(57)【要約】      （修正有）【課題】放射線による閾値電圧の変化を増幅することができ、また、温度補償を行うことができる二種類の金属酸化物半導体電界効果型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を有する放射線量計およびその操作方法を提供する。【解決手段】放射線量計は、同じ基板に集積された二つの放射線電界効果型トランジスタ（ＲＡＤＦＥＴ）および二つのＭＯＳＦＥＴを含む放射線集積回路（ＲＡＤＩＣ）、または、同じ基板に集積された二つのＲＡＤＦＥＴ、および二つの抵抗器を含むものである。閾値電圧の変化の増幅は、ＭＯＳＦＥＴインバータの増幅原理を用い、いずれも、第一のＲＡＤＦＥＴのゲートには順方向のバイアスがかけられ、第二のＲＡＤＦＥＴのゲートはバイアスが外される。増幅された差分閾値電圧の変化は、示度モードで測定される。放射線感度が高められたため、ミリラッドの線量測定が可能となり、温度効果およびドリフトは、ほぼ除去される。【選択図】図１
2012039078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々がゲート、ソース、およびドレインを有し、厚い酸化物を備え同じ基板に集積された一対の放射線電界効果型トランジスタと、
各々がゲート、ソース、およびドレインを有し、薄い酸化物を備え同じ基板に集積された一対の金属酸化物電界効果型トランジスタと、
各金属酸化物電界効果型トランジスタのドレインに電圧をかけるための手段と、
電離性放射線の影響下で第二の放射線電界効果型トランジスタのゲートには順方向のバイアスをかけまた第一の放射線電界効果型トランジスタのゲートにはゼロ・バイアスをかけるための手段と、
放射線集積回路の増幅された差分閾値電圧を測定するための手段と
を有する放射線量計。
【請求項２】
各々がゲート、ソース、およびドレインを有し、同じ基板に集積されている一対の放射線電界効果型トランジスタと、
一対の２００ｋΩ以上の同じ抵抗器と、
第一および第二の抵抗器に電圧をかけるための手段と、
電離性放射線の影響下で第二の放射線電界効果型トランジスタのゲートには順方向のバイアスをかけまた第一の放射線電界効果型トランジスタのゲートにはゼロ・バイアスをかけるための手段と、
放射線集積回路の増幅された差分閾値電圧を測定するための手段と
を有する放射線量計。
【請求項３】
さらに、
第一の金属酸化物電界効果型トランジスタのドレインをゲートに接続し、第二の金属酸化物電界効果型トランジスタのドレインをゲートに接続するための手段と、
第一の金属酸化物電界効果型トランジスタのドレインおよび第二の金属酸化物電界効果型トランジスタのドレインを電源に接続するための手段と、
第一の放射線電界効果型トランジスタのゲートをドレインに接続するための手段と、
第一の放射線電界効果型トランジスタのドレインを第二の放射線電界効果型トランジスタのゲートに接続するための手段と、
第一の金属酸化物電界効果型トランジスタのソースを第一の放射線電界効果型トランジスタのドレインに接続し、第二の金属酸化物電界効果型トランジスタのソースを第二の放射線電界効果型トランジスタのドレインに接続するための手段と、
両放射線電界効果型トランジスタのドレインの間の増幅された閾値の差を読み取って照射に先立って蓄積された放射線量に対応する初期の増幅された差分閾値を得るための手段と
を有する請求項１に記載の放射線量計。
【請求項４】
さらに、
電源を第一および第二の抵抗器と接続するための手段、第一の放射線電界効果型トランジスタのゲートとドレインに接続するための手段と、
第一の放射線電界効果型トランジスタのドレインを第二の放射線電界効果型トランジスタのゲートに接続するための手段と、
第一の抵抗器を第一の放射線電界効果型トランジスタのドレインに接続し、第二の抵抗器を第二の放射線電界効果型トランジスタのドレインに接続するための手段と、
第一および第二の放射線電界効果型トランジスタのドレインの間の増幅された閾値の差を読み取って照射後に蓄積された放射線量を得るための手段と
を有する請求項２に記載の放射線量計。
【請求項５】
放射線電界効果型トランジスタおよび金属酸化物電界効果型トランジスタが、アルミニウム・ゲートまたはポリシリコン・ゲートを有する請求項１または３に記載の放射線量計。
【請求項６】
放射線電界効果型トランジスタが、アルミニウム・ゲートまたはポリシリコン・ゲートを有する請求項２または４に記載の放射線量計。
【請求項７】
放射線電界効果型トランジスタが、約０．５μｍ以上の酸化物の厚さを有する請求項１または３に記載の放射線量計。
【請求項８】
電離性放射線量を測定する方法において、
（１）二つの放射線電界効果型トランジスタおよび二つの金属酸化物電界効果型トランジスタを有する放射線集積回路１（ＲＡＤＩＣ１）または二つの放射線電界効果型トランジスタおよび二つの抵抗器を有する放射線集積回路２（ＲＡＤＩＣ２）の初期の増幅された差分閾値電圧を測定し；
（２）放射線集積回路１および２のために第二の放射線電界効果型トランジスタのゲートに順方向のバイアスをかけまた電離性放射線に被爆している第一の放射線電界効果型トランジスタにはゼロ・バイアスをかけ；
（３）二つの放射線電界効果型トランジスタの間の照射後の増幅された差分閾値電圧を測定し、放射線集積回路に関する増幅度が下記の式であたえられ；
2012039078.tif 000010
（４）照射前に測定された増幅された差分閾値電圧から照射後に測定された増幅された差分閾値電圧を差し引くこと；
2012039078.tif 000011
からなる方法。
【請求項９】
放射線集積回路１および２が、１７および１５に等しい差分閾値電圧の変化の増幅度を有し、これらの値が、金属酸化物電界効果型トランジスタ、放射線電界効果型トランジスタ、および抵抗器のパラメータに応じて２と１００の間であり得る請求項１または２に記載の放射線量計。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放射線量計に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
金属酸化物半導体放射線量計は、放射線を軟化させるための特別に処理されたゲート絶縁材を備えたＭＯＳ電界効果型トランジスタである。
【０００３】
熱ルミネッセンス装置など従来の要員用放射線量計がある。この種の装置は、ＣａＦ２またはＬｉＦの小さな結晶を用いたもので、この結晶が、電離性放射線によって生成された電子とホールをトラップする。加熱されると、トラップが空になるために結晶から発光が生じ、この光は蓄積された線量に関係している。
【０００４】
ＭＯＳＦＥＴ放射線量計は、一般に放射線電界効果型トランジスタ（ＲＡＤＦＥＴ）として知られており、放射線によって生じたＲＡＤＦＥＴの閾値電圧のシフトを測定するものである。
【０００５】
放射線電界効果型トランジスタは、熱ルミネッセンス装置に関係する多くの利点をもっている：低コスト、小型、軽量、頑丈、正確、広い線量測定可能範囲、リアルタイムでまたは時間差をもっての直接示度、情報把持、測定を行うことのできる他のセンサーおよび／または回路とのモノリシック集積の可能性、信号調整、およびデータ処理等である。
【０００６】
１９８６年５月２０日付けのトムソンのカナダ国特許第１２０４８８５号は、一対のシリコン絶縁ゲート電界効果型トランジスタ（ＩＧＦＥＴ）を有し、同じ放射線に被曝する二つのＩＧＦＥＴセンサーの間の差分閾値を測定する放射線量計を開示している。二つのＩＧＦＥＴセンサーの一方は、その導電領域にバイアスがかけられ、他方は導電領域から外れるようにまたは前者より低い導電レベルにバイアスがかけられる。これら二つのＩＧＦＥＴをもつ放射線量計は、ゲートバイアスが３ボルトの場合には約２ｍＶ／ｃＧＹ、またゲートバイアスが１０ボルトより高い場合には約５ｍＶ／ｃＧＹの感度を示す。この二重式ＩＧＦＥＴセンサーの温度に対する感度は、０．１ｍＶ／℃より低いことがわかっている。軍隊仕様の温度範囲である−２０℃から＋５０℃すなわち７０℃の温度差では、ΔＶＴ＝７ｍＶすなわち１−３ｃＧＹである。
【０００７】
この先行技術の装置に関連する問題は、医療、核関連、および他の産業分野の作業要員が使用する線量計としては感度が不十分なことである。個人が使用する放射線量計は、約０．０１０ｃＧＹ（Ｒａｄ）の感度がなければならない。
【０００８】
Ｂ．オコンネル、Ａ．ケレハー、Ｗ．レーン、Ｌ．アダムズは、１９９６年６月のＩＥＥＥ  Ｔｒａｎ．Ｎｕｃｌ．Ｓｃｉ．Ｖｏｌ．４３，Ｎ３の中で公表された「放射線感度を高めるための積層式ＲＡＤＦＥＴ」と題する論文の中で、同じチップの上に１５の個別のＰＡＤＦＥＴを積層することによって８０ｍＶ／ｃＧＹの放射線感度が得られることを示している。
【０００９】
Ｖ．ポリシュークおよびＧ．サラベイルースは、Ｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ａｎｄ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｖｏｌ．６１，Ｎｏ．３−６，２００１の論評欄で公表された「ＭＯＳ電離性放射線量計：低乃至高線量測定」と題する論文の中で、１．８μｍというきわめて厚いゲート酸化物を有するＲＡＤＦＥＴを用いた積層接続式ＲＡＤＦＥＴ構成を示している。感度および最低測定線量を高めるために、１４ものトランジスタが積層されている。この構成で、照射前の出力電圧は１８Ｖであった。９０ｍＶ／ｃＧＹもの高い感度が得られている。
【００１０】
両グループとも、ミリＲａｄの放射線量を測定できる可能性を主張している。しかし、積層式ＲＡＤＦＥＴには、個人用放射線量計での使用を制限する多くの問題がある。問題は、一個のＲＡＤＦＥＴは、一定の温度係数を有していることである。金属酸化物半導体電界効果型トランジスタ装置は、放射線で誘起された閾値電圧のシフトだけが放射線量計で測定されるようにするために考慮に入れなければならない温度閾値電圧依存性を有している。積層式ＲＡＤＦＥＴでは、温度感度は、単一のものをＮ倍したよりも高くなる（Ｎは、積層されたＲＡＤＦＥＴの数）。
【００１１】
本発明の発明者は、Ｂ．オコンネルのグループが作った積層式ＲＡＤＦＥＴの温度感度を彼等のＲＡＤＦＥＴ放射線量計を用いて測定した。１０μＡの小さい定電流モード用に積層した１５のＭＯＳＦＥＴでの温度レスポンスは７０ｍＶ／℃であった。測定温度が＋／−１℃に制御された場合、最低測定放射線量は、約５ｃＧＹすなわち５Ｒａｄである。
【００１２】
Ｇ．サラベイルース、Ｄ．ブクダール、Ｖ．ポリシューク、およびＳ．シスコスは、Ｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ａｎｄ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｖｏｌ．６１，Ｎｏ．３−６，２００３，ｐｐ７３７−７３９で公表された「積層式ＭＯＳ電界効果型電離性放射線量計：可能性と限界」と題する論文の中で、最低温度係数（ＭＴＣ）点で積層式ＲＡＤＦＥＴを測定することによって積層式ＲＡＤＦＥＴの温度感度を下げることを提案している。この論文が示しているのは、実はコンピュータ・シミュレーションだけである。ＭＴＣ点での温度感度や閾値電圧のドリフトは測定されていない。
【００１３】
積層式ＲＡＤＦＥＴのもう一つの問題は、場合によって約１８ボルトにもなる高い出力電圧である。したがって、オペアンプを用いて放射線によって生じた閾値電圧の小さな変化を増幅することは困難である。
【００１４】
本発明では、放射線感度を高めるために、Ｒ．Ｈ．クロフォード「回路設計におけるＭＯＳＦＥＴ」、Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ：ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ，１９６７という書物に記載されているＭＯＳＦＥＴインバータの増幅原理を用いた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
従って、本発明の目的は、インバータの増幅原理を適用してミリＲａｄの感度と温度補償性能を有する個人用放射線量計として放射線集積回路を提供することである。
本発明は、０．０１ｃＧＹから２ｃＧＹ電離性放射線のきわめて低い線量を測定する固体放射線量計、より詳しくはＲＡＤＦＥＴまたはＭＯＳＦＥＴをベースにした放射線集積回路（ＲＡＤＩＣ）あるいはＲＡＤＦＥＴおよび抵抗器をベースにした回路に関する。いずれかのＲＡＤＩＣの照射中、基準回路の第一のＲＡＤＦＥＴ（左）はバイアスが外され、インバータ回路の第二のＲＡＤＦＥＴ（右）はバイアスがかけられる。従って、第二のＲＡＤＦＥＴの閾値電圧は、第一のＲＡＤＦＥＴのそれよりもかなり高い程度まで線量によって変化する。測定中、第二のＲＡＤＦＥＴ（右）の閾値電圧の変化は、そのインバータ回路によって増幅される。出力電圧の変化は、下の式であらわされるように増幅された差分閾値電圧の変化に等しくなるであろう。
ΔＵｏｕｔ＝ＡｕΔＵｔ
【００１６】
従って、本発明は、従来の二重式ＩＧＦＥＴおよび積層接続式ＲＡＤＦＥＴ放射線量計の低放射線感度の問題を解決するものである。
【００１７】
本発明の第二の目的は、この放射線集積回路が最小の温度効果を有し、温度変化に対して比較的鈍感であることである。これは、二つのＲＡＤＦＥＴからの差分閾値電圧を測定することによって達成される。温度が二つのＲＡＤＦＥＴに及ぼす効果を確実に等しくするために、ＲＡＤＦＥＴとＭＯＳＦＥＴまたは二つとＲＡＤＦＥＴを備えた回路を同じシリコン基板すなわち同じチップで作成する。各ＲＡＤＦＥＴのゲート酸化物の厚さは、好ましくは１μｍである。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】差分閾値電圧を測定できる状態にある二重式ＩＧＦＥＴ放射線量計を示す。
【図２】積層接続式ＲＡＤＦＥＴ放射線量計の示度構成を示す。
【図３】負荷としてＭＯＳＦＥＴを有するインバータを示す。
【図４】負荷として抵抗器を有するインバータを示す。
【図５】照射を受け容れる状態にある構成の本発明の基本実施形態のための放射線集積回路の構成図を示す。
【図６】示度モードにある本発明の基本実施形態のための放射線集積回路の構成図を示す。
【図７】照射を受け容れる状態にある構成の本発明の第二の実施形態のための放射線回路の構成図を示す。
【図８】示度モードにある本発明の第二の実施形態のための放射線回路の構成図を示す。
【図９】本発明の第二の実施形態のためのガンマ線の放射線量に応じた放射線回路のレスポンスを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明は、以下の本発明の詳細な説明および添付図面を参照することによってよりよく理解される。
図３は、二つのＭＯＳＦＥＴでつくられたインバータを示す。図中、Ｔ１は、管理用ＭＯＳＦＥＴトランジスタであり、Ｔ２は、装荷用ＭＯＳＦＥＴトランジスタである。本発明の背景の部分で参照したＲ．Ｈ．クロフォードの書物からの先行技術にもとづくこのインバータの増幅係数は、下の式で表される。
2012039078.tif 000003
ただし、βは、下の式であたえられる。
2012039078.tif 000004
【００２０】
図４は、ＭＯＳＦＥＴと抵抗器でつくられたインバータを示す。図中、Ｔ１は、管理用トランジスタであり、ＲＤは、装荷用抵抗器である。同じくＲ．Ｈ．クロフォードの書物からの先行技術に基くこの第二のインバータの増幅係数は、傾斜の大きさあるいは遷移導電率および装荷抵抗に比例し、下記の式で表される。
2012039078.tif 000005
ただし、ＲＤ‖ｒｄは、並列接続の装荷抵抗器ＲＤと動的ドレイン抵抗ｒｄの等価抵抗である。
2012039078.tif 000006
【００２１】
図５は、本発明の基本実施形態を示す。ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ２は、そのゲートＧ２、ドレインＤ２、およびソースＳ２が互いに接続され、さらに共通のソースＳに接続されている。ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ１は、そのゲートＧ１が電池４によってバイアスがかけられ、そのドレインＤ１およびソースＳ１が共通のソースＳに接続されている。二つのＭＯＳＦＥＴ  Ｑ３およびＱ４は、それらのドレインＤ３およびＤ４、ゲートＧ３およびＧ４、ソースＳ３およびＳ４が共通のソースＳに接続されている。
【００２２】
両ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ１およびＱ２ならびに両ＭＯＳＦＥＴ  Ｑ３およびＱ４は、同じ電離性放射線を受ける。これらのＭＯＳＦＥＴは、１００ｎｍ以下の薄い酸化物の厚さを有し、これらのＲＡＤＦＥＴは、１μｍ以下の薄い酸化物の厚さを有する。放射線感度は、酸化物の厚さに比例するため、ＭＯＳＦＥＴは、ＲＡＤＦＥＴと比べると感度がきわめて低い。バイアスがかけられたＲＡＤＦＥＴ  Ｑ１では、バイアスがかけられないＲＡＤＦＥＴ  Ｑ２より放射線感度がかなり高いことが分かっている。
【００２３】
図６は、示度モードにある本発明の基本実施形態を示す。同図は、放射線量を測定できる状態にある放射線集積回路（さらなるＲＡＤＩＣ１）の同じＲＡＤＦＥＴ  Ｑ１およびＱ２ならびに同じＭＯＳＦＥＴ  Ｑ３およびＱ４を示している。二つのＲＡＤＦＥＴのソースＳ１およびＳ２は、互いに接続されて接地されている。ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ２のゲートＧ２は、それ自身のドレインＤ２に接続され、このドレインは、ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ１のゲートＧ１にも接続されている。ＭＯＳＦＥＴ  Ｑ３のゲートＧ３およびドレインＤ３は、互いに接続されている。ＭＯＳＦＥＴ  Ｑ４のゲートＧ４よびドレインＤ４も、同じく互いに接続されている。ＭＯＳＦＥＴ  Ｑ３のソースＳ３は、ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ１のドレインＤ１に接続され、ＭＯＳＦＥＴ  Ｑ４のソースＳ４は、ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ２のドレインＤ２に接続されている。電源Ｕｄｄは、二つのＭＯＳＦＥＴのドレインＤ３およびＤ４に接続されている。二つのＭＯＳＦＥＴは、同じものでなければならない。二つのＲＡＤＦＥＴもやはり同じものでなければならない。二つのＭＯＳＦＥＴおよび二つのＲＡＤＦＥＴは、同じダイで作成される。従って、二つのＲＡＤＦＥＴは、照射に先立って、同じ温度変化特性、同じ初期閾値電圧、および同じ酸化物電荷をもっていなければならない。二つのＭＯＳＦＥＴも、やはり同じ温度特性と同じ閾値電圧をもっていなければならない。ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ１とＭＯＳＦＥＴ  Ｑ３は、ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ１の閾値電圧の変化を増幅させることのできるインバータである。閾値電圧の変化の増幅は、下記の等式であたえられる。
2012039078.tif 000007
【００２４】
ＲＡＤＦＥＴのパラメータが、Ｗ１＝１２００μｍ、Ｌ１＝５０μｍ、ｄｏｘ＝１μｍであり、ＭＯＳＦＥＴのパラメータが、Ｗ２＝２０μｍ、Ｌ２＝２４００μｍ、ｄｏｘ＝０．１μｍである場合には、閾値電圧の変化の増幅度は、１７である。
【００２５】
出力電圧Ｕｏｕｔは、ＲＡＤＦＥＴのドレインＤ１とＤ２の間で測定される。照射に先立って、電圧Ｕｏｕｔは、第一の増幅された差分閾値として測定される。照射後、出力電圧Ｕｏｕｔは、再度測定される。出力電圧Ｕｏｕｔは、照射前後の出力電圧の差あるいは受けた放射線量による増幅された差分閾値電圧ΔＵＴに等しい。
2012039078.tif 000008
【００２６】
ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ２およびＭＯＳＦＥＴ  Ｑ４は、インバータと同じ温度およびドリフト特性を有する基準回路である。従って、この放射線集積回路の温度効果は除去されている。
【００２７】
図７は、本発明の第二の実施形態を示す。ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ６のゲートＧ６、ドレインＤ６、およびソースＳ６は互いに接続され、さらに共通のソースＳ６に接続されている。ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ５は、そのゲートＧ５が電池４によってバイアスがかけられ、そのドレインＤ５およびソースＳ５が共通のソースＳに接続されている。
【００２８】
両ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ５およびＱ６は、同じ電離性放射線を受ける。これらのＲＡＤＦＥＴは、１μｍ以下の薄い酸化物の厚さを有する。照射中、ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ５は電池４によってバイアスがかけられ、ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ６は、バイアスが外される。従って、ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ５は、ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ６よりかなり高い放射線感度を有することになる。
【００２９】
図８は、示度モードにある本発明の第二の実施形態を示す。図８は、放射線量を測定するために用意された放射線集積回路２（さらなるＲＡＤＩＣ２）の同じＲＡＤＦＥＴ  Ｑ５およびＱ６ならびに同じ抵抗器２および３を示している。二つのＲＡＤＦＥＴのソースＳ１およびＳ２は、互いに接続されて接地されている。ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ６のゲートＧ６は、それ自体のドレインＤ６に接続され、このドレインは、ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ５のゲートＧ５にも接続されている。抵抗器２は、ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ５のドレインＤ５に接続され、抵抗器３は、ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ６のドレインＤ６に接続されている。電源Ｕｄｄは、二つの抵抗器２および３に接続されている。
【００３０】
二つのＲＡＤＦＥＴ  Ｑ５およびＱ６は、同じものでなければならず、同じダイで作成される。従って、二つのＲＡＤＦＥＴ  Ｑ５およびＱ６は、照射に先立って、同じ温度変化特性、同じ初期閾値電圧、および同じ酸化物電荷をもっていなければならない。ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ５と抵抗器２は、ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ５の閾値電圧の変化を増幅させることのできるインバータである。閾値電圧の変化の増幅は、下記の等式であたえられる。
2012039078.tif 000009
【００３１】
ＲＡＤＦＥＴのパラメータが、Ｗ１＝４０００μｍ、Ｌ＝４０μｍ、Ｒ１＝１０００ｋΩである場合には、閾値電圧の変化の増幅度は、１５である。
【００３２】
ＲＡＤＦＥＴ  Ｑ６および抵抗器３は、インバータと同じ温度およびドリフト特性を有する基準回路である。従って、この放射線集積回路の温度効果は最小化されている。ＲＡＤＩＣ２の測定温度感度は、０．５ｍＶ／Ｃである。
【００３３】
出力電圧Ｕｏｕｔは、受けた放射線量による増幅された差分閾値電圧ΔＵＴに等しい。
【００３４】
この放射線回路（Ｓ＝ΔＵｏｕｔ／Ｄ）の放射線感度は、照射中のバイアスがかけられた電圧がＵｂｉａｓ＝３．３Ｖの場合は２４０ｍＶ／ｃＧＹである。測定された放射線感度を考慮すれば、温度が±１℃に制御される場合には約０．０１ｃＧＹあるいは１０ｍＲａｄである。
【００３５】
図９は、放射線集積回路（ＲＡＤＩＣ２）に関するガンマ線の照射線量に応じた実験出力電圧の変化を示す。
【００３６】
従って、本発明の放射線集積回路（ＲＡＤＩＣ１およびＲＡＤＩＣ２）は、先行技術の二重式ＩＧＦＥＴ放射線量計および積層接続式ＲＡＤＦＥＴ放射線量計より敏感で正確な放射線量計回路であることが理解される。
【００３７】
特権の独占性を請求する本発明の実施形態は、特許請求の範囲に定義される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2012039078.tif 000018
【図８】
2012039078.tif 000019
【図９】
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【外国語明細書】
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