(57)【要約】【課題】基板割れを抑制しつつ、単位時間あたりの処理能力を維持できるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。【解決手段】背面ガラス基板上にアドレス電極パターンを形成するステップ２と、アドレス電極パターンをキュアするステップ３と、アドレス電極パターンを覆う下地誘電体ペースト膜を形成するステップ４と、下地誘電体ペースト膜とアドレス電極パターンとを焼成するステップ５と、を含む。アドレス電極パターンをキュアするステップ３は、背面ガラス基板を搬送しつつアドレス電極パターンに紫外線を照射するステップと、その後、背面ガラス基板の紫外線が照射された領域を冷却するステップとを少なくとも２回繰り返す。【選択図】図２
2012038547.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に電極パターンを形成するステップと、
前記電極パターンをキュアするステップと、を含み、
前記電極パターンをキュアするステップは、前記基板を搬送しつつ前記電極パターンに紫外線を照射するステップと、その後、前記基板の前記紫外線が照射された領域を冷却するステップとを少なくとも２回繰り返す、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記基板上に電極パターンを形成するステップは、
前記基板上に感光性電極ペースト膜を形成するステップと、
前記感光性電極ペースト膜をリソグラフィ法によって処理するステップと、
前記感光性電極ペースト膜を現像するステップと、を有する、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示デバイスとして用いられるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）の電極パターンを形成する方法として、感光性樹脂と金属粒子とを含む感光性電極ペースト膜をパターニングする技術が知られている。さらに、パターニングの後工程においても電極パターンの形状を保つために、電極パターンがキュアされる。
【０００３】
キュアの方法として、電極パターンを基板ごと加熱する技術や、電極パターンに紫外線を照射することにより感光性樹脂を光重合させる技術が知られている。
【０００４】
紫外線によるキュアにおいては、紫外線ランプから赤外線も照射される。よって、紫外線が照射されている領域では基板温度が上昇する。一方、紫外線が照射されていない領域では、基板温度が上昇しないので温度差が生じる。結果として基板の部分的膨張により、基板が割れるという問題があった。
【０００５】
紫外線ランプによる基板の温度上昇を抑制する方法として、紫外線ランプと基板との間に可視光線から赤外線にわたる波長領域の光をカットするフィルターと、フィルターを冷却する機構とを配置する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１２２５２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、紫外線ランプと基板との間にフィルターを配置する技術では、感光性樹脂の硬化に寄与する波長域の一部もカットされる場合がある。よって、紫外線の使用効率を低下させ、単位時間あたりの処理能力を低下させるといった課題があった。
【０００８】
ここに開示された技術は、上記課題を解決するためになされたもので、基板温度の上昇による基板割れを抑制しつつ、単位時間あたりの処理能力を維持できるＰＤＰの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のＰＤＰの製造方法は、基板上に電極パターンを形成するステップと、電極パターンをキュアするステップと、を含む。電極パターンをキュアするステップは、基板を搬送しつつ電極パターンに紫外線を照射するステップと、その後、基板の紫外線が照射された領域を冷却するステップとを少なくとも２回繰り返す。
【００１０】
上記の方法によれば、基板において紫外線照射領域が移り変わるので、基板温度の急激な上昇を抑制できる。また、紫外線ランプが発生する光をカットしないので、紫外線の使用効率が低下しない。
【発明の効果】
【００１１】
上記の方法によれば、基板温度の上昇による基板割れを抑制しつつ、単位時間あたりの処理能力を維持できるＰＤＰの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施の形態にかかるＰＤＰの構造を示す斜視図である。
【図２】同ＰＤＰの製造方法を示すフローチャートである。
【図３Ａ】同ＰＤＰの背面板の製造過程を示す概略図である。
【図３Ｂ】同ＰＤＰの背面板の製造過程を示す概略図である。
【図３Ｃ】同ＰＤＰの背面板の製造過程を示す概略図である。
【図３Ｄ】同ＰＤＰの背面板の製造過程を示す概略図である。
【図３Ｅ】同ＰＤＰの背面板の製造過程を示す概略図である。
【図４】キュアステップを示すフローチャートである。
【図５】電極パターンキュア装置の概略を示す斜視図である。
【図６】紫外線被照射領域の移り変わりを示す図である。
【図７】背面ガラス基板における基板搬送方向側端部の温度の時間変化を示す図である。
【図８】アドレス電極パターンにおける基板搬送方向側端部の積算光量の時間変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（実施の形態）
ここに開示されたＰＤＰ１は、交流面放電型ＰＤＰである。図１に示すように、ＰＤＰ１は前面ガラス基板３などよりなる前面板２と、背面ガラス基板１１などよりなる背面板１０とが対向して配置される。前面板２と背面板１０の外周部がガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたＰＤＰ１内部の放電空間１６には、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）などの放電ガスが５５ｋＰａ〜８０ｋＰａの圧力で封入される。
【００１４】
前面ガラス基板３上には、走査電極４および維持電極５よりなる一対のストライプ状の表示電極６とブラックストライプ（遮光層）７が互いに平行にそれぞれ複数列配置される。前面ガラス基板３上には、表示電極６と遮光層７とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体層８が形成される。さらに、誘電体層８の表面に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などからなる保護層９が形成される。
【００１５】
また、背面ガラス基板１１上には、前面板２の表示電極６と直交する方向に、複数のストライプ状のアドレス電極１２が互いに平行に配置される。さらに、アドレス電極１２を覆うように下地誘電体層１３が形成される。さらに、アドレス電極１２の間に形成された下地誘電体層１３上には放電空間１６を区切る所定の高さの隔壁１４が形成される。隔壁１４の間には、紫外線によって赤色に発光する蛍光体層１５と、青色に発光する蛍光体層１５および緑色に発光する蛍光体層１５が順番に形成される。
【００１６】
表示電極６とアドレス電極１２とが交差する位置に放電セルが形成される。赤色に発光する蛍光体層１５を有する放電セルと、青色に発光する蛍光体層１５を有する放電セルと、緑色に発光する蛍光体層１５を有する放電セルとによりカラー表示をする画素が形成される。
【００１７】
次にＰＤＰ１の製造方法について説明する。図１に示す前面板２は、以下のように製造される。前面ガラス基板３上に、走査電極４および維持電極５と遮光層７とが形成される。表示電極６は、走査電極４および維持電極５を有する。走査電極４および維持電極５は、導電性を確保するための銀（Ａｇ）を含む白色電極（図示せず）を有する。また、走査電極４および維持電極５は、画像表示面のコントラストを向上するため黒色顔料を含む黒色電極（図示せず）を有する。白色電極（図示せず）は、黒色電極（図示せず）に積層される。
【００１８】
次に、走査電極４、維持電極５および遮光層７を覆うように前面ガラス基板３上に誘電体ペーストがダイコート法などにより塗布される。これにより、誘電体ペースト層（図示せず）が形成される。その後、所定の時間が経過すると、誘電体ペースト層（図示せず）の表面が平坦になる。その後、誘電体ペースト層が焼成されることにより、走査電極４、維持電極５および遮光層７を覆う誘電体層８が形成される。
【００１９】
なお、誘電体ペーストは、ガラス粉末などの誘電体ガラス、バインダおよび溶剤を含む塗料である。
【００２０】
次に、誘電体層８上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などからなる保護層９が真空蒸着法により形成される。
【００２１】
以上の工程により前面ガラス基板３上に走査電極４、維持電極５、遮光層７、誘電体層８、保護層９が形成され、前面板２が完成する。
【００２２】
図１に示す背面板１０は、以下のように形成される。背面ガラス基板１１上に、アドレス電極１２が形成される。次に、背面ガラス基板１１上にアドレス電極１２を覆うように下地誘電体層１３が形成される。次に、下地誘電体層１３上に隔壁１４が形成される。次に、隣接する隔壁１４間の下地誘電体層１３上および隔壁１４の側面に蛍光体層１５が形成される。
【００２３】
以上の工程により、背面ガラス基板１１上にアドレス電極１２、下地誘電体層１３、隔壁１４、蛍光体層１５が形成され、背面板１０が完成する。
【００２４】
次に、表示電極６とアドレス電極１２とが直交するように、前面板２と背面板１０とが対向配置される。次に、前面板２と背面板１０の周囲がガラスフリットで封着される。次に、放電空間１６にＮｅ、Ｘｅなどを含む放電ガスが封入されることによりＰＤＰ１が完成する。
【００２５】
背面板１０の製造方法について、図２に示すフローチャートに沿って、より詳細に説明する。
【００２６】
ステップ１では、図３Ａに示すように、感光性電極ペースト膜３１が背面ガラス基板１１上に形成される。感光性電極ペーストは、感光性樹脂を含有する有機バインダと銀などの金属粒子を主成分としガラスフリットが添加された無機物との混合物である。
【００２７】
一例として、感光性電極ペーストは、平均粒径２．０μｍの銀粉末を７０重量部、酸化ビスマス６９重量％、酸化ケイ素２４重量％、酸化アルミニウム４重量％、酸化硼素３重量％の組成からなる平均粒径２．２μｍのガラス粉末２重量部、アクリル酸、メチルメタクリレート、スチレンの共重合ポリマー８重量部、トリメチルアクリレート７重量部、ベンゾフェノン３重量部、ブチルカルビトールアセテート７重量部、ベンジルアルコール３重量部からなる。ここに開示された感光性電極ペーストに含まれる感光性樹脂は、紫外線などの活性光線が照射されると、光架橋、光重合、光解重合などの反応が誘起され化学構造が変化し、現像液に対して非溶解性になる。
【００２８】
感光性電極ペーストは、スクリーン印刷法などにより、背面ガラス基板１１上に所定の膜厚になるように塗布される。
【００２９】
なお、感光性電極ペーストの塗布には、スクリーン印刷法の他にもダイコート法、ディスペンス法などが用いられる。
【００３０】
次に感光性電極ペースト膜３１を背面ガラス基板１１ごとＩＲ（Ｉｎｆｒａ  Ｒｅｄ）乾燥炉などで処理する。具体的には、ＩＲ乾燥炉は、背面ガラス基板１１を１００°Ｃ〜１５０°Ｃの温度範囲で、５分〜１０分加熱する。ＩＲ乾燥炉は、感光性電極ペースト膜３１に含まれる溶剤成分などを蒸発させる。なお、感光性電極ペースト膜３１の乾燥には、ＩＲ乾燥炉の他にも熱風乾燥炉、ホットプレートなどが用いられる。
【００３１】
ステップ２では、図３Ｃに示すように、アドレス電極パターン３３が形成される。具体的には、図３Ｂに示すように、所定のパターンが形成されたフォトマスク３２を介して感光性電極ペースト膜３１に活性光線が照射される。感光性電極ペースト膜３１の所定の領域が露光される。活性光線としては、可視光線、近紫外線、紫外線、電子線、Ｘ線等が用いられるが、紫外線が最も好ましい。紫外線の光源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ等を用いることができる。
【００３２】
次に、現像により感光性電極ペースト膜３１の露光された部分以外が除去される。現像後に残留した領域が、アドレス電極パターン３３になる。アドレス電極パターン３３の幅は、２０〜２００μｍが好ましい。アドレス電極パターン３３の厚みは、１〜１０μｍが好ましい。
【００３３】
本実施の形態においては、感光性電極ペースト膜３１の露光には、超高圧水銀灯を光源とした紫外線を用いた。感光性電極ペースト膜３１の現像には、炭酸ナトリウム水溶液を用いた。このようにして線幅７５μｍ、厚み５．０μｍのアドレス電極パターン３３が形成された。
【００３４】
ステップ３では、アドレス電極パターン３３がキュアされる。具体的には、図３Ｄおよび図４に示すように、背面ガラス基板１１を搬送しつつアドレス電極パターン３３に紫外線を照射するステップ３１と、その後、背面ガラス基板１１を冷却するステップ３２と、背面ガラス基板１１を搬送しつつ電極パターンに紫外線を照射するステップ３３と、その後、背面ガラス基板１１を冷却するステップ３４と、背面ガラス基板１１を搬送しつつ電極パターンに紫外線を照射するステップ３５と、その後、背面ガラス基板１１冷却するステップ３６とからなる。
【００３５】
すなわち、アドレス電極パターン３３をキュアするステップ３は、背面ガラス基板１１を搬送しつつアドレス電極パターン３３に紫外線を照射するステップと、その後、背面ガラス基板１１を冷却するステップとが少なくとも２回繰り返される。
【００３６】
これによりアドレス電極パターン３３中の感光性樹脂が硬化される。よって、下地誘電体層１３の形成時におけるアドレス電極パターン３３の膨潤や損傷を低減できる。本実施の形態では、図５に示す電極パターンキュア装置５０が用いられた。電極パターンキュア装置５０は、コンベアからなる搬送機構４８と、搬送機構４８と対向配置された第１の紫外線ランプ４１と、搬送機構４８に沿って第１の紫外線ランプ４１と間隔をおいて、かつ、搬送機構４８と対向配置された第２の紫外線ランプ４２と、搬送機構４８に沿って第２の紫外線ランプ４２と間隔をおいて、かつ、搬送機構４８と対向配置された第３の紫外線ランプ４３と、を備える。
【００３７】
第１の紫外線ランプ４１と第２の紫外線ランプ４２および第３の紫外線ランプ４３は、長さが搬送機構４８の幅と同程度の棒状の紫外線ランプである。また、紫外線ランプは背面ガラス基板１１の搬送方向に対して直交し、かつ、背面ガラス基板１１の面と平行に配置される。
【００３８】
さらに、第１の紫外線ランプ４１の上方には、紫外線を背面ガラス基板１１側に反射する湾曲ミラー４５が備えられている。また、第１の紫外線ランプ４１の下方には、紫外線を背面ガラス基板１１側に反射する補助ミラー４６が備えられている。第２の紫外線ランプ４２および第３の紫外線ランプ４３にも同様に、湾曲ミラー４５および補助ミラー４６が備えられている。搬送機構４８は、背面ガラス基板１１を一定速度で搬送する。このようにすると、背面ガラス基板１１の一部に紫外線が照射され、紫外線被照射領域が形成される。図５には、第１の紫外線ランプ４１による紫外線被照射領域５１および第２の紫外線ランプ４２による紫外線被照射領域５２が形成されている状態が示されている。また、紫外線被照射領域は、背面ガラス基板１１の移動にともない、移り変わる。よって、アドレス電極パターン３３には、断続的に紫外線が照射される。
【００３９】
ここで、紫外線ランプとしては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ等を用いることができる。これらの光源からは紫外線の他にも可視光や赤外線も照射されるため紫外線被照射領域の温度は上昇する。しかし、光が照射されていない領域では温度が低下する。
【００４０】
次に、ステップ３の詳細を、時間変化の過程を追って説明する。ここで、時間はｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４の順に進行する。
【００４１】
図６に示すように、時間ｔ１においては、紫外線被照射領域５１が、背面ガラス基板１１上の基板搬送方向側にある。時間ｔ２においては、背面ガラス基板１１が搬送されることにより、紫外線被照射領域５１が、背面ガラス基板１１の中央付近に移る。時間ｔ３においては、さらに背面ガラス基板１１が搬送されることにより、紫外線被照射領域５１が、基板搬送方向と反対側に移る。また、紫外線被照射領域５２が、基板送方向側にある。時間ｔ４においては、さらに背面ガラス基板１１が搬送されることにより、紫外線被照射領域５２が、基板搬送方向と反対側に移る。また、紫外線被照射領域５３が、基板搬送方向側にある。なお、紫外線被照射領域５３は、第３の紫外線ランプ４３によって紫外線が照射される領域である。このように、本実施の形態では、時間の経過とともに紫外線被照射領域が移り変わる。
【００４２】
図７に示すように、背面ガラス基板１１における基板搬送方向側端部の温度は、時間の経過とともに上昇と下降を繰り返す。すなわち時間ｔ１においては、紫外線が照射されているので、温度が上昇する。時間ｔ２においては、紫外線が照射されていないので、温度が下降する。時間ｔ３においては、紫外線が照射されているので、再び温度が上昇する。時間ｔ３と時間ｔ４の間では、紫外線が照射されていないので、温度が下降する。時間ｔ４においては、紫外線が照射されているので、再び温度が上昇する。ここで背面ガラス基板１１における中央側の温度も同様に、時間の経過とともに上昇と下降を繰り返す。
【００４３】
図８に示すように、時間ｔ１においては、背面ガラス基板１１における基板搬送方向側端部のアドレス電極パターン３３が受ける紫外線の積算光量は増加する。時間ｔ２においては、積算光量は変化しない。時間ｔ３においては、積算光量は再度増加する。時間ｔ３と時間ｔ４の間では、積算光量は変化しない。時間ｔ４においては、積算光量は再度増加し、必要積算光量を超える。
【００４４】
搬送機構４８を用いて背面ガラス基板１１を一定速度で搬送することにより、アドレス電極パターン３３には断続的に紫外線が照射される。よって、背面ガラス基板１１は、急激な温度上昇をせず、許容温度上限を超えない。さらに、アドレス電極パターン３３中の感光性樹脂を硬化するために必要な光量を照射することができる。ここに開示された技術においては、ｉ線（波長３６５ｎｍ）の積算露光量で１０００〜５０００ｍＪ／ｃｍ2が好ましい。また、本実施の形態においては、紫外線ランプは３台配置された。また、搬送機構がガラス基板を６５ｍｍ／秒の速度で搬送し、ｉ線の積算光量として３０００ｍＪ／ｃｍ2になるように紫外線が断続的に照射された。
【００４５】
なお、紫外線ランプは、３台に限られるものではなく、２台でもよい。要するに複数の紫外線ランプにより、断続的に紫外線が照射できればよい。さらに、本実施の形態では、背面ガラス基板１１に、複数の紫外線非照射領域が形成される構成が例示された。しかし、紫外線ランプの配置間隔を広げ、背面ガラス基板１１に単一の紫外線被照射領域が形成される構成でもよい。この構成では、背面ガラス基板１１の冷却効率が向上する。
【００４６】
ステップ４では、図３Ｅに示すように、下地誘電体ペースト膜３４が形成される。具体的には、アドレス電極パターン３３上に、ガラス粉末と有機バインダとを主成分とするガラスペーストが塗布される。次に、乾燥炉が、下地誘電体ペースト膜３４を背面ガラス基板１１ごと乾燥する。これにより、下地誘電体ペースト膜３４中の溶剤成分が除去される。ガラスペーストは、酸化ビスマス７８重量％、酸化ケイ素１４重量％、酸化アルミニウム３重量％、酸化亜鉛３重量％、酸化硼素２重量％からなる低融点ガラス粉末を６０重量部、平均粒径０．３μｍの酸化チタン粉末を１０重量部、エチルセルロースを１５重量部、テルピネオールを１５重量部からなる。ガラスペーストを塗布する方法としては、スクリーン印刷法、ディスペンサー法、バーコート法等を用いることができる。下地誘電体ペースト膜３４の乾燥には、ＩＲ炉、熱風乾燥炉、ホットプレート等を用いることができる。下地誘電体ペースト膜３４の厚みは、３〜３０μｍが好ましい。
【００４７】
ステップ５では、アドレス電極パターン３３および下地誘電体ペースト膜３４が焼成される。具体的には、焼成炉がアドレス電極パターン３３および下地誘電体ペースト膜３４を背面ガラス基板１１ごと空気中で４００〜８００℃の温度範囲で加熱する。これにより、アドレス電極パターン３３および下地誘電体ペースト膜３４に含まれる、低軟化点ガラスが溶融する。さらにバインダが燃焼除去される。焼成炉は、バッチ処理炉や連続搬送炉などが用いられる。なお、焼成は、窒素雰囲気中または水素雰囲気中などでも行われる。
【００４８】
ステップ６では、隔壁パターン（図示せず）が形成される。具体的には、低融点ガラスやセラミック等の無機成分と感光性樹脂を含有する有機バインダとを主成分とする隔壁ペーストを塗布・乾燥する。その後、フォトマスクを介して所望のパターンを露光し、未硬化部分を現像除去する。また、塗布・乾燥した隔壁ペースト上にレジスト膜を形成し、レジストの露光・現像除去後にサンドブラストを実施する手法を用いることもできる。隔壁パターンは格子状であることが好ましいが、ストライプ状であってもよい。隔壁パターン幅としては、１０〜１５０μｍで形成するのが好ましく、厚みとしては、８０〜２００μｍで形成するのが好ましい。
【００４９】
ステップ７では、隔壁パターン（図示せず）が焼成される。空気中、窒素、水素等の雰囲気中で４００〜８００℃で同時に焼成する。これにより隔壁１４が形成される。焼成炉としては、バッチ処理式や連続搬送式の炉を使用することができる。
【００５０】
ステップ８では、隔壁１４間に蛍光体層１５を形成する。蛍光体粉末と有機バインダを主成分とする蛍光体ペースト（図示せず）を、スクリーン印刷法やディスペンサー法を使用して所定の部位に塗布する。蛍光体ペースト（図示せず）の乾燥には、ＩＲ炉、熱風乾燥炉、ホットプレート等を用いることができる。蛍光体ペーストを塗布、乾燥した後４００〜５５０℃で焼成する。これにより蛍光体層１５が形成される。
【００５１】
なお、ステップ５を省略し、隔壁パターンを形成後、アドレス電極パターン３３、下地誘電体ペースト膜３４、隔壁パターンを一括焼成してもよい。
【００５２】
本実施の形態のＰＤＰの製造方法は、基板である背面ガラス基板１１上に電極ペースト膜である感光性電極ペースト膜３１を形成するステップ１と、感光性電極ペースト膜３１を露光および現像することにより電極パターンであるアドレス電極パターン３３を形成するステップ２と、アドレス電極パターン３３をキュアするステップ３と、アドレス電極パターン３３を覆う誘電体膜である下地誘電体ペースト膜３４を形成するステップ４と、下地誘電体ペースト膜３４とアドレス電極パターン３３とを一括焼成するステップ５と、を含む。アドレス電極パターン３３をキュアするステップ３は、背面ガラス基板１１を搬送しつつアドレス電極パターン３３に紫外線を照射するステップ３１と、その後、背面ガラス基板１１の紫外線が照射された領域を冷却するステップ３２とを少なくとも２回繰り返す。
【００５３】
このような方法によれば、背面ガラス基板１１において、紫外線被照射領域が移り変わるので、背面ガラス基板１１の温度の急激な上昇を抑制できる。また部分的な膨張が低減される。また、紫外線ランプが発生する光をカットしないので、紫外線の使用効率が低下しない。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、電極パターンをキュアする際に、基板割れを抑制しつつ、単位時間あたりの処理能力を維持できるのでＰＤＰの製造などに有用である。
【符号の説明】
【００５５】
１    ＰＤＰ
２    前面板
３    前面ガラス基板
４    走査電極
５    維持電極
６    表示電極
７    ブラックストライプ（遮光層）
８    誘電体層
９    保護層
１０  背面板
１１  背面ガラス基板
１２  アドレス電極
１３  下地誘電体層
１４  隔壁
１５  蛍光体層
１６  放電空間
３１  感光性電極ペースト膜
３２  フォトマスク
３３  アドレス電極パターン
３４  下地誘電体ペースト膜
４１  第１の紫外線ランプ
４２  第２の紫外線ランプ
４３  第３の紫外線ランプ
４５  湾曲ミラー
４６  補助ミラー
４８  搬送機構
５０  電極パターンキュア装置
５１  第１の紫外線ランプによる紫外線被照射領域
５２  第２の紫外線ランプによる紫外線被照射領域
５３  第３の紫外線ランプによる紫外線被照射領域
【図１】
2012038547.tif 000003
【図２】
2012038547.tif 000004
【図３Ａ】
2012038547.tif 000005
【図３Ｂ】
2012038547.tif 000006
【図３Ｃ】
2012038547.tif 000007
【図３Ｄ】
2012038547.tif 000008
【図３Ｅ】
2012038547.tif 000009
【図４】
2012038547.tif 000010
【図５】
2012038547.tif 000011
【図６】
2012038547.tif 000012
【図７】
2012038547.tif 000013
【図８】
2012038547.tif 000014