(57)【要約】      （修正有）【課題】低消費電力化を可能にする有機電界発光素子および耐久性の高い有機薄膜太陽電池などの有機薄膜電子デバイスの提供。【解決手段】一般式（１）2012046428.tif 000024で示される１，３，５−トリアジン化合物誘導体を製造し、これを有機薄膜デバイスの構成成分として使用する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2012046428.tif 000016
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、各々独立に炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、ピリジルフェニル基を表す。Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は同一又は異なっていてもよい。）で示される１，３，５−トリアジン化合物誘導体。
【請求項２】
一般式（２）
【化２】
2012046428.tif 000017
（式中、Ｘは脱離基を表す。それぞれのＸは同一又は異なっていてもよい。）で示される化合物と、一般式（３−１）
【化３】
2012046428.tif 000018
（式中、Ａｒ１は炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、ピリジルフェニル基を表す。Ｒ１は水素原子、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ１）２の２つのＲ１は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ１は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。）で示される化合物、一般式（３−２）
【化４】
2012046428.tif 000019
（式中、Ａｒ２は炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、ピリジルフェニル基を表す。Ｒ１は水素原子、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ１）２の２つのＲ１は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ１は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。）で示される化合物及び一般式（３−３）
【化５】
2012046428.tif 000020
（式中、Ａｒ３は炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、ピリジルフェニル基を表す。Ｒ１は水素原子、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ１）２の２つのＲ１は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ１は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化６】
2012046428.tif 000021
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、各々独立に炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、ピリジルフェニル基を表す。Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は同一又は異なっていてもよい。）で示される１，３，５−トリアジン化合物誘導体の製造方法。
【請求項３】
一般式（１）
【化７】
2012046428.tif 000022
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、各々独立に炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、ピリジルフェニル基を表す。Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は同一又は異なっていてもよい。）で示される１，３，５−トリアジン化合物誘導体を構成成分とする有機電界発光素子。
【請求項４】
一般式（１）
【化８】
2012046428.tif 000023
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、各々独立に炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、ピリジルフェニル基を表す。Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は同一又は異なっていてもよい。）で示される１，３，５−トリアジン化合物誘導体を構成成分とする有機薄膜太陽電池として用いられることを特徴とする有機薄膜電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１，３，５−トリアジン化合物誘導体とその製造方法に関するものである。本発明の１，３，５−トリアジン化合物誘導体は、良好な電荷輸送特性を持ち、安定な薄膜を形成することから、有機電界発光素子や有機薄膜太陽電池などの有機薄膜電子デバイスの構成成分として有用である。
【０００２】
また本発明は１，３，５−トリアジン化合物誘導体を有機電界発光素子の有機化合物層の少なくとも一層に用いた、駆動性及び発光性に優れた高効率有機電界発光素子に関するものである。また有機薄膜太陽電池の有機化合物層の少なくとも一層に用いた、耐久性の良い有機薄膜太陽電池に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
有機電界発光素子は、発光する化合物を含有する発光層を正孔輸送層と電子輸送層で挟み、さらにその外側に陽極と陰極を取りつけ、発光層に正孔および電子を注入して再結合するときに生成する励起子が失活する際の光の放出（蛍光または燐光）を利用する素子である。有機電界発光素子には低消費電力、長寿命化を可能とする材料が求められており、電子輸送層材料には優れた電荷注入および輸送特性と電荷に対する耐久性が求められる。
【０００４】
また有機薄膜太陽電池は、２つの異種電極間に電子供与性および電子受容性の機能を有する有機薄膜を配置してなる太陽電池である。実用に供するためには光電変換効率を高くする事が課題である。光電変換効率を向上するために励起子阻止層を利用することが知られている。
【０００５】
特許文献１及び２には、１，３，５−トリアジン化合物誘導体を有機電界発光素子に用いた例が開示されているが、これらは１，３，５−トリアジンに結合している置換基が全て同一ではなく、本発明の１，３，５−トリアジン化合物誘導体とは異なる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−３１４５０３号公報
【特許文献２】特開２００８−２８０３３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、有機電界発光素子の電子輸送層材料や有機薄膜太陽電池の励起子阻止層材料などの有機薄膜電子デバイス材料として有用な、１，３，５−トリアジン化合物誘導体を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、先の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明の１，３，５−トリアジン化合物誘導体が優れた電荷注入及び輸送特性を有することを見出した。この１，３，５−トリアジン化合物誘導体（１）は、真空蒸着等の一般的な方法で薄膜形成が可能であり、またこれらを電子輸送層として用いた有機電界発光素子が、汎用の有機電界発光素子に比べて消費電力の低減が達成できることを見出し、また有機薄膜太陽電池の励起子阻止層として用いた有機薄膜素子は耐久性が高くなることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、下記一般式（１）で示される１，３，５−トリアジン化合物誘導体に関するものである。
【００１０】
【化１】
2012046428.tif 000002
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、各々独立に炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、ピリジルフェニル基を表す。Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は同一又は異なっていてもよい。）
また、本発明は一般式（２）
【００１１】
【化２】
2012046428.tif 000003
（式中、Ｘは脱離基を表す。それぞれのＸは同一又は異なっていてもよい。）で示される化合物と、一般式（３−１）
【００１２】
【化３】
2012046428.tif 000004
（式中、Ａｒ１は炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、ピリジルフェニル基を表す。Ｂ（ＯＲ１）２の２つのＲ１は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ１は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。）で示される化合物、一般式（３−２）
【００１３】
【化４】
2012046428.tif 000005
（式中、Ａｒ２は炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、ピリジルフェニル基を表す。Ｂ（ＯＲ１）２の２つのＲ１は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ１は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。）で示される化合物及び一般式（３−３）
【００１４】
【化５】
2012046428.tif 000006
（式中、Ａｒ３は炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、ピリジルフェニル基を表す。Ｂ（ＯＲ１）２の２つのＲ１は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ１は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）
【００１５】
【化６】
2012046428.tif 000007
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、各々独立に炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、ピリジルフェニル基を表す。Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は同一又は異なっていてもよい。）で示される１，３，５−トリアジン化合物誘導体の製造方法に関するものである。
【００１６】
さらに本発明は、一般式（１）
【００１７】
【化７】
2012046428.tif 000008
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、各々独立に炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、ピリジルフェニル基を表す。Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は同一又は異なっていてもよい。）で示される１，３，５−トリアジン化合物誘導体を構成成分とする有機薄膜電子デバイスに関するものである。
【００１８】
以下、本発明を説明する。
【００１９】
本発明でいう有機薄膜電子デバイスとは、例えば、有機電界発光素子、有機太陽電池、有機薄膜トランジスタなどをいう。
【００２０】
陽極と陰極の間に２層以上の有機層を有する有機薄膜電子デバイスとしては、例えば陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極の構造を有する有機電界発光素子、陽極／Ｐ型半導体／Ｎ型半導体／陰極の構造を有する有機薄膜太陽電池、ゲート電極層／ゲート絶縁層／ソース・ドレイン電極層／Ｐ型またはＮ型有機半導体層の構造を有する有機薄膜トランジスタなどが挙げられる。
【００２１】
次に、本発明の有機薄膜電子デバイスの構成成分である一般式（１）で表される１，３，５−トリアジン化合物誘導体について説明する。
【００２２】
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、各々独立に炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、ピリジルフェニル基を表す。
【００２３】
ピリジルフェニル基におけるピリジル基は、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基のいずれであっても良く、また、ピリジルフェニル基におけるピリジル基はフェニレン基の２−、３−、４−位のいずれに結合していてもよい。
【００２４】
炭素数１から６のアルキル基とは、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられる。以上に挙げた置換基はピリジルフェニル基上の任意の位置に任意の置換基を選択することができる。
【００２５】
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３のピリジルフェニル基は好ましくは、水素原子あるいはメチル基で置換されている場合であり、更に好ましくは全て水素原子の場合である。
【００２６】
次に、一般式（１）の製造方法について説明する。
【００２７】
本発明のトリアジン化合物誘導体（１）は、次の反応式で示される方法により製造することができる。
【００２８】
【化８】
2012046428.tif 000009
【００２９】
【化９】
2012046428.tif 000010
【００３０】
【化１０】
2012046428.tif 000011
（式中、Ｘは脱離基を表し、同一化合物内に２つ以上のＸがある場合、それぞれのＸは同一又は異なっていてもよい。Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、炭素数１から６のアルキル基で置換されていても良い、ピリジルフェニル基を表す。Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は同一又は異なっていてもよい。Ｒ１は水素原子、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ１）２の２つのＲ１は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ１は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。）
反応は工程１から連続して行っても、工程２、工程３から行ってもよい。
【００３１】
化合物（３−１）から（３−３）におけるＢ（ＯＲ１）２としては、Ｂ（ＯＨ）２、Ｂ（ＯＭｅ）２、Ｂ（ＯｉＰｒ）２、Ｂ（ＯＢｕ）２、Ｂ（ＯＰｈ）２等が例示できる。又、２つのＲ１が一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成した場合のＢ（ＯＲ１）２の例としては、次の（Ｉ）から（ＶＩ）で示される基が例示でき、収率がよい点で（ＩＩ）で示される基が好ましい。
【００３２】
【化１１】
2012046428.tif 000012
化合物（２）から（２−３）におけるＸで表される脱離基は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。収率がよい点で、臭素原子が好ましい。
【００３３】
「工程１」から「工程３」は、化合物（３−１）から（３−３）を、塩基及びパラジウム触媒の存在下に化合物（２）から（２−３）と反応させ、本発明のトリアジン化合物誘導体（１）を製造する方法であり、一般的な鈴木−宮浦反応の反応条件を適用することにより、収率よく目的物を得ることができる。
【００３４】
「工程１」から「工程３」で用いることのできるパラジウム触媒としては、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、硝酸パラジウム等の塩を例示することができる。さらに、π−アリルパラジウムクロリドダイマー、パラジウムアセチルアセトナト、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム及びジクロロ（１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン）パラジウム等の錯化合物を例示することができる。中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は収率がよい点で好ましく、入手容易であり、収率がよい点で、トリフェニルホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体がさらに好ましい。「工程１」から「工程３」で用いるパラジウム触媒の量は、いわゆる触媒量であれば特に制限はないが、収率がよい点で、パラジウム触媒と化合物（３−１）から（３−３）とのモル比は、１：５０〜１：１０が好ましい。
【００３５】
なお、これらの第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。第三級ホスフィンとしては、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルホスフィン、９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリス（２，５−キシリル）ホスフィン、（±）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル等を例示することができる。入手容易であり、収率がよい点で、トリフェニルホスフィンが好ましい。第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、収率がよい点で１：２〜５：１がさらに好ましい。
【００３６】
「工程１」から「工程３」の反応は、塩基の存在下に実施することが必須である。用いることのできる塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム等を例示することができ、収率がよい点で水酸化ナトリウムが好ましい。塩基と化合物（３−１）から（３−３）とのモル比に特に制限はないが、１：２〜１０：１が好ましく、収率がよい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。
【００３７】
「工程１」から「工程３」で用いる化合物（２）から（２−３）と化合物（３−１）から（３−３）とのモル比に特に制限はないが、１：１〜１：５が好ましく、収率がよい点で１：１〜１：３がさらに好ましい。
【００３８】
「工程１」から「工程３」の反応は溶媒中で実施することができる。用いることのできる溶媒として、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、エタノール、メタノール又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。収率がよい点でテトラヒドロフラン及び水の混合溶媒を用いることが望ましい。
【００３９】
本発明の１，３，５−トリアジン化合物誘導体（１）は、「工程１」から「工程３」の終了後に通常の処理を行うことで得ることができる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。
【００４０】
次に、蒸着方法について説明する。蒸着方法は、真空蒸着法であり、真空中で物質に膜をつける方法である。膜をつける基板と膜の原料を容器内に置き、全体を真空状態にして、原料を熱で溶かす。原料が気体分子となり、基板に衝突、付着し、膜が形成される。加熱方法は、抵抗加熱式、電子ビーム式、高周波誘導式、レーザー式などがある。原料分子が基板に達する前に残存気体分子に衝突しないように、１０−３〜１０−４Ｐａの高い真空度が必要である。
【００４１】
また、一般式（１）はホストとして使用することも可能であり、その場合、２−（２−ピリジル）ヒドロキシフェノラトリチウム（ＬｉＰＰ）などのドーパントを加えて使用しても良い。
【００４２】
本発明では、１，３，５−トリアジン化合物誘導体を用いることで、有機電界発光素子、有機薄膜太陽電池、有機薄膜トランジスタなどの有機薄膜電子デバイスを提供できる。
【発明の効果】
【００４３】
本発明の１，３，５−トリアジン化合物誘導体（１）は、優れた電荷注入及び輸送特性を有しており、有機電界発光素子の電子輸送層として用いた場合、汎用の有機電界発光素子に比べて消費電力を低減させ、また有機薄膜太陽電池の励起子阻止層として用いた有機薄膜素子は耐久性が高くなることが期待される。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】試験例１の有機薄膜太陽電池の断面図である。
【図２】試験例２の有機電界発光素子の断面図である。
【実施例】
【００４５】
以下、本発明の試験例、合成実施例を説明するが、本発明はこれらに何ら限定されるものではない。
【００４６】
なお、作製した有機薄膜太陽電池は、コンピューター制御されたソースメーター（商品名「２４００シリーズソースメーター」、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ社製）を用いて、ＡＭ１．５条件（光強度１００ｍＷ／ｃｍ２）下で、電流密度−電圧（Ｉ−Ｖ）特性を測定し、開放端電圧（Ｖｏｃ）、短絡電流密度（Ｊｓｃ）、曲線因子（ＦＦ）、光電変換効率を求めた。同じＰｉｎ（光強度）において、Ｖｏｃ、Ｊｓｃ及びＦＦがいずれも大きな化合物ほど優れた光電変換効率を示す。なお、光電変換効率は下記式によって導出した。
【００４７】
【数１】
2012046428.tif 000013
合成実施例１
２，４，６−トリス［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジン（ＴＰＴ）の合成
【００４８】
【化１２】
2012046428.tif 000014
アルゴン気流下、４−（ピリジン−２−イル）フェニルボロン酸（３．２８ｇ）、２，４，６−トリス（４−ブロモフェニル）−１，３，５−トリアジン（１．５０ｇ）、酢酸パラジウム（１２．３ｍｇ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．１６５ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（０．１７ｍＬ）をテトラヒドロフラン（５０ｍＬ）に懸濁し、加熱還流した。４規定−水酸化ナトリウム水溶液（６．９ｍＬ）を加え、さらに２５時間還流した。反応混合物を放冷後、水（５０ｍＬ）とメタノール（２０ｍｌ）を加えた。析出した固体をろ別し、２，４，６−トリス［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジンの白色固体（収量１．６０ｇ、収率７６％、ＬＣ純度９５．８％）を得た。
【００４９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．４２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，３Ｈ），７．９６（ｔ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，３Ｈ），８．０２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，６Ｈ），８．１０（ｄ、Ｊ＝３．９Ｈｚ，３Ｈ），８．１２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，６Ｈ），８．３１（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，６Ｈ），８．８５（ｄ，Ｊ＝３．９Ｈｚ，３Ｈ），８．９３（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，６Ｈ）．
試験例１
２，４，６−トリス［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジン（ＴＰＴ）を構成成分とする有機薄膜太陽電池素子の作製と性能評価
基板には、酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）電極２がストライプ上にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をアセトン、洗剤、超純水、イソプロピルアルコールで超音波洗浄後、イソプロピルアルコールで蒸気洗浄を行った。その後、ＵＶオゾン洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面図を図１に示すような面積３．１２５ｍｍ２の有機薄膜太陽電池素子を作製した。
【００５０】
まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板１を導入し、５．０×１０−４Ｐａまで減圧した。その後、前記ガラス基板１上に有機層として、ＭｏＯ３層３、ｐ層４、ｎ層５、励起子阻止層６を順次成膜し、その後、電極層７を成膜した。ｐ層４としては、テトラフェニルポルフィリン（Ｈ２ＴＰＰ）を１０ｎｍの膜厚で、ｎ層５としては、Ｃ６０フラーレンを４０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。励起子阻止層６としては、２，４，６−トリス［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジン（ＴＰＴ）を１０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。なお、各有機材料は温度制御したカーボンルツボにより成膜し、加熱したＴＰＴを０．１ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で真空蒸着した。また、ＭｏＯ３層３の蒸着速度は０．０５ｎｍ／ｓｅｃ、ｐ層４の蒸着速度は０．０３ｎｍ／ｓｅｃ、ｎ層５の蒸着速度は０．０３ｎｍ／ｓｅｃでそれぞれ作製した。最後に、ＩＴＯストライプと直交するようにメタルマスクを配置し、電極層７を成膜した。電極層７は、銀を１００ｎｍの膜厚で真空蒸着した。それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ）で測定した。ＤＥＫＴＡＫであらかじめ膜厚を測定することで補正した水晶発振子を用いて膜厚と蒸着速度を制御した。さらに、酸素及び水分濃度２ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で、ガラス製の封止キャップと前記成膜基板をエポキシ型紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス株式会社製）を用いて封止した。
【００５１】
作製した有機薄膜太陽電池素子のＩ−Ｖ特性を測定した。その結果を表１に示す。
【００５２】
比較例１
試験例１の励起子阻止層６に代えて、既存材料２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）とし、試験例１と同様に有機薄膜太陽電池素子を作製した。作製した有機薄膜太陽電池素子は、試験例１と同様にＩ−Ｖ特性を測定した。その結果を表１に示す。
【００５３】
比較例２
試験例１の励起子阻止層６を成膜せず、試験例１と同様に有機薄膜太陽電池素子を作製した。作製した有機薄膜太陽電池素子は、試験例１と同様にＩ−Ｖ特性を測定した。その結果を表１に示す。
【００５４】
【表１】
2012046428.tif 000015
表１からわかるように、本発明の化合物はＢＣＰに比べ、耐久性が向上しており、よい太陽電池特性を示すことが明らかである。
【００５５】
試験例２
２，４，６−トリス［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジン（ＴＰＴ）を構成成分とする有機電界発光素子の作製と性能評価
基板には、酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）電極２がストライプ上にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をアセトン、洗剤、超純水、イソプロピルアルコールで超音波洗浄後、イソプロピルアルコールで蒸気洗浄を行った。その後、ＵＶオゾン洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面図を図２に示すような発光面積３．１２５ｍｍ２の有機電界発光素子を作製した。
【００５６】
まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板１を導入し、５．０×１０−４Ｐａまで減圧した。その後、前記ガラス基板１上に有機層として、正孔注入層８、正孔輸送層９、発光層１０、電子輸送層１１を順次成膜し、その後、陰極層１２を成膜した。正孔注入層８としては、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）を０．７５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。正孔輸送層９としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）を９０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。発光層１０としては、トリス（８−キノイノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ３）を３０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。電子輸送層１１としては、２，４，６−トリス［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジン（ＴＰＴ）を４０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。なお、各有機材料は温度制御したカーボンルツボにより成膜し、加熱したＭｏＯ３を０．０５ｎｍ／ｓｅｃ、α−ＮＰＤを０．１ｎｍ／ｓｅｃ、Ａｌｑ３を０．１ｎｍ／ｓｅｃ、ＴＰＴを０．１ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で真空蒸着した。最後に、ＩＴＯストライプと直交するようにメタルマスクを配置し、陰極層１２を成膜した。陰極層１２は、フッ化リチウムとアルミニウムをそれぞれ０．５ｎｍと１００ｎｍの膜厚で真空蒸着し、２層構造とした。それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ）で測定した。ＤＥＫＴＡＫであらかじめ膜厚を測定することで補正した水晶発振子を用いて膜厚と蒸着速度を制御した。さらに、酸素及び水分濃度２ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で、ガラス製の封止キャップと前記成膜基板をエポキシ型紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス株式会社製）を用いて封止した。
【００５７】
作製した有機電界発光素子は、コンピューター制御されたのソースメーター（商品名「２４００シリーズソースメーター」、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ社製）を用いて、Ｉ−Ｖ特性を測定した。発光特性として、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２を流した時の電圧（Ｖ）、輝度（ｃｄ／ｍ２）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、電力効率（ｌｍ／Ｗ）を測定し、連続点灯時の輝度が２０％減少する時間を測定した。
【００５８】
作製した素子の測定値は６．５７Ｖ、２１００ｃｄ／ｍ２、４．２４ｃｄ／Ａ、２．１１ｌｍ／Ｗであった。また、この素子の輝度が２０％減少する時間は５９８時間であった。
【００５９】
比較例３
試験例２の電子輸送層１１に代えて、既存材料のトリス（８−キノイノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ３）を４０ｎｍの膜厚で真空蒸着した有機電界発光素子を、試験例２と同様に作製した。
【００６０】
作製した素子の測定値は９．４７Ｖ、２３９０ｃｄ／ｍ２、４．７８ｃｄ／Ａ、１．６３ｌｍ／Ｗであった。また、この素子の輝度が２０％減少する時間は５６０時間であった。
【００６１】
試験例２、比較例３からわかるように、本発明の化合物は既存材料（Ａｌｑ３）に比べ、駆動電圧が低下し、長寿命化しており、優れた有機電界発光特性を示すことが明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明の１，３，５−トリアジン化合物誘導体は、有機電界発光素子や有機薄膜太陽電池のなどの有機薄膜電子デバイスの構成材料として利用可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１  ガラス基板
２  ＩＴＯ電極
３  ＭｏＯ３層
４  ｐ型層
５  ｎ型層
６  励起子阻止層
７  電極層
８  正孔注入層
９  正孔輸送層
１０  発光層
１１  電子輸送層
１２  陰極層
【図１】
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【図２】
2012046428.tif 000026