(57)【要約】【課題】高温状態のトレイによる基板の加熱を抑制する。【解決手段】基板２の下面縁と当接可能なテーパー面２１ｅ，２１ｆを含む内周面を備える基板収容孔２１ｄが形成されたトレイ２１を用いる基板のドライエッチング方法において、基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃと静電チャック１１の基板載置面１３ａの中心Ｃ２とが重なるようにトレイ２１を位置決めして所定の位置に降下させることにより、下面縁の少なくとも一部がテーパー面２１ｅ，２１ｆから離間した状態で基板２を基板載置面１３ａに載置し、基板２が基板載置面１３ａから離れるまでトレイ２１を上昇させることにより、テーパー面２１ｅ，２１ｆと接触する基板２の下面縁の部分を該テーパー面にならわせ、基板２の中心Ｃ１を基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃ上に位置合わせし、トレイ２１を所定の位置に降下させることにより、トレイ２１から離間した状態で基板２を基板載置面１３ａに載置する。【選択図】図３Ｃ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔であって且つ基板の下面縁と当接可能なテーパー面を含む内周面を備える基板収容孔が形成されたトレイを用いる基板のドライエッチング方法において、
基板収容孔の中心軸と静電チャックの基板載置面の中心とが重なるようにトレイを位置決めして所定の位置に降下させることにより、基板の下面縁の少なくとも一部がテーパー面から離間した状態で該基板を基板載置面に載置する工程と、
基板が基板載置面から離れるまでトレイを所定の位置から上昇させることにより、テーパー面と接触する基板の下面縁の部分を該テーパー面にならわせ、基板の中心を基板収容孔の中心軸上に位置合わせする工程と、
トレイを所定の位置に降下させることにより、トレイから離間した状態で基板を基板載置面に載置する工程と、
トレイから離間した状態で載置された基板を基板載置面に静電吸着させる工程と、
基板載置面に静電吸着された基板に対してドライエッチング処理を実行する工程とを含む、ドライエッチング方法。
【請求項２】
貫通孔であって且つ基板の下面縁と当接可能なテーパー面を含む内周面を備える基板収容孔が形成されたトレイを用いるドライエッチング装置において、
所定の位置に配置されたトレイの基板収容孔内に位置する基板載置面を備える静電チャックと、
基板収容孔の中心軸と基板載置面の中心とが重なるようにトレイを位置決めするトレイ位置決め機構と、
トレイを昇降させるトレイ昇降機構と、
トレイ昇降機構を介してトレイを所定の位置に降下させることにより、基板の下面縁の少なくとも一部がテーパー面から離間した状態で該基板を基板載置面に載置する第１のシーケンスと、
トレイ昇降機構を介して基板が基板載置面から離れるまでトレイを所定の位置から上昇させることにより、テーパー面と接触する基板の下面縁の部分を該テーパー面にならわせ、基板の中心を基板収容孔の中心軸上に位置合わせする第２のシーケンスと、
トレイ昇降機構を介してトレイを所定の位置に降下させることにより、トレイから離間した状態で基板を基板載置面に載置する第３のシーケンスとを実行する制御装置とを有する、ドライエッチング装置。
【請求項３】
トレイ昇降機構が、上下方向に進退し、先端がトレイの下面と接触する複数のロッドを有する、請求項２に記載のドライエッチング装置。
【請求項４】
トレイ位置決め機構が、トレイ昇降機構の複数のロッドの先端と係合する位置決め穴で構成されている、請求項３に記載のドライエッチング装置。
【請求項５】
トレイ位置決め機構が、所定の位置に配置されたトレイの側面と係合する内周面を備える部材で構成されている、請求項２または３に記載のドライエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板をドライエッチングする方法および装置に関し、特に、複数の基板を収容するトレイがドライエッチング装置にセットされるドライエッチング方法およびドライエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば特許文献１に記載するように、ドライエッチング装置に基板をセットするにあたり、トレイが使用されている。例えば、特許文献１に記載のトレイは、複数の基板を同時にドライエッチング装置にセットするとともにドライエッチングされた複数の基板を同時に取り出すためのものであって、基板を収容する複数の基板収容孔を備える。この基板収容孔は、基板に比べて大きい断面積を備える貫通孔であって、また、内周面から突出して基板の下面を支持する基板支持部を備える。
【０００３】
このようなトレイに対して、ドライエッチング装置は、静電チャックの上面に島状の複数の基板載置部を備え、その基板載置部は、トレイの基板収容孔の基板支持部を通過することができる基板載置面を備える。複数の基板収容孔それぞれに基板を収容するトレイを静電チャックの上面に向かって降下させることにより、基板載置部の基板載置面それぞれが対応する基板収容孔内に進入する。さらにトレイを降下させると、基板載置面が基板の下面に接触し、それにより、基板が基板収容孔の基板支持部から離れる。最終的に、トレイが静電チャックの上面にセットされると、基板は、トレイから離間した状態で基板載置面に載置され、そして基板載置面に静電吸着される。
【０００４】
トレイは、基板が静電チャックの基板載置部の基板載置面に載置された後も、基板のドライエッチング処理が終了するまで、静電チャックの上面にセットされたまま維持される。ドライエッチング処理が終了すると、処理済みの複数の基板それぞれは、トレイを上昇させることによって対応する基板収容孔の基板支持部によって同時に支持され、その状態でドライエッチング装置の外部に搬出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２２５７７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載のドライエッチング装置の場合、静電チャックの基板載置面に載置された基板がトレイに接触するまたは接近しすぎる可能性がある。具体的には、基板載置面上の基板は、基板収容孔の基板支持部から離れてはいるものの、基板収容孔の内周面に接触しているまたは接近しすぎている可能性がある。これは、基板が、基板収容孔の径方向に自由に移動可能に基板支持部に支持されているために起こる。
【０００７】
基板がトレイに接触するまたは接近しすぎると、ドライエッチング処理中に高温状態になったトレイにより、トレイと接触するまたは接近しすぎる基板の部分が加熱される。これにより、基板に非均一な温度分布が生じ、その結果、基板の部分ごとにドライエッチング処理の仕上がり精度が異なる可能性がある。また、トレイと接触するまたは接近しすぎる基板の部分上のレジスト膜が熱変形する、いわゆるレジスト焼けが発生する可能性がある。
【０００８】
そこで、本発明は、基板を収容するトレイがドライエッチング装置にセットされる場合において、基板とトレイとが十分に離間するように、基板とトレイとを位置決めしてドライエッチング装置にセットすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の課題を解決するために、本発明の第１の態様によれば、
貫通孔であって且つ基板の下面縁と当接可能なテーパー面を含む内周面を備える基板収容孔が形成されたトレイを用いる基板のドライエッチング方法において、
基板収容孔の中心軸と静電チャックの基板載置面の中心とが重なるようにトレイを位置決めして所定の位置に降下させることにより、基板の下面縁の少なくとも一部がテーパー面から離間した状態で該基板を基板載置面に載置する工程と、
基板が基板載置面から離れるまでトレイを所定の位置から上昇させることにより、テーパー面と接触する基板の下面縁の部分を該テーパー面にならわせ、基板の中心を基板収容孔の中心軸上に位置合わせする工程と、
トレイを所定の位置に降下させることにより、トレイから離間した状態で基板を基板載置面に載置する工程と、
トレイから離間した状態で載置された基板を基板載置面に静電吸着させる工程と、
基板載置面に静電吸着された基板に対してドライエッチング処理を実行する工程とを含む、ドライエッチング方法が提供される。
【００１０】
本発明の第２の態様によれば、
貫通孔であって且つ基板の下面縁と当接可能なテーパー面を含む内周面を備える基板収容孔が形成されたトレイを用いるドライエッチング装置において、
所定の位置に配置されたトレイの基板収容孔内に位置する基板載置面を備える静電チャックと、
基板収容孔の中心軸と基板載置面の中心とが重なるようにトレイを位置決めするトレイ位置決め機構と、
トレイを昇降させるトレイ昇降機構と、
トレイ昇降機構を介してトレイを所定の位置に降下させることにより、基板の下面縁の少なくとも一部がテーパー面から離間した状態で該基板を基板載置面に載置する第１のシーケンスと、
トレイ昇降機構を介して基板が基板載置面から離れるまでトレイを所定の位置から上昇させることにより、テーパー面と接触する基板の下面縁の部分を該テーパー面にならわせ、基板の中心を基板収容孔の中心軸上に位置合わせする第２のシーケンスと、
トレイ昇降機構を介してトレイを所定の位置に降下させることにより、トレイから離間した状態で基板を基板載置面に載置する第３のシーケンスとを実行する制御装置とを有する、ドライエッチング装置が提供される。
【００１１】
本発明の第３の態様によれば、
トレイ昇降機構が、上下方向に進退し、先端がトレイの下面と接触する複数のロッドを有する、第２の態様に記載のドライエッチング装置が提供される。
【００１２】
本発明の第４の態様によれば、
トレイ位置決め機構が、トレイ昇降機構の複数のロッドの先端と係合する位置決め穴で構成されている、第３の態様に記載のドライエッチング装置が提供される。
【００１３】
本発明の第５の態様によれば、
トレイ位置決め機構が、所定の位置に配置されたトレイの側面と係合する内周面を備える部材で構成されている、第２または第３の態様に記載のドライエッチング装置が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板とトレイが十分に離間するように、基板とトレイとを位置決めしてドライエッチング装置にセットすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る一実施の形態のドライエッチング装置の構成を概略的に示す図
【図２】トレイを説明するための概略図
【図３Ａ】トレイの降下を開始する直前の様子を示す図
【図３Ｂ】図３Ａに続く、基板がトレイに接触した状態で、トレイが静電チャックにセットされている様子を示す図
【図３Ｃ】図３Ｂに続く、基板がテーパー面によって移動されている様子を示す図
【図３Ｄ】図３Ｃに続く、基板が基板載置面から離れた様子を示す図
【図３Ｅ】図３Ｄに続く、基板がトレイから離間した状態で、トレイが静電チャックにセットされている様子を示す図
【図４】本発明に係る別の実施の形態のドライエッチング装置における、トレイの位置決め方法を説明するための図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明に係る一実施の形態のドライエッチング装置を概略的に示している。図１に示すドライエッチング装置１は、例えば円形状のサファイア基板をプラズマ処理するＩＣＰ（誘導結合プラズマ）型プラズマ処理装置である。
【００１７】
ドライエッチング装置１は、基板２にプラズマ処理を実行するための処理室を画定するチャンバ３を備える。チャンバ３の上部開口は、石英等の誘電体から形成された天板４によって閉鎖されている。その天板４上にＩＣＰコイル５が配置されている。ＩＣＰコイル５には、ＩＣＰコイル５に高周波電圧を印加する第１の高周波電源６が接続されている。
【００１８】
チャンバ３はまた、処理ガスをチャンバ３内に導入するための処理ガス導入口３ａを備える。さらに、チャンバ３内のガスを排気する排気ポンプ７が排気路３ｂを介してチャンバ３に取り付けられている。
【００１９】
また、チャンバ３内には、ドライエッチングされる基板２が載置される基板ステージ１０が設けられている。基板ステージ１０は、基板２を静電吸着する静電チャック１１と、静電チャック１１の下面に接する状態で内蔵された、電極として機能するとともに静電チャック１１を冷却する冷却装置としても機能する金属ブロック１２とを有する。
【００２０】
静電チャック１１は、その上面に、基板２が載置される島状の複数の基板載置部１３を備える。また、静電チャック１１は、基板載置部１３に基板２を静電吸着させる静電引力を発生させるためのＥＳＣ電極１４を内蔵する。ＥＳＣ電極１４には、ＥＳＣ電極１４に直流電圧を印加するＥＳＣ駆動ユニット１５が接続されている。
【００２１】
静電チャック１１はさらに、基板２と基板載置部１３との間に、ドライエッチング処理中に基板２を冷却する伝熱ガス、例えば冷却されたＨｅ（ヘリウム）ガスを供給するための伝熱ガス流路１６を内部に備える。伝熱ガス流路１６に対して伝熱ガスを導入する伝熱ガス制御ユニット（伝熱ガス源）１７が、ドライエッチング装置１に設けられている。
【００２２】
金属ブロック１２は、金属ブロック１２に高周波電圧を印加する第２の高周波電源１８に接続されている。また、金属ブロック１２によって静電チャック１１および静電チャック１１に保持されている基板２を冷却できるにように、金属ブロック１２の内部には、冷却ユニット１９から供給される冷媒が流れる冷媒流路２０が形成されている。
【００２３】
基板ステージ１０はまた、基板２が収容されたトレイ２１に接触する先端を備え、鉛直方向Ｖに延びる複数のロッド２２を有する。複数のロッド２２は、ロッド駆動ユニット２３によって鉛直方向Ｖに進退される。複数のロッド２２とロッド駆動ユニット２３とにより、トレイ２１は昇降される。
【００２４】
さらに、図示してはいないが、ドライエッチング装置１は、第１の高周波電源６、排気ポンプ７、ＥＳＣ駆動ユニット１５、伝熱ガス制御ユニット１７、第２の高周波電源１８、冷却ユニット１９、ロッド駆動ユニット２３を制御することにより、静電チャック１１の基板載置部１３に基板２を載置し、載置された基板２を静電吸着し、静電吸着された基板２に対してドライエッチング処理を実行する制御装置を有する。
【００２５】
基板２を収容するトレイ２１の詳細について説明する。図２に示すように、トレイ２１は、上面２１ａと下面２１ｂとを備える円板状であって、静電チャック１１の上面１１ａ上（特許請求の範囲に記載の「所定の位置」に対応）にセットされる。
【００２６】
具体的には、トレイ２１が、図３Ａに示すように、上方向に向かって前進した状態のロッド２２の先端上に、例えば吸着ハンド（図示せず）などのトレイ搬送機構によって載置される。ロッド２２の先端上に載置されたトレイ２１をトレイ搬送機構がリリースした後、ロッド２２が下方向に後退することにより、図３Ｂに示すように、トレイ２１が静電チャック１１の上面１１ａにセットされる。
【００２７】
静電チャック１１の上面１１ａにトレイ２１を水平方向Ｈに関して位置決めしてセットするために、トレイ２１の外周面２１ｃが、上面２１ａの縁から下面２１ｂの中央側に向かって傾斜するテーパー状に形成されている。一方、基板ステージ１０には、トレイ２１の水平方向Ｈに関する位置（水平方向位置）を位置決めする環状の位置決め部材２４が設けられている。この環状の位置決め部材２４は、トレイ２１のテーパー状の外周面２１ｃと平行な且つ当接可能な逆テーパー状の内周面２４ａを備える。これにより、トレイ２１は、ロッド２２によって降下されつつ、位置決め部材２４によってその水平方向位置が位置決めされる。なお、トレイ２１の外周面２１ｃと位置決め部材２４の内周面２４ａは、テーパー面以外でもよく、トレイ２１を位置決め部材２４内に上下方向に着脱可能に挿入できる形状であればよい。
【００２８】
また、トレイ２１には、円形断面を備え、上面２１ａから下面２１ｂに向かって貫通する、基板２を収容可能な複数の基板収容孔２１ｄが形成されている。
【００２９】
図３Ａに示すように、基板収容孔２１ｄは、その内周面に、基板２の下面２ａの縁と当接可能な、第１のテーパー面２１ｅおよび第２のテーパー面２１ｆを備える。第１のテーパー面２１ｅおよび第２のテーパー面２１ｆは、トレイ２１の上面２１ａから下面２１ｂに向かって基板収容孔２１ｄの断面積が減少するように傾斜している。
【００３０】
第１のテーパー面２１ｅは、トレイ２１の上面２１ａから、基板収容孔２１ｄの概ね半分の深さまで延びている。第１のテーパー面２１ｅの下端における基板収容孔２１ｄの断面は、図３Ｂに示すように、基板２に比べて大きいサイズ、すなわち基板２が通過できるサイズにされている。
【００３１】
第２のテーパー面２１ｆは、第１のテーパー面２１ｅの下端からトレイ２１の下面２１ｂに向かって延びている。第２のテーパー面２１ｆの下端における基板収容孔２１ｄの断面は、図３Ｂに示すように、基板２に比べて小さいサイズ、すなわち、基板２が通過不可能なサイズにされている。また、第２のテーパー面２１ｆは、第１のテーパー面２１ｅに比べて緩やかに傾斜している（水平方向Ｈに対する傾斜角度が、第１のテーパー面２１ｅに比べて小さい）。
【００３２】
したがって、基板２は、図３Ａに示すように、下面２ａの縁が第１のテーパー面２１ｅまたは第２のテーパー面２１ｆに当接した状態で、基板収容孔２１ｄに収容される。なお、図３Ａに示すように基板２が水平方向Ｈに対して傾いた姿勢でなく、水平姿勢であれば（言い換えると、基板２の下面２ａとトレイ２１の下面２１ｂとが平行であれば）、図３Ｄに示すように、基板２の下面２ａの縁が第２のテーパー面２１ｆのみに当接し、基板２の中心（下面中心）Ｃ１が基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃ上に位置する。
【００３３】
また、図３Ａに示すように、第１のテーパー面２１ｅおよび第２のテーパー面２１ｆは、線形テーパー面（トレイ２１の上面２１ａから下面２１ｂに向かって断面積が線形に減少するようなテーパー面）であるが、本発明はこれに限らない。本明細書で言う「テーパー面」は、広義には、トレイの上面から下面に向かって基板収容孔の断面積が連続的に減少するような面であればよく、テーパー面は、例えば曲面であってもよい。
【００３４】
基板収容孔２１ｄはさらに、図３（Ｂ）に示すように、静電チャック１１の基板載置部１３を収容可能なサイズにされている。
【００３５】
具体的には、図２に示すように、静電チャック１１の基板載置部１３が、円形状の基板載置面１３ａを備える円柱形状に形成されている。また、図３Ｂに示すように、トレイ２１が位置決め部材２４によって水平方向Ｈに関して位置決めされて静電チャック１１の上面１１ａにセットされているとき、基板載置面１３ａの中心Ｃ２が基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃ上に位置する。このように、基板載置面１３ａの中心Ｃ２が基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃ上に位置するときに、基板載置部１３の側面１３ｂが基板収容孔２１ｄの内周面に接触しないように、基板収容孔２１ｄは形成されている。
【００３６】
また、トレイ２１が静電チャック１１の上面１１ａにセットされた状態のとき、静電チャック１１の基板載置部１３の基板載置面１３ａが、第１のテーパー面２１ｅによって囲まれた基板収容孔２１ｄの領域内に配置されるように、トレイ２１や基板載置部１３が構成されている。
【００３７】
以上のようなトレイ２１により、トレイ２１の複数の基板収容孔２１ｄそれぞれに収容された基板２が、静電チャック１１の対応する基板載置部１３の基板載置面１３ａ上に同時に載置される。また、このようなトレイ２１により、ドライエッチングされた複数の基板２をドライエッチング装置１の外部に同時に搬出することができる。
【００３８】
ここからは、上述の構成を踏まえた、基板載置面１３ａに対する基板２の位置合わせについて説明する。
【００３９】
例えば、図３Ａに示すように、基板２がトレイ２１の基板収容孔２１ｄ内に水平方向Ｈに対して傾いた姿勢（例えば第１のテーパー面２１ｅに基板２の下面２ａの縁が接触した状態の姿勢）で収容されている場合、トレイ２１が降下すると、図３Ｂに示すように、基板２は、トレイ２１に接触した状態で静電チャック１１の基板載置部１３の基板載置面１３ａに載置される。具体的には、下面２ａの縁の一部が基板収容孔２１ｄの第１のテーパー面２１ｅに接触した状態（または接近しすぎた状態）で、基板２は基板載置面１３ａに載置される。すなわち、基板２は、その中心Ｃ１と基板載置面１３ａの中心Ｃ２が一致しない状態で、基板載置面１３ａに載置される。
【００４０】
または、降下中のトレイ２１が位置決め部材２４によって水平方向Ｈに移動して位置決めされると、その位置決め中に基板収容孔２１ｄ内で基板２が移動し、最終的に、図３Ｂに示すように、基板２が、トレイ２１に接触した状態で静電チャック１１の基板載置部１３の基板載置面１３ａに載置される。
【００４１】
上述したように、基板２がトレイ２１に接触した状態または接近しすぎた状態でドライエッチング処理が実行されると、ドライエッチング処理中に高温状態になったトレイ２１により、トレイ２１と接触するまたは接近しすぎる基板２の部分が加熱される。そして、基板に非均一な温度分布が生じ、その結果、基板の部分ごとにドライエッチング処理の仕上がり精度が異なる可能性がある。
【００４２】
基板２がトレイ２１に接触するまたは接近しすぎることを回避するために、ドライエッチング装置１の制御装置は、ロッド駆動ユニット２３を制御してトレイ２１を静電チャック１１の上面１１ａに一度セットした後、ＥＳＣ駆動ユニット１５を制御してＥＳＣ電極１４に直流電圧を印加する前に（すなわち静電吸着を開始する前に）、少なくとも一回ロッド駆動ユニット２３にトレイ２１を昇降させる（上昇させた後に降下させる）。
【００４３】
その理由について説明する。図３Ｂに示すように、静電チャック１１の基板載置部１３の基板載置面１３ａ上の基板２が接点Ｐ（下面２ａの縁上の点）でトレイ２１に接触している場合を例に挙げて説明する。
【００４４】
図３Ｂに示すように基板載置面１３ａ上の基板２が接点Ｐで第１のテーパー面２１ｅに接触している状態でトレイ２１が上昇すると、図３Ｃに示すように、接点Ｐが、第１のテーパー面２１ｅや第２のテーパー面２１ｆにならって下方向に移動する。その結果、基板２は、基板載置面１３ａに接触した状態を維持しつつ、基板２の中心Ｃ１が基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃに接近する方向に移動する。このような基板２の移動は、接点Ｐ以外の下面２ａの縁部分がトレイ２１に接触し、そして基板２が基板載置面１３ａから離れるまで継続する。
【００４５】
基板２が基板載置面１３ａから離れたとき、図３Ｄに示すように、基板２は、その中心Ｃ１が基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃ上に位置する。すなわち、基板２の下面２ａの縁が、第２のテーパー面２１ｆに接触した状態になっている。また、基板２の中心Ｃ１と基板載置面１３ａの中心Ｃ２とが、基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃ上に位置する。
【００４６】
図３Ｄに示すように、基板２の中心Ｃ１と基板載置面１３ａの中心Ｃ２とが基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃ上に位置する状態で、トレイ２１が降下して再び静電チャック１１の上面１１ａにセットされると、図３Ｅに示すように、基板２は、その中心Ｃ１と基板載置面１３ａの中心Ｃ２とが一致した状態で、また、トレイ２１から十分に離れた状態（所定の距離離間した状態）で基板載置面１３ａに載置される。このように基板載置面１３ａ上の基板２がトレイ２１から所定の距離離間することにより、ドライエッチング処理中に高温状態になったトレイ２１によって基板２が加熱されることが抑制される。
【００４７】
なお、トレイ２１に収容されている複数の基板２全てが、トレイ２１から所定の距離離間した状態で、対応する基板載置面１３ａに載置されるように、トレイ２１の昇降は複数回実行するのが好ましい。
【００４８】
本実施の形態によれば、基板２とトレイ２１が十分に離間するように、基板２とトレイ２１とを位置決めしてドライエッチング装置１にセットすることができる。
【００４９】
以上、上述の一実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上述の実施の形態に限らない。
【００５０】
例えば、上述の実施の形態の場合、図２に示すように、トレイ２１のテーパー状の側面２１ｃと環状の位置決め部材２４の逆テーパー状の内周面２４ａとが係合することにより、トレイ２１は、水平方向Ｈに関して位置決めされる。しかし、本発明は、このような位置決め方法に限らない。
【００５１】
例えば、本発明に係る別の実施の形態のドライエッチング装置では、図４に示すように、トレイ１２１を昇降させるロッド１２２の先端が、トレイ１２１の下面１２１ｂに形成された位置決め穴１２１ｇに係合する。これにより、トレイ１２１の水平方向Ｈに関して位置決めされる。この場合、例えば吸着ハンドなどのトレイ搬送機構（図示せず）が、位置決め穴１２１ｇとロッド１２２の先端とを係合させる。これにより、図２に示すトレイ２１のように、トレイの側面をテーパー状にする必要がなくなる。また、図２に示す位置決め部材２４のような、トレイの側面と係合する内周面を備える環状の位置決め部材が必要なくなる。
【００５２】
また、上述の実施の形態の場合、図３Ａに示すように、トレイ２１の基板収容孔２１ｄは、その内周面に２つのテーパー面２１ｅ，２１ｆを備えるが、本発明はこれに限らない。本発明は、広義には、トレイの基板収容孔が、基板の下面縁と接触可能なテーパー面を少なくとも１つ含む内周面を備えていればよい。
【００５３】
さらに、上述の実施の形態の場合、例えば図２に示すように、基板は、円形基板であるが、本発明は、これに限らない。例えばオリフラ（オリエンテーションフラット）を備える円形状基板や他の形状基板でも、本発明が適用可能であることは、当業者であれば明らかである。
【００５４】
さらにまた、上述の実施の形態の場合、図２に示すように、トレイ２１は静電チャック１１の上面１１ａ上にセットされるが、本発明はこれに限らない。例えば、静電チャック１１の上面１１ａとトレイ２１の下面２１ｂとの間に空間を設けた状態で、位置決め部材２４やロッド２２によってトレイ２１は支持されてもよい。これにより、静電チャック１１からトレイ２１への伝熱が抑制され、トレイ２１による基板２の加熱をさらに抑制することができる。本発明は、広義には、トレイの基板収容孔のテーパー面で囲まれた領域内に静電チャックの基板載置面が位置するような所定の位置に、トレイをセットする。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、サファイア基板のみならず、ドライエッチング処理が必要なあらゆる基板に対して使用可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１        ドライエッチング装置
２        基板
１３ａ    基板載置面
２１      トレイ
２１ｄ    貫通孔（基板収容孔）
２１ｅ    テーパー面（第１のテーパー面）
２１ｆ    テーパー面（第２のテーパー面）
Ａｃ      （基板収容孔）中心軸
Ｃ１      （基板）中心
Ｃ２      （基板載置面）中心
Ｐ        部分（接点）
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４】
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