(57)【要約】 【課題】露光不良の発生を抑制できる露光方法を提供する。【解決手段】露光方法は、液体を介して基板の複数のショット領域を露光光で順次露光する。露光方法は、基板に対する露光光の照射前における液体の第１温度を検出することと、複数のショット領域を露光している間に液体の温度を複数回検出し、検出された複数の温度から第２温度を得ることと、第１温度と第２温度との差と、第１許容値とを比較することと、を含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して基板の複数のショット領域を露光光で順次露光する露光方法であって、
前記基板に対する前記露光光の照射前における前記液体の第１温度を検出することと、
前記複数のショット領域を露光している間に前記液体の温度を複数回検出し、前記検出された複数の温度から第２温度を得ることと、
前記第１温度と前記第２温度との差と、第１許容値とを比較することと、を含む露光方法。
【請求項２】
前記第２温度は、前記ショット領域に対する前記露光光の照射中における前記液体の温度の最大値、最小値、及び平均値の少なくとも一つを含む請求項１記載の露光方法。
【請求項３】
前記第１温度、前記検出された複数の温度、及び前記第２温度の少なくとも一つと、前記液体の温度に関して定められた上限値、及び下限値の少なくとも一方とを比較する請求項１又は２記載の露光方法。
【請求項４】
前記検出された複数の温度の最大値と最小値との差と、第２許容値とを比較することを含む請求項１〜３のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５】
液体を介して基板の複数のショット領域を露光光で順次露光する露光方法であって、
前記複数のショット領域を露光している間に前記液体の温度を複数回検出することと、
前記検出された複数の温度の最大値と最小値との差と、許容値とを比較することと、を含む露光方法。
【請求項６】
前記最大値と前記液体の温度に関して定められた上限値とを比較することと、
前記最小値と前記液体の温度に関して定められた下限値とを比較することと、を含む請求項５記載の露光方法。
【請求項７】
前記複数の温度が、前記複数のショット領域のそれぞれに対応する請求項１〜６のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項８】
前記比較の結果に基づいて所定の情報を発する請求項１〜７のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項９】
前記比較の結果に基づいて前記基板の露光を停止する請求項１〜８のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１０】
前記比較の結果に基づいて、前記基板上に供給される前記液体の温度を調整する請求項１〜９のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１１】
前記基板上に前記液体を供給することと、
前記供給と並行して前記基板上の前記液体を回収することと、を含み、
前記供給と前記回収とを実行しながら前記液体の温度を検出する請求項１〜１０のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１３】
液体を介して基板の複数のショット領域を露光光で順次露光する露光装置であって、
前記基板に対する前記露光光の照射前における前記基板上の前記液体の第１温度を検出し、前記複数のショット領域を露光している間に前記液体の温度を複数回検出し、前記検出された複数の温度から第２温度を得る検出装置と、
前記第１温度と前記第２温度との差と、第１許容値とを比較し、前記比較した結果に基づいて、所定の処理を実行する制御装置と、を備える露光装置。
【請求項１４】
液体を介して基板の複数のショット領域を露光光で順次露光する露光装置であって、
前記複数のショット領域を露光している間に前記液体の温度を複数回検出する検出装置と、
前記検出された複数の温度の最大値と最小値との差と、許容値とを比較し、前記比較した結果に基づいて、所定の処理を実行する制御装置と、を備える露光装置。
【請求項１５】
前記基板上に前記液体を供給する供給口と、
前記基板上の前記液体を回収する回収口と、を備え、
前記供給と前記回収とを実行しながら前記液体の温度が前記検出装置で検出される請求項１３又は１４記載の露光装置。
【請求項１６】
前記検出装置は、前記供給口から供給される前記液体の温度、及び前記回収口から回収される前記液体の温度の少なくとも一方を検出する請求項１５記載の露光装置。
【請求項１７】
前記比較の結果に基づいて所定の情報を発する報知装置を備え、
前記所定の処理は、前記報知装置で前記情報を発する処理を含む請求項１３〜１６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１８】
前記基板上の液体の温度を調整可能な調整装置を備え、
前記所定の処理は、前記調整装置で前記液体の温度を調整する処理を含む請求項１３〜１７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１９】
前記基板上に供給される液体の温度、及び単位時間当たりの液体供給量の少なくとも一方が調整されることによって、前記基板上の前記液体の温度が調整される請求項１８記載の露光装置。
【請求項２０】
前記基板を保持する基板保持部を備え、
前記基板保持部が前記基板の温度を調整することによって、前記基板上の前記液体の温度が調整される請求項１８又は１９記載の露光装置。
【請求項２１】
前記制御装置に信号を入力可能な入力装置を備え、
前記入力装置からの信号に基づいて、前記所定の処理が実行される請求項１３〜２０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２２】
請求項１３〜２１のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項２３】
コンピュータに、液体を介して基板の複数のショット領域を露光光で順次露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
前記基板に対する前記露光光の照射前における前記液体の第１温度を検出することと、
前記複数のショット領域を露光している間に前記液体の温度を複数回検出し、前記検出された複数の温度から第２温度を得ることと、
前記第１温度と前記第２温度との差と、第１許容値とを比較することと、を実行させるプログラム。
【請求項２４】
コンピュータに、液体を介して基板の複数のショット領域を露光光で順次露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
前記複数のショット領域を露光している間に前記液体の温度を複数回検出することと、
前記検出された複数の温度の最大値と最小値との差と、許容値とを比較することと、を実行させるプログラム。
【請求項２５】
請求項２３又は２４記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法、露光装置、プログラム、記録媒体、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／００８２７４４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液浸露光装置において、例えば液体の温度が許容範囲外である場合、露光不良が発生し、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光方法、露光装置、プログラム、及び記録媒体を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、液体を介して基板の複数のショット領域を露光光で順次露光する露光方法であって、基板に対する露光光の照射前における液体の第１温度を検出することと、複数のショット領域を露光している間に液体の温度を複数回検出し、検出された複数の温度から第２温度を得ることと、第１温度と第２温度との差と、第１許容値とを比較することと、を含む露光方法が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、液体を介して基板の複数のショット領域を露光光で順次露光する露光方法であって、複数のショット領域を露光している間に液体の温度を複数回検出することと、検出された複数の温度の最大値と最小値との差と、許容値とを比較することと、を含む露光方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、第１、第２の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、液体を介して基板の複数のショット領域を露光光で順次露光する露光装置であって、基板に対する露光光の照射前における基板上の液体の第１温度を検出し、複数のショット領域を露光している間に液体の温度を複数回検出し、検出された複数の温度から第２温度を得る検出装置と、第１温度と第２温度との差と、第１許容値とを比較し、比較した結果に基づいて、所定の処理を実行する制御装置と、を備える露光装置が提供される。
【００１０】
本発明の第５の態様に従えば、液体を介して基板の複数のショット領域を露光光で順次露光する露光装置であって、複数のショット領域を露光している間に液体の温度を複数回検出する検出装置と、検出された複数の温度の最大値と最小値との差と、許容値とを比較し、比較した結果に基づいて、所定の処理を実行する制御装置と、を備える露光装置が提供される。
【００１１】
本発明の第６の態様に従えば、第４、第５の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【００１２】
本発明の第７の態様に従えば、コンピュータに、液体を介して基板の複数のショット領域を露光光で順次露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、基板に対する露光光の照射前における液体の第１温度を検出することと、複数のショット領域を露光している間に液体の温度を複数回検出し、検出された複数の温度から第２温度を得ることと、第１温度と第２温度との差と、第１許容値とを比較することと、を実行させるプログラムが提供される。
【００１３】
本発明の第８の態様に従えば、コンピュータに、液体を介して基板の複数のショット領域を露光光で順次露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、複数のショット領域を露光している間に液体の温度を複数回検出することと、検出された複数の温度の最大値と最小値との差と、許容値とを比較することと、を実行させるプログラムが提供される。
【００１４】
本発明の第９の態様に従えば、第７、第８の態様のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る液浸部材及び基板ステージの一例を示す側断面図である。
【図３】本実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。
【図４】本実施形態に係る基板ステージに保持された基板の一例を示す図である。
【図５】本実施形態に係る液体の温度とショット領域との関係の一例を示す図である。
【図６】本実施形態に係るデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１８】
図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。
【００１９】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材Ｃ（計測器）を搭載して移動可能な計測ステージ３とを備えた露光装置である。
【００２０】
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板ステージ２と、計測ステージ３と、マスクステージ１を移動する駆動システム４と、基板ステージ２及び計測ステージ３を移動する駆動システム５と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材６と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７とを備えている。
【００２１】
また、露光装置ＥＸは、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置８と、制御装置７に信号を入力可能な入力装置２８と、所定の情報を発する報知装置２９とを備えている。記憶装置８、入力装置２８、及び報知装置２９のそれぞれは、制御装置７に接続されている。
【００２２】
また、露光装置ＥＸは、液体ＬＱの温度を検出する検出装置３０を備えている。本実施形態において、検出装置３０は、基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を検出可能である。
【００２３】
液浸空間は、液体で満たされた空間である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。
【００２４】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を露光光ＥＬで照明する。本実施形態においては、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。なお、露光光ＥＬとして、ＫｒＦエキシマレーザ光を用いてもよい。
【００２５】
マスクステージ１は、マスクＭをリリース可能に保持する保持部９を有する。マスクステージ１は、露光光ＥＬを射出する照明系ＩＬの射出面と対向する位置を含む所定面内において移動可能である。本実施形態において、マスクステージ１は、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬの光路と交差するＸＹ平面内において移動可能である。照明系ＩＬの射出面と対向する位置は、その射出面から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（照明領域ＩＲ）を含む。マスクステージ１は、保持部９にマスクＭを保持した状態で、ベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面１０Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。
【００２６】
本実施形態において、駆動システム４は、マスクステージ１に配置された可動子４Ａと、ベース部材１０に配置された固定子４Ｃとを有する平面モータを含む。マスクステージ１は、駆動システム４の作動により、ガイド面１０Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２７】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１１を有する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１２が射出面１１を有する。投影領域ＰＲは、射出面１１から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態において、終端光学素子１２の光軸は、Ｚ軸と平行である。本実施形態において、射出面１１から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。
【００２８】
基板ステージ２は、射出面１１から射出される露光光ＥＬで露光される基板Ｐを保持する。基板ステージ２は、基板Ｐをリリース可能に保持する保持部１３を有する。計測ステージ３は、射出面１１から射出される露光光ＥＬを計測する計測部材Ｃ（計測器）を搭載する。計測ステージ３は、計測部材Ｃをリリース可能に保持する保持部１４を有する。本実施形態において、基板ステージ２は、米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号明細書、及び米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号明細書等に開示されているような、保持部１３の周囲の少なくとも一部に配置され、カバー部材Ｔをリリース可能に保持する保持部１５を有する。計測ステージ３は、保持部１４の周囲の少なくとも一部に配置され、カバー部材Ｓをリリース可能に保持する保持部１６を有する。
【００２９】
なお、カバー部材Ｔが基板ステージ２に一体的に形成されてもよいし、カバー部材Ｓが計測ステージ３に一体的に形成されてもよい。
【００３０】
基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、射出面１１と対向する位置を含む所定面内において移動可能である。本実施形態において、基板ステージ２及び計測ステージ３は、射出面１１から射出される露光光ＥＬの光路と交差するＸＹ平面内において移動可能である。射出面１１と対向する位置は、射出面１１から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）を含む。基板ステージ２は、保持部１３に基板Ｐを保持した状態で、ベース部材１７のガイド面１７Ｇ上を移動可能である。計測ステージ３は、保持部１４に計測部材Ｃを保持した状態で、ベース部材１７のガイド面１７Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面１７Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。
【００３１】
本実施形態において、駆動システム５は、基板ステージ２に配置された可動子５Ａと、計測ステージ３に配置された可動子５Ｂと、ベース部材１７に配置された固定子５Ｃとを有する平面モータを含む。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、駆動システム５の作動により、ガイド面１７Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００３２】
なお、駆動システム４、５が有する平面モータの一例が、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されている。
【００３３】
制御装置７は、ＣＰＵ等を含むコンピュータシステムを含む。また、制御装置７は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。
【００３４】
記憶装置８は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置８には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶される。
【００３５】
入力装置２８は、例えばキーボード、マウス、及びタッチパネル等を含む。入力装置２８は、指令信号、及びデータ信号の少なくとも一方を含む所定の信号を、制御装置７に入力可能である。なお、入力装置２８が、通信装置を含んでもよい。例えば、露光装置ＥＸに対する外部装置からの信号が、その通信装置を介して制御装置７に入力されてもよい。
【００３６】
報知装置２９は、例えばフラットパネルディスプレイ等の表示装置、音を発する発音装置、及び光を発する発光装置の少なくとも一つを含む。制御装置７は、報知装置２９を介して、所定の情報を発することができる。
【００３７】
本実施形態において、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置は、レーザ干渉計ユニット１８Ａ、１８Ｂを含む干渉計システム１８によって計測される。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置７は、干渉計システム１８の計測結果に基づいて、駆動システム４、５を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ）の位置制御を実行する。
【００３８】
液浸部材６は、射出面１１と、その射出面１１と対向する位置（投影領域ＰＲ）に配置される物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸空間ＬＳの少なくとも一部は、射出面１１と物体との間に保持される液体ＬＱによって形成される。
【００３９】
本実施形態において、露光光ＥＬが射出される終端光学素子１２の射出面１１との間に液体ＬＱを保持可能な物体は、基板ステージ２（カバー部材Ｔ）及び計測ステージ３（カバー部材Ｓ）の少なくとも一方を含む。また、本実施形態において、その物体は、保持部１３に保持された基板Ｐ、及び保持部１４に保持された計測部材Ｃの少なくとも一方を含む。これら物体は、射出面１１との間に液体ＬＱを保持して移動可能である。これら物体は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１２の射出面１１側）において移動可能である。本実施形態において、物体は、射出面１１と対向する位置を含むＸＹ平面内において移動可能である。
【００４０】
液浸部材６は、終端光学素子１２の近傍に配置される。本実施形態において、液浸部材６は、環状の部材であり、露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。本実施形態においては、液浸部材６の少なくとも一部が、終端光学素子１２の周囲に配置される。
【００４１】
本実施形態において、液浸部材６は、投影領域ＰＲに配置される物体と対向可能な下面１９を有する。下面１９は、投影領域ＰＲに配置される物体の表面（上面）との間で液体ＬＱを保持可能である。一方側の射出面１１及び下面１９と、他方側の物体の表面（上面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１２と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。
【００４２】
本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材６の下面１９と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。
【００４３】
例えば基板Ｐの露光の少なくとも一部において、終端光学素子１２及び液浸部材６と、保持部１３に保持された基板Ｐ及び保持部１５に保持されたカバー部材Ｔの少なくとも一方との間に液体ＬＱが保持されて液浸空間ＬＳが形成される。例えば計測部材Ｃ（計測器）を用いる計測の少なくとも一部において、終端光学素子１２及び液浸部材６と、保持部１４に保持された計測部材Ｃ及び保持部１６に保持されたカバー部材Ｓの少なくとも一方との間に液体ＬＱが保持されて液浸空間ＬＳが形成される。
【００４４】
図２は、本実施形態に係る液浸部材６及び基板ステージ２の一例を示す側断面図である。なお、図２を用いる説明においては、投影領域ＰＲ（射出面１１及び下面１９と対向する位置）に基板Ｐ（基板ステージ２）が配置される場合を例にして説明するが、上述のように、例えば計測ステージ３等、所定の物体を配置することもできる。
【００４５】
図２に示すように、液浸部材６は、射出面１１と対向する位置に配置される開口６Ｋと、開口６Ｋの周囲に配置される下面２０とを有する。射出面１１から射出された露光光ＥＬは、開口６Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。
【００４６】
また、液浸部材６は、液体ＬＱを供給可能な供給口２１と、液体ＬＱを回収可能な回収口２２とを備えている。供給口２１は、射出面１１及び下面１９と対向する基板Ｐ（物体）上に液体ＬＱを供給可能である。供給口２１は、射出面１１から射出される露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面するように配置されている。
【００４７】
供給口２１は、流路２３を介して、液体供給装置２４と接続されている。液体供給装置２４は、液体ＬＱを送出可能である。流路２３は、液浸部材６の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と液体供給装置２４とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置２４から送出された液体ＬＱは、流路２３を介して供給口２１に供給される。
【００４８】
液体供給装置２４は、液体ＬＱ中の異物を除去可能なフィルタユニット２４Ａ、供給口２１に供給する液体ＬＱの温度を調整可能な温度調整装置２４Ｂ、及び供給口２１に供給する単位時間当たりの液体供給量を調整可能なマスフローコントローラを含む供給量調整装置２４Ｃを有する。制御装置７は、液体供給装置２４を制御して、供給口２１を介して基板Ｐ上に供給される液体ＬＱの温度、及び基板Ｐ上に対する単位時間当たりの液体ＬＱの供給量の少なくとも一方を調整可能である。
【００４９】
回収口２２は、射出面１１及び下面１９と対向する基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。回収口２２は、基板Ｐ（物体）が対向可能な液浸部材６の所定位置に配置されている。本実施形態において、回収口２２は、下面２０の周囲の少なくとも一部に配置されている。
【００５０】
本実施形態において、回収口２２には、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材２５が配置されている。本実施形態において、基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱの少なくとも一部は、多孔部材２５の孔を介して回収される。なお、回収口２２に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。多孔部材２５の下面２５Ｂに基板Ｐ（物体）が対向可能である。下面２０の周囲に下面２５Ｂが配置される。本実施形態において、液浸部材６の下面１９の少なくとも一部は、下面２０及び多孔部材２５の下面２５Ｂを含む。
【００５１】
回収口２２は、流路２６を介して、液体回収装置２７と接続されている。液体回収装置２７は、回収口２２を介して液体ＬＱを吸引可能である。流路２６は、液浸部材６の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と液体回収装置２７とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口２２（多孔部材２５の孔）から回収された液体ＬＱは、流路２６を介して、液体回収装置２７に回収される。
【００５２】
液体回収装置２７は、回収口２２を真空システムに接続可能である。なお、液体回収装置２７が、液体ＬＱを吸引可能な真空システムを備えていてもよい。液体回収装置２７は、回収口２２から回収される単位時間当たりの液体回収量を調整可能である。制御装置７は、液体回収装置２７を制御して、回収口２２を介して基板Ｐ上から回収される単位時間当たりの液体ＬＱの回収量を調整可能である。
【００５３】
なお、回収口２２から多孔部材２５を介して実質的に液体ＬＱのみが回収されてもよい。また、回収口２２から多孔部材２５を介して液体ＬＱが気体とともに回収されてもよい。なお、回収口２２に多孔部材２５が配置されなくてもよい。
【００５４】
なお、液浸部材６として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。
【００５５】
本実施形態において、制御装置７は、供給口２１から基板Ｐ（物体）上に液体ＬＱを供給し、その液体ＬＱの供給と並行して、回収口２２から基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱを回収することによって、一方側の終端光学素子１２及び液浸部材６と、他方側の基板Ｐ（物体）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。
【００５６】
検出装置３０は、液体ＬＱと接触可能な位置に配置される温度センサ３１を有する。本実施形態において、温度センサ３１は、液浸部材６の少なくとも一部に配置される。検出装置３０は、温度センサ３１を用いて、基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を検出可能である。本実施形態において、温度センサ３１は、供給口２１の近傍に配置される第１温度センサ３１Ａと、回収口２２の近傍に配置される第２温度センサ３１Ｂとを含む。本実施形態において、第１温度センサ３１Ａは、液浸部材６の内部に形成された供給流路に配置される。第２温度センサ３１Ｂは、液浸部材６の内部に形成された回収流路に配置される。第１温度センサ３１Ａは、供給口２１から供給される液体ＬＱの温度を検出可能である。第２温度センサ３１Ｂは、回収口２２から回収される液体ＬＱの温度を検出可能である。
【００５７】
第１温度センサ３１Ａは、基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を検出可能であるとともに、液体供給装置２４が送出する液体ＬＱの温度を検出可能である。第２温度センサ３１Ｂは、液体供給装置２４から送出され、供給口２１から基板Ｐ上に供給された液体ＬＱの温度を検出可能であるとともに、終端光学素子１２、液浸部材６、及び基板Ｐ（物体）の少なくとも一部で発生する可能性がある液体ＬＱの気化熱に起因する温度変化を検出可能である。
【００５８】
なお、温度センサ３１が、供給口２１の近傍及び回収口２２の近傍の少なくとも一方に配置されてもよい。
【００５９】
なお、温度センサ３１が、下面１９の少なくとも一部に配置されてもよい。なお、温度センサ３１が、液浸部材６に配置されなくてもよい。例えば、温度センサ３１が、終端光学素子１２の少なくとも一部に配置されてもよい。なお、検出装置３０が、非接触方式で液体ＬＱの温度を検出してもよい。
【００６０】
本実施形態において、基板ステージ２は、保持部１３の温度を調整する温度調整装置４０を有する。本実施形態において、温度調整装置４０の少なくとも一部は、基板ステージ２の内部に配置される。温度調整装置４０は、例えばペルチェ素子を含み、保持部１３の温度を調整可能である。なお、温度調整装置４０が、基板ステージ２の内部に形成され、温度調整用の流体（液体及び気体の少なくとも一方）が流れる流路を有してもよい。
【００６１】
温度調整装置４０は、保持部１３の温度を調整することによって、その保持部１３に保持される基板Ｐの温度を調整可能である。また、本実施形態において、温度調整装置４０は、保持部１３の温度分布を調整可能である。温度調整装置４０は、保持部１３の温度分布を調整することによって、その保持部１３に保持される基板Ｐの温度分布を調整可能である。温度調整装置４０は、制御装置７により制御される。制御装置７は、温度調整装置４０を制御して、保持部１３に保持される基板Ｐの温度（温度分布）を調整可能である。
【００６２】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて、基板Ｐを露光する方法の一例について、図３のフローチャート、及び図４、図５を参照して説明する。
【００６３】
制御装置７は、基板搬送装置（不図示）を用いて、基板Ｐの交換処理を実行する。制御装置７は、露光前の基板Ｐを保持部１３に搬入（ロード）する。なお、保持部１３に露光後の基板Ｐが保持されている場合、その基板Ｐが保持部１３から搬出（アンロード）された後、露光前の基板Ｐが保持部１３に搬入（ロード）される。
【００６４】
また、制御装置７は、計測ステージ３（計測部材Ｃ、計測器）を用いて、所定の計測処理を実行する。露光前の基板Ｐが保持部１３にロードされ、計測ステージ３を用いる計測処理が終了した後、制御装置７は、基板ステージ２を投影領域ＰＲに移動して、終端光学素子１２及び液浸部材６と基板Ｐ（基板ステージ２）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成する（ステップＳＡ１）。
【００６５】
基板Ｐ上に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置７は、基板Ｐに対して露光光ＥＬを照射する前に、検出装置３０を用いて、液体ＬＱの温度を検出する（ステップＳＡ２）。
【００６６】
本実施形態において、制御装置７は、基板Ｐに対して露光光ＥＬを照射する直前の基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を検出する。以下の説明において、基板Ｐに対する露光光ＥＬの照射前における基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を適宜、直前温度ｔｂ、と称する。
【００６７】
本実施形態において、直前温度ｔｂの検出は、基板Ｐが保持部１３に保持された状態で実行される。制御装置７は、保持部１３に保持された基板Ｐ上の液体ＬＱの直前温度ｔｂを、検出装置３０を用いて検出する。制御装置７は、供給口２１からの液体ＬＱの供給と回収口２２からの液体ＬＱの回収とを実行しながら、検出装置３０を用いて基板Ｐ上の液体ＬＱの直前温度ｔｂを検出する。検出装置３０の検出結果は、制御装置７に出力される。制御装置７は、直前温度ｔｂに関する情報を記憶装置８に記憶する。
【００６８】
液体ＬＱの直前温度ｔｂを検出した後、制御装置７は、基板Ｐの露光処理を開始する（ステップＳＡ３）。
【００６９】
図４は、基板ステージ２に保持された基板Ｐの一例を示す図である。本実施形態においては、基板Ｐに露光対象領域であるショット領域Ｓ１〜Ｓ２１がマトリクス状に複数配置されている。基板Ｐの露光において、終端光学素子１２の射出面１１側の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように基板Ｐ上に液浸空間ＬＳが形成される。基板Ｐの露光において、制御装置７は、供給口２１からの液体ＬＱの供給と回収口２２からの液体ＬＱの回収とを実行して、基板Ｐ上に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成する。制御装置７は、液体ＬＱを介して保持部１３に保持された基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光光ＥＬで順次露光する。
【００７０】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐの露光において、制御装置７は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、ＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。
【００７１】
例えば基板Ｐの第１ショット領域Ｓ１を露光するために、制御装置７は、基板Ｐ（第１ショット領域Ｓ１）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して第１ショット領域Ｓ１に露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐの第１ショット領域Ｓ１に投影され、その第１ショット領域Ｓ１が射出面１１から射出された露光光ＥＬで露光される。第１ショット領域Ｓ１の露光が終了した後、制御装置７は、次の第２ショット領域Ｓ２の露光を開始するために、液浸空間ＬＳが形成されている状態で、基板ＰをＸＹ平面内における所定方向（例えばＸ軸方向、あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向等）に移動し、第２ショット領域Ｓ２を露光開始位置に移動する。その後、制御装置７は、第２ショット領域Ｓ２の露光を開始する。
【００７２】
制御装置７は、投影領域ＰＲに対してショット領域をＹ軸方向に移動しながらそのショット領域を露光する動作と、そのショット領域の露光が終了した後、次のショット領域を露光開始位置に移動するための動作とを繰り返しながら、基板Ｐの複数のショット領域を順次露光する。
【００７３】
以下の説明において、ショット領域を露光するために、終端光学素子１２に対して基板ＰをＹ軸方向に移動することを適宜、スキャン移動、と称する。また、あるショット領域に対する露光が終了した後、次のショット領域を露光するために、次のショット領域が露光開始位置に配置されるように、終端光学素子１２に対して基板Ｐを移動することを適宜、ステップ移動、と称する。
【００７４】
本実施形態において、制御装置７は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図４中、矢印Ｒ１に示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように基板ステージ２を移動しつつ投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光光ＥＬで順次露光する。
【００７５】
制御装置７は、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光している間に、検出装置３０を用いて、基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を複数回検出する（ステップＳＡ４）。
【００７６】
本実施形態においては、液体ＬＱの温度を複数回検出することによって得られる複数の温度は、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに対応する。すなわち、本実施形態において、制御装置７は、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに露光光ＥＬが照射されているときの基板Ｐ上の液体ＬＱの温度の検出を、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに関して実行する。制御装置７は、供給口２１からの液体ＬＱの供給と回収口２２からの液体ＬＱの回収とを実行しながら、検出装置３０を用いて基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を検出する。
【００７７】
以下の説明において、複数のショット領域のうち、第ｎショット領域Ｓｎに露光光ＥＬが照射されているときの基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を適宜、第ｎショット温度ｔｎ、と称する。例えば、第１ショット領域Ｓ１に露光光ＥＬが照射されているときの基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を適宜、第１ショット温度ｔ１、と称し、第２ショット領域Ｓ２に露光光ＥＬが照射されているときの基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を適宜、第２ショット温度ｔ２、と称する。同様に、第３〜第２１ショット領域Ｓ３〜Ｓ２１のそれぞれに露光光ＥＬが照射されているときの基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を適宜、第３ショット温度ｔ３〜第２１ショット温度ｔ２１、とそれぞれ称する。
【００７８】
本実施形態において、制御装置７は、第ｎショット領域Ｓｎに対する露光光ＥＬの照射中において、検出装置３０を用いて液体ＬＱの温度を複数回検出する。上述のように、本実施形態の露光装置ＥＸは、走査型露光装置であり、投影領域ＰＲに対して第ｎショット領域ＳｎをＹ軸方向に移動しつつその投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。制御装置７は、第ｎショット領域Ｓｎに対する露光光ＥＬの照射中において、液体ＬＱの温度を例えば３回検出してもよい。制御装置７は、例えば第ｎショット領域Ｓｎに対する露光光ＥＬの照射が開始された直後の時点（第ｎショット領域Ｓｎが露光開始位置に配置される時点）における液体ＬＱの温度と、走査方向（Ｙ軸方向）に関して投影領域ＰＲが第ｎショット領域Ｓｎの中央に配置された時点における液体ＬＱの温度と、第ｎショット領域Ｓｎに対する露光光ＥＬの照射が終了する直前の時点（第ｎショット領域Ｓｎが露光終了位置に配置される時点）における液体ＬＱの温度とを検出してもよい。もちろん、第ｎショット領域Ｓｎに対する露光光ＥＬの照射中において液体ＬＱの温度を検出する回数は、４回以上の任意の回数でもよいし、２回でもよいし、１回でもよい。また、制御装置７は、第ｎショット領域Ｓｎに対する露光光ＥＬの照射中において液体ＬＱの温度を連続的に検出してもよい。
【００７９】
本実施形態において、第ｎショット領域Ｓｎに露光光ＥＬが照射されているときの基板Ｐ上の液体ＬＱの第ｎショット温度ｔｎとは、その第ｎショット領域Ｓｎに対する露光光ＥＬの照射中における液体ＬＱの温度の平均値をいう。例えば、第ｎショット領域Ｓｎに対する露光光ＥＬの照射中において液体ＬＱの温度検出が３回実行される場合、第ｎショット温度ｔｎとは、その３回の検出結果の平均値をいう。なお、第ｎショット領域Ｓｎに露光光ＥＬが照射されているときの基板Ｐ上の液体ＬＱの第ｎショット温度ｔｎが、その第ｎショット領域Ｓｎに対する露光光ＥＬの照射中における液体ＬＱの温度の最大値でもよいし、最小値でもよい。また、第ｎショット領域Ｓｎに対する露光光ＥＬの照射中において液体ＬＱの温度検出が１回だけ実行される場合、第ｎショット温度ｔｎとは、その１回の検出結果の値をいう。
【００８０】
検出装置３０は、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１が露光されている間に検出した複数の温度の検出結果を制御装置７に出力する。制御装置７は、検出装置３０を用いて検出された液体ＬＱの複数の温度から、第１〜第２１ショット温度ｔ１〜ｔ２１に関する情報を取得する。制御装置７は、第１〜第２１ショット温度ｔ１〜ｔ２１に関する情報を記憶装置８に記憶する。
【００８１】
図５は、基板Ｐ上の液体ＬＱの温度とショット領域との関係の一例を示す模式図である。図５に示すグラフにおいて、横軸は、基板Ｐ上の液体ＬＱの温度、縦軸は、ショット領域を示す。図５に示すように、基板Ｐ上の液体ＬＱの温度が変動する可能性があり、第１〜第２１ショット温度ｔ１〜ｔ２１のそれぞれが異なる値になる可能性がある。
【００８２】
制御装置７は、直前温度ｔｂと第ｎショット温度ｔｎとの差ΔＨｎと、第１許容値ＰＥａとを比較する（ステップＳＡ５）。例えば、制御装置７は、直前温度ｔｂと第１ショット温度ｔ１との差ΔＨ１を求め、差ΔＨ１と第１許容値ＰＥａとを比較する。同様に、制御装置７は、直前温度ｔｂと第２〜第２１ショット温度ｔ２〜ｔ２１それぞれとの差ΔＨ２〜ΔＨ２１を求め、差ΔＨ２〜ΔＨ２１のそれぞれと第１許容値ＰＥａとを比較する。
【００８３】
本実施形態において、直前温度ｔｂは、ほぼ一定である。制御装置７は、その直前温度ｔｂを基準温度として、直前温度ｔｂと複数のショット温度ｔ１〜ｔ２１それぞれとの差ΔＨ１〜ΔＨ２１を求める。
【００８４】
本実施形態において、第１許容値ＰＥａは、基板Ｐの第ｎショット領域Ｓｎに所望の精度でパターンの像を投影することができる液体ＬＱの温度に関する許容値である。第１許容値ＰＥａは、露光不良の発生を抑制することができる液体ＬＱの温度に関する許容値である。
【００８５】
本実施形態において、差ΔＨｎが第１許容値ＰＥａを超える場合、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐの第ｎショット領域Ｓｎに投影されるパターンの像は、不良となる可能性がある。一方、差ΔＨｎが第１許容値ＰＥａ以下である場合、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐの第ｎショット領域Ｓｎに投影されるパターンの像は、良好である。すなわち、本実施形態において、差ΔＨｎが第１許容値ＰＥａ以下である場合、第ｎショット領域Ｓｎを露光するために射出面１１と基板Ｐとの間に保持される液体ＬＱの温度は、露光不良の発生を抑制できる温度である。
【００８６】
第１許容値ＰＥａは、例えば予備実験又はシミュレーションによって求められる。第１許容値ＰＥａに関する情報は、記憶装置８に記憶される。制御装置７は、差ΔＨｎと第１許容値ＰＥａとを比較した結果に基づいて、第ｎショット領域Ｓｎに投影されるパターンの像が不良か否かを判断することができる。
【００８７】
また、制御装置７は、検出装置３０を用いて検出された液体ＬＱの複数の温度から得られた第１〜第２１ショット温度ｔ１〜ｔ２１の最大値と最小値との差ΔＪと、第２許容値ＰＥｂとを比較する（ステップＳＡ６）。図５に示す例では、第１〜第２１ショット温度ｔ１〜ｔ２１の最小値は、第２ショット温度ｔ２であり、最大値は、第２０ショット温度ｔ２０である。
【００８８】
本実施形態において、第２許容値ＰＥｂは、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに投影されるパターンの像の形状（線幅）のばらつきを抑制することができる液体ＬＱの温度に関する許容値である。第２許容値ＰＥｂは、露光不良の発生を抑制することができる液体ＬＱの温度に関する許容値である。
【００８９】
本実施形態において、差ΔＪが第２許容値ＰＥｂを超える場合、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに投影されるパターンの像の線幅のばらつきが、許容範囲を超える可能性がある。図５に示す例では、第２ショット温度ｔ２と第２０ショット温度ｔ２０との差ΔＪが第２許容値ＰＥｂを超える場合、第２ショット領域Ｓ２に投影されるパターンの像の線幅と第２０ショット領域Ｓ２０に投影されるパターンの像の線幅との差が許容範囲を超える可能性がある。一方、差ΔＪが第２許容値ＰＥｂ以下である場合、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに投影されるパターンの像の線幅のばらつきは、許容範囲内である。すなわち、本実施形態において、差ΔＪが第２許容値ＰＥｂ以下である場合、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれを露光するために射出面１１と基板Ｐとの間に保持される液体ＬＱの温度は、露光不良の発生（パターン線幅のばらつき）を抑制できる温度である。
【００９０】
第２許容値ＰＥｂは、例えば予備実験又はシミュレーションによって求められる。第２許容値ＰＥｂに関する情報は、記憶装置８に記憶される。制御装置７は、差ΔＪと第２許容値ＰＥｂとを比較した結果に基づいて、第１〜第２１ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに投影されるパターンの像が不良か否か（パターン線幅のばらつきが許容範囲か否か）を判断することができる。
【００９１】
また、制御装置７は、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光している間に検出装置３０を用いて検出された液体ＬＱの複数の温度の最大値と最小値との差ΔＫと、第３許容値ＰＥｃとを比較する（ステップＳＡ７）。なお、第３許容値ＰＥｃは、第２許容値ＰＥｂと同じ値でもよいし、異なる値でもよい。
【００９２】
例えば、第ｎショット領域Ｓｎに対する露光光ＥＬの照射中において液体ＬＱの温度検出が３回実行される場合、第１〜第２１ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに対する露光光ＥＬの照射中における液体ＬＱの温度検出は、６３回実行される。制御装置７は、その６３回の検出動作で検出された液体ＬＱの温度の最大値と最小値との差ΔＫを求め、その差ΔＫと、第３許容値ＰＥｃとを比較する。制御装置７は、例えば第２ショット領域Ｓ２に対する露光光ＥＬの照射中における液体ＬＱの温度の最小値と第２０ショット領域Ｓ２０に対する露光光ＥＬの照射中における液体ＬＱの温度の最大値との差ΔＫと第３許容値ＰＥ３とを比較する。
【００９３】
本実施形態において、第３許容値ＰＥｃは、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに投影されるパターンの像の形状（線幅）のばらつきを抑制することができる液体ＬＱの温度に関する許容値である。第３許容値ＰＥｃは、露光不良の発生を抑制することができる液体ＬＱの温度に関する許容値である。
【００９４】
本実施形態において、差ΔＫが第３許容値ＰＥｃを超える場合、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに投影されるパターンの像の線幅のばらつきが、許容範囲を超える可能性がある。一方、差ΔＫが第３許容値ＰＥｃ以下である場合、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに投影されるパターンの像の線幅のばらつきは、許容範囲内である。
【００９５】
第３許容値ＰＥｃは、例えば予備実験又はシミュレーションによって求められる。第３許容値ＰＥｃに関する情報は、記憶装置８に記憶される。制御装置７は、差ΔＫと第３許容値ＰＥｃとを比較した結果に基づいて、第１〜第２１ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに投影されるパターンの像が不良か否か（パターン線幅のばらつきが許容範囲か否か）を判断することができる。
【００９６】
制御装置７は、直前温度ｔｂ、基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光している間に検出装置３０を用いて検出された液体ＬＱの複数の温度、及び第１〜第２１ショット温度ｔ１〜ｔ２１の少なくとも一つと、液体ＬＱの温度に関して定められた上限値Ｒａ、及び下限値Ｒｂの少なくとも一方を比較する（ステップＳＡ８）。
【００９７】
例えば、制御装置７は、基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光している間に検出装置３０を用いて液体ＬＱの温度を複数回検出して得られた液体ＬＱの複数の温度の最大値と上限値Ｒａとの比較、及び最小値と下限値Ｒｂとの比較の少なくとも一方を実行する。例えば、制御装置７は、第２ショット領域Ｓ２に対する露光光ＥＬの照射中における液体ＬＱの温度の最小値と下限値Ｒｂとを比較する。あるいは、制御装置７は、第２０ショット領域Ｓ２０に対する露光光ＥＬの照射中における液体ＬＱの温度の最大値と上限値Ｒａとを比較する。あるいは、制御装置７は、第２ショット温度ｔ２と下限値Ｒｂとを比較する。あるいは、制御装置７は、第２０ショット温度ｔ２０と上限値Ｒａとを比較する。
【００９８】
本実施形態において、上限値Ｒａ及び下限値Ｒｂは、露光装置ＥＸの性能に影響を与える可能性がある液体ＬＱの温度に関する値である。例えば液体ＬＱの温度が上限値Ｒａよりも高くなる場合、あるいは下限値Ｒｂよりも低くなる場合、その液体ＬＱに接触する基板ステージ２及び計測ステージ３の少なくとも一方が熱変形したり、計測ステージ３を用いる計測の精度が低下したり、終端光学素子１２の光学特性に影響を与えたりする等、露光装置ＥＸの性能に影響を与える可能性がある。液体ＬＱの温度が上限値Ｒａと下限値Ｒｂとの間におさまることによって、露光装置ＥＸの性能が維持される。
【００９９】
このように、本実施形態において、制御装置７は、基板Ｐ上の液体ＬＱの温度に関する情報を複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに対して露光光ＥＬが照射される毎に取得する。また、制御装置７は、直前温度ｔｂと第ｎショット温度ｔｎとの差ΔＨｎに関する情報を取得する。また、制御装置７は、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに対して露光光ＥＬが照射される毎に検出される液体ＬＱの温度の最大値及び最小値に関する情報を取得し、その最大値と最小値との差ΔＪに関する情報を取得する。また、制御装置７は、１つの基板Ｐを露光している間（複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光している間）における液体ＬＱの温度の最大値及び最小値に関する情報を取得し、その最大値と最小値との差ΔＫに関する情報を取得する。
【０１００】
制御装置７は、ステップＳＡ５における比較の結果に基づいて、所定の処理を実行する。ステップＳＡ５において、制御装置７は、差ΔＨｎが第１許容値ＰＥａを超えているか否かを判断する。制御装置７は、比較した結果に基づいて、例えば報知装置２９で所定の情報を発してもよい。
【０１０１】
例えば、差ΔＨｎが第１許容値ＰＥａを超えていると判断された場合、制御装置７は、報知装置２９を介して所定のメッセージを発してもよい。制御装置７は、例えばエラーメッセージを発してもよいし警告メッセージを発してもよい。制御装置７は、報知装置２９を介して、差ΔＨｎが第１許容値ＰＥａを超えている旨のメッセージを発してもよい。
【０１０２】
図５に示した例において、例えば差ΔＨ２０が第１許容値ＰＥａを超えていると判断された場合、制御装置７は、報知装置２９を介して、差ΔＨ２０が第１許容値ＰＥａを超えている旨のメッセージを発してもよい。また、制御装置７は、第２０ショット領域Ｓ２０に投影されるパターンの像が不良である可能性がある旨のメッセージを発してもよい。また、差ΔＨｎが第１許容値ＰＥａを超えていると判断された場合、制御装置７は、例えばそのショット領域Ｓｎの露光を停止してもよいし、その基板Ｐの露光を停止してもよい。
【０１０３】
また、差ΔＨｎが第１許容値ＰＥａを超えていると判断された場合、制御装置７は、例えば報知装置２９を介して、エラーメッセージ、警告メッセージ等を発しなくてもよいし、基板Ｐの露光を継続してもよい。
【０１０４】
また、差ΔＨｎが第１許容値ＰＥａを超えていると判断された場合において、基板Ｐの露光後、第ｎショット領域Ｓｎに対する各種のプロセス処理（現像処理、エッチング処理、及び研磨処理等を含む後処理）を実行しないようにしてもよいし、その第ｎショット領域Ｓｎをプロセス処理から除外してもよい。また、複数のショット温度ｔ１〜ｔ２１のそれぞれについて求められた差ΔＨ１〜ΔＨ２１の少なくとも一つが第１許容値ＰＥａを超えていると判断された場合、その基板Ｐに対する各種のプロセス処理を実行せず、その基板Ｐをプロセス処理から除外してもよい。以下の説明において、基板Ｐ（ショット領域）をプロセス処理から除外する処理を適宜、リジェクト処理、と称する。
【０１０５】
なお、制御装置７は、例えば基板Ｐの露光を停止する処理、あるいはリジェクト処理等の所定の処理を、入力装置２８からの信号に基づいて実行してもよい。例えば、報知装置２９が発した所定のメッセージを認識した作業者は、その所定のメッセージに応じて入力装置２８を操作することができる。制御装置７は、入力装置２８を介して入力された信号に基づいて、基板Ｐの露光を停止する処理、基板Ｐの露光を継続する処理、及びリジェクト処理等を含む所定の処理を実行することができる。
【０１０６】
一方、差ΔＨｎ（例えば差ΔＨ２）が第１許容値ＰＥａ以下であると判断された場合、制御装置７は、報知装置２９を介して、差ΔＨｎが第１許容値ＰＥａ以下である旨のメッセージを発してもよい。また、差ΔＨｎが第１許容値ＰＥａ以下であると判断された場合、制御装置７は、その基板Ｐの露光を継続してもよい。
【０１０７】
また、制御装置７は、ステップＳＡ５における比較の結果に基づいて、基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を調整してもよい。本実施形態において、制御装置７は、液体供給装置２４及び温度調整装置４０の少なくとも一方を用いて、基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を調整することができる。
【０１０８】
例えば、差ΔＨｎが第１許容値ＰＥａを超えていると判断された場合、制御装置７は、差ΔＨｎが小さくなるように（第１許容値ＰＥａ以下になるように）、基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を調整する。制御装置７は、ΔＨｎが第１許容値ＰＥａ以下になるように、基板Ｐ上の第ｎショット温度ｔｎを調整する。
【０１０９】
制御装置７は、例えば液体供給装置２４の温度調整装置２４Ｂを制御して、基板Ｐ上に供給される液体ＬＱの温度を調整する。制御装置７は、例えば検出装置３０で基板Ｐ上の液体ＬＱ（液浸空間ＬＳの液体ＬＱ）の温度を検出し、その検出結果に基づいて、ΔＨｎが第１許容値ＰＥａ以下になるように、温度調整装置２４Ｂを制御して、供給口２１から基板Ｐ上に供給される液体ＬＱの温度を調整する。
【０１１０】
また、制御装置７は、例えば液体供給装置２４の供給量調整装置２４Ｃを制御して、基板Ｐ上に供給される単位時間当たりの液体供給量を調整してもよい。供給口２１から基板Ｐ上に供給される単位時間当たりの液体供給量が調整されることによって、基板Ｐ上の液体ＬＱ（液浸空間ＬＳの液体ＬＱ）の温度が調整される。制御装置７は、ΔＨｎが第１許容値ＰＥａ以下になるように、供給量調整装置２４Ｃを制御して、供給口２１から基板Ｐ上に供給される単位時間当たりの液体供給量を調整して、基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を調整する。
【０１１１】
また、制御装置７は、基板Ｐを保持する保持部１３の温度を調整して、その基板Ｐ上の液体ＬＱ（液浸空間ＬＳの液体ＬＱ）の温度を調整してもよい。制御装置７は、温度調整装置４０を用いて、保持部１３の温度を調整可能である。保持部１３の温度が調整されることによって、その保持部１３に保持される基板Ｐの温度が調整される。基板Ｐの温度が調整されることによって、その基板Ｐ上の液体ＬＱの温度が調整される。制御装置７は、例えば検出装置３０で基板Ｐ上の液体ＬＱ（液浸空間ＬＳの液体ＬＱ）の温度を検出し、その検出結果に基づいて、ΔＨｎが第１許容値ＰＥａ以下になるように、温度調整装置４０を制御して、保持部１３に保持された基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を調整する。
【０１１２】
また、制御装置７は、ステップＳＡ６における比較の結果に基づいて、所定の処理を実行してもよい。ステップＳＡ６において、制御装置７は、差ΔＪが第２許容値ＰＥｂを超えているか否かを判断する。差ΔＪが第２許容値ＰＥｂを超えていると判断された場合、制御装置７は、報知装置２９で所定のメッセージを発する処理、基板Ｐの露光を停止する処理、リジェクト処理、基板Ｐの露光を継続する処理、及び基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を調整する処理の少なくとも一つを含む所定の処理を実行してもよい。また、制御装置７は、入力装置２８からの信号に基づいて所定の処理を実行してもよい。基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を調整する場合、制御装置７は、検出装置３０の検出結果に基づいて、ΔＪが第２許容値ＰＥｂ以下になるように、液体供給装置２４及び温度調整装置４０の少なくとも一方を制御して、基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を調整してもよい。
【０１１３】
一方、差ΔＪが第２許容値ＰＥｂ以下であると判断された場合、制御装置７は、基板Ｐの露光を継続してもよい。
【０１１４】
また、制御装置７は、ステップＳＡ７における比較の結果に基づいて、所定の処理を実行してもよい。ステップＳＡ７において、制御装置７は、差ΔＫが第３許容値ＰＥｃを超えているか否かを判断する。差ΔＫが第３許容値ＰＥｃを超えていると判断された場合、制御装置７は、報知装置２９で所定のメッセージを発する処理、基板Ｐの露光を停止する処理、リジェクト処理、基板Ｐの露光を継続する処理、及び基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を調整する処理の少なくとも一つを含む所定の処理を実行してもよい。また、制御装置７は、入力装置２８からの信号に基づいて所定の処理を実行してもよい。基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を調整する場合、制御装置７は、検出装置３０の検出結果に基づいて、ΔＫが第３許容値ＰＥｃ以下になるように、液体供給装置２４及び温度調整装置４０の少なくとも一方を制御して、基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を調整してもよい。
【０１１５】
一方、差ΔＫが第３許容値ＰＥｃ以下であると判断された場合、制御装置７は、基板Ｐの露光を継続してもよい。
【０１１６】
また、制御装置７は、ステップＳＡ８における比較の結果に基づいて、所定の処理を実行してもよい。ステップＳＡ８において、制御装置７は、検出した液体ＬＱの温度が上限値Ｒａと下限値Ｒｂとの間におさまっているか否かを判断する。液体ＬＱの温度が上限値Ｒａと下限値Ｒｂとの間におさまっていないと判断された場合、制御装置７は、報知装置２９で所定のメッセージを発する処理、基板Ｐの露光を停止する処理、リジェクト処理、及び基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を調整する処理の少なくとも一つを含む所定の処理を実行してもよい。また、制御装置７は、入力装置２８からの信号に基づいて所定の処理を実行してもよい。基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を調整する場合、制御装置７は、検出装置３０の検出結果に基づいて、液体ＬＱの温度が上限値Ｒａと下限値Ｒｂとの間におさまるように、液体供給装置２４及び温度調整装置４０の少なくとも一方を制御して、基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を調整してもよい。
【０１１７】
一方、液体ＬＱの温度が上限値Ｒａと下限値Ｒｂとの間におさまっていると判断された場合、制御装置７は、基板Ｐの露光を継続してもよい。
【０１１８】
なお、露光後の基板Ｐは、基板ステージ２からアンロードされ、露光前の基板Ｐが基板ステージ２にロードされる。以下、制御装置７は、上述の処理を繰り返して、複数の基板Ｐを順次露光する。
【０１１９】
以上説明したように、本実施形態によれば、直前温度ｔｂと第ｎショット温度ｔｎとの差と第１許容値ＰＥａとを比較するようにしたので、露光不良の発生を抑制することができる。また、異常な温度の液体ＬＱで基板Ｐを露光し続けてしまうことを抑制できる。したがって、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１２０】
また、本実施形態においては、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光している間に検出された複数の液体ＬＱの温度の最大値と最小値との差ΔＪ（ΔＫ）と第２許容値ＰＥｂ（第３許容値ＰＥｃ）とを比較するようにしたので、露光不良の発生を抑制することができる。また、異常な温度の液体ＬＱで基板Ｐを露光し続けてしまうことを抑制できる。したがって、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１２１】
なお、本実施形態においては、ショット領域Ｓｎに露光光ＥＬが照射されているときの基板Ｐ上の液体ＬＱの温度の検出を複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに関して実行することとしたが、検出される液体ＬＱの複数の温度は、ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１に対応していなくてもよい。例えば、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のうち、一部のショット領域（例えばショット領域Ｓ１、Ｓ５、Ｓ１０、Ｓ１５、Ｓ２０等）に露光光ＥＬが照射されているときの基板Ｐ上の液体ＬＱの温度を検出してもよい。すなわち、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１に露光光ＥＬが照射される場合において、液体ＬＱの温度検出は、一部のショット領域に露光光ＥＬが照射されるときに実行されてもよい。また、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のうち、一部のショット領域に露光光ＥＬが照射される場合において、露光光ＥＬが照射されないショット領域の上に形成された液浸空間ＬＳの液体ＬＱの温度を検出してもよい。また、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のうち、一部のショット領域に露光光ＥＬが照射される場合において、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１それぞれの上に形成された液浸空間ＬＳの液体ＬＱの温度を検出してもよい。
【０１２２】
また、例えば基板Ｐがステップ移動するときに、基板Ｐ上の液体ＬＱの温度検出が実行されてもよい。また、制御装置７は、基板Ｐがステップ移動するときに検出した基板Ｐ上の液体ＬＱの複数の温度のそれぞれと直前温度ｔｂ（基準温度）との差を求め、それら差と予め定められた許容値とを比較してもよい。また、制御装置７は、基板Ｐがステップ移動するときに検出した基板Ｐ上の液体ＬＱの複数の温度の最大値と最小値との差を求め、その差と予め定められている許容値とを比較してもよい。また、制御装置７は、それらの比較の結果に基づいて、例えば液体ＬＱの温度調整を含む、上述の所定の処理を実行してもよい。
【０１２３】
なお、上述の実施形態において、記憶装置８に記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置（コンピュータシステム）７が読み取り可能である。記憶装置８には、制御装置７に、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸの制御を実行させるプログラムが記録されている。
【０１２４】
記憶装置８に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置７に、基板Ｐに対する露光光ＥＬの照射前における液体ＬＱの直前温度ｔｂを検出する処理と、複数のショット領域Ｓｎを露光している間に液体ＬＱの温度を複数回検出し、検出された複数の温度からショット温度ｔｎを得る処理と、直前温度ｔｂとショット温度ｔｎとの差ΔＨｎと第１許容値ＰＥａとを比較する処理と、を実行させてもよい。
【０１２５】
また、記憶装置８に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置７に、複数のショット領域Ｓｎを露光している間に液体ＬＱの温度を複数回検出する処理と、検出された複数の温度の最大値と最小値との差ΔＪ（ΔＫ）と第２許容値ＰＥｂ（第３許容値ＰＥｃ）とを比較する処理と、を実行させてもよい。
【０１２６】
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１２の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１２の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。
【０１２７】
なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【０１２８】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１２９】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０１３０】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０１３１】
また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【０１３２】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【０１３３】
また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
【０１３４】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１３５】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。
【０１３６】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【０１３７】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。
【０１３８】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０１３９】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１４０】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図６に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬで基板Ｐを露光すること、及び露光された基板Ｐを現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１４１】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０１４２】
２…基板ステージ、３…計測ステージ、５…駆動システム、６…液浸部材、７…制御装置、８…記憶装置、１１…射出面、１２…終端光学素子、１３…保持部、２１…供給口、２２…回収口、２４…液体供給装置、２４Ｂ…温度調整装置、２４Ｃ…供給量調整装置、２８…入力装置、２９…報知装置、４０…温度調整装置、Ｐ…基板、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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