(57)【要約】【課題】本発明は、光ビーム方式において発生する被描画体の描画パターンの変形を簡単な方法で、短時間で補正できる露光装置及び露光方法を提供する、あるいは、本発明の露光装置または露光方法を用いることでスループットの高い表示用パネル基板製造装置または表示用パネル基板製造方法を提供することである。【解決手段】本発明は、光ビームを光ビーム照射装置で照射し、前記基板へ描画する描画データを作成し、前記基板にパターンを描画するに際し、前記基板に設けられた複数のアライメントマークを撮像し、前記描画データの作成は、前記描画する描画点に対応して前記複数のアライメントマークで結ぶ辺に対して予め規定される前記描画点の座標比率に基づいて前記描画点の位置を決め、前記描画データを作成することを特徴とする。【選択図】図１１
2012008243.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、前記チャックに支持された基板へ光ビームを照射する光ビーム照射装置と、前記チャックと前記光ビーム照射装置とを相対的に移動させる移動手段と、前記基板への描画データを作成し前記光ビーム照射装置へ描画データを供給する描画制御手段とを有し、前記基板にパターンを描画する露光装置において、
前記基板に設けられた複数のアライメントマークを撮像する撮像手段を具備し、前記描画制御手段は、前記描画する描画点に対応して前記撮像手段で撮像した複数のアライメントマークで結ぶ辺に対して予め規定される前記描画点の座標比率に基づいて前記描画点の位置を決め、前記描画データを作成することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記アライメントマークは前記基板の４隅付近に設けられ、前記辺は前記アライメントマークで構成される４角形の４辺であり、前記座標比率は前記４辺に対し決められることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記描画制御手段は前記４辺のうち１組の対辺を規定する直線式を辺毎に求め、前記対辺上の前記描画点に対応する２点の位置を前記辺毎の前記直線式と前記対辺の前記座標比率とに基づいて求め、前記２点の位置から求められる第２の直線式と前記対辺に隣接する辺の前記描画点の前記座標比率とにより前記描画点の位置を決定することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記描画制御手段は前記４辺を規定する直線式を各々求め、前記４辺を構成する２組の対辺のそれぞれに対し、前記対辺上の前記描画点に対応する２点の位置を前記直線式と前記対辺の前記座標比率とに基づいて求め、前記２組の前記２点の位置から求められる２つの第３の直線式の交点として前記描画点の位置を決定することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項５】
前記描画制御手段は前記座標比率から前記４辺上の前記描画点に対応する位置を求め、前記対応する４点の位置から前記描画点の位置を決定することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項６】
前記描画点は前記パターンを規定する特徴点であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項７】
前記光ビーム照射装置は複数のミラーを直交する二方向に配列した複数の空間的光変調器を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項８】
フォトレジストが塗布された基板をチャックし、光ビームを光ビーム照射装置で照射し、前記基板と光ビーム照射装置とを相対的に移動させ、前記基板に描画する描画する描画データを作成し、前記基板にパターンを描画する露光方法において、
前記基板に設けられた複数のアライメントマークを撮像し、前記描画データの作成は、前記描画する描画点に対応して前記撮像した複数のアライメントマークで結ぶ辺に対して予め規定される前記描画点の座標比率に基づいて前記描画点の位置を決め、前記描画データを作成することを特徴とする露光方法。
【請求項９】
前記アライメントマークは前記基板の４隅付近に設けられ、前記辺は前記アライメントマークで構成される４角形の４辺であり、前記座標比率は前記４辺に対し決められることを特徴とする請求項８に記載の露光方法。
【請求項１０】
前記描画データの作成は、前記４辺のうち１組の対辺を規定する直線式を辺毎に求め、前記対辺上の前記描画点に対応する２点の位置を前記辺毎の前記直線式と前記対辺の前記座標比率とに基づいて求め、前記２点の位置から求められる第２の直線式と前記対辺に隣接する辺の前記描画点の前記座標比率とにより前記描画点の位置を決定することを特徴とする請求項９に記載の露光方法。
【請求項１１】
前記描画データの作成は、前記４辺を規定する直線式を各々求め、前記４辺を構成する２組の対辺のそれぞれに対し、前記対辺上の前記描画点に対応する２点の位置を前記直線式と前記対辺の前記座標比率とに基づいて求め、前記２組の前記２点の位置から求められる２つの第３の直線式の交点として前記描画点の位置を決定することを特徴とする請求項９に記載の露光方法。
【請求項１２】
前記描画データの作成は、前記座標比率から前記４辺上の前記描画点に対応する位置を求め、前記対応する４点の位置から前記描画点の位置を決定することを特徴とする請求項９に記載の露光方法。
【請求項１３】
前記描画点は前記パターンを規定する特徴点であることを特徴とする請求項８に記載の露光方法。
【請求項１４】
請求項１乃至７のいずれかに記載の露光装置を有し、表示用パネル基板を製造することを特徴とする表示用パネル基板製造装置。
【請求項１５】
請求項８乃至１３のいずれかに記載の露光方法を用いて基板の露光を行い、表示用パネル基板を製造することを特徴とする表示用パネル基板製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及び露光方法並びに表示用パネル基板製造装置及び表示用パネル基板製造方法に係り、特に上流工程にて発生した描画パターンの変形を補正する露光装置及び露光方法並びに表示用パネル基板製造装置及び表示用パネル基板製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）被描画体やカラーフィルタ被描画体、プラズマディスプレイパネル用被描画体、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネル用被描画体等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィ技術により被描画体上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、従来、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを被描画体上に投影するプロジェクション方式と、マスクと被描画体との間に微小な隙間（プロキシミティギャップ）を設けてマスクのパターンを被描画体へ転写するプロキシミティ方式とがあった。
【０００３】
近年、フォトレジストが塗布される被描画体へ光ビームを照射し、光ビームにより被描画体を走査して、被描画体にパターンを描画する装置が開発されている。光ビームにより被描画体を走査して、被描画体にパターンを直接描画するため、高価なマスクが不要となる。また、描画データ及び走査のプログラムを変更することにより、様々な種類の表示用パネル被描画体に対応することができる。
【０００４】
マスクのパターンを被描画体へ転写するプロキシミティ方式の露光装置では、上流工程にて発生した平行移動、拡大、縮小、回転等の描画パターンの変形に対して、下流工程での補正が困難である。しかしながら、光ビーム方式では、光ビームの照射位置や角度を変更することで、前記下流工程の補正が可能である。
このような補正方法として、特許文献１に開示された方法がある。特許文献１は、アライメントマークを検出して得られる隣接する２辺に基づく四角形を形成し、その四角形に近い平行四辺形等を用い光ビームの照射位置を補正する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３０１１５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示された補正方法は、補正方法が複雑で多くの処理時間を必要とする。
【０００７】
本発明の第1の目的は、光ビーム方式において発生する被描画体の描画パターンの変形を簡単な方法で、短時間で補正できる露光装置及び露光方法を提供することである。
【０００８】
また、本発明の第２の目的は、本発明の露光装置または露光方法を用いることでスループットの高い表示用パネル基板製造装置または表示用パネル基板製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、前記第１の目的を達成するために、フォトレジストが塗布された基板をチャックし、光ビームを光ビーム照射装置で照射し、前記基板と光ビーム照射装置とを相対的に移動させ、前記基板へ描画する描画データを作成し、前記基板にパターンを描画して露光するに際し、前記基板に設けられた複数のアライメントマークを撮像し、前記描画データの作成は、前記描画する描画点に対応して前記複数のアライメントマークで結ぶ辺に対して予め規定される前記描画点の座標比率に基づいて前記描画点の位置を決め、前記描画データを作成することを第１の特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、前記第１の目的を達成するために、第１の特徴に加え、前記アライメントマークは前記基板の４隅付近に設けられ、前記辺は前記アライメントマークで構成される４角形の４辺であり、前記座標比率は前記４辺に対し決められることを第２の特徴とする。
【００１１】
さらに、本発明は、前記第１の目的を達成するために、第２の特徴に加え、前記描画データの作成は、前記４辺のうち１組の対辺を規定する直線式を辺毎に求め、前記対辺上の前記描画点に対応する２点の位置を前記各々直線式と前記対辺の前記座標比率とに基づいて求め、前記２点の位置から求められる第２の直線式と前記対辺に隣接する辺の前記描画点の前記座標比率とにより前記描画点の位置を決定することを第３の特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、前記第１の目的を達成するために、第２の特徴に加え、前記描画データの作成は、前記４辺を規定する直線式を各々求め、前記４辺を構成する２組の対辺のそれぞれに対し、前記対辺上の前記描画点に対応する２点の位置を前記直線式と前記対辺の前記座標比率とに基づいて求め、前記２組の前記２点の位置から求められる２つの第３の直線式の交点として前記描画点の位置を決定することを第４の特徴とする。
【００１３】
さらに、本発明は、前記第１の目的を達成するために、第２の特徴に加え、前記描画データの作成は、前記座標比率から前記４辺上の前記描画点に対応する位置を求め、前記対応する４点の位置から前記描画点の位置を決定することを第５の特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、前記第１の目的を達成するために、第２の特徴に加え、前記描画点は前記パターンを規定する特徴点であることを第６の特徴とする。
さらに、本発明は、前記第１の目的を達成するために、第１の特徴に加え、前記光ビーム照射装置は複数のミラーを直交する二方向に配列した複数の空間的光変調器を有することを第７の特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、前記第２の目的を達成するために、第１乃至第６のいずれかの特徴を有し、表示用パネル基板を製造することを第８の特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、光ビーム方式において発生する被描画体の描画パターンの変形を簡単な方法で、短時間で補正できる露光装置及び露光方法を提供できる。
【００１７】
また、本発明によれば、本発明の露光装置または露光方法を用いることでスループットの高い表示用パネル基板製造装置または表示用パネル基板製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態による露光装置の概略構成図である。
【図２】本発明の実施形態による露光装置の側面図である。
【図３】本発明の実施形態による露光装置の正面図である。
【図４】光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。
【図５】ゲートに搭載された光ビーム照射装置の上面図である。
【図６】本発明の実施形態による露光装置によって描画される基板の一部分を示す図である。
【図７】本発明の特徴である描画制御部の実施形態の概略構成と描画に関連する機構を示す図である。
【図８】図８(ａ)は描画パターンに変形のない設計データとしての描画パターンを示す図である。図８(ｂ)は上流工程の描画により変形された描画パターンを示す図である。
【図９】本発明の実施形態による補正座標データの作成方法の第１の実施例の処理フローを示す図である。
【図１０】検出された４つのアライメントマークの座標の典型的なパターンを示す図である。
【図１１】図１１(ａ)は２辺Ａ’Ｂ’、Ｃ’Ｄ’上の特徴点に対応する位置ＡＢＰ、ＣＤＰの位置座標を求める方法の説明図である。図１１(ｂ)は特徴点の補正座標を求める方法の説明図である。
【図１２】露光パターン補正方法のシミュレーション結果を示す図である。
【図１３】本発明の実施形態による補正座標データの作成方法の第２の実施例の処理フローを示す図である。
【図１４】液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートを示す図である。
【図１５】液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１は、本発明の実施形態による露光装置の概略構成を示す図である。また、図２は本発明の実施形態による露光装置の側面図、図３は本発明の実施形態による露光装置の正面図である。露光装置は、ベース３、Ｘガイド４、Ｘステージ５、Ｙガイド６、Ｙステージ７、θステージ８、チャック１０、ゲート１１、光ビーム照射装置２０、複数のレーザー光源ユニット、リニアスケール３１、３３、エンコーダ３２、３４、レーザー測長系、レーザー測長系制御装置４０、ステージ駆動回路６０、及び主制御装置７０を含んで構成されている。なお、図１では、レーザー光源ユニットが省略されている。また、図２及び図３では、レーザー光源ユニット、レーザー測長系のレーザー光源４１、レーザー測長系制御装置４０、ステージ駆動回路６０、及び主制御装置７０が省略されている。露光装置は、これらの他に、基板１をチャック１０へ搬入し、また基板１をチャック１０から搬出する基板搬送ロボット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
なお、以下に説明する実施形態におけるＸＹ方向は例示であって、Ｘ方向とＹ方向とを入れ替えてもよい。
【００２０】
図１及び図２において、チャック１０は、基板１の受け渡しを行う受け渡し位置にある。受け渡し位置において、図示しない基板搬送ロボットにより基板１がチャック１０へ搬入され、また図示しない基板搬送ロボットにより基板１がチャック１０から搬出される。チャック１０は、基板１の裏面を真空吸着して支持する。基板１の表面には、フォトレジストが塗布されている。
【００２１】
基板１の露光を行う露光位置の上空に、ベース３をまたいでゲート１１が設けられている。ゲート１１には、複数の光ビーム照射装置２０が搭載されている。図４は、光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。光ビーム照射装置２０は、光ファイバー２２、レンズ２３、ミラー２４、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）２５、投影レンズ２６、及びＤＭＤ駆動回路２７を含んで構成されている。光ファイバー２２は、レーザー光源ユニット２１から発生された紫外光の光ビームを、光ビーム照射装置２０内へ導入する。光ファイバー２２から射出された光ビームは、レンズ２３及びミラー２４を介して、ＤＭＤ２５へ照射される。ＤＭＤ２５は、光ビームを反射する複数の微小なミラーを直交する二方向に配列して構成された空間的光変調器であり、各ミラーの角度を変更して光ビームを変調する。ＤＭＤ２５により変調された光ビームは、投影レンズ２６を含むヘッド部２０ａから照射される。ＤＭＤ駆動回路２７は、主制御装置７０から供給された描画データに基づいて、ＤＭＤ２５の各ミラーの角度を変更する。
ＤＭＤ２５のミラー部２５ａには、例えば、一辺が１０〜１５μｍの正方形のミラーが、ＤＭＤ２５の長辺方向に１０２４個、ＤＭＤ２５の短辺方向に２５６個配列されている。一例として、ミラーの寸法が１０μｍ、隣接するミラー間の隙間が１μｍのとき、ミラーのピッチ（各ミラーの中心間の距離）は、１１μｍとなる。
【００２２】
図５は、ゲートに搭載された光ビーム照射装置の上面図である。なお、本実施形態では、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査方向（Ｘ方向）に１つの光ビーム照射装置２０が設けられているが、走査方向に２つ以上の光ビーム照射装置２０を設けてもよい。また、本実施の形態では、走査方向と直交する方向（Ｙ方向）に８組の光ビーム照射装置２０が設けられているが、走査方向と直交する方向に７組以下又は９組以上の光ビーム照射装置を設けてもよい。
図５において、ゲート１１の上面には、Ｙ方向へ伸びる２対のＹガイド１６が設けられている。各Ｙガイド１６には、Ｙステージ１７がそれぞれ搭載されており、各Ｙステージ１７は、各Ｙガイド１６に沿ってＹ方向へ移動する。各Ｙステージ１７には、ボールねじ及びモータや、リニアモータ等の図示しない駆動機構が設けられており、各駆動機構は、図１のステージ駆動回路６０により駆動される。従って、８組の光ビーム照射装置２０は一体となってＹ方向に移動可能である。
【００２３】
図６は上述した構成を有する露光装置によって描画される基板１の一部分を示した図である。各点はＤＭＤ２５の中心位置を表し、基板１のＸ方向の移動に伴い、ＤＭＤ単位で露光するかしないかを制御し露光パターンを形成する。図６ではその一例として頂点ＰＱＲで構成される三角形の露光パターンを形成し、黒点は露光しないＤＭＤを、白点は露光するＤＭＤを示す。図６において第Ｓ番目の走査を左から右に走査すると次の第Ｓ＋１番目の走査では右から左に走査する。ゲート１１に設けられている複数の光ビーム照射装置２０で分担して基板１の全面を走査する。
【００２４】
本実施形態では、上流工程にて発生した描画パターンの変形を、基板１の四隅付近に設けられたアライメントマーク位置の変形から描画パターンの特徴点、例えば図６における三角形頂点ＰＱＲの位置を補正し、補正された頂点ＰＱＲの位置に基づいて、描画パターン内の描画データのＸＹ座標を作成するものである。
以下の説明では、説明を分かり易くするために、図６に示す三角形ＰＱＲが唯一の描画パターンとして説明する。
【００２５】
図７は、本発明の特徴である描画制御部の実施形態の概略構成と描画に関連する機構を示す図である。図８(ａ)は描画パターンに変形のない設計データとしての描画パターンを示し、図８(ｂ)は上流工程の描画により変形された描画パターンを示す図である。
描画制御部７１は、前記設計値データを記憶するメモリ７８の他、描画データを記憶するメモリ７２、バンド幅設定部７３、中心点座標決定部７４、座標決定部７５及び座標補正演算部７７を含んで構成されている。
【００２６】
設計値データを記憶するメモリ７８は、特徴点である三角形頂点ＰＱＲの位置を、変形のない図８(ａ)に示すアライメントマークＡ、Ｂ、Ｃ及びＤで規定される辺ＡＢ(辺ＣＤ)と辺ＢＣ（辺ＤＡ）上の座標比率（Ｕ，Ｖ）として記憶している。例として、点Ｐの座標比率（Ｕｐ，Ｖｐ）を式(１)、式(２)に示す。
Ｕｐ＝ｊ／(ｉ＋ｊ)                    （１）
Ｖｐ＝ｍ／(ｍ＋ｎ)                    （２）
なお、ｉ、ｊ、ｍ、ｎは図８を参照
設計データとして直接ｉ、ｊ、ｍ、ｎを記憶しない理由は、座標比率を予め求めておくことにより時間のかかる割り算が不要となり処理時間が短くなり、タクトを短くすることができこと、またメモリの容量を小さくできるからである。
【００２７】
しかしながら、本実施形態と異なり、ｉ、ｊ、ｍ、ｎを直接記憶し、必要な時に座標比率を得た方が都合のよい場合はこれを否定するものではない。
【００２８】
メモリ７２は、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データを、そのＸＹ座標をアドレスとして記憶している。
バンド幅設定部７３は、メモリ７２から読み出す描画データのＹ座標の範囲を決定することにより、光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射される光ビームのＹ方向のバンド幅を設定する。即ち、図６に示す走査幅を規定する。
【００２９】
レーザー測長系制御装置４０は、露光位置における基板１の露光を開始する前のチャック１０のＸＹ方向の位置を検出する。
中心点座標決定部７４は、レーザー測長系制御装置４０が検出したチャック１０のＸＹ方向の位置から、基板１の露光を開始する前のチャック１０の中心点のＸＹ座標を決定する。図１において、光ビーム照射装置２０からの光ビームにより基板１の走査を行う際、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、Ｘステージ５によりチャック１０をＸ方向へ移動させる。基板１の走査領域を移動する際、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、Ｙステージ７(図２参照)によりチャック１０をＹ方向へ移動させる。図７において、中心点座標決定部７４は、エンコーダ３２、３４からのパルス信号をカウントして、Ｘステージ５のＸ方向への移動量及びＹステージ７のＹ方向への移動量を検出し、チャック１０の中心点のＸＹ座標を決定する。
【００３０】
アライメントマーク検出部７６(図１、図２参照)は、図示しない支持部材によりゲート１１に取り付けられており、４台のＣＣＤカメラを用いて、図８(ｂ)に示す上流工程の描画により変形された描画パターンを有する被描画体のアライメントマークＡ’、Ｂ’、Ｃ’及びＤ’を撮像し、チャック１０に固定された被描画体のアライメントマーク(図示せず)の座標値を検出する。検出されたアライメントマークの座標値は座標補正演算部７７に送られる。
【００３１】
座標補正演算部７７は、アライメントマーク検出部７６が検出したアライメントマークの座標値に基づいて後述すように描画パターンの補正処理を行う。
【００３２】
座標決定部７５は、中心点座標決定部７４が決定したチャック１０の中心点のＸＹ座標と後述する座標補正演算部７７の補正座標データに基づき、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データのＸＹ座標を決定し、メモリ７２に保存する。
【００３３】
そこで、描画制御部７１は、Ｘステージ５、Ｙステージ７の走査に伴い、メモリ７２内に記憶された描画データを各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ出力し描画する。
【００３４】
次に座標補正演算部７７の補正座標データの作成方法を説明する。図９は本発明の実施形態による補正座標データの作成方法の第１の実施例の処理フローを示す図である。
まず、前述したように、図１のゲート１１に取り付けられたアライメントマーク検出部７６(図１、図２参照)によって、アライメントマークＡ’、Ｂ’、Ｃ’及びＤ’を撮像し、アライメントマーク(図示せず)の座標値Ａ’(Ｘａ，Ｙａ)、Ｂ’(Ｘｂ，Ｙｂ)、Ｃ’(Ｘｃ，Ｙｃ)及びＤ’(Ｘｄ，Ｙｄ)を検出する(Ｓｔｅｐ１、図８(ｂ))。次に、アライメントマークＡ’、Ｂ’、Ｃ’、Ｄ’を結んだ２辺Ａ’Ｂ’、Ｃ’Ｄ’のフラグＦを式(３)より求め、フラグが０のとき式(４)、式(５)より傾きＫ、切片Ｓを求め、フラグ１のときはＸ軸に垂直と見做して進める(Ｓｔｅｐ２）。以下に、辺Ａ’Ｂ’の例を示す。
フラグ：Ｆａｂ＝１：｜Ｘａ−Ｘｂ｜＜ΔＦ          （３）
０：｜Ｘａ−Ｘｂ｜≧ΔＦ
傾き  ：Ｋａｂ＝（Ｙａ−Ｙｂ）／(Ｘａ−Ｘｂ)      （４）
切片  ：Ｓａｂ＝Ｙａ−Ｋａｂ × Ｘａ                （５）
フラグＦは、不要な処理を回避し、処理時間の短縮を図る。なお、ΔＦは許容誤差範囲を示している。
【００３５】
図１０は検出された４つのアライメントマークの座標の典型的なパターンを示す図である。図１０(ａ)は各辺において対辺が互いに平行、図１０(ｂ)は水平方向の対辺が平行、図１０(ｃ)は垂直方向の対辺が平行、及び図１０(ｄ)は水平、垂直方向共に対辺が平行でない状態を示す。式(３)は図１０（ｃ）の例であるが、図１０に示す他のケースにおいてもフラグを同様に求める。
【００３６】
次に、特徴点Ｐの補正座標を求める。そのために、まず、式(１)で求めた座標比率Ｕｐに基づき、図１１(ａ）に示す特徴点Ｐに対応する２辺Ａ’Ｂ’、Ｃ’Ｄ’上の位置ＡＢＰ、ＣＤＰの位置座標を求める(Ｓｔｅｐ３、図１１(ａ)）。式(６)、式(７)に、辺Ａ’Ｂ’上の位置座標ＡＢＰ(ＸＰａｂ，ＹＰａｂ)の例を示す。
【００３７】
ＹＰａｂ＝Ｕｐ × (Ｙａ−Ｙｂ)＋Ｙｂ                        (６)
ＸＰａｂ＝Ｘａ                            ：Ｆａｂ＝１      (７)
＝(ＹＰａｂ−Ｓａｂ)／Ｋａｂ      ：Ｆａｂ＝０
ＸＰａｂを求める場合に、式(３)で求めたフラグＦａｂによって時間の掛かる割り算を回避し、処理時間の高速化を図っている。
【００３８】
次に、２点の位置ＡＢＰ、ＣＤＰを結ぶ直線の傾きＫＰａｄ、切片Ｓａｄ、フラグＦａｄをＳｔｅｐ２と同様に求める(Ｓｔｅｐ４)。次に、式(２)で求めた座標比率Ｖｐに基づき、図１１(ｂ）に示す特徴点Ｐの補正座標Ｐ’(Ｘｐ，Ｙｐ)をＳｔｅｐ３と同様に求める(Ｓｔｅｐ５)。
【００３９】
次に、特徴点Ｑ、Ｒに対してもＳｔｅｐ３からＳｔｅｐ５を実施する(Ｓｔｅｐ６)。その後、座標決定部７５で中心点座標決定部７４が決定したチャック１０の中心点のＸＹ座標と上述した座標補正演算部７７の補正座標データに基づき、描画データのＸＹ座標を作成しメモリ７２に保存する(Ｓｔｅｐ７)。最後に、描画データに基づき描画する(Ｓｔｅｐ８)。
【００４０】
図１２は上述した露光パターン補正方法のシミュレーションを実施した結果を示す。典型的な描画パターンとして三角形と円(５６角形)を選び、典型的な変形として、図１２(ａ)に拡大を、図１２(ｂ)に縮小を、図１２(ｃ)に回転を、そして図１２(ｄ)に台形歪みを示している。その結果、描画分解能以下の精度で補正できた。
【００４１】
上記説明では、２辺Ａ’Ｂ’、Ｃ’Ｄ’を基に補正座標Ｐ’を求めたが、同様に２辺Ｂ’Ｃ’、Ｄ’Ａ’を基に補正座標Ｐ’を求めてもよい。
また、上記説明では、２辺Ａ’Ｂ’、Ｃ’Ｄ’を基に補正座標Ｐ’を求めたが、４辺Ａ’Ｂ’、Ｂ’Ｃ’、Ｃ’Ｄ’及びＤ’Ａ’上の特徴点の対応点を求め、対辺上の２対応点から求まる２つの直線の交点から補正座標Ｐ’を求めてもよい。
【００４２】
以上、本実施形態の第１の実施例によれば、座標比率に基づいて、簡単な処理で特徴点を補正できるので、光ビーム方式において発生する被描画体の描画パターンの変形を簡単な方法で、短時間で補正できる露光装置及び露光方法を提供できる。
【００４３】
次に、補正座標データの作成方法の第２の実施例を説明する。図１３はその処理フローを示す図である。第２の実施例は、式(１)、式(２)で示す座標比率（Ｕ，Ｖ）から特徴点の補正座標を直接求める方法である。以下の説明では、第１の実施例と異なるＳｔｅｐを重点に説明する。
【００４４】
Ｓｔｅｐ１でアライメントマークＡ’、Ｂ’、Ｃ’及びＤ’の画像の位置座標データの取得後、Ｓｔｅｐ２では、座標比率Ｕに基づき２辺Ａ’Ｂ’、Ｃ’Ｄ’上の特徴点に対応した位置ＡＢＰ、ＣＤＰ(図１１(ｂ)参照）のＸ位置座標ＸＰａｂ、ＸＰｃｄを、座標比率Ｖに基づき２辺Ｂ’Ｃ’、Ｄ’Ａ’上の特徴点に対応した位置ＢＣＰ、ＤＡＰ(図１１(ｂ)参照）のＹ位置座標ＹＰｂｃ、ＹＰｄａを式(８)から式(１１)に基づいて求める。
ＡＢＰ：ＸＰａｂ＝Ｘｂ＋Ｕｐ × (Ｘａ−Ｘｂ)            (８)
ＣＤＰ：ＸＰｃｄ＝Ｘｃ＋Ｕｐ × (Ｘｄ−Ｘｃ)            (９)
ＢＣＰ：ＹＰｂｃ＝Ｙｂ＋Ｖｐ × (Ｙｃ−Ｙｂ)          (１０)
ＤＡＰ：ＹＰｄａ＝Ｙａ＋Ｖｐ × (Ｙｄ−Ｙａ)          (１１)
次に、Ｓｔｅｐ３では、座標比率Ｖ、Ｖと、式（８）から式(１１)で座標から特徴点Ｐの補正座標Ｐ’(Ｘｐ，Ｙｐ)を求める。
Ｘｐ＝ＸＰａｂ＋Ｖｐ × (ＸＰｃｄ−ＸＰａｂ)  (１２)
Ｙｐ＝ＹＰｂｃ＋Ｖｐ × (ＹＰｄａ−ＹＰｂｃ)  (１３)
Ｓｔｅｐ４以下の処理は、Ｓｔｅｐ番号は異なるが図９と同じである。
【００４５】
本実施例では、時間の要する割算が全く必要なく、更に短時間で処理できる。
【００４６】
上記した本発明の実施形態の露光装置または露光方法を用いることでスループットを高くして表示用パネル基板を製造することができる。
【００４７】
例えば、図１４は、液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示す処理フローである。薄膜形成工程（Ｓｔｅｐ１０１）では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程（Ｓｔｅｐ１０２）では、ロール塗布法等によりフォトレジストを塗布して、薄膜形成工程（Ｓｔｅｐ１０１）で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程（Ｓｔｅｐ１０３）では、露光装置を用いて、フォトレジスト膜にパターンを形成する。現像工程（Ｓｔｅｐ１０４）では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程（Ｓｔｅｐ１０５）では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程（Ｓｔｅｐ１０１）で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程（Ｓｔｅｐ１０６）では、エッチング工程（Ｓｔｅｐ１０５）でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にＴＦＴアレイが形成される。
【００４８】
また、図１５は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示す処理フローである。ブラックマトリクス形成工程（Ｓｔｅｐ２０１）では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程（Ｓｔｅｐ２０２）では、染色法や顔料分散法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程（Ｓｔｅｐ２０３）では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程（Ｓｔｅｐ２０４）では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。
【００４９】
図１４に示したＴＦＴ基板の製造工程では、露光工程（Ｓｔｅｐ１０３）において、図１５に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程（Ｓｔｅｐ２０１）及び着色パターン形成工程（Ｓｔｅｐ２０２）の露光処理において、本発明の露光装置又は露光方法を適用することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１：基板                              ３：ベース
４：Ｘガイド                          ５：Ｘステージ
６：Ｙガイド                          ７：Ｙステージ
８：θステージ                        １０：チャック
１１：ゲート                          ２０：光ビーム照射装置
２５：空間的光変調器（ＤＭＤ）        ２７：ＤＭＤ駆動回路
４０：レーザー測長系制御装置          ６０：ステージ駆動回路
７０：主制御装置                      ７１：描画制御部
７２：メモリ(描画データ)              ７３：バンド幅設定部
７４：中心点座標決定部                ７５：座標決定部
７６：アライメントマーク検出部        ７７：座標補正演算部
７８：メモリ(設計データ)              
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ：変形のない被描画体の設計データ上のアライメントマーク
Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、Ｄ’：変形された被描画体のアライメントマーク
Ｐ、Ｑ、Ｒ：特徴点                    
Ｐ’、Ｑ’、Ｒ’：変形した特徴点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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