(57)【要約】      （修正有）【課題】硬化収縮が小さく、光感度が良好な感光性樹脂組成物、およびこの感光性樹脂組成物を用いた、湿度の変化に対してＰＳＡ変化の小さい金属支持体付回路基板を提供する。【解決手段】（Ａ）成分とともに、（Ｂ）成分および（Ｃ）成分の少なくとも一方を含有する感光性樹脂組成物である。そして、金属支持体と、ベース絶縁層と、配線回路パターンからなる導体層と、カバー絶縁層とを備えた金属支持体付回路基板において、上記ベース絶縁層およびカバー絶縁層の少なくとも一方が、上記感光性樹脂組成物からなる。（Ａ）Ｎ位に炭素数１〜３のアルキル基を置換した１，４−ジヒドロピリジン誘導体。（Ｂ）下記の（ｘ）および（ｙ）。（ｘ）カルボキシル基含有線状重合物。（ｙ）エポキシ樹脂。（Ｃ）カルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の（Ａ）成分とともに、下記の（Ｂ）成分および（Ｃ）成分の少なくとも一方を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
（Ａ）下記の一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体。
【化１】
2012063645.tif 000011
（Ｂ）下記の（ｘ）および（ｙ）。
（ｘ）カルボキシル基含有線状重合物。
（ｙ）エポキシ樹脂。
（Ｃ）カルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物。
【請求項２】
上記一般式（１）において、Ｒ1がＣ2Ｈ5であり、かつＲ2およびＲ3がＣＨ3である請求項１記載の感光性樹脂組成物。
【請求項３】
感光性樹脂組成物硬化体の２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１〜１．０ＧＰａである請求項１または２記載の感光性樹脂組成物。
【請求項４】
金属支持体と、上記金属支持体上に設けられたベース絶縁層と、上記ベース絶縁層上に設けられた所定の配線回路パターンからなる導体層と、上記導体層を被覆するように導体層上に設けられたカバー絶縁層とを備えた金属支持体付回路基板であって、上記ベース絶縁層およびカバー絶縁層の少なくとも一方が、請求項１〜３のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物からなることを特徴とする金属支持体付回路基板。
【請求項５】
金属支持体と、上記金属支持体上に設けられたベース絶縁層と、上記ベース絶縁層上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第１の導体層と、上記第１の導体層を被覆するように第１の導体層上に設けられた第１のカバー絶縁層と、上記第１のカバー絶縁層上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第２の導体層と、上記第２の導体層を被覆するように第２の導体層上に設けられた第２のカバー絶縁層とを備えた金属支持体付回路基板であって、上記ベース絶縁層，第１のカバー絶縁層および第２のカバー絶縁層からなる層のうちの少なくとも一つの層が、請求項１〜３のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物からなることを特徴とする金属支持体付回路基板。
【請求項６】
上記金属支持体付回路基板が、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板である請求項４または５記載の金属支持体付回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、硬化収縮が小さく、光感度に優れた感光性樹脂組成物、およびそれを用いた金属支持体付回路基板、ならびに金属支持体付回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、感光性樹脂組成物と呼ばれるものが、半導体バッファーコート材料、回路基板用表面保護材料、回路基板用層間絶縁材料、光導波路、液晶表示装置に用いるカラーフィルター用カラーレジスト・ブラックレジスト・オーバーコート材、液晶セルギャップ調整材、インクジェットプリンターヘッドの流路形成部材料等様々な用途に用いられている。
【０００３】
上記感光性樹脂組成物の主な構成材料としては、通常、硬化・架橋が可能なモノマーやポリマーと、感光剤等があげられる。上記感光剤としては、例えば、光照射によってラジカルを発生する光ラジカル発生剤や、光照射によって酸を生成する光酸発生剤が用いられている。上記光ラジカル発生剤は、主として多官能アクリルモノマー等のアクリロイル基やメタクリロイル基を持つ化合物の光硬化の開始剤に用いられ、硬化速度が速いが、空気中の酸素によって硬化が阻害される、また硬化収縮が大きい等の欠点がある。一方、上記光酸発生剤は、多官能エポキシ化合物やビニルエーテル系化合物の光硬化の開始剤として用いられ、これを用いた硬化系は酸素の阻害を受けることはないが、材料系中に残存する酸が金属材料の腐食を引き起こす等、用途によっては使用が困難な場合がある。
【０００４】
このような問題を解決するという観点から、光照射によってアミンのような塩基性物質を発生する光塩基発生剤を用いた光硬化系が近年注目されている。上記光塩基発生剤を用いた硬化系は酸素の阻害を受けにくく、また、材料系中に残存した光塩基発生剤は金属材料の腐食を引き起こす可能性が低い等の利点を有している。しかし、光感度が低い、光塩基発生剤自身の耐熱性が劣る等の問題を有しているのが現状である。
【０００５】
上記光塩基発生剤として、１，４−ジヒドロピリジン誘導体が、光感度、耐熱性が比較的高く、先に述べたような用途に使用することが考えられる。例えば、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸に上記１，４−ジヒドロピリジン誘導体を配合した感光性樹脂組成物がすでにいくつか提案されている（特許文献１〜８参照）。しかし、上記感光性樹脂組成物は、マトリックス成分としてポリアミド酸を用いていることから、硬化に際して２５０℃以上の高温が必要となり、その用途が限定されることとなる。
【０００６】
また、エポキシ基含有化合物に、ある特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体を適用した感光性樹脂組成物が提案されている（特許文献９〜１２）。しかし、本発明のような技術分野等において実用的な光感度を得るためには、高価な１，４−ジヒドロピリジンを多量に含有させる必要がある等の問題があった。
【０００７】
一方、近年、ハードディスクドライブ（以下、「ＨＤＤ」ともいう）の大容量化および情報伝達速度の高速化が要望されるようになっている。このようなＨＤＤは、薄膜の磁気ヘッド（ＭＲＨ）と呼ばれる部品と、この磁気ヘッドを支持する回路付サスペンション基板と呼ばれる部品とを備えている。そして、上記ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板は、磁気ヘッドを支持するサスペンション基板に、この磁気ヘッドとリード・ライト基板とを接続するための配線回路パターンが一体的に形成されている配線回路基板である。すなわち、上記回路付サスペンション基板は、例えば、ステンレス箔等の金属製基材の上にポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を有し、その上に銅製導体層からなる所定のパターン回路が薄膜として形成され、さらに、その上に端子が形成され、この端子を除く全表面が、カバー絶縁層（被覆層）によって被覆保護されるよう形成されている（例えば、特許文献１３参照）。そして、上記回路付サスペンション基板は、上記磁気ヘッドと記録媒体である磁気ディスクとが相対的に走行するときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持して、磁気ヘッドの良好な浮上姿勢を得ることができることから、近年、広く普及している。
【０００８】
このような回路付サスペンション基板には、通常、その先端部に磁気ヘッドを搭載するスライダーが設けられるが、磁気ディスクに対するスライダーの浮上姿勢（角度）を精密に調整することが求められる。
【０００９】
そして、近年では、磁気ディスクの記録密度向上に伴い、磁気ディスクに対するスライダーのＰＳＡ（pitch static attitude：姿勢角）を、より精密に調整することが求められ、温度および湿度の変化によるＰＳＡの変化をできるだけ小さくすることが要望されている。
【００１０】
一般に、温度変化に伴うスライダーのＰＳＡの変化を抑えるためには、金属製基材および導体層の熱膨張係数と、ベース絶縁層およびカバー絶縁層の熱膨張係数を近づけることが行われる。同様に、湿度変化に伴うスライダーのＰＳＡの変化を抑えるためには金属支持層および導体層の湿度膨張係数と、ベース絶縁層およびカバー絶縁層の湿度膨張係数を近づけることが行われる。
【００１１】
しかしながら、ベース絶縁層およびカバー絶縁層の熱膨張係数と湿度膨張係数を、同時に金属製基材および導体層のそれに近づけることは極めて困難である。特に、金属製基材および導体層の湿度膨張係数は実質的に０であることから、ベース絶縁層およびカバー絶縁層の湿度膨張係数を金属製基材および導体層の湿度膨張係数に近づけることは非常に困難となる。このため、ベース絶縁層およびカバー絶縁層の湿度膨張係数を金属製基材および導体層のそれに近づけようとすると、感光性等のその他必要特性を犠牲にしなければならないのが現状である（例えば、特許文献１４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平５−２８１７１７号公報
【特許文献２】特開平７−１３４４１７号公報
【特許文献３】特開平７−２７１０３４号広報
【特許文献４】特開平１０−３９５１０号公報
【特許文献５】特開２００２−１４８８０４号公報
【特許文献６】特開２００３−２４８３１１号公報
【特許文献７】特開２００５−２６６０７５号公報
【特許文献８】特開２００６−２８５１９３６号公報等
【特許文献９】特開２００３−２０３３９号公報
【特許文献１０】特開２００３−２１８９８号公報
【特許文献１１】特開２００３−４８９５６号公報
【特許文献１２】特開２００９−１６７３８１号公報
【特許文献１３】特開平１０−２６５５７２号公報
【特許文献１４】特開２００８−３１０９４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
このように、温度変化や湿度変化に伴うスライダーのＰＳＡの変化を抑制することのできる、とりわけ湿度変化に対しＰＳＡ変化の小さい回路付サスペンション基板が望まれているのが実情である。
【００１４】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、硬化収縮が小さく、光感度が良好な感光性樹脂組成物、および、この感光性樹脂組成物を用いることにより、湿度の変化に対してＰＳＡ変化の小さい金属支持体付回路基板の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の目的を達成するために、本発明は、下記の（Ａ）成分とともに、下記の（Ｂ）成分および（Ｃ）成分の少なくとも一方を含有する感光性樹脂組成物を第１の要旨とする。
（Ａ）下記の一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体。
【化１】
2012063645.tif 000002
（Ｂ）下記の（ｘ）および（ｙ）。
（ｘ）カルボキシル基含有線状重合物。
（ｙ）エポキシ樹脂。
（Ｃ）カルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物。
【００１６】
そして、本発明は、金属支持体と、上記金属支持体上に設けられたベース絶縁層と、上記ベース絶縁層上に設けられた所定の配線回路パターンからなる導体層と、上記導体層を被覆するように導体層上に設けられたカバー絶縁層とを備えた金属支持体付回路基板であって、上記ベース絶縁層およびカバー絶縁層の少なくとも一方が、上記感光性樹脂組成物からなる金属支持体付回路基板を第２の要旨とする。
【００１７】
また、本発明は、金属支持体と、上記金属支持体上に設けられたベース絶縁層と、上記ベース絶縁層上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第１の導体層と、上記第１の導体層を被覆するように第１の導体層上に設けられた第１のカバー絶縁層と、上記第１のカバー絶縁層上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第２の導体層と、上記第２の導体層を被覆するように第２の導体層上に設けられた第２のカバー絶縁層とを備えた金属支持体付回路基板であって、上記ベース絶縁層，第１のカバー絶縁層および第２のカバー絶縁層からなる層のうちの少なくとも一つの層が、上記感光性樹脂組成物からなる金属支持体付回路基板を第３の要旨とする。
【００１８】
すなわち、本発明者は、上記のように硬化収縮が小さく、光感度が良好な感光性樹脂組成物を得るために一連の研究を重ねた。その研究の過程で、上記特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体〔（Ａ）成分〕とともに、カルボキシル基含有線状重合物（ｘ）およびエポキシ樹脂（ｙ）を併せて用い含有する、あるいは上記特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体〔（Ａ）成分〕とともにカルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物〔（Ｃ）成分〕を含有する感光性樹脂組成物を用いる、または上記（Ａ）成分とともに上記（Ｂ）成分および（Ｃ）成分の両者を併用すると、硬化収縮が小さく、光感度が良好なものが得られることを突き止めた。そして、この感光性樹脂組成物を、金属支持体付回路基板のベース絶縁層やカバー絶縁層の形成材料として用いると、湿度の変化に対してＰＳＡ変化の小さい金属支持体付回路基板が得られることを見出し本発明に到達した。
【発明の効果】
【００１９】
このように、本発明は、前記一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体〔（Ａ）成分〕とともに、カルボキシル基含有線状重合物（ｘ）およびエポキシ樹脂（ｙ）〔（Ｂ）成分〕、および、カルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物〔（Ｃ）成分〕の少なくとも一方を含有する感光性樹脂組成物である。このため、光感度が良好で、これを用いて金属支持体付回路基板のベース絶縁層やカバー被覆層を形成した場合、硬化収縮が小さいものが得られる。
【００２０】
そして、本発明では、金属支持体と、上記金属支持体上に設けられたベース絶縁層と、上記ベース絶縁層上に設けられた所定の配線回路パターンからなる導体層と、上記導体層を被覆するように導体層上に設けられたカバー絶縁層とを備えた金属支持体付回路基板において、上記ベース絶縁層およびカバー絶縁層の少なくとも一方が、上記感光性樹脂組成物からなる。または、金属支持体と、上記金属支持体上に設けられたベース絶縁層と、上記ベース絶縁層上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第１の導体層と、上記第１の導体層を被覆するように第１の導体層上に設けられた第１のカバー絶縁層と、上記第１のカバー絶縁層上に設けられた所定の配線回路パターンからなる第２の導体層と、上記第２の導体層を被覆するように第２の導体層上に設けられた第２のカバー絶縁層とを備えた金属支持体付回路基板において、上記ベース絶縁層，第１のカバー絶縁層および第２のカバー絶縁層からなる層のうちの少なくとも一つの層が、上記感光性樹脂組成物からなる。このように、本発明の金属支持体付回路基板は、上記感光性樹脂組成物を用いてベース絶縁層およびカバー被覆層が形成されることから、硬化収縮が小さく、湿度の変化に対してＰＳＡ変化の小さい信頼性に優れたものが得られる。したがって、本発明の金属支持体付回路基板は、例えば、ＨＤＤ等の磁気ヘッド用の回路付サスペンション基板等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の一例を示す斜視図である。
【図２】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の製法を模式的に示す説明図である。
【図３】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の製法を模式的に示す説明図である。
【図４】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の製法を模式的に示す説明図である。
【図５】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の製法を模式的に示す説明図である。
【図６】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の製法を模式的に示す説明図である。
【図７】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の製法を模式的に示す説明図である。
【図８】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の製法を模式的に示す説明図である。
【図９】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の製法を模式的に示す説明図である。
【図１０】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の製法を模式的に示す説明図である。
【図１１】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の製法を模式的に示す説明図である。
【図１２】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の製法を模式的に示す説明図である。
【図１３】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の製法を模式的に示す説明図である。
【図１４】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の製法を模式的に示す説明図である。
【図１５】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の製法を模式的に示す説明図である。
【図１６】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の製法を模式的に示す説明図である。
【図１７】本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付サスペンション基板の製法を模式的に示す説明図である。
【図１８】（ａ）は実施例にて作製した評価用回路付サスペンション基板のＲＳＡ変化測定に用いる試料の平面図であり、（ｂ）はその試料の断面図である。
【図１９】（ａ）は実施例にて作製した評価用回路付サスペンション基板のＲＳＡ変化の測定方法を示す側面図であり、（ｂ）はその測定方法を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
つぎに、本発明を実施するための形態について説明する。ただし、本発明は、この実施の形態に限られるものではない。
【００２３】
＜感光性樹脂組成物＞
本発明の感光性樹脂組成物は、三つの態様（α）、（β）、（γ）に大別される。態様（α）は、特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）と、カルボキシル基含有線状重合物（ｘ）と、エポキシ樹脂（ｙ）とを用いて得られる感光性樹脂組成物である。また、態様（β）は、特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）と、カルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物（Ｃ）とを用いて得られる感光性樹脂組成物である。そして、態様（γ）は、特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）と、カルボキシル基含有線状重合物（ｘ）と、エポキシ樹脂（ｙ）と、カルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物（Ｃ）を用いて得られる感光性樹脂組成物である。中でも、コスト面等を考慮した場合、上記態様（α），（β）が好ましい。
【００２４】
まず、態様（α）について述べる。
〈態様（α）〉
態様（α）における感光性樹脂組成物は、特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）と、カルボキシル基含有線状重合物（ｘ）と、エポキシ樹脂（ｙ）とを用いて得られる。
【００２５】
上記特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）は、下記の一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体である。
【００２６】
【化２】
2012063645.tif 000003
【００２７】
なかでも、他の成分との相溶性、および良好な光感度が得られる点から、上記式（１）において、Ｒ1＝Ｃ2Ｈ5で、Ｒ2およびＲ3＝ＣＨ3であるものが特に好ましい。
【００２８】
上記一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体は、例えば、置換ベンズアルデヒドと、その２倍モル量のアルキルプロピオレート（プロパルギル酸アルキルエステル）と、相当する第１級アミンとを氷酢酸中にて還流下、反応させることによって得ることができる（Khim. Geterotsikl. Soed., pp. 1067-1071, 1982)。
【００２９】
そして、この特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）は、光を照射することより塩基性が増す性質を持っており、光照射部分において、カルボキシル基とエポキシ基の反応促進剤として機能するもので、光照射後の加熱工程により、光照射部分と未照射部分において、カルボキシル基とエポキシ基の反応率に差を持たせることにより、現像液に対する溶解性の差を利用して所望の画像を形成させる機能を発揮する。
【００３０】
本発明の感光性樹脂組成物において、上記式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）の含有量は、感光性樹脂組成物全体中０．１〜２０重量％であることが好ましい。特に好ましくは０．２〜１８重量％である。すなわち、含有量が少な過ぎると、充分な光感度が得られ難く、含有量が多過ぎると、他成分との相溶性が悪くなってこの成分（Ａ）が析出したり、現像液に対する溶解性に劣る傾向がみられるからである。
【００３１】
つぎに、上記特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）とともに用いられる上記カルボキシル基含有線状重合物（ｘ）としては、例えば、重合物のカルボン酸当量を容易に制御できることや原料モノマーの種類が豊富であるためガラス転移温度（Ｔｇ）等の物性設計が容易であるという点から、カルボキシル基含有エチレン性不飽和化合物を含むエチレン性不飽和化合物の線状重合物が好ましく用いられる。
【００３２】
上記カルボキシル基含有エチレン性不飽和化合物としては、例えば、（メタ）アクリル酸やカルボキシル含有スチレン誘導体、無水マレイン酸等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００３３】
また、上記カルボキシル基含有エチレン性不飽和化合物以外のエチレン性不飽和化合物としては、例えば、（メタ）アクリル酸のアルキルエステル、（メタ）アクリル酸の環状アルキルエステル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシルエステル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、フェノキシエチルアクリレート、スチレン、α−スチレン、ビニルトルエン、Ｎ−ビニルピロリドン、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、Ｎ−フェニルマレイミド、シクロヘキシルマレイミド等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００３４】
上記カルボキシル基含有線状重合物（ｘ）のカルボン酸当量は、例えば、３００〜１３００の範囲であることが好ましく、より好ましくは３５０〜１２００、特に好ましくは４００〜１１００の範囲である。すなわち、カルボン酸当量が小さ過ぎると、硬化物の架橋点密度が高くなることに起因するため、破断伸び率が大きくならないという傾向がみられ、カルボン酸当量が大き過ぎると、現像液に対する溶解性が悪くなる傾向がみられるからである。
【００３５】
また、上記カルボキシル基含有線状重合物（ｘ）の重量平均分子量は、５０００〜１０００００の範囲であることが好ましく、より好ましくは６０００〜９００００、特に好ましくは７０００〜８００００の範囲である。すなわち、重量平均分子量が小さ過ぎると、硬化前に形成された膜が割れやすくなる傾向がみられ、重量平均分子量が大き過ぎると、現像液に対する溶解性が悪くなる傾向がみられるからである。なお、上記重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）のポリスチレン換算により測定される。
【００３６】
上記カルボキシル基含有線状重合物（ｘ）を製造方法としては、例えば、つぎに示す方法があげられる。すなわち、カルボキシル基含有線状重合物を得るための原料モノマー成分と、アゾビスイソブチロニトリル等のラジカル発生剤をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の有機溶媒中において窒素導入下で共重合させることにより得ることができる。
【００３７】
そして、上記カルボキシル基含有線状重合物（ｘ）の含有量は、感光性樹脂組成物全体中１５〜９５重量％であることが好ましい。特に好ましくは２０〜９０重量％である。すなわち、含有量が少な過ぎると、アルカリ現像性が悪化する傾向がみられ、含有量が多過ぎると、耐熱性や耐薬品性が悪化する傾向がみられるからである。
【００３８】
上記特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）およびカルボキシル基含有線状重合物（ｘ）とともに用いられる前記エポキシ樹脂（ｙ）は、上記カルボキシル基含有線状重合物（ｘ）のカルボキシル基と反応して画像形成能を発揮するとともに３次元架橋することにより得られる硬化物の耐熱性等諸物性を向上させる役割を有するものである。このようなエポキシ樹脂（ｙ）としては、感光性樹脂組成物の用途により適宜選択されるが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、モノグリシジルイソシアヌレート、ジグリシジルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレート、ヒダントインエポキシ樹脂等の含窒素環エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００３９】
上記エポキシ樹脂（ｙ）の分子量としては、１００〜５０００であることが好ましく、より好ましくは１２０〜４０００である。すなわち、分子量が小さ過ぎると、熱硬化工程における揮発が発生しやすくなり、汚染等の問題が発生しやすくなる傾向がみられ、分子量が大き過ぎると、現像液に対する溶解性に劣る傾向がみられるからである。
【００４０】
上記エポキシ樹脂（ｙ）の含有量は、感光性樹脂組成物全体中５〜８５重量％であることが好ましい。特に好ましくは１０〜８０重量％である。すなわち、含有量が少な過ぎると、耐熱性や耐熱性が悪化する傾向がみられ、含有量が多過ぎると、アルカリ現像性が悪化する傾向がみられるからである。
【００４１】
本発明の態様（α）における感光性樹脂組成物には、上記各成分以外に必要に応じて、他の添加剤、すなわち、フタロシアニングリーン，フタロシアニンブルー等の顔料、シリカ，硫酸バリウム，タルク等の充填剤、消泡剤、レベリング剤、難燃剤、安定剤、２−アミノ−５−メルカプト−１，３，４−チアジアゾールや５−アミノ−１−Ｈ−テトラゾール等の密着性付与剤、ベンゾトリアゾール等の防錆剤、等を適宜配合することができる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００４２】
そして、これら他の添加剤は、感光性樹脂組成物全体の０．０１〜３０重量％の範囲となるよう用いることが好ましい。
【００４３】
つぎに、本発明の感光性樹脂組成物の他の態様となる態様（β）について述べる。
〈態様（β）〉
態様（β）における感光性樹脂組成物は、特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）と、カルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物（Ｃ）とを用いて得られる。
【００４４】
上記特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）としては、前述の態様（α）にて述べた前記一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体と同様のものが用いられる。また、その製造方法に関しても前述の態様（α）と同様である。
【００４５】
上記一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）の含有量は、前記態様（α）と同様、感光性樹脂組成物全体中０．１〜２０重量％であることが好ましい。特に好ましくは０．２〜１８重量％である。すなわち、含有量が少な過ぎると、充分な光感度が得られ難く、含有量が多過ぎると、他成分との相溶性が悪くなってこの成分（Ａ）が析出したり、現像液に対する溶解性に劣る傾向がみられるからである。
【００４６】
上記特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）とともに用いられるカルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物（Ｃ）は、前述のカルボキシル基含有線状重合物（ｘ）とエポキシ樹脂（ｙ）の混合系よりも室温付近での保存安定性に優れるという特性を備えている。これは、上記エポキシ樹脂（ｙ）は比較的低分子量であるために移動しやすく、カルボキシル基含有線状重合物（ｘ）のカルボキシル基に近づきやすいが、上記カルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物（Ｃ）は、後述のとおり比較的高分子量であるために、移動しづらく、カルボキシル基とエポキシ基の反応が進みにくいことが一因であると推測される。
【００４７】
上記カルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物（Ｃ）は、同一分子中にカルボキシル基とエポキシ基を各々１つ以上有する線状重合物である。上記線状重合物（Ｃ）としては、例えば、カルボキシル基含有エチレン性不飽和化合物、エポキシ基含有エチレン性不飽和化合物、および、カルボキシル基およびエポキシ基を持たないエチレン性不飽和化合物からなる共重合物を用いることが、重合の容易さ、ガラス転移温度（Ｔｇ）等の物性調整が容易であるという点から好ましい。
【００４８】
上記カルボキシル基含有エチレン性不飽和化合物としては、例えば、（メタ）アクリル酸、カルボキシル基含有スチレン誘導体等があげられる。
【００４９】
上記エポキシ基含有エチレン性不飽和化合物としては、例えば、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレート等があげられる。
【００５０】
上記カルボキシル基およびエポキシ基を持たないエチレン性不飽和化合物としては、例えば、（メタ）アクリル酸のアルキルエステル、（メタ）アクリル酸の環状アルキルエステル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシルエステル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、フェノキシエチルアクリレート、スチレン、α−スチレン、ビニルトルエン、Ｎ−ビニルピロリドン、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、Ｎ−フェニルマレイミド、シクロヘキシルマレイミド等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００５１】
上記カルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物（Ｃ）のカルボン酸当量は、例えば、３００〜１３００の範囲であることが好ましく、より好ましくは３５０〜１２００、特に好ましくは３５０〜１１００の範囲である。すなわち、カルボン酸当量が小さ過ぎると、硬化物の架橋点密度が高くなることに起因するためか破断伸び率が大きくならない傾向がみられ、カルボン酸当量が大き過ぎると、現像液に対する溶解性が悪くなる傾向がみられるからである。
【００５２】
また、上記カルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物（Ｃ）のエポキシ当量は、例えば、２００〜１３００の範囲であることが好ましく、より好ましくは２５０〜１２００、特に好ましくは３００〜１１００の範囲である。すなわち、エポキシ当量が小さ過ぎると、硬化物の架橋点密度が高くなることに起因するためか破断伸び率が大きくならない傾向がみられ、エポキシ当量が大き過ぎると、架橋点密度が低くなることに起因して耐薬品性等に劣る傾向がみられるからである。
【００５３】
また、上記カルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物（Ｃ）の重量平均分子量は、例えば、５０００〜１０００００の範囲であることが好ましく、より好ましくは６０００〜９００００、特に好ましくは７０００〜８００００の範囲である。すなわち、重量平均分子量が小さ過ぎると、硬化前の膜が割れやすくなる傾向がみられ、重量平均分子量が大き過ぎると、現像液に対する溶解性が悪くなる傾向がみられるからである。なお、上記重量平均分子量は、前述と同様、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）のポリスチレン換算により測定される。
【００５４】
上記カルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物（Ｃ）の含有量は、感光性樹脂組成物全体中４０〜９９．９重量％であることが好ましい。特に好ましくは４５〜９９．８重量％である。すなわち、含有量が少な過ぎると、アルカリ現像性，耐熱性，耐薬品性が悪化する傾向がみられ、含有量が多過ぎると、光感度が悪化する傾向がみられるからである。
【００５５】
本発明の態様（β）における感光性樹脂組成物には、前記態様（α）と同様、上記各成分以外に必要に応じて、他の添加剤、すなわち、フタロシアニングリーン，フタロシアニンブルー等の顔料、シリカ，硫酸バリウム，タルク等の充填剤、消泡剤、レベリング剤、難燃剤、安定剤、２−アミノ−５−メルカプト−１，３，４−チアジアゾールや５−アミノ−１−Ｈ−テトラゾール等の密着性付与剤、ベンゾトリアゾール等の防錆剤、等を適宜配合することができる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００５６】
そして、これら他の添加剤は、感光性樹脂組成物全体の０．０１〜３０重量％の範囲となるよう用いることが好ましい。
【００５７】
つぎに、本発明の感光性樹脂組成物のさらに他の態様となる態様（γ）について述べる。
〈態様（γ）〉
態様（γ）における感光性樹脂組成物は、特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）と、カルボキシル基含有線状重合物（ｘ）およびエポキシ樹脂（ｙ）〔Ｂ〕と、カルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物（Ｃ）とを用いて得られる。
【００５８】
上記特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）としては、前述の態様（α），（β）にて述べた前記一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体と同様のものが用いられる。また、その製造方法に関しても前述の態様（α），（β）と同様である。
【００５９】
上記一般式（１）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）の含有量は、前記態様（α），（β）と同様、感光性樹脂組成物全体中０．１〜２０重量％であることが好ましい。特に好ましくは０．２〜１８重量％である。すなわち、含有量が少な過ぎると、充分な光感度が得られ難く、含有量が多過ぎると、他成分との相溶性が悪くなってこの成分（Ａ）が析出したり、現像液に対する溶解性に劣る傾向がみられるからである。
【００６０】
上記特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）とともに用いられる上記カルボキシル基含有線状重合物（ｘ）としては、前述の態様（α）にて述べたカルボキシル基含有線状重合物（ｘ）と同様のものが用いられる。
【００６１】
さらに、上記エポキシ樹脂（ｙ）も、前述の態様（α）にて述べたエポキシ樹脂（ｙ）と同様のものが用いられる。
【００６２】
上記特定の１，４−ジヒドロピリジン誘導体（Ａ）とともに用いられるカルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物（Ｃ）においても、前述の態様（β）にて述べたカルボキシル基およびエポキシ基を有する線状重合物（Ｃ）と同様のものが用いられる。
【００６３】
本発明の態様（γ）における感光性樹脂組成物には、前記態様（α），（β）と同様、上記各成分以外に必要に応じて、他の添加剤、すなわち、フタロシアニングリーン，フタロシアニンブルー等の顔料、シリカ，硫酸バリウム，タルク等の充填剤、消泡剤、レベリング剤、難燃剤、安定剤、２−アミノ−５−メルカプト−１，３，４−チアジアゾールや５−アミノ−１−Ｈ−テトラゾール等の密着性付与剤、ベンゾトリアゾール等の防錆剤、等を適宜配合することができる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００６４】
そして、これら他の添加剤は、感光性樹脂組成物全体の０．０１〜３０重量％の範囲となるよう用いることが好ましい。
【００６５】
本発明の感光性樹脂組成物は、上記各成分を所定の含有量となるように配合し混合することにより得られる。
【００６６】
そして、本発明の感光性樹脂組成物は、その用途等必要に応じて有機溶剤と混合して溶液に調製し用いることができる。上記有機溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ソルベントナフサ、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、ブチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、トルエン、キシレン、メシチレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の溶剤があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００６７】
上記有機溶剤は、例えば、感光性樹脂組成物１００重量部に対して０〜２００重量部程度混合して用いることができる。
【００６８】
このようにして得られる本発明の感光性樹脂組成物としては、硬化させた後の硬化体の２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１〜１．０ＧＰａであることが好ましい。より好ましくは０．１５〜０．９ＧＰａ、特に好ましくは０．２〜０．８ＧＰａである。すなわち、引張貯蔵弾性率が小さ過ぎると、例えば、絶縁層の場合、その表面が他の物質と密着しやすくなるため取扱い性に劣る傾向がみられ、引張貯蔵弾性率が大き過ぎると、例えばＰＳＡ変化を抑える効果が小さくなる傾向がみられるからである。
【００６９】
このように、２５℃における引張貯蔵弾性率が上記範囲となる本発明の感光性樹脂組成物を、例えば、回路付きサスペンション基板等の金属支持体付回路基板を構成する各絶縁層に用いると、湿度変化に対しＰＳＡが安定するという効果に加えて、酸素による硬化阻害が発生することなく、小さい露光量で画像形成が可能となり、硬化収縮が小さく、２５０℃以上のような高温で硬化させる必要がなく、その結果、金属に対する腐食作用が抑制されるという効果が得られる。
【００７０】
なお、上記２５℃における引張貯蔵弾性率は、例えば、つぎのようにして測定される。すなわち、感光性樹脂組成物からなるフィルムを作製し、このフィルムを幅５ｍｍ×長さ２５ｍｍに切断し、測定用試料を作製する。そして、上記試料を用いて、粘弾性測定装置（ＲＳＡ−ＩＩＩ、Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ  Ｓｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）により、２５℃下、昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚ、０〜５０℃の範囲で測定される。
【００７１】
本発明の感光性樹脂組成物は、例えば、金属支持体付回路基板を構成するベース絶縁層およびカバー絶縁層の少なくとも一方の形成材料として用いることができる。特に、金属支持体付回路基板の諸物性を考慮した場合、ベース絶縁層およびカバー絶縁層の両層とも本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。
【００７２】
〈金属支持体付回路基板〉
つぎに、ベース絶縁層およびカバー絶縁層の両層とも本発明の感光性樹脂組成物を用いてなる、金属支持体付回路基板の製造工程の一例を以下に示す。
【００７３】
まず、本発明の感光性樹脂組成物を準備し、コンマコート法やファウンテンコート法によって、この感光性樹脂組成物を金属支持体表面に塗布し、乾燥させて被膜を形成する。乾燥後の膜厚は、好ましくは２〜２０μｍ、特に好ましくは３〜１５μｍとなるように塗布する。
【００７４】
上記塗布した塗膜を乾燥（例えば、好ましくは６０〜１５０℃、より好ましくは８０〜１２０℃で１０分程度）して被膜を形成した後に、所定形状パターンのフォトマスクを介して紫外線照射等の活性光線によって露光を行ない、露光後、通常８０〜２００℃、好ましくは９０〜１５０℃の温度で約１〜２０分間加熱する（露光後加熱処理）。その後、未照射部分を除去すべく浸漬法やスプレー法、パドル法等を用いて現像処理を行ない、未照射部分を除去する。上記現像処理に用いる現像液としては、露光膜の未照射部を適当な時間内にて完全に溶解除去できるものが好ましく、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ性水溶液、またはプロピルアミン、ブチルアミン、モノエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、コリン等の有機アルカリ性水溶液等を単独もしくは２種以上混合して用いる。また、上記アルカリ性水溶液には必要に応じてアルコール類等の溶解調整剤や、各種界面活性剤を含有させることもできる。また、現像温度は、２５±１０℃程度の室温近傍でもよく、必要に応じて加温してもよい。
【００７５】
上記露光に際して使用される活性光線としては、紫外線や電子線等の活性光線を用いることができる。また、活性光線の光源としては、各種光源、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線を有効に照射するものが用いられる。また、写真用フラッド電球、太陽ランプ等の可視光を有効に照射するものも用いられる。
【００７６】
そして、活性光線の照射条件としては、例えば、露光波長は、通常、２００〜４５０ｎｍ、より好ましくは２４０〜４２０ｎｍの範囲であり、露光量は、通常、５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2、好ましく１００〜１５００ｍＪ／ｃｍ2の範囲である。
【００７７】
そして、上記現像した後、リンス液で洗浄することにより所望のネガ型パターンを有する画像が形成され、このパターン被膜を１２０〜２５０℃で１〜１８０分間程度かけて加熱硬化する。このようにして金属支持体上に所定パターンのベース絶縁層が形成される。つぎに、上記ベース絶縁層上に、セミアディティブ法等公知のパターンニング法に準じて配線回路パターンからなる導体層を形成する。ついで、上記導体層上に、上記ベース絶縁層の形成方法と同様、先に述べた方法に従い本発明の感光性樹脂組成物からなる被膜を形成した後、上記被膜に所定パターンを有するフォトマスクを介して活性光線の照射を行ない露光して加熱処理を行なう（露光後加熱処理）。つぎに、現像液を用いて未露光部分を除去することにより、ネガ型のパターンを形成することにより上記導体層上に所定パターンのカバー絶縁層を形成する。このようにして金属支持体付回路基板を製造することができる。
【００７８】
上記導体層形成時におけるセミアディティブ法とは、一般的に、樹脂層（絶縁層）全面への無電解金属めっきによる析出後、配線パターン部分のみ電解めっき、エッチング、またはその両者を併用して、電気的に分離している導体パターンの導体厚み全体を得るアディティブ法のことであり、より具体的には、特開２００１−３５０２７２号公報に記載のように、ベース層となる絶縁層上に下地となる導体の薄膜を形成し、ついで、この下地の上に、所定パターンの逆パターンでめっきレジストを形成した後、下地におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、所定パターンの配線回路パターンとして導体層を形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた下地を除去する。このようにして配線回路パターンである導体層を形成する方法である。
【００７９】
また、本発明の金属支持体付回路基板における上記金属支持体としては、例えば、ステンレス箔、アルミニウム箔、４２アロイ箔、その他各種合金箔等があげられる。また、上記導体層形成材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだまたはこれらの合金等の導電性を有する各種金属材料があげられる。
【００８０】
上記金属支持体の厚みは、通常、５〜３０μｍ、好ましくは１５〜２５μｍに設定される。また、上記導体層の厚みは、通常、３〜２５μｍ、好ましくは５〜２０μｍに設定される。さらに、上記ベース絶縁層およびカバー絶縁層の各厚みはそれぞれ、通常、２〜２０μｍ、好ましくは３〜１５μｍに設定される。
【００８１】
さらに、本発明の感光性樹脂組成物を用いた多層回路基板となる金属支持体付回路基板について述べる。
【００８２】
この多層回路基板である金属支持体付回路基板は、金属支持体上に上記と同様ベース絶縁層が設けられ、上記ベース絶縁層上に所定の配線回路パターンからなる第１の導体層が設けられている。そして、上記第１の導体層を被覆するように第１の導体層上に第１のカバー絶縁層が設けられ、さらに上記第１のカバー絶縁層上に所定の配線回路パターンからなる第２の導体層が設けられている。加えて、上記第２の導体層を被覆するように第２の導体層上に第２のカバー絶縁層が設けられた多層構造を備えたものである。このような多層構造の金属支持体付回路基板において、上記ベース絶縁層，第１のカバー絶縁層および第２のカバー絶縁層からなる層のうちの少なくとも一つの層が、本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成されている。特に好ましくは上記ベース絶縁層，第１のカバー絶縁層および第２のカバー絶縁層からなる層の全てが本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成されることである。なお、上記ベース絶縁層、第１の導体層、第１のカバー絶縁層、第２の導体層、第２のカバー絶縁層は、先に述べた方法と同様の方法にて成形される。
【００８３】
このようにして得られる金属支持体付回路基板は、例えば、ＨＤＤに用いられる薄膜磁気ヘッド用の回路付サスペンション基板等に有用である。
【００８４】
つぎに、本発明の金属支持体付回路基板の一具体例である回路付サスペンション基板について述べる。
〈回路付サスペンション基板〉
図１は、上記回路付きサスペンション基板１の一例を示す斜視図であり、ステンレス箔基材２上に、本発明の感光性樹脂組成物からなる絶縁層（ベース絶縁層：図示せず）を有し、その上に銅からなる導体層２７となる所定のパターン回路が薄膜として形成されている。先端には、基材への切込みによって、ジンバル４が基材に一体的に形成されており、この上に磁気ヘッドを有するスライダ（図示せず）が固定される。また、回路付サスペンション基板１の前後の端部には、それぞれ所要の端子５および６が形成されている。なお、図１においては、回路付サスペンション基板１の表面を被覆保護する被覆層（カバーレイ：カバー絶縁層）が剥離されている状態を示す。
【００８５】
上記金属支持体付回路基板の一具体例である回路付きサスペンション基板において、絶縁層（ベース絶縁層）および被覆層（カバー絶縁層）の各形成材料として本発明の感光性樹脂組成物を用いた場合の製造工程を、図面に基づき詳しく述べる。
【００８６】
まず、図２に示すように、厚み５〜３０μｍのステンレス箔基材２の片面に、得られる樹脂層の厚みが、通常２〜２０μｍ、より好ましくは３〜１５μｍとなるように、本発明の感光性樹脂組成物の溶液を塗布し、通常６０〜１５０℃、より好ましくは８０〜１２０℃で加熱することにより上記感光性樹脂組成物からなる被膜２１ａを形成する。
【００８７】
つぎに、この感光性樹脂組成物の被膜２１ａに対して、所定のパターン形成用のフォトマスクを介して紫外線等の照射線を照射し、所定のパターンに露光させる。
【００８８】
上記露光量は、通常５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2、好ましくは１００〜１５００ｍＪ／ｃｍ2の範囲であり、露光波長は、通常２００〜４５０ｎｍ、好ましくは２４０〜４２０ｎｍの範囲である。
【００８９】
上記露光後、被膜２１ａを通常８０〜２００℃、好ましくは９０〜１５０℃の温度で約１〜２０分間程度加熱（露光後加熱）した後、アルカリ現像処理を行なうことにより被膜２１ａを所定パターンに形成する。
【００９０】
上記アルカリ現像処理後、このようにして得られた感光性樹脂組成物のパターン被膜を１２０〜２５０℃×１〜１８０分程度かけて加熱硬化することにより、図３に示すように、ステンレス箔基材２上に、本発明の感光性樹脂組成物からなるパターン化した絶縁層（ベース絶縁層）２１が形成される。
【００９１】
ついで、図４に示すように、パターン化した絶縁層２１を有するステンレス箔基材２の全面に、クロムまたはチタンの薄膜２３と銅薄膜２４とをスパッタリングにて連続して順次形成する。上記クロムまたはチタンの薄膜２３は、絶縁層２１上に銅薄膜２４を密着させる点において有用である。上記クロムまたはチタンの薄膜の膜厚は１０〜６０ｎｍ、銅薄膜の膜厚は３０〜２００ｎｍの範囲であることが好ましい。
【００９２】
この後、図５に示すように、上記銅薄膜２４の上に厚み２〜１５μｍ程度の電解銅めっきを行なうことにより、銅からなる導体層２５を形成する。
【００９３】
ついで、図６および図７に示すように、常法に従って、フォトレジスト２６またはドライフィルムラミネートを用いるパターニング技術によって、露光および現像処理を行なった後、非パターン部の銅からなる導体層２５をエッチングにて除去することにより、図８に示すように、前記絶縁層２１上に上記銅からなる所定の導体パターンとなる導体層２７を形成する。なお、上記非パターン部の銅からなる導体層２５のエッチング処理としては、アルカリエッチング処理であることが好ましい。
【００９４】
このような非パターン部の銅からなる導体層２５をエッチング除去した後、さらに、露出し不要な前記クロムまたはチタンの薄膜２３をエッチング除去することにより、図９に示すように、前記絶縁層２１上に所定の導体パターンである導体層２７が形成される。
【００９５】
上記クロムまたはチタンの薄膜２３のエッチング処理には、例えば、フェリシアン化カリウム系のエッチング液や、この他、過マンガン酸カリウム、メタケイ酸ナトリウム系等のエッチング液が用いられる。
【００９６】
このようにして、ステンレス箔基材２上の不必要なクロムまたはチタン薄膜２３を除去した後、無電解ニッケルめっきを行なうことにより、図１０に示すように、上記銅からなる導体層２７およびステンレス箔基材２の表面に硬質のニッケル薄膜２８を形成して、銅からなる導体層２７の表面を被覆、保護する。このニッケル薄膜２８の膜厚は、下層の導体層２７が露出しない程度であればよく、通常、０．０５〜１μｍの範囲である。
【００９７】
この後、配線部分の導体パターンである導体層２７を本発明の感光性樹脂組成物を用いて被覆保護するとともに、所要の端子部には端子を形成し、これを残して、表面を同様に被覆保護するよう、被覆層（カバー絶縁層）を形成する。
【００９８】
そして、図１１において、ステンレス箔基材２の左側は配線部の形成を示し、右側は端子部の形成を示す。すなわち、図１１に示すように、配線部（図１０の左側）では、被覆層３１にて導体パターンである導体層２７を被覆する。一方、端子部（図１０の右側）では、パターニングによって、端子部を残すとともに、端子を電解めっきにて形成するためのリード部３０を残して、本発明の感光性樹脂組成物を用いて、前述と同様に、塗布、露光、露光後加熱、現像および加熱硬化を行なうことにより、上記感光性樹脂組成物にて被覆し、被覆層（カバー絶縁層）３１を形成する。
【００９９】
ついで、図１２に示すように、端子部（図１１の右側）においては、まず、導体パターンである導体層２７の表面を保護していた無電解ニッケルめっき薄膜２８（図１０参照）を剥離し、同時に、ステンレス箔基材２上の無電解ニッケルめっき薄膜２８も除去する。
【０１００】
この後、常法にしたがい、通常のフォトレジストを用いる方法によって、端子部のみを残して、ステンレス箔基材２、導体パターンである導体層２７および感光性樹脂組成物からなる被覆層３１をレジストにて被覆した後、図１３に示すように、上記端子部に電解ニッケルめっき３２と電解金めっき３３を順次行なって、端子３４を形成する。上記電解ニッケルめっき３２と電解金めっき３３の厚みとしては、それぞれ、電解ニッケルめっき３２が１〜５μｍ、電解金めっき３３が０．０５〜１μｍ程度があげられる。
【０１０１】
この後、上記レジストを除去する。ついで、図１４に示すように、端子３４を形成した導体パターンからなる導体層２７において、上記電解めっきに用いたリード部３０（図１１参照）を化学エッチングにて除去する（破線部分）。なお、上記リード部３０の銅およびクロムの除去は、前述と同じ方法に従い行なえばよい。
【０１０２】
このようにして、リード部３０を除去した後、ステンレス箔基材２を化学エッチングによって所定の形状に切り抜くために、常法に従って、図１５に示すように、フォトレジスト３５またはドライフィルムラミネートを用いて、露光、現像を行ない、ステンレス箔基材２上に所定のパターンを形成した後、図１６に示すように、ステンレス箔基材２をエッチングにて所定の形状に切り抜く。ここで、上記エッチングに使用するエッチング液としては、例えば、塩化第二鉄、塩化第二銅等の水溶液が用いられる。
【０１０３】
このエッチング処理の後、純水にて洗浄し、乾燥することにより、図１７に示すように、本発明の感光性樹脂組成物を用いた回路付きサスペンション基板１を得ることができる。
【０１０４】
すなわち、この回路付きサスペンション基板１は、ステンレス箔基材２上に本発明の感光性樹脂組成物からなる絶縁層２１を有し、その上に導体パターンからなる薄膜の導体層２７であるパターン回路を有し、端子３４を除いて、全表面が本発明の感光性樹脂組成物からなる被覆層３１にて被覆保護されている。
【実施例】
【０１０５】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
【０１０６】
（１）カルボキシル基含有線状重合物ｘ１の調製
メタクリル酸１０ｇ、アクリル酸ブチル６０ｇ、メタクリル酸メチル３０ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１００ｇ、アゾビスイソブチロニトリル１．０ｇを窒素雰囲気下で３００ミリリットルのセパラブルフラスコに入れ、撹拌しながら加温し、９０℃で５時間反応させて、カルボキシル基含有線状重合体溶液（固形分５０重量％）を得た（カルボキシル基含有線状重合物のカルボン酸当量計算値：８６０、重量平均分子量：３４０００）。
【０１０７】
（２）カルボキシル基含有線状重合物ｘ２の調製
メタクリル酸１０ｇ、フェノキシエチルアクリレート９０ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１００ｇ、アゾビスイソブチロニトリル１．０ｇを窒素雰囲気下で３００ミリリットルのセパラブルフラスコに入れ、撹拌しながら加温し、９０℃で５時間反応させて、カルボキシル基含有線状重合体溶液（固形分５０重量％）を得た（カルボキシル基含有線状重合物のカルボン酸当量計算値：８６０、重量平均分子量：３９０００）。
【０１０８】
（３）カルボキシル基含有線状重合物ｘ３の調製
メタクリル酸１０ｇ、アクリル酸ブチル８０ｇ、メタクリル酸メチル１０ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１００ｇ、アゾビスイソブチロニトリル１．０ｇを窒素雰囲気下で３００ミリリットルのセパラブルフラスコに入れ、攪拌しながら加温し、９０℃で５時間反応させて、カルボキシル基含有線状重合体溶液（固形分５０重量％）を得た（カルボキシル基含有線状重合体のカルボン酸当量計算値：８６０、重量平均分子量：３００００）。
【０１０９】
（４）カルボキシル基含有線状重合物ｃ１の調製
メタクリル酸１０ｇ、フェノキシエチルアクリレート８０ｇ、メタクリル酸グリシジル１０ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１５０ｇ、アゾビスイソブチロニトリル４．０ｇを窒素雰囲気下で３００ミリリットルのセパラブルフラスコに入れ、攪拌しながら加温し、７０℃で１０時間反応させて、カルボキシル基含有線状重合体溶液（固形分４０重量％）を得た（カルボキシル基含有線状重合体のカルボン酸当量計算値：８６０、エポキシ当量：１４２０、重量平均分子量：９００００）。
【０１１０】
上記各カルボキシル基含有線状重合物ｘ１〜ｘ３およびｃ１の調製に用いたモノマーの種類，配合量、得られた各カルボキシル基含有線状重合物のカルボン酸当量（計算値）、エポキシ当量（計算値）、重量平均分子量を下記の表１に併せて示す。
【０１１１】
【表１】
2012063645.tif 000004
【０１１２】
（５）ポリイミド前躯体の調製
窒素雰囲気下、１リットル容量のセパラブルフラスコ内に、１，４−ジアミノベンゼン（ＰＤＡ）２２．０８ｇ、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ）７．０７ｇをＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）６１８ｇに溶解させた。撹拌しながら、この溶液に３，４，３′，４′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）７０．８５ｇを加えて重合させ、ポリイミド前駆体溶液を作製した。このポリイミド前躯体の調製に用いたモノマーの種類，配合量を下記の表２にまとめて示す。
【０１１３】
【表２】
2012063645.tif 000005
【０１１４】
〈感光性樹脂組成物の調製〉
（１）下記の１，４−ジヒドロピリジン誘導体Ａ１〜Ａ５を準備した。
１，４−ジヒドロピリジン誘導体Ａ１：前記一般式（１）において、Ｒ1＝Ｃ2Ｈ5、Ｒ2，Ｒ3＝ＣＨ3の化合物
１，４−ジヒドロピリジン誘導体Ａ２：前記一般式（１）において、Ｒ1＝ＣＨ3、Ｒ2，Ｒ3＝Ｈの化合物
１，４−ジヒドロピリジン誘導体Ａ３：前記一般式（１）において、Ｒ1＝Ｃ3Ｈ7、Ｒ2，Ｒ3＝Ｃ2Ｈ5の化合物
１，４−ジヒドロピリジン誘導体Ａ４：下記の式（２）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体
【化３】
2012063645.tif 000006
１，４−ジヒドロピリジン誘導体Ａ５：下記の式（３）で表される１，４−ジヒドロピリジン誘導体
【化４】
2012063645.tif 000007
【０１１５】
（２）下記の式（４）で表される光塩基発生剤を準備した。
【化５】
2012063645.tif 000008
【０１１６】
〔実施例１〜７、比較例１〜４〕
下記の表３に示す各配合成分を同表に示す割合にて配合し混合することにより感光性樹脂組成物を調製した。なお、下記の表３中の数字は不揮発分重量部であり、合計１００重量部となる。
【０１１７】
【表３】
2012063645.tif 000009
【０１１８】
つぎに、上記のようにして調製した感光性樹脂組成物を用い、回路付サスペンション基板を作製した。
〈回路付サスペンション基板の作製〉
【０１１９】
〔実施例８〕
厚み１８μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に、上記実施例１にて調製した感光性樹脂組成物溶液を塗布した後、１００℃で２分間加熱乾燥して、感光性樹脂組成物の被膜を形成した。ついで、フォトマスクを介して、露光量２００ｍＪ／ｃｍ2にて紫外線照射し、１１０℃で３分間加熱した後、１％炭酸ナトリウム水溶液で３０℃×２分間現像して、ネガ型画像を形成した。この時、現像処理前後の感光性樹脂組成物の被膜の厚みをマイクロメーターで測定し、式：（現像後厚み／現像前厚み）×１００により被膜の残膜率(％)とした。
【０１２０】
つぎに、２００℃で６０分加熱して、パターン化した下地絶縁層（ベース絶縁層：膜厚１０μｍ）を形成し、下地絶縁層付きステンレス箔の一部を切り取った後、塩化第二鉄エッチング液に浸漬し、ステンレス箔を除去することにより、膜厚１０μｍの下地絶縁層を得た。この下地絶縁層を用いて、後述の方法にしたがって、２５℃における引張貯蔵弾性率を測定した。
【０１２１】
ついで、残ったステンレス箔の下地絶縁層上に、スパッタリング処理によってクロムと銅をそれぞれ３０ｎｍ（クロム）／７０ｎｍ（銅）の各膜厚となるよう薄膜形成した後、銅薄膜の上に厚み１０μｍの電解銅めっきを行なうことにより導体層を形成した。
【０１２２】
さらに、ドライフィルムレジストを用いるパターニング技術によって、露光および現像処理を行なった後、非パターン部の銅からなる導体層をエッチングにて除去し、ドライフィルムレジスト除去後にクロム薄膜をエッチング除去して、下地絶縁層の上に導体パターン幅／ピッチ幅（Ｌ／Ｓ）＝５０／５０μｍの導体パターンからなる導体層を形成した。
【０１２３】
つぎに、上記導体パターンからなる導体層表面に厚み０．１μｍの無電解ニッケルめっきを行なうことにより、上記導体層表面を被覆、保護した。
【０１２４】
この後、再度、実施例１にて調製した感光性樹脂組成物を用いて、上記と同様の方法にて、カバー絶縁層(導体層上の厚み５μｍ)を形成した後、ドライフィルムレジストを用いて、露光、現像を行なうことにより、ステンレス箔上に所定パターンを形成した後、ステンレス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に浸漬して、大きさ５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板を作製した。
【０１２５】
得られた評価用回路付サスペンション基板を用いて、反りおよびＰＳＡ変化を測定した。
【０１２６】
〔２５℃における引張貯蔵弾性率〕
上記下地絶縁層フィルムを、幅５ｍｍ×長さ２５ｍｍに切断し、測定用試料を作製する。そして、上記試料を用いて、粘弾性測定装置（ＲＳＡ−ＩＩＩ、Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）により、昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚ、０〜５０℃の範囲での測定を行ない、２５℃下での値を引張貯蔵弾性率とした。
【０１２７】
〔ＰＳＡ変化〕
得られた評価用回路付きサスペンション基板を用い、図１８（ａ）に示す大きさの試料（幅５ｍｍ×長さ３０ｍｍ）４０を準備した。上記試料４０は、図１８（ｂ）に示すように、ステンレス箔（厚み１８μｍ）４０ａ上に下地絶縁層（厚み１０μｍ）４０ｂ、導体層（厚み１０μｍ）４０ｃ、カバー絶縁層（厚み５μｍ）４０ｄが順次積層されている。そして、図１９に示すように、上記試料４０を２枚のスライドガラス板（長さ２５ｍｍ×厚み１ｍｍ）４１にて挟み、これを高温高湿槽に入れた。ついで、挟持した２枚のスライドガラス板４１の端部から４ｍｍの地点での、ガラスステージ４２から試料４０のステンレス箔４０ａまでの距離Ｈ（μｍ）を、レーザー光Ｌを照射しその反射により測定した。そして、２５℃×１０％ＲＨのときの距離Ｈと、２５℃×８０％ＲＨの距離Ｈの差をΔＨ（μｍ）として求め、下記の式によりＰＳＡ変化（ｄｅｇ／％ＲＨ)を算出した。そして、ＰＳＡ変化が０．００５未満のものを○、ＰＳＡ変化が０．００５以上のものを×として、後記の表４に示した。
ＰＳＡ変化（ｄｅｇ／％ＲＨ)＝ＡＴＡＮ（ΔＨ／４０００）π×１８０／７０
【０１２８】
〔実施例９〕
前記実施例２にて調製した感光性樹脂組成物を用いた。それ以外は実施例８と同様にして大きさ５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板を作製した。
【０１２９】
〔実施例１０〕
前記実施例３にて調製した感光性樹脂組成物を用いた。それ以外は実施例８と同様にして大きさ５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板を作製した。
【０１３０】
〔実施例１１〕
前記実施例４にて調製した感光性樹脂組成物を用いた。それ以外は実施例８と同様にして大きさ５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板を作製した。
【０１３１】
〔実施例１２〕
前記実施例５にて調製した感光性樹脂組成物を用いた。それ以外は実施例８と同様にして大きさ５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板を作製した。
【０１３２】
〔実施例１３〕
前記実施例６にて調製した感光性樹脂組成物を用いた。それ以外は実施例８と同様にして大きさ５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板を作製した。
【０１３３】
〔実施例１４〕
前記実施例７にて調製した感光性樹脂組成物を用いた。それ以外は実施例８と同様にして大きさ５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板を作製した。
【０１３４】
〔比較例５〕
前記比較例１にて調製した感光性樹脂組成物を用いた。それ以外は実施例８と同様にして大きさ５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板の作製を試みた。しかし、露光量２００ｍＪ／ｃｍ2にて紫外線照射し、１１０℃で３分間加熱した後、１％炭酸ナトリウム水溶液で３０℃×２分間現像処理したところ、感光性樹脂組成物が全て溶解した。つぎに、露光量を２０００ｍＪ／ｃｍ2に変更し、他の条件は実施例８と同様にしたが、感光性樹脂組成物は全て溶解した。
【０１３５】
〔比較例６〕
前記比較例２にて調製した感光性樹脂組成物を用いた。それ以外は実施例８と同様にして大きさ５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板の作製を試みた。しかし、露光量２００ｍＪ／ｃｍ2にて紫外線照射し、１１０℃で３分間加熱した後、１％炭酸ナトリウム水溶液で３０℃×２分間現像処理したところ、感光性樹脂組成物が全て溶解した。つぎに、露光量を２０００ｍＪ／ｃｍ2に変更し、他の条件は実施例８と同様にしたが、感光性樹脂組成物は全て溶解した。
【０１３６】
〔比較例７〕
前記比較例３にて調製した感光性樹脂組成物を用いた。それ以外は実施例８と同様にして大きさ５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板の作製を試みた。しかし、露光量２００ｍＪ／ｃｍ2にて紫外線照射し、１１０℃で３分間加熱した後、１％炭酸ナトリウム水溶液で３０℃×２分間現像処理したところ、感光性樹脂組成物が全て溶解した。つぎに、露光量を２０００ｍＪ／ｃｍ2に変更し、他の条件は実施例８と同様にしたが、感光性樹脂組成物は全て溶解した。
【０１３７】
〔比較例８〕
厚み１８μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に、上記比較例４にて調製した感光性樹脂組成物溶液（感光性ポリイミド前躯体溶液）を塗布した後、１２０℃で２分間加熱乾燥して、感光性樹脂組成物（感光性ポリイミド前躯体）の被膜を形成した。ついで、フォトマスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ2にて紫外線照射し、１８０℃で３分間加熱した後、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）５重量％／純水４５重量％／エタノール５０重量％からなる現像液にて３０℃×２分間現像して、ネガ型画像を形成した。この時、現像処理前後の感光性樹脂組成物の被膜の厚みをマイクロメーターで測定し、式：（現像後厚み／現像前厚み）×１００により被膜の残膜率(％)とした。
【０１３８】
ついで、真空下、４００℃に加熱して、パターン化した下地絶縁層（膜厚１０μｍ）を形成し、下地絶縁層付きステンレス箔の一部を切り取った後、塩化第二鉄エッチング液に浸漬し、ステンレス箔を除去することにより、膜厚１０μｍの絶縁層を得た。この絶縁層を用いて、前述の方法にしたがって、２５℃における引張貯蔵弾性率を測定した。
【０１３９】
つぎに、残ったステンレス箔の下地絶縁層上に、スパッタリング処理によってクロムと銅をそれぞれ３０ｎｍ（クロム）／７０ｎｍ（銅）の各膜厚となるよう薄膜形成した後、銅薄膜の上に厚み１０μｍの電解銅めっきを行なうことにより導体層を形成した。
【０１４０】
さらに、ドライフィルムレジストを用いるパターニング技術によって、露光および現像処理を行なった後、非パターン部の銅からなる導体層をエッチングにて除去し、ドライフィルムレジスト除去後にクロム薄膜をエッチング除去して、下地絶縁層の上に導体パターン幅／ピッチ幅（Ｌ／Ｓ）＝５０／５０μｍの導体パターンからなる導体層を形成した。
【０１４１】
そして、上記導体パターンからなる導体層表面に厚み０．１μｍの無電解ニッケルめっきを行なうことにより、上記導体層表面を被覆、保護した。
【０１４２】
この後、再度、比較例４にて調製した感光性樹脂組成物（感光性ポリイミド前躯体）を用いて、上記と同様の方法にて、カバー絶縁層(導体層上の厚み５μｍ)を形成した後、ドライフィルムレジストを用いて、露光、現像を行なうことにより、ステンレス箔上に所定パターンを形成した後、ステンレス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に浸漬して、大きさ５×３０ｍｍサイズの評価用回路付きサスペンション基板を作製した。
【０１４３】
実施例９〜１４および比較例５〜８にて得られた各評価用回路付サスペンション基板を用い、先の実施例８と同様にして、残膜率(％)、２５℃における引張貯蔵弾性率（下地絶縁層）、ＰＳＡ変化を測定，評価した。これらの結果を下記の表４に併せて示す。なお、残膜率（％）の測定では、比較例５〜７に関しては、紫外線照射での露光量を２００ｍＪ／ｃｍ2および２０００ｍＪ／ｃｍ2に設定した。また、比較例８に関しては、紫外線照射での露光量を７００ｍＪ／ｃｍ2に設定した。そして、ＰＳＡ変化の測定評価においては、比較例５〜７は感光性樹脂組成物が全て溶解したため、評価用回路付サスペンション基板を作製することができず評価できなかった。
【０１４４】
【表４】
2012063645.tif 000010
【０１４５】
上記結果から、実施例品の残膜率は全て９０％を超えており、高い水準となる結果が得られた。また、ＰＳＡ変化に関しても良好な評価結果が得られた。これに対して、比較例５〜７品は、感光性樹脂組成物が全て溶解したため、評価用回路付サスペンション基板を作製することができず評価することさえできなかった。さらに、比較例８品は、紫外線照射での露光量を７００ｍＪ／ｃｍ2に設定し残膜率の測定を行なったが、８０％と実施例品に比べて低く、またＰＳＡ変化に関して変化量が大きく、湿度の変化に対してＰＳＡ変化の小さいものが得られなかったことがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１４６】
本発明の感光性樹脂組成物を用いた金属支持体付回路基板は、湿度の変化に対してＰＳＡ変化の小さいことから、例えば、ＨＤＤの薄膜磁気ヘッド用の回路付サスペンション基板等に有用である。
【符号の説明】
【０１４７】
１  回路付サスペンション基板
２  ステンレス箔基材
２１  絶縁層（ベース絶縁層）
２７  導体層
３１  被覆層（カバー絶縁層）
５，６，３４  端子
【図１】
2012063645.tif 000012
【図２】
2012063645.tif 000013
【図３】
2012063645.tif 000014
【図４】
2012063645.tif 000015
【図５】
2012063645.tif 000016
【図６】
2012063645.tif 000017
【図７】
2012063645.tif 000018
【図８】
2012063645.tif 000019
【図９】
2012063645.tif 000020
【図１０】
2012063645.tif 000021
【図１１】
2012063645.tif 000022
【図１２】
2012063645.tif 000023
【図１３】
2012063645.tif 000024
【図１４】
2012063645.tif 000025
【図１５】
2012063645.tif 000026
【図１６】
2012063645.tif 000027
【図１７】
2012063645.tif 000028
【図１８】
2012063645.tif 000029
【図１９】
2012063645.tif 000030