(57)【要約】【課題】ギャップを減らすことができる放射線検出器の製造方法および放射線検出器を提供することを目的とする。【解決手段】複数の蒸着源（例えば４つのソース）を用いて蒸着を行う際に、蒸着面の形状を決定するマスクの開口部を移動、もしくは拡大あるいは縮小させて蒸着を行うことにより、各蒸着源で蒸着形成される層（膜）の重ね合わせで生じる端部が傾斜部となり、端部の角度が鈍るのでギャップを減らすことができる。バイアス電圧を印加する共通電極３を蒸着するのに適用する場合には、各蒸着源で蒸着形成される共通電極３の重ね合わせで生じる端部が傾斜部３Ａとなり、端部の角度が鈍るのでバイアス電圧に対する耐久性が向上する。【選択図】図１
2012063166.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を検出する放射線検出器を製造する方法であって、
複数の蒸着源を用いて蒸着を行い、
蒸着面の形状を決定するマスクの開口部を移動、もしくは拡大あるいは縮小させて蒸着を行うことを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の放射線検出器の製造方法において、
バイアス電圧を印加する共通電極を蒸着することを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の放射線検出器の製造方法において、
前記放射線検出器は、放射線を電荷に変換する放射線感応型の変換層を備えることで、放射線を電荷に直接的に変換して検出する直接変換型の検出器であることを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の放射線検出器の製造方法で製造される放射線検出器において、
端部に傾斜部を有した層を備えることを特徴とする放射線検出器。
【請求項５】
請求項４に記載の放射線検出器において、
バイアス電圧を印加する共通電極を備え、
その共通電極は、端部に傾斜部を有していることを特徴とする放射線検出器。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の放射線検出器において、
前記放射線検出器は、放射線を電荷に変換する放射線感応型の変換層を備えることで、放射線を電荷に直接的に変換して検出する直接変換型の検出器であることを特徴とする放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、医療分野，工業分野，さらには、原子力分野などに用いられる放射線検出器の製造方法および放射線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の放射線（例えばＸ線）検出器には、放射線（例えばＸ線）の入射により光を一旦生成して、その光から電荷を生成することで、放射線から電荷に間接的に変換して放射線を検出する「間接変換型」の検出器と、放射線の入射により電荷を生成することで、放射線から電荷に直接的に変換して放射線を検出する「直接変換型」の検出器とがある。なお、放射線感応型の半導体が電荷を生成する。
【０００３】
直接変換型の放射線検出器は、バイアス電圧を印加する共通電極を備えており、バイアス電圧を印加した状態で、放射線の入射に伴って放射線感応型の半導体が電荷を生成することで放射線を検出する。共通電極や半導体を形成するには蒸着法が用いられ、特に真空蒸着法が用いられる（例えば、特許文献１参照）。真空蒸着法は、広い面積の膜を形成するのに大変有用である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１０１１９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述のような蒸着を行おうとすると、図８に示すように、ソース（蒸着源）Ｓの直下では膜厚ｈは厚いが、ソースＳから離れる程、膜厚ｈが薄くなるという問題がある。そこで、膜厚を平均化する意図で複数のソース（蒸着源）を用いる。しかし、複数のソースを用いると、図９に示すように、蒸着面の形状を決定するマスクＭによって、各ソースＳによって生成される膜が重なり合う部分にはギャップＧが生じる。特に、共通電極を複数のソースを用いて蒸着形成する場合には、共通電極に数ｋＶ以上の高電圧のバイアス電圧を印加すると、当該ギャップから放電が生じやすく、耐久性の低下を招く。
【０００６】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、ギャップを減らすことができる放射線検出器の製造方法および放射線検出器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、この発明に係る放射線検出器の製造方法は、放射線を検出する放射線検出器を製造する方法であって、複数の蒸着源を用いて蒸着を行い、蒸着面の形状を決定するマスクの開口部を移動、もしくは拡大あるいは縮小させて蒸着を行うことを特徴とするものである。
【０００８】
［作用・効果］この発明に係る放射線検出器の製造方法によれば、複数の蒸着源を用いて蒸着を行う際に、蒸着面の形状を決定するマスクの開口部を移動、もしくは拡大あるいは縮小させて蒸着を行うことにより、各蒸着源で蒸着形成される層（膜）の重ね合わせで生じる端部が傾斜部となり、端部の角度が鈍るのでギャップを減らすことができる。
【０００９】
上述した発明に係る放射線検出器の製造方法の一例は、バイアス電圧を印加する共通電極を蒸着することである。すなわち、共通電極に適用することで、各蒸着源で蒸着形成される共通電極の重ね合わせで生じる端部が傾斜部となり、端部の角度が鈍るのでバイアス電圧に対する耐久性が向上する。
【００１０】
さらに、製造方法で用いられる放射線検出器の一例は、放射線を電荷に変換する放射線感応型の変換層を備えることで、放射線を電荷に直接的に変換して検出する直接変換型の検出器である。直接変換型の検出器の場合には、通常では、バイアス電圧を印加する共通電極を備えた構造であるので、共通電極に適用することでバイアス電圧に対する耐久性が向上する。
【００１１】
また、この発明に係る放射線検出器は、これらの放射線検出器の製造方法で製造される放射線検出器において、端部に傾斜部を有した層を備えることを特徴とするものである。
【００１２】
［作用・効果］この発明に係る放射線検出器によれば、上述の製造方法で製造された放射線検出器では、各蒸着源で蒸着形成される層（膜）の重ね合わせで生じる端部が傾斜部となり、端部に傾斜部を有した層を備えることになる。
【００１３】
上述した発明に係る放射線検出器の製造方法と同様に、上述した発明に係る放射線検出器においても、バイアス電圧を印加する共通電極を備え、その共通電極は、端部に傾斜部を有する。すなわち、共通電極に適用することで、各蒸着源で蒸着形成される共通電極の重ね合わせで生じる端部が傾斜部となり、共通電極は端部に傾斜部を有することになる。
【００１４】
また、上述した発明に係る放射線検出器の製造方法と同様に、上述した発明に係る放射線検出器の一例は、放射線を電荷に変換する放射線感応型の変換層を備えることで、放射線を電荷に直接的に変換して検出する直接変換型の検出器である。上述したように直接変換型の検出器の場合には、通常では、バイアス電圧を印加する共通電極を備えた構造であるので、共通電極に適用することでバイアス電圧に対する耐久性が向上する。
【発明の効果】
【００１５】
この発明に係る放射線検出器の製造方法および放射線検出器によれば、複数の蒸着源を用いて蒸着を行う際に、蒸着面の形状を決定するマスクの開口部を移動、もしくは拡大あるいは縮小させて蒸着を行うことにより、各蒸着源で蒸着形成される層（膜）の重ね合わせで生じる端部が傾斜部となり、端部の角度が鈍るのでギャップを減らすことができる。その製造方法で製造された放射線検出器では、各蒸着源で蒸着形成される層（膜）の重ね合わせで生じる端部が傾斜部となり、端部に傾斜部を有した層を備えることになる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（ａ）は、実施例に係る直接変換型のフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）の概略断面図、（ｂ）は端部の拡大図、（ｃ）は端部のさらなる拡大図である。
【図２】フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）のアクティブマトリックス基板の等価回路を示すブロック図である。
【図３】フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）のアクティブマトリックス基板の概略断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、キャリア選択性の高抵抗半導体層である中間層の組み合わせをそれぞれ示した概略断面図である。
【図５】従来のマスクを移動・拡大・縮小させずに固定したときの蒸着のシミュレーション結果である。
【図６】蒸着過程中に一定速度でマスクの開口部を拡大させたときの蒸着のシミュレーション結果である。
【図７】（ａ）は、マスクおよびソース（蒸着源）の配置関係を示した平面図、（ｂ）は、マスク、蒸着面およびソース（蒸着源）の位置関係を示した側面図である。
【図８】ソース（蒸着源）を１つのみ配置したときの膜の積層の概略図である。
【図９】ソース（蒸着源）を複数配置したときのギャップ形成の概略図である。
【実施例】
【００１７】
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係る直接変換型のフラットパネル型Ｘ線検出器（以下、適宜「ＦＰＤ」と略記する）の概略断面図であり、図２は、フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）のアクティブマトリックス基板の等価回路を示すブロック図であり、図３は、フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）のアクティブマトリックス基板の概略断面図である。本実施例では、放射線検出器として直接変換型のフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）を例に採って説明する。
【００１８】
本実施例に係るＦＰＤは、図１に示すように、アクティブマトリックス基板１と、放射線（本実施例ではＸ線）の入射により電荷を生成する放射線感応型の半導体２と、バイアス電圧印加用の共通電極３とを備えている。アクティブマトリックス基板１は、図２、図３に示すように、放射線の入射面側に複数の収集電極１１を形成し、各収集電極１１で収集される電荷の蓄積・読み出し用電気回路１２を配設して構成されている。各収集電極１１については放射線検出有効エリアＳＡ内で２次元状マトリックス配列で設定している。放射線感応型の半導体２は、この発明における放射線感応型の変換層に相当し、バイアス電圧印加用の共通電極３は、この発明における共通電極に相当する。また、本願明細書では、放射線検出有効エリアＳＡ外を端部とする。
【００１９】
図１に示すように、このアクティブマトリックス基板１の収集電極の入射面側に半導体２を積層し、その半導体２の入射側に共通電極３を面状に形成して積層している。そして、共通電極３の入射面にバイアス電圧給電用のリード線４を接続している。銅線等のリード線４を導電ペースト（例えば銀ペースト）を介して共通電極３に接続する。
【００２０】
図２、図３に示すようにアクティブマトリクス基板１は、上述したように収集電極１１を形成し、蓄積・読み出し用電気回路１２を配設している。蓄積・読み出し用電気回路１２は、コンデンサ１２Ａやスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜電界効果トランジスタ）１２Ｂおよびゲート線１２ａ，データ線１２ｂなどからなり、各収集電極１１毎に１個のコンデンサ１２Ａおよび１個のＴＦＴ１２Ｂが対応付けて接続されている。
【００２１】
また、アクティブマトリックス基板１の蓄積・読み出し用電気回路１２の周囲にはゲートドライバ１３と電荷電圧変換型増幅器１４とマルチプレクサ１５とＡ／Ｄ変換器１６とを配設して接続している。これらのゲートドライバ１３、電荷電圧変換型増幅器１４、マルチプレクサ１５およびＡ／Ｄ変換器１６は、アクティブマトリックス基板１とは別基板で接続されている。なお、ゲートドライバ１３、電荷電圧変換型増幅器１４、マルチプレクサ１５およびＡ／Ｄ変換器１６の一部または全部を、アクティブマトリックス基板１に内蔵してもよい。
【００２２】
ＦＰＤによってＸ線を検出する際には、バイアス供給電源（図示省略）からバイアス電圧を、バイアス電圧給電用のリード線４を介してバイアス電圧印加用の共通電極３に印加する。バイアス電圧を印加した状態で、放射線（本実施例ではＸ線）の入射に伴って放射線感応型の半導体２で電荷を生成する。この生成された電荷を収集電極１１で一旦収集する。蓄積・読み出し用電気回路１２によって、収集された電荷を各収集電極１１毎の放射線検出信号（本実施例ではＸ線検出信号）として取り出す。
【００２３】
具体的には、収集電極１１で収集された電荷がコンデンサ１２Ａに一旦蓄積される。そして、ゲートドライバ１３からゲート線１２ａを介して読み出し信号を各ＴＦＴ１２Ｂのゲートに順に与える。読み出し信号を与えることで、読み出し信号が与えられたＴＦＴ１２ＢがＯＦＦからＯＮに移行する。その移行したＴＦＴ１２Ｂのソースに接続されたデータ線１２ｂがマルチプレクサ１５によって順に切り換え接続されるのにしたがって、コンデンサ１２Ａに蓄積された電荷を、ＴＦＴ１２Ｂからデータ線１２ｂを介して読み出す。読み出された電荷を電荷電圧変換型増幅器１４で増幅して、マルチプレクサ１５によって各収集電極１１毎の放射線検出信号（本実施例ではＸ線検出信号）としてＡ／Ｄ変換器１６に送り出してアナログ値からディジタル値に変換する。
【００２４】
例えば、ＦＰＤをＸ線透視撮影装置に備えた場合には、Ｘ線検出信号を後段の画像処理回路に送り込んで、画像処理を行って２次元Ｘ線透視画像等を出力する。２次元状マトリックス配列の各収集電極１１は、放射線画像（ここでは２次元Ｘ線透視画像）の各画素に対応する電極（画素電極）にそれぞれ対応している。放射線検出信号（本実施例ではＸ線検出信号）を取り出すことで、放射線検出有効エリアＳＡに投影される放射線の２次元強度分布に応じた放射線画像（ここでは２次元Ｘ線透視画像）を作成することができる。つまり、本実施例に係るＦＰＤは、放射線検出有効エリアＳＡに投影される放射線（本実施例ではＸ線）の２次元強度分布を検出することができる２次元アレイタイプの放射線検出器である。
【００２５】
次に、ＦＰＤの各部構成についてより具体的に説明する。共通電極３は、放射線検出有効エリアＳＡ外の端部に傾斜部３Ａを有している。傾斜部３Ａについては、図１（ｂ）の端部の拡大図に示すように、傾斜部３Ａの角度をθとする。傾斜部３Ａの角度θは0.001°〜0.0001°までの範囲が好ましい。また、傾斜部３Ａは、図１（ｃ）の端部のさらなる拡大図に示すような階段状に形成された構造も含まれる。階段状に形成された構造の場合には、最上段から最下段に直線（図１（ｃ）の点線を参照）を引いたときの角度を、角度θとする。
【００２６】
アクティブマトリックス基板１には、例えばガラス基板が用いられる。アクティブマトリックス基板１のガラス基板は、例えば０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度である。半導体２の厚さは、通常、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ前後の厚膜であり、面積は、例えば縦２０ｃｍ〜５０ｃｍ×横２０ｃｍ〜５０ｃｍ程度のものである。
【００２７】
放射線感応型の半導体２は、高純度アモルファスセレン（ａ−Ｓｅ），Ｎａ等のアルカリ金属やＣｌ等のハロゲンもしくはＡｓやＴｅをドープしたセレンおよびセレン化合物のアモルファス半導体，ＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，ＰｂＩ2 ，ＨｇＩ2 ，ＴｌＢｒ等の非セレン系多結晶半導体のうちのいずれかであるのが好ましい。アモルファスセレン，アルカリ金属やハロゲンもしくはＡｓやＴｅをドープしたセレンおよびセレン化合物のアモルファス半導体，非セレン系多結晶半導体は、大面積化適性および厚膜化適性に優れる。特に、１０９  Ω以上、好ましくは１０１１Ω以上の比抵抗を有するａ−Ｓｅを半導体２に用いると大面積化適性および厚膜化適性が顕著に優れている。
【００２８】
また、半導体２としては、上述した感応型の半導体２の他に、その入射面（図１では上面）または入射側と逆側の面（図１では下面）もしくは両面に形成されたキャリア選択性の高抵抗半導体層である中間層との組み合わせも含む。図４（ａ）に示すように、半導体２と第１共通電極３ａとの間に中間層２ａを形成するとともに、半導体２と収集電極１１（図３を参照）との間に中間層２ｂを形成してもよいし、図４（ｂ）に示すように、半導体２と共通電極３との間のみに中間層２ａを形成してもよいし、図４（ｃ）に示すように、半導体２と収集電極１１（図３を参照）との間のみに中間層２ｂを形成してもよい。
【００２９】
このように、キャリア選択性の中間層２ａ，２ｂを設けることにより暗電流を低減させることができる。ここで言うキャリア選択性とは半導体中の電荷移動媒体（キャリア）である電子と正孔とで、電荷移動作用への寄与率が著しく異なる性質を指す。
【００３０】
半導体２とキャリア選択性の中間層２ａ，２ｂとの組み合わせ方としては、次のような態様が挙げられる。共通電極３に正のバイアス電圧を印加する場合には、中間層２ａに電子の寄与率が大きい材料を使用する。これにより共通電極３からの正孔の注入が阻止され、暗電流を低減させることができる。中間層２ｂには正孔の寄与率が大きい材料を使用する。これにより収集電極１１からの電子の注入が阻止され、暗電流を低減させることができる。
【００３１】
逆に、共通電極３に負のバイアス電圧を印加する場合には、中間層２ａに正孔の寄与率が大きい材料を使用する。これにより共通電極３からの電子の注入が阻止され、暗電流を低減させることができる。中間層２ｂには電子の寄与率が大きい材料を使用する。これにより収集電極１１からの正孔の注入が阻止され、暗電流を低減させることができる。
【００３２】
キャリア選択性の中間層２ａ，２ｂの厚さは、通常、０．１μｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。中間層２ａ，２ｂの厚さが０．１μｍ未満では暗電流を十分に抑制できない傾向が現れ、逆に、厚さが１０μｍを越えると放射線検出の妨げとなる傾向（例えば感度が低下する傾向）が現れる。
【００３３】
また、キャリア選択性の中間層２ａ，２ｂに用いられる半導体としては、Ｓｂ2 Ｓ3 ，ＺｎＴｅ，ＣｅＯ2 ，ＣｄＳ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳ等の多結晶半導体、Ｎａ等のアルカリ金属やＣｌ等のハロゲンもしくはＡｓやＴｅをドープしたセレンおよびセレン化合物のアモルファス半導体が大面積化適性に優れるものとして挙げられる。これらの半導体は厚みが薄くて傷が付き易いのであるが、リード線４を共通電極３に接続する際に加わる衝撃を台座５が和らげて傷が付くのを防止することができるので、キャリア選択性の中間層２ａ，２ｂは大面積化適性に優れる。
【００３４】
中間層２ａ，２ｂに用いられる半導体のうち、電子の寄与が大きいものとして、ｎ型半導体であるＣｅＯ2 ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳのような多結晶半導体や、アルカリ金属やＡｓやＴｅをドープして正孔の寄与率を低下させたアモルファスＳｅ等のアモルファス体が挙げられる。
【００３５】
また、正孔の寄与が大きいものとして、ｐ型半導体であるＺｎＴｅのような多結晶半導体や、ハロゲンをドープして電子の寄与率を低下させたアモルファスＳｅ等のアモルファス体が挙げられる。
【００３６】
さらに、Ｓｂ2 Ｓ3 ，ＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，ＰｂＩ2 ，ＨｇＩ2 ，ＴｌＢｒや、ノンドープのアモルファスＳｅまたはＳｅ化合物の場合、電子の寄与が大きいものと正孔の寄与が大きいもとの両方がある。これらの場合、製膜条件の調節で電子の寄与が大きいものでも、正孔の寄与が大きいものでも、選択形成することができる。
【００３７】
共通電極３については、例えば金（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などで形成するのが好ましい。本実施例では、共通電極３を金で形成するために、金で蒸着を行う。
【００３８】
次に、蒸着のシミュレーションについて、図５および図６を参照して説明する。図５は、従来のマスクを移動・拡大・縮小させずに固定したときの蒸着のシミュレーション結果であり、図６は、蒸着過程中に一定速度でマスクの開口部を拡大させたときの蒸着のシミュレーション結果である。
【００３９】
図５では、ソース（蒸着源）によって生成される膜が重なり合う部分ではギャップが生じているのに対して、図６では、マスクの開口部を一定速度で拡大させることにより階段状となって角度が鈍ることが確認されている。
【００４０】
続いて、蒸着に用いられるマスク等の幾何学的な位置関係について、図７を参照して説明する。図７（ａ）は、マスクおよびソース（蒸着源）の配置関係を示した平面図であり、図７（ｂ）は、マスク、蒸着面およびソース（蒸着源）の位置関係を示した側面図である。
【００４１】
図７（ａ）に示すように、マスクＭの開口部Ｍａの長さをＬ１（図７では正方形）とし、マスクＭの開口部Ｍａの中心線ＡｘとソースＳとの距離をＬ２とし、隣り合うソースＳ間の距離をＬ３とする。また、図７（ｂ）に示すように、ソースＳから蒸着面Ｐまでの距離をＤ１とし、マスクＭの厚みをＤ２とし、マスクＭと蒸着面Ｐとの距離をＤ３とする。また、ソースＳとして金（Ａｕ）を用いたＡｕボートを採用し、図７（ａ）に示すようにＡｕボートの長辺をＬ４とし、Ａｕボートの短辺をＬ５とする。なお、図７（ａ）ではソースＳとして４つのＡｕボートを図示しているが、ソースＳの個数については複数であれば特に限定されない。
【００４２】
１７インチのＦＰＤを製造する場合には、例えばＬ１＝５００ｍｍ，Ｌ２＝３００ｍｍ，Ｌ３＝６００ｍｍ，Ｌ４＝３０ｍｍ，Ｌ５＝５ｍｍである。また、Ｄ１＝５００ｍｍ，Ｄ２＝２ｍｍ，Ｄ３＝３ｍｍである。なお、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５およびＤ１，Ｄ２，Ｄ３は、上述のサイズに限定されない。また、開口部Ｍａの形状は正方形に限定されず、長方形や真円や楕円などであってもよい。
【００４３】
図７に示した幾何学的な位置関係を保った状態で、蒸着面の形状を決定するマスクＭの開口部Ｍａを移動、もしくは拡大あるいは縮小させて蒸着を行うことで、図１あるいは図４に示すような傾斜部３Ａを形成する。
【００４４】
上述の構成を有した本実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）の製造方法によれば、複数の蒸着源（図７で４つのソースＳ）を用いて蒸着を行う際に、蒸着面の形状を決定するマスクＭの開口部Ｍａ（図７（ａ）を参照）を移動、もしくは拡大あるいは縮小させて蒸着を行うことにより、各蒸着源で蒸着形成される層（膜）の重ね合わせで生じる端部が傾斜部（図１あるいは図４の傾斜部３Ａを参照）となり、端部の角度が鈍るのでギャップを減らすことができる。
【００４５】
本実施例の製造方法では、バイアス電圧を印加する共通電極３を蒸着するのに適用している。本実施例では、共通電極３に適用することで、各蒸着源で蒸着形成される共通電極３の重ね合わせで生じる端部が傾斜部３Ａとなり、端部の角度が鈍るのでバイアス電圧に対する耐久性が向上する。
【００４６】
本実施例の製造方法で用いられるＦＰＤは、放射線（本実施例ではＸ線）を電荷に変換する放射線感応型の変換層である放射線感応型の半導体２を備えることで、放射線を電荷に直接的に変換して検出する直接変換型の検出器である。直接変換型の検出器の場合には、通常では、本実施例のようにバイアス電圧を印加する共通電極３を備えた構造であるので、本実施例のように共通電極３に適用することでバイアス電圧に対する耐久性が向上する。
【００４７】
本実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）によれば、上述の製造方法で製造された放射線検出器では、各蒸着源で蒸着形成される層（膜）の重ね合わせで生じる端部が傾斜部となり、端部に傾斜部を有した層を備えることになる。
【００４８】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４９】
（１）上述した実施例では、フラットパネル型Ｘ線検出器に代表される放射線検出器は、２次元アレイタイプであったが、この発明の放射線検出器は、収集電極が１次元状マトリックス配列で形成されている１次元アレイタイプでもよいし、放射線検出信号取り出し用の電極が１個だけの非アレイタイプでもよい。
【００５０】
（２）上述した実施例では、放射線検出器としてＸ線検出器を例に採って説明したが、Ｘ線以外の放射線（例えばガンマ線）を検出する放射線検出器（例えばガンマ線検出器）にも適用できる。
【００５１】
（３）上述した実施例では、直接変換型のフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）であったが、放射線（例えばＸ線）の入射により光を一旦生成して、その光から電荷を生成することで、放射線から電荷に間接的に変換して放射線を検出する間接変換型の検出器にも適用できる。間接変換型のＸ線検出器としては、Ｘ線を光に変換するシンチレータを備えたＸ線検出器がある。
【００５２】
（４）上述した実施例では、共通電極３を蒸着するのに適用したが、共通電極３以外の層（膜）でもよい。例えば、半導体２のように全面にわたって形成する場合には、この発明は有用である。半導体２に適用する場合には、共通電極３を蒸着するのに適用した場合と同様に、各蒸着源（例えばアモルファスセレン）で蒸着形成される半導体２の重ね合わせで生じる端部が傾斜部となる。
【符号の説明】
【００５３】
２  …  （放射線感応型の）半導体
３  …  （電圧印加用の）共通電極
３Ａ  …  傾斜部
Ｍ  …  マスク
Ｍａ  …  開口部
Ｓ  …  ソース（蒸着源）
Ｐ  …  蒸着面
【図１】
2012063166.tif 000003
【図２】
2012063166.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図５】
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【図６】
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