(57)【要約】【課題】半導体レーザ素子が不良とされる率を低減させて、半導体レーザモジュールの製造コストを下げることのできる半導体レーザモジュールの製造方法を提供すること。【解決手段】本製造方法は、半導体レーザ素子３と光ファイバ７とを備える半導体レーザモジュール１の製造方法であって、半導体レーザ素子３の端面位相を検出する検出工程と、半導体レーザ素子３の端面位相が何れであってもその周波数特性が略一定となるように設定されている駆動電流値Ｉｂ１のうち検出工程で検出された端面位相に応じた駆動電流値Ｉｂ１を取得する取得工程と、取得工程で取得した駆動電流値Ｉｂ１の駆動電流を半導体レーザ素子３に与えた際に光ファイバ７からの光出力が略一定となるように、半導体レーザ素子３と光ファイバ７との間の光軸調整を行う調整工程と、を備えている。【選択図】図２
2012038972.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の端面位相を有する分布帰還型の半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子からの出射光が入射される光ファイバとを備える半導体レーザモジュールの製造方法であって、
前記半導体レーザ素子の端面位相を検出する検出工程と、
前記半導体レーザ素子の端面位相が何れであってもその周波数特性が略一定となるように設定されている駆動電流値のうち前記検出工程で検出された前記端面位相に応じた駆動電流値を取得する取得工程と、
前記取得工程で取得した前記駆動電流値の駆動電流を前記半導体レーザ素子に与えた際に前記光ファイバからの光出力が略一定となるように、前記半導体レーザ素子と前記光ファイバとの間の光軸調整を行う調整工程と、
を備えたことを特徴とする半導体レーザモジュールの製造方法。
【請求項２】
前記半導体レーザ素子の端面位相が何れであってもその周波数特性が略一定となるように設定されている前記駆動電流値は、端面位相が０．５πの場合に最小値をとり、端面位相が１．５πの場合に最大値をとるように設定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
【請求項３】
前記調整工程では、前記半導体レーザ素子と前記光ファイバとの間の結合損失が前記端面位相に応じた駆動電流値に比例して増減するように、前記半導体レーザ素子と前記光ファイバとの間の光軸調整を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
【請求項４】
前記半導体レーザモジュールは、前記半導体レーザ素子の駆動を行うための駆動回路を更に備え、
前記調整工程で用いた前記駆動電流値が設定された前記駆動回路を前記半導体レーザ素子と共に前記半導体レーザモジュールに組み入れる組入工程を更に備えたことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザモジュールの製造方法に関し、特に、分布帰還型（ＤＦＢ：DistributedFeedback）の半導体レーザ素子を備えた半導体レーザモジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
分布帰還型の半導体レーザモジュールとして、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子からの出射光が入力されるように配置された光ファイバと、半導体レーザ素子と光ファイバとの間に配置されたレンズ等とを備えたモジュールが知られている（例えば特許文献１参照）。このような半導体レーザモジュールの性能を示す指標としては、光出力と周波数特性とがあるが、半導体レーザモジュールは特に個体間における光出力のバラツキが大きいため、そのままでは製品として使うことが難しかった。
【０００３】
そこで、従来から、定電流源から一定電流を増やした駆動電流または閾値電流Ｉｔｈから一定電流を増やした一定の駆動電流を所定数の半導体レーザ素子それぞれに与え、その時の光ファイバからの光出力が個体間において略一定となるように、半導体レーザ素子と光ファイバとの間における光軸を調整（調芯ともいう）するようにしていた。そして、光軸の調整後、半導体レーザ素子を保持する部材と光ファイバを保持する部材とを、ＹＡＧレーザなどの固定手段によって固定して、最終的なモジュール製品を得ていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０―０３９１７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述した調整方法では、半導体レーザモジュールの性能を示す指標の１つである光出力は確かに個体間において略一定にすることができるものの、半導体レーザモジュールの性能を示すもう１つの指標である周波数特性は略一定ではなく個々の半導体レーザ素子の性能に依存した状態であり、モジュール毎にばらついていた。このため、伝送帯域を決める緩和振動周波数ｆｒといった周波数特性が所定の基準に満たない場合、その半導体レーザ素子又は半導体レーザモジュールは不良品として除外され、その結果、製造歩留まりが低下してしまい、半導体レーザモジュールの製造コストを押し上げる一因となっていた。
【０００６】
そこで、本発明の課題は、半導体レーザ素子等が不良とされる率を低減させて、半導体レーザモジュールの製造コストを下げることのできる半導体レーザモジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明者は、鋭意研究を重ねる課程で、各半導体レーザ素子の緩和振動周波数ｆｒと各半導体レーザ素子における端面位相との関係にまず着眼した（図３参照）。そして、この緩和振動周波数ｆｒが次の式（１）に示すように、バイアス電流Ｉｂと閾値電流Ｉｔｈとの差分を閾値電流Ｉｔｈで割ったものの平方根に比例していることにも着眼し、駆動電流に対応するバイアス電流Ｉｂを増減（図９参照）させることにより、緩和振動周波数ｆｒの値を個体間において略一定の値に調整できることを見出した。なお、図９では、同一のレーザ素子において、バイアス電流Ｉｂを変化させることにより緩和振動周波数ｆｒが変化することを示している。
【数１】
2012038972.tif 000003
【０００８】
ところが、その一方、緩和振動周波数ｆｒを例えば２０％増加させるには、式（１）における（Ｉｂ−Ｉｔｈ）を約４４％増加させることになり、そのままでは半導体レーザモジュールの光出力も約４４％増加してしまうことになり、光出力の許容範囲を超えてしまうおそれがあった。そこで、本発明者は、半導体レーザモジュールの光出力が許容範囲を超えてしまうことを防ぎつつ緩和振動周波数ｆｒの値を個体間において略一定（所定の範囲）に調整することができれば、従来、不良品として除外されていた半導体レーザ素子等の数を低減させて、半導体レーザモジュールの製造コストを下げることができるとの知見を得て、本発明を完成するに到った。
【０００９】
すなわち、上記課題を解決するため、本発明に係る半導体レーザモジュールの製造方法は、所定の端面位相を有する分布帰還型の半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子からの出射光が入射される光ファイバとを備える半導体レーザモジュールの製造方法であって、半導体レーザ素子の端面位相を検出する検出工程と、半導体レーザ素子の端面位相が何れであってもその周波数特性が略一定となるように設定されている駆動電流値のうち検出工程で検出された端面位相に応じた駆動電流値を取得する取得工程と、取得工程で取得した駆動電流値の駆動電流を半導体レーザ素子に与えた際に光ファイバからの光出力が略一定となるように、半導体レーザ素子と光ファイバとの間の光軸調整を行う調整工程と、を備えている。
【００１０】
この製造方法では、周波数特性が略一定となるように設定されている駆動電流値のうち、検出された端面位相に応じた一の駆動電流値を取得し、この取得した駆動電流値の駆動電流を半導体レーザ素子に与えながら、その光出力が個体間で略一定となるように光軸調整を行うようになっている。この場合、半導体レーザモジュールの組み込みが完成する前の調整工程において、周波数特性が略一定となるように設定された駆動電流値の駆動電流を用いて光軸調整を行うようになっているため、仮に周波数特性を増加させるために光出力も増加させざるを得ない場合であったとしても、調整工程において、光出力を低くするような光軸調整を行うことができる。
【００１１】
つまり、一旦、半導体レーザモジュールとして組み込まれた後だと、周波数特性を増加させるには光出力も増加させざるを得ず、光出力のみを低くすることは困難であるが、本願発明のように、半導体モジュールに組み込む前に調整を行うことにより、かかる課題を解決することができる。そして、この結果、本発明に係る製造方法によれば、周波数特性と光出力とを個体間において略一定とした半導体レーザモジュールを得ることができ、半導体レーザ素子等が不良品とされる率を低減させて、半導体レーザモジュールの製造コストを下げることが可能となる。なお、ここでいう不良品には、まったく使用できないレベルにある半導体レーザ素子だけでなく、ある用途であれば使用できる可能性があるものの、他のより高精度の用途には使用できないといったものも含まれる。
【００１２】
また、上述した製造方法において、半導体レーザ素子の端面位相が何れであってもその周波数特性が略一定となるように設定されている駆動電流値は、端面位相が０．５πの場合に最小値をとり、端面位相が１．５πの場合に最大値をとるように設定されていることが好ましい。このように設定されていることにより、駆動電流値を取得する取得工程を容易にすることができる。
【００１３】
また、上述した製造方法において、調整工程では、半導体レーザ素子と光ファイバとの間の結合損失が端面位相に応じた駆動電流値に比例して増減するように、半導体レーザ素子と光ファイバとの間の光軸調整を行うことが好ましい。このように、駆動電流値が増加する場合には結合損失も増加させ、駆動電流値が減少する場合には結合損失も減少させることにより、駆動電流値が異なる半導体レーザモジュール間において、それらの光出力を容易に略一定とすることができる。
【００１４】
また、上述した製造方法において、半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子の駆動を行うための駆動回路を更に備え、調整工程で用いた駆動電流値が設定された駆動回路を半導体レーザ素子と共に半導体レーザモジュールに組み入れる組入工程を更に備えるようにしてもよい。この場合、駆動回路に調整工程で用いた駆動電流値が予め設定されることになるため、完成した半導体レーザモジュールを用いる際に駆動電流値をわざわざ設定入力する必要がなくなり。便利である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、半導体レーザ素子が不良とされる率を低減させて、半導体レーザモジュールの製造コストを下げることのできる半導体レーザモジュールの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】半導体レーザ素子と光ファイバとの間の光軸調整を行うためのシステム構成の概略図である。
【図２】半導体レーザモジュールの製造工程を示すフローチャートである。
【図３】緩和振動周波数ｆｒと端面位相との関係を示す図である。
【図４】端面位相に応じて緩和振動周波数ｆｒ等が変わることを示す図であり、（ａ）は、端面位相が０．５πの場合、（ｂ）は端面位相がπの場合を示す。
【図５】端面位相に応じて信号の波形が変わることを示す図であり、（ａ）は端面位相が０．５πの場合、（ｂ）は端面位相がπの場合を示す。
【図６】駆動電流を補正するための補正係数ｆｒ＿Ｃｏｍｐと端面位相との関係を示す図である。
【図７】本発明に係る製造方法により、緩和振動周波数ｆｒが略一定の範囲となっていることを示す図である。
【図８】本発明に係る製造方法による電流のばらつきを示す図である。
【図９】バイアス電流を変えることにより、緩和振動周波数ｆｒが変化することを示す図である。
【図１０】光モジュールに更に駆動回路等を組み込む際の製造工程を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１８】
まず、本実施形態に係る製造方法によって製造される半導体レーザモジュール１について簡単に説明する。半導体レーザモジュール１は、図１に示されるように、半導体レーザ素子３と、半導体レーザ素子３を保持する保持部材５と、半導体レーザ素子３からの出射光が入射される光ファイバ７と、光ファイバ７を保持する保持部材９と、半導体レーザ素子３と光ファイバ７との間に配置されるレンズ１１とを備えている。
【００１９】
半導体レーザ素子３は、例えば発振波長が１．５５μｍのＤＦＢレーザであり、安定した単一モードでの発振が要求される長距離光通信システムの光源として使用されるものが例示される。ＤＦＢレーザである半導体レーザ素子３は、回折格子を内部に備えており、へき開面に回折格子の所定の位相（端面位相）を有するようになっている。
【００２０】
この端面位相は、図３に示されるように、０〜２πの範囲で表され、半導体レーザ素子３の緩和振動周波数ｆｒの値と所定の関係を有するようになっている。緩和振動周波数ｆｒは、半導体レーザ素子３の伝送帯域を決める要素の１つとなっている。例えば、緩和振動周波数ｆｒ等（素子のＣＲ時定数に起因する周波数特性含む）は、端面位相が０．５πの場合には、図４（ａ）に示すように、フラットな周波数特性となって表れるが、図４（ｂ）に示すように、端面位相がπの場合には、フラットからやや外れた周波数特性となって表れる。
【００２１】
そして、図４（ａ）に示した半導体レーザ素子３（端面位相が０．５π）では、図５（ａ）に示すように、信号の波形がきれいな形状となる。その一方、図４（ｂ）に示した半導体レーザ素子３（端面位相がπ）では、図５（ｂ）に示すように、ピークをもった一部ひずんだ形となり、信号の立ち上がりが遅くなる等のやや劣化した波形となる。つまり、半導体レーザ素子３における端面位相やそれに伴う緩和振動周波数ｆｒは、半導体レーザモジュール１の性能を決める重要な要素となっている。
【００２２】
続いて、図１に戻り、半導体レーザモジュール１の製造方法において光軸調整を行うための光軸調整システム２１について説明する。光軸調整システム２１は、半導体レーザ素子３に所定の電流を与えるための電流源２３と、光ファイバ７からの光出力を測定する光ＰｏｗｅｒＭｅｔｅｒ２５と、半導体レーザ素子３と光ファイバ７との間の光軸を調整する調整部２７と、電流源２３、光ＰｏｗｅｒＭｅｔｅｒ２５及び調整部２７を制御するＰＣ２９と、ＰＣ２９に半導体レーザ素子３の素子情報（端面位相情報など）を出力する素子情報提供部３１と、半導体レーザ素子３の保持部材５と光ファイバ７の保持部材９とを固定するＹＡＧレーザ３３とを備えている。
【００２３】
なお、調整部２７は、図１に示されるように、光ファイバ７をＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の３軸方向などに適宜、移動させることで、光軸の調整を行う装置である。さらに、角度調整のための回転機構（不図示）を備えるようにしてもよい。
【００２４】
続いて、図１及び図２を参照しながら、本実施形態に係る半導体レーザモジュール１の製造方法について説明する。
【００２５】
まず、半導体レーザ素子３の基礎となる半導体基板を準備する（ステップＳ１）。ここで用いられる半導体基板として、例えばＳｎがドープされたＩｎＰからなる半導体基板が用意される。続いて、このような半導体基板にクラッド層や回折格子形成層などを順次積層して、積層体を形成する。回折格子形成層における回折格子は、例えば、半導体レーザ素子３の発振波長が１．５５μｍの場合、２４０ｎｍ程度の間隔からなっている。
【００２６】
続いて、クラッド層や回折格子形成層などが積層された積層体をへき開してチップ化する（ステップＳ２）。回折格子の間隔は、へき開精度に比べて２桁程度小さいものとなっているため、半導体レーザ素子３の端面における回折格子の位相（端面位相）の制御は困難であり、各半導体レーザ素子３において端面位相にばらつきが生じる。そして、端面位相の違いにより、内部光子密度分布が変化する結果、図３等について上述したように、緩和振動周波数ｆｒ等の周波数特性が半導体レーザ素子３の個体ごとにばらつくようになっている。
【００２７】
続いて、へき開された各チップの両端面にＨＲコートやＡＲコートといった端面コートを形成し、更に、電極層を形成する。これにより、複数の半導体レーザ素子３が完成する（ステップＳ２）。なお、半導体レーザ素子３の詳細な製造方法については、従来技術を適宜、用いることができるため省略する。
【００２８】
続いて、半導体レーザ素子３の良否を判定するための各種測定を行う（ステップＳ３）。この測定の中には、各半導体レーザ素子３の端面位相の測定が含まれる。半導体レーザ素子３の端面位相を測定するには、例えば、特開２００９−２３１８３０号に開示されているように、半導体レーザ素子３からの光出力Ｉｍを２つの温度（２５℃と８０℃）で測定すると共にその変化率ΔＩｍを測定し、２５℃での光出力Ｉｍ２５と変化率ΔＩｍとに基づいて算出することができる。
【００２９】
続いて、ステップＳ３の測定に基づいて、半導体レーザ素子３を端面位相毎に選別する（ステップＳ４）。そして、ステップＳ４で選別された半導体レーザ素子３を保持部材５に搭載して固定させると共に、光ファイバ７を保持部材９の開口部に導入して仮固定する（ステップＳ５）。なお、この際、レンズ１１等も配置される。
【００３０】
続いて、図１に示す光軸調整システム２１を用いて、半導体レーザ素子３と光ファイバ７との間の光軸の調整を行う（ステップＳ６）。具体的には、まず、制御部として機能するＰＣ２９が光軸調整を行う半導体レーザ素子３の端面位相の情報と駆動電流Ｉｂの補正係数ｆｒ＿Ｃｏｍｐとを素子情報提供部３１から取得する。この補正係数ｆｒ＿Ｃｏｍｐは、端面位相が異なる各半導体レーザ素子３の緩和振動周波数ｆｒを下記の式（１）を用いて個体間において略一定とするために、駆動電流Ｉｂを、半導体レーザ素子３の端面位相に応じて補正するための係数である。
【数１】
2012038972.tif 000004
【００３１】
この補正係数ｆｒ＿Ｃｏｍｐで補正される駆動電流Ｉｂ１は、以下の式（２）で表される。式（２）におけるＩｔｈは閾値電流を示し、βは高温での動作を考慮した付加値であり、通常は１〜２をとる。
（数２）
Ｉｂ１＝（ｆｒ＿Ｃｏｍｐ）×Ｉｔｈ×（１＋β）・・・（２）
なお、ｆｒ＿Ｃｏｍｐは、図６に示されるような連続して変化する値をとるのが好ましいが、本実施形態では、補正処理を容易にするため、以下の表１に示す１６段階の値としている。
【００３２】
【表１】
2012038972.tif 000005
【００３３】
なお、式（２）及び図６のグラフ（又は表１）から明らかなように、光軸調整工程において使用される駆動電流Ｉｂ１の値は、図６のグラフと略同等の軌跡を為すグラフとなる。つまり、補正された駆動電流Ｉｂ１は、端面位相が０．５πの場合に最小値をとり、端面位相が１．５πの場合に最大値をとるように設定されていることになる。
【００３４】
次に、駆動電流Ｉｂの補正係数ｆｒ＿Ｃｏｍｐ等を取得した後、ステップＳ６の光軸調整工程では、半導体レーザ素子３の端面位相に応じて駆動電流Ｉｂを補正係数ｆｒ＿Ｃｏｍｐで補正して駆動電流Ｉｂ１を取得して、半導体レーザ素子３に与える。そして、緩和振動周波数ｆｒが略一定となるように設定されている駆動電流Ｉｂ１を与えながら、光ファイバ７からの光出力も略一定となるように、調整部２７を用いて、半導体レーザ素子３と光ファイバ７との間の光軸調整を行う。なお、光ファイバ７からの光出力は光ＰｏｗｅｒＭｅｔｅｒによって測定され、ＰＣ２９が調整部２７の動きを制御して、上述した光軸調整が実行される。
【００３５】
ここで、半導体レーザ素子３と光ファイバ７との間で光軸調整を行って光出力が略一定となるための原理について簡単に説明する。ここで用いる光出力は、一般に以下の式（３）から表される。式（３）におけるＬｏｓｓは、半導体レーザ素子３と光ファイバ７との間における結合損失を示し、Ｓｅは、半導体レーザ素子３の発光効率を示す。
（数３）
光出力Ｐｏｕｔ＝Ｌｏｓｓ×Ｓｅ×（Ｉｂ−Ｉｔｈ）・・・（３）
【００３６】
そして、上述したような補正した駆動電流Ｉｂ１を与えることにより、半導体レーザ素子３からの光出力は通常よりも高くなってしまう場合もあり得るが、本実施形態では、光ファイバの位置を調整部２７で調整することにより、上述した式（３）のＬｏｓｓ（結合損失）も高くし、その結果、光出力を略一定とすることができるようになっている。言い換えると、半導体レーザ素子３と光ファイバ７との間の結合損失を、補正された駆動電流Ｉｂ１の値に応じて増減させることで、半導体レーザ素子３と光ファイバ７との間の光軸調整を行うようになっている。
【００３７】
続いて、ステップＳ６の光軸調整工程が終了すると、ＹＡＧレーザ３３により、半導体レーザ素子３を保持する保持部材５と光ファイバ７を保持する保持部材９とを固定し、光出力と緩和振動周波数ｆｒとが固体間において略一定となった光ファイバモジュール１を得る。その後、各光ファイバモジュール１に対して、所定の検査・選別を行い、光ファイバモジュール１の製造を終了する（ステップＳ７）。
【００３８】
以上のように、本実施形態に係る製造方法では、緩和振動周波数ｆｒ等が個体間において略一定となるように設定されている駆動電流値Ｉｂ１のうち、検出された端面位相に応じた一の駆動電流値Ｉｂ１を補正により取得し、この取得した駆動電流値Ｉｂ１の駆動電流を半導体レーザ素子３に与えながら、その光出力が個体間で略一定となるように光軸調整を行うようになっている。
【００３９】
この場合、半導体レーザモジュール１の組み込みが完成する前の調整工程において、緩和振動周波数ｆｒ等が略一定となるように設定された駆動電流値Ｉｂ１の駆動電流を用いて光軸調整を行うようになっているため、仮に緩和振動周波数ｆｒを式（１）に基づいて増加させるために光出力も増加させざるを得ない場合であったとしても、式（３）に基づいた調整工程によって、光出力を低くするような光軸調整を行うことができる。
【００４０】
つまり、一旦、半導体レーザモジュールとして組み込まれた後だと、周波数特性を増加させるには光出力も増加させざるを得ず、光出力のみを低くすることは困難であるが、本実施形態のように、半導体レーザモジュール１に組み込む前に調整を行うことにより、かかる課題を解決することができる。そして、この結果、本実施形態に係る製造方法によれば、緩和振動周波数ｆｒと光出力とを個体間において略一定とした半導体レーザモジュール１を得ることができる（図７及び図８参照）。図７及び図８における本手法で示される範囲が略一定を意味する。
【００４１】
このように各個体間において緩和振動周波数ｆｒと光出力とを略一定とすることにより、半導体レーザ素子等が不良品とされる率を低減させることができ、半導体レーザモジュール１の製造コストを結果的に下げることが可能となる。なお、本実施形態における光軸調整を行った場合、図８に示すように、駆動電流のバラツキが若干増えるが、実用上、問題ないレベルとなっている。
【００４２】
また、上述した製造方法において、半導体レーザ素子３の端面位相が何れであってもその緩和振動周波数ｆｒが略一定となるように設定されている駆動電流値Ｉｂ１は、端面位相が０．５πの場合に最小値をとり、端面位相が１．５πの場合に最大値をとるように設定されている（図６と式（２）参照）。このような設定がされていることにより、駆動電流値Ｉｂ１を取得する取得工程を容易にすることができる。
【００４３】
また、上述した製造方法において、調整工程では、半導体レーザ素子３と光ファイバ７との間の結合損失Ｌｏｓｓが端面位相に応じた駆動電流値に比例して増減するように、半導体レーザ素子３と光ファイバ７との間の光軸調整が行われている。このように、駆動電流値Ｉｂ１が増加する場合には結合損失Ｌｏｓｓも増加させ、駆動電流値Ｉｂ１が減少する場合には結合損失Ｌｏｓｓも減少させることにより、駆動電流値が異なる半導体レーザモジュール１間において、それらの光出力を容易に略一定とすることができる。
【００４４】
ところで、半導体レーザ素子３の端面位相に応じて、その緩和振動周波数ｆｒと光出力が略一定となるように、駆動電流値Ｉｂ１を調整した場合、特に駆動電流が所定の値を超えて調整される場合、半導体レーザの発熱等に起因した所謂駆動電流の熱暴走の現象を生じることがある。この熱暴走の現象は、駆動電流の増加等に伴い、半導体レーザの発熱等に起因して半導体レーザの光出力が低下し、この結果、さらに、光出力を一定に維持するために駆動電流が増加するように制御回路が機能するため、益々半導体レーザ素子の発熱と光出力の低下を生じることが原因と考えられる。このような熱暴走の現象を回避するために、半導体レーザ素子の駆動電流について、上限値を設け、この上限値以上の電流を供給しないように、あらかじめ駆動電流の制御部を設定することができる。あるいは、駆動電流供給電源部に、当該駆動電流の上限値以上電流を流さないように駆動電流制限回路を設けるようにしてもよい。図８において、駆動電流の電流制限は、この駆動電流の上限値設定によるものである。
【００４５】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００４６】
例えば、上述した実施形態では、特開２００９−２３１８３０号公報に記載された方法により半導体レーザ素子３の端面位相を検出するようにしていたが、半導体レーザ素子３の光スペクトルから端面位相を検出するようにしてももちろんよい。
【００４７】
また、上述した実施形態では、半導体レーザ素子３を保持する保持部５と、光ファイバ７を保持する保持部９とを固定したモジュールとして製造を終了している。しかしながら、更に、半導体レーザモジュール１が、半導体レーザ素子３の駆動を行うための駆動回路（不図示）を更に備えるようにしてもよい。この場合、図１０に示されるように、調整工程で用いた駆動電流値Ｉｂ１（モジュール特性情報）が設定された駆動回路（ＩＣ、電子部品）や機構部品を半導体レーザ素子３と共に半導体レーザモジュール１に組み入れる組入工程を更に備えるようにしてもよい。
【００４８】
この場合、駆動回路に調整工程で用いた駆動電流値が予め設定されることになるため、完成した半導体レーザモジュール１を用いる際に駆動電流値Ｉｂ１をわざわざ設定入力する必要がなくなり。便利である。なお、このような追加工程を経た半導体レーザモジュール１でも特性検査が最終的には行われる。なお、この駆動回路には、先に述べた駆動電流の上限値についても設定されることができる。
【符号の説明】
【００４９】
１…半導体レーザモジュール、３…半導体レーザ素子、７…光ファイバ、２７…調整部、３１…素子情報提供部、３３…ＹＡＧレーザ。
【図１】
2012038972.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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