(57)【要約】【課題】画素の開口率を低下させることなく、画素電極のコンタクトホールが配置された電気光学装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。【解決手段】本適用例の液晶装置は、画素電極１５と、画素電極１５に対応して設けられた薄膜トランジスター（ＴＦＴ）３０と、ＴＦＴ３０と画素電極１５との間に、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａを覆うように設けられた遮光性の第１容量配線としての第２容量電極１６ｂと、第２容量配線７１と画素電極１５との間に、画素電極１５とコンタクトホールＣＮＴ８を介して電気的に接続された中継電極９と、を備え、第１容量配線としての第２容量電極１６ｂは、画素電極１５に対する画素の開口隅部に張り出した張り出し部１６ｂａを有し、コンタクトホールＣＮＴ８は、上記張り出し部１６ｂａと重なるように形成されている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と、
前記画素電極に対応して設けられたトランジスターと、
前記トランジスターと前記画素電極との間に、前記トランジスターの半導体層を覆うように設けられた遮光性の容量配線と、
前記容量配線と前記画素電極との間に、前記画素電極とコンタクトホールを介して電気的に接続された中継電極と、を備え、
前記容量配線は、前記画素電極に対する画素の開口隅部に張り出した張り出し部を有し、
前記コンタクトホールは、前記張り出し部と重なるように形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記容量配線は、前記張り出し部を有する第１容量配線と、基板上において前記第１容量配線よりも上層に設けられ、前記第１容量配線に電気的に接続される第２容量配線とを有し、
前記中継電極は、前記第２容量配線と前記画素電極との間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記画素電極に電気的に接続される保持容量を有し、
前記保持容量における一対の容量電極のうちの一方の容量電極が前記第１容量配線を構成していることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記トランジスターに電気的に接続され、互いに交差する走査線とデータ線とを備え、
前記中継電極は遮光性を有し、前記走査線と前記データ線との交差部に重なると共に、前記走査線の延在方向と前記データ線の延在方向とに突出した突出部を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記中継電極に対して、前記画素電極側の前記コンタクトホールは、前記半導体層側のコンタクトホールよりも平面的に大きいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置およびこれを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、投射型表示装置（プロジェクター）の光源から発せられる光を表示情報に基づいて階調制御するライトバルブとしてのアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。このような液晶装置は対角の長さが１インチ程度の大きさであって、画素電極をスイッチング制御するトランジスターに対する遮光性を高めつつ、画素の開口率を向上させることが重要な課題となっている。
【０００３】
上記課題を改善すべく、例えば、特許文献１には、基板上において、トランジスターの半導体層を覆うように設けられた遮光部と、該遮光部と重なるように設けられ、画素電極よりも下層側且つ該半導体層より上層側に形成された第１導電膜と、該第１導電膜より層間絶縁膜を介して上層側に形成されると共に該層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して該第１導電膜と電気的に接続された第２導電膜とを備え、該遮光部は、画素電極に対応した各画素の開口領域の隅に張り出した張出部分を有しており、該コンタクトホールは基板上で平面的に見て、該張出部分と少なくとも部分的に重なっている電気光学装置が開示されている。
【０００４】
上記特許文献１では、遮光部が下部容量電極と上部容量電極とを有し、いずれか一方の容量電極が画素電極と電気的に接続された容量素子である例が示されている。その際に、上記第１導電膜は、いずれか一方の容量電極として形成されると共に、上記半導体層と電気的に接続され、上記第２導電膜は、上記画素電極と電気的に接続されている。
つまり、第１および第２導電膜は、半導体層と画素電極とを電気的に接続させる中継層として機能している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−６３９９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１の電気光学装置における基板上の配線構造は、５層または６層の例が示されており、第２導電膜と最上層の画素電極との間にデータ線や容量線などの配線を形成すると同時に形成された他の中継層を有している。
該他の中継層と画素電極とを電気的に接続させる他のコンタクトホールがやはり必要であり、該他のコンタクトホールも平面的に上記遮光部と重なるように配置されている。
しかしながら、画素の開口率を考慮すると該他のコンタクトホールを設けるスペースを確保することは難しく、上記データ線や容量線などの配線と近づいて配置されるので電気的に短絡するおそれがあった。
また、上記データ線や容量線などとの短絡をおそれて、該他のコンタクトホールを離して配置すると、遮光部の外縁との間の距離が短くなるため、該他のコンタクトホールの凹凸に起因する光漏れを遮光部によって十分に遮光することが困難になるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例の電気光学装置は、画素電極と、前記画素電極に対応して設けられたトランジスターと、前記トランジスターと前記画素電極との間に、前記トランジスターの半導体層を覆うように設けられた遮光性の容量配線と、前記容量配線と前記画素電極との間に、前記画素電極とコンタクトホールを介して電気的に接続された中継電極と、を備え、前記容量配線は、前記画素電極に対する画素の開口隅部に張り出した張り出し部を有し、前記コンタクトホールは、前記張り出し部と重なるように形成されていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、容量配線と画素電極との間に中継電極を設け、この中継電極と画素電極とが電気的に接続されるコンタクトホールを容量配線の張り出し部と重なるように形成するので、容量配線と上記コンタクトホールとの電気的な短絡が防止される。また、容量配線との短絡を考慮しなくてよいので、上記コンタクトホールを容量配線における張り出し部のより内側に配置することが可能となり、上記コンタクトホ−ルに起因する光漏れを遮光性を有する張り出し部によって確実に遮光することができる。
つまり、画素の開口率を低下させることなく、他の配線との電気的な短絡が防止された画素電極のコンタクトホールを有する電気光学装置を提供できる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例の電気光学装置において、前記容量配線は、前記張り出し部を有する第１容量配線と、基板上において前記第１容量配線よりも上層に設けられ、前記第１容量配線に電気的に接続される第２容量配線とを有し、前記中継電極は、前記第２容量配線と前記画素電極との間に設けられていることを特徴とする。
この構成によれば、容量配線が異なる配線層に設けられた第１容量配線と第２容量配線とからなり、容量配線としての電気的な抵抗を低下させることが可能となる。さらに、画素電極と中継電極とを繋ぐ上記コンタクトホールと第２容量配線との間の短絡が防止される。
【００１１】
［適用例３］上記適用例の電気光学装置において、前記画素電極に電気的に接続される保持容量を有し、前記保持容量における一対の容量電極のうちの一方の容量電極が前記第１容量配線を構成していることを特徴とする。
この構成によれば、基板上において一方の容量電極と同層に第１容量配線を設けることが可能となり、一方の容量電極とは別層に第１容量配線を設ける場合に比べて、基板上における配線構造を簡略化できる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例の電気光学装置において、前記トランジスターに電気的に接続され、互いに交差する走査線とデータ線とを備え、前記中継電極は遮光性を有し、前記走査線と前記データ線との交差部に重なると共に、前記走査線の延在方向と前記データ線の延在方向とに突出した突出部を有していることが好ましい。
この構成によれば、互いに交差する走査線とデータ線とによって区画された領域に画素電極が設けられ、遮光性の中継電極によって画素電極の辺部を遮光することが可能となるので、フリッカーなどに起因する画素のちらつきを目立ち難くすることができる。
【００１３】
［適用例５］上記適用例の電気光学装置において、前記中継電極に対して、前記画素電極の前記コンタクトホールは、前記半導体層側のコンタクトホールよりも平面的に大きいことが好ましい。
この構成によれば、透明導電膜を用いて形成される画素電極は、他の配線などに比べて電気的な抵抗が高いので、画素電極に繋がるコンタクトホールの大きさを他のコンタクトホールに比べて大きくすることで、中継電極と画素電極とを安定的に接続させることができる。
【００１４】
［適用例６］本適用例の電子機器は、上記適用例の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、画素における開口率が確保され、明るい表示が得られる電気光学装置を備えた電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】液晶装置における画素の配置を示す概略平面図。
【図４】液晶装置の画素における薄膜トランジスターと信号線の配置を示す概略平面図。
【図５】（ａ）および（ｂ）は画素電極と容量電極および中継電極ならびに各コンタクトホールの配置を示す概略平面図。
【図６】図４および図５（ａ）のＡ−Ａ’線で切った画素の構造を示す概略断面図。
【図７】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図８】変形例の中継電極を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１７】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００１８】
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えた電気光学装置としてのアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００１９】
＜液晶装置＞
本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１および図２を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図、図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２０】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０および対向基板２０は、透明な例えば石英基板、ガラス基板などが用いられている。
【００２１】
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材４０を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。シール材４０は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２２】
額縁状に配置されたシール材４０の内側には、同じく額縁状に遮光膜２１が設けられている。遮光膜２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜２１の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００２３】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。
以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００２４】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極１５およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin  Film  Transistor）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。当該遮光構造については後述する。
【００２５】
対向基板２０の液晶層５０側の表面には、遮光膜２１と、これを覆うように成膜された層間絶縁膜２２と、層間絶縁膜２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とが設けられている。
【００２６】
遮光膜２１は、図１（ａ）に示すように平面的にデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００２７】
層間絶縁膜２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜２１を覆うように設けられている。層間絶縁膜２２は、平坦化層としても機能し、層間絶縁膜２２を覆う共通電極２３の液晶層５０に面する表面が平坦になるように形成される。このような層間絶縁膜２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００２８】
共通電極２３は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなり、層間絶縁膜２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００２９】
画素電極１５を覆う配向膜１８および共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、液晶分子に対して略水平配向処理が施されたものや、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。
【００３０】
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３および複数のデータ線６と、データ線６に沿って平行するように配置された容量配線７とを有する。
走査線３が延在する方向がＸ方向であり、データ線６が延在する方向がＹ方向である。
【００３１】
走査線３とデータ線６ならびに容量配線７と、これらの配線により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、保持容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３２】
走査線３はＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６はＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
データ線６はデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３は走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６に供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３に対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００３３】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６から供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が接続されている。保持容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量配線７との間に設けられている。詳しくは、後述するが、素子基板１０上において、容量配線７は、第１容量配線と、第１容量配線とは別層に設けられ第１容量配線に電気的に接続される第２容量配線とを有しており、第１容量配線は、保持容量１６を構成する一対の容量電極のうちの一方の容量電極によって構成されている。また、容量配線７は、固定電位に接続されている。
【００３４】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６が電気的に接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６に供給するサンプリング回路、データ線６に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００３５】
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００３６】
次に、画素Ｐの平面的な配置と構造について、図３〜図６を参照して説明する。図３は液晶装置における画素の配置を示す概略平面図、図４は液晶装置の画素における薄膜トランジスターと信号線の配置を示す概略平面図、図５（ａ）および（ｂ）は画素電極と容量電極および中継電極ならびに各コンタクトホールの配置を示す概略平面図、図６は図４および図５（ａ）のＡ−Ａ’線で切った画素の構造を示す概略断面図である。
【００３７】
図３に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面的に略四角形の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。
【００３８】
Ｘ方向に延在する非開口領域には、図２に示した走査線３が設けられている。走査線３は遮光性の導電部材が用いられており、走査線３によって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００３９】
同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域には、図２に示したデータ線６と容量配線７が設けられている。データ線６および容量配線７も遮光性の導電部材が用いられており、これらによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００４０】
非開口領域は、素子基板１０側に設けられた上記信号線類によって構成されるだけでなく、対向基板２０側において格子状にパターニングされた遮光膜２１によっても構成することができる。
【００４１】
非開口領域の交差部付近には、図２に示したＴＦＴ３０や保持容量１６が設けられている。遮光性を有する非開口領域の交差部付近にＴＦＴ３０を設けることにより、ＴＦＴ３０の光誤動作を防止すると共に、開口領域における開口率を確保している。詳しい画素Ｐの構造については後述するが、交差部付近にＴＦＴ３０や保持容量１６を設ける関係上、交差部付近の非開口領域の幅は、他の部分に比べて広くなっている。
【００４２】
次に、図４および図５を参照して画素Ｐの画素回路における薄膜トランジスターなどの各構成要素について説明する。
図４に示すように、画素Ｐは、走査線３とデータ線６の交差部に設けられたＴＦＴ３０を有している。ＴＦＴ３０は、ソース領域３０ｓと、ドレイン領域３０ｄと、チャネル領域３０ｃと、ソース領域３０ｓとチャネル領域３０ｃとの間に設けられた接合領域３０ｅと、チャネル領域３０ｃとドレイン領域３０ｄとの間に設けられた接合領域３０ｆとを有するＬＤＤ（Lightly  Doped  Drain）構造の半導体層３０ａを有している。半導体層３０ａは上記交差部を通過して、走査線３と重なるように配置されている。
【００４３】
走査線３はデータ線６との交差部において、Ｘ，Ｙ方向に拡張された平面視で四角形の拡張部３ａを有している。当該拡張部３ａに平面的に重なると共に接合領域３０ｆおよびドレイン領域３０ｄと重ならない開口部を有する折れ曲がった形状のゲート電極３０ｇが設けられている。
【００４４】
ゲート電極３０ｇは、Ｙ方向に延在した部分が平面的にチャネル領域３０ｃと重なっている。また、チャネル領域３０ｃと重なった部分から折り曲げられてＸ方向に延在し、互いに対向する部分がそれぞれ走査線３の拡張部３ａとの間に設けられたコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２によって、走査線３と電気的に接続している。
【００４５】
コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２は、平面視でＸ方向が長い矩形状（長方形）であって、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと接合領域３０ｆとに沿って接合領域３０ｆを挟むように両側に設けられている。
【００４６】
データ線６は、Ｙ方向に延在すると共に、走査線３との交差部において同じく四角形の拡張部６ａを有し、当該拡張部６ａからＸ方向に突出した突出部６ｂに設けられたコンタクトホールＣＮＴ３によってソース領域３０ｓと電気的に接続している。コンタクトホールＣＮＴ３を含む部分がソース電極となっている。一方、ドレイン領域３０ｄの端部にもコンタクトホールＣＮＴ４が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ４を含む部分がドレイン電極となっている。コンタクトホールＣＮＴ４に隣り合うようにコンタクトホールＣＮＴ５が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ５は島状に設けられた中継電極６ｃと電気的に接続されている。
【００４７】
図５（ａ）に示すように、保持容量１６は、一対の容量電極としての第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｂとを有している。第１容量電極１６ａは画素Ｐごとに設けられると共に、走査線３とデータ線６の交差部に重なるように配置されている。また、該交差部に重なった本体部１６ａａから走査線３に沿ってＸ方向に突出した突出部１６ａｂを有している。つまり、第１容量電極１６ａは、本体部１６ａａと突出部１６ａｂとを有し、略四角形の島状となっている。
【００４８】
これに対して、第２容量電極１６ｂは、複数の画素Ｐに跨ってＹ方向に延在する本線部１６ｂｃと、第１容量電極１６ａの本体部１６ａａと重なるように設けられ、開口領域（図３参照）側に張り出した張り出し部１６ｂａと、張り出し部１６ｂａから突出し、第１容量電極１６ａの突出部１６ａｂと重なるように設けられた突出部１６ｂｂとを有している。
【００４９】
第２容量電極１６ｂの張り出し部１６ｂａも、上記した走査線３とデータ線６の交差部と平面的に重なるように形成されており、四角形となっている。
【００５０】
第１容量電極１６ａの突出部１６ａｂは、前述したコンタクトホールＣＮＴ５と重なる位置までＸ方向に突出されており、前述したコンタクトホールＣＮＴ４およびコンタクトホールＣＮＴ５と、コンタクトホールＣＮＴ５の隣に配置されたコンタクトホールＣＮＴ６とに電気的に接続されている。
【００５１】
第２容量電極１６ｂの突出部１６ｂｂは、第１容量電極１６ａの突出部１６ａｂよりもＸ方向に突出した長さが短く、コンタクトホールＣＮＴ５の手前まで延びている。第２容量電極１６ｂは、前述したように複数の画素Ｐに跨ってＹ方向に延在しており、前述した容量配線７の第１容量配線として機能している。したがって、固定電位に接続されており、当然のことながら第１容量電極１６ａが電気的に接続されるコンタクトホールＣＮＴ４，ＣＮＴ５やこの後説明するコンタクトホールＣＮＴ７，ＣＮＴ８とは電気的に接続されていない。
【００５２】
画素電極１５に電気的に接続されるコンタクトホールＣＮＴ８は、画素Ｐの開口隅部に張り出した第２容量電極１６ｂの張り出し部１６ｂａと重なると共に、張り出し部１６ｂａの外縁から離間した位置に設けられている。また、平面的に他のコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６，ＣＮＴ７よりも大きく形成されている。
【００５３】
図５（ａ）は、図４に示した薄膜トランジスターの上層に設けられた保持容量における容量電極の配置を示すものである。図５（ｂ）は保持容量の上層に設けられた中継電極や第２容量配線および画素電極、ならびに各コンタクトホールの平面的な配置を示すものである。
【００５４】
図５（ｂ）に示すように、第２容量配線７１は、第２容量電極１６ｂと同様に複数の画素Ｐに跨ってＹ方向に延在して設けられ、前述した走査線３とデータ線６との交差部では、Ｘ方向において図面上では左側に拡張された拡張部７１ａを有している。第２容量配線７１もまた固定電位に接続される。第１容量配線として機能する第２容量電極１６ｂと第２容量配線７１とは、例えば図１に示した表示領域Ｅの外側の周辺領域まで引き出されてコンタクトホール（図示省略）を介して電気的に接続される。
【００５５】
また、第２容量配線７１からＸ方向において離間し、コンタクトホールＣＮＴ６とコンタクトホールＣＮＴ７とに重なる位置に島状（平面視で四角形）の中継電極７１ｂが設けられている。さらに、第２容量電極１６ｂの張り出し部１６ｂａと重なると共に、コンタクトホールＣＮＴ７およびコンタクトホールＣＮＴ８と電気的に接続される中継電極９が設けられている。
【００５６】
Ｘ方向に突出する突出部９ａを有するＬ字状の中継電極９（図５（ｂ）にハッチングして表示）は、本発明における中継電極の１つの例であって、第１容量電極１６ａや第２容量電極１６ｂ、すなわち保持容量１６と同様に非開口領域に設けられている。
【００５７】
次に、素子基板１０上における配線構造について、図６を参照してさらに詳しく説明する。図６は図４および図５（ａ）におけるＡ−Ａ’線に沿った配線構造を示す概略断面図である。
【００５８】
図６に示すように、素子基板１０上には、まず走査線３が形成される。走査線３は、半導体層３０ａを遮光する遮光膜を兼ねており、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
【００５９】
走査線３を覆うように例えば酸化シリコンなどからなる下地絶縁膜１１ａが形成され、下地絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、前述したソース領域３０ｓ、接合領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、接合領域３０ｆ、ドレイン領域３０ｄを有するＬＤＤ構造が形成されている。
【００６０】
半導体層３０ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成される。さらに第１絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域３０ｃに対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。ゲート電極３０ｇは例えば多結晶シリコン膜を用いて形成することができ、同時に下地絶縁膜１１ａと第１絶縁膜１１ｂとを貫通して走査線３（拡張部３ａ）とゲート電極３０ｇとを電気的に接続するコンタクトホールＣＮＴ１が形成される。なお、図６では図示されていないが、コンタクトホールＣＮＴ２（図４参照）も同時に形成される。
【００６１】
ゲート電極３０ｇと第１絶縁膜１１ｂとを覆うようにして例えば酸化シリコンなどからなる第２絶縁膜１１ｃが形成される。半導体層３０ａのドレイン領域３０ｄに重なる第１絶縁膜１１ｂと第２絶縁膜１１ｃとを貫通するコンタクトホールＣＮＴ４が形成される。続いて、第２絶縁膜１１ｃを覆うように例えばＡｌなどの遮光性の金属からなる導電膜を成膜してパターニングすることにより、ドレイン領域３０ｄにコンタクトホールＣＮＴ４を介して電気的に接続される第１容量電極１６ａが形成される。
【００６２】
第１容量電極１６ａのうち第２容量電極１６ｂと対向する部分およびコンタクトホールＣＮＴ５が形成される部分を除くようにして例えば酸化シリコンなどからなる第３絶縁膜１１ｄが成膜される、もしくはパターニング形成される。
【００６３】
第１容量電極１６ａのうち少なくとも第２容量電極１６ｂと対向する部分に誘電体層１６ｃが成膜される。誘電体層１６ｃとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。厚みは、電気容量を考慮して２０ｎｍ〜３０ｎｍとする。
【００６４】
誘電体層１６ｃを覆うように例えばＴｉＮなどの遮光性の金属窒化物からなる導電膜を成膜してパターニングすることにより、第１容量配線として機能する第２容量電極１６ｂが形成される。なお、第２容量電極１６ｂはパターニングされた誘電体層１６ｃをすべて覆うように形成される。第１容量電極１６ａを構成する導電膜と異ならせることによって、厚みが２０ｎｍ〜３０ｎｍと薄い誘電体層１６ｃを介して第２容量電極１６ｂをパターニングする際に、先に形成された第１容量電極１６ａがエッチングされるなどの不具合を防ぐことができる。また、ＴｉＮなどの金属窒化物は耐食性や耐摩耗性に優れているので、この後の工程において、第２容量電極１６ｂが損傷すること、すなわち保持容量１６に電気的な不具合が生ずることを防止できる。
【００６５】
第２容量電極１６ｂを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第４絶縁膜１１ｅが形成される。半導体層３０ａのソース領域３０ｓと重なる位置に第１絶縁膜１１ｂから第４絶縁膜１１ｅを貫通するコンタクトホールＣＮＴ３と、第１容量電極１６ａの突出部１６ａｂと重なる位置に第３絶縁膜１１ｄおよび第４絶縁膜１１ｅを貫通するコンタクトホールＣＮＴ５が形成される。
これらのコンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ５を埋めるようにして第４絶縁膜１１ｅを覆う例えばＡｌなどの遮光性の金属からなる導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、ソース領域３０ｓにコンタクトホールＣＮＴ３を介して電気的に接続されるデータ線６（拡張部６ａ、突出部６ｂを含む）と、第１容量電極１６ａにコンタクトホールＣＮＴ５を介して電気的に接続される中継電極６ｃが形成される。
【００６６】
データ線６および中継電極６ｃを覆うように層間絶縁膜１２が形成される。層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的研磨処理（Chamical  Mechanical  Polishing；ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００６７】
中継電極６ｃと重なる位置に層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ６が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ６を被覆すると共に層間絶縁膜１２を覆うように例えばＡｌなどの遮光性の金属からなる導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第２容量配線７１（拡張部７１ａを含む）と、中継電極７１ｂが形成される。
【００６８】
次に、第２容量配線７１と中継電極７１ｂとを覆う層間絶縁膜１３が形成される。層間絶縁膜１３も例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、層間絶縁膜１２と同様に平坦化処理を施してもよい。
【００６９】
中継電極７１ｂと重なる位置に層間絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＣＮＴ７が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ７を被覆すると共に層間絶縁膜１３を覆うように例えばＡｌなどの遮光性の金属からなる導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、中継電極９（突出部９ａを含む）が形成される。
【００７０】
次に、中継電極９を覆う層間絶縁膜１４が形成される。層間絶縁膜１４も例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、層間絶縁膜１２と同様に平坦化処理を施してもよい。
【００７１】
中継電極９と重なる位置に層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＮＴ８が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ８を被覆すると共に層間絶縁膜１４を覆うように例えばＩＴＯなどの透明導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、中継電極９にコンタクトホールＣＮＴ８を介して電気的に接続される画素電極１５が形成される。
【００７２】
このような素子基板１０の配線構造によれば、ＴＦＴ３０のドレイン領域３０ｄはコンタクトホールＣＮＴ４を介して保持容量１６の第１容量電極１６ａと電気的に接続される。また、第１容量電極１６ａの突出部１６ａｂ、コンタクトホールＣＮＴ５、中継電極６ｃ、コンタクトホールＣＮＴ６、中継電極７１ｂ、コンタクトホールＣＮＴ７、中継電極９、コンタクトホールＣＮＴ８を介して画素電極１５と電気的に接続される。
【００７３】
上記第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）素子基板１０上において、第２容量配線７１と画素電極１５との間に中継電極９が設けられているので、第２容量配線７１とコンタクトホールＣＮＴ８との電気的な短絡が防止される。また、第２容量配線７１との短絡を考慮しなくてよいので、コンタクトホールＣＮＴ８を遮光性を有する第１容量電極１６ａの本体部１６ａａや第２容量電極１６ｂの張り出し部１６ｂａに対して平面的により内側に配置することが可能となり、コンタクトホールＣＮＴ８に起因する光漏れを上記本体部１６ａａや上記張り出し部１６ｂａによって確実に遮光することができる。
つまり、画素Ｐの開口率を低下させることなく、他の配線との電気的な短絡が防止された画素電極１５のコンタクトホールＣＮＴ８を有する液晶装置１００を提供できる。
【００７４】
（２）容量配線７は、第１容量配線としての第２容量電極１６ｂと第２容量配線７１とにより構成されているので、第２容量電極１６ｂ単独に比べて、電気抵抗を低減できる。
また、保持容量１６における第２容量電極１６ｂが第１容量配線として機能しているので、素子基板１０上において第２容量電極１６ｂとは別層に第１容量配線を設ける場合に比べて、素子基板１０上における配線構造を簡略化できる。
【００７５】
（３）画素電極１５と中継電極９とを電気的に接続させるコンタクトホールＣＮＴ８は、中継電極９に対して半導体層３０ａ側に設けられたコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６，ＣＮＴ７よりも平面的に大きく形成されている。これにより、中継電極９よりも抵抗が高いＩＴＯなどの透明導電膜を用いて画素電極１５を形成しても、画素電極１５と中継電極９との電気的に安定した接続を実現できる。
【００７６】
（第２実施形態）
＜電子機器＞
図７は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。図７に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００７７】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００７８】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００７９】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００８０】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００８１】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した第１実施形態の液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００８２】
このような投射型表示装置１０００によれば、画素Ｐにおいて所望の開口率が確保された液晶装置１００を液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として用いているので、偏光照明装置１１００から発する光を有効に利用して明るい表示品位が実現されている。
【００８３】
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００８４】
（変形例１）上記第１実施形態の液晶装置１００における中継電極９の形状は、これに限定されない。図８は変形例の中継電極を示す概略平面図である。例えば、図８に示すように、変形例の中継電極９は、画素Ｐを実質的に区画する非開口領域に設けられ、データ線６に沿ってＹ方向に突出した突出部９ｂと、走査線３に沿ってＸ方向に突出した突出部９ｃとを有している。画素電極１５はこれらの突出部９ｂ，９ｃに重なるように配置されている。
このような中継電極９の形状によれば、画素Ｐにおける画素電極１５の四辺部を液晶層５０に近い側に配置された遮光性の中継電極９によって、遮光することができる。したがって、フリッカーなどに起因する画素Ｐの光漏れを広い視角範囲で遮光することができる。
【００８５】
（変形例２）上記第１実施形態の液晶装置１００における容量配線７の構成は、これに限定されない。例えば、複数の画素Ｐに跨ってＹ方向に延在する第２容量電極１６ｂを容量配線７として用い、第２容量配線７１はシールド層として機能させてもよい。これによれば、画像の表示に対応した信号をデータ線６に与えたときに、隣り合う画素電極１５間で電位差が生じ発生した電界によって、データ線６にノイズが乗ることをシールド層を設けることで低減することができる。
【００８６】
（変形例３）ＴＦＴ３０における半導体層３０ａは、上記実施形態のように走査線３と重なるように配置されることに限定されない。例えば、データ線６と重ねる配置や半導体層３０ａを途中で折り曲げて、走査線３とデータ線６とに重ねるように配置したとしても、本願の中継電極９およびコンタクトホールＣＮＴ８の構成を適用することができる。
【００８７】
（変形例４）上記素子基板１０の配線構造を適用可能な電気光学装置は、上記透過型の液晶装置１００に限定されない。例えば、画素電極１５がＡｌなどの反射性を有する金属材料により形成された反射型の液晶装置にも適用することができる。反射型の液晶装置では、素子基板１０の材料としてシリコン基板を用いてもよい。
また、トランジスターを備えたアクティブ駆動型の電気光学装置であって、例えば有機ＥＬ（Electro  Luminessence）装置、電気泳動装置などの表示装置にも適用することができる。
【００８８】
（変形例５）上記液晶装置１００が適用される電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００８９】
３…走査線、６…データ線、９…中継電極、９ｂ，９ｃ…中継電極の突出部、１０…素子基板、１５…画素電極、１６…保持容量、１６ａ…第１容量電極、１６ａａ…第１容量電極の本体部、１６ｂ…第２容量電極、１６ｂａ…第２容量電極の張り出し部、１００…電気光学装置としての液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、ＣＮＴ８…画素電極のコンタクトホール。
【図１】
2012252033.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2012252033.tif 000009
【図８】
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