(57)【要約】【課題】部品内蔵基板の絶縁層に埋設されたチップ部品の外部電極を絶縁層上の電極層に接続するビア又はスルーホールのストレート性を高くする。【解決手段】絶縁層２に埋設されたチップ部品３の外部電極４ａ、４ｂにつき、上面側の延長部分４２の少なくともビア５の形成位置４２ａを、表面粗さの指標Ｒｚにおいて、０＜Ｒｚ＜５μｍを満たすように平坦化して表面の湾曲を解消し、それによって、絶縁層２に形成するビア５又はスルーホールのストレート性を高くする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部電極を有する絶縁体と、該絶縁体の両端に形成され、前記内部電極と接続された外部電極とを備え、前記外部電極が前記絶縁体の端面を覆う端面部分と、該端面部分から前記絶縁体の側面に延出した縁状の延長部分とからなるチップ部品を用意し、前記延長部分のうち少なくとも一部を、表面粗さの指標Ｒｚにおいて、０＜Ｒｚ＜５μｍを満たすように平坦化する第一の工程と、
前記チップ部品を配線板上に固定する第二の工程と、
前記外部電極が平坦化された前記チップ部品を絶縁層に埋設する第三の工程と、
前記外部電極の平坦化された面を底面として、前記絶縁層にビアまたはスルーホールを形成する第四の工程と、
前記絶縁層上に、前記ビアまたはスルーホールに電気的に接続される電極層を形成する第五の工程と
を備えたことを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の部品内蔵基板の製造方法において、
前記第一の工程に替えて、内部電極を有する絶縁体と、該絶縁体の両端に形成され、前記内部電極と接続された外部電極とを備え、前記外部電極が前記絶縁体の端面を覆う端面部分と、該端面部分から前記絶縁体の側面に延出した縁状の延長部分とからなるチップ部品を用意する工程を備え、
前記第二の工程により、用意した前記チップ部品を配線板上に固定して前記延長部分のうち少なくとも一部を、表面粗さの指標Ｒｚにおいて、０＜Ｒｚ＜５μｍを満たすように平坦化することを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の部品内蔵基板の製造方法において、
前記平坦化は、平面研磨によってなされることを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の部品内蔵基板の製造方法において、
前記第三の工程の前に、少なくとも前記平坦化された面を含む前記外部電極に、銅又は銀或いはそれらの合金のめっきを施す工程をさらに備えたことを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、絶縁層にチップ部品を内蔵した部品内蔵基板の製造方法に関し、詳しくは、チップ部品の外部電極と電極層との接続の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、チップ部品は、内部電極と、内部電極を有する絶縁体と、絶縁体の両端に形成された外部電極を備える。内部電極と外部電極とは、電気的に接続されている。
【０００３】
そして、このチップ部品を内蔵した部品内蔵基板において従来は、１個又は複数個のチップ部品の外部電極をプリント基板、セラミック多層基板、樹脂多層基板等の配線板の電極層を構成するランドに半田付けし、この状態でチップ部品を樹脂層に埋設して部品内蔵基板が製造される。
【０００４】
しかしながら、チップ部品を半田付けして製造すると、半田フィレットが前記樹脂層内に残存する。そのため、この種の部品内蔵基板を他の基板に半田リフロー等で実装するような場合、リフロー加熱により、前記樹脂層内に残存していた半田が液化して半田フラッシュが発生するおそれがある。
【０００５】
また、チップ部品の外部電極を半田付けするためには、比較的大面積の複数個のランドを設ける必要があり、高密度配線の妨げになって部品内蔵基板の小型化が図られない。
【０００６】
そこで、この種の部品内蔵基板を製造する場合、チップ部品を絶縁層下面の電極層のランドに半田付けして接続する代わりに、チップ部品の外部電極をビア又はスルーホールを通して絶縁層上面の電極層に直接接続することが考えられている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３０９３７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前記特許文献１に記載されているように外部電極（端子電極）に対してレーザを照射してビアやスルーホールを形成すると、以下の問題が生じる。
【０００９】
すなわち、セラミックコンデンサ等の現在市場に流通しているチップ部品は、外部電極が銀等の金属ペーストを塗布等して形成される。
【００１０】
この場合、部品内蔵基板１００は、図１０に模式的に図示するように、例えばセラミックコンデンサ等のチップ部品１０１の左、右の外部電極１０２ａ、１０２ｂが、それぞれチップ部品１０１の端面を覆う端面部分αと、端面部分αからチップ部品１０１の絶縁体１０３の上、下及び左、右の側面に延出した縁状の延長部分βとからなり、それらの表面（電極表面）は微視的には平坦ではなく湾曲している。
【００１１】
そのため、上面側の延長部分βの上方からレーザを照射し、外部電極１０２ａ、１０２ｂそれぞれにつながる穴１０４ａを形成すると、前記湾曲に起因したレーザの乱反射により、穴１０４ａはレーザ光源に近い表面側（開口側）の口径が広がる。
【００１２】
したがって、形成されるビア１０４は、ストレート性が損なわれて表面側（開口側）が広い円錐台形状になる可能性がある。なお、ビア１０４とは、穴１０４ａに導電性ペーストを充填して形成された中実の穴を意味する。穴１０４ａにめっきを施した上で非導電性ペーストを充填した場合も含む。
【００１３】
そして、外部電極１０２ａ、１０２ｂ側（先端側）で径小にならないようにするため、ビア１０４は、表面側の口径をある程度大きくして形成する必要がある。
【００１４】
その結果、ビア１０４の間隔等で定まる部品内蔵基板１００の導電層を狭ピッチ化することができず部品内蔵基板の小型化が阻害される問題がある。また、前記湾曲に起因して、穴１０４ａを形成したときに外部電極１０２ａ、１０２ｂとチップ部品１０１が埋設される樹脂層１０５との界面に隙間が生じ易く、ビア１０４を形成する際に、前記隙間に導電性ペーストやめっき液が浸透する問題もある。
【００１５】
そして、それらの問題は、セラミックコンデンサ以外の種々のチップ部品を内蔵する場合にも同様に生じる。また、ビア１０４に代えてスルーホールを形成する場合にも同様に生じる。なお、スルーホールとは、穴１０４ａにめっきを施して形成された中空の穴を意味する。
【００１６】
この発明は、部品内蔵基板の絶縁層に埋設されたチップ部品の外部電極を絶縁層上の電極層に接続するビアやスルーホールのストレート性を高くすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記した目的を達成するために、本発明の部品内蔵基板の製造方法は、内部電極を有する絶縁体と、該絶縁体の両端に形成され、前記内部電極と接続された外部電極とを備え、前記外部電極が前記絶縁体の端面を覆う端面部分と、該端面部分から前記絶縁体の側面に延出した縁状の延長部分とからなるチップ部品を用意し、前記延長部分のうち少なくとも一部を、表面粗さの指標Ｒｚにおいて、０＜Ｒｚ＜５μｍを満たすように平坦化する第一の工程と、前記チップ部品を配線板上に固定する第二の工程と、前記外部電極が平坦化された前記チップ部品を絶縁層に埋設する第三の工程と、前記外部電極の平坦化された面を底面として、前記絶縁層にビアまたはスルーホールを形成する第四の工程と、前記絶縁層上に、前記ビアまたはスルーホールに電気的に接続される電極層を形成する第五の工程とを備えたことを特徴としている（請求項１）。
【００１８】
そして、前記第一の工程に替えて、内部電極を有する絶縁体と、該絶縁体の両端に形成され、前記内部電極と接続された外部電極とを備え、前記外部電極が前記絶縁体の端面を覆う端面部分と、該端面部分から前記絶縁体の側面に延出した縁状の延長部分とからなるチップ部品を用意する工程を備え、前記第二の工程により、用意した前記チップ部品を配線板上に固定して前記延長部分のうち少なくとも一部を、表面粗さの指標Ｒｚにおいて、０＜Ｒｚ＜５μｍを満たすように平坦化するようにしてもよい（請求項２）。
【００１９】
また、前記平坦化は、平面研磨によってなされることが好ましい（請求項３）。
【００２０】
さらに、前記第三の工程の前に、少なくとも前記平坦化された面を含む前記外部電極に、銅又は銀或いはそれらの合金のめっきを施す工程をさらに備えることが、一層好ましい（請求項４）。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１の発明によれば、第一の工程により、チップ部品の外部電極の延長部分が、表面粗さの指標Ｒｚにおいて、０＜Ｒｚ＜５μｍを満たすように平坦化され、第二の工程により配線板上にチップ部品が固定される。
【００２２】
そして、第三の工程により、前記平坦化が施されたチップ部品が絶縁層に埋設された後、第四の工程により、絶縁層内において、前記外部電極の平坦化された面を底面としてレーザにより穴が形成され、この穴にめっきや金属材料の充填等を施して前記延長部分に電気的に接続したビアまたはスルーホールが形成される。
【００２３】
このとき、外部電極の上面側の前記延長部分が平坦化されているので、前記樹脂層の上方からのレーザ照射により、前記湾曲に起因したレーザの乱反射なく、円柱状の穴を形成することができる。さらに、この穴にめっき等で金属材料を充填して形成されるビア又はスルーホールは、絶縁層の上面側で広がらず、ストレート性が高い円柱形状になる。
【００２４】
そして、第五の工程により、前記ビア又は前記スルーホールが前記絶縁層上の配線パターンに接続されて部品内蔵基板が製造される。
【００２５】
この場合、前記ビア又はスルーホールの間隔等で定まる電極層の一層の狭ピッチ化等を図って部品内蔵基板を製造することができる。また、ビア又はスルーホールのストレート性が高く、製造された外部電極と樹脂層との界面に隙間が生じることはない。したがって、ビア又はスルーホールを形成する際に導電性ペーストやめっき液が前記隙間に浸透する事態も生じることもない。
【００２６】
請求項２の発明によれば、前記第一の工程に替わる工程により平坦化前のチップ部品を用意し、第二の工程によりチップ部品を配線板上に固定して外部電極の延長部分を、表面粗さの指標Ｒｚにおいて、０＜Ｒｚ＜５μｍを満たすように平坦化し、その後、前記第三乃至第五の工程の処理を施して部品内蔵基板を製造することができる。そして、この場合も、請求項１の発明の場合と同様の効果を奏する。
【００２７】
請求項３の発明によれば、前記平坦化を、実用的な平面研磨によって容易に施すことができる。
【００２８】
請求項４の発明によれば、第一の工程によりチップ部品の外部電極の前記延長部分が平坦化された後、前記第三の工程によって絶縁層に埋設する前に、外部電極の平坦化された面が、銅又は銀或いはそれらの合金のめっきにより極めて平坦な鏡面に加工される。この加工により、前記のビアやスルーホールのストレート性を一層向上させることができ、一層の導電層の狭ピッチ化等を図って部品内蔵基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の部品内蔵基板の製造方法の一実施形態を示し、製造された部品内蔵基板の一部の断面図である。
【図２】図１のチップ部品の説明図である。
【図３】図１の部品内蔵基板の製造の工程Ａの説明図である。
【図４】図１の部品内蔵基板の製造の工程Ｂの説明図である。
【図５】図１の部品内蔵基板の製造の工程Ｃの説明図である。
【図６】図１の部品内蔵基板の製造の工程Ｄの説明図である。
【図７】図１の部品内蔵基板の製造の工程Ｅの説明図である。
【図８】他の実施形態の製造方法により製造された部品内蔵基板の一部の断面図である。
【図９】図８の部品内蔵基板の製造の一部の工程の説明図である。
【図１０】従来例のビアの説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
つぎに、本発明をより詳細に説明するため、その実施形態について、図１〜図９にしたがって詳述する。
【００３１】
（一実施形態）
まず、一実施形態について、図１〜図８を参照して説明する。
【００３２】
図１は本実施形態の部品内蔵基板１Ａの一部の断面図、図２はそのチップ部品の説明図、、図３〜図７は部品内蔵基板１Ａの製造工程の説明図である。なお、各図においては、見易くするため、適宜断面を示すハッチングを省略している。
【００３３】
［部品内蔵基板１Ａの構成］
図１に示す本実施形態の部品内蔵基板１Ａは、樹脂からなる絶縁層２に１個又は複数個のチップ部品３を埋設し、各チップ部品３の左、右の両端面に形成された外部電極４ａ、４ｂを、ビア５（又はスルーホール）を通して絶縁層２上の電極層６に電気的に接続した構成である。
【００３４】
そして、チップ部品３は配線板７上に薄い非導電性接着シート８を介して配設され、本実施形態の場合、この状態でチップ部品３が絶縁層２に埋設されている。
【００３５】
なお、非導電性接着シート８は配線板７への位置固定の機能を果たすものである。また、配線板７は、例えばプリント基板、セラミック基板および樹脂基板とこれらの多層基板、ＳＵＳ等の転写板等からなる。また、配線板７及び非導電性接着シート８は、不要になる場合には、製造後等に除去される。
【００３６】
また、部品内蔵基板１Ａと、従来の半田付け接続の部品内蔵基板と比較すると、半田付け接続の場合は、前記配線板７及び非導電性接着シート８の位置に、ランドが設けられる。このランド上にチップ部品３が配設され、外部電極４ａ、４ｂが各ランドに半田付けされて電気的に接続される。ランドの有無等の点で、部品内蔵基板１Ａは外見上も従来の半田付け接続の部品内蔵基板と全く異なる。
【００３７】
つぎに、チップ部品３の構成を、図２を参照して説明すると、チップ部品３は、例えば積層セラミックコンデンサの場合、セラミックからなる絶縁体９内に、左、右端から中央に突出して重合した対の平板状内部電極１０ａ、１０ｂが形成されている。また、絶縁体９の外側において、左、右の端面に、銀等の金属ペーストで形成された外部電極４ａ、４ｂが取り付けられている。そして、各平板状内部電極１０ａは外部電極４ａに接続され、各平板状内部電極１０ｂは外部電極４ｂに接続されている。
【００３８】
外部電極４ａ、４ｂは、詳しくは、絶縁体９の端面を覆う端面部分４１と、該端面部分４１から絶縁体９の上、下及び左、右の側面に延出した縁状の延長部分４２とからなり、上面側の延長部分４２は、少なくともビア５の形成位置４２ａが平坦化されている。
【００３９】
その結果、ビア５の形成位置４２ａを底面とする絶縁層２の左、右のビア５は円柱状に形成され、図１０の従来のビア１０４のように円錐台形状に広がらない。
【００４０】
したがって、絶縁層２に埋設されたチップ部品３の外部電極４ａ、４ｂを、従来の半田付けではなく、絶縁層２内に形成したビア５を通して絶縁層２上の電極層６に直接接続する構成であって、ビア５が絶縁層２の表面側で広がらず、ビア５のストレート性を高くした部品内蔵基板１Ａを提供することができる。
【００４１】
この場合、ビア５のストレート性が高いため、ビア５の間隔等で定まる電極層６の狭ピッチ化を図り、部品内蔵基板１Ａを極めて小型化することができる。
【００４２】
また、ビア５の形成位置の部分４２ａが平坦化されているため、外部電極４ａ、４ｂと樹脂層２との界面に、上記の湾曲に起因した隙間が生じることがなく、この隙間にビア５の導電性ペーストやめっき液が浸透することもなない。
【００４３】
ところで、シミュレーションや実験等により、外部電極４ａ，４ｂの平坦化した面の十点表面粗さの指標Ｒｚが、０＜Ｒｚ＜５μｍであることが好ましいことが判明した。なお、平坦化する面積はビア５の径等に依存し、例えばチップ部品３が「０６０３サイズ」と呼ばれる０．６×０．３×０．３ｍｍの積層セラミックコンデンサの場合には、ビア５の径が１００μｍ程度になり、ビア５の位置ずれも考慮すると、平坦化する面積は１００±２０μｍ程度であることが好ましい。
【００４４】
そして、ビア５の形成位置４２ａの平坦化は、種々の研磨によって実現することができるが、簡単には、周知の平面研磨によって実現することが容易で好ましい。
【００４５】
［製造方法］
つぎに、部品内蔵基板１Ａの製造方法の工程順を追って図１及び図３〜図７を参照して説明する。
【００４６】
図３、図４は本発明の第二の工程の説明用の断面図であり、図３はチップ部品を配線板に固定する工程Ａの説明用の断面図、図４は本平坦化の工程Ｂの説明用の断面図である。  図５は工程Ｃ（本発明の第三の工程）の説明用の断面図、図６は工程Ｄ（本発明の第四の工程）の説明図であり、（ａ）はビアの穴が形成された状態の断面図、（ｂ）はビアが形成された状態の断面図である。図７は工程Ｅ（本発明の第五の工程）の説明用の断面図である。
【００４７】
まず、外部電極４ａ、４ｂの平坦化を施す前のチップ部品３を用意し（本発明の第一の工程）、図３の工程Ａにより、表面に非導電性接着シート８を敷設した配線板７上に、用意したチップ部品３を配設し、非導電性接着シート８によりチップ部品３を配線板７上に固定して支持する。
【００４８】
なお、配線板７は表面にチップ部品３の位置調整用マークが形成されたガラスエポキシ樹脂基板等からなる。また、チップ部品３は例えば前記した「０６０３サイズ」の積層セラミックコンデンサであり、例えば表面実装部品（ＳＭＤ）の実装マウンタにより、配線板７の前記各マークの位置に自動的に配設される。また、非導電性接着シート８は例えば非導電性接着剤を全面スクリーン印刷により配線板７に予め塗布して敷設される。
【００４９】
つぎに、図３の状態で例えば１５０℃、６０秒の乾燥加熱を施した後、非導電性接着シート８を介して配線板７上に固定したチップ部品３につき、図４の工程Ｂにより、左、右の外部電極４ａ、４ｂの上面側の延長部分４２の少なくともビア５の形成位置４２ａを平坦化する。
【００５０】
具体的には、平面研磨機を用いて外部電極４ａ、４ｂの延長部分４２のうち、ビア５の形成位置４２ａを、０＜Ｒｚ＜５μｍとなるように平面研磨して平坦化する。これによって、後述のレーザ照射の乱反射を抑制する。なお、平面研磨機での研磨でも実用的な精度で平坦化を施すことができるが、その後、外部電極４ａ、４ｂの前記形成位置４２ａの平坦化した表面を、さらに基板研磨機により馬布研磨して一層平坦化することが、レーザ照射の乱反射をより一層抑制する上から好ましい。
【００５１】
つぎに、図５の工程Ｃにより、前記平坦化が施されたチップ部品３を絶縁層２に埋設する。具体的には、例えば真空弾性体プレスにより、樹脂シートでチップ部品３が配設された配線板７の表面側を一様にラミネートし、配線板７上の全てのチップ部品３を一様な厚みの絶縁層２に埋設する。絶縁層２は熱硬化性樹脂により形成されていることが好ましく、加熱によって硬化される。
【００５２】
つぎに、図６の工程Ｄにより、つぎに説明する周知のビア加工（穴加工）を施して、絶縁層２内に、外部電極４ａ、４ｂの前記形成位置４２ａ（延長部分４２のうち平坦化された部分）に電気的に接続された上下方向のビア５を形成する。
【００５３】
まず、図６（ａ）の矢印線に示すレーザを、絶縁層２の上方からチップ部品３の外部電極４ａ、４ｂのビア５の前記形成位置４２ａに照射し、上下方向の穴５１を形成する。このとき、外部電極４ａ、４ｂの前記形成位置４２ａが平坦化されているので、従来の湾曲に起因したレーザの乱反射がなく、円柱状の穴５１を形成することができる。なお、前記レーザは、具体的には、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザである。
【００５４】
さらに、図６（ｂ）に示すように、前記円柱状の穴５１にめっきや金属材料の充填等を施して前記形成位置４２ａに電気的に接続した上下方向のビア５を形成する。
【００５５】
なお、チップ部品３が「０６０３サイズ」の積層セラミックコンデンサの場合には、前記したようにビア５の径は１００μｍ程度であり、ビア５の位置ずれも考慮すると、平坦化する前記形成位置４２ａの面積は１００±２０μｍ程度であることが好ましい。
【００５６】
つぎに、図７の工程Ｅにより、絶縁層２上に、ビア５に電気的に接続される電極層６を設け、部品内蔵基板１Ａを製造する。電極層６は絶縁層２上にめっきを施す等、周知の方法によって形成することができる。また、予め銅箔が貼付された絶縁層２を用い、銅箔をエッチング等により加工することによって電極層６を形成してもよい。
【００５７】
以上の実施形態の場合、チップ部品３の左、右の外部電極４ａ、４ｂにつき、上面側の延長部分４２のうち少なくともビア５の形成位置４２ａが平坦化されて表面（電極表面）の湾曲が解消される。そして、ビア５をストレート性が高い円柱状に形成することができる。そのため、チップ部品３と電極層６とを接続するビア５のストレート性が高い部品内蔵基板１Ａを提供することができる。
【００５８】
この場合、ビア５の間隔等で定まる電極層６の狭ピッチ化等を図って部品内蔵基板１Ａを一層小型化することができる。また、外部電極４ａ、４ｂと樹脂層２との界面に隙間が生じることがなく、ビア５を形成する際の導電性ペーストやめっき液等が前記隙間に浸透する事態も生じない。
【００５９】
また、前記延長部分４２の平坦化を、実用的で容易な平面研磨によって実現することができる。さらに、前記延長部分４２の平坦化を、０＜Ｒｚ＜５μｍにする具体的な構成で実現することができる利点もある。
【００６０】
ところで、上記実施形態においては、配線板７上でチップ部品３の外部電極４ａ、４ｂを研磨して平坦化し、さらに、配線板７及びチップ部品３を絶縁層２により埋設する請求項６の工程順で製造する方法を記載した。しかし、請求項５の工程順で製造してもよく、この場合は、第一の工程により、用意したチップ部品３の外部電極４ａ、４ｂを配線板７とは異なる板上で予め研磨して平坦化し、第二の工程により、研磨後のチップ部品３を配線板７上に非導電性接着シート８を介して固定し、第三の工程（工程Ｃ）により、配線板７及びチップ部品３を絶縁層２により埋設し、その後、第四、第五の工程（工程Ｄ、Ｅ）を施して部品内蔵基板１Ａが製造される。
【００６１】
（他の実施形態）
つぎに、他の実施形態について、図８、図９を参照して説明する。
【００６２】
図８は本実施形態の部品内蔵基板１Ｂの一部の断面図、図９は部品内蔵基板１Ｂの一部の製造工程の説明図である。なお、それらの図面において、図１〜図７と同一符号は同一若しくは相当するものを示す。
【００６３】
［部品内蔵基板１Ｂの構成］
本実施形態の部品内蔵基板１Ｂが前記実施形態の部品内蔵基板１Ａと異なる点は、図８に示すように、チップ部品３の外部電極４ａ、４ｂにおいて、上面側の延長部分４２のうち平坦化されたビア５の形成位置４２ａの表面が、銅（Ｃｕ）又は銀（Ａｇ）或いはそれらの合金のめっき１１により極めて平坦な鏡面に形成されている点である。
【００６４】
このようにすると、外部電極４ａ、４ｂの前記形成位置４２ａが厚膜であって、平坦化した表面がポーラスでレーザ反射を吸収等して妨げるような場合にも、めっき１１の平坦な鏡面によりレーザ反射の特性を改善する。これによって、ビア５のストレート性が一層向上し、絶縁層２上の電極層６が更に一層、狭ピッチ化される。
【００６５】
［製造方法］
つぎに、部品内蔵基板１Ｂの製造方法について、図９を参照して説明する。
【００６６】
部品内蔵基板１Ｂを製造する場合は、図９（ａ）に示す上述の工程Ｂと同図（ｃ）に示す上述の工程Ｃの間に、同図（ｂ）に示すめっき工程を追加する。
【００６７】
そして、工程Ｂにより、例えば平面研磨によってチップ部品３の左、右の外部電極４ａ、４ｂの上面側の延長部分４２の少なくともビア５の形成位置４２ａを平坦化すると、工程Ｃによってチップ部品３を絶縁層２に埋設する前に、前記のめっき工程により、例えば周知の無電解Ｃｕめっき処理等を行なって、前記形成位置４２ａの表面にめっき１１を施し、乾燥後に前記工程Ｃに移行する。
【００６８】
したがって、本実施形態の場合は、製造された部品内蔵基板１Ｂのビア５のストレート性を一層向上することができ、部品内蔵基板１Ｂを一層高密度に配線して小型化することができる。
【００６９】
そして、本発明は上記した両実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、ビア５に代えてスルーホールを形成する場合にも同様に適用することができる。なお、ビア５やスルーホールの構造等はどのようであってもよい。
【００７０】
また、チップ部品３の種類や寸法等はどのようであってもよく、絶縁層２やビア５、電極層６等の寸法や素材がどのようであってもよい。
【００７１】
さらに、本発明の部品内蔵基板の製造方法は、少なくとも前記工程Ａから工程Ｅを含むものであればよく、それらの工程の前後、途中に他の工程を含むものであってもよく、工程の手順が異なっていてもよい。
【００７２】
そして、本発明は、種々の部品内蔵基板及びその製造方法に適用することができる。
【符号の説明】
【００７３】
１Ａ、１Ｂ    部品内蔵基板
２    絶縁層
３    チップ部品
４ａ、４ｂ    外部電極
４１    端面部分
４２    延長部分
５    ビア
６    電極層
１１    めっき
【図１】
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【図２】
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【図３】
2012019247.tif 000005
【図４】
2012019247.tif 000006
【図５】
2012019247.tif 000007
【図６】
2012019247.tif 000008
【図７】
2012019247.tif 000009
【図８】
2012019247.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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