(57)【要約】【課題】撮像画像の画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させる。【解決手段】複数の転送電極３１が間を隔てて垂直方向ｙに並ぶように単一の導電材料層３１３を加工して形成する。また、第１キャパシタ電極Ｃ１１および第２キャパシタ電極Ｃ２１について、転送電極３１へ加工される導電材料層３１３から形成する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部が生成した信号電荷を転送する転送電極と、
第１キャパシタ電極および第２キャパシタ電極が誘電体膜を挟んでいるキャパシタと
を有し、
前記第１キャパシタ電極および前記第２キャパシタ電極は、前記転送電極が設けられた基板の面に沿って並んでおり、前記転送電極へ加工される導電体膜から形成された、
固体撮像装置。
【請求項２】
前記転送電極は、複数が間を隔てて第１方向に並ぶように導電体膜が加工されて形成されている、
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１キャパシタ電極および前記第２キャパシタ電極は、前記第１方向において前記誘電体膜を挟む部分を含み、前記第１方向において前記誘電体膜を挟む部分の幅が、前記第１方向に並ぶ前記複数の転送電極の間の幅と同じになるように形成されている、
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１キャパシタ電極と前記第２キャパシタ電極とのそれぞれは、
前記第１方向に延在する基幹部と、
前記基幹部から前記第１方向に対して直交する第２方向へ延在している枝部と
を含み、
前記第１キャパシタ電極の基幹部と前記第２キャパシタ電極の基幹部とが、前記第１キャパシタ電極の枝部および前記第２キャパシタ電極の枝部を前記第２方向において挟むように設けられている、
請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１キャパシタ電極と前記第２キャパシタ電極とのそれぞれは、前記枝部が複数設けられており、
前記第１キャパシタ電極の複数の枝部と、前記第２キャパシタ電極の複数の枝部とが、前記第１方向において前記誘電体膜を挟んで交互に並ぶように設けられている、
請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１キャパシタ電極に電気的に接続する第１配線と、
前記第２キャパシタ電極に電気的に接続する第２配線と
を有し、
前記第１配線は、前記第１キャパシタ電極の基幹部の上方において前記複数の枝部が設けられた各部で前記第１キャパシタ電極に電気的に接続され、
前記第２配線は、前記第２キャパシタ電極の基幹部の上方において前記複数の枝部が設けられた各部で前記第２キャパシタ電極に電気的に接続されている、
請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１キャパシタ電極および前記第２キャパシタ電極は、前記第１方向において前記誘電体膜を挟む部分を含み、前記第１方向において前記誘電体膜を挟む部分の幅が、前記基板の面から上方へ向かうに伴って広くなるように形成されている、
請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第１キャパシタ電極と前記第２キャパシタ電極とのそれぞれは、ポリシリコンによって形成されており、前記第１キャパシタ電極にて前記第１配線に電気的に接続される表面および前記第２キャパシタ電極にて前記第２配線に電気的に接続される表面にシリサイド層が形成されている、
請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記第１キャパシタ電極の上方に設けられており、前記第１キャパシタ電極に電気的に接続している第１配線と、
前記第２キャパシタ電極の上方に設けられており、前記第２キャパシタ電極に電気的に接続している第２配線と
を有し、
前記第１配線および前記第２配線は、
前記第１方向に延在する基幹部と、
前記基幹部から前記第１方向に対して直交する第２方向へ延在している枝部と
を含み、
前記第１配線の複数の枝部と、前記第２配線の複数の枝部とが、前記第１方向において交互に並ぶように設けられており、
前記第１配線の基幹部と前記第２配線の基幹部とが、前記第１配線の枝部および前記第２配線の枝部を前記第２方向において挟むように設けられている、
請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１キャパシタ電極と前記第２キャパシタ電極との上方に設けられ、前記キャパシタへ入射する光を遮光する遮光膜
を有する
請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第１キャパシタ電極と前記第２キャパシタ電極とのそれぞれは、前記第１方向に対して直交する第２方向へ延在するように形成されている、
請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記第１キャパシタ電極と前記第２キャパシタ電極とのそれぞれは、複数設けられており、
前記複数の第１キャパシタ電極と前記複数の第２キャパシタ電極とが、前記第１方向において前記誘電体膜を挟んで交互に並ぶように設けられている、
請求項１１に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記複数の第１キャパシタ電極の上方に設けられており、前記複数の第１キャパシタ電極に電気的に接続している第１配線と、
前記複数の第２キャパシタ電極の上方に設けられており、前記複数の第２キャパシタ電極に電気的に接続している第２配線と
を有し、
前記第１配線および前記第２配線のそれぞれは、前記第１方向に延在する延在部を含み、
前記第１配線の延在部と前記第２配線の延在部とのそれぞれは、前記第２方向における両端のそれぞれに設けられている、
請求項１２に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記複数の第１キャパシタ電極の上方に設けられており、前記複数の第１キャパシタ電極に電気的に接続している第１配線と、
前記複数の第２キャパシタ電極の上方に設けられており、前記複数の第２キャパシタ電極に電気的に接続している第２配線と
を有し、
前記第１配線および前記第２配線は、
前記第１方向に延在する基幹部と、
前記基幹部から前記第１方向に対して直交する第２方向へ延在している枝部と
を含み、
前記第１配線の複数の枝部と、前記第２配線の複数の枝部とが、前記第１方向において交互に並ぶように設けられており、
前記第１配線の基幹部と前記第２配線の基幹部とが、前記第１配線の枝部および前記第２配線の枝部を前記第２方向において挟むように設けられている、
請求項１２に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記第１キャパシタ電極は、前記第２配線の下方に設けられておらず、
前記第２キャパシタ電極は、前記第１配線の下方に設けられていない、
請求項１３または１４に記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
前記第１キャパシタ電極と前記第２キャパシタ電極との上方に設けられ、前記キャパシタへ入射する光を遮光する遮光膜
を有する
請求項１３または１４に記載の固体撮像装置。
【請求項１７】
光電変換部が生成した信号電荷を転送する転送電極と、
第１キャパシタ電極および第２キャパシタ電極が誘電体膜を挟んでいるキャパシタと
を有し、
前記第１キャパシタ電極および前記第２キャパシタ電極は、前記転送電極が設けられた基板の面に沿って並んでおり、前記転送電極へ加工される導電体膜から形成された、
電子機器。
【請求項１８】
光電変換部が生成した信号電荷を転送する転送電極を形成する転送電極形成工程と、
第１キャパシタ電極および第２キャパシタ電極が誘電体膜を挟んでいるキャパシタを形成するキャパシタ形成工程と
を有し、
前記キャパシタ形成工程では、前記転送電極が設けられた基板の面に沿って前記第１キャパシタ電極および前記第２キャパシタ電極が並ぶように、前記転送電極へ加工される導電体膜から前記第１キャパシタ電極および前記第２キャパシタ電極を形成する、
固体撮像装置の製造方法。
【請求項１９】
前記転送電極形成工程および前記キャパシタ形成工程は、
前記基板の面において前記転送電極，前記第１キャパシタ電極および前記第２キャパシタ電極を形成する領域に、導電体膜を形成する導電体膜形成ステップと、
前記導電体膜を加工することによって、前記転送電極を複数形成すると同時に、前記第１キャパシタ電極および前記第２キャパシタ電極のそれぞれを形成する導電体膜加工ステップと
を有する、
請求項１８に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項２０】
前記転送電極形成工程および前記キャパシタ形成工程は、
前記複数の転送電極の間に絶縁膜を埋め込むと同時に、前記第１キャパシタ電極と前記第２キャパシタ電極との間に前記誘電体膜として前記絶縁膜を埋め込む絶縁膜形成ステップ
を有する、
請求項１９に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどの電子機器は、固体撮像装置を含む。固体撮像装置は、複数の画素がマトリクス状に配列されている撮像領域が、半導体基板の面に設けられている。たとえば、固体撮像装置は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）型や、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のイメージセンサチップを含む。
【０００３】
撮像領域において、複数の画素のそれぞれには、光電変換部が設けられている。光電変換部は、たとえば、フォトダイオードであり、外付けの光学系を介して入射する光を受光面で受光し光電変換することによって、信号電荷を生成する。
【０００４】
そして、ＣＣＤ型では、撮像領域にて垂直方向に並ぶ複数の光電変換部の列の間に、垂直転送部が設けられている。垂直転送部は、垂直転送チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対面するように複数の転送電極が設けられており、電荷読出し部によって光電変換部から読み出された信号電荷を、垂直方向へ転送する。
【０００５】
そして、その垂直転送部によって１水平ライン（１行の画素）ごとに転送された信号電荷を、水平転送部が水平方向へ順次転送し、出力部が信号電荷を電圧に変換し、信号として出力する。このように、ＣＣＤ型では、いわゆる「電荷転送方式」で信号が出力される。
【０００６】
ＣＣＤ型では、「電荷転送方式」の他に、「水平スキャン方式」で信号を出力することが提案されている。この「水平スキャン方式」においては、各垂直転送部に電荷検出部が設けられており、垂直転送部が転送した信号電荷を電荷検出部が電圧に変換する。そして、その電荷検出部から出力される信号電圧を順次走査して水平方向へ出力する。ＣＣＤ型では、この方式の採用によって、低消費電力や高速駆動を実現させている。そして、この方式においては、各垂直転送部に、信号処理部が設けられており、電荷検出部から出力される信号からノイズ成分を除去することで、画像品質の向上を実現している。信号処理部は、たとえば、キャパシタを含むＣＤＳ回路を用いて構成されており、固定パターンノイズについて除去する（たとえば、特許文献１，２参照）。
【０００７】
また、ＣＣＤ型では、垂直転送部において、複数の転送電極の間を深さ方向で重ねずに、複数の転送電極を単一層から形成することによって、凸部を減少させて高感度化し、画像品質を向上させることが提案されている（たとえば、特許文献３参照）。
【０００８】
転送電極を形成する場合には、たとえば、複数の転送電極の間が開口するようにレジストパターンを導電膜上に形成後、その開口を埋め込むようにシュリンク材層をレジストパターン上に成膜する。その後、熱処理によって熱硬化させてレジストパターンの表面に熱硬化層を形成することで、その開口のサイズを縮小して微細開口を形成する。そして、その微細開口が形成されたレジストパターンをマスクとして導電膜をパターン加工することで、転送電極を形成する（たとえば、特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−５５５４号公報
【特許文献２】特開２００４−３５６７９１号公報
【特許文献３】特開２００６−４１３６９号公報
【特許文献４】特開２００４−３５６５７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図５４，図５５は、固体撮像装置の要部を示す図である。
【００１１】
図５４，図５５では、「水平スキャン方式」の固体撮像装置において、撮像領域ＰＡの画素Ｐの部分と、周辺領域ＳＡの信号処理部に含まれるキャパシタＣ１０Ｊの部分との断面を示している。
【００１２】
図５４，図５５に示すように、撮像領域ＰＡの画素Ｐの部分においては、フォトダイオード２１が半導体基板１１に設けられている。フォトダイオード２１は、受光面ＪＳにおいて、入射光を受光して光電変換を行うことによって、信号電荷を生成するように形成されている。
【００１３】
そして、図５４，図５５に示すように、半導体基板１１においてフォトダイオード２１に隣接するように、電荷読出しチャネル領域２２Ｒが設けられている。電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、フォトダイオード２１で生成された信号電荷を読み出すように形成されている。
【００１４】
そして、図５４，図５５に示すように、半導体基板１１において電荷読出しチャネル領域２２Ｒに隣接するように、垂直転送チャネル領域２３Ｖが設けられている。垂直転送チャネル領域２３Ｖは、半導体基板１１の上面において、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜３１２を介して、転送電極３１が設けられており、フォトダイオード２１から読み出された信号電荷を垂直方向ｙへ転送する。図示していないが、転送電極３１は、垂直方向ｙにおいて複数が並んで配置されており、その垂直方向ｙに並んだ転送電極に、たとえば、４相の駆動パルス信号を順に供給することによって、信号電荷の転送が実施される。
【００１５】
そして、図５４，図５５に示すように、半導体基板１１においてフォトダイオード２１と垂直転送チャネル領域２３Ｖとの間に介在するように、チャネルストッパー領域２４Ｓが設けられている。チャネルストッパー領域２４Ｓは、複数の画素Ｐの周囲において、各画素Ｐの間を分離するように形成されている。
【００１６】
また、図５４，図５５に示すように、半導体基板１１の上面には、転送電極３１を被覆するように、絶縁膜ＳＺが設けられている。そして、その絶縁膜ＳＺを介して、転送電極３１を被覆するように、遮光膜６０が設けられている。
【００１７】
これに対して、周辺領域ＳＡにおいては、図５４，図５５に示すように、キャパシタＣ１０Ｊが設けられている。キャパシタＣ１０Ｊは、下部電極Ｃ２１Ｊと、上部電極Ｃ１１Ｊとを含み、誘電体膜である絶縁膜３１２またはＳＺを挟んでいる。
【００１８】
具体的には、図５４に示すように、キャパシタＣ１０Ｊは、下部電極Ｃ２１Ｊが半導体基板１１に設けられている。下部電極Ｃ２１Ｊは、たとえば、半導体基板１１にＮ型不純物を高濃度に拡散させることで形成されている。例えば、リンを１×１０１５ｃｍ−２のドーズ量になるように、イオン注入する。そして、上部電極Ｃ１１Ｊが半導体基板１１の上面において絶縁膜３１２を介して設けられている。上部電極Ｃ１１Ｊは、たとえば、転送電極３１にパターン加工する際に用いた導電層を用いて形成される。
【００１９】
また、図５５に示すように、キャパシタＣ１０Ｊは、下部電極Ｃ２１Ｊが半導体基板１１の上面において絶縁膜３１２を介して設けられている。下部電極Ｃ２１Ｊは、たとえば、転送電極３１にパターン加工する際に用いた導電層を用いて形成される。そして、上部電極Ｃ１１Ｊが半導体基板１１の上面において絶縁膜ＳＺを介して設けられている。上部電極Ｃ１１Ｊは、たとえば、遮光膜６０にパターン加工する際に用いた導電層を用いて形成される。
【００２０】
しかしながら、上記においては、撮像画像の画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが困難な場合がある。
【００２１】
具体的には、図５４に示す場合においては、下部電極Ｃ２１ＪとしてＮ＋拡散層を形成するために高濃度のリンをイオン注入するので、フォトレジストマスクが硬化する場合がある。このため、これを除去する際には、高パワーでの酸素プラズマによる灰化処理が必要になるので、これによるダメージによって、固体撮像装置の暗電流特性が劣化し、撮像画像の画像品質を向上することが困難な場合がある。
【００２２】
また、ＣＣＤ型においては、電荷転送部におけるフリンジ電界を強めて、高い電荷転送効率を得るために、比較的厚い膜厚（たとえば、４０ｎｍ程度）で、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜３１２を形成する必要がある。このため、図５４に示すように、キャパシタＣ１０Ｊにおいては、この厚い絶縁膜３１２を上部電極Ｃ１１Ｊと下部電極Ｃ２１Ｊとが挟んでいるので、十分な静電容量を得ることが困難な場合がある。必要な静電容量値を得るためには、複数の異なる膜厚で絶縁膜を形成する必要があるので、工程数が増大し、工程の複雑化が生じる。
【００２３】
さらに、この場合においては、キャパシタＣ１０Ｊへ光が入射して、電子−正孔対が発生し、蓄積電荷量が変動する場合がある。この不具合を解決するためには、キャパシタＣ１０Ｊを遮光膜で覆うことが考えられるが、この場合においても、製造工程数の増加を招く。
【００２４】
また、図５５に示す場合においては、上部電極Ｃ１１Ｊと下部電極Ｃ２１Ｊとの間の絶縁膜ＳＺは、膜厚が、転送電極３１と金属の遮光膜６０に印加される最大の電位差を考慮して決定される。このため、たとえば、２００ｎｍ程度の厚い膜厚が必要である。よって、膜厚が厚いため、単位面積当たりの容量値が小さいので、所望の容量値を実現するためには、電極面積を相当に大きくする必要がある。
【００２５】
このように、固体撮像装置においては、撮像画像の画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが困難な場合がある。
【００２６】
したがって、本発明は、撮像画像の画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが容易に実現可能な、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明の固体撮像装置は、光電変換部が生成した信号電荷を転送する転送電極と、第１キャパシタ電極および第２キャパシタ電極が誘電体膜を挟んでいるキャパシタとを有し、前記第１キャパシタ電極および前記第２キャパシタ電極は、前記転送電極が設けられた基板の面に沿って並んでおり、前記転送電極へ加工される導電体膜から形成された。
【００２８】
本発明の電子機器は、光電変換部が生成した信号電荷を転送する転送電極と、第１キャパシタ電極および第２キャパシタ電極が誘電体膜を挟んでいるキャパシタとを有し、前記第１キャパシタ電極および前記第２キャパシタ電極は、前記転送電極が設けられた基板の面に沿って並んでおり、前記転送電極へ加工される導電体膜から形成された。
【００２９】
本発明の固体撮像装置の製造方法、光電変換部が生成した信号電荷を転送する転送電極を形成する転送電極形成工程と、第１キャパシタ電極および第２キャパシタ電極が誘電体膜を挟んでいるキャパシタを形成するキャパシタ形成工程とを有し、前記キャパシタ形成工程では、前記転送電極が設けられた基板の面に沿って前記第１キャパシタ電極および前記第２キャパシタ電極が並ぶように、前記転送電極へ加工される導電体膜から前記第１キャパシタ電極および前記第２キャパシタ電極を形成する。
【００３０】
本発明においては、転送電極が設けられた基板の面に沿って第１キャパシタ電極および第２キャパシタ電極が並ぶように、転送電極へ加工される導電体膜から第１キャパシタ電極および第２キャパシタ電極を形成する。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、撮像画像の画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが容易に実現可能な、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本発明にかかる実施形態１において、カメラ４０の構成を示す構成図である。
【図２】図２は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の全体構成を示す図である。
【図３】図３は、本発明にかかる実施形態１において、周辺回路の要部構成を示す回路図である。
【図４】図４は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の要部を示す図である。
【図５】図５は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の要部を示す図である。
【図６】図６は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の要部を示す図である。
【図７】図７は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図８】図８は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図９】図９は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明にかかる実施形態１において、周辺領域ＳＡにて設けられた導電材料パターン３１３Ｍを示す図である。
【図１５】図１５は、本発明にかかる実施形態１において、周辺領域ＳＡにて設けられたフォトレジストパターンＰＲ２を示す図である。
【図１６】図１６は、本発明にかかる実施形態１において、周辺領域ＳＡにて設けられたキャパシタＣ１０を示す図である。
【図１７】図１７は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図１８】図１８は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図１９】図１９は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図２０】図２０は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図２１】図２１は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図２２】図２２は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図２３】図２３は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図２４】図２４は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図２５】図２５は、本発明にかかる実施形態４において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図２６】図２６は、本発明にかかる実施形態４において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図２７】図２７は、本発明にかかる実施形態４において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図２８】図２８は、本発明にかかる実施形態４において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図２９】図２９は、本発明にかかる実施形態５において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図３０】図３０は、本発明にかかる実施形態５において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図３１】図３１は、本発明にかかる実施形態５において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図３２】図３２は、本発明にかかる実施形態５において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図３３】図３３は、本発明にかかる実施形態６において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図３４】図３４は、本発明にかかる実施形態６において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図３５】図３５は、本発明にかかる実施形態６において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図３６】図３６は、本発明にかかる実施形態６において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図３７】図３７は、本発明にかかる実施形態６において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図３８】図３８は、本発明にかかる実施形態７において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図３９】図３９は、本発明にかかる実施形態７において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図４０】図４０は、本発明にかかる実施形態８において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図４１】図４１は、本発明にかかる実施形態８において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図４２】図４２は、本発明にかかる実施形態９において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図４３】図４３は、本発明にかかる実施形態９において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図４４】図４４は、本発明にかかる実施形態９において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図４５】図４５は、本発明にかかる実施形態９において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図４６】図４６は、本発明にかかる実施形態１０において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図４７】図４７は、本発明にかかる実施形態１１において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図４８】図４８は、本発明にかかる実施形態１２において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図４９】図４９は、本発明にかかる実施形態１２において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図５０】図５０は、本発明にかかる実施形態１２において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図５１】図５１は、本発明にかかる実施形態１２において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【図５２】図５２は、本発明にかかる実施形態１３において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図５３】図５３は、本発明にかかる実施形態１４において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図５４】図５４は、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図５５】図５５は、固体撮像装置の要部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００３４】
なお、説明は、下記の順序で行う。
１．実施形態１（キャパシタが櫛形状の電極＋ハードマスクにサイドウォール）
２．実施形態２（キャパシタが櫛形状の電極＋電極にサイドウォール）
３．実施形態３（キャパシタが櫛形状の電極）
４．実施形態４（キャパシタが櫛形状の電極＋レジストをシュリンク）
５．実施形態５（キャパシタが櫛形状の電極＋ギャップがテーパー状）
６．実施形態６（キャパシタが櫛形状の電極＋シリサイド表面）
７．実施形態７（キャパシタが櫛形状の電極＋配線が櫛形状）
８．実施形態８（キャパシタが櫛形状の電極＋配線が櫛形状＋金属遮光膜）
９．実施形態９（キャパシタが短冊状の電極）
１０．実施形態１０（キャパシタが短冊状の電極＋配線が櫛形状）
１１．実施形態１１（キャパシタが短冊状の電極＋配線が櫛形状＋金属遮光膜）
１２．実施形態１２（キャパシタが短冊状の電極＋配線の下に他方のキャパシタ電極無し）
１３．実施形態１３（実施形態１２＋配線が櫛形状）
１４．実施形態１４（実施形態１３＋金属遮光膜）
１５．その他
【００３５】
＜１．実施形態１＞
［Ａ］装置構成
［Ａ−１］カメラの要部構成
図１は、本発明にかかる実施形態１において、カメラ４０の構成を示す構成図である。
【００３６】
図１に示すように、カメラ４０は、固体撮像装置１と、光学系４２と、駆動回路部４３と、信号処理部４４とを有する。
【００３７】
カメラ４０において、固体撮像装置１は、光学系４２を介して被写体像として入射する入射光Ｈを、撮像面ＰＳで受光して光電変換することによって、信号電荷を生成する。ここでは、固体撮像装置１は、駆動回路部４３から出力される制御信号に基づいて駆動する。そして、信号電荷を読み出して、ローデータとして出力する。
【００３８】
カメラ４０において、光学系４２は、結像レンズや絞りなどの光学部材を含み、入射光Ｈを、固体撮像装置１の撮像面ＰＳへ集光するように配置されている。
【００３９】
カメラ４０において、駆動回路部４３は、各種の制御信号を固体撮像装置１と信号処理部４４とに出力し、固体撮像装置１と信号処理部４４とを制御して駆動させる。
【００４０】
カメラ４０において、信号処理部４４は、固体撮像装置１から出力された電気信号について信号処理を実施することによって、デジタル画像を生成するように構成されている。
【００４１】
［Ａ−２］固体撮像装置の要部構成
固体撮像装置１の全体構成について説明する。
【００４２】
図２は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の全体構成を示す図である。図２では、上面を示している。
【００４３】
図２に示すように、本実施形態の固体撮像装置１は、「水平スキャン方式」のＣＣＤ型イメージセンサである。固体撮像装置１は、半導体基板１１の面（ｘｙ面）に撮像領域ＰＡが設けられており、この撮像領域ＰＡ（図１に示した撮像面ＰＳに相当）において撮像が行われる。
【００４４】
撮像領域ＰＡには、図２に示すように、画素Ｐと電荷読出し部ＲＯと垂直転送部ＶＴと電荷検出部２３とが設けられている。
【００４５】
画素Ｐは、図２に示すように、撮像領域ＰＡに複数が設けられており、それぞれが、水平方向ｘと垂直方向ｙとにおいて、マトリクス状に並ぶように配置されている。そして、この複数の画素Ｐの周囲においては、各画素Ｐの間を分離するように、素子分離部ＳＢが設けられている。画素Ｐは、受光面ＪＳにおいて、被写体像による光を受光して光電変換を行うことによって、信号電荷を生成する。
【００４６】
電荷読出し部ＲＯは、図２に示すように、撮像領域ＰＡにおいて、複数の画素Ｐに対応するように複数が設けられており、その画素Ｐが生成した信号電荷を、垂直転送部ＶＴへ読み出す。
【００４７】
垂直転送部ＶＴは、図２に示すように、撮像領域ＰＡにおいて、垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐに対応するように、垂直方向ｙに延在している。また、垂直転送部ＶＴは、垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐからなる列の間に配置されている。垂直転送部ＶＴは、複数が撮像領域ＰＡに設けられており、複数の垂直転送部ＶＴが、水平方向ｘに並ぶ複数の画素Ｐのそれぞれに対応するように、水平方向ｘに並んでいる。この垂直転送部ＶＴは、いわゆる垂直転送ＣＣＤであって、電荷読出し部ＲＯを介して、画素Ｐから読み出された信号電荷を垂直方向ｙへ順次転送する。詳細については後述するが、垂直転送部ＶＴは、複数の転送電極（図示無し）が垂直方向ｙに並んで配置されており、各転送電極に、たとえば、４相の駆動パルス信号を順に供給することによって、この信号電荷の転送を実施する。
【００４８】
電荷検出部２３は、図２に示すように、撮像領域ＰＡにおいて、垂直転送部ＶＴの下端部に設けられており、垂直転送部ＶＴが転送した信号電荷を信号電圧に変換して出力する出力回路を有する。
【００４９】
そして、半導体基板１１の面（ｘｙ面）において、撮像領域ＰＡの周辺に位置する周辺領域ＳＡには、信号処理回路３１Ｓと、水平出力回路３２Ｓと、水平走査回路３３Ｓとが、周辺回路として設けられている。
【００５０】
信号処理回路３１Ｓは、図２に示すように、周辺領域ＳＡにおいて、電荷検出部２３の下側に設けられており、電荷検出部２３から出力された信号について信号処理を実施して出力する。信号処理回路３１Ｓは、たとえば、ノイズ成分を除去するノイズ除去回路として、ＣＤＳ回路を含む。
【００５１】
水平出力回路３２Ｓは、図２に示すように、周辺領域ＳＡにおいて、信号処理回路３１Ｓの下側に設けられており、信号処理回路３１Ｓで信号処理されて出力された信号を、水平方向ｘへ出力する。ここでは、水平出力回路３２Ｓは、水平走査回路３３Ｓから順次供給される水平走査信号に基づいて、アナログ画像信号を順次出力する。
【００５２】
水平走査回路３３Ｓは、図２に示すように、周辺領域ＳＡにおいて、水平出力回路３２Ｓの下側に設けられている。水平走査回路３３Ｓは、シフトレジスタを含み、水平出力回路３２Ｓへ水平走査信号を順次供給することによって、信号処理回路３１Ｓから出力された信号を、水平方向ｘへ出力させる。たとえば、２相の水平走査信号を供給して、１水平ライン（１行の画素）ごとに画素単位で信号を出力させる。
【００５３】
図３は、本発明にかかる実施形態１において、周辺回路の要部構成を示す回路図である。
【００５４】
図３に示すように、信号処理回路３１Ｓは、キャパシタＣ１０と、サンプリングスイッチＳＷ３１と、サンプルホールドキャパシタＳＨ３１とを有する。信号処理回路３１Ｓにおいては、電荷検出部２３から信号が出力される垂直信号線ＶＳの出力端にキャパシタＣ１０が接続されている。そして、このキャパシタＣ１０の出力端と基準電位（たとえば、グランド）との間に、サンプリングスイッチＳＷ３１と、サンプルホールドキャパシタＳＨ３１とが並列に接続されている。
【００５５】
水平出力回路３２Ｓは、信号処理回路３１Ｓの出力端に接続された水平スイッチＳＷ３２を含む。水平出力回路３２Ｓにおいては、水平走査回路３３Ｓから供給される水平走査信号に応じて、水平スイッチＳＷ３２がオン状態になり、信号処理回路３１Ｓから出力された信号を、水平信号線ＨＳへ出力する。
【００５６】
［Ａ−３］固体撮像装置の詳細構成
本実施形態にかかる固体撮像装置１の詳細内容について説明する。
【００５７】
図４〜図６は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【００５８】
図４は、断面図であって、図２に示す各部分を示している。図４において、中央に示した部分は、撮像領域ＰＡのＸ１−Ｘ２部分の断面であって、撮像領域ＰＡの画素Ｐの部分を拡大して示している。右側に示した部分は、撮像領域ＰＡのＹ１−Ｙ２部分の断面であって、垂直転送部ＶＴの部分を拡大して示している。左側に示した部分は、周辺領域ＳＡのＹ３−Ｙ４部分の断面であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０について拡大して示している。
【００５９】
図５は、平面図であって、撮像領域ＰＡの画素Ｐおよび垂直転送部ＶＴの部分を拡大して示している。図５では、図２に示したＸ１−Ｘ２部分およびＹ１−Ｙ２部分を表示している。
【００６０】
図６は、平面図であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０について拡大して示している。
【００６１】
固体撮像装置は、図４に示すように、半導体基板１１を含む。半導体基板１１は、たとえば、シリコン半導体基板である。
【００６２】
図４に示すように、撮像領域ＰＡにおいては、半導体基板１１の内部に、フォトダイオード２１と、電荷読出しチャネル領域２２Ｒと、垂直転送チャネル領域２３Ｖと、チャネルストッパー領域２４Ｓとが設けられている。そして、半導体基板１１の表面においては、転送電極３１と、絶縁膜ＳＺと、遮光膜６０とが、絶縁膜３１２を介在して設けられている。
【００６３】
これに対して、周辺領域ＳＡにおいては、図４に示すように、半導体基板１１の表面に、フィールド酸化膜３２６と絶縁膜３１２とを介在して、キャパシタＣ１０が設けられている。そして、そのキャパシタＣ１０を被覆するように絶縁膜ＳＺが形成されている。この他に、周辺領域ＳＡにおいては、図６に示すように、第１金属配線６１と、第２金属配線６２とが設けられている。
【００６４】
固体撮像装置を構成する各部について、順次説明する。
【００６５】
（ａ）撮像領域
（ａ−１）フォトダイオード２１
フォトダイオード２１は、図４に示すように、画素Ｐに対応するように、半導体基板１１に設けられている。
【００６６】
フォトダイオード２１は、光を受光面ＪＳで受光し、光電変換することによって信号電荷を生成するように構成されている。
【００６７】
具体的には、フォトダイオード２１は、半導体基板１１の内部において表面側に位置する部分に設けられている。図示を省略しているが、フォトダイオード２１は、たとえば、半導体基板１１内に形成したｐ型半導体ウェル領域（ｐ）（図示無し）上に、ｎ型半導体領域（ｎ）（図示無し）とｐ型半導体領域（ｐ＋）（図示無し）とが順次形成されることによって構成される。ｎ型半導体領域（ｎ）は、信号電荷蓄積領域として機能する。そして、ｐ型半導体領域（ｐ＋）は、正孔蓄積領域として機能し、信号電荷蓄積領域であるｎ型半導体領域（ｎ）において、暗電流が生ずることを抑制するように構成されている。
【００６８】
（ａ−２）電荷読出しチャネル領域２２Ｒ
電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、図４に示すように、電荷読出し部ＲＯに対応するように設けられている。電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、フォトダイオード２１にて生成された信号電荷を読み出すように構成されている。
【００６９】
具体的には、電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、図４に示すように、半導体基板１１の内部の表面側に位置する部分において、フォトダイオード２１に隣接するように設けられている。
【００７０】
ここでは、電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、水平方向ｘにおいてフォトダイオード２１の左側に配置されている。たとえば、電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、ｐ型半導体領域として構成されている。
【００７１】
（ａ−３）垂直転送チャネル領域２３Ｖ
垂直転送チャネル領域２３Ｖは、図４に示すように、垂直転送部ＶＴに対応するように設けられている。垂直転送チャネル領域２３Ｖは、電荷読出し部ＲＯによってフォトダイオード２１から読み出された信号電荷を、垂直転送チャネル領域２３Ｖにて転送するように構成されている。
【００７２】
具体的には、垂直転送チャネル領域２３Ｖは、図４に示すように、半導体基板１１の内部の表面側に位置する部分において、電荷読出しチャネル領域２２Ｒに隣接して設けられている。
【００７３】
ここでは、垂直転送チャネル領域２３Ｖは、水平方向ｘにおいて電荷読出しチャネル領域２２Ｒの左側に配置されている。たとえば、垂直転送チャネル領域２３Ｖは、半導体基板１１の内部のｐ型半導体ウェル領域（ｐ）（図示無し）上に、ｎ型半導体領域（ｎ）（図示無し）を設けることによって構成されている。
【００７４】
（ａ−４）チャネルストッパー領域２４Ｓ
チャネルストッパー領域２４Ｓは、図４に示すように、素子分離部ＳＢに対応するように設けられている。
【００７５】
具体的には、チャネルストッパー領域２４Ｓは、図４に示すように、半導体基板１１の内部の表面側に位置する部分に設けられている。
【００７６】
ここでは、チャネルストッパー領域２４Ｓは、図４に示すように、水平方向ｘにおいて垂直転送チャネル領域２３Ｖの左側に位置し、垂直転送チャネル領域２３Ｖと、隣の列に配置されたフォトダイオード２１との間に介在するように設けられている。
【００７７】
図２に示したように、垂直方向ｙにおいても、複数の画素Ｐの間を分離するように素子分離部ＳＢが設けられている。このため、この部分の断面については図示していないが、上述のチャネルストッパー領域２４Ｓが、垂直方向ｙに並ぶ２つのフォトダイオード２１の間に設けられている。
【００７８】
上記のチャネルストッパー領域２４Ｓは、たとえば、半導体基板１１の内部のｐ型半導体ウェル領域（ｐ）（図示無し）上に、ｐ型半導体領域（ｐ＋）（図示無し）を設けることによって構成されており、電位障壁を形成して信号電荷の流出入を防止している。
【００７９】
（ａ−５）転送電極３１
転送電極３１は、図４に示すように、垂直転送部ＶＴに対応するように、半導体基板１１の上方に設けられており、読み出された信号電荷を垂直方向ｙへ転送する垂直転送電極として機能する。
【００８０】
具体的には、転送電極３１は、図４に示すように、半導体基板１１の上面において、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜３１２を介して、垂直転送チャネル領域２３Ｖに対面するように設けられている。転送電極３１は、複数が垂直方向ｙにおいて、絶縁膜３１７を隔てて並ぶように設けられている。
【００８１】
また、図示していないが、転送電極３１は、電荷読出し部ＲＯに対応して設けられた部分を含み、フォトダイオード２１にて生成された信号電荷を読み出す、電荷読出し電極として機能するように構成されている。
【００８２】
たとえば、転送電極３１は、ポリシリコンなどの導電材料を用いて形成されており、たとえば、シリコン酸化膜によって形成された絶縁膜３１２上に設けられている。
【００８３】
そして、図４に示すように、転送電極３１の上面には、絶縁膜ＳＺを介して、遮光膜６０が設けられている。
【００８４】
図５に示すように、転送電極３１は、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとを含む。
【００８５】
第１転送電極３１Ａは、図５に示すように、水平方向ｘにおいて複数が分離するように設けられている。
【００８６】
第２転送電極３１Ｂは、図５に示すように、垂直方向ｙに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間において、水平方向ｘに延在して複数が連結するように設けられている。第２転送電極３１Ｂは、第１転送電極３１Ａと同一の層から形成されている。
【００８７】
転送電極３１においては、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとが、一のフォトダイオード２１に対して配置されており、垂直方向ｙにおいて交互に繰り返し並んでいる。つまり、この２種類の転送電極３１Ａ，３１Ｂが、垂直方向において交互に並んで設けられている。
【００８８】
そして、図５に示すように、転送電極３１のそれぞれに対応するようにシャント配線４１が設けられている。シャント配線４１は、転送電極３１よりも低抵抗であり、たとえば、タングステンにより形成されている。
【００８９】
シャント配線４１は、図５に示すように、第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂとを含む。
【００９０】
第１シャント配線４１Ａは、図５に示すように、水平方向ｘに並ぶ複数の第１転送電極３１Ａのそれぞれにコンタクトを介して電気的に接続されている。
【００９１】
第２シャント配線４１Ｂは、図５に示すように、水平方向ｘに並ぶ複数の第２転送電極３１Ｂのそれぞれにコンタクトを介して電気的に接続されている。
【００９２】
シャント配線４１は、第１シャント配線４１Ａおよび第２シャント配線４１Ｂの全てが、垂直方向ｙに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間にて、水平方向ｘに延在しており、第２転送電極３１Ｂの上方において、垂直方向ｙに交互に繰り返し並んでいる。
【００９３】
シャント配線４１について、図４では図示していないが、転送電極３１の上方にシャント配線４１が設けられており、これらを被覆するように、絶縁膜ＳＺと遮光膜６０とが設けられている。
【００９４】
本実施形態においては、第１シャント配線４１Ａを通じて第１転送電極３１Ａに読出しパルス（ΦＲ）を供給することによって、フォトダイオード２１に蓄積された信号電荷を垂直転送チャネル領域２３Ｖへ読み出す。その後、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂへの転送パルス（ΦＶ１〜Ｖ４）の供給を、第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂを通じて行うことで、その読み出された信号電荷を垂直転送チャネル領域２３Ｖにおいて垂直方向ｙに転送する。
【００９５】
（ａ−６）遮光膜６０
遮光膜６０は、図４に示すように、半導体基板１１の上方に設けられている。
【００９６】
ここでは、遮光膜６０は、図４に示すように、半導体基板１１の表面上にて、電荷読出しチャネル領域２２Ｒと垂直転送チャネル領域２３Ｖの上方に形成されている。この遮光膜６０は、絶縁膜ＳＺを介して、転送電極３１を被覆するように設けられている。
【００９７】
遮光膜６０は、光を遮光する遮光材料であって、たとえば、タングステン，アルミニウムなどの金属材料を用いて形成されている。
【００９８】
（ｂ）周辺領域ＳＡ
（ｂ−１）キャパシタＣ１０
キャパシタＣ１０は、図４に示すように、周辺領域ＳＡにおいて、半導体基板１１の表面に設けられている。
【００９９】
ここでは、図４に示すように、半導体基板１１の上面に、たとえば、シリコン酸化膜で、フィールド酸化膜３２６が設けられている。そして、撮像領域ＰＡでゲート絶縁膜として機能する絶縁膜３１２が、周辺領域ＳＡにおいてフィールド酸化膜３２６の上面を被覆するように設けられている。そして、この絶縁膜３１２の上面に、キャパシタＣ１０が設けられている。
【０１００】
本実施形態では、キャパシタＣ１０は、図４および図６に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１とを含む。第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１とのそれぞれは、半導体基板１１の面（ｘｙ面）において、誘電体膜である絶縁膜３１７を挟むように設けられている。
【０１０１】
第１キャパシタ電極Ｃ１１および第２キャパシタ電極Ｃ２１は、図４に示すように、垂直方向ｙにおける断面が矩形形状であり、その矩形形状の部分の間のギャップに、絶縁膜３１７が埋め込まれている。たとえば、ギャップの幅が、０．０５〜０．２μｍになるように、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１とを形成することが好適である。
【０１０２】
また、図６に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１とのそれぞれは、平面形状が櫛歯状になるようにパターン加工されている。
【０１０３】
具体的には、図６に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１は、基幹部Ｃ１１Ｋと、枝部Ｃ１１Ｅとを有する。同様に、第２キャパシタ電極Ｃ２１は、基幹部Ｃ２１Ｋと、枝部Ｃ２１Ｅとを有する。
【０１０４】
第１キャパシタ電極Ｃ１１において、基幹部Ｃ１１Ｋは、図６に示すように、垂直方向ｙに延在している。そして、枝部Ｃ１１Ｅは、垂直方向ｙに対して直交する水平方向ｘに延在している。枝部Ｃ１１Ｅは、複数が垂直方向ｙにおいてスペースを隔てて平行に並んでおり、それぞれは、右端部において基幹部Ｃ１１Ｋの左側部に連結されている。
【０１０５】
第２キャパシタ電極Ｃ２１において、基幹部Ｃ２１Ｋは、図６に示すように、垂直方向ｙに延在している。ここでは、第２キャパシタ電極Ｃ２１の基幹部Ｃ２１Ｋは、水平方向ｘにおいて、第１キャパシタ電極Ｃ１１の基幹部Ｃ１１Ｋからスペースを隔てて平行に並んでいる。第２キャパシタ電極Ｃ２１において、枝部Ｃ２１Ｅは、垂直方向ｙに対して直交する水平方向ｘに延在している。枝部Ｃ２１Ｅは、複数が垂直方向ｙにおいてスペースを隔てて平行に並んでおり、それぞれは、左端部において基幹部Ｃ２１Ｋの右側部に連結されている。
【０１０６】
第１キャパシタ電極Ｃ１１の枝部Ｃ１１Ｅと、第２キャパシタ電極Ｃ２１の枝部Ｃ２１Ｅとのそれぞれは、図６に示すように、垂直方向ｙにおいて、交互に並ぶように形成されている。そして、第１キャパシタ電極Ｃ１１の枝部Ｃ１１Ｅと、第２キャパシタ電極Ｃ２１の枝部Ｃ２１Ｅとの間に、絶縁膜３１７が介在するように形成されている。
【０１０７】
この他に、第１キャパシタ電極Ｃ１１の枝部Ｃ１１Ｅと第２キャパシタ電極Ｃ２１の基幹部Ｃ２１Ｋとの間、および、第２キャパシタ電極Ｃ２１の枝部Ｃ２１Ｅと第１キャパシタ電極Ｃ１１の基幹部Ｃ１１Ｋとの間に、絶縁膜３１７が介在するように形成される。
【０１０８】
詳細については後述するが、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１とのそれぞれは、撮像領域ＰＡに設けた転送電極３１と同一の層から形成されている。
【０１０９】
（ｂ−２）第１金属配線６１，第２金属配線６２
第１金属配線６１と第２金属配線６２とのそれぞれは、図６に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１との各上面に、層間絶縁膜（図６では図示なし）を介して設けられている。
【０１１０】
第１金属配線６１は、図６に示すように、垂直方向ｙにおいて延在している。第１金属配線６１は、第１キャパシタ電極Ｃ１１の基幹部Ｃ１１Ｋの上方において、その基幹部Ｃ１１Ｋよりも狭い幅で設けられている。第１金属配線６１は、基幹部Ｃ１１Ｋにおいて、第１キャパシタ電極Ｃ１１と、コンタクトＣＯＮを介して電気的に接続されている。ここでは、基幹部Ｃ１１Ｋにおいて、複数の枝部Ｃ１１Ｅが配置された位置にコンタクトＣＯＮが形成されており、この各位置で両者が電気的に接続されている。
【０１１１】
同様に、第２金属配線６２は、図６に示すように、第１金属配線６１と平行になるように、垂直方向ｙにおいて延在している。第２金属配線６２は、第１金属配線６１と同様に、第２キャパシタ電極Ｃ２１の基幹部Ｃ２１Ｋの上方において、その基幹部Ｃ２１Ｋよりも狭い幅で設けられている。第２金属配線６２は、基幹部Ｃ２１Ｋにおいて、第２キャパシタ電極Ｃ２１と、コンタクトＣＯＮを介して電気的に接続されている。ここでは、基幹部Ｃ２１Ｋにおいて、複数の枝部Ｃ２１Ｅが配置された位置にコンタクトＣＯＮが形成されており、この各位置で両者が電気的に接続されている。
【０１１２】
［Ｂ］製造方法
以下より、上記の固体撮像装置１を製造する製造方法の要部について説明する。
【０１１３】
図７〜図１３は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【０１１４】
図７〜図１３は、図４と同様に、断面図であって、図２に示す各部分を示している。つまり、図７〜図１３において、中央に示した部分は、撮像領域ＰＡのＸ１−Ｘ２部分の断面であって、撮像領域ＰＡの画素Ｐの部分を拡大して示している。右側に示した部分は、撮像領域ＰＡのＹ１−Ｙ２部分の断面であって、垂直転送部ＶＴの部分を拡大して示している。左側に示した部分は、周辺領域ＳＡのＹ３−Ｙ４部分の断面であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０を形成する部分について拡大して示している。
【０１１５】
図７〜図１３に示すように、（ａ）〜（ｎ）に示す各工程を経て、固体撮像装置１を製造する。
【０１１６】
各工程の詳細について順次説明する。
【０１１７】
（ａ）フォトダイオード２１などの各部の形成
まず、図７の（ａ）に示すように、フォトダイオード２１などの各部について形成する。
【０１１８】
ここでは、図７の（ａ）に示すように、半導体基板１１の撮像領域ＰＡに、フォトダイオード２１と、電荷読出しチャネル領域２２Ｒと、垂直転送チャネル領域２３Ｖと、チャネルストッパー領域２４Ｓとを設ける。たとえば、イオン注入法を用いて、不純物を半導体基板１１に導入することによって、各部を形成する。
【０１１９】
そして、図７（ａ）に示すように、半導体基板１１の周辺領域ＳＡに、フィールド酸化膜３２６を設ける。たとえば、シリコン酸化膜で、フィールド酸化膜３２６を形成する。
【０１２０】
（ｂ）絶縁膜３１２，導電材料層３１３の形成
つぎに、図７の（ｂ）に示すように、絶縁膜３１２，導電材料層３１３について形成する。
【０１２１】
ここでは、図７の（ｂ）に示すように、撮像領域ＰＡおよび周辺領域ＳＡの全体を被覆するように、絶縁膜３１２を半導体基板１１の上面に設ける。たとえば、シリコン酸化膜で、絶縁膜３１２を形成する。
【０１２２】
そして、図７の（ｂ）に示すように、半導体基板１１の撮像領域ＰＡおよび周辺領域ＳＡの全体を被覆するように、絶縁膜３１２の上面に、導電材料層３１３を形成する。たとえば、ポリシリコンで、導電材料層３１３を形成する。たとえば、高濃度にリンがドーピングされたＤＯＰＯＳ（Ｄｏｐｅｄ  Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）を成膜することで、導電材料層３１３を形成する。
【０１２３】
（ｃ）絶縁膜３１４の形成
つぎに、図８の（ｃ）に示すように、絶縁膜３１４について形成する。
【０１２４】
ここでは、図８の（ｃ）に示すように、撮像領域ＰＡおよび周辺領域ＳＡの全体を被覆するように、導電材料層３１３の上面に、絶縁膜３１４を設ける。たとえば、シリコン酸化膜で、絶縁膜３１４を形成する。
【０１２５】
（ｄ）フォトレジストパターンＰＲ１の形成
つぎに、図８の（ｄ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１について形成する。
【０１２６】
ここでは、図８の（ｄ）に示すように、絶縁膜３１４の上面にフォトレジストパターンＰＲ１を形成する。
【０１２７】
具体的には、絶縁膜３１４の上面において、転送電極３１（３１Ａ，３１Ｂ），第１キャパシタ電極Ｃ１１，第２キャパシタ電極Ｃ２１の形成部分（図４参照）の中心部を被覆し、ギャップ部分が露出されるパターンで、フォトレジストパターンＰＲ１を形成する。
【０１２８】
すなわち、垂直方向ｙに並ぶ第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとの間のギャップに対応する部分を含む部分が開口するように、フォトレジストパターンＰＲ１を形成する。これと共に、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１との間のギャップに対応する部分を含む部分が開口するように、フォトレジストパターンＰＲ１を形成する。
【０１２９】
本実施形態においては、フォトレジストパターンＰＲ１の開口幅ＫＨが、転送電極３１とキャパシタＣ１０とを形成する部分において互いに同じ寸法になるように、フォトレジストパターンＰＲ１を形成する。たとえば、開口幅ＫＨが０．２μｍになるように、フォトレジストパターンＰＲ１を形成する。
【０１３０】
（ｅ）ハードマスクパターン３１４Ｍの形成
つぎに、図９の（ｅ）に示すように、ハードマスクパターン３１４Ｍについて形成する。
【０１３１】
ここでは、図９（ｅ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１をマスクとして、絶縁膜３１４（図８（ｄ）参照）についてエッチング処理を実施することで、絶縁膜３１４をハードマスクパターン３１４Ｍへパターン加工する。つまり、絶縁膜３１４のうち、フォトレジストパターンＰＲ１の開口に対応する部分を除去することで、ハードマスクパターン３１４Ｍを形成する。
【０１３２】
たとえば、ドライエッチング処理を実施することで、ハードマスクパターン３１４Ｍを形成する。
【０１３３】
（ｆ）フォトレジストパターンＰＲ１の除去
つぎに、図９の（ｆ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１について除去する。
【０１３４】
ここでは、たとえば、アッシング処理の実施によって、ハードマスクパターン３１４Ｍの上面からフォトレジストパターンＰＲ１を除去し、ハードマスクパターン３１４Ｍの上面を露出させる。
【０１３５】
（ｇ）絶縁膜３１６の形成
つぎに、図１０の（ｇ）に示すように、絶縁膜３１６について形成する。
【０１３６】
ここでは、図１０の（ｇ）に示すように、撮像領域ＰＡおよび周辺領域ＳＡの全体において、ハードマスクパターン３１４Ｍを被覆するように、絶縁膜３１６を設ける。たとえば、シリコン酸化膜で、絶縁膜３１６を形成する。
【０１３７】
具体的には、ハードマスクパターン３１４Ｍおよび導電材料層３１３の上面に沿うように、絶縁膜３１６を形成する。たとえば、０．０５μｍの膜厚になるように、絶縁膜３１６を形成する。
【０１３８】
（ｈ）サイドウォール３１６ＳＷの形成
つぎに、図１０の（ｈ）に示すように、サイドウォール３１６ＳＷについて形成する。
【０１３９】
ここでは、図１０の（ｈ）に示すように、絶縁膜３１６についてエッチバック処理を実施することによって、絶縁膜３１６をサイドウォール３１６ＳＷへ加工する。つまり、ハードマスクパターン３１４Ｍの側壁部分に絶縁膜３１６の一部を残し、他の絶縁膜３１６を除去する。
【０１４０】
これにより、ハードマスクパターン３１４Ｍの側壁部分にサイドウォール３１６ＳＷを形成する。そして、これと共に、導電材料層３１３の上面の一部が露出される。
【０１４１】
本実施形態においては、導電材料層３１３の上面が露出した部分の幅が、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとの間のギャップ、および、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１との間のギャップに対応するように形成を行う。たとえば、導電材料層３１３の上面が露出した部分の幅が、０．１μｍになるように、サイドウォール３１６ＳＷを形成する。
【０１４２】
（ｉ）導電材料パターン３１３Ｍの形成
つぎに、図１１の（ｉ）に示すように、導電材料パターン３１３Ｍについて形成する。
【０１４３】
ここでは、図１１（ｉ）に示すように、サイドウォール３１６ＳＷが設けられたハードマスクパターン３１４Ｍをマスクとして、導電材料層３１３（図１０（ｈ）参照）についてエッチング処理を実施する。これにより、導電材料層３１３を導電材料パターン３１３Ｍへパターン加工する。つまり、導電材料層３１３のうち、サイドウォール３１６ＳＷが設けられたハードマスクパターン３１４Ｍの開口に対応する部分を除去することで、導電材料パターン３１３Ｍへパターン加工する。
【０１４４】
図１１（ｉ）に示すように、本工程の実施によって、撮像領域ＰＡにおいては、垂直方向ｙに並ぶ転送電極３１の間のギャップＧＡｔが形成される（図５参照）。
【０１４５】
また、周辺領域ＳＡにおいては、図１１（ｉ）に示すように、垂直方向ｙに並ぶ第１キャパシタ電極Ｃ１１の枝部Ｃ１１Ｅと、第２キャパシタ電極Ｃ２１の枝部Ｃ２１Ｅとの間のギャップＧＡが形成される（図６参照）。
【０１４６】
図１４は、本発明にかかる実施形態１において、周辺領域ＳＡにて設けられた導電材料パターン３１３Ｍを示す図である。図１４では、上面を示している。
【０１４７】
図１４に示すように、キャパシタＣ１０を形成する領域ＣＡにおいては、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１との間に介在するように、ギャップＧＡが設けられる。すなわち、櫛歯状に形成される第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１との形状に対応するようにギャップＧＡが設けられる（図６参照）。
【０１４８】
（ｊ）絶縁膜３１７の形成
つぎに、図１１の（ｊ）に示すように、絶縁膜３１７について形成する。
【０１４９】
ここでは、撮像領域ＰＡおよび周辺領域ＳＡの全体において、導電材料パターン３１３Ｍに設けられたギャップＧＡ，ＧＡｔを埋め込むように、絶縁膜３１７を形成する。たとえば、ＣＶＤ法によって、シリコン酸化膜を成膜することで、絶縁膜３１７を形成する。プラズマＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法など様々な方法で、絶縁膜３１７を形成できる。ホウ素やリンを含有したシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）を形成後、熱フロー処理を実施することで、絶縁膜３１７を形成してもよい。
【０１５０】
これにより、導電材料パターン３１３Ｍの上面が、ハードマスクパターン３１４Ｍを介して、絶縁膜３１７で被覆される。
【０１５１】
（ｋ）絶縁膜３１７の加工
つぎに、図１２の（ｋ）に示すように、絶縁膜３１７について加工する。
【０１５２】
ここでは、図１２の（ｋ）に示すように、導電材料パターン３１３Ｍの上面が露出するように、絶縁膜３１７について加工する。たとえば、エッチバック処理やＣＭＰ処理の実施によって、絶縁膜３１７の表層部分を除去することで、導電材料パターン３１３Ｍの上面を露出させる。
【０１５３】
（ｌ）フォトレジストパターンＰＲ２の形成
つぎに、図１２（ｌ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ２について形成する。
【０１５４】
ここでは、図１２の（ｌ）に示すように、導電材料パターン３１３Ｍの上面に、フォトレジストパターンＰＲ２を形成する。
【０１５５】
具体的には、導電材料パターン３１３Ｍの上面において、転送電極３１（３１Ａ，３１Ｂ），第１キャパシタ電極Ｃ１１，第２キャパシタ電極Ｃ２１の形成部分（図４参照）を被覆し、他の部分が露出されるパターンで、フォトレジストパターンＰＲ２を形成する。
【０１５６】
図１５は、本発明にかかる実施形態１において、周辺領域ＳＡにて設けられたフォトレジストパターンＰＲ２を示す図である。図１５では、上面を示している。
【０１５７】
図１５に示すように、周辺領域ＳＡにおいては、キャパシタＣ１０を形成する領域ＣＡを被覆するように、フォトレジストパターンＰＲ２を形成する。
【０１５８】
（ｍ）第１キャパシタ電極Ｃ１１，第２キャパシタ電極Ｃ２１，転送電極３１の形成
つぎに、図１３（ｍ）に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１，第２キャパシタ電極Ｃ２１，転送電極３１について形成する。
【０１５９】
ここでは、図１３（ｍ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ２をマスクとして、導電材料パターン３１３Ｍ（図１２（ｌ）参照）についてエッチング処理を実施する。これにより、導電材料パターン３１３Ｍを、第１キャパシタ電極Ｃ１１，第２キャパシタ電極Ｃ２１，転送電極３１のそれぞれに、パターン加工する。つまり、導電材料パターン３１３Ｍのうち、フォトレジストパターンＰＲ２の開口に対応する部分を除去することで、導電材料パターン３１３Ｍを、第１キャパシタ電極Ｃ１１，第２キャパシタ電極Ｃ２１，転送電極３１に分離する。
【０１６０】
図１３（ｍ）に示すように、本工程の実施によって、撮像領域ＰＡにおいては、フォトダイオード２１の受光面ＪＳの上方に開口が形成される。
【０１６１】
また、周辺領域ＳＡにおいては、図１３（ｍ）に示すように、キャパシタＣ１０が形成される。
【０１６２】
（ｎ）フォトレジストパターンＰＲ２の除去
つぎに、図１３の（ｎ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ２について除去する。
【０１６３】
ここでは、たとえば、アッシング処理の実施によって、第１キャパシタ電極Ｃ１１，第２キャパシタ電極Ｃ２１，転送電極３１の上面からフォトレジストパターンＰＲ２を除去し、その上面を露出させる。
【０１６４】
図１６は、本発明にかかる実施形態１において、周辺領域ＳＡにて設けられたキャパシタＣ１０を示す図である。図１６では、上面を示している。
【０１６５】
図１６に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１とのそれぞれが櫛歯状にパターン加工され、誘電体膜である絶縁膜３１７を挟むように、キャパシタＣ１０が設けられる。
【０１６６】
（ｏ）絶縁膜ＳＺ，遮光膜６０の形成
つぎに、図４に示したように、絶縁膜ＳＺ，遮光膜６０について形成する。
【０１６７】
ここでは、図４に示すように、撮像領域ＰＡおよび周辺領域ＳＡの全体を被覆するように、絶縁膜ＳＺを半導体基板１１の上面に設ける。つまり、半導体基板１１において、キャパシタＣ１０，転送電極３１が設けられた上面を被覆するように、絶縁膜ＳＺを形成する。たとえば、シリコン酸化膜で、絶縁膜ＳＺを形成する。
【０１６８】
そして、図４に示すように、電荷読出しチャネル領域２２Ｒと垂直転送チャネル領域２３Ｖの上方において、絶縁膜ＳＺを介して転送電極３１を被覆するように遮光膜６０を形成する。遮光膜６０については、フォトダイオード２１の受光面ＪＳの上方に開口を設ける。たとえば、タングステン，アルミニウムなどの金属膜を成膜後、その金属膜をパターン加工することで、遮光膜６０を形成する。
【０１６９】
また、図６に示すように、第１金属配線６１と第２金属配線６２とのそれぞれを形成する。たとえば、アルミニウムなどの金属膜を成膜後、その金属膜をパターン加工することで、第１金属配線６１と第２金属配線６２とを形成する。
【０１７０】
図示を省略しているが、この後、半導体基板１１の上面に保護絶縁膜（図示なし）を形成する。そして、撮像領域ＰＡにおいては、画素Ｐのそれぞれに、カラーフィルタ，オンチップレンズなどの部材を設ける。
【０１７１】
このようにして各部を設けることによって、固体撮像装置１を完成させる。
【０１７２】
［Ｃ］まとめ
以上のように、本実施形態では、キャパシタＣ１０において、第１キャパシタ電極Ｃ１１および第２キャパシタ電極Ｃ２１は、転送電極３１が設けられた半導体基板１１の面（ｘｙ面）に沿って並んでいる（図４，図６などを参照）。
【０１７３】
ここでは、転送電極３１は、複数が間を隔てて垂直方向ｙに並ぶように単一の導電材料層３１３を加工して形成されている。また、第１キャパシタ電極Ｃ１１および第２キャパシタ電極Ｃ２１は、転送電極３１へ加工される導電材料層３１３から形成されている（図１１参照）。
【０１７４】
具体的には、転送電極３１とキャパシタＣ１０との形成工程では、半導体基板１１の面（ｘｙ面）にて、転送電極３１，第１キャパシタ電極Ｃ１１，第２キャパシタ電極Ｃ２１の形成領域に、導電材料層３１３を形成する（導電層形成ステップ，図７（ｂ）参照）。そして、その導電材料層３１３を加工することによって、転送電極３１を複数形成すると同時に、第１キャパシタ電極Ｃ１１および第２キャパシタ電極Ｃ２１のそれぞれを形成する（導電層加工ステップ，図１１（ｉ）参照）。そして、その複数の転送電極３１の間に絶縁膜３１７を埋め込むと同時に、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１との間に、その絶縁膜３１７を誘電体膜として埋め込む（絶縁膜形成ステップ，図１１（ｊ）参照）。
【０１７５】
このように、本実施形態では、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１との間のギャップについて、転送電極３１の間のギャップと同時に形成する。このため、本実施形態では、製造効率の向上を容易に実現できる。
【０１７６】
また、本実施形態では、第１キャパシタ電極Ｃ１１および第２キャパシタ電極Ｃ２１は、垂直方向ｙにおいて誘電体膜として絶縁膜３１７を挟む部分を含む。ここでは、その誘電体膜を挟む部分の幅が、垂直方向ｙに並ぶ複数の転送電極３１の間の幅と同じになるように形成する（図４などを参照）。
【０１７７】
このように、本実施形態では、安定した電荷転送効率を確保するために極めて高い精度で形成される転送電極３１の場合と同様に、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１との間のギャップが加工される。よって、キャパシタＣ１０についても、ギャップが高い精度で形成され、寸法バラツキが非常に小さいので、安定した静電容量値を得ることができる。さらに、加工時の欠陥管理も高いレベルで行われており、ギャップ部分での短絡の発生無くキャパシタＣ１０を形成できる。
【０１７８】
また、本実施形態では、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１とのそれぞれは、櫛形状に形成されている。具体的には、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１とのそれぞれは、垂直方向ｙに延在する基幹部Ｃ１１Ｋ，Ｃ２１Ｋを含む。これと共に、その基幹部Ｃ１１Ｋ，Ｃ２１Ｋから垂直方向ｙに対して直交する水平方向ｘへ延在している枝部Ｃ１１Ｅ，Ｃ２１Ｅを含む。第１キャパシタ電極Ｃ１１の基幹部Ｃ１１Ｋと第２キャパシタ電極Ｃ２１の基幹部Ｃ２１Ｋとが、第１キャパシタ電極Ｃ１１の枝部Ｃ１１Ｅおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１の枝部Ｃ２１Ｅを水平方向ｘにおいて挟むように設けられている。そして、第１キャパシタ電極Ｃ１１の複数の枝部Ｃ１１Ｅと、第２キャパシタ電極Ｃ２１の複数の枝部Ｃ２１Ｅとが、垂直方向ｙにおいて誘電体膜を挟んで交互に並ぶように設けられている。
【０１７９】
このため、本実施形態においては、キャパシタＣ１０を高い静電容量になるように形成することができる。
【０１８０】
本実施形態では、キャパシタＣ１０を構成する第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１が、同一材料で形成された相似形状である。このため、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１の寄生容量が同一である。よって、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１との間の極性を入れ替えた場合でも、容量値の変動が発生せず、回路レイアウトの自由度が高くなる利点がある。
【０１８１】
本実施形態では、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１を形成するポリシリコン材料として、高濃度にリンがドーピングされたＤＯＰＯＳを用いている。このため、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１への電圧印加時に、ポリシリコン内に空乏層が形成されず、その印加電圧によって容量値が変化しない利点がある。
【０１８２】
また、本実施形態において、キャパシタＣ１０の静電容量値を変更する場合には、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１との間のギャップの長さを変更する。つまり、一定の占有面積である領域内において、ギャップの配置を変更することで、ギャップの延在方向の長さを変更して、静電容量値の変更が可能である。このため、本実施形態では、静電容量値を変更する場合に、チップレイアウト面積の変更を伴わず実現することができる利点がある。
【０１８３】
以上のように、本実施形態においては、画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが容易に実現できる。
【０１８４】
＜２．実施形態２＞
［Ａ］装置構成など
図１７は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０１８５】
図１７は、図４と同様に、断面図であって、図２に示す各部分を示している。つまり、図１７において、中央に示した部分は、撮像領域ＰＡのＸ１−Ｘ２部分の断面であって、撮像領域ＰＡの画素Ｐの部分を拡大して示している。右側に示した部分は、撮像領域ＰＡのＹ１−Ｙ２部分の断面であって、垂直転送部ＶＴの部分を拡大して示している。左側に示した部分は、周辺領域ＳＡのＹ３−Ｙ４部分の断面であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０ｂについて拡大して示している。
【０１８６】
図１７に示すように、本実施形態においては、転送電極３１ｂおよびキャパシタＣ１０ｂの断面形状が、実施形態１と異なる（図４参照）。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０１８７】
図１７に示すように、転送電極３１ｂは、側壁部分にサイドウォール３１３ＳＷｂが設けられており、そのサイドウォール３１３ＳＷｂで挟まれたギャップに、絶縁膜３１７ｂが埋め込まれている。
【０１８８】
また、キャパシタＣ１０ｂにおいても、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｂと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｂとの側壁部分にサイドウォール３１３ＳＷｂが設けられている。そして、そのサイドウォール３１３ＳＷｂで挟まれたギャップに、誘電体膜として絶縁膜３１７ｂが埋め込まれている。
【０１８９】
なお、転送電極３１ｂ、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｂ、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｂの平面形状は、実施形態１の場合と同様である（図５，図６参照）。
【０１９０】
［Ｂ］製造方法
以下より、上記の固体撮像装置を製造する製造方法の要部について説明する。
【０１９１】
図１８〜図２１は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【０１９２】
図１８〜図２１は、図１７と同様に、断面図であって、図２に示す各部分を示している。
【０１９３】
図１８〜図２１に示すように、（ａ）〜（ｇ）に示す各工程を経て、図１７に示す固体撮像装置を製造する。
【０１９４】
各工程の詳細について順次説明する。
【０１９５】
（ａ）フォトレジストパターンＰＲ１ｂの形成
まず、図１８の（ａ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１ｂについて形成する。
【０１９６】
フォトレジストパターンＰＲ１ｂの形成に先立って、実施形態１に示したように、フォトダイオード２１などの各部について形成する（図７（ａ）参照）。そして、絶縁膜３１２，導電材料層３１３を形成する（図７の（ｂ）参照）。
【０１９７】
この後、図１８の（ａ）に示すように、導電材料層３１３の上面にフォトレジストパターンＰＲ１ｂを形成する。
【０１９８】
具体的には、導電材料層３１３の上面において、転送電極３１ｂ，第１キャパシタ電極Ｃ１１ｂ，第２キャパシタ電極Ｃ２１ｂの形成部分（図１７参照）の中心部を被覆し、そのギャップ部分が露出されるパターンで、フォトレジストパターンＰＲ１ｂを形成する。
【０１９９】
すなわち、垂直方向ｙに並ぶ転送電極３１ｂの間のギャップに対応する部分を含む部分が開口するように、フォトレジストパターンＰＲ１ｂを形成する。これと共に、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｂと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｂとの間のギャップに対応する部分を含む部分が開口するように、フォトレジストパターンＰＲ１ｂを形成する。
【０２００】
本実施形態においては、フォトレジストパターンＰＲ１ｂの開口幅ＫＨが、転送電極３１ｂとキャパシタＣ１０ｂとを形成する部分において互いに同じ寸法になるように、フォトレジストパターンＰＲ１ｂを形成する。たとえば、開口幅ＫＨが０．２μｍになるように、フォトレジストパターンＰＲ１ｂを形成する。
【０２０１】
（ｂ）導電材料パターン３１３Ｍｂの形成
つぎに、図１８の（ｂ）に示すように、導電材料パターン３１３Ｍｂについて形成する。
【０２０２】
ここでは、図１８（ｂ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１ｂをマスクとして、導電材料層３１３（図１８（ａ）参照）についてエッチング処理を実施する。これにより、導電材料層３１３を導電材料パターン３１３Ｍｂへパターン加工する。つまり、導電材料層３１３のうち、フォトレジストパターンＰＲ１ｂの開口に対応する部分を除去することで、導電材料パターン３１３Ｍｂへパターン加工する。
【０２０３】
（ｃ）フォトレジストパターンＰＲ１ｂの除去
つぎに、図１９の（ｃ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１ｂについて除去する。
【０２０４】
ここでは、たとえば、アッシング処理の実施によって、導電材料パターン３１３Ｍｂの上面からフォトレジストパターンＰＲ１ｂを除去し、導電材料パターン３１３Ｍｂの上面を露出させる。
【０２０５】
（ｄ）導電材料層３１３Ｐｂの形成
つぎに、図１９の（ｄ）に示すように、導電材料層３１３Ｐｂについて形成する。
【０２０６】
ここでは、図１９（ｄ）に示すように、撮像領域ＰＡおよび周辺領域ＳＡの全体において、導電材料パターン３１３Ｍｂを被覆するように、導電材料層３１３Ｐｂを設ける。たとえば、ポリシリコン膜で、導電材料層３１３Ｐｂを形成する。
【０２０７】
具体的には、絶縁膜３１２および導電材料パターン３１３Ｍｂの上面に沿うように、導電材料層３１３Ｐｂを形成する。たとえば、０．０５μｍの膜厚になるように、導電材料層３１３Ｐｂを形成する。
【０２０８】
（ｅ）サイドウォール３１３ＳＷｂの形成
つぎに、図２０の（ｅ）に示すように、サイドウォール３１３ＳＷｂについて形成する。
【０２０９】
ここでは、図２０の（ｅ）に示すように、導電材料層３１３Ｐｂについてエッチバック処理を実施することによって、導電材料層３１３Ｐｂをサイドウォール３１３ＳＷｂへ加工する。つまり、導電材料パターン３１３Ｍｂの側壁部分に導電材料層３１３Ｐｂの一部を残し、他の導電材料層３１３Ｐｂを除去する。
【０２１０】
これにより、導電材料パターン３１３Ｍｂの側壁部分にサイドウォール３１３ＳＷｂを形成する。たとえば、絶縁膜３１２の上面が露出した部分におけるギャップＧＡ，ＧＡｔの幅が、０．１μｍになるように、サイドウォール３１３ＳＷｂを形成する。そして、これと共に、絶縁膜３１２の上面の一部が露出される。
【０２１１】
本工程の実施によって、図２０の（ｅ）に示すように、撮像領域ＰＡにおいては、垂直方向ｙに並ぶ転送電極３１ｂの間のギャップＧＡｔが形成される（図５参照）。また、周辺領域ＳＡにおいては、垂直方向ｙに並ぶ第１キャパシタ電極Ｃ１１ｂの枝部Ｃ１１Ｅと、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｂの枝部Ｃ２１Ｅとの間のギャップＧＡが形成される（図６参照）。
【０２１２】
（ｆ）絶縁膜３１７ｂの形成
つぎに、図２０の（ｆ）に示すように、絶縁膜３１７ｂについて形成する。
【０２１３】
ここでは、撮像領域ＰＡおよび周辺領域ＳＡの全体において、導電材料パターン３１３Ｍｂにてサイドウォール３１３ＳＷｂの間に設けられたギャップＧＡ，ＧＡｔを埋め込むように、絶縁膜３１７ｂを形成する。たとえば、ＣＶＤ法によって、シリコン酸化膜を成膜することで、絶縁膜３１７ｂを形成する。プラズマＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法など様々な方法で、絶縁膜３１７ｂを形成できる。ホウ素やリンを含有したシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）を形成後、熱フロー処理を実施することで、絶縁膜３１７ｂを形成してもよい。
【０２１４】
これにより、サイドウォール３１３ＳＷｂが設けられた導電材料パターン３１３Ｍｂの上面が、絶縁膜３１７ｂで被覆される。
【０２１５】
（ｇ）絶縁膜３１７の加工
つぎに、図２１の（ｇ）に示すように、絶縁膜３１７ｂについて加工する。
【０２１６】
ここでは、図２１の（ｇ）に示すように、導電材料パターン３１３Ｍｂの上面が露出するように、絶縁膜３１７ｂについて加工する。たとえば、エッチバック処理やＣＭＰ処理の実施によって、絶縁膜３１７ｂの表層部分を除去することで、導電材料パターン３１３Ｍｂの上面を露出させる。
【０２１７】
（ｈ）その他の部材の形成
つぎに、図１７に示したように、その他の部材について形成する。
【０２１８】
ここでは、実施形態１の場合と同様な工程（図１２（ｌ）〜図１３（ｎ）参照）を経て、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｂ，第２キャパシタ電極Ｃ２１ｂ，転送電極３１ｂを形成する。
【０２１９】
そして、実施形態１の場合と同様にして、絶縁膜ＳＺ，遮光膜６０などの各部を形成することで、固体撮像装置を完成させる。
【０２２０】
［Ｃ］まとめ
本実施形態では、実施形態１と同様に、キャパシタＣ１０ｂにおいて、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｂおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１ｂは、転送電極３１ｂが設けられた半導体基板１１の面（ｘｙ面）に沿って並んでいる（図１７などを参照）。
【０２２１】
ここでは、転送電極３１は、複数が間を隔てて垂直方向ｙに並ぶように導電材料層３１３，３１３Ｐｂを加工して形成されている。また、第１キャパシタ電極Ｃ１１および第２キャパシタ電極Ｃ２１は、転送電極３１へ加工される導電材料層３１３，３１３Ｐｂから形成されている（図１８〜図２０参照）。
【０２２２】
よって、本実施形態においては、実施形態１と同様に、画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが容易に実現できる。
【０２２３】
＜３．実施形態３＞
［Ａ］製造方法など
図２２〜図２４は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【０２２４】
図２２〜図２４は、図４と同様に、断面図であって、図２に示す各部分を示している。つまり、図２２〜図２４において、中央に示した部分は、撮像領域ＰＡのＸ１−Ｘ２部分の断面であって、撮像領域ＰＡの画素Ｐの部分を拡大して示している。右側に示した部分は、撮像領域ＰＡのＹ１−Ｙ２部分の断面であって、垂直転送部ＶＴの部分を拡大して示している。左側に示した部分は、周辺領域ＳＡのＹ３−Ｙ４部分の断面であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０について拡大して示している。
【０２２５】
図２２〜図２４に示すように、（ａ）〜（ｅ）に示す各工程を経て、図４に示す固体撮像装置を製造する。
【０２２６】
図２２〜図２４に示すように、本実施形態においては、製造工程の一部が、実施形態１と異なる（図７〜図１３参照）。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０２２７】
各工程の詳細について順次説明する。
【０２２８】
（ａ）フォトレジストパターンＰＲ１ｃの形成
まず、図２２の（ａ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１ｃについて形成する。
【０２２９】
フォトレジストパターンＰＲ１ｃの形成に先立って、実施形態１に示したように、フォトダイオード２１などの各部について形成する（図７（ａ）参照）。そして、絶縁膜３１２，導電材料層３１３を形成する（図７（ｂ）参照）。
【０２３０】
この後、図２２（ａ）に示すように、導電材料層３１３の上面にフォトレジストパターンＰＲ１ｃを形成する。
【０２３１】
具体的には、導電材料層３１３の上面において、転送電極３１，第１キャパシタ電極Ｃ１１，第２キャパシタ電極Ｃ２１の形成部分（図４参照）を被覆し、ギャップ部分が露出されるパターンで、フォトレジストパターンＰＲ１ｃを形成する。
【０２３２】
すなわち、垂直方向ｙに並ぶ転送電極３１の間のギャップに対応する部分を含む部分が開口するように、フォトレジストパターンＰＲ１ｃを形成する。これと共に、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１との間のギャップに対応する部分を含む部分が開口するように、フォトレジストパターンＰＲ１ｃを形成する。
【０２３３】
本実施形態においては、フォトレジストパターンＰＲ１ｃの開口幅ＫＨが、転送電極３１とキャパシタＣ１０とを形成する部分において互いに同じ寸法になるように、フォトレジストパターンＰＲ１ｃを形成する。たとえば、開口幅ＫＨが０．１μｍになるように、フォトレジストパターンＰＲ１ｃを形成する。
【０２３４】
たとえば、電子線露光などの高解像リソグラフィ技術を用いて、この微細な形状に、フォトレジストパターンＰＲ１ｃを形成する。
【０２３５】
（ｂ）導電材料パターン３１３Ｍｃの形成
つぎに、図２２の（ｂ）に示すように、導電材料パターン３１３Ｍｃについて形成する。
【０２３６】
ここでは、図２２（ｂ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１ｃをマスクとして、導電材料層３１３（図２２（ａ）参照）についてエッチング処理を実施する。これにより、導電材料層３１３を導電材料パターン３１３Ｍｃへパターン加工する。つまり、導電材料層３１３のうち、フォトレジストパターンＰＲ１ｃの開口に対応する部分を除去することで、導電材料パターン３１３Ｍｃへパターン加工する。
【０２３７】
本工程の実施によって、撮像領域ＰＡにおいては、垂直方向ｙに並ぶ転送電極３１の間のギャップＧＡｔが形成される（図５参照）。また、周辺領域ＳＡにおいては、垂直方向ｙに並ぶ第１キャパシタ電極Ｃ１１の枝部Ｃ１１Ｅと、第２キャパシタ電極Ｃ２１の枝部Ｃ２１Ｅとの間のギャップＧＡが形成される（図６参照）。
【０２３８】
（ｃ）フォトレジストパターンＰＲ１ｃの除去
つぎに、図２３の（ｃ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１ｃについて除去する。
【０２３９】
ここでは、たとえば、アッシング処理の実施によって、導電材料パターン３１３Ｍｃの上面からフォトレジストパターンＰＲ１ｃを除去し、導電材料パターン３１３Ｍｃの上面を露出させる。
【０２４０】
（ｄ）絶縁膜３１７の形成
つぎに、図２３の（ｄ）に示すように、絶縁膜３１７について形成する。
【０２４１】
ここでは、撮像領域ＰＡおよび周辺領域ＳＡの全体において、導電材料パターン３１３Ｍｃの間に設けられたギャップＧＡ，ＧＡｔを埋め込むように、絶縁膜３１７を形成する。たとえば、ＣＶＤ法によって、シリコン酸化膜を成膜することで、絶縁膜３１７を形成する。プラズマＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法など様々な方法で、絶縁膜３１７を形成できる。ホウ素やリンを含有したシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）を形成後、熱フロー処理を実施することで、絶縁膜３１７を形成してもよい。
【０２４２】
これにより、導電材料パターン３１３Ｍｃの上面が、絶縁膜３１７で被覆される。
【０２４３】
（ｅ）絶縁膜３１７の加工
つぎに、図２４の（ｅ）に示すように、絶縁膜３１７について加工する。
【０２４４】
ここでは、図２４（ｅ）に示すように、導電材料パターン３１３Ｍｃの上面が露出するように、絶縁膜３１７について加工する。たとえば、エッチバック処理やＣＭＰ処理の実施によって、絶縁膜３１７の表層部分を除去することで、導電材料パターン３１３Ｍｃの上面を露出させる。
【０２４５】
（ｆ）その他の部材の形成
つぎに、図４に示したように、その他の部材について形成する。
【０２４６】
ここでは、実施形態１の場合と同様な工程（図１２（ｌ）〜図１３（ｎ）参照）を経て、第１キャパシタ電極Ｃ１１，第２キャパシタ電極Ｃ２１，転送電極３１を形成する。
【０２４７】
そして、実施形態１の場合と同様にして、図４に示すように、絶縁膜ＳＺ，遮光膜６０などの各部を形成することで、固体撮像装置を完成させる。
【０２４８】
［Ｂ］まとめ
本実施形態では、他の実施形態と同様に、転送電極３１は、複数が間を隔てて垂直方向ｙに並ぶように導電材料層３１３を加工して形成されている。また、第１キャパシタ電極Ｃ１１および第２キャパシタ電極Ｃ２１は、転送電極３１へ加工される導電材料層３１３から形成されている（図２２〜図２４参照）。
【０２４９】
よって、本実施形態においては、他の実施形態と同様に、画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが容易に実現できる。
【０２５０】
＜４．実施形態４＞
［Ａ］製造方法など
図２５〜図２８は、本発明にかかる実施形態４において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【０２５１】
図２５〜図２８は、図４と同様に、断面図であって、図２に示す各部分を示している。つまり、図２５〜図２８において、中央に示した部分は、撮像領域ＰＡのＸ１−Ｘ２部分の断面であって、撮像領域ＰＡの画素Ｐの部分を拡大して示している。右側に示した部分は、撮像領域ＰＡのＹ１−Ｙ２部分の断面であって、垂直転送部ＶＴの部分を拡大して示している。左側に示した部分は、周辺領域ＳＡのＹ３−Ｙ４部分の断面であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０について拡大して示している。
【０２５２】
図２５〜図２８に示すように、（ａ）〜（ｈ）に示す各工程を経て、図４に示す固体撮像装置を製造する。
【０２５３】
図２５〜図２８に示すように、本実施形態においては、製造工程の一部が、実施形態１と異なる（図７〜図１３参照）。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０２５４】
各工程の詳細について順次説明する。
【０２５５】
（ａ）フォトレジストパターンＰＲ１ｄの形成
まず、図２５の（ａ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１ｄについて形成する。
【０２５６】
フォトレジストパターンＰＲ１ｄの形成に先立って、実施形態１に示したように、フォトダイオード２１などの各部について形成する（図７（ａ）参照）。そして、絶縁膜３１２，導電材料層３１３を形成する（図７（ｂ）参照）。
【０２５７】
この後、図２５（ａ）に示すように、導電材料層３１３の上面にフォトレジストパターンＰＲ１ｄを形成する。
【０２５８】
具体的には、導電材料層３１３の上面において、転送電極３１，第１キャパシタ電極Ｃ１１，第２キャパシタ電極Ｃ２１の形成部分（図４参照）の中心部を被覆し、そのギャップ部分が露出されるパターンで、フォトレジストパターンＰＲ１ｄを形成する。
【０２５９】
すなわち、垂直方向ｙに並ぶ転送電極３１の間のギャップに対応する部分を含む部分が開口するように、フォトレジストパターンＰＲ１ｄを形成する。これと共に、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１との間のギャップに対応する部分を含む部分が開口するように、フォトレジストパターンＰＲ１ｄを形成する。
【０２６０】
本実施形態においては、フォトレジストパターンＰＲ１ｄの開口幅ＫＨが、転送電極３１とキャパシタＣ１０とを形成する部分において互いに同じ寸法になるように、フォトレジストパターンＰＲ１ｄを形成する。たとえば、開口幅ＫＨが０．２μｍになるように、フォトレジストパターンＰＲ１ｄを形成する。
【０２６１】
（ｂ）シュリンク材層ＳＲの形成
つぎに、図２５の（ｂ）に示すように、シュリンク材層ＳＲについて形成する。
【０２６２】
ここでは、撮像領域ＰＡおよび周辺領域ＳＡの全体において、フォトレジストパターンＰＲ１ｄを被覆するように、シュリンク材層ＳＲを設ける。たとえば、ＲＥＬＡＣＳ材膜（商標名ＡＺ−Ｒ２００）などの有機材料膜を、フォトレジストパターンＰＲ１ｄが設けられた導電材料層３１３の上面に塗布法で成膜することで、シュリンク材層ＳＲを形成する。
【０２６３】
（ｃ）シュリンク材混合層ＳＲｄの形成
つぎに、図２６の（ｃ）に示すように、シュリンク材混合層ＳＲｄについて形成する。
【０２６４】
ここでは、熱処理を実施して熱硬化させることで、フォトレジストパターンＰＲ１ｄの一部とシュリンク材層ＳＲ（図２５（ｂ）参照）の一部とを反応させる。これにより、フォトレジストパターンＰＲ１ｄの側面部分に、シュリンク材混合層ＳＲｄを形成する。シュリンク材混合層ＳＲｄは、たとえば、フォトレジストパターンＰＲ１ｄの酸成分で、有機材料が熱硬化して形成される。
【０２６５】
たとえば、１１０℃の熱処理条件の下で、熱処理を実施することで、シュリンク材混合層ＳＲｄを形成する（下記の参考文献を参照）。
（参考文献）
ＩＥＤＭ９８「０．１μｍ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｏｎｔａｃｔ  Ｈｏｌｅ  Ｐａｔｔｅｒｎ  Ｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ｗｉｔｈ  ＫｒＦ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ｂｙ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｂｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｈｒｉｎｋ  （ＲＥＬＡＣＳ）」
【０２６６】
（ｄ）シュリンク材層ＳＲの除去
つぎに、図２６の（ｄ）に示すように、シュリンク材層ＳＲについて形成する。
【０２６７】
ここでは、未反応のシュリンク材層ＳＲを導電材料層３１３の上面から除去する。
【０２６８】
これにより、導電材料層３１３の上面の一部が露出される。
【０２６９】
（ｅ）導電材料パターン３１３Ｍの形成
つぎに、図２７の（ｅ）に示すように、導電材料パターン３１３Ｍについて形成する。
【０２７０】
ここでは、図２７（ｅ）に示すように、シュリンク材混合層ＳＲｄが側壁に設けられたフォトレジストパターンＰＲ１ｄをマスクとして、導電材料層３１３（図２６（ｄ）参照）についてエッチング処理を実施する。これにより、導電材料層３１３を導電材料パターン３１３Ｍへパターン加工する。つまり、導電材料層３１３のうち、シュリンク材混合層ＳＲｄが設けられたフォトレジストパターンＰＲ１ｄの開口に対応する部分を除去することで、導電材料パターン３１３Ｍへパターン加工する。
【０２７１】
本工程の実施によって、撮像領域ＰＡにおいては、垂直方向ｙに並ぶ転送電極３１の間のギャップＧＡｔが形成される（図５参照）。
【０２７２】
また、周辺領域ＳＡにおいては、垂直方向ｙに並ぶ第１キャパシタ電極Ｃ１１の枝部Ｃ１１Ｅと、第２キャパシタ電極Ｃ２１の枝部Ｃ２１Ｅとの間のギャップＧＡが形成される（図６参照）。
【０２７３】
（ｆ）フォトレジストパターンＰＲ１ｄ、シュリンク材混合層ＳＲｄの除去
つぎに、図２７の（ｆ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１ｄ、シュリンク材混合層ＳＲｄについて除去する。
【０２７４】
ここでは、たとえば、アッシング処理の実施によって、導電材料パターン３１３Ｍの上面から、フォトレジストパターンＰＲ１ｄ、シュリンク材混合層ＳＲｄを除去し、その上面を露出させる。
【０２７５】
（ｇ）絶縁膜３１７の形成
つぎに、図２８の（ｇ）に示すように、絶縁膜３１７について形成する。
【０２７６】
ここでは、撮像領域ＰＡおよび周辺領域ＳＡの全体において、導電材料パターン３１３Ｍに設けられたギャップＧＡ，ＧＡｔを埋め込むように、絶縁膜３１７を形成する。たとえば、ＣＶＤ法によって、シリコン酸化膜を成膜することで、絶縁膜３１７を形成する。プラズマＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法など様々な方法で、絶縁膜３１７を形成できる。ホウ素やリンを含有したシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）を形成後、熱フロー処理を実施することで、絶縁膜３１７を形成してもよい。
【０２７７】
これにより、導電材料パターン３１３Ｍの上面が、絶縁膜３１７で被覆される。
【０２７８】
（ｈ）絶縁膜３１７の加工
つぎに、図２８の（ｈ）に示すように、絶縁膜３１７について加工する。
【０２７９】
ここでは、導電材料パターン３１３Ｍの上面が露出するように、絶縁膜３１７について加工する。たとえば、エッチバック処理やＣＭＰ処理の実施によって、絶縁膜３１７の表層部分を除去することで、導電材料パターン３１３Ｍの上面を露出させる。
【０２８０】
（ｉ）その他の部材の形成
つぎに、図４に示したように、その他の部材について形成する。
【０２８１】
ここでは、実施形態１の場合と同様な工程（図１２（ｌ）〜図１３（ｎ）参照）を経て、第１キャパシタ電極Ｃ１１，第２キャパシタ電極Ｃ２１，転送電極３１を形成する。
【０２８２】
そして、実施形態１の場合と同様にして、図４に示すように、絶縁膜ＳＺ，遮光膜６０などの各部を形成することで、固体撮像装置を完成させる。
【０２８３】
［Ｂ］まとめ
本実施形態では、他の実施形態と同様に、転送電極３１は、複数が間を隔てて垂直方向ｙに並ぶように導電材料層３１３を加工して形成されている。また、第１キャパシタ電極Ｃ１１および第２キャパシタ電極Ｃ２１は、転送電極３１へ加工される導電材料層３１３から形成されている（図２５〜図２８参照）。
【０２８４】
よって、本実施形態においては、他の実施形態と同様に、画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが容易に実現できる。
【０２８５】
特に、本実施形態では、フォトレジストパターンＰＲ１ｄの開口を埋め込むようにシュリンク材層ＳＲを成膜する。その後、熱処理により熱硬化を行うことにより、フォトレジストパターンＰＲ１ｄにシュリンク材混合層ＳＲｄを設けて、フォトレジストパターンＰＲ１ｄの開口のサイズを縮小する。これにより、解像限界を超えた微細幅の微細開口を形成できる。そして、シュリンク材層ＳＲによって微細な開口が形成されたフォトレジストパターンＰＲ１ｄをマスクとして、導電材料層３１３についてパターン加工する。このため、高い寸法精度で転送電極３１，第１キャパシタ電極Ｃ１１，第２キャパシタ電極Ｃ２１を形成できる。
【０２８６】
＜５．実施形態５＞
［Ａ］装置構成など
図２９は、本発明にかかる実施形態５において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０２８７】
図２９は、図４と同様に、断面図であって、図２に示す各部分を示している。つまり、図２９において、中央に示した部分は、撮像領域ＰＡのＸ１−Ｘ２部分の断面であって、撮像領域ＰＡの画素Ｐの部分を拡大して示している。右側に示した部分は、撮像領域ＰＡのＹ１−Ｙ２部分の断面であって、垂直転送部ＶＴの部分を拡大して示している。左側に示した部分は、周辺領域ＳＡのＹ３−Ｙ４部分の断面であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０ｅについて拡大して示している。
【０２８８】
図２９に示すように、本実施形態においては、転送電極３１ｅおよびキャパシタＣ１０ｅの断面形状が、実施形態１と異なる（図４参照）。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０２８９】
図２９に示すように、転送電極３１ｅは、側壁部分が半導体基板１１の上面に対して垂直ではなく、傾斜している。ここでは、転送電極３１は、半導体基板１１の上面から上方に向かって幅が狭くなるように、側壁部分が傾斜している。そして、複数の転送電極３１ｅにおいて、傾斜した側壁部分で挟まれたギャップに、絶縁膜３１７ｅが埋め込まれている。
【０２９０】
また、キャパシタＣ１０ｅにおいても、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｅと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｅとの側壁部分が、半導体基板１１の上面に対して垂直ではなく、傾斜している。第１キャパシタ電極Ｃ１１ｅおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１ｅについても、半導体基板１１の上面から上方に向かって幅が狭くなるように、側壁部分が傾斜している。そして、その傾斜した側壁部分で挟まれたギャップに、誘電体膜として絶縁膜３１７ｅが埋め込まれている。
【０２９１】
なお、転送電極３１ｅ、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｅ、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｅの平面形状は、実施形態１の場合と同様である（図５，図６参照）。
【０２９２】
［Ｂ］製造方法
以下より、上記の固体撮像装置を製造する製造方法の要部について説明する。
【０２９３】
図３０〜図３２は、本発明にかかる実施形態５において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【０２９４】
図３０〜図３２は、図２９と同様に、断面図であって、図２に示す各部分を示している。
【０２９５】
図３０〜図３２に示すように、（ａ）〜（ｅ）に示す各工程を経て、図２９に示す固体撮像装置を製造する。
【０２９６】
各工程の詳細について順次説明する。
【０２９７】
（ａ）フォトレジストパターンＰＲ１ｃの形成
まず、図３０の（ａ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１ｅについて形成する。
【０２９８】
フォトレジストパターンＰＲ１ｅの形成に先立って、実施形態１に示したように、フォトダイオード２１などの各部について形成する（図７（ａ）参照）。そして、絶縁膜３１２，導電材料層３１３を形成する（図７（ｂ）参照）。
【０２９９】
この後、図３０（ａ）に示すように、導電材料層３１３の上面にフォトレジストパターンＰＲ１ｅを形成する。
【０３００】
具体的には、導電材料層３１３の上面において、転送電極３１，第１キャパシタ電極Ｃ１１，第２キャパシタ電極Ｃ２１の形成部分（図４参照）を被覆し、ギャップ部分が露出されるパターンで、フォトレジストパターンＰＲ１ｅを形成する。
【０３０１】
本実施形態においては、フォトレジストパターンＰＲ１ｅの開口幅ＫＨが、転送電極３１とキャパシタＣ１０とを形成する部分において互いに同じ寸法になるように、フォトレジストパターンＰＲ１ｅを形成する。たとえば、開口幅ＫＨが０．２μｍになるように、フォトレジストパターンＰＲ１ｅを形成する。
【０３０２】
（ｂ）導電材料パターン３１３Ｍｅの形成
つぎに、図３０の（ｂ）に示すように、導電材料パターン３１３Ｍｅについて形成する。
【０３０３】
ここでは、図３０（ｂ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１ｅをマスクとして、導電材料層３１３（図３０（ａ）参照）についてエッチング処理を実施する。これにより、導電材料層３１３を導電材料パターン３１３Ｍｅへパターン加工する。つまり、導電材料層３１３のうち、フォトレジストパターンＰＲ１ｅの開口に対応する部分を除去することで、導電材料パターン３１３Ｍｅへパターン加工する。
【０３０４】
本実施形態においては、等方性のエッチング処理を実施することで、導電材料パターン３１３Ｍｅの開口部分の側壁が、テーパー状に傾斜するように、パターン加工を実施する。
【０３０５】
本工程の実施によって、撮像領域ＰＡにおいては、垂直方向ｙに並ぶ転送電極３１の間のギャップＧＡｔが形成される（図５参照）。また、周辺領域ＳＡにおいては、垂直方向ｙに並ぶ第１キャパシタ電極Ｃ１１の枝部Ｃ１１Ｅと、第２キャパシタ電極Ｃ２１の枝部Ｃ２１Ｅとの間のギャップＧＡが形成される（図６参照）。
【０３０６】
具体的には、各ギャップＧＡ，ＧＡｔの底面の幅が、たとえば、０．１μｍになるように、導電材料パターン３１３Ｍｅを形成する。
【０３０７】
（ｃ）フォトレジストパターンＰＲ１ｅの除去
つぎに、図３１の（ｃ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１ｅについて除去する。
【０３０８】
ここでは、たとえば、アッシング処理の実施によって、導電材料パターン３１３Ｍｅの上面からフォトレジストパターンＰＲ１ｅを除去し、導電材料パターン３１３Ｍｃの上面を露出させる。
【０３０９】
（ｄ）絶縁膜３１７ｅの形成
つぎに、図３１の（ｄ）に示すように、絶縁膜３１７ｅについて形成する。
【０３１０】
ここでは、撮像領域ＰＡおよび周辺領域ＳＡの全体において、導電材料パターン３１３Ｍｅの間に設けられたギャップＧＡ，ＧＡｔを埋め込むように、絶縁膜３１７ｅを形成する。たとえば、ＣＶＤ法によって、シリコン酸化膜を成膜することで、絶縁膜３１７ｅを形成する。プラズマＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法など様々な方法で、絶縁膜３１７ｅを形成できる。ホウ素やリンを含有したシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）を形成後、熱フロー処理を実施することで、絶縁膜３１７ｅを形成してもよい。
【０３１１】
これにより、導電材料パターン３１３Ｍｅの上面が、絶縁膜３１７ｅで被覆される。
【０３１２】
（ｅ）絶縁膜３１７ｅの加工
つぎに、図３２の（ｅ）に示すように、絶縁膜３１７ｅについて加工する。
【０３１３】
ここでは、導電材料パターン３１３Ｍｅの上面が露出するように、絶縁膜３１７ｅについて加工する。たとえば、エッチバック処理やＣＭＰ処理の実施によって、絶縁膜３１７ｅの表層部分を除去することで、導電材料パターン３１３Ｍｅの上面を露出させる。
【０３１４】
（ｆ）その他の部材の形成
つぎに、図２９に示したように、その他の部材について形成する。
【０３１５】
ここでは、実施形態１の場合と同様な工程（図１２（ｌ）〜図１３（ｎ）参照）を経て、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｅ，第２キャパシタ電極Ｃ２１ｅ，転送電極３１ｅを形成する。
【０３１６】
そして、実施形態１の場合と同様にして、絶縁膜ＳＺ，遮光膜６０などの各部を形成することで、固体撮像装置を完成させる。
【０３１７】
［Ｃ］まとめ
本実施形態では、他の実施形態と同様に、転送電極３１ｅは、複数が間を隔てて垂直方向ｙに並ぶように導電材料層３１３を加工して形成されている。また、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｅおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１ｅは、転送電極３１ｅへ加工される導電材料層３１３から形成されている（図３０〜図３２参照）。
【０３１８】
よって、本実施形態においては、他の実施形態と同様に、画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが容易に実現できる。
特に、本実施形態では、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｅおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１ｅは、垂直方向ｙにおいて絶縁膜３１７ｅを誘電体膜として挟む部分の幅が、半導体基板１１の面（ｘｙ面）から上方へ向かうに伴って広くなるように形成されている。このため、レジストマスクを用いた微細パターンで形成できない場合でも、ハードマスクとなる絶縁膜や導電材料層によるサイドウォール形成などの工程の追加を行うことなく、エッチング工程の条件変更を行うだけで、所望の幅のギャップ形成が可能である。よって、製造効率をさらに向上させることができる。
【０３１９】
＜６．実施形態６＞
［Ａ］装置構成など
図３３は、本発明にかかる実施形態６において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０３２０】
図３３は、図４と同様に、断面図であって、図２に示す各部分を示している。つまり、図３３において、中央に示した部分は、撮像領域ＰＡのＸ１−Ｘ２部分の断面であって、撮像領域ＰＡの画素Ｐの部分を拡大して示している。右側に示した部分は、撮像領域ＰＡのＹ１−Ｙ２部分の断面であって、垂直転送部ＶＴの部分を拡大して示している。左側に示した部分は、周辺領域ＳＡのＹ３−Ｙ４部分の断面であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０ｆについて拡大して示している。
【０３２１】
図３３に示すように、本実施形態においては、キャパシタＣ１０ｆが、実施形態１と異なる（図４参照）。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０３２２】
図３３に示すように、キャパシタＣ１０ｆは、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｆと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｆとの上面部分に、シリサイド層ＳＳが設けられている。つまり、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｆにて第１金属配線６１（図６参照）に電気的に接続される表面および第２キャパシタ電極Ｃ２１ｆにて第２金属配線６２（図６参照）に電気的に接続される表面にシリサイド層ＳＳが形成されており、電極抵抗が低減されている。
【０３２３】
［Ｂ］製造方法
以下より、上記の固体撮像装置を製造する製造方法の要部について説明する。
【０３２４】
図３４〜図３７は、本発明にかかる実施形態６において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【０３２５】
図３４〜図３７は、図３３と同様に、断面図であって、図２に示す各部分を示している。
【０３２６】
図３４〜図３７に示すように、（ａ）〜（ｇ）に示す各工程を経て、図３３に示す固体撮像装置を製造する。
【０３２７】
各工程の詳細について順次説明する。
【０３２８】
（ａ）絶縁膜３１７の形成
まず、図３４（ａ）に示すように、絶縁膜３１７について形成する。
【０３２９】
ここでは、実施形態１において、図７（ａ）〜図１１（ｉ）にて示した各工程を経た後に、図１１の（ｊ）に示す場合と同様にして、絶縁膜３１７を形成する。
【０３３０】
つまり、撮像領域ＰＡおよび周辺領域ＳＡの全体において、導電材料パターン３１３Ｍに設けられたギャップＧＡ，ＧＡｔを埋め込むように、絶縁膜３１７を形成する。これにより、導電材料パターン３１３Ｍの上面が、ハードマスクパターン３１４Ｍを介して、絶縁膜３１７で被覆される。
【０３３１】
（ｂ）フォトレジストパターンＰＲ１ｆの形成
つぎに、図３４（ｂ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１ｆについて形成する。
【０３３２】
ここでは、絶縁膜３１７の上面に、フォトレジストパターンＰＲ１ｆを形成する。
【０３３３】
具体的には、周辺領域ＳＡにおいてキャパシタＣ１０ｆを形成する領域が開口し、他の部分を被覆するように、フォトレジストパターンＰＲ１ｆを形成する。
【０３３４】
（ｃ）絶縁膜３１７，ハードマスクパターン３１４Ｍ，サイドウォール３１６ＳＷの一部除去
つぎに、図３５（ｃ）に示すように、絶縁膜３１７，ハードマスクパターン３１４Ｍ，サイドウォール３１６ＳＷの一部について除去する。
【０３３５】
ここでは、フォトレジストパターンＰＲ１ｆをマスクとして、絶縁膜３１７，ハードマスクパターン３１４Ｍ，サイドウォール３１６ＳＷについてエッチング処理を実施する。これにより、周辺領域ＳＡにおいてキャパシタＣ１０ｆを形成する領域から絶縁膜３１７とハードマスクパターン３１４Ｍとサイドウォール３１６ＳＷとの各部の一部を除去し、導電材料パターン３１３Ｍの上面を露出させる。
【０３３６】
（ｄ）フォトレジストパターンＰＲ１ｆの除去
つぎに、図３５の（ｄ）に示すように、フォトレジストパターンＰＲ１ｆについて除去する。
【０３３７】
ここでは、たとえば、アッシング処理の実施によって、絶縁膜３１７の上面からフォトレジストパターンＰＲ１ｆを除去し、絶縁膜３１７の上面を露出させる。
【０３３８】
（ｅ）金属膜８２３の形成
つぎに、図３６の（ｅ）に示すように、金属膜８２３について形成する。
【０３３９】
ここでは、撮像領域ＰＡおよび周辺領域ＳＡの全体において、その上面を被覆するように、金属膜８２３を形成する。たとえば、金属膜８２３として、チタン膜を形成する。この他に、タングステン膜、コバルト膜を、金属膜８２３として形成しても良い。
【０３４０】
これにより、撮像領域ＰＡにおいては、絶縁膜３１７の上面が金属膜８２３で被覆される。また、周辺領域ＳＡにおいては、導電材料パターン３１３Ｍの上面が金属膜８２３で被覆される。
【０３４１】
（ｆ）シリサイド層ＳＳの形成
つぎに、図３６（ｆ）に示すように、シリサイド層ＳＳを形成する。
【０３４２】
ここでは、導電材料パターン３１３Ｍの上面部分に、シリサイド層ＳＳを形成する。
【０３４３】
具体的には、熱処理を実施することによって、ポリシリコンである導電材料パターン３１３Ｍと、チタン膜である金属膜８２３とを反応させて、両者が接する界面部分に、シリサイド層ＳＳを形成する。たとえば、６００〜９００℃の熱処理条件で、熱処理を実施することで、約３０ｎｍ厚のシリサイド層ＳＳを形成する。熱処理の際には、たとえば、電気炉や加熱ランプを用いる。
【０３４４】
（ｇ）金属膜８２３の除去
つぎに、図３７（ｇ）に示すように、金属膜８２３を除去する。
【０３４５】
ここでは、たとえば、アンモニア水と過酸化水素水の混合液を用いて、金属膜８２３を除去する。
【０３４６】
これにより、撮像領域ＰＡにおいては、絶縁膜３１７の上面を露出させる。また、周辺領域ＳＡにおいては、シリサイド層ＳＳの上面を露出させる。
【０３４７】
（ｆ）その他の部材の形成
つぎに、図３３に示したように、その他の部材について形成する。
【０３４８】
ここでは、実施形態１の場合と同様な工程（図１２（ｌ）〜図１３（ｎ）参照）を経て、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｆ，第２キャパシタ電極Ｃ２１ｆ，転送電極３１ｆを形成する。
【０３４９】
そして、実施形態１の場合と同様にして、絶縁膜ＳＺ，遮光膜６０などの各部を形成することで、固体撮像装置を完成させる。
【０３５０】
［Ｃ］まとめ
本実施形態では、他の実施形態と同様に、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｆおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１ｆは、転送電極３１へ加工される導電材料層３１３から形成されている。
【０３５１】
よって、本実施形態においては、他の実施形態と同様に、画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが容易に実現できる。
【０３５２】
特に、本実施形態では、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｆにて第１金属配線６１（図６参照）に電気的に接続される表面および第２キャパシタ電極Ｃ２１ｆにて第２金属配線６２（図６参照）に電気的に接続される表面にシリサイド層ＳＳを形成している（図３３参照）。このため、低抵抗化することが可能であるので、キャパシタにおいて、充電、あるいは、放電する時間を短縮でき、回路の動作速度を向上できる。
【０３５３】
＜７．実施形態７＞
［Ａ］装置構成など
図３８，図３９は、本発明にかかる実施形態７において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０３５４】
図３８は、図４と同様に、断面図であって、図２に示す各部分を示している。つまり、図３８において、中央に示した部分は、撮像領域ＰＡのＸ１−Ｘ２部分の断面であって、撮像領域ＰＡの画素Ｐの部分を拡大して示している。右側に示した部分は、撮像領域ＰＡのＹ１−Ｙ２部分の断面であって、垂直転送部ＶＴの部分を拡大して示している。左側に示した部分は、周辺領域ＳＡのＹ３−Ｙ４部分の断面であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０について拡大して示している。
【０３５５】
また、図３９は、図６と同様に、平面図であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０について拡大して示している。
【０３５６】
図３８，図３９に示すように、本実施形態においては、第１金属配線６１ｇと第２金属配線６２ｇとが、実施形態１と異なる（図４，図６参照）。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０３５７】
第１金属配線６１ｇと第２金属配線６２ｇとのそれぞれは、図３８に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１との各上面に、絶縁膜ＳＺを介して設けられている。
【０３５８】
図３９に示すように、第１金属配線６１ｇと第２金属配線６２ｇとのそれぞれは、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１と同様に、平面形状が櫛歯状になるようにパターン加工されている。
【０３５９】
具体的には、第１金属配線６１ｇは、基幹部６１Ｋと、枝部６１Ｅとを有する。同様に、第２金属配線６２ｇは、基幹部６２Ｋと、枝部６２Ｅとを有する。
【０３６０】
第１金属配線６１ｇにおいて、基幹部６１Ｋは、垂直方向ｙに延在している。そして、枝部６１Ｅは、垂直方向ｙに対して直交する水平方向ｘに延在している。枝部６１Ｅは、複数が垂直方向ｙにおいてスペースを隔てて平行に並んでおり、それぞれは、右端部において基幹部６１Ｋの左側部に連結されている。
【０３６１】
第１金属配線６１ｇは、第１キャパシタ電極Ｃ１１の上方において第１キャパシタ電極Ｃ１１と重なるように設けられている。そして、第１金属配線６１ｇは、第１キャパシタ電極Ｃ１１よりも狭い幅で設けられている。第１金属配線６１ｇは、第１キャパシタ電極Ｃ１１とコンタクトＣＯＮを介して電気的に接続されている。
【０３６２】
第２金属配線６２ｇにおいて、基幹部６２Ｋは、垂直方向ｙに延在している。ここでは、第２金属配線６２ｇの基幹部６２Ｋは、水平方向ｘにおいて、第１金属配線６１ｇの基幹部６１Ｋからスペースを隔てて平行に並んでいる。第２金属配線６２ｇにおいて、枝部６２Ｅは、垂直方向ｙに対して直交する水平方向ｘに延在している。枝部６２Ｅは、複数が垂直方向ｙにおいてスペースを隔てて平行に並んでおり、それぞれは、左端部において基幹部６２Ｋの右側部に連結されている。
【０３６３】
第２金属配線６２ｇは、第２キャパシタ電極Ｃ２１の上方において、第２キャパシタ電極Ｃ２１と重なるように設けられている。そして、第２金属配線６２ｇは、第２キャパシタ電極Ｃ２１よりも狭い幅で設けられている。第２金属配線６２ｇは、第２キャパシタ電極Ｃ２１とコンタクトＣＯＮを介して電気的に接続されている。
【０３６４】
そして、第１金属配線６１ｇの枝部６１Ｅと、第２金属配線６２ｇの枝部６２Ｅとのそれぞれは、垂直方向ｙにおいて、交互に並ぶように形成されている。
【０３６５】
［Ｂ］まとめ
本実施形態においては、他の実施形態と同様に、第１キャパシタ電極Ｃ１１および第２キャパシタ電極Ｃ２１は、転送電極３１へ加工される導電材料層３１３から形成されている。
【０３６６】
よって、本実施形態においては、他の実施形態と同様に、画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが容易に実現できる。
【０３６７】
また、本実施形態においては、第１金属配線６１ｇおよび第２金属配線６２ｇは、垂直方向ｙに延在する基幹部６１Ｋ，６２Ｋと、その基幹部６１Ｋ，６２Ｋから水平方向ｘへ延在している枝部６１Ｅ，６２Ｅとを含む。ここでは、第１金属配線６１ｇの複数の枝部６１Ｅと、第２金属配線６２ｇの複数の枝部６２Ｅとが、垂直方向ｙにおいて交互に並ぶように設けられている。そして、第１金属配線６１ｇの基幹部６１Ｋと第２金属配線６２ｇの基幹部６２Ｋとが、第１金属配線６１ｇの枝部６１Ｅおよび第２金属配線６２ｇの枝部６２Ｅを水平方向ｘにおいて挟むように設けられている（図３８，図３９参照）。
【０３６８】
このように、本実施形態では、第１キャパシタ電極Ｃ１１および第２キャパシタ電極Ｃ２１の上方は、全域に渡って、第１金属配線６１ｇおよび第２金属配線６２ｇでシャントされている。このため、キャパシタＣ１０において、充電、あるいは、放電するための時間を短縮でき、回路の動作速度を向上できる。
【０３６９】
＜８．実施形態８＞
［Ａ］装置構成など
図４０，図４１は、本発明にかかる実施形態８において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０３７０】
図４０は、図３８と同様に、断面図であって、図２に示す各部分を示している。つまり、図４０において、中央に示した部分は、撮像領域ＰＡのＸ１−Ｘ２部分の断面であって、撮像領域ＰＡの画素Ｐの部分を拡大して示している。右側に示した部分は、撮像領域ＰＡのＹ１−Ｙ２部分の断面であって、垂直転送部ＶＴの部分を拡大して示している。左側に示した部分は、周辺領域ＳＡのＹ３−Ｙ４部分の断面であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０について拡大して示している。
【０３７１】
また、図４１は、図３９と同様に、平面図であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０について拡大して示している。
【０３７２】
図４０，図４１に示すように、本実施形態においては、金属遮光膜１０２５が更に設けられている点が、実施形態７と異なる（図３８，図３９参照）。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０３７３】
金属遮光膜１０２５は、図４０に示すように、半導体基板１１の上面において、第１金属配線６１ｇと第２金属配線６２ｇとの上方に、絶縁膜ＺＺを介して設けられている。
【０３７４】
図４１に示すように、金属遮光膜１０２５は、周辺領域ＳＡにおいて、キャパシタＣ１０が形成された領域全体を覆うように形成されている。
【０３７５】
金属遮光膜１０２５は、光を遮光する遮光材料であって、たとえば、タングステン，アルミニウムなどの金属材料を用いて形成されている。
【０３７６】
［Ｂ］まとめ
本実施形態においては、他の実施形態と同様に、第１キャパシタ電極Ｃ１１および第２キャパシタ電極Ｃ２１は、転送電極３１へ加工される導電材料層３１３から形成されている。
【０３７７】
よって、本実施形態においては、他の実施形態と同様に、画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが容易に実現できる。
【０３７８】
特に、本実施形態においては、第１キャパシタ電極Ｃ１１と第２キャパシタ電極Ｃ２１との上方に金属遮光膜１０２５が設けられており、その金属遮光膜１０２５がキャパシタＣ１０へ入射する光を遮光する。そして、本実施形態では、キャパシタＣ１０の付近に形成された配線などの導電層からの電界を金属遮光膜１０２５が遮断する。このため、静電容量値の変動を抑制することができる。
【０３７９】
＜９．実施形態９＞
［Ａ］装置構成など
図４２は、本発明にかかる実施形態９において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０３８０】
図４２は、図６と同様に、平面図であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０ｉについて拡大して示している。
【０３８１】
図４２に示すように、本実施形態においては、キャパシタＣ１０ｉが、実施形態１と異なる（図６参照）。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０３８２】
キャパシタＣ１０ｉは、図４２に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉとを含む。第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉとのそれぞれは、半導体基板１１の面（ｘｙ面）において、誘電体膜である絶縁膜３１７を挟むように設けられている。
【０３８３】
図４２に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉとのそれぞれは、平面形状が矩形状になるようにパターン加工されている。つまり、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉとのそれぞれは、短冊状になるように形成されている。
【０３８４】
具体的には、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉは、水平方向ｘが長手方向になるように形成されている。第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉも、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと同様に、水平方向ｘが長手方向になるように形成されている。
【０３８５】
第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉとのそれぞれは、半導体基板１１の面（ｘｙ面）において、垂直方向ｙで交互に並ぶように形成されている。そして、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉとの間に、絶縁膜３１７が介在するように形成されている。
【０３８６】
第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉとのそれぞれは、実施形態１の場合と同様に、撮像領域ＰＡに設けた転送電極３１と同一の層から形成されている。
【０３８７】
そして、図４２に示すように、実施形態１の場合と同様に、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉとの各上方に、第１金属配線６１と第２金属配線６２とのそれぞれが設けられている。第１金属配線６１と第２金属配線６２とのそれぞれは、水平方向ｘにおける両端に設けられている。
【０３８８】
ここでは、第１金属配線６１は、図４２に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉの右側部分において、垂直方向ｙに延在するように設けられている。そして、第１金属配線６１は、コンタクトＣＯＮを介して複数の第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと電気的に接続されている。
【０３８９】
また、図４２に示すように、第２金属配線６２は、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉの左側部分において、垂直方向ｙに延在するように設けられている。そして、第２金属配線６２は、コンタクトＣＯＮを介して複数の第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉと電気的に接続されている。
【０３９０】
［Ｂ］製造方法
以下より、上記の固体撮像装置を製造する製造方法の要部について説明する。
【０３９１】
図４３〜図４５は、本発明にかかる実施形態９において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【０３９２】
図４３〜図４５は、図４２と同様に、平面図であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０ｉについて拡大して示している。
【０３９３】
図４３〜図４５に示すように、（ａ）〜（ｃ）に示す各工程を経て、固体撮像装置を製造する。
【０３９４】
各工程の詳細について順次説明する。
【０３９５】
（ａ）ギャップＧＡｉの形成
まず、図４３に示すように、ギャップＧＡｉを周辺領域ＳＡにおいてキャパシタＣ１０ｉを形成する領域ＣＡに設ける。
【０３９６】
ここでは、実施形態１の場合と同様な工程（図７（ａ）〜図１１（ｉ）参照）を実施して、ギャップＧＡｉが形成された導電材料パターン３１３Ｍを設ける。
【０３９７】
つまり、図４３に示すように、キャパシタＣ１０ｉを形成する領域ＣＡにおいて、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉとの間に介在するように、ギャップＧＡｉを設ける（図４２参照）。
【０３９８】
（ｂ）フォトレジストパターンＰＲ２ｉの形成
つぎに、図４４に示すように、フォトレジストパターンＰＲ２ｉについて形成する。
【０３９９】
ここでは、実施形態１の場合と同様な工程（図１１（ｊ）〜図１２（ｋ）参照）を実施して、ギャップＧＡｉに絶縁膜３１７を埋め込む。
【０４００】
そして、実施形態１の場合と同様な工程を（図１２（ｌ）参照）を実施して、フォトレジストパターンＰＲ２ｉを形成する。
【０４０１】
つまり、図４４に示すように、周辺領域ＳＡにおいて、キャパシタＣ１０ｉを形成する領域ＣＡを被覆するように、フォトレジストパターンＰＲ２ｉを形成する。
【０４０２】
（ｃ）第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉ，第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉの形成
つぎに、図４５に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉ，第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉを形成する。
【０４０３】
ここでは、実施形態１の場合と同様な工程（図１３（ｍ）参照）を実施して、フォトレジストパターンＰＲ２ｉをマスクとして、導電材料パターン３１３Ｍ（図１２（ｌ）参照）についてエッチング処理を実施する。これにより、導電材料パターン３１３Ｍを、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉ，第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉにパターン加工する。図示を省略しているが、このとき、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉ，第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉと共に、転送電極３１についても同時に形成する。
【０４０４】
そして、実施形態１の場合と同様な工程（図１３（ｎ）参照）を実施して、フォトレジストパターンＰＲ２ｉを除去する。
【０４０５】
これにより、図４５に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉとのそれぞれが誘電体膜である絶縁膜３１７を挟んだキャパシタＣ１０ｉが設けられる。
【０４０６】
この後、実施形態１と同様に、各部を設けることによって、固体撮像装置を完成させる。
【０４０７】
［Ｃ］まとめ
本実施形態においては、他の実施形態と同様に、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉは、転送電極３１へ加工される導電材料層３１３から形成されている。
【０４０８】
よって、本実施形態においては、他の実施形態と同様に、画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが容易に実現できる。
【０４０９】
特に、本実施形態では、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉとのそれぞれは、垂直方向ｙに対して直交する水平方向ｘへ延在するように形成されている。第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉは、複数設けられており、その複数の第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと複数の第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉとが、垂直方向ｙで誘電体膜（絶縁膜３１７）を挟んで交互に並んでいる（図４１，図４２参照）。
【０４１０】
このように、本実施形態では、キャパシタＣ１０ｉにおいて、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉとの間のギャップが直線状であって、折れ曲がった部分を有さない。このため、ギャップ幅の制御が容易であり、安定した静電容量値を得ることができる。
【０４１１】
＜１０．実施形態１０＞
［Ａ］装置構成など
図４６は、本発明にかかる実施形態１０において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０４１２】
図４６は、図４２と同様に、平面図であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０ｉについて拡大して示している。
【０４１３】
図４６に示すように、本実施形態においては、第１金属配線６１ｊと第２金属配線６２ｊとが、実施形態９と異なる（図４２参照）。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態９と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０４１４】
第１金属配線６１ｊと第２金属配線６２ｊとのそれぞれは、図４６に示すように、実施形態９と異なって、平面形状が櫛歯状になるようにパターン加工されている。
【０４１５】
具体的には、第１金属配線６１ｊは、基幹部６１Ｋと、枝部６１Ｅとを有する。同様に、第２金属配線６２ｊは、基幹部６２Ｋと、枝部６２Ｅとを有する。
【０４１６】
第１金属配線６１ｊにおいて、基幹部６１Ｋは、垂直方向ｙに延在している。そして、枝部６１Ｅは、垂直方向ｙに対して直交する水平方向ｘに延在している。枝部６１Ｅは、複数が垂直方向ｙにおいてスペースを隔てて平行に並んでおり、それぞれは、右端部において基幹部６１Ｋの左側部に連結されている。
【０４１７】
第１金属配線６１ｊは、枝部６１Ｅが第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉの上方において第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと重なるように設けられている。そして、第１金属配線６１ｊの枝部６１Ｅは、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉよりも狭い幅で設けられている。第１金属配線６１ｊは、基幹部６１Ｋにおいて、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉとコンタクトＣＯＮを介して電気的に接続されている。また、基幹部６１Ｋの下方においては、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉの右側部分と重なるように設けられている。
【０４１８】
第２金属配線６２ｊにおいて、基幹部６２Ｋは、垂直方向ｙに延在している。ここでは、第２金属配線６２ｊの基幹部６２Ｋは、水平方向ｘにおいて、第１金属配線６１ｊの基幹部６１Ｋからスペースを隔てて平行に並んでいる。第２金属配線６２ｊにおいて、枝部６２Ｅは、垂直方向ｙに対して直交する水平方向ｘに延在している。枝部６２Ｅは、複数が垂直方向ｙにおいてスペースを隔てて平行に並んでおり、それぞれは、左端部において基幹部６２Ｋの右側部に連結されている。
【０４１９】
第２金属配線６２ｊは、枝部６２Ｅが第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉの上方において、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉと重なるように設けられている。そして、第２金属配線６２ｊの枝部６２Ｅは、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉよりも狭い幅で設けられている。第２金属配線６２ｊは、基幹部６２Ｋにおいて、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉとコンタクトＣＯＮを介して電気的に接続されている。また、基幹部６２Ｋの下方においては、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉの左側部分と重なるように設けられている。
【０４２０】
そして、第１金属配線６１ｊの枝部６１Ｅと、第２金属配線６２ｊの枝部６２Ｅとのそれぞれは、垂直方向ｙにおいて、交互に並ぶように形成されている。
【０４２１】
［Ｂ］まとめ
本実施形態においては、他の実施形態と同様に、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉは、転送電極３１へ加工される導電材料層３１３から形成されている。
【０４２２】
よって、本実施形態においては、他の実施形態と同様に、画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが容易に実現できる。
【０４２３】
特に、本実施形態においては、第１金属配線６１ｊおよび第２金属配線６２ｊは、櫛形状に設けられている。具体的には、第１金属配線６１ｊおよび第２金属配線６２ｊは、垂直方向ｙに延在する基幹部６１Ｋ，６２Ｋと、その基幹部６１Ｋ，６２Ｋから水平方向ｘへ延在している枝部６１Ｅ，６２Ｅとを含む。ここでは、第１金属配線６１ｊの複数の枝部６１Ｅと、第２金属配線６２ｊの複数の枝部６２Ｅとが、垂直方向ｙにおいて交互に並ぶように設けられている。また、第１金属配線６１ｊの基幹部６１Ｋと第２金属配線６２ｊの基幹部６２Ｋとが、第１金属配線６１ｊの枝部６１Ｅおよび第２金属配線６２ｊの枝部６２Ｅを水平方向ｘにおいて挟むように設けられている。
【０４２４】
このように、本実施形態では、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉの上方が、全域に渡って、第１金属配線６１ｊおよび第２金属配線６２ｊでシャントされている。このため、キャパシタＣ１０ｉにおいて、充電、あるいは、放電するための時間を短縮でき、回路の動作速度を向上できる。
【０４２５】
また、本実施形態では、実施形態９の場合と同様に、キャパシタＣ１０ｉにおいては、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉとの間のギャップが、直線状であって、折れ曲がった部分を有さない。このため、ギャップ幅の制御が容易であり、安定した静電容量値を得ることができる。
【０４２６】
＜１１．実施形態１１＞
［Ａ］装置構成など
図４７は、本発明にかかる実施形態１１において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０４２７】
図４７は、図４６と同様に、平面図であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０ｉについて拡大して示している。
【０４２８】
図４７に示すように、本実施形態においては、金属遮光膜１０２５が更に設けられている。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１０と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０４２９】
本実施形態では、キャパシタＣ１０ｉの上方に、実施形態８の場合と同様に、金属遮光膜１０２５が更に設けられている。
【０４３０】
［Ｂ］まとめ
本実施形態においては、他の実施形態と同様に、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉは、転送電極３１へ加工される導電材料層３１３から形成されている。
【０４３１】
よって、本実施形態においては、他の実施形態と同様に、画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが容易に実現できる。
【０４３２】
また、本実施形態においては、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉとの上方に金属遮光膜１０２５が設けられており、その金属遮光膜１０２５がキャパシタＣ１０ｉへ入射する光を遮光する。そして、本実施形態では、キャパシタＣ１０ｉの付近に形成された配線などの導電層からの電界を金属遮光膜１０２５が遮断する。このため、静電容量値の変動を抑制することができる。
【０４３３】
また、実施形態１０の場合と同様に、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉ，第２キャパシタ電極Ｃ２１ｉ、および、第１金属配線６１ｊ，第２金属配線６２ｊが形成されている。このため、実施形態１０の場合と同様な作用・効果を奏することができる。
【０４３４】
＜１２．実施形態１２＞
［Ａ］装置構成など
図４８は、本発明にかかる実施形態１２において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０４３５】
図４８は、図４２と同様に、平面図であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０ｋについて拡大して示している。
【０４３６】
図４８に示すように、本実施形態においては、キャパシタＣ１０ｋが、実施形態９と異なる（図４２参照）。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０４３７】
キャパシタＣ１０ｋは、図４８に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋとを含む。第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋとのそれぞれは、半導体基板１１の面（ｘｙ面）において、誘電体膜である絶縁膜３１７を挟むように設けられている。
【０４３８】
図４８に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋとのそれぞれは、水平方向ｘが長手方向になるように形成されている。
【０４３９】
また、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋと、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋとのそれぞれは、半導体基板１１の面（ｘｙ面）において、垂直方向ｙで交互に並ぶように形成されている。
【０４４０】
第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋとのそれぞれは、他の実施形態の場合と同様に、撮像領域ＰＡに設けた転送電極３１と同一の層から形成されている。
【０４４１】
図４８に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋは、右側部分の上方に第１金属配線６１が設けられているが、実施形態９の場合と異なり、左側部分の上方には、第２金属配線６２が設けられていない。また、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋは、左側部分の上方に第２金属配線６２が設けられているが、実施形態９の場合と異なり、右側部分の上方には、第１金属配線６１が設けられていない。
【０４４２】
つまり、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋは、電気的に接続される第１金属配線６１が上方に設けられているが、電気的に接続されない第２金属配線６２が上方に設けられていない。そして、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋは、電気的に接続される第２金属配線６２が上方に設けられているが、電気的に接続されない第１金属配線６１が上方に設けられていない。
【０４４３】
また、実施形態９の場合と異なり、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋは、コンタクトＣＯＮを介して第１金属配線６１と電気的に接続される右側の端部が、その反対側である左側の端部よりも、幅が狭くなるように形成されている。そして、実施形態９の場合と異なり、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋは、コンタクトＣＯＮを介して第２金属配線６２と電気的に接続される左側の端部が、その反対側である右側の端部よりも、幅が狭くなるように形成されている。
【０４４４】
［Ｂ］製造方法
以下より、上記の固体撮像装置を製造する製造方法の要部について説明する。
【０４４５】
図４９〜図５１は、本発明にかかる実施形態１２において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す図である。
【０４４６】
図４９〜図５１は、図４８と同様に、平面図であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０ｋについて拡大して示している。
【０４４７】
図４９〜図５１に示すように、（ａ）〜（ｃ）に示す各工程を経て、固体撮像装置を製造する。
【０４４８】
各工程の詳細について順次説明する。
【０４４９】
（ａ）ギャップＧＡｋの形成
まず、図４９に示すように、ギャップＧＡｋを周辺領域ＳＡにおいてキャパシタＣ１０ｋを形成する領域ＣＡに設ける。
【０４５０】
ここでは、実施形態１の場合と同様な工程（図７（ａ）〜図１１（ｉ）参照）を実施して、ギャップＧＡｋが形成された導電材料パターン３１３Ｍを設ける。
【０４５１】
つまり、図４９に示すように、キャパシタＣ１０ｋを形成する領域ＣＡにおいて、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋとの間に介在するように、ギャップＧＡｋを設ける（図４８参照）。
【０４５２】
（ｂ）フォトレジストパターンＰＲ２ｋの形成
つぎに、図５０に示すように、フォトレジストパターンＰＲ２ｋについて形成する。
【０４５３】
ここでは、実施形態１の場合と同様な工程（図１１（ｊ）〜図１２（ｋ）参照）を実施して、ギャップＧＡｋに絶縁膜３１７を埋め込む。
【０４５４】
そして、実施形態１の場合と同様な工程を（図１２（ｌ）参照）を実施して、フォトレジストパターンＰＲ２ｋを形成する。
【０４５５】
つまり、図５０に示すように、周辺領域ＳＡにおいて、キャパシタＣ１０ｋを形成する領域ＣＡを被覆するように、フォトレジストパターンＰＲ２ｋを形成する。
【０４５６】
（ｃ）第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋ，第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋの形成
つぎに、図５１に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋ，第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋを形成する。
【０４５７】
ここでは、実施形態１の場合と同様な工程（図１３（ｍ）参照）を実施して、フォトレジストパターンＰＲ２ｋをマスクとして、導電材料パターン３１３Ｍ（図１２（ｌ）参照）についてエッチング処理を実施する。これにより、導電材料パターン３１３Ｍを、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋ，第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋにパターン加工する。図示を省略しているが、このとき、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋ，第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋと共に、転送電極３１についても同時に形成する。
【０４５８】
そして、実施形態１の場合と同様な工程（図１３（ｎ）参照）を実施して、フォトレジストパターンＰＲ２ｋを除去する。
【０４５９】
これにより、図５１に示すように、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋとのそれぞれが誘電体膜である絶縁膜３１７を挟んだキャパシタＣ１０ｋが設けられる。
【０４６０】
この後、実施形態１と同様に、各部を設けることによって、固体撮像装置を完成させる。
【０４６１】
［Ｃ］まとめ
本実施形態においては、他の実施形態と同様に、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋは、転送電極３１へ加工される導電材料層３１３から形成されている。
【０４６２】
よって、本実施形態においては、他の実施形態と同様に、画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが容易に実現できる。
【０４６３】
特に、本実施形態においては、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋは、異なる電位が印加される第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋに電気的に接続される第２金属配線６２の下方に、設けられていない。これと共に、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋは、異なる電位が印加される第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋに電気的に接続される第１金属配線６１の下方に、設けられていない。
【０４６４】
このため、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋと第２金属配線６２との間、および、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋと第１金属配線６１との間で、寄生容量が発生することを抑制できるので、キャパシタＣ１０ｋの充電、あるいは、放電時間を短縮できる。
【０４６５】
また、本実施形態では、キャパシタＣ１０ｋは、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋとの間のギャップが、直線状であって、折れ曲がった部分を有さない。このため、ギャップ幅の制御が容易であり、安定した静電容量値を得ることができる。
【０４６６】
＜１３．実施形態１３＞
［Ａ］装置構成など
図５２は、本発明にかかる実施形態１３において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０４６７】
図５２は、図４８と同様に、平面図であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０ｋについて拡大して示している。
【０４６８】
図５２に示すように、本実施形態においては、第１金属配線６１ｊと第２金属配線６２ｊとが、実施形態１２と異なる（図４８参照）。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１２と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０４６９】
第１金属配線６１ｊと第２金属配線６２ｊとのそれぞれは、図５２に示すように、実施形態９と異なって、平面形状が櫛歯状になるようにパターン加工されている。
【０４７０】
ここでは、第１金属配線６１ｊと第２金属配線６２ｊとのそれぞれは、実施形態１０の場合と同様に形成されている。
【０４７１】
具体的には、第１金属配線６１ｊは、基幹部６１Ｋと、枝部６１Ｅとを有する。同様に、第２金属配線６２ｊは、基幹部６２Ｋと、枝部６２Ｅとを有する。
【０４７２】
第１金属配線６１ｊにおいて、基幹部６１Ｋは、垂直方向ｙに延在している。そして、枝部６１Ｅは、垂直方向ｙに対して直交する水平方向ｘに延在している。枝部６１Ｅは、複数が垂直方向ｙにおいてスペースを隔てて平行に並んでおり、それぞれは、右端部において基幹部６１Ｋの左側部に連結されている。
【０４７３】
第１金属配線６１ｊは、枝部６１Ｅが第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋの上方において第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋと重なるように設けられている。そして、第１金属配線６１ｊの枝部６１Ｅは、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋよりも狭い幅で設けられている。第１金属配線６１ｊは、基幹部６１Ｋにおいて、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋとコンタクトＣＯＮを介して電気的に接続されている。しかし、基幹部６１Ｋの下方においては、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋの右側部分と重ならないように設けられている。
【０４７４】
第２金属配線６２ｊにおいて、基幹部６２Ｋは、垂直方向ｙに延在している。ここでは、第２金属配線６２ｊの基幹部６２Ｋは、水平方向ｘにおいて、第１金属配線６１ｊの基幹部６１Ｋからスペースを隔てて平行に並んでいる。第２金属配線６２ｊにおいて、枝部６２Ｅは、垂直方向ｙに対して直交する水平方向ｘに延在している。枝部６２Ｅは、複数が垂直方向ｙにおいてスペースを隔てて平行に並んでおり、それぞれは、左端部において基幹部６２Ｋの右側部に連結されている。
【０４７５】
第２金属配線６２ｊは、枝部６２Ｅが第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋの上方において、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋと重なるように設けられている。そして、第２金属配線６２ｊの枝部６２Ｅは、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋよりも狭い幅で設けられている。第２金属配線６２ｊは、基幹部６２Ｋにおいて、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋとコンタクトＣＯＮを介して電気的に接続されている。しかし、基幹部６２Ｋの下方においては、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｉの左側部分と重ならないように設けられている。
【０４７６】
そして、第１金属配線６１ｊの枝部６１Ｅと、第２金属配線６２ｊの枝部６２Ｅとのそれぞれは、垂直方向ｙにおいて、交互に並ぶように形成されている。
【０４７７】
［Ｂ］まとめ
本実施形態においては、他の実施形態と同様に、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋは、転送電極３１へ加工される導電材料層３１３から形成されている。
【０４７８】
よって、本実施形態においては、他の実施形態と同様に、画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが容易に実現できる。
【０４７９】
また、本実施形態においては、実施形態１２と同様に、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋは、異なる電位が印加される第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋに電気的に接続される第２金属配線６２の下方に、設けられていない。これと共に、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋは、異なる電位が印加される第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋに電気的に接続される第１金属配線６１の下方に、設けられていない。このため、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋと第２金属配線６２との間、および、第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋと第１金属配線６１との間で、寄生容量が発生することを抑制できるので、キャパシタＣ１０ｋの充電、あるいは、放電時間を短縮できる。
【０４８０】
また、本実施形態では、キャパシタＣ１０ｋは、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋとの間のギャップが、直線状であって、折れ曲がった部分を有さない。このため、ギャップ幅の制御が容易であり、安定した静電容量値を得ることができる。
【０４８１】
また、本実施形態では、実施形態１０と同様に、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋの上方が、全域に渡って、第１金属配線６１ｊおよび第２金属配線６２ｊでシャントされている。このため、キャパシタＣ１０ｋにおいて、充電、あるいは、放電するための時間を短縮でき、回路の動作速度を向上できる。
【０４８２】
＜１４．実施形態１４＞
［Ａ］装置構成など
図５３は、本発明にかかる実施形態１４において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０４８３】
図５３は、図５２と同様に、平面図であって、信号処理回路３１Ｓに含まれるキャパシタＣ１０ｋについて拡大して示している。
【０４８４】
図５３に示すように、本実施形態においては、金属遮光膜１０２５が更に設けられている。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１３と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
【０４８５】
本実施形態では、キャパシタＣ１０ｋの上方に、実施形態１１の場合と同様に、金属遮光膜１０２５が更に設けられている。
【０４８６】
［Ｂ］まとめ
本実施形態においては、他の実施形態と同様に、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋおよび第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋは、転送電極３１へ加工される導電材料層３１３から形成されている。
【０４８７】
よって、本実施形態においては、他の実施形態と同様に、画像品質、装置の小型化、装置の信頼性、製造効率などの各特性について向上させることが容易に実現できる。
【０４８８】
また、本実施形態においては、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋと第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋとの上方に金属遮光膜１０２５が設けられており、その金属遮光膜１０２５がキャパシタＣ１０ｋへ入射する光を遮光する。そして、本実施形態では、キャパシタＣ１０ｋの付近に形成された配線などの導電層からの電界を金属遮光膜１０２５が遮断することができる。よって、静電容量値の変動を抑制することができる。
【０４８９】
また、実施形態１３の場合と同様に、第１キャパシタ電極Ｃ１１ｋ，第２キャパシタ電極Ｃ２１ｋ、および、第１金属配線６１ｊ，第２金属配線６２ｊが形成されている。このため、実施形態１３の場合と同様な作用・効果を奏することができる。
【０４９０】
＜１５．その他＞
本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形例を採用することができる。
【０４９１】
上記の実施形態においては、第１キャパシタ電極と第２キャパシタ電極とが誘電体膜としてシリコン酸化膜を挟む場合について示したが、これに限定されない。シリコン酸化膜の他に、シリコン窒化膜などのさまざまな材料で誘電体膜を形成しても良い。また、たとえば、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層体を、誘電体膜として設けても良い。
【０４９２】
上記の実施形態においては、キャパシタについて、信号処理回路を構成する場合に関して示したが、これに限定されない。キャパシタが、他の部分の回路を構成する場合に本発明を適用しても良い。たとえば、信号処理回路において画素からの信号を保持する場合の他に、その信号を出力する出力回路にキャパシタを形成する場合に、本発明を適用しても良い。
【０４９３】
上記の実施形態においては、ＣＣＤ型イメージセンサの場合に本発明を適用する場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、ＣＭＯＳ型イメージセンサの場合に、本発明を適用してもよい。
【０４９４】
上記の実施形態においては、カメラに本発明を適用する場合について説明したが、これに限定されない。スキャナーやコピー機などのように、固体撮像装置を備える他の電子機器に、本発明を適用しても良い。
【０４９５】
その他、上記の各実施形態を、適宜、組み合わせても良い。
【０４９６】
また、転送電極などが設けられる撮像領域を有さない半導体装置において、上記のようにキャパシタを形成しても良い。
【０４９７】
なお、上記の実施形態において、固体撮像装置１は、本発明の固体撮像装置に相当する。また、上記の実施形態において、半導体基板１１は、本発明の基板に相当する。また、上記の実施形態において、フォトダイオード２１は、本発明の光電変換部に相当する。また、上記の実施形態において、転送電極３１，３１ｂ，３１ｅ，３１ｆは、本発明の転送電極に相当する。また、上記の実施形態において、カメラ４０は、本発明の電子機器に相当する。また、上記の実施形態において、第１金属配線６１，６１ｇ，６１ｊは、本発明の第１配線に相当する。また、上記の実施形態において、第２金属配線６２，６２ｇ，６２ｊは、本発明の第２配線に相当する。また、上記の実施形態において、導電材料層３１３は、本発明の導電体膜に相当する。また、上記の実施形態において、導電材料層３１３Ｐｂは、本発明の導電体膜に相当する。また、上記の実施形態において、絶縁膜３１７，３１７ｂ，３１７ｅは、本発明の誘電体膜に相当する。また、上記の実施形態において、金属遮光膜１０２５は、本発明の遮光膜に相当する。また、上記の実施形態において、キャパシタＣ１０，Ｃ１０ｂ，Ｃ１０ｅ，Ｃ１０ｆ，Ｃ１０ｉ，Ｃ１０ｋは、本発明のキャパシタに相当する。また、上記の実施形態において、第１キャパシタ電極Ｃ１１，Ｃ１１ｂ，Ｃ１１ｅ，Ｃ１１ｆ，Ｃ１１ｉ，Ｃ１１ｋは、本発明の第１キャパシタ電極に相当する。また、上記の実施形態において、第２キャパシタ電極Ｃ２１，Ｃ２１ｂ，Ｃ２１ｅ，Ｃ２１ｆ，Ｃ２１ｉ，Ｃ２１ｋは、本発明の第２キャパシタ電極に相当する。また、上記の実施形態において、シリサイド層ＳＳは、本発明のシリサイド層に相当する。
【符号の説明】
【０４９８】
１：固体撮像装置、１１：半導体基板、２１：フォトダイオード、２２Ｒ：電荷読出しチャネル領域、２３：電荷検出部、２３Ｖ：垂直転送チャネル領域、２４Ｓ：チャネルストッパー領域、３１，３１ｂ，３１ｅ，３１ｆ：転送電極、３１Ａ：第１転送電極、３１Ｂ：第２転送電極、３１Ｓ：信号処理回路、３２Ｓ：水平出力回路、３３Ｓ：水平走査回路、４０：カメラ、４１：シャント配線、４１Ａ：第１シャント配線、４１Ｂ：第２シャント配線、４２：光学系、４３：駆動回路部、４４：信号処理部、６０：遮光膜、６１，６１ｇ，６１ｊ：第１金属配線、６１Ｅ：枝部、６１Ｋ：基幹部、６２，６２ｇ，６２ｊ：第２金属配線、６２Ｅ：枝部、６２Ｋ：基幹部、３１２：絶縁膜、３１３：導電材料層、３１３Ｍ，３１３Ｍｂ，３１３Ｍｃ，３１３Ｍｅ：導電材料パターン、３１３Ｐｂ：導電材料層、３１３ＳＷｂ：サイドウォール、３１４：絶縁膜、３１４Ｍ：ハードマスクパターン、３１６：絶縁膜、３１６ＳＷ：サイドウォール、３１７，３１７ｂ，３１７ｅ：絶縁膜、３２６：フィールド酸化膜、８２３：金属膜、１０２５：金属遮光膜、Ｃ１０，Ｃ１０ｂ，Ｃ１０ｅ，Ｃ１０ｆ，Ｃ１０ｉ，Ｃ１０ｋ：キャパシタ、Ｃ１１，Ｃ１１ｂ，Ｃ１１ｅ，Ｃ１１ｆ，Ｃ１１ｉ，Ｃ１１ｋ：第１キャパシタ電極、Ｃ１１Ｅ：枝部、Ｃ１１Ｋ：基幹部、Ｃ２１，Ｃ２１ｂ，Ｃ２１ｅ，Ｃ２１ｆ，Ｃ２１ｉ，Ｃ２１ｋ：第２キャパシタ電極、Ｃ２１Ｅ：枝部、Ｃ２１Ｋ：基幹部、ＪＳ：受光面、ＰＡ：撮像領域、ＰＲ１，ＰＲ１ｂ，ＰＲ１ｃ，ＰＲ１ｄ，ＰＲ１ｅ，ＰＲ１ｆ，ＰＲ２，ＰＲ２ｉ，ＰＲ２ｋ：フォトレジストパターン、ＲＯ：電荷読出し部、ＳＡ：周辺領域、ＳＨ３１：サンプルホールドキャパシタ、ＳＲ：シュリンク材層、ＳＲｄ：シュリンク材混合層、ＳＢ：素子分離部、ＳＳ：シリサイド層、ＳＺ：絶縁膜、ＶＳ：垂直信号線、ＶＴ：垂直転送部、ＺＺ：絶縁膜、ｘ：水平方向、ｙ：垂直方向
【図１】
2012019032.tif 000003
【図２】
2012019032.tif 000004
【図３】
2012019032.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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