(57)【要約】【課題】タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法を提供する。【解決手段】このタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法は、表面上に少なくとも第１導電性めっき膜と第２導電性めっき膜が形成された高透光率の基板を提供する。次に高エネルギービームを該第１導電性めっき膜と該第２導電性めっき膜に照射して複数の絶縁性溝線を形成することで、検出領域と配線領域を有する所定パターンを形成する。続いて該基板に対してリソグラフィー工程を実行して配線領域の導電性めっき膜表面を一層のレジスト薄膜で覆う。そして該基板に対してエッチング工程を行ない、検出領域内の第１導電性めっき膜を除去する。これにより該基板の検出領域内に第２導電性めっき膜を具えた所定パターンを形成し、配線領域内には第１導電性めっき膜と第２導電性めっき膜を具えた所定パターンを形成する。そのうち、高エネルギービームは超短パルスガウスビームとする。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、
高透光率の基板を提供し、その主表面に少なくとも第１導電性めっき膜と第２導電性めっき膜を形成する工程、
該基板上の導電性めっき膜の表面に高エネルギービームを投射し、並びに同時に、該高エネルギービームを該基板と間を所定の移動軌跡に依り相対運動させ、これにより該第１導電性めっき膜と該第１導電性めっき膜上に複数の絶縁性溝線を形成することにより、検出領域と配線領域を具えた所定パターンを形成する工程、
該基板に対してリソグラフィー工程を実行し、該配線領域の導電性めっき膜の表面を一層のレジスト薄膜で被覆する工程、
該基板に対してエッチング工程を実行し、該検出領域内の第１導電性めっき膜を除去し、これにより、該基板の該検出領域内に該第２導電性めっき膜を具えた所定パターンを形成し、該配線領域内に該第１導電性めっき膜と該第２導電性めっき膜を具えた所定パターンを形成する工程、
以上の工程を包含することを特徴とするタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、該基板は平面式薄板とされ、その材料は、ガラス薄板或いはポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタルメタクリレート（ＰＭＭＡ）或いはシクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）より選択される軟性、硬性或いはフレキシブルな透明基板であることを特徴とする、タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、該第２導電性めっき膜は高透光率の導電性めっき膜とされることを特徴とする、タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、該高エネルギービームは超短パルスガウスビーム（ｕｌｔｒａ−ｓｈｏｒｔ  ｐｕｌｓｅ  Ｇａｕｓｓｉａｎ  ｂｅａｍ）或いは超短パルスレーザー（ｕｌｔｒａ−ｓｈｏｒｔ  ｐｕｌｓｅ  ｌａｓｅｒ）とされることを特徴とする、タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、該絶縁性溝線の溝幅は約１−１００μｍ範囲とされることを特徴とする、タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、該検出領域の所定パターンは複数の信号検出ユニットが配列されて構成するタッチセンサパターンであり、該配線領域の所定パターンは複数の信号導線を具えたパターンとされ、且つこれら信号導線はそれぞれこれら信号検出ユニットに接続されて信号検出回路を形成することを特徴とする、タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、上述のリソグラフィー工程は、
該基板にレジストをコーティングする工程であって、レジストコーティング手段を用いて、該基板の導電性めっき膜の表面上を一層のレジスト薄膜で被覆する工程、
該基板をプリベークする工程であって、摂氏約６０度〜９０度の熱風を提供して該基板上のレジスト薄膜に対して約１００〜１４０秒のベーク工程を実行し、その後、徐々に常温まで降温する工程、
該レジスト薄膜に対して露光を実行する工程であって、照射エネルギー約１５０〜２５０ＭＪ／ｃｍ２の紫外線光源を提供し、及び配線領域パターンを有するマスクを該レジスト薄膜と該光源の間に設け、該レジスト薄膜との間隙距離を約３０μｍ〜８０μｍに保持し並びに該レジスト薄膜を露光し、こうしてマスク上の配線領域パターンを該レジスト薄膜に転写する工程、
該レジスト薄膜に対して現像を実行する工程であって、約０．５Ｋｇ／ｃｍ２の噴射圧力で現像剤を該レジスト薄膜に対して噴射し、さらに噴射圧力約０．５Ｋｇ／ｃｍ２で洗浄剤を噴射して洗浄し、こうして不要なレジスト材料部分を除去する。これにより、該基板の配線領域部分の導電性めっき膜表面の上に一層の固化されたレジスト薄膜を形成する工程、
以上の工程を包含することを特徴とする、タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、上述のレジストコーティング手段は、スピンコーティング（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）、スリットコーティング（ｓｌｉｔ  ｃｏａｔｉｎｇ）、或いはスロットコーティング（ｓｌｏｔ  ｃｏａｔｉｎｇ）とされることを特徴とする、タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法において、上述のエッチング工程は、
該検出領域内の第１導電性めっき膜をエッチングして除去する工程であって、噴射圧力約０．６Ｋｇ／ｃｍ２のエッチング剤を基板に噴射し、レジスト薄膜で遮蔽されていない部分、すなわち検出領域範囲内の第１導電性めっき膜をエッチングして除去し、その後、さらに噴射圧力約１．５Ｋｇ／ｃｍ２の洗浄液で基板を洗浄し、これにより検出領域内の、下層の第２導電性めっき膜上のパターンを露出させる工程、
該配線領域内のレジスト薄膜を剥離除去する工程であって、約０．６Ｋｇ／ｃｍ２の膜剥離剤を該基板上のレジスト薄膜に噴射し並びにそれを剥離除去し、さらに噴射圧力約１．５Ｋｇ／ｃｍ２の洗浄液で該基板の表面を洗浄し、これにより配線領域内の第１導電性めっき膜上のパターンを露出させる工程、
以上の工程を包含することを特徴とする、タッチセンサパターン及び信号導線の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法に係り、特に一種の高エネルギービーム加工技術にリソグラフィー工程とエッチング工程を組み合わせることで、複数の導電性めっき膜を有する基板上に必要なタッチセンサパターン及び信号導線を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のとおり、一般にタッチパネル構造は、パネル中央部に設けられた検出領域と外側周縁部分に設けられた配線領域を包含する。検出領域内にあるタッチセンサパターンは複数の信号検出ユニットが配列されて構成し、配線領域範囲には複数の信号導線パターンがあり、これら信号導線パターンはそれぞれこれら信号検出ユニットに接続されて信号検出回路を形成し得る。
【０００３】
動作時には、使用者の手指或いは導体が該タッチパネルの検出領域に接触した瞬間に静電容量或いは抵抗等の検出信号を発生し、これにより静電容量或いは抵抗値の変化により手指或いは導体の位置を確定できる。
【０００４】
現在、業界において、前述のタッチパネルのタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法はほぼ以下のとおりである。すなわち、モリブデンアルミニウム（Ｍｏ／Ａｌ）及び酸化インジウム錫（ＩＴＯ）めっき膜１０２を具えた透明基板１００を選択する。
【０００５】
その後、該基板に対して第１リソグラフィー工程を実行し、すなわち、該基板の２層のめっき膜上方表面に１層のレジスト薄膜１０９をコーティングし（図９参照）、さらにレジスト薄膜をコーティングした基板を熱風炉中に入れ、プリベークする。
【０００６】
続いて、配線領域が精密にパターン化されたマスク６０１を使用して該レジスト薄膜に対して露光を行ない（図１０参照）、その後、現像剤を該レジスト薄膜に噴射してレジスト薄膜の露光部分を固化し、並びに洗浄液を該レジスト薄膜の未露光部分に噴射して洗浄し、これにより、該レジスト薄膜の未露光部分のレジスト材料層を除去し、こうして該基板の配線領域１０４の上面に、１層の固化したレジスト薄膜ＦＰ（図１１参照）を形成する。
【０００７】
前述のリソグラフィー工程に続き、さらに、該基板に対して第１エッチング工程を行ない、すなわち、この第１エッチング工程は、モリブデンアルミニウムめっき膜のエッチング剤を選択し、該エッチング剤を基板に噴射し、レジスト薄膜ＦＰに遮蔽されていない部分のモリブデンアルミニウムめっき膜１０１材料をエッチングして除去し、これにより、該モリブデンアルミニウムめっき膜において配線領域内の信号導線１０７のパターンを保留する（図１２参照）。
【０００８】
その後、膜剥離剤を該基板上のレジスト薄膜ＦＰに噴射し、除去し、さらに洗浄液で該基板を洗浄し、これにより、該モリブデンアルミニウムめっき膜の信号導線１０７を露出させる（図１３参照）。
【０００９】
さらに、該基板に対して第２リソグラフィー工程を実行し、すなわち、該基板のめっき膜の上方表面に一層のレジスト薄膜１０９をコーティングし（図１４参照）、さらに、レジスト薄膜をコーティングした基板を熱風炉中に入れてプリベークする。
【００１０】
続いて、検出領域と配線領域が精密にパターン化されたマスク６０２を使用して該レジスト薄膜１０９に対して露光を行ない（図１５参照）、その後、現像剤を該レジスト薄膜に噴射してレジスト薄膜の露光部分を固化し、並びに洗浄液を該レジスト薄膜の未露光部分に噴射して洗浄し、これにより、該レジスト薄膜の未露光部分のレジスト材料層を除去し、こうして該基板の検出領域１０３及び配線領域１０４の上面に、１層の固化したレジスト薄膜ＦＰ（図１６参照）を形成する。
【００１１】
前述のリソグラフィー工程に続き、さらに該基板に対して第２のエッチング工程を実行し、すなわち、酸化インジウム錫めっき膜に対するエッチング剤を選択し、該エッチング剤を該基板に噴射し、これによりレジスト薄膜ＦＰで遮蔽されていない部分の酸化インジウム錫めっき膜１０２を除去し、こうして、該酸化インジウム錫めっき膜の検出領域１０３範囲内にタッチセンサパターン１０６を保留するとともに、配線領域１０４範囲内に信号導線１０７パターンを保留する（図１７参照）。その後、膜剥離剤を該基板上のレジスト薄膜ＦＰに噴射して剥離除去し、洗浄液で該基板を洗浄する。こうして該酸化インジウム錫めっき膜上のタッチセンサパターン１０６、及び該モリブデンアルミニウムめっき膜上の信号導線１０７を露出させる（図１８参照）。
【００１２】
前述したように、周知のタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法は、第１のリソグラフィー工程及び第１のエッチング工程により該モリブデンアルミニウムめっき膜１０１上に必要な信号導線１０７を形成し、さらに第２のリソグラフィー工程及び第２のエッチング工程により該モリブデンアルミニウムめっき膜１０１上に必要なタッチセンサパターン１０６を形成する。
【００１３】
これから分かるように、周知の製造方法は、リソグラフィー工程及びウエットエッチング工程を利用した加工技術であり、この製造方法は、少なくとも２回のリソグラフィーとウエットエッチングの複合工程を実行し、各複合工程はいずれも、レジストコーティング→プリベーク→露光→現像→エッチング→膜剥離等の加工ステップを包含する。それは加工フローが煩瑣で冗長であるのみならず、一つの加工ステップが多くなる度に歩留り損失の傾向があり、事実上、統計によると、周知の製造方法で獲得する製品の平均歩留りは一般に７０％程度にすぎず、明かに改善が待たれる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は一種の改善されたタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法を提供することを目的とし、それは、高エネルギービームを利用して基板の複数の導電性めっき膜を加工して必要なパターンを形成し、さらに、リソグラフィー工程とエッチング工程により該導電性めっき膜の不要部分の材料を除去し、これにより、生産プロセスを簡易化でき、加工コストを減らせ、加工時間を短縮でき、さらに、大幅に製品歩留り及び品質の安定性を向上できるものとする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述の目的を達成するため、本発明の提供するタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法は、以下の工程を包含する。
（１）高透光率の基板を提供し、その主表面に少なくとも第１導電性めっき膜と第２導電性めっき膜を形成する。
（２）該基板上の導電性めっき膜の表面に高エネルギービームを投射し、並びに同時に、該高エネルギービームを該基板と間の所定の移動軌跡に沿って相対運動させ、これにより該第１導電性めっき膜と該第１導電性めっき膜上に複数の絶縁性溝線を形成することにより、検出領域と配線領域を具えた所定パターンを形成する。
（３）該基板に対してリソグラフィー工程を実行し、該配線領域の導電性めっき膜の表面を一層のレジスト薄膜で被覆する。
（４）該基板に対してエッチング工程を実行し、該検出領域内の第１導電性めっき膜を除去し、これにより、該基板の該検出領域内に該第２導電性めっき膜を具えた所定パターンが形成され、該配線領域内に該第１導電性めっき膜と該第２導電性めっき膜を具えた所定パターンが形成される。
【００１６】
特に、該基板は平面式薄板とされ、その材料は、ガラス薄板或いはその他の各種薄板、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタルメタクリレート（ＰＭＭＡ）或いはシクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）より選択される。ただし実施の材料範囲は前述の材料に限定されるわけではなく、各種の軟性、硬性或いはフレキシブルな透明基板がいずれも適用される。
【００１７】
特に、該第２導電性めっき膜は高透光率の導電性めっき膜とされ、例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ）めっき膜とされる。
【００１８】
特に、該高エネルギービームは超短パルスガウスビーム（ｕｌｔｒａ−ｓｈｏｒｔ  ｐｕｌｓｅ  Ｇａｕｓｓｉａｎ  ｂｅａｍｓ）或いは超短パルスレーザー（ｕｌｔｒａ−ｓｈｏｒｔ  ｐｕｌｓｅ ｌａｓｅｒ）とされる。
【００１９】
特に、該絶縁性溝線の溝幅は約１−１００μｍ範囲とされる。
【００２０】
特に、該検出領域の所定パターンは複数の信号検出ユニットが配列されて構成されたタッチセンサパターンであり、該配線領域の所定パターンは複数の信号導線を具えたパターンとされ、且つこれら信号導線はそれぞれこれら信号検出ユニットに接続されて信号検出回路を形成する。
【００２１】
特に、上述のリソグラフィー工程は、以下の工程を包含する。
（１）基板にレジストをコーティングする。レジストコーティング手段を用いて、該基板の導電性めっき膜の表面上を一層のレジスト薄膜で被覆するものとする。
（２）該基板をプリベークする。すなわち、摂氏約６０度〜９０度の熱風を提供して該基板上のレジスト薄膜に対して約１００〜１４０秒のベーク工程を実行し、その後、徐々に常温まで降温する。
（３）該レジスト薄膜に対して露光を実行する。すなわち、照射エネルギー約１５０〜２５０ＭＪ／ｃｍ２の紫外線光源を提供し、及び配線領域パターンを有するマスクを該レジスト薄膜と該光源の間に設け、該レジスト薄膜との間隙を約３０μｍ〜８０μｍに保持し並びに該レジスト薄膜を露光し、こうしてマスク上の配線領域パターンを該レジスト薄膜に転写する。
（４）該レジスト薄膜に対して現像を実行する。すなわち約０．５Ｋｇ／ｃｍ２の噴射圧力で現像剤を該レジスト薄膜に対して噴射し、さらに噴射圧力約０．５Ｋｇ／ｃｍ２で洗浄剤を噴射して洗浄し、こうして不要なレジスト材料部分を除去する。これにより、該基板の配線領域部分の導電性めっき膜表面の上に一層の固化されたレジスト薄膜を形成する。
【００２２】
特に、上述のレジストコーティング手段は、たとえば、スピンコーティング（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）、スリットコーティング（ｓｌｉｔ  ｃｏａｔｉｎｇ）、或いはスロットコーティング（ｓｌｏｔ  ｃｏａｔｉｎｇ）等とされるが、ただし以上のレジストコーティング手段に限定されるわけではない。
【００２３】
特に、上述のエッチング工程は以下の工程を包含する。
（１）検出領域内の第１導電性めっき膜をエッチングして除去する。すなわち、噴射圧力約０．６Ｋｇ／ｃｍ２のエッチング剤を基板に噴射し、レジスト薄膜で遮蔽されていない部分、すなわち検出領域範囲内の第１導電性めっき膜をエッチングして除去し、その後、さらに噴射圧力約１．５Ｋｇ／ｃｍ２の洗浄液で基板を洗浄し、これにより検出領域内の、下層の第２導電性めっき膜上のパターンを露出させる。
（２）配線領域内のレジスト薄膜を剥離除去する。すなわち、約０．６Ｋｇ／ｃｍ２の膜剥離剤を該基板上のレジスト薄膜に噴射し並びにそれを剥離除去する。さらに噴射圧力約１．５Ｋｇ／ｃｍ２の洗浄液で該基板の表面を洗浄し、これにより配線領域内の第１導電性めっき膜上のパターンを露出させる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明は一種の改善されたタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法を提供し、それは一回のリソグラフィー工程（レジストコーティング、露光、現像等の加工工程を含む）とエッチング工程を減免することができ、加工プロセスを簡易化できるのみならず、加工コストを減らせ、加工時間を短縮でき、さらに、大幅に製品歩留り及び品質の安定性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の高エネルギービーム加工装置と加工される基板の間の取り付け表示図である。
【図２】本発明の基板の平面図であり、絶縁性溝線が基板上のめっき膜上で形成する所定パターンを表示する。
【図３】図２のＣ−Ｃ断面図である。
【図４】本発明の基板の側面断面図であり、モリブデンアルミニウムめっき膜表面上に一層のレジスト薄膜がコーティングされた状態を示す。
【図５】本発明の基板の側面断面図であり、マスクを用いてレジスト薄膜に対する露光を実行する状態を示す。
【図６】本発明の基板の側面断面図であり、配線領域に固化したレジスト薄膜を設けた状態を示す。
【図７】本発明の基板の側面断面図であり、検出領域内のモリブデンアルミニウムめっき膜がすでにエッチングされて除去された態様を示す。
【図８】本発明の基板の側面断面図であり、配線領域内のレジスト薄膜がすでに剥離除去された態様を示す。
【図９】周知の基板の側面断面図であり、モリブデンアルミニウムめっき膜表面に一層のレジスト薄膜がコーティングされた状態を示す。
【図１０】周知の基板の側面断面図であり、マスクを用いてレジスト薄膜に対する露光を実行する状態を示す。
【図１１】周知の基板の側面断面図であり、配線領域に固化したレジスト薄膜を設けた状態を示す。
【図１２】周知の基板の側面断面図であり、配線領域内の一部及び検出領域内の全てのモリブデンアルミニウムめっき膜材料がエッチングされて除去された態様を示す。
【図１３】周知の基板の側面断面図であり、配線領域内のレジスト薄膜がすでに剥離除去された態様を示す。
【図１４】周知の基板の側面断面図であり、モリブデンアルミニウムめっき膜と酸化インジウム錫めっき膜の表面に一層のレジスト薄膜がコーティングされた状態を示す。
【図１５】周知の基板の側面断面図であり、マスクを用いてレジスト薄膜に対して露光を行う態様を示す。
【図１６】周知の基板の側面断面図であり、検出領域と配線領域に固化したレジスト薄膜が設けられた状態を示す。
【図１７】周知の基板の側面断面図であり、配線領域と検出領域の一部の酸化インジウム錫めっき膜がエッチングされて除去された態様を示す。
【図１８】周知の基板の側面断面図であり、配線領域と検出領域の固化の酸化インジウム錫めっき膜がエッチングされて除去された態様を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の技術内容、構造特徴、達成する目的を詳細に説明するため、以下に実施例を挙げ並びに図面を組み合わせて説明する。
【実施例１】
【００２７】
図１を参照されたい。本発明の実施例の提供するタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法は以下の工程を包含する。
【００２８】
まず、接触角が１０度より小さい高透光率の基板１００を提供し、該基板１００の主表面上に一層のモリブデンアルミニウム（Ｍｏ／Ａｌ）めっき膜１０１と一層の酸化インジウム錫（ＩＴＯ）めっき膜１０２を設ける。本実施例中の基板１００材料にはガラスを選択するが、当然実施の材料範囲はこれに限定されるわけではない。
【００２９】
その後、加工台２００を高エネルギービーム加工装置３００の下方に移動する（図１のとおり）。こうして高エネルギービームを利用して該基板上のこれら２層のめっき膜１０１、１０２に対してパターニングを行う。
【００３０】
動作時に、該高エネルギービーム加工装置３００はパワー約６〜１５ワット、パルス周波数６５〜７５ＫＨｚのパルス式ガウスビームを提供でき、該高エネルギービーム加工装置３００が該基板１００表面に対してパルス式ガウスビームを投射すると同時に、該加工台２００と該高エネルギービーム加工装置３００の間を所定の移動軌跡によって相対移動させ、これにより該パルス式ガウスビームに移動軌跡により該基板の２層のめっき膜１０１、１０２上に複数の絶縁性溝線１０５を形成し、こうして検出領域１０３と配線領域１０４を具えた所定パターンを形成する（図２、図３に示すとおり）。
【００３１】
該絶縁性溝線１０５は設置部位の２層のめっき膜をいずれも裁断し、該絶縁性溝線の２側のめっき膜が絶縁状態を呈するようにする。また、通常絶縁性溝線１０５の幅は約１〜１００μｍ範囲とし、これにより高精密度のパターンを製作できる。
【００３２】
この実施例中、静電容量式タッチパネル構造を例とし、これにより前述の所定パターンは、基板中央部位の検出領域１０３内に複数の菱形の静電容量検出ユニットがマトリクス配列されてなるタッチセンサパターン１０６、及び基板外周縁部位の配線領域１０４範囲に、複数が平行設置された信号導線１０７を有し、並びにこれら信号導線１０７が個別に前述のタッチセンサパターン１０６の静電容量検出ユニットに接続されて、静電容量信号検出回路（図２、３を参照されたい）を形成する。
【００３３】
特に、前述の検出領域１０３と配線領域１０４のパターンは、選択するタッチセンサの種類により異なった変化を有し得る。ただし、該タッチセンサのパターン設定は本発明の重点ではないため、これについては詳しい説明は行わない。
【００３４】
また、前述の高エネルギービーム加工装置３００は超短パルスガウスビーム（ｕｌｔｒａ−ｓｈｏｒｔ  ｐｕｌｓｅ  Ｇａｕｓｓｉａｎ  ｂｅａｍｓ）を採用し、且つそれは精密にそのビームのエネルギー密度（ｆｌｕｅｎｃｅ）範囲を調整して断熱加工特性（Ａｄｉａｂａｔｉｃ  Ｈｅａｔｉｎｇ  Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ）を達成し、これにより基板１００材質の損害を発生しない状態で、該基板上のモリブデンアルミニウムめっき膜１０１及び酸化インジウム錫めっき膜１０２に対するパターニンングを完成する。当然、実際の応用で使用される高エネルギービームは前述の規格設定に限定されるわけではなく、応用の必要に応じてパラメータが最適化設定され得る。
【００３５】
続いて、リソグラフィー工程を実行して配線領域１０４を一層のレジスト薄膜で被覆する。該リソグラフィー工程は、レジストコーティング、プリベーク、レジスト露光及び現像等の工程を包含し、具体的な実施方式は以下のとおりである。
【００３６】
（１）レジストコーティング：レジストコーティング手段を用いて該基板のモリブデンアルミニウムめっき膜１０１の表面を一層のレジスト薄膜１０９で被覆する（図４に示されるとおり）。
上述のレジストコーティング手段は、たとえば、スピンコーティング（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）、スリットコーティング（ｓｌｉｔ  ｃｏａｔｉｎｇ）、或いはスロットコーティング（ｓｌｏｔ  ｃｏａｔｉｎｇ）等とされるが、ただし以上のレジストコーティング手段に限定されるわけではない。
本実施例においては、上述のレジストとして、粘度が約２〜１０ｃｐｓのネガ型レジスト、たとえばポリイソプレン（ｐｏｌｙｉｓｏｐｒｅｎｅ）を採用する。
【００３７】
（２）プリベーク：該基板１００を熱風炉中に入れ、摂氏約８０度の熱風を提供し該レジスト薄膜１０９に対して約１２０秒（ｓｅｃ．）のベーク工程を実行し、その後、徐々に常温（摂氏約２５度）まで降温し、これにより該ネガ型レジスト薄膜１０９の基板表面に対する付着力を増加する。
【００３８】
（３）露光：プリベークを終えた基板を露光機中に送り入れ、配線領域パターンを具えたマスク６００を光源Ｌと該レジスト薄膜１０９の間に取り付け、並びに該レジスト薄膜１０９との間隙の距離を約５０μｍに保持し並びに照射エネルギー約１００ＭＪ／ｃｍ２の紫外線を該光源Ｌより該ネガ型レジスト薄膜に照射し、露光を実行し（図５に示されるとおり）、レジスト薄膜の露光部分に重合反応を発生させてレジスト剤効果を形成させる。
【００３９】
（４）現像：露光工程の後で、さらに約０．５Ｋｇ／ｃｍ２の噴射圧力で現像剤（例えばキシレン或いは炭酸ナトリウム）を該レジスト薄膜１０９に対して噴射し、該レジスト薄膜の露光部分１０９Ａを固化させ、さらに、噴射圧力約０．５Ｋｇ／ｃｍ２で洗浄剤（たとえば、ブチルアセテート或いは清水）を該レジスト薄膜の未露光部分１０９Ｂを洗浄し、これにより、該レジスト薄膜の未露光部分のネガ型レジスト材料を除去し、該基板の配線領域１０４上面に一層の固化したレジスト薄膜ＦＰを形成する。
この実施例では、この固化したレジスト薄膜ＦＰは該配線領域の範囲を遮蔽できる（図６に示されるとおり）。
【００４０】
前述の実施例において、ネガ型レジスト材料の採用の条件について以下に説明する。ただし、ご理解いただきたいのは、上述の工程にはポジ型レジスト材料も使用可能であり、それに対応するマスク設計及び工程中に露光部分の材料が保留されるか或いは除去されるかの違いがあるほかは、本発明の実施に影響を与えないことである。
【００４１】
続いて、前述のリソグラフィー工程の後に該基板１００に対してエッチングを行なう。この工程はレジスト薄膜ＦＰにより保護されていない領域のモリブデンアルミニウムめっき膜１０１をエッチングにより除去し、並びに下層の酸化インジウム錫めっき膜１０２を露出させる（図７に示されるとおり）。
【００４２】
本実施例では、ウエットエッチング（ｗｅｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）手段を採用し、その実施方式は以下のとおりである。すなわち、噴射圧力約０．６Ｋｇ／ｃｍ２のエッチング剤（例えば混酸アルミエッチング液）を基板に噴射し、レジスト薄膜ＦＰにより遮蔽されていない部分、すなわち、検出領域１０３範囲内のモリブデンアルミニウムめっき膜１０１をエッチングして除去する。その後、さらに噴射圧力約１．５Ｋｇ／ｃｍ２の洗浄／中和液（例えば純水）で基板に対して洗浄を行う。
【００４３】
最後に、膜剥離加工工程を実行して基板上のレジスト薄膜ＦＰを除去し、配線領域１０４内のモリブデンアルミニウムめっき膜１０１（すなわち、信号導線１０７のパターン）を露出させる（図８に示されるとおり）。
【００４４】
その実施方式は、以下のとおりである。すなわち、約０．６Ｋｇ／ｃｍ２の膜剥離剤（例えば水酸化カリウム）を噴射して該基板上のレジスト薄膜ＦＰを該モリブデンアルミニウムめっき膜１０１の表面より剥離し、さらに噴射圧力約１．５Ｋｇ／ｃｍ２の洗浄液（例えば清水）で該基板を洗浄する。
【００４５】
前述の各加工工程を終えれば、すなわち、基板の検出領域１０３内に酸化インジウム錫めっき膜１０２のタッチセンサパターン１０６が完成し、基板の配線領域１０４内にモリブデンアルミニウムめっき膜１０１の信号導線１０７パターンが完成する（図８に示されるとおり）。
【００４６】
実験結果を統計したところ、本発明の製造方法は、９５％以上もの製品平均歩留りを達成でき、これは周知の製造方法の製品平均歩留りである７０％より遥かに高い。詳しくは以下の表１に示される。
【００４７】
【表１】
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【００４８】
本発明は一種の改善されたタッチセンサパターン及び信号導線の製造方法を提供し、それは一回のリソグラフィー工程（レジストコーティング、露光、現像等の加工工程を含む）とエッチング工程を減免することができ、加工プロセスを簡易化できるのみならず、加工コストを減らせ、加工時間を短縮でき、さらに、大幅に製品歩留り及び品質の安定性を向上できる。
【００４９】
本発明は上述の形式に限定されるわけではなく、上述の説明を参考にして、さらに多くの技術の均等性の改良と変化が可能であり、例えば、高エネルギービーム加工装置３００の提供する高エネルギービームは、超短パルスガウスビームのほか、超短パルスレーザー（ｕｌｔｒａ−ｓｈｏｒｔ  ｐｕｌｓｅ  ｌａｓｅｒ）を使用することができる。
【００５０】
以上述べたことは、本発明の実施例にすぎず、本発明の実施の範囲を限定するものではなく、本発明の特許請求の範囲に基づきなし得る同等の変化と修飾は、いずれも本発明の権利のカバーする範囲内に属するものとする。
【符号の説明】
【００５１】
１００  基板
１０１  モリブデンアルミニウムめっき膜
１０２  酸化インジウム錫めっき膜
１０３  検出領域
１０４  配線領域
１０５  絶縁性溝線
１０６  タッチセンサパターン
１０７  信号導線
１０９  レジスト薄膜
６００  マスク
６０１  マスク
６０２  マスク
ＦＰ  レジスト薄膜
２００  加工台
３００  高エネルギービーム加工装置
１０９Ｂ  レジスト薄膜の未露光部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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