(57)【要約】【課題】両面に回路部を有する回路基板がアイランドに搭載されたものを、モールド樹脂で封止してなるモールドパッケージにおいて、回路基板の他面のはみ出し部に設けられている回路部に対して、モールド樹脂から加わる応力を低減する。【解決手段】両面１１、１２に回路部１３、１４が設けられた回路基板１０の他面１２側を接着材３０を介してアイランド２０に接続し、これらがモールド樹脂４０により封止されており、接着材３０の平面サイズは回路基板１０の他面１２よりも小さく、回路基板１０の他面１２における接着材３０の外郭よりもはみ出しているはみ出し部１２ａでは、モールド樹脂４０に対する密着力が回路基板１０および回路部１３、１４よりも低い低密着力層７０が、はみ出し部１２ａに設けられている回路部１４を被覆するように設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１１）および他面（１２）に回路部（１３、１４）が設けられた回路基板（１０）と、
前記回路基板（１０）の他面（１２）側にて接着材（３０）を介して前記回路基板（１０）に接続されて前記回路基板（１０）を支持するアイランド（２０）と、を備え、
前記回路部（１３、１４）を含む前記回路基板（１０）の両面（１１、１２）、および、前記アイランド（２０）がモールド樹脂（４０）により封止されているモールドパッケージであって、
前記接着材（３０）の平面サイズは前記回路基板（１０）の他面（１２）よりも小さく、前記回路基板（１０）の他面（１２）には、前記接着材（３０）の外郭よりもはみ出しているはみ出し部（１２ａ）が存在しており、
前記回路基板（１０）の他面（１２）の前記はみ出し部（１２ａ）では、前記モールド樹脂（４０）に対する密着力が前記回路基板（１０）および前記回路部（１３、１４）よりも低い低密着力層（７０）が、当該はみ出し部（１２ａ）に設けられている前記回路部（１４）を被覆するように設けられており、
この低密着力層（７０）を介して、前記回路基板（１０）の他面（１２）の前記はみ出し部（１２ａ）に設けられている前記回路部（１４）が、前記モールド樹脂（４０）により封止されていることを特徴とするモールドパッケージ。
【請求項２】
前記低密着力層（７０）は、前記モールド樹脂（４０）に対する密着力が前記回路基板（１０）および前記回路部（１３、１４）よりも低いものであるとともに、前記モールド樹脂（４０）と前記低密着力層（７０）との密着力が、前記回路基板（１０）および前記回路部（１３、１４）と前記低密着力層（７０）との密着力よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。
【請求項３】
前記低密着力層（７０）と前記モールド樹脂（４０）との界面では、前記低密着力層（７０）と前記モールド樹脂（４０）とが剥離していることを特徴とする請求項１または２に記載のモールドパッケージ。
【請求項４】
前記回路基板（１０）の他面（１２）の前記はみ出し部（１２ａ）では、当該はみ出し部（１２ａ）に設けられている前記回路部（１４）は、保護層（８０）により封止されており、
この保護層（８０）を前記低密着力層（７０）が被覆していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
【請求項５】
前記回路基板（１０）における前記一面（１１）と前記他面（１２）の前記はみ出し部（１２ａ）に設けられた前記低密着力層（７０）との間に位置する前記回路基板（１０）の表面には、前記モールド樹脂（４０）に対する密着力が前記回路基板（１０）よりも高い密着付与剤（９０）が塗布されており、
当該密着付与剤（９０）が塗布された表面は、この密着付与剤（９０）を介して前記モールド樹脂（４０）に封止されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
【請求項６】
前記回路基板（１０）における前記一面（１１）では、ワイヤボンディングにより形成されたボンディングワイヤ（６０）が当該一面（１１）に接続されており、
前記密着付与剤（９０）は、前記回路基板（１０）における前記一面（１１）における前記ボンディングワイヤ（６０）との接続部と前記他面（１２）の前記はみ出し部（１２ａ）に設けられた前記低密着力層（７０）との間に位置する前記回路基板（１０）の表面に、設けられていることを特徴とする請求項５に記載のモールドパッケージ。
【請求項７】
前記アイランド（２０）は、前記回路基板（１０）よりも平面サイズが小さいものであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面に回路部を有する回路基板がアイランドに搭載されたものを、モールド樹脂で封止してなるモールドパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体チップをアイランドに搭載したものをモールド樹脂で封止してなるモールドパッケージとして、アイランドサイズを半導体チップのサイズよりも小さくし、アイランドの熱膨張収縮を小さくすることで、応力を低減し、樹脂クラックの発生を抑制するようにしたものが提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３５４１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者は、上記特許文献１に記載された技術を応用して、両面に電子部品や配線などの回路部が設けられた回路基板を、当該回路基板よりも平面サイズの小さいアイランドに支持させ、これをモールド樹脂で封止してなるモールドパッケージについて、検討を行った。
【０００５】
この場合、両面に回路部を有する回路基板の他面側にアイランドを設け、接着材を介して当該回路基板の他面とアイランドとを接続する。ここで、回路基板の他面のうち接着材と接触しない部位、すなわち、回路基板の他面のうち接着材の外郭よりもはみ出している部位であるはみ出し部については、当該はみ出し部はモールド樹脂に直接接触して封止されることになる。
【０００６】
すると、この回路基板の他面のはみ出し部には、温度変化などに起因するモールド樹脂の応力が加わることになる。ここで、この回路基板の他面のはみ出し部に回路部が設けられている場合、当該モールド樹脂の応力により、当該回路部が損傷し、回路特性が変動するという問題が起こりうる。
【０００７】
なお、このような問題は、アイランドが回路基板の平面サイズよりも小さい場合だけでなく、アイランドが回路基板の平面サイズと同等もしくはそれ以上の場合であっても、回路基板とアイランド間に介在する接着材の平面サイズが回路基板の他面よりも小さいときには、共通して起こり得る。
【０００８】
つまり、接着材の平面サイズが回路基板の他面よりも小さい場合、回路基板の他面には、接着材の外郭よりもはみ出しているはみ出し部が存在する。そして、このはみ出し部に回路部が設けられていれば、モールド樹脂からの応力が加わることになるため、この場合においても、上記同様の問題が発生すると考えられるのである。
【０００９】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、両面に回路部を有する回路基板がアイランドに搭載されたものを、モールド樹脂で封止してなるモールドパッケージにおいて、回路基板の他面のはみ出し部に設けられている回路部に対して、モールド樹脂から加わる応力を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１１）および他面（１２）に回路部（１３、１４）が設けられた回路基板（１０）と、回路基板（１０）の他面（１２）側にて接着材（３０）を介して回路基板（１０）に接続されて回路基板（１０）を支持するアイランド（２０）と、を備え、回路部（１３、１４）を含む回路基板（１０）の両面（１１、１２）、および、アイランド（２０）がモールド樹脂（４０）により封止されているモールドパッケージであって、以下のような特徴を有する。
【００１１】
つまり、請求項１のモールドパッケージでは、接着材（３０）の平面サイズは回路基板（１０）の他面（１２）よりも小さく、回路基板（１０）の他面（１２）には、接着材（３０）の外郭よりもはみ出しているはみ出し部（１２ａ）が存在しており、回路基板（１０）の他面（１２）のはみ出し部（１２ａ）では、モールド樹脂（４０）に対する密着力が回路基板（１０）および回路部（１３、１４）よりも低い低密着力層（７０）が、当該はみ出し部（１２ａ）に設けられている回路部（１４）を被覆するように設けられており、この低密着力層（７０）を介して、回路基板（１０）の他面（１２）のはみ出し部（１２ａ）に設けられている回路部（１４）が、モールド樹脂（４０）により封止されていることを特徴とする。
【００１２】
それによれば、モールド樹脂（４０）からの応力が低密着力層（７０）に加わったとき、低密着力層（７０）とモールド樹脂（４０）との界面では、密着力が低くなり、ひいては当該両者の剥離が生じるから、結果的に、回路基板（１０）の他面（１２）のはみ出し部（１２ａ）に設けられている回路部（１４）に対して、モールド樹脂（４０）から加わる応力を低減することができる。
【００１３】
また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載のモールドパッケージにおいて、低密着力層（７０）は、モールド樹脂（４０）に対する密着力が回路基板（１０）および回路部（１３、１４）よりも低いものであるとともに、モールド樹脂（４０）と低密着力層（７０）との密着力が、回路基板（１０）および回路部（１３、１４）と低密着力層（７０）との密着力よりも小さいことを特徴とする。
【００１４】
それによれば、回路基板（１０）の他面（１２）のはみ出し部（１２ａ）において、低密着力層（７０）にモールド樹脂（４０）から応力が加わっても、低密着力層（７０）と回路基板（１０）および回路部（１４）との界面よりも先に、低密着力層（７０）とモールド樹脂（４０）との界面にて剥離が発生しやすくなり、好ましい。
【００１５】
また、請求項３に記載の発明では、請求項１または請求項２に記載のモールドパッケージにおいて、低密着力層（７０）とモールド樹脂（４０）との界面では、低密着力層（７０）とモールド樹脂（４０）とが剥離していることを特徴とする。
【００１６】
このように、予め、低密着力層（７０）とモールド樹脂（４０）とが剥離していてもよく、それにより、回路基板（１０）の他面（１２）のはみ出し部（１２ａ）に設けられている回路部（１４）に対して、モールド樹脂（４０）から加わる応力を低減することができる。
【００１７】
また、請求項４に記載の発明では、請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載のモールドパッケージにおいて、回路基板（１０）の他面（１２）のはみ出し部（１２ａ）では、当該はみ出し部（１２ａ）に設けられている回路部（１４）は、保護層（８０）により封止されており、この保護層（８０）を低密着力層（７０）が被覆していることを特徴とする。
【００１８】
それによれば、回路基板（１０）の他面（１２）のはみ出し部（１２ａ）に設けられている回路部（１４）の保護を保護層（８０）により行うことができ、低密着力層（７０）は、当該保護の機能には関わらず、低密着力の機能のみを発揮すればよくなるため、低密着力層（７０）の材料の制約が緩和される。
【００１９】
また、請求項５に記載の発明では、請求項１ないし請求項４のいずれか１つに記載のモールドパッケージにおいて、回路基板（１０）における一面（１１）と他面（１２）のはみ出し部（１２ａ）に設けられた低密着力層（７０）との間に位置する回路基板（１０）の表面には、モールド樹脂（４０）に対する密着力が回路基板（１０）よりも高い密着付与剤（９０）が塗布されており、当該密着付与剤（９０）が塗布された表面は、この密着付与剤（９０）を介してモールド樹脂（４０）に封止されていることを特徴とする。
【００２０】
それによれば、回路基板（１０）の表面のうち密着付与剤（９０）が存在する部位では、回路基板（１０）とモールド樹脂（４０）との密着は強固なものとなるから、低密着力層（７０）による回路基板（１０）の他面（１２）側のモールド樹脂（４０）の剥離が、回路基板（１０）の一面（１１）へ進展するのを防止することができる。
【００２１】
また、請求項６に記載の発明では、請求項５に記載のモールドパッケージにおいて、回路基板（１０）における一面（１１）では、ワイヤボンディングにより形成されたボンディングワイヤ（６０）が当該一面（１１）に接続されており、密着付与剤（９０）は、回路基板（１０）における一面（１１）におけるボンディングワイヤ（６０）との接続部と他面（１２）のはみ出し部（１２ａ）に設けられた低密着力層（７０）との間に位置する回路基板（１０）の表面に、設けられていることを特徴とする。
【００２２】
それによれば、モールド樹脂（４０）の剥離進展によるボンディングワイヤ（６０）の断線等が防止できる。
【００２３】
また、請求項７に記載の発明のように、請求項１ないし請求項６のいずれか１つに記載のモールドパッケージにおいては、アイランド（２０）は、回路基板（１０）よりも平面サイズが小さいものであるものにできる。
【００２４】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１実施形態に係るモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係るモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係るモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。
【図４】本発明の第４実施形態に係るモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。
【図５】上記第４実施形態の他の例としてのモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。
【図６】本発明の第５実施形態に係るモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。
【図７】本発明の他の実施形態としてのモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２７】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。このモールドパッケージは、たとえば車両に搭載される電子装置などとして適用される。
【００２８】
本実施形態のモールドパッケージは、大きくは、両面１１、１２に回路部１３、１４が設けられた回路基板１０と、回路基板１０の他面１２側にて接着材３０を介して回路基板１０に接続されて回路基板１０を支持するアイランド２０と、を備え、これら回路部１３、１４を含む回路基板１０の両面１１、１２、および、アイランド２０がモールド樹脂４０により封止されてなるものである。
【００２９】
回路基板１０は、樹脂基板やセラミック基板などよりなるものであり、単層、多層を問わない。たとえば回路基板１０は典型的な矩形板状をなす。この回路基板１０は一方の板面（図１中の上面）１１を一面１１、他方の板面（図１中の下面）１２を他面１２とするものである。
【００３０】
回路基板１０の一面１１には、回路部としての半導体チップ１３が搭載されている。この半導体チップ１３は、たとえばトランジスタ素子やチップコンデンサ、チップ抵抗などである。また、回路基板１０の他面１２には、回路部としての抵抗体１４が搭載されている。この抵抗体１４は、たとえば酸化ルテニウムなどの厚膜抵抗よりなるものである。
【００３１】
ここで、回路部とは、回路基板１０における回路を構成するもので、これら半導体チップ１３や抵抗体１４に限らず、回路基板１０の各面１１、１２に実装されるものであればよく、たとえば、上記以外の表面実装部品やスルーホール実装部品などの電子部品であってもよい。また、回路部は、当該電子部品以外にも、回路基板１０の一面１１、他面１２にそれぞれ形成された表面配線も含むものである。
【００３２】
図１では、この表面配線は示されていないが、回路基板１０の一面１１、他面１２には、メッキや厚膜導体などにより形成された表面配線が形成されている。そして、回路基板１０においては、当該両面１１、１２に形成されている上記表面配線を含む回路部１３、１４は、たとえば回路基板１０の内部に形成されたスルーホールなどを介して、互いに電気的に接続されて回路を形成している。
【００３３】
また、アイランド２０は、回路基板１０の他面１２側に設けられ、接着材３０を介して回路基板１０に接続されて回路基板１０を支持する。このアイランド２０は、銅や４２アロイなどよりなる板材であり、ここでは、矩形板状である回路基板１０よりも一回り小さく平面サイズが小さい矩形板状をなしている。
【００３４】
そして、図１に示されるように、回路部１３、１４を含む回路基板１０の両面１１、１２、および、アイランド２０は、モールド樹脂４０により封止されている。ここでは、アイランド２０の全体がモールド樹脂４０で封止されている。
【００３５】
このモールド樹脂４０は、たとえばエポキシ樹脂などの一般的なモールド材料よりなるもので、たとえばトランスファーモールド法やポッティングなどにより成形されるものである。
【００３６】
また、本実施形態では、図１に示されるように、回路基板１０の外側には、銅や４２アロイなどよりなるリード５０が設けられている。このリード５０は、そのインナーリードがモールド樹脂４０に封止され、アウターリードがモールド樹脂４０より突出しているものである。
【００３７】
ここでは、モールド樹脂４０内にてリード５０と回路基板１０とが、ワイヤボンディングなどにより形成された金やアルミニウムなどのボンディングワイヤ６０により電気的に接続されている。そして、回路基板１０からの信号は上記アウターリードにてモールド樹脂４０の外部に取りだされるようになっている。
【００３８】
また、上述したように、アイランド２０は、回路基板１０の他面１２側に設けられ、接着材３０を介して回路基板１０に接続されているが、この接着材３０は、たとえばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などよりなる一般的な接着剤である。
【００３９】
ここで、接着材３０は、平面矩形状に配置されるが、アイランド２０からはみ出すのを防止するべく、その平面サイズがアイランド２０よりも一回り小さなものとされている。それゆえ、当然ながら、接着材３０の平面サイズは回路基板１０の他面１２よりも小さいものとされている。
【００４０】
そして、図１に示されるように、本実施形態では、回路基板１０の他面１２には、接着材３０の外郭よりもはみ出している部位であるはみ出し部１２ａが存在する。そして、この回路基板１０の他面１２のはみ出し部１２ａにも、回路部としての抵抗体１４および図示しない上記表面配線が設けられている。
【００４１】
ここで、本実施形態では、図１に示されるように、回路基板１０の他面１２のはみ出し部１２ａでは、当該はみ出し部１２ａに設けられている回路部としての抵抗体１４および上記表面配線が、低密着力層７０により被覆されている。
【００４２】
この低密着力層７０は、モールド樹脂４０に対する密着力が回路基板１０および回路部１３、１４よりも低いものである。このことは、具体的には、回路基板１０の表面および回路部１３、１４の表面とモールド樹脂４０とが直接接して密着している場合と、低密着力層７０とモールド樹脂４０とが直接接して密着している場合とでは、後者の場合の方がモールド樹脂４０が引っ張りに弱く剥離しやすいことである。
【００４３】
ここでは、低密着力層７０は、回路基板１０の他面１２のうち当該他面１２の端部およびその近傍部を除く部位に設けられている。つまり、低密着力層７０は、回路基板１０の他面１２よりも一回り小さな矩形状の層として配置されている。
【００４４】
そして、この低密着力層７０を介して、回路基板１０の他面１２のはみ出し部１２ａに設けられている抵抗体１４が、モールド樹脂４０により封止されている。つまり、抵抗体１４は、モールド樹脂４０により被覆され封止されているが、抵抗体１４とモールド樹脂４０との間には低密着力層７０が介在している。
【００４５】
この低密着力層７０は、たとえばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂などよりなり、回路基板１０の他面１２に塗布・硬化することで形成されるものである。エポキシ樹脂の場合は、モールド樹脂４０とは別種類の成分を変えたエポキシ樹脂とすることで、モールド樹脂４０よりも回路基板１０および回路部１３、１４との密着力が低いものとしている。
【００４６】
このようなモールドパッケージは、各回路部１３、１４および低密着力層７０が形成された回路基板１０を、接着材３０を介してアイランド２０に接続し、回路基板１０とリード５０との間をワイヤボンディングで接続した後、このものをモールド樹脂４０で封止することにより製造される。
【００４７】
ところで、本実施形態のモールドパッケージによれば、温度変化に伴うモールド樹脂４０の膨張・収縮によってモールド樹脂４０からの応力が低密着力層７０に加わったとき、低密着力層７０とモールド樹脂４０との界面では、密着力が低くなり、ひいては当該両者の剥離が生じる。
【００４８】
つまり、本実施形態では、低密着力層７０を介して、回路基板１０の他面１２のはみ出し部１２ａに設けられている回路部としての抵抗体１４を、モールド樹脂４０により封止し、モールド樹脂４０から低密着力層７０に加わる応力により、低密着力層７０とモールド樹脂４０とを剥離させるようにしている。
【００４９】
そのため、結果的に、本実施形態によれば、回路基板１０の他面１２のはみ出し部１２ａに設けられている回路部１４に対して、モールド樹脂４０から加わる応力を低減することができる。
【００５０】
なお、従来より、モールド樹脂で封止される回路基板の表面に応力緩和層を設けてモールド樹脂からの応力を緩和する考えがあるが、この場合には、モールド樹脂と応力緩和層との剥離を防止するべく当該両者の密着力は確保するものであった。
【００５１】
それに対して、本実施形態は、積極的に密着力の低い低密着力層７０を用い、ひいてはモールド樹脂４０との間で剥離を起こすようにすることで、結果的に、モールド樹脂４０の応力が回路基板１０の他面１２に印加されないようにしたものであり、従来とは、まったく異なる考えに着目してなされたものである。
【００５２】
また、本実施形態では、低密着力層７０は、モールド樹脂４０に対する密着力が回路基板１０および回路部１３、１４よりも低いものであるが、さらに、好ましくは、モールド樹脂４０と低密着力層７０との密着力が、回路基板１０および回路部１３、１４と低密着力層７０との密着力よりも小さいことが望ましい。
【００５３】
それによれば、回路基板１０の他面１２のはみ出し部１２ａにおいて、低密着力層７０にモールド樹脂４０からの引っ張り応力が加わっても、低密着力層７０と回路基板１０および抵抗体１４との界面よりも先に、低密着力層７０とモールド樹脂４０との界面にて剥離が発生しやすくなる。つまり、上記した低密着力層７０とモールド樹脂４０との剥離が発生しやすくなり、好ましい。
【００５４】
また、上述したように、アイランド２０としては、銅や４２アロイなどを採用できるが、好ましくは銅よりも４２アロイを採用する方が望ましい。これは、銅よりも４２アロイの方が、線膨張係数が小さいので、モールド樹脂４０の応力によってアイランド２０が変形しにくいから、低密着力層７０に加わるモールド樹脂４０の応力が小さくなり、低密着力層７０とモールド樹脂４０との剥離を抑制できるためである。
【００５５】
仮に、熱膨張・収縮によるアイランド２０の変形が大きいと、その変形により、モールド樹脂４０に発生する応力が大きくなる。このことは、低密着力層７０とモールド樹脂４０との剥離を促進し、望ましくない。その点、アイランド２０を４２アロイとすれば、そのような問題は極力回避できる。
【００５６】
（第２実施形態）
図２は、本発明の第２実施形態に係るモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。ここでは、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００５７】
図２に示されるように、本実施形態では、回路基板１０の他面１２のはみ出し部１２ａでは、当該はみ出し部１２ａに設けられている回路部１４は、保護層８０により封止されている。この保護層８０は、低密着力層７０とは異なる材料よりなるもので、たとえばアクリル樹脂やガラスなどよりなり、塗布・硬化により形成されるものである。
【００５８】
そして、保護層８０の上に低密着力層７０が設けられ、保護層８０は低密着力層７０により被覆されている。つまり、本実施形態では、回路基板１０の他面１２のはみ出し部１２ａでは、当該はみ出し部１２ａに設けられている回路部としての抵抗体１４および上記表面配線が、低密着力層７０により被覆されているが、この回路部は保護層８０を介して低密着力層７０に被覆されている。
【００５９】
そして、本実施形態によれば、回路基板１０の他面１２のはみ出し部１２ａに設けられている回路部としての抵抗体１４の保護を保護層８０により行うことができる。そして、低密着力層７０は、当該保護の機能には関わらず、低密着力の機能のみを発揮すればよくなる。つまり、保護層８０と低密着力層７０とで役割が分担されるため、低密着力層７０の材料の制約が緩和される。
【００６０】
また、本実施形態では、回路基板１０の他面１２のはみ出し部１２ａに保護層８０を形成した後、その上に低密着力層７０を形成するので、当該保護層８０により、当該はみ出し部１２ａ上の回路部１４により凹凸が平坦化される。そのため、低密着力層７０としては、上記第１実施形態と同様の樹脂を成形してなるシートを用い、当該シートを保護層８０に貼り付けたものとしてもよい。
【００６１】
（第３実施形態）
図３は、本発明の第３実施形態に係るモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。ここでは、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００６２】
図３に示されるように、本実施形態では、回路基板１０の他面１２のはみ出し部１２ａにおける低密着力層７０とモールド樹脂４０との界面では、低密着力層７０とモールド樹脂４０とが剥離している。図３では、この剥離部分Ｋは、太い実線Ｋで示している。
【００６３】
このような剥離部分Ｋを有する構成は、上記第１実施形態でも実現できることは明らかであるが、より剥離を促進するためには、たとえば製造工程において、低密着力層７０を形成した後、その表面に、さらにモールド樹脂４０との密着力を低下させる処理（密着力低下処理）を行えばよい。
【００６４】
具体的に、この密着力低下処理としては、低密着力層７０の表面にシロキサンなどのＳｉを含むガスを吹き付けたり、シロキサンなどのＳｉを含む液体を塗布すればよい。それにより、モールド樹脂４０による封止後の出来上がりの状態において、低密着力層７０とモールド樹脂４０とが剥離した状態を実現しやすい。
【００６５】
このように、本実施形態では、予め、低密着力層７０とモールド樹脂４０とが剥離した構成としているので、回路基板１０の他面１２のはみ出し部１２ａに設けられている回路部としての抵抗体１４に対して、モールド樹脂４０から加わる応力を低減することができる。
【００６６】
なお、本実施形態は、上記はみ出し部１２ａにおける低密着力層７０とモールド樹脂４０との界面にて、低密着力層７０とモールド樹脂４０とを剥離させた構成であるから、上記第１実施形態以外にも、上記第２実施形態とも組み合わせることが可能であることはもちろんである。
【００６７】
（第４実施形態）
図４は、本発明の第４実施形態に係るモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。ここでは、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００６８】
図４に示されるように、回路基板１０における一面１１と他面１２のはみ出し部１２ａに設けられた低密着力層７０との間に位置する回路基板１０の表面には、密着付与剤９０が塗布されている。
【００６９】
この密着付与剤９０は、モールド樹脂４０に対する密着力が回路基板１０よりも高いものであり、たとえばポリイミドアミド等の樹脂よりなる。このような樹脂よりなる密着付与剤９０はたとえば塗布・硬化により形成される。そして、密着付与剤９０が塗布されている回路基板１０の表面は、密着付与剤９０を介してモールド樹脂４０により封止されている。
【００７０】
つまり、この密着付与剤９０が塗布されている回路基板１０の表面は、密着付与剤９０が塗布されていない回路基板１０の表面よりも、モールド樹脂４０との密着力が大きく、剥離しがたいものとなっている。
【００７１】
図４では、回路基板１０における一面１１と他面１２との間の側面に、密着付与剤９０が塗布されており、当該側面は、この密着付与剤９０を介してモールド樹脂４０に封止されている。そのため、当該側面とモールド樹脂４０との密着力が、当該側面以外の部位とモールド樹脂４０との界面に比べて大きく、剥離しにくくなっている。
【００７２】
特に、図４では、回路基板１０における一面１１では、ワイヤボンディングにより形成されたボンディングワイヤ６０が当該一面１１に接続されている。そして、この回路基板１０における一面１１におけるボンディングワイヤ６０との接続部と、回路基板１０における他面１２のはみ出し部１２ａに設けられた低密着力層７０との間に位置する回路基板１０の表面に、密着付与剤９０が設けられている。そのため、モールド樹脂４０の剥離進展によるボンディングワイヤ６０の断線等が防止できる。
【００７３】
本実施形態によれば、回路基板１０の表面のうち密着付与剤９０が存在する部位、ここでは回路基板１０の側面では、回路基板１０とモールド樹脂４０との密着は強固なものとなるから、低密着力層７０による回路基板１０の他面１２側のモールド樹脂４０の剥離が、回路基板１０の側面から一面１１へ進展するのを防止することができる。
【００７４】
図５は、本第４実施形態の他の例としてのモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。
【００７５】
上記図４の例では、回路基板１０における一面１１と他面１２との間の側面に密着付与剤９０が塗布されていたが、当該密着付与剤９０は、回路基板１０における一面１１と他面１２のはみ出し部１２ａに設けられた低密着力層７０との間に位置する回路基板１０の表面に設けられればよく、当該側面以外の部位に形成されていてもよい。
【００７６】
たとえば、図５では、回路基板１０の他面１２の端部の近傍部には、低密着力層７０が設けられていないので、密着付与剤９０は当該近傍部に設けられ、回路基板１０の側面には設けられていない。
【００７７】
そして、この場合でも、当該密着力層７０の存在する部位では、モールド樹脂４０が剥離しがたいから、低密着力層７０による回路基板１０の他面１２側のモールド樹脂４０の剥離が、回路基板１０の側面から一面１１へ進展するのを防止することができる。
【００７８】
なお、本実施形態は、回路基板１０における一面１１と他面１２のはみ出し部１２ａに設けられた低密着力層７０との間に位置する回路基板１０の表面に、密着付与剤９０を塗布した構成であるから、上記第１実施形態以外にも、上記第２実施形態、上記第３実施形態とも組み合わせることが可能であることはもちろんである。
【００７９】
（第５実施形態）
図６は、本発明の第５実施形態に係るモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。ここでは、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００８０】
上記第１実施形態では、アイランド２０が回路基板１０の平面サイズよりも小さい場合であったが、本実施形態は、図６に示されるように、アイランド２０の平面サイズを回路基板１０の平面サイズと同等もしくはそれ以上としたものである。
【００８１】
この場合でも、図６に示されるように、接着材３０の平面サイズが回路基板１０の他面１２よりも小さく、回路基板１０の他面１２には、接着材３０の外郭よりもはみ出しているはみ出し部１２ａが存在する。そして、このはみ出し部１２ａは、モールド樹脂４０により封止される。
【００８２】
これは、上記第１実施形態に述べたように、接着材３０は、アイランド２０からはみ出すのを防止するべく、その平面サイズがアイランド２０よりも一回り小さなものとして配置されるためである。
【００８３】
そして、このはみ出し部１２ａに回路部、ここでは抵抗体１４および図示しない表面配線が設けられている。そのため、本実施形態においても、このはみ出し部１２ａの回路部１４には、モールド樹脂４０からの応力が加わることになる。
【００８４】
その点、図６に示されるように、本実施形態においても、この回路基板１０の他面１２のはみ出し部１２ａでは、当該はみ出し部１２ａに設けられている回路部としての抵抗体１４および上記表面配線が、低密着力層７０により被覆されているから、上記第１実施形態と同様、当該回路部１４に対して、モールド樹脂４０から加わる応力を低減することができるのである。
【００８５】
また、本実施形態は、アイランド２０は回路基板１０の平面サイズと同等以上であるものの、接着材３０よりはみ出している回路基板１０の他面１２のはみ出し部１２ａでは、上記同様の低密着力層７０を設けた構成であるから、上記第１実施形態以外にも、上記第２実施形態、上記第３実施形態、上記第４実施形態とも組み合わせることが可能であることはもちろんである。
【００８６】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、アイランド２０の全体がモールド樹脂４０で封止されているが、アイランド２０における回路基板１０の他面１２側とは反対側の面が、モールド樹脂４０より露出していてもよい。
【００８７】
図７は、そのようなアイランド２０の露出構成を有する他の実施形態としてのモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。このように、アイランド２０の一部をモールド樹脂４０より露出させれば、放熱特性の向上という点で好ましい。
【００８８】
また、上記各実施形態における図示例では、モールド樹脂４０内にて、アイランド２０に搭載されている回路基板１０は１個であったが、それに限らず、回路基板１０は複数個であってもかまわない。
【符号の説明】
【００８９】
１０    回路基板
１１    回路基板の一面
１２    回路基板の他面
１２ａ  はみ出し部
１３    回路部としての半導体チップ
１４    回路部としての抵抗体
２０    アイランド
３０    接着材
４０    モールド樹脂
７０    低密着力層
８０    保護層
９０    密着付与剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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