(57)【要約】【課題】半導体装置の小型化を図りつつ、正確な故障箇所の位置の特定を可能とする。【解決手段】半導体基板１０の他面に溝部を形成する工程と、部品２０と溝部の位置関係を示すレイアウトデータを取得する工程と、部品２０に電圧を印加することにより、部品２０の故障箇所５０を発光させるとともに、故障箇所５０からの発光を溝部の内部へ伝播させる工程と、故障箇所５０からの発光により生じる第１の発光部の位置、および故障箇所５０からの発光が溝部の内部を伝播することによって生じる第２の発光部の位置を他面側から検出する工程と、第１の発光部の位置および第２の発光部の位置から、溝部の位置を推定する工程と、推定した溝部の位置に対する第１の発光部の相対位置と、レイアウトデータにおける溝部の位置とを用いて、故障箇所を特定する工程と、を備える。【選択図】図１
2012063339.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板の一面に設けられた少なくとも１つの部品と、を備えた半導体装置の検査方法であって、
前記半導体基板の他面に、少なくとも互いに平行でない２本の溝部を含み、直線形状を有し、かつ内部において前記半導体基板と異なる屈折率を有する溝部を形成する工程と、
前記部品と前記溝部の位置関係を示すレイアウトデータを取得する工程と、
前記部品に電圧を印加することにより、前記部品の故障箇所を発光させるとともに、前記故障箇所からの発光を前記溝部の内部へ伝播させる工程と、
前記故障箇所からの発光により生じる第１の発光部の位置、および前記故障箇所からの発光が前記溝部の内部を伝播することによって生じる第２の発光部の位置を前記他面側から検出する工程と、
前記第１の発光部の位置および前記第２の発光部の位置から、前記溝部の位置を推定する工程と、
推定した前記溝部の位置に対する前記第１の発光部の相対位置と、前記レイアウトデータにおける前記溝部の位置とを用いて、前記故障箇所を特定する工程と、
を備える半導体装置の検査方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の検査方法において、
前記互いに平行でない２本の溝部は、互いに直交する半導体装置の検査方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置の検査方法において、
前記溝部を形成する工程において、平面視で前記部品を囲うように少なくとも４本の前記溝部を形成する半導体装置の検査方法。
【請求項４】
請求項１ないし３いずれか１項に記載の半導体装置の検査方法において、
前記溝部を形成する工程において、複数の前記溝部を格子状に形成する半導体装置の検査方法。
【請求項５】
請求項１ないし４いずれか１項に記載の半導体装置の検査方法において、
前記部品は、半導体素子である半導体装置の検査方法。
【請求項６】
請求項１ないし４いずれか１項に記載の半導体装置の検査方法において、
前記部品は、配線である半導体装置の検査方法。
【請求項７】
請求項１ないし６いずれか１項に記載の半導体装置の検査方法において、
前記溝部は、前記半導体基板の前記一面に到達するように形成される半導体装置の検査方法。
【請求項８】
請求項１ないし７いずれか１項に記載の半導体装置の検査方法において、
前記溝部を形成する工程の後であって、前記レイアウトデータを取得する工程の前に、
前記溝部の内部および前記半導体基板の前記他面上に酸化膜を形成する工程と、
前記半導体基板の前記他面を支持基板に貼り付ける工程と、
前記半導体基板の前記一面に前記部品を形成する工程と、
をさらに備える半導体装置の検査方法。
【請求項９】
請求項１ないし７いずれか１項に記載の半導体装置の検査方法において、
前記溝部を形成する工程の前に、
前記半導体基板の前記一面に前記部品を形成する工程と、
前記部品に電圧を印加することにより、前記半導体素子の故障箇所を発光させる工程と、
前記溝部を形成する位置を決定する工程と、
をさらに備える半導体装置の検査方法。
【請求項１０】
半導体基板と、
前記半導体基板の一面に設けられた部品と、
前記半導体基板の前記一面に設けられた素子分離領域と、
前記半導体基板の他面に設けられ、直線形状を有し、かつ底部が前記素子分離領域よりも前記他面側に位置する少なくとも２本の溝部と、
を備え、
前記２本の溝部は、互いに平行でなく、
前記半導体基板と、前記溝部の内部との屈折率は異なっている半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置において、
前記２本の溝部は、互いに直交している半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の半導体装置において、
平面視で前記部品を囲うように形成された、少なくとも４本の前記溝部を備える半導体装置。
【請求項１３】
請求項１０ないし１２いずれか１項に記載の半導体装置において、
格子状に形成された複数の前記溝部を備える半導体装置。
【請求項１４】
請求項１０ないし１３いずれか１項に記載の半導体装置において、
前記部品は、配線である半導体装置。
【請求項１５】
請求項１０ないし１３いずれか１項に記載の半導体装置において、
前記部品は、半導体素子である半導体装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体装置において、
前記溝部のうち少なくとも一部は、平面視で前記半導体素子と重なる領域に設けられている半導体装置。
【請求項１７】
請求項１０ないし１６いずれか１項に記載の半導体装置において、
前記溝部の内部および前記半導体基板の前記他面上に設けられた酸化膜と、
前記酸化膜を介して前記半導体基板の前記他面に貼り付けられた支持基板と、
をさらに備える半導体装置。
【請求項１８】
素子形成面とは反対の面において、格子状に形成された複数の溝部を備える半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の検査方法、半導体装置および半導体基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、その品質や歩留まりの向上を目的とした故障解析が行われることがある。故障解析においては、故障箇所の詳細な観察や分析が必要とされる。半導体装置の詳細な観察手法として、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いるものが挙げられる。しかし、故障箇所の十分な特定がなされない場合、ＴＥＭによる観察は困難となる。
【０００３】
故障箇所の特定方法として、エミッション観察がある。特許文献１、及び２には、エミッション観察を用いた故障箇所の特定方法が記載されている。
【０００４】
特許文献１に記載の技術は、半導体装置に赤外レーザを照射して得られる赤外反射像を、レイアウト図の画像と照合し、その結果に基づいて、発光像の位置を特定するというものである。特許文献２に記載の技術は、不良解析用に、半導体装置上に既存の素子とは別個の発光素子を設けるというものである。この発光素子による発光像を半導体装置のレイアウトデータに重ね合わせることで、半導体装置の裏面側から故障箇所の位置を特定することができると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３３５２６号公報
【特許文献２】特開２００４−１２８４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の技術では、故障箇所からの発光像を得るときと、赤外反射像を得るときで、別々の光学経路を利用する必要がある。このため、光学経路が異なることに起因して、レイアウトデータと発光像の位置情報にずれが生じる場合がある。この場合、正確な故障位置を特定することができない。特許文献２に記載の技術によれば、レイアウトデータと発光像の位置情報にずれは生じない。しかしこの場合、既存の素子とは別個に発光素子を設ける必要がある。よって半導体装置の面積の増大を招いてしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、半導体基板と、前記半導体基板の一面に設けられた少なくとも１つの部品と、を備えた半導体装置の検査方法であって、
前記半導体基板の他面に、少なくとも互いに平行でない２本の溝部を含み、直線形状を有し、かつ内部において前記半導体基板と異なる屈折率を有する溝部を形成する工程と、
前記部品と前記溝部の位置関係を示すレイアウトデータを取得する工程と、
前記部品に電圧を印加することにより、前記部品の故障箇所を発光させるとともに、前記故障箇所からの発光を前記溝部の内部へ伝播させる工程と、
前記故障箇所からの発光により生じる第１の発光部の位置、および前記故障箇所からの発光が前記溝部の内部を伝播することによって生じる第２の発光部の位置を前記他面側から検出する工程と、
前記第１の発光部の位置および前記第２の発光部の位置から、前記溝部の位置を推定する工程と、
推定した前記溝部の位置に対する前記第１の発光部の相対位置と、前記レイアウトデータにおける前記溝部の位置とを用いて、前記故障箇所を特定する工程と、
を備える半導体装置の検査方法が提供される。
【０００８】
本発明によれば、第１の発光部および第２の発光部の位置から、半導体基板に形成された溝部の位置を推定する。そして、推定した溝部に対する第１の発光部の相対位置と、半導体素子と溝部の位置関係を示すレイアウトデータとを用いて、故障箇所を特定する。従って、互いに異なる光学経路を経て生成された２つの画像データを重ねるという工程がなく、半導体装置のレイアウトデータと発光像の位置情報との間にずれは生じない。また、溝部は半導体基板の他面に形成されるため、半導体装置の面積の増大は生じない。よって、半導体装置の小型化を図りつつ、正確な故障箇所の位置を特定することが可能となる。
【０００９】
本発明によれば、半導体基板と、前記半導体基板の一面に設けられた部品と、前記半導体基板の前記一面に設けられた素子分離領域と、前記半導体基板の他面に設けられ、直線形状を有し、かつ底部が前記素子分離領域よりも前記他面側に位置する少なくとも２本の溝部と、を備え、前記２本の溝部は、互いに平行でなく、前記半導体基板と、前記溝部の内部との屈折率は異なっている半導体装置が提供される。
【００１０】
本発明によれば、素子形成面とは反対の面において、格子状に形成された複数の溝部を備える半導体基板が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、半導体装置の小型化を図りつつ、正確な故障箇所の位置を特定することを可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置を示す平面図である。
【図３】図１に示す半導体装置を示す平面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】図１に示す半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】図１に示す半導体装置の検査方法を示すフロー図である。
【図８】第１の実施形態に係る半導体装置が有するコンデンサ部分を示す断面図および平面図である。
【図９】第１の実施形態に係る半導体装置が有するダイオード部分を示す断面図および平面図である。
【図１０】第１の実施形態に係る半導体装置が有する配線部分を示す断面図および平面図である。
【図１１】第２の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図１２】図１１に示す半導体装置を示す平面図である。
【図１３】図１１に示す半導体装置の全体を示す平面図である。
【図１４】第３の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１４】
図１は、第１の実施形態に係る半導体装置１００を示す断面図である。半導体装置１００は、半導体基板１０と、半導体基板１０の一面に設けられた少なくとも１つの部品２０と、を備えている。ここで、部品２０とは、例えば半導体素子２２であるが、これに限られない。
【００１５】
図２および図３は、図１に示す半導体装置１００を示す平面図であって、半導体基板１０の他面側を示している。本実施形態に係る半導体装置１００の検査方法は、次のようである。まず、半導体基板１０の他面に、互いに平行でない溝部３２および溝部３４を形成する。溝部３２および溝部３４は、直線形状を有する。また溝部３２および溝部３４の内部は、半導体基板１０と異なる屈折率を有する。次いで、部品２０と、溝部３２および溝部３４との位置関係を示すレイアウトデータを取得する。次いで、部品２０に電圧を印加することにより、部品２０の故障箇所５０を発光させるとともに、故障箇所５０からの発光を溝部３２および溝部３４の内部へ伝播させる。
【００１６】
次に、故障箇所５０からの発光により生じる発光部５２、故障箇所５０からの発光が溝部３２の内部を伝播することによって生じる発光部６２、および故障箇所５０からの発光が溝部３４の内部を伝播することによって生じる発光部６４の位置を、半導体基板１０の他面側から検出する。次いで、発光部５２の位置、発光部６２の位置および発光部６４の位置から、溝部３２および溝部３４の位置を推定する。そして、推定した溝部３２の位置および溝部３４の位置に対する発光部５２の相対位置と、半導体素子２２と溝部３２および溝部３４との位置関係を示すレイアウトデータにおける溝部３２の位置および溝部３４の位置とを用いて、故障箇所５０を特定する。以下、半導体装置１００の構成、製造方法および検査方法について、詳細に説明する。
【００１７】
まず、半導体装置１００の構成について説明する。半導体装置１００は、さらに素子分離領域２６を備えている。図１に示すように、溝部３２および溝部３４は、例えば底部が素子分離領域２６よりも他面側に位置するように形成される。また、溝部３２および溝部３４は、底部が半導体基板１０の一面に到達するように形成されていてもよい。
【００１８】
図１に示すように、半導体素子２２は、例えばＭＯＳＦＥＴ等である。この場合、半導体素子２２は、ゲート絶縁膜７０と、ゲート電極７２と、側壁膜７４と、エクステンション領域７６と、ソース・ドレイン領域７８と、を備えている。
【００１９】
エクステンション領域７６とソース・ドレイン領域７８は、半導体基板１０に設けられている。ゲート絶縁膜７０は、半導体基板１０のうちエクステンション領域７６に挟まれる領域の上に形成されている。ゲート電極７２は、ゲート絶縁膜７０上に形成されている。側壁膜７４は、ゲート絶縁膜７０とゲート電極７２の側面に形成されている。
【００２０】
図２に示すように、溝部３２と溝部３４は、例えば互いに直交するように半導体基板１０の他面に設けられている。また、図３に示すように、溝部３２および溝部３４は互いに直交していなくとも、平行でなければよい。溝部３２および溝部３４の深さ方向は、例えば半導体基板１０の表面と垂直な方向に一致する。溝部３２および溝部３４の深さは、５μｍ以上であることが好ましい。溝部３２および溝部３４の深さが５μｍ以上である場合、半導体装置内で生じる光の観察が容易となる。また、溝部３４の幅は、１μｍ程度であることが好ましい。
【００２１】
図１に示すように、半導体装置１００は、シリコン酸化膜１４および半導体支持基板１２を備えている。シリコン酸化膜１４は、溝部３２、３４の内部、および半導体基板１０の他面上に設けられている。また、シリコン酸化膜１４にかえて、光透過性を有する他の材料とすることもできる。半導体支持基板１２は、シリコン酸化膜１４を介して、半導体基板１０の他面に貼り付けられている。
【００２２】
次に、図１、および図４〜図６を用いて、半導体装置１００の製造方法について説明する。図４〜６は、図１に示す半導体装置１００の製造方法を示す断面図である。まず、図４に示すように、半導体基板１０の素子形成面とは反対の面に、溝部３２（図３参照）および溝部３４を形成する。溝部３２および溝部３４の形成は、例えばドライエッチングや集束イオンビーム（ＦＩＢ）によって行われる。次に、図５に示すように、溝部３４および溝部３２の内部および半導体基板１０の素子形成面とは反対の面に、シリコン酸化膜１４を形成する。
【００２３】
次いで、図６に示すように、半導体基板１０の素子形成面とは反対の面に、シリコン酸化膜１４を介して半導体支持基板１２を貼り付ける。半導体支持基板１２は、例えば熱圧着によって半導体基板１０に貼り付けられ、貼り合わせＳＯＩ基板を構成する。そして、半導体基板１０の素子形成面に、半導体素子２２等を形成することによって、図１に示す半導体装置１００を得る。
【００２４】
次に、半導体装置１００の検査方法を説明する。図７は、図１に示す半導体装置１００の検査方法を示すフロー図である。まず、半導体基板１０の他面に溝部３２および溝部３４を形成する（Ｓ１０）。そして、半導体基板１０の一面に半導体素子２２を形成した後、半導体素子２２と溝部３２および溝部３４との位置関係を示すレイアウトデータを取得する（Ｓ１１）。
【００２５】
次いで、半導体素子２２に電圧を印加する（Ｓ１２）。半導体素子２２に故障箇所５０がある場合、図２に示すように故障箇所５０において発光部５２が生じる。故障箇所５０における発光は、例えばゲート絶縁膜７０においてリーク電流が発生することに起因する。また、図１および図２に示すように、故障箇所５０からの発光が溝部３２および溝部３４の内部へ伝播することにより、溝部３２および溝部３４において、発光部６２および発光部６４がそれぞれ生じる。
【００２６】
発光部６２および発光部６４は、次のようにして生じる。図１に示すように、故障箇所５０は、全方位に光を照射する。このため、故障箇所５０からの発光は、溝部３２および溝部３４の内部へ伝播する。ここで、溝部３２および溝部３４の内部と、半導体基板１０は、異なる屈折率を有する。このため、溝部３２および溝部３４の内部へ伝播した光は、図１に示すように、溝部３２および溝部３４の内部においてそれぞれ多重反射される。そして、溝部３２および溝部３４の内部において多重反射された光が、半導体基板１０の他面側から検出される。
【００２７】
ここで、溝部３２においては、故障箇所５０からの発光のうち、溝部３２に対して垂直な方向の成分のみが多重反射によって強調される。よって、図２に示すように、発光部６２は、溝部３２のうち、発光部５２と発光部６２を結ぶ直線と溝部３２とが平面視で垂直となる位置に生じる。また、溝部３４においては、故障箇所５０からの発光のうち、溝部３４に対して垂直な方向の成分のみが多重反射によって強調される。よって、発光部６４は、溝部３４のうち、発光部５２と発光部６４を結ぶ直線と溝部３４とが平面視で垂直となる位置に生じる。
【００２８】
次いで、発光部５２、発光部６２および発光部６４を、半導体基板１０の他面側から検出する（Ｓ１３）。ここで、発光部５２では、故障箇所５０からの発光が直接検出される。一方、発光部６２および発光部６４では、溝部３２および溝部３４において多重反射した光が検出される。このため、発光部５２では、発光部６２や発光部６４よりも強い光が検出される。
【００２９】
次いで、溝部３２および溝部３４の位置を推定する（Ｓ１４）。溝部３２は、発光部６２を通過し、かつ発光部５２と発光部６２とを結ぶ直線と垂直な直線上に位置すると推定される。また、溝部３４は、発光部６４を通過し、かつ発光部５２と発光部６４とを結ぶ直線と垂直な直線上に位置すると推定される。このようにして、溝部３２および溝部３４と、故障箇所５０との相対位置を得ることができる。ここで、図２中の距離ａは、溝部３２と溝部３４の交点の位置から発光部６２までの距離であり、図２中の距離ｂは、溝部３２と溝部３４の交点の位置から発光部６４までの距離である。
【００３０】
次いで、推定した溝部の位置に対する発光部５２の相対位置と、レイアウトデータにおける溝部の位置とを照合させる（Ｓ１５）。これにより、故障箇所５０の位置を特定することができる（Ｓ１６）。具体的には、図２に示すように、レイアウトデータ上の溝部３２および溝部３４の交点の位置から、図中の左方向に距離ａ、かつ図中の上方向に距離ｂの地点に故障箇所５０が位置すると特定することができる。
【００３１】
上記した半導体装置１００の検査方法のうち、電圧を印加して検査を行う工程については、例えばプログラム化して自動で行うこともできる。
【００３２】
図８は、本実施形態に係る半導体装置１００が有するコンデンサ部分を示す図である。図９は、本実施形態に係る半導体装置１００が有するダイオード部分を示す図である。図１０は、本実施形態に係る半導体装置１００が有する配線部分を示す図である。図８〜１０の各（ａ）図は、それぞれの断面図である。また、図８〜１０の各（ｂ）図は、それぞれの平面図であって、半導体基板１０の他面側を示している。図８に示すように、本実施形態における半導体素子２２は、例えばコンデンサ８０であってもよい。また、図９に示すように、例えばダイオード８２等であってもよい。この場合においても、故障箇所において光が生じるため、上記と同様に半導体装置１００の検査方法を行うことができる。
【００３３】
さらに、図１０に示すように、本実施形態における部品２０は、例えば配線９０であってもよい。配線９０がＡｌ配線の場合、例えばエッチング不足によってバリアメタル９２がショートすることにより、赤外輻射が起こることによって発光する。この場合においても、上記と同様に半導体装置１００の検査方法を行うことができる。
【００３４】
次に、本実施形態の効果を説明する。本実施形態によれば、発光部５２、発光部６２および発光部６４の位置から、半導体基板１０に形成された溝部３２および溝部３４の位置を推定する。そして、これを半導体素子２２と溝部３２および溝部３４との位置関係を示すレイアウトデータと重ね合わせることによって、故障箇所５０を特定する。すなわち、発光部５２、発光部６２および発光部６４の位置から求めた、故障箇所５０と溝部３２および溝部３４との相対位置を、レイアウトデータに照合させて故障箇所５０を特定する。従って、互いに異なる光学経路を経て生成された２つの画像データを重ねるという工程がなく、半導体装置のレイアウトデータと発光像の位置情報との間にずれは生じない。また、溝部３２および溝部３４は半導体基板１０の他面に形成されるため、半導体装置の面積の増大は生じない。よって、半導体装置の小型化を図りつつ、正確な故障箇所の位置を特定することが可能となる。
【００３５】
図１１は、第２の実施形態に係る半導体装置１０２を示す断面図であって、第１の実施形態に係る図１に対応している。また、図１２は、図１１に示す半導体装置１０２を示す平面図であって、第１の実施形態に係る図２に対応している。図１３は、図１１に示す半導体装置１０２の全体を示す平面図である。本実施形態に係る半導体装置１０２は、半導体基板１０に設けられた溝部の構成を除いて、第１の実施形態に係る半導体装置１００と同様である。
【００３６】
半導体装置１０２において、半導体基板１０の他面には、少なくとも溝部３２、溝部３４、溝部３６および溝部３８が設けられている。溝部３２、溝部３４、溝部３６および溝部３８は、例えば平面視で半導体素子２２を囲うように形成されている。溝部３４と溝部３６は、例えば互いに平行である。また、溝部３２と溝部３８は、例えば互いに平行である。このため、溝部３２、溝部３４、溝部３６および溝部３８は、例えば平面視で半導体素子２２を囲う、長方形、正方形または平行四辺形等を形成する。
【００３７】
また、図１１および図１２に示すように、溝部３２、溝部３４、溝部３６および溝部３８の他に、さらに溝部が設けられていてもよい。さらに、図１３に示すように、複数の溝部が格子状に設けられていてもよい。複数の溝部のうち、平行に設けられた隣接する２つの溝部の間隔は、１０μｍ以下であることが好ましい。隣接する２つの溝部の間隔が１０μｍ以下である場合、故障箇所の位置特定において十分な精度を確保することができる。さらに複数の溝部のうち一部は、平面視で半導体素子２２と重なる領域に設けられていてもよい。
【００３８】
半導体装置１０２の検査方法は、第１の実施形態と同様に行うことができる。本実施形態においては、図１２に示すように、故障箇所５０からの発光が、溝部３２、溝部３４、溝部３６および溝部３８へ伝播することにより、溝部３２、溝部３４、溝部３６および溝部３８において、発光部６２、発光部６４、発光部６６および発光部６８がそれぞれ生じる。発光部６２、発光部６４、発光部６６および発光部６８の生じる原理等は、第１の実施形態と同様である。
【００３９】
本実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、発光部６２、発光部６４、発光部６６および発光部６８の４点の位置から故障箇所５０の位置を求めることができる。よって、さらに正確に故障箇所５０の特定を行うことができる。
【００４０】
図１４は、第３の実施形態に係る半導体装置１０４を示す断面図であって、第２の実施形態に係る図１１に対応している。本実施形態に係る半導体装置１０４は、半導体基板１０の他面側にシリコン酸化膜１４および半導体支持基板１２が形成されていない点を除いて、第２の実施形態に係る半導体装置１０２と同様である。
【００４１】
本実施形態における半導体装置１０４の検査方法は、第１の実施形態と同様に行うことができる。また、本実施形態によれば、溝部を形成する工程は、例えば次のように行うこともできる。まず、半導体基板１０の一面に、半導体素子２２を形成する。次いで、半導体素子２２に電圧を印加することにより、半導体素子２２の故障箇所５０を発光させる。故障箇所５０の発光部５２を半導体基板１０の他面側から検出する。そして、この検出結果に基づいて、溝部を形成する位置を決定する。このように、故障が生じた半導体装置に後発的に溝部を形成し、半導体装置を検査することもできる。
【００４２】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態によれば、溝部を形成する前に故障箇所５０を発光させて、発光部５２を検出することができる。よって、故障箇所５０の位置をおおよそ絞り込んでから溝部の形成位置を決定することができるため、より正確に故障箇所５０を特定することが可能となる。さらに、特殊な半導体基板を用いないため、半導体装置の製造コストの増大を抑制することができる。
【００４３】
上述した実施形態において、半導体装置の検査方法は、例えば次のように行うこともできる。電圧を印加して検査を行う工程については、例えばスクライブ領域においてダイシングして半導体チップに個片化する前の、半導体素子を形成した半導体基板に対して実施する。また、当該工程を、個片化した半導体チップに対して実施してもよい。さらに、モジュール化した後に検査等を行い、故障が確認された場合には、モジュールから半導体チップを取り出してから、上記検査工程を実施してもよい。
【００４４】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００４５】
１０  半導体基板
１２  半導体支持基板
１４  シリコン酸化膜
２０  部品
２２  半導体素子
２６  素子分離領域
３２、３４、３６、３８  溝部
５０  故障箇所
５２、６２、６４、６６、６８  発光部
７０  ゲート絶縁膜
７２  ゲート電極
７４  側壁膜
７６  エクステンション領域
７８  ソース・ドレイン領域
８０  コンデンサ
８２  ダイオード
９０  配線
９２  バリアメタル
１００、１０２、１０４  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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