(57)【要約】【課題】常に同じ初期値の駆動電圧からイオンの発生を開始する場合に比べて、イオン発生素子の放電劣化状態によらず、所定のイオン量を発生する安定したイオン発生状態になるまでの時間を短くする。【解決手段】除電装置は、電流検出電極２７ａ、２７ｂによって検出された放電電流信号に基づいて、制御基板４により駆動電圧をフィードバック制御して、この駆動電圧をイオン発生素子１１、１２に印加して所定量の正イオンと負イオン発生している。制御基板４のＥＥＰＲＯＭ４３には、現在２つのイオン発生素子１１、１２に印加されている駆動電圧に対応した電圧制御信号が記憶されている。電源投入時には、ＥＥＰＲＯＭ４３に記憶された電圧制御信号が読み出され、対応する駆動電圧を電圧発生回路４７、４８によりイオン発生素子１１、１２に印加してイオンを発生する。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンを発生するイオン発生素子と、
電圧制御情報に基づいて、前記イオン発生素子に駆動電圧を印加する電圧印加手段と、
前記イオン発生素子から発生するイオン量を検出し、イオン発生量情報を出力するイオン量検出手段と、
前記イオン発生量情報をフィードバックし、前記イオン発生量情報に基づき前記イオン発生素子から発生するイオン量が所定のイオン量となるように、前記電圧制御情報を制御するフィードバック制御手段と、
前記フィードバック制御手段によって制御された前記電圧制御情報が記憶され、電源の切断で記憶データが消去されない記憶手段と、を備えており、
前記電圧印加手段は、電源投入時には、前記記憶手段に記憶された前記電圧制御情報を読み出し、前記電圧制御情報に基づく駆動電圧から印加を開始することを特徴とするイオン発生装置。
【請求項２】
前記記憶手段は、前記電圧制御情報として別途初期駆動電圧に対応する初期電圧制御情報を記憶しており、
前記電圧印加手段は、前記電源投入時に、正常な前記電圧制御情報が読み出せない場合、前記初期電圧制御情報を読み出すことを特徴とする請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項３】
前記記憶手段は、前記フィードバック制御手段によって制御された前記電圧制御情報のための複数の記憶領域と、
前記電圧制御情報を前記複数の記録領域に定期的に格納する手段と、を有しており、
互いに時間経過の異なる前記電圧制御情報を各記憶領域に記憶しており、
前記電源投入時には、前記複数の記憶領域から少なくとも一方の前記電圧制御情報を読み出せるようにしたことを特徴とする請求項１または２に記載のイオン発生装置。
【請求項４】
前記電圧制御情報に対して、前記フィードバック制御手段によるフィードバックの複数周期を含む保存間隔が設定されており、
前記記憶手段は、前記保存期間終了前に正常に駆動している場合にフィードバックされた前記電圧制御情報を記憶することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のイオン発生装置。
【請求項５】
前記イオン発生素子は、
誘電体と、
前記誘電体を介して対向するイオン発生電極及び誘導電極と、を有していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のイオン発生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオンを発生するイオン発生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン発生装置は、駆動電圧が印加されたイオン発生素子が放電することでイオンを発生している。また、イオン発生装置は、例えばイオン発生素子から発生するイオンによって流れる放電電流信号を検出しており、この放電電流信号に基づいて、イオン発生素子に印加される駆動電圧をフィードバック制御しており、イオン発生素子から所定量のイオンを発生している（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１に記載のイオン発生装置たる除電装置は、電源が投入されると、初期値設定としてデフォルトの常に同じ駆動電圧をイオン発生素子に印加して、イオン発生素子によるイオンの発生を開始している。
【０００３】
このようなイオン発生素子は、放電する電極形状によって、大きく２種類に分類することができる。例えば、特許文献２に記載するイオン発生素子のように、１種類目は、平面状のイオン発生電極と誘導電極が誘電体を介して対向しており、イオン発生電極と誘導電極の間に駆動電圧を印加することで、イオン発生電極からイオンを発生する沿面式のイオン発生素子である。２種類目は、立体型の針状の電極と対向電極が空間を隔てて対向しており、針状の電極と対向電極の間に駆動電圧を印加することで、針状の電極からイオンを発生する針式のイオン発生素子である。
【０００４】
そして、沿面式のイオン発生素子は、針式のイオン発生素子に比べて、駆動電圧が低くて済むとともに、両電極間に電圧を印加した際の放電特性が非常に安定するという特徴を有している。また、針式のイオン発生素子は、沿面式のイオン発生素子に比べて、素子の作製が比較的容易であり、コスト的に有利であるとともに、湿度の高い環境などでも電極表面に水分が付着しにくく、イオン発生量が低減しにくいという特徴を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１７２９３号公報（図１）
【特許文献２】特開２００６−３４０７４０号公報（図９、図１３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、このようなイオン発生素子は、初めて使用するときには一定の駆動電圧が印加されて、ある所定のイオン量を発生していたとしても、長期間使用するにつれてイオン発生素子の放電劣化によりイオンの発生量が少なくなる。つまり、イオン発生素子に印加する駆動電圧は変わらずとも、イオン発生素子の放電劣化により、イオンの発生量が少なくなる。このような問題に対処するために、フィードバック制御が利用されている。すなわち、イオンの発生量が少なくなった場合には、イオン発生素子に印加する駆動電圧を大きくすることで、イオン発生素子によるイオンの発生量を所定量に維持することができる。
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載のイオン発生装置においては、電源投入時に、常にデフォルトの駆動電圧がイオン発生素子に印加されて、イオンの発生を開始する。すると、イオン発生素子を長時間使用して、イオン発生素子が放電劣化することで、所定のイオン量を発生させるのに必要な駆動電圧が大きくなってくるにつれて、駆動電圧のフィードバック制御を行って、電源投入時から所定のイオン量を発生する安定したイオン発生状態になるまでの時間が長くなってしまう。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、常に同じ初期値の駆動電圧からイオンの発生を開始する場合に比べて、イオン発生素子の放電劣化状態によらず、所定のイオン量を発生する安定したイオン発生状態になるまでの時間を短くしたイオン発生装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のイオン発生装置は、イオンを発生するイオン発生素子と、電圧制御情報に基づいて、前記イオン発生素子に駆動電圧を印加する電圧印加手段と、前記イオン発生素子から発生するイオン量を検出し、イオン発生量情報を出力するイオン量検出手段と、前記イオン発生量情報をフィードバックし、前記イオン発生量情報に基づき前記イオン発生素子から発生するイオン量が所定のイオン量となるように、前記電圧制御情報を制御するフィードバック制御手段と、前記フィードバック制御手段によって制御された前記電圧制御情報が記憶され、電源の切断で記憶データが消去されない記憶手段と、を備えている。前記電圧印加手段は、電源投入時には、前記記憶手段に記憶された前記電圧制御情報を読み出し、前記電圧制御情報に基づく駆動電圧から印加を開始する。
【００１０】
本発明のイオン発生装置によると、電源投入時にイオン発生素子に印加される駆動電圧は、記憶手段に記憶された電圧制御情報に基づいた駆動電圧であり、前回駆動時の電源を切る前と実質ほぼ同じ駆動電圧がイオン発生素子に印加される。したがって、イオン発生装置は駆動を停止する前のイオン発生状態に近い状態からフィードバック制御を開始することになる。すると、当初に比べてイオン発生素子が放電劣化して、所定のイオン量を発生するのに必要な駆動電圧が大きくなっていたとしても、安定したイオン発生状態になるまでの時間を短くすることができる。このように、常に同じ初期値の駆動電圧からイオンの発生を開始する場合に比べて、イオン発生素子の放電劣化状態によらず、所定のイオン量を発生する安定したイオン発生状態になるまでの時間を短くすることができる。
【００１１】
また、前記記憶手段は、前記電圧制御情報として別途初期駆動電圧に対応する初期電圧制御情報を記憶しており、前記電圧印加手段は、前記電源投入時に、正常な前記電圧制御情報が読み出せない場合、前記初期電圧制御情報を読み出すことが好ましい。
【００１２】
これによると、電源投入時に、正常な前記電圧制御情報が読み出せない場合、例えば記憶手段から情報が取得できなかった場合、あるいは取得できたが、情報が壊れていたまたは情報そのものがなかった場合、最悪、初期駆動電圧に対応する初期電圧制御情報が読み出されて駆動を開始することができ、異常な電圧制御情報に基づく駆動電圧がイオン発生素子に印加されるのを防止することができる。
【００１３】
さらに、前記記憶手段は、前記フィードバック制御手段によって制御された前記電圧制御情報のための複数の記憶領域と、前記電圧制御情報を前記複数の記録領域に定期的に格納する手段と、を有しており、互いに時間経過の異なる前記電圧制御情報を各記憶領域に記憶しており、前記電源投入時には、前記複数の記憶領域から少なくとも一方の前記電圧制御情報を読み出せるようにしたことが好ましい。
【００１４】
これによると、記憶手段の１つの記憶領域へ書き込みエラーが発生しても、もう１つの記憶領域に記憶され、互いに時間経過が異なるが、互いに近い値である電圧制御情報を読み出してこれに基づく駆動電圧をイオン発生素子に印加することで、安定したイオン発生状態になるまでの時間が長くなるのを抑制することができる。
【００１５】
加えて、前記電圧制御情報に対して、前記フィードバック制御手段によるフィードバックの複数周期を含む保存間隔が設定されており、前記記憶手段は、前記保存期間終了前に正常に駆動している場合にフィードバックされた前記電圧制御情報を記憶することが好ましい。
【００１６】
ところで、イオン発生装置の駆動停止の様態として、人為的な操作による電源の遮断以外に、例えば異常な環境などによって瞬停が生じたとき、あるいはいずれかの箇所において不具合が生じていることを検出して自動的、強制的に電源を遮断する場合がある。上記構成によると、自動的、強制的に電源が遮断された場合、電源が遮断される前で保存間隔が経過するときの電圧制御情報を記憶しているので、瞬停後の電源再投入時、あるいは不具合などが解消されて再度電源を投入する時は、記憶手段から安定した状態における電圧制御信号が読み出されて、平易にイオン発生を再開させることができる。
【００１７】
また、前記イオン発生素子は、誘電体と、前記誘電体を介して対向するイオン発生電極及び誘導電極と、を有していることが好ましい。
【００１８】
これによると、針状の電極の先端からイオンを発生する針式のイオン発生素子に比べて、平面状の電極からイオンを発生する沿面式のイオン発生素子の方が、駆動電圧の変化に対するイオン発生量の変化が大きい。したがって、電圧制御手段によって精度の高いフィードバック制御が必要であるが、記憶手段に記憶された前回駆動時において電源を切る直前の駆動電圧をイオン発生素子に印加していることで、安定したイオン発生状態になるまでの時間を短縮することができる。
【発明の効果】
【００１９】
電源投入時にイオン発生素子に印加される駆動電圧は、記憶手段に記憶された電圧制御情報に基づいた駆動電圧であり、前回駆動時の電源を切る前と実質ほぼ同じ駆動電圧がイオン発生素子に印加される。したがって、イオン発生装置は駆動を停止する前のイオン発生状態に近い状態からフィードバック制御を開始することになる。すると、当初に比べてイオン発生素子が放電劣化して、所定のイオン量を発生するのに必要な駆動電圧が大きくなっていたとしても、安定したイオン発生状態になるまでの時間を短くすることができる。このように、常に同じ初期値の駆動電圧からイオンの発生を開始する場合に比べて、イオン発生素子の放電劣化状態によらず、所定のイオン量を発生する安定したイオン発生状態になるまでの時間を短くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る除電装置の縦断面図である。
【図２】イオン発生素子が取り付けられた素子ユニットの斜視図である。
【図３】イオン発生素子の平面図である。
【図４】図３の一点鎖線領域の拡大図である。
【図５】図１の概略部分拡大図である。
【図６】除電装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図７】電源基板の内部回路図である。
【図８】２つのイオン発生素子にそれぞれ印加される電圧波形を示す図である。
【図９】ＥＥＰＲＯＭによる電圧制御信号の記憶領域について説明する図である。
【図１０】除電装置の電源投入後の前段過程を示すフローチャート図である。
【図１１】除電装置の電源投入後の中段過程を示すフローチャート図である。
【図１２】除電装置の電源投入後の後段過程を示すフローチャート図である。
【図１３】変形例における電源基板の内部回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態に係る除電装置は、帯電した状態で搬送面上を一方向に搬送される被除電対象物に対して正イオンと負イオンを交互に発生させて、被除電対象物の除電を行う装置である。図１は、本発明の一実施形態に係る除電装置の縦断面図である。図２は、イオン発生素子が取り付けられた素子ユニットの斜視図である。
【００２２】
図１に示すように、除電装置１（イオン発生装置）は、図示しない支持部材によって支持されている。そして、除電装置１は、その下方において図示しない搬送装置の搬送面３０ａ上をＹ方向（図１の左から右に向かう搬送方向）に搬送される被除電対象物３０と所定の間隔を空けて対向している。
【００２３】
また、除電装置１は、図１の上下方向に関して空間を２つに仕切る仕切り板７が内部に形成された筐体２を有している。この筐体２の上部空間には制御基板４と電源基板５が配置され、下部空間には素子ユニット３及びガスタンク６が配置されている。また、筐体２の表面には、図示しないＬＥＤセグメントなどからなる表示装置が配置されており、ユーザに対して除電装置１の状態を表示する。
【００２４】
次に、素子ユニット３について説明する。図１及び図２に示すように、素子ユニット３は、樹脂により成型されたＸ方向（搬送面３０ａ内においてＹ方向と直交する方向）に長尺な支持体３ａを有し、Ｘ方向から見たときに底面の一部を形成する逆ハの字状の２つの斜面３ｃ、３ｄを有している。２つの斜面３ｃ、３ｄには、安定化電極２６ａ、２６ｂ（図５参照）をそれぞれ挟んで、Ｘ方向に長尺な板状の沿面式のイオン発生素子１１、１２がそれぞれ配置されている。
【００２５】
２つのイオン発生素子１１、１２は、長手方向をＸ方向と平行にして、Ｙ方向に関して近接配置されており、支持体３ａの２つの斜面３ｃ、３ｄと対向している面と反対側の２つのイオン発生面１１ａ、１２ａ（図５参照）から正イオンと負イオンのいずれか一方の互いに異なるイオンをそれぞれ発生する。本実施形態においては、搬送方向下流側に位置するイオン発生素子１１のイオン発生面１１ａから負イオンを発生し、搬送方向上流側に位置するイオン発生素子１２のイオン発生面１２ａから正イオンを発生する。
【００２６】
また、素子ユニット３は、支持体３ａの外面を覆うカバー９を有している。このカバー９により、２つのイオン発生素子１１、１２の周縁部を覆って、２つのイオン発生素子１１、１２を支持体３ａにそれぞれ固定している。また、カバー９には、２つのイオン発生素子１１、１２のイオン発生面１１ａ、１２ａの一部であるイオン発生部を露出させるように開口が形成されているとともに、後述する複数のガス噴射口６ａと対向する位置に複数の孔９ａがそれぞれ形成されている。
【００２７】
また、カバー９のイオン発生素子１１、１２を搬送方向に関して挟んだ両側の表面には、電流検出電極２７ａ、２７ｂ（イオン量検出手段）がそれぞれ配置されている。２つの電流検出電極２７ａ、２７ｂは、２つのイオン発生素子１１、１２からそれぞれ発生したイオンの電荷によって流れる放電電流をそれぞれ検出するためのものである。
【００２８】
次に、イオン発生素子１１、１２について説明する。図３は、イオン発生素子の平面図である。図４は、図３の一点鎖線領域の部分拡大図である。図５は、図１を概略化した部分拡大図である。なお、イオン発生素子１１、１２は、印加される駆動電圧の値が異なることで、互いに異なる極性のイオンを発生するだけで、構成は同様であるため、イオン発生素子１１についてのみ説明し、イオン発生素子１２についての説明は省略する。
【００２９】
図３〜５に示すように、イオン発生素子１１は、いわゆる沿面式と呼ばれる素子であり、誘電体１５の表面１５ａ及び裏面１５ｂにイオン発生電極１６及び誘導電極１７ａ、１７ｂをそれぞれ配置して構成されている。誘電体１５の表面１５ａとは支持体３ａの斜面３ｃと反対側の面であり、裏面１５ｂとは斜面３ｃと対向する面である。
【００３０】
誘電体１５は、マイカを接着剤により多数積層させた長尺な矩形状の板である。なお、誘電体１５は、マイカの積層体に限らず、セラミックス、ガラス、ポリマーなどであってもよい。
【００３１】
イオン発生電極１６は、誘電体１５の表面１５ａにステンレスで形成されており、線状電極１６ａと線状電極１６ａから長手方向と直交する短手方向に突出した複数の微細な三角形状の突起電極１６ｂとを有している。複数の突起電極１６ｂは、Ｘ方向に沿って等間隔に線状電極１６ａを挟んで２列の千鳥状に配置されている。
【００３２】
誘導電極１７ａ、１７ｂは、誘電体１５の裏面１５ｂにイオン発生電極１６と同様にステンレスで形成されており、イオン発生電極１６と平行になっている。また、２本の誘導電極１７ａ、１７ｂは、イオン発生電極１６から誘導電極１７ａ、１７ｂを見たときに、イオン発生電極１６の両側に配置されている。なお、イオン発生電極１６及び誘導電極１７ａ、１７ｂの材料は、ステンレスに限らず、カーボン、タングステン、アルミニウム、銅、金、タンタル、タングステンまたはニッケルなどの単独金属、もしくは、これらの合金、さらには導電性セラミックスなどであってもよい。
【００３３】
また、誘電体１５の表面１５ａ全体には、誘電体１５の表面１５ａ及びイオン発生電極１６を被覆する表面保護層１８が形成されている。表面保護層１８は、誘電体１５の剥離防止や耐湿性向上を目的として形成されており、例えば、シリカ系コート材やアクリル系コート材からなる。
【００３４】
また、誘電体１５の裏面１５ｂ全体には、誘電体１５の裏面１５ｂ及び誘導電極１７ａ、１７ｂを被覆する裏面保護層１９が形成されている。裏面保護層１９は、例えば、シリコン系コート材やエポキシ系コート材からなる。
【００３５】
図５に示すように、イオン発生素子１１の裏面保護層１９と支持体３ａの斜面３ｃとの間には、安定化電極２６ａが配置されている。この安定化電極２６ａには、イオン発生電極１６から発生するイオンと同極性のバイアス電圧が印加されている。
【００３６】
例えば、イオン発生電極１６から発生したイオンが裏面保護層１９に引き寄せられ、裏面保護層１９がイオン発生電極１６から発生するイオンと逆極性に帯電する可能性がある。支持体３ａが特に樹脂製の場合は、この裏面保護層１９に加えて支持体３ａも帯電する可能性がある。負イオンを発生するイオン発生素子１１に対して、本実施形態のように、同極性のバイアス電圧を印加した安定化電極２６ａを設けることにより、裏面保護層１９またはこれに追加して支持体３ａが帯電することを防止する。正イオンを発生するイオン発生素子１２についても同様である。これにより、イオン発生電極１６から発生するイオン量を安定化することができる。
【００３７】
図１、図２に戻って、ガスタンク６は中空であり、２つのイオン発生素子１１、１２のＹ方向両側において下方に開口した２つのガス噴射口６ａがＸ方向に沿って複数形成されている。ガスタンク６は、図示しないガス供給源に接続されている。ガスとしては、エアガスまたは窒素などの不活性ガスが適当である。ガス供給源から供給されたガスは、ガスタンク６のガス噴射口６ａから搬送面３０ａと直交する方向に向かってカバー９の孔９ａ及び電流検出電極２７ａ、２７ｂの孔を介して送出される。つまり、ガスタンク６の複数のガス噴射口６ａから送出されたガスは、搬送方向に関して２つのイオン発生素子１１、１２を挟んで、搬送面３０ａと直交する方向に向かった状態でＸ方向に延在したガスカーテンを形成することとなる。
【００３８】
ここで、２つのイオン発生素子１１、１２は沿面式であるため、極性に関係なく静電気によりゴミが付着しやすくなっている。そこで、２つのイオン発生素子１１、１２に対応してガスカーテンをそれぞれ形成することで、２つのイオン発生素子１１、１２のイオン発生面１１ａ、１２ａから搬送面３０ａへ向かってそれぞれ発生するイオンの分布領域をガスカーテンによって周囲から遮断するため、周囲のゴミが２つのイオン発生面１１ａ、１２ａに付着しづらくなる。また、ガスカーテンは２つのイオン発生素子１１、１２を挟んで形成されるので、２つのイオン発生面１１ａ、１２ａから発生したイオンが分散するのを防止し、２つのイオン発生面１１ａ、１２ａからそれぞれ発生したイオンがより効率よく搬送面３０ａに流れ、一層効果的に被除電対象物３０の除電を行うことができる。
【００３９】
なお、沿面式のイオン発生素子１１、１２は、図１、図２に図示のＸ方向の長さが短い。したがって、Ｘ方向に対して長い寸法の除電装置が要求される場合は、通常、筐体２内のＸ方向に図２の素子ユニット３を複数個直列に連結して配置することとなる。後述するが、電源基板５は各素子ユニット３に必要であるが、制御基板４は複数の素子ユニット３に対して共通に構成することが可能である。例えば、本実施形態においては、一番端の初段の素子ユニット３には制御基板４と電源基板５が設けられており、初段以外の素子ユニット３には電源基板５のみが設けられている。
【００４０】
次に、除電装置１の電気的構成について図面を参照しつつ説明する。図６は、除電装置の電気的構成を示すブロック図である。なお、図６には、初段の素子ユニット３に対応する制御基板４及び電源基板５を示している。ただし、制御基板４において、（プラス側）Ｄ／Ａコンバータ４４、（マイナス側）Ｄ／Ａコンバータ４５、及び、Ａ／Ｄコンバータ４６については、初段の素子ユニット３部分のみを図示し、初段以外の素子ユニット３に対応するコンバータは図示を省略している。以下、主に一つの素子ユニット３について動作説明するが、制御基板４はＣＰＵ４０により個々の素子ユニット３についてシーケンシャルに行われることになる。
【００４１】
図６に示すように、除電装置１は、電流検出電極２７ａ、２７ｂによって検出された放電電流信号に基づいてフィードバック制御を行い、イオン発生素子１１、１２に印加する駆動電圧を所定のイオン量となるように変化させる。
【００４２】
制御基板４は、各種動作を制御する信号を生成するために各種演算を実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）４０と、各種動作を制御するプログラムやデータなどが記憶されたＲＯＭ（Read Only Memory）４１と、ＣＰＵ４０での演算結果などのデータを一時記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）４２と、不揮発性、つまり電源切断により消去されないようにデータを記憶するＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable PROM：記憶手段）４３と、デジタル値をアナログ値に変換するＤ／Ａコンバータ４４、４５と、アナログ値をデジタル値に変換するＡ／Ｄコンバータ４６などを有している。なお、制御基板４は、ロジックＩＣ、ＡＳＩＣまたはＦＰＧＡなどで構成してもよい。制御基板４のＣＰＵ４０から各素子ユニット３への信号授受及び各対に対する制御処理は、周知のタイムシーケンシャル作用などによって十分迅速に行うことができる。
【００４３】
次に、電源基板５の内部構成について説明する。図７は、電源基板の内部回路図である。図６に示すように、電源基板５は、プラス側の電圧発生回路４７と、マイナス側の電圧発生回路４８を有している。そして、図７に示すように、２つの電圧発生回路４７、４８は、共通の電源５１を有しており、駆動回路５２と、トランス５３と、２次回路５４とをそれぞれ有している。電源５１から出力された電圧は、対応する駆動回路５２、トランス５３、２次回路５４を介して２つのイオン発生素子１１、１２にそれぞれ印加される。
【００４４】
ここで、１つの素子ユニット３の２つのイオン発生素子１１、１２に印加される駆動電圧について詳細に説明する。図８は、電源基板５から２つのイオン発生素子１１、１２にそれぞれ印加される電圧波形を示す図である。図８に示すように、プラス側の電圧発生回路４７は、プラスのバイアス電圧を印加するとともに、イオン発生素子１２に対して１周期（例えば、１０〜５００Ｈｚ）の間に例えば２度連続してプラスのパルス電圧を印加する電圧印加サイクルＶ１を繰り返す。
【００４５】
また、マイナス側の電圧発生回路４８は、マイナスのバイアス電圧を印加するとともに、イオン発生素子１１に対して１周期の間に例えば２度連続してマイナスのパルス電圧を印加する電圧印加サイクルＶ２を繰り返す。本実施形態において、パルス幅Ｂは５μｓ、パルス間隔Ｃは３００μｓ、出力電圧Ｖは２．４ｋＶｐｋとなっている。なお、この１周期におけるパルス電圧の数は発生させたいイオン発生量によって種々に変化させることができる。
【００４６】
制御基板４のＣＰＵ４０は、電流検出電極２７ａ、２７ｂにより検出された放電電流をＡ／Ｄコンバータ４６を介してデジタル値の放電電流信号（イオン量発生情報）として入力する。そして、ＣＰＵ４０は、この放電電流信号に基づいて、電流検出電極２７ａ、２７ｂにより検出される放電電流が所望のイオン量に対応した目標電圧値と一致するように、つまり２つのイオン発生素子１１、１２から目標とするイオン量をそれぞれ発生させるように電圧制御信号（デジタル値：電圧制御情報）を生成する。
【００４７】
ＣＰＵ４０から出力されて、Ｄ／Ａコンバータ４４、４５により電圧制御信号値からアナログ値の電圧に変換された電圧制御信号は、電源基板５の電圧発生回路４７、４８にそれぞれ送られる。そして、２つの電圧発生回路４７、４８は各電圧制御信号を受けて、電圧制御信号に対応した駆動電圧を２つのイオン発生素子１１、１２にそれぞれ印加する。すなわち、ＣＰＵ４０は、電圧制御信号の生成に際して、放電電流信号が目標電圧値になるようにフィードバック制御を行っており、本発明におけるフィードバック制御手段として機能している。
【００４８】
また、ＣＰＵ４０は、所望の一定周期ごとに、電圧制御信号のフィードバック処理に使用される放電電流信号と、これに基づいて生成された駆動電圧に対応する電圧制御信号を受けて、各素子ユニット３のイオン発生素子１１、１２のそれぞれの「交換時期」に関する判定を行う。具体的には、ＣＰＵ４０では、駆動電圧に対応した電圧制御信号をある上限（例えば、１０ｂｉｔでは１０２３）となるように設定しており、上限よりも若干低い値であるデジタル値を閾値（第１レベル値、例えば１０１９）として設定し、電圧制御信号がこの値以上かどうか判定する。また、ＣＰＵ４０は、所望のイオン量のときを放電電流信号基準値とし、これに対してデジタル値で所定値（例えば、５０）低い値を閾値（第１レベル値）として設定し、放電電流信号値がこの値以下であるかどうか判定する。
【００４９】
そして、ＣＰＵ４０は、電圧制御信号が第１レベル値以上で、且つ、放電電流信号が第１レベル値以下であることが所定周期継続した場合には、対応するイオン発生素子１１、１２の「素子寿命がきた、または交換時期が経過した」と判定して、このように判定された該当の素子ユニット３を含めたすべての素子ユニット３のイオン発生素子１１、１２への駆動電圧の印加を停止させる。また、ＣＰＵ４０は、図示しないＬＥＤセグメントなどからなる表示装置に、該当の素子ユニット３の識別番号とともに、この素子ユニット３のイオン発生素子１１、１２の素子寿命がきたこと、または交換時期が経過したことを表示させる。この表示に追加して、いずれか任意の１つイオン発生素子１１、１２の素子寿命がきたことにより駆動を停止している旨（例えば、カスタマーサービスセンターへ連絡することを示唆する流れ文字表示を行う）などを表示してもよい。
【００５０】
また、ＣＰＵ４０は、第１レベルより高い電圧制御信号（第２レベル値、例えば９００）を閾値として設定している。ＣＰＵ４０は、電圧制御信号がこの値以上であることが所定周期継続した場合には、該当するイオン発生素子１１、１２の「交換時期である」と判定する。また、ＣＰＵ４０は、図示しないＬＥＤセグメントなどからなる表示装置に該当の素子ユニット３の識別番号とともに素子ユニット３の交換時期であることを表示させる。
【００５１】
さらに、ＣＰＵ４０は、電圧制御信号、放電電流信号、及び、駆動電圧の一部の分圧値に対応した駆動電圧信号の３つの信号値（図示せず）のうち、２つ、あるいは３つの信号状態から、除電装置１のいずれかの箇所において不具合が生じていることを検出し、その不具合箇所を特定する。例えば、ＣＰＵ４０は、駆動電圧信号及び電圧制御信号がそれぞれ下限値よりも小さい値であることが検出された場合には、制御基板４と電源基板５との間で放電電流信号用の配線と駆動電圧信号用の配線とが逆に誤接続されていると判定する。
【００５２】
ＥＥＰＲＯＭ４３は、記憶されたデータが電源切断では消去されないような不揮発性メモリであり、ＣＰＵ４０により生成される電圧制御信号を記憶している。図９は、ＥＥＰＲＯＭによる電圧制御信号の記憶領域について説明する図である。図９に示すように、ＥＥＰＲＯＭ４３は、電圧制御信号を記憶する２つの記憶領域Ａ１、Ａ２を有しており、第１記憶領域Ａ１には、あらかじめ定められた電圧制御信号の保存間隔の最後の経過時に、その時点で印加していた駆動電圧に対応する電圧制御信号が記憶されており、ほぼ現在２つのイオン発生素子１１、１２に印加されている駆動電圧に対応している。第２記憶領域Ａ２には、電圧制御信号の保存間隔の１つ前の経過時に２つのイオン発生素子１１、１２に印加されていた駆動電圧に対応した第２電圧制御信号が記憶されている。
【００５３】
そして、詳しくは後述するが、ＣＰＵ４０によりフィードバック処理間隔ごとにフィードバック制御が行われ、処理間隔ごとに２つのイオン発生素子１１、１２に印加される駆動電圧を可変する。そして、フィードバックの複数周期を含む、電圧制御信号の保存間隔が経過するときに、正常に駆動している場合、ＥＥＰＲＯＭ４３は、第１記憶領域Ａ１に記憶されていた第１電圧制御信号が第２記憶領域Ａ２に第２電圧制御信号として上書きされ、第２記憶領域Ａ２に記憶されていた第２電圧制御信号は消去されるとともに、現在２つのイオン発生素子１１、１２に印加されている駆動電圧に対応した電圧制御信号が第１記憶領域Ａ１に第１電圧制御信号として記憶される。つまり、ＥＥＰＲＯＭ４３は、電圧制御信号を記憶領域に定期的に格納している。
【００５４】
例えば、図９に示すように、当初、ＥＥＰＲＯＭ４３の第１記憶領域Ａ１に電圧制御信号Ｄ１が記憶されており、その後、次の保存間隔が経過するとき、その間のフィードバック制御により２つのイオン発生素子１１、１２に電圧制御信号Ｄ２が印加されていれば、電圧制御信号Ｄ１は第２記憶領域Ａ２に記憶され、電圧制御信号Ｄ２が第１記憶領域Ａ１に記憶される。さらに、保存間隔が経過して、その経過時点で、フィードバック制御により２つのイオン発生素子１１、１２に電圧制御信号Ｄ３が印加されていれば、電圧制御信号Ｄ２は第２記憶領域Ａ２に上書き、第２記憶領域Ａ２に記憶されていた電圧制御信号Ｄ１は消去されるとともに、電圧制御信号Ｄ３が第１記憶領域Ａ１に記憶される。
【００５５】
また、ＥＥＰＲＯＭ４３は、ＣＰＵ４０により、いずれかのイオン発生素子１１、１２の「寿命がきた、または交換時期が経過した」と判定されたときは、その旨と該当の素子ユニット３の識別番号を記憶するとともに、素子寿命経過記録を記憶している。また、ＥＥＰＲＯＭ４３は、ＣＰＵ４０により、「交換時期」であると判定されたときも同様に、その旨と該当の素子ユニット３の識別番号を記憶するとともに、交換時期記録を記憶している。これは安全確保のために備えられ、電源遮断後、素子ユニット３の交換が行われない場合に対応できるようにしている。すなわち、除電装置１の電源を遮断し、この後、仮に該当の素子ユニット３の交換を怠って再度電源を投入した場合でもＥＥＰＲＯＭ４３は電源遮断時の内容を記憶している。
【００５６】
したがって、ＣＰＵ４０が、「寿命がきた、または交換時期が経過した」と判定したときには、再度電源が投入されても、すべての素子ユニット３のイオン発生素子１１、１２への駆動電圧の印加を停止するとともに、図示しないＬＥＤセグメントなどからなる表示装置に素子ユニット３の識別番号及びこれの素子寿命がきている、または交換時期が経過している旨を表示する。また、ＣＰＵ４０が、「交換時期である」と判定したときには、除電装置１の駆動が通常どおり再開されるものの、図示しないＬＥＤセグメントなどからなる表示装置に交換時期にある素子ユニット３の識別番号及びこれが交換時期である旨を表示した警告状態となっている。除電装置１の電源を遮断した後、該当の素子ユニット３が交換されたときは、ＥＥＰＲＯＭ４３からこのような安全確保のための記憶内容を消去し、警告状態を解除する。
【００５７】
次に、除電装置１の電源投入してイオン発生するまでの動作フローについて説明する。図１０は、除電装置の電源投入後の動作状態の前段過程を示すフローチャート図である。図１１は、除電装置の電源投入後の動作状態の中段過程を示すフローチャート図である。図１２は、除電装置の電源投入後の動作状態の後段過程を示すフローチャート図である。
【００５８】
図１０〜図１２に示すように、除電装置１は、電源投入すると、各変数やタイマー初期化などの初期化処理を行う（Ｓ１）。次に、ＣＰＵ４０によるＥＥＰＲＯＭ４３内の保存データの読み込み処理を行う（Ｓ２）。ＥＥＰＲＯＭ４３内の読み込む保存データとしては、電圧制御信号、素子寿命経過記録、及び、交換時期記録などである。
【００５９】
そして、ＣＰＵ４０によりＥＥＰＲＯＭ４３への読み込み処理に対して読み込みエラーが生じていないか（すなわち、情報が取得できなかった場合、あるいは、取得できた情報が正常であるか）を判定する（Ｓ３）。なお、取得できた情報が正常であるとは、ＣＰＵ４０により予め設定された範囲内の電圧制御信号に対応する情報であるか否かで判断する。ＣＰＵ４０により読み込みエラーが生じていると判定された（Ｓ３：異常読み込み）場合にはステップ９のデフォルト出力に進み、予め設定されたデフォルトの電圧制御信号をＤ／Ａコンバータ４４、４５に出力する（Ｓ９）。これは、何らかの理由により、第１電圧制御信号及び第２電圧制御信号がともに正常に読み出せないときの対応を図るものである。仮に、このような対応がなければ正常な動作より安定した状態になるのが遅くなる可能性があるが、本実施形態においては、デフォルトの電圧制御信号がＤ／Ａコンバータ４４、４５に出力されるため、従前と同様のイオン発生を開始することができる。
【００６０】
また、ＣＰＵ４０により読み込みエラーが生じていないと判定された場合には（Ｓ３：正常読み込み）、ＣＰＵ４０によりＥＥＰＲＯＭ４３に素子寿命経過記録が記憶されているか否か（すなわち、イオン発生素子１１、１２の「寿命がきた、または、交換時期が経過した」かどうか）を判定する（Ｓ４）。ＣＰＵ４０によりＥＥＰＲＯＭ４３に素子寿命経過記録が記憶されていると判定された場合には（Ｓ４：素子寿命記録あり）、図示しないＬＥＤセグメントなどからなる表示装置に「寿命がきた、または交換時期が経過した」ことを表示し、素子寿命経過による停止状態（Ｓ２９）に移行し、本駆動ループには移行せずに、除電装置１の電源が落とされるまでこの状態を維持する。
【００６１】
また、ＣＰＵ４０によりＥＥＰＲＯＭ４３に素子寿命経過記録が記憶されていないと判定された場合には（Ｓ４：素子寿命記録なし）、ＣＰＵ４０によりＥＥＰＲＯＭ４３に交換時期記録が記憶されているか否か（すなわち、イオン発生素子１１、１２の「交換時期である」かどうか）を判定する（Ｓ５）。ＣＰＵ４０によりＥＥＰＲＯＭ４３に交換時期記録が記憶されていないと判定された場合には（Ｓ５：交換時期記録なし）、図示しないＬＥＤセグメントなどからなる表示装置に通常表示を行い（Ｓ６）、また、ＣＰＵ４０によりＥＥＰＲＯＭ４３に交換時期記録が記憶されていると判定された場合には（Ｓ５：交換時期記録あり）、図示しないＬＥＤセグメントなどからなる表示装置に「交換時期である」ことを警告表示する（Ｓ７）。
【００６２】
その後、ＣＰＵ４０によりＥＥＰＲＯＭ４３の第１記憶領域Ａ１と第２記憶領域Ａ２に電圧制御信号が記憶されているか判定する（Ｓ８）。例えば、初めて除電装置１の電源投入を行ったときなどのように、ＣＰＵ４０によりＥＥＰＲＯＭ４３の第１記憶領域Ａ１と第２記憶領域Ａ２に電圧制御信号が記憶されていない、すなわち保存された情報そのものがなかったと判定されると（Ｓ８：保存データなし）、予め設定されたデフォルトの電圧制御信号をＤ／Ａコンバータ４４、４５に出力する（Ｓ９）。これは、全く初めての駆動で、フィードバック制御により制御された電圧制御信号が記憶されていないときを想定している。このような場合、従来のフードバック制御と同様、電源投入により、初期設定された電圧制御信号に対応した駆動電圧からイオン発生が開始されることとなる。
【００６３】
また、ＣＰＵ４０によりＥＥＰＲＯＭ４３の第１記憶領域Ａ１に第１電圧制御信号が記憶されていると判定されると（Ｓ８：保存データあり）、この第１電圧制御信号をＤ／Ａコンバータ４４、４５に出力する（Ｓ１０）。また、何らかの異常で、ＥＥＰＲＯＭ４３の第１記憶領域Ａ１に記憶されたデータが消去されており、ＣＰＵ４０によりＥＥＰＲＯＭ４３の第１記憶領域Ａ１に第１電圧制御信号が記憶されていないと判定されても、第２記憶領域Ａ２に第２電圧制御信号が記憶されていると判定すると（Ｓ８：保存データあり）、この第２電圧制御信号を電圧発生回路４７、４８に出力する（Ｓ１０）。そして、電圧発生回路４７、４８がこの電圧制御信号に対応した駆動電圧をイオン発生素子１１、１２に印加して、イオンを発生する。
【００６４】
続いて、除電装置１は、ＣＰＵ４０により初期起動において初期異常が発生していないか判定する（Ｓ１１）。ＣＰＵ４０により初期異常ありと判定された場合には（Ｓ１１：異常あり）、異常内容をＥＥＰＲＯＭ４３に記憶して（Ｓ１８）、イオン発生素子１１、１２への駆動電圧の出力を停止し（Ｓ１９）、図示しないＬＥＤセグメントなどからなる表示装置に異常内容を警告表示し（Ｓ２０）、異常警告停止状態に移行し、除電装置１の電源が落とされるまでこの状態を維持する。
【００６５】
また、ＣＰＵ４０により初期異常なしと判定された場合には（Ｓ１１：異常なし）、本駆動ループとしてフィードバック制御（以下、ＦＢ処理と称する）を開始する。まず、ＣＰＵ４０によりＦＢ処理間隔が経過したか否かを判定する（Ｓ１２）。ＣＰＵ４０によりＦＢ処理間隔が経過していると判定されると（Ｓ１２：経過している）、ＦＢ処理を行う（Ｓ１３）。
【００６６】
そして、ＣＰＵ４０によりＦＢ処理間隔が経過していないと判定される（Ｓ１２：経過していない）、または、ＦＢ処理（Ｓ１３）を行った後には、ＣＰＵ４０により異常が発生していないか判定する（Ｓ１４）。ＣＰＵ４０により異常ありと判定された場合には（Ｓ１４：異常あり）、異常内容をＥＥＰＲＯＭ４３に記憶して（Ｓ１８）、イオン発生素子１１、１２への駆動電圧の出力を停止し（Ｓ１９）、図示しないＬＥＤセグメントなどからなる表示装置に異常内容を警告表示し（Ｓ２０）、異常警告停止状態に移行し、除電装置１の電源が落とされるまでこの状態を維持する。
【００６７】
また、ＣＰＵ４０により異常なしと判定された場合には（Ｓ１４：異常なし）、ＣＰＵ４０によりメンテナンス判定間隔が経過したか否かを判定する（Ｓ１５）。ＣＰＵ４０によりメンテナンス判定間隔が経過していないと判定されたときについては（Ｓ１５：経過していない）後述する。ＣＰＵ４０によりメンテナンス判定間隔が経過していると判定されると（Ｓ１５：経過している）、ＣＰＵ４０により、Ｓ５において素子交換時期を判定したときの判定結果に基づいて、通常状態か警告状態かを判定する（Ｓ２１）。
【００６８】
ＣＰＵ４０により通常状態と判定された場合には（Ｓ２１：通常状態）、ＣＰＵ４０により素子交換時期を判定する（Ｓ２２）。ＣＰＵ４０により素子交換時期であると判定された場合には（Ｓ２２：交換時期である）、ＥＥＰＲＯＭ４３に素子交換時期記録を記憶するとともに、図示しないＬＥＤセグメントなどからなる表示装置に素子交換時期であることを警告表示する（Ｓ２３）。Ｓ２３において警告表示をした後、または、ＣＰＵ４０により素子交換時期ではないと判定された場合（Ｓ２２：交換時期ではない）については後述する。
【００６９】
一方、ＣＰＵ４０により警告状態と判定された場合には（Ｓ２１：警告状態）、ＣＰＵ４０により素子交換時期の警告を解除できるか否かを判定する（Ｓ２５）。そして、警告解除の条件を満たしていると判定された場合には（Ｓ２５：条件を満たしている）、ＥＥＰＲＯＭ４３の素子交換時期記録を消去するとともに、警告を解除する（Ｓ２６）。
【００７０】
また、Ｓ２３において警告表示をした後、または、Ｓ２６において警告を解除した後、並びに、ＣＰＵ４０により素子交換時期ではないと判定された場合（Ｓ２２：交換時期ではない）、または、警告解除の条件を満たしていないと判定された場合には（Ｓ２５：条件を満たしていない）、ＣＰＵ４０により素子寿命を経過しているか否かを判定する（Ｓ２４）。
【００７１】
ＣＰＵ４０により素子寿命を経過していると判定された場合には（Ｓ２４：寿命が経過している）、ＥＥＰＲＯＭ４３に素子寿命経過記録を記憶し（Ｓ２７）、イオン発生素子１１、１２への駆動電圧の出力を停止し（Ｓ２８）、図示しないＬＥＤセグメントなどからなる表示装置に素子寿命経過を警告表示し（Ｓ２９）、素子寿命経過停止状態に移行し、除電装置１の電源が落とされるまでこの状態を維持する。
【００７２】
また、ＣＰＵ４０によりメンテナンス判定間隔が経過していないと判定された場合（Ｓ１５：経過していない）、または、ＣＰＵ４０により素子寿命を経過していないと判定された場合には（Ｓ２４：寿命が経過していない）、ＣＰＵ４０によりＥＥＰＲＯＭ４３への電圧制御信号の保存間隔が経過しているか否かを判定する（Ｓ１６）。ＣＰＵ４０によりＥＥＰＲＯＭ４３への電圧制御信号の保存間隔が経過していると判定された場合には（Ｓ１６：経過している）、ＥＥＰＲＯＭ４３の第１記憶領域Ａ１に現在イオン発生素子１１、１２に印加されている駆動電圧に対応する電圧制御信号を第１電圧制御信号として記憶するとともに、それまで第１記憶領域Ａ１に記憶されていた第１電圧制御信号を第２記憶領域Ａ２に第２電圧制御信号として記憶する。
【００７３】
そして、ＣＰＵ４０によりＥＥＰＲＯＭ４３への電圧制御信号の保存間隔が経過していないと判定された場合（Ｓ１６：経過していない）、または、Ｓ１７においてＥＥＰＲＯＭ４３に電圧制御信号を記憶して本駆動ループを繰り返す。
【００７４】
本実施形態における除電装置１によると、電源投入時に、ＥＥＰＲＯＭ４３に記憶された前回駆動時の電源を切る前の電圧制御信号に基づいた駆動電圧がイオン発生素子１１、１２に印加される。すると、除電装置１は、前回駆動時におけるイオン発生状態に近い状態からフィードバック制御を開始することになる。ところで、環境条件の変化よりもイオン発生素子１１、１２の放電劣化の方が、イオン発生開始から安定したイオン発生状態になるまでの時間に及ぼす影響が大きい。したがって、イオン発生素子１１、１２が放電劣化して、所定のイオン量を発生するのに必要な電圧制御信号に対応する駆動電圧が大きくなってきたとしても、イオン発生素子１１、１２が電源を切る前とほぼ同じ駆動電圧でイオン発生を再開するため、除電装置１はイオン発生状態に近い状態からフィードバック制御を開始することになり、環境条件が多少変化したとしても、安定したイオン発生状態になるまでの時間を短くすることができる。このように、常に同じ初期値の駆動電圧からイオンの発生を開始する場合に比べて、イオン発生素子１１、１２の放電劣化状態によらず、所定のイオン量を発生する安定したイオン発生状態になるまでの時間を短くすることができる。
【００７５】
また、例えば、除電装置１が、異常な環境などによって瞬停などが生じて予期せずに電源が切れる場合がある。あるいは、上述したように除電装置１のいずれかの箇所において不具合が生じていることを検出して駆動が停止する場合がある。そこで、本実施形態においては、電圧制御信号に対する保存間隔が設定され、ＥＥＰＲＯＭ４３にはフィードバックの所定周期ごとにおける電圧制御信号が記憶されている。すなわち、駆動の停止前でＥＥＰＲＯＭ４３の保存間隔の経過するときの電圧制御信号値を記憶（Ｓ１６、Ｓ１７）している。したがって、瞬停解消または不具合を解消してからの電源投入後、ＥＥＰＲＯＭ４３からは安定した状態における電圧制御信号が読み出されて（Ｓ２）、イオン発生が開始され、イオン発生素子１１、１２が所定のイオン量を発生する安定したイオン発生状態になるまでの時間を短くすることができる。
【００７６】
さらに、沿面式のイオン発生素子１１、１２は、一般的に、針式のイオン発生素子に比べて、低電圧駆動であり、駆動電圧の変化に対するイオン発生量の変化が大きい。したがって、ＣＰＵ４０によって精度の高いフィードバック制御が必要であるが、ＥＥＰＲＯＭ４３に記憶された前回駆動時において電源を切る直前の駆動電圧をイオン発生素子１１、１２に印加していることで、安定したイオン発生状態になるまでの時間を短縮することができる。
【００７７】
また、沿面式のイオン発生素子１１、１２は、針式のイオン発生素子に比べて、長い長さの除電装置を構成しようとしたときに、複数のユニットを連結させ、各ユニットに対してフィードバック制御が必要になる。したがって、安定したイオン発生状態になるまでの時間を短縮することは、除電装置全体として、複数のユニットの合計のフィードバック制御にかかる時間を短くできるため、非常に効果的である。
【００７８】
加えて、ＥＥＰＲＯＭ４３は、ＣＰＵ４０によって読み出される電圧制御信号を、２つの第１記憶領域Ａ１と第２記憶領域Ａ２に２面管理しているため、第１記憶領域Ａ１へ第１電圧制御信号の書き込みエラーが発生していて、第１記憶領域Ａ１を参照しても第１電圧制御信号が読み出されない場合でも、第２記憶領域Ａ２に記憶され、第１電圧制御信号に近い値である第２電圧制御信号をイオン発生素子１１、１２に印加することで、安定したイオン発生状態になるまでの時間が長くなるのを抑制することができる。さらに、第２記憶領域Ａ２へ第２電圧制御信号の書き込みエラーが発生していて、第２記憶領域Ａ２を参照しても第２電圧制御信号が読み出されない場合でも、デフォルトの常に同じ電圧制御信号をイオン発生素子１１、１２に印加することで、除電装置１が停止するのを防止することができる。
【００７９】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な変更が可能なものである。例えば、本実施形態においては、沿面式のイオン発生素子１１、１２を用いて説明したが、針式のイオン発生素子を用いてもよい。このとき、例えば、図１４に示すように、針式のイオン発生素子８０、８１は、針状のイオン発生電極８２と空間を隔てて対向電極（図示せず）が配置されている。針状のイオン発生電極８２は、通常、複数本組み合わせて形成される。イオン発生素子８０、８１は、互いに異なる極性の電圧が印加され、コロナ放電やバリア放電による放電現象によりイオン発生電極８２から互いに異なる正イオンと負イオンを発生する。針式のイオン発生素子８０、８１は、沿面式のイオン発生素子１１、１２に比べて、素子の作製が比較的容易であり、コスト的に有利であるとともに、湿度の高い環境などでも電極表面に水分が付着しにくく、イオン発生量が低減しにくいという特徴を有している。このような針式のイオン発生素子においても、速度の差があれ使用により劣化が進む点などにおいては沿面式と同様であり、本発明を適用することができる。
【００８０】
また、本実施形態においては、ＣＰＵ４０によってフィードバック制御された電圧制御信号を記憶する手段として、ＥＥＰＲＯＭ４３を用いていたが、ＥＥＰＲＯＭ４３に限らず、強誘電体メモリであるＦｅＲＡＭや磁気抵抗メモリであるＭＲＡＭなどの半導体素子からなる不揮発性メモリであってもよい。また、半導体素子に限らず、磁気コアメモリや磁気バブルメモリなどの不揮発性メモリであってもよい。
【００８１】
さらに、本実施形態においては、ＣＰＵ４０によってフィードバック制御された電圧制御信号をＥＥＰＲＯＭ４３の２つの記憶領域に記憶していたが、１または３以上の記憶領域に記憶してもよい。
【００８２】
また、イオン発生電極１６の突起電極１６ｂの形状は、三角形状に限らず、波状、円状、格子状などいかなる形状であってもよい。
【００８３】
さらに、イオン発生素子１１、１２に対する印加電圧は、図９の例では常時バイアス電圧を印加する方法を利用しているが、イオン発生のため、アース電圧（０ボルト）より所定のピークのパルス電圧を印加するような駆動方法でもよく、公知、周知の駆動方法が利用できる。
【００８４】
以上、説明した実施形態及びその変更形態では、本発明を、被除電対象物３０を除電する除電装置に適用したが、本発明の適用対象は、このような除電目的のイオン発生装置に限らず、除電とは逆作用の対象物にプラスまたはマイナスの電荷を帯電させる帯電装置を含め、さまざまな用途に使用されるイオン発生装置に適用することができる。
【符号の説明】
【００８５】
１  除電装置
１１、１２  イオン発生素子
２７ａ、２７ｂ  電流検出電極
４０  ＣＰＵ
４３  ＥＥＰＲＯＭ
４７、４８  電圧発生回路
【図１】
2012038464.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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