(57)【要約】【課題】トリミング素子からのトリミング時の気化ガスの圧力によりトリミング素子の下部の層間絶縁膜にクラックが入るのを防止する。【解決手段】層間絶縁膜２上にトリミング素子Ｔを形成する。トリミング素子Ｔの上を層間絶縁膜３ａで被覆する。トリミング素子Ｔの斜め上方領域の層間絶縁膜３ａ上にクラック誘導体Ｇを形成する。トリミング素子Ｔ及びクラック誘導体Ｇはレーザー光の照射領域に配置される。レーザー光を照射すると、トリミング素子Ｔの周辺及びクラック誘導体Ｇの周辺の層間絶縁膜３ａ等に重畳して広く延在する高温領域６が形成され、該高温化した層間絶縁膜３ａ等の剛性が低下する。その結果、トリミング素子Ｔの上辺のコーナー部に気化ガスの圧力がかかりやすくなり、トリミング素子Ｔの下辺のコーナー部にかかる気化ガスの圧力が小さくなるので、トリミング素子Ｔの下側の層間絶縁膜２のクラック５発生を防止できる。【選択図】  図１
2012038796.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザートリミング素子を備える半導体装置であって、
デバイス素子が形成された半導体基板の層間絶縁膜の上に形成されたトリミング素子と、
前記トリミング素子の斜め上方であって、該トリミング素子を被覆する層間絶縁膜に形成されたクラック誘導体と、を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記トリミング素子および前記クラック誘導体がトリミング用レーザー光の照射範囲内に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記トリミング素子が上から２番目の層間絶縁膜上に、また前記クラック誘導体が最上層の層間絶縁膜上に形成され、該トリミング素子及び該クラック誘導体のいずれもがアルミニュームからなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記トリミング素子が上から２番目の層間絶縁膜上にアルミニュームで形成され、また前記クラック誘導体が前記トリミング素子を被覆する最上層の層間絶縁膜に形成されたビアホールに埋設されたタングステンからなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記クラック誘導体上にパッシベーション用シリコン酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記クラック誘導体が前記トリミング素子の電流方向に分断されて形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
レーザートリミング素子を備える半導体装置であって、
デバイス素子が形成された半導体基板の層間絶縁膜の上にトリミング素子を形成する工程と、
前記トリミング素子の斜め上方であって、該トリミング素子を被覆する層間絶縁膜にクラック誘導体を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記トリミング素子および前記クラック誘導体をトリミング用レーザー光の照射範囲内に配置したことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記トリミング素子を上から２番目の層間絶縁膜上に、また前記クラック誘導体を最上層の層間絶縁膜上に形成し、該トリミング素子及び該クラック誘導体のいずれもアルミニュームからなることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記トリミング素子を上から２番目の層間絶縁膜上にアルミニュームで形成し、また前記クラック誘導体を前記トリミング素子を被覆する最上層の層間絶縁膜のビアホール内に埋設したタングステンで形成したことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記クラック誘導体上にパッシベーション用シリコン酸化膜を形成したことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記クラック誘導体を前記トリミング素子の電流方向に分断して形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特にレーザートリミング素子を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から半導体装置の仕様や性能を調整し、完成品の性能、歩留まり向上を図るためレーザー光によるトリミング素子の溶断が行われてきた。種々のトリミング素子Ｔの構成が考えられるが、一例として、図６のような複数のトリミング素子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３等からなる構成も考えられる。内部回路Ａからの出力電圧Ｖｏｕｔを抵抗Ｒ１等で調整する場合である。
【０００３】
即ち、内部回路Ａと抵抗Ｒ１の間にトリミング素子Ｔ１、抵抗Ｒ２との間にトリミング素子Ｔ２、そして抵抗Ｒ３との間にトリミング素子Ｔ３を配置するような場合である。トリミング素子Ｔ１等は金属電極配線と同一の金属で形成され、図７（ａ）の平面図で示すように、レーザー光で溶断される中央部が細く端部が太い形状に形成される。図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【０００４】
レーザー光でトリミング素子Ｔ１が溶断されると内部回路Ａの出力Ｖｏｕｔは、内部回路Ａから抵抗Ｒ２、抵抗Ｒ３を介して出力される。また、トリミング素子Ｔ１、Ｔ２が溶断された場合は、内部回路ＡのＶｏｕｔは内部回路Ａから抵抗Ｒ３を介して出力される。この結果、所望の値に調整された出力電圧Ｖｏｕｔを得ることができる。
【０００５】
トリミング素子Ｔ１等は、図７（ｂ）の断面図で示すように不純物が熱拡散、イオン注入等され各種デバイス素子が形成された半導体基板１上の層間絶縁膜等２上に１本または複数本形成される。トリミング素子Ｔ１等の上には、更にパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂが形成される。
【０００６】
なお、パッシベーション用保護膜として、初めはシリコン酸化膜とシリコン窒化膜等がこの順序に所定のＣＶＤ法により２層構造で形成される。その後、トリミング素子Ｔ１等上のレーザー光を吸収する性質を持つシリコン窒化膜等を除去するため、トリミング素子Ｔ１等上にはパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂのみが形成される。
【０００７】
係る構成のトリミング素子Ｔ１等の中のトリミング素子Ｔ２をレーザー光で溶断したときの状態を図８（ａ）、図８（ｂ）に示す。図８（ａ）はパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂが存在しないか、または薄い場合のトリミング素子Ｔ２の溶断後の断面図を、図８（ｂ）は層間絶縁膜３が厚い場合のトリミング素子Ｔ２の溶断後の断面図である。
【０００８】
トリミング素子Ｔ２上のパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂが薄い場合は、図８（ａ）に示すように、トリミング素子Ｔ２が溶断されその上部のパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂに小さな開口４が形成される。トリミング素子Ｔ２上のパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂが厚い場合は、図８（ｂ）に示すように、パッシベーション用シリコン酸化膜３ｂに大きな開口４が形成されると共にトリミング素子Ｔ２の下方の層間絶縁膜２にクラック５が発生する。
【０００９】
甚だしいときはクラック５が半導体基板１まで達することがあり、該クラック５から水分等が半導体基板１に浸入し信頼性上の問題を発生させる。また、該クラック５中に溶断されたトリミング素子Ｔ２の金属が半導体基板１内まで入り込み想定外の短絡不良を発生させ歩留まり低下の原因となる場合もある。更に、デバイス素子形成領域まで達するクラック５が入った場合リーク不良等が発生する場合もある。
【００１０】
レーザートリミング素子の問題点と対策等については以下の特許文献１にも開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平９−１２９７３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
図９に基づいてトリミング素子Ｔの上部のパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂが厚い場合、トリミング素子Ｔの下部の層間絶縁膜２にクラック５が入る理由を説明する。１光子当たりｈνのエネルギーを持つレーザー光は半導体基板１の上方から連続的に多数の光子をトリミング素子Ｔに照射する。連続してレーザー光が照射されたトリミング素子Ｔはレーザー光のエネルギーを得て溶解し、更には気化して気化ガスとなる。トリミング素子Ｔが存在した部分の周辺の領域は温度が上昇し、層間絶縁膜２及びパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂに跨る高温領域６が形成される。
【００１３】
気化したトリミング素子Ｔを構成していた金属の気化ガスは、同図に示すように、層間絶縁膜２及びパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂに囲まれたトリミング素子Ｔが形成されていた狭い空間に閉じ込められた状態になる。そのためボイル・シャルルの法則に基づく非常に大きな圧力を周囲の層間絶縁膜２及びパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂの壁面に及ぼす。特に、トリミング素子Ｔが形成されていた空間のコーナー部に対しては他の面の√２倍の大きな圧力を及ぼす。
【００１４】
その結果、同図の前記コーナー部から点線で表示した方向に向かって高温領域６のパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂ及び層間絶縁膜２とその外側のそれほど温度上昇のないパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂ及び層間絶縁膜２との間に大きなストレスがかかり、最終的には点線方向に向かって層間絶縁膜２、及びパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂに図８（ｂ）に示すようなクラック５が入る。該クラック５は水平面に対して点線で示す上下４５°方向に進行する。
【００１５】
パッシベーション用シリコン酸化膜３ｂの膜厚が厚いほど、層間絶縁膜２内を進行するクラック５の長さは長くなり、終には半導体基板１にまで達する。パッシベーション用シリコン酸化膜３ｂが薄ければ薄いほど層間絶縁膜２内を進行するクラック５は短くなる。従って、トリミング素子Ｔ上のパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂの膜厚は、層間絶縁膜２のクラック５を小さくするためできるだけ薄くする必要がある。
【００１６】
しかし、トリミング素子Ｔ上のパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂが薄すぎると長期的に見た場合、水分等の浸入によりトリミング対象外のトリミング素子Ｔが腐食等する恐れがある。トリミング対象外のトリミング素子Ｔが腐食等すると図７（ａ）の内部回路Ａと抵抗Ｒが後日断線することになり信頼性上大きな問題となる。
【００１７】
従って、トリミング素子Ｔ上のパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂを、トリミング素子Ｔがパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂから浸入する水分等により腐食等されないよう厚い膜厚とし、且つトリミング素子Ｔの下部の層間絶縁膜２へクラック５が入らないような、または、入ったとしても出きるだけ小さくなるようなトリミング素子Ｔを構築する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の半導体装置は、レーザートリミング素子を備える半導体装置であって、デバイス素子が形成された半導体基板の層間絶縁膜の上に形成されたトリミング素子と、前記トリミング素子の斜め上方であって、該トリミング素子を被覆する層間絶縁膜に形成されたクラック誘導体と、を具備することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の半導体装置は、前記トリミング素子および前記クラック誘導体がトリミング用レーザー光の照射範囲内に配置されることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の半導体装置は、前記トリミング素子が上から２番目の層間絶縁膜上に、また前記クラック誘導体が最上層の層間絶縁膜上に形成され、該トリミング素子及び該クラック誘導体のいずれもがアルミニュームからなることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の半導体装置は、前記トリミング素子が上から２番目の層間絶縁膜上にアルミニュームで形成され、また前記クラック誘導体が前記トリミング素子を被覆する最上層の層間絶縁膜に形成されたビアホールに埋設されたタングステンからなることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の半導体装置は、前記クラック誘導体上にパッシベーション用シリコン酸化膜が形成されていることを特徴とする。
【００２３】
また、本発明の半導体装置は、前記クラック誘導体が前記トリミング素子の電流方向に分断されて形成されていることを特徴とする。
【００２４】
本発明の半導体装置の製造方法は、レーザートリミング素子を備える半導体装置であって、デバイス素子が形成された半導体基板の層間絶縁膜の上にトリミング素子を形成する工程と、前記トリミング素子の斜め上方であって、該トリミング素子を被覆する層間絶縁膜にクラック誘導体を形成する工程と、を具備することを特徴とする。
【００２５】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記トリミング素子および前記クラック誘導体をトリミング用レーザー光の照射範囲内に配置したことを特徴とする。
【００２６】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記トリミング素子を上から２番目の層間絶縁膜上に、また前記クラック誘導体を最上層の層間絶縁膜上に形成し、該トリミング素子及び該クラック誘導体のいずれもアルミニュームからなることを特徴とする。
【００２７】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記トリミング素子を上から２番目の層間絶縁膜上にアルミニュームで形成し、また前記クラック誘導体を前記トリミング素子を被覆する最上層の層間絶縁膜のビアホール内に埋設したタングステンで形成したことを特徴とする。
【００２８】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記クラック誘導体上にパッシベーション用シリコン酸化膜を形成したことを特徴とする。
【００２９】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記クラック誘導体を前記トリミング素子の電流方向に分断して形成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の半導体装置及びその製造方法によれば、トリミング素子の下部の層間絶縁膜にクラックが入るのを防止することができ、該半導体装置の歩留、信頼性の向上が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法、並びにレーザー光照射時の状態を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置のレーザートリミング後のトリミング素子形成領域近傍を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法、並びにレーザー光照射時の状態を示す断面図である。を示す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置のレーザートリミング後のトリミング素子形成領域近傍を示す断面図である。
【図６】レーザートリミング素子の構成の一例を示す回路図である。
【図７】レーザートリミング素子の構成の一例を示す平面図及び断面図である。
【図８】レーザートリミング素子上のパッシベーション用シリコン酸化膜等の膜厚と該トリミング素子の下部の層間絶縁膜へのクラックの入り方を示す図である。
【図９】従来の半導体装置及びレーザー光照射時の状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
〔第１の実施形態〕
本実施形態について図１に基づいて説明する。図１は本実施形態における半導体装置のトリミング素子Ｔ及び後述するクラック誘導体Ｇの形成領域に半導体基板１の上方から矢印で示すレーザー光を照射した様子を示す断面図である。図２はトリミング素子Ｔ及びクラック誘導体Ｇの形成領域の平面図であり、図１はそのＢ−Ｂ断面図になる。
【００３３】
図２の点線で囲まれた領域はレーザー光の照射領域になる。即ち、レーザー光はトリミング素子Ｔ及びクラック誘導体Ｇのいずれにも照射される。
【００３４】
トリミング素子Ｔの形成領域では、不図示のバイポーラ型トランジスタやＭＯＳ型トランジスタ等のデバイス素子が形成された半導体基板１上に層間絶縁膜２が形成される。層間絶縁膜２はＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）法により形成された素子分離膜やその上に所定のＣＶＤ法により堆積されたシリコン酸化膜やＢＰＳＧ膜等から構成される。
【００３５】
また、層間絶縁膜２は何層かの層間絶縁膜から構成され、それぞれの層間絶縁膜の上にはそれぞれ該層間絶縁膜に形成されたビアホールを介して互いに接続するアルミニューム（Ａｌ）等からなる配線電極が形成される。層間絶縁膜２の上にアルミニューム（Ａｌ）等からなるトリミング素子Ｔが形成される。
【００３６】
トリミング素子Ｔが形成された層間絶縁膜２上には最上層になる層間絶縁膜３ａが形成される。層間絶縁膜３ａ上に該層間絶縁膜３ａに形成されたビアホールを介して下層の電極配線と接続する不図示のアルミニューム（Ａｌ）等からなるパッド電極等が形成される。このとき同時に、図２に示すように、該層間絶縁膜３ａ上のトリミング素子の両側で、且つ図１に示すように、トリミング素子の斜め上方にアルミニューム（Ａｌ）等からなるクラック誘導体Ｇが形成される。
【００３７】
トリミング素子Ｔの左右のクラック誘導体Ｇは、図２に示すように、それぞれが一体とならず分断された複数の島状に形成される。トリミング素子Ｔの左右のクラック誘導体Ｇがそれぞれ一体として形成された場合や、左右のクラック誘導体Ｇ同士が一体となり矩形状に形成された場合、レーザートリミングにより溶断されたトリミング素子Ｔがクラック誘導体Ｇの溶断残渣等を介して再接続される恐れがあるので、それを防止する為である。
【００３８】
また、クラック誘導体Ｇが形成されるトリミング素子Ｔの斜め上方とは、図１に示すトリミング素子Ｔの上辺のコーナー部からの矢印で示す気化ガスの圧力方向が好ましい。即ち、トリミング素子Ｔの上面に対して４５°斜め上方である。後述の層間絶縁膜３ａ等に形成される高温領域６をできるだけ広く形成するためである。
【００３９】
なお、クラック誘導体Ｇの上にはパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂが形成される。当初、クラック誘導体Ｇやパッド電極を被覆するパッシベーション膜としてシリコン酸化膜とシリコンナイトライド膜等の２層膜がＣＶＤ法により堆積されるがトリミング素子Ｔ形成領域上からシリコンナイトライド膜は取り除いている。シリコンナイトライド膜がレーザー光を吸収するためトリミング効率が低下するのを防ぐためである。
【００４０】
係るクラック誘導体Ｇを形成した本実施形態のトリミング素子Ｔをレーザー光で溶断した場合の概略の断面図を図３に示す。点線で示す部分にあったトリミング素子Ｔ及びクラック誘導体Ｇはレーザー光のエネルギーを受けて溶解、気化し消滅する。トリミング素子Ｔ及びクラック誘導体Ｇを構成していたアルミニューム（Ａｌ）からの気化ガスの圧力により、トリミング素子Ｔ及びクラック誘導体Ｇの近傍の領域の層間絶縁膜３ａ及びパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂにはクラック５が入り破壊除去される。
【００４１】
その結果、同図に示すように、トリミング素子Ｔが存在した領域を中心に層間絶縁膜３ａからパッシベーションシリコン酸化膜３ｂにかけて開口４が形成される。この場合、層間絶縁膜２側にはクラック５が入らないか、入ったとしても小さいクラック５となる。
【００４２】
本実施形態のトリミング素子の場合、レーザー光でトリミングしてもトリミング素子Ｔの下側の層間絶縁膜２にクラック５が入りにくい理由を図１に基づいて以下に説明する。レーザー光のエネルギーを受けたトリミング素子Ｔやクラック誘導体Ｇを構成するアルミニューム（Ａｌ）は、先ず温度が約６６０℃程度に達すると溶解し液体としてのアルミニューム（Ａｌ）になる。
【００４３】
レーザー光は、１個当たりＥ＝ｈνのエネルギーを有する光子を連続的に供給する。ここにｈはプラトン定数、νはレーザー光の振動数を表す。そのため液体化したアルミニューム（Ａｌ）の温度は更に上昇し、気化温度２４７０℃に達すると激しく気化する。気化したアルミニューム（Ａｌ）の気化ガスは開放状態であれば大きな体積を占めるが、トリミング素子Ｔやクラック誘導体Ｇが存在していた小さな空間に閉じ込められるためボイル・シャルルの法則に従う非常に大きな圧力をトリミング素子Ｔ等が形成されていた小さな領域の側壁に加える。
【００４４】
特に、トリミング素子Ｔ等が形成されていた領域のコーナー部には水平方向の圧力と垂直方向の圧力が重畳してかかるため同図に矢印で示すように、垂直方向、水平方向の壁に係る圧力の√２倍の圧力がかかる。従って、図９に示す従来のクラック誘導体Ｇの存在しない場合は同図の点線方向に大きなストレスが加わり、同方向に向かって層間絶縁膜２等にクラック５が入ることは前述した通りである。
【００４５】
それに対して、本実施形態ではクラック誘導体Ｇが存在するため様子が異なる。トリミング素子Ｔの周辺の層間絶縁膜３ａ等に形成される高温領域６とクラック誘導体Ｇの周辺の層間絶縁膜３ａ等に形成される高温領域６が重畳している。この場合、トリミング素子Ｔの上辺のコーナー部からの気化ガスの矢印の圧力方向にクラック誘導体Ｇの下辺のコーナー部が来るようにクラック誘導体を配置すると両高温領域６の重畳幅が大きくなり好ましい。
【００４６】
高温領域６の層間絶縁膜２等はその周辺の常温に近い領域の層間絶縁膜２等に比べ、剛性が低くなる。そのためトリミング素子Ｔの存在した領域の４つのコーナー部のうち上辺の２つのコーナー部はその外側の点線で示す圧力方向に剛性の低い層間絶縁膜３ａ等がクラック誘導体Ｇの周りの部分を含め広く形成されている。それに対して下辺の２つのコーナー部の外側にはクラック誘導体Ｇが存在しないため高温領域６が上辺の２つのコーナー部の外側に比して狭く、剛性の低い層間絶縁膜２等が狭くなる。
【００４７】
従って、トリミング素子が存在した領域内から外側に向かうアルミニューム（Ａｌ）の気化ガスの圧力は、主として、トリミング素子Ｔの存在した領域の４つのコーナー部のうち上辺の２つのコーナー部から層間絶縁膜３ａとパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂに重畳して延在する剛性の低い高温領域６に向かって働く。その結果、トリミング素子Ｔの存在した領域の４つのコーナー部のうち下辺の２つのコーナー部から斜め下方に向かう圧力は小さくなる。
【００４８】
また、クラック誘導体Ｇの存在した領域の上には薄いパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂしか存在しないため、クラック誘導体Ｇの存在した領域のコーナー部の内、上辺の２つのコーナー部から上方に向かうクラック５は容易に形成される。その結果、連鎖的にトリミング素子Ｔの存在した領域の上辺の２つのコーナー部からも点線方向に斜め上方に向かうクラック５が発生する。
【００４９】
従って、トリミング素子Ｔの存在した領域及びクラック誘導体Ｇの存在した領域のアルミニューム（Ａｌ）の気化ガスは該クラック５を介して外部に放出されるとともに、クラック５が入った層間絶縁膜３ａ、パッシベーション用シリコン酸化膜３ｂを外部に吹き飛ばす。
【００５０】
図１でトリミング素子Ｔの周りと左右の両クラック誘導体Ｇの周りに形成された高温領域６に囲まれた領域の層間絶縁膜３ａ、パッシベーションシリコン酸化膜３ｂは高温領域６との温度差から強いストレスを受けるため同図の左右のクラック誘導体Ｇの上辺の内側のコーナー部からクラック５が入りやすくなる。また、トリミング素子Ｔの存在した領域の上辺から長い矢印で示したようなクラック５も入りやすくなるので、その部分からもアルミニューム（Ａｌ）の気化ガスは放出される。
【００５１】
本実施形態によれば、トリミング素子Ｔ上に層間絶縁膜３ａ及びパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂが二層構造で形成されるため、該トリミング素子Ｔに水分等が浸入するのを防止できる。また、トリミング素子Ｔの周辺とクラック誘導体Ｇの周辺に重畳して広い高温領域６を形成しトリミング素子Ｔを構成したアルミニューム（Ａｌ）の気化ガスの圧力を上方に誘導し層間絶縁膜２への気化ガスの圧力を低下させる。
【００５２】
更に、クラック誘導体Ｇ上には薄いパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂのみを形成し、クラック５がパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂと層間絶縁膜３ａに連鎖的に入る構成にしており、トリミング素子Ｔの下側の層間絶縁膜２にはクラック５が入ることを防止している。
【００５３】
なお、クラック誘導体Ｇ上はパッシベーション用シリコン酸化膜３ｂのみでしか被覆されておらず、長期的に見た場合、レーザー光が照射されず原型を保持していたクラック誘導体Ｇが水分等の浸入により腐食等される恐れが有る。しかし、クラック誘導体Ｇはトリミング素子Ｔ等から孤立しており、たとえ腐食等されたとしても問題とならない。
【００５４】
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について図１に基づき簡単に説明する。半導体基板１を準備し、所定の方法により半導体基板１に、バイポーラ型トランジスタやＭＯＳ型トランジスタの構成要素となる各種不純物層をイオン注入法や熱拡散法で形成する。
【００５５】
半導体基板１の表面には素子分離絶縁膜やゲート絶縁膜等のシリコン酸化膜等が所定の方法により形成される。該シリコン酸化膜等の上にはＣＶＤ法によりシリコン酸化膜やＢＰＳＧ膜、更にはＳＯＧからなる層間絶縁膜２が多層構造に形成される。多層構造の各層間絶縁膜上には該層間絶縁膜に形成されたビアホールを介して下層の金属配線と接続される金属配線が形成される。
【００５６】
次に、層間絶縁膜２上に他の金属配線と同時に所定のスパッタ法等で堆積されたアルミニューム（Ａｌ）等を所定のフォトエッチング処理することでトリミング素子Ｔを形成する。トリミング素子Ｔは、図６、図７に示すように半導体基板１に形成された内部回路Ａ及び抵抗Ｒ１等に他の金属配線を介して接続される。
【００５７】
次に、トリミング素子Ｔ等を含む半導体基板１上に所定のＣＶＤにより層間絶縁膜３ａを堆積する。該層間絶縁膜３ａには層間絶縁膜２を構成するそれぞれの層間絶縁膜に形成されたと同様のビアホールが形成される。次に、該層間絶縁膜３ａ上に所定のスパッタ法等で堆積されたアルミニューム（Ａｌ）等を所定のフォトエッチング処理することにより、不図示のパッド電極等と同時に図２に示すように互いに分離した複数のクラック誘導体Ｇを形成する。
【００５８】
クラック誘導体Ｇはトリミング素子Ｔの両側に、且つトリミング素子Ｔの斜め上方に形成する。その理由は前述したとおりである。クラック誘導体Ｇの形成領域はトリミング素子Ｔと同様にレーザー光の照射領域である。最後に、パッド電極等やクラック誘導体Ｇを含む半導体基板１の上に所定のＣＶＤ法によりパッシベーション用シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜をこの順序で堆積する。
【００５９】
この後、トリミング素子Ｔの形成領域上のシリコン窒化膜を除去する。シリコン窒化膜はレーザー光を吸収しトリミング素子Ｔに到達するレーザー光を減衰させるからである。パッド電極等上はパッシベーション用シリコン酸化膜も含め除去するのは言うまでもない。
[第２の実施形態]
本実施形態について図４、図５に基づいて以下に説明する。図４は本実施形態の断面図であり、レーザー光が上方から照射されトリミング素子Ｔを構成するアルミニューム（Ａｌ）が気化し、その気化ガスが側壁に圧力をかけている状態を示す。第１の実施形態との相違点はクラック誘導体Ｇがトリミング素子Ｔ上を被覆する層間絶縁膜３ａのビアホールを埋設するタングステン（Ｗ）で形成されている点である。従って平面図は図２と同様になる。
【００６０】
タングステン（Ｗ）は高融点金属でありその融点は３，３８０℃、沸点は５，５５５℃とトリミング素子Ｔを構成するアルミニューム（Ａｌ）に比べて高い。従って、トリミング素子Ｔを構成するアルミニューム（Ａｌ）が気化してもクラック誘導体Ｇのタングステン（Ｗ）は、なお固体形状でありクラック誘導体Ｇからその周りの層間絶縁膜３ａやパッシべーション用シリコン酸化膜３ｂに及ぼす圧力は小さい。
【００６１】
しかし、クラック誘導体Ｇのタングステン（Ｗ）の温度はアルミニューム（Ａｌ）の気化温度以上に高くなる為、図４のクラック誘導体Ｇの周りの層間絶縁膜３ａ、パッシべーション用シリコン酸化膜３ｂからなる高温領域６の温度はトリミング素子Ｔの周りの高温領域６の温度より高くなる。
【００６２】
そのため、クラック誘導体Ｇの周りの高温領域６とトリミング素子Ｇの周りの高温領域６に囲まれた高温になっていない層間絶縁膜３ａやパッシべーション用シリコン酸化膜３ｂは、大きな温度差により第１の実施形態の場合以上にストレスを受ける。その結果、トリミング素子Ｔで形成されたアルミニューム（Ａｌ）の気化ガスの内、長く上方に向けて記載した矢印方向の圧力等により、その部分の層間絶縁膜３ａ等にクラック５が入る。
【００６３】
最終的に図５に示すように、トリミング素子Ｔの存在していた領域の上部に開口４が形成される。本実施形態の場合も、トリミング素子Ｔの上辺のコーナー部の外側に、下辺のコーナー部の外側よりトリミング素子Ｔによる高温領域６とクラック誘導体Ｇによる高温領域６が重畳して広く形成されるため、気化ガスの圧力が点線の矢印で示す方向に向い易くなりトリミング素子Ｔの下側の層間絶縁膜２にはクラック５が入りにくい。
【００６４】
本実施形態の半導体装置の製造方法も基本的には第１の実施形態と同じである。第１の実施形態との相違点はクラック誘導体Ｇの形成位置と材料である。クラック誘導体Ｇは層間絶縁膜３ａに形成されたビアホール７に埋設されたタングステンで構成される。
【００６５】
本発明は第１、第２の実施形態に限定されるものではなく、同様の技術的思想を有する実施形態にも及ぶ。例えば、第１の実施形態と第２の実施形態を一緒にしたような形態にも及ぶ。また、より下層の層間絶縁膜上にトリミング素子Ｔを形成し、その上層の層間絶縁膜のそれぞれにクラック誘導体Ｇを形成する態様にも及ぶ。
【符号の説明】
【００６６】
１  半導体基板    ２  層間絶縁膜    ３ａ  層間絶縁膜    
３ｂ  パッシベーション用シリコン酸化膜    ４  開口    ５  クラック    
６  高温領域    ７  ビアホール    Ｔ，Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３  トリミング素子    
Ｇ  クラック誘導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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