(57)【要約】【課題】半導体装置がパンチガイドに付着したまま持ち上がることを原因とする、製造装置の稼働が中断すること、金型内に落下して破損してしまうこと、といった問題を防ぐことができる半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】図１に示すように、リード１１０を備えている半導体装置を収容するダイ９０と、リード１１０を、ダイ９０の外側面との間に挟み込むパンチ１０と、パンチ１０をガイドするとともに、リード１１０のうち、パンチ１０によって成形されない部分をダイ９０との間に挟むパンチガイド４０と、パンチガイド４０を持ち上げる持上手段８０と、ダイ９０とパンチ１０がリード１１０の根元を挟み、かつ固定した状態でパンチガイド４０を持ち上げる持上手段８０を制御する制御部１３０と、を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードを備えている半導体装置を収容するダイと、
前記リードを、前記ダイの外側面との間に挟んで成形するパンチと、
前記パンチをガイドするとともに、前記リードのうち、前記パンチによって成形されない部分を前記ダイとの間に挟むパンチガイドと、
前記パンチガイドを持ち上げる持上手段と、
前記ダイと前記パンチが前記リードを挟んだ状態で前記パンチガイドを持ち上げるように前記持上手段を制御する制御部と、
を備える半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記持上手段は、エアシリンダである請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
リードを備えている半導体装置をダイ上に位置決めセットするセット工程と、
パンチガイドを下降させ、かつ前記パンチガイドに沿ってパンチを下降させることによって、前記リードを前記パンチとダイとによって成形するとともに、前記リードのうち、前記パンチによって成形されない部分を前記ダイと前記パンチガイドとの間に挟む固定工程と、
前記パンチと前記ダイとの間に前記リードを挟んだまま、前記パンチガイドのみを押し上げる押し上げ工程と、
前記パンチを上昇させる工程と、
を有している半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リード加工の金型では、リードを精度よくカットし所望の形状にフォーミングするため、半導体装置を固定する。このとき、リードの根元を半導体装置の製造装置に設けられているダイとパンチガイドによってクランプしている。
【０００３】
特許文献１には、パンチガイドの内部に、エジェクターピン、バネ、およびピンのストッパを縦方向に配置した半導体装置の製造装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１８６２２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体装置の製造装置に設けられているパンチガイドにリードが圧着してしまった場合、半導体装置がパンチガイドに付着したまま持ち上げられてしまうことがある。これによって、製造装置の稼働が中断すること、金型内に半導体装置が落下して破損してしまうこと、といった問題が生じている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、リードを備えている半導体装置を収容するダイと、
上記リードを、上記ダイの外側面との間に挟んで成形するパンチと、
上記パンチをガイドするとともに、上記リードのうち、上記パンチによって成形されない部分を上記ダイとの間に挟むパンチガイドと、
上記パンチガイドを持ち上げる持上手段と、
上記ダイと上記パンチが上記リードを挟んだ状態で上記パンチガイドを持ち上げるように上記持上手段を制御する制御部と、
を備える半導体装置の製造装置が提供される。
【０００７】
さらに、本発明によれば、リードを備えている半導体装置をダイ上に位置決めセットするセット工程と、
パンチガイドを下降させ、かつ上記パンチガイドに沿ってパンチを下降させることによって、上記リードを上記パンチとダイとによって成形するとともに、上記リードのうち、上記パンチによって成形されない部分を上記ダイと上記パンチガイドとの間に挟む固定工程と、
上記パンチと上記ダイとの間に上記リードを挟んだまま、上記パンチガイドのみを押し上げる押し上げ工程と、
上記パンチを上昇させる工程と、
を有している半導体装置の製造方法が提供される。
【０００８】
本発明によれば、カット、および押し曲げ加工後のリードが、半導体装置の製造装置に備わっているダイおよびパンチによってクランプ固定されている。この状態を保ったままパンチガイドを、エアシリンダによって持ち上げる。このため半導体装置とパンチガイドとを引き離すことができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体装置に備わっているリードをフォーミングした後、リードがパンチガイドに圧着することなく、半導体装置とパンチガイドを引き離すことができる。このため、半導体装置がパンチガイドに付着したまま持ち上がることを原因とする、製造装置の稼働が中断すること、金型内に半導体装置が落下して破損してしまうこと、といった問題を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態による半導体装置の製造装置を示す断面図である。
【図２】本実施形態による固定工程を説明するための断面図である。
【図３】本実施形態による固定工程を説明するための、拡大断面図である。
【図４】本実施形態によるリードの成形を説明するための断面図である。
【図５】本実施形態によるリードの成形を説明するための拡大断面図である。
【図６】本実施形態による押し上げ工程を説明するための断面図である。
【図７】本実施形態による押し上げ工程を説明するための拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
図１は、本実施形態による半導体装置の製造装置を示す断面図である。
図１に示すように、リード１１０を備えている半導体装置を収容するダイ９０と、リード１１０を、ダイ９０の外側面との間に挟み込むパンチ１０と、パンチ１０をガイドするとともに、リード１１０のうち、パンチ１０によって成形されない部分をダイ９０との間に挟むパンチガイド４０と、パンチガイド４０を持ち上げる持上手段８０と、ダイ９０とパンチ１０がリード１１０の根元を挟み、かつ固定した状態でパンチガイド４０を持ち上げる持上手段８０を制御する制御部１３０と、を備えている。
【００１３】
なお、持上手段８０は、エアシリンダであることが好ましい。既存の製造装置に、エアシリンダ等の持上手段８０を取り付けることで、本実施形態に係る製造装置を実現できる。また、パット２０におけるどの箇所においても均等に持ち上げられるよう、持上手段８０は設けられている。
【００１４】
持上手段８０の先端には、上下動可能なつば付きピン７０が取り付けられている。このつば付きピン７０は、規定の高さに達したら上昇が停止する。なぜなら、つば７２が規定の高さ以上上昇しないように、ガイド溝７６が設けられているからである。なお、つば付きピン７２の設置個所や本数は、金型の重量、面積、および重心によって変更する必要がある。
【００１５】
また、パンチガイド４０を有するパット２０は、ポスト３０によってガイドされている。さらに、パット２０自体も本体２５との間に圧縮バネ５０を有し、吊りボルト６０によって本体に保持されている。このため、パット２０は上下動可能である。なお、パンチ１０は、本体に固定され、さらにパンチガイド４０によって位置決めされている。
【００１６】
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。
【００１７】
本実施形態によれば、リード１１０を備えている半導体装置をダイ９０上に位置決めし、セットするセット工程と、パンチガイド４０を下降させ、かつパンチガイド４０に沿ってパンチ１０を下降させることによって、リード１１０をパンチ１０とダイ９０とによって成形するとともに、リード１１０のうち、パンチ１０によって成形されない部分をダイ９０とパンチガイド４０との間に挟む固定工程と、パンチ１０とダイ９０との間にリード１１０を挟んだまま、パンチガイド４０のみを押し上げる押し上げ工程と、パンチ１０を上昇させる工程と、を有している。
【００１８】
半導体装置の製造方法における各工程について具体的に述べる。
【００１９】
図１に示すように、セット工程ではダイ９０上に半導体装置がセットされる。このとき、半導体装置の製造装置に備わっている金型は開いた状態である。
【００２０】
図２は、本実施形態による固定工程を説明するための断面図、図３は拡大断面図である。
図２に示すように、固定工程では、パット２０を下降させ、パンチガイド４０とダイ９０によってリード１１０の根元をクランプする。このとき図３に示すように、クランプ箇所１２０でリード１１０は固定されている。しかしながら、パンチ１０が下降していないため、リード１１０のフォーミングは行われない。
【００２１】
図４は、本実施形態によるリードの成形を説明するための断面図、図５は拡大断面図である。
図４に示すように、リードの成形は、本体２５が下降を続けることによって、本体２５とパット２０の隙間が縮まる。つまり上型２８は、圧縮バネ５０が縮むことによって、本体２５とパット２０の間隔を保っている。これと同時に、本体２５とパット２０の間隔が縮んだ分だけ、パンチ１０も下降する。
【００２２】
このとき図５に示すように、パンチガイド４０はダイ９０に押し付けられた状態で維持されている。このため、本体２５とパット２０の間隔が縮んだ分だけ下降したパンチ１０によって、リード１１０はカット、およびフォーミングされる。すなわち、パンチ１０とダイ９０によって、リード１１０は所望の形状に仕上る。また、所望の形状に仕上ったリード１１０は、パンチ１０とダイ９０によって曲げ部をクランプされている。つまり、半導体装置はダイ９０に固定されている状態となる。
【００２３】
図６は、本実施形態による押し上げ工程を説明するための断面図、図７は、拡大断面図である。
図６に示すように、押し上げ工程では、パンチ１０とダイ９０でリード１１０の曲げ部をクランプしたまま、パンチガイド４０を有するパット２０を持上手段８０によって、押し上げている。これによって、リード１１０の根元は、ダイ９０とパンチガイド４０によってクランプされているため、パンチガイド４０はリード１１０の根元から引き離される。  
【００２４】
このとき図７に示すように、パット２０の押し上げ量は、持上手段８０の先端に取り付けられたつば付きピン７０の上昇した高さに依存する。つば付きピン７０に備わっているつば７２は、ガイド溝７６に沿って規定の高さまで上昇できる。ここで述べる既定の高さとは、つば７２がパット２０の接していた面と同じ高さである。なお、つば７２が通過するガイド溝７６の最終端には、つばが当接・停止する段差を設けることが好ましい。
【００２５】
また、パット２０の押し上げ量が少なすぎると、パンチガイド４０とリード１１０を引き離す効果が得られない。一方、パット２０の押し上げ量が多すぎると、作業効率に影響を及ぼす。このため、半導体装置の大きさやリードの本数などで適度な押し上げ量は変わるものの、約０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ押し上げる程度で効果は得ることができる。
なお、パンチ１０を上昇させる時に、パンチ１０がリード１１０曲げ部と付着して持ち上げられたとしても、先に持ち上げられているパンチガイド４０にリード１１０の根元が引っ掛かる。このため、半導体装置をダイ９０に落下・着座させることが可能である。
【００２６】
次に、縮ませていた圧縮バネ５０を元の状態に戻すことによって、パンチ１０が持ち上がるとともに、上型２８における本体２５とパット２０の間隔も元に戻る。すなわち、半導体装置の製造装置は図１の状態に戻るため、ダイ９０からリード１１０の加工をした半導体装置を取り出すことができる。
【００２７】
次に、本実施形態による効果について述べる。
【００２８】
本実施形態では、リード１１０をフォーミングした後、リード１１０がパンチガイド４０に圧着することなく、半導体装置とパンチガイド４０を引き離すことができる。このため、半導体装置がパンチガイド４０に付着したまま持ち上がることを原因とする、製造装置の稼働が中断すること、金型内に半導体装置が落下して破損してしまうこと、といった問題を防ぐことができる。
【００２９】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００３０】
１０    パンチ
２０    パット
２５    本体
２８    上型
３０    ポスト
４０    パンチガイド
５０    圧縮バネ
６０    吊りボルト
７０    つば付きピン
７２    つば
８０    持上手段
９０    ダイ
１１０    リード
１２０    クランプ箇所
１３０    制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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