(57)【要約】      （修正有）【課題】光電変換層表面の突起部とその周辺にある空隔部の間で生じる放電による破壊を抑制する放射線検出器及び放射線検出器の製造方法を提供する。【解決手段】光電変換層１８の表面に生じた空隔部４２を有する突起部４０に、絶縁物質５０をインクジェット法により塗布した後、減圧状態にし、常圧状態に戻す工程を繰り返すことにより、空隔部４２の全体に絶縁物質５０を充填することができる。これにより、バイアス電極にバイアス電圧を印加した際に電界が空隔部４２に集中することがなくなる。従って、放電破壊や、画像欠陥の拡大を引き起こすことを抑制することができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に突起部、及び当該突起部の周辺の表面の少なくとも一部に溝部を有しており、かつ照射された放射線に応じた電荷を発生する光電変換層と、
前記光電変換層で発生した電荷を収集する電極と、
前記溝部の少なくとも上部部分に充填され、かつ前記突起部を覆う絶縁物質と、
を備えた放射線検出器。
【請求項２】
前記絶縁物質は、前記溝部全体に充填されている、
請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記絶縁物質に覆われた前記光電変換層の面積は、１０画素分に相当する面積以内である、請求項１または請求項２に記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記絶縁物質は、ポリカーボネートから成る、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項５】
電荷を収集する電極上に、表面に突起部、及び当該突起部の周辺の表面の少なくとも一部に溝部を有しており、かつ照射された放射線に応じた電荷を発生する光電変換層を形成する工程と、
前記溝部の少なくとも上部部分に充填すると共に、前記突起部を覆うように絶縁物質を付与する工程と、
を備えた放射線検出器の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁物質を付与する工程は、前記溝部全体に前記絶縁物質を充填する工程を含む、請求項５に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁物質を充填する工程は、絶縁物質を付与した後、減圧し、さらに常圧に戻す工程を所定の回数繰り返す工程である、請求項６に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁物質を付与する工程は、前記溝部の少なくとも上部部分に充填すると共に、前記突起部を覆うように絶縁物質を塗布する工程である、請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の放射線検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出器及び放射線検出器の製造方法に係り、特に医療用の放射線撮影装置等に用いられる放射線検出器及び放射線検出器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線撮影装置が知られている。当該放射線画像撮影装置に用いられる放射線検出器は、放射線照射装置から照射され、被検体を透過した放射線を検出して放射線画像を撮影する。当該放射線検出器は、照射された放射線に応じて発生した電荷を収集して読み出すことにより放射線画像の撮影を行う。
【０００３】
このような放射線検出器として、光電変換層を備えており、当該光電変換層が照射された放射線に応じて電荷（キャリア）を発生する、いわゆる直接変換型の放射線検出器が用いられている。当該直接変換型の放射線検出器において、光電変換層の表面に欠陥として、突起部（凸部）が生じていると、突起部の部位で電界集中が生じる等の原因により、放電破壊を引き起こす場合が有ることが知られている。
【０００４】
そのため、光電変換層の表面に生じている突起部を修復する技術がある。例えば、特許文献１には、光導電層に形成された凸部を覆うように、バイアス電極と光導電層との間に第１有機高分子膜を形成して、電界集中を抑制する技術が記載されている。
【０００５】
一方、特許文献２には、下部電極、発光層、及び上部電極を備えた発光装置において、成膜中に生じた突起に起因して発生した上部電極と下部電極との短絡箇所の近傍を除く上部電極上に絶縁化保護層を形成し、絶縁化保護層が形成されていない上部電極の部分を絶縁化処理する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−３７１３号公報
【特許文献２】特開２００９−８１０９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
放射線検出器の光電変換層の表面に生じている突起部には、凸部のみを有する突起部（図２（Ｄ）参照）と、突起部の周辺の光電変換層の表面の少なくとも一部に溝部（空隔）が形成された突起部（図２（Ａ）〜（Ｃ）参照）とがある。
【０００８】
突起部の周辺の光電変換層の表面の少なくとも一部に溝部（空隔）が形成された突起部では、凸部のみを有する突起部と異なり、突起部と通常の光電変換層との間に空隔部分（溝部）を有している。そのため、当該空隔部分に導電性材料が入り込むと、高電圧を印加した際に、電荷が空隔に集中し、放電破壊や、画像欠陥の拡大等の問題が生じる原因となる。また、当該空隔部分は、放射線検出器を使用し続けているうちに、拡がることがあり、より放電破壊や画像欠陥を引き起こしやすくなる場合がある。
しかしながら上記従来の技術では、このような突起部の周辺の光電変換層の表面の少なくとも一部に溝部（空隔）が形成された突起部を覆うだけであるから、溝部を充分に修復することができず、放電破壊や画像欠陥の拡大等を抑制することができなかった。
【０００９】
本発明は、光電変換層の表面に生じている突起部であり、突起部の周辺の表面の少なくとも一部に溝部を有している突起部によって生じる放電破壊を抑制する放射線検出器及び放射線検出器の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の放射線検出器は、表面に突起部、及び当該突起部の周辺の表面の少なくとも一部に溝部を有しており、かつ照射された放射線に応じた電荷を発生する光電変換層と、前記光電変換層で発生した電荷を収集する電極と、前記溝部の少なくとも上部部分に充填され、かつ前記突起部を覆う絶縁物質と、を備える。
【００１１】
本発明によれば、光電変換層の表面の突起部の周辺の表面の少なくとも一部に有している溝部の少なくとも上部部分に絶縁物質が充填され、かつ突起部を絶縁物質が覆うため、溝部に導電材料等が入り込むことが無くなる。これにより、溝部に電界が集中することを抑制でき、放電破壊を抑制することができる。
【００１２】
また、本発明は、請求項２に記載の発明のように、前記絶縁物質は、前記溝部全体に充填されていることが好ましい。
【００１３】
溝部全体に絶縁物質が充填されることにより溝部に空間が生じなくなるため、より溝部に電界が集中することを抑制することができ、放電破壊を抑制することができる。
【００１４】
また、請求項３に記載の発明のように、前記絶縁物質に覆われた前記光電変換層の面積は、１０画素分に相当する面積以内であることが好ましい。
【００１５】
また、請求項４に記載の発明のように、前記絶縁物質は、ポリカーボネートから成ることが好ましい。
【００１６】
請求項５に記載の放射線検出器の製造方法は、電荷を収集する電極上に、表面に突起部、及び当該突起部の周辺の表面の少なくとも一部に溝部を有しており、かつ照射された放射線に応じた電荷を発生する光電変換層を形成する工程と、前記溝部の少なくとも上部部分に充填すると共に、前記突起部を覆うように絶縁物質を付与する工程と、を備える。
【００１７】
また、本発明は、請求項６に記載の発明のように、前記絶縁物質を付与する工程は、前記溝部全体に前記絶縁物質を充填する工程を含むことが好ましい。
【００１８】
また、請求項７に記載の発明のように、前記絶縁物質を充填する工程は、絶縁物質を付与した後、減圧し、さらに常圧に戻す工程を所定の回数繰り返す工程であることが好ましい。
【００１９】
絶縁物質を付与した後、減圧し、さらに常圧に戻す工程を所定の回数繰り返すことにより、溝部の奥深い部分（全体）にまで、充分に絶縁物質を充填することが容易にできる。
【００２０】
また、請求項８に記載の発明のように、前記絶縁物質を付与する工程は、前記溝部の少なくとも上部部分に充填すると共に、前記突起部を覆うように絶縁物質を塗布する工程であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように、光電変換層の表面に生じている突起部であり、突起部の周辺の表面の少なくとも一部に溝部を有している突起部によって生じる放電破壊を抑制することができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施の形態に係る放射線検出器の概略構成の一例を示す断面図である。
【図２】本実施の形態に係る放射線検出器の光電変換層の表面に生じている欠陥の断面（突起部）を説明するための説明図である。
【図３】実施例１における放射線検出器の製造工程の流れの一例を示したフローチャートでる。
【図４】実施例１における突起部及び空隔部の修復状態（絶縁化状態）を説明するための説明図である。
【図５】実施例２における放射線検出器の製造工程の流れの一例を示したフローチャートでる。
【図６】実施例２における突起部及び空隔部の修復状態（絶縁化状態）の断面を説明するための説明図である。
【図７】実施例１の放射線検出器、実施例２の放射線検出器、及び修復工程を全く行わないで製造した比較例の放射線検出器を放射線画像の撮影に使用した場合の、画像欠陥画素サイズの経時変化の具体的一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、各図面を参照して本実施の形態の一例について説明する。本実施の形態では、具体的一例として、放射線検出器を、照射された放射線に応じて発生した正孔を読み取る正孔読取センサとして構成した場合について詳細に説明する。
【００２４】
まず、本実施の形態の放射線検出器の概略構成について説明する。図１に本実施の形態の放射線検出器の概略構成の一例の断面図を示す。本実施の形態の放射線検出器１０は、バイアス電極１２、上引層１４、電極界面層１６、光電変換層１８、下引層２０、及びＴＦＴ基板２２を備えて構成されている。
【００２５】
バイアス電極１２は、光電変換層１８へバイアス電圧を印加する機能を有しており、画像情報を担持した放射線が透過するように形成されている。本実施の形態では、放射線検出器１０が正孔読取センサであるため、バイアス電極１２には、図示を省略した高圧電源からプラスのバイアス電圧が供給される。なお、放射線検出器１０が照射された放射線に応じて発生した電子を読み取る電子読取センサとして構成されている場合は、バイアス電極１２には、マイナスのバイアス電圧が供給される。
【００２６】
バイアス電極１２の材料としてはＡｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｇ、ＭｇＡｇ３％〜２０％合金、Ｍｇ−Ａｇ系金属間化合物、ＭｇＣｕ３％〜２０％合金、Ｍｇ−Ｃｕ系金属間化合物等の金属から形成するようにすればよい。特に、ＡｕやＰｔ、Ｍｇ−Ａｇ系金属間化合物を用いることが好ましい。例えばＡｕを用いた場合、厚さ１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。例えば、ＭｇＡｓ３％〜２０％合金を用いた場合は、厚さ１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２７】
作成方法は、任意であるが、抵抗加熱方式による蒸着により形成されることが好ましい。例えば、抵抗加熱方式によりボート内で金属塊が融解後にシャッターを開け、１５秒間蒸着して一旦冷却する。この操作を金属薄膜の抵抗値が十分低くなるまで複数回繰り返すことが挙げられる。
【００２８】
バイアス電極１２を透過した放射線が上引層１４及び電極界面層１６を透過して光電変換層１８に照射される。
【００２９】
上引層１４は、バイアス電極１２と電極界面層１６との間に形成されている。上引層１４は、暗電流、リーク電流低減の観点から、整流特性を有することが好ましい。そのため、上引層１４の抵抗率は、１０８Ωｃｍ以上であること、膜厚は、０．０１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００３０】
電極界面層１６は、正孔の注入を阻止する機能と、結晶化を防止する機能と、を有しており光電変換層１８上に形成されている。
【００３１】
電極界面層１６としては、ＣｄＳ、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ等の無機材料、または有機高分子が好ましい。無機材料からなる層は、その組成を化学量論組成から変化させ、または２種類以上の同族元素との多元組成とすることでキャリア選択性を調節して用いることが好ましい。有機高分子からなる層としては、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、低分子の電子輸送材料を５％〜８０％の重量比で混合して用いることができる。こうした電子輸送材料としては、トリニトロフルオレンとその誘導体、ジフェノキノン誘導体、ビスナフチルキノン誘導体、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、Ｃ６０（フラーレン）、Ｃ７０等のカーボンクラスターを混合したもの等が好ましい。具体的にはＴＮＦ、ＤＭＤＢ、ＰＢＤ、ＴＡＺが挙げられる。
【００３２】
一方、薄い絶縁性高分子層も好ましく用いることができ、例えば、パリレン、ポリカーボネート、ＰＶＡ、ＰＶＰ、ＰＶＢ、ポリエステル樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂が好ましい。この場合、膜厚は、２μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。
【００３３】
光電変換層１８は、照射された放射線を吸収して、放射線に応じてプラス及びマイナスの電荷（電子−正孔キャリア対）を発生する光導電物質で構成され、アモルファスＳｅを主成分とすることが好ましい。また、光電変換層１８としては、Ｂｉ２ＭＯ２０（Ｍ：Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ）、Ｂｉ４Ｍ３Ｏ１２（Ｍ：Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ）、Ｂｉ２Ｏ３、ＢｉＭＯ４（Ｍ：Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ）、Ｂｉ２ＷＯ６、Ｂｉ２４Ｂ２Ｏ３９、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＭＮｂＯ３（Ｍ：Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ）、ＰｂＯ、ＨｇＩ２、ＰｂＩ２、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＢｉＩ３、ＧａＡｓ等のうち、少なくとも１つを主成分とする化合物を用いてもよいが、暗抵抗が高く、放射線照射に対して良好な光導電性を示し、真空蒸着法により低温で大面積成膜が可能な非晶質（アモルファス）材料が好ましい。
【００３４】
光電変換層１８の厚みは、例えば本実施の形態のように、アモルファスＳｅを主成分とする光導電物質の場合、１００μｍ以上２０００μｍ以下であることが好ましく、特に、マンモグラフィ用途では１００μｍ以上２５０μｍ以下、一般撮影用途においては５００μｍ以上１２００μｍ以下の範囲であることが好ましい。
【００３５】
なお、図１中では記載を省略したが、光電変換層１８の表面には、図２に示すような、欠陥（突起部）が生じている。図２（Ａ）〜（Ｃ）は、突起部４０の周辺に溝部（空隔部）４２を有する突起部を示している。図２（Ａ）は、光電変換層１８の深い部分（突起部４０の下部）まで、空隔部４２が生じている状態を示しており、（Ｂ）は、光電変換層１８の途中部分（突起部４０の途中部分）まで、空隔部４２が生じている状態を示しており、（Ｃ）は、光電変換層１８の比較的浅い部分（突起部４０の僅かに下部）に窪み状の空隔部４２が生じている状態を示している。一方、図２（Ｄ）は、凸部のみを有する（周囲に空隔部を有していない）突起部９０を示している。なお、いずれの突起部も光電変換層１８の形成中に生じたものであり、光電変換層１８と同じ材質により形成されている。
【００３６】
本実施の形態の放射線検出器１０では、図２（Ａ）〜（Ｃ）に示すような、突起部４０及び周辺の空隔部４２に対して、修復（絶縁化）処理により、突起部４０及び空隔部４２の少なくとも上部部分に絶縁物質を塗布（充填）されている。なお、図１中では、当該絶縁物質の図示は省略しており、詳細は後述する。
【００３７】
突起部４０の直径は、３００μｍ〜５００μｍであり、絶縁物質が塗布される範囲は、突起部４０の大きさにもよるが、直径６００μｍ程度が挙げられる。なお、突起部４０の周囲に生じている空隔部４２は、突起部４０の周囲全域に生じている場合だけでなく、周囲の一部分のみに生じている場合もある。
【００３８】
下引層２０は、光電変換層１８とＴＦＴ基板２２との間に形成されている。下引層２０は、暗電流、リーク電流低減の観点から、整流特性を有することが好ましい。そのため、下引層２０の抵抗率は、１０８Ωｃｍ以上であること、膜厚は、０．０１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００３９】
ＴＦＴ基板２２は、光電変換層１８で発生した電荷であるキャリア（正孔）を収集し読み出す機能を有するものである。ＴＦＴ基板２２は、電荷収集電極３０、スイッチ素子３２、電荷蓄積容量３４、及び基板３６を備えて構成されている。なお、放射線検出器１０が電子読取センサとして構成されている場合は、ＴＦＴ基板２２は、電子を収集し読み出す機能を有するものとして構成される。
【００４０】
複数の電荷収集電極３０が間隔を隔てて格子状（マトリクス状）に形成されており、１つの電荷収集電極３０が１画素に対応している。各々の電荷収集電極３０は、スイッチ素子３２及び電荷蓄積容量３４に接続されている。
【００４１】
電荷蓄積容量３４は、各電荷収集電極３０で収集された電荷（正孔）を蓄積する機能を有するものである。この各電荷蓄積容量３４に蓄積された電荷が、スイッチ素子３２によって読み出される。これにより放射線画像が撮影される。
【００４２】
次に、本実施の形態の放射線検出器１０及び放射線検出器１０の製造方法について具体的実施例を挙げて詳細に説明する。
【００４３】
（実施例１）
【００４４】
まず、空隔部４２の上部部分及び突起部４０に絶縁部材を充填（塗布）することにより絶縁化する修復工程を備えた製造方法について図３、４を参照して説明する。図３は、実施例１における放射線検出器１０の製造工程の流れの一例を示したフローチャートであり、図４は、突起部４０及び空隔部４２の修復状態（絶縁化状態）を説明するための説明図である。
【００４５】
まず、蒸着装置内にＴＦＴ基板２２をセットする（ステップ１００）。次に、下引層２０を形成する（ステップ１０２）。本実施例では、具体的一例として、Ｓｂ４２Ｓ５８を原料とし、蒸着温度を５４５℃として、ＴＦＴ基板２２上に蒸着し、膜厚が２．８μｍのＳｂＳ膜を成膜する。
【００４６】
さらに、下引層２０上に、光電変換層１８を形成する（ステップ１０４）。本実施例では、具体的一例として、Ｎａを１０ｐｐｍ含有するＳｅ減量を蒸着により、下引層２０上に蒸着し、膜厚が１０００μｍ（１ｍｍ）のアモルファス（非晶質）Ｓｅからなる光電変換層１８を形成する。
【００４７】
光電変換層１８が形成されたら、蒸着装置内からＴＦＴ基板２２（光電変換層１８及び下引層２０が形成された状態のＴＦＴ基板２２）を取り出し、形成された光電変換層１８の表面を例えば、電子顕微鏡等により観察する（ステップ１０６）。当該観察により、突起部４０及び空隔部４２の有無を確認する。図２（Ａ）〜（Ｃ）のように、周囲に空隔部４２を有している突起部４０は、図２（Ｄ）のような突起部９０と区別して識別することができる。例えば、突起部の周囲に二重線が生じている場合は、空隔部４２によりこのような二重線が生じているため、当該突起部を突起部４０と識別することができる。
【００４８】
空隔部４２を有する突起部４０が有るか否かを判断し（ステップ１０８）、無い場合は、修復工程を行わずに電極界面層１６の形成工程（ステップ１１４）へ進む。一方、突起部４０（図４（Ａ）参照）が有る場合は、突起部４０及び空隔部４２の数及び大きさ等から、後の工程により光電変換層１８上に形成される絶縁物質５０の大きさ（面積）を推定する（ステップ１１０）。なお、突起部４０及び空隔部４２の大きさ、形状等と、これを修復する際に塗布する絶縁物質５０の面積（光電変換層１８上が絶縁物質５０で覆われる面積）との関係は予め実験等により、適正な関係を得ておくようにしている。全ての突起部４０及び４２を修復した場合の絶縁物質５０で覆われる面積、すなわち絶縁物質５０で覆われる面積の合計が１０画素分に相当する面積以内であるか否か判断する。絶縁物質５０で覆われる部分の領域の画素は、放射線の読取り機能が失われる。そのため、絶縁物質５０で覆われる面積の合計が１０画素分に相当する面積を越えた場合、放射線検出器１０として、適正に放射線の検出が行えなくなってしまう。そこで、本実施例では、当該面積の合計が１０画素（具体的一例を挙げると直径１５００μｍの円形の面積分に相当）を越える場合は、不良と判断して、破棄するようにしている。そのため、当該面積の合計が１０画素を越える場合は、ステップ１１０で否定されて本処理（放射線検出器１０の製造）を終了する。
【００４９】
一方、当該面積の合計が１０画素以内の場合は、修復可能であるため、修復工程に進むみ、突起部４０及び空隔部４２上に、絶縁物質５０を成膜する（ステップ１１２）。本実施例では、具体的一例として、絶縁部材として、ポリカーボネートをｏ−ジクロロベンゼンに溶かした溶液をインクジェット法により、突起部４０及び空隔部４２上に塗布する。絶縁物質５０の膜厚は、場所によって異なるが、平均数１０μｍ程度が好ましい。なお、絶縁部材となる溶液の粘度、液滴量は、修復面積（絶縁物質５０で覆われる面積）を極小化するために、予め実験等により、最適化しておく。
【００５０】
なお、光電変換層１８はアモルファスＳｅを主成分としているが、当該アモルファスＳｅは、熱に弱く、また、水分にも弱いため、リソグラフィーや熱処理を行って絶縁物質５０を塗布することは好ましくない。そのため、インクジェット法を用いて絶縁物質５０を成膜することが好ましい。なお、インクジェット法に限らず、熱や水分を加えない他の方法を用いて塗布してもよい。
【００５１】
当該修復工程により、図４（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、空隔部４２の上部及び突起部４０が絶縁化（修復）される。なお、図４（Ｂ）は、断面図を示しており、（Ｃ）は、バイアス電極１２側から光電変換層１８の表面を見た状態を示している。本実施例では、図４（Ｂ）に示すように、空隔部４２の上部部分が絶縁物質５０で充填された状態になると共に、突起部４０及び空隔部４２の上面が絶縁物質５０で覆われた状態になる。これにより、空隔部４２の下部部分には、絶縁物質５０が未充填の部分が存在するが、次工程の電極界面層１６の形成の際に塗布する溶液（詳細後述）が空隔部４２に入り込むのを防止することができる。
【００５２】
次に、電極界面層１６を形成する（ステップ１１４）。本実施例では、光電変換層１８（絶縁物質５０部分を含む）上の全面に、ポリカーボネート及びＣ６０（フラーレン）をｏ−ジクロロベンゼンに溶かした溶液を塗布する。当該工程により、図４（Ｄ）に示した状態になる。
【００５３】
電極界面層１６の形成後、ＴＦＴ基板２２（電極界面層１６、光電変換層１８、下引層２０、及び絶縁物質５０による修復が形成された状態の光電変換層１８）を蒸着装置内に戻し、上引層１４を形成する（ステップ１１６）。本実施例では、具体的一例として、Ｓｂ４５Ｓ５５を原料とし、蒸着温度を５３５℃として、蒸着し、膜厚が１．０μｍのＳｂＳ膜を成膜する。
【００５４】
さらに、上引層１４上に、バイアス電極１２を形成する（ステップ１１８）。本実施例では、具体的一例として、Ａｕを蒸着により成膜して、膜厚が０．０７μｍのＡｕ膜を成膜する。
【００５５】
このようにして、空隔部４２の上部部分が絶縁物質５０で充填された状態になると共に、突起部４０及び空隔部４２の上面が絶縁物質５０で覆われた状態に絶縁化（修復）された本実施例の放射線検出器１０が形成される。
【００５６】
（実施例２）
【００５７】
次に、空隔部４２の全体部分及び突起部４０に絶縁部材を充填（塗布）することにより絶縁化する修復工程を備えた製造方法について図５、６を参照して説明する。図５は、実施例２における放射線検出器１０の製造工程の流れの一例を示したフローチャートであり、図６は、突起部４０及び空隔部４２の修復状態（絶縁化状態）を説明するための説明図である。
【００５８】
本実施例は、実施例１と同様の工程を備えており、修復工程（ステップ２１２〜ステップ２１８）のみ異なる。具体的には、本実施例のステップ２００〜ステップ２１０は、実施例１のステップ１００〜ステップ１１０にそれぞれ対応しており、本実施例のステップ２２０〜ステップ２２４は、実施例１のステップ１１４〜１１８にそれぞれ対応しているため、これらのステップ（工程）については詳細な説明を省略し、ステップ２１２〜ステップ２１８の修復工程のみ詳細に説明する。
【００５９】
本実施例の修復工程として、まず、突起部４０及び空隔部４２上に、絶縁物質５０を成膜する（ステップ２１２）。ここでは、実施例１と同様に、絶縁部材として、ポリカーボネートをｏ−ジクロロベンゼンに溶かした溶液をインクジェット法により、突起部４０及び空隔部４２上に塗布する。
【００６０】
実施例１では、空隔部４２の上部部分にしか充填しなかった絶縁物質５０を空隔部４２全体に充填するために、この後、本実施例では、この状態のＴＦＴ基板２２を減圧処理し、（ステップ２１４）所定の時間経過後、常圧に戻す（ステップ２１６）。これにより、上部部分に充填されていた絶縁物質５０が空隔部４２の奥部分（深い部分）に入り込む。
【００６１】
本実施例では、絶縁物質５０が空隔部４２全体を埋めるように、絶縁部材の塗布及び、減圧にし、常圧に戻す、減圧−常圧サイクル工程を、所定回数繰り返す（ステップ２１８）。減圧にする圧力、時間、及び繰り返す所定回数等は、予め実験等により、最適値を得ておく。
【００６２】
当該修復工程により、図６（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、空隔部４２の全体及び突起部４０が絶縁化（修復）される。なお、図６（Ｂ）は、断面図を示しており、（Ｃ）は、バイアス電極１２側から光電変換層１８の表面を見た状態を示している。本実施例では、図６（Ｂ）に示すように、空隔部４２の全部分が絶縁物質５０で充填された状態になると共に、突起部４０及び空隔部４２の上面が絶縁物質５０で覆われた状態になる。
【００６３】
従って、実施例１と同様に、次工程の電極界面層１６の形成の際に塗布する溶液（詳細後述）が空隔部４２に入り込むのを防止することができる。また、本実施例では、実施例１と異なり、空隔部４２には絶縁物質５０が未充填の部分が存在しないため、より放電破壊を抑制し、画像欠陥の拡大を抑制することができる。
【００６４】
ここで、実施例１の放射線検出器１０、実施例２の放射線検出器１０、及び比較例として、修復工程を全く行わないで製造した放射線検出器（空隔部を有する突起部が光電変換層の表面に生じている放射線検出器）を放射線画像の撮影に使用した場合の、画像欠陥画素サイズの経時変化の具体的一例を図７に示す。
【００６５】
図７より、比較例に比べて、突起部４０及び空隔部４２を修復（絶縁化）した実施例１及び実施例２の方が、画像欠陥画素サイズの経時変化が小さく、画像欠陥の拡大が抑制されていることがわかる。また、空隔部４２の上部部分のみに絶縁物質５０が充填されている実施例１に比べて、空隔部４２の全体部分に絶縁物質５０が充填されている実施例２の方が、画像欠陥の拡大が抑制されていることがわかる。
【００６６】
以上、説明したように、本実施の形態では、光電変換層１８の表面に生じた空隔部４２を有する突起部４０に、絶縁部材をインクジェット法により塗布することにより、空隔部４２の少なくとも上部部分が絶縁物質５０で充填された状態になると共に、突起部４０及び空隔部４２の上面が絶縁物質５０で覆われた状態に絶縁化（修復）された、放射線検出器１０が得られる。
【００６７】
これにより、空隔部４２に、電極界面層１６を形成する材料となる導電性材料が入り込むことが無くなるため、バイアス電極１２にバイアス電圧（高電圧）を印加した際に電荷が空隔部４２に集中することを抑制する。従って、放電破壊や、画像欠陥の拡大を引き起こすことを抑制することができる。
【００６８】
また、絶縁部材を塗布した後、減圧状態にし、常圧状態に戻す工程を繰り返すことにより、空隔部４２の全体に絶縁物質５０を充填することができる。実質、空隔部４２が存在しないのと同様になり、バイアス電極１２にバイアス電圧（高電圧）を印加した際に電荷が空隔部４２に集中することがなくなる。従って、放電破壊や、画像欠陥の拡大を引き起こすことを抑制することができる。
【００６９】
このように本実施の形態では、従来の修復方法では、充分に修復することができなかった、突起部４０が有する空間部４２に対して、充分に絶縁物質５０を充填することができるため、放電破壊や、画像欠陥の拡大を引き起こすことを抑制することができる。
【００７０】
なお、上記実施例１及び実施例２では、空隔部４２の全体部分に絶縁物質５０を充填する場合に、減圧−常圧サイクルを行っているがこれに限らず、空隔部４２の全体部分ではなくとも空隔部４２のより深い部分に絶縁物質５０を充填するために、減圧−常圧サイクルを行うようにしてもよい。
【００７１】
また、空隔部４２の全体または深い部分に絶縁物質５０を充填する工程は、減圧−常圧サイクルに限らず、その他の工程を用いてもよい。
【００７２】
なお、本実施の形態で説明した絶縁物質５０の材料（絶縁部材）は一例であり、その他の絶縁部材を用いてもよい。また、その他、本実施の形態で説明した放射線検出器１０の構成、各層の厚さ等や製造工程は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることは言うまでもない。
【００７３】
また、本実施の形態では、本発明の放射線は、特に限定されるものではなく、Ｘ線やγ線等を適用することができる。
【符号の説明】
【００７４】
１０  放射線検出器
１２  バイアス電極
１６  電極界面層
１８  光電変換層
２２  ＴＦＴ基板
４０  突起部
４２  空隔部
５０  絶縁物質
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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