(57)【要約】【課題】滑らかで連続した微細な導電パターンを有する回路基板を製造できる回路基板の製造方法等を提供すること。【解決手段】基材１、下地層２及び回路パターン３を備える回路基板１０の製造方法であって、基材１の表面に、高分子を用いて下地層２を形成し、下地層２上に、導電性粒子と溶媒とを含む導電性インクをインクジェット印刷法により滴下して液滴４を形成し、下地層２の表面に対する液滴４の接触面積を増加させて液滴４同士を結合させ、結合体７を形成し、結合体７を熱処理して回路パターン３を形成し、高分子が、温度によって、液滴４に対する下地層２の表面の濡れ性を変化させる温度応答性高分子であり、導電性インクを下地層２上に滴下する前に、下地層２を予め導電性インクに対して撥液性を示す温度にし、下地層２の表面に対する液滴４の接触面積の増加が、下地層２の温度を変化させて液滴４に対する下地層２の表面の濡れ性を増加させることで行われる回路基板の製造方法。【選択図】図７
2012019170.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材に設けられる下地層と、前記下地層上に設けられる回路パターンとを備える回路基板の製造方法であって、
前記基材の表面に、高分子を用いて前記下地層を形成する下地層形成工程と、
前記下地層上に、導電性粒子と溶媒とを含む導電性インクをインクジェット印刷法により滴下して液滴を形成する液滴形成工程と、
前記下地層の表面に対する前記液滴の接触面積を増加させて前記液滴同士を結合させ、結合体を形成する結合体形成工程と、
前記結合体を熱処理して前記回路パターンを形成する熱処理工程とを含み、
前記高分子が、温度によって、前記液滴に対する前記下地層の表面の濡れ性を変化させる温度応答性高分子であり、
前記液滴形成工程において、前記導電性インクを前記下地層上に滴下する前に、前記下地層を予め前記液滴に対して撥液性を示す温度にし、
前記結合体形成工程において、前記下地層の表面に対する前記液滴の接触面積の増加が、前記下地層の温度を変化させて前記液滴に対する前記下地層の表面の濡れ性を増加させることにより行われる、回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記温度応答性高分子が、下限臨界溶液温度を有し、前記液滴に対して、前記下限臨界溶液温度以下の温度で親液性を示し、前記下限臨界溶液温度を超える温度で撥液性を示すものであり、
前記液滴形成工程において、前記導電性インクを前記下地層上に滴下する前に、前記下地層の温度を、前記下限臨界溶液温度を超える温度とし、
前記結合体形成工程において、前記下地層の温度を、前記下限臨界溶液温度以下の温度まで下降させて前記下地層を、前記液体に対して親液性を示す状態とする、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記温度応答性高分子が、上限臨界溶液温度を有し、前記液滴に対して、前記上限臨界溶液温度以下の温度で撥液性を示し、前記上限臨界溶液温度を超える温度で親液性を示すものであり、
前記液滴形成工程において、前記導電性インクを前記下地層上に滴下する前に、前記下地層の温度を、前記上限臨界溶液温度以下の温度とし、
前記結合体形成工程において、前記温度応答性高分子の温度を、前記上限臨界溶液温度を超える温度まで上昇させて前記下地層を、前記液体に対して親液性を示す状態とする、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記導電性インクに含まれる前記導電性粒子が、金、銀、銅、パラジウム及びニッケルからなる群より選ばれる少なくとも１種で構成される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記下地層形成工程において、前記基材がポリマーを含み、前記下地層が、前記基材の表面において前記ポリマーに対し前記温度応答性高分子をグラフト重合させることにより形成される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
互いに対向して配置される一対の回路基板を備えた電子デバイスの製造方法であって、
前記一対の回路基板のうち少なくとも一方の回路基板を、請求項１〜５のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法により製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、メンブレンスイッチ、ＩＣ、タッチパネルなどの電子デバイスの小型化に伴い、それらの電子デバイスに使用される回路基板の回路パターンの微細化が要求されるようになっている。
【０００３】
一般に、回路基板の回路パターンは、感光性樹脂レジストを用いたフォトレジスト法を用いて形成されるが、これらの方法は、工程が複雑な上に製造装置が高価であること、感光性樹脂などの材料を除去しながら回路パターンを形成するため材料使用効率が低いなどの問題がある。そこで、近年では、簡単な工程で回路パターンを形成でき、感光性樹脂を除去する必要もないことから、印刷法を用いて回路パターンを形成する方法が用いられるようになってきている。
【０００４】
例えば下記特許文献１には、静電容量式近接センサにおける回路パターンを、スクリーン印刷法を用いて形成することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２９３６９３号公報（段落［０００２］）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記特許文献１に記載の方法では、スクリーン印刷法を用いて回路パターンを形成しているため、微細な回路パターンの形成には限界があった。ここで、微細な回路パターンを形成するには、インクジェット印刷法が有利であるが、インクジェット印刷法には以下の問題がある。即ちインクジェット印刷法では、導電性インクが基材上に滴下され、液滴がドット状に形成される。このとき、基材表面が導電性インクに対し撥液性を示していると、液滴同士が結合せず、不連続な回路パターンが形成される場合がある。一方、基材表面が導電性インクに対し親液性を示していると、液滴のドット形状がそのまま残るため、滑らかな形状の回路パターンを形成することができなくなる。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、滑らかで連続した微細な回路パターンを有する回路基板を製造できる回路基板の製造方法及びこれを用いた電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは上記課題を解決するため鋭意検討した結果、下記の発明により上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
即ち本発明は、基材と、前記基材に設けられる下地層と、前記下地層上に設けられる回路パターンとを備える回路基板の製造方法であって、前記基材の表面に、高分子を用いて前記下地層を形成する下地層形成工程と、前記下地層上に、導電性粒子と溶媒とを含む導電性インクをインクジェット印刷法により滴下して液滴をドット状に形成する液滴形成工程と、前記下地層の表面に対する前記液滴の接触面積を増加させて前記液滴同士を結合させ、結合体を形成する結合体形成工程と、前記結合体を熱処理して前記回路パターンを形成する熱処理工程とを含み、前記高分子が、温度によって、前記液滴に対する前記下地層の表面の濡れ性を変化させる温度応答性高分子であり、前記液滴形成工程において、前記導電性インクを前記下地層上に滴下する前に、前記下地層を予め前記液滴に対して撥液性を示す温度にし、前記結合体形成工程において、前記下地層の表面に対する前記液滴の接触面積の増加が、前記下地層の温度を変化させて前記液滴に対する前記下地層の表面の濡れ性を増加させることにより行われる回路基板の製造方法である。
【００１０】
本発明によれば、以下の作用効果が奏される。即ちインクジェット印刷法を用いて導電性インクを滴下して液滴をドット状に形成する。これにより、微細なパターンを形成することが可能となる。特に、本発明では、液滴形成工程において、導電性インクを下地層上に滴下する前に、下地層を予め液滴に対して撥液性を示す温度にしていることで、インクジェット印刷法で形成可能とされる液滴よりも微細な液滴を形成することが可能となる。この理由は未だ明らかではないが、導電性インクが基材に染み込まない状態で導電性インク中の溶媒が揮発するためではないかと考えられる。しかし、この段階では液滴はドット状に形成されており、このまま液滴を熱処理しても回路パターンの形状を滑らかにすることは困難である。そこで、液滴を形成する前に、温度によって液滴に対する下地層の表面の濡れ性を変化させる温度応答性高分子を用いて基材に予め下地層を形成しておき、この下地層を、前記液滴に対して撥液性を示す状態とした後、この下地層の上に導電性インクを、インクジェット印刷法を用いて滴下し液滴をドット状に形成する。その後、下地層の温度を変化させて液滴に対する下地層の表面の濡れ性を増加させ、下地層の表面に対する液滴の接触面積を増加させることで液滴同士を結合させる。その結果、液滴同士が結合して結合体となり、その結合体の表面張力によって結合体の形状が連続的に且つ滑らかになる。よって、本発明によれば、滑らかで連続した微細な回路パターンを有する回路基板を製造することができる。尚、導電性インクが、当該導電性インクに対して親液性を示す下地層の表面に直に滴下されると、レベリングにより直ちに液滴が濡れ広がり、滑らかな回路パターンを形成することができない。
【００１１】
上記回路基板の製造方法において、前記温度応答性高分子が、下限臨界溶液温度を有し、前記液滴に対して、前記下限臨界溶液温度以下の温度で親液性を示し、前記下限臨界溶液温度を超える温度で撥液性を示すものであり、前記液滴形成工程において、前記導電性インクを前記下地層上に滴下する前に、前記下地層の温度を、前記下限臨界溶液温度を超える温度とし、前記結合体形成工程において、前記温度応答性高分子の温度を、前記下限臨界溶液温度以下の温度まで下降させて前記下地層を、前記液体に対して親液性を示す状態としてもよい。
【００１２】
この場合、液滴形成工程において、導電性インクを前記下地層上に滴下する前に、下地層の温度を、下限臨界溶液温度を超える温度とすることで、下地層が、液滴に対して撥液性を示す状態となるようにする。そして、結合体形成工程において、温度応答性高分子の温度を、下限臨界溶液温度以下の温度まで下降させることで、下地層が、液滴に対して親液性を示す状態となるようにする。このとき、下地層の表面に対する各液滴の接触面積が増加し、液滴同士が結合する。その結果、液滴同士が一体化されて結合体となり、その結合体の表面張力によって結合体の形状が連続的且つ滑らかになる。
【００１３】
上記回路基板の製造方法において、前記温度応答性高分子が、上限臨界溶液温度を有し、前記液滴に対して、前記上限臨界溶液温度以下の温度で撥液性を示し、前記上限臨界溶液温度を超える温度で親液性を示すものであり、前記液滴形成工程において、前記導電性インクを前記下地層上に滴下する前に、前記下地層の温度を、前記上限臨界溶液温度以下の温度とし、前記結合体形成工程において、前記温度応答性高分子の温度を、前記上限臨界溶液温度を超える温度まで上昇させて前記下地層を、前記液体に対して親液性を示す状態としてもよい。
【００１４】
この場合、液滴形成工程において、導電性インクを下地層上に滴下する前に、下地層の温度を上限臨界溶液温度以下の温度にすることで、下地層が、液滴に対して撥液性を示す状態となるようにする。そして、結合体形成工程において、温度応答性高分子の温度を、上限臨界溶液温度を超える温度まで上昇させることで、下地層が、液滴に対して親液性を示す状態となるようにする。このとき、下地層の表面に対する各液滴の接触面積が増加し、液滴同士が結合する。その結果、液滴同士が一体化されて結合体となり、その結合体の表面張力によって結合体の形状が滑らかになる。
【００１５】
上記回路基板の製造方法において、上記導電性インクに含まれる前記導電性粒子は、具体的には、金、銀、銅、パラジウム及びニッケルからなる群より選ばれる少なくとも１種で構成される。
【００１６】
上記回路基板の製造方法においては、前記下地層形成工程において、前記基材がポリマーを含み、前記下地層が、前記基材の表面において前記ポリマーに対し前記温度応答性高分子をグラフト重合させることにより形成されることが好ましい。
【００１７】
この場合、基材の表面においてポリマーに対し温度応答性高分子をグラフト重合させて得られる下地層は、基材に対して化学的結合によって強固に結合する。このため、基材の表面に、温度応答性高分子を含む溶液を塗布し乾燥させて下地層を形成する場合に比べて、基材に対する下地層の密着性を向上させることができる。
【００１８】
また本発明は、互いに対向して配置される一対の回路基板を備えた電子デバイスの製造方法であって、前記一対の回路基板のうち少なくとも一方の回路基板を、上述した回路基板の製造方法により製造する電子デバイスの製造方法である。
【００１９】
本発明の製造方法によれば、滑らかで連続した微細な導電パターンを有する回路基板を製造できるので、回路抵抗が小さい小型の電子デバイスを、高い歩留まりで製造することができる。
【００２０】
なお、本発明において、下地層が液滴に対して撥液性を示すとは、下地層の表面に液滴が形成された場合に、液滴の接触角が９０°以上となることを意味し、下地層が液滴に対して親液性を示すとは、下地層の表面に液滴が形成された場合に、液滴の接触角が４０°未満となることを意味する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、滑らかで連続した微細な導電パターンを有する回路基板を製造できる回路基板の製造方法及びこれを用いた電子デバイスの製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係る電子デバイスの製造方法の一実施形態により得られる電子デバイスの一例を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】本発明に係る電子デバイスに含まれる回路基板の基材を示す断面図である。
【図４】図３の基材に温度応答性高分子を用いて下地層を形成する工程を示す工程図である。
【図５】下地層の上に導電性インクを滴下して液滴を形成する工程を示す工程図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。
【図７】下地層に対する液滴の接触面積を増加させる工程を示す工程図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２４】
（第１実施形態）
まず本発明の電子デバイスの製造方法について説明する。
【００２５】
まず電子デバイスの製造方法の説明に先立ち、電子デバイスの構成について図１及び図２を参照しながら説明する。図１は、本発明に係る電子デバイスの製造方法の一実施形態により得られる電子デバイスの一例を示す平面図、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【００２６】
図１に示される電子デバイス２００はタッチパネルであり、この電子デバイス２００は、図２に示すように、互いに対向する回路基板１０と回路基板２０とを備えている。回路基板１０は、基材１と、基材１の表面上に設けられ温度応答性高分子を含む下地層２と、下地層２の上に形成される複数本の回路パターン３とを備えている。一方、回路基板２０も、基材１と、基材１の表面上に設けられ温度応答性高分子を含む下地層２と、下地層２の上に形成される複数本の回路パターン３とを備えている。ここで、回路基板１０の回路パターン３と、回路基板２０の回路パターン３とは互いに直交するように配置されている。
【００２７】
ここで、上述した温度応答性高分子について説明する。温度応答性高分子とは、温度によって、ある液体に対する撥液性が可逆的に変化する高分子を言う。温度応答性高分子には、以下の２種類の温度応答性高分子がある。１つは、ある液体に対し、ある温度（以下、「下限臨界溶液温度」と呼ぶ）以下の温度において親液性を示し、ある温度を超えると撥液性を示す高分子（Lower  Critical  Solution  Temperature；ＬＣＳＴ）であり、もう１つは、これとは逆に、ある液体に対し、ある温度（以下、「上限臨界溶液温度」と呼ぶ）以下の温度において撥液性を示し、ある温度を超えると親液性を示す高分子（Upper  Critical  Solution  Temperature；ＵＣＳＴ）である。本実施形態では、温度応答性高分子として、上記２種類の温度応答性高分子のうち、ＬＣＳＴを有する温度応答性高分子が用いられる。
【００２８】
次に、電子デバイス２００の製造方法について説明する。
【００２９】
まず回路基板１０の製造方法について説明する。
【００３０】
はじめに図３に示すように、基材１を準備する。基材１は通常、ポリマーなどの絶縁材料で構成される。このようなポリマーとしては、例えばポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート樹脂（ＰＥＮ）などのポリエステル樹脂、ポリイミド及びポリエーテルイミドなどが挙げられる。
【００３１】
次に、図４に示すように、基材１の上に、温度応答性高分子を含む下地層２を形成する（下地層形成工程）。
【００３２】
下地層２は、ＬＣＳＴを有する温度応答性高分子及び溶媒を含む溶液を、スピンコート法、ロールコート法、カーテンコート法、ディップコート法、スプレーコート法、インクジェット法などの方法を用いて、基材１の表面上に塗布し乾燥することによって得ることができる。
【００３３】
ここで、ＬＣＳＴを有する温度応答性高分子としては、例えばポリ（Ｎ−置換アクリルアミド）、ポリ（Ｎ−置換メタクリルアミド）、ポリエーテル類、メチルセルロース等が挙げられる。
【００３４】
また、溶媒は、ＬＣＳＴを有する温度応答性高分子を溶解させることが可能な溶媒であればよく、例えばＬＣＳＴを有する温度応答性高分子としてポリ（Ｎ−置換アクリルアミド）を用いる場合には、例えばベンゼンを用いることができる。
【００３５】
次に、図５及び図６に示すように、下地層２上に、導電性粒子と溶媒とを含む導電性インク６を、インクジェットノズル５からインクジェット印刷法により滴下して液滴４をドット状に形成する（液滴形成工程）。このとき、液滴４は互いに接触してもよいが、互いに離間していてもよい。
【００３６】
このとき、導電性インク６を下地層２上に滴下する前に、下地層２中の温度応答性高分子を、ＬＣＳＴを超える温度まで加熱しておく。こうして下地層２を、導電性インク６に対し撥液性を示す状態に変化させる。
【００３７】
そして、この状態で、導電性インク６を、インクジェット印刷法を用いて下地層２の上に滴下して液滴４をドット状に形成する。
【００３８】
導電性インク６は、上述したように、導電性粒子と溶媒とを有している。導電性粒子としては、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルを用いることができる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用することが可能である。
【００３９】
溶媒としては、下地層２を、ＬＣＳＴを超える温度にした場合に下地層２が撥液性を示す溶媒であればよい。このような溶媒は、下地層２を形成する温度応答性高分子によって異なるので一概には言えないが、例えばα-テルピネオール、イソプロピルアルコール、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール、トルエン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、アルキルアミン類、メタノール、エタノールの中から適宜選択して使用することが可能である。こうして下地層２の上に液滴４を形成する。
【００４０】
次に、図７及び図８に示すように、下地層２の表面に対する液滴４の接触面積を増加させて液滴４同士を結合させ、結合体７を形成する（結合体形成工程）。
【００４１】
具体的には、下地層２の温度を、ＬＣＳＴ以下の温度まで下降させる。これにより、下地層２は液滴４に対し親液性を示すこととなる。その結果、下地層２の表面の濡れ性が変化して液滴４のレベリングが起こり、下地層２の表面に対する液滴４の接触面積を増加させることができる。こうして液滴４同士が結合して結合体７となる。
【００４２】
その後、この結合体７を熱処理（例えば焼成）して回路パターン３を得る（熱処理工程）。結合体７の熱処理温度は、導電性インク６中に含まれる導電性粒子によって異なるが、通常は１００〜１５０℃である。また結合体７の熱処理時間も、導電性インク６中に含まれる導電性粒子によって異なるが、通常は５〜３０分とすればよい。こうして回路基板１０が得られる。
【００４３】
上述した回路基板１０の製造方法では、インクジェット印刷法を用いて導電性インク６を滴下して液滴４をドット状に形成する。これにより、スクリーン印刷法などの印刷法を用いた場合に比べて、微細な回路パターン３を形成することが可能である。特に、本実施形態では、液滴形成工程において、導電性インク６を下地層２上に滴下する前に、下地層２を予め液滴に対して撥液性を示す温度にしていることで、インクジェット印刷装置で形成可能とされる液滴よりも微細な液滴４を形成することが可能となる。この理由は未だ明らかではないが、導電性インク６が基材１に染み込まない状態で導電性インク６中の溶媒が揮発するためではないかと考えられる。
【００４４】
しかし、この段階では液滴４はドット状に形成されており、このまま液滴４を熱処理しても回路パターン３の形状を滑らかにすることは困難である。そこで、本実施形態では、液滴４を形成する前に、温度によって液滴４に対する下地層２の表面の濡れ性を変化させる温度応答性高分子を用いて基材１に予め下地層２を形成しておき、この下地層２を、液滴４に対して撥液性を示す状態とした後、この下地層２の上に液滴４をドット状に形成する。その後、下地層２の温度を変化させて液滴４に対する下地層２の表面の濡れ性を増加させ、下地層２の表面に対する液滴４の接触面積を増加させることで液滴４同士を結合させる。その結果、液滴４同士が結合して結合体７となり、その結合体７の表面張力によって結合体７の形状が連続的且つ滑らかになる。
【００４５】
尚、導電性インク６が、当該導電性インク６に対して親液性を示す下地層２の表面に直に滴下されると、レベリングにより直ちに液滴４が濡れ広がり、滑らかな回路パターンを形成することができない。
【００４６】
よって、上記製造方法により、滑らかで連続した微細な回路パターン３を有する回路基板１０を製造することができる。
【００４７】
回路基板２０についても、回路基板１０と同様にして製造することができる。
【００４８】
そして、回路基板１０と回路基板２０とを互いに対向させる。このとき、回路基板１０の導電パターン３と、回路基板２０の導電パターン３とが直交するように回路基板１０と回路基板２０とを互いに対向配置させる。以上のようにして電子デバイス２００の製造が完了する。
【００４９】
電子デバイス２００の製造方法によれば、滑らかで連続した微細な導電パターン３を有する回路基板１０，２０を製造できるので、回路抵抗が小さい小型の電子デバイス２００を、高い歩留まりで製造することができる。
【００５０】
（第２実施形態）
次に、本発明の電子デバイスの製造方法の第２実施形態について説明する。尚、第１実施形態と同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００５１】
本実施形態の製造方法は、回路基板１０，２０の製造方法において、温度応答性高分子として、ＵＣＳＴを有する高分子が用いられている点、液滴形成工程において、導電性インク６を下地層２上に滴下する前に、温度応答性高分子の温度をＵＣＳＴ以下の温度とする点、結合体形成工程において、温度応答性高分子の温度を、ＵＣＳＴを超える温度まで上昇させる点で第１実施形態と相違する。
【００５２】
ここで、ＵＣＳＴを有する温度応答性高分子としては、例えばスルホベタインポリマー、Ｎ−アセチルアクリルアミドとアクリルアミドの共重合体等が挙げられる。
【００５３】
また、溶媒は、ＵＣＳＴを有する温度応答性高分子を溶解させることが可能な溶媒であればよく、例えばＵＣＳＴを有する温度応答性高分子として、Ｎ−アセチルアクリルアミドとアクリルアミドの共重合体を用いる場合には、水などの溶媒を用いることができる。
【００５４】
本実施形態の回路基板１０の製造方法によれば、液滴形成工程において、導電性インク６を下地層２上に滴下する前に、温度応答性高分子の温度を上限臨界溶液温度以下の温度にすることで、下地層２が、液滴４に対して撥液性を示す状態となるようにする。そして、結合体形成工程において、下地層２の温度を、ＵＣＳＴを超える温度まで上昇させることで、下地層２が、液滴４に対して親液性を示す状態となるようにする。このとき、下地層２の表面に対する各液滴４の接触面積が増加し、液滴４同士が結合する。その結果、液滴４同士が一体化されて結合体７となり、その結合体７の表面張力によって結合体７の形状が連続的且つ滑らかになる。従って、本実施形態の回路基板１０の製造方法によれば、第１実施形態と同様、滑らかで連続した微細な回路パターン３を有する回路基板１０を製造することができる。
【００５５】
特に、本実施形態では、下地層２は、結合体７を形成した時点で、ＵＣＳＴ以上の温度下にあり、通常、結合体７の熱処理は、結合体７を形成した時点の温度以上の温度で行われる。言い換えると、下地層２は、結合体７に対して親液性の状態を示したまま結合体７の熱処理が行われる。このため、第１実施形態のように、下地層２が、結合体７に対して親液性の状態から撥液性の状態に変化された後、結合体７の熱処理が行われる場合に比べて、回路パターンの形状をより滑らかに形成することができる。
【００５６】
本発明は、上記第１及び第２実施形態に限定されるものではない。例えば上記第１及び第２実施形態では、下地層２が、温度応答性高分子及び溶媒を含む溶液を、基材１の表面上に塗布し乾燥することによって形成されているが、下地層２は、温度応答性高分子を、基材１を構成するポリマーにグラフト重合させ、基材１の表層部を改質させることによっても形成することができる。ここで、温度応答性高分子を基材１のポリマーにグラフト重合させる方法としては、例えば、基材１の表面にラジカルを発生させた後、温度応答性高分子を含む溶液中に基材１を接触させることで、温度応答性高分子を基材１のポリマーにグラフト重合させる方法が挙げられる。ここで、基材１の表面にラジカルを発生させる方法としては、例えば基材１の表面に、電子線を例えば２００ｋｅＶ〜５ＭｅＶで所定時間（例えば１０秒）照射させる方法、ガンマ線を照射する方法など、放射線を照射する方法や、有機溶媒中にアゾビスイソブチロニトリル等のアゾ系開始剤、過酸化ベンゾイル等の過酸化物、水系溶媒中に過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩、４，４’−アゾビス（４−シアノ吉草酸）等のラジカル開始剤を基材１の表面に塗布する方法などが挙げられる。この場合、基材１の表面においてポリマーに対し温度応答性高分子をグラフト重合させて得られる下地層２は、基材１に対して化学的結合によって強固に結合する。このため、基材１の表面に、温度応答性高分子を含む溶液を塗布し乾燥させて下地層を形成する場合に比べて、基材１に対する下地層２の密着性を向上させることができる。
【００５７】
さらに上記第１及び第２実施気形態では、電子デバイスとして、タッチパネルが示されているが、電子デバイスの製造方法によって得られる電子デバイスは、タッチパネルのほか、集積回路（ＩＣ）、メンブレンスイッチ、タッチパッド、ＲＦＩＤ、有機半導体、およびそれを用いた表示装置、太陽電池、セラミックス多層基板又はセンサなどであってもよい。
【実施例】
【００５８】
以下、本発明の内容を、実施例を挙げてより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００５９】
（実施例１）
まずＰＥＴフィルム表面に電子線を、２００ｋｅＶ〜５ＭｅＶで１０秒照射し、ラジカルを発生させた。
温度応答性高分子であるポリ（Ｎ−イソプロピルアクリルアミド）をヘキサンに溶解させた溶液にＰＥＴフィルムを接触させることで、温度応答性高分子であるポリ（Ｎ−イソプロピルアクリルアミド）をＰＥＴフィルムの表面にグラフト重合させた。ここで、ポリ（Ｎ−イソプロピルアクリルアミド）のＬＣＳＴは３２℃である。次いで、ヘキサン４５ｍｌにＮ−イソプロピルアクリルアミド６０ｇを溶解させて溶液を形成し、この溶液をＰＥＴフィルムの表面に塗布し、７０℃で２４時間乾燥させて下地層を形成した。
次いで、下地層を４０℃に加熱し、下地層の表面が撥液性を示すようにした。その後、下地層上に、インクジェットプリンタ（セイコーエプソン社製カラリオ「ＰＸ−１０１」）により導電性インクを滴下し、液滴をドット状に形成した。このとき、導電性インクとしては、ＩｎｋＴｅｃ社製の溶解性Ａｇクラスター錯体タイプのインクを用いた（粘度：９〜１５ＣＰＳ、表面張力：３０〜３２ｄｙｎｅ／ｃｍ、銀含有率：１５ｗｔ％、焼成温度１３０〜１５０℃）。
次に、下地層を２５℃まで冷却し、下地層の表面が導電性インクに対し親液性を示すようにした。その結果、各液滴は濡れ広がって互いに結合し結合体を得た。
最後に、結合体を１５０℃で３０分間焼成し、回路パターンを形成した。こうして回路基板を得た。
【００６０】
（実施例２）
実施例１と同様にしてＰＥＴフィルムの表面にラジカルを発生させた。
ＰＥＴフィルムの表面に、温度応答性高分子であるＮ−アセチルアクリルアミドとアクリルアミドとの共重合体をグラフト重合させた。この温度応答性高分子は、Ｎ−アセチルアクリルアミドとアクリルアミドとを、１：１２のモル比で共重合させたものであり、ＵＣＳＴは２４℃である。次いで、蒸留水５ｍｌに、Ｎ−アセチルアクリルアミドとアクリルアミドとの共重合体２５ｍｇを溶解させて溶液を形成し、この溶液をＰＥＴフィルムの表面に塗布し、７０℃で２４時間乾燥させて下地層を形成した。
次いで、下地層を２０℃まで冷却し、下地層の表面が撥液性を示すようにした。その後、下地層上に、実施例１と同様のインクジェットプリンタにより実施例１と同様の導電性インクを滴下し、液滴をドット状に形成した。
次に、下地層を３０℃まで加熱し、下地層の表面が導電性インクに対し親液性を示すようにした。その結果、各液滴は濡れ広がって互いに結合し結合体を得た。
最後に、結合体を１５０℃で３０分間焼成し、回路パターンを形成した。こうして回路基板を得た。
【００６１】
（比較例１）
ＰＥＴフィルム表面に電子線を照射せず、ＰＥＴフィルム表面上に、親液性処理層を形成した。具体的には、ＰＥＴフィルムの表面上に、宇部日東化成株式会社製ハイセラテックＩＲを塗布し、約０．５μｍの厚さを有する薄膜処理層を形成した後、この薄膜処理層を１２０℃で９０秒間乾燥させた後一日放置した。こうして親液性処理層を得た。
この親液性処理層上に、実施例１と同様のインクジェットプリンタにより実施例１と同様の導電性インクを滴下し、液滴をドット状に形成した。
次に、液滴を１４０℃で５分間の条件で焼成し、回路パターンを形成した。こうして回路基板を得た。
【００６２】
（比較例２）
ＰＥＴフィルム表面に電子線を照射せず、ＰＥＴフィルム表面上に、撥液性処理層を形成した。具体的には、ＰＥＴフィルムの表面上に、常温乾燥型のフッ素系コーティング剤（住友スリーエム社製「ノベックＥＧＣ−１７００」）を刷毛で塗布し、約１μｍの厚さを有する薄膜処理層を形成した後、この薄膜処理層を６０℃、３０分間乾燥させた後一日放置した。こうして撥液性処理層を得た。
この撥液性処理層上に、実施例１と同様のインクジェットプリンタにより実施例１と同様の導電性インクを滴下し、液滴をドット状に形成した。
次に、液滴を１４０℃で５分間の条件で焼成し、回路パターンを形成した。こうして回路基板を得た。
【００６３】
実施例１〜２及び比較例１〜２の回路基板の回路パターンを光学顕微鏡にて観察した。その結果、実施例１〜２及び比較例１〜２ではいずれも微細なパターンが形成されていた。
【００６４】
また比較例１では、回路パターンにドット形状が残っており、滑らかな形状の回路パターンが得られなかった。また比較例２では、連続的な形状の回路パターンが得られていなかった。これは、液滴同士が結合しなかったためと考えられる。これに対し、実施例１〜２の回路基板の回路パターンでは、得られた回路パターンの形状は滑らかで且つ連続したものであった。このことから、実施例１〜２では、回路基板の製造過程で、液滴のにじみは生じておらず、液滴同士の結合もしっかりと行われたものと考えられる。
【００６５】
以上より、本発明の回路基板の製造方法によれば、滑らかで連続した微細な回路パターンを有する回路基板を製造できることが確認された。
【符号の説明】
【００６６】
１…基材
２…下地層
３…回路パターン
４…液滴
６…導電性インク
７…結合体
１０，２０…回路基板
２００…電子デバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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