(57)【要約】【課題】高品質な化学研磨処理を安全に実現できるガラス基板の化学研磨装置を提供する。【解決手段】ガラス基板ＧＬを水平方向に搬送する搬送路と、搬送路を移動中のガラス基板に対して、化学研磨液を噴射してガラス基板を薄型化する研磨処理部１６，２２と、研磨処理部２２を通過して薄型化されたガラス基板に洗浄液を噴射して洗浄する洗浄処理部２４と、を有して構成され、研磨処理部１６へのガラス基板の導入部には、ガラス基板の表面を軽く保持して回転する回転ローラ４３と、研磨処理部１６の外側から回転ローラ４３に向けて水を噴射する噴射部ＮＺ１，ＮＺ２とが設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板を水平方向に搬送する搬送路と、
搬送路を移動中のガラス基板に対して、化学研磨液を噴射してガラス基板を薄型化する研磨処理部と、
研磨処理部を通過して薄型化されたガラス基板に洗浄液を噴射して洗浄する洗浄処理部と、を有して構成され、
前記研磨処理部へのガラス基板の導入部には、ガラス基板の表面を軽く保持して回転する回転ローラと、研磨処理部の外側から前記回転ローラに向けて水を噴射する噴射部とが設けられていることを特徴とするガラス基板の化学研磨装置。
【請求項２】
前記研磨処理部には、ガラス基板の搬送方向に延びる一群の噴射パイプが配置され、各噴射パイプに形成された噴出口からガラス基板に向けて化学研磨液が噴出されている請求項１に記載の化学研磨装置。
【請求項３】
前記一群の噴射パイプは、ガラス基板の上部と下部に配置されている請求項２に記載の化学研磨装置。
【請求項４】
前記一群の噴射パイプは、その軸方向長さが２．５ｍ以下に設定されている請求項３に記載の化学研磨装置。
【請求項５】
前記一群の噴射パイプは、前記搬送方向に直交するガラス基板の幅方向に配置され、中央位置の噴射パイプには、周辺位置の噴射パイプより高圧の化学研磨液が供給されるよう構成されている請求項３又は４に記載の化学研磨装置。
【請求項６】
前記一群の噴射パイプは回転可能に保持されて、噴射パイプの円周方向に揺動するよう構成されている請求項２〜５の何れかに記載の化学研磨装置。
【請求項７】
前記研磨処理部は、ほぼ同一構成の複数の処理チャンバに区分されて構成され、同一組成の研磨液によってガラス基板が複数回研磨されるよう構成された請求項１〜６の何れかに記載の化学研磨装置。
【請求項８】
前記複数の処理チャンバは、中継チャンバを経由して接続されている請求項７に記載の化学研磨装置。
【請求項９】
前記中継チャンバでは、処理チャンバと同一組成の化学研磨液がガラス基板に噴出されている請求項１〜８の何れかに記載の化学研磨装置。
【請求項１０】
ガラス基板を水平方向に搬送する搬送路と、搬送路を移動中のガラス基板に対して、化学研磨液を噴射してガラス基板を薄型化する研磨処理部と、研磨処理部を通過して薄型化されたガラス基板に洗浄液を噴射して洗浄する洗浄処理部と、を有し、前記研磨処理部へのガラス基板の導入部には、ガラス基板の表面を軽く保持して回転する回転ローラと、研磨処理部の外側から前記回転ローラに向けて水を噴射する噴射部とが設けられた化学研磨装置を使用して、板厚を薄型化するガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大型のガラス基板を均一に薄型化することができるガラス基板の製造方法及びその化学研磨装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板を搬送しつつエッチング液を噴射する製造加工装置として、例えば、引用文献１に記載のウェットエッチング装置が知られている。そして、この装置では、ガラス基板に形成したクロムまたはクロム合金膜を、エッチング液によって除去している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１４４４５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の発明は、ガラス基板上に形成された薄膜を除去する構成や方法を教示するに過ぎず、ガラス基板そのものを薄型化する構成や方法を教示するものではない。
【０００５】
ここで、ガラス基板そのものをエッチング（化学研磨）して薄型化するには、フッ酸を含有する化学研磨液を使用せざるを得ないが、この場合には、作業員の安全を確保すると共に、高品質の化学研磨処理を実現することが強く望まれる。特に、昨今の電子機器の小型軽量化の要請から、ガラス基板の更なる薄型化（板厚０．５ｍｍ程度又はそれ以下）が要求されており、もし、化学研磨によって研磨ムラや白濁が生じると、そのガラス基板の使用価値が消失する。
【０００６】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、高品質な化学研磨処理を安全に実現できるガラス基板の製造方法及びその化学研磨装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明に係る化学研磨装置は、ガラス基板を水平方向に搬送する搬送路と、搬送路を移動中のガラス基板に対して、化学研磨液を噴射してガラス基板を薄型化する研磨処理部と、研磨処理部を通過して薄型化されたガラス基板に洗浄液を噴射して洗浄する洗浄処理部と、を有して構成され、前記研磨処理部へのガラス基板の導入部には、ガラス基板の表面を軽く保持して回転する回転ローラと、研磨処理部の外側から前記回転ローラに向けて水を噴射する噴射部とが設けられている。
【０００８】
前記研磨処理部には、好ましくは、ガラス基板の搬送方向に延びる一群の噴射パイプが配置され、各噴射パイプに形成された噴出口からガラス基板に向けて化学研磨液が噴出されている。ここで、一群の噴射パイプは、ガラス基板の上部と下部に配置されているのが好ましい。また、一群の噴射パイプは、その軸方向長さが２．５ｍ以下に設定されていると更に好ましい。
【０００９】
好適には、前記一群の噴射パイプは、前記搬送方向に直交するガラス基板の幅方向に配置され、中央位置の噴射パイプには、周辺位置の噴射パイプより高圧の化学研磨液が供給されるよう構成されている。また、一群の噴射パイプは回転可能に保持されて、噴射パイプの円周方向に揺動するよう構成されているのが好ましい。
【００１０】
前記研磨処理部は、ほぼ同一構成の複数の処理チャンバに区分されて構成され、同一組成の研磨液によってガラス基板が複数回研磨されるよう構成されるのが好ましい。ここで、前記複数の処理チャンバは、中継チャンバを経由して接続されるのが好適であり、前記中継チャンバでは、処理チャンバと同一組成の化学研磨液がガラス基板に噴出されていると更に好ましい。
【００１１】
また、本発明は、ガラス基板を水平方向に搬送する搬送路と、搬送路を移動中のガラス基板に対して、化学研磨液を噴射してガラス基板を薄型化する研磨処理部と、研磨処理部を通過して薄型化されたガラス基板に洗浄液を噴射して洗浄する洗浄処理部と、を有し、前記研磨処理部へのガラス基板の導入部には、ガラス基板の表面を軽く保持して回転する回転ローラと、研磨処理部の外側から前記回転ローラに向けて水を噴射する噴射部とが設けられた化学研磨装置を使用して、板厚を薄型化するガラス基板の製造方法でもある。
【発明の効果】
【００１２】
上記した本発明によれば、高品質な化学研磨処理を安全に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例に係る化学研磨装置を示す概略正面図である。
【図２】図１の化学研磨装置の排気ラインを説明する図面である。
【図３】一群の噴出パイプとクランク機構を説明する図面である。
【図４】クランク機構の動作を説明する図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。図１及び図２は、実施例に係る化学研磨装置１０を示す概略正面図である。なお、同一の化学研磨装置１０について、図１では、化学研磨液の給液ラインＬＮ１と洗浄水の給水ラインＬＮ２と回収ラインＬＮ３を示し、図２では、排気ラインＬＮ４を示している。
【００１５】
図示の通り、この化学研磨装置１０は、作業員によってガラス基板ＧＬが１枚ずつ搬入される搬入部１２と、搬入部１２から搬送されるガラス基板ＧＬを受け入れる前処理チャンバ１４と、ガラス基板ＧＬの上下面に化学研磨液を噴射してガラス基板を薄型化する第１処理チャンバ１６と、第１処理チャンバ１６と同一組成の化学研磨液をガラス基板の上下面に噴射してガラス基板を更に薄型化する第２処理チャンバ２２と、第１と第２の処理チャンバ１６，２２を連結する中継チャンバ１８と、第２処理チャンバ２２を経由したガラス基板ＧＬを水洗する水洗チャンバ２４と、作業員によって１枚ずつガラス基板ＧＬが搬出される搬出部２６と、を中心に構成されている。なお、中継チャンバ１８は、上下方向に小型化された第１中継チャンバ１８ａと、第２処理チャンバ２２の前面にほぼ同一形状で対面する第２中継チャンバ１８ｂとに区分されている。
【００１６】
そして、前処理チャンバ１４への導入口ＩＮと、水洗チャンバ２４からの導出口ＯＵＴと、クランク機構ＣＲの一部の作業空間とを除いて、各チャンバ１４，１６，１８，２２，２４は、全体として密閉されている。なお、導入口ＩＮ及び導出口ＯＵＴは、ガラス基板ＧＬの板厚よりやや高く、ガラス基板ＧＬの横幅よりやや広い矩形開口である。また、各部を貫通して、同一平面上に多数の搬送ローラ４２・・・４２が配置されて、ガラス基板ＧＬを図示右向きに搬送する搬送路が形成されている。
【００１７】
ここで、搬送速度は、２００〜８００ｍｍ／分に設定されるのが好ましく、より好ましくは、３００〜５５０ｍｍ／分に設定すべきである。そして、第１処理チャンバ１６と第２処理チャンバ２２での処理時間は、この実施例では合計１０分程度に設定されている。上記の範囲を超えて搬送速度が遅すぎると、生産効率が悪いだけでなく、化学研磨液がガラス基板上に滞留しやすく、均一な化学研磨が阻害される。一方、同一の装置規模において、搬送速度を高めるには、これを実現する液組成の最適化が難しく、結局、均質な化学研磨が実現できない。
【００１８】
化学研磨装置１０で薄型化処理されるガラス基板ＧＬは、特に限定されないが、１０００×１２００ｍｍ又は１１００×１３００ｍｍ以上の大型ガラス基板についても、その上下両面を均質に研磨できるよう構成されている。なお、ガラス基板の板厚は、本装置１０への導入時が、仮に１ｍｍ以下であれば、化学研磨後は、０．５ｍｍ程度まで薄型化することができる。
【００１９】
図１に示す通り、第１処理チャンバ１６、第２処理チャンバ２２、及び、中継チャンバ１８は、給液ラインＬＮ１を経由して、温度管理された処理液供給部３０に連通しており、処理液供給部３０の化学研磨液が、４０〜４２℃程度で各チャンバに供給されるようになっている。ここで、化学研磨液は、特に限定されないが、１０分程度の化学研磨処理で、板厚を全体で１００μｍ程度薄肉化するには、フッ酸５〜１２重量％、塩酸０〜６重量％、残り水の液組成とするのが好ましい。
【００２０】
また、前処理チャンバ１４、及び、水洗チャンバ２４は、給水ラインＬＮ２を経由して水供給部２８に連通しており、洗浄水が各チャンバに供給されるようになっている。なお、前処理チャンバ１４と水洗チャンバ２４から排出される洗浄排水は、そのまま排出される。
【００２１】
一方、第１処理チャンバ１６、中継チャンバ１８ａ，１８ｂ、及び、第２処理チャンバ２２の底部は、回収ラインＬＮ３を経由して処理液収容部３２に連通しており、研磨処理水が回収されるようになっている。なお、回収された研磨処理水は、反応生成物の沈殿その他の処理を経た上で、処理液供給部３０に送られ、送液モータ（不図示）によって各処理チャンバに供給されて再利用される。
【００２２】
図２に示す通り、前処理チャンバ１４と中継チャンバ１８ｂと水洗チャンバ２４は、排気ラインＬＮ４を経由して、排気部４０に連通しており、各チャンバの内部ガスが排気部４０に吸引されるようになっている。ここで、排気ラインＬＮ４は定常的に機能しているので、前処理チャンバ１４への導入口ＩＮ、水洗チャンバ２４からの導出口ＯＵＴ、クランク機構ＣＲの一部に形成される開口が、負圧状態に維持されることになり、これらの開口を通して処理ガスが漏出することはない。
【００２３】
第１処理チャンバ１６と、中継チャンバ１８と、第２処理チャンバ２２と、水洗チャンバ２４には、ガラス基板の搬送方向に延びる一群（６本）の噴射パイプが、搬送ローラ４２・・・４２の上下位置に配置されている。各噴射パイプＰｒｉ，Ｐｆｉ，Ｐｗｉは、塩化ビニルやテフロン（登録商標）による中空の樹脂パイプであり、一本の噴射パイプに、複数個の噴射口が一列に形成されている。そして、第１処理チャンバ１６、中継チャンバ１８、及び第２処理チャンバ２２に配置された上下の噴射パイプＰｒｉ，Ｐｆｉ，Ｐｒｉからは、ガラス基板の上面及び下面に向けて化学研磨液が噴射される。一方、水洗チャンバ２４に配置された噴射パイプＰｗｉからは、ガラス基板の上面及び下面に向けて洗浄水が噴射される。
【００２４】
中継チャンバ１８と水洗チャンバ２４に配置された噴射パイプＰｆｉ，Ｐｗｉは固定状態に保持されている。一方、第１処理チャンバ１６と第２処理チャンバ２２には、クランク機構ＣＲによって揺動する複数本の噴射パイプＰｒｉが配置されている。
【００２５】
先に説明した通り、本実施例では、第１処理チャンバ１６と第２処理チャンバ２２には、ガラス基板の上下に各々６本の噴射パイプＰｒｉ（Ｐｒ１〜Ｐｒ６）が配置されている。図３（Ａ）は、ガラス基板の下方に配置される噴射パイプＰｒ１〜Ｐｒ６を上方から描いた平面図であり、各噴射パイプＰｒｉには、例えば８個の噴出口ＨＯが形成されている。
【００２６】
各噴射パイプＰｒｉは、第１処理チャンバ１６と第２処理チャンバ２２の何れに配置される場合にも、その先端側（図示左側）が閉塞される一方、その基端側には、圧力制御部４４が設けられている。圧力制御部４４は、噴射パイプＰｒｉと同数（６個）の開閉バルブＶＡＬで構成され、各開閉バルブＶＡＬの開度を調整することで各噴射パイプＰｒｉに供給される化学研磨液の液圧が任意に設定できるようになっている。
【００２７】
この実施例では、周辺位置の噴射パイプＰｒ１，Ｐｒ６に比べて、中央位置の噴射パイプＰｒ３，Ｐｒ４の液圧がやや大きく設定されており、ガラス基板ＧＬの中央位置への接触圧や噴射量は、ガラス基板ＧＬの周辺位置への接触圧や噴射量よりやや高く設定されている。そのため、ガラス基板ＧＬの中央位置に噴射された化学研磨液は、ガラス基板の周辺位置に円滑に移動することになり、ガラス基板ＧＬ全面にほぼ等量の化学研磨液が作用することになり、結果として、ガラス基板ＧＬ全面が均一に研磨される。
【００２８】
また、各噴射パイプＰｒｉは、その両端が軸受などによって回転可能に軸支されることで、クランク機構ＣＲによって約±３０°揺動（oscillation）されるよう構成されている（図３（Ｃ）参照）。なお、図３（Ｃ）は、揺動角度を示したものであって、化学研磨液の噴射範囲を示すものではない。すなわち、噴射パイプＰｒｉの噴出口ＨＯからは、化学研磨液がラッパ状に噴出されるので、その噴射範囲は、揺動角度より広い。
【００２９】
クランク機構ＣＲは、図３（Ｂ）の概略正面図に示す通り、駆動モータＭＯと、クランク軸Ｃ１〜Ｃ３と、揺動棒Ｃ４と、上下２本の保持棒Ｃ５，Ｃ５とを中心に構成されている。２本の保持棒Ｃ５，Ｃ５は、搬送中のガラス基板ＧＬを挟んだ上下位置に配置され、各々、処理チャンバ１６，２２の前後方向（図１の紙面に直交する方向）に水平移動可能に保持されている。
【００３０】
なお、特に限定されるものではないが、クランク軸Ｃ１〜Ｃ３と、揺動棒Ｃ４は、第１と第２の処理チャンバ１６，２２の左側面板ＬＳの外側に配置され、噴射パイプＰｒｉの先端側が、左側面板ＬＳを貫通して伝達棒Ｔｒ１〜Ｔｒ６に接続されている。なお、左側面板ＬＳの貫通孔は、適切に封止されている。
【００３１】
クランク軸Ｃ２と、揺動棒Ｃ４は、各々、固定軸Ｏ１，Ｏ２によって回転可能に軸支されている。ここで、固定軸Ｏ１は、例えば、前処理チャンバ１４や中継チャンバ１８の天板によって保持され、固定軸Ｏ２は、各チャンバ１４，１８の前板によって保持されている。
【００３２】
そのため、クランク軸Ｃ２は、固定軸Ｏ１を回転中心として、処理チャンバ１６，２２の前後方向に揺動する。また、揺動棒Ｃ４についても、固定軸Ｏ２を回転中心として、処理チャンバ１６，２２の前後方向に揺動する。なお、揺動棒Ｃ４には、保持棒Ｃ５，Ｃ５との連結部に長孔が形成されることで、その揺動動作を可能にしている。
【００３３】
上下各６本の噴射パイプＰｒ１〜Ｐｒ６の閉塞先端側は、伝達棒Ｔｒ１〜Ｔｒ６を通して保持棒Ｃ５，Ｃ５に接続されている。先に説明した通り、各噴射パイプＰｒ１〜Ｐｒ６は、軸受などによって回転可能に保持され、伝達棒Ｔｒ１〜Ｔｒ６は、保持棒Ｃ５の突出軸Ｏ３によって軸支されている。したがって、保持棒Ｃ５，Ｃ５の前後方向の水平移動に対応して、噴射パイプＰｒ１〜Ｐｒ６が、その円周方向に揺動することになる。
【００３４】
図４は、上側の噴射パイプＰｒ１〜Ｐｒ６と、下側の噴射パイプＰｒ１〜Ｐｒ６の揺動動作を示す図面であり、固定軸Ｏ１を回転中心として、クランク軸Ｃ１が揺動する一方、固定軸Ｏ２を回転中心として、揺動棒Ｃ４が揺動する状態が示されている。そして、揺動棒Ｃ４の揺動に対応して、保持棒Ｃ５，Ｃ５が水平方向に往復移動し、これに対応して、回転可能に軸支された上下の噴射パイプＰｒ１〜Ｐｒ６が約±３０°回転している。なお、駆動モータＭＯの回転数は、噴射パイプＰｒｉの揺動回数を規定するが、駆動モータの回転数は、１０〜３０ｒｐｍ程度が好適である。
【００３５】
上側の噴射パイプＰｒ１〜Ｐｒ６には、その下面に噴射口が形成され、下側の噴射パイプＰｒ１〜Ｐｒ６には、その上面に噴射口が形成されているので、各噴射口は、約±３０°回転しつつ、化学研磨液をガラス基板の上下面に噴射することになる（図３（Ｃ）参照）。
【００３６】
ところで、本実施例では、同一の液組成によって同様の化学研磨を実行する処理チャンバ１６，２２を敢えて二分している。それは、噴射パイプＰｒ１〜Ｐｒ６の長さを抑制することで、噴射パイプの撓みを防止し、且つ、噴射パイプを円滑に揺動させてガラス基板との距離を均一に維持するためである。噴射パイプＰｒｉの長さは、パイプ径（送液量）にも関係するが、一般的には、２．５ｍ以下、好ましくは２ｍ以下に抑制するのが好ましい。
【００３７】
高速でガラス基板を化学研磨するためには、加温状態の化学研磨液の送液量を増加させる必要があるところ、噴射パイプＰｒの長さを適切な長さに抑制することで、駆動モータＭＯをそれほど大型化することなく、且つ、簡単な機構で、複数の噴射パイプＰｒ１〜Ｐｒ６を円滑に揺動させることができる。
【００３８】
なお、本実施例の構成とは異なり、第１処理チャンバ１６と第２処理チャンバ２２とをまとめた単一チャンバを設けることも考えられるが、例え、適正長さ（２．５ｍ以下）の噴射パイプを使用したとしても本実施例と同等の円滑な動作は望めない。すなわち、単一チャンバを使用する場合には、その左側面板と右側面板に近接して各々クランク機構を設け、各クランク機構を別々の駆動モータＭＯで駆動するしかないが、各噴射パイプの基端部は、単一チャンバの中央部に位置するので、この基端部の回転可能に保持するのは容易でない。また、噴射パイプの基端部に圧力制御部４４を設けることも困難である。
【００３９】
続いて、前処理チャンバ１４の構成について説明する。前処理チャンバ１４には、第１処理チャンバに近接して、噴射パイプＰｒｉを揺動させるクランク機構ＣＲが配置されることは前記した通りである。上記の構成に加えて、前処理チャンバ１４には、第１処理チャンバ１６へのガラス基板ＧＬの導入口に、ガラス基板ＧＬを受入れる回転ローラ４３と、ガラス基板ＧＬの上下面に水を噴射する水洗ノズルＮＺ１，ＮＺ２とが配置されている。ここで、ガラス基板ＧＬは、回転ローラ４３と搬送ローラ４２に、柔らかく保持されて第１処理チャンバ１６に導入されるよう接触圧が設定されている。
【００４０】
また、水洗ノズルＮＺ１，ＮＺ２は、ガラス基板ＧＬの第１処理チャンバ１６への導入口に向けて、水を噴射するよう設定されている。そのため、第１処理チャンバ１６に導入されたガラス基板は、十分に濡れた状態であり、不均質な初期エッチングが防止される。すなわち、第１処理チャンバ１６は、フッ酸ガス雰囲気であるので、もし、ガラス基板の表面がドライ状態であると、フッ酸ガスによって不均質に侵蝕される危険があるが、本実施例では、ガラス基板の表面が水で保護されているので、その後、第１処理チャンバ１６において均質なエッチングが開始される。
【００４１】
また、本実施例では、水洗ノズルＮＺ１，ＮＺ２から、回転ローラ４３や搬送ローラ４２に向けて勢い良く水が噴射されているので、第１処理チャンバ１６のガラス基板導入口が水封止されることになり、化学研磨液の前処理チャンバ１４への漏出が防止される。なお、本実施例のような構成を採らない場合には、前処理チャンバ１４に漏出する化学研磨液によって、ドライ状態のガラス基板が修復不能にエッチングされてしまう。なお、化学研磨液の前処理チャンバ１４への漏出を防止するべく、回転ローラ４３や搬送ローラ４２のガラス基板への接触圧を高めると、ガラス基板が傷つき白濁するなどの弊害が生じる。
【００４２】
続いて、中継チャンバ１８について説明する。先に説明した通り、中継チャンバ１８には、固定状態の噴射パイプＰｆｉが搬送路の上下位置に配置されている。そして、一群（６本）の噴射パイプＰｆｉからガラス基板の上下面に化学研磨液が噴射される。本実施例では、特に中継チャンバを設けているが、その理由は、(1)第１処理チャンバ１６の噴射パイプＰｒｉの基端側を適切に軸支するため、(2)圧力制御部４４の配置スペースを確保するため、(3)第２処理チャンバ２２のクランク機構ＣＲの配置スペースを確保するためなどである。
【００４３】
ここで、中継チャンバ１８を、ガラス研磨処理における空スペースとすることも考えられるが、本実施例では敢えて、この中継チャンバ１８でも、同一組成の化学研磨液をガラス基板に噴射している。そのため、中継チャンバ１８の通過時において化学研磨液がガラス基板上に滞留するおそれがなく、高品質のガラス研磨が実現される。なお、中継チャンバの噴射パイプＰｆｉは、固定状態であるが、これを揺動させる構成を採っても良いのは勿論である。
【００４４】
中継チャンバ１８を通過したガラス基板は第２処理チャンバ２２に移動して更に化学研磨される。そして、二段階の化学研磨を終えたガラス基板は、第２処理チャンバの出口に配置されたエアナイフＫＮ１によって液切り処理が行われた後、水洗チャンバ２４に配置された一群（６本）の噴射パイプＰｗｉから受ける洗浄水によって洗浄される。洗浄用の噴射パイプＰｗｉは、固定状態であるが、これを揺動させる構成を採っても良い。
【００４５】
いずれにしても、洗浄処理の最終段には、エアナイフＫＮ２，ＫＮ３が配置されており、そこから噴射されるエアーによってガラス基板の上下面が迅速に乾燥される。そして、水洗チャンバ２４の導出口ＯＵＴから排出されたガラス基板は、搬出部２６に待機する作業員によって取り出され、一連の加工処理が完了する。
【００４６】
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、具体的な記載内容は特に本発明を限定するものではない。
【符号の説明】
【００４７】
ＧＬ            ガラス基板
１６，２２      研磨処理部
２４            洗浄処理部
１０            化学研磨装置
４３            回転ローラ
ＮＺ１，ＮＺ２  噴射部
【図１】
2012166971.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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