(57)【要約】  【課題】  光電変換素子から取り出す電力の低下を抑制することが可能な集光型光電変換装置を提供する。  【解決手段】  本発明の集光型光電変換素子は、半導体層が複数積層されてなる、短波長から長波長までの波長域の光を含む入射光を受光面10Ａで受けて光電変換する光電変換素子10と、光電変換素子10の受光面10Ａに向けて配置されたレンズ体６と、レンズ体６Ａの受光面10Ａと反対側の面に形成された、前記波長域のうちの第１の波長域の光に対する透過率が相対的に高い第１反射防止膜12と、光電変換素子10の受光面10Ａまたはレンズ体６の受光面10Ａ側の面に形成された、前記波長域のうちの前記第１の波長域と異なる第２の波長域の光に対する透過率が相対的に高い第２反射防止膜13とを有する。【選択図】  図３
2012231065.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層が複数積層されてなる、短波長から長波長までの波長域の光を含む入射光を受光面で受けて光電変換する光電変換素子と、
該光電変換素子の前記受光面に向けて配置されたレンズ体と、
該レンズ体の前記受光面と反対側の面に形成された、前記波長域のうちの第１の波長域の光に対する透過率が相対的に高い第１反射防止膜と、
前記光電変換素子の前記受光面または前記レンズ体の前記受光面側の面に形成された、前記波長域のうちの前記第１の波長域と異なる第２の波長域の光に対する透過率が相対的に高い第２反射防止膜と
を有する集光型光電変換装置。
【請求項２】
前記第１反射防止膜は、前記第１の波長域が前記第２の波長域よりも短波長側である請求項１に記載の集光型光電変換装置。
【請求項３】
前記第２反射防止膜は、前記レンズ体の前記受光面側の面に形成されている請求項１または２に記載の集光型光電変換装置。
【請求項４】
前記光電変換素子の前記受光面に、前記波長域のうちの前記第１の波長域および前記第２の波長域と異なる第３の波長域の光に対する透過率が相対的に高い第３反射防止膜が形成されている請求項３に記載の集光型光電変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集光型光電変換装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、光を電気に変換する光電変換素子として、バンドギャップの異なる半導体層を複数積層した光電変換素子が種々提案されている（例えば、特許文献１を参照）。このような光電変換素子においては、バンドギャップに対応する波長の光が、それぞれの半導体層で吸収されるようになっている。
【０００３】
そこで、このような光電変換素子の光起電力を向上させる技術として、レンズを用いて集光させた光を入射させることにより、光電変換効率を向上させる集光型光電変換装置が開示されている（例えば、特許文献２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2003−258279号公報
【特許文献２】特開平9−148610号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２に記載された光電変換装置によれば、レンズの上面若しくは下面、または光電変換素子の受光面に反射防止膜を設けた場合、当該反射防止膜によって特定の波長域が反射されてしまい、光電変換素子に入射する光の波長域を変化させてしまうことがあった。一方で、光電変換素子から取り出される電力は、それぞれの半導体層で発生した光起電力のうち最小の電力に律されていた。その結果、光電変換素子に入射する光の波長域が変化すると、複数の半導体層のうちいずれかの半導体層で発生する光起電力が小さくなり、光電変換素子から取り出される電力が低下するおそれがあった。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、光電変換素子から取り出す電力の低下を招きにくくすることが可能な集光型光電変換装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光電変換素子は、半導体層が複数積層されてなる、短波長から長波長までの波長域の光を含む入射光を受光面で受けて光電変換する光電変換素子と、該光電変換素子の前記受光面に向けて配置されたレンズ体と、該レンズ体の前記受光面と反対側の面に形成された、前記波長域のうちの第１の波長域の光に対する透過率が相対的に高い第１反射防止膜と、前記光電変換素子の前記受光面または前記レンズ体の前記受光面側の面に形成された、前記波長域のうちの前記第１の波長域と異なる第２の波長域の光に対する透過率が相対的に高い第２反射防止膜とを有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の集光型光電変換装置は、光電変換素子に入射する光路に、第１の波長域の光に対する透過率が相対的に高い第１反射防止膜と、当該第１反射防止膜の第１の波長域と異なる第２の波長域の光に対する透過率が相対的に高い第２反射防止膜を有している。そのため、光電変換素子に入射する光路に反射防止膜を設けた場合でも、光電変換素子に入射する光のうち、特定の波長域の光の透過率の低下を招きにくくすることができる。その結果、反射防止膜を設けた場合でも光電変換素子で発生した光起電力の低下を招きにくくす
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の集光型光電変換装置を用いた集光型光電変換モジュールの実施形態の一例を示す斜視図である。
【図２】本発明の集光型光電変換装置の実施形態の一例を示す図であり、（ａ）は斜視図を示し、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線で切断したときの断面図である。
【図３】本発明の集光型光電変換装置の実施形態の一例を示す断面図であり、図２（ａ）のＡ−Ａ’線で切断したときの断面に相当する。
【図４】図３に示す集光型光電変換装置の第１反射防止膜を透過した光の波長特性を示す模式図である。
【図５】図３に示す集光型光電変換装置の第２反射防止膜を透過した光の波長特性を示す模式図である。
【図６】図３に示す集光型光電変換装置の第１反射防止膜および第２反射防止膜を透過した光の波長特性を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態の一例について図を参照しながら説明する。なお、本発明は以下の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことができる。
【００１１】
＜集光型光電変換装置＞
集光型光電変換モジュール１は、図１に示すように、光学部材２が配置された第１蓋部材３と、図２に示すような集光型光電変換装置４が実装された第１パッケージ部材５とを有している。
【００１２】
第１蓋部材３は、例えば太陽光などの光を集光型光電変換装置４に集光させるための光学部材２を有するとともに、第１パッケージ部材５の枠状部分の上端部に実装されている。なお光学部材２は、集光型光電変換装置４と対向する位置に配置されている。光学部材２としては、例えば凸レンズやフレネルレンズなどの集光レンズまたは凸レンズ、凹レンズまたはフレネルレンズなどを組み合わせた光学系システムなどを用いることができる。
【００１３】
集光型光電変換装置４は、図２（ａ）に斜視図で、また図２（ｂ）にＡ−Ａ’線断面図で示すように、レンズ体６が配置された第２蓋部材７と、一部に配線導体８が形成された第２パッケージ部材９と、第２パッケージ部材９に実装された光電変換素子10とを有している。
【００１４】
第２蓋部材７には、レンズ体６が設けられている。レンズ体６は、例えばガラスなどからなる柱状光学部材によって構成されている。このように集光型光電変換装置４がレンズ体６を有することにより、光学部材３から入射してきた光を、光電変換素子10の上面に受光面に強度を均一化して導くことができる。さらに、レンズ体６として、例えば凸レンズなどの集光レンズを用いることができる。
【００１５】
上述ではレンズなどの光学部材を用いて集光する場合について説明したが、例えば反射面の断面が放射曲線状となった凹面鏡を用いて集光型光電変換装置に集光させる、反射鏡型の集光型光電変換モジュールにも適宜適用することができるものである。
【００１６】
第２パッケージ部材９には、枠状部材によって実装空間９ａが形成され、実装空間９ａにはメタライズ金属などによって設けられた配線導体８が露出するように設けられている。光電変換素子10は、第２パッケージ部材９の実装空間９ａ内に実装されている。このよ
うな光電変換素子10は、例えば信号線11を介して、第２パッケージ部材９に形成された配線導体８に電気的に接続されている。
【００１７】
このように集光型光電変換装置４は、光電変換素子10と対向する位置にレンズなどの光学部材が配置されていることにより、集光型光電変換装置４に入射した光を、集光して光電変換素子10に入射させることができる。このようにして配置された集光型光電変換装置４に入射する光は、光学部材３およびレンズ体６を通して、集光型光電変換モジュール１の光学部材２に入射した光強度に対して、例えば500倍以上650倍以下の光強度となるように集光される。
【００１８】
集光型光電変換装置４について、以下に図３を用いて詳細に説明する。図３は、集光型光電変換素子４を構成する、光電変換素子10およびレンズ体６のみ取り出した断面図である。本例において、光電変換素子10は、特定の波長域の光を吸収するように設定された第１光電変換層10ａ、第２光電変換層10ｂおよび第３光電変換層10ｃが順次積層されている場合について説明する。
【００１９】
光電変換素子10は、図３に示すように、第１光電変換層10ａ、第２光電変換層10ｂおよび第３光電変換層10ｃが順次積層されている。光電変換素子10がこの様に構成されていることによって、短波長から長波長までの波長域の光を含む入射光を受けて光電変換する。光電変換素子10は、例えば350ｎｍ以上1200ｎｍ以下の波長域の光を受けて光電変換する
ように設定されている。
【００２０】
光電変換素子10は、厚みが例えば0.5μｍ以上2000μｍ以下に設定されている。さらに
、光電変換素子10としては、シリコンやゲルマニウムなどの単結晶や、ガリウム、リン、シリコン、アルミニウム、ヒ素、ニオブ、インジウム、セレン、亜鉛、リンまたは炭素などのうち２種類以上を含む混晶などの半導体層で構成されている。
【００２１】
光電変換素子10は、第１光電変換層10ａ、第２光電変換層10ｂおよび第３光電変換層10ｃは、それぞれ異なるバンドギャップに設定されている。光電変換素子10は、例えば、第３光電変換層10ｃ、第２光電変換層10ｂおよび第１光電変換層10ａの順に短い波長の光が吸収されるように設定されている。具体的には、それぞれの光電変換層は、その光電変換層のバンドギャップよりも大きいエネルギーの波長の光を吸収するように設定される。
【００２２】
本例の光電変換素子10は、例えば、第３光電変換素子10ｃが550ｎｍよりも短い波長、
第２光電変換素子10ｂが700ｎｍよりも短い波長、および第１光電変換素子10ａが1200ｎ
ｍよりも短い波長の光をそれぞれ吸収するように設定されている。
【００２３】
第１光電変換層10ａは、入射した光のうち相対的に長波長の光を吸収しやすいバンドギャップに設定されている。具体的に、第１光電変換層10ａは、例えば0.9ｅＶ以上1.4ｅＶ以下のバンドギャップに設定されている。第１光電変換層10ａのバンドギャップを特定の値に設定する場合には、上述の中から選択した混晶の組成比すなわち混晶比を調整すればよい。
【００２４】
第１光電変換層10ａは、一導電型を呈する第１ベース層および逆導電型を呈する第１エミッタ層から構成されている。本例において、第１光電変換層10ａはシリコンで形成されており、第１ベース層はｐ型シリコンで、第１エミッタ層はｎ型シリコンでそれぞれ構成されている。IV族元素であるシリコンにｎ型の導電型を付与するためには例えばＶ族元素であるリンなどをドーパントとして用いることができ、ｐ型の導電型を付与するためにはIII族元素であるボロンやアルミニウムなどをドーパントとして用いることができる。シ
リコンにドーパントを拡散させる方法としては、例えば熱拡散法や電子ビーム拡散法など
を用いることができる。
【００２５】
第１光電変換層10ａとしてシリコンを用いた場合には、ドーパントの種類などを調整することにより第１光電変換層10ａのバンドギャップが1.09ｅＶ以上1.12ｅＶ以下に設定される。なお、第１光電変換層10ａは、例えば厚みが2μｍ以上500μｍ以下に設定されており、平面形状は例えば四角形状や円形状などである。第１光電変換層10ａとしてシリコンを用いた場合、第２光電変換層10ｂおよび第３光電変換層10ｃを結晶成長により形成することができる。
【００２６】
第２光電変換層10ｂは、第１光電変換層10ａよりも短波長の光を吸収しやすいバンドギャップに設定されている。第２光電変換層10ｂは、第１光電変換層10ａよりも大きいバンドギャップを有するように形成されている。具体的には、第２光電変換層10ｂのバンドギャップは、例えば1.4ｅＶ以上1.7ｅＶ以下に設定されている。
【００２７】
第２光電変換層10ｂは、ｐ型の導電型を有する第２ベース層と、ｎ型の導電型を有する第２エミッタ層とから構成されている。このバンドギャップの範囲を有する第２光電変換層10ｂとして、アルミニウム、ヒ素、アンチモン、インジウム、ガリウム、リンまたはヒ素のうち２種類以上を含む混晶から選択すればよい。第２光電変換層10ｂのバンドギャップを特定の値に設定する場合には、上述の中から選択した混晶の組成比すなわち混晶比を調整すればよい。
【００２８】
第３光電変換層10ｃは、第１光電変換層10ａおよび第２光電変換層10ｂよりも短波長の光を吸収しやすいバンドギャップに設定されている。具体的には、第３光電変換層10ｃのバンドギャップは、例えば1.4ｅＶ以上2.5ｅＶ以下に設定されている。第３光電変換層10ｃは、第１光電変換層10ａおよび第２光電変換層10ｂよりも大きいバンドギャップを有するように形成されている。
【００２９】
第１光電変換層10ａ、第２光電変換層10ｂおよび第３光電変換層10ｃは、それぞれの層の間に導電層が設けられて接続されている。すなわち、導電層は、第１光電変換層10ａと第２光電変換層10ｂとの間、および第２光電変換層10ｂと第３光電変換層10ｃとの間に導電層が設けられていてもよい。
【００３０】
第１光電変換層10ａと第２光電変換層10ｂとの間に設けられる導電層は、第２光電変換層10ｂのバンドギャップと同じ、または第２光電変換層10ｂのバンドギャップよりも大きいエネルギーを有する光を透過しやすい材料により形成されている。このように導電層が設定されていることから、第２光電変換層10ｂを透過してきた光が導電層で吸収されにくくなっている。このような導電層としては、バンドギャップが1.2ｅＶ以上1.3ｅＶ以下の半導体材料を用いることができ、例えばアルミニウム、ガリウム、インジウム、ヒ素またはリンなどのうち２種類以上を含む混晶を用いることが望ましい。
【００３１】
導電層として、具体的に、例えばｎ型アルミニウムインジウムリン、ｐ＋＋型インジウムガリウムリン、ｎ＋＋型アルミニウムガリウムヒ素およびｐ型アルミニウムインジウムリンを順次積層したダブルヘテロ構造の導電半導体層を用いることができる。
【００３２】
導電半導体層を構成するそれぞれの層は、100ｎｍ程度に設定されている。このように
設けられた導電半導体層は、それぞれの層がトンネル接合されることとなり、かかるトンネル接合により設けられたトンネル障壁で少数キャリアを閉じ込めるとともに、多数キャリアを通過させることができ、導電半導体層すなわち導電層を低抵抗とすることができる。なお、このような導電層の厚みは、例えば100ｎｍ以上1000ｎｍ以下に設定することが
望ましい。
【００３３】
光電変換素子10は、このように３つの光電変換層が積層されることによって構成されている。光電変換素子10に光が入射すると、それぞれの光電変換層でそのバンドギャップに応じた波長の光を吸収して光起電力を発生するようになっている。なお光電変換素子10は、それぞれの光電変換層が積層されていることから、光電変換素子10から取り出すことのできる電力は、光電変換層で発生した光起電力のうち一番小さい電力を取り出すこととなる。換言すれば、光電変換素子10から取り出すことができる電力は、それぞれの光電変換層で発生した光起電力のうち最小のものに律される。
【００３４】
光電変換素子10は、このように３つの光電変換層によって構成されており、第３光電変換層10ｃの上面が受光面10Ａとなっている。光電変換素子10は、光がレンズ体６に入射されて受光面10Ａに集光されるように設定されている。このようにレンズ体６によって集光される集光面積は、受光面の面積よりも小さくなるように設定することができる。
【００３５】
レンズ体６は、光電変換素子10の受光面10Ａと反対側の上面６Ａに第１反射防止膜12が形成されている。第１反射防止膜12は、レンズ体６の上面６Ａ全体に設けられている。第１反射防止膜12は、光電変換素子10で吸収される波長域のうちの第１の波長域の光に対する透過率が相対的に高くなるように設定されている。ここで「相対的」とは、他の波長域と比べた場合のことを指している。
【００３６】
第１の波長域は、具体的に、例えば300ｎｍ以上700ｎｍ以下となるように設定することができ、第１の波長域は、例えば700ｎｍ以上1000ｎｍ以下の波長域の透過率よりも第１
の波長域の透過率が高くなるように設定することができる。このような第１の波長域の光を透過する第１反射防止膜12に入射光ｈ０を入射した際の入射光ｈ０の波長特性と、第１反射防止膜12を透過した透過光ｈ１の波長特性をそれぞれ図４に模式的に示す。
【００３７】
第１反射防止膜12は、例えば、チタン、タンタル、アルミニウム、マグネシウム、シリコン、ジルコニウム、ハフニウム、イットリウム、トリウム、ニオブまたはナトリウムのいずれかを含む酸化物、弗化物、窒化物などの材料を選択すればよい。第１反射防止膜12の膜厚は、例えば10ｎｍ以上１μｍ以下となるように設定することができる。第１反射防止膜12としては、例えばレンズ体６よりも小さい屈折率を持つように設定した膜などを用いることができる。第１反射防止膜12は、透過する光の波長特性を調整する方法としては、例えば、第１の波長域以外の波長域の光を吸収する材料を混入させる方法、または複数の誘電体層を組み合わせたブラッグ反射膜を用いる方法などを用いることができる。
【００３８】
第２反射防止膜13は、光電変換素子10の受光面10Ａ、または光電変換素子10の受光面10Ａ側であるレンズ体６の下面６Ｂに形成されている。本例では、第２反射防止膜13が、レンズ体６の下面６Ｂに形成されている場合について説明する。
【００３９】
第２反射防止膜13は、レンズ体６に入射した光のうち第１の波長域と異なる第２の波長域の光に対する透過率が相対的に高くなっている。具体的に、第２の波長域の光は、第１の波長域が例えば300ｎｍ以上700ｎｍ以下となるように設定されていた場合、例えば700
ｎｍ以上1000ｎｍ以下となるように設定することができる。このような第２の波長域の光を透過する第２反射防止膜13に入射光ｈ０を入射した際の入射光ｈ０の波長特性と、第２反射防止膜13を透過した透過光ｈ２の波長特性をそれぞれ図５に模式的に示す。
【００４０】
第２反射防止膜13は、例えば、チタン、タンタル、アルミニウム、マグネシウム、シリコン、ジルコニウム、ハフニウム、イットリウム、トリウム、ニオブまたはナトリウムのいずれかを含む酸化物、弗化物、窒化物などの材料を選択すればよい。第２反射防止膜13の膜厚は、例えば10ｎｍ以上１μｍ以下となるように設定することができる。
【００４１】
第２反射防止膜13としては、例えばレンズ体６よりも小さい屈折率を持つように設定した膜などを用いることができる。第２反射防止膜13は、透過する光の波長特性を調整する方法としては、例えば、第２の波長域以外の波長域の光を吸収する材料を混入させる方法、または複数の誘電体層を組み合わせたブラッグ反射膜を用いる方法などを用いることができる。
【００４２】
このような光電変換素子10には、第３光電変換層10ｃの上面10Ａ上に第１電極14と、第１光電変換層10ａの下面に第２電極15とが設けられている。
【００４３】
第１電極14は、光電変換素子10の上面10Ａに光を入射しやすくするために、櫛歯状電極をなしている。第１電極14の形状は、光電変換素子10の受光面10Ａに設けられることから、櫛歯状電極に限らず、光が光電変換素子10の受光面10Ａに入射しやすい形状であればよい。第２電極15は、光電変換素子10の下面の全体に設けられている。第２電極15が光電変換素子10の下面の全体に設けられていることにより、第１光電変換層10ａで発生したキャリアを効率良く第２電極15に導くことができる。
【００４４】
このような第１電極14および第２電極15は、例えばアルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、インジウム、錫、モリブデン、銀、金、タンタルまたは白金などの金属材料や、酸化錫、酸化インジウムまたは酸化インジウム錫などの金属酸化物材料や、銀−アルミニウム合金、金−亜鉛合金または金−ベリリウム合金などの合金材料を用いることが望ましい。このような第１電極14および第２電極15は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法または厚膜印刷法などにより形成することができる。
【００４５】
第１電極14および第２電極15は、金属材料を例えば厚みを0.5μｍ以上５μｍ以下とす
ることができる。第１電極14は、例えば酸化インジウムまたは酸化スズなどのいずれかの金属酸化物材料を含む透明電極などを用いることにより、光電変換素子10に入射する光が当該電極を透過しやすくなることから、光電変換素子10に入射させやすくすることができる。
【００４６】
本例は、レンズ体６を通って光電変換素子10に入射する光が、第１反射防止膜12と第２反射防止膜13とを透過するようになっている。ここで、第１反射防止膜12を透過する光の第１の波長域と第２反射防止膜13を透過する光の第２の波長域とが、相対的に透過率が高くなった波長域が相補的な関係となるように設定されている。そのため、第１反射防止膜12と第２反射防止膜13とを通った光は、集光型光電変換装置４に入射した光の波長特性と似た波長特性を持つようになる。
【００４７】
このような２つの反射防止膜を透過した透過光ｈ３の波長特性を図６に模式的に示す。なお、図６は、入射光ｈ０は集光型光電変換装置４に入射した光の波長特性を示し、透過光ｈ３は第１反射防止膜12および第２反射防止膜13を透過した光の波長特性を示している。図６に示すように、第１反射防止膜12および第２反射防止膜13を透過させることによって、当該２つの反射防止膜を透過した光の波長特性を、１つの反射防止膜を透過させた場合と比較して、集光型光電変換装置４に入射した入射光ｈ０の波長特性に近づけることができる。
【００４８】
そのため、光電変換素子10に入射する入射光路に反射防止膜を設けた場合でも、特定の波長域の強度が低下して、光電変換層で発生する光起電力の低下を招きにくくすることができる。その結果、光電変換素子10から取り出す電力の低下を招きにくくすることができる。
【００４９】
（各種変形例）
（変形例１）
次に、上述した本発明の光電変換素子10の実施形態の変形例について説明する。上述の集光型光電変換層４と重複する部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００５０】
第１反射防止膜12は、第１の波長域が第２の波長域よりも短波長側となっていてもよい。すなわち、第１反射防止膜12は、第１の波長域が、レンズ体６の下面６Ｂまたは光電変換素子10の上面10Ａに設けられる第２反射防止膜13の第２の波長域よりも短波長側となっていていてもよい。これによって第１反射防止膜12は、長波長側の光の透過率が相対的に低くなっているため、第１反射防止膜12を通った光には長波長側の光強度が小さくっている。
【００５１】
レンズ体６の上面６Ａに形成される第１反射防止膜12の第１の波長域がこの様に設けられていることから、集光型光電変換装置４に入射する光のうち、長波長側の光が集光型光電変換装置４内に入射する前に光強度が小さくすることができる。そのため、長波長側の光が集光型光電変換装置４の実装空間９ａ内の温度上昇を抑制することができる。また、第１の波長域には、光電変換素子10で吸収することができる長波長の光よりも長波長側の光の透過率を小さくしてもよい。すなわち、本例においては、第１の波長域には、光電変換層10ａで吸収される光の波長よりも長い波長が含まれないようにしてもよい。このように第１の波長域を設定した場合、光電変換素子10で吸収されない光を集光型光電変換装置４内に入射されにくくすることができ、光電変換素子10の温度上昇をさらに抑制することができる。
【００５２】
（変形例２）
第２反射防止膜13は、レンズ体６において、光電変換素子10の受光面10Ａ側の面に形成されている。すなわち、第２反射防止膜13が、レンズ体６の下面６Ｂに形成されている。そのため、光電変換素子10に入射する光の波長特性を、レンズ体６側だけで調整することができる。その結果、集光型光電変換装置４に入射する光の波長域の異なる場所で当該集光型光電変換装置４を使用する際に、レンズ体６のみを交換することにより光電変換素子10に所望の波長特性を持つ光を入射させることができ、光電変換素子10は汎用性の高いものとすることができる。
【００５３】
（変形例３）
光電変換素子10の受光面10Ａに、光電変換素子10に入射する光の波長域のうちの第１の波長域および第２の波長域と異なる第３の波長域の光に対する透過率が相対的に高い第３反射防止膜が形成されていてもよい。すなわち、第２反射防止膜13がレンズ体６の下面６Ｂに形成され、第３反射防止膜が光電変換素子10の受光面10Ａに形成されている。このような第３反射防止膜は、例えば第１電極14が形成された光電変換素子10の受光面10上に形成されていれば良い。
【００５４】
集光型光電変換装置４に入射した光が、レンズ体６に入射する際、レンズ体６から実装空間９ａに入射する際、および実装空間９ａから光電変換素子10の受光面10Ａに入射する際のすべてに反射防止膜が設けられていることから、それぞれの界面で反射されにくくすることができる。また、このように３つの反射防止膜を設けた場合にも、光電変換素子10に入射する光の波長特性を、集光型光電変換装置４に入射した光の波長特性に近づけることができる。その結果、光電変換素子10で取り出される電力の低下を招きにくくすることができる。
【符号の説明】
【００５５】
１  集光型光電変換モジュール
２  光学部材
３  第１蓋部材
４  集光型光電変換装置
５  第１パッケージ部材
６  レンズ体
６Ａ  上面
６Ｂ  下面
７  第２蓋部材
８  配線導体
９  第２パッケージ部材
９ａ  実装空間
10  光電変換素子
10ａ  第１光電変換層
10ｂ  第２光電変換層
10ｃ  第３光電変換層
10Ａ  受光面
11  信号線
12  第１反射防止膜
13  第２反射防止膜
14  第１電極
15  第２電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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