(57)【要約】【課題】複数の電源ピンを備える半導体デバイスの、電源環境に対する特性を検査可能な試験装置を提供する。【解決手段】試験装置２は、少なくともひとつの入出力端子と、電源プレインおよびそれに共通に接続される複数の電源端子Ｐ１を有するＤＵＴ１を試験する。メイン電源１０は、複数の電源端子Ｐ１１〜Ｐ１４に電力を供給する。電源補償回路２０１〜２０４は、それぞれが電源端子Ｐ１１〜Ｐ１４に割り当てられ、それぞれが制御信号ＳＣＮＴに応じて制御されるスイッチ素子を含み、スイッチ素子がオンした状態において補償パルス電流を生成する。補償パルス電流は、メイン電源１０とは別経路から対応する電源端子Ｐ１に注入され、またはメイン電源１０から対応する電源端子Ｐ１へ流れる電源電流から、補償パルス電流をＤＵＴ１とは別経路に引きこむ。【選択図】図７
2012103053.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともひとつの入出力端子と、電源プレインおよびそれに共通に接続される複数の電源端子を有する被試験デバイスを試験する試験装置であって、
前記複数の電源端子に電力を供給するメイン電源と、
それぞれが前記電源端子に割り当てられた複数の電源補償回路であって、それぞれが制御信号に応じて制御されるスイッチ素子を含み、前記スイッチ素子がオンした状態において補償パルス電流を生成し、前記補償パルス電流を前記メイン電源とは別経路から対応する電源端子に注入し、または前記メイン電源から前記被試験デバイスの対応する電源端子へ流れる電源電流から、前記補償パルス電流を前記被試験デバイスとは別経路に引きこむ、複数の電源補償回路と、
前記被試験デバイスの前記少なくともひとつの入出力端子に供給すべき試験信号を記述するテストパターン、および、前記制御信号を記述する、前記テストパターンに応じて定められた制御パターンを生成するパターン発生器と、
それぞれが前記少なくともひとつの入出力端子ごとに設けられ、それぞれが前記テストパターンに応じた試験信号を、対応する前記入出力端子に出力する、少なくともひとつのドライバと、
それぞれが前記電源補償回路ごとに設けられ、それぞれが前記制御パターンに応じた前記制御信号を、対応する前記電源補償回路の前記スイッチ素子に出力する、複数のドライバと、
を備えることを特徴とする試験装置。
【請求項２】
前記制御パターンは、電源端子ごとに規定されており、
前記パターン発生器は、前記電源端子ごとに規定された制御パターンを、対応するドライバに出力することを特徴とする請求項１に記載の試験装置。
【請求項３】
前記被試験デバイス全体に対して与えるべき補償量に応じて、ひとつの制御パターンが規定されており、
前記パターン発生器は、所定の規則にしたがって前記複数の電源補償回路の任意の少なくともひとつを選択し、選択された少なくともひとつの電源補償回路に対して、前記制御パターンを分配することを特徴とする請求項１に記載の試験装置。
【請求項４】
前記複数の電源補償回路を同時に動作させることにより、前記被試験デバイス内のある箇所に、複数の電源補償回路による補償がベクトル的に合成された補償を与えることを特徴とする請求項１に記載の試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源の安定化技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）テクノロジを用いたＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）、メモリなどの半導体集積回路（以下、ＤＵＴという）を試験する際、ＤＵＴ内のフリップフロップやラッチは、クロックが供給される動作中は電流が流れ、クロックが停止すると回路が静的な状態となって電流が減少する。したがって、ＤＵＴの動作電流（負荷電流）の合計は、試験の内容などに応じて時々刻々と変動する。
【０００３】
ＤＵＴに電力を供給する電源回路はたとえばレギュレータを用いて構成され、理想的には負荷電流にかかわらず一定の電力を供給可能である。しかしながら実際の電源回路は、無視できない出力インピーダンスを有し、また電源回路とＤＵＴの間にも無視できないインピーダンス成分が存在するため、負荷変動によって電源電圧が変動してしまう。
【０００４】
電源電圧の変動は、ＤＵＴの試験マージンに深刻な影響を及ぼす。また電源電圧の変動は、試験装置内のその他の回路ブロック、たとえばＤＵＴに供給するパターンを生成するパターン発生器や、パターンの遷移タイミングを制御するためのタイミング発生器の動作に影響を及ぼし、試験精度を悪化させる。
【０００５】
特許文献２に記載の技術では、被試験デバイスに電源電圧を供給するメインの電源に加えて、ドライバの出力によってオン、オフが制御されるスイッチを含む補償回路が設けられる。そして、被試験デバイスに供給されるテストパターンに応じて発生しうる電源電圧の変動をキャンセルするように、スイッチ素子に対する補償用の制御パターンをテストパターンに対応付けて定義しておく。実試験時には、テストパターンを被試験デバイスに供給しつつ、補償回路のスイッチを制御パターンに応じてスイッチングすることにより、電源電圧を一定に保つことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２０５８１３号公報
【特許文献２】国際公開第１０／０２９７０９Ａ１号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年の半導体デバイスは、その内部が単一の電源プレインで、あるいは複数の電源プレインに分割して構成されている。そして各電源プレインごとに、デバイス内部で共通に接続される複数の電源端子（ピン）および複数の接地端子（ピン）が設けられている。図１は、単一の電源プレイン１０８および複数の電源端子Ｐ１、複数の接地端子Ｐ２を有するＤＵＴ１の構成を示す図である。図１において、端子がＤＵＴ１のパッケージの外周に沿って設けられるようすが示されるが、これは模式的に示したものに過ぎない。つまりＤＵＴ１はペリフェラルパッケージであってもよいし、ＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージであってもよいし、別のパッケージ構造であってもよい。
【０００８】
このＤＵＴ１が製品（セット）のプリント基板１００に実装される際には、その複数の電源端子Ｐ１は、共通の電源パターン１０２を介して電源（不図示）と接続される。電源パターン１０２には、バイパスコンデンサ１０４が接続されてもよい。また、複数の接地端子Ｐ２は、たとえば共通の接地パターン（ランド）１０６と接続される。
【０００９】
このバイパスコンデンサ１０４の個数や配置箇所、電源パターン１０２、接地パターン１０６の形状などに応じてＤＵＴ１の各電源端子Ｐ１における電源環境（電源特性）が変化するため、それに起因してＤＵＴ１の特性が変化する場合がある。セットの設計者は、たとえばバイパスコンデンサの配置をトライアンドエラーで最適化する必要がある。かかる状況において、半導体デバイスの試験時に、その半導体デバイスの電源に対する特性を取得できれば、それをプリント基板や周辺回路の設計に役立てることができ便宜である。なおこの考察を、本発明の分野における共通の一般知識の範囲として捉えてはならない。さらに言えば、この考察自体が、本発明者らがはじめて想到したものである。
【００１０】
本発明は係る状況に鑑みてなされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、複数の電源ピンを備える半導体デバイスの、電源環境に対する特性を検査可能な試験装置の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のある態様の試験装置は、被試験デバイスを試験する。被試験デバイスは、少なくともひとつの入出力端子と、電源プレインおよびそれに共通に接続される複数の電源端子を有する。この試験装置は、複数の電源端子に電力を供給するメイン電源と、それぞれが電源端子に割り当てられた複数の電源補償回路であって、それぞれが制御信号に応じて制御されるスイッチ素子を含み、スイッチ素子がオンした状態において補償パルス電流を生成し、補償パルス電流をメイン電源とは別経路から対応する電源端子に注入し、またはメイン電源から被試験デバイスの対応する電源端子へ流れる電源電流から、補償パルス電流を被試験デバイスとは別経路に引きこむ、複数の電源補償回路と、被試験デバイスの少なくともひとつの入出力端子に供給すべき試験信号を記述するテストパターン、および、制御信号を記述する、テストパターンに応じて定められた制御パターンを生成するパターン発生器と、それぞれが少なくともひとつの入出力端子ごとに設けられ、それぞれがテストパターンに応じた試験信号を、対応する入出力端子に出力する、少なくともひとつのドライバと、それぞれが電源補償回路ごとに設けられ、それぞれが制御パターンに応じた制御信号を、対応する電源補償回路のスイッチ素子に出力する、複数のドライバと、を備える。
【００１２】
共通の電源プレインに接続される複数の電源端子は、プリント基板に実装された状態において、共通のパターンと接続される。したがって、電源補償は電源プレインを単位として行えば足りるところ、この態様によれば、電源端子ごとに電源補償回路を設けることにより、
（１）補償対象の電源端子を切りかえたり、
（２）複数の電源端子ごとに補償量を変更したり、
（３）補償量を複数の電源補償回路に分配する
ことができる。その結果、被試験デバイスの電源環境に対する特性を、電源端子ごとに評価したり、電源端子ごとに最適化したりすることができる。
【００１３】
制御パターンは、電源端子ごとに規定されてもよい。パターン発生器は、電源端子ごとに規定された制御パターンを、対応するドライバに出力してもよい。
【００１４】
被試験デバイス全体に対して与えるべき補償量に応じて、ひとつの制御パターンが規定されてもよい。パターン発生器は、所定の規則にしたがって複数の電源補償回路の任意の少なくともひとつを選択し、選択された少なくともひとつの電源補償回路に対して、制御パターンを分配してもよい。
【００１５】
試験装置は、複数の電源補償回路を同時に動作させることにより、被試験デバイス内のある箇所に、複数の電源補償回路による補償がベクトル的に合成された補償を与えてもよい。
【００１６】
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや本発明の構成要素や表現を、方法、装置などの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のある態様によれば、被試験デバイスの電源環境に対する特性を、電源端子ごとに評価することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】単一の電源プレインおよび複数の電源端子、複数の接地端子を有するＤＵＴの構成を示す図である。
【図２】実施の形態に係る試験装置の構成を示す回路図である。
【図３】制御パターンを計算する方法の一例を示すフローチャートである。
【図４】動作電流ＩＯＰ、電源電流ＩＤＤ、ソース補償電流ＩＣＭＰおよびソースパルス電流ＩＳＲＣの一例を示す波形図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、電源補償回路の構成例を示す回路図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は、電源補償回路の別の構成例を示す回路図である。
【図７】実施の形態に係る試験装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
【００２０】
本明細書において、「部材Ａが、部材Ｂと接続された状態」とは、部材Ａと部材Ｂが物理的に直接的に接続される場合や、部材Ａと部材Ｂが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。同様に、「部材Ｃが、部材Ａと部材Ｂの間に設けられた状態」とは、部材Ａと部材Ｃ、あるいは部材Ｂと部材Ｃが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
【００２１】
図２は、実施の形態に係る試験装置２の構成を示す回路図である。図２には試験装置２に加えて、試験対象の半導体デバイス（以下、ＤＵＴと称す）１が示される。
【００２２】
ＤＵＴ１は、複数のピンを備え、その中の少なくともひとつが電源電圧ＶＤＤを受けるための電源端子Ｐ１であり、別の少なくともひとつが接地端子Ｐ２である。複数の入出力（Ｉ／Ｏ）端子Ｐ３は、外部からのデータを受け、あるいは外部にデータを出力するために設けられており、試験時においては、試験装置２から出力される試験信号（テストパターン）ＳＴＥＳＴを受け、あるいは試験信号ＳＴＥＳＴに応じたデータを試験装置２に対して出力する。図２には、試験装置２の構成のうち、ＤＵＴ１に対して試験信号を与える構成が示されており、ＤＵＴ１からの信号を評価するための構成は省略されている。
【００２３】
試験装置２は、メイン電源１０、パターン発生器ＰＧ、複数のタイミング発生器ＴＧおよび波形整形器ＦＣ、複数のドライバＤＲ、電源補償回路２０を備える。
【００２４】
試験装置２は複数ｎ個のチャンネルＣＨ１〜ＣＨｎを備えており、その中のいくつか（ＣＨ１〜ＣＨ４）がＤＵＴ１の複数のＩ／Ｏ端子Ｐ３に割り当てられる。図２では、ｎ＝６の場合が示されるが、実際の試験装置２のチャンネル数は、数百〜数千のオーダーである。
【００２５】
メイン電源１０は、ＤＵＴ１の電源端子Ｐ１に供給すべき電源電圧ＶＤＤを生成する。たとえばメイン電源１０は、リニアレギュレータやスイッチングレギュレータなどで構成され、電源端子Ｐ１に供給される電源電圧ＶＤＤを、目標値と一致するようにフィードバック制御する。キャパシタＣｓは、電源電圧ＶＤＤを平滑化するために設けられる。メイン電源１０は、ＤＵＴ１に対する電源電圧の他、試験装置２内部のその他のブロックに対する電源電圧も生成する。メイン電源１０からＤＵＴ１の電源端子Ｐ１への出力電流を、電源電流ＩＤＤと称する。
【００２６】
メイン電源１０は、有限の応答速度を有する電圧・電流源であるため、その負荷電流、つまりＤＵＴ１の動作電流ＩＯＰの急峻な変化に追従できない場合がある。たとえば動作電流ＩＯＰがステップ状に変化するとき、電源電圧ＶＤＤはオーバーシュート、あるいはアンダーシュートしたり、その後のリンギングをともなったりする。電源電圧ＶＤＤの変動は、ＤＵＴ１の正確な試験を妨げる。なぜならＤＵＴ１にエラーが検出されたとき、それがＤＵＴ１の製造不良によるものなのか、電源電圧ＶＤＤの変動によるものなのかを区別することができないからである。
【００２７】
電源補償回路２０は、メイン電源１０の応答速度を補うために設けられる。ＤＵＴ１の設計者は、ある既知の試験信号ＳＴＥＳＴ（テストパターンＳＰＴＮ）が供給された状態において、ＤＵＴ１の内部回路の動作率などの時間推移を推定可能であるから、ＤＵＴ１の動作電流ＩＯＰの時間波形を正確に予測することができる。ここでの予測とは、コンピュータシミュレーションを用いた計算や、同じ構成を有するデバイスを対象とした実測などが含まれ、特にその手法は限定されない。
【００２８】
一方、メイン電源１０の応答速度（利得、フィードバック帯域）が既知であれば、予測される動作電流ＩＯＰに応答してメイン電源１０が生成する電源電流ＩＤＤもまた予測することができる。そうすると、予測される動作電流ＩＯＰと電源電流ＩＤＤの差分を、電源補償回路２０によって補うことにより、電源電圧ＶＤＤを安定化することができる。
なお電源電圧ＶＤＤ’と電源電流ＩＤＤの間には微分、もしくは積分関係が成り立つ。具体的には、メイン電源１０ならびにメイン電源１０から電源端子Ｐ１までの経路のインピーダンスが、容量性、誘導性、抵抗性のいずれが支配的であるかによって、電圧と電流の微分、積分の関係が定まる。
【００２９】
電源補償回路２０は、ソース補償回路２０ａおよびシンク補償回路２０ｂを備える。ソース補償回路２０ａは、制御信号ＳＣＮＴａに応じてオン、オフが切りかえ可能となっている。ソース補償回路２０ａが制御信号ＳＣＮＴａに応じてオンすると、補償パルス電流（ソースパルス電流ともいう）ＩＳＲＣが生成される。電源補償回路２０は、ソースパルス電流ＩＳＲＣをメイン電源１０とは別経路から電源端子Ｐ１に注入する。
【００３０】
同様にシンク補償回路２０ｂは制御信号ＳＣＮＴｂに応じてオン、オフが切りかえ可能となっている。シンク補償回路２０ｂが制御信号ＳＣＮＴｂに応じてオンすると、補償パルス電流ＩＳＩＮＫ（シンクパルス電流ともいう）が生成される。電源補償回路２０は、電源端子Ｐ１に流れ込む電源電流ＩＤＤから、シンクパルス電流ＩＳＩＮＫを、ＤＵＴ１とは別経路に引きこむ。
【００３１】
ＤＵＴ１の電源端子Ｐ１に流れ込む動作電流ＩＯＰ、メイン電源１０が出力する電源電流ＩＤＤ、および電源補償回路２０が出力する補償電流ＩＣＭＰの間には、電流保存則から、式（１）、（２）が成り立つ。
ＩＯＰ＝ＩＤＤ＋ＩＣＭＰ    …（１）
ＩＣＭＰ＝ＩＳＲＣ−ＩＳＩＮＫ      …（２）
つまり、補償電流ＩＣＭＰの正の成分が、ソースパルス電流ＩＳＲＣとしてソース補償回路２０ａから供給され、補償電流ＩＣＭＰの負の成分が、シンクパルス電流ＩＳＩＮＫとしてシンク補償回路２０ｂから供給される。
【００３２】
ドライバＤＲ１〜ＤＲ６のうち、ドライバＤＲ６は、ソース補償回路２０ａに割り当てられ、ドライバＤＲ５はシンク補償回路２０ｂに割り当てられる。別の少なくともひとつのドライバＤＲ１〜ＤＲ４は、それぞれ、ＤＵＴ１の少なくともひとつのＩ／Ｏ端子Ｐ３に割り当てられる。パターン発生器ＰＧおよびドライバＤＲ５、ＤＲ６、インタフェース回路４５、４６は、電源補償回路２０を制御する制御回路と把握することができる。
【００３３】
波形整形器ＦＣおよびタイミング発生器ＴＧをインタフェース回路４と総称する。複数の４１〜４６は、チャンネルＣＨ１〜ＣＨ６ごと、言い換えればドライバＤＲ１〜ＤＲ６ごとに設けられる。ｉ番目（１≦ｉ≦６）のインタフェース回路４ｉは、入力されたパターン信号ＳＰＴＮｉをドライバＤＲに適した信号形式に整形し、対応するドライバＤＲｉへと出力する。
【００３４】
パターン発生器ＰＧは、テストプログラムにもとづき、インタフェース回路４１〜４６に対するパターン信号ＳＰＴＮを生成する。具体的にパターン発生器ＰＧは、ＤＵＴ１のＩ／Ｏ端子Ｐ３に割り当てられたドライバＤＲ１〜ＤＲ４に対しては、各ドライバＤＲｉが生成すべき試験信号ＳＴＥＳＴｉを記述するテストパターンＳＰＴＮｉを、そのドライバＤＲｉに対応するインタフェース回路４ｉに対して出力する。テストパターンＳＰＴＮｉは、試験信号ＳＴＥＳＴｉの各サイクル（ユニットインターバル）におけるレベルを示すデータと、信号レベルが遷移するタイミングを記述するデータを含む。
【００３５】
またパターン発生器ＰＧは、必要な補償電流ＩＣＭＰに応じて定められた補償用の制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰを生成する。制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰは、ソース補償回路２０ａに割り当てられたドライバＤＲ６が生成すべき制御信号ＳＣＮＴａを記述する制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰａと、シンク補償回路２０ｂに割り当てられたドライバＤＲ５が生成すべき制御信号ＳＣＮＴｂを記述する制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰｂを含む。制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰａ、ＳＰＴＮ＿ＣＭＰｂはそれぞれ、各サイクルにおけるソース補償回路２０ａ、シンク補償回路２０ｂのオン、オフ状態を指定するデータと、オンオフを切りかえるタイミングを記述するデータを含む。
【００３６】
パターン発生器ＰＧは、テストパターンＳＰＴＮ１〜ＳＰＴＮ４にもとづいて、つまりＤＵＴ１の動作電流の変動に応じて、それを補償しうる制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰａ、ＳＰＴＮ＿ＣＭＰｂを生成し、対応するインタフェース回路４６、４５に出力する。
【００３７】
上述のように、テストパターンＳＰＴＮ１〜ＳＰＴＮ４が既知であれば、ＤＵＴ１の動作電流ＩＯＰの時間波形が予測でき、電源電圧ＶＤＤを一定に保つために発生すべき補償電流ＩＣＭＰ、すなわちＩＳＲＣ、ＩＳＩＮＫの時間波形を計算することができる。
予測される動作電流ＩＯＰが電源電流ＩＤＤより大きい場合、電源補償回路２０はソース補償電流ＩＳＲＣを発生して不足する電流を補う。ソース補償電流ＩＳＲＣに必要な電流波形は予測可能であるから、それが適切に得られるようにソース補償回路２０ａを制御する。たとえばソース補償回路２０ａを、パルス幅変調によって制御してもよい。あるいはパルス振幅変調、ΔΣ変調、パルス密度変調、パルス周波数変調などを利用してもよい。
【００３８】
図３は、制御パターンを計算する方法の一例を示すフローチャートである。ＤＵＴ１に入力されるテストパターンや回路情報にもとづいて、ＤＵＴ１の動作電流ＩＯＰが推定される（Ｓ１００）。またメイン電源１０に負荷としてＤＵＴ１が接続された状態において、ＤＵＴ１にそのイベントが発生したときに、メイン電源１０から出力される電源電流ＩＤＤを計算する（Ｓ１０２）。そして、理想電源を実現したい場合には、推定される動作電流ＩＯＰと電源電流ＩＤＤの差分を、電源補償回路２０によって生成すべき補償電流ＩＣＭＰとする（Ｓ１０４）。
【００３９】
そして、生成すべき補償電流ＩＣＭＰの波形に、ΔΣ変調、ＰＷＭ（パルス幅変調）、ＰＤＭ（パルス密度変調）、ＰＡＭ（パルス振幅変調）、ＰＦＭ（パルス周波数変調）などを施すことにより、ビットストリームの制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰを生成する（Ｓ１０６）。たとえば、補償電流ＩＣＭＰをテストサイクルごとにサンプリングし、サンプリングされた補償電流ＩＣＭＰをパルス変調してもよい。
【００４０】
図４は、動作電流ＩＯＰ、電源電流ＩＤＤ、ソース補償電流ＩＣＭＰおよびソースパルス電流ＩＳＲＣの一例を示す波形図である。ある試験信号ＳＴＥＳＴが供給されたＤＵＴ１の動作電流ＩＯＰがステップ状に増加したとする。これに応答して、メイン電源１０から電源電流ＩＤＤが供給されるが、それは応答速度の制限から、理想的なステップ波形とはならず、ＤＵＴ１に供給すべき電流が不足する。その結果、補償電流ＩＳＲＣを供給しなければ、電源電圧ＶＤＤは破線で示すように低下する。
【００４１】
電源補償回路２０は、動作電流ＩＯＰと電源電流ＩＤＤの差分に対応するソース補償電流ＩＣＭＰを生成する。ソース補償電流ＩＣＭＰは、制御信号ＳＣＮＴａに応じて生成されるソースパルス電流ＩＳＲＣで与えられる。ソース補償電流ＩＣＭＰは、動作電流ＩＯＰの変化直後に最大量必要であり、その後、徐々に低下させる必要がある。そこで、たとえばＰＷＭ（パルス幅変調）を用いてソース補償回路２０ａのオン時間（デューティ比）を、時間とともに低下させることにより、必要なソース補償電流ＩＣＭＰを生成できる。
【００４２】
試験装置２のすべてのチャンネルがテストレートに応じて同期動作する場合、制御信号ＳＣＮＴａの周期は、ＤＵＴ１に供給されるデータの周期（ユニットインターバル）、もしくはその整数倍、あるいは整数分の１に相当する。たとえばユニットインターバルが４ｎｓのシステムにおいて、制御信号ＳＣＮＴａの周期が４ｎｓであれば、制御信号ＳＣＮＴａに含まれる各パルスのオン期間ＴＯＮが、０〜４ｎｓの間で調節されうる。メイン電源１０の応答速度は数百ｎｓ〜数μｓのオーダーであるため、補償電流ＩＣＭＰの波形は、制御信号ＳＣＮＴａに含まれる数百個のパルスによって制御できる。ソース補償電流ＩＳＲＣの波形から、それを生成するために必要な制御信号ＳＣＮＴａを導出する方法については後述する。
【００４３】
反対に動作電流ＩＯＰが電源電流ＩＤＤより小さい場合、電源補償回路２０はシンク補償電流ＩＣＭＰが得られるように、シンクパルス電流ＩＳＩＮＫを発生して、過剰な電流を引き抜く。
【００４４】
電源補償回路２０を設けることにより、メイン電源１０の応答速度の不足を補い、図４に実線で示すように、電源電圧ＶＤＤを一定に保つことができる。また上述したように、電源補償回路２０は安定した振幅のパルス電流を生成できるため、高い精度で電源電圧を補償できる。
【００４５】
以上が試験装置２の全体の説明である。
【００４６】
続いて電源補償回路２０の具体的な構成例について説明する。
図５（ａ）、（ｂ）は、電源補償回路２０の構成例を示す回路図である。
図５（ａ）を参照する。ソース補償回路２０ａは、電源電圧ＶＤＤより高い電圧Ｖｘを生成する電圧源２２と、ソーススイッチＳＷ１を含む。ソーススイッチＳＷ１は、電圧源２２の出力端子と電源端子Ｐ１の間に設けられる。
電圧Ｖｘおよび電源電圧ＶＤＤが一定であれば、ソーススイッチＳＷ１がオンの状態において、ソース電流ＩＳＲＣの振幅は、
ＩＳＲＣ＝（Ｖｘ−ＶＤＤ）／ＲＯＮ１
で与えられる。ＲＯＮ１はソーススイッチＳＷ１のオン抵抗である。図５（ａ）、（ｂ）では、電源補償回路２０を小さく構成できるという利点がある。
【００４７】
シンク補償回路２０ｂは、電源端子Ｐ１と接地端子の間に設けられたシンクスイッチＳＷ２を含む。電源電圧ＶＤＤが一定であれば、シンクスイッチＳＷ２がオンした状態において、シンク電流ＩＳＩＮＫの振幅は、
ＩＳＩＮＫ＝ＶＤＤ／ＲＯＮ２
で与えられる。ＲＯＮ２はシンクスイッチＳＷ２のオン抵抗である。
【００４８】
図５（ｂ）に移る。ソース補償回路２０ａは、ソース電流源２４ａおよびソーススイッチＳＷ１を含む。ソース電流源２４ａは、ソースパルス電流ＩＳＲＣの振幅を規定する基準電流を生成する。ソーススイッチＳＷ１はソース電流源２４ａからの基準電流の経路上に設けられる。
シンク補償回路２０ｂは、シンクスイッチＳＷ２およびシンク電流源２４ｂを含む。シンク電流源２４ｂは、シンクパルス電流ＩＳＩＮＫの振幅を規定する基準電流を生成する。シンクスイッチＳＷ２は、シンク電流源２４ｂからの基準電流の経路上に設けられる。
【００４９】
ソースパルス電流ＩＳＲＣ、シンクパルス電流ＩＳＩＮＫの振幅は、数Ａ程度が必要とされる場合がある。この場合、図５（ａ）、（ｂ）におけるソーススイッチＳＷ１、シンクスイッチＳＷ２のサイズは大きくなり、そのゲート容量も大きくなる。このゲート容量によってソーススイッチＳＷ１、シンクスイッチＳＷ２のスイッチングの応答速度が低下し、所望の電流を生成できなくなる可能性がある。
また、ソーススイッチＳＷ１、シンクスイッチＳＷ２のオン抵抗ＲＯＮ１、ＲＯＮ２がばらついたり、制御信号ＳＣＮＴａ、ＳＣＮＴｂの振幅が変動すると、各スイッチのオンの程度が変動し、パルス電流ＩＳＲＣ、ＩＳＩＮＫの振幅が変動するおそれがある。
【００５０】
このよう問題が顕著となる場合、それを解決するために以下の技術を用いてもよい。図６（ａ）〜（ｃ）は、電源補償回路２０の別の構成例を示す回路図である。
図６（ａ）のソース補償回路２０ａは、電流Ｄ／Ａコンバータ２６ａ、第１トランジスタＭ１ａ、第２トランジスタＭ２ａ、ソーススイッチＳＷ１を備える。
【００５１】
電流Ｄ／Ａコンバータ２６ａは、デジタル設定信号ＤＳＥＴに応じた基準電流ＩＲＥＦを生成する。第１トランジスタＭ１ａおよび第２トランジスタＭ２ａは、カレントミラー回路を形成し、基準電流ＩＲＥＦを所定係数（ミラー比Ｋ）倍したシンクパルス電流ＩＳＩＮＫを生成する。
【００５２】
具体的に第１トランジスタＭ１ａは、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴであり、基準電流ＩＲＥＦの経路上に設けられる。第２トランジスタＭ２もＰチャンネルＭＯＳＦＥＴであり、そのゲートは、第１トランジスタＭ１ａのゲートおよびドレインと共通に接続される。
【００５３】
図６（ａ）において、ソーススイッチＳＷ１は、第１トランジスタＭ１ａのゲートと、第２トランジスタＭ２ａのゲートの間に設けられる。たとえばソーススイッチＳＷ１は、図６（ａ）のようなトランスファゲートで構成してもよいし、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴのみで構成してもよいし、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴのみで構成してもよい。ソーススイッチＳＷ１のオン、オフ状態は、制御信号ＳＣＮＴａに応じて切りかえられる。
【００５４】
図６（ａ）において、第１トランジスタＭ１ａのドレインＮ２は、ソーススイッチＳＷ１の第１トランジスタＭ１ａのゲート側の端子Ｎ１と接続される。
【００５５】
制御信号ＳＣＮＴａがハイレベルの期間、ソーススイッチＳＷ１がオンとなる。そうするとソース補償回路２０ａの出力端子Ｐ４から、基準電流ＩＲＥＦに比例したソースパルス電流ＩＳＲＣが吐き出される。制御信号ＳＣＮＴａがローレベルの期間、ソーススイッチＳＷ１がオフとなり、カレントミラー回路が動作しなくなるため、ソースパルス電流ＩＳＲＣがゼロとなる。
【００５６】
このように図６（ａ）のソース補償回路２０ａによれば、制御信号ＳＣＮＴａに応じてスイッチングするソースパルス電流ＩＳＲＣを生成できる。
図６（ａ）のソース補償回路２０ａによれば、ソースパルス電流ＩＳＲＣの振幅の安定性を高めることができる。また、ドライバＤＲの駆動対象は、大電流が流れるスイッチではなく、カレントミラー回路のゲートに設けられたスイッチであるため、高速なスイッチングが可能となる。
【００５７】
また、図６（ａ）のソース補償回路２０ａでは、ソーススイッチＳＷ１がオフ状態においても、基準電流ＩＲＥＦが第１トランジスタＭ１ａに流れ続け、第１トランジスタＭ１ａのバイアス状態が維持される。したがって、ソーススイッチＳＷ１のスイッチングに対するソース補償回路２０ａのスイッチングの応答速度が高いという利点がある。
【００５８】
シンク補償回路２０ｂは、ソース補償回路２０ａのトランジスタの導電性を入れ替え、天地反転することで構成できる。図６（ａ）には、シンク補償回路２０ｂの構成例が示される。シンク補償回路２０ｂは、電流Ｄ／Ａコンバータ２６ｂ、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴのトランジスタＭ１ｂ、Ｍ２ｂおよびシンクスイッチＳＷ２を含む。シンク補償回路２０ｂは、ソース補償回路２０ａと同様の利点を有する。
【００５９】
図６（ｂ）、（ｃ）には、シンク補償回路２０ｂの構成のみが示され、ソース補償回路２０ａは省略されている。
図６（ｂ）では、シンクスイッチＳＷ２の位置が、図６（ａ）と異なっている。図６（ｂ）では、第１トランジスタＭ１ｂのドレインＮ２は、シンクスイッチＳＷ２の第２トランジスタＭ２ｂのゲート側の端子Ｎ３と接続される。
この構成によっても、図６（ａ）の構成と同様に、安定した振幅を有し、高速にスイッチングするシンクパルス電流ＩＳＩＮＫを生成できる。
また、図６（ｂ）では、シンクスイッチＳＷ２がオフのとき、基準電流ＩＲＥＦは遮断される。したがって回路の消費電流を低減できるという利点がある。
【００６０】
図６（ｃ）において、シンクスイッチＳＷ２は、第１トランジスタＭ１ｂおよび第２トランジスタＭ２ｂの共通接続されるゲートＮ４と、接地端子をはじめとする固定電圧端子の間に設けられる。制御信号ＳＣＮＴｂ＃（＃は論理反転を示す）がハイレベルの期間、シンクスイッチＳＷ２がオンすると、第１トランジスタＭ１、第２トランジスタＭ２のゲート電圧が接地電圧となるため、カレントミラー回路がオフし、シンクパルス電流ＩＳＩＮＫが遮断する。制御信号ＳＣＮＴｂ＃がローレベルのとき、シンクスイッチＳＷ２がオフすると、カレントミラー回路がオンし、シンクパルス電流ＩＳＩＮＫが流れる。
【００６１】
図６（ｃ）の構成によれば、図６（ａ）、（ｂ）と同様に、安定した振幅を有し、高速にスイッチングするシンクパルス電流ＩＳＩＮＫを生成できる。図６（ｂ）、（ｃ）の変形が、ソース補償回路２０ａにも適用可能であることはいうまでもない。
さらに図６（ｃ）の構成を、図６（ａ）もしくは（ｂ）の構成と組み合わせてもよい。
【００６２】
また、ＤＵＴ１を構成する内部素子に流れる電流、つまり動作電流ＩＯＰは、プロセスばらつきによって変動する。つまり、あるテストパターンが供給されたＤＵＴ１の動作電流の波形は、プロセスばらつきによって増減する。そこで、ＤＵＴ１の試験工程に先立ち、キャリブレーション工程を行いって補償パルス電流の振幅を調節することにより、プロセスばらつきによってＤＵＴ１の動作電流ＩＯＰがばらついたとしても、電源環境を一定に保つことができる。このキャリブレーションは、電流Ｄ／Ａコンバータ２６ａ、２６ｂに対するデジタル設定値ＤＳＥＴの値を変更することで実現できる。
【００６３】
以上が電源補償回路２０の構成例である。
【００６４】
続いて、図１に示される、複数の電源端子を有するＤＵＴ１を試験する際に好適に利用可能な試験装置２について説明する。図７は、実施の形態に係る試験装置２の構成を示す図である。図７では、ＤＵＴ１がＢＧＡパッケージを有する場合が示されるが、ペリフェラルパッケージであってもよいし、別のパッケージであってもよい。複数の接地端子Ｐ２はＤＵＴ１の裏面電極のうち中央に配置され、複数の電源端子Ｐ１１〜Ｐ１４は、裏面電極の４隅に配置される。もちろんこれらの配置は例示にすぎない。電源端子Ｐ１１〜Ｐ１４は、ＤＵＴ１の内部において、共通の電源プレインを形成するように接続されている。
【００６５】
メイン電源１０は、複数の電源端子Ｐ１１〜Ｐ１４に電力（電源電圧ＶＤＤ）を供給する。試験装置２は、複数の電源補償回路２０１〜４を備える。電源補償回路２０１〜４は、複数の電源端子Ｐ１１〜４に割り当てられる。各電源補償回路２０ｉは、対応する電源端子Ｐ１ｉに補償電流ＩＣＭＰｉを注入し、あるいはメイン電源１０から対応する電源端子Ｐ１ｉへ流れる電流から、補償電流ＩＣＭＰｉを別経路に引きこむ。なお、図７では、４つの電源端子Ｐ１１〜Ｐ１４それぞれに、電源補償回路２０を設ける場合を示すが、本発明はこれに限定されない。電源補償回路２０の個数は、許容されるハードウェアリソースに応じて定めればよい。電源端子Ｐ１の個数が電源補償回路２０の個数より多い場合には、ユーザが、いずれの電源端子Ｐ１に、電源補償回路２０を接続すべきかを決定すればよい。また、少数の電源端子Ｐ１で構成された電源端子Ｐ１のグループに、ひとつの電源補償回路２０を割り当ててもよい。プローブやソケットの設計次第で、試験装置２の任意のチャンネルを、ＤＵＴ１の任意の端子に割り当て可能である。
【００６６】
パターン発生器ＰＧは、試験信号ＳＴＥＳＴを記述するテストパターンＳＰＴＮを生成する。またパターン発生器ＰＧは、電源補償回路２０１〜２０４ごとに、制御信号ＳＣＮＴを記述する制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰを生成する。電源補償回路２０に割り当てられたドライバＤＲは、制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰに応じて電源補償回路２０のスイッチ素子（ソーススイッチ、シンクスイッチ）を制御する。Ｉ／Ｏ端子Ｐ３に割り当てられたドライバＤＲは、テストパターンＳＰＴＮに応じた試験信号ＳＴＥＳＴを、対応するＩ／Ｏ端子Ｐ３に出力する。なお図７では、図２のインタフェース回路４は省略されている。
【００６７】
ＤＵＴ１の設計者は、あるテストパターンに応じてＤＵＴ１に流れる動作電流ＩＯＰを予測できる。そして、４つの電源端子Ｐ１１〜Ｐ１４それぞれに流れる電流をＩＯＰ１〜ＩＯＰ４とすると、ＤＵＴ１全体の動作電流ＩＯＰは、各電源端子Ｐ１に流れる電流ＩＯＰ１〜ＩＯＰ４の和である。電流ＩＯＰ１〜ＩＯＰ４は、ＤＵＴ１の内部の回路ブロックの動作状態に応じて独立に変動しうる。たとえばＤＵＴ１の電源端子Ｐ１１に近い回路ブロックが活性化されるときは、動作電流ＩＯＰ１が支配的となり、電源端子Ｐ１４に近い回路ブロックが活性化されたときは、動作電流ＩＯＰ４が支配的となり、すべての回路ブロックが均一に活性化するときには、動作電流ＩＯＰ１〜ＩＯＰ４は等しくなりうる。
また、電流ＩＯＰ１〜ＩＯＰ４は、ＤＵＴ１の外部の電源環境の特性に応じて独立に変動しうる。たとえばＤＵＴ１の電源端子Ｐ１１の近くにバイパスコンデンサが配置されているときは、動作電流ＩＯＰ１の高周波成分が強調され、電源端子Ｐ１４の近くにバイパスコンデンサが配置されているときは、動作電流ＩＯＰ４の高周波成分が強調されうる。
【００６８】
試験装置２は以下の複数のモードのいずれかで、あるいはそれらを切りかえて動作させることができる。
【００６９】
（第１のモード）
このモードでは、試験装置２のユーザが、各電源補償回路２０それぞれに対する制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰを定義し、パターン発生器ＰＧがそれらを生成する。すなわち試験装置２のユーザ（ＤＵＴ１の設計者）が、あるテストパターンを供給したときの電源端子Ｐ１１〜Ｐ１４ごとの動作電流ＩＯＰ１〜ＩＯＰ４を予測できる場合、各動作電流ＩＯＰ１〜ＩＯＰ４に応じて、電源補償回路２０１〜２０４に対する制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰを個別に生成する。これにより、すべての電源端子Ｐ１１〜Ｐ１４の変動を抑制することができる。
【００７０】
あるいは、試験装置２のユーザは、あるひとつ、あるいは複数の電源端子Ｐ１に対して、電源電圧変動を引き起こすように、制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰを定義し、ＤＵＴ１の特定の電源端子Ｐ１における電源電圧変動に対する耐性を試験することができる。その結果、ある電源端子Ｐ１ｘに対する電圧変動耐性が低い結果が得られた場合、ＤＵＴ１をプリント基板に実装する際には、その電源端子Ｐ１ｘに配慮して基板設計、周辺回路設計することが可能となり、試験結果をボード設計にフィードバックすることができる。
【００７１】
（第２のモード）
第２のモードでは、試験装置２が自動的に、複数の電源補償回路２０１〜２０４の補償量を変化させ、電源端子Ｐ１１〜Ｐ１４ごとの補償電流ＩＣＭＰを変化させる。
【００７２】
たとえば、ＤＵＴ１の設計者は、あるテストパターンに応じてＤＵＴ１全体に流れる動作電流ＩＯＰおよびそれに対応する補償電流ＩＣＭＰを計算し、補償電流ＩＣＭＰを生成するための制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰを定義する。パターン発生器ＰＧは、パターンメモリから制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰを読み出し、それを所定の規則にもとづいて自動的に、複数の電源補償回路２０１〜２０４のうち、任意のひとつに分配する。
【００７３】
一例としてパターン発生器ＰＧは、まず制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰを、電源補償回路２０１に割り当て、この状態でＤＵＴ１の機能試験を行う。このとき補償電流ＩＣＭＰは、電源端子Ｐ１１に供給される。これを、制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰの供給先を切りかえながら繰り返す。これにより、電源端子Ｐ１１〜Ｐ１４ごとの電圧変動耐性を試験できる。
【００７４】
あるいはパターン発生器ＰＧは、制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰを所定の規則にもとづいて自動的に、複数の電源補償回路２０１〜２０４のうち、任意の複数に分配する。
たとえば、２つの電源補償回路２０ｉ、２０ｊ（ｉ≠ｊ）に制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰを分配する場合を考える。分配比率をα：βとするとき、電源端子Ｐ１ｉとＰ１ｊそれぞれに対する補償電流ＩＣＭＰｉ、ＩＣＭＰｊは、
ＩＣＭＰｉ＝ＩＣＭＰ×α／（α＋β）
ＩＣＭＰｊ＝ＩＣＭＰ×β／（α＋β）
で与えられる。これは、パターン発生器ＰＧが発生する制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰｉのデューティ比を、計算された制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰのデューティ比のα／（α＋β）とすることで実現できる。あるいはデューティ比を代えずに、補償パルス電流の振幅をα／（α＋β）倍してもよい。
【００７５】
より一般化する。試験装置２にＮ個の電源補償回路２０１〜２０Ｎが設けられているとするとし、それぞれに対する分配比率を、Ｋ１〜ＫＮとする。このとき、試験装置２は、ｉ（１≦ｉ≦Ｎ）番目に対して、
ＩＣＭＰｉ＝ＩＣＭＰ×Ｋｉ／ΣＫ
なる補償電流を分配する。Ｋ１＝Ｋ２＝・・・＝ＫＮとすれば、すべての電源端子Ｐ１に均等に補償電流が分配される。Ｋ１＝１、Ｋ２＝Ｋ３＝・・・＝ＫＮ＝０とすれば、電源端子Ｐ１１にのみ、補償電流が分配される。
【００７６】
このモードによれば、ＤＵＴ１の電源端子ごとの特性を、柔軟に試験することができる。電源環境の試験は、通常の試験とは異なり、すべてのＤＵＴ１に対して行う必要はなく、代表的なサンプルに対して行ってもよい。
【００７７】
複数の電源補償回路２０を同時に動作させることにより、以下の効果を得ることができる。いまＤＵＴ１の内部回路を、その位置に応じて複数のブロックに分割するとする。たとえば図７では、ＤＵＴ１の内部回路は、破線で示す９つのブロックＢ１〜Ｂ９に分割される。補償パルスやノイズの周波数が低ければ、電源プレインはすべての箇所で同じ電位とみなすことができる。しかしながら補償パルスやノイズの周波数が高くなると、電源プレインは、分布定数回路と考えられる。つまり各ブロックごとに補償電流の影響は異なる。
【００７８】
このことは、各ブロックごとの補償量を、ベクトル的に制御できることを意味する。たとえば電源補償回路２０１、２０２に補償電流を分配した場合、ブロックＢ４における補償を多く、ブロックＢ６における補償を小さくできる。補償量をベクトル的に制御する場合、各電源補償回路２０ごとに、補償パルス電流のデューティ比のみでなく、補償パルス電流の位相を制御することも有効である。
このように、複数の電源補償回路２０に補償電流ＩＣＭＰを分配すれば、ブロックごとの電源特性を検査することが可能となる。つまり、２次元マッピングを取得することができる。
【００７９】
まとめると、図７の試験装置２によれば、電源端子ごとに電源補償回路２０を設け、電源補償回路２０ごとの補償量を制御することにより、局所的な補償を行ったり、２次元的なマッピングを測定したりすることが可能となる。この試験装置２によって得られた試験結果は、ＤＵＴ１をセットに搭載する際に、ＤＵＴ１に電源電圧を供給する電源の設計や、プリント基板や周辺回路の設計に有用である。
【００８０】
実施の形態にもとづき本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が認められる。
【００８１】
実施の形態では、補償電流ＩＣＭＰによって、電源電圧の変動がゼロであるような、つまり出力インピーダンスがゼロの理想電源の環境を実現する場合を説明したが、本発明はそれに限定されない。つまり、意図的な電源電圧変動を引き起こすような補償電流ＩＣＭＰの波形を計算し、その補償電流波形が得られるように制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰを規定しておいてもよい。この場合、制御パターンＳＰＴＮ＿ＣＭＰに応じて任意の電源環境をエミュレートすることが可能となる。
【００８２】
実施の形態では、電源補償回路２０がソース補償回路２０ａとシンク補償回路２０ｂを含む場合を説明したが本発明はそれには限定されず、いずれか一方のみの構成としてもよい。
【００８３】
ソース補償回路２０ａのみ設ける場合、ソース補償回路２０ａに定常的な電流ＩＤＣを発生させてもよい。そして、電源電流ＩＤＤが動作電流ＩＯＰに対して不足するときは、ソース補償回路２０ａが発生する電流ＩＳＲＣを、定常的な電流ＩＤＣから相対的に増加させてもよい。反対に、電源電流ＩＤＤが動作電流ＩＯＰに対して過剰なときは、ソース補償回路２０ａが発生する電流ＩＳＲＣを、定常的な電流ＩＤＣから相対的に減少させてもよい。
シンク補償回路２０ｂのみ設ける場合、シンク補償回路２０ｂに定常的な電流ＩＤＣを発生させてもよい。そして、電源電流ＩＤＤが動作電流ＩＯＰに対して不足するときは、シンク補償回路２０ｂが発生する電流ＩＳＩＮＫを、定常的な電流ＩＤＣから相対的に減少させてもよい。反対に、電源電流ＩＤＤが動作電流ＩＯＰに対して過剰なときは、シンク補償回路２０ｂが発生する電流ＩＳＩＮＫを、定常的な電流ＩＤＣから相対的に増加させてもよい。
これにより、試験装置全体の消費電流は、定常的な電流ＩＤＣ分増加するが、それと引きかえに、単一のスイッチのみで、補償電流ＩＳＲＣ、ＩＳＩＮＫを発生させることができる。
【符号の説明】
【００８４】
１…ＤＵＴ、２…試験装置、ＰＧ…パターン発生器、ＴＧ…タイミング発生器、ＦＣ…波形整形器、４…インタフェース回路、ＤＲ…ドライバ、１０…メイン電源、２０…電源補償回路、２０ａ…ソース補償回路、２０ｂ…シンク補償回路、Ｐ１…電源端子、Ｐ２…接地端子、Ｐ３…Ｉ／Ｏ端子、ＳＷ１…ソーススイッチ、ＳＷ２…シンクスイッチ、２２…電圧源、２４ａ…ソース電流源、２４ｂ…シンク電流源、２６…電流Ｄ／Ａコンバータ、Ｍ１…第１トランジスタ、Ｍ２…第２トランジスタ、１００…プリント基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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