(57)【要約】【課題】レチクルに形成された複数のパターン領域のうちのいずれのパターン領域が転写されたかを識別し得る半導体装置の製造方法及びレチクルを提供する。【解決手段】複数のパターン領域３８ａ〜３８ｄ内の各々にデバイスパターンと第１の検査マーク４０とが形成されたレチクルを用い、複数のパターン領域のうちの一のパターン領域内のデバイスパターンと第１の検査マークとを、半導体ウェハ上の半導体チップ領域内に転写する工程を有し、各々のパターン領域内における第１の検査マークの配置が、パターン領域毎に異なった固有の配置となっている。【選択図】図５
2012088614.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパターン領域内の各々にデバイスパターンと第１の検査マークとが形成されたレチクルを用い、前記複数のパターン領域のうちの一のパターン領域内の前記デバイスパターンと前記第１の検査マークとを、半導体ウェハ上の半導体チップ領域内に転写する工程を有し、
各々の前記パターン領域内における前記第１の検査マークの配置が、前記パターン領域毎に異なった固有の配置となっている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数のパターン領域のうちの転写したはずの前記パターン領域に応じた前記固有の配置の前記第１の検査マークと前記半導体チップ領域内に形成された第２の検査マークとの間の位置ずれ量を測定する工程を更に有し、
転写したはずの前記パターン領域に応じた前記固有の配置の前記第１の検査マークと前記第２の検査マークとの位置ずれ量を測定できない場合には、転写したはずの前記パターン領域とは異なる前記パターン領域が前記半導体チップ領域に誤って転写されたと判定する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップ領域内における前記第２の検査マークの数は、前記一のパターン領域内における前記第１の検査マークの数より多く、
前記デバイスパターンと前記第１の検査マークとを前記半導体チップ領域内に転写する工程では、前記第２の検査マークが形成された箇所のいずれかに前記第１の検査マークが転写される
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数のパターン領域内の各々に形成された前記デバイスパターンが、互いに異なっている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
複数のパターン領域内の各々にデバイスパターンと検査マークとが形成されたレチクルであって、
各々の前記パターン領域内における前記検査マークの配置が、前記パターン領域毎に異なった固有の配置となっている
ことを特徴とするレチクル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及びレチクルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、複数のレイヤのパターンが１枚のレチクル上に形成されたレチクルが注目されている。
【０００３】
このようなレチクルは、マルチレイヤ・レチクルと称されている。
【０００４】
マルチレイヤ・レチクルには、複数のパターン領域が設けられており、各々のパターン領域には、互いに異なるレイヤのパターンが形成されている。
【０００５】
マルチレイヤ・レチクルを用いれば、１枚のレチクルで複数のレイヤを形成することが可能となるため、コストの削減を図ることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−６０５７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、マルチレイヤ・レチクルには複数のパターン領域が形成されているため、転写すべきパターン領域とは異なるパターン領域を誤って転写してしまうことがあり得る。この場合には、検査の際に製造不良が発覚することとなるが、かかる製造不良がこのような誤りに起因して生じたものであることが、必ずしも速やかに分からないことがあり得る。
【０００８】
本発明の目的は、レチクルに形成された複数のパターン領域のうちのいずれのパターン領域が転写されたかを識別し得る半導体装置の製造方法及びレチクルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施形態の一観点によれば、複数のパターン領域内の各々にデバイスパターンと第１の検査マークとが形成されたレチクルを用い、前記複数のパターン領域のうちの一のパターン領域内の前記デバイスパターンと前記第１の検査マークとを、半導体ウェハ上の半導体チップ領域内に転写する工程を有し、各々の前記パターン領域内における前記第１の検査マークの配置が、前記パターン領域毎に異なった固有の配置となっていることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１０】
実施形態の他の観点によれば、複数のパターン領域内の各々にデバイスパターンと検査マークとが形成されたレチクルであって、各々の前記パターン領域内における前記検査マークの配置が、前記パターン領域毎に異なった固有の配置となっていることを特徴とするレチクルが提供される。
【発明の効果】
【００１１】
開示の半導体装置の製造方法及びレチクルによれば、レチクルの各々のパターン領域における第１の検査マークの配置が、パターン領域毎に異なった固有の配置になっている。このため、複数のパターン領域のうちのいずれのパターン領域が転写されたかを識別することが可能となる。また、転写されたはずのパターン領域に応じた固有の配置の第１の検査マークと予め半導体チップ領域に形成された第２の検査マークとの間の位置ずれ量を測定し、位置ずれ量の測定ができない場合には、他のパターン領域を誤って転写したと判定することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図２】第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図３】第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その３）である。
【図４】第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その４）である。
【図５】第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その５）である。
【図６】第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その６）である。
【図７】第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その７）である。
【図８】第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その８）である。
【図９】第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図１０】第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図１１】第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その３）である。
【図１２】第３実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図１３】第３実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図１４】第３実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その３）である。
【図１５】第４実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図１６】第４実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図１７】第４実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その３）である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［第１実施形態］
第１実施形態による半導体装置の製造方法及びレチクルを図１乃至図８を用いて説明する。図１乃至図８は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。図１、図２は断面図であり、図３は平面図であり、図４は断面図であり、図５は平面図であり、図６は断面図であり、図７は平面図であり、図８は断面図である。図１、図２、図４、図６及び図８における紙面左側の領域は、デバイスパターンが形成される領域２を示しており、紙面右側の領域は、検査マークが形成される領域４を示している。
【００１４】
まず、図１（ａ）に示すように、例えば熱酸化法により、半導体ウェハ（半導体基板）１０上に、膜厚１０ｎｍ程度のシリコン酸化膜１２を形成する。半導体ウェハ１０としては、例えばシリコンウェハを用いる。
【００１５】
次に、全面に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition、化学気相堆積）法により、膜厚１００ｎｍ程度のシリコン窒化膜１４を形成する。
【００１６】
次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜１６を形成する。
【００１７】
次に、素子分離領域２２ａのパターンと検査マーク２２ｂのパターンとが形成されたレチクルを用いて、フォトレジスト膜１６にこれらのパターンを露光する。
【００１８】
次に、フォトレジスト膜１６を現像する。
【００１９】
こうして、素子分離領域２２ａのパターンと検査マーク２２ｂのパターンとがフォトレジスト膜１６に転写される（図１（ｂ）参照）。具体的には、素子分離領域２２ａを形成するための開口部１８ａと、検査マーク２２ｂを形成するための開口部１８ｂとが、フォトレジスト膜１６に形成される。
【００２０】
次に、図１（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜１６をマスクとして、シリコン窒化膜１４及びシリコン酸化膜１２をエッチングする。
【００２１】
次に、図２（ａ）に示すように、フォトレジスト膜１６をマスクとして半導体ウェハ１０をエッチングすることにより、素子分離領域２２ａを埋め込むための溝２０ａと検査マーク２２ｂを埋め込むための溝２０ｂとを半導体ウェハ１０に形成する。
【００２２】
次に、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜１６を剥離する。
【００２３】
次に、図２（ｂ）に示すように、溝２０ａ、２０ｂ内及び半導体ウェハ１０上に絶縁層２２を形成する。
【００２４】
次に、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing、化学的機械的研磨）法により絶縁層２２を研磨することにより、溝２０ａ、２０ｂ内に絶縁層２２を埋め込む。この後、シリコン窒化膜１４及びシリコン酸化膜１２をエッチング除去する。こうして、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）法により素子分離領域２２ａ及び検査マーク２２ｂが溝内に埋め込まれる。
【００２５】
図３は、検査マーク２２ｂが半導体チップ領域２４内に形成された状態を示す平面図である。
【００２６】
なお、各々の半導体チップ領域２４内には、検査マーク２２ｂのみならず、素子分離領域２２ａも形成されているが、ここでは、図示を省略している。
【００２７】
半導体ウェハ１０には、図３に示すような半導体チップ領域２４が複数形成される。各々の半導体チップ領域２４は、半導体回路が形成される領域や検査マーク等が形成される領域を含む。ここでは、複数の半導体チップ領域２４のうちの１つの半導体チップ領域２４を示している。各々の半導体チップ領域２４内には、後述するレチクル３６を用いて各レイヤのパターンが転写され、半導体装置の様々な構成要素が順次形成される。
【００２８】
図３に示すように、半導体チップ領域２４には、複数の検査マーク（基準マーク、親マーク、アライメントマーク）２２ｂ（ｍ，ｎ）（ｍ：１〜４の整数、ｎ：１〜４の整数）が形成されている。これら複数の検査マーク２２ｂにより、検査マーク群（基準マーク群、親マーク群、アライメントマーク群）が形成されている。
【００２９】
半導体チップ領域２４の四隅２８ａ〜２８ｄの近傍には、検査マークアレイ２６ａ〜２６ｄがそれぞれ形成されている。各々の検査マークアレイ２６ａ〜２６ｄは、検査マーク２２ｂを４個ずつ有している。各々の検査マークアレイ２６ａ〜２６ｄにおける検査マーク２２ｂの数は、レチクル３６に形成されているパターン領域３８ａ〜３８ｄの数に対応している。レチクル３６に形成されているパターン領域３８ａ〜３８ｄの数が４個の場合には、各々の検査マークアレイ２６ａ〜２６ｄにおける検査マーク２２ｂの数も４個となる。
【００３０】
検査マーク２２ｂの平面形状は、例えば枠型とする。
【００３１】
なお、検査マーク２２ｂの平面形状は枠型に限定されるものではない。例えば、検査マーク２２ｂの平面形状を矩形等にしてもよい。
【００３２】
半導体チップ領域２４の第１の隅部２８ａの近傍に形成された検査マークアレイ２６ａは、検査マーク２２ｂ（１，１）、検査マーク２２ｂ（１，２）、検査マーク２２ｂ（１，３）、及び、検査マーク２２ｂ（１，４）を有している。
【００３３】
半導体チップ領域２４の第２の隅部２８ｂの近傍に形成された検査マークアレイ２６ｂは、検査マーク２２ｂ（２，１）、検査マーク２２ｂ（２，２）、検査マーク２２ｂ（２，３）、及び、検査マーク２２ｂ（２，４）を有している。
【００３４】
半導体チップ領域２４の第３の隅部２８ｃの近傍に形成された検査マークアレイ２６ｃは、検査マーク２２ｂ（３，１）、検査マーク２２ｂ（３，２）、検査マーク２２ｂ（３，３）、及び、検査マーク２２ｂ（３，４）を有している。
【００３５】
半導体チップ領域２４の第４の隅部２８ｄの近傍に形成された検査マークアレイ２６ｄは、検査マーク２２ｂ（４，１）、検査マーク２２ｂ（４，２）、検査マーク２２ｂ（４，３）、及び、検査マーク２２ｂ（４，４）を有している。
【００３６】
次に、図４（ａ）に示すように、例えば熱酸化法により、例えば膜厚１〜５ｎｍ程度のシリコン酸化膜のゲート絶縁膜３０を形成する。
【００３７】
次に、図４（ｂ）に示すように、全面に、例えばＣＶＤ法により、例えば膜厚１００〜２００ｎｍ程度のポリシリコン膜３２を形成する。
【００３８】
次に、図４（ｃ）に示すように、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜３４を形成する。
【００３９】
図５は、本実施形態による半導体装置の製造方法において用いられるレチクルを示す平面図である。
【００４０】
図５に示すように、レチクル３６には、複数のパターン領域（デバイスパターン領域）３８ａ〜３８ｄが形成されている。本実施形態では、４つのパターン領域３８ａ〜３８ｄが形成されたレチクル３６を例に説明する。
【００４１】
図５に示すように、各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄには、複数の検査マーク（子マーク、アライメントマーク）４０（ｍ，ｎ）（ｍ：１〜４の整数、ｎ：１〜４の整数）が形成されている。これら複数の検査マーク４０により、検査マーク群（子マーク群、アライメントマーク群）が形成されている。
【００４２】
なお、図５における破線は、半導体チップ領域２４に形成された検査マーク２２ｂとの対応関係を示すためのものであり、図５において破線で示す構成要素は、レチクル３６には形成されていない。
【００４３】
各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄの四隅の近傍には、検査マーク４０が１つずつ形成されている。
【００４４】
パターン領域３８ａ〜３８ｄにおける検査マーク４０の配置は、以下に示すように、パターン領域３８ａ〜３８ｄ毎に異なった固有の配置となっている。
【００４５】
検査マーク４０の平面形状は、例えば枠型とする。
【００４６】
なお、検査マーク４０の平面形状は枠型に限定されるものではない。例えば検査マーク４０の平面形状を矩形等にしてもよい。
【００４７】
第１のパターン領域３８ａにおいては、半導体チップ領域２４側に形成された検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）にそれぞれ対応するように、検査マーク４０（１，１）、４０（２，１）、４０（３，１）、４０（４，１）が形成されている。第１のパターン領域３８ａにおける検査マーク４０（１，１）、４０（２，１）、４０（３，１）、４０（４，１）の配置は、第１のパターン領域３８ａに固有の配置となっている。
【００４８】
第２のパターン領域３８ｂにおいては、半導体チップ領域２４側に形成された検査マーク２２ｂ（１，２）、２２ｂ（２，２）、２２ｂ（３，２）、２２ｂ（４，２）にそれぞれ対応するように、検査マーク４０（１，２）、４０（２，２）、４０（３，２）、４０（４，２）が形成されている。第２のパターン領域３８ｂにおける検査マーク４０（１，２）、４０（２，２）、４０（３，２）、４０（４，２）の配置は、第２のパターン領域３８ｂに固有の配置となっている。
【００４９】
第３のパターン領域３８ｃにおいては、半導体チップ領域２４側に形成された検査マーク２２ｂ（１，３）、２２ｂ（２，３）、２２ｂ（３，３）、２２ｂ（４，３）にそれぞれ対応するように、検査マーク４０（１，３）、４０（２，３）、４０（３，３）、４０（４，３）が形成されている。第３のパターン領域３８ｃにおける検査マーク４０（１，３）、４０（２，３）、４０（３，３）、４０（４，３）の配置は、第３のパターン領域３８ｃに固有の配置となっている。
【００５０】
第４のパターン領域３８ｄにおいては、半導体チップ領域２４側に形成された検査マーク２２ｂ（１，４）、２２ｂ（２，４）、２２ｂ（３，４）、２２ｂ（４，４）にそれぞれ対応するように、検査マーク４０（１，４）、４０（２，４）、４０（３，４）、４０（４，４）が形成されている。第４のパターン領域３８ｄにおける検査マーク４０（１，４）、４０（２，４）、４０（３，４）、４０（４，４）の配置は、第４のパターン領域３８ｄに固有の配置となっている。
【００５１】
なお、各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄ内には、検査マーク４０のみならず、デバイスパターンも形成されているが、ここでは、図示を省略している。
【００５２】
また、レチクル３６の周縁部には、レチクル３６を識別するためのバーコード５０が形成されている。
【００５３】
各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄ内に形成されているデバイスパターンは、互いに異なるレイヤのパターンを形成するためのものである。各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄ内に形成されるデバイスパターンは、互いに異なっている。このように、複数レイヤ用のパターンが形成されたレチクル３６は、マルチレイヤ・レチクルと称される。
【００５４】
パターン領域３８ａ〜３８ｄのいずれかに形成されたデバイスパターン及び検査マーク４０を半導体ウェハ１０の半導体チップ領域２４に転写する場合には、半導体チップ領域２４に形成された露光装置用のアライメントマーク（図示せず）を用いて位置合わせが行われる。
【００５５】
なお、かかる位置合わせは、露光装置等に設けられた位置合わせ機構等を用いて行われる。
【００５６】
次に、レチクル３６に形成された複数のパターン領域３８ａ〜３８ｄのうちのいずれかのパターン領域を露光装置により露光する。
【００５７】
次に、フォトレジスト膜３４を現像する。
【００５８】
こうして、複数のパターン領域３８ａ〜３８ｄのうちのいずれかのパターン領域に形成されたデバイスパターン及び検査マーク４０のパターンが、半導体チップ領域２４に転写される。具体的には、半導体チップ領域２４のうちのデバイスパターンが形成される領域２内においては、レチクル３６側のデバイスパターンが半導体チップ領域２４側に転写され、例えばフォトレジスト膜のゲート電極のパターン３４ａが形成される。半導体チップ領域２４のうちの検査マークが形成される領域４内においては、レチクル３６側の検査マーク４０が半導体チップ２４側に転写され、例えばフォトレジスト膜の検査マーク３４ｂが形成される（図６参照）。
【００５９】
図７は、デバイスパターン及び検査マークが半導体チップ領域に転写された状態を示す平面図である。
【００６０】
なお、ここでは、半導体チップ領域２４に転写される検査マークがフォトレジスト膜の検査マーク３４ｂである場合を例に説明するが、半導体チップ領域２４に転写される検査マークはフォトレジスト膜に限定されるものではない。
【００６１】
また、半導体チップ領域２４内には、検査マーク３４ｂのみならず、デバイスパターンも転写されているが、ここでは、図示を省略している。
【００６２】
図７（ａ）は、レチクル３６の第１のパターン領域３８ａを半導体チップ領域２４に転写した場合を示している。
【００６３】
この場合には、図７（ａ）に示すように、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）がそれぞれ形成される。検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）は、位置ずれ量を測定するためのマークとして機能するのみならず、第１のパターン領域３８ａを転写したことを示す識別子としても機能する。
【００６４】
図７（ｂ）は、レチクル３６の第２のパターン領域３８ｂを半導体チップ領域２４に転写した場合を示している。
【００６５】
この場合には、図７（ｂ）に示すように、検査マーク２２ｂ（１，２）、２２ｂ（２，２）、２２ｂ（３，２）、２２ｂ（４，２）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，２）、３４ｂ（２，２）、３４ｂ（３，２）、３４ｂ（４，２）がそれぞれ形成される。検査マーク３４ｂ（１，２）、３４ｂ（２，２）、３４ｂ（３，２）、３４ｂ（４，２）は、位置ずれ量を測定するためのマークとして機能するのみならず、第２のパターン領域３８ｂを転写したことを示す識別子としても機能する。
【００６６】
図７（ｃ）は、レチクル３６の第３のパターン領域３８ｃを半導体チップ領域２４に転写した場合を示している。
【００６７】
この場合には、図７（ｃ）に示すように、検査マーク２２ｂ（１，３）、２２ｂ（２，３）、２２ｂ（３，３）、２２ｂ（４，３）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，３）、３４ｂ（２，３）、３４ｂ（３，３）、３４ｂ（４，３）がそれぞれ形成される。検査マーク３４ｂ（１，３）、３４ｂ（２，３）、３４ｂ（３，３）、３４ｂ（４，３）は、位置ずれ量を測定するためのマークとして機能するのみならず、第３のパターン領域３８ｃを転写したことを示す識別子としても機能する。
【００６８】
図７（ｄ）は、レチクル３６の第４のパターン領域３８ｄを半導体チップ領域２４に転写した場合を示している。
【００６９】
この場合には、図７（ｄ）に示すように、検査マーク２２ｂ（１，４）、２２ｂ（２，４）、２２ｂ（３，４）、２２ｂ（４，４）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，４）、３４ｂ（２，４）、３４ｂ（３，４）、３４ｂ（４，４）がそれぞれ形成される。検査マーク３４ｂ（１，４）、３４ｂ（２，４）、３４ｂ（３，４）、３４ｂ（４，４）は、位置ずれ量を測定するためのマークとして機能するのみならず、第４のパターン領域３８ｄを転写したことを示す識別子としても機能する。
【００７０】
パターン領域３８ａ〜３８ｄのいずれかを半導体チップ領域２４に転写した後には、検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。
【００７１】
まず、第１のパターン領域３８ａを半導体チップ領域２４に転写した後に行われる位置ずれ量の測定について説明する。
【００７２】
第１のパターン領域３８ａにおける検査マーク４０の配置は、上述したように、第１のパターン領域３８ａに固有の配置となっている。このため、第１のパターン領域３８ａ内の検査マーク４０を転写することにより半導体チップ２４内に形成された検査マーク３４ｂは、半導体チップ領域２４内において固有の配置となっている。従って、第１のパターン領域３８ａを半導体チップ領域２４に転写した場合には、このような固有の配置で転写された検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。具体的には、検査マーク２２ｂ（１，１）と検査マーク３４ｂ（１，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（２，１）と検査マーク３４ｂ（２，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（３，１）と検査マーク３４ｂ（３，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（４，１）と検査マーク３４ｂ（４，１）との間の位置ずれ量が測定される。位置ずれ量の測定は、位置ずれ量を測定する検査装置を用いて行われる。
【００７３】
第１のパターン領域３８ａとは異なるパターン領域が誤って転写された場合には、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）が転写されない。このため、第１のパターン領域３８ａとは異なるパターン領域が誤って転写された場合には、検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない。
【００７４】
したがって、第１のパターン領域３８ａに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、第１のパターン領域３８ａとは異なるパターン領域を誤って転写してしまったと判定する。
【００７５】
次に、第２のパターン領域３８ｂを半導体チップ領域２４に転写した後に行われる位置ずれ量の測定について説明する。
【００７６】
第２のパターン領域３８ｂにおける検査マーク４０の配置は、上述したように、第２のパターン領域３８ｂに固有の配置となっている。このため、第２のパターン領域３８ｂ内の検査マーク４０を転写することにより半導体チップ２４内に形成された検査マーク３４ｂは、半導体チップ領域２４内において固有の配置となっている。従って、第２のパターン領域３８ｂを半導体チップ領域２４に転写した場合には、このような固有の配置で転写された検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。具体的には、検査マーク２２ｂ（１，２）と検査マーク３４ｂ（１，２）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（２，２）と検査マーク３４ｂ（２，２）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（３，２）と検査マーク３４ｂ（３，２）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（４，２）と検査マーク３４ｂ（４，２）との間の位置ずれ量が測定される。
【００７７】
第２のパターン領域３８ｂとは異なるパターン領域が誤って転写された場合には、検査マーク２２ｂ（１，２）、２２ｂ（２，２）、２２ｂ（３，２）、２２ｂ（４，２）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，２）、３４ｂ（２，２）、３４ｂ（３，２）、３４ｂ（４，２）が転写されない。このため、第２のパターン領域３８ｂとは異なるパターン領域が誤って転写された場合には、検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない。
【００７８】
したがって、第２のパターン領域３８ｂに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、第２のパターン領域３８ｂとは異なるパターン領域を誤って転写してしまったと判定する。
【００７９】
次に、第３のパターン領域３８ｃを半導体チップ領域２４に転写した後に行われる位置ずれ量の測定について説明する。
【００８０】
第３のパターン領域３８ｃにおける検査マーク４０の配置は、上述したように、第３のパターン領域３８ｃに固有の配置となっている。このため、第３のパターン領域３８ｃ内の検査マーク４０を転写することにより半導体チップ２４内に形成された検査マーク３４ｂは、半導体チップ領域２４内において固有の配置となっている。従って、第３のパターン領域３８ｃを半導体チップ領域２４に転写した場合には、このような固有の配置で転写された検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。具体的には、検査マーク２２ｂ（１，３）と検査マーク３４ｂ（１，３）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（２，３）と検査マーク３４ｂ（２，３）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（３，３）と検査マーク３４ｂ（３，３）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（４，３）と検査マーク３４ｂ（４，３）との間の位置ずれ量が測定される。
【００８１】
第３のパターン領域３８ｃとは異なるパターン領域が誤って転写された場合には、検査マーク２２ｂ（１，３）、２２ｂ（２，３）、２２ｂ（３，３）、２２ｂ（４，３）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，３）、３４ｂ（２，３）、３４ｂ（３，３）、３４ｂ（４，３）が転写されない。このため、第３のパターン領域３８ｃとは異なるパターン領域が誤って転写された場合には、検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない。
【００８２】
したがって、第３のパターン領域３８ｃに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、第３のパターン領域３８ｃとは異なるパターン領域を誤って転写してしまったと判定する。
【００８３】
次に、第４のパターン領域３８ｄを半導体チップ領域２４に転写した後に行われる位置ずれ量の測定について説明する。
【００８４】
第４のパターン領域３８ｄにおける検査マーク４０の配置は、上述したように、第４のパターン領域３８ｄに固有の配置となっている。このため、第４のパターン領域３８ｄ内の検査マーク４０を転写することにより半導体チップ２４内に形成された検査マーク３４ｂは、半導体チップ領域２４内において固有の配置となっている。従って、第４のパターン領域３８ｄを半導体チップ領域２４に転写した場合には、このような固有の配置で転写された検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。具体的には、検査マーク２２ｂ（１，４）と検査マーク３４ｂ（１，４）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（２，４）と検査マーク３４ｂ（２，４）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（３，４）と検査マーク３４ｂ（３，４）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（４，４）と検査マーク３４ｂ（４，４）との間の位置ずれ量が測定される。
【００８５】
第４のパターン領域３８ｄとは異なるパターン領域が誤って転写された場合には、検査マーク２２ｂ（１，４）、２２ｂ（２，４）、２２ｂ（３，４）、２２ｂ（４，４）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，４）、３４ｂ（２，４）、３４ｂ（３，４）、３４ｂ（４，４）が転写されない。このため、第４のパターン領域３８ｄとは異なるパターン領域が誤って転写された場合には、検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない。
【００８６】
したがって、第４のパターン領域３８ｄに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、第４のパターン領域３８ｄとは異なるパターン領域を誤って転写してしまったと判定する。
【００８７】
転写したはずのパターン領域３８ａ〜３８ｄに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができなかった場合には、いずれのパターン領域３８ａ〜３８ｄが転写されたかを、以下のようにして確認する。
【００８８】
検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）が形成されている場合には、第１のパターン領域３８ａが転写されたと判断する。
【００８９】
検査マーク２２ｂ（１，２）、２２ｂ（２，２）、２２ｂ（３，２）、２２ｂ（４，２）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，２）、３４ｂ（２，２）、３４ｂ（３，２）、３４ｂ（４，２）が形成されている場合には、第２のパターン領域３８ｂが転写されたと判断する。
【００９０】
検査マーク２２ｂ（１，３）、２２ｂ（２，３）、２２ｂ（３，３）、２２ｂ（４，３）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，３）、３４ｂ（２，３）、３４ｂ（３，３）、３４ｂ（４，３）が形成されている場合には、第３のパターン領域３８ｃが転写されたと判断する。
【００９１】
検査マーク２２ｂ（１，４）、２２ｂ（２，４）、２２ｂ（３，４）、２２ｂ（４，４）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，４）、３４ｂ（２，４）、３４ｂ（３，４）、３４ｂ（４，４）が形成されている場合には、第４のパターン領域３８ｄが転写されたと判断する。
【００９２】
検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定ができ、測定された位置ずれ量が所定の許容値以下である場合には、正常にパターンが転写されたと判断される。この場合には、特に問題がないため、次の工程に移行し得る。従って、この場合には、図８（ａ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして、ポリシリコン膜３２をエッチングする。
【００９３】
一方、誤ったパターン領域３８ａ〜３８ｄを転写したために検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定ができなかった場合には、パターンの転写をやり直す必要がある。従って、この場合には、フォトレジスト膜３４のデバイスパターン３４ａ及び検査マーク３４ｂを例えばアッシングにより剥離する。そして、フォトレジスト膜３４を再度形成し、転写すべきパターン領域３８ａ〜３８ｄをフォトレジスト膜３４に転写し、再度、上記と同様にして、位置ずれ量の測定が行われる。そして、検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定ができ、測定された位置ずれ量が所定の許容値以下である場合には、図８（ａ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして、ポリシリコン膜３２をエッチングする。
【００９４】
次に、図８（ｂ）に示すように、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜３４を剥離する。こうして、複数のパターン領域３８ａ〜３８ｄのうちのいずれかのパターン領域に形成されたデバイスパターン及び検査マーク４０のパターンが、半導体チップ領域２４に転写される。具体的には、半導体チップ領域２４のうちのデバイスパターンが形成される領域２内においては、レチクル３６側のデバイスパターンが半導体チップ領域２４側に転写され、例えばポリシリコンのゲート電極３２ａが形成される。検査マークが形成される領域４内においては、レチクル３６側の検査マーク４０が半導体チップ領域２４側に転写され、例えばポリシリコン膜の検査マーク３２ｂが形成される。
【００９５】
このように、本実施形態によれば、各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄにおける検査マーク４０の配置が、パターン領域３８ａ〜３８ｄ毎に異なった固有の配置になっている。このため、パターン領域３８ａ〜３８ｄを転写することにより半導体チップ領域２４側に形成される検査マーク３４ｂは、転写されたパターン領域３８ａ〜３８ｄに応じた固有の配置となる。そして、転写されたパターン領域３８ａ〜３８ｄに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと予め半導体チップ領域２４に形成された検査マーク２２ｂとの位置ずれ量を測定する。半導体チップ領域２４に形成された検査マーク３４ｂの配置が、転写したはずのパターン領域３８ａ〜３８ｄに応じた固有の配置になっていない場合には、位置ずれ量の測定ができないため、他のパターン領域を誤って転写したと判定することができる。
【００９６】
また、本実施形態によれば、パターン領域３８ａ〜３８ｄを転写することにより半導体チップ２４側に形成される検査マーク３４ｂが、転写されたパターン領域３８ａ〜３８ｄに応じた固有の配置となる。このため、誤って転写したパターン領域３８ａ〜３８ｄがいずれのパターン領域であるかを容易に判定することができる。
【００９７】
［第２実施形態］
第２実施形態による半導体装置の製造方法及びレチクルを図９乃至図１１を用いて説明する。図９乃至図１１は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。図１乃至図８に示す第１実施形態による半導体装置の製造方法及びレチクルと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【００９８】
まず、図１及び図２に示す第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、ＳＴＩ法により素子分離領域２２ａ及び検査マーク２２ｂを形成する。
【００９９】
図９は、検査マーク２２ｂが半導体チップ領域２４内に形成された状態を示す平面図である。
【０１００】
なお、各々の半導体チップ領域２４内には、検査マーク２２ｂのみならず、素子分離領域２２ａも形成されているが、ここでは、図示を省略している。
【０１０１】
図９に示すように、半導体チップ領域２４には、複数の検査マーク（基準マーク、親マーク、アライメントマーク）２２ｂが形成されている。これら複数の検査マーク２２ｂにより、検査マーク群（基準マーク群、親マーク群、アライメントマーク群）が形成されている。
【０１０２】
半導体チップ領域２４の四隅２８ａ〜２８ｄの近傍には、検査マーク対２６ａ〜２６ｄがそれぞれ形成されている。各々の検査マーク対２６ａ〜２６ｄは、検査マーク２２ｂを２個ずつ有している。
【０１０３】
半導体チップ領域２４の第１の隅部２８ａに形成された検査マーク対２６ａは、検査マーク２２ｂ（１，１）、及び、検査マーク２２ｂ（１，２）を有している。
【０１０４】
半導体チップ領域２４の第２の隅部２８ｂに形成された検査マーク対２６ｂは、検査マーク２２ｂ（２，１）、及び、検査マーク２２ｂ（２，２）を有している。
【０１０５】
半導体チップ領域２４の第３の隅部２８ｃに形成された検査マーク２６ｃ対は、検査マーク２２ｂ（３，１）、及び、検査マーク２２ｂ（３，２）を有している。
【０１０６】
半導体チップ領域２４の第４の隅部２８ｃに形成された検査マーク対２６ｄは、検査マーク２２ｂ（４，１）、及び、検査マーク２２ｂ（４，２）を有している。
【０１０７】
この後のゲート絶縁膜２０を形成する工程から、フォトレジスト膜３４を形成する工程までは、図４を用いて上述した半導体装置の製造方法と同様であるので、説明を省略する。
【０１０８】
図１０は、本実施形態による半導体装置の製造方法において用いられるレチクルを示す平面図である。
【０１０９】
図１０に示すように、レチクル３６ａには、複数のパターン領域３８ａ〜３８ｄが形成されている。本実施形態では、４つのパターン領域３８ａ〜３８ｄが形成されたレチクル３６ａを例に説明する。
【０１１０】
図１０に示すように、各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄには、複数の検査マーク（子マーク、アライメントマーク）４０（ｍ，ｎ）（ｍ：１〜４の整数、ｎ：１又は２）が形成されている。これら複数の検査マーク４０により、検査マーク群（子マーク群、アライメントマーク群）が形成されている。
【０１１１】
なお、図１０における破線は、図９に示す半導体チップ領域２４に形成された検査マーク２２ｂとの対応関係を示すためのものであり、図１０において破線で示す構成要素は、レチクル３６ａには形成されていない。
【０１１２】
各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄの四隅の近傍には、検査マーク４０が１つずつ形成されている。
【０１１３】
パターン領域３８ａ〜３８ｄにおける検査マーク４０の配置は、各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄ毎に異なった固有の配置となっている。
【０１１４】
第１のパターン領域３８ａにおいては、半導体チップ領域２４側の検査マーク２２ｂ（１，２）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）に対応するように、検査マーク４０（１，２）、４０（２，１）、４０（３，１）、４０（４，１）が形成されている。第１のパターン領域３８ａにおける検査マーク４０（１，２）、４０（２，１）、４０（３，１）、４０（４，１）の配置は、第１のパターン領域３８ａに固有の配置となっている。
【０１１５】
第２のパターン領域３８ｂにおいては、半導体チップ領域２４側の検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，２）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）に対応するように、検査マーク４０（１，１）、４０（２，２）、４０（３，１）、４０（４，１）が形成されている。第２のパターン領域３８ｂにおける検査マーク４０（１，１）、４０（２，２）、４０（３，１）、４０（４，１）の配置は、第２のパターン領域３８ｂに固有の配置となっている。
【０１１６】
第３のパターン領域３８ｃにおいては、半導体チップ領域２４側の検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，２）、２２ｂ（４，１）に対応するように、検査マーク４０（１，１）、４０（２，１）、４０（３，２）、４０（４，１）が形成されている。第３のパターン領域３８ｃにおける検査マーク４０（１，１）、４０（２，１）、４０（３，２）、４０（４，１）の配置は、第３のパターン領域３８ｃに固有の配置となっている。
【０１１７】
第４のパターン領域３８ｄにおいては、半導体チップ領域２４側の検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，２）に対応するように、検査マーク４０（１，１）、４０（２，１）、４０（３，１）、４０（４，２）が形成されている。第４のパターン領域３８ｄにおける検査マーク４０（１，１）、４０（２，１）、４０（３，１）、４０（４，２）の配置は、第４のパターン領域３８ｄに固有の配置となっている。
【０１１８】
なお、各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄ内には、検査マーク４０のみならず、デバイスパターンも形成されているが、ここでは、図示を省略している。
【０１１９】
各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄ内に形成されているデバイスパターンは、互いに異なるレイヤのパターンを形成するためのものである。各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄ内に形成されるデバイスパターンは、互いに異なっている。
【０１２０】
パターン領域３８ａ〜３８ｄのいずれかに形成されたデバイスパターン及び検査マーク４０を半導体ウェハ１０の半導体チップ領域２４に転写する場合には、半導体チップ領域２４に形成された露光装置用のアライメントマーク（図示せず）を用いて位置合わせが行われる。
【０１２１】
次に、図６を用いて上述した第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、複数のパターン領域３８ａ〜３８ｄのうちのいずれかのパターン領域に形成されたデバイスパターン及び検査マーク４０のパターンを、半導体チップ領域２４に転写する。
【０１２２】
図１１は、デバイスパターン及び検査マークが半導体チップ領域に転写された状態を示す平面図である。
【０１２３】
なお、半導体チップ領域２４内には、検査マーク３４ｂのみならず、デバイスパターンも転写されているが、ここでは、図示を省略している。
【０１２４】
図１１（ａ）は、レチクル３６ａの第１のパターン領域３８ａを半導体チップ領域２４に転写した場合を示している。
【０１２５】
この場合には、図１１（ａ）に示すように、検査マーク２２ｂ（１，２）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，２）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）がそれぞれ形成される。検査マーク３４ｂ（１，２）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）は、位置ずれ量を測定するためのマークとして機能するのみならず、第１のパターン領域３８ａを転写したことを示す識別子としても機能する。
【０１２６】
図１１（ｂ）は、レチクル３６ａの第２のパターン領域３８ｂを半導体チップ領域２４に転写した場合を示している。
【０１２７】
この場合には、図１１（ｂ）に示すように、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，２）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，２）、３４（３，１）、３４ｂ（４，１）がそれぞれ形成される。検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，２）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）は、位置ずれ量を測定するためのマークとして機能するのみならず、第２のパターン領域３８ｂを転写したことを示す識別子としても機能する。
【０１２８】
図１１（ｃ）は、レチクル３６ａの第３のパターン領域３８ｃを半導体チップ領域２４に転写した場合を示している。
【０１２９】
この場合には、図１１（ｃ）に示すように、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，２）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，２）、３４ｂ（４，１）がそれぞれ形成される。検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，２）、３４ｂ（４，１）は、位置ずれ量を測定するためのマークとして機能するのみならず、第３のパターン領域３８ｃを転写したことを示す識別子としても機能する。
【０１３０】
図１１（ｄ）は、レチクル３６ａの第４のパターン領域３８ｄを半導体チップ領域２４に転写した場合を示している。
【０１３１】
この場合には、図１１（ｄ）に示すように、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，２）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，２）がそれぞれ形成される。検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，２）は、位置ずれ量を測定するためのマークとして機能するのみならず、第４のパターン領域３８ｄを転写したことを示す識別子としても機能する。
【０１３２】
パターン領域３８ａ〜３８ｄのいずれかを半導体チップ領域２４に転写した後には、検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。
【０１３３】
まず、第１のパターン領域３８ａを半導体チップ領域２４に転写した後に行われる位置ずれ量の測定について説明する。
【０１３４】
第１のパターン領域３８ａにおける検査マーク４０の配置は、上述したように、第１のパターン領域３８ａに固有の配置となっている。このため、第１のパターン領域３８ａ内の検査マーク４０を転写することにより半導体チップ２４内に形成された検査マーク３４ｂは、半導体チップ領域２４内において固有の配置となっている。従って、第１のパターン領域３８ａを半導体チップ領域２４に転写した場合には、このような固有の配置で転写された検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。具体的には、検査マーク２２ｂ（１，２）と検査マーク３４ｂ（１，２）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（２，１）と検査マーク３４ｂ（２，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（３，１）と検査マーク３４ｂ（３，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（４，１）と検査マーク３４ｂ（４，１）との間の位置ずれ量が測定される。位置ずれ量の測定は、位置ずれ量を測定する検査装置を用いて行われる。
【０１３５】
第１のパターン領域３８ａを転写したはずであるにもかかわらず、誤って他のパターン領域が転写されていた場合には、検査マーク２２ｂ（１，２）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，２）が転写されていないため、位置ずれ量の測定ができない。また、検査マーク２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所のいずれかにおいて、検査マーク３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）のいずれかが転写されていないため、位置ずれ量の測定ができない。
【０１３６】
したがって、第１のパターン領域３８ａに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、第１のパターン領域３８ａとは異なるパターン領域を誤って転写してしまったと判定する。
【０１３７】
次に、第２のパターン領域３８ｂを半導体チップ領域２４に転写した後に行われる位置ずれ量の測定について説明する。
【０１３８】
第２のパターン領域３８ｂにおける検査マーク４０の配置は、上述したように、第２のパターン領域３８ｂに固有の配置となっている。このため、第２のパターン領域３８ｂ内の検査マーク４０を転写することにより半導体チップ２４内に形成された検査マーク３４ｂは、半導体チップ領域２４内において固有の配置となっている。従って、第２のパターン領域３８ｂを半導体チップ領域２４に転写した場合には、このような固有の配置で転写された検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。具体的には、検査マーク２２ｂ（１，１）と検査マーク３４ｂ（１，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（２，２）と検査マーク３４ｂ（２，２）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（３，１）と検査マーク３４ｂ（３，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（４，１）と検査マーク３４ｂ（４，１）との間の位置ずれ量が測定される。
【０１３９】
第２のパターン領域３８ｂを転写したはずであるにもかかわらず、誤って他のパターン領域が転写されていた場合には、検査マーク２２ｂ（２，２）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（２，２）が転写されていないため、位置ずれ量の測定ができない。また、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所のいずれかにおいて、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）のいずれかが転写されていないため、位置ずれ量の測定ができない。
【０１４０】
したがって、第２のパターン領域３８ｂに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、第２のパターン領域３８ｂとは異なるパターン領域を誤って転写してしまったと判定する。
【０１４１】
次に、第３のパターン領域３８ｃを半導体チップ領域２４に転写した後に行われる位置ずれ量の測定について説明する。
【０１４２】
第３のパターン領域３８ｃにおける検査マーク４０の配置は、上述したように、第３のパターン領域３８ｃに固有の配置となっている。このため、第３のパターン領域３８ｃ内の検査マーク４０を転写することにより半導体チップ２４内に形成された検査マーク３４ｂは、半導体チップ領域２４内において固有の配置となっている。従って、第３のパターン領域３８ｃを半導体チップ領域２４に転写した場合には、このような固有の配置で転写された検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。具体的には、検査マーク２２ｂ（１，１）と検査マーク３４ｂ（１，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（２，１）と検査マーク３４ｂ（２，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（３，２）と検査マーク３４ｂ（３，２）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（４，１）と検査マーク３４ｂ（４，１）との間の位置ずれ量が測定される。
【０１４３】
第３のパターン領域３８ｃを転写したはずであるにもかかわらず、誤って他のパターン領域が転写されていた場合には、検査マーク２２ｂ（３，２）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（３，２）が転写されていないため、位置ずれ量の測定ができない。また、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所のいずれかにおいて、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（４，１）のいずれかが転写されていないため、位置ずれ量の測定ができない。
【０１４４】
したがって、第３のパターン領域３８ｃに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、第３のパターン領域３８ｃとは異なるパターン領域を誤って転写してしまったと判定する。
【０１４５】
次に、第４のパターン領域３８ｄを半導体チップ領域２４に転写した後に行われる位置ずれ量の測定について説明する。
【０１４６】
第４のパターン領域３８ｄにおける検査マーク４０の配置は、上述したように、第４のパターン領域３８ｄに固有の配置となっている。このため、第４のパターン領域３８ｄ内の検査マーク４０を転写することにより半導体チップ２４内に形成された検査マーク３４ｂは、半導体チップ領域２４内において固有の配置となっている。従って、第４のパターン領域３８ｄを半導体チップ領域２４に転写した場合には、このような固有の配置で転写された検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。具体的には、検査マーク２２ｂ（１，１）と検査マーク３４ｂ（１，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（２，１）と検査マーク３４ｂ（２，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（３，１）と検査マーク３４ｂ（３，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（４，２）と検査マーク３４ｂ（４，２）との間の位置ずれ量が測定される。
【０１４７】
第４のパターン領域３８ｄを転写したはずであるにもかかわらず、誤って他のパターン領域が転写されていた場合には、検査マーク２２ｂ（４，２）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（４，２）が転写されていないため、位置ずれ量の測定ができない。また、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）が形成された箇所のいずれかにおいて、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）のいずれかが転写されていないため、位置ずれ量の測定ができない。
【０１４８】
したがって、第４のパターン領域３８ｄに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、第４のパターン領域３８ｄとは異なるパターン領域を誤って転写してしまったと判定する。
【０１４９】
転写したはずのパターン領域３８ａ〜３８ｄに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができなかった場合には、いずれのパターン領域３８ａ〜３８ｄが転写されたかを、以下のようにして確認する。
【０１５０】
検査マーク２２ｂ（１，２）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，２）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）が形成されている場合には、第１のパターン領域３８ａが転写されたと判断する。
【０１５１】
検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，２）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，２）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）が形成されている場合には、第２のパターン領域３８ｂが転写されたと判断する。
【０１５２】
検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，２）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，２）、３４ｂ（４，１）が形成されている場合には、第３のパターン領域３８ｃが転写されたと判断する。
【０１５３】
検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，２）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，２）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，２）が形成されている場合には、第４のパターン領域３８ｄが転写されたと判断する。
【０１５４】
検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定ができ、測定された位置ずれ量が所定の許容値以下である場合には、正常にパターンがされたと判断される。この場合には、特に問題がないため次の工程に移行し得る。従って、この場合には、図８（ａ）を用いて上述した第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、フォトレジスト膜３４をマスクとして、ポリシリコン膜３２をエッチングする。
【０１５５】
一方、誤ったパターン領域３８ａ〜３８ｄを転写したために検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定ができなかった場合には、パターンの転写をやり直す必要がある。従って、この場合には、フォトレジスト膜３４のデバイスパターン３４ａ及び検査マーク３４ｂを例えばアッシングにより剥離する。そして、フォトレジスト膜３４を再度形成し、転写すべきパターン領域３８ａ〜３８ｄをフォトレジスト膜３４に転写し、再度、上記と同様にして、位置ずれ量の測定が行われる。そして、検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定ができ、測定された位置ずれ量が所定の許容値以下である場合には、フォトレジスト膜３４をマスクとして、ポリシリコン膜３２をエッチングする（図８（ａ）参照）。
【０１５６】
次に、図８（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜３４を剥離する。こうして、複数のパターン領域３８ａ〜３８ｄのうちのいずれかのパターン領域に形成されたデバイスパターン及び検査マーク４０のパターンが、半導体チップ領域２４に転写される。具体的には、半導体チップ領域２４のうちのデバイスパターンが形成される領域２内においては、レチクル３６側のデバイスパターンが半導体チップ領域２４側に転写され、例えばポリシリコンのゲート電極３２ａが形成される。検査マークが形成される領域４内においては、レチクル３６側の検査マーク４０が半導体チップ領域２４側に転写され、例えばポリシリコン膜の検査マーク３２ｂが形成される。
【０１５７】
このように、本実施形態においても、各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄにおける検査マーク４０の配置が、パターン領域３８ａ〜３８ｄ毎に異なった固有の配置になっている。このため、転写したはずのパターン領域３８ａ〜３８ｄに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと予め半導体チップ２４に形成された検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、他のパターン領域を誤って転写したと判定することができる。
【０１５８】
また、本実施形態によっても、転写された検査マーク３４ｂの配置に基づいて、誤って転写したパターン領域３８ａ〜３８ｄがいずれのパターン領域であるかを容易に判定することができる。
【０１５９】
［第３実施形態］
第３実施形態による半導体装置の製造方法及びレチクルを図１２乃至図１４を用いて説明する。図１２乃至図１４は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。図１乃至図１１に示す第１又は第２実施形態による半導体装置の製造方法及びレチクルと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０１６０】
まず、図１及び図２に示す第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、ＳＴＩ法により素子分離領域２２ａ及び検査マーク２２ｂを形成する。
【０１６１】
図１２は、検査マーク２２ｂが半導体チップ領域２４内に形成された状態を示す平面図である。
【０１６２】
なお、各々の半導体チップ領域２４内には、検査マーク２２ｂのみならず、素子分離領域２２ａも形成されているが、ここでは、図示を省略している。
【０１６３】
図１２に示すように、半導体チップ領域２４には、複数の検査マーク（基準マーク、親マーク、アライメントマーク）２２ｂが形成されている。これら複数の検査マーク２２ｂにより、検査マーク群（基準マーク群、親マーク群、アライメントマーク群）が形成されている。
【０１６４】
半導体チップ領域２４の四隅２８ａ〜２８ｄのうちの第１の隅部２８ａ、第３の隅部２８ｃ、及び、第４の隅部２８ｄの近傍には、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）がそれぞれ形成されている。半導体チップ領域２４の四隅２８ａ〜２８ｄのうちの第２の隅部２８ｂの近傍には、検査マークアレイ２６ｂが形成されている。検査マークアレイ２６ｂは、検査マーク２２ｂを４個有している。即ち、検査マークアレイ２６ｂは、検査マーク２２ｂ（２，１）、検査マーク２２ｂ（２，２）、検査マーク２２ｂ（２，３）、及び、検査マーク２２ｂ（２，４）を有している。
【０１６５】
この後のゲート絶縁膜２０を形成する工程から、フォトレジスト膜３４を形成する工程までは、図４を用いて上述した半導体装置の製造方法と同様であるので、説明を省略する。
【０１６６】
図１３は、本実施形態による半導体装置の製造方法において用いられるレチクルを示す平面図である。
【０１６７】
図１３に示すように、レチクル３６ｂには、複数のパターン領域３８ａ〜３８ｄが形成されている。本実施形態では、４つのパターン領域３８ａ〜３８ｄが形成されたレチクル３６ｂを例に説明する。
【０１６８】
図１３に示すように、各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄには、複数の検査マーク（子マーク、アライメントマーク）４０が形成されている。これら複数の検査マーク４０により、検査マーク群（子マーク群、アライメントマーク群）が形成されている。
【０１６９】
なお、図１３における破線は、図１２に示す半導体チップ領域２４に形成された検査マーク２２との対応関係を示すためのものであり、図１３において破線で示す構成要素は、レチクル３６ｂには形成されていない。
【０１７０】
各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄの四隅の近傍には、検査マーク４０が１つずつ形成されている。
【０１７１】
パターン領域３８ａ〜３８ｄにおける検査マーク４０の配置は、パターン領域３８ａ〜３８ｄ毎に異なった固有の配置となっている。
【０１７２】
第１のパターン領域３８ａにおいては、半導体チップ領域２４側の検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）に対応するように、検査マーク４０（１，１）、４０（２，１）、４０（３，１）、４０（４，１）が形成されている。第１のパターン領域３８ａにおける検査マーク４０（１，１）、４０（２，１）、４０（３，１）、４０（４，１）の配置は、第１のパターン領域３８ａに固有の配置となっている。
【０１７３】
第２のパターン領域３８ｂにおいては、半導体チップ領域２４側の検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，２）２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）に対応するように、検査マーク４０（１，１）、４０（２，２）、４０（３，１）、４０（４，１）が形成されている。第２のパターン領域３８ｂにおける検査マーク４０（１，１）、４０（２，２）、４０（３，１）、４０（４，１）の配置は、第２のパターン領域３８ｂに固有の配置となっている。
【０１７４】
第３のパターン領域３８ｃにおいては、半導体チップ領域２４側の検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，３）２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）に対応するように、検査マーク４０（１，１）、４０（２，３）、４０（３，１）、４０（４，１）が形成されている。第３のパターン領域３８ｃにおける検査マーク４０（１，１）、４０（２，３）、４０（３，１）、４０（４，１）の配置は、第３のパターン領域３８ｃに固有の配置となっている。
【０１７５】
第４のパターン領域３８ｄにおいては、半導体チップ領域２４側の検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，４）２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）に対応するように、検査マーク４０（１，１）、４０（２，４）、４０（３，１）、４０（４，１）が形成されている。第４のパターン領域３８ｄにおける検査マーク４０（１，１）、４０（２，４）、４０（３，１）、４０（４，１）の配置は、第４のパターン領域３８ｄに固有の配置となっている。
【０１７６】
なお、各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄ内には、検査マーク４０のみならず、デバイスパターンも形成されているが、ここでは、図示を省略している。
【０１７７】
各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄ内に形成されているデバイスパターンは、互いに異なるレイヤのパターンを形成するためのものである。各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄ内に形成されるデバイスパターンは、互いに異なっている。
【０１７８】
パターン領域３８ａ〜３８ｄのいずれかに形成されたデバイスパターン及び検査マーク４０を半導体ウェハ１０の半導体チップ領域２４に転写する場合には、半導体チップ領域２４に形成された露光装置用のアライメントマーク（図示せず）を用いて位置合わせが行われる。
【０１７９】
次に、図６を用いて上述した第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、複数のパターン領域３８ａ〜３８ｄのうちのいずれかのパターン領域に形成されたデバイスパターン及び検査マーク４０のパターンを、半導体チップ領域２４に転写する。
【０１８０】
図１４は、デバイスパターン及び検査マークが半導体チップ領域に転写された状態を示す平面図である。
【０１８１】
なお、半導体チップ領域２４内には、検査マーク３４ｂのみならず、デバイスパターンも転写されているが、ここでは、図示を省略している。
【０１８２】
図１４（ａ）は、レチクル３６ｂの第１のパターン領域３８ａを半導体チップ領域２４に転写した場合を示している。
【０１８３】
この場合には、図１４（ａ）に示すように、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）がそれぞれ形成される。検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）は、位置ずれ量を測定するためのマークとして機能するのみならず、第１のパターン領域３８ａを転写したことを示す識別子としても機能する。
【０１８４】
図１４（ｂ）は、レチクル３６ｂの第２のパターン領域３８ｂを半導体チップ領域２４に転写した場合を示している。
【０１８５】
この場合には、図１４（ｂ）に示すように、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，２）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，２）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）がそれぞれ形成される。検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，２）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）は、位置ずれ量を測定するためのマークとして機能するのみならず、第２のパターン領域３８ｂを転写したことを示す識別子としても機能する。
【０１８６】
図１４（ｃ）は、レチクル３６ｂの第３のパターン領域３８ｃを半導体チップ領域２４に転写した場合を示している。
【０１８７】
この場合には、図１４（ｃ）に示すように、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，３）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，３）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）がそれぞれ形成される。検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，３）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）は、位置ずれ量を測定するためのマークとして機能するのみならず、第３のパターン領域３８ｃを転写したことを示す識別子としても機能する。
【０１８８】
図１４（ｄ）は、レチクル３６ｂの第４のパターン領域３８ｄを半導体チップ領域２４に転写した場合を示している。
【０１８９】
この場合には、図１４（ｄ）に示すように、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，４）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，４）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）がそれぞれ形成される。検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，４）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）は、位置ずれ量を測定するためのマークとして機能するのみならず、第４のパターン領域３８ｄを転写したことを示す識別子としても機能する。
【０１９０】
パターン領域３８ａ〜３８ｄのいずれかを半導体チップ領域２４に転写した後には、検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。
【０１９１】
まず、第１のパターン領域３８ａを半導体チップ領域２４に転写した後に行われる位置ずれ量の測定について説明する。
【０１９２】
第１のパターン領域３８ａにおける検査マーク４０の配置は、上述したように、第１のパターン領域３８ａに固有の配置となっている。このため、第１のパターン領域３８ａ内の検査マーク４０を転写することにより半導体チップ２４内に形成された検査マーク３４ｂは、半導体チップ領域２４内において固有の配置となっている。従って、第１のパターン領域３８ａを半導体チップ領域２４に転写した場合には、このような固有の配置で転写された検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。具体的には、検査マーク２２ｂ（１，１）と検査マーク３４ｂ（１，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（２，１）と検査マーク３４ｂ（２，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（３，１）と検査マーク３４ｂ（３，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（４，１）と検査マーク３４ｂ（４，１）との間の位置ずれ量が測定される。
【０１９３】
第１のパターン領域３８ａを転写したはずであるにもかかわらず、誤って他のパターン領域が転写されていた場合には、検査マーク２２ｂ（２，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（２，１）が転写されていないため、位置ずれ量の測定ができない。
【０１９４】
したがって、第１のパターン領域３８ａに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、第１のパターン領域３８ａとは異なるパターン領域を誤って転写してしまったと判定する。
【０１９５】
次に、第２のパターン領域３８ｂを半導体チップ領域２４に転写した後に行われる位置ずれ量の測定について説明する。
【０１９６】
第２のパターン領域３８ｂにおける検査マーク４０の配置は、上述したように、第２のパターン領域３８ｂに固有の配置となっている。このため、第２のパターン領域３８ｂ内の検査マーク４０を転写することにより半導体チップ２４内に形成された検査マーク３４ｂは、半導体チップ領域２４内において固有の配置となっている。従って、第２のパターン領域３８ｂを半導体チップ領域２４に転写した場合には、このような固有の配置で転写された検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。具体的には、検査マーク２２ｂ（１，１）と検査マーク３４ｂ（１，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（２，２）と検査マーク３４ｂ（２，２）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（３，１）と検査マーク３４ｂ（３，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（４，１）と検査マーク３４ｂ（４，１）との間の位置ずれ量が測定される。
【０１９７】
第２のパターン領域３８ｂを転写したはずであるにもかかわらず、誤って他のパターン領域が転写されていた場合には、検査マーク２２ｂ（２，２）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（２，２）が転写されていないため、位置ずれ量の測定ができない。
【０１９８】
したがって、第２のパターン領域３８ｂに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、第２のパターン領域３８ｂとは異なるパターン領域を誤って転写してしまったと判定する。
【０１９９】
次に、第３のパターン領域３８ｃを半導体チップ領域２４に転写した後に行われる位置ずれ量の測定について説明する。
【０２００】
第３のパターン領域３８ｃにおける検査マーク４０の配置は、上述したように、第３のパターン領域３８ｃに固有の配置となっている。このため、第３のパターン領域３８ｃ内の検査マーク４０を転写することにより半導体チップ２４内に形成された検査マーク３４ｂは、半導体チップ領域２４内において固有の配置となっている。従って、第３のパターン領域３８ｃを半導体チップ領域２４に転写した場合には、このような固有の配置で転写された検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。具体的には、検査マーク２２ｂ（１，１）と検査マーク３４ｂ（１，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（２，３）と検査マーク３４ｂ（２，３）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（３，１）と検査マーク３４ｂ（３，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（４，１）と検査マーク３４ｂ（４，１）との間の位置ずれ量が測定される。
【０２０１】
第３のパターン領域３８ｃを転写したはずであるにもかかわらず、誤って他のパターン領域が転写されていた場合には、検査マーク２２ｂ（２，３）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（２，３）が転写されていないため、位置ずれ量の測定ができない。
【０２０２】
したがって、第３のパターン領域３８ｃに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、第３のパターン領域３８ｃとは異なるパターン領域を誤って転写してしまったと判定する。
【０２０３】
次に、第４のパターン領域３８ｄを半導体チップ領域２４に転写した後に行われる位置ずれ量の測定について説明する。
【０２０４】
第４のパターン領域３８ｄにおける検査マーク４０の配置は、上述したように、第４のパターン領域３８ｄに固有の配置となっている。このため、第４のパターン領域３８ｄ内の検査マーク４０を転写することにより半導体チップ２４内に形成された検査マーク３４ｂは、半導体チップ領域２４内において固有の配置となっている。従って、第４のパターン領域３８ｄを半導体チップ領域２４に転写した場合には、このような固有の配置で転写された検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。具体的には、検査マーク２２ｂ（１，１）と検査マーク３４ｂ（１，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（２，４）と検査マーク３４ｂ（２，４）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（３，１）と検査マーク３４ｂ（３，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（４，１）と検査マーク３４ｂ（４，１）との間の位置ずれ量が測定される。
【０２０５】
第４のパターン領域３８ｄを転写したはずであるにもかかわらず、誤って他のパターン領域が転写されていた場合には、検査マーク２２ｂ（２，４）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（２，４）が転写されていないため、位置ずれ量の測定ができない。
【０２０６】
したがって、第４のパターン領域３８ｄに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、第４のパターン領域３８ｄとは異なるパターン領域を誤って転写してしまったと判定する。
【０２０７】
転写したはずのパターン領域３８ａ〜３８ｄに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができなかった場合には、いずれのパターン領域３８ａ〜３８ｄが転写されたかを、以下のようにして確認する。
【０２０８】
検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）が形成されている場合には、第１のパターン領域３８ａが転写されたと判断する。
【０２０９】
検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，２）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，２）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）が形成されている場合には、第２のパターン領域３８ｂが転写されたと判断する。
【０２１０】
検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，３）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，３）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）が形成されている場合には、第３のパターン領域３８ｃが転写されたと判断する。
【０２１１】
検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，４）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，４）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）が形成されている場合には、第４のパターン領域３８ｄが転写されたと判断する。
【０２１２】
検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定ができ、測定された位置ずれ量が所定の許容値以下である場合には、正常にパターンが転写されたと判断される。この場合には、特に問題がないため、次の工程に移行し得る。従って、図８（ａ）を用いて上述した第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、フォトレジスト膜３４をマスクとして、ポリシリコン膜３２をエッチングする。
【０２１３】
一方、誤ったパターン領域３８ａ〜３８ｄを転写したために検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定ができなかった場合には、パターンの転写をやり直す必要がある。従って、この場合には、フォトレジスト膜３４のデバイスパターン３４ａ及び検査マーク３４ｂを例えばアッシングにより剥離する。そして、フォトレジスト膜３４を再度形成し、転写すべきパターン領域３８ａ〜３８ｄをフォトレジスト膜３４に転写し、再度、上記と同様にして、位置ずれ量の測定が行われる。そして、検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定ができ、測定された位置ずれ量が所定の許容値以下である場合には、フォトレジスト膜３４をマスクとして、ポリシリコン膜３２をエッチングする（図８（ａ）参照）。
【０２１４】
次に、図８（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜３４を剥離する。こうして、複数のパターン領域３８ａ〜３８ｄのうちのいずれかのパターン領域に形成されたデバイスパターン及び検査マーク４０のパターンが、半導体チップ領域２４に転写される。具体的には、半導体チップ領域２４のうちのデバイスパターンが形成される領域２内においては、レチクル３６側のデバイスパターンが半導体チップ領域２４側に転写され、例えばポリシリコンのゲート電極３２ａが形成される。検査マークが形成される領域４内においては、レチクル３６側の検査マーク４０が半導体チップ領域２４側に転写され、例えばポリシリコン膜の検査マーク３２ｂが形成される。
【０２１５】
このように、本実施形態においても、各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄにおける検査マーク４０の配置が、パターン領域３８ａ〜３８ｄ毎に異なった固有の配置になっている。このため、転写したはずのパターン領域３８ａ〜３８ｄに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと予め半導体チップ２４に形成された検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、他のパターン領域を誤って転写したと判定することができる。
【０２１６】
また、本実施形態によっても、転写された検査マーク３４ｂの配置に基づいて、誤って転写したパターン領域３８ａ〜３８ｄがいずれのパターン領域であるかを容易に判定することができる。
【０２１７】
［第４実施形態］
第４実施形態による半導体装置の製造方法及びレチクルを図１５乃至図１７を用いて説明する。図１５乃至図１７は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。図１乃至図１４に示す第１乃至第３実施形態による半導体装置の製造方法及びレチクルと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０２１８】
まず、図１及び図２に示す第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、ＳＴＩ法により素子分離領域２２ａ及び検査マーク２２ｂを形成する。
【０２１９】
図１５は、検査マーク２２ｂが半導体チップ領域２４内に形成された状態を示す平面図である。
【０２２０】
なお、各々の半導体チップ領域２４内には、検査マーク２２ｂのみならず、素子分離領域２２ａも形成されているが、ここでは、図示を省略している。
【０２２１】
図１５に示すように、半導体チップ領域２４には、複数の検査マーク（基準マーク、親マーク、アライメントマーク）２２ｂが形成されている。これら複数の検査マーク２２ｂにより、検査マーク群（基準マーク群、親マーク群、アライメントマーク群）が形成されている。
【０２２２】
半導体チップ領域２４の四隅２８ａ〜２８ｄのうちの第１の隅部２８ａ、及び、第２の隅部２８ｂの近傍には、検査マーク対２６ａ、２６ｂがそれぞれ形成されている。各々の検査マーク対２６ａ、２６ｂは、検査マーク２２ｂを２個ずつ有している。即ち、検査マーク対２６ａは、検査マーク２２ｂ（１，１）、及び、検査マーク２２ｂ（１，２）を有している。検査マーク対２６ｂは、検査マーク２２ｂ（２，１）、及び、検査マーク２２ｂ（２，２）を有している。
【０２２３】
半導体チップ領域２４の四隅２８ａ〜２８ｄのうちの第３の隅部２８ｃ、及び、第４の隅部２８ｄの近傍には、検査マーク２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）がそれぞれ形成されている。
【０２２４】
この後のゲート絶縁膜２０を形成する工程から、フォトレジスト膜３４を形成する工程までは、図４を用いて上述した半導体装置の製造方法と同様であるので、説明を省略する。
【０２２５】
図１６は、本実施形態による半導体装置の製造方法において用いられるレチクルを示す平面図である。
【０２２６】
図１６に示すように、レチクル３６ｃには、複数のパターン領域３８ａ〜３８ｄが形成されている。本実施形態では、４つのパターン領域３８ａ〜３８ｄが形成されたレチクル３６ｃを例に説明する。
【０２２７】
図１６に示すように、各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄには、複数の検査マーク（子マーク、アライメントマーク）４０が形成されている。これら複数の検査マーク４０により、検査マーク群（子マーク群、アライメントマーク群）が形成されている。
【０２２８】
なお、図１６における破線は、図１５に示す半導体チップ領域２４に形成された検査マーク２２との対応関係を示すためのものであり、図１６において破線で示す構成要素は、レチクル３６ｃには形成されていない。
【０２２９】
各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄの四隅の近傍には、検査マーク４０が１つずつ形成されている。
【０２３０】
パターン領域３８ａ〜３８ｄにおける検査マーク４０の配置は、パターン領域３８ａ〜３８ｄ毎に異なった固有の配置となっている。
【０２３１】
第１のパターン領域３８ａにおいては、半導体チップ領域２４側の検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）に対応するように、検査マーク４０（１，１）、４０（２，１）、４０（３，１）、４０（４，１）が形成されている。第１のパターン領域３８ａにおける検査マーク４０（１，１）、４０（２，１）、４０（３，１）、４０（４，１）の配置は、第１のパターン領域３８ａに固有の配置となっている。
【０２３２】
第２のパターン領域３８ｂにおいては、半導体チップ領域２４側の検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，２）２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）に対応するように、検査マーク４０（１，１）、４０（２，２）、４０（３，１）、４０（４，１）が形成されている。第２のパターン領域３８ｂにおける検査マーク４０（１，１）、４０（２，２）、４０（３，１）、４０（４，１）の配置は、第２のパターン領域３８ｂに固有の配置となっている。
【０２３３】
第３のパターン領域３８ｃにおいては、半導体チップ領域２４側の検査マーク２２ｂ（１，２）、２２ｂ（２，１）２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）に対応するように、検査マーク４０（１，２）、４０（２，１）、４０（３，１）、４０（４，１）が形成されている。第３のパターン領域３８ｃにおける検査マーク４０（１，２）、４０（２，１）、４０（３，１）、４０（４，１）の配置は、第３のパターン領域３８ｃに固有の配置となっている。
【０２３４】
第４のパターン領域３８ｄにおいては、半導体チップ領域２４側の検査マーク２２ｂ（１，２）、２２ｂ（２，２）２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）に対応するように、検査マーク４０（１，２）、４０（２，２）、４０（３，１）、４０（４，１）が形成されている。第４のパターン領域３８ｄにおける検査マーク４０（１，２）、４０（２，２）、４０（３，１）、４０（４，１）の配置は、第４のパターン領域３８ｄに固有の配置となっている。
【０２３５】
なお、各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄ内には、検査マーク４０のみならず、デバイスパターンも形成されているが、ここでは、図示を省略している。
【０２３６】
各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄ内に形成されているデバイスパターンは、互いに異なるレイヤのパターンを形成するためのものである。各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄ内に形成されるデバイスパターンは、互いに異なっている。
【０２３７】
パターン領域３８ａ〜３８ｄのいずれかに形成されたデバイスパターン及び検査マーク４０を半導体ウェハ１０の半導体チップ領域２４に転写する場合には、半導体チップ領域２４に形成された露光装置用のアライメントマーク（図示せず）を用いて位置合わせが行われる。
【０２３８】
次に、図６を用いて上述した第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、複数のパターン領域３８ａ〜３８ｄのうちのいずれかのパターン領域に形成されたデバイスパターン及び検査マーク４０のパターンを、半導体チップ領域２４に転写する。
【０２３９】
図１７は、デバイスパターン及び検査マークが半導体チップ領域に転写された状態を示す平面図である。
【０２４０】
なお、半導体チップ領域２４内には、検査マーク３４ｂのみならず、デバイスパターンも転写されているが、ここでは、図示を省略している。
【０２４１】
図１７（ａ）は、レチクル３６ｃの第１のパターン領域３８ａを半導体チップ領域２４に転写した場合を示している。
【０２４２】
この場合には、図１７（ａ）に示すように、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）がそれぞれ形成される。検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）は、位置ずれ量を測定するためのマークとして機能するのみならず、第１のパターン領域３８ａを転写したことを示す識別子としても機能する。
【０２４３】
図１７（ｂ）は、レチクル３６ｃの第２のパターン領域３８ｂを半導体チップ領域２４に転写した場合を示している。
【０２４４】
この場合には、図１７（ｂ）に示すように、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，２）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，２）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）がそれぞれ形成される。検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，２）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）は、位置ずれ量を測定するためのマークとして機能するのみならず、第２のパターン領域３８ｂを転写したことを示す識別子としても機能する。
【０２４５】
図１７（ｃ）は、レチクル３６ｃの第３のパターン領域３８ｃを半導体チップ領域２４に転写した場合を示している。
【０２４６】
この場合には、図１７（ｃ）に示すように、検査マーク２２ｂ（１，２）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，２）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）がそれぞれ形成される。検査マーク３４ｂ（１，２）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）は、位置ずれ量を測定するためのマークとして機能するのみならず、第３のパターン領域３８ｃを転写したことを示す識別子としても機能する。
【０２４７】
図１７（ｄ）は、レチクル３４ｃの第４のパターン領域３８ｄを半導体チップ領域２４に転写した場合を示している。
【０２４８】
この場合には、図１７（ｄ）に示すように、検査マーク２２ｂ（１，２）、２２ｂ（２，２）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，２）、３４ｂ（２，２）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）がそれぞれ形成される。検査マーク３４ｂ（１，２）、３４ｂ（２，２）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）は、位置ずれ量を測定するためのマークとして機能するのみならず、第４のパターン領域３８ｄを転写したことを示す識別子としても機能する。
【０２４９】
パターン領域３８ａ〜３８ｄのいずれかを半導体チップ領域２４に転写した後には、検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。
【０２５０】
まず、第１のパターン領域３８ａを半導体チップ領域２４に転写した後に行われる位置ずれ量の測定について説明する。
【０２５１】
第１のパターン領域３８ａにおける検査マーク４０の配置は、上述したように、第１のパターン領域３８ａに固有の配置となっている。このため、第１のパターン領域３８ａ内の検査マーク４０を転写することにより半導体チップ２４内に形成された検査マーク３４ｂは、半導体チップ領域２４内において固有の配置となっている。従って、第１のパターン領域３８ａを半導体チップ領域２４に転写した場合には、このような固有の配置で転写された検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。具体的には、検査マーク２２ｂ（１，１）と検査マーク３４ｂ（１，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（２，１）と検査マーク３４ｂ（２，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（３，１）と検査マーク３４ｂ（３，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（４，１）と検査マーク３４ｂ（４，１）との間の位置ずれ量が測定される。
【０２５２】
第１のパターン領域３８ａを転写したはずであるにもかかわらず、誤って他のパターン領域が転写されていた場合には、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）が形成された箇所のいずれかにおいて、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）のいずれかが転写されていないため、位置ずれ量の測定ができない。
【０２５３】
したがって、第１のパターン領域３８ａに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、第１のパターン領域３８ａとは異なるパターン領域を誤って転写してしまったと判定する。
【０２５４】
次に、第２のパターン領域３８ｂを半導体チップ領域２４に転写した後に行われる位置ずれ量の測定について説明する。
【０２５５】
第２のパターン領域３８ｂにおける検査マーク４０の配置は、上述したように、第２のパターン領域３８ｂに固有の配置となっている。このため、第２のパターン領域３８ｂ内の検査マーク４０を転写することにより半導体チップ２４内に形成された検査マーク３４ｂは、半導体チップ領域２４内において固有の配置となっている。従って、第２のパターン領域３８ｂを半導体チップ領域２４に転写した場合には、このような固有の配置で転写された検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。具体的には、検査マーク２２ｂ（１，１）と検査マーク３４ｂ（１，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（２，２）と検査マーク３４ｂ（２，２）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（３，１）と検査マーク３４ｂ（３，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（４，１）と検査マーク３４ｂ（４，１）との間の位置ずれ量が測定される。
【０２５６】
第２のパターン領域３８ｂを転写したはずであるにもかかわらず、誤って他のパターン領域が転写されていた場合には、検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，２）が形成された箇所のいずれかにおいて、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，２）のいずれかが転写されていないため、位置ずれ量の測定ができない。
【０２５７】
したがって、第２のパターン領域３８ｂに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、第２のパターン領域３８ｂとは異なるパターン領域を誤って転写してしまったと判定する。
【０２５８】
次に、第３のパターン領域３８ｃを半導体チップ領域２４に転写した後に行われる位置ずれ量の測定について説明する。
【０２５９】
第３のパターン領域３８ｃにおける検査マーク４０の配置は、上述したように、第３のパターン領域３８ｃに固有の配置となっている。このため、第３のパターン領域３８ｃ内の検査マーク４０を転写することにより半導体チップ２４内に形成された検査マーク３４ｂは、半導体チップ領域２４内において固有の配置となっている。従って、第３のパターン領域３８ｃを半導体チップ領域２４に転写した場合には、このような固有の配置で転写された検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。具体的には、検査マーク２２ｂ（１，２）と検査マーク３４ｂ（１，２）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（２，１）と検査マーク３４ｂ（２，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（３，１）と検査マーク３４ｂ（３，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（４，１）と検査マーク３４ｂ（４，１）との間の位置ずれ量が測定される。
【０２６０】
第３のパターン領域３８ｃを転写したはずであるにもかかわらず、誤って他のパターン領域が転写されていた場合には、検査マーク２２ｂ（１，２）、２２ｂ（２，１）が形成された箇所のいずれかにおいて、検査マーク３４ｂ（１，２）、３４ｂ（２，１）のいずれかが転写されていないため、位置ずれ量の測定ができない。
【０２６１】
したがって、第３のパターン領域３８ｃに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、第３のパターン領域３８ｃとは異なるパターン領域を誤って転写してしまったと判定する。
【０２６２】
次に、第４のパターン領域３８ｄを半導体チップ領域２４に転写した後に行われる位置ずれ量の測定について説明する。
【０２６３】
第４のパターン領域３８ｄにおける検査マーク４０の配置は、上述したように、第４のパターン領域３８ｄに固有の配置となっている。このため、第４のパターン領域３８ｄ内の検査マーク４０を転写することにより半導体チップ２４内に形成された検査マーク３４ｂは、半導体チップ領域２４内において固有の配置となっている。従って、第４のパターン領域３８ｄを半導体チップ領域２４に転写した場合には、このような固有の配置で転写された検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定が行われる。具体的には、検査マーク２２ｂ（１，２）と検査マーク３４ｂ（１，２）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（２，２）と検査マーク３４ｂ（２，２）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（３，１）と検査マーク３４ｂ（３，１）との間の位置ずれ量が測定される。また、検査マーク２２ｂ（４，１）と検査マーク３４ｂ（４，１）との間の位置ずれ量が測定される。
【０２６４】
第４のパターン領域３８ｄを転写したはずであるにもかかわらず、誤って他のパターン領域が転写されていた場合には、検査マーク２２ｂ（１，２）、２２ｂ（２，２）が形成された箇所のいずれかにおいて、検査マーク３４ｂ（１，２）、３４ｂ（２，２）のいずれかが転写されていないため、位置ずれ量の測定ができない。
【０２６５】
したがって、第４のパターン領域３８ｄに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、第４のパターン領域３８ｄとは異なるパターン領域を誤って転写してしまったと判定する。
【０２６６】
転写したはずのパターン領域３８ａ〜３８ｄに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができなかった場合には、いずれのパターン領域３８ａ〜３８ｄが転写されたかを、以下のようにして確認する。
【０２６７】
検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）が形成されている場合には、第１のパターン領域３８ａが転写されたと判断する。
【０２６８】
検査マーク２２ｂ（１，１）、２２ｂ（２，２）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，１）、３４ｂ（２，２）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）が形成されている場合には、第２のパターン領域３８ｂが転写されたと判断する。
【０２６９】
検査マーク２２ｂ（１，２）、２２ｂ（２，１）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，２）、３４ｂ（２，１）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）が形成されている場合には、第３のパターン領域３８ｃが転写されたと判断する。
【０２７０】
検査マーク２２ｂ（１，２）、２２ｂ（２，２）、２２ｂ（３，１）、２２ｂ（４，１）が形成された箇所に、検査マーク３４ｂ（１，２）、３４ｂ（２，２）、３４ｂ（３，１）、３４ｂ（４，１）が形成されている場合には、第４のパターン領域３８ｄが転写されたと判断する。
【０２７１】
検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定ができ、測定された位置ずれ量が所定の許容値以下である場合には、正常にパターンが転写されたと判断される。この場合には、特に問題がないため、次の工程に移行し得る。従って、この場合には、図８（ａ）に示す第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、フォトレジスト膜３４をマスクとして、ポリシリコン膜３２をエッチングする。
【０２７２】
一方、誤ったパターン領域３８ａ〜３８ｄを転写したために検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定ができなかった場合には、パターンの転写をやり直す必要がある。従って、この場合には、フォトレジスト膜３４のデバイスパターン３４ａ及び検査マーク３４ｂを例えばアッシングにより剥離する。そして、フォトレジスト膜３４を再度形成し、転写すべきパターン領域３８ａ〜３８ｄをフォトレジスト膜３４に転写し、再度、上記と同様にして、位置ずれ量の測定が行われる。そして、検査マーク２２ｂと検査マーク３４ｂとの間の位置ずれ量の測定ができ、測定された位置ずれ量が所定の許容値以下である場合には、フォトレジスト膜３４をマスクとして、ポリシリコン膜３２をエッチングする（図８（ａ）参照）。
【０２７３】
次に、図８（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜３４を剥離する。こうして、複数のパターン領域３８ａ〜３８ｄのうちのいずれかのパターン領域に形成されたデバイスパターン及び検査マーク４０のパターンが、半導体チップ領域２４に転写される。具体的には、半導体チップ領域２４のうちのデバイスパターンが形成される領域２内においては、レチクル３６側のデバイスパターンが半導体チップ領域２４側に転写され、例えばポリシリコンのゲート電極３２ａが形成される。検査マークが形成される領域４内においては、レチクル３６側の検査マーク４０が半導体チップ領域２４側に転写され、例えばポリシリコン膜の検査マーク３２ｂが形成される。
【０２７４】
このように、本実施形態においても、各々のパターン領域３８ａ〜３８ｄにおける検査マーク４０の配置が、パターン領域３８ａ〜３８ｄ毎に異なった固有の配置になっている。このため、転写したはずのパターン領域３８ａ〜３８ｄに応じた固有の配置の検査マーク３４ｂと予め半導体チップ２４に形成された検査マーク２２ｂとの間の位置ずれ量の測定ができない場合には、他のパターン領域を誤って転写したと判定することができる。
【０２７５】
また、本実施形態によっても、転写された検査マーク３４ｂの配置に基づいて、誤って転写したパターン領域３８ａ〜３８ｄがいずれのパターン領域であるかを容易に判定することができる。
【０２７６】
［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０２７７】
例えば、上記実施形態では、検査マーク４０を上記のように配置する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。パターン領域３８ａ〜３８ｄ内における検査マーク４０の配置が、パターン領域３８ａ〜３８ｄ毎に異なった固有の配置になるように検査マーク４０を配置すればよい。
【０２７８】
また、上記実施形態では、検査マーク２２ｂを上記のように配置する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。パターン領域３８ａ〜３８ｄ内における検査マーク４０の配置に応じて、検査マーク２２ｂを適宜形成すればよい。
【０２７９】
また、上記実施形態では、レチクル３６、３６ａ〜３６ｃに形成するパターン領域３８ａ〜３８ｄの数が４個である場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。複数のパターン領域を有するレチクルを用いる場合に広く適用することができる。
【０２８０】
また、上記実施形態では、ＳＴＩ法により半導体基板１０内に埋め込んだ絶縁層２２により検査マーク２２ｂを形成し、フォトレジスト膜３４により検査マーク３４ｂを形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。各工程に応じて、検査マークを適宜形成すればよい。
【０２８１】
上記実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０２８２】
（付記１）
複数のパターン領域内の各々にデバイスパターンと第１の検査マークとが形成されたレチクルを用い、前記複数のパターン領域のうちの一のパターン領域内の前記デバイスパターンと前記第１の検査マークとを、半導体ウェハ上の半導体チップ領域内に転写する工程を有し、
各々の前記パターン領域内における前記第１の検査マークの配置が、前記パターン領域毎に異なった固有の配置となっている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２８３】
（付記２）
付記１記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数のパターン領域のうちの転写したはずの前記パターン領域に応じた前記固有の配置の前記第１の検査マークと前記半導体チップ領域内に形成された第２の検査マークとの間の位置ずれ量を測定する工程を更に有し、
転写したはずの前記パターン領域に応じた前記固有の配置の前記第１の検査マークと前記第２の検査マークとの位置ずれ量を測定できない場合には、転写したはずの前記パターン領域とは異なる前記パターン領域が前記半導体チップ領域に誤って転写されたと判定する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２８４】
（付記３）
付記２記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップ領域内における前記第２の検査マークの数は、前記一のパターン領域内における前記第１の検査マークの数より多く、
前記デバイスパターンと前記第１の検査マークとを前記半導体チップ領域内に転写する工程では、前記第２の検査マークが形成された箇所のいずれかに前記第１の検査マークが転写される
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２８５】
（付記４）
付記１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数のパターン領域内の各々に形成された前記デバイスパターンが、互いに異なっている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２８６】
（付記５）
複数のパターン領域内の各々にデバイスパターンと検査マークとが形成されたレチクルであって、
各々の前記パターン領域内における前記検査マークの配置が、前記パターン領域毎に異なった固有の配置となっている
ことを特徴とするレチクル。
【０２８７】
（付記６）
付記５記載のレチクルにおいて、
前記複数のパターン領域内の各々に形成された前記デバイスパターンが、互いに異なっている
ことを特徴とするレチクル。
【符号の説明】
【０２８８】
２…デバイスパターンが形成される領域
４…検査マークが形成される領域
１０…半導体ウェハ
１２…シリコン酸化膜
１４…シリコン窒化膜
１６…フォトレジスト膜得
１８ａ、１８ｂ…開口部
２０ａ、２０ｂ…溝
２２ａ…素子分離領域
２２ｂ…検査マーク
２４…半導体チップ領域
２６ａ〜２６ｄ…検査マークアレイ、検査マーク対
２８ａ〜２８ｄ…隅部
３０…ゲート絶縁膜
３２…ポリシリコン膜
３２ａ…パターン
３２ｂ…検査マーク
３４…フォトレジスト膜
３４ａ…パターン
３４ｂ…検査マーク
３６、３６ａ〜３６ｃ…レチクル
３８ａ〜３８ｄ…パターン領域
４０…検査マーク
５０…バーコード
【図１】
2012088614.tif 000003
【図２】
2012088614.tif 000004
【図３】
2012088614.tif 000005
【図４】
2012088614.tif 000006
【図５】
2012088614.tif 000007
【図６】
2012088614.tif 000008
【図７】
2012088614.tif 000009
【図８】
2012088614.tif 000010
【図９】
2012088614.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2012088614.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2012088614.tif 000015
【図１４】
2012088614.tif 000016
【図１５】
2012088614.tif 000017
【図１６】
2012088614.tif 000018
【図１７】
2012088614.tif 000019