(57)【要約】【課題】ラップアラウンドシールドとコンフォーマルサイドギャップとを備えた垂直書き込みヘッドを提供する。【解決手段】ラップアラウンドシールドとコンフォーマルサイドギャップとを有する垂直書き込みヘッド。書き込みヘッドの製造において、リーディングエッジシールドが、化学機械研磨ストッパ層と実質的に面一レベルになるまで化学機械研磨され得る。リーディングエッジシールド及び化学機械研磨ストッパ層がトレンチＲＩＥのＲＩＥストッパとして使用されるため、ＬＴＥ／ＬＥＳと完全にコンフォーマルなサイドシールドが形成され得る。【選択図】図１Ｃ
2012113803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書き込みヘッドの製造方法であって、
第１のリーディングエッジシールド層の少なくとも一部分を除去してストッパ層を露出させるステップと、
前記第１のリーディングエッジシールド層及び前記露出したストッパ層の上に第２のリーディングエッジシールド層を堆積するステップと、
前記第２のリーディングエッジシールド層の少なくとも一部分を除去することによりテーパ状の第２のリーディングエッジシールド層を形成し、前記ストッパ層を露出させるステップと、
を含む、書き込みヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記ストッパ層及び前記第２のリーディングエッジシールド層の上に絶縁層を堆積するステップと、
前記絶縁層にトレンチをエッチングするステップと、
前記トレンチ内に非磁性シード層を堆積するステップと、
前記絶縁層上及び前記トレンチ内の前記非磁性シード層上に第１の磁性層を堆積するステップと、
前記絶縁層を除去して前記第２のリーディングエッジシールド層を露出させるステップと、
前記第２のリーディングエッジシールド層及び前記第１の磁性層の上に磁性シード層を堆積するステップと、
前記磁性シード層上に第２の磁性層を堆積するステップと、
前記第２の磁性層を化学機械研磨するステップと、
前記第２の磁性層上に書き込みギャップ層を堆積するステップと、
前記書き込みギャップ層上にシード層を堆積するステップと、
前記書き込みギャップ層及び前記シード層をパターニングするステップと、
前記シード層及び前記第２の磁性層の上にトレーリングエッジシールド層を堆積するステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記書き込みギャップ層が、前記第２の磁性層上にコンフォーマルに堆積される、請求項２に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記ストッパ層及び前記第２のリーディングエッジシールド層の上に絶縁層を堆積するステップと、
前記絶縁層にトレンチをエッチングするステップと、
前記トレンチ内に第１の非磁性シード層を堆積するステップと、
前記トレンチ内の前記第１の非磁性シード層上に第１の磁性層を堆積するステップと、
前記絶縁層を除去して前記第２のリーディングエッジシールド層を露出させるステップと、
前記第２のリーディングエッジシールド層、前記第１の非磁性シード層及び前記第１の磁性層の上に第２の非磁性シード層を堆積するステップと、
前記第２の非磁性シード層をパターニングするステップと、
第２の磁性層を堆積するステップと、
前記第２の磁性層を研磨して前記第２の非磁性シード層を露出させるステップと、
前記第２の非磁性シード層上に書き込みギャップ層を堆積するステップと、
前記書き込みギャップ層上にシード層を堆積するステップと、
前記書き込みギャップ層及び前記シード層をパターニングするステップと、
前記シード層及び前記第２の磁性層の上にトレーリングエッジシールド層を堆積するステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第１のリーディングエッジシールド層の少なくとも一部分を除去した後、前記第１のリーディングエッジシールド層と前記ストッパ層とが実質的に平坦になる、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記ストッパ層が、ルテニウム、イリジウム、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【請求項７】
書き込みヘッドの製造方法であって、
基板上に第１の絶縁層を形成するステップと、
前記基板及び前記第１の絶縁層の上にストッパ層を堆積するステップと、
前記ストッパ層上に第１のリーディングエッジシールド層を堆積するステップと、
前記第１のリーディングエッジシールド層を化学機械研磨して前記ストッパ層を露出させるステップと、
前記第１のリーディングエッジシールド層及び前記露出したストッパ層の上に第２のリーディングエッジシールド層を堆積するステップと、
前記第２のリーディングエッジシールド層の少なくとも一部分を除去することによりテーパ状の第２のリーディングエッジシールド層を形成し、前記ストッパ層を露出させるステップと、
前記ストッパ層及び前記第２のリーディングエッジシールド層の上に第２の絶縁層を堆積するステップと、
前記第２の絶縁層を化学機械研磨するステップと、
を含む、書き込みヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第２の絶縁層の中にトレンチをエッチングするステップと、
前記トレンチ内に非磁性シード層を堆積するステップと、
前記第２の絶縁層上及び前記トレンチ内の前記非磁性シード層上に第１の磁性層を堆積するステップと、
前記第２の絶縁層を除去して前記第２のリーディングエッジシールド層を露出させるステップと、
前記第２のリーディングエッジシールド層及び前記第２の磁性層の上に磁性シード層を堆積するステップと、
前記磁性シード層上に第２の磁性層を堆積するステップと、
前記第２の磁性層を化学機械研磨するステップと、
前記第２の磁性層上に書き込みギャップ層を堆積するステップと、
前記書き込みギャップ層上にシード層を堆積するステップと、
前記書き込みギャップ層及び前記シード層をパターニングするステップと、
前記シード層及び前記第２の磁性層の上にトレーリングエッジシールド層を堆積するステップと、
をさらに含む、請求項７に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記書き込みギャップ層が少なくともテーパ状の一部分を有する、請求項８に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第２の絶縁層の中にトレンチをエッチングするステップと、
前記トレンチ内に第１の非磁性シード層を堆積するステップと、
前記トレンチ内の前記非磁性シード層上に第１の磁性層を堆積するステップと、
前記第２の絶縁層を除去して前記第２のリーディングエッジシールド層を露出させるステップと、
前記第２のリーディングエッジシールド層、前記第１の非磁性シード層及び前記第１の磁性層の上に第２の非磁性シード層を堆積するステップと、
前記第２の非磁性シード層をパターニングするステップと、
第２の磁性層を堆積するステップと、
前記第２の磁性層を研磨して前記第２の非磁性シード層を露出させるステップと、
前記第２の非磁性シード層上に書き込みギャップ層を堆積するステップと、
前記書き込みギャップ層上にシード層を堆積するステップと、
前記書き込みギャップ層及び前記シード層をパターニングするステップと、
前記シード層及び前記第２の磁性層の上にトレーリングエッジシールド層を堆積するステップと、
をさらに含む、請求項７に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記書き込みギャップ層が少なくともテーパ状の一部分を有する、請求項１０に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【請求項１２】
書き込みヘッドの製造方法であって、
基板上に第１の磁性層を堆積するステップと、
前記第１の磁性層をパターニングして前記基板を露出させるステップと、
前記露出した基板及び前記第１の磁性層の上に第１の絶縁層を堆積するステップと、
前記第１の絶縁層を化学機械研磨して前記第１の磁性層を露出させるステップと、
前記第１の磁性層の少なくとも一部分を除去して前記基板を露出させるステップと、
前記基板及び前記第１の絶縁層の上にストッパ層を堆積するステップと、
前記ストッパ層上に第１のリーディングエッジシールド層を堆積するステップと、
前記第１のリーディングエッジシールド層を化学機械研磨して前記ストッパ層を露出させるステップと、
前記第１のリーディングエッジシールド層及び前記露出したストッパ層の上に第２のリーディングエッジシールド層を堆積するステップと、
前記第２のリーディングエッジシールド層上にレジストマスクを形成するステップと、
前記第２のリーディングエッジシールド層をミリングすることによりテーパ状の第２のリーディングエッジシールド層を形成し、前記ストッパ層を露出させるステップと、
前記レジストマスクを除去するステップと、
前記ストッパ層及び前記第２のリーディングエッジシールド層の上に第２の絶縁層を堆積するステップと、
前記第２の絶縁層を化学機械研磨するステップと、
を含む、書き込みヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記ストッパ層が、ルテニウム、イリジウム、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１２に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記ストッパ層がスパッタリングにより堆積される、請求項１３に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の各々がアルミナを含む、請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記第１のリーディングエッジシールド層及び前記第２のリーディングエッジシールド層の各々がニッケル−鉄を含む、請求項１５に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記第２の絶縁層の中にトレンチをエッチングするステップと、
前記トレンチ内に非磁性シード層を堆積するステップと、
前記トレンチ内の前記非磁性シード層上に第２の磁性層を堆積するステップと、
前記第２の絶縁層を除去して前記第２のリーディングエッジシールド層を露出させるステップと、
前記第２のリーディングエッジシールド層及び前記第２の磁性層の上に磁性シード層を堆積するステップと、
前記磁性シード層上に第３の磁性層を堆積するステップと、
前記第３の磁性層を化学機械研磨するステップと、
前記第３の磁性層上に書き込みギャップ層を堆積するステップと、
前記書き込みギャップ層上にシード層を堆積するステップと、
前記書き込みギャップ層及び前記シード層をパターニングするステップと、
前記シード層及び前記第３の磁性層の上にトレーリングエッジシールド層を堆積するステップと、
をさらに含む、請求項１２乃至１６のいずれか１項に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記書き込みギャップ層が少なくともテーパ状の一部分を有する、請求項１７に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記第２の絶縁層の中にトレンチをエッチングするステップと、
前記トレンチ内に第１の非磁性シード層を堆積するステップと、
前記トレンチ内の前記第１の非磁性シード層上に第２の磁性層を堆積するステップと、
前記第２の絶縁層を除去して前記第２のリーディングエッジシールド層を露出させるステップと、
前記第２のリーディングエッジシールド層、前記第１の非磁性シード層及び前記第２の磁性層の上に第２の非磁性シード層を堆積するステップと、
前記第２の非磁性シード層をパターニングするステップと、
第３の磁性層を堆積するステップと、
前記第３の磁性層をパターニングして前記第２の非磁性シード層を露出させるステップと、
前記第２の非磁性シード層上に書き込みギャップ層を堆積するステップと、
前記書き込みギャップ層上にシード層を堆積するステップと、
前記書き込みギャップ層及び前記シード層をパターニングするステップと、
前記シード層及び前記第３の磁性層の上にトレーリングエッジシールド層を堆積するステップと、
をさらに含む、請求項１２乃至１６のいずれか１項に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【請求項２０】
前記書き込みギャップ層が少なくともテーパ状の一部分を有する、請求項１９に記載の書き込みヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、概して磁気ディスクドライブに使用される書き込みヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの長期記憶の心臓部は、磁気ディスクドライブと呼ばれる組立体である。磁気ディスクドライブは、回転磁気ディスクと、回転磁気ディスクの表面に隣接してサスペンションアームにより懸架支持される書き込み／読み取りヘッドと、サスペンションアームを揺動させて読み取り／書き込みヘッドを回転ディスク上の特定の環状トラック上に配置するアクチュエータとを含む。読み取り／書き込みヘッドは、空気ベアリング面（ＡＢＳ）を有するスライダに直接配置される。サスペンションアームはスライダをディスク面に向かって付勢し、ディスクが回転すると、ディスクに隣接する空気がディスク面と共に動く。スライダはこの動いている空気のクッションに浮いた状態でディスク面上方を移動する。スライダが空気ベアリングに乗ると、書き込み／読み取りヘッドを用いて回転ディスクに対する磁気転移の書き込み及び回転ディスクからの磁気転移の読み取りが行われる。読み取り／書き込みヘッドは、コンピュータプログラムに従い動作して書き込み及び読み取り機能を実行する処理回路に接続されている。
【０００３】
絶えず求められているデータ転送速度及びデータ容量の向上に応えるため、近年、研究者らは垂直記録システムの開発に注力している。従来の長手記録システムは、磁気ディスク面の平面内でトラックに沿って長手方向に配向された磁気ビットとしてデータを記憶する。長手方向のデータビットは、書き込みギャップにより分離される一対の磁極間に形成されるフリンジ磁界によって記録される。
【０００４】
対照的に垂直記録システムは、磁気ディスクの平面に対して垂直に配向された磁化としてデータを記録する。磁気ディスクは、薄い硬磁性最上層によって被覆された軟磁性下地層を有する。垂直書き込みヘッドは、断面が極めて小さい書き込み磁極と、それより断面がはるかに大きいリターン磁極とを有する。書き込み磁極から磁気ディスク面に対して垂直な方向に強力な高密度の磁界が放出され、硬磁性最上層が磁化される。次に、生じた磁束は軟磁性下地層を通過してリターン磁極に戻り、そこで磁束は十分に拡散して弱まるため、リターン磁極に戻る途中で硬磁性最上層を通過して戻るときに、その磁束が書き込み磁極によって記録された信号を消去することはない。
【０００５】
垂直磁気記録システムでは、書き込み磁界強度を最大化し、且つ磁界勾配も最大化することが望ましい。強い書き込み磁界により、磁気ビットを確実に磁気媒体の硬磁性最上層に記録することができる。強い磁界勾配によって急峻な磁気転移が可能となり、それにより雑音が減り、信号対雑音比が大きくなる。
【０００６】
市場及び競合によって常に高記録面密度化が推し進められており、高面密度化は、必然的に書き込み／読み取りヘッド性能の絶え間ない向上を伴う。書き込みヘッドの性能要件（ＳＮＲ及び誤り率）を満たすため、ＨＤＤではラップアラウンドシールド（ＷＡＳ）ヘッドが使用されている。ＷＡＳヘッドでは、主磁極が、ＡＢＳから見て３側面からシールドによって取り囲まれる。垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッドの性能を向上させる別の公知の解決法は、ライタのトレーリング側に傾斜した磁極を用いている。しかしながら、これらの解決法（従来のＷＡＳ及び傾斜した書き込み磁極）はいずれも、現在及び将来の製品において限界を示し始めている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、性能が向上した垂直書き込みヘッドを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、概してラップアラウンドシールドとコンフォーマルサイドギャップとを有する垂直書き込みヘッドに関する。書き込みヘッドの製造において、リーディングエッジシールドが、化学機械研磨ストッパ層と実質的に面一レベルになるまで化学機械研磨され得る。リーディングエッジシールドと化学機械研磨ストッパ層とが実質的に平坦になるため、ギャップ層をコンフォーマルに堆積させることができる。
【０００９】
一実施形態において、書き込みヘッドの製造方法が開示される。本方法は、第１のリーディングエッジシールド層を化学機械研磨して化学機械研磨ストッパ層を露出させるステップと、第１のリーディングエッジシールド層及び露出した化学機械研磨ストッパ層の上に第２のリーディングエッジシールド層を堆積するステップと、第２のリーディングエッジシールド層の少なくとも一部分を除去することによりテーパ状の第２のリーディングエッジシールド層を形成し、化学機械研磨ストッパ層を露出させるステップとを含む。
【００１０】
別の実施形態において、書き込みヘッドの製造方法が開示される。本方法は、基板上に第１の絶縁層を形成するステップと、基板及び第１の絶縁層の上に化学機械研磨ストッパ層を堆積するステップとを含む。本方法はまた、化学機械研磨ストッパ層上に第１のリーディングエッジシールド層を堆積するステップと、第１のリーディングエッジシールド層を化学機械研磨して化学機械研磨ストッパ層を露出させるステップと、第１のリーディングエッジシールド層及び露出した化学機械研磨ストッパ層の上に第２のリーディングエッジシールド層を堆積するステップとを含む。本方法はさらに、第２のリーディングエッジシールド層の少なくとも一部分を除去することによりテーパ状の第２のリーディングエッジシールド層を形成し、化学機械研磨ストッパ層を露出させるステップと、化学機械研磨ストッパ層及び第２のリーディングエッジシールド層の上に第２の絶縁層を堆積するステップと、第２の絶縁層を化学機械研磨するステップとを含む。
【００１１】
別の実施形態において、書き込みヘッドの製造方法が開示される。本方法は、基板上に第１の磁性層を堆積するステップと、第１の磁性層をパターニングして基板を露出させるステップと、露出した基板及び第１の磁性層の上に第１の絶縁層を堆積するステップとを含む。本方法はまた、第１の絶縁層を化学機械研磨して第１の磁性層を露出させるステップと、第１の磁性層の少なくとも一部分を除去して基板を露出させるステップと、基板及び第１の絶縁層の上に化学機械研磨ストッパ層を堆積するステップと、化学機械研磨ストッパ層上に第１のリーディングエッジシールド層を堆積するステップとを含む。本方法はさらに、第１のリーディングエッジシールド層を化学機械研磨して化学機械研磨ストッパ層を露出させるステップと、第１のリーディングエッジシールド層及び露出した化学機械研磨ストッパ層の上に第２のリーディングエッジシールド層を堆積するステップと、第２のリーディングエッジシールド層上にレジストマスクを形成するステップと、第２のリーディングエッジシールド層をミリングすることによりテーパ状の第２のリーディングエッジシールド層を形成し、化学機械研磨ストッパ層を露出させるステップとを含む。本方法はまた、レジストマスクを除去するステップと、化学機械研磨ストッパ層及び第２のリーディングエッジシールド層の上に第２の絶縁層を堆積するステップと、第２の絶縁層を化学機械研磨するステップとを含む。
【００１２】
上記に記載した本発明の特徴を詳しく理解できるようにするため、実施形態を参照することによって上記に概要を述べた本発明のより詳細な説明を得ることができ、それらの実施形態のいくつかは添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、従って、本発明は他の同等に効果的な実施形態を認め得るため、本発明の範囲の限定と見なされてはならないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】一実施形態に係る書き込みヘッド１００の断面図である。
【図１Ｂ】別の実施形態に係る書き込みヘッド１５０の断面図である。
【図１Ｃ】別の実施形態に係る書き込みヘッドの断面図である。
【図２Ａ】一実施形態に係る書き込みヘッド２００の断面図である。
【図２Ｂ】別の実施形態に係る書き込みヘッド２５０の断面図である。
【図２Ｃ】別の実施形態に係る書き込みヘッドの断面図である。
【図３Ａ】書き込みヘッドの様々な作製段階における概略断面図である。
【図３Ｂ】書き込みヘッドの様々な作製段階における概略断面図である。
【図３Ｃ】書き込みヘッドの様々な作製段階における概略断面図である。
【図３Ｄ】書き込みヘッドの様々な作製段階における概略断面図である。
【図３Ｅ】書き込みヘッドの様々な作製段階における概略断面図である。
【図３Ｆ】書き込みヘッドの様々な作製段階における概略断面図である。
【図４Ａ】書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。
【図４Ｂ】書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。
【図４Ｃ】書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。
【図４Ｄ】書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。
【図４Ｅ】書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。
【図４Ｆ】書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。
【図４Ｇ】書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。
【図４Ｈ】書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。
【図４Ｉ】図４Ａの概略断面図である。
【図４Ｊ】図４Ｂの概略断面図である。
【図４Ｋ】図４Ｃの概略断面図である。
【図４Ｌ】図４Ｄの概略断面図である。
【図４Ｍ】図４Ｅの概略断面図である。
【図４Ｎ】図４Ｆの概略断面図である。
【図４Ｏ】図４Ｇの概略断面図である。
【図４Ｐ】図４Ｈの概略断面図である。
【図５Ａ】別の実施形態に係る書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。
【図５Ｂ】別の実施形態に係る書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。
【図５Ｃ】別の実施形態に係る書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。
【図５Ｄ】別の実施形態に係る書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。
【図５Ｅ】別の実施形態に係る書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。
【図５Ｆ】別の実施形態に係る書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。
【図５Ｇ】別の実施形態に係る書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。
【図５Ｈ】別の実施形態に係る書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。
【図５Ｉ】図４Ａの概略断面図である。
【図５Ｊ】図４Ｂの概略断面図である。
【図５Ｋ】図４Ｃの概略断面図である。
【図５Ｌ】図４Ｄの概略断面図である。
【図５Ｍ】図４Ｅの概略断面図である。
【図５Ｎ】図４Ｆの概略断面図である。
【図５Ｏ】図４Ｇの概略断面図である。
【図５Ｐ】図４Ｈの概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
理解を助けるため、可能な場合には、図に共通する同一の要素を同一の参照符号を使用して指示している。ある実施形態の要素及び特徴は、特に記載がなくとも他の実施形態に有利に組み込まれ得ることが企図される。
【００１５】
以下では、本発明の実施形態を参照する。しかしながら、本発明は具体的に説明される実施形態に限定されないことが理解されなければならない。むしろ、以下の特徴及び要素の任意の組み合わせが、異なる実施形態に関するものであるか否かを問わず、本発明の実行及び実施に対して企図される。さらに、本発明の実施形態は他の可能な解決法と比べて、及び／又は先行技術と比べて利点を実現し得るが、所与の実施形態によって特定の利点が実現されるか否かは本発明を限定するものではない。従って、以下の態様、特徴、実施形態及び利点は例示に過ぎず、特許請求の範囲に明示的に記載されない限り、添付の特許請求の範囲の要素又は限定とは見なされない。同様に、「本発明」というとき、それは本明細書に開示される発明主題の一般化として解釈されてはならず、且つ特許請求の範囲に明示的に記載されない限り、添付の特許請求の範囲の要素又は限定であると見なされてはならない。
【００１６】
本発明は、概して、ラップアラウンドシールドとコンフォーマルサイドギャップとを有する垂直書き込みヘッドに関する。書き込みヘッドの製造において、リーディングエッジシールドが、化学機械研磨ストッパ層と実質的に面一レベルになるまで化学機械研磨され得る。リーディングエッジシールドと化学機械研磨ストッパ層とが実質的に平坦になるため、ギャップ層をコンフォーマルに堆積させることができる。
【００１７】
本明細書に開示される実施形態は、リーディングエッジシールド（ＬＥＳ）と、リーディングエッジテーパ（ＬＥＴ）と、自己整合型コンフォーマルサイドギャップと、低磁束密度（Ｂｓ）サイドシールドとを備えたダマシンベースの高密度垂直磁気記録ヘッドを作製する設計及び方法を含む。本明細書に開示される実施形態は、ダマシンベースの４サイドラップアラウンドシールドライタにおいて８０ｎｍ未満のコンフォーマルサイドギャップ（これは７５０Ｇｂｉｔ／ｉｎ２を超える高密度ヘッドに好ましい）を可能にする。コンフォーマルサイドシールドはリーディングエッジシールドと磁気的に接続されるとともに、高性能記録ヘッドにおいてビット誤り率（ＢＥＲ）を改善し、隣接トラック干渉（ＡＴＩ）を最小限に抑え得る。ＬＥＳ（又は特定の実施形態では複数のＬＥＳ）の一部は反応性イオンエッチ（ＲＩＥ）ストッパとして働き、足場を作ることなしに完全な４サイドＷＡＳを可能にする。ＬＥＳプロセスで製造されるＣＭＰストッパ（例えば、Ｒｕ又はＩｒ）もまた、ＬＥＳと共に、トレンチのＲＩＥのＲＩＥストッパとして働く。
【００１８】
図１Ａは、一実施形態に係る書き込みヘッド１００の断面図である。書き込みヘッドは、第１のリーディングエッジシールド層１０２を含む。一実施形態において、第１のリーディングエッジシールド層１０２は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、第１のリーディングエッジシールド層１０２は、ＮｉＦｅ２０などのニッケルと鉄との合金を含み得る。第１のリーディングエッジシールド層１０２の上に第２のリーディングエッジシールド層１０４が堆積され得る。一実施形態において、第２のリーディングエッジシールド層１０４は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、第２のリーディングエッジシールド層１０４は、ＮｉＦｅ２０などのニッケルと鉄との合金を含み得る。図１Ｃに示されるとおり、第２のリーディングエッジシールド層１０４はテーパ状であり得る。製造中、第１のリーディングエッジシールド層１０２の一部はＲＩＥストッパ層として働き、足場を作ることも、リーディングエッジシールドとサイドシールドとを切り離すこともなしに、完全な４サイドＷＡＳを可能にする。
【００１９】
第２のリーディングエッジシールド層１０４の上にサイドシールド１０６が形成される。一実施形態において、サイドシールド層１０６は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、サイドシールド層１０６は、ＮｉＦｅ３０などのニッケルと鉄との合金を含み得る。別の実施形態において、サイドシールド層１０６は、第１のリーディングエッジシールド層１０２及び第２のリーディングエッジシールド層１０４のいずれよりも高い磁気モーメントを有し得る。サイドシールド層１０６はエッチングされ、トレンチを形成し得る。トレンチ内にサイドギャップ層１０８が形成される。一実施形態において、サイドギャップ層１０８はルテニウムを含み得る。別の実施形態において、サイドギャップ層１０８は非磁性材料を含み得る。別の実施形態において、サイドギャップ層１０８はイリジウムを含み得る。一実施形態において、サイドギャップ層１０８は約５０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚さを有し得る。
【００２０】
サイドギャップ層１０８内に磁性層１１０が堆積される。一実施形態において、磁性層１１０は、ニッケル、コバルト、鉄、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される強磁性材料を含み得る。磁性層１１０及びサイドシールド１０６の上に、書き込みギャップ層１１２が形成され得る。一実施形態において、書き込みギャップ層１１２は非磁性材料を含み得る。別の実施形態において、書き込みギャップ層１１２はアルミナを含み得る。別の実施形態において、書き込みギャップ層１１２はニッケル−クロムを含み得る。一実施形態において、書き込みギャップ層１１２は約２０ｎｍ〜約２５ｎｍの厚さを有し得る。書き込みギャップ層１１２の上に高Ｂｓシード層１１４が堆積され得る。一実施形態において、高Ｂｓシード層１１４は、コバルト、ニッケル、鉄、又はそれらの組み合わせを含み得る。一実施形態において、高Ｂｓシード層１１４はＣｏＮｉＦｅを含み得る。一実施形態において、高Ｂｓシード層１１４は高磁気モーメント材料を含み得る。一実施形態において、高Ｂｓシード層１１４は約２．０テスラ〜約２．４テスラの磁束密度を有し得る。サイドシールド１０６及び高Ｂｓシード１１４の上に、トレーリングシールド層１１６が堆積され得る。一実施形態において、トレーリングシールド層１１６は約１．５テスラ〜約１．８テスラの磁束密度を有し得る。別の実施形態において、トレーリングシールド層１１６は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、トレーリングシールド層１１６は、ＮｉＦｅ４５、ＮｉＦｅ５５、又は他のより高い磁気モーメントを有する磁性材料から選択され得る。図示しないが、トレーリングエッジシールド層１１６を堆積する前に、トレーリングエッジシールド層１１６と実質的に同じ組成を有するシード層が堆積され得る。
【００２１】
図１Ｂは、別の実施形態に係る書き込みヘッド１５０の断面図である。図１Ｂの書き込みヘッド１５０は、図１Ａと同様の層、材料、及び特性を含む。特に、書き込みヘッド１５０は、第１のリーディングエッジシールド層１５２と、第２のリーディングエッジシールド層１５４と、サイドシールド１５６と、書き込みギャップ層１６２と、高Ｂｓシード層１６４と、トレーリングシールド１６６と、磁性層１６０と、サイドギャップ層１５８とを含む。しかしながら、書き込みヘッド１５０はまたシード層１６８も含む。シード層１６８及びサイドギャップ層１５８の双方を合わせた使用は、サイドギャップの厚さの制御に用いることができる。第１のリーディングエッジシールド層１５２の一部はＲＩＥストッパ層として機能し、足場を作ることなしに完全な４サイドＷＡＳを可能にし得る。
【００２２】
図１Ｃは、図１Ａ及び図１Ｂの断面図である。図１Ｃの書き込みヘッドは、図１Ａ及び図１Ｂの書き込みヘッドの断面図である。図１Ｃに示されるとおり、第２のリーディングエッジシールド層１０４／１５４はテーパ状である。第１のリーディングエッジシールド層１０２／１５２は絶縁層１７２に隣接している。一実施形態において、絶縁層１７２はアルミナを含み得る。絶縁層１７２上にＲＩＥストッパ層１７０が堆積される。書き込みギャップ層及びサイドギャップ層は、双方ともテーパ状で、テーパ状磁極１７４を形成する。キャップ１７８もまたテーパ状１７６である。一実施形態において、キャップ１７８はタンタルを含み得る。別の実施形態において、キャップ１７８はルテニウムを含み得る。別の実施形態において、キャップ１７８は、タンタル／ルテニウム／タンタルの多層スタックを含み得る。別の実施形態において、キャップ１７８は、タンタルとルテニウムとの合金を含み得る。キャップ１７８上に第２の絶縁層１８０が堆積され得る。一実施形態において、第２の絶縁層１８０はアルミナを含み得る。図１Ａ−図１Ｃの設計により、サイドシールド厚さの独立した制御が可能となる。図１Ａでは、サイドギャップ層はコンフォーマルであり、サイドシールド１０６はリーディングエッジシールドと完全に接続している。図１Ｂでは、サイドギャップ層はサイドギャップ層１５８とシード層１６８とから構成される。
【００２３】
図２Ａは、一実施形態に係る書き込みヘッド２００の断面図である。図２Ａの書き込みヘッド２００は、図１Ａと同様の層、材料、及び特性を含む。しかしながら、図２Ａの書き込みヘッド２００は、第１のリーディングエッジシールド又は第２のリーディングエッジシールドのいずれも含まない。むしろ、書き込みヘッド２００は絶縁基板２０２を有する。一実施形態において、絶縁基板２０２はアルミナを含み得る。書き込みヘッド２００はまた、ＲＩＥストッパ層２０４も含む。一実施形態において、ＲＩＥストッパ層２０４は、ルテニウム、ＮｉＣｒ、又はＲｕ／ＮｉＣｒを含む。ＲＩＥストッパ層２０４及び絶縁基板２０２は実質的に平坦であり、テーパ状ではない。書き込みヘッド２００はまた、サイドシールド２０６、書き込みギャップ層２１２、高Ｂｓシード層２１４、トレーリングシールド２１６、磁性層２１０、及びサイドギャップ層２０８も含む。
【００２４】
図２Ｂは、別の実施形態に係る書き込みヘッド２５０の断面図である。図２Ｂの書き込みヘッド２５０は、図２Ａと同様の層、材料、及び特性を含む。特に、書き込みヘッド２５０は、絶縁基板２５２、ＲＩＥストッパ層２５４、サイドシールド２５６、書き込みギャップ層２６２、高Ｂｓシード層２６４、トレーリングシールド２６６、磁性層２６０、及びサイドギャップ層２５８を含む。しかしながら、書き込みヘッド２５０はまた、サイドギャップ層２５８を堆積する前にトレンチに堆積されるシード層２６８も含む。シード層２６８及びサイドギャップ層２５８の双方を合わせた使用は、サイドギャップの厚さの制御に用いることができる。
【００２５】
図２Ｃは、別の実施形態に係る書き込みヘッドの断面図である。図２Ｃの書き込みヘッドは、図２Ａ及び図２Ｂの書き込みヘッドの断面図である。図２Ｃに示されるとおり、絶縁基板２０２／２５２、ＲＩＥストッパ層２０４／２５４、及びサイドギャップ層２０８／２５８はテーパ状ではない。書き込みギャップ層はテーパ状で、テーパ状磁極２７０を形成する。キャップ２７４もまたテーパ状２７２である。一実施形態において、キャップ２７４はタンタルを含み得る。別の実施形態において、キャップ２７４はルテニウムを含み得る。別の実施形態において、キャップ２７４は、タンタル／ルテニウム／タンタルの多層スタックを含み得る。別の実施形態において、キャップ２７４は、タンタルとルテニウムとの合金を含み得る。第２の絶縁層２７６がキャップ２７４上に堆積され得る。一実施形態において、第２の絶縁層２７６はアルミナを含み得る。
【００２６】
図３Ａ−図３Ｆは、書き込みヘッドの様々な作製段階における概略断面図である。図３Ａに示されるとおり、犠牲マスキング層３０４が基板上に堆積される。一実施形態において、犠牲マスキング層３０４は、ＮｉＦｅなどの強磁性材料を含み得る。犠牲マスキング層３０４は、電気化学めっきなどの従来の堆積法により堆積され得る。次に、犠牲マスキング層３０４はパターニングされる。パターニングは、その上にハードマスクを堆積させて、露出した犠牲マスキング層３０４をミリングすることにより行われ得る。或いは、フォトレジストマスクが犠牲マスキング層３０４上に形成されてもよく、露出した犠牲マスキング層３０４を除去して基板の少なくとも一部分を露出させてもよい。犠牲マスキング層３０４の一部分を除去した後、絶縁層３０２が基板及び犠牲マスキング層３０４の上に堆積され得る。絶縁層３０２はブランケット堆積法により堆積され得るため、基板上だけではなく、犠牲マスキング層３０４上にも堆積される。次に絶縁層３０２を研磨して、犠牲マスキング層３０４を覆う絶縁層３０２を除去し得る。研磨はＣＭＰにより行われ得る。絶縁層３０２の研磨中、犠牲マスキング層３０４はＣＭＰストッパ層として機能する。ＣＭＰストッパ層はまた、堆積されるリーディングエッジシールドのＣＭＰ均一性も促進し得る。絶縁層３０２の研磨後、次に犠牲マスキング層３０４が除去され得る。一実施形態において、犠牲マスキング層３０４はウェットエッチング法により除去され得る。
【００２７】
犠牲マスキング層３０４が除去されると、ＣＭＰストッパ層３０６が堆積され得る。一実施形態において、ＣＭＰストッパ層３０６は非磁性材料を含み得る。別の実施形態において、ＣＭＰストッパ層３０６はイリジウムを含み得る。別の実施形態において、ＣＭＰストッパ層３０６はルテニウムを含み得る。一実施形態において、ＣＭＰストッパ層３０６は、原子層堆積又は物理蒸着により堆積され得る。ＣＭＰストッパ層３０６上に、第１のリーディングエッジシールド層３０８が堆積され得る。一実施形態において、第１のリーディングエッジシールド層３０８は電気めっきにより堆積され得る。一実施形態において、第１のリーディングエッジシールド層３０８は、鉄、ニッケル、コバルト、及びＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ又はＮｉＦｅ２０などのそれらの組み合わせの１つ又は複数を含み得る。一実施形態において、第１のリーディングエッジシールド層は約１．０テスラ〜約２．０テスラの磁束密度を有し得る。第１のリーディングエッジシールド層３０８は、ＣＭＰストッパ層３０６上にハードマスクを置き、次にＣＭＰストッパ層３０６の露出した部分の上に第１のリーディングエッジシールド層３０８を電気めっきすることにより堆積され得る。次にハードマスクが除去され得る。第１のリーディングエッジシールド層３０８及びＣＭＰストッパ層３０６の垂直縁部がリーディングエッジシールド厚さを決定する。一実施形態において、第１のリーディングエッジシールド層３０８は約１００ｎｍ〜約５００ｎｍの厚さを有し得る。ＣＭＰストッパ層３０６及び第１のリーディングエッジシールド層３０８の双方が、トレンチＲＩＥプロセスにおいてＲＩＥストッパとして働き得る。
【００２８】
次に第１のリーディングエッジシールド層３０８が、ＣＭＰストッパ層３０６をＣＭＰプロセスの停止点として使用して平坦化され得る。ＣＭＰプロセスの後、第１のリーディングエッジシールド層３０８とＣＭＰストッパ層３０６とは実質的に平坦になる。次に第２のリーディングエッジシールド層３１０が第１のリーディングエッジシールド層３０８並びにＣＭＰストッパ層３０６の上に堆積され得る。第２のリーディングエッジシールド層３１０は、第１のリーディングエッジシールド層３０８と同じ材料から選択され得る。しかしながら、第２のリーディングエッジシールド層３１０と第１のリーディングエッジシールド層３０８とは異なってもよい。第２のリーディングエッジシールド層３１０は、リーディングエッジテーパ領域におけるＲＩＥストッパとして働き得る。
【００２９】
リーディングエッジテーパミリングを実施して第２のリーディングエッジシールド層３１０をテーパ状にする。第２のリーディングエッジシールド層３１０上にレジストマスク３１２を形成して、ミリングするべき第２のリーディングエッジシールド層３１０の範囲を画定する。第２のリーディングエッジシールド層３１０のテーパ部分は、主磁極におけるリーディングエッジテーパの基礎となる。テーパ加工後、レジスト３１２が剥離されてもよく、絶縁層３１４が堆積され、平坦化され得る。一実施形態において、絶縁層３１４はアルミナを含み得る。絶縁層３１４はダマシントレンチの基材となり得る。第２のリーディングエッジシールド層３１０及びＣＭＰストッパ層３０６は、絶縁層３１４トレンチを形成する際のＲＩＥストッパ層として用いられ得る。第２のリーディングエッジシールド層３１０が磁極端領域近傍のＲＩＥストッパとなり得るとともに、ＣＭＰストッパ層３０６がヨーク領域近傍のＲＩＥストッパとなり得る。
【００３０】
図４Ａ−図４Ｈは、書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。図４Ｉ−図４Ｐは、それぞれ図４Ａ−図４Ｈの概略断面図である。図４Ａ−図４Ｐは、コンフォーマルサイドギャップ、サイドシールド、トレーリングギャップ、高Ｂｓシード、及びトレーリングシールドを形成するプロセスの流れの一例を示す。図４Ａ−図４Ｐを参照して説明される方法により製造され得る構造の一例は、図１Ａに示される構造である。
【００３１】
絶縁層４０２が、第１のリーディングエッジシールド層４１０及び第２のリーディングエッジシールド層４０８の上に形成される。絶縁層４０２にトレンチがエッチングされる。次にトレンチが非磁性シード層４０４で、及び次に磁性層４０６で充填され得る。一実施形態において、絶縁層４０２はアルミナを含み得る。一実施形態において、非磁性シード層４０４はルテニウムを含み得る。別の実施形態において、非磁性シード層４０４はイリジウムを含み得る。一実施形態において、磁性層４０６は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、磁性層４０６は、鉄、ニッケル、コバルト、又はそれらの組み合わせを含み得る。次に、絶縁層４０２、磁性層４０６、及び非磁性層４０４の上にフォトレジストマスク４１２が形成され得る。露出した絶縁層４０２が反応性イオンエッチング法により除去され得る。その後、残りの絶縁層４０２がウェットエッチング法により除去され得る。一実施形態において、反応性イオンエッチング法は省略されてもよく、絶縁層４０２はウェットエッチングにより除去されてもよい。
【００３２】
次に磁性シード層４１４が、露出した第２のリーディングエッジシールド層４０８、非磁性層４０４、及び磁性層４０６の上に堆積され得る。一実施形態において、磁性シード層４１４は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、磁性シード層４１４は、鉄、コバルト、ニッケル、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含み得る。磁性シード層４１４はスパッタリングにより堆積され得る。
【００３３】
磁性シード層４１４が堆積された後、フォトレジストマスクが形成されてもよく、サイドシールドとなり得る磁性層４１６が、磁性シード層４１４の露出部分に電気めっきされ得る。次にフォトレジストマスクが除去されてもよく、磁性シード層４１４の露出部分がミリングにより除去されてもよい。ここで磁性層４１６と第１のリーディングエッジシールド層４１０とが磁気的に接続される。一実施形態において、磁性層４１６は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、磁性層４１６は、鉄、ニッケル、コバルト、又はそれらの組み合わせを含み得る。別の実施形態において、磁性層４１６は、ＮｉＦｅ及びＣｏＮｉＦｅからなる群から選択される。別の実施形態において、磁性層４１６は約１．０テスラ〜約１．３テスラの磁束密度を有し得る。
【００３４】
次に磁性層４１６及び磁性シード層４１４を、ＣＭＰ法を用いた研磨により後退させ得る。ＡＢＳ４１８が破線により示される。シード層４０４がＣＭＰストッパとして働く。均一性を促進するため、ルテニウム、イリジウム、ロジウム、又はダイヤモンド様炭素などのさらなるＣＭＰストッパ層が、ヨーク及びめっきされたサイドシールド周辺の範囲に用いられ得る。次にテーパ状磁極がイオンミリングにより形成される。レジストマスク又はハードマスクなどのマスクにより、テーパ状にされない構造範囲をマスキングする。除去される部分が、符号４２０により破線で示される。除去されない部分により、トレーリングエッジテーパ（ＴＥＴ）バンプ４２２が設けられる。一実施形態において、マスクは炭化ケイ素を含む。別の実施形態において、ハードマスクはアルミナを含む。
【００３５】
次に書き込みギャップ層４２４及び高Ｂｓシード層４２６が堆積され、フォトリソグラフィ及びミリングによりパターニングされ得る。書き込みギャップ４２４は非磁性材料を含み得る。一実施形態において、書き込みギャップ４２４は、アルミナ又は酸化ルテニウムなどの酸化物を含み得る。一実施形態において、高Ｂｓ層４２６は、ＣｏＦｅ又はＣｏＮｉＦｅなどの強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、高Ｂｓ層４２６は約２．３テスラ〜約２．４テスラの磁束密度を有し得る。書き込みギャップ層４２４上の高Ｂｓ層４２６は磁界勾配を亢進し、ＢＥＲの改善に役立つ。次にトレーリングエッジシールド４２８が、シード層の堆積、リソグラフィ、電気めっき、及びシードのミリングによりパターニングされ得る。一実施形態において、トレーリングエッジシールド４２８は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、トレーリングエッジシールド４２８はＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅを含み得る。一実施形態において、トレーリングエッジシールド４２８は約１．２テスラ〜約２．４テスラの磁束密度を有し得る。
【００３６】
図５Ａ−図５Ｈは、別の実施形態に係る書き込みヘッドの様々な作製段階における概略上面図である。図５Ｉ−図５Ｐは、それぞれ図５Ａ−図５Ｈの概略断面図である。図５Ａ−図５Ｐは、コンフォーマルサイドギャップ、サイドシールド、トレーリングギャップ、高Ｂｓシード層、及びトレーリングシールドを形成するプロセスの流れの別の例を示す。図５Ａ−図５Ｐに示されるプロセスの流れにより、図１Ｂに示されるものなどの書き込みヘッドが製造され得る。
【００３７】
絶縁層５０２が、第１のリーディングエッジシールド層５１０及び第２のリーディングエッジシールド層５０８上に形成される。絶縁層５０２にトレンチがエッチングされる。次にトレンチが、非磁性シード層５０４で、及び次に磁性層５０６で充填される。一実施形態において、絶縁層５０２はアルミナを含み得る。一実施形態において、非磁性シード層５０４はルテニウムを含み得る。別の実施形態において、非磁性シード層５０４はイリジウムを含み得る。一実施形態において、磁性層５０６は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、磁性層５０６は、鉄、ニッケル、コバルト、又はそれらの組み合わせを含み得る。次に、絶縁層５０２、磁性層５０６、及び非磁性層５０４の上にフォトレジストマスク５１２が形成され得る。露出した絶縁層５０２が反応性イオンエッチング法により除去され得る。その後、残りの絶縁層５０２がウェットエッチング法により除去され得る。一実施形態において、反応性イオンエッチング法は省略されてもよく、絶縁層５０２はウェットエッチング法により除去されてもよい。その後、フォトレジストマスク５１２が除去され得る。
【００３８】
次に非磁性シード層５１３が堆積され得る。一実施形態において、非磁性シード層５１３はルテニウムを含み得る。別の実施形態において、非磁性層５１３はＡｌ２Ｏ３を含み得る。非磁性シード層５１３はスパッタリングにより堆積され得る。次に非磁性シード層５１３はパターニングされ得る。非磁性シード層５１３はサイドギャップの一部となり、また、後の処理においてはＣＭＰストッパ層としても働く。サイドギャップの全厚は、トレンチの内側に堆積された非磁性層５０４の厚さと、トレンチの外側に堆積された非磁性シード層５１３との合計となり得る。一実施形態において、サイドギャップの厚さは約７０ｎｍ〜約１００ｎｍであってもよい。一実施形態において、非磁性シード層５１３は約３０ｎｍ〜約５０ｎｍの厚さを有し得る。別の実施形態において、非磁性層５０４は約２０ｎｍ〜約５０ｎｍの厚さを有し得る。非磁性シード層５１３は、原子層化学気相成長法などのコンフォーマル堆積法により堆積され得る。非磁性シード層５１３が堆積された後、フォトリソグラフィ及びイオンミリングによって非磁性シード層５１３がパターニングされ得る。非磁性シード層５１３の僅かな部分はＡＢＳにおいてサイドシールドと第２のリーディングエッジシールド層５０８との間に残る。最高約５００ｎｍまでのテール長さに対して厚さが５０ｎｍ未満のとき、この僅かな部分の影響は無視できる。
【００３９】
次に磁性シード層が、露出した第２のリーディングエッジシールド層５０８及び非磁性シード層５１３の上に堆積され得る。一実施形態において、磁性シード層は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、磁性シード層は、鉄、コバルト、ニッケル、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含み得る。磁性シード層はスパッタリングにより堆積され得る。
【００４０】
磁性シード層が堆積された後、フォトレジストマスクが形成されてもよく、サイドシールドとなり得る磁性層５１６が、磁性シード層（存在する場合）の露出部分の上に電気めっきされ得る。次にフォトレジストマスクが除去されてもよく、磁性シード層の露出部分がミリングにより除去されてもよい。ここで磁性層５１６と第１のリーディングエッジシールド層５１０とが磁気的に接続される。一実施形態において、磁性層５１６は、鉄、ニッケル、コバルト、又はそれらの組み合わせなどの強磁性材料を含み得る。詳細な実施形態において、磁性層５１６は、ＮｉＦｅ及びＣｏＮｉＦｅからなる群から選択される。別の実施形態において、磁性層５１６は約１．０テスラ〜約１．８テスラの磁束密度を有し得る。
【００４１】
次に磁性層５１６及び磁性シード層を、ＣＭＰ法を用いた研磨により後退させ得る。ＡＢＳ５１８が破線により示される。非磁性層５１３がＣＭＰストッパとして働き、優れた磁極厚さ均一性を提供し得る。均一性を亢進するため、ルテニウム、イリジウム、ロジウム、又はダイヤモンド様炭素などのさらなるＣＭＰストッパ層が、ヨーク及びめっきされたサイドシールド周辺の範囲に用いられ得る。次にテーパ状磁極がイオンミリングにより形成される。レジストマスク又はハードマスクなどのマスクにより、テーパ状にされない構造範囲をマスキングする。除去される部分が、符号５２０により破線で示される。除去されない部分により、トレーリングエッジテーパ（ＴＥＴ）バンプ５２２が設けられる。一実施形態において、マスクは炭化ケイ素を含む。別の実施形態において、ハードマスクはアルミナを含む。
【００４２】
次に書き込みギャップ層５２４及び高Ｂｓシード層５２６が堆積され、フォトリソグラフィ及びミリングによりパターニングされ得る。書き込みギャップ５２４は非磁性材料を含み得る。一実施形態において、書き込みギャップ５２４はアルミナ又は酸化ルテニウムなどの酸化物を含む。一実施形態において、高Ｂｓ層５２６は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、高Ｂｓ層５２６はＣｏＦｅ又はＣｏＮｉＦｅを含み得る。別の実施形態において、高Ｂｓ層５２６は約２．３テスラ〜約２．４テスラの磁束密度を有し得る。書き込みギャップ層５２４上の高Ｂｓ層５２６は磁界勾配を亢進し、ＢＥＲの改善に役立つ。次にトレーリングエッジシールド５２８が、シード層の堆積、リソグラフィ、電気めっき、及びシードのミリングによりパターニングされ得る。一実施形態において、トレーリングエッジシールド５２８は強磁性材料を含み得る。別の実施形態において、トレーリングエッジシールド５２８はＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅを含み得る。一実施形態において、トレーリングエッジシールド５２８は約１．２テスラ〜約２．４テスラの磁束密度を有し得る。
【００４３】
リーディングエッジシールドは、化学機械研磨ストッパ層と実質的に面一レベルになるまで化学機械研磨されるため、ギャップ層をコンフォーマルに堆積することができる。これにより、コンフォーマルサイドシールドがリーディングエッジシールドと磁気的に接続され、デバイス性能が向上し得る。
【００４４】
前述の記載は本発明の実施形態に関するものであるが、本発明の他の及びさらなる実施形態を、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく考案することができ、及び本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲により決定される。
【符号の説明】
【００４５】
１００、１５０、２００、２５０  書き込みヘッド
１０２、１５２、３０８、４１０、５１０  第１のリーディングエッジシールド層
１０４、１５４、３１０、４０８、５０８  第２のリーディングエッジシールド層
１０６、１５６、２０６、２５６  サイドシールド層
１０８、１５８、２５８  サイドギャップ層
１１０、１６０、２１０、２６０、４０６、４１６、５０６、５１６  磁性層
１１２、１６２、２１２、２６２、４２４、５２４  書き込みギャップ層
１１４、１６４、２１４、２６４、４２６、５２６  高Ｂｓシード層
１１６、１６６、２１６、２６６、４２８、５２８  トレーリングエッジシールド層
１６８、２６８  シード層
１７０、２０４、２５４  ＲＩＥストッパ層
１７２、３０２、３１４、４０２、５０２  絶縁層
１７４、２７０  テーパ状磁極
１７６、２７２  テーパ状
１７８、２７４  キャップ
１８０、２７６  第２の絶縁層
２０２、２５２  絶縁基板
３０４  犠牲マスキング層
３０６  ＣＭＰストッパ層
３１２、４１２、５１２  レジストマスク
４０４、５０４、５１３  非磁性シード層
４１４  磁性シード層
４１８、５１８  ＡＢＳ
４２０、５２０  除去される部分
４２２、５２２  トレーリングエッジテーパバンプ
【図１Ａ】
2012113803.tif 000003
【図１Ｂ】
2012113803.tif 000004
【図１Ｃ】
2012113803.tif 000005
【図２Ａ】
2012113803.tif 000006
【図２Ｂ】
2012113803.tif 000007
【図２Ｃ】
2012113803.tif 000008
【図３Ａ】
2012113803.tif 000009
【図３Ｂ】
2012113803.tif 000010
【図３Ｃ】
2012113803.tif 000011
【図３Ｄ】
2012113803.tif 000012
【図３Ｅ】
2012113803.tif 000013
【図３Ｆ】
2012113803.tif 000014
【図４Ａ】
2012113803.tif 000015
【図４Ｂ】
2012113803.tif 000016
【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図４Ｉ】
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【図４Ｊ】
2012113803.tif 000024
【図４Ｋ】
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【図４Ｌ】
2012113803.tif 000026
【図４Ｍ】
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【図４Ｎ】
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【図４Ｏ】
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【図４Ｐ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図５Ｈ】
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【図５Ｉ】
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【図５Ｊ】
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【図５Ｋ】
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【図５Ｌ】
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【図５Ｍ】
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【図５Ｎ】
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【図５Ｏ】
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【図５Ｐ】
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