(57)【要約】【課題】本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命管理を適切に行う画像処理装置、画像処理装置のメモリ管理方法、画像処理装置のメモリ管理プログラム及び記録媒体に関する。【解決手段】画像処理装置１は、少なくともデータの書き込み及び読み出しの行われるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７へのデータの書き込みにおいてＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが発生すると、ＣＰＵ１１が、該ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生に関するＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報であるＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生回数とＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生間隔のうち少なくともいずれかを取得して、ＮＶＲＡＭ１４に記憶する。【選択図】          図１
2012088937.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともデータの書き込み及び読み出しの行われるＮＡＮＤ型フラッシュメモリと、
前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリへのデータの書き込み及び読み出しを行うメモリ制御手段と、
前記メモリ制御手段による前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリへのデータの書き込みにおいてＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが発生すると、該ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生に関するＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報を取得して不揮発性記憶手段に記憶させるＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ管理手段と、
を備えていることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ管理手段は、
前記ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報として、前記ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生回数を取得して前記不揮発性記憶手段に記憶させることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ管理手段は、
前記ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報として、前記ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生間隔を取得して前記不揮発性記憶手段に記憶させることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ管理手段は、
前記発生回数と前記発生間隔のうち、少なくともいずれかを、予め前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命を判定するための寿命判定用発生回数閾値と寿命判定用発生間隔閾値のうち対応する閾値と比較して、該ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命を判定し、該判定結果を前記ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報として前記不揮発性記憶手段に記憶させることを特徴とする請求項２または請求項３記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記画像処理装置は、
少なくとも表示手段と印刷手段のいずれかを備えており、
前記ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ管理手段は、
前記不揮発性記憶手段に記憶させた前記ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報を、少なくとも前記表示手段と前記印刷手段のいずれかに出力させることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項６】
少なくともデータの書き込み及び読み出しの行われるＮＡＮＤ型フラッシュメモリへのデータの書き込み及び読み出しを行うメモリ制御処理ステップと、
前記メモリ制御処理ステップによる前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリへのデータの書き込みにおいてＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが発生すると、該ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生に関するＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報を取得して不揮発性記憶手段に記憶させるＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ管理処理ステップと、
を有していることを特徴とする画像処理装置のメモリ管理方法。
【請求項７】
コンピュータに、
少なくともデータの書き込み及び読み出しの行われるＮＡＮＤ型フラッシュメモリへのデータの書き込み及び読み出しを行うメモリ制御処理と、
前記メモリ制御処理による前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリへのデータの書き込みにおいてＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが発生すると、該ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生に関するＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報を取得して不揮発性記憶手段に記憶させるＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ管理処理と、
を実行させることを特徴とする画像処理装置のメモリ管理プログラム。
【請求項８】
請求項７記載のメモリ管理プログラムを記録したことを特徴とするコンピュータが読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像処理装置、画像処理装置のメモリ管理方法、画像処理装置のメモリ管理プログラム及び記録媒体に関し、詳細には、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命管理を適切に行う画像処理装置、画像処理装置のメモリ管理方法、画像処理装置のメモリ管理プログラム及び記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリンタ装置、複写装置、複合装置等やスキャナ装置等の画像処理装置においては、プログラムやユーザデータを保管するメモリとして、安価で大容量のフラッシュメモリ、特に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリが利用されるようになってきている。
【０００３】
ところが、フラッシュメモリは、デバイスの特性上、各部ロックの書き換え回数に上限があり、また、実際の書き換え回数の増加に反比例して、データ保持の保証時間が減少したり、書き換え回数の増加に応じてＢＡＤ  ＢＬＯＣＫとなりやすいことが知られている。このＢＡＤ  ＢＬＯＣＫは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの機能の１つとして発生し、不良ブロックが発生した場合にそのブロックに書き込まないように処理されたブロックをいう。
【０００４】
画像形成装置等の画像処理装置においては、プログラムについては、ファームウェアのアップデートのみであるため、通常の使用形態では、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ内のプログラムの書き換えがほとんど発生せず、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生も問題となることはないが、ユーザデータ(アドレス帳データ等)については、その書き換え頻度は一定ではなく、ユーザの使い方に大きく依存するため、ユーザデータの書き換え頻度によって、データ破損に陥るＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生も利用状況によって大きく異なる。
【０００５】
そして、従来、記憶装置の電源起動時に、ファイル管理情報部とデータ部とを備える不揮発性メモリ内の該ファイル管理情報部のファイル管理情報を読み出して、揮発性メモリに書き込み、不揮発性メモリへの読み出し動作と書き込み動作においては、該揮発性メモリ内のファイル管理情報に基づいて行って、電源遮断時に、揮発性メモリ内のファイル管理情報を読み出して不揮発性メモリに書き込む記憶装置が提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
すなわち、この従来技術は、不揮発性メモリのデータを管理するファイル管理情報部を揮発性メモリで管理することで、揮発性メモリを利用して、不揮発性メモリのデータ書き換え耐性の向上を図っている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記公報記載の従来技術にあっては、不揮発性メモリのデータを管理するファイル管理情報部を揮発性メモリで管理することで、不揮発性メモリのデータ書き換え耐性の向上を図っているため、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ自体の寿命を判断するには、デバイス自体の書き換え回数管理機能を使用してＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生回数を管理する必要があり、フラッシュメモリを搭載するプリント基板のリサイクル作業において、フラッシュメモリ自体が書き換え回数管理機能を備えていて、該書き換え回数管理機能を利用したＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生回数の管理を行っている場合でないと、フラッシュメモリの寿命を判断することができないだけでなく、リサイクルの作業性が悪いという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、フラッシュメモリ自身のＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ管理機能を用いることなく、該フラッシュメモリの寿命判断を正確にかつ容易に行うことのできる画像処理装置、画像処理装置のメモリ管理方法、画像処理装置のメモリ管理プログラム及び記録媒体を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するために、少なくともデータの書き込み及び読み出しの行われるＮＡＮＤ型フラッシュメモリへのデータの書き込みにおいてＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが発生すると、該ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生に関するＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報を取得して不揮発性記憶手段に記憶することを特徴としている。
【００１０】
また、本発明は、前記ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報として、前記ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生回数を取得して前記不揮発性記憶手段に記憶することを特徴としてもよい。
【００１１】
さらに、本発明は、前記ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報として、前記ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生間隔を取得して前記不揮発性記憶手段に記憶することを特徴としてもよい。
【００１２】
また、本発明は、前記発生回数と前記発生間隔のうち、少なくともいずれかを、予め前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命を判定するための寿命判定用発生回数閾値と寿命判定用発生間隔閾値のうち対応する閾値と比較して、該ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命を判定し、該判定結果を前記ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報として前記不揮発性記憶手段に記憶することを特徴としてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、フラッシュメモリ自身のＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ管理機能を用いることなく、該フラッシュメモリの寿命判断を正確にかつ容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施例を適用した画像処理装置の要部ブロック構成図。
【図２】ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのブロック構成を示す図。
【図３】ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生回数に基づくＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命管理処理を示すフローチャート。
【図４】ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生間隔に基づくＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命管理処理を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べる実施例は、本発明の好適な実施例であるので、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明によって不当に限定されるものではなく、また、本実施の形態で説明される構成の全てが本発明の必須の構成要件ではない。
【実施例１】
【００１６】
図１〜図４は、本発明の画像処理装置、画像処理装置のメモリ管理方法、画像処理装置のメモリ管理プログラム及び記録媒体の一実施例を示す図であり、図１は、本発明の画像処理装置、画像処理装置のメモリ管理方法、画像処理装置のメモリ管理プログラム及び記録媒体の一実施例を適用した画像形成装置１の要部ブロック構成図である。
【００１７】
図１において、画像処理装置１は、複写装置、プリンタ装置、スキャナ装置、複合装置等の画像形成や画像読み取りを行い、コントローラ部２、操作部３及びエンジン部４等を備えている。
【００１８】
コントローラ部２は、プリント基板（ＰＣＢ）上に、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１１、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）１２、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）１３、ＮＶＲＡＭ（Non Volatile ＲＡＭ）１４、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）ホスト１５、ＮＡＮＤコントローラ１６及びＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７等が搭載されており、ＡＳＩＣ１２は、操作部３及びエンジン部４と接続されている。
【００１９】
操作部３は、画像処理装置１の操作に必要な各種キーやディスプレイ（例えば、液晶ディスプレイ）等蒲生蹴られており、キーからは画像処理装置１に動作させる各種命令やアドレス情報等が入力される。ディスプレイ（表示手段）は、キー入力された内容や画像処理装置１からユーザに通知する各種情報、特に、後述するメモリ管理処理におけるＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生回数や発生間隔等のＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報等を表示出力する。
【００２０】
エンジン部４は、詳細には図示しないが、プリンタエンジン、スキャナエンジン等を備えており、さらに、ファクシミリエンジン等を備えていてもよい。エンジン部４は、そのプリンタエンジン（印刷手段）が、所定の印刷方式、例えば、電子写真方式のプリンタエンジンが用いられており、ＣＰＵ１１の制御下で、ＡＳＩＣ１２から送られてきた画像データに基づいて用紙に画像を形成する。エンジン部４は、そのスキャナエンジンが、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device ）あるいはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor ）等を利用したスキャナが用いられており、ＣＰＵ１１の制御下で、原稿を操作して、該原稿の画像を読み取って読み取り画像データをＡＳＩＣ１２に出力する。また、エンジン部４は、ファクシミリエンジンを搭載しているときには、ファクシミリエンジンが、公衆回線等を通して相手ファクシミリ装置等とファクシミリ通信を行って、ＡＳＩＣ１２から受け取ったファクシミリデータを相手ファクシミリ装置等にファクシミリ送信し、相手ファクシミリ装置等から送信されてきたファクシミリデータを受信してＡＳＩＣ１２に出力する。
【００２１】
ＡＳＩＣ１２には、ＣＰＵ１１、ＤＲＡＭ１３、ＮＶＲＡＭ１４及びＵＳＢホスト１５が接続されており、ＵＳＢホスト１５には、ＮＡＮＤコントローラ１６が接続されている。ＮＡＮＤコントローラ１６には、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７が接続されている。
【００２２】
ＡＳＩＣ１２は、ＣＰＵ１１の制御下で、ＤＲＡＭ１３を使用して、エンジン部４から受け取った画像データに対して、必要な画像処理を施し、画像処理後の画像データをエンジン部４に出力したり、図示しないハードディスクに蓄積する。
【００２３】
ＮＶＲＡＭ（不揮発性記憶手段）１１は、一般的に各機能の初期設定値等の画像処理装置１の電源がオフの場合にも記憶しておく必要のあるデータ等を格納する他、ＣＰＵ１１の制御下で、コントローラ部２の動作に必要な各種データを記憶する。特に、ＮＶＲＡＭ１１は、後述するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命管理に必要な各種情報、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７に発生するＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生回数、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生間隔及びＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７が寿命であるか否かを判定するための寿命判定用発生回数閾値、寿命判定用発生間隔閾値を、ＣＰＵ１１の制御下で記憶する。
【００２４】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７は、所定の容量を有しており、ＮＡＮＤコントローラ１６によりプログラムやデータの書き込み及び読み出しが行われる。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７は、図２に示すように、書き込み及び読み出し単位である複数（図２では、１０２４個）のブロック（ＢＬＯＣＫ）に記憶領域が分かれており、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７には、通常、製造段階で発生しうるＢＡＤ  ＢＬＯＣＫがあるため、所定数（例えば、２％程度、図２では、２４個）の予備ブロックを有している。また、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７は、画像処理装置１の設計上、予め所定容量の空き容量を予備として有した状態となっている。
【００２５】
ＮＡＮＤコントローラ（メモリ制御手段）１６は、ＵＳＢホスト１５を介して入力される書き込み命令及び読み出し命令に応じて、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７へのプログラムやデータの書き込み及び読み出しを行う。
【００２６】
ＵＳＢホスト１５は、ＮＡＮＤコントローラ１６とＡＳＩＣ１２に接続されており、ＵＳＢ通信のホストとして、ＡＳＩＣ１２カラーの要求に応じてＮＡＮＤコントローラ１６に必要な制御信号を出力して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７へのデータの書き込み及びＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７からのデータの読み出し等を行う。
【００２７】
そして、画像処理装置１は、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory ）、ＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc Read Only Memory ）、ＣＤ−ＲＷ（Compact Disc Rewritable ）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）、ＳＤ（Secure Digital）カード、ＭＯ（Magneto-Optical Disc）等のコンピュータが読み取り可能な記録媒体に記録されている本発明の画像処理装置１のメモリ管理方法を実行するメモリ管理プログラムを読み込んでＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７に導入することで、後述するデータの書き込みを管理してＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命管理を適切かつ容易に行うメモリ管理方法を実行する画像処理装置１として構築されている。このメモリ管理プログラムは、アセンブラ、Ｃ、Ｃ＋＋、Ｃ＃、Ｊａｖａ（登録商標）等のレガシープログラミング言語やオブジェクト指向ブログラミング言語等で記述されたコンピュータ実行可能なプログラムであり、上記記録媒体に格納して頒布することができる。
【００２８】
ＣＰＵ１１は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の基本プログラムに基づいて、画像処理装置１の各部を制御して、画像処理装置１としての基本処理を実行するとともに、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７のメモリ管理プログラムに基づいて、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命管理を行う。
【００２９】
次に、本実施例の作用について説明する。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７へのデータの書き込みにおいてＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが発生すると、少なくともその発生回数と発生間隔のうち少なくとも一方を検出して予め設定されている寿命判定用発生回数閾値や寿命判定用発生間隔閾値を超えると、または、下回ると、ＮＶＲＡＭ１４にＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命が到来した旨の寿命情報を書き込む。
【００３０】
まず、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生回数が寿命判定用発生回数閾値を超えたか否かに基づいてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命判断を行う場合について、図３に基づいて説明する。
【００３１】
画像処理装置１は、ＣＰＵ１１が、ＵＳＢホスト１５を介して、ＮＡＮＤコントローラ１６に、データ（例えば、アドレス帳データ等）を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７に書き込ませ、ＮＡＮＤコントローラ１６は、データのＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１６への書き込みが完了すると、該データの書き込みにおいてＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが発生したか否かの情報をＣＰＵ１１に出力する（ステップＳ１０１）。
【００３２】
ＣＰＵ１１は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７への書き込みにおいて、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが発生したか（ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生回数が増加したか）否かをチェックして（ステップＳ１０２）、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが発生していないときには、そのまま処理を終了する。
【００３３】
ステップＳ１０２で、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが発生したときには、ＣＰＵ１１は、今回の書き込みで発生したＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生回数を過去に発生したＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生回数に加算して合計発生回数を算出し、該合計発生回数を、予めＮＶＲＡＭ１４に保管されているＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命判定用発生回数閾値（システムとしての許容範囲）と比較して、合計発生回数が寿命判定用発生回数閾値を超えているか判別する（ステップＳ１０３）。
【００３４】
なお、寿命判定用発生回数閾値は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の本来のＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ用の予備ブロックと画像処理装置１のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７における空き容量を考慮して設定されている。すなわち、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７は、もともと先天的なＢＡＤ  ＢＬＯＣＫを発生しうるため、ある程度（例えば、２％程度）の予備ブロックを持っているが、予備ブロックの全てがＢａｄＢｌｏｃｋ化した場合には、以降、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが増えるたびに、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の使用可能な容量自体が減っていくことになる。一方、画像処理装置１においては、通常、最初からＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の全領域を使用するような設計にはなっておらず、所定容量の空き容量を予備として持っているため、そのＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの予備ブロックとこの空き容量分も考慮して、上記寿命判定用発生回数閾値（許容範囲）を設定して、ＮＶＲＡＭ１４に格納されている。
【００３５】
ＣＰＵ１１は、ステップＳ１０３で、合計発生回数が寿命判定用発生回数閾値を超えていない（許容範囲内）ときには、そのまま処理を終了し、ステップＳ１０３で、合計発生回数が寿命判定用発生回数閾値を超えているときには、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命が到来して画像処理装置１のリサイクル時に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７についてはリサイクルを行うことができず交換が必要であることを示すリサイクルＮＧのフラグをＮＶＲＡＭ１４に記憶して、処理を終了する（ステップＳ１０４）。
【００３６】
次に、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生間隔が寿命判定用発生間隔閾値を超えたか否かに基づいて寿命判断する場合について、図４に基づいて説明する。すなわち、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７へのデータの前回の書き込みにおいてＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが発生した場合、今回のデータの書き込みにおいては、前回よりも少ないブロックに対して集中して書き込みを行うこととなるため、必然的にＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが前回よりも発生しやすくなり、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生間隔を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命の判定の目安ととして用いることができる。
【００３７】
すなわち、画像処理装置１は、ＣＰＵ１１が、ＵＳＢホスト１５を介して、ＮＡＮＤコントローラ１６に、データ（例えば、アドレス帳データ等）を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７に書き込ませ、ＮＡＮＤコントローラ１６は、データのＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１６への書き込みが完了すると、該データの書き込みにおいてＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが発生したか否かの情報をＣＰＵ１１に出力する（ステップＳ２０１）。
【００３８】
ＣＰＵ１１は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７への書き込みにおいて、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが発生したか（ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ数が増加したか）否かをチェックして（ステップＳ２０２）、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが発生していないときには、そのまま処理を終了する。
【００３９】
ステップＳ２０２で、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが発生したときには、ＣＰＵ１１は、今回の書き込みで発生したＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生時刻を、コントローラ部２の内部等に備えている時計機構から取得して、該発生時刻をＮＶＲＡＭ１４に記憶し（ステップＳ２０３）、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが前回発生した発生時刻をＮＶＲＡＭ１４から読み出して、今回のＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生時刻までの発生間隔（ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報）を取得して、発生間隔を、予めＮＶＲＡＭ１４に保管されているＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命判定用発生間隔閾値（システムとしての許容範囲）と比較して、発生間隔が寿命判定用発生間隔閾値よりも短いか、すなわち、発生間隔が許容範囲を超えているか否か判別する（ステップＳ２０４）。
【００４０】
なお、寿命判定用発生間隔閾値は、上記寿命判定用発生回数閾値の場合と同様に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の本来のＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ用の予備ブロックと画像処理装置１の空き容量を考慮して設定されている。
【００４１】
ＣＰＵ１１は、ステップＳ２０４で、発生間隔が寿命判定用発生間隔閾値よりも長い間隔（許容範囲内）であるときには、そのまま処理を終了し、ステップＳ２０４で、発生間隔が寿命判定用発生間隔閾値よりも短い間隔、すなわち、許容範囲を超えているときには、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命が到来して画像処理装置１のリサイクル時に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７についてはリサイクルを行うことができず交換が必要であることを示すリサイクルＮＧのフラグをＮＶＲＡＭ１４に記憶して、処理を終了する（ステップＳ２０５）。
【００４２】
そして、上述のようにして、ＮＶＲＡＭ１４にＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７のリサイクルＮＧのフラグを設定することで、画像処理装置１のリサイクル時や少なくともコントローラ部２の基板のリサイクル時において、ＮＶＲＡＭ１４にＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７のリサイクルＮＧのフラグが設定されているか否かによって、同じ基板上に搭載されているＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７のリサイクルの可否を判別することができ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７が書き換え回数管理機能を有していない場合であっても、また、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７が書き換え回数管理機能を有していても該デバイス側での書き換え回数管理機能を用いることなく、適切かつ容易にＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７のリサイクルの可否を判別することができる。
【００４３】
なお、上記ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生回数に基づくＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命管理とＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生間隔に基づくＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命管理とは、いずれか一方のみを行う場合に限るものではなく、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生回数と発生間隔の双方を同時に判定基準として用いてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命管理を行ってもよい。
【００４４】
このように、本実施例の画像処理装置１は、少なくともデータの書き込み及び読み出しの行われるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７へのデータの書き込みにおいてＢＡＤ  ＢＬＯＣＫが発生すると、ＣＰＵ１１が、該ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生に関するＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報を取得して、ＮＶＲＡＭ（不揮発性記憶手段）１４に記憶している。
【００４５】
したがって、ＮＡＮＤ型不揮発性メモリ１７が、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ管理機能を搭載していない場合にも、また、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ管理機能を搭載していても該機能を用いることなく、画像処理装置１やコントローラ部２の基板のリサイクル時に、該基板に搭載されているＮＶＲＡＭ１４のＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報に基づいて、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命判断を正確にかつ容易に行うことができ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７のリサイクルを効率的にかつ適切に行うことができる。
【００４６】
また、本実施例の画像処理装置１は、ＣＰＵ１１が、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報として、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生回数を取得して、ＮＶＲＡＭ１４に記憶している。
【００４７】
したがって、ＮＡＮＤ型不揮発性メモリ１７が、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ管理機能を搭載していない場合にも、また、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ管理機能を搭載していても該機能を用いることなく、画像処理装置１やコントローラ部２の基板のリサイクル時に、該基板に搭載されているＮＶＲＡＭ１４に記憶されているＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７におけるＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生回数に基づいて、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命判断を正確にかつ容易に行うことができ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７のリサイクルを効率的にかつ適切に行うことができる。
【００４８】
さらに、本実施例の画像処理装置１は、ＣＰＵ１１が、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報として、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生間隔を取得して、ＮＶＲＡＭ１４に記憶している。
【００４９】
したがって、ＮＡＮＤ型不揮発性メモリ１７が、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ管理機能を搭載していない場合にも、また、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ管理機能を搭載していても該機能を用いることなく、画像処理装置１やコントローラ部２の基板のリサイクル時に、該基板に搭載されているＮＶＲＡＭ１４に記憶されているＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７におけるＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生間隔に基づいて、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命判断を正確にかつ容易に行うことができ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７のリサイクルを効率的にかつ適切に行うことができる。
【００５０】
また、本実施例の画像処理装置１は、ＣＰＵ１１が、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７におけるＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生回数と発生間隔のうち、少なくともいずれかを、予めＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命を判定するための閾値として設定されている寿命判定用発生回数閾値と寿命判定用発生間隔閾値のうち対応する閾値と比較して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命を判定し、該判定結果をＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報としてＮＶＲＡＭ１４に記憶している。
【００５１】
したがって、ＢＡＤ  ＢＬＯＣＫの発生回数や発生間隔を、予め設定されている寿命判定用発生回数閾値や寿命判定用発生間隔閾値と比較することで、速やかにＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命を判定することができる。
【００５２】
さらに、本実施例の画像処理装置１は、操作部３にディスプレイを備えており、また、エンジン部４にプリンタエンジンを備えている。そして、画像処理装置１は、ＣＰＵ１１が、ＮＶＲＡＭ１４に記憶させたＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生関連情報であるＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生回数やＢＡＤ  ＢＬＯＣＫ発生間隔を、ディスプレイに表示出力したり、エンジン部４のプリンタエンジンに印刷出力させる。
【００５３】
したがって、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７の寿命を事前に把握することができ、利用性を向上させることができる。
【００５４】
以上、本発明者によってなされた発明を好適な実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例で説明したものに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、データをある程度頻繁に書き込むＮＡＮＤ型フラッシュメモリを備えた複合装置、プリンタ装置、複写装置、ファクシミリ装置、スキャナ装置等の画像処理装置、該画像処理装置のメモリ管理方法、該画像処理装置のメモリ管理プログラム及び記録媒体に利用することができる。
【符号の説明】
【００５６】
１  画像処理装置
２  コントローラ部
３  操作部
４  エンジン部
１１  ＣＰＵ
１２  ＡＳＩＣ
１３  ＤＲＡＭ
１４  ＮＶＲＡＭ
１５  ＵＳＢホスト
１６  ＮＡＮＤコントローラ
１７  ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
【先行技術文献】
【特許文献】
【００５７】
【特許文献１】ＷＯ−Ａ１−０８０１８２５８号公報
【図１】
2012088937.tif 000003
【図２】
2012088937.tif 000004
【図３】
2012088937.tif 000005
【図４】
2012088937.tif 000006