(57)【要約】【課題】発振回路から高周波カット用インダクタ経由で主電源へ漏洩する発振信号を減衰し、高周波カット用インダクタの小型化を図ること。【解決手段】この高電圧発生回路５０は、発振用インダクタＬＣ１を有する発振回路１０と、主電源から供給される直流電圧を高周波カット用インダクタＬＣ２を介して発振回路１０へ印加する直流電圧供給回路２０と、発振回路１０で発生した発振信号を整流して前記主電源から供給される直流電圧よりも高電圧の直流電圧を生成する倍電圧整流回路３０とを備え、発振用インダクタＬＣ１と高周波カット用インダクタＬＣ２とを直列接続すると共に、発振用インダクタＬＣ１と高周波カット用インダクタＬＣ２とが誘導結合するように配置し、発振回路１０から漏洩した信号と、発振用インダクタＬＣ１と高周波カット用インダクタＬＣ２との誘導結合によって発振回路１０側から供給される信号とを逆相の関係にしたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振用インダクタを有する発振回路と、
主電源から供給される直流電圧を、高周波カット用インダクタを介して前記発振回路へ印加する直流電圧供給回路と、
前記発振回路で発生した発振信号を整流して前記主電源から供給される直流電圧よりも高電圧の直流電圧を生成する昇圧回路と、
を備えた高電圧発生回路であり、
前記発振用インダクタと前記高周波カット用インダクタとを直列接続すると共に、前記発振用インダクタと前記高周波カット用インダクタとが誘導結合するように配置し、前記直流電圧供給回路から前記発振回路へ主電源の直流電圧を印加する配線に対して前記発振回路から漏洩した信号と、前記発振用インダクタと前記高周波カット用インダクタとの誘導結合によって前記発振回路側から供給される信号とを逆相の関係にしたことを特徴とする高電圧発生回路。
【請求項２】
前記発振用インダクタと、前記高周波カット用インダクタとは巻き方向が同一であって、前記発振用インダクタと前記高周波カット用インダクタとの巻き始め同士、又は、前記電圧発振用インダクタと前記高周波カット用インダクタとの巻き終わり同士を接続したことを特徴とする請求項１記載の高電圧発生回路。
【請求項３】
前記発振用インダクタと前記高周波カット用インダクタとは、巻線の軸方向が外部電極の法線方向となる縦巻き型であることを特徴とする請求項２記載の高電圧発生回路。
【請求項４】
前記発振回路は、発振用トランジスタと、前記発振用トランジスタのベースとエミッタとの間に設けられる第１の共振キャパシタと、前記発振トランジスタのコレクタとエミッタとの間に設けられる第２の共振キャパシタとを有し、
前記発振用インダクタは、前記発振トランジスタのベースとコレクタとの間に設けられ、前記発振用インダクタの一端に倍電圧方式で昇圧する前記昇圧回路が接続されたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の高電圧発生回路。
【請求項５】
可変容量素子に印加する制御電圧の大きさに応じて同調周波数が変化する同調回路と、
前記同調回路で抽出された高周波信号に局部発振信号を乗算して周波数変換する混合回路と、
主電源から直流電圧が供給される主電源入力端子と、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の高電圧発生回路と、を有し、
前記主電源端子から、前記高電圧発生回路と前記混合回路に電源電圧を供給することを特徴とする受信用チューナ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主電源から定電圧の供給を受ける発振回路を備えた高電圧発生回路及び受信用チューナに関する。
【背景技術】
【０００２】
テレビチューナでは、同調回路の同調周波数等を変えるために、バラクタダイオードが用いられている。テレビチューナの同調回路は、同調周波数の変化幅が大きいため、バラクタダイオードに加える電圧の変化幅を大きくする必要がある。この為、バラクタダイオードには高電圧を印加できるように共通の電圧（５Ｖ）を高電圧（３３Ｖ）へ昇圧する高電圧発生回路(DC/DCコンバータ)が必要となる。高電圧発生回路としては、主電源と発振回路との間に高周波カット用のインダクタ及びバイパスコンデンサを設けて、発振信号が主電源側へ漏洩しないようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】実用新案登録第３１２２５０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、発振信号の周波数は低周波数の場合には、発振信号を完全にカットするために鉄心の入った大型のチョークコイルが必要となり、テレビチューナの小型化の妨げとなっていた。
【０００５】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、発振回路から高周波カット用インダクタ経由で主電源へ漏洩する発振信号を軽減でき、高周波カット用インダクタの小型化を図ることのできる高電圧発生回路及び受信用チューナを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の高電圧発生回路は、発振用インダクタを有する発振回路と、主電源から供給される直流電圧を、高周波カット用インダクタを介して前記発振回路へ印加する直流電圧供給回路と、前記発振回路で発生した発振信号を整流して前記主電源から供給される直流電圧よりも高電圧の直流電圧を生成する昇圧回路と、を備えた高電圧発生回路であり、前記発振用インダクタと前記高周波カット用インダクタとを直列接続すると共に、前記発振用インダクタと前記高周波カット用インダクタとが誘導結合するように配置し、前記直流電圧供給回路から前記発振回路へ主電源の直流電圧を印加する配線に対して前記発振回路から漏洩した信号と、前記発振用インダクタと前記高周波カット用インダクタとの誘導結合によって前記発振回路側から供給される信号とを逆相の関係にしたことを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、配線を通じて主電源に漏洩する信号と、発振用インダクタと高周波カット用インダクタとの誘導結合によって主電源に漏洩する信号とが相殺するので、高周波カット用インダクタのインダクタンス値が小さくても主電源に漏洩する信号を小さくできる。
【０００８】
また本発明は、上記高電圧発生回路において、前記発振用インダクタと、前記高周波カット用インダクタとは巻き方向が同一であって、前記発振用インダクタと前記高周波カット用インダクタとの巻き始め同士、又は、前記電圧発振用インダクタと前記高周波カット用インダクタとの巻き終わり同士を接続したことを特徴とする。
【０００９】
この構成により、電圧発振用インダクタ及び高周波カット用インダクタとして、同一の巻き方向のインダクタを用いることができる。機器に用いるインダクタの向きを一方向に統一することで、インダクタの巻き方向を考慮せずに製造できる。
【００１０】
上記高電圧発生回路において、前記発振用インダクタと前記高周波カット用インダクタとは、巻線の軸方向が外部電極の法線方向となる縦巻き型であることが好ましい。
【００１１】
これにより、配線のレイアウトが容易になる利点がある。
【００１２】
上記高電圧発生回路において、前記発振回路は、発振用トランジスタと、前記発振用トランジスタのベースとエミッタとの間に設けられる第１の共振キャパシタと、前記発振トランジスタのコレクタとエミッタとの間に設けられる第２の共振キャパシタとを有し、前記発振用インダクタは、前記発振トランジスタのベースとコレクタとの間に設けられ、前記発振用インダクタの一端に倍電圧方式で昇圧する前記昇圧回路が接続された構成とすることができる。
【００１３】
これにより、簡易な回路で昇圧できる。
【００１４】
本発明の受信用チューナは、可変容量素子に印加する制御電圧の大きさに応じて同調周波数が変化する同調回路と、前記同調回路で抽出された高周波信号に局部発振信号を乗算して周波数変換する混合回路と、主電源から直流電圧が供給される主電源入力端子と、上記高電圧発生回路とを有し、前記主電源端子から、前記高電圧発生回路と前記混合回路に電源電圧を供給することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、発振回路から高周波カット用インダクタ経由で主電源へ漏洩する発振信号を軽減でき、高周波カット用インダクタの小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施の形態に係る高電圧発生回路の構成図
【図２】発振用インダクタＬＣ１及び高周波カット用インダクタＬＣ２に用いられる巻線型コイル部品の構造を示す図
【図３】本発明の実施例に係るテレビチューナの構成図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の一実施の形態に係る高電圧発生回路の構成図である。本実施の形態の高電圧発生回路５０は、発振回路１０と、この発振回路１０へ主電源から電源ラインを介して供給されるＤＣ電圧を印加する直流電圧供給回路２０と、発振回路１０で生成した発振信号を昇圧する倍電圧整流回路３０と、この倍電圧整流回路３０で昇圧したＤＣ電圧を制御する制御電圧生成回路４０とを備えている。
【００１８】
発振回路１０は、発振用トランジスタＴＲ１のコレクタ−ベース間に発振用インダクタＬＣ１と第１コンデンサＣ１との直列回路が接続され、その直列回路と並列にベースバイアス用抵抗Ｒ１が接続されている。また、発振用トランジスタＴＲ１は、そのベース−エミッタ間に第２コンデンサＣ２が接続され、そのコレクタ−エミッタ間に第３コンデンサＣ３が接続される。なお、発振用トランジスタＴＲ１のエミッタは第２コンデンサＣ２と第３コンデンサＣ３との中間接続点を介して接地されている。発振回路１０で生成された発振信号は発振用インダクタＬＣ１と第１コンデンサＣ１との接続点から取り出される。
【００１９】
直流電圧供給回路２０は、セット側から単一主電源として例えば５Ｖが供給される主電源入力端子Ｔ１を有する。主電源入力端子Ｔ１に高周波カット用インダクタＬＣ２の一端が接続されている。高周波カット用インダクタＬＣ２は、その他端が発振回路１０のベースバイアス用抵抗Ｒ１に接続されている。主電源入力端子Ｔ１はバイパス用コンデンサＣ４を介して高周波的に接地されている。
【００２０】
本実施の形態では、発振用インダクタＬＣ１及び高周波カット用インダクタＬＣ２に巻線型のコイル部品を用いている。発振用インダクタＬＣ１と高周波カット用インダクタＬＣ２とが誘導結合するように部品配置している。さらに、発振回路１０で生成される発振信号と高周波カット用インダクタＬＣ２を経由して主電源側へ漏洩する信号とが互いに逆相になるように、コイル部品の巻線方向をレイアウトしている。
【００２１】
図２は発振用インダクタＬＣ１及び高周波カット用インダクタＬＣ２に用いられる巻線型コイル部品の構造を示す図である。フェライトコア１１の外周に巻線１２を縦方向（フェライト軸方向）に巻回している。巻線１２の端部は電極端子１３に接続している。フェライトコア１１及び巻線１２はケース１４に収納されている。
【００２２】
例えば、発振用インダクタＬＣ１と高周波カット用インダクタＬＣ２とで巻線１２の巻き方向が逆になるように配置する。または、発振用インダクタＬＣ１と高周波カット用インダクタＬＣ２とで巻線１２の巻き方向が同一である場合は、発振用インダクタＬＣ１と高周波カット用インダクタＬＣ２との巻き始め同士、又は、電圧発振用インダクタＬＣ１と高周波カット用インダクタＬＣ２との巻き終わり同士を接続する。同一の巻き方向のインダクタを用いることにより、機器に用いるインダクタの向きを一方向に統一することができ、インダクタの巻き方向を考慮せずに製造できる利点がある。
【００２３】
倍電圧整流回路３０は、整流用ダイオードＤ１のアノードが結合コンデンサＣ５を介して発振回路１０の発振信号出力端に接続されていると共に、整流用ダイオードＤ２を介して基準電位（接地）に接続されている。また、整流用ダイオードＤ１のカソードが抵抗Ｒ２を介して制御電圧生成回路４０に接続されていると共に、コンデンサＣ６を介して基準電位（接地）に接続されている。発振回路１０から出力される発振信号は整流用ダイオードＤ１、Ｄ２で整流されてコンデンサＣ６に充電され、抵抗Ｒ２とコンデンサＣ６とで構成される平滑回路にて制御電圧生成回路４０へ昇圧されたＤＣ電圧に変換して供給される。
【００２４】
制御電圧生成回路４０は、ＦＥＴスイッチＳＷ１と、ＦＥＴスイッチＳＷ１のゲートに印加するパルス変調信号が不図示の制御回路から供給される制御端子ＴＣと、ＦＥＴスイッチＳＷ１のソース−グランド間に接続された抵抗Ｒ３とを備えている。制御端子ＴＣに供給するパルス変調信号のデューティー比に応じて出力電圧Ｖｔを制御できる。
【００２５】
次に、以上のように構成された高電圧発生回路の動作について説明する。
セット側から主電源入力端子Ｔ１に対して単一主電源として例えば５Ｖが供給される。主電源入力端子Ｔ１に供給された主電源電圧（例えば５Ｖ）は高周波カット用インダクタＬＣ２を経由して発振用トランジスタＴＲ１のベースに印加される。発振用トランジスタＴＲ１は、発振用インダクタＬＣ１及び第１コンデンサＣ１に対応した共振周波数で発振する。発振回路１０で生成された発振信号は結合コンデンサＣ５を介して倍電圧整流回路３０へ入力する。倍電圧整流回路３０へ入力された発振信号は整流ダイオードＤ１、Ｄ２で整流され、かつコンデンサＣ６及び抵抗Ｒ２で平滑されて、昇圧されたＤＣ電圧（例えば、３３Ｖ）に変換される。昇圧されたＤＣ電圧は制御電圧生成回路４０のＦＥＴスイッチＳＷ１及び抵抗Ｒ３で降圧されて所望電圧Ｖｔに制御される。たとえば、テレビチューナのチューニング用の制御電圧Ｖｔとして用いる場合であれば、２Ｖから３０Ｖの間の所望電圧に制御される。
【００２６】
このとき、発振回路１０で発生した発振信号の一部は直流電圧供給回路２０へも伝搬する。従来回路では、直流電圧供給回路２０へ入力する発振信号をカットするために、高周波カット用インダクタとして鉄心の入った大型のチョークコイルを備えていた。
【００２７】
本実施の形態に係る高電圧発生回路においても、発振信号の一部が直流電圧供給回路２０へ伝搬するが（以下、直流電圧供給回路２０へ伝搬する信号を「漏洩信号」という）、発振用インダクタＬＣ１と高周波カット用インダクタＬＣ２との誘導結合によって漏洩信号が相殺効果で減衰される。すなわち、発振用インダクタＬＣ１と高周波カット用インダクタＬＣ２とに巻き線型のコイル部品を用い、互いに誘導結合するように部品配置を行い、発振用インダクタＬＣ１の発振信号と主電源側への漏洩信号とが互いに逆相になるように発振用インダクタＬＣ１と高周波カット用インダクタＬＣ２との巻き線方向をレイアウトした。これにより、発振回路１０から主電源側への漏洩信号が、発振用インダクタＬＣ１に伝搬する発振信号と逆相の関係になって打ち消されて減衰する。したがって、高周波カット用インダクタＬＣ２のインダクタンス値が小さくても主電源に漏洩する信号を小さくできる。
【００２８】
次に、上述した高電圧発生回路を用いたテレビチューナの実施例について説明する。
図３は実施例に係るテレビチューナの構成例である。高電圧発生回路５０は図１に示す高電圧発生回路と同一構成であり、主電源（５Ｖ）はテレビチューナと共用している。入力同調回路１はＶＨＦ帯のローバンドまたはハイバンドに同調するように切り替えられるバンド切替型の同調回路であり、その次段には高周波増幅回路２が設けられる。高周波増幅回路２の次段には段間同調回路３が設けられる。段間同調回路３は複同調回路で構成され、一次側及び二次側共にそれぞれインダクタンス素子３ａ、バラクタダイオード３ｂ及びインダクタンス素子３ｃ、バラクタダイオード３ｄを有する。そして、各インダクタンス素子３ａ、３ｃの一部がスイッチダイオード等からなるスイッチ手段３ｅ、３ｆによって短絡されることでＶＨＦ帯のローバンド又はハイバンドのテレビジョン信号に同調するように切り替えられる。同調周波数を設定するための同調電圧Ｖｔは高電圧発生回路５０から供給されてバラクタダイオード３ｂ、３ｄのカソードに印加される。段間同調回路３の出力側には集積回路４内に構成された混合回路５が結合される。
【００２９】
混合回路５は、トランジスタによる周知の二重平衡型混合回路で構成され、初段のトランジスタ５ａ、５ｂのベースが一対の平衡入力端となる。トランジスタ５ａ、５ｂのエミッタは定電流源５ｃに接続される。そして、一方のトランジスタ５ａのベースが結合コンデンサ６によって段間同調回路３の第二のバラクタダイオード３ｄのカソードに結合され、他方のトランジスタ５ｂのベースは直流カットコンデンサ７を介して接地される。
【００３０】
初段のトランジスタ５ａ、５ｂのコレクタは図示のようにそれぞれ一対のトランジスタ５ｄ及び５ｅ、５ｆ及び５ｇのエミッタに接続される。トランジスタ５ｆ、５ｇのコレクタには主電源入力端子Ｔ２が接続されている。主電源入力端子Ｔ２は、高電圧発生回路５０と共通のセット側の主電源に接続された電源ラインに接続されている。集積回路４内には発振回路９が構成されており、発振回路９から出力される局部発振信号が各一対のトランジスタ５ｄ及び５ｅ、５ｆ及び５ｇのベースに供給される。そして、互いに接続されたトランジスタ５ｄ、５ｆのコレクタと、互いに接続されたトランジスタ５ｅ、５ｇのコレクタとの間に中間周波信号が出力される。
【００３１】
以上のように構成されたテレビチューナにおいて、段間同調回路３に高電圧発生回路５０で生成される発振信号が漏洩する場合には、高電圧発生回路５０中の発振用インダクタＬＣ１と高周波カット用インダクタＬＣ２の結合を強くして、発振信号と逆位相の信号が僅かに主電源側に漏洩するようにする。
【００３２】
主電源側に漏洩した漏洩信号（発振信号）と逆位相の信号は、混合回路５に漏洩して、トランジスタ５ｄ、５ｅ，５ｆ，５ｇのコレクタに逆位相の信号が入力される。この為、段間同調回路３に漏洩した発振信号と、混合回路５に漏洩した逆位相の信号とが混合回路５で相殺され、ノイズを減らすことができる。
【００３３】
このように、本実施例によれば、高電圧発生回路５０内の発振回路１０で生成される高調波が段間同調回路３経由で混合回路５へ混入する場合には、発振用インダクタＬＣ１と高周波カット用インダクタＬＣ２の結合を強くして、発振信号と逆位相の信号が僅かに主電源側に漏洩するようにしたので、混合回路５で高調波成分と逆相の漏洩信号とを合成して減衰することができ、スプリアスを改善できる。
【００３４】
以上の説明ではテレビチューナの例について詳述したが、テレビチューナ以外の受信用チューナにも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明は、各種受信用チューナの高電圧発生回路に適用可能である。
【符号の説明】
【００３６】
１０…発振回路
１１…フェライトコア
１２…巻線
１３…電極端子
１４…ケース
２０…直流電圧供給回路
３０…倍電圧整流回路（昇圧回路）
４０…制御電圧生成回路
５０…高電圧発生回路
ＬＣ１…発振用インダクタ
ＬＣ２…高周波カット用インダクタ
ＴＲ１…発振用トランジスタ
Ｃ１、Ｃ２…第１、第２コンデンサ（第１、第２の共振コンデンサ）
Ｒ１…ベースバイアス用抵抗
Ｄ１，Ｄ２…整流用ダイオード
Ｔ１，Ｔ２…主電源入力端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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