(57)【要約】      （修正有）【課題】繰り返し使用に対してJob内変動を抑制し、高画質画像が安定に得られる電子写真感光体とこれを用いた電子写真方法、電子写真装置、プロセスカートリッジを提供する。【解決手段】トリアリールアミン構造とカーボネート骨格を有する高分子電荷輸送物質と、一般式(XI)で表わされるアミン化合物とを含有する電荷輸送層37を有する電子写真感光体とする。［但し、一般式(XI)中、A、Bはそれぞれ下記一般式(ｉ)、(ｉｉ)で表わされる基より選ばれ、同一であっても、異なってもよい。(ｉ)−ＣＨ２Ｘ、(ｉｉ)−ＣＨ２ＣＨ２Ｙ〔但し、一般式(ｉ)又は(ｉｉ)中、X、Yはそれぞれ芳香族残基、シクロアルキル基、又はヘテロシクロアルキル基を表わし、これらは置換基を有してもよい。〕］2012103391.tif 000090【選択図】図４
2012103391.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、前記感光層が、少なくともトリアリールアミン構造とカーボネート骨格を有する高分子電荷輸送物質と、下記一般式（XI）で表わされるアミン化合物と、を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2012103391.tif 000077
［但し、一般式（XI）中、Ａ、Ｂはそれぞれ下記一般式（ｉ）、（ｉｉ）で表わされる基より選ばれ、同一であっても、異なってもよい。
（ｉ）−ＣＨ２Ｘ
（ｉｉ）−ＣＨ２ＣＨ２Ｙ
〔但し、一般式（ｉ）または（ｉｉ）中、Ｘ、Ｙはそれぞれ芳香族残基、シクロアルキル基、またはヘテロシクロアルキル基を表わし、これらは置換基を有してもよい。〕］
【請求項２】
前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（Ｉ）で表わされる構造を有することを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【化２】
2012103391.tif 000078
［但し、一般式（Ｉ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表わし、Ｒ４は水素原子または置換もしくは無置換のアルキル基を表わし、Ｒ５、Ｒ６は置換もしくは無置換のアリール基を表わす。 ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは全構成単位の個数を１としたときの各構成単位の組成比を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし５〜５０００の整数である。 Ｘは脂肪族炭化水素の２価基、環状脂肪族炭化水素の２価基、もしくは下記一般式（１）または（２）で表わされる２価基を表わす。
【化３】
2012103391.tif 000079
〔但し、一般式（１）中、Ｒ１０１、Ｒ１０２は各々独立して置換もしくは無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表わし、それぞれ同一でも異なっていてもよい。 ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、または−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わす。）基を表わす。〕
【化４】
2012103391.tif 000080
〔但し、一般式（２）中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ１０３、Ｒ１０４は置換または無置換のアルキル基またはアリール基を表わし、それぞれ同一でも異なってもよい。〕］
【請求項３】
前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（II）で表わされる構造を有することを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【化５】
2012103391.tif 000081
〔但し、一般式（II）中、Ｒ７、Ｒ８は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【請求項４】
前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（III）で表わされる構造を有することを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【化６】
2012103391.tif 000082
〔但し、一般式（III）中、Ｒ９、Ｒ１０は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【請求項５】
前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（IV）で表わされる構造を有することを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【化７】
2012103391.tif 000083
〔但し、一般式（IV）中、Ｒ１１、Ｒ１２は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ７、Ａｒ８、Ａｒ９は同一または異なるアリーレン基、ｓは１〜５の整数を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【請求項６】
前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（Ｖ）で表わされる構造を有することを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【化８】
2012103391.tif 000084
〔但し、一般式（Ｖ）中、Ｒ１３、Ｒ１４は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１０、Ａｒ１１、Ａｒ１２は同一または異なるアリーレン基、Ｘ１、Ｘ２は置換もしくは無置換のエチレン基、または置換もしくは無置換のビニレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【請求項７】
前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（VI）で表わされる構造を有することを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【化９】
2012103391.tif 000085
〔但し、一般式（VI）中、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５、Ａｒ１６は同一または異なるアリーレン基、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし、同一であっても異なってもよい。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【請求項８】
前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（VII）で表わされる構造を有することを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【化１０】
2012103391.tif 000086
〔但し、一般式（VII）中、Ｒ１９、Ｒ２０は水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表わし、Ｒ１９とＲ２０は環を形成していてもよい。 Ａｒ１７、Ａｒ１８、Ａｒ１９は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【請求項９】
前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（VIII）で表わされる構造を有することを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【化１１】
2012103391.tif 000087
〔但し、一般式（VIII）中、Ｒ２１は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ２０、Ａｒ２１、Ａｒ２２、Ａｒ２３は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【請求項１０】
前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（IX）で表わされる構造を有することを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【化１２】
2012103391.tif 000088
〔但し、一般式（IX）中、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ２４、Ａｒ２５、Ａｒ２６、Ａｒ２７、Ａｒ２８は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【請求項１１】
前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（Ｘ）で表わされる構造を有することを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【化１３】
2012103391.tif 000089
〔但し、一般式（Ｘ）中、Ｒ２６、Ｒ２７は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ２９、Ａｒ３０、Ａｒ３１は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【請求項１２】
電子写真感光体の表面を帯電させる帯電工程と、前記電子写真感光体上に静電潜像を形成する画像露光工程と、前記静電潜像を現像してトナー画像を形成する現像工程と、前記トナー画像を直接記録材に転写するか或いは中間転写体を介して記録材に転写する転写工程とを繰り返し行う電子写真方法であって、前記電子写真感光体として請求項１〜１１のいずれかに記載の電子写真感光体を用いることを特徴とする電子写真方法。
【請求項１３】
電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電せしめる帯電手段と、前記電子写真感光体表面に静電潜像を形成する画像露光手段と、前記静電潜像を現像してトナー画像を形成する現像手段と、前記トナー画像を直接記録材に転写するか或いは中間転写体に転写する転写手段とを具備する電子写真装置であって、前記電子写真感光体が請求項１〜１１のいずれかに記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置。
【請求項１４】
請求項１〜１１のいずれかに記載の電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電せしめる帯電手段、前記電子写真感光体表面に静電潜像を形成する画像露光手段、前記静電潜像を現像してトナー画像を形成する現像手段、前記電子写真感光体表面をクリーニングするクリーニング手段および前記トナー画像を記録材に直接転写するか或いは中間転写体に転写する転写手段のうちから選ばれる少なくとも一つの手段と、を具備することを特徴とする電子写真装置用プロセスカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真感光体に関し、詳しくは、特定の高分子電荷輸送物質と特定のアミン化合物を含有する電子写真感光体、並びに、該電子写真感光体を使用した電子写真方法、電子写真装置および電子写真用プロセスカートリッジに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体（以下「感光体」ということもある。）には、暗所で表面電荷を保持する機能と、光を受容して電荷を発生する機能と、同じく光を受容して電荷を輸送する機能とが必要であるが、一つの層でこれらの機能を併せ持ったいわゆる単層型感光体と、主として電荷発生に寄与する層と暗所での表面電荷と光受容時の電荷輸送に寄与する層とに機能分離した層とを積層したいわゆる機能分離積層型感光体とがある。
【０００３】
これらの感光体を用いた電子写真法による画像形成には、例えば、カールソン方式が適用される。この方式での画像形成は、暗所での感光体へのコロナ放電による帯電、帯電された感光体表面上への原稿の文字や絵などの静電潜像の形成、形成された静電潜像のトナーによる現像、現像されたトナー像の紙などの支持体への定着により行われ、トナー像転写後の感光体は除電、残留トナーの除去、光除電などを行った後、再使用に供される。
【０００４】
近年、可撓性、熱安定性、成膜性などの利点により、有機物質を用いた電子写真感光体が実用化されてきた。最近においては、感光層として電荷発生材料を含有する電荷発生層と電荷輸送材料を含有する電荷輸送層からなる機能分離積層型感光体が主流となっており、中でも有機顔料を電荷発生材料として蒸着層または樹脂中に分散させた層を電荷発生層とし、有機低分子化合物を電荷輸送材料として樹脂中に分散させた層を電荷輸送層として用いる負帯電型感光体が数多く提案されている。
【０００５】
有機物質は、無機物質にはない多くの長所を持つが、また同時に電子写真感光体に要求されるすべての特性を充分に満足するものが得られていないのが現状である。即ち、繰り返し使用による帯電電位の低下、残留電位の上昇、感度変化等により、画像品質の劣化が引き起こされる。この劣化の原因について全てが解明されているわけではないが、要因の一つとしてコロナ放電帯電器より放出されるオゾン、ＮＯｘなどの酸化性ガス、および大気中のオゾン、ＮＯｘなどの酸化性ガスが感光層に著しいダメージを与えることが分っている。換言すると、これらの酸化性ガスは、感光体中の材料と化学変化を起こしたり、あるいは感光層表面に吸着物を形成したりすることで種々の特性変化をもたらし、例えば、帯電電位の低下、残留電位の上昇、表面抵抗の低下による解像力の低下（画像ボケ）などを引き起こす。その結果著しく画質を低下させ、感光体の寿命を短くしている。
【０００６】
これらの対策として感光層に酸化防止剤や安定剤を添加し、劣化を防ぐ提案がなされている。例えば、感光層へのヒンダードフェノール系酸化防止剤、ヒンダードアミン系酸化防止剤の添加（例えば、特許文献１参照）、アミン化合物の添加（例えば、特許文献２〜６参照）が提案されている。そして、これらの提案は従来の感光体使用条件下において一定の効果を奏していた。
【０００７】
ところで近年では、感光体表面に潤滑剤を塗布したり、表面保護層を設けるなどの方法が採られて、高耐摩耗性が付与されたり、感光体周りのプロセス設計により感光体摩耗が抑えられるようになり、感光体を長期間使用できるようになってきている。そのため、感光体の静電特性の高耐久化が非常に重要になってきているが、長期にわたり高画質を維持するためには、従来の酸化防止剤等の添加では不十分になってきている。
【０００８】
また最近では、電子写真装置は、フルカラー化や高速化が急速に進行しており、それに伴って需要も一般オフィス領域から、ＳＯＨＯ領域あるいは軽印刷領域へと多様化している。特に、軽印刷分野では印刷ボリュームが著しく増大し、かつ画質安定性の要求度が高くなるため、有機感光体の更なる高耐久化、高安定化が必要不可欠である。
【０００９】
軽印刷分野で使用される電子写真装置における露光部電位変動の問題は、比較的長い時間印刷を行っている場合の露光部電位変動よりも、印刷を開始して一つのＪｏｂ（一つの作業）が終了し、次ぎの印刷を再開した時の露光部電位変動の方が問題として大きい。以降、前者を露光部電位の日内変動、後者を露光部電位のＪｏｂ内変動と称し区別する。露光部電位の日内変動の場合には、その影響が目につきにくいことと、電子写真装置の中で電位を補正できるため、問題としてはそれほど大きくないが、Ｊｏｂ内変動が大きいと、その影響が目立つ上、Ｊｏｂ内の数十枚あるいは数枚単位で電位が変動すると、電位の補正が困難になるため、深刻な問題となる。
【００１０】
特に、軽印刷分野では、一つのＪｏｂで同じ画像パターンを大量に印刷する需要があるが、この場合に露光部電位のＪｏｂ内変動が大きいと画像濃度が変化し、画質一貫性が低下することになる。文字主体の画像パターンであればそれほど目立つことはないが、画像主体でしかもフルカラー画像パターンの場合は、画像濃度の変化だけでなく色味なども変化し、非常に深刻な問題につながる。つまり、感光体の露光部電位を低減し、さらに長期繰り返し印刷における露光部電位変動を日内変動だけでなく、Ｊｏｂ内変動を抑制することが要求される。
こうした要求に対して、上記特許文献１〜６に記載された電子写真感光体では必ずしも充分応えられていないのが実情である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、長期間の繰り返し使用に対しても高耐久性を有し、かつ画像濃度低下、あるいは画像ボケの発生による画像劣化を抑制し、さらに露光部電位の日内変動のみならず、Ｊｏｂ内変動を抑制し、高画質画像が安定に得られる電子写真感光体を提供することにある。本発明の他の目的は、前記の電子写真感光体を用いることにより、常に画像濃度が安定し、画質一貫性に優れた高耐久、高安定な電子写真方法、電子写真装置、並びに電子写真装置用プロセスカートリッジを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、鋭意検討した結果、以下の〔１〕〜〔１４〕に記載する発明によって上記課題が解決されることを見出し本発明に至った。以下、本発明について具体的に説明する。
【００１３】
〔１〕：上記課題は、導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、前記感光層が、少なくともトリアリールアミン構造とカーボネート骨格を有する高分子電荷輸送物質と、下記一般式（XI）で表わされるアミン化合物と、を含有することを特徴とする電子写真感光体により解決される。
【００１４】
【化１】
2012103391.tif 000003
【００１５】
［但し、一般式（XI）中、Ａ、Ｂはそれぞれ下記一般式（ｉ）、（ｉｉ）で表わされる基より選ばれ、同一であっても、異なってもよい。
（ｉ）−ＣＨ２Ｘ
（ｉｉ）−ＣＨ２ＣＨ２Ｙ
〔但し、一般式（ｉ）または（ｉｉ）中、Ｘ、Ｙはそれぞれ芳香族残基、シクロアルキル基、またはヘテロシクロアルキル基を表わし、これらは置換基を有してもよい。〕］
【００１６】
〔２〕：上記〔１〕に記載の電子写真感光体において、前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（Ｉ）で表わされる構造を有することを特徴とする。
【００１７】
【化２】
2012103391.tif 000004
【００１８】
［但し、一般式（Ｉ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表わし、Ｒ４は水素原子または置換もしくは無置換のアルキル基を表わし、Ｒ５、Ｒ６は置換もしくは無置換のアリール基を表わす。 ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは全構成単位の個数を１としたときの各構成単位の組成比を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし５〜５０００の整数である。 Ｘは脂肪族炭化水素の２価基、環状脂肪族炭化水素の２価基、もしくは下記一般式（１）または（２）で表わされる２価基を表わす。
【００１９】
【化３】
2012103391.tif 000005
【００２０】
〔但し、一般式（１）中、Ｒ１０１、Ｒ１０２は各々独立して置換もしくは無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表わし、それぞれ同一でも異なっていてもよい。 ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、または−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わす。）基を表わす。〕
【００２１】
【化４】
2012103391.tif 000006
【００２２】
〔但し、一般式（２）中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ１０３、Ｒ１０４は置換または無置換のアルキル基またはアリール基を表わし、それぞれ同一でも異なってもよい。〕］
【００２３】
〔３〕：上記〔１〕に記載の電子写真感光体において、前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（II）で表わされる構造を有することを特徴とする。
【００２４】
【化５】
2012103391.tif 000007
【００２５】
〔但し、一般式（II）中、Ｒ７、Ｒ８は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【００２６】
〔４〕：上記〔１〕に記載の電子写真感光体において、前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（III）で表わされる構造を有することを特徴とする。
【００２７】
【化６】
2012103391.tif 000008
【００２８】
〔但し、一般式（III）中、Ｒ９、Ｒ１０は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【００２９】
〔５〕：上記〔１〕に記載の電子写真感光体において、前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（IV）で表わされる構造を有することを特徴とする。
【００３０】
【化７】
2012103391.tif 000009
【００３１】
〔但し、一般式（IV）中、Ｒ１１、Ｒ１２は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ７、Ａｒ８、Ａｒ９は同一または異なるアリーレン基、ｓは１〜５の整数を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【００３２】
〔６〕：上記〔１〕に記載の電子写真感光体において、前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（Ｖ）で表わされる構造を有することを特徴とする。
【００３３】
【化８】
2012103391.tif 000010
【００３４】
〔但し、一般式（Ｖ）中、Ｒ１３、Ｒ１４は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１０、Ａｒ１１、Ａｒ１２は同一または異なるアリーレン基、Ｘ１、Ｘ２は置換もしくは無置換のエチレン基、または置換もしくは無置換のビニレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【００３５】
〔７〕：上記〔１〕に記載の電子写真感光体において、前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（VI）で表わされる構造を有することを特徴とする。
【００３６】
【化９】
2012103391.tif 000011
【００３７】
〔但し、一般式（VI）中、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５、Ａｒ１６は同一または異なるアリーレン基、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし、同一であっても異なってもよい。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【００３８】
〔８〕：上記〔１〕に記載の電子写真感光体において、前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（VII）で表わされる構造を有することを特徴とする。
【００３９】
【化１０】
2012103391.tif 000012
【００４０】
〔但し、一般式（VII）中、Ｒ１９、Ｒ２０は水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表わし、Ｒ１９とＲ２０は環を形成していてもよい。 Ａｒ１７、Ａｒ１８、Ａｒ１９は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【００４１】
〔９〕：上記〔１〕に記載の電子写真感光体において、前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（VIII）で表わされる構造を有することを特徴とする。
【００４２】
【化１１】
2012103391.tif 000013
【００４３】
〔但し、一般式（VIII）中、Ｒ２１は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ２０、Ａｒ２１、Ａｒ２２、Ａｒ２３は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【００４４】
〔１０〕：上記〔１〕に記載の電子写真感光体において、前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（IX）で表わされる構造を有することを特徴とする。
【００４５】
【化１２】
2012103391.tif 000014
【００４６】
〔但し、一般式（IX）中、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ２４、Ａｒ２５、Ａｒ２６、Ａｒ２７、Ａｒ２８は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【００４７】
〔１１〕：上記〔１〕に記載の電子写真感光体において、前記高分子電荷輸送物質が、下記一般式（Ｘ）で表わされる構造を有することを特徴とする。
【００４８】
【化１３】
2012103391.tif 000015
【００４９】
〔但し、一般式（Ｘ）中、Ｒ２６、Ｒ２７は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ２９、Ａｒ３０、Ａｒ３１は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【００５０】
〔１２〕：上記課題は、電子写真感光体の表面を帯電させる帯電工程と、前記電子写真感光体上に静電潜像を形成する画像露光工程と、前記静電潜像を現像してトナー画像を形成する現像工程と、前記トナー画像を直接記録材に転写するか或いは中間転写体を介して記録材に転写する転写工程とを繰り返し行う電子写真方法であって、前記電子写真感光体として〔１〕〜〔１１〕のいずれかに記載の電子写真感光体を用いることを特徴とする電子写真方法により解決される。
【００５１】
〔１３〕：上記課題は、電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電せしめる帯電手段と、前記電子写真感光体表面に静電潜像を形成する画像露光手段と、前記静電潜像を現像してトナー画像を形成する現像手段と、前記トナー画像を直接記録材に転写するか或いは中間転写体に転写する転写手段とを具備する電子写真装置であって、前記電子写真感光体が〔１〕〜〔１１〕のいずれかに記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置により解決される。
【００５２】
〔１４〕：上記課題は、〔１〕〜〔１１〕のいずれかに記載の電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電せしめる帯電手段、前記電子写真感光体表面に静電潜像を形成する画像露光手段、前記静電潜像を現像してトナー画像を形成する現像手段、前記電子写真感光体表面をクリーニングするクリーニング手段および前記トナー画像を記録材に直接転写するか或いは中間転写体に転写する転写手段のうちから選ばれる少なくとも一つの手段と、を具備することを特徴とする電子写真装置用プロセスカートリッジにより解決される。
【発明の効果】
【００５３】
本発明の電子写真感光体によれば、感光層中にトリアリールアミン構造とカーボネート骨格（炭酸エステル結合）を有する高分子電荷輸送物質と、前記一般式（XI）で表されるアミン化合物を含有することで、電荷輸送機能の低下をもたらすことなくまた高分子電荷輸送物質の変質が抑制されて長期の繰り返し使用に対しても感光体特性が安定し（例えば、静電特性が安定化して露光部電位や残留電位の上昇が低減される。）、更にＪｏｂ内変動も抑制し、高画質画像が長期に渡って安定に得られる。
また、本発明によれば前記電子写真感光体を用いることにより、画像濃度や色味の変化が少ない、すなわち画質一貫性に優れた画像出力が可能な電子写真方法、電子写真装置、および電子写真装置用プロセスカートリッジが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明に係る電子写真感光体の一構成例を示す概略断面図である。
【図２】本発明に係る電子写真感光体の別の構成例を示す概略断面図である。
【図３】本発明に係る電子写真感光体の更に別の構成例を示す概略断面図である。
【図４】本発明に係る電子写真感光体の更にまた別の構成例を示す概略断面図である。
【図５】本発明の実施形態におけるプリンタの一例を示す概略構成図である。
【図６】本発明におけるタンデム型画像形成装置の一例を示す概略図である。
【図７】本発明におけるプロセスカートリッジの構成例を示す模式図である。
【図８】実施例において用いたチタニルフタロシアニンの粉末ＸＤスペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【００５５】
前述のように本発明における電子写真感光体は、導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、前記感光層が、少なくともトリアリールアミン構造とカーボネート骨格を有する高分子電荷輸送物質と、前記一般式（XI）で表わされるアミン化合物と、を含有することを特徴とするものである。
なお、本発明において、「トリアリールアミン構造とカーボネート骨格を有する高分子電荷輸送物質」を、「特定の高分子電荷輸送物質」または「高分子電荷輸送物質」と呼称することがある。
以下、本発明を詳細に説明する。
先ず、本発明の電子写真感光体から図面に基づいて説明を進める。
【００５６】
〔電子写真感光体〕
図１は、本発明の電子写真感光体の一構成例を示す概略断面図であり、導電性支持体３１上に、電荷発生物質と高分子電荷輸送物質を主成分とする感光層３３が設けられている。
図２は、本発明の電子写真感光体の別の構成例を示す概略断面図であり、導電性支持体３１上に、電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３５と、高分子電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３７とが、積層された構成をとっている。
図３は、本発明の電子写真感光体の更に別の構成を示す概略断面図であり、導電性支持体３１上に、電荷発生物質と高分子電荷輸送物質を主成分とする感光層３３が設けられ、更に感光層３３の表面に保護層３９が設けられてなる。この場合、保護層３９に前記一般式（XI）で示されるアミン化合物が含有されても構わない。
図４は、本発明の電子写真感光体の更にまた別の構成を示す概略断面図であり、導電性支持体３１上に、電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３５と高分子電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３７とが積層された構成をとっており、更に電荷輸送層上に保護層３９が設けられてなる。この場合、保護層３９に前記一般式（XI）で表わされるアミン化合物が含有されても構わない。
なお、上記において、「高分子電荷輸送物質を主成分とする感光層」あるいは「高分子電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層」には前記一般式（XI）で表わされるアミン化合物を含有する。
以下、電子写真感光体の各構成層について詳しく説明する。
【００５７】
［導電性支持体］
導電性支持体３１としては、体積抵抗１０10Ω・ｃｍ以下の導電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着またはスパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプラスチック、紙等に被覆したもの、あるいは、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板およびそれらを、押し出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩などの表面処理した管などを使用することができる。また、特公昭５２−３６０１６号公報に開示されたエンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導電性支持体３１として用いることができる。
【００５８】
この他、上記支持体上に導電性粉体を適当な結着樹脂に分散して塗工したものについても、本発明の導電性支持体３１として用いることができる。この導電性粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラック、またアルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などの金属粉、あるいは導電性酸化スズ、ＩＴＯなどの金属酸化物粉体などが挙げられる。また、同時に用いられる結着樹脂には、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などの熱可塑性、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂が挙げられる。
このような導電性層は、これらの導電性粉体と結着樹脂を適当な溶剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、メチルエチルケトン、トルエンなどに分散して塗布することにより設けることができる。
【００５９】
さらに、適当な円筒基体上にポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン（登録商標）などの素材に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チューブによって導電性層を設けてなるものも、本発明の導電性支持体３１として良好に用いることができる。
【００６０】
［感光層］
次に、感光層について説明する。感光層は電荷発生物質と高分子電荷輸送物質を含む単層構成の感光層（図１、図３）でも、電荷発生層と電荷輸送層で構成される積層型（図２、図４）でも構わないが、説明の都合上、積層構成からなる感光層について先に述べる。
【００６１】
＜電荷発生層＞
電荷発生層３５は、電荷発生物質を主成分とする層である。電荷発生層３５には、公知の電荷発生物質を用いることが可能であり、その代表として、モノアゾ顔料、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン系顔料、ペリノン系顔料、キナクリドン系顔料、キノン系縮合多環化合物、スクアリック酸系染料、フタロシアニン系顔料、ナフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩系染料等が挙げられる。これら電荷発生物質は単独で用いても２種以上混合して用いても構わない。
【００６２】
電荷発生層３５は、電荷発生物質を必要に応じて結着樹脂と共に適当な溶剤中にボールミル、アトライター、サンドミル、超音波などを用いて分散し、この電荷発生層形成液を導電性支持体上に塗布し、乾燥することにより形成される。
【００６３】
必要に応じて用いられる結着樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミド、ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。結着樹脂の量は、電荷発生物質１００重量部に対し０〜５００重量部、好ましくは１０〜３００重量部が適当である。結着樹脂の添加は、分散前、分散後のどちらでも構わない。
【００６４】
溶剤としては、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセルソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロルメタン、ジクロルエタン、モノクロルベンゼン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられるが、特にケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒が良好に使用される。これらは単独で用いても２種以上混合して用いてもよい。
【００６５】
電荷発生層３５は、電荷発生物質および結着樹脂を主成分とするが、増感剤、分散剤、界面活性剤、シリコーンオイル等の種々の添加剤が含まれていてもよい。
【００６６】
塗布液（電荷発生層形成液）の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の方法を用いることができる。
電荷発生層３５の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．１〜２μｍである。
【００６７】
＜電荷輸送層＞
電荷輸送層３７は、高分子電荷輸送物質を主成分とする層であり、本発明においては、下記一般式（XI）で表わされるアミン化合物と、トリアリールアミン構造とカーボネート骨格（炭酸エステル結合）を有する高分子電荷輸送物質とを含有する。
【００６８】
【化１４】
2012103391.tif 000016
【００６９】
［但し、一般式（XI）中、Ａ、Ｂはそれぞれ下記一般式（ｉ）、（ｉｉ）で表される基より選ばれ、同一であっても、異なってもよい。
（ｉ）−ＣＨ２Ｘ
（ｉｉ）−ＣＨ２ＣＨ２Ｙ
〔但し、一般式（ｉ）または（ｉｉ）中、Ｘ、Ｙはそれぞれ芳香族残基、シクロアルキル基、またはヘテロシクロアルキル基を表わし、これらは置換基を有してもよい。〕］
【００７０】
ここで、芳香族残基の芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環などが挙げられる。シクロアルキル基またはヘテロシクロアルキル基のアルキル基の炭素数は１〜６、であり、ヘテロシクロアルキル基のヘテロ原子としては酸素、硫黄、窒素などである。また、これら芳香族残基、シクロアルキル基またはヘテロシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基などが挙げられる。
【００７１】
以下に一般式（XI）で表わされるアミン化合物の好ましい例を、下記構造式（XIａ）〜構造式（XIｅ）に挙げる。但し、本発明は、これらの化合物に限定されるわけではない。
【００７２】
【化１５】
2012103391.tif 000017
【００７３】
トリアリールアミン構造とカーボネート骨格を有する高分子電荷輸送物質として、下記一般式（Ｉ）〜（Ｘ）で表わされる高分子電荷輸送物質が有効に用いられる。 以下に詳細説明とその具体例を示す。
先ず、下記一般式（Ｉ）で表わされる高分子電荷輸送物質とその具体例を以下に示す。
【００７４】
【化１６】
2012103391.tif 000018
【００７５】
［但し、一般式（Ｉ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表わし、Ｒ４は水素原子または置換もしくは無置換のアルキル基を表わし、Ｒ５、Ｒ６は置換もしくは無置換のアリール基を表わす。 ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ、ｊは全構成単位の個数を１としたときの各構成単位の組成比を表わし、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表わし５〜５０００の整数である。 Ｘは脂肪族炭化水素の２価基、環状脂肪族炭化水素の２価基、もしくは下記一般式（１）または（２）で表わされる２価基を表わす。
【００７６】
【化１７】
2012103391.tif 000019
【００７７】
〔但し、一般式（１）中、Ｒ１０１、Ｒ１０２は各々独立して置換もしくは無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表わし、それぞれ同一でも異なっていてもよい。 ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、または−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表わす。）基を表わす。〕
【００７８】
【化１８】
2012103391.tif 000020
【００７９】
〔但し、一般式（２）中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ１０３、Ｒ１０４は置換または無置換のアルキル基またはアリール基を表わし、それぞれ同一でも異なってもよい。〕］
【００８０】
一般式（Ｉ）の置換基の説明
（１）上記したように、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
(ａ)．上記アルキル基としては、好ましくは、Ｃ１〜Ｃ１２とりわけＣ１〜Ｃ８、さらに好ましくはＣ１〜Ｃ４の直鎖または分岐鎖のアルキル基が挙げられ、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、フェニル基、またはハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基もしくはＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基で置換されたフェニル基により置換されていてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(ｂ)．ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【００８１】
（２）Ｒ４は水素原子または置換もしくは無置換のアルキル基を表わすが、そのアルキル基の具体例としては上記のＲ１、Ｒ２、Ｒ３と同様のもの［（１）(ａ)参照］が挙げられる。
【００８２】
（３）Ｒ５、Ｒ６は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
(ａ)．芳香族炭化水素基：例えば、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。 
(ｂ)．複素環基：例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【００８３】
（４）上述のアリール基は以下の(ａ)〜(ｇ)に示す基を置換基として有してもよい。
(ａ)．ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(ｂ)．アルキル基：アルキル基としては上記のＲ１、Ｒ２、Ｒ３について示したものと同様のもの［（１）(ａ)参照］が挙げられる。
(ｃ)．アルコキシ基［−ＯＲ１０５；但し、Ｒ１０５は上記（４）(ｂ)のアルキル基と同様］。
具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(ｄ)．アリールオキシ基：アリールオキシ基のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。また、該アリール基は、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、例えばフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(ｅ)．置換メルカプト基またはアリールメルカプト基：具体的には、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(ｆ）．アルキル置換アミノ基：アルキル置換アミノ基のアルキル基としては、上記（４）(ｂ)で示されたものと同様のものが挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(ｇ)．アシル基：具体的には、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００８４】
（５）Ｘは下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。 この場合、製造されるポリカーボネートはランダム共重合体、またはブロック共重合体となる。 
また、Ｘは下記一般式（Ａ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【００８５】
【化１９】
2012103391.tif 000021
【００８６】
［但し、一般式（Ａ）中、Ｒ１〜Ｒ６およびｏ、ｐ、ｑは上記一般式（Ｉ）と同様である。］
【００８７】
【化２０】
2012103391.tif 000022
【００８８】
［但し、一般式（Ｂ）中、Ｘは上記一般式（Ｉ）と同様である。］
【００８９】
一般式（Ｂ）のジオール化合物の具体例としては以下のものが挙げられる。
(ａ)．脂肪族ジオール：例えば、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１０−デカンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等の脂肪族ジオール、あるいは１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−ジメタノール等の環状脂肪族ジオール等が挙げられる。
(ｂ)．芳香族ジオール：例えば、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、４，４’−ジヒドロキシジッフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルオキシド、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテン、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−テトラメチルジシロキサン、フェノール変性シリコーンオイル等が挙げられる。
【００９０】
一般式（Ｉ）で表される高分子電荷輸送物質の具体的な合成方法としては、例えば、特開平９−１５１２４８号公報に例示されている方法が挙げられる。
【００９１】
次に、下記一般式（II）で表わされる高分子電荷輸送物質とその具体例を以下に示す。
【００９２】
【化２１】
2012103391.tif 000023
【００９３】
〔但し、一般式（II）中、Ｒ７、Ｒ８は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【００９４】
一般式（II）の置換基の説明
（１）Ｒ７、Ｒ８は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下の(ａ)〜(ｃ)に示すのものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【００９５】
(ａ)．芳香族炭化水素基：例えば、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基等が挙げられる。
【００９６】
(ｂ)．下記一般式（３）で表される基：
【００９７】
【化２２】
2012103391.tif 000024
【００９８】
［但し、一般式（３）中、Ｒ１０６は、下記（３）(ａ)〜(ｇ)に示す置換基と同様であり、Ｗは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−および下記一般式（イ）〜（ニ）の２価基を表わす。
【００９９】
【化２３】
2012103391.tif 000025
【０１００】
〔但し、一般式（イ）中、ｃは１〜１２の整数を表わす。〕
【０１０１】
【化２４】
2012103391.tif 000026
【０１０２】
〔但し、一般式（ロ）中、ｄは１〜３の整数を表わす。〕
【０１０３】
【化２５】
2012103391.tif 000027
【０１０４】
〔但し、一般式（ハ）中、Ｒ１０７は、下記（３）(ａ)〜(ｇ)に示す置換基と同様であり、ｅは１〜３の整数を表わす。〕
【０１０５】
【化２６】
2012103391.tif 000028
【０１０６】
〔但し、一般式（ニ）中、Ｒ１０８は、下記（３）(ａ)〜（ｇ）に示す置換基と同様であり、ｆは１〜３の整数を表わす。〕］
【０１０７】
(ｃ)．複素環基：例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１０８】
（２）Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３で示されるアリーレン基としては一般式中（II）中Ｒ７およびＲ８について示されたアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１０９】
（３）上述のアリール基およびアリーレン基は以下(ａ)〜(ｇ)に示す基を置換基として有してもよい。 なお、これら置換基は上記一般式中のＲ１０６、Ｒ１０７、Ｒ１０８の具体例でもある。
(ａ)．ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(ｂ)．アルキル基：好ましくは、Ｃ１〜Ｃ１２とりわけＣ１〜Ｃ１８、さらに好ましくはＣ１〜Ｃ４の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、フェニル基、またはハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基もしくはＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。 具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(ｃ)．アルコキシ基（−ＯＲ１０９）：Ｒ１０９は上記（３）(ｂ)．で示されたアルキル基と同様である。 具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(ｄ)．アリールオキシ基：アリールオキシ基のアリール基としてフェニル基、ナフチル基が挙げられる。 これは、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。 具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。 
(ｅ)．置換メルカプト基またはアリールメルカプト基：具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（ｆ）．下記一般式（ホ）で表される基：
【０１１０】
【化２７】
2012103391.tif 000029
【０１１１】
〔但し、一般式（ホ）中、Ｒ１１０およびＲ１１１は各々独立に上記（３）(ｂ)で示したアルキル基、またはアリール基を表わし、アリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、またはナフチル基が挙げられ、これらはＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。 また、アリール基上の炭素原子と共同で環を形成してもよい。〕
具体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。
【０１１２】
(ｇ)．メチレンジオキシ基、またはメチレンジチオ基等のアルキレンジオキシ基またはアルキレンジチオ基等。
【０１１３】
（４）Ｘは下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。 この場合、製造されるポリカーボネートはランダム共重合体、またはブロック共重合体となる。 
また、Ｘは下記一般式（Ｃ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。 この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１１４】
【化２８】
2012103391.tif 000030
【０１１５】
［但し、一般式（Ｃ）中、Ｒ７、Ｒ８、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３は上記一般式（II）と同様である。］
【０１１６】
【化２９】
2012103391.tif 000031
【０１１７】
［但し、一般式（Ｂ）中、Ｘは上記一般式（II）と同様である。］
一般式（Ｂ）のジオール化合物の例としては一般式（Ｉ）で説明したものと同じものが挙げられる。
【０１１８】
一般式（II）で表される高分子電荷輸送物質の具体的な合成方法としては、例えば、特開平９−２７２７３５号公報に例示されている方法が挙げられる。
【０１１９】
次に、下記一般式（III）で表わされる高分子電荷輸送物質とその具体例を以下に示す。
【０１２０】
【化３０】
2012103391.tif 000032
【０１２１】
〔但し、一般式（III）中、Ｒ９、Ｒ１０は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【０１２２】
一般式（III）の置換基の説明
（１）Ｒ９、Ｒ１０は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下の(ａ)または(ｂ)のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
(ａ)．芳香族炭化水素基：例えば、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
(ｂ)．複素環基：例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１２３】
（２）Ａｒ４、Ａｒ５、およびＡｒ６で示されるアリーレン基としてはＲ９およびＲ１０について示されたアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１２４】
（３）上記アリール基およびアリーレン基は以下の(ａ)〜(ｇ)に示す基を置換基として有してもよい。
(ａ)．ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(ｂ)．アルキル基：好ましくは、Ｃ１〜Ｃ１２とりわけＣ１〜Ｃ８、さらに好ましくはＣ１〜Ｃ４の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、フェニル基、またはハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基もしくはＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。 具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(ｃ)．アルコキシ基（−ＯＲ１１２）：Ｒ１１２は（３）(ｂ)で示されるアルキル基と同様である。 具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(ｄ)．アリールオキシ基：アリールオキシ基のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。 これは、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。 具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(ｅ)．置換メルカプト基またはアリールメルカプト基：具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(ｆ)．アルキル置換アミノ基：アルキル置換アミノ基のアルキル基は（３）(ｂ)で示したアルキル基と同様である．具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(ｇ)．アシル基：具体的には、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１２５】
（４）Ｘは下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。 この場合、製造されるポリカーボネートはランダム共重合体、またはブロック共重合体となる。
また、Ｘは下記一般式（Ｄ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。 この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１２６】
【化３１】
2012103391.tif 000033
【０１２７】
［但し、一般式（Ｄ）中、Ｒ９、Ｒ１０、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６は上記一般式（III）と同様である。］
【０１２８】
【化３２】
2012103391.tif 000034
【０１２９】
［但し、一般式（Ｂ）中、Ｘは上記一般式（III）と同様である。］
一般式（Ｂ）のジオール化合物の例としては一般式（Ｉ）で説明したものと同じものが挙げられる。
【０１３０】
一般式（III）で表される高分子電荷輸送物質の具体的な合成方法としては、例えば、特開平９−２３５３６７号公報に例示されている方法が挙げられる。
【０１３１】
次に、下記一般式（IV）で表わされる高分子電荷輸送物質とその具体例を以下に示す。
【０１３２】
【化３３】
2012103391.tif 000035
【０１３３】
〔但し、一般式（IV）中、Ｒ１１、Ｒ１２は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ７、Ａｒ８、Ａｒ９は同一または異なるアリーレン基、ｓは１〜５の整数を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【０１３４】
一般式（IV）の置換基の説明
（１）Ｒ１１、Ｒ１２は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下の(ａ)または(ｂ)のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
(ａ)．芳香族炭化水素基：例えば、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
(ｂ)．複素環基としては、例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１３５】
（２）Ａｒ７、Ａｒ８、およびＡｒ９で示されるアリーレン基としてはＲ１１およびＲ１２について示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１３６】
（３）上述のアリール基およびアリーレン基は以下の(ａ)〜(ｇ)に示す基を置換基として有してもよい。
(ａ)．ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(ｂ)．アルキル基：好ましくは、Ｃ１〜Ｃ１２とりわけＣ１〜Ｃ８、さらに好ましくはＣ１〜Ｃ４の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、フェニル基、またはハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基もしくはＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。 具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(ｃ)．アルコキシ基（−ＯＲ１１３）：Ｒ１１３は上記（３）ｂ．で示されたアルキル基と同様である。 具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(ｄ)．アリールオキシ基：アリールオキシ基のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。 具体的には、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(ｅ)．置換メルカプト基またはアリールメルカプト基：具体的には、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
（ｆ）．アルキル置換アミノ基：アルキル置換アミノ基のアルキル基は（３）ｂ．で示されたものと同様である。 具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(ｇ)．アシル基：具体的には、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１３７】
（４）Ｘは下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。 この場合、製造されるポリカーボネートはランダム共重合体、またはブロック共重合体となる。
また、Ｘは下記一般式（Ｅ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。 この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１３８】
【化３４】
2012103391.tif 000036
【０１３９】
［但し、一般式（Ｅ）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ａｒ７、Ａｒ８、Ａｒ９、およびｓは上記一般式（IV）と同様である。］
【０１４０】
【化３５】
2012103391.tif 000037
【０１４１】
［但し、一般式（Ｂ）中、Ｘは上記一般式（IV）と同様である。］
一般式（Ｂ）のジオール化合物の例としては一般式（Ｉ）で説明したものと同じものが挙げられる。
【０１４２】
一般式（IV）で表される高分子電荷輸送物質の具体的な合成方法としては、例えば、特開平９−８７３７６号公報に例示されている方法が挙げられる。
【０１４３】
次に、下記一般式（Ｖ）で表わされる高分子電荷輸送物質とその具体例を以下に示す。
【０１４４】
【化３６】
2012103391.tif 000038
【０１４５】
〔但し、一般式（Ｖ）中、Ｒ１３、Ｒ１４は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１０、Ａｒ１１、Ａｒ１２は同一または異なるアリーレン基、Ｘ１、Ｘ２は置換もしくは無置換のエチレン基、または置換もしくは無置換のビニレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【０１４６】
一般式（Ｖ）の置換基の説明
（１）Ｒ１３、Ｒ１４は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては(ａ)または(ｂ)のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
(ａ)．芳香族炭化水素基：例えば、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
(ｂ)．複素環基：例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１４７】
（２）Ａｒ１０，Ａｒ１１およびＡｒ１２で示されるアリーレン基としてはＲ１３およびＲ１４について示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１４８】
（３）上述のアリール基およびアリーレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
(ａ)．ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(ｂ)．アルキル基：好ましくは、Ｃ１〜Ｃ１２とりわけＣ１〜Ｃ８、さらに好ましくはＣ１〜Ｃ４の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、フェニル基、またはハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基もしくはＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。 具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(ｃ)．アルコキシ基（−ＯＲ１１４）：Ｒ１１４は（３）(ｂ)で示されるアルキル基と同様である。 具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(ｄ)．アリールオキシ基：アリールオキシ基のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。 これは、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。 具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(ｅ)．置換メルカプト基またはアリールメルカプト基：具体的には、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(ｆ)．アルキル置換アミノ基：アルキル置換アミノ基アルキル基は上記（３）(ｂ)で示されるアルキル基と同様である。 具体的には、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(ｇ)．アシル基としては、具体的には、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１４９】
（４）Ｘ１、Ｘ２は置換もしくは無置換のエチレン基、置換もしくは無置換のビニレン基を表わし、この置換基としては、シアノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、上記Ｒ１３、Ｒ１４で示されるアリール基あるいは上記（２）(ｂ)で示されるアルキル基が挙げられる。
【０１５０】
（５）Ｘは下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートはランダム共重合体、またはブロック共重合体となる。
また、Ｘは下記一般式（Ｆ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１５１】
【化３７】
2012103391.tif 000039
【０１５２】
［但し、一般式（Ｆ）中、Ｒ１３、Ｒ１４、Ａｒ１０、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ｘ１およびＸ２は、上記一般式（Ｖ）と同様である。］
【０１５３】
【化３８】
2012103391.tif 000040
【０１５４】
［但し、一般式（Ｂ）中、Ｘは上記一般式（Ｖ）と同様である。］
一般式（Ｂ）のジオール化合物の例としては一般式（Ｉ）で説明したものと同じものが挙げられる。
【０１５５】
一般式（Ｖ）で表される高分子電荷輸送物質の具体的な合成方法としては、例えば、特開平９−７１６４２号公報、特開平９−２０４７４６号公報に例示されている方法が挙げられる。
【０１５６】
次に、下記一般式（VI）で表わされる高分子電荷輸送物質とその具体例を以下に示す。
【０１５７】
【化３９】
2012103391.tif 000041
【０１５８】
〔但し、一般式（VI）中、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５、Ａｒ１６は同一または異なるアリーレン基、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし、同一であっても異なってもよい。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【０１５９】
一般式（VI）の置換基の説明
（１）Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下(ａ)または(ｂ)のものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
(ａ)．芳香族炭化水素基：例えば、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
(ｂ)．複素環基：例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１６０】
（２）Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５およびＡｒ１６で示されるアリーレン基としては、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８について示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１６１】
（３）上述のアリール基およびアリーレン基は以下の(ａ)〜(ｇ)に示す基を置換基として有してもよい。
(ａ)．ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(ｂ)．アルキル基：好ましくは、Ｃ１〜Ｃ１２とりわけＣ１〜Ｃ８、さらに好ましくはＣ１〜Ｃ４の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、フェニル基、またはハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基もしくはＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(ｃ)．アルコキシ基（−ＯＲ１１５）：Ｒ１１５は（３）(ｂ)で示したアルキル基と同様である。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(ｄ)．アリールオキシ基：アリールオキシ基のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１６２】
（４）Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、またはビニレン基、を表わし同一であっても異なってもよい。 アルキレン基としては、上記（２）(ｂ)で示したアルキル基より誘導される２価基を表わす。 具体的には、例えば、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレン基、１，４−ブチレン基、２−メチル−１，３−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキシエチレン基、フェニルメチレン基、４−メチルフェニルメチレン基、２，２−プロピレン基、２，２−ブチレン基、ジフェニルメチレン基等を挙げることができる。 シクロアルキレン基としては、例えば、１，１−シクロペンチレン基、１，１−シクロへキシレン基、１，１−シクロオクチレン基等を挙げることができる。 アルキレンエーテル基としては、例えば、ジメチレンエーテル基、ジエチレンエーテル基、エチレンメチレンエーテル基、ビス（トリエチレン）エーテル基、ポリテトラメチレンエーテル基等が挙げられる。
【０１６３】
（５）Ｘは下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。 この場合、製造されるポリカーボネートはランダム共重合体、またはブロック共重合体となる。
また、Ｘは下記一般式（Ｇ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。 この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１６４】
【化４０】
2012103391.tif 000042
【０１６５】
［但し、一般式（Ｇ）中、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８、Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５、Ａｒ１６、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３は、上記一般式（VI）と同様である。］
【０１６６】
【化４１】
2012103391.tif 000043
【０１６７】
［但し、一般式（Ｂ）中、Ｘは上記一般式（VI）と同様である。］
一般式（Ｂ）のジオール化合物の例としては前記一般式（Ｉ）で説明したものと同じものが挙げられる。
【０１６８】
一般式（VI）で表される高分子電荷輸送物質の具体的な合成方法としては、例えば、特開平９−１１０９７６号公報に例示されている方法が挙げられる。
【０１６９】
次に、下記一般式（VII）で表わされる高分子電荷輸送物質とその具体例を以下に示す。
【０１７０】
【化４２】
2012103391.tif 000044
【０１７１】
〔但し、一般式（VII）中、Ｒ１９、Ｒ２０は水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表わし、Ｒ１９とＲ２０は環を形成していてもよい。 Ａｒ１７、Ａｒ１８、Ａｒ１９は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【０１７２】
一般式（VII）の置換基の説明
（１）Ｒ１９、Ｒ２０は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下の(ａ)または(ｂ)に示すものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
【０１７３】
(ａ)．芳香族炭化水素基：例えば、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
ｂ．複素環基：例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
(ｃ)．Ｒ１９、Ｒ２０は環を形成する場合、９−フルオリニリデン、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘブテニリデンなどが挙げられる。
【０１７４】
（２）Ａｒ１７、Ａｒ１８およびＡｒ１９で示されるアリーレン基としてはＲ１９およびＲ２０について示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１７５】
（３）上述のアリール基およびアリーレン基は以下の(ａ)〜(ｇ)に示す基を置換基として有してもよい。
(ａ)．ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(ｂ)．アルキル基：好ましくは、Ｃ１〜Ｃ１２とりわけＣ１〜Ｃ８、さらに好ましくはＣ１〜Ｃ４の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、フェニル基、またはハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基もしくはＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(ｃ)．アルコキシ基（−ＯＲ１１６）：Ｒ１１６は（３）(ｂ)で示したアルキル基と同様である。具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(ｄ)．アリールオキシ基：アリールオキシ基のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(ｅ)．置換メルカプト基またはアリールメルカプト基：具体的には、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(ｆ)．アルキル置換アミノ基：アルキル置換アミノ基のアルキル基は（３）ｂ．で示したものと同様である。具体的には、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(ｇ)．アシル基：具体的には、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１７６】
（４）Ｘは下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートはランダム共重合体、またはブロック共重合体となる。
また、Ｘは下記一般式（Ｈ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１７７】
【化４３】
2012103391.tif 000045
【０１７８】
［但し、一般式（Ｈ）中、Ｒ１９、Ｒ２０、Ａｒ１７、Ａｒ１８、Ａｒ１９は上記一般式（VII）と同様である。］
【０１７９】
【化４４】
2012103391.tif 000046
【０１８０】
［但し、一般式（Ｂ）中、Ｘは上記一般式（VII）と同様である。］
一般式（Ｂ）のジオール化合物の例としては一般式（Ｉ）で説明したものと同じものが挙げられる。
【０１８１】
一般式（VII）で表される高分子電荷輸送物質の具体的な合成方法としては、例えば、特開平９−１１０９７６号公報に例示されている方法が挙げられる。
【０１８２】
次に、下記一般式（VIII）で表わされる高分子電荷輸送物質とその具体例を以下に示す。
【０１８３】
【化４５】
2012103391.tif 000047
【０１８４】
〔但し、一般式（VIII）中、Ｒ２１は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ２０、Ａｒ２１、Ａｒ２２、Ａｒ２３は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【０１８５】
一般式（VIII）の置換基の説明
（１）Ｒ２１は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下の(ａ)または(ｂ)に示すものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
(ａ)．芳香族炭化水素基：例えば、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
(ｂ)．複素環基：例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１８６】
（２）Ａｒ２０、Ａｒ２１、Ａｒ２２およびＡｒ２３で示されるアリーレン基としてはＲ２１について示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１８７】
（３）上述のアリール基およびアリーレン基は以下に示す基を置換基として有してもよい。 
(ａ)．ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(ｂ)．アルキル基：好ましくは、Ｃ１〜Ｃ１２とりわけＣ１〜Ｃ８、さらに好ましくはＣ１〜Ｃ４の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、フェニル基、またはハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基もしくはＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。  具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(ｃ)．アルコキシ基（−ＯＲ１１７）：Ｒ１１７は（３）(ｂ)で示したアルキル基と同様である。具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(ｄ)．アリールオキシ基：アリールオキシ基のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(ｅ)．置換メルカプト基またはアリールメルカプト基：具体的には、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(ｆ)．アルキル置換アミノ基：アルキル置換アミノ基のアルキル基は（３）(ｂ)で示されるアルキル基と同様である。具体的には、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(ｇ)．アシル基：具体的には、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０１８８】
（４）Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートはランダム共重合体、またはブロック共重合体となる。 
また、Ｘは下記一般式（Ｊ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０１８９】
【化４６】
2012103391.tif 000048
【０１９０】
［但し、一般式（Ｊ）中、Ｒ２１、Ａｒ２０、Ａｒ２１、Ａｒ２２、Ａｒ２３は、上記一般式（VIII）と同様である。］
【０１９１】
【化４７】
2012103391.tif 000049
【０１９２】
［但し、一般式（Ｂ）中、Ｘは上記一般式（VIII）と同様である。］
一般式（Ｂ）のジオール化合物の例としては一般式（Ｉ）で説明したものと同じものが挙げられる。
【０１９３】
一般式（VIII）で表される高分子電荷輸送物質の具体的な合成方法としては、例えば、特開平９−２６８２２６号公報に例示されている方法が挙げられる。
【０１９４】
次に、下記一般式（IX）で表わされる高分子電荷輸送物質とその具体例を以下に示す。
【０１９５】
【化４８】
2012103391.tif 000050
【０１９６】
〔但し、一般式（IX）中、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ２４、Ａｒ２５、Ａｒ２６、Ａｒ２７、Ａｒ２８は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【０１９７】
一般式（IX）の置換基の説明
（１）Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下の(ａ)または(ｂ)に示すものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
(ａ)．芳香族炭化水素基：例えば、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
(ｂ)．複素環基：例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０１９８】
（２）Ａｒ２４、Ａｒ２５、Ａｒ２６、Ａｒ２７およびＡｒ２８で示されるアリーレン基としては、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４およびＲ２５について示した上記のアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０１９９】
（３）上述のアリール基およびアリーレン基は以下の(ａ)〜(ｇ)に示す基を置換基として有してもよい。
(ａ)．ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(ｂ)．アルキル基：好ましくは、Ｃ１〜Ｃ１２とりわけＣ１〜Ｃ８、さらに好ましくはＣ１〜Ｃ４の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、フェニル基、またはハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基もしくはＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(ｃ)．アルコキシ基（−ＯＲ１１８）：Ｒ１１８は（３）(ｂ)で示されるアルキル基と同様である。具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(ｄ)．アリールオキシ基：アリールオキシ基のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(ｅ)．置換メルカプト基またはアリールメルカプト基：具体的には、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(ｆ)．アルキル置換アミノ基：アルキル置換アミノ基のアルキル基は（３）(ｂ)で示されるアルキル基と同様である。具体的には、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(ｇ)．アシル基：具体的には、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０２００】
（４）Ｘは下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートはランダム共重合体、またはブロック共重合体となる。 
また、Ｘは下記一般式（Ｌ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０２０１】
【化４９】
2012103391.tif 000051
【０２０２】
［但し、一般式（Ｌ）中、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ａｒ２４、Ａｒ２５、Ａｒ２６、Ａｒ２７、Ａｒ２８は、上記一般式（IX）と同様である。］
【０２０３】
【化５０】
2012103391.tif 000052
【０２０４】
［但し、一般式（Ｂ）中、Ｘは上記一般式（IX ）と同様である。］
一般式（Ｂ）のジオール化合物の例としては前記一般式（Ｉ）で説明したものと同じものが挙げられる。
【０２０５】
一般式（IX）で表される高分子電荷輸送物質の具体的な合成方法としては、例えば、特開平９−２２７６６９号公報に例示されている方法が挙げられる。
【０２０６】
次に、下記一般式（Ｘ）で表わされる高分子電荷輸送物質とその具体例を以下に示す。
【０２０７】
【化５１】
2012103391.tif 000053
【０２０８】
〔但し、一般式（Ｘ）中、Ｒ２６、Ｒ２７は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ２９、Ａｒ３０、Ａｒ３１は同一または異なるアリーレン基を表わす。 Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、一般式（Ｉ）の場合と同じである。〕
【０２０９】
一般式Ｘの置換基の説明
（１）Ｒ２６、Ｒ２７は置換もしくは無置換のアリール基を表わすが、その具体例としては以下の(ａ)または(ｂ)に示すものを挙げることができ、同一であっても異なってもよい。
(ａ)．芳香族炭化水素基：例えば、フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
(ｂ)．複素環基：例えば、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などが挙げられる。
【０２１０】
（２）Ａｒ２９、Ａｒ３０およびＡｒ３１で示されるアリーレン基としてはＲ２６およびＲ２７について示したアリール基の２価基が挙げられ、同一であっても異なってもよい。
【０２１１】
（３）上述のアリール基およびアリーレン基は以下の(ａ)〜(ｇ)に示す基を置換基として有してもよい。
(ａ)．ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
(ｂ)．アルキル基：好ましくは、Ｃ１〜Ｃ１２とりわけＣ１〜Ｃ８、さらに好ましくはＣ１〜Ｃ４の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、フェニル基、またはハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基もしくはＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエチル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(ｃ)．アルコキシ基（−ＯＲ１１９）：Ｒ１１９は（３）(ｂ)で示されるアルキル基と同様である。具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(ｄ)．アリールオキシ基：アリールオキシ基のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
(ｅ)．置換メルカプト基またはアリールメルカプト基：具体的には、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(ｆ)．アルキル置換アミノ基：アルキル置換アミノ基のアルキル基は（３）(ｂ)で示されたアルキル基と同様である。具体的には、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
(ｇ)．アシル基：具体的には、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【０２１２】
（４）Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステル交換法等を用い重合するとき、下記一般式（Ｂ）のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートはランダム共重合体、またはブロック共重合体となる。 
また、Ｘは下記一般式（Ｍ）のトリアリールアミノ基を有するジオール化合物と下記一般式（Ｂ）から誘導されるビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネートは交互共重合体となる。
【０２１３】
【化５２】
2012103391.tif 000054
【０２１４】
［但し、一般式（Ｍ）中、Ｒ２６、Ｒ２７、Ａｒ２９、Ａｒ３０、Ａｒ３１は、上記一般式（Ｘ）と同様である。］
【０２１５】
【化５３】
2012103391.tif 000055
【０２１６】
［但し、一般式（Ｂ）中、Ｘは上記一般式（Ｘ）と同様である。］
一般式（Ｂ）のジオール化合物の例としては前記一般式（Ｉ）で説明したものと同じものが挙げられる。
【０２１７】
一般式（Ｘ）で表わされる高分子電荷輸送物質の具体的な合成方法としては、例えば、特開平９−３０２０８４号公報に例示されている方法が挙げられる。
【０２１８】
本発明においては、分子鎖中にトリアリールアミン構造とカーボネート骨格を有する高分子電荷輸送物質（所謂、トリアリールアミン構造を含むポリカーボネート）と、前記一般式（XI）で表わされるアミン化合物とを組み合わせることにより、長期の繰り返し使用においても静電特性が安定し、更にＪｏｂ内変動も低減することができる。
前記高分子電荷輸送物質と前記一般式（XI）で表わされるアミン化合物を組み合わせることにより、長期の繰り返し使用においても静電特性が安定し、更にＪｏｂ内変動も低減することの理由は、詳細には明らかにされていないが、一因として一般式（XI）で表わされるアミン化合物は優れた耐ガス性を有していることが挙げられる。これは一般式（XI）で表わされるアミン化合物はアミノ基の塩基性が強く、このことが酸化性ガスに対する高分子電荷輸送物質の変質を防止できる理由であると考えられる。その上、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、ヒンダードアミン系酸化防止剤と異なり、電荷がトラップしやすい極性基を持たず、またそれ自身が電荷輸送性を有するために、比較的大量に添加しても露光部電位や残留電位を上昇させる影響を低減できるものと推測される。
【０２１９】
更に、前記一般式（XI）で表されるアミン化合物は、前記高分子電荷輸送物質に対しては、特異的に電荷輸送機能への影響が少ないものと推測される。アミン化合物の優れた耐ガス性により、装置内のコロナ帯電器等により発生するオゾン、ＮＯｘなどの酸化性ガスによる高分子電荷輸送物質の劣化を抑制し、更に電荷輸送機能への影響が少ないために、繰り返し使用に対しても静電特性が安定し、更にＪｏｂ内変動も低減することができるようになる。
【０２２０】
電荷輸送層３７中の前記高分子電荷輸送物質の含有量は、結着樹脂１００重量部に対し、３０〜２００重量部とすることが好ましい。結着樹脂１００重量部に対して高分子電荷輸送物質の含有量が３０重量部より少ないと、残留電位が上昇するなど電気特性が悪化する。他方、結着樹脂１００重量部に対して高分子電荷輸送物質の含有量が２００重量部より多いと、耐摩耗性等の機械特性が低下する。
【０２２１】
また、電荷輸送層３７中の前記一般式（XI）で表わされるアミン化合物の含有量は、前記高分子電荷輸送物質１００重量部に対して１〜３０重量部とすることが好ましい。アミン化合物の含有量が１重量部より少ないと、オゾン、ＮＯｘの影響による帯電の低下、画像のボケが顕著であり、他方、３０重量部より多いと、繰り返し使用による残留電位の上昇が大きくなる。
【０２２２】
電荷輸送層を構成する結着樹脂としては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化性樹脂が挙げられる。
【０２２３】
電荷輸送層の膜厚は、５０μｍ以下が好ましく、解像度・応答性の点から２５μｍ以下とすることが好ましい。下限値に関しては、使用するシステム（特に帯電電位等）により異なるが、５μｍ以上が好ましい。
【０２２４】
前記電荷輸送層の形成に用いる塗布液の溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロルメタン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトンなどが用いられる。これらは単独で使用しても２種以上混合して使用してもよい。塗布液の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等、従来の塗工方法を用いることができる。
【０２２５】
＜単層型感光層＞
次に感光層が単層構成の場合（図１、図３の場合）について述べる。
感光層３３は、電荷発生物質、高分子電荷輸送物質および結着樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することによって形成できる。感光層３３は前記トリアリールアミン構造とカーボネート骨格を有する高分子電荷輸送物質と前記一般式（XI）で表わされるアミン化合物を含有する。また、必要により可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。
【０２２６】
単層型の感光層３３においても、前述の積層構成の感光層（電荷発生層、電荷輸送層）に用いられる材料（電荷発生材料、電荷輸送材料、結着樹脂）を同様に用いることができる。また、単層構成の感光層３３の場合には、高感度化のために高分子電荷輸送物質として、前述の電子輸送物質を併用することが好ましい。
【０２２７】
単層構成の感光層３３において、電荷発生物質は感光層全体に対して０．１〜３０重量％、好ましくは０．５〜５重量％が適当である。電荷発生物質の濃度が低いと感光体感度が低下する傾向にあり、濃度が高くなると帯電性や膜強度が低下する傾向にある。
【０２２８】
前記高分子電荷輸送物質の含有量は、結着樹脂１００重量部に対し、３０〜２００重量部とすることが好ましい。また、電子輸送物質の含有量は結着樹脂１００重量部に対し、３０〜２００重量部とすることが好ましい。
【０２２９】
また、前記一般式（XI）で表わされるアミン化合物の含有量は、前記高分子電荷輸送物質１００重量部に対し、１〜３０重量部とすることが好ましい。アミン化合物の含有量が１重量部より少ないと、オゾン、ＮＯｘの影響による帯電の低下、画像のボケが顕著であり、他方、３０重量部より多いと、繰り返し使用による残留電位の上昇が大きくなる。
【０２３０】
単層型感光層の膜厚は５０μｍ以下が好ましく、解像度・応答性の点から２５μｍ以下とすることが好ましい。下限値に関しては、使用するシステム（特に帯電電位等）により異なるが、５μｍ以上が好ましい。
【０２３１】
＜下引き層＞
本発明の感光体においては、導電性支持体３１と感光層の間に下引き層（図示せず）を設けることができる。下引き層は一般に樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。
【０２３２】
また、下引き層には、モアレ防止、残留電位の低減等のために、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等の金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。
【０２３３】
これらの下引き層は、前述の感光層の如く適当な溶媒および塗工法を用いて形成することができる。また、本発明の下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用することもできるし、Ａｌ２Ｏ３を陽極酸化により設けたもの、ポリパラキシリレン（パリレン）等の有機物やＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＣｅＯ２等の無機物を真空薄膜作成法により設けたものも良好に使用できる。更に、この他に公知のものを用いることもできる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【０２３４】
＜保護層＞
本発明の感光体においては、感光層保護の目的で、保護層３９が感光層の上に設けられることがある。保護層３９に使用される材料としては、ＡＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、アリール樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチルベンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、ポリアリレート、ＡＳ樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。フィラーの分散性、残留電位、塗膜欠陥の点から、特にポリカーボネートあるいはポリアリレートが有効かつ有用である。
【０２３５】
また、感光体の保護層には、耐摩耗性を向上する目的でフィラー材料を添加することができる。
また、保護層には前記一般式（XI）で表わされるアミン化合物が含まれていてもよい。
保護層の形成法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の従来方法を用いることができるが、特に塗膜の均一性の面からスプレーコートがより好ましい。
【０２３６】
保護層の形成で用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトンなど、電荷輸送層３７で使用されるすべての溶剤を使用することができる。但し、分散時には粘度が高い溶剤が好ましいが、塗工時には揮発性が高い溶剤が好ましい。これらの条件を満たす溶剤がない場合には、各々の物性を有する溶剤を２種以上混合させて使用することが可能であり、フィラーの分散性や残留電位に対して大きな効果を有する場合がある。
【０２３７】
＜中間層＞
本発明の感光体においては、感光層と保護層との間に中間層（図示せず）を設けることも可能である。中間層には、一般にバインダー樹脂を主成分として用いる。これら樹脂としては、ポリアミド、アルコール可溶性ナイロン、水溶性ポリビニルブチラール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコールなどが挙げられる。中間層の形成法としては、前述のごとく一般に用いられる塗布法が採用される。なお、中間層の厚さは０．０５〜２μｍ程度が適当である。
【０２３８】
＜添加剤＞
本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、電荷発生層、電荷輸送層、下引き層、保護層、中間層等の各層に酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤およびレベリング剤を添加することができる。
これらの化合物の代表的な材料を以下に記す。
【０２３９】
（酸化防止剤）
各層に添加できる酸化防止剤として、例えば、下記（ａ）〜（ｅ）に示すものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
（ａ）フェノ−ル系化合物
２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾ−ル、ブチル化ヒドロキシアニソ−ル、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノ−ル、ｎ-オクタデシル-３-(４'-ヒドロキシ-３',５'-ジ-t-ブチルフェノール)、２，２'−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、２，２'−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、４，４'−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、４，４'−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３'，５'−ジ−ｔ−ブチル−４'−ヒドロキシフェニル）プロピオネ−ト］メタン、ビス［３，３'−ビス（４'−ヒドロキシ−３'−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアッシド］クリコ−ルエステル、トコフェロ−ル類など。
（ｂ）パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル−Ｎ'−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジ−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジメチル−Ｎ，Ｎ'−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。
（ｃ）ハイドロキノン類
２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。
（ｄ）有機硫黄化合物類
ジラウリル−３，３'−チオジプロピオネ−ト、ジステアリル−３，３'−チオジプロピオネ−ト、ジテトラデシル−３，３'−チオジプロピオネ−トなど。
（ｅ）有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィンなど。
【０２４０】
（可塑剤）
各層に添加できる可塑剤として、例えば、下記（ａ）〜（ｍ）に示すものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
（ａ）リン酸エステル系可塑剤
リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリオクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチル、リン酸トリ−２−エチルヘキシル、リン酸トリフェニルなど。
（ｂ）フタル酸エステル系可塑剤
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタル酸ジ−２−エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ジ−ｎ−オクチル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシクロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチルデシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチルなど。
（ｃ）芳香族カルボン酸エステル系可塑剤
トリメリット酸トリオクチル、トリメリット酸トリ−ｎ−オクチル、オキシ安息香酸オクチルなど。
（ｄ）脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤
アジピン酸ジブチル、アジピン酸ジ−ｎ−ヘキシル、アジピン酸ジ−２−エチルヘキシル、アジピン酸ジ−ｎ−オクチル、アジピン酸−ｎ−オクチル−ｎ−デシル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼライン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ジ−ｎ−オクチル、セバシン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジ−２−エトキシエチル、コハク酸ジオクチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−ｎ−オクチルなど。
（ｅ）脂肪酸エステル誘導体
オレイン酸ブチル、グリセリンモノオレイン酸エステル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトールエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、トリアセチン、トリブチリンなど。
（ｆ）オキシ酸エステル系可塑剤
アセチルリシノール酸メチル、アセチルリシノール酸ブチル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルクエン酸トリブチルなど。
（ｇ）エポキシ可塑剤
エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジデシルなど。
（ｈ）二価アルコールエステル系可塑剤
ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ−２−エチルブチラートなど。
（ｉ）含塩素可塑剤
塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化脂肪酸メチル、メトキシ塩素化脂肪酸メチルなど。
（ｊ）ポリエステル系可塑剤
ポリプロピレンアジペート、ポリプロピレンセバケート、ポリエステル、アセチル化ポリエステルなど。
（ｋ）スルホン酸誘導体
ｐ−トルエンスルホンアミド、ｏ−トルエンスルホンアミド、ｐ−トルエンスルホンエチルアミド、ｏ−トルエンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−Ｎ−エチルアミド、ｐ−トルエンスルホン−Ｎ−シクロヘキシルアミドなど。
（ｌ）クエン酸誘導体
クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリ−２−エチルヘキシル、アセチルクエン酸−ｎ−オクチルデシルなど。
（ｍ）その他
ターフェニル、部分水添ターフェニル、ショウノウ、２−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン酸メチルなど。
【０２４１】
（滑剤）
各層に添加できる滑剤としては、例えば、下記（ａ）〜（ｈ）に示すものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
（ａ）炭化水素系化合物
流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワックス、低重合ポリエチレンなど。
（ｂ）脂肪酸系化合物
ラウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸など。
（ｃ）脂肪酸アミド系化合物
ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレインアミド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステアロアミドなど。
（ｄ）エステル系化合物
脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステルなど。
（ｅ）アルコール系化合物
セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロールなど。
（ｆ）金属石けん
ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなど。
（ｇ）天然ワックス
カルナバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボタロウ、モンタンロウなど。
（ｈ）その他
シリコーン化合物、フッ素化合物など。
【０２４２】
（紫外線吸収剤）
各層に添加できる紫外線吸収剤として、例えば、下記（ａ）〜（ｆ）に示すものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
（ａ）ベンゾフェノン系
２−ヒドロキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２'，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２'，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２'−ジヒドロキシ４−メトキシベンゾフェノンなど。
（ｂ）サルシレート系
フェニルサルシレート、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエートなど。
（ｃ）ベンゾトリアゾール系
（２'−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、（２'−ヒドロキシ５'−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２'−ヒドロキシ５'−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２'−ヒドロキシ３'−ターシャリブチル５'−メチルフェニル）５−クロロベンゾトリアゾール
（ｄ）シアノアクリレート系
エチル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート、メチル２−カルボメトキシ−３−（パラメトキシ）アクリレートなど。
（ｅ）クエンチャー（金属錯塩系）
ニッケル（２，２'チオビス（４−t−オクチル）フェノレート）ノルマルブチルアミン、ニッケルジブチルジチオカルバメート、ニッケルジブチルジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオホスフェートなど。
（ｆ）ＨＡＬＳ（ヒンダードアミン）
ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕エチル］−４−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕−２，２，６，６−テトラメチルピリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ〔４，５〕ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジンなど。
【０２４３】
〔電子写真装置、電子写真方法〕
本発明に係る電子写真装置は、上述した電子写真感光体と、該電子写真感光体表面を帯電せしめる帯電手段と、前記電子写真感光体表面に静電潜像を形成する画像露光手段と、前記静電潜像を現像してトナー画像を形成する現像手段と、前記トナー画像を記録材に転写する転写手段と、を具備するものであり、さらに必要に応じて適宜選択したその他の手段を具備してなる。その他の手段としては、例えば、クリーニング手段、除電手段、リサイクル手段、制御手段等が挙げられる。
【０２４４】
＜実施の形態＞
本発明を適用したフルカラー電子写真装置として、電子写真方式のプリンタ（以下、単にプリンタという）の一実施形態について説明する。
図７は本発明に係る電子写真装置の実施の形態における構成を示す概略図である。図７において、潜像担持体であるドラム状の感光体５６は、図中反時計回りに回転駆動されながら、その表面がコロトロンやスコロトロンなどを用いる帯電手段である帯電チャージャ５３によって一様帯電させられた後、図示しない画像露光手段であるレーザ光学装置から発せられるレーザ光（露光）Ｌの走査を受けて静電潜像を担持する。この走査はフルカラー画像をイエロー、マゼンタ、シアンおよびブラックの色情報に分解した単色の画像情報に基づいてなされるため、感光体（感光体ドラム）５６上にはイエロー、マゼンタ、シアンまたはブラックという単色用の静電潜像が形成される。
【０２４５】
感光体ドラム５６の図中左側には、リボルバ現像ユニット５０が配設されている。これは、回転するドラム状の筺体の中に現像手段であるイエロー現像器、マゼンタ現像器、シアン現像器、ブラック現像器を有しており、回転によって各現像器を感光体ドラム５６に対向する現像位置に順次移動させる。なお、イエロー現像器、マゼンタ現像器、シアン現像器、ブラック現像器は、それぞれイエロートナー、マゼンタトナー、シアントナー、ブラックトナーを付着せしめて静電潜像を現像するものである。感光体ドラム５６上には、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラック用の静電潜像が順次形成され、これらはリボルバ現像ユニット５０の各現像器によって順次現像されてイエロートナー像、マゼンタトナー像、シアントナー像、ブラックトナー像となる。
【０２４６】
上記現像位置よりも感光体ドラム５６の回転下流側には中間転写ユニットが配設されている。これは、張架ローラ５９ａ、転写手段たる中間転写バイアスローラ（略、バイアスローラ）５７、二次転写バックアップローラ（略、バックアップローラ）５９ｂ、ベルト駆動ローラ５９ｃによって張架している中間転写ベルト５８を、ベルト駆動ローラ５９ｃの回転駆動によって図中時計回りに無端移動させる。感光体ドラム５６上で現像されたイエロートナー像、マゼンタトナー像、シアントナー像、ブラックトナー像は、感光体ドラム５６と中間転写ベルト５８とが接触する中間転写ニップに進入する。そして中間転写バイアスローラ５７からのバイアスの影響を受けながら、中間転写ベルト５８上に重ね合わせて中間転写（一次転写）されて４色重ね合わせトナー像となる。
【０２４７】
回転に伴って中間転写ニップを通過した感光体ドラム５６表面は、クリーニング手段であるドラムクリーニングユニット５５によって転写残トナーがクリーニングされる。ドラムクリーニングユニット５５は、クリーニングバイアスが印加されるクリーニングローラによって転写残トナーをクリーニングするものであるが、ファーブラシ、マグファーブラシ等からなるクリーニングブラシや、クリーニングブレードなどを用いるものであってもよい。
【０２４８】
転写残トナーがクリーニングされた感光体ドラム５６表面は、除電手段である除電ランプ５４によって除電される。除電ランプ５４には、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザ（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などが用いられている。また、上記レーザ光学装置の光源には半導体レーザが用いられている。これら発せられる光については、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターにより、所望の波長域だけを用いるようにしてもよい。
【０２４９】
一方、図示しない給紙カセットから送られてきた記録材である転写紙（像担持体）６０を２つのローラ間に挟み込んでいるレジストローラ対６１は、転写紙６０を中間転写ベルト５８上の４色重ね合わせトナー像に重ね合わせ得るタイミングで中間転写ベルト５８と転写ベルト６２が接触する二次転写ニップに向けて送り込む。中間転写ベルト５８上の４色重ね合わせトナー像は、二次転写ニップ内で二次転写手段である紙転写バイアスローラ６３からの二次転写バイアスの影響を受けて転写紙６０上に一括して二次転写される。この二次転写により転写紙６０上にはフルカラー画像が形成される。フルカラー画像が形成された転写紙６０は、転写ベルト６２によって搬送ベルト６４に送られる。
【０２５０】
搬送ベルト６４は、転写ユニットから受け取った転写紙６０を定着ユニット６５内に送り込む。定着ユニット６５は、送り込まれた転写紙６０を加熱ローラとバックアップローラとの当接によって形成された定着ニップに挟み込みながら搬送する。転写紙６０上のフルカラー画像は、加熱ローラからの加熱や、定着ニップ内での加圧力の影響を受けて転写紙６０上に定着せしめられる。
【０２５１】
なお、図示を省略しているが、転写ベルト６２や搬送ベルト６４には、転写紙６０を吸着させるためのバイアスが印加されている。また、転写紙６０を除電する紙除電チャージャや、各ベルト（中間転写ベルト５８、転写ベルト６２、搬送ベルト６４）を除電する３つのベルト除電チャージャが配設されている。また、中間転写ユニットは、ドラムクリーニングユニット５５と同様の構成のベルトクリーニングユニットも備えており、これによって中間転写ベルト５８上の転写残トナーをクリーニングする。
【０２５２】
即ち、本発明の電子写真装置は、前記中間転写体に転写する転写手段に加えて、中間転写手段を備え、前記転写手段により、前記電子写真感光体上に形成されたトナー画像を前記中間転写体に一次転写して中間転写体上に画像を形成し、前記中間転写手段により、前記中間転写体上の画像を前記記録材上に二次転写する構成とすることができる。
【０２５３】
ここで、前記記録材上に二次転写される画像が複数色のトナーからなるカラー画像である場合に、前記転写手段により、前記中間転写体上に各色のトナーを順次重ね合わせて当該中間転写体上に画像を形成し、前記中間転写手段により、当該中間転写体上の画像を前記記録材上に一括で二次転写する構成とすることができる。
【０２５４】
図８は、本発明に係る電子写真装置の別の実施の形態における構成を示す概略図である。本実施の形態は、中間転写ベルト８７を有するタンデム方式の電子写真装置であり、感光体ドラム（略、感光体）８０を各色で共有させるのではなく、各色用の感光体ドラム［８０Ｙ、８０Ｍ、８０Ｃ、８０Ｂｋ：表示せず］を備えている。また、現像ユニット（現像手段）８２、ドラムクリーニングユニット（クリーニング手段）８５、除電ランプ（除電手段）８３、ドラムを一様帯電せしめる帯電ローラ（帯電手段）８４、バイアスローラ（一次転写手段）８６および露光光源８１も、各色用のものを備えている。
【０２５５】
なお、図７に示したプリンタではドラム一様帯電手段として帯電チャージャ５３を設けていたが、図８に示す装置では帯電ローラ８４を設けている。また、中間転写ベルト８７をクリーニングするためのベルトクリーニングユニットとして、ファーブラシ９４が配設されている。
この他、レジストローラ対８８、記録材としての紙（像担持体）８９、二次転写手段である紙転写バイアスローラ９０、転写ベルト９１、搬送ベルト９２および定着ユニット９３が配設されているが、上述した図７に示す装置の実施の形態と重複するため、説明を省略する。
タンデム方式では、各色の潜像形成（画像露光工程）や現像を並行して行うことができるため、リボルバ式よりも画像形成速度を遙かに高速化させることができる。
【０２５６】
＜プロセスカートリッジ＞
以上に示すような画像形成装置は、複写装置、ファクシミリ、プリンタ内に固定して組み込んでもよいが、プロセスカートリッジの形でそれらの装置内に組み込んでもよい。プロセスカートリッジとは、感光体を内蔵し、この他に帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段および除電手段から選ばれる少なくとも１つの手段を含んだ１つの装置（部品）である。
プロセスカートリッジの形状等は多種多様であるが、一般的な例として、図９に示すものが挙げられる。
図９は、本発明に係るプロセスカートリッジの一実施の形態の構成を示す概略図である。
本実施の形態では、電子写真感光体１６と、帯電手段としての帯電チャージャ１７と、画像露光手段としての画像露光部１９と、現像手段としての現像ローラ２０と、クリーニング手段としてのクリーニングブラシ１８とを具備するものである。
【実施例】
【０２５７】
以下、本発明について実施例を挙げて説明するが、本発明が実施例により制約を受けるものではない。なお、部はすべて重量部である。
【０２５８】
〔実施例１〕
アルミニウムシリンダー上に下記組成の下引き層塗工液、電荷発生層塗工液、および電荷輸送層塗工液を、浸漬塗工によって順次塗布、乾燥し、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、２３μｍの電荷輸送層を形成して、電子写真感光体Ｎｏ．１を作製した。
【０２５９】
（下引き層塗工液）
二酸化チタン粉末（石原産業社製、タイベークＣＲ−ＥＬ）             ：４００部
メラミン樹脂（大日本インキ社製、スーパーベッカミンＧ８２１−６０） ：６５部
アルキッド樹脂（大日本インキ社製、ベッコライトＭ６４０１−５０）   ：１２０部
２−ブタノン                                                       ：４００部
【０２６０】
（電荷発生層塗工液）
図８に示す粉末ＸＤスペクトルを有するチタニルフタロシアニン  ：８部
ポリビニルブチラール（ＢＸ−１）                            ：５部
２−ブタノン                                                ：４００部
【０２６１】
（電荷輸送層塗工液）
ポリカーボネート樹脂（Ｚポリカ、帝人化成社製）   ：１０部
下記構造式（Ｉa）の高分子電荷輸送物質（ＣＴＭ）  ：９部
前記構造式（XIａ）のアミン化合物                 ：１部
テトラヒドロフラン                               ：１００部
【０２６２】
【化５４】
2012103391.tif 000056
【０２６３】
構造式（Ｉa）中の構成単位の添字は全構成単位の個数を１としたときの各構成単位の組成比を表わしている。 
この樹脂（高分子電荷輸送物質）の分子量をゲルパーミッションクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン換算の分子量は、数平均分子量で５０，１００、重量平均分子量で１１５，０００であった。
【０２６４】
以上のように作製した電子写真感光体を、電子写真プロセス用カートリッジに装着し、タンデム方式のフルカラーデジタル複写機（リコー社製ｉｍａｇｉｏＭＰＣ７５００）改造機に搭載し、書き込み率５％チャート（Ａ４全面に対して、画像面積として５％相当の文字が平均的に書かれている）を用い通算１０万枚印刷する耐刷試験を行った。
その際、初期および耐刷試験後の画像、露光部電位（ＶＬ）、Ｊｏｂ内変動について評価を行った。
Ｊｏｂ内変動の評価は、最初に表面電位計を用いて感光体の露光部電位（ＶＬ）を測定し、続けて５０枚連続印刷を１Ｊｏｂとして、それを１０回繰り返した後、再度露光部電位を測定し、〈繰り返し印刷後のＶＬ〉−〈最初のＶＬ〉をＪｏｂ内変動として評価した。
また、計測値のほか、そのプロセスで使用する上で補正可能な範囲か否かについての判定結果を下記表１に示す。
・Ｊｏｂ内変動の判定基準
◎：問題ないレベル
○：若干変化が認められるが、補正できる範囲で問題にならないレベル
△：変化が明らかに認められ、若干許容範囲を超えたレベル
×：変化が大きく、問題視されるレベル
【０２６５】
〔実施例２〜５〕
実施例１において、前記式（XIａ）のアミン化合物の代わりに、下記表１に示した化合物を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ．２〜５を作製し、評価した。結果を同様に下記表１に示す。
【０２６６】
【表１】
2012103391.tif 000057
【０２６７】
〔実施例６〕
実施例１において、電荷発生層塗工液の高分子電荷輸送物質（Ｉa）の代わりに下記構造式（IIａ）に示した高分子電荷輸送物質に変更した以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ.６を作製し、評価した。結果を同様に下記表２に示す。
【０２６８】
【化５５】
2012103391.tif 000058
【０２６９】
構造式（IIａ）中の構成単位の添字は全構成単位の個数を１としたときの各構成単位の組成比を表わしている。
この樹脂（高分子電荷輸送物質）の分子量をゲルパーミッションクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン換算の分子量は、数平均分子量で６１，０００、重量平均分子量で１３２、０００であった。
【０２７０】
〔実施例７〕
実施例１において、電荷発生層塗工液の高分子電荷輸送物質（Ｉa）の代わりに下記構造式（IIIa）に示した高分子電荷輸送物質に変更した以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ.７を作製し、評価した。結果を同様に下記表２に示す。
【０２７１】
【化５６】
2012103391.tif 000059
【０２７２】
構造式（IIIａ）中の構成単位の添字は全構成単位の個数を１としたときの各構成単位の組成比を表わしている。
この樹脂（高分子電荷輸送物質）の分子量をゲルパーミッションクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン換算の分子量は、数平均分子量で５２，０００、重量平均分子量で１１５，０００であった。
【０２７３】
〔実施例８〕
実施例１において、電荷発生層塗工液の高分子電荷輸送物質（Ｉa）の代わりに下記構造式（IVａ）に示した高分子電荷輸送物質に変更した以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ.８を作製し、評価した。結果を同様に下記表２に示す。
【０２７４】
【化５７】
2012103391.tif 000060
【０２７５】
構造式（IVａ）中の構成単位の添字は全構成単位の個数を１としたときの各構成単位の組成比を表わしている。
この樹脂（高分子電荷輸送物質）の分子量をゲルパーミッションクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン換算の分子量は、数平均分子量で５８，０００、重量平均分子量で１２２，０００であった。
【０２７６】
〔実施例９〕
実施例１において、電荷発生層塗工液の高分子電荷輸送物質（Ｉa）の代わりに下記構造式（Ｖa）に示した高分子電荷輸送物質に変更した以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ.９を作製し、評価した。結果を同様に下記表２に示す。
【０２７７】
【化５８】
2012103391.tif 000061
【０２７８】
構造式（Ｖa）中の構成単位の添字は全構成単位の個数を１としたときの各構成単位の組成比を表わしている。
この樹脂（高分子電荷輸送物質）の分子量をゲルパーミッションクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン換算の分子量は、数平均分子量で６２，０００、重量平均分子量で１３５，０００であった。
【０２７９】
〔実施例１０〕
実施例１において、電荷発生層塗工液の高分子電荷輸送物質（Ｉa）の代わりに下記構造式（VIａ）に示した高分子電荷輸送物質に変更した以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ.１０を作製し、評価した。結果を同様に下記表２に示す。
【０２８０】
【化５９】
2012103391.tif 000062
【０２８１】
構造式（VIａ）中の構成単位の添字は全構成単位の個数を１としたときの各構成単位の組成比を表わしている。
この樹脂（高分子電荷輸送物質）の分子量をゲルパーミッションクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン換算の分子量は、数平均分子量で７２，０００、重量平均分子量で１４１，０００であった。）
【０２８２】
〔実施例１１〕
実施例１において、電荷発生層塗工液の高分子電荷輸送物質（Ｉa）の代わりに下記構造式（VIIａ）に示した高分子電荷輸送物質に変更した以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ.１１を作製し、評価した。結果を同様に下記表２に示す。
【０２８３】
【化６０】
2012103391.tif 000063
【０２８４】
構造式（VIIａ）中の構成単位の添字は全構成単位の個数を１としたときの各構成単位の組成比を表わしている。
この樹脂（高分子電荷輸送物質）の分子量をゲルパーミッションクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン換算の分子量は、数平均分子量で６２，０００、重量平均分子量で１３５，０００であった。
【０２８５】
〔実施例１２〕
実施例１において、電荷発生層塗工液の高分子電荷輸送物質（Ｉa）の代わりに下記構造式（VIIIａ）に示した高分子電荷輸送物質に変更した以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ.１２を作製し、評価した。結果を同様に下記表２に示す。
【０２８６】
【化６１】
2012103391.tif 000064
【０２８７】
構造式（VIIIａ）中の構成単位の添字は全構成単位の個数を１としたときの各構成単位の組成比を表わしている。
この樹脂（高分子電荷輸送物質）の分子量をゲルパーミッションクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン換算の分子量は、数平均分子量で５６，０００、重量平均分子量で１２６，０００であった。
【０２８８】
〔実施例１３〕
実施例１において、電荷発生層塗工液の高分子電荷輸送物質（Ｉa）の代わりに下記構造式（IXａ）に示した高分子電荷輸送物質に変更した以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ.１３を作製し、評価した。結果を同様に下記表２に示す。
【０２８９】
【化６２】
2012103391.tif 000065
【０２９０】
構造式（IXａ）中の構成単位の添字は全構成単位の個数を１としたときの各構成単位の組成比を表わしている。
この樹脂（高分子電荷輸送物質）の分子量をゲルパーミッションクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン換算の分子量は、数平均分子量で６１，０００、重量平均分子量で１３２，０００であった。
【０２９１】
〔実施例１４〕
実施例１において、電荷発生層塗工液の高分子電荷輸送物質（Ｉa）の代わりに下記構造式（Ｘａ）に示した高分子電荷輸送物質に変更した以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ．１４を作製し、評価した。結果を同様に下記表２に示す。
【０２９２】
【化６３】
2012103391.tif 000066
【０２９３】
構造式中の構成単位の添字は全構成単位の個数を１としたときの各構成単位の組成比を表わしている。
この樹脂（高分子電荷輸送物質）の分子量をゲルパーミッションクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン換算の分子量は、数平均分子量で５５，０００、重量平均分子量で１２１，０００であった。
【０２９４】
【表２】
2012103391.tif 000067
【０２９５】
〔実施例１５〜１８〕
実施例６において、前記式（XIａ）のアミン化合物の代わりに、前記構造式（XIｂ）、（XIｃ）、（XIｄ）、（XIｅ）のアミン化合物にそれぞれ替えた以外は同様にして電子写真感光体Ｎｏ. １５〜１８を作製し、評価したところ、ほぼ実施例６と同様な効果が得られた。
【０２９６】
〔実施例１９〜２２〕
実施例７において、前記式（XIａ）のアミン化合物の代わりに、前記構造式（XIｂ）、（XIｃ）、（XIｄ）、（XIｅ）のアミン化合物にそれぞれ替えた以外は同様にして電子写真感光体Ｎｏ. １９〜２２を作製し、評価したところ、ほぼ実施例７と同様な効果が得られた。
【０２９７】
〔実施例２３〜２６〕
実施例８において、前記式（XIａ）のアミン化合物の代わりに、前記構造式（XIｂ）、（XIｃ）、（XIｄ）、（XIｅ）のアミン化合物にそれぞれ替えた以外は同様にして電子写真感光体Ｎｏ. ２３〜２６を作製し、評価したところ、ほぼ実施例８と同様な効果が得られた。
【０２９８】
〔実施例２７〜３０〕
実施例９において、前記式（XIａ）のアミン化合物の代わりに、前記構造式（XIｂ）、（XIｃ）、（XIｄ）、（XIｅ）のアミン化合物にそれぞれ替えた以外は同様にして電子写真感光体Ｎｏ. ２７〜３０を作製し、評価したところ、ほぼ実施例９と同様な効果が得られた。
【０２９９】
〔実施例３１〜３４〕
実施例１０において、前記式（XIａ）のアミン化合物の代わりに、前記構造式（XIｂ）、（XIｃ）、（XIｄ）、（XIｅ）のアミン化合物にそれぞれ替えた以外は同様にして電子写真感光体Ｎｏ. ３１〜３４を作製し、評価したところ、ほぼ実施例１０と同様な効果が得られた。
【０３００】
〔実施例３５〜３８〕
実施例１１において、前記式（XIａ）のアミン化合物の代わりに、前記構造式（XIｂ）、（XIｃ）、（XIｄ）、（XIｅ）のアミン化合物にそれぞれ替えた以外は同様にして電子写真感光体Ｎｏ. ３５〜３８を作製し、評価したところ、ほぼ実施例１１と同様な効果が得られた。
【０３０１】
〔実施例３９〜４２〕
実施例１２において、前記式（XIａ）のアミン化合物の代わりに、前記構造式（XIｂ）、（XIｃ）、（XIｄ）、（XIｅ）のアミン化合物にそれぞれ替えた以外は同様にして電子写真感光体Ｎｏ. ３９〜４２を作製し、評価したところ、ほぼ実施例１２と同様な効果が得られた。
【０３０２】
〔実施例４３〜４６〕
実施例１３において、前記式（XIａ）のアミン化合物の代わりに、前記構造式（XIｂ）、（XIｃ）、（XIｄ）、（XIｅ）のアミン化合物にそれぞれ替えた以外は同様にして電子写真感光体Ｎｏ. ４３〜４６を作製し、評価したところ、ほぼ実施例１３と同様な効果が得られた。
【０３０３】
〔実施例４７〜５０〕
実施例１４において、前記式（XIａ）のアミン化合物の代わりに、前記構造式（XIｂ）、（XIｃ）、（XIｄ）、（XIｅ）のアミン化合物にそれぞれ替えた以外は同様にして電子写真感光体Ｎｏ. ４７〜５０を作製し、評価したところ、ほぼ実施例１４と同様な効果が得られた。
【０３０４】
〔比較例１〕
実施例１において、前記構造式（XIａ）のアミン化合物を加えない以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ.５１を作製し、評価した。結果を下記表３に示す。
【０３０５】
〔比較例２〕
実施例１において、前記構造式（XIａ）のアミン化合物に代えて、下記構造式（４）の化合物を用いた以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ.５２を作製し、評価した。結果を下記表３に示す。
【０３０６】
【化６４】
2012103391.tif 000068
【０３０７】
〔比較例３〕
実施例１において、前記構造式（XIａ）のアミン化合物に代えて、下記構造式（５）の化合物を用いた以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ.５３を作製し、評価した。結果を下記表３に示す。
【０３０８】
【化６５】
2012103391.tif 000069
【０３０９】
〔比較例４〕
実施例１において、前記構造式（XIａ）のアミン化合物に代えて、下記構造式（６）の化合物を用いた以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ.５４を作製し、評価した。結果を下記表３に示す。
【０３１０】
【化６６】
2012103391.tif 000070
【０３１１】
〔比較例５〕
実施例１において、前記構造式（XIａ）のアミン化合物に代えて、下記構造式（７）の化合物を用いた以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ.５５を作製し、評価した。結果を下記表３に示す。
【０３１２】
【化６７】
2012103391.tif 000071
【０３１３】
【表３】
2012103391.tif 000072
【０３１４】
〔比較例６〕
実施例１において用いた高分子電荷輸送物質（Ｉa）を下記構造式（８）の化合物に変更した以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ.５６を作製し、評価した。結果を下記表４に示す。
【０３１５】
【化６８】
2012103391.tif 000073
【０３１６】
〔比較例７〕
実施例１において用いた高分子電荷輸送物質（Ｉa）を下記構造式（９）の化合物に変更した以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ.５７を作製、評価した。結果を下記表４に示す。
【０３１７】
【化６９】
2012103391.tif 000074
【０３１８】
〔比較例８〕
実施例１において用いた高分子電荷輸送物質（Ｉa）を下記構造式（１０）の化合物に変更した以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ.５８を作製、評価した。結果を下記表４に示す。
【０３１９】
【化７０】
2012103391.tif 000075
【０３２０】
【表４】
2012103391.tif 000076
【０３２１】
上記実施例１〜５０に見られるように、本発明の感光体は長期間の繰り返し使用に対しても感光体特性が安定しており、画像濃度低下、画像ボケ等の画像劣化も生じず、更にＪｏｂ内変動が少なく、繰り返し使用後においてもあまり増加しない。
一方、前記一般式（XI）で表わされるアミン化合物を含まない比較例１や、一般式（XI）で表わされるアミン化合物以外の他のアミン化合物を用いた比較例２〜４の場合には、初期の画像品質は良好であるが、繰り返し使用による画像劣化を抑えることはできていない。
比較例５のアミン化合物を用いた場合には繰り返し使用後も良好な画像が得られるが、Ｊｏｂ内変動を抑えることはできず、同一画像を連続出力するような場合には画像濃度や色味の変化が生じてしまう。
比較例６〜８は、前記一般式（XI）で表わされるアミン化合物と、本発明以外の他の電荷輸送物質と組み合わせた場合であり、繰り返し使用後の画像劣化は僅かであるが、こちらの場合もＪｏｂ内変動を抑えることはできていない。
以上から、本発明によれば長期の繰り返し使用に対しても感光体特性が安定し、更にＪｏｂ内変動も抑制し、高画質画像が長期に渡って安定に得られる電子写真感光体を提供することができる。
また、本発明によれば前記電子写真感光体を用いることにより、画像濃度や色味の変化が少ない、すなわち画質一貫性に優れた画像出力が可能な電子写真方法、電子写真装置、および電子写真装置用プロセスカートリッジが提供される。これにより、一般オフィス領域から、ＳＯＨＯ領域あるいは軽印刷領域において要求される有機感光体の更なる高耐久化、高安定化に対応することができる。
【符号の説明】
【０３２２】
１６ 電子写真感光体
１７ 帯電チャージャ
１８ クリーニングブラシ
１９ 画像露光部
２０ 現像ローラ
３１ 導電性支持体
３３ 感光層
３５ 電荷発生層
３７ 電荷輸送層
３９ 保護層
Ｌ レーザ光（露光）
５０ リボルバ現像ユニット
５３ 帯電チャージ
５４ 除電ランプ
５５ ドラムクリーニングユニット
５６感光体ドラム（感光体）
５７バイアスローラ
５８ 中間転写ベルト
５９ａ 張架ローラ
５９ｂ バックアップローラ
５９ｃ ベルト駆動ローラ
６０ 転写紙（像担持体）
６１ レジストローラ
６２ 転写ベルト
６３ 紙転写バイアスローラー
６４ 搬送ベルト
６５ 定着ユニット定着ユニット６５
８０ 感光体ドラム（感光体）
８１ 露光光源
８２ 現像ユニット
８３ 除電ランプ
８４ 帯電ローラ
８５ ドラムクリーニングユニット
８６ バイアスローラ（一次転写手段）
８７ 中間転写ベルト
８８ レジストローラ
８９ 紙（像担持体）
９０ 紙転写バイアスローラ
９１ 転写ベルト
９２ 輸送ベルト
９３ 定着ユニット
９４ ファーブラシ
【先行技術文献】
【特許文献】
【０３２３】
【特許文献１】特開平０１−２３００５５号公報
【特許文献２】特開平０３−１７２８５２号公報（特許第２８６４５８３号公報）
【特許文献３】特開２００２−３３３７３１号公報（特許第３９０１５４７号公報）
【特許文献４】特開平０４−５６８６６号公報
【特許文献５】特開２００４−２５８２５３号公報（特第４１０１６７６号公報）
【特許文献６】特開２００９-４２５６４号公報
【図１】
2012103391.tif 000091
【図２】
2012103391.tif 000092
【図３】
2012103391.tif 000093
【図４】
2012103391.tif 000094
【図５】
2012103391.tif 000095
【図６】
2012103391.tif 000096
【図７】
2012103391.tif 000097
【図８】
2012103391.tif 000098