(57)【要約】【課題】レーザー発振器を用い、膜面側入射法によって薄膜太陽電池の電極層に分離溝を形成する場合に、レーザー被照射部付近の層及び下地層への熱影響を抑えつつ、透明電極層と裏面電極層との間を絶縁化する分離溝を形成する集積型光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】集積型光電変換装置の製造方法は、基板１で支持された透明電極層２、光電変換層３、及び裏面電極層４が積層された積層体の膜面側に、集光光学系を備えたパルス幅が１ナノ秒以下であるレーザー発振器を用いてレーザー光を断続的に照射しながら、基板１とレーザー発振器とを相対的に移動させて、少なくとも前記表面を含む層を電気的に分離する溝１２を形成する分離溝形成工程を備え、分離溝形成工程において、レーザー光の断面形状が円形であり、レーザーエネルギー密度（Ｊ／ｃｍ２）と、照射回数との積が３以上１２以下となる条件でレーザー光を照射する。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の入射側から順に、透明電極層、光電変換層、及び裏面電極層が積層された積層体が、前記透明電極層または前記裏面電極層のいずれか一方の側から基板で支持された集積型光電変換装置の製造方法であって、
前記積層体の前記基板で支持される側と反対側の表面に、集光光学系を備えたパルス幅が１ナノ秒以下であるレーザー発振器を用いてレーザー光を断続的に照射しながら、前記基板とレーザー発振器とを相対的に移動させて、少なくとも前記表面を含む層を電気的に分離する溝を形成する分離溝形成工程を備え、
前記分離溝形成工程において、前記レーザー光の断面形状が円形であり、レーザーエネルギー密度（Ｊ／ｃｍ２）と照射回数（ショット）との積が３以上１２以下となる条件で前記レーザー光を照射する集積型光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記光電変換層が、結晶質シリコンｐ層、結晶質シリコンｉ層及びシリコンｎ層を備え、
前記分離溝形成工程において、前記結晶質シリコンｉ層のレーザー被照射面側にある層を除去し、前記結晶質シリコンｉ層が露出するよう溝を形成する請求項１に記載の集積型光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記光電変換層が、化合物半導体ｎ層、及び化合物半導体ｐ層を備え、
前記分離溝形成工程において、前記化合物半導体ｐ層のレーザー被照射面側にある層を除去し、前記化合物半導体ｐ層が露出するよう溝を形成する請求項１に記載の集積型光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
前記レーザーエネルギー密度（Ｊ／ｃｍ２）と前記照射回数（ショット）との積が３以上１２以下、かつ、前記透明電極層と前記裏面電極層との間の絶縁抵抗が５ｋΩ以上となる条件で前記レーザー光を照射する請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の集積型光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換装置に関し、特に発電層として主にシリコンを用いる薄膜太陽電池に関する。また、本発明は、太陽電池モジュール及び太陽電池モジュール化に関し、特にレーザーを用いてパターニングを行う太陽電池モジュール及び太陽電池モジュール化に関する。
【背景技術】
【０００２】
光を受光して電力に変換する光電変換装置として、例えば発電層（光電変換層）にシリコン系薄膜などを積層させた薄膜太陽電池が知られている。薄膜太陽電池は、一般に、太陽光の入射側から順に、透明電極層、半導体層（光電変換層）及び裏面電極層が順次積層して構成されたセルを備える。上記各層が積層された積層体は、基板によって支持される。
【０００３】
薄膜太陽電池の光電変換層には、非晶質シリコン（アモルファスシリコン）や微結晶シリコンからなる薄膜系シリコン、ＣＩＧＳ（銅インジウムガリウムセレン化合物）、ＣｄＴｅ（カドミウムテルル化合物）が主に使用される。薄膜太陽電池の裏面電極層には、銀などの金属薄膜が用いられる。
【０００４】
薄膜太陽電池の構造は、基板と太陽光の入射方向との関係から、スーパーストレート型とサブストレート型に大別することができる。
スーパーストレート型では、図１に示すように、透明電極層１の光入射側にガラスなどの透明絶縁体からなる基板１が配置される。スーパーストレート型は、主に、薄膜系シリコン太陽電池やＣｄＴｅ太陽電池などで採用されている。
サブストレート型では、図８に示すように、裏面電極層の光入射側と反対の側（非光入射側）にステンレスやガラスなどの基板が配置される。サブストレート型は、主に薄膜系シリコン太陽電池やＣＩＧＳ太陽電池などで採用されている。
【０００５】
薄膜太陽電池は、電力ロスを抑制するためにセルを直列接続した集積化モジュール構造を採用する。その製造過程において、透明電極層、光電変換層、及び裏面電極層の各層に対して、レーザースクライブまたはメカニカルスクライブなどによる分離溝形成を行う。
【０００６】
スーパーストレート型の薄膜太陽電池モジュールの製造工程において、金属薄膜からなる裏面電極層の分離溝を形成する際、光入射側から透明な支持基板を通してレーザー光を照射する方法（基板側入射法）がよく用いられる。このときのレーザーのエネルギー密度は０．３〜０．４Ｊ/ｃｍ２程度である。レーザー波長は、透明電極層での光吸収が小さく、且つ、光電変換層で吸収されやすい波長とされる。透明電極層を透過して光電変換層で吸収されたレーザー光は、熱に変換され、光電変換層で分解ガスの膨張力を発生する。この膨張力によって、透明電極層との界面から光電変換層及び裏面電極層が除去されて図１６に示すような分離溝１０２が形成される。
【０００７】
しかしながら、透明な支持基板に異物が付着していると、その異物でレーザー光が遮られてしまい、裏面電極層の分離溝の形成が阻害されることがある。裏面電極層に分離溝が形成されず、セル間が裏面電極層で連結された状態の薄膜太陽電池では、透明電極層と裏面電極層との間に短絡部分が生じるため、発電性能が低下する。
【０００８】
裏面電極層の分離溝の別の形成方法として、裏面電極層の膜面側（非光入射側）からレーザー光を照射する方法（膜面側入射法）がある。膜面側入射法では裏面電極層である金属薄膜でレーザー光を吸収させる。金属薄膜はレーザー光の反射率が高いため、膜面側入射法では、基板側入射法よりも大きいレーザーエネルギー密度を必要とする。そのため、発熱によって金属薄膜が熔けてしまい、下地となる光電変換層の成分と熔けた金属とが合金化してしまうことがある。このような薄膜太陽電池は、光電変換層の電気抵抗が下がるため、透明電極層と裏面電極層との間で短絡状態になり、発電性能が低下するという問題が生じる。
【０００９】
このような問題を解決する手段の１つとして、分離溝を形成させる金属薄膜の下部に配置される光活性層にイオンを注入して絶縁化させて、短絡を防止する方法がある。しかしながら、イオン注入によって透明電極層と裏面電極層との間を絶縁化するためには、イオン注入する位置の制御が必要となる。
また、別の手段として、特許文献１に開示されているように、金属薄膜に分離溝を形成させる際、レーザービームの重なり部において、予め下地の透明電極層を除去して絶縁部を設けて短絡を防止する方法がある。しかしながら、特許文献１に記載の方法では、レーザービームの位置合わせが困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特許第３４０２９２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
通常、膜面側入射法によるレーザースクライブで使用される集光レーザーは、レーザー断面のエネルギー分布がガウス分布である場合が多く、ガウス分布のレーザー周縁部はエネルギー密度が低い。そのため、ガウス分布の集光レーザーを用いてスーパーストレート型の薄膜太陽電池モジュールの裏面電極層に分離溝を形成する場合、裏面電極層を完全に除去できなかったり、裏面電極層や下地の光電変換層に熱的な影響を与えることが多い。特に、分離溝方向に長い短絡箇所が存在する場合は、影響が大きくなる。
このような問題を回避するため、レーザー断面のエネルギー分布が端部で急激に立ち上がった矩形レーザーを用いて、矩形レーザーの線状エッジをレーザーの移動方向に対して傾ける手法が用いられる。
しかしながら、上記の方法では、レーザー整形にマスクを用いるため、使用されるレーザーエネルギーが減少する。また、結像光学系を使用するために焦点深度が浅く、基板高さの上下変動に対する加工品質の堅牢性が低いという課題があった。
【００１２】
分離溝は、裏面電極層を分離して透明電極層と裏面電極層との間を絶縁させるために形成される。そのため、裏面電極層のみが除去されればよいはずであるが、分離溝の加工条件によっては、裏面電極層の金属薄膜が熔けて光電変換層のシリコン層と合金化し、光電変換層が低抵抗化してしまうことがある。従って、透明電極層と裏面電極層との間を絶縁させるためには、透明電極層が露出するまで照射を繰り返して分離溝を形成させる必要がある。
【００１３】
スーパーストレート型の薄膜太陽電池モジュールの裏面電極層に膜面側入射法によって分離溝を形成する場合、レーザーエネルギー密度が低すぎると、光電変換層を完全に除去できず、透明電極層が露出しない部分が生じる。また、照射回数を少なくした場合でも光電変換層を完全に除去できず、透明電極層が露出しない部分が生じる。このように透明電極層が露出しない部分が生じたタンデム型薄膜太陽電池モジュールでは、面積３．８ｃｍ２の１段のセルに暗中で直流電圧０．１Ｖを印加した場合、１つの発電セルの絶縁抵抗が５ｋΩ以下となる。良好なモジュール性能のためには５ｋΩ以上が求められる。
【００１４】
また、マスクを用いず、集光光学系を用いてガウス分布のエネルギー分布のままレーザーを照射した場合、レーザー光の裾野部分では、金属薄膜が蒸発に至らず、熔けて溝内に流れ込むため、金属とシリコンとの合金化が促進される。このように合金化された層を有するタンデム型薄膜太陽電池モジュールでは、１つの発電セルの絶縁抵抗が１ｋΩ以下の低抵抗となる。
【００１５】
サブストレート型の薄膜太陽電池モジュールにおいて、透明電極層の分離溝の形成は、透明電極層側からのメカニカルスクライブにより行われる。レーザーを用いた透明電極層の加工はほとんどなされていない。メカニカルスクライブとは、ダイアモンド等の針を透明電極層に一定の圧力で押し当てながら、針または基板を移動させて罫書きを行う方法である。このとき、図１７に示すように、透明電極層、及び光電変換層は、光電変換層と裏面電極層との界面で剥離、除去されることで分離溝が形成される。この方法は、基板上の微小突起や削り屑の排出不良などにより針圧の変化が生じたとき、移動速度が適正でない場合に、針飛びを起こして透明電極の分離溝形成が途切れて発電性能を低下させることがある。
【００１６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、レーザー発振器を用い、膜面側入射法によって薄膜太陽電池の電極層に分離溝を形成する場合に、レーザー被照射部付近の層及び下地層への熱影響を抑えつつ、透明電極層と裏面電極層との間を絶縁化する分離溝を形成する集積型光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するために、本発明は、光の入射側から順に、透明電極層、光電変換層、及び裏面電極層が積層された積層体が、前記透明電極層または前記裏面電極層のいずれか一方の側から基板で支持された集積型光電変換装置の製造方法であって、前記積層体の前記基板で支持される側と反対側の表面に、集光光学系を備えたパルス幅が１ナノ秒以下であるレーザー発振器を用いてレーザー光を断続的に照射しながら、前記基板とレーザー発振器とを相対的に移動させて、少なくとも前記表面を含む層を電気的に分離する溝を形成する分離溝形成工程を備え、前記分離溝形成工程において、前記レーザー光の断面形状が円形であり、レーザーエネルギー密度（Ｊ／ｃｍ２）と照射回数（ショット）との積が３以上１２以下となる条件で前記レーザー光を照射する集積型光電変換装置の製造方法を提供する。
【００１８】
本発明によれば、積層体の基板で支持される側と反対側（膜面側）からレーザー光を照射することで、基板面側から照射した場合に生じるバリの発生を防止できる。それによって、複数回レーザーを照射することが可能となる。また、基板の光入射面に異物があった場合でも、異物の影響を受けずに裏面電極層の分離溝を形成することができる。
レーザー発振器は集光光学系を備え、レーザーの断面が円形である。マスク結像光学系を使用しないため、レーザーパワーのロスを抑制し、レーザーパワーを有効利用することができる。また、焦点深度を深く取れるので、基板の高さ変動に対して焦点がぼけにくく、加工品質の良い溝を形成することが可能となる。また、レーザー発振器は、パルス幅が１ナノ秒以下のものを使用する。ピコ秒レーザーなどのパルス幅が短いレーザーを用いることで、レーザー照射周辺付近での熱影響を抑制できる。例えば、スーパーストレート型のシリコン系薄膜太陽電池では、裏面電極層の金属と光電変換層（例えばシリコン）との合金化が抑制されるため、透明電極層を露出させるまで照射する必要がなくなり、少ないパルス照射回数で溝を加工することが可能となる。
【００１９】
レーザーエネルギー密度と照射回数との積は、３以上１２以下（Ｊ／ｃｍ２・ショット）とされる。レーザーエネルギー密度と照射回数との積を上記範囲とすることで、電気的に分離したい層（裏面電極層など）を含む除去すべき層を除去しつつ、下地となる層やレーザー照射周辺付近でのレーザー照射による熱影響を抑えることができる。除去すべき層の膜厚の変動を考慮した上で、堅牢性の高い加工条件とするためには、レーザーエネルギー密度と照射回数との積が、５以上１０以下（Ｊ／ｃｍ２・ショット）とされることが好ましい。
【００２０】
前記光電変換層が、結晶質シリコンｐ層、結晶質シリコンｉ層及びシリコンｎ層を備える場合、前記分離溝形成工程において、前記結晶質シリコンｉ層のレーザー被照射面側にある層を除去し、前記結晶質シリコンｉ層が露出するよう溝を形成することが好ましい。
結晶質シリコンｉ層は、結晶質シリコンｐ層及びシリコンｎ層と比較して導電率が低い層である。そのため、結晶質シリコンｉ層が露出するよう溝を形成することで、電気的に分離したい層を完全に分離しつつ、透明電極層と裏面電極層との間の高い絶縁抵抗を得ることができる。「結晶質シリコンｉ層が露出する」とは、溝の底面が実質的に結晶質シリコンｉ層で構成されていれば良く、結晶質シリコンｉ層が膜厚方向に一部除去されて初期の膜厚よりも薄くなった状態であっても良い。
【００２１】
前記光電変換層が、化合物半導体ｎ層、及び化合物半導体ｐ層を備える場合、前記分離溝形成工程において、前記化合物半導体ｐ層のレーザー被照射面側にある層を除去し、前記化合物半導体ｐ層が露出するよう溝を形成することが好ましい。
光電変換層に化合物半導体が用いられる場合、化合物半導体ｎ層は窓層、化合物半導体ｐ層が主な光吸収層となる。そのため、化合物半導体ｐ層が露出するよう溝を形成することで、電気的に分離したい層を完全に分離しつつ、透明電極層と裏面電極層との間の高い絶縁抵抗を得ることができる。「化合物半導体ｐ層が露出する」とは、溝の底面が実質的に化合物半導体ｐ層で構成されていれば良く、化合物半導体ｐ層が膜厚方向に一部除去されて初期の膜厚よりも薄くなった状態であっても良い。
【００２２】
前記レーザーエネルギー密度（Ｊ／ｃｍ２）と前記照射回数（ショット）との積が３以上１２以下、かつ、前記透明電極層と前記裏面電極層との間の絶縁抵抗が５ｋΩ以上となる条件で前記レーザー光を照射しても良い。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、レーザーエネルギー密度と照射回数との積を定めて、その範囲内の条件でレーザー照射することによって、レーザー被照射部付近の層及び下地層への熱影響を抑えつつ、透明電極層と裏面電極層との間を絶縁化する分離溝を形成することができる。上記方法は、サブストレート型薄膜太陽電池の透明電極層の分離溝形成において、メカニカルスクライブ方の代替手法として使用することができる。また、本発明に係る集積型光電変換装置の製造方法は、メカニカルスクライブ法で生じた溝分離の不良部分の補修にも使用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１実施形態に係る集積型光電変換装置の製造方法により製造される集積型光電変換装置の構成を表す概略図である。
【図２】本実施形態の太陽電池パネルの製造方法を示す概略図である。
【図３】本実施形態の太陽電池パネルの製造方法を示す概略図である。
【図４】照射回数を説明する図である。
【図５】本実施形態の太陽電池パネルの製造方法を示す概略図である。
【図６】本実施形態の太陽電池パネルの製造方法を示す概略図である。
【図７】本実施形態の太陽電池パネルの製造方法を示す概略図である。
【図８】第２実施形態に係る集積型光電変換装置の製造方法により製造される集積型光電変換装置の構成を表す概略図である。
【図９】本実施形態に係るサブストレート型の薄膜太陽電池モジュールの概略図である。
【図１０】実施例１で作製したスーパーストレート型の薄膜太陽電池モジュールの概略図である。
【図１１】実施例１におけるレーザー発振器のパルス幅と絶縁抵抗との関係を示す図である。
【図１２】照射回数とレーザーエネルギー密度との関係を示す図である。
【図１３】レーザーエネルギー密度と照射回数との積と、絶縁抵抗との関係を示す図である。
【図１４】分離溝を加工した後の薄膜太陽電池モジュールを膜面側から観察した写真である。
【図１５】分離溝を加工した後の薄膜太陽電池モジュールを膜面側から観察した写真である。
【図１６】従来法によって作製されたスーパーストレート型薄膜太陽電池モジュールの断面図である。
【図１７】従来法によって作製されたサブストレート型薄膜太陽電池モジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に、本発明に係る集積型光電変換装置の製造方法の一実施形態について、図面を参照して説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る集積型光電変換装置の製造方法により製造される集積型光電変換装置の構成を表す概略図である。光電変換装置１００は、スーパーストレート型のタンデム型シリコン系太陽電池であり、基板１、透明電極層２、太陽電池光電変換層３としての第１セル層９１（非晶質シリコン系）及び第２セル層９２（結晶質シリコン系）、中間コンタクト層５、及び裏面電極層４を備える。なお、ここで、シリコン系とはシリコン（Ｓｉ）やシリコンカーバイト（ＳｉＣ）やシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を含む総称である。また、結晶質シリコン系とは、非晶質シリコン系以外のシリコン系を意味するものであり、微結晶シリコンや多結晶シリコンも含まれる。
【００２６】
第１実施形態に係る光電変換装置の製造方法を、太陽電池パネルを製造する工程を例に挙げて説明する。図２、図３、図５及び図６は、本実施形態の太陽電池パネルの製造方法を示す概略図である。
【００２７】
（１）図２（ａ）
基板１として、面積が１ｍ２を越える大型のソーダフロートガラス基板（例えば１．４ｍ×１．１ｍ×板厚：３．０ｍｍ〜４．５ｍｍ）を使用する。基板端面は熱応力や衝撃などによる破損防止にコーナー面取りやＲ面取り加工されていることが望ましい。
【００２８】
（２）図２（ｂ）
透明電極層２として、酸化錫（ＳｎＯ２）を主成分とする膜厚約５００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の透明導電膜を、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜する。この際、透明電極膜の表面には、適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。また、透明電極層２は酸化亜鉛膜（ＺｎＯ）を主成分とする膜厚約２００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の透明導電膜としても良い。透明電極層２として、透明電極膜に加えて、基板１と透明電極膜との間にアルカリバリア膜（図示されず）を形成しても良い。アルカリバリア膜は、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）を５０ｎｍ〜１５０ｎｍ、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜処理する。
【００２９】
（３）図２（ｃ）
その後、透明電極層２に分離溝を形成するために、基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、ＹＡＧレーザーの第１高調波（１０６４ｎｍ）を、図の矢印に示すように、透明電極膜の膜面側から照射する。加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極膜を発電セル７の直列接続方向に対して垂直な方向へ、基板１とレーザー光を相対移動して、溝１０を形成するように幅約６ｍｍから１５ｍｍの所定幅の短冊状にレーザーエッチングする。なおレーザー光の照射方向は、基板１側から行ってもよい。
【００３０】
（４）図２（ｄ）
第１セル層９１として、非晶質シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層及びｎ層を、プラズマＣＶＤ装置により製膜する。ＳｉＨ４ガス及びＨ２ガスを主原料にして、減圧雰囲気：３０Ｐａ以上１０００Ｐａ以下、基板温度：約２００℃にて、透明電極層２上に太陽光の入射する側から非晶質シリコンｐ層３１、非晶質シリコンｉ層３２、非晶質シリコンｎ層３３の順で製膜する。非晶質シリコンｐ層３１は非晶質のＢドープシリコンを主とし、膜厚１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。非晶質シリコンｉ層３２は、膜厚２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である。非晶質シリコンｎ層３３は、非晶質シリコンに微結晶シリコンを含有するＰドープシリコンを主とし、膜厚３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。非晶質シリコンｐ層３１と非晶質シリコンｉ層３２の間には、界面特性の向上のためにバッファー層を設けても良い。
【００３１】
次に、第１セル層９１の上に、プラズマＣＶＤ装置により、減圧雰囲気：３０００Ｐａ以下、基板温度：約２００℃、プラズマ発生周波数：４０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下にて、第２セル層９２としての結晶質シリコンｐ層４１、結晶質シリコンｉ層４２、及び、結晶質シリコンｎ層４３を順次製膜する。結晶質シリコンｐ層４１はＢドープした微結晶シリコンを主とし、膜厚１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。結晶質シリコンｉ層４２は微結晶シリコンを主とし、膜厚は１．２μｍ以上３．０μｍ以下である。結晶質シリコンｎ層４３はＰドープした微結晶シリコンを主とし、膜厚２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。なお、結晶質シリコンｎ層は、非晶質シリコンｎ層に置換しても良い。
【００３２】
微結晶シリコンを主とするｉ層膜をプラズマＣＶＤ法で形成するにあたり、プラズマ放電電極と基板１の表面との距離ｄは、３ｍｍ以上１０ｍｍ以下にすることが好ましい。３ｍｍより小さい場合、大型基板に対応する製膜室内の各構成機器精度から距離ｄを一定に保つことが難しくなるとともに、近過ぎて放電が不安定になる恐れがある。１０ｍｍより大きい場合、十分な製膜速度（１ｎｍ／ｓ以上）を得難くなるとともに、プラズマの均一性が低下しイオン衝撃により膜質が低下する。
【００３３】
第１セル層９１と第２セル層９２の間に、接触性を改善するとともに電流整合性を取るために半反射膜となる中間コンタクト層５を設ける。中間コンタクト層５として、膜厚：２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のＧａまたはＡｌがドープされたＺｎＯ膜を、ターゲット：ＧａドープＺｎＯ焼結体またはＡｌドープＺｎＯ焼結体を用いてスパッタリング装置により製膜する。また、中間コンタクト層５を設けない場合もある。
【００３４】
（５）図２（ｅ）
基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）光を、図の矢印に示すように、光電変換層３に照射して分離溝を形成する。パルス発振：１０ｋＨｚから２０ｋＨｚとして、加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極層２のレーザーエッチングラインの約１００μｍから１５０μｍの横側を、溝１１を形成するようにレーザーエッチングする。この分離溝は、透明電極層２と後に形成される裏面電極層４との電気的接続を得るための開溝である。このときのレーザー照射方向は、光電変換層３の膜面側から行ってもよいが、膜厚が厚いために多数の照射回数が必要である。それに対して、基板１側から照射する場合は、１〜２ショットの少ない照射回数で膜除去可能である。この場合は光電変換層３の非晶質シリコン系の第１セル層９１で吸収されたエネルギーで発生する高い蒸気圧を利用して光電変換層３をエッチングできるので、更に安定したレーザーエッチング加工を行うことが可能となる。このとき、基板１側に異物があって、レーザー光が遮られて分離溝が一部途切れることがあったとしても、透明電極層２と裏面電極層４との間の接触抵抗にほとんど影響を与えないので問題にならない。レーザーエッチングラインの位置は前工程でのエッチングラインと交差しないように位置決め公差を考慮して選定する。
【００３５】
（６）図３（ａ）
裏面電極層４としてＡｇ膜／Ｔｉ膜を、スパッタリング装置により、減圧雰囲気、製膜温度：１５０℃から２００℃にて製膜する。本実施形態では、Ａｇ膜：１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、これを保護するものとして防食効果の高いＴｉ膜：１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下を、この順に積層する。あるいは、裏面電極層４を、２５ｎｍから１００ｎｍの膜厚を有するＡｇ膜と、１５ｎｍから５００ｎｍの膜厚を有するＡｌ膜との積層構造としても良い。また、タンデム型太陽電池など６００ｎｍ以上の長波長側反射光が必要なものにおいては、約１００ｎｍ〜４５０ｎｍの膜厚を有するＣｕ膜と、約５ｎｍ〜１５０ｎｍの膜厚を有するＴｉ膜との積層構造としても良い。また、裏面電極層４を１５０ｎｍから５００ｎｍの膜厚を有するＡｇ膜やＡｌ膜としても良い。
ｎ層４３と裏面電極層４との接触抵抗低減と光反射向上を目的に、光電変換層３と裏面電極層４との間に、スパッタリング装置により、膜厚：５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のＧａまたはＡｌがドープされたＺｎＯ膜を製膜して設けても良い。
【００３６】
（７）図３（ｂ）
基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザー光を、図の矢印に示すように、裏面電極層４の膜面側からパルス照射しながら、基板を移動させて裏面電極層４の分離溝加工を行う。透明電極層２のレーザーエッチングラインの２５０μｍから４００μｍの横側を、分離溝１２を形成するようにレーザーエッチングする。
【００３７】
レーザーの使用波長は２６６〜１０６４ｎｍの範囲で適宜選択される。例えば、レーザーの出力安定性やコストの面からは第２高調波（波長５３２ｎｍ）が有利である。また、裏面電極層４に銅を用いる場合、短波長（３５５ｎｍ以下）の光を吸収しやすいため、第３高調波（波長３５５ｎｍ）や第４高調波（波長２６６ｎｍ）のレーザーが加工に有利である。
【００３８】
レーザー発振器には、ＹＡＧレーザーのナノ秒レーザー、ピコ秒レーザーやフェムト秒レーザーのシングルモード発振のものを使用する。分離溝１２を形成させる際、マスクは用いず、集光光学系を用いて断面形状が円形のレーザー光を照射する。レーザー光は、分離溝１２の溝幅より細く集光される。具体的に、レーザー光は２０〜６０μｍ程度に絞られる。
【００３９】
レーザーエネルギー密度は、レーザーエネルギー密度と照射回数との積が３以上１２以下（Ｊ／ｃｍ２・ショット）の範囲となるよう適宜設定される。
レーザー光の照射回数は、５回以下が好ましく、３〜４回が更に好ましい。照射回数とは、図４に示すように、レーザーの重なりによって同一箇所に照射される回数を意味する。連続した溝を形成するには、２回以上の照射が必要である。照射回数は、（１回照射時の加工痕長さ）／（１パルス毎の基板またはレーザーの移動幅）で表される。加工痕長さとは、１つの集光されたレーザーの断面の直径を意味する。
発振周波数は、５ｋＨｚ〜２００ｋＨｚとされる。基板またはレーザーの移動速度は、５０ｍｍ／ｓ〜２０００ｍｍ／ｓとされる。これは基板サイズや加工所要時間に応じて適宜選定される例えばレーザー発振周波数８０ｋＨｚ、基板の移動速度８００ｍｍ/ｓのとき１パルス毎の基板の移動幅は１０μｍ、加工痕の径が３０μｍであれば、３回照射加工、また、例えばレーザー発振周波数１０ｋＨｚ、基板の移動速度５０ｍｍ/ｓのとき１パルス毎の基板の移動幅は５μｍ、加工痕の径が２０μｍであれば、４回照射加工などと適宜調整される。
【００４０】
図３（ｂ）で示すように、裏面電極層４及び導電率の高い第２セル層９２の結晶質シリコンｎ層４３を除去し、比較的導電率が低い結晶質シリコンｉ層４２が露出するよう分離溝１２を形成すると良い。
【００４１】
（８）図３（ｃ）と図５（ａ）
発電領域を区分して、基板端周辺の膜端部をレーザーエッチングし、直列接続部分で短絡することを防止する。即ちパネルの絶縁性能を確保するために基板周端部の絶縁加工を行う。基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、基板１側から照射する。レーザー光が透明電極層２と光電変換層３で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層４が爆裂して、裏面電極層４／光電変換層３／透明電極層２が除去される。パルス発振：１ｋＨｚ以上５０ｋＨｚ以下として加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、基板１の端部から５ｍｍから２０ｍｍの位置を、図３（ｃ）に示すように、Ｘ方向絶縁溝１５を形成するようにレーザーエッチングする。なお、図３（ｃ）では、光電変換層３が直列に接続された方向に切断したＸ方向断面図となっているため、本来であれば絶縁溝１５位置には裏面電極層４／光電変換層３／透明電極層２の膜研磨除去をした周囲膜除去領域１４に相当する領域がある状態（図５（ａ）参照）が表れるべきであるが、基板１の端部への加工の説明の便宜上、この位置にＹ方向断面を表して形成された絶縁溝をＸ方向絶縁溝１５として説明する。このとき、Ｙ方向絶縁溝は後工程で基板１周囲膜除去領域の膜面研磨除去処理を行うので、設ける必要がない。
【００４２】
絶縁溝１５は基板１の端より５ｍｍから１５ｍｍの位置にてエッチングを終了させることにより、太陽電池パネル端部からの太陽電池モジュール６内部への外部からの水分浸入の抑制に、有効な効果を呈するので好ましい。
【００４３】
尚、以上までの工程におけるレーザー光はＹＡＧレーザーとしているが、ＹＶＯ４レーザーやファイバーレーザーなどが同様に使用できるものがある。
【００４４】
（９）図５（ａ：太陽電池膜面側から見た図、ｂ：受光面の基板側から見た図）
後工程のＥＶＡ等を介したバックシート２４との健全な接着・シール面を確保するために、基板１周辺（周囲膜除去領域１４）の積層膜は、段差があるとともに剥離し易いため、この膜を除去して周囲膜除去領域１４を形成する。基板１の端から５〜２０ｍｍで基板１の全周囲にわたり膜を除去するにあたり、Ｘ方向は前述の図３（ｃ）工程で設けた絶縁溝１５よりも基板端側において、Ｙ方向は基板端側部付近の溝１０よりも基板端側において、裏面電極層４／光電変換層３／透明電極層２を、砥石研磨やブラスト研磨などを用いて除去を行う。
研磨屑や砥粒は基板１を洗浄処理して除去する。
【００４５】
（１０）図６（ａ）（ｂ）
直列に並んだ一方端の発電セル７の裏面電極層４と、他方端部の発電セル７に接続した集電用セルの裏面電極層４ととから銅箔を用いて集電して太陽電池パネル裏側の端子箱２３の部分から電力が取出せるように処理する。集電用銅箔は各部との短絡を防止するために銅箔幅より広い絶縁シートを配置する。
集電用銅箔などが所定位置に配置された後に、太陽電池モジュール６の全体を覆い、基板１からはみ出さないようにＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル共重合体）等による接着充填材シートを配置する。
接着充填材シートの上に、防水効果の高いバックシート２４を設置する。バックシート２４は本実施形態では防水防湿効果が高いようにＰＥＴシート／Ａｌ箔／ＰＥＴシートの３層構造よりなる。
バックシート２４の端子箱２３の取付け部分には、開口貫通窓を設けて集電用銅箔を取出す。この開口貫通窓部分では、バックシート２４と裏面電極層４の間に絶縁材を複数層で設置して外部からの水分などの侵入を抑制する。
バックシート２４までを所定位置に配置したものを、ラミネータ装置により減圧雰囲気で内部の脱気を行い約１５０〜１６０℃でプレスしながら、接着充填材シート（ＥＶＡ）を架橋させて密着させ、密封処理をする。
なお、接着充填材シートはＥＶＡに限定されるものではなく、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）など類似の機能を保有する接着充填材を利用することが可能である。この場合は、圧着する手順、温度や時間など条件を適正化して処理を行う。
【００４６】
（１１）図６（ａ）
太陽電池モジュール６の裏側に端子箱２３を接着剤で取付ける。
（１２）図６（ｂ）
銅箔と端子箱２３の出力ケーブルとをハンダ等で接続し、端子箱２３の内部を封止剤（ポッティング剤）で充填して密閉する。これで太陽電池パネル５０が完成する。
（１３）図６（ｃ）
図６（ｂ）までの工程で形成された太陽電池パネル５０について発電検査ならびに、所定の性能試験を行う。発電検査は、ＡＭ１．５、全天日射基準太陽光（１０００Ｗ／ｍ２）のソーラシミュレータを用いて行う。なお、発電検査は、太陽電池パネル５０が完全に完成した後に行ってもよいし、アルミフレーム枠の取り付け前に行ってもよい。
（１４）図６（ｄ）
発電検査（図６（ｃ））に前後して、外観検査をはじめ所定の性能検査を行う。
【００４７】
（１５）図７
太陽電池モジュール６に強度を付加するとともに取付け座となるアルミフレーム枠を、太陽電池モジュール６の周囲に取り付ける。太陽電池モジュール６とアルミフレーム枠１０３Ｌ，１０３Ｓとの間にはゴム製のガスケット等を介して、弾力性を保持しながら確実に保持することが好ましい。
これで、太陽電池パネル５０が完成する。
【００４８】
＜第２実施形態＞
図８は、第２実施形態に係る集積型光電変換装置の製造方法により製造される集積型光電変換装置２００の構成を表す概略図である。光電変換装置２００は、サブストレート型のタンデム型シリコン系太陽電池であり、太陽光の入射側から順に、透明電極層２、太陽電池光電変換層３としての第１セル層９１（非晶質シリコン系）及び第２セル層９２（結晶質シリコン系）、中間コンタクト層５、及び裏面電極層４を備える。上記各層が積層された積層体は、裏面電極層側から基板２１で支持されている。
【００４９】
基板２１としては、ステンレスやポリイミドなどからなる非透光性基板や、第１実施形態と同様のガラス基板を使用する。
【００５０】
基板２１上に、裏面電極層４、中間コンタクト層５、第２セル層９２、第１セル層９１、透明電極層２を順に製膜する。分離溝２２を形成する工程以外は、第１実施形態に従う。
【００５１】
図９に、本実施形態に係るサブストレート型の薄膜太陽電池モジュールの概略図を示す。図９（ａ）は正面図、図９（ｂ）は断面図である。本実施形態では、透明電極層２を製膜した後、矢印で示すように、透明電極層２の基板で支持された側と反対側（膜面側）から透明電極層２にパルス照射しながら、基板を相対移動させる。本実施形態では、透明電極層２、第１セル層９１及び第２セル層９２の導電率の高い結晶質シリコンｐ層４３を除去し、比較的導電率が低い結晶質シリコンｉ層４２が露出するよう分離溝２２を形成すると良い。レーザー光の照射条件は、第１実施形態と同様とする。これにより、図９に示すような、複数の発電セル７がモジュール接続部８０を介して電気的に直列に接続された薄膜太陽電池モジュールを作製する。
【００５２】
第１実施形態及び第２実施形態では、太陽電池として、タンデム型太陽電池について説明したが、本発明は、この例に限定されるものではない。例えば、単層アモルファスシリコン薄膜太陽電池にも同様に適用可能である。
【００５３】
＜第３実施形態＞
第３実施形態に係る集積型光電変換装置の製造方法により製造される集積型光電変換装置は、光電変換層として化合物半導体膜を用いたスーパーストレート型の薄膜太陽電池である。本実施形態に係る集積型光電変換装置は、基板上に、太陽光の入射側から順に、透明電極層、太陽電池光電変換層としての窓層（第１実施形態の第１セル層９１に相当）及び主たる光吸収層（第１実施形態の第２セル層９２に相当）、及び裏面電極層を備える。
【００５４】
基板は、第１実施形態と同様に透光性基板が使用される。
透明電極層は、膜厚が約１５０ｎｍ〜９００ｎｍのＡｌドープＺｎＯ膜などとされる。
窓層は、膜厚が約２０ｎｍ〜１５０ｎｍのｎ型ＣｄＳ膜、ｎ型ＺｎＯ/ＣｄＳ膜、ｎ型ＺｎＭｇＯ膜、またはｎ型ＺｎＳＯＨ膜とされる。
主たる光吸収層は、ｐ型ＣＩＧＳ、ｐ型ＣＺＴＳ(銅、亜鉛、錫、硫黄系カルコパイライト)、及びｐ型ＣｄＴｅ膜とされる。主たる光吸収層の膜厚は、いずれも１μｍ〜３μｍ程度とされる。
裏面電極層は、膜厚が約１５０ｎｍ〜５００ｎｍのモリブデン(Ｍｏ)などの金属薄膜とされる。
【００５５】
本実施形態では、第１実施形態と同様に、裏面電極層の膜面側からレーザー光をパルス照射しながら、基板を相対移動させ、裏面電極層を除去し、主たる光吸収層が露出するよう、または、主たる光吸収層の途中まで溝を形成すると良い。
【００５６】
＜第４実施形態＞
第４実施形態に係る集積型光電変換装置の製造方法により製造される集積型光電変換装置は、光電変換層として化合物半導体膜を用いたサブストレート型の薄膜太陽電池である。本実施形態に係る集積型光電変換装置は、太陽光の入射側から順に、透明電極層、太陽電池光電変換層としての窓層（第１実施形態の第１セル層９１に相当）及び主たる光吸収層（第１実施形態の第２セル層９２に相当）、及び裏面電極層を備える。上記各層が積層された積層体は、裏面電極層側から基板で支持されている。
【００５７】
基板は、第２実施形態と同様にガラスなどの透光性基板またはステンレスなどの非透光性基板が使用される。
透明電極層、窓層、主たる光吸収層、及び裏面電極層は、第３実施形態と同様とする。
【００５８】
本実施形態では、第２実施形態と同様に、透明電極層の膜面側からレーザー光をパルス照射しながら、基板を相対移動させ、透明電極層、窓層を除去し、主たる光吸収層が露出するよう、または、主たる光吸収層の途中まで溝を形成すると良い。
【００５９】
以下に、本実施形態に係る光電変換装置の製造方法の実施例を説明する。
（実施例１）
ガラス基板１（５ｃｍ×５ｃｍ×板厚：４ｍｍ）を用いて、図１に示すようなスーパーストレート型のタンデム型薄膜太陽電池モジュールを作製した。
透明電極層２：酸化錫膜、平均膜厚８００ｎｍ
非晶質シリコンｐ層３１：平均膜厚１０ｎｍ
非晶質シリコンｉ層３２：平均膜厚３００ｎｍ
非晶質シリコンｎ層３３：平均膜厚４０ｎｍ
結晶質シリコンｐ層４１：平均膜厚２０ｎｍ
結晶質シリコンｉ層４２：膜厚１．９〜２．９μｍ
結晶質シリコンｎ層４３：平均膜厚５０ｎｍ
裏面電極層４：Ａｇ膜／平均膜厚２５０ｎｍ
【００６０】
裏面電極層４を積層させるまでは、第１実施形態と同様の工程で作製した。裏面電極層４の分離溝１２の形成には、レーザー発振器として、パルス幅：１００ｎ秒、１０ｎ秒、１（０．９〜１．３）ｎ秒、１５ｐ（ピコ）秒、３００ｆ（フェムト）秒のシングルモード発振のレーザーを使用した。レーザー光の照射条件は、波長５３２ｎｍ、発振周波数５ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ、基板の移動速度５０ｍｍ／秒〜８００ｍｍ／秒とした。レーザー径が２０μｍ〜６０μｍの円となるよう集光させたレーザー光を裏面電極層４の膜面側から照射した。レーザー光断面のエネルギー分布は、ガウス分布のままであり、マスクによるビーム整形を行わずに加工を行った。図１０に、実施例１で作製したスーパーストレート型の薄膜太陽電池モジュールの概略図を示す。図１０（ａ）は正面図、図１０（ｂ）は断面図である。なお、図１０は、上記で作製した薄膜太陽電池モジュールの構成を説明するための図であり、大きさを正確に反映させたものでない。裏面電極層４及び結晶質シリコンｎ層４３を除去し、結晶質シリコンｉ層４２が露出されるまで照射を繰り返して分離溝１２を形成させた。これにより、図１０に示すような、発電セル７がモジュール接続部８０を介して電気的に直列に接続された薄膜太陽電池モジュールを作製した。実施例１では、１つの発電セル７の面積は、３．８ｃｍ２とした。
【００６１】
上記で作製したタンデム型薄膜太陽電池モジュールを用い、透明電極層２と裏面電極層４との間に、０．１Ｖの直流電圧を暗中で３秒印加して、１つの発電セルの絶縁抵抗を絶縁試験器により計測した。
図１１に、レーザー発振器のパルス幅と絶縁抵抗との関係を示す図である。同図において、横軸はパルス幅（秒）、縦軸は絶縁抵抗であり、１つの発電セル７における透明電極層２と裏面電極層４との間の絶縁抵抗の最大値を示す。図１１によれば、パルス幅が１ｎ秒以下で高い絶縁抵抗が得られた。パルス幅が１ｎ秒よりも低い範囲では、パルス幅がｎ秒、ｐ秒、ｆ秒であっても絶縁抵抗値に大きな差はなかった。これは、透明電極層２と裏面電極層４との間で、漏れ（シャント）電流経路をほとんど生じることなく、セル固有の抵抗まで絶縁化されていることを意味する。
【００６２】
別に行われた試験により、実施例１で作製したタンデム型薄膜太陽電池モジュールの発電性能は、ＩＶ曲線の形状因子（ＦＦ）が０．６８〜０．７０となり、再現性よく高い値が得られることが確認された。これは、分離溝１２の加工の際の下地への熱影響が抑制され、下地となる膜の変質が非常に少ないことを意味する。
以上より、レーザー発振器のパルス幅は、１ｎ秒以下であることが好ましいことがわかった。このときのレーザー加工条件を表１に示す。
【表１】
2012038902.tif 000003
【００６３】
次に、以下の照射条件で裏面電極層４及び結晶質シリコンｎ層４３を除去し、結晶質シリコンｉ層４２が露出されるまで照射を繰り返して分離溝１２を形成させて、タンデム型薄膜太陽電池モジュールを作製した。
【００６４】
図１２に、分離溝１２を形成するのに要したレーザーの照射回数とレーザーエネルギー密度との関係を示す。同図において、横軸は照射回数、縦軸はレーザーエネルギー密度である。△プロットは照射エネルギーを高く設定した場合であり、反射率の高い裏面金属膜が容易に除去できる反面、余剰のエネルギーにより下地に熱影響を与えやすくなる。他方、■プロットは裏面電極が除去され結晶質シリコンｉ層が露出して分離溝が形成されるための最小のエネルギー条件である。図１２によれば、照射回数が多いと、低いレーザーエネルギー密度でも分離溝１２の加工が可能である。しかしながら、照射回数が多くなると、それに伴って加工時間も長くなる。また、パルス幅の短いレーザーを使用した場合であっても、レーザーの照射回数が多いと、下地膜への熱影響が大きくなる。そのため、照射回数は少ない方が良く、具体的には照射回数は、５ショット以下、好ましくは２〜４ショットとするのが良い。また、本発明者らは、図１２から、△プロットを結ぶ曲線より下で、且つ、■プロットを結ぶ曲線よりも上の領域であれば、透明電極層２と裏面電極層４との間の絶縁抵抗が５ｋΩ以上となることを見出した。
【００６５】
上記タンデム型薄膜太陽電池モジュールを用い、レーザーエネルギー密度を１．３〜５Ｊ／ｃｍ２、照射回数を２〜６ショットで加工し、透明電極層２と裏面電極層４との間に、０．１Ｖの直流電圧を暗中で３秒印加して、１つの発電セル７の絶縁抵抗を絶縁試験器により計測した。
図１３に、レーザーエネルギー密度と照射回数との積と、絶縁抵抗との関係を示す。同図において、横軸はレーザーエネルギー密度と照射回数との積、縦軸は絶縁抵抗である。図１３において、レーザーエネルギー密度と照射回数との積が３以上１２以下（Ｊ／ｃｍ２・ショット）であれば、透明電極層２と裏面電極層４との間の絶縁抵抗が５ｋΩ以上となった。レーザーエネルギー密度と照射回数との積が、３（Ｊ／ｃｍ２・ショット）以下の場合、裏面電極層４が除去されないことがあった。また、レーザーエネルギー密度と照射回数との積が、１２（Ｊ／ｃｍ２・ショット）以上の場合は、結晶質シリコンｉ層４２の膜厚にもよるがｉ層膜の残りが薄くなり、下地のＰ層に含まれるＢ（ホウ素）がｉ層膜に拡散することによりｉ層膜の抵抗が低下し、セルの絶縁抵抗が下がる傾向となった。
【００６６】
図１４及び図１５に、分離溝１２を加工した後の薄膜太陽電池モジュールを膜面側から観察した写真を示す。
図１４は、パルス幅が３００ｆ秒のレーザーを用い、レーザーエネルギー密度２．９（Ｊ／ｃｍ２）で、裏面電極層４の膜面側から２回照射したときの写真である。
図１５は、パルス幅が３００ｆ秒のレーザーを用い、レーザーエネルギー密度１．９（Ｊ／ｃｍ２）で、裏面電極層４の膜面側から４回照射したときの写真である。
図１４では、結晶質シリコンｉ層４２が露出しているが、裏面電極層４及び結晶質シリコンｎ層４３が完全に除去されていなかった。一方、図１５では結晶質シリコンｉ層４２が露出した部分が連続した溝をして形成されていた。
【００６７】
上記結果及び裏面電極層４や結晶質シリコンi層４２の膜厚変動を考慮すると、堅牢性の高い加工条件として、レーザーエネルギー密度と照射回数の積は、５〜１０（Ｊ／ｃｍ２・ショット）が望ましい。
【００６８】
（実施例２）
ステンレス基板（厚さ２００μｍ）を用いて、図８に示すような、サブストレート型のタンデム型薄膜太陽電池モジュールを作製した。
透明電極層２：酸化亜鉛膜、平均膜厚６００ｎｍ
非晶質シリコンｐ層３１：平均膜厚２０ｎｍ
非晶質シリコンｉ層３２：平均膜厚２８０ｎｍ
非晶質シリコンｎ層３３：平均膜厚５０ｎｍ
結晶質シリコンｐ層４１：平均膜厚２０ｎｍ
結晶質シリコンｉ層４２：膜厚１．９〜２．９μｍ
結晶質シリコンｎ層４３：平均膜厚５０ｎｍ
裏面電極層４：Ａｌ膜／平均膜厚２５０ｎｍ
【００６９】
使用するレーザー発振器及びレーザー光の照射条件は、実施例１と同様とした。本実施例では、集光光学系を用いて断面形状が円形のレーザーを透明電極層２の膜面側からパルス照射し、基板を移動させて裏面電極層４の分離溝加工を行った。１つの発電セル７の面積は、３．８ｃｍ２とした。
【００７０】
実施例１と同様に、上記で作製したタンデム型薄膜太陽電池モジュールを用い、透明電極層２と裏面電極層４との間の絶縁抵抗を計測した。その結果、サブストレート型のタンデム型薄膜太陽電池モジュールの１つの発電セルの透明電極層と裏面電極層との間の絶縁抵抗は、図１３とほぼ同様の結果が得られた。
透明電極膜は昇華性があり、可視光を透過するので、第１セル層（非晶質シリコン層）で光吸収されるときに非晶質シリコンとともに除去される。サブストレート型の場合、不透明な金属薄膜がないのでより小さいレーザーエネルギーで透明電極膜が除去されやすい。しかしながら、第１セル層を共に除去することから、結果として実施例１とほぼ同様な加工条件が適切であった。
【符号の説明】
【００７１】
１、２１  基板
２  透明電極層
３  光電変換層
４  裏面電極層
５  中間コンタクト層
６  太陽電池モジュール
７  発電セル
１２、２２  分離溝
３１  非晶質シリコンｐ層
３２  非晶質シリコンｉ層
３３  非晶質シリコンｎ層
４１  結晶質シリコンｐ層
４２  結晶質シリコンｉ層
４３  結晶質シリコンｎ層
８０  モジュール接続部
９１  第１セル層
９２  第２セル層
１００、２００  光電変換装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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