(57)【要約】【課題】レジストパターンの減膜を利用することで描画及び現像の回数を削減させつつ、疎密間でのレジストパターンの減膜速度の面内均一性を向上させる。【解決手段】遮光部の形成領域及び半透光部の形成領域を覆い、半透光部の形成領域におけるレジスト膜の厚さが遮光部の形成領域におけるレジスト膜の厚さよりも薄い第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンにオゾンを過剰供給して第１レジストパターンを減膜する工程とを有し、第１レジストパターンに供給される単位面積あたりの活性酸素の供給量が、第１レジストパターンを減膜することで消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量よりも多くなるようにオゾンを供給する。【選択図】図３
2012008545.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遮光部、半透光部、及び透光部を含む所定の転写パターンを透明基板上に形成する多階調フォトマスクの製造方法であって、
半透光膜、遮光膜、及びレジスト膜が前記透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、
前記レジスト膜に描画および現像を施し、前記遮光部の形成領域及び前記半透光部の形成領域を覆い、前記半透光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さが前記遮光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さよりも薄い第１レジストパターンを形成する工程と、
前記第１レジストパターンをマスクとして前記遮光膜及び前記半透光膜をエッチングして前記透明基板を一部露出させる第１エッチング工程と、
前記第１レジストパターンにオゾンを過剰供給して前記第１レジストパターンを減膜し、前記半透光部の形成領域における前記遮光膜を露出させ、前記遮光部の形成領域を覆う第２レジストパターンを形成する工程と、
前記第２レジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングして前記半透光膜を一部露出させる第２エッチング工程と、
前記第２レジストパターンを除去する工程と、を有する
ことを特徴とする多階調フォトマスクの製造方法。
【請求項２】
前記第２レジストパターンを形成する工程では、オゾン水を前記第１レジストパターンに供給する
ことを特徴とする請求項１に記載の多階調フォトマスクの製造方法。
【請求項３】
前記第２レジストパターンを形成する工程では、オゾンガスを前記第１レジストパターンに供給する
ことを特徴とする請求項１に記載の多階調フォトマスクの製造方法。
【請求項４】
前記第２レジストパターンを形成する工程では、前記第１レジストパターンの表面近傍において、前記オゾンを発生させる
ことを特徴とする、請求項１又は３に記載の多階調フォトマスクの製造方法。
【請求項５】
前記第２レジストパターンを形成する工程では、酸素又はオゾンが存在する雰囲気中、前記第１レジストパターンに光照射する
ことを特徴とする、請求項１、３又は４に記載の多階調フォトマスクの製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の製造方法による多階調フォトマスクを介し、被転写体上に形成されている被転写レジスト膜に前記露光光を照射することにより、前記被転写レジスト膜に前記転写パターンを転写する工程を有する
ことを特徴とするパターン転写方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶表示装置等のフラットパネルディスプレイ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：以下ＦＰＤと呼ぶ）等の製造に用いられる多階調フォトマスクの製造方法、及び多階調フォトマスクを用いたパターン転写方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＦＰＤ用の薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下ＴＦＴと呼ぶ）基板は、遮光部及び透光部からなる転写パターンが透明基板上に形成されたフォトマスクを用い、例えば５回〜６回のフォトリソグラフィ工程を経て製造されてきた。近年、フォトリソグラフィ工程数を削減するため、遮光部、半透光部、及び透光部を含む転写パターンが透明基板上に形成された多階調フォトマスクが用いられるようになってきた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１８９２８０号公報
【特許文献２】特開２００５−０２４７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の多階調フォトマスクにおいて、例えば、遮光部は、透明基板上に半透光膜と遮光膜とがこの順に形成されてなり、半透光部は、半透光膜が透明基板上に形成されてなり、透光部は、透明基板が露出してなるものとすることができる。なお、ここで「この順に」とは、エッチングを妨げないものであれば、膜間に他の膜が介在していてもよい。このような多階調フォトマスクは、半透光膜と遮光膜とにそれぞれ所定のパターニングを施す必要があることから、描画及び現像を少なくとも２回ずつ行うことで製造されてきた。具体的には、例えば、まず、半透光膜、遮光膜、及び第１レジスト膜が透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する。そして、一回目の描画および現像を第１レジスト膜に施し、遮光部の形成領域及び半透光部の形成領域を覆う第１レジストパターンを形成し、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜及び半透光膜をエッチングする。次に、第１レジストパターンを除去して第２レジスト膜を形成し、２回目の描画および現像を第２レジスト膜に施して遮光部の形成領域を覆う第２レジストパターンを形成する。さらに、第２レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし、第２レジストパターンを除去する。
【０００５】
しかしながら、例えばＦＰＤ用のＴＦＴ基板の製造等に用いられるフォトマスクは、半導体製造用のフォトマスクに比べて大型であり、例えば一辺が５００ｍｍ以上の方形、更には１辺が１０００ｍｍを超える方形のものも最近は少なくないため、描画に長時間を要する。一方で、こうしたＦＰＤ製品の生産効率を向上させて、価格を下げようとする要請も強い。
【０００６】
このため、描画及び現像を少なくとも２回ずつ行う上述の方法に対して、生産性を向上させる要望があることに発明者は着目した。また、上述の方法では、１回目の描画と２回目の描画との間で、現像、パターニング（エッチング）工程が行われるため、描画機からとり外し、上記工程にて処理されたフォトマスク中間体を、再度描画機にセットする必要がある。このような場合、１回目と２回目に描画されたパターン間のズレをなくして描画するには、描画機にてマスク上に形成されたアライメントマークを読み込み、そのアライメントマーク位置を基準とし描画機による適切な補正を施して描画を行う（これをアライメント描画という）がそれでも位置ズレを完全に防止することは困難である。こうしたアライメント描画の際に生じる位置ズレは、例えば、発明者の検討によると０．１μｍ〜０．５μｍ程度生じることがあり、この場合、転写パターンの形成精度が低下する。例えば、こうした多階調フォトマスクで液晶表示装置用のＴＦＴを作製しようとするとき、設計値としては本来同一の線幅をもつ遮光パターンが、上記位置ズレに起因して異なる線幅となり、面内では、上記位置ズレ量の生じた分、線幅に分布が生じてしまう。
【０００７】
更に、発明者の知見によれば、位置によってレジスト残膜値の異なるレジストパターンを形成し、かつ、このレジストパターンの減膜を利用することで描画及び現像の回数を削減することが可能である。具体的には、まず、半透光膜、遮光膜、及び第１レジスト膜が透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する。そして、第１レジスト膜に描画および現像を施し、遮光部の形成領域及び半透光部の形成領域を覆い、半透光部の形成領域におけるレジスト膜の厚さが遮光部の形成領域におけるレジスト膜の厚さよりも薄い第１レジストパターンを形成する。この第１レジストパターンをマスクとして遮光膜及び半透光膜をエッチングする。次に、第１レジストパターンを減膜して半透光部の形成領域における第一レジストパターンを除去することにより遮光膜を露出させ、遮光部の形成領域を覆う第２レジストパターンを形成する。さらに、第２レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし、その後、第２レジストパターンを除去する。このような方法を用いれば、透光部、半透光部、遮光部を有する（つまり３階調の）多階調フォトマスクを製造するに際して、描画工程を１回のみとすることができる。
【０００８】
しかし、これを現実の生産工程に適用するには、いくつかの困難が存在する。その一つは、大型フォトマスクブランクへの描画工程において、位置によって露光量を変化させる技術に関するものである。フォトマスク用の描画露光装置は、一般的には中間調を含んだパターンを描画する必要がないため、描画のためのビーム走査を行いつつ露光量を変化させることは容易ではない。
【０００９】
上記に対する解決方法としては、以下のものがある。特許文献１には、フォトマスクブランクに対し、透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量で、また半透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量より少ない露光量でレジスト膜を露光する工程が記載されている。また、特許文献２には、半透光部を形成する部分に対しては、電子線描画機又はレーザ描画機を用いて、前記描画機の解像限界以下のパターンの描画データを利用して描画することを含むレジスト膜露光工程が記載されている。
【００１０】
しかしながら、発明者の検討によると、描画工程のみでなく、描画、現像によって形成されるレジストパターンの減膜を行う工程にも困難があり、技術課題が存在することが見出された。例えば、レジスト膜を減膜する工程では、フォトマスクブランクのレジスト膜が形成された面内全体に均一な減膜が行われなければならない。面内位置によって不均一な減膜が生じると、レジストの残膜量が不均一となり、次工程のエッチングによって形成される遮光部、又は半透光部の線幅が、設計値に対して変動してしまう。第一に、大型マスクは大面積であるから、面内における減膜の均一性を維持することは容易ではない。つまり減膜に関与する反応物質が面内均一に供給されることが肝要である。減膜の面内均一性を阻害する要因の他のひとつとしては、減膜の面内均一性に影響を与える、レジストの減膜量が転写用パターンの形状に依存するということが挙げられる。具体的には、得ようとする転写用パターンには、最終製品であるデバイスに応じて、遮光部と半透光部の疎密の分布があり、又は、遮光部と半透光部の面積比率に分布があることが多い。係る場合、例えば、第１レジストパターンの疎らな領域（単位面積あたりの開口面積の割合が大きい領域）では減膜速度が比較的増大し、第１レジストパターンの密な領域（単位面積あたりの開口面積の割合が小さい領域）では減膜速度が比較的減少する場合がある。その結果、減膜による形状制御を正確に行うことが困難となり、転写パターンの形成精度が低下してしまう場合がある。特に、ＦＰＤ用フォトマスクではレジストパターンの疎密差が比較的大きいことから、減膜速度の不均一性が現れやすい傾向がある。
【００１１】
そこで本発明は、レジストパターンの減膜を利用することで描画及び現像の回数を削減させつつ、レジストパターンの減膜速度の面内均一性を向上させ、転写パターンの形成精度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の態様は、遮光部、半透光部、及び透光部を含む所定の転写パターンを透明基板上に形成する多階調フォトマスクの製造方法であって、半透光膜、遮光膜、及びレジスト膜が前記透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、前記レジスト膜に描画および現像を施し、前記遮光部の形成領域及び前記半透光部の形成領域を覆い、前記半透光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さが前記遮光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さよりも薄い第１レジストパターンを形成する工程と、前記第１レジストパターンをマスクとして前記遮光膜及び前記半透光膜をエッチングして前記透明基板を一部露出させる第１エッチング工程と、前記第１レジストパターンにオゾンを過剰供給して前記第１レジストパターンを減膜し、前記半透光部の形成領域における前記遮光膜を露出させ、前記遮光部の形成領域を覆う第２レジストパターンを形成する工程と、前記第２レジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングして前記半透光膜を一部露出させる第２エッチング工程と、前記第２レジストパターンを除去する工程と、を有する多階調フォトマスクの製造方法である。
【００１３】
本発明の第２の態様は、前記第２レジストパターンを形成する工程では、オゾン水を前記第１レジストパターンに供給する第１の態様に記載の多階調フォトマスクの製造方法である。
【００１４】
本発明の第３の態様は、前記第２レジストパターンを形成する工程では、オゾンガスを前記第１レジストパターンに供給する第１の態様に記載の多階調フォトマスクの製造方法である。
【００１５】
本発明の第４の態様は、前記第２レジストパターンを形成する工程では、前記第１レジストパターンの表面近傍において、前記オゾンを発生させる第１の態様又は第３の態様に記載の多階調フォトマスクの製造方法である。
【００１６】
本発明の第５の態様は、前記第２レジストパターンを形成する工程では、酸素又はオゾンが存在する雰囲気中、前記第１レジストパターンに光照射する第１の態様、第３の態様又は第４の態様に記載の多階調フォトマスクの製造方法である。
【００１７】
本発明の第６の態様は、第１の態様から第５の態様のいずれかに記載の製造方法による多階調フォトマスクを介し、被転写体上に形成されている被転写レジスト膜に前記露光光を照射することにより、前記被転写レジスト膜に前記転写パターンを転写する工程を有するパターン転写方法である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、レジストパターンの減膜を利用することで描画及び現像の回数を削減させつつ、レジストパターンの減膜速度の面内均一性を向上させ、転写パターンの形成精度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る多階調フォトマスクの製造工程のフロー図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る多階調フォトマスクを用いたパターン転写方法を示す断面図である。
【図３】活性酸素過剰供給時のレジストパターン減膜工程におけるメカニズムを示す断面図である。
【図４】参考例に係るレジストパターン減膜工程におけるメカニズムを示す断面図である。
【図５】参考例に係る多階調フォトマスクの製造方法を示す説明図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係るフォトマスクブランクへの一の描画方法を示す図であって、（ａ）は、遮光部データ、透光部データ、及び半透光部データで構成される合成データを示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す合成データから分離された遮光部データ及び透光部データを示す平面図であり、（ｃ）は、（ａ）に示す合成データから分離された半透光部データを示す平面図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係るフォトマスクブランクのレジスト膜上に図６（ａ）の描画パターンを描画するときの露光量の分布を示す平面図である。
【図８】図７のＩ−Ｉ断面図であって、（ａ）は、描画パターンをレジスト膜上に描画したフォトマスクブランクの断面図であり、（ｂ）は、レジスト膜が現像されたフォトマスクブランクの断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係るフォトマスクブランクへの他の描画方法を示すフロー図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に係るフォトマスクブランクへの他の描画方法に用いる描画パターンを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
先述のように、多階調フォトマスクの製法方法においては、例えば、３階調（透光部、遮光部、半透光部）を実現するために、透明基板上に形成した２つの膜にパターニングを施す必要があり、従来の製造方法では少なくとも２回の描画及び現像工程が必要である。更に、４階調以上の多階調フォトマスクにおいては、少なくとも２回、或いはそれより多い回数の描画・現像工程が必要となる。従って、生産効率、製造コストの改良が望まれていた。更に、複数回の描画によるパターンの相互の位置ズレによって転写パターンの形成精度の低下を招いていた。そこで発明者は、上述の課題を解決すべく描画及び現像工程の回数の削減に取り組んだ。
【００２１】
まず、図５（ａ）に例示するように、透明基板１００’上に半透光膜１０１’、遮光膜１０２’がこの順に形成され、最上層にレジスト膜１０３’が形成されたフォトマスクブランク１０ｂ’を用意する。そして、図５（ｂ）の１０３ｐ’に実線で例示するように、フォトマスクブランク１０ｂ’が有するレジスト膜１０３’に対して露光・現像を施し、例えば２段階の厚さを有する第１レジストパターン１０３ｐ’を形成する。これは、透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量で、また半透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量より少ない露光量で、レジスト膜を露光することによって行うことができる。この結果、図５（ｂ）に示される第１レジストパターン１０３ｐ’は、遮光部１１０’の形成領域及び半透光部１１５’の形成領域を覆い、半透光部１１５’の形成領域におけるレジスト膜１０３’の厚さが、遮光部１１０’の形成領域におけるレジスト膜１０３’の厚さよりも薄くなるように形成されている。なお、上記から明かなとおり、遮光部１１０’や半透光部１１５’の形成領域とは、得ようとする多階調フォトマスクにおいて、遮光部１１０’や半透光部１１５’を形成しようとする領域をいう。
【００２２】
そして、第１レジストパターン１０３ｐ’をマスクとして遮光膜１０２’及び半透光膜１０１’をエッチングする。次に、図５（ｂ）の１０４ｐ’に点線と一部実線で例示するように、第１レジストパターン１０３ｐ’を減膜し、遮光部１１０’の形成領域を覆う第２レジストパターン１０４ｐ’を形成する。そして、図５（ｃ）には、第２レジストパターン１０４ｐ’をマスクとして半透光膜１０１’をエッチングした後、第２レジストパターン１０４ｐ’を除去し終えたときの態様を例示する。この方法によれば、描画及び現像工程の回数をそれぞれ１回に削減でき、上述の課題を解決できる。ここで減膜とは、例えば、レジスト膜１０３ｐ’の露出している上部（表面）から垂直方向に所望量のレジスト膜１０３ｐ’を消失させ、膜厚を減少させることをいう。
【００２３】
上記において、第１レジストパターン１０３ｐ’の減膜は、例えば、プラズマアッシング装置を用いて、プラズマにより発生させた活性物質、例えば活性酸素を第１レジストパターン１０３ｐ’に供給し、レジスト膜１０３’を構成する有機物を分解して灰化（アッシング）することで行うことができる。しかしながら、発明者の検討によれば、係る方法では不十分な点があった。例えば、灰化によって生じた異物が系内に残留し、マスクパターンの欠陥を生じさせるリスクがあった。更に、第１レジストパターン１０３ｐ’の減膜速度の面内均一性が十分ではないことが分かった。その結果、減膜による形状制御を正確に行うことが困難となり、例えば、図５（ｃ）の符号１２５に示すように、一部の転写パターンの寸法が予定領域より小さく形成される場合があることが分かった。
【００２４】
そこで発明者は、減膜速度の面内均一性を低下させる理由について鋭意検討を行った。以下に、図を参照してその理由を説明する。
【００２５】
まず第１に、フォトマスクに求められるパターン線幅の均一性（例えば面内ばらつきの許容値が０．２μｍ以下であるといった仕様）を満足させるためには、減膜のための反応物質を面内に不足なく供給する必要がある。更に、パターンの面内不均一に依存して生じる消費の不均一が生じても、これが減膜量の不均一の原因とならないような供給が必要であると考えられる。図４は、第１レジストパターン１０３ｐ’の減膜メカニズムを例示する断面図である。図４の（ｂ１）は減膜前の第１レジストパターン１０３ｐ’の構成を、（ｂ２）は活性酸素により第１レジストパターン１０３ｐ’が減膜される様子を、（ｂ３）は減膜により得られた第２レジストパターン１０４ｐ’をマスクとして遮光膜をエッチングし、転写パターンを形成した様子をそれぞれ示している。
【００２６】
図４の（ｂ１）に示すように、第１レジストパターン１０３ｐ’は、疎らな領域（例えば、単位面積あたりの開口面積の割合が大きい領域）と密な領域（例えば、単位面積あたりの開口面積の割合が小さい領域）と、を有している。具体的には、例えば透光部１２０’（図５（ｃ）参照）の形成領域は疎らな領域に相当し、遮光部１１０’（図５（ｃ）参照）や半透光部１１５’（図５（ｃ）参照）の形成領域が密な領域に相当する。
【００２７】
ここで、疎らな領域では、減膜対象となるレジスト材料（第１レジストパターン１０３ｐ’）が比較的少ないため、活性酸素の消費はそれほど多くない。したがって、疎らな領域においては、第１レジストパターン１０３ｐ’に供給される単位面積あたりの活性酸素の供給量が、第１レジストパターン１０３ｐ’を減膜することで消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量よりも多い状態になり易い。すなわち、活性酸素の不足が生じにくく、活性酸素の量によって減膜速度の制限を受け難い。
【００２８】
これに対し、密な領域では、減膜対象となるレジスト材料（第１レジストパターン１０３ｐ’）が比較的豊富に存在するため、活性酸素の消費量は多くなる。したがって、密な領域においては、第１レジストパターン１０３ｐ’に供給される単位面積あたりの活性酸素の供給量が、第１レジストパターン１０３ｐ’を減膜することで消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量よりも不十分な状態になり易い。すなわち、活性酸素の不足が生じ易く、活性酸素の量によって分解反応が律速され、減膜速度が局所的に低下し易い。減膜時間を増加させると、上記疎らな領域ではレジストの線幅が減少してしまう。
【００２９】
このように、減膜対象となる第１レジストパターン１０３ｐ’の形状に影響を受け、減膜速度の面内均一性が低下する場合があることが分かった。この場合、減膜速度の面内均一性が低下することによって、減膜による形状制御を正確に行うことが困難となり、図４（ｂ３）に例示するように転写パターンの形成精度が低下してしまう。特に、ＦＰＤ用フォトマスクではレジストパターンの疎密差が比較的大きいことから、減膜速度の不均一性が顕著に現れやすい傾向がある。なお、減膜速度の面内均一性の低下は、レジストパターンの疎密差が大きい場合のみでなく、レジストパターンの開口面積自体の差が大きい場合にも顕著に現れる。プラズマアッシング法を使用した方法では、減圧下でプラズマを発生させるため、レジストを減膜させるための反応種（活性酸素を含む）の量を自在に増やすことはできない。そのため、レジストパターンの粗密や開口率の差によって上記反応物質の供給不足になる場合が避けられないと考えられる。特に、フォトマスクに許容される面内の線幅分布仕様を満足することは困難であった。
【００３０】
そこで発明者は、減膜速度の面内均一性を向上させる方法について、更に鋭意研究を行った。その結果、減膜処理工程中において、第１レジストパターン１０３ｐ’に供給される単位面積あたりの活性酸素の供給量が、第１レジストパターン１０３ｐ’を減膜することで消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量よりも多くなるようにすること、すなわち、オゾンの過剰供給により、活性酸素を過剰に生成させることで、減膜速度の面内均一性を向上できるとの知見を得るに至った。レジストパターンの減膜を、このような活性酸素（オゾンを含む）の過剰供給によっておこなう場合、例えば活性酸素発生装置などで生成させ一定濃度に管理された活性酸素（例えば溶液やガスとして）を移送し、所定量を連続してレジストパターンに供給することができる。このようにすることで、一定濃度の活性酸素を活性酸素の消費箇所に供給し続けることができるため、活性酸素を過剰供給とすることができ、レジストパターンの粗密の違いによって、活性酸素の消費量に対して供給量が不足する部分が生じることを妨げる。
【００３１】
また、酸素又はオゾンガスの少なくとも一つが含まれる雰囲気中でレジストパターンに光照射を行うことで、活性酸素を発生させる場合においても、上記雰囲気を連続して光照射部分に供給し、同様の作用を生じさせることができる。また、上記雰囲気の代わりに酸素又はオゾンの少なくとも一つが含まれた液体（例えば純水）などを供給することもできる。
【００３２】
また、前述のプラズマアッシングと異なり、オゾンを用いたアッシングは、濃度と供給量を独立に調整できるのでレジストパターンの減膜方法として有利であり、供給量を流量の調整などで加減し活性酸素の過剰状態を作り易い。さらには、活性酸素濃度を下げ、レジストの減膜速度を低下させることも可能である。この場合、レジストの減膜量を精密に調整することが可能となる。
【００３３】
例えば活性酸素濃度を下げ、レジストパターンの減膜速度を低くすることで、減膜量を精密に調整しようとする場合でも、供給量を調整することで常に一定の濃度のオゾンを供給することができるため、活性酸素の過剰供給が可能となる。すなわち、供給される活性酸素が消費される活性酸素より少なくなることがないので、パターンの粗密差による減膜量の面内不均一を生じない。
【００３４】
例えば、オゾン水濃度は２ｐｐｍ〜１５０ｐｐｍの範囲で調整することができ、減膜量の調整が可能となる。より、減膜量を精密に制御するためには２ｐｐｍ〜５０ｐｐｍの範囲とすることが望ましく、さらには２ｐｐｍ〜３０ｐｐｍであることが望ましい。このときのオゾン水供給量を、フォトマスクの単位面積当たりに換算すると、２０．０ｍｌ／ｃｍ２・ｍｉｎ〜０．１０ｍｌ／ｃｍ２・ｍｉｎ程度となる。より好適には、２０．０ｍｌ／ｃｍ２・ｍｉｎ〜０．５０ｍｌ／ｃｍ２・ｍｉｎとすることができる。これの範囲の供給量であれば、オゾン濃度が低い場合でも、活性酸素の供給量を過剰な状態とすることができ好適である。またこの供給量は、例えば供給されるオゾン水量を、処理を行うフォトマスクブランクス基板の面積で除して求めることができる。また、オゾン濃度はオゾン吸光度などを利用した公知の測定装置で測定することができ、レジストパターンに供給される直前の濃度を測定することができる。このようなオゾンを使用したアッシング方法では、単位時間あたりに所望する量であり、かつ所望濃度のオゾンを供給することができ有利である。一方、プラズマアッシングでは、反応種である活性酸素などの濃度とその供給量を独立に制御することが難しく、レジストパターンの粗密差によるレジスト減膜量の面内均一性を解消することが難しい。
【００３５】
オゾンの供給は、オゾン発生装置によって生成されたオゾンガスを、液体や気体を媒質として、レジストパターンに供給することができる。または、酸素又はオゾンのうち少なくともひとつを含んだ媒質中又は媒質をレジストパターンに供給しつつ、供給部分に紫外線を照射することによって、レジストパターンの表面近傍で活性酸素を発生させることができる。このとき、レジストパターン表面近傍で発生された活性酸素は、寿命で失活する前にレジストの減膜に消費されるため好適である。このとき、活性酸素の生成が不足しないよう、酸素又はオゾンのうち少なくともひとつを含んだ媒質を、上記光照射部分に連続的に供給することが好適である。
【００３６】
発明者の検討によれば、このような方法を採用することで、多階調フォトマスクに形成される、半透光部と遮光部のパターン線幅（すなわち、半透光膜パターンと遮光膜パターンの線幅）を、マスクの設計データで与えられる設計値に近づけることができる。また、設計値と実際の線幅とに所定の差異が生じても、その生じた差異を面内で均一にすることができる。
【００３７】
本発明は、発明者が見出した上記知見に基づくものである。
【００３８】
＜本発明の第１実施形態＞
以下に、本発明の第１実施形態を、図１及び図２を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る多階調フォトマスク１０の製造工程のフロー図である。図２は、多階調フォトマスク１０を用いたパターン転写方法を示す断面図である。
【００３９】
（１）多階調フォトマスクの製造方法
（フォトマスクブランク準備工程）
まず、図１（ａ）に例示するように、透明基板１００上に半透光膜１０１、遮光膜１０２がこの順に形成され、最上層にレジスト膜１０３が形成されたフォトマスクブランク１０ｂを準備する。
【００４０】
透明基板１００は、例えば石英（ＳｉＯ２）ガラスや、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｂ２Ｏ３，ＲＯ（Ｒはアルカリ土類金属），Ｒ２Ｏ（Ｒ２はアルカリ金属）等を含む低膨張ガラス等からなる平板として構成されている。透明基板１００の主面（表面及び裏面）は、研磨されるなどして平坦且つ平滑に構成されている。透明基板１００は、例えば一辺が２０００ｍｍ〜２４００ｍｍ程度の方形とすることができる。透明基板１００の厚さは例えば３ｍｍ〜２０ｍｍ程度とすることができる。
【００４１】
半透光膜１０１は、モリブデン（Ｍｏ）やタンタル（Ｔａ）等の金属材料とシリコン（Ｓｉ）とを含む材料からなり、例えばＭｏＳｉ、ＭｏＳｉ２、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯＮ、ＭｏＳｉＣＯＮ、ＴａＳｉｘ等からなる。半透光膜１０１は、フッ素（Ｆ）系のエッチング液（又はエッチングガス）を用いてエッチング可能なように構成されている。また、半透光膜１０１は、硝酸第２セリウムアンモニウム（（ＮＨ４）２Ｃｅ（ＮＯ３）６）及び過塩素酸（ＨＣｌＯ４）を含む純水からなるクロム用エッチング液に対するエッチング耐性を有し、後述するようにクロム用エッチング液を用いて遮光膜１０２をエッチングする際のエッチングストッパ層として機能する。
【００４２】
遮光膜１０２は、実質的にクロム（Ｃｒ）からなる。なお、遮光膜１０２の表面にＣｒ化合物（ＣｒＯ、ＣｒＣ，ＣｒＮ等）を積層すれば（図示せず）、遮光膜１０２の表面に反射抑制機能を持たせることが出来る。遮光膜１０２は、上述のクロム用エッチング液を用いてエッチング可能なように構成されている。
【００４３】
レジスト膜１０３は、ポジ型フォトレジスト材料或いはネガ型フォトレジスト材料により構成することが可能である。以下の説明では、レジスト膜１０３がポジ型フォトレジスト材料より形成されているものとする。レジスト膜１０３は、例えばスリットコータやスピンコータ等を用いて形成することができる。
【００４４】
（第１レジストパターン形成工程）
次に、フォトマスクブランク１０ｂに対してレーザ描画機等により描画露光を行い、レジスト膜１０３を感光させ、レジスト膜１０３に現像液を供給して現像を施し、遮光部１１０の形成領域及び半透光部１１５の形成領域を覆う第１レジストパターン１０３ｐを形成する。第１レジストパターン１０３ｐが形成された状態を、図１（ｂ）に例示する。図１（ｂ）に示すように第１レジストパターン１０３ｐは、半透光部１１５の形成領域におけるレジスト膜１０３の厚さが遮光部１１０の形成領域におけるレジスト膜１０３の厚さよりも薄くなるよう形成されている。なお、遮光部１１０や半透光部１１５の形成領域とは、得ようとする多階調フォトマスク１０において、遮光部１１０や半透光部１１５を形成しようとする領域をいう。
【００４５】
このように厚さの異なる第１レジストパターン１０３ｐを形成するには、例えば以下の方法を用いることができる。以下の方法によれば、２つ以上の残膜量を有する第１レジストパターン１０３ｐを、１回の描画と１回の現像処理によって形成することができる。具体的には、上記のフォトマスクブランク１０ｂを用意し、描画を行うとき、透光部１２０を形成する領域には、レジスト膜１０３を完全に感光させる露光量を適用し、また半透光部１１５を形成する領域には、レジスト膜１０３を完全に感光させるより少ない露光量を適用する。係る描画方法の詳細について、以下に２つの例を挙げて記述する。
【００４６】
（ａ）ハーフドーズ描画による方法
遮光部１１０、透光部１２０及び半透光部１１５の全てのパターンデータを組み込んだ、マスクパターンの合成データが、図６（ａ）に示すように、遮光部データ１１０ｄ、透光部データ１２０ｄ、及び半透光部データ１１５ｄで構成された場合を例にとる。この場合、マスクパターンの合成データを、図６（ｂ）に示す遮光部データ１１０ｄ及び透光部データ１２０ｄと、図６（ｃ）に示す半透光部データ１１５ｄとに分離する。ここで、上記データの分離時に遮光部データ１１０ｄは図６（ｃ）の半透光部データ側に含むこともできる。ポジ型レジストを使用する場合、遮光部データ１１０ｄは描画が行われない部分であるので、どちらのデータ分離方法によっても以降の描画工程では同じ結果を示すため問題は生じない。そして、透光部１２０の形成領域をレジスト膜１０３が完全に除去できる露光量（１００％）で描画した後、半透光部１１５の形成領域をレジスト膜１０３が完全に感光される露光量の約半分の露光量で描画することにより図６（ａ）に示すパターンの描画を行うことができる。なお、透光部１２０の形成領域と半透光部１１５の形成領域との描画の順序については順不同であり、どちらが先でも構わない。上記図６（ａ）に示す描画パターンを、レジスト膜１０３上（ポジレジストでの描画例）に描画した際の露光量の分布は、図７に示すようになる。つまり、エリアＣ（透光部１２０の形成領域）の露光量は１００％、エリアＡ（半透光部１１５の形成領域）の露光量は５０％、エリアＢ（遮光部１１０の形成領域）の露光量は０％（露光されない）となる。半透光部の露光量は、上記の値に限定されず、例えば３０％以上７０％以下とすることができる。この範囲であれば、レジスト残膜量がエッチング時のマスクとして不具合が生じず、レジスト膜の厚い部分と薄い部分の境界を明確に保ったまま精度の高い減膜を行うことができる。
【００４７】
続いて、図７のＩ−Ｉ断面図である図８の（ａ）に示すとおり、図７に示す露光分布で描画を行った場合、エリアＢは未露光となり、エリアＡは露光・現像後の膜厚がエリアＢの残膜値の約半分になるように描画の際の露光量を調節する。エリアＣにはレジストパターニングしたとき、レジストが完全に除去されるのに不足しないだけの露光量を与える。この際の描画方法は、レーザ描画機で、露光量１００％の光量にてエリアＣの描画を行った後、露光量５０％程度の光量で工リアＡの描画を行なう。エリアＡ、Ｃの描画順序についてはどちらが先でも構わない。
【００４８】
次に、図８（ｂ）に示すように、膜厚差を有するようにレジスト膜１０３を現像する。この際、レジスト膜１０３の膜厚は、エリアＡで工リアＢの約半分程度となり、エリアＣでは完全に除去された状態となる。なお、ここでは半透光部１１５の形成領域（エリアＡ）の露光量を５０％としたが、所望の残膜値に基づいて、例えば２０％〜８０％程度の範囲で変更することが可能である。このように露光量を変更することで、エリアＡを現像後に所望の残膜値になるよう形成することができる。本実施形態では、このように一工程で連続的に描画を行うことができる。
【００４９】
（ｂ）未解像パターン描画による方法
次に、他のレジストパターン形成方法を説明する。この方法においても、上記のフォトマスクブランク１０ｂを用い、レーザ描画機などを用いて描画を行う。描画パターンは、一例としては図１０に示されるように、遮光部パターン１１０ａ、１１０ｂと、透光部パターン１２０ｐと、半透光部パターン１１５ｐとを有する。ここで、半透光部パターン１１５ｐは、使用する描画機の解像限界以下の微細パターン（ライン・アンド・スペース）からなる遮光パターン１１５ａ、及び透過パターン１１５ｂを形成した領域である。例えば使用するレーザ描画機の解像限界が、２．０μｍであれば、図１０で半透光部パターン１１５ｐにおける透過パターン１１５ｂのスペース幅を２．０μｍ未満、遮光パターン１１５ａのライン幅を描画機の解像限界以下の２．０μｍ未満とすることができる。なお、ライン・アンド・スペースパターンの場合、ライン幅をどのくらいにするかによって、このパターンを介して露光したときの露光量を調節することが出来、最終的には半透光部１１５を形成する部分でのレジスト膜１０３の残膜値を制御することができる。例えば、ライン幅は、描画機の解像最小線幅の１／２未満、例えば１／８〜１／３とすることができる。
【００５０】
このような遮光部パターン１１０ａ、１１０ｂと、透光部パターン１２０ｐと、半透光部パターン１１５ｐとを有するパターンの描画データ（図１０のパターンの場合、例えば透光部パターン１２０ｐのデータと半透光部パターン１１５ｐのデータを合成した１種類のデータを利用するのが好適である）を用いて一度に描画を行う。この際の露光量は、透光部１２０を形成する領域のレジスト膜１０３が十分に感光される露光量とする。すると、透光部１２０を形成する領域（図９に図示するＣの領域）では、レジスト膜１０３が十分に感光され、遮光部１１０を形成する領域（図９に図示するＢの領域）では、レジスト膜１０３は未露光（露光されない）状態である。さらに、半透光部１１５を形成する領域（図９に図示するＡの領域）では、前記遮光パターン１１５ａを描画機では解像できないため、その線幅を描画できないが、全体として露光量が足りなくなる。すなわち、半透光部１１５の形成領域ではこの形成領域全体の露光量を減らしてレジスト膜１０３を露光したのと同じような効果が得られる。描画後、これを所定の現像液で現像すると、マスクブランク１０ｂ上に、遮光部１１０（Ｂ領域）と半透光部１１５（Ａ領域）とでレジスト膜１０３の残膜値が異なるような第１レジストパターン１０３ｐが形成される（図９（ｂ）参照）。半透光部１１５の形成領域ではレジスト膜１０３が完全に感光される露光量よりも実際の露光量が少ないため、レジスト膜１０３を現像すると完全には溶解せず、未露光の遮光部１１０のレジスト膜１０３よりも薄い膜厚で残存する。なお、透光部１２０ではレジスト膜１０３は完全に除去された状態となる。
【００５１】
尚、２つ以上の残膜量を有するレジストパターンの形成方法は、上記に限定されない。描画機のビーム走査を行いつつ、その強度を変更する方法など、上記以外の手法により、レジスト膜１０３の位置によって異なる露光量の描画を施してもよい。
【００５２】
（第１エッチング工程）
次に、図１に示すように、形成した第１レジストパターン１０３ｐをマスクとして、遮光膜１０２をエッチングして遮光膜パターン１０２ｐを形成する。遮光膜１０２のエッチングは、上述のクロム用エッチング液を、スプレー方式等の手法により遮光膜１０２に供給してウェットエッチングすることが可能である。
【００５３】
続いて、第１レジストパターン１０３ｐをマスクとして、半透光膜１０１をエッチングして半透光膜パターン１０１ｐを形成し、透明基板１００を部分的に露出させる。半透光膜１０１のエッチングは、フッ素（Ｆ）系のエッチング液（又はエッチングガス）を半透光膜１０１に供給して行うことが可能である。このように、遮光膜パターン１０２ｐ及び半透光膜パターン１０１ｐが形成された状態を、図１（ｃ）に例示する。
【００５４】
（第２レジストパターン形成工程）
次に、第１レジストパターン１０３ｐを減膜し、半透光部１１５の形成領域における遮光膜１０２を露出させる。このとき、レジスト膜１０３の厚い遮光部１１０の形成領域ではレジスト膜１０３が残る。これにより、遮光部１１０の形成領域を覆う第２レジストパターン１０４ｐが形成される。その状態を図１（ｄ）に例示する。
【００５５】
第１レジストパターン１０３ｐの減膜は、第１レジストパターン１０３ｐにオゾン（Ｏ３）水を過剰供給して行うことができる。第１レジストパターン１０３ｐにオゾン水を過剰供給すると、オゾン水から発生する活性酸素がレジスト膜１０３と反応し、レジスト膜１０３を構成する材料が分解され、第１レジストパターン１０３ｐが減膜される。ここで活性酸素とは、オゾン自身のほか、オゾン水中でオゾンの一部が分解して生じるヒドロキシラジカル（ＨＯ・）を含み、更に、オゾン水中に存在する、レジスト膜１０３と反応するのに充分な活性を持った酸素原子（Ｏ）などの活性種を指すものとする。この減膜工程には、真空装置を用いる必要はなく、大気中かつ大気圧中で行うことができる。
【００５６】
また、この減膜工程において、オゾン水によるアッシングを行う際、レジストパターン表面にムラなくオゾン水の供給を十分に行うことが必要である。例えば、オゾン水の供給前に、紫外光（波長２００ｎｍ〜３８０ｎｍ）や真空紫外光（波長１０ｎｍ〜２００ｎｍ）をレジストパターンに照射し表面の改質をすることができる。例えば前記照射の光源として低圧水銀灯、エキシマＵＶランプなどを使うことができる。このことによって、レジストパターン表面を改質でき、濡れ性を均一にし欠陥の発生を防ぎ、かつ改質によりレジストパターンの表面物性を揃えることで減膜の開始反応の状態を揃えることができるので、面内の減膜量の均一性をより高めることができ好適である。特に、本発明のように微細な凹凸を有するレジストパターン表面をオゾン水でアッシングする場合、上記紫外光（真空紫外含む）の照射によって、オゾン水を微細な凹み部分まで供給することが容易になり、より均一な減膜を行うことができ好適である。
【００５７】
但し、上述したように、一般にプラズマアッシングにより第１レジストパターン１０３ｐを減膜する場合、第１レジストパターン１０３ｐの形状によっては、局所的に活性酸素の不足が生じてしまい、減膜速度の面内均一性が低下してしまう懸念がある。すなわち、密な領域において活性酸素の不足が生じ、活性酸素の量によって分解反応が律速され、減膜速度が局所的に低下してしまう場合がある。
【００５８】
これに対し、本実施形態ではオゾン水を過剰供給することにより減膜を行うようにしている。過剰供給とは、レジストパターンの減膜に対して必要な活性酸素の量を超えて、活性酸素を発生させるオゾンを供給することである。例えば、基板を回転させながらオゾン水を供給することができる。これにより活性酸素の局所的な不足を防ぐことが出来る。図３は、本実施形態に係る第１レジストパターン１０３ｐの減膜メカニズムを示す断面図である。図３の（ｂ１）は減膜前の第１レジストパターン１０３ｐの構成を、（ｂ２）は活性酸素により第１レジストパターン１０３ｐが減膜される様子を、（ｂ３）は減膜により得られた第２レジストパターン１０４ｐをマスクとして転写パターンを形成した様子をそれぞれ示している。図３に示すように、本実施形態によれば、疎らな領域及び密な領域のそれぞれに対し、第１レジストパターン１０３ｐに供給される単位面積あたりの活性酸素の供給量を、第１レジストパターン１０３ｐを減膜することで消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量よりも多くすることができる。すなわち、活性酸素の過剰供給状態を作り出すことができる。その結果、減膜速度の面内均一性を向上させ、減膜によって形成される第２レジストパターン１０４ｐの形状制御を正確に行うことが出来る。なお、オゾン水濃度は、例えば２０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度とすることができる。またオゾン水の温度を常温〜５０度程度に変化させてもよい。これらはレジストの種類による減膜速度の相違に対して、最適な条件を随時得るために有用である。
【００５９】
（第２エッチング工程）
続いて第２レジストパターン１０４ｐをマスクとして、遮光膜１０２をさらにエッチングして半透光膜１０１を露出させる。遮光膜１０２のエッチングは、先述のクロム用エッチング液を、遮光膜１０２に供給して行うことが可能である。このとき、下地の半透光膜１０１がエッチングストッパ層として機能する。第２エッチング工程が実施された状態を図１（ｅ）に例示する。
【００６０】
（第２レジストパターン除去工程）
そして、第２レジストパターン１０４ｐを除去し、本実施形態に係る多階調フォトマスク１０の製造を完了する。第２レジストパターン１０４ｐは、第２レジストパターン１０４ｐに剥離液等を接触させることで除去できる。第２レジストパターン１０４ｐを除去した状態を図１（ｆ）に例示する。
【００６１】
以上により、図１（ｆ）に例示するような多階調フォトマスク１０の製造工程を終了する。図１（ｆ）に示す多階調フォトマスク１０は、例えばフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板の製造等に用いられる。ただし図１（ｆ）は多階調フォトマスクの積層構造を例示するものであり、実際のパターンはこれと同一とは限らない。
【００６２】
多階調フォトマスク１０が備える遮光部１１０、半透光部１１５、及び透光部１２０は、例えばｉ線〜ｇ線の範囲内の代表波長を有する露光光に対し、それぞれ所定の範囲内の透過率を有するように構成されている。すなわち、遮光部１１０は露光光を遮光（光透過率が略０％）させ、透光部１２０は露光光を略１００％透過させるように構成されている。そして、半透光部１１５は、例えば露光光の透過率を２０％〜８０％（十分に広い透光部１２０の透過率を１００％としたとき。以下同様）、好ましくは３０％〜６０％程度に低減させるように構成されている。なお、ｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ線（４８６ｎｍ）とは、水銀（Ｈｇ）の主な発光スペクトルであり、ここでいう代表波長とは、ｉ線、ｈ線、ｇ線のうちいずれかの任意の波長のことである。なお、ｉ線〜ｇ線のいずれの波長に対しても上記透過率であることがより好ましい。
【００６３】
（２）被転写体へのパターン転写方法
図２に、多階調フォトマスク１０を用いたパターン転写工程によって被転写体３０に形成されるレジストパターン３０２ｐ（実線部）の部分断面図を例示する。レジストパターン３０２ｐは、被転写体３０に形成された被転写レジスト膜としてのポジ型レジスト膜３０２（点線部と一部実線部）に多階調フォトマスク１０を介して露光光を照射し、現像することにより形成される。被転写体３０は、基板３００と、基板３００上に順に積層された金属薄膜や絶縁層、半導体層などの任意の被加工層３０１とを備えており、ポジ型レジスト膜３０２は被加工層３０１上に均一な厚さで予め形成されているものとする。なお、被加工層３０１を構成する各層は、各層の上層のエッチング液（又はエッチングガス）に対して耐性を有するように構成されていてもよい。
【００６４】
多階調フォトマスク１０を介してポジ型レジスト膜３０２に露光光を照射すると、遮光部１１０では露光光が透過せず、また、半透光部１１５、透光部１２０の順に露光光の光量が段階的に増加する。そしてポジ型レジスト膜３０２は、遮光部１１０、半透光部１１５のそれぞれに対応する領域で膜厚が順に薄くなり、透光部１２０に対応する領域で除去される。このようにして、被転写体３０上に膜厚が段階的に異なるレジストパターン３０２ｐが形成される。
【００６５】
レジストパターン３０２ｐが形成されたら、レジストパターン３０２ｐに覆われていない領域（透光部１２０に対応する領域）に露出している被加工層３０１を表面側から順次エッチングして除去する。そして、レジストパターン３０２ｐをアッシング（減膜）して膜厚が薄い領域（半透光部１１５に対応する領域）を除去し、新たに露出した被加工層３０１を順次エッチングして除去する。このように、膜厚が段階的に異なるレジストパターン３０２ｐを用いることで、従来のフォトマスク２枚分の工程を実施したこととなり、マスク枚数を削減でき、フォトリソグラフィ工程を簡略化できる。
【００６６】
（３）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【００６７】
（ａ）本実施形態によれば、第１レジストパターン１０３ｐの減膜を利用することで、描画及び現像工程の回数を削減できる。これにより、多階調フォトマスク１０の生産性を向上させ、製造コストを低減させることができる。また、３階調の転写パターンを形成するに際して、２種類（遮光膜パターニングと半透光膜パターニング）のパターンの位置ズレを防止できるので、転写パターンの形成精度の低下を抑制することができる。
【００６８】
（ｂ）また本実施形態によれば、オゾン水を過剰供給することで第１レジストパターン１０３ｐを減膜している。オゾン水を利用することで、第１レジストパターン１０３ｐに供給される単位面積あたりの活性酸素の供給量を、第１レジストパターン１０３ｐを減膜することで消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量よりも多くすることができる。すなわち、活性酸素の過剰供給状態を作り出すようにしている。これにより、減膜速度の面内均一性を向上させることができる。このため、パターンの疎密差要因や、レジスト開口率分布要因による、減膜量の面内不均一を防止し、第２レジストパターン１０４ｐの形成精度を向上させ、転写パターンの形成精度を向上させることができる。
【００６９】
（ｃ）本実施形態の方法によれば、パターン形状（疎密差、周辺開口率によらず）の面内均一性が得られ、上記（ａ）の効果と合わせて更にパターンの線幅制御が有効に行える。具体的には、パターン線幅が設計値からかい離しないとともに、設計値と実際の線幅の差異（ゼロでない場合）の面内偏差ができない。換言すれば、設計値に対して、プラス側にずれたりマイナス側にずれたりすることがなく、差異の傾向が面内で一定である。このため、ＴＦＴ基板のパターンなど、対称性のあるパターン（例えば、透光部、遮光部、半透光部、遮光部、透光部がこの順に一方向に配列し、半透光部に対して、両側にある遮光部の線幅が同一である場合など）において、従来の方法では２回の描画による位置ズレによってこの対称性が維持できなかったという問題を解消した。また、パターン疎密差起因や開口率起因による面内の線幅変動の偏差も抑制することができる。
【００７０】
（ｄ）また、本実施形態の方法においては、例えば、レジスト現像と、第１レジストパターンをマスクとした遮光膜および半透過膜のそれぞれのエッチングと、第１レジストパターンを減膜して第２レジストパターンとするオゾン水によるアッシングと、第２レジストパターンをマスクとした遮光膜のエッチングと、剥離液による第２レジストパターンの除去というように、これら工程全てに対して、液体を用いたウエット処理を行うことができる。したがって、これらの処理を１装置内で連続して行うことができるため、処理途中のフォトマスク中間体を処理途中に装置間で移動させる必要もなくなり、パーティクル付着等による欠陥発生のリスクが減少する。また、これらの処理を連続して行えることで、工程間に生じる無駄な待機時間や移動時間を削減でき、総処理時間の大幅な短縮化が可能となる。
【００７１】
＜本発明の第２実施形態＞
続いて、本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態では、オゾン水の替わりに、酸素またはオゾンガスを用い、その存在雰囲気下にて光照射し、気体のオゾン又はオゾンを含む活性酸素の過剰供給の状態をつくることができる。このように、活性酸素の生成を促進し、これによって第１レジストパターン１０３ｐを減膜する点が、上記の実施形態とは異なる。以下、図１を参照して上記の実施形態と異なる点について詳述する。
【００７２】
本実施形態に係る多階調フォトマスク１０の製造方法も上述の実施形態と同様、図１に例示する製造工程を経るが、本実施形態に係る多階調フォトマスク１０の製造方法では、図１（ｄ）に例示する第１レジストパターン１０３ｐの減膜を、オゾンガスの供給と共に光照射により行う。ここで光照射に使用される光は、酸素（Ｏ２）、またはオゾン（Ｏ３）の存在する雰囲気で、レジスト膜１０３を減膜させるための活性酸素の発生を促すためのエネルギー光であり、例えば、紫外光（波長２００ｎｍ〜３８０ｎｍ）や真空紫外光（波長１０ｎｍ〜２００ｎｍ）を用いることができる。なお、酸素が存在する雰囲気中とは、大気中でも良い。すなわち、紫外光（ＵＶ）又は真空紫外光（ＶＵＶ）を照射することにより、雰囲気中にある酸素、またはオゾンを励起し、分解や結合などを経てて活性酸素を生じさせる。尚、この光照射は、雰囲気の酸素からオゾン、最終的には活性酸素を生成するのみでなく、レジスト膜１０３を形成する有機物の結合を切る働きもあるため、レジスト膜１０３のアッシングが効率的に進行する。この過程で、第１レジストパターン１０３ｐの表面近傍において、効率的にオゾンを発生させることができ、オゾンが第１レジストパターン１０３ｐに過剰に供給される。これにより、第１レジストパターン１０３ｐの減膜による第２レジストパターン１０４ｐの形状制御を正確に行なうことができる。この減膜工程も、真空装置を用いる必要はなく、大気圧と同じもしくはほぼ大気圧中で行うことができる。なお、ＵＶやＶＵＶは公知の照射装置、例えば、低圧水銀灯やエキシマＵＶランプ等により、照射することができる。また、酸素の光反応によりオゾンが生成するのに効率の良い波長と、オゾンがさらに光反応により他の活性酸素が生成するのに効率の良い波長は異なる。したがって、例えば低圧水銀灯とエキシマＵＶランプの二種類の光源による光照射を行うことで、オゾンとその他の活性酸素の各生成効率を向上することができる。
【００７３】
本実施形態に係る多階調フォトマスク１０の製造方法においても、上述の実施形態に係る多階調フォトマスク１０の製造方法と同様の効果を奏する。すなわち、本実施形態においても、パターン形状（疎密差、周辺開口率）によらず、極めて面内均一性の高い減膜挙動が得られた。
【００７４】
上記第１、第２の実施態様から明らかなとおり、本発明によれば、多階調フォトマスクを製造する工程の大幅な効率化が実現できると同時に、大型フォトマスク基板の、描画機へのセットが一度であるという利点を享受することができる。同一の基板を、位置ズレなしに、描画機の同一位置に再載置することに要する、時間と負荷が軽減できる。また、この再載置により発生する位置ズレのリスクを回避できるのである。
【００７５】
尚、本実施形態では、オゾンの過剰供給によるレジストパターンの減膜を利用している。この方法によれば、大気中、又は、大気に酸素やオゾンを添加した雰囲気で減膜処理が可能であるため、極めて有利である。一方、レジストのアッシング方法としては、プラズマを用いたアッシングを適用することも可能であるが、この場合には、液晶表示用の大型マスクのために、大型の真空装置を用意する必要がある上、系内の圧やプラズマ濃度の均一性を保つことが難しく、面内の減膜量均一化は容易でない。これは、活性酸素の不足を補うために、過剰な酸素を真空装置に導入すると、プラズマ生成影響が出る懸念があるためである。
【００７６】
また、例えばプラズマアッシング法においては、プラズマ放電によって、フォトマスク上に電荷の分布が生じ、放電によるパターンの破壊プラズマアッシング中に生じる異物によるフォトマスクの欠陥などのリスクがあったが、本発明の方法は、これらの不都合を生じさせない。本発明においては、このような不都合がなく、さらに、パターンの形状によらず、面内の減膜速度の均一性も高められる点で有利である。
【００７７】
＜本発明の他の実施形態＞
尚、多階調フォトマスクの製法には、透明基板１００上に、半透光膜１０１及び遮光膜１０２をこの順に積層したフォトマスクブランク１０ｂを用いて行う上述の方法の他に、異なる方法を用いることもできる。すなわち、透明基板上に形成した遮光膜をパターニングしたのちに、半透光膜を成膜し、パターニングするという工程を経て、透光部、半透光部、遮光部を形成する方法である。但し、前者の製造法、つまり上述の第１、第２実施形態等に係る方法は、本発明を適用するのに適しており、換言すれば、前者の方法は、本発明を有効に適用できる点で、生産効率上、特に優れているといえる。
【００７８】
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。また、上記において、透光部、遮光部、半透光部を有する３階調の多階調フォトマスクについて説明したが、透過率の異なる半透光部を複数有する、４階調以上の多階調フォトマスクにおいても、本発明が適用できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００７９】
１０    多階調フォトマスク
１０ｂ  フォトマスクブランク
１００  透明基板
１０１  半透光膜
１０２  遮光膜
１０３  レジスト膜
１０３ｐ  第１レジストパターン
１０４ｐ  第２レジストパターン
１１０  遮光部
１１５  半透光部
１２０  透光部
【図１】
2012008545.tif 000003
【図２】
2012008545.tif 000004
【図５】
2012008545.tif 000005
【図６】
2012008545.tif 000006
【図７】
2012008545.tif 000007
【図８】
2012008545.tif 000008
【図９】
2012008545.tif 000009
【図１０】
2012008545.tif 000010
【図３】
2012008545.tif 000011
【図４】
2012008545.tif 000012