(57)【要約】【課題】本発明は、配線間隔を狭くすることができ、微細化に適した回路基板を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有する回路基板であって、上記配線層が、第一配線部と、上記第一配線部の側面にめっき法により形成された第二配線部とを有し、上記第一配線部および上記第二配線部の頂面の位置が一致していることを特徴とする回路基板を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層とを有する回路基板であって、
前記配線層が、第一配線部と、前記第一配線部の側面にめっき法により形成された第二配線部とを有し、前記第一配線部および前記第二配線部の頂面の位置が一致していることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記第一配線部の材料が、銅または銅合金であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第二配線部の材料が、銅、ニッケル、銀、金、パラジウム、または、これらの金属を一種または二種以上含有する合金であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層とを有する回路基板であって、
前記配線層が、第一配線部と、前記第一配線部の側面および頂面にめっき法により形成され、前記第一配線部と同一材料の第三配線部とを有することを特徴とする回路基板。
【請求項５】
前記第一配線部および前記第三配線部の材料が、銅または銅合金であることを特徴とする請求項４に記載の回路基板。
【請求項６】
前記第一配線部の断面形状が台形状であり、底面の長さと頂面の長さとの差が、１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載の回路基板。
【請求項７】
前記配線層が形成された側とは反対側の前記絶縁層の表面に、金属支持基板が配置されていることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載の回路基板。
【請求項８】
絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層とを有する回路基板の製造方法であって、
前記配線層を形成するための導体層の表面にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンから露出する前記導体層を、前記レジストパターンの裏面が露出するようにウェットエッチングし、第一配線部を形成する第一配線部形成工程と、
前記レジストパターンを残した状態で、前記第一配線部の側面に、めっき法により第二配線部を形成する第二配線部形成工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記第一配線部の材料が、銅または銅合金であることを特徴とする請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第二配線部の材料が、銅、ニッケル、銀、金、パラジウム、または、これらの金属を一種または二種以上含有する合金であることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層とを有する回路基板の製造方法であって、
前記配線層を形成するための導体層の表面にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンから露出する前記導体層を、前記レジストパターンの裏面が露出するようにウェットエッチングし、第一配線部を形成する第一配線部形成工程と、
前記レジストパターンを除去した状態で、前記第一配線部の側面および頂面に、めっき法により、前記第一配線部と同一材料の第三配線部を形成する第三配線部形成工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第一配線部および前記第三配線部の材料が、銅または銅合金であることを特徴とする請求項１１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第一配線部の断面形状が台形状であり、底面の長さと頂面の長さとの差が、１５μｍ以下であることを特徴とする請求項８から請求項１２までのいずれかの請求項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記配線層が形成された側とは反対側の前記絶縁層の表面に、金属支持基板が配置されていることを特徴とする請求項８から請求項１３までのいずれかの請求項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項７までのいずれかの請求項に記載の回路基板であることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項１６】
請求項１５に記載のサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンション。
【請求項１７】
請求項１６に記載のサスペンションと、前記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項１８】
請求項１７に記載の素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線間隔を狭くすることができ、微細化に適した回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板における配線層のパターニングの方法として、いわゆるサブトラクティブ法が知られている。サブトラクティブ法は、例えば、パターニングする前の配線層（導体層）に、フォトレジストを塗布またはラミネートし、そのフォトレジストに露光および現像を行うことでレジストパターンを形成し、その後、レジストパターンから露出する導体層をエッチングすることにより、パターニングされた配線層を形成する方法である。
【０００３】
サブトラクティブ法は、絶縁層との密着性が良好な配線層を得ることができる反面、配線間隔が広くなり、微細化に適さないという問題がある。サブトラクティブ法の原理上、配線間隔はレジストパターンの開口寸法に依存する。配線間隔を狭くするためには、レジストパターンの開口寸法を小さくすることが有効であるが、露光の描画安定性およびレジストの解像性には限界がある。また、配線間隔を狭くするために、配線層（導体層）の厚さを小さくすることも有効であるが、配線層の厚さを小さくしすぎると、電気特性が悪化するという問題がある。なお、サブトラクティブ法には、サイドエッチングの問題もある（特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１５２９３４号公報
【特許文献２】特開２００６−２２４５７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、配線間隔を狭くすることができ、微細化に適した回路基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明においては、絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有する回路基板であって、上記配線層が、第一配線部と、上記第一配線部の側面にめっき法により形成された第二配線部とを有し、上記第一配線部および上記第二配線部の頂面の位置が一致していることを特徴とする回路基板を提供する。
【０００７】
本発明によれば、第一配線部の側面に第二配線部が形成されていることから、配線間隔を狭くすることができ、配線層の微細化に適した回路基板とすることができる。
【０００８】
上記発明においては、上記第一配線部の材料が、銅または銅合金であることが好ましい。導電性に優れているからである。
【０００９】
上記発明においては、上記第二配線部の材料が、銅、ニッケル、銀、金、パラジウム、または、これらの金属を一種または二種以上含有する合金であることが好ましい。
【００１０】
また、本発明においては、絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有する回路基板であって、上記配線層が、第一配線部と、上記第一配線部の側面および頂面にめっき法により形成され、上記第一配線部と同一材料の第三配線部とを有することを特徴とする回路基板を提供する。
【００１１】
本発明によれば、第一配線部の側面および頂面に、第三配線部が形成されていることから、配線間隔を狭くすることができ、配線層の微細化に適した回路基板とすることができる。
【００１２】
上記発明においては、上記第一配線部および上記第三配線部の材料が、銅または銅合金であることが好ましい。導電性に優れているからである。
【００１３】
上記発明においては、上記第一配線部の断面形状が台形状であり、底面の長さと頂面の長さとの差が、１５μｍ以下であることが好ましい。電気特性が良好な配線層とすることができるからである。
【００１４】
上記発明においては、上記配線層が形成された側とは反対側の上記絶縁層の表面に、金属支持基板が配置されていることが好ましい。例えばサスペンション用基板として有用な回路基板とすることができるからである。
【００１５】
また、本発明においては、絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有する回路基板の製造方法であって、上記配線層を形成するための導体層の表面にレジストパターンを形成し、上記レジストパターンから露出する上記導体層を、上記レジストパターンの裏面が露出するようにウェットエッチングし、第一配線部を形成する第一配線部形成工程と、上記レジストパターンを残した状態で、上記第一配線部の側面に、めっき法により第二配線部を形成する第二配線部形成工程と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法を提供する。
【００１６】
本発明によれば、第一配線部を形成し、その後のめっき法により第二配線部を形成することで、配線間隔を狭くすることができ、配線層の微細化に適した回路基板を得ることができる。
【００１７】
上記発明においては、上記第一配線部の材料が、銅または銅合金であることが好ましい。導電性に優れているからである。
【００１８】
上記発明においては、上記第二配線部の材料が、銅、ニッケル、銀、金、パラジウム、または、これらの金属を一種または二種以上含有する合金であることが好ましい。
【００１９】
また、本発明においては、絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有する回路基板の製造方法であって、上記配線層を形成するための導体層の表面にレジストパターンを形成し、上記レジストパターンから露出する上記導体層を、上記レジストパターンの裏面が露出するようにウェットエッチングし、第一配線部を形成する第一配線部形成工程と、上記レジストパターンを除去した状態で、上記第一配線部の側面および頂面に、めっき法により、上記第一配線部と同一材料の第三配線部を形成する第三配線部形成工程と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法を提供する。
【００２０】
本発明によれば、第一配線部を形成し、その後のめっき法により第三配線部を形成することで、配線間隔を狭くすることができ、配線層の微細化に適した回路基板を得ることができる。
【００２１】
上記発明においては、上記第一配線部および上記第三配線部の材料が、銅または銅合金であることが好ましい。導電性に優れているからである。
【００２２】
上記発明においては、上記第一配線部の断面形状が台形状であり、底面の長さと頂面の長さとの差が、１５μｍ以下であることが好ましい。電気特性が良好な配線層を得ることができるからである。
【００２３】
上記発明においては、上記配線層が形成された側とは反対側の上記絶縁層の表面に、金属支持基板が配置されていることが好ましい。例えばサスペンション用基板として有用な回路基板を得ることができるからである。
【００２４】
また、本発明においては、上述した回路基板であることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【００２５】
本発明によれば、上述した回路基板を用いることで、配線層の微細化に適したサスペンション用基板とすることができる。
【００２６】
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンションを提供する。
【００２７】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、配線層の微細化に適したサスペンションとすることができる。
【００２８】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。
【００２９】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、配線層の微細化に適した素子付サスペンションとすることができる。
【００３０】
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００３１】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明においては、配線層の微細化に適した回路基板を提供できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の回路基板の一例を示す概略平面図である。
【図２】図１の断面図である。
【図３】本発明の効果を説明する概略断面図である。
【図４】本発明の効果を説明する概略断面図である。
【図５】ウェットエッチングによる導体層の変化を説明する概略断面図である。
【図６】従来のアディティブ法を説明する概略断面図である。
【図７】従来のアディティブ法を説明する概略断面図である。
【図８】本発明における配線層の寸法を説明する概略断面図である。
【図９】本発明における配線層の形態を説明する概略断面図である。
【図１０】本発明におけるフライングリード部を説明する概略平面図である。
【図１１】本発明の回路基板の他の例を示す概略断面図である。
【図１２】本発明の回路基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１３】本発明における配線層の寸法を説明する概略断面図である。
【図１４】ウェットエッチング時の第一配線部の底部の形状を示す概略平面図である。
【図１５】本発明の回路基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。
【図１６】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１７】本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１８】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の回路基板、回路基板の製造方法、サスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンションおよびハードディスクドライブについて詳細に説明する。
【００３５】
Ａ．回路基板
まず、本発明の回路基板について説明する。本発明の回路基板は、配線層の構成により２つの実施態様に大別することができる。
【００３６】
１．第一実施態様
本発明の回路基板の第一実施態様は、絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有する回路基板であって、上記配線層が、第一配線部と、上記第一配線部の側面にめっき法により形成された第二配線部とを有し、上記第一配線部および上記第二配線部の頂面の位置が一致していることを特徴とするものである。
【００３７】
図１は、第一実施態様の回路基板の一例を示す概略平面図である。より具体的には、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いられるサスペンション用基板（フレキシャー）の一例を示す概略平面図である。なお、便宜上、カバー層の記載は省略している。図１に示される回路基板２０は、一方の先端部分に形成された素子実装領域１１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１２と、素子実装領域１１および外部回路基板接続領域１２を電気的に接続する複数の配線層１３ａ〜１３ｄとを有するものである。配線層１３ａおよび配線層１３ｂは一対の配線層であり、同様に、配線層１３ｃおよび配線層１３ｄも一対の配線層である。これらの２つの配線層は、一方がライト用の配線層であり、他方がリード用の配線層である。
【００３８】
図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図である。図２（ａ）に示される回路基板は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３とを有するものである。図２（ｂ）は図２（ａ）の配線層３の拡大図であり、配線層３は、コアとなる第一配線部３ａと、第一配線部３ａの側面にめっき法により形成された第二配線部３ｂとを有する。また、第一実施態様の回路基板は、第一配線部３ａおよび第二配線部３ｂの頂面の位置が一致していることを一つの特徴とする。
【００３９】
第一実施態様によれば、第一配線部の側面に第二配線部が形成されていることから、配線間隔を狭くすることができ、配線層の微細化に適した回路基板とすることができる。この効果について図３を用いて説明する。第一実施態様の回路基板の配線層は、例えばサブトラクティブ法により形成することができる。従来のサブトラクティブ法では、図３（ａ）に示すように、レジストパターン６から露出する導体層（加工前の第一配線部３ａ）に対して、ウェットエッチング７を行う。この場合、配線間隔Ｗ１ａはレジストパターン６の開口寸法に依存し、露光の描画安定性およびレジストの解像性には限界があることから、微細化は困難であった。これに対して、図３（ｂ）に示すように、第一実施態様における配線層３は、第一配線部３ａの側面に、めっき法により形成された第二配線部３ｂを有することから、従来のサブトラクティブ法の限界を超えて、配線間隔を狭くすることができる（Ｗ２ａ＜Ｗ１ａ）。これにより、配線層の微細化を容易に図ることができる。さらに、第一実施態様によれば、第一配線部および第二配線部の頂面の位置が一致しているため、例えば配線層（端子）の上面に磁気ヘッド等の素子を実装する場合や、配線層（端子）とアンプとを金の超音波接合により接続する場合に、接合作業時のクリアランスを一定に保つことができ、良好な接触を実現できるという利点がある。
【００４０】
また、第一実施態様の回路基板は、配線層の電気特性の向上を容易に図ることができるという利点もある。この効果について図４を用いて説明する。ここで、上述した図３（ａ）では、レジストパターン６の開口寸法をできるだけ小さくすることにより、配線間隔Ｗ１ａを小さくしている。しかしながら、サブトラクティブ法では、厚さ方向のエッチングと同時に、幅方向のエッチング（サイドエッチング）が生じ、第一配線部３ａの断面形状は台形状になる。さらに、第一配線部３ａにおける頂面（上底）および底面（下底）の差が大きくなると（角度θ１ａが小さくなると）、電気特性が低くなることが想定される。例えば、配線間の容量性結合が低下し、低インピーダンス化（特に高周波帯域での低インピーダンス化）を図ることが困難になる場合が想定される。
【００４１】
これに対して、第一実施態様においては、図４（ａ）に示すように、配線間隔を狭くする目的に反して、敢えて第一配線部３ａの配線間隔Ｗ１ｂを大きくすることができる。すなわち、従来よりもウェットエッチングを過剰に行うことにより、配線間隔Ｗ１ｂを大きくすることができる。これにより、第一配線部３ａの断面形状を、台形状から矩形状に近づけることができる（角度θ１ｂを大きくすることができる）。その後、図４（ｂ）に示すように、第一配線部３ａの側面から、めっき法により第二配線部３ｂを成長させれば、めっきは等方的に成長するため、角度θ２ｂは角度θ１ｂと略同一となる。その結果、配線間隔Ｗ２ｂが小さく、かつ、電気特性が良好な配線層３とすることができる。ウェットエッチングを過剰に行うことにより角度θ１ｂが大きくなる理由は、レジストパターンに近い導体層の部分と、レジストパターンから遠い導体層の部分とでは、エッチングによる横方向の進み方が異なるからである。例えば、図５に示すように、レジストパターン６の露出部の下に存在する導体層３Ｘがウェットエッチングされるまでは、サイドエッチングの影響によりθは小さくなる。その後、ウェットエッチングを過剰に行うと、スプレー装置８から噴射されるエッチング液の影響を受けやすい絶縁層２に近い側の導体層３Ｘの部分では、エッチングの横方向の進み方が早く、エッチング液の影響を受けにくいレジストパターン６に近い側の導体層３Ｘの部分では、エッチングの横方向の進み方が遅くなる。その結果、θは大きくなる。エッチングの進み方は、スプレー圧、液の濃度、温度等によっても異なるが、定性的にはレジストの開口部中点を中心として放射線状に進む。
【００４２】
一方、回路基板における配線層のパターニングの方法として、いわゆるアディティブ法が知られている。アディティブ法は、例えば図６に示すように、絶縁層２の表面にシード層（図示せず）を設け、その上にレジストパターン６を形成し、レジストパターン６から露出する表面に、めっき法により配線層３を形成する方法である。しかしながら、アディティブ法による配線形成には、以下のような欠点がある。まず、配線層３の形状および位置により、配線層３の高さが不均一になるという欠点がある。
【００４３】
配線層３の高さが不均一になる理由は、レジストパターンのサイズや配置に依存した電流密度の偏りが生じるからである。アディティブ法では、まず、配線層３を形成する位置に開口を有するレジストパターン６をフォトリソグラフィー等で形成する。次に、シード層（図示せず）を給電層として、配線層３を析出させる。この析出速度は電流密度に依存する。例えば、図６に示すように、細い配線層（領域Ｉ）と、太い配線層（パッド、領域III）とでは、細い配線層に電流が集中し、電流密度が高くなる。その結果、細い配線層における析出速度がより速くなる（Ａ、Ｂ＞Ｄ）。さらに、細い配線層であっても、３本もしくはそれ以上の細い配線層がほぼ等ピッチ間隔で配置された領域（領域Ｉ）と、１本もしくは２本程度の細い配線層が配置された領域（領域II）とでは、前者の方が電流が分散されるので、析出速度は後者の方が速くなる（Ｃ＞Ａ、Ｂ）。また、３本以上の複数の配線層がある場合（領域Ｉ）、最外の２本の配線層は、その内部の配線層よりも電流が集中するため、析出速度が速くなる（Ａ、Ｂ）。このように、アディティブ法では、レジストパターンのサイズや配置に依存した電流密度の偏りが生じ、配線層の高さが不均一になりやすい。
【００４４】
配線層の高さが不均一になることを防止するために、給電する電流値を下げたり、めっき液中において電極とワークとの間に、形状に合わせた遮蔽板を入れたりすることが考えられる。しかしながら、給電の電流値を下げることは、全体のめっき析出速度を下げることになり、生産性を著しく落とすことになる。さらに、遮蔽板も、レジストパターンに依存した析出速度の差を効果的に下げることは困難である。
【００４５】
また、配線層の高さが不均一であると、配線層（端子）の上面に磁気ヘッド等の素子を実装する場合や、配線層（端子）とアンプとを金の超音波接合により電気接続する場合に、接合作業時のクリアランスを一定に保てず、接触不良を起こす可能性がある。これに対して、第一実施態様においては、第一配線部および第二配線部の頂面の位置が一致しているため、このような問題は生じない。
【００４６】
また、アディティブ法による配線形成の他の欠点として、レジストパターン６を除去する際に、配線層３に割れや剥がれが生じやすくなるという欠点がある。アディティブ法では、図７（ａ）に示すように、レジストパターン６の開口部に配線層３を形成する。フォトリソグラフィーにより形成されたレジストパターン６の断面形状は、通常、矩形ではなく台形になる。そのため、レジストパターン６の開口部で析出した配線層３の断面形状は、逆台形になる。その結果、レジストパターン６を除去する際に、レジストパターン６が膨潤すると、レジストパターン６が抜けにくくなってしまう。さらに、膨潤する力が強ければ、配線層３に対して横の力が働く。そのため、配線層３に割れや剥がれが生じやすくなる。また、配線層３の断面形状が逆台形であるため、配線層３と絶縁層２との密着性が、サブトラクティブ法の場合に比べて低くなる。さらに、密着性の低下という観点では、レジストパターン６を除去した後にシード層９を除去する場合（図７（ｂ））、シード層９が過剰に除去されるアンダーカットが生じやすく（図７（ｃ））、配線層３と絶縁層２との密着性が、さらに低くなることが想定される。これに対して、第一実施態様においては、例えばサブトラクティブ法により第一配線部３を形成できるため、上記のような欠点は生じない。
【００４７】
第一実施態様の回路基板は、少なくとも絶縁層および配線層を有するものである。さらに、配線層が形成された側とは反対側の絶縁層の表面に、金属支持基板が配置されていても良い。また、配線層を覆うカバー層が形成されていても良い。
以下、第一実施態様の回路基板について、構成ごとに説明する。
【００４８】
（１）配線層
第一実施態様における配線層は、後述する絶縁層上に形成されるものである。また、第一実施態様における配線層が、第一配線部と、第一配線部の側面にめっき法により形成された第二配線部とを有する。さらに、第一実施態様においては、第一配線部および第二配線部の頂面の位置が一致している。
【００４９】
第一配線部の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができる。具体的には、銅（Ｃｕ）、銅合金等を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。導電性に優れ、安価だからである。また、銅合金としては、例えば、銅（Ｃｕ）と、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）、スズ（Ｓｎ）およびケイ素（Ｓｉ）からなる群から選択される少なくとも一種以上の元素との合金を挙げることができる。また、第一配線部の断面形状としては、例えば台形状および矩形状を挙げることができる。
【００５０】
一方、第二配線部の材料は、導電性を有し、めっき法（電解めっき法、無電解めっき法）により形成可能なものであれば特に限定されるものではなく、通常は金属である。具体的には、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、スズ（Ｓｎ）、および、これらの金属を一種または二種以上含有する合金等を挙げることができ、中でも、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、および、これらの金属を一種または二種以上含有する合金であることが好ましい。また、第二配線部は、単層構造であっても良く、二層以上の積層構造であっても良い。ここで、第二配線部がＮｉめっき部を有していれば、機械的強度の向上を図ることができる。また、第二配線部がＡｇめっき部、Ａｕめっき部のような貴金属めっき部を有していれば、耐腐食性に優れた配線層とすることができる。貴金属めっき部は第二配線部の最も外側に形成されていることが好ましい。また、特に第一実施態様においては、第二配線部がＣｕめっき部から構成されるもの、第二配線部が内側からＣｕめっき部およびＮｉめっき部を有するもの、第二配線部が内側からＣｕめっき部、Ｎｉめっき部およびＡｕめっき部を有するもののいずれかであることが好ましい。
【００５１】
第一配線部の側面に第二配線部が形成されているか否かは、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）分析、蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）分析等により確認できる。なお、第一配線部および第二配線部の材料が同じである場合であっても、第一配線部の結晶粒径と、第二配線部の結晶粒径とが全く同じになることは通常起こり得ないことから、第一配線部および第二配線部の間には界面が形成され、この界面の存在を確認することで、第一配線部の側面に第二配線部が形成されていることを確認できる。
【００５２】
上述したように、第一配線部をサブトラクティブ法により形成する場合、通常は、第一配線部の断面形状が台形状になる。ここで、図８に示すように、第一配線部３ａの底面の幅をＷａとし、第一配線部３ａの頂面の幅をＷｂとし、第二配線部３ｂの幅をＷｃとし、配線層３の厚さをＷｄとし、隣り合う配線層３の配線間隔をＷ２とする。Ｗａの値は、例えば２０μｍ以下であることが好ましく、１８μｍ以下であることがより好ましい。Ｗａの値が大きすぎると、目的とする微細構造を得ることができない可能性があるからである。一方、Ｗａの値は、例えば１０μｍ以上であることが好ましく、１２μｍ以上であることがより好ましい。Ｗａの値が小さすぎると、第一配線部３ａと絶縁層２との密着性が低くなる可能性があるからである。
【００５３】
Ｗｂの値は、例えば５μｍ〜１５μｍの範囲内であることが好ましく、７μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。Ｗｂの値が大きすぎると、目的とする微細構造を得ることができない可能性があるからであり、Ｗｂの値が小さすぎると、レジストパターンを保持できず、レジストに割れが生じる可能性があるからである。さらに、第一配線部３における底面の長さと頂面の長さとの差（Ｗａ−Ｗｂ）は、例えば１５μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であることがさらに好ましい。また、第二配線部は、めっき法により等方的に形成されたものであることから、通常、θ１とθ２とは一致する。θ１およびθ２は、それぞれ、５８°〜９０°の範囲内であることが好ましく、６３°〜８０°の範囲内であることがより好ましい。例えば、第一配線層の厚さが１２μｍであり、かつ、台形の片側の張り出し部分の長さが７．５μｍである場合、その角度は５８°になる（ａｒｃｔａｎ（１２／７．５））。同様に、台形の片側の張り出し部分の長さが５μｍである場合、その角度は６３°になり（ａｒｃｔａｎ（１２／５））、台形の片側の張り出し部分の長さが２μｍである場合、その角度は８０°になる。
【００５４】
Ｗｃの値は、例えば０．５μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、０．５μｍ〜５μｍの範囲内であることがより好ましい。また、Ｗｃ／Ｗａの値は、例えば０．０３以上であり、０．０３〜１．０の範囲内であることが好ましく、０．０３〜０．５の範囲内であることがより好ましく、０．０３〜０．１の範囲内であることがさらに好ましく、０．０３〜０．０５の範囲内であることが特に好ましい。また、Ｗｄの値は、例えば３μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。また、Ｗ２の値は、配線層のパターンによって大きく異なるものであるが、隣り合う配線層が最も近接した位置でのＷ２の値は、例えば５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜２０μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１０μｍの範囲内であることがさらに好ましい。Ｗ２の値が大きすぎると、目的とする微細構造を得ることができない可能性があり、Ｗ２の値が小さすぎると、短絡が生じる可能性があるからである。
【００５５】
また、図９（ａ）に示すように、配線層３はカバー層４により覆われていても良い。配線層の劣化（例えば腐食）を防止できるからである。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載した樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００５６】
また、図９（ｂ）、（ｃ）に示すように、配線層３の表面には、保護めっき部５が形成されていても良い。保護めっき部を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できるからである。保護めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えばＮｉめっき、Ａｕめっき等を挙げることができる。保護めっき部の厚さは、例えば０．１μｍ〜４．０μｍの範囲内である。また、第一実施態様においては、素子または外部回路基板との電気的な接続を行う端子部に保護めっき部が形成されていることが好ましい。なお、図９（ｃ）に示すように、絶縁層２が存在しないフライングリード部に、第二配線部３ｂが形成されることで、フライングリード部の機械的強度が向上するという利点がある。フライングリード部は、図１０に示すように、配線層３が、金属支持基板（図示せず）、絶縁層２およびカバー層４等から露出した部分をいう。例えば、第一実施態様の回路基板がサスペンション用基板である場合、磁気ヘッド等の素子からピックアップした信号をアンプにつなげるための接続端子領域に、フライングリード構造を採用することができる。なお、図９（ｃ）は、図１０のＡ−Ａ断面図に相当する。
【００５７】
第一実施態様においては、第一配線部の側面に第二配線部が形成されていることを一つの特徴としているが、第二配線部は、第一配線部の全長に渡って形成されている必要はなく、第一配線部の少なくとも一部に形成されていれば良い。例えば、第二配線部は、素子との電気的な接続を行う端子部のみに形成されたものであっても良く、外部回路基板との電気的な接続を行う端子部のみに形成されたものであっても良く、第一配線部の全長に渡って形成されたものであっても良い。
【００５８】
また、第一実施態様における配線層の機能は、特に限定されるものではなく、回路基板の種類に応じて適宜選択されるものである。例えば回路基板がサスペンション用基板である場合、配線層の種類は、例えばライト配線層、リード配線層、ノイズシールド用配線層、クロストーク防止用配線層、電源用配線層、グランド用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層、アクチュエータ用配線層、熱アシスト用配線層等を挙げることができる。
【００５９】
（２）絶縁層
第一実施態様における絶縁層は、配線層を他の部材から絶縁する層である。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。
【００６０】
絶縁層の厚さは、回路基板の種類に応じて異なるものであり、特に限定されるものではない。例えば、回路基板がサスペンション用基板である場合、絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００６１】
（３）金属支持基板
第一実施態様の回路基板は、配線層が形成された側とは反対側の絶縁層の表面に、金属支持基板を有することが好ましい。例えばサスペンション用基板として有用な回路基板とすることができるからである。金属支持基板の材料は、回路基板の種類に応じて異なるものであり、特に限定されるものではない。例えば回路基板がサスペンション用基板である場合、金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、ＳＵＳであることがより好ましい。また、金属支持基板の厚さは、回路基板の種類に応じて異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内である。
【００６２】
（４）回路基板
第一実施態様の回路基板は、上述した配線層および絶縁層を有するものであれば特に限定されるものではない。回路基板の用途としては、例えば、ＨＤＤ用回路基板を挙げることができる。ＨＤＤ用回路基板としては、例えばサスペンション用基板（フレキシャー）および中継基板等を挙げることができる。また、第一実施態様の回路基板は、一般的なプリント基板（ＰＣ）およびフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）に用いることができる。
【００６３】
２．第二実施態様
次に、本発明の回路基板の第二実施態様について説明する。第二実施態様の回路基板は、絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有する回路基板であって、上記配線層が、第一配線部と、上記第一配線部の側面および頂面にめっき法により形成され、上記第一配線部と同一材料の第三配線部とを有することを特徴とするものである。
【００６４】
図１１（ａ）は、図２（ａ）と同様に図１のＡ−Ａ断面図に相当するものである。図１１（ａ）に示される回路基板は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３とを有するものである。図１１（ｂ）は図１１（ａ）の配線層３の拡大図であり、配線層３は、コアとなる第一配線部３ａと、第一配線部３ａの側面および頂面にめっき法により形成され、第一配線部３ａと同一材料の第三配線部３ｃとを有する。
【００６５】
第二実施態様によれば、第一配線部の側面および頂面に、第三配線部が形成されていることから、配線間隔を狭くすることができ、配線層の微細化に適した回路基板とすることができる。なお、第二実施態様の回路基板は、第一配線部の側面および頂面に第三配線部が形成されていること以外は、第一実施態様の回路基板と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００６６】
Ｂ．回路基板の製造方法
次に、本発明の回路基板の製造方法について説明する。本発明の回路基板の製造方法は、配線層の構成により、２つの実施態様に大別することができる。
【００６７】
１．第一実施態様
本発明の回路基板の製造方法の第一実施態様は、絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有する回路基板の製造方法であって、上記配線層を形成するための導体層の表面にレジストパターンを形成し、上記レジストパターンから露出する上記導体層を、上記レジストパターンの裏面が露出するようにウェットエッチングし、第一配線部を形成する第一配線部形成工程と、上記レジストパターンを残した状態で、上記第一配線部の側面に、めっき法により第二配線部を形成する第二配線部形成工程と、を有することを特徴とするものである。
【００６８】
図１２は、第一実施態様の回路基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１２においては、まず、絶縁層２と導体層３Ｘとを有する積層部材を準備する（図１２（ａ））。次に、導体層３Ｘの表面にドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）をラミネートし、露光、現像を行うことにより、レジストパターン６を形成する（図１２（ｂ））。次に、レジストパターンから露出する導体層６をウェットエッチングし、第一配線部３ａを形成する（図１２（ｃ））。この際、深さ方向において絶縁層２が露出し、かつ、幅方向においてレジストパターン６の裏面が露出するようにウェットエッチングを行う。その後、レジストパターン６を残した状態で、第一配線部３ａの側面に、めっき法により第二配線部３ｂを形成する（図１２（ｄ））。最後に、レジストパターン６を除去して、回路基板２０を得る（図１２（ｅ））。
【００６９】
第一実施態様によれば、第一配線部を形成し、その後のめっき法により第二配線部を形成することで、配線間隔を狭くすることができ、配線層の微細化に適した回路基板を得ることができる。また、レジストパターンを残した状態で第二配線部を形成することにより、第一配線部および第二配線部の頂面の位置が一致した回路基板を得ることができる。また、レジストパターンの裏面には、存在していた導体層の凹凸が転写されていることから、めっきの種類（光沢、無光沢）によらず、エッチングされた導体層の表面を第二配線部で再現することができる。
以下、第一実施態様の回路基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００７０】
（１）第一配線部形成工程
第一実施態様における第一配線部形成工程は、上記配線層を形成するための導体層の表面にレジストパターンを形成し、上記レジストパターンから露出する上記導体層を、上記レジストパターンの裏面が露出するようにウェットエッチングし、第一配線部を形成する工程である。
【００７１】
第一実施態様における絶縁層および導体層については、上述した「Ａ．回路基板」に記載した内容と同様である。また、導体層は、めっき法（電解めっき法、無電解めっき法）により形成されたものであっても良く、金属箔を絶縁層に張り合わせて形成されたものであっても良い。
【００７２】
第一実施態様に用いられるレジストは、エッチング液に対する耐性を有するものであれば特に限定されるものではないが、通常、感光性レジストである。さらに、感光性レジストとしては、具体的には、アクリル系レジスト、ノボラック系レジスト等を挙げることができる。また、上記レジストは、ドライフィルムレジストであっても良く、液状レジストであっても良い。なお、後述する第二配線部形成工程でシアン浴を用いる場合は、耐薬品性に優れたレジストを用いることが好ましい。
【００７３】
ウェットエッチングに用いられるエッチング液は、導体層の材料に応じて異なるものであるが、例えば導体層の材料が銅である場合、エッチング液として、塩化鉄系エッチング液を用いることができる。
【００７４】
また、第一実施態様においては、導体層に対して、レジストパターンの裏面が露出するようにウェットエッチングする。これにより、図１２（ｄ）に示したように、レジストパターン６の裏面の露出部分に沿って、第二配線部３ｂが形成される。さらに、第一実施態様においては、図４（ａ）に示したように、第一配線部３ａにおける底面および側面のなす角度θ１ｂが大きくなるようにエッチングを行うことが好ましい。電気特性が良好な配線層を得ることができるからである。なお、好ましい角度およびその他の寸法については、上述した図８で説明した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００７５】
また、図１３に示すように、レジストパターン６の裏面の露出部分の幅をＷ３とし、隣り合う第一配線部３ａの配線間隔をＷ１とした場合、Ｗ１およびＷ３は、Ｗ１＞Ｗ３×２を満たすことが好ましい。第二配線部の幅を最大限に大きくしても、短絡が生じないからである。なお、短絡防止の観点からは、Ｗ１＞Ｗ３×２．５を満たすことがより好ましく、Ｗ１＞Ｗ３×３を満たすことがさらに好ましい。
【００７６】
また、本発明における「過剰なウェットエッチング」は、例えば、目的とする設計寸法よりも過剰にウェットエッチングすること、と定義することもできる。例えば、目的とする所定のＬ／Ｓ（ラインアンドスペース）に対してラインの寸法を意図的に小さくした場合は、過剰なウェットエッチングに該当する。具体的には、Ｌ／Ｓ＝２０／２０（μｍ）を目的とする場合は、Ｌを２０μｍよりも小さくすること（例えばＬ／Ｓ＝１５／２５（μｍ））が、過剰なウェットエッチングに該当する。なお、Ｌ／Ｓは、通常、底辺の間隔で検討されるものであることから、ラインの断面形状によらず評価することができる。
【００７７】
また、図１４は、ウェットエッチング時の第一配線部の底部の形状を示す概略平面図である。図１４（ａ）に示すように、ウェットエッチングの初期の段階では、第一配線部３ａの底部形状の直線性が悪い。その後、ある程度エッチングが進むと、図１４（ｂ）に示すように、レジストパターン（図示せず）の形状に対応して、第一配線部３ａの底部形状の直線性が良くなる。このように、第一実施態様においては、第一配線部３ａの底部の形状が、レジストパターンに対応する形状になるまで、ウェットエッチングを行うことが好ましい。
【００７８】
（２）第二配線部形成工程
第一実施態様における第二配線部形成工程は、上記レジストパターンを残した状態で、上記第一配線部の側面に、めっき法により第二配線部を形成する工程である。
【００７９】
第二配線部を形成するめっき法は、電解めっき法であっても良く、無電解めっき法であっても良いが、電解めっき法が好ましい。電解ニッケルめっきとしては、例えばワット浴ニッケルめっき、ジュールニッケルめっき、サチライトニッケルめっき、スルファミン酸浴ニッケルめっき、ウッド浴ニッケルストライクめっき等を挙げることができる。また、電解金めっきとしては、例えばシアン浴金めっき、酸性浴金めっき等を挙げることができる。また、電解銅めっきとしては、例えば硫酸浴銅めっき、ピロリン酸浴銅めっき、シアン浴銅めっき等を挙げることができる。なお、本工程においては、めっき法を２回以上繰り返すことによって、積層構造を有する第二配線部を形成することができる。
【００８０】
第一実施態様においては、上述した第一配線部形成工程および第二配線形成部により、回路基板を得ることができる。ここで、回路基板がサスペンション用基板である場合について、その具体的な製造方法を、図１５を用いて説明する。図１５においては、まず、金属支持部材１Ｘ、絶縁部材２Ｘおよび導体層（導体部材）３Ｘをこの順に有する積層部材を準備する（図１５（ａ））。次に、導体部材３Ｘの表面上に、ＤＦＲをラミネートし、露光および現像を行うことにより、レジストパターン６を形成する（図１５（ｂ））。この際、金属支持部材１Ｘの表面に同様のレジストパターンを形成し、治具孔等を同時に形成しても良い。次に、レジストパターン６から露出する導体部材３Ｘをウェットエッチングし、第一配線部３ａを形成する（図１５（ｃ））。次に、レジストパターン６を残した状態で、第一配線部３ａの側面に、めっき法により第二配線部３ｂを形成し（図１５（ｄ））、次いでレジストパターン６を除去する（図１５（ｅ））。その後、配線層３を覆うカバー層４を形成する（図１５（ｆ））。次に、図示しない箇所の絶縁部材２Ｘをウェットエッチングし、絶縁層２を形成する。次に、同じく図示しない箇所の金属支持部材１Ｘをウェットエッチングすることで、外形加工を行い、金属支持基板１を形成する。これにより、サスペンション用基板を得る（図１５（ｇ））。
【００８１】
また、図１５においては、種々のウェットエッチングを行っているが、ウェットエッチングに用いられるエッチング液は、各材料の特性を考慮して、適宜選択することが好ましい。例えば、金属支持基板にＳＵＳを用いている場合、および、配線層に銅を用いている場合には、エッチング液として、例えば塩化鉄系エッチング液を用いることができる。また、絶縁層およびカバー層にポリイミド樹脂を用いている場合は、エッチング液として、例えばアルカリ系エッチング液（例えば有機アミン化合物および水酸化ナトリウムを含むエッチング液）を用いることができる。
【００８２】
２．第二実施態様
次に、本発明の回路基板の製造方法の第二実施態様について説明する。第二実施態様の回路基板の製造方法は、絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有する回路基板の製造方法であって、上記配線層を形成するための導体層の表面にレジストパターンを形成し、上記レジストパターンから露出する上記導体層を、上記レジストパターンの裏面が露出するようにウェットエッチングし、第一配線部を形成する第一配線部形成工程と、上記レジストパターンを除去した状態で、上記第一配線部の側面および頂面に、めっき法により、上記第一配線部と同一材料の第三配線部を形成する第三配線部形成工程と、を有することを特徴とするものである。
【００８３】
第二実施態様によれば、第一配線部を形成し、その後のめっき法により第三配線部を形成することで、配線間隔を狭くすることができ、配線層の微細化に適した回路基板を得ることができる。なお、第二実施態様の回路基板の製造方法は、レジストパターンを除去した状態で第三配線部を形成すること以外は、第一実施態様の回路基板の製造方法と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００８４】
Ｃ．サスペンション用基板
次に、本発明のサスペンション用基板について説明する。本発明のサスペンション用基板は、上述した回路基板であることを特徴とするものである。なお、サスペンション用基板は、通常、配線層が形成された側とは反対側の絶縁層の表面に、金属支持基板が配置されたものである。
【００８５】
本発明によれば、上述した回路基板を用いることで、配線層の微細化に適したサスペンション用基板とすることができる。なお、サスペンション用基板の具体例については、上述した図１、図２、図１１で説明した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００８６】
Ｄ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするものである。
【００８７】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、配線層の微細化に適したサスペンションとすることができる。
【００８８】
図１６は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図１６に示されるサスペンション４０は、上述したサスペンション用基板２０と、素子実装領域１１が形成されている表面とは反対側のサスペンション用基板２０の表面に備え付けられたロードビーム３０とを有するものである。
【００８９】
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板を有し、通常は、さらにロードビームを有する。サスペンション用基板については、上記「Ｃ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、ロードビームは、一般的なサスペンションに用いられるロードビームと同様のものを用いることができる。
【００９０】
Ｅ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とするものである。
【００９１】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、配線層の微細化に適した素子付サスペンションとすることができる。
【００９２】
図１７は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１７に示される素子付サスペンション５０は、上述したサスペンション４０と、サスペンション４０の素子実装領域１１に実装された素子４１とを有するものである。
【００９３】
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび素子を有するものである。サスペンションについては、上記「Ｄ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、素子実装領域に実装される素子としては、例えば、磁気ヘッドスライダ、アクチュエータ、半導体等を挙げることができる。また、上記アクチュエータは、磁気ヘッドを有するものであっても良く、磁気ヘッドを有しないものであっても良い。
【００９４】
Ｆ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
【００９５】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００９６】
図１８は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１８に示されるハードディスクドライブ６０は、上述した素子付サスペンション５０と、素子付サスペンション５０がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク５１と、ディスク５１を回転させるスピンドルモータ５２と、素子付サスペンション５０の素子を移動させるアーム５３およびボイスコイルモータ５４と、上記の部材を密閉するケース５５とを有するものである。
【００９７】
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｅ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００９８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００９９】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
［実施例１］
ポリイミド樹脂層（絶縁層）の上に、厚さ１２μｍの電解銅層（導体層）を有する積層部材を準備した。次に、電解銅層の表面に、アクリル系のＤＦＲをラミネートし、露光および現像を行い、レジストパターンを形成した。レジストパターンの開口幅は１０μｍであり、ピッチは４０μｍであった。次に、塩化鉄系エッチング液を用いて、レジストパターンから露出する電解銅層をウェットエッチングした。これにより、頂面での幅が５μｍ、底面での幅が１３μｍの第一配線部を形成した。
【０１００】
その後、レジストパターンを残した状態で、第一配線部に給電しながら電解銅めっきを行い、第一配線部の側面に第二配線部を形成した。これにより、頂面での幅が７μｍ、底面での幅が１５μｍの配線層を有する回路基板を得た。第二配線部における底面および側面のなす角度θは、７１．６°であった。また、隣り合う配線層の間隔は１５μｍであった。
【０１０１】
［実施例２］
第二配線部を形成するための電解銅めっきを長時間行ったこと以外は、実施例１と同様にして回路基板を得た。得られた回路基板の配線層は、頂面での幅が１２μｍ、底面での幅が２０μｍであった。また、隣り合う配線層の間隔は１０μｍであった。
［実施例３］
まず、ポリイミド樹脂層（絶縁層）の上に、厚さ１２μｍの電解銅層（導体層）を有する積層部材を準備した。次に、電解銅層の表面に、アクリル系のＤＦＲをラミネートし、露光および現像を行い、レジストパターンを形成した。レジストパターンの開口幅は１０μｍであり、ピッチは４０μｍであった。次に、塩化鉄系エッチング液を用いて、レジストパターンから露出する電解銅層をウェットエッチングした。これにより、頂面での幅が１２μｍ、底面での幅が２０μｍの第一配線部を形成した。次に、第一配線部の断面形状を矩形に近づけるために、さらなるウェットエッチングを行い、頂面での幅が１０μｍ、底面での幅が１５μｍの第一配線部を形成した。
【０１０２】
その後、レジストパターンを残した状態で、第一配線部に給電しながら電解銅めっきを行い、第一配線部の側面に第二配線部を形成した。これにより、頂面での幅が１５μｍ、底面での幅が２０μｍの配線層を有する回路基板を得た。第二配線部における底面および側面のなす角度θは、７８．２°であった。また、隣り合う配線層の間隔は２０μｍであった。
【０１０３】
［実施例４］
第二配線部を形成するための電解銅めっきを長時間行ったこと以外は、実施例３と同様にして回路基板を得た。得られた回路基板の配線層は、頂面での幅が２０μｍ、底面での幅が２５μｍであった。また、隣り合う配線層の間隔は１５μｍであった。
【０１０４】
［実施例５〜８］
レジストパターンを除去した状態で、第一配線部に給電しながら電解銅めっきを行い、第一配線部の頂面および側面に第三配線部を形成したこと以外は、実施例１〜４と同様にして回路基板を得た。
【符号の説明】
【０１０５】
１…金属支持基板、  ２…絶縁層、  ３…配線層、  ３ａ…第一配線部、  ３ｂ…第二配線部、  ４…カバー層、  ５…保護めっき部、  ６…レジストパターン、  ７…ウェットエッチング、  ８…スプレー装置、  １１…素子実装領域、  １２…外部回路基板接続領域、  １３…配線層、  ２０…サスペンション用基板
【図１】
2012023296.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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