成する。膜を残す部分、すなわち、ｎオーミック電極６を形成する部分は、ｎ型半導体層２、１２を露出した部分に設けるオーミック接合部、ｎ型半導体層２と保護素子用の電流拡散層４との配線部である。パターニングの後、窒素及び酸素の混合雰囲気中でチューブ炉により約５００℃に加熱し、ｎオーミック電極６及び電流拡散層４のアニールを同時に行う。
【００５２】
図５Ｇに示すように、プラズマＣＶＤにより、ＳｉＯ2 膜７を全面に成膜し、希釈フッ酸により、ボンディング電極８１、８２を設ける部分、保護素子用のｎ型半導体層１２に設けたオーミック電極６と第１のボンディング電極８１との接続部、及び素子分離部のＳｉＯ2 膜７を除去する。
【００５３】
図５Ｈに示すように、真空蒸着でＴｉ／Ａｕを成膜し、リフトオフによりパターニングしてボンディング電極８１、８２、配線メタル（不図示）を形成する。これにより、１つのパッケージ（ＬＥＤチップ）内に２つのＬＥＤ構造（ＬＥＤ１、２）を逆並列に接続したＬＥＤチップが複数形成されたＬＥＤウェハが完成する。
【００５４】
その後、レーザスクライビングにより素子（ＬＥＤチップ）分離を行い、発光素子１００（ＬＥＤチップ）が完成する。
【００５５】
実施の形態１では、発光素子用のｐ型半導体層３に電気的に接続された第１のボンディング電極８１の下方に保護素子用の半導体層を形成する構成であったが、これに限定されない。例えば、発光素子用のｎ型半導体層２に電気的に接続された第２のボンディング電極８２の下方に保護素子用の半導体層を形成することもできる。
【００５６】
（実施の形態２）
図６は実施の形態２の半導体発光素子１１０の平面構造の一例を示す模式図であり、図７は実施の形態２の半導体発光素子１１０の断面構造の一例を示す断面図である。実施の形態１との違いは、保護素子用の半導体層（ＬＥＤ構造）を第２のボンディング電極８２の下方に設けた点である。実施の形態１と同様の箇所は同一符号を付している。
【００５７】
図６、図７に示すように、第２のボンディング電極８２の下方には、発光素子用のｎ型半導体層２から分離して保護素子用のｎ型半導体層１２を形成してある。保護素子用のｎ型半導体層１２には、活性層（不図示）及びｐ型半導体層１３を積層してある。ｎ型半導体層１２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層１３により保護素子用の半導体層（ＬＥＤ構造）が形成される。
【００５８】
基板１上に発光素子用のｎ型半導体層２から分離して形成された保護素子用のｎ型半導体層１２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層１３を積層した半導体層を備え、保護素子用の半導体層を発光素子用のｎ型半導体層２に電気的に接続されたボンディング電極８２の下側に形成してある。１つの発光素子１１０内に保護素子用の半導体層を含むので、発光素子１１０の外部に保護素子を接続する必要がなく、静電気又は過電圧に対して高い信頼性を有する発光素子（ＬＥＤチップ）を実現することができる。また、発光素子１１０の外部に保護素子を接続する必要がないので、部品点数の低減、省スペース化、あるいはコスト低減を実現することもできる。さらに、保護素子用の半導体層をボンディング電極下に設けることにより、発光素子１１０の発光面積に影響を与えないため、発光素子１１０の発光効率に与える影響がなく発光効率を維持することができる。
【００５９】
また、発光素子１１０は、発光素子用のｐ型半導体層３に接続された第１のボンディング電極８１と、発光素子用のｎ型半導体層２に接続された第２のボンディング電極８２とを備える。そして、保護素子用のｐ型半導体層１３を第２のボンディング電極８２に接続してあり、保護素子用のｎ型半導体層１２を発光素子用のｐ型半導体層３に接続してあり、保護素子用の半導体層を第２のボンディング電極８２の下側に形成してある。第１のボンディング電極８１には、発光素子用のｐ型半導体層３が接続され、発光素子用のｐ型半導体層３には保護素子用のｎ型半導体層１２が接続され、第２のボンディング電極８２には、発光素子用のｎ型半導体層２及び保護素子用のｐ型半導体層１３が接続されている。
【００６０】
すなわち、発光素子１１０は、図３に示すように、発光素子用のＬＥＤ構造（ＬＥＤ１）と逆並列に接続した保護素子用のＬＥＤ構造（ＬＥＤ２）を１つの発光素子１１０に内蔵し、かつ保護素子用の半導体層を第２のボンディング電極８２下に設ける。１つの発光素子１１０内に発光素子と保護素子とを有するため、静電気等に対し高い信頼性を持ち、また第２のボンディング電極８２下に保護素子を配置することにより、発光素子１１０の発光面積に影響を与えないため、発光素子１１０の発光効率に与える影響がなく発光効率を維持することができる。
【００６１】
次に実施の形態２の半導体発光素子１１０の製造方法について説明する。図８及び図９は実施の形態２の半導体発光素子１１０の製造工程を示す説明図である。図８Ａに示すように、有機金属化学気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ法）により、基板（サファイア基板）１上に、最初に約４００℃でＡｌＮバッファ層(不図示)を成長させる。その後、約２μｍのアンドープＧａＮ層、約２μｍのｎ−ＧａＮ層及びｎ−ＡｌＧａＩｎＮクラッド層などからなるｎ型半導体層２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ−ＭＱＷ型の活性層（不図示）、さらに、ｐ−ＡｌＧａＩｎＮ層、約０．３μｍ程度のｐ−ＧａＮ層及びコンタクト層としてのｐ−ＩｎＧａＮ層などからなるｐ型半導体層３をこの順に形成したＬＥＤ構造を生成する。ＭＯ−ＣＶＤ装置から取り出した基板１に紫外線を照射しながら、約４００℃に加熱し、ｐ型半導体層３の活性化を行う。
【００６２】
図８Ｂに示すように、フォトリソグラフィとドライエッチングにより、フォトレジストをマスクとして、ｐ型半導体層３を除去してｎ型半導体層２を露出させる。このとき、ｎ型半導体層２と第２のボンディング電極８２とを電気的に接続するための箇所を露出させる。また、第２のボンディング電極８２の下方であって、保護素子用の半導体層を形成する箇所のｎ型半導体層２を露出させる。これにより、保護素子用のｐ型半導体層１３を形成する。なお、エッチングの深さは、例えば、４００ｎｍである。
【００６３】
図８Ｃに示すように、真空蒸着あるいはスパッタリング等の成膜法によりＩＴＯ膜（インジウム錫酸化膜）の透明の電流拡散層４を約４００ｎｍ成膜し、リフトオフ法によりパターニングする。これにより、発光素子１１０の発光面、及び保護素子の電流拡散層４が形成される。
【００６４】
図８Ｄに示すように、発光素子１１０の発光素子用の半導体層と保護素子用の半導体層との電気的な切り離しを行うため、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、発光素子用の半導体層と保護素子用の半導体層の間の半導体層を基板１が露出するまでエッチングを行う。これにより、発光素子用の半導体層から分離した保護素子用のｎ型半導体層１２を形成する。
【００６５】
図９Ｅに示すように、プラズマＣＶＤにより、ＳｉＯ2 膜５を全面に成膜し、希釈フッ酸により発光素子１１０の第２のボンディング電極８２以外の部分、保護素子用の半導体層と発光素子用の半導体層との接続部、及び保護素子用の半導体層と第２のボンディング電極８２との接続部のＳｉＯ2 膜５を除去する。これにより、保護素子用の半導体層の上面及び側面のうち電気的に接続される部分を除いた部分にＳｉＯ2 膜５が形成される。
【００６６】
図９Ｆに示すように、真空蒸着によりＶ／Ａｕ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕを成膜し、リフトオフ法でパターニングを行ってｎオーミック電極６を形成する。膜を残す部分、すなわち、ｎオーミック電極６を形成する部分は、ｎ型半導体層２、１２を露出した部分に設けるオーミック接合部、保護素子用のｎ型半導体層１２と発光素子用の電流拡散層４との配線部である。パターニングの後、窒素及び酸素の混合雰囲気中でチューブ炉により約５００℃に加熱し、ｎオーミック電極６及び電流拡散層４のアニールを同時に行う。
【００６７】
図９Ｇに示すように、プラズマＣＶＤにより、ＳｉＯ2 膜７を全面に成膜し、希釈フッ酸により、ボンディング電極８１、８２を設ける部分、及び素子分離部のＳｉＯ2 膜７を除去する。
【００６８】
図９Ｈに示すように、真空蒸着でＴｉ／Ａｕを成膜し、リフトオフによりパターニングしてボンディング電極８１、８２、配線メタル（不図示）を形成する。これにより、１つのパッケージ（ＬＥＤチップ）内に２つのＬＥＤ構造（ＬＥＤ１、２）を逆並列に接続したＬＥＤチップが複数形成されたＬＥＤウェハが完成する。
【００６９】
その後、レーザスクライビングにより素子（ＬＥＤチップ）分離を行い、発光素子１１０（ＬＥＤチップ）が完成する。
【００７０】
実施の形態１、２では、保護素子用の半導体層（ＬＥＤ構造）を１つ形成してボンディング電極の下方に設ける構成であったが、これに限定されない。例えば、保護素子用の半導体層（ＬＥＤ構造）を２つ形成し、各ボンディング電極の下方に配置することもできる。
【００７１】
（実施の形態３）
図１０は実施の形態３の半導体発光素子１２０の平面構造の一例を示す模式図であり、図１１は実施の形態３の半導体発光素子１２０の断面構造の一例を示す断面図であり、図１２は実施の形態３の半導体発光素子１２０の回路図である。実施の形態１、２との違いは、保護素子用の半導体層（ＬＥＤ構造）を第１及び第２のボンディング電極８１、８２の下方に設けた点である。実施の形態１と同様の箇所は同一符号を付している。
【００７２】
図１０、図１１に示すように、第１のボンディング電極８１の下方には、発光素子用のｎ型半導体層２から分離して保護素子用のｎ型半導体層１２を形成してある。保護素子用のｎ型半導体層１２には、活性層（不図示）及びｐ型半導体層１３を積層してある。ｎ型半導体層１２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層１３により保護素子用の半導体層（ＬＥＤ構造）が形成される。
【００７３】
また、第２のボンディング電極８２の下方には、発光素子用のｎ型半導体層２から分離して保護素子用のｎ型半導体層２２を形成してある。保護素子用のｎ型半導体層２２には、活性層（不図示）及びｐ型半導体層２３を積層してある。ｎ型半導体層２２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層２３により保護素子用の半導体層（ＬＥＤ構造）が形成される。
【００７４】
基板１上に発光素子用のｎ型半導体層２から分離して形成された第１の保護素子用のｎ型半導体層１２、活性層及びｐ型半導体層１３を積層した半導体層と、第２の保護素子用のｎ型半導体層２２、活性層及びｐ型半導体層２３を積層した半導体層の２つの分離した半導体層と、発光素子用のｐ型半導体層３に接続された第１のボンディング電極８１と、発光素子用のｎ型半導体層２に接続された第２のボンディング電極８２とを備える。そして、第１の保護素子用のｎ型半導体層１２を第１のボンディング電極８１に接続してあり、第１の保護素子用のｐ型半導体層１３を第２の保護素子用のｎ型半導体層２２に接続してあり、第２の保護素子用のｐ型半導体層２２を第２のボンディング電極８２に接続してあり、第１の保護素子用の半導体層を第１のボンディング電極８１の下側に形成してあり、第２の保護素子用の半導体層を第２のボンディング電極８２の下側に形成してある。
【００７５】
すなわち、発光素子１２０は、図１２に示すように、発光素子用のＬＥＤ構造（ＬＥＤ１）と逆並列に接続した直列の２つ保護素子用のＬＥＤ構造（ＬＥＤ２、ＬＥＤ３）を１つの発光素子１２０に内蔵し、かつ保護素子用の半導体層をそれぞれ第１のボンディング電極８１及び第２のボンディング電極８２下に設ける。
【００７６】
これにより、１つの発光素子１２０内に発光素子と２つの直列接続した保護素子とを有するため、静電気等に対し高い信頼性を持つとともに、逆方向の耐圧電圧を大きくすることができる。例えば、保護素子が１つの場合、逆方向の耐圧電圧は２．５Ｖ〜３Ｖ程度であるが、保護素子を直列に２つ設けることにより、耐圧電圧を５Ｖ〜６Ｖ程度に高くすることができる。また、２つのボンディング電極８１、８２下にそれぞれ保護素子を配置することにより、発光素子１２０の発光面積に影響を与えないため、発光素子１２０の発光効率に与える影響がなく発光効率を維持することができる。
【００７７】
上述の実施の形態３では、保護素子を直列に２つ設ける構成であったが、これに限定されるものではなく、発光素子用のＬＥＤ構造に対して、逆並列に２つの保護素子それぞれを並列に接続した構成とすることもできる。この場合には、一方の保護素子が開放故障した場合でも、他方の保護素子が保護機能を果たすことができるので、発光素子の信頼性が一層向上する。
【００７８】
次に実施の形態３の半導体発光素子１２０の製造方法について説明する。図１３及び図１４は実施の形態３の半導体発光素子１２０の製造工程を示す説明図である。図１３Ａに示すように、有機金属化学気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ法）により、基板（サファイア基板）１上に、最初に約４００℃でＡｌＮバッファ層(不図示)を成長させる。その後、約２μｍのアンドープＧａＮ層、約２μｍのｎ−ＧａＮ層及びｎ−ＡｌＧａＩｎＮクラッド層などからなるｎ型半導体層２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ−ＭＱＷ型の活性層（不図示）、さらに、ｐ−ＡｌＧａＩｎＮ層、約０．３μｍ程度のｐ−ＧａＮ層及びコンタクト層としてのｐ−ＩｎＧａＮ層などからなるｐ型半導体層３をこの順に形成したＬＥＤ構造を生成する。ＭＯ−ＣＶＤ装置から取り出した基板１に紫外線を照射しながら、約４００℃に加熱し、ｐ型半導体層３の活性化を行う。
【００７９】
図１３Ｂに示すように、フォトリソグラフィとドライエッチングにより、フォトレジストをマスクとして、ｐ型半導体層３を除去してｎ型半導体層２を露出させる。このとき、第１のボンディング電極８１の下方であって、保護素子用の半導体層を形成する箇所のｎ型半導体層２を露出させる。また、第２のボンディング電極８２の下方であって、保護素子用の半導体層を形成する箇所のｎ型半導体層２を露出させる。これにより、保護素子用のｐ型半導体層１３、２３を形成する。なお、エッチングの深さは、例えば、４００ｎｍである。
【００８０】
図１３Ｃに示すように、真空蒸着あるいはスパッタリング等の成膜法によりＩＴＯ膜（インジウム錫酸化膜）の透明の電流拡散層４を約４００ｎｍ成膜し、リフトオフ法によりパターニングする。これにより、発光素子１２０の発光面、及び保護素子の電流拡散層４が形成される。
【００８１】
図１３Ｄに示すように、発光素子１２０の発光素子用の半導体層と保護素子用の半導体層との電気的な切り離しを行うため、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、発光素子用の半導体層と保護素子用の半導体層の間の半導体層を基板１が露出するまでエッチングを行う。これにより、発光素子用の半導体層から分離した保護素子用のｎ型半導体層１２、２２を形成する。
【００８２】
図１４Ｅに示すように、プラズマＣＶＤにより、ＳｉＯ2 膜５を全面に成膜し、希釈フッ酸により発光素子１２０の保護素子用の半導体層と発光素子用の半導体層との接続部、及び保護素子用の半導体層と第１及び第２のボンディング電極８１、８２との接続部のＳｉＯ2 膜５を除去する。これにより、保護素子用の半導体層の上面及び側面のうち電気的に接続される部分を除いた部分、及び発光素子用の半導体層と第１及び第２のボンディング電極８１、８２との接続部を除いた部分にＳｉＯ2 膜５が形成される。
【００８３】
図１４Ｆに示すように、真空蒸着によりＶ／Ａｕ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕを成膜し、リフトオフ法でパターニングを行ってｎオーミック電極６を形成する。膜を残す部分、すなわち、ｎオーミック電極６を形成する部分は、ｎ型半導体層２、１２、２２を露出した部分に設けるオーミック接合部、第２の保護素子用のｎ型半導体層２２と第１の保護素子用の電流拡散層４との配線部である。パターニングの後、窒素及び酸素の混合雰囲気中でチューブ炉により約５００℃に加熱し、ｎオーミック電極６及び電流拡散層４のアニールを同時に行う。
【００８４】
図１４Ｇに示すように、プラズマＣＶＤにより、ＳｉＯ2 膜７を全面に成膜し、希釈フッ酸により、ボンディング電極８１、８２を設ける部分、保護素子用のｎ型半導体層１２に設けたオーミック電極６と第１のボンディング電極８１との接続部、及び素子分離部のＳｉＯ2 膜７を除去する。
【００８５】
図１４Ｈに示すように、真空蒸着でＴｉ／Ａｕを成膜し、リフトオフによりパターニングしてボンディング電極８１、８２、配線メタル（不図示）を形成する。これにより、１つのパッケージ（ＬＥＤチップ）内に１つの発光素子用のＬＥＤ構造（ＬＥＤ１）に、直列接続した保護素子用のＬＥＤ構造（ＬＥＤ２、３）を逆並列に接続したＬＥＤチップが複数形成されたＬＥＤウェハが完成する。
【００８６】
その後、レーザスクライビングにより素子（ＬＥＤチップ）分離を行い、発光素子１２０（ＬＥＤチップ）が完成する。
【００８７】
図１５は本実施の形態の発光装置２００の構成の一例を示す模式図である。発光装置２００は、発光ダイオードであって上述の半導体発光素子１００、１１０、１２０のいずれかと、半導体発光素子１００、１１０、１２０のいずれかを収容する収容部を備える。
【００８８】
図１５に示すように、発光装置（発光ダイオード）２００は、リードフレーム２０１及び２０２を備え、リードフレーム２０１の一端部には収容部としての凹部２０１ａが設けられている。凹部２０１ａの底部には、半導体発光素子（ＬＥＤチップ）１００がダイボンディングにより接着固定されている。
【００８９】
ＬＥＤチップ１００の一方のボンディング電極は、ワイヤ２０４によりリードフレーム２０１とワイヤボンディングされ、他方のボンディング電極はワイヤ２０４によりリードフレーム２０２とワイヤボンディングされている。凹部２０１ａ内には、透光性の樹脂が充填されることによって、ＬＥＤチップ１００を覆う被覆部２０３を形成している。なお、被覆部２０３内にＬＥＤチップ１００の発光色に応じた蛍光体２０５を含有させることもできる。
【００９０】
被覆部２０３が形成されたリードフレーム２０１及び２０２の端部は、先端部が凸状のレンズ２０６に収納されている。レンズ２０６は、エポキシ樹脂等の透光性の樹脂で形成されている。
【００９１】
発光装置（発光ダイオード）２００は、上述の半導体発光素子１００を収容してある。これにより、静電気や過電圧から保護することができ、また、外部に接続する抵抗や保護素子が不要なので部品点数の低減、省スペース化又はコストの低減を図ることができる発光装置を提供することができる。また、保護素子を内蔵することによる発光効率の低下の影響もほとんどない。
【００９２】
また、上述の発光ダイオード２００を多数実装した回路基板、及び所要の明るさを得るために所定の電圧を発光ダイオード２００に駆動する電源部などを照明装置、表示装置、信号灯器、あるいは道路情報装置などの装置に組み込むこともできる。例えば、照明装置、表示装置、信号灯器又は道路情報装置は、光源として本実施の形態の発光装置（発光ダイオード）２００を備える。これにより、静電気や過電圧から保護することができ、また、部品点数の低減、省スペース化、小型化又はコストの低減を図ることができる照明装置、表示装置、信号灯器又は道路情報装置を提供することができる。
【符号の説明】
【００９３】
１  基板
２  ｎ型半導体層（発光素子用のｎ型半導体層）
３  ｐ型半導体層（発光素子用のｐ型半導体層）
１２、２２  ｎ型半導体層（保護素子用のｎ型半導体層）
１３、２３  ｐ型半導体層（保護素子用のｐ型半導体層）
８１  ボンディング電極（第１のボンディング電極）
８２  ボンディング電極（第２のボンディング電極）
【図１】
2012023280.tif 000003
【図２】
2012023280.tif 000004
【図３】
2012023280.tif 000005
【図４】
2012023280.tif 000006
【図５】
2012023280.tif 000007
【図６】
2012023280.tif 000008
【図７】
2012023280.tif 000009
【図８】
2012023280.tif 000010
【図９】
2012023280.tif 000011
【図１０】
2012023280.tif 000012
【図１１】
2012023280.tif 000013
【図１２】
2012023280.tif 000014
【図１３】
2012023280.tif 000015
【図１４】
2012023280.tif 000016
【図１５】
2012023280.tif 000017