(57)【要約】【課題】連結基板から分割製造された各配線基板において、連結基板での形成箇所等を容易に判別できるようにマーキングされた配線基板およびこの配線基板を製造するための連結基板を提供する。【解決手段】無機絶縁材料からなる絶縁体２の少なくとも一方の主面２１に電子部品が搭載される搭載部２２を有し、表面および必要に応じて内部に前記電子部品と電気的に接続される配線導体５、６、７が形成された配線基板１であって、前記絶縁体の主面および主面と平行する内部面の少なくともどちらかの外周付近に、前記絶縁体の側面にその一部が露出するように形成されたマーク４を有することを特徴とする配線基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機絶縁材料からなる絶縁体の少なくとも一方の主面に電子部品が搭載される搭載部を有し、表面および必要に応じて内部に前記電子部品と電気的に接続される配線導体が形成された配線基板であって、前記絶縁体の主面および主面と平行する内部面の少なくともどちらかの外周付近に、前記絶縁体の側面にその一部が露出するように形成されたマークを有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記マークが、前記配線導体が形成された面の少なくとも一つに、対極となる配線導体同士を接続しないように、該配線導体と同一材料で形成される請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記マークが、前記絶縁体の主面と平行する内部面の外周付近に、略同一形状で１個以上形成され、側面に露出したマークの位置および個数の少なくともどちらかにより識別される請求項１または２記載の配線基板。
【請求項４】
前記側面に露出するマークが、幅５０〜１０００μｍ、膜厚５〜５０μｍの範囲にあって、一側面に複数のマークを有する場合のマーク同士の間隔が隣り合うマーク端間の距離として少なくとも５０μｍである請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記絶縁体の主面が略矩形状であって、前記絶縁体の主面と平行する内部面の相対する２辺の内側に対向する二極の配線導体を有し、前記マークが前記２辺のいずれかに達するように形成された請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
電子部品が発光素子である請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記絶縁体が、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなる請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項８】
配線基板の領域が母基板上に縦横に複数配列されている連結基板であって、前記配線基板の領域は、請求項１〜７のいずれか１項に記載の配線基板（ただし、該配線基板の１つは前記マークを有しない配線基板であってもよい）となる配線基板の領域で構成されることを特徴とする連結基板。
【請求項９】
前記複数の配線基板の領域は、略同一形状の前記マークが形成可能な複数の所定位置を有し、前記複数の配線基板の領域ごとに前記所定位置におけるマークの有無の組合せが異なっている請求項８記載の連結基板。
【請求項１０】
前記配線基板の領域が有する隣接する配線基板の領域または母基板との境界線を跨いで、前記マークが該境界線を境界とする双方の領域に形成されている請求項８または９記載の連結基板。
【請求項１１】
前記複数の配線基板の領域は、相対する２辺の内側に対向する二極の配線導体と、外部から目視可能な所定の位置に前記二極の位置を示す電極印を有し、前記マークは前記２辺のいずれかを境界線として隣接する配線基板の領域同士または配線基板の領域と母基板との双方に、該境界線を跨いで形成されている請求項９記載の連結基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板および連結基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子や圧電振動子等の電子部品を搭載するための配線基板は、例えば上面中央部に電子部品が搭載される搭載部を有する四角平板状のセラミックスからなる絶縁体に、この絶縁体の上面から下面にかけて導出される複数の配線導体を配設させた構成を有する。このような、絶縁体の搭載部に電子部品を固定し、この電子部品の各電極を配線導体に金属バンプやボンディングワイヤを介して電気的に接続した後、その上面に電子部品を覆うように封止用の樹脂や蓋体を固着して電子部品を気密に封止することで、電子装置の製品となる。ここで、絶縁体とは配線基板の一部を構成している絶縁基板をいう。
【０００３】
また、配線基板は、その取り扱いを容易にし製造効率を高くするために、多数個の小型の配線基板を一枚の広い面積の母基板から同時に得るようにした、いわゆる多数個取りの配線基板の製作が一般的である。以下では、多数個取りの配線基板を単に連結基板という。
【０００４】
このような連結基板においては、母基板の特定位置に製造上のばらつきや不具合等が発生することがあり、品質管理上その位置を特定すること等を目的として、分割後にも各配線基板が母基板上のどの位置で製造されたかを識別できるように、１枚の母基板に配列された個々の配線基板の全てに異なるマークが付与されている。
【０００５】
このマークは、従来、配線基板の電子部品搭載面または裏面に形成され、外側から目視で確認できる。一方、配線基板の小型化に伴って、電子部品と接続される接続端子や外部の電気回路基板の配線導体に接続される電極パッド等となる配線導体が、配線基板の電子部品の搭載面および裏面の広い領域にわたって形成されている。このため、これらの面にマークを形成する領域が確保できない問題が生じている。
【０００６】
そこで、特許文献１においては、絶縁体の内部に、平面視で配線導体と重なり合わないようにマークを形成することで、小型の配線基板であっても表面や裏面に形成される配線導体に、平面視において近接した位置にマークを形成できる。しかし、マークが内部に形成されるため識別をＸ線透過法等で行う手間を要する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−１９７４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、連結基板から分割製造された各配線基板において、連結基板での形成箇所等を容易に判別できるようにマーキングされた配線基板およびこの配線基板を製造するための連結基板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の配線基板は、無機絶縁材料からなる絶縁体の少なくとも一方の主面に電子部品が搭載される搭載部を有し、表面および必要に応じて内部に前記電子部品と電気的に接続される配線導体が形成された配線基板であって、前記絶縁体の主面および主面と平行する内部面の少なくともどちらかの外周付近に、前記絶縁体の側面にその一部が露出するように形成されたマークを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の配線基板においては、前記マークは、前記配線導体が形成された面の少なくとも一つに、対極となる配線導体同士を接続しないように、該配線導体と同一材料で形成されることが好ましい。また、前記マークは、前記絶縁体の主面と平行する内部面の外周付近に、略同一形状（目視レベルで同一形状の意味、以下同様）で１個以上形成され、側面に露出したマークの位置および個数の少なくともどちらかにより識別されることが好ましく、前記側面に露出するマークが、幅５０〜１０００μｍの範囲に、膜厚５〜５０μｍの範囲にあって、一側面に複数のマークを有する場合のマーク同士の間隔が隣り合うマーク端間の距離は少なくとも５０μｍが好ましい。
【００１１】
本発明の配線基板は、前記絶縁体の主面が略矩形状（目視レベルで矩形状の意味、以下同様）であって、前記絶縁体の主面と平行する内部面の相対する２辺の内側に対向する二極の配線導体を有し、前記マークが前記２辺のいずれかに達するように形成された構成が好ましい。
【００１２】
本発明の配線基板においては、電子部品として発光素子が搭載されることが好ましく、また前記絶縁体が、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなる基板（ＬＴＣＣ基板）が好ましい。
【００１３】
本発明はまた、配線基板の領域が母基板上に縦横に複数配列されている連結基板であって、前記配線基板の領域は、上記本発明の配線基板（ただし、該配線基板の１つは前記マークを有しない配線基板であってもよい）となる配線基板の領域で構成されることを特徴とする連結基板を提供する。
【００１４】
本発明の連結基板においては、前記複数の配線基板の領域は、略同一形状の前記マークが形成可能な複数の所定位置を有し、前記複数の配線基板の領域ごとに前記所定位置におけるマークの有無の組合せが異なっていることで、連結基板における各配線基板の領域の位置が認識できる態様が好ましい。
【００１５】
本発明の連結基板においては、前記配線基板の領域が有する隣接する配線基板の領域または母基板との境界線を跨いで、前記マークが該境界線を境界とする双方の領域に形成されていることが好ましい。
【００１６】
本発明の連結基板においては、前記複数の配線基板の領域は、相対する２辺の内側に対向する二極の配線導体と、外部から目視可能な所定の位置に前記二極の位置を示す電極印を有し、前記マークは前記２辺のいずれかを境界線として隣接する配線基板の領域同士または配線基板の領域と母基板との双方に、該境界線を跨いで形成されている態様とすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、連結基板から分割製造された各配線基板において、連結基板での形成箇所等を側面に存在する目視可能なマークにより容易に判別できる。また、本発明の連結基板を用いれば、分割製造された各配線基板において側面に目視で識別可能なマークを簡便な方法で確実に付与できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の配線基板の実施形態の一例を示す平面図、断面図、および左右側面図である。
【図２】図１に示す配線基板を用いて製造される発光装置の一例を示す平面図および断面図である。
【図３】本発明の連結基板の実施形態の一例を示す平面図である。
【図４】図３に示す連結基板から製造された個々の配線基板を示す平面図である。
【図５】図３に示す連結基板を構成する配線導体とマークが形成された本体用基板を示す平面図である。
【図６】図３に示す連結基板を構成する枠体が形成された枠体用基板を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。なお本発明は、下記説明に限定して解釈されない。
【００２０】
＜配線基板＞
本発明の配線基板は、無機絶縁材料からなる絶縁体の少なくとも一方の主面に電子部品が搭載される搭載部を有し、表面および必要に応じて内部に前記電子部品と電気的に接続される配線導体が形成された配線基板であって、前記絶縁体の主面および主面と平行する内部面の少なくともどちらかの外周付近に、前記絶縁体の側面にその一部が露出するように形成されたマークを有することを特徴とする。
【００２１】
ここで、本明細書において、配線基板が有する上記「配線導体」とは、搭載される電子部品の有する電極からこれを介して外部回路へと電気的に接続されるように設けられた電気配線に係る全ての導体、例えば、電子部品の電極と接続される素子接続端子、基板内に設けられる内層配線（基板内を貫通する貫通導体を含む）、外部回路に接続される外部接続端子等を総称する用語として用いる。
【００２２】
本発明によれば、配線基板の側面にマークが露出することで例えば電子部品を搭載して製品とした後もマークを目視で容易に認識でき、連結基板から分割製造された配線基板である場合には、連結基板での形成箇所等を容易に識別できる。
【００２３】
また、上記絶縁体を構成する無機絶縁材料として、具体的には、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス）や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ。以下、ＬＴＣＣと示す。）等が挙げられる。これらのうちでも、本発明においては、製造の容易性、易加工性、経済性等の観点からＬＴＣＣが好ましい。
【００２４】
本発明の配線基板が搭載する電子部品として、具体的には、各種半導体素子や圧電振動子等が特に制限なく挙げられるが、発光特性に影響を与えないようにマーク形成ができる点から、本発明においては、発光ダイオード等の発光素子が搭載されることが好ましい。
【００２５】
本発明の配線基板における実施形態の一例として、絶縁体がＬＴＣＣからなる基体と枠体で構成され、電子部品として発光素子を搭載する配線基板について以下に説明する。
【００２６】
図１は、本発明の配線基板の実施形態の一例を示す平面図（ａ）、平面図（ａ）におけるＸ−Ｘ線断面図（ｂ）、平面図（ａ）における左辺（Ｌ）側から見た側面図（ｃ）、および平面図（ａ）における右辺（Ｒ）側から見た側面図（ｄ）である。
【００２７】
配線基板１は、主な構成として略平板状の基体２を有している。基体２は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなり、一方の主面が発光素子の搭載される搭載面２１となっている。本例において、搭載面２１は略正方形（目視レベルで正方形の意味、以下同様）であり、この略中央部（目視レベルで中央部の意味、以下同様）が実際に発光素子の搭載される搭載部２２となっている。また、他方の主面は、発光素子の搭載されない非搭載面２３とされている。基体２は、発光素子の搭載時、その後の使用時における損傷等を抑制する観点から、例えば抗折強度が２５０ＭＰａ以上となることが好ましい。基体２の厚さ、大きさ等は特に制限されず、通常の発光素子用配線基板と同様とできる。また基体２を構成するガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体の原料組成、焼結条件等については、後述の通りである。
【００２８】
配線基板１は、基体２の搭載面２１中央の円形状部分を底面（以下、「キャビティ底面」という）とするキャビティを構成するように搭載面２１の周縁部上に枠体３を有する。枠体３を構成する材料は、絶縁材料であれば特に限定されないが、基体２を構成する材料と同じものが好ましい。
【００２９】
搭載面２１には、発光素子と電気的に接続される一対で二極の素子接続端子５が搭載面２１の相対する２辺、左辺Ｌと右辺Ｒの略中央（目視レベルで中央の意味、以下同様）を結ぶ線上に搭載部２２を挟むかたちに設けられている。また、非搭載面２３には、外部回路と電気的に接続される一対の外部電極端子６が設けられている。さらに、基体２の内部に、これら素子接続端子５と外部電極端子６とを電気的に接続する貫通導体７が一対設けられている。
【００３０】
ここで、外部接続端子６および貫通導体７については、これらが発光素子→素子接続端子５→貫通導体７→外部接続端子６→外部回路と電気的に接続される限りは、その配設される位置や形状、大きさは図１に示されるものに限定されず、適宜調整できる。また、素子接続端子５についても、搭載面上の上記位置に配設され、上記電気的な接続が確保されていれば、形状、大きさについては適宜調製できる。
【００３１】
これら素子接続端子５、外部接続端子６および貫通導体７、すなわち配線導体の構成材料は、通常、発光素子用の配線基板に用いられる配線導体と同様の構成材料であれば特に制限はない。これら配線導体の構成材料として、具体的には、銅、銀、金等を主成分とする金属材料が挙げられる。このような金属材料のなかでも、銀、銀と白金、または銀とパラジウムからなる金属材料が好ましい。
【００３２】
なお、素子接続端子５や外部接続端子６においては、これらの金属材料からなる、好ましくは厚さ５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜２０μｍの導体層上に、この層を酸化や硫化から保護しかつ導電性を有する保護層が形成された構成が好ましい。保護層としては上記導体層を保護する機能を有する導電性材料で構成されていれば、特に制限されないが、金メッキ層が好ましく、ニッケルメッキの上に金メッキを施したニッケル／金メッキ層の構成がより好ましい。保護層の膜厚としては、ニッケルメッキ層が３〜２０μｍ、金メッキ層が０．１〜１．０μｍが好ましい。
【００３３】
基体２の搭載面２１には、略長方形（目視レベルで長方形の意味、以下同様）のマークが左辺Ｌ側に１か所（マーク４１）、右辺Ｒ側に２か所（マーク４２、４３）、設けられている。左辺Ｌ側のマーク４１は、その短辺の一方が左辺Ｌに重なりかつ上辺側から略１／４に位置するように形成されている。また、右辺Ｒ側のマーク４２とマーク４３は、それぞれその短辺の一方が右辺Ｒに重なりかつ上辺側から略１／４および略２／４にそれぞれ位置するように形成されている。
【００３４】
マークを構成する構成材料としては、配線基板の製造工程を経ても側面でその有無、好ましくは形状が認識でき、かつ露出に耐えうる材料であれば特に制限されない。なお、マーク４１〜４３は上記一対の素子接続端子５が形成されるのと同じ基体２の搭載面２１上に形成されることから、マーク４１〜４３と素子接続端子５を構成する材料を同じ材料とし、かつこれらをスクリーン印刷等で同時に形成することにより、製造上の時間とコストを低減でき好ましい。ただし、この場合、マークが配線基板側面で露出する部分を有することを考慮すれば、銀のマイグレーションの発生を抑制可能な、銀とパラジウムからなる金属材料が好ましい。
【００３５】
マーク４１〜４３の大きさは側面に露出する部分が目視でその有無が確認できる大きさであって配線基板の製造に際して確実に側面に露出するように形成可能な大きさであれば特に制限されない。なお、マーク４１〜４３の形状についても、マークが側面に一定の幅と膜厚をもって確実に露出するような形状であれば、上記略長方形に限定されない。
【００３６】
マーク４１〜４３の好ましい大きさとしては、マークが略長方形である場合、目視において認識ができること、製造上の容易性さらに一辺に形成できるマークの個数、経済性等を考慮すれば、略長方形の短辺（幅：図１中「Ｗ」で示される）が５０〜１０００μｍの範囲にあることが好ましく、２００〜４００μｍの範囲にあることがより好ましい。
また、略長方形の長辺（長さ：図１中「Ｙ」で示される）は、製造上の容易性、経済性配線導体への影響等を考慮すれば、１００〜２０００μｍの範囲にあることが好ましく、
４００〜８００μｍの範囲にあることがより好ましい。なお、上記マーク４１〜４３の幅Ｗは、必要に応じて、その長さＹを上回ってもよい。
【００３７】
また、マーク４１〜４３の膜厚（図１（ｂ）中「Ｔ」で示される）は、５〜５０μｍの範囲にあることが好ましく、１０〜２０μｍの範囲にあることがより好ましい。なお、上記のように、マーク４１〜４３を素子接続端子５と同じ材料により同時に形成する場合には、膜厚は上記同様、好ましくは５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜２０μｍとする。さらに、一側面に複数のマークを有する場合のマーク同士の間隔が隣り合うマーク端間の距離（図１中「Ｓ」で示される）としては、５０μｍ以上であることが好ましく、２００μｍ以上であることがより好ましい。
【００３８】
なお、マークの４１〜４３の形状が上記略長方形以外のいずれの場合であっても、目視において認識ができること、製造上の容易性等を勘案すれば、側面に露出する大きさ、すなわち、図１中「Ｗ」で示される幅と、図１（ｂ）中「Ｔ」で示される膜厚は、上記同様とすることが好ましい。
【００３９】
一般に、配線基板において、配線導体に陽極と陰極の区別が必要な電子部品、例えば発光ダイオード等を搭載する場合には、配線基板の目視可能な位置に陽極と陰極の位置が判別できるような電極印を有する。本例の配線基板１においては、図１（ａ）の平面図で枠体３の左上に電極印８を有する。
【００４０】
電極印８の位置により、配線基板上に搭載される発光ダイオードの搭載する方向が確定し、上記マークを施す際の側面の左右が区別される。
【００４１】
図１（ａ）に平面図を示す配線基板の左辺Ｌ側からみた側面図を図１（ｃ）に、右辺Ｒ側からみた側面図を図１（ｄ）に示す。左辺Ｌ側では、上辺側から略１／４（目視レベルで１／４の意味、以下同様）の位置にマーク４１が露出している。また、右辺Ｒ側では、上辺側から略１／４の位置にマーク４２が、また略２／４（目視レベルで２／４の意味、以下同様）の位置にマーク４３が露出している。このように左右の側面に現れるマークの位置によって配線基板を識別している。
【００４２】
上述のように、母基板に複数の配線基板の領域が配置された連結基板から個々の配線基板に分割された後に、連結基板における個々の配線基板の位置を識別することを目的として、個々の配線基板で異なるマークが必要とされている。この場合、上記図１に示されるような配線基板を用い、左辺Ｌ側と右辺Ｒ側のそれぞれ３か所ずつの所定位置にマーク４が付けられるようにしておけば、その位置におけるマークの有無で、左辺Ｌ側が２３の８通り、右辺Ｒ側が２３の８通りで、８×８の６４通りのマークの付け方が考えられ、６４個の配線基板の識別ができる。
【００４３】
なお、この６４個には、左辺Ｌ側と右辺Ｒ側のいずれかにマークを全く有さない配線基板や両側にマークを全く有さない配線基板が含まれるが、左辺Ｌ側と右辺Ｒ側にマークが確実に形成されていることを確認するために、識別する配線基板の個数が許す範囲において、両側ともに少なくとも１か所にマークが現れる、左辺Ｌ側が（２３−１）の７通り右辺Ｒ側が（２３−１）の７通りで、４９個の配線基板が識別できるマークの付け方をとることが好ましい。
【００４４】
個々の配線基板のサイズによるが、例えば、上記例において左辺側、右辺側のマークを形成する位置の数を、識別可能な範囲で増やすことができれば、片側のマークの形成可能な位置の数をｎ個とした場合、最大で２ｎ×２ｎ個の、また片側にマークが１か所もない場合を除いたとしても、（２ｎ−１）×（２ｎ−１）個の配線基板の識別ができる。
【００４５】
本発明の配線基板においては、例えば、配線導体パターンが陽極側の配線導体と陰極側の配線導体で絶縁体上の左右に分かれて左辺および右辺の少なくともどちらか近傍にまで達しているような場合には、マークを陽極側の配線導体に接続しかつ左辺側の側面に複数個形成し、また陰極側の配線導体に接続しかつ右辺側の側面に複数個形成することもできる。複数のマークをマーク間の距離を置かずに配設する場合であっても、それらを同極に繋がるように配設する限りにおいては、配線導体の短絡は容易に回避できる。
【００４６】
また、マークと同じ面上で形成しようとする配線導体のパターンによるが、配線導体の短絡なしに上記左右２辺以外の辺を用いて、すなわち、マークを３辺、４辺において側面に露出するように形成できれば、識別可能な配線基板の個数はより増加する。
【００４７】
さらに、配線導体が形成される面と同じ面上にマークを形成すると、配線導体のパターンによって短絡や絶縁体間の層剥離のリスクがある場合には、マークを配線導体のない層に形成させてもよい。この場合は、マークの付与位置として４辺を自由に使用でき、必要に応じて識別可能な配線基板の個数をより増やすことができる。この場合、１つの配線基板に付与可能なマーク数が多くなり、識別すべき配線基板の個数が少ない場合は、マークの合計数のみで識別できる。また、電極印８などの印によって各辺を識別可能にしておけば、マークの付与された辺と、該辺におけるマーク数等の組合せで複数個の配線基板が識別できる。
【００４８】
また、図１に示される配線基板において、例えば、枠体３を有しない構成とすれば、上記マーク４１〜４３は、側面のみならず、上からの平面目視で十分に確認できる。本例に示すように搭載する電子部品が発光素子の場合、発光素子搭載面にこのようなマークが表示されることは、光学特性上好ましくないが、搭載する電子部品および用途によっては、上記枠体３のない構成として側面に加えて上からの平面における目視により、マークを識別する方法をとってもよい。この場合、必要に応じて、マークの形状を、側面形状は同一とし、平面形状は異なるものとすれば、側面における位置や個数と、平面形状との組合せによる複数の配線基板の識別ができる。
【００４９】
ここで、上記基体２および枠体３を構成するガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体としては、例えば、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物にバインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等により所定の形状のシート状に成形し、乾燥させ、必要に応じて脱脂を行い、８００℃以上９３０℃以下で焼成して得られる焼結体が用いられる。
【００５０】
上記ガラス粉末は、必ずしも限定されないものの、ガラス転移点（Ｔｇ）が５５０℃以上７００℃以下のものが好ましい。ガラス転移点（Ｔｇ）が５５０℃未満の場合、脱脂が困難となるおそれがあり、７００℃を超える場合、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。
【００５１】
また、８００℃以上９３０℃以下で焼成したときに結晶が析出することが好ましい。結晶が析出しない場合、十分な機械的強度を得ることができないおそれがある。さらに、ＤＴＡ（示差熱分析）により測定される結晶化ピーク温度（Ｔｃ）が８８０℃以下のものが好ましい。結晶化ピーク温度（Ｔｃ）が８８０℃を超える場合、寸法精度が低下するおそれがある。
【００５２】
このようなガラス粉末としては、例えばＳｉＯ２を５７ｍｏｌ％以上６５ｍｏｌ％以下、Ｂ２Ｏ３を１３ｍｏｌ％以上１８ｍｏｌ％以下、ＣａＯを９ｍｏｌ％以上２３ｍｏｌ％以下、Ａｌ２Ｏ３を３ｍｏｌ％以上８ｍｏｌ％以下、Ｋ２ＯおよびＮａ２Ｏから選ばれる少なくとも一方を合計で０．５ｍｏｌ％以上６ｍｏｌ％以下含有するものが好ましい。このようなものを用いることで、本体基板表面の平坦度を向上させることが容易となる。
【００５３】
ここで、ＳｉＯ２は、ガラスのネットワークフォーマとなる。ＳｉＯ２の含有量が５７ｍｏｌ％未満の場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。一方、ＳｉＯ２の含有量が６５ｍｏｌ％を超える場合、ガラス溶融温度やガラス転移点（Ｔｇ）が過度に高くなるおそれある。ＳｉＯ２の含有量は、好ましくは５８ｍｏｌ％以上、より好ましくは５９ｍｏｌ％以上、特に好ましくは６０ｍｏｌ％以上である。また、ＳｉＯ２の含有量は、好ましくは６４ｍｏｌ％以下、より好ましくは６３ｍｏｌ％以下である。
【００５４】
Ｂ２Ｏ３は、ガラスのネットワークフォーマとなる。Ｂ２Ｏ３の含有量が１３ｍｏｌ％未満の場合、ガラス溶融温度やガラス転移点（Ｔｇ）が過度に高くなるおそれがある。一方、Ｂ２Ｏ３の含有量が１８ｍｏｌ％を超える場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。Ｂ２Ｏ３の含有量は、好ましくは１４ｍｏｌ％以上、より好ましくは１５ｍｏｌ％以上である。また、Ｂ２Ｏ３の含有量は、好ましくは１７ｍｏｌ％以下、より好ましくは１６ｍｏｌ％以下である。
【００５５】
Ａｌ２Ｏ３は、ガラスの安定性、化学的耐久性、および強度を高めるために添加される。Ａｌ２Ｏ３の含有量が３ｍｏｌ％未満の場合、ガラスが不安定となるおそれがある。一方、Ａｌ２Ｏ３の含有量が８ｍｏｌ％を超える場合、ガラス溶融温度やガラス転移点（Ｔｇ）が過度に高くなるおそれがある。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、好ましくは４ｍｏｌ％以上、より好ましくは５ｍｏｌ％以上である。また、Ａｌ２Ｏ３の含有量は、好ましくは７ｍｏｌ％以下、より好ましくは６ｍｏｌ％以下である。
【００５６】
ＣａＯは、ガラスの安定性や結晶の析出性を高めると共に、ガラス溶融温度やガラス転移点（Ｔｇ）を低下させるために添加される。ＣａＯの含有量が９ｍｏｌ％未満の場合、ガラス溶融温度が過度に高くなるおそれがある。一方、ＣａＯの含有量が２３ｍｏｌ％を超える場合、ガラスが不安定となるおそれがある。ＣａＯの含有量は、好ましくは１２ｍｏｌ％以上、より好ましくは１３ｍｏｌ％以上、特に好ましくは１４ｍｏｌ％以上である。また、ＣａＯの含有量は、好ましくは２２ｍｏｌ％以下、より好ましくは２１ｍｏｌ％以下、特に好ましくは２０ｍｏｌ％以下である。
【００５７】
Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏは、ガラス転移点（Ｔｇ）を低下させるために添加される。Ｋ２ＯおよびＮａ２Ｏの合計した含有量が０．５ｍｏｌ％未満の場合、ガラス溶融温度やガラス転移点（Ｔｇ）が過度に高くなるおそれがある。一方、Ｋ２ＯおよびＮａ２Ｏの合計した含有量が６ｍｏｌ％を超える場合、化学的耐久性、特に耐酸性が低下するおそれがあり、電気的絶縁性も低下するおそれがある。Ｋ２ＯおよびＮａ２Ｏの合計した含有量は、０．８ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下が好ましい。
【００５８】
なお、ガラス粉末は、必ずしも上記成分のみからなるものに限定されず、ガラス転移点（Ｔｇ）等の諸特性を満たす範囲で他の成分を含有できる。他の成分を含有する場合、その合計した含有量は１０ｍｏｌ％以下が好ましい。
【００５９】
ガラス粉末は、上記したようなガラス組成から溶融法によってガラスを製造し、乾式粉砕法や湿式粉砕法によって粉砕することにより得る。湿式粉砕法の場合、溶媒として水を用いることが好ましい。粉砕は、例えばロールミル、ボールミル、ジェットミル等の粉砕機を用いて行う。
【００６０】
ガラス粉末の５０％粒径（Ｄ５０）は０．５μｍ以上２μｍ以下が好ましい。ガラス粉末の５０％粒径が０．５μｍ未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難となると共に、均一に分散させることが困難となる。一方、ガラス粉末の５０％粒径が２μｍを超える場合、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。粒径の調整は、例えば粉砕後に必要に応じて分級することにより行う。なお、本明細書において、粒径はレーザ回折散乱法による粒子径測定装置により得られる値をいう。
【００６１】
一方、セラミックスフィラーとしては、従来からＬＴＣＣ基板の製造に用いられるものを特に制限なく用いることができ、例えばアルミナ粉末、ジルコニア粉末、またはアルミナ粉末とジルコニア粉末との混合物を好適に用いる。セラミックスフィラーの５０％粒径（Ｄ５０）は、例えば０．５μｍ以上４μｍ以下が好ましい。
【００６２】
このようなガラス粉末とセラミックスフィラーとを、例えばガラス粉末が３０質量％以上５０質量％以下、セラミックスフィラーが５０質量％以上７０質量％以下となるように配合、混合することによりガラスセラミックス組成物を得る。また、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加することによりスラリーを得る。
【００６３】
バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に用いる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を用いる。また、溶剤としては、トルエン、キシレン、２−プロパノール、２−ブタノール等の有機溶剤を好適に用いる。
【００６４】
図１には示されていないが、本例の配線基板１を発光素子搭載用として用いるにあたっては、熱抵抗を低減するために基体２の内部にサーマルビアを埋設したり、搭載面２１に平行する放熱層を設けたりしてもよい。サーマルビアは、例えば搭載部２２より小さい柱状のものであり、搭載部２２の直下に複数設けられる。サーマルビアを設ける場合には、搭載面２１に達しないように、非搭載面２３から搭載面２１の近傍にかけて設けることが好ましい。このような配置とすることで、搭載面２１、特に搭載部２２の平坦度を向上させることができ、熱抵抗を低減し、また発光素子を搭載したときの傾きも抑制できる。
【００６５】
また、やはり図１には示されていないが、搭載される発光素子からの光の光取り出し効率を上げるために、搭載面２１のうちのキャビティ底面のできるだけ広い範囲に、例えば銀を主成分とする反射膜を、上記一対の素子接続端子５に電気的に接続しないように形成させ、その上に反射膜の端縁を含む全体を覆うオーバーコートガラス層を形成させてもよい。
【００６６】
この場合、表面粗さＲａが０．４μｍ以下のオーバーコートガラス層を設けることが好ましい。一般的なＬＴＣＣ基板の表面粗さＲａが１．０μｍ程度であることから、このようなオーバーコートガラス層を搭載部２２に設けることで、より平坦度を向上できる。なお、表面粗さＲａは算術平均粗さＲａのことであり、算術平均粗さＲａの値は、ＪＩＳ：Ｂ０６０１（１９９４年）の３「定義された算術平均粗さの定義及び表示」によって表される。
【００６７】
以上、本発明の配線基板の実施形態について、発光素子搭載用基板の一例とし、上記基体２および枠体３を構成するセラミックス焼結体として、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体（ＬＴＣＣ）を用いた場合について説明した。
【００６８】
ここで、上記基体２および枠体３を構成するセラミックス焼結体としては、上記の通り、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体等を用いてもよい。これらのアルミニウムを主要成分として含んでいるセラミックス焼結体を用いる場合も、ＬＴＣＣと同様に、用いるセラミックス焼結体の原料組成物にバインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等により所定の形状のシート状に成形し、乾燥させ、必要に応じて脱脂を行い、用いるセラミックス焼結体に好適な焼成温度、例えば、酸化アルミニウム質焼結体においては、１４００〜１７００℃、窒化アルミニウム質焼結体においては１７００〜１９５０℃、で焼成して得られる焼結体が用いられる。
【００６９】
なお、上記アルミニウムを主要成分として含んでいるセラミックス焼結体の原料として、例えば、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、ハロゲン化アルミニウム、硫酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、硫化アルミニウム、窒化アルミニウム等の化合物、曹長石（ＮａＡｌＳｉ３Ｏ８）、明礬（ＫＡｌ３（ＯＨ）６（ＳＯ４）２）、ベーマイト（ＡｌＯ（ＯＨ））、コランダム（Ａｌ２Ｏ３）、カオリナイト（Ａｌ２Ｓｉ２Ｏ５（ＯＨ）４）、ムライト（Ａｌ６Ｓｉ２Ｏ１３）、セリサイト(ＫＡｌ２（ＡｌＳｉ３Ｏ１０）（ＯＨ）２）等の該化合物を含有する鉱物若しくは該化合物を原料とした合成物等が挙げられる。
【００７０】
スラリーを調製するための、バインダーや任意成分である可塑剤、分散剤、溶剤等については、上記ＬＴＣＣと同様とできる。その他、セラミックス焼結体の製造工程においても、上記焼成条件を除いて上記ＬＴＣＣと同様とできる。
【００７１】
以上、本発明の配線基板の実施形態について、発光素子搭載用基板の一例を挙げて説明したが、本発明の配線基板はこれに限定されない。本発明の趣旨に反しない限り、また必要に応じて、その構成を適宜変更できる。
【００７２】
上記で得られた配線基板１は、例えば図２に示すように、配線基板１の搭載部２２に発光ダイオード素子等の発光素子１１を電極印８が示す所定の向きに搭載して、発光装置として用いられる。発光素子１１は、搭載部２２にシリコーンダイボンド剤等のダイボンド剤（図示せず）により固定され、その図示しない一対の電極（陽極、陰極）のそれぞれがボンディングワイヤ１２を介して一対の素子接続端子５のそれぞれに電気的に接続されている。また、発光装置１０は、発光素子１１やボンディングワイヤ１２を覆い、キャビティを充填するように封止層１３が設けられる。
【００７３】
このような本発明の配線基板１においては、電子部品として発光素子を搭載し、各種部材を組合せて発光装置１０とした後であっても、側面に露出したマーク４１〜４３を目視で容易に確認でき、例えば、この配線基板が連結基板から分割された場合、連結基板での形成箇所を容易に判別できる。
【００７４】
＜連結基板＞
本発明の配線基板は、例えば、以下に説明する本発明の連結基板を通常の方法により分割することで得られる。
【００７５】
本発明の連結基板は、配線基板の領域が母基板上に縦横に複数配列されている連結基板であって、前記配線基板の領域は、上記本発明の配線基板（ただし、該配線基板の１つは前記マークを有しない配線基板であってもよい）となる配線基板の領域で構成されることを特徴とする。本発明の連結基板においては、上記本発明の配線基板が有するマークの特徴を利用して、各配線基板の領域が有するマークの形状、位置、数等の組合せを異なるものとすることで連結基板における各配線基板の領域の位置が識別可能となっている。本発明の連結基板においては、必要に応じて、マークを有さないことで識別可能な配線基板の領域を１つだけ有してもよい。
【００７６】
本発明の連結基板においては、前記複数の配線基板の領域は、略同一形状の前記マークが形成可能な複数の所定位置を有し、前記複数の配線基板の領域ごとに前記所定位置におけるマークの有無の組合せが異なっていることで、連結基板における各配線基板の領域の位置が認識できることが好ましい。
【００７７】
本発明の連結基板における実施形態の一例として、上記図１に示す絶縁体としてＬＴＣＣ基板を用い、電子部品として発光素子を搭載する配線基板１を製造するための連結基板について以下に説明する。
【００７８】
図３は本発明の連結基板の実施形態の一例を示す平面図である。また、図４は、図３に示す連結基板から製造された個々の配線基板を示す平面図である。
【００７９】
図３に示すように、連結基板５０においては、母基板５１の中央部に縦に３列（ａ列、ｂ列、ｃ列）、横に３行（Ａ行、Ｂ行、Ｃ行）、合計９個の配線基板１となるような配線基板の領域５２が互いに隣接して配列されている。９個の配線基板の領域５２の外側を囲むようにして母基板余剰部５３が存在している。９個の隣接し合う配線基板の領域５２の境界線および母基板余剰部５３と配線基板の領域５２の境界線には、分割溝５４が連結基板５０の上（表）側からと下（裏）側からの２方向から設けられており、最終的に分割溝５４に応力を負荷する等して分割され、９個の配線基板となる。また、この分割における欠け等の不具合発生を防止するために、各配線基板の領域５２の４隅を切り欠くように、連結基板５０の上（表）側から下（裏）側まで貫通する分割孔５５が合計１６個形成されている。
【００８０】
図４は、このようにして、図３に示す連結基板５０から製造された９個の配線基板を個々に示す平面図である。なお、図４において、９個の各配線基板については、図３に示す連結基板の各配線基板の領域が位置していた行と列を組合せて、Ａａ〜Ｃｃの略号を付して区別している。以下、図３に示す配線基板の領域についても同様に、例えば、Ａ行ａ列に位置する配線基板の領域を、配線基板の領域Ａａのように示す。
【００８１】
なお、上記図１に示す配線基板１は、図３に示す連結基板のＡ行ｂ列に位置していた配線基板の領域から得られた図４においてＡｂで示される配線基板である。
【００８２】
連結基板５０が有する９個の配線基板の領域Ａａ〜Ｃｃのうち、配線基板の領域Ａｂから得られる配線基板１の構成は上に説明した通りであるが、残りの８個の配線基板の領域についても、以下に説明する配線基板の領域の複数の所定位置におけるマークの有無の組合せが配線基板の領域Ａｂと異なる以外は同様の構成である。
【００８３】
連結基板５０においては、マーク４を形成するための複数の所定位置として、上記配線基板１において説明した左辺Ｌ側に３か所、右辺Ｒ側に３か所の組合せを用いている。
【００８４】
図３において９個の配線基板の領域は、縦横３個ずつが互いに隣接し合って配列されているため、ａ列を構成する配線基板の領域の右辺と、ｂ列を構成する配線基板の領域の左辺は共有されて境界線５４とされ分割溝が形成されている。同様にｂ列を構成する配線基板の領域の右辺と、ｃ列を構成する配線基板の領域の左辺は共有されて境界線５４とされ分割溝が形成されている。
【００８５】
ここで、上記ａ列を構成する配線基板の領域５２とｂ列を構成する配線基板の領域５２との間の境界線５４、およびに上記ｂ列を構成する配線基板の領域５２とｃ列を構成する配線基板の領域５２との間の境界線５４おいては、左右の配線基板の領域５２でこれを共用するようにマーク４はこれを跨いで形成されている。また、ａ列を構成する配線基板の領域５２の左辺、ｃ列を構成する配線基板の領域５２の右辺は母基板余剰部５３との間に境界線５４を有しており、マーク４は、これら配線基板の領域５２と母基板余剰部５３との境界線（分割溝）５４を跨いで形成されている。
【００８６】
このように、マーク４を各配線基板の領域５２における上記境界線５４を跨いで形成させることにより、連結基板５０を分割する際に、分割位置に多少のズレが生じた場合でも、各配線基板においてマークを側面から確実に露出させて、目視による識別ができる。
【００８７】
なお、配線基板の領域の左辺Ｌ側と右辺Ｒ側に各３か所マーク４を形成させる所定位置を、左辺および右辺の平面図における上から１／４の位置、２／４の位置、３／４の位置としてそれぞれ、１、２、３で示し、左辺側をＬ、右辺側をＲで示すと、連結基板５０における、各配線基板の領域Ａａ〜Ｃｃが有するマークの位置は表１に示す通りとなる。
【００８８】
【表１】
2012039028.tif 000003
【００８９】
ここで、ａ列を構成する配線基板の領域５２の左辺に到達するように左辺付近に形成されるマーク４は、該配線基板の領域５２と母基板余剰部５３との境界線５４を跨いで母基板余剰部５３にも形成されるが、母基板余剰部５３上に形成されるマークの大きさは、幅（Ｗ）と膜厚（Ｔ）は上記配線基板の領域５２に形成されるマークと同様であり、境界線５４から母基板余剰部５３上のマークの端部までの距離については２００〜１０００μｍとすることが好ましく、３００〜４００μｍがより好ましい。また、ｃ列を構成する配線基板の領域５２の右辺に到達するように右辺付近に形成されるマークについても上記同様のサイズで、該配線基板の領域５２と母基板余剰部５３との境界線５４を跨いで母基板余剰部５３上にも形成される。
【００９０】
上記配線基板の領域５２から境界線５４を跨いで母基板余剰部５３上に形成されるマークにおける母基板余剰部５３上での形状は、上記幅、膜厚、距離等が確保されれば特に制限されない。なお、各配線基板の領域５２上におけるマークの形状、大きさ等は、境界線５４を跨いで形成されるものであっても、上記配線基板１で説明した通りである。
【００９１】
このように、配線基板の領域が隣接して配置されている連結基板は、配線基板の領域が共有する辺を跨いでマークを形成することにより、連結基板５０においては、ａ列を構成する配線基板の領域５２の右辺Ｒ側と、ｂ列を構成する配線基板の領域５２の左辺Ｌ側の所定位置におけるマークの有無は同じ組合せとなり、かつ、ｂ列を構成する配線基板の領域５２の右辺Ｒ側と、ｃ列を構成する配線基板の領域５２の左辺Ｌ側の所定位置におけるマークの有無は同じ組合せとなる。
【００９２】
したがって、上記個々に識別できる組合せとして説明した、２３×２３の６４通りの組み合わせに制限が加わることになる。連結基板５０においては、９個の配線基板の領域の識別であるので、特に問題はないが、連結基板が有する配線基板の個数によっては、これを考慮して、マークを形成させる所定位置の数を調整する。
【００９３】
本発明の連結基板は、例えば、以下の（Ａ１）工程〜（Ｄ１）工程を含む製造方法により製造できる。以下に、図３に示す連結基板５０を例にして、図５、図６を参照しながら製造方法を説明するが、製造に用いる部材については、完成品の部材と同一の符号を付して説明する。図５は、図３に示す連結基板を構成する配線導体とマークが形成された本体用基板を示す平面図である。図６は図３に示す連結基板を構成する枠体が形成された枠体用基板を示す平面図である。
【００９４】
図３に示す連結基板５０は、基本的には、図５に示す本体用基板５０２上に図６に示す枠体用基板５０３が積層された構成を有する。
【００９５】
本体用基板５０２は、中央部に縦３列、横３行に配列された９個の配線基板の領域５２２、およびこれらの配線基板の領域５２２の外側を囲むようにして本体用基板余剰部５３２を有する。各配線基板の領域５２２には、上記配線導体（各一対ずつの素子接続端子５（搭載面）、外部接続端子６（非搭載面）、および貫通導体７（内部））が形成されている。また、各配線基板の領域５２２の搭載面２１における所定の位置に配線基板の領域５２２同士の境界線５４２または、配線基板の領域５２２と本体用基板余剰部５３２の境界線５４２を跨いでマーク４が形成されている。さらに、各配線基板の領域５２２の４隅を切り欠くように、本体用基板５０２の搭載面側から非搭載面側まで貫通する分割孔５５２が合計１６個形成されている。
【００９６】
また、枠体用基板５０３は、上記同様に配列され境界線５４３で区切られた９個の配線基板の領域５２３を有し、９個の配線基板の領域５２３の外側を囲むようにして枠体用基板余剰部５３３が存在している。各配線基板の領域５２３には、中央の円形状部分をキャビティ底面とするキャビティと枠体が形成されるように成形され、各配線基板の領域５２３の枠体上に電極印８を有する。さらに、各配線基板の領域５２３の４隅を切り欠くように、枠体用基板５０３の上（表）側から下（裏）側まで貫通する分割孔５５３が合計１６個形成されている。
【００９７】
（Ａ１）グリーンシート製造工程
まず、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物を用いて上記本体用基板５０２を構成する略平板状（目視レベルで平板状の意味、以下同様）の本体用基板グリーンシート５０２、および枠体用基板５０３を構成する枠体用基板グリーンシート５０３を製造する。ガラスセラミックス組成物の詳細については上述の通りである。
【００９８】
これら各グリーンシートは、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物にバインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等により、焼成後の形状および膜厚が所定の形状、膜厚のシート状に成形し、乾燥させることで製造できる。
【００９９】
上記所定の形状、膜厚に成形した枠体用基板グリーンシート５０３について、９個の配線基板の領域５２３の中央部を円形にくり抜き、各配線基板の領域５２３の枠体となる部分の左上にスクリーン印刷法等により電極印８を形成する。なお、図示されていないが、積層のための位置合わせの印を枠体用基板グリーンシート５０３に形成する。
【０１００】
（Ｂ１）配線導体ペースト層およびマークペースト層形成工程
上記（Ａ１）工程で得られた本体用基板グリーンシート５０２には、９個の配線基板の領域５２２のそれぞれについて、所定の位置に所定の配線導体ペースト層およびマークペースト層を形成する。
【０１０１】
まず、本体用基板グリーンシート５０２の配線基板の領域５２２のそれぞれについて、所定の２箇所に所定の大きさで搭載面２１から非搭載面２３に貫通する貫通導体用ペースト層７、および非搭載面２３の所定の２箇所に所定の大きさで貫通導体用ペースト層７と電気的に接続する外部接続端子用導体ペースト層６を形成する。また、本体用基板グリーンシート５０２の配線基板の領域５２２のそれぞれについて、搭載面２１の所定の２箇所に所定の大きさで貫通導体用ペースト層７と電気的に接続する素子接続端子ペースト層５および上記表１に示すマーク形成位置に所定の大きさでマークペースト層４を同時に形成する。なお、マークペースト層４は、いずれも配線基板の領域５２２同士の境界線５４２または、配線基板の領域５２２と本体用基板余剰部５３２の境界線５４２を跨ぐ形に形成される。これにより導体ペースト層付きの本体用基板グリーンシート５０２が得られる。なお、図示されていないが、積層のための位置合わせの印を本体用基板グリーンシート５０２に形成する。
【０１０２】
マークペースト層４、素子接続端子ペースト層５、外部接続端子用導体ペースト層６、および貫通導体用ペースト層７の形成方法としては、スクリーン印刷法により導体ペーストを塗布、充填する方法が挙げられる。形成される、マークペースト層４、素子接続端子ペースト層５および外部接続端子用導体ペースト層６の膜厚は、最終的に得られる素子接続端子、マークおよび外部接続端子の膜厚が所定の膜厚となるように調整される。
【０１０３】
配線導体ペーストおよびマークペーストとしては、同様の材料が使用可能であり、例えば銅、銀、金等を主成分とする金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを用いる。なお、上記金属粉末としては、銀からなる金属粉末、銀と白金またはパラジウムからなる金属粉末が好ましく、マークの側面露出部における銀のマイグレーションの抑制の観点から銀とパラジウムからなる金属粉末がより好ましい。
【０１０４】
（Ｃ１）積層ならびに分割溝および分割孔形成工程
上記（Ｂ１）工程で得られた、導体ペースト層付きの本体用基板グリーンシート５０２の搭載面２１上に、上記（Ａ１）工程で得られた枠体用基板グリーンシート５０３を電極印８のついた面を上にして、位置合わせ用の印により位置合わせをしつつ積層し、加熱および加圧して一体化して、グリーンシート成形体を形成する。次いで、グリーンシート成形体の表裏両面に、セラミックグリーンシート積層体切断機等を用いて、縦３列、横３行に配列された配線基板の領域の境界線上に縦４本、横４本の分割溝５４を形成する。さらに、分割溝５４の１６か所の交点において交点を中心とする円形の貫通孔を分割孔５５として孔開け機等を用いて形成し、未焼結連結基板５０を得る。
なお、必要に応じて、本体用基板グリーンシート５０２と枠体用基板グリーンシート５０３を積層する前に、各グリーンシートについてそれぞれ分割孔５５を形成してもよい。
【０１０５】
（Ｄ１）焼成工程
上記（Ｃ１）工程後、得られた未焼結連結基板５０について、必要に応じてバインダー等を除去するための脱脂を行い、ガラスセラミックス組成物等を焼結させるため焼成（焼成温度：８００〜９３０℃）する。
【０１０６】
脱脂は、例えば５００℃以上６００℃以下の温度で１時間以上１０時間以下保持する条件が好ましい。脱脂温度が５００℃未満もしくは脱脂時間が１時間未満の場合、バインダー等を十分に除去できないおそれがある。一方、脱脂温度は６００℃程度、脱脂時間は１０時間程度とすれば、十分にバインダー等を除去でき、これを超えると生産性が低下する。
【０１０７】
また、焼成は、絶縁体本体の緻密な構造の獲得と生産性を考慮して、８００℃〜９３０℃の温度範囲で適宜時間を調整する。具体的には、８５０℃以上９００℃以下の温度で２０分以上６０分以下保持することが好ましく、特に８６０℃以上８８０℃以下の温度で２０分以上６０分以下保持することが好ましい。焼成温度が８００℃未満では、絶縁体本体が緻密な構造のものとして得られないおそれがある。一方、焼成温度は９３０℃を超えると絶縁体本体が変形するなど生産性等が低下するおそれがある。また、上記配線導体ペーストやマークペーストとして、銀を主成分とする金属粉末を含有する金属ペーストを用いた場合、焼成温度が８８０℃を超えると、過度に軟化するために所定の形状を維持できなくなるおそれがある。
【０１０８】
このようにして、未焼結連結基板５０が焼成され連結基板５０が得られるが、焼成後、必要に応じて素子接続端子５および外部接続端子６の全体を被覆するように、金メッキ等の通常、配線基板において導体保護用に用いられる導電性保護膜を配設することもできる。
【０１０９】
以上、本発明の連結基板の製造方法について説明したが、本体用基板グリーンシート５０２、および枠体用基板グリーンシート５０３は必ずしも単一のグリーンシートからなる必要はなく、複数枚のグリーンシートを積層したものであってもよい。また、各部の形成順序等についても、連結基板の製造が可能な限度において適宜変更できる。
【０１１０】
以上、絶縁体としてＬＴＣＣ基板を用いた本発明の連結基板およびその製造方法について説明したが、アルミナ基板を用いた場合においては、部材の構成材料以外の構成については、上記ＬＴＣＣ基板を用いた場合の構成と同様にできる。以下に、簡単に工程を説明する。
【０１１１】
（Ａ２）グリーンシート製造工程
ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物（ＬＴＣＣ）に換えて、アルミナを主成分としたセラミックス材料を用いて、上記（Ａ１）グリーンシート製造工程と同様の工程を経る。なお、アルミナを主成分としたセラミックス材料としては、上記通常のアルミナセラミックス材料が特に制限なく使用できる。
【０１１２】
（Ｂ２）配線導体ペースト層およびマークペースト層形成工程
アルミナ基板は以下の通り焼成温度が、１４００〜１７００℃と上記ＬＴＣＣ基板と比べて高温であることから、アルミナ基体の焼成時に、配線導体やマーク等の金属層を同時に形成させる場合には、導体となる金属としてタングステンやモリブデン等の高融点金属を用いる。すなわち、タングステンやモリブデン等の高融点金属を主成分とした、高耐熱の配線導体ペーストおよびマークペーストとして、上記（Ｂ１）配線導体ペースト層およびマークペースト層形成工程と同様の工程を経る。
【０１１３】
（Ｃ２）積層ならびに分割溝および分割孔形成工程
上記（Ｃ１）積層および分割溝・分割孔形成工程と同様の工程を経る。
【０１１４】
（Ｄ２）焼成工程
上記（Ｃ２）工程後、得られた未焼結の連結基板５０について、必要に応じてバインダー等を除去するための脱脂を行い、ガラスセラミックス組成物等を焼結させるため焼成（焼成温度：１４００〜１７００℃）する。脱脂は、例えば、２００℃以上５００℃以下の温度で約１時間以上１０時間以下保持する条件が好ましい。焼成は、例えば、１４００℃以上１７００℃以下の温度で数時間保持する条件が好ましい。ただし、加熱時、特に焼成時に導体を酸化させないために、還元雰囲気（水素）中もしくは、不活性ガス雰囲気中もしくは、真空中となる、非酸化性雰囲気を保った加熱をしなければならない。
【０１１５】
このようにして、未焼結の連結基板５０が焼成され連結基板５０が得られるが、焼成後、必要に応じて素子接続端子５および外部接続端子６の全体を被覆するように、金メッキ等の通常、配線基板において導体保護用に用いられる導電性保護膜を配設することもできる。
【０１１６】
ここで、絶縁体としてアルミナ基板を用いて連結基板を製造する際に、タングステンやモリブデン等の高融点金属ではなく、熱伝導性や反射性のよい銀、銅等の低融点の金属を用いる場合には、グリーンシートを焼成によりアルミナ基板として形成した後、基板上の所望の位置に、スクリーン印刷法、スパッタ蒸着法やインクジェット塗布法等の方法を組み合わせることによって配線導体やマーク等の金属層として形成できる。これらは、各部材毎に好ましい金属が選択され、焼成時に形成されるか、または焼成後に形成されるかが適宜選択される。また、部材によっては、高融点金属を第１層、低融点金属を第２層として積層したものを金属層とすることもできる。
【実施例】
【０１１７】
以下に、本発明の実施例を説明する。なお本発明はこれら実施例に限定されない。
［実施例１］
【０１１８】
以下に説明する方法で、基体および枠体を構成する材料としてＬＴＣＣを用い、図３に示すのと同様の構造の連結基板を製造した。なお、上記同様、焼成の前後で部材に用いる符号は同じものを用いた。
【０１１９】
まず、連結基板５０を製造するための本体用基板グリーンシート５０２、枠体用基板グリーンシート５０３を製造した。これらグリーンシートは、ＳｉＯ２が６０．４ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３が１５．６ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３が６ｍｏｌ％、ＣａＯが１５ｍｏｌ％、Ｋ２Ｏが１ｍｏｌ％、Ｎａ２Ｏが２ｍｏｌ％となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて１６００℃で６０分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより４０時間粉砕してガラス粉末を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
【０１２０】
このガラス粉末が４０質量％、アルミナフィラー（昭和電工社製、商品名：ＡＬ−４５Ｈ）が６０質量％となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を製造した。このガラスセラミックス組成物５０ｇに、有機溶剤（トルエン、キシレン、２−プロパノール、２−ブタノールを質量比４：２：２：１で混合したもの）１５ｇ、可塑剤（フタル酸ジ−２−エチルヘキシル）２．５ｇ、バインダーとしてのポリビニルブチラール（デンカ社製、商品名：ＰＶＫ＃３０００Ｋ）５ｇ、さらに分散剤（ビックケミー社製、商品名：ＢＹＫ１８０）を配合し、混合してスラリーを調製した。
【０１２１】
このスラリーをＰＥＴフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させたグリーンシートを積層して、略平板状であって焼成後の大きさが１５ｍｍ×１５ｍｍ、厚さが０．５ｍｍとなる本体用基板グリーンシート５０２を製造した。同様にして略平板状であって焼成後の大きさが１５ｍｍ×１５ｍｍ、厚さが０．５ｍｍとなる枠体用基板グリーンシート５０３を製造した。
【０１２２】
枠体用基板グリーンシート５０３には、９個の配線基板の領域５２３（各領域とも４×４ｍｍ）の中央部を、グリーンシート用パンチングマシーンを用いて直径３ｍｍの円形にくり抜き、各配線基板の領域５２３の枠体となる部分の左上にスクリーン印刷法により電極印８を形成し、さらに積層用の位置合わせの印を形成した。また、配線基板の領域５２３同士の境界線５４３および配線基板の領域５２３と枠体用基板余剰部５３３の境界線５４３の１６か所の交点において交点を中心とする直径８００μｍの円形の貫通孔を、孔開け機を用いて形成し分割孔５５３とした。
【０１２３】
一方、導電性粉末（大研化学工業社製、商品名：Ｓ５５０）、ビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比８５：１５の割合で配合し、固形分が８５質量％となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で１時間混練し、さらに三本ロールにて３回分散し金属ペーストを製造した。
【０１２４】
本体用基板グリーンシート５０２の配線基板の領域５２２（各領域とも４×４ｍｍ）のそれぞれについて、未焼成貫通導体７に相当する部分に孔空け機を用いて直径０．３ｍｍの貫通孔を形成し、スクリーン印刷法により金属ペーストを充填して未焼成貫通導体ペースト層７を形成し、非搭載面２３の所定の２箇所に所定の大きさで貫通導体用ペースト層７と電気的に接続する外部接続端子用導体ペースト層６を形成した。また、本体用基板グリーンシート５０２の配線基板の領域５２２のそれぞれについて、搭載面２１の所定の２箇所に所定の大きさで貫通導体用ペースト層７と電気的に接続する素子接続端子ペースト層５および上記表１に示すマーク形成位置に、以下の形状、大きさでマークペースト層４を、焼成後の膜厚が１０μｍとなるように同時に形成した。これに、積層用の位置合わせの印を形成し、さらに、孔開け機を用いて、配線基板の領域５２２同士の境界線５４２および配線基板の領域５２２と本体用基板余剰部５３２の境界線５４２の１６か所の交点において交点を中心とする直径８００μｍの円形に貫通孔（分割孔５５２）を形成して、導体ペースト層付きの本体用基板グリーンシート５０２を得た。
【０１２５】
ここで、マークペースト層の形状は略長方形とし、個々のマークの大きさは焼成後の大きさとして幅２００μｍ、長さ７００μｍとした。なお、隣接する配線基板の領域５２２の境界線５４２を跨いで形成されるマークの大きさは、上記マークの２個が連結した大きさである。また、配線基板の領域５２２と本体用基板余剰部５３２の境界線５４２を跨いで形成されたマークの本体用基板余剰部５３２上の大きさは、幅２００μｍ、長さ４００μｍとした。
【０１２６】
上記枠体用基板グリーンシート５０３と導体ペースト層付きの本体用基板グリーンシート５０２を、位置合わせ用の印により位置合わせしつつ積層し、加熱および加圧して一体化して、グリーンシート成形体を形成した。次いで、グリーンシート成形体の表裏両面に、セラミックグリーンシート積層体切断機（ＵＨＴ社製Ｇ−ｃｕｔ６）を用いて深さ２００μｍの分割溝５４を縦、横に４本ずつ、分割溝５４で仕切られる配線基板の領域５２が、各領域とも４×４ｍｍとなるように形成し、未焼結連結基板５０を得た。
【０１２７】
上記で得られた未焼結連結基板５０を、５５０℃で５時間保持して脱脂し、さらに８７０℃で３０分間保持の条件で焼成し連結基板５０を製造した。
【０１２８】
得られた連結基板５０を分割して、上記図４で示されるのと同様な９個の配線基板Ａａ〜Ｃｃを得た。得られた９個の配線基板について、側面に現れたマークを目視で確認したところ、表１に示す通りにマークが全て確認された。
【０１２９】
［実施例２］
以下に説明する方法で、基体および枠体を構成する材料として酸化アルミニウム質焼結体を用い、図３に示すのと同様の構造の連結基板を製造した。なお、上記同様、焼成の前後で部材に用いる符号は同じものを用いた。
【０１３０】
まず、連結基板５０を製造するための本体用基板グリーンシート５０２、枠体用基板グリーンシート５０３を製造した。これらグリーンシートは、以下の方法により製造した。
アルミナ、カルシア、マグネシア、シリカよりなるアルミナ９６質量％のセラミックス粉末を１００質量部、メタノール２５質量部、トルエン２５質量部、ポリビニルブチラール（積水化学工業社製：エスレックＢＭ−Ｓ）１０質量部、ジブチルフタレート８質量部をボールミルに添加し、３０時間混合してセラミックススラリーを得た。
【０１３１】
このセラミックススラリーをＰＥＴフィルム上にコンマコーターにより塗布し、熱風乾燥機中、８０℃で３０分間乾燥させたグリーンシートを積層して、実施例１と同様の大きさの本体用基板グリーンシート５０２および枠体用基板グリーンシート５０３を製造した。
【０１３２】
枠体用基板グリーンシート５０３には、実施例１と同様にして、キャビティ用の孔、電極印８、積層用の位置合わせの印、分割孔５５３を形成した。
導電性粉末として、導電性粉末（大研化学工業社製、商品名：Ｓ５５０）に換えて高融点のタングステンを使用した以外は、実施例１と同様にして金属ペーストを製造し、本体用基板グリーンシート５０２に実施例１と同様にして配線導体ペースト層（５、６、７）とマーク用ペースト層４を形成し、さらに、積層用の位置合わせの印、分割孔５５２を形成して、導体ペースト層付きの本体用基板グリーンシート５０２を得た。
【０１３３】
上記実施例１と同様にして枠体用基板グリーンシート５０３と導体ペースト層付きの本体用基板グリーンシート５０２を積層した後、分割溝５４を形成し、未焼結連結基板５０を得た。この未焼結連結基板５０を、４００℃で８時間保持して脱脂を行い、さらに１６００℃で３時間保持して焼成を行って連結基板５０を製造した。ただし、焼成中は雰囲気を窒素による不活性ガスの雰囲気に保った。
【０１３４】
得られた連結基板５０を分割して、上記図４で示されるのと同様な９個の配線基板Ａａ〜Ｃｃを得た。得られた９個の配線基板について、側面に現れたマークを目視で確認したところ、表１に示す通りにマークが全て確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１３５】
本発明によれば、連結基板から分割製造された各配線基板において、連結基板での形成箇所等を側面に存在する目視可能なマークにより容易に判別でき、このような配線基板に電子部品が搭載された各種装置の品質管理に有用である。
【符号の説明】
【０１３６】
１…配線基板、２…基体、３…枠体、４…マーク、５…素子接続端子、６…外部接続端子、７…貫通導体、８…電極印
１１…発光素子、１２…ボンディングワイヤ、１３…封止層
２１…搭載面、２２…搭載部、２３…非搭載面
５０…連結基板、５１…母基板、５２…配線基板の領域、５３…母基板余剰部、５４…分割溝、５５…分割孔、５０２…本体用基板、５０３…枠体用基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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