(57)【要約】【課題】高温信頼性に優れた偏光素子を提供する。【解決手段】本発明の偏光素子は、基板と、基板上に平面視ストライプ状に形成された金属層と、金属層の表面に形成され金属層を構成する金属の酸化物からなる誘電体層と、金属層の幅方向の側面のうち一方の側面側の誘電体層上に形成され、金属酸化物からなる第１の吸収材部と、金属層の他方の側面側の誘電体層上に形成され、金属酸化物からなる第２の吸収材部と、を有することを特徴とする。【選択図】図１
2012103490.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に平面視ストライプ状に形成された金属層と、
前記金属層の表面に形成され前記金属層を構成する金属の酸化物からなる誘電体層と、
前記金属層の幅方向の側面のうち一方の側面側の前記誘電体層上に形成され、金属酸化物からなる第１の吸収材部と、
前記金属層の他方の側面側の前記誘電体層上に形成され、前記金属酸化物からなる第２の吸収材部と、
を有することを特徴とする偏光素子。
【請求項２】
前記第１の吸収材部と前記第２の吸収材部とが、前記誘電体層の頂部において部分的に重なっていることを特徴とする請求項１に記載の偏光素子。
【請求項３】
前記第１及び第２の吸収材部の単位長さ当たりの体積が前記金属層ごとに異なる一方、前記金属層ごとの前記第１及び第２の吸収材部の単位長さ当たりの体積の合計がほぼ等しいことを特徴とする請求項１又は２に記載の偏光素子。
【請求項４】
前記第１の吸収材部の単位長さ当たりの体積が、前記基板の一端側から他端側へ向かって漸次減少する分布である一方、
前記第２の吸収材部の単位長さ当たりの体積が、前記基板の前記他端側から前記一端側へ向かって漸次減少する分布であることを特徴とする請求項３に記載の偏光素子。
【請求項５】
前記第１及び第２の吸収材部が、クロム、マンガン、鉄、銅からなる群より選ばれる金属の酸化物からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の偏光素子。
【請求項６】
前記金属層が、アルミニウム、銀、銅、クロム、チタン、ニッケル、タングステン、鉄からなる群より選ばれる１種又は２種以上の金属からなることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の偏光素子。
【請求項７】
基板の一面側に、平面視ストライプ状を成す金属層を形成する工程と、
酸素含有雰囲気中で前記金属層の表面を酸化させることで、前記金属層の表面に誘電体層を形成する工程と、
前記金属層の幅方向の側面のうち一方の側面側から成膜粒子を堆積させることで金属酸化物からなる第１の吸収材部を前記誘電体層上に形成する工程と、
前記金属層の他方の側面側から成膜粒子を堆積させることで前記金属酸化物からなる第２の吸収材部を形成する工程と、
を有することを特徴とする偏光素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１及び第２の吸収材部を形成する工程において、
酸素含有雰囲気中で金属粒子を前記基板上に堆積させることで前記金属酸化物からなる層を形成することを特徴とする請求項７に記載の偏光素子の製造方法。
【請求項９】
前記第１及び第２の吸収材部を、クロム、マンガン、鉄、銅からなる群より選ばれる金属の酸化物により形成することを特徴とする請求項７又は８に記載の偏光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記誘電体層を形成する工程における前記酸素含有雰囲気がオゾンガス雰囲気であることを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記載の偏光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記誘電体層を形成する工程において、前記基板に紫外光を照射することを特徴とする請求項１０に記載の偏光素子の製造方法。
【請求項１２】
光を射出する照明光学系と、前記光を変調する液晶ライトバルブと、前記液晶ライトバルブで変調された光を被投射面に投射する投射光学系と、を備え、
前記液晶ライトバルブと前記照明光学系との間、及び前記液晶ライトバルブと前記投射光学系との間のうち少なくとも一方に、請求項１から６のいずれか１項に記載の偏光素子が設けられていることを特徴とするプロジェクター。
【請求項１３】
一対の基板間に液晶層を挟持してなり、少なくとも一方の前記基板の前記液晶層側に、請求項１から６のいずれか１項に記載の偏光素子が形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏光素子とその製造方法、プロジェクター、液晶装置、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
偏光素子の一種としてワイヤーグリッド偏光素子が知られている（例えば特許文献１，２参照）。ワイヤーグリッド偏光素子は、透明な基板上に金属からなるグリッドが、用いる光の波長よりも短いピッチで敷き詰められた構成を備えている。ワイヤーグリッド偏光素子は無機物のみで構成できるため有機物を用いた偏光板と比較して光照射による劣化が著しく少なく、高輝度化が進む液晶プロジェクターにおいて有効なデバイスとして注目されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４４１１２０２号公報
【特許文献２】特開平１０−７３７２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ワイヤーグリッド偏光素子は優れた耐熱性を備えているが、近年の液晶プロジェクターの高輝度化に伴い、さらなる高温信頼性が求められている。
特許文献１では、ワイヤーグリッド偏光素子の表面にアミノホスホネートを形成することで金属格子の保護を図っている。しかし、２００℃以上に加熱される用途では有機分子であるアミノホスホネートが分解されてしまうため、十分な信頼性を確保することができなかった。
特許文献２では、基板上の金属格子（金属細線）の表面を熱処理で酸化させることで耐環境性を向上させている。しかしながら、酸化処理のために基板を５００℃以上に加熱する必要があり、基板の割れや変形が生じる場合があった。また金属格子自体が熱膨張により損傷を受け、光学特性を決定する金属格子の高さや幅などの寸法が変化してしまう場合があった。
【０００５】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、高温信頼性に優れた偏光素子とその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の偏光素子は、基板と、前記基板上に平面視ストライプ状に形成された金属層と、前記金属層の表面に形成され前記金属層を構成する金属の酸化物からなる誘電体層と、前記金属層の幅方向の側面のうち一方の側面側の前記誘電体層上に形成され、金属酸化物からなる第１の吸収材部と、前記金属層の他方の側面側の前記誘電体層上に形成され、前記金属酸化物からなる第２の吸収材部と、を有することを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、金属層と誘電体層と吸収材層（第１の吸収材部及び第２の吸収材部）とからなる積層構造を具備したことで吸収型の偏光素子を実現できる。また金属酸化物からなる吸収材層は、使用時に偏光素子の温度が上昇したとしても酸化が進行することがないため、偏光分離特性が変動してしまうことがない。さらに、金属層の表面が誘電体層に覆われているため、温度上昇によって金属層が酸化することによる偏光分離特性の変動も抑えることができる。これにより、優れた高温信頼性を得ることができる。
【０００８】
前記第１の吸収材部と前記第２の吸収材部とが、前記誘電体層の頂部において部分的に重なっている構成としてもよい。
この構成によれば、誘電体層の上端側において、側面と頂面とが第１及び第２の吸収材部（吸収材層）により覆われた構成とすることができる。これにより、金属層の延在方向に平行な直線偏光成分の吸収率を高めることができる。
【０００９】
前記第１及び第２の吸収材部の単位長さ当たりの体積が前記金属層ごとに異なる一方、前記金属層ごとの前記第１及び第２の吸収材部の単位長さ当たりの体積の合計がほぼ等しい構成としてもよい。
この構成によれば、基板上に配列された複数の吸収材層の体積が均一化される。これにより、偏光素子の光吸収特性の分布を均一化することができる。
【００１０】
前記第１の吸収材部の単位長さ当たりの体積が、前記基板の一端側から他端側へ向かって漸次減少する分布である一方、前記第２の吸収材部の単位長さ当たりの体積が、前記基板の前記他端側から前記一端側へ向かって漸次減少する分布である構成としてもよい。
この構成によれば、第１の吸収材部の体積分布と、第２の吸収材部の体積分布との重畳により、第１及び第２の吸収材部からなる吸収材層全体の体積分布が均一化され、光吸収特性の基板面上における分布を均一化することができる。
【００１１】
前記第１及び第２の吸収材部が、クロム、マンガン、鉄、銅からなる群より選ばれる金属の酸化物からなる構成としてもよい。
この構成によれば、高温信頼性に優れた吸収材層を備えた偏光素子とすることができる。
【００１２】
前記金属層が、アルミニウム、銀、銅、クロム、チタン、ニッケル、タングステン、鉄からなる群より選ばれる１種又は２種以上の金属からなる構成としてもよい。
この構成によれば、金属層の表面に、当該金属層を構成する金属の酸化物からなる誘電体層を容易に形成することができ、使用時の温度上昇による金属層の酸化を効果的に防止できる偏光素子となる。
【００１３】
本発明の偏光素子の製造方法は、基板の一面側に、平面視ストライプ状を成す金属層を形成する工程と、酸素含有雰囲気中で前記金属層の表面を酸化させることで、前記金属層の表面に誘電体層を形成する工程と、前記金属層の幅方向の側面のうち一方の側面側から成膜粒子を堆積させることで金属酸化物からなる第１の吸収材部を前記誘電体層上に形成する工程と、前記金属層の他方の側面側から成膜粒子を堆積させることで前記金属酸化物からなる第２の吸収材部を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】
この製造方法によれば、第１の吸収材部と第２の吸収材部を金属層の異なる側面方向から成膜するので、成膜によって生じる第１の吸収材部の分布と第２の吸収材部の分布とを相殺させ、各々の金属層上における第１の吸収材部と第２の吸収材部との合計体積を均一化することができる。これにより、光吸収特性の均一な偏光素子を製造することができる。また、金属層のシャドーイング効果により金属層間の溝部に第１及び第２の吸収材部の成膜粒子が付着するのを防止でき、上記溝部に付着した成膜粒子を除去する工程が不要になり、効率良く安価に偏光素子を製造することができる。また、金属層の表面に誘電体層を形成した後に第１及び第２の吸収材部を成膜しているので、金属層の構成成分と第１及び第２の吸収材部の構成成分とが相互に拡散するのを防止できる。
【００１５】
前記第１及び第２の吸収材部を形成する工程において、酸素含有雰囲気中で金属粒子を前記基板上に堆積させることで前記金属酸化物からなる層を形成する方法としてもよい。
この製造方法によれば、高い成膜速度で金属酸化物からなる第１及び第２の吸収材部を成膜することができる。
【００１６】
前記第１及び第２の吸収材部を、クロム、マンガン、鉄、銅からなる群より選ばれる金属の酸化物により形成する方法としてもよい。
この製造方法によれば、高温信頼性に優れた第１及び第２の吸収材部を形成することができる。
【００１７】
前記誘電体層を形成する工程における前記酸素含有雰囲気がオゾンガス雰囲気である方法としてもよい。
この製造方法によれば、緻密な金属酸化膜からなる誘電体層を迅速に形成することができ、偏光素子の高温信頼性を高めることができる。
【００１８】
前記誘電体層を形成する工程において、前記基板に紫外光を照射する方法としてもよい。
この製造方法によれば、オゾンの分解反応を促進させ、低温で酸化膜を形成することができる。また、形成される金属酸化膜の緻密性を高め、偏光素子の高温信頼性を向上させることができる。
【００１９】
本発明のプロジェクターは、光を射出する照明光学系と、前記光を変調する液晶ライトバルブと、前記液晶ライトバルブで変調された光を被投射面に投射する投射光学系と、を備え、前記液晶ライトバルブと前記照明光学系との間、及び前記液晶ライトバルブと前記投射光学系との間のうち少なくとも一方に、先に記載の偏光素子が設けられていることを特徴とする。
この構成によれば、高温信頼性に優れた偏光素子を備え、高出力の光源に対応したプロジェクターを提供することができる。
【００２０】
本発明の液晶装置は、一対の基板間に液晶層を挟持してなり、少なくとも一方の前記基板の前記液晶層側に、先の偏光素子が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、高温信頼性に優れた偏光素子を備えた液晶装置が提供される。
【００２１】
本発明の電子機器は、上記の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、高温信頼性に優れた表示部を具備した電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施形態の偏光素子の概略図。
【図２】第１実施形態における偏光素子の製造方法を示す工程図。
【図３】第２実施形態に係る偏光素子の説明図。
【図４】プロジェクターの一実施形態を示す図である。
【図５】実施形態に係る偏光素子を備えた液晶装置を示す断面模式図。
【図６】実施形態に係る液晶装置を用いた電子機器の一例を示す斜視図。
【図７】偏光分離特性のシミュレーション結果を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
［第１実施形態］
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る偏光素子及び偏光素子の製造方法について説明する。
図１は本実施形態の偏光素子１Ａの概略図であり、図１（ａ）は部分斜視図、図１（ｂ）は偏光素子１ＡをＹＺ平面で切った部分断面図である。
【００２４】
なお、以下の説明においてはＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ座標系を参照しつつ各部材の位置関係を説明する。この際、金属層１２が設けられている基板１１の面１１ｃと平行な面をＸＹ平面とし、金属層１２の延在方向をＸ軸方向とする。金属層１２の並び方向（配列軸）はＹ軸方向である。また、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせている。
【００２５】
（偏光素子）
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、偏光素子１Ａは、基板１１と、基板１１上に平面視ストライプ状に形成された複数の金属層１２と、各々の金属層１２を被覆する誘電体層１３と、誘電体層１３上に形成された吸収材層１４と、を備えている。誘電体層１３は、金属層１２のＸ軸方向に沿って延びる２つの側面（第１側面１２ａ及び第２側面１２ｂ）と、金属層１２の頂面（頂部１２ｃ）とを被覆している。
【００２６】
基板１１は透光性を有する材料であればよく、例えば、石英、プラスチック等を用いてもよい。本実施形態では基板１１としてガラス基板を用いている。偏光素子１Ａの用途によっては、偏光素子１Ａが蓄熱して高温になる場合があるため、基板１１の材料としては、耐熱性の高いガラスや石英を用いることが好ましい。
【００２７】
金属層１２は、基板１１上で一方向に延びる金属細線であり、基板１１上に所定のピッチで互いに平行に配列されている。金属層１２の材料としては、可視域において光の反射率が高い材料が用いられる。具体的には、例えばアルミニウム、銀、銅、クロム、チタン、ニッケル、タングステン、鉄などを金属層１２の材料として用いることができる。本実施形態では金属層１２の材料としてアルミニウムを用いている。
【００２８】
誘電体層１３は、各々の金属層１２を覆うようにして金属層１２上に形成されている。誘電体層１３の材料としては、金属層１２を構成する金属の酸化物が用いられ、可視域において光透過率の高い材料、例えば酸化アルミニウムのような誘電体材料を用いることが好ましい。後述するように、誘電体層１３は金属層１２を酸化させる方法や、金属層１２を構成する金属の酸化物を成膜する方法などにより形成することができる。
【００２９】
なお、誘電体層１３は、偏光素子１Ａの光を照射される領域において金属層１２を覆っていればよく、それ以外の領域では必ずしも金属層１２を覆っていなくてもよい。例えば、大型基板上に複数の金属層１２と金属層１２を覆う誘電体層１３とを形成した後、大型基板を個別の基板１１に切断した場合には、基板１１の端部において金属層１２と誘電体層１３とが切断され、それらの切断面が露出した状態となるが、このような構成であっても構わない。
【００３０】
隣り合って配置された２つの金属層１２の間には溝部１５が設けられている。溝部１５は、可視光の波長よりも短い周期でＹ軸方向に略均等な間隔で設けられている。したがって、誘電体層１３に覆われた金属層１２も、可視光の波長よりも短い周期でＹ軸方向に配列されている。
【００３１】
本実施形態の偏光素子１Ａでは、金属層１２の高さＨ１は、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲であり、金属層１２のＹ軸方向の幅Ｌ１（線幅）は、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲である。また、誘電体層１３の金属層１２上における高さＨ２（金属層１２の頂面における厚さ）は、１０ｎｍ以下１００ｎｍ以下の範囲であり、誘電体層１３のＹ軸方向の幅Ｌ２（金属層１２の側面における厚さ）は、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲である。また、隣り合って配置された２つの誘電体層１３同士の間隔Ｓ（溝部１５のＹ軸方向の幅）は、７０ｎｍであり、周期Ｐ（ピッチ）は、１４０ｎｍである。
【００３２】
吸収材層１４は、金属層１２を覆って形成された誘電体層１３上に被せられるようにして形成され、金属層１２の延在方向（Ｘ軸方向）に沿って延びている。吸収材層１４の材料としては、可視領域において誘電体層１３の光吸収率よりも高い光吸収率を有する金属酸化物が用いられる。具体的には、クロム、マンガン、鉄、銅からなる群より選ばれる金属の酸化物が用いられる。本実施形態では、吸収材層１４の材料として、クロム酸化物を用いている。
【００３３】
図１（ｂ）に示すＹＺ断面において、吸収材層１４のＹ軸方向の幅Ｌ３は、金属層１２の幅Ｌ１と誘電体層１３の幅Ｌ２の２倍との和（金属層１２と誘電体層１３とからなる細線の幅）より大きく、誘電体層１３（あるいは金属層１２）の周期Ｐ（ピッチ）よりも小さい値をとる。すなわち、吸収材層１４は、誘電体層１３の側面に成膜されているが、その膜厚は金属層１２間の溝部１５を閉塞しない程度の厚さである。
【００３４】
吸収材層１４は、金属層１２の第１側面１２ａ側に位置する誘電体層１３の第１側面１３ａ上に形成された第１の吸収材部１４ａと、金属層１２の第２側面１２ｂ側に位置する誘電体層１３の第２側面１３ｂ上に形成された第２の吸収材部１４ｂとを有する。第１の吸収材部１４ａと第２の吸収材部１４ｂとは、金属層１２の頂部１２ｃ上において部分的に重なって配置され、頂部１２ｃ上において誘電体層１３は吸収材層１４に覆われている。
【００３５】
本実施形態において、任意の２つの金属層１２に設けられている吸収材層１４同士を比較すると、それらを構成する第１の吸収材部１４ａ同士の断面積が異なっており、第２の吸収材部１４ｂ同士の断面積も異なっている。例えば、図１（ｂ）に示す２つの吸収材層１４Ｋと吸収材層１４Ｍに着目すると、図示左側の吸収材層１４Ｋを構成する第１の吸収材部１４ａＫのＹＺ断面における断面積は、図示中央の吸収材層１４Ｍを構成する第１の吸収材部１４ａＭのＹＺ断面における断面積よりも大きく、互いに異なる断面積を有する構成である。
同様に、吸収材層１４Ｋを構成する第２の吸収材部１４ｂＫの断面積は、吸収材層１４Ｍを構成する第２の吸収材部１４ｂＭの断面積よりも小さく、第２の吸収材部１４ｂ同士も異なる断面積を有する構成である。
【００３６】
上記した断面積の違いは、単位長さあたりの体積の違いに対応させることができる。ここで、第１の吸収材部１４ａの単位長さあたりの体積の定義を、図１（ｂ）に示す金属層１２Ｋを用いて説明する。
金属層１２Ｋに対応して設けられている第１の吸収材部１４ａＫのうち、金属層１２の長さ方向（Ｘ軸方向）において金属層１２Ｋと第１の吸収材部１４ａＫとが共に設けられている領域の第１の吸収材部１４ａＫの体積を、同領域のＸ軸方向の長さで除した値を、第１の吸収材部１４ａＫの単位長さあたりの体積と定義する。第２の吸収材部１４ｂの単位長さあたりの体積及び吸収材層１４の単位長さあたりの体積も、同様に定義する。以降、本明細書では、簡単のため単位長さあたりの体積を、単に体積と呼ぶ。
【００３７】
本実施形態の場合、第１の吸収材部１４ａの体積及び第２の吸収材部１４ｂの体積はいずれも、基板１１のＹ軸方向の第１端１１ａからの距離に対応する大きさとされている。具体的に、第１の吸収材部１４ａの体積は、基板１１の第１端１１ａに近いものほど大きく、第２の吸収材部１４ｂの体積は、第１端１１ａと反対側の第２端１１ｂに近いほど大きい。そして、第１端１１ａに最も近い位置に形成された金属層１２において、吸収材層１４を構成する第１の吸収材部１４ａ及び第２の吸収材部１４ｂの体積を比較すると、第１の吸収材部１４ａの体積が第２の吸収材部１４ｂの体積よりも大きい。一方、第１端１１ａから最も遠い位置に形成された金属層１２上の吸収材層１４では、第１の吸収材部１４ａの体積が第２の吸収材部１４ｂの体積よりも小さい。
【００３８】
しかし、共通の金属層１２上に形成された第１の吸収材部１４ａの体積と第２の吸収材部１４ｂの体積との和で表される吸収材層１４の体積は、いずれの吸収材層１４においても略一定の値になっている。
すなわち、図１（ｂ）に示した３つの吸収材層１４Ｋ、１４Ｌ、１４Ｍにおいて、第１の吸収材部１４ａＫ、１４ａＬ、１４ａＭはそれぞれ異なる体積であり、第２の吸収材部１４ｂＫ、１４ｂＬ、１４ｂＭもそれぞれ異なる体積であるが、第１の吸収材部１４ａの体積の分布と第２の吸収材部１４ｂの体積の分布とが、互いに補償し合う関係であることにより、各々の吸収材層１４Ｋ、１４Ｌ、１４Ｍの体積が基板１１上においてほぼ均一化されている。
【００３９】
上記した第１の吸収材部１４ａの体積及び第２の吸収材部１４ｂの体積と、吸収材層１４の体積との関係は、ＹＺ断面における、第１の吸収材部１４ａの断面積と、第２の吸収材部１４ｂの断面積と、第１の吸収材部１４ａの断面積と第２の吸収材部１４ｂの断面積との和で表される吸収材層１４の断面積と、の関係においても成り立つ。
なお、図１（ａ）においては、第１の吸収材部１４ａの体積及び第２の吸収材部１４ｂの体積の第１端１１ａからの距離に対する依存性（断面積の変化割合）を誇張して描いてある。
【００４０】
以上に説明した本実施形態の偏光素子１Ａは、金属層１２がアルミニウム等の可視域において光反射率の高い材料により形成されている。また、誘電体層１３は、酸化アルミニウム等の可視域で光透過率の高い材料により形成されている。さらに、吸収材層１４（第１の吸収材部１４ａ，第２の吸収材部１４ｂ）は、可視領域における光の吸収率が誘電体層１３の光吸収率よりも高いクロム酸化物等の材料により形成されている。かかる構成を備えた本実施形態の偏光素子１Ａによれば、以下の作用効果を得ることができる。
【００４１】
まず、金属層１２と誘電体層１３と吸収材層１４との積層構造とされていることで、金属層の延在方向と直交する方向に振動する直線偏光であるＴＭ波２１を透過させ、金属層の延在方向に振動する直線偏光であるＴＥ波２２を吸収させることができる。
つまり、基板１１の吸収材層１４側から入射したＴＥ波２２は、吸収材層１４の光吸収作用によって減衰され、一部のＴＥ波２２は吸収されずに吸収材層１４及び誘電体層１３を通過する際に位相差を付与される。誘電体層１３を通過したＴＥ波２２は金属層１２(ワイヤーグリッドとして機能)で反射される。この反射したＴＥ波２２は、誘電体層１３を通過する際に位相差を付与され、干渉効果により減衰されるともに、残りが吸収材層１４で再吸収される。
よって、以上のようなＴＥ波２２の減衰効果により、吸収型の所望の偏光分離特性を得ることができる。
【００４２】
また本実施形態の偏光素子１Ａでは、吸収材層１４を構成する第１の吸収材部１４ａと第２の吸収材部１４ｂとが、互いに異なる体積分布を有して形成されているが、各々の吸収材層１４の体積は互いに略等しくなるように誘電体層１３上に形成されている。これにより、ＴＥ波２２の減衰効果の基板１１の面内での均一性を高めることができる。その結果として、吸収型偏光素子の偏光特性の面内での均一性を高めることができる。
【００４３】
また、金属層１２の両側面及び上面全体が、金属層１２を構成する金属の酸化物からなる誘電体層１３によって覆われている。このような誘電体層１３は、金属層１２の表面を酸化させることにより容易に形成でき、しかも緻密な酸化膜とすることができるため、使用時の温度上昇により金属層１２が劣化するのを防止することができ、偏光分離機能の低下を抑制できる。
【００４４】
また本実施形態では、吸収材層１４が金属酸化膜により形成されている。これにより、使用時に偏光素子１Ａの温度が上昇したとしても、金属酸化物からなる吸収材層１４の酸化が進行することはないため、温度変化による変質が生じにくく、偏光分離機能の変動を抑制することができる。
【００４５】
また本実施形態の偏光素子１Ａでは、金属酸化物からなる吸収材層１４と金属層１２との間には、金属層１２を構成する金属の酸化物からなる誘電体層１３が介在している。このような構成とすることで、吸収材層１４から金属層１２へ酸素原子が拡散するのを抑えることができ、金属層１２が変質して偏光分離機能が変動するのを防止することができる。
【００４６】
このように本実施形態によれば、偏光特性の面内での均一性が高く、使用時に温度が上昇しても偏光特性が低下しにくい偏光素子１Ａを得ることができる。
【００４７】
（偏光素子の製造方法）
次に、本実施形態の偏光素子１Ａの製造方法について説明する。図２は、第１実施形態における偏光素子の製造方法を示す工程図である。
本実施形態の偏光素子の製造方法は、基板１１上に、平面視ストライプ状に複数の金属層１２を形成する金属層形成工程と、金属層１２の第１側面１２ａと第２側面１２ｂと頂部１２ｃとに誘電体層１３を形成する誘電体層形成工程と、誘電体層１３の第１側面１３ａと第２側面１３ｂと頂部１３ｃ（上端）とにおいて、誘電体層１３の金属層１２とは反対側の表面に吸収材層１４（第１の吸収材部１４ａ、第２の吸収材部１４ｂ）を形成する吸収材層形成工程と、を含むものである。
【００４８】
さらに、上記の吸収材層形成工程では、隣り合って配置された２つの金属層１２のうち、一方の金属層１２側の方向から斜方成膜して、金属層１２上の誘電体層１３の頂部及び側面に第１の吸収材部１４ａを形成する第１の吸収材部形成工程と、他方の金属層１２側の方向から斜方成膜して、誘電体層１３上に第２の吸収材部１４ｂを形成する第２の吸収材部形成工程と、を含む。
【００４９】
以下、図面を参照しながら説明する。
まず、図２（ａ）の金属層形成工程では、基板１１の面１１ｃの上に金属層１２を形成する。具体的には、基板１１上に、スパッタ法などを用いてアルミニウム膜を成膜し、このアルミニウム膜上にレジスト膜を形成する。次いで、レジスト膜を露光・現像して、レジスト膜をストライプ状のマスクパターンとする。次いで、形成したストライプ状のレジスト膜をエッチングマスクとして用いて、上記アルミニウム膜を基板１１面までエッチングする。その後、レジスト膜を除去することにより、図２（ａ）に示すように、基板１１上にストライプ状に配置された複数の金属層１２が形成される。
【００５０】
次に、図２（ｂ）に示す誘電体層形成工程では、金属層１２の第１側面１２ａと第２側面１２ｂと頂部１２ｃとに誘電体層１３を形成する。
具体的には、まず、オゾンガスが５０Ｐａから１００Ｐａの範囲で制御された石英等の真空容器内に、金属層１２が形成された基板１１を配置する。次いで、Ｄｅｅｐ−ＵＶランプ等を用いて、基板１１の面１１ｃに紫外光（波長＜３１０ｎｍ）を照射する。このときの紫外光強度は、例えば１２０ｍＷ/ｃｍ２である。オゾンガスは、波長２２０ｎｍから３００ｎｍの範囲で高い吸収係数を有するため、光吸収反応の結果、効率よく高いエネルギーをもつ励起状態の酸素原子を生成できる。
【００５１】
上記の励起酸素原子は、通常の酸素原子よりも拡散係数（活性度）が大きく、高い酸化速度を示す。また、熱酸化に比べ低温で酸化膜を生成できる。さらに本工程において、基板１１を加熱してもよく、加熱により金属層１２表面の酸化反応を促進させ、短時間で誘電体層１３を形成することができる。基板１１を加熱する方法としては、例えば、基板１１の裏面（面１１ｃと反対側の面）からハロゲンランプを照射する方法などを挙げることができる。基板１１の加熱温度は、例えば１５０℃である。
【００５２】
基板１１を１５０℃に加熱した状態で２０分のオゾン酸化を行うことで、金属層１２の表面に厚さ（Ｌ２）が３０ｎｍのアルミニウム酸化膜（誘電体層１３）を形成することができる。本工程の処理条件（基板温度や処理時間）を調製することで、金属層１２の表面に形成される誘電体層１３の厚さ（金属層１２の幅）を自在に制御することができる。誘電体層１３の厚さを調整することにより、偏光素子１Ａが可視光に付与する位相差の大きさを調整することができる。
【００５３】
次に、図２（ｃ）に示す第１の吸収材部形成工程では、酸素含有雰囲気下でクロムを斜方成膜することにより、誘電体層１３の第１側面１３ａと頂部１３ｃ（上端）とに、クロム酸化物からなる第１の吸収材部１４ａを形成する。
具体的には、酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスが０．１Ｐａから１０Ｐａの範囲で制御された石英等の真空容器に、金属層１２と誘電体層１３とが形成された基板１１を配置する。その後、クロムターゲットが設置されたスパッタ装置を用いて、金属層１２及び誘電体層１３が形成された基板１１の面１１ｃの面法線（Ｚ軸方向）に対して斜めであって、かつ、金属層１２の第１側面１２ａと相対する第１の方向Ｄ１から、スパッタ粒子２０を誘電体層１３の第１側面１３ａと頂部１３ｃ（上端）とに堆積させ、第１の吸収材部１４ａを形成する。クロムターゲットに対する入力電力を５００Ｗ（直流電圧）とした場合に、５分間の成膜で厚さ約２０ｎｍのクロム酸化膜からなる第１の吸収材部１４ａを形成することができる。
なお、図２（ｃ）及び図２（ｄ）では、スパッタ粒子２０の主な入射方向を矢印で表している。基板１１の面１１ｃの面法線とスパッタ粒子２０の入射方向とのなす角度は、およそ４０°から８５°の範囲で適宜設定することができる。
【００５４】
次に、図２（ｄ）に示す第２の吸収材部形成工程では、成膜方向を変更する以外は第１の吸収材部形成工程と同様にしてクロム酸化物を斜方成膜し、誘電体層１３上に、クロム酸化物からなる第２の吸収材部１４ｂを形成する。
第２の吸収材部形成工程では、第１の吸収材部形成工程と同様のスパッタ装置を用いて、基板１１の面１１ｃの面法線に対して斜めであって、かつ、金属層１２の第２側面１２ｂと相対する第２の方向Ｄ２から、スパッタ粒子２０を誘電体層１３の第２側面１３ｂと第１の吸収材部１４ａとの上に堆積させ、誘電体層１３の上層に第２の吸収材部１４ｂを形成する。本工程においても、基板１１の面１１ｃの面法線とスパッタ粒子２０の入射方向とのなす角度は、およそ４０°から８５°の範囲で適宜設定することができる。
【００５５】
このように第１の吸収材部１４ａと第２の吸収材部１４ｂとを形成することにより、吸収材層１４を形成することができる。以上の工程を経ることにより、偏光素子１Ａを製造することができる。
なお、本実施形態では、第１の吸収材部の材料と第２の吸収材部の材料がいずれもクロム酸化物である構成としたが、先に挙げたマンガン、鉄、銅の酸化物からなるものとしてもよい。クロム以外の金属の酸化物を用いる場合にも、上記と同様に反応性スパッタを用いて成膜してもよく、金属酸化物のターゲットを用いたＲＦスパッタや、蒸着法を用いてもよい。
【００５６】
ここで、上記の第１の吸収材部形成工程では、斜方成膜した際、金属層１２と誘電体層１３の一部が影となる、いわゆるシャドーイング効果で、互いに隣り合う２つの金属層１２の間に設けられている溝部１５には第１の吸収材部が成膜されにくくなる。同様にして、第２の吸収材部形成工程においても、斜方成膜した際のシャドーイング効果で、溝部１５には第２の吸収材部材料が成膜されにくくなる。
【００５７】
誘電体層１３上に吸収材層を形成する方法として、吸収材層の材料を基板１１の面法線（Ｚ軸方向）と平行な方向から誘電体層１３上に堆積させる方法が考えられる。この場合、吸収材層の材料が基板１１上の互いに隣り合う２つの金属層１２の間の領域（溝部１５）にも堆積する。
【００５８】
しかし、溝部１５に吸収材層が形成されると、偏光素子１Ａの偏光板としての特性が低下するため、溝部１５に形成された吸収材層を除去しなければならない。一方、本実施形態による製造方法によれば、溝部１５に吸収材層が形成されることを防ぐことができるため、溝部１５に形成された吸収材層を除去する工程が不要になる。
【００５９】
第１の吸収材部１４ａは、誘電体層１３の第１側面１３ａに設けられているが、第１の吸収材部１４ａの基板１１側の端部１４ａｚは、基板１１の面１１ｃと誘電体層１３の頂部１３ｃ（上端）との間に位置している。つまり、第１の吸収材部１４ａの端部１４ａｚは第１側面１３ａの面上で終端し、面１１ｃには達していない。
【００６０】
同様に、第２の吸収材部１４ｂは、誘電体層１３の第２側面１３ｂに設けられているが、第２の吸収材部１４ｂの基板１１側の端部１４ｂｚは、基板１１の面１１ｃと誘電体層１３の頂部１３ｃ（上端）との間に位置している。つまり、第２の吸収材部１４ｂの端部１４ｂｚは第２側面１３ｂの面上で終端し、面１１ｃには達していない。
【００６１】
このように、第１の吸収材部１４ａと第２の吸収材部１４ｂはいずれも、溝部１５の底面である面１１ｃ上には形成されていない。そして、ＹＺ断面における吸収材層１４の断面形状は、図１（ｂ）に示したように、吸収材層１４の幅Ｌ３が最も大きい部分が、第１の吸収材部１４ａの基板１１側の端部１４ａｚ及び第２の吸収材部１４ｂの基板１１側の端部１４ｂｚよりも吸収材層１４の頂部側に位置するような形状を有している。
【００６２】
また、上記した第１の吸収材部形成工程と第２の吸収材部形成工程における斜方成膜では、基板１１の面１１ｃにおけるスパッタ装置のターゲットに近い領域と遠い領域とでは、堆積するスパッタ粒子の量が異なる傾向がある。具体的には、ターゲットに近いほど堆積するスパッタ粒子の量が多くなる傾向がある。
【００６３】
このため、図２（ｃ）に示す第１の吸収材部形成工程では、第１の吸収材部１４ａの体積は、スパッタ装置のターゲットに近い（Ｙ軸正方向側）ほど大きく、ターゲットから遠い（Ｙ軸負方向側）ほど小さくなる。一方、図２（ｄ）に示す第２の吸収材部形成工程では、第２の吸収材部１４ｂの体積は、スパッタ装置のターゲットに近い（Ｙ軸負方向側）ほど大きく、ターゲットから遠い（Ｙ軸正方向側）ほど小さくなる。
【００６４】
したがって、図１（ｂ）を参照して説明したように、第１の吸収材部１４ａＫの体積は第２の吸収材部１４ｂＫの体積と異なり、第１の吸収材部１４ａＬの体積は第２の吸収材部１４ｂＬの体積と異なり、第１の吸収材部１４ａＭの体積は第２の吸収材部１４ｂＭの体積と異なるが、吸収材層１４Ｋの体積と吸収材層１４Ｌの体積と吸収材層１４Ｍの体積とは、互いに略等しい。すなわち、金属層１２各々には体積が略等しい吸収材層１４が形成される。
【００６５】
また本実施形態の製造方法では、誘電体層形成工程において、金属層１２の表面をオゾン酸化させる方法を用いているため、従来と比較して低温のプロセスで金属層１２の酸化膜（誘電体層１３）を形成することができる。これにより、基板の割れや変形が生じることを低減することができるとともに、偏光素子の特性を決める金属層１２の高さや幅などの寸法が熱処理前後で変化することを低減することができる。その結果、偏光素子１Ａの偏光特性の面内での均一性を高めることができる。
【００６６】
また、本実施形態の製造方法によれば、金属層１２の第１側面１２ａと第２側面１２ｂと頂部１２ｃとを、従来よりも緻密な誘電体層１３によって覆うことができる。そのため、使用時に温度が上昇しても、酸化等による金属層１２の劣化を防止することができる。その結果、偏光特性の低下を低減することができる。
【００６７】
［第２実施形態］
図３は、第２実施形態に係る偏光素子１Ｂの説明図である。本実施形態の偏光素子１Ｂは、第１実施形態の偏光素子１Ａと一部共通している。異なるのは、金属層１２間に基板１１よりも屈折率の低い領域１６を有する点である。
【００６８】
図３に示す様に、偏光素子１Ｂは、偏光素子１Ａの構成に加え、隣り合う２つの金属層１２の間に基板１１よりも屈折率の低い領域１６を有している。領域１６は、互いに隣り合う２つの金属層１２の間に露出した基板１１をドライエッチング等で部分的に除去することで形成される。基板１１を掘り下げる深さＨ３は、金属層１２の高さＨ１と同程度である。
【００６９】
この構成により、基板１１と金属層１２との界面における実効的な屈折率を減少させることができため、界面でのＴＭ波２１の反射を抑制し、結果としてＴＭ波２１の透過率を上昇させることができる。
【００７０】
［投射型表示装置］
図４は、プロジェクターの一実施形態を示す図である。
図４に示すプロジェクター８００は、光源８１０、ダイクロイックミラー８１３、８１４、反射ミラー８１５、８１６、８１７、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、射出レンズ８２０、光変調部８２２、８２３、８２４、クロスダイクロイックプリズム８２５、投射レンズ８２６、を有している。
【００７１】
光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクター８１２とからなる。なお、光源８１０としては、メタルハライド以外にも超高圧水銀ランプ、フラッシュ水銀ランプ、高圧水銀ランプ、Ｄｅｅｐ ＵＶランプ、キセノンランプ、キセノンフラッシュランプ等を用いることも可能である。
【００７２】
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用の光変調部８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光と緑色光のうち、緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用の光変調部８２３に入射される。青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過し、長い光路による光損失を防ぐために設けられた入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９及び射出レンズ８２０を含むリレー光学系８２１を介して、青色光が光変調部８２４に入射される。
【００７３】
光変調部８２２〜８２４は、液晶ライトバルブ８３０を挟んで両側に、入射側偏光素子８４０と射出側偏光素子部８５０と、が配置されている。入射側偏光素子８４０は、光源８１０から射出された光の光路上の、光源８１０と液晶ライトバルブ８３０との間に設けられている。また、射出側偏光素子部８５０は、液晶ライトバルブ８３０を通過した光の光路上の、液晶ライトバルブ８３０と投射レンズ８２６との間に設けられている。入射側偏光素子８４０と射出側偏光素子部８５０とは、互いの透過軸が直交して（クロスニコル配置）配置されている。
【００７４】
入射側偏光素子８４０は反射型の偏光素子であり、透過軸と直交する振動方向の光を反射させる。
【００７５】
一方、射出側偏光素子部８５０は、第１偏光素子（プリ偏光板、プリポラライザーと同義）８５２と、第２偏光素子８５４と、を有している。第１偏光素子８５２には、上述した第１実施形態又は第２実施形態の偏光素子が用いられている。また、第２偏光素子８５４は、有機材料を形成材料とする偏光素子である。第１偏光素子８５２及び第２偏光素子８５４は、いずれも吸収型の偏光素子であり、第１偏光素子８５２と第２偏光素子８５４とが協働して光を吸収している。なお、入射側偏光素子８４０として第１実施形態又は第２実施形態の偏光素子を用いることもできる。
【００７６】
一般に、有機材料で形成される吸収型の偏光素子は、熱により劣化しやすいことから、高い輝度が必要な大出力のプロジェクターの偏光手段として用いる事が困難である。しかし、本実施形態のプロジェクター８００では、第２偏光素子８５４と液晶ライトバルブ８３０との間に、耐熱性の高い無機材料で形成された第１偏光素子８５２を配置しており、第１偏光素子８５２と第２偏光素子８５４とが協働して光を吸収している。そのため、有機材料で形成される第２偏光素子８５４の劣化が抑えられる。
【００７７】
各光変調部８２２〜８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００７８】
以上のような構成のプロジェクター８００は、射出側偏光素子部８５０に、上述した実施形態の偏光素子を用いることとしているため、高出力の光源を用いても偏光素子の劣化が抑えられる。そのため、信頼性が高く優れた表示特性を有するプロジェクター８００とすることができる。
【００７９】
［液晶装置］
図５は、本発明に係る偏光素子を備えた液晶装置３００の一例を示した断面模式図である。本実施形態の液晶装置３００は、素子基板３１０，対向基板３２０の間に液晶層３５０が挟持され構成されている。
【００８０】
素子基板３１０は偏光素子３３０を備え、対向基板３２０は偏光素子３４０を備えている。偏光素子３３０及び偏光素子３４０は、前述した第１実施形態又は第２実施形態の偏光素子である。
【００８１】
偏光素子３３０は基板本体３３１と金属層３３２及び保護膜３３３を、偏光素子３４０は基板本体３４１と金属層３４２及び保護膜３４３をそれぞれに備えている。ただし、金属層３３２及び金属層３４２各々が備えている誘電体層１３及び吸収材層１４は図示していない。本実施形態では、基板本体３３１、３４１は偏光素子の基板であると同時に液晶装置用の基板も兼ねている。また、金属層３３２と金属層３４２は、互いに交差するように配置されている。いずれの偏光素子も、金属層が内面側（液晶層３５０側）に配置されている。
【００８２】
偏光素子３３０の液晶層３５０側には、画素電極３１４や不図示の配線やＴＦＴ素子を備え、配向膜３１６が設けられている。同様に、偏光素子３４０の内面側には、共通電極３２４や配向膜３２６が設けられている。
【００８３】
このような構成の液晶装置においては、基板本体３３１、基板本体３４１が、液晶装置用の基板と、偏光素子用の基板との機能を兼ねることから、部品点数を削減することができる。そのため、装置全体が薄型化でき、液晶装置３００の機能を向上させることができる。更に、装置構造が簡略化されるので、製造が容易であるとともにコスト削減を図ることができる。
【００８４】
［電子機器］
次に、本発明の電子機器に係る他の実施形態について説明する。図６は、図５に示した液晶装置を用いた電子機器の一例を示す斜視図である。図６に示す携帯電話（電子機器）１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。これにより、信頼性に優れ、高品質な表示が可能な表示部を具備した携帯電話１３００を提供することができる。
【００８５】
また、本発明の液晶装置は、上記携帯電話の他にも、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチールカメラ、液晶テレビ、プロジェクター、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができる。
【００８６】
尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【００８７】
［シミュレーション解析による光学特性評価］
次に、第２実施形態に係る偏光素子のシミュレーション解析結果について説明する。
【００８８】
解析においては、本発明の偏光素子を液晶プロジェクターのライトバルブ用の偏光素子として適用することを想定して評価を行った。本発明の偏光素子は、無機材料で形成されており耐熱性が高いことから、前述した高出力の光源を有する液晶プロジェクターのプリ偏光板として適用できる。
【００８９】
このようなプリ偏光板には、ＴＭ光に対する高い光透過率を有し、ＴＭ光を良好に透過させる必要がある。一方で、上述のように２枚の偏光素子が協働してＴＥ光を吸収するため、ＴＥ光の吸収率については、それほど高い必要がない。具体的には、ＴＭ光の透過率が８０％より大きく、ＴＥ光の吸収率が４０％より大きければ使用上問題ない。ＴＥ光の吸収率については、２枚目の偏光素子への負担を低減するために、５０％より大きいとなお良い。さらには、ＴＥ光がプリ偏光板で反射しライトバルブへ戻ることを防ぐために、ＴＥ光の反射率は低い方が良く、２０％以下であることが望まれる。
【００９０】
そこで、以下の解析においては、ＴＭ光透過率が８０％より大、ＴＥ光反射率が２０％より小、ＴＭ光反射率が２０％より小、であることを基準として評価を行った。
【００９１】
シミュレーション解析には、Grating Solver Development社製の解析ソフトであるＧＳｏｌｖｅｒを用いて、偏光素子の形状や構成材料の屈折率等をパラメーターとした。
【００９２】
基板から金属層１２（アルミニウム）、誘電体層１３（酸化アルミニウム）、吸収材層１４（クロム酸化物）の順で形成されるモデルを用いて数値計算を行った。第２実施形態（図３）に係る偏光素子１Ｂは、金属層１２の表面全体が誘電体層１３で被覆され、かつ誘電体層１３の頂部１３ｃが吸収材層１４で被覆され、溝部１５において基板１１が部分的に掘り下げられた構成を備えている。
【００９３】
計算では、アルミニウム（金属層１２）の高さＨ１：８０ｎｍ、幅Ｌ１：２０ｎｍ、酸化アルミニウム（誘電体層１３）の高さＨ２：２０ｎｍ、幅Ｌ２：２０ｎｍ、クロム酸化物（吸収材層１４）の高さ：２０ｎｍ、幅Ｌ３：６０ｎｍ、溝部１５のＹ軸方向の幅Ｗ：８０ｎｍ、溝部１５における基板１１の掘り下げ深さＨ３：３０ｎｍ、誘電体層１３（あるいは金属層１２）の周期Ｐ：１４０ｎｍとした。また、上述した偏光素子の構成材料の屈折率及び消衰係数は、ＧＳｏｌｖｅｒに格納されている各パラメーターを用いた。
【００９４】
上記のモデルにおいて、波長５００ｎｍ、６００ｎｍ、７００ｎｍにおける偏光特性を求めた。図７は、ＴＭ光及びＴＥ光に対する偏光分離特性のシミュレーション結果を示すグラフである。グラフ中、ＲｐはＴＭ光の反射率（％）、ＴｐはＴＭ光の透過率（％）、ＲｃはＴＥ光の反射率（％）、ＴｃはＴＥ光の透過率（％）、Ａｃは偏光素子の光吸収率（１００−Ｒｐ−Ｒｃ（％））である。
【００９５】
図７に示すように、第２実施形態の偏光素子は、５００ｎｍ〜６７０ｎｍの波長域において、ＴＭ光透過率が８０％より大、ＴＥ光反射率が２０％より小、ＴＭ光反射率が２０％より小、である条件を満たしており、プリ偏光板として好適な特性を有するものであると認められる。
【符号の説明】
【００９６】
１Ａ，１Ｂ，３３０，３４０…偏光素子、Ｗ，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…幅、１１…基板、１１ｃ…面、１２，１２Ｋ，３３２，３４２…金属層、１２ｃ，１３ｃ…頂部、１３…誘電体層、１４ａ，１４ａＫ，１４ａＬ，１４ａＭ…第１の吸収材部、１４ｂ，１４ｂＫ，１４ｂＬ，１４ｂＭ…第２の吸収材部、３００…液晶装置、３５０…液晶層、８００…プロジェクター、８３０…液晶ライトバルブ、１３００…携帯電話（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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