(57)【要約】【課題】撮像面の反りを低減することができる固体撮像素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】固体撮像素子の製造方法は、表面側に複数の固体撮像素子が形成されるとともに裏面に膜が形成された半導体ウエハの、前記裏面を研磨して、前記膜を除去する研磨工程Ｓ２と、研磨工程Ｓ２後の前記半導体ウエハを前記複数の固体撮像素子の個々にダイシングするダイシング工程Ｓ３と、を備える。研磨工程Ｓ２後の前記半導体ウエハの前記裏面が鏡面であるとともに、研磨工程Ｓ２後の前記半導体ウエハの厚さが７００μｍ以上である。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側に複数の固体撮像素子が形成されるとともに裏面に膜が形成された半導体ウエハの、前記裏面を研磨して、前記膜を除去する研磨工程と、
前記研磨工程後の前記半導体ウエハを前記複数の固体撮像素子の個々にダイシングするダイシング工程と、
を備え、
前記研磨工程後の前記半導体ウエハの前記裏面が鏡面であるとともに、前記研磨工程後の前記半導体ウエハの厚さが７００μｍ以上であることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
表面側に複数の固体撮像素子が形成されるとともに裏面に膜が形成された半導体ウエハの、前記裏面を研磨して、前記膜を除去する研磨工程と、
前記研磨工程後の前記半導体ウエハを前記複数の固体撮像素子の個々にダイシングするダイシング工程と、
を備え、
前記研磨工程後の前記半導体ウエハの前記裏面が鏡面であるとともに、前記研磨工程の研磨量が、前記膜の厚さの１倍以上かつ１０倍以下であることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
前記研磨工程は、破砕層が生ずる研磨を行う第１の工程と、前記破砕層を除去する研磨を行う第２の工程とからなることを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
前記第２の工程は、ＣＭＰ又はドライポリッシュを行う工程であることを特徴とする請求項３記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
前記研磨工程は、ＣＭＰ又はドライポリッシュを行う工程のみからなることを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
前記膜は、シリコン酸化層、シリコン窒化層及びポリシリコン層のうちの少なくとも１層を有する単層膜又は積層膜であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
前記ダイシング工程は、前記研磨工程後の前記半導体ウエハの裏面側からレーザ光を前記半導体ウエハの内部に集光点を合わせて照射する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
基板と前記基板の表面側に形成された素子部とを備え、
前記基板の裏面が、露出した鏡面であり、
前記基板の厚さが７００μｍ以上であることを特徴とする固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＯＳ型やＣＣＤ型やその他の種々の固体撮像素子は、基板と、前記基板の一方の面（表面）側に形成された画素等の素子部とから構成されている。そして、固体撮像素子の製造は、半導体製造工程等を用いて半導体ウエハの表面側に複数の固体撮像素子を形成した後に、前記半導体ウエハを個々の固体撮像素子（チップ）にダイシングすることによって行われている。
【０００３】
近年、ウエハからチップを切り出すダイシングの手法として、ステルスダイシングと呼ばれる手法が知られている。このダイシングは、レーザ光をウエハの内部に集光点を合わせて照射することで、ウエハの内部に改質領域等を形成し、この改質領域等を起点として切断を行うものである（下記特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述したような固体撮像素子の製造方法では、表面側に複数の固体撮像素子を形成した状態の半導体ウエハの裏面には、その固体撮像素子の形成に伴って、いわゆる残膜が形成されている。
【０００６】
固体撮像素子の製造において、前述したステルスダイシングのように、レーザ光を半導体ウエハの内部に集光点を合わせて照射する工程を含むダイシング工程を行う場合には、半導体ウエハの内部へのレーザ光の集光を適切に行うために、半導体ウエハの裏面の残膜を除去しておき、レーザ光を半導体ウエハの裏面から照射することが好ましい。
【０００７】
半導体ウエハの裏面を研磨することで前記残膜を除去する場合、その研磨の状況によっては、製造後の固体撮像素子において撮像面の反りが大きくなってしまうことが判明した。
【０００８】
撮像面の反りが大きいと、撮像面全体を焦点面に配置することができず、撮像面の中心部で焦点が合致しても撮像面の周辺部で大きな焦点ずれが生じてしまい、撮像性能が大きく低下してしまう。特に、一眼レフのデジタルカメラに搭載される固体撮像素子のように、大型の固体撮像素子の場合、撮像面の反りによる撮像性能の低下が顕著となる。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、撮像面の反りを低減することができる固体撮像素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するための手段として、以下の各態様を提示する。第１の態様による固体撮像素子の製造方法は、表面側に複数の固体撮像素子が形成されるとともに裏面に膜が形成された半導体ウエハの、前記裏面を研磨して、前記膜を除去する研磨工程と、前記研磨工程後の前記半導体ウエハを前記複数の固体撮像素子の個々にダイシングするダイシング工程と、を備え、前記研磨工程後の前記半導体ウエハの前記裏面が鏡面であるとともに、前記研磨工程後の前記半導体ウエハの厚さが７００μｍ以上であるものである。
【００１１】
第２の態様による固体撮像素子の製造方法は、表面側に複数の固体撮像素子が形成されるとともに裏面に膜が形成された半導体ウエハの、前記裏面を研磨して、前記膜を除去する研磨工程と、前記研磨工程後の前記半導体ウエハを前記複数の固体撮像素子の個々にダイシングするダイシング工程と、を備え、前記研磨工程後の前記半導体ウエハの前記裏面が鏡面であるとともに、前記研磨工程の研磨量が、前記膜の厚さの１倍以上かつ１０倍以下であるものである。
【００１２】
第３の態様による固体撮像素子の製造方法は、前記第１又は第２の態様において、前記研磨工程は、破砕層が生ずる研磨を行う第１の工程と、前記破砕層を除去する研磨を行う第２の工程とからなるものである。
【００１３】
第４の態様による固体撮像素子の製造方法は、前記第３の態様において、前記第２の工程は、ＣＭＰ又はドライポリッシュを行う工程であるものである。
【００１４】
第５の態様による固体撮像素子の製造方法は、前記第１又は第２の態様において、前記研磨工程は、ＣＭＰ又はドライポリッシュを行う工程のみからなるものである。
【００１５】
第６の態様による固体撮像素子の製造方法は、前記第１乃至第５のいずれかの態様において、前記膜は、シリコン酸化層、シリコン窒化層及びポリシリコン層のうちの少なくとも１層を有する単層膜又は積層膜であるものである。
【００１６】
第７の態様による固体撮像素子の製造方法は、前記第１乃至第６のいずれかの態様において、前記ダイシング工程は、前記研磨工程後の前記半導体ウエハの裏面側からレーザ光を前記半導体ウエハの内部に集光点を合わせて照射する工程を含むものである。
【００１７】
第８の態様による固体撮像素子は、基板と前記基板の表面側に形成された素子部とを備え、前記基板の裏面が、露出した鏡面であり、前記基板の厚さが７００μｍ以上であるものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、撮像面の反りを低減することができる固体撮像素子及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施の形態による固体撮像素子を示す概略構成図である。
【図２】図１中の１つの画素を示す回路図である。
【図３】図１に示す固体撮像素子の一部を模式的に示す概略断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態による製造方法を示す概略フローチャートである。
【図５】シリコンウエハのチップ領域を模式的に示す概略平面図である。
【図６】図４中の素子形成工程後の状態を模式的に示す概略断面図である。
【図７】裏面研磨の仕上げ粗さとチップ反り量との関係の実験結果を示す図である。
【図８】裏面研磨後のウエハ厚さとチップ反り量との関係の実験結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明による固体撮像素子及びその製造方法について、図面を参照して説明する。
【００２１】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態による固体撮像素子１を示す概略構成図である。この固体撮像素子１は、ＣＭＯＳ型固体撮像素子として構成されている。もっとも、本発明は、ＣＣＤ型などの他の固体撮像素子にも適用可能である。
【００２２】
図１に示すように、この固体撮像素子１は、一般的なＣＭＯＳ型固体撮像素子と同様に、垂直走査回路２と、水平走査回路３と、２次元状に配置された複数の画素４と、読み出し回路５と、出力アンプ６とを有している。各画素４のフォトダイオード１５（図１では図示せず。図２参照）が出力する電気信号が垂直走査回路２によって読み出し回路５に行単位で取り出され、水平走査回路３によって列単位で出力アンプ６を介して出力端子７に画像信号として出力されるようになっている。
【００２３】
図２は、図１中の１つの画素４を示す回路図である。各画素４は、図２に示すように、選択トランジスタ１１と、ソースフォロアの増幅トランジスタ１２と、リセットトランジスタ１３と、転送トランジスタ１４と、光電変換を行う受光部としてのフォトダイオード１５とから構成されている。図２において、Ｖｃｃは電源である。
【００２４】
図１及び図２に示すように、画素４の選択トランジスタ１１のゲートは行毎に選択線２０に共通に接続されている。画素４のリセットトランジスタ１３のゲートは、行毎にリセット線２１に共通に接続されている。画素４の転送トランジスタ１４のゲートは、行毎に転送線２２に共通に接続されている。画素４の選択トランジスタ１１のソースは、列毎に垂直信号線２３に共通に接続されている。選択線２０、リセット線２１及び転送線２２は、垂直走査回路２に接続されている。垂直信号線２３は、読み出し回路５に接続されている。
【００２５】
図３は、図１に示す固体撮像素子１の一部を模式的に示す概略断面図である。図３は、所定方向に並んだ複数の画素４を簡略化してその主要部のみを模式的に示している。
【００２６】
この固体撮像素子１では、シリコン基板３１の表面側（図３中の上側）に素子部が形成されている。本実施の形態では、具体的には、図３に示すように、各画素４において、シリコン基板３１の表面側にフォトダイオード１５が設けられている。シリコン基板３１上には、例えばシリコン酸化膜からなる層間膜３２〜３４が、下側（基板３１側）から順に形成されている。また、図３に示すように、１層目アルミニウム配線層３５、２層目アルミニウム配線層３６及び３層目アルミニウム配線層３７が形成され、これらによって、図１及び図２に示す回路の配線がなされている。３層目のアルミニウム配線層３７は、各画素４の有効受光領域以外を覆う遮光膜の役割も果たしている。なお、図面には示していないが、各画素４の図２に示す回路や図１中の他の回路も、シリコン基板３１に搭載されている。例えば、前述したトランジスタを構成するポリシリコンからなるゲート電極が、前記層間膜中に形成される。
【００２７】
また、この固体撮像素子１では、図３に示すように、３層目のアルミニウム配線層３７より上側の位置において、シリコン窒化膜等のパッシベーション膜（保護膜）３８、シリコン窒化膜等の絶縁膜３９、平坦化層４０、赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ層４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ、平坦化層４２、及び、入射光をフォトダイオード１５に集光させるマイクロレンズ４３が設けられている。図３では、理解を容易にするため、各列において各画素４毎に赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ層４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂが順次に並んでいるかのように示しているが、実際には、例えばベイヤー配列に従って配列される。マイクロレンズ４３も、各画素４毎に形成されている。
【００２８】
そして、本実施の形態による固体撮像素子１では、シリコン基板３１の裏面（図３中の下面）３１ａは、露出した鏡面である。本明細書において、鏡面とは、Ｒａで０．００５μｍ以下、Ｒｙで０．０３０μｍ以下の面粗さをいう。また、本実施の形態による固体撮像素子１では、全体の厚さ（本実施の形態では、マイクロレンズ４３の上面からシリコン基板３１の裏面までの厚さ）Ｄは、７００μｍ以上である。撮像面（基板面に相当）の反りをより低減するためには、厚さＤは、７１０μｍ以上であることが好ましく、７２０μｍ以上であることがより好ましい。
【００２９】
本実施の形態によれば、シリコン基板３１の裏面３１ａが露出した鏡面であるとともに、厚さＤが７００μｍ以上であるので、後述する実験結果からわかるように、撮像面の反りを低減することができる。
【００３０】
［第２の実施の形態］
図４は、本発明の第２の実施の形態による製造方法を示す概略フローチャートである。本実施の形態による製造方法は、前述した図１乃至図３に示す固体撮像素子１の製造方法である。
【００３１】
まず、複数の固体撮像素子１を一括して製造するべく、半導体ウエハとしてのシリコンウエハ５１を用意する。このシリコンウエハ５１は、最後にチップ毎に分割することで、各固体撮像素子１の前記シリコン基板３１となる。シリコンウエハ５１は、図５に示すように、各々が個々の固体撮像素子１となる複数のチップ領域５２を有している。図５は、シリコンウエハ５１のチップ領域５２を模式的に示す概略平面図である。
【００３２】
そして、このシリコンウエハ５１の各チップ領域５２に固体撮像素子１を形成する素子形成工程Ｓ１を行う。すなわち、素子形成工程Ｓ１では、シリコンウエハ５１の表面側に、従来の固体撮像素子と同様に半導体製造プロセス等を利用して、マイクロレンズ４３までの構造（図１及び図２に示す回路を含む。）を、複数の固体撮像素子１の分だけ一括して作製する。図６は、この素子形成工程Ｓ１の後の状態を模式的に示す概略断面図であり、図３に対応している。
【００３３】
図６に示すように、素子形成工程Ｓ１の後には、シリコンウエハ５１の裏面に膜（いわゆる残膜）１００が形成されている。図面には示していないが、本実施の形態では、この膜１００は、シリコン酸化膜からなる層間膜３２〜３４の成膜時に同時に形成されたシリコン酸化層、シリコン窒化膜からなるパッシベーション膜３８の成膜時に同時に形成されたシリコン窒化層、及び、ポリシリコンからなるゲート電極（図示せず）の成膜時に同時に形成されたポリシリコン層などからなる積層膜である。もっとも、素子形成工程Ｓ１の後にシリコンウエハ５１の裏面に形成されている膜１００の材料はこのような材料に限定されるものではないし、膜１００は単層膜であってもよい。膜１００の厚さｄは、例えば２μｍ〜３μｍである。
【００３４】
次に、素子形成工程Ｓ１の後のシリコンウエハ５１に対して、裏面研磨工程Ｓ２を行う。裏面研磨工程Ｓ２では、素子形成工程Ｓ１の後のシリコンウエハ５１の裏面を研磨して、膜１００を除去する。この裏面研磨工程Ｓ２では、裏面研磨工程Ｓ２後のシリコンウエハ５１の裏面が鏡面となるとともに、裏面研磨工程Ｓ２後のシリコンウエハ５１の厚さ（図３中の厚さＤと同一）が７００μｍ以上となるように、素子形成工程Ｓ１の後のシリコンウエハ５１の裏面を研磨する。
【００３５】
裏面研磨工程Ｓ２では、例えば、破砕層が生ずる研磨を行う第１の工程と、前記破砕層を除去する第２の工程を行ってもよい。前記第１の工程では、具体的には、例えば、＃２０００などのかなり粗い番手のホイール（研磨材）により研磨し、それ引き続いて、＃６０００などのやや粗い番手のホイール（研磨材）で研磨してもよい。あるいは、前記第１の工程では、具体的には、例えば、＃６０００などのやや粗い番手のホイール（研磨材）で研磨するだけでもよい。＃２０００や＃６０００などの番手のホイールで研磨すると、研磨面側に破砕層が生ずる。前記第２の工程では、具体的には、例えば、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）又はドライポリッシュを行うことができる。ＣＭＰの場合、例えば、スラリー砥粒サイズ７０〜９０ｎｍ、荷重２００〜４００ｇ／ｃｍ２、研磨時間１５０〜２５０秒という条件で行うことができる。ドライポリッシュの場合、例えば、スラリー砥粒サイズ７０〜９０ｎｍの固定砥粒で研磨し、荷重２００〜４００ｇ／ｃｍ２、研磨時間１５０〜２５０秒という条件で行うことができる。
【００３６】
あるいは、裏面研磨工程Ｓ２では、例えば、裏面研磨工程Ｓ２の最初から最後まで、ＣＭＰ又はドライポリッシュを行ってもよい。ＣＭＰの場合、例えば、スラリー砥粒サイズ５ｎｍ、荷重２００〜４００ｇ／ｃｍ２、研磨時間１５０〜２００秒という条件で行うことができる。ドライポリッシュの場合、例えば、スラリー砥粒サイズ５ｎｍの固定砥粒で研磨し、荷重２００〜４００ｇ／ｃｍ２、研磨時間１５０〜２５０秒という条件で行うことができる。必要に応じて、ＣＭＰ又はドライポリッシュの条件を途中で変えてもよい。
【００３７】
次に、裏面研磨工程Ｓ２の後のシリコンウエハ５１を、個々の固体撮像素子１（チップ）にダイシングするダイシング工程Ｓ３を行う。このダイシング工程Ｓ３では、例えば、公知のいわゆるステルスダイシングを行う。すなわち、裏面研磨工程Ｓ２の後のシリコンウエハ５１の裏面側からレーザ光をシリコンウエハ５１の内部に集光点を合わせて照射して、シリコンウエハ５１のの内部に改質領域等を形成し、この改質領域等を起点として切断を行う。これにより、図１乃至図３に示す固体撮像素子１が完成する。
【００３８】
本実施の形態によれば、撮像面の反りを低減することができる前記第１の実施の形態による固体撮像素子１を製造することができる。
【００３９】
本発明者は、この点を裏付ける実験結果として、図７及び図８を得た。この実験では、厚さ約７５０μｍで直径８インチのシリコンウエハを６枚用意し、これらの６枚のシリコンウエハに前述した素子形成工程Ｓ１と同様の互いに同じ工程を施し、その工程を施した６枚のシリコンウエハをそれぞれNo.１〜No.６のサンプルとした。
【００４０】
そして、No.１〜No.６のサンプルについて、前述した裏面研磨工程Ｓ２に対応する裏面研磨工程を施し、更に、前述したダイシング工程Ｓ３を施して所定数のチップ（固体撮像素子に相当）にダイシングした。各サンプルについて、裏面研磨工程前のチップ反り量を測定した。このとき、裏面研磨工程を施す前であってダイシング工程を経ていないので、素子形成工程後のシリコンウエハの所定数のチップ領域について、それぞれ反り量（平面度）を測定し、これらのチップ領域の反り量の平均値を、各サンプルの裏面研磨工程を施す前のチップ反り量とした。なお、各チップ領域の反り量は、当該チップ領域内の所定の複数箇所を測定点としてその測定点の高さから求めた。また、各サンプルについて、裏面研磨工程後のチップ反り量を測定した。このとき、各サンプル毎に、ダイシング工程後の所定数のチップについてそれぞれ反り量（平面度）を測定し、これらのチップ領域の反り量の平均値を、各サンプルの裏面研磨工程後のチップ反り量とした。なお、各チップの反り量は、当該チップの所定の複数箇所（前記チップ領域の測定点と同じ箇所）を測定点としてその測定点の高さから求めた。
【００４１】
No.１〜No.６のサンプルでは、前記裏面研磨工程のみを変えた。図７は、No.１〜No.３のサンプルの裏面研磨工程の前後のチップ反り量を示している。図８は、No.４〜No.６のサンプルの裏面研磨工程前後のチップ反り量を示している。なお、図７及び図８の縦軸（チップ反り量）の単位は任意単位としているが、両者の単位は同一である。No.１〜No.６のサンプルでは、前記裏面研磨工程以外の工程については同じ工程を施したので、No.１〜No.６のサンプルの裏面研磨工程前のチップ反り量のばらつきはほとんどない。
【００４２】
No.１のサンプルでは、前記裏面研磨工程において、＃２０００の番手のホイールでの研磨のみを行うことで、最終的なウエハの厚さを６００μｍとした。No.２のサンプルでは、前記裏面研磨工程において、最初に＃２０００の番手のホイールでの研磨を行った後に、最後に＃６０００の番手のホイールでの研磨を行うことで、最終的なウエハの厚さを６００μｍとした。No.３のサンプルでは、前記裏面研磨工程において、最初に＃２０００の番手のホイールでの研磨を行った後に、＃６０００の番手のホイールでの研磨を行い、最後にＣＭＰで鏡面仕上げを行うことで、最終的なウエハの厚さを６００μｍとした。
【００４３】
No.４のサンプルでは、No.３のサンプルと同様に、前記裏面研磨工程において、最初に＃２０００の番手のホイールでの研磨を行った後に、＃６０００の番手のホイールでの研磨を行い、最後にＣＭＰで鏡面仕上げを行うことで、最終的なウエハの厚さを６００μｍとした。No.５のサンプルでは、前記裏面研磨工程において、最初に＃２０００の番手のホイールでの研磨を行った後に、＃６０００の番手のホイールでの研磨を行い、最後にＣＭＰで鏡面仕上げを行うことで、最終的なウエハの厚さを６５０μｍとした。No.６のサンプルでは、前記裏面研磨工程において、最初に＃２０００の番手のホイールでの研磨を行った後に、＃６０００の番手のホイールでの研磨を行い、最後にＣＭＰで鏡面仕上げを行うことで、最終的なウエハの厚さを７２５μｍとした。
【００４４】
図７は、No.１〜No.３の測定結果を記載することで、裏面研磨の仕上げ粗さとチップ反り量との関係の実験結果を示している。図７からわかるように、裏面研磨工程における仕上げ面が細かくて鏡面に近づくほど、チップ反り量が小さくなる。これは、ウエハの裏面に生ずる破砕層の厚さが低減されることで、ウエハ裏面を凸形状に押し広げる残留応力が低減され、ひいては、ウエハ表面を凹形状に反らせる要因が低減し、各チップの表面の反りが低減するものと考えられる。なお、仕上げ面が鏡面となれば、前記破砕層は実質的に存在しない。
【００４５】
図８は、No.４〜No.６の測定結果を記載することで、裏面研磨後のウエハ厚さとチップ反り量との関係の実験結果を示している。図８からわかるように、裏面研磨工程における仕上げ面を鏡面とした場合において、最終的なウエハの厚さを厚くすればするほど、チップ反り量が小さくなる。そして、最終的なウエハの厚さが７００μｍ以上であれば、十分にチップ反り量が小さくなることがわかる。前述したように、膜１００が２〜３μｍであり、No.１〜No.６（特に、No.４〜No.６）のサンプルの裏面研磨工程前のウエハの厚さが７５０μｍであることを考慮すると、７５０μｍ−（３μｍ×１０）＝７２０μｍであるので、裏面研磨工程における仕上げ面を鏡面とした場合において、裏面研磨工程における研磨量が、素子形成工程Ｓ１の後のウエハの裏面の膜１００の厚さの１０倍以下であれば、十分にチップ反り量が小さくなることがわかる。
【００４６】
なお、これらの点については、直径８インチのウエハのみならず、直径１２インチなどの他の大きさのウエハについても適合する。
【００４７】
以上の理由から、前記第１及び第２の実施の形態によれば、シリコン基板３１の裏面３１ａが露出した鏡面であるとともに、厚さＤが７００μｍ以上であるので、撮像面の反りを低減することができるのである。
【００４８】
なお、先の説明から、十分にチップ反り量が小さくするには、膜１００を除去する裏面研磨工程Ｓ２において、裏面研磨工程Ｓ２後のシリコンウエハ５１の裏面を鏡面とするとともに、裏面研磨工程Ｓ２の研磨量が膜１００の厚さの１倍以上かつ１０倍以下にしてもよいことがわかる。
【００４９】
また、先の説明から、裏面研磨工程Ｓ２における仕上げ面が鏡面でかつ最終的なウエハの厚さが厚い方が好ましいことがわかる。よって、裏面研磨工程Ｓ２において最初に＃２０００の番手のホイールでの研磨を行って最後にＣＭＰやドライポリッシュを行う場合に比べて、裏面研磨工程Ｓ２において最初から最後までＣＭＰ又はドライポリッシュを行う方が、最終的なウエハの厚さを厚くし易いので好ましい。
【００５０】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００５１】
１  固体撮像素子
３１  基板
３１ａ  裏面
５１  シリコンウエハ
１００  膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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