(57)【要約】【課題】光の伝送ロスが小さく、かつ確実な薄型化を図ることができる光導波路デバイスを提供すること。【解決手段】本発明の光導波路デバイス１０は、光導波路構造体２０及び光電変換素子４３を備える。光導波路構造体２０には、光導波路部２３が同一平面上において複数形成される。光電変換素子４３は、複数の光機能部４４を有し、光導波路構造体２０の主面２１上に搭載される。なお、光導波路部２３及び光機能部４４は互いに同数ずつ存在する。光導波路部２３には光路変換部３１が形成され、光路変換部３１は円錐状凹部３３によって構成される。また、光電変換素子４３は、発光部群４６〜４８を複数列有しており、発光部群を構成する光機能部４４と、隣接する発光部群を構成する光機能部４４とが、発光部群４６〜４８の配列方向と直交する方向に沿って互いにオフセットして配置される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面及び前記主面の反対側に位置する裏面を有し、光信号が伝搬する光路となるコア及び前記コアを取り囲むクラッドを有する光導波路部が同一平面上において複数形成された光導波路構造体と、
発光及び受光のうちの少なくとも一方の機能を有する複数の光機能部を光機能部設置面内に有し、前記複数の光機能部を前記コア側に向けた状態で前記主面上に搭載される光電変換素子と
を備え、前記光導波路部及び前記光機能部が互いに同数ずつ存在する光導波路デバイスにおいて、
前記光導波路部に、前記光路内を伝搬する光信号の進路を変換する光路変換部が形成され、
前記光路変換部は、前記裏面にて開口するとともに前記裏面に対して傾斜する反射面を有する円錐状凹部によって構成され、
前記光電変換素子は、前記複数の光機能部を一直線上にかつ等ピッチに配置してなる光機能部群を光機能部設置面内において複数列有しており、前記光機能部群を構成する前記複数の光機能部と、隣接する光機能部群を構成する前記複数の光機能部とが、前記光機能部群の配列方向と直交する方向に沿って互いにオフセットして配置されている
ことを特徴とする光導波路デバイス。
【請求項２】
前記円錐状凹部は、先端が円錐状をなす加工用ドリルを用いたドリル加工により形成されることを特徴とする請求項１に記載の光導波路デバイス。
【請求項３】
前記主面上に光電変換素子接続用配線が形成され、
前記主面において前記円錐状凹部の形成領域の裏側となる範囲内に、前記光電変換素子接続用配線の少なくとも一部が位置し、かつ前記光電変換素子接続用配線と前記光電変換素子との接続部分が位置している
ことを特徴とする請求項１または２に記載の光導波路デバイス。
【請求項４】
前記円錐状凹部は、先端が前記コアと前記光電変換素子接続用配線との間に位置していることを特徴とする請求項３に記載の光導波路デバイス。
【請求項５】
前記光機能部群を構成する前記複数の光機能部と前記隣接する光機能部群を構成する前記複数の光機能部とが互いにオフセットするオフセット量は、前記複数の光機能部のピッチの半分以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光導波路デバイス。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光導波路デバイスを製造する方法であって、
前記光導波路部を準備する光導波路部準備工程と、
先端が円錐状をなす加工用ドリルを用いて前記裏面側からドリル加工を行うことにより、前記円錐状凹部を形成する凹部形成工程と
を含むことを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記光導波路部準備工程は、前記コアを形成するコア形成工程と、前記クラッドを形成するクラッド形成工程と、前記コア形成工程後及び前記クラッド形成工程後に、前記主面上に光電変換素子接続用配線を形成する配線形成工程とを含み、
前記凹部形成工程では、前記加工用ドリルの先端を前記コアと前記光電変換素子接続用配線との間に到達させることにより、前記円錐状凹部を形成する
ことを特徴とする請求項６に記載の光導波路デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号が伝搬する構造を有する光導波路デバイス及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットに代表される情報通信技術の発達や、情報処理装置の処理速度の飛躍的向上などに伴って、画像等の大容量データを送受信するニーズが高まりつつある。かかる大容量データを、情報通信設備を通じて自由にやり取りするためには１０Ｇｂｐｓ以上の情報伝達速度が望ましく、そのような高速通信環境を実現しうる技術として光通信技術に大きな期待が寄せられている。一方、機器内の配線基板間での接続、配線基板内の半導体チップ間での接続、半導体チップ内での接続など、比較的短い距離における信号伝達経路に関しても、高速で信号を伝送することが近年望まれている。このため、従来一般的であった金属ケーブルや金属配線から、光ファイバや光導波路等の光伝送媒体を用いた光伝送への移行が理想的であると考えられている。
【０００３】
しかも最近では、大容量データをより高速で送受信するために、多チャンネルかつ小型、低背高の光伝送媒体を用いて光伝送を行うことが求められている。このため、複数の光導波路部が形成された光導波路構造体を備える光導波路デバイスが各種提案されるに至っている（例えば非特許文献１参照）。また、小型かつ低背高の光伝送媒体を用いて光伝送を行うために、小さい半径（１ｍｍ）で光ファイバを曲げる技術が開発されている（例えば非特許文献２参照）。この種の光導波路デバイスや光モジュールにおいては、通常、基板上に光電変換素子（発光素子や受光素子）が搭載され、光電変換素子には、発光または受光の機能を有する複数の光機能部が設けられる。そして、複数の光機能部と、光導波路構造体を構成する複数の光導波路部（または光ファイバ）とが、互いに光結合される。
【０００４】
例えば、非特許文献１には、光導波路部を複数積層してなる光導波路構造体の主面上に光電変換素子を搭載するとともに、各光導波路部の端部に光路変換部（具体的には４５°の反射面）を形成することにより、各光導波路部と上記した複数の光機能部とを互いに光結合した構造が開示されている。また、非特許文献２には、曲げ半径１ｍｍの光ファイバを用いて光コネクタを形成し、小型かつ低背高の光伝送媒体を用いた光伝送を可能にした構造が開示されている。なお、各光導波路部と各光機能部とを光結合させる別の構造としては、複数の光導波路部を同一平面上に配置してなる光導波路構造体の主面上に光電変換素子を搭載するとともに、各光導波路部の端部に形成された光路変換部（具体的には４５°の反射面）と各光機能部とをマトリックス状に配置する構造などが考えられている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】M.Shishikura,Y.Matsuoka,T.Ban,T.Shibata and A.Takahashi 、A High-Coupling-Efficiency Multilayer Optical Printed Wiring Board with a Cube-Core Structure for High-Density Optical Interconnections 、ＥＣＴＣ２００７(Proceedings of Fifty-Seventh Electronic Components & Technology Conference)、アメリカ合衆国、IEEE:The Printing House,Inc 、２００７年５月２９日−６月１日、pp.1275-1280
【非特許文献２】Masahito Morimoto,Katsuki Suematsu 、R=1mm 90°-Bent Multi-Mode Optical Fiber、ＯＦＣ２００８(Optical Fiber Communication Conference and Exposition and The National Fiber Optic Engineers Coference) Paper JThA44 、アメリカ合衆国、Optical Society of America:Omnipress、２００８年２月２４日−２８日
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、非特許文献１，２に記載の従来技術には以下の問題がある。即ち、非特許文献１に記載の従来技術では、光導波路が複数の層にわたって存在しているため、下層側の光導波路部である程、光導波路部と光機能部とが離れてしまう。この結果、光導波路部と光機能部との間で光が広がることによる損失が大きくなり、光の伝送ロスが大きくなる。この問題を解決するために、レンズ等の光学部品を用いて光の散乱を防止することも考えられるが、レンズの分だけ部品点数が増加してしまうため、製造コストの上昇につながってしまう。
【０００７】
なお、非特許文献２に記載の従来技術では、各光導波路部と各光機能部とを接触させて光結合できるため、光の伝送ロスを小さくすることができる。しかしながら、光導波路部の曲げ半径をさらに小さくすること（例えば１ｍｍ未満にすること）ができないため、光導波路デバイス全体が１ｍｍ以上の厚さになってしまい、さらなる小型化が困難である。
【０００８】
そこで、上記したように、複数の光導波路部を同一平面上に形成し、各光導波路部の端部に光路変換部（具体的には４５°の反射面）を形成し、光機能部がマトリックス状に配置された光電変換素子と光結合することが考えられる。このようにすれば、光導波路部を曲げたりしなくても光の伝送ロスを小さくすることができるため、光導波路デバイス全体を薄くすることができる。ところが、同一平面上に平行に配置された一般的な各光導波路部においては、４５°の反射面が、通常、ダイシングソーを用いて光導波路部の表面を断面Ｖ字状に切削することによって形成される。この場合、ダイシングソーは、光導波路部を横断するように切削するときに、切りしろが必要になるため、隣接する光導波路部まで切削してしまう可能性がある。
【０００９】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、光の伝送ロスが小さく、かつ確実な薄型化を図ることができる光導波路デバイスを提供することにある。また、第２の目的は、光導波路部に対して比較的容易に光路変換部を形成可能な光導波路デバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、主面及び前記主面の反対側に位置する裏面を有し、光信号が伝搬する光路となるコア及び前記コアを取り囲むクラッドを有する光導波路部が同一平面上において複数形成された光導波路構造体と、発光及び受光のうちの少なくとも一方の機能を有する複数の光機能部を光機能部設置面内に有し、前記複数の光機能部を前記コア側に向けた状態で前記主面上に搭載される光電変換素子とを備え、前記光導波路部及び前記光機能部が互いに同数ずつ存在する光導波路デバイスにおいて、前記光導波路部に、前記光路内を伝搬する光信号の進路を変換する光路変換部が形成され、前記光路変換部は、前記裏面にて開口するとともに前記裏面に対して傾斜する反射面を有する円錐状凹部によって構成され、前記光電変換素子は、前記複数の光機能部を一直線上にかつ等ピッチに配置してなる光機能部群を光機能部設置面内において複数列有しており、前記光機能部群を構成する前記複数の光機能部と、隣接する光機能部群を構成する前記複数の光機能部とが、前記光機能部群の配列方向と直交する方向に沿って互いにオフセットして配置されていることを特徴とする光導波路デバイスがある。
【００１１】
従って、手段１によると、光導波路構造体を構成する複数の光導波路部が同一平面上に形成され、光導波路部が光電変換素子の光機能部と同数存在している。このため、全ての光導波路部を複数の光機能部に近付けやすくなる。その結果、光導波路部と光機能部との間での光信号の広がりによる損失を小さくすることができる。これに伴い、レンズ等の光学部品を用いて光信号の広がりを防止しなくても済むため、部品点数の増加を防止することができ、光導波路デバイスを低コストで製造することができる。また、複数の光導波路部が同一平面上に形成されるため、光導波路構造体の薄型化を図ることができ、ひいては、光導波路デバイス全体の薄型化を図ることができる。さらに、隣接する光機能部群を構成する光機能部同士が、光機能部群の配列方向と直交する方向に沿って互いにオフセットして配置されている。その結果、光機能部をファインピッチで配置しやすくなるため、光導波路構造体の小型化を図ることができ、ひいては、光導波路デバイス全体の小型化を図ることができる。
【００１２】
上記光導波路デバイスは光導波路構造体を備えている。光導波路構造体は、光信号が伝搬する光路となるコア及びコアを取り囲むクラッドを有する光導波路部が同一平面上において複数形成された構造を有している。光導波路構造体は有機系であっても無機系であってもよい。例えば、有機系の光導波路構造体に使用される樹脂材料としては、フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ＵＶ硬化性エポキシ樹脂、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、重水素化ＰＭＭＡ、重水素フッ素化ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂、ポリオレフィン系樹脂などがある。コアを形成する材料及びクラッドを形成する材料はいずれも透光性を有することが好ましい。また、コアを形成する材料は、クラッドを形成する材料よりも例えば２％程度（具体的には通常０．２％〜４．０％程度、最大１０％程度）屈折率が高くなるように設定される。
【００１３】
上記光導波路デバイスは１つまたは２つ以上の光電変換素子を備えている。光電変換素子は、光導波路構造体の主面上に搭載される。その搭載方法としては、例えば、ワイヤボンディングやフリップチップボンディング等の手法、異方導電性材料を用いた手法などがある。光電変換素子を大別すると、発光の機能を有する複数の光機能部（発光部）を光機能部設置面内に有するもの（即ち発光素子）と、受光の機能を有する複数の光機能部（受光部）を光機能部設置面内に有するもの（即ち受光素子）とがある。発光素子の具体例としては、発光ダイオード（Light Emitting Diode；ＬＥＤ）、半導体レーザーダイオード（Laser Diode ；ＬＤ）、面発光レーザー（Vertical Cavity Surface Emitting Laser；ＶＣＳＥＬ）等がある。これらの発光素子は、入力した電気信号を光信号に変換した後、その光信号を光導波路構造体の所定部位に向けて発光部から出射する機能を備えている。一方、受光素子の具体例としては、例えば、ｐｉｎフォトダイオード（pin Photo Diode；pin ＰＤ）、アバランシェフォトダイオード（Avalanche Photo Diode ；ＡＰＤ）等がある。これらの受光素子は、光導波路構造体の所定部位から出射された光信号を受光部にて入射し、その入射した光信号を電気信号に変換して出力する機能を有している。従って、信号伝送を行うためには、発光素子の発光部や受光素子の受光部を、光導波路部に対して光結合する必要がある。光電変換素子に使用する好適な材料としては、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓなどを挙げることができる。
【００１４】
ところで、光電変換素子は、複数列の光機能部群を光機能部設置面内に有しており、特定の光機能部群を構成する光機能部と、隣接する光機能部群を構成する光機能部とが、光機能部群の配列方向と直交する方向に沿って互いにオフセットして配置されている。これに伴い、特定の光機能部群を構成する光機能部に対応する光導波路部の光路変換部、及び、隣接する光機能部群を構成する光機能部に対応する光導波路部の光路変換部も、各光導波路部の配列方向に沿って互いにオフセットして配置されている。この場合、例えばダイシングソーなどを用いて光路変換部を形成しようとすると、ダイシングソーは、切削のための切りしろが必要で、かつ各光導波路部を横断するように切削するため、隣接する光導波路部において光路変換部が形成されない箇所を切削してしまう可能性がある。
【００１５】
そこで、光導波路に光路変換部を構成する場合、光路変換部は円錐状凹部によって構成されることがよく、円錐状凹部は、先端が円錐状をなす加工用ドリルを用いたドリル加工により形成されることが好ましい。このようにすれば、特定の光導波路部に対して光路変換部を形成する際に、隣接する光導波路部を破損してしまう可能性が小さくなる。つまり、光導波路部の任意の場所に対して比較的容易に円錐状凹部を形成することができる。
【００１６】
なお、光機能部群を構成する複数の光機能部と隣接する光機能部群を構成する複数の光機能部とが互いにオフセットするオフセット量は、複数存在する光機能部のピッチの半分以下であることが好ましく、特には、５０μｍ以上かつピッチの半分以下であることがより好ましい。このようにすれば、光機能部群を構成する複数の光機能部と隣接する光機能部群を構成する複数の光機能部とを離間させやすくなるため、光機能部に対応させて光導波路部を形成することが容易になる。なお、オフセット量が５０μｍ未満になると、光機能部に対応させて光導波路部を形成したとしても、光導波路部同士が干渉しやすくなる。しかも、円錐状凹部の加工の際に、隣接する光導波路のコアを切断、破損しやすくなる。
【００１７】
また、円錐状凹部は、先端（最も深いところ）がコアと光電変換素子接続用配線との間に位置していることが好ましい。具体的に言うと、円錐状凹部は、先端が光導波路部と光電変換素子接続用配線との境界部分に位置していてもよいし、コアと光電変換素子接続用配線との間に位置するクラッド内に位置していてもよい。このようにした場合、円錐状凹部がコアを貫通するため、形成された円錐状凹部によって、コア内を伝搬する光信号の進路を確実に変換させることができる。また、円錐状凹部を加工用ドリルで形成する場合、加工用ドリルの接触に起因する光電変換素子接続用配線の破損を防止することができる。
【００１８】
さらに、主面上に光電変換素子接続用配線が形成され、主面において円錐状凹部の形成領域の裏側となる範囲内に、光電変換素子接続用配線の少なくとも一部が位置し、かつ光電変換素子接続用配線と光電変換素子との接続部分が位置していることが好ましい。このようにすれば、狭い面積で光電変換素子を配置できるようになるため、光電変換素子の小型化に有効である。また、上記の範囲から光電変換素子がはみ出す領域を小さくすることができるため、円錐状凹部が形成された光導波路部同士の間隔を狭くすることができる。その結果、光導波路構造体、ひいては光導波路デバイス全体の小型化を図ることができる。
【００１９】
なお、光電変換素子接続用配線は、例えば導電性金属により形成される。導電性金属としては特に限定されないが、例えば銅、金、銀、白金、パラジウム、ニッケル、スズ、鉛、チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブなどから選択される１種または２種以上の金属を挙げることができる。２種以上の金属からなる導電性金属としては、例えば、スズ及び鉛の合金であるはんだ等を挙げることができる。２種以上の金属からなる導電性金属として、鉛フリーのはんだ（例えば、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系はんだ等）を用いても勿論よい。
【００２０】
また、上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、上記手段１に記載の光導波路デバイスを製造する方法であって、前記光導波路部を準備する光導波路部準備工程と、先端が円錐状をなす加工用ドリルを用いて前記裏面側からドリル加工を行うことにより、前記円錐状凹部を形成する凹部形成工程とを含むことを特徴とする光導波路デバイスの製造方法がある。
【００２１】
従って、手段２では、同一平面上に形成された複数の光導波路部に対して、ダイシングソーを用いて光路変換部を形成するのではなく、加工用ドリルを用いて光路変換部である円錐状凹部を形成している。この加工用ドリルは、光導波路中の光伝播方向に対して垂直方向であって光導波路構造体の面方向に切り進む加工を行うダイシングソーとは異なり、光導波路構造体の厚さ方向に掘り進むドリル加工を行うため、円錐状凹部の形成時に、隣接する光導波路部まで加工してしまう可能性が小さくなる。つまり、光導波路部の任意の場所に対して比較的容易に光路変換部となる円錐状凹部を形成することができる。また、一般的に用いられているドリル加工機を利用して加工用ドリルによるドリル加工を行うことができるため、光導波路デバイスの量産性が向上する。
【００２２】
以下、光導波路デバイスの製造方法を工程に沿って説明する。
【００２３】
まず、光導波路部を準備する光導波路部準備工程を行う。ここで、光導波路部準備工程は、例えば、コアを形成するコア形成工程と、クラッドを形成するクラッド形成工程と、主面上に光電変換素子接続用配線を形成する配線形成工程とを含んでいる。なお、配線形成工程において光電変換素子接続用配線を形成する方法としては、エッチング、めっき、金属ペーストの印刷焼成、金属箔の貼付、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティングなどが挙げられる。
【００２４】
続く凹部形成工程では、先端が円錐状をなす加工用ドリルを用いて光導波路構造体の裏面側からドリル加工を行うことにより、円錐状凹部を形成する。なお、凹部形成工程では、加工用ドリルを用いて、コアを貫通するように円錐状凹部を形成することが好ましい。このようにした場合、コアを貫通して形成された円錐状凹部によって、コア内を伝搬する光信号の進路を確実に変換し、出力することができる。また、コア内に光信号を確実に入射させることができる。さらに、加工用ドリルの接触に起因する光電変換素子接続用配線の破損を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本実施形態の光導波路デバイスを示す概略断面図。
【図２】光導波路デバイスを示す概略平面図。
【図３】光導波路デバイスの製造方法を示す説明図。
【図４】光導波路デバイスの製造方法を示す説明図。
【図５】他の実施形態における光導波路構造体を示す概略断面図。
【図６】他の実施形態における光導波路構造体を示す概略断面図。
【図７】他の実施形態における光導波路構造体を示す概略断面図。
【図８】他の実施形態における光導波路構造体を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２７】
図１，図２には、本実施形態の光導波路デバイス１０が示されている。光導波路デバイス１０は、主面２１及び主面２１の反対側に位置する裏面２２を有する光導波路構造体２０を備えている。光導波路構造体２０は、セラミック配線基板（図示略）によって裏面２２側から支持されている。なお、セラミック配線基板は、複数のセラミック層を積層してなる多層セラミック配線基板であってもよいし、１つのセラミック層のみからなる単層のセラミック配線基板であってもよい。また、セラミック配線基板は省略されていてもよい。
【００２８】
さらに、光導波路構造体２０の主面２１上には、光電変換素子接続用配線４１が形成されている。光電変換素子接続用配線４１は、接着剤を用いて金属箔（図示略）を主面２１に貼付した後、貼付した金属箔をパターニングすることによって形成されたものである。そして、光電変換素子接続用配線４１の表面上には、複数のはんだバンプ４２が配設されている。
【００２９】
図１，図２に示されるように、光導波路構造体２０には、１２本の光導波路部２３が同一平面上に形成されている。各光導波路部２３は、コア２５の幅が５０μｍであって、全体の厚さが１００μｍの断面矩形状をなし、直線的にかつ平行に延びるように形成されている。また、各光導波路部２３は、厚さ２５μｍの下部クラッド２４と、厚さ５０μｍのコア２５と、厚さ２５μｍの上部クラッド２６とによって構成され、全体の厚さが１００μｍになっている。コア２５は、実質的に光信号が伝搬する光路となる部分であって、下部クラッド２４及び上部クラッド２６により取り囲まれている。本実施形態の場合、コア２５とクラッド２４，２６とでは、屈折率が異なる透明なポリマ材料が使用されている。具体的に言うと、コア２５を形成する材料は、クラッド２４，２６を形成する材料よりも２％程度（具体的には通常０．２％〜４．０％程度、最大１０％程度）屈折率が高くなっている。
【００３０】
図１に示されるように、各光導波路部２３における両端部には、光路内を伝搬する光信号の進路を変換する光路変換部３１が形成されている。光路変換部３１は、光導波路構造体２０の裏面２２にて開口する円錐状凹部３３によって構成されている。この円錐状凹部３３は、先端が円錐状をなす加工用ドリル５１（図３参照）を用いたドリル加工により形成されている。また、円錐状凹部３３は、下部クラッド２４及びコア２５を貫通するとともに、先端がコア２５と光電変換素子接続用配線４１との間、具体的には、光導波路部２３と光電変換素子接続用配線４１との境界部分に位置している。さらに、円錐状凹部３３は、裏面２２に対して４５°の角度で傾斜する反射面３２を内面に有している。その結果、光を９０°の角度で反射する光路変換用ミラーが構成される。また、円錐状凹部３３の開口端における内径は、光導波路部２３の厚さに対して２倍の大きさ（本実施形態では２００μｍ）となる。そして、光導波路構造体２０の主面２１において円錐状凹部３３の形成領域Ｒ１の裏側となる範囲内には、光電変換素子接続用配線４１の一部が位置するようになる。
【００３１】
図１，図２に示されるように、光導波路デバイス１０は、光電変換素子（発光素子）の一種であるＶＣＳＥＬ４３を備えている。このＶＣＳＥＬ４３は、縦２．５ｍｍ×横１．５ｍｍの略矩形平板状をなし、発光の機能を有する１２個の発光部４４（光機能部）を発光部設置面４５（光機能部設置面）内に有している。即ち、光導波路部２３及び発光部４４は互いに同数ずつ存在している。また、ＶＣＳＥＬ４３は、各発光部４４をコア２５側に向けた状態で主面２１上に搭載されている。そして、各発光部４４は、主面２１に対して直交する方向（図１では下方向）に、所定波長のレーザー光（光信号）を出射するようになっている。なお、ＶＣＳＥＬ４３の有する複数の端子（図示略）は、光電変換素子接続用配線４１の表面上に配設された各はんだバンプ４２に対してそれぞれフリップチップ接続されている。そして、光電変換素子接続用配線４１とＶＣＳＥＬ４３との接続部分は、上記した形成領域Ｒ１の裏側となる範囲内に位置している。
【００３２】
また図２に示されるように、ＶＣＳＥＬ４３は、４個の発光部４４を一直線上にかつ等ピッチに配置してなる３列の発光部群４６，４７，４８（光機能部群）を発光部設置面４５内に有している。なお、各発光部群４６〜４８を構成する発光部４４のピッチＬ１は、それぞれ５００μｍに設定されている。また、１列目の発光部群４６を構成する発光部４４、及び、発光部群４６に隣接する２列目の発光部群４７を構成する発光部４４は、発光部群４６〜４８の配列方向（図２では左右方向）と直交する方向（図２では上下方向）に沿って互いにオフセットして配置されている。なお、発光部群４６を構成する発光部４４と発光部群４７を構成する発光部４４とが互いにオフセットするオフセット量Ｌ２は、５０μｍ以上かつピッチＬ１（５００μｍ）の半分以下（本実施形態では１６０μｍ：ピッチＬ１の約１／３）に設定されている。その結果、全ての発光部４４を一直線上に配置する場合に比べて、小型化・高密度化が実現される。同様に、２列目の発光部群４７を構成する発光部４４、及び、発光部群４７に隣接する３列目の発光部群４８を構成する発光部４４も、発光部群４６〜４８の配列方向と直交する方向に沿って互いにオフセットして配置されている。そして、発光部群４７を構成する発光部４４と発光部群４８を構成する発光部４４とが互いにオフセットするオフセット量Ｌ２も、５０μｍ以上かつピッチＬ１の半分以下に設定されている。なお、各発光部４４の下方には、光導波路部２３の一方の端部に形成された円錐状凹部３３がそれぞれ存在している。
【００３３】
また、図１，図２に示される光導波路デバイス１０は、光電変換素子（受光素子）の一種であるフォトダイオード（図示略）を備えている。本実施形態のフォトダイオードは、ＶＣＳＥＬ４３とほぼ同様の構成を有している。即ち、このフォトダイオードは、受光の機能を有する１２個の受光部（光機能部）を受光部設置面（光機能部設置面）内に有している。即ち、光導波路部２３及び受光部は互いに同数ずつ存在している。また、フォトダイオードは、各受光部をコア２５側に向けた状態で主面２１上に搭載され、各受光部は、主面２１に対して直交する方向（図１では上方向）に向かうレーザー光（光信号）を受けやすい構成となっている。なお、フォトダイオードの有する複数の端子（図示略）は、光電変換素子接続用配線４１の表面上に配設された各はんだバンプに対してそれぞれフリップチップ接続されている。
【００３４】
また、フォトダイオードは、４個の受光部を一直線上にかつ等ピッチに配置してなる３列の受光部群（光機能部群）を受光部設置面内に有している。また、特定の受光部群を構成する受光部、及び、隣接する受光部群を構成する受光部は、受光部群の配列方向と直交する方向に沿って互いにオフセットして配置されている。なお、隣接する受光部群を構成する受光部同士が互いにオフセットするオフセット量は、５０μｍ以上かつ受光部のピッチ（５００μｍ）の半分以下（本実施形態では１６０μｍ）に設定されている。そして、各受光部の下方には、光導波路部２３の他方の端部に形成された円錐状凹部３３がそれぞれ存在している。
【００３５】
さらに、光電変換素子接続用配線４１の表面上に配設された各はんだバンプには、ＶＣＳＥＬ４３を駆動させるドライバＩＣ（図示略）や、フォトダイオードを駆動させるレシーバＩＣ（図示略）が接合されている。従って、ドライバＩＣとＶＣＳＥＬ４３とが、光電変換素子接続用配線４１などを介して電気的に接続されるとともに、フォトダイオードとレシーバＩＣとが、光電変換素子接続用配線４１などを介して電気的に接続される。
【００３６】
このように構成された光導波路デバイス１０の一般的な動作について簡単に述べておく。
【００３７】
ＶＣＳＥＬ４３及びフォトダイオードは、配線基板や配線に接続された回路デバイス（図示略）を介して動作する。ドライバＩＣからＶＣＳＥＬ４３に電気信号が出力されると、ＶＣＳＥＬ４３は入力した電気信号を光信号に変換した後、その光信号を光路変換部３１の反射面３２に向けて、発光部４４からレーザー光として出射する。発光部４４から出射したレーザー光は、光導波路構造体２０の主面２１側から入射して反射面３２に到達する。反射面３２に到達したレーザー光は、そこで進行方向を９０°変更し、コア２５の一端に入射する。コア２５内を伝搬して他端に到達したレーザー光は、そこに設けられている光路変換部の反射面により反射され、再び進行方向を９０°変更する。このため、レーザー光は光導波路構造体２０の主面２１側から出射し、フォトダイオードの受光部に入射する。すると、フォトダイオードは光信号を電気信号に変換してレシーバＩＣに出力する。レシーバＩＣは、それを増幅等して基板に出力するようになっている。
【００３８】
次に、光導波路デバイス１０の製造方法を図面に基づいて説明する。
【００３９】
まず、光導波路部準備工程を行い、複数の光導波路部２３を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。なお、光導波路部準備工程は、上部クラッド形成工程、コア形成工程、下部クラッド形成工程及び配線形成工程を含んでいる。
【００４０】
上部クラッド形成工程では、各光導波路部２３における上部クラッド２６を形成する。一例を挙げると、まず、エポキシ系化合物［脂環式エポキシ系化合物（ダイセル化学工業株式会社製  ＥＨＰＥ３１５０）が９９．５質量％、重合開始剤（旭電化工業株式会社製  光酸発生剤ＳＰ１７２）が０．５質量％］を含む硬化性組成物と、溶剤（メチルエチルケトン）とを混合し、溶解させて固形分７８％の混合溶液を調製する。その後、得られた混合溶液を、支持体（厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム）上にキャスティング法により塗布する。次に、７０℃に加熱した状態で３０分間乾燥を行う。その結果、溶剤が除去され、クラッド形成用の未硬化フィルムが得られる。その後、未硬化フィルムを配線基板や金属箔などの所定の基体にラミネートすることにより、未硬化フィルムを転写する。具体的には、４０℃〜５０℃に加熱した状態で、基体及び未硬化フィルムの積層方向に０．５ＭＰａの圧力を付与する。さらに、ＰＥＴフィルムを剥離した後、７０℃に加熱した状態で３０分間乾燥を行う。その結果、溶剤が除去され、未硬化状態の上部クラッド２６が得られる。なお、上記の方法に代えて、クラッド形成用液状物を、スピンコートなどの周知の方法によって塗布し、乾燥するといった方法により、未硬化状態の上部クラッド２６を形成することも可能である。その後、未硬化状態の上部クラッド２６に対して、紫外線ランプを用いた露光（露光量２０００ｍＪ／ｃｍ２、約７分）と、ポストベイク（１２０℃、３０分）と、本硬化（１５０℃、１時間）とを行うことにより、完全に硬化した上部クラッド２６が得られる。このように、金属箔上に光導波路を形成する作製方法は、光導波路構造体２０を完成させた後、接着剤を用いて金属箔を貼り付ける作製方法と比較すると、上部クラッド２６が接着剤を兼ねている。即ち、上部クラッド２６とは別に接着剤層を形成する工程を省略することができ、低コスト化に有効である。
【００４１】
続くコア形成工程では、各光導波路部２３におけるコア２５を形成する。一例を挙げると、まず、エポキシ系化合物［芳香族エポキシ系化合物（ジャパンエポキシレジン株式会社製  エピコート１００１）が４４．５質量％、脂環式エポキシ系化合物（ダイセル化学工業株式会社製  ＥＨＰＥ３１５０）が５５．０質量％、重合開始剤（旭電化工業株式会社製  光酸発生剤ＳＰ１７２）が０．５質量％］を含む硬化性組成物を準備する。次に、この硬化性組成物と溶剤（メチルエチルケトン）とを混合し、溶解させて固形分７８％の混合溶液を調製する。その後、得られた混合溶液を、支持体（例えば厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム）上にキャスティング法により塗布する。次に、７０℃に加熱した状態で３０分間乾燥を行う。その結果、溶剤が除去され、コア形成用の未硬化フィルムが得られる。そして、得られた未硬化フィルムを上部クラッド２６上にラミネートし積層する。具体的には、４０℃〜５０℃に加熱した状態で、上部クラッド２６及び未硬化フィルムの積層方向に０．５ＭＰａの圧力を付与する。さらに、ＰＥＴフィルムを剥離した後、７０℃に加熱した状態で３０分間乾燥を行うことにより、未硬化状態のコア２５が形成される。その後、未硬化状態のコア２５に対して、所定パターンが形成されたフォトマスクを配置し、この状態で紫外線ランプを用いた露光（露光量５００ｍＪ／ｃｍ２、約２分）と、ポストベイク（１２０℃、３０分）とを行う。これにより、露光された部分が仮硬化状態になる。次に、２−メトキシエタノールを用いた現像（３０秒）を行って未硬化の樹脂を除去し、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いて未硬化の樹脂の残渣を洗浄、除去することにより、仮硬化状態のコア２５をパターニングする。その後、本硬化（１５０℃、１時間）を行うことにより、完全に硬化したコア２５が得られる。なお、露光及び現像を行うことによってコア２５を形成する代わりに、材料に応じて別の方法を用いてコア２５を形成してもよく、例えばフォトブリーチングを行うことによってコア２５を形成してもよい。
【００４２】
下部クラッド形成工程では、各光導波路部２３における下部クラッド２４を形成する。ここでは、上部クラッド形成工程で用いたものと同じ未硬化フィルム（下部クラッド形成用の未硬化フィルム）を用意する。そして、得られた未硬化フィルムをコア２５上及び上部クラッド２６上に積層し、４０℃〜５０℃に加熱した状態で、上部クラッド２６、コア２５及び未硬化フィルムの積層方向に０．５ＭＰａの圧力を付与する。その後、ＰＥＴフィルムを剥離した後、７０℃に加熱した状態で３０分間乾燥を行うことにより、未硬化状態の下部クラッド２４が形成される。次に、未硬化状態の下部クラッド２４に対して、紫外線ランプを用いた露光（露光量２０００ｍＪ／ｃｍ２、約７分）と、ポストベイク（１２０℃、３０分）と、本硬化（１５０℃、１時間）とを行うことにより、完全に硬化した下部クラッド２４が得られ、複数の光導波路部２３が形成された光導波路構造体２０が完成する。
【００４３】
そして、上記した光導波路構造体２０の形成工程で配線基板を基体として用いなかった場合には、下部クラッド形成工程後、コア形成工程後及び上部クラッド形成工程後に配線を形成する（配線形成工程）。その配線形成工程では、光導波路構造体２０の主面２１上に光電変換素子接続用配線４１等を形成する。一例を挙げると、まず、光導波路構造体２０の主面２１に対して、接着剤を用いて金属箔（図示略）を貼付する。ここでは、光導波路部２３を形成する際に基体として用いた金属箔をそのまま利用してもよい。次に、この金属箔から配線パターンを形成する。形成方法としては、フォトレジストを用いて金属箔を部分的に保護した後、エッチングにより不要な金属箔を除去する等、従来周知の方法を用いることができる。その結果、光電変換素子接続用配線４１が形成される。その後、光電変換素子を接続するためのはんだバンプを搭載する部分に開口を形成したソルダーレジスト層（図示略）を形成してもよい。
【００４４】
続く凹部形成工程では、加工用ドリル５１を光導波路部２３の裏面２２に押し当て、加工用ドリル５１を回転させながら進めるドリル加工を行う（図３参照）。その後、加工用ドリル５１の先端部５２（４５°の傾斜面を有する部分）を光導波路部２３内に進入させる。そして、加工用ドリル５１の先端が光導波路部２３と光電変換素子接続用配線４１との境界部分に到達したときに、加工用ドリル５１によるドリル加工を終了することにより、４５°の反射面３２を有する円錐状凹部３３を形成する（図４参照）。このように、ドリル加工の深さを制御することにより、加工用ドリル５１による光電変換素子接続用配線４１の破損が防止される。なお、先端部５２の長さは、光導波路部２３のコア２５に４５°の円錐状凹部３３を形成できる大きさであればよい。
【００４５】
その後、光導波路構造体２０を反転させて配置し、主面２１を上方に位置させるとともに裏面２２を下方に位置させる。この状態において、光電変換素子接続用配線４１上に複数のはんだバンプ４２を形成する。次に、光電変換素子接続用配線４１上に、ＶＣＳＥＬ４３、ドライバＩＣ、フォトダイオード及びレシーバＩＣをそれぞれ載置する。そして、所定温度及び所定時間のはんだリフローを行ってはんだバンプを溶融させ、ＶＣＳＥＬ４３、ドライバＩＣ、フォトダイオード及びレシーバＩＣを光電変換素子接続用配線４１に接合すれば、光導波路デバイス１０が完成する。なお、はんだリフローではなく、フリップチップボンダーによる位置合わせを行うと同時に加熱を行って、ＶＣＳＥＬ４３、ドライバＩＣ、フォトダイオード及びレシーバＩＣをそれぞれ載置してもよい。
【００４６】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００４７】
（１）本実施形態の光導波路デバイス１０によれば、光導波路構造体２０を構成する複数の光導波路部２３が同一平面上に形成され、光導波路部２３が、ＶＣＳＥＬ４３の発光部４４やフォトダイオードの受光部と同数存在している。このため、全ての光導波路部２３を、複数の発光部４４や複数の受光部に近付けやすくなる。その結果、光導波路部２３と発光部４４との間や、光導波路部２３と受光部との間での光信号の広がりによる損失を小さくすることができる。これに伴い、レンズ等の光学部品を用いて光信号の広がりを防止しなくても済むため、部品点数の増加を防止することができ、光導波路デバイス１０を低コストで製造することができる。また、複数の光導波路部２３が同一平面上に形成されるため、光導波路構造体２０の薄型化を図ることができ、ひいては、光導波路デバイス１０全体の薄型化を図ることができる。
【００４８】
（２）本実施形態では、ＶＣＳＥＬ４３が発光部群４６〜４８を発光部設置面４５内に有しており、例えば、発光部群４６を構成する発光部４４と、発光部群４７を構成する発光部４４とが、発光部群４６〜４８の配列方向（図２では左右方向）と直交する方向（図２では上下方向）に沿って互いにオフセットして配置されている。これに伴い、発光部群４６を構成する発光部４４の下方にある光導波路部２３の光路変換部３１、及び、発光部群４７を構成する発光部４４の下方にある光導波路部２３の光路変換部３１も、各光導波路部２３の配列方向（図２では上下方向）に沿って互いにオフセットして配置されている。この場合、例えばダイシングソーなどを用いて光路変換部３１を形成しようとすると、ダイシングソーは、各光導波路部２３を横断するように切削するため、隣接する光導波路部２３において光路変換部３１が形成されない箇所を切削する可能性がある。この場合、コア２５を破損し、光信号伝送を不可能にしてしまうおそれがある。
【００４９】
そこで本実施形態では、光路変換部３１を円錐状凹部３３によって構成し、円錐状凹部３３を、先端が円錐状をなす加工用ドリル５１を用いたドリル加工により形成している。この場合、特定の光導波路部２３に対して円錐状凹部３３を形成する際に、隣接する光導波路部２３を加工してしまう可能性が小さくなる。つまり、光導波路部２３の任意の場所に対して比較的容易に円錐状凹部３３を形成することができる。
【００５０】
（３）特開２００７−１８３４６９号公報に記載の従来技術には、ドリル加工によって円錐状凹部を形成する技術が開示されている。しかし、円錐状凹部が開口する面と光電変換素子（ＶＣＳＥＬ及びフォトダイオード）の搭載面とが同じであるため、ドリル加工時に、光電変換素子の接続に必要な配線を加工してしまい、光電変換素子が搭載不能になるおそれがある。そこで、本実施形態の円錐状凹部３３は、光電変換素子（ＶＣＳＥＬ４３及びフォトダイオード）の搭載面である主面２１ではなく、主面２１の反対側に位置する裏面２２にて開口している。その結果、円錐状凹部３３の形成時において、加工用ドリル５１による光電変換素子接続用配線４１の加工が防止されるため、光電変換素子接続用配線４１と光電変換素子との接続部分を、円錐状凹部３３の存在を気にすることなく、円錐状凹部３３の形成領域Ｒ１の範囲も含めて自由に設定でき、光電変換素子を大きさや構造に関係なく搭載することができる。
【００５１】
（４）本実施形態の光路変換部３１は、円錐状凹部３３によって構成されているため、円錐状凹部３３を、光電変換素子と光導波路部２３との光軸合わせの際の位置基準として用いることができる。その結果、光電変換素子と光導波路部２３との光軸合わせをより正確に行うことが可能となり、両者を高い精度で光結合することができる。
【００５２】
（５）論文誌ＩＥＥＥ  Transactions of Advanced Packaging（vol.32、no. 2、pp.509-516、MAY 2009）、特開２００８−１５８４７１号公報、国際学会ＥＣＴＣ２００８の予稿集（pp.238-243）等に記載の従来技術には、光導波路部の所定箇所に対して約４５°の斜め上方からレーザーを照射するレーザー加工を行い、レーザー加工によって形成された孔の内壁面を反射面（ミラー）として利用する技術が開示されている。これらの従来技術によれば、隣接する光導波路部を切削してしまうことなく、任意の箇所に反射面を形成できるため、特定の光導波路部の光路変換部と隣接する光導波路部の光路変換部とが、光導波路部の配列方向に沿ってオフセットして配置されている場合にも、光路変換部（反射面）を確実に形成することができる。しかし、光導波路部の斜め上方からレーザーを照射することは、通常のレーザー加工機における加工対象の配置方法とは異なるものである。その結果、光導波路やレーザー光源の配置が困難であるため、光導波路デバイスの量産性が低下したり、装置コストが上昇してしまう。また、形成された反射面が粗くなるため、光の散乱による損失が大きくなり、光の伝送ロスが大きくなる。これに対し本実施形態では、通常の加工対象の配置方法によって、加工用ドリル５１を用いて円錐状凹部３３（光路変換部３１）を形成している。その結果、円錐状凹部３３を容易に形成できるため、光導波路デバイス１０の量産性が向上する。また、円錐状凹部３３内の反射面３２が平滑になるため、光の散乱による損失が小さくなり、光の伝送ロスが小さくなる。
【００５３】
なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。
【００５４】
・上記実施形態の光導波路構造体２０は、円錐状凹部３３が反射面３２を有するとともに、円錐状凹部３３の内部が空間となっていた。しかし、反射面６１に光を反射可能な金属（金、銀、銅、アルミニウム、クロム、チタン、ロジウム、ニッケル等）からなる薄膜６２を蒸着した光導波路構造体６０であってもよい（図５参照）。また、光を反射可能な誘電体多層膜を形成してもよい。このようにすれば、反射面６１にて反射した光信号の反射率が向上するため、光の伝送ロスがよりいっそう小さくなる。また、円錐状凹部７１の内部に、薄膜６２を蒸着した後に、薄膜６２を保護するための樹脂７２を充填した光導波路構造体７０であってもよい（図６参照）。さらに、光導波路構造体７０とＶＣＳＥＬ４３との隙間を、使用する波長の光が透過可能なアンダーフィルにより封止してもよい。
【００５５】
・上記実施形態の光導波路構造体２０は、円錐状凹部３３の先端が光導波路部２３と光電変換素子接続用配線４１との境界部分に位置していた。しかし、コア２５に４５°反射面を形成できる深さであれば、円錐状凹部８１が上部クラッド８２内に位置する光導波路構造体８０であってもよい（図７参照）。また、円錐状凹部９１が主面９２及び裏面９３の両方にて開口する光導波路構造体９０であってもよい（図８参照）。
【００５６】
・上記実施形態では、光導波路構造体２０の主面２１に対して、接着剤を用いて金属箔を貼付した後、フォトレジストやエッチング等を用いた従来周知のパターニング方法により、光電変換素子接続用配線４１を形成していた。しかし、光電変換素子接続用配線４１の形成方法を変更してもよい。例えば、主面２１に対してスパッタリングや蒸着などを行って金属層を形成した後、従来周知の加工技術によって金属層を加工して、光電変換素子接続用配線４１を形成してもよい。なお、加工された金属層に対して無電解めっきや電解めっき等を施すことにより、金属層の厚さや材質を光電変換素子の搭載に最適な状態にするようにしてもよい。また、別途準備した基体（例えばＰＥＴフィルム）の上で光電変換素子接続用配線４１を形成した後、形成した光電変換素子接続用配線４１を主面２１上に転写、接着してもよい。なお、基体は、転写または接着後に除去される。
【００５７】
・上記実施形態では、光導波路構造体２０の主面２１上に光電変換素子接続用配線４１を形成した後で、円錐状凹部３３を形成していた。しかし、円錐状凹部３３を形成した後で、主面２１上に光電変換素子接続用配線４１を形成してもよい。
【００５８】
・上記実施形態では、円錐状凹部３３の先端が光導波路部２３と光電変換素子接続用配線４１との境界部分に位置していた。換言すると、光電変換素子接続用配線４１は、主面２１上において円錐状凹部３３の中心となる箇所に端部が位置していた。しかし、光電変換素子接続用配線４１は、はんだバンプ４２を介してＶＣＳＥＬ４３に接続できる程度であれば、円錐状凹部３３の中心の外周側に端部が位置していてもよい。
【００５９】
・上記実施形態の光導波路デバイス１０は、光導波路構造体２０と、光導波路構造体２０の主面２１上に搭載されるＶＣＳＥＬ４３と、光導波路構造体２０を裏面２２側から支持するセラミック配線基板とを備えた構造を有していた。しかし、光導波路デバイスは、他の構造を有していてもよい。例えば、光導波路構造体２０をセラミック配線基板で支持させる代わりに、光導波路構造体２０とＶＣＳＥＬ４３との間に樹脂配線基板を介在させるようにしてもよい。詳述すると、樹脂配線基板の裏面上には、光導波路構造体２０が取り付けられている。また、樹脂配線基板の主面上には、ＶＣＳＥＬ４３が複数の発光部４４を光導波路構造体２０のコア２５側に向けた状態で搭載されている。さらに、樹脂配線基板には、発光部４４から出射した光信号をコア２５に導く光導波構造部が貫通形成されている。この場合、貫通形成された光導波構造部において、光機能部を備えた光電変換素子が載置されていない側の端部、即ち樹脂配線基板への光の入出力部を、新たな光機能部とみなすことができる。従って、光導波路部と光電変換素子との間に樹脂配線基板が介在している場合であっても、図１と同等の構造を備えていると言える。なお、樹脂配線基板は、複数の樹脂絶縁層を積層してなる多層樹脂配線基板であってもよいし、１つの樹脂絶縁層のみからなる単層の樹脂配線基板であってもよい。さらに、樹脂配線基板は、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるビルドアップ層をコア基板の表層に有するビルドアップ多層配線基板であってもよい。
【００６０】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００６１】
（１）上記手段１において、前記主面上に光電変換素子接続用配線が形成され、前記主面において前記円錐状凹部の形成領域の裏側となる範囲内に、前記光電変換素子接続用配線の少なくとも一部が位置し、かつ前記光電変換素子接続用配線と前記光電変換素子との接続部分が位置しており、前記円錐状凹部は、先端が前記光導波路部と前記光電変換素子接続用配線との境界部分に位置していることを特徴とする光導波路デバイス。
【００６２】
（２）上記手段１において、前記クラッドは、下部クラッドと、前記コア上に配置された上部クラッドとからなり、前記円錐状凹部は、前記下部クラッド及び前記コアを貫通するとともに、先端が前記コアと前記光電変換素子接続用配線との間に位置していることを特徴とする光導波路デバイス。
【符号の説明】
【００６３】
１０…光導波路デバイス
２０，６０，７０，８０，９０…光導波路構造体
２１，９２…主面
２２，９３…裏面
２３…光導波路部
２４…クラッドとしての下部クラッド
２５…コア
２６，８２…クラッドとしての上部クラッド
３１…光路変換部
３２，６１…反射面
３３，７１，８１，９１…円錐状凹部
４１…光電変換素子接続用配線
４３…光電変換素子としてのＶＣＳＥＬ
４４…光機能部としての発光部
４５…光機能部設置面としての発光部設置面
４６，４７，４８…光機能部群としての発光部群
５１…加工用ドリル
Ｌ１…ピッチ
Ｌ２…オフセット量
Ｒ１…円錐状凹部の形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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