(57)【要約】【課題】ワークやその支持ピンへの応力の発生を防止し、切り終わりにブロックの割れや欠けを防止する。【解決手段】ワーク切断装置１は、ワークが載置されるステージ１１と、ステージ１１を昇降させるシリンダ１２と、ワークの底面を支持する複数の底面支持ピン１３と、各底面支持ピン１３を制御する複数のブレーキ付シリンダ１４と、ワークの対向する２つの側面をそれぞれ支持する複数の側面支持ピン２１と、各側面支持ピン２１を制御する複数のブレーキ付シリンダ２２と、ワーク切断機構３０とを備えている。各ブレーキ付シリンダ１４は、対応する底面支持ピン１３をそれぞれ上昇させてステージ１１上のワークの底面に接触させた後、その位置で動かないようにロックする。また、各ブレーキ付シリンダ２２は、複数の側面支持ピン２１の各々を水平方向に移動させてステージ１１上のワークの側面に接触させた後、その位置で動かないようにロックする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
略角柱状のワークの底面を支持する底面支持機構と、
前記ワークの対向する２つの側面をそれぞれ支持する側面支持機構と、
前記底面支持機構及び前記側面支持機構によって支持された前記ワークを複数のブロックに切断する切断機構とを備え、
前記底面支持機構は、前記ワークが載置されるステージと、前記ステージを昇降させるステージ昇降機構と、前記ワークの底面を支持する複数の底面支持ピンと、前記複数の底面支持ピンの各々の高さを独立して制御する複数の底面支持ピン制御機構とを備え、
各底面支持ピン制御機構は、対応する底面支持ピンをそれぞれ上昇させて前記ステージ上の前記ワークの底面に接触させた後、その位置で動かないようにロックすることを特徴とするワーク切断装置。
【請求項２】
前記複数の底面支持ピンは、分割後のブロックの底面を４点で支持することを特徴とする請求項１に記載のワーク切断装置。
【請求項３】
前記ステージ昇降機構は、前記ワークが前記複数の底面支持ピンによって支持された後、前記ステージを降下させることを特徴とする請求項１又は２に記載のワーク切断装置。
【請求項４】
前記側面支持機構は、前記ステージ上に載置された前記ワークの対向する２つの側面をそれぞれ支持する複数の側面支持ピンと、前記複数の側面支持ピンの各々の水平方向の位置を独立して制御する複数の側面支持ピン制御機構とを備え、
前記複数の側面支持ピン制御機構の各々は、前記複数の側面支持ピンの各々を水平方向に移動させて前記ステージ上の前記ワークの側面に接触させた後、その位置で動かないようにロックすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のワーク切断装置。
【請求項５】
前記複数の側面支持ピンは、分割後のブロックの一方及び他方の側面をそれぞれ２点で支持することを特徴とする請求項４のいずれか一項に記載のワーク切断装置。
【請求項６】
前記側面支持ピン制御機構は、前記ワークを固定する前に、前記ステージの幅方向中央から見て前記ワークの幅の１／２の位置に前記側面支持ピンの先端を移動させて、前記ステージ上の前記ワークの位置及び向きを補正することを特徴とする請求項４又は５に記載のワーク切断装置。
【請求項７】
前記底面支持ピン制御機構及び前記側面支持ピン制御機構は、ブレーキ付シリンダであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のワーク切断装置。
【請求項８】
略角柱状のワークの底面を支持する底面支持機構と、
前記ワークの対向する２つの側面をそれぞれ支持する側面支持機構と、
前記底面支持機構及び前記側面支持機構によって支持された前記ワークを複数のブロックに切断する切断機構とを備え、
前記側面支持機構は、前記ステージ上に載置された前記ワークの対向する２つの側面をそれぞれ支持する複数の側面支持ピンと、前記複数の側面支持ピンの各々の水平方向の位置を独立して制御する複数の側面支持ピン制御機構とを備え、
前記複数の側面支持ピン制御機構の各々は、前記複数の側面支持ピンの各々を水平方向に移動させて前記ステージ上の前記ワークの側面に接触させた後、その位置で動かないようにロックすることを特徴とするワーク切断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワーク切断装置に関し、特に、角柱状のシリコンブロックから複数個のブロックを切り出す際に好ましく用いられるワーク切断装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、太陽電池用多結晶シリコンは、溶融シリコンを鋳型で凝固させる鋳造法（キャスト法）、または電磁誘導による連続鋳造法（電磁鋳造法）で製造される。太陽電池用多結晶シリコンの鋳造では、角形の石英るつぼ、或いは角形のグラファイト製の鋳型が用いられ、得られたシリコンインゴットも角柱状となる。このシリコンインゴットを加工しやすい所定のサイズのシリコンブロックに分割した後、シリコンブロックをスライスすることにより、例えば約１５×１５ｃｍの正方形の太陽電池用多結晶シリコン基板が完成する。
【０００３】
シリコンインゴットを分割することによって得られるシリコンブロックはバンドソーで切り出された加工精度の低いブロックであり、切断面は湾曲していたり対向面が平行でなかったりする。そのため、シリコンブロックをさらに小さく分割する工程では、このような切断面の形状に配慮してシリコンブロックをクランプする必要がある。
【０００４】
図６は、シリコンブロックを切断する従来のワーク切断装置の構成を示す図であって、（ａ）は略側面断面図、（ｂ）は略平面図である。
【０００５】
図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、従来のワーク切断装置４０は、シリコンブロック４９の底面を支持するステージ４１と、シリコンブロック４９の対向する２つの側面をそれぞれ支持する側面支持機構４２，４２と、シリコンブロック４９を切断するバンドソー等の切断機構４６とを備えている。ステージ４１は平坦な形状であり、シリコンブロック４９の両側面の固定は複数（ここでは８つ）の側面支持ピン４３によって行われる。側面支持ピン４３は分割される各ブロックの左右に２つずつ用意され、各側面支持ピン４３はバネ受け４４によって弾性的に支持されている。片側の４つの側面支持ピン４３は共通のスライドテーブル４５上に搭載されており、各側面支持ピン４３を進退移動させる駆動機構は片側につき１個のみである。
【０００６】
このワーク切断装置４０においてシリコンブロック４９の側面を支持する場合には、スライドテーブル４５を前進させて側面支持ピン４３を側面に押し当てた後、その位置でスライドテーブル４５をロックすればよい。シリコンブロック４９の側面に接する側面支持ピン４３は所定の押圧力でシリコンブロック４９の側面を押圧している。このときの押圧力は側面までの距離によって異なる。バンドソーによって切り出されたシリコンブロックの切断面が歪んでいることにより、側面までの距離が相対的に近い場合には、側面支持ピン４３の押圧力は強くなり、逆に側面までの距離が相対的に遠い場合には、側面支持ピン４３の押圧力は弱くなる。
【０００７】
また、特許文献１には、シリコンブロックの切り終わり部分を下方から支持するためのシリコンブロック支えパッドと、シリコンブロック支えパッドを下方から上昇させてシリコンブロックに密着させるためのパッド上昇機構とを有するワーク切断装置が提案されている。しかし、この切断装置は、円柱状の単結晶シリコンブロックを対象としており、この切断装置を四角い鋳物のシリコンブロックに適用した場合、シリコンブロックを面支持するため完全に密着できず、前工程バンドソーでの湾曲面や斜断面では切り終わりでシリコンブロックが動き、その結果、割れや欠けが発生するおそれがある。
【０００８】
そのため、特許文献２には、のこぎり切断機のクランプ装置であって、切り込み途中でのこぎり刃がワークの切り込み溝に挟まれず、切断幅の大きなワークであっても刃先が周回の戻り過程で切り込み溝の側面に接触せず、切断後ののこぎり刃を切断面に触れさせず直接に後退可能であり、傷のない良好な切断面が得られるクランプ機構が提案されている。
【０００９】
特許文献３には、被切断材料の両側又は片側におけるクランプ装置の接触片が刃物の切断方向とは垂直な方向に移動し得るように取り付けられ、切断終了と同時に接触片が移動するように移動装置が設けられ、切断面への刃物の食い込みを防止する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００９−１６０８２５号公報
【特許文献２】特開平１１−３３８２０号公報
【特許文献３】特開昭４９−６００６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、図６に示した従来のワーク切断装置では、シリコンブロック４９の切断面が湾曲している場合に、その面を下向きにしてステージ４１上に搭載すると、シリコンブロック４９の中央部分がステージ４１に接触せず浮いた状態となり、ブロックを切り出す際にその切り終わりの部分にブロックの荷重が集中し、その結果、欠けや割れが発生するという問題がある。
【００１２】
また、シリコンブロック４９の切断面が斜断されている場合においてその面を横向きにしてステージ４１上に搭載すると、各側面支持ピンの荷重のばらつきが発生し、シリコンブロック４９からブロックを切り出す際にその切り終わりで両端の荷重がバランスをとろうとして、ブレードの走行方向（水平方向）の負荷も加わり、その結果、欠けや割れが発生するという問題もある。
【００１３】
本発明は、上記課題を解決するものであり、本発明の目的は、シリコンブロック等のワークに内部応力が発生することを防止し、ブロックの切り終わりに割れや欠けを防止することが可能なブロック切断装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明によるワーク切断装置は、略角柱状のワークの底面を支持する底面支持機構と、前記ワークの対向する２つの側面をそれぞれ支持する側面支持機構と、前記底面支持機構及び前記側面支持機構によって支持された前記ワークを複数のブロックに切断する切断機構とを備え、前記底面支持機構は、前記ワークが載置されるステージと、前記ステージを昇降させるステージ昇降機構と、前記ワークの底面を支持する複数の底面支持ピンと、前記複数の底面支持ピンの各々の高さを独立して制御する複数の底面支持ピン制御機構とを備え、各底面支持ピン制御機構は、対応する底面支持ピンをそれぞれ上昇させて前記ステージ上の前記ワークの底面に接触させた後、その位置で動かないようにロックすることを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、複数の底面支持ピンがシリコンブロック２の底面をそれぞれ均等な荷重で支持するので、底面の平坦性が悪くステージから浮いた部分を有するシリコンブロックを切り出す際に、その切り終わりでブロックの重量が集中し、欠けや割れが発生するという問題を解消することができる。
【００１６】
本発明において、前記複数の底面支持ピンは、分割後のブロックの底面を４点で支持することが好ましく、各ブロックの底面の四隅を支持するように配置されていることが好ましい。この構成によれば、分割前後においてシリコンブロックの底面を確実に支持することができる。
【００１７】
本発明において、前記ステージ昇降機構は、前記ワークが前記複数の底面支持ピンによって支持された後、前記ステージを降下させることが好ましい。この構成によれば、ワークの底面の形状に合わせて複数の底面支持ピンの高さ方向の位置を容易に調整することができ、最終的には底面支持ピンのみで支持することができる。
【００１８】
本発明において、前記側面支持機構は、前記ステージ上に載置された前記ワークの対向する２つの側面をそれぞれ支持する複数の側面支持ピンと、前記複数の側面支持ピンの各々の水平方向の位置を独立して制御する複数の側面支持ピン制御機構とを備え、前記複数の側面支持ピン制御機構の各々は、前記複数の側面支持ピンの各々を水平方向に移動させて前記ステージ上の前記ワークの側面に接触させた後、その位置で動かないようにロックすることが好ましい。
【００１９】
この構成よれば、複数の側面支持ピンがシリコンブロックの側面をそれぞれ均等な荷重でクランプするので、ブロックをバンドソーで切り出す際に、荷重のばらつきによってブロックの切り終わりで両端の固定荷重がバランスをとろうとしてブレード走行方向に負荷が加わり、欠けや割れが発生するという問題を解消することができる。
【００２０】
本発明において、前記複数の側面支持ピンは、分割後のブロックの一方及び他方の側面をそれぞれ２点で支持することが好ましい。この構成によれば、分割前後においてシリコンブロックの側面を確実に支持することができる。
【００２１】
本発明において、前記側面支持ピン制御機構は、前記ワークを固定する前に、前記ステージの幅方向中央から見て前記ワークの幅の１／２の位置に前記側面支持ピンの先端を移動させて、前記ステージ上の前記ワークの位置及び向きを補正することが好ましい。ステージ上にワークを単に置いただけではその位置や向きが正確ではなく、これを調整する必要があるが、側面支持ピンを用いてこの調整を行うことにより、特別な装置を用いることなく簡単に位置調整することができる。
【００２２】
本発明において、前記底面支持ピン制御機構及び前記側面支持ピン制御機構は、ブレーキ付シリンダであることが好ましい。ブレーキ付シリンダを用いることにより、ワークの底面や側面に対して過度な押圧力を与えることなく、支持ピンの移動及び位置決めを容易且つ正確に行うことができる。
【００２３】
本発明において、前記ワークは、シリコンインゴットから切り出されたシリコンブロックであることが好ましい。シリコンインゴットから切り出されたシリコンブロックの切断面は湾曲していたり対向面が平行でなかったりすることから、本発明はこのようなシリコンブロックの切断加工に対して顕著な効果を有するものである。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、ワークや支持ピンに内部応力が発生することを防止し、切り終わりにブロックの割れや欠けを防止することが可能なブロック切断装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の好ましい実施の形態によるワーク切断装置の構成を示す略側面図である。
【図２】図１に示すワーク切断装置の略平面図であって、特に底面支持ピン１３の平面レイアウトを示している。
【図３】底面支持ピン１３によるクランプ動作を説明するための模式図である。
【図４】側面支持ピン２１によるクランプ動作を説明するための模式図である。
【図５】ワーク装置のクランプ動作を説明するためのフローチャートである。
【図６】従来のワーク切断装置のクランプ動作を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００２７】
図１は、本発明の好ましい実施の形態によるワーク切断装置の構成を示す略側面図である。また、図２は、図１に示すワーク切断装置の略平面図であって、特に底面支持ピン１３の平面レイアウトを示している。
【００２８】
図１及び図２に示すように、本実施形態によるワーク切断装置１は、シリコンインゴットから切り出されたシリコンブロックを加工対象（ワーク）とするものであり、略直方体のシリコンブロック２は、上面２ａ、底面２ｂ及び４つの側面２ｃ〜２ｆを有している。シリコンブロック２の４つの側面２ｃ〜２ｆのうち、互いに対向する２つの側面２ｃ，２ｄはシリコンブロック２の長手方向と平行な側面であり、互いに対向する他の２つの側面２ｅ，２ｆは長手方向と直交する側面である。本実施形態におけるシリコンブロック２は、図２の一点鎖線Ｌで示すように、側面２ｅ，２ｆと平行な平面に沿って切断されて、複数のブロックに分割される。
【００２９】
図１に示すように、ワーク切断装置１は、シリコンブロック２の底面２ｂを支持する底面支持機構１０と、シリコンブロック２の対向する２つの側面２ｃ，２ｄをそれぞれ支持する側面支持機構２０Ｃ，２０Ｄと、底面支持機構１０及び側面支持機構２０Ｃ，２０Ｄによって支持されたシリコンブロック２を複数のブロックに切断する切断機構３０とを備えている。特に限定されるものではないが、切断機構３０としてはバンドソーを好ましく用いることができる。また、２つの側面支持機構２０Ｃ，２０Ｄは支持する側面が異なるだけであり、両者の構成は同一であるため、互いに左右対称な関係を有している。
【００３０】
底面支持機構１０は、シリコンブロック２が載置されるステージ１１と、ステージ１１を昇降させるシリンダ（ステージ昇降機構）１２と、シリコンブロック２の底面２ｂを支持する複数の底面支持ピン１３と、複数の底面支持ピン１３の高さを独立して制御する複数のブレーキ付シリンダ（側面支持ピン制御機構）１４とを備えている。
【００３１】
ステージ１１はシリコンブロック２の底面２ｂの幅方向の中央部を支持している。ステージ１１はその下方に設けられたシリンダ１２によって昇降可能に支持されている。シリンダ１２は、シリコンブロック２の搭載時にはステージ１１を所定の上昇位置に保持し、シリコンブロック２が複数の底面支持ピン１３によって支持された後はステージ１１を降下させる。
【００３２】
複数の底面支持ピン１３は、シリコンブロック２の底面２ｂの幅方向の両端に配置されている。また、図２に示すように、複数の底面支持ピン１３は、分割された各ブロックの四隅を均等に支持（４点支持）するようにその個数及び配置が設定される。底面支持ピン１３の材質としては、シリコンブロック２の表面を傷つけることがないように樹脂を用いることが好ましい。各底面支持ピン１３はブレーキ付シリンダ１４に接続されており、昇降可能に構成されている。各ブレーキ付シリンダ１４は、対応する底面支持ピン１３を一定の荷重で上昇させてステージ１１上のシリコンブロック２の底面２ｂに接触させた後、その位置で動かないようにロックするブレーキ機能を有している。
【００３３】
図３は、底面支持ピン１３によるクランプ動作を説明するための模式図である。
【００３４】
図３に示すように、シリコンブロック２の湾曲した面を下向きにしてステージ１１上に搭載するとき、複数の底面支持ピン１３はその高さが個別に調整されて、シリコンブロック２の底面に接する。このとき、各底面支持ピン１３は弾性力で押しつけられることなくシリコンブロック２の底面２ｂに接触し、面内で均等な荷重を付与している。平坦なステージ１１でシリコンブロック２を支持する場合には、シリコンブロック中央とステージ１１とが接触せず浮いた状態となり、中央ブロックを切り出す際にその切り終わりでブロック重量がかかり、その結果、欠けや割れが発生するおそれがある。しかし、シリコンブロック２の底面２ｂを点支持する場合には、ブロックの切り終わり部分に応力が加わることがなく、シリコンブロック２の割れや欠けを防止することができる。
【００３５】
図２に示すように、側面支持機構２０Ｃ，２０Ｄの各々は、ステージ１１上に載置されたシリコンブロック２の対向する２つの側面２ｃ，２ｄをそれぞれ支持する複数の側面支持ピン２１と、複数の側面支持ピン２１の各々の水平方向の位置を独立して制御する複数のブレーキ付シリンダ（側面支持ピン制御機構）２２と、側面支持ピン２１の前後方向の移動をガイドする複数のボールスプライン２３と、片側の複数のブレーキ付シリンダ及び複数のボールスプラインを搭載するスライドテーブル２４とを備えている。
【００３６】
複数の側面支持ピン２１は、分割後のブロックの片側の側面につき２点で支持するようにその個数及び配置が設定される。側面支持ピン２１の材質としては、シリコンブロック２の表面を傷つけることがないように樹脂を用いることが好ましい。各ブレーキ付シリンダ２２は、複数の側面支持ピン２１の各々を水平方向に移動させてステージ１１上のシリコンブロック２の側面２ｃ又は側面２ｄに接触させた後、その位置で動かないようにロックするブレーキ機能を有している。
【００３７】
ブレーキ付シリンダ２２は、対応する側面支持ピン２１を一定の荷重で独立に進退させてシリコンブロック２の側面にそれぞれ接触させた後、その位置で動かないように固定する。側面支持ピン２１は連結片２５を介してブレーキ付シリンダ２２及びボールスプライン２３に接続されており、連結片２５を用いることによって側面支持ピン２１の高さ方向の適切な位置、つまりシリコンブロックの側面に当接するように調整されている。ブレーキ付シリンダ２２及びボールスプライン２３の軸部の先端は連結片２５を介して側面支持ピン２１に連結されている。
【００３８】
複数のブレーキ付シリンダ２２及びボールスプライン２３は共通のスライドテーブル２４上に搭載されている。したがって、スライドテーブル２４上のすべての側面支持ピン２１を一緒にスライドさせることが可能である。これにより、各側面支持ピン２１の概略位置が一括で調整される。
【００３９】
図４は、側面支持ピン２１によるクランプ動作を説明するための模式図である。
【００４０】
図４に示すように、側面が斜断面であるシリコンブロック２をステージ１１上に搭載するとき、複数の側面支持ピン２１はその位置が個別に調整されて、シリコンブロック２の側面に接する。このとき、各側面支持ピン２１は弾性力で押しつけられることなくシリコンブロック２の側面に接触し、面内で均等な荷重を付与している。したがって、ブロックを切り出す際にその切り終わりで側面支持ピン２１の押圧力の違いに起因する応力が加わることがなく、シリコンブロック２の割れや欠けを防止することができる。
【００４１】
図５は、ワーク切断装置１によるシリコンブロック２のクランプ動作について説明するためのフローチャートである。
【００４２】
図５に示すように、シリコンブロック２のクランプ動作では、ステージ１１上のシリコンブロック２のセンタリングを行った後（ステップＳ１〜Ｓ３）、サイドクランプ（Ｓ４〜Ｓ６）、及び、ボトムクランプ（ステップＳ７〜Ｓ９）を順に行う。
【００４３】
シリコンブロック２のクランプ動作では、まずステージ１１を上昇させた状態でシリコンブロック２をステージ１１上に載置する（ステップＳ１）。このとき、シリコンブロック２の位置や向きは適当であるので、センタリング動作によってその位置及び向きを補正する。詳細には、ブレーキ付シリンダ２２を最大まで前進させた後、ブレーキをオンにする（ステップＳ２）。次に、各側面支持ピン２１の先端位置がステージ１１の幅方向中央から見てシリコンブロック２の幅の１／２の位置（側面基準位置）に来るようにスライドテーブル２４を前進させる(ステップＳ３）。この動作により、側面基準位置よりも外側に飛び出している部分は、スライドテーブル２４と共に前進する側面支持ピン２１によって内側に押し込まれ、最終的にはステージ１１上でセンタリングされる。
【００４４】
次に、サイドクランプ動作を開始する。サイドクランプ動作では、ブレーキ付シリンダ２２のブレーキをオフにした後（ステップＳ４）、側面支持ピン２１の先端をシリコンブロック２の側面２ｃ，２ｄにそれぞれ押し当てたままの状態でスライドテーブル２４を一定量前進させる（ステップＳ５）。これにより、シリコンブロック２の側面への各側面支持ピン２１の接触が独立して調整される。その後、ブレーキ付シリンダ２２のブレーキをオンにすることにより、側面支持ピン２１がその位置で動かないようにロックする(ステップＳ６）。これにより、シリコンブロック２の両側面がバネ性なしで固定された状態となる。以上により、サイドクランプ動作が完了する。
【００４５】
次に、ボトムクランプ動作を開始する。ボトムクランプ動作では、シリコンブロック２が持ち上がらない程度の荷重でブレーキ付シリンダ１４を上昇させて、底面支持ピン１３の先端をシリコンブロック２の底面２ｂに押し当てる（ステップＳ７）。その後、ブレーキ付シリンダ１４のブレーキをオンにすることにより、シリコンブロック２の底面２ｂがバネ性なしで支持された状態となる（ステップＳ８）。その後、ステージ１１を降下させて、底面支持ピン１３のみでシリコンブロック２を支持する（ステップＳ９）。以上により、ボトムクランプ動作が完了する。
【００４６】
以上のようにシリコンブロック２の底面２ｂ及び側面２ｃ，２ｄをクランプした後、切断機構３０によるシリコンブロック２の切断を開始する。なお、切断位置は図２の一点鎖線Ｌで示した通りである。
【００４７】
以上説明したように、本実施形態によるブロック切断装置１は、複数の底面支持ピン１３がシリコンブロック２の底面をそれぞれ均等な荷重で支持すると共に、複数の側面支持ピン２１がシリコンブロック２の側面２ｃ，２ｄをそれぞれ均等な荷重でクランプするので、シリコンブロックを切り出す際にブロックの切り終わりで負荷が加わり、欠けや割れが発生するという問題を解消することができる。
【００４８】
以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能であり、それらも本発明に包含されるものであることは言うまでもない。
【００４９】
例えば、上記実施形態においては、シリコンブロックを切断する場合を例に挙げたが、本発明はシリコンブロックに限定されるものではなく、角柱状の種々のワークに適用可能である。
【００５０】
また、上記実施形態においては、底面支持ピンや側面支持ピンを駆動するアクチュエータとしてブレーキ付シリンダを用いているが、本発明はブレーキ付きシリンダに限定されず、種々の制御機構を用いることができる。
【００５１】
また、上記実施形態においては、側面支持機構２０Ｃ，２０Ｄを用いてシリコンブロックのセンタリングを行っているが、ステージ１１上にシリコンブロックを精度良く載置する場合には、側面支持機構２０Ｃ，２０Ｄによるセンタリング動作を省略することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１    ワーク切断装置
２    シリコンブロック
２ａ    シリコンブロックの上面
２ｂ    シリコンブロックの底面
２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ    シリコンブロックの側面
１０    底面支持機構
１１    ステージ
１２    シリンダ
１３    底面支持ピン
１４    ブレーキ付シリンダ
２０Ｃ，２０Ｄ    側面支持機構
２１    側面支持ピン
２２    ブレーキ付シリンダ
２３    ボールスプライン
２４    スライドテーブル
２５    連結片
３０    切断機構（バンドソー）
４０    ワーク切断装置
４１    ステージ
４２    側面支持機構
４３    側面支持ピン
４４    バネ受け
４５    スライドテーブル
４６    切断機構
４９    シリコンブロック
【図１】
2012144014.tif 000003
【図２】
2012144014.tif 000004
【図３】
2012144014.tif 000005
【図４】
2012144014.tif 000006
【図５】
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【図６】
2012144014.tif 000008