(57)【要約】【課題】発光により画像を表示する発光体層から生じた光を効率良く取り出すことができる光取り出し構造を形成できるようにする。【解決手段】基板１１上に設けられた第一の透光性材料の膜１４上に捕捉層１６を形成し、該捕捉層１６上に、粒子１７を分散媒１９中に分散させた分散液を塗布し、前記分散媒１９を揮発させて、前記捕捉層１６上に前記粒子１７の堆積層１７ａを形成する。該堆積層１７ａの最下層の粒子１７を、２次元最密充填に対して９３％以上の粒子充填率で前記捕捉層１６に捕捉し、前記捕捉層１６に捕捉されていない粒子１７を除去し、前記捕捉層１６に捕捉された粒子１７をマスクとして用いてエッチングして、前記第一の透光性材料の膜１４に凹部を形成し、前記エッチング後に残留している前記粒子１７及び前記捕捉層１６を除去した後、前記凹部を、前記第一の透光性材料とは屈折率が異なる第二の透光性材料で埋め込む。【選択図】図３
2012063426.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（ａ）〜（ｇ）の工程を有し、下記（ｃ）の工程において捕捉層に捕捉された粒子の粒子充填率が、２次元最密充填に対して９３％以上であることを特徴とする、光取り出し構造の形成方法。
（ａ）第一の透光性材料で構成された基板上又は基板上に設けられた第一の透光性材料の膜上に捕捉層を形成する工程。
（ｂ）前記捕捉層上に、粒子を分散媒中に分散させた分散液を付与し、前記分散媒を揮発させて、前記捕捉層上に前記粒子の堆積層を形成する工程。
（ｃ）前記堆積層の最下層の粒子を前記捕捉層の中に埋め込んで捕捉する工程。
（ｄ）前記捕捉層に捕捉されていない粒子を除去する工程。
（ｅ）前記堆積層に捕捉された粒子をマスクとして用い、前記捕捉層及び前記第一の透光性材料の基板又は膜の一部を除去して前記第一の透光性材料の基板又は膜に複数の凹部を形成する工程。
（ｆ）前記（ｅ）の工程の後に前記粒子を除去する工程。
（ｇ）前記第一の透光性材料の基板又は膜に形成した複数の凹部を、前記第一の透光性材料とは屈折率が異なる第二の透光性材料で埋め込む工程。
【請求項２】
前記（ａ）の工程において形成する前記捕捉層を高分子化合物を含有する層とし、前記（ｂ）の工程で付与する分散液中の粒子を構成する材料のガラス転移点又は融点を前記捕捉層に含まれる前記高分子化合物の融点又はガラス転移点よりも高いものとし、前記（ｄ）の工程を、前記捕捉層を前記高分子のガラス転移点又は融点以上で、前記粒子を構成する材料のガラス転移点又は融点未満の温度に加熱することにより行うことを特徴とする、請求項１に記載の光取り出し構造の形成方法。
【請求項３】
前記（ａ）の工程と（ｂ）の工程との間に、前記粒子及び前記捕捉層の表面電荷を制御することで、前記捕捉層に捕捉された粒子の粒子充填率を２次元最密充填に対して９３％以上にすることを特徴とする、請求項１又は２に記載の光取り出し構造の形成方法。
【請求項４】
前記粒子及び前記捕捉層の表面電荷をいずれも負に制御することを特徴とする、請求項３記載の光取り出し構造の形成方法。
【請求項５】
前記（ｂ）の工程で付与する前記分散液中の粒子の濃度が３０重量％〜４０重量％であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光取り出し構造の形成方法。
【請求項６】
発光体層から生じた光を取り出すための光取り出し構造を有する発光基板の製造方法において、
前記光取り出し構造を請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光取り出し構造の形成方法で形成することを特徴とする、発光基板の製造方法。
【請求項７】
発光体層から生じた光を取り出すための光取り出し構造を有する画像表示装置の製造方法において、
前記光取り出し構造を請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光取り出し構造の形成方法で形成することを特徴とする、画像表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記画像表示装置が電界放出ディスプレイであることを特徴とする請求項７に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記画像表示装置がエレクトロルミネッセンスディスプレイであることを特徴とする請求項７に記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光によって画像を表示する画像表示装置の輝度向上のために、発光体層から生じた光を表示面側外方へ取り出しやすくするために用いられる光取り出し構造の形成方法に関する。また、本発明は、光取り出し構造を有する発光基板及び画像表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光取り出し構造は、互いに屈折率の異なる材料を周期的に配列した構造であり、通常、一般的半導体微細加工に用いられるフォトリソグラフィー工程によって微細な凹凸パターンを形成することで構成している。しかし、微細な凹凸パターンのピッチが２μｍ程度以下になると、高価な露光装置や複雑なプロセスが必要となり、製造コストが非常に高くなってしまう。
【０００３】
そこで、従来、光取り出し構造として用いられる微細凹凸パターンを容易に形成できる方法として、特許文献１に記載の方法が提案されている。即ち、この特許文献１に記載の方法では、液体分散媒中に粒子が分散された粒子分散液を準備する一方、基板上に高分子を含有する捕捉層を形成し、この捕捉層上に前記粒子分散液の塗膜を形成する。この塗膜から前記液体分散媒を揮発させて、前記捕捉層上に前記粒子の堆積層を形成した後、前記捕捉層をガラス転移点以上に加熱することのみにより前記堆積層の最下層の粒子のみを毛細管現象により前記捕捉層中に埋め込む。そして、前記粒子の堆積層を液体に浸漬して前記捕捉層中に埋め込まれていない粒子を除去し、前記最下層の粒子が前記捕捉層に配置されてなる単粒子層を形成して微細凹凸パターンとする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４０６８５７８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ところで、特許文献１は、光取り出し効率と粒子の充填率との関係については全く明示していない。そして、特許文献１に記載の方法を用いて形成しただけの微細凹凸パターンから構成した光取り出し構造では、光取り出し効率の良好な光取り出し構造にはなりにくい問題がある。
【０００６】
本発明は、光取り出し効率には粒子の充填率が大きな影響を与えることを見出したことに基づいてなされたもので、光取り出し効率の良好な光取り出し構造が容易に得られるようにすることを目的とする。また、併せて、輝度の高い画像表示装置を容易に製造できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光取り出し構造の形成方法は、下記（ａ）〜（ｇ）の工程を有し、下記（ｃ）の工程において捕捉層に捕捉された粒子の粒子充填率が、２次元最密充填に対して９３％以上であることを特徴とする。
（ａ）第一の透光性材料で構成された基板上又は基板上に設けられた第一の透光性材料の膜上に捕捉層を形成する工程。
（ｂ）前記捕捉層上に、粒子を分散媒中に分散させた分散液を付与し、前記分散媒を揮発させて、前記捕捉層上に前記粒子の堆積層を形成する工程。
（ｃ）前記堆積層の最下層の粒子を前記捕捉層の中に埋め込んで捕捉する工程。
（ｄ）前記捕捉層に捕捉されていない粒子を除去する工程。
（ｅ）前記堆積層に捕捉された粒子をマスクとして用い、前記捕捉層及び前記第一の透光性材料の基板又は膜の一部を除去して前記第一の透光性材料の基板又は膜に複数の凹部を形成する工程。
（ｆ）前記（ｅ）の工程の後に前記粒子を除去する工程。
（ｇ）前記第一の透光性材料の基板又は膜に形成した複数の凹部を、前記第一の透光性材料とは屈折率が異なる第二の透光性材料で埋め込む工程。
【０００８】
また、本発明は、発光体層から生じた光を取り出すための光取り出し構造を有する発光基板の製造方法及び画像表示装置の製造方法において、前記光取り出し構造を上記本発明に係る光取り出し構造の形成方法で形成することを特徴とする発光体基板の製造方法及び画像表示装置の製造方法を提供するものでもある。
【発明の効果】
【０００９】
本発明においては、光取り出し構造として必要な微細な凹凸構造を、粒子を配列させてマスクとして用いることで形成しているので、高価な露光装置や複雑なプロセスによらず容易に得ることができる。また、高い粒子充填率で配列した粒子をマスクとして用いているので、光取り出し効率の良好な光取り出し構造を得ることができる。また、本発明の光取り出し構造の形成方法は、光取り出し構造を有する発光基板及び画像表示装置の製造に用いることができ、高輝度の画像表示装置を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の製造方法によって製造される画像表示装置の一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示されるフェースプレートの構成を模式的に示す図で、（ａ）は部分拡大断面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’拡大断面図である。
【図３】光取り出し構造の形成方法の模式的説明図である。
【図４】フェースプレートの製造方法の模式的説明図である。
【図５】光取り出し効率の評価装置の概略説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明は、発光体層から生じた光を取り出すための光取り出し構造の形成方法、光取り出し構造を有する発光基板及び画像表示装置の製造方法である。
【００１２】
また、本発明の光取り出し構造の形成方法は、下記（ａ）〜（ｇ）の工程を経て光取り出し構造を形成するものであり、下記（ｃ）の工程において捕捉層に捕捉された粒子の粒子充填率が、２次元最密充填に対して９３％以上とするものである。
（ａ）第一の透光性材料で構成された基板上又は基板上に設けられた第一の透光性材料の膜上に捕捉層を形成する工程。
（ｂ）前記捕捉層上に、粒子を分散媒中に分散させた分散液を付与し、前記分散媒を揮発させて、前記捕捉層上に前記粒子の堆積層を形成する工程。
（ｃ）前記堆積層の最下層の粒子を前記捕捉層の中に埋め込んで捕捉する工程。
（ｄ）前記捕捉層に捕捉されていない粒子を除去する工程。
（ｅ）前記堆積層に捕捉された粒子をマスクとして用い、前記捕捉層及び前記第一の透光性材料の基板又は膜の一部を除去して前記第一の透光性材料の基板又は膜に複数の凹部を形成する工程。
（ｆ）前記（ｅ）の工程の後に前記粒子を除去する工程。
（ｇ）前記第一の透光性材料の基板又は膜に形成した複数の凹部を、前記第一の透光性材料とは屈折率が異なる第二の透光性材料で埋め込む工程。
【００１３】
以下、適宜図面を参照しながら本発明の製造方法の実施形態について説明する。ただし、本発明は、以下に説明される実施形態に限定されるものではない。
【００１４】
本発明を用いて製造する画像表示装置としては、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）の他、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬ）、陰極線管ディスプレイ（ＣＲＴ）、ライトエミッティングダイオードディスプレイ（ＬＥＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）等を挙げることができる。これらの中でも、輝度の向上のために光取り出し構造を設けることが好ましいＦＥＤ、ＥＬについて好ましく適用することができる。以下、ＦＥＤを例に、本発明の実施の形態について具体的に説明する。
【００１５】
図１は、本発明の製造方法によって製造される画像表示装置（ＦＥＤ）の一例を示す斜視図である。尚、図１の画像表示装置１は、その内部構造を示すために一部を切り欠いて示している。図１の画像表示装置１において、３１は電子源側の基板、３２は走査配線、３３は変調配線、３４は電子放出素子である。ここで電子源基板３１は、リアプレート４１によって固定されている。図１の画像表示装置１において、１０は発光基板であるフェースプレートである。ここでフェースプレート１０は、発光体層側の基板（透明基板）１１の内面に、光取出し構造１２と、アノード電極１３と、発光体層である蛍光体膜１８と、がこの順に積層・形成されている。発光基板は、ＳＥＤ、ＣＲＴ、ＰＤＰにおいては発光体層である蛍光体層１１を含む基板構成である。ＥＬ、ＬＥＤにおいてはエレクトロルミネッセンス効果を用いて発光する層が発光体層で、これを含む基板構成が発光基板である。図１の画像表示装置１において、４２は支持枠である。この支持枠４２に、リアプレート４１と、フェースプレート１０とがそれぞれフリットガラス等を介して取り付けられ、外囲器４７を構成している。ここで、リアプレート４１は主に基板３１の強度を補強する目的で設けられるため、基板３１自体で十分な強度を持つ場合には、別体のリアプレート４１は不要である。また、フェースプレート１０とリアプレート４１との間に、スペーサ（不図示）とよばれる支持体を設置することにより、大気圧に対して十分な強度を持たせた構成とすることもできる。
【００１６】
ｍ本の走査配線３２は、端子Ｄｘ１，Ｄｘ２，・・・Ｄｘｍと接続されている。ｎ本の変調配線３３は、端子Ｄｙ１，Ｄｙ２，…Ｄｙｎと接続されている（ｍ，ｎは、共に正の整数）。これらｍ本の走査配線３２とｎ本の変調配線３３との間には、層間絶縁層（不図示）が設けられており、両者を電気的に絶縁している。
【００１７】
高圧端子はアノード電極１３に接続され、例えば数ｋＶの直流電圧が供給される。これは電子放出素子３４から放出される電子が、蛍光体を励起するのに十分なエネルギーを付与する為の加速電圧である。電子放出素子３４から放出され、加速された電子を蛍光体膜１８に照射し、蛍光体膜１８を発光させることにより画像表示を行う。
【００１８】
図１の画像表示装置の構成部材であるフェースプレート１０の構成を図２で更に説明する。
【００１９】
フェースプレート１０を構成する基板１１上には、蛍光体膜８の発光により生じた光を基板１１側に取り出すための光取出し構造１２が設けられている。基板１１としては、例えば青板ガラス、無アルカリガラス等のフロートガラスの基板を使用することができる。また基板１１上には、ＩＴＯ等の透明電極からなるアノード電極１３が設けられている。そしてアノード電極１３上には、多数の蛍光体粒子を含有する蛍光体膜１８が設けられている。尚、アノード電極１３上にブラックマトリックスを設けて蛍光体膜１８を一定の面積で区画してもよい。
【００２０】
光取出し構造１２は、基板１１上の特定の領域に形成されている。光取出し構造１２は、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、互いに屈折率の異なる第一の透光性材料の膜１４と第二の透光性材料の膜１５とが交互に周期的に配列された構造となっている。
【００２１】
次に、光取り出し構造１２の形成方法、発光基板であるフェースプレート１０の製造方法、更には画像表示装置の製造方法について説明する。
【００２２】
〔１〕第一の透光性材料膜の形成［図３（ａ）］
まず、図３（ａ）に示すように、基板１１上に、第一の透光性材料の膜１４を形成する。第一の透光性材料としては、光透過性を有し、かつ所定の屈折率を有する無機材料が挙げられる。具体的には、ＴｉＯ2（屈折率：２．２）、ＺｒＯ2等が挙げられる。第一の透光性材料の膜１４を形成する方法として、スパッタ法や真空蒸着法等の一般的な薄膜の形成方法を採用することができる。なお、図３には第一の透光性材料の膜１４を形成する手順が示されているが、基板１１自体が第一の透光性材料で構成されている場合には第一の透光性材料の膜１４の形成は省略することができる。
【００２３】
〔２〕捕捉層の形成［図３（ｂ）］
次に、図３（ｂ）に示すように、第一の透光性材料の膜１４上に捕捉層１６を成膜する。また、基板１１自体が第一の透光性材料で構成されている場合には、この基板１１上に捕捉層１６を成膜する。ここで捕捉層１６は、後述する粒子を捕捉できるものであれば特に限定されるものではなく、低分子材料、高分子材料のいずれであってもよい。捕捉層１６は、好ましくは、高分子を含有する層である。以下、捕捉層１６が高分子を含有する層である場合について説明する。
【００２４】
捕捉層１６に含まれる高分子（高分子化合物）は、非晶質（アモルファス）のものであってもよく、結晶質のものであってもよい。捕捉層１６に含まれる高分子は、好ましくは、ガラス転移点又は融点が後述する粒子を構成する材料のガラス転移点又は融点よりも低い材料である。例えば、ガラス転移点を有し、かつ加熱により少なくとも１回は流動性を発現する熱可塑性樹脂が挙げられる。ただし、捕捉層１６に含まれる高分子が熱可塑性樹脂である場合、そのガラス転移温度は、室温以上であることが好ましい。一方、熱可塑性樹脂の中でも、後の工程で行う捕捉層１６のパターニングにおいて、フォトリソグラフィー法を用いることができるという点で、熱可塑性のフォトレジストを用いるのが特に好ましい。
【００２５】
また、本発明の方法で光取り出し構造を形成する際には、捕捉層１６を形成した後で、後述する分散媒１９に対して、捕捉層１６の表面電荷を制御するのが好ましい。このため捕捉層１６の構成材料としては、表面電荷を制御しやすい高分子材料を選択することが好ましい。具体的には−ＯＨ、−ＣＯＯＨ等の極性官能基を有している高分子材料を選択することが好ましい。
【００２６】
また、捕捉層１６の膜厚は、後の工程で捕捉層１６上に載置される粒子の中位径（粒度分布の中央値）以下に設定するのが好ましい。
【００２７】
捕捉層１６の形成方法は、特に限定されない。一般的には、捕捉層１６の構成材料の溶液を第一の透光性材料の膜１４又は第一の透光性材料の基板１１上に塗布することによって形成することができる。当該溶液の塗布方法も特に限定されるものではない。例えば、スピンコーティング法、ディッピング法、スリットコート法等広く公知の塗布方法を用いることができる。中でも大面積で所定のパターンの薄膜を形成できることから、スリットコート法が好ましい。
【００２８】
〔３〕捕捉層のパターンニング［図３（ｃ）］
次に、図３（ｃ）に示すように、直前の工程で形成された捕捉層１６を、画像表示装置の画素パターンに対応するようにパターニングする。ここでパターニングの方法としては、特に限定されず、例えば、一般的なフォトリソグラフィー法を用いることができる。
【００２９】
〔４〕下地処理［図３（ｄ）］
次に、図３（ｄ）に示すように、捕捉層１６上に粒子分散液を付与する直前に、捕捉層１６の表面処理（下地処理）を行う。
【００３０】
ところで本発明の方法においては、好ましくは、後述する分散液の分散媒１９［図３（ｅ）、（ｅ′）参照］に対して、捕捉層１６の表面電位を制御する。より好ましくは、分散媒１９に対して、捕捉層１６の表面電位を高くする。ここで分散媒１９が水の場合、捕捉層１６の表面電位を高くする具体的な方法として、好ましくは、捕捉層１６の表面の水接触角が３０°以下となるように表面処理する。より好ましくは、捕捉層１６の表面の水接触角が１０°以下となるように表面処理する。ここで捕捉層１６の表面処理の具体的な方法としては、紫外線照射やプラズマ処理を用いる方法を挙げることができる。ここで捕捉層１６の構成材料が、−ＯＨ基や、−ＣＯＯＨ基等の極性官能基を有する高分子材料の場合は、紫外線照射やプラズマ処理により表面極性をより増加させることによって接触角を高めることができる。
【００３１】
一方で、本発明の方法においては、好ましくは、分散液の分散媒１９［図３（ｅ）、（ｅ′）参照］に対して、この粒子分散液に含まれる粒子の表面電位を制御する。より好ましくは、分散媒１９に対して、この粒子分散液に含まれる粒子１７［図３（ｅ）、（ｅ′）参照］の表面電位を高くする。このように粒子１７の表面電位を制御するのが好ましい理由については、後述する。
【００３２】
〔５〕分散液の付与（塗布）［図３（ｅ）］
次に、粒子１７を分散媒１９中に分散させた分散液を準備し、この分散液を捕捉層１６上に付与する。以下、分散液に含まれる粒子１７と分散媒１９について説明する。
【００３３】
―粒子―
分散液に分散されている粒子１７は、第一の透光性材料の膜１４をエッチングする際に、いわゆるエッチングマスクとして機能する。粒子１７の構成材料は特に限定されるものではない。具体的には、有機材料、無機材料、あるいは有機−無機複合材料を用いることができる。これらの材料のうち、好ましくは、シリカ粒子である。尚、粒子１７において、粒子１７を構成する材料のガラス転移点又は融点は、前記捕捉層１６を構成する材料の融点又はガラス転移点よりも高いことが好ましい。また粒子１７の形態としては、後述するエッチング成形される第一の透光性材料の膜１４又は第一の透光性材料の基板１１に形成される凹部の規則性を高くするという観点から、球状で真円度が高い状態であって、その粒子径分布が狭いことが望ましい。ここで粒子径分布は、下記式（１）で定義される。
［粒子径分布（％）］＝（［粒子径標準偏差］／［平均粒子径］）×１００・・・（１）
【００３４】
式（１）において、平均粒子径は、無作為に抽出した１００個の粒子１７の直径を測定した平均値を表す。また粒子径標準偏差は、上記１００個についての標準偏差を表す。式（１）によって求められる粒子径分布は、好ましくは５％以下であり、より好ましくは２％以下である。
【００３５】
粒子分散液に含まれる粒子１７の粒子径は、具体的には、電子顕微鏡で撮影した粒子１７のうち無作為に１００個を選択して、その１００個の粒子１７を画像解析することにより得られる。
【００３６】
尚、粒子径は、光取り出し構造１２における微細凹凸パターンのピッチに相当する。ここで画像表示装置を作製する際に使用される粒子１７の粒子径は、３０００ｎｍ以下が望ましい。好ましくは、２００ｎｍ〜２０００ｎｍである。
【００３７】
本発明において、粒子１７を捕捉層１６上に規則正しく捕捉・配列させるためには、分散媒１９に対する粒子１７の表面電位を制御するのが好ましい。ここで粒子１７の表面電位を制御する際に考慮するのが好ましいファクターの１つとして、分散媒１９中に分散されている粒子１７のゼータ電位がある。ここで粒子１７のゼータ電位を考慮する場合、粒子１７を規則正しく並べる条件として、好ましくは、分散媒１９中における粒子１７の表面電荷と、捕捉層１６の表面電荷とが、いずれも負電位である。特に好ましくは、粒子１７の表面電荷と、捕捉層１６の表面電荷とが、いずれも負電位であって、その電位の絶対値が互いに高いことである。
【００３８】
ところで粒子１７のゼータ電位は、市販のゼータ電位測定装置で、測定することができる。ここで、水に分散した場合において、粒子１７の平均ゼータ電位の絶対値は、好ましくは、８０ｍＶ以上である。分散媒１９が水のような極性分散媒の場合、粒子１７のゼータ電位の値を高める方法として、粒子１７の表面に極性を有する官能基を多くする、粒子１７の表面を極性分子で修飾する、という方法が挙げられる。
【００３９】
―分散媒―
分散媒１９は、常温で液体のものであれば、特に限定されるものではない。例えば、水や各種有機溶媒、あるいはこれらの混合物を用いることができる。ここで粒子１７をより規則正しく捕捉層１６上に捕捉・配列させるためには、分散媒１９として表面張力が大きい溶媒を用いるのが好ましい。また、分散媒１９は、捕捉層１６を溶解もしくは膨潤させない溶媒が好ましい。本発明においては、水が最も好ましい。
【００４０】
―粒子の分散濃度―
また捕捉層１６上に粒子１７を規則正しく捕捉・配列させるためには、分散液中の粒子１７の分散濃度も重要となる。本発明においては、分散液中の粒子１７の濃度は、好ましくは、３０重量％〜４０重量％である。
【００４１】
以上の事項を考慮しながら粒子分散液を準備する。
【００４２】
―粒子分散液の塗布―
次に、図３（ｅ）に示すように、捕捉層１６上に粒子１７が分散されている分散液を塗布して、分散液の塗膜を形成する。分散液の塗布方法としては特に限定されず、ディッピング法、スプレー塗布法、スキャン塗布法等任意の方法で塗布することができる。ここで、仮に塗布時の液量を多くしすぎると、それに伴い分散媒１９の量が増し、分散媒１９が粒子１７を押し流す力が増す。この力が大きすぎると、捕捉層１６上に載置される粒子１７の配列が悪くなる。このため本発明ではスプレー塗布法のような少量の液量にて広範囲に塗布できるような手法が好ましい。具体的には塗布時の液量が０．００５ｍｌ／ｃｍ2〜０．０２ｍｌ／ｃｍ2の範囲にするのが好ましい。尚、粒子１７の表面電位と捕捉層１６の表面の電位の関係から、塗布時における粒子１７と捕捉層１６との位置関係は、図３（ｅ’）に示す様になっていると考えられる。即ち、捕捉層１６及び粒子１７は同じ電荷（負電荷）を帯びているので、捕捉層１６と粒子１７との間で静電反発を起こしている状態にある。
【００４３】
〔６〕堆積層の形成［図３（ｆ）］
次に、上記塗膜を乾燥させて、上記塗膜から分散媒１９を揮発させることで、粒子１７からなる堆積層１７ａが形成される。この工程において分散媒１９が塗膜中から揮発される過程で、粒子１７が捕捉層１６上に載置・配列される。上述したように、粒子１７と捕捉層１６との間に静電反発が生じているが、それにもかかわらず粒子１７が捕捉層１６上に載置・配列されるのは、上記静電反発による静電反発力よりも強い力、即ち、分散媒１９が有する毛管力が働くからである。尚、本工程における塗布液の乾燥方法は特に限定されない。また基板１１を、加熱乾燥ではなく自然乾燥させてもよい。塗布液の乾燥が進み分散媒１９が完全に蒸発・除去されると、図３（ｆ）に示されるように、捕捉層１６上（捕捉層１６が設けられていない領域では第一の透光性材料の膜１４又は第一の透光性材料の透光性基板１１上）に粒子１７からなる堆積層１７ａが形成される。
【００４４】
〔７〕捕捉層への粒子の捕捉［図３（ｇ）］
次に、堆積層１７ａの最下層にある粒子を捕捉層１６の中に埋め込んで捕捉する。捕捉層１６が高分子を含有する層である場合は、堆積層１７ａの最下層にある粒子１７の具体的な捕捉方法としては、捕捉層１６を加熱し、捕捉層１６を軟化させる方法が挙げられる。捕捉層１６を加熱し軟化させると捕捉層１６上に形成される堆積層１７ａのうち最下層にある粒子１７が、図３（ｇ）に示されるように捕捉層１６内に沈み込んで完全に捕捉層１６に捕捉される。尚、捕捉層１６を加熱する際は、捕捉層１６を構成する高分子のガラス転移点又は融点以上で、かつ捕捉層１６の中に埋め込まれる粒子１７を構成する材料のガラス転移点又は融点未満の温度に加熱するのが好ましい。一方で、捕捉層１６への粒子１７の沈み込み深さと加熱温度とは一定の関係があり、粒子１７の径の半分程度の深さまで粒子１７が捕捉層１６内に沈み込むように加熱温度を設定することが好ましい。
【００４５】
〔８〕捕捉層に捕捉されていない粒子の除去工程［図３（ｈ）］
次に、図３（ｇ）に示される堆積層１７ａに含まれる粒子１７のうち、捕捉層１６に捕捉されていない粒子１７を除去する。除去の具体的方法は特に限定されない。例えば、超音波洗浄法や、高圧シャワーによる洗浄が挙げられる。洗浄後は、図３（ｈ）に示されるように、粒子１７のうち捕捉層１６に沈み込んで捕捉層１６に捕捉された粒子１７のみが残される。これにより、捕捉層１６に捕捉されて一列の層に並んだ粒子１７からなる単粒子膜１７ｂが形成される。
【００４６】
この工程を終えた段階で捕捉層１６に捕捉された粒子１７の配列を決める充填率は、下記式（２）で示される式で定義される。
［充填率Ｄ（％）］＝（［各測定箇所での粒子の配置個数］／［理想的な六方最密充填した場合の粒子の配置数］）×１００・・・（２）
【００４７】
尚、Ｄを評価する際に測定するエリアは、平均粒子径を求める際に測定したエリアの６０倍を一辺とする正方領域である。またＤを評価する際には、複数箇所で単粒子層１７ｂを測定して、その平均値と分布σを求めるのが望ましい。本発明の方法においては、Ｄは９３％以上である。即ち、本発明において、単粒子膜１７ｂの粒子充填率は、２次元最密充填に対して９３％以上である。またＤの平均値からσを引いた値は、好ましくは、９０％以上である。尚、Ｄの値が大きければ相対的にσの値は小さくなる。
【００４８】
〔９〕第一の透光性材料の膜又は基板への凹部の形成［図３（ｉ）］
次に、第一の透光性材料の膜１４又は第一の透光性材料の基板１１をエッチングして一部を除去し、凹部を形成する。これにより、第一の透光性材料の凹凸パターンが形成される。エッチングの具体的方法としては、プラズマを用いた一般的なリアクティブエッチング法、溶剤を用いた一般的なウェットエッチング法を用いることができる。このとき捕捉層１６に捕捉されている粒子１７は、マスクとして機能する。即ち、粒子１７が捕捉されている領域以外の領域の捕捉層１６と第一の透光性材料の膜１４又は第一の透光性材料の基板１１がこの工程でエッチングされる。これにより、第一の透光性材料の膜１４又は第一の透光性材料の基板１１に凹部が形成される。また、粒子１７が捕捉されている領域は凸状に残留することになる。これにより第一の透光性材料の凹凸パターンが形成される。
【００４９】
〔１０〕捕捉層の除去［図３（ｊ）］
次に、上記エッチング後に残留している捕捉層１６及び捕捉層１６に捕捉されている粒子１７を第一の透光性材料の膜１４又は第一の透光性材料の基板１１から除去する。具体的な除去方法としては、溶剤を用いた一般的な手法を用いることができる。捕捉層１６及び捕捉層１６に捕捉されている粒子１７を除去することで、図３（ｊ）に示されるように、基板１１上に、第一の透光性材料の凹凸パターンが現れる。
【００５０】
〔１１〕第二の透光性材料による埋め込み［図３（ｋ）］
次に、上述した第一の透光性材料の膜１４又は第一の透光性材料の基板１１に形成した凹部を第二の透光性材料で埋め込む。これにより第二の透光性材料の膜１５が形成される。ここで第二の透光性材料として、第一の透光性材料と同様に光透過性を有し、かつ所定の屈折率を有する無機材料が挙げられる。ただし第二の透光性材料は、材料自体の屈折率において第一の透光性材料とは相違する。尚、第二の透光性材料は、第一の透光性材料よりも屈折率が高い材料であってもよいし、屈折率が低い材料であってもよい。第二の透光性材料の膜１５は、例えば、図３（ｋ）に示されるように形成される。第二の透光性材料の膜１５の構成材料として、ＳｉＯ2等の無機ガラス材料、当該無機ガラス材料にメチル基等を導入した有機ガラス材料が挙げられる。第二の透光性材料の膜１５の屈折率は、１．２〜１．８の範囲が好ましい。充填方法はスパッタ法、ＣＶＤ法等の一般的なドライデポジション法や酸化物ゾル材料を塗布して乾燥する方法が用いられる。ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）等の酸化物ゾルを塗布し、乾燥する方法が好ましい。
【００５１】
以上の工程により、基板１１上に光取り出し構造１２が形成される。
【００５２】
光取り出し構造１２の形成後、フェースプレート１０（図１参照）を作製する。図４は、フェースプレートの作製工程を示す断面模式図である。
【００５３】
光取り出し構造１２を形成した後、図４（ａ）に示すように、第二の透光性材料の膜１５の上にアノード電極１３を形成する。アノード電極１３の構成材料としては、ＩＴＯ膜やＺｎＯ膜、ＳｎＯ膜等の透明導電膜を用いることができる。アノード電極１３の屈折率は、好ましくは、第二の透光性材料の膜１５と同程度もしくは第二の透光性材料の膜１５よりも高くする。アノード電極１３の形成方法は、特に限定されない。
【００５４】
次に、図４（ｂ）に示すように、アノード電極１３上に、発光体層として蛍光体膜１８を形成する。蛍光体膜１８の形成方法は特に問わない。蛍光体膜１８の構成材料である蛍光体粒子は、その平均粒径は１０００ｎｍ以下であるのが望ましい。好ましくは、平均粒径が３００ｎｍ以下である。尚、本発明において、「平均粒径」とは、中位径（メジアン径、即ち粒度分布の中央値Ｄ５０）によって定義され、球相当径に基づく粒度分布（粒径分布）から統計的に求められる値である。粒度分布は、動的光散乱法を用いて計測する。また、蛍光体膜１８の屈折率はエリプソメトリーによって測定することができる。ここで、蛍光体膜１８の屈折率は、蛍光体膜１８を構成する蛍光体粒子の屈折率（蛍光体材料固有の屈折率）ではなく、多数の蛍光体粒子が集合して構成される蛍光体膜１８の実効的な屈折率である。
【００５５】
以上の工程で作製したフェースプレート１０（図１参照）に含まれる光取り出し構造の評価は、蛍光体膜１８にＵＶ光を照射したときに発生する発光の発光輝度で評価することができる。尚、その評価方法については、評価の際に使用する装置と共に実施例において説明する。
【００５６】
図１で説明した画像表示装置１は、上記のようにして製造したフェースプレート１０を用いて容易に製造することができる。まず、上述したプロセスによって作製されたフェースプレート１０と、リアプレート４１とを、閉ループ状の支持枠４２を間に挟んで、蛍光体膜１８と基板３１とが対向するように配置する。次に、フェースプレート１０とリアプレート４１とを支持枠４２に接着する。次に、高圧端子を、基板１１を貫通してアノード電極１３と電気的に接続する。最後に、フェースプレート１０とリアプレート４１と支持枠４２とで囲まれる空間を真空に排気する。このようにして、画像表示装置１を作製することができる。尚、リアプレート４１の製造方法は特に限定されない。
【実施例】
【００５７】
［実施例１］
以下に示す方法により、フェースプレートを作製した。
【００５８】
工程１：図３（ａ）
まずサイズが３０ｍｍ×３０ｍｍであるガラスの基板１１［旭硝子（株）製高歪点低ナトリウムガラス「ＰＤ２００」］をよく洗浄した。次に、スパッタ法により、基板１１上に、ＴｉＯ2を成膜して第一の透光性材料の膜１４を形成した。このとき第一の透光性材料の膜１４の膜厚を１．２μｍとした。
【００５９】
工程２：図３（ｂ）
次に、スリットコート法により、第一の透光性材料の膜１４上に、フォトレジスト（アクリル系ネガ型フォトレジスト［ＪＳＲ（株）製、型番「ＴＲ２００１」］を塗布・成膜して捕捉層１６を形成した。このとき捕捉層１６の膜厚は８μｍであった。次に、捕捉層１６が形成されている基材を６０℃で１２分間加熱乾燥させた。乾燥後の捕捉層１６の膜厚は１．５μｍだった。
【００６０】
工程３：図３（ｃ）
次に、以下に示す方法により捕捉層１６のパターンニングを行った。具体的には、プロキシ露光装置を用い、基板１１とマスクとの間の距離を１５０μｍに維持し、大気中にてウシオ社製の２５０Ｗ超高圧水銀灯の光を、ＵＶ４２０測定での照射エネルギー密度が、５００ｍＪ／ｃｍ2になるよう照射した。続いてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（以下、ＴＭＡＨと記載する）の０．５％水溶液を常温でシャワー散布した後、水でリンスした。このようにして第一の透光性材料の膜１４上に、膜厚１．３μｍ、１００μｍ×２５０μｍの領域が複数存在するように捕捉層１６をパターンニング成形した。
【００６１】
工程４：図３（ｄ）
次に、捕捉層１６の表面処理を行った。具体的には、エキシマーＵＶランプを高分子層１６から５ｍｍ離して設置した後、大気雰囲気にて波長１７２ｎｍの光を１．５Ｊ／ｃｍ2で照射した。
【００６２】
光を照射した後、捕捉層１６の表面の水接触角を測定・評価したところ、水接触角は１０°であった。また照射後の捕捉層１６を赤外スペクトル法で観測・分析すると照射していないものと比較して−ＯＨ基が増加していることが確認された。これらのことから、光照射後の捕捉層１６の表面は、本実施例で分散媒として使用される水に対して、負電荷を帯びているといえる。
【００６３】
工程５：図３（ｅ）
次に、粒子１７と分散媒１９とを混合して分散液を調製した。
【００６４】
本実施例では、粒子１７としてシリカ粒子を用いた。尚、本実施例においては、事前に市販のシリカ粒子を各種購入し、これらシリカ粒子を０．１重量％の割合で水にそれぞれ分散させた時のゼータ電位を測定した。ここでゼータ電位を測定する際には、測定装置として、シスメックス（株）製の「Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ  Ｎｏｎｏ  ＺＳ」を使用した。また、測定の際には、測定用セルとして低誘電率溶媒用ディップセル「ＺＥＮ１００２」を用いた。ゼータ電位の測定の結果、宇部日東化成（株）製の「ハイプレシカＳＳ（Ｎ７Ｎ）」が、−８６ｍＶと高い負電荷を示した。そこで本実施例では、粒子１７として、宇部日東化成（株）製の「ハイプレシカＳＳ（Ｎ７Ｎ）」を用いた。尚、このシリカ粒子の粒子径分布（％）は、２％以下の範囲であった。またこのシリカ粒子約１００個を電子顕微鏡で撮影した。そして撮影した画像について画像解析を行うことで中位径を求めた。その結果、このシリカ粒子の中位径は１．７μｍφであった。
【００６５】
上記シリカ粒子の分散媒１９として、水を用いた。そして、上記シリカ粒子と水とを混合して分散液を調製した。このようにして、分散媒１９に対する粒子の濃度がそれぞれ１０、２０、３０、４０、５０、６０重量％となる粒子分散液を準備した。
【００６６】
次に、スプレー法を用いて、高分子層１６上に、粒子分散液を塗布した。このときスプレーノズルと基板１１との間の距離を１０ｃｍとし、噴霧圧を０．２ＭＰａとし、吐出量を０．０４ｍｌ／ｓｅｃとし、塗布液量を０．０１ｍｌ／ｃｍ2とした。
【００６７】
工程６：図３（ｆ）
次に、分散媒１９を常温にて自然乾燥させて粒子１７からなる堆積層１７ａを形成した（図３（ｆ））。
【００６８】
工程７：図３（ｇ）
次に、基板１１を加熱して捕捉層１６を軟化させた。具体的には、基板１１を焼成炉に入れて加熱した。このとき焼成炉の温度を２３０℃とした。またこの工程を行う際には、焼成炉の温度を２３０℃とした後、この温度（２３０℃）で６０分間保持した。次に、基板１１を室温まで冷却した。
【００６９】
工程８：図３（ｈ）
次に、基板１１を取り出し、捕捉層１６の表面を洗浄した。具体的には、マイクロジェットノズルから微小液滴化した高圧水で洗浄した。このとき高圧水の圧力を１７ＭＰａとした。この洗浄の後、基板を断面ＳＥＭ観察すると、捕捉層１６にシリカ粒子が６００ｎｍ沈み込んで捕捉された粒子１７からなる単粒子層１７ｂが形成されていることが確認できた。この洗浄により、図３（ｈ）に示されるように軟化した捕捉層１６に捕捉されていない粒子は除去されていることが確認された。また、光学顕微鏡でシリカ粒子の配列を観察した。シリカ粒子の充填率Ｄについて基板内のハジや中央部をランダムに（評価箇所に偏りの生じないように）１００箇所選択して測定した。測定結果を表１に示す。尚、各条件のサンプルの１００箇所の測定結果は、平均値と分布σで評価した。
【００７０】
工程９：図３（ｉ）
次に、捕捉層１６に沈み込ませた粒子１７からなる単粒子層１７ｂをマスクとして、第一の透光性材料の膜１４をエッチングし、第一の透光性材料の膜１４の一部を除去し、凹凸パターンを形成した。具体的なエッチング方法として、リアクティブエッチング法（以後、ＲＩＥと記載する）を用いた。より具体的には、まず１００ｓｃｃｍのＯ2ガスを流して、装置内の圧力を２Ｐａとし、２００Ｗのパワーを導入し、８分間ＲＩＥ処理した。
【００７１】
次に、六フッ化硫黄とアルゴンとの混合ガス（ＳＦ6：１６０ｓｃｃｍ、Ａｒ：４０ｓｃｃｍ）を用いて、装置内の圧力を３Ｐａとし、１０００Ｗのパワーで１１分間ＲＩＥ処理した。この処理により、第一の透光性材料の膜１４を構成するＴｉＯ2を円柱状に加工した。この処理により基板は図３（ｉ）に示される状態になった。
【００７２】
工程１０：図３（ｊ）
次に、溶剤を用いた一般的な剥離法を用いて捕捉層１６を剥離した。溶剤としてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）２５％水溶液を用いた。具体的には、基板１１を２０分間ＴＭＡＨ水溶液中に浸して超音波洗浄を行うことで捕捉層１６を除去した。
【００７３】
捕捉層１６を除去した後、基板を断面ＳＥＭ観察すると、円柱状（直径１．２μｍ、高さ１．２μｍ）の第一の透光性材料の膜１４のパターンが、粒子１７の配置位置に対応して形成されていた。また第一の透光性材料の膜１４の柱の平均ピッチは粒子１７の直径と同じ１．７μｍであった。
【００７４】
工程１１：図３（ｋ）
次に、先の工程で形成された第一の透光性材料の膜１４の円柱状のパターンの周囲を、第一の透光性材料の膜１４よりも屈折率が低い材料で埋め込むことで、第二の透光性材料の膜１５を形成した。具体的には、まずスプレー法により、基板１１上に、ポリシラザンのジブチルエーテル溶液［塗布型絶縁膜材料、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製「アクアミカＮＮ１２０−２０」］を塗布した。次に、赤外炉を用いて、ポリシラザン膜が形成されている基板１１を４５０℃で３０分間焼成した。焼成後の基板を断面ＳＥＭ観察すると、図３（ｋ）に示すように、ＴｉＯ2からなる第一の透光性材料の膜１４とポリシラザン膜からなる第二の透光性材料の膜１５とで周期構造が形成されていることが確認できた。
【００７５】
工程１２：図４（ａ）
次に、スパッタ法により、第二の透光性材料の膜１５上にＩＴＯを成膜してアノード電極１３を形成した。
【００７６】
工程１３：図４（ｂ）
次に、エチルセルロースと、蛍光体粒子と、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）とを混合したＩＰＡ溶液を調製した。次に、アノード電極１３上に先ほど調製したＩＰＡ溶液を滴下してスピンコーティングした後、乾燥することにより、蛍光体粒子を含んだエチルセルロース膜（蛍光体膜１８）を形成した。形成した蛍光体膜１８について、ＵＶ（波長：２５４ｎｍ）照射時における蛍光体の輝度の評価を行った。図５は、蛍光体膜の輝度評価装置を示す模式図である。図５の輝度評価装置６０は、ＵＶ光源６３と、ＵＶ光を照射したときに蛍光体膜１８から生ずる蛍光を観測する、輝度計６１とマイクロレンズ６２とからなる観測装置とから構成される装置である。本実施例では、ＵＶ光源６３として、アズワン（株）社製のハンディＵＶランプ（型番「ＳＬＵＶ−６」）を用いた。また輝度計６１として、分光放射計［（株）トプコンテクノハウス社製、型番「ＳＲ−ＵＬ１」］を、マイクロレンズ６２として、アタッチメントレンズ［（株）トプコンテクノハウス社製、型番「ＡＬ−１１」］を、それぞれ用いた。そして分光放射計にアタッチメントレンズを組み合わせて７０μｍφ程の領域に焦点を絞って観測した。
【００７７】
図５の輝度評価装置を用いて、光取りだし構造が形成されている領域と、形成されていない領域のそれぞれ５０箇所ずつをサンプリングして輝度を測定した。そして光取り出し構造の形成領域と非形成領域との輝度比を光取り出し効率として評価した。また、サンプルから３０ｃｍの距離で、目視にて輝度ムラを観察した。ここで輝度ムラが観察されたものを×、輝度ムラが観察されなかったものを○と評価した。それぞれの評価結果を表１に示す。
【００７８】
【表１】
2012063426.tif 000003
【００７９】
表１の結果から、捕捉層１６上に充填される粒子１７の充填率の平均値が９３％以上の時に、輝度ムラが無く、大きな光取り出し効率を達成できることが確認された。即ち、高分子層１６上に充填される粒子１７の充填率を、２次元最密充填に対して９３％以上とすることで、輝度を向上させた画像表示装置の製造方法を提供することができるといえる。
【００８０】
［比較例１］
実施例１において、工程４を行う際に、捕捉層１６の表面の水接触角が７０°になるように捕捉層１６の表面処理を行った。具体的には、捕捉層１６に照射するＵＶ光の強度を１．５Ｊ／ｃｍ2とした。また工程５を行う際に、粒子１７として、ゼータ電位が−７０ｍＶである粒子［日揮触媒化成（株）製「しんし球シリーズＳＷ」］を使用した。これらを除いては実施例１と同様の方法によりフェースプレートを作製した。
【００８１】
本比較例において、工程４の後に、捕捉層１６について赤外スペクトル法で分析すると、ＵＶ光照射前と比較して−ＯＨ基の増加が観測されたが、その−ＯＨ基の増加量は実施例１と比べて少なかった。このことから、本比較例においては、ＵＶ光照射後の捕捉層１６の表面は、分散媒１９である水に対して、負の極性を有しているが、電荷の絶対値は、実施例１と比較して小さいと言える。
【００８２】
また工程８を行った後の基板１１について、実施例１と同様に粒子の充填率の評価を行った。さらに工程１３を行った後の基板１１について、実施例１と同様に光取り出し効率及び輝度ムラの評価を行った。評価結果を表２に示す。尚、本比較例において、基板上に形成された第一の透光性材料の膜の形状は、実施例１と同様の直径・高さを有する円柱形状であって、実施例１と同様の平均ピッチを有していた。
【００８３】
【表２】
2012063426.tif 000004
【００８４】
表２の結果から、本比較例では、全ての条件において粒子の充填率の平均値が８３％以下であった。また実施例１の結果と比較すると。本比較例で作製したフェースプレートは、実施例１に対して光取りだし効率や輝度ムラが劣っていた。
【００８５】
実施例１及び比較例１の結果から、輝度ムラが無く、かつ大きな光取り出し効率を達成するためには、粒子の充填率の平均値を９３％以上とすることが必要だと言える。また、粒子の充填率の平均値を９３％以上とするためには、高分子層６の表面電荷を制御する必要があると言える。本発明者らは、この原因として、高分子層６の表面の電荷が小さいと粒子分散液１１の塗布乾燥時に粒子７が、基板に吸着しやすく、これが粒子配列を妨げる原因であると考えている。
【００８６】
［比較例２］
比較例において、工程５を行う際に、表面修飾材にて表面修飾した粒子を使用した。具体的には、粒子１７の表面修飾材としてポリジアリルジメチルアンモニウムクロライドを分散媒に対して０．００１重量％加えてよく攪拌した。これを除いては、比較例１と同様の方法によりフェースプレートを作製した。尚、上記表面修飾により、粒子を水（分散媒）に対して０．１重量％分散させた時のゼータ電位は＋３５ｍＶであった。これ以外は、比較例１と同じ条件とした。
【００８７】
また工程８を行った後の基板１１について、実施例１と同様に粒子の充填率の評価を行った。さらに工程１３を行った後の基板１１について、実施例１と同様に光取り出し効率及び輝度ムラの評価を行った。評価結果を表３に示す。尚、本比較例において、基板上に形成された第一の透光性材料の膜の形状は、実施例１と同様の直径・高さを有する円柱形状であって、実施例１と同様の平均ピッチを有していた。
【００８８】
【表３】
2012063426.tif 000005
【００８９】
表３の結果から、本比較例では、全ての条件において粒子の充填率の平均値が６５％以下であった。また実施例１の結果と比較すると。本比較例で作製したフェースプレートは、実施例１に対して光取りだし効率や輝度ムラが劣っていた。
【００９０】
実施例１及び比較例２の結果から、輝度ムラが無く、かつ大きな光取り出し効率を達成するためには、粒子の充填率の平均値を９３％以上とすることが必要だと言える。また、粒子の充填率の平均値を９３％以上とするためには、高分子層６の表面電荷を、いずれも負に制御することが好ましいといえる。本発明者らは、この原因として、高分子層６と粒子７表面の電荷が逆極性であると粒子分散液１１の塗布乾燥時に粒子７が、基板により吸着しやすく、これが粒子配列を妨げる原因であると考えている。
【符号の説明】
【００９１】
１：画像表示装置、１０：フェースプレート、１１：基板、１２：光取り出し構造、１３：アノード電極、１４：第一の透光性材料の膜、１５：第二の透光性材料の膜、１６：捕捉層、１７：粒子、１８：蛍光体膜、１９：分散媒、４１：リアプレート、４２：支持枠、４７：外囲器
【図１】
2012063426.tif 000006
【図２】
2012063426.tif 000007
【図３】
2012063426.tif 000008
【図４】
2012063426.tif 000009
【図５】
2012063426.tif 000010