(57)【要約】 【課題】基板の処理速度を向上させることができる基板の処理装置および処理方法を提供すること。【解決手段】処理装置１は、基板２が槽１１内の液体Ｌに浸漬した状態で、供給口１１１から排出口１１２へ向かって液体を流す際に、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れる流体の流れを乱す手段１８を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対し液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理装置において、
内部に前記液体が供給されるとともに、供給された前記液体に前記基板を浸漬させる槽と、
前記槽内部に配置される前記基板の基板面が鉛直方向に平行となるように前記基板を保持する保持部とを備え、
前記槽の前記液体の供給口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向上方にあり、
前記槽の前記液体の排出口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向下方にあり、
前記基板が前記槽内の前記液体に浸漬した状態で、前記供給口から前記排出口へ向かって液体を流す際に、基板面に沿って流れる流体の流れを乱す手段を備える基板の処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板の処理装置において、
前記流れを乱す手段は、基板面に沿って流れる流体の流れを乱す複数の部材で構成され、
前記複数の部材は、前記基板の基板面に対し対向配置され、鉛直方向上側から下側に向かって間隔をあけて配列されている基板の処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板の処理装置において、
各前記部材は、水平方向に延在する棒状の部材であり、同一の大きさ形状である基板の処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板の処理装置において、
前記複数の部材は、同一の大きさの直方体の棒状の部材であり、
複数の部材が前記基板面の鉛直方向上端側から下端側にわたって等間隔で配列されている基板の処理装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記流れを乱す手段は、平板で構成され、
前記平板には、一対の対向する板面を貫通するとともに、貫通方向と直交する方向に延在する複数の貫通孔が形成され、
前記複数の貫通孔は、延在方向が互いに平行であり、
隣接する前記貫通孔に挟まれた領域が前記部材となる基板の処理装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記流れを乱す手段は、前記槽の内壁に取り付けられている基板の処理装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記流れを乱す手段は、前記基板の基板面に対し対向配置され、
前記基板を前記流れを乱す手段に対して鉛直方向に沿って相対的に移動させる手段を備える基板の処理装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の基板の処理装置において、
当該液体は、エッチング液であり、
当該基板の処理装置は基板をエッチングするエッチング装置である基板の処理装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれかに記載の基板の処理装置において、
当該液体は、めっき液であり、
当該基板の処理装置は基板をめっきするめっき装置である基板の処理装置。
【請求項１０】
請求項１乃至７のいずれかに記載の基板の処理装置において、
当該液体は、水であり、
当該基板の処理装置は基板を水洗する水洗装置である基板の処理装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の基板の処理装置を使用した基板の処理方法であって、
前記基板の基板面が鉛直方向と平行となるように、前記保持部に前記基板を保持させる工程と、
前記基板を前記槽内の前記液体中に浸漬させるとともに、前記供給口から前記排出口へ向かって液体を流す工程とを含み、
前記供給口から前記排出口へ向かって液体を流す前記工程では、前記流れを乱す手段により、前記基板面に沿って流れる流体の流れを乱す基板の処理方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板の処理方法において、
前記流れを乱す手段は、前記基板の基板面に対し平行に対向配置され、
前記流れを乱す手段と、前記基板の基板面との間の距離をｄ（ｍ）、
基板面に沿って流れる流体の流速をｕ（ｍ／ｓ）、
前記液体の動粘性係数をν（ｍ２／ｓ）とした場合、
ｕｄ／νの値が２０００以上である基板の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理装置および基板の処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、回路基板は、以下のようにして製造されている。
基材の両面に銅箔が貼り付けられた両面銅貼積層板を用意する。この両面銅貼積層板にビアホールを形成し、さらに、ビアホールおよび両面銅貼積層板上にめっきを行う。その後、両面銅貼積層板を加工して回路を形成する（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１８６７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の基板の製造方法では、めっきを行う際に、両面銅貼積層板をめっき液に浸漬させている。しかしながら、この製造方法では、めっき膜を所望の速度で得ることがむずかしかった。
この原因としては、めっき液の滞留が考えられる。めっき液をバブリング等で撹拌することも行われているが、めっき槽は比較的大きいため、バブリング等で撹拌しても、めっき液の滞留を確実に抑制することは非常に困難であった。
なお、このような課題は、めっきを行う場合のみならず、両面銅貼積層板を水に浸して水洗する場合や、エッチング液に両面銅貼積層板を浸してエッチングを行う場合等にも生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、基板に対し液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理装置において、
内部に前記液体が供給されるとともに、供給された前記液体に前記基板を浸漬させる槽と、
前記槽内部に配置される前記基板の基板面が鉛直方向に平行となるように前記基板を保持する保持部とを備え、
前記槽の前記液体の供給口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向上方にあり、
前記槽の前記液体の排出口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向下方にあり、
前記基板が前記槽内の前記液体に浸漬した状態で、前記供給口から前記排出口へ向かって液体を流す際に、基板面に沿って流れる流体の流れを乱す手段を備える基板の処理装置が提供される。
【０００６】
この発明によれば、基板を槽内の液体中に浸漬させた状態で、槽内の液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板の基板面に沿って流すことができる。さらに、流れを乱す手段を備えるため、基板面に沿って流れる流体の流れを乱すことができる。
基板面に沿って流れる流体の流れを乱すことで、基板面に沿って流れる液体の少なくとも一部が新鮮な液体に入れ替わりやすくなり、基板面により新鮮な液を接触させることができる。これにより基板の処理速度を向上させることができる。
さらに、本発明では、供給口が鉛直方向上側、排出口が鉛直方向下側に形成されているので、槽内の液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって流している。液体が重力に従って流れることとなるので、液体をスムーズに流すことができる。
なお、ここで、基板面に沿って流れる流体の流れを乱すとは、基板面に沿って流れる流体の流れのベクトルに対し、このベクトルと交差する方向の流れのベクトルが作用することを意味する。
【０００７】
また、本発明によれば、上述した基板の処理装置を使用した基板の処理方法も提供することができる。
すなわち、本発明によれば上述した基板の処理装置を使用した基板の処理方法であって、
前記基板の基板面が鉛直方向と平行となるように、前記保持部に前記基板を保持させる工程と、
前記基板を前記槽内の前記液体中に浸漬させるとともに、前記供給口から前記排出口へ向かって液体を流す工程とを含み、
前記供給口から前記排出口へ向かって液体を流す前記工程では、前記流れを乱す手段により、前記基板面に沿って流れる流体の流れを乱す基板の処理方法も提供できる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、基板の処理速度を向上させることができる基板の処理装置および処理方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態にかかる処理装置を示す断面図である。
【図２】障害物を示す平面図および断面図である。
【図３】基板の処理工程を示す図である。
【図４】基板面に沿って流れるエッチング液が乱れる様子を示す図である。
【図５】処理装置の槽の平面図である。
【図６】障害物の変形例を示す斜視図である。
【図７】本発明の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
はじめに、図１を参照して、本実施形態の基板の処理装置１の概要について説明する。
処理装置１は、基板２に対し液体Ｌを接触させて、基板２を処理する装置である。処理装置１は、内部に液体Ｌが供給されるとともに、供給された液体Ｌに基板２を浸積させる槽１１と、槽１１内部に配置される基板２の基板面が鉛直方向に略平行となるように前記基板２を保持する保持部１３とを備える。
槽１１の液体Ｌの供給口１１１は、保持部１３で保持された基板２よりも鉛直方向上方にあり、槽１１の液体Ｌの排出口１１２は、保持部１３で保持された基板２よりも鉛直方向下方にある。
また、処理装置１は、基板２が槽１１内の液体Ｌに浸漬した状態で、供給口１１１から排出口１１２へ向かって液体を流す際に、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れる流体の流れを乱す手段（以下、障害物という）１８を備える。
【００１１】
次に、処理装置１について詳細に説明する。
液体Ｌは薬液、本実施形態では、エッチング液Ｌであり、たとえば、塩化第二鉄溶液等である。処理装置１は、本実施形態ではエッチング装置である。
槽１１は、直方体形状であり、たとえば、硬質塩ビ槽である。
槽１１には、エッチング液Ｌが供給される。槽１１の側面には、エッチング液Ｌの供給口１１１が形成されている。この供給口１１１は、槽１１内に配置される基板２よりも鉛直方向上方に位置する。
また、槽１１の底面には、エッチング液Ｌの排出口１１２が形成されている。排出口１１２は、本実施形態では、槽１１の底面に形成された複数の貫通孔で構成されている。このように複数個の貫通孔で排出口１１２を構成することで、エッチング液Ｌを基板２の基板面に沿ってスムーズに排出することができる。ただし、貫通孔は一つであってもよい。
排出口１１２は、槽１１内に配置される基板２よりも鉛直方向下方側に位置する。また、排出口１１２は、供給口１１１よりも鉛直方向下方側に位置している。
必要に応じて、排出口１１２に、配管およびポンプを接続し、ポンプでエッチング液Ｌを吸引することで、排出口１１２から排出されるエッチング液Ｌの流速を調整してもよい。
なお、本実施形態では、排出口１１２と、第二槽１４とは配管で接続されておらず、排出口１１２から排出されるエッチング液Ｌは、第二槽１４内に自然落下する。
また、必要に応じて、槽１１から排出されるエッチング液Ｌの量を調整する調整手段を設けてもよい。たとえば、一部の排出口１１２をふさぐ栓を前記調整手段として設けてもよく、また、排出口１１２の大きさを調整する調整手段（たとえば、排出口１１２の一部をふさぎ、排出口１１２の開口度合いを調整する板材）を設けてもよい。
なお、本実施形態では、エッチングを行う際、槽１１内には、基板２が一枚配置される。
【００１２】
保持部１３は、基板２を保持するとともに、基板２を槽１１内のエッチング液Ｌ中に浸漬させるものである。保持部１３は、基板２を保持し上下方向に駆動可能であり、槽１１内に基板２を配置したり、槽１１から基板２を除去したりする。
保持部１３に保持された基板２は、基板面が鉛直方向と略平行となるように槽１１内に配置されることとなる。
なお、図示しない揺動手段を用い、保持部１３を上下方向に揺動させることで、基板２を障害物１８に対して相対的に移動させてもよいし、障害物１８を上下方向に揺動させることで、基板２を障害物１８に対して相対的に移動させてもよい。
このようにすることで、基板２の基板面に縞状のエッチングむらが発生することを確実に抑制することができる。
【００１３】
次に、障害物１８について説明する。
障害物１８は、基板面に沿って流れる流体の流れを乱すものであり、基板面表面に乱流を発生させる。本実施形態では、図２に示す障害物１８を使用する。図２（Ａ）は、基板面側からみた障害物１８の平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＢ−Ｂ方向の断面図である。
この障害物１８は、平板に複数の貫通孔１８１，１８２を形成したものである。より具体的には、平面矩形形状の平板に貫通孔１８１と、複数の貫通孔１８２とを形成したものである。
障害物１８の表裏面は、基板面と平行となっている。
貫通孔１８１は、平面矩形形状の開口で構成され、平板の前記表裏面を貫通している。この貫通孔１８１は、障害物１８を槽１１内に設置する際の把持部となる部分である。
貫通孔１８２は平面矩形形状の開口で構成され、平板の表裏面を貫通している。貫通孔１８２は、複数個形成され、いずれも同一の大きさ形状である。本実施形態では、貫通孔１８２は、四角筒状（直方体状）であり、平面矩形形状（長方形形状）の開口を有する。貫通孔１８２は、平板の表裏面を貫通している。
各貫通孔１８２は、障害物１８の表裏面に沿った方向、すなわち、貫通方向と直交する延在方向が互いに平行であり、一定の間隔をあけて形成されている。たとえば、図２（Ｂ）に示すように、貫通孔１８２の高さ寸法Ｈ１は、１０ｍｍであり、幅寸法Ｗ１は２ｍｍであり、４ｍｍ間隔で形成されている。
【００１４】
ここで、隣接する貫通孔１８２間の領域は、直方体となり、棒状の部材１８３となる。すなわち、障害物１８は、互いに平行に延在する複数の部材１８３を備える。各部材１８３は、たとえば、高さ寸法Ｈ２が４ｍｍであり、幅寸法Ｗ２が２ｍｍであり、複数の部材１８３は、１０ｍｍ間隔で配置されている。なお、各部材１８３の高さ寸法Ｈ２の好ましい範囲は、基板面に沿って流れるエッチング液Ｌの流れを乱す観点から１〜２０ｍｍであり、Ｗ２は１〜１０ｍｍである。また、各部材１８３間の間隔の好ましい範囲は、基板面に沿って流れるエッチング液Ｌの流れを乱す観点から、１〜２０ｍｍである。なお、部材１８３は３個以上設けられることが好ましい。
【００１５】
各部材１８３は、槽１１内に障害物１８を配置した際に、基板２の基板面と対向し、基板面に沿って水平方向に延在する。各部材１８３の水平方向の長さ寸法は、基板２の幅寸法（図１の奥行き方向の寸法）と同等以上である。したがって、各部材１８３は、基板２の全幅にわたって基板面と対向し、延在することとなる。
また、障害物１８を基板２の基板面と対向配置させ、基板面側から平面視した際、複数の部材１８３は、基板２の基板面の上端側から下端側にわたって等間隔で配列されることとなる。
ここで障害物１８の材料としては、エッチング液Ｌに対し耐久性のあるものであればよく、たとえば、硬質塩ビ等である。
以上のような障害物１８は、平面矩形形状の板材に対し、貫通孔１８１，１８２をくりぬくことで製造することができる。
【００１６】
さらに、処理装置１は、槽１１へ供給するためのエッチング液Ｌが充填された第二槽（調整槽）１４を備える。第二槽１４は、槽１１からオーバーフローしたエッチング液Ｌを受ける役割も果たすため、第二槽１４は槽１１の鉛直方向下方側に配置される。
第二槽１４のエッチング液Ｌの排出口と、槽１１の供給口１１１とは、配管１６で接続されている。配管１６および配管１６に接続されているポンプＰ１を介してエッチング液Ｌが第二槽１４から槽１１へと供給される。なお、第二槽１４では、エッチング液Ｌの各成分の濃度を定期的に調整する。
また、配管１６には、フィルターＦが設けられている。配管１６を通るエッチング液Ｌ中の異物をフィルターＦで除去することができる。
【００１７】
次に、処理装置１を使用した基板２の処理方法について説明する。
はじめに、図３（Ａ）に示すような基板２を用意する。この基板２はフレキシブル回路基板用の基板である。
この基板２は、絶縁層２１と、この絶縁層２１の表裏面に貼り付けられた金属膜２２（たとえば、銅膜）とを有する。絶縁層２１の厚みは、たとえば、５μｍ以上、１００μｍ以下であり、金属膜２２の厚みは、たとえば、１μｍ以上、５０μｍ以下である。基板２全体の厚みは、たとえば、１０μｍ以上、２００μｍ以下である。
なお、金属膜２２上には開口が形成されたマスクＭが設けられており、マスクＭの開口から露出する部分がエッチング液Ｌによりエッチングされる。なお、図１では、マスクＭの図示を省略している。
【００１８】
はじめに、図１に示すように、第二槽１４から槽１１へ、配管１６およびポンプＰ１を介して、エッチング液Ｌを供給する。槽１１内をエッチング液Ｌで満たしておく。なお、障害物１８は、各部材１８３の延在方向が水平方向となるように、あらかじめ槽１１内に設置しておく。
その後、基板２を保持部１３に保持させて、基板２を槽１１内に配置し、基板２をエッチング液Ｌ中に浸漬させる。このとき、基板２の基板面が鉛直方向と平行となり、基板２の基板面が各部材１８３と対向するように、基板２を槽１１内に配置する。
次に、供給口１１１から排出口１１２へむけてエッチング液Ｌを流す。これにより、槽１１内のエッチング液Ｌは、鉛直方向上側から、鉛直方向下側に向かって、流れることとなる（矢印Ｙ１参照）。
また、エッチングを行う間、基板２全体がエッチング液Ｌ中に浸漬した状態となる。
供給口１１１から排出口１１２へむけてエッチング液Ｌを流すと、図４に示すように、部材１８３により、基板面に沿って上下方向に流れるエッチング液Ｌには乱れが生じる。すなわち、部材１８３により、基板面に接して流れるエッチング液Ｌに乱流が発生することとなる。
より詳細に説明すると、部材１８３により部材１８３の下流側には、回転方向の異なるカルマン渦が千鳥状に発生することとなる。これにより、基板面に対し水平方向にエッチング液Ｌが動くこととなる。すなわち、基板面に対し、エッチング液Ｌが水平方向に近づいたり、遠ざかったりすることとなる（矢印Ｙ３参照）。基板面に沿って上下方向に流れるエッチング液Ｌのベクトルに対し、基板面と交差する方向のベクトル、主として水平方向の流れのベクトルが作用することとなり、基板面に沿って上下方向に流れるエッチング液Ｌに水平方向の乱れが生じる。そして、基板面に接して流れるエッチング液Ｌに乱流が発生することとなる。
【００１９】
ここで、障害物１８の部材１８３と基板２との間の距離（水平方向に沿った距離）をｄ（ｍ）、基板面に沿って流れるエッチング液Ｌの流速をｕ（ｍ／ｓ）、エッチング液Ｌの動粘性係数をν（ｍ２／ｓ）とした場合、ｕｄ／νの値が２０００以上であることが好ましい。このようにすることで、確実に乱流を発生させることができる。ｕｄ／νの値の上限値は特に限定されない。
ここで、基板面に沿って流れるエッチング液Ｌの流速ｕ（ｍ／ｓ）は、以下のようにして計測することができる。
排出口１１２から単位時間当たりに排出されるエッチング液Ｌの排出量Ｖ１（ｍ３／ｓ）を測定する。次に、図５に示すように、槽１１の水平方向に沿った断面積Ｓ（ｍ２）を算出する。そして、ｕ＝Ｖ１／Ｓで算出することができる。
【００２０】
さらに、エッチングを行う際、第二槽１４から槽１１へは随時エッチング液Ｌが供給されており、エッチング液Ｌの第二槽１４から槽１１への供給量は、槽１１から排出されるエッチング液Ｌの量よりも多い。従って、槽１１の上部からは、エッチング液Ｌがオーバーフローする。オーバーフローしたエッチング液Ｌは、矢印Ｙ２方向に流れ、第二槽１４で回収される。
さらに、第二槽１４には、槽１１の排出口１１２からのエッチング液Ｌが供給される。
第二槽１４内のエッチング液Ｌは、配管１６およびポンプＰ１を介して再度槽１１に供給されることとなる。
【００２１】
以上のようなエッチングの工程により、金属膜２２が選択的に除去されることとなる（図３（Ｂ））。
【００２２】
次に、槽１１からエッチングが施された基板２を取り出し、洗浄する。
以上の工程により、図３（Ｂ）に示すように、基板２に対しエッチング処理したフレキシブル回路基板を得ることができる。
【００２３】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態では、基板２を槽１１内のエッチング液Ｌ中に浸漬させた状態で、槽１１内のエッチング液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板２の基板面に沿って流している。これにより基板２表面付近でエッチング液Ｌが滞留してしまうことが防止される。
これに加え、本実施形態では、障害物１８により、基板面に沿って流れるエッチング液の流れを乱している。これにより、基板面に沿って流れるエッチング液Ｌの少なくとも一部が新鮮なエッチング液Ｌに入れ替わりやすくなり、基板面により新鮮なエッチング液Ｌを接触させることができる。そのため、基板２の処理速度を向上させることができる。
【００２４】
また、本実施形態では、槽１１内のエッチング液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって流している。エッチング液Ｌが重力に従って流れることとなるので、エッチング液Ｌをスムーズに流すことができる。また、エッチング液Ｌを重力に従って流すことで、エッチング液Ｌの流れが安定したものとなる。
さらに、エッチング液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって重力に従って流すことで、処理装置１の装置構成の複雑化を抑制できる。
【００２５】
本実施形態では、基板２の上方の供給口１１１から基板２の下方の排出口１１２へむけてエッチング液Ｌを流すため、基板面の鉛直方向において、基板２の処理速度の違いが生じやすい。たとえば、障害物１８を用いない場合、基板面の供給口１１１側に近い部分のエッチング速度は、排出口１１２に近い部分のエッチング速度に比べて速くなりやすい。
そこで、部材１８３を複数設け、基板面に対向させるとともに、鉛直方向上側から下側に向かって間隔をあけて配列させている。このように、部材１８３を、間隔をあけて配置することで乱流が発生する箇所を適宜設定することができる。これにより、基板面の鉛直方向に沿った処理速度の違いを修正することが可能となる。
本実施形態では、各部材１８３の大きさ形状を等しくし、部材１８３を基板面の鉛直方向上側から下側にわたって等間隔で配置することで、等間隔で均一な大きさの乱流を発生させることができる。これにより、基板面の鉛直方向における処理速度の違いを修正して、処理速度の均一化をはかることができる。
【００２６】
また、部材１８３を直方体の棒状とし、部材１８３の長手方向を基板２の幅方向に沿うように部材１８３を配置している。これにより、基板２の幅方向（図１奥行き方向）に均一な乱れを発生させることができる。
【００２７】
さらに、各部材１８３を直方体の棒状とすることで、基板面の鉛直方向上側から下側にわたって均一な大きさのエッチング液Ｌの乱れを発生させることができる。
【００２８】
また、本実施形態では、平板に複数の貫通孔１８１，１８２を形成することで障害物１８を構成している。そのため、障害物１８の製造が容易となる。
【００２９】
さらに、本実施形態では、基板２を槽１１内のエッチング液Ｌ中に浸漬させた状態で、槽１１内のエッチング液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板２の基板面に沿って流し、排出している。他方向からのエッチング液Ｌの供給、排出がないので、エッチング液Ｌ中に異物が混入していても、槽１１内から異物を容易に排出することができる。そのため基板２に異物が付着することを抑制することができる。
【００３０】
さらに、本実施形態では、槽１１からエッチング液Ｌをオーバーフローさせてエッチングを行っている。オーバーフローさせることで、基板２がエッチング液Ｌに浸漬した状態を確実に維持しながらエッチング液Ｌを基板２に対し施すことができる。
【００３１】
また、本実施形態では、槽１１内に基板２を一枚配置して、エッチングを行っている。そのため、槽１１は、基板２および障害物１８を配置でき、基板２の基板面側でエッチング液Ｌを流すことができる程度の大きさでよい。これにより、処理装置１の大型化を抑制することができる。
【００３２】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
たとえば、前記実施形態では、板材に貫通孔１８１，１８２を形成することで、障害物１８を作製していたが、障害物はこれに限られるものではない。たとえば、図６に示すように、複数の正多角柱状（たとえば直方体や正三角柱）の部材３８１を用意して、これを一対の桟３８２にかけわたし、障害物３８を構成してもよい。
この場合も、複数の部材３８１が基板面と対向し、水平方向に延在するように障害物３８を配置することが好ましい。また、複数の部材３８１は等間隔で配置されていることが好ましい。
さらに、障害物の流れを乱す部材を円柱状の部材としてもよい。
【００３３】
ただし、本発明者が乱流発生のシミュレーションを行ったところ、部材を正多角柱、特に直方体とし、基板面の上流側から下流側にかけて等間隔で配置した場合に、基板面の上流側から下流側にかけて均一な大きさの乱流が発生することがわかっている。したがって、部材は、多角柱、特に直方体とすることが好ましい。なお、シミュレーションは、以下の条件で行っている。
各部材間の鉛直方向の隙間１０ｍｍ、流速０．７４ｍ／ｓ、エッチング液の密度１０４０ｋｇ／ｍ３、粘度１×１０−３（Ｐａ・ｓ）。部材が直方体の場合には、長手方向と直交し、鉛直方向に沿った断面を２×４ｍｍとした。部材が円柱状の場合には径を２ｍｍとした。
【００３４】
また、前記実施形態では、障害物１８を板材で構成したが、これに限らず、たとえば、図７に示すように、槽１１の内壁と障害物４８とを一体化してもよい。
この障害物４８は、離間配置された部材４８１で構成される。各部材４８１は、槽１１の内壁に形成された凸部であり、基板面と対向する。部材４８１は、たとえば、直方体の棒状であり、基板面に沿って水平方向に延在する。各部材４８１は、同一の大きさ形状であり、基板面の上端側から下端側にわたって等間隔に配列されていることが好ましい。
【００３５】
さらに、前記実施形態では、部材１８３は、基板面の上端側から下端側にわたって等間隔に配置されていたが、これに限られるものではない。
たとえば、基板面の上端側の処理速度が速く、下端側の処理速度が遅い場合には、基板面の下端側にのみ対向するように、部材１８３を配置してもよい。
また、基板面の所定の領域のみ処理速度を速めたい場合には、基板面の一部の領域にのみ対向する障害物を設置すればよい。
たとえば、従来、ひとつの基板面においてエッチング量を異なるものとする場合、エッチング液に基板を浸した後、所定の部分にマスクを形成し、マスクから露出する部分のみを再度エッチングする必要があった。
これに対し、本発明の処理装置を使用することで、局所的にエッチング速度を速めることができるので、従来のような再エッチングが不要となる。これにより、基板を迅速に処理することができ、生産性を向上させることができる。
【００３６】
さらに、前記実施形態では、処理装置をエッチング装置としたが、これに限らず、めっき装置、現像装置、剥離装置、水洗装置等としてもよい。エッチング液をめっき液、現像液、剥離液、水のいずれかに替えればよい。ただし、電解めっきを行う場合には、槽１１内に陽極を配置する必要がある。
【符号の説明】
【００３７】
１    処理装置
２    基板
１１    槽
１３    保持部
１４    第二槽
１６    配管
１８    障害物
２１    絶縁層
２２    金属膜
３８    障害物
４８    障害物
１１１    供給口
１１２    排出口
１８１    貫通孔
１８２    貫通孔
１８３    部材
３８１    部材
３８２    桟
４８１    部材
Ｆ    フィルター
Ｈ１    寸法
Ｈ２    寸法
Ｌ    エッチング液（液体）
Ｍ    マスク
Ｐ１    ポンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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